【事件の表示】
　平成９年特許願第２５３０７６号「回路基板」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年４月９日出願公開、特開平１１−９７８０７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本願は、平成９年９月１８日に出願したものであって、平成１９年３月５日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年３月１９日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日付で手続補正がなされたものである。
　
ＩＩ．平成１９年３月１９日付の手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論]
　平成１９年３月１９日付の手続補正を却下する。
　
［理由］
１．補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、次のとおりとなった。
　
「【請求項１】　セラミックス基板の一方の面に金属回路、他方の面に金属放熱板が設けられてなるものであって、金属回路及び／又は金属放熱板が異なる３種以上の金属が層状に重なったクラッド箔であることを特徴とする耐ヒートサイクル性に優れた回路基板。」
（以下、「本願補正発明１」という。）
　
　上記補正は、補正前の請求項１に係る発明を特定するために必要な事項である回路基板の構成を、「耐ヒートサイクル性に優れた」回路基板の構成に限定するものであって、特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本願補正発明１が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か（特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するか否か）について以下に検討する。
　
２．引用文献とその記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である特開昭６３−３８２４４号公報（以下、「引用文献」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
　
引用文献：特開昭６３−３８２４４号公報
（１ａ）
「＜従来の技術＞
　パワーＩＣ、ハイブリッドＩＣでは、素子組込み用の基板として耐熱性、熱放散性および機械的強度に優れているセラミック基板が多用されている。・・・第４図はこのようなセラミック基板の一例を示すもので、セラミック基板４の表面には部分的に導体層として働く銅層１を、裏面には全面放熱層としての銅層１を設ける。
　このセラミック基板４の従来の製造法は、・・・Cu層１を１００μ〜３００μ施・・・すものである。」（第１頁右下欄１５行〜第２頁左上欄２０行）
（１ｂ）
「本発明の第３の態様は、アルミナ基板上に銅層を形成するために用いられるクラッド材であって、Cu層上にSn層さらにその上にAl-Si合金層が冷間圧接により一体化されている・・・クラッド材を提供する。
　本発明の第４の態様は、アルミナ基板上に銅層を形成するために用いられるクラッド材であって、Cu層上にNi層さらにその上にAl-Si合金層が冷間圧接により一体化されている・・・クラッド材を提供する。」（３頁左上欄２〜１１行）
（１ｃ）
「第２図は本発明の第３の態様のCu/Sn/Al-Si合金用クラッド材を示す断面図である。
　Cu層１上にはSn層６を介してAl-Si合金層５を接合する。
・・・
　Cu層１とSn層６とAl-Si合金層５との厚さは１：０．１：１〜１０：１：１とすることが好ましい。
　Cu層１とAl-Si合金層５との間にSn層６を介することにより、セラミックと銅との接合性が良いばかりでなく、銅とAl-Si合金との間の金属的接着も良好となる。
・・・
第３図は本発明の第４の態様のCu/Ni/Al-Si合金クラッド材を示す断面図である。
　Cu層１上にはNi層２を介してAl-Si合金層５を接合する。
・・・
　Cu層１とNi層２とAl-Si合金層５との厚さは１：０．１：１〜１０：１：１が好ましい。
　Cu層１とAl-Si合金層５との間にNi層２を介することにより、セラミックと銅との接合性ばかりでなく、銅とAl-Si合金との間の金属的接着も良好となる。」（３頁右下欄３行〜４頁左上欄１６行）
（１ｄ）
「本発明の製造方法は、以上の本発明の・・・第３、第４の態様のいずれかのクラッド材をあらかじめ用意し、このクラッド材のAl-Si合金側をアルミナ等のセラミック基板側に配置し、・・・接合し、アルミナ基板上に銅層を導体層あるいは放熱層等として有する半導体装置用セラミック基板を得るものである。」（４頁右上欄１〜９行）
（１ｅ）
「本発明クラッド材は、あらかじめCu材とインサート金属同士が強力に接合されているうえに、Al-Si合金とセラミックとの極めて良い接合性が利用できるので、このクラッド材を用いて半導体装置用セラミック基板を製造すれば、セラミック板と銅材との接合の信頼性が大幅に向上する。」（４頁右上欄１８行〜左下欄４行）
　
３．対比・判断
３−１．引用文献に記載された発明
（ア）引用文献の摘記事項（１ｂ）には、本発明の第３、第４の態様のクラッド材として、Cu層上にSn層またはNi層、さらにその上にAl-Si合金層が一体化されているクラッド材が記載され、摘記事項（１ｄ）には、上記第３、第４の態様のいずれかのクラッド材をセラミック基板に配置し、接合して、アルミナ基板上に銅層を導体層あるいは放熱層等として有する半導体装置用セラミック基板を得る製造方法が記載されている。
　引用文献の上記記載によれば、Cu層上にSn層またはNi層、さらにその上にAl-Si合金層が一体化されているクラッド材をセラミック基板に配置し、接合して、アルミナ基板上に銅層を導体層あるいは放熱層等として有する半導体装置用セラミック基板を得る製造方法が記載されているといえるから、そのような方法によって製造された、半導体装置用セラミック基板も記載されているといえる。
（イ）摘記事項（１ａ）によれば、パワーＩＣ等の素子組込み用のセラミック基板には、該セラミック基板の表面に導体層が、裏面には放熱層が設けられるのであるから、摘記事項（１ｄ）において、クラッド材をセラミック基板に配置し、接合してアルミナ基板上に形成される銅層は、導体層あるいは放熱層であることが理解できる。
（ウ）摘記事項（１ａ）によれば、パワーＩＣ等の素子組込み用のセラミック基板に設けられる銅層の厚さは、１００〜３００μｍ程度であるところ、摘記事項（１ｃ）には、Cu層と、Sn層またはNi層と、Al-Si合金層との厚さが１：０．１：１〜１０：１：１であることが記載されている。
（エ）摘記事項（ｅ）には、上記のクラッド材を用いて半導体装置用セラミック基板を製造すれば、セラミック板と銅材との接合の信頼性が大幅に向上することが記載されている。
　
　上記（ア）〜（エ）を考慮して、摘記事項（１ａ）〜（１ｅ）の記載を総合すると、引用文献には、次の発明（以下、「引用文献発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「セラミック基板の表面に導体層が、裏面には放熱層が設けられるものであって、上記導体層あるいは放熱層は、Cu層上にSn層またはNi層、さらにその上にAl-Si合金層が一体化されているクラッド材をセラミック基板に配置し、接合して形成され、Cu層の厚さが１００〜３００μｍ程度であり、Cu層と、Sn層またはNi層と、Al-Si合金層との厚さが１：０．１：１〜１０：１：１である、セラミック板と銅材との接合の信頼性が大幅に向上したセラミック基板。」
　
３−２．本願補正発明１と引用文献発明との対比
（オ）本願補正発明１と引用文献発明を対比すると、引用文献発明における「導体層」は、本願補正発明１における「金属回路」に相当し、以下同様に、「放熱層」は「金属放熱板」に、「表面」は「一方の面」に、「裏面」は「他方の面」に相当する。
（カ）クラッド「箔」について、本願明細書の【００１３】段落には、クラッド箔の厚みについて、「クラッド箔を構成するそれぞれの金属の厚みは、金属ａが３０〜２００μｍ、金属ｂが１００〜５００μｍ、金属ｃが５〜３０μｍであることが好ましい。」と記載されているところ、引用文献発明のクラッド材も、Cu層と、Sn層またはNi層と、Al-Si合金層との合計の厚さが上記と同等であるから、クラッド「箔」であるといえる。
（キ）また、引用文献発明のクラッド材は、Cu層と、Sn層またはNi層と、Al-Si合金層という、「異なる３種の金属が層状に重なった」ものである。
　そして、当該クラッド材をセラミック基板に配置し、接合すると、Al-Si合金層はろう材として作用した後に、Cu層及びSn層またはNi層と積層した状態で残存するものといえるから、「異なる３種の金属が層状に重なったクラッド箔」となるものと認められる。
　
　してみると、両者は、
「セラミックス基板の一方の面に金属回路、他方の面に金属放熱板が設けられてなるものであって、金属回路及び／又は金属放熱板が異なる３種の金属が層状に重なったクラッド箔である回路基板。」
で一致するが、次の点で相違する。
　
相違点：本願補正発明１は、耐ヒートサイクル性に優れているのに対して、引用文献発明では、この点が記載されていない点。
　
３−３．相違点についての検討
　引用文献発明は、摘記事項（１ａ）、（１ｅ）によれば、パワーＩＣ等の素子組込み用のセラミック基板において、セラミック基板と銅材との接合の信頼性が大幅に向上したものであるところ、パワーＩＣがヒートサイクルの環境下で用いられることは、周知の事項であり、さらに、ヒートサイクルの環境下における、セラミック基板と銅材との熱膨張係数の違いに起因した熱応力への対応も、当業者が当然考慮すべき周知の課題である。
　一方、本願補正発明１においては、「耐ヒートサイクル性に優れた」との特定がなされているが、セラミック基板の材質、３種以上の金属の材質、厚さ及び接合方法等、その具体的な構成が特定されておらず、或いは、耐ヒートサイクル性そのものの具体的な程度、または、何に比べて優れているのか等について特定されていないことからすれば、「優れた」との文言のみでは、単に、ヒートサイクルの環境下において使用される部材が要求される機械的性質を有しているとの事実を挙げているにすぎない。
　してみると、引用文献発明も、パワーＩＣ等に用いるものであること及びセラミック基板と銅材との接合の信頼性が大幅に向上したものであることから、「接合の信頼性」を「大幅に向上」させるに際して、耐ヒートサイクル性をも考慮し、「優れた」ものとすることは、その実施化にあたって考慮されるべき事項であり、当業者ならば容易に想到し得るものである。
　
　そして、本願補正発明１の奏する効果も、引用文献の記載から予測できないような、格別に顕著なものとは認められない。
　
　したがって、本願補正発明１は、引用文献に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．審判請求人の主張について
　審判請求人は、引用文献に記載された発明は、２種の金属からなるクラッド箔に予め接合ろう材を一体化したものであるから、本願補正発明１とは課題、構成、及び機能・作用が異なる旨主張するが、本願の請求項１には、クラッド箔について「異なる３種以上の金属が層状に重なったクラッド箔」と記載するのみであって、各金属層の材質・機能・作用等について限定していないのであるから、引用文献発明のように特定の金属層がろう材からなるクラッド箔を除外するものとは認められない。
　そして、上記３−２．（キ）で検討したように、引用文献発明におけるクラッド材をセラミック基板に配置し、接合したものも、「異なる３種の金属が層状に重なったクラッド箔」といえるのであるから、本願補正発明１と引用文献発明とが、この点で相違するものとはいえない。
　
５．本件手続補正についてのむすび
　以上のとおりであるから、本願補正発明１は、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
ＩＩＩ．本願発明について
１．本願発明
　平成１９年３月１９日付手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、願書に最初に添付した明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものと認める。
　
「【請求項１】　セラミックス基板の一方の面に金属回路、他方の面に金属放熱板が設けられてなるものであって、金属回路及び／又は金属放熱板が異なる３種以上の金属が層状に重なったクラッド箔であることを特徴とする回路基板。」
　
２．引用文献とその記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献（特開昭６３−３８２４４号公報）には、上記ＩＩ．２．に摘記した事項が記載されている。
　
３．対比・判断
３−１．引用文献に記載された発明
　引用文献には、上記ＩＩ．３−１．で認定した引用文献発明が記載されている。
　
３−２．本願発明１と引用文献発明との対比
　本願発明１は、本願補正発明１の回路基板の構成における「耐ヒートサイクル性に優れた」という限定を解除するものであるから、本願発明１と引用文献発明とを対比すると、前記ＩＩ．３−２．で検討した相違点は存在しない。
　
　よって、本願発明１は、引用文献に記載された発明である。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明１は、引用文献に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に掲げる発明に該当し、特許を受けることができない。
　また、上記のとおり本願発明１が特許を受けることができないため、本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。