【事件の表示】
　平成　５年特許願第２０１７１９号「Ｘ線画像検出器」拒絶査定不服審判事件〔平成　６年　７月２６日出願公開、特開平　６−２０９０９７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本願は、平成５年８月１３日（パリ条約による優先権主張１９９２年８月１７日、ドイツ連邦共和国）の出願であって、平成１９年３月１２日に拒絶査定がなされ、これに対して、同年６月１８日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年７月１８日付けで手続補正がなされたものである。
　
２．本願発明
　本願請求項１ないし９に係る発明は、平成１９年７月１８日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載から見て、その特許請求の範囲の請求項１ないし９に記載されたとおりのものと認められ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、その請求項１に記載された以下のとおりのものである。
「【請求項１】　複数のＸ線感応センサを有し、
　各センサは、コレクティング電極と該コレクティング電極を出力導線に接続するスイッチング素子とを有し、
　光伝導体層は個々のコレクティング電極とバイアス電極との間に設けられ、
　前記コレクティング電極は基準電極と共に、前記光伝導体で生成される電荷キャリアによって充電され得るキャパシタンスを形成する、Ｘ線画像検出器であって、
　各コレクティング電極は、第１電極部及び第２電極部を有し、
　前記第１電極部は付随する出力導線に隣接する各々の領域に配置され、
　前記第２電極部と前記出力導線間の寄生キャパシタンスが小さく留まるように前記出力導線の上に厚さが少なくとも３μｍである絶縁層が設けられ、
　前記第２電極部は、前記絶縁層を通って延びるコンタクト孔を介して前記第１電極部に電気的に接続され、前記第１電極部よりも大きな表面領域を有し、前記第１電極部と前記バイアス電極との間に配置されることを特徴とするＸ線画像検出器。」
　
３．刊行物に記載の発明
（１）特開平４−２１２４５８号公報
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願優先権主張日の前である平成４年８月４日に日本国内において頒布された特開平４−２１２４５８号公報（以下、「刊行物１」という。）には、図１及び図２とともに以下の事項が記載されている。
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、２つの電極とその間に設けられる半導体層とからなる光感知及び／又はＸ線感知薄膜センサとからなるセンサマトリックスに係る。」
「【００１２】共通半導体層及び共通第２の電極がマトリックスの全てのセンサ素子に対して設けられる図１に示すセンサマトリックスの回路図はマトリックスの行及び列に配置されるセンサ１を示す。マトリックスの個々のセンサ１は同一構成を有する。各センサ１は、関連センサ１の領域でのみ設けられ、隣るセンサ１の第１の電極２から機械的及び電気的に分離された第１の電極２とからなる。それぞれの第１の電極２は関連センサ１内の記憶容量３の第１の電極に接続され、他の電極は接地に接続される。第１の電極２及び記憶容量３間の接続部は電界効果トランジスタ４のソース端子に接続される。・・・
【００１５】半導体層５自体は、第２の電極として役立ち、マトリックスの全てのセンサ１に対し作用する導電層６により覆われる。第２の電極６は直流電源７に接続され、その他極は接地に接続される。
【００１６】図１に示されるセンサマトリックスは、薄膜技術を用いて製造される。この技術は、２つの電極及び半導体層用にのみ用いられるばかりでなく、記憶容量３及び電界効果トランジスタ４用にも用いられる。
【００１７】マトリックスの全てのセンサ用の共通の第２の電極６は直流電源７によりバイアスされる。光又はＸ線が半導体層５上に入射される時、照射は導電率が変化される半導体層で吸収される。従って、センサ１の記憶容量３を電気的に充電されるようにする電荷シフトが起こる。各個々のセンサの充電の度合は、所定時間間隔中の関連センサの第１の電極２及び対電極６間の領域で半導体層５上に入射する照射の量に依る。
【００１８】記憶容量３に蓄積された電荷は入射，照射を決める為に読出されうる。この為に、センサの各行に対し、各スイッチングライン８が設けられ、そのラインは関連行のセンサの電界効果トランジスタのゲート端子に接続され、制御回路９により制御されうる。例えば、制御回路９は第１の行のスイッチングライン８を活性化し、これによりこの行のセンサの全ての電界効果トランジスタ４がターンオンされる。次にこの行のセンサに蓄積された電荷は、各センサ列に設けられ、関連列のセンサの電界効果トランジスタのドレーン端子に接続される読出ライン１０を介して読出される。従って、読出し動作は関連行の全てのセンサに対して同時に行なわれる。増幅器１１でのその結果の信号の増幅の後、増幅された信号はセンサ列の並列的に届くデータから連続出力信号を形成するマルチプレックス回路１２に印加される。・・・
【００２０】この事実は本発明によるマトリックスの一部の平面図である図２に更に明瞭に示される。マトリックスは共通の第２の電極６の平面図で示される。対向電極６及び共通の半導体層５はマトリックスのセンサの全ての第１電極２を覆い、そのうち９つのみが図２の例で示される。その下に位置したセンサの素子の表示を可能にする為、図２において、第２の電極６及び半導体層５は映像で準透明法で示される。
【００２１】半導体層５の面の下において、第１の電極２は図２の各センサに対して区別され、その電極は比較的に大きい面領域を占める。記憶容量３は明瞭化の為図２で省略した。従って、センサの第１の電極２は図２の電界効果トランジスタ４のソース端子に直接に接続される。電界効果トランジスタ４のゲート端子は各スイッチングライン８に接続され、電界効果トランジスタのドレーン端子は各読出ライン１０に接続される。」
　
　したがって、刊行物１には、以下の発明が記載されている。
「複数のＸ線感知薄膜センサ１を有し、
　各センサ１は、記憶容量３と電界効果トランジスタ４とを備え、センサ１の第１の電極２及び記憶容量３間の接続部は電界効果トランジスタ４のソース端子に接続され、電界効果トランジスタ４のドレーン端子は読出ライン１０に接続され、
　半導体層５は、隣るセンサ１の第１の電極２から機械的及び電気的に分離された第１の電極２と、直流電源７によりバイアスされマトリックスの全てのセンサ用の共通の第２の電極６との間に設けられ、
　第１の電極２は関連センサ１内の記憶容量３の第１の電極に接続され、Ｘ線が半導体層５上に入射される時、照射は導電率が変化される半導体層で吸収され、センサ１の記憶容量３を電気的に充電されるようにする電荷シフトが起こる、センサマトリックス。」
　
（２）特開昭６２−８６８５５号公報
　原審の拒絶理由通知書において引用された、本願優先権主張日の前である昭和６２年４月２１日に日本国内において頒布された特開昭６２−８６８５５号公報（以下、「刊行物２」という。）には、第１図及び第２図とともに以下の事項が記載されている。
「［産業上の利用分野］
　本発明は走査回路と放射線、特にＸ線を受光してキャリアを発生する光導電層とを積層した放射線用固体撮像素子に関する。」（第１頁右下欄第２行ないし第５行）
「［問題点を解決するための手段］
　かかる目的を達成するために、本発明においては、走査回路部と光導電膜部を積層した固体撮像素子において、光導電層がＸ線吸収能の高い光導電体層からなることを特徴とする。また下地層が重金属からなることを特徴とする。」（第２頁左上欄第１３行ないし第１８行）
「第１図は走査回路をＭＯＳ型とした本発明の実施例の断面の概略図である。
　図において１００は走査回路部、２００は光導電体部である。１１はＳｉなどの半導体基板、１２はソース、１３はゲート、１４はドレイン、１５は出力線である。１６はＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、りん化シリケートガラス、ポリイミドなどからなる絶縁層、１７Ｂは絵素を区画する２次電極、１７Ａは２次電極とソースを結ぶ１次電極で、１７Ａ、１７Ｂで下地電極を形成する。・・・１８は本発明の特徴をなす光導電体層であって、Ｘ線吸収能の高いＢｉ１２ＧｅＯ２０，Ｂｉ１２ＳｉＯ２０，ＰｂＯ，ＰｂＳ，ＰｂＳｅ，ＰｂＴｅなどを用いる。・・・
　１９は絵素間のリークや混色などを防止するための絵素分離層で、・・・２０は透明電極で光導電体層１８、絵素分離層１９の表面にＩＴＯなどをスパッタまたは蒸着したものである。
　第２図に本発明の他の実施例を示す、この実施例は走査回路を薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）で構成した例である。図において２１は非結晶質水素化シリコンからなるＴＦＴで２２はソース、２３はゲート、２４はドレイン、２６は絶縁層であり、その他は第１図に示した実施例と同じであるので説明を省略する。」（第２頁右上欄第８行ないし右下欄第１３行）
　
（３）特開昭６０−４２９８９号公報
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願優先権主張日の前である昭和６０年３月７日に日本国内において頒布された特開昭６０−４２９８９号公報（以下、「刊行物３」という。）には、第１図とともに以下の事項が記載されている。
「第１図において、ｐ型半導体基板１上に、ＭＯＳトランジスタのソースとなるｎ型半導体領域２およびＭＯＳトランジスタのドレインとなるｎ型半導体領域３が形成される。さらに、ｎ型半導体領域２および３の間の領域上にゲート７が設けられ、ｎ型半導体領域２および３とともにＭＯＳトランジスタを構成する。また、ｎ型半導体領域３に接して画素分離酸化膜１３および絶縁膜８が設けられ、隣接する画素を分離する役目を果たしている。さらに、ゲート７、ｎ型半導体領域３上に形成された一層配線４および絶縁膜８の上に絶縁膜５が形成される。次に、ｎ型半導体領域２上に形成された一層配線４および上述の絶縁膜５の上に二層配線６が形成され、この二層配線６はさらにその上に形成された光導電膜９に電界をかける正電極の役割りを果たす。光導電膜９の上に形成された透明電極１０は、上述の二層配線６とともに光導電膜９に電界をかける負電極である。透明電極１０上には透明平坦化膜１１が形成され、さらにその上には入射光を分光する光フィルタ１２が設けられている。」（第１頁右下欄第８行ないし第２頁左上欄第８行）
　
４．対比
　本願発明と刊行物１に記載された発明（以下、「刊行物発明」という。）について、以下で対比する。
（ａ）刊行物発明の「Ｘ線感知薄膜センサ１」は、本願発明の「Ｘ線感応センサ」に相当する。
（ｂ）刊行物発明の「第１の電極２」、「電界効果トランジスタ４」、「読出ライン１０」は、本願発明の「コレクティング電極」、「スイッチング素子」、「出力導線」にそれぞれ相当し、刊行物発明の第１の電極２と読出ライン１０は電界効果トランジスタ４により接続されるから、刊行物発明の「各センサ１は、記憶容量３と電界効果トランジスタ４とを備え、センサ１の第１の電極２及び記憶容量３間の接続部は電界効果トランジスタ４のソース端子に接続され、電界効果トランジスタ４のドレーン端子は読出ライン１０に接続され」ることは、本願発明の「各センサは、コレクティング電極と該コレクティング電極を出力導線に接続するスイッチング素子とを有」することに相当する。
（ｃ）刊行物発明の「半導体層５」は、「光又はＸ線が半導体層５上に入射される時、照射は導電率が変化される半導体層で吸収される」（段落【００１７】）ものであるから、本願発明の「光伝導体層」に相当し、刊行物発明の「直流電源７によりバイアスされマトリックスの全てのセンサ用の共通の第２の電極６」は、本願発明の「バイアス電極」に相当する。したがって、刊行物発明の「半導体層５は、隣るセンサ１の第１の電極２から機械的及び電気的に分離された第１の電極２と、直流電源７によりバイアスされマトリックスの全てのセンサ用の共通の第２の電極６との間に設けられ」は、本願発明の「光伝導体層は個々のコレクティング電極とバイアス電極との間に設けられ」に相当する。
（ｄ）刊行物発明において、第１の電極２は関連センサ１内の記憶容量３の第１の電極に接続されるから、第１の電極２と記憶容量３の第１の電極とは、実質的に一体の電極であり、第１の電極２は記憶容量３を形成すると言える。そして、刊行物発明の「記憶容量３」は、半導体層５により生成された電荷で充電されるものであるから、本願発明の「キャパシタンス」に相当する。よって、上記（ｂ）及び（ｃ）を併せ考慮すると、刊行物発明の「第１の電極２は関連センサ１内の記憶容量３の第１の電極に接続され、Ｘ線が半導体層５上に入射される時、照射は導電率が変化される半導体層で吸収され、センサ１の記憶容量３を電気的に充電されるようにする電荷シフトが起こる」ことは、本願発明の「前記コレクティング電極は」「前記光伝導体で生成される電荷キャリアによって充電され得るキャパシタンスを形成する」ことに相当する。
（ｅ）刊行物発明の「センサマトリックス」は、複数のＸ線感知薄膜センサ１から構成され、「記憶容量３に蓄積された電荷は入射，照射を決める為に読出されうる。・・・読出し動作は関連行の全てのセンサに対して同時に行なわれる。増幅器１１でのその結果の信号の増幅の後、増幅された信号はセンサ列の並列的に届くデータから連続出力信号を形成するマルチプレックス回路１２に印加される。」（段落【００１８】）と記載されるように、各センサ１に照射されたＸ線の照射量を蓄積された電荷信号として読出し、連続出力信号として出力するものであって、実質的に、Ｘ線画像を検出しているものと認められるから、本願発明の「Ｘ線画像検出器」に相当する。
　
　したがって、本願発明と刊行物発明とは、
「複数のＸ線感応センサを有し、
　各センサは、コレクティング電極と該コレクティング電極を出力導線に接続するスイッチング素子とを有し、
　光伝導体層は個々のコレクティング電極とバイアス電極との間に設けられ、
　前記コレクティング電極は、前記光伝導体で生成される電荷キャリアによって充電され得るキャパシタンスを形成する、Ｘ線画像検出器。」
であることにおいて一致し、以下の２点において相違している。
（１）
　本願発明は、「前記コレクティング電極は基準電極と共に、前記光伝導体で生成される電荷キャリアによって充電され得るキャパシタンスを形成」しているのに対し、刊行物発明の第１の電極２は記憶容量３を形成するものの、他方の電極が明らかではない点。（以下、「相違点１」という。）
（２）
　本願発明は、「各コレクティング電極は、第１電極部及び第２電極部を有し、　前記第１電極部は付随する出力導線に隣接する各々の領域に配置され、　前記第２電極部と前記出力導線間の寄生キャパシタンスが小さく留まるように前記出力導線の上に厚さが少なくとも３μｍである絶縁層が設けられ、　前記第２電極部は、前記絶縁層を通って延びるコンタクト孔を介して前記第１電極部に電気的に接続され、前記第１電極部よりも大きな表面領域を有し、前記第１電極部と前記バイアス電極との間に配置される」のに対し、刊行物発明は、このような構成を有していない点。（以下、「相違点２」という。）
　
５．判断
　上記相違点について検討する。
（相違点１について）
　刊行物１には、「各センサ１は、関連センサ１の領域でのみ設けられ、隣るセンサ１の第１の電極２から機械的及び電気的に分離された第１の電極２とからなる。それぞれの第１の電極２は関連センサ１内の記憶容量３の第１の電極に接続され、他の電極は接地に接続される。」（段落【００１２】）と記載されている。この記載について、対応する図１を参照すると、第１の電極２と記憶容量３の一方の電極と電界効果トランジスタ４のソース端子とは、実質的に一体の電極であり、電界効果トランジスタ４のドレーン端子は読出ライン１０に接続され、半導体層５の第２の電極６は直流電源７に接続されることが図示されているから、上記「他の電極は接地に接続される。」の記載は、図１との対応関係から、記憶容量３の他の電極について説明したものと判断せざるを得ない。
　したがって、刊行物１には、記憶容量３（本願発明の「キャパシタンス」に相当）の一方の電極を「第１の電極２」（本願発明の「コレクティング電極」に相当）とし、他方の電極を接地に接続する（即ち、「基準電極」とする）ことが、実質的に開示されている。
　そして、拒絶査定の備考欄において指摘したように、スイッチング素子に接続された電極膜自体をキャパシタ電極の一方として用いて、基準電極と共にキャパシタンスを形成させることは、特開平３−１４９８８４号公報（「付加容量用透明電極を有する逆スタガート型薄膜トランジスタに於て、付加容量用透明電極と画素用透明電極間に・・・合計三層の絶縁膜を介」する。［第２頁左上欄第１８行ないし右上欄第５行］、第１図を参照。）、特開平４−３０２７号公報（「画素電極Ｅの下部に絶縁膜３を介して透明電極２を設けることにより静電容量を形成」する。［第２頁右上欄第７行ないし第９行］、第２図、第４図を参照。）及び特開平４−２１８０２８号公報（「付加容量配線４２とこれにゲート絶縁膜を挟んで対向する絵素電極４１との間に付加容量５１が形成されている。」［段落【００２５】］、図７ないし図９を参照。）に記載されているように、当該技術分野において周知の事項である。
　よって、相違点１に指摘した本願発明の構成は、刊行物１に開示されているから、相違点１は実質的なものではなく、仮に実質的なものであるとしても、上記周知の技術に基づいて、当業者が容易になし得ることである。
（相違点２について）
　光感知又はＸ線感知をするセンサや画像検出器において、その感度を高めることは当然の要請であって、このために、基板に設けられたスイッチング素子となるトランジスタや信号線の上に、画素電極及び光導電層を積層して形成し、実質的な有効画素面積を大きくすることが従来から試みられている。
　例えば、刊行物２には、走査回路とＸ線を受光してキャリアを発生する光導電層とを積層した放射線用固体撮像素子が記載されており、第１図及び第２図とその説明を参照すると、光導電体層１８の下地電極（本願発明の「コレクティング電極」に相当）が１次電極１７Ａ（本願発明の「第１電極部」に相当）と２次電極１７Ｂ（本願発明の「第２電極部」に相当）で構成され、２次電極は１次電極より大きな表面領域を有して、絶縁層１６を介して、トランジスタ及び出力線１５の上部に配置されていることが看取できる。
　また、刊行物３には、同じく光導電変換手段を走査回路の上部に積層した固体撮像装置が記載されており、第１図とその説明を参照すると、ＭＯＳトランジスタのソース２に接続された一層配線４（本願発明の「第１電極部」に相当）と絶縁膜５上の二層配線６（本願発明の「第２電極部」に相当）が、光導電膜９（本願発明の「光伝導体層」に相当）の正電極（本願発明の「コレクティング電極」に相当）を構成し、二層配線６は、絶縁層５を通って延びるコンタクト孔を介して前記一層配線４に電気的に接続され、前記一層配線４よりも大きな表面領域を有し、前記一層配線４と透明電極１０（本願発明の「バイアス電極」に相当）との間に配置されることが、看取できる。
　なお、刊行物３に記載のものにおいて、ＭＯＳトランジスタのドレイン３に接続された一層配線４は、「出力導線」として機能することは明らかであり、ソース２に接続された一層配線４は、ドレイン３に接続された「出力導線」と同層で形成されるものであるから、この一層配線４（本願発明の「第１電極部」に相当）が「出力導線」により区画された各々の領域に配置されていることは当然のことである。
　ところで、刊行物２，３に記載されるような光導電変換手段を走査回路の上部に積層した固体撮像装置においては、例えば、特開昭５８−１９０１６６号公報（「電極１２と下層のＹ信号出力線４‘が完全にオーバーラップする構造であるため電極と出力線間に寄生容量２２が発生し、・・・偽信号が現れる」［第２頁左下欄第６行ないし第９行］、第１図参照。）に記載されるように、光導電膜の下部電極と走査回路の出力導線との間に寄生容量が生じ、雑音が現れることは、本願優先権主張日の時点において、周知の技術課題である。
　そして、この技術課題を解決するためには、寄生容量を小さくすることが必要であるから、その手段として、下部電極と出力導線とのオーバーラップする面積を減らすこと（寄生容量の面積を減少させること）、下部電極と出力導線間の絶縁膜の誘電率を低くすること（寄生容量の誘電率を小さくすること）、下部電極と出力導線間の絶縁膜を厚くすること（寄生容量の電極間距離を広くすること）等が直ちに想到され、その中でも、下部電極と出力導線間の絶縁膜を厚くすることは、他の手段と比較して最も簡易に実現可能な手段にすぎない。
　この点について、本願発明の構成を検討すると、本願発明には「前記第２電極部と前記出力導線間の寄生キャパシタンスが小さく留まるように前記出力導線の上に厚さが少なくとも３μｍである絶縁層が設けられ」と記載されており、この「前記第２電極部と前記出力導線間の寄生キャパシタンスが小さく留まるように」の部分は、上記周知の技術課題を解決するために当然に必要な事項にすぎない。そして、絶縁膜の「厚さが少なくとも３μｍである」ことについてみると、本来、絶縁膜の厚さは、「Ｘ線画像検出器」の要求される性能から、許容される雑音及び許容される寄生キャパシタンス（寄生容量）を検討し、他のデバイス構造（下部電極と出力導線とのオーバーラップする面積や絶縁膜の誘電率等）を特定した上で決定されるものであるところ、本願発明においては他の要素が数値的に何も特定されていないから、上記「厚さが少なくとも３μｍである」ことに臨界的な意義を認めることはできず、また、寄生容量を低減するためには絶縁膜は厚い程望ましいから、「厚さが少なくとも３μｍである」絶縁膜を用いることは、当業者が必要に応じて適宜なし得ることにすぎない。
　次に、上記刊行物２，３の記載及び上記周知の技術課題と解決手段を勘案して、刊行物１に記載のセンサマトリックスへの適用を検討すると、刊行物１に記載のものも、基板上にスイッチング素子となるトランジスタ４や、該トランジスタに接続するスイッチングライン８、読出ライン１０（本願発明の「出力導線」に相当）が形成され、該基板に半導体層５からの電荷を受ける第１の電極２が形成されているから、上記トランジスタやライン８，１０を除いた部分に画素電極である第１の電極２を形成することとなり、第１の電極２は「付随する出力導線に隣接する各々の領域に配置され」るとともに、必然的に十分な有効画素面積が確保できなくなる場合があるものと認められる。
　よって、刊行物発明において、実質的な有効画素面積を大きくして感度を高めるために、光導電変換手段を走査回路の上部に積層した構造を採用することは直ちに想起し得ることであり、刊行物３に記載の、光導電膜９（本願発明の「光伝導体層」に相当）の正電極（本願発明の「コレクティング電極」に相当）が一層配線４（本願発明の「第１電極部」に相当）と絶縁膜５上の二層配線６（本願発明の「第２電極部」に相当）を有し、二層配線６は、絶縁層５を通って延びるコンタクト孔を介して前記一層配線４に電気的に接続され、前記一層配線４よりも大きな表面領域を有し、前記一層配線４と透明電極１０（「バイアス電極」に相当）との間に配置される構造を適用するとともに、一層配線を刊行物１の第１の電極２のごとく「付随する出力導線に隣接する各々の領域に配置され」るものとし、更に、当然に生じるであろう上記周知の技術課題を解決するように、「前記出力導線の上に厚さが少なくとも３μｍである絶縁層」を設けること、即ち、刊行物発明において、本願発明のごとく、「各コレクティング電極は、第１電極部及び第２電極部を有し、　前記第１電極部は付随する出力導線に隣接する各々の領域に配置され、　前記第２電極部と前記出力導線間の寄生キャパシタンスが小さく留まるように前記出力導線の上に厚さが少なくとも３μｍである絶縁層が設けられ、　前記第２電極部は、前記絶縁層を通って延びるコンタクト孔を介して前記第１電極部に電気的に接続され、前記第１電極部よりも大きな表面領域を有し、前記第１電極部と前記バイアス電極との間に配置される」ようにすることは、当業者が容易になし得ることである。
　
　そして、上記相違点１及び２に基づいて、本願発明が奏する効果も、当業者が予測し得る程度のものにすぎない。
　
　したがって、本願発明は、刊行物１ないし３に記載された発明並びに周知の技術及び技術課題に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、請求項２ないし９に係る発明について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。