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　特願２０００−２６４４０５「半導体レーザ素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　３月１５日出願公開、特開２００２−　７６５０２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１２年８月３１日に特許出願したものであって、平成１９年３月８日に手続補正がなされ、同年５月９日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年６月１４日に拒絶査定不服審判請求がなされたものである。
　
　そして、その請求項に係る発明は、平成１９年３月８日付け手続補正書で補正された特許請求の範囲の請求項１〜５に記載された事項により特定されるものであると認められるところ、請求項１に係る発明は次のものである。
　
「【請求項１】　基板と、
　前記基板上に形成されるとともに共振器を構成する活性層を含むレーザ素子構造と、
　前記レーザ素子構造上に形成された電極層とを備え、
　前記レーザ素子構造は、前記共振器の端面近傍の上面にのみ隆起部を有し、
　前記電極層は、前記隆起部上の領域で０以上の第１の膜厚を有し、前記隆起部を除く領域であって前記共振器上の領域を含む領域で前記隆起部の高さと前記第１の膜厚との合計以上の第２の膜厚を有するとともに前記電極層の上面が前記レーザ素子構造の上面に対して平坦に形成されていることを特徴とする半導体レーザ素子。」（以下「本願発明」という。）
　
　
２．刊行物の記載事項
　本願の出願前に頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である特開平９−２９３９２８号公報（以下「引用刊行物１」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、端面窓構造を有する半導体レーザ装置およびその製造方法に関するものである。」 
イ　「【０００３】・・・（略）・・・。図３は、従来の半導体レーザの製造方法を示す斜視図である。図において、１は半導体基板で、例えばｎ−ＧａＡｓ基板、２はｎ−ＡｌＧａＩｎＰ下クラッド層、３は活性層、４はｐ−ＡｌＧａＩｎＰ上クラッド層、１５はｐ−ＧａＡｓ層、６はＳｉＮ膜、９は亜鉛拡散領域、１１はｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層、１２はｐ−ＧａＡｓコンタクト層、１６はレジストをそれぞれ示す。
【０００４】従来の窓構造半導体レーザの製造方法を図について説明する。まず、ｎ−ＧａＡｓ基板１上にｎ−ＡｌＧａＩｎＰ下クラッド層２、活性層３、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ上クラッド層４、ｐ−ＧａＡｓ層１５を順次結晶成長させる（図３−ａ）。続いて、ＳｉＮ膜６を成膜、パターニングした後（図３−ｂ）、上記のＳｉＮ膜６をマスクにして端面部分のみに選択的に亜鉛を拡散させる（図３−ｃ）。次に、上記ＳｉＮ膜６をパターニングしてリッジエッチング用パターンを形成する（図３−ｄ）。エッチングにより導波路を形成し、レジストを除去後（図３−ｅ）、ｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層１１を成長させる（図３−ｆ）。続いてＳｉＮ膜６を除去し、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層１２を結晶成長させる（図３−ｇ）。このような方法で形成された半導体レーザは、Ｚｎ拡散領域９上にＳｉＮ膜６がない状態で電流ブロック層１１、コンタクト層１２を成長させるため、レーザチップ表面に図３−ｇに示すような凹凸が形成される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の端面窓構造の半導体レーザは、上記のような方法で製造されているため、レーザチップ表面に凹凸が形成されてしまい、レーザチップをヒートシンクにボンディングする際に端面部にストレスがかかるという問題があった。」 
ウ　「【０００６】この発明は、上記のような問題を解消するためになされたもので、組立時等にストレスの原因となる凹凸がない、表面が平坦な半導体レーザ装置およびその製造方法を提供するものである。
【０００７】〜【００１１】　略。
【００１２】本実施の形態によれば、・・・（中略）・・・レーザチップ表面に凹凸が生じないため、Ｊ−ｄｏｗｎ組立を行う際にも端面部にストレスがかかることがなく、組立工程が容易に行える。」
エ　引用刊行物１に示された従来の「半導体レーザ」は、
（ア）リッジ状に形成された導波路を有すること、
（イ）前記リッジ状導波路以外の領域の上面と前記リッジ状導波路の端面近傍の上面に電流ブロック層１１を成長させ、その後半導体レーザの上面全体にｐ−ＧａＡｓコンタクト層１２を結晶成長させることにより、前記半導体レーザは前記リッジ状導波路の端面近傍の上面にのみ凸部を有すること、
が、図３（ｅ）（ｆ）（ｇ）から見て取れる。
 　 
　よって、これらの記載を総合すると、引用刊行物１には、次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。 
 　 
「ｎ−ＧａＡｓ基板上にｎ−ＡｌＧａＩｎＰ下クラッド層、活性層、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ上クラッド層、ｐ−ＧａＡｓ層を順次結晶成長させ、ＳｉＮ膜を成膜、パターニングしてエッチングすることによりリッジ状の導波路を形成し、前記リッジ状導波路以外の領域の上面と前記リッジ状導波路の端面近傍の上面とに電流ブロック層を成長させ、その後半導体レーザの上面全体にｐ−ＧａＡｓコンタクト層を結晶成長させることにより、前記リッジ状導波路の端面近傍の上面にのみ凸部を形成した半導体レーザ。」
　
　
　また、本願の出願前に頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である特開平２−２３９６７８号公報（以下「引用刊行物２」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
オ　「２．特許請求の範囲
　半導体基板上に設けられた能動領域を有し該能動領域が他の部分よりも凸に構成されている半導体装置において、該凸部の高さよりも厚い金属層を該凸部以外の領域上に設けたことを特徴とする半導体装置。」（第１頁左下欄第４〜９行）
カ　「〔産業上の利用分野〕
　この発明はいわゆるジャンクションダウン組立を施す半導体装置、特に半導体レーザ装置に関するものである。」（第１頁左下欄第１１〜１４行）
キ　「〔従来の技術〕
　第３図は従来の半導体レーザ装置を示す断面図である。図において（１）はｎ型（以下、ｎ−と略す）ＧａＡｓ基板、（２）はｎ−ＧａＡｓ基板（１）上に設けられたｎ−Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ第１クラツド層、（３）はｎ−Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓクラツド層（２）上に設けられたノンドープ（以下ｕｎ−と略す）ＧａＡｓ活性層，（４）はｕｎ−ＧａＡｓ活性層（３）上に設けられたストライプ状凸部（５）を有するｐ型（以下ｐ−と略す）Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ第２クラツド層、（６）はｐ−Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ第２クラツド層（４）のストライプ状凸部（５）上に設けられたｐ−ＧａＡｓ第１コンタクト層、（７）はｐ−Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ第２クラツド層（４）及びｐ−ＧａＡａ第１コンタクト層（６）上にほぼ均一の厚さで設けられ、高さｈのストライプ状凸部（８）を有するｎ−ＧａＡｓ電流阻止層、（９）はｎ−ＧａＡｓ電流阻止層（７）のストライプ状凸部（８）にのみ選択的にｐ−ＧａＡｓ第１コンタクト層（６）に達するようにＺｎが拡散されたＺｎ拡散ｐ型領域、（１０）はＺｎ拡散ｐ型領域（９）上に設けられたｐ側電極、（ｌ１）はｎ−ＧａＡｓ基板（１）下部に設けられたｎ側電極である。」（第１頁左下欄第１５行〜同頁右下欄第１４行）
ク　「〔発明が解決しようとする課題〕
　半導体レーザ装置は動作させると熱を発生する。発生した熱により半導体レーザ装置はその発振しきい値電流が上昇したり、発光効率が低下する。甚しい場合には発振停止に至る。従って動作により発生した熱を効率良く逃がすことが実用上重要である。放熱を改善するための手段としてヒートシンク上に動作領域を近づけてマウントするいわゆるジャンクシヨンダウン組立方式がある。従来半導体装置は以上のように構成されているので、ジャンクシヨンダウン組立を施す場合には、高さｈのストライプ状凸部が動作領域直上のチツプ表面に存在するために、ヒートシンクとチップを圧力をかけてマウントする際に動作領域にストレスが加わり、半導体装置の信頼性を低下させるという問題点があった。
　この発明はかかる問題点を解消するためになされたものであり、ジャンクシヨンダウン組立に際して動作領域にストレスが加わらない半導体装置を得ることを目的とする。」（第２頁左上欄第２行〜同頁右上欄第１行）
ケ　「〔実施例〕
　第１図はこの発明に係る半導体装置の一実施例を示す半導体レーザ装置の断面図、第２図は第１図の半導体レーザ装置をジャンクシヨンダウン方式でヒートシンク上にマウントした状況を示す断面図である。図において（１）〜（１１）は第３図の従来例に示したものと同等であるので説明を省略する。（１２）はＺｎ拡散ｐ型領域（９）以外の領域上に設けられたＳｉＯ２膜、（１３）はストライプ状凸部（８）以外の領域上に設けられた高さがｈよりも大きな金属層、（１４）はヒートシンク、（１５）ははんだ材である。
　次に動作について説明する。第２図に示すようにジャンクシヨンダウン方式で組立てる際には、ストライプ状凸部（８）の高さよりも金属層（１３）の高さが高いために、レーザ発振領域直上のストライプ状凸部（８）がヒートシンク（１４）と直接接触することがなく、ストレスをレーザ発振領域に与えることがない。したがって、組立に起因する信頼性の低下を防止することができる。」（第２頁右上欄第１２行〜同頁左下欄第９行）
コ　「半導体レーザ装置」の上面の一部に凸部（８）が形成され、前記凸部以外の領域上に該凸部の高さよりも厚い金属層（１３）を設けること、が第１図から見て取れる。
　
　よって、これらの記載を総合すると、引用刊行物２には、次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。 
 　 
「上面の一部に凸部が形成されている半導体レーザ装置において、該半導体レーザ装置をジャンクシヨンダウン方式でヒートシンク上にマウントする際に、前記凸部以外の領域上に該凸部の高さよりも厚い金属層を設けるもの。」
　
　
３．対比、判断
　本願発明と引用発明１を対比する。
ア　引用発明１の「ｎ−ＧａＡｓ基板」、「活性層」及び「半導体レーザ」は、それぞれ、本願発明の「基板」、「活性層」及び「半導体レーザ素子」に相当する。
イ　引用発明１の「半導体レーザ」は、「ｎ−ＧａＡｓ基板上にｎ−ＡｌＧａＩｎＰ下クラッド層、活性層、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ上クラッド層、ｐ−ＧａＡｓ層を順次結晶成長させ、ＳｉＮ膜を成膜、パターニングしてエッチングすることによりリッジ状の導波路を形成し、前記リッジ状導波路以外の領域の上面と前記リッジ状導波路の端面近傍の上面とに電流ブロック層を成長させ、その後半導体レーザの上面全体にｐ−ＧａＡｓコンタクト層を結晶成長させる」ものであるから、本願発明の「基板と、前記基板上に形成されるとともに共振器を構成する活性層を含むレーザ素子構造とを備え」た「半導体レーザ素子」、なる構成を備えるものである。
ウ　引用発明１の「半導体レーザ」は、そのｐ−ＧａＡｓコンタクト層上にｐ側電極が設けられることは明らかであるから、本願発明の「半導体レーザ素子」は、「前記レーザ素子構造上に形成された電極層とを備え」たものである、といえる。
エ　引用発明１の「リッジ状の導波路の端面近傍の上面にのみ凸部を形成し」なる事項は、本願発明の「前記レーザ素子構造は、前記共振器の端面近傍の上面にのみ隆起部を有し」なる事項に相当する。
 　  
　したがって、両者は、　  
「基板と、
　前記基板上に形成されるとともに共振器を構成する活性層を含むレーザ素子構造と、
　前記レーザ素子構造上に形成された電極層とを備え、
　前記レーザ素子構造は、前記共振器の端面近傍の上面にのみ隆起部を有する半導体レーザ素子。」　  
である点で一致し、次の点で相違する。　  
 　  
相違点
　電極層が、本願発明では、隆起部上の領域で０以上の第１の膜厚を有し、前記隆起部を除く領域であって共振器上の領域を含む領域で前記隆起部の高さと前記第１の膜厚との合計以上の第２の膜厚を有するとともに前記電極層の上面がレーザ素子構造の上面に対して平坦に形成されているのに対し、引用発明では、そのようになっていない点。
　
　上記相違点につき検討する。
　「上面の一部に凸部が形成されている半導体レーザ装置において、該半導体レーザ装置をジャンクシヨンダウン方式でヒートシンク上にマウントする際に、前記凸部以外の領域上に該凸部の高さよりも厚い金属層を設けるもの」の発明（引用発明２）は引用刊行物２に記載されているところ、引用発明１の半導体レーザをジャンクションダウンでサブマウントに取り付ける際に上記引用発明２を適用して、リッジ状導波路の端面近傍の上面の凸部以外の領域であって該リッジ状導波路上の領域を含む領域に該凸部の高さよりも厚い金属層を設けてその上面を平坦に形成し、その金属（電極）層を、該凸部上の領域には設けずにその膜厚（第１の膜厚）を０となし、前記凸部を除く領域であってリッジ状導波路上の領域を含む領域で前記凸部の高さと前記第１の膜厚（０）との合計以上の第２の膜厚を有するものとなして、上記相違点に係る本願発明の構成となすことは当業者が容易になし得ることである。
　
　そして、本願発明によってもたらされる効果は、引用発明１及び引用発明２から当業者が予測し得る程度のものである。
　
　
４．むすび
　したがって、本願発明は、引用刊行物１及び引用刊行物２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。