(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎを３以上の自然数としたとき、互いに並列に接続された第１〜第ｎの抵抗を内部回路に接続して、該内部回路に接続される抵抗を調整する抵抗回路において、
ｉを（ｎ−２）以下の自然数としたとき、前記第１〜第ｎの抵抗を接続する接続線を、第ｉの抵抗と該第ｉの抵抗に隣接する第（ｉ＋１）の抵抗との接続点と、該第（ｉ＋１）の抵抗に隣接する第（ｉ＋２）の抵抗との間の接続線を切断可能としたことを特徴とする抵抗回路。
【請求項２】
前記第１〜第ｎの抵抗に並列に接続され、前記第１〜第ｎの抵抗を短絡する短絡線を有することを特徴とする請求項１記載の抵抗回路。
【請求項３】
ｎを３以上の自然数としたとき、互いに並列に接続された第１〜第ｎの抵抗を接続する接続線のうち、ｉを（ｎ−２）以下の自然数としたとき、第ｉの抵抗と該第ｉの抵抗に隣接する第（ｉ＋１）の抵抗との接続点と、該第（ｉ＋１）の抵抗に隣接する第（ｉ＋２）の抵抗との接続点との間の接続線の零箇所又は一箇所を切断して、該内部回路に接続される抵抗を調整する抵抗回路の調整方法であって、
前記内部回路の信号の状態を検出する検出手順と、
前記検出手順で検出された前記内部回路の信号の状態に応じて前記切断可能とされた接続線を切断する切断手順とを有することを特徴とする抵抗回路の調整方法。
【請求項４】
前記抵抗回路は、前記第１〜第ｎの抵抗を短絡させる短絡線を有し、
前記切断手順は、前記検出手順で検出された前記内部回路の信号の状態に応じて前記短絡線を切断又は非切断状態とする第１の切断手順と、
前記検出手順で検出された前記内部回路の信号の状態に応じて前記切断可能とされた接続線のうち零箇所又は一箇所を切断する第２の切断手順とを有することを特徴とする請求項３記載の抵抗回路の調整方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する詳細な説明】
本発明は抵抗回路及びその調整方法に係り、特に、内部回路に接続される抵抗値を可変できる抵抗回路及びその調整方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ）などの半導体チップの内部回路に用いられる抵抗としては一般に拡散抵抗、ポリシリコン抵抗などが知られている。この拡散抵抗やポリシリコン抵抗はチップ毎にばらつきが生じ易く、均一な特性を得ることはできない。そこで、半導体装置の特性を均一にするために、レーザ光により切断可能な調整用の抵抗回路を搭載した半導体装置が開発されいる。このような半導体装置では内部回路の信号を検出し、その検出結果に応じて抵抗を切断するいわゆるレーザトリミングにより抵抗値の調整が行われている。
【０００３】
図４に従来の半導体装置の構成図示す。
従来のこの種の半導体装置１１は、内部回路１２及び調整用抵抗回路１３を有してなる。抵抗調整用抵抗回路１３は所定の抵抗値の抵抗Ｒ１１〜Ｒ１６を並列に接続するとともに、その両端を短絡する短絡線Ｌ１１により構成されている。第２〜第６の抵抗Ｒ１２〜Ｒ１６はそれぞれに切断可能に形成された接続線Ｌ１２〜Ｌ１６を介して接続されている。短絡線Ｌ１１及び接続線Ｌ１２〜Ｌ１６はアルミ配線などをチップの表面に表出させ、レーザ光により切断可能な構成とされている。
【０００４】
調整用抵抗回路１３は内部回路１２の抵抗に直列に接続されており、短絡又は抵抗Ｒ１１〜Ｒ１６を接続することにより抵抗値を可変できる構成とされている。
調整用抵抗回路１３の調整は内部回路１２の信号を検出し、検出した信号に応じて短絡線Ｌ１１、接続線Ｌ１２〜Ｌ１６上の所定の切断位置Ｐ１１〜Ｐ１６にレーザ光を照射することにより短絡線Ｌ１１、接続線Ｌ１２〜Ｌ１６を切断することにより行われる。
【０００５】
例えば、抵抗値０は短絡線Ｌ１１及び接続線Ｌ１２〜Ｌ１６は切断せず、調整用抵抗回路１３を短絡状態とすることにより実現される。また、短絡線Ｌ１１を切断することにより、抵抗Ｒ１１〜Ｒ１６が並列に接続された構成とされるため、抵抗Ｒ１１〜Ｒ１６の抵抗値をすべてＲとすると、合成抵抗Ｒ／６を実現できる。
【０００６】
さらに、短絡線Ｌ１１及び接続線Ｌ１２の２カ所を切断すると、５つの抵抗Ｒ１１，Ｒ１３，Ｒ１４，Ｒ１５，Ｒ１６が並列に接続された構成とされるため、合成抵抗Ｒ／５を実現できる。
また、短絡線Ｌ１１及び接続線Ｌ１２，Ｌ１３の３カ所を切断すると、４つの抵抗Ｒ１１，Ｒ１４，Ｒ１５，Ｒ１６が並列に接続された構成とされるため、合成抵抗Ｒ／４を実現できる。さらに、短絡線Ｌ１１及び接続線Ｌ１２，Ｌ１３，Ｌ１４の４カ所を切断すると、３つの抵抗Ｒ１１，Ｒ１５，Ｒ１６が並列に接続された構成とされるため、合成抵抗Ｒ／３を実現できる。
【０００７】
また、短絡線Ｌ１１及び接続線Ｌ１２，Ｌ１３，Ｌ１４，Ｌ１５の５カ所を切断すると、２つの抵抗Ｒ１１，Ｒ１６が並列に接続された構成とされるため、合成抵抗Ｒ／２を実現できる。さらに、短絡線Ｌ１１及び接続線Ｌ１２，Ｌ１３，Ｌ１４，Ｌ１５，Ｌ１６の６カ所を切断すると、１つの抵抗Ｒ１１だけが接続された構成とされるため、合成抵抗Ｒを実現できる。
【０００８】
図５に従来の切断箇所に対する合成抵抗の関係を示す図を示す。図５に示すように従来は接続線を０〜６本切断することにより、７段階の調整を実現していた。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかるに、従来の半導体装置では、複数の抵抗を並列に接続し、各抵抗に切断可能に接続線が設けられ、抵抗値を調整する場合、接続線を選択的に切断することにより調整を行う構成であったため、抵抗値を調整する場合、図５に示すように短絡線を切断するとともに、抵抗値が大きくなるに従って、切断する抵抗の数が増加し、切断箇所が増加し、量産時のスループットが低下するなどの問題点があった。
【００１０】
本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、抵抗値の調整を効率よく行える抵抗回路及びその調整方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本願発明の請求項１は、ｎを３以上の自然数としたとき、互いに並列に接続された第１〜第ｎの抵抗を内部回路に接続して、内部回路に接続される抵抗を調整する抵抗回路において、ｉを（ｎ−２）以下の自然数としたとき、第１〜第ｎの抵抗を接続する接続線を、第ｉの抵抗と第ｉの抵抗に隣接する第（ｉ＋１）の抵抗との接続点と、第（ｉ＋１）の抵抗に隣接する第（ｉ＋２）の抵抗との間の接続線を切断可能としたことを特徴とする。
【００１３】
請求項２は、第１〜第ｎの抵抗に並列に接続され、第１〜第ｎの抵抗を短絡する短絡線を有することを特徴とする。
【００１４】
請求項３は、ｎを３以上の自然数としたとき、互いに並列に接続された第１〜第ｎの抵抗を接続する接続線のうち、ｉを（ｎ−２）以下の自然数としたとき、第ｉの抵抗と該第ｉの抵抗に隣接する第（ｉ＋１）の抵抗との接続点と、該第（ｉ＋１）の抵抗に隣接する第（ｉ＋２）の抵抗との接続点との間の接続線の零箇所又は一箇所を切断して、該内部回路に接続される抵抗を調整する抵抗回路の調整方法であって、内部回路の信号の状態を検出する検出手順と、検出手順で検出された内部回路の信号の状態に応じて切断可能とされた接続線を切断する切断手順とを有することを特徴とする。
【００１６】
抵抗回路は、第１〜第ｎの抵抗を短絡させる短絡線を有し、切断手順は、検出手順で検出された前記内部回路の信号の状態に応じて前記短絡線を切断又は非切断状態とする第１の切断手順と、検出手順で検出された内部回路の信号の状態に応じて切断可能とされた接続線のうち零箇所又は一箇所を切断する第２の切断手順とを有することを特徴とする。
【００１７】
本発明によれば、切断可能とされた接続線の０〜２箇所を切断することにより、抵抗の調整を行うことができ、よって、製造時のスループットを向上させることができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
図１に本発明の一実施例の構成図を示す。
本実施例の半導体装置１は、信号を処理する内部回路２及び内部回路２に接続され、内部回路２で信号処理に用いられる基準電圧などの調整を行うための調整用抵抗値を設定する調整用抵抗回路３を有する。
【００１９】
内部回路２は、増幅回路等を内蔵し、たとえば、増幅回路を構成するトランジスタのバイアス回路に調整用抵抗回路３が接続される。内部回路２の基準電圧回路は、調整用抵抗回路３の抵抗値に応じてトランジスタのバイアス電圧が調整され、出力信号レベル等が調整される。
【００２０】
調整用抵抗回路３は、６個の抵抗Ｒ１  〜Ｒ６  、抵抗Ｒ１  〜Ｒ６  を接続する接続線Ｌ２  〜Ｌ６  、短絡線Ｌ１  から構成される。調整用抵抗回路３を構成する第１の抵抗Ｒ１  は、一端が端子Ｔａ  に接続され、他端が切断可能に形成された第２の接続線Ｌ２  の一端に接続される。
【００２１】
第２の抵抗Ｒ２  は、一端が端子Ｔａ  に接続され、他端が第１の抵抗Ｒ１  と第２の接続線Ｌ２  の一端との接続点に接続され、第１の抵抗Ｒ１  と並列回路を構成している。第３の抵抗Ｒ３  は、一端が端子Ｔａ  に接続され、他端が第２の接続線Ｌ２  の他端に接続されるとともに、切断可能に形成された第３の接続線Ｌ３  の一端に接続される。
【００２２】
また、第４の抵抗Ｒ４  は一端が端子Ｔａ  に接続され、他端が第３の接続線Ｌ３  の他端に接続されるとともに、断線可能に形成された第４の接続線Ｌ４  の一端にに接続される。第５の抵抗Ｒ５  は、一端が端子Ｔａ  に接続され、他端が第４の接続線Ｌ４  の他端に接続されるとともに、断線可能に構成された第５の接続線Ｌ５  の一端に接続される。
【００２３】
さらに、第６の抵抗Ｒ６  は、一端が端子Ｔａ  に接続され、他端が切断可能に形成された第６の接続線Ｌ６  を介して第５の接続線Ｌ５  及び端子Ｔｂ  に接続される。端子Ｔｂ  は第５及び第６の接続線Ｌ５  ，Ｌ６  の接続点に接続される。また、端子Ｔａ  と端子Ｔｂ  とは切断可能に形成された第１の接続線Ｌ１  により短絡されている。
【００２４】
端子Ｔａ  及び端子Ｔｂ  は、内部回路２に接続され、調整用抵抗回路３を内部回路２に接続する。
第１〜第６の接続線Ｌ１  〜Ｌ６  はアルミ配線などよりなり、半導体装置１のチップの表面に表出して形成されており、調整時に調整装置４から照射されるレーザートリミング用のレーザー光により容易に切断可能な構成とされている。調整装置４は内部回路２の信号レベルなどを検出し、検出した信号レベルに応じてレーザ光を第１〜第６の接続線Ｌ１  〜Ｌ６  上に設定された切断位置Ｐ１  〜Ｐ６  に選択的に照射し、第１〜第６の接続線Ｌ１  〜Ｌ６  を選択的に切断する。
【００２５】
切断位置Ｐ１  は第１の接続線Ｌ１  の切断位置、切断位置Ｐ２  は第６の接続線Ｌ６  の切断位置、切断位置Ｐ３  は第２の接続線Ｌ２  の切断位置、切断位置Ｐ４  は第３の接続線Ｌ３  の切断位置、切断位置Ｐ５  は第４の接続線Ｌ４  の切断位置、切断位置Ｐ６  は第５の接続線Ｌ５  の切断位置を示す。
【００２６】
調整用抵抗回路３は第１の接続線Ｌ１  が接続されている場合には、端子Ｔａ  と端子Ｔｂ  との間が短絡状態となるため抵抗値は０となる。
また、第１の接続線Ｌ１  を切断すると、端子Ｔａ  と端子Ｔｂ  との間には第１〜第６の抵抗Ｒ１  〜Ｒ６  が並列に接続されるため、第１〜第６の抵抗をＲ１  〜Ｒ６  の抵抗値をＲとすると、合成抵抗Ｒ０  はＲ／６となる。
【００２７】
また、第１の接続線Ｌ１  及び第６の接続線Ｌ６  を切断すると、端子Ｔａ  と端子Ｔｂ  との間には第１〜第５の抵抗Ｒ１  〜Ｒ５  の５つの抵抗が並列に接続されるため、その合成抵抗Ｒ０  はＲ／５となる。
さらに、第１の接続線Ｌ１  及び第２の接続線Ｌ２  を切断すると、端子Ｔａ  と端子Ｔｂ  との間には第３〜第６の抵抗Ｒ３  〜Ｒ６  の４つの抵抗が並列に接続されるため、その合成抵抗Ｒ０  はＲ／４となる。
【００２８】
また、第１の接続線Ｌ１  及び第３の接続線Ｌ３  を切断すると、端子Ｔａ  と端子Ｔｂ  との間には第４〜第６の抵抗Ｒ４  〜Ｒ６  の３つの抵抗が並列に接続されるため、その合成抵抗Ｒ０  はＲ／３となる。
さらに、第１の接続線Ｌ１  及び第４の接続線Ｌ４  を切断すると、端子Ｔａ  と端子Ｔｂ  との間には第５〜第６の抵抗Ｒ５  〜Ｒ６  の２つの抵抗が並列に接続されるため、その合成抵抗Ｒ０  はＲ／２となる。
【００２９】
また、第１の接続線Ｌ１  及び第５の接続線Ｌ５  を切断すると、端子Ｔａ  と端子Ｔｂ  との間には第６の抵抗Ｒ６  だけが接続されるため、その抵抗Ｒ０  はＲとなる。
このように、第１〜第６の接続線Ｌ１  〜Ｌ６  を切断することにより、端子Ｔａ  と端子Ｔｂ  との間の抵抗値を可変できる。
【００３０】
図２に本発明の一実施例の切断箇所と合成抵抗との関係を示す図を示す。
図２に示すように第１〜第６の接続線Ｌ１  〜Ｌ６  のうち０〜２本の接続線を切断することにより、端子Ｔａ  と端子Ｔｂ  との間の抵抗を０，Ｒ／６，Ｒ／５，Ｒ／４，Ｒ／３，Ｒ／２，Ｒから選択的に設定できる。
【００３１】
次に半導体装置１の調整動作について説明する。
半導体装置１は、調整時には調整装置４に装着される。調整装置４は半導体装置１の検査端子Ｔｃ  等にプローブが接続され、内部回路２の信号の状態を検出する。調整装置４は、内部回路２の状態に応じてレーザー光を予め第１〜第６の接続線Ｌ１  〜Ｌ６  上に設定された切断位置Ｐ１  〜Ｐ６に選択的に照射し、第１〜第６の接続線Ｌ１  〜Ｌ６  を選択的に切断する。
【００３２】
例えば、調整用抵抗回路３が内部回路２のバイアス用抵抗に直列に接続され、検査端子Ｔｃ  にはバイアス電圧が出力され、調整用抵抗回路３の抵抗値が増加するほどバイアス電圧が上昇するものとすると、調整装置４は、バイアス電圧を検出し、バイアス電圧が設定値Ｖ０  と設定値Ｖ０  にもっとも近接した第１の規定値Ｖ１  との間にある時には、調整を行う必要はないので、第１〜第６の接続線Ｌ１  〜Ｌ６  の切断は行わず、調整用抵抗回路３を短絡した状態とし、調整用抵抗回路３の抵抗値を０とし、内部回路２に予め設定された抵抗によってバイアス電圧を発生させる。
【００３３】
また、調整装置４は、検査端子Ｔｃ  から検出されるバイアス電圧が第１の規定値Ｖ１  と第２の規定値Ｖ２  （＜Ｖ１）との間にある時には、調整用抵抗回路３の抵抗値Ｒ０  を大きくする必要がある。そこで、レーザ光を第１の切断位置Ｐ１  に照射して端子Ｔａ  と端子Ｔｂ  とを短絡していた第１の接続線Ｌ１  を切断する。
【００３４】
第１の接続線Ｌ１  を切断することにより調整用抵抗回路３の抵抗は第１〜第６の抵抗Ｒ１  〜Ｒ６  の合成抵抗となる抵抗値Ｒ／６となる。このため、内部回路２には調整用抵抗回路３の合成抵抗Ｒ０  ＝Ｒ／６が付加され、バイアス電圧を上昇させ、バイアス電圧を設定値Ｖ０  と第１の規定値Ｖ１  との間の許容範囲内に設定する。
【００３５】
さらに、調整装置４は、検査端子Ｔｃ  から検出されるバイアス電圧が第２の規定値Ｖ２  と第３の規定値Ｖ３  （＜Ｖ２  ）との間にあるときには、調整用抵抗回路３の抵抗値Ｒ０  をさらに大きくしバイアス電圧を上昇させ設定値Ｖ０  と第１の規定値Ｖ１  との間の許容範囲内に収まるようにする必要がある。そこで、調整装置４はレーザ光を第１の切断位置Ｐ１  に照射して端子Ｔａ  と端子Ｔｂ  とを短絡していた第１の接続線Ｌ１  を切断するとともに、レーザ光を第２の切断位置Ｐ２  に照射して第６の接続線Ｌ６  を切断する。
【００３６】
第１の接続線Ｌ１  及び第６の接続線Ｌ６  を切断することにより、第６の抵抗Ｒ６  が切断される。調整用抵抗回路３が第６の抵抗Ｒ６  を切断されることにより、第１〜第５の抵抗Ｒ１  〜Ｒ５  の並列回路が構成され、合成抵抗Ｒ０  ＝Ｒ／５となる。このため、内部回路２には調整用抵抗回路３の合成抵抗Ｒ０  ＝Ｒ／５が付加され、電圧が上昇し、電圧を設定値Ｖ０  と第１の規定値Ｖ１  との間の許容範囲内に設定する。
【００３７】
また、調整装置４は、検査端子Ｔｃ  から検出される電圧が第３の規定値Ｖ３  と第４の規定値Ｖ４  （＜Ｖ３  ）との間にあるときには、調整用抵抗回路３の抵抗値Ｒ０  をさらに大きくし電圧を上昇させ設定値Ｖ０  と第１の規定値Ｖ１  との間の許容範囲内に収まるようにする必要がある。そこで、調整装置４は、レーザ光を第１の切断位置Ｐ１  に照射して端子Ｔａ  と端子Ｔｂ  とを短絡していた第１の接続線Ｌ１  を切断するとともに、レーザ光を第３の切断位置Ｐ３  に照射して第２の接続線Ｌ２  を切断する。
【００３８】
第１及び第３の接続線Ｌ１  ，Ｌ３  が切断されることにより、第１及び第２の抵抗Ｒ１  ，Ｒ２  が切断される。調整用抵抗回路３は第１及び第２の抵抗Ｒ１  ，Ｒ２  が切断されることにより、第３〜第６の抵抗Ｒ３  〜Ｒ６  により並列回路が構成され、その合成抵抗Ｒ０  はＲ／４となる。このため、内部回路２には調整用抵抗回路３の合成抵抗Ｒ０  ＝Ｒ／４が付加され、さらに大きくバイアス電圧を上昇させ、バイアス電圧を設定値Ｖ０  と第１の規定値Ｖ１  との間の許容範囲内に設定する。
【００３９】
また、調整装置４は、検査端子Ｔｃ  から検出されるバイアス電圧が第４の規定値Ｖ４  と第５の規定値Ｖ５  （＜Ｖ４  ）との間にあるときには、調整用抵抗回路３の抵抗値Ｒ０  をさらに大きくしバイアス電圧を上昇させ設定値Ｖ０  と第１の規定値Ｖ１  との間の許容範囲内に収まるようにする必要がある。そこで、調整装置４は、レーザ光を第１の切断位置Ｐ１  に照射して端子Ｔａ  と端子Ｔｂ  とを短絡していた第１の接続線Ｌ１  を切断するとともに、レーザ光を第４の切断位置Ｐ４  に照射して第３の接続線Ｌ３  を切断する。
【００４０】
第１及び第４の接続線Ｌ１  ，Ｌ４  が切断されることにより、第１〜第３の抵抗Ｒ１  〜Ｒ３  が切断される。調整用抵抗回路３は第１〜第３の抵抗Ｒ１  〜Ｒ３  が切断されることにより、第４〜第６の抵抗Ｒ４  〜Ｒ６  により並列回路が構成され、その合成抵抗Ｒ０  はＲ／３となる。このため、内部回路２には調整用抵抗回路３の合成抵抗Ｒ０  ＝Ｒ／３が付加され、さらに大きくバイアス電圧を上昇させ、バイアス電圧を設定値Ｖ０  と第１の規定値Ｖ１  との間の許容範囲内に設定する。
【００４１】
また、調整装置４は、検査端子Ｔｃ  から検出されるバイアス電圧が第５の規定値Ｖ５  と第６の規定値Ｖ６  （＜Ｖ５  ）との間にあるときには、調整用抵抗回路３の抵抗値Ｒ０  をさらに大きくしバイアス電圧を上昇させ設定値Ｖ０  と第１の規定値Ｖ１  との間の許容範囲内に収まるようにする必要がある。そこで、調整装置４は、レーザ光を第１の切断位置Ｐ１  に照射して端子Ｔａ  と端子Ｔｂ  とを短絡していた第１の接続線Ｌ１  を切断するとともに、レーザ光を第５の切断位置Ｐ５  に照射して第４の接続線Ｌ４  を切断する。
【００４２】
第１及び第４の接続線Ｌ１  ，Ｌ４  が切断されることにより、第１〜第４の抵抗Ｒ１  〜Ｒ４  が切断される。調整用抵抗回路３は第１〜第４の抵抗Ｒ１  〜Ｒ４  が切断されることにより、第５〜第６の抵抗Ｒ５  〜Ｒ６  により並列回路が構成され、その合成抵抗Ｒ０  はＲ／２となる。このため、内部回路２には調整用抵抗回路３の合成抵抗Ｒ０  ＝Ｒ／２が付加され、さらに大きくバイアス電圧を上昇させ、バイアス電圧を設定値Ｖ０  と第１の規定値Ｖ１  との間の許容範囲内に設定する。
【００４３】
また、調整装置４は、検査端子Ｔｃ  から検出されるバイアス電圧が第６の規定値Ｖ６  と第７の規定値Ｖ７  （＜Ｖ６  ）との間にあるときには、調整用抵抗回路３の抵抗値Ｒ０  をさらに大きくしバイアス電圧を上昇させ設定値Ｖ０  と第１の規定値Ｖ１  との間の許容範囲内に収まるようにする必要がある。そこで、調整装置４は、レーザ光を第１の切断位置Ｐ１  に照射して端子Ｔａ  と端子Ｔｂ  とを短絡していた第１の接続線Ｌ１  を切断するとともに、レーザ光を第６の切断位置Ｐ６  に照射して第５の接続線Ｌ６  を切断する。
【００４４】
第１及び第５の接続線Ｌ１  ，Ｌ５  が切断されることにより、第１〜第５の抵抗Ｒ１  〜Ｒ５  が切断される。調整用抵抗回路３は第１〜第５の抵抗Ｒ１  〜Ｒ５  が切断されることにより、端子Ｔａ  と端子Ｔｂ  との間には第６の抵抗Ｒ６  だけが接続され、合成抵抗Ｒ０  はＲとなる。このため、内部回路２には調整用抵抗回路３の合成抵抗Ｒ０  ＝Ｒが付加され、さらに大きくバイアス電圧を上昇させ、バイアス電圧を設定値Ｖ０  と第１の規定値Ｖ１  との間の許容範囲内に設定する。
【００４５】
また、調整装置４は、検査端子Ｔｃ  から検出されるバイアス電圧が第７の規定値Ｖ７  以下のときには、調整用抵抗回路３では調整不可能であるため、不要である旨の表示・警報を行い、レーザショットは行わない。
以上により、内部回路２に発生するバイアス電圧を設定値Ｖ０  と第１の規定値Ｖ１  との間の許容範囲内に設定でき、半導体装置１のばらつきを補正できる。
【００４６】
本実施例によれば、調整用抵抗回路３の抵抗値を調整するときには、第１〜第６の接続線Ｌ１  〜Ｌ６  のうち０〜２本を切断するだけで、所望の抵抗値を得ることができるため、接続線の切断（レーザトリミング）を必要最小限の回数で行え、効率よく抵抗値の補正が行える。したがって、製品のスループットが向上できる。
【００４７】
なお、本実施例の調整用抵抗回路３は６個の抵抗及び切断可能に形成された６本の接続線により０，Ｒ／６，Ｒ／５，Ｒ／４，Ｒ／３，Ｒ／２，Ｒの７つの調整抵抗値を実現したが、これに限ることはなく、図３に示すようにＮ個の抵抗Ｒ１  〜ＲＮ  及び切断可能に形成されたＮ本の接続線により（Ｎ＋１）個の抵抗値を設定可能とすることもできる。
【００４８】
図３は図１の調整用抵抗回路３と同様に第１の抵抗Ｒ１  は、一端が端子Ｔａ  に接続され、他端が切断可能に形成された第２の接続線Ｌ２  の一端に接続される。第２の抵抗Ｒ２  は、一端が端子Ｔａ  に接続され、他端が第１の抵抗Ｒ１  と第２の接続線Ｌ２  の一端との接続点に接続され、第１の抵抗Ｒ１  と並列回路を構成している。第３の抵抗Ｒ３  は、一端が端子Ｔａ  に接続され、他端が第２の接続線Ｌ２  の他端に接続されるとともに、切断可能に形成された第３の接続線Ｌ３  の一端に接続される。
【００４９】
同様に第４の抵抗Ｒ４  〜ＲＮ−１  が接続され、さらに、第Ｎの抵抗ＲＮ  は一端が端子Ｔａ  に接続され、他端が切断可能に形成された第Ｎの接続線ＬＮ  を介して第Ｎ−１の接続線ＬＮ−１  及び端子Ｔｂ  に接続される。端子Ｔｂ  は第Ｎ−１及び第Ｎの接続線ＬＮ−１  ，ＬＮ  の接続点に接続される。また、端子Ｔａ  と端子Ｔｂ  とは切断可能に形成された第１の接続線Ｌ１  により短絡されている。
【００５０】
端子Ｔａ  及び端子Ｔｂ  は、内部回路２に接続され、調整用抵抗回路３は内部回路２に接続される。
第１〜第Ｎの接続線Ｌ１  〜ＬＮ  はアルミ配線などよりなり、半導体装置１のチップの表面に表出して形成されており、調整時に調整装置４から照射されるレーザートリミング用のレーザー光により容易に切断可能な構成とされている。調整装置４は内部回路２の信号レベルなどを検出し、検出した信号レベルに応じてレーザ光を第１〜第Ｎの接続線Ｌ１  〜ＬＮ  上に設定された切断位置Ｐ１  〜ＰＮ  に選択的に照射し、第１〜第Ｎの接続線Ｌ１  〜ＬＮ  を選択的に切断する。
【００５１】
切断位置Ｐ１  は第１の接続線Ｌ１  の切断位置、切断位置Ｐ２  は第Ｎの接続線ＬＮ  の切断位置、切断位置Ｐ３  は第２の接続線Ｌ２  の切断位置、切断位置Ｐ４  は第３の接続線Ｌ３  の切断位置、切断位置Ｐ５  は第４の接続線Ｌ４  の切断位置・・・・・切断位置ＰＮ−２  は第Ｎ−３の接続線ＬＮ−３  の切断位置、切断位置ＰＮ−１  は第Ｎ−２の接続線ＬＮ−２  の切断位置，  切断位置ＰＮ  は第Ｎ−１の接続線ＬＮ−１  の切断位置を示す。
【００５２】
第１の接続線Ｌ１  が接続されている場合には、端子Ｔａ  と端子Ｔｂ  との間が短絡状態となるため抵抗値は０となる。
また、第１の接続線Ｌ１  を切断すると、端子Ｔａ  と端子Ｔｂ  との間には第１〜第Ｎの抵抗Ｒ１  〜ＲＮ  が並列に接続されるため、第１〜第Ｎの抵抗Ｒ１  〜ＲＮ  の抵抗値をＲとすると、合成抵抗Ｒ０  はＲ／Ｎとなる。
【００５３】
また、第１の接続線Ｌ１  及び第Ｎの接続線ＬＮ  を切断すると、端子Ｔａ  と端子Ｔｂ  との間には第１〜第Ｎ−１  の抵抗Ｒ１  〜ＲＮ−１  のＮ−１  個の抵抗が並列に接続されるため、その合成抵抗Ｒ０  はＲ／（Ｎ−１）となる。
さらに、第１の接続線Ｌ１  及び第２の接続線Ｌ２  を切断すると、端子Ｔａ  と端子Ｔｂ  との間には第３〜第６の抵抗Ｒ３  〜Ｒ６  の４つの抵抗が並列に接続されるため、その合成抵抗Ｒ０  はＲ／（Ｎ−２）となる。
【００５４】
また、第１の接続線Ｌ１  及び第３の接続線Ｌ３  を切断すると、端子Ｔａ  と端子Ｔｂ  との間には第４〜第Ｎの抵抗Ｒ４  〜ＲＮ  のＮ−３  個の抵抗が並列に接続されるため、その合成抵抗Ｒ０  はＲ／（Ｎ−３）となる。
同様に、第１の接続線Ｌ１  及び第Ｎ−２  の接続線ＬＮ−２  を切断すると、端子Ｔａ  と端子Ｔｂ  との間には第Ｎ−２  及び第Ｎ−１  の抵抗ＲＮ−１  ，ＲＮ  の２つの抵抗が並列に接続されるため、その合成抵抗Ｒ０  はＲ／２となる。
【００５５】
また、第１の接続線Ｌ１  及び第Ｎ−１  の接続線ＬＮ−１  を切断すると、端子Ｔａ  と端子Ｔｂ  との間には第Ｎの抵抗ＲＮ  だけが接続されるため、その抵抗Ｒ０  はＲとなる。
このように、第１〜第Ｎの接続線Ｌ１  〜ＬＮ  を切断することにより、端子Ｔａ  と端子Ｔｂ  との間の抵抗値を０〜Ｒの範囲でＮ＋１段階に可変できる。しかも、切断する切断位置はＮ個から０〜２個を選択的に切断すればよく、電圧などの補正を効率よく行える。
【００５６】
なお、上記実施例では接続線の切断をレーザー光線により行っているが、要は接続線を選択的に切断できる手段であればこれに限られるものではない。
【００５７】
【発明の効果】
上述の如く、本発明によれば、切断可能とされた接続線の０〜２箇所を切断することにより、抵抗の調整を行うことができ、よって、製造時のスループットを向上させることができる等の特長を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例の構成図である。
【図２】本発明の一実施例の動作説明図である。
【図３】本発明の他の実施例の構成図である。
【図４】従来の一例の構成図である。
【図５】従来の一例の動作説明図である。
【符号の説明】
１  半導体装置
２  内部回路
３  抵抗値調整回路
４  調整装置
Ｒ１  〜Ｒ６    第１〜第６の抵抗
Ｌ１  〜Ｌ６    第１〜第６の接続線
Ｐ１  〜Ｐ６    第１〜第６の切断部分
Ｔｃ    検出端子
【図１】
0003570086.tif 000002
【図２】
0003570086.tif 000003
【図３】
0003570086.tif 000004
【図４】
0003570086.tif 000005
【図５】
0003570086.tif 000006