【事件の表示】
　特願２００３−２０６４５４「液晶表示装置及びアレイ基板の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　７月２９日出願公開、特開２００４−２１２９３３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１５年８月７日（パリ条約による優先権主張２００２年１２月３１日、韓国）に特許出願したものであって、平成１８年１０月１７日に手続補正がなされ、同年１１月２日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成１９年２月１３日に拒絶査定不服審判請求がなされるとともに同年３月１４日に手続補正がなされたが、同手続補正書は当審において平成２０年６月２５日付けで却下されるとともに同日付けで拒絶理由が通知され、平成２０年１０月１５日に手続補正がなされたものである。
　
　そして、その請求項に係る発明は、平成２０年１０月１５日付け手続補正書で補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜３１に記載された事項により特定されるものであると認められるところ、請求項２０に係る発明は次のものである。
　
「【請求項２０】　基板上に第１マスク工程でゲート配線、ゲート電極及びゲートパッドを形成する段階と；
　前記ゲート配線、ゲート電極及びゲートパッド上にゲート絶縁膜を形成する段階と；
　第２マスク工程で前記ゲート絶縁膜上部にアクティブ層を、前記アクティブ層上部にオーミックコンタクト層を、前記オーミックコンタクト層上部にデータ配線、データパッド、そしてソース電極及びドレイン電極を形成して、前記ゲート配線とデータ配線が交差して定義される画素領域に配置する前記ゲート絶縁膜の上面を露出する段階と；
　第３マスク工程で前記ドレイン電極と接触して前記ゲート絶縁膜の露出された上面に直接接触する画素電極を形成する段階と、ここで、前記画素電極を形成する段階は、前記データパッドと接触するデータパッド端子を形成する段階を含み；
　前記画素電極を含む前記基板上部に保護膜を形成する段階と；そして
　前記保護膜は、プリンティング法で形成され、前記ゲートパッドと前記データパッドに対応する前記保護膜の部分を除去する段階とを含むことを特徴とする液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。」（以下「本願発明」という。）
　
　
２．刊行物の記載事項
　本願の出願前に頒布され、当審において通知した拒絶の理由に引用された刊行物である特開平６−２０２１５３号公報（以下「引用刊行物」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
ア　「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＴＦＴ（薄膜トランジスタ）マトリクス装置及びその製造方法に係り、特にラップトップパソコンや壁掛けＴＶとして用いられるＴＦＴ−ＬＣＤ（ＴＦＴマトリクス型液晶ディスプレー装置）及びその製造方法に関する。・・・（略）・・・。」　
イ　「【０００２】
【従来の技術】従来の逆スタガード型ＴＦＴマトリクス装置を、図１７及び図１８を用いて説明する。ここで、図１７は従来によるＴＦＴマトリクス装置を示す平面図、図１８（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）はそれぞれそのドレイン端子部を示すＡＡ′線断面図、ＴＦＴ部を示すＢＢ′線断面図、画素部及び蓄積容量部を示すＣＣ′線断面図、並びにゲート端子部を示すＤＤ′線断面図である。
【０００３】ＴＦＴマトリクス装置のＴＦＴ部においては、透明絶縁基板５０上に、例えばＡｌ（アルミニウム）又はＣｒ（クロム）等の金属層からなるゲート電極５２ａが形成されている。また、このゲート電極５２ａ上にはゲート絶縁膜５４ａを介して、ａ−Ｓｉ（アモルファス−シリコン）活性層５６ａが形成されている。そしてこのａ−Ｓｉ活性層５６ａ上には、チャネル保護膜５８ａが形成され、またこのチャネル保護膜５８ａの両側には、ｎ+ 型ａ−Ｓｉ接合層６０ａ、６０ｂを介してそれぞれａ−Ｓｉ活性層５６ａに接続するソース電極６２ａ及びドレイン電極６２ｂが形成されている。更に、このように構成されたＴＦＴをパッシベーション膜７０が覆っている。
【０００４】また、画素部においては、ソース電極６２ａに接続されたＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透明導電膜からなる画素電極６８ａが形成されており、ＴＦＴを覆うパッシベーション膜７０に開口した窓７２ａを介して露出している。・・・（略）・・・。
【０００５】また、ドレイン端子部においては、ドレイン端子下部電極６４が、ｎ+ 型ａ−Ｓｉ接合層６０ｂ及びドレイン電極６２ｂと共通の層をなすｎ+ 型ａ−Ｓｉ層６０及び金属層６２から形成されている。そしてこのドレイン端子下部電極６４上には、画素電極６８ａと同一材料の透明導電膜からなるドレイン端子上部電極６８ｂが積層されている。このようにドレイン端子上部電極６８ｂがドレイン端子下部電極６４を覆っているのは、ドレイン端子下部電極６４表面のＡｌ又はＣｒ等の金属層６２が酸化することを防止するためである。
【０００６】こうして、ドレイン端子部は、ドレイン電極６２ｂにドレインバスライン７４を介して接続するドレイン端子下部電極６４と、このドレイン端子下部電極６４上及びパッシベーション膜７０上に形成されたドレイン端子上部電極６８ｂとから構成され、そのドレイン端子上部電極６８ｂがパッシベーション膜７０に開口した窓７２ｂを介して露出している。
【０００７】また、ゲート端子部においては、ゲート端子下部電極５２ｄが、ゲート電極５２ａ及びゲートバスライン５２ｃと共通の層をなす金属層から形成されている。また、画素電極６８ａと同一材料の透明導電膜からなるゲート端子上部電極６８ｃが、ゲート端子下部電極５２ｄ上に積層されたゲート絶縁膜５４ａと共通の層をなす絶縁膜５４に開口されているコンタクトホール６６を介して、ゲート端子下部電極５２ｄ上に積層されている。このようにゲート端子上部電極６８ｃがゲート端子下部電極５２ｄを覆っているのは、Ａｌ又はＣｒ等の金属層からなるゲート端子下部電極５２ｄが酸化することを防止するためである。
【０００８】こうして、ゲート端子部は、ゲート電極５２ａにゲートバスライン５２ｃを介して接続するゲート端子下部電極５２ｄと、このゲート端子下部電極５２ｄ上及び絶縁膜５４上に積層されたゲート端子上部電極６８ｃとから構成され、そのゲート端子上部電極６８ｃがパッシベーション膜７０に開口した窓７２ｃを介して露出している。
【０００９】次に、図１７及び図１８に示すＴＦＴマトリクス装置の製造方法を、図１９乃至図２８の工程断面図を用いて説明する。尚、各図の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）はそれぞれ図１のＡＡ′線断面、ＢＢ′線断面、ＣＣ′線断面、ＤＤ′線断面に対応したドレイン端子部、ＴＦＴ部、画素部及び蓄積容量部、並びにゲート端子部を示す。
【００１０】透明絶縁基板５０上に、例えばＡｌ又はＣｒ等の金属層を成膜した後、所定の形状にパターニングして、ゲート電極５２ａ、Ｃｓ電極５２ｂ、ゲート電極５２ａに接続するゲートバスライン５２ｃ、及びこのゲートバスライン５２ｃに接続するゲート端子下部電極５２ｄをそれぞれ形成する（図１９参照）。次いで、全面に、絶縁膜５４を成膜する。尚、ここで、ゲート電極５２ａ上の絶縁膜５４を特にゲート絶縁膜５４ａと、Ｃｓ電極５２ｂ上の絶縁膜５４を特に誘電体膜５４ｂと呼ぶ。続いて、この絶縁膜５４上に、ノンドープのｉ型ａ−Ｓｉ層５６及び保護膜５８を順に成膜する（図２０参照）。
【００１１】次いで、この保護膜５８を、ＴＦＴチャネル部を除いて、全てエッチング除去する。即ち、ＴＦＴ部のゲート電極５２ａ上方にのみ保護膜５８を残存させて、チャネル保護膜５８ａを形成する（図２１参照）。次いで、全面に、ｎ+ 型ａ−Ｓｉ層６０を成膜した後、更に例えばＡｌ又はＣｒ等の金属層６２を成膜する（図２２参照）。
【００１２】次いで、金属層６２、ｎ+ 型ａ−Ｓｉ層６０、及びｉ型ａ−Ｓｉ層５６を選択的にエッチングして、ＴＦＴ部のゲート絶縁膜５４ａ上にｉ型ａ−Ｓｉ層５６からなるａ−Ｓｉ活性層５６ａを形成すると共に、チャネル保護膜５８ａの両側のｎ+ 型ａ−Ｓｉ層６０からなるｎ+ 型ａ−Ｓｉ接合層６０ａ、６０ｂを介してそれぞれａ−Ｓｉ活性層５６ａに接続する金属層６２からなるソース電極６２ａ及びドレイン電極６２ｂを相対して形成し、ＴＦＴを完成させる。
【００１３】また同時に、ドレイン端子部において、ドレイン電極６２ｂにドレインバスラインを介して接続するｎ+ 型ａ−Ｓｉ層６０及び金属層６２からなるドレイン端子下部電極６４を形成する（図２３参照）。次いで、レジストを塗布した後、フォトリソグラフィ法を用いて、ゲート端子下部電極５２ｄ上に開口部をもつレジストパターンを形成する。そしてこのレジストパターンをマスクとして絶縁膜５４をエッチングし、コンタクトホール６６を開口する（図２４参照）。
【００１４】次いで、全面に、ＩＴＯ等からなる透明導電膜６８を成膜する（図２５参照）。次いで、この透明導電膜６８を所定の形状にパターニングし、ソース電極６２ａに接続する画素電極６８ａを形成し、同時に、ドレイン端子下部電極６４に接続するドレイン端子上部電極６８ｂを形成し、コンタクトホール６６を介してゲート端子下部電極５２ｄに接続するゲート端子上部電極６８ｃを形成する。尚、このとき、ソース電極６２ａに接続する画素電極６８ａは、Ｃｓ電極５２ｂ上の誘電体膜５４ｂを覆っている。
【００１５】こうして、Ｃｓ電極５２ｂ、Ｃｓ電極５２ｂの対向電極として機能する画素電極６８ａ、及びこれら両電極間に挟まれた誘電体膜５４ｂからなる蓄積容量部を完成させる（図２６参照）。次いで、全面に、パッシベーション膜７０を成膜し、完成させたＴＦＴを覆う（図２７参照）。
【００１６】次いで、レジストを塗布した後、フォトリソグラフィ法を用いて、画素電極６８ａ、ドレイン端子上部電極６８ｂ、及びゲート端子上部電極６８ｃ上にそれぞれ開口部をもつレジストパターンを形成する。そしてこのレジストパターンをマスクとしてパッシベーション膜７０をエッチングし、それぞれ窓７２ａ、７２ｂ、７２ｃを開口して、画素電極６８ａ、ドレイン端子上部電極６８ｂ、及びゲート端子上部電極６８ｃを露出させる。
【００１７】こうして、ＴＦＴのソース電極６２ａに接続する画素電極６８ａからなる画素部、ＴＦＴのドレイン電極６２ｂにドレインバスラインを介して接続するドレイン端子下部電極６４及びドレイン端子上部電極６８ｂからなるドレイン端子部、並びにＴＦＴのゲート電極５２ａにゲートバスライン５２ｃを介して接続するゲート端子下部電極５２ｄ及びゲート端子上部電極６８ｃからなるゲート端子部をそれぞれ完成させる（図２８参照）。」 
　
ウ　成膜された金属層６２、ｎ+ 型ａ−Ｓｉ層６０及びｉ型ａ−Ｓｉ層５６を選択的にエッチングすることにより、後で画素電極６８aが形成される領域のゲート絶縁膜５４a（絶縁膜５４）の上面が露出されること、が図２２（ｂ）、図２３（ｂ）及び図２６（ｂ）から見て取れる。
　
エ　ゲートバスライン５２ｃとドレインバスライン７４が交差して形成される領域に画素電極６８ａが形成されていることが図１７から見て取れる。
 　 
　よって、これらの記載を総合すると、引用刊行物には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。 
 　 
「透明絶縁基板上に金属層を成膜した後、所定の形状にパターニングして、ゲート電極、ゲート電極に接続するゲートバスライン及びこのゲートバスラインに接続するゲート端子下部電極をそれぞれ形成し、
　次いで、全面に絶縁膜を成膜し、
　続いて、この絶縁膜上にノンドープのｉ型ａ−Ｓｉ層及び保護膜を順に成膜し、次いで、この保護膜を、ＴＦＴチャネル部を除いて全てエッチング除去してＴＦＴ部のゲート電極上方にのみチャネル保護膜を形成し、次いで、全面にｎ+ 型ａ−Ｓｉ層を成膜した後、更に金属層を成膜し、次いで、金属層、ｎ+ 型ａ−Ｓｉ層及びｉ型ａ−Ｓｉ層を選択的にエッチングして、ＴＦＴ部のゲート絶縁膜上にｉ型ａ−Ｓｉ層からなるａ−Ｓｉ活性層を形成すると共に、チャネル保護膜の両側のｎ+ 型ａ−Ｓｉ層からなるｎ+ 型ａ−Ｓｉ接合層を介してそれぞれａ−Ｓｉ活性層に接続する金属層からなるソース電極及びドレイン電極を相対して形成してＴＦＴを完成させるとともに、ゲートバスラインとドレインバスラインが交差して形成される領域であり、かつ、後で画素電極が形成される領域のゲート絶縁膜の上面を露出し、また同時に、ドレイン端子部において、ドレイン電極にドレインバスラインを介して接続するｎ+ 型ａ−Ｓｉ層及び金属層からなるドレイン端子下部電極を形成し、
　次いで、全面に透明導電膜を成膜し、この透明導電膜を所定の形状にパターニングし、ソース電極に接続する画素電極を形成し、同時に、ドレイン端子下部電極に接続するドレイン端子上部電極を形成するとともに、ゲート端子下部電極に接続するゲート端子上部電極を形成し、
　次いで、全面にパッシベーション膜を成膜し、
　次いで、ドレイン端子上部電極及びゲート端子上部電極上にそれぞれ開口部をもつレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとしてパッシベーション膜をエッチングし、それぞれ窓を開口してドレイン端子上部電極及びゲート端子上部電極を露出させる、薄膜トランジスタマトリクス装置の製造方法。」 
　
　
３．対比、判断
　本願発明と引用発明を対比する。
　
ア　引用発明の「透明絶縁基板」、「ゲート電極」、「ゲートバスライン」、「ゲート端子下部電極」、「絶縁膜（ゲート絶縁膜）」、「ｉ型ａ−Ｓｉ層（からなるａ−Ｓｉ活性層）」、「ｎ+ 型ａ−Ｓｉ層」、「ソース電極」、「ドレイン電極」、「ドレインバスライン」、「ドレイン端子下部電極」、「ゲート絶縁膜の上面を露出」、「画素電極」、「ドレイン端子上部電極」、「パッシベーション膜」及び「薄膜トランジスタマトリクス装置の製造方法」は、それぞれ、本願発明の「基板」、「ゲート電極」、「ゲート配線」、「ゲートパッド」、「ゲート絶縁膜」、「アクティブ層」、「オーミックコンタクト層」、「ドレイン電極」、「ソース電極」、「データ配線」、「データパッド」、「ゲート絶縁膜の上面を露出」、「画素電極」、「データパッド端子」、「保護膜」及び「液晶表示装置用アレイ基板の製造方法」に相当する。
　
イ　引用発明の「透明絶縁基板上に金属層を成膜した後、所定の形状にパターニングして、ゲート電極、ゲート電極に接続するゲートバスライン及びこのゲートバスラインに接続するゲート端子下部電極をそれぞれ形成し」なる事項は、本願発明の「基板上に第１マスク工程でゲート配線、ゲート電極及びゲートパッドを形成する段階」に相当する。
　
ウ　引用発明の「次いで、全面に絶縁膜を成膜し」なる事項は、本願発明の「前記ゲート配線、ゲート電極及びゲートパッド上にゲート絶縁膜を形成する段階」に相当する。
　
エ　引用発明の「ゲートバスラインとドレインバスラインが交差して形成される領域であり、かつ、後で画素電極が形成される領域」は、本願発明の「ゲート配線とデータ配線が交差して定義される画素領域」に相当する。
　
オ　引用発明の「続いて、この絶縁膜上にノンドープのｉ型ａ−Ｓｉ層及び保護膜を順に成膜し、次いで、この保護膜を、ＴＦＴチャネル部を除いて全てエッチング除去してＴＦＴ部のゲート電極上方にのみチャネル保護膜を形成し、次いで、全面にｎ+ 型ａ−Ｓｉ層を成膜した後、更に金属層を成膜し、次いで、金属層、ｎ+ 型ａ−Ｓｉ層及びｉ型ａ−Ｓｉ層を選択的にエッチングして、ＴＦＴ部のゲート絶縁膜上にｉ型ａ−Ｓｉ層からなるａ−Ｓｉ活性層を形成すると共に、チャネル保護膜の両側のｎ+ 型ａ−Ｓｉ層からなるｎ+ 型ａ−Ｓｉ接合層を介してそれぞれａ−Ｓｉ活性層に接続する金属層からなるソース電極及びドレイン電極を相対して形成してＴＦＴを完成させるとともに、ゲートバスラインとドレインバスラインが交差して形成される領域であり、かつ、後で画素電極が形成される領域のゲート絶縁膜の上面を露出し、また同時に、ドレイン端子部において、ドレイン電極にドレインバスラインを介して接続するｎ+ 型ａ−Ｓｉ層及び金属層からなるドレイン端子下部電極を形成し」なる事項は、その途中で「チャネル保護膜」を形成してはいるものの、「（成膜した）金属層、ｎ+ 型ａ−Ｓｉ層及びｉ型ａ−Ｓｉ層を選択的にエッチングして、・・・ｎ+ 型ａ−Ｓｉ層からなるｎ+ 型ａ−Ｓｉ接合層を介してそれぞれａ−Ｓｉ活性層に接続する金属層からなるソース電極及びドレイン電極を相対して形成してＴＦＴを完成させ・・・、また同時に、ドレイン端子部において、・・・ｎ+ 型ａ−Ｓｉ層及び金属層からなるドレイン端子下部電極を形成し」ているから、本願発明の「第２マスク工程で前記ゲート絶縁膜上部にアクティブ層を、前記アクティブ層上部にオーミックコンタクト層を、前記オーミックコンタクト層上部にデータ配線、データパッド、そしてソース電極及びドレイン電極を形成して、前記ゲート配線とデータ配線が交差して定義される画素領域に配置する前記ゲート絶縁膜の上面を露出する段階」に相当する、ということができる。
　
カ　引用発明の「次いで、全面に透明導電膜を成膜し、この透明導電膜を所定の形状にパターニングし、ソース電極に接続する画素電極を形成し、同時に、ドレイン端子下部電極に接続するドレイン端子上部電極を形成するとともに、ゲート端子下部電極に接続するゲート端子上部電極を形成し」なる事項は、本願発明の「第３マスク工程で前記ドレイン電極と接触して前記ゲート絶縁膜の露出された上面に直接接触する画素電極を形成する段階と、ここで、前記画素電極を形成する段階は、前記データパッドと接触するデータパッド端子を形成する段階を含み」なる事項に相当する。
　
キ　引用発明の「次いで、全面にパッシベーション膜を成膜し」なる事項は、本願発明の「前記画素電極を含む前記基板上部に保護膜を形成する段階」に相当する。
　
ク　引用発明の「次いで、ドレイン端子上部電極及びゲート端子上部電極上にそれぞれ開口部をもつレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとしてパッシベーション膜をエッチングし、それぞれ窓を開口してドレイン端子上部電極及びゲート端子上部電極を露出させる」なる事項は、本願発明の「前記ゲートパッドと前記データパッドに対応する前記保護膜の部分を除去する段階」に相当する。
 　  
　したがって、両者は、　  
「基板上に第１マスク工程でゲート配線、ゲート電極及びゲートパッドを形成する段階と；
　前記ゲート配線、ゲート電極及びゲートパッド上にゲート絶縁膜を形成する段階と；
　第２マスク工程で前記ゲート絶縁膜上部にアクティブ層を、前記アクティブ層上部にオーミックコンタクト層を、前記オーミックコンタクト層上部にデータ配線、データパッド、そしてソース電極及びドレイン電極を形成して、前記ゲート配線とデータ配線が交差して定義される画素領域に配置する前記ゲート絶縁膜の上面を露出する段階と；
　第３マスク工程で前記ドレイン電極と接触して前記ゲート絶縁膜の露出された上面に直接接触する画素電極を形成する段階と、ここで、前記画素電極を形成する段階は、前記データパッドと接触するデータパッド端子を形成する段階を含み；
　前記画素電極を含む前記基板上部に保護膜を形成する段階と；そして
　前記ゲートパッドと前記データパッドに対応する前記保護膜の部分を除去する段階とを含む液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。」　  
である点で一致し、次の点で相違する。　  
 　  
相違点
　保護膜が、本願発明では、プリンティング法で形成されるのに対し、引用発明は、プリンティング法で形成されるかどうか不明な点。 
　
　上記相違点につき検討する。
　（ポリイミドで形成される）保護膜を、印刷法を用いて形成することは本願の優先日前に周知であり（例えば、特開平８−１６０４６２号公報（【００２９】）、特開平８−９５０７５号公報（【００１５】、【００２５】）参照。）、この周知技術を引用発明に適用して上記相違点に係る本願発明の技術的事項とすることは当業者が容易になし得ることである。
　
　そして、本願発明によってもたらされる効果は、引用発明及び上記周知技術から当業者が予測し得る程度のものである。
　
　なお、引用発明は、金属層、ｎ+ 型ａ−Ｓｉ層及びｉ型ａ−Ｓｉ層をチャネル部のｉ型ａ−Ｓｉ層を残して一度にパターニングする手法として、チャネル保護膜を形成する手法を採用しているが、チャネル保護膜を使わない他の手法も本願の優先日前に周知であるから（例えば、特開２００１−３１１９６５号公報（【０００７】、図５０）、特開２００１−２３０３２１号公報(【００７９】〜【００９５】、図２２、図２４、図２７、図２９、図３１、図３３)、特開２０００−１６４８８６号公報（【００３２】〜【００５６】、図８、図１１、図１７、図１９、図２１）参照。）、引用発明が採用している手法に代えて上記周知技術を採用することも当業者が容易に想起することができた程度のことである。
　
　
４．むすび
　したがって、本願発明は、引用発明及び周知技術から当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。