【事件の表示】
　特願２００２−５０３９２３「半導体デバイス及び半導体デバイス製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年１２月２７日国際公開、ＷＯ０１／９９１６８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成１２年６月２３日を国際出願日とする出願であって、平成１９年９月１１日付けで拒絶の理由が通知され、同年１１月１６日に手続補正がなされ、平成２０年２月２８日付けで拒絶査定がされ、これに対し、平成２０年４月１０日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、同年５月１２日に明細書についての手続補正（以下「本件補正」という。）がなされ、同年１２月２５日に審尋がなされ、平成２１年２月２０日に回答書が提出されたものである。
　
第２．本件補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１．補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲について補正をするものであって、請求項１について、補正前後の記載は、以下のとおりである。
　
（１）補正前
「少なくとも１つの絶縁膜における導体パターンが、相互に電気的に接続された少なくとも一組の導電部を含む、多層配線構造の半導体デバイスの製造方法であって、
　化学機械研磨により、前記絶縁膜とともに前記導電部を平坦化するための研磨工程と、
　平坦化された前記絶縁膜表面を洗浄薬液で洗浄するための薬液洗浄工程と、
　前記洗浄薬液をリンス液により除去するためのリンス工程と、
　を含み、前記一組の導電部の表面積は５００μｍ２以上であり、且つ幅が１．０μｍ以下である配線を含み、前記リンス工程において、溶存酸素の濃度が６重量ｐｐｍ以下に抑制された水をリンス液として使用するようにした、半導体デバイス製造方法。」
　
（２）補正後
「少なくとも１つの絶縁膜における導体パターンが、
パッドと当該パッドに直接接続された配線とを備える
　化学機械研磨により、前記絶縁膜とともに前記導電部を平坦化するための研磨工程と、
　平坦化された前記絶縁膜表面を洗浄薬液で洗浄するための薬液洗浄工程と、
　前記洗浄薬液をリンス液により除去するためのリンス工程と、
　を含み、前記一組の導電部の表面積は５００μｍ２以上であり、且つ幅が１．０μｍ以下である配線を含み、前記リンス工程において、溶存酸素の濃度が６重量ｐｐｍ以下に抑制された水をリンス液として使用するようにした、半導体デバイス製造方法。」
　
２．補正の適否　　　
　本件補正の特許請求の範囲の補正後の請求項１についての補正は、少なくとも一組の導電部について、「パッドと当該パッドに直接接続された配線とを備える」なる事項を付加するものであり、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下「改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、補正後の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）が、改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか否か（いわゆる独立特許要件）について検討する。
　
（１）補正発明
　補正発明は、本件補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、上記１．（２）のとおりのものと認める。
　
（２）刊行物に記載された発明
　これに対し、原査定で引用された本件出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開２０００−９１２７７号公報（以下「刊行物１」という。）には、以下の事項が記載されている。
　
ア．段落０００１〜０００２
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表面に金属材料および半導体材料が露出した基板を洗浄する基板洗浄方法および基板洗浄液に関する。
【０００２】
【従来の技術】ダマシン配線の形成、接続孔の平坦化といったプロセスにおいて、近年、化学的機械的研磨（ＣＭＰ）が広く用いられている。」
　
イ．段落００１３
「【００１３】金属配線等をＣＭＰにより形成すると、通常、いわゆるディッシングが発生する。ディッシングとは、埋め込み導電膜の中央部に凹みが生じる現象である。図９は、Ｃｕ配線１をＣＭＰプロセスにより形成した際にディッシング２３が発生した状態を示す図である。シリコン基板４上に層間絶縁膜３が形成され、この層間絶縁膜３の所定箇所にバリア膜２（ＴｉＮ層）を介してＣｕ配線１が埋め込まれている。この配線の形成工程において、Ｃｕ配線１およびバリア膜２（ＴｉＮ層）の不要部分がＣＭＰにより除去されるが、このときにＣｕ配線１の表面中央部が削られて凹状形状となり、ディッシング２３が発生する。・・・。」
　
ウ．段落００２２
「【００２２】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する本発明によれば、表面に金属材料および半導体材料が露出した基板を研磨液によって化学的機械的研磨処理をした後、該基板を洗浄する基板洗浄方法であって、（Ａ）アンモニア水または電解カソード水を含む第一の洗浄液により基板を洗浄する第一の工程と、（Ｂ）第一の工程の後、（ａ）前記金属材料の酸化物または前記研磨液に含まれる金属の酸化物と錯体を形成しやすい第一の錯化剤、および（ｂ）アニオン系またはカチオン系の第一の界面活性剤を含む第二の洗浄液により基板を洗浄する第二の工程とを有することを特徴とする基板洗浄方法、が提供される。」
　
エ．段落００６８〜００６９
「【００６８】第一の工程終了後、純水によるリンスを５ｓｅｃ〜２０ｓｅｃ行ない、ウエハ両面に付着した洗浄液を除去する。
【００６９】第二の工程では表面の金属汚染を除去するためにシュウ酸（例えば０．５％）および、アニオン系またはカチオン系の界面活性剤（例えば１００ｐｐｍ）を含む第二の洗浄液によるスピン洗浄を施す。スピン洗浄の洗浄時間は１５ｓｅｃ〜３０ｓｅｃ程度で、この処理後に純水リンスを１０ｓｅｃ〜３０ｓｅｃ行なう。・・・。」
　
　ここで、ア．の段落０００２の記載から、基板は接続孔を有し、また、図面の記載から、刊行物１の基板は「多層配線構造」であることは明らかである。
　
　これらの記載事項を、図面を参照しつつ、技術常識を考慮しながら補正発明に照らして整理すると、刊行物１には以下の発明（以下、「刊行物発明」という。）が記載されていると認める。
　
「１つの絶縁膜３におけるＣｕ配線１を含む、多層配線構造の表面に金属材料および半導体材料が露出した基板の製造方法であって、
　化学的機械的研磨により、前記絶縁膜３とともに前記Ｃｕ配線１を平坦化するための研磨工程と、
　平坦化された前記絶縁膜表面を洗浄液で洗浄するための洗浄液洗浄工程と、
　前記洗浄液を純水により除去するためのリンス工程と、
　を含む、表面に金属材料および半導体材料が露出した基板製造方法。」
　
（３）対比
　補正発明と刊行物発明とを対比する。
　刊行物発明の「表面に金属材料および半導体材料が露出した基板」、「化学的機械的研磨」、「洗浄液」、「純水」は、それぞれ補正発明の「半導体デバイス」、「化学機械研磨」、「洗浄薬液」、「リンス液」に相当する。
　刊行物発明の「Ｃｕ配線１」が「導電部」を含むことは明らかであるから、刊行物発明の「Ｃｕ配線１」と、補正発明の「パッドと当該パッドに直接接続された配線とを備える少なくとも一組の導電部を含」み、「一組の導電部の表面積は５００μｍ２以上であり、且つ幅が１．０μｍ以下である配線を含」む「導体パターン」とは、「導電部を含む」「導体パターン」である限りにおいて一致する。
　
　したがって、補正発明と刊行物発明とは、次の点で一致している。
「１つの絶縁膜における導体パターンが、導電部を含む、多層配線構造の半導体デバイスの製造方法であって、
　化学機械研磨により、前記絶縁膜とともに前記導電部を平坦化するための研磨工程と、
　平坦化された前記絶縁膜表面を洗浄薬液で洗浄するための薬液洗浄工程と、
　前記洗浄薬液をリンス液により除去するためのリンス工程と、
を含む、半導体デバイス製造方法。」
　
　そして、補正発明と刊行物発明とは、以下の点で相違している。
　補正発明は、「パッドと当該パッドに直接接続された配線とを備える少なくとも一組の導電部を含」み、「一組の導電部の表面積は５００μｍ２以上であり、且つ幅が１．０μｍ以下である配線を含」む「導体パターン」（以下「特定パターン」という。）であり、リンス液が「溶存酸素の濃度が６重量ｐｐｍ以下に抑制された水」であるが、刊行物発明は、「導電部を含む導体パターン」であり、リンス液が「純水」であるが、詳細は明らかでない点。
　
（４）相違点の検討
　相違点について検討する。
　デバイス設計に際して、デバイスの機能にとって必要なだけ導電部を設けることは、設計的事項にすぎない。
　したがって、導体パターンを特定パターンとすることは、必要に応じてなしうる設計的事項にすぎない。
　また、デバイスにおいては、配線が確実に導通すること、配線の腐食防止は、当然の課題であるから、上記特定パターンの製造において、「配線の局部腐食」が生じる場合に、何らかの対応が望ましいことは、明らかである。
　そして、配線の腐食防止のためには、洗浄液の溶存酸素濃度を小さくすることが有効であることは、技術常識であり、審尋で引用した特開平４−５１５２１号公報の第２ページ右上欄第１６〜１７行、第３ページ右上欄第８〜１２行、同じく特開平８−２６５０７８号公報の段落０００５、同じく特開平６−３１８５８４号公報の段落０００８、新たに示す特開平８−１２４９０１号公報の段落００１４にみられるごとく周知である。
　また、洗浄液として「溶存酸素の濃度が６重量ｐｐｍ以下に抑制された水」を使用することは、原審で引用された特開平６−１７７１０２号公報の請求項２、前記特開平６−３１８５８４号公報の段落０００８、００１０、前記特開平８−１２４９０１号公報の段落００１４、新たに示す特開平１１−３０７４９６号公報の段落００１３、同じく特開平１１−３０７４９７号公報の請求項１、同じく特開平６−１４０３７７号公報の要約にみられるごとく周知である。
　してみると、上記特定パターンの製造において、「配線の局部腐食」が生じる場合に、洗浄液の溶存酸素濃度を小さくするため、周知の「溶存酸素の濃度が６重量ｐｐｍ以下に抑制された水」でリンスを行うことを試みることに、格別の困難性は認められない。
　
　請求人は、回答書において、（ア）特定パターンは、局部腐食の解消・抑制という効果を得る前提条件として特定したものであり、設計事項ではない、（イ）原審で引用された特開平６−１７７１０２号公報の溶存酸素低減水は、酸化物の形成を抑制するためのものであり、補正発明の局部腐食の解消・抑制とは、作用・機能が異なる、（ウ）特定パターンと溶存酸素濃度の特定による密接不可分な効果がある、旨主張する。
　（ア）については、上記のとおり、デバイスの機能にとって必要なだけ導電部を設けることは、設計的事項にすぎず、請求人主張のとおり、「特定パターンは、局部腐食の解消・抑制という効果を得る前提条件」であるから、単に、局部腐食が生じやすい対象を特定したにすぎない。
　（イ）については、前記特開平８−２６５０７８号公報の段落０００５にみられるごとく、酸化の結果、腐食が生じるのであるから、作用・機能が異なるとまでは言えない。しかも、洗浄液として「溶存酸素の濃度が６重量ｐｐｍ以下に抑制された水」を使用することは、上記のとおり周知である。
　（ウ）については、単に、局部腐食が生じやすい対象を特定し、それに対応すべく溶存酸素濃度を特定したにすぎないから、密接不可分な効果、格別な技術的意義が生じるとは認められない。
　よって、請求人の主張は採用できない。　
　
　以上のことから、補正発明は、刊行物発明、及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際、独立して特許を受けることができないものである。
　
３．むすび
　したがって、本件補正は、改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３．本願発明について
１．本願発明
　本件補正は、上記のとおり却下されたので、本件出願の請求項１に係る発明は、平成１９年９月２８日付けで補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記第２．１．（１）に示す請求項１に記載されたとおりである。
　
２．刊行物等
　これに対して、原査定の際にあげられた刊行物及びその記載内容は、上記第２．２．（２）に示したとおりである。
　
３．対比・検討
　本願発明は、補正発明において付加された事項を削除するものである。
そうすると、本願発明も、上記第２．２．（４）と同様の理由により、刊行物発明、及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　したがって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないことから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本件出願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。