(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
活性面の中央部に形成された複数の入出力パッドを有する半導体チップと、
電気的に絶縁性を有するフレキシブルテープと、中央開口部と、前記フレキシブルテープの上面に形成されたパターン化された金属回路配線層とを有し、前記金属回路配線層は前記フレキシブルテープの上面に形成され、その一端にボンディングパッドが連結され、その他端にランドパッドが連結される複数の回路配線を有し、前記半導体チップの活性面は前記フレキシブルテープの下面に接着され、前記入出力パッドは前記フレキシブルテープの前記開口部を介して外部に露出されるフレキシブル回路基板と、
前記開口部を介して前記半導体チップの前記入出力パッドと前記金属回路配線層の前記ボンディングパッドとを各々電気的に連結する複数の金属ワイヤと、
前記入出力パッド、前記ボンディングパッド及び前記金属ワイヤを保護するためこれらを封止する封止樹脂と、
前記ランドパッドに各々機械的且つ電気的に接続される複数の外部接続端子とを備え、
前記フレキシブル回路基板は、前記フレキシブルテープの下面に形成される補強材をさらに有し、その補強材は、前記半導体チップパッケージが実装される外部回路基板と同一の熱膨張係数を有する材料よりなることを特徴とする半導体チップパッケージ。
【請求項２】
前記フレキシブル回路基板は、前記半導体チップのサイズとほぼ同一のサイズを有することを特徴とする請求項１に記載の半導体チップパッケージ。
【請求項３】
前記金属回路配線層は、電気絶縁層を介在して２つ以上の層よりなる多層回路配線を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体チップパッケージ。
【請求項４】
前記フレキシブルテープは、ポリイミドテープよりなることを特徴とする請求項１に記載の半導体チップパッケージ。
【請求項５】
前記封止樹脂は、前記開口部と前記ボンディングパッドに所定の粘度を有する液状樹脂化合物を塗布する方法により提供されることを特徴とする請求項１に記載の半導体チップパッケージ。
【請求項６】
前記塗布方法は、前記開口部と前記ボンディングパッドに前記液状樹脂化合物を噴射するディスペンシング方法を含むことを特徴とする請求項５に記載の半導体チップパッケージ。
【請求項７】
前記開口部の外周に沿って前記フレキシブルテープ上面のボンディングパッドの外側に形成され、前記液状樹脂化合物のオーバーフローを防止するダムをさらに備えることを特徴とする請求項５に記載の半導体チップパッケージ。
【請求項８】
前記ダムは、所定の粘度を有する液状樹脂化合物を塗布する方法により形成されることを特徴とする請求項７に記載の半導体チップパッケージ。
【請求項９】
前記塗布方法は、前記液状樹脂化合物を噴射するディスペンシング方法を含むことを特徴とする請求項８に記載の半導体チップパッケージ。
【請求項１０】
前記封止樹脂の上面は、前記外部接続端子の上部より低いことを特徴とする請求項１に記載の半導体チップパッケージ。
【請求項１１】
前記フレキシブル回路基板は、前記フレキシブルテープの上面に形成され且つ前記回路配線を保護する保護層をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の半導体チップパッケージ。
【請求項１２】
前記保護層は、前記ボンディングパッドと前記ランドパッドとの間に形成される溝を有し、前記溝にはダムが形成され、前記ダムは、前記封止樹脂のオーバーフローを防止するため、前記保護層より盛り上がることを特徴とする請求項１１に記載の半導体チップパッケージ。
【請求項１３】
前記保護層は、ポリイミド層よりなることを特徴とする請求項１１に記載の半導体チップパッケージ。
【請求項１４】
前記フレキシブル回路基板は、前記補強材と前記半導体チップとの間に形成される接着層をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の半導体チップパッケージ。
【請求項１５】
前記接着層は、シリコン樹脂と低モジュラスを有する非シリコン樹脂からなる群から選ばれる電気絶縁性接着材料よりなることを特徴とする請求項１４に記載の半導体チップパッケージ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体チップパッケージに関し、より詳細には、中央開口部を有するフレキシブル回路基板の下面に半導体チップの活性面を接着し、回路基板の開口部を介して半導体チップの入出力パッドを回路基板上面の金属回路配線層に電気的に連結したチップサイズの半導体チップパッケージに関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体チップの集積度及び入出力ピン数は増加している反面、半導体チップパッケージのサイズは、小型化が要求されている。このような要求に応ずるために開発された半導体チップパッケージの１つが、ボールグリッドアレー(Ball Grid Array;BGA) パッケージである。ボールグリッドアレーパッケージは、リードフレームを用いた通常のパッケージに比べて外部回路基板に対する実装密度を縮小することができ、電気的特性に優れるというメリットを有する。ボールグリッドアレーパッケージが通常のプラスチックパッケージと区別される構造的特徴は、プラスチックパッケージでのリードフレームの代わりに回路配線及びソルダボールが形成された印刷回路基板により、半導体チップと外部回路基板間の電気的接続が実現されることである。
【０００３】
以下、印刷回路基板を用いた一般的なボールグリッドアレーパッケージについて説明する。
図１は、従来の半導体チップパッケージの一例である一般的なボールグリッドアレーパッケージ１０の構造を示す断面図である。
図１を参照すると、印刷回路基板１２の上面の中央部に半導体チップ１１が接着される。印刷回路基板１２の上面に形成された回路配線１３は、貫通孔１５を介して印刷回路基板１２の下面に延設する。上面の回路配線１３は、ボンディングワイヤ１４により半導体チップ１１に電気的に連結され、下面の回路配線１３は、ソルダボール１６により図示しない外部回路基板に電気的に連結される。半導体チップ１１とボンディングワイヤ１４を含めて、印刷回路基板１２の上面の一部は、封止樹脂１７で封止される。印刷回路基板１２は、通常ＦＲ−４、ＦＲ−５、ＢＴ(bismaleimide triazine) 樹脂よりなる。
【０００４】
ボールグリッドアレーパッケージ１０では、印刷回路基板１２は、回路配線１３が形成されない領域、即ちチップ１１が接着される領域を必要とするため、チップ１１のサイズよりボールグリッドアレーパッケージ１０のサイズが大きい。また、回路配線１３の幅及び回路配線１３間の間隔が各々７０μｍに制限される。従って、微細な幅及び間隔を有する回路配線１３が要求される場合、印刷回路基板１２は、このような要求を満足することが困難である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明の目的は、半導体チップのサイズとほぼ同一のサイズを有する半導体チップパッケージを提供することにある。
また、本発明の他の目的は、微細な回路配線を有する回路基板を用いた半導体チップパッケージを提供することにある。
【０００６】
また、本発明のさらに他の目的は、液状封止樹脂のオーバーフローを防止する半導体チップパッケージを提供することにある。
また、本発明のさらに他の目的は、封止樹脂の上面の高さが外部接続端子の上面より低い半導体チップパッケージを提供することにある。
また、本発明のさらに他の目的は、半導体チップパッケージと外部回路基板間の熱膨張係数の差異を緩和させた半導体チップパッケージを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
請求項１に係る発明は、活性面の中央部に形成された複数の入出力パッドを有する半導体チップと、
電気的に絶縁性を有するフレキシブルテープと、中央開口部と、フレキシブルテープの上面に形成されたパターン化された金属回路配線層とを有し、金属回路配線層はフレキシブルテープの上面に形成され、その一端にボンディングパッドが連結され、その他端にランドパッドが連結される複数の回路配線を有し、半導体チップの活性面はフレキシブルテープの下面に接着され、入出力パッドはフレキシブルテープの開口部を介して外部に露出されるフレキシブル回路基板と、
開口部を介して半導体チップの入出力パッドと金属回路配線層のボンディングパッドとを各々電気的に連結する複数の金属ワイヤと、
入出力パッド、ボンディングパッド及び金属ワイヤを保護するためこれらを封止する封止樹脂と、
ランドパッドに各々機械的且つ電気的に接続される複数の外部接続端子とを備える半導体チップパッケージである。
【０００８】
請求項２に係る発明は、フレキシブル回路基板が半導体チップのサイズとほぼ同一のサイズを有する半導体チップパッケージである。
請求項３に係る発明は、金属回路配線層が電気絶縁層を介在して２つ以上の層よりなる多層回路配線を有する半導体チップパッケージである。
請求項４に係る発明は、フレキシブルテープがポリイミドテープよりなる半導体チップパッケージである。
【０００９】
請求項５に係る発明は、封止樹脂が開口部とボンディングパッドに所定の粘度を有する液状樹脂化合物を塗布する方法により提供される半導体チップパッケージである。
請求項６に係る発明は、封止樹脂の塗布方法が開口部とボンディングパッドに液状樹脂化合物を噴射するディスペンシング方法を含む半導体チップパッケージである。
【００１０】
請求項７に係る発明は、開口部の外周に沿ってフレキシブルテープ上面のボンディングパッドの外側に形成され、液状樹脂化合物のオーバーフローを防止するダムをさらに備える半導体チップパッケージである。
請求項８に係る発明は、ダムが所定の粘度を有する液状樹脂化合を塗布する方法により形成される半導体チップパッケージである。
【００１１】
請求項９に係る発明は、ダムの塗布方法が液状樹脂化合物を噴射するディスペンシング方法を含む半導体チップパッケージである。
請求項１０に係る発明は、封止樹脂の上面が外部接続端子の上部より低い半導体チップパッケージである。
請求項１１に係る発明は、フレキシブル回路基板がフレキシブルテープの上面に形成され且つ回路配線を保護する保護層をさらに有する半導体チップパッケージである。
【００１２】
請求項１２に係る発明は、保護層がボンディングパッドとランドパッドとの間に形成される溝を有し、溝にはダムが形成され、ダムは封止樹脂のオーバーフローを防止するため保護層より盛り上がる半導体チップパッケージである。
請求項１３に係る発明は、保護層がポリイミド層よりなる半導体チップパッケージである。
【００１３】
請求項１に係る発明は、フレキシブル回路基板がフレキシブルテープの下面に形成される補強材をさらに有し、その補強材が半導体チップパッケージが実装される外部回路基板と同一の熱膨張係数を有する材料よりなる半導体チップパッケージである。
【００１４】
請求項１４に係る発明は、フレキシブル回路基板が補強材と半導体チップとの間に形成される接着層をさらに有する半導体チップパッケージである。
請求項１５に係る発明は、接着層がシリコン樹脂と低モジュラス(modulus) を有する非シリコン樹脂からなる群から選ばれる電気絶縁性接着材料よりなる半導体チップパッケージである。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照として本発明の実施例をより詳細に説明する。図面全般にわたって、同一の参照符号は、同一の構成要素を示す。
図２は、本発明による中央開口部を有するフレキシブル回路基板の第１実施例を示す部分切欠斜視図であり、図３は、図２のIII −III 線に沿って切断した断面図であり、図４は、本発明によるフレキシブル回路基板を用いた半導体チップパッケージの一実施例を示す断面図である。
【００１６】
図２乃至図４を参照すると、本発明によるフレキシブル回路基板(flexible circuit board)２０は、金属回路配線層２６が電気的に絶縁性を有するフレキシブルテープ２１の上面に形成された構造を有する。所定のパターンで形成された回路配線層２６は複数の回路配線２４を有し、回路配線２４の一端にはボンディングパッド２３が連結され、回路配線２４の他端にはランドパッド２５が連結される。ボンディングバッド２３は、半導体チップ３１と回路配線２４とを電気的に連結させ、ランドパッド２５は、外部接続端子３５と回路配線２４とを電気的に連結させる。
【００１７】
フレキシブルテープ２１は、主にポリイミドのような樹脂よりなる。銅又は金材質の回路配線層２６は、エッチング法により所定のパターンで形成されることが可能である。即ち、銅又は金薄板をフレキシブルテープ２１に積層し、エッチングすることにより、回路配線２４、ボンディングパッド２３及びランドパッド２５を形成する。本発明による回路基板２０は、フレキシブルテープ２１に１８μｍ又は３５μｍの膜厚を有する回路配線層２６を形成し、回路配線２４の幅は、最少５０μｍまで縮小が可能である。
【００１８】
従って、本発明によるフレキシブル回路基板２０は、従来の印刷回路基板に比べて柔軟性があり、薄形化及び回路配線の微細パターン化が可能である。
一方、金属回路配線層は、必要によって多層で形成されることも可能である。図５に複数層の回路配線層４６ａ、４６ｂを示す。下部回路配線層４６ａは上部回路配線層４６ｂ上に形成される。回路配線層４６ａ、４６の間には電気絶縁層４１ａが介在する。回路配線層４６ａの下面には電気絶縁層４１ｂが形成される。この電気絶縁層４１ａ、４１ｂは、上述のフレキシブルテープ（図２乃至図４の２１）と同一である。
【００１９】
複数層の回路配線層４６ａ、４６ｂを有するフレキシブル回路基板４０は、次のような工程により製造されることが可能である。即ち、電気絶縁層であるフレキシブルテープ４１ａに下部回路配線層４６ａを形成するための金属薄板を積層し、所定のパターンでエッチングした後、フレキシブルテープ４１ｂに下部回路配線層４６ｂを形成するための金属薄板を積層し、所定のパターンでエッチングすることにより製造することができる。
【００２０】
さらに図２乃至図４を参照すると、回路配線２４上には、酸化防止のため保護層２７を形成することができ、ボンディングパッド２３とランドパッド２５上には、ボンディング性を向上させるため図示しないメッキ層を形成することができる。保護層２７としては、フレキシブルテープ２１と同様にポリイミド層を使用することができ、図示しないメッキ層の材料としては、主にニッケル、金のような金属を使用することができる。保護層２７は、フレキシブルテープ２１の全面にポリイミド樹脂を塗布した後、ボンディングパッド２３及びランドパッド２５に対応する部分をエッチングすることにより形成することができる。回路配線２４だけでなく、フレキシブルテープ２１の全面に保護層２７を形成することにより、回路配線２４の酸化を防止することができるとともに、隣接する回路配線２４をお互いに電気的に絶縁させることができる。
【００２１】
また、本発明のフレキシブル回路基板２０は、フレキシブルテープ２１の下面に補強材２８をさらに有することができる。パッケージ組立済みの半導体チップパッケージ３０は、図示しない外部回路基板に実装されるが、パッケージ３０と外部回路基板間の熱膨張係数の差異が大きければ、パッケージクラック等の不良を引き起こすことがある。従って、外部回路基板の図示しないパッケージ実装パッドとほぼ同一の熱膨張係数を有する補強材２８を使用することにより、両者間の熱膨張係数の差異を減少させることができる。また、補強材２８は、フレキシブル回路基板２０に機械的な強度を補完する役割をもする。また、補強材２８は、上述した効果を最大化するため、複数個で分離されることが可能であり、スリットを有することもできる。
【００２２】
フレキシブル回路基板２０の上面には、回路配線層２６が形成されているため、補強材２８はフレキシブルテープ２１の下面に形成される。この場合、金属材質の補強材２８と半導体チップ３１の間には接着層２９が形成される。接着層２９としては、電気絶縁性を有し、半導体チップ３１と補強材２８間の熱膨張係数の差異を減少させることができるシリコン樹脂又はモジュラス(modulus) の小さい非シリコン樹脂を使用することができる。
【００２３】
上記のような構造を有するフレキシブル回路基板２０を、入出力パッド３２が半導体チップ３１の活性面の中央部に配設されたセンタパッド型半導体チップ３１と一緒に使用するため、回路基板２０の中央部に開口部２２を形成し、回路基板２０の下部に半導体チップ３１の活性面を接着する。従って、半導体チップ３１の入出力パッド３２は、開口部２２を介して外部に露出され、金属回路配線層２６のボンディングパッド２３に電気的に連結される。特に、このような構造で半導体チップパッケージ３０を形成することにより、フレキシブル回路基板２０だけでなくパッケージ３０のサイズが半導体チップ３１と同一のサイズを有することになる。つまり、専門用語を使用すると、チップサイズパッケージ(Chip Size Package) を実現することができる。
【００２４】
半導体チップ３１の入出力パッド３２は、金属ワイヤ３３により金属回路配線層２６のボンディングパッド２３に電気的に連結される。金属ワイヤ３３としては、金ワイヤを使用することが好ましい。入出力パッド３２、ボンディングパッド２３及び金属ワイヤ３３を外部環境から保護するため、これらを封止樹脂３４で封止する。封止樹脂３４としては、主にエポキシ系の樹脂化合物が使用される。封止方法としては、通常のプラスチックパッケージに適用されるモールディング方法又はセラミックパッケージに適用されるリドシーリング(lid sealing) 方法が可能であるが、所定の粘度を有する液状の封止樹脂３４をポッティングし、硬化する方法が最も好ましい。ポッティング方法は、シリンジに収容された液状の封止樹脂を噴射するディスペンシング(dispensing)方法と、マスクを用いて封止樹脂を塗布するスクリーンプリント(screen print)方法を含む。これらの中で、ディスペンシングによるポッティング方法がより好ましい。
【００２５】
しかるに、ディスペンシングによるポッティング方法を適用するためには、封止樹脂３４のオーバーフローを防止するためのダム３６を形成することが要求される。金属ワイヤ３３が回路配線層２６に連結される場合、金属ワイヤ３３は、連結ループを形成するので、図４に示すように、金属ワイヤ３３の高さが回路配線層２６の高さより大きい。従って、封止樹脂３４は、開口部２２の内部を充たすだけでなく、金属ワイヤ３３上に盛り上がっている。しかしながら、液状の封止樹脂３４は、所定の粘度を有していても、回路基板２０の表面へのオーバーフローが発生することがある。これを防止するため、開口部２２の外周にボンディングパッド２３の外側部分に沿ってダム３６を形成する。
【００２６】
ダム３６を形成する方法には、シルクスクリーン(silk screen) 、テープ取付等の方法があるが、シルクスクリーン方法はダムの高さを増加させることが困難であり、テープ取付方法はテープ自体の信頼性及び価格の面において欠点がある。従って、ディスペンシング方法によりダム３６を形成することが最も好ましい。この場合、ダム３６は、封止樹脂３４と同一の液状の樹脂を使用して形成することが好ましい。また、ダム３６の幅及び高さを所定のレベルで維持するため、ダム３６の形成に使用される樹脂は、封止樹脂３４より高い粘度を有することが好ましい。
【００２７】
外部接続端子３５は、回路配線層２６のランドパッド２５上に形成される。外部接続端子３５は、半導体チップパッケージ３０と図示しない外部回路基板間の電気的且つ機械的連結を提供する。外部接続端子３５はボール又はバンプ状の金属層である。外部接続端子３５としては、ソルダボール又は金バンプが好ましく使用される。ソルダボールは、ソルダマウンティング／リフロー方法又はスクリーンプリント／リフロー方法により形成され、金バンプは、メッキ又はポトマスク等の方法により形成される。
【００２８】
外部接続端子３５の上部は封止樹脂３４の上部より高い。従って、半導体チップパッケージ３０が図示しない外部回路基板に実装されるとき、封止樹脂３４が外部回路基板に接触し、信頼性不良を招くおそれがない。さらに、外部接続端子３５の高さは、外部回路基板へのパッケージ３０の実装時にその高さが減少するという事実を考慮して決定しなければならない。例えば、最近チップサイズパッケージに適用されている直径３．０ｍｍのソルダボールの場合、パッケージの製造後には、その高さが約０．２５ｍｍ、外部回路基板に実装した後には、約０．２ｍｍになる。従って、回路配線層２６の上面から封止樹脂３４の高さは、約０．１５ｍｍ以下であることが好ましい。また、回路配線層２６の上面からダム３６の高さは、約０．１〜０．１５ｍｍであることが好ましい。
【００２９】
ところが、上述したシルクスクリン方法では、ダム３６を０．１ｍｍ以上の高さで形成することが困難である。また、テープ取付方法では、０．１５ｍｍ以上のダム３６を形成することが容易ではない。そこで、ディスペンシング方法がより好ましい。ディスペンシングによりダムを形成する場合、ダムの高さ及び幅の最少値は、各々０．２ｍｍ及び０．６ｍｍである。従って、０．５ｍｍ又は０．７６ｍｍの直径を有するソルダボールの場合は、ディスペンシングにより容易にダムを形成することができる。しかし、ディスペンシング方法は、０．３ｍｍの直径を有するソルダボールを使用する場合、ダムの高さが外部回路基板実装後のソルダボールの高さとほぼ同一であるので、適用することが困難である。さらに、ダムの幅が０．６ｍｍに制限されるので、パッケージサイズの減少において不利である。
【００３０】
上述した問題点を解決するため、保護層に溝を形成する。図６は、本発明による中央開口部を有するフレキシブル回路基板の第３実施例を示す部分切欠斜視図であり、図７は、本発明によるフレキシブル回路基板を用いた半導体チップパッケージの他の実施例を示す断面図である。
図６及び図７に示すように、保護層５７には、所定の幅及び深さを有する溝５７ａが形成される。溝５７ａは、ボンディングパッド２３とランドパッド２５の間に形成される。特に溝５７ａは、別途の追加工程無しに、回路配線層２６のパッドを形成するために保護層５７をエッチングすると同時に、エッチングすることにより形成されることが可能である。
【００３１】
溝５７ａは２つの用途で使用される。第一に、ダム６６の高さを減少させる役割をする。溝５７ａが所定の深さを有するため、ダム６６の高さを減少させることができる。また、溝がない場合に比べて粘度が低い樹脂を使用することができるので、ダム６６の幅を調節することもできる。即ち、ダム６６の幅は、溝５７ａの幅から予め決定することができる。先にディスペンシングにより形成されるダム（図４の３６）の幅の最小値が０．６ｍｍと記述したが、本実施例による溝５７ａを形成する場合、ダム６６の幅を約０．３ｍｍに減少させることができる。
【００３２】
溝５７ａの他の用途は、実際にダム６６を形成することなくダム６６の役割をすることである。即ち、封止樹脂３４が開口部２２の内部に充填された後、開口部２２の外側にオーバーフローされても、液状の封止樹脂が溝５７ａに充填されることにより、オーバーフローが遅延される。従って、溝５７ａは、封止樹脂３４の量を適宜調節することにより、ダムとしての役割を果たすことができる。
【００３３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によると、ポリイミドよりなるフレキシブルテープを回路基板として使用することにより、薄形化及び回路配線の微細パターン化が可能である。そこで、高集積、多ピン、微細ピッチを有する半導体チップに対する適用が容易であり、半導体チップパッケージの小型化及び薄形化が可能である。
【００３４】
また、本発明の半導体チップパッケージは、回路基板の下面に半導体チップの活性面が接着され、回路基板の開口部を介して半導体チップと回路基板間の電気的接続を実現する構造であるので、フレキシブル回路基板だけでなくパッケージのサイズが半導体チップとほぼ同一のサイズを有することになる。つまり、チップサイズパッケージを実現することができる。
【００３５】
また、本発明によるダム又は保護層の溝は、液状封止樹脂のオーバーフローを防止する役割をする。
また、本発明による溝及びこの溝に形成された溝により、封止樹脂の上面が常に外部接続端子の上部より低い位置に形成されるようにする。即ち、半導体チップパッケージが外部回路基板に実装するとき、封止樹脂が外部回路基板に接触し、信頼性不良を招くことを防止するため、封止樹脂が充分に低い位置に形成されるようにする。
【００３６】
さらに、本発明によるフレキシブル回路基板の補強材は、半導体チップパッケージと外部回路基板間の熱膨張係数の差異を緩和させて半導体チップパッケージの信頼性を向上させることができる。
【００３７】
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の半導体チップパッケージの一例である一般的なボールグリッドアレーパッケージを示す断面図である。
【図２】本発明による中央開口部を有するフレキシブル回路基板の第１実施例を示す部分切欠斜視図である。
【図３】図２のIII −III 線断面図である。
【図４】本発明によるフレキシブル回路基板を用いた半導体チップパッケージの一実施例を示す断面図である。
【図５】本発明による中央開口部を有するフレキシブル回路基板の第２実施例を示す部分切欠斜視図である。
【図６】本発明による中央開口部を有するフレキシブル回路基板の第３実施例を示す部分切欠斜視図である。
【図７】本発明によるフレキシブル回路基板を用いた半導体チップパッケージの他の実施例を示す断面図である。
【符号の説明】
２０、４０、５０  フレキシブル回路基板
２１、４１ａ、４１ｂ  フレキシブルテープ
２２  開口部
２３  ボンディングパッド
２４  回路配線
２５  ランドパッド
２６、４６ａ、４６ｂ  回路配線層
２７、５７  保護層
２８  補強材
２９  接着層
３０、６０  半導体チップパッケージ
３１  半導体チップ
３２  入出力パッド
３３  金属ワイヤ
３４  封止樹脂
３５  外部接続端子
３６、６６  ダム
【図１】
0003546131.tif 000002
【図２】
0003546131.tif 000003
【図３】
0003546131.tif 000004
【図４】
0003546131.tif 000005
【図５】
0003546131.tif 000006
【図６】
0003546131.tif 000007
【図７】
0003546131.tif 000008