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　特願２０００−１６０３６１「パラジウムめっき液」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年１２月　７日出願公開、特開２００１−３３５９８６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１２年５月３０日の出願であって、その請求項１〜６に係る発明は、平成２０年９月２日付け手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜６に記載された事項により特定されるものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という）は、次のとおりのものである。
　
「【請求項１】　可溶性パラジウム塩をパラジウム量換算として１〜６０ｇ／Ｌと、スルファミン酸の塩を０．１〜３００ｇ／Ｌとを少なくとも含んでなり、かつ、光沢剤不含である、パラジウムめっき液であって、
　前記可溶性パラジウム塩が、ジクロロテトラアンミンパラジウム（Ｐｄ(ＮＨ３)４Ｃｌ２）、ジブロモテトラアンミンパラジウム（Ｐｄ(ＮＨ３)４Ｂｒ２）、および、ジイオドテトラアンミンパラジウム（Ｐｄ(ＮＨ３)４Ｉ２）からなる群より選択されるものであり、
　前記スルファミン酸の塩が、スルファミン酸のアルカリ金属塩、およびスルファミン酸のアンモニウム塩からなる群から選択されるものであり、
　針状結晶状の表面を有するめっき面を形成する、パラジウムめっき液。」
　
２．引用例とその記載事項
　当審において通知した平成２０年５月３０日付け拒絶理由に引用された、本願出願前に頒布された特開平８−６０３９５号公報（以下、「引用例１」という。）、特開２０００−７７５９４号公報（以下、「引用例２」という。）、特開平１１−４０７３１号公報（以下、「引用例３」という。）、特開２０００−９６２８４号公報（以下、「引用例４」という。）、特開平９−１３００５０号公報（以下、「引用例５」という。）、特開平８−２８３８６０号公報（以下、「引用例６」という。）、特開昭５８−７４２２４号公報（以下、「引用例７」という。）には、それぞれ、次の事項が記載されている。
　
〔１〕引用例１：特開平８−６０３９５号公報
〔１ａ〕「【請求項１】　基本塩として・・・ジクロロジアンミンパラジウム、ジクロロテトラアンミンパラジウム・・・のうちから選ばれた１種またはそれ以上を用い、添加剤としてカルボキシル基を２個以上有するカルボン酸またはその誘導体を加えたことを特徴とするパラジウムめっき液。」（特許請求の範囲の請求項１）
　
〔１ｂ〕「【請求項２】　基本塩として・・・ジクロロジアンミンパラジウム、ジクロロテトラアンミンパラジウム・・・のうちから選ばれた１種またはそれ以上を用い、添加剤としてカルボキシル基を２個以上有するカルボン酸またはその誘導体を加え、さらに光沢剤として亜硝酸またはその塩を加えたことを特徴とするパラジウムめっき液。」（特許請求の範囲の請求項２）
　
〔１ｃ〕「【従来の技術】パラジウムめっきは耐食性、光沢に優れるため装飾用、コネクター等の電気・電子部品用などに使用されているが、基材の表面にパラジウムの電気めっきを行う場合、めっき皮膜層が厚くなるとクラックが生じやすく、例えば電気特性的に欠陥を生じたり、めっき層の剥離が生じるなどの問題があった。」（【０００２】）
　
〔１ｄ〕「本発明のパラジウムめっき液の基本塩としては・・・ジクロロジアンミンパラジウム、ジクロロテトラアンミンパラジウム・・・のうちから選ばれた１種またはそれ以上が用いられる。そのめっき液中での濃度範囲は、パラジウム量として１〜３０ｇ／ｌ・・・である。」（【０００７】）
　
〔１ｅ〕「さらに、通常、めっき液の電導性を良くするために支持電解質が加えられる。支持電解質としては、塩酸・・・スルファミン酸・・・等の酸、またはこれらのアルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、アンモニウム塩などが挙げられる。その濃度範囲は、１０〜５００ｇ／ｌ・・・である。濃度が低すぎるとめっき液の電導度が低くなり、濃度が高すぎるとめっき外観が悪くなるため好ましくない。」（【０００９】）
　（特許請求の範囲の請求項１）
〔１ｆ〕「また、さらに光沢剤を加えても良い。光沢剤としては、亜硝酸またはその塩が用いられる。・・・光沢剤の濃度が低すぎると、高電流密度での光沢度が低下し、濃度が高すぎると電着速度が遅くなるため好ましくない。」（【００１０】）
　
〔１ｇ〕「上記のようなめっき液を用いて、所定のめっき条件で電気めっきを行う。めっき液のｐＨは、６〜１４、好ましくは７〜１０とする。ｐＨが低すぎるとめっき浴が不安定になり、ｐＨが高すぎると光沢が悪くなる傾向があるため好ましくない。電流密度は特に限定されるものではないが・・・通常０．１〜２０Ａ／ｄｍ２ ・・・が望ましい。めっき浴の温度は・・・通常は１５〜８０℃、好ましくは２０〜７０℃にすることが望ましい。」（【００１１】）
　
〔１ｈ〕「（実施例１）
〔めっき浴組成〕
パラジウム塩：ジニトロジアンミンパラジウム、パラジウム量として１０ｇ／ｌ
添加剤      ：フマル酸、１０ｇ／ｌ
支持電解質  ：硫酸アンモニウム、１００ｇ／ｌ
光沢剤      ：亜硝酸ナトリウム、５０ｇ／ｌ
〔めっき条件〕
ｐＨ        ：８．０
電流密度    ：１Ａ／ｄｍ2浴温度      ：３０℃
めっき時間  ：７２分
撹拌        ：強
〔結果〕クラックフリー膜厚は１３．３μｍであり光沢は良好であった。
光沢剤を添加しない場合、光沢度は低下したが、実用可能であった。」（【００１３】〜【００１４】）
　
〔１ｉ〕「（実施例４）
〔めっき浴組成〕
パラジウム塩：ジニトロジアンミンパラジウム、パラジウム量として１０ｇ／ｌ
添加剤      ：イタコン酸、１０ｇ／ｌ
支持電解質  ：スルファミン酸アンモニウム、１００ｇ／ｌ
光沢剤      ：亜硝酸ナトリウム、５０ｇ／ｌ
〔めっき条件〕
ｐＨ        ：８．０
電流密度    ：１Ａ／ｄｍ2浴温度      ：３０℃
めっき時間  ：６７分
撹拌        ：強
〔結果〕クラックフリー膜厚は１１．６μｍであり光沢は良好であった。」（【００１７】）
　
〔２〕引用例２：特開２０００−７７５９４号公報
〔２ａ〕「【請求項１】リードフレームと、前記リードフレームの上に形成されたニッケルめっき膜と、前記ニッケルめっき膜の上に形成されたパラジウムめっき膜とから構成され・・・たことを特徴とする半導体装置用リードフレーム。」（特許請求の範囲の請求項１）
　
〔３〕引用例３：特開平１１−４０７３１号公報
〔３ａ〕「【請求項１】　Ｆｅ−Ｎｉ系の素材からな・・・ることを特徴とするめっき密着性に優れたリードフレーム部材。
　　【請求項２】
　　【請求項３】　めっきはＰｄめっきおよびＰｄ合金めっきのうちから選ばれる請求項１・・・に記載のめっき密着性に優れたリードフレーム部材。」（特許請求の範囲の請求項１〜３）
　
〔３ｂ〕「ＩＣリードフレームのはんだめっきは、全面的に廃止してＰｄめっきあるいはＰｄ合金めっきに移行しつつある。」（【０００４】）
　
〔４〕引用例４：特開２０００−９６２８４号公報
〔４ａ〕「【請求項１】　・・・針状結晶形成用電気銅めっき液。」（特許請求の範囲の請求項１）
　
〔４ｂ〕「本発明は、・・・被めっき物に均一針状銅被膜を析出せしめることができ、多層プリント基板等の導体回路上や銅張積層板上等の銅箔と樹脂の接着を始め、多くの金属と樹脂等の接着強度の向上のために使用される、樹脂との接着性が良好な電気銅めっき液・・・に関する。」（【０００１】）
　
〔５〕引用例５：特開平９−１３００５０号公報
〔５ａ〕「本発明では、内層銅パターン表層の微細な凹凸層は、針状結晶合金層であることが好ましく・・・。これらの合金層は、針状結晶であるため層間絶縁層との密着性に優れ・・・る。・・・析出被膜の結晶が針状構造になり、アンカー効果に優れるからである。」（【００１９】）
　
〔５ｂ〕「この凹凸層には・・・合金の針状結晶層（針状結晶合金めっき層）が望ましい。」（【００３０】）
　
〔５ｃ〕「めっきを施し、・・・凹凸層（粗化層）を形成した。」（【００４３】）
　
〔６〕引用例６：特開平６−２８３８６０号公報
〔６ａ〕「【請求項１】　基板上に、表面の少なくとも一部に粗化層を有する導体回路が設けられ、さらにこの導体回路を含む基板上に層間絶縁材層が設けられ・・・ていることを特徴とする多層プリント配線板。
　　【請求項２】　・・・・
　　【請求項３】　前記粗化層は、針状結晶の被膜である請求項１・・・に記載の多層プリント配線板。
　　【請求項４】　・・・
　　【請求項５】　・・・導体回路が設けられた基板を・・・無電解めっき浴中に浸漬することにより、前記導体回路表面の少なくとも一部に、Cu，NiおよびＰからなる共晶化合物を含む粗化層を形成することを特徴とする多層プリント配線板の製造方法。」（特許請求の範囲の請求項１〜５）
　
〔６ｂ〕「析出被膜の結晶が針状構造になり、アンカー効果に優れる構造となるからである。」（【００１１】）
　
〔７〕引用例７：特開昭５８−７４２２４号公報
〔７ａ〕「針状結晶構造をなした金属突起体は金属材料の種類、形成方法に依って各種の寸法、形状が考えられる。一例としてパラジウム・・・の通常メッキ表面に通常の数分の一の低濃度のメッキ浴中で通常の１０倍程度の高い電流密度で形成されたパラジウム針状結晶構造についての寸法は次の如くである。」（２頁右下欄１１行〜３頁左上欄３行）
　
３．当審の判断
３−１．引用例１記載の発明
　摘記〔１ｉ〕の記載を中心として引用例１の記載を整理すると、引用例１には、次の「パラジウムめっき液」についての発明（以下、「引用例１発明」という。）が記載されていると認められる。
　
　引用例１発明：「パラジウム塩であるジニトロジアンミンパラジウムをパラジウム量として１０ｇ／ｌ、添加剤であるイタコン酸を１０ｇ／ｌ、支持電解質であるスルファミン酸アンモニウムを１００ｇ／ｌ、光沢剤である亜硝酸ナトリウムを５０ｇ／ｌを含んでなり、クラックフリーで良好な光沢のめっき面を形成するパラジウムめっき液。」
　 
３−２．本願発明１と引用例１発明との対比
　本願発明１は、スルファミン酸の塩が「スルファミン酸のアンモニウム塩」である態様を包含するから、そのような態様の本願発明１と引用例１発明を対比すると、
（１）引用例１発明における「ｇ／ｌ」は、本願発明１における「ｇ／Ｌ」に相当する。
（２）引用例１発明における「ジニトロジアンミンパラジウム」は、本願発明１における「可溶性パラジウム塩」に相当するから、両者は、「可溶性パラジウム塩」をパラジウム量換算として１０ｇ／Ｌ含んでいる点で一致しているといえる。
（３）引用例１発明における「スルファミン酸アンモニウム」は、本願発明１における「スルファミン酸の塩」乃至「スルファミン酸のアンモニウム塩」に相当するから、両者は、「スルファミン酸の塩」を１００ｇ／Ｌ含んでいる点で一致しているといえる。
　
　以上の（１）〜（３）の事項を考慮すると、両者は、
「可溶性パラジウム塩をパラジウム量換算として１０ｇ／Ｌと、スルファミン酸の塩を１００ｇ／Ｌとを少なくとも含んでなるパラジウムめっき液であって、前記スルファミン酸の塩が、スルファミン酸のアンモニウム塩である、パラジウムめっき液。」である点で一致するが、次の点で相違する。
　
＜相違点１＞
　可溶性パラジウム塩が、本願発明１では、「ジクロロテトラアンミンパラジウム（Ｐｄ(ＮＨ３)４Ｃｌ２）、ジブロモテトラアンミンパラジウム（Ｐｄ(ＮＨ３)４Ｂｒ２）、および、ジイオドテトラアンミンパラジウム（Ｐｄ(ＮＨ３)４Ｉ２）からなる群より選択されるもの」であるのに対し、引用例１発明では、「ジニトロジアンミンパラジウム」である点
　
＜相違点２＞
　パラジウムめっき液が、本願発明１では、「光沢剤不含である」のに対し、引用例１発明では、光沢剤を含有している点
　
＜相違点３＞
　パラジウムめっき液が、本願発明１では、「針状結晶状の表面を有するめっき面を形成する」ものであるのに対し、引用例１発明では、良好な光沢を形成するものである点
　
３−３．相違点についての判断
＜相違点１について＞
　引用例１の摘記〔１ａ〕、〔１ｂ〕、〔１ｄ〕には、パラジウムめっき液における可溶性パラジウム塩として、「ジクロロテトラアンミンパラジウム」と同様に、「ジクロロテトラアンミンパラジウム」を用い得ることが記載されているから、引用例１発明において、可溶性パラジウム塩として、「ジニトロジアンミンパラジウム」を用いる代わりに、「ジクロロテトラアンミンパラジウム（Ｐｄ(ＮＨ３)４Ｃｌ２）」を用いることは、引用例１の上記記載に基づいて当業者が容易に想到し得たものというべきである。
　そして、本願明細書の次の摘記〔Ａ〕の記載からみて、本願発明１において、可溶性パラジウム塩を上記相違点１で示される「ジクロロテトラアンミンパラジウム（Ｐｄ(ＮＨ３)４Ｃｌ２）」等に限定した点に格別の技術的意義が存在するともいえない。
　
〔Ａ〕「本発明において用られる可溶性パラジウム塩としては、めっき液に対して可溶性であって、かつ、めっき液中にパラジウムイオンを供給することができるものであれば特に制限はないが、例えば、パラジウムのアンミン錯塩類、硝酸塩、塩化物等が挙げられる。このうち、パラジウムのアンミン錯塩類としては、パラジウムのアンミン錯塩の、塩化物、臭化物、ヨウ化物、亜硝酸塩、硝酸塩、または硫酸塩等が好適なものとして挙げることができる。また、前記アンミン錯塩としては、ジアンミン錯塩またはテトラアンミン錯塩が好ましいものとして挙げることができる。
　したがって、具体的には、例えば、ジクロロテトラアンミンパラジウム（Ｐｄ(ＮＨ３)４Ｃｌ２）、ジブロモテトラアンミンパラジウム（Ｐｄ(ＮＨ３)４Ｂｒ２）、ジイオドテトラアンミンパラジウム（Ｐｄ(ＮＨ３)４Ｉ２）、・・・、ジニトロテトラアンミンパラジウム（Ｐｄ(ＮＨ３)４(ＮＯ２)２）、ジクロロジアミンパラジウム（Ｐｄ(ＮＨ３)２Ｃｌ２）、・・・等が挙げられる。」（【００１３】〜【００１４】）
　
＜相違点２、３について＞
　引用例１の摘記〔１ｃ〕の「パラジウムめっきは・・・電気・電子部品用などに使用されている」という記載によれば、引用例１発明のパラジウムめっき液は、電気・電子部品にパラジウムめっき層を形成するために用いられることが理解できるところ、封止樹脂等との密着性が要求される電気・電子部品の表面にパラジウムめっき層を形成することは、引用例２の摘記〔２ａ〕、引用例３の摘記〔３ａ〕、〔３ｂ〕の記載にみられるように、本願出願前において周知の事項である。
　しかも、電気・電子部品において、めっき層と樹脂等とのアンカー効果による密着性向上などを課題として、めっき層の表面を針状結晶状の粗面とすることは、引用例４の摘記〔４ａ〕、〔４ｂ〕、引用例５の摘記〔５ａ〕〜〔５ｃ〕、引用例６の摘記〔６ａ〕、〔６ｂ〕の記載にみられるように、本願出願前において周知の事項であるし、また、引用例７の摘記〔７ａ〕には、めっき条件を調整してパラジウムめっき層表面を針状結晶状の粗面を有するものとすることが記載されている。
　さらに、めっき液に添加される光沢剤がめっき面の凹凸（粗度）を小さくしめっき面に光沢をもたらすものであって、めっき液に光沢剤を添加しないことによりめっき面を粗面化できることは、次の周知例１、２の記載にみられるように、本願出願前において周知の事項といえる。
　
周知例１：特開平６−４５７２９号公報
〔周１ａ〕「本発明のプリント配線板の製造方法においては、パターン形成のためのフォトレジスト形成前に化学処理を施して、銅張積層板の銅表面を粗面化する。化学処理としては、ブラックオキサイド処理により黒化膜を形成し、さらに密着性を向上させる手段として、先ず、黒化膜形成後、酸により該表面層を溶解させ、金属の酸化皮膜を除去する方法、光沢剤を添加しないめっき処理を行う方法、・・・などがある。」（【０００８】）
〔周１ｂ〕「銅張積層板にスルホールを形成してスルホール銅めっきを行った後、予め別の槽に調製した光沢剤を添加しない硫酸銅めっき液を用いて、銅表面に１ミクロン以下のめっきを付与し、銅表面を粗面化した。」（【００１２】）
　
周知例２：特開平９−１４８７１４号公報
〔周２ａ〕「電気めっきに使用するめっき液の光沢剤の添加量を調整して一次めっき金属層４の表面粗度をＲａで１．０〜５．０μｍとすることが、容易に表面粗度を所望の範囲内に制御できる・・・」（【０００８】）
　
　してみれば、引用例１発明のパラジウムめっき液において、めっき層と樹脂等とのアンカー効果による密着性向上などを課題として、光沢剤を不含とし、めっき条件をアンカー効果を有する針状結晶状の粗面を有するめっき面が形成されるように調整することなどにより、上記相違点２、３で示される本願発明１の特定事項を構成することは、引用例７の記載や前示の周知事項に基づいて当業者が容易に想到し得たものというべきである。
　
　そして、前示の周知事項を併せ考慮すると、本願発明１は、引用例１、７の記載や前示の周知事項から予測できないような格別に顕著な効果を奏するとは認められない。
　よって、本願発明１は、引用例１、７に記載された発明及び周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明１は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、その余の発明について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。