【事件の表示】
　平成１０年特許願第２３７２５３号「電子部品の半田付け方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　３月　３日出願公開、特開２０００−　６８６３９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
［１］手続の経緯
　本願は、平成１０年８月２４日の出願であって、平成１９年１月２４日付けで拒絶理由通知がなされ、同年３月２７日付けで意見書及び手続補正書が提出され、同年５月１４日付けで最後の拒絶理由通知がなされ、同年７月１８日付けで意見書及び手続補正書が提出され、同年８月１３日付けで平成１９年７月１８日付け手続補正書による手続補正は却下されるとともに、同日付けで、平成１９年５月１４日付け拒絶理由通知書に記載した理由によって拒絶査定がなされ、これに対し、平成１９年９月２０日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、平成１９年１０月９日付けで手続補正書が提出されたものである。
　
［２］平成１９年１０月９日付け手続補正の却下について
＜結論＞
　　平成１９年１０月９日付け手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
＜理由＞
（２−１）補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲を
「【請求項１】電子部品を半田付けしようとする部材にリフロー半田付けによって半田付けするものにおいて、前記電子部品を半田付けしようとする部材に半田ペーストを供給する工程と、窒素または水素の雰囲気で、前記半田ペーストを、前記電子部品を半田付けしようとする部材に接する面を除く他の全ての表面が前記雰囲気に晒された状態にて、当該半田ペースト中の半田の溶融温度以下の温度である７０〜１５０℃に加熱して低沸点成分を蒸発させる工程と、前記半田ペースト上に前記電子部品を搭載する工程と、前記半田ペーストをリフロー加熱して当該半田ペースト中の半田を溶融させ、前記電子部品を前記電子部品を半田付けしようとする部材に半田付けする工程とを順に実行してなる電子部品の半田付け方法。」とする補正を含むものである。
　
（２−２）補正の目的
　上記補正は、補正前の請求項１を削除するとともに、当該請求項１を引用する補正前の請求項２における「半田ペーストを…加熱して低沸点成分を蒸発させる工程」について、「大気または窒素もしくは水素の雰囲気で」を「窒素または水素の雰囲気で、」とし、さらに「前記電子部品を半田付けしようとする部材に接する面を除く他の全ての表面が前記雰囲気に晒された状態にて」という限定を行うものであり、請求項の削除、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
（２−３）独立特許要件
　そこで、上記補正後の本願請求項１に係る発明（以下、「補正後の本願発明」という。）が、特許出願の際、独立して特許を受けられるものかどうかを検討する。
　
（１）刊行物の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された特開平４−２７１１９１号公報（以下、「刊行物１」という。）には、以下の事項が記載されている。
　
（ａ）「図４は、従来例に係る部品実装方法を説明する形成工程図を示している。……図４において、プリント基板１にＩＣ部品３等を実装する方法は、まず、プリント基板１に半田ペースト２の印刷処理をする……。その後、半田ペースト２が印刷処理された該基板１を大気中において常温乾燥処理をする……。次いで、該乾燥処理後に、その常温乾燥処理されたプリント基板にＩＣ部品３等の位置合わせ処理をする……。そして、位置合わせ処理されたプリント基板１とＩＣ部品３とを熱処理する……。これにより、プリント基板１にＩＣ部品３等を実装することができる。」（第２頁、【０００７】−【０００８】）
　
（ｂ）「ところで従来例によれば、……半田ペースト２が印刷処理された該基板１が大気中において常温乾燥処理されている。……このため、……熱処理時に半田やその他の物質４が飛沫したり、それが原因となって半田ブリッジ等を発生するという問題がある。……これは、半田ペースト２を形成する際に、スクリーン印刷を容易にするために含有されたイソプロピルアルコール溶剤……が常温乾燥処理のときに、半田ペースト２から完全に抜けきれずに残留していたことにより、熱膨張したものと考えられる……これにより、当該プリント基板１の実装信頼度が低下したり、生産歩留まりが低下するという問題がある。……プリント基板に印刷された半田ペースト（接合部材）を大気中において常温乾燥させることなく、……」（第２頁、【０００９】−【００１４】）
　
（ｃ）「……位置合わせ処理されたプリント基板…とＩＣ部品…とを熱処理する。この際の熱処理（リフロー処理）は、２００〔°〕程度、数分間程度の加熱処理方法により行う。これにより、ＩＣ部品…をプリント基板…に実装することができる。……」（第３頁、【００２７】）
　
（ｄ）図４には、従来例に係る部品実装方法を説明する形成工程図が示されており、その工程（ｂ）では、基板表面の半田ペーストが、ＩＣ部品を半田ペーストにより接合しようとする基板に接する面を除く他の全ての表面が大気に晒された状態にて常温乾燥されることが示されている。
　
　また、本願出願前に頒布された特開平５−１８５７６２号公報（以下、「刊行物２」という。）には、以下の事項が記載されている。
　
（ｅ）「ステップＳ１では実施例のマスク…を使用して回路基板の通常パッド及び微細パッド上にクリーム状はんだの一括スクリーン印刷を行い、ステップＳ２では各パッドの通常ピッチ部品及び微細ピッチ部品を一括搭載し、ステップＳ３では窒素雰囲気炉で以下のリフローはんだ付けを行う。即ち、ステップＳ４では略８０℃ではんだペーストの乾燥を１０分〜３０分程度行い、ステップＳ５では１２０℃〜１６０℃で予備加熱を２０秒〜３０秒行い、ステップＳ６ではピーク温度２３０℃で本加熱を行う。……このように、リフロー予備加熱の前に窒素雰囲気中での乾燥工程を入れることにより、はんだペースト中の有機溶剤を蒸発させ、はんだペーストのダレを防ぐことができる。」（第７頁、【００５３】−【００５４】）
　
（２）刊行物１記載の発明
　上記記載事項（ａ）―（ｄ）をまとめると　刊行物１には、
「ＩＣ部品をプリント基板に半田ペーストをリフロー加熱して実装するものにおいて、前記プリント基板に半田ペーストを印刷する工程と、大気中で、前記半田ペーストを、前記ＩＣ部品を半田ペーストにより接合しようとするプリント基板に接する面を除く他の全ての表面が大気に晒された状態にて、常温乾燥処理する工程と、前記半田ペースト上にＩＣ部品を位置合わせする工程と、前記半田ペーストをリフロー加熱して前記ＩＣ部品をプリント基板に実装する工程とを順に実行してなるＩＣ部品の実装方法。」が記載されており、
　上記「実装」は、半田ペーストをリフロー加熱して行うものであり、半田ペースト中の半田の溶融によって接合が行われる「半田付け」であること、また、上記（ｂ）の「イソプロピルアルコール溶剤……が常温乾燥処理のときに、半田ペースト…から完全に抜けきれずに残留していた」との記載によれば、半田ペースト中の低沸点成分である溶剤が、上記乾燥処理により、ある程度蒸発除去されるものと認められるから、上記「乾燥処理」が「低沸点成分を蒸発させる処理」であることは技術的に明らかである。
　　
　よって、刊行物１には、
「ＩＣ部品をプリント基板にリフロー半田付けによって半田付けするものにおいて、前記プリント基板に半田ペーストを印刷する工程と、大気中で、前記半田ペーストを、前記ＩＣ部品を半田ペーストにより接合しようとするプリント基板に接する面を除く他の全ての表面が大気に晒された状態にて、常温で低沸点成分を蒸発させる工程と、前記半田ペースト上にＩＣ部品を位置合わせする工程と、前記半田ペーストをリフロー加熱して当該半田ペースト中の半田を溶融させ、前記ＩＣ部品をプリント基板に半田付けする工程とを順に実行してなるＩＣ部品の半田付け方法。」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているといえる。
　
（３）対比・判断
　補正後の本願発明と引用発明とを対比すると、引用発明における「ＩＣ部品」、「プリント基板」、「印刷」、「位置合わせ」、は、それぞれ、補正後の本願発明における「電子部品」、「電子部品を半田付けしようとする部材」、「供給」、「搭載」に相当する。
　
　したがって、両者は、
「電子部品を半田付けしようとする部材にリフロー半田付けによって半田付けするものにおいて、前記電子部品を半田付けしようとする部材に半田ペーストを供給する工程と、気体雰囲気で、前記半田ペーストを、前記電子部品を半田付けしようとする部材に接する面を除く他の全ての表面が前記雰囲気に晒された状態にて、低沸点成分を蒸発させる工程と、前記半田ペースト上に前記電子部品を搭載する工程と、前記半田ペーストをリフロー加熱して当該半田ペースト中の半田を溶融させ、前記電子部品を前記電子部品を半田付けしようとする部材に半田付けする工程とを順に実行してなる電子部品の半田付け方法。」である点で一致し、
　
　気体雰囲気で、前記半田ペーストを、前記電子部品を半田付けしようとする部材に接する面を除く他の全ての表面が前記雰囲気に晒された状態にて、低沸点成分を蒸発させる工程が、補正後の本願発明では、窒素または水素の雰囲気で、当該半田ペースト中の半田の溶融温度以下の温度である７０〜１５０℃に加熱して行われるのに対し、引用発明では、大気中、常温で行われる点でのみ相違する。
　
　そこで、上記相違点について検討すると、
上記記載事項（ｂ）によれば、引用発明における「大気中で、…前記半田ペーストを常温乾燥処理する工程」では、イソプロピルアルコール溶剤（沸点８２．４℃）等が半田ペースト中から抜けきれずに、その後の熱処理（リフロー加熱）時の半田等の飛沫の原因となるものであるから、これがペースト中になるべく残留しないようにした方がよいことは明らかである。
　そして、上記刊行物２には、部品を回路基板にリフローはんだ（半田）付けするにあたり、リフロー予備加熱（１２０℃〜１６０℃）の前に、窒素雰囲気中で略８０℃の乾燥工程を入れることにより、はんだペースト中の有機溶剤を蒸発させることが記載されており、引用発明の半田ペースト中に含まれる溶剤等の低沸点成分が、リフロー加熱前になるべく残留していない状態とするために、窒素雰囲気で、略８０℃（ハンダペースト中の半田の溶融温度以下の温度であることは自明である）で加熱乾燥するという、上記刊行物２に記載の方法を採用することは当業者が容易になしえたことと認める。
　そして、補正後の本願発明が、刊行物１、２の記載事項からは予想しえない効果を奏するものとも認められない。
　よって、補正後の本願請求項１に係る発明は、刊行物１、２に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際、独立して特許を受けることができないものである。
　
（４）むすび
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
［３］本願発明
　平成１９年１０月９日付け手続補正は上記のとおり却下されたので、本願請求項１、２に係る発明は、平成１９年３月２７日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１，２に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明は以下のとおりである。
　
「【請求項１】電子部品を半田付けしようとする部材にリフロー半田付けによって半田付けするものにおいて、前記電子部品を半田付けしようとする部材に半田ペーストを供給する工程と、大気または窒素もしくは水素の雰囲気で、前記半田ペーストを当該半田ペースト中の半田の溶融温度以下で加熱して低沸点成分を蒸発させる工程と、前記半田ペースト上に前記電子部品を搭載する工程と、前記半田ペーストをリフロー加熱して当該半田ペースト中の半田を溶融させ、前記電子部品を前記電子部品を半田付けしようとする部材に半田付けする工程とを順に実行してなる電子部品の半田付け方法。」
　
［４］引用刊行物および対比・判断
　本願請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、補正後の本願発明と比較すると、半田ペーストを加熱して低沸点成分を蒸発させる工程の雰囲気が、窒素もしくは水素の雰囲気に加えて大気雰囲気も含むように拡張し、さらに、同工程に係る「前記電子部品を半田付けしようとする部材に接する面を除く他の全ての表面が前記雰囲気に晒された状態にて、」「７０〜１５０℃」なる限定を解除したものに相当する。
　そこで、本願発明と、上記［２］（２−３）（２）に記載のとおりの、原審の拒絶の理由に引用された刊行物１記載の発明（以下、「引用発明」という。）とを対比すると、両者は、
　半田ペーストの低沸点成分を蒸発させる工程が、本願発明では、半田ペースト中の半田の溶融温度以下で加熱して行われるのに対して、引用発明では、常温で行われる点でのみ相違する。
　そして、上記相違点について検討すると、半田ペースト中の低沸点成分を蒸発させるために、半田ペースト中の半田の溶融温度以下で加熱することは、本願出願前周知の技術であり（例えば、原審の拒絶の理由に引用された特開平２−２０１９９７号公報の第２図には、加熱乾燥時のクリーム半田中の溶剤揮発量が、１００℃で加熱すると、室温乾燥に比べてかなり増加することが示されている。また、特開昭６２−４７１９３号公報の第２頁右上欄第１２〜１５行には、「クリームはんだの融点よりも低温でかつ溶剤の沸点よりもやや高い温度にて、相当に長い時間をかけてプリヒートを行い、クリームはんだ中の溶剤を除去する」なる記載がある）、引用発明において、半田ペースト中に溶剤等の低沸点成分がなるべく残留しないように、半田の溶融温度以下で加熱して蒸発を行うことは当業者が容易になしえたことと認める。
　そして、本願発明が、刊行物１の記載事項および周知技術からは予想しえない効果を奏するものとも認められない。
　よって、本願発明は、刊行物１に記載された発明および周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
［５］むすび
　以上のとおりであるから、本願請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　そのため、本願請求項２に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、上記のとおり審決する。