【事件の表示】
　特願２００２−　２６４９２「成膜方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年１０月　４日出願公開、特開２００２−２８９５５７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯　　　
　本願は、平成９年３月４日に出願した特願平９−６５４５３号の一部を平成１４年２月４日に新たな特許出願としたものであって、平成１８年５月２日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年６月１２日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日に手続補正がなされ、その後、前置審査において同年８月１７日付けで拒絶の理由が通知され、これに対して同年１０月２６日に手続補正がなされ、当審において平成２０年７月４日付けで審尋がなされ、これに対して同年９月１２日に回答書が提出されたものである。
　　　　
２．本願発明　　
　本願の請求項１ないし１６に係る発明は、平成１８年１０月２６日になされた手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし１６に記載された事項により特定されるものであり、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、その請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。　　
「【請求項１】　処理室内に設置した被処理体上に第１の膜と第２の膜とを形成する成膜方法において、
　前記処理室内に前記被処理体を設置しないで、前記処理室内に前記第１の膜、前記第２の膜、第３の膜を順次連続的に形成する前処理ステップと、
　前記処理室内に前記被処理体を設置し、前記被処理体上に前記第１の膜、前記第２の膜を順次連続的に形成する成膜ステップと、
　を有することを特徴とする成膜方法。」　　
　　　
３．刊行物に記載された発明　　
（１）刊行物１：特開平８−５５８０４号公報　　
　前置審査における拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平８−５５８０４号公報（以下、「刊行物１」という。）には、図２及び図３とともに以下の事項が記載されている。　
「【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このようなことから、反応炉内壁等に堆積される不要被膜の膜厚の程度に応じて、反応炉内の防着板や電極板等を交換・清浄する、あるいは四沸化炭素（ＣＦ４），三沸化窒素（ＮＦ３）等のフッ素系クリーニングガスとアルゴン（Ａｒ）等のキャリアガスとを反応炉内に導入し、プラズマを発生させて反応炉内壁に堆積される不要膜を除去することが知られている。また、更に、反応炉内を清浄にした後、実際の成膜前に、基板を配置することなく、反応炉内壁に窒化被膜あるいは実際に成膜すると同一の半導体被膜を堆積させる、いわゆるプリコート工程を経ることにより、反応炉内の不純物を排気除去すると共に、反応炉内壁からの不純物が実際の成膜に悪影響を及ぼすことを防止する技術が、例えば特開昭６３−２１５０３７号、特開昭６３−２６７４３０号等で知られている。」
「【００２２】まず、図３（ａ）に示すように、３６０ｍｍ×４６５ｍｍのガラス基板（１１）の一主面上にモリブデン・タンタル（ＭｏＴａ）の被膜を形成し、これを複数本のストライプ状にパターンニングしてゲート電極（１３ａ）およびゲート電極（１３ａ）と一体の走査線（図示せず）並びに補助容量線（１３ｂ）を形成し、更にゲート電極（１３ａ）および補助容量線（１３ｂ）上にゲート絶縁膜として酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜（１５ａ）を堆積する。
【００２３】このゲート電極（１３ａ）、補助容量線（１３ｂ）および酸化シリコン膜（１５ａ）が配設されたガラス基板（１１）を、図示しないが、導入炉から搬送炉、搬送炉から反応炉（１１３）に導く。
【００２４】ガラス基板（１１）は、ゲート電極（１３ａ）、補助容量線（１３ｂ）および酸化シリコン膜（１５ａ）が配置された主表面が、図２に示すようにガス導入電極（１４１）と対向するようにサセプタ（１４５）上に配置し、その上にマスク（１４９）を配置する。そして、反応ガスとして２００ｓｃｃｍの流量のシラン（ＳｉＨ４）、１０００ｓｃｃｍの流量のアンモニア（ＮＨ３）、７０００ｓｃｃｍの流量の窒素（Ｎ２）を反応炉（１１３）内に導入すると共に、反応炉（１１３）内を１Ｔｏｒｒに維持する。また、同時に、ヒーター（１４７）により加熱されたサセプタ（１４５）上の基板（１１）温度を３３０℃まで上昇させる。そして、電源系（１８１）からガス導入電極（１４１）に１３００Ｗの高周波電圧を供給し、これによりシラン（ＳｉＨ４）およびアンモニア（ＮＨ３）をプラズマ励起させて基板（１１）上に２層目のゲート絶縁膜としてシリコンナイトライド（ＳｉＮＸ）を５００オングストロームの膜厚で堆積させる。
【００２５】この後、反応ガスとして４００ｓｃｃｍの流量のシラン（ＳｉＨ４）、１４００ｓｃｃｍの流量の水素（Ｈ２）にガスを切り換えて反応炉（１１３）内に導入すると共に、基板（１１）温度を３３０℃に制御し、更に１５０Ｗの高周波電力を供給して、シリコンナイトライド（ＳｉＮｘ）上に半導体薄膜として非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）を５００オングストロームの膜厚で堆積させる。尚、非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）の堆積に際しても反応炉（１１）内を１Ｔｏｒｒに維持する。
【００２６】再び、反応ガスとして２００ｓｃｃｍの流量のシラン（ＳｉＨ４）、１０００ｓｃｃｍの流量のアンモニア（ＮＨ３）、キャリアガスとして７０００ｓｃｃｍの流量の窒素（Ｎ２）を反応炉（１１３）内に導入すると共に、基板（１１）温度を３３０℃に制御し、更に１３００Ｗの高周波電圧を供給して、チャネル保護膜としてシリコンナイトライド（ＳｉＮＸ）を３０００オングストロームの膜厚で堆積させる。尚、シリコンナイトライド（ＳｉＮＸ）の堆積に際してはも反応炉（１１３）内は同様の１Ｔｏｒｒに維持する。
【００２７】以上のようにして、図３（ｂ）に示すように、１層目のゲート絶縁膜としてシリコン酸化膜（１５ａ）を含む基板（１１）上にシリコンナイトライド膜（１５ｂ）／半導体薄膜（１７）／チャネル保護膜（１９）の３層を連続して堆積させた後、図２に示す反応炉（１１３）内を５０ｍＴｏｒｒに減圧し、図示しないが、この減圧状態と同様の減圧状態にある搬送炉を介して排出炉に導く。
【００２８】この後、図３（ｃ）に示すように、半導体薄膜（１７）を島状にパターニングして活性層（１８）とすると共に、またゲート電極（１３ａ）をマスクとした裏面露光によりゲート電極（１３ａ）に自己整合されたチャネル保護膜（２０）を形成する。」
「【００３２】ところで、この実施例では、上記したシリコンナイトライド膜（１５ｂ）／半導体薄膜（１７）／チャネル保護膜（１９）の３層の連続成膜に先立ち、次のような操作を行っている。
【００３３】即ち、図２に示す反応炉（１１３）の内壁、ガス導入電極（１４１）、サセプタ（１４５）およびマスク（１４９）の表面には、先の成膜工程での非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）やシリコンナイトライド（ＳｉＮＸ）が複数層にわたり堆積されている。
【００３４】このような反応炉（１１３）の内壁、ガス導入電極（１４１）、サセプタ（１４５）およびマスク（１４９）の表面に堆積する非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）やシリコンナイトライド（ＳｉＮＸ）の膜厚が増大すると、成膜途中に膜中に小片として混入すること等が生じ、製造歩留りの低下を招いてしまう。特に、ガス導入電極（１４１）とサセプタ（１４５）との間に挟まれる反応空間に接する領域、例えばガス導入電極（１４５）の主表面やマスク（１４９）の表面等に堆積される不要被膜が問題となる。
【００３５】このため、反応空間に接する領域での不要被膜の膜厚が増大した際、反応炉（１１３）内壁を、クリーニングガス供給系（１６１）から７００ｓｃｃｍの流量の三沸化窒素（ＮＦ３）と１００ｓｃｃｍの流量のアルゴン（Ａｒ）とをそれぞれバルブ（１６１ａ），（１６１ｂ）を介して供給すると共に、１５００Ｗの高周波電圧を供給し、１０分間清浄して、反応炉（１１３）の内壁、ガス導入電極（１４１）、サセプタ（１４５）およびマスク（１４９）の表面の不要被膜をプラズマ・クリーニングにより除去する。
【００３６】そして、このプラズマ・クリーニング後、実際の成膜の工程と同様の条件で、非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）とシリコンナイトライド（ＳｉＮＸ）とを堆積させる。尚、非晶質シリコン被膜およびシリコンナイトライド被膜の膜厚は、それぞれサセプタ（１４５）上で３００オングストローム、５０オングストロームとなるように行った。従って、反応空間外、例えば反応炉（１１３）の内壁にあっては、更に薄膜となっているが、反応空間での非晶質シリコン被膜およびシリコンナイトライド被膜の膜厚が所望の範囲内に制御されていれば良い。
【００３７】このような工程を経た後に、上記したシリコンナイトライド膜（１５ｂ）／半導体薄膜（１７）／チャネル保護膜（１９）の３層の連続成膜を実施している。そして、この実施例では、上記した３層の連続成膜を１サイクルとして、１０サイクルを経た後、再びプラズマ・クリーニング工程、プリコート工程を実施した。
【００３８】上記した実施例によれば、プラズマ・クリーニング工程直後のＴＦＴの活性層（１８）と、成膜工程を９サイクル経た後のＴＦＴの活性層（１８）とでは、移動度に差異は認められなかった。」
「【００４３】また、プリコート工程において、非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）被膜とシリコンナイトライド（ＳｉＮＸ）被膜とを積層する場合を例にとり説明したが、シリコンナイトライド（ＳｉＮＸ）被膜に代えて窒素含有シリコン酸化膜（ＳｉＯＮ）を用いても良い。この場合は、原料ガス供給系（１５１）に亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）を加え、亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）、シラン（ＳｉＨ４）および窒素（Ｎ２）をプラズマ励起させて堆積すれば良い。更に、プリコート工程を、シリコンナイトライド被膜／非晶質シリコン被膜／シリコンナイトライド被膜の三層構造としても良い。」
　
（ア）刊行物１には、「これによりシラン（ＳｉＨ４）およびアンモニア（ＮＨ３）をプラズマ励起させて基板（１１）上に２層目のゲート絶縁膜としてシリコンナイトライド（ＳｉＮＸ）を５００オングストロームの膜厚で堆積させる。」（００２４段落）、「シリコンナイトライド（ＳｉＮｘ）上に半導体薄膜として非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）を５００オングストロームの膜厚で堆積させる。」（００２５段落）、「チャネル保護膜としてシリコンナイトライド（ＳｉＮＸ）を３０００オングストロームの膜厚で堆積させる。」（００２６段落）、及び「【００２７】以上のようにして、図３（ｂ）に示すように、１層目のゲート絶縁膜としてシリコン酸化膜（１５ａ）を含む基板（１１）上にシリコンナイトライド膜（１５ｂ）／半導体薄膜（１７）／チャネル保護膜（１９）の３層を連続して堆積させた後、図２に示す反応炉（１１３）内を５０ｍＴｏｒｒに減圧し、図示しないが、この減圧状態と同様の減圧状態にある搬送炉を介して排出炉に導く。」と記載されており、シリコンナイトライド膜（１５ｂ）／半導体薄膜（１７）／チャネル保護膜（１９）の３層を堆積する方法として、ゲート絶縁膜となるシリコンナイトライド（ＳｉＮＸ）と、前記ゲート絶縁膜となるシリコンナイトライド（ＳｉＮＸ）上の半導体薄膜となる非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）と、前記半導体薄膜となる非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）上のチャネル保護膜となるシリコンナイトライド（ＳｉＮＸ）とを順次連続的に堆積する成膜工程を有する成膜方法が記載されている。
（イ）刊行物１には、「【００３２】ところで、この実施例では、上記したシリコンナイトライド膜（１５ｂ）／半導体薄膜（１７）／チャネル保護膜（１９）の３層の連続成膜に先立ち、次のような操作を行っている。」及び「【００３７】このような工程を経た後に、上記したシリコンナイトライド膜（１５ｂ）／半導体薄膜（１７）／チャネル保護膜（１９）の３層の連続成膜を実施している。そして、この実施例では、上記した３層の連続成膜を１サイクルとして、１０サイクルを経た後、再びプラズマ・クリーニング工程、プリコート工程を実施した。」と記載されており、シリコンナイトライド膜（１５ｂ）／半導体薄膜（１７）／チャネル保護膜（１９）の３層を堆積する前に、「プリコート工程」を実行することが記載されている。
　刊行物１には、「また、更に、反応炉内を清浄にした後、実際の成膜前に、基板を配置することなく、反応炉内壁に窒化被膜あるいは実際に成膜すると同一の半導体被膜を堆積させる、いわゆるプリコート工程を経ることにより、反応炉内の不純物を排気除去すると共に、反応炉内壁からの不純物が実際の成膜に悪影響を及ぼすことを防止する技術が、例えば特開昭６３−２１５０３７号、特開昭６３−２６７４３０号等で知られている。」（０００４段落）と記載されており、「プリコート工程」が反応炉内に基板を配置することなく実行される工程であることが記載されている。
　刊行物１には、「【００３６】そして、このプラズマ・クリーニング後、実際の成膜の工程と同様の条件で、非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）とシリコンナイトライド（ＳｉＮＸ）とを堆積させる。尚、非晶質シリコン被膜およびシリコンナイトライド被膜の膜厚は、それぞれサセプタ（１４５）上で３００オングストローム、５０オングストロームとなるように行った。従って、反応空間外、例えば反応炉（１１３）の内壁にあっては、更に薄膜となっているが、反応空間での非晶質シリコン被膜およびシリコンナイトライド被膜の膜厚が所望の範囲内に制御されていれば良い。」と記載されており、「プリコート工程」が、実際に成膜する工程と同様の条件で、サセプタ（１４５）上及び反応炉（１１３）の内壁に被膜を堆積する工程であることが記載されている。
　刊行物１には、「更に、プリコート工程を、シリコンナイトライド被膜／非晶質シリコン被膜／シリコンナイトライド被膜の三層構造としても良い。」（００４３段落）と記載されており、「プリコート工程」において形成する被膜として、「シリコンナイトライド被膜／非晶質シリコン被膜／シリコンナイトライド被膜の三層構造」を堆積することが開示されている。
　そして、上記刊行物１の記載事項及び上記（ア）に記載した事項から、刊行物１には、ゲート絶縁膜となるシリコンナイトライド（ＳｉＮＸ）と、前記ゲート絶縁膜となるシリコンナイトライド（ＳｉＮＸ）上の半導体薄膜となる非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）と、前記半導体薄膜となる非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）上のチャネル保護膜となるシリコンナイトライド（ＳｉＮＸ）とを順次連続的に堆積する成膜工程の前に、反応炉（１１３）内にガラス基板（１１）を配置しないで、前記反応炉（１１３）の内壁及びサセプタ（１４５）上に、前記ガラス基板（１１）上に成膜する工程と同様の条件で、第１のシリコンナイトライド（ＳｉＮＸ）と、前記第１のシリコンナイトライド（ＳｉＮＸ）上の非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）と、前記非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）上の第２のシリコンナイトライド（ＳｉＮＸ）とを、順次連続的に堆積するプリコート工程を実行することが記載されている。
　 
　したがって、刊行物１には、以下の発明（以下、「刊行物発明」という。）が記載されている。　 
「反応炉（１１３）内に配置したガラス基板（１１）上に、ゲート絶縁膜となるシリコンナイトライド（ＳｉＮＸ）と、前記ゲート絶縁膜となるシリコンナイトライド（ＳｉＮＸ）上の半導体薄膜となる非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）と、前記半導体薄膜となる非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）上のチャネル保護膜となるシリコンナイトライド（ＳｉＮＸ）とを堆積する成膜方法において、
　前記反応炉（１１３）内に前記ガラス基板（１１）を配置しないで、前記反応炉（１１３）の内壁及びサセプタ（１４５）上に、前記ガラス基板（１１）上に成膜する工程と同様の条件で、第１のシリコンナイトライド（ＳｉＮＸ）と、前記第１のシリコンナイトライド（ＳｉＮＸ）上の非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）と、前記非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）上の第２のシリコンナイトライド（ＳｉＮＸ）とを、順次連続的に堆積するプリコート工程と、
　前記反応炉（１１３）内に前記ガラス基板（１１）を配置し、前記ガラス基板（１１）上に前記ゲート絶縁膜となるシリコンナイトライド（ＳｉＮＸ）と、前記ゲート絶縁膜となるシリコンナイトライド（ＳｉＮＸ）上の前記半導体薄膜となる非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）と、前記半導体薄膜となる非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）上の前記チャネル保護膜となるシリコンナイトライド（ＳｉＮＸ）とを順次連続的に堆積する成膜工程と、
　を有することを特徴とする成膜方法。」
　　 
　４．当審の判断　 
　（１）対比　 
　本願発明と刊行物発明とを対比する。　 
（ア）刊行物発明の「反応炉（１１３）」及び「ガラス基板（１１）」は、それぞれ本願発明の「処理室」及び「被処理体」に相当し、刊行物発明の「反応炉（１１３）内に配置したガラス基板（１１）」は、本願発明の「処理室内に設置した被処理体」に相当する。
（イ）刊行物発明の「ゲート絶縁膜となるシリコンナイトライド（ＳｉＮＸ）」及び「半導体薄膜となる非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）」は、「反応炉（１１３）」内で、「ガラス基板（１１）」上に順次連続的に堆積されるものであるから、それぞれ本願発明の「第１の膜」と「第２の膜」に相当し、刊行物発明の「成膜工程」は、本願発明の「成膜ステップ」に相当する。そして、刊行物発明の「反応炉（１１３）内に配置したガラス基板（１１）上に、ゲート絶縁膜となるシリコンナイトライド（ＳｉＮＸ）と、前記ゲート絶縁膜となるシリコンナイトライド（ＳｉＮＸ）上の半導体薄膜となる非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）と」「を堆積する成膜方法」は、本願発明の「処理室内に設置した被処理体上に第１の膜と第２の膜とを形成する成膜方法」に相当し、刊行物発明の「前記反応炉（１１３）内に前記ガラス基板（１１）を配置し、前記ガラス基板（１１）上に前記ゲート絶縁膜となるシリコンナイトライド（ＳｉＮＸ）と、前記ゲート絶縁膜となるシリコンナイトライド（ＳｉＮＸ）上の前記半導体薄膜となる非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）と」「を順次連続的に堆積する成膜工程」は、本願発明の「前記処理室内に前記被処理体を設置し、前記被処理体上に前記第１の膜、前記第２の膜を順次連続的に形成する成膜ステップ」に相当する。
（ウ）本願の願書に添付された明細書及び図面（以下、「本願明細書等」という。）の発明の詳細な説明には、「本発明の特徴は、同一の処理室内で異なる種類の成膜をする場合に前処理としてウエハなしの状態で成膜時と同じガスを順に流してプリコートを行ない、また、成膜後にはウエハ存在下でシラン系ガスで表面処理を行なう点にあり、ここでは図９（Ａ）に示すようにリンドープのポリシリコン層１０とタングステンシリサイド層１２を連続的に成膜する場合について説明する。」（００２６段落）、及び「この前処理においては、後工程の成膜時や後処理時において流すガスをウエハ不存在下で順次流して、内壁や内部構造物の表面にプリコートを施し、熱的反射率や輻射率等を実際の成膜時と同じ状態にして再現性を高めることを目的としている。」（００２７段落）と記載されているから、本願発明の「前処理ステップ」において形成される「前記第１の膜」及び「前記第２の膜」は、「被処理体上に」に形成される「第１の膜」及び「第２の膜」と同じガスを流して形成される膜であることは明らかである。一方、刊行物発明の「プリコート工程」において堆積される「第１のシリコンナイトライド（ＳｉＮＸ）」及び「前記第１のシリコンナイトライド（ＳｉＮＸ）上の非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）」は、「前記ガラス基板（１１）上に成膜する工程と同様の条件で」堆積されるものだから、「成膜工程」において堆積される「前記ゲート絶縁膜となるシリコンナイトライド（ＳｉＮＸ）」及び「前記ゲート絶縁膜となるシリコンナイトライド（ＳｉＮＸ）上の前記半導体薄膜となる非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）」と同じガスで形成されるものであることは明らかである。よって、刊行物発明の「プリコート工程」において堆積される「第１のシリコンナイトライド（ＳｉＮＸ）」及び「前記第１のシリコンナイトライド（ＳｉＮＸ）上の非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）」は、それぞれ本願発明の「前処理ステップ」において形成される「前記第１の膜」及び「前記第２の膜」に相当する。また、刊行物発明の「プリコート工程」において堆積される「前記非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）上の第２のシリコンナイトライド（ＳｉＮＸ）」は、「前記第１のシリコンナイトライド（ＳｉＮＸ）上の非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）」の上に連続して堆積されるものであるから、本願発明の「第３の膜」に相当する。
（エ）本願明細書等の発明の詳細な説明の００２６段落には、「本発明の特徴は、同一の処理室内で異なる種類の成膜をする場合に前処理としてウエハなしの状態で成膜時と同じガスを順に流してプリコートを行ない、また、成膜後にはウエハ存在下でシラン系ガスで表面処理を行なう点にあり」と記載されており、本願発明の「前処理ステップ」がプリコートを行うものであることは明らかである。よって、刊行物発明の「プリコート工程」は、本願発明の「前処理ステップ」に相当する。
　
　よって、本願発明と刊行物発明とは、　 
「処理室内に設置した被処理体上に第１の膜と第２の膜とを形成する成膜方法において、
　前記処理室内に前記被処理体を設置しないで、前記処理室内に前記第１の膜、前記第２の膜、第３の膜を順次連続的に形成する前処理ステップと、
　前記処理室内に前記被処理体を設置し、前記被処理体上に前記第１の膜、前記第２の膜を順次連続的に形成する成膜ステップと、
　を有することを特徴とする成膜方法。」 
である点で一致し、以下の点で相違する。　 
　　 
〈相違点１〉 
　本願発明は、「処理室内に設置した被処理体上に第１の膜と第２の膜とを形成する成膜方法」であるのに対し、刊行物発明は、「反応炉（１１３）内に配置したガラス基板（１１）上に、ゲート絶縁膜となるシリコンナイトライド（ＳｉＮＸ）と、前記ゲート絶縁膜となるシリコンナイトライド（ＳｉＮＸ）上の半導体薄膜となる非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）と、前記半導体薄膜となる非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）上のチャネル保護膜となるシリコンナイトライド（ＳｉＮＸ）とを堆積する成膜方法」であって、本願発明の「第１の膜」及び「第２の膜」に相当する、「ゲート絶縁膜となるシリコンナイトライド（ＳｉＮＸ）と、前記ゲート絶縁膜となるシリコンナイトライド（ＳｉＮＸ）上の半導体薄膜となる非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）」の他に、「前記半導体薄膜となる非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）上のチャネル保護膜となるシリコンナイトライド（ＳｉＮＸ）」をも堆積するものである点。
〈相違点２〉
　本願発明は、「前記処理室内に前記被処理体を設置し、前記被処理体上に前記第１の膜、前記第２の膜を順次連続的に形成する成膜ステップ」を有するものであるのに対し、刊行物発明は、「前記反応炉（１１３）内に前記ガラス基板（１１）を配置し、前記ガラス基板（１１）上に前記ゲート絶縁膜となるシリコンナイトライド（ＳｉＮＸ）と、前記ゲート絶縁膜となるシリコンナイトライド（ＳｉＮＸ）上の前記半導体薄膜となる非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）と、前記半導体薄膜となる非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）上の前記チャネル保護膜となるシリコンナイトライド（ＳｉＮＸ）とを順次連続的に堆積する成膜工程」を有するものであって、本願発明の「第１の膜」及び「第２の膜」に相当する、「前記ゲート絶縁膜となるシリコンナイトライド（ＳｉＮＸ）と、前記ゲート絶縁膜となるシリコンナイトライド（ＳｉＮＸ）上の前記半導体薄膜となる非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）」の他に、「前記半導体薄膜となる非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）上の前記チャネル保護膜となるシリコンナイトライド（ＳｉＮＸ）」をも堆積するものである点。
　
（２）相違点の検討　 
　以下、上記違点について検討する。　 
〈相違点１及び２について〉 
（ア）薄膜トランジスタの製造技術において、半導体薄膜上のチャネル保護膜の形成を必要に応じて省略できることは、以下の周知文献１及び２に記載されているように、本願の出願前に周知の技術事項である。
・周知文献１：特開平３−１８４３７８号公報（第３頁左下欄第１７行ないし同頁右下欄第２行）には、第１図とともに、バックチャネル保護膜５１を形成することを省略できることが記載されている。
「上記一実施例ではバックチャネル側の界面をより一層正常な状態に保つため、バックチャネル保護膜５１を形成していたが、バックチャネル保護膜５１と保護絶縁膜５２の双方を形成することは、必ずしも必要なく、バックチャネル保護膜５１を省略し、保護絶縁膜５２のみとしてもよい。」
・周知文献２：特開平５−１２９６０８号公報（００３７段落ないし００３９段落）には、図４とともに、チャネル保護膜２５を省略したＴＦＴが記載されている。
「【００３７】（実施例４）図４に本発明の更に他の実施例であるＴＦＴの断面図を示す。このＴＦＴも実施例３と同様のタイプであり、実施例３において備わったチャネル保護膜２５を省略した構成となっている。
【００３８】このようなＴＦＴは以下のようにして作成される。先ず、ガラス基板３１上に例えばＣｒ膜を１０００オングストロームの厚みに形成し、ゲート電極３２とする。次に、例えばＳｉＯ２膜を２０００オングストロームの厚みに形成し、ゲート絶縁膜３３とする。次に、微結晶シリコン膜を、例えば１０００オングストロームの厚みに形成してパターニングし、半導体層３４とする。次に、例えばリンをドープしたａ−Ｓｉ膜を５００オングストロームの厚みに形成し、コンタクト層３６、３７とする。即ち、コンタクト層３６、３７は半導体層３４と材質が異なっている。最後に、例えばＴｉ膜を２０００オングストロームの厚みに形成して、ソース電極３８及びドレイン電極３９とする。
【００３９】したがって、このＴＦＴにおいても半導体層３４が微結晶シリコンからなるので前実施例と同様の効果を有する。」
（イ）そして、刊行物発明において堆積される「チャネル保護膜となるシリコンナイトライド（ＳｉＮＸ）」は、薄膜トランジスタのチャネル保護膜となるものであるから、刊行物発明において、工程を簡単化するために、上記周知技術に基づき、「チャネル保護膜となるシリコンナイトライド（ＳｉＮＸ）」を堆積する工程を省略し、刊行物発明を、本願発明の如く、「処理室内に設置した被処理体上に第１の膜と第２の膜とを形成する成膜方法」であって、「前記処理室内に前記被処理体を設置し、前記被処理体上に前記第１の膜、前記第２の膜を順次連続的に形成する成膜ステップ」を有するものとすることは、当業者が適宜なし得た設計変更の範囲内のものにすぎない。
（ウ）また、本願明細書等の発明の詳細な説明には、「【００５３】　【発明の効果】　以上説明したように、本発明の成膜方法によれば、次のように優れた作用効果を発揮することができる。　処理室内で被処理体に連続して成膜するに際して、予め処理室内に連続成膜する際のガスを順次流して多層のプリコートを行なって、内壁や内部構造物の表面の熱反射率や熱輻射率等を安定化させるようにしたので、連続成膜時の再現性を高く維持することができる。」と記載されているが、刊行物発明も、「前記反応炉（１１３）の内壁及びサセプタ（１４５）上に、前記ガラス基板（１１）上に成膜する工程と同様の条件で、第１のシリコンナイトライド（ＳｉＮＸ）と、前記第１のシリコンナイトライド（ＳｉＮＸ）上の非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）と、前記非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）上の第２のシリコンナイトライド（ＳｉＮＸ）とを、順次連続的に堆積するプリコート工程」を実行するものであり、「反応炉（１１３）」内に、「前記ガラス基板（１１）上に前記ゲート絶縁膜となるシリコンナイトライド（ＳｉＮＸ）と、前記ゲート絶縁膜となるシリコンナイトライド（ＳｉＮＸ）上の前記半導体薄膜となる非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）と、前記半導体薄膜となる非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）上の前記チャネル保護膜となるシリコンナイトライド（ＳｉＮＸ）とを順次連続的に堆積する」際のガスを順次流して、「第１のシリコンナイトライド（ＳｉＮＸ）と、前記第１のシリコンナイトライド（ＳｉＮＸ）上の非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）と、前記非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）上の第２のシリコンナイトライド（ＳｉＮＸ）」を堆積する「プリコート工程」を有するものであるから、本願発明と同様に、「反応炉（１１３）」の内壁や内部構造物の表面の熱反射率や熱輻射率等が安定化され、連続成膜時の再現性が高く維持されることは明らかである。さらに、刊行物１には、「【００３８】上記した実施例によれば、プラズマ・クリーニング工程直後のＴＦＴの活性層（１８）と、成膜工程を９サイクル経た後のＴＦＴの活性層（１８）とでは、移動度に差異は認められなかった。」と記載されており、刊行物発明によって製造されるＴＦＴの特性の再現性が高いことも記載されている。よって、本願明細書等の発明の詳細な説明に記載された本願発明の効果が格別なものであると認めることはできない。
　 
　したがって、本願の請求項１に係る発明は、刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができるものではない。　 
　　 
５．むすび　 
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項について検討するまでもなく拒絶されるべきものである。　 
　よって、結論のとおり結審する。