【事件の表示】
　特願２００６−２９６４６２「半導体素子収納用中空パッケージ及び半導体装置とその製造方法並びに電子機器」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年５月１５日出願公開、特開２００８−１１２９３７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
【１】手続の経緯
　本願は、平成１８年１０月３１日の出願であって、平成１８年１２月１３日付けで拒絶理由が通知され、その指定期間内の平成１９年２月６日付けで意見書及び手続補正書が提出されたが、平成１９年２月２３日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成１９年４月２日付けで拒絶査定に対する審判請求がなされ、その後、法定期間内の平成１９年４月２７日付けで、その特許請求の範囲及び明細書についての手続補正書が提出されたものである。
　　　
【２】補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１９年４月２７日付けの手続補正を却下する。
［理由］
［１］補正内容
　本件補正は、特許請求の範囲についてする補正内容として、
　補正前の請求項数(７つ)から６つを削除し、かつ補正前の請求項６の内容をさらに特定し、補正後の請求項１としたものであって、当該請求項１は、
　「【請求項１】半導体素子を収納する凹部を有するパッケージ本体を絶縁基体で形成する工程であって、リードフレームの一端上面が前記凹部に露出し、リードフレームの一部が前記パッケージ本体の内部に埋設されるようにパッケージ本体を形成する工程と、前記パッケージ本体の凹部に半導体素子を搭載する工程と、前記半導体素子と前記凹部に露出するリードフレームの一端上面とを電気的に接続する工程と、前記凹部を蓋で封止する工程とを含む半導体装置の製造方法において、前記パッケージ本体を形成する工程の後工程であって、前記半導体素子を搭載する工程の前工程として、前記パッケージ本体の凹部に露出するリードフレームの一端上面の全面または一部に、金または銀を含有する導電性インクを印刷して導電薄膜層を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。」(以下、「本件発明」という)である。
　したがって、審判請求人が平成１９年４月２７日付けで特許請求の範囲についてした手続補正は、特許請求の範囲を限定的に減縮することを目的とするものと認められ、平成１８年改正前の特許法第１７条の２第４項第２号の規定に適合する。
　そこで、本件発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか(特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか)について次で検討する。
　　　
［２］刊行物１，２の記載事項
　刊行物１；特開平１０−４１４２３号公報
　刊行物２；特開２００４−２８１５１０号公報
［２-1］刊行物１(前置報告書で提示された引用文献１である)には、
　段落【0001】の【発明の属する技術分野】に、
(刊1a)「本発明は、半導体パッケージの製造方法に関し、特に凹型のパッケージを形成した後、蓋を用いて中空型のパッケージとする半導体パッケージの製造方法に関するものである」と記載され、
　段落【0002】の【従来の技術】に、
(刊1b)「・・・低コスト化のために、プラスチックでモールド成形される（樹脂モールドによる）ものが主流になってきている」と記載され、
　段落【0003】に、
(刊1c)「そこで、図１４に示されるように、インナリード４ａとアウタリード４ｂとを一体成形したリード部４を中心にして、上下に全体として凹型の断面を有するパッケージ２をプラスチックで形成し、このパッケージ２のキャビティ２ａ内に半導体チップ３をマウントし、更にキャビティ２ａの上方を、透明ガラス６で接着剤５を用いてシールした中空型パッケージを有する半導体装置１が製造されている。従来、この半導体装置１は、以下のようにして製造される」と記載され、
　段落【0004】に、
(刊1d)「・・・モールド成形により、図１１に示されるように、このリードフレームＦ’を中心として上下にプラスチックのパッケージ２を形成するが、パッケージ２のリードフレームＦ’より上方に形成される上部２ｂは、図９の２点鎖線で囲まれる部分Ｒに形成されている。なお、図１１及び図１２において、上部２ｂより内方にあるリード部４’がインナリード４ａ’であり、パッケージ２より外方に突出したリード部４’がアウタリード４ｂ’である」と記載され、
　段落【0005】に、
(刊1e)「・・・図１２で示されるようにリードフレームＦ’を形成している金属の表面４ａａ’を露出させる。その後、図１３で示されるようにボンディングのために、インナリード４ａ’（及びダイパッド部Ｄ’）に、ＡｕやＡｇなどのメッキＭを施してインナリード４ａとする。・・・その後、半導体チップ３をダイパッド部Ｄ’に装着し、Ａｕ線Ｗ’などでワイヤボンディングし、更にパッケージ２のキャビティ２ａの上方を透明ガラス６で接着剤５によって密閉し」と記載され、
　段落【0009】に、
(刊1f)「・・・メッキを施さなくてもよい部分（上記特開平３−９４４６６号公報では位置決め部）にもメッキが施され、高価なメッキ液の損失が大きい。そのため、生産コストが高くなっていた」と記載されている。
　　　
［２-2］刊行物2(原審の拒絶理由通知で提示された引用文献2である)には、
　段落【0012】に、
(刊2a)「また、インナーリード３１におけるボンディングワイヤ４０の接続部すなわちインナーリード３１の先端部の表面には、図５中にて点ハッチングとして示すように、ボンディングワイヤ３１との接合性を確保するためのメッキ層５０が形成されている。このメッキ層５０は、通常、例えばＡｇメッキ等の貴金属メッキよりなるものである」と記載され、
　段落【0018】に、
(刊2b)「それによれば、インナーリード（３１）の最表面において、実質的にボンディングワイヤ（４０）との接続部のみにメッキ層（５０）が存在した形となる」と記載され、
　段落【0031】に、
(刊2c)「ここにおいて、インナーリード３１においては、ボンディングワイヤ４０と接続される部位の最表面に、ボンディングワイヤ４０との接合性を確保するためのメッキ層５０が形成されている。このメッキ層５０としては、通常の樹脂封止型電子装置においてワイヤボンド接合性を確保するのに好適なＡｇメッキ等の貴金属メッキ等を採用することができる」と記載され、
　段落【0039】，【0040】に、
(刊2d)「以下、本実施形態の種々の変形例を示しておく。まず、メッキ層５０の形成方法については、上記したマスクを用いた選択メッキの他に、次に述べるような方法を用いてもよい。
Ａｇ等の貴金属粉末を含むペーストを用い、このペーストをインクジェット方式にて、リードフレーム３０の必要な部分のみに塗布し、その後焼き付け等を行ってメッキ層５０を形成する方法」と記載されている。
　　　
［３］対比・判断
［３-1］刊行物１発明
　上記(刊1a)，(刊1c)の摘記事項；
　「半導体パッケージの製造方法に関し、特に凹型のパッケージを形成した後、蓋を用いて中空型のパッケージとする半導体パッケージの製造方法に関する」，「インナリードとアウタリードとを一体成形したリード部を中心にして、上下に全体として凹型の断面を有するパッケージをプラスチックで形成し、このパッケージのキャビティ内に半導体チップをマウントし」から、
　（１）「半導体チップをマウントする凹型キャビティを有するパッケージをプラスチックで形成する」ことが開示されている。
　　　
　上記(刊1c)，(刊1e)，(刊1d)の摘記事項；
　「図１４に示されるように、インナリードとアウタリードとを一体成形したリード部を中心にして、上下に全体として凹型の断面を有するパッケージをプラスチックで形成し」，「図１２で示されるようにリードフレームを形成している金属の表面を露出させる」，「モールド成形により、図１１に示されるように、このリードフレームを中心として上下にプラスチックのパッケージを形成するが、・・・図１１及び図１２において、上部より内方にあるリード部がインナリードであり、パッケージより外方に突出したリード部がアウタリードである」ことから、
　（２）「リードフレームの一端上面が凹型の断面を有するパッケージ内に露出し、リードフレームの一部がパッケージの内部に埋設されるようにパッケージを形成する」ことが開示されている。
　　　
　上記(刊1c)の摘記事項；
　「上下に全体として凹型の断面を有するパッケージをプラスチックで形成し、このパッケージのキャビティ内に半導体チップをマウントし」から、
　（３）「パッケージの凹型キャビティ内に半導体チップをマウントする」ことが開示されている。
　　　
　上記(刊1e)の摘記事項；
　「図１３で示されるようにボンディングのために、インナリードにメッキを施してインナリードとする。その後、半導体チップをダイパッド部に装着し、Ａｕ線などでワイヤボンディングし」から、
　（４）「半導体チップとインナリードとをＡｕ線などでワイヤボンディングする」ことが開示されている。
　　　
　上記(刊1a)，(刊1c)の摘記事項；
　「本発明は、半導体パッケージの製造方法に関し、特に凹型のパッケージを形成した後、蓋を用いて中空型のパッケージとする半導体パッケージの製造方法に関する」，「更にキャビティの上方を、透明ガラスで接着剤を用いてシールした中空型パッケージを有する半導体装置が製造されている」ことから、
　（５）「凹型キャビティを蓋でシールする半導体装置の製造方法」が開示されている。
　　　
　上記(刊1c)〜(刊1e)の摘記事項；
　「上下に全体として凹型の断面を有するパッケージをプラスチックで形成し、このパッケージのキャビティ内に半導体チップをマウントし、中空型パッケージを有する半導体装置が製造されている。従来、この半導体装置は、以下のようにして製造される」，「モールド成形により、図１１に示されるように、このリードフレームを中心として上下にプラスチックのパッケージを形成する」，「図１２で示されるようにリードフレームを形成している金属の表面を露出させる。その後、図１３で示されるようにボンディングのために、インナリードに、ＡｕやＡｇなどのメッキを施してインナリードとする。その後、半導体チップをダイパッド部に装着し」ということから、
　（６）「パッケージを形成することの後であって、半導体チップをマウントする前に、前記パッケージの凹型キャビティ内に露出するリードフレームの表面に、ＡｕやＡｇなどのメッキを施してインナリードとすることを特徴とする半導体装置の製造方法」が開示されている。
　　　
　以上、（１）〜（６）の内容、及びそれらの内容は半導体装置製造方法の各工程であること、さらに各摘記事項中の各図の内容を総合勘案すると、上記刊行物１には、
　「半導体チップを収納する凹型キャビティを有するパッケージをプラスチックで形成する工程であって、リードフレームの一端上面が前記凹型キャビティに露出し、リードフレームの一部が前記パッケージの内部に埋設されるようにパッケージを形成する工程と、前記パッケージの凹型キャビティに半導体チップをマウントする工程と、前記半導体チップと前記凹型キャビティに露出するリードフレームの一端上面とをＡｕ線などでワイヤボンディングする工程と、前記凹型キャビティを蓋でシールする工程とを含む半導体装置の製造方法において、前記パッケージを形成する工程の後工程であって、前記半導体チップをマウントする工程の前工程として、前記パッケージの凹型キャビティに露出するリードフレームの一端上面の全面に、ＡｕやＡｇなどのメッキ層を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法」の発明(以下、「刊行物１発明」という)が開示されていると認められる。
　　　
［３-2］刊行物２の開示内容
　上記(刊2c)，(刊2b)，(刊2a)の摘記事項；
　「インナーリードにおいては、ボンディングワイヤと接続される部位の最表面に、ボンディングワイヤとの接合性を確保するためのメッキ層が形成されている」，「それによれば、インナーリードの最表面において、実質的にボンディングワイヤとの接続部のみにメッキ層が存在した形となる」，「また、インナーリードにおけるボンディングワイヤの接続部すなわちインナーリードの先端部の表面には、ボンディングワイヤとの接合性を確保するためのメッキ層が形成されている。このメッキ層は、通常、例えばＡｇメッキ等の貴金属メッキよりなるものである」ことを前提として、
　上記(刊2d)の摘記事項；
　「メッキ層の形成方法については、上記したマスクを用いた選択メッキの他に、次に述べるような方法を用いてもよい。
Ａｇ等の貴金属粉末を含むペーストを用い、このペーストをインクジェット方式にて、リードフレームの必要な部分のみに塗布し、その後焼き付け等を行ってメッキ層を形成する方法」があることから、
　上記刊行物２には、
(刊2z)「インナーリードの先端部表面にはボンディングワイヤとの接合性を確保するため、Ａｇ等の貴金属粉末を含むペーストを用い、このペーストをインクジェット方式にて、インナーリードの必要な部分のみに印刷した金属層を形成する」という技術事項が開示されている。
　　　
［３-3］本件発明と刊行物１発明との対比
　本件発明と刊行物１発明とを対比すると、
　刊行物１発明の「半導体チップ」，「凹型キャビティ」，「パッケージ」，「プラスチック」，「マウントする」，「Ａｕ線などでワイヤボンディングする」，「シールする」，「メッキ層」は、
　本件発明の「半導体素子」，「凹部」，「パッケージ本体」，「絶縁基体」，「搭載する」，「電気的に接続する」，「封止する」，「導電薄膜層」にそれぞれ相当する。
　したがって、本件発明と刊行物１発明とは、
　「半導体素子を収納する凹部を有するパッケージ本体を絶縁基体で形成する工程であって、リードフレームの一端上面が前記凹部に露出し、リードフレームの一部が前記パッケージ本体の内部に埋設されるようにパッケージ本体を形成する工程と、前記パッケージ本体の凹部に半導体素子を搭載する工程と、前記半導体素子と前記凹部に露出するリードフレームの一端上面とを電気的に接続する工程と、前記凹部を蓋で封止する工程とを含む半導体装置の製造方法において、前記パッケージ本体を形成する工程の後工程であって、前記半導体素子を搭載する工程の前工程として、前記パッケージ本体の凹部に露出するリードフレームの一端上面の全面に、導電薄膜層を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法」であることで一致する。
　　　
　一方、本件発明では「金または銀を含有する導電性インクを印刷して導電薄膜層を形成する」のに対して、刊行物１発明では「ＡｕやＡｇなどのメッキにより導電薄膜層(メッキ層)を形成する」点(相違点)で両者は相違する。
　　　
［３-4］相違点の判断
　相違点について考察するに、
　上記(刊2z)の如く、「インナーリードの先端部表面にはボンディングワイヤとの接合性を確保するため、Ａｇ等の貴金属粉末を含むペーストを用い、このペーストをインクジェット方式にて、インナーリードの必要な部分のみに印刷した金属層を形成する」という技術は刊行物２に示されている。
　そして、この技術は、上記(刊2d)記載のように「実施形態の種々の変形例」として「マスクを用いた選択メッキ」に代えて実施されるものである。
　また、刊行物１発明の「メッキ手法」を刊行物２に示された「印刷技術」に変更することに格別な困難があるともいえない。
　ゆえに、この相違点は、当業者が容易に想到できたものと認められる。
　　　
［４］まとめ
　以上のとおり、本件発明は、刊行物１，２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものと認められ、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　したがって、本件補正は、平成１８年改正前の特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　　　
【３】この出願の発明
　平成１９年４月２７日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜７に係る発明は、平成１９年２月６日付けの手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜７に記載された事項により特定されるとおりのものであり、
　そして、その請求項１に係る発明(以下、「本願発明」という)は、
　「【請求項１】絶縁基体からなるパッケージ本体に半導体素子を収納する凹部が形成されており、リードフレームの一端上面が前記凹部に露出し、リードフレームの一部が前記パッケージ本体の内部に埋設されている半導体素子収納用中空パッケージであって、前記凹部に露出するリードフレームの一端上面の全面または一部に、金または銀を含有する導電性インクを印刷して導電薄膜層を形成している半導体素子収納用中空パッケージ。」である。
　　　
【４】原審の拒絶理由の概要
　この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内において頒布された下記の刊行物に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　記　　(引用文献等については引用文献等一覧参照)
（１）請求項１，２，４−６，７に係る発明に対して
　・引用文献：１，２
　引用文献１（特に、図２）に記載の発明において、リードフレームとボンディングワイヤとの密着性の向上は当然に考慮されるべき課題であり、当該課題を解決すべく、引用文献２（特に、［００４０］，図１−６）に示される如くの、導電性インクを塗布する手法を採用することは、当業者であれば適宜になし得たものである。
　・・・
　　　　　引用文献等一覧
　１．特開２００２−３６８１５０号公報
　２．特開２００４−２８１５１０号公報
　　　
【５】引用例１，２の記載事項
　引用例１；特開２００２−３６８１５０号公報
　引用例２；特開２００４−２８１５１０号公報
［１］引用例１(原審の拒絶理由通知で提示された引用文献１である)
　段落【0001】の【発明の属する技術分野】に、
(引1a)「本発明は半導体素子を収容するための半導体素子収納用パッケージに関する」と記載され、
　段落【0002】の【従来の技術】に、
(引1b)「・・・近年、小型化・軽量化・低コスト化のために図２に示すようなプラスチックス製パッケージ１が使われるようになってきた」と記載され、
　段落【0003】に、
(引1c)「この中空プラスチックパッケージ１は、半導体チップ２を収納するキャビティ部３が設けられた絶縁基体４を有し、この絶縁基体４のキャビティ部３に露出するリードフレーム５のインナーリード部６の端部７を有し、その端部７は、チップ２の電極と金線等のボンディングワイヤー８で接続し、リードフレーム５により、外部に電気信号を送る働きをする構造を有する」と記載され、
　段落【0014】の【発明が解決しようとする課題】に、
(引1d)「本発明が解決しようとする課題は、半導体素子収納用中空プラスチックパッケージの作成法において、形成したプラスチックパッケージのキャビティ部に露出するインナーリード部の端部表面へのプラスチック被着を万遍なく減少し、ボンディングワイヤーとそのリード端子との電気的接続を確実に行うことができるようにすることにある」と記載され、
　【図２】に、
(引1e)「リードフレーム５の一部がプラスチックパッケージ１の絶縁基体４の内部に埋設されており、リードフレーム５のインナーリード部６の先端部７はキャビティ部３に露出して該先端部７にボンディングワイヤー８を接合した構造」が示されている。
　　　
［２］引用例２(原審の拒絶理由通知で提示された引用文献２である)
　段落【0012】に、
(引2a)「また、インナーリード３１におけるボンディングワイヤ４０の接続部すなわちインナーリード３１の先端部の表面には、図５中にて点ハッチングとして示すように、ボンディングワイヤ３１との接合性を確保するためのメッキ層５０が形成されている。このメッキ層５０は、通常、例えばＡｇメッキ等の貴金属メッキよりなるものである」と記載され、
　段落【0018】に、
(引2b)「それによれば、インナーリード（３１）の最表面において、実質的にボンディングワイヤ（４０）との接続部のみにメッキ層（５０）が存在した形となる」と記載され、
　段落【0031】に、
(引2c)「ここにおいて、インナーリード３１においては、ボンディングワイヤ４０と接続される部位の最表面に、ボンディングワイヤ４０との接合性を確保するためのメッキ層５０が形成されている。このメッキ層５０としては、通常の樹脂封止型電子装置においてワイヤボンド接合性を確保するのに好適なＡｇメッキ等の貴金属メッキ等を採用することができる」と記載され、
　段落【0039】，【0040】に、
(引2d)「以下、本実施形態の種々の変形例を示しておく。まず、メッキ層５０の形成方法については、上記したマスクを用いた選択メッキの他に、次に述べるような方法を用いてもよい。
Ａｇ等の貴金属粉末を含むペーストを用い、このペーストをインクジェット方式にて、リードフレーム３０の必要な部分のみに塗布し、その後焼き付け等を行ってメッキ層５０を形成する方法」と記載されている。
　　　
【６】当審の判断
［１］引用発明
　上記(引1c)の摘記事項；
　「プラスチックパッケージは、半導体チップを収納するキャビティ部が設けられた絶縁基体を有し」から、
　（１）「絶縁基体からなるプラスチックパッケージに半導体チップを収納するキャビティ部が形成され」ていることが開示されている。
　　　
　上記(引1c)，(引1d)の摘記事項；
　「絶縁基体のキャビティ部に露出するリードフレームのインナーリード部の端部を有し」，「プラスチックパッケージのキャビティ部に露出するインナーリード部の端部表面」という記載から、
　（２）「リードフレームの一端上面がキャビティ部に露出し」ていることが開示されている。
　　　
　上記(引1e)，(引1d)の摘記事項；
　「リードフレームの一部がプラスチックパッケージの絶縁基体の内部に埋設され」，「本発明が解決しようとする課題は、半導体素子収納用中空プラスチックパッケージの作成法において」から、
　（３）「リードフレームの一部がプラスチックパッケージの内部に埋設されている半導体素子収納用中空パッケージ」が開示されている。
　　　
　以上の（１）〜（３）から、上記引用例１には、
　「絶縁基体からなるプラスチックパッケージに半導体チップを収納するキャビティ部が形成されており、リードフレームの一端上面が前記キャビティ部に露出し、リードフレームの一部が前記プラスチックパッケージの内部に埋設されている半導体素子収納用中空パッケージ」の発明(以下、「引用発明」という)が開示されていると認められる。
　　　
［２］引用例２の開示内容
　上記(引2c)，(引2b)，(引2a)の摘記事項；
　「インナーリードにおいては、ボンディングワイヤと接続される部位の最表面に、ボンディングワイヤとの接合性を確保するためのメッキ層が形成されている」，「それによれば、インナーリードの最表面において、実質的にボンディングワイヤとの接続部のみにメッキ層が存在した形となる」，「また、インナーリードにおけるボンディングワイヤの接続部すなわちインナーリードの先端部の表面には、ボンディングワイヤとの接合性を確保するためのメッキ層が形成されている。このメッキ層は、通常、例えばＡｇメッキ等の貴金属メッキよりなるものである」ことを前提として、
　上記(引2d)の摘記事項；
　「メッキ層の形成方法については、上記したマスクを用いた選択メッキの他に、次に述べるような方法を用いてもよい。
Ａｇ等の貴金属粉末を含むペーストを用い、このペーストをインクジェット方式にて、リードフレームの必要な部分のみに塗布し、その後焼き付け等を行ってメッキ層を形成する方法」があることから、
　上記引用例２には、
(引2z)「インナーリードの先端部表面にはボンディングワイヤとの接合性を確保するため、Ａｇ等の貴金属粉末を含むペーストを用い、このペーストをインクジェット方式にて、インナーリードの必要な部分のみに印刷した金属層を形成する」という技術事項が開示されている。
　　　
［３］対比
　本願発明と引用発明とを対比すると、
　引用発明の「プラスチックパッケージ」，「半導体チップ」，「キャビティ部」は、本願発明の「パッケージ本体」，「半導体素子」，「凹部」にそれぞれ相当する。
　したがって、本願発明と引用発明とは、
　「絶縁基体からなるパッケージ本体に半導体素子を収納する凹部が形成されており、リードフレームの一端上面が前記凹部に露出し、リードフレームの一部が前記パッケージ本体の内部に埋設されている半導体素子収納用中空パッケージ」である点で一致している。
　　　
　一方、本願発明では、半導体素子を収納する「凹部に露出するリードフレームの一端上面の全面または一部に、金または銀を含有する導電性インクを印刷して導電薄膜層を形成している」のに対して、引用発明では、半導体チップを収納するキャビティ部にリードフレームの一端上面が露出した構造ではあるが、当該露出面の全面または一部に「導電薄膜層」は形成されていない点(相違点)で両者は相違する。
　　　
［４］相違点の判断
　相違点について考察するに、
　上記(引2z)の如く、「インナーリードの先端部表面にはボンディングワイヤとの接合性を確保するため、Ａｇ等の貴金属粉末を含むペーストを用い、このペーストをインクジェット方式にて、インナーリードの必要な部分のみに印刷した金属層を形成する」という技術は引用例２に示されている。
　そして、この技術は、本願発明におけると同様に、ワイヤボンディング性の確保・向上のために付加されるものである。
　また、引用発明の、半導体チップを収納するキャビティ部に露出したリードフレームの一端上面は、上記(引1e)に摘記の如く、インナーリードの先端部そのものであり、そこにボンディングワイヤーが接合される。
　したがって、引用発明において、ワイヤボンディング性の確保・向上のために、半導体チップを収納するキャビティ部に露出したリードフレームの一端上面の全面または一部に、引用例２に開示された「印刷した金属層(導電薄膜層)を形成する」ことは、当業者が適宜容易に想到できたものと認められる。
　　　
【７】むすび
　以上のとおりであるから、本願発明(請求項１に係る発明)は、上記の引用例１，２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。