(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくともハイブリッド材により形成されている構成層と、前記構成層の少なくとも１層に形成されている導電体層とを有し、前記導電体層により所定の電気回路が構成されている多層基板による電子部品であって、
前記ハイブリッド材によって形成されている構成層は、誘電体材料粉を少なくとも１種以上含有し、さらに磁性材料粉、誘電体被覆金属粉、絶縁体被覆磁性金属粉のいずれかの１種以上から選択される２種以上の材料粉と樹脂材料とを含有する電子部品。
【請求項２】
少なくともハイブリッド材により形成されている構成層と、前記構成層の少なくとも１層に形成されている導電体層とを有し、前記導電体層により所定の電気回路が構成されている多層基板による電子部品であって、
前記ハイブリッド材によって形成されている構成層は、少なくとも１種または２種以上の磁性材料粉、１種または２種以上の誘電体被覆金属粉または１種または２種以上の絶縁体被覆磁性金属粉から選択される２種以上の材料粉と樹脂材料とを含有する電子部品。
【請求項３】
前記誘電体被覆金属粉は金属粒子の表面が誘電体で覆われており、前記絶縁体被覆磁性金属粉は、磁性金属粒子の表面が絶縁体で覆われている請求項１または２の電子部品。
【請求項４】
前記誘電体材料粉は多結晶誘電体粉または単結晶誘電体粉であり、前記磁性材料粉は、強磁性金属粉、磁性フェライト破砕粉、または単結晶フェライト破砕粉である請求項１または２の電子部品。
【請求項５】
少なくともいずれかの層に１種または２種以上の難燃剤を含有する請求項１〜４のいずれかの電子部品。
【請求項６】
５０ＭＨｚ以上の周波数帯で使用される請求項１〜５のいずれかの電子部品。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プリプレグおよび基板を用いた電子部品や積層回路に関し、特に高周波数領域（１００ＭＨｚ以上）での使用に好適であり、波長短縮効果の優れたプリプレグおよび基板を用いた電子部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、通信用、民生用、産業用等の電子機器の分野における実装方法の小型化・高密度化への指向は著しいものがあり、それに伴って材料の面でもより優れた耐熱性、寸法安定性、電気特性、成形性が要求されつつある。
【０００３】
高周波用電子部品もしくは高周波用多層基板としては、焼結フェライトや焼結セラミックを基板状に多層化、成形したものが一般に知られている。これらの材料を多層基板にすることは、小型化が図れるというメリットがあることから従来より用いられてきた。
【０００４】
しかしながら、これら焼結フェライトや焼結セラミックを用いた場合、焼成工程や厚膜印刷工程数が多く、また、焼成時のクラックや反り等、焼結材料特有の問題が多いことと、プリント基板との熱膨張係数の違い等によるクラックの発生等といった問題が多いことから、樹脂系材料への要求が年々高まっている。
【０００５】
しかしながら、樹脂系の材料ではそれ自体で十分な誘電率を得ることが極めて困難であり、透磁率の向上を図ることも困難である。このため、単に樹脂材料を利用した電子部品では、十分な特性を得ることができず、形状的にも大きなものとなり、小型、薄型化を図ることが困難である。
【０００６】
また、樹脂材料にセラミック粉末をコンポジットする手法も、例えば特開平８−６９７１２号公報、同１１−１９２６２０号公報に開示されているが、いずれも十分な高周波特性や磁気特性を得られてはいない。また、波長短縮に関する材料の具体的な検討もなされていない。
【０００７】
また、特公平６−１４６００号公報には、シート法による複数材料を多層化する例が示されているが、工程数が多いなどの問題を有し、１つの層に複数材料を含有するハイブリット化への具体的な検討はなされていない。しかも個々で検討されている周波数は高々数ＭＨｚ程度であり、１００ＭＨｚ以上の高周波領域における性能については何ら検討されていない。また、波長短縮に関する材料の具体的な検討もなされていない。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、複数のコンポジット材料を組み合わせることで、波長短縮効果が高く、高周波特性にも優れ、小型で高性能の、ひいては総合的な電気的特性に優れた電子部品を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、下記の本発明によって達成される。
（１）  少なくともハイブリッド材により形成されている構成層と、前記構成層の少なくとも１層に形成されている導電体層とを有し、前記導電体層により所定の電気回路が構成されている多層基板による電子部品であって、
前記ハイブリッド材によって形成されている構成層は、誘電体材料粉を少なくとも１種以上含有し、さらに磁性材料粉、誘電体被覆金属粉、絶縁体被覆磁性金属粉のいずれかの１種以上から選択される２種以上の材料粉と樹脂材料とを含有する電子部品。
（２）  少なくともハイブリッド材により形成されている構成層と、前記構成層の少なくとも１層に形成されている導電体層とを有し、前記導電体層により所定の電気回路が構成されている多層基板による電子部品であって、
前記ハイブリッド材によって形成されている構成層は、少なくとも１種または２種以上の磁性材料粉、１種または２種以上の誘電体被覆金属粉または１種または２種以上の絶縁体被覆磁性金属粉から選択される２種以上の材料粉と樹脂材料とを含有する電子部品。
（３）  前記誘電体被覆金属粉は金属粒子の表面が誘電体で覆われており、前記絶縁体被覆磁性金属粉は、磁性金属粒子の表面が絶縁体で覆われている上記（１）または（２）の電子部品。
（４）  前記誘電体材料粉は多結晶誘電体粉または単結晶誘電体粉であり、前記磁性材料粉は、強磁性金属粉、磁性フェライト破砕粉、または単結晶フェライト破砕粉である上記（１）または（２）の電子部品。
（５）  少なくともいずれかの層に１種または２種以上の難燃剤を含有する上記（１）〜（４）のいずれかの電子部品。
（６）  ５０ＭＨｚ以上の周波数帯で使用される上記（１）〜（５）のいずれかの電子部品。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明について詳細に説明する。
本発明の電子部品は、少なくともハイブリッド材により形成されている構成層と、この構成層の少なくとも１層に形成されている導電体層とを有し、この導電体層により所定の電気回路が構成され、前記ハイブリッド材は、少なくとも１種または２種以上の誘電体材料粉、１種または２種以上の磁性材料粉、および１種または２種以上の誘電体被覆金属粉、または１種または２種以上の絶縁体被覆磁性金属粉から選択される２種以上の材料粉と、樹脂材料とを含有するものである。
【００１１】
このように２種以上の種類の異なる粉体、また同種であっても組成、電気、磁気特性の異なる粉体と樹脂とを混合することによって、誘電率や透磁率の調整が容易となり、各種電子部品に合わせた特性に調整することができる。特に、波長短縮効果のある誘電率や透磁率を最適な値にすることにより、装置の小型化、薄型化が実現できる。また、比較的周波数の低い領域で良好な電気特性が得られる材料と、比較的周波数の高い領域で良好な電気特性が得られる材料とを組み合わせることにより、広い周波数帯域で良好な電気特性を得ることができる。
【００１２】
また、このようなハイブリッド層を用いて基板、電子部品を形成する場合、接着剤等を用いることなく、銅箔との接着やパターニングが実現でき、かつ多層化を実現することができる。こうしたパターニングや多層化処理は、通常の基板製造工程と同じ工程でできるので、コストダウンおよび作業性の改善を図ることができる。また、このようにして得られる基板による電子部品は、高強度で、高周波特性の向上したものである。
【００１３】
さらに、本発明を詳細に説明する。
電子部品、基板上での実行波長λは、λ＝λ０  ／（ε・μ）１／２
で与えられる。ここで、λ０  は実際の波長、ε、μは電子部品や基板の誘電率、透磁率である。従って、例えばλ／４の電子部品、回路を設計する場合、その回路を構成する部材のε、μを高めることで、長さλ／４が必要な部分を、ε、μの積の平方根で除した値だけ小さくすることができる。従って、電子部品、基板材料の少なくともε、μのいずれか一方、好ましくは双方を高めることにより電子部品、基板の大きさを小さくすることができる。
【００１４】
また、比較的周波数の低い領域で良好な電気特性が得られる材料と、比較的周波数の高い領域で良好な電気特性が得られる材料とを組み合わせることにより、広い周波数帯域、具体的には１〜２０００ＭＨｚ、特に５０〜１０００ＭＨｚの広い周波数帯域で良好なＨＰＦ等の電気特性を得ることができる。
【００１５】
具体的には、波長短縮効果だけを考えた場合、高誘電率材を樹脂材料に混合することにより目的を達成することが可能である。しかし、このような高誘電率材は高周波特性がさほど優れていないため、これを補う必要がある。そこで、高誘電率材、例えばＢａＴｉＯ３  、ＢａＺｒＯ３  等と共に、高周波特性に優れた磁性材料、例えばカーボニール鉄等を併用することにより、高周波領域においても所望の特性を得ることができる。
【００１６】
このような、波長短縮と高周波特性の必要な電子部品としては、積層フィルタ、バルントランス、誘電体フィルタ、カプラ、アンテナ、ＶＣＯ（電圧制御発振器）、ＲＦ（高周波）ユニット、共振器等を挙げることができる。
【００１７】
さらに、ある材料を用いて一つの電気的特性を高めるたとき、他の材料により不足した電気特性を補うことができる。
【００１８】
具体的には、単結晶フェライトを用いると高いＱが得られるが、それだけでは十分な波長短縮効果を得ることが困難である。そこで、誘電率材を併用することにより、高いＱと十分な波長短縮効果とを得ることができる。
【００１９】
次に、目的別による各材料の好ましい組み合わせについて説明する。
【００２０】
（１）高周波化、および小型化が主な目的の場合
この場合用いる誘電体材料粉は、誘電率７０００以上、好ましくは８０００以上の誘電材、例えばＢａＴｉＯ３  −ＢａＺｒＯ３  系が好ましい。また、これと組み合わせる磁性材料粉としては、カーボニール鉄が好ましい。また、これとは別に、あるいはこれと共に絶縁体被覆磁性金属粉を用いてもよい。この場合、内部金属が鉄、被覆誘電体層がＢａＴｉＯ３  系の絶縁体被覆磁性金属粉が特に好ましい。
【００２１】
（２）高いＱ、および小型化が主な目的の場合
この場合用いる誘電体材料粉は、誘電率７０００以上、好ましくは８０００以上の誘電材、例えばＢａＴｉＯ３  −ＢａＺｒＯ３  系が好ましい。また、これと組み合わせる磁性材料粉としては、単結晶Ｍｎ−Ｚｎフェライト、単結晶Ｎｉ−Ｚｎフェライトが好ましい。
【００２２】
（３）広帯域化が目的の場合
この場合用いる誘電体材料粉は、誘電率７０００以上、好ましくは８０００以上の誘電材、例えばＢａＴｉＯ３  −ＢａＺｒＯ３  系が好ましい。また、これと組み合わせる磁性材料粉としては、単結晶Ｎｉ−Ｚｎフェライト、および絶縁体被覆磁性金属粉、特に内部金属が鉄、被覆誘電体層がＢａＴｉＯ３  系の絶縁体被覆磁性金属粉が好ましい。あるいは磁性粉同士の組み合わせであってもよく、例えばカーボニール鉄と、単結晶Ｍｎ−Ｚｎフェライト等の組み合わせも好ましい。
【００２３】
これらは、総計６０質量％となるように含有させることが好ましく、特に各材料を５〜５０質量％含有させることが好ましい。
【００２４】
本発明の電子部品に用いられる樹脂は特に限定されるものではなく、成形性、加工性、積層時の接着性、電気的特性に優れた樹脂材料の中から適宜選択して用いることができる。具体的には、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等が好ましい。
【００２５】
熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビニルエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンエーテル（オキサイド）樹脂、ビスマレイミドトリアジン（シアネートエステル）樹脂、フマレート樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリビニルベンジルエーテル樹脂等が挙げられる。熱可塑性樹脂としては、芳香族ポリエステル樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンサルファイド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリテトラフルオロエチレン樹脂、グラフト樹脂等が挙げられる。これらのなかでも、特にフェノール樹脂、エポキシ樹脂、低誘電率エポキシ樹脂、ポリブタジエン樹脂、ＢＴレジン、ポリビニルベンジルエーテル樹脂等が、ベースレジンとして好ましい。
【００２６】
これらの樹脂は、単独で用いてもよいし、２種以上を混合して用いてもよい。２種以上を混合して用いる場合の混合比は任意である。
【００２７】
本発明に用いる誘電体材料粉はセラミクス粉末が好ましく、高周波数帯域において、分散媒となる樹脂よりも大きい比誘電率とＱを持つセラミクス粉末であればよく、２種類以上用いてもよい。
【００２８】
特に本発明に用いるセラミクス粉末は、比誘電率が１０〜２００００、誘電正接が０．０５以下のものを使用することが好ましい。
【００２９】
比較的高い誘電率を得るためには、特に以下の材料を用いることが好ましい。チタン−バリウム−ネオジウム系セラミックス、チタン−バリウム−スズ系セラミックス、鉛−カルシウム系セラミックス、二酸化チタン系セラミックス、チタン酸バリウム系セラミックス、チタン酸鉛系セラミックス、チタン酸ストロンチウム系セラミックス、チタン酸カルシウム系セラミックス、チタン酸ビスマス系セラミックス、チタン酸マグネシウム系セラミックス、ＣａＷＯ４  系セラミックス、Ｂａ（Ｍｇ，Ｎｂ）Ｏ３  系セラミックス、Ｂａ（Ｍｇ，Ｔａ）Ｏ３  系セラミックス、Ｂａ（Ｃｏ，Ｍｇ，Ｎｂ）Ｏ３  系セラミックス、Ｂａ（Ｃｏ，Ｍｇ，Ｔａ）Ｏ３  系セラミックス。なお、二酸化チタン系セラミックスとは、二酸化チタンのみを含有するもののほか、他の少量の添加物を含有するものも含み、二酸化チタンの結晶構造が保持されているものをいう。また、他のセラミックスも同様である。特に、二酸化チタン系セラミックスは、ルチル構造を有するものが好ましい。
【００３０】
誘電率をあまり高くせずに、高いＱを得るためには以下の材料を用いることが好ましい。
【００３１】
シリカ、アルミナ、ジルコニア、チタン酸カリウムウイスカ、チタン酸カルシウムウイスカ、チタン酸バリウムウイスカ、酸化亜鉛ウイスカ、ガラスチョップ、ガラスビーズ、カーボン繊維、酸化マグネシウム（タルク）。
【００３２】
これらは単独で用いてもよいし２種以上を混合して用いてもよい。２種以上を混合して用いる場合、その混合比は任意である。
【００３３】
セラミクス粉末の粒径は、樹脂との混練性等を考えると、平均粒径０．１〜１００μｍ  、特に０．２〜１００μｍ  程度が好ましい。粒径が小さくなると、粉末の表面積が増大し、分散、混合時の粘度、チクソ性が上昇し、高充填率化が困難となり、樹脂との混練がし難くなる。また、粒径が大きくなると、均一な分散・混合を行うことが困難となり、沈降が激しくなって不均一となり、粉末の含有量が多い組成の成形の際に、緻密な成型体を得られない。
【００３４】
一般に、上記セラミックの含有量は、樹脂とセラミクス粉末との合計量を１００体積％としたとき、セラミクス粉末１０体積％以上６５体積％未満であり、好ましくは２０体積％以上６０体積％以下の範囲である。
【００３５】
ハイブリッド材により形成されている構成層に含有されるセラミック粉末は高いＱとある程度の比誘電率を持つことを必要とする。特に２ＧＨｚでの比誘電率が５〜１００００、誘電正接が０．０１〜０．００００２であることが好ましく、さらにＱが２５０〜５００００であることが好ましい。このような構成により高いＱと比誘電率の複合誘電体を得ることが可能である。
【００３６】
ハイブリッド材により形成されている構成層に用いるセラミック粉末は、構成層全体の比誘電率が５〜２０、誘電正接が０．００２５〜０．００７５となるように含有されていればよい。
【００３７】
セラミクス粉末はサファイヤなどの単結晶粉末や多結晶のアルミナ粉末でもよく、これらも含めて、セラミクス粉末の種類は例えば以下の組成を主成分とする誘電体の粉末であることが好ましい。併せて２ＧＨｚにおける比誘電率εおよびＱ値を示す。
【００３８】
Ｍｇ２ＳｉＯ４［ε＝７、Ｑ＝２００００］、Ａｌ２Ｏ３［ε＝９．８、Ｑ＝４００００］、ＭｇＴｉＯ３［ε＝１７、Ｑ＝２２０００］、ＺｎＴｉＯ３［ε＝２６、Ｑ＝８００］、Ｚｎ２ＴｉＯ４［ε＝１５、Ｑ＝７００］、ＴｉＯ２［ε＝１０４、Ｑ＝１５０００］、ＣａＴｉＯ３［ε＝１７０、Ｑ＝１８００］、ＳｒＴｉＯ３［ε＝２５５、Ｑ＝７００］、ＳｒＺｒＯ３［ε＝３０、Ｑ＝１２００］、ＢａＴｉ２Ｏ５［ε＝４２、Ｑ＝５７００］、ＢａＴｉ４Ｏ９［ε＝３８、Ｑ＝９０００］、Ｂａ２Ｔｉ９Ｏ２０［ε＝３９、Ｑ＝９０００］、Ｂａ２（Ｔｉ，Ｓｎ）９Ｏ２０［ε＝３７、Ｑ＝５０００］、ＺｒＴｉＯ４［ε＝３９、Ｑ＝７０００］、（Ｚｒ，Ｓｎ）ＴｉＯ４［ε＝３８、Ｑ＝７０００］、ＢａＮｄ２Ｔｉ５Ｏ１４［ε＝８３、Ｑ＝２１００］、ＢａＳｍ２ＴｉＯ１４［ε＝７４、Ｑ＝２４００］、Ｂｉ２Ｏ３−ＢａＯ−Ｎｄ２Ｏ３−ＴｉＯ２系［ε＝８８、Ｑ＝２０００］、ＰｂＯ−ＢａＯ−Ｎｄ２Ｏ３−ＴｉＯ２系［ε＝９０、Ｑ＝５２００］、（Ｂｉ２Ｏ３、ＰｂＯ）−ＢａＯ−Ｎｄ２Ｏ３−ＴｉＯ２系［ε＝１０５、Ｑ＝２５００］、Ｌａ２Ｔｉ２Ｏ７［ε＝４４、Ｑ＝４０００］、Ｎｄ２Ｔｉ２Ｏ７［ε＝３７、Ｑ＝１１００］、（Ｌｉ，Ｓｍ）ＴｉＯ３［ε＝８１、Ｑ＝２０５０］、Ｂａ（Ｍｇ１／３Ｔａ２／３）Ｏ３［ε＝２５、Ｑ＝３５０００］、Ｂａ（Ｚｎ１／３Ｔａ２／３）Ｏ３［ε＝３０、Ｑ＝１４０００］、Ｂａ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３［ε＝４１、Ｑ＝９２００］、Ｓｒ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３［ε＝４０、Ｑ＝４０００］等。
【００３９】
より好ましくは、以下の組成を主成分とするものである。
ＴｉＯ２、ＣａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＢａＯ−Ｎｄ２Ｏ３−ＴｉＯ２系、Ｂｉ２Ｏ３−ＢａＯ−Ｎｄ２Ｏ３−ＴｉＯ２系、ＢａＴｉ４Ｏ９、Ｂａ２Ｔｉ９Ｏ２０、Ｂａ２（Ｔｉ，Ｓｎ）９Ｏ２０系、ＭｇＯ−ＴｉＯ２系、ＺｎＯ−ＴｉＯ２系、ＭｇＯ−ＳｉＯ２系、Ａｌ２Ｏ３  等。
【００４０】
セラミクスの含有量は、樹脂とセラミクス粉末との合計量を１００体積％としたとき、セラミクス粉末の含有量は１０体積％以上６５体積％未満であり、好ましくは２０体積％以上６０体積％以下の範囲である。
【００４１】
セラミクス粉末が６５体積％以上であると緻密な組成物が得られなくなる。また、セラミクス粉末を添加しない場合に比べて、Ｑが大きく低下することもある。一方、セラミクス粉末が１０体積％未満であると、セラミクス粉末を含有する効果があまりみられない。
【００４２】
本発明の電子部品は、各成分を上記の範囲内で適宜設定することにより、樹脂単体から得られる誘電率よりも大きくすることができ、必要に応じた比誘電率と高いＱを得ることが可能となる。
【００４３】
ＢａＴｉＯ３［ε＝１５００］、（Ｂａ，Ｐｂ）ＴｉＯ３系［ε＝６０００］、Ｂａ（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ３系［ε＝９０００］（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ３系［ε＝７０００］。
【００４４】
より好ましくは、以下の組成を主成分とする誘電体の粉末から選択される。
ＢａＴｉＯ３、Ｂａ（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ３系。
【００４５】
セラミクス粉末は単結晶や多結晶の粉末でもよい。
【００４６】
セラミクス粉末の粒径は、樹脂との混練性等を考えると、平均粒径０．２〜１００μｍ  程度が好ましく、粒径が小さくなると、樹脂との混練がしにくくなる。また、粒径が大きくなると、不均一となり、均一な分散を行うことができず、粉末の含有量が多い組成の成形の際に、緻密な成形体を得られない。
【００４７】
本発明の電子部品は、１種または２種以上の磁性材料粉、および１種または２種以上の誘電体被覆金属粉、または１種または２種以上の絶縁体被覆磁性金属粉を有していてもよい。
【００４８】
磁性材料であるフェライトとしては、Ｍｎ−Ｍｇ−Ｚｎ系、Ｎｉ−Ｚｎ系、Ｍｎ−Ｚｎ系などであり、特にこれらの単結晶、あるいはＭｎ−Ｍｇ−Ｚｎ系、Ｎｉ−Ｚｎ系などが好ましい。
【００４９】
磁性材料である強磁性金属としては、カーボニール鉄、鉄−シリコン系合金、鉄−アルミ−珪素系合金（商標名：センダスト）、鉄−ニッケル系合金（商標名：パーマロイ）、アモルファス系（鉄系、コバルト系）などが好ましい。
【００５０】
これらを粉末にするための手段は、粉砕、造粒など公知の方法に従えばよい。
【００５１】
磁性材料粉の粒径は０．０１〜１００μｍ  、特に０．０１〜５０μｍ  であることが好ましく、平均粒径は１〜５０μｍ  であることが好ましい。このような粒径とすることによって、磁性材料粉の分散性が良好となり、本発明の効果が向上する。これに対し、磁性材料粉の粒径がこれより小さいと、比表面積が大きくなり、高充填率化が困難になってくる。一方、これより大きくなるとペースト化した際に沈降し易くなり、均一に分散しにくくなってくる。また、肉薄の基板、プリプレグを形成しようとした場合に、表面の平滑性を得ることが困難になってくる。粒径をあまり小さくすることは実際上困難であり、０．０１μｍ  程度が限度である。
【００５２】
磁性材料粉の粒度は均一であることが好ましく、必要に応じ、ふるい分けなどにより粒度をそろえてもよい。磁性材料粉の形状は、球形、扁平、楕円形のいずれのものでも良く、その用途により使い分ければよい。また、必要に応じて表面に酸化、カップリング、有機絶縁材のコーティングなどの処理を施してもよい。
【００５３】
さらに、種類、粒度分布の異なる磁性材料粉を２種以上用いてもよい。その際の混合比は任意であり、用途により用いる材料、粒度分布、混合比を調整すればよい。
【００５４】
磁性材料粉の透磁率μは１０〜１００００００であることが好ましい。また、バルクの絶縁性は高い方が基板化した際の絶縁性が向上して好ましい。
【００５５】
誘電体被覆金属粉は、望ましくは噴霧熱分解法で製造される。噴霧熱分解法は、特公昭６３−３１５２２号公報や特開平６−１７２８０２号公報、特開平６−２７９８１６号公報等に記載されているように、１種又は２種以上の熱分解性金属化合物を含む溶液を噴霧して微細な液滴にし、その液滴を該金属化合物の分解温度より高い温度、望ましくは該金属の融点近傍又はそれ以上の高温で加熱し、金属化合物を熱分解して金属又は合金の粉末を析出させる方法である。
【００５６】
この方法によれば、結晶性が良く、高密度かつ高分散性の金属粉末又は合金粉末が得られ、粒径のコントロールも容易である他、原料の金属化合物溶液中に酸化物前駆体を添加しておくことにより、粉末の生成と同時にガラス被覆を行うことができ、新たに被覆工程を必要としないという優れた利点がある。即ち、噴霧熱分解法によって得られる金属粉末は結晶性が良好で、粒子内部に欠陥が少なく粒界をほとんど含まないので、熱分解により析出した酸化物は粒子内部には析出しにくく、金属粒子の表面に弾き出され、表面近傍に高濃度に偏析してセラミックス化する。しかも析出したセラミックス質は表面を比較的均一に覆うので、少量でも酸化や焼結に対する保護層として作用する。又噴霧熱分解法では、生成粒子の組成は基本的に溶液中の金属組成と一致するので、組成の抑制が容易であり、本発明の粉末の製造に適している。
【００５７】
誘電体被覆金属粉において、金属粉末としては、例えば銀、金、白金、パラジウム等の貴金属や銅、ニッケル、コバルト、鉄、アルミニウム、モリブデン、タングステン等の卑金属などいかなるものでも良く、また単一の金属のほか合金粉末や混合粉末も含む。特に銀粉末および銀−パラジウム等の銀合金粉末の場合に有効である。金属粉末の出発塩としては硝酸塩、硫酸塩、塩化物、アンモニウム塩、リン酸塩、カルボン酸塩、金属アルコラート、樹脂酸塩などの熱分解性塩の１種または２種以上や複塩や錯塩が使用される。２種以上の金属の塩を混合使用すれば合金粉末や混合粉末を得ることができる。
【００５８】
酸化物前駆体は、熱分解後生じる酸化物が、本法による金属粉末生成条件では金属粉末中にほとんど固溶せず、セラミックス化するようなものであれば制限はない。酸化物前駆体としては、例えば、硼酸、珪酸、燐酸や、各種硼酸塩、珪酸塩、燐酸塩、また種々の金属の硝酸塩、硫酸塩、塩化物、アンモニウム塩、燐酸塩、カルボン酸塩、アルコラート、樹脂酸塩などの熱分解性塩や、複塩、錯塩などから適宜選択されて使用される。
【００５９】
主成分金属化合物と酸化物前駆体の混合溶液は超音波式、二流体ノズル式等の噴霧器により微細な液滴とし、次いで金属化合物及び酸化物前駆体の分解温度より高い温度で加熱することにより熱分解を行う。加熱処理は主成分金属の融点又はそれ以上の高温で行うことが望ましいが、融点より２００℃程度低い温度でも十分弾き出しの効果が得られる。特に高密度、形状の均一性等が要求されない場合は融点より相当低い温度でも差支えない。加熱時の雰囲気は、金属や酸化物前駆体の種類、加熱温度などに応じて酸化性、還元性、不活性雰囲気が適宜選択される。
【００６０】
酸化物前駆体の添加量は、金属粉末に対して酸化物換算で０．０１重量％より少ないと効果がない。一方あまり多くなると表面に偏析しにくくなるので、析出するセラミックス質の密度にもよるが５０重量％程度までが実用的である。特に０．０５〜２０重量％の範囲で添加するのが望ましい。なお、必要であれば粉末生成後、表面に析出したセラミックス薄膜の少なくとも一部を洗浄又はエッチング等の方法で除去することにより、被覆量を調節することもできる。本発明の金属粉末を導電成分とする導体ペースト、抵抗ペースト等の厚膜ペーストは、常法に従って製造される。必要に応じて他の導電性粉末やセラミックス粉末等の無機結合剤、その他の添加剤を含有させてもよい。
【００６１】
本発明で用いる絶縁体被覆磁性金属粉は、上記誘電体被覆金属粉と同様に噴霧熱分解法で製造される。この場合、誘電体材料の代わりに絶縁材料で被覆し、中心の金属材料は磁性金属である。
【００６２】
中心の磁性金属としては、例えば、Ｆｅ、Ｎｉ、およびそれらを含む合金、特に少なくともＦｅを含む２種以上の成分からなる合金が好ましい。
【００６３】
磁性材料粉、誘電体被覆金属粉、絶縁体被覆磁性金属粉の粒径は０．０１〜１００μｍ  、特に０．０１〜５０μｍ  であることが好ましく、平均粒径は１〜５０μｍ  であることが好ましい。このような粒径とすることによって、磁性材料粉、誘電体被覆金属粉、絶縁体被覆磁性金属粉の分散性が良好となり、本発明の効果が向上する。これに対し、磁性材料粉、誘電体被覆金属粉、絶縁体被覆磁性金属粉の粒径がこれより小さいと、比表面積が大きくなり、高充填率化が困難になってくる。一方、これより大きくなるとペースト化した際に沈降し易くなり、均一に分散しにくくなってくる。また、肉薄の基板、プリプレグを形成しようとした場合に、表面の平滑性を得ることが困難になってくる。粒径をあまり小さくすることは実際上困難であり、０．０１μｍ  程度が限度である。
【００６４】
樹脂と磁性材料粉、誘電体被覆金属粉、絶縁体被覆磁性金属粉との混合比としては、形成される構成層全体の透磁率が３〜２０となるように添加されていればよい。特にガラスクロスなどに塗布するペースト段階で、樹脂と磁性材料粉、誘電体被覆金属粉、絶縁体被覆磁性金属粉との比率で示した場合、磁性材料粉、誘電体被覆金属粉、絶縁体被覆磁性金属粉の含有量は１０〜６５  体積％、特に２０〜６０  体積％であることが好ましい。このような磁性材料粉、誘電体被覆金属粉、絶縁体被覆磁性金属粉の含有量とすることで、構成層全体の透磁率が３〜２０となり、本発明の効果が向上する。これに対し、磁性材料粉、誘電体被覆金属粉、絶縁体被覆磁性金属粉の含有量が多くなるとスラリー化して塗工することが困難になり、電子部品、基板、プリプレグの作製が困難になる。一方、磁性材料粉の含有量が少なくなると透磁率を確保できなくなる場合があり、磁気特性が低下してしまう。
【００６５】
本発明に用いられる難燃剤としては、通常基板の難燃化のために用いられている種々の難燃剤を用いることができる。具体的には、ハロゲン化リン酸エステル、ブロム化エポキシ樹脂等のハロゲン化物、また、リン酸エステルアミド系等の有機化合物や、三酸化アンチモン、水素化アルミニウム等の無機材料を用いることができる。
【００６６】
本発明に用いられるガラスクロス等の強化繊維は、目的・用途に応じて種々のものであってよく、市販品をそのまま用いることができる。このときの強化繊維は、電気的な特性に応じてＥガラスクロス（ε＝７、ｔａｎδ＝０．００３、  １ＧＨｚ）、Ｄガラスクロス（ε＝４、ｔａｎδ＝０．００１３、  １ＧＨｚ）、Ｈガラスクロス（ε＝１１、ｔａｎδ＝０．００３、  １ＧＨｚ）等を使い分けてもよい。また、層間密着力向上のため、カップリング処理などを行ってもよい。その厚さは１００μｍ  以下、特に２０〜６０μｍ  であることが好ましい。布重量としては、１２０ｇ／ｍ２  以下、特に２０〜７０ｇ／ｍ２  が好ましい。
【００６７】
また、樹脂とガラスクロスとの配合比は、重量比で、樹脂／ガラスクロスが４／１〜１／１であることが好ましい。このような配合比とすることによって本発明の効果が向上する。これに対し、この比が小さくなって、エポキシ樹脂量が少なくなると銅箔との密着力が低下し、基板の平滑性に問題が生じる。逆にこの比が大きくなって、エポキシ樹脂量が多くなると使用できるガラスクロスの選択が困難となり、薄肉での強度の確保が困難となる。
【００６８】
使用する金属箔としては、金、銀、銅、アルミニウムなど導電率の良好な金属のなかから好適なものを用いればよい。これらのなかでも特に銅が好ましい。
【００６９】
金属箔を作製する方法としては、電解、圧延法等種々の公知の方法を用いることができるが、箔ピール強度をとりたい場合には電解箔を、高周波特性を重視したい場合には、表面凹凸による表皮効果の影響の少ない圧延箔を使用するとよい。
【００７０】
金属箔の厚みとしては、８〜７０μｍ  が好ましく、特に１２〜３５μｍ  が好ましい。
【００７１】
本発明において、電子部品の基礎となるプリプレグを得るには、所定の配合比とした誘電体材料粉、磁性材料粉、誘電体被覆金属粉、絶縁体被覆磁性金属粉、必要により難燃剤と樹脂とを含み、溶剤に混練してスラリー化したペーストを塗布して、乾燥（Ｂステージ化）する工程に従う。この場合に用いられる溶剤は揮発性溶剤が好ましく、上記極性中性溶媒が特に好ましく、ペーストの粘度を調整し塗工しやすくする目的で用いられる。混練はボールミル、撹拌等により公知の方法によって行えばよい。ペーストを金属箔上に塗工、またはガラスクロス上に含浸することにより、形成することができる。
【００７２】
プリプレグの乾燥（Ｂステージ化）は、含有する誘電体材料粉、磁性材料粉、誘電体被覆金属粉、絶縁体被覆磁性金属粉、必要により難燃剤の含有量などにより適宜調整すればよい。乾燥、Ｂステージ化した後の厚みは５０〜３００μｍ  程度が好ましく、その用途や要求される特性（パターン幅および精度、直流抵抗）等により最適な膜厚に調整すればよい。
【００７３】
プリプレグは、図５２または図５３に示すような方法により製造することができる。この場合、図５２の方法は比較的量産に適しており、図５３の方法は、膜厚制御を行い易く、特性の調整が比較的容易に行えるという特徴を有している。図５２において、（ａ）に示すように、ロール状に巻回されたガラスクロス１０１ａは、このロール１０１ａから繰り出され、ガイドローラ１１１を介して塗工槽１１０に搬送される。この塗工槽１１０には、溶剤中に分散されている誘電体材料粉、磁性材料粉、誘電体被覆金属粉、絶縁体被覆磁性金属粉、必要により難燃剤と樹脂がスラリー状調整されており、この塗工槽１１０をガラスクロスが通過すると、上記スラリー中に浸漬され、ガラスクロスに塗工されるとともに、その中のすきまが埋められることになる。
【００７４】
塗工槽１１０を通過したガラスクロスは、ガイドローラー１１２ａ，１１２ｂを介して乾燥炉１２０に導入される。乾燥炉に導入された樹脂含浸ガラスクロスは、所定の温度と時間乾燥され、Ｂステージ化されるとともに、ガイドローラー１２１により方向転換して巻取ローラ１３０に巻回される。
【００７５】
そして、所定の大きさに切断されると、（ｂ）に示すように、ガラスクロス１０１の両面に誘電体材料粉、磁性材料粉、誘電体被覆金属粉、絶縁体被覆磁性金属粉、必要により難燃剤を含有した樹脂１０２が配置されたプリプレグが得られる。
【００７６】
さらに、（ｃ）に示すように、得られたプリプレグの上下両面上に銅箔などの金属箔１０３を配置し、これを加熱・加圧プレスすると、（ｄ）に示すような両面金属箔付き基板が得られる。成形は条件をかえて複数段階に分けて行うことができる。なお、金属箔を設けない場合には、金属箔を配置することなく加熱・加圧プレスすればよい。
【００７７】
次に、図５３の製造方法について説明する。図５３において、（ａ）に示すように、誘電体材料粉、磁性材料粉、誘電体被覆金属粉、絶縁体被覆磁性金属粉、必要により難燃剤と樹脂を溶剤中に分散したスラリー１０２ａをドクターブレード１５０等によってクリアランスを一定に保ちながら銅箔などの金属箔上に塗工する。
【００７８】
そして、所定の大きさに切断されると、（ｂ）に示すように、金属箔１０３の上面に誘電体材料粉、磁性材料粉、誘電体被覆金属粉、絶縁体被覆磁性金属粉、必要により難燃剤を含有した樹脂１０２が配置されたプリプレグが得られる。
【００７９】
さらに、（ｃ）に示すように、ガラスクロス１０１の上下両面に得られたプリプレグ１０２，１０３をそれぞれ樹脂１０２側を内面にして配置し、これを加熱・加圧プレスすると、（ｄ）に示すような両面金属箔付き基板が得られる。加熱加圧条件は上記と同様でよい。
【００８０】
電子部品を構成する基板、およびプリプレグは、上記塗工法以外に材料を混練し、固体状とした混練物を成型することによっても得ることができる。この場合、原料が固体状であるため、厚みをとりやすく、比較的厚みのある基板、プリプレグを形成する方法として適している。
【００８１】
混練は、ボールミル、撹拌、混練機などの公知の方法で行えばよい。その際、必要により溶媒を用いてもよい。また、必要に応じてペレット化、粉末化してもよい。
【００８２】
この場合に得られるプリプレグの厚みとしては、０．０５〜５ｍｍ程度である。プリプレグの厚みは、所望する板厚、誘電体材料粉、磁性材料粉、誘電体被覆金属粉、絶縁体被覆磁性金属粉の含有率に応じて適宜調整すればよい。
【００８３】
さらに、上記同様に得られたプリプレグの上下両面上に銅箔などの金属箔を配置し、これを加熱・加圧プレスすると両面金属箔付き基板が得られる。成形は条件をかえて複数段階に分けて行うことができる。なお、金属箔を設けない場合には、金属箔を配置することなく加熱・加圧プレスすればよい。
【００８４】
このようにして得られる成形材料としての基板（有機複合材料）は、透磁率および誘電率の高周波数特性に優れる。また絶縁材として耐えうる絶縁特性に優れる。さらには、後述のように銅箔付基板とした場合、銅箔との接着強度が大きい。また半田耐熱性等の耐熱性に優れる。
【００８５】
本発明のプリプレグは銅箔と重ねて加熱加圧して成形することにより銅箔付基板を形成することができる。この場合の銅箔の厚さは１２〜３５μｍ  程度である。
【００８６】
このような銅箔付基板には、両面パターンニング基板や多層基板などがある。
【００８７】
図５４、図５５には両面パターンニング基板形成例の工程図を示す。図５４、図５５に示されるように、所定厚さのプリプレグ１と所定厚さの銅（Ｃｕ）箔２とを重ねて加圧加熱して成形する（工程Ａ）。次にスルーホールをドリリングにより形成する（工程Ｂ）。形成したスルーホールに銅（Ｃｕ）メッキを施し、メッキ膜４を形成する（工程Ｃ）。さらに両面の銅箔２にパターニングを施し、導体パターン２１を形成する（工程Ｄ）。その後、図５４に示されるように、外部端子等の接続のためのメッキを施す（工程Ｅ）。この場合のメッキはＮｉメッキ後にさらにＰｄメッキを施す方法、Ｎｉメッキ後にさらにＡｕメッキを施す方法（メッキは電解または無電解メッキ）、半田レベラーを用いる方法により行われる。
【００８８】
図５６、図５７には多層基板形成例の工程図であり、４層積層する例が示されている。図５６、図５７に示されるように、所定厚さのプリプレグ１と所定厚さの銅（Ｃｕ）箔２とを重ねて加圧加熱して成形する（工程ａ）。次に両面の銅箔２にパターニングを施し、導体パターン２１を形成する（工程ｂ）。このようにして得られた両面パターンニング基板の両面に、さらに所定厚さのプリプレグ１と銅箔２とを重ねて、同時に加圧加熱して成形する（工程ｃ）。次にスルーホールをドリリングにより形成する（工程ｄ）。形成したスルーホールに銅（Ｃｕ）メッキを施し、メッキ膜４を形成する（工程ｅ）。さらに両面の銅箔２にパターニングを施し、導体パターン２１を形成する（工程ｆ）。その後図５６に示されるように、外部端子との接続のためのメッキを施す（工程ｇ）。この場合のメッキはＮｉメッキ後にさらにＰｄメッキを施す方法、Ｎｉメッキ後にさらにＡｕメッキを施す方法（メッキは電解または無電解メッキ）、半田レベラーを用いる方法により行われる。
【００８９】
本発明では、前記例に限らず、種々の基板を形成することができる。例えば、成形材料としての基板や、銅箔付基板とプリプレグとを用い、プリプレグを接着層として多層化することも可能である。
【００９０】
また、プリプレグや成形材料としての基板と銅箔とを接着する態様において、前述の誘電体材料粉、磁性材料粉、誘電体被覆金属粉、絶縁体被覆磁性金属粉、必要により難燃剤と樹脂とブチルカルビトールアセテート等の高沸点溶剤とを混練して得られたハイブリッド材ペーストをパターニングした基板の上にスクリーン印刷等にて形成してもよく、これにより特性の向上を図ることができる。
【００９１】
このようなプリプレグ、銅箔付き基板、積層基板等と素子構成パターン、構成材料を組み合わせることにより、電子部品を得ることができる。
【００９２】
本発明の電子部品は、上記のようなコンデンサ（キャパシタ）、コイル（インダクタ）、フィルター等の他、これらと、あるいはそれ以外に配線パターン、増幅素子、機能素子を組み合わせ、アンテナや、ＲＦモジュール（ＲＦ増幅段）、ＶＣＯ（電圧制御発振回路）、パワーアンプ（電力増幅段）等の高周波電子回路、光ピックアップなどに用いられる重畳モジュール等の高周波用電子部品を得ることができる。
【００９３】
【実施例】
以下、本発明の具体的実験例、実施例を示し、本発明をさらに詳細に説明する。
＜実験例１＞
樹脂材料としてエポキシ樹脂（誘電率：４）を用意し、これに表１−１．１−２に示す誘電体材料粉、磁性材料粉、誘電体被覆金属粉、絶縁体被覆磁性金属粉を所定の割合で混合して得られたハイブリッド材の誘電率ε、Ｑをそれぞれ測定した。結果を表２に示す。
【００９４】
【表１】
0003546001.tif 000002
【００９５】
【表２】
0003546001.tif 000003
【００９６】
【表３】
0003546001.tif 000004
【００９７】
表２から明らかなように、用いる樹脂と、これに含有される誘電体材料粉、磁性材料粉、誘電体被覆金属粉、絶縁体被覆磁性金属粉の種類、含有量により、誘電率、Ｑを所定の値に調整できることがわかる。
【００９８】
＜実験例２＞
樹脂材料としてエポキシ樹脂（誘電率：４）を用意し、これに表３、４に示す添加量で単結晶フェライト（Ｎｉ−Ｚｎ、Ｍｎ−Ｚｎ）を混合して得られたハイブリッド材の誘電率εを測定した。単結晶Ｎｉ−Ｚｎフェライトの結果を表３に、単結晶Ｍｎ−Ｚｎフェライトの結果を表４に示す。
【００９９】
【表４】
0003546001.tif 000005
【０１００】
【表５】
0003546001.tif 000006
【０１０１】
表３，４から明らかなように、樹脂に含有される磁性材料粉の含有量により、１００ＭＨｚの高周波領域でも誘電率を所定の値に調整できることがわかる。
【０１０２】
さらに単結晶Ｎｉ−Ｚｎフェライト粉を４５体積％混合したハイブリッド材と、従来のＮｉ−Ｚｎフェライト破砕粉を４５体積％混合したハイブリッド材のＱの周波数特性を測定した。結果を図５１に示す。図５１から明らかなように、単結晶フェライトを用いたハイブリッド材は、高周波領域においてＱ特性が改善されていることがわかる。
【０１０３】
＜実施例１＞
図１〜図４は、本発明の第１の実施態様を示したバルントランスを示している。ここで図１は透過斜視図、図２は断面図、図３は各構成層の分解平面図、図４は等価回路図である。
【０１０４】
図１〜４において、バルントランス４０は、ハイブリッド材により形成されている構成層４０ａ〜４０ｏが積層された積層体の上下および中間に配置された内部ＧＮＤ導体４５と、この内部ＧＮＤ導体４５間に形成されている内部導体４３を有する。この内部導体４３は、λｇ  ／４長のスパイラル状導体４３を、図４の等価回路に示される結合ライン５３ａ〜５３ｄを構成するようにビアホール４４等で連結している。
【０１０５】
このバルントランス４０の構成層４０ａ〜４０ｏは、少なくとも１種または２種以上の誘電体材料粉、１種または２種以上の磁性材料粉、および１種または２種以上の誘電体被覆金属粉、または１種または２種以上の絶縁体被覆磁性金属粉から選択される２種以上の材料粉と、樹脂材料とを含有する。
【０１０６】
全ての層は、同じ構成材料により形成されている必要はなく、それぞれ異なっていてもよい。
【０１０７】
また、素体強度を保つために、前記樹脂中にガラスクロス材を埋設してもよい。
【０１０８】
バルントランスを設計するに当たって、小型化を考えると前記λｇ  ／４長の導体４３の長さを短くする必要がある。この長さは、ベース材料の誘電率ε、透磁率μにより、以下の式から導き出される。
λｇ  ＝λ０  ／（ε×μ）１／２
この式から明らかなように、長さを短くするためには、比誘電率ε、比透磁率μはできるだけ高い方がよい。従って、誘電体材料粉、磁性材料粉、誘電体被覆金属粉、および絶縁体被覆磁性金属粉を組み合わせることにより高比誘電率ε、高比透磁率μとすることができる。
【０１０９】
（１）使用周波数が高い場合、高周波特性のよい磁性材料粉を使用する必要がある。例えば、誘電体材料粉として、ＢａＴｉＯ３  −ＢａＺｒＯ３  系（誘電率：９０００）のものを、磁性材料粉として、カーボニール鉄を用いることにより、波長短縮効果が非常に高く、小型で高周波まで使用可能なバルントランスとすることができる。
（２）数十ＭＨｚ〜１００ＭＨｚの周波数帯域で用いる場合、単結晶フェライトとＢａＴｉＯ３  −ＢａＺｒＯ３  系（誘電率：９０００）誘電体材料粉とを用いることにより、小型、かつ上記周波数範囲で非常に特性の優れたバルントランスを得ることができる。
（３）広帯域で用いる場合、カーボニール鉄と、単結晶フェライトと、ＢａＴｉＯ３  −ＢａＺｒＯ３  系誘電体材料粉とを用いることにより、小型、かつ広帯域で特性の優れたバルントランスを得ることができる。
（４）要求特性が厳しく、高いＱを必要とされる場合、誘電体材料粉としてＢａＯ−ＴｉＯ２  −Ｎｄ２Ｏ３  系、またはＢａＯ−４ＴｉＯ２  系の材料を用いてＱ特性を向上させると共に、他の要求される特性に応じて、他の材料粉を混合することで、高いＱで良好な特性のバルントランスを得ることができる。
【０１１０】
＜実施例２＞
図５〜図８は、本発明の第２の実施態様を示した積層フィルターを示している。ここで図５は斜視図、図６は分解斜視図、図７は等価回路図、図８は伝達特性図である。なお、この積層フィルターは２ポールとして構成されている。
【０１１１】
図５〜８において、積層フィルター６０は、構成層６０ａ〜６０ｅが積層された積層体のほぼ中央に一対のストリップ線路６８と、一対のコンデンサ導体６７とを有する。コンデンサ導体６７は下部構成層群６０ｄ上に形成され、ストリップ線路６８はその上の構成層６０ｃ上に形成されている。構成層６０ｂおよび６０ｅの上部にはＧＮＤ導体６５が形成されていて、前記ストリップ線路６８とコンデンサ導体６７とを挟み込むようになっている。コンデンサ導体６７はそれぞれ端面に形成された端部電極（外部端子）６２とそれから僅かに上下面方向に形成されたランドパターン６１と接続されている。また、その両側面およびそこから僅かに上下面方向に形成されたＧＮＤパターン６６はＧＮＤ導体６５と接続されている。
【０１１２】
ストリップ線路６８は、図７の等価回路図に示されるλｇ  ／４長またはそれ以下の長さを有するストリップ線路７４ａ、７４ｂであり、コンデンサ導体６７は入出力結合容量Ｃｉを構成する。また、それぞれのストリップ線路７４ａ、７４ｂ間は、結合容量Ｃｍおよび結合係数Ｍにより結合されている。このような等価回路により、図８に示すような２ポール型の伝達特性を有する積層フィルタを得ることができる。
【０１１３】
この積層フィルターの構成層６０ａ〜６０ｅは、少なくとも１種または２種以上の誘電体材料粉、１種または２種以上の磁性材料粉、および１種または２種以上の誘電体被覆金属粉、または１種または２種以上の絶縁体被覆磁性金属粉から選択される２種以上の材料粉と、樹脂材料とを含有する。
【０１１４】
全ての層は、同じ構成材料により形成されている必要はなく、それぞれ異なっていてもよい。
【０１１５】
また、素体強度を保つために、前記樹脂中にガラスクロス材を埋設してもよい。
【０１１６】
積層フィルターを設計するに当たって、小型化を考えると前記λｇ  ／４長の導体の長さを短くする必要がある。この長さは、ベース材料の誘電率ε、透磁率μにより、以下の式から導き出される。
λｇ  ＝λ０  ／（ε×μ）１／２
この式から明らかなように、長さを短くするためには、比誘電率ε、比透磁率μはできるだけ高い方がよい。従って、誘電体材料粉、磁性材料粉、誘電体被覆金属粉、および絶縁体被覆磁性金属粉を組み合わせることにより高比誘電率ε、高比透磁率μとすることができる。
【０１１７】
（１）使用周波数が高い場合、高周波特性のよい磁性材料粉を使用する必要がある。例えば、誘電体材料粉として、ＢａＴｉＯ３  −ＢａＺｒＯ３  系（誘電率：９０００）のものを、磁性材料粉として、カーボニール鉄を用いることにより、波長短縮効果が非常に高く、小型で高周波まで使用可能な積層フィルターとすることができる。
（２）数十ＭＨｚ〜１００ＭＨｚの周波数帯域で用いる場合、単結晶フェライトとＢａＴｉＯ３  −ＢａＺｒＯ３  系（誘電率：９０００）誘電体材料粉とを用いることにより、小型、かつ上記周波数範囲で非常に特性の優れた積層フィルターを得ることができる。
（３）広帯域で用いる場合、カーボニール鉄と、単結晶フェライトと、ＢａＴｉＯ３  −ＢａＺｒＯ３  系誘電体材料粉とを用いることにより、小型、かつ広帯域で特性の優れた積層フィルターを得ることができる。
（４）要求特性が厳しく、高いＱを必要とされる場合、誘電体材料粉としてＢａＯ−ＴｉＯ２  −Ｎｄ２Ｏ３  系、またはＢａＯ−４ＴｉＯ２  系の材料を用いてＱ特性を向上させると共に、他の要求される特性に応じて、他の材料粉を混合することで、高いＱで良好な特性の積層フィルターを得ることができる。
【０１１８】
＜実施例３＞
図９〜図１２は、本発明の第３の実施態様を示した積層フィルターを示している。ここで図９は斜視図、図１０は分解斜視図、図１１は等価回路図、図１２は伝達特性図である。なお、この積層フィルターは４ポールとして構成されている。
【０１１９】
図９〜１２において、積層フィルター６０は、構成層６０ａ〜６０ｅが積層された積層体のほぼ中央に４つのストリップ線路６８と、一対のコンデンサ導体６７とを有する。このような４ポールの構成とすることにより、図１２に示されるような、より急峻な伝達特性を得ることができる。その他の構成要素は実施例２と同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
【０１２０】
＜実施例４＞
図１３〜図１８は、本発明の第４の実施態様を示したブロックフィルターを示している。ここで図１３は透過斜視図、図１４は正面図、図１５は側面断面図、図１６は平面断面図、図１７は等価回路図、図１８は金型の構造を示した透過側面図である。なお、このブロックフィルターは２ポールとして構成されている。
【０１２１】
図１３〜図１８において、ブロックフィルター８０は、構成ブロック８０ａに形成された一対の同軸導体８１とコンデンサ同軸導体８２とを有する。この同軸導体８１とコンデンサ同軸導体８２とは、構成ブロック８０ａをくりぬくように中空状に形成された導電体で構成されている。また、構成ブロック８０ａの周囲には、これを覆うように表面ＧＮＤ導体８７が形成されている。そしてコンデンサ同軸導体８２に対応する部分にコンデンサ導体８３が形成されている。また、コンデンサ導体８３と表面ＧＮＤ導体８７は、入出力端子、および部品固着用端子としても使用される。なお、同軸導体８１とコンデンサ同軸導体８２とは、構成ブロック８０ａをくりぬくように形成された中空状の孔の内部に、導電材料を無電解メッキ、蒸着などで付着させ伝送路を形成する。
【０１２２】
同軸導体８１は、図１７の等価回路図に示されるλｇ  ／４長またはそれ以下の長さを有する同軸線路９４ａ、９４ｂであり、それらを囲むようにＧＮＤ導体８７が形成されている。また、コンデンサ同軸導体８２とコンデンサ導体８３は入出力結合容量Ｃｉを構成する。また、それぞれの同軸導体８１間は、結合容量Ｃｍおよび結合係数Ｍにより結合されている。このような構成により、図１７に示すような等価回路となり、２ポール型の伝達特性を有するブロックフィルターを得ることができる。
【０１２３】
図１８はブロックフィルター８０の構成ブロック８０ａを形成するための金型の一例を示した概略断面図である。図において、金型は鉄などの金属ベース１０３に、樹脂注入口１０４および注入孔１０６が形成され、これと連結して部品形成部１０５ａ，１０５ｂが形成されている。構成ブロック８０ａを形成するためのハイブリッド材は、液体の状態で樹脂注入口１０４から注入され、注入孔１０６を通って部品形成部１０５ａ，１０５ｂに達する。そして、この金型の内部にハイブリッド材が満たされた状態で、冷却または加熱処理を行いハイブリッド材を固化して金型から取り出し、注入口などで硬化した不要な部分を切断する。こうして、図１３〜図１６に示される構成ブロック８０ａが形成される。
【０１２４】
このようにして形成された構成ブロック８０ａに、メッキ、エッチング、印刷、スパッタ、蒸着等の処理を行い、銅、金、パラジウム、白金、アルミニウム等により形成された表面ＧＮＤ導体８７、同軸導体８１とコンデンサ同軸導体８２等を形成する。
【０１２５】
このブロックフィルターの構成ブロック８０ａは、少なくとも１種または２種以上の誘電体材料粉、１種または２種以上の磁性材料粉、および１種または２種以上の誘電体被覆金属粉、または１種または２種以上の絶縁体被覆磁性金属粉から選択される２種以上の材料粉と、樹脂材料とを含有する。
【０１２６】
ブロックフィルターを設計するに当たって、以下のような用途別に、誘電体材料粉、磁性材料粉、誘電体被覆金属粉、および絶縁体被覆磁性金属粉を組み合わせることが好ましい。
【０１２７】
（１）使用周波数が高い場合、高周波特性のよい磁性材料粉を使用する必要がある。例えば、誘電体材料粉として、ＢａＴｉＯ３  −ＢａＺｒＯ３  系（誘電率：９０００）のものを、磁性材料粉として、カーボニール鉄を用いることにより、波長短縮効果が非常に高く、小型で高周波まで使用可能なブロックフィルターとすることができる。
（２）数十ＭＨｚ〜１００ＭＨｚの周波数帯域で用いる場合、単結晶フェライトとＢａＴｉＯ３  −ＢａＺｒＯ３  系（誘電率：９０００）誘電体材料粉とを用いることにより、小型、かつ上記周波数範囲で非常に特性の優れたブロックフィルターを得ることができる。
（３）広帯域で用いる場合、カーボニール鉄と、単結晶フェライトと、ＢａＴｉＯ３  −ＢａＺｒＯ３  系誘電体材料粉とを用いることにより、小型、かつ広帯域で特性の優れたブロックフィルターを得ることができる。
（４）要求特性が厳しく、高いＱを必要とされる場合、誘電体材料粉としてＢａＯ−ＴｉＯ２  −Ｎｄ２Ｏ３  系、またはＢａＯ−４ＴｉＯ２  系の材料を用いてＱ特性を向上させると共に、他の要求される特性に応じて、他の材料粉を混合することで、高いＱで良好な特性のブロックフィルターを得ることができる。
【０１２８】
＜実施例５＞
図１９〜図２３は、本発明の第５の実施態様を示したカプラを示している。ここで図１９は透過斜視図、図２０は断面図、図２１は各構成層の分解平面図、図２２は内部結線図、図２３は等価回路図である。
【０１２９】
図１９〜２３において、カプラ１１０は、ハイブリッド材により形成されている構成層１１０ａ〜１１０ｃが積層された積層体の上下に形成、配置された内部ＧＮＤ導体１１５と、この内部ＧＮＤ導体１１５間に形成されている内部導体１１３を有する。この内部導体１１３は、２つのコイルによりトランスが構成されるようにスパイラル状にビアホール１１４等で連結している。また。形成されたコイルの終端と、内部ＧＮＤ導体１１５とは、図２２に示すように、それぞれ端面に形成された貫通ビア１１２とそれから僅かに上下面方向に形成されたランドパターン１１１と接続されている。このように構成することにより、図２３の等価回路図で示すように、２つのコイル１２５ａ，１２５ｂが結合したカプラ１１０が得られる。
【０１３０】
このカプラ１１０の構成層１１０ａ〜１１０ｃは、少なくとも１種または２種以上の誘電体材料粉、１種または２種以上の磁性材料粉、および１種または２種以上の誘電体被覆金属粉、または１種または２種以上の絶縁体被覆磁性金属粉から選択される２種以上の材料粉と、樹脂材料とを含有する。
【０１３１】
カプラを設計するに当たって、用途別に以下のような誘電体材料粉、磁性材料粉、誘電体被覆金属粉、および絶縁体被覆磁性金属粉を組み合わせることが好ましい。
【０１３２】
（１）使用周波数が高い場合、高周波特性のよい磁性材料粉を使用する必要がある。例えば、誘電体材料粉として、ＢａＴｉＯ３  −ＢａＺｒＯ３  系（誘電率：９０００）のものを、磁性材料粉として、カーボニール鉄を用いることにより、波長短縮効果が非常に高く、小型で高周波まで使用可能なカプラとすることができる。
（２）数十ＭＨｚ〜１００ＭＨｚの周波数帯域で用いる場合、単結晶フェライトとＢａＴｉＯ３  −ＢａＺｒＯ３  系（誘電率：９０００）誘電体材料粉とを用いることにより、小型、かつ上記周波数範囲で非常に特性の優れたブロックフィルターを得ることができる。
（３）広帯域で用いる場合、カーボニール鉄と、単結晶フェライトと、ＢａＴｉＯ３  −ＢａＺｒＯ３  系誘電体材料粉とを用いることにより、小型、かつ広帯域で特性の優れたブロックフィルターを得ることができる。
（４）要求特性が厳しく、高いＱを必要とされる場合、誘電体材料粉としてＢａＯ−ＴｉＯ２  −Ｎｄ２Ｏ３  系、またはＢａＯ−４ＴｉＯ２  系の材料を用いてＱ特性を向上させると共に、他の要求される特性に応じて、他の材料粉を混合することで、高いＱで良好な特性のブロックフィルターを得ることができる。
【０１３３】
＜実施例６＞
図２４〜図２６は、本発明の第６の実施態様であるアンテナを示した図であり、図２４は透視斜視図、図２５（ａ）は平面図、（ｂ）は側面断面図、（ｃ）は正面断面図、図２６は各構成層の分解斜視図を表している。
【０１３４】
図において、アンテナ１３０は本発明のハイブリッド材により形成されている構成層（プリプレグないし基板）１３０ａ〜１３０ｃと、この構成層１３０ｂと１３０ｃ上にそれぞれ形成されている内部導体（アンテナパターン）１３３を有する。また、この内部導体１３３の終端部は、アンテナの端面に形成された貫通ビア１３２およびそれから僅かに上下面方向に形成されたランドパターン１３１と接続されている。この例では内部導体１３３は、使用周波数に対し、約λｇ  ／４長となるようなリアクタンス素子として構成され、ミアンダ状に形成されている。
【０１３５】
このアンテナ１３０の構成層１３０ａ〜１３０ｃには、少なくとも１種または２種以上の誘電体材料粉、１種または２種以上の磁性材料粉、および１種または２種以上の誘電体被覆金属粉、または１種または２種以上の絶縁体被覆磁性金属粉から選択される２種以上の材料粉と、樹脂材料とを含有する。
【０１３６】
また、素体強度を保つために、前記樹脂中にガラスクロス材を埋設してもよい。
【０１３７】
アンテナを設計するに当たって、比誘電率ε、比透磁率μはできるだけ高い方がよい。従って、誘電体材料粉、磁性材料粉、誘電体被覆金属粉、および絶縁体被覆磁性金属粉を組み合わせることにより高比誘電率ε、高比透磁率μとすることができる。また、用途別に以下のような誘電体材料粉、磁性材料粉、誘電体被覆金属粉、および絶縁体被覆磁性金属粉を組み合わせることが好ましい。
【０１３８】
（１）使用周波数が高い場合、高周波特性のよい磁性材料粉を使用する必要がある。例えば、誘電体材料粉として、ＢａＴｉＯ３  −ＢａＺｒＯ３  系（誘電率：９０００）のものを、磁性材料粉として、カーボニール鉄を用いることにより、波長短縮効果が非常に高く、小型で高周波まで使用可能なアンテナとすることができる。
（２）数十ＭＨｚ〜１００ＭＨｚの周波数帯域で用いる場合、単結晶フェライトとＢａＴｉＯ３  −ＢａＺｒＯ３  系（誘電率：９０００）誘電体材料粉とを用いることにより、小型、かつ上記周波数範囲で非常に特性の優れたアンテナを得ることができる。
（３）広帯域で用いる場合、カーボニール鉄と、単結晶フェライトと、ＢａＴｉＯ３  −ＢａＺｒＯ３  系誘電体材料粉とを用いることにより、小型、かつ広帯域で特性の優れたアンテナを得ることができる。
（４）要求特性が厳しく、高いＱを必要とされる場合、誘電体材料粉としてＢａＯ−ＴｉＯ２  −Ｎｄ２Ｏ３  系、またはＢａＯ−４ＴｉＯ２  系の材料を用いてＱ特性を向上させると共に、他の要求される特性に応じて、他の材料粉を混合することで、高いＱで良好な特性のアンテナを得ることができる。
【０１３９】
＜実施例７＞
図２７、図２８は、本発明の第７の実施態様を示したアンテナを示している。ここで図２７は透過斜視図、図２８は分解斜視図である。なお、この例のアンテナはヘリカル状の内部電極を有するアンテナとして構成されている。
【０１４０】
図２７、２８において、アンテナ１４０は、本発明のハイブリッド材により形成されている構成層（プリプレグないし基板）１４０ａ〜１４０ｃと、この構成層１４０ｂと１４０ｃ上にそれぞれ形成されている内部導体（アンテナパターン）１４３ａ，１４３ｂを有する。そして、上下の内部導体１４３ａ，１４３ｂはビアホール１４４にて接続され、ヘリカル状のインダクタンス素子を形成するようになっている。その他の構成要素は実施例６と同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
【０１４１】
＜実施例８＞
図２９、図３０は、本発明の第８の実施態様であるパッチアンテナを示した図であり、図２９は透視斜視図、図３０は断面図を表している。
【０１４２】
図において、パッチアンテナ１５０はハイブリッド材により形成されている構成層（プリプレグないし基板）１５０ａと、この構成層１５０ａ上に形成されているパッチ導体１５９（アンテナパターン）と、このパッチ導体１５９に対向するように構成層１５０ａの底面に形成されたＧＮＤ導体１５５とを有する。また、パッチ導体１５９には給電用のスルー導体１５４が給電部１５３で接続され、このスルー導体１５４はＧＮＤ導体１５５とは接続されないようにＧＮＤ導体１５５との間にギャップ１５６が設けられている。このため、ＧＮＤ導体１５５の下部からスルー導体１５４を通って給電が行われるようになっている。
【０１４３】
このパッチアンテナ１５０の構成層１５０ａには、少なくとも１種または２種以上の誘電体材料粉、１種または２種以上の磁性材料粉、および１種または２種以上の誘電体被覆金属粉、または１種または２種以上の絶縁体被覆磁性金属粉から選択される２種以上の材料粉と、樹脂材料とを含有する。
【０１４４】
また、素体強度を保つために、前記樹脂中にガラスクロス材を埋設してもよい。
【０１４５】
アンテナを設計するに当たって、比誘電率ε、比透磁率μはできるだけ高い方がよい。従って、誘電体材料粉、磁性材料粉、誘電体被覆金属粉、および絶縁体被覆磁性金属粉を組み合わせることにより高比誘電率ε、高比透磁率μとすることができる。また、用途別に以下のような誘電体材料粉、磁性材料粉、誘電体被覆金属粉、および絶縁体被覆磁性金属粉を組み合わせることが好ましい。
【０１４６】
（１）使用周波数が高い場合、高周波特性のよい磁性材料粉を使用する必要がある。例えば、誘電体材料粉として、ＢａＴｉＯ３  −ＢａＺｒＯ３  系（誘電率：９０００）のものを、磁性材料粉として、カーボニール鉄を用いることにより、波長短縮効果が非常に高く、小型で高周波まで使用可能なアンテナとすることができる。
（２）数十ＭＨｚ〜１００ＭＨｚの周波数帯域で用いる場合、単結晶フェライトとＢａＴｉＯ３  −ＢａＺｒＯ３  系（誘電率：９０００）誘電体材料粉とを用いることにより、小型、かつ上記周波数範囲で非常に特性の優れたアンテナを得ることができる。
（３）広帯域で用いる場合、カーボニール鉄と、単結晶フェライトと、ＢａＴｉＯ３  −ＢａＺｒＯ３  系誘電体材料粉とを用いることにより、小型、かつ広帯域で特性の優れたアンテナを得ることができる。
（４）要求特性が厳しく、高いＱを必要とされる場合、誘電体材料粉としてＢａＯ−ＴｉＯ２  −Ｎｄ２Ｏ３  系、またはＢａＯ−４ＴｉＯ２  系の材料を用いてＱ特性を向上させると共に、他の要求される特性に応じて、他の材料粉を混合することで、高いＱで良好な特性のアンテナを得ることができる。
【０１４７】
＜実施例９＞
図３１、図３２は、本発明の第９の実施態様であるパッチアンテナを示した図であり、図３１は透視斜視図、図３２は断面図を表している。
【０１４８】
図において、パッチアンテナ１６０は本発明のハイブリッド材により形成されている構成層（プリプレグないし基板）１６０ａと、この構成層１６０ａ上に形成されているパッチ導体１６９（アンテナパターン）と、このパッチ導体１６９に対向するように構成層１６０ａの底面に形成されたＧＮＤ導体１６５とを有する。また、パッチ導体１６９の近傍にこれと接触しないように給電用の給電導体１６１が配置され、給電端子１６２を介してこれから給電が行われるようになっている。給電端子１６２は、メッキ、ターミネート、印刷、スパッタ、蒸着等の処理を行い、銅、金、パラジウム、白金、アルミニウム等により形成することができる。その他の構成要素は実施例８と同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
【０１４９】
＜実施例１０＞
図３３、図３４は、本発明の第１０の実施態様である多層型のパッチアンテナを示した図であり、図３３は透視斜視図、図３４は断面図を表している。
【０１５０】
図において、パッチアンテナ１７０は、ハイブリッド材により形成されている構成層（プリプレグないし基板）１５０ａ、１５０ｂと、この構成層１５０ａ、１５０ｂ上に形成されているパッチ導体１５９ａ，１５９ｅと、このパッチ導体１５９ａ，１５９ｅに対向するように構成層１５０ｂの底面に形成されたＧＮＤ導体１５５とを有する。また、パッチ導体１５９ａには給電用のスルー導体１５４が給電部１５３ａで接続され、このスルー導体１５４はＧＮＤ導体１５５およびパッチ導体１５９ｅとは接続されないようにＧＮＤ導体１５５およびパッチ導体１５９ｅとの間にギャップ１５６が設けられている。このため、ＧＮＤ導体１５５の下部からスルー導体１５４を通ってパッチ導体１５９ａに給電が行われるようになっている。このときパッチ導体１５９ｅにはパッチ導体１５９ａとの容量結合およびスルー導体１５４とのギャップによって形成される容量により給電される。その他の構成要素は実施例９と同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
【０１５１】
＜実施例１１＞
図３５、図３６は本発明の第１１の実施態様である多連型のパッチアンテナを示したであり、図３５は透視斜視図、図３６は断面図を表している。
【０１５２】
この例では、実施例１０において単独で構成されていたパッチアンテナを、複数アレイ状に並べて４連とした態様を表している。図において、ハイブリッド材により形成されている構成層１５０ａ、１５０ｂと、この構成層１５０ａ上に形成されているパッチ導体１５９ａ、１５９ｂ、１５９ｃ、１５９ｄと、構成層１５０ｂ上に形成されているパッチ導体１５９ｅ、１５９ｆ、１５９ｇ、１５９ｈと、このパッチ導体１５９ａ〜１５９ｈに対向するように構成層１５０ｂの底面に形成されたＧＮＤ導体１５５とを有する。その他の構成要素は実施例１０と同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
【０１５３】
このようにアレイ状に形成することにより、セットの小型化と部品点数の削減が可能となる。
【０１５４】
＜実施例１２＞
図３７〜図３９は、本発明の第１２の実施態様を示したＶＣＯ（電圧制御発振器）を示している。ここで図３７は透過斜視図、図３８は断面図、図３９は等価回路図である。
【０１５５】
図３７〜３９において、ＶＣＯは、構成層２１０ａ〜２１０ｇが積層された積層体の上に形成、配置されたコンデンサ、インダクタ、半導体、レジスタ等の電子部品２６１と、この構成層２１０ａ〜２１０ｇ中およびその上下面に形成されている導体パターン２６２，２６３，２６４を有する。このＶＣＯは図３９に示すような等価回路により構成されているため、ストリップライン２６３、コンデンサ、信号線、半導体、電源ラインなどを有する。このため、それぞれの機能に適した材料で構成層を形成するのが効果的である。
【０１５６】
構成層２１０ａ〜２１０ｇには、少なくとも１種または２種以上の誘電体材料粉、１種または２種以上の磁性材料粉、および１種または２種以上の誘電体被覆金属粉、または１種または２種以上の絶縁体被覆磁性金属粉から選択される２種以上の材料粉と、樹脂材料とを含有する層を有する。
【０１５７】
全ての層は、同じ構成材料により形成されている必要はなく、それぞれ異なっていてもよい。
【０１５８】
また、素体強度を保つために、前記樹脂中にガラスクロス材を埋設してもよい。
【０１５９】
特に、ＶＣＯの場合、図３９の等価回路に示すような共振器、コンデンサ、インダクタ、信号線、半導体への電源ライン等から構成されている。このため、それぞれの機能に適した材料を構成層毎に使用するのが効果的である。
【０１６０】
ここでは、共振器の層２１０ｆ、２１０ｇには、本発明の少なくとも１種または２種以上の誘電体材料粉、１種または２種以上の磁性材料粉、および１種または２種以上の誘電体被覆金属粉、または１種または２種以上の絶縁体被覆磁性金属粉から選択される２種以上の材料粉と、樹脂材料とを含有する層が効果的である。
【０１６１】
コンデンサ構成層２１０ｃ〜２１０ｅには、誘電正接が０．００７５〜０．０２５、比誘電率が５〜４０となるようなセラミック破砕粉をコンポジットしたハイブリッド材を用いることが好ましい。配線、およびインダクタ構成層２１０ａ，２１０ｂには、誘電正接が０．００２５〜０．００７５、比誘電率が２．６〜３．５の樹脂材料（材料粉を含まない）を用いることが好ましい。
【０１６２】
各構成層２１０ａ〜２１０ｇの表面には、内部導体であるストリップライン２６３、ＧＮＤ導体２６２、コンデンサ導体２６４，配線インダクタ導体２６５、および端子導体２６６が形成されている。また、それぞれの内部導体はビアホール２１４により上下に接続され、表面にはマウントされた電子部品２６１が搭載されて図３９の等価回路に示すようなＶＣＯが形成される。
【０１６３】
ＶＣＯの形状を決定する要因として、共振器の影響が極めて大きい。従って、共振器をできるだけ小さくするためには、比誘電率ε、比透磁率μはできるだけ高い方がよい。従って、誘電体材料粉、磁性材料粉、誘電体被覆金属粉、および絶縁体被覆磁性金属粉を組み合わせることにより高比誘電率ε、高比透磁率μとすることができる。また、用途別に以下のような誘電体材料粉、磁性材料粉、誘電体被覆金属粉、および絶縁体被覆磁性金属粉を組み合わせることが好ましい。
【０１６４】
（１）使用周波数が高い場合、高周波特性のよい磁性材料粉を使用する必要がある。例えば、誘電体材料粉として、ＢａＴｉＯ３  −ＢａＺｒＯ３  系（誘電率：９０００）のものを、磁性材料粉として、カーボニール鉄を用いることにより、波長短縮効果が非常に高く、小型で高周波まで使用可能な共振器とすることができる。
（２）数十ＭＨｚ〜１００ＭＨｚの周波数帯域で用いる場合、単結晶フェライトとＢａＴｉＯ３  −ＢａＺｒＯ３  系（誘電率：９０００）誘電体材料粉とを用いることにより、小型、かつ上記周波数範囲で非常に特性の優れた共振器を得ることができる。
（３）広帯域で用いる場合、カーボニール鉄と、単結晶フェライトと、ＢａＴｉＯ３  −ＢａＺｒＯ３  系誘電体材料粉とを用いることにより、小型、かつ広帯域で特性の優れた共振器を得ることができる。
（４）要求特性が厳しく、高いＱを必要とされる場合、誘電体材料粉としてＢａＯ−ＴｉＯ２  −Ｎｄ２Ｏ３  系、またはＢａＯ−４ＴｉＯ２  系の材料を用いてＱ特性を向上させると共に、他の要求される特性に応じて、他の材料粉を混合することで、高いＱで良好な特性の共振器を得ることができる。
【０１６５】
このように構成することにより、それぞれの機能に適した誘電率、Ｑ、誘電正接とすることができ、高性能化、小型、薄型化が可能となる。
【０１６６】
＜実施例１３＞
図４０〜図４３は、本発明の第１３の実施態様を示したＲＦモジュールを示している。ここで図４０は斜視図、図４１は外装部材を外した状態での斜視図、図４２は各構成層の分解斜視図、図４３は断面図である。
【０１６７】
図４０〜４３において、ＲＦモジュールは、構成層５００ａ〜５００ｉが積層された積層体の上に形成、配置されたコンデンサ、インダクタ、半導体、レジスタ等の電子部品５６１と、この構成層５００ａ〜５００ｉ中およびその上下面に形成されている導体パターン５１３，５１５、５７２と、アンテナパターン５７３を有する。このＲＦモジュールは、上記のようにインダクタ、コンデンサ、信号線、半導体への電源ラインなどを有する。このため、それぞれの機能に適した材料で構成層を形成するのが効果的である。
【０１６８】
この例では、アンテナ構成、ストリップライン構成および配線構成層５００ａ〜５００ｄ、５００ｇには、使用する周波数に合わせて調整された本発明の少なくとも１種または２種以上の誘電体材料粉、１種または２種以上の磁性材料粉、および１種または２種以上の誘電体被覆金属粉、または１種または２種以上の絶縁体被覆磁性金属粉から選択される２種以上の材料粉と、樹脂材料とを含有する層が効果的である。
【０１６９】
コンデンサ構成層５００ｅ〜５００ｆには、誘電正接が０．００７５〜０．０２５、比誘電率が１０〜４０となるような誘電体セラミック破砕粉を含有するハイブリット材を用いることが好ましい。電源ライン層５００ｈ〜５００ｉには、透磁率が３〜２０となるように調整されたフェライト磁性材料粉を含有するハイブリッド材を用いることが好ましい。
【０１７０】
そして、これらの構成層５００ａ〜５００ｉの表面には、内部導体５１３、ＧＮＤ導体５１５、アンテナ導体５７３等が形成されている。また、それぞれの内部導体はビアホール５１４により上下に接続され、表面にはマウントされた電子部品５６１が搭載されてＲＦモジュールが形成される。
【０１７１】
このように構成することにより、それぞれの機能に適した誘電率、Ｑ、誘電正接とすることができ、高性能化、小型、薄型化が可能となる。
【０１７２】
＜実施例１４＞
図４４、図４５は、本発明の第１４の実施態様を示した共振器を示している。ここで図４４は透過斜視図、図４５は断面図である。
【０１７３】
図４４、４５において、共振器は、ベース材６１０に貫通孔状の同軸型導電体６４１が形成されている。その形成方法は、実施例４のブロックフィルタと同様である。すなわち、金型成形されたベース材６１０に、メッキ、エッチング、印刷、スパッタ、蒸着等の処理を行い、銅、金、パラジウム、白金、アルミニウム等により形成された表面ＧＮＤ導体６４７、およびこの表面ＧＮＤ導体６４７と端部電極６８２で接続された同軸導体６４１と、同軸導体６４１と接続されている共振器用ＨＯＴ端子６８１等を形成する。そして、同軸導体６４１は、ある特性インピーダンスを有する同軸型線路であり、これらを囲むように表面ＧＮＤ導体６４７が形成されている。
【０１７４】
この共振器のベース材６１０は、少なくとも１種または２種以上の誘電体材料粉、１種または２種以上の磁性材料粉、および１種または２種以上の誘電体被覆金属粉、または１種または２種以上の絶縁体被覆磁性金属粉から選択される２種以上の材料粉と、樹脂材料とを含有する。
【０１７５】
共振器を設計するに当たって、比誘電率、比透磁率はできるだけ大きい方がよい。また、用途別に以下のような誘電体材料粉、磁性材料粉、誘電体被覆金属粉、および絶縁体被覆磁性金属粉を組み合わせることが好ましい。
【０１７６】
（１）使用周波数が高い場合、高周波特性のよい磁性材料粉を使用する必要がある。例えば、誘電体材料粉として、ＢａＴｉＯ３  −ＢａＺｒＯ３  系（誘電率：９０００）のものを、磁性材料粉として、カーボニール鉄を用いることにより、波長短縮効果が非常に高く、小型で高周波まで使用可能な共振器とすることができる。
（２）数十ＭＨｚ〜１００ＭＨｚの周波数帯域で用いる場合、単結晶フェライトとＢａＴｉＯ３  −ＢａＺｒＯ３  系（誘電率：９０００）誘電体材料粉とを用いることにより、小型、かつ上記周波数範囲で非常に特性の優れた共振器を得ることができる。
（３）広帯域で用いる場合、カーボニール鉄と、単結晶フェライトと、ＢａＴｉＯ３  −ＢａＺｒＯ３  系誘電体材料粉とを用いることにより、小型、かつ広帯域で特性の優れた共振器を得ることができる。
（４）要求特性が厳しく、高いＱを必要とされる場合、誘電体材料粉としてＢａＯ−ＴｉＯ２  −Ｎｄ２Ｏ３  系、またはＢａＯ−４ＴｉＯ２  系の材料を用いてＱ特性を向上させると共に、他の要求される特性に応じて、他の材料粉を混合することで、高いＱで良好な特性の共振器を得ることができる。
【０１７７】
＜実施例１５＞
図４６、図４７は、本発明の第１５の実施態様を示したストリップ共振器を示している。ここで図４６は透過斜視図、図４７は断面図である。
【０１７８】
図４６、４７において、ストリップ共振器は、長方形のストリップ導体７８４と、これを構成層７１０を介して上下面より挟み込むようにして配置された矩形状のＧＮＤ導体７８３とを有する。また、ストリップ導体７８４両端には共振器用共振器用ＨＯＴ端子７８１、およびＧＮＤ端子７８２が形成され接続されている。
【０１７９】
この共振器の構成層７１０の材料は、少なくとも１種または２種以上の誘電体材料粉、１種または２種以上の磁性材料粉、および１種または２種以上の誘電体被覆金属粉、または１種または２種以上の絶縁体被覆磁性金属粉から選択される２種以上の材料粉と、樹脂材料とを含有する。
【０１８０】
また、素体強度を保つために、前記樹脂中にガラスクロス材を埋設してもよい。
【０１８１】
共振器を設計するに当たって、比誘電率、比透磁率はできるだけ大きい方がよい。また、用途別に以下のような誘電体材料粉、磁性材料粉、誘電体被覆金属粉、および絶縁体被覆磁性金属粉を組み合わせることが好ましい。
【０１８２】
（１）使用周波数が高い場合、高周波特性のよい磁性材料粉を使用する必要がある。例えば、誘電体材料粉として、ＢａＴｉＯ３  −ＢａＺｒＯ３  系（誘電率：９０００）のものを、磁性材料粉として、カーボニール鉄を用いることにより、波長短縮効果が非常に高く、小型で高周波まで使用可能な共振器とすることができる。
（２）数十ＭＨｚ〜１００ＭＨｚの周波数帯域で用いる場合、単結晶フェライトとＢａＴｉＯ３  −ＢａＺｒＯ３  系（誘電率：９０００）誘電体材料粉とを用いることにより、小型、かつ上記周波数範囲で非常に特性の優れた共振器を得ることができる。
（３）広帯域で用いる場合、カーボニール鉄と、単結晶フェライトと、ＢａＴｉＯ３  −ＢａＺｒＯ３  系誘電体材料粉とを用いることにより、小型、かつ広帯域で特性の優れた共振器を得ることができる。
（４）要求特性が厳しく、高いＱを必要とされる場合、誘電体材料粉としてＢａＯ−ＴｉＯ２  −Ｎｄ２Ｏ３  系、またはＢａＯ−４ＴｉＯ２  系の材料を用いてＱ特性を向上させると共に、他の要求される特性に応じて、他の材料粉を混合することで、高いＱで良好な特性の共振器を得ることができる。
【０１８３】
＜実施例１６＞
図４８は、本発明の第１６の実施態様を示した共振器を示す透過斜視図である。
【０１８４】
図４８において、共振器は実施例１４同様に、ベース材８１０に２つの貫通孔状の同軸型導電体８４１，８４２が形成されている。そして、表面ＧＮＤ導体８４７、およびこの表面ＧＮＤ導体８４７と端部電極８８２で接続された同軸導体８４２と、同軸導体８４２と接続用電極８８５を介して接続されている同軸導体８４１と、この同軸導体８４１と接続されている共振器用ＨＯＴ端子８８１等を形成する。そして、同軸導体８４１、８４２は、ある特性インピーダンスを有する同軸型線路であり、これらを囲むように表面ＧＮＤ導体８４７が形成されている。
【０１８５】
この共振器のベース材８１０も、実施例１４と同様のものを用いることが好ましい。
【０１８６】
＜実施例１７＞
図４９は、本発明の第１７の実施態様を示したストリップ共振器を示す透過斜視図である。
【０１８７】
図４９において、ストリップ共振器はコ字状のストリップ導体８８４と、これを構成層８１０を介して上下面より挟み込むようにして配置された矩形状のＧＮＤ導体８８３とを有する。また、ストリップ導体８８４の両端には共振器用ＨＯＴ端子８８１、およびＧＮＤ端子８８２が形成され接続されている。その他の構成は実施例１５と同様である。
【０１８８】
この共振器の構成層８１０の材料は、少なくとも１種または２種以上の誘電体材料粉、１種または２種以上の磁性材料粉、および１種または２種以上の誘電体被覆金属粉、または１種または２種以上の絶縁体被覆磁性金属粉から選択される２種以上の材料粉と、樹脂材料とを含有する。
【０１８９】
また、素体強度を保つために、前記樹脂中にガラスクロス材を埋設してもよい。
【０１９０】
共振器を設計するに当たって、比誘電率、比透磁率はできるだけ大きい方がよい。また、用途別に以下のような誘電体材料粉、磁性材料粉、誘電体被覆金属粉、および絶縁体被覆磁性金属粉を組み合わせることが好ましい。
【０１９１】
（１）使用周波数が高い場合、高周波特性のよい磁性材料粉を使用する必要がある。例えば、誘電体材料粉として、ＢａＴｉＯ３  −ＢａＺｒＯ３  系（誘電率：９０００）のものを、磁性材料粉として、カーボニール鉄を用いることにより、波長短縮効果が非常に高く、小型で高周波まで使用可能な共振器とすることができる。
（２）数十ＭＨｚ〜１００ＭＨｚの周波数帯域で用いる場合、単結晶フェライトとＢａＴｉＯ３  −ＢａＺｒＯ３  系（誘電率：９０００）誘電体材料粉とを用いることにより、小型、かつ上記周波数範囲で非常に特性の優れた共振器を得ることができる。
（３）広帯域で用いる場合、カーボニール鉄と、単結晶フェライトと、ＢａＴｉＯ３  −ＢａＺｒＯ３  系誘電体材料粉とを用いることにより、小型、かつ広帯域で特性の優れた共振器を得ることができる。
（４）要求特性が厳しく、高いＱを必要とされる場合、誘電体材料粉としてＢａＯ−ＴｉＯ２  −Ｎｄ２Ｏ３  系、またはＢａＯ−４ＴｉＯ２  系の材料を用いてＱ特性を向上させると共に、他の要求される特性に応じて、他の材料粉を混合することで、高いＱで良好な特性の共振器を得ることができる。
【０１９２】
図５０は、上記実施例１４〜１７の共振器の等価回路図を示している。図において、共振器用ＨＯＴ端子９８１は同軸路、またはストリップラインから構成される共振器９８４，９４１の一端に接続され、その他端にはＧＮＤ端子９８２が接続されている。
【０１９３】
本発明は、上記に例示した電子部品以外に、上記同様の手法で、ディレイライン、ダイプレクサ、デュプレクサ、アンテナスイッチモジュール、ＰＬＬモジュール、フロントエンドモジュール、チューナーユニット、方向性結合器、ダブルバランスドミキサー（ＤＢＭ）、電力合成器、電力分配器、磁気シールド板等に応用することができる。
【０１９４】
以上の各実施例において、必要によりハロゲン化リン酸エステル、ブロム化エポキシ樹脂等のハロゲン化物、また、リン酸エステルアミド系等の有機化合物や、三酸化アンチモン、水素化アルミニウム等の無機材料等の難燃剤を各構成層中に添加してもよい。
【０１９５】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、複数のハイブリッド材を組み合わせることで、波長短縮効果が高く、高周波特性にも優れ、小型で高性能の、ひいては総合的な電気的特性に優れた電子部品を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の電子部品の構成例であるバルントランスを示す図である。
【図２】本発明の電子部品の構成例であるバルントランスを示す図である。
【図３】本発明の電子部品の構成例であるバルントランスを示す図である。
【図４】本発明の電子部品の構成例であるバルントランスを示す等価回路図である。
【図５】本発明の電子部品の構成例である積層フィルタを示す図である。
【図６】本発明の電子部品の構成例である積層フィルタを示す図である。
【図７】本発明の電子部品の構成例である積層フィルタを示す等価回路図である。
【図８】本発明の電子部品の構成例である積層フィルタの伝達特性を示す図である。
【図９】本発明の電子部品の構成例である積層フィルタを示す図である。
【図１０】本発明の電子部品の構成例である積層フィルタを示す図である。
【図１１】本発明の電子部品の構成例である積層フィルタを示す等価回路図である。
【図１２】本発明の電子部品の構成例である積層フィルタの伝達特性を示す図である。
【図１３】本発明の電子部品の構成例であるブロックフィルタを示す図である。
【図１４】本発明の電子部品の構成例であるブロックフィルタを示す図である。
【図１５】本発明の電子部品の構成例であるブロックフィルタを示す図である。
【図１６】本発明の電子部品の構成例であるブロックフィルタを示す図である。
【図１７】本発明の電子部品の構成例であるブロックフィルタの等価回路を示す図である。
【図１８】本発明の電子部品の構成例であるブロックフィルタの金型を示す図である。
【図１９】本発明の電子部品の構成例であるカプラを示す図である。
【図２０】本発明の電子部品の構成例であるカプラを示す図である。
【図２１】本発明の電子部品の構成例であるカプラを示す図である。
【図２２】本発明の電子部品の構成例であるカプラの内部結線を示す図である。
【図２３】本発明の電子部品の構成例であるカプラの等価回路を示す図である。
【図２４】本発明の電子部品の構成例であるアンテナを示す図である。
【図２５】本発明の電子部品の構成例であるアンテナを示す図である。
【図２６】本発明の電子部品の構成例であるアンテナを示す図である。
【図２７】本発明の電子部品の構成例であるアンテナを示す図である。
【図２８】本発明の電子部品の構成例であるアンテナを示す図である。
【図２９】本発明の電子部品の構成例であるパッチアンテナを示す図である。
【図３０】本発明の電子部品の構成例であるパッチアンテナを示す図である。
【図３１】本発明の電子部品の構成例であるパッチアンテナを示す図である。
【図３２】本発明の電子部品の構成例であるパッチアンテナを示す図である。
【図３３】本発明の電子部品の構成例であるパッチアンテナを示す図である。
【図３４】本発明の電子部品の構成例であるパッチアンテナを示す図である。
【図３５】本発明の電子部品の構成例であるパッチアンテナを示す図である。
【図３６】本発明の電子部品の構成例であるパッチアンテナを示す図である。
【図３７】本発明の電子部品の構成例であるＶＣＯを示す図である。
【図３８】本発明の電子部品の構成例であるＶＣＯを示す図である。
【図３９】本発明の電子部品の構成例であるＶＣＯを示す等価回路図である。
【図４０】本発明の電子部品の構成例であるＲＦモジュールを示す図である。
【図４１】本発明の電子部品の構成例であるＲＦモジュールを示す図である。
【図４２】本発明の電子部品の構成例であるＲＦモジュールを示す図である。
【図４３】本発明の電子部品の構成例であるＲＦモジュールを示す図である。
【図４４】本発明の電子部品の構成例である共振器を示す図である。
【図４５】本発明の電子部品の構成例である共振器を示す図である。
【図４６】本発明の電子部品の構成例である共振器を示す図である。
【図４７】本発明の電子部品の構成例である共振器を示す図である。
【図４８】本発明の電子部品の構成例である共振器を示す図である。
【図４９】本発明の電子部品の構成例である共振器を示す図である。
【図５０】本発明の電子部品の構成例である共振器の等価回路を示す図である。
【図５１】ハイブリッド材のＱ−周波数特性を示すグラフである。
【図５２】本発明に用いる銅箔付基板の形成例を示す工程図である。
【図５３】本発明に用いる銅箔付基板の形成例を示す他の工程図である。
【図５４】銅箔付基板の形成例を示す工程図である。
【図５５】銅箔付基板の形成例を示す他の工程図である。
【図５６】多層基板の形成例を示す工程図である。
【図５７】多層基板の形成例を示す工程図である。
【符号の説明】
４０    バルントランス４０
４０ａ〜４０ｏ構成層
４５    ＧＮＤ導体
４３    内部導体４３
６０    積層フィルター
８０    ブロックフィルター
１１０    カプラ
１３０、１４０    アンテナ
１５０、１６０、１７０    パッチアンテナ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
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【図５０】
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【図５１】
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【図５２】
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【図５３】
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【図５４】
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【図５５】
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【図５６】
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【図５７】
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