【手続補正書】
【提出日】平成26年12月18日(2014.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の力学量を検知する検知部及び一方の面に第１の配線を備えた第１の基板、並びに、前記第１の基板の一方の面に前記検知部及び前記第１の配線を覆うように積層され、前記第１の基板とは反対側の面に第２の配線を備えた第２の基板、を有する第１のＭＥＭＳ素子と、
前記第２の基板の前記第１の基板とは反対側の前記第２の配線に実装された第２のＭＥＭＳ素子と、
前記第２の基板の前記第１の基板とは反対側の面に前記第２のＭＥＭＳ素子を封止する第１の封止空間を形成する封止基板と、を有し、
前記第２のＭＥＭＳ素子は、前記第２の配線及び前記第１の配線を介して、前記第２の基板の前記封止基板から露出する領域に形成された外部接続端子と電気的に接続されているＭＥＭＳモジュール。
【請求項２】
前記第２の基板の前記第１の封止空間を形成する領域に、前記第２の基板を貫通する第１のビアホールが形成され、
前記第２の配線は、前記第１のビアホールを介して、前記第１の配線と電気的に接続されている請求項１記載のＭＥＭＳモジュール。
【請求項３】
前記第２の基板の前記封止基板から露出する領域に、前記第２の基板を貫通する第２のビアホールが形成され、
前記第１の配線は、前記第２のビアホールを介して、前記外部接続端子と電気的に接続されている請求項２記載のＭＥＭＳモジュール。
【請求項４】
前記封止基板には切り欠き部が形成され、前記第２の基板の前記切り欠き部から露出する領域に、前記外部接続端子が形成されている請求項３記載のＭＥＭＳモジュール。
【請求項５】
前記第１のＭＥＭＳ素子は、前記第１の基板の他方の面に前記検知部を覆うように積層された第３の基板を備え、
前記検知部は、前記第１の基板を貫通する開口部内に可動可能な状態で支持され、
前記検知部は、前記開口部の内壁面、及び前記第２の基板と前記第３の基板の前記第１の基板を介して互いに対向する面によって形成された第２の封止空間に封止されている請求項１乃至４の何れか一項記載のＭＥＭＳモジュール。
【請求項６】
所定の力学量を検知する検知部及び第１の配線を備えた第１の基板、前記第１の基板の一方の面に前記検知部及び前記第１の配線を覆うように積層され、前記第１の基板とは反対側の面に第２の配線を備えた第２の基板、並びに、前記第１の基板の他方の面に前記検知部を覆うように積層された第３の基板、を有する第１のＭＥＭＳ素子と、
前記第２の基板の前記第１の基板とは反対側の前記第２の配線に実装された第２のＭＥＭＳ素子と、
前記第２の基板の前記第１の基板とは反対側の面に前記第２のＭＥＭＳ素子を封止する第１の封止空間を形成する封止基板と、を有し、
前記第２の基板の前記第１の封止空間を形成する領域に、前記第２の基板を貫通する第１のビアホールが形成され、前記第１のビアホール内に前記第２の配線が形成され、
前記第１の基板に、前記第１の基板を貫通する第３のビアホールが形成され、前記第３のビアホール内に前記第１の配線が形成され、
前記第３の基板に、前記第３の基板を貫通する第４のビアホールが形成され、前記第４のビアホール内にビア配線が形成され、
前記第２のＭＥＭＳ素子は、前記第２の配線、前記第１の配線、及び前記ビア配線を介して、前記第３の基板の前記第１の基板とは反対側の面に形成された外部接続端子と電気的に接続されているＭＥＭＳモジュール。
【請求項７】
前記検知部は、前記第１の基板を貫通する開口部内に可動可能な状態で支持され、
前記検知部は、前記開口部の内壁面、及び前記第２の基板と前記第３の基板の前記第１の基板を介して互いに対向する面によって形成された第２の封止空間に封止されている請求項６記載のＭＥＭＳモジュール。
【請求項８】
前記第２の基板と前記第３の基板の前記第１の基板を介して互いに対向する面側の前記検知部と重複する位置には、各々凹部が形成されている請求項５乃至７の何れか一項記載のＭＥＭＳモジュール。
【請求項９】
前記封止基板は凹部を有し、
前記第１の封止空間は、前記凹部の内壁面と前記第２の基板により形成されている請求項１乃至８の何れか一項記載のＭＥＭＳモジュール。
【請求項１０】
前記第１の配線は、前記第１の基板の表面から突出しないように形成されている請求項１乃至９の何れか一項記載のＭＥＭＳモジュール。
【請求項１１】
複数の領域を有する第１のウェハの各々の前記領域に所定の力学量を検知する検知部を形成する工程と、
前記第１のウェハの各々の前記領域に第１の配線を形成する工程と、
前記第１のウェハに対応する複数の領域を有する第２のウェハを、前記第１のウェハの一方の面に前記検知部を覆うように積層して接合する工程と、
前記第２のウェハの各々の前記領域に前記第１の配線と電気的に接続された第２の配線を形成し、前記第１のウェハの各々の前記領域及び前記第２のウェハの各々の前記領域に第１のＭＥＭＳ素子を形成する工程と、
前記第２のウェハの各々の前記領域の前記第１のウェハとは反対側の面に第２のＭＥＭＳ素子を実装する工程と、
前記第１のウェハに対応する複数の領域を有する第３のウェハを前記第２のウェハの前記第１のウェハとは反対側の面に積層して接合し、前記第２のウェハとの間に各々の前記第２のＭＥＭＳ素子を封止する第１の封止空間を形成する工程と、を有し、
前記第１の封止空間を形成する工程では、前記第２のＭＥＭＳ素子が、前記第２の配線及び前記第１の配線を介して、前記第２のウェハの前記第３のウェハから露出する領域に形成された外部接続端子と電気的に接続されるＭＥＭＳモジュールの製造方法。
【請求項１２】
複数の領域を有する第１のウェハの各々の前記領域に所定の力学量を検知する検知部を形成する工程と、
前記第１のウェハの各々の前記領域に、前記第１のウェハを貫通する第１の配線を形成する工程と、
前記第１のウェハに対応する複数の領域を有する第２のウェハを、前記第１のウェハの一方の面に前記検知部を覆うように積層して接合する工程と、
前記第１のウェハに対応する複数の領域を有する第４のウェハを、前記第１のウェハの他方の面に前記検知部を覆うように積層して接合する工程と、
前記第２のウェハの各々の前記領域に前記第１の配線と電気的に接続された第２の配線を形成する工程と、
前記第４のウェハの各々の前記領域に、前記第４のウェハを貫通して前記第１の配線と電気的に接続されたビア配線を形成し、前記第１のウェハの各々の前記領域、前記第２のウェハの各々の前記領域、及び前記第４のウェハの各々の前記領域に第１のＭＥＭＳ素子を形成する工程と、
前記第２のウェハの各々の前記領域の前記第１のウェハとは反対側の面に第２のＭＥＭＳ素子を実装する工程と、
前記第１のウェハに対応する複数の領域を有する第３のウェハを前記第２のウェハの前記第１のウェハとは反対側の面に積層して接合し、前記第２のウェハとの間に各々の前記第２のＭＥＭＳ素子を封止する第１の封止空間を形成する工程と、を有し、
前記第１のＭＥＭＳ素子を形成する工程では、前記第４のウェハの各々の前記領域の前記第１のウェハとは反対側の面に外部接続端子を形成し、
前記第２のＭＥＭＳ素子を実装する工程では、前記第２のＭＥＭＳ素子が、前記第２の配線、前記第１の配線、及び前記ビア配線を介して、前記外部接続端子と電気的に接続されるＭＥＭＳモジュールの製造方法。
【請求項１３】
前記第４のウェハを前記第１のウェハの他方の面に積層して接合する工程では、
前記第１のウェハとしてシリコンウェハを準備し、
前記第４のウェハとしてガラスウェハを準備し、
前記ガラスウェハを前記シリコンウェハの他方の面に陽極接合する請求項１２記載のＭＥＭＳモジュールの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本ＭＥＭＳモジュールは、所定の力学量を検知する検知部及び一方の面に第１の配線を備えた第１の基板、並びに、前記第１の基板の一方の面に前記検知部及び前記第１の配線を覆うように積層され、前記第１の基板とは反対側の面に第２の配線を備えた第２の基板、を有する第１のＭＥＭＳ素子と、前記第２の基板の前記第１の基板とは反対側の前記第２の配線に実装された第２のＭＥＭＳ素子と、前記第２の基板の前記第１の基板とは反対側の面に前記第２のＭＥＭＳ素子を封止する第１の封止空間を形成する封止基板と、を有し、前記第２のＭＥＭＳ素子は、前記第２の配線及び前記第１の配線を介して、前記第２の基板の前記封止基板から露出する領域に形成された外部接続端子と電気的に接続されていることを要件とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】