【事件の表示】
　特願２００３−４２０７９４「超伝導マグネット装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　７月　７日出願公開、特開２００５−１８１０４６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成１５年１２月１８日の出願であって，平成１９年７月２６日付けで拒絶査定がされ，これに対し，同年８月３０日に拒絶査定不服審判の請求がされるとともに，同年１０月１日付けで手続補正がされたものである。
　
第２　平成１９年１０月１日付けの手続補正についての補正の却下の決定
　
　［補正却下の決定の結論］
　　平成１９年１０月１日付けの手続補正を却下する。
　
　［理由］
１　補正後の本願発明
　平成１９年１０月１日付けの手続補正（以下，「本件補正」という。）は，特許請求の範囲を補正するものであって，そのうち請求項１についてする補正は，補正前（平成１９年７月４日付け手続補正書。以下同様）の特許請求の範囲の
「【請求項６】
　超伝導線が巻枠に巻回されることにより構成された第1超伝導コイルブロックと、前記第1超伝導コイルブロックと同様に構成された第2超伝導コイルブロックとを備え、両ブロックが前記コイルの発生する磁界の軸が同じになるように且つギャップを有して対向配置されているスプリット型電磁石と、前記スプリット型電磁石が収納されるとともに前記コイルを超伝導状態に保つための冷媒が保持された冷媒容器と、前記スプリット型電磁石の中心付近に形成された計測空間と、前記第1超伝導コイルブロックと前記第2超伝導コイルブロックとの間の前記ギャップを通り前記計測空間にアクセスするためのアクセスポートとを有する超伝導マグネット装置において、
　前記第1超伝導コイルブロックの巻枠と前記第2超伝導コイルブロックの巻枠とが比透磁率1.000〜1.002の材料よりなる支持構造物を介して一体に構成されていることを特徴とする超伝導マグネット装置。」及び
「【請求項１４】
　請求項６において、前記磁界の軸方向から前記計測空間にアクセスするためのアクセスポートをさらに有することを特徴とする超伝導マグネット装置。」
を，
「【請求項１】
　超伝導線が巻枠に巻回されることにより構成された第1超伝導コイルブロックと、前記第1超伝導コイルブロックと同様に構成された第2超伝導コイルブロックとを備え、両ブロックが前記コイルの発生する磁界の軸が同じになるように且つギャップを有して対向配置されているスプリット型電磁石と、前記スプリット型電磁石が収納されるとともに前記コイルを超伝導状態に保つための冷媒が保持された冷媒容器と、前記スプリット型電磁石の中心付近に形成された計測空間と、前記第1超伝導コイルブロックと前記第2超伝導コイルブロックとの間の前記ギャップを通り前記計測空間に
試料を
させるための第１
と前記磁界の軸方向から前記計測空間にアクセスするための第２アクセスポート
　前記第1超伝導コイルブロックの巻枠と前記第2超伝導コイルブロックの巻枠とが比透磁率1.000〜1.002の材料よりなる支持構造物を介して一体に構成され
、且つ前記支持構造物に前記第１アクセスポートを配置するための貫通孔が形成され
　
　上記補正は，補正前の，請求項６を引用して記載された請求項１４を，独立して請求項１として記載すると共に，補正前の請求項６において「前記第1超伝導コイルブロックと前記第2超伝導コイルブロックとの間の前記ギャップを通り前記計測空間にアクセスするためのアクセスポート」とあったものを，補正後の請求項１において「前記第1超伝導コイルブロックと前記第2超伝導コイルブロックとの間の前記ギャップを通り前記計測空間に
試料を
させるための第１
第２
前記支持構造物に前記第１アクセスポートを配置するための貫通孔が形成され
　
　そこで，本願補正発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について検討する。
　
２　引用例
（１）引用例１
　原査定の拒絶の理由に引用した，本願出願日前に頒布された刊行物である，特開２００３−３２９７５５号公報（以下「引用例１」という。）には，図面とともに，次の事項が記載されている（下線は当審にて付加した）。
　
ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はＮＭＲ分析装置に関する
　
イ　「【００２３】
本発明では、水平磁場を発生させるために横置きされたスプリット型多層円筒超電導磁石を使用する
スプリットコイルではコイル間に膨大な圧縮方向の電磁力が作用するので、スプリットギャップは耐電磁力構造が必要となり
　
ウ　「【００２９】
【発明の実施の形態】（実施例１）図１は実施例１に係るＮＭＲ分析装置の断面構成を示す。
本実施例のＮＭＲ分析装置は、液体ヘリウム槽７
を有して構成されているクライオスタット３と、クライオスタット内に横置きで格納されるスプリット型多層円筒の超電導コイル系１と、を有している
【００３０】
スプリット型多層円筒の超電導コイル系１は、外層がＮｂＴｉ線、中層が高耐力のＮｂ
3
Ｓｎ 線、内層が高磁場Ｎｂ
3
Ｓｎ 線を用いてコイル巻きにされている
【００３１】超電導シムコイル系２は超電導コイル系１の外側に配置され、全体が液体ヘリウム８に浸漬されている。
【００３２】
クライオスタット３には、スプリット型多層円筒の超電導コイル系１の中心軸に沿ってクライオスタットを貫く第１の室温空間４が形成されている
【００３３】また、
中心軸に垂直な方向（図１では紙面上下方向）には、スプリット型多層円筒の超電導コイル系１のスプリットギャップ中心を通りクライオスタット３を貫くよう第２の室温空間５が形成されている
【００３４】なお、
第１の室温空間４と第２の室温空間５は超電導コイル系１の中心位置で交差しており
この交差する空間により被測定試料を配置する。例えば図１の第１の室温空間４と第２の室温空間５の交差する空間には被測定試料１１
が挿入配置されている
　
　以上の記載を総合すると，引用例１には，「外層がＮｂＴｉ線、中層が高耐力のＮｂ3Ｓｎ 線、内層が高磁場Ｎｂ3Ｓｎ 線を用いてコイル巻きにされているスプリット型多層円筒の超電導コイル系１と，
該超電導コイル系１を格納する，液体ヘリウム槽７を有するクライオスタット３と，
中心軸に垂直な方向に、スプリット型多層円筒の超電導コイル系１のスプリットギャップ中心を通りクライオスタット３を貫くよう形成されている第２の室温空間５と，
スプリット型多層円筒の超電導コイル系１の中心軸に沿って形成されているクライオスタットを貫く第１の室温空間４とを有し，
第１の室温空間４と第２の室温空間５は超電導コイル系１の中心位置で交差しており，この交差する空間により被測定試料を配置し，
スプリットギャップは耐電磁力構造が必要とされる，スプリット型多層円筒超電導磁石」（以下，「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
（２）引用例３
　原査定の拒絶の理由に引用した，本願出願日前に頒布された刊行物である，特開平１−３０２８０５号公報（以下「引用例３」という。）には，図面とともに，次の事項が記載されている（下線は，当審にて付加した）。
　
ア　「［産業上の利用分野］
　
本発明はＮＭＲ（Nuclear Magnetic Resonance＝核磁気共鳴）分析用或いはＭＲＩ（Magnetic Resonance Imaging＝磁気共鳴影像）用等に使用される超電導コイルに関する
　
イ　「［実　施　例］
　以下図面を参照して
本発明に係る超電導コイルを説明すると、第１図において１は主コイル、２及び３は夫々主コイル１に直列に接続されたサブコイル、４，５及び６は夫々コイル巻枠にして、例えばＳＵＳ等で構成されている。７及び８はコイル巻枠２と５及び２と６の間に介装された本発明を特徴付ける調整機構である
　
この調整機構７及び８は、夫々第２図に示すように、一対一組のリング状部材２１，２３からなり
各リング状部材２１，２３は、例えばＳＵＳ、真ちゅう等の高強度材から構成され、夫々対応する側の巻枠４，５及び６に結合されている
　以上のような構成において、全体を液体ヘリウム中に浸して超電導状態にし、主コイル１とサブコイル２及び３に単一の電源（図示せず）から所定の電流を流す。この後、各調整機構７及び８におけるウォーム２６を夫々駆動させれば、ウォーム２６の回転につれて部材２１が夫々かみ合いを解く方向に回転する。部材２１が回転すると、これが結合されたサブコイル巻枠５及び６も任意の角度回転するが、それらは部材２１，２３の歯２２，２４を画定する傾斜面２７に沿って主コイル巻枠４から離反するように移動するので、主コイル１とサブコイル２及び３の軸方向の位置が変化する。途中でウォーム２６を停止し、これを逆回転させれば、サブコイル巻枠５及び６が接近するように移動し、復帰できるようになっていることは勿論である。主コイル１の中心磁場は常時測定されているので、その磁場が最高の均一度になったとき、各調整機構７及び８におけるウォーム２６の回転を停止し、主コイル巻枠４とサブコイル巻枠５，６を固定する。
　この例から明らかなように、簡素化された構成により、かつ簡単な操作によって均一度の高い磁場を形成できる超電導コイルが得られる。特に、勾配をつけた歯をもつクラッチ継手のような調整機構の傾斜面を利用して主コイルとサブコイルの軸方向の相対位置を調整するため、コイルの軸方向に関して精度の高い微調整が可能である。この場合、
コイル間には吸引力が働く
　
（３）引用例２
　原査定の拒絶の理由に引用した，本願出願日前に頒布された刊行物である，特開平３−２５０７０５号公報（以下「引用例２」という。）には，図面とともに，次の事項が記載されている（下線は，当審にて付加した）。
　
ア　「〔産業上の利用分野〕
　
本発明は超電導マグネットに関し、特に、核磁気共鳴装置（以下、「ＮＭＲ」と略称する）に使用される超電導マグネットに関する
　
イ　「〔発明が解決しようとする課題〕
　しかし、
従来の超電導マグネットは、巻枠がステンレスであるため、ＮＭＲ用のマグネット等高磁場を発生するものに利用した場合に、巻枠自体が磁化し、ボア内の磁場均一性に擾乱を起こし易かった
　
かかる問題点を解決するために、巻枠を磁化しない銅によって成形することも考えられる
　従って、本発明の目的は常に正常にマグネットを作動させるため、巻枠の機械的、熱的強度を低下させることなく、磁場均一性の擾乱を防止できるようにした超電導マグネットを提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
　本発明は、巻枠の機械的、熱的強度を高い値に維持しつつ、
磁場均一性の擾乱を防止するため、少なくとも磁場発生領域に最も近いコイルの巻枠をチタンを主成分とした材料によって成形している
〔作用〕
　本発明に係る超電導マグネットは、
少なくとも磁場発生領域に最も近いコイルの巻枠をチタンを主成分とした材料によって成形しているため、強い磁場の中にあっても巻枠自体が磁化して磁場領域内の磁場状態に影響を与えるようなことがない
　
３　対比
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
　
（１）引用発明の「超電導コイル系１」に関し，「外層がＮｂＴｉ線、中層が高耐力のＮｂ3Ｓｎ 線、内層が高磁場Ｎｂ3Ｓｎ 線を用いてコイル巻きにされている」ことから，超伝導線を巻回することにより多層円筒のコイルが形成されているものであり，「スプリット型」であることから，この多層円筒のコイルは対をなしているものである。また，超電導コイル系１は「スプリット型多層円筒」であって，「第２の室温空間５」が「超電導コイル系１のスプリットギャップ中心を通」って形成されていることから，多層円筒のコイルはギャップを有して対向配置されているものであり，「第１の室温空間４」が「スプリット型多層円筒の超電導コイル系１の中心軸に沿って形成されている」ことから，多層円筒のコイルは，該コイルの発生する磁界の軸が同じになるように配置されているものである。すると，引用発明の「超電導コイル系１」は，本願補正発明の「超伝導線が巻枠に巻回されることにより構成された第1超伝導コイルブロックと、前記第1超伝導コイルブロックと同様に構成された第2超伝導コイルブロックとを備え、両ブロックが前記コイルの発生する磁界の軸が同じになるように且つギャップを有して対向配置されているスプリット型電磁石」に相当する。
（２）引用発明の「該超電導コイル系１を格納する，液体ヘリウム槽７を有するクライオスタット３」は，本願補正発明の「前記スプリット型電磁石が収納されるとともに前記コイルを超伝導状態に保つための冷媒が保持された冷媒容器」に相当する。
（３）引用発明の「第１の室温空間４と第２の室温空間５は超電導コイル系１の中心位置で交差しており，この交差する空間により被測定試料を配置」することからすると，超電導コイル系１の中心位置で被測定試料を計測する空間が形成されることとなり，この計測空間は，本願補正発明の「前記スプリット型電磁石の中心付近に形成された計測空間」に相当する。
（４）引用発明の「中心軸に垂直な方向に、スプリット型多層円筒の超電導コイル系１のスプリットギャップ中心を通りクライオスタット３を貫くよう形成されている第２の室温空間５」は，第１の室温空間には室温シムコイル系６が配置されており，第２の室温空間５には下側からＮＭＲプローブ１２が挿入される（上記摘記事項２（１）ウ【００３４】）ことからして，第２の室温空間５に上部から被測定試料が計測空間に配置されるようアクセスされることは明らかであるから，本願補正発明の「前記第1超伝導コイルブロックと前記第2超伝導コイルブロックとの間の前記ギャップを通り前記計測空間に試料をアクセスさせるための第１アクセスポート」に相当する。
（５）引用発明の「スプリット型多層円筒の超電導コイル系１の中心軸に沿って形成されているクライオスタットを貫く第１の室温空間４」は，本願補正発明の「前記磁界の軸方向から前記計測空間にアクセスするための第２アクセスポート」に相当する。
（６）引用発明の「スプリットギャップは耐電磁力構造が必要とされる」ことは，本願補正発明の「前記第1超伝導コイルブロックの巻枠と前記第2超伝導コイルブロックの巻枠とが比透磁率1.000〜1.002の材料よりなる支持構造物を介して一体に構成され、且つ前記支持構造物に前記第１アクセスポートを配置するための貫通孔が形成されている」ことと，「スプリットギャップに耐電磁力構造を有する」点で共通する。
（７）引用発明の「スプリット型多層円筒超電導磁石」は，本願補正発明の「超伝導マグネット装置」に相当する。
　
　そうすると，本願補正発明と引用発明とは，
「超伝導線が巻枠に巻回されることにより構成された第1超伝導コイルブロックと、前記第1超伝導コイルブロックと同様に構成された第2超伝導コイルブロックとを備え、両ブロックが前記コイルの発生する磁界の軸が同じになるように且つギャップを有して対向配置されているスプリット型電磁石と、前記スプリット型電磁石が収納されるとともに前記コイルを超伝導状態に保つための冷媒が保持された冷媒容器と、前記スプリット型電磁石の中心付近に形成された計測空間と、前記第1超伝導コイルブロックと前記第2超伝導コイルブロックとの間の前記ギャップを通り前記計測空間に試料をアクセスさせるための第１アクセスポートと前記磁界の軸方向から前記計測空間にアクセスするための第２アクセスポートとを有し，
スプリットギャップに耐電磁力構造を有する超伝導マグネット装置。」
である点で一致しており，次の点で相違する。
　
（相違点）「スプリットギャップに耐電磁力構造を有する」点について，本願補正発明では「前記第1超伝導コイルブロックの巻枠と前記第2超伝導コイルブロックの巻枠とが比透磁率1.000〜1.002の材料よりなる支持構造物を介して一体に構成され、且つ前記支持構造物に前記第１アクセスポートを配置するための貫通孔が形成されている」のに対し，引用発明ではどのような具体的構成によって耐電磁力構造をなすのか明らかでない点。
　
４　判断
　上記相違点について判断する。
　引用例３には，超伝導コイルにおいて，主コイルと２つのサブコイルとの間それぞれに調整機構を介装することが記載されている。この調整機構は，主コイルとサブコイルとの軸方向の位置を変化させ，主コイルの中心磁場を均一にするためのものであるが，主コイルと２つのサブコイルの対応する巻枠にそれぞれ結合されている，すなわち，コイルと一体にされているものである。また，この調整機構は，「高強度材から構成され」るとしており，「コイル間には吸引力が働く」との記載があること，また，ＮＭＲ分析用或いはＭＲＩ用等に使用される超電導コイルに関するものであるから，強力な磁場による強大な電磁力がコイル間に発生することからして，この調整機構は耐電磁力構造であることは当業者には明らかである。そして，この調整機構の高強度材として「例えばＳＵＳ、真ちゅう等」のような材料を用いることも記載されている。このように例示された材料，特に真ちゅうについて，その比透磁率が１に近い値であることは，特開平９−２１０６１０号公報（「【００３８】・・・なお、
このケース６は、
黄銅等の比透磁率が１に近い反磁性体から成る
いくつかの材料の比透磁率（真空では１）を示す
銅    ・・・  1.0000094
１に近いことは磁化され難い材料であることを示している。すなわち、磁化され難いので、黄銅ケースの場合、外部磁場や金属の影響を極めて受けにくい
本質的にほぼ１. ０００の透磁率を可能にする
真鍮
比透磁率が１．００１以下の非磁性体としては
真鍮
　ここで，ＮＭＲ用の超伝導マグネットにおいて，巻枠の磁化が問題となるため，巻枠を磁化しない銅によって成形しうること，またチタンを主成分とした材料によって成形することが，引用例２に記載されている。このように，超電導磁石を構成する部材として，どの程度の非磁性材料が必要であるかは，超電導磁石が達成する磁場の大きさに応じて当業者において適宜選択すべきものであり，引用例３に示されるような調整機構を構成する材料として，例示される真ちゅうや，引用例２に示される銅やチタンを主成分とした材料に共通する，比透磁率が１．００２以下の材料を選択することは，当業者において適宜に為し得たものである。
　そうすると，引用発明において，スプリットギャップの耐電磁力構造として，引用例３に示された技術的事項に基づき，対をなす多層円筒のコイルの巻枠を一体にする部材を介して結合させること，そのような部材の材料として比透磁率が１．００２以下の材料を用いることは，当業者であれば容易に為し得たものである。その際，引用発明ではクライオスタットを貫いて第１の室温空間４が形成されているのであるから，スプリットギャップの耐電磁力構造として上記のようなものとした際にも，該耐電磁力構造を貫いて第１の室温空間４が配置されるようなものとすることは，当業者において当然に為し得たものである。
　
　そして，本願補正発明の作用効果は，引用発明，引用例３に示された技術的事項及び周知技術から，当業者であれば予測できる範囲のものである。
　
　以上の通り，本願補正発明は，引用発明，引用例３に示された技術的事項及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
５　むすび
　上記のとおり，本件補正は，平成１８年改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成１９年１０月１日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので，本願の請求項１乃至１８に係る発明は，平成１９年７月４日付け手続補正書の請求項１乃至１８に記載された事項により特定されるとおりのものであって，その請求項６に係る発明及び請求項１４に係る発明（以下，「本願発明」という。）は，上記第２，１に記載のとおりのものである。
　
２　引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例及びその記載事項は，上記第２，２に記載したとおりである。
　
３　対比・判断
　本願発明は，上記第２で検討した本願補正発明において，「支持構造物」について，「前記支持構造物に前記第１アクセスポートを配置するための貫通孔が形成されている」との限定を省くと共に，明りょうでない記載の釈明を目的とした補正を，補正前の記載に戻し，補正前の請求項６を引用する型式で記載したものである。
　そうすると，本願発明の構成要件をすべて含み，さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が，上記第２，４に述べたとおり，引用発明，引用例３に示された技術的事項及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も同様の理由により，引用発明，引用例３に示された技術的事項及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　
４　むすび
　以上のとおり，本願発明は，引用発明，引用例３に示された技術的事項及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　したがって，その余の請求項に係る発明について審理するまでもなく，本件出願は拒絶されるべきものである。
　
　よって，結論のとおり審決する。