【事件の表示】
　平成１１年特許願第３２６２０８号「半導体発光ダイオード」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　５月２５日出願公開、特開２００１−１４４３３０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本願手続の概要は、次のとおりである。
　特許出願　　　　　　　　平成１１年１１月１７日
　拒絶理由通知書発送　　　平成１８年　９月　５日
　意見書・手続補正書提出　平成１８年１１月　６日
　拒絶査定謄本送達　　　　平成１９年　３月１３日
　審判請求　　　　　　　　平成１９年　４月１０日
　手続補正書提出　　　　　平成１９年　５月　８日
　
II．平成１９年５月８日付け手続補正についての補正却下の決定
［Ｉ］補正却下の決定の結論
　平成１９年５月８日付け手続補正を却下する。
　
［II］理由
１．本件補正の内容
　平成１９年５月８日付け手続補正（以下、「本件補正」という。）は、本願明細書の特許請求の範囲の請求項１を
「【請求項１】発光層、透明導電性酸化物からなる窓層、および結線用台座電極を有する半導体発光ダイオードにおいて、台座電極は
その全面を
のみに、金属からなる
　　
２．引用例
（１）引用例１
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平１０−１７３２２４号公報（以下、「引用例１」という。）には、図とともに次の記載がある。
　
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、化合物半導体層から光を取り出す化合物半導体発光素子に関し、特に透明電極を利用した化合物半導体発光素子及びその製造方法に関する。」
　
「【００２７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。図１〜３は、本発明の第一実施形態に係わるＧａＮ系化合物半導体発光素子の製造方法を示す断面構造図である。
【００２８】まず、サファイア基板１の上にＧａＮバッファ層３、ｎ型ＧａＮ層５、及びｐ型ドーパントであるＭｇを含むｐ型ＧａＮ層７を結晶成長させる（図１（Ａ））。次に、ｐ型ＧａＮ層７にＰＥＰ法によるパターニングとエッチングを行い、ｎ型ＧａＮ層５を露出させる。さらにＰＥＰ法を用いてパターニングを行い、露出したｎ型ＧａＮ層５の上にＴｉ／Ａｕ等を蒸着し、ｐ型ＧａＮ層７と絶縁されるＮ側電極９をリフトオフ法によって形成する。オーミック電極とするために７００℃で２０分間のアニールを行う（図１（Ｂ））。
【００２９】この後、熱ＣＶＤ法により、絶縁膜となるＳｉＯ2 膜１１を形成する（図２（Ａ））。ＳｉＯ2 膜１１を、ＰＥＰ法によって一部領域を残してパターニングする。ｐ型ＧａＮ層７の上のＳｉＯ2 膜１１が形成されていない領域に、金属薄膜電極１３となるＭｇ／Ｎｉ＝１nm／２nmを蒸着する。次いで、ＲＦスパッタ法によって厚さ１００nmのＩＴＯ（Indium Tin Oxide）透明電極１５を形成した後、リフトオフすることによってｐ型ＧａＮ層７と同一ｐ型ドーパントであるＭｇを含む金属薄膜電極１３が形成される。金属薄膜電極１３とｐ型ＧａＮ層７との間の密着性とオーミック性を向上させるため、５００℃、１０分のアニールを行う（図２（Ｂ））。
【００３０】さらに、ＰＥＰ法によるパターニングとエッチングを行い、ＳｉＯ2 膜１１の上に、ＩＴＯ透明電極１５の一部と接するボンディングパッド用Ｐ側電極１７をＴｉ／Ａｕ等で形成する。この時、Ｎ側電極９を覆うＳｉＯ2 膜１１も同時に除去し、Ｔｉ／Ａｕ等の金属をオーバーコートする（図３）。
【００３１】このように第一実施形態では、ｐ型ドーパントであるＭｇを含むｐ型ＧａＮ層７の上の一部領域に、絶縁膜となるＳｉＯ2 膜１１が形成されている。さらに、ｐ型ＧａＮ層７の上のＳｉＯ2 膜１１が形成されていない領域に、ｐ型ＧａＮ層７と同一のｐ型ドーパントであるＭｇを含む金属薄膜電極１３、及びＩＴＯ透明電極１５が形成されている。ＳｉＯ2 膜１１の上には、ＩＴＯ透明電極１５の一部と接するボンディングパッド用Ｐ側電極１７が形成されている。
【００３２】ＩＴＯ透明電極１５は、ｎ型不純物であるＳｎを含むため、一般にｐ型ＧａＮ層７の上には形成できない。本発明では、ｐ型ＧａＮ層７と比較的オーミックの取りやすいＭｇを含む金属薄膜電極１３を、発光した光に対して７０％の透過率を有するような厚さである２nmの厚さで形成し、さらに金属薄膜電極１３のシート抵抗を低減させるために厚さ１００nmのＩＴＯ透明電極１５を形成している。
【００３３】このため、Ｍｇを含む金属薄膜電極１３の作用でオーミック性を犠牲にすること無く、容易にＩＴＯ透明電極１５を形成できる。また、ボンディングパッド用Ｐ側電極１７がＩＴＯ透明電極１５の一部と接して形成されているので、剥がれやすいＭｇを含む金属薄膜電極１３は、ボンディングに対して十分な強度を持つことができる。
【００３４】図３に示すように、本発明のＧａＮ系化合物半導体発光素子によれば、図１２で示した従来のように、サファイア基板１の側から光を取り出す必要がなく、ｎ型ＧａＮ層５とｐ型ＧａＮ層７との接合面から発光される光を、電極９，１７が形成されるＧａＮ層側から取り出すことができる。
【００３５】これにより、図４のように、化合物半導体発光素子をカップ型リードフレーム１９に設置してＮ側電極９とワイアボンディングし、ボンディングパッド用Ｐ側電極１７とＰ側電極端子２１とをワイアボンディングすることによって集光性を向上させることができる。
【００３６】また、ボンディングパッド用Ｐ側電極１７を、ＩＴＯ透明電極１５の上に直接形成するのではなく、絶縁膜となるＳｉＯ2 膜１１の上にＩＴＯ透明電極１５の一部と接するように形成している。この結果、電流がＰ側のＩＴＯ透明電極１５を介して拡散され、金属薄膜電極１３を介してｐ型ＧａＮ層７に効率良く注入されると共に、ワイアボンディング時の衝撃が緩和されて素子歩留まりが大幅に向上する。
【００３７】ｎ型ＧａＮ層５の同一面上にＮ側電極９及びＰ側電極１７を設けることができるため、マウント位置調整が容易となり、生産性が向上する。さらに、ＩＴＯ透明電極１５が形成されている状態でアニールすることにより、金属薄膜電極１３がアニールによって再度蒸発して消失あるいは薄膜化してしまうという、電極プロセス上の金属膜厚の制御性の低下と、それに伴う発光素子のＩ−Ｖ特性の悪化を避けることができる。
【００３８】なお、ＳｉＯ2 膜１１、金属薄膜電極１３、ＩＴＯ透明電極１５、及びボンディングパッド用Ｐ側電極１７の構造は、図３で示した構造に限らず、図５（Ａ）、（Ｂ）のように、ボンディングパッド用Ｐ側電極１７が金属薄膜電極１３及びＩＴＯ透明電極１５の両方に接する構造でも良く、少なくともＩＴＯ透明電極１５の一部に接していれば良いものである。また、図５（Ｃ）のように、ｐ型ＧａＮ層７の一部領域層を半絶縁層２３（図中、網掛け部）にし、この半絶縁層２３の上にボンディングパッド用Ｐ側電極１７を形成しても良いものである。これによれば、ＳｉＯ2 膜１１を形成する必要がないため、生産性が向上する。
【００３９】さらに、金属薄膜電極１３の形状は必ずしも板状でなくても良く、例えば図６のように、複数の島状に配置しても良い。このように金属薄膜電極１３を複数の島状に分散して配置することにより、ＩＴＯ透明電極１５を介して流れてきた電流を、ｐ型ＧａＮ層７へ効率良く分散することができる。」
　
「【００４０】以下に、本発明の第二実施形態を図面に基づいて説明する。図７〜９は、本発明の第二実施形態に係わるＧａＡｓ系化合物半導体発光素子の製造方法を示す断面構造図である。
【００４１】まず、ｎ型ＧａＡｓ基板３１の上にｎ型ＧａＡｓバッファ層３３、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３５、ＡｌＧａＩｎＰ活性層３７、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３９、及びｐ型ドーバントであるＺｎを含むｐ型ＧａＡｓコンタクト層４１を順次積層させる（図７（Ａ））。ｐ型ＧａＡｓコンタクト層４１の上の一部領域に、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰあるいはｎ型ＧａＡｓの電流ブロック層４３を形成する（図７（Ｂ））。
【００４２】次に、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層４１の上の電流ブロック層４３が形成されていない領域に、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層４１と同一のｐ型ドーパントであるＺｎを含む金属薄膜電極４５を、ＡｕＺｎ＝５nm、４３０℃、１５分のシンタによって形成する（図８（Ａ））。さらに、電流ブロック層４３と金属薄膜電極４５の上に、ＩＴＯ透明電極４７を形成する（図８（Ｂ））。
【００４３】最後に、電流ブロック層４３の上のＩＴＯ透明電極４７をエッチング除去した後、ＩＴＯ透明電極４７の一部と接するＰ側電極４９を形成すると同時に、ｎ型ＧａＡｓ基板３１の裏面にＮ側電極５１を形成する（図９）。
【００４４】このように第二実施形態では、Ｐ側電極４９の下にこれとｐｎ逆接合する、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰあるいはｎ型ＧａＡｓの電流ブロック層４３を形成し、Ｐ側電極４９の直下に電流が流れることを阻止している。また、Ｐ側電極４９がＩＴＯ透明電極４７の一部と接しているため、図９のように、電流がＩＴＯ透明電極４７を介して拡散され、ＡｌＧａＩｎＰ活性層３７に効率良く注入される。この結果、ＡｌＧａＩｎＰ活性層３７とｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３９との接合面において、均一な発光が得られると共に発光した光を効率良く取り出せる。
【００４５】さらに、電流ブロック層４３をＧａＡｓ系化合物半導体で形成しているので、同類製造方法で形成可能であると共に、図１３で示した厚いｐ型ＡｌＧａＡｓ電流拡散層５７が不要であるため、生産性が向上し、コストが低くなる。
【００４６】なお、電流ブロック層４３、金属薄膜電極４５、ＩＴＯ透明電極４７、及びＰ側電極４９の構造は、図９で示した構造に限らず、図１０（Ａ）〜（Ｃ）のように、Ｐ側電極４９が金属薄膜電極４５及びＩＴＯ透明電極４７の両方に接する構造でも良く、少なくともＩＴＯ透明電極４７の一部に接していれば良いものである。
【００４７】また、電流ブロック層４３は、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰあるいはｎ型ＧａＡｓである必要はなく、ＳｉＯ2 等の絶縁膜で形成しても良いものである。この場合は、図１０（Ａ）〜（Ｄ）で示すような構造にすることが可能である。さらに、金属薄膜電極４５の形状は必ずしも板状でなくても良く、第一実施形態でも説明したように、図６のような複数の島状に配置しても良い。」　
　
（２）引用例２
　原査定で引用した本願出願前の平成１１年１月２２日に頒布された特開平１１−１７２２０号公報（以下、「引用例２」という。）には、図と共に次の記載がある。
　　
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一種の発光ダイオードの構造に関し、さらに詳しくは、クラッド層を有する発光ダイオードの構造に関する。」　
「【０００３】発光ダイオードを有効に操作するためには、ＡｌＧａＩｎＰヘテロ接合のｐｎ接合面に注入する電流が水平方向に均一に分散して均一な光線を発するようにする必要がある。」
「【００６０】
【発明の実施の形態】本発明の発光ダイオードは、第１電極上に形成された基板と、基板上に形成された第１導電型を有する第１クラッド層と、第１クラッド層上に形成された活性層と、活性層上に形成された第２導電型を有する第２クラッド層を包括する。この発光ダイオードはまた第２クラッド層上に形成された第２導電型を有するウインドウ層を有し、該ウインドウ層の抵抗は第２クラッド層の抵抗より小さい。該ウインドウ層の上には第２導電型を有するコンタクト層が形成されて、オーミックコンタクト（ｏｈｍｉｃ  ｃｏｎｔａｃｔ）を提供する。コンタクト層の上には導電透光酸化層が形成され、該導電透光酸化層の抵抗はウインドウ層とコンタクト層の提供より小さい。本発明はさらに電流阻止領域を有する。この電流阻止領域は凹んだ領域を有するコンタクト層と、コンタクト層上に形成された絶縁領域と、コンタクト層とウインドウ層内に形成されたイオンレイアウト領域或いはコンタクト層とウインドウ層内に形成された拡散領域を包括する。」
　
「【００６１】
【実施例】図５のＡは本発明の第１実施例の発光ダイオードの断面図である。…。
【００６５】…。ｐ形のコンタクト層５８がウインドウ層５６の上に形成されている。この実施例では、コンタクト層５８がＧａＡｓＰ、ＧａＰ、ＧａＩｎＰ或いはＧａＡｓで形成されている。そのキャリア濃度は５×１０18ｃｍ-3より大きく、厚さは５００オングストロームより大きい。これによりウインドウ層５６と導電透光酸化層６０（この層については後に詳しく述べる）の間に、良好なオーミックコンタクト領域が形成される。導電透光酸化層６０の抵抗（３×１０-4Ω−ｃｍ）はコンタクト層５８の抵抗（０．０５Ω−ｃｍ）より小さい）。続いて、伝統的なリソグラフィー技術を用いて、コンタクト層５８内に中央領域を画定し、この領域を、ウインドウ層５６部分が表面に露出するまで蝕刻して除去する。
【００６６】通常、酸化錫或いは酸化インジウム錫（ＩＴＯ）により導電透光酸化層６０が形成され、その厚さはほぼ０．１から５ミクロンの間とされる。本実施例では、導電透光酸化層６０はスパッタリング或いはビームスパッタリングで形成される。これにより、５５０ｎｍ（緑光）及び６３０ｎｍ（紅光）の間の発光ダイオードに対して、導電透光酸化層６０の透光性は極めて良好となる。導電透光酸化物質と金属の特性は近いため、ウインドウ層５６内のキャリア濃度が１×１０19ｃｍ-3より小さい時、導電透光酸化層６０とウインドウ層５６はトンネル効果によりオーミックコンタクトを形成不能となる。導電透光酸化層６０とウインドウ層５６の界面はそれによりショットキーバリヤを形成し、それが電流を阻止するのに用いられる。実験から、導電透光酸化層６０とコンタクト層５８の間の抵抗はほぼ１０オームで、且つ導電透光酸化層６０とウインドウ層５６の間の抵抗は１０13〜１０15オームであることが分かった。これにより、発光ダイオードが正常な操作状態にある時（電流が約１００ｍＡ以下）、形成されるショットキーバリヤは良好な電流阻止効果を有する。この導電透光酸化層６０は活性層５４２の発射する光を吸収せず、その抵抗値はわずかに３係る１０-4Ω−ｃｍであり、ショットキーバリヤ部分を除き、注入された電流は発光ダイオード全体に分散し、それにより発光ダイオードの輝度が増大する。
【００６７】最後に、ｐ形のコンタクトを導電透光酸化層６０の上の一部分に形成して上層電極６２となす。この上層電極６２はほぼコンタクト層５８内の凹んだ領域に対応する。注意すべきは、図５中のＡの構造中、導電透光酸化層６０と下層電極５０、上層電極６２以外は、ＭＯＶＰＥ法で形成され、これによりその組成、キャリア濃度、組成厚さが正確に制御でき、且つ工程が簡素化されることである。」
　
「【００６９】図６のＡは本発明の第２実施例の発光ダイオードの構造を示し、その中、図５のＡと同じ層は同じ符号で示してある。この同じ層は同じ工程で形成される。図５のＡとの最大の違いは、コンタクト層５９に対する蝕刻前に、コンタクト層５９上面に一つの絶縁層６４が形成されることである。続いて、伝統的なリソグラフィー技術とエッチング技術で一部の絶縁層６４が除去され、図６のＡに示される構造が形成される。この絶縁層６４は上層電極６２と対応する領域にあり、この絶縁層６４は電流阻止層として使用される。本実施例では、絶縁層６４の材料は酸化シリコン、窒化シリコン或いは酸化アルミニウムとされ、伝統的なＰＥＣＶＤにより形成され、その厚さはほぼ０．１ミクロンとされる。」
　
「【００７１】図７のＡは本発明の第３実施例の発光ダイオードの構造を示し、その中、図６のＡと同じ層は同じ符号で示してある。この同じ層は同じ工程で形成される。図６のＡとの最大の違いは、コンタクト層５９上に絶縁層が形成されず、リソグラフィー技術とイオン注入工程を使用して、一部のコンタクト層５９と一部のウインドウ層５６内に高抵抗領域６６が形成されていることである。この高抵抗領域６６はほぼ上層電極６２に対応する位置にある。本実施例では注入するイオンは例えばＨ+ 或いはＯ+ とされて高抵抗領域６６を形成して電流阻止層となすのに用いられる。」
　
３．引用発明
（１）引用発明１
　引用例１の段落【００２７】〜【００３９】に記載される第一実施形態について、引用例１の図３を参照すれば、ボンディングパッド用Ｐ側電極１７は、ＩＴＯ透明電極１５の上にも形成されていることがみてとれるとともに、金属薄膜電極１３は、ボンディングパッド用Ｐ側電極１７の射影領域以外の領域にも形成されていることがみてとれる。
　さらに、段落【００３９】の記載によれば、上記金属薄膜電極１３は、図６のように複数の島状に配置しても良いとされており、図６を参照すれば、複数の島状の金属薄膜電極１３がｐ型ＧａＮ層７上にＳｉＯ2 膜１１から間隙を有して配置されていることがみてとれる。
　以上のことから、引用例１には、第一実施形態として、
「サファイア基板１の上にＧａＮバッファ層３、ｎ型ＧａＮ層５及びｐ型ＧａＮ層７が結晶成長され、前記ｐ型ＧａＮ層７の上の一部領域に絶縁膜となるＳｉＯ2 膜１１が形成され、前記ｐ型ＧａＮ層７の上の前記ＳｉＯ2 膜１１が形成されていない領域に金属薄膜電極１３及びＩＴＯ透明電極１５が形成され、前記ＳｉＯ2 膜１１及び前記ＩＴＯ透明電極１５の上にＩＴＯ透明電極１５の一部と接してボンディングパッド用Ｐ側電極１７が形成され、前記金属薄膜電極１３は、前記ＳｉＯ2 膜１１から間隙を有して配置され、前記ボンディングパッド用Ｐ側電極１７の射影領域以外の領域に形成されている化合物半導体発光素子。」の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されているものと認められる。
　
（２）引用発明２
　引用例１の段落【００４０】〜【００４７】に記載される第二実施形態について、引用例１の図９を参照すれば、金属薄膜電極４５は、Ｐ側電極４９の射影領域以外の領域のみに形成されていることがみてとれる。
　したがって、引用例１には、第二実施形態として
「ｎ型ＧａＡｓ基板３１の上にｎ型ＧａＡｓバッファ層３３、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３５、ＡｌＧａＩｎＰ活性層３７、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３９及びｐ型ＧａＡｓコンタクト層４１を順次積層し、前記ｐ型ＧａＡｓコンタクト層４１の上の一部領域に電流ブロック層４３を形成し、前記ｐ型ＧａＡｓコンタクト層４１の上の前記電流ブロック層４３が形成されていない領域に金属薄膜電極４５を形成し、前記電流ブロック層４３と前記金属薄膜電極４５の上にＩＴＯ透明電極４７を形成し、前記電流ブロック層４３の上の前記ＩＴＯ透明電極４７をエッチング除去した後、前記ＩＴＯ透明電極４７の一部と接するＰ側電極４９を形成した化合物半導体発光素子であって、前記金属薄膜電極４５は、前記Ｐ側電極４９の射影領域以外の領域のみに形成されている化合物半導体発光素子。」の発明（以下、「引用発明２」という。）が記載されているものと認められる。
　
４．対比・判断
（１）本願補正発明と引用発明１との対比・判断
　本願補正発明と引用発明１を対比するに、引用発明１の「ｎ型ＧａＮ層５及びｐ型ＧａＮ層７」、「ＩＴＯ透明電極１５」、「ボンディングパッド用Ｐ側電極１７」、「金属薄膜電極１３」及び「化合物半導体発光素子」が本願補正発明の「発光層」、「透明導電性酸化物からなる窓層」、「結線用台座電極」、「金属からなる導電性電極」及び「半導体発光ダイオード」にそれぞれ相当するところであり、両者はともに、
「発光層、透明導電性酸化物からなる窓層、および結線用台座電極を有する半導体発光ダイオードにおいて、台座電極を窓層上に有し、台座電極の射影領域以外に金属からなる導電性電極を有する半導体発光ダイオード。」の発明である点で一致する。
　一方、次の点で相違する。
　ａ．本願発明は、「台座電極はその全面を窓層上に有」するのに対し、引用発明１のボンディングパッド用Ｐ側電極１７は、ＳｉＯ2 膜１１の上に形成され、その一部がＩＴＯ透明電極１５の上部と接するようにされている点。
　ｂ．本願発明は、「台座電極の射影領域以外の領域のみに金属からなる導電性電極を有する」のに対し、引用発明１の金属薄膜電極１３は、ボンディングパッド用Ｐ側電極１７の射影領域以外の領域のみに配置されているか不明である点。
　
　上記相違点について検討する。
　相違点ａについて検討するに、引用例１の段落【００３６】には、ボンディングパッド用Ｐ側電極１７をＳｉＯ2 膜１１の上に形成することに関して、「また、ボンディングパッド用Ｐ側電極１７を、ＩＴＯ透明電極１５の上に直接形成するのではなく、絶縁膜となるＳｉＯ2 膜１１の上にＩＴＯ透明電極１５の一部と接するように形成している。この結果、電流がＰ側のＩＴＯ透明電極１５を介して拡散され、金属薄膜電極１３を介してｐ型ＧａＮ層７に効率良く注入されると共に、ワイアボンディング時の衝撃が緩和されて素子歩留まりが大幅に向上する。」と記載されている。
　ここで、「電流がＰ側のＩＴＯ透明電極１５を介して拡散され、金属薄膜電極１３を介してｐ型ＧａＮ層７に効率良く注入される」ための要件としては、ボンディングパッド用Ｐ側電極１７がＳｉＯ2 膜１１上に直接形成されることは必要でないことが当業者に明らかである。
　してみれば、引用発明１において、ボンディングパッド用Ｐ側電極１７をＳｉＯ2 膜１１上に直接形成しているのは、ワイアボンディング時の衝撃を緩和するためであると考えられ、衝撃緩和のことを考慮しなければ、ＳｉＯ2 膜１１上に形成したＩＴＯ透明電極１５上にボンディングパッド用Ｐ側電極１７を形成する構成を採用し得ることは当業者に明らかであって、そのような構成とすることは当業者が容易に想到し得ることである。
　さらにいえば、引用例２の図６のＡに示される発光ダイオードでは、上層電極６２は、絶縁層６４上に直接設けられることなく、絶縁層６４上の導電透光酸化層６０上に全面が設けられているところであり、引用発明１において、ボンディングパッド用Ｐ側電極１７をこのような態様で設けることに何らの困難性も認められない。
　また、引用発明１に関して、引用例１の段落【００３８】には、ＳｉＯ2 膜１１を必要としない構成も記載されているところであるから、引用発明１のボンディングパッド用Ｐ側電極１７とＩＴＯ透明電極１５の構造として、引用例２の図５のＡや図７のＡに示される絶縁層６４を必要としない構造を採用して、上記相違点ａに係る本願補正発明の発明特定事項とすることも当業者が容易になし得るものと認められる。
　
　上記相違点ｂについて検討するに、引用発明１の前記金属薄膜電極１３は、前記のとおり、ＳｉＯ2 膜１１から間隙を有して配置されている。
　ここで、ボンディングパッド用Ｐ側電極１７は、ＩＴＯ透明電極１５の一部に接していれば良いものであるから、ＳｉＯ2 膜１１からＩＴＯ透明電極１５に接する程度にはみ出ていさえすれば良いのであって、その射影領域が島状の金属薄膜電極１３に重ならなければならないとする理由はなく、ボンディングパッド用Ｐ側電極のＳｉＯ2 膜１１からのはみ出し量及び前記島状金属薄膜電極１３とＳｉＯ2 膜１１との間隙をどの程度にするかは、単に設計上の事項であって、台座電極と導電性電極との配置関係を上記相違点ｂのごとくすることは当業者が適宜なし得ることである。
　さらにいえば、上記相違点ａについての検討で指摘したごとくＳｉＯ2 膜１１上に形成したＩＴＯ透明電極１５上にボンディングパッド用Ｐ側電極１７を形成すれば、ボンディングパッド用Ｐ側電極１７がＳｉＯ2 膜１１からはみ出す必要のないことも明らかであり、本願補正発明の相違点ｂに係る発明特定事項とすることは、当業者が容易になし得ることである。
　
　また、本願補正発明が奏する効果も引用例１に記載された事項あるいは引用例１及び引用例２に記載された事項に基づいて当業者が予測可能なものであって、格別のものとはいえない。
　以上のとおりであるから、本願補正発明は、引用発明１及び引用例１に記載された技術事項あるいは引用発明１及び引用例２に記載された技術事項に基づいて当業者が容易に発明できたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（２）本願補正発明と引用発明２との対比・判断
　本願補正発明と引用発明２を対比するに、引用発明２の「ＡｌＧａＩｎＰ活性層３７」、「ＩＴＯ透明電極４７」、「Ｐ側電極４９」、「金属薄膜電極４５」及び「化合物半導体発光素子」が本願補正発明の「発光層」、「透明導電性酸化物からなる窓層」、「結線用台座電極」、「金属からなる導電性電極」及び「半導体発光ダイオード」にそれぞれ相当するところであり、両者はともに、
「発光層、透明導電性酸化物からなる窓層、および結線用台座電極を有する半導体発光ダイオードにおいて、台座電極の射影領域以外の領域のみに、金属からなる導電性電極を有する半導体発光ダイオード。」の発明である点で一致する。
　一方、次の点で相違する。
　ｃ．本願補正発明は、「台座電極はその全面を窓層上に有」するのに対し、引用発明２は、電流ブロック層４３上のＩＴＯ透明電極４７をエッチング除去した後、ＩＴＯ透明電極４７の一部と接するＰ側電極４９を前記電流ブロック層４３上に形成した点。
　
　上記相違点ｃについて検討するに、引用発明２において、Ｐ側電極４９を電流ブロック層４３上に形成しているのは、上記相違点ａについて検討したのと同様に、ワイアボンディング時の衝撃を緩和するためであると考えられ、電流がＩＴＯ透明電極４７を介して拡散され、ＡｌＧａＩｎＰ活性層３７に効率良く注入されるようにするだけならば、Ｐ側電極４９を電流ブロック層４３上に直接形成する必要はなく、電流ブロック層４３上に形成されたＩＴＯ透明電極４７をエッチング除去しないで、このＩＴＯ透明電極４７上にＰ側電極４９の全面を設ければよいことが明らかであり、そのようにすることは当業者が容易に想到し得るものである。
　さらにいえば、引用例２の図６のＡに示される発光ダイオードでは、上層電極６２を絶縁層６４上に直接設けることなく、絶縁層６４上の導電透光酸化層６０上に設けているところであり、引用発明２において、Ｐ側電極４９をこのような態様で設けることに何らの困難性も認められない。　
　また、本願補正発明が奏する効果も引用例１に記載された事項あるいは引用例１及び引用例２に記載された事項に基づいて当業者が予測可能なものであって、格別のものとはいえない。
　以上のとおりであるから、本願補正発明は、引用発明２及び引用例１に記載された技術事項あるいは引用発明２及び引用例２に記載された技術事項に基づいて当業者が容易に発明できたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
５．むすび
　以上のとおり、本願補正発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件補正は、平成１４年改正前特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第４項に規定する要件を満たしておらず、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
III．本願発明について
１．本願発明
　平成１９年５月８日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１８年１１月６日付け手続補正書の請求項１ないし２４に記載された事項によって特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりである。
「【請求項１】発光層、透明導電性酸化物からなる窓層、および結線用台座電極を有する半導体発光ダイオードにおいて、窓層上に台座電極を有し、台座電極の射影領域以外に導電性電極を有することを特徴とする半導体発光ダイオード。」
　
２．判断
　本願発明は、上記II．［II］４．（１）において引用発明１と本願補正発明との一致点とした発明から導電性電極が「金属からなる」との限定を除いたものであるから、本願発明が引用発明１と同一の発明であることは明らかである。
　
３．むすび
　したがって、本願発明は、上記引用例１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の発明に該当し、特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。