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　特願２００３−３４５９２８「半導体装置の製造方法および半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　４月２８日出願公開、特開２００５−１１６６３２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
 ［１］手続の経緯
　本願は、平成１５年１０月３日の出願であって、平成１８年５月１２日付で拒絶理由通知がなされ、同年７月１８日付で意見書及び手続補正書が提出され、平成１８年５月１２日付拒絶理由通知書に記載した理由によって、同年８月７日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年９月１４日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、当審において平成２０年９月１６日付で拒絶理由通知がなされ、同年１１月１４日付で意見書及び手続補正書が提出されたものである。
　　
［２］本願発明
　本願請求項１〜１０に係る発明は、平成１８年７月１８日付の手続補正書、及び平成２０年１１月１４日付の手続補正書によって補正された、特許請求の範囲の請求項１〜１０に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１０に記載された発明（以下、「本願発明１０」という。）は次のとおりのものと認める。
「【請求項１０】
　フリップチップ接続のための突起電極を含む半導体装置であって、
　半導体基板と、
　この半導体基板上に形成された金属からなる電極と、
　上記半導体基板の上記電極が形成された面を覆い、所定の上記電極を露出させる開口が形成されたパッシベーション膜と、
　このパッシベーション膜の開口近傍に形成され、上記電極に電気接続された拡散防止プラグと、
　この拡散防止プラグ上に形成され、上記パッシベーション膜と接触しているシード層と、
　このシード層上に形成された上記突起電極とを含み、
　上記突起電極の幅が、上記拡散防止プラグの幅より大きく、
　上記シード層は上記拡散防止プラグを覆っていて、上記拡散防止プラグが露出されておらず、
　上記拡散防止プラグが、上記半導体基板に形成された上記電極を構成する金属と上記突起電極を構成する金属との拡散が生じないような金属材料からなり、
　上記拡散防止プラグの高さが、上記拡散防止プラグにおいて上記パッシベーション膜の開口に対応する部分にわたって、上記シード層において上記パッシベーション膜と接触している領域の上面より高いことを特徴とする半導体装置。」
　　
［３］引用刊行物の記載事項
　これに対して、当審において平成２０年９月１６日付で通知した拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された下記の刊行物には、それぞれ以下の事項が記載されている。
　　
刊行物：
１．特開平７−２９７１４９号公報（以下、「引用刊行物１」という。）
２．特開２００３−２１８１５２号公報（以下、「引用刊行物２」という。）
　　
（１）引用刊行物１：特開平７−２９７１４９号公報
（１ａ）「【請求項１】　基板と、
　この基板上の所定箇所に形成された第１の導体層と、
　前記基板と前記第１の導体層上に形成された絶縁層と、
　この絶縁層は前記第１の導体層の所定箇所が露出する開口部を有し、
　前記第１の導体層と前記開口部周辺の前記絶縁層と前記開口部側壁上に形成された第２の導体層と、
　前記第１の導体層上の前記絶縁層と前記第２の導体層とその端部側壁上に形成された第３の導体層と、
　前記第３の導体層上に形成された第４の導体層を有する・・・半導体装置。
【請求項２】　前記第２の導体層がバリヤメタルで形成されている・・・請求項１記載の半導体装置。
・・・・・・
【請求項７】  前記第４の導体層が突起状に形成されている・・・請求項１記載の半導体装置。
【請求項８】　前記第４の導体層の端部が前記第２の導体層の端部よりも、前記開口部に対して外側に形成されている・・・請求項１記載の半導体装置。」（【特許請求の範囲】）が記載されている。
（１ｂ）「【０００１】【産業上の利用分野】本発明は・・・特にバンプ電極を有する半導体装置の構造・・・に関する。
【０００２】【従来の技術】ＴＡＢ等と接続する際に用いられる半導体素子には、電極パッド上に突起状の金属電極（以後バンプ電極とする）が形成されている。通常、電極パッドにはＡｌもしくはその合金が用いられているが、電極パッド上に直接バンプ電極を形成する場合、Ａｌとバンプ電極との間で反応して金属間化合物を形成することがある。一般に金属間化合物は脆く、そのために素子の信頼性を損ないかねない。そのため通常は、電極パッドとバンプ電極との間に複数層の金属薄膜（以後バリヤメタルとする）を形成し、Ａｌとバンプ電極とが反応して合金を形成することを防いでいる。・・・」（段落【０００１】、【０００２】）、
「【００１３】【発明が解決しようとする課題】上記したように、従来の半導体装置は、コンタクト不良を回避するためにバンプ電極を大型化しなければならず、・・・本発明は、上記欠点を除去し、安定した電気的特性を有する微細化されたバンプ電極を有する半導体装置・・・を提供することを目的とする。」（段落【００１３】）が記載されている。
（１ｃ）上記（１ａ）の半導体装置の実施例として、
「【００１８】図１より、半導体集積回路基板１上には電極パッド７が形成されており、電極パッド７の上面には絶縁膜としてパッシベーション膜４が形成されており、その所定箇所に電極パッド７が露出するようにパッシベーション開口部が設けられている。この開口部はパッシベーション膜４の電極パッド７側の端部の側壁と、電極パッド７のパッシベーション膜４に接しない上面とで構成されている。さらに、このパッシベーション開口部とパッシベーション膜４の上記端部上面はバリヤメタル３で覆われている。本実施例ではバリヤメタル３は第１のバリヤメタル３ａおよび第２のバリヤメタル３ｂの２層構造になっているが、１層および３層以上の場合もあり得る。バリヤメタル３としては、例えば第１のバリヤメタル３ａにはＮｉ、第２のバリヤメタル３ｂにはＴｉが用いられる。３層構造とする場合は、第１のバリヤメタル３ａ上に第３のバリヤメタルとしてＰｄを形成する。バリヤメタル３およびその周囲の領域は、金属薄膜２で覆われている。金属薄膜２の厚さは、バリヤメタル３よりも薄くなっている。さらに、金属薄膜２上に、バンプ電極６としてＡｕが形成される。」（段落【００１８】）、
「【００２６】図１０はバンプ電極６を形成する工程を示している。バンプ電極６は金属薄膜２をメッキ電極としてレジスト開口部に電解メッキにより形成する。バンプ電極６の高さは１０〜２０μｍである。
【００２７】・・・図１２は金属薄膜２を除去する工程を示している。バンプ電極６をマスクとしてバンプ電極６直下の金属薄膜２が残存形成するようウェットエッチングにより金属薄膜２を除去する。・・・金属薄膜２はバリヤメタル３上全体を覆い尽くしており、バリヤメタル３がエッチングされるのを防いでいる。」（段落【００２６】、【００２７】）が記載されるとともに、
（１ｄ）上記（１ｃ）の記載内容に対応する半導体装置の断面図（【図１】）、バンプ電極を形成する工程断面図（【図１０】）、金属薄膜を除去する工程断面図（【図１２】が示されている。
　　
（２）引用刊行物２：特開２００３−２１８１５２号公報
（２ａ）図１、図２が示されるとともに、「【００２７】本実施形態においては、このような半導体基板１０の各電極部１１の上に、バリアメタル層２０を形成する。バリアメタル層２０の形成においては、まず、図１（ｂ）に示すように、電極部１１の上に触媒層２１を形成する。触媒層２１は、亜鉛（Ｚｎ）やパラジウム（Ｐｄ）などの触媒金属が溶解している処理液に半導体基板１０を浸漬することにより形成することができる。
【００２８】次に、図１（ｃ）に示すように、無電解めっき法により、触媒層２１の上にニッケル層２２を形成する。ニッケル層２２は、ニッケル（Ｎｉ）とともにリン（Ｐ）やホウ素（Ｂ）が溶解している無電解めっき液に半導体基板１０を浸漬することによって形成することができる。ニッケル層２２の厚さは、ハンダ成分に対する充分な拡散防止機能を確保するという観点より、２μｍ以上であるのが好ましい。本実施形態では、ニッケル層２２は、その一部が保護膜１２に乗り上げているオーバーハングの形態をとる。・・・
【００２９】次に、図１（ｄ）に示すように、無電解めっき法により、ニッケル層２２の上に保護層２３を形成する。保護層２３は、金（Ａｕ）またはパラジウム（Ｐｄ）が溶解している無電解めっき液に半導体基板１０を浸漬することによって、金めっき層またはパラジウムめっき層として形成することができる。保護層２３は、ニッケル層２２を保護するとともに、バリアメタル層２０に対するハンダ成分の濡れ性を向上させるという機能を有する。このようにして、触媒層２１と、ニッケル層２２と、保護層２３とからなるバリアメタル層２０が形成される。」（段落【００２７】〜【００２９】）、
「【００３７】・・・このようにして、バリアメタル層２０を介して電極部１１に固着したハンダバンプ４１が形成される。」（段落【００３７】）が記載されている。
（２ｂ）図９、図１０が示されるとともに、「【００５９】次に、図９（ｂ）に示すように、電気めっき法により、電極部１１の上にバリアメタル層２０を形成する。バリアメタル層２０の形成においては、例えば、まず、ニッケル（Ｎｉ）が溶解している電解液に半導体基板１０を浸漬して、導電膜２４に所定の電位を付与することによって、開口部１２ａおよび開口部３０ａにてニッケル層２２を形成する。電解液としては、例えば、硫酸ニッケルや塩化ニッケルなどを主成分とするワット浴などを使用することができる。ニッケル層２２の厚さは、ハンダ成分に対する充分な拡散防止機能を確保するという観点より、２μｍ以上であるのが好ましい。本実施形態では、ニッケル層２２は、その一部が保護膜１２に乗り上げているオーバーハングの形態をとる。・・・
【００６０】次に、図９（ｃ）に示すように、開口部３０ａに対して、電気めっき法により、バンプ形成材料としてのハンダめっき４２を供給する。具体的には、ハンダ材料が溶解する電解液に半導体基板１０を浸漬して、導電膜２４に所定の電位を付与することにより、バリアメタル層２０の上にハンダめっき４２を堆積させる。・・・
【００６１】次に、図１０（ａ）に示すように、加熱処理により、ハンダめっき４２を一旦溶融させて、ハンダバンプ４３を形成する。」（段落【００５９】〜【００６１】）が記載されている。
（２ｃ）図９には、平坦なバリアメタル層上に電気めっき法により先端がやや凸状のバンプが形成されることが示されている。
 　　 
［４］当審の判断
（１）引用刊行物１に記載された発明 
（ア）引用刊行物１には、摘記（１ａ）の【請求項１】、【請求項２】、【請求項７】、【請求項８】に記載されるとおりの「半導体装置」が記載されており、その態様として、摘記（１ｃ）、（１ｄ）の実施例を包含しているといえる。
（イ）摘記（１ｂ）の「本発明は・・・特にバンプ電極を有する半導体装置の構造・・・に関する。」、「ＴＡＢ等と接続する際に用いられる半導体素子には、電極パッド上に突起状の金属電極（以後バンプ電極とする）が形成されている。」、「従来の半導体装置は、コンタクト不良を回避するためにバンプ電極を大型化しなければならず、・・・本発明は、上記欠点を除去し、安定した電気的特性を有する微細化されたバンプ電極を有する半導体装置・・・を提供することを目的とする」との記載によれば、上記（ア）の「半導体装置」は、ＴＡＢ等と接続する際に用いられるバンプ電極を有しているものと理解できる。
　　
　上記（ア）、（イ）の事項を考慮し、摘記（１ａ）〜（１ｄ）の記載事項を整理すると、引用刊行物１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「ＴＡＢ等と接続する際に用いられるバンプ電極を有する半導体装置であって、
　半導体集積回路基板と、
　この基板上の所定箇所に形成されたＡｌからなる電極パッドを含む第１の導体層と、
　前記基板と前記第１の導体層上に形成されたパッシベーション膜と、
　このパッシベーション膜は前記電極パッドが露出する開口部を有し、
　前記電極パッドと前記開口部周辺の前記パッシベーション膜と前記開口部側壁上にバリヤメタルで形成された第２の導体層と、
　前記第１の導体層上の前記パッシベーション膜と前記第２の導体層とその端部側壁上に形成され、前記第２の導体層上全体を覆い尽くしている金属薄膜と、
　前記金属薄膜上に形成され、その端部が前記第２の導体層の端部よりも、前記開口部に対して外側に形成されているバンプ電極を有する半導体装置。」
　　
（２）本願発明１０と引用発明の対比
（ウ）引用発明における「半導体集積回路基板」、「Ａｌからなる電極パッド」は、それぞれ本願発明１０における「半導体基板」、「半導体基板上に形成された金属からなる電極」に相当する。
（エ）引用発明における「前記基板と前記第１の導体層上に形成されたパッシベーション膜と、このパッシベーション膜は前記電極パッドが露出する開口部を有し、」は、本願発明１０における「上記半導体基板の上記電極が形成された面を覆い、所定の上記電極を露出させる開口が形成されたパッシベーション膜と、」に相当する。
（オ）引用発明における「前記電極パッドと前記開口部周辺の前記パッシベーション膜と前記開口部側壁上にバリヤメタルで形成された第２の導体層」は、「開口部周辺の前記パッシベーション膜と前記開口部側壁上に」形成され、「電極パッド」上に形成されて電気接続されており、電極パッドとバンプ電極とが反応して合金を形成することを防ぐ金属で形成されており（摘記（１ｂ）、（１ｃ）参照）、バンプ電極は突起電極と同義であるから、本願発明１０における「このパッシベーション膜の開口近傍に形成され、上記電極に電気接続された拡散防止プラグ・・・上記拡散防止プラグが、上記半導体基板に形成された上記電極を構成する金属と上記突起電極を構成する金属との拡散が生じないような金属材料からなり、」に相当する。
（カ）引用発明における「前記第１の導体層上の前記パッシベーション膜と前記第２の導体層とその端部側壁上に形成され、前記第２の導体層上全体を覆い尽くしている金属薄膜」は、電解メッキによりバンプ電極を形成するための電極として、第２の導体層上全体を覆い尽くして形成され、さらにパッシベーション膜上にも形成されているので（摘記（１ｃ）参照）、本願発明１０における「この拡散防止プラグ上に形成され、上記パッシベーション膜と接触しているシード層・・・上記シード層は上記拡散防止プラグを覆っていて、上記拡散防止プラグが露出されておらず、」に相当する。
（キ）引用発明における「ＴＡＢ等と接続する際に用いられるバンプ電極・・・前記金属薄膜上に形成され、その端部が前記第２の導体層の端部よりも、前記開口部に対して外側に形成されているバンプ電極」は、ＴＡＢ等とのフリップチップ接続に用いられ、上記（カ）で述べた金属薄膜上に形成され、その端部間の幅が、上記（オ）で述べた第２の導体層の端部間の幅より大きいと解されるので、本願発明１０における「フリップチップ接続のための突起電極・・・このシード層上に形成された上記突起電極・・・上記突起電極の幅が、上記拡散防止プラグの幅より大きく」に相当する。
　　
　そうすると、本願発明１０と引用発明とは、
「フリップチップ接続のための突起電極を含む半導体装置であって、
　半導体基板と、
　この半導体基板上に形成された金属からなる電極と、
　上記半導体基板の上記電極が形成された面を覆い、所定の上記電極を露出させる開口が形成されたパッシベーション膜と、
　このパッシベーション膜の開口近傍に形成され、上記電極に電気接続された拡散防止プラグと、
　この拡散防止プラグ上に形成され、上記パッシベーション膜と接触しているシード層と、
　このシード層上に形成された上記突起電極とを含み、
　上記突起電極の幅が、上記拡散防止プラグの幅より大きく、
　上記シード層は上記拡散防止プラグを覆っていて、上記拡散防止プラグが露出されておらず、
　上記拡散防止プラグが、上記半導体基板に形成された上記電極を構成する金属と上記突起電極を構成する金属との拡散が生じないような金属材料からなる半導体装置。」
の点で一致し、そして、以下の点で相違している。
　　
相違点Ａ：本願発明１０では、拡散防止プラグの高さが、拡散防止プラグにおいてパッシベーション膜の開口に対応する部分にわたって、シード層においてパッシベーション膜と接触している領域の上面より高いのに対して、引用発明では、そのように規定されていない点。
　　
（３）相違点の検討
　半導体装置のバンプ電極を形成するための電極パッドの所定箇所が露出するパッシベーション膜の開口部の領域全体にわたって、その周囲の領域の上面より高くバリヤメタル層を形成することは、引用刊行物２に、「無電解めっき法により、触媒層２１の上にニッケル層２２を形成する。・・・ニッケル層２２の厚さは、ハンダ成分に対する充分な拡散防止機能を確保するという観点より、２μｍ以上であるのが好ましい。本実施形態では、ニッケル層２２は、その一部が保護膜１２に乗り上げているオーバーハングの形態をとる。・・・このようにして、触媒層２１と、ニッケル層２２と、保護層２３とからなるバリアメタル層２０が形成される。」、「電気めっき法により、電極部１１の上にバリアメタル層２０を形成する。・・・ニッケル層２２の厚さは、ハンダ成分に対する充分な拡散防止機能を確保するという観点より、２μｍ以上であるのが好ましい。本実施形態では、ニッケル層２２は、その一部が保護膜１２に乗り上げているオーバーハングの形態をとる。」（摘記（２ａ）（２ｂ）参照）と記載される他、次の周知例１、２にもそれぞれ以下のとおり記載されるように、バリヤメタル層の拡散防止機能を確保するために、或いは、良好なバンプ電極を得るために、本願出願前周知の技術といえる。
　　
周知例１：　特開平１１−２１４４２１号公報
（周１ａ）「【課題を解決するための手段】・・・本発明による半導体素子の電極形成方法は、半導体素子のアルミニウム電極表面にバリアメタルあるいは突起電極としてニッケルめっきを施す・・・」（段落【００１２】）、
（周１ｂ）「【００３７】・・・半導体素子の全てのアルミニウム電極１２の表面にＮｉ（４〜５μｍ）−Ａｕ（０．０５μｍ）のめっき膜が形成された。このめっき膜１８はアルミニウム電極１２に対して極めて強固に密着されていた。また、このめっき膜１８に図２に示すようにはんだワイヤをワイヤボンディング法ではんだバンプ１９を形成し、この半導体素子をセラミック基板上に配線されたＡｇ−Ｐｄ電極にフェイスダウン方式で実装したところ良好な接合が確認された。
【００３８】・・・図３に示すように前記実施の形態と同様な無電解めっき処理でニッケルめっき処理を３０分行い、ニッケル膜１６（１２〜１４μｍ）−置換反応型の無電解金めっき膜１７（０．０５μｍ）のめっき膜を形成した後、更に、下記の組成からなり、ｐＨ７．０、温度６０℃の酸化還元反応型の無電解金めっき液に１２０分浸漬することにより２μｍ程度の厚付けの金めっき膜２０を形成して、高さ１５μｍ程度のバンプ２１とすることにより錫（Ｓｎ）めっきされたＴＡＢ用テープキャリアのインナーリードとＡｕ−Ｓｎ共晶を形成して接合するＴＡＢ実装も可能であった。」（段落【００３７】、【００３８】）と記載されている。
（周１ｃ）図２には、半導体素子のアルミニウム電極上のパッシベーション膜の開口部及びその周辺部にわたり、ニッケル等のバリアメタルを該パッシベーション膜より高く形成し、該バリアメタル上にバンプ電極を形成したものが図示されており、また、図３には、同様のバリアメタルに厚付けの金めっき膜を形成してバンプ電極としたものが図示されている。
　　
周知例２：　特開平２−２０７５３１号公報
（周２ａ）「
第１例
第２図参照
　半導体ウェーハ１のバンプ形成領域２に、・・・アルミニウム等の第１の導体層３を形成し、次いで、・・・絶縁膜４を１μｍ厚程度に形成し、その上に窒化シリコン膜５を３，０００Å厚程度に形成する。・・・
第１図参照
　フォトリソグラフィー法を使用して第１の導体層３上の絶縁膜４と窒化シリコン膜５とをパターニングして格子状に残留し、格子に囲まれた開口７の大きさを５μｍ□程度とする。選択ＣＶＤ法を使用して、タングステン、モリブデン等の第２の導電体層８を開口７内に選択的に埋設する。
第３図参照
　全面にチタン、タングステン、クローム、パラジウム、白金、金等のバリヤ金属層９を０．３〜０．５μｍ厚程度に形成し、・・・バリヤ金属層９を一方の電極とする電界メッキ法を使用して金メッキ等をなし、金等よりなるバンプ１１を形成する。
第４図参照
　レジスト膜１０を除去し、金等よりなるバンプ１１をマスクとしてエッチングをなし、バンプ１１に覆われていない領域のバリヤ金属層９を除去する。」（第３頁左下欄１行〜右下欄１３行）、
（周２ｂ）「埋設された第２の導電体層の表面は平坦となる。その結果、第１の導体層上の格子状絶縁膜と埋設された第２の導電体層とをもって形成される層の表面は平坦となり、その上に形成されるバリヤ金属層も平坦となる。その結果、電界メッキ法を使用して形成されるバンプ表面も平坦となるので、リードとの接触面積が増加し、接着強度が向上する。」（第４頁左上欄１７行〜右上欄５行）と記載されている。
（周２ｃ）第３図、第４図には、半導体装置の第１の導体層が露出する絶縁膜４と窒化シリコン膜５の開口部の領域全体にわたって、バリヤ金属層をその周囲の窒化シリコン膜５の上面より高く平坦に形成し、該バリヤ金属層上に表面が平坦なバンプを電界メッキ法により形成したものが図示されている。
　　
　そうすると、引用発明における、パッシベーション膜の開口部から露出する電極パッドと該開口部周辺のパッシベーション膜と該開口部側壁上にバリヤメタルで形成されている第２の導体層、即ち「拡散防止プラグ」を、その拡散防止機能を確保する等のために、その周囲の領域の上面よりも高くなるように形成して、その高さを、該パッシベーション膜の開口部に対応する部分にわたって、金属薄膜においてパッシベーション膜と接触している領域の上面より高くすることは、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　　
　そして、バリアメタル上面の平坦な形状により、バンプ電極の先端の中央部が窪まないように形成できることは、引用刊行物２の図９、周知例２の第３図、第４図にも示されており、当業者が普通に予測し得る程度のものであるから、上記相違点Ａに係る本願発明１０の効果も、格別なものとはいえない。
　　
　したがって、本願発明１０は、引用刊行物１に記載された発明、及び上記周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　
［５］むすび
　以上のとおりであるから、本願発明１０は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　また、上記のとおり本願発明１０が特許を受けることができないため、本願の他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。