(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に互いに分離して形成される低電位側電極および高電位側電極と、
これら電極間に設けられる電子放出部とを、備え、
前記電子放出部から電子を放出する電子放出素子の製造方法において、
基板上に、前記低電位側電極、前記高電位側電極および前記電子放出部を形成した後、ホウ素化合物を含むガス中で前記高電位側電極および前記低電位側電極間に電圧を印加して前記電子放出部から電子を放出させ、この放出電子によるガスの分解作用により、前記電子放出部およびその周辺部の上面にＢＮ膜を形成することを特徴とする電子放出素子の製造方法。
【請求項２】
前記ホウ素化合物は、ボラン、アミンボラン、アミノボラン、ピリジンボラン、エチルボラン、ボラジン、ボラゾシン、およびジアザボレタンの少なくともいずれかを含むことを特徴とする請求項１に記載の電子放出素子の製造方法。
【請求項３】
基板上に互いに分離して形成される低電位側電極および高電位側電極と、
これら電極間に設けられる電子放出部とを、備え、
前記電子放出部から電子を放出する電子放出素子の製造方法において、
前記電子放出部の形成材料としてホウ素が含まれており、
基板上に、前記低電位側電極、前記高電位側電極および前記電子放出部を形成した後、窒素または窒化物雰囲気中で加熱処理することにより、前記電子放出部およびその周辺部の上面にＢＮ膜を形成することを特徴とする電子放出素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、画像表示装置や電子線露光装置などに利用可能な電子放出装置およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
金属または半導体の表面に１Ｏの７乗［Ｖ／ｃｍ］程度の高電界を印加することにより  、金属中のフェルミ・エネルギー近傍の電子や、半導体の伝導電子バンドに励起された電子の真空準位へのトンネルがおこり、真空中に電子が放出される（ただし、半導体の場合、荷電子バンド、あるいは不純物準位・欠陥準位や、表面・界面準位など、バンド間に存在する準位の電子が放出される場合もある）。この種  の電子の放出は、電界放出と呼ばれる。
【０００３】
電界放出型の冷陰極は、熱陰極に比べて、単位面積あたりの放出電子量が大きいという特徴がある。熱陰極では、電子放出量は１平方センチメートルあたり数十アンペア程度までが限界であるのに対し、冷陰極では１平方センチメートルあたり１０の７乗から９乗アンペア程度の電子放出量が可能である。このため、電界放出型冷陰極は、真空電子素子の微小化の上で特に有用である。
【０００４】
冷陰極を用いて微小化された真空素子（真空マイクロ素子）の実際の例としては、１９６１年にＳｈｏｕ１ｄｅｒｓによって０．１ミクロンサイズの素子の作製方法とこれを用いた微小な電界放出型二極管の作製  （Ａｄｖ．Ｃｏｍｐｕｔ．２（１９６１）１３５参照）について報告がなされている。
【０００５】
また、１９６８年には、Ｓｐｉｎｄｔらにより、薄膜技術を用いたミクロンサイズのゲート付き冷陰極（三極管）を多数基板上に配置した構造（アレイ）の作製（Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．３９（１９６８）３５０４参照）の報告がなされ、以降当該分野において、多数の報告がなされている。
【０００６】
真空マイクロ素子の構造として、様々の種類が考案されているが、Ｓｐｉｎｄｔらのものは、鋭い先端をもつミクロンサイズの微小な錐体型のエミッタの先端部への電界集中を、近傍に設けた引き出し電極（ゲート）によって制御しながら発生させ、電子の電界放出を行わせるものである。
【０００７】
Ｓｐｉｎｄｔ型の素子は、エミッタの直上に開口部を有するゲートを備えており、エミッタ上方に設置されたアノード電極に向かって放出される電子の放出量を、ゲート・エミッタ間の印加電圧により制御可能である。
【０００８】
また、他にも類似の構造を持つ素子の例として、Ｓｉのエッチングを用いた方法（グレイ法）や、鋳型を用いたモールド法（転写モールド法）などの方法で電子放出素子を作製した例が多数報告されている。これらの構造の電子放出素子は、エミッタとゲートが基板から見て垂直方向に配置された、いわゆる「重直型」構造である。
【０００９】
これとは対照的に、一対の電極を基板表面に平行に配置し、これら一対の電極のうち、片方をエミッタ、もう一方をゲートとした、いわゆる「横型」構造の素子もいくつか報告されている。
【００１０】
横型の素子は、垂直型に比ベて、アノード電極に到達する電流と素子に流れる電流の比である電子放出効率が劣るが、複数の素子を特に大面積にわたって配置する場合の製造が容易であるという特徴を有する。
【００１１】
横型の素子としては、例えば、図７に示すように、Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ｂ１３（１９９５）４６５に報告されている素子が挙げられる。図７の素子は、基板上に絶縁層を介して設置されたＨ型形状の金属薄膜に、収束イオンビームを用いて幅約２μｍの微  小間隔を形成しており、これら一対の電極間の電位差によって電子が放出され、両電極の上方に設けられたアノード電極にて、放出電子の一部を回収する仕組みになっている。
【００１２】
横型の素子で、電子放出を駆動する電圧を低くするためには、電極の端部を先鋭化したり、電極間の間隔をサブミクロンオーダーに狭める方法が有効である。例えば、図８に示すように、特開平７−２５４３５４号公報に開示されている構造の電子放出素子は、円弧状にえぐって厚さ方向に先鋭化した電子放出部８０１を備えている。
【００１３】
また、特開平１０−５５７５１号公報には、図９（ａ）の平面図、図９（ｂ）の断面図に示すように、電子線リソグラフィーを用いてサブミクロンオーダーの微小間隔を備えた電子放出素子の製法が考案されている。微小間隔を形成するための他の方法として、特開平７−１４７１３１号公報には、図１０に示すように、レジストのオーバーハングを用いた製法が開示されている。
【００１４】
さらに、「フォーミング」と呼ばれる通電加熱処理によって膜上に亀裂を生じさせ、電極間の間隔を形成する方法を用いた素子も多数考案されている。この種の電子放出素子は、「表面伝導型電子放出素子」と呼ばれることがある、これらの表面伝導型の素子の例としては、Ｍ．Ｉ．Ｅ１ｉｎｓｏｎ，ＲａｄｉｏＥｎｇ．ＥｌｅｃｔｒｏｎＰｈｙｓ．，１０．１２９０（１９６５）等に開示されたものが挙げられる。表面伝導型の素子は、横形の素子の中でも特に製造が容易であるという利点があるが、蒸着膜を用いて素子を形成した場合、動作が不安定で、寿命が短いという欠点を有していた。これに対し、登録特許２６４６２３５号他に開示されている図１１に示す微粒子膜を材料に用いた構造  では、信頼性が大幅に向上している。
【００１５】
これらの横型素子では、前述のように電子放出効率が低く、高々１％にとどまっている。この理由の１つとして、Ａ．Ａｓａｉ，ＳＩＤ９７ＤＩＧＥＳＴ，１２７に報告されているよ  うに、間隔を介して配置された一対の電極の一方からいったん真空中に放出された電子の多くが、図１２に示すように、もう一方の電極（制御電極）上に向かって飛翔し、到達することにある。制御電極に到達した電子の一部は制御電極によって散乱され、アノード電極ヘ向かうが、殆どの電子は制御電極で回収されてしまう。このため、放出電子の多くはアノード電極に到達せず、無効電流として素子内へ流れるという問題があった。また、素子に多くの無効電流が流れるため、発熱や消費電力の面で、問題があった。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
前述のように、従来の横型構造の電子放出素子においては、電子放出素子の一対の電極のうちの片方から放出された電子の多くがもう一方の電極（制御電極）に着地し回収されてしまう点に問題があった。この問題を解決するためには、制御電極の表面で電子が効率的に散乱されて、再度アノード電極電極ヘ向かって放出されることが好ましい。このためには、制御電極の表面で効率的に２次電子放出が起こることが好ましい。
【００１７】
制御電極では、２次電子放出が効率的に起こるため、２次電子数と入射電子数の比が１を超えるためには、制御電極が導体・半導体の場合、入射電子は少なく  とも１００電子ボルト程度の運動エネルギーに加速されている必要がある。
【００１８】
制御電極に達する電子は、電子放出素子の一対の電極の間の電位差によって加速されるが、実用上この電位差（駆動電圧）は１０〜３０Ｖ程度であるため、制御電極  上での２次電子放出による散乱の効率はゼロに近かった。
【００１９】
本発明の目的は、１０〜３０Ｖ程度の駆動電圧においても、制御電極において十分な量の２次電子を放出でき、また、高効率の２次電子放出材料を用いて電子放出量を増大させることができる電子放出素子およびその製造方法を提供することにある。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、基板上に互いに分離して形成される低電位側電極および高電位側電極と、
これら電極間に設けられる電子放出部とを、備え、前記電子放出部から電子を放出する電子放出素子の製造方法において、基板上に、前記低電位側電極、前記高電位側電極および前記電子放出部を形成した後、ホウ素化合物を含むガス中で前記高電位側電極および前記低電位側電極間に電圧を印加して前記電子放出部から電子を放出させ、この放出電子によるガスの分解作用により、前記電子放出部およびその周辺部の上面にＢＮ膜を形成する。
【００３０】
本発明では、電子放出部の周辺にＢＮ膜を形成するため、電子放出部自体の電子放出効率を向上させることができる。
【００３１】
本発明は、ホウ素化合物として、ボラン、アミンボラン、アミノボラン、ピリジンボラン、エチルボラン、ボラジン、ボラゾシン、およびジアザボレタンの少なくともいずれかを含む。
【００３２】
本発明は、基板上に互いに分離して形成される低電位側電極および高電位側電極と、
これら電極間に設けられる電子放出部とを、備え、
前記電子放出部から電子を放出する電子放出素子の製造方法において、
前記電子放出部の形成材料としてホウ素が含まれており、
基板上に、前記低電位側電極、前記高電位側電極および前記電子放出部を形成した後、窒素または窒化物雰囲気中で加熱処理することにより、前記電子放出部およびその周辺部の上面にＢＮ膜を形成する。
【００３３】
本発明では、簡易な処理により、電子放出部の周囲にＢＮ膜を形成することができる。
【００３４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る電子放出素子について、図面を参照しながら具体的に説明する。本発明に係る電子放出素子は、低電位側電極（カソード電極）と高電位側電極（ゲート電極）を基板の上面に平行に配置した、いわゆる横型の構造を有する。
【００３５】
（第１の実施形態）
図１は電子放出素子の第１の実施形態の構造を示す模式図であり、横方向から素子を俯瞰した様子を示している。図１において、１は基板、２は低電位側電極薄膜（カソード電極）、３は高電位側電極薄膜（ゲート電極）、４は高抵抗または絶縁性の電極間隔部、５は電極２，３の間に電圧を印加する電圧印加部、６は放出電子の飛翔軌道のうち高電位側電極薄膜３に衝突しない軌道の一例、７は放出電子の飛翔軌道のうち高電位側電極薄膜３に衝突する軌道の一例、そして８は高電位側電極薄膜３上の放出電子の衝突位置を示している。
【００３６】
図１の電子放出素子の上方には、電極２，３に対して高い電位に設定される不図示のアノード電極が配設されている。基板１の材料としては、石英ガラス、パイレックスガラス、背板ガラス、ステンレスの表面をＳｉ０２などの絶縁膜で覆った積層体、表面をバリア型の陽極酸化膜で被覆したアルミニウムの板、Ｓｉウエハなどから任意に選択して用いることができるが、本発明を表示装置に応用することを想定した場合には、反りが少なく、表示パネル板の熱膨張係数に近い係数を有するのが望ましく、コスト面などのファクターを適宜加味して決定される。
【００３７】
電極薄膜２，３の材料としては、一般的な導体材料を用いることができる。具体的には、Ｎｉ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｉｒ，Ｐｄ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｍｏ，Ｗなどの金属や、その合金を用いることができ、好ましくは低抵抗、高熱伝導率、かつ融点の高い材料を選択するのが望ましく、電極薄膜２，３の膜厚は１０ｎｍ〜１μｍ程度に設定される。
【００３８】
電極薄膜２，３の形成方法としては、スパッタ法などの蒸着法、好ましくは印刷法やめっき法を用いることができる。下地膜との十分な密着性が得られない場合は、Ｔｉや、Ｃｒなどの金属をごく薄く接着層として間に形成しておくのが望ましい。また、接着層を用いる代わりに、水素雰囲気中でのアニールなどの方法を用いて、絶縁膜に表面処理を施しておいてもよい。
【００３９】
電極薄膜２，３の材料を、それぞれ異なる材料にしてもよい。電極薄膜２，３間の高抵抗または絶縁性の電極間隔部４は、電極薄膜を完全に除去して絶縁性の基板を露出させてもよく、また電極薄膜を部分的に酸化して高抵抗にしたり、あるいは電極薄膜を部分的に除去してもよい。
【００４０】
電極薄膜２，３間の間隔は、１０ｎｍから１０μｍの範囲内に設定することができる  。この間隔の好ましい値は高抵抗または絶縁性の電極間隔部４の状態に依存する。
【００４１】
このようにして形成された素子の電極薄膜２，３間に、電圧印加部５により電圧が印加される。この電圧により、低電位側の電極薄膜２と電極間隔部４の境界部近傍（以下、電荷放出部と呼ぶ）から電子が放出される。
【００４２】
放出電子の電流と印加電圧とのＩ−Ｖ特性は非線形であり、例えば図２のようになる。このときに電子放出部から電子放出が起こる。電子放出が安定に起こるためには、素子の表面での吸着分子の影響や、気体への電子衝突による気体のイオン化、それに伴う逆スパッタダメージや、イオン電流（放電）の発生を抑制するために電子放出素子の設置されている容器内部が十分に減圧されていることが望ましく、１０のマイナス５乗トール以下、特に好ましくは１０のマイナス７乗トール以下に減圧されていることが望ましい。
【００４３】
放出電子の一部は、図１に示す飛翔軌道６のように高電位側電極薄膜３に衝突しない軌道をたどるが、大部分は飛翔軌道７のように高電位側電極薄膜３に衝突する軌道をたどる。このとき、衝突点８において、一部の電子は電極３によって回収され、また一部の電子は弾性散乱を受けて再放出をされた結果、軌道７をたどってアノード電極ヘと飛翔し、また一部の電子は非弾性散乱を受けるが、このときに電極薄膜の電子を励起して２次電子放出を引き起こす。放出された２次電子は、やはり軌道７をたどってアノード電極ヘと飛翔する。
【００４４】
第１の実施形態の電子放出素子は、電子放出部から高電位側電極３にかけての領域の上面に、高電位側電極３の母材よりも高効率で２次電子を放出可能な２次電子放出材料を露出させた点に特徴がある。図３では、２次電子放出材料を「ｘ」で表している。
【００４５】
２次電子放出材料を上面に露出させることにより、２次電子を効率よくアノード電極側に放出させることができ、高電位側電極３で回収される電子の数が減少して、素子の電子放出効率が向上する。
【００４６】
２次電子放出材料としては、例えば、ＬｉＦ、ＣａＦ、ＡｌＮ、ＢＮ、ダイヤモンド、ａ−Ｃ：Ｈ、ａ−Ｃ：Ｎ、ａ−Ｃ：Ｎ：Ｈ、Ｂ、Ｂｉ、Ｇａ、ＢａＯ、ＭｇＯが用いられ、膜の状態で形成してもよいが、微粒子の状態で基板上面に露出させてもよい。
【００４７】
図４は第１の実施形態の電子放出素子の製造工程を示す図であり、図４の左側半分は平面図、右側半分は断面図である。以下、図４に基づいて、第１の実施形態の製造工程を順に説明する。
【００４８】
まず、図４（ａ），（ｂ）に示すように、絶縁性の基板１上に、Ｔｉのスパッタ蒸着とパターンニングにより、電極薄膜５０１を形成する。このとき、膜厚を１００ｎｍとし、幅Ｗを５０μｍとした。
【００４９】
次に、図４（ｃ），（ｄ）に示すように、レジスト５０２（東京応化ＯＦＰＲ８００，１００ＣＰ）を塗布した後、図４（ａ）の工程でパターンニングした膜の一部が露出する  ように窓部１０１を形成する。このとき、後に形成される電子放出部の端部１０２が先鋭になるようにパターンニングする。先鋭にすることにより、電界集中が起きやすくなり、電子の放出効率を向上できる。
【００５０】
次に、図４（ｅ），（ｆ）に示すように、塩素と三塩化醐素を用いてＲＩＥによ  り窓部１０１に露出したＴｉを除去する。
【００５１】
次に、ホウ酸アンモニウムとエチレングリコールの溶液を用いて陽極酸化を行ない、図４（ｇ），（ｈ）に示すように、Ｔｉ薄膜５０１の端部付近にＴｉＯ２部５０３を  形成する。本実施形態では、ＴｉＯ２部５０３の幅を５０ｎｍとした。
【００５２】
次に、図４（ｉ），（ｊ）に示すように、基板１上面に高電位側電極材料を蒸着する。本実施形態では、スパッタ蒸着法によりＴｉ薄膜５０４を２００ｎｍ形成した  。
【００５３】
次に、比較を行うため、Ｔｉ薄膜５０４の上面に厚さ１００ｎｍのホウ素を蒸着した試料と、ホウ素の蒸着を行わない試料とを作製した。
【００５４】
次に、図４（ｋ），（ｌ）に示すように、レジスト５０２のリフトオフを行い、  レジスト５０２と、その上面に形成されたＴｉ膜５０４を除去する。
【００５５】
次に、図４（ｍ），（ｎ）に示すように、過酸化水素と硫酸の混合溶液により、ＴｉＯ２部５０３を選択的に溶解除去して、電子放出部となる亀裂部５０５と高電位側  電極５０７とが形成される。このとき、わずかにＴｉ薄膜５０１もエッチングされるため、間隔６５ｎｍの電極間隔が形成された。
【００５６】
以上の工程により作製された横型電子放出素子の電極２，３に配線を行い、低電位側電極２が０Ｖ、高電位側電極３が２０Ｖになるように電圧を印加し、電極２，３の５ｍｍ上方に配置されたアノード電極に８ｋＶの電圧を印加して測定を行ったところ、ホウ素を蒸着した素子では電子放出効率が５％であったのに対し、ホウ素を蒸着していない素子では１％であった。
【００５７】
このように、第１の実施形態では、電子放出部から高電位側電極にかけての領域の上面に２次電子放出材料を露出させたため、２次電子を効率よくアノード電極側に放出させることができ、電子放出効率を向上することができる。
【００５８】
（第２の実施形態）
第２の実施形態は、高電位側電極３の近傍に、高抵抗層または絶縁層を挟んで補助電極を設けたものである。
【００５９】
図５は電子放出素子の第２の実施形態の構造を示す模式図であり、横方向から素子を俯瞰した様子を示している。図５では、図１と共通する構成部分には同一符号を付しており、以下では、相違点を中心に説明する。
【００６０】
高電位側電極３の近傍の基板１上には、高抵抗層または絶縁層１０を挟んで、補助電極１２が形成されている。図示の１１は電子放出部から放出された電子の衝突位置、１３は補助電極１２と低電位側電極２間に電圧を印加する電圧印加部１３である。
【００６１】
図５では、補助電極１２が低電位側電極２および高電位側電極３と同一面内に設けられているが、補助電極１２の位置は特にこれに限定されるものではなく、電極３の上方に、絶縁層または高抵抗層を介して設けてもよい。
【００６２】
補助電極１２には、電圧印加部１３により、高電位側電極３よりも高い電圧が印加される。補助電極１２に印加される電圧は、補助電極１２が有する２次電子放出材料の特性によって決まる。
【００６３】
２次電子放出特性は、図６に示すように、２次電子増倍率δ（放出電子数と入  射電子数の比）が入射１次電子のエネルギーＥＰＥに依存する形になっている。δが１より大きい場合には、２次電子放出過程を経て、電子数の増倍が行われる。
【００６４】
図６では、δが１より大きくなる入射電子のエネルギーをＥＰＥ（Ｉ）、最大とな  る入射電子のエネルギーをＥＰＥ（ｍ）としており、これらは２次電子放出材料に依  存する。従って、補助電極１２と高電位側電極３との電位差Ｖは、Ｖに素電荷量を乗じたものを用いた２次電子放出材料のＥＰＥ（Ｉ）より大きいことが望ましく、  さらに望ましくは、ＥＰＥ（ｍ）に等しいのが望ましい。
【００６５】
なお、図中では、高電位側電極３が有する２次電子放出材料と補助電極１２が有する２次電子放出材料とを同一符号で表しているが、それぞれの電極を別々の材料で形成してもよい。例えば、高電位側電極３には、ＥＰＥ（Ｉ）の値の小さい材  料を用い、補助電極１２には、最大２次電子増倍率δｍのより大きい材料を用い  るのが望ましい。
【００６６】
補助電極１２には、ＢａＯ微粒子が分散されており、電極部分にはＰｔが厚膜印刷されている。本実施形態では、補助電極１２と高電位側電極３との距離を、約２０μｍとした。図５に示す電子放出素子の低電位側電極を０Ｖ、高電位側電極を２０Ｖ、補助電極１２を２００Ｖに設定して測定を行ったところ、電子放出効率は１  ０％に達した。
【００６７】
このように、第２の実施形態では、高電位側電極３の近傍の基板１上に、絶縁層または高抵抗層１０を挟んで補助電極１２を設け、高電位側電極３よりも高い電圧を補助電極１２に印加するため、電子放出部から放出された電子を補助電極１２側に引き寄せることができる。したがって、補助電極１２の上面に２次電子放出材料を露出させておけば、２次電子の放出効率を高めることができる。
【００６８】
（第３の実施形態）
第３の実施形態は、電子放出部自体の電子放出効率を向上させるものである。
【００６９】
以下、第３の実施形態の電子放出部の製造工程を順に説明する。まず、図４と同様の工程により、基板１上に低電圧側電極２、高電圧側電極３および電子放出部を形成した後、電極の上方にアノード電極を有する対向基板を設置して、スペーサ等で両基板を固定する。
【００７０】
次に、これら基板を排気管と吸気管を有する容器内に封入した後、ホウ素化合物を含むガスをガス圧を制御しつつ容器内に導入し、電極２，３間に電圧を印加して電子放出部から電子を放出させる。放出された電子は、容器内のホウ素化合物に衝突し、その結果、電子放出部の周辺部にＢＮ膜が着膜される。
【００７１】
ＢＮ膜が着膜されることにより、電子放出部の電子放出効率が向上し、結果として、アノード電極側に進行する２次電子の数も増やすことができる。
【００７２】
ホウ素化合物としては、ボラン、アミンボラン、アミノボラン、ピリジンボラン、エチルボラン、ボラジン、ボラゾシン、およびジアザボレタン等の他に、ホウ素化合物ガスであるジボランや三塩化ホウ素などを用いることもできる。
【００７３】
なお、ホウ素化合物を含むガスを容器内に導入する代わりに、ホウ素を含む材料で電子放出部を形成した後、窒素または窒化物雰囲気中で加熱することにより、電子放出部の近傍にＢＮ膜を付着させることができ、同様に、電子放出部の電子放出効率を向上させることができる。
【００７４】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明によれば、電子放出部や高電位側電極の周辺に２次電子放出材料を露出させるため、電子放出部から放出された電子が基板上面に衝突したときに、効率よく２次電子を放出させることができる。これにより、１０〜３０Ｖ程度の駆動電圧においても、制御電極において十分な量の２次電子を放出でき、電子の放出効率の向上が図れる。また、電子放出素子内に流れる無効電流を減らすことができ、発熱を回避できるとともに、電子放出素子の寿命を延ばすことができる。
【００７５】
また、高電位側電極の近傍に、２次電子発生用の補助電極を設けてもよい。さらに、電子放出部の周囲にＢＮ膜を形成することにより、電子放出部自体の電子放出効率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】電子放出素子の第１の実施形態の構造を示す模式図。
【図２】Ｉ−Ｖ特性を示す図。
【図３】２次電子放出材料の分布状態を示す図。
【図４】第１の実施形態の電子放出素子の製造工程を示す図。
【図５】電子放出素子の第２の実施形態の構造を示す模式図。
【図６】２次電子放出特性を示す図。
【図７】Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ｂ１３（１９９５）４６５に報告されている素子の構造を示す図。
【図８】特開平７−２５４３５４号公報に開示されている素子の構造を示す図。
【図９】（ａ）は特開平１０−５５７５１号公報に開示されている素子の平面図、（ｂ）は断面図。
【図１０】レジストのオーバーハングを用いた製法を示す図。
【図１１】登録特許２６４６２３５号に開示されている素子の構造を示す図。
【図１２】Ａ．Ａｓａｉ，ＳＩＤ９７ＤＩＧＥＳＴ，１２７に報告されている素子の構造を示す図。
【符号の説明】
１  基板
２，５０６  低電位側電極薄膜（カソード電極）
３，５０７  高電位側電極薄膜（ゲート電極）
５  電圧印加部
５０１  電極薄膜
５０２  レジスト
５０３  ＴｉＯ２部
５０４  Ｔｉ薄膜
５０５  亀裂部
【図１】
0003561176.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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