(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基板上に、コイル導体としての機能を有する帯状の導電性金属層と、該導電性金属層の上下の層間絶縁膜を介して該導電性金属層を挟むように形成された磁心としての機能を有する磁性層とを有する薄膜磁気素子であって、前記導電性金属層が絶縁膜を挟んで積層され、該積層された前記導電性金属層のそれぞれの一端が互いに接続されているともにそれぞれの他端も互いに接続されていることを特徴とする薄膜磁気素子。
【請求項２】
絶縁性基板上に、コイル導体としての機能を有する帯状の導電性金属層と、該導電性金属層の上下の層間絶縁膜を介して該導電性金属層を挟むように形成された磁心としての機能を有する磁性層とを有する薄膜磁気素子であって、前記導電性金属層が絶縁膜を挟んで積層され、該積層された導電性金属層を該導電性金属層に流れる電流の方向に沿って接続する接続導体を有することを特徴とする薄膜磁気素子。
【請求項３】
絶縁性基板上に、コイル導体としての機能を有する帯状の導電性金属層と、該導電性金属層の上下の層間絶縁膜を介して該導電性金属層を挟むように形成された磁心としての機能を有する磁性層とを有する薄膜磁気素子であって、前記導電性金属層が平板状の第１層と該第１層の直上に積層されその幅が前記第１層の幅より小さい複数の平板状の第２層よりなることを特徴とする薄膜磁気素子。
【請求項４】
絶縁性基板上に第１磁性層を積層した後、該第１磁性層を選択的に除去する工程と、
該第１磁性層上に第１絶縁層と第２絶縁層とを積層した後、前記第２絶縁層を選択的に除去する工程と、
前記第２絶縁層が除去された箇所に前記第２絶縁層の厚さと同一の厚さに第１導電性金属層を形成する工程と、
前記第２絶縁層の表面と前記第１導電性金属層の表面とに第３絶縁層と第４絶縁層を積層した後、前記第４絶縁層を選択的に除去する工程と、
前記第４絶縁層が除去された箇所に前記第４絶縁層の厚さと同一の厚さに第２導電性金属層を形成する工程と、
該第２導電性金属層上と前記第４絶縁層上とに第５絶縁層と第２磁性層とを積層した後、該第２磁性層を選択的に除去する工程と、前記第１導電性金属層および前記第２導電性金属層のそれぞれの一端を第１のパッドに、それぞれの他端を第２のパッドに接続する工程と、を含むことを特徴とする薄膜磁性素子の製造方法。
【請求項５】
絶縁性基板上に第１磁性層を積層した後、該第１磁性層を選択的に除去する工程と、
該第１磁性層上に第１絶縁層と第２絶縁層とを積層した後、前記第２絶縁層を選択的に除去する工程と、
前記第２絶縁層が除去された箇所に前記第２絶縁層の厚さと同一の厚さに第１導電性金属層を形成する工程と、
前記第２絶縁層の表面と前記第１導電性金属層の表面とに第３絶縁層と第４絶縁層を積層した後、前記第４絶縁層を選択的に除去し、その後前記第１導電性金属層が露出するまで前記第１導電性金属層上の面積より小さい面積で前記第３絶縁層を選択的に除去する工程と、
前記第３絶縁層および前記第４絶縁層が除去された箇所に前記第４絶縁層の厚さと同一の厚さになるように前記第２導電性金属層を形成する工程と、
前記第２導電性金属層上と前記第４絶縁層上とに前記第５絶縁層と前記第２磁性層とを積層した後、前記第２磁性層を選択的に除去する工程と、を含むことを特徴とする薄膜磁性素子の製造方法。
【請求項６】
絶縁性基板上に第１磁性層を積層した後、該第１磁性層を選択的に除去する工程と、
該第１磁性層上に第１絶縁層と第２絶縁層とを積層した後、前記第２絶縁層を選択的に除去する工程と、
前記第２絶縁層が除去された箇所に前記第２絶縁層の厚さと同一の厚さに第１導電性金属層を形成する工程と、
前記第２絶縁層上と前記第１導電性金属層上とに第３絶縁層を積層した後、前記第１導電性金属層が露出するまで前記第３絶縁層を選択的に除去する工程と、
前記第３絶縁層が除去された箇所に前記第３絶縁層の厚さと同一の厚さに第２導電性金属層を形成する工程と、
該第２導電性金属層上と前記第３絶縁層上とに第４絶縁層と第２磁性層とを積層した後、該第２磁性層を選択的に除去する工程と、を含むことを特徴とする薄膜磁性素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、薄膜磁気素子に関し、より詳しくは、絶縁性基板上に薄膜形成技術よって形成され、ＤＣ／ＤＣコンバータなどの小容量（数ワット程度）の電源部品として用いられる薄膜磁気素子およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
前記の薄膜磁気素子は、小容量（数ワット程度）の電源部品として用いられるため、使用されるスイッチング周波数が０．５〜５ＭＨｚで占有面積が４〜２５ｍｍ2 程度という制約があり、しかもこの範囲で、Ｑ値（＝ωＬ／Ｒ：（＝２πｆ）は使用角周波数，ｆは使用周波数）の大きいものが望まれる。
【０００３】
図１１は従来の薄膜磁気素子の要部構成図で、同図（ａ）は断面図、同図（ｂ）は平面図である。尚、同図（ａ）は同図（ｂ）のＡ−Ａ線断面図を示す。
図１１において、１は半導体基板、２は半導体基板１を熱酸化して形成された酸化膜と該酸化膜上にスパッタにより形成された窒化膜とからなる下地絶縁膜２である。これらが絶縁性基板２０を構成する。６は薄膜トランスおよび薄膜インダクタとして使用される薄膜磁気素子であって、下地絶縁膜２上に形成されている。薄膜磁気素子６は帯状のアルミニウム膜又は銅膜からなるコイル導体５とコイル導体５を互いに絶縁し、且つコイル導体５とコイル導体５を挟んで形成される軟磁性層３ａ、３ｂとを絶縁する層間絶縁膜４と、この層間絶縁膜４を介してコイル導体５を上下両側から挟んで形成されている軟磁性層３ａ、３ｂとからなる。７，８はコイル導体５の両端部に形成されたパッドである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
前記した従来のスパイラル状の薄膜のコイル導体では、高周波電力が印加された場合、表皮効果によりコイル導体に流れる電流はコイル導体の表面積で制限される。そのためコイル導体の表面積をある程度大きくするために、コイル導体を厚くしていた。そうすると、コイル導体を挟んでいる軟磁性層の間隔が広くなり、コイル電流で生じた磁界により、軟磁性層を横切る磁束密度が低下して、インダクタンスＬが減少し、Ｑ値が小さくなる。
【０００５】
また従来のスパイラル状の薄膜のコイル導体では、半導体基板の表面上に渦巻き状にコイル導体が形成されているため、磁心としての磁性体としての軟磁性層をコイル導体の両側（図では上下）に配置する構造を取っていた。そのため、磁力線の最も集中するコイル中心と、磁界が漏れやすいコイル導体の外周部には磁心を配置しておらず、コイルの特性を十分には引き出していなかった。
【０００６】
この発明の目的は、コイル導体に流れる高周波電流を増加させてインダクタンスを増大させ、また磁性体中の磁束密度を高めることでインダクタンスを増大させることができる薄膜磁気素子およびその製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
この発明は、前記の目的を達成するために、絶縁性基板上に、コイル導体としての機能を有する帯状の導電性金属層と、該導電性金属層の上下の層間絶縁膜を介して該導電性金属層を挟むように形成された磁心としての機能を有する磁性層とを有する薄膜磁気素子であって、前記導電性金属層が絶縁膜を挟んで積層され、該積層された前記導電性金属層のそれぞれの一端が互いに接続されているともにそれぞれの他端も互いに接続されている構成とする。
【０００８】
この積層された導電性金属層間を電気的に接続すると効果的である。
また絶縁性基板上に、コイル導体としての機能を有する帯状の導電性金属層と、該導電性金属層の上下の層間絶縁膜を介して該導電性金属層を挟むように形成された磁心としての機能を有する磁性層とを有する薄膜磁気素子であって、前記導電性金属層が平板状の第１層と第１層の直上に積層されその幅が前記第１層の幅より小さい複数の平板状の第２層より構成されているとよい。
【０００９】
またこの薄膜磁性素子の製造方法としては、絶縁性基板上に第１磁性層を積層した後、第１磁性層を選択的に除去する工程と、
第１磁性層上に第１絶縁層と第２絶縁層とを積層した後、第２絶縁層を選択的に除去する工程と、
第２絶縁層が除去された箇所に第２絶縁層の厚さと同一の厚さに第１導電性金属層を形成する工程と、
第２絶縁層の表面と第１導電性金属層の表面とに第３絶縁層と第４絶縁層を積層した後、第４絶縁層を選択的に除去する工程と、
第４絶縁層が除去された箇所に第４絶縁層の厚さと同一の厚さに第２導電性金属層を形成する工程と、
第２導電性金属層上と第４絶縁層上とに第５絶縁層と第２磁性層とを積層した後、第２磁性層を選択的に除去する工程と、第１導電性金属層および第２導電性金属層のそれぞれの一端を第１のパッドに、それぞれの他端を第２のパッドに接続する工程と、を含む工程とする。
【００１０】
もしくは、絶縁性基板上に第１磁性層を積層した後、第１磁性層を選択的に除去する工程と、
第１磁性層上に第１絶縁層と第２絶縁層とを積層した後、第２絶縁層を選択的に除去する工程と、
第２絶縁層が除去された箇所に第２絶縁層の厚さと同一の厚さに第１導電性金属層を形成する工程と、
第２絶縁層の表面と第１導電性金属層の表面とに第３絶縁層と第４絶縁層を積層した後、第４絶縁層を選択的に除去し、その後前記第１導電性金属層が露出するまで第１導電性金属層上の面積より小さい面積で第３絶縁層を選択的に除去する工程と、
第３絶縁層および第４絶縁層が除去された箇所に第４絶縁層の厚さと同一の厚さになるように第２導電性金属層を形成する工程と、
第２導電性金属層上と第４絶縁層上とに第５絶縁層と第２磁性層とを積層した後、第２磁性層を選択的に除去する工程と、を含む工程とするとよい。
【００１１】
また絶縁性基板上に第１磁性層を積層した後、第１磁性層を選択的に除去する工程と、
第１磁性層上に第１絶縁層と第１金属微粒子層と第２絶縁層とを積層した後、第１金属微粒子層が露出するまで第２絶縁層を選択的に除去する工程と、
第２絶縁層が除去された箇所に第２絶縁層の厚さと同一の厚さに第１導電性金属層を形成する工程と、
第２絶縁層上と第１導電性金属層上とに第３絶縁層を積層した後、第１導電性金属層が露出するまで第３絶縁層を選択的に除去する工程と、
第３絶縁層が除去された箇所に第３絶縁層の厚さと同一の厚さに第２導電性金属膜を形成する工程と、
第２導電性金属層上と第３絶縁層上とに第４絶縁層と第２磁性層とを積層した後、第２磁性層を選択的に除去する工程と、
を含む工程とする。
【００１５】
前記のように、コイル導体の表面積を増加させることで、表皮効果による実効的な抵抗を減少させて、高周波電流を実効的に増加させ、それによって磁性層内の磁束密度を増加させ、インダクタンスを増加させることができる。またコイル導体の中心部と外周部に磁心となる磁性層を形成することでやはり磁性層内の磁束密度を増加させ、インダクタンスを増大できる。またコイル導体の中心部と外周部に磁心となる磁性層を形成することでやはり磁性層内の磁束密度を増加させ、インダクタンスを増大できる。またコイル導体を挟む軟磁性層を部分的に接続することで、軟磁性層内の磁束密度を増やし、コイル導体を流れる高周波電流が小さい範囲でも大きなインダクタンスを確保できるようにできる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
図１はこの発明の第１実施例の要部構成図で、同図（ａ）は断面図、同図（ｂ）は平面図である。尚、同図（ａ）は同図（ｂ）のＡ−Ａ線断面図を示す。
図１において、１は半導体基板（シリコン基板など）、２は半導体基板１を熱酸化して形成された酸化膜（シリコン酸化膜など）と該酸化膜上にスパッタにより形成された窒化膜（シリコン窒化膜など）とからなる下地絶縁膜である。これらが絶縁性基板２０を構成する。６は薄膜トランスおよび薄膜インダクタとして使用される薄膜磁気素子であって、下地絶縁膜２上に形成されている。薄膜磁気素子６は帯状の銅（Ｃｕ）膜や金（Ａｕ）膜などからなる第１コイル導体５ａおよび第２コイル導体５ｂと、これらのコイル導体５ａ、５ｂを挟むように上下に配置された磁性層としての第１軟磁性層３ａおよび第２軟磁性層３ｂと、該軟磁性層３ａ、３ｂと前記コイル導体５ａ、５ｂとの間を埋める層間絶縁膜４（ポリイミド層）と、前記コイル導体５ａ、５ｂの両端が一緒に接続される金属性のパッド７、８（外部導出端子）とから構成されている。この実施例ではコイル導体の積層数が２層となっているがこれ以上でも勿論構わない。
【００１７】
コイル導体を２層とすることで、１層に比べてコイル導体の総表面積は増加する。そのため表皮効果による実効的なコイル導体の抵抗を減少させることができて、高周波電流が増加し、それによって発生した軟磁性層の磁束密度が増加して、インダクタンスを増加させることができる。つまり、薄膜磁気素子のＱ値を増大させることができる。
【００１８】
図２はこの発明の第２実施例の要部構成図で、同図（ａ）は断面図、同図（ｂ）は平面図である。尚、同図（ａ）は同図（ｂ）のＡ−Ａ線断面図を示す。
図１との違いは、第１コイル導体５ａと第２コイル導体５ｂとが接続導体９で部分的に接続されている点であり、接続導体９を含めたコイル導体５ａ、５ｂの表面積を増大させ、接続導体９コイル導体５ａ、５ｂの抵抗を減少させ、インダクタンスを増加させることができる。
【００１９】
図３はこの発明の第３実施例の要部構成図で、同図（ａ）は断面図、同図（ｂ）は平面図である。尚、同図（ａ）は同図（ｂ）のＡ−Ａ線断面図を示す。
図１との違いは、１個のコイル導体５の表面を凹凸（表面に溝を掘るトレンチ構造）としている点で、コイル導体５の表面積を増加させることができる。効果は図１および図２と同様である。
【００２０】
図４はこの発明の第４実施例で、同図（ａ）ないし同図（ｄ）は図１に示す薄膜磁気素子の主要製造工程での要部断面図を示す。
図４において、半導体基板１上に下地絶縁膜２と第１軟磁性層３ａとを形成した後、第１軟磁性層３ａの不要な部分（コイル導体が配置されない外周部など）をフォトエッチング技術により除去する。この軟磁性層を例えばスパッタ法により形成する（図（ａ））。
【００２１】
第１ポリイミド層４ａと第１Ｐｔ層１０ａ（白金の微粒子がばらまかれた層で微粒子の大きさは数Åである）と第２ポリイミド層４ｂを形成した後、フォトエッチング技術により第１Ｐｔ層１０ａが現れるまで第２ポリイミド層４ｂをエッチングする（図（ｂ））。
無電解メッキ法により第２ポリイミド層４ａのエッチングされた凹部に図示されていない金属薄膜を固着（メッキ処理）し、その後、第１コイル導体５ａを電解メッキで第２ポリイミド層４ｂと膜厚が同じになるまで形成し、第３ポリイミド層４ｃと第２Ｐｔ層１０ｂ（第１Ｐｔ層と同じように形成する）と第４ポリイミド層４ｄを形成した後、フォトエッチング技術により第２Ｐｔ層１０ｂが現れるまで第４ポリイミド層４ｄをエッチングする（図（ｃ））。
【００２２】
無電解メッキ法により第４ポリイミド層４ｄのエッチングされた凹部に、金属薄膜を固着させ、その後第２コイル導体５ｂを電解メッキ法により第４ポリイミド層４ｄと膜厚が同じになるまで（表面が面一になるまで）形成し、その上に第５ポリイミド層４ｅと第２軟磁性層３ｂを積層した後、フォトエッチング技術により不要な第２磁性層３ｂ（少なくともパッド上の軟磁性層）を除去する（図（ｄ））。
【００２３】
図示されていないが、その後、第１コイル導体５ａと第２コイル導体５ｂのそれぞれの両端を金属性のパッド７、８（図１（ｂ）参照）に接続する工程がある。また図示されていない金属薄膜およびコイル導体５ａ、５ｂの材質は電解メッキ法が採用できるＣｕやＡｕなどの金属であり、以下の説明でも同じである。
図５はこの発明の第５実施例で、同図（ａ）ないし同図（ｄ）は図２に示す薄膜磁気素子の主要製造工程での要部断面図を示す。
【００２４】
図５において、半導体基板１上に下地絶縁膜２と第１軟磁性層３ａとを形成した後、第１軟磁性層３ａの不要な部分をフォトエッチング技術により除去する（図（ａ））。
第１ポリイミド層４ａと第１Ｐｔ層１０ａと第２ポリイミド層４ｂを形成した後、フォトエッチング技術により第１Ｐｔ層１０ａが現れるまで第２ポリイミド層４ｂをエッチングする（図（ｂ））。
【００２５】
無電解メッキ法により第２ポリイミド層４ｄのエッチングされた凹部に図示されていない金属薄膜を固着させ、その後第１コイル導体５ａを電解メッキで第２ポリイミド層４ｂと膜厚が同じになるまで形成し、第３ポリイミド層４ｃと第２Ｐｔ層１０ｂと第４ポリイミド層４ｄを形成した後、フォトエッチング技術により第２Ｐｔ層１０ｂが現れるまで第４ポリイミド層４ｄをエッチングし、その後、第１コイル導体５ａ上の第３ポリイミド層４ｃに第１コイル導体５ａより小さいサイズで、且つ第１コイル導体５ａに達するまでの深さの接続孔９ｂをフォトエッチング技術により形成する（図（ｃ））。
【００２６】
無電解メッキ法と電解メッキ法の組み合わせで第３ポリイミド層４ｃに開けられた接続孔９ｂと第４ポリイミド層４ｄのエッチングされた凹部とに、第２コイル導体５ｂを第４ポリイミド層４ｄと膜厚が同じになるまで形成し、その上に第５ポリイミド層４ｅと第２軟磁性層３ｂを形成した後、フォトエッチング技術により不要な第２軟磁性層３ｂを除去する（図（ｄ））。
【００２７】
尚、第２コイル導体５ｂで埋められた接続孔９ｂ部は接続導体９となる。
図６はこの発明の第６実施例で、同図（ａ）ないし同図（ｄ）は図３に示す素子の主要製造工程での要部断面図を示す。
図６において、半導体基板１上に下地絶縁膜２と第１軟磁性層３ａとを形成した後、第１軟磁性層３ａの不要な部分をフォトエッチング技術により除去する（同図（ａ））。
【００２８】
第１ポリイミド層４ａとＰｔ層１０と第２ポリイミド層４ｂとを形成した後、フォトエッチング技術によりＰｔ層１０が現れるまで第２ポリイミド層４ｂをエッチングする（同図（ｂ））。
無電解メッキ法により第２ポリイミド層４ｂのエッチングされた凹部に図示されていない金属薄膜を固着させ、その後第１コイル導体５ａを電解メッキで第２ポリイミド層４ｂと膜厚が同じになるまで形成し、第３ポリイミド層４ｃを形成した後、フォトエッチング技術により第１コイル導体５ａが現れるまで第３ポリイミド層を選択的にエッチングする（図（ｃ））。
【００２９】
電解メッキ法により第３ポリイミド層４ｃのエッチングされた凹部に第２コイル導体５ｂを第３ポリイミド層４ｃと膜厚が同じになるまで形成し、その上に第４ポリイミド層４ｄと第２軟磁性層３ｂを形成させた後、フォトエッチング技術により不要な第２軟磁性層３ｂを除去する（図（ｄ））。
図７は第１参考例の要部構成図で、同図（ａ）は断面図、同図（ｂ）は平面図である。尚、同図（ａ）は同図（ｂ）のＡ−Ａ線断面図を示す。
【００３０】
図７において、コイル導体５の中心部と外周部に磁心となる軟磁性層３を形成し、コイル導体５を軟磁性層３で層間絶縁膜を介して取り囲むようにする。この構成とすることで、コイル導体５の中心部と外周部に配置された軟磁性層３により、軟磁性層３内の磁束密度が増加し、インダクタンスを増大させることができる。
【００３１】
図８はこの発明の第２参考例の要部構成図で、同図（ａ）は断面図、同図（ｂ）は平面図である。尚、同図（ａ）は同図（ｂ）のＡ−Ａ線断面図を示す。
図７との違いは軟磁性層３が部分的に切り離され隙間を有する点である。勿論この隙間は層間絶縁膜４で埋められている。この隙間によって、コイル導体５を取り囲む軟磁性層３内の磁束密度が飽和することを防止し、コイル導体５に流れる電流が大きい場合でも大きなインダクタンスを確保できる。
【００３２】
図９は図７に示す薄膜磁気素子の主要製造工程での要部断面図を示す。
図９において、半導体基板１上に下地絶縁膜２と第１軟磁性層３ａを形成した後、第１軟磁性層３ｂの不要な部分をフォトエッチング技術により除去する（図（ａ））。
【００３３】
第１ポリイミド層４ａとＰｔ層１０と第２ポリイミド４ｂとを形成した後、フォトエッチング技術によりＰｔ層１０が現れるまで第２ポリイミド層４ｂをエッチングする（図（ｂ））。
無電解メッキ法により第２ポリイミド層４ｂのエッチングされた凹部に図示されていない金属薄膜を固着させ、その後、コイル導体５を電解メッキで第２ポリイミド層４ｂと膜厚が同じになるまで形成し、その上に第３ポリイミド層４ｃを形成した後、フォトエッチング技術によりコイル導体４の中心部と外周部の第３ポリイミド層４ｃ、第２ポリイミド層４ｂおよび第１ポリイミド層４ａに接続開口部９ｂを第１軟磁性層３ａに達すようにエッチングで設ける（図（ｃ））。
【００３４】
第２軟磁性層３ｂを第３ポリイミド層４ｃ上に形成すると同時に、この第２軟磁性層３ｂで接続開口部９ｂを埋めて、第１軟磁性層３ａと接続した後、フォトエッチング技術により不要な第２軟磁性膜３ｂを除去する（図（ｄ））。
図１０は図８に示す薄膜磁気素子の主要製造工程での要部断面図を示す。
【００３５】
図９との違いは、図９（ｃ）の工程で、第３ポリイミド層４ｄを形成した後、フォトエッチング技術によりコイル導体５の中心部と外周部の第３ポリイミド層４ｃおよび第２ポリイミド層４ｂに開口部９ｃを第１ポリイミド層４ａにするようにエッチングで設けた点と、図９（ｄ）の工程で、第２軟磁性層３ｂで開口部９ｃを埋める点である。つまりこうすることで第１軟磁性層３ａと第２軟磁性層３ｂとは接続されずに隙間が形成され、その隙間には第１ポリイミド層４ａが形成されている点である。勿論、前記開口部９ｃは第１ポリイミド層４ａ内に入り込むように形成してもよい。
【００３６】
尚、前記した第１実施例ないし第６実施例の軟磁性層の形成方法は、CoFeBSiO, CoHfTaおよびCoHfTaPd等をスパッタ法により形成する方法の他に、純誘起化合物である有機磁石で形成してもよい。有機磁石は溶媒からの再結晶により生成するため、前記の実施例で示すような凹部のある場合にも容易に軟磁性層を形成することができる。
【００３７】
【発明の効果】
この発明によれば、コイル導体の表面積を増やして、コイル導体の抵抗を減じ、高周波電流を増加させることで、インダクタンスを増大させ、Ｑ値を大きくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１実施例の要部構成図で、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図
【図２】この発明の第２実施例の要部構成図で、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図
【図３】この発明の第３実施例の要部構成図で、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図
【図４】この発明の第４実施例で、（ａ）ないし（ｄ）は図１に示す薄膜磁気素子の主要製造工程での要部断面図
【図５】この発明の第５実施例で、（ａ）ないし（ｄ）は図２に示す薄膜磁気素子の主要製造工程での要部断面図
【図６】この発明の第６実施例で、（ａ）ないし（ｄ）は図３に示す薄膜磁気素子の主要製造工程での要部断面図
【図７】第１参考例の要部構成図で、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図
【図８】第２参考例の要部構成図で、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図
【図９】図７に示す薄膜磁気素子の主要製造工程での要部断面図
【図１０】  図８に示す薄膜磁気素子の主要製造工程での要部断面図
【図１１】従来の薄膜磁気素子の要部構成図で、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図
【符号の説明】
１    半導体基板
２    下地絶縁膜
３    軟磁性層
３ａ  第１軟磁性層
３ｂ  第２軟磁性層
４    層間絶縁膜
４ａ  第１ポリイミド層
４ｂ  第２ポリイミド層
４ｃ  第３ポリイミド層
４ｄ  第４ポリイミド層
４ｅ  第５ポリイミド層
５    コイル導体
５ａ  第１コイル導体
５ｂ  第２コイル導体
６    薄膜磁気素子
７    パッド
８    パッド
９    接続導体
９ａ  接続孔
９ｂ  接続開口部
９ｃ  開口部
１０    Ｐｔ層
１０ａ  第１Ｐｔ層
１０ｂ  第２Ｐｔ層
２０    絶縁性基板
【図１】
0003580054.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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