【事件の表示】
　特願２００２−１７３６９２「透明導電膜形成液及びそれを用いた透明導電膜付基体の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　１月２２日出願公開、特開２００４−　１８９１３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１４年６月１４日の出願であって、平成１８年１０月１８日付で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１８年１２月６日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、平成１８年１２月２８日付で手続補正がなされたものである。
　当該補正は、補正前の請求項１〜３を削除し、補正前の請求項４〜８の番号を繰り上げて、新たに請求項１〜５としたものであるから、請求項の削除に該当し、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第１号の規定を満たしているので、当該補正を認める。
　したがって、本願の請求項１〜５に係る発明は、平成１８年１２月２８日付の手続補正により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜５に記載された事項により特定されるものと認められるところ、そのうち請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、次のとおりである。
　
「【請求項１】　基体上に、直接又は中間膜を介して透明導電膜を形成して透明導電膜付基体を製造する方法であって、
　前記基体又は中間膜上に、インジウム化合物としてインジウムトリスアセチルアセトナートと、
　スズ化合物としてジ−ｎ−ブチルスズジアセテートとを含有する透明導電膜形成液を用いて化学的熱分解法により透明導電膜を形成することを特徴とする透明導電膜付基体の製造方法。」
　
II．引用刊行物とその記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された本願出願前に国内において頒布された特開２００２−１３３９５６号（以下、「引用例１」という。）及び特開平１０−１３００９７号（以下、「引用例２」という。）には、次の事項が記載されている。
（１）引用例１：特開２００２−１３３９５６号
（１ａ）「【請求項２】基板上に直接又はその他の膜を介して透明導電膜を形成する工程と、
　前記透明導電膜を所定の濃度の有機溶剤の存在下に加熱処理する工程を有する透明導電膜のシート抵抗値の調整方法。．．．
【請求項７】前記透明導電膜は、スズがドープされた酸化インジウム膜（ＩＴＯ膜）．．．である、請求項１又は２記載の透明導電膜のシート抵抗値の調整方法。」（【特許請求の範囲】）
（１ｂ）「前記第１〜第３の発明において、前記透明導電膜を形成する工程は、スパッター法．．．又は化学的気相成長法（ＣＶＤ法）のいずれかの成膜方法により透明導電膜を形成するのが好ましい。」（【００２５】）
（１ｃ）「透明導電膜
　本発明の対象とする透明導電膜としては、例えば、スズがドープされた酸化インジウム膜（ＩＴＯ膜）．．．を挙げることができる。これらの中でも、前記透明導電膜はＩＴＯ膜であるのが特に好ましい。」（【００３３】）
（１ｄ）「ＩＴＯ膜を成膜する場合には、インジウム化合物及びスズ化合物を成膜原料として用いることができる。．．．かかるインジウム化合物として、例えば、インジウムトリスアセチルアセトナート（Ｉｎ（ＣＨ３ＣＯＣＨＣＯＣＨ３）３）、インジウムトリスベンゾイルメタネート．．．等を例示することができる。これらのうち、特にインジウムトリスアセチルアセトナートを好ましく使用することができる。」（【００３７】）
（１ｅ）「また、スズ化合物としては、熱分解して酸化第２スズになるものを好ましく用いることができる。かかるスズ化合物として、例えば、塩化第２スズ、ジメチルスズジクロライド、ジブチルスズジクロライド、テトラブチルスズ、スタニアスオクトエート（Ｓｎ（ＯＣＯＣ７Ｈ１５）２）、ジブチルスズマレエート、ジブチルスズアセテート、ジブチルスズビスアセチルアセトナート等を挙げることができる。」（【００３８】）
（１ｆ）「前記ＩＴＯ膜は、基板上に超音波霧化による常圧ＣＶＤ法（パイロゾル法）により形成するのが特に好ましい。実際にパイロゾル法によりＩＴＯ膜を成膜する場合には、上に列記したインジウム化合物及びスズ化合物のそれぞれ一種以上を、所定の割合で混合し、適当な有機溶媒に溶解させたものを成膜材料として用いる。」（【００４１】）
（１ｇ）「かかる有機溶媒としては、アセチルアセトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、ジエチルケトン等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール．．．等のアルコール系溶媒、．．．エステル系溶媒、．．．エーテル系溶媒、．．．等を挙げることができる。」（【００４２】）
　
（２）引用例２：特開平１０−１３００９７号
（２ａ）「【請求項２】　有機インジウム化合物及び有機錫化合物を含有するアルコール溶液を加熱された基板上に噴霧して、（１１１）面配向を有する高配向の錫添加酸化インジウム膜を基板上に製膜することを特徴とする錫添加酸化インジウム三元機能膜の製造方法。」（【特許請求の範囲】）
（２ｂ）「そして、好ましい錫添加酸化インジウム膜の製膜方法は、有機インジウム化合物としてＩｎ（Ｃ５Ｈ７Ｏ２）３，有機錫化合物として（Ｃ４Ｈ９）２Ｓｎ（ＯＣＯＣＨ３）２を使用し、これらの化合物を含有するアルコール溶液を加熱された基板上に噴霧することによって、（１１１）面配向を有する高配向、低抵抗及び透明性の錫添加酸化インジウム膜を基板上に成膜することができる。」（【０００８】）　
　
III．当審の判断
１．引用例１に記載の発明
　摘記事項（１ａ）によれば、引用例１には、スズがドープされた酸化インジウム膜、すなわちＩＴＯ膜に、所定の濃度の有機溶媒の存在下に加熱処理を施すことにより、所定のシート抵抗値に調整する方法に関する発明が記載されている。そして、当該ＩＴＯ膜を成膜する方法として、摘記事項の（１ｂ）〜（１ｇ）によれば、成膜方法としては、常圧ＣＶＤ法（パイロゾル法）が特に好ましく、インジウム化合物及びスズ化合物の一種以上を適当な有機溶媒に溶解させたものを成膜材料として用いることとし、インジウム化合物としてインジウムトリスアセチルアセトナート（Ｉｎ（ＣＨ３ＣＯＣＨＣＯＣＨ３）３）が、スズ化合物としてジブチルスズアセテートが、及び有機溶媒としてアセチルアセトンが、それぞれ挙げられている。
　そうすると、引用例１には、特に好ましい形態として、
「基体上に、透明導電膜を形成して透明導電膜付基体を製造する方法であって、
　基体上に、インジウム化合物としてインジウムトリスアセチルアセトナートと、
　スズ化合物として、塩化第２スズ、ジブチルスズアセテートなどとを含有する透明導電膜形成液を用いて、常圧ＣＶＤ法（パイロゾル法）により透明導電膜を形成する透明導電膜付基体の製造方法。」（以下、「引用例１発明」という。）が記載されているといえる。
　ここで、引用例１発明における「常圧ＣＶＤ法（パイロゾル法）」が、本願発明における化学的熱分解法に相当するものであることは、本願の明細書の【００１９】に、「ここで、前記化学的熱分解法とは、透明導電膜形成液に含有される．．．インジウム化合物及び．．．スズ化合物を熱により分解させて基体．．．上に堆積させる方法．．．をいい、例えば、スプレー法．．．パイロゾルプロセス法、（超音波霧化による常圧ＣＶＤ法）、．．．等のＣＶＤ法が挙げられ、．．．」と記載されていることから明らかである。
　そうすると、本願発明１と引用例１発明とは、
「基体上に、直接又は中間膜を介して透明導電膜を形成して透明導電膜付基体を製造する方法であって、
　前記基体又は中間膜上に、インジウム化合物としてインジウムトリスアセチルアセトナートと、
　スズ化合物とを含有する透明導電膜形成液を用いて化学的熱分解法により透明導電膜を形成する透明導電膜府基体の製造方法。」である点で一致し、一方、本願発明は、スズ化合物を「ジ−ｎ−ブチルスズジアセテート」に限定しているのに対し、引用例１発明においては、スズ化合物として、「塩化第２スズ、ジブチルスズアセテート等」が列記されているものの、「ジ−ｎ−ブチルスズジアセテート」については記載がない点で相違する。
　しかしながら、本願発明１及び引用例１発明と同じく、「低抵抗及び透明性の錫添加酸化インジウム膜を基板上に成膜」する技術に関する引用例２には、インジウム成分の原料として、インジウムトリスアセトナートである蓋然性が高いＩｎ（Ｃ５Ｈ７Ｏ２）３に対して、有機錫化合物として（Ｃ４Ｈ９）２Ｓｎ（ＯＣＯＣＨ３）２，すなわち、ジ−ｎ−ブチルスズジアセテートを用いて錫添加酸化インジウム膜を基板上に製膜する技術が記載されている（摘示事項（２ｂ）参照のこと。）から、引用例１発明のインジウム化合物であるインジウムトリスアセチルアセトナートに対して、スズ化合物としてジ−ｎ−ブチルスズジアセトナートを選択して、これらを含有する本願発明１の透明導電膜形成液を構成することは、当業者であれば容易に想到し得たものと認められ、その作用効果にも格別のものは見いだせない。
　してみると、本願発明１は、本願出願前に国内において頒布された引用例１及び２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
IV．むすび
　以上のとおり、本願発明１は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、その余の発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり、審決する。