【事件の表示】
　特願２００５−２１８１８１「半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　１月１２日出願公開、特開２００６−　１３５３３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成７年９月４日に出願した特願平７−２２６１９９号の一部を、平成１４年３月２９日に新たに特許出願した特願２００２−９４６９０号の一部を、更に平成１７年７月２８日に新たに特許出願したものであって、平成２０年５月９日付けの拒絶理由通知に対して、同年７月３日付けで手続補正がされたが、同年７月１８日付で拒絶査定がされ、これに対し、同年８月２８日に拒絶査定不服審判がされるとともに、同年９月２４日付で手続補正がされたものである。
　
２．平成２０年９月２４日付の手続補正についての補正却下の決定
　［補正却下の決定の結論］
　平成２０年９月２４日付の手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　
　［理由］
（２−１）補正の概略
　本件補正は、特許請求の範囲及び明細書についてするもので、特許請求の範囲については、補正前の請求項１に、
「表面および裏面と、前記表面に設けられた第１の領域と第２の領域と、前記第１の領域に設けられた前記表面と前記裏面とを貫通する第１の貫通孔と、前記第２の領域に設けられた前記表面と前記裏面とを貫通する第２の貫通孔とを備えた樹脂基板と、
　前記樹脂基板の前記表面に設けられた、前記第１の貫通孔を覆うランド部と前記第２の領域に形成された第２の部分とを有する第１の金属配線と、前記第２の貫通孔を覆うランド部と前記第２の領域に形成された第２の部分とを有する第２の金属配線と、
　前記第１の金属配線が形成された前記樹脂基板の前記第１の領域上に、前記第１の金属配線の前記ランド部を覆うように形成された絶縁シートと、
　前記絶縁シートに搭載された、複数の電極を有する半導体チップと、
　前記半導体チップの前記複数の電極と、前記第１の金属配線の前記第２の部分、および、前記第２の金属配線の前記第２の部分とを接続する複数のワイヤと、
　前記樹脂基板の前記裏面側に設けられ、前記第１の貫通孔内に露出する第１の金属配線の前記ランド部および前記第２の貫通孔内に露出する前記第２の金属配線の前記ランド部にそれぞれ接続された半田ボールと、を含むことを特徴とする半導体装置。」
とあったものを、
「表面および裏面と、前記表面に設けられた第１の領域と第２の領域と、前記第１の領域に設けられた前記表面と前記裏面とを貫通する第１の貫通孔と、前記第２の領域に設けられた前記表面と前記裏面とを貫通する第２の貫通孔とを備えた樹脂基板と、
　前記樹脂基板の前記表面に設けられた、前記第１の貫通孔を完全に覆うランド部と前記第２の領域に形成された第２の部分とを有する第１の金属配線と、前記第２の貫通孔を完全に覆うランド部と前記第２の領域に形成された第２の部分とを有する第２の金属配線と、
　前記第１の金属配線が形成された前記樹脂基板の前記第１の領域上に、前記第１の金属配線の前記ランド部を覆うように形成された絶縁シートと、
　前記絶縁シートに搭載された、複数の電極を有する半導体チップと、
　前記半導体チップの前記複数の電極と、前記第１の金属配線の前記第２の部分、および、前記第２の金属配線の前記第２の部分とを接続する複数のワイヤと、
　前記樹脂基板の前記裏面側に設けられ、前記第１の貫通孔内に露出する第１の金属配線の前記ランド部および前記第２の貫通孔内に露出する前記第２の金属配線の前記ランド部にそれぞれ接続された半田ボールと、を含むことを特徴とする半導体装置。」
と補正しようとする事項を含むものである。
　
　すると、本件補正における、特許請求の範囲の請求項１についてする補正は、補正前の請求項１に「貫通孔を覆うランド部」とあったところを、「貫通孔を完全に覆うランド部」と限定するものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる事項を目的とするものである。
　
　そこで、本件補正後における特許請求の範囲に記載されている事項により構成される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かを、請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）について以下に検討する。
　
（２−２）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の原出願前に頒布された刊行物である、特開昭６１−１７７７５９号公報（以下、「引用例１」という。）、特開平６−１１２３５４号公報（以下、「引用例３」という。）には、図面とともに以下の技術事項が記載されている。
　
（２−２−１）引用例１（特開昭６１−１７７７５９号公報）
（１ａ）「１．パッケージより、アウターリードを垂直に出した半導体装置であって、前記パッケージ本体内の半導体素子の下部にも前記アウターリードを有して成ることを特徴とする半導体装置。」（特許請求の範囲）  
 　 
（１ｂ）「〔発明の目的〕 
　本発明の目的は、大チップ搭載可能としたプラグインパッケージを提供することを目的とする。 
　本発明の他の目的はピン数の増加したプラグインパッケージを提供することを目的とする。 
　本発明のさらに他の目的は配線の引き回しが容易なプラグインパッケージを提供することを目的とする。 
　本発明のさらに他の目的はパッケージサイズの小型化を目的とする。」（第２頁左上欄第６−１５行） 
 　 
（１ｃ）「〔実施例〕 
　次に、本発明の実施例を図面に基づき説明する。 
　第１図に示すように、ベース（基板）１の上に接着材料２により半導体素子（チップ）３を固着する。 
　ベースｌは例えばガラスエポキシ基板により構成される。接着材料２には、後述するシリコーン系ゲル（以下Ｓｉ系ゲルという）を使用することが好ましい。 
　・・・ 
　基板１には第１図および第２図に示すようにその垂直方向に多数のアウターリード４が立設されている。 
　本発明では、これら図に示すように、アウターリード４は半導体素子３の下部にも立設されている。パッケージ本体５の基板１の裏面から基盤目状に一定のピッチで、金属ピンよりなるアウターリード４が全面にわたって突出しており、第２図に示すように、最内周の金属ピン４の対向するピン間間隔（Ａ）よりも大なる半導体素子３を搭載している。 
　ベースｌには、第１図にはメタライズ層（配線層）６がメッキ、蒸着などにより設けられており、このメタライズ層６と半導体素子３のパッド（図示せず）とを、コネクタワイヤ７により、第１図に示すように、超音波ボンディングなどの方法によりボンディングし、上記メタライズ層６と、アウタ−リード４とを、ベース１に穿設されたスルホールを介して電気的に接続している。 
 　アウタ−リード４は、ベース１に融点の高い半田により、半田付される。
　上記メタライズ層６は、例えばＡｌより構成される。コネクタワイヤ７には、例えばＡｌ細線が使用される。」（第２頁右上欄第１０行〜右下欄第８行） 
 　 
（１ｄ）「第３図は、本発明におけるワイヤボンディングおよびピン間の配線の要部平面図で、第３図に示すように、半導体素子３のボンディングパッド１１とメタライズ層９とをコネクタワイヤ７によりボンディングするが、本発明では配線基板ｌのメタライズ層（配線）９をボンディングリードとして利用すると、ピン間に引きまわすコネクタワイヤの本数が少なくでき、その配線が楽になる。」（第３頁右下欄第１〜８行） 
 　 
（１ｅ）「〔効果〕 
（１）アウターリードを、従来のごとく、チップの周辺下部に垂設するという制限を取り払い、全面に一定のピッチで基盤目状に配列し、それらアウターリードの上部にチップを搭載するようにしたので、チップは大きなサイズであっても搭載可能である。 
　すなわち、アウターリードの配列された内部にチップを搭載するようにしていたので、チップの大きさは、アウターリードの最内周の対向するピン間隔よりも越えることはできず、そのピン間隔により制限され、大チップを搭載することはできない本発明によれば大きなサイズのチップの搭載が可能となる。 
 （２）上記のようにアウターリードをベース全面にわたり多数垂設しているので、多ピン化が可能である。 
 　すなわち、チップの周辺下部にアウターリードを垂設するので、その周辺の狭いエリア内にアウターリードを配列することになり、アウターリードの数は然ずと制限されるが、本発明はかかる制限なく、多数のアウターリードをパッケージ本体から垂直に出すことができる。 
（３）大チップ化に伴ない、ピン間のコネクタワイヤの本数を低減でき、ピン間の配線が容易となる。その際ベース（配線基板）のメタライズ層をボンディングリードとして使用することにより、一層ピン間配線が容易となる。
（４）チップサイズを大きくしたら、アウターリードの配列に要するエリアもそれに伴ない拡大しなければならなかったが、チップサイズを大きくしても、アウターリードの配列に要するエリアを拡大する必要がなく、したがって、パッケージサイズを小さくすることができ、従来と同一サイズのパッケージでも、収納されるチップは大なるものとすることができる。」（第３頁右下欄第９行〜第４頁右上欄第４行） 
　
（１ｆ）「〔産業上の利用分野〕
　以上の説明では主として本発明者によってなされた発明をプラグインパッケージに適用した例を示したが、他のパッケージなどにも適用できる。」（第４頁右上欄第１７−２０行）
　
（１ｇ）第１図及び第２図は、実施例を示す断面図及び底面図であって、これらの図面には、ベース（配線基板）（１）上にメタライズ層（６）が形成され、該メタライズ層（６）を覆うように設けられた接着材料（２）を介して前記ベース上に半導体素子（３）が搭載されるとともに、該半導体素子（３）には、複数のコネクタワイヤ（７）が接続されることが示されている。 
　
（１ｈ）第３図は実施例を示す要部平面図であって、ベース（配線基板）（１）の一部が図示されており、以下の事項を読み取ることができる。
（１ｈ−１）図のほぼ上部四分の一の箇所に、図を横切る長さで、半導体素子（３）の一方の辺を示す実線が引かれており、該実線より下の領域では、ベース（配線基板）（１）が、半導体素子（３）によって覆われていること。
（１ｈ−２）実線の上の領域には、縦長のメタライズ層（６）が横に９本並んで描かれており、一番左側のメタライズ層（６）は、前記実線より上の領域において、アウターリード（４）、及び、コネクタワイヤ（７）と接続しており、左から２番目のメタライズ層（６）は、前記実線より上の領域において、コネクタワイヤ（７）と接続し、かつ、前記実線より下の領域において、アウターリード（４）と接続していること。
 　 
（２−２−２）引用例３（特開平６−１１２３５４号公報） 
（２ａ）「【０００２】
【従来の技術】一般に従来のデュアル・イン・ライン・パッケージ（ＤＩＰ）は、比較的少ない入出力（Ｉ／Ｏ）リード数の半導体デバイスに使用されている。しかしながらＩ／Ｏリード数の多いパッケージ・デバイスでは、ＤＩＰは非実用的である。またＤＩＰはスルーホール技術を利用するのの対して電子工業業会の動きは、表面実装用途に向かっている。リードレス・パッド・アレイ・キャリアの開発は、ＤＩＰなど従来のリード付きパッケージに比べていくつかの利点がある。これらのリードレス・パッド・アレイ・キャリアは、サイズを不必要に大きくせずに高いＩ／Ｏ密度を可能にする。またリードレス・パッド・アレイ・キャリアは、今日の用途に望ましい表面実装パッケージである。
【０００３】リードレス・パッド・アレイ・キャリアの全体的な作りは、基板の上面にマウントされた半導体ダイ、および基板の下面に付着された複数のはんだボールを含む。既存の基板はビスマレイミド・トリアジン（ＢＴ）樹脂などのプリント回路板材であり、上下両面が銅で被覆されている。半導体ダイをマウントする最終的な基板を作るには複雑な製造工程が必要である。この基板はパネル形状で加工し、後でストリップ形状にカットしてデバイスを組み立てる。」（第２頁右欄第１１−３３行）
　
（２ｂ）「【００１２】
【実施例】ここで、図を参照しながら本発明について説明する。図３は、薄型オーバーモールデッド・パッド・アレイ・キャリア・・・の改良基板４０を示す上面図である。・・・改良基板４０は高分子基板４２から構成され、この基板は上面に、導電金属トレース４６のパターンを有する。・・・トレース４６の終端が複数のはんだパッド４７になる。・・・」（第４頁左欄第２−１５行） 
 　 
（２ｃ）「【００１３】図４〜図５は、改良基板上に作られた薄型オーバーモールデッド・パッド・アレイ・キャリアの製造工程を示したものである。また図４は、図３の基板４０を線４―４で切った断面図である。・・・改良基板４０は、高分子材基板４２内に複数のスルーホール４４を有しており、この基板内でスルーホール４４は図３に示すはんだパッドの裏の金属に向かって直接に開いている。 図５は、完全に組立られた薄型オーバーモールデッド・パッド・アレイ・キャリア４８を示したものである。図５において、半導体ダイ５０が基板４０の上にマウントされている。ダイ５０は複数のワイヤ・ボンド５２によってトレース４６に電気的に結合されている。ワイヤ・ボンディング後、パッケージ・ボディ５４は、トランスファ・モールディング工程またはグローブ・トップ工程によって、基板上にオーバーモールドされて、ダイ５０，ワイヤ・ボンド５２およびトレース４６を完全に被覆する。・・・パッケージ・ボディ５４をオーバーモールドした後、複数のはんだボール５６を基板に付着して、ダイ５０のための外部電気接続を設ける。はんだボール５６は、スルーホール４４内でトレース４６の裏面に直接接続されている。はんだボールを導電トレースの裏側に直接付着する一つの利点は、トレースの経路設定が大幅に単純化されることと、それに加えて経路設定密度を高くできることである。基板の上面から基板の下面へとトレースを経路設定する必要がない。もう一つの利点は、導電路の長さが図１の先行技術に比較して短くなっており、デバイスのインダクタンスおよび静電容量が低下することである。
【００１４】この実施例は、先行技術に対して他にもいくつかの利点を有する。この基板は、基板の片面のみ金属を含むように大幅に単純化されている。そのため、金属パターニング工程が削減されて、基板の片面しか金属エッチングが必要でなくなり、時間も材料コストも節約される。またはんだレジストが基板から完全に排除されており、これによって基板の製造が単純化する。基板の下面ではんだレジストが必要なくなる理由は、この表面に金属被覆がないからである。はんだバンピング工程の間、トレースの上をはんだが流れてデバイスを短絡させる危険はない。この工程ではんだボールがスルーホール内でトレースに付着される。はんだレジストは基板の上面でも不要である。無電解めっきを用いるので、この実施例ではデバイスにエッジ・トレースがない。したがって、トレースが基板の端部まで延在していないので、基板の端部の滑らかな表面の上にモールド・ダイを固定(clamp) できる。基板の両面にはんだレジスト層を施す段階、および次のはんだレジストをパターン化する段階が除去される。基板の片面だけに金属を有し、はんだレジストがないことのもう一つの利点は、基板の厚さが減ることである。薄い基板は、リードレス・パッド・アレイ・キャリアが薄くなることにつながり、このことは、ラジオやページャなど携帯型装置の用途では特に望ましい。」（第４頁左欄第２０行−右欄第２９行） 
 　 
（２ｄ）図３は、本発明の実施例に基づく薄型オーバーモールデッド・パッド・アレイ・キャリアの改良基板を、上面図で示したものであって、導電金属トレース４６の終端が、幅広で、かつ、ほぼ円形状の、はんだパッド４７に形成されていることが示されている。また、図４は、図３の基板４０を、はんだパッド４７の中心を通る線４−４で切った断面図であり、図３と併せて観察することで、はんだパッド４７が、スルーホール４４を完全に覆っていることを読み取ることができる。
 　 
（２−３）当審の判断 
（２−３−１）引用例１に記載の発明 
　上記引用例１の摘記（１ａ）には、パッケージより、アウターリードを垂直に出した半導体装置であって、パッケージ本体内の半導体素子の下部にもアウターリードを有して成る半導体装置が記載され、 
　摘記（１ｃ）には、ベース（基板）はガラスエポキシ基板により構成されることが記載されている。 
　又、摘記（１ｃ）には、基板１の裏面から基盤目状に一定のピッチで、金属ピンよりなるアウターリード４が全面にわたって突出すること、ベースには、メタライズ層（配線層）６が設けられており、このメタライズ層６と半導体素子３のパッドとを、コネクタワイヤ７により、ボンディングし、上記メタライズ層６と、アクターリード４とを、ベース１に穿設されたスルホールを介して電気的に接続していることが記載され、
　摘記（１ｇ）には、ベース（配線基板）１上にメタライズ層６が形成され、該メタライズ層６を覆うように設けられた接着材料２を介して前記ベース上に半導体素子３が搭載されるとともに、該半導体素子３には、複数のコネクタワイヤ７が接続されることが記載されている。
　さらに、摘記（１ｈ）によれば、少なくとも一のメタライズ層は、半導体素子によって覆われていない領域でアウターリード部及びコネクタワイヤと接続し、かつ、他の少なくとも一のメタライズ層は、半導体素子によって覆われていない領域でコネクタワイヤと接続すると共に、該半導体素子によって覆われている領域でアウターリードと接続していることが記載されていると理解できる。 
 　 
　そうすると、引用例１の摘記（１ａ）〜（１ｈ）をまとめると、引用例１には、
「表面および裏面と、前記表面に設けられた半導体素子が覆う領域と、前記半導体素子が覆っていない領域と、前記半導体素子が覆う領域に設けられた第１のスルホールと、前記半導体素子が覆っていない領域に設けられた第２のスルホールとを備えたガラスエポキシ基板と、
　前記ガラスエポキシ基板の前記表面に設けられた、前記第１のスルホールの位置に形成された部分と前記半導体素子が覆っていない領域に形成された第２の部分とを有する第１のメタライズ層と、前記第２のスルホールの位置に形成された部分と前記半導体素子が覆っていない領域に形成された第２の部分とを有する第２のメタライズ層と、
　前記第１のメタライズ層が形成された前記ガラスエポキシ基板の前記半導体素子が覆う領域上に、前記第１のメタライズ層の前記スルホールの位置を覆うように形成された接着材料と、
　前記接着材料に搭載された、複数のボンディングパッドを有する半導体素子と、
　前記半導体素子の前記複数のボンディングパッドと、前記第１のメタライズ層の前記第２の部分、および、前記第２のメタライズ層の前記第２の部分とを接続する複数のコネクタワイヤと、
　前記ガラスエポキシ基板の前記裏面側に設けられ、前記第１のスルホール、第２のスルホールを介して前記第１のメタライズ層および前記第２のメタライズ層に電気的に接続されたアウターリードと、を含むことを特徴とする半導体装置」
の発明（以下、「引用例１発明」という。）が記載されていることになる。 
 　 
（２−３−２）対比 
　本願補正発明と引用例１発明とを対比する。 
　引用例１発明の「半導体素子」、「ガラスエポキシ基板」、「スルホール」、「メタライズ層」、「ボンディングパッド」は、それぞれ順に本願補正発明の「半導体チップ」、「樹脂基板」、「貫通孔」、「金属配線」、「電極」に相当している。また、引用例１発明の「半導体素子が覆う領域」、「半導体素子が覆っていない領域」は、それぞれ本願補正発明の「第１の領域」、「第２の領域」に相当する。 
　次に、本願補正発明の「絶縁シート」について検討する。本願明細書には、本願の発明の実施例に関して、「図４の一点破線２３１は銅配線板・・・上に塗布された絶縁シートである。」（段落【００４２】）と記載されていることから、該「絶縁シート」は塗布したものを含むと解される。一方、引用例１発明の「接着材料」は、摘記（１ｃ）によれば、シリコーン系ゲルを使用することが好ましいとされている。そして、通常当該材料は塗布して使用すること、及び、塗布して設けられた当該材料が絶縁性を有することは明らかなこと等を鑑みれば、引用例１発明の「接着材料」は、本願補正発明の「絶縁シート」に相当するといえる。 
　更に、引用例１発明の「スルホールを介してメタライズ層と電気的に接続するアウターリード」と、本願補正発明の「貫通孔内に露出する金属配線のランド部に接続された半田ボール」は、金属配線に接続された外部端子という範囲において一致するものと認められる。
 　 
　そうすると、両者は、 
「表面および裏面と、前記表面に設けられた第１の領域と第２の領域と、前記第１の領域に設けられた前記表面と前記裏面とを貫通する第１の貫通孔と、前記第２の領域に設けられた前記表面と前記裏面とを貫通する第２の貫通孔とを備えた樹脂基板と、
　前記樹脂基板の前記表面に設けられた、前記第１の貫通孔の領域に形成された部分と前記第２の領域に形成された第２の部分とを有する第１の金属配線と、前記第２の貫通孔の領域に形成された部分と前記第２の領域に形成された第２の部分とを有する第２の金属配線と、
　前記第１の金属配線が形成された前記樹脂基板の前記第１の領域上に、前記第１の金属配線の前記貫通孔の領域に形成された部分を覆うように形成された絶縁シートと、
　前記絶縁シートに搭載された、複数の電極を有する半導体チップと、
　前記半導体チップの前記複数の電極と、前記第１の金属配線の前記第２の部分、および、前記第２の金属配線の前記第２の部分とを接続する複数のワイヤと、
　前記樹脂基板の前記裏面側に設けられた、前記第１の金属配線および前記第２の金属配線にそれぞれ接続された外部端子と、を含むことを特徴とする半導体装置。」
の点で一致し、次の点で相違する。 
 　 
　相違点１：本願補正発明の半導体装置の外部接続が「貫通孔内に露出する金属配線のランド部に接続された半田ボール」によって行われており、かつ、前記「ランド部」が前記貫通孔を完全に覆うものであるのに対して、引用例１発明では、「スルホールを介してメタライズ層と電気的に接続したアウターリード」によって行われている点。 
　
（２−３−３）判断 　 
（１）相違点１について 
　上記摘記（２ａ）によれば、リードレス・パッド・アレイ・キャリアは、今日の用途に望ましい「表面実装パッケージ」であり、上記摘記（２ｄ）によれば、引用例３に記載された発明の、導電金属トレース４６の終端は、幅広で、かつ、ほぼ円形状の、スルーホールを完全に覆うはんだパッド４７になっており、また、上記摘記（２ｃ）によれば、引用例３に記載された発明の、高分子材基板４２内のスルーホール４４は、はんだパッドの裏の金属に向かって直接開いており、複数のはんだボール５６は基板に付着して、ダイ５０のための外部電気接続となり、該はんだボール５６は、スルーホール４４内で導電トレース４６の裏面に直接接続されるのであるから、上記引用例３に記載される表面実装パッケージの外部電気接続は、スルーホール内に露出する導電（金属）トレースのはんだパッドに接続された、高分子材基板の裏面側に設けられた、はんだボールによりなされており、かつ、前記はんだパッドはスルーホールを完全に覆うものであることが理解できる。
　そして、引用例３の「スルーホール」、「導電（金属）トレース」、「はんだパッド」は、それぞれ本願補正発明の「貫通孔」、「金属配線」「ランド部」に相当するといえるから、結局、引用例３には、「貫通孔内に露出する、該貫通孔を完全に覆う金属配線のランド部に接続された半田ボール」を外部端子として備えた表面実装パッケージが記載されていると認められる。 
　
　また、引用例３に記載された表面実装パッケージは、樹脂基板の表面に搭載された半導体チップの外部電気接続を、該樹脂基板を備えたパッケージの裏面に設けた外部端子を用いて行うパッケージである点で、引用例１に記載されたプラグインパッケージと、共通する技術分野に属する発明であり、また、引用例３に記載された発明の半田ボールからなる外部端子は、パッケージの裏面に二次元的に配置可能である外部端子である点で、引用例１発明のアウターリードからなる外部端子と、作用・機能を共通とするものであるといえる。
　
　さらに、摘記（２ｃ）には、引用例３に記載された発明は、前記「貫通孔内に露出する金属配線のランド部に接続された半田ボール」からなる構造を有する外部端子を備えたことによって、摘記（２ａ）【従来の技術】の欄に記載された、樹脂基板の上下両面が銅で被覆された樹脂基板を加工して作製する、基板の下面に付着された複数の半田ボールを含む表面実装パッケージに対して、次のような利点を有することが記載されている。
（１）トレースの経路設定が大幅に単純化されることと、それに加えて経路設定密度を高くできること。基板の上面から基板の下面へとトレースを経路設定する必要がない。
（２）導電路の長さが先行技術に比較して短くなっており、デバイスのインダクタンスおよび静電容量が低下する。
（３）この基板は、基板の片面のみ金属を含むように大幅に単純化されている。そのため、金属パターニング工程が削減されて、基板の片面しか金属エッチングが必要でなくなり、時間も材料コストも節約される。
（４）はんだレジストが基板から完全に排除されており、これによって基板の製造が単純化する。
（５）基板の厚さが減る。
　
　しかも、上記摘記（１ｆ）には、引用例１発明は、主として引用例１発明の発明者によってなされた発明をプラグインパッケージに適用した例を示したものであるが、他のパッケージなどにも適用できることが示唆されている。
　
　してみれば、プラグインパッケージに適用された発明である引用例１発明を、引用例１の前記示唆に従って他のパッケージに適用するにあたり、引用例１発明のプラグインパッケージと同様に、樹脂基板の表面に搭載された半導体チップの外部電気接続を、該樹脂基板の裏面に設けた外部端子を用いて行うパッケージである引用例３に記載された表面実装パーケージに適用し、引用例１発明のアウターリードに代えて、該アウターリードと同様に、基板裏面に二次元的に配置可能な外部端子である引用例３に記載された「貫通孔内に露出する、該貫通孔を完全に覆う金属配線のランド部に接続された半田ボール」を外部端子として用いることは当業者が容易になし得たことである。そして、両者を組み合わせたことによる効果も、引用例１、３の記載から当業者が予測する範囲のものであり、両者を組み合わせることを妨げる格別の理由も認められない。
　なお、引用例３に「もう一つの利点」として記載されている、はんだレジストがないことにより基板の厚さが減るという利点は、前記摘記（１ｂ）の〔発明の目的〕の欄に４番目に記載された「パッケージサイズの小型化」と言う引用例１発明の目的とは異なるものではあるが、両者は互いに相容れない目的であるとはいえないし、また、引用例３に記載された発明は、上記（１）−（４）に示すような、半導体装置一般において求められている他の利点をも有することを考慮すれば、前記「もう一つの利点」の記載をもって、引用例１発明と引用例３に記載された発明は、その発明の目的とすることが明らかに異なり、組み合わせることが困難であるということはできない。
  
　したがって、本願補正発明は、引用例１、３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（２−３−４）本件補正についてのむすび
　以上のとおり、本願補正発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
　平成２０年９月２４日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２０年７月３日付の手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものであると認める。
　
（３−１）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例、及びその記載事項は、前記（２−２）に記載したとおりである。　
　
（３−２）対比・判断
　本願発明は、（２−３）で検討した本願補正発明から、貫通部を覆うランド部の限定事項である「完全に」との構成を省いたものである。
　そうすると、本願発明の構成要件のすべて含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、前記（２−３）に記載したとおり、引用例１、３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、引用例１、３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。　
　
（３−３）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１、３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　したがって、本願は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。