【手続補正書】
【提出日】平成27年9月14日(2015.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と、
発光層と、
陰極と、を含み、
前記発光層は、第一の材料、第二の材料および第三の材料を含み、
前記第一の材料は、蛍光発光性の発光材料であり、
前記第二の材料は、遅延蛍光発光性の材料であり、
前記第三の材料の一重項エネルギーは、前記第二の材料の一重項エネルギーよりも大きく、
前記第二の材料の７７［Ｋ］におけるエネルギーギャップＥｇ７７Ｋ（Ｍ２）は、前記第一の材料の７７［Ｋ］におけるエネルギーギャップＥｇ７７Ｋ（Ｍ１）よりも大きく、
前記第三の材料の７７［Ｋ］におけるエネルギーギャップＥｇ７７Ｋ（Ｍ３）は、前記第二の材料の７７［Ｋ］におけるエネルギーギャップＥｇ７７Ｋ（Ｍ２）よりも大きい有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２】
請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記第二の材料の一重項エネルギーＥｇＳ（Ｍ２）は、前記第一の材料の一重項エネルギーＥｇＳ（Ｍ１）よりも大きい有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記第二の材料の一重項エネルギーＥｇＳ（Ｍ２）と、前記第二の材料の７７［Ｋ］におけるエネルギーギャップＥｇ７７Ｋ（Ｍ２）との差ΔＳＴ（Ｍ２）が、下記数式（数１）の関係を満たしている有機エレクトロルミネッセンス素子。
ΔＳＴ（Ｍ２）＝ＥｇＳ（Ｍ２）−Ｅｇ７７Ｋ（Ｍ２）＜０．３［ｅＶ］    …（数１）
【請求項４】
請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記第一の材料の一重項エネルギーＥｇＳ（Ｍ１）と、前記第一の材料の７７［Ｋ］におけるエネルギーギャップＥｇ７７Ｋ（Ｍ１）との差ΔＳＴ（Ｍ１）が、下記数式（数２）の関係を満たしている有機エレクトロルミネッセンス素子。
ΔＳＴ（Ｍ１）＝ＥｇＳ（Ｍ１）−Ｅｇ７７Ｋ（Ｍ１）＞０．３［ｅＶ］    …（数２）
【請求項５】
請求項１から請求項４までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記第三の材料の一重項エネルギーＥｇＳ（Ｍ３）と、前記第三の材料の７７［Ｋ］におけるエネルギーギャップＥｇ７７Ｋ（Ｍ３）との差ΔＳＴ（Ｍ３）が、下記数式（数３）の関係を満たしている有機エレクトロルミネッセンス素子。
ΔＳＴ（Ｍ３）＝ＥｇＳ（Ｍ３）−Ｅｇ７７Ｋ（Ｍ３）＞０．３［ｅＶ］    …（数３）
【請求項６】
請求項１から請求項５までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記第三の材料のイオン化ポテンシャルＩｐ（Ｍ３）と、前記第二の材料のイオン化ポテンシャルＩｐ（Ｍ２）とが下記数式（数４）の関係を満たしている有機エレクトロルミネッセンス素子。
Ｉｐ（Ｍ３）≧Ｉｐ（Ｍ２）    …（数４）
【請求項７】
請求項１から請求項６までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記第三の材料の７７［Ｋ］におけるエネルギーギャップＥｇ７７Ｋ（Ｍ３）は、２．９ｅＶ以上である有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項８】
請求項１から請求項７までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記第三の材料のイオン化ポテンシャルＩｐ（Ｍ３）は、６．３ｅＶ以上である有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項９】
請求項１から請求項８までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記第三の材料の電子親和力Ａｆ（Ｍ３）は、２．８ｅＶ以上である有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１０】
請求項１から請求項９までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記第三の材料は、芳香族炭化水素化合物、又は芳香族複素環化合物である有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１１】
請求項１から請求項１０までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記第三の材料は、一つの分子中に下記一般式（３１）で表される部分構造および下記一般式（３２）で表される部分構造の内少なくともいずれかを含む有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化１】
2015144224.tif 000001
（前記一般式（３１）において、Ｘ３１〜Ｘ３６は、それぞれ独立に、窒素原子、または前記第三の材料の分子中における他の原子と結合する炭素原子であり、ただし、Ｘ３１〜Ｘ３６の内少なくともいずれかは、前記第三の材料の分子中における他の原子と結合する炭素原子であり、
前記一般式（３２）において、Ｙ３１〜Ｙ３８は、それぞれ独立に、窒素原子、または前記第三の材料の分子中における他の原子と結合する炭素原子であり、ただし、Ｙ３１〜Ｙ３８の内少なくともいずれかは、前記第三の材料の分子中における他の原子と結合する炭素原子であり、Ｙ３９は、窒素原子、酸素原子、または硫黄原子である。）
【請求項１２】
請求項１１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記一般式（３１）で表される部分構造は、下記一般式（３３）および下記一般式（３４）からなる群から選択される少なくともいずれかの基として前記第三の材料に含まれる有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化２】
2015144224.tif 000002
（前記一般式（３３）および前記一般式（３４）において、Ｘ３１，Ｘ３２，Ｘ３４，Ｘ３６は、それぞれ独立に、窒素原子、またはＣＲ３１であり、
Ｒ３１は、水素原子または置換基であり、このＲ３１における置換基は、
ハロゲン原子、
シアノ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜３０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換のトリアルキルシリル基、
置換もしくは無置換のアリールアルキルシリル基、
置換もしくは無置換のトリアリールシリル基、
置換もしくは無置換のジアリールホスフィンオキシド基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、および
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基からなる群から選択される置換基であり、ただし、前記Ｒ３１における置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基は、非縮合環であり、
前記一般式（３３）および前記一般式（３４）において、波線部分は、前記第三の材料の分子中における他の原子または他の構造との結合箇所を表す。）
【請求項１３】
請求項１２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記Ｒ３１は、水素原子または置換基であり、このＲ３１における置換基は、
ハロゲン原子、
シアノ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、および
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基からなる群から選択される置換基であり、ただし、前記Ｒ３１における置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基は、非縮合環である有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１４】
請求項１２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記Ｒ３１は、水素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、または置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基である有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１５】
請求項１２から請求項１４までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記Ｘ３１，前記Ｘ３２，前記Ｘ３４，前記Ｘ３６は、それぞれ独立に、ＣＲ３１である有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１６】
請求項１１から請求項１５までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記一般式（３２）で表される部分構造は、下記一般式（３５），下記一般式（３６），下記一般式（３７），下記一般式（３８），下記一般式（３９），および下記一般式（３０ａ）からなる群から選択される少なくともいずれかの基として前記第三の材料に含まれる有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化３】
2015144224.tif 000003
【化４】
2015144224.tif 000004
（前記一般式（３５）〜（３９），（３０ａ）において、
Ｙ３１〜Ｙ３８は、それぞれ独立に、窒素原子、またはＣＲ３２であり、
Ｒ３２は、水素原子または置換基であり、このＲ３２における置換基は、
ハロゲン原子、
シアノ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜３０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換のトリアルキルシリル基、
置換もしくは無置換のアリールアルキルシリル基、
置換もしくは無置換のトリアリールシリル基、
置換もしくは無置換のジアリールホスフィンオキシド基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、および
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基からなる群から選択される置換基であり、ただし、前記Ｒ３２における置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基は、非縮合環であり、
前記一般式（３５）〜（３６）において、Ｙ３９は、窒素原子であり、
前記一般式（３７）〜（３９），（３０ａ）において、Ｙ３９は、ＮＲ３３、酸素原子、または硫黄原子であり、
Ｒ３３は、置換基であり、このＲ３３における置換基は、
シアノ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜２０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキルチオ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールチオ基、
置換もしくは無置換の炭素数３〜５０のアルキルシリル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールシリル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、および
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基からなる群から選択される置換基であり、ただし、前記Ｒ３３における置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基は、非縮合環であり、
前記一般式（３５）〜（３９），（３０ａ）において、波線部分は、前記第三の材料の分子中における他の原子または他の構造との結合箇所を表す。）
【請求項１７】
請求項１６に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記Ｒ３２は、水素原子または置換基であり、このＲ３２における置換基は、
ハロゲン原子、
シアノ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、および
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基からなる群から選択される置換基であり、ただし、前記Ｒ３２における置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基は、非縮合環である有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１８】
請求項１６に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記Ｒ３２は、水素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、または置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基である有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１９】
請求項１６から請求項１８までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記一般式（３５）において、Ｙ３１〜Ｙ３８は、それぞれ独立に、ＣＲ３２であり、
前記一般式（３６）および前記一般式（３７）において、Ｙ３１〜Ｙ３５，Ｙ３７，Ｙ３８は、それぞれ独立に、ＣＲ３２であり、
前記一般式（３８）において、Ｙ３１，Ｙ３２，Ｙ３４，Ｙ３５，Ｙ３７，Ｙ３８は、それぞれ独立に、ＣＲ３２であり、
前記一般式（３９）において、Ｙ３２〜Ｙ３８は、それぞれ独立に、ＣＲ３２であり、
前記一般式（３０ａ）において、Ｙ３２〜Ｙ３７は、それぞれ独立に、ＣＲ３２である有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２０】
請求項１１から請求項１９までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記第三の材料は、下記一般式（３０ｂ）で表される基を含む有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化５】
2015144224.tif 000005
（前記一般式（３０ｂ）において、
Ｘ３１，Ｘ３２，Ｘ３４，Ｘ３６は、それぞれ独立に、窒素原子、またはＣＲ３１であり、
Ｙ３１，Ｙ３２，Ｙ３４〜Ｙ３８は、それぞれ独立に、窒素原子、ＣＲ３２、または前記第三の材料の分子中における他の原子と結合する炭素原子であり、
Ｒ３１およびＲ３２は、それぞれ独立に、水素原子または置換基であり、このＲ３１およびＲ３２における置換基は、
ハロゲン原子、
シアノ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜３０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換のトリアルキルシリル基、
置換もしくは無置換のアリールアルキルシリル基、
置換もしくは無置換のトリアリールシリル基、
置換もしくは無置換のジアリールホスフィンオキシド基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、および
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基からなる群から選択される置換基であり、ただし、前記Ｒ３１および前記Ｒ３２における置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基は、非縮合環であり、
Ｙ３９は、ＮＲ３３、酸素原子、または硫黄原子であり、
Ｒ３３は、置換基であり、このＲ３３における置換基は、
シアノ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜２０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキルチオ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールチオ基、
置換もしくは無置換の炭素数３〜５０のアルキルシリル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールシリル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、および
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基からなる群から選択される置換基であり、ただし、前記Ｒ３３における置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基は、非縮合環であり、
Ｘ３２とＹ３４とは、酸素原子、硫黄原子、またはＣＲ５１Ｒ５２を介して架橋されていてもよく、
Ｘ３４とＹ３２とは、酸素原子、硫黄原子、またはＣＲ５３Ｒ５４を介して架橋されていてもよく、
Ｒ５１〜Ｒ５４は、それぞれ独立に、前記Ｒ３３における置換基と同義であり、
前記一般式（３０ｂ）において、波線部分は、前記第三の材料の分子中における他の原子または他の構造との結合箇所を表す。）
【請求項２１】
請求項１１から請求項２０までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記第三の材料は、下記一般式（３０ｃ）で表される基を含む有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化６】
2015144224.tif 000006
（前記一般式（３０ｃ）において、
Ｘ３１，Ｘ３２，Ｘ３４，Ｘ３６は、それぞれ独立に、窒素原子、またはＣＲ３１であり、
Ｙ３１，Ｙ３２，Ｙ３４，Ｙ３５，Ｙ３７，Ｙ３８は、それぞれ独立に、窒素原子、またはＣＲ３２であり、
Ｙ４１〜Ｙ４５，Ｙ４７，Ｙ４８は、それぞれ独立に、窒素原子、ＣＲ３４、または前記第三の材料の分子中における他の原子と結合する炭素原子であり、
Ｒ３１，Ｒ３２，Ｒ３４は、それぞれ独立に、水素原子または置換基であり、このＲ３１，Ｒ３２，Ｒ３４における置換基は、
ハロゲン原子、
シアノ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜３０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換のトリアルキルシリル基、
置換もしくは無置換のアリールアルキルシリル基、
置換もしくは無置換のトリアリールシリル基、
置換もしくは無置換のジアリールホスフィンオキシド基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、および
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基からなる群から選択される置換基であり、ただし、前記Ｒ３１，前記Ｒ３２，前記Ｒ３４における置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基は、非縮合環であり、
Ｙ３９は、ＮＲ３３、酸素原子、または硫黄原子であり、
Ｙ４９は、ＮＲ３５、酸素原子、または硫黄原子であり、
Ｒ３３，Ｒ３５は、それぞれ独立に、置換基であり、このＲ３３，Ｒ３５における置換基は、
シアノ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜２０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキルチオ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールチオ基、
置換もしくは無置換の炭素数３〜５０のアルキルシリル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールシリル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、および
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基からなる群から選択される置換基であり、ただし、前記Ｒ３３，前記Ｒ３５における置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基は、非縮合環であり、
Ｘ３２とＹ３４とは、酸素原子、硫黄原子、またはＣＲ５１Ｒ５２を介して架橋されていてもよく、
Ｘ３４とＹ３２とは、酸素原子、硫黄原子、またはＣＲ５３Ｒ５４を介して架橋されていてもよく、
Ｒ５１〜Ｒ５４は、それぞれ独立に、前記Ｒ３３，Ｒ３５における置換基と同義であり、
前記一般式（３０ｃ）において、波線部分は、前記第三の材料の分子中における他の原子または他の構造との結合箇所を表す。）
【請求項２２】
請求項１１から請求項２１までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記第三の材料は、下記一般式（３０ｄ）で表される基を含む有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化７】
2015144224.tif 000007
（前記一般式（３０ｄ）において、
Ｘ３１，Ｘ３２，Ｘ３４，Ｘ３６は、それぞれ独立に、窒素原子、またはＣＲ３１であり、
Ｘ４１，Ｘ４３，Ｘ４４，Ｘ４５は、それぞれ独立に、窒素原子、またはＣＲ３６であり、
Ｒ３１，Ｒ３６は、それぞれ独立に、水素原子または置換基であり、このＲ３１，Ｒ３６における置換基は、
ハロゲン原子、
シアノ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜３０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換のトリアルキルシリル基、
置換もしくは無置換のアリールアルキルシリル基、
置換もしくは無置換のトリアリールシリル基、
置換もしくは無置換のジアリールホスフィンオキシド基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、および
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基からなる群から選択される置換基であり、ただし、前記Ｒ３１，前記Ｒ３６における置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基は、非縮合環であり、
Ｘ３２とＸ４１とは、酸素原子、硫黄原子、またはＣＲ５５Ｒ５６を介して架橋されていてもよく、
Ｘ３４とＸ４５とは、酸素原子、硫黄原子、またはＣＲ５７Ｒ５８を介して架橋されていてもよく、
Ｒ５５〜Ｒ５８は、それぞれ独立に、置換基であり、このＲ５５〜Ｒ５８における置換基は、
ハロゲン原子、
シアノ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜２０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキルチオ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールチオ基、
置換もしくは無置換の炭素数３〜５０のアルキルシリル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールシリル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、および
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基からなる群から選択される置換基であり、ただし、前記Ｒ５５〜Ｒ５８における置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基は、非縮合環であり、
前記一般式（３０ｄ）において、波線部分は、前記第三の材料の分子中における他の原子または他の構造との結合箇所を表す。）
【請求項２３】
請求項１１から請求項２２までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記第三の材料は、下記一般式（３０ｅ）で表される基を含む有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化８】
2015144224.tif 000008
（前記一般式（３０ｅ）において、
Ｘ３１，Ｘ３２，Ｘ３４，Ｘ３６は、それぞれ独立に、窒素原子、またはＣＲ３１であり、
Ｘ４１，Ｘ４３，Ｘ４４，Ｘ４５は、それぞれ独立に、窒素原子、またはＣＲ３６であり、
Ｙ３１〜Ｙ３５，Ｙ３７，Ｙ３８は、それぞれ独立に、窒素原子、ＣＲ３２、または前記第三の材料の分子中における他の原子と結合する炭素原子であり、
Ｒ３１，Ｒ３２，Ｒ３６は、それぞれ独立に、水素原子または置換基であり、このＲ３１，Ｒ３２，Ｒ３６における置換基は、
ハロゲン原子、
シアノ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜３０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換のトリアルキルシリル基、
置換もしくは無置換のアリールアルキルシリル基、
置換もしくは無置換のトリアリールシリル基、
置換もしくは無置換のジアリールホスフィンオキシド基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、および
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基からなる群から選択される置換基であり、ただし、前記Ｒ３１，前記Ｒ３２，前記Ｒ３６における置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基は、非縮合環であり、
Ｙ３９は、ＮＲ３３、酸素原子、または硫黄原子であり、
Ｒ３３は、置換基であり、このＲ３３における置換基は、
シアノ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜２０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキルチオ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールチオ基、
置換もしくは無置換の炭素数３〜５０のアルキルシリル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールシリル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、および
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基からなる群から選択される置換基であり、ただし、前記Ｒ３３における置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基は、非縮合環であり、
Ｘ３２とＸ４１とは、酸素原子、硫黄原子、またはＣＲ５５Ｒ５６を介して架橋されていてもよく、
Ｘ３４とＸ４５とは、酸素原子、硫黄原子、またはＣＲ５７Ｒ５８を介して架橋されていてもよく、
Ｘ４１とＹ３７とは、酸素原子、硫黄原子、またはＣＲ５９Ｒ６０を介して架橋されていてもよく、
Ｘ４３とＹ３５とは、酸素原子、硫黄原子、またはＣＲ６１Ｒ６２を介して架橋されていてもよく、
Ｒ５５〜Ｒ６２は、それぞれ独立に、前記Ｒ３３における置換基と同義であり、
前記一般式（３０ｅ）において、波線部分は、前記第三の材料の分子中における他の原子または他の構造との結合箇所を表す。）
【請求項２４】
請求項１１から請求項２３までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記第三の材料は、下記一般式（３０ｆ）で表される基を含む有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化９】
2015144224.tif 000009
（前記一般式（３０ｆ）において、
Ｙ３１，Ｙ３２，Ｙ３４，Ｙ３５，Ｙ３７，Ｙ３８は、それぞれ独立に、窒素原子、またはＣＲ３２であり、
Ｙ４１〜Ｙ４５，Ｙ４７，Ｙ４８は、それぞれ独立に、窒素原子、ＣＲ３４、または前記第三の材料の分子中における他の原子と結合する炭素原子であり、
Ｒ３２，Ｒ３４は、それぞれ独立に、水素原子または置換基であり、このＲ３２，Ｒ３４における置換基は、
ハロゲン原子、
シアノ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜３０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換のトリアルキルシリル基、
置換もしくは無置換のアリールアルキルシリル基、
置換もしくは無置換のトリアリールシリル基、
置換もしくは無置換のジアリールホスフィンオキシド基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、および
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基からなる群から選択される置換基であり、ただし、前記Ｒ３２，前記Ｒ３４における置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基は、非縮合環であり、
Ｙ３９は、ＮＲ３３、酸素原子、または硫黄原子であり、
Ｙ４９は、ＮＲ３５、酸素原子、または硫黄原子であり、
Ｒ３３，Ｒ３５は、それぞれ独立に、水素原子または置換基であり、このＲ３３，Ｒ３５における置換基は、
シアノ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜２０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキルチオ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールチオ基、
置換もしくは無置換の炭素数３〜５０のアルキルシリル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールシリル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、および
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基からなる群から選択される置換基であり、ただし、前記Ｒ３３，前記Ｒ３５における置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基は、非縮合環であり、
前記一般式（３０ｆ）において、波線部分は、前記第三の材料の分子中における他の原子または他の構造との結合箇所を表す。）
【請求項２５】
請求項１１、請求項２０、または請求項２３に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記Ｙ３９は、酸素原子、または硫黄原子である有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２６】
請求項１１、請求項２０、または請求項２３に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記Ｙ３９は、酸素原子である有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２７】
請求項２１、または請求項２４に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記Ｙ３９および前記Ｙ４９は、それぞれ独立に、酸素原子、または硫黄原子である有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２８】
請求項２１、または請求項２４に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記Ｙ３９および前記Ｙ４９は、酸素原子である有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２９】
請求項１から請求項２８までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記第三の材料は、分子中に縮合芳香族炭化水素環を有していない有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３０】
請求項１から請求項２９までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記発光層は、燐光発光性の金属錯体を含有していない有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３１】
請求項１から請求項３０までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記第一の材料は、主ピーク波長が５５０ｎｍ以下の蛍光発光を示す有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３２】
請求項１から請求項３１までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記第一の材料は、主ピーク波長が４８０ｎｍ以下の蛍光発光を示す有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３３】
請求項１から請求項３２までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記第一の材料は、ピレン誘導体、アミノアントラセン誘導体、アミノクリセン誘導体、アミノピレン誘導体、フルオランテン誘導体、フルオレン誘導体、ジアミン誘導体、トリアリールアミン誘導体、およびスチリルアミン誘導体からなる群から選ばれた少なくとも１種の化合物である有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３４】
請求項１から請求項３３までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備える電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
例えば、ＴＡＤＦ（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ  Ａｃｔｉｖａｔｅｄ  Ｄｅｌａｙｅｄ  Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ、熱活性化遅延蛍光）機構が研究されている。このＴＡＤＦ機構は、一重項準位と三重項準位とのエネルギー差（ΔＳＴ）の小さな材料を用いた場合に、三重項励起子から一重項励起子への逆項間交差が熱的に生じる現象を利用するものである。熱活性遅延蛍光については、例えば、『安達千波矢編、「有機半導体のデバイス物性」、講談社、２０１２年３月２２日、２６１−２６２ページ』に記載されている。
このＴＡＤＦ機構を利用した有機ＥＬ素子が、例えば、特許文献１〜３に開示されている。
特許文献１には、ΔＳＴが小さい化合物をホスト材料として含有し、蛍光発光性の化合物をドーパント材料として含有した発光層を備える有機ＥＬ素子が開示されている。特許文献１によれば、ΔＳＴが小さい化合物をホスト材料として用い、このホスト材料にてＴＡＤＦ機構を発現させることで、内部量子効率が向上する旨が記載されている。
特許文献２や特許文献３にも、特定の化合物をホスト材料として含有し、蛍光発光性の化合物をドーパント材料として含有した発光層を備える有機ＥＬ素子が開示されている。特許文献２や特許文献３によれば、特許文献１と同様、ＴＡＤＦ機構を利用して、有機ＥＬ素子の性能向上を図っている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の一態様に係る有機エレクトロルミネッセンス素子は、陽極と、発光層と、陰極と、を含み、前記発光層は、第一の材料、第二の材料および第三の材料を含み、前記第一の材料は、蛍光発光性の発光材料であり、前記第二の材料は、遅延蛍光発光性の材料であり、前記第三の材料の一重項エネルギーは、前記第二の材料の一重項エネルギーよりも大きく、前記第二の材料の７７［Ｋ］におけるエネルギーギャップＥｇ７７Ｋ（Ｍ２）は、前記第一の材料の７７［Ｋ］におけるエネルギーギャップＥｇ７７Ｋ（Ｍ１）よりも大きく、前記第三の材料の７７［Ｋ］におけるエネルギーギャップＥｇ７７Ｋ（Ｍ３）は、前記第二の材料の７７［Ｋ］におけるエネルギーギャップＥｇ７７Ｋ（Ｍ２）よりも大きい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
前記Ａｒ１、Ａｒ２およびＡｒ３におけるアルキル基としては、それぞれ独立に、炭素数が１〜１０であるアルキル基が好ましく、炭素数が１〜５であるアルキル基がより好ましい。前記Ａｒ１およびＡｒ２におけるアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基（異性体を含む）、ヘキシル基（異性体を含む）、ヘプチル基（異性体を含む）、オクチル基（異性体を含む）、ノニル基（異性体を含む）、デシル基（異性体を含む）、ウンデシル基（異性体を含む）、及びドデシル基（異性体を含む）等が挙げられ、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、及びペンチル基（異性体を含む）が好ましく、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、及びｔ−ブチル基がより好ましく、メチル基、エチル基、イソプロピル基及びｔ−ブチル基が特に好ましい。
前記Ａｒ１、Ａｒ２およびＡｒ３におけるアルキル基としては、それぞれ独立に、環形成炭素数３〜５０のシクロアルキル基であってもよい。前記Ａｒ１、Ａｒ２およびＡｒ３におけるシクロアルキル基としては、それぞれ独立に、環形成炭素数が３〜６のシクロアルキル基が好ましく、環形成炭素数が５又は６のシクロアルキル基がより好ましい。前記Ａｒ１、Ａｒ２およびＡｒ３におけるシクロアルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、アダマンチル基などが挙げられ、シクロペンチル基、シクロヘキシル基が好ましい。
前記Ａｒ１、Ａｒ２およびＡｒ３におけるアルケニル基としては、それぞれ独立に、炭素数が２〜２０であるアルケニル基が好ましく、炭素数２〜１０であるアルケニル基がより好ましい。前記Ａｒ１、Ａｒ２およびＡｒ３におけるアルケニル基としては、ビニル基、アリル基、１−ブテニル基、２−ブテニル基、３−ブテニル基、１，３−ブタンジエニル基、１−メチルビニル基、１−メチルアリル基、１，１−ジメチルアリル基、２−メチルアリル基、１，２−ジメチルアリル基等が挙げられる。
置換のアルケニル基としては、スチリル基、２，２−ジフェニルビニル基、１，２−ジフェニルビニル基、１−フェニルアリル基、２−フェニルアリル基、３−フェニルアリル基、３，３−ジフェニルアリル基、１−フェニル−１−ブテニル基、３−フェニル−１−ブテニル基等が挙げられる。
前記Ａｒ１、Ａｒ２およびＡｒ３におけるアルキニル基としては、それぞれ独立に、炭素数が２〜２０であるアルキニル基が好ましく、炭素数２〜１０であるアルキニル基がより好ましい。前記Ａｒ１、Ａｒ２およびＡｒ３におけるアルキニル基としては、プロパルギル基、３−ペンチニル基等が挙げられる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
“置換もしくは無置換”というときの置換基としての炭素数１〜５０のアルキル基は、前記Ａｒ１、Ａｒ２およびＡｒ３におけるアルキル基として説明したものと同義である。“置換もしくは無置換”というときの置換基としての炭素数２〜２０のアルケニル基は、前記Ａｒ１、Ａｒ２およびＡｒ３におけるアルケニル基として説明したものと同義である。
“置換もしくは無置換”というときの置換基としての炭素数２〜２０のアルキニル基は、前記Ａｒ１、Ａｒ２およびＡｒ３におけるアルキニル基として説明したものと同義である。
“置換もしくは無置換”というときの置換基としての環形成炭素数３〜５０のシクロアルキル基は、前記Ａｒ１、Ａｒ２およびＡｒ３におけるシクロアルキル基として説明したものと同義である。
“置換もしくは無置換”というときの置換基としての環形成炭素数６〜５０の芳香族炭化水素基は、前記Ａｒ１、Ａｒ２およびＡｒ３における芳香族炭化水素基として説明したものと同義である。
“置換もしくは無置換”というときの置換基としての環形成炭素数６〜５０のアラルキル基は、環形成炭素数６〜５０の芳香族炭化水素基と、炭素数１〜５０アルキル基とを有し、このアルキル基部分の具体例は、上述のアルキル基と同様であり、芳香族炭化水素基部分の具体例は、上述の芳香族炭化水素基と同義である。
“置換もしくは無置換”というときの置換基としてのモノアルキルアミノ基又はジアルキルアミノ基において、アルキル基部分の具体例は、上述のアルキル基と同義である。
“置換もしくは無置換”というときの置換基としてのモノアリールアミノ基又はジアリールアミノ基において、アリール基（芳香族炭化水素基）部分の具体例は、上述の芳香族炭化水素基と同義である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
・遅延蛍光発光性
遅延蛍光（熱活性化遅延蛍光）については、「有機半導体のデバイス物性」（安達千波矢編、講談社発行）の２６１〜２６８ページで解説されている。その文献の中で、蛍光発光材料の励起一重項状態と励起三重項状態のエネルギー差ΔＥ１３を小さくすることができれば、通常は遷移確率が低い励起三重項状態から励起一重項状態への逆エネルギー移動が高効率で生じ、熱活性化遅延蛍光（ＴｈｅｒｍａｌｌｙＡｃｔｉｖａｔｅｄ ｄｅｌａ
ｙｅｄ  Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ, TADF）が発現すると説明されている。さらに、当該文献中の図１０．３８で、遅延蛍光の発生メカニズムが説明されている。本実施形態における第二の材料は、このようなメカニズムで発生する熱活性遅延蛍光を示す化合物である。
遅延蛍光の発光は過渡ＰＬ測定により確認できる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
前記一般式（２ｙ）におけるＲ１１〜Ｒ１９は、それぞれ独立に、前記一般式（２ｅ）におけるＲ１〜Ｒ９と同義である。
ただし、Ｒ１１〜Ｒ１９のうち少なくともいずれかは、前記第二の材料の分子中における他の原子と結合する単結合である。
前記一般式（２ｙ）において、Ｒ１１〜Ｒ１９から選ばれる置換基同士の組み合せのうち少なくとも１組は、互いに結合して、環構造を構築していてもよい。
前記一般式（２ｙ）において、ＡおよびＢは、それぞれ独立に、下記一般式（２ｇ）で表される環構造、または下記一般式（２ｈ）で表される環構造を示し、環構造Ａおよび環構造Ｂは、隣接する環構造と任意の位置で縮合している。
ｐｘは、環構造Ａの数であり、０以上４以下の整数である。ｐｘが２以上４以下の整数の場合、複数の環構造Ａは、互いに同一でも異なっていてもよい。ｐｙが２以上４以下の整数の場合、複数の環構造Ｂは、互いに同一でも異なっていてもよい。ｐｙは、環構造Ｂの数であり、０以上４以下の整数である。したがって、例えば、ｐｘが２のとき、２つの環構造Ａは、下記一般式（２ｇ）で表される環構造が２つでもよいし、下記一般式（２ｈ）で表される環構造が２つでもよいし、下記一般式（２ｇ）で表される環構造を１つと、下記一般式（２ｈ）で表される環構造を１つとの組み合わせでもよい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６５】
（前記一般式（３０ｅ）において、
Ｘ３１，Ｘ３２，Ｘ３４，Ｘ３６は、それぞれ独立に、窒素原子、またはＣＲ３１であり、
Ｘ４１，Ｘ４３，Ｘ４４，Ｘ４５は、それぞれ独立に、窒素原子、またはＣＲ３６であり、
Ｙ３１〜Ｙ３５，Ｙ３７，Ｙ３８は、それぞれ独立に、窒素原子、ＣＲ３２、または前記第三の材料の分子中における他の原子と結合する炭素原子であり、
Ｒ３１，Ｒ３２，Ｒ３６は、それぞれ独立に、水素原子または置換基であり、このＲ３１，Ｒ３２，Ｒ３６における置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜３０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のトリアルキルシリル基、置換もしくは無置換のアリールアルキルシリル基、置換もしくは無置換のトリアリールシリル基、置換もしくは無置換のジアリールホスフィンオキシド基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、および置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基からなる群から選択される置換基であり、ただし、前記Ｒ３１，前記Ｒ３２，前記Ｒ３６における置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基は、非縮合環であり、
Ｙ３９は、ＮＲ３３、酸素原子、または硫黄原子であり、
Ｒ３３は、置換基であり、このＲ３３における置換基は、シアノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜２０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキルチオ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数３〜５０のアルキルシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、および置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基からなる群から選択される置換基であり、ただし、前記Ｒ３３における置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基は、非縮合環であり、
Ｘ３２とＸ４１とは、酸素原子、硫黄原子、またはＣＲ５５Ｒ５６を介して架橋されていてもよく、
Ｘ３４とＸ４５とは、酸素原子、硫黄原子、またはＣＲ５７Ｒ５８を介して架橋されていてもよく、
Ｘ４１とＹ３７とは、酸素原子、硫黄原子、またはＣＲ５９Ｒ６０を介して架橋されていてもよく、
Ｘ４３とＹ３５とは、酸素原子、硫黄原子、またはＣＲ６１Ｒ６２を介して架橋されていてもよく、
Ｒ５５〜Ｒ６２は、それぞれ独立に、前記Ｒ３３における置換基と同義であり、
前記一般式（３０ｅ）において、波線部分は、前記第三の材料の分子中における他の原子または他の構造との結合箇所を表す。）
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８７】
また、Ｒ１、Ｒａ、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３、Ａｒ４が置換基を有する場合、それらの置換基は、置換若しくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数３〜３０のシクロアルキル基、置換若しくは無置換のトリアルキルシリル基、置換若しくは無置換のアリールアルキルシリル基、置換若しくは無置換のトリアリールシリル基、置換若しくは無置換のジアリールホスフィンオキシド基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素環基、又は置換若しくは無置換の環形成原子数５〜３０の芳香族複素環基等であり、好ましくは、置換若しくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素環基、又は置換若しくは無置換の環形成原子数５〜３０の芳香族複素環基であり、芳香族炭化水素環基の具体例としては、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、フェナントリル基、ピレニル基、クリセニル基、ベンゾ［ｃ］フェナントリル基、ベンゾ［ｇ］クリセニル基、ベンゾアントリル基、トリフェニレニル基、フルオレニル基、９，９−ジメチルフルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、ジベンゾフルオレニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、クォーターフェニル基、フルオランテニル基等が挙げられ、芳香族複素環基の具体例としては、ピロリル基、ピラゾリル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、ピリジル基、トリアジニル基、インドリル基、イソインドリル基、イミダゾリル基、ベンズイミダゾリル基、インダゾリル基、イミダゾ［１，２−ａ］ピリジニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、イソベンゾフラニル基、ジベンゾフラニル基、アザジベンゾフラニル基、チオフェニル基、ベンゾチオフェニル基、ジベンゾチオフェニル基、アザジベンゾチオフェニル基、キノリル基、イソキノリル基、キノキサリニル基、キナゾリニル基、ナフチリジニル基、カルバゾリル基、アザカルバゾリル基、フェナントリジニル基、アクリジニル基、フェナントロリニル基、フェナジニル基、フェノチアジニル基、フェノキサジニル基、オキサゾリル基、オキサジアゾリル基、フラザニル基、ベンズオキサゾリル基、チエニル基、チアゾリル基、チアジアゾリル基、ベンズチアゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基等が挙げられる。
発光層を青色で発光させる有機ＥＬ素子の場合には、第三の材料における置換基としての芳香族複素環基は、非縮合芳香族複素環基であることが好ましい。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２０２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２０２】
・三重項エネルギーと７７［Ｋ］におけるエネルギーギャップとの関係
ここで、三重項エネルギーと７７［Ｋ］におけるエネルギーギャップとの関係について説明する。本実施形態では、７７［Ｋ］におけるエネルギーギャップは、通常定義される三重項エネルギーとは異なる点がある。
測定対象となる第一の材料および第三の材料に関しては、三重項エネルギーの測定は、次のようにして行われる。測定対象となる化合物をＥＰＡ（ジエチルエーテル：イソペンタン：エタノール＝５：５：２（容積比））中に、濃度が１０μｍｏｌ／Ｌとなるように溶解し、この溶液を石英セル中に入れて測定試料とした。この測定試料について、低温（７７［Ｋ］）で燐光スペクトル（縦軸：燐光発光強度、横軸：波長とする。）を測定し、この燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対して接線を引き、その接線と横軸との交点の波長値λｅｄｇｅ［ｎｍ］に基づいて、次の換算式１から算出されるエネルギー量を７７［Ｋ］におけるエネルギーギャップＥｇ７７Ｋとした。
換算式１：Ｅｇ７７Ｋ［ｅＶ］＝１２３９．８５／λｅｄｇｅ
燐光の測定には、（株）日立ハイテクノロジー製のＦ−４５００形分光蛍光光度計本体を用いた。なお、燐光測定装置は、ここで用いた装置に限定されない。
燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対する接線は以下のように引く。燐光スペクトルの短波長側から、スペクトルの極大値のうち、最も短波長側の極大値までスペクトル曲線上を移動する際に、長波長側に向けて曲線上の各点における接線を考える。この接線は、曲線が立ち上がるにつれ（つまり縦軸が増加するにつれ）、傾きが増加する。この傾きの値が極大値をとる点において引いた接線（すなわち変曲点における接線）が、当該燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対する接線とする。
なお、スペクトルの最大ピーク強度の１５％以下のピーク強度をもつ極大点は、上述の最も短波長側の極大値には含めず、最も短波長側の極大値に最も近い、傾きの値が極大値をとる点において引いた接線を当該燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対する接線とする。
測定対象となる第二の材料に関しては、三重項エネルギーの測定は、次のようにして行われる。測定対象となる化合物（第二の材料）と、化合物ＴＨ−２とを石英基板上に共蒸着し、ＮＭＲ管内に封入した試料を作製する。なお、この試料は、下記の条件にて作られたものである。
石英基板／ＴＨ−２：第二の材料（膜厚１００ｎｍ，第二の材料濃度：１２質量％）
この測定試料について、低温（７７［Ｋ］）で燐光スペクトル（縦軸：燐光発光強度、横軸：波長とする。）を測定し、この燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対して接線を引き、その接線と横軸との交点の波長値λｅｄｇｅ［ｎｍ］に基づいて、次の換算式２から算出されるエネルギー量を７７［Ｋ］におけるエネルギーギャップＥｇ７７Ｋとした。
換算式２：Ｅｇ７７Ｋ［ｅＶ］＝１２３９．８５／λｅｄｇｅ
燐光の測定には、（株）日立ハイテクノロジー製のＦ−４５００形分光蛍光光度計本体を用いた。なお、燐光測定装置は、ここで用いた装置に限定されない。
燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対する接線は、第一の材料および第三の材料の燐光スペクトルにおける接線の引き方と同様にして引く。
ここで、本実施形態に用いる第二の材料としては、ΔＳＴが小さい化合物であることが好ましい。ΔＳＴが小さいと、低温（７７［Ｋ］）状態でも、項間交差、及び逆項間交差が起こりやすく、励起一重項状態と励起三重項状態とが混在する。その結果、上記と同様にして測定されるスペクトルは、励起一重項状態および励起三重項状態の両者からの発光を含んだものとなり、いずれの状態から発光したものかについて峻別することは困難であるが、基本的には三重項エネルギーの値が支配的と考えられる。
そのため、本実施形態では、通常の三重項エネルギーＥｇＴと測定手法は同じであるが、その厳密な意味において異なることを区別するため、次のようにして測定される値をエネルギーギャップＥｇ７７Ｋと称する。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２５４】
・７７［Ｋ］におけるエネルギーギャップＥｇ７７Ｋ
測定対象となる第一の材料および第三の材料に関しては、三重項エネルギーの測定は、次のようにして行った。ここでは、化合物ＭＴ−１および化合物ＭＴ−３を測定対象とした。測定対象となる化合物をＥＰＡ（ジエチルエーテル：イソペンタン：エタノール＝５：５：２（容積比））中に、濃度が１０μｍｏｌ／Ｌとなるように溶解し、この溶液を石英セル中に入れて測定試料とした。この測定試料について、低温（７７［Ｋ］）で燐光スペクトル（縦軸：燐光発光強度、横軸：波長とする。）を測定し、この燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対して接線を引き、その接線と横軸との交点の波長値λｅｄｇｅ［ｎｍ］に基づいて、次の換算式１から算出されるエネルギー量を７７［Ｋ］におけるエネルギーギャップＥｇ７７Ｋとした。
換算式１：Ｅｇ７７Ｋ［ｅＶ］＝１２３９．８５／λｅｄｇｅ
測定対象となる第二の材料に関しては、三重項エネルギーの測定は、次のようにして行った。ここでは、化合物ＭＴ−２を測定対象とした。測定対象となる化合物（第二の材料）と、化合物ＴＨ−２とを石英基板上に共蒸着し、ＮＭＲ管内に封入した試料を作製した。なお、この試料は、下記の条件にて作製したものである。
石英基板／ＴＨ−２：第二の材料（膜厚１００ｎｍ，第二の材料濃度：１２質量％）
この測定試料について、低温（７７［Ｋ］）で燐光スペクトル（縦軸：燐光発光強度、横軸：波長とする。）を測定し、この燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対して接線を引き、その接線と横軸との交点の波長値λｅｄｇｅ［ｎｍ］に基づいて、次の換算式２から算出されるエネルギー量を７７［Ｋ］におけるエネルギーギャップＥｇ７７Ｋとした。
換算式２：Ｅｇ７７Ｋ［ｅＶ］＝１２３９．８５／λｅｄｇｅ
燐光の測定には、（株）日立ハイテクノロジー製のＦ−４５００形分光蛍光光度計本体を用いた。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２５８】
・遅延蛍光発光性
遅延蛍光発光性は図２に示す装置を利用して過渡ＰＬを測定することにより確認した。前記化合物ＭＴ−２と前記化合物ＴＨ−２とを化合物ＭＴ−２の割合が１２質量％となるように石英基板上に共蒸着し、膜厚１００ｎｍの薄膜を形成して試料を作製した。
遅延蛍光発光は、前記図２の装置を用いて求めることができる。前記化合物ＭＴ−２が吸収する波長のパルス光（パルスレーザーから照射される光）で励起された後、当該励起状態から即座に観察されるＰｒｏｍｐｔ発光（即時発光）と、当該励起後、即座には観察されず、その後観察されるＤｅｌａｙ発光（遅延発光）とが存在する。本実施形態における遅延蛍光発光とは、Ｄｅｌａｙ発光（遅延発光）の量がＰｒｏｍｐｔ発光（即時発光）の量に対して５％以上を意味し、化合物ＭＴ−２はＤｅｌａｙ発光（遅延発光）の量がＰｒｏｍｐｔ発光（即時発光）の量に対して５％以上あることを確認している。
Ｐｒｏｍｐｔ発光とＤｅｌａｙ発光の量は、“Ｎａｔｕｒｅ  ４９２，  ２３４−２３８，  ２０１２”に記載された方法と同様の方法により求めることができる。なお、Ｐｒｏｍｐｔ発光とＤｅｌａｙ発光の量の算出に使用される装置は、前記図２の装置や文献に記載のものに限定されるものではない。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０３３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０３３３】
（実施例２７）
実施例２７の有機ＥＬ素子は、実施例２６の障壁層における化合物ＨＢ−２の代わりに化合物ＨＢ−３を用いること以外は、実施例２６と同様にして作製した。
実施例２７の有機ＥＬ素子の素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
ITO（70） / HI（5） / HT-1（65） / HT-2（5） / CBP(5) / MT-13 : MT-12 : MT-11（25, 74%: 25% : 1%） / HB-3（5） / ET-1（30） / LiF（1） / Al（80）