【事件の表示】
　平成１０年特許願第１９９１６７号「アモルファス膜の結晶化方法および薄膜トランジスタ」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　４月　９日出願公開、特開平１１−　９７７１０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成１０年７月１４日（パリ条約による優先権主張１９９７年７月１５日、アメリカ合衆国）の出願であって、平成１８年３月２３日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年４月２０日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日付けで手続補正がなされ、その後当審において、平成２０年７月４日付けで審尋がなされ、同年８月２６日に回答書が提出されたものである。
　
　
第２．平成１８年４月２０日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）について
　［補正の却下の決定の結論］
　平成１８年４月２０日付けの手続補正を却下する。
　［理由］
（１）本件補正の内容
　本件補正は、補正前の特許請求の範囲の請求項１ないし１６を、補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし１４と補正するものであって、補正後の特許請求の範囲の請求項１及び１４は以下のとおりである。
「【請求項１】　リーク電流の小さい薄膜トランジスタの形成における、アモルファス膜の結晶化方法であって、
　（ａ）５００Å以上の膜厚を有するアモルファスシリコン膜を、ガラスからなる透明基板上に堆積させる工程と、
　（ｂ）該アモルファスシリコン膜の選択領域の上に接するように、３０Å〜６１Åの範囲の第２の膜厚を有するニッケル膜を堆積させる工程と、
　（ｃ）該ニッケル膜の下にある、前記アモルファスシリコン膜の前記選択領域が使われてニッケルシリサイドが形成されるように、該工程（ａ）および（ｂ）でそれぞれ堆積された前記アモルファスシリコン膜およびニッケル膜を、２５０℃〜５５０℃の範囲の温度で３０秒未満の間、アニールする工程と、
　（ｄ）次いで、反応していない前記ニッケル膜を取り除いた後に、前記アモルファスシリコン膜を予熱して４００℃〜５００℃の範囲の温度とし、その後に、５５０℃〜１４００℃の範囲の平均温度まで、１０℃／秒を上回る昇温速度で昇温させて、該平均温度で１ナノ秒〜１０，０００秒の範囲の時間、前記ニッケルシリサイドが形成された前記アモルファスシリコン膜をアニールして、前記アモルファスシリコン膜の少なくとも一部分を多結晶シリコンに変える工程とを包含する、方法。」
「【請求項１４】　アモルファス膜の結晶化方法であって、
　（ａ）５００Å以上の膜厚を有するアモルファスシリコン膜を堆積させる工程と、
　（ｂ）次いで、５平方ミクロンの表面積を有する、該アモルファスシリコン膜の選択領域に接するように、３０Åの膜厚を有するニッケル膜を堆積させる工程と、
　（ｃ）次いで、該ニッケル膜に接する、前記アモルファスシリコン膜の前記選択領域にニッケルシリサイドが形成されるように、前記工程（ａ）および（ｂ）でそれぞれ堆積されたアモルファスシリコン膜およびニッケル膜を、２５０℃〜５５０℃の範囲の温度で３０秒未満の間、アニールする工程と、
　（ｄ）次いで、反応していない前記ニッケル膜を取り除いた後に、前記アモルファスシリコン膜を予熱して４００℃〜５００℃の範囲の温度とし、その後に、７３０℃の温度まで、１０℃／秒を上回る昇温速度で昇温させて、７３０℃の温度で１ナノ秒〜１０，０００秒の範囲の時間、前記ニッケルシリサイドが形成された前記アモルファスシリコン膜をアニールし、該アモルファスシリコン膜の少なくとも一部分を多結晶膜に変える工程とを包含する、方法。」
　
（２）補正事項の整理
　本件補正の補正後の請求項１及び１４についての補正事項を整理すると、以下のとおりである。
　［補正事項１］
　補正前の請求項１の「（ａ）第１の膜厚を有するアモルファスシリコン膜を堆積させる工程」を、補正後の請求項１の「（ａ）５００Å以上の膜厚を有するアモルファスシリコン膜を、ガラスからなる透明基板上に堆積させる工程」と補正すること。
　［補正事項２］
　補正前の請求項１の「（ｂ）該アモルファスシリコン膜の選択領域の上に接するように、１４Å〜６１Åの範囲の第２の膜厚を有するニッケル膜を堆積させる工程」を、補正後の請求項１の「（ｂ）該アモルファスシリコン膜の選択領域の上に接するように、３０Å〜６１Åの範囲の第２の膜厚を有するニッケル膜を堆積させる工程」と補正すること。
　［補正事項３］
　補正前の請求項１の「（ｄ）次いで、反応していない前記ニッケル膜を取り除いた後に、５５０℃〜１４００℃の範囲の平均温度で１ナノ秒〜１０，０００秒の範囲の時間、前記ニッケルシリサイドが形成された前記アモルファスシリコン膜をアニールして、前記アモルファスシリコン膜の少なくとも一部分を多結晶シリコンに変える工程」を、補正後の請求項１の「（ｄ）次いで、反応していない前記ニッケル膜を取り除いた後に、前記アモルファスシリコン膜を予熱して４００℃〜５００℃の範囲の温度とし、その後に、５５０℃〜１４００℃の範囲の平均温度まで、１０℃／秒を上回る昇温速度で昇温させて、該平均温度で１ナノ秒〜１０，０００秒の範囲の時間、前記ニッケルシリサイドが形成された前記アモルファスシリコン膜をアニールして、前記アモルファスシリコン膜の少なくとも一部分を多結晶シリコンに変える工程」と補正すること。
　［補正事項４］
　補正前の請求項１６を補正後の請求項１４に繰り上げること。
　［補正事項５］
　補正前の請求項１６の「（ｄ）次いで、反応していない前記ニッケル膜を取り除いた後に、７３０℃の温度で１ナノ秒〜１０，０００秒の範囲の時間、前記ニッケルシリサイドが形成された前記アモルファスシリコン膜をアニールし、該アモルファスシリコン膜の少なくとも一部分を多結晶膜に変える工程」を、補正後の請求項１４の「（ｄ）次いで、反応していない前記ニッケル膜を取り除いた後に、前記アモルファスシリコン膜を予熱して４００℃〜５００℃の範囲の温度とし、その後に、７３０℃の温度まで、１０℃／秒を上回る昇温速度で昇温させて、７３０℃の温度で１ナノ秒〜１０，０００秒の範囲の時間、前記ニッケルシリサイドが形成された前記アモルファスシリコン膜をアニールし、該アモルファスシリコン膜の少なくとも一部分を多結晶膜に変える工程」と補正すること。
　
（３）本件補正についての検討（その１）
　まず、本件補正に関し、補正の目的について以下に検討する。
［補正事項３について］
　補正事項３についての補正は、実質的に、「前記アモルファスシリコン膜を予熱して４００℃〜５００℃の範囲の温度と」するという事項（予熱工程）及び「その後に、５５０℃〜１４００℃の範囲の平均温度まで、１０℃／秒を上回る昇温速度で昇温させ」るという事項（昇温工程）を追加するものであるが、当該追加された事項（工程）はいずれも新たな工程であるから、補正前の請求項１に記載された発明を特定するための事項を概念的に下位に限定するものではない。
　よって、補正事項３についての補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当しない。また、当該補正が、同法第１７条の２第４項のその余のいずれの号に掲げる事項を目的とするものにも該当しないことは明らかである。
［補正事項５について］
　補正事項５についての補正は、実質的に、「前記アモルファスシリコン膜を予熱して４００℃〜５００℃の範囲の温度と」するという事項（予熱工程）及び「その後に、７３０℃の温度まで、１０℃／秒を上回る昇温速度で昇温させ」るという事項（昇温工程）を追加するものであるが、当該追加された事項（工程）はいずれも新たな工程であるから、補正前の請求項１６に記載された発明を特定するための事項を概念的に下位に限定するものではない。
　よって、補正事項５についての補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当しない。また、当該補正が、同法第１７条の２第４項のその余のいずれの号に掲げる事項を目的とするものにも該当しないことは明らかである。
　したがって、補正事項３を含む補正後の請求項１についての補正、及び、補正事項５を含む補正後の請求項１４についての補正は、いずれも平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定を満たしていない。
　
　以上のとおりであるから、請求項１についての補正及び請求項１４についての補正を含む本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定を満たしていない。
　
（４）本件補正についての検討（その２）
　上記（３）において検討したとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしていないが、仮に、補正後の請求項１についての補正が当該要件を満たしており、かつ、同法同条同項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するものとした場合において、本件補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて、さらに検討を進める。
　
（４−１）補正後の請求項に係る発明
　補正後の請求項１に係る発明は、「第２．（１）本件補正の内容」の「請求項１」に記載されたとおりのものである。
　
（４−２）刊行物に記載された発明
　刊行物１：特開平７−２２６３７３号公報
　原審の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された特開平７−２２６３７３号公報（以下、「刊行物１」という。）には、図１、図２及び図７とともに、以下の事項が記載されている。
　
「【０００１】
・・・特に本発明は、ＭＯＳ型素子として絶縁表面上に形成された薄膜半導体トランジスタ等の薄膜半導体素子を使用する装置に関し、薄膜トランジスタの活性層が結晶性シリコンより形成された薄膜トランジスタを有する装置に関する。」
「【０００６】最近、絶縁基板上に、薄膜状の活性層（活性領域ともいう）を有する絶縁ゲイト型の半導体装置の研究がなされている。特に、薄膜状の絶縁ゲイトトランジスタ、いわゆる薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が熱心に研究されている。これらは、透明な絶縁基板上に形成され、マトリクス構造を有する液晶等の表示装置において、各画素の制御に利用すること、およびそのマトリクスの駆動に利用すること、あるいは同じく絶縁基板上に形成されたイメージセンサーの駆動回路に利用することが目的であり、利用する半導体の材料・結晶状態によって、アモルファスシリコンＴＦＴや結晶性シリコン（多結晶シリコンともいう）ＴＦＴというように区別されている。
【０００７】最近では結晶性シリコンとアモルファスの中間的な状態を呈する材料も利用する研究がなされている。中間的な状態については議論がなされているが、本明細書では、何らかの熱的プロセス（例えば、４５０℃以上の温度での熱アニールやレーザー光等の強力なエネルギーを照射すること）によって何らかの結晶状態に達したものを全て結晶性シリコンと称することとする。」
「【００２３】本発明人は、従来の固相結晶化の考えとは全く別に、何らかの触媒作用によって、前記の過程の障壁エネルギーを低下させることを考えた。本発明人はニッケル（元素記号Ｎｉ）、・・・がシリコンと結合しやすい。
【００２４】例えば、ニッケルの場合、・・・この反応式は、ニッケルがアモルファスシリコンを結晶シリコンに造り変えながら進行してゆくことを示している。実際には、５８０℃以下で、反応が開始され、４５０℃でも反応が観測されることが明らかになった。当然のことであるが、温度が高いほど反応の進行する速度が速い。また、同様な効果は、上記に示した他の金属元素でも認められた。」
「【００２９】本発明によって作製した結晶シリコン膜をＴＦＴ、ダイオード、抵抗等の半導体素子に利用する上で、上記の説明から明らかなように、結晶化の終端（ここは、複数の出発点から開始された結晶化がぶつかる部分であるが）では、大きな粒界（結晶性の不連続な部分）が存在し、また、ニッケル等の結晶化を促進する金属元素の濃度が高いので、半導体素子を設けることは好ましくない。したがって、本発明を利用して半導体素子を形成するにあたっては、結晶化の出発点となるニッケル等の結晶化を促進する金属元素含有物被膜のパターンと半導体素子のパターンとを最適化しなければならない。」
「【００３３】本発明において、注意しなければならないことはシリコン膜中の金属元素の濃度である。量が少ないことに越したことはないが、それ以上に、常に量が一定に保たれることも重要である。すなわち、金属元素の量の変動が多ければ、製造現場でロットごとに結晶化の度合いに大きな変動が生じるからである。特に、金属元素の量が少ないことが要求されると、量の変動を小さくすることはますます困難となる。」
「【００３６】この場合には、熱処理（プレアニール）の温度と時間によって、得られる珪化物層の厚さが決定される。金属膜の厚さはほとんど関係ない。このため、アモルファスシリコン膜中に導入される非常に微量な金属元素の量を制御することができる。」
「【００５２】
【実施例】
〔実施例１〕  本実施例は、コーニング７０５９ガラス基板上の島状の複数のニッケル膜を形成し、これらを出発点としてアモルファスシリコン膜の結晶化をおこない、得られた結晶シリコン膜を用いてＴＦＴを作製する方法について記述する。島状のニッケル膜を形成する方法には、それをアモルファスシリコン膜の上に設けるか、下に設けるかという点で２つの方法がある。図２（Ａ−１）は下に設ける方法であり、図２（Ａ−２）は上に設ける方法である。」
「【００５４】いずれの場合も、基板（コーニング７０５９）１Ａ上には、厚さ２０００Åの下地酸化珪素膜１ＢをプラズマＣＶＤ法によって形成した。また、アモルファスシリコン膜１は厚さ２００〜３０００Å、好ましくは５００〜１５００Åとし、プラズマＣＶＤ法もしくは減圧ＣＶＤ法によって作製した。」
「【００５５】一方、図２（Ａ−２）の場合には、アモルファスシリコン膜１の形成の後にスパッタ法によってニッケル膜を厚さ５０〜１０００Å、好ましくは１００〜５００Å堆積し、これをパターニングして島状ニッケル領域２を形成した。この様子を上方から見た図面を図１（Ａ）に示す。」
「【００５９】以上の工程で結晶シリコンを得ることができるが、このときに生じる珪化ニッケル３Ａからニッケルが半導体被膜中に拡散することは好ましくない。したがって、フッ酸もしくは塩酸でニッケルの集中している高濃度領域をエッチング除去することが望まれる。・・・ＴＦＴの配置に関しては、その例を図１（Ｃ）に示すが、半導体領域６は粒界４を横切らないように配置した。すなわち、ニッケルの左右により、被膜の厚さ方向ではなく、基板に平行な方向に横方向の結晶成長の領域にＴＦＴを形成することである。すると、結晶の成長方向も一様に揃い、また、残存ニッケルも極めて少なくできる。結果として高いＴＦＴ特性を得ることができる。一方、ゲイト配線７は粒界４を横切ってもよい。」
「【００７４】〔実施例４〕  図７に本実施例を示す。本実施例は、ニッケル膜とアモルファスシリコン膜の一部を最初の熱処理（プレアニール）によって反応させて珪化物を得て、さらに未反応のニッケル膜を除去してから、アニールをおこなって、結晶化させる方法に関するものである。
【００７５】基板（コーニング７０５９番）７０１上に、下地の酸化珪素膜（厚さ２０００Å）をスパッタ法によって形成した。そして、プラズマＣＶＤ法によって、厚さ３００〜８００Å、例えば５００Åのシリコン膜７０３を成膜した。さらに、プラズマＣＶＤ法によって酸化珪素膜７０４を形成した。この酸化珪素膜７０４はマスク材となる。厚さは５００〜２０００Åが好ましかった。あまりに薄いとピンホールによって意図しない箇所から結晶化が進行し、また、厚すぎると成膜に時間がかかり、量産に適さない。ここでは１０００Åとした。
【００７６】その後、公知のフォトリソグラフィー工程によって酸化珪素膜７０４をパターニングした。そして、スパッタ法によってニッケル膜（厚さ５００Å）７０５を形成した。ニッケル膜の厚さは１００Å以上が好ましかった。（図７（Ａ））
そして、窒素雰囲気中で２５０〜４５０℃で１０〜６０分アニールした（プレアニール工程）。例えば、４５０℃で２０分アニールした。この結果、アモルファスシリコン中に珪化ニッケル層７０６が形成された。この層の厚さは、プレアニールの温度と時間によって決定され、ニッケル膜７０５の厚さはほとんど関与しなかった。（図７（Ｂ））
【００７７】その後、ニッケル膜をエッチングした。エッチングには硝酸系もしくは塩酸系の溶液が適していた。これらのエッチャントでは、ニッケル膜のエッチング中には、珪化ニッケル層はほとんどエッチングされなかった。本実施例では硝酸に緩衝剤として酢酸を加えたエッチャントを用いた。比率は硝酸：酢酸：水＝１：１０：１０とした。ニッケル膜を除去した後、５５０℃、４〜８時間アニールした（結晶化アニール工程）。
【００７８】結晶化アニール工程においてはいくつかの方法を試みた。第１の方法は、図７（Ｃ）のようにマスク材７０４を残したままおこなう方法である。結晶化は図７（Ｃ）の矢印のように進行する。第２は、マスク材を全て除去して、シリコン膜を露出させてアニールをおこなう方法である。第３は、図７（Ｄ）のようにマスク材を除去したのち、新たに酸化珪素や窒化珪素の被膜７０７を保護膜としてシリコン膜表面に形成したのちアニールをおこなう方法である。
【００７９】第１の方法は簡単な方法であるが、プレアニールの段階でマスク材７０４の表面がニッケルと反応しており、これがより高温の結晶化アニール工程で珪酸塩となり、エッチングがしづらくなる。すなわち、シリコン膜とマスク材７０４のエッチングレートがほぼ同じ程度になるため後のマスク材の除去の際に、シリコン膜の露出された部分も大きくエッチングされ、基板上に段差が生じる。
【００８０】第２の方法は極めて簡単であり、結晶化アニール工程前であれば、ニッケルとマスク材の反応が緩やかであるのでエッチングも容易である。しかし、結晶化アニールの際にシリコン表面が全面的に露出されているので、後にＴＦＴ等を作製した場合の特性が悪化した。
【００８１】第３の工程は確実に良質の結晶シリコン膜が得られるであるが、工程が増えて複雑であった。第３の方法の改良した第４の方法として、シリコン表面を露出した状態で炉に投入し、最初に５００〜５５０℃で１時間程度、酸素気流中で加熱することによって表面に２０〜６０Åの薄い酸化珪素膜を形成し、そのまま、窒素気流に切り換えて結晶化アニール条件とする方法を検討した。この方法では、結晶化の初期段階に酸化膜が形成され、しかも、この酸化の段階では珪化ニッケル層のごく近傍が結晶化されているだけで、後にＴＦＴに使用する領域（図の右の部分）では結晶化が起こっていなかった。このため、特に珪化ニッケル層７０６から遠い領域ではシリコン膜の表面が非常に平坦であった。特性は、第２の方法よりも向上し、ほぼ第３の方法と同じであった。
【００８２】このようにして結晶シリコン膜を得た。その後、シリコン膜７０３をパターニングした。かくして、ニッケルの高濃度の値の部分（成長元のある領域）、および成長点（図の矢印の先端の斜線部）を除去して、ニッケルの低濃度領域のみを残存させた。かくして、ＴＦＴの活性層に用いる島状のシリコン領域７０８を形成した。そして、これを覆って、厚さ１２００Åの酸化珪素のゲイト絶縁膜７０９をプラズマＣＶＤ法によって形成した。さらに、燐ドープシリコン膜（厚さ６０００Å）によってゲイト電極７１０と第１層の配線７１１を形成し、ゲイト電極７１０をマスクとして自己整合的に不純物を活性層７０８に注入し、ソース／ドレイン領域７１２を形成した。この後、可視・近赤外の強光を照射し、さらに結晶性を高めることは有効である。さらに、酸化珪素膜（厚さ６０００Å）をプラズマＣＶＤ法によって形成し、層間絶縁物７１３とした。最後に、この層間絶縁物にコンタクトホールを形成し、アルミニウム膜（厚さ６０００Å）によって第２層配線７１４、ソース／ドレイン電極・配線７１５を形成した。以上の工程によって、ＴＦＴが完成された。（図７（Ｅ））」
　
　００７４段落ないし００７７段落の、「〔実施例４〕・・・本実施例は、ニッケル膜とアモルファスシリコン膜の一部を最初の熱処理（プレアニール）によって反応させて珪化物を得て、さらに未反応のニッケル膜を除去してから、アニールをおこなって、結晶化させる方法に関するものである。・・・基板（コーニング７０５９番）７０１上に、下地の酸化珪素膜（厚さ２０００Å）をスパッタ法によって形成した。そして、プラズマＣＶＤ法によって、厚さ３００〜８００Å、例えば５００Åのシリコン膜７０３を成膜した。さらに、プラズマＣＶＤ法によって酸化珪素膜７０４を形成した。この酸化珪素膜７０４はマスク材となる。・・・その後、公知のフォトリソグラフィー工程によって酸化珪素膜７０４をパターニングした。そして、スパッタ法によってニッケル膜（厚さ５００Å）７０５を形成した。・・・（図７（Ａ））　そして、窒素雰囲気中で２５０〜４５０℃で１０〜６０分アニールした（プレアニール工程）。例えば、４５０℃で２０分アニールした。この結果、アモルファスシリコン中に珪化ニッケル層７０６が形成された。・・・（図７（Ｂ））・・・その後、ニッケル膜をエッチングした。・・・これらのエッチャントでは、ニッケル膜のエッチング中には、珪化ニッケル層はほとんどエッチングされなかった。・・・ニッケル膜を除去した後、５５０℃、４〜８時間アニールした（結晶化アニール工程）。」
との記載より、刊行物１の実施例４には、「基板（コーニング７０５９番）７０１上に」、「厚さ」が「例えば５００Åのシリコン膜７０３を成膜」する工程と、「マスク材となる」「酸化珪素膜７０４を形成」する工程と、「酸化珪素膜７０４をパターニング」する工程と、「ニッケル膜（厚さ５００Å）７０５を形成」する工程と、「ニッケル膜とアモルファスシリコン膜の一部を」「例えば、４５０℃で２０分アニール」する工程「（プレアニール工程）」「によって反応させて」、「アモルファスシリコン中に珪化ニッケル層７０６」を「形成」する工程と、「その後」、「珪化ニッケル層はほとんどエッチングされな」いように「未反応の」「ニッケル膜をエッチング」する工程と、「ニッケル膜を除去した後、５５０℃、４〜８時間アニール」する工程「（結晶化アニール工程）」が記載されている。
　また、００７４段落の「本実施例は、ニッケル膜とアモルファスシリコン膜の一部を最初の熱処理（プレアニール）によって反応させて珪化物を得て、さらに未反応のニッケル膜を除去してから、アニールをおこなって、結晶化させる方法に関するものである。」との記載、００８２段落の「このようにして結晶シリコン膜を得た。その後、シリコン膜７０３をパターニングした。」及び「かくして、ＴＦＴの活性層に用いる島状のシリコン領域７０８を形成した。」との記載、０００１段落の「薄膜トランジスタの活性層が結晶性シリコンより形成された薄膜トランジスタ」との記載、０００６段落及び０００７段落の「利用する半導体の材料・結晶状態によって、アモルファスシリコンＴＦＴや結晶性シリコン（多結晶シリコンともいう）ＴＦＴというように区別されている。・・・、本明細書では、何らかの熱的プロセス（例えば、４５０℃以上の温度での熱アニールやレーザー光等の強力なエネルギーを照射すること）によって何らかの結晶状態に達したものを全て結晶性シリコンと称することとする。」との記載より、刊行物１に記載された実施例４は、「結晶化させる方法」であって、具体的には「シリコン膜７０３」を「アモルファスシリコン膜」から「多結晶シリコン」を含む「結晶性シリコン」の膜（００８２段落等、「結晶シリコン膜」と記載されている箇所もある）に変えることであり、「薄膜トランジスタの活性層」「に用いる」ものであることは、明らかである。
　さらに、図７（Ａ）には、「酸化珪素膜７０４をパターニングした」領域において、「シリコン膜７０３」上に「ニッケル膜７０５」が接していることが示されており、図７（Ｂ）には、上記「酸化珪素膜７０４をパターニングした」領域における「ニッケル膜７０５」の下にあった「シリコン膜７０３」中に「珪化ニッケル層７０６」が形成されることが示されている。
　
　したがって、刊行物１には、以下の発明（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されているものと認められる。
「薄膜トランジスタの活性層に用いる、アモルファスシリコン膜を結晶化させる方法であって、
　ガラス基板７０１上に、厚さが例えば５００Åのアモルファスシリコン膜であるシリコン膜７０３を成膜する工程と、
　前記シリコン膜７０３上にマスク材となる酸化珪素膜７０４を形成する工程と、
　前記酸化珪素膜７０４をパターニングする工程と、
　ニッケル膜（厚さ５００Å）７０５を形成することにより、前記酸化珪素膜７０４をパターニングした領域において、前記シリコン膜７０３上に前記ニッケル膜７０５が接するようにする工程と、
　前記ニッケル膜７０５と前記シリコン膜７０３の一部を、例えば、４５０℃で２０分アニールするプレアニール工程によって反応させて、前記酸化珪素膜７０４をパターニングした前記領域における前記ニッケル膜７０５の下にあった前記シリコン膜７０３中に珪化ニッケル層７０６を形成する工程と、
　その後、前記珪化ニッケル層７０６はほとんどエッチングされないように未反応の前記ニッケル膜をエッチング除去する工程と、
　前記ニッケル膜を除去した後、５５０℃、４〜８時間アニールする結晶化アニール工程により、前記シリコン膜７０３をアモルファスシリコン膜から多結晶シリコンを含む結晶性シリコンの膜に変える工程と、
　を包含する、方法。」
　
　刊行物２：特開平３−３３２５号公報
　原審の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された特開平３−３３２５号公報（以下、「刊行物２」という。）には、第１図及び第２図とともに、以下の事項が記載されている。
「〔作用〕 
　上記第１工程によれば、微結晶を含む非晶質のシリコン膜が基板上に形成される。次いで、第２工程において、この非晶質シリコン膜を、シリコン結晶粒成長開始温度以上で９０℃／秒以上の昇温速度となるように加熱すると、シリコン結晶粒が成長する核が発生し、これが成長してシリコン結晶粒となり、隣接する結晶粒と衝突するまで、シリコン結晶粒が成長する。この結果、非晶質シリコン膜は、大粒径多結晶シリコン膜となる。
　この時、昇温速度が９０℃／秒以上と極めて大きいと、シリコン結晶粒成長の核の発生速度とシリコン結晶粒の成長速度とを比較すると、後者の方が大きく優位となるため、このような加熱環境においては、多くの核を次々と発生させることながなく、少ない核を基準として、シリコン結晶粒が急激に成長する。この結果、結晶粒の密度が小さくなるために、隣接する結晶に衝突するまでの時間が長くなり、この長い結晶成長時間を確保できるため、一つ一つの結晶粒は大きくなる。これにより、粒径が１μｍ〜５μｍにも及ぶ大結晶粒の多結晶シリコン膜を形成することができる。
　多結晶シリコン膜における結晶粒が大きくなると、小さい結晶の多結晶シリコン膜の場合と比較して、結晶粒間に存在する空隙部の占める体積が小さくなる。この体積が小さくなると、結晶粒間に偏析して、活性化されない不純物量が少なくなる。したがって、本発明によれば、不活性の不純物量を少なくすることにより、結果的に不純物の活性化率を向上することができる。
　この結果、不純物の注入量を少なくしても、シート抵抗を低くすることができ、不純物注入のための処理時間を低減することができる。
　尚、非晶質シリコン膜を結晶化する際のシリコン結晶粒成長開始温度以上における昇温速度を、９０℃／秒以上としたのは、この値未満であると、シリコン結晶粒の成長速度よりも新たな核の発生速度の方が優位となり、シリコン結晶成長のための新たな核が次々と発生するため、多くの核の存在により一つ一つの結晶粒は小さくなる。この結果、粒間の空隙部の占有体積が大きくなり、この空隙に偏析する不純物量も増大化する。そこで、偏析する不純物量を少なくして、不純物の活性化率を向上するすために、上記の如く昇温速度を限定した。」（第２頁左下欄第１７行ないし第３頁右上欄第１行）
「次いで、第１図(2)の工程の後、シリコンウェハを、急速加熱ができる加熱装置に搬入して、非晶質シリコン膜３を、５００℃から１０００℃前後での平均昇温速度を９０℃／秒以上になるように加熱し、加熱終点温度を１０秒以上維持した。
　尚、５００℃未満の加熱では、非シリコン膜中にシリコン結晶粒成長の核は発生しないため、５００℃までの加熱速度は大粒径多結晶シリコン膜を形成する上で特に限定されない。
　第２図は、絶縁膜２上に形成された４０００Åの非晶質シリコン膜３を１０００℃まで、昇温速度を１０℃／秒〜２００℃／秒まで変化させて加熱後、１０秒間この温度を保持し、冷却した後での結晶化したシリコンの平均結晶粒径を示す。
　第２図から理解されるように、昇温速度が９０℃／秒以上であると、急激に結晶粒径が大きくなることが分かる。特に、１００℃／秒以上で平均結晶粒径が顕著に大きくなることが理解されるので、昇温速度は、１００℃／秒以上であることが好ましい。
　したがって、加熱を９０℃／秒を越える速度で行うことにより、結晶粒径が大きいため、最初から多結晶シリコン膜を形成する場合に比較して、粒間の空隙部の占有体積を少なくすることができる。故に、この粒間に偏析される不純物量を少なくして、不純物の活性化効率を向上できる。
　もっとも、９０℃／秒未満の加熱では、大粒径のシリコン結晶粒を形成することは困難である。これは、昇温速度が上記の値未満であると、結晶粒成長のための核が新たに発生して、結晶粒密度が大きくなってしまって、一つ一つの結晶粒が大きく成長するのを制限するためである。」（第３頁左下欄第５行ないし右下欄第１６行）
　
（４−３）対比
　補正後の請求項１に係る発明（以下、「補正発明１」という。）と刊行物１発明とを対比・検討する。
（ア）刊行物１発明の「アモルファスシリコン膜」は、補正発明１の「アモルファス膜」に相当するから、刊行物１発明の「薄膜トランジスタの活性層に用いる、アモルファスシリコン膜を結晶化させる方法」は、補正発明１の「薄膜トランジスタの形成における、アモルファス膜の結晶化方法」に相当する。
（イ）刊行物１発明の「ガラス基板７０１」は、補正発明１の「ガラスからなる透明基板」に相当し、刊行物１発明の「アモルファスシリコン膜であるシリコン膜７０３」は、補正発明１の「アモルファスシリコン膜」に相当するから、刊行物１発明の「ガラス基板７０１上に、厚さが例えば５００Åのアモルファスシリコン膜であるシリコン膜７０３を成膜する工程」は、補正発明１の「５００Å以上の膜厚を有するアモルファスシリコン膜を、ガラスからなる透明基板上に堆積させる工程」に相当する。
（ウ）刊行物１発明の「前記酸化珪素膜７０４をパターニングした領域」は、補正発明１の「選択領域」に相当するから、刊行物１発明の「ニッケル膜」「７０５を形成することにより、前記酸化珪素膜７０４をパターニングした領域において、前記シリコン膜７０３上に前記ニッケル膜７０５が接するようにする工程」は、補正発明１の「該アモルファスシリコン膜の選択領域の上に接するように」「ニッケル膜を堆積させる工程」に相当する。
（エ）刊行物１発明の「珪化ニッケル層７０６」は、補正発明１の「ニッケルシリサイド」に相当する。また、刊行物１発明の「前記ニッケル膜７０５と前記シリコン膜７０３の一部を、例えば、４５０℃で２０分アニールするプレアニール工程によって反応させて」において、「前記酸化珪素膜７０４をパターニングした前記領域における前記ニッケル膜７０５の下にあった前記シリコン膜７０３」が使われていることは明らかであるから、刊行物１発明の「前記ニッケル膜７０５と前記シリコン膜７０３の一部を、例えば、４５０℃で」「アニールするプレアニール工程によって反応させて、前記酸化珪素膜７０４をパターニングした前記領域における前記ニッケル膜７０５の下にあった前記シリコン膜７０３中に珪化ニッケル層７０６を形成する工程」は、補正発明１の「該ニッケル膜の下にある、前記アモルファスシリコン膜の前記選択領域が使われてニッケルシリサイドが形成されるように、該工程（ａ）および（ｂ）でそれぞれ堆積された前記アモルファスシリコン膜およびニッケル膜を、２５０℃〜５５０℃の範囲の温度で」「アニールする工程」に相当する。
（オ）刊行物１発明の「その後、前記珪化ニッケル層７０６はほとんどエッチングされないように未反応の前記ニッケル膜をエッチング除去する」は、補正発明１の「次いで、反応していない前記ニッケル膜を取り除（く）」に相当する。
（カ）刊行物１発明の「５５０℃、４〜８時間アニールする結晶化アニール工程」において、「シリコン膜７０３」が結晶化アニールの対象となっていることは明らかであるから、刊行物１発明の「前記ニッケル膜を除去した後、５５０℃」で「アニールする結晶化アニール工程により、前記シリコン膜７０３をアモルファスシリコン膜から多結晶シリコンを含む結晶性シリコンの膜に変える」は、補正発明１の「反応していない前記ニッケル膜を取り除いた後に、」「５５０℃〜１４００℃の範囲の」「平均温度で」「前記ニッケルシリサイドが形成された前記アモルファスシリコン膜をアニールして、前記アモルファスシリコン膜の少なくとも一部分を多結晶シリコンに変える」に相当する。
　
　したがって、補正発明１と刊行物１発明とは、
「薄膜トランジスタの形成における、アモルファス膜の結晶化方法であって、
　（ａ）５００Å以上の膜厚を有するアモルファスシリコン膜を、ガラスからなる透明基板上に堆積させる工程と、
　（ｂ）該アモルファスシリコン膜の選択領域の上に接するように、ニッケル膜を堆積させる工程と、
　（ｃ）該ニッケル膜の下にある、前記アモルファスシリコン膜の前記選択領域が使われてニッケルシリサイドが形成されるように、該工程（ａ）および（ｂ）でそれぞれ堆積された前記アモルファスシリコン膜およびニッケル膜を、２５０℃〜５５０℃の範囲の温度で、アニールする工程と、
　（ｄ）次いで、反応していない前記ニッケル膜を取り除いた後に、５５０℃〜１４００℃の範囲の平均温度で、前記ニッケルシリサイドが形成された前記アモルファスシリコン膜をアニールして、前記アモルファスシリコン膜の少なくとも一部分を多結晶シリコンに変える工程とを包含する、方法。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
　
［相違点１］
　補正発明１は、「リーク電流の小さい薄膜トランジスタ」であるのに対し、刊行物１発明は、「薄膜トランジスタ」のリーク電流について明らかでない点。
［相違点２］
　「ニッケル膜」の膜厚に関して、補正発明１は、「３０Å〜６１Åの範囲の第２の膜厚を有する」のに対し、刊行物１発明は、「例えば厚さ５００Å」である点。
［相違点３］
　「ニッケルシリサイドが形成されるように」行うアニールの時間に関して、補正発明１は「３０秒未満の間」であるのに対し、刊行物１発明は、「２０分」である点。
［相違点４］
　「前記アモルファスシリコン膜の少なくとも一部分を多結晶シリコンに変える」ためのアニール条件に関して、補正発明１は、「前記アモルファスシリコン膜を予熱して４００℃〜５００℃の範囲の温度とし、その後に、５５０℃〜１４００℃の範囲の平均温度まで、１０℃／秒を上回る昇温速度で昇温させて、該平均温度で１ナノ秒〜１０，０００秒の範囲の時間、前記ニッケルシリサイドが形成された前記アモルファスシリコン膜をアニール」するのに対し、刊行物１発明は、「５５０℃、４〜８時間アニールする」以外のアニール条件に関する具体的な特定がなされていない点。
　
（４−４）相違点の検討
　上記各相違点について、それぞれ検討する。
　
［相違点１について］
Ａ．一般的に、リーク電流を低減することは、薄膜トランジスタにおいて、周知の課題である。また、刊行物１の「・・・ニッケル等の結晶化を促進する金属元素の濃度が高いので、半導体素子を設けることは好ましくない。したがって、本発明を利用して半導体素子を形成するにあたっては、結晶化の出発点となるニッケル等の結晶化を促進する金属元素含有物被膜のパターンと半導体素子のパターンとを最適化しなければならない。」（００２９段落）との記載及び「かくして、ニッケルの高濃度の値の部分（成長元のある領域）、および成長点（図の矢印の先端の斜線部）を除去して、ニッケルの低濃度領域のみを残存させた。かくして、ＴＦＴの活性層に用いる島状のシリコン領域７０８を形成した。」（００８２段落）との記載より、ニッケル濃度が高い領域を避けるようにＴＦＴ（薄膜トランジスタ）の活性層となる領域が選ばれており、リーク電流との関係こそ明記されていないものの、実質的にリーク電流を小さくできる領域が選択されているものと認められる。
　よって、相違点１は、実質的なものではなく、仮に実質的なものであるとしても、刊行物１発明の「薄膜トランジスタ」としてリーク電流の小さいものを採用し、補正発明１のごとく、「リーク電流の小さい薄膜トランジスタ」とすることは、当業者が適宜なし得たことである。
　
［相違点２について］
Ａ．刊行物１の「結晶化の出発点となるニッケル等の結晶化を促進する金属元素」（００２９段落）等の記載からも明らかなように、刊行物１発明における「ニッケル膜７０５」は、「珪化ニッケル層７０６」として「アモルファスシリコン膜であるシリコン膜７０３」の結晶化を促進するための金属元素であるから、上記「ニッケル膜７０５」の具体的な膜厚は、他の条件を考慮しつつ、上記結晶化の促進を可能とする「珪化ニッケル層７０６」が形成される範囲内で、当業者が適宜定めるべきことである。
Ｂ．刊行物１発明における「ニッケル膜（厚さ５００Å）７０５」は、実施例４に基づいたものであるが、刊行物１の実施例１では、「スパッタ法によってニッケル膜を厚さ５０〜１０００Å、好ましくは１００〜５００Å堆積し、これをパターニングして島状ニッケル領域２を形成した。」（００５５段落）と記載されており、ニッケル膜の厚さとして５０〜１０００Åが挙げられている。
Ｃ．よって、刊行物１発明において、「ニッケル膜７０５」の膜厚として例えば５０Åを採用し、補正発明１のごとく、「３０Å〜６１Åの範囲の第２の膜厚を有するニッケル膜」とすることは、当業者が適宜なし得たことである。
　
［相違点３について］
Ａ．刊行物１発明の「プレアニール工程」は、「前記酸化珪素膜７０４をパターニングした前記領域における前記ニッケル膜７０５の下にあったアモルファスシリコン膜である前記シリコン膜７０３中に珪化ニッケル層７０６を形成する」ために行われる工程であるから、アニール時間は、必要とする「珪化ニッケル層７０６」の膜厚やアニール温度等の他の条件を考慮しつつ、当業者が適宜最適化して決定すべきことである。
Ｂ．よって、刊行物１発明において、「プレアニール工程」の時間を最適化した結果、補正発明１のごとく、「３０秒未満の間」とすることは、当業者が適宜なし得たことである。
　
［相違点４について］
Ａ．刊行物１発明の「結晶化アニール工程」は、「５５０℃、４〜８時間」というアニール条件で行っているが、一般的にアニール工程において、アニール温度に達するための昇温工程を前段階として備えていることは、当業者における技術常識であるから、５５０℃に達する前段階として昇温工程を備え、その際に「４００〜５００℃の範囲の温度」を有限時間かけて通過していることは明らかであり、程度の差はあるものの、これが予熱としての役割を果たすことも明らかである。よって、刊行物１発明も、補正発明１のごとく、「前記アモルファスシリコン膜を予熱して４００℃〜５００℃の範囲の温度と」する工程及び「昇温させ」る工程を、「結晶化アニール工程」の前段階として実質的に備えているものと認められる。
Ｂ．ここで、刊行物１発明が実質的に備えている昇温させる工程の昇温速度について、さらに検討する。
　刊行物２の「次いで、第１図(2)の工程の後、シリコンウェハを、急速加熱ができる加熱装置に搬入して、非晶質シリコン膜３を、５００℃から１０００℃前後での平均昇温速度を９０℃／秒以上になるように加熱し、加熱終点温度を１０秒以上維持した。　尚、５００℃未満の加熱では、非シリコン膜中にシリコン結晶粒成長の核は発生しないため、５００℃までの加熱速度は大粒径多結晶シリコン膜を形成する上で特に限定されない。」（第３頁左下欄第５ないし１３行）との記載及び「尚、非晶質シリコン膜を結晶化する際のシリコン結晶粒成長開始温度以上における昇温速度を、９０℃／秒以上としたのは、この値未満であると、シリコン結晶粒の成長速度よりも新たな核の発生速度の方が優位となり、シリコン結晶成長のための新たな核が次々と発生するため、多くの核の存在により一つ一つの結晶粒は小さくなる。」（第３頁左上欄第１０ないし１６行）との記載より、刊行物２には、「シリコン結晶成長のための新たな核が次々と発生」しないように、「非晶質シリコン膜を結晶化する際のシリコン結晶粒成長開始温度以上における昇温速度」を、「シリコン結晶粒の成長速度よりも新たな核の発生速度の方が優位」とならない値以上とする技術思想が記載されている。
　また、刊行物１発明は、「珪化ニッケル層７０６」を用いて「アモルファスシリコン膜であるシリコン膜７０３」の結晶化を行うものであって、意図しない箇所で意図しない結晶化が進行するのを抑制するという課題を当然有していることは、例えば刊行物１の「この酸化珪素膜７０４はマスク材となる。厚さは５００〜２０００Åが好ましかった。あまりに薄いとピンホールによって意図しない箇所から結晶化が進行し、また、厚すぎると成膜に時間がかかり、量産に適さない。」（００７５段落）との記載からも明らかであるから、刊行物１発明の、「結晶化アニール工程」の前段階である昇温させる工程において、昇温速度を設定するにあたり、刊行物２に記載された上記技術思想を採用し、シリコン結晶粒の成長速度よりも新たな核の発生速度の方が優位とならない値以上を選択することは、当業者が容易になし得たことである。
　よって、刊行物１発明において、当該発明が実質的に備えている昇温させる工程の昇温速度を最適化した結果、補正発明１のごとく、「平均温度まで、１０℃／秒を上回る昇温速度で昇温させ」る工程を備えたものとすることは、当業者が容易になし得たことである。
Ｃ．刊行物１発明における「５５０℃、４〜８時間アニールする結晶化アニール工程」は、実施例４に基づいたものであるが、結晶化のためのアニール温度及びアニール時間は、目的に応じて当業者が適宜最適化して決定すべきことである。そして、刊行物１にも「当然のことであるが、温度が高いほど反応の進行する速度が速い。」（００２４段落）と記載されているように、アニール温度によって必要なアニール時間は異なるものであり、また、結晶化させたい領域の大きさ（結晶成長させる距離）によってアニール時間が異なってくることも、当業者における技術常識である。
　よって、刊行物１発明において、「結晶化アニール工程」のアニール条件を目的に応じて最適化し、補正発明１のごとく、「５５０℃〜１４００℃の範囲」の「平均温度で１ナノ秒〜１０，０００秒の範囲の時間」とすることは、当業者が適宜なし得たことである。
Ｄ．したがって、刊行物１発明が、補正発明１のごとく、「前記アモルファスシリコン膜を予熱して４００℃〜５００℃の範囲の温度とし、その後に、５５０℃〜１４００℃の範囲の平均温度まで、１０℃／秒を上回る昇温速度で昇温させて、該平均温度で１ナノ秒〜１０，０００秒の範囲の時間、前記ニッケルシリサイドが形成された前記アモルファスシリコン膜をアニール」する工程を備えたものとすることは、当業者が容易になし得たことである。
　
　よって、補正発明１は、刊行物１及び２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　
（４−５）小むすび 
　したがって、仮に、本件補正が、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしており、かつ、補正後の請求項１に係る発明が、同法同条同項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するとしても、補正後の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものである。 
　
（５）むすび 
 　以上検討したとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしておらず、また仮に、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしているとしても、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものであるから、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。 
　
　
第３．本願発明 
　平成１８年４月２０日付けの手続補正は、上記第２．において検討したとおり却下されたので、本願の請求項１ないし１６に係る発明は、平成１７年８月２５日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし１６に記載された事項により特定されるとおりのものであり、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、その請求項１に記載されている事項により特定される以下のとおりのものである。
　
「【請求項１】　リーク電流の小さい薄膜トランジスタの形成における、アモルファス膜の結晶化方法であって、
　（ａ）第１の膜厚を有するアモルファスシリコン膜を堆積させる工程と、
　（ｂ）該アモルファスシリコン膜の選択領域の上に接するように、１４Å〜６１Åの範囲の第２の膜厚を有するニッケル膜を堆積させる工程と、
　（ｃ）該ニッケル膜の下にある、前記アモルファスシリコン膜の前記選択領域が使われてニッケルシリサイドが形成されるように、該工程（ａ）および（ｂ）でそれぞれ堆積された前記アモルファスシリコン膜およびニッケル膜を、２５０℃〜５５０℃の範囲の温度で３０秒未満の間、アニールする工程と、
　（ｄ）次いで、反応していない前記ニッケル膜を取り除いた後に、５５０℃〜１４００℃の範囲の平均温度で１ナノ秒〜１０，０００秒の範囲の時間、前記ニッケルシリサイドが形成された前記アモルファスシリコン膜をアニールして、前記アモルファスシリコン膜の少なくとも一部分を多結晶シリコンに変える工程とを包含する、方法。」
　
　
第４．刊行物に記載された発明
　刊行物１に記載された事項は、上記「第２．（４−２）刊行物に記載された発明」に記載されるとおりである。 
　また、刊行物１に記載された発明である刊行物１発明は、前記「第２．（４−２）刊行物に記載された発明」に記載されるとおりの、
「薄膜トランジスタの活性層に用いる、アモルファスシリコン膜を結晶化させる方法であって、
　ガラス基板７０１上に、厚さが例えば５００Åのアモルファスシリコン膜であるシリコン膜７０３を成膜する工程と、
　前記シリコン膜７０３上にマスク材となる酸化珪素膜７０４を形成する工程と、
　前記酸化珪素膜７０４をパターニングする工程と、
　ニッケル膜（厚さ５００Å）７０５を形成することにより、前記酸化珪素膜７０４をパターニングした領域において、前記シリコン膜７０３上に前記ニッケル膜７０５が接するようにする工程と、
　前記ニッケル膜７０５と前記シリコン膜７０３の一部を、例えば、４５０℃で２０分アニールするプレアニール工程によって反応させて、前記酸化珪素膜７０４をパターニングした前記領域における前記ニッケル膜７０５の下にあった前記シリコン膜７０３中に珪化ニッケル層７０６を形成する工程と、
　その後、前記珪化ニッケル層７０６はほとんどエッチングされないように未反応の前記ニッケル膜をエッチング除去する工程と、
　前記ニッケル膜を除去した後、５５０℃、４〜８時間アニールする結晶化アニール工程により、前記シリコン膜７０３をアモルファスシリコン膜から多結晶シリコンを含む結晶性シリコンの膜に変える工程と、
　を包含する、方法。」
である。
　
　
第５．対比
　本願発明と刊行物１発明とを対比・検討する。
（ア）刊行物１発明の「アモルファスシリコン膜」は、本願発明の「アモルファス膜」に相当するから、刊行物１発明の「薄膜トランジスタの活性層に用いる、アモルファスシリコン膜を結晶化させる方法」は、本願発明の「薄膜トランジスタの形成における、アモルファス膜の結晶化方法」に相当する。
（イ）刊行物１発明の「アモルファスシリコン膜であるシリコン膜７０３」は、本願発明の「アモルファスシリコン膜」に相当するから、刊行物１発明の「厚さが例えば５００Åのアモルファスシリコン膜であるシリコン膜７０３を成膜する工程」は、本願発明の「第１の膜厚を有するアモルファスシリコン膜を堆積させる工程」に相当する。
（ウ）刊行物１発明の「前記酸化珪素膜７０４をパターニングした領域」は、本願発明の「選択領域」に相当するから、刊行物１発明の「ニッケル膜」「７０５を形成することにより、前記酸化珪素膜７０４をパターニングした領域において、前記シリコン膜７０３上に前記ニッケル膜７０５が接するようにする工程」は、本願発明の「該アモルファスシリコン膜の選択領域の上に接するように」「ニッケル膜を堆積させる工程」に相当する。
（エ）刊行物１発明の「珪化ニッケル層７０６」は、本願発明の「ニッケルシリサイド」に相当する。また、刊行物１発明の「前記ニッケル膜７０５と前記シリコン膜７０３の一部を、例えば、４５０℃で２０分アニールするプレアニール工程によって反応させて」において、「前記酸化珪素膜７０４をパターニングした前記領域における前記ニッケル膜７０５の下にあった前記シリコン膜７０３」が使われていることは明らかであるから、刊行物１発明の「前記ニッケル膜７０５と前記シリコン膜７０３の一部を、例えば、４５０℃で」「アニールするプレアニール工程によって反応させて、前記酸化珪素膜７０４をパターニングした前記領域における前記ニッケル膜７０５の下にあった前記シリコン膜７０３中に珪化ニッケル層７０６を形成する工程」は、本願発明の「該ニッケル膜の下にある、前記アモルファスシリコン膜の前記選択領域が使われてニッケルシリサイドが形成されるように、該工程（ａ）および（ｂ）でそれぞれ堆積された前記アモルファスシリコン膜およびニッケル膜を、２５０℃〜５５０℃の範囲の温度で」「アニールする工程」に相当する。
（オ）刊行物１発明の「その後、前記珪化ニッケル層７０６はほとんどエッチングされないように未反応の前記ニッケル膜をエッチング除去する」は、本願発明の「次いで、反応していない前記ニッケル膜を取り除（く）」に相当する。
（カ）刊行物１発明の「５５０℃、４〜８時間アニールする結晶化アニール工程」において、「シリコン膜７０３」が結晶化アニールの対象となっていることは明らかであるから、刊行物１発明の「前記ニッケル膜を除去した後、５５０℃」で「アニールする結晶化アニール工程により、前記シリコン膜７０３をアモルファスシリコン膜から多結晶シリコンを含む結晶性シリコンの膜に変える」は、本願発明の「反応していない前記ニッケル膜を取り除いた後に、５５０℃〜１４００℃の範囲の平均温度で」「前記ニッケルシリサイドが形成された前記アモルファスシリコン膜をアニールして、前記アモルファスシリコン膜の少なくとも一部分を多結晶シリコンに変える」に相当する。
　
　したがって、本願発明と刊行物１発明とは、
「薄膜トランジスタの形成における、アモルファス膜の結晶化方法であって、
　（ａ）第１の膜厚を有するアモルファスシリコン膜を堆積させる工程と、
　（ｂ）該アモルファスシリコン膜の選択領域の上に接するように、ニッケル膜を堆積させる工程と、
　（ｃ）該ニッケル膜の下にある、前記アモルファスシリコン膜の前記選択領域が使われてニッケルシリサイドが形成されるように、該工程（ａ）および（ｂ）でそれぞれ堆積された前記アモルファスシリコン膜およびニッケル膜を、２５０℃〜５５０℃の範囲の温度で、アニールする工程と、
　（ｄ）次いで、反応していない前記ニッケル膜を取り除いた後に、５５０℃〜１４００℃の範囲の平均温度で、前記ニッケルシリサイドが形成された前記アモルファスシリコン膜をアニールして、前記アモルファスシリコン膜の少なくとも一部分を多結晶シリコンに変える工程とを包含する、方法。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
　
［相違点１］
　本願発明は、「リーク電流の小さい薄膜トランジスタ」であるのに対し、刊行物１発明は、「薄膜トランジスタ」のリーク電流について明らかでない点。
［相違点２］
　「ニッケル膜」の膜厚に関して、本願発明は、「１４Å〜６１Åの範囲の第２の膜厚を有する」のに対し、刊行物１発明は、「例えば厚さ５００Å」である点。
［相違点３］
　「ニッケルシリサイドが形成されるように」行うアニールの時間に関して、本願発明は「３０秒未満の間」であるのに対し、刊行物１発明は、「２０分」である点。
［相違点４］
　「前記アモルファスシリコン膜の少なくとも一部分を多結晶シリコンに変える」ためのアニール条件に関して、本願発明は、「５５０℃〜１４００℃の範囲の平均温度で１ナノ秒〜１０，０００秒の範囲の時間、前記ニッケルシリサイドが形成された前記アモルファスシリコン膜をアニール」するのに対し、刊行物１発明は、「５５０℃、４〜８時間アニールする」点。
　
　
第６．当審の判断
　以下、上記各相違点について、それぞれ検討する。
　
［相違点１について］
Ａ．一般的に、リーク電流を低減することは、薄膜トランジスタにおいて、周知の課題である。また、刊行物１の「・・・ニッケル等の結晶化を促進する金属元素の濃度が高いので、半導体素子を設けることは好ましくない。したがって、本発明を利用して半導体素子を形成するにあたっては、結晶化の出発点となるニッケル等の結晶化を促進する金属元素含有物被膜のパターンと半導体素子のパターンとを最適化しなければならない。」（００２９段落）との記載及び「かくして、ニッケルの高濃度の値の部分（成長元のある領域）、および成長点（図の矢印の先端の斜線部）を除去して、ニッケルの低濃度領域のみを残存させた。かくして、ＴＦＴの活性層に用いる島状のシリコン領域７０８を形成した。」（００８２段落）との記載より、ニッケル濃度が高い領域を避けるようにＴＦＴ（薄膜トランジスタ）の活性層となる領域が選ばれており、リーク電流との関係こそ明記されていないものの、実質的にリーク電流を小さくできる領域が選択されているものと認められる。
　よって、相違点１は、実質的なものではなく、仮に実質的なものであるとしても、刊行物１発明の「薄膜トランジスタ」としてリーク電流の小さいものを採用し、本願発明のごとく、「リーク電流の小さい薄膜トランジスタ」とすることは、当業者が適宜なし得たことである。
　
［相違点２について］
Ａ．刊行物１の「結晶化の出発点となるニッケル等の結晶化を促進する金属元素」（００２９段落）等の記載からも明らかなように、刊行物１発明における「ニッケル膜７０５」は、「珪化ニッケル層７０６」として「アモルファスシリコン膜であるシリコン膜７０３」の結晶化を促進するための金属元素であるから、上記「ニッケル膜７０５」の具体的な膜厚は、他の条件を考慮しつつ、上記結晶化の促進を可能とする「珪化ニッケル層７０６」が形成される範囲内で、当業者が適宜定めるべきことである。
Ｂ．刊行物１発明における「ニッケル膜（厚さ５００Å）７０５」は、実施例４に基づいたものであるが、刊行物１の実施例１では、「スパッタ法によってニッケル膜を厚さ５０〜１０００Å、好ましくは１００〜５００Å堆積し、これをパターニングして島状ニッケル領域２を形成した。」（００５５段落）と記載されており、ニッケル膜の厚さとして５０〜１０００Åが挙げられている。
Ｃ．よって、刊行物１発明において、「ニッケル膜７０５」の膜厚として例えば５０Åを採用し、本願発明のごとく、「１４Å〜６１Åの範囲の第２の膜厚を有するニッケル膜」とすることは、当業者が適宜なし得たことである。
　
［相違点３について］
Ａ．刊行物１発明の「プレアニール工程」は、「前記酸化珪素膜７０４をパターニングした前記領域における前記ニッケル膜７０５の下にあったアモルファスシリコン膜である前記シリコン膜７０３中に珪化ニッケル層７０６を形成する」ために行われる工程であるから、アニール時間は、必要とする「珪化ニッケル層７０６」の膜厚やアニール温度等の他の条件を考慮しつつ、当業者が適宜最適化して決定すべきことである。
Ｂ．よって、刊行物１発明において、「プレアニール工程」の時間を最適化した結果、本願発明のごとく、「３０秒未満の間」とすることは、当業者が適宜なし得たことである。
　
［相違点４について］
Ａ．刊行物１発明における「５５０℃、４〜８時間アニールする結晶化アニール工程」は、実施例４に基づいたものであるが、結晶化のためのアニール温度及びアニール時間は、目的に応じて当業者が適宜最適化して決定すべきことである。そして、刊行物１にも「当然のことであるが、温度が高いほど反応の進行する速度が速い。」（００２４段落）と記載されているように、アニール温度によって必要なアニール時間は異なるものであり、また、結晶化させたい領域の大きさ（結晶成長させる距離）によってアニール時間が異なってくることも、当業者における技術常識である。
　よって、刊行物１発明において、「結晶化アニール工程」のアニール条件を目的に応じて最適化し、本願発明のごとく、「５５０℃〜１４００℃の範囲の平均温度で１ナノ秒〜１０，０００秒の範囲の時間、前記ニッケルシリサイドが形成された前記アモルファスシリコン膜をアニール」する工程を備えたものとすることは、当業者が適宜なし得たことである。
　
　したがって、本願発明は、刊行物１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　
　
第７．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、請求項２ないし１６に係る発明について検討するまでもなく、特許法第２９条第２項の規定により拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。