【事件の表示】
　特願２００１−２０２０６５「基板処理装置および基板処理方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　１月１７日出願公開、特開２００３−　１７４６１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１３年　７月　３日の出願であって、その請求項１ないし６に係る発明は、平成２０年１１月１８日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その請求項１ないし６に記載されたとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明は、特許請求の範囲の請求項１に記載された、次の事項により特定されるものである（以下「本願発明」という。）。
　　　
「【請求項１】
　洗浄処理を受けた撥水性の基板を所定の乾燥用回転数で回転させて前記基板に付着している洗浄液を前記基板から振り切って乾燥させる基板処理装置において、
　前記基板を保持する基板保持手段と、
　前記基板保持手段を回転駆動する回転駆動手段と、
　前記基板保持手段に保持された基板の上面に向けて洗浄液を供給する供給手段と、
　前記回転駆動手段および前記供給手段を制御する制御手段とを備え、
　前記基板保持手段に保持された基板を回転させた際に該基板に付着する洗浄液に作用する遠心力と、該基板の端縁部における洗浄液の表面張力とがほぼ同一となる該基板の回転数を臨界回転数としたとき、
　前記制御手段は、前記基板の乾燥処理に先立って、前記洗浄処理後から前記乾燥処理が開始される時点まで継続して前記供給手段から洗浄液を前記基板の上面に供給しながら、前記回転駆動手段によって前記臨界回転数以下の回転数で前記基板を回転させて洗浄液の液膜を前記基板の上面全体に形成させた後、前記乾燥処理では、前記基板の回転数を前記臨界回転数よりも高速に加速して前記基板に付着している洗浄液を乾燥領域が略同心円状に広がるように前記基板から振り切って乾燥させることを特徴とする基板処理装置。」
　
２．引用例
　これに対し、当審における平成２０年　９月１８日付けの拒絶理由通知において引用した特開２００１−５３０５１号公報（以下「引用例１」という。）、特開平４−９４５３８号公報（以下「引用例２」という。）及び特開平１１−２８８９１５号公報（以下「引用例３」という。）には、各々、図面とともに次の記載がある・
　　　
（１）引用例１
ア「【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体基板や半導体デバイスを製造する工程において、洗浄した基板を乾燥する乾燥装置および乾燥方法並びに基板を洗浄し乾燥する洗浄装置および洗浄方法に関するものである。」（段落【０００１】）
　　　
イ「スピン回転式枚葉洗浄装置において、ウエーハ表面が酸化膜等の親水性膜に覆われている場合に、これらを清浄な状態に乾燥させることは容易である。これは、ウエーハ表面が親水性であるため、完全に乾燥する直前の瞬間までウエーハ表面には極薄いながらも水膜が覆っており、局所的に乾燥することにより生じるウオーターマーク等の発生が自然に抑制されるためである。
　これに対して、フッ酸処理後の酸化膜等が除去されたウエーハを乾燥させる場合においては、状況が異なってくる。酸化膜等が完全に除去され、疎水性表面となったウエーハ表面への純水の供給を停止すると、ウエーハ外周部では瞬時に水分が遠心力で振り切られる。これに対してウエーハの中心部に近いところでは、表面が疎水性であるため、ウエーハの回転に起因する遠心力が水分に伝達されにくく、結果としてウエーハ上から排除されるタイミングが遅くなり、先に乾燥していた外周部にウオーターマーク等を生じさせることになる。また、中心部においては、微少ながら水滴が残留してしまい、ウエーハ表面を汚染していた。
　【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明は、このような問題点に鑑みてなされたもので、洗浄液で洗浄後の基板、特にフッ酸処理後の酸化膜等が除去されたシリコンウエーハに対して、その表面にウオーターマークや汚染等を発生させないで清浄な状態に乾燥させることができる乾燥装置と乾燥方法並びに基板を洗浄液で洗浄後直ちに乾燥することができる洗浄装置と洗浄方法を提供することを主たる目的とする。」（段落【０００４】〜【０００６】）
　　　
ウ「このような本発明にかかる乾燥装置を用いて、基板を乾燥する方法によれば、基板表面を濡らしている純水水膜を噴射不活性ガスと遠心力によって同心円状に連続して排除して行く方式なので、局所的な乾燥により生じるウオーターマークや汚染等の発生が抑制され、極めて清浄な状態に乾燥することができる」（段落【００１３】）
　　　
エ「このようにして乾燥すれば、被乾燥基板のほぼ中心から外周にかけて、噴射純水による基板の濡らしと、噴射不活性ガスによる純水水膜の排除と、回転遠心力による基板からの純水水膜の振り切りとがほぼ同時に進行し、乾燥領域が中心部から外周に向けて同心円状に広がり、ウオータマークや汚染を発生することなく清浄な状態に乾燥することができる。」（段落【００１５】）
　　　
オ「【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態について添付した図面に基づいて具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。ここで、図１は本発明の乾燥装置または洗浄装置の構成例を示す概要説明図であり、図２は本発明の乾燥装置のノズルの作動状態を説明する図である。また、図３は本発明の洗浄装置のノズルの作動状態を説明する図である。　本発明者等は、半導体基板等の精密基板の洗浄後の乾燥において、ウオーターマークや汚染等を発生しないようにした乾燥装置および乾燥方法並びに洗浄装置および洗浄方法について、種々調査、検討を重ねた結果、スピン回転枚葉式の乾燥装置あるいは洗浄装置においては、単に基板上の洗浄液や濯ぎ水、水分置換用のＩＰＡ等を回転遠心力で振り切って乾燥する方式ではなく、常に純水で基板表面を濡らした状態で基板中心から外周にかけて不活性ガスを基板表面に吹き付け純水水膜を排除すれば、乾燥領域は基板の中心部から外周に向けて同心円状に拡大し、乾燥後ウオーターマークや汚染等が発生しない乾燥基板を得ることができることを知見し、諸条件を精査して本発明を完成させたものである。
　すなわち、図１に示すように、本発明の乾燥装置１は、例えば、被乾燥基板２を密閉容器３内に配置し、外気から遮断して基板２の表面を乾燥することができるようにした密閉型乾燥装置である。この装置において、密閉容器３の下方ほぼ中央部から容器内に筒状固定軸５が挿入されており、この筒状固定軸５に軸受け６を介して回転支持部材７が該固定軸を中心にして回転自在に支持されている。この回転支持部材７の上端部には、被乾燥基板２を水平状態で保持するテーブル４が連結されており、下端部には、これを囲繞するように駆動モータ８が配置されている。
　そして、駆動モータ８によって回転支持部材７を回転すれば、テーブル４を介して、基板２を回転できるようになっている。これらテーブル４、回転支持部材７および駆動モータ８は、本発明でいう回転保持手段に相当する。（段落【００３１】〜【００３４】）
　　　　　
カ「次に、本発明でいう不活性ガス噴射手段、純水噴射手段、およびノズル保持移動手段について説明する。密閉容器３の底部から立設した支持棒３１の上端部に、被乾燥基板中央部に向けて伸びるアーム３２が連結されており、アーム先端部には純水ノズル３３と不活性ガスノズル（不図示）が取り付けられている。これらのノズルは円錐台形状のノズルで、純水ノズル３３には超音波発振面の形状が円形である振動子３７を上端面に装着し、給電ケーブル３４が連結されている。純水ノズルの側面には純水導入管３５が設けられており、ここから導入した純水を下端の噴射口３６から超音波を印加して噴出させることによって、被乾燥基板２を濯ぐとともに、表面を濡らし純水水膜を形成するようになっている。」（段落【００３５】）
　　
キ「そして、支持棒３１は、その垂直中心軸を中心に回転出来るようになっており、不図示のモータによって支持棒３１を回転運動すれば、不活性ガスノズル４３と純水ノズル３３を同時に基板２の表面に対して径方向に平行動できるようになっている。被乾燥基板の乾燥に際しては、先ず最初に基板のほぼ中心に純水を噴射して基板全面を十分に濯いだ後、不活性ガスを噴射しつつ、純水ノズルからも純水を噴射し、両ノズルを基板中心から外周にかけて径方向に移動させる。この場合、純水・不活性ガスの噴射の時期、噴射時間、ノズルの停止位置、ノズルの移動速度等の乾燥条件をプログラム化しコンピューターで制御するのがよい。」（段落【００３７】）
　　　
ク「テーブル４を回転させることによって、被乾燥基板２を回転させると同時に、純水ノズル３３を基板２の上方ほぼ中心に配置し、超音波を印加した純水を数十秒間噴射して基板２の表面を十分濯ぐ。濯ぎを行う際は、基板の表面を乾燥させてしまうことがなければ、基板の中心位置から基板の周縁までの範囲でノズルを掃引してもよい。この場合、別の純水供給口から基板の中心部に向けて純水を供給するようにしてもよい。次いで不活性ガスノズル４３を基板２の上方ほぼ中心に配置し、基板表面中心に向けて不活性ガスを噴射しつつ、外周側に配置した純水ノズル３３からも純水を基板表面に噴射し、両ノズル３３、４３を基板中心から外周にかけて径方向に移動させ、基板表面上の純水水膜１４を噴射不活性ガスによって排除すれば、乾燥領域１３は同心円状に拡大し、不活性ガスノズルが基板外縁に到達した時点で乾燥が完了することになる。」（段落【００５０】）
　　
ケ「【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明によれば、基板の表面状態が親水性か疎水性かに関わらず、ウオーターマークや汚染を発生させないで清浄な状態に乾燥することができ、高品質基板を安定して供給することができる。」（段落【００６１】）
　　　
　以上の記載及び図面によると、引用例１には、
「純水で濯いだ、親水性または疎水性の被乾燥基板２を回転させて、前記基板表面に付着する純水水膜を、噴射不活性ガスにより排除し、かつ回転遠心力により振り切って乾燥させる乾燥装置において、
　前記基板を保持するテーブル４と、
　前記テーブル４を回転する駆動モータ８と、
　前記テーブル４に保持された前記基板２の上面に向けて純水を噴射する純水ノズル３３と、
　前記純水の噴射時期・噴射時間の制御を行うコンピュータとを備え、
　前記基板の乾燥処理に先だって、純水ノズル３３から純水を基板２の表面に噴射しながら被乾燥基板２を回転させて、前記基板２の表面に乾燥領域がないように、十分濯いだ後、乾燥処理では、被乾燥基板２のほぼ中心から外周にかけて、噴射純水による基板の濡らしと、噴射不活性ガスによる純水水膜の排除と、回転遠心力による純水水膜の振り切りとがほぼ同時に進行し、乾燥領域が同心円状に広がって乾燥する乾燥装置。」（以下「引用発明１」という。）が記載されている。
　　　
（２）引用例２
ア「ＬＳＩ製造の洗浄方法において、水平に置かれたウエハーを回転させノズルから純水をウエハー表面に供給後、純水の供給を停止後、または停止と同時にウエハー回転を停止または低速（１００ｒｐｍ以内）回転することによりウエハー表面に水膜を形成させた後、再びウエハーを回転させることにより遠心力で脱水することを特徴とする半導体装置の製造方法。」（特許請求の範囲）
　　　
イ「［産業上の利用分野］本発明は半導体製造装置の製造方法に関する。特にＬＳＩの高信頼性を可能にする半導体装置の製造方法において有効である。・・・（中略）・・・。
（発明が解決しようとする課題）従来の方法では、洗浄槽から取り出すときにウエハー表面に洗浄槽液表面および大気が接触し、重力によりウエハー表面に付着した水滴、または水膜がウエハー下部に垂れる。この時、ウエハー表面の水滴が大気に触れる部分に局所的に自然酸化膜が形成されたり、パーティクルが付着するという課題を有する。」（第１頁左下欄第１４行〜同右下欄第１２行）
　　　
ウ「本発明は、かかる従来の課題を解決するため、洗浄と乾燥を同一箇所で行ない、洗浄で生じたウエハー表面の水膜または水滴と大気の接触を回避している。水平に配置されたウエハーの回転を停止させたウエハー上全体に水膜を生成させた後、ウエハーを回転させ遠心力で一気に脱水することによってウエハー表面の水滴と大気の接触を回避し、ウエハーへのパーティクル付着の低減が可能となる。」（第１頁右下欄第１４行〜第２頁左上欄第２行）　　
エ「第１図では回転軸１が回転することによりチャック２と水平に置かれたウエハー３が回転する。ウエハー中心部に向かってノズル４から純水５を供給すると純水はウエハー表面を滑べり遠心力によりウエハーの外へ排出され、ウエハー表面を洗浄する。本発明による洗浄においては、第２図に示すようにウエハーの回転を停止させ純水の供給を停止させると、ウエハーに残存する純水が水膜５を形成する。この水膜の形成はウエハー表面が親水性の時に生じる。・・・。第３図では純水供給を停止したまま、ウエハーを高速回転することによりウエハー上の水膜がウエハーの外へ排出され乾燥を終了する。」（第２頁左上欄第７行〜同右上欄第１行）
　　　
オ「本発明によればウエハー表面と水膜または水滴と大気が同時に触れる領域は、ウエハーの端のみで、しかも接触している時間は数秒以内の短時間に限られる。このため水滴がウエハー表面上で乾燥する時に生じるＳｉＯ２膜形成及びパーティクル付着が回避できる。以上説明したように、本発明の洗浄方法により得られたＬＳＩでは、パーティクル付着と局所的なＳｉＯ２膜形成による歩留りの低下は改善される。」（第２頁右上欄第３〜１１行）
　
　そして、第２図から、純水（水膜）５は、ウエハー３の表面全体に形成されることが理解できる。
　　
　以上の記載及び図面によると、引用例２には、
「洗浄を行った、表面が親水性のウエハー３を乾燥させるＬＳＩの製造装置において、
　ウエハー３を保持するウエハー固定装置２と、
　前記ウエハー固定装置２を回転する回転軸１と、
　ウエハー３の表面に純水を供給する純水供給ノズル４とを備え、
　表面への、純水５の供給を停止すると同時に、ウエハー３を停止または低速（１００ｒｐｍ以内）回転することによりウエハー表面全体に水膜を形成させた後、再びウエハー３を高速回転させることにより遠心力で脱水するＬＳＩの製造装置。」（以下「引用発明２」という。）が記載されている。
　　　
（３）引用例３
ア「【発明の属する技術分野】この発明は、半導体基板、液晶表示装置用基板等のフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）用基板、フォトマスク用ガラス基板などの基板を回転させて、基板の主面に付着している処理液を除去して基板を乾燥させるための基板乾燥方法および基板乾燥装置に関する。」（段落【０００１】）
　　　
イ「【発明が解決しようとする課題】ところが、ウエハの主面の大部分がシリコンやポリシリコンからなる場合には、このような領域は、水との接触角が９０度以上の疎水性表面をなしている。このような場合に、基板を高速回転させて振り切り乾燥を行おうとすると、ウエハの回転の加速に伴って洗浄液がウエハ外に飛び出し、処理カップの内壁面に勢い良く衝突し、その跳ね返りがウエハに再付着してウエハを汚染する。また、回転軸線上の洗浄液には遠心力がほとんど作用しないから、ウエハの主面の中心付近に洗浄液が残留してしまう場合があり、ウエハを十分に乾燥させることができない場合がある。また、ウエハの乾燥を十分に行うには、スピンチャックの回転時間を長くすればよいが、それでは、処理効率が悪くなり、結果として、生産性の劣化を招く。」（段落【０００３】）
　　　
ウ「なお、低速回転工程中には、極低速で基板を回転させつつ液滴を成長させる液滴成長工程と、この液滴成長工程よりも速い回転速度で基板を回転させることにより、液滴成長工程で成長させられた大きな液滴を基板の周縁から排除する液滴排除工程とが行われてもよい。この場合に、液滴成長工程における基板の回転速度は、５０ｒｐｍ以下とされることが好ましく、零（すなわち、回転停止）とされてもよい。また、液滴排除工程における基板の回転速度は、５０ｒｐｍ以上１５０ｒｐｍ以下とされることが好ましい。」（段落【００１０】）
　
エ「【発明の実施の形態】以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。図１は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を示す図解的な断面図である。この基板処理装置は、ウエハＷを１枚ずつ洗浄液（処理液）によって洗浄し、この洗浄後のウエハＷの主面Ｗａ（図１における上面）に付着している洗浄液を遠心力を利用して振り切ることにより、このウエハＷを乾燥させるための洗浄・乾燥装置である。ウエハＷの主面Ｗａのほぼ全域は疎水性領域となっていて、この疎水性領域における水との接触角は９０度以上である。
　具体的構成について説明すると、この基板処理装置は、ウエハＷを水平に支持し、この支持したウエハＷのほぼ中心を通る鉛直軸線を回転軸線とし、この回転軸線まわりに回転するスピンチャック１（基板支持手段）と、このスピンチャック１を収容した有底筒状の処理カップ２と、スピンチャック１を回転駆動するための回転駆動機構３（回転駆動手段）と、この回転駆動機構３の動作を制御する制御装置４（回転制御手段、処理液供給制御手段）とを備えている。スピンチャック１の上方には、ウエハＷの主面Ｗａに向けて洗浄液を供給するための表面ノズルＮ１（処理液供給手段）が備えられており、またスピンチャック２の下方には、ウエハＷの裏面Ｗｂに向けて洗浄液を供給するための裏面ノズルＮ２，Ｎ３が、処理カップ２の底面部２Ａに備えられている。この処理カップ２の側面部２Ｂは、ウエハＷの回転に伴って飛散する洗浄液を受け止め、周囲への洗浄液の飛散を防止する飛散防止部材として機能している。
　スピンチャック１は、鉛直方向に沿って配置され、処理カップ２の底面部２Ａのほぼ中央を貫通して設けられた回転軸１１と、この回転軸１１の上端に水平に固定されたスピンベース１２と、このスピンベース１２に立設された複数本のチャックピン１３とを有している。スピンベース１２は、たとえば、平面視において放射状に延びた複数本のアームを有しており、各アームの先端にチャックピン１３が取り付けられている。隣接するアームの間には、裏面ノズルＮ２，Ｎ３からの洗浄液をウエハＷの裏面Ｗｂに導くための洗浄液経路が確保されている。
　表面ノズルＮ１および裏面ノズルＮ２，Ｎ３には、薬液タンク２１からの洗浄用薬液（フッ酸やアンモニアなど）またはリンス液タンク２２からのリンス液（純水、オゾン水、電解イオン水、温水など）が、洗浄液として選択的に供給されるようになっている。薬液タンク２１からの薬液が導かれる薬液配管２３と、リンス液タンク２２からのリンス液が導かれるリンス液配管２４とは、途中で洗浄液配管２５に合流しており、この洗浄液配管２５が、ノズルＮ１，Ｎ２，Ｎ３に結合されている。薬液配管２３およびリンス液配管２４の途中部には、薬液用バルブ３１およびリンス液用バルブ３２がそれぞれ介装されており、これらのバルブ３１，３２の開閉は制御装置４によって制御されるようになっている。なお、表面ノズルＮ１と裏面ノズルＮ２，Ｎ３とに、個別の薬液用バルブおよびリンス液用バルブを設けてもよい。
」（段落【００１５】〜【００１８】）
　　　
オ「図２は、この基板処理装置の動作を説明するための図である。図２(a) は、スピンチャック１の回転速度の時間変化を示しており、図２(b) は、薬液用バルブ３１の開閉状態を示しており、図２(c) はリンス液用バルブ３２の開閉状態を示している。・・・。基板搬送ロボット（図示せず）から未処理のウエハＷがスピンチャック１に受け渡された後、制御装置４は、回転駆動機構３を制御して、スピンチャック１の回転を開始させる。そして、時刻ｔ１に液処理速度（たとえば、ウエハＷの回転数で３００〜１０００ｒｐｍ）に達すると、制御装置４は、薬液用バルブ３１を開成する。これにより、回転中のウエハＷにノズルＮ１，Ｎ２，Ｎ３からの洗浄用薬液が供給され、薬液洗浄工程が行われる。時刻ｔ２からの期間には、薬液用バルブ３１が閉成され、代わってリンス液用バルブ３２が開成される。これにより、ウエハＷの表裏面の薬液を洗い流すためのリンス工程が行われる。
　リンス工程の末期、すなわち、リンス液用バルブ３２が閉成される直前の期間においては、制御装置４は、回転駆動機構３を制御して、スピンチャック１の回転速度を極低速の液滴成長速度（ウエハＷの回転数で５０ｒｐｍ以下）にまで減速し、その速度を一定時間（たとえば、２〜１０秒間）維持する。これにより、ウエハＷの主面Ｗａにリンス液が供給された状態で、スピンチャック１が極低速で回転するので、ウエハＷの主面Ｗａ上には比較的大きな液滴が形成されることになる。こうして、液滴成長工程が行われる。
　時刻ｔ３に、制御装置４は、リンス液用バルブ３２を閉成して、液滴成長工程を終了する。その後、制御装置４は、スピンチャック１の回転速度を液滴排除速度（ウエハＷの回転数で５０〜１５０ｒｐｍ）にまで加速し、その速度を一定時間（たとえば、２〜１０秒間）維持する。これにより、ウエハＷの表面の液滴に働く遠心力によって、この液滴をウエハＷの周縁から排除する液滴排除工程が行われる。ただし、液滴成長工程においても、ウエハＷが回転している限りは、ウエハＷ上の液滴に遠心力が働き、液滴の排除が行われるので、実際には、液滴成長工程と液滴排除工程との境界は明確ではない。」（段落【００１９】〜【００２１】）
　　　
カ「この液滴排除工程の後は、制御装置４は、スピンチャック１の回転速度を乾燥速度（たとえば、ウエハＷの回転数で２５００ｒｐｍ）にまで加速し、この乾燥速度を一定時間（たとえば、１０〜６０秒間）維持した後に、スピンチャック１の回転を停止させる。こうして、ウエハＷを高速回転させてその表面の液滴を振り切るための振り切り乾燥工程が行われる。」（段落【００２２】）
　　
キ「図３は、液滴排除工程における作用を説明するためのウエハＷの平面図である。液滴排除工程の前の液滴成長工程において大きく成長した液滴５０には、ゆっくりとした回転であっても、比較的大きな遠心力ＣＦが作用する。したがって、液滴排除工程におけるスピンチャック１の低速回転により、大きな液滴５０は、ウエハＷの周縁に向かってゆっくりと移動していき、図１に示すように、ウエハＷの周縁から落下することになる。このとき、スピンチャック１の回転が低速であるので、液滴５０の各部に働く遠心力の差は、この液滴５０の表面張力Ｔに打ち勝つほど大きくないので、液滴５０が分解することがない。そのため、ウエハＷの中心に小さな液滴が残留するおそれはなく、ウエハＷの中心付近の水分も、大きな液滴５０とともに、ウエハＷの周縁からウエハＷ外に除去される。こうして、液滴排除工程によって、ウエハＷの主面Ｗａの液滴のほぼ全てを除去することができる。
　また、液滴排除工程では、液滴５０が高速に半径方向外方に移動することがないので、ウエハＷの周縁から出た液滴５０が処理カップ２の側面部２Ｂに勢い良く達することがない。そのため、側面部２Ｂからの跳ね返った洗浄液飛沫がウエハＷの主面Ｗａに再付着するおそれはない。
　以上のようにこの実施形態によれば、リンス工程の末期において、スピンチャック１の回転速度を極低速にすることによって、ウエハＷ上で液滴を成長させ、この成長した液滴を、スピンチャック１を低速回転させることによって排除するようにしている。そのため、ウエハＷ上の水分の大部分は大きな液滴となって、ゆっくりとウエハＷの周縁から排除されて落下することになるから、処理カップ２の側面部２Ｂから跳ね返った飛沫がウエハＷに再付着することがない。しかも、液滴を大きく成長させてから排除するようにしているので、ウエハＷの回転軸線上の水分は、表面張力の働きにより、その大きな液滴とともに排除されることになる。そのため、ウエハＷの中心付近に液滴が残留することがない。これにより、その後の振り切り乾燥工程を長時間行わなくても、ウエハＷを良好に乾燥させることができる。」（段落【００２５】、【００２６】）
　　　
　そして、【図２】の記載によると、リンス液用バルブ３２は、極低速の液滴成長工程において、開状態（すなわちリンス液が供給されている）にあり、開状態が「液滴排除工程」が開始される時点まで継続されることが理解できる。
　　
　以上の記載及び図面によると、引用例３には、
「洗浄された疎水性表面のウエハ（Ｗ）を液滴排除速度で回転させて前記ウエハに付着しているリンス液の液滴５０を排除した後、ウエハ（Ｗ）を乾燥速度で回転させて液滴を振り切り乾燥させる基板乾燥装置において、
　前記ウエハ（Ｗ）を支持するチャックピン１３と、
　前記チャックピン１３を回転する回転駆動機構３と、
　前記チャックピン１３に支持されたウエハ（Ｗ）の上面に向けて洗浄液を供給する表面ノズルＮ１と、
　前記回転駆動機構３および前記表面ノズルＮ１を制御する制御装置４とを備え、
　前記制御装置は、前記ウエハ（Ｗ）の液滴排除工程及び振り切り乾燥工程に先立って、洗浄工程後から、液滴排除工程が開始される時点まで継続して洗浄液を前記ウエハ（Ｗ）の上面に供給しながら極低速の液滴成長速度（零を含む５０ｒｐｍ以下）でウエハ（Ｗ）を回転させて大きな液滴をウエハ（Ｗ）の主面Ｗａ上に形成させた後、液滴排除工程では、前記ウエハ（Ｗ）の回転数を前記液滴成長速度から液滴排除速度（５０〜１５０ｒｐｍ）に加速して、前記ウエハ（Ｗ）に付着している液滴５０を遠心力によりウエハ（Ｗ）の周縁から排除した後、さらに乾燥速度まで加速して液滴を振り切って乾燥させる基板乾燥装置。」（以下「引用発明３」という。）が記載されている。
　　　
３．対比・判断
　本願発明と引用発明１とを対比する。
　　　
　引用発明１における「純水で濯いだ」は本願発明の「洗浄処理を受けた」に相当し、以下同様に、「疎水性」は「撥水性」に、「被乾燥基板２」は「基板」に、「純水（水膜）」は「洗浄液」に、「乾燥装置」は「基板処理装置」に、「テーブル４」は「基板保持手段」に、「回転する」は「回転駆動する」に、「駆動モータ８」は「回転駆動手段」に、「純水を噴射する純水ノズル３３」は「洗浄液を供給する供給手段」に、「純水の噴射時期・噴射時間の制御を行うコンピュータ」は「供給手段を制御する制御手段」に、それぞれ相当している。
　　　　
　そして、引用発明１における乾燥処理においては、被乾燥基板は、所定の回転数で駆動されているものと理解できる。
　
　また、引用例１には明記されていないが、摘記事項ク等の記載を参酌すれば、引用発明１が備える、「制御を行うコンピュータ」が、「純水の噴射時期・噴射時間」の制御とともに、テーブル４を回転させる「駆動モータ８」の制御をも行うことは明らかである。
　さらに、摘記事項イ、ウ、エを参照すれば、基板の乾燥処理に先立って、基板の表面に乾燥領域がないように純水で十分濯ぐことにより、引用発明１においても、乾燥処理前には、純水水膜が「基板の上面全体」に形成され、局所的な乾燥領域が存在していないことは明らかである。
　　　　
　そうすると、両者は、
「洗浄処理を受けた撥水性の基板を所定の乾燥用回転数で回転させて前記基板に付着している洗浄液を前記基板から振り切って乾燥させる基板処理装置において、
　前記基板を保持する基板保持手段と、
　前記基板保持手段を回転駆動する回転駆動手段と、
　前記基板保持手段に保持された基板の上面に向けて洗浄液を供給する供給手段と、
　前記回転駆動手段および前記供給手段を制御する制御手段とを備え、
　前記制御手段は、前記基板の乾燥処理に先立って、前記供給手段から洗浄液を前記基板の上面に供給しながら、前記回転駆動手段によって前記基板を回転させて洗浄液の液膜を前記基板の上面全体に形成させた後、前記乾燥処理では、前記基板に付着している洗浄液を乾燥領域が略同心円状に広がるように前記基板から振り切って乾燥させることを特徴とする基板処理装置。
」である点で一致し、次の点で相違する。
　　　
［相違点］
１）制御手段が、基板の乾燥処理に先立って、供給手段から洗浄液を基板の上面に供給しながら、回転駆動手段によって基板を回転させて洗浄液の液膜を基板の上面全体に形成させるときに、本願発明においては「洗浄処理後から乾燥処理が開始される時点まで継続して」洗浄液を供給し、「臨界回転数以下の回転数で」基板を回転させて、液膜を形成させるものであるのに対し、引用発明１においては「基板の表面を十分濯ぐ」ことによって、液膜を形成する点。
　なお、臨界回転数とは「基板保持手段に保持された基板を回転させた際に該基板に付着する洗浄液に作用する遠心力と、該基板の端縁部における洗浄液の表面張力とがほぼ同一となる該基板の回転数」である。
　　　
２）制御手段が、乾燥領域が略同心円状に広がるようにする乾燥処理において、本願発明では、「基板の回転数を臨界回転数よりも高速に加速」して洗浄液を「基板から振り切って」乾燥させるのに対し、引用発明１では「被乾燥基板のほぼ中心から外周にかけての噴射不活性ガスによる純水水膜の排除と、回転遠心力による純水水膜の振り切り」とにより乾燥するものである点。
　　　
　そこで、上記相違点１）、２）について検討する。
　　
　引用発明２と本願発明とを対比する。
　引用発明２の「洗浄を行った」は本願発明の「洗浄処理を受けた」に相当し、以下同様に、「ウエハー３」は「基板」に、「ＬＳＩの製造装置」は「基板処理装置」に、「ウエハー固定装置」は「基板保持手段」に、「回転軸」は「回転駆動手段」に、「純水」は「洗浄液」に、「純水供給ノズル」は「供給手段」に、「水膜」は「液膜」に、「遠心力で脱水」は「基板から振り切って乾燥させる」に、それぞれ、相当する。
　　
　また、低速（１００ｒｐｍ以内）回転によって、基板の表面全体に水膜を形成している（摘記事項ア、第２図参照。）ことからみて、このような低速回転時において、基板に付着する純水に作用する遠心力と、基板の端縁部における純水の表面張力とがほぼ同一になっているものと理解できるから、引用発明２における「低速（１００ｒｐｍ以内）回転」は、本願発明における「臨界回転数以下の回転数」に相当している。
　　　
　そして、引用発明２における、脱水するときの回転数は、摘記事項エにあるように「高速回転」することで水膜が「ウエハーの外へ排出され」るのであるから、「水膜に作用する遠心力が、水膜の表面張力と同一となる（臨界）回転数」よりも高速であることは明らかである。
　
　さらに、明記はないが、「回転軸」および「純水供給ノズル」の制御を行うための制御手段を引用発明２が具備することも明らかである。
　　　
　そうすると、引用発明２は、
「洗浄処理を受けた、表面が親水性の基板を乾燥させる基板処理装置において、
　前記基板を保持する基板保持手段と、
　前記基板保持手段を回転駆動する回転駆動手段と、
　前記基板保持手段に保持された基板の上面に向けて洗浄液を供給する供給手段と、
　前記回転駆動手段および前記供給手段を制御する制御手段とを備え、
　前記基板保持手段に保持された基板を回転させた際に該基板に付着する洗浄液に作用する遠心力と、該基板の端縁部における洗浄液の表面張力とがほぼ同一となる基板の回転数を臨界回転数としたとき、
　前記基板の乾燥処理に先立って、洗浄処理を受けた基板表面への、洗浄液の供給を停止すると同時に、前記臨界回転数以下の回転数で回転させて洗浄液の液膜を前記基板の上面全体に形成させた後、前記乾燥処理では、前記基板の回転数を前記臨界回転数よりも高速に加速して前記基板に付着している洗浄液を、基板から振り切って乾燥させる基板処理装置。」と言い換えることができる。
　
　このように、引用発明２は、表面が親水性の基板を乾燥するための基板処理装置ではあるが、乾燥処理に先立って、「臨界回転数以下の回転数」で回転させて「基板の上面全体」に洗浄液の液膜を形成し、乾燥処理では「臨界回転数よりも高速に加速」して一気に洗浄液を振り切ることにより、自然酸化膜形成や、パーティクル付着を防止する技術を開示するものである。
　
　また、引用発明３と本願発明とを対比する。
　引用発明３の「洗浄された」は本願発明の「洗浄処理を受けた」に相当し、以下同様に、「疎水性表面の」は「撥水性の」に、「ウエハ」は「基板」に、「液滴排除速度」および「乾燥速度」は「所定の乾燥用回転数」に、「リンス液」は「洗浄液」に、「排除した後、振り切り乾燥させる」は「振り切って乾燥させる」に、「基板乾燥装置」は「基板処理装置」に、「チャックピン１３」は「基板保持手段」に、「回転する回転駆動機構３」は「回転駆動する回転駆動手段」に、「表面ノズルＮ１」は「供給手段」に、「制御装置４」は「制御手段」に、「液滴排除工程」および「振り切り乾燥工程」は「乾燥処理」に、それぞれ、相当する。
　
　そして、摘記事項ウより、引用発明３における「極低速の液滴成長速度」は、その速度が零及び限りなく零に近い場合を含むものであり、そのような場合にはウエハに付着する液滴に作用する遠心力よりも、液滴の表面張力が大きくなることは明らかであるから、引用発明３における「極低速の液滴成長速度（零を含む５０ｒｐｍ以下）」は、本願発明における「臨界回転数以下の回転数」に相当している。
　　　
　さらに、摘記事項オより、引用発明３における「液滴排除速度」とは「ウエハＷ上の液滴に遠心力が働き、液滴の排除が行われる」のであるから、遠心力が液滴の表面張力より大きいことは明らかであって、本願発明における「臨界回転数よりも高速」に相当するものである。
　　　　　
　したがって、引用発明３は、
「洗浄処理を受けた撥水性の基板を所定の乾燥用回転数で回転させて前記基板に付着している洗浄液を前記基板から振り切って乾燥させる基板処理装置において、
　前記基板を保持する基板処理手段と、
　前記基板保持手段を回転駆動する回転駆動手段と、
　前記基板保持手段に支持された基板の上面に向けて洗浄液を供給する供給手段と、
　前記回転駆動手段および前記供給手段を制御する制御手段とを備え、
　前記基板保持手段に保持された基板を回転させた際に該基板に付着する洗浄液に作用する遠心力と、該基板の端縁部における洗浄液の表面張力とがほぼ同一となる回転数を臨界回転数としたとき、
　前記制御手段は、前記基板の乾燥処理に先立って、前記洗浄処理後から、前記乾燥処理が開始される時点まで継続して前記供給手段から洗浄液を前記基板の上面に供給しながら、前記回転駆動手段によって前記臨界回転数以下の回転数で前記基板を回転させて洗浄液の液滴を成長させた後、前記乾燥処理では、前記基板の回転数を前記臨界回転数よりも高速に加速して、前記基板に付着している洗浄液を振り切って乾燥させる基板処理装置。」と言い換えることができる。
　
　このように、引用発明３は、撥水性の基板を乾燥するための基板処理装置において、「洗浄処理後から乾燥処理が開始される時点まで継続して」洗浄液を供給し、「臨界回転数以下の回転数で」基板を回転させて大きな液膜（液滴）を形成し、乾燥処理では「基板の回転数を臨界回転数よりも高速に加速」する技術を開示するものである。
　
＜相違点１）について＞　　
　前記のとおり、引用発明１、引用発明２および引用発明３は、洗浄された基板を乾燥するための基板処理装置である点で、共通するものである。
　　
　さらに、引用発明２は、ウオーターマーク等の発生を抑制することを課題とする技術である点で引用発明１と共通する（前者については、２．（２）イ、後者については、２．（１）イ参照。）ものである。
　　　　
　ここで、引用発明２は、ウエハー表面が親水性のときに、水膜が形成されるものではあるが、乾燥処理に先立ち、「基板の上面全体に洗浄液の液膜を形成する」ことによって、ウオーターマーク等の発生を抑制する技術を開示するものであることは前述の通りであって、このような技術を、撥水性の基板の乾燥に適用することに、格別の困難性は認められない。
　　　
　そして、洗浄処理後から乾燥処理が開始される時点まで継続して供給手段から洗浄液を供給して液膜を形成させ続けることが引用発明３に、臨界回転数以下の回転数で基板を回転させて液膜を形成することが、引用発明２及び引用発明３に開示されていることは、前述のとおりであって、基板表面に液膜を形成する際、これらの技術を採用することは、必要に応じて、当業者が適宜想到し得る設計的事項である。
　　　
　そうすると、撥水性の基板を、ウオーターマーク等を発生させずに乾燥させる基板処理装置である引用発明１に、引用発明２及び３を組み合わせて、基板の上面全体に洗浄液の液膜を形成するために「基板の表面を十分濯ぐ」ことに換え、「乾燥処理が開始される時点まで継続して洗浄液を供給しながら臨界回転数以下の回転数で基板を回転させる」技術を採用することは、当業者であれば容易に為し得るものである。
　　　
＜相違点 ２） について＞
　引用発明１は、「回転遠心力による純水水膜の振り切り」と、「噴射不活性ガスによる純水水膜の排除」とにより、乾燥が行われるものであるところ、後者の「噴射不活性ガスによる純水水膜の排除」は、「ウエーハの中心部に近いところでは・・・ウエーハの回転に起因する遠心力が水分に伝達されにくく、・・・微少ながら水滴が残留してしまい、ウエーハ表面を汚染していた」（２．（１）イ参照。）との問題を解決するためのものであると解される。
　
　一方、引用発明３は、乾燥処理前の液膜の形成時に基板の回転数を臨界回転数以下とした後、「基板の回転数を臨界回転数よりも高速に加速」して洗浄液を「基板から振り切って」乾燥させるものである。
　
　さらに、引用例３には、液滴排除工程（乾燥処理）における、臨界回転数よりも高速の、液滴排除速度での回転について、「液滴５０の各部に働く遠心力の差は、この液滴５０の表面張力Ｔに打ち勝つほど大きくないので、液滴５０が残留することがない。そのため、ウエハＷの中心に小さな液滴が残留するおそれはなく、ウエハＷの中心付近の水分も、大きな液滴５０とともに、ウエハＷの周縁からウエハＷ外に除去される。」（２．（３）キ）との記載がある。
　　
　したがって、引用発明１に引用発明３を組み合わせて、乾燥処理において、「被乾燥基板のほぼ中心から外周にかけての噴射不活性ガスによる純水水膜の排除と、回転遠心力による純水水膜の振り切り」を行うことに換え、「臨界回転数よりも高速に加速して洗浄液を基板から振り切る」ことのみによって乾燥させるものとすることは、当業者であれば容易に想到しうるものである。
　　　
　また、本願発明の奏する効果をみても、引用発明１ないし引用発明３から、当業者が予測できる範囲のものである。
　　　
　してみると、本願発明は、引用発明１ないし引用発明３に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明１ないし引用発明３に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　そうすると、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は、拒絶すべきものである。
　　
　よって、結論のとおり審決する。