【手続補正書】
【提出日】平成27年10月1日(2015.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１駆動電圧が提供されて、データを格納するメモリセルと、
前記メモリセルに接続されるビットライン対と、
前記第１駆動電圧より低い第２駆動電圧が提供され、前記ビットライン対に接続されるセンスアンプと、
前記第１及び第２駆動電圧の中からプリチャージ電圧を選択し、前記ビットライン対を前記選択されたプリチャージ電圧にプリチャージし、前記プリチャージ電圧をターゲット電圧に調整する制御ロジックとを含むことを特徴とするＳＲＡＭ装置。
【請求項２】
前記第２駆動電圧が特定の電圧より高い場合に、前記制御ロジックは、前記第２駆動電圧を前記プリチャージ電圧に選択し、
前記第２駆動電圧が、前記特定の電圧より低い場合には、前記制御ロジックは、前記第１駆動電圧を前記プリチャージ電圧に選択することを特徴とする請求項１に記載のＳＲＡＭ装置。
【請求項３】
前記特定電圧は、前記センスアンプが、前記メモリセルに格納されたデータを感知するための最小プリチャージ電圧に対応することを特徴とする請求項２に記載のＳＲＡＭ装置。
【請求項４】
前記第１及び第２駆動電圧の電圧差が特定の電圧差より小さい場合に、前記制御ロジックは、前記第２駆動電圧を前記プリチャージ電圧に選択し、
前記電圧差が前記特定の電圧差より大きい場合には、前記制御ロジックは、前記第１駆動電圧を前記プリチャージ電圧に選択することを特徴とする請求項１に記載のＳＲＡＭ装置。
【請求項５】
前記特定の電圧差は約２５０ｍＶに対応することを特徴とする請求項４に記載のＳＲＡＭ装置。
【請求項６】
前記制御ロジックは、前記電圧差を検出し、検出の結果に基づいて選択信号を生成するレベル検出器を含み、
前記選択信号に応じて前記プリチャージ電圧を選択するパワースイッチと、
前記制御ロジックの制御に応じて前記プリチャージ電圧に前記ビットライン対をプリチャージするプリチャージ及び等化回路とをさらに含むことを特徴とする請求項４に記載のＳＲＡＭ装置。
【請求項７】
前記制御ロジックの制御に応じて前記プリチャージ電圧を選択するパワースイッチと、
前記制御ロジックの制御に応じて前記プリチャージ電圧に前記ビットライン対をプリチャージするプリチャージ及び等化回路とを含むことを特徴とする請求項１に記載のＳＲＡＭ装置。
【請求項８】
前記制御ロジックの制御に応じて前記プリチャージ電圧を前記ターゲット電圧に調整するプリチャージ電圧調整回路をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のＳＲＡＭ装置。
【請求項９】
前記プリチャージ電圧調整回路は、プルアップ及びプルダウン制御信号を含む前記制御ロジックの制御に応答して、前記第１駆動電圧及び接地電圧を使用して、前記プリチャージ電圧をプルアップ又はプルダウンするプルアップ及びプルダウン回路を含むことを特徴とする請求項８に記載のＳＲＡＭ装置。
【請求項１０】
前記プリチャージ電圧調整回路は、前記ターゲット電圧を生成する基準電圧発生器を含み、
前記制御ロジックは、前記ビットライン対のプリチャージ電圧が、前記基準電圧発生器の前記ターゲット電圧を使用して、前記ターゲット電圧に調整されるように、前記基準電圧発生器を制御することを特徴とする請求項８に記載のＳＲＡＭ装置。
【請求項１１】
前記プリチャージ電圧調整回路は、前記第１駆動電圧を使用して、前記プリチャージ電圧を前記ターゲット電圧に調整するシフト回路を含み、
前記制御ロジックは、前記プリチャージ電圧が、前記ターゲット電圧に調整されるように、前記シフト回路を制御することを特徴とする請求項８に記載のＳＲＡＭ装置。
【請求項１２】
前記プリチャージ電圧調整回路は、
前記制御ロジックからのプルアップ及びプルダウン制御信号に応答して、前記第１駆動電圧及び接地電圧を使用して、前記プリチャージ電圧をプルアップ又はプルダウンするプルアップ及びプルダウン回路と、
前記制御ロジックの制御に応じて前記ビットライン対に提供される前記ターゲット電圧を生成する基準電圧発生器とを含み、
前記プルアップ及びプルダウン回路と、前記基準電圧発生器は、前記ビットライン対のプリチャージ電圧が、前記ターゲット電圧に調整されるように相互作用することを特徴とする請求項８に記載のＳＲＡＭ装置。
【請求項１３】
前記制御ロジックは、前記ＳＲＡＭ装置の動作モードに応じて前記プリチャージ電圧を選択することを特徴とする請求項１に記載のＳＲＡＭ装置。
【請求項１４】
前記ＳＲＡＭ装置の前記動作モードが高速動作モードに対応する場合に、前記第２駆動電圧が、前記プリチャージ電圧に選択され、
前記ＳＲＡＭ装置の前記動作モードが低速動作モードに対応する場合には、前記制御ロジックは、前記第１駆動電圧を前記プリチャージ電圧に選択することを特徴とする請求項１２に記載のＳＲＡＭ装置。
【請求項１５】
ＳＲＡＭ装置のビットラインプリチャージ方法において、
第１駆動電圧をメモリセルに提供する段階と、
前記第１駆動電圧より低い第２駆動電圧をセンスアンプに提供する段階と、
前記第１駆動電圧と前記第２駆動電圧とのうちのいずれか一つをプリチャージ電圧に選択する段階と、
前記選択されたプリチャージ電圧を前記メモリセルと電気的に接続されたビットライン対に提供する段階と、
前記センスアンプがセンシング動作を実行する前に、前記プリチャージ電圧をターゲット電圧に調整する段階とを含むことを特徴とするプリチャージ方法。
【請求項１６】
前記プリチャージ電圧を選択する段階は、
前記ＳＲＡＭ装置の動作モードを検出する段階と、
検出の結果、高速動作モードである場合に、前記第２駆動電圧を前記プリチャージ電圧に選択する段階と、
検出の結果、低速動作モードである場合には、前記第１駆動電圧を前記プリチャージ電圧に選択する段階とを含むことを特徴とする請求項１５に記載のプリチャージ方法。
【請求項１７】
前記プリチャージ電圧を選択する段階は、
前記第１駆動電圧と前記第２駆動電圧との電圧差を検出する段階と、
検出の結果、前記電圧差が特定の電圧差より小さい場合に、前記第２駆動電圧を前記プリチャージ電圧に選択する段階と、
検出の結果、前記電圧差が特定の電圧差より大きい場合には、前記第１駆動電圧を前記プリチャージ電圧に選択する段階とを含むことを特徴とする請求項１５に記載のプリチャージ方法。
【請求項１８】
前記プリチャージ電圧を選択する段階は、
前記第２駆動電圧と特定の電圧とを比較する段階と、
前記第２駆動電圧が、前記特定の電圧より高い場合に、前記第２駆動電圧を前記プリチャージ電圧に選択する段階と、
前記第２駆動電圧が、前記特定の電圧より低い場合には、前記第１駆動電圧を前記プリチャージ電圧に選択する段階とを含むことを特徴とする請求項１５に記載のプリチャージ方法。
【請求項１９】
ビットライン対と、
前記ビットライン対に接続され、第１駆動電圧が電気的に提供されるメモリセルと、
前記ビットライン対の一側に電気的に接続されるプリチャージ電圧ソースと、
前記ビットライン対の他側に接続され、前記第１駆動電圧より低い第２駆動電圧が提供されるセンスアンプと、
前記第１駆動電圧及び前記第２駆動電圧をモニタリングし、前記第２駆動電圧が特定の電圧より低い場合には、前記センスアンプがセンシング動作を実行する前に、前記ビットライン対がターゲット電圧にプリチャージされるように前記プリチャージ電圧ソースを制御する制御ロジックとを含み、
前記第１駆動電圧は前記第２駆動電圧より大きく、前記ターゲット電圧は、前記第１駆動電圧と前記第２駆動電圧との間の電圧であることを特徴とするＳＲＡＭ装置。
【請求項２０】
前記プリチャージ電圧ソースは、前記第２駆動電圧と、プルアップ及びプルダウン回路の出力を含み、
前記制御ロジックは、前記プルアップ及びプルダウン回路にプルアップ及びプルダウン制御信号を提供し、前記第２駆動電圧は、前記ビットライン対の一側と前記プルアップ及びプルダウン回路に電気的に接続されることを特徴とする請求項１９に記載のＳＲＡＭ装置。