【事件の表示】
　特願２００１−　１１６１３「液晶表示装置およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　８月３１日出願公開、特開２００１−２３５７６９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成９年７月１４日に出願した特願平９−１８８５５５号の一部を平成１３年１月１９日に新たな特許出願としたものであって、平成１８年１２月１５日に手続補正がなされ、平成１９年４月１３日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年５月２１日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに同年６月１５日に手続補正がなされたものである。
　
　
ＩＩ．平成１９年６月１５日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１９年６月１５日付けの手続補正を却下する。
［理由］
１．補正の内容  
　平成１９年６月１５日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の請求項１、２及び４を、以下のように補正して、それぞれ新たな請求項１、２及び３とすることを含むものである。  
「【請求項１】　複数の走査信号線と複数の映像信号線の各交差部に対応して形成された薄膜トランジスタ、前記薄膜トランジスタに接続された液晶駆動電極、前記液晶駆動電極とのあいだで基板にほぼ平行な方向に電界を印加すべく前記液晶駆動電極に対向して形成され、かつ共通信号線に接続された共通電極、および膜厚３μｍ以上１０μｍ以下の平坦化膜を有するアレイ基板と、
前記アレイ基板に対向して設けられ、色層、該色層の表面を平坦にする保護膜を有する対向基板と、
表示面内における前記アレイ基板と前記対向基板との間隙に配置される複数個の第１のスペーサと、
前記アレイ基板と前記対向基板の周辺部に配置され、前記両基板を貼り合わせるシール材と、
前記シール材中に混入される第２のスペーサと、
前記アレイ基板と前記対向基板の間隙に挟持され、複屈折効果を有する液晶層とを備え、
前記第２のスペーサの径を前記第１のスペーサの径よりも大きくしたことを特徴とする液晶表示装置。」
「【請求項２】　複数の走査信号線と複数の映像信号線の各交差部に対応して形成された薄膜トランジスタ、前記薄膜トランジスタに接続された液晶駆動電極、前記液晶駆動電極とのあいだで基板にほぼ平行な方向に電界を印加すべく前記液晶駆動電極に対向して形成され、かつ共通信号線に接続された共通電極、および膜厚３μｍ以上１０μｍ以下の平坦化膜を有するアレイ基板と、
前記アレイ基板に対向して設けられ、色層、該色層の表面を平坦にする保護膜を有する対向基板と、
表示面内における前記アレイ基板と前記対向基板との間隙に配置される複数個の第１のスペーサと、
前記アレイ基板と前記対向基板の周辺部に配置され、前記両基板を貼り合わせるシール材と、
前記シール材中に混入される第２のスペーサと、
前記アレイ基板と前記対向基板の間隙に挟持され、複屈折効果を有する液晶層とを備え、
前記第２のスペーサの径を前記第１のスペーサの径よりも大きくすることを特徴とする液晶表示装置。」
「【請求項３】　複数の走査信号線と複数の映像信号線の各交差部に対応して形成された薄膜トランジスタ、前記薄膜トランジスタに接続された液晶駆動電極、前記液晶駆動電極とのあいだで基板にほぼ平行な方向に電界を印加すべく前記液晶駆動電極に対向して形成され、かつ共通信号線に接続された共通電極、および膜厚３μｍ以上１０μｍ以下の平坦化膜を有するアレイ基板と、
前記アレイ基板に対向して設けられ、色層、該色層の表面を平坦にする保護膜を有する対向基板と、
表示面内における前記アレイ基板と前記対向基板との間隙に配置される複数個の第１のスペーサと、
前記アレイ基板と前記対向基板の周辺部に配置され、前記両基板を貼り合わせるシール材と、
前記シール材中に混入される第２のスペーサと、
前記アレイ基板と前記対向基板の間隙に挟持され、複屈折効果を有する液晶層とを備え、
前記第２のスペーサの径を前記第１のスペーサの径よりも大きくすることを特徴とする液晶表示装置。」
 　 
２．当審の判断 
　本件補正は、補正前の請求項１から、「・・・前記表示面内のリタデーションΔｎ・ｄのばらつきを２０ｎｍ以下とした」との発明特定事項を削除し、補正前の請求項２から、「・・・波長５４４ｎｍ近傍の緑色光の透過率のばらつきを、前記表示面内において５％以下とした」との発明特定事項を削除し、補正前の請求項４から、「・・・前記画素電極が形成された前記表示面内において、最も大きい前記液晶層の厚さをｄｍａｘ、最も小さい前記液晶層の厚さをｄｍｉｎとし、前記表示面内の（Δｎ）・（ｄｍａｘ−ｄｍｉｎ）を２０ｎｍ以下とした」との発明特定事項を削除することを含むものであるから、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法における改正前の特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものには該当しない。
　また、本件補正は、請求項の削除、誤記の訂正、明りようでない記載の釈明、のいずれにも該当しない。 
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５条改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
 　 
　
ＩＩＩ．本願発明
１．本願発明
　平成１９年６月１５日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１８年１２月１５日付け手続補正によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜８に記載されたものであるところ、その請求項１に係る発明は次の事項によって特定されるものである。
　
「【請求項１】　複数の走査信号線と複数の映像信号線の各交差部に対応して形成された薄膜トランジスタ、前記薄膜トランジスタに接続された液晶駆動電極、前記液晶駆動電極に対応して形成され、共通信号線に接続された共通電極、平坦化膜を有するアレイ基板と、
前記アレイ基板に対向して設けられ、色層、該色層の表面を平坦にする保護膜を有する対向基板と、
表示面内における前記アレイ基板と前記対向基板との間隙に配置される複数個の第１のスペーサと、
前記アレイ基板と前記対向基板の周辺部に配置され、前記両基板を貼り合わせるシール材と、
前記シール材中に混入される第２のスペーサと、
前記アレイ基板と前記対向基板の間隙に挟持され、複屈折効果を有する液晶層とを備え、
前記第２のスペーサの径を前記第１のスペーサの径よりも大きくすることにより前記表示面内のリタデーションΔｎ・ｄのばらつきを２０ｎｍ以下としたことを特徴とする液晶表示装置。」（以下「本願発明」という。）
　
２．刊行物記載の発明
　本願の出願前に頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である特開平８−２８６１７６号公報（以下「引用刊行物１」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
ア　「【特許請求の範囲】
【請求項１】少なくとも一方が透明な一対の誘電体の基板，前記基板間に誘電異方性を有する液晶組成物層，液晶を配向させるための配向制御層，前記誘電体の基板上の電極群，偏光手段，駆動電圧波形を発生させる駆動ＬＳＩを備え、前記電極群が前記液晶組成物層に対して、主として前記基板面に平行な電界を印加する構造を有し、表示画素が、走査信号電極，映像信号電極，画素電極及びアクティブ素子により基板上に構成されている液晶表示装置において、
前記界面に平行な電界を印加する電極群は同一基板上に形成されており前記界面に平行な電界を印加する電極群のうち、少なくとも一つの電極が誘電体基板上に直接形成されたことを特徴とする液晶表示装置。」
　
イ　「【００３０】（実施例１）誘電体基板は、厚みが１．１ｍｍで表面を研磨した硼珪酸ガラス基板で、表面をコ−ティングしていないものを２枚用いた。これらの基板のうち、一方の基板の上に各種電極と薄膜トランジスタを形成し、その上に絶縁膜，保護膜，平坦化膜，配向膜を形成した。本実施例では共通電極を基板の上に第三層を介すことなく直接形成した。絶縁膜と保護膜は、ともに窒化シリコンで形成し、厚さを０．４μｍずつとした。平坦化膜はエポキシ樹脂で形成し、厚さを０．８μｍ とした。配向膜は、ポリイミドを採用し、厚さを０．１μｍ とし、その上を液晶を配向させるためのラビング処理をした。他方の基板上にもポリイミドで配向膜を形成し、同様にラビング処理をした。上下界面上のラビング方向は互いにほぼ平行で、かつ印加電界方向とのなす角度を７５度（φＬＣ１＝φＬＣ２＝７５°）とした。これらの基板間に誘電率異方性Δεが正でその値が９．０であり、屈折率異方性Δｎが０．０８２(５８９ｎｍ，２０℃）のネマチック液晶組成物を挾んだ。ギャップｄは球形のポリマビーズを基板間に分散して挾持し、液晶封入状態で３．８μｍとした。よって、Δｎ・ｄは０．３１μｍ である。２枚の偏光板（日東電工社製Ｇ１２２０ＤＵ）でパネルを挾み、一方の偏光板の偏光軸をφＰ１＝７５°に設定し、他方をそれに直交、即ち、φＰ２＝−１５°とした。本実施例では、低電圧(ＶＯＦＦ）で暗状態，高電圧（ＶＯＮ）で明状態をとるノーマリクローズ特性を採用した。
【００３１】薄膜トランジスタ及び、各種電極の構造を図４に示す。図４には、基板面に垂直な方向から見た正面図と正面図のＡ−Ａ′，Ｂ−Ｂ′における側断面図を示した。薄膜トランジスタ素子１４は画素電極（ソ−ス電極）４，信号電極（ドレイン電極）１１，走査電極（ゲ−ト電極）１２、及びアモルファスシリコン１３から構成される。共通電極３と走査電極１２及び、信号電極１１と画素電極４とはそれぞれ同一の金属層をパタ−ン化して構成した。画素電極は正面図で、２本の共通電極３の間に配置されている。画素ピッチは横方向（即ち信号配線電極間）は６９μｍ、縦方向（即ち走査配線電極間）は２０７μｍである。電極幅は、複数画素間にまたがる配線電極である走査電極，信号電極，共通電極配線部（走査配線電極に平行（図４で横方向）に延びた部分）を広めにし、線欠陥を回避した。幅はそれぞれ１４μｍである。一方、１画素単位で独立に形成した画素電極、及び共通電極の信号配線電極の長手方向に延びた部分の幅は若干狭くし、それぞれ９μｍとした。・・・（略）・・・。
【００３２】パネルには図５のように駆動ＬＳＩが接続され、ＴＦＴ基板上に垂直走査回路２０，映像信号駆動回路２１を接続し、電源回路及びコントローラ１９から走査信号電圧，映像信号電圧，タイミング信号を供給し、アクティブマトリクス駆動した。」
　
ウ　「【００３７】（実施例２）本実施例は以下を除いて実施例１と同じ構成である。
【００３８】トランジスタ素子を有する基板に相対向する基板上に、図７に示したように、ストライプ上のＲ，Ｇ，Ｂ３色のカラーフィルタ２４を備え、カラーフィルタの上には表面を平坦化する透明樹脂１７を積層し、その上に配向膜６を形成した。広視野角で、低駆動電圧のカラー液晶表示装置が得られた。」
　
エ　以下の（ア）及び（イ）が、図５から見て取れる。
（ア）薄膜トランジスタは、複数の走査電極１２と複数の信号電極１１の各交差部に対応して形成されること。
（イ）複数の共通電極３は、共通の配線に接続されること。
　
オ　薄膜トランジスタ１４には画素電極４が接続されること、が図４（ａ）から見て取れる。
　
カ　共通電極３は、画素電極４に対向して形成されること、が図４（ａ）、（ｂ）から見て取れる。
　
　したがって、上記記載事項を総合すると、引用刊行物１には次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されている、と認められる。
　
「複数の走査電極と複数の信号電極の各交差部に対応して形成された薄膜トランジスタ、前記薄膜トランジスタに接続された画素電極、前記画素電極に対向して形成され、共通の配線に接続された共通電極、平坦化層を有する、トランジスタ素子を有する基板と、
前記トランジスタ素子を有する基板と相対向する基板であって、カラーフィルタ、該カラーフィルタの上に表面を平坦化する透明樹脂を積層した基板と、
前記両基板間に分散される球形のポリマビーズと、
前記両基板間に挟まれる液晶組成物とを備えた液晶表示装置であって、
前記液晶組成物の屈折率異方性Δｎが０．０８２(５８９ｎｍ，２０℃）であり、前記両基板間のギャップｄが３．８μｍであるもの。」
　
　
　同じく、本願の出願前に頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である国際公開９７／６４６３号（以下「引用刊行物２」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
キ　「第４図は、横電界方式の液晶パネル内での液晶の動作を示す図で、（ａ），（ｂ）は側断面図、（ｃ），（ｄ）は平面図を表す。なお、表示素子全体ではストライプ状の電極をマトリクス状に形成して複数の画素を構成するが、第４図では１画素の部分を示したものである。
　第４図（ａ）に電圧無印加時の液晶の状態を、（ｃ）にその時の平面図を示す。透明な一対の基板１，１′の内側にストライプ状の電極２，３が形成され、その上に配向制御層８，８′が形成されている。そして、両基板間には液晶組成物層１０が挟持されてる。・・・（略）・・・。
　次に、第４図（ｂ），（ｄ）に示すように、電極２，３に電界１３を印加すると、電界１３の方向に近づくように液晶分子６がその向きを変える。
　また、第４図における液晶分子６は、誘電異方性が正のものを用いた場合について説明したが、負のものであっても構わない。・・・（略）・・・。 
　複屈折モードの表示方式では、直交した偏光板の間に液晶を挟んで観測される透過光強度は、ｓｉｎ２（πΔｎ・ｄ／λ）に比例する。ここで、Δｎは液晶材料の複屈折（屈折率異方性）、ｄは液晶層の厚み、λは光の波長である。透過光を最大にするには光路差であるリターデーションΔｎ・ｄを、λ／２，３λ／２，５λ／２…とすればよいが、透過光の波長依存性を抑えて白色透過光を得るため、望ましくはλ／２を設定する。即ち、視感度の高い５５０ｎｍの光を考慮すれば、Δｎ・ｄ＝０．２８μｍとなる。このΔｎ・ｄは実用的には少なくとも、０．２１から０．３７μｍの範囲内であればよい。
　・・・（略）・・・。 
　ここで、複屈折モードの場合には、入射光の偏光面がねじれに沿って回転するような旋光性モードに比べて、僅かなギャップ変動による表示面内のしきい値むらが発生し易くなると云う問題がある。即ち、複屈折モードの横電界方式においては、旋光性モードの縦電界方式よりも厳しい均一ギャップ形成技術が必要になる。
　・・・（略）・・・。 
　一般に、セルギャップは基板上にスペーサ材を散布し、該スペーサ材により制御する・・・（略）・・・。 」（第６頁第１７行〜第８頁第２０行）
　
ク　「以下、均一なセルギャップが形成でき、高い生産性が確保できる本発明の実施例について説明をする。
実施例１
　第１図及び第２図に本発明のカラー液晶表示装置の一実施例の概要を示す。図において
　ＴＦＴが形成される基板（下側基板）１上に、例えばアルミからなる共通電極３（当審注：「２」の誤りと認める。）を形成する。ヒロック等の不良を抑制するために、アルミの表面は陽極化成処理を施して安定な酸化膜を形成すると良い。なお、図示されていないが、共通電極３（当審注：「２」の誤りと認める。）を形成する際に、走査配線（トランジスタの機能としてはゲート電極）も形成する。その上に絶縁層４を形成する。絶縁層４としては、例えば窒化シリコンをＣＶＤ（Chemical vapor deposition）法により形成する。絶縁層４はゲート電極上ではゲート絶縁膜として機能する。絶縁層４の上には画素電極３及び信号配線２１が形成される。形成方法としては例えばクロムからなる金属層をスパッタ法により成膜しパターンニングする。
　その後ブラックマトリクス１４を形成し、後述する方法によりカラーフィルタ５を画素パターンに対応して形成する。なお、ブラックマトリクス１４の絶縁層４上に保護膜を介して形成しても良い。カラーフィルタ５は１画素を囲うように形成された２本の共通電極２の間に一体で形成される。なお、本実施例では画素電極３はカラーフィルタ５で覆われている。カラーフィルタ５上には、配向制御層８が形成される。
　第１図では、配向制御層８はカラーフィルタ５及びブラックマトリクス１４の形成により発生した凹凸をより平坦化して軽減する機能も兼ね備えている。一方、第２図では平坦化層７と配向制御層８とが積層されている。本実施例においては、カラーフィルタ５，ブラックマトリクス１４を電極２，３を形成した下側（電極）基板１に形成することにより、対向基板１′側には、画素ごとの微細なパターンのない表示部全面で均一な配向制御層のみが形成される。」（第８頁第２１行〜第９頁第２３行）
　
ケ　「第８図に本発明のカラー液晶表示装置の単位画素部の電極配置の一実施例を示す。図において、（ａ）は平面図、（ｂ），（ｃ）は（ａ）のＡ−Ａ′，Ｂ−Ｂ断面図である。下側（電極）基板１上に、走査電極２０，信号電極２１，共通電極２，画素電極３および半導体層２２、例えばアモルファスシリコン層からなるＴＦＴ素子２９（当審注：「２８」の誤りと認める。）を形成した。また、共通電極２は走査配線２０と同層に、画素電極３は信号配線２１と同層に設け同一の金属薄膜によりパターン化した。共通電極２および走査配線２０の厚みは約０.２μｍとし、画素電極３および信号配線２１の厚みは約０.５μｍとした。また２本の共通電極２間の領域において、画素電極３と共通電極２とで走査配線２０の絶縁層（ＳｉＮ）４を挟むようにして容量素子２３を形成した。画素電極３は（ｂ）に示すように、２本の共通電極２の間に配置されている。
　・・・（略）・・・。
　前記上下基板１，１′間に誘電率異方性Δεが正でその値が１０（２０℃，１ｋＨｚ）であり、複折（当審注：「複屈折」の誤りと認める。）Δｎが０.０７２(５８９ｎｍ，２０℃)のフッ素系ネマチック液晶組成物を挟み、・・・（略）・・・。
　本実施例で得られた液晶表示装置のセル面内ギャップを光干渉法を用いて測定したところ、表示面内のギャップ精度は４．００±０．０７μｍであり、ギャップ不良に基づく表示むらの発生がないカラー液晶表示装置が得られた。
　本発明の液晶表示装置全体の概要を第９図に示す。図において各TFTには垂直走査信号回路２５，映像信号回路２６から走査信号，映像信号が供給される。複数の信号配線２１と走査配線２０とがマトリクス状に交差し、これらの配線で囲まれたそれぞれの領域で画素を構成する。共通配線３０は複数の画素に渡って、それぞれの画素内の共通電極（図示省略）と接続される。共通配線３０には共通電極駆動用回路２７が接続される。また、垂直走査信号回路２５，映像信号回路２６には、コントローラ２８から走査信号電圧，映像信号電圧，タイミング信号が供給される。」（第１１頁第３行〜第１５頁第１７行）
　
コ　ＴＦＴ素子が、複数の走査配線２０と複数の信号配線２１の各交差部に対応して形成されること、が第９図から見て取れる。
　
サ　ＴＦＴ素子２８には画素電極３が接続されること、が第８図（ａ）から見て取れる。
　
シ　共通電極２は、画素電極３に対向して形成されること、が第８図（ａ）、（ｂ）から見て取れる。
　
　したがって、上記記載事項を総合すると、引用刊行物２には次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されている、と認められる。
　
「複数の走査配線と複数の信号配線の各交差部に対応して形成されたＴＦＴ素子、前記ＴＦＴ素子に接続された画素電極、前記画素電極に対向して形成され、共通配線に接続された共通電極、平坦化層を有するＴＦＴが形成される下側基板と、
前記下側基板と対向する上側基板と、
前記下側基板と上側基板間に分散されるスペーサ材と、
前記下側基板と上側基板間に挟持された液晶組成物層とを備え、
表示面内のセル面内ギャップ精度が４．００±０．０７μｍである液晶表示装置。」
　
　
３．対比
  本願発明と引用発明１を対比する。
　
ア　引用発明１の「走査電極」、「信号電極」、「薄膜トランジスタ」、「画素電極」、「共通の配線」、「共通電極」、「平坦化層」、「トランジスタ素子を有する基板」、「トランジスタ素子を有する基板と相対向する基板」、「カラーフィルタ」、「カラーフィルタの上に表面を平坦化する透明樹脂」、「両基板」、「分散される球形のポリマビーズ」及び「液晶表示装置」は、それぞれ本願発明の「走査信号線」、「映像信号線」、「薄膜トランジスタ」、「液晶駆動電極」、「共通信号線」、「共通電極」、「平坦化膜」、「アレイ基板」、「アレイ基板に対向して設けられ（る）対向基板」、「色層」、「色層の表面を平坦にする保護膜」、「アレイ基板と対向基板」、「配置される複数個のスペーサ」及び「液晶表示装置」に相当する。 
　
イ　引用発明１の「前記両基板間に挟まれる『液晶組成物』」は、その屈折率異方性Δｎが０．０８２(５８９ｎｍ，２０℃）であり、前記両基板間のギャップｄが３．８μｍであるから、表示面内のリタデーションΔｎ・ｄを有する点において、本願発明の「前記アレイ基板と前記対向基板の間隙に挟持され、複屈折効果を有する『液晶層』」に相当する。
　
　したがって、両者は、　  
「複数の走査信号線と複数の映像信号線の各交差部に対応して形成された薄膜トランジスタ、前記薄膜トランジスタに接続された液晶駆動電極、前記液晶駆動電極に対応して形成され、共通信号線に接続された共通電極、平坦化膜を有するアレイ基板と、
前記アレイ基板に対向して設けられ、色層、該色層の表面を平坦にする保護膜を有する対向基板と、
前記アレイ基板と前記対向基板との間隙に配置される複数個のスペーサと、
前記アレイ基板と前記対向基板の間隙に挟持され、表示面内のリタデーションΔｎ・ｄを有し、複屈折効果を有する液晶層とを備える液晶表示装置。」
である点で一致し、以下の点において相違する。
　
相違点
　本願発明は、表示面内におけるアレイ基板と対向基板との間隙に配置される複数個の第１のスペーサと、前記アレイ基板と前記対向基板の周辺部に配置され、前記両基板を貼り合わせるシール材と、前記シール材中に混入される第２のスペーサとを有し、前記第２のスペーサの径を前記第１のスペーサの径よりも大きくすることにより表示面内のリタデーションΔｎ・ｄのばらつきを２０ｎｍ以下としたのに対し、引用発明は、シール材中に表示面内のスペーサより大きいスペーサを混入するかどうか不明であり、また、表示面内のリタデーションΔｎ・ｄのばらつきの値が不明な点。
　
４．判断  
　上記相違点につき検討する。
　「複数の走査配線と複数の信号配線の各交差部に対応して形成されたＴＦＴ素子、前記ＴＦＴ素子に接続された画素電極、前記画素電極に対向して形成され、共通配線に接続された共通電極、平坦化層を有するＴＦＴが形成される下側基板と、前記下側基板と対向する上側基板と、前記下側基板と上側基板間に分散されるスペーサ材と、前記下側基板と上側基板間に挟持された液晶組成物層とを備え、表示面内のセル面内ギャップ精度が４．００±０．０７μｍである液晶表示装置」の発明（引用発明２）が引用刊行物２に記載されているところ、一対の透明基板を所定の間隔を保って接合するシール材中に混入するシール材内スペーサの径を、液晶が充填される空間のギャップを一定に保つスペーサの径よりも大きいものとして、素子全体のギャップを均一に保持する液晶表示素子は、本願出願前に周知である（例えば、特開平７−２６１１８３号公報（【００２９】、【００３０】、図３）、特開平１−１０６０１６号公報（第３頁左上欄第８行〜同頁右上欄第１３行、第１図）、特開昭６３−２６４７２９号公報（第２頁左下欄第５行〜同頁右下欄第１５行、第１図）参照。）から、引用発明１において、この周知技術を採用し、表示面内のギャップｄを均一にしてそのばらつきを設計値以内にすることは当業者が適宜なし得ることである。また、その設計値を定めるに際し、引用発明２における両基板間のギャップｄのギャップ精度が±０．０７μｍ以内である点を参照して、１４０ｎｍ（０．０７μｍ×２）程度の値とし、Δｎ＝０．０８２である引用発明１のギャップｄ＝３．８μｍのばらつきが１４０ｎｍ以内となるように均一にすることは、当業者が容易になし得ることである。そして、その結果、表示面内のリタデーションΔｎ・ｄのばらつき（０．０８２×０．０７μｍ×２＝１１．４８ｎｍ）は２０ｎｍ以下となるから、相違点に係る本願発明の技術的事項とすることは　引用発明２及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に想到し得たことである。
　
　そして、本願発明によってもたらされる効果は、引用発明１、２及び上記周知技術から当業者が予測し得る程度のものである。
　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物１、２に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。