【事件の表示】
　平成　９年特許願第　５３３５４号「薄膜半導体、太陽電池および発光素子の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　５月２２日出願公開、特開平１０−１３５５００〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成９年３月７日（優先権主張平成８年３月１８日、平成８年９月４日）に特許出願したものであって、その請求項に係る発明は、平成１９年７月２６日付け手続補正書で補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１−３５に記載された事項により特定されるものであると認められるところ、請求項２に係る発明は次のものである。
「【請求項２】　半導体基体表面を変化させて第１の多孔質層を形成する工程と、
　該第１の多孔質層内または該第１の多孔質層と半導体基体との界面に、上記第１の多孔質層より多孔率の高い第２の多孔質層を形成する工程と、上記第１の多孔質層の表面に半導体膜を成膜する工程と、
　該半導体膜を上記第２の多孔質層を介して上記半導体基体から剥離する工程とを有することを特徴とする薄膜半導体の製造方法。」（以下「本願発明」という。）
　
２．刊行物の記載
（１）原査定の拒絶の理由に引用された、本願優先日前に頒布された刊行物である特開平７−３０２８８９号公報（以下「刊行物１」という。）には、図とともに以下の事項が記載されている。
　
　ａ．「【請求項１】  多孔質層を有する第１の基体の前記多孔質層上に非多孔質単結晶半導体層を形成する工程、
前記非多孔質単結晶半導体層を第２の基体と貼り合わせる工程、
前記貼り合わせて構成された基体を前記多孔質層において分離する工程、
前記分離された第２の基体上に配された多孔質層を除去する工程、及び前記分離された第１の基体を構成する多孔質層を除去する工程を有することを特徴とする半導体基板の作製方法。
・・・・
【請求項７】  前記第１の基体は、Ｓｉを用いて構成される請求項１あるいは２に記載の半導体基板の作製方法。
・・・・
【請求項１１】  前記多孔質層における分離は、貼り合わせた基体の貼り合わせ面に対して垂直な方向に加圧すること、前記面に垂直な方向に引っ張ること、該貼合わせ面に対して剪断応力をかけること、の少なくとも１つ以上の方法によって行われる請求項１あるいは２に記載の半導体基板の作製方法。
・・・・
【請求項１５】  前記多孔質層は、陽極化成を用いて形成される請求項１又は２記載の半導体基板の作製方法。」
　
　ｂ．「【００４９】［実施態様例１］図１（ａ）に示すように、まず第１のＳｉ単結晶基板１１を用意して、その表面層を多孔質化１２し、多孔質Ｓｉ１２上に非多孔質単結晶Ｓｉ層１３を形成する（図１（ｂ））。
【００５０】次に、図１（ｃ）に示すように、もう一方のＳｉ支持基板１４と単結晶Ｓｉ層１３とを絶縁層１５を介して室温で密着させた後、陽極接合、加圧、あるいは熱処理、あるいはこれらの組み合わせにより貼り合わせる。これにより、Ｓｉ支持基板１４と単結晶層１３とは絶縁層１５を介して強固に結合する。絶縁層１５は単結晶Ｓｉ層上、Ｓｉ支持基板１４上の少なくとも一方に形成する、あるいは絶縁性の薄板をはさみ３枚重ねで貼り合わせる。
【００５１】次に、多孔質Ｓｉ層１２で基板を分離する（図１（ｄ））。Ｓｉ支持基板側は、多孔質Ｓｉ１２／単結晶Ｓｉ層１３／絶縁層１５／Ｓｉ支持基板１４のような構造となる。
・・・・
【００５７】本発明において、分離に適した多孔質Ｓｉ層の多孔度（ｐｏｒｏｓｉｔｙ）は、一般的には１０〜８０％の範囲であり、より好ましくは、２０〜６０％の範囲である。」
　
　ｃ．「【０１４３】（実施例６）６２５μｍの厚みを持った比抵抗０．０１Ω・ｃｍのＰ型あるいはＮ型の５インチ径の第１の（１００）単結晶Ｓｉ基板を、ＨＦ溶液中において陽極化成を行った。
【０１４４】陽極化成条件は以下のとおりであった。
【０１４５】電流密度：７（ｍＡ・ｃｍ-2）
陽極化成溶液：ＨＦ：Ｈ2 Ｏ：Ｃ2 Ｈ5 ＯＨ＝１：１：１
時間：４（分）
多孔質Ｓｉの厚み：３（μｍ）
Ｐｏｒｏｓｉｔｙ：１５（％）
さらに
電流密度：３０（ｍＡ・ｃｍ-2）
陽極化成溶液：ＨＦ：Ｈ2 Ｏ：Ｃ2 Ｈ5 ＯＨ＝１：３：２
時間：３（分）
多孔質Ｓｉの厚み：１０（μｍ）
Ｐｏｒｏｓｉｔｙ：４５（％）
この基板を酸素雰囲気中４００℃で１時間酸化した。この酸化により多孔質Ｓｉの孔の内壁は熱酸化膜で覆われた。多孔質Ｓｉ上にＣＶＤ法により単結晶Ｓｉを０．３μｍエピタキシャル成長した。成長条件は以下の通りである。
【０１４６】ソースガス：ＳｉＨ4キャリヤーガス：Ｈ2温度：８５０℃
圧力：１×１０-2Ｔｏｒｒ
成長速度：３．３ｎｍ／ｓｅｃ
さらに、このエピタキシャルＳｉ層表面に熱酸化により１００ｎｍのＳｉＯ2層を形成した。」
　
　上記ａ．ないしｃ．によれば、刊行物１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　「陽極化成を用いて表面層を多孔質化した多孔質層を有しＳｉを用いて構成される第１の基体の前記多孔質層上に、ＣＶＤ法により単結晶Ｓｉを０．３μｍエピタキシャル成長させて非多孔質単結晶半導体層を形成する工程、
　前記非多孔質単結晶半導体層を第２の基体と貼り合わせる工程、
　前記貼り合わせて構成された基体を前記多孔質層において、貼り合わせ面に垂直な方向に引っ張ることにより分離する工程、
　前記分離された第２の基体上に配された多孔質層を除去する工程、及び前記分離された第１の基体を構成する多孔質層を除去する工程を有する半導体基板の作製方法であって、
　陽極化成条件は以下のとおりである、半導体基板の作製方法。
　電流密度：７（ｍＡ・ｃｍ-2）
　陽極化成溶液：ＨＦ：Ｈ2 Ｏ：Ｃ2 Ｈ5 ＯＨ＝１：１：１
　時間：４（分）
　多孔質Ｓｉの厚み：３（μｍ）
　Ｐｏｒｏｓｉｔｙ：１５（％）
さらに
　電流密度：３０（ｍＡ・ｃｍ-2）
　陽極化成溶液：ＨＦ：Ｈ2 Ｏ：Ｃ2 Ｈ5 ＯＨ＝１：３：２
　時間：３（分）
　多孔質Ｓｉの厚み：１０（μｍ）
　Ｐｏｒｏｓｉｔｙ：４５（％）　」
　
（２）本願優先日前に頒布された刊行物である特開平３−２９０３９９号公報（以下「刊行物２」という。）には、図とともに以下の事項が記載されている。
　ａ．「（１）シリコン単結晶上に多孔質層を備えた、化合物結晶成長用基板において、該多孔質層が深さ方向に変化する孔径を有することを特徴とする結晶成長用基板。
・・・・
（３）多孔質層の孔径について、基板表面近くが小さく、シリコン単結晶近くを大きくしたことを特徴とする結晶成長用基板。
・・・・
（６）陽極酸化法により、シリコン単結晶表面に多孔質層を形成する多孔質シリコン基板の作製方法において、電流密度を時系列的に制御して多孔質層の孔径を深さ方向に変化させることを特徴とする請求項（１）〜（５）項の中のいずれか１項記載の多孔質シリコン基板の作製方法。」（１頁左下欄１２行〜右下欄６行）
　
　ｂ．「因に、陽極酸化法で電流密度を変化させると、第５図に示すように、それぞれの電流密度に対応した孔径を有する多孔質層を得ることができる。
　従って、上記各種の孔径分布を有する多孔質シリコン基板は、陽極酸化法の電流密度を時系列的に変化させることにより容易に作製することが可能であり、成長結晶及び成長法に最適な孔径分布を備えた多孔質シリコン基板を提供することが可能になった。
（実施例）
　第４図の装置を用い、直径３インチのシリコン単結晶基板上に多孔質層を形成し、該基板の上にＧａＡｓ単結晶を成長させた。
　多孔質層形成には、電解液としてフッ酸／メタノール／水混合溶液を用い、電流密度を１００ｍＡ／ｃｍ２から１０ｍＡ／ｃｍ２に３０分間で第３図のように１次関数的に変化させて、厚さ３０μｍの多孔質層を有する基板を作製した。第１図は、この多孔質シリコン基板をへき関し、その断面を透過型電子顕微鏡で観察したときの断面図である。多孔質層の孔径は、シリコン単結晶基板との界面で２０ｍｍであり、表面付近では８０ｍｍと１次間数的に変化する分布を有していた。」（２頁右下欄１７行−３頁左上欄１９行）
　
３．対比・判断 
　ア．本願発明と引用発明とを対比する。 
　（ア）引用発明の「Ｓｉを用いて構成される第１の基体」は、本願発明の「半導体基体」に相当する。
　
　（イ）引用発明における「陽極化成を用いて表面層を多孔質化した多孔質層」は、「電流密度：７（ｍＡ・ｃｍ-2）、陽極化成溶液：ＨＦ：Ｈ2 Ｏ：Ｃ2 Ｈ5 ＯＨ＝１：１：１、時間：４（分）、多孔質Ｓｉの厚み：３（μｍ）、Ｐｏｒｏｓｉｔｙ：１５（％）」の条件と、さらに、「電流密度：３０（ｍＡ・ｃｍ-2）、陽極化成溶液：ＨＦ：Ｈ2 Ｏ：Ｃ2 Ｈ5 ＯＨ＝１：３：２、時間：３（分）、多孔質Ｓｉの厚み：１０（μｍ）、Ｐｏｒｏｓｉｔｙ：４５（％）」の陽極化成条件で形成される。
　してみると、引用発明は、上記陽極化成条件により、まず「多孔質Ｓｉの厚み：３（μｍ）、Ｐｏｒｏｓｉｔｙ：１５（％）」の多孔質層が形成され、次に「多孔質Ｓｉの厚み：１０（μｍ）、Ｐｏｒｏｓｉｔｙ：４５（％）」の多孔質層が形成されると理解できる。
　
　（ウ）上記（イ）の「Ｐｏｒｏｓｉｔｙ」は多孔度であり、その数字（％）は孔の占める率を表すと理解できるから、「Ｐｏｒｏｓｉｔｙ：４５（％）」の多孔質層は、「Ｐｏｒｏｓｉｔｙ：１５（％）」の多孔質層に比べて、多孔率が高いといえる。したがって、引用発明の「『Ｐｏｒｏｓｉｔｙ：１５（％）』の『多孔質層』」及び「『Ｐｏｒｏｓｉｔｙ：４５（％）』の『多孔質層』」は、それぞれ、本願発明の「第１の多孔質層」及び「第１の多孔質層より多孔率の高い第２の多孔質層」に相当する。
　
　（エ）刊行物１において、上記（ウ）の「Ｐｏｒｏｓｉｔｙ：１５（％）」の多孔質層（第１の多孔質層）と、「Ｐｏｒｏｓｉｔｙ：４５（％）」の多孔質層（第２の多孔質層）は、互いにどのような位置関係（順序）の層をなしているのか、明示的には記載されていない。したがって、引用発明が、本願発明の「半導体基体表面を変化させて第１の多孔質層を形成する工程と、該第１の多孔質層内または該第１の多孔質層と半導体基体との界面に、上記第１の多孔質層より多孔率の高い第２の多孔質層を形成する工程」を備えるものといえるか、直ちには明らかでない。
　
　（オ）しかるところ、上記２．（２）ｂ．の実施例の記載に照らして、陽極酸化（陽極化成）法において電流密度を大きな値から小さな値へと変化させると、（結晶成長用）多孔質シリコン基板の表面付近では電流密度の大に対応して孔径は大となり、シリコン単結晶との界面では電流密度の小に対応して孔径は小となることが明らかである。同様に、上記２．（２）ａ．及びｂ．の記載に照らして、電流密度を小さな値から大きな値へと変化させると、表面付近では電流密度の小に対応して孔径は小となり、シリコン単結晶との界面では電流密度の大に対応して孔径は大となることが明らかである。
　してみると、引用発明における「電流密度：７（ｍＡ・ｃｍ-2）」で「Ｐｏｒｏｓｉｔｙ：１５（％）」の多孔質層を形成し、さらに、これより大きな値の「電流密度：３０（ｍＡ・ｃｍ-2）」で「Ｐｏｒｏｓｉｔｙ：４５（％）」の多孔質層を形成したものについて、上記刊行物２の記載に照らせば、「Ｐｏｒｏｓｉｔｙ：１５（％）」の多孔質層（第１の多孔質層）は第１の基体（半導体基体）の表面が変化したものであり、「Ｐｏｒｏｓｉｔｙ：４５（％）」の多孔質層（第２の多孔質層）」は、「Ｐｏｒｏｓｉｔｙ：１５（％）」の多孔質層（第１の多孔質層）と第１の基体（半導体基体）との界面に形成されると推認できる。
　
　（カ）なお、上記（オ）のとおり推認できることは、本願明細書の、
　「【００３８】本発明方法においては、前述のように、多孔率を異にする２層以上の層からなる多孔質層を形成するものであり、この場合、陽極化成処理において、電流密度が異なる２段階以上の多段階陽極化成法を採用する。具体的には、表面に多孔率が低いすなわち口径の小さい微細孔による比較的緻密な低多孔率の多孔質層を作製するため、まず、低電流密度で第１陽極化成を施す。多孔質層の膜厚は時間に比例するので、所望する膜厚になるような時間で陽極化成を行う。その後、かなり高い電流密度で第２陽極化成を行えば、最初に形成された低多孔率の多孔質層によって少くとも表面層が形成され、これより下側（内側）に多孔率の大きい高多孔率の多孔層が形成される。すなわち、少くとも多孔率の低い低多孔率質層と、多孔率の高い高多孔率層を有する多孔質層が形成される。」
の記載に照らしても、明らかである。
　
　（キ）上記（オ）及び（カ）から、引用発明は、本願発明の「半導体基体表面を変化させて第１の多孔質層を形成する工程と、該第１の多孔質層と半導体基体との界面に、上記第１の多孔質層より多孔率の高い第２の多孔質層を形成する工程」を備えると推認できる。
　
　（ク）引用発明における「『ＣＶＤ法により単結晶Ｓｉを０．３μｍエピタキシャル成長させて』形成した『非多孔質単結晶半導体層』」は、本願発明における「半導体膜」に相当する。そして、上記（キ）から、引用発明の多孔質層上に形成される「非多孔質単結晶半導体層」は、「第１の多孔質層」の表面上に形成されるといえるから、引用発明の「多孔質層上に、非多孔質単結晶半導体層である単結晶ＳｉをＣＶＤ法により０．３μｍエピタキシャル成長させて形成する工程」は、本願発明の「第１の多孔質層の表面に半導体膜を成膜する工程」に相当する。
　
　（ケ）引用発明における「（非多孔質単結晶半導体層と第２の基体とを）貼り合わせて構成された基体を前記多孔質層において、貼り合わせ面に垂直な方向に引っ張ることにより分離する工程」は、上記「多孔質層」を構成する「Ｐｏｒｏｓｉｔｙ：１５（％）」の多孔質層（第１の多孔質層）及び「Ｐｏｒｏｓｉｔｙ：４５（％）」の多孔質層（第２の多孔質層）」のいずれの部分において分離するものであるか、直ちには明らかでない。しかしながら、同じ材料のものにおいて多孔率が大きいものほど脆いことは、当業者には明らかであるから、引用発明は「Ｐｏｒｏｓｉｔｙ：４５（％）」の多孔質層（第２の多孔質層）」において前記分離がなされると理解できる。そして、上記（ク）から、引用発明の「非多孔質単結晶半導体層」は本願発明の「半導体膜」に相当するから、引用発明の「（第１の基体の多孔質層上に形成された非多孔質単結晶半導体層と、第２の基体とを）貼り合わせて構成された基体を前記多孔質層において、貼り合わせ面に垂直な方向に引っ張ることにより（第１の基体と第２の基体とを）分離する工程」は、本願発明の「該半導体膜を上記第２の多孔質層を介して上記半導体基体から剥離する工程」に相当するといえる。
　
　（コ）引用発明の「該半導体膜」を「上記半導体基体から剥離する工程」（上記（ケ）参照。）により剥離された「半導体膜」は、「薄膜半導体」といえるものであるから、引用発明は、本願発明の「薄膜半導体の製造方法」を備えるといえる。
　
イ．上記ア．（ア）ないし（コ）から、引用発明は、本願発明の構成である、
　「半導体基体表面を変化させて第１の多孔質層を形成する工程と、
　該第１の多孔質層と半導体基体との界面に、上記第１の多孔質層より多孔率の高い第２の多孔質層を形成する工程と、上記第１の多孔質層の表面に半導体膜を成膜する工程と、
　該半導体膜を上記第２の多孔質層を介して上記半導体基体から剥離する工程とを有することを特徴とする薄膜半導体の製造方法。」
との事項の全てを備えるものと認めることができるから、本願発明は、刊行物１に記載された発明である。
　
 ４．むすび 
 　以上のとおり、本願発明は、刊行物１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当し特許を受けることができない。
　
 　よって、結論のとおり審決する。