【手続補正書】
【提出日】平成27年4月17日(2015.4.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
波長可変フィルターと、
前記波長可変フィルターに電圧を印加する電圧制御部と、
を含む光学モジュールであって、
前記波長可変フィルターは、
第一の反射膜と、
前記第一の反射膜と反射膜間ギャップを介して対向する第二の反射膜と、
電圧を印加することにより前記反射膜間ギャップの量を変更する静電アクチュエーター部と、
を含み、
前記静電アクチュエーター部は、第一静電アクチュエーター及び第二静電アクチュエーターを含み、
前記電圧制御部は、
前記第一静電アクチュエーターに対して、バイアス電圧を印加するバイアス電圧印加手段と、
前記反射膜間ギャップの量を検出するギャップ検出手段と、
前記第二静電アクチュエーターに対して、前記ギャップ検出手段により検出された前記反射膜間ギャップの量に応じたフィードバック電圧を印加するフィードバック電圧印加手段と、
を含むことを特徴とする光学モジュール。
【請求項２】
請求項１に記載の光学モジュールにおいて、
前記バイアス電圧印加手段は、前記反射膜間ギャップを所定の量変化させるために必要な前記フィードバック電圧が所定電圧値となる前記バイアス電圧を前記第一静電アクチュエーターに印加することを特徴とする光学モジュール。
【請求項３】
請求項２に記載の光学モジュールにおいて、
前記波長可変干渉フィルターは、前記第一の反射膜及び前記第一の反射膜のうちの一方が設けられた第一基板と、前記第一基板に対向し、前記第一の反射膜及び前記第二の反射膜のうちの他方が設けられた第二基板と、
を含み、
前記第一静電アクチュエーターは、前記第一基板に設けられた第一電極と、前記第二基板に設けられ、第一のギャップを介して前記第一電極に対向する第二電極と、を含み、
前記第二静電アクチュエーターは、前記第一基板に設けられた第三電極と、前記第二基板に設けられ、ギャップを介して前記第三電極に対向する第四電極と、を含み、
前記第二基板が有するバネ係数をｋ、前記ギャップの誘電率をε、前記第一基板及び前記第二基板の基板厚み方向から見た平面視において前記第一電極及び前記第二電極が互いに重なり合う領域の面積をＳｂ、前記平面視において、前記第三電極及び前記第四電極が互いに重なり合う領域の面積をＳｃ、前記第一静電アクチュエーター及び前記第二静電アクチュエーターに電圧を印加していない状態における前記ギャップの量である初期ギャップ量をｄｍａｘ、前記波長可変干渉フィルターから目的波長の光を取り出すための前記ギャップの前記初期ギャップ量からの変化量をｄ、前記ギャップを所定量変化させるための前記第二静電アクチュエーターの感度をＲｃ、としたとき、
前記バイアス電圧印加手段は、前記第一静電アクチュエーターに下記式（１）を満たすバイアス電圧Ｖｂを印加することを特徴とする光学モジュール。
【数１】
2013238755.tif 000001
【請求項４】
請求項１から請求項４のいずれかに記載に光学モジュールにおいて、
前記フィードバック電圧印加手段は、前記第二静電アクチュエーターにアナログ電圧を印加することを特徴とする光学モジュール。
【請求項５】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の光学モジュールにおいて、
前記フィードバック電圧印加手段は、前記第二静電アクチュエーターにデジタル電圧を印加することを特徴とする光学モジュール。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれかに記載の光学モジュールにおいて、
前記波長可変干渉フィルターは、
前記第一の反射膜及び前記第二の反射膜のうちの一方が設けられた第一基板と、
前記第一基板に対向して設けられ、前記第一の反射膜及び前記第二の反射膜のうちの他方が設けられた第二基板と、
前記第一基板に設けられた第一静電容量検出電極と、
前記第二基板に設けられ、前記第一静電容量検出電極に対して第二のギャップを介して対向する第二静電容量検出電極と、
を含み、
前記ギャップ検出手段は、前記第一静電容量検出電極及び前記第二静電容量検出電極に保持される電荷に基づいて、前記反射膜間ギャップの量を検出することを特徴とする光学モジュール。
【請求項７】
請求項６に記載の光学モジュールにおいて、
前記第一静電容量検出電極は、前記第一の反射膜及び前記第二の反射膜のいずれか一方であり、前記第二静電容量検出電極は、前記第一の反射膜及び前記第二の反射膜のうちの他方であることを特徴とする光学モジュール。
【請求項８】
請求項６又は請求項７に記載の光学モジュールにおいて、
前記波長可変干渉フィルターを前記第一の反射膜及び前記第二の反射膜の厚み方向から見た平面視において、前記第二静電アクチュエーターは、前記第一静電アクチュエーターよりも、前記第一静電容量検出電極及び前記第二静電容量検出電極から離れた位置に配置されたことを特徴とする光学モジュール。
【請求項９】
請求項６に記載の光学モジュールにおいて、
前記第一静電容量検出電極及び前記第二静電容量検出電極は、前記静電アクチュエーター部の前記第一静電アクチュエーター及び前記第二静電アクチュエーターの少なくとも一方に含まれる電極であることを特徴とする光学モジュール。
【請求項１０】
請求項１から請求項９のいずれかに記載の光学モジュールにおいて、
前記第一静電アクチュエーターは、互いに独立して駆動可能な少なくとも２つ以上の部分アクチュエーターを備えたことを特徴とする光学モジュール。
【請求項１１】
請求項１から請求項１０のいずれかに記載の光学モジュールを含むことを特徴とする電子機器。
【請求項１２】
請求項１から請求項１０のいずれかに記載の光学モジュールと、
前記波長可変干渉フィルターから取り出された光を検出する検出部と、
食物の成分のスペクトルに関する情報を記憶する記憶部と、
前記検出部により検出された光からスペクトルを算出し、前記記憶部に記憶された情報に基づいて、前記食物の成分分析を実施する分析部と、
を含むことを特徴とする食物分析装置。
【請求項１３】
請求項１から請求項１０のいずれかに記載の光学モジュールと、
前記波長可変干渉フィルターを透過した光を撮像する撮像部と、
測定対象物の画像光を、前記波長可変干渉フィルターを通して前記撮像部に導く複数のレンズと、
を含むことを特徴とする分光カメラ。
【請求項１４】
第一静電アクチュエーターに対して、バイアス電圧を印加することにより、第一反射膜と第二反射膜との間の反射膜間ギャップの量を変化させるバイアス電圧印加ステップと、
前記第一反射膜と前記第二反射膜との間の反射膜間ギャップの量を検出するギャップ検出ステップと、
第二静電アクチュエーターに対して、前記ギャップ検出ステップにより検出された前記反射膜間ギャップの量に応じたフィードバック電圧を印加するフィードバック電圧印加ステップと、
を含むことを特徴とする波長可変干渉フィルターの駆動方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の一態様の光学モジュールは、波長可変フィルターと、前記波長可変フィルターに電圧を印加する電圧制御部と、を含む光学モジュールであって、前記波長可変フィルターは、第一の反射膜と、前記第一の反射膜と反射膜間ギャップを介して対向する第二の反射膜と、電圧を印加することにより前記反射膜間ギャップの量を変更する静電アクチュエーター部と、を含み、前記静電アクチュエーター部は、第一静電アクチュエーター及び第二静電アクチュエーターを含み、前記電圧制御部は、前記第一静電アクチュエーターに対して、バイアス電圧を印加するバイアス電圧印加手段と、前記反射膜間ギャップの量を検出するギャップ検出手段と、前記第二静電アクチュエーターに対して、前記ギャップ検出手段により検出された前記反射膜間ギャップの量に応じたフィードバック電圧を印加するフィードバック電圧印加手段と、を含むことを特徴とする。
また、上記の本発明に係る光学モジュールは、反射膜間ギャップを介して対向する２つの反射膜、及び電圧印加により前記反射膜間ギャップのギャップ量を変更する静電アクチュエーター部を備えた波長可変干渉フィルターと、前記静電アクチュエーター部に印加する電圧を制御する電圧制御部と、を具備した光学モジュールであって、前記静電アクチュエーター部は、互いに独立して駆動可能な第一静電アクチュエーター、及び第二静電アクチュエーターを備え、前記電圧制御部は、前記第一静電アクチュエーターに対して、予め設定されたバイアス電圧を印加するバイアス電圧印加手段と、前記反射膜間ギャップのギャップ量を検出するギャップ検出手段と、前記第二静電アクチュエーターに対して、前記ギャップ検出手段により検出されたギャップ量に応じたフィードバック電圧を印加するフィードバック電圧印加手段と、を備えたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【数１】
2013238755.tif 000002