(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
主入力端子に入力された交流電流を整流及び平滑化して直流電圧に変換し、前記直流電圧をトランスの１次側に印加して、前記トランスの２次側に接続された負荷に電力を供給するスイッチング電源装置であって、
前記スイッチング電源装置は、
入力端子及び出力端子を有し、前記入力端子に直流電圧を受けるスイッチング素子と、
前記スイッチング素子のスイッチング動作を制御する制御端子及び内部電源が供給される電源端子を有する制御回路と、
前記制御端子と接続され、前記スイッチング素子のスイッチング動作の起動又は停止に用いる入力電圧を可変に設定する起動停止電圧調整手段とを備え、
前記起動停止電圧調整手段は、前記主入力端子に並列に接続された第１の抵抗器及び第２の抵抗器を有し、前記第１の抵抗器は前記主入力端子と前記制御端子との間に接続され、前記第２の抵抗器は前記制御端子と前記出力端子との間に前記第１の抵抗器と直列に接続され、
前記制御回路は、
前記スイッチング素子に供給されるスイッチング信号を生成して出力する発振器と、
前記入力端子から前記電源端子に前記制御回路が用いる回路用電流を供給するレギュレータと、
前記スイッチング素子に流れる電流を所定値に保持する電流検出回路と、
前記制御端子を流れる電流値に基づいて、前記スイッチング素子のスイッチング動作を停止して再開する帰還回路とを有していることを特徴とするスイッチング電源装置。
【請求項２】
前記帰還回路の入力側には定電流源が接続されており、
前記制御端子の電圧ＶＦＢ及び前記２の抵抗器を流れる電流ＩＲ２が一定に保持され、
前記制御端子から流れる制御端子電流ＩＦＢは、前記第１の抵抗器を流れる電流ＩＲ１と前記電流ＩＲ２の差で決定され、
前記スイッチング素子は、前記電流ＩＦＢが減少して、その値が前記定電流源により設定された第２の定電流値以下となったときに発振を開始し、一方、前記電流ＩＦＢが増加して、その値が前記定電流源により設定された第１の定電流値以上となったときに発振を停止することを特徴とする請求項１に記載のスイッチング電源装置。
【請求項３】
前記定電流源はヒステリシス特性を有しており、前記第２の定電流値は、前記第１の定電流値よりも所定値分だけ低いことを特徴とする請求項２に記載のスイッチング電源装置。
【請求項４】
前記スイッチング素子及び前記制御回路は、前記入力端子、出力端子、電源端子及び制御端子が外部接続端子となるように１つのパッケージに収納されて形成されていることを特徴とする請求項１に記載のスイッチング電源装置。
【請求項５】
前記スイッチング素子及び前記制御回路は、前記入力端子、出力端子、電源端子及び制御端子が外部接続端子となるように１つの半導体基板上に集積化されて形成されていることを特徴とする請求項１に記載のスイッチング電源装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、スイッチング電源装置に関し、特に、軽負荷時の消費電力を低減できるスイッチング電源装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のスイッチング電源装置について図２を参照しながら説明する。
【０００３】
図２は軽負荷時の低消費電力化を可能とする従来のスイッチング電源装置の回路構成の一例を示している。
【０００４】
図２に示すように、スイッチング電源装置は、入力端子Ｔｉ、出力端子Ｔｏ、電源端子Ｔｐ及び制御端子Ｔｃを有する基板上形成領域１０に、ドレインが入力端子Ｔｉと接続され、ソースが出力端子Ｔｏと接続されたパワーＭＯＳＦＥＴからなるスイッチング素子１１と、入力端子Ｔｉ、電源端子Ｔｐ、制御端子Ｔｃ及びスイッチング素子１１のゲートとそれぞれ接続部を持つスイッチング素子１１の制御回路１２とを有している。
【０００５】
スイッチング電源装置は、さらに、主入力端子５０と接続されたダイオードブリッジ等からなる整流器５１と、入力コンデンサ５２と、電力変換用のトランス５３とを有している。トランス５３の２次巻線５３ｃには、ダイオード５４及び出力コンデンサ５５が接続されている。
【０００６】
出力コンデンサ５５の両端子には、例えば、フォトダイオード５７１ａ及びツェナーダイオード５７２からなる帰還回路としての出力電圧制御回路５７が接続されており、出力電圧Ｖｏを安定化させるための帰還信号を１次側に設けられたフォトトランジスタ５７１ｂに出力する。
【０００７】
以下、前記のように構成されたスイッチング電源装置の動作を説明する。
【０００８】
まず、整流器５１に商用電源からの交流電流が入力されると、整流器５１と入力コンデンサ５２とにより整流され且つ平滑化された直流電圧ＶＩＮはトランス５３の１次巻線５３ａに印加される。直流電圧ＶＩＮが所定値以上、例えば３０Ｖ程度以上になると制御回路１２内のレギュレータ１３を介して電源コンデンサ６０に充電用の電流が流れ込み、電源端子Ｔｐの電圧値が起動停止回路２３により設定された起動電圧値に達すると、制御回路１２が起動して、スイッチング素子１１によるスイッチング動作の制御が開始される。
【０００９】
制御回路１２が起動すると、スイッチング素子１１は所定の周波数、例えば１００ｋＨｚ程度の周波数でスイッチング動作を行なう。このスイッチング動作によって出力電圧Ｖｏが上昇することにより、出力電圧制御回路５７のフォトダイオード５７１ａが導通し、１次側のフォトトランジスタ５７１ｂに帰還信号電流が流れる。続いて、フォトトランジスタ５７１ｂを流れる電流値、すなわち制御端子Ｔｃから流れ出す電流値が、定電流源２５の第１の定電流値を越えると、スイッチング素子１１のスイッチング動作が停止する。
【００１０】
スイッチング素子１１のスイッチング動作が停止すると、今度は、逆に出力電圧Ｖｏが徐々に低下して、フォトトランジスタ５７１ｂを流れる電流値が徐々に低下する。フォトトランジスタ５７１ｂを流れる電流値が定電流源２５の第２の定電流値以下にまで低下すると、スイッチング素子１１のスイッチング動作が再開されて、出力電圧Ｖｏが再び上昇する。
【００１１】
スイッチング素子１１のスイッチング動作中の出力電圧Ｖｏの上昇速度、及びスイッチング素子１１のスイッチング動作の停止中の出力電圧Ｖｏの低下速度は、負荷５６に流れる負荷電流に依存する。すなわち、負荷５６に対する電流供給が小さい、いわゆる軽負荷時には、出力電圧Ｖｏの上昇が速く且つ低下が遅いため、スイッチング素子１１のスイッチング動作期間が短くなる。逆に、軽負荷時よりも負荷電流が多く流れる重負荷時にはスイッチング素子１１のスイッチング動作期間が長くなる。従って、負荷が小さくなる程、スイッチング素子１１のスイッチング回数が減少するため、軽負荷時のスイッチング素子の電力損失が低減できるので、軽負荷時の高効率化を達成できる。
【００１２】
この様子を図示すると、図３（ａ）のタイムチャートに示すように、負荷５６に対する電流供給が小さい軽負荷時には、スイッチング素子１１に電流が流れる期間が短くなり、図３（ｂ）のタイムチャートに示すように、重負荷時には、スイッチング素子１１に電流が流れる期間が長くなる。
【００１３】
従って、制御回路１２は、スイッチング電源の負荷５６に供給される負荷電流に応じて、スイッチング素子１１のスイッチング回数が変化するような制御を行なうため、軽負荷時の消費電力を低減できる。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記従来のスイッチング電源装置は、レギュレータ１３がスイッチング素子１１の入力端子Ｔｉと制御回路１２の電源端子Ｔｐとの間に接続されており、入力端子Ｔｉの電圧値が所定値以上になったときに、制御回路１２の内部に回路用電流を供給して、電源端子Ｔｐの電圧値が所定値となるように制御している。このため、スイッチング制御の開始信号又は停止信号が入力される入力端子Ｔｉの電圧を制御回路１２の外部から調整することができない。
【００１５】
これにより、スイッチング電源装置の仕様によっては、入力電圧が不足している状態から動作することがあり、このような状態で動作を開始すると、出力電圧制御回路５７によって決定される所定の出力電圧が得られないため、出力側に設けられた他の回路が誤動作するという問題を生じる。
【００１６】
本発明は、前記従来の問題を解決し、その目的は、スイッチング電源装置の起動動作又は停止動作を決定する入力電圧を、制御回路の外部から調整可能にできるようにすることにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
前記の目的を達成するため、本発明に係るスイッチング電源装置は、主入力端子に入力された交流電流を整流及び平滑化して直流電圧に変換し、直流電圧をトランスの１次側に印加して、トランスの２次側に接続された負荷に電力を供給するスイッチング電源装置を対象し、スイッチング電源装置は、入力端子及び出力端子を有し、入力端子に直流電圧を受けるスイッチング素子と、スイッチング素子のスイッチング動作を制御する制御端子及び内部電源が供給される電源端子を有する制御回路と、制御端子と接続され、スイッチング素子のスイッチング動作の起動又は停止に用いる入力電圧を可変に設定する起動停止電圧調整手段とを備え、起動停止電圧調整手段は、主入力端子に並列に接続された第１の抵抗器及び第２の抵抗器を有し、第１の抵抗器は主入力端子と制御端子との間に接続され、第２の抵抗器は制御端子と出力端子との間に第１の抵抗器と直列に接続され、制御回路は、スイッチング素子に供給されるスイッチング信号を生成して出力する発振器と、入力端子から電源端子に制御回路が用いる回路用電流を供給するレギュレータと、スイッチング素子に流れる電流を所定値に保持する電流検出回路と、制御端子を流れる電流値に基づいて、スイッチング素子のスイッチング動作を停止して再開する帰還回路とを有している。
【００１８】
本発明のスイッチング電源装置によると、スイッチング素子のスイッチング動作の起動又は停止に用いる入力電圧を可変に設定する起動停止電圧調整手段を備えているため、動作の開始時に所定の出力電圧が得られないことにより、出力側に設けられた他の回路が誤動作するという事態を回避できる。
【００１９】
本発明のスイッチング電源装置において、帰還回路の入力側には定電流源が接続されており、制御端子の電圧ＶＦＢ及び２の抵抗器を流れる電流ＩＲ２が一定に保持され、制御端子から流れる制御端子電流ＩＦＢは、第１の抵抗器を流れる電流ＩＲ１と電流ＩＲ２の差で決定され、スイッチング素子は、電流ＩＦＢが減少してその値が定電流源により設定された第２の定電流値以下となったときに発振を開始し、一方、電流ＩＦＢが増加してその値が定電流源により設定された第１の定電流値以上となったときに発振を停止することが好ましい。
【００２０】
この場合に、定電流源がヒステリシス特性を有しており、第２の定電流値は、第１の定電流値よりも所定値分だけ低いことが好ましい。
【００２１】
本発明のスイッチング電源装置において、スイッチング素子及び制御回路が、入力端子、出力端子、電源端子及び制御端子が外部接続端子となるように１つのパッケージに収納されて形成されていることが好ましい。このようにすると、スイッチング電源装置の部品点数を削減できると共に小型化を容易に図ることができる。
【００２２】
本発明のスイッチング電源装置において、スイッチング素子及び制御回路は、入力端子、出力端子、電源端子及び制御端子が外部接続端子となるように１つの半導体基板上に集積化されて形成されていることが好ましい。このようにすると、電源装置のさらなる小型化を実現でき、低コスト化をも実現できる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
本発明の一実施形態について図面に基づいて説明する。
【００２４】
図１は本発明の一実施形態に係るスイッチング電源装置の回路構成の一例を示している。
【００２５】
図１に示すように、スイッチング電源装置は、主入力端子５０を有し、該主入力端子５０と並列に接続されたダイオードブリッジ等からなる整流器５１と、主入力端子５０と並列に接続された入力コンデンサ５２とを有している。
【００２６】
電力変換用のトランス５３は、１次巻線５３ａ及び２次巻線５３ｃからなり、１次巻線５３ａの入力側が入力コンデンサ５２の陽極と接続され、１次巻線５３ａの出力側がスイッチング素子１１及び制御回路１２の入力端子Ｔｉと接続されている。
【００２７】
電力変換用のトランス５３の２次巻線５３ｃには、出力側にダイオード５４が順方向で直列に接続され、出力コンデンサ５５が負荷５６に並列に接続されている。
【００２８】
出力コンデンサ５５の陽極と陰極との間に、例えば、順方向に接続されたフォトダイオード５７１ａと、逆方向に接続されたツェナーダイオード５７２とからなる出力電圧制御回路５７が並列に設けられている。
【００２９】
出力電圧制御回路５７は、出力電圧Ｖｏを安定化させるための帰還信号を１次側の制御端子Ｔｃと出力端子Ｔｏとの間に設けられ且つエミッタ接地されたフォトトランジスタ５７１ｂに出力する。
【００３０】
電源端子Ｔｐと出力端子Ｔｏとの間には、電源端子Ｔｐの電圧値を安定させる電源コンデンサ６０を設けている。
【００３１】
基板上形成領域１０には、ドレインが入力端子Ｔｉと接続され、ソースが出力端子Ｔｏと接続されたパワーＭＯＳＦＥＴからなるスイッチング素子１１と、入力端子Ｔｉ、電源端子Ｔｐ、制御端子Ｔｃ及びスイッチング素子１１のゲートとそれぞれ接続部を持ち、スイッチング素子１１のスイッチング制御を行なうための制御回路１２とが集積化されて形成されている。電源端子Ｔｐには制御回路１２が動作する電源電圧が供給され、制御端子Ｔｃには２次側からの制御用の帰還信号が供給される。
【００３２】
なお、基板上形成領域１０は、必ずしも、シリコン等からなる半導体基板にモノリシックに形成されている必要はなく、基板上形成領域１０上の機能素子の一部又は全部がディスクリート部品からなり、各ディスクリート部品が１つのパッケージに収納されて形成されていてもよい。
【００３３】
制御回路１２には、入力端子Ｔｉと電源端子Ｔｐとの間に接続され、入力端子Ｔｉの電圧値が所定値以上となったときに、制御回路１２のための回路用電流を供給して、電源端子Ｔｐの電圧値が例えば５Ｖ程度の所定値となるように調節するレギュレータ１３が設けられている。
【００３４】
発振器１４は、スイッチング素子１１の最大デューティサイクルを決定する最大デューティサイクル信号ａと、スイッチング素子１１のスイッチング周波数を決定するクロック信号ｂとを出力する。最大デューティサイクル信号ａの反転信号は、第１のＯＲ回路１５を介して、ＲＳフリップフロップ回路１６のリセット端子Ｒに与えられ、クロック信号ｂは、第１のＡＮＤ回路１７を介して、ＲＳフリップフロップ回路１６のセット端子Ｓに与えられる。
【００３５】
ＲＳフリップフロップ回路１６の出力信号は、ＮＡＮＤ回路１８の３つの入力端子のうちの１つに入力され、該ＮＡＮＤ回路１８の出力信号は、インバータ素子からなるドライブ回路１９に入力されてスイッチング素子１１のゲートに出力される。
【００３６】
正相端子が入力端子Ｔｉとスイッチング素子１１のドレインとの間に接続され、逆相端子が定電圧源に接続され、スイッチング素子１１の素子電流Ｉｄを検出する比較器からなる電流検出回路２０が設けられている。電流検出回路２０は、素子電流Ｉｄが所定値に達すると、第２のＡＮＤ回路２１及び第１のＯＲ回路１５を介してＲＳフリップフロップ回路１６のリセット端子Ｒにリセット信号を出力して、スイッチング素子１１の発振動作を停止させる。すなわち、この電流検出回路２０によって、スイッチング動作中のスイッチング素子１１に流れる素子電流Ｉｄが所定値となるように調節される。
【００３７】
また、ドライブ回路１９からの出力信号は、オン時ブランキングパルス発生回路２２にも入力されており、スイッチング素子１１がオン状態に遷移（ターンオン）した後の、例えば２００ｎｓ程度の所定期間に、オン時ブランキングパルス発生回路２２がローレベルの信号を出力して電流検出回路２０からの出力信号を強制的にローレベルとすることにより、スイッチング素子１１の発振動作がリセット（停止）しないようにしている。これにより、ターンオン時の容量性スパイク電流によって、スイッチング素子１１がオフ状態に遷移（ターンオフ）しないようにしている。
【００３８】
起動・停止回路２３は、その正相端子がレギュレータ１３の出力端子と電源端子Ｔｐとの間に接続され、逆相端子が定電圧源と接続され、出力端子がＮＡＮＤ回路１８の入力端子の１つに接続されており、電源端子Ｔｐの電圧値によって、スイッチング素子１１の発振又は停止を制御する。
【００３９】
Ｎ型ＭＯＳＦＥＴ２４は、帰還回路の一部を構成し、そのドレインが、電源端子Ｔｐからの電流を受ける定電流源２５及び第１のＡＮＤ回路１７の入力端子と接続され、ソースが制御端子Ｔｃと接続され、ゲートが定電圧源と接続されている。ここで、制御端子Ｔｃから流れ出す電流（制御端子電流ＩＦＢ）が定電流源２５により設定された、例えば５０μＡ程度の第１の定電流値を越えると、ドレインから第１のＡＮＤ回路１７に入力される信号がローレベルとなるため、クロック信号ｂが無効にされて、スイッチング素子１１がオフ状態となる。
【００４０】
定電流源２５の電流値はヒステリシス特性を有している。すなわち、第１の定電流値から所定値分だけ小さい、例えば４０μＡ程度の第２の定電流値よりも小さい値となって初めてスイッチング素子１１のスイッチング動作が再開される。
【００４１】
過熱保護回路２７は、基板上形成領域１０の温度が設定値以上になると、停止回路１０のセット端子Ｓに第２のＯＲ回路２８を介して停止信号を出力し、スイッチング素子１１のスイッチング動作を停止させる。過熱保護からの動作の復帰は、再起動トリガ回路３０からのリセット信号が停止回路２９のリセット端子Ｒに出力されたときに行なわれる。
【００４２】
また、本実施形態の特徴として、入力コンデンサ５２と並列に接続され、制御回路１２の起動電圧又は停止電圧を装置ごとに設定できる起動停止電圧調整手段としての起動停止電圧調整用の第１の抵抗器６１及び第２の抵抗器６２が設けられている。
【００４３】
第１の抵抗器６１は、入力コンデンサ５２の陽極と制御端子Ｔｃとの間に接続され、該第１の抵抗器６１と直列接続される第２の抵抗器６２は、制御端子Ｔｃと出力端子Ｔｏとの間に接続されている。ここでは、第１の抵抗器６１及び第２の抵抗器６２を基板上形成領域１０の外部に、いわゆる外付けとして設けたが、少なくとも一方、好ましくは、少なくとも第２の抵抗器６２を基板上形成領域１０に設けることにより、部品点数を削減でき、低コスト化を実現できる。
【００４４】
なお、スイッチング素子１１にパワーＭＯＳＦＥＴを用いたが、これに代えてバイポーラトランジスタを用いてもよい。
【００４５】
以下、前記のように構成されたスイッチング電源装置の動作を説明する。
【００４６】
主入力端子５０に商用電源からの交流電流が入力されると、入力された交流信号は、整流器５１と出力コンデンサ５２とにより、整流及び平滑化されて、直流電圧ＶＩＮに変換される。この変換された直流電圧ＶＩＮがトランス５２の１次巻線５３ａに印加される。
【００４７】
ここで、直流電圧ＶＩＮが例えば３０Ｖ程度の所定値以上になると、制御回路１２内のレギュレータ１３を介して、電源コンデンサ６０に該電源コンデンサ６０を充電する充電電流が流れ、電源端子Ｔｐの電圧値が起動・停止回路２３により設定された起動電圧値に達すると制御回路１２が起動して、スイッチング素子１１によるスイッチング動作の制御が開始される。制御回路１２における動作中の内部電流は、スイッチング素子１１のオフ状態の期間に供給されて、電源端子Ｔｐの電圧値が例えば５Ｖ程度の所定値となるように制御されている。
【００４８】
制御回路１２が起動すると、発振器１４により決定される所定の周波数、例えば１００ｋＨｚ程度のクロック信号ｂによって、スイッチング素子１１がその周波数でスイッチング動作を行なう。このスイッチング動作が繰り返されて、出力電圧Ｖｏが上昇する。その後、出力電圧Ｖｏの電圧値が出力電圧制御回路５７により設定された電圧値以上になると、フォトダイオード５７１ａが導通し、フォトトランジスタ５７１ｂに電流が流れるようになる。
【００４９】
このとき、フォトトランジスタ５７１ｂの制御端子電流Ｉｃが定電流源２５の第１の定電流値を越えると、スイッチング素子１１のスイッチング動作が停止する。これは、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴ２４のドレイン電圧が低下して、第１のＡＮＤ回路１７にローレベルの信号が入力されるからである。
【００５０】
スイッチング素子１１のスイッチング動作が停止すると、トランス５３を介した１次側から２次側への電力供給が停止するため、出力電圧Ｖｏが徐々に低下して、フォトダイオード５７１ａを流れる電流値及びフォトトランジスタ５７１ｂを流れる電流値が徐々に低下する。ここで、フォトトランジスタ５７１ｂを流れる電流値が定電流源２５の第２の定電流値以下にまで低下すると、スイッチング素子１１のスイッチング動作が再開されて、出力電圧Ｖｏが再び上昇する。このようにして、出力電圧Ｖｏの電圧値は帰還制御による安定化が図られている。
【００５１】
次に、起動停止電圧調整用の第１の抵抗器６１及び第２の抵抗器６２について説明する。
【００５２】
第１の抵抗器６１及び第２の抵抗器６２は、制御端子電流ＩＦＢの流出量を調整するために設けられており、各抵抗器６１、６２の抵抗値を変更することにより、制御端子Ｔｃから流れ出す制御端子電流ＩＦＢの電流量が変化するため、電源装置が起動又は停止する際の入力電圧ＶＩＮの値を決定できる。
【００５３】
抵抗器６１、６２の各抵抗値は次のようにして求められる。
【００５４】
第１の抵抗器６１の抵抗値をＲ１とし、第１の抵抗器６１に流れる電流をＩＲ１とする。第２の抵抗器６２の抵抗値をＲ２とし、、第２の抵抗器６２に流れる電流をＩＲ２とする。また、制御端子Ｔｃの電圧をＶＦＢとすると、以下の式（１）及び式（２）に示す関係がある。
【００５５】
ＩＲ２  ＝  ＩＲ１  ＋  ＩＦＢ    …（１）
ＶＦＢ  ：  一定              …（２）
例えば、スイッチング電源装置の起動時に、該電源装置の入力電圧ＶＩＮの値が上昇すると、第１の抵抗器６１に流れる電流ＩＲ１が増える。また、式（２）から制御端子Ｔｃの電圧ＶＦＢが一定であるため、第２の抵抗器６２に流れる電流ＩＲ２も一定である。すなわち、式（１）から、第１の抵抗器６１に流れる電流ＩＲ１が増えると、制御端子電流ＩＦＢは減少していき、該制御端子電流ＩＦＢが定電流源２５により設定された第２の定電流値以下となったときに、スイッチング素子１１は発振を開始する。
【００５６】
逆に、スイッチング電源装置の入力電圧ＶＩＮが低下すると、第１の抵抗器６１に流れる電流ＩＲ１が減少する。また、この時、制御端子Ｔｃの電圧ＶＦＢは一定であるため、第２の抵抗器６２に流れる電流ＩＲ２も一定である。すなわち、式（１）から、第１の抵抗器６１に流れる電流ＩＲ１が減少すると、制御端子電流ＩＦＢは増加し、該制御端子電流ＩＦＢが定電流源２５により設定された第１の定電流値以上となったときに、スイッチング素子１１が発振を停止する。また、定電流源２５の電流値の変化にはヒステリシス特性が与えられているため、起動電圧の変化及び停止電圧の変化にもヒステリシス特性が付与されることになる。
【００５７】
以上説明したように、第１の抵抗器６１及び第２の抵抗器６２を設けることにより、所定のヒステリシス特性を持って、装置の起動電圧又は停止電圧を所望に設定できる。
【００５８】
このときの起動電圧又は停止電圧の値は、以下の式（３）及び（４）により表わされる。ここで、Ｖｉｎ（ｓｔａｒｔ）は起動電圧を表わし、Ｖｉｎ（ｓｔｏｐ）は停止電圧を表わし、ＩＦＢ１  は第１の定電流値を表わし、ＩＦＢ２  は第２の定電流値を表わす。
【００５９】
Ｖｉｎ（ｓｔａｒｔ）  ＝（Ｒ１／Ｒ２＋１）×ＶＦＢ  −Ｒ１×ＩＦＢ２    …（３）
Ｖｉｎ（ｓｔｏｐ）  ＝（Ｒ１／Ｒ２＋１）×ＶＦＢ  −Ｒ１×ＩＦＢ１    …（４）
このように、起動停止電圧調整用の第１の抵抗器６１及び第２の抵抗器６２を設けて、起動電圧Ｖｉｎ（ｓｔａｒｔ）を適当な値に調整することにより、スイッチング素子１１のスイッチング動作を開始又は停止する際の入力電圧ＶＩＮの値が最適化されるように調整することができる。
【００６０】
【発明の効果】
本発明に係るスイッチング電源装置は、電源自体の起動電圧又は停止電圧を設定できる起動停止電圧調整手段を設けることにより、スイッチング電源装置が、入力電圧が不足した状態から動作を開始することがなくなるので、出力側に設けた他の回路の誤動作を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係るスイッチング電源装置の一例を示す回路図である。
【図２】従来のスイッチング電源装置の一例を示す回路図である。
【図３】（ａ）及び（ｂ）は従来のスイッチング電源装置におけるスイッチング動作のタイムチャートを示し、（ａ）は軽負荷時のタイムチャートであり、（ｂ）は重負荷時のタイムチャートである。
【符号の説明】
１        スイッチング電源制御用デバイス
１０      基板上形成領域
１１      スイッチング素子
１２      制御回路
１３      レギュレータ
１４      発振器
１５      第１のＯＲ回路
１６      ＲＳフリップフロップ回路
１７      第１のＡＮＤ回路
１８      ＮＡＮＤ回路
１９      ドライブ回路
２０      電流検出回路
２１      第２のＡＮＤ回路
２２      オン時ブランキングパルス発生回路
２３      起動・停止回路
２４      Ｎ型ＭＯＳＦＥＴ（帰還回路）
２５      定電流源
２７      過熱保護回路
２８      第２のＯＲ回路
２９      停止回路
３０      再起動トリガ回路
５０      主入力端子
５１      整流器
５２      入力コンデンサ
５３      トランス
５３ａ    １次巻線
５３ｃ    ２次巻線
５４      ダイオード
５５      出力コンデンサ
５６      負荷
５７      出力電圧制御回路（帰還回路）
５７１ａ  フォトダイオード
５７１ｂ  フォトトランジスタ（帰還回路）
５７２    ツェナーダイオード
６０      電源コンデンサ
６１      第１の抵抗器（起動停止電圧調整手段）
６２      第２の抵抗器（起動停止電圧調整手段）
Ｔｉ      入力端子（外部接続端子）
Ｔｏ      出力端子（外部接続端子）
Ｔｐ      電源端子（外部接続端子）
Ｔｃ      制御端子（外部接続端子）
【図１】
0003559516.tif 000002
【図２】
0003559516.tif 000003
【図３】
0003559516.tif 000004