Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月12日(2015.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザー光を対物レンズにより集光して光ディスクの情報記録面に照射し、前記情報記録面からの反射光を電気信号に変換する光ピックアップのシーク制御装置であって、
前記光ピックアップが、少なくとも加速期間及び減速期間を含む目標速度プロファイルに沿って移動して目標位置に到達するよう、スレッドモーターを制御するスレッドモーター制御部と、
前記減速期間中に、前記光ピックアップに加えられる加速度がランプ状、あるいは階段状に変化するよう速度を制御する速度制御部とを備え、
前記速度制御部は、前記加速度が加えられる期間の２倍の逆数で与えられる周波数が前記対物レンズのアクチュエータの固有振動周波数領域に含まれないように、前記加速度が加えられる期間を決定する
ことを特徴とするシーク制御装置。
【請求項２】
前記速度制御部は、加速の期間中には、加速度が単一の矩形波に沿って変化するよう速度を制御することを特徴とする請求項１に記載のシーク制御装置。
【請求項３】
前記固有振動周波数領域は、前記アクチュエータのゲインが最も大きくなる固有振動周波数を含み、且つ、前記固有振動周波数におけるゲインとの差が、所定値以内の周波数範囲であることを特徴とする請求項１又は２に記載のシーク制御装置。
【請求項４】
前記速度制御部は、前記加速度が加えられる期間を、前記アクチュエータの温度に応じて変えることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のシーク制御装置。
【請求項５】
レーザー光を対物レンズにより集光して光ディスクの情報記録面に照射し、前記情報記録面からの反射光を電気信号に変換する光ピックアップのシーク制御方法であって、
前記光ピックアップが、少なくとも加速期間及び減速期間を含む目標速度プロファイルに沿って移動して目標位置に到達するようスレッドモーターを制御するモーター制御ステップと、
前記減速期間中に、前記光ピックアップに加えられる加速度がランプ状、あるいは階段状に変化するよう速度を制御する速度制御ステップとを有し、
前記速度制御ステップにおいて、前記加速度が加えられる期間の２倍の逆数で与えられる周波数が前記対物レンズのアクチュエータの固有振動周波数領域に含まれないように、前記加速度が加えられる期間が決定される
ことを特徴とするシーク制御方法。
【請求項６】
前記速度制御ステップにおいて、加速の期間中には、加速度が単一の矩形波に沿って変化するよう速度が制御されることを特徴とする請求項５に記載のシーク制御方法。
【請求項７】
前記固有振動周波数領域は、前記アクチュエータのゲインが最も大きくなる固有振動周波数を含み、且つ、前記固有振動周波数におけるゲインとの差が、所定値以内の周波数範囲であることを特徴とする請求項５又は６に記載のシーク制御方法。
【請求項８】
前記速度制御ステップにおいて、前記加速度が加えられる時間を、前記アクチュエータの温度の変化に応じて変えることを特徴とする請求項５から７のいずれか１項に記載のシーク制御方法。
【請求項９】
請求項５から８のいずれか１項に記載のシーク制御方法の処理をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【請求項１０】
請求項９に記載のプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明に係るシーク制御装置は、
レーザー光を対物レンズにより集光して光ディスクの情報記録面に照射し、前記情報記録面からの反射光を電気信号に変換する光ピックアップのシーク制御装置であって、
前記光ピックアップが、少なくとも加速期間及び減速期間を含む目標速度プロファイルに沿って移動して目標位置に到達するよう、スレッドモーターを制御するスレッドモーター制御部と、
前記減速期間中に、前記光ピックアップに加えられる加速度がランプ状、あるいは階段状に変化するよう速度を制御する速度制御部とを備え、
前記速度制御部は、前記加速度が加えられる期間の２倍の逆数で与えられる周波数が、前記対物レンズのアクチュエータの固有振動周波数領域に含まれないように、前記加速度が加えられる期間を決定する
ことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月4日(2015.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
特許文献１に記載された方法によってバリア性を向上させることができる。しかし、バリア層を接近させて隘路を形成しても侵入断面積が小さくなるだけであるから光等を完全に遮断することはできない。しかも、ヒートシール装置からの熱の伝わり方が外気温等によってばらつくことがあるので侵入断面積を安定させることが困難であり、ひいてはバリア性能も安定しない。また、バリア層同士を接触させるには樹脂を押し退けることになるが、線状接触では一軸方向にしか樹脂を押し退けられないので樹脂の流れ性が悪い。このため、確実に樹脂を押し退けてバリア層同士を接合するには大きい加圧力が必要となる。また、押し退け量が不足して接合界面に樹脂が残っていれば外部からの侵入路となる。線状接触部の一部に未接合部分があれば、光等はそこを通って最短距離で内部に侵入することになるのでバリア性能が不安定になる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
外側層（15）の材料は熱可塑性樹脂層（14）よりも融点の高い樹脂が好ましく、ポリエチレンテレフタレートやポリアミドを推奨できる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
容器外部からもたらされる劣化促進物はバリア層（13）によって完全に遮断されるが、熱可塑性樹脂層（14）には微量が入り込む可能性がある。従って、図４Ａに示す第１封止部（31）の平面視において、外周端面から入り込んだ劣化促進物はヒートシール部（33）のみを辿って容器内に到達し、ヒートシール部（33）が侵入路となる。前記ヒートシール部（33）はバリア層接合部（34）に挟まれて隘路となり、侵入路の断面積が小さくなることで劣化促進物の侵入が抑制される。また、前記ヒートシール部（33）は第１封止部（31）の外周端から内側に至るまで繋がっているものの中間領域（35）では斜め格子形状であるから、劣化促進物の侵入路（38）（39）はバリア層接合部（34）を避けて迂回しながらのジグザグ状の道筋（38）となるか、あるいは斜行直線（39）となる。ジグザグ状の侵入路（38）や斜行直線の侵入路（39）は、第１封止部（31）の周に直交する直線で表される最短距離の道筋（Ｓ）よりも距離が長くなり、侵入路の距離を長くすることで劣化促進物の侵入が抑制される。以上より、本実施形態の第１封止部（31）は劣化促進物の侵入路の断面積を小さくし、かつ侵入路を長くすることで相乗的に侵入が抑制されてバリア性が高められている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
［バリア層接合部の他の形状例および配置例］
図６〜図９に示した封止部（45）（50）（55）（60）は本発明の封止部の他の実施形態である。
（１）図６
封止部（45）は、ヒートシール部（46）中に、封止部（45）の幅方向において平行四辺形の多数のバリア層接合部（47）を１列に配置した例である。１列配置であっても平行四辺形の内角と隣合うバリア層接合部（47）との間隔の設定値によって、封止部（45）の周に直交する任意の直線（Ｓ）上に少なくとも１つのバリア接合部（47）を存在させることができる。図中（48）は最短の侵入路である。
（２）図７
封止部（50）は、ヒートシール部（51）中に、三角形のバリア層接合部（52）を封止部（50）の幅方向において複数列に配置し、かつ三角形の頂点の向きを１列毎に交互に逆転させて配置した例である。この封止部（50）は周に直交する任意の直線（Ｓ）上に少なくとも１つのバリア接合部（52）が存在するだけではなく、直線の侵入路が存在せず、侵入路（53）は全てジグザグ状となる。
（３）図８
封止部（55）は、ヒートシール部（56）中に、円形のバリア層接合部（57）を封止部（55）の幅方向において複数列に配置し、かつ周方向および幅方向の両方向に対してジグザグに斜行させて千鳥状に配置したものである。この封止部（55）は周に直交する任意の直線（Ｓ）上に少なくとも１つのバリア接合部（57）が存在するだけではなく、直線の侵入路が存在せず、侵入路（58）は全てバリア層接合部（57）を迂回して曲がりくねったつづら折状となる。
（４）図９
封止部（60）は、ヒートシール部（61）中に、菱形のバリア層接合部（62）を封止部（60）の幅方向において複数列に配置し、かつ周方向および幅方向の両方向に対してジグザグに斜行させて千鳥状に配置したものである。前記バリア層接合部（62）は２本の対角線の長さが異なる菱形であり、長い方の対角線（63）が周方向に沿うように配置されている。即ち、前記バリア層接合部（62）は周方向に長い菱形である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０】
2014049197.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月24日(2014.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ型半導体よりなる電子供給層を有する窒化物半導体素子において、
前記電子供給層は、
Ａｌx Ｇａ1-x Ｎ（但し、０．０１＜ｘ≦１）の組成を有し、かつ、
ｎ型不純物の濃度が３×１０19／ｃｍ3 以上であり、
厚みが０．５μｍ以上である
ことを特徴とする窒化物半導体素子。
【請求項２】
前記ｎ型不純物は、シリコン（Ｓｉ）であることを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の窒化物半導体素子は、ｎ型半導体よりなる電子供給層を有する窒化物半導体素子において、
前記電子供給層は、
Ａｌx Ｇａ1-x Ｎ（但し、０．０１＜ｘ≦１）の組成を有し、かつ、
ｎ型不純物の濃度が３×１０19／ｃｍ3 以上であり、
厚みが０．５μｍ以上である
ことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月4日(2015.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の面と、前記第１の面と反対側の第２の面を備える誘電体層と、
前記第１の面と前記第２面に連通し、内壁に段差を有する第１の貫通孔と、
前記第１の面と前記第２面に連通する第２の貫通孔と、
前記第１の面に形成された第１の外部電極層と、
前記第２の面に形成された第２の外部電極層と、
前記第１の貫通孔内に形成され、前記第１の外部電極層に接続し前記第２の外部電極層と離間する第１の内部電極と、
前記第２の貫通孔内に形成され、前記第２の外部電極層に接続し前記第１の外部電極層と離間する第２の内部電極と
を具備するコンデンサ。
【請求項２】
請求項１に記載のコンデンサであって、
前記第２の貫通孔は、内壁に段差を有する
コンデンサ。
【請求項３】
請求項２に記載のコンデンサであって、
前記第１の貫通孔は、内壁に２段階の段差を有し、
前記第２の貫通孔は、内壁に２段階の段差を有する
コンデンサ。
【請求項４】
請求項１に記載のコンデンサであって、
前記誘電体層は、陽極酸化作用によって貫通孔を生じる材料からなる
コンデンサ。
【請求項５】
請求項４に記載のコンデンサであって、
前記誘電体層は、酸化アルミニウムからなる
コンデンサ。
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月19日(2015.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
貫通孔を有するコア層と、
平面視で前記貫通孔よりも大きく開口され、平面視で前記貫通孔を内包する第１開口部を有し、前記コア層の一方の面に形成される第１配線層と、
前記コア層の前記一方の面側に配設される第１の面と、前記第１の面とは反対側に位置する第２の面とを有するとともに、少なくとも前記第１の面に配設される一対の端子を有し、前記貫通孔と前記第１開口部の内部に配設される電子部品と、
前記貫通孔と前記第１開口部との内部に充填され、前記電子部品の側面及び前記第２の面を保持するとともに、前記一対の端子の間の第１溝部の内部に形成される第１樹脂層と
を含み、
前記電子部品の前記第１の面に形成される前記一対の端子は、前記第１の面を覆う金属膜が前記第１溝部によって離間されて形成された一対の端子であり、
前記第１配線層は、前記第１開口部に連続して形成され、平面視で前記第１開口部から外側に延出する第２溝部を有し、
前記第１溝部と前記第２溝部が形成される方向は、対応しており、
前記第１開口部は、平面視で前記貫通孔を内包するように配置されており、
前記第２溝部の前記第１開口部から延出する部分は、前記第１溝部の延長線上に位置する、配線基板。
【請求項２】
前記コア層の前記一方の面、前記第１配線層の表面、及び前記電子部品の前記一対の端子の上面に形成される第２樹脂層をさらに含む、請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
前記第２樹脂層は、前記第１樹脂層とは異なる樹脂で形成される、請求項２記載の配線基板。
【請求項４】
貫通孔を有するコア層と、
平面視で前記貫通孔よりも大きく開口され、平面視で前記貫通孔を内包する第１開口部を有し、前記コア層の一方の面に形成される第１配線層と、
前記コア層の前記一方の面側に配設される第１の面と、前記第１の面とは反対側に位置する第２の面とを有するとともに、少なくとも前記第１の面に配設される一対の端子を有し、前記貫通孔と前記第１開口部の内部に配設される電子部品と、
前記貫通孔と前記第１開口部との内部に充填され、前記電子部品の側面及び前記第２の面を保持するとともに、前記一対の端子の間の第１溝部の内部に形成される第１樹脂層と、
前記コア層の一方の面側に配設される半導体素子と
を含み、
前記電子部品の前記第１の面に形成される前記一対の端子は、前記第１の面を覆う金属膜が前記第１溝部によって離間されて形成された一対の端子であり、
前記第１配線層は、前記第１開口部に連続して形成され、平面視で前記第１開口部から外側に延出する第２溝部を有し、
前記第１溝部と前記第２溝部が形成される方向は、対応しており、
前記第１開口部は、平面視で前記貫通孔を内包するように配置されており、
前記第２溝部の前記第１開口部から延出する部分は、前記第１溝部の延長線上に位置する、配線基板。
【請求項５】
前記コア層の前記一方の面、前記第１配線層の表面、及び前記電子部品の前記一対の端子の上面に形成される第２樹脂層をさらに含む、請求項４記載の配線基板。
【請求項６】
前記第２樹脂層は、前記第１樹脂層とは異なる樹脂で形成される、請求項５記載の配線基板。
【請求項７】
コア層の一方の面に積層される配線層に、開口部と、前記開口部に連続して平面視で前記開口部から外側に延出する配線層溝部とを形成する工程と、
前記開口部よりも平面視で内側に位置する開口を有する貫通孔を前記コア層に形成する工程と、
前記コア層の前記一方の面側に配設される第１の面と、前記第１の面とは反対側に位置する第２の面とを有するとともに、少なくとも前記第１の面に配設される一対の端子と、前記一対の端子の間の端子間溝部とを有する電子部品を貼り付けたテープ部材を前記配線層に貼り付けることにより、前記開口部と貫通孔との内部に電子部品を載置する工程と、
前記開口部と貫通孔との内部に電子部品を載置した状態で、前記コア層の他方の面側から、前記電子部品の側面を覆うように、前記開口部と前記貫通孔との内部に樹脂を充填する工程と、
前記テープ部材を除去する工程と
を含み、
前記開口部は、平面視で前記貫通孔を内包するように配置されており、
前記電子部品は、前記端子間溝部と前記配線層溝部との方向が対応した状態で、かつ、前記配線層溝部の前記開口部から延出する部分を前記端子間溝部の延長線上に位置させた状態で、前記テープ部材に貼り付けられており、
前記電子部品の前記第１の面に配設される前記一対の端子は、前記第１の面を覆う金属膜が前記端子間溝部によって離間されて形成された一対の端子である、配線基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の実施の形態の配線基板は、貫通孔を有するコア層と、平面視で前記貫通孔よりも大きく開口され、平面視で前記貫通孔を内包する第１開口部を有し、前記コア層の一方の面に形成される第１配線層と、前記コア層の前記一方の面側に配設される第１の面と、前記第１の面とは反対側に位置する第２の面とを有するとともに、少なくとも前記第１の面に配設される一対の端子を有し、前記貫通孔と前記第１開口部の内部に配設される電子部品と、前記貫通孔と前記第１開口部との内部に充填され、前記電子部品の側面及び前記第２の面を保持するとともに、前記一対の端子の間の第１溝部の内部に形成される第１樹脂層とを含み、前記電子部品の前記第１の面に形成される前記一対の端子は、前記第１の面を覆う金属膜が前記第１溝部によって離間されて形成された一対の端子であり、前記第１配線層は、前記第１開口部に連続して形成され、平面視で前記第１開口部から外側に延出する第２溝部を有し、前記第１溝部と前記第２溝部が形成される方向は、対応しており、
前記第１開口部は、平面視で前記貫通孔を内包するように配置されており、前記第２溝部の前記第１開口部から延出する部分は、前記第１溝部の延長線上に位置する。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月15日(2015.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
ところで、上記得られた発電層１０４を用いて太陽電池１０１を製造する場合、図３に示すように、垂直配向性のカーボンナノチューブ１１１により形成された層状のカーボンナノチューブ群１１１Ｇのｐ型ドーパント１１４を内包した側に、Ａｌ，Ａｇ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｃｕなどの金属１０３ａに金属カーボンナノチューブ（ＭＷＣＮＴ：マルチウォールカーボンナノチューブ）ペースト１０３ｂが塗布されてなる金属電極１０３を貼り付ける。また、カーボンナノチューブ群１１１Ｇのｎ型ドーパント１１３を内包した側に、透明基板（ＳｉＯ２，ガラスなど）１０２ａの表面に透明導電膜（ＩＴＯなど）１０２ｂが形成されてなる透光性電極１０２を貼り付ける。この透光性電極１０２の表面には補助電極１７１が設けられている。なお、透光性電極については、櫛型または網目状の金属を用いることもできる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
さらに、発電層における各カーボンナノチューブの金属電極側にｐ型部分を形成するとともに透光性電極側にｎ型部分を形成し、且つそれぞれの中間部分にフラーレンを内包させてｉ型部分としたので、カーボンナノチューブをｐｎ接合とする場合よりも電位勾配が緩やかにしかもその範囲が長くなるため（ｐｎ接合の場合、電位勾配が急峻で短い範囲しかないので、この短い範囲で吸収した光しか利用できない）、すなわち太陽光を吸収できる範囲が長くなるため、太陽光の持つエネルギーの変換効率の向上を図ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月2日(2015.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
弁作用金属粉末からなる成形体を焼結させてなる焼結体の表面、または粗面化された弁作用金属箔の表面に誘電体酸化皮膜を形成して陽極体とし、前記陽極体の表面に固体電解質層を形成する固体電解コンデンサの製造方法であって、
前記固体電解質層を形成する工程として、
前記誘電体酸化皮膜の表面に、被覆率が１〜２０％となるように、平均径が１０〜１０２ｎｍの二酸化マンガンからなる突起部を島状に点在形成する突起部形成工程と、
前記突起部および前記誘電体酸化皮膜の表面に、導電性高分子層を形成する導電性高分子層形成工程と、
を行うことを特徴とする固体電解コンデンサの製造方法。
【請求項２】
前記突起部形成工程は、
前記陽極体を湿度８ｇ／ｍ3以上の加湿環境下に放置する前処理工程と、
前記前処理工程後の陽極体を硝酸マンガン水溶液に浸漬する浸漬処理工程と、
前記浸漬処理工程後の陽極体を湿度８ｇ／ｍ3以上の加湿環境下に放置する中間処理工程と、
前記中間処理工程後の陽極体を所定相対湿度の雰囲気下で熱処理する熱処理工程と、
を含むことを特徴とする請求項１に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
【請求項３】
前記硝酸マンガン水溶液に、界面活性剤が添加されていることを特徴とする請求項２に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
【請求項４】
前記所定相対湿度は、５０〜８０％であることを特徴とする請求項２または３に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
【請求項５】
前記突起部形成工程と前記導電性高分子層形成工程との間に、前記誘電体酸化皮膜を再化成する再化成工程をさらに行うことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の固体電解コンデンサの製造方法。
【請求項６】
前記導電性高分子層形成工程において、前記導電性高分子層を化学重合で形成することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の固体電解コンデンサの製造方法。
【請求項７】
弁作用金属粉末からなる成形体を焼結させてなる焼結体の表面、または粗面化された弁作用金属箔の表面に誘電体酸化皮膜が形成され、前記誘電体酸化皮膜の表面に固体電解質層が形成された固体電解コンデンサであって、
前記固体電解質層は、
前記誘電体酸化皮膜の表面に被覆率が１〜２０％となるように島状に点在形成された、平均径が１０〜１０２ｎｍの二酸化マンガンからなる複数の突起部と、
前記突起部および前記誘電体酸化皮膜の表面に形成された導電性高分子層と、
からなることを特徴とする固体電解コンデンサ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
上記（１）の製造方法では、例えば、（２）突起部形成工程は、陽極体を湿度８ｇ／ｍ3以上の加湿環境下に放置する前処理工程と、前処理工程後の陽極体を硝酸マンガン水溶液に浸漬する浸漬処理工程と、浸漬処理工程後の陽極体を湿度８ｇ／ｍ3以上の加湿環境下に放置する中間処理工程と、中間処理工程後の陽極体を所定相対湿度の雰囲気下で熱分解反応させる熱処理工程と、を含むよう構成できる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
前処理工程（Ｓ３−１）では、酸化皮膜形成工程（Ｓ２）により得られた陽極体を、温度３０℃、湿度８ｇ／ｍ3の加湿環境下に３０分間放置した。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
中間処理工程（Ｓ３−３）では、浸漬処理工程（Ｓ３−２）後の陽極体を、再び温度３０℃、湿度８ｇ／ｍ3の加湿環境下に３０分間放置した。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月24日(2015.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換により電荷を生成する第１の光電変換部と、
光電変換により電荷を生成する第２の光電変換部と、
前記第１の光電変換部と前記第２の光電変換部とを分離する分離部と、
電荷を蓄積する第１のフローティングディフュージョンと、
電荷を蓄積する第２のフローティングディフュージョンと、
前記第１の光電変換部により生成された電荷を前記第１のフローティングディフュージョンに転送する第１の転送トランジスタと、
前記第２の光電変換部により生成された電荷を前記第２のフローティングディフュージョンに転送する第２の転送トランジスタと、
前記第１及び第２の転送トランジスタのそれぞれに転送パルスを供給する１本又は２本の転送制御線と、
前記第１及び第２の転送トランジスタのゲートと前記１本又は２本の転送制御線とを接続する１個又は２個のコンタクト部とを有し、
前記第１及び第２の転送トランジスタと前記コンタクト部は、前記分離部に対して略線対称に配置されており、
前記第１の光電変換部で生じた電荷に基づく信号と、前記第２の光電変換部で生じた電荷に基づく信号とを用いて焦点検出を行う
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記転送制御線は、２本の転送制御線であり、
前記２本の転送制御線は、前記分離部に対して略線対称に配置されていることを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記転送制御線は、２本の転送制御線であり、
さらに、前記２本の転送制御線を相互に接続するスイッチを有することを特徴とする請求項１又は２記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記転送制御線は、１本の転送制御線であり、
前記第１の転送トランジスタのゲートと前記第２の転送トランジスタのゲートとは相互に接続され、
前記１本の転送制御線は、前記第１の転送トランジスタのゲート及び前記第２の転送トランジスタのゲートに接続されていることを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記コンタクト部は、１個のコンタクト部であり、
前記１個のコンタクト部は、前記１本の転送制御線を、前記第１の転送トランジスタのゲート及び前記第２の転送トランジスタのゲートに接続することを特徴とする請求項４記載の固体撮像装置。
【請求項６】
さらに、光電変換により電荷を生成する第３の光電変換部と、
光電変換により電荷を生成する第４の光電変換部と、
電荷を蓄積する第３のフローティングディフュージョンと、
電荷を蓄積する第４のフローティングディフュージョンと、
前記第３の光電変換部により生成された電荷を前記第３のフローティングディフュージョンに転送する第３の転送トランジスタと、
前記第４の光電変換部により生成された電荷を前記第４のフローティングディフュージョンに転送する第４の転送トランジスタとを有し、
前記第１〜第４の光電変換部は、前記分離部により分離され、
前記第１〜第４の転送トランジスタは、前記分離部に対して略線対称に配置されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の固体撮像装置は、光電変換により電荷を生成する第１の光電変換部と、光電変換により電荷を生成する第２の光電変換部と、前記第１の光電変換部と前記第２の光電変換部とを分離する分離部と、電荷を蓄積する第１のフローティングディフュージョンと、電荷を蓄積する第２のフローティングディフュージョンと、前記第１の光電変換部により生成された電荷を前記第１のフローティングディフュージョンに転送する第１の転送トランジスタと、前記第２の光電変換部により生成された電荷を前記第２のフローティングディフュージョンに転送する第２の転送トランジスタと、前記第１及び第２の転送トランジスタのそれぞれに転送パルスを供給する１本又は２本の転送制御線と、前記第１及び第２の転送トランジスタのゲートと前記１本又は２本の転送制御線とを接続する１個又は２個のコンタクト部とを有し、前記第１及び第２の転送トランジスタと前記コンタクト部は、前記分離部に対して略線対称に配置されており、前記第１の光電変換部で生じた電荷に基づく信号と、前記第２の光電変換部で生じた電荷に基づく信号とを用いて焦点検出を行うことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月8日(2015.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ソーラーパネルおよび時計
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
この発明は、時計などの電子機器に用いられるソーラーパネルおよび時計に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
この発明が解決しようとする課題は、受光面積を増やし、受光面積の変化による電力のロスを軽減して、発電効率を高めることができるソーラーパネルおよび時計を提供することである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ほぼ円形状に配列された複数の扇形状のソーラーセルと、
前記複数の扇形状のソーラーセルのすべてが互いに接近する中心部付近に設けられ、かつ前記複数の扇形状のソーラーセルを電気的に接続する複数の接続部と、
前記複数の扇形状のソーラーセルのすべてが互いに接近する中心部に設けられ、指針を運針させるための指針軸が挿入する軸挿入孔と、
を備えていることを特徴とするソーラーパネル。
【請求項２】
前記複数の扇形状のソーラーセルは、それぞれ受光面積が同じ大きさになるように形成されていることを特徴とする請求項１に記載のソーラーパネル。
【請求項３】
前記複数の接続部は、互いに隣接する前記複数の扇形状のソーラーセルを順次直列に接続することを特徴とする請求項１または請求項２に記載のソーラーパネル。
【請求項４】
前記複数の扇形状のソーラーセルは、下部電極と上部電極との間に発電層を有しており、前記複数の接続部は、前記複数の扇形状のソーラーセルのうち、互いに隣接する一方の扇形状のソーラーセルの前記下部電極と、これに隣接する他方の扇形状のソーラーセルの前記上部電極とを、それぞれ接続することを特徴とする請求項３に記載のソーラーパネル。
【請求項５】
前記複数の接続部は、前記軸挿入孔の外周に沿って環状に設けられていることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれかに記載のソーラーパネル。
【請求項６】
前記複数の接続部は、前記複数の扇形状のソーラーセルがｎ個である場合に、ｎ−１個であることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれかに記載のソーラーパネル。
【請求項７】
請求項１〜請求項６のいずれかに記載のソーラーパネルを備えていることを特徴とする
時計。
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月28日(2015.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記の目的を達成するため、本発明による画像処理装置は、赤外光が照射された被写体を撮像して得られた画像において前記被写体の顔領域を検出する顔検出手段と、前記顔検出手段によって検出された顔領域から虹彩部分を検出する虹彩検出手段と、前記虹彩検出手段で検出された虹彩部分における輝度を予め定められた値に下げる虹彩補正処理を行う制御手段と、を有することを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明による制御方法は、赤外光が照射された被写体を撮像して得られた画像において前記被写体の顔領域を検出する顔検出ステップと、前記顔検出ステップで検出された顔領域から虹彩部分を検出する虹彩検出ステップと、前記虹彩検出ステップで検出された虹彩部分における輝度を予め定められた値に下げる虹彩補正処理を行う制御ステップと、を有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明による制御プログラムは、画像処理装置で用いられる制御プログラムであって、前記画像処理装置が備えるコンピュータに、赤外光が照射された被写体を撮像して得られた画像において前記被写体の顔領域を検出する顔検出ステップと、前記顔検出ステップで検出された顔領域から虹彩部分を検出する虹彩検出ステップと、前記虹彩検出ステップで検出された虹彩部分における輝度を予め定められた値に下げる虹彩補正処理を行う制御ステップと、を実行させることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明による撮像装置は、上記の画像処理装置と、前記被写体に選択的に前記赤外光を照射する赤外光照射手段と、前記被写体を撮像して画像を得る撮像手段とを備え、前記制御手段は前記赤外光照射手段によって前記被写体に前記赤外光が照射されると、前記虹彩補正処理を行うことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
赤外光が照射された被写体を撮像して得られた画像において前記被写体の顔領域を検出する顔検出手段と、
前記顔検出手段によって検出された顔領域から虹彩部分を検出する虹彩検出手段と、
前記虹彩検出手段で検出された虹彩部分における輝度を予め定められた値に下げる虹彩補正処理を行う制御手段と、
を有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記虹彩検出手段は、前記顔領域において輝度の空間周波数および色相に応じて前記虹彩部分を検出することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記顔領域の特徴を示す特徴量を抽出特徴量として前記顔領域から抽出する特徴量抽出手段と、
複数の被写体の各々の顔領域の特徴を示す特徴量が登録特徴量として登録されるとともに、前記被写体の各々における虹彩部分の輝度を示す虹彩情報が前記登録特徴量に対応づけて登録された記憶手段とを備え、
前記制御手段は、前記抽出特徴量と前記登録特徴量とを比較して、当該比較結果によって前記抽出特徴量に係る被写体が前記登録特徴量に係る被写体であると判定すると、当該登録特徴量に対応する前記虹彩情報が示す輝度を前記予め定められた値として前記虹彩補正処理を行うことを特徴とする請求項１又は２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記顔領域の特徴を示す特徴量を抽出特徴量として前記顔領域から抽出する特徴量抽出手段と、
複数の被写体の各々の顔領域の特徴を示す特徴量が登録特徴量として登録された記憶手段とを備え、
前記制御手段は、前記抽出特徴量と前記登録特徴量とを比較して、当該比較結果によって前記抽出特徴量に係る被写体が前記登録特徴量に係る被写体であるか否かを判定する際、前記予め定められた値を順次変化させて前記虹彩補正処理を行った結果得られた顔領域から抽出された抽出特徴量を用いて判定を行うことを特徴とする請求項１又は２に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記制御手段は、赤外光が照射されない被写体を撮像して得られた画像においては、前記虹彩補正処理を行わないことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項６】
赤外光が照射された被写体を撮像して得られた画像において前記被写体の顔領域を検出する顔検出ステップと、
前記顔検出ステップで検出された顔領域から虹彩部分を検出する虹彩検出ステップと、
前記虹彩検出ステップで検出された虹彩部分における輝度を予め定められた値に下げる虹彩補正処理を行う制御ステップと、
を有することを特徴とする制御方法。
【請求項７】
画像処理装置で用いられる制御プログラムであって、
前記画像処理装置が備えるコンピュータに、
赤外光が照射された被写体を撮像して得られた画像において前記被写体の顔領域を検出する顔検出ステップと、
前記顔検出ステップで検出された顔領域から虹彩部分を検出する虹彩検出ステップと、
前記虹彩検出ステップで検出された虹彩部分における輝度を予め定められた値に下げる虹彩補正処理を行う制御ステップと、
を実行させることを特徴とする制御プログラム。
【請求項８】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の画像処理装置と、
前記被写体に選択的に前記赤外光を照射する赤外光照射手段と、
前記被写体を撮像して画像を得る撮像手段とを備え、
前記制御手段は前記赤外光照射手段によって前記被写体に前記赤外光が照射されると、前記虹彩補正処理を行うことを特徴とする撮像装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月3日(2015.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記制御装置は、外部メモリから１または複数の特定の種類の命令を取り込んだ場合にのみ、前記無関係なデータを用いた演算処理を前記演算装置に実行させる、請求項１に記載の中央処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月28日(2015.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＭＩＭＯ伝送方式にて送信装置から送信された複数の送信信号を受信する受信装置であって、
受信信号を用いてチャネル推定を行い、チャネル推定値を求めるチャネル推定部と、
前記チャネル推定値に基づいて受信信号をＭＩＭＯ分離してビット対数尤度比を生成する信号検出部と、
前記ビット対数尤度比に対して誤り訂正復号を行う復号部と、
を備え、
前記信号検出部は、
前記複数の送信信号に対する線形検出結果と前記線形検出結果と前記複数の送信信号との誤差成分から成る探索信号を生成する送信信号候補探索部と、
前記探索信号を硬判定して送信信号候補を生成する送信信号候補生成部と、
前記送信信号候補を用いて前記ビット対数尤度比を生成する判定部と、
を備え、
前記探索信号は、前記複数の送信信号のうち、ある送信信号をある変調シンボルに固定し、前記変調シンボルを固定した送信信号及び前記変調シンボルを固定した送信信号がキャンセルされた受信信号の線形検出結果から生成される受信装置。
【請求項２】
ＭＩＭＯ伝送方式にて送信装置から送信された複数の送信信号を受信する受信装置における受信方法であって、
受信信号を用いてチャネル推定を行い、チャネル推定値を求めるチャネル推定ステップと、
前記チャネル推定値に基づいて受信信号をＭＩＭＯ分離してビット対数尤度比を生成する信号検出ステップと、
前記ビット対数尤度比に対して誤り訂正復号を行う復号ステップと、
を備え、
前記信号検出ステップは、
前記複数の送信信号に対する線形検出結果と前記線形検出結果と前記複数の送信信号との誤差成分から成る探索信号を生成する送信信号候補探索ステップと、
前記探索信号を硬判定して送信信号候補を生成する送信信号候補生成ステップと、
前記送信信号候補を用いて前記ビット対数尤度比を生成する判定ステップと、
を有し、
前記探索信号は、前記複数の送信信号のうち、ある送信信号をある変調シンボルに固定し、前記変調シンボルを固定した送信信号及び前記変調シンボルを固定した送信信号がキャンセルされた受信信号の線形検出結果から生成される受信方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
ＮＲ次元受信信号ベクトルｙを次のように表す。なお、ＮＲは受信アンテナ数を表す。また、送信アンテナ数はＮＴとする。
【数１】
2014049822.tif 000001
ただし、ＨはＮＲ行ＮＴ列のチャネル行列、ｓはＮＴ次元の送信信号ベクトル、ｎはＮＲ次元の雑音ベクトルを表す。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
ＭＭＳＥ検出結果ｘ＾は次のようになる。
【数２】
2014049822.tif 000002
ただし、σｎ２は雑音電力、ＩＮＴはＮＴ行ＮＴ列の単位行列を表す。また上付きのＨは複素共役転置行列を表す。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
非特許文献１ではＭＭＳＥ検出結果ｘ＾を用いて次にｓ＾を量子化して送信信号候補を生成している。
【数３】
2014049822.tif 000003
ＮＰは１≦ＮＰ≦ＮＴであり、ａｋは次のように求める。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【数４】
2014049822.tif 000004
なお、ｂ（ｍ）は変調方式のコンスタレーションの１つであり、１≦ｍ≦Ｍである。Ｍはコンスタレーション数であり、例えばＱＰＳＫ（４相位相変調：Quadrature Phase Shift Keying）であればＭ＝４、１６ＱＡＭ（直交振幅変調：Quadrature Amplitude Modulation）であればＭ＝１６である。また（・）ｋはベクトルの第ｋ要素を表す。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、ｃ〜ｋは
【数５】
2014049822.tif 000005
であり、λ１〜λＮＰ、ｖ１〜ｖＮＰはそれぞれ次のようにＰを固有値分解して得られる固有値とその固有ベクトルを表す。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【数６】
2014049822.tif 000006
なお、diag［・］は対角行列を表す。
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月20日(2015.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
折り曲げられた一体の導体板で構成され、放射導体を構成する第１導体部と接地導体を構成する第２導体部とが互いに対面し、前記第１導体部には貫通孔が形成されているとともに前記貫通孔の縁部の所定部位に目印が形成されているアンテナ素子と、
外導体と内導体とが同軸に形成され、前記外導体は、前記第２導体部に接続され、前記内導体は、前記第１導体部の貫通孔を挿通し、前記目印に向けて曲げられて前記第１導体部に接続される同軸線路と、
前記アンテナ素子の前記第１導体部と前記第２導体部との間に充填される樹脂と、
を備えるアンテナ装置。
【請求項２】
前記目印は、前記貫通孔の縁部に設けられた４つの線のいずれか１つであり、
前記４つの線は、２つの線が前記貫通孔の中心を通る第１の直線上に存在し、他の２つの線が前記第１の直線と前記貫通孔の中心で直交する第２の直線上に存在するように設けられている、
請求項１に記載のアンテナ装置。
【請求項３】
前記第２導体部には、前記同軸線路が挿通する第２導体部側貫通孔が形成されており、
前記内導体は、熱収縮チューブが被せられ、前記熱収縮チューブとともに前記第２導体部側貫通孔を挿通して前記第１導体部へと延びる、
請求項１又は２に記載のアンテナ装置。
【請求項４】
導体板に貫通孔を形成するとともに、前記貫通孔の縁部の所定部位に目印を形成する穿孔工程と、
前記導体板を折り曲げ、前記貫通孔が形成されて放射導体を構成する第１導体部と、接地導体を構成する第２導体部とを対面させる折曲工程と、
外導体と内導体とが同軸に形成された同軸線路の前記外導体を前記第２導体部に接続し、前記内導体を前記第１導体部の貫通孔を挿通させるとともに前記目印に向けて曲げて前記第１導体部に接続する同軸線路取付工程と、
前記導体板の前記第１導体部と前記第２導体部との間に樹脂を充填する充填工程と、
を含むアンテナ装置の製造方法。
【請求項５】
前記穿孔工程では、前記導体板に十字状の溝で構成されるマークを形成するとともに前記マークを中心として前記貫通孔を形成し、
前記同軸線路取付工程では、前記貫通孔の縁部に残された前記マークの一つの線を前記目印として前記内導体を曲げる、
請求項４に記載のアンテナ装置の製造方法。
【請求項６】
前記第２導体部となる前記導体板の領域に前記同軸線路が挿通する第２導体部側貫通孔を形成する第２導体部側穿孔工程を更に含み、
前記同軸線路取付工程では、前記内導体に熱収縮チューブを被せ、前記内導体を前記熱収縮チューブとともに前記第２導体部側貫通孔に挿通させる、
請求項４又は５に記載のアンテナ装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月10日(2015.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１パッドを有する第１基板と、
前記第１パッドと対向して設けられた第２パッドを有する第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に介在し、前記第１パッドと前記第２パッドとを電気的に接続するスペーサ部と、
前記第１基板と前記第２基板との間に配置され、前記第１基板に実装された電子部品と、
前記第１基板と前記第２基板との間の空間において前記第１基板上に形成され、前記電子部品を封止する第１封止樹脂と、
前記第１封止樹脂の第１面上に形成され、前記第１封止樹脂と前記第２基板との間の空間に充填された第２封止樹脂と、を有し、
前記スペーサ部は、
前記第１パッドに接合された第１はんだボールと、
第１面が前記第１はんだボールに接合された金属ポストと、
前記金属ポストの前記第１面とは反対側の第２面と前記第２パッドとに接合された第２はんだボールとが、前記第１基板及び前記第２基板の積層方向に順に積層された構造を有し、
前記第１封止樹脂は、前記第１はんだボールと前記金属ポストの側面と前記電子部品を被覆し、
前記第２封止樹脂は、前記第２はんだボールを被覆していることを特徴とする電子部品内蔵基板。
【請求項２】
前記金属ポストの前記第２面は、前記第１封止樹脂の前記第１面と面一になるように形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電子部品内蔵基板。
【請求項３】
前記第１封止樹脂の前記第１面は、前記電子部品を被覆する領域に形成された第２面と、前記第１はんだボールと前記金属ポストの側面とを被覆する領域に形成され、前記第１封止樹脂の前記第２面よりも前記第１基板に向かって凹むように形成された第３面とを有することを特徴とする請求項１又は２に記載の電子部品内蔵基板。
【請求項４】
前記第１封止樹脂の前記第２面と前記第２基板との間の空間に形成された絶縁層を有し、
前記第２封止樹脂は、前記第１封止樹脂の前記第３面と前記第２基板との間の空間に形成されていることを特徴とする請求項３に記載の電子部品内蔵基板。
【請求項５】
前記金属ポストは、前記第１基板側から前記第２基板側に向かうに連れて径が大きくなるテーパ状に形成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子部品内蔵基板。
【請求項６】
前記第１はんだボール及び前記第２はんだボールは、導電性コアボールと前記導電性コアボールの周囲を被覆するはんだとを有するコア付きはんだボールであることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の電子部品内蔵基板。
【請求項７】
第１パッドが形成され、電子部品が実装された第１基板を準備する第１工程と、
前記第１パッド上に第１はんだボールと金属ポストとを順に積層するとともに、前記第１はんだボールと前記金属ポストの一部と前記電子部品とを被覆する第１封止樹脂を前記第１基板上に形成する第２工程と、
第２パッドが形成された第２基板を準備する第３工程と、
前記第２パッド上に第２はんだボールを接合する第４工程と、
前記第２はんだボールを前記金属ポストに接合し、前記第１はんだボールと前記金属ポストと前記第２はんだボールとを介して前記第２基板を前記第１基板に接続する第５工程と、
前記第１封止樹脂と前記第２基板との間の空間を充填する第２封止樹脂を前記第１封止樹脂の第１面上に形成する第６工程と、
を有することを特徴とする電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項８】
前記第２工程は、
金属板の所要の箇所を薄化して凸部を形成する工程と、
前記凸部の第１面上に前記第１はんだボールを搭載する工程と、
前記第１パッド上に前記第１はんだボールを接合し、前記金属板を前記第１基板に固定する工程と、
前記金属板と前記第１基板との間の空間を充填する前記第１封止樹脂を形成する工程と、
前記金属板のうち前記凸部のみ、又は前記凸部の一部のみが残るように前記金属板を薄化して前記金属ポストを形成する工程と、
を有することを特徴とする請求項７に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項９】
前記凸部を形成する工程では、前記所要の箇所に凹部を形成することにより前記凸部を形成するとともに、前記金属板に前記電子部品の実装領域に対応する開口部を形成し、
前記第１封止樹脂を形成する工程では、前記第１封止樹脂が前記開口部を充填するように形成され、前記第１封止樹脂の前記第１面のうち前記開口部を充填する領域に形成された第２面が、前記凹部の底面と反対側の前記金属板の面と面一になるように形成されることを特徴とする請求項８に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項１０】
前記第５工程の前に、前記第１封止樹脂の前記第２面上に半硬化状態の絶縁層を形成する工程を有し、
前記第５工程では、前記第１封止樹脂の前記第２面と前記第２基板との間の空間が前記絶縁層で充填されることを特徴とする請求項９に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項１１】
前記金属ポストを形成する工程では、前記薄化後の前記凸部の前記第１面と反対側の第２面が前記凸部の側面と接する前記第１封止樹脂の前記第１面と面一になるように、前記金属板が薄化されることを特徴とする請求項８〜１０のいずれか１項に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の一観点によれば、第１パッドを有する第１基板と、前記第１パッドと対向して設けられた第２パッドを有する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に介在し、前記第１パッドと前記第２パッドとを電気的に接続するスペーサ部と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置され、前記第１基板に実装された電子部品と、前記第１基板と前記第２基板との間の空間において前記第１基板上に形成され、前記電子部品を封止する第１封止樹脂と、前記第１封止樹脂の第１面上に形成され、前記第１封止樹脂と前記第２基板との間の空間に充填された第２封止樹脂と、を有し、前記スペーサ部は、前記第１パッドに接合された第１はんだボールと、第１面が前記第１はんだボールに接合された金属ポストと、前記金属ポストの前記第１面とは反対側の第２面と前記第２パッドとに接合された第２はんだボールとが、前記第１基板及び前記第２基板の積層方向に順に積層された構造を有し、前記第１封止樹脂は、前記第１はんだボールと前記金属ポストの側面と前記電子部品を被覆し、前記第２封止樹脂は、前記第２はんだボールを被覆している。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月14日(2015.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
周縁側に固定ピンを備えた搬送キャリアと、
前記固定ピンに対応する引掛穴を備えたカバープレートとを有し、
前記引掛穴の中心は前記固定ピンの中心よりも外側にずれた位置に配置されており、
前記引掛穴の内側の側壁を前記固定ピンに係止させて、テープキャリアを挟み込み固定することを特徴とするテープキャリア搬送治具。
【請求項２】
前記カバープレートを上側に撓ませて、前記引掛穴に前記固定ピンを挿通させ、前記カバープレートの撓みを開放して、前記引掛穴を前記固定ピンに係止させることを特徴とする請求項１に記載のテープキャリア搬送治具。
【請求項３】
前記搬送キャリア及びカバープレートは短冊形状を有し、前記固定ピンは前記搬送キャリアの幅方向に沿った両端側に配置され、
前記カバープレートを長さ方向で前記上側に撓ませることを特徴とする請求項２に記載のテープキャリア搬送治具。
【請求項４】
前記搬送キャリア及びカバープレートは短冊形状を有し、前記固定ピンは前記搬送キャリアの長さ方向に沿った両端側に配置され、
前記カバープレートを幅方向で前記上側に撓ませることを特徴とする請求項２に記載のテープキャリア搬送治具。
【請求項５】
前記固定ピンは、軸部と、その上に配置されて前記軸部より径が大きい径大部とにより形成されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載のテープキャリア搬送治具。
【請求項６】
前記軸部と前記径大部との繋り部が傾斜面となっていることを特徴とする請求項５に記載のテープキャリア搬送治具。
【請求項７】
前記引掛穴は、前記カバープレートの内部に形成されるか、あるいは、前記カバープレートの一端から内側に切欠状に形成されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載のテープキャリア搬送治具。
【請求項８】
周縁側に固定ピンを備えた搬送キャリアと、
前記固定ピンに対応する引掛穴と、開口部とを備えたカバープレートとを有し、
前記引掛穴の中心は前記固定ピンの中心よりも外側にずれた位置に配置され、前記引掛穴の内側の側壁を前記固定ピンに係止させて固定することを含むテープキャリア搬送治具を用意し、前記搬送キャリアと前記カバープレートの間に、短冊状のテープキャリアを挟んで固定する工程と、
前記カバープレートの開口部に露出する前記テープキャリアの接続パッドに電子部品を電気的に接続する工程とを有することを特徴とする電子部品装置の製造方法。
【請求項９】
前記電子部品を接続する工程の後に、
前記電子部品を樹脂で封止する工程と、
前記テープキャリアから前記テープキャリア搬送治具を取り外す工程と、
前記テープキャリアを切断して個々の電子部品装置を得る工程とを有することを特徴とする請求項８に記載の電子部品装置の製造方法。
【請求項１０】
前記電子部品はＬＥＤチップであり、
前記電子部品を接続する工程において、前記ＬＥＤチップを金−錫はんだ層を介して前記テープキャリアの接続パッドに接続することを特徴とする請求項８又は９に記載の電子部品装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、その開示の他の観点によれば、周縁側に固定ピンを備えた搬送キャリアと、前記固定ピンに対応する引掛穴と、開口部とを備えたカバープレートとを有し、前記引掛穴の中心は前記固定ピンの中心よりも外側にずれた位置に配置され、前記引掛穴の内側の側壁を前記固定ピンに係止させて固定することを含むテープキャリア搬送治具を用意し、前記搬送キャリアと前記カバープレートの間に、短冊状のテープキャリアを挟んで固定する工程と、前記カバープレートの開口部に露出する前記テープキャリアの接続パッドに電子部品を電気的に接続する工程とを有する電子部品装置の製造方法が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
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