【事件の表示】
　平成　８年特許願第５３３５９７号「変化した材料の特性測定に対する光技術」拒絶査定不服審判事件〔平成　９年　３月　６日国際公開、ＷＯ９７／０８５３６、平成１１年　９月２８日国内公表、特表平１１−５１１２４０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成８年７月２６日（優先権主張１９９５年８月２５日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成１８年９月８日付けで拒絶査定がされ、これに対し、同年１２月１８日に拒絶査定不服審判の請求がされるとともに、平成１９年１月１６日付けで手続補正がされたものである。
　
２．平成１９年１月１６日付けの手続補正についての補正の却下の決定
　
　［補正却下の決定の結論］
　　平成１９年１月１６日付けの手続補正を却下する。
　
　［理由］
２−１．補正後の本願発明
　平成１９年１月１６日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）は、特許請求の範囲を補正するものであって、そのうち請求項１についてする補正は、補正前（平成１８年８月４日付け手続補正書。以下同様）の特許請求の範囲の
「１．化学種が導入される表面の下に位置する少なくとも１つの局部領域を有する半導体サンプルを検査する装置であって、
　選択された波長を有して前記サンプルに電荷キャリアの分布を生成する光ポンプパルスおよび光プローブビームを生成する光学手段と、
　前記サンプルの光学定数が変化する間に少なくとも前記光プローブビームに対する前記サンプルの反応を測定する測定手段と、
　化学種濃度、化学種のタイプ、注入エネルギ、前記位置にて導入された化学種領域の有無、注入に関連する損傷の有無のうちの少なくとも１つと測定結果とを関連づける関連付手段と、
を有し、前記電荷キャリアは前記サンプル及び前記局部領域内で拡散するとともに再結合して前記サンプルの表面及びその近傍の位置にてサンプルの前記光学定数の時間とともに変わる過渡的な変化の少なくとも１つを誘導せしめることを特徴とする装置。」を、
「【請求項１】
　化学種が導入され
てい
　選択された波長を有して前記サンプルに電荷キャリアの分布を生成する光ポンプパルス
及び
　前記サンプルの光学定数が変化する間に少なくとも前記光プローブビームに対する前記サンプルの反応を測定する測定手段と、
　化学種濃度、化学種のタイプ、注入エネルギ、前記位置にて導入された化学種領域の有無、注入に関連する損傷の有無のうちの少なくとも１つと
前記
の
　
前記測定手段は、
の
の
及び
による
おける
測定する
　
　上記補正は、「化学種が導入される表面」を「化学種が導入され
てい
及び
前記
の
前記測定手段は、
の
の
及び
による
おける
測定する
　
　そこで、本願補正発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について検討する。
　
２−２．引用例
２−２−１．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用した、本願出願日前に頒布された刊行物である、特開平７−６３６６７号公報（以下「引用例」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている（下線は、当審にて付加した）。
　
（ａ）「【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、半導体製造におけるイオン注入工程、拡散工程での不純物ドーピング量を測定する
装置に関する
　
（ｂ）「【００１７】本願第二の発明は、
プローブ光を照射するプローブ光源と、試料表面のプローブ光照射位置に変調励起光を照射する励起光源と、プローブ光の反射光から変調に同期した反射スペクトルを検出する手段と、試料のバンドギャップ量と不純物ドーピング量の相関関係データを記憶したデータ記憶部と、検出した反射スペクトルから求めた試料のバンドギャップ量と上記相関関係データを比較することにより不純物ドーピング量を求める演算手段とを備えた
　
（ｃ）「【００１８】
【作用】チョッパで変調した励起光を照射した試料表面の測定箇所に対してプローブ光を照射し、その反射光を分光器およびディテクタを用いて分光検出した反射光信号から変調に同期したフォトリフレクタンスΔＲを取り出し、反射光の直流成分Ｒで規格化した後に、分光器での選別波長を走査検出してフォトリフレクタンス・スペクトルを得る。
【００１９】
フォトリフレクタンス・スペクトルのピーク時の波長λ
G
 は、試料のバンドギャップ量に相当する。
【００２０】したがって、フォトリフレクタンス・スペクトルに基づいてバンドギャップ量を推定し、物質のバンドギャップ量とドーピング量との相関関係データを使用した検量線を用いることにより不純物ドーピング量を算出することができる。」
　
（ｄ）「【００２１】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。
【００２２
】図１に本発明の不純物ドーピング量測定装置の概略構成を示す。図１において、１は励起光源、２はチョッパ、３は白色光源（プローブ光源）
５は試料、
７はディテクタ
１０は演算制御部、１１はデータ記憶部、１２は表示部
Ｌは励起光、Ｐは白色光（プローブ光）
【００２３】次に、図１の不純物ドーピング量測定装置の動作を説明する。
励起光源１から出射した励起光Ｌは、制御回路１３により制御されるチョッパ２で変調された後、試料５に照射される
【００２４】一方、
白色光源３から出射した白色光Ｐはビームスプリッタ４によって反射され、試料５における励起光Ｌの照射箇所に照射される
【００２５】
試料５からの反射光Ｈは
ディテクタ７で図２に示すようなその波長に対する反射光強度が検出され
【００２６】図２において、
Ｒは励起光を照射しないときの反射光信号、ΔＲは励起光を照射したときの反射光信号とＲの差である
【００２７】平滑回路８は反射光強度信号Ｆ１の直流成分、すなわち励起光を照射しないときの反射光信号Ｒを出力して演算制御部１０に入力する。このとき制御回路１４によって分光器６での選別波長を走査すると、図３に示すようなＲのスペクトルが得られる。
【００２８】なお、実際には反射光の直流成分Ｒにフォトリフレクタンス信号ΔＲが含まれているが、ΔＲはＲに比べて極めて小さいため、誤差は無視できる。
【００２９】一方、ロックイン増幅器９には、制御回路１３からチョッパ２に入力される変調信号の周期に等しい周期信号も入力されており、チョッパの変調周期に等しい周期成分、すなわちΔＲを示す信号Ｆ２が演算制御部１０に入力される。
【００３０】このとき、同様に制御回路１４によって分光器６での選別波長を走査すると、図４に示すようなΔＲのスペクトルが得られる。
【００３１】したがって、制御回路１４によって分光器６での選別波長を走査しながら、
演算制御部１０において、ΔＲをＲで規格すると、図５に示すようなフォトリフレクタンス・スペクトルΔＲ／Ｒを得ることができる
【００３２】図５において、
フォトリフレクタンス・スペクトルのピーク時の波長λ
G
【００３３】データ記憶部１１には、標準試料を用いて測定したこのような物質中の不純物ドーピング量とバンドギャップ量の相関関係の既知データが検量線として記憶されている。
【００３４】したがって、
演算制御部１０において、フォトリフレクタンス・スペクトルのピーク時の波長λ
G
 を検出し、得られた波長λ
G
 とデータ記憶部１１に記憶された検量線とを比較することにより、試料５の不純物ドーピング量が検出され
　
　以上の記載を総合すると、引用例には、「半導体製造におけるイオン注入工程、拡散工程での試料の不純物ドーピング量を測定する装置であって、
試料表面のプローブ光照射位置に、励起光源１から出射した励起光Ｌをチョッパ２で変調し、変調励起光を照射する励起光源と、プローブ光を照射するプローブ光源と、
試料５からの反射光Ｈの反射光強度を検出するディテクタ７と、
反射光強度からフォトリフレクタンス・スペクトルのピーク時の波長λG を求めることで試料５の不純物ドーピング量を検出する演算制御部と、を有する装置。」（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
２−２−２．周知例１
　原査定の拒絶の理由に引用した、本願出願日前に頒布された刊行物である、J.R.Goldman 外１名,“Ultrafast hot-electron dynamics in silicon”, Semiconductor Science and Technology, Vol.9, No.5S, 1994年, pp.694-696（以下「周知例１」という。）には、次の事項が記載されている（翻訳は当審による。下線は、当審にて付加した）。
　
（ｅ）「超高速ポンプ−光放出−プローブ実験は、２ｅＶ光子エネルギーのポンプビームと、それに続く４ｅＶ光放出プローブを用いて行われた。時間分解レーザー光放出分光法の態様は既に報告されている[6-10]。
２ｅＶポンプが、ＳｉのＸ谷へのギャップを超える１ｅＶに及ぶ間接遷移を引き起こす
電子−電子及び電子−光子散乱によりＸ谷中で緩和するに従い、また価電子帯で再結合する途中の表面状態へ緩和するに従い
　
２−２−３．周知例２
　原査定の拒絶の理由に引用した、本願出願日前に頒布された刊行物である、特開平３−１２９８５０号公報（以下「周知例２」という。）には、次の事項が記載されている（下線は、当審にて付加した）。　
　
（ｆ）「〔産業上の利用分野〕
　この発明は、
光の反射率を用いて物質、特に半導体、半導体のヘテロ組織及び半導体の界面の特性を測定する
　〔従来の技術〕
　半導体（バルク又は薄膜の半導体）、半導体のヘテロ組織（超格子、量子井戸、ヘテロ接合部）及び半導体の界面（ショットキーバリヤ、金属絶縁物半導体、半導体の電解液、半導体の真空等）を研究し、特徴付つける重要性は、特にこれ等の半導体の多くが、また半導体の微細構造が分子線エピタキシー成長法（ＭＢＥ）、金属有機物の化学気相付着法（ＭＯＣＶＤ）等の様な最近の薄膜技術によって作製されるので、ますます重要になっている。
　ＭＢＥやＭＯＣＶＤあるいは他の方法で成長させた
材料と界面は
変調分光
によって特徴付けされる
その単純さと立証されている有用性のため、光の反射率は近年半導体の薄膜とヘテロ組織を評価するのに重要性を得ている
　
（ｇ）「
光の反射率では、材料に組み込んだ電界が波長λ
Ｐ
のポンプビームによって形成される電子・空孔対の光注入によって変調される
幾つかの実験は光の反射率が少数イオンがトラップの電荷と再結合して組込電界の変調によることを示している
　
２−３．対比
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
　引用発明の「半導体製造におけるイオン注入工程、拡散工程での試料の不純物ドーピング量を測定する装置」は、半導体サンプルについて、化学種が導入されている表面の下に位置する局部領域を有するものであって、その検査に適用しうるものであることは明らかであるから、本願補正発明の「化学種が導入されている表面の下に位置する少なくとも１つの局部領域を有する半導体サンプルを検査する装置」に相当する。
　次に、引用発明の「変調励起光を照射する励起光源と、プローブ光を照射するプローブ光源」は、本願補正発明の「選択された波長を有して前記サンプルに電荷キャリアの分布を生成する光ポンプパルス及び光プローブビームを生成する光学手段」と、「光ポンプパルス及び光プローブビームを生成する光学手段」である点で共通することは明らかである。
　また、引用発明の「試料５からの反射光Ｈの反射光強度を検出するディテクタ７」は、試料に対して照射されたプローブ光の反射光の強度を測定するものであるから、本願補正発明の「前記サンプルの光学定数が変化する間に少なくとも前記光プローブビームに対する前記サンプルの反応を測定する測定手段」と、「少なくとも前記光プローブビームに対する前記サンプルの反応を測定する測定手段」である点で共通する。
　さらに、引用発明の「反射光強度からフォトリフレクタンス・スペクトルのピーク時の波長λG を求めることで試料５の不純物ドーピング量を検出する演算制御部」について、「不純物ドーピング量」は、本願補正発明の「化学種濃度」に相当することは明らかであり、「演算制御部」が測定手段の測定の結果である「反射光強度」と「試料５の不純物ドーピング量」とを関連づけているものであるから、引用発明の上記「反射光強度からフォトリフレクタンス・スペクトルのピーク時の波長λG を求めることで試料５の不純物ドーピング量を検出する演算制御部」は、本願補正発明の「化学種濃度、化学種のタイプ、注入エネルギ、前記位置にて導入された化学種領域の有無、注入に関連する損傷の有無のうちの少なくとも１つと前記測定の結果とを関連づける関連付手段」に相当する。
　
　そうすると、本願補正発明と引用発明とは、
「化学種が導入されている表面の下に位置する少なくとも１つの局部領域を有する半導体サンプルを検査する装置であって、
　光ポンプパルス及び光プローブビームを生成する光学手段と、
　少なくとも前記光プローブビームに対する前記サンプルの反応を測定する測定手段と、
　化学種濃度、化学種のタイプ、注入エネルギ、前記位置にて導入された化学種領域の有無、注入に関連する損傷の有無のうちの少なくとも１つと前記測定の結果とを関連づける関連付手段と、を有する装置。」
である点で一致しており、次の点で相違する。
　
（相違点１）本願補正発明では「光学手段」が「光ポンプパルス及び光プローブビームを生成する」とされ、「光ポンプパルス」は「選択された波長を有して前記サンプルに電荷キャリアの分布を生成する」ものであるとされているのに対し、引用発明では「変調励起光を照射する励起光源」及び「プローブ光を照射するプローブ光源」のそれぞれを有し、励起光の作用については不明である点。
　
（相違点２）本願補正発明は「測定手段」が「前記サンプルの光学定数が変化する間に」測定し、「前記電荷キャリアの前記サンプル及び前記局部領域内での拡散及び再結合による前記サンプルの表面及びその近傍の位置における前記光学定数の時間とともに変わる過渡的な変化の少なくとも１つを測定する」ものであるのに対し、引用発明ではディテクタ７の測定タイミングや測定対象について、本願補正発明のような限定がされていない点。
　
２−４．判断
　上記各相違点について判断する。
　相違点１について。
　まず、本願補正発明において、「光ポンプパルス及び光プローブビームを生成する光学手段」と特定されている構成が、一つの「光学手段」によって、「光ポンプパルス」及び「光プローブビーム」の双方を生成するものであるかについて検討する。本件補正による請求項２４には、本願補正発明を引用して、「前記光学手段は、光ポンプパルスを生成する第１レーザと、光プローブパルスを生成する第２レーザとからなることを特徴とする請求の範囲第１項記載の装置。」と記載されている。この記載からすると、「光学手段」は、「光ポンプパルスを生成する第１レーザ」と「光プローブパルスを生成する第２レーザ」とからなることが明らかであり、この様に規定される下位の請求項によって引用される本願補正発明は、「光学手段」が、ただ一つの光源から「光ポンプパルス及び光プローブビームを生成する」のではなく、単に「光ポンプパルス及び光プローブビームを生成する」との機能を有するものであると解釈すべきである。そうすると、引用発明では、「変調励起光を照射する励起光源」及び「プローブ光を照射するプローブ光源」のそれぞれを有するのであるから、これら２つの光源を一体の構成として、本願補正発明の「光学手段」に相当するものであって、実質的に相違するものではない。
　次に、本願補正発明では「光ポンプパルス」は「選択された波長を有して前記サンプルに電荷キャリアの分布を生成する」ものであるとされる点について検討する。上記摘記事項（ｅ）及び（ｇ）に示されるように、特定の波長のパルス光によって、半導体中において電子を励起し、電子−空孔対を生成することは、当業者における周知技術である。ここで、引用例には、上記摘記事項（ｃ）に「フォトリフレクタンス・スペクトルのピーク時の波長λG は、試料のバンドギャップ量に相当する」（【００１９】）と記載され、また上記摘記事項（ｄ）に「Ｒは励起光を照射しないときの反射光信号、ΔＲは励起光を照射したときの反射光信号とＲの差である」（【００２６】）と記載されていることからすると、反射光信号が励起光を照射したときと照射しない時とで異なるのは、試料中の電子の励起状態が異なるからであると解するのが自然である。してみると、引用発明における励起光が、上記周知技術に示されるような作用をするものであることは当業者には明らかであり、引用発明において「変調励起光」を「選択された波長を有して試料に電荷キャリアの分布を生成する」ものとすることは、当業者であれば容易に想到し得たものである。
　
　相違点２について。
　引用発明における「ディテクタ７」は、上記摘記事項（ｄ）に「
ディテクタ７で図２に示すようなその波長に対する反射光強度が検出され
Ｒは励起光を照射しないときの反射光信号、ΔＲは励起光を照射したときの反射光信号とＲの差である
　また、上記相違点１について述べたように、引用発明においても、励起光が、半導体中において電子を励起し、電子−空孔対を生成するものであって、上記摘記事項（ｅ）の「電子−電子及び電子−光子散乱によりＸ谷中で緩和するに従い、また価電子帯で再結合する途中の表面状態へ緩和するに従い」との記載及び上記摘記事項（ｆ）の「幾つかの実験は光の反射率が少数イオンがトラップの電荷と再結合して組込電界の変調によることを示している」との記載によれば、引用発明においても、「電荷キャリア」が試料内において「拡散及び再結合」していることは明らかである。そして、上記相違点１について述べたように、試料中の電子の励起状態が異なることにより、反射光強度が異なる、すなわち試料の反射率、ひいては光学定数が変わるものであるから、引用発明においても、上記の電荷キャリアが試料内において拡散及び再結合することで、光学定数が変化していることは明らかである。そして、「過渡的」とは、「ある状態から別の状態へ移り変わる途中であるさま。」（株式会社岩波書店 広辞苑第五版）を意味することからすると、上の段落で述べたように、引用発明において、サンプルの光学定数が変化する間に測定を行っていることは、「光学定数の時間とともに変わる過渡的な変化の少なくとも１つを測定する」ことに他ならない。そうすると、引用発明において、「ディテクタ７」を「電荷キャリアのサンプル及び局部領域内での拡散及び再結合による前記サンプルの表面及びその近傍の位置における光学定数の時間とともに変わる過渡的な変化の少なくとも１つを測定する」ものとすることは、当業者であれば容易に想到し得たものである。
　
　そして、本願補正発明の作用効果は、引用発明及び周知技術から、当業者であれば予測できる範囲のものである。
　
　以上の通り、本願補正発明は、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　
２−５．むすび
　上記のとおり、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
３−１．本願発明
　平成１９年１月１６日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１８年８月４日付け手続補正書の請求項１に記載された事項により特定される、上記２−１．に記載のとおりのものである。
　
３−２．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例及びその記載事項は、上記２−２．に記載したとおりである。
　
３−３．対比・判断
　本願発明は、上記２．で検討した本願補正発明において、「測定手段」について、「
前記測定手段は、
の
の
及び
による
おける
測定する
　
　そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、上記２−４．に記載したとおり、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
３−４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　
　したがって、請求項２乃至６９に係る発明について審理するまでもなく、本件出願は拒絶されるべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。