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　平成１０年特許願第　８０４３２号「異物検査装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　９月２４日出願公開，特開平１１−２５８１５７〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は，平成１０年　３月１２日の出願であって，拒絶をすべき旨の査定が平成１９年　２月２３日付けでなされたところ，これに対し，同年　３月２８日に拒絶査定不服審判の請求がなされたものである。
　そして，本願の請求項１に係る発明（以下，「本願発明」という。）は，平成１８年１２月　６日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
　
「【請求項１】　検査対象物の表面に異なる角度から複数のレーザー光を同一点に同時に照射する複数のレーザー光源と，前記同一点から種々の角度に散乱される散乱光を異なる角度で同時に検出し，それぞれ散乱光強度に応じた散乱強度信号を出力する複数の光検出器と，該複数の光検出器から出力される各散乱強度信号を加算して出力する信号加算器とを備えたことを特徴とする異物検査装置。」
　
２．引用刊行物の記載事項
　これに対して，原査定の拒絶の理由に引用され，本願特許出願前に頒布された刊行物である，特開平４−１５５９号公報（以下，「引用例」という。）には，図面の図示とともに次の事項が記載されている。
　
（ア）「産業上の利用分野
　本発明は，半導体基板の表面にレーザ光を照射し，その散乱光を利用して半導体基板の表面の異物を光学的に検出する半導体装置の検査装置および検査方法に関する。」（１頁右欄８〜１２行）
　
（イ）「本発明は上記記問題点を解決し，製造工程中のパターンつき半導体基板上の異物を高感度に，精度よく検出する半導体装置の検査装置および検査方法を提供することを目的としている。」（２頁左上欄１２〜１５行）
　
（ウ）「本発明の半導体装置の検査装置においては，検査すべき半導体基板を基板平面内においてＸ，Ｙ方向に２次元的に移動可能かつ平面内で自由に回転する回転ホルダーと，レーザ光を照射するための２個のレーザと，半導体基板表面よりの散乱光を検出する検出器を配したものである。また検査方法としては検査すべき半導体基板の表面の一点に所定の入射角とレーザ光間の角度を保持しながら２本のレーザ光を同時に入射させ，回転ホルダーを１８０度回転させ，回転の前後に検出された半導体基板表面よりの散乱光強度を比較演算処理することによって異物と非異物とを識別し異物を検出する方法としたものである。」（２頁左上欄下から４行〜同頁右上欄１０行）
　
（エ）「以下，本発明の半導体装置の検査装置の一実施例を図面に基づいて詳細に説明する。
　第１図（ａ）および（ｂ）において，１はダストなどの異物が表面に付着した半導体基板，２ａ，２ｂは付着物を測定するための第１と第２の可視光レーザ，３ａ，３ｂは各々可視光レーザ２ａ，２ｂから照射されたレーザ光であり，第１と第２の可視光レーザ２ａ，２ｂは半導体基板１の表面に対して所定の角度をなしており，またレーザ光３ａ，３ｂも所定の角度をなすようにレーザ光２ａ，２ｂは配置されている。４は各レーザ光３ａ，３ｂが半導体基板１上の一点に照射され半導体基板１上のダストなどの異物で散乱された散乱光，５はその散乱光４を検出する検出器…である。」（２頁左下欄１２行〜同頁右下欄１５行）
　
（オ）「可視光レーザ２ａ，２ｂから照射されたレーザ光３ａ，３ｂは半導体基板１の表面の一点に照射されることが必要である。」（３頁左上欄４〜６行）
　
（カ）「このようにしてセットした交点でのレーザ光の重ね合わせ精度は良く約±０．０１μｍに入る。この値はパーティクル検査が０．１μｍのものを測定できれば良いことを考慮すると十分な値である。」（３頁右上欄下から３行〜同頁左下欄２行）
　
（キ）「検出器５は散乱光４を効率的に検出できる位置が良いわけであるが，ダストなどの異物の分布状態によって大きく影響されるため，ここでは両方の可視光レーザ２ａ，２ｂから１３５度の角度の位置にセットし，さらに検出器５の検出窓は回転ホルダー６の平面と検出窓の中点から延びた直線が交わる角度すなわち半導体基板面への入射角度を可視光レーザ２ａ，２ｂの入射角度より小さめにセットしている。」（３頁左下欄１２〜２０行）
　
（ク）「次に上記に説明した検査装置を用いて測定を行なうときの検査方法について述べる。
　第３図（ａ）に示すようにダストなどの異物が表面に堆積した半導体基板１を回転ホルダー６上にセットする。この後Ｘ方向から４００ｎｍ〜８００ｎｍの波長を持つレーザ光３ａを半導体基板１上の一点に照射する。Ｘ方向からの照射と同時にＸ方向のレーザ光３ａに垂直な方向（Ｘ方向）から同様に波長４００ｎｍ〜８００ｎｍのレーザ光３ｂを照射する。」（３頁右下欄７〜１６行）
　
（ケ）「次に可視光レーザ２ａ，２ｂの位置すなわちレーザ光３ａ，３ｂの位置はそのままにしておき，半導体基板１をＸ方向とＹ方向に移動させることで半導体基板１の表面にレーザ光を走査し半導体基板ｌの表面の全域を走査する。」（３頁右下欄下から１行〜４頁左上欄４行）
　
（コ）「ここで，これらの走査によって変換器１０で電気信号に変換された信号について第４図に示す。
　走査結果は半導体基板１を多数の格子に区切り，その格子で囲まれる領域に相当する実際の半導体基板１上にダストなどの異物があると散乱光４が検出され，その格子内に異物があったという信号が送られる。このようにして異物があった格子部分は黒く塗りつぶしている。」（４頁左上欄１３〜２０行）
　
（サ）「発明の効果
　本発明によれば，半導体基板平面内のあらゆる角度からのレーザ光の照射か可能なため，検査すべき半導体基板表面のパターンに応じて最適な方向からレーザ光を照射することによって，入射方向によって光の散乱状態が異なることを利用して，パターン付きの半導体基板上の異物を短時間に，精度よく，高感度に検出することができ，高歩留まりの製造ラインを実現することができる。」（４頁右下欄６〜１４行）
　
　以上の記載事項（ア）〜（サ）および図面を総合すると，引用例には，
「半導体基板１の表面に対して所定の角度をなして配置され，互いに所定の角度をなす２本のレーザ光３ａ，３ｂを前記半導体基板１の表面の一点に同時に照射する第１及び第２の可視光レーザ２ａ，２ｂと，前記半導体基板表面よりの散乱光の強度を検出する検出器とを備えた，半導体基板の表面の異物を光学的に検出する半導体装置の検査装置」の発明（以下，「引用発明」という。）
が記載されているものと認められる。
　
３．対比
　引用発明の「半導体基板１」は，本願発明の「検査対象物」に相当する。
　引用発明の「可視光レーザ２ａ，２ｂ」は，「互いに所定の角度をなす２本のレーザ光３ａ，３ｂを半導体基板１の表面の一点に同時に照射する」ものであるから，本願発明の「検査対象物の表面に異なる角度から複数のレーザー光を同一点に同時に照射する複数のレーザー光源」に相当する。
　引用発明の「半導体基板表面よりの散乱光の強度を検出する検出器」は，本願発明の「前記同一点から種々の角度に散乱される散乱光を」「検出し，」「散乱光強度に応じた散乱強度信号を出力する」「光検出器」に相当する。
　引用発明の「半導体基板の表面の異物を光学的に検出する半導体装置の検査装置」は，本願発明の「異物検査装置」に相当する。
　
　したがって，両者は，
「検査対象物の表面に異なる角度から複数のレーザー光を同一点に同時に照射する複数のレーザー光源と，前記同一点から種々の角度に散乱される散乱光を検出し，散乱光強度に応じた散乱強度信号を出力する光検出器とを備えた異物検査装置。」
で一致し，次の点で相違する。
　
［相違点］
　同一点に同時に照射された複数のレーザー光の検査対象物の表面からの散乱光を，本願発明は，「複数の光検出器」によって「異なる角度で同時に」検出するものであり，さらに「該複数の光検出器から出力される各散乱強度信号を加算して出力する信号加算器」をも備えるものであるのに対して，引用発明は，光検出器を一つしか備えておらず，信号加算器も備えていない点。
　
４．判断
　以下，上記相違点について検討する。
　
　本願発明及び引用発明と同様の，検査対象物の表面にレーザー光を照射し，その散乱光を検出することによって前記検査対象物の表面の異物を光学的に検出する異物検査装置の技術分野において，微細な異物からの微弱な散乱反射光をも背景光や光検出器のノイズ等の影響を受けることがなく検出し，異物の検出感度を向上させることを目的として，あるいは，異物からの散乱光の指向性の影響を除去し，異物の検出率を向上させることを目的として，検査対象物の光照射位置に対して異なる角度をなすように複数の光検出器を配置する点は，例えば，原査定の拒絶の理由において引用された特開平６−２４２０１２号公報，あるいは，本願出願前に頒布された刊行物である特開平５−２１５６９０号公報等に記載されるように従来周知の技術的手段である。
　そして，このような目的の下で配設される複数の光検出器で検出される各散乱光の強度を，互いに足し合わせることは，当業者にとって周知の事項であるといえる。例えば，前述の特開平６−２４２０１２号公報には，「【００１０】…付着微粒子やウェハの荒れ等の検査対象上の欠陥を照射した際には，散乱反射光が発生し，各方向に配設された夫々の受光手段はこれを同時に検出する。各受光手段の出力を同期的に加算すれば，付着微粒子等による信号は重合わされて大きなピークを示す…」と記載されている。また，前述の特開平５−２１５６９０号公報には，【図１】の図示とともに，「【００１５】ここで，本発明においては，図１に示すように，上記の後方散乱光受光部５が，検査対象物１の表面に対する光ビーム３の照射位置を中心としてその両側方に所定の角度間隔で複数箇所（例えば５ａ〜５ｄの４個）に配置されている。…なお，図１において，符号１５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５ｄは，それぞれ第一〜第四の後方散乱光受光部５ａ〜５ｄに受光端部が挿入され，検査対象物１上の異物からの散乱光を入射して光電変換手段としての光電子増倍管１７ａ，１７ｂに導く光ファイバを示している。このように，検査対象物１の光ビーム３の照射位置に対して，例えば４個の後方散乱光受光部５ａ〜５ｄで異物からの散乱光を受光するので，その受光範囲は従来よりも格段と広くなり，異物からの散乱光の指向性の影響を受けにくくすることができる。」と記載され，各散乱光の強度を互いに足し合わせることを意図したものであることは明らかである。
　してみると，引用発明において，上記従来周知の技術を適用し，上記相違点に係る本願発明の構成とすることは，当業者にとって格別の技術的困難性がなく，容易になし得る事項であるといえる。
　
　また，本願明細書に記載された本願発明の効果（「【００２１】…現在市販されている検出器を用い，その検出器の能力以上の０．０８μｍ以下の超微小異物や欠陥等の検出も可能で，次世代対応ウェーハに求められる異物品質要求に対応した異物検査装置を提供できる。」）も，引用例の記載及び従来周知の技術から予測される程度のものにすぎず，格別顕著なものとはいえない。
　
　なお，請求人は，審判請求書において，本願発明によって「小径粒子に対する検出分解能を劇的に，かつノイズ要因によらず定常的に向上できるという，予測できない効果が達成され」る旨を主張している（平成１９年５月３１日付け手続補正書［０００６］参照）が，光照射された微小粒子からの散乱光は，粒子径が小さくなればなるほど強度が微弱となるものであることは，例えば，本願出願前に頒布された刊行物である特開平４−１２７１５２号公報（特に，４頁右上欄８行〜同頁左下欄１０行及び第２１図参照），前述の特開平６−２４２０１２号公報（特に，【００１１】参照）等に記載されているように，当業者にしてみれば周知の事項であるところ，こうした微弱な散乱光を背景光や光検出器のノイズ等の影響を受けることなくより感度よく検出できるようになれば異物の検出分解能が向上することは，当業者であれば予想しうる範囲内のものである。よって，上記請求人の主張は採用できない。
　
５．結び
　以上のとおり，本願発明は，引用例に記載された発明及び従来周知の技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであり，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本願は，拒絶されるべきものである。
　
　よって，結論のとおり審決する。