(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
リセスゲート構造の静電誘導トランジスタを発振源とする工業用周波数帯電磁波を利用する高周波加熱装置であって、
上記発振源を複数有する高周波出力モジュールと、
この高周波出力モジュールの出力を入力として、所定数の位相の高周波を上記所定数の出力端子から出力するバトラーマトリックスと、
上記バトラーマトリックスにおける上記所定数の出力端子に接続されて、上記所定数の方向へのビームを出力する多連装アンテナ
を備えたことを特徴とする高周波加熱装置。
【請求項２】
請求項１に記載の高周波加熱装置において、
上記高周波出力モジュールの励振部を、上記高周波出力モジュールの外に在る外部発振素子で構成したことを特徴とする高周波加熱装置。
【請求項３】
請求項１に記載の高周波加熱装置において、
上記バトラーマトリックスは、出力する高周波の位相数と同じ所定数の入力端子を有しており、
上記高周波出力モジュールの出力端子に接続されると共に、上記高周波出力モジュールの出力端子からの出力を排他的に上記バトラーマトリックスの上記所定数の入力端子の何れか一つに供給するスイッチング手段
を備えたことを特徴とする高周波加熱装置。
【請求項４】
リセスゲート構造の静電誘導トランジスタを発振源とする工業用周波数帯電磁波を利用する高周波加熱装置であって、
上記発振源を複数有する所定数の高周波出力モジュールと、
上記高周波出力モジュールの励振部を構成すると共に、上記高周波出力モジュールの外に在る発振素子と、
上記発振素子の出力端子に接続されたプリアンプと、
上記プリアンプの出力に基づいて上記所定数の位相の励振信号を生成し、上記所定数の高周波出力モジュールに出力するバトラーマトリックスと、
並列配置されると共に、上記所定数の高周波出力モジュールの何れか一つに接続された上記所定数の無指向性アンテナ
を備えたことを特徴とする高周波加熱装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、工業用周波数帯電磁波を加熱源とする高周波加熱装置の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】
高周波加熱装置は、電子レンジの名で広く民間に普及している工業用周波数帯電磁波(通称マイクロ波)の誘電加熱特性を利用した加熱装置である。
【０００３】
従来、上記高周波加熱装置の高周波発生部にはマグネトロンが使用されることが通例である。このマグネトロンは、構造が決まれば発振周波数が決まる周波数固定型の２極式発振管であり、その周波数の安定度は悪いが、構造が簡単な上、投入電力のマイクロ波への変換効率が７０％以上と高いために、大電力を必要とする用途に広く用いられている。
【０００４】
民生用としては、工業用周波数帯２.４５ＧＨzのマイクロ波をこのマグネトロンで発生し、５００Ｗ程度の加熱能力を持つ電子レンジとして利用されている。上記２.４５ＧＨzのマイクロ波を発生するマグネトロンの寸法は物理的に略固定され、およそ７cm〜１０cm立方の空間を占有する。現在市販されている平均的な電子レンジの寸法が３０cm×２５cm×２０cm程度であることから見て、上記マグネトロンが占める空間が非常に大きいことが理解できる。
【０００５】
この様な寸法的制約を解消するために、従来からマグネトロンに代る発振素子が模索されており、その一例として真空マイクロデバイスによる固体マグネトロンの開発等が行われてきた。
【０００６】
上記真空マイクロデバイスの外形寸法はおよそ２０mm×６０mm×４０mm程度と予想されており、上記マグネトロンに比して極めて良好な容積効率を示す。ところが、現段階で実用に耐えるデバイスは開発されおらず、高周波加熱装置として利用できるまでには至っていないのが現状である。
【０００７】
一方において、静電誘導型トランジスタ(以下、ＳＩＴと略称する)もマグネトロン代替としての素養を満足しており、過去に注目されたがその製造プロセスの複雑さから民生用のマイクロ波発振素子としては下火になっている。ところが、近年、その欠点を改善したリセスゲート構造のＳＩＴが開発され(実公報第２５１７１７５号)、再び電子レンジヘの応用への期待が高まってきている。尚、リセスゲート構造のＳＩＴとは、ドレイン層とソース層との間に埋め込まれたゲート層を、縦縞状ゲートと横縞状ゲートとによる複数の格子状ゲート部で構成して成る能動素子のことである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記リセスゲート構造のＳＩＴにおける現段階での仕様は、動作圧６０Ｖ〜７０Ｖ,出力４６Ｗ,変換効率４０％であり、マグネトロンと比較すると見劣りのする物である。
【０００９】
しかしながら、その外形寸法は２０mm×１０mm×４mmであり、真空マイクロデバイスよりも更にコンパクトになっている。したがって、従来の電子レンジの補助的加熱手段あるいは複数の素子を用いた合成加熱手段として利用可能である。
【００１０】
そこで、この発明の目的は、リセスゲート構造のＳＩＴをマイクロ波発振モジュールとして利用した高周波加熱装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、第１の発明は、リセスゲート構造のＳＩＴを発振源とする工業用周波数帯電磁波を利用する高周波加熱装置であって、上記発振源を複数有する高周波出力モジュールと、この高周波出力モジュールの出力を入力として所定数の位相の高周波を上記所定数の出力端子から出力するバトラーマトリックスと、上記バトラーマトリックスにおける上記所定数の出力端子に接続されて上記所定数の方向へのビームを出力する多連装アンテナを備えたことを特徴としている。
【００１２】
上記構成によれば、複数有するリセスゲート構造のＳＩＴの出力が電力合成される。こうして、複数個のリセスゲート構造ＳＩＴに基づいて、高出力が得られる。さらに、上記多連装アンテナからは、上記バトラーマトリックスからの所定数の位相の高周波に基づいて上記所定数の方向へのマルチ高周波ビームが放射される。
【００１３】
また、上記第１の発明の高周波加熱装置は、上記高周波出力モジュールの励振部をこの高周波出力モジュールの外に在る外部発振素子で構成することが望ましい。
【００１４】
上記構成によれば、上記高周波出力モジュールの励振部が、上記高周波出力モジュールの外に在る外部発振素子で構成されている。したがって、位相変換を行うことによって、能動的に上記工業用周波数帯電磁波の放射特性を変化させたり電力を合成することが可能となる。
【００１５】
また、上記第１の発明の高周波加熱装置は、上記バトラーマトリックスは出力する高周波の位相数と同じ所定数の入力端子を有しており、上記高周波出力モジュールの出力端子に接続されると共に、上記高周波出力モジュールの出力端子からの出力を排他的に上記バトラーマトリックスの上記所定数の入力端子の何れか一つに供給するスイッチング手段を備えることが望ましい。
【００１６】
上記構成によれば、上記高周波出力モジュールからの出力が、スイッチング手段によって排他的に上記バトラーマトリックスにおける何れか一つの入力端子に供給される。したがって、上記多連装アンテナから放射される高周波ビームの放射方向を、上記所定数の方向に変更することが可能になる。
【００１７】
また、第２の発明の高周波加熱装置は、リセスゲート構造のＳＩＴを発振源とする工業用周波数帯電磁波を利用する高周波加熱装置であって、上記発振源を複数有する所定数の高周波出力モジュールと、上記高周波出力モジュールの励振部を構成すると共に,上記高周波出力モジュールの外に在る発振素子と、上記発振素子の出力端子に接続されたプリアンプと、上記プリアンプの出力に基づいて上記所定数の位相の励振信号を生成し,上記所定数の高周波出力モジュールに出力するバトラーマトリックスと、並列配置されると共に,上記所定数の高周波出力モジュールの何れか一つに接続された上記所定数の無指向性アンテナを備えたことを特徴としている。
【００１８】
上記構成によれば、バトラーマトリックスから出力される所定数の位相の励振信号の夫々がリセスゲート構造のＳＩＴを複数有する高周波出力モジュールに入力され、上記所定数の位相の高周波が得られる。そして、夫々の位相の高周波は上記所定数の無指向性アンテナの何れか一つに入力される。こうして、複数個のリセスゲート構造ＳＩＴの出力が電力合成され、尚且つ、放射特性も合成されて上記所定数の方向へのマルチビームが出力される。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、この発明を図示の実施の形態により詳細に説明する。リセスゲート構造のＳＩＴは、１９９９年６月現在、動作電圧６０Ｖ〜７０Ｖ,出力４６Ｗ,効率４０％が得られることが報告されており、近い将来、動作電圧５０Ｖ〜１４０Ｖ,出力１３０Ｗ,効率７０％,電力利得１０dＢ程度まで、改善できる見通しが立っている。とはいえ、現在市場に出回っている電子レンジのマイクロ波発振装置であるマグネトロンは、動作電圧４kＶ,出力５００Ｗから１kＷ,効率７０％であることから、ＳＩＴ単体では到底マグネトロンの代替が務まるものではない。
【００２０】
＜第１実施の形態＞
上記ＳＩＴは、上記マグネトロンと異なり周波数や位相を設計時に能動的に設定することができるため、複数のＳＩＴを用意しその出力電力を合成することが可能である。したがって、その際における位相を制御し適切なアンテナに接続することによって、従来マグネトロンによる加熱においては必須であったスタラーファンやターンテーブルを用いることなく高周波の多方向への放射を行なって、均一な加熱を実現できる可能性を有している。
【００２１】
図１は、本実施の形態の高周波加熱装置に搭載されるマイクロ波発振モジュールおける構成例を示す図である。このマイクロ波発振モジュールは、単一の外部発振素子１を励振部とする複数のＳＩＴ２a,２bで構成される１３０Ｗ出力のＳＩＴ出力モジュール２を有する。そして、ＳＩＴ出力モジュール２の出力をＳＰＳＴ(単極単投)高周波スイッチ３の各スイッチ(１)〜(４)に入力し、ＳＰＳＴ高周波スイッチ３の出力をバトラーマトリックス４の４つの給電端子ａ)〜ｄ)の何れか一つの給電端子に排他的に入力する構成を有している。尚、図中、「ＨＢ」は３dＢ結合器である。
【００２２】
上記ＳＰＳＴ高周波スイッチ３を構成する一個のスイッチは、ピンダイオードを用いた高周波用オン・オフスイッチであり、図２に示すように、２つのダイオードＤ1,Ｄ2の組み合わせによって周波数特性を変化させてアナログスイッチと同等の機能を持たせている。図２において、各ダイオードＤ1,Ｄ2のオンおよびオフは夫々順方向および逆方向に相当する。尚、図中「Ａ」,「Ｂ」は、ＳＰＳＴ高周波スイッチ３の状態を表わす。
【００２３】
図１において、上記ＳＰＳＴ高周波スイッチ３のスイッチ(１)をオンにして、ＳＩＴ出力モジュール２の出力をバトラーマトリックス４の給電端子ａ)に入力すると、４連装１/４λマイクロストリップアンテナ５の各１/４λマイクロストリップアンテナＡ,Ｂ,Ｃ,Ｄに供給される高周波の位相は、夫々、
(Ａ,Ｂ,Ｃ,Ｄ)＝(−４５°,−９０°,−１３５°,−１８０°)
に変換される。その結果、４連装１/４λマイクロストリップアンテナ５から出力される高周波の方向は、矢印１の方に向くことになる。
【００２４】
また、上記ＳＰＳＴ高周波スイッチ３のスイッチ(２)をオンして、ＳＩＴ出力モジュール２の出力をバトラーマトリックス４の給電端子ｂ)に入力すると、４連装１/４λマイクロストリップアンテナ５の各１/４λマイクロストリップアンテナＡ,Ｂ,Ｃ,Ｄに供給される高周波の位相は、夫々、
(Ａ,Ｂ,Ｃ,Ｄ)＝(−１３５°,０°,−２２５°,−９０°)
に変換される。その結果、４連装１/４λマイクロストリップアンテナ５からの高周波の方向は、矢印２の方に向くことになる。
【００２５】
以下、同様に、上記ＳＩＴ出力モジュール２の出力をバトラーマトリックス４の給電端子ｃ)に入力した場合には４連装１/４λマイクロストリップアンテナ５からの高周波は矢印３の方向に、給電端子ｄ)に入力した場合には矢印４の方向に放射されることになる。
【００２６】
このように、本マイクロ波発振モジュールによれば、機械的に動くアンテナを用いることなく高周波の放射方向を変化させることができ、従来のスタラーファンと同等の機能を持たせることが可能になる。
【００２７】
上述したように、本実施の形態においては、マイクロ波発振モジュールを、外部発振素子１と、ＳＩＴ出力モジュール２と、ＳＰＳＴ高周波スイッチ３と、バトラーマトリックス４と、４連装１/４λマイクロストリップアンテナ５で構成している。
【００２８】
そして、単一の外部発振素子１を励振部とすると共に複数のＳＩＴ２a,２bで構成される１３０Ｗ出力のＳＩＴ出力モジュール２の出力を、ＳＰＳＴ高周波スイッチ３を介してバトラーマトリックス４の各給電端子ａ)〜ｄ)に排他的に入力する。そして、バトラーマトリックス４の４つの出力端子からの高周波を、４連装１/４λマイクロストリップアンテナ５の各１/４λマイクロストリップアンテナＡ,Ｂ,Ｃ,Ｄに供給するようにしている。
【００２９】
このように、上記ＳＩＴ出力モジュール２を構成する複数のＳＩＴ２a,２bの出力をバトラーマトリックス４によって４連装１/４λマイクロストリップアンテナ５に給電するので、複数のＳＩＴを用いて大きな加熱能力を得ることができるのである。さらに、上記ＳＰＳＴ高周波スイッチ３の各スイッチ(１)〜(４)を順次オンすることによって、４連装１/４λマイクロストリップアンテナ５からの高周波の放射方向を、図１における矢印１〜矢印４の方向に順次変えることができる。したがって、空間的に均一な加熱を行うことができ、電子レンジ等の加熱源に用いた場合に、従来マグネトロンにおいて必須であったスタラーファンやターンテーブルを省略することができる。
【００３０】
尚、本実施の形態においては、上記ＳＩＴ出力モジュール２の励振部をＳＩＴ出力モジュール２の外部に在る外部発振素子１で構成している。しかしながら、この発明はこれに限定されるものではなく、発振素子をＳＩＴ出力モジュールに内蔵しても構わない。
【００３１】
＜第２実施の形態＞
ところで、上述したように、現段階では、上記ＳＩＴの高出力化は精々４０Ｗ程度であり、近い将来１３０Ｗ程度まで改善されても現行マグネトロンの５００Ｗには程遠い、そのために、本実施の形態においては、複数のＳＩＴをモジュール化し、複数のＳＩＴ出力モジュールの出力を合成して目的の５００Ｗの高出力を得るようにしている。
【００３２】
図３は、上記マイクロ波発振モジュールおける他の構成例を示す図である。このマイクロ波発振モジュールは、単一の外部発振素子１１を発振源とする１３０Ｗ出力の２つのＳＩＴ出力モジュール１２,１３をウィルキンソンカプラー１４で合成する。同様に、外部発振素子１１を発振源とする１３０Ｗ出力の２つのＳＩＴ出力モジュール１５,１６をウィルキンソンカプラー１７で合成する。そして更に、ウィルキンソンカプラー１４の出力とウィルキンソンカプラー１７の出力とを、ウィルキンソンカプラー１８によって合成して１３０Ｗ×４の出力を得るようにしている。
【００３３】
そして、上記ウィルキンソンカプラー１８の出力には、１/４λ短絡型マイクロストリップアンテナ１９を接続して特性改善を図っている。尚、ウィルキンソンカプラー１８の出力には、第１実施の形態におけるバトラーマトリックスの各給電端子ａ)〜ｄ)を接続して、マルチビームを達成するように構成しても差し支えない。
【００３４】
このように、本実施の形態においては、２個のＳＩＴを有して１３０Ｗの出力を呈する４個のＳＩＴ出力モジュールを、２個ずつウィルキンソンカプラーで電力合成する。さらに、２個のウィルキンソンカプラーの出力を他のウィルキンソンカプラーで電力合成するようにしている。したがって、(１３０/２)Ｗの出力を呈するＳＩＴを用いて、現行マグネトロンに匹敵する５２０Ｗの加熱能力を得ることができるのである。
【００３５】
尚、本実施の形態と同様に、上記第１実施の形態におけるＳＩＴ出力モジュール２の数を複数にして、更なる高出力化を図ることも可能である。
【００３６】
＜第３実施の形態＞
図４は、上記マイクロ波発振モジュールおける他の構成例を示す図である。このマイクロ波発振モジュールは、単一の外部発振素子２１の出力を４個のプリアンプ２２で増幅し、夫々の出力をバトラーマトリックス２３の４個の給電端子に入力する。さらに、バトラーマトリックス２３からの４つの出力を１３０Ｗ出力を呈する４個のＳＩＴ出力モジュール２４〜２７に入力し、各ＳＩＴ出力モジュール２４〜２７からの出力を４連装１/４λマイクロストリップアンテナ２８の各１/４λマイクロストリップアンテナＡ,Ｂ,Ｃ,Ｄに供給するようにしている。
【００３７】
このような構成を取ることによって、上記４連装１/４λマイクロストリップアンテナ２８からは、図１に示す矢印１〜矢印４の総ての方向に同時に高周波が放射されることになる。したがって、４つの１/４λマイクロストリップアンテナＡ,Ｂ,Ｃ,Ｄの放射特性が無指向性であるにも関わらず、４方向のマルチビームアンテナとして機能させることができるのである。
【００３８】
尚、上記プリアンプ２２の数は４個に限定されるものではない。要は、プリアンプの出力がバトラーマトリックス２３の４個の給電端子に入力される構成を有していればよいのである。
【００３９】
ここで、上記ＳＩＴ出力モジュール２,１２,１３,１５,１６,２４〜２７内の発振回路は通常のトランジスタと同じくＬＣ発振回路でよく、出力はエミッタフォロワーを採用する、図５はその回路図である。尚、３１はＳＩＴである。
【００４０】
＜第４実施の形態＞
本実施の形態においては、上記各実施の形態におけるマルチビーム発振型のマイクロ波発振モジュールの高周波加熱装置への搭載例について説明する。
【００４１】
図６(a)は、上記マルチビーム発振型のマイクロ波発振モジュール４２を、高周波加熱装置としての電子レンジの筺体４１に設置した様子を示す。また、図６(b)は、図６(a)におけるマイクロ波発振モジュール４２の設置個所の部分拡大図である。尚、図６(a)は筺体４１の内部を示しており、筺体４１の図中手前側および右側の側壁と天板とは省略している。
【００４２】
本実施の形態においては、従来のマグネトロン方式とは異なって導波管というものは必要がなく、マイクロ波発振モジュール４２を筺体４１に直接設置することが可能であり、容積の節約になる。アンテナ部４３は４連装１/４λマイクロストリップアンテナの構成を取っている。
【００４３】
上記４連装１/４λマイクロストリップアンテナ４３は、図７に示すように、導通基盤４５に逆Ｆ字型の４個の１/４λマイクロストリップアンテナ４６が取り付けられている簡単な構造を有している。そして、中央のピン４７が給電端子となり、給電は同軸線路４８によって行われる。
【００４４】
尚、上記アンテナ４３は、図８に示すように４連装１/４λマイクロロッドアンテナ５０で構成してもよい。この４連装１/４λマイクロロッドアンテナ５０は、４個の逆Ｆ字型の１/４λマイクロロッドアンテナ５１で構成されている。そして、この１/４λマイクロロッドアンテナ５１が取り付けられた導通基盤５２の裏側にはボックス５３を設け、その内部に全回路を内装している。ここで、ボックス５３内に設けられる内部基盤は、第１実施の形態における外部発振素子１,ＳＩＴ出力モジュール２,ＳＰＳＴ高周波スイッチ３,バトラーマトリックス４や、第２実施の形態における外部発振素子１１,ＳＩＴ出力モジュール１２・１３・１５・１６,ウィルキンソンカプラー１４・１７・１８や、第３実施の形態における外部発振素子２１,プリアンプ２２,バトラーマトリックス２３,ＳＩＴ出力モジュール２４〜２７等の各回路間の干渉を考慮しながら配置する必要がある。
【００４５】
上述したように、上記１/４λマイクロストリップアンテナ４６を一体に４連装したマイクロ波発振モジュール４２を電子レンジの筺体４１に設置してもよいが、発振部がモジュール化されているので、１/４λマイクロストリップアンテナ４６をモジュール化された発振部から個々に分離して、筺体４１の各部に分散して配置することも可能である。
【００４６】
その場合は、上記１/４λマイクロストリップアンテナ４６の面積を大きくした方がマッチングは取り易い。そこで、１/４λマイクロストリップアンテナ４６として、図９に示すような典型的な１/４λ短絡型マイクロストリップアンテナ６１を用い、筺体４１の各部に配置してストリップラインのような伝送線路で給電を行うことが望ましい。
【００４７】
【発明の効果】
以上より明らかなように、第１の発明の高周波加熱装置は、リセスゲート構造のＳＩＴを複数有する高周波出力モジュールと、この高周波出力モジュールの出力を入力とするバトラーマトリックスと、このバトラーマトリックスからの所定数の出力端子に接続された多連装アンテナを備えたので、複数個のリセスゲート構造ＳＩＴの出力を電力合成して、高い加熱能力を得ることができる。さらに、上記バトラーマトリックスによる所定数の位相の高周波に基づいて上記所定数の方向へのマルチ高周波ビームを放射できる。
【００４８】
すなわち、この発明によれば、空間的に均一な加熱を行うことができ、従来マグネトロンにおいて必須であったスタラーファンやターンテーブルを省略して、コンパクト化を図ることができるのである。したがって、マイクロ波を利用した高周波加熱装置のコンパクト化と高出力化とを両立させることができる。
【００４９】
また、上記第１の発明の発明の高周波加熱装置は、上記高周波出力モジュールの励振部を上記高周波出力モジュール外に在る外部発振素子で構成すれば、容易に位相変換を行うことができ、能動的に上記マイクロ波の放射特性を変化させたり電力を合成することが可能になる。
【００５０】
また、上記第１の発明の発明の高周波加熱装置は、上記バトラーマトリックスを、出力する高周波の位相数と同じ所定数の入力端子を有するように成し、上記高周波出力モジュールの出力端子に接続されて、上記高周波出力モジュールの出力端子からの出力を排他的に上記バトラーマトリックスの入力端子の何れか一つに供給するスイッチング手段を備えれば、上記多連装アンテナから放射される高周波ビームの放射方向を、上記所定数の方向に変更することが可能になる。
【００５１】
また、第２の発明の高周波加熱装置は、リセスゲート構造のＳＩＴを複数有する所定数の高周波出力モジュールと、上記高周波出力モジュールの外に在って各高周波出力モジュールの励振部を構成する発振素子と、上記発振素子に接続されたプリアンプと、上記所定数の位相の励振信号を生成して上記高周波出力モジュールに出力するバトラーマトリックスと、上記所定数の高周波出力モジュールの何れか一つに接続された上記所定数の無指向性アンテナを備えたので、上記バトラーマトリックスからの上記所定数の位相の励振信号を高周波出力モジュールに入力して、上記所定数の位相の高周波を得ることができる。したがって、夫々の位相の高周波を上記所定数の無指向性アンテナの何れかに入力することによって、複数個のリセスゲート構造ＳＩＴからの出力の電力合成を行い、尚且つ、放射特性も合成して上記所定数の方向へのマルチビームを放射することができる。
【００５２】
すなわち、この発明によれば、複数個のリセスゲート構造ＳＩＴの出力を電力合成して、高い加熱能力を得ることができる。さらに、空間的に均一な加熱を行うことができ、従来マグネトロンにおいて必須であったスタラーファンやターンテーブルを省略することができるのである。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の高周波加熱装置に搭載されるマイクロ波発振モジュールの構成例を示す図である。
【図２】ピンダイオードの構成を示す図である。
【図３】図１とは異なる構成例を示す図である。
【図４】図１および図３とは異なる構成例を示す図である。
【図５】ＳＩＴを用いた発振回路の回路図である。
【図６】マイクロ波発振モジュールを電子レンジの筺体に設置した様子を示す図である。
【図７】４連装１/４λマイクロストリップアンテナの概観図である。
【図８】４連装１/４λマイクロロッドアンテナの概観図である。
【図９】１/４λ短絡型マイクロストリップアンテナの概観図である。
【符号の説明】
１,１１,２１…外部発振素子、
２,１２,１３,１５,１６,２４〜２７…ＳＩＴ出力モジュール、
３…ＳＰＳＴ高周波スイッチ、        ４,２３…バトラーマトリックス、
５,２８,４３…４連装１/４λマイクロストリップアンテナ、
１４,１７,１８…ウィルキンソンカプラー、
１９,６１…１/４λ短絡型マイクロストリップアンテナ、
２２…プリアンプ、                  ３１…ＳＩＴ、
４１…筺体、                        ４２…マイクロ波発振モジュール、
４５,５２…導通基盤、
４６…１/４λマイクロストリップアンテナ、
４７…ピン、                        ４８…同軸線路、
５０…４連装１/４λマイクロロッドアンテナ、
５１…１/４λマイクロロッドアンテナ、
５３…ボックス。
【図１】
0003577433.tif 000002
【図２】
0003577433.tif 000003
【図３】
0003577433.tif 000004
【図４】
0003577433.tif 000005
【図５】
0003577433.tif 000006
【図６】
0003577433.tif 000007
【図７】
0003577433.tif 000008
【図８】
0003577433.tif 000009
【図９】
0003577433.tif 000010