【事件の表示】
　平成　８年特許願第　２２４２９号「加速センサ及び加速センサの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　８年　９月２７日出願公開、特開平　８−２４８０５８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、平成８年２月８日（パリ条約による優先権主張１９９５年２月１０日、ドイツ、１９９５年８月２２日、ドイツ）の出願であって、平成１８年７月２７日付けで拒絶査定（平成１８年８月２日発送）がなされ、これに対し、同年１０月３１日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年１１月３０日付けで手続補正がなされたものである。
　
２　平成１８年１１月３０日付けの手続補正について
　当該補正は、特許請求の範囲の請求項９〜１５を削除し、かつ、特許請求の範囲の請求項４について、当該補正前の請求項４および５を一つの請求項にまとめるとともに記載不備を解消するものであって、請求項の削除および明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。そして、当該補正は、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内でなされたから、適法なものである。
　
３　本願発明
　本願の請求項１ない７に係る発明は、平成１８年１１月３０日付けの手続補正書の特許請求の範囲の請求項１ないし７に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりのものである。
　
【請求項１】　３つの層（１,２,３）を有し、第１の層（１）は支持プレートとして構成され、該第１のプレート（１）上には絶縁された第２の層（２）が被着されており、該第２の層（２）上には第３の層（３）が被着されており、該第３の層（３）からは変位可能な質量体（７）が引き出されて形成されており、前記質量体（７）は作用する応力又は加速に基づいて変位可能であり、
　第３の層（３）から導体路（４）が引き出されて形成されており、前記導体路（４）は接続点（２０）まで案内されており、
　前記導体路（４）は第２の層（２）によって第１の層（１）から電気的に絶縁され、さらに切欠部（１０）によって第３の層（３）から電気的に絶縁されており、
　前記第１、第２、第３の層（１,２,３）としてシリコン−オン−アイソレータ（ＳＯＩ）層構造部が形成されている、加速センサ（６）において、
　前記変位可能な質量体（７）として、櫛形構造部（１３）が形成されており、該櫛形構造部（１３）は、第３の層（３）の表面に対して平行に変位可能であることを特徴とする加速センサ。
　
４　引用刊行物及び引用刊行物に記載された発明
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の最先の優先日前に頒布された刊行物である特開平７−５１９４号公報（以下「引用刊行物」という。）には、「集積型加速度計」の発明に関して、以下の事項が図面とともに記載されている。
　
＜記載事項１＞
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板に平行な受感軸を有し、基板に平行な方向に可動する物体の加速度を測定する集積型加速度計に関する。」
＜記載事項２＞
「【００１３】この発明は、基板に平行な受感軸を有し、前述した短所を取り除いた新規な集積加速度計を提供することを特に目的としている。特に、該加速度計は、電極を電気接点へ接続する導体同士が交差しない。また、従来技術による加速度計に比べてより良い指向性、再現性および感度を有する一方、寄生的なキャパシタンスの存在は多くない。
＜記載事項３＞
「【００１７】上記遮蔽体として機能する電極は、金属により作製可能である。しかし、この加速度計の製造の便をはかるため、該電極はシリコンにより作製される。従って、全ての可動部分および測定手段は、同一材料の単一のエッチング処理を介して作製される。本発明による加速度計は、導電単結晶シリコン基板のボリュームエッチング（volume etching）、もしくは、好ましくは表面技術を利用して作製される。加速度計のコストを削減するためには、表面技術を利用し、本発明による該加速度計を標準的な機械により規格基板上に作製することが望ましい。」
＜記載事項４＞
「【００１８】
【実施例】以下、本発明の内容を詳細に説明するために、図面を参照して、本発明の１つの実施形態である実施例について説明する。図１は、本発明による、基板に平行な受感軸を有する加速度計の構成を示す平面図である。また、図２および図３は、それぞれ、図１の II−II方向および III−III方向における断面図である。」
＜記載事項５＞
「【００１９】図１〜図３において、本発明による加速度計は、一例としてＰ型にドープされた単結晶性の可動振動質量体２を有しており、該質量体２は、たわみ梁６により固定支持部材４に結合されている。この質量体２は、複数の貫通穴９と、上記梁への結合を確実にするための突出片７を有している。上記部材４は、基板８に対して機械的に結合されるとともに電気的に絶縁されている。また、部材４、梁６、および基板８は、Ｐ型の単結晶シリコンにより形成されている。」
＜記載事項６＞
「【００２１】図１の加速度計の振動質量体２は、上記Ｙ軸の両側に、上記Ｘ方向に平行に配列された歯形状の電極列１２を有しており、この電極列１２は、２つの第１の可動櫛１４を構成している。そして、各第１の可動櫛１４に対面するように第２の固定櫛１６および１７が配置され、その歯列１８および１５は、上記方向Ｘに平行であるとともに上記櫛１４の歯列１２の間に挟まれるように配置され、電極として機能する。これらの櫛１６および１７もまたＰ型にドープされた単結晶シリコンにより形成されており、また、固定片１９，２１（図３参照）により基板８に結合されている。」
＜記載事項７＞
「【００２３】・・・・・図３に示すように、梁６の各支持部材４と固定櫛１６，１７の各固定片１９，２１とは、エッチされた酸化シリコン層２８により、基板８と電気的に絶縁されている。また、振動質量体２は、基板８の上部に掛け渡されている。参照符号４０は、振動質量体２と基板４とを分離している空間を示す。」
＜記載事項８＞
「【００２４】電極すなわち歯列１２，１８もしくは１５の配列、および、静電遮蔽体２０の配列は、梁６により支持された質量体２のＹ方向の変位の差動測定、および該測定のサーボ制御を可能にする。コンデンサ１２−１８のキャパシタンスの変化を測定するため、それぞれの櫛１７または１６上に、基準電気接点２３または２４が設けられている。更に、上記差動測定を実施するため、一方の支持部材４上に電気測定用接点２６が設けられている。」
＜記載事項９＞
「【００２５】Ｙ方向への加速の結果、振動質量体２は力「Ｆ＝ｍ・ｙ」を受け、梁６のばね定数に従ってＹに平行な距離ｌだけ動く。そして、「交差指型」櫛１６，１７および１４における、振動部１２に一体化された電極列１２と固定電極列１８および１５（過負荷の場合にはその受け止め部として機能する）との間で測定される各キャパシタンスは、互いに逆の様式で変化する。」
＜記載事項１０＞
「【００２６】・・・・・電気的な見地から、これら３つの直列した電極１２、１８または１５、および２２は互いに絶縁されており、接点２６を介した振動質量体２と、接点２４または２３のそれぞれを介した１８または１５の２つの電極のいずれかとの間に電場Ｅが加えられることにより、静電引力が発生する。」
＜記載事項１１＞
「【００２７】該測定のサーボ制御のために、接点２４または２３と接点２６との間に接続され、上記振動質量体が加速中にＹ方向に変位したことによる差動キャパシタンスの変化を検出する測定装置が利用される。キャパシタンス測定型のこの装置は、低振幅な交番（alternating）測定信号を発生する。そして、接点２４または２３および２６を介して、電極列１２と１８または１５との間に付加されるある連続した片寄り成分が、該信号に重畳される（電極列１２と１８または１５との間のキャパシタンスは降下する）。これらにより、Ｙ方向の加速により発生する力に等しい力（静電的な力）が誘発され、質量体２が均衡状態に戻され、各可変コンデンサが初期のキャパシタンスを有するようになる。すなわち、この片寄りはＹ方向の加速度の投影であり、非常に信頼性の高い直線性を有する加速度計を得ることを可能とするとともに、これを用いた構造体の自動検査が可能となる。」
＜記載事項１２＞
「【００２８】本発明による加速度計は、シリコン／絶縁体技術、更に特定すると、Ｐ型にドープされた単結晶基板に１０16〜１０18イオン／ｃｍ2 の酸素イオンをインプラントし、該インプラントされた構造体を１１５０〜１４００℃でアニールする「ＳＩＭＯＸ」技術を用いて製造されるものである。これにより、酸化層２８により基板８と絶縁された単結晶性のシリコンフィルムが得られる。」
＜記載事項１３＞
「【００２９】次に、従来の写真製版処理を用いて、上記酸化層の上にシリコンをエッチ（当審注：「上記酸化層の上のシリコンをエッチング」の誤記と認める。）することにより、上記固定電極列の他、上述した梁、振動質量体およびその可動電極列が形成される。そして、エピタキシャルなシリコン層内に静電遮蔽体２０が形成される。これに続き、振動質量体の下の酸化物２８が、フッ化水素酸を用いた化学エッチングにより、穴９および各エッジを通して除去される。」
　
　そして、上記記載事項１ないし１３及び図１ないし３から、以下のアないしオの点が読み取れる。
ア　
（ア）集積型加速度計の断面図を示した図３から、基板８は層（第１層）の形態をしていることは明らかであり、また、酸化シリコン層２８（第２層）上に形成された固定支持部材４、可動振動質量体２、及び固定片１９，２１を有する固定櫛１６，１７を備えた部材も層（第３層）の形態をしていることは明らかである。
　したがって、集積型加速度計は、基板８の層（第１層）と酸化シリコン層２８（第２層）と固定支持部材４、可動振動質量体２、及び固定片１９，２１を有する固定櫛１６，１７を備えた層（第３層）の３つの層を有する点
（イ）図３から、
　基板８上には、酸化シリコン層２８（第２層）が積層され、該酸化シリコン層２８上に固定支持部材４、可動振動質量体２、及び固定片１９，２１を有する固定櫛１６，１７を備えた層（第３層）が積層される点
（ウ）記載事項５、６、図３から、
　３つの層は、下から順に、Ｐ型の単結晶シリコンにより形成された基板８の層（第１層）、酸化シリコン層２８（第２層）、Ｐ型の単結晶シリコンにより形成された固定支持部材４、可動振動質量体２、及び固定片１９，２１を有する固定櫛１６，１７を備えた層（第３層）からなる点
（エ）記載事項５、１３、図３から、
　酸化シリコン層の上のＰ型の単結晶シリコンの層（第３層）をエッチングすることにより可動質量振動質量体２が形成されている点
（オ）記載事項９から、
　（可動）振動質量体２はＹ方向への加速の結果、力「Ｆ＝ｍ・ｙ」を受けＹに平行な距離ｌだけ動く点
（カ）したがって、記載事項１、５ないし７、９、１３、図３から、
　基板８の層（第１層）と酸化シリコン層２８（第２層）と固定支持部材４、可動振動質量体２、及び固定片１９，２１を有する固定櫛１６，１７を備えた部材も層（第３層）からなる３つの層を有し、基板８上には、酸化シリコン層２８（第２層）が積層され、該酸化シリコン層２８上に上記層（第３層）が積層され、該酸化シリコン層２８上のＰ型の単結晶シリコンの上記層（第３層）をエッチングすることにより可動振動質量体２が形成されており、前記可動振動質量体２はＹ方向への加速の結果、力「Ｆ＝ｍ・ｙ」を受けＹに平行な距離ｌだけ動く点を読み取ることができる。
　
イ　
（ア）記載事項６、図３から、
　酸化シリコン層２８（第２層）上のＰ型の単結晶シリコンの層（第３層）から固定片１９，２１が形成されている点
（イ）記載事項８、図３から
　固定片１９，２１上に基準電気接点２３，２４が設けられている点
（ウ）したがって、記載事項６、８、図３から、
　Ｐ型の単結晶シリコンの層（第３層）から固定片１９，２１が形成されており、固定片１９，２１上に基準電気接点２３，２４が設けられている点を読み取ることができる。
　
ウ　
（ア）記載事項３、７、図３から、
　Ｐ型の単結晶シリコンの固定片１９，２１は酸化シリコン層２８（第２層）を介してＰ型の単結晶シリコン基板８（第１層）上に積層されている点
（イ）  記載事項３、７、図１、３から、
　固定片１９，２１はＰ型の単結晶シリコンの層（第３層）に形成された溝により固定支持部材４との間に空隙が形成されている点
（ウ）したがって、記載事項３、７、図１，３から、
　Ｐ型の単結晶シリコンの固定片１９，２１は酸化シリコン層２８（第２層）を介してＰ型の単結晶シリコン基板８（第１層）上に積層され、さらにＰ型の単結晶シリコンの層（第３層）に形成された溝により固定支持部材４との間に空隙が形成されている点を読み取ることができる。
　
エ　記載事項３、５、及び図１、３から、
　基板８の層（第１層）と酸化シリコン層２８（第２層）と固定支持部材４、可動振動質量体２、及び固定片１９，２１を有する固定櫛１６，１７を備えた層（第３層）からなる３つの層として、Ｐ型の単結晶シリコンの層、酸化シリコン層２８、Ｐ型の単結晶シリコンの層からなる３層構造が形成されている、集積型加速度計
　
オ　
（ア）記載事項６から、
　可動振動質量体２として、２つの可動櫛１４を構成している歯形状の電極列１２を有している点
（イ）記載事項８、図１から、
　歯形状の電極列１２はＹ方向に変位可能である点
（ウ）したがって、記載事項６、８、図１から、
　可動振動質量体２として、２つの可動櫛１４を構成している歯形状の電極列１２を有し、歯形状の電極列１２はＹ方向に変位可能である点を読み取ることができる。
　
　したがって、上記記載事項１ないし１３及び図１ないし３に基づけば、引用刊行物には、
「基板８の層（第１層）と酸化シリコン層２８（第２層）と固定支持部材４、可動振動質量体２、及び固定片１９，２１を有する固定櫛１６，１７を備えた層（第３層）からなる３つの層を有し、該基板８上には酸化シリコン層２８（第２層）が積層され、該酸化シリコン層２８上に上記層（第３層）が積層され、該酸化シリコン層２８上のＰ型の単結晶シリコンの上記層（第３層）をエッチングすることにより可動振動質量体２が形成されており、前記可動振動質量体２はＹ方向への加速の結果、力「Ｆ＝ｍ・ｙ」を受けＹに平行な距離ｌだけ動き、
　Ｐ型の単結晶シリコンの層（第３層）から固定片１９，２１が形成されており、前記固定片１９，２１上に基準電気接点２３，２４が設けられており、
　前記Ｐ型の単結晶シリコンの固定片１９，２１は酸化シリコン層２８（第２層）を介してＰ型の単結晶シリコン基板８（第１層）上に積層され、さらにＰ型の単結晶シリコンの層（第３層）に形成された溝により固定支持部材４との間に空隙が形成されており、
　前記基板８の層（第１層）と酸化シリコン層２８（第２層）と上記層（第３層）からなる３つの層として、Ｐ型の単結晶シリコンの層、酸化シリコン層２８、Ｐ型の単結晶シリコンの層からなる３層構造が形成されている、集積型加速度計において、
　前記可動振動質量体２として、２つの可動櫛１４を構成している歯形状の電極列１２を有し、歯形状の電極列１２はＹ方向に変位可能である集積型加速度計。」の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
５　対比
　本願発明と引用発明とを比較する。
　
ア　引用発明の「基板８の層（第１層）と酸化シリコン層２８（第２層）と固定支持部材４、可動振動質量体２、及び固定片１９，２１を有する固定櫛１６，１７を備えた層（第３層）からなる３つの層」は本願発明の「３つの層（１,２,３）」に相当する。
　
イ　引用発明の「基板８の層（第１層）」は、本願発明の「第１の層（１）」に相当する。また、引用発明の基板８上には、酸化シリコン層２８（第２層）が積層され、該酸化シリコン層２８上に上記層（第３層）が積層されているから、引用発明の「基板８の層（第１層）」は、本願発明でいう「支持プレートとして」機能することは明らかであり、「第１のプレート」に相当する。
　さらに、引用発明の「酸化シリコン層２８（第２層）」、「固定片１９，２１を有する固定櫛１６，１７を備えた層（第３層）」、「積層され」は、本願発明の「第２の層（２）」、「第３の層（３）」、「被着され」に相当する。
　したがって、引用発明の「該基板８上には、酸化シリコン層２８（第２層）が積層され、該酸化シリコン層２８上に上記層（第３層）が積層され」は、本願発明の「該第１のプレート（１）上には絶縁された第２の層（２）が被着されており、該第２の層（２）上には第３の層（３）が被着されており」に相当する。
　
ウ　引用発明の「該酸化シリコン層２８上のＰ型の単結晶シリコンの上記層（第３層）」、「可動振動質量体２」は、本願発明の「該第３の層（３）」、「変位可能な質量体（７）」に相当する。
　したがって、引用発明の「該酸化シリコン層２８上のＰ型の単結晶シリコンの上記層（第３層）をエッチングすることにより可動振動質量体２が形成されており」は、本願発明の「該第３の層（３）からは変位可能な質量体（７）が引き出されて形成されており」に相当する。
　
エ　引用発明の「前記可動振動質量体２」は、本願発明の「前記質量体（７）」に相当する。
　したがって、引用発明の「前記可動振動質量体２はＹ方向への加速の結果、力「Ｆ＝ｍ・ｙ」を受けＹに平行な距離ｌだけ動き」は、本願発明の「前記質量体（７）は作用する応力又は加速に基づいて変位可能であり」に相当する。
　
オ　
　引用発明の「Ｐ型の単結晶シリコンの層（第３層）から固定片１９，２１が形成されており」は、本願発明の「第３の層（３）から導体路（４）が引き出されて形成されており」に相当する。
　また、引用発明の「固定片１９，２１」はＰ型の単結晶シリコンで形成されているから、引用発明の「固定片１９，２１は」、本願発明の「導体路（４）」としても機能することは明らかである。
　したがって、引用発明の「Ｐ型の単結晶シリコンの層（第３層）から固定片１９，２１が形成されており、固定片１９，２１上に基準電気接点２３，２４が設けられており」と本願発明の「第３の層（３）から導体路（４）が引き出されて形成されており、前記導体路（４）は接続点（２０）まで案内されており」とは、第３の層（３）から導体路（４）が引き出されて形成されておりの点で共通する。
　
カ　
（ア）上述したように、引用発明の「前記Ｐ型の単結晶シリコンの固定片１９，２１」、「酸化シリコン層２８（第２層）」は、本願発明の「前記導体路（４）」、「第２の層（２）」に相当する。また、引用発明の「酸化シリコン層２８（第２層）」は、本願発明の「電気的に絶縁する」機能を有することは明らかである。
　したがって、引用発明の「Ｐ型の単結晶シリコンの固定片１９，２１は酸化シリコン層２８（第２層）を介してＰ型の単結晶シリコン基板８（第１層）上に積層され」は、本願発明の「前記導体路（４）は第２の層（２）によって第１の層（１）から電気的に絶縁され」に相当する。
（イ）引用発明の「Ｐ型の単結晶シリコンの層（第３層）に形成された溝」は、本願発明の「切欠部（１０）」に相当し、引用発明の「空隙」は本願発明の「電気的に絶縁」する機能を有することは明らかである。
　したがって、引用発明の「Ｐ型の単結晶シリコンの層（第３層）に形成された溝により固定支持部材４との間に空隙が形成されており」は、本願発明の「切欠部（１０）によって第３の層（３）から電気的に絶縁されており」に相当する。
（ウ）以上より、引用発明の「前記Ｐ型の単結晶シリコンの固定片１９，２１は酸化シリコン層２８（第２層）を介してＰ型の単結晶シリコン基板８（第１層）上に積層され、さらにＰ型の単結晶シリコンの層（第３層）に形成された溝により固定支持部材４との間に空隙が形成されており」は、本願発明の「前記導体路（４）は第２の層（２）によって第１の層（１）から電気的に絶縁され、さらに切欠部（１０）によって第３の層（３）から電気的に絶縁されており」に相当する。
　
キ　引用発明の「前記基板８の層（第１層）と酸化シリコン層２８（第２層）と上記層（第３層）からなる３つの層」、「Ｐ型の単結晶シリコンの層、酸化シリコン層２８、Ｐ型の単結晶シリコンの層からなる３層構造」、「集積型加速度計」は、本願発明の「前記第１、第２、第３の層（１，２，３）」、「シリコン−オン−アイソレータ（ＳＯＩ）層構造部」、「加速センサ（６）」に相当する。
　したがって、引用発明の「前記基板８の層（第１層）と酸化シリコン層２８（第２層）と上記層（第３層）からなる３つの層として、Ｐ型の単結晶シリコンの層、酸化シリコン層２８、Ｐ型の単結晶シリコンの層からなる３層構造が形成されている、集積型加速度計」は、本願発明の「前記第１、第２、第３の層（１,２,３）としてシリコン−オン−アイソレータ（ＳＯＩ）層構造部が形成されている、加速センサ（６）」に相当する。
　
ク　引用発明の「前記可動振動質量体２」、「２つの可動櫛１４を構成している歯形状の電極列１２を有し」、「歯形状の電極列１２はＹ方向に変位可能である」は、本願発明の「前記変位可能な質量体（７）」、「櫛形構造部（１３）が形成されており」、「第３の層（３）の表面に対して平行に変位可能である」に相当する。
　したがって、引用発明の「前記可動振動質量体２として、２つの可動櫛１４を構成している歯形状の電極列１２を有し、歯形状の電極列１２はＹ方向に変位可能である」は、本願発明の「前記変位可能な質量体（７）として、櫛形構造部（１３）が形成されており、該櫛形構造部（１３）は、第３の層（３）の表面に対して平行に変位可能である」に相当する。
　
　以上から、本願発明と引用発明の両者は、
「３つの層を有し、第１の層は支持プレートとして構成され、該第１のプレート上には絶縁された第２の層が被着されており、該第２の層上には第３の層が被着されており、該第３の層からは変位可能な質量体が引き出されて形成されており、前記質量体は作用する応力又は加速に基づいて変位可能であり、
　第３の層から導体路が引き出されて形成されており、
　前記導体路は第２の層によって第１の層から電気的に絶縁され、さらに切欠部によって第３の層から電気的に絶縁されており、
　前記第１、第２、第３の層としてシリコン−オン−アイソレータ（ＳＯＩ）層構造部が形成されている、加速センサにおいて、
　前記変位可能な質量体として、櫛形構造部が形成されており、該櫛形構造部は、第３の層の表面に対して平行に変位可能である加速センサ。」の点で一致し、以下の点で一応相違する。
　
　相違点：
　導体路について、本願発明は、導体路（４）が接続点（２０）まで案内されているのに対して、引用発明は、固定片１９，２１（導体路）上に基準電気接点２３，２４が設けられている点。
　
６　当審の判断
上記相違点に係る本願発明の「前記導体路（４）は接続点（２０）まで案内されており」という事項の技術的意味を踏まえて上記相違点を検討する。
　
（１）「接続点（２０）」について
　本願明細書には、本願発明の実施例の加速センサが示された本願の図面の図１について、段落【００１７】には、「この接続点２０では加速センサの測定信号が取り出される。」と説明されるとともに、上記図１には、導体路４の端部の上に接続点２０が設けられている様子が記載されている。
　これらの記載によれば、上記事項における「接続点（２０）」の技術的意味は、加速センサの測定信号を取り出す導線が接続される部位を表すものといえる。
　一方、引用発明の固定片１９、２１上の基準電気接点２３，２４は、引用刊行物の記載事項８によれば、コンデンサ１２−１８のキャパシタンスの変化を測定するためものであり、測定用の導線が接続されることは明らかであるから、加速センサの測定信号が取り出される本願発明でいう「接続点（２０）」に相当する部材であるといえる。
　
（２）本願発明の上記事項における「接続点（２０）まで案内され」について
　本願明細書には、段落【００１７】の「導体路４は接続点２０に案内される。この接続点２０では加速センサの測定信号が取り出される。」以外、明示的には説明されていないが、本願の図面の図１には、導体路４の端部の上に接続点２０が設けられている様子が図示されている。
　一方、引用刊行物の図面の図１を参照すると、加速度計（加速センサ）の端から幾分奥まった位置であるが、固定片１９，２１の左端部の上に基準電気接点２３，２４が設けられている様子が図示されている。
　ところで、本願の特許請求の範囲の請求項１には、加速センサにおける接続点（２０）の位置について、何ら限定する記載がなされていない。ということは、本願発明における接続点（２０）の設置位置は、本願の図面の上記図１に示される、加速センサの端、及び、引用刊行物の加速度計（加速センサ）の端から幾分奥まった位置も含むことは明らかである。
　
（３）してみると、導体路について、引用発明の「固定片１９，２１（導体路）上に基準電気接点２３，２４が設けられている」という事項と、本願発明の「導体路が接続点まで案内されている」という事項は、実質的に同一である。
　
　したがって、上記相違点は、実質的な相違点ではなく、本願発明と引用発明とは同一である。
　以上より、本願発明は、引用刊行物に記載された発明であり、特許法第２９条第１項第３号に該当するから特許を受けることができない。
　
　なお、原査定の理由として、本願発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないとしているが、請求人は、本願発明と引用刊行物に記載された発明とを比較検討し審判請求書においてその相違を主張し、新規性について実質的に意見を述べているから、改めて拒絶理由は通知せず審決することとした。
　
７　むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、引用刊行物に記載された発明であり、特許法第２９条第１項第３号に該当するから特許を受けることができない。
　本願の請求項１に係る発明が特許を受けることができないものであるから、その余の請求項に係る発明について審究するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。