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　特願２００２−３０９３８６「半導体製造装置用セラミックスヒーター」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　５月２０日出願公開、特開２００４−１４６５６７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯　　
　本願は、平成１４年１０月２４日の出願であって、平成１８年３月１３日付けで拒絶査定がなされ、これに対して平成１８年４月２０日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。　
　　　
２．本願発明　
　本願の請求項１ないし４に係る発明は、願書に最初に添付された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載された事項により特定されるものであり、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、その請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。　
「【請求項１】　セラミックス基板の表面又は内部に抵抗発熱体を有する半導体製造装置用セラミックスヒーターであって、非加熱時において、該セラミックスヒーターの厚み方向における最大外径と最少外径の差が、ウエハ載置面における平均外径の０．８％以下であることを特徴とする半導体製造装置用セラミックスヒーター。」　
　　
３．刊行物に記載された発明　
（１）刊行物１：特開２００１−１１８６６４号公報　
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００１−１１８６６４号公報（以下、「刊行物１」という。）には、表１、及び図１及び図３とともに以下の事項が記載されている。
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体産業において使用され、主として半導体ウエハの加熱に使用されるセラミックヒータに関する。」
「【０００８】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者は、このような従来技術の問題について鋭意検討した結果、セラミック基板の側面を一定範囲に粗化することにより、シールリングを介してセラミック基板を嵌め込む場合には、シールリングとの接触部分を点接触として、セラミック基板の温度を均一化することができることを見い出した。
【０００９】また、シールリングにセラミック基板側面が接触せず露出する場合には、側面の面粗度が大きすぎると、あたかも側面が放熱フィンのような効果を奏して外周に温度不均一部分が発生してしまったり、パーティクルが発生するが、面粗度を一定以下にすることでこのような問題も解決することができることを見い出し、本発明を完成するに至った。
【００１０】即ち、本発明のセラミックヒータは、セラミック基板の表面または内部に発熱体が設けられてなるセラミックヒータであって、セラミック基板の側面の面粗度が、ＪＩＳ　Ｂ　０６０１　Ｒｍａｘ＝０．１〜２００μｍであることを特徴とする。
【００１１】本発明のセラミックヒータによれば、側面部分が上記のように一定の範囲で粗化されているので、セラミック基板が支持容器に嵌め込まれた場合、セラミック基板側面における支持容器との接触を点接触とすることができ、セラミックヒータから支持容器への熱の伝導を抑制してセラミック基板の温度を均一化することができる。
【００１２】上記側面の面粗度が大きすぎると、シールリングに接触している場合であっても放熱フィンのような効果を奏してしまい、熱が放熱してセラミック基板の外周部分に低温領域が生じてしまう。一方、面粗度が小さすぎると、シールリングとの接触面積が大きくなり、また、シールリングがない場合でも、側面と接触している空気の滞留がないため、逆に放熱性が上がってしまい、結局セラミック基板の外周部分に低温領域が生じてしまう。」
「【００２７】上記セラミックヒータのヒータ板１１の厚さは、０．５〜２５ｍｍが好ましい。０．５ｍｍより薄いと、強度が低下するため破損しやすくなり、２５ｍｍを超えると温度追従性が低下する。より好ましくは、１．５ｍｍを超え５ｍｍ以下である。５ｍｍより厚くなると、熱が伝搬しにくくなり、加熱の効率が低下する傾向が生じ、一方、１．５ｍｍ以下であると、側面の面積自体が小さいため、セラミックヒータの外周の温度低下という問題自体が発生しにくく、また、強度が低下して破損する場合があるからである。なお、特開平２０００−２１９６１号公報には、一定の側面面粗度を持った静電チャックが開示されているがセラミックヒータに関する技術ではない。」
「【００８１】
【実施例】以下、本発明をさらに詳細に説明する。
（実施例１）
（１）窒化アルミニウム粉末（平均粒径：１．１μｍ）１００重量部、イットリア（平均粒径：０．４μｍ）４重量部、アクリルバインダ１２重量部およびアルコールからなる組成物のスプレードライを行い、顆粒状の粉末を作製した。
【００８２】（２）次に、この顆粒状の粉末を金型に入れ、平板状に成形して生成形体（グリーン）を得た。
【００８３】（３）加工処理の終った生成形体を１８００℃、圧力：２０ＭＰａでホットプレスし、厚さが３ｍｍの窒化アルミニウム板状体を得た。次に、この板状体から直径２１０ｍｍの円板体を切り出し、セラミック製の板状体（ヒータ板１１）とした。この成形体にドリル加工を施し、半導体ウエハのリフターピンを挿入する貫通孔１５となる部分、熱電対を埋め込むための有底孔１４となる部分（直径：１．１ｍｍ、深さ：２ｍｍ）を形成した。このヒータ板１１の側面１１ｃを平均粒子径５μｍのアルミナのサンドブラストで処理し、側面１１ｃにＪＩＳ　Ｂ　０６０１で、Ｒｍａｘ＝７μｍの凹凸を形成した。
【００８４】（４）上記（３）で得たヒータ板１１に、スクリーン印刷にて導体ペーストを印刷した。印刷パターンは、図１に示したような同心円状のパターンとした。導体ペーストとしては、プリント配線板のスルーホール形成に使用されている徳力化学研究所製のソルベストＰＳ６０３Ｄを使用した。この導体ペーストは、銀−鉛ペーストであり、銀１００重量部に対して、酸化鉛（５重量％）、酸化亜鉛（５５重量％）、シリカ（１０重量％）、酸化ホウ素（２５重量％）およびアルミナ（５重量％）からなる金属酸化物を７．５重量部含むものであった。また、銀粒子は、平均粒径が４．５μｍで、リン片状のものであった。
【００８５】（５）次に、導体ペーストを印刷したヒータ板１１を７８０℃で加熱、焼成して、導体ペースト中の銀、鉛を焼結させるとともにヒータ板１１に焼き付け、発熱体１２を形成した。銀−鉛の発熱体は、厚さが５μｍ、幅２．４ｍｍ、面積抵抗率が７．７ｍΩ／□であった。
【００８６】（６）硫酸ニッケル８０ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム２４ｇ／ｌ、酢酸ナトリウム１２ｇ／ｌ、ほう酸８ｇ／ｌ、塩化アンモニウム６ｇ／ｌの濃度の水溶液からなる無電解ニッケルめっき浴に上記（５）で作製したヒータ板１１を浸漬し、銀−鉛の発熱体１２の表面に厚さ１μｍの金属被覆層（ニッケル層）１２ａを析出させた。
【００８７】（７）電源との接続を確保するための外部端子１３を取り付ける部分に、スクリーン印刷により、銀−鉛半田ペースト（田中貴金属社製）を印刷して半田層を形成した。ついで、半田層の上にコバール製の外部端子１３を載置して、４２０℃で加熱リフローし、外部端子１３を発熱体の表面に取り付けた。
【００８８】（８）温度制御のための熱電対をポリイミドで封止し、セラミックヒータ１０を得た。
【００８９】（実施例２〜７）側面の処理条件を下記のようにして実施した以外は、実施例１と同様にしてセラミックヒータを製造した。側面の面粗度Ｒｍａｘを下記の表１に示す。
実施例２：♯２００のダイヤモンド砥石で側面を研磨した後、平均粒径２００μｍのＳｉＣでサンドブラスト処理を行った。
実施例３：♯２００のダイヤモンド砥石で側面を研磨した。
実施例４：♯４００ののダイヤモンド砥石で側面を研磨した。
実施例５：♯８００のダイヤモンド砥石で研磨を行った。
実施例６：平均粒径０．５μｍのダイヤモンドペースト（マルトー社製）でポリシングを行った。
実施例７：平均粒径０．２５μｍのダイヤモンドペースト（マルトー社製）でポリシングを行った。」
「【０１０３】実施例および比較例にかかるセラミックヒータを図３に示した支持容器３０のシールリング３７に嵌め込み、セラミックヒータに通電した後、中心部分の温度を４００℃および５００℃まで上昇させ、中心部分と外周部との温度差ΔＴをサーモビュア（日本データム社製　ＩＲ−１６−２０１２−００１２）で測定した。また、パーテクルの発生の有無を目視で確認し、さらに、４００℃まで４５秒で昇温して割れが発生するか否か確認した。その結果を表１に示した。」
　　
（ア）刊行物１には、「【００８９】（実施例２〜７）側面の処理条件を下記のようにして実施した以外は、実施例１と同様にしてセラミックヒータを製造した。側面の面粗度Ｒｍａｘを下記の表１に示す。」、及び「実施例３：♯２００のダイヤモンド砥石で側面を研磨した。」（００８９段落）と記載されており、表１に、「実施例３」に対応する「面粗度Ｒｍａｘ（μｍ）」として「５０」が示されていることから、刊行物１には、直径２１０ｍｍであり、側面の面粗度が、ＪＩＳ　Ｂ　０６０１　Ｒｍａｘ＝５０μｍであるヒータ板１１が記載されている。
　　
　したがって、刊行物１には、以下の発明（以下、「刊行物発明」という。）が記載されている。　
「セラミック製のヒータ板１１の表面に発熱体１２を有し、半導体ウエハの加熱に使用されるセラミックヒータ１０であって、該ヒータ板１１の直径が２１０ｍｍであり、該ヒーター板１１の側面の面粗度が、ＪＩＳ　Ｂ　０６０１　Ｒｍａｘ＝５０μｍであることを特徴とするセラミックヒータ１０。」
　　
　４．当審の判断　
　（１）対比　
　本願発明と刊行物発明とを対比する。　
（ア）刊行物発明の「セラミック製のヒータ板１１」は、本願発明の「セラミックス基板」に相当する。　
（イ）刊行物発明の「発熱体１２」は、本願発明の「抵抗発熱体」に相当し、刊行物発明の「セラミック製のヒータ板１１の表面に発熱体１２を有」する構造は、本願発明の「セラミックス基板の表面」「に抵抗発熱体を有する」構造に相当する。
（ウ）刊行物発明の「半導体ウエハの加熱に使用される」ことは、半導体ウエハを加熱する半導体製造装置に用いられることに他ならないから、刊行物発明の「半導体ウエハの加熱に使用されるセラミックヒータ１０」は、本願発明の「半導体装置製造装置用セラミックスヒーター」に相当する。
　　
　よって、本願発明と刊行物発明とは、　
「セラミックス基板の表面又は内部に抵抗発熱体を有する半導体製造装置用セラミックスヒーター。」　
である点で一致し、以下の点で相違する。　
　　
〈相違点１〉
　本願発明は、「非加熱時において、該セラミックスヒーターの厚み方向における最大外径と最少外径の差が、ウエハ載置面における平均外径の０．８％以下である」ことが特定されているのに対し、刊行物発明はそのような数値の限定がなされておらず、「該ヒータ板１１の直径が２１０ｍｍであり、該ヒーター板１１の側面の面粗度が、ＪＩＳ　Ｂ　０６０１　Ｒｍａｘ＝５０μｍである」点。
　　
（２）相違点の検討　
　以下、上記違点について検討する。　
〈相違点１について〉
　相違点１については、以下のとおり相違点１−１及び相違点１−２に区分して検討する。
〈相違点１−１〉
　本願発明は、「非加熱時」における「セラミックスヒーター」の形状について数値を限定しているのに対し、刊行物発明は、「セラミックヒータ１０」の形状、すなわち「ヒータ板１１」の形状についてなされた数値限定が、非加熱時のものか否か明らかでない点。
〈相違点１−２〉
　本願発明は、「該セラミックスヒーターの厚み方向における最大外径と最少外径の差が、ウエハ載置面における平均外径の０．８％以下である」のに対し、刊行物発明は、「該ヒータ板１１の直径が２１０ｍｍであり、該ヒーター板１１の側面の面粗度が、ＪＩＳ　Ｂ　０６０１　Ｒｍａｘ＝５０μｍであ」り、「セラミックヒータ１０」の形状、すなわち「ヒータ板１１」の形状について、厚み方向における最大外径と最少外径の差と、ウエハ載置面における平均外径との比が限定されていない点。
　
〈相違点１−１について〉
（ア）刊行物１には、「次に、この板状体から直径２１０ｍｍの円板体を切り出し、セラミック製の板状体（ヒータ板１１）とした。この成形体にドリル加工を施し、半導体ウエハのリフターピンを挿入する貫通孔１５となる部分、熱電対を埋め込むための有底孔１４となる部分（直径：１．１ｍｍ、深さ：２ｍｍ）を形成した。このヒータ板１１の側面１１ｃを平均粒子径５μｍのアルミナのサンドブラストで処理し、側面１１ｃにＪＩＳ　Ｂ　０６０１で、Ｒｍａｘ＝７μｍの凹凸を形成した。」（００８３段落）と記載されており、「ヒータ板１１」の直径及び面粗度が、「ヒータ板１１」を製造した時点でのものであり、「セラミックヒータ１０」を、ウエハを加熱するために使用する時点のものではないことは明らかである。
（イ）したがって、刊行物発明における「ヒータ板１１」の直径、及び「ヒータ板１１」の面粗度についてなされた数値限定が、本願発明の如く、「非加熱時」のものであることは明らかであり、本願発明と刊行物発明とは、相違点１−１について、実質的に相違しない。
　
〈相違点１−２について〉
（ア）一般に、セラミックスヒーターにおいて、温度を均一化すること、及び機械的な強度を大きくすることは、本願出願前において周知の技術課題であり、例えば、刊行物１には「【００１１】本発明のセラミックヒータによれば、側面部分が上記のように一定の範囲で粗化されているので、セラミック基板が支持容器に嵌め込まれた場合、セラミック基板側面における支持容器との接触を点接触とすることができ、セラミックヒータから支持容器への熱の伝導を抑制してセラミック基板の温度を均一化することができる。」及び「【００２７】上記セラミックヒータのヒータ板１１の厚さは、０．５〜２５ｍｍが好ましい。０．５ｍｍより薄いと、強度が低下するため破損しやすくなり、２５ｍｍを超えると温度追従性が低下する。より好ましくは、１．５ｍｍを超え５ｍｍ以下である。５ｍｍより厚くなると、熱が伝搬しにくくなり、加熱の効率が低下する傾向が生じ、一方、１．５ｍｍ以下であると、側面の面積自体が小さいため、セラミックヒータの外周の温度低下という問題自体が発生しにくく、また、強度が低下して破損する場合があるからである。」と記載されており、温度を均一化し、機械的な強度を大きくすることが望ましいこと、そのために、「ヒータ板１１」が一定の厚さを有することが必要であることが記載されている。
（イ）そして、「ヒータ板１１」の温度の均一性及び機械的な強度は、「ヒータ板１１」の全面において求められる特性であるから、刊行物発明を実施する際、上記（ア）に記載した刊行物１の記載事項に基づき、「ヒータ板１１」の端部においても厚さを一定かつ均一化することは、当業者が容易に想到し得たことであり、その場合、「ヒータ板１１」の「側面」と、半導体ウエハを載置する面との角度が直角となることは明らかである。
（ウ）また、刊行物１には、「ヒータ板１１」の製造方法について、「【００８３】（３）加工処理の終った生成形体を１８００℃、圧力：２０ＭＰａでホットプレスし、厚さが３ｍｍの窒化アルミニウム板状体を得た。次に、この板状体から直径２１０ｍｍの円板体を切り出し、セラミック製の板状体（ヒータ板１１）とした。この成形体にドリル加工を施し、半導体ウエハのリフターピンを挿入する貫通孔１５となる部分、熱電対を埋め込むための有底孔１４となる部分（直径：１．１ｍｍ、深さ：２ｍｍ）を形成した。このヒータ板１１の側面１１ｃを平均粒子径５μｍのアルミナのサンドブラストで処理し、側面１１ｃにＪＩＳ　Ｂ　０６０１で、Ｒｍａｘ＝７μｍの凹凸を形成した。」及び「【００８９】（実施例２〜７）側面の処理条件を下記のようにして実施した以外は、実施例１と同様にしてセラミックヒータを製造した。側面の面粗度Ｒｍａｘを下記の表１に示す。　実施例２：♯２００のダイヤモンド砥石で側面を研磨した後、平均粒径２００μｍのＳｉＣでサンドブラスト処理を行った。　実施例３：♯２００のダイヤモンド砥石で側面を研磨した。」と記載されており、「ヒータ板１１」は「板状体から」「切り出」す工程と、「ダイヤモンド砥石で側面を研磨」する工程により形成されることが記載されており、その場合、「ヒータ板１１」の側面の形状が、前記「板状体から」「切り出」す工程、及び前記「ダイヤモンド砥石で側面を研磨」する工程により決定されることは明らかである。
（エ）上記（ウ）に記載した「板状体から」「切り出」す工程と、「ダイヤモンド砥石で側面を研磨」する工程において、「ヒータ板１１」の側面と、ウエハを載置する面との角度については、斜めにするよりも直角にした方が、機械的強度に優れ、切断し易く、加工が容易であることは明らかである。よって、「ヒータ板１１」を容易に形成する観点からも、「ヒータ板１１」の「側面」と、半導体ウエハを載置する面との角度を直角にすることは、当業者が容易に想到し得たことである。
（オ）そして、刊行物発明において、「ヒータ板１１」の「側面」を、ウエハを載置する面に対し直角にした場合、「セラミックヒータ１０」の厚み方向における最大外径と最小外径の差の最大値は、「ヒータ板１１」の面粗度ＪＩＳ　Ｂ　０６０１　Ｒｍａｘ＝５０μｍの２倍に等しいから、そのウエハ載置面における平均外径に対する割合は、１００μｍ／２１０ｍｍ＝０．０４８％となり、本願発明の「０．８％以下」の範囲に入る。
　したがって、刊行物発明において、「ヒータ板１１」の側面を、ウエハを載置する面に対し直角にし、本願発明の如く、「該セラミックスヒーターの厚み方向における最大外径と最少外径の差が、ウエハ載置面における平均外径の０．８％以下である」構造とすることは、当業者が容易になし得たことである。
（カ）また、本願明細書等には、「【００１５】　実際のセラミックスヒーターの製造においては、厚み方向における外径の変動が大きくなりやすい。単位面積当たりの熱輻射は一定であるから、外径の大きい部分、即ち外周単位面積の大きい部分では熱輻射量が大きくなり、逆に外径の小さい部分では熱輻射量が小さくなる。その結果、外径が小さい部分では放熱が小さくなり、外径が大きい部分では放熱が大きくなるため、セラミックスヒーターに温度の不均一が生じ、特に大口径のセラミックスヒーターにあっては看過出来ない影響を与えていた。　【００１６】　これに対して、本発明者らは、非加熱時（常温）において、セラミックスヒーターの厚み方向における最大外径と最少外径の差を、ウエハ載置面における平均外径の０．８％以下とすることによって、加熱処理時におけるウエハ表面の均熱性を±１．０％以上に向上させ得ることを見出した。」と記載されており、本願発明の「該セラミックスヒーターの厚み方向における最大外径と最少外径の差が、ウエハ載置面における平均外径の０．８％以下である」構造により、外周単位面積の差を一定範囲内として、熱輻射量を均一にし、ウエハ表面の均熱性を向上させることができる効果を奏する旨が記載されている。
　一方、刊行物１には、「【００１２】上記側面の面粗度が大きすぎると、シールリングに接触している場合であっても放熱フィンのような効果を奏してしまい、熱が放熱してセラミック基板の外周部分に低温領域が生じてしまう。一方、面粗度が小さすぎると、シールリングとの接触面積が大きくなり、また、シールリングがない場合でも、側面と接触している空気の滞留がないため、逆に放熱性が上がってしまい、結局セラミック基板の外周部分に低温領域が生じてしまう。」と記載されており、「面粗度が大きすぎると」「放熱フィンのような効果を奏し」「放熱性が上が」ること、すなわち、「セラミックヒータ１０」の外周面積が大きいと、放熱性が上がり、低温領域が生じること、それを防ぐために、側面の面粗度、すなわち外周面積を一定範囲内として、温度を均一にすることが開示されている。よって、刊行物発明の「該ヒータ板１１の直径が２１０ｍｍであり、該ヒーター板１１の側面の面粗度が、ＪＩＳ　Ｂ　０６０１　Ｒｍａｘ＝５０μｍであ」る構造は、外周面積を規定することで温度を均一化している点で、本願発明と同様の作用効果を奏するものであるから、上記本願明細書に記載した効果が格別なものとは認められない。
（キ）本願明細書等には、「【００１７】　即ち、セラミックスヒーターのウエハ載置面の平均外径をＤａｖｅ、厚さ方向における任意の面の最大外径をＤｍａｘ及び最小外径をＤｍｉｎとし、外径変動パラメーターＤｐ＝（Ｄｍａｘ−Ｄｍｉｎ）／Ｄａｖｅと定義する。この外径変動パラメーターＤｐを０．８％以下に制御することにより、ウエハ表面の均熱性を、熱伝導率１００Ｗ／ｍＫ以上のセラミックスヒーターでは±０．５％以下に、また熱伝導率１０〜１００ｗ／ｍＫのセラミックスヒーターでは±１．０％以下にすることができる。」と記載されているが、セラミックスヒーターの加熱処理時におけるウエハ表面の均熱性は、セラミックスヒーターの平面形状、熱伝導率の分布、抵抗発熱体の配置等によっても影響を受けるものであり、本願発明の如く「該セラミックスヒーターの厚み方向における最大外径と最少外径の差が、ウエハ載置面における平均外径の０．８％以下である」と特定したのみでは、所期の均熱性が得られるとは認められない。このことは、本願明細書等に「ヒーターが楕円状となった場合の長径と短径の差や、ヒーター外周面の垂直度に起因する厚さ方向での外径のバラツキが、ウエハ表面の均熱性に少なからず影響していることが分った。」（００１４段落）と記載され、セラミックスヒーターの長径と短径の差、すなわち平面形状がウエハ表面の均熱性に影響することが開示されていること、また、同じく本願明細書等に「【００２７】　上記表１に示す結果から分るように、窒化アルミニウム製のセラミックスヒーターにおいて、厚さ方向における最大外径と最少外径の差をウエハ載置面の平均外径の０．８％以下とすることによって、ウエハ加熱時におけるウエハ表面の均熱性を±０．５％以下にすることができた。」、「【００３３】　上記表２に示す結果から分るように、熱伝導率が２０Ｗ／ｍＫである窒化珪素製のセラミックスヒーターにおいても、厚さ方向における最大外径と最少外径の差をウエハ載置面での平均外径の０．８％以下とすることによって、要求される±１．０％以下のウエハ表面の均熱性を得ることができた。」、「【００３９】　上記表３に示す結果から分るように、熱伝導率が２０Ｗ／ｍＫである酸窒化アルミニウム製のセラミックスヒーターにおいても、厚さ方向における最大外径と最少外径の差をウエハ載置面での平均外径の０．８％以下とすることによって、要求される±１．０％以下のウエハ表面の均熱性を得ることができた。」と記載されており、「該セラミックスヒーターの厚み方向における最大外径と最少外径の差が、ウエハ載置面における平均外径の０．８％以下であ」っても、セラミック基板の熱伝導率が異なればウエハ表面の均熱性も異なることが記載されていることからも明らかである。
　よって、本願発明の如く、「該セラミックスヒーターの厚み方向における最大外径と最少外径の差」を「ウエハ載置面における平均外径」の「０．８％以下」とする数値限定のみによっては、所期の均熱性を実現できると認められないから、本願発明の「０．８％以下」とする数値限定に技術的意義を認めることもできない。
（ク）さらに、上記（カ）に記載した、本願明細書等の００１５段落ないし００１６段落の記載より、本願発明の「該セラミックスヒーターの厚み方向における最大外径と最少外径の差を、ウエハ載置面における平均外径の０．８％以下」とする特定は、セラミックスヒーターの外周単位面積を一定範囲内にし、熱輻射量を均一化するためであると認められるが、その場合、ウエハ表面の均熱性、すなわち熱輻射量の均一性は、セラミックスヒーターの外周単位面積の均一性に依存するから、「セラミックスヒーターの厚み方向における最大外径と最少外径の差」の２乗に比例すると認められ、「該セラミックスヒーターの厚み方向における最大外径と最少外径の差」の「ウエハ載置面における平均外径」に対する割合が「０．８％以下」である場合と、「０．８％」より大きい場合とで、ウエハ表面の均熱性に格段の変化が生じるとは認められない。また、本願明細書等の「表１」ないし「表５」からも、「０．８％」の前後で、均熱性に格段の変化があるとも認められない。
　よって、本願発明において「該セラミックスヒーターの厚み方向における最大外径と最少外径の差を、ウエハ載置面における平均外径の０．８％以下」とすることによる、臨界的意義は認められない。
（ケ）上記（ア）ないし（ク）において検討したとおりであるから、刊行物１の記載に基づき、刊行物発明おいて、本願発明の如く、「該セラミックスヒーターの厚み方向における最大外径と最少外径の差を、ウエハ載置面における平均外径の０．８％以下」とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　
　したがって、本願の請求項１に係る発明は、刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができるものではない。　
　　
５．むすび　
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項について検討するまでもなく拒絶されるべきものである。　
　よって、結論のとおり結審する。