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　特願２０００−３８９６２８「プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　７月１０日出願公開、特開２００２−１９４５５２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯 
 　本願は、平成１２年１２月２１日の出願であって、平成１８年４月５日付けで拒絶査定がされ、これに対し、同年５月８日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年５月２５日付で手続補正がなされたものである。 
 　 
２．平成１８年５月２５日付の手続補正についての補正却下の決定
　
 ［補正却下の決定の結論］ 
　
 　平成１８年５月２５日付の手続補正（以下、「本件補正」という）を却下する。 
 
［理由］ 
　
（１）補正後の本願発明 
 　本件補正により、平成１８年１月３１日付けの手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１は、 
 「プラズマにより被処理物を表面処理するプロセス室と、該プロセス室を排気する排気手段と、前記プロセス室にプロセスガスを供給するガス供給手段とを備え、前記プラズマ室内において発生するプラズマによって被処理物を表面処理する際に、前記排気手段によるプロセスガスの排気と、前記ガス供給手段によるプロセスガスの供給とを一致させることにより、前記プロセス室のプロセスガスの圧力が一定に維持されるプラズマ処理装置において、
　前記プロセス室に供給するプロセスガスを貯蔵するガス貯蔵室と、該ガス貯蔵室と前記プロセス室との連通を制御する１つのゲートバルブとを備え、
　前記プロセス室および前記ガス貯蔵室が、真空容器内を前記ゲートバルブによって相互に分離することによって構成されて、該ガス貯蔵室が前記ゲートバルブを介して前記プロセス室に連続して設けられており、
　前記ゲートバルブは、配管を介することなく、前記プロセス室および前記ガス貯蔵室に直接連結されていることを特徴とするプラズマ処理装置。」と補正された。 
　上記補正は、本件補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「開閉手段」を「ゲートバルブ」に限定し、「前記プロセス室および前記ガス貯蔵室が真空容器によってそれぞれ構成されており」を、「前記プロセス室および前記ガス貯蔵室が、真空容器内を前記ゲートバルブによって相互に分離することによって構成されて」と限定するものであって、特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際、独立して特許を受けることができるものであるか（特許法１７条の２第５項において準用する同法１２６条５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（２）引用刊行物記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願の日前に頒布された特開昭６２−１０６６２７号公報（以下、「引用文献１」という。）には、次の事項が記載されている。
（ｉ）「〔発明の利用分野〕
　本発明は、半導体製造装置に係り、特にドライプロセスにて半導体素子基板（以下、基板と略）を処理する半導体製造装置に関するものである。」（１頁左欄１０〜１３行）
（ｉｉ）「〔発明の概要〕
　本発明は、半導体製造装置を、処理ガスを静的に溜め、処理室内への処理ガス導入手段からの処理ガスの導入前に前記処理室内へ前記溜められた処理ガスを導入するガス溜め手段を具備した装置としたもので、ガス溜め手段の作用により処理室内の圧力調整時間を短縮しようとしたものである。」（第１頁右欄第１３行〜第１９行）
（ｉｉｉ）「本発明の一実施例を第１図〜第３図により説明する。
　第１図、第２図は本発明をドライエッチング装置に適用した一実施例を示す。処理室１と隣接した基板搬送室２は、ゲートバルブ１３で真空的に遮断される。処理室１の基板電極６上への基板搬送手段３による基板の出し入れは、ゲートバルブ１３を開けた状態で行う。・・・・・・真空排気手段は、可変コンダクタンスバルブ１０と真空ポンプ（・・・・・・）とにより構成される。」（２頁左上欄１〜１６行）
（ｉｖ）「処理ガス留め１４の圧力上昇が完了した時点で流量コントローラ８、ガスバルブ１６を閉とする。基板搬送、高真空排気が完了した時点で、ガスバルブ１７を開にして、処理ガス溜め１４内の処理ガスを処理室１内に導入する。処理室１内の圧力と処理ガス溜１４の圧力とがほぼ等しくなった時点でガスバルブ１７を閉じ、流量コントローラ８、ガスバルブ９を開にする。
　処理ガス溜めと処理室間のバルブを複数とすればより速く処理室にガス導入できさらに異物の飛散を防止できる。」（第２頁右上欄第６行〜第１６行）
（ｖ）「図面の簡単な説明」において、「本発明による半導体製造装置の一実施例を示すドライエツチング装置の正面構成図」であると説明されている「第１図」及び「同じく平面構成図」であると説明されている「第２図」を参照すると、（ａ）処理ガス溜め１４と処理室１との間は複数の配管で繋がっており、それぞれの配管の途中にガスバルブ１７が設けられていることが視認される。（ｂ）また、「基板処理過程の模式図」であると説明されている「第３図」には、高真空排気後、圧力が上昇し、一定圧の期間に放電がなされ、その後真空排気される過程が示されていると看取れる。
　
　上記（ｉ）〜（ｖ）の摘示した事項について検討する。
（あ）上記（ｉｉｉ）の「処理室１の基板電極６上への基板搬送手段３による基板の出し入れは、ゲートバルブ１３を開けた状態で行なう。」との記載から、処理室には基板が収容されることは明らかであり、この基板は上記（ｉ）の記載からみて「半導体素子基板」といえる。
（い）上記（ｉｖ）の「基板搬送、高真空排気が完了した時点で、ガスバルブ１７を開にして、処理ガス溜め１４内の処理ガスを処理室１内に導入する。」との記載から、処理室１を高真空排気するために、高真空排気手段が接続され、ガスバルブ１７は処理ガス導入のための配管の途中に設けられていることは明らかである。
（う）上記（い）及び（ｉｉ）から（ｖ）の第３図に示される圧力の変化は処理室のものとみることができ、高真空排気後の圧力上昇は処理ガスの導入によるものであり、この処理ガス導入による圧力が一定の期間に処理室内の電極で放電がなされるからプラズマが発生するといえ、上記（あ）で検討したとおり処理室内には半導体素子基板が収容されているから、このプラズマにより処理室内の半導体素子基板に所定の表面処理がなされるものとみることができる。
（え）ガスバルブ１７は連通を制御するものであり、上記（ｉｖ）の複数のガスバルブを設けることは、上記（ｖ）の（ａ）を考慮すると処理ガス導入のための配管が複数あるといえる。
　
　そこで、上記（ｉ）〜（ｖ）の事項を上記（あ）〜（え）の検討を踏まえ、本願補正発明の記載ぶりに則して記載すると、引用文献１には、
「プラズマにより半導体素子基板を表面処理する処理室と、該処理室を排気する真空排気手段と、前記処理室に処理ガスを導入する処理ガス導入手段とを具備し、前記処理室内において発生するプラズマにより半導体素子基板を表面処理する半導体製造装置において、
　前記処理室に供給する処理ガスを静的に溜め、該処理室内への処理ガス導入系からの該処理ガスの導入前に前記処理室内へ前記溜められた処理ガスを導入するガス溜め手段と、該処理ガス溜めと処理室間は複数の配管で繋がっており、それぞれの配管の途中に連通を制御するガスバルブが備えられている半導体製造装置」の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されているといえる。
　
（３）対比・判断
　次に、本願補正発明と引用発明１とを対比する。
（か）引用発明１の「半導体素子基板」、「処理室」、「真空排気手段」、「処理ガス」、「処理ガス導入手段」は、それぞれ、本願補正発明の「被処理物」、「プロセス室」、「排気手段」、「プロセスガス」、「ガス供給手段」に相当することは明らかである。
（き）引用発明１の「半導体製造装置」はプラズマが発生して、プラズマにより半導体素子基板上に表面処理を行っているから、この「半導体製造装置」は「プラズマ処理装置」とみることができる。
（く）引用発明１の「ガス溜め手段」は処理室内への処理ガス導入系からの処理ガスの導入前に前記処理室内へ前記溜められた処理ガスを導入するためのものであるから、本願補正発明の、プロセス室に供給するプロセスガスを貯蔵する「ガス貯蔵室」に相当する。
　
　そうすると、本願補正発明と引用発明１は、共に、
「プラズマにより被処理物を表面処理するプロセス室と、該プロセス室を排気する排気手段と、前記プロセス室にプロセスガスを供給するガス供給手段とを備え、前記プラズマ室内において発生するプラズマによって被処理物を表面処理するプラズマ処理装置において、
　前記プロセス室に供給するプロセスガスを貯蔵するガス貯蔵室と、該ガス貯蔵室と前記プロセス室との連通を制御するバルブとを備えているプラズマ処理装置。」である点で一致し、以下の点で相違している。
（Ａ）本願補正発明は「プラズマによって被処理物を表面処理する際に、排気手段によるプロセスガスの排気と、ガス供給手段によるプロセスガスの供給とを一致させることにより、プロセス室のプロセスガスの圧力が一定に維持される」プラズマ処理装置であるのに対して、引用発明１はかかる事項が明言されていない点
（Ｂ）本願補正発明は「一つのゲートバルブを備え、プロセス室及びガス貯蔵室が真空容器内を前記ゲートバルブによって相互に分離することによって構成されて、該ガス貯蔵室がゲートバルブを介して前記プロセス室に連続して設けられており、前記ゲートバルブは配管を介することなく、前記プロセス室及び前記ガス貯蔵室に直接連結されている」のに対し、引用発明１ではプロセス室及びガス貯蔵室がともに真空容器であることが明言されず、前記プロセス室と前記ガス貯蔵室は直接連結されず、途中にガスバルブを有する複数の配管を介して連結されている点
　
　そこで、上記相違点について検討する。
・相違点（Ａ）について、
　上記（ｖ）に記載したように、引用発明１は、放電中、すなわち、プラズマ表面処理中に処理室（プロセス室）内の圧力が一定に保たれていることは第３図から明らかである。一方、プラズマ処理装置において、プラズマによって被処理物を表面処理する際に、排気手段によるプロセスガスの排気と、ガス供給手段によるプロセスガスの供給を一致させることにより、プロセス室内のガス圧力を一定に維持することは、本願出願前周知の技術といえる（要すれば、特開昭６１−１２４１２５号公報、特開昭６３−５８８３３号公報、特開平３−５３５１７号公報などを参照）。
　したがって、引用発明１において、プラズマによって被処理物を表面処理する際に、プロセス室のプロセスガスの圧力を一定に維持するに当たり、排気手段によるプロセスガスの排気と、ガス供給手段によるプロセスガスの供給とを一致させることにより行うことは当業者であれば容易になし得たものである。
・相違点（Ｂ）について
　上記（ｉｖ）の記載から、引用発明１においても処理室（プロセス室）は高真空排気されているから、真空容器といえる。 また、引用発明１の処理ガス溜め（ガス貯蔵室）は、上記（ｉｖ）に記載されるようにその内部の処理ガス（プロセスガス）を処理室（プロセス室）に導入するものであり、この導入時の急激な圧力の変化、すなわち負圧への変化に耐えうるものでなければならず、また、処理ガスを外部から導入して溜める機能を有するものであるから、処理ガスを溜めるに当たってその初期には内部は減圧され真空に近い圧力状態に保たれることも技術常識に照らし明らかである。
　そうすると、引用文献１には明言されないものの、この処理ガス溜め（ガス貯蔵室）は減圧状態に耐える真空容器とみることができる。
　ところで、上記（ｉｖ）には、ガス溜めと処理室間のガスバルブを複数とすること、すなわち、ガス貯蔵室とプロセス室間のガスバルブを有する管路を複数とすれば、より速くプロセス室へガス導入ができることが記載されているから、ガス貯蔵室とプロセス室間のバルブを有する管路を多くすること、すなわち、管路断面積の合計値を大きくするとより速くプロセス室へ処理ガスが導入できることを示唆しているといえる。
　そして、この管路の長さ（管路長）が短ければ短いほど、ガスの導入時間は速くなることは技術常識である。
　してみると、この上記（ｉｖ）の記載に接した当業者は、ガス貯蔵室とプロセス室との間を流体が通過する面の断面積の大きな管路のないバルブ、換言すれば、配管を介することなくガス貯蔵室とプロセス室を連続させ、すなわち、直接連結を可能とする断面積の大きなバルブを使用すれば、より速く処理室に処理ガスが導入できるという教示を得るものといえる。
　また、バルブとは連通を制御するものであり、流体の通過する断面積の大きなバルブとしてゲートバルブは、上記（ｉｉｉ）に記載されているように周知のものである。
　そうすると、当業者であれば、引用発明のガスバルブをそれぞれに有する複数の配管に代えて 一つのゲートバルブにより、ガス貯蔵室とプロセス室を結ぶこと、すなわち、上記の通り、共に、真空容器とみることができるガス貯蔵室とプロセス室を、一つのゲートバルブによって、一つの真空容器を相互に分離することによって構成し、ガス貯蔵室がゲートバルブを介してプロセス室に連続して設けられ、ゲートバルブは配管を介することなく前記プロセス室及び前記ガス貯蔵室に直接連結されているようにすることは、当業者であれば困難なくなしえたことである。
　
　そして、本願補正発明の作用・効果も、引用文献１及び周知技術から当業者が予測できる程度のものである。 
　
 したがって、本願補正発明は、引用文献１に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 
　
　なお、請求人は、平成１８年５月２５日付け手続補正書で補正された拒絶査定不服審判請求書において、「処理室と処理ガス溜めとの間に、複数のガス導入バルブを設ける引用文献１の構成は、『プロセス室およびガス貯蔵室が、真空容器内をゲートバルブによって相互に分離する』本願発明の構成とは明らかに異なって」おり、「引用文献１の構成では、本願発明のように、ゲートバルブを開状態とすることによって、ガス貯蔵室内に貯蔵されたプロセスガスをプロセス室内に瞬時に供給することができるものではない」旨を主張している。
　そこで、この主張について検討する。
　プロセス室及びガス貯蔵室が真空容器内をゲートバルブによって相互に分離するという構成事項を引用発明が備えることの容易性についての判断は前記したとおりであるから、ガス貯蔵室に貯蔵されたプロセスガスをプロセス室内に瞬時に供給することができるという点についてのみ検討する。
　ゲートバルブのバルブ径（すなわち、流体が通過するバルブの断面積）は、ゲートバルブを使用するという事項のみから一義的に決定できるものではなく、本願補正発明ではこのバルブ径について何も特定されていない。また、ガス貯蔵室に貯蔵されたプロセスガスがプロセス室を満たす時間は、このバルブ径の他にガス貯蔵室とプロセスガスの容積比、ガス貯蔵室に貯蔵されるプロセスガスのガス圧、バルブの開閉時間などの様々な因子に依存することは明らかである。
　そうすると、ゲートバルブを備えたことのみをもって、プロセスガスを瞬時に供給できるとみることはできない。
　よって、請求人の上記主張は採用することができない。
　 
（４）むすび 
 　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
　
３．本願発明について
（１）本願発明
 　平成１８年５月２５日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１８年１月３１日付け手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「プラズマにより被処理物を表面処理するプロセス室と、該プロセス室を排気する排気手段と、前記プロセス室にプロセスガスを供給するガス供給手段とを備え、前記プラズマ室内において発生するプラズマによって被処理物を表面処理する際に、前記排気手段によるプロセスガスの排気と、前記ガス供給手段によるプロセスガスの供給とを一致させることにより、前記プロセス室のプロセスガスの圧力が一定に維持されるプラズマ処理装置において、
　前記プロセス室に供給するプロセスガスを貯蔵するガス貯蔵室と、該ガス貯蔵室と前記プロセス室との連通を制御する１つの開閉手段とを備え、
　前記プロセス室および前記ガス貯蔵室が真空容器によってそれぞれ構成されており、該ガス貯蔵室が前記開閉手段を介して前記プロセス室に連続して設けられており、
　前記開閉手段は、配管を介することなく、前記プロセス室および前記ガス貯蔵室に直接連結されていることを特徴とするプラズマ処理装置。」　
　
（２）引用文献
　本審決で「引用文献１」と呼ぶ、原査定の拒絶の理由に引用された特開昭６２−１０６６２７号公報には、前記２．（２）で摘示した（ｉ）〜（ｖｉｉ）の事項が記載されており、前記２．（２）で検討したとおりの前記した引用発明１が記載されているといえる。
　
（３）対比・判断
　前記２．（３）における検討を踏まえ、さらに、引用発明１の「バルブ」は「連通を制御する開閉手段」であることは明らかであるから、本願発明と引用発明を対比すると、両者は、共に、
「プラズマにより被処理物を表面処理するプロセス室と、該プロセス室を排気する排気手段と、前記プロセス室にプロセスガスを供給するガス供給手段とを備え、前記プラズマ室内において発生するプラズマによって被処理物を表面処理するプラズマ処理装置において、
　前記プロセス室に供給するプロセスガスを貯蔵するガス貯蔵室と、該ガス貯蔵室と前記プロセス室との連通を制御する開閉手段を備えているプラズマ処理装置。」の発明である点で一致し、以下の点で相違している。
（Ｄ）本願発明は、「プラズマによって被処理物を表面処理する際に、前記排気手段によるプロセスガスの排気と、前記ガス供給手段によるプロセスガスの供給とを一致させることにより、前記プロセス室のプロセスガスの圧力が一定に維持される」プラズマ処理装置であるのに対して、引用発明１のものはかかる事項が明言されていない点。
（Ｅ）本願発明は「一つの開閉手段を備え、プロセス室及びガス貯蔵室が真空容器によってそれぞれ構成されており、該ガス貯蔵室が前記開閉手段を介して前記プロセス室に連続して設けられており、前記開閉手段は配管を介することなく、前記プロセス室及び前記ガス貯蔵室に直接連結されている」のに対し、引用発明１ではプロセス室及びガス貯蔵室がともに真空容器であることが明言されず、前記プロセス室と前記ガス貯蔵室は直接連結されず、途中にガスバルブを有する複数の配管を介して連結されている点、
で相違している。
　そこで、上記相違点について検討する。
・相違点（Ｄ）について、
　この相違点は相違点（Ａ）と同じであるから、その判断は相違点（Ａ）の判断のところで述べたとおりである。
・相違点（Ｅ）について
　「ゲートバルブ」は「開閉手段」の一つであるから、この相違点（Ｅ）は、「ゲートバルブ」は「開閉手段」と置き換えた相違点（Ｂ）と実質的に同じであるから、相違点（Ｂ）の判断と同じである。
　
　そして、本願発明の作用・効果も、引用文献１及び周知技術から当業者が予測できる程度のものである。 
　そうすると、本願発明は当業者ならば引用発明１及び周知技術に基づいて困難なくなしえたものである。
（４）むすび 
 　以上のとおり、本願発明は、引用文献１に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条２項の規定により特許を受けることができない。 
　したがって、その余の請求項に論及するまでもなく本願は拒絶すべきものである。
 　よって、結論のとおり審決する。