(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロ波回路の一部をなすストリップ導体が上面に形成された半導体基板と、
この半導体基板を実装するためのチャンバを有するパッケージと、
前記半導体基板上の少なくとも外周部に形成された導体壁と、
この導体壁と共に前記上面に形成されたマイクロ波回路を実質的に覆うように前記導体壁上に形成され、前記ストリップ導体とマイクロストリップ線路を構成する導体層を有する板と
を備えた高周波用半導体装置。
【請求項２】
前記導体壁によって、前記上面に形成されたマイクロ波回路の少なくとも一部が前記上面に形成されたマイクロ波回路の他の部分と隔てられている請求項１記載の高周波用半導体装置。
【請求項３】
前記導体層を一方の電極としたキャパシタを有することを特徴とする請求項１記載の高周波用半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はマイクロ波帯やミリ波帯などの高周波信号を扱う高周波用半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図１４に、マイクロ波帯やミリ波帯に用いられる従来の高周波用半導体装置の分解斜視図を模式的に示す。半導体基板１０１が実装基板１０２上にボンディングワイヤ１０３によって電気的に接続されている。また，１０４は図示されていないパッケージ本体に実装基板１０２が実装されているパッケージの蓋である。この蓋１０４とパッケージ本体とによって，パッケージにはほぼ閉じられた空間（チャンバ）が形成される。
【０００３】
図示はしていないが，半導体基板１０１上には、トランジスタやダイオードなどの能動素子や配線・コンデンサ・インダクタなどの受動部品が形成され，マイクロ波回路が構成されている。また実装基板１０２上にもコンデンサ・インダクタ・抵抗などがチップ部品として形成され，これらと配線とによって回路が形成されている。
【０００４】
この半導体装置では，外部との干渉を避けるためにパッケージが金属で形成され，これによってシールドが行われる。このようにチャンバが金属で覆われた空間の場合には空洞共振が存在する。
【０００５】
空洞共振が起きる周波数は，このチャンバの大きさによって決定される。マイクロ波回路を伝送する高周波信号の周波数が空洞共振周波数以上であるとパッケージ全体に電磁波が蓄えられ，半導体基板１０１や実装基板１０２上に形成された回路に著しい悪影響を及ぼす。このため空洞共振周波数以上の周波数では装置の使用が不可能となる。
【０００６】
空洞共振周波数はチャンバが大きくなるほど低くなるため，パッケージが大きいと高い周波数では使用不可能であり，また高い周波数で使用するためにパッケージの大きさを小さくすると，今度は１つの装置に十分な機能を盛り込むことができなくなる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように従来の高周波用半導体装置では，半導体基板上のマイクロ波回路を伝送する高周波信号の周波数が高い場合，パッケージが大きいと使用不可能であり，また高い周波数に対応してパッケージの大きさを小さくすると、１つの装置に十分な機能を盛り込めないという問題があった。
【０００８】
本発明は上記の問題を考慮してなされたもので，マイクロ波回路を伝送する高周波信号の周波数が高くても使用可能な高周波用半導体装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記の問題を解決するために本発明は請求項１の発明として、マイクロ波回路の一部をなすストリップ導体が上面に形成された半導体基板と、この半導体基板を実装するためのチャンバを有するパッケージと、前記半導体基板上の少なくとも外周部に形成された導体壁と、この導体壁と共に前記上面に形成されたマイクロ波回路を実質的に覆うように前記導体壁上に形成され、前記ストリップ導体とマイクロストリップ線路を構成する導体層を有する板とを備えた高周波用半導体装置を提供する。
【００１０】
また請求項２の発明として，前記導体壁によって，前記上面に形成されたマイクロ波回路の少なくとも一部が前記上面に形成されたマイクロ波回路の他の部分と隔てられている請求項１記載の高周波用半導体装置を提供する。
また請求項３の発明として、前記導体層を一方の電極としたキャパシタを有する請求項１記載の高周波用半導体装置を提供する。
【００１１】
請求項１の発明では，半導体基板上面に形成されたマイクロ波回路を伝送する高周波信号は，半導体基板上の外周部に形成された導体壁とこの導体壁上に形成された導体層とによってシールドされ，パッケージのチャンバには殆ど出て行かない。このため，チャンバが金属で覆われた空間だと仮定したときの空洞共振周波数より高周波信号の周波数が高くても装置が使用可能となる。
【００１２】
また請求項２の発明では，マイクロ波回路を構成する高出力増幅回路（ＰＡ）・低雑音増幅回路（ＬＮＡ）・発振回路（ＯＳＣ）などの回路ブロックを導体壁によって隔てて遮蔽することにより，回路ブロック間の不要な干渉を防ぐことができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下，本発明の実施形態を図面を参照しつつ説明する。
（第１の実施形態）
図１は本発明の第１の実施形態に係る高周波用半導体装置の模式的な分解斜視図である。
【００１４】
図において１はＧａＡｓなどを用いた半導体基板であり，この半導体基板１はアルミナセラミックスなどを用いた実装基板２上に接着され，ボンディングワイヤ３によって電気的に接続されている。また，４は図示されていないパッケージ本体に実装基板２が実装されているパッケージの蓋である。この蓋４とパッケージ本体とによって，パッケージにチャンバが形成される。なお，蓋４は実際には図１よりも半導体基板１に近いところに位置し，チャンバの形状はほぼ直方体となる。
【００１５】
この図においては図示してないが，半導体基板１の上面には、トランジスタやダイオードなどの能動素子や配線・キャパシタ・インダクタなどの受動部品が形成され，マイクロ波回路が構成されている。また実装基板２上にもキャパシタ・インダクタ・抵抗などがチップ部品として形成され，これらと配線とによって回路が形成されている。
【００１６】
そして半導体基板１上面の外周部には半田などを用いた導体壁としての金属壁５が形成され，この金属壁５上には４２アロイなどを用いた板としての金属板６が，金属壁５に接して半導体基板１とおよそ平行に形成されている。金属板６の場合には導体層は金属板６そのものを指すことになる。本実施形態では，金属板６の取付は半田を用いたバンプを金属壁５として用い，このバンプをＮ２  雰囲気中のリフローによって溶融することで行った。
【００１７】
半導体基板１の上面に形成されたマイクロ波回路は，これらの金属壁５・金属板６によって実質的に覆われた構成となっている。すなわちマイクロ波回路を伝送する高周波信号は金属壁５・金属板６によってシールドされるため，パッケージのチャンバには殆ど出て行かない。従って、チャンバが大きくその空洞共振周波数がマイクロ波回路を伝送する高周波信号の周波数より低くても，装置が使用できなくはならない。
【００１８】
また半導体基板１のマイクロ波回路と実装基板２に形成された回路との間で信号のやりとりが行われる場合，実装基板２に入出力される信号の周波数がチャンバの空洞共振周波数よりも低ければ，装置の使用が可能となる。
【００１９】
このためには，例えば半導体基板１に形成されるマイクロ波回路の回路構成を図２に示すような構成とすればよい。
パッケージ外部の受信アンテナで受信された高周波信号はＬＮＡで増幅された後，直接復調回路でベースバンド信号に変換され実装基板２に出力される。
【００２０】
実装基板２からはベースバンド信号が入力され，このベースバンド信号はＯＳＣによって制御される直接変調回路で高周波信号に変換される。そして高周波信号はＰＡによって増幅されてパッケージ外部の送信アンテナより送信される。
【００２１】
また直接復調回路・直接変調回路・ＯＳＣは実装基板からの制御信号によって制御される。
ここでＯＳＣとしては電圧制御発振器などを用いることができる。
【００２２】
半導体基板上面に形成するマイクロ波回路をこのような構成とすれば，実装基板２に入出力される信号はベースバンド信号・制御信号となる。よって，チャンバがある程度の大きさを有していても，ベースバンド信号・制御信号の周波数を空洞共振周波数よりも低くすることが可能となる。
【００２３】
例えば６０ＧＨｚ帯での使用を考えて１００Ｍｂｐｓ程度の伝送を行うと想定する。このとき制御信号は１００Ｍｂｐｓであるから，その周波数は最も高いところで１００ＭＨｚの５〜７倍，すなわち５００〜７００ＭＨｚとなる。
【００２４】
ここで、チャンバの空洞共振周波数の波長λａは直方体の最も面積の大きい長方形，図１の場合には実装基板２・蓋４で定義される長方形の対角線の長さによって決まる。具体的には対角線の長さがλａ／２に対応する。
【００２５】
チャンバが７００ＧＨｚで空洞共振を起こさないように余裕をみて，その空洞共振周波数を１ＧＨｚとして計算すると，λａ／２＝約１５ｃｍとなる。これよりも対角線の長さが短ければ，制御信号の周波数よりも空洞共振周波数が低いことになり装置が使用できる。λａ／２＝約１５ｃｍよりも小さい形は，例えば約１０ｃｍ角の正方形である。
【００２６】
また，チャンバが空洞共振を起こさないためには，受信アンテナ・ＬＮＡ間と送信アンテナ・ＰＡ間の配線を伝送する高周波信号についても考慮する必要がある。このためには，実装基板２上に溝を設けてこの溝に配線を埋め込むことによってシールドを施すなどの手段を用いればよい。
【００２７】
さらに，実装基板２と信号のやりとりを行うため金属壁５に設けられた図１における開口部Ｃについても考慮が必要である。この開口部Ｃが大きいと，マイクロ波回路の高周波信号がチャンバに漏れ出してしまって，装置が使用できなくなるため好ましくない。従って開口部Ｃの大きさには漏れ出さないための条件が存在する。これを図３を用いて説明する。
【００２８】
図３は図１の点線Ｄで囲った部分の拡大図である。開口部Ｃの幅をａ，奥行きをｘとする。開口部Ｃを導波管とみなし媒質中における波長をλとしたとき，λ＞２ａであれば開口部を通過する信号の電力Ａは下記の式で表される。
【００２９】
【数１】
0003565979.tif 000002
ただしＡ０  は入射したときの電力である。
【００３０】
上記の式における２π｛（１／２ａ）−（１／λ）｝ｘの値が５であれば電力の減衰は４０ｄＢ以上となる。一般的に、この程度の減衰があればアイソレーションはほぼ完全と見なせ，開口部Ｃが導波管としては働かないとみなせるので，λ＞２ａの条件で２π｛（１／２ａ）−（１／λ）｝ｘ≧５が開口部Ｃの条件として好ましい。
【００３１】
仮に６０ＧＨｚで波長が短縮されずにλ＝５ｍｍだとすると，ａ＝１２０μｍでｘ＝５０μｍであれば上記の条件を満たすことができる。
次に，図４に図１のＡ−Ｂ方向に沿った模式的な断面図を示す。図において７は半導体基板１上に形成された，図１では図示してないストリップ導体である。金属板６が半導体基板１とおよそ平行であるため，ストリップ導体７は金属板６を接地導体として，これと電磁的に結合した逆マイクロストリップ線路を形成する。この逆マイクロストリップ線路はマイクロ波回路を構成する一部分とすることができる。
【００３２】
従来の高周波用半導体装置では，信号の伝送特性を考慮してストリップ導体の両側に接地導体を配置したコプラナ型の伝送線路を用いている場合が多い。この構造は半導体基板上にストリップ導体・接地導体の双方を形成するため，半導体基板の面積が増大してしまう。
【００３３】
これに対して本実施形態の場合，接地導体となる金属板６は半導体基板１と積層された構造となっているため，半導体基板１の面積を増大させずにすむという利点がある。
【００３４】
また，この逆マイクロストリップ線路は、電磁的な結合に関与するストリップ導体７と金属板６との間が，バンプをリフローしたときに用いたＮ２  によって充填された構造となっている。Ｎ２  は誘電正接が小さいため信号の伝送損失が小さく，従ってこの逆マイクロストリップ線路の伝送損失は極めて小さいものとなる。
【００３５】
以上説明したように、本実施形態に係る高周波用半導体装置は装置の使用周波数がチャンバの空洞共振周波数に依存しない。従ってパッケ−ジの大きさを自由に設計できる。
【００３６】
（第２の実施形態）
図５に本発明の第２の実施形態に係る高周波用半導体装置の模式的な分解斜視図を示す。図において図１と同一部分には同一符号を付けてあり，その部分に関する詳細な説明は省略し，以下同様とする。
【００３７】
この高周波用半導体装置が第１の実施形態の高周波用半導体装置と異なる点は，金属壁５が半導体基板１上面の外周部だけでなく上面の内部にも形成され，これにより上面が複数の長方形の領域に分割されている点である。
【００３８】
このようにすることによって，第１の実施形態で得られる効果に加えて，図２に示したマイクロ波回路の回路ブロック間を隔てて遮蔽することができ，回路ブロック間の干渉を抑えることができる。
【００３９】
具体的には図６に示すようにＬＮＡ・直接復調回路・直接変調回路・ＯＳＣ・ＰＡのそれぞれを隔てるのが，回路ブロック間の干渉を防ぐためには最も望ましい方法である。
【００４０】
しかしながら，図７に示すようにＰＡのみを他の回路ブロックと隔てる方法も考えられる。これは，ＰＡの出力が大きいため他の回路ブロックに与える影響が大きいからである。具体的な影響としては，ＯＳＣの発振周波数が安定しなかったり，ＬＮＡの受信信号の品質を劣化させるなどがあるが，ＰＡを金属壁５によって隔てることにより，このような影響を回避することができる。
【００４１】
従来の高周波用半導体装置の場合には，干渉を避けるためには回路ブロック間の配線長を長くする必要があるが，信号の伝送損失を減らすことを考えると配線長を短くする必要があるという相反する要求があった。
【００４２】
本実施形態はこの相反する要求を解決できるもので，回路ブロック間の配線長を短く保ったまま，干渉を抑えることが可能となる。
また，図５の複数の領域のうちで最も大きい領域の半導体基板１上面にはマイクロ波回路の他の部品を形成せず，この領域をＯＳＣの空洞共振器として用いることも可能である。図５では長方形Ｅで示す領域が最も大きい領域に相当する。
【００４３】
装置を６０ＧＨｚで用いた場合には空洞共振器における空洞共振周波数も６０ＧＨｚであるから，長方形Ｅの対角線の長さはλａ／２＝約２．５ｍｍとなる。この程度の長さであれば，半導体基板１の大きさを２〜３ｍｍ角と小さくすることが十分可能となる。
【００４４】
空洞共振器として用いる場合，長方形Ｅの半導体基板１上面を金属で覆い，これと金属壁５・金属板６とで金属で覆われた空間を形成することも可能であるが，図８に示すような方法で空洞共振器を形成することも可能である。
【００４５】
図８はこの部分の模式的な断面図であり，金属壁５と実装基板２とが半導体基板１に形成された高さｘのスルーホール８によって電気的に接続されている。また，スルーホール８は紙面奥行き方向にもａで示す間隔とほぼ同様な間隔で形成されているものとする。
【００４６】
この間隔ａ・高さｘは上述の図３のところで説明した幅ａ・奥行きｘと等価なものであり，従ってλ＞２ａの条件で２π｛（１／２ａ）−（１／λ）｝ｘ≧５であればスルーホール８間が導波管としては働かないとみなせ，高周波信号が半導体基板１・金属壁５・金属板６で囲まれた空間に閉じこめられる。このため，空洞共振器として用いることが可能になる。
【００４７】
なお空洞共振器以外の領域にも同様にしてスルーホールを形成し，これらの領域においても空洞共振が起こるようにしてもよい。このようにしても，空洞共振器として用いる領域が最も大きいため，この空洞共振周波数が最も低く，しかもこの空洞共振周波数は装置で使用する周波数であるので，他の領域が高い空洞共振周波数を有していても装置としては使用できる。
【００４８】
このようなスルーホール８による信号の閉じ込めは，マイクロ波回路を伝送する高周波信号がチャンバに出て行かなくするために特に有効な手段となる。これは，仮にスルーホール８を設けないとすると，高周波信号が半導体基板１を通ってチャンバに出て行ってしまう可能性もあるからである。
【００４９】
従って，分割された領域のうちの１つを空洞共振器として用いない場合においても，スルーホール８を用いて各々の領域で空洞共振が起こるようにしてもよい。この場合にも，最も低い空洞共振周波数が装置の使用周波数以上であれば装置としては問題がない。さらに上述の第１の実施形態にこのような構造を用いてもよい。
【００５０】
以上の第１・第２の実施形態では，実装基板２に入出力される信号がベースバンド信号・制御信号であるマイクロ波回路の場合について説明したが，ベースバンド信号ではなく中間周波信号が実装基板２に入出力される図９のようなマイクロ波回路を用いてもよい。なお図９においては制御信号を省略している。
【００５１】
図９の場合には，ＬＮＡからの信号はＯＳＣで制御される周波数変換回路によって中間周波信号に変換され，この中間周波信号が実装基板２に形成された中間周波増幅フィルタで増幅されて，さらに復調回路でベースバンド信号に変換される。
【００５２】
このような場合でも，中間周波信号の周波数がチャンバの空洞共振周波数よりも低ければ装置として使用することができる。
以下に第３〜第５の実施形態を説明するが、これらの実施形態は第１・第２の実施形態に付加価値を加えるものであって、第１・第２の実施形態のどちらとも組み合わせ可能である。
【００５３】
（第３の実施形態）
図１０に本発明の第３の実施形態に係る高周波用半導体装置の一部斜視図を示す。この図ではパッケージを省略してある。
【００５４】
この高周波用半導体装置は，第１・第２の実施形態ではパッケージ外部に設けられていたアンテナをパッケージ内部に組み込んだものである。具体的には，実装基板２上に設けられポリテトラフルオロエチレン（テフロン）などを用いた誘電体基板９上に，Ａｕなどの金属を用いた円形のパッチアンテナ１０が形成され，半導体基板１と誘電体基板９とがリボンワイヤによって近接して接続されている。
【００５５】
このように実装基板２上にパッチアンテナ１０を設ける場合には，パッチアンテナが装置の使用周波数の信号を送受信するため，チャンバが金属で覆われた空間だと空洞共振周波数の低いチャンバによって空洞共振周波数が決まってしまい都合が悪い。そこでパッケージに空洞共振が起こらないように，蓋に開口部を設けるか，蓋の少なくとも一部を樹脂などの非導電性材料とする。これによって装置が使用可能になる。
【００５６】
本実施形態では，パッチアンテナ１０は半導体基板１に近接して設けられた誘電体基板９上に設けられているので，半導体基板１上面のマイクロ波回路とパッチアンテナ１０の距離が近くなる。従って装置外部にアンテナが設けられている第１・第２の実施形態よりも信号の伝送損失が少なくなる。
【００５７】
また半導体基板１上面のマイクロ波回路は金属壁５・金属板６によって覆われているため，アンテナから送受信される信号がマイクロ波回路に影響を及ぼすことを防止できる。
【００５８】
（第４の実施形態）
図１１に本発明の第４の実施形態に係る高周波用半導体装置の模式的な分解斜視図を示す。
【００５９】
この高周波用半導体装置が第１・第２の実施形態の半導体装置と異なる点は，金属板６に開口部１１を設けた点である。この開口部１１の役割を，開口部１１部分を切った断面図である図１２によって説明する。
【００６０】
図１２で開口部１１に対応する半導体基板１の部分に形成されているのは，半導体レーザやフォトダイオードなどの光半導体素子１３であり，開口部１２を通って光半導体素子１３に光が入出力できるような構造となっている。この場合，装置に光が入出力できるようパッケージにも開口部が設けられている。
このような構造を採用することによって，光を用いる用途にも装置が適用可能となる。
【００６１】
（第５の実施形態）
図１３に本発明の第５の実施形態に係る高周波用半導体装置の模式的な断面図を示す。
【００６２】
この高周波用半導体装置は金属板６を薄膜コンデンサとして利用したものである。すなわち金属壁５上の金属板６ａの上にＴａ２  Ｏ５  などの高誘電率材料を用いた誘電体層１４を設け，その上にさらに金属板６ｂを設けることによって金属板６ａ・誘電体層１４・金属板６ｂを薄膜コンデンサとして用いる。
【００６３】
金属板６ｂを電源Ｖ側，金属板６ａを接地側にすることにより，薄膜コンデンサを電源・接地間のデカップリング用コンデンサとして用いることができ，これによってマイクロ波回路の動作が安定化する。
【００６４】
なお使用周波数が６０ＧＨｚの場合には，複数必要なコンデンサのうち最も容量の小さいコンデンサは容量が０．１〜数ｐｆ程度で，それほど大きな面積を必要としない。そこで，複数のうちでも低い周波数に対応した大きな面積を必要とするコンデンサを図１３のように形成すれば，実装基板２で必要なコンデンサの面積が減り装置が小型化できる。
【００６５】
以上，本発明の実施形態を説明したが，本発明は上述の実施形態に限定されるものではない。
半導体基板１にＳｉなどを用いてもよいし，実装基板２に他のセラミックスやあるいは樹脂などを用いてもよい。パッケージとして４３アロイ，Ｃｕ，Ａｕなどを用いてもよい。
【００６６】
また金属板６としてＣｕ，Ａｕなどの熱伝導率がよい金属を用いれば，金属板６から熱放散を行わせることができる。金属板６の代わりの板として，下部に金属などの導体層を設けた誘電体基板を用いてもよい。誘電体基板の材料としては，セラミックス・フッ素系樹脂などを用いることが可能である。誘電体基板を用いれば，この上にアンテナを形成することも可能となる。
【００６７】
さらに半導体基板１と金属板６との間はＮ２  で充填されてなくてもよい。例えば空気でもよいし，ベンゾシクロブテンなどの樹脂が封止されていてもよい。これは，空気，樹脂いずれも誘電正接が小さいため伝送損失が少ないからである。
【００６８】
パッチアンテナとして，円形だけでなく方形のものを用いてもよいし，それらをアレイ状に配置し指向性を持たせたものを用いてもよい。
また薄膜コンデンサの誘電体層１４としては，ＺｒＯ２  ，Ｐｂ−Ｔｉ−Ｏ，ＳｒＴｉＯ３  ，ＴｉＯ２  ，ＰｂＯ，（Ｍｇ，Ｃａ）ＴｉＯ３  ，Ｌａ２  ＴｉＯ７  などを用いることが可能である。
【００６９】
さらには，１つの半導体基板１にマイクロ波回路の全てを形成するのではなく，回路ブロックごとに異なる半導体基板を用い，これら複数の半導体基板を実装基板２に埋め込んでシールドするような構造の装置にも本発明は適用可能である。
以上の実施形態を組み合わせることも可能であるし，その他本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能である。
【００７０】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば，マイクロ波回路を伝送する高周波信号の周波数が高くても使用可能な高周波用半導体装置を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る高周波用半導体装置の模式的な分解斜視図。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る高周波用半導体装置のマイクロ波回路ブロック図。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る高周波用半導体装置の模式的な一部拡大斜視図。
【図４】本発明の第１の実施形態に係る高周波用半導体装置の模式的な断面図。
【図５】本発明の第２の実施形態に係る高周波用半導体装置の模式的な分解斜視図。
【図６】本発明の第２の実施形態に係る高周波用半導体装置のマイクロ波回路ブロック図。
【図７】本発明の第２の実施形態に係る高周波用半導体装置のマイクロ波回路ブロック図。
【図８】本発明の第２の実施形態に係る高周波用半導体装置の模式的な一部断面図。
【図９】本発明に係る高周波用半導体装置のマイクロ波回路ブロック図。
【図１０】本発明の第３の実施形態に係る高周波用半導体装置の模式的な一部斜視図。
【図１１】本発明の第４の実施形態に係る高周波用半導体装置の模式的な分解斜視図。
【図１２】本発明の第４の実施形態に係る高周波用半導体装置の模式的な一部断面図。
【図１３】本発明の第５の実施形態に係る高周波用半導体装置の模式的な断面図。
【図１４】従来の高周波用半導体装置の模式的な分解斜視図。
【符号の説明】
１…半導体基板；２…実装基板；３…ボンディングワイヤ；４…パッケージの蓋；５…金属壁；６…金属板
【図１】
0003565979.tif 000003
【図２】
0003565979.tif 000004
【図３】
0003565979.tif 000005
【図４】
0003565979.tif 000006
【図５】
0003565979.tif 000007
【図６】
0003565979.tif 000008
【図７】
0003565979.tif 000009
【図８】
0003565979.tif 000010
【図９】
0003565979.tif 000011
【図１０】
0003565979.tif 000012
【図１１】
0003565979.tif 000013
【図１２】
0003565979.tif 000014
【図１３】
0003565979.tif 000015
【図１４】
0003565979.tif 000016