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　特願２０００−　８０９６１「光電変換装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　３月　６日出願公開、特開２００１−　６０７０７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１２年３月２２日（優先権主張　平成１１年６月１８日）の出願であって、平成１８年７月７日付けで手続補正がなされたが、平成１９年１月９日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年２月９日付けで拒絶査定不服審判請求がなされるとともに、同年３月９日付けで手続補正（以下「本件補正」という。）がなされたものである。
　
第２　本件補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
［理由］
１．補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「　　【請求項１】
　光線が入射する側から順に、透明基板、透明導電膜、光電変換層を含む光電変換ユニットおよび裏面電極が積層された光電変換装置であって、
　前記透明基板と前記透明導電膜との間にさらに中間膜が形成され、
　前記光電変換層の分光感度特性が最大となる前記光線の波長をλ［ｎｍ］として、（λ−５０）ｎｍ以上（λ＋５０）ｎｍ以下の波長域における平均反射率Ｒ１と、前記中間膜を形成しない状態での前記波長域における平均反射率Ｒ２とが、Ｒ１＜Ｒ２×０.８の関係を満たし、前記中間膜が、前記透明基板側から順に、高屈折率膜および低屈折率膜の２層から形成され、前記低屈折率膜の膜厚が１ｎｍ〜１５ｎｍの範囲に調整され、前記高屈折率膜の膜厚が２０ｎｍ〜７０ｎｍの範囲に調整されていることを特徴とする光電変換装置。」
と補正された。
　上記補正は、平成１８年７月７日付けの手続補正により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１に係る発明を特定するために必要な事項である「高屈折率膜」の膜厚について、「２０ｎｍ〜７０ｎｍの範囲に調整されている」との限定を付加するものであるので、本件補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下「平成１４年改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そこで、本件補正後の上記請求項１に記載された発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１４年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
２．引用例
（１）原査定の拒絶の理由に引用された特開平４−１５４６４７号公報（以下「引用例」という。）には、図面と共に、以下の事項が記載されている。
　
ア．「１．屈折率ｎが１．８以上で厚みｄが０．１５μｍ以上の透明導電膜が透明基板上に形成された積層体において、該透明導電膜と該透明基板の間に、ｎ＝１．３５〜１．５５の低屈折率透明膜をｎｄ＝０．０４５〜０．０７５μｍの膜厚に該透明導電膜と接するように、かつｎ＝１．８〜２．５の高屈折率透明膜をｎｄ＝０．０１５〜０．０４５μｍの膜厚に該透明基板と接するように形成したことを特徴とする透明導電性積層体。」（特許請求の範囲第１項）
　
イ．「６．請求項１記載の透明導電性積層体の該透明導電膜上にアモルファスシリコン又はポリシリコンを形成し、その上に裏面電極を形成してなる太陽電池。」（特許請求の範囲第６項）
　
ウ．「第１図は本発明の透明導電積層体の一別の断面図である。
　本発明の透明導電膜１１としては、ＩＴＯ、ＳｎＯ２：Ｆ、ＳｎＯ２：Ｓｂ、ＺｎＯ：Ａｌなどが代表的に用いられるが、本発明の範囲はこれに限定されるものではない。これらは、建築用ヒートミラー、太陽電池用透明導電基板、表示用透明導電基板、電磁遮蔽ガラス、自動車用や航空機用又は車輌用電熱風防ガラス、紫外線カツトガラス等として利用することができる。
　本発明のｎ＝１．３５〜１．５５の透明薄膜１２としてはＭｇＦ２、ＳｉＯ２やこれらの混合物又はＳｉＯ２を主成分とした複合酸化物例えばＺｒＳｉｘＯｙ、ＴｉＳｉｘＯｙ等を用いることができるが本発明の範囲はこれに限定されるものではない。特にスパッタリングで成膜することを考慮すると耐久性も兼ね備えたＳｉＯ２やＳｉＯ２を主成分とした複合酸化物例えばＺｒＳｉｘＯｙが有利である。
　本発明のｎ＝１．８〜２．５の透明薄膜１３としては、ＺｒＯ２、Ｔｉ０２、Ｔａ２Ｏ５、ＺｎＯ，Ｉｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２、ＩＴＯ等多数の候補があるが、それでも本発明の範囲はこれに限定されるものではない、特にスパッタリングで成膜することを考えた場合には、価格、耐久性等をも考慮して選択する必要があり、ＴｉＯ２、ＳｎＯ２等が有力である、一方、生産性を考えた場合には、後段の透明導電膜と同じ材料を用いることで、プロセスを共通化することができる可能性も検討の価値がある。」（第４頁左上欄第７行〜同頁右上欄第１４行）
　
エ．「［作用］
　そもそも色ムラの発現する原因は透明基板上に該基板より十分大きな屈折率を有する透明薄膜が形成された場合に、該高屈折率薄膜の上下界面における光の干渉作用である。このため、分光スペクトル中に反射（透過）率の極大・極小（リップル）を生じる。ここで該高屈折率薄膜の膜厚が変化すると、この極大・極小の位置（波長）が変化し色調の変化となって観測されるのである。あるいは視角が変化した場合も同様に、分光スペクトル中の極大・極小の位置（波長）の変化が色調の変化となって観測される。
　本発明において、該高屈折率薄膜１１と該透明基板１０の間に形成される低／高屈折率の透明膜は、この該高屈折率膜と該透明基板との界面における反射を防止する働きをする。この結果、等価的には、この界面が消失したことになり、該高屈折膜内における光の干渉作用がなくなり、反射（透過）におけるリップルが消失するのである。従って、膜厚、視角の変化に伴う色調変化も感知されなくなる。
・・・（略）・・・つまり、リップルの大きさは薄膜の上下界面におけるフレネル係数の積に比例するのである。従って、上下どちらかの界面におけるフレネル係数をゼロにすることができればリップルは消失することになる。界面のフレネル係数をゼロにすることは、この界面を反射防止することに他ならない。反射防止膜の最も単純なものは単層の反射防止膜であり、これは界面を形成している２種類の材料の屈折率の積の平方根（中間屈折率になる）の屈折率を有する材料を、反射防止したい波長の１／４の光学的厚みに形成することにより達成される。これが、前記した従来技術におけるリップル抑制ガラスに用いられている下地層の意味である。
　本発明においては、この中間屈折率の１／４λ層の代わりに低／高屈折率の透明２層膜とすることにより、全体の膜厚を薄くすることを意図している。即ち、中間屈折率単層膜では、光学膜厚で０．１３μｍ程度必要だったものが、低／高２層膜とすることにより請求の範囲第１項に記載の通り、２層の合計でも０．０６５〜０．１２μｍとすることができるのである。
　・・・（略）・・・
　この反射防止作用は、厳密には特定の単一の波長（主波長）でしか成立しないので、他の周辺の波長においては反射防止効果は完全ではなく、若干のリップルが残存する。故に、上に述べた色調変化も若干残存し、感知される場合がある。」（第４頁右上欄第１５行〜第５頁右上欄第１３行）
　
オ．「又、特にある特定の波長範囲に相当する色調を嫌うような場合には、その波長範囲内に２つの波長を設定し、これらがλ１、λ２に相当するように上層膜及び下地２層膜の屈折率及び層厚を調整してやることができる。例えば、赤系統の色調を嫌う場合にはλ１＝０．５８μｍ、λ２＝０．６５μｍ等とすることにより、この範囲の波長域のリップルを抑制することができる。」（第５頁右下欄第２０行〜第６頁左上欄第７行）
　
カ．「実施例１
　ガラス基板を真空槽内にセットし、ｌ×１０−６Ｔｏｒｒまで排気した後Ａｒと酸素の混合ガスを導入してｌ×１０−２〜１×１０−３Ｔｏｒｒの圧力中でチタンのターゲットをＤＣスパッタしてＴｉＯ２の膜をガラス基板上に１２０Å形成した。この膜の屈折率は２．４でありｎｄ＝０．０２９μｍに相当する。次いで同じくＡｒと酸素の混合ガスの１×１０−１〜１×１０−２Ｔｏｒｒの圧力中でＺｒ：Ｓｉ＝１：９の合金ターゲットをＤＣスパッタしてＺｒＳｉｘＯｙの膜を４００Å形成した。この膜の屈折率は１．５２であり、ｎｄ＝０．０６１μｍに相当する。この上にイオンブレーティングによりＩＴＯ薄膜を８０００Å形成した。別に同様にして成膜したＩＴＯ膜の屈折率を測定したところ２．０であった。これをサンプル１とした（第１図の構成）。このサンプルの分光反射／透過特性を第８図の８１に示した。このグラフからリップル防止の主波長λ２＝０．６３μｍに相当する。」（第６頁左下欄第６行〜同頁右下欄第４行）
　
キ．「又、太陽電池用透明導電性基板においては、低抵抗と共に変換効率向上のためにやはり高透過率が要求されるので本発明は有効である。」（第８頁左上欄第４〜７行）
　
ク．上記アの「ｎ＝１．３５〜１．５５の低屈折率透明膜をｎｄ＝０．０４５〜０．０７５μｍの膜厚に」との記載から、低屈折率透明膜の膜厚を計算すると、低屈折率透明膜の膜厚はｄ＝２９〜５６ｎｍ（小数点以下を四捨五入）の範囲であることは明らかであり、上記アの「ｎ＝１．８〜２．５の高屈折率透明膜をｎｄ＝０．０１５〜０．０４５μｍの膜厚に」との記載から、同様に、高屈折率透明膜の膜厚は、ｄ＝６〜２５ｎｍの範囲であることは明らかである。
　
　以上の記載事項からみて、引用例には、以下の発明が記載されていると認められる。
「屈折率ｎが１．８以上で厚みｄが０．１５μｍ以上の透明導電膜が透明基板上に形成された積層体において、該透明導電膜と該透明基板の間に、ｎ＝１．３５〜１．５５の低屈折率透明膜をｄ＝２９〜５６ｎｍの膜厚に該透明導電膜と接するように、かつｎ＝１．８〜２．５の高屈折率透明膜をｄ＝６〜２５ｎｍの膜厚に該透明基板と接するように形成し、該透明導電膜上にアモルファスシリコン又はポリシリコンを形成し、その上に裏面電極を形成してなる太陽電池。」（以下「引用例発明」という。）
　
３．対比
（１）引用例発明と本願補正発明とを対比すると、引用例発明の「透明導電膜」、「透明基板」、「低屈折率透明膜」、「高屈折率透明膜」、「アモルファスシリコン又はポリシリコン」、「裏面電極」及び「太陽電池」は、本願補正発明の「透明導電膜」、「透明基板」、「低屈折率膜」、「高屈折率膜」、「光電変換層」、「裏面電極」及び「光電変換装置」にそれぞれ相当する。
　
（２）引用例発明の「低屈折率透明膜」、「高屈折率透明膜」は、透明導電膜と該透明基板の間に形成されるものであるから、本願補正発明の「中間膜」に相当する。
　
（３）引用例発明の「太陽電池」は、「透明導電膜上にアモルファスシリコン又はポリシリコンを形成し、その上に裏面電極を形成してなる太陽電池」であるので、透明基板の側から、光線が入射することは明らかであり、引用例発明は、本願補正発明と「光線が入射する側から順に、透明基板、透明導電膜、光電変換層を含む光電変換ユニットおよび裏面電極が積層された光電変換装置」である点で共通する。
　
　したがって、引用例発明と本願補正発明とは、
「光線が入射する側から順に、透明基板、透明導電膜、光電変換層を含む光電変換ユニットおよび裏面電極が積層された光電変換装置であって、
　前記透明基板と前記透明導電膜との間にさらに中間膜が形成され、
　前記中間膜が、前記透明基板側から順に、高屈折率膜および低屈折率膜の２層から形成されている光電変換装置。」
である点で一致し、次の点で相違するものと認められる。
　
相違点１
　本願補正発明では、「前記光電変換層の分光感度特性が最大となる前記光線の波長をλ［ｎｍ］として、（λ−５０）ｎｍ以上（λ＋５０）ｎｍ以下の波長域における平均反射率Ｒ１と、前記中間膜を形成しない状態での前記波長域における平均反射率Ｒ２とが、Ｒ１＜Ｒ２×０.８の関係を満た」すのに対し、引用例発明では、そのようなことが明らかでない点。
　
相違点２
　本願補正発明では、「前記低屈折率膜の膜厚が１ｎｍ〜１５ｎｍの範囲に調整され、前記高屈折率膜の膜厚が２０ｎｍ〜７０ｎｍの範囲に調整されている」のに対し、引用例発明では、低屈折率透明膜の膜厚は２９〜５６ｎｍであり、高屈折率透明膜の膜厚は６〜２５ｎｍである点。
　
４．判断
　上記相違点について検討する。
（１）相違点１について
ア．光電変換装置の変換効率を高くするために、光電変換層の分光感度特性が大きい波長における反射率が低い方が好ましいことは、太陽電池の分野において周知である（例えば、原査定の備考に示した特開平１０−１９３８８号公報（【００６４】、図９）、同じく特開平２−２２４２７９号公報（第６頁左上欄第８行〜第７頁左上欄第７行）、特開昭５７−１２６１７３号公報（第２頁左下欄第１９行〜同頁右下欄４行）を参照。）。
　
イ．一方、引用例には、上記２．（１）エの「発明において、該高屈折率薄膜１１と該透明基板１０の間に形成される低／高屈折率の透明膜は、この該高屈折率膜と該透明基板との界面における反射を防止する働きをする。」、同じく上記２．（１）エの「この反射防止作用は、厳密には特定の単一の波長（主波長）でしか成立しない」との記載、及び、上記２．（１）キの「太陽電池用透明導電性基板においては、低抵抗と共に変換効率向上のためにやはり高透過率が要求されるので本発明は有効である。」との記載、上記２．（１）オの「特にある特定の波長範囲に相当する色調を嫌うような場合には、その波長範囲内に２つの波長を設定し、これらがλ１、λ２に相当するように上層膜及び下地２層膜の屈折率及び層厚を調整してやることができる。」との記載がある。
　これらの記載によれば、引用例発明は、光電変換装置の変換効率を高くすることを目的としており、引用例発明の低屈折率透明膜と高屈折率透明膜による反射防止作用は波長（主波長）に依存するものであるところ、引用例発明は、所望の波長にあわせて、屈折率及び層厚を調整するものであるといえる。
　してみれば、引用例発明において、上記周知の事項を踏まえて、光電変換装置の変換効率向上のために、高屈折率透明膜および低屈折率透明膜により低反射率（高透過率）とする波長波長（主波長）を光電変換層の分光感度特性が大きい波長とすることは当業者であれば容易になし得ることである。
　
ウ．また、引用例発明においても、反射率を低くすることを目的とし、反射率は波長に依存するものである以上、低反射率となる波長範囲はできるだけ広い方が好ましく、その波長範囲での反射率の値は低い方が好ましいことは当然のことである。
　そして、本願の発明の詳細な説明を参酌しても、低反射率とする波長の範囲を光電変換層の分光感度特性が大きい波長の±５０ｎｍの範囲とすること、及び、中間膜を形成した状態の平均反射率を中間膜を形成しない状態での前記波長域における平均反射率の０．８倍以下とすることに、設計的事項以上の技術的意義は認められず、当業者が適宜決定しうる数値といわざるを得ない。
　
エ．したがって、引用例発明において、上記周知の事項を踏まえて、高屈折率透明膜および低屈折率透明膜により低反射率（高透過率）とする波長（主波長）を光電変換層の分光感度特性が大きい波長とするにあたり、「前記光電変換層の分光感度特性が最大となる前記光線の波長をλ［ｎｍ］として、（λ−５０）ｎｍ以上（λ＋５０）ｎｍ以下の波長域における平均反射率Ｒ1と、前記中間膜を形成しない状態での前記波長域における平均反射率Ｒ２とが、Ｒ１＜Ｒ２×０.８の関係を満た」すように調整することは、当業者であれば適宜なし得る設計事項にすぎない。
　
（２）相違点２について
ア．本願補正発明の高屈折率膜及び低屈折率膜の膜厚については、本願の明細書の発明の詳細な説明には「【００２３】第１の中間層１，３１は、第２の中間層２，３２よりも屈折率が高い高屈折率膜として形成することが好ましい。・・・（略）・・・第１の中間層の膜厚の好ましい範囲は５ｎｍ以上１００ｎｍ以下であるが、上記範囲の下限については２０ｎｍ、特に２５ｎｍがさらに好ましく、上限については７０ｎｍ、特に６０ｎｍがさらに好ましい。」との記載、「【００２４】一方、第２の中間層２，３２は、第１の中間層１，３１よりも相対的に屈折率が低い低屈折率膜として形成することが好ましい。・・・（略）・・・第２の中間層の膜厚は、１ｎｍ以上が好ましく、６０ｎｍ以下が好ましい。」との記載があり、実施例１〜３、参考例４〜５及び比較例１〜６として、以下の表のとおりの高屈折率膜及び低屈折率膜の膜厚と波長450〜500nmにおける平均反射率を有する光電変換装置が記載されている。
　
［表］　　　　　　　　　　　　　　　　　波長450〜500nmにおける
　　　　　高屈折率膜　　低屈折率膜　　　　　　平均反射率
　実施例１　６８ｎｍ　　　　３ｎｍ　　　　　１０．２３％
　実施例２　３１ｎｍ　　　　７ｎｍ　　　　　１３．５７％
　実施例３　４５ｎｍ　　　１５ｎｍ　　　　　　９．８４％
　参考例４　２９ｎｍ　　　３３ｎｍ　　　　　　９．２１％
　参考例５　２０ｎｍ　　　３５ｎｍ　　　　　　８．７１％
　比較例１　　なし　　　　　なし　　　　　　１７．４１％
　比較例２　　なし　　　　３０ｎｍ　　　　　１７．９１％
　比較例３　１８ｎｍ　　　２８ｎｍ　　　　　１４．２５％
　比較例４　　なし　　　　３０ｎｍ　　　　　１４．３　％
　比較例５　　なし　　　　３０ｎｍ　　　　　１３．９　％
　比較例６　　なし　　　　３０ｎｍ　　　　　　８．７８％
　（※比較例２，４〜６は、透明導電膜（ＳｎＯ２：Ｆ膜）の膜厚が、それぞれ２００ｎｍ、４６０ｎｍ、６００ｎｍ、７９０ｎｍ）
　
イ．本願補正発明は、「低屈折率膜の膜厚が１ｎｍ〜１５ｎｍの範囲に調整され、前記高屈折率膜の膜厚が２０ｎｍ〜７０ｎｍの範囲に調整され」たものであるが、上記アのとおり、本願の明細書の発明の詳細な説明には、高屈折率膜及び低屈折率膜がともに形成されていないものを除くと、低屈折率膜の膜厚については、３ｎｍより薄いものについては記載がなく、低屈折率膜の膜厚の下限である１ｎｍに設計的事項以上の技術的意義を認めることができない。
　また、参考例４，５のものは低屈折率膜の膜厚の下限である１５ｎｍ以上のものであるが、これらは、低屈折率の膜厚が、本願補正発明の低屈折率膜の膜厚の上限の１５ｎｍよりも厚いにもかかわらず、これらの平均反射率は、本願補正発明の実施例である実施例１〜３のものよりも低くなっており、低屈折率膜の膜厚の上限である１５ｎｍにも設計的事項以上の技術的意義を認めることができない。
　また、本願の明細書の発明の詳細な説明には、高屈折率膜の膜厚については、２０ｎｍ以下のものは、高屈折率膜が形成されていないもの（比較例１、比較例４〜６）しか記載されておらず、また７０ｎｍ以上のものは記載されていない。特に、高屈折率膜が形成されていないものである比較例５，６においては、本願補正発明と同等程度（Ｒ２×０．８）以下の低反射率を実現しているものである。したがって、低屈折率膜の膜厚の下限である２０ｎｍ及び上限である７０ｎｍに設計的事項以上の技術的意義を認めることができない。
　
ウ．さらに、膜による反射防止の効果（反射率）は、低屈折率膜及び高屈折率膜の膜厚だけでなく、それらの屈折率やその他の積層される各層の屈折率や厚さとも関係していることは、技術上明らかであることを踏まえれば、低屈折率膜及び高屈折率膜の膜厚の範囲のみを限定した、本願補正発明の上記相違点２に係る構成に設計的事項以上の技術的意義を認めることはできない。
　
エ．そして、引用例発明は、引用例の上記２．（１）オの「特にある特定の波長範囲に相当する色調を嫌うような場合には、その波長範囲内に２つの波長を設定し、これらがλ１、λ２に相当するように上層膜及び下地２層膜の屈折率及び層厚を調整してやることができる。」との記載のとおり、特定の波長に対応させるために低屈折率膜、高屈折率膜の膜厚を調整するものであるから、上記（１）エのとおり、引用例発明において、高屈折率透明膜および低屈折率透明膜により低反射率（高透過率）とする波長（主波長）を光電変換層の分光感度特性が大きい波長とするにあたり、高屈折率透明膜および低屈折率透明膜の膜厚を調整することは、当業者であれば適宜なし得る程度ことにすぎず、上記ア〜ウのとおり、低屈折率膜の膜厚及び高屈折率膜の膜厚の数値範囲に、臨界的意義や技術上の意義は特段認められないから、高屈折率透明膜および低屈折率透明膜の膜厚を調整するにあたり、「低屈折率膜の膜厚が１ｎｍ〜１５ｎｍの範囲に調整され、前記高屈折率膜の膜厚が２０ｎｍ〜７０ｎｍの範囲に調整され」るものとすることは、当業者であれば適宜なし得る設計事項である。
　
（３）したがって、本願補正発明は、引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
５．むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１４年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１．本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成１８年７月７日付けの手続補正により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、次のとおりのものである。
　
「　　【請求項１】
　光線が入射する側から順に、透明基板、透明導電膜、光電変換層を含む光電変換ユニットおよび裏面電極が積層された光電変換装置であって、
　前記透明基板と前記透明導電膜との間にさらに中間膜が形成され、
　前記光電変換層の分光感度特性が最大となる前記光線の波長をλ［ｎｍ］として、（λ−５０）ｎｍ以上（λ＋５０）ｎｍ以下の波長域における平均反射率Ｒ1と、前記中間膜を形成しない状態での前記波長域における平均反射率Ｒ2とが、Ｒ1＜Ｒ2×０.８の関係を満たし、前記中間膜が、前記透明基板側から順に、高屈折率膜および低屈折率膜の２層から形成され、前記低屈折率膜の膜厚が１ｎｍ〜１５ｎｍの範囲に調整されていることを特徴とする光電変換装置。」
　
２．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例及びその記載事項は、上記「第２　２」に記載したとおりである。
　
３．対比・判断
　本願発明は、上記第２で検討した本願補正発明から、平成１８年７月７日付けの手続補正により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１に係る発明を特定するために必要な事項である「高屈折率膜」の膜厚について、「２０ｎｍ〜７０ｎｍの範囲に調整されている」との限定を省くものである。
　そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、上記「第２　４」で検討したとおり、引用例発明及び上記周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、引用例発明及び上記周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。