【事件の表示】
　特願２００３−５４４５６６「情報漏洩が低減される装置および方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　５月２２日国際公開、ＷＯ０３／４２７９９、平成１７年　４月１４日国内公表、特表２００５−５１００９５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１４年１１月５日を国際出願日とする出願（パリ条約による優先権主張２００１年１１月１４日、ＥＰ）であって、その後の手続きの経緯は次のとおりである。
拒絶理由通知（起案）　　　　平成１８年９月１日
意見、手続補正　　　　　　　平成１８年１１月２８日
拒絶理由通知（起案）　　　　平成１９年２月７日
意見、手続補正　　　　　　　平成１９年４月２４日
拒絶理由通知（起案）　　　　平成１９年７月１７日
意見　　　　　　　　　　　　平成１９年８月２１日
拒絶査定（起案）　　　　　　平成１９年９月１０日
拒絶査定（送達日）　　　　　平成１９年９月１３日
審判請求　　　　　　　　　　平成１９年１１月１４日
拒絶理由通知（起案）　　　　平成２１年２月９日
意見、手続補正　　　　　　　平成２１年３月１２日
　
２．本願請求項１の発明
　本願請求項１に係る発明（以下、「請求項１の発明」という。）は平成２１年３月１２日付けの手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認められる。
　
　スマートカード（１０）であって、
　プロセッサ（５０）と
　第１の情報漏洩レベルを有する第１の永続的メモリ（２０）であって、前記第１の永続的メモリ（２０）は暗号化マスターキー（４５）によって暗号化された第１の暗号化キー（２１、２２）を格納し、該第１の永続的メモリ（２０）は、前記暗号化された第１の暗号化キー（２１、２２）の書き込み後に書き込み制限される、前記第１の永続的メモリと、
　前記第１の情報漏洩レベルより低い、すなわち電力解析攻撃をより受けにくい第２の情報漏洩レベルを有する第２の永続的メモリ（４０）と、
　を含み、
　前記第２の永続的メモリ（４０）は暗号化マスターキー（４５）を格納し、前記暗号化マスターキー（４５）が、前記暗号化された第１の暗号化キー（２１、２２）を解読して、操作を実行するために前記プロセッサ（５０）によって使用可能な第１の暗号化キー（３１、３２）を生成するために使用される、前記スマートカード。
　
３．引用刊行物
　当審の拒絶の理由に引用された、本願優先権主張日前に頒布された刊行物である、国際公開９９／３８０７８号公報（以下、「刊行物１」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
　
Ａ．「この発明は上記実状に鑑みてなされたもので、データを暗号化及び復号化する機能を備え、且つ、暗号鍵等の機密情報の漏洩の虞の少ない記憶装置を提供することを目的とする。 
 　また、この発明は、たとえ、一部の記憶装置の暗号鍵等が漏洩しても、他の記憶装置の暗号鍵が漏洩することのない記憶装置を提供することを他の目的とする。」（第２頁５行〜１０行） 
 　 
Ｂ．「図１は、この発明の第１の実施の形態にかかる記憶装置の構成を示す。図示するように、記憶装置１０は、フラッシュメモリ１１と、フラッシュメモリ１１をアクセスするためのＬＳＩ１２とより構成されている。 
 …（中略）… 
　フラッシュメモリ１１が有する記憶領域には、図２（Ａ）に示すように、エリアＴ１が含まれる。エリアＴ１には、データを暗号化及び復号化するための暗号鍵であるデータ鍵ｋ１が、予め記録されている。データ鍵ｋ１は、十分大きなビット数の素数等から構成され、後述するシステム鍵ｋ２により暗号化されている。 
 …（中略）… 
　第２のＲＯＭ１５は、マスクＲＯＭ等からなる読出専用メモリである。第２のＲＯＭ１５が有する記憶領域には、図２（Ｂ）に示すように、システム鍵エリアＴ２、復号プログラム記憶エリアＴ３、期待値エリアＴ４及びハッシュ関数エリアＴ５が含まれる。 
 システム鍵エリアＴ２は、全ての記憶装置１０に共通に設定された暗号鍵であるシステム鍵ｋ２を記憶する。 
 …（中略）… 
　コントローラ１６は、ＣＰＵ（中央処理装置）、ＤＳＰ（ディジタルシグナルプロセッサ）等とその周辺回路から構成されている。コントローラ１６は、第１のＲＯＭ１４のプログラムエリアに格納されたプログラムに従って動作する。具体的には、コントローラ１６は、（１）フラッシュメモリ１１へのデータの書き込み動作、（２）フラッシュメモリ１１からのデータの読み出し動作、（３）記憶装置１０内のメモリをテストするテスト動作を行う。　
　コントローラ１６は、機能的には、Ｉ／Ｏバッファ（インタフェース回路）１６１と、インタフェース回路１６１に接続された制御部１６２と、アドレスカウンタ１６３と、により構成される。 
 …（中略）… 
　ＳＲＡＭ１３、第１及び第２のＲＯＭ１４、１５、コントローラ１６、及び内部データバスＩＤＢは、樹脂等により一体にモールドされている。このため、ＳＲＡＭ１３及び第２のＲＯＭ１５の記憶データがＬＳＩ１２の外部に出力されることはない。即ち、ＳＲＡＭ１３及び第２のＲＯＭ１５の記憶データは、外部からのアクセスに対してプロテクトされている。 
　この記憶装置１０は、コンピュータ２０にケーブルにより接続され又はプラグイン接続される。」（第１１頁１８行〜第１４頁１２行） 
 　 
Ｃ．「（２）読み出し動作 
　記憶装置１０からデータを読み出す場合、コンピュータ２０は、バス２１を介して記憶装置１０に読み出しコマンドを出力する。 
 …（中略）… 
　次に、制御部１６２は、復号プログラムエリアＴ３に格納された復号プログラムを実行する。そして、復号プログラムに従い、暗号化されたデータ鍵ｋ１をフラッシュメモリ１１のエリアＴ１から読み出し、システム鍵ｋ２を用いてこれを復号化して、平文のデータ鍵ｋ１を生成して、ＳＲＡＭ１３に格納する（ステップＳ３）。 
　次に、制御部１６２は、フラッシュメモリ１１に記憶されているＦＡＴ及びディレクトリ情報などに基づき、読み出し対象ファイル（データ）が格納されている物理アドレスを判別する。そして、判別された物理アドレスをアドレスカウンタ１６３にセットし、内部データバスＩＤＢ上に出力させる（ステップＳ１４）。 
　さらに、制御部１６２は、読み出し制御信号を出力し、アドレスカウンタ１６３が指示する物理アドレスに記憶されたデータを、データバスＤＢを介して読み出す（ステップＳ１５）。 
　制御部１６２は、読み出したデータを、ＳＲＡＭ１３に格納したデータ鍵ｋ１を用いて復号化する。次いで制御部１６２は、復号化したデータを、Ｉ／Ｏバッファ１６１及びバス２１を介してコンピュータ２０に送信する（ステップＳ１６）。」（第１６頁２１行〜第１７頁２５行） 
　
Ｄ．「この発明は、タンパフリー技術と組み合わせることにより、より完全なものとなる。即ち、この記憶装置１０の筐体が開封された時点で、記憶データを破壊するように構成することが望ましい。 
 …（中略）… 
　この構成によれば、筐体２５の一部が開封された際に、制御部１６２は割り込み処理を行う。この割り込み処理を、フラッシュメモリ１１の内容及びＳＲＡＭ１３の内容を消去する処理とすれば、フラッシュメモリ１１の内容及びＳＲＡＭ１３の内容は消去される。従って、フラッシュメモリ１１に記憶されていた機密情報が第三者に漏れることが避けられる。」（３５頁１行〜２３行） 
　
Ｅ．図１、２には記憶装置の構成が示されている。 
　
　上記Ａ．〜Ｅ．によれば、刊行物１には、次の記憶装置の発明（以下、「刊行物１の発明」という。）が記載されていると認められる。 
 　 
　コンピュータに接続される、暗号鍵等の機密情報の漏洩の虞の少ない記憶装置であって、 
　制御部を含むコントローラと
　筐体が開封された際に内容が消去されるフラッシュメモリであって、システム鍵ｋ２を用いて暗号化されたデータ鍵ｋ１が記録されている、前記フラッシュメモリと、 
　外部からのアクセスに対して記憶データがプロテクトされており、システム鍵ｋ２を記憶する、マスクＲＯＭ等からなる第２のＲＯＭと、 
　を含み、 
　前記制御部は、前記暗号化されたデータ鍵ｋ１をフラッシュメモリから読み出し、前記システム鍵ｋ２を用いて前記システム鍵ｋ２を用いて暗号化されたデータ鍵ｋ１を復号化して、平文のデータ鍵ｋ１を生成し、前記フラッシュメモリから読み出したデータを前記平文のデータ鍵ｋ１を用いて復号化する、前記記憶装置。
　
　同じく、当審の拒絶の理由に引用された、本願優先権主張日前に頒布された刊行物である、特開平１０−２１４２３２号公報（以下、「刊行物８」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
　
あ．「【００３９】請求項４のＩＣカードは、所定の暗号鍵初期化命令に基づいて、暗号鍵記憶部を初期化し、初期化された暗号鍵記憶部に対し暗号鍵を１回にかぎり書込むことができることを特徴とする。
【００４０】したがって、暗号鍵記憶部にいったん書込まれた暗号鍵は、暗号鍵記憶部を初期化しないかぎり書換えることはできない。さらに、暗号鍵記憶部を初期化することができるのは、所定の暗号鍵初期化命令を知っている者のみである。このため、暗号鍵を書込むことができる者と、暗号鍵記憶部を初期化することができる者とを分離すれば、暗号鍵の不正な書換えをほぼ阻止することができる。すなわち、カードの安全性がいっそう向上する。」
　
い．「【００７３】図３に、ＩＣカード３０の使用時における、不揮発性メモリ７８の記憶内容を示す。…（中略）…
【００７４】オープンデータ領域８４には、書き換えることが可能な比較的機密性の低いオープンデータ(a)(b)・・・が記憶されている。…（中略）…この特定データは、ＡＴＭの製造業者や、運用者である銀行によって書き込まれたものである。暗号鍵領域８８には、暗号鍵(1)(2)・・・(D)(I)が記憶されている。暗号鍵(1)(2)・・・(D)は、ＡＴＭの製造業者や、運用者である銀行によって書き込まれたものである。また、暗号鍵(I)は、ＩＣカードの製造業者によって書き込まれたものである。」
　
う．「【００８０】なお、このデータ書換命令に対しては、オープンデータ領域のみが書換可能であり、それ以外の領域（特定データ領域や暗号鍵領域）は、この書換命令では書き換えできないようになっている。特定データ領域や暗号鍵領域に対する書き込みや読み出しについては、後述する。」
　
　上記あ．〜う．によれば、暗号鍵の不正な書換えをほぼ阻止するために、暗号鍵領域に書き込まれた暗号鍵は、書換命令では書き換えできないようにする技術が示されている。
　
４．対比、判断
　請求項１の発明と刊行物１の発明とを対比すると、 
　刊行物１の発明の「コントローラ」「フラッシュメモリ」「システム鍵ｋ２を用いて暗号化されたデータ鍵ｋ１」「第２のＲＯＭ」「システム鍵ｋ２」は、それぞれ、請求項１の発明の「プロセッサ」「第１の永続的メモリ」「暗号化マスターキーによって暗号化された第１の暗号化キー」「第２の永続的メモリ」「暗号化マスターキー」に相当あるいは対応する。 
　刊行物１の発明の「平文のデータ鍵ｋ１」は、コントローラが含む制御部が、読み出したデータを当該平文のデータ鍵ｋ１を用いて復号化することから、コントローラによって使用可能な平文の情報であるので、請求項１の発明の「プロセッサによって使用可能な第１の暗号化キー」に相当する。 
 　 
　これらの点をふまえると、請求項１の発明と刊行物１の発明とは、次の点で相違するが、その余の事項を有する点で差異はない。 
　
〈相違点１〉請求項１の発明は「スマートカード」であるのに対し、刊行物１の発明は記憶装置である点。 
　
〈相違点２〉請求項１の発明において、第１の永続的メモリが「第１の情報漏洩レベル」を有し、第２の永続的メモリが「前記第１の情報漏洩レベルより低い、すなわち電力解析攻撃をより受けにくい第２の情報漏洩レベル」を有するのに対して、刊行物１の発明において、第１の永続的メモリ及び第２の永続的メモリが、それらの如き情報漏洩レベルを有するか否か、明らかでない点。          
　
〈相違点３〉請求項１の発明において、第１の永続的メモリは、暗号化された第１の暗号化キーの書き込み後に書き込み制限されるのに対し、刊行物１の発明は、書き込みの制限については明らかでない点。
　
 当審判断 
 〈相違点１〉について 
　コンピュータに接続される装置をスマートカードとし、スマートカードにおいて暗号化の技術を用いることは、当審拒絶理由において示した特開２００１−５７３１号公報（６〜８段落）（以下「刊行物２」という。）、国際公開００／１９３６６号（１頁８行〜２頁１２行）（以下「刊行物３」という。）、国際公開００／４２５１１号（１頁７行〜２頁１８行）（以下「刊行物４」という。）、にそれぞれ記載されているように本願優先権主張日前に周知の技術である。 
　刊行物１の発明は、コンピュータに接続され、暗号化の技術を用いる装置であるから、刊行物１の発明において、記憶装置をスマートカードとすることは、上記の周知の技術を参酌することにより当業者が容易になし得ることである。 
 　 
〈相違点２〉について 
　スマートカードの如き、耐タンパ性を有する装置に対する攻撃として、消費電力あるいは消費電流を解析して暗号鍵等の機密情報を漏洩させる電力解析攻撃が存在することは、前記刊行物２、刊行物３、刊行物４にそれぞれ記載されているように、本願優先権主張日前に周知の事項である。 
　一方、刊行物１の発明の記憶装置は、第２のＲＯＭが「外部からのアクセスに対して記憶データがプロテクト」されるものであり、フラッシュメモリが「筐体が開封された際に内容が消去される」ものであることにより、「暗号鍵等の機密情報の漏洩の虞の少ない」記憶装置となっているから、耐タンパ性を有する装置であり、第１の永続的メモリ（フラッシュメモリ）及び第２の永続的メモリ（第２のＲＯＭ）は、それぞれ、暗号鍵を記憶すると共に電流及び電力を消費するものである。 
　そうすると、耐タンパ性を有する装置である刊行物１の発明の記憶装置において、電流及び電力を消費し、暗号鍵の漏洩源となりえる第１の永続的メモリ及び第２の永続的メモリが、電力解析攻撃に関する、「第１の情報漏洩レベル」及び「第２の情報漏洩レベル」を有することは、当然のことである。　
　そして、電力解析攻撃は、消費電力あるいは消費電流を観測することで攻撃を行うものであるから、消費電力あるいは消費電流が小さいほど、それらの観測が困難であり、攻撃をより受けにくいものであるところ、当審拒絶理由において示した特開平８−９５９４２号公報（３段落）（以下「刊行物５」という。）、特開平９−１１４７３１号公報（４段落及び１４段落）（以下「刊行物６」という。）、特開平１０−２５４８４８号公報（５段落及び１３段落）（以下「刊行物７」という。）に記載されているように、マスクＲＯＭはＥＥＰＲＯＭよりも消費電力あるいは消費電流が小さく、フラッシュメモリはＥＥＰＲＯＭの一種であるから、マスクＲＯＭがフラッシュメモリよりも消費電力あるいは消費電流が小さく、電力解析攻撃を受けにくいことは、当業者に明らかな事項である。 
　してみれば、刊行物１の発明において、第１の永続的メモリがフラッシュメモリであり、第２の永続的メモリが「マスクＲＯＭ等からなる」ことから、第２の永続的メモリを、第１の永続的メモリに比して電力解析攻撃を受けにくいマスクＲＯＭとし、第２の情報レベルを「前記第１の情報漏洩レベルより低い、すなわち電力解析攻撃をより受けにくい第２の情報漏洩レベル」とすることは、当業者が容易になし得ることである。 
　
〈相違点３〉について
　刊行物８には、暗号鍵の不正な書換えをほぼ阻止するために、暗号鍵領域に書き込まれた暗号鍵は、書換命令では書き換えできないようにする技術が示されており、この技術は、書き込み後に書き込み制限される技術に相当する。
　刊行物１の発明において、暗号化された第１の暗号化キーについて、書き込み後に書き込み制限されると成すことは、前記技術を参酌することにより当業者が容易になし得ることである。
　
　そして、請求項１の発明により奏する効果も、刊行物１に記載された発明、刊行物２〜刊行物８に記載された事項及び前記周知技術から当業者が予測できる範囲内のものにすぎない。
　
　なお審判請求人は、平成２１年３月１２日付け意見書において、刊行物１の発明のフラッシュメモリは、データを格納するためにも使用されるため、書き込み制限をすることは考えられないから、刊行物８に記載の技術を組み合わせることはできない旨を主張している。
　しかしながら、刊行物８には、上記い．〜う．に記載されている如く、不揮発性メモリに、書き換えることが可能なオープンデータ領域と、書き込み後に書き込み制限がなされる暗号鍵領域という、書き込み制限の態様が異なる複数の領域を設けることが開示されている。
　そして、刊行物１に記載の発明のフラッシュメモリについて、この刊行物８に開示された技術を用いて、データを格納するために、オープンデータ領域の如き、書き換え可能な領域を設けると共に、暗号鍵を格納するために、暗号鍵領域の如き、書き込み制限のなされる領域を設けることに、何らの困難性もない。
　したがって、審判請求人の上記主張は、採用できないものである。
　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、刊行物１に記載された発明、刊行物２〜刊行物８に記載された事項、及び前記周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。