(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
精密研磨された磁気抵抗型ヘッド用の磁気ディスク用ガラス基板を洗浄・乾燥する工程を有する磁気抵抗型ヘッド用の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法において、
前記洗浄・乾燥工程に使用する水に含まれるＳｉ元素の含有量と、前記洗浄・乾燥工程を経て得られたガラス基板表面に付着するＳｉＯＨを主成分とする凸部の大きさ（高さ）の相関関係を予め求めておき、
前記凸部が、前記ガラス基板上に少なくとも記録層を形成して磁気ディスクとし、さらに、記録及び／又は再生素子を備えたスライダーを磁気ディスク表面上に浮上走行させたときにヒットを生じない大きさ（高さ）となるように、及び、記録及び／又は再生を行ったときにエラーを生じない大きさ（高さ）となるようにしてサーマルアスペリティを防止するように、前記洗浄・乾燥工程に使用する水に含まれる前記Ｓｉ元素の含有量を決定することを特徴とする磁気抵抗型ヘッド用の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項２】
精密研磨された磁気抵抗型ヘッド用の磁気ディスク用ガラス基板を洗浄・乾燥する工程を有する磁気抵抗型ヘッド用の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法において、
前記洗浄・乾燥工程で使用する水に含まれるＳｉ元素の含有量をサーマルアスペリティを防止するように２０ｐｐｂ以下とすることを特徴とする磁気抵抗型ヘッド用の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項３】
前記洗浄・乾燥工程を経て得られた基板表面に付着する凸部が、ＳｉとＯを含むＳｉＯＨを主成分とする凸部であることを特徴とする請求項２記載の磁気抵抗型ヘッド用の磁気ディスク用基板の製造方法。
【請求項４】
前記洗浄・乾燥工程における乾燥は、スピンドライ乾燥であることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の磁気抵抗型ヘッド用の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項５】
請求項１〜４の何れか１項に記載の磁気抵抗型ヘッド用の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、前記洗浄・乾燥する工程の前に前記ガラス基板表面を親水化処理することを特徴とする磁気抵抗型ヘッド用の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５の何れか１項に記載の磁気抵抗型ヘッド用の磁気ディスク用ガラス基板上に少なくとも記録層として磁性層を形成することを特徴とする磁気抵抗型ヘッド用の磁気ディスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は情報処理機器の記録媒体として使用される情報記録媒体及びその基板の製造方法等に関する。
【０００２】
【従来の技術】
情報処理機器の記録媒体として使用される情報記録媒体の一つとして磁気ディスクがある。磁気ディスクは、基板上に磁性層等の薄膜を形成して構成されたものである。最近では、高記録密度化の要請に呼応して磁気ディスクと磁気ヘッドとの浮上距離が例えば３０ｎｍ以下と非常に小さくなっており、それに伴って、高平坦性、高平滑性の基板が求められている。研磨工程で使用する研磨パッドの選定や、研磨砥粒の粒径を小さくすることで、高平坦性、高平滑性の基板表面を得ることができる。
一方、基板の高平坦性、高平滑性だけではなく、磁気ヘッドについても薄膜ヘッドから異方性磁気抵抗効果を利用した磁気抵抗型ヘッド（ＭＲヘッド）、巨大磁気抵抗型ヘッド（ＧＭＲヘッド）に推移し、高記録密度化に応えている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように高記録密度化にとって必要な磁気ヘッドの低浮上化のために、磁気ディスク表面の高い平坦性は必要不可欠であるが、加えてＭＲヘッドを用いた場合、サーマルアスペリティの問題からも磁気ディスク表面には高い平坦性、高い平滑性が必要となる。このサーマルアスペリティは、磁気ディスクの表面上に突起があると、この突起にＭＲヘッドが影響を受けてＭＲヘッドに熱が発生し、この熱によってヘッドの抵抗値が変動し、電磁変換に誤動作を引き起こす現象である。
このように、磁気ヘッドの低浮上化にとっても、サーマルアスペリティの発生防止のためにも磁気ディスク表面の高い平坦性、高い平滑性は日増しに高まってきている。
【０００４】
しかし、高精密に基板表面を研磨するだけでは、磁気ディスクの高記録密度化を実現できない段階まで来ている。つまり、いくら、高精密に研磨しても基板上に異物等による凸部が形成されていては高い平坦性、高い平滑性は得られない。勿論、従来から異物等による凸部の除去はなされていたが、従来では許容されていた基板上の凸部が、今日の高記録密度化のレベルでは問題視される状況にある。
この種の凸部が基板表面上に付着した状態で磁性層等の薄膜を積層すると、磁気ディスク表面に凸部が形成され、磁気ヘッドの低浮上化や、サーマルアスペリティの防止（記録・再生時のエラーの防止）の阻害要因になる。
同様に、この種の凸部が基板表面上に付着した状態で記録層等の薄膜を積層すると、情報記録媒体の記録・再生時のエラーなどの欠陥要因になる。
【０００５】
本発明は、このような磁気ヘッドの低浮上化やサーマルアスペリティの防止の阻害要因や、情報記録媒体の欠陥要因になる凸部が基板上に形成されるのを抑制、防止することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、基板の洗浄・乾燥を行っても一向に低減できない凸部が存在することがあり、この凸部が基板表面上に付着した状態で磁性層等の薄膜を積層すると、磁気ディスク表面に凸部が形成され、磁気ヘッドの低浮上化や、サーマルアスペリティの防止の阻害要因になることを見い出した。
そして、この凸部は、洗浄液又は雰囲気中に存在するＣ、Ｏ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒのうちの少なくとも一種を含むものであることが判明した。
本発明者らは、これらの元素を含む凸部が基板に付着する原因を、鋭意究明したところ、基板表面を水で洗浄又はリンス後に乾燥した場合、基板上に付着した水が乾燥して残った跡に凸部が形成されていることが分かった。そして、これらの元素を含む凸部は各種洗浄では落とすことができないものもあり、その場合基板を再研磨しないと取れないことが分かった。
基板の洗浄・乾燥工程で使用する水としては一般にフィルターを通した水やＤＩ水（イオン交換した水）などが使用される。これらの水や雰囲気中には、Ｃ、Ｏ、Ａｌ、Ｓｉ、ＳｉＯ２、ＳｉＯＨ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒ等が含まれているが、これらの元素を含んだ水が、基板表面の表面状態（疎水性）の条件と組み合わされて、特定の領域に残って凸部が形成されることが判明した。そして、これらの元素を含んだ水が、ｐｐｂオーダーと微量であっても、凸部が基板表面に形成されることが分かった。
そして、Ｃ、Ｏ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒのうちの少なくとも一種を含む凸部の原因となる洗浄・乾燥工程で使用する水に含まれるこれらの元素の含有量を、製品不良を回避できる含有量となるように決定・制御することによって、製品不良を回避できることを見い出し、本発明を完成するに至った。
【０００７】
本発明は以下の構成を有する。
【０００８】
（構成１）精密研磨された情報記録媒体用基板を洗浄・乾燥する工程を有する情報記録媒体用基板の製造方法において、
前記洗浄・乾燥工程に使用する水に含まれるＣ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒのうちの少なくとも一種の元素の含有量と、前記洗浄・乾燥工程を経て得られた基板表面に付着する凸部の大きさ（高さ）の相関関係を予め求めておき、
前記凸部が、前記基板上に少なくとも記録層を形成して情報記録媒体とし、さらに、記録及び／又は再生素子を備えたスライダーを媒体表面上に浮上走行させたときにヒットを生じない大きさ（高さ）となるように、及び／又は、記録及び／又は再生を行ったときにエラーを生じない大きさ（高さ）となるように、前記洗浄・乾燥工程に使用する水に含まれる前記元素の含有量を決定することを特徴とする情報記録媒体用基板の製造方法。
【０００９】
（構成２）精密研磨された情報記録媒体用基板を洗浄・乾燥工程を有する情報記録媒体用基板の製造方法において、
前記洗浄・乾燥工程で使用する水に含まれるＣ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒのうち少なくとも一種の元素の含有量を２０ｐｐｂ以下とすることを特徴とする情報記録媒体用基板の製造方法。
【００１０】
（構成３）前記洗浄・乾燥工程における乾燥は、スピンドライ乾燥であることを特徴とする構成１又は２記載の情報記録媒体の製造方法。
【００１１】
（構成４）情報記録媒体用基板が、磁気ディスク用基板であることを特徴とする構成１乃至３の何れか一に記載の情報記録媒体用基板の製造方法。
【００１２】
（構成５）精密研磨された情報記録媒体用基板を用意する工程と、前記基板上に膜を形成する前に前洗浄し乾燥する工程と、前記前洗浄し乾燥した基板上に少なくとも記録層を形成する工程と、を有する情報記録媒体の製造方法において、
前記前洗浄する際に使用する水に含まれるＣ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒのうち少なくとも一種の元素の含有量と、前記前洗浄し乾燥する工程を経て得られた基板表面に付着する凸部の大きさ（高さ）との相関関係を予め求めておき、
前記凸部が、前記基板上に少なくとも記録層を形成して情報記録媒体とし、さらに、記録及び／又は再生素子を備えたスライダーを媒体表面上に浮上走行させたときにヒットを生じない大きさ（高さ）となるように、及び／又は、記録及び／又は再生を行ったときにエラーを生じない大きさ（高さ）となるように、前記前洗浄し乾燥する工程に使用する水に含まれる前記元素の含有量を決定することを特徴とする情報記録媒体用基板の製造方法。
【００１３】
（構成６）精密研磨された情報記録媒体用基板を用意する工程と、前記基板上に膜を形成する前に前洗浄し乾燥する工程と、前記前洗浄し乾燥した基板上に少なくとも記録層を形成する工程と、を有する情報記録媒体の製造方法において、
前記前洗浄し乾燥する工程に使用する水に含まれるＣ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒのうち少なくとも一種の元素の含有量を２０ｐｐｂ以下とすることを特徴とする情報記録媒体の製造方法。
【００１４】
（構成７）前記前洗浄し乾燥する工程における乾燥は、スピンドライ乾燥であることを特徴とする構成５又は６記載の情報記録媒体の製造方法。
【００１５】
（構成８）情報記録媒体が、磁気ディスクであることを特徴とする構成５乃至７の何れか一に記載の情報記録媒体の製造方法。
【００１６】
【作用】
構成１によれば、Ｃ、Ｏ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒのうちの少なくとも一種を含む凸部の原因となる洗浄・乾燥工程で使用する水に含まれるＣ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒのうち少なくとも一種の元素の含有量を、製品不良を回避できる含有量となるように決定・制御するので、製品不良を回避できる。
具体的には、洗浄・乾燥工程で使用する水に含まれるＣ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒのうち少なくとも一種の元素の含有量を、基板上に少なくとも記録層を形成し情報記録媒体としたときに、記録及び／又は再生素子を備えたスライダーにヒットを生じない大きさ（高さ）、及び／又は、記録及び／又は再生にエラーを生じない大きさ（高さ）の凸部となるように決定・制御することによって、ヘッドクラッシュやサーマルアスペリティを防止することができ、あるいは、情報記録媒体の記録・再生時のエラーなどの欠陥要因を排除できる。凸部の高さはＲｐなどによって表され、好ましくは０ｎｍ（凸部が形成しないよう）にすることが望ましい。また、凸部の高さは、凸部のみを直接測定した値としても良く、また、洗浄・乾燥工程前後の基板の表面粗さを測定して求めても良い。
本発明において、洗浄・乾燥工程には、精密研磨（ファイナル研磨）直後の洗浄、化学強化後の洗浄、出荷前の洗浄、成膜直前の洗浄、その他、精密研磨から成膜までの間に行われるあらゆる洗浄を含む。いずれの洗浄・乾燥工程においても、Ｃ、Ｏ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒのうちの少なくとも一種を含む凸部が一旦形成されると後の各種洗浄工程では除去できないものもあり、すべての洗浄・乾燥工程で使用する水に含まれるＣ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒのうち少なくとも一種の元素の含有量を、製品不良を回避できる含有量となるように決定・制御することが好ましい。
洗浄・乾燥工程は、▲１▼酸、アルカリ、中性洗剤、その他の洗浄剤による洗浄工程、▲２▼純水や溶剤によるリンス工程、▲３▼乾燥工程、が一般的であるが、ＤＩ水に浸漬後スピンドライ乾燥を行うだけの簡単な洗浄・乾燥工程も含まれる。
【００１７】
構成２によれば、情報記録媒体用基板の洗浄・乾燥工程で使用する水に含まれるＣ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒのうち少なくとも一種の元素の含有量を、２０ｐｐｂ以下にすることによって、情報記録媒体用基板上に形成されるＣ、Ｏ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒのうちの少なくとも一種の元素を含む凸部の大きさ（高さ）を、情報記録媒体としたときに製品不良を生じない大きさ（高さ）にすることができる。
情報記録媒体用基板の洗浄・乾燥工程で使用する水に含まれるＣ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒのうち少なくとも一種の元素の含有量は、少ない程Ｃ、Ｏ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒのうちの少なくとも一種を含む凸部の大きさ（高さ）は小さく（低く）なるので、１５ｐｐｂ以下が好ましく、１０ｐｐｂ以下がさらに好ましい。
なお、水に含まれる上記元素の含有量は、例えば、吸光光度測定法やＩＣＰ発行分析法によって求められる。また、水に含まれる上記元素の含有量は、例えば、フィルタリングやイオン交換を繰り返すことによって適宜調整することができる。凸部の高さはＲｐなどによって表され、好ましくは０ｎｍ（凸部が形成しないよう）にすることが望ましい。
【００１８】
特に凸部の発生は、薬液を使用しない乾燥方法を行った場合に起こる。薬液を使用しない乾燥方法としては、例えば、スピンドライ乾燥、エアーナイフ（圧縮空気の吹き付けによる乾燥）、加熱乾燥などがあげられる。中でも、構成３は、凸部の発生は特にスピンドライ乾燥を伴う洗浄・乾燥工程で発生するので、規定したものである。
【００１９】
構成４は、上述した凸部が、磁気ヘッドの低浮上化を目的とした磁気ディスク用基板である場合に特に問題となるので、規定したものである。
本発明の情報記録媒体用基板は、スライダーが媒体表面と極小さい距離で記録再生を行う磁気ディスク用途に使用される磁気ディスク用基板の場合に適している。
【００２０】
上述した凸部が、サーマルアスペリティの防止を目的とした磁気抵抗型ヘッド（ＭＲヘッド）用磁気ディスク用基板である場合に特に問題となり、巨大磁気抵抗型ヘッド（ＧＭＲヘッド）用磁気ディスク用基板である場合により以上に問題となるので、構成４における磁気ディスク用基板において、ＭＲヘッドやＧＭＲヘッドで記録・再生を行う磁気ディスク用途に使用されるＭＲヘッド用磁気ディスク用基板、ＧＭＲヘッド用磁気ディスク用基板の場合に適している。
【００２１】
構成５は、情報記録媒体の製造方法において、情報記録媒体用基板上に膜を形成する前に洗浄し乾燥する工程（特に成膜直前に前洗浄し乾燥する工程）ついて、上記構成１と同様の内容を規定したものである。これは、情報記録媒体用基板上に膜を形成する前に洗浄し乾燥する工程では、スピンドライによる洗浄・乾燥が行われる場合が多いという事情、及び、情報記録媒体用基板上に上述した凸部が形成されていなくても、膜を形成する前に洗浄し乾燥する工程で上述した凸部が形成されてしまっては、製品不良を回避できない事情があるためである。
【００２２】
構成６によれば、情報記録媒体用基板上に膜を形成する前に洗浄（特に成膜直前の前洗浄）し乾燥する工程で使用する水に含まれるＣ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒのうち少なくとも一種の元素の含有量を、２０ｐｐｂ以下にすることによって、情報記録媒体用基板上に形成されるＣ、Ｏ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒのうちの少なくとも一種を含む凸部の大きさ（高さ）を、情報記録媒体としたときに製品不良を生じない大きさ（高さ）にすることができる。前洗浄し乾燥する工程で使用する水に含まれる上記元素の含有量は、少ない程Ｃ、Ｏ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒのうちの少なくとも一種を含む凸部の大きさ（高さ）は小さく（低く）なるので、１５ｐｐｂ以下が好ましく、１０ｐｐｂ以下がさらに好ましい。凸部の高さはＲｐなどによって表され、好ましくは０ｎｍ（凸部が形成しないよう）にすることが望ましい。
【００２３】
特に凸部の発生は、薬液を使用しない乾燥方法を行った場合に起こる。薬液を使用しない乾燥方法としては、例えば、スピンドライ乾燥、エアーナイフ（圧縮空気の吹き付けによる乾燥）、加熱乾燥などがあげられる。中でも、構成７は、凸部の発生は特にスピンドライ乾燥を伴う洗浄・乾燥工程で発生するので、規定したものである。
スピンドライ乾燥は、通常、高速回転によって乾燥だけを行う。スピンドライ乾燥は、カセット式（バッチ式）、枚葉式を問わず、また、窒素等の清浄気体を乾燥機内に流し又は基板表面に吹き付けることができる。スピンドライ乾燥には、基板表面に純水シャワーを当てて洗浄又はリンスと共に基板の乾燥を防ぎつつ、純水シャワーを止めて高速回転によって乾燥を行う方法や、基板を高速回転させながら基板表面に高圧水（純水）を噴射して洗浄し、高圧水の噴射を止めて高速回転によって乾燥を行う方法、などが含まれる。
スピンドライ乾燥を伴う洗浄・乾燥には、ＤＩ水（ｄｅｉｏｎｉｚｅｄ  ｗａｔｅｒ：イオン交換した水）による洗浄のみを行った後にスピンドライ乾燥を行うだけの場合や、ＤＩ水によるリンス後にスピンドライ乾燥を行う場合等が含まれる。
【００２４】
構成８は、上述した凸部が、磁気ヘッドの低浮上化を目的とした磁気ディスクである場合に特に問題となるので、規定したものである。
また、構成８における磁気ディスクが、磁気抵抗型ヘッド用又は巨大磁気抵抗型ヘッド用の磁気ディスクの場合、高密度記録再生が可能な磁気ディスクが得られるので好ましい。
【００２５】
なお、上述したＣ、Ｏ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒのうちの少なくとも一種を含む凸部の高さは、基板表面の表面状態（濡れ性）によって変化する。基板表面の濡れ性が良くなる（水の接触角が小さくなる）ことにより、洗浄水の水滴が基板表面に広がり乾燥するので、凸部が形成されないか、又は形成されたとしても凸部の高さは小さくなる。それは、凸部を構成するＣ、Ｏ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒなどが特定領域に集まらず分散されたためと考えられる。
上述したように、洗浄・乾燥工程で使用する水に含まれるＣ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒのうち少なくとも一種の元素の含有量が２０ｐｐｂ以下であれば、通常製品不良の原因となる大きさ（高さ）のＣ、Ｏ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒのうちの少なくとも一種を含む凸部は形成されないが、水に含まれるＣ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒのうち少なくとも一種の元素の含有量を２０ｐｐｂ以下とし、さらに、基板表面の濡れ性を良くすることを組み合わせることによって、より凸部が形成されにくくなる。
基板表面の好ましい水の接触角は、２０°以下、さらに好ましくは１０°以下が望ましい。水の接触角は、液適法によって測定する。
なお、水の接触角（濡れ性）は、基板表面に付着する有機物の量、基板表面の表面粗さ、基板材料等によって変化するが、基板表面に付着する有機物の量が、水の接触角を大きく左右する。したがって、水の接触角を低いまま保管できる環境（例えば、基板ケースや梱包袋から発生し基板表面に付着する有機物の量が少ない環境）下で保存することが望ましい。
【００２６】
【発明の実施の形態】
（実施例１）
円盤状ガラス基板の主表面を精密研磨して表面粗さがＲｍａｘ＝５．３〜９．３ｎｍ、Ｒａ＝０．６〜１．０ｎｍ、Ｒｐ＝２．８〜５．５ｎｍの複数枚の磁気ディスク用ガラス基板を得た。これらのガラス基板を中性洗剤、純水の洗浄槽（超音波を印加）に順次浸漬した後、ＤＩ水製造時に行うイオン交換を高次に繰り返すことによってＳｉの含有量を５ｐｐｂ、１０ｐｐｂ、２０ｐｐｂ、３０ｐｐｂに調整したＤＩ水にそれぞれ浸漬し、スピンドライによって乾燥して磁気ディスク用ガラス基板を得た。なお、ＤＩ水に含まれるＳｉの含有量は、吸光光度測定法で測定した（以降、同じ測定方法で行った）。
【００２７】
上記で得られた磁気ディスク用ガラス基板の表面を、顕微鏡及び電子顕微鏡により観察したところ、大きさ（サイズ）が約１〜数μｍ程度の半球状の凸部が形成されているものが確認された。
また、この凸部をＥＤＳ（エネルギー分散型Ｘ線分光法）で分析したところ、その組成は主に、ＳｉとＯを含むものであることが確認された。  また、この凸部をＴＯＦ−ＳＩＭＳ（Ｔｉｍｅ  ｏｆ  Ｆｌｉｇｈｔ  Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  Ｉｏｎ  Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ：飛行時間型二次イオン質量分析法）で分析したところ、ＳｉＯＨを主成分とするものであることが確認された。
さらに、上記スピンドライ乾燥後の基板の表面粗さ（凸部の高さ）を原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）で測定した結果を表１に示す。
【００２８】
上記スピンドライ乾燥後の磁気ディスク用ガラス基板を、基板上に磁性層等の薄膜を形成する前に、前洗浄として中性洗剤、ＤＩ水（Ｓｉ含有量２０ｐｐｂ）、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）の洗浄槽（超音波を印加）に順次浸漬し、ＩＰＡ（蒸気乾燥槽）で乾燥して複数枚の磁気ディスク用ガラス基板を得た。
ＩＰＡ乾燥後の基板の表面粗さ（凸部の高さ）を原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）で測定した結果を表１に示す。
【００２９】
【表１】
0003548548.tif 000002
【００３０】
表１から明らかなように、スピンドライ乾燥後の基板の表面粗さ（凸部の高さ）は、スピンドライ乾燥前に浸漬されたＤＩ水中のＳｉの含有量が高くなる程、大きくなっており、ＤＩ水中のＳｉの含有量が２０ｐｐｂ以下であると基板の表面粗さ（凸部の高さ）（Ｒｐ）は１０ｎｍ未満であるが、２０ｐｐｂを超えると基板の表面粗さ（凸部の高さ）（Ｒｐ）が急激に大きくなる傾向があることがわかる。
また、前洗浄における乾燥はＩＰＡ乾燥であるので基板の表面粗さ（凸部の高さ）（Ｒｐ）は増加しておらず、具体的には前洗浄工程で使用するＤＩ水のＳｉ含有量が２０ｐｐｂであっても、ＩＰＡ乾燥によれば基板の表面粗さ（凸部の高さ）（Ｒｐ）は増加しないことが分かる。
なお、Ｓｉの含有量が５ｐｐｂ、１０ｐｐｂの場合、基板表面に凸部は発見されなかった。Ｓｉの含有量が２０ｐｐｂの場合、凸部は形成されていたが、凸部の高さは最大で４ｎｍ程度で問題にはならなかった。
【００３１】
次に、上記前洗浄後の磁気ディスク用ガラス基板の両面にＮｉＡｌシード層、ＣｒＶ下地層、ＣｏＣｒＰｔＢ磁性層、カーボン保護層、パーフルオロポリエーテル潤滑層を形成してＭＲヘッド用磁気ディスクを得た。
これらの得られた磁気ディスクについてグライドテスト（テスト条件：ＭＲヘッドの浮上高さ２０ｎｍで記録再生を行う場合を想定して、最小浮上高さを１８ｎｍから１０ｎｍまで磁気ヘッドの高さを変化させた）を実施したところ、Ｓｉの含有量が３０ｐｐｂのＤＩ水で洗浄しスピンドライ乾燥を行った磁気ディスク用ガラス基板について一部にグライド不良（グライドテストで不合格となったもの）が発生した。また、Ｓｉの含有量が３０ｐｐｂのＤＩ水で洗浄しスピンドライ乾燥を行った磁気ディスク用ガラス基板であってグライド試験をパスした磁気ディスクについても後発エラーとして、サーマルアスペリティによる再生の誤動作が起こった。一方、Ｓｉの含有量が２０ｐｐｂ以下のＤＩ水で洗浄しスピンドライ乾燥を行った磁気ディスク用ガラス基板については、グライド不良は発生せず、サーマルアスペリティによる再生の誤動作も起らなかった。
【００３２】
（実施例２）
円盤状ガラス基板の主表面を精密研磨して表面粗さがＲｍａｘ＝５．３〜９．３ｎｍ、Ｒａ＝０．６〜１．０ｎｍ、Ｒｐ＝２．８〜５．５ｎｍの複数枚の磁気ディスク用ガラス基板を得た。これらのガラス基板を、中性洗剤、ＤＩ水、ＤＩ水（Ｓｉ含有量３０ｐｐｂ）、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）の洗浄槽（超音波を印加）に順次浸漬し、ＩＰＡ（蒸気乾燥槽）で乾燥して複数枚の磁気ディスク用ガラス基板を得た。
上記で得られた磁気ディスク用ガラス基板の表面上の基板の表面粗さ（凸部の高さ）を原子間力顕微鏡で測定した結果を表２に示す。また、上記で得られた磁気ディスク用ガラス基板の濡れ性を評価したところ、水の接触角は６〜１０°であった。なお、水の接触角は、液適法いう測定方法で行った（以降、同じ測定方法で行った）。
【００３３】
上記ＩＰＡ蒸気乾燥後の磁気ディスク用ガラス基板を、基板上に磁性層等の薄膜を形成する前に、前洗浄として中性洗剤、ＤＩ水（Ｓｉ含有量が、５ｐｐｂ、１０ｐｐｂ、２０ｐｐｂ、３０ｐｐｂ）にそれぞれ浸漬し、スピンドライによって乾燥して複数枚の磁気ディスク用ガラス基板を得た。
このスピンドライ乾燥後の磁気ディスク用ガラス基板の表面上の基板の表面粗さ（凸部の高さ）を原子間力顕微鏡で測定した結果を以下の表２に示す。
【００３４】
【表２】
0003548548.tif 000003
【００３５】
表２から明らかなように、精密研磨後の洗浄はＩＰＡ乾燥であるので基板の表面粗さ（凸部の高さ）（Ｒｐ）は小さく、この洗浄工程で使用するＤＩ水のＳｉ含有量が３０ｐｐｂであっても、ＩＰＡ乾燥によれば基板の表面粗さ（凸部の高さ）（Ｒｐ）は小さいことが分かる。
また、前洗浄工程におけるスピンドライ乾燥後の基板の表面粗さ（凸部の高さ）は、スピンドライ乾燥前に浸漬されたＤＩ水中のＳｉの含有量が高くなる程、大きくなっており、ＤＩ水中のＳｉの含有量が２０ｐｐｂ以下であると基板の表面粗さ）（凸部の高さ）（Ｒｐ）は１０ｎｍ未満であるが、２０ｐｐｂを超えると基板の表面粗さ（凸部の高さ）（Ｒｐ）が急激に高くなる傾向があることがわかる。
なお、Ｓｉの含有量が５ｐｐｂ、１０ｐｐｂの場合、基板表面に凸部は発見されなかった。Ｓｉの含有量が２０ｐｐｂの場合、凸部は形成されていたが、凸部の高さは最大で３ｎｍ程度で問題にはならなかった。
なお、凸部を、ＥＤＳ、ＴＯＦ−ＳＩＭＳにより観察したところ、実施例１と同様のものであることが確認された。
【００３６】
次に、上記前洗浄後の磁気ディスク用ガラス基板の両面にＮｉＡｌシード層、ＣｒＶ下地層、ＣｏＣｒＰｔＢ磁性層、カーボン保護層、パーフルオロポリエーテル潤滑層を形成してＭＲヘッド用磁気ディスクを得た。
これらの得られた磁気ディスクについてグライドテスト（テスト条件：ＭＲヘッドの浮上高さ２０ｎｍで記録再生を行う場合を想定して、最小浮上高さを１８ｎｍから１０ｎｍまで磁気ヘッドの高さを変化させた）を実施したところ、Ｓｉの含有量が３０ｐｐｂのＤＩ水で洗浄しスピンドライ乾燥を行った磁気ディスク用ガラス基板について一部にグライド不良が発生した。また、Ｓｉの含有量が３０ｐｐｂのＤＩ水で洗浄しスピンドライ乾燥を行った磁気ディスク用ガラス基板であってグライド試験をパスした磁気ディスクについても後発エラーとして、サーマルアスペリティによる再生の誤動作が起こった。一方、Ｓｉの含有量が２０ｐｐｂ以下のＤＩ水で洗浄しスピンドライ乾燥を行った磁気ディスク用ガラス基板については、グライド不良は発生せず、サーマルアスペリティによる再生の誤動作も起らなかった。
【００３７】
以上のように、ＭＲヘッドの浮上高さ２０ｎｍで記録再生を行う磁気ディスクに使用する磁気ディスク用ガラス基板については、磁気ディスク用ガラス基板の洗浄・乾燥工程で使用する水に含まれるＳｉの含有量を、２０ｐｐｂ以下にすれば、磁気ヘッドを低浮上化でき、サーマルアスペリティを防止できる磁気ディスク用ガラス基板、及び磁気ディスクが得られることが分かる。
【００３８】
（実施例３）
実施例２において、前洗浄する前にガラス基板表面を親水化処理（具体的にはケイフッ酸処理）をした以外は実施例２と同様にして磁気ディスク用ガラス基板を得た。親水化処理後の基板表面の濡れ性を評価したところ、水の接触角は４〜８°であった。
前洗浄後の基板の表面粗さ（凸部の高さ）を原子間力顕微鏡で測定したところ、実施例２と比べて約０．５〜１割、基板の表面粗さ（凸部の高さ）が低減していた。これは、基板表面の濡れ性が良くなったことにより、ＤＩ水の水滴が広がり乾燥したので、凸部を構成する成分が分散されたためと考えられる。
前洗浄後の基板の表面粗さ（凸部の高さ）を原子間力顕微鏡で測定した結果を以下の表３に示す。
【００３９】
【表３】
0003548548.tif 000004
【００４０】
この磁気ディスク用ガラス基板の両面にＮｉＡｌシード層、ＣｒＶ下地層、ＣｏＣｒＰｔＢ磁性層、カーボン保護層、パーフルオロポリエーテル潤滑層を形成してＭＲヘッド用磁気ディスクを得た。
これらの得られた磁気ディスクについてグライドテスト（テスト条件：ＭＲヘッドの浮上高さが２０ｎｍの記録再生を行う場合を想定して、最小浮上高さを１８ｎｍから１０ｎｍまで磁気ヘッドの高さを変化させた）を実施したところ、Ｓｉの含有量が３０ｐｐｂで洗浄・乾燥処理を行った磁気ディスク用ガラス基板について一部にグライド不良が発生した。また、Ｓｉの含有量が３０ｐｐｂで洗浄・乾燥処理を行った磁気ディスク用ガラス基板であってグライド試験をパスした磁気ディスクでも後発エラーとして、サーマルアスペリティによる再生の誤動作が起こった。
上記実施例１〜３の表１〜３に示すように、洗浄・乾燥工程に使用する水に含まれるＳｉの含有量と、洗浄・乾燥工程を経て得られた基板表面（スピンドライ乾燥後や、ＩＰＡ乾燥後や、親水化処理後）に付着する凸部の高さ（基板表面粗さ）の関係を予め把握しておく。そして、スライダーを浮上走行させたときに、ヒットや記録再生時のエラーとならない凸部の高さ（基板表面粗さ）の許容値と、前記凸部の高さとを対比し、凸部の高さが前記許容値以下になるように、水に含まれるＳｉの含有量の許容値を決定する。洗浄・乾燥工程に使用する水として、決定したＳｉの含有量の許容値以下を使用することにより、確実にグライド不良や、サーマルアスペリティによる再生の誤動作を防止することができる。尚、上記実施例では、Ｓｉについて着目したが、Ｃ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒといった他の元素に着目し、上記実施例と同様に、洗浄・乾燥工程後の凸部の高さ（基板表面粗さ）との関係を求めることもできる。
【００４１】
なお、本発明は上述した実施例に限定されるものではない。
例えば、基板材料は、ガラスに限定されない。例えば、アルミニウム、シリコン、カーボン、セラミック、チタン等の各種材料であっても構わない。また、ガラスの硝種は限定されず、ガラスには化学強化ガラス、結晶化ガラスなども含まれる。
また、用途として磁気ディスク用基板に限らず、光ディスク用基板、光磁気ディスク用基板にも適用できることは言うまでもない。
さらに、親水化処理としては、上述の方法以外に、ＫＯＨ、ＮａＯＨ等のアルカリ処理、希硫酸、硝酸等の酸処理、紫外線照射によるオゾン酸化などが挙げられる。
また、本発明における洗浄・乾燥工程は、実施例で示した洗浄・乾燥方法及び工程には限定されない。
【００４２】
【発明の効果】
以上説明したように本発明では、Ｃ、Ｏ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒのうちの少なくとも一種を含む凸部の原因となる洗浄・乾燥工程で使用する水に含まれるＣ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒのうち少なくとも一種の元素の含有量を、製品不良を回避できる含有量となるように決定・制御しているので、製品不良を回避できる。
具体的には、基板表面に洗浄・乾燥工程を経てもＣ、Ｏ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒのうちの少なくとも一種を含む凸部が形成されないか、あるいは、ヒットやエラーの発生する高さの凸部が形成されないので、ヘッドクラッシュや、サーマルアスペリティによる記録・再生機能の低下を防止することができる磁気記録媒体用基板及び磁気記録媒体が得られる。同様に、情報記録媒体の記録・再生時のエラーなどの欠陥要因を排除できる。