(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素が配列配置されて成る撮像面形成部を有した撮像部からの撮像信号に含まれる、上記撮像面形成部における欠陥画素からの出力信号に基づく欠陥部分を検出する信号欠陥検出部と、
該信号欠陥検出部により上記欠陥部分が検出されるとき、上記撮像面形成部における各画素を特定するアドレスデータのうちの、上記欠陥部分の原因をなす欠陥画素に対応するものとされる欠陥アドレスデータを格納するデータメモリ手段と、
該データメモリ手段における上記欠陥アドレスデータの格納状態についての制御を行う欠陥データ格納制御部と、
上記撮像部から、上記撮像面形成部における欠陥画素のうちの予め検知されているものからの出力信号に基づくものとされる上記撮像信号の欠陥部分が得られるとき、第１の欠陥補正指示信号を送出する制御信号送出部と、
該制御信号送出部から上記第１の欠陥補正指示信号が送出されるとき、該第１の欠陥補正指示信号に応じて、上記データメモリ手段における上記欠陥アドレスデータの格納を停止させる欠陥検出制御部と、
上記データメモリ手段から読み出された上記欠陥アドレスデータに基づいて、第２の欠陥補正指示信号を形成する指示信号形成部と、
上記第１の欠陥補正指示信号及び上記第２の欠陥補正指示信号を、上記撮像信号に対する欠陥補正部に供給する指示信号供給部と、
を備えて構成される撮像信号欠陥検出及び補正装置。
【請求項２】
信号欠陥検出部が、撮像部から得られた撮像信号のレベルが所定レベル以上であるとき該撮像信号に含まれる欠陥部分の検出を行うものとされることを特徴とする請求項１記載の撮像信号欠陥検出及び補正装置。
【請求項３】
複数の画素が配列配置されて成る撮像面形成部を有した撮像部から得られた撮像信号のレベルと所定の基準レベルとを比較するレベル比較部を含み、該レベル比較部からの比較出力信号に基づいて、上記撮像部からの撮像信号に含まれる、上記撮像面形成部における欠陥画素からの出力信号に基づく欠陥部分を検出する信号欠陥検出部と、
該信号欠陥検出部により上記欠陥部分が検出されるとき、上記撮像面形成部における各画素を特定するアドレスデータのうちの、上記欠陥部分の原因をなす欠陥画素に対応するものとされる欠陥アドレスデータを格納するデータメモリ手段と、
該データメモリ手段における上記欠陥アドレスデータの格納状態についての制御を行う欠陥データ格納制御部と、
上記撮像部から、上記撮像面形成部における欠陥画素のうちの予め検知されているものからの出力信号に基づくものとされる上記撮像信号の欠陥部分が得られるとき、第１の欠陥補正指示信号を送出する制御信号送出部と、
該制御信号送出部から上記第１の欠陥補正指示信号が送出されるとき、上記信号欠陥検出部による上記撮像信号に含まれる欠陥部分の検出が、実質的に行われない状態を設定する欠陥検出制御部と、
上記データメモリ手段から読み出された上記欠陥アドレスデータに基づいて、第２の欠陥補正指示信号を形成する指示信号形成部と、
上記第１の欠陥補正指示信号及び上記第２の欠陥補正指示信号を、上記撮像信号に対する欠陥補正部に供給する指示信号供給部と、
を備えて構成され、
上記レベル比較部が、上記制御信号送出部からの第１の欠陥補正指示信号に応じて上記比較出力信号が得られない状態をとり、上記欠陥検出制御部を形成するものとされることを特徴とする撮像信号欠陥検出及び補正装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、複数の画素が配列配置されて成る撮像面形成部を備えた撮像部からの撮像信号に含まれる、撮像面形成部における欠陥画素からの出力信号に基づく欠陥部分を検出するとともに、欠陥部分を含んだ撮像信号に対して欠陥補正を施す、撮像信号欠陥検出及び補正装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
映像信号を形成するビデオカメラ等を構成すべく用いられる固体撮像部は、半導体基体に、光電変換を行う多数の画素が多数の並行列を形成して配列形成されるとともに、各画素で得られた信号電荷を転送する電荷結合素子（ＣＣＤ）等で形成された電荷転送領域が設けられて成る撮像面形成部を備えたものとされる。このような固体撮像部における撮像面形成部は、その製造過程において極めて多数の画素の全てが適正に機能するものとなるようにされることは容易ではなく、例えば、半導体の局部的な結晶欠陥等に起因して異常な動作を行うことになる欠陥画素が含まれるものとなり易い。また、固体撮像部が実際の使用に供された後においても、静電破壊等に起因して、部分的に欠陥画素を含むものとされてしまう虞もある。
【０００３】
そして、欠陥画素を含む撮像面形成部を備えるものとされた固体撮像部が使用される場合には、その撮像面形成部における画素の各々からの出力信号についての、画素が形成する多数の並行列のうちの選択されたものとされる読出列に従ったサンプリング読出しが行われ、それにより順次得られる撮像信号中に、欠陥画素からの出力信号がノイズ成分として混入して、撮像信号の欠陥部分を形成することになるので、固体撮像部からの撮像信号が供給されてそれに基づく撮像出力信号を形成する信号処理回路部において、斯かる欠陥画素に起因する撮像信号の欠陥部分に対する処置、即ち、欠陥補正が行われることが要求される。
【０００４】
それゆえ、固体撮像部に備えられる撮像面形成部にあっては、その製造工程中における各画素が適正に作動すべき状態とされた段階において、それに含まれる欠陥画素を検出してその位置を特定するためのテストが行われ、そのテストにより判明した欠陥画素の撮像面形成部における位置を、例えば、撮像面形成部上において多数の画素により形成される並行列の夫々を特定する垂直方向アドレス及び並行列の各々における画素の夫々を特定する水平方向アドレスをもってあらわす欠陥画素データが格納されたリード・オンリー・メモリ（ＲＯＭ）が用意され、その欠陥画素データが格納されたＲＯＭを伴うものとされるようになすことが提案されている。このように、欠陥画素データが格納されたＲＯＭを伴うものとされた撮像面形成部は、実際の使用に供されるにあたっては、それにおける画素の各々からの出力信号に基づいて得られる、欠陥画素に起因する欠陥部分を含んだ撮像信号に対して、ＲＯＭから読み出された欠陥画素データに基づいて得られる欠陥補正指示信号に応じた欠陥補正が施され、それにより、撮像信号における欠陥部分の除去あるいは低減が図られるものとされることになる。
【０００５】
しかしながら、上述の如くに、固体撮像部に備えられる撮像面形成部における画素の各々からの出力信号に基づいて得られる撮像信号に含まれた欠陥画素に起因する欠陥部分に対して、当該撮像面形成部が伴うＲＯＭから読み出される欠陥画素データに基づいて得られる欠陥補正指示信号に応じた欠陥補正を施すようになす対処は、撮像面形成部の製造過程において発生した欠陥画素に関しては有効であるが、撮像面形成部が実際の使用に供された後において、例えば、静電破壊等に起因して生じた欠陥画素に対しては、効力を発揮することはできない。
【０００６】
そこで、このような問題に対処すべく、本願の出願人によって先に出願された特願平５−３０７４７７号に記載されている如くの、固体撮像部における実際の撮像動作に先立って、撮像面形成部に配列配置された複数の画素の夫々からの出力信号に基づいて形成される撮像信号に含まれる、欠陥画素からの出力信号に基づく欠陥部分を検出するとともに、撮像面形成部における各画素を特定するアドレスデータのうちの検出された欠陥部分の原因をなす欠陥画素に対応するものとされる欠陥アドレスデータをメモリ手段に格納する動作を行い、固体撮像部における実際の撮像動作が行なわれる際に、メモリ手段から読み出された欠陥アドレスデータに基づいて、撮像信号についての欠陥補正を行なう欠陥補正部に欠陥補正指示信号を送出するものとされる撮像信号欠陥検出及び補正装置が提案されている。
【０００７】
斯かる撮像信号欠陥検出及び補正装置によれば、固体撮像部から得られる撮像信号に基づいて、撮像面形成部における欠陥画素の検出及びその位置の特定が、撮像面形成部が実際の使用に供された後において生じた欠陥画素も含めて、適宜、容易かつ確実に行われるとともにその結果が保存され、その後においては、検出された欠陥画素に起因する撮像信号の欠陥部分の補正が、保存された欠陥画素の位置の特定結果に基づくタイミング設定がなされるもとで、適正に行われることになる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
上述の如くの、固体撮像部から得られる撮像信号における欠陥部分の検出及び検出された欠陥部分に対応する欠陥アドレスデータのメモリ手段への格納を行うとともに、メモリ手段から読み出された欠陥アドレスデータに基づいて、撮像信号についての欠陥補正を行なう欠陥補正部に欠陥補正指示信号を送出するものとされる撮像信号欠陥検出及び補正装置にあっては、それが適用される固体撮像部の撮像面形成部が、例えば、その製造過程において行われたテストにより判明した欠陥画素についての欠陥画素データが、ＲＯＭに格納されたもの等として、それに付随するものとされる場合、撮像面形成部に付随する欠陥画素データにより特定されている欠陥画素の検出が、固体撮像部から得られる撮像信号に基づいて再度行われ、その欠陥画素を特定する、撮像面形成部に付随する欠陥画素データと同一のものとされる欠陥アドレスデータが、メモリ手段に格納されることになる。
【０００９】
即ち、撮像面形成部に付随する欠陥画素データにより特定されている欠陥画素については、重複した検出がなされ、その欠陥画素を特定する欠陥画素データが既に撮像面形成部に付随するものとされているにもかからず、その欠陥画素を特定する欠陥アドレスデータがメモリ手段に格納されることになるのである。このような撮像面形成部に付随する欠陥画素データと同一の欠陥アドレスデータのメモリ手段における格納は、撮像面形成部に付随する欠陥画素データが利用されるもとでは不要であり、さらに、メモリ容量の制約上、メモリ手段に格納される欠陥アドレスデータの数が制限されることを考慮すると、メモリ手段のメモリ容量を無駄に消費していることになる。
【００１０】
また、このようなもとでは、撮像面形成部に付随するものとされた欠陥画素データに基づいて得られる欠陥補正指示信号に応じた欠陥補正は、固体撮像部からの撮像信号に基づいて検出されたが、その検出結果が、メモリ容量の制約上、メモリ手段に格納されないことになる欠陥画素に起因する撮像信号の欠陥部分に対してのみ有効に作用するに過ぎないことになってしまう。
【００１１】
斯かる点に鑑み、本発明は、撮像部から得られる撮像信号における欠陥部分の検出及び検出された欠陥部分に対応する欠陥アドレスデータのメモリ手段への格納を行うとともに、メモリ手段から読み出された欠陥アドレスデータに基づいて、撮像信号についての欠陥補正を行なう欠陥補正部に欠陥補正指示信号を送出するにあたり、撮像部の撮像面形成部が、例えば、その製造過程において行われたテストにより判明した欠陥画素についての予め得られた欠陥画素データが付随するものである場合、撮像面形成部に付随する欠陥画素データにより特定されている欠陥画素についての重複検出を回避して、撮像面形成部に付随する欠陥画素データを効率よく有効利用することができ、かつ、メモリ手段のメモリ容量の無駄な消費がまねかれる事態を防止することができる、撮像信号欠陥検出及び補正装置を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上述の目的を達成すべく、本発明の第１の態様に係る撮像信号欠陥検出及び補正装置は、複数の画素が配列配置されて成る撮像面形成部を有した撮像部からの撮像信号に含まれる、撮像面形成部における欠陥画素からの出力信号に基づく欠陥部分を検出する信号欠陥検出部と、信号欠陥検出部により欠陥部分が検出されるとき、撮像面形成部における各画素を特定するアドレスデータのうちの、欠陥部分の原因をなす欠陥画素に対応するものとされる欠陥アドレスデータを格納するデータメモリ手段と、データメモリ手段における欠陥アドレスデータの格納状態についての制御を行う欠陥データ格納制御部とに加えて、撮像部から撮像面形成部における欠陥画素のうちの予め検知されているものからの出力信号に基づくものとされる撮像信号の欠陥部分が得られるとき、第１の欠陥補正指示信号を送出する制御信号送出部と、制御信号送出部から第１の欠陥補正指示信号が送出されるとき、その第１の欠陥補正指示信号に応じて、データメモリ手段における欠陥アドレスデータの格納を停止させる欠陥検出制御部とを備え、さらに、データメモリ手段から読み出された欠陥アドレスデータに基づいて、第２の欠陥補正指示信号を形成する指示信号形成部と、第１及び第２の欠陥補正指示信号を撮像信号に対する欠陥補正部に供給する指示信号供給部とが設けられて構成される。
また、本発明の第２の態様に係る撮像信号欠陥検出及び補正装置は、複数の画素が配列配置されて成る撮像面形成部を有した撮像部から得られた撮像信号のレベルと所定の基準レベルとを比較するレベル比較部を含み、そのレベル比較部からの比較出力信号に基づいて、撮像部からの撮像信号に含まれる、撮像面形成部における欠陥画素からの出力信号に基づく欠陥部分を検出する信号欠陥検出部と、信号欠陥検出部により欠陥部分が検出されるとき、撮像面形成部における各画素を特定するアドレスデータのうちの、欠陥部分の原因をなす欠陥画素に対応するものとされる欠陥アドレスデータを格納するデータメモリ手段と、データメモリ手段における欠陥アドレスデータの格納状態についての制御を行う欠陥データ格納制御部とに加えて、撮像部から撮像面形成部における欠陥画素のうちの予め検知されているものからの出力信号に基づくものとされる撮像信号の欠陥部分が得られるとき、第１の欠陥補正指示信号を送出する制御信号送出部と、制御信号送出部から第１の欠陥補正指示信号が送出されるとき、信号欠陥検出部による撮像信号に含まれる欠陥部分の検出が、実質的に行われない状態を設定する欠陥検出制御部と、データメモリ手段から読み出された欠陥アドレスデータに基づいて、第２の欠陥補正指示信号を形成する指示信号形成部と、第１及び第２の欠陥補正指示信号を撮像信号に対する欠陥補正部に供給する指示信号供給部とを備え、信号欠陥検出部に含まれるレベル比較部が、制御信号送出部からの第１の欠陥補正指示信号に応じて比較出力信号が得られない状態をとり、欠陥検出制御部を形成するものとされて、構成される。
【００１３】
【作用】
このように構成される本発明の第１の態様もしくは第２の態様に係る撮像信号欠陥検出及び補正装置においては、信号欠陥検出部に撮像信号を供給する撮像部が、その撮像面形成部に予め得られた欠陥画素データが付随するものとされる場合、信号欠陥検出部により、撮像部からの撮像信号に含まれる、撮像部の撮像面形成部における欠陥画素からの出力信号に基づく欠陥部分の検出が行われるとともに、検出された欠陥部分の原因をなす欠陥画素に対応する欠陥アドレスデータが、欠陥データ格納制御部による制御のもとに、データメモリ手段に格納される際には、撮像部から撮像面形成部における予め検知されている欠陥画素、即ち、撮像面形成部に付随する欠陥画素データにより特定される欠陥画素からの出力信号に基づくものとされる撮像信号の欠陥部分が得られるとき、それに対応して、制御信号送出部から撮像面形成部に付随する欠陥画素データに基づく第１の欠陥補正指示信号が送出される。
【００１４】
そして、制御信号送出部から第１の欠陥補正指示信号が送出されると、それに応じて、データメモリ手段における欠陥アドレスデータの格納が停止される状態、もしくは、信号欠陥検出部による撮像信号に含まれる欠陥部分の検出が実質的に行われない状態とされ、それにより、撮像面形成部に付随する欠陥画素データにより特定される欠陥画素についての重複検出が回避されることになる。従って、データメモリ手段には、撮像面形成部における欠陥画素のうちの、撮像面形成部に付随する欠陥画素データにより特定されないものについての検出結果が格納されることになり、データメモリ手段のメモリ容量の無駄な消費がまねかれる事態が防止される。
【００１５】
その後、欠陥補正部により撮像部からの撮像信号に対する欠陥補正が行われる際には、撮像部から、データメモリ手段に格納された欠陥アドレスデータによって特定される欠陥画素からの出力信号に基づくものとされる撮像信号の欠陥部分が得られるとき、指示信号形成部により、データメモリ手段から読み出された欠陥アドレスデータに基づいて第２の欠陥補正指示信号が形成され、その第２の欠陥補正指示信号が指示信号供給部により欠陥補正部に供給される。また、撮像部から、撮像面形成部に付随する欠陥画素データにより特定される欠陥画素からの出力信号に基づくものとされる撮像信号の欠陥部分が得られるとき、制御信号送出部から撮像面形成部に付随する欠陥画素データに基づく第１の欠陥補正指示信号が送出され、その第１の欠陥補正指示信号が指示信号供給部により欠陥補正部に供給される。
【００１６】
欠陥補正部にあっては、第２の欠陥補正指示信号が供給されるとき、その第２の欠陥補正指示信号に応じての撮像信号に対する欠陥補正が行われ、また、第１の欠陥補正指示信号が供給されるときには、その第１の欠陥補正指示信号に応じての撮像信号に対する欠陥補正が行われる。従って、撮像面形成部に付随する欠陥画素データが効率よく有効利用されることになる。
【００１７】
【実施例】
図１は、本発明に係る撮像信号欠陥検出及び補正装置の一例を、それが適用されたビデオカメラが備える固体撮像部，光学系等と共に示す。
【００１８】
図１に示される構成においては、光電変換を行う多数の画素が多数の並行列を形成して配列配置されるとともに、各画素で得られた信号電荷を転送するＣＣＤにより形成された電荷転送領域が設けられて成る撮像面形成部を備えるものとされた固体撮像部１０が備えられている。固体撮像部１０の前方には、レンズ・システム１１及び絞り機構１２を含んで構成される光学系が配されており、この光学系は、固体撮像部１０が有する撮像面形成部に、撮像対象像を投影する。
【００１９】
固体撮像部１０は、例えば、図２に示される如くの撮像面形成部を有した、インターライン転送型のものとなされる。図２に示される撮像面形成部においては、半導体基体１３上に、各々が個々の画素を構成する多数の光電変換素子部１５が、多数の水平方向（矢印ｈの方向）に伸びる並行列（画素水平列）を形成するものとされて配列配置されている。多数の画素水平列の夫々を形成する光電変換素子部１５は、また、多数の垂直方向（矢印ｖの方向）に伸びる並行列（画素垂直列）をも形成しており、このような光電変換素子部１５が形成する各画素垂直列に沿って、ＣＣＤ群により形成された垂直電荷転送部１６が配されている。各垂直電荷転送部１６は、例えば、２相の垂直転送駆動信号φＶ１及びφＶ２により駆動されて電荷転送動作を行う。
【００２０】
各画素垂直列を形成する複数の光電変換素子部１５の夫々とその垂直列に対応する垂直電荷転送部１６との間には、電荷読出ゲート部１７が設けられている。そして、電荷読出ゲート部１７は、画素水平列のうちの奇数番目のもの（奇数画素水平列）を形成する光電変換素子部１５に関わるものが、読出ゲート駆動信号φＧＯによって電荷読出状態をとるものとされ、また、画素水平列のうちの偶数番目のもの（偶数画素水平列）を形成する光電変換素子部１５に関わるものが、読出ゲート駆動信号φＧＥによって電荷読出状態をとるものとされる。
【００２１】
複数の垂直電荷転送部１６の夫々の一端部側は、半導体基体１３の端縁部において、ＣＣＤ群により形成されて水平方向に伸びるものとされた水平電荷転送部１８に連結されている。水平電荷転送部１８は、例えば、２相の水平転送駆動信号φＨ１及びφＨ２により駆動されて電荷転送動作を行う。そして、水平電荷転送部１８には、電荷出力部１９が設けられており、電荷出力部１９からは出力端子２０が導出されている。
【００２２】
このような図２に示される撮像面形成部を有した固体撮像部１０において撮像動作が行われる際には、先ず、所定の受光期間が設定され、その受光期間において、レンズ・システム１１及び絞り機構１２を含んで構成される光学系により、撮像対象像が投影される。それにより、受光期間において、各々が画素を構成する複数の光電変換素子部１５の夫々が、撮像対象像に応じた光電変換を行って電荷を蓄積する。
【００２３】
その後、第１の電荷読出期間において、駆動信号形成部２５から固体撮像部１０における撮像面形成部に供給される読出ゲート駆動信号φＧＯによって、奇数画素水平列を形成する光電変換素子部１５に関わる電荷読出ゲート部１７の夫々が電荷読出状態をとるものとされ、電荷読出状態をとる電荷読出ゲート部１７の夫々を通じて、それに対応する光電変換素子部１５に蓄積された電荷が対応する垂直電荷転送部１６に読み出される。続いて、第１の電荷読出期間に続く第１の電荷転送期間において、各垂直電荷転送部１６に読み出された電荷が、駆動信号形成部２５から固体撮像部１０における撮像面形成部に供給される、２相の垂直転送駆動信号φＶ１及びφＶ２によって駆動される各垂直電荷転送部１６の電荷転送動作により、各奇数画素水平列を形成する複数の光電変換素子部１５により得られた分宛、順次、水平電荷転送部１８に向けて転送されていく。
【００２４】
そして、水平電荷転送部１８においては、駆動信号形成部２５から固体撮像部１０における撮像面形成部に供給される、２相の水平転送駆動信号φＨ１及びφＨ２によって駆動されることにより行われる電荷転送動作により、水平電荷転送部１８に順次転送される、奇数画素水平列の一つを形成する複数の光電変換素子部１５で得られた分の電荷が、電荷出力部１９へと転送される。電荷出力部１９においては、水平電荷転送部１８により転送されてくる電荷が順次信号化されて出力端子２０に導出される。
【００２５】
次に、第１の電荷転送期間に続く第２の電荷読出期間において、駆動信号形成部２５から固体撮像部１０における撮像面形成部に供給される読出ゲート駆動信号φＧＥによって、偶数画素水平列を形成する光電変換素子部１５に関わる電荷読出ゲート部１７の夫々が電荷読出状態をとるものとされ、電荷読出状態をとる電荷読出ゲート部１７の夫々を通じて、それに対応する光電変換素子部１５に蓄積された電荷が対応する垂直電荷転送部１６に読み出される。続いて、第２の電荷読出期間に続く第２の電荷転送期間において、各垂直電荷転送部１６に読み出された電荷が、駆動信号形成部２５から固体撮像部１０における撮像面形成部に供給される、２相の垂直転送駆動信号φＶ１及びφＶ２によって駆動される各垂直電荷転送部１６の電荷転送動作により、各偶数画素水平列を形成する複数の光電変換素子部１５により得られた分宛、順次、水平電荷転送部１８に向けて転送されていく。
【００２６】
そして、水平電荷転送部１８においては、駆動信号形成部２５から固体撮像部１０における撮像面形成部に供給される、２相の水平転送駆動信号φＨ１及びφＨ２によって駆動されることにより行われる電荷転送動作により、水平電荷転送部１８に順次転送される、偶数画素水平列の一つを形成する複数の光電変換素子部１５で得られた分の電荷が、電荷出力部１９へと転送される。電荷出力部１９においては、水平電荷転送部１８により転送されてくる電荷が順次信号化されて出力端子２０に導出される。
【００２７】
以下、上述の第１の電荷読出期間における電荷読出し、第１の電荷転送期間における電荷転送、第２の電荷読出期間における電荷読出し、及び、第２の電荷転送期間における電荷転送が順次繰り返される。そして、出力端子２０に、複数の光電変換素子部１５に蓄積された電荷に基づく、撮像対象像に応じた撮像信号ＩＰが得られる。
【００２８】
斯かる場合、固体撮像部１０を構成する撮像面形成部における、奇数画素水平列の夫々を形成する複数の光電変換素子部１５で得られた電荷についての１画素水平列分宛の、各垂直電荷転送部１６による水平電荷転送部１８への転送が、奇数フィールド期間内において終了するとともに、偶数画素水平列の夫々を形成する複数の光電変換素子部１５で得られた電荷についての１画素水平列分宛の、各垂直電荷転送部１６による水平電荷転送部１８への転送が、偶数フィールド期間内において終了し、また、水平電荷転送部１８の夫々に順次転送される１画素水平列を形成する複数の光電変換素子部１５で得られた分の電荷の、水平電荷転送部１８による電荷出力部１９への供給は、各ライン期間内において終了するものとされるように、２相の垂直転送駆動信号φＶ１及びφＶ２及び２相の水平転送駆動信号φＨ１及びφＨ２の夫々が設定される。それゆえ、固体撮像部１０を構成する撮像面形成部の出力端子２０に導出される撮像信号ＩＰは、ライン期間分を単位とするものが連なって形成されることになる奇数フィールド期間分及び偶数フィールド期間分が順次繰り返されるものとされることになる。
【００２９】
従って、撮像面形成部からは、奇数フィールド期間において、奇数画素水平列の夫々を形成する複数の光電変換素子部１５で得られた電荷に基づくライン期間分の撮像信号が奇数画素水平列の数だけ連なって形成される、１フィールド期間分の撮像信号ＩＰが得られ、また、偶数フィールド期間において、偶数画素水平列の夫々を形成する複数の光電変換素子部１５で得られた電荷に基づくライン期間分の撮像信号が偶数画素水平列の数だけ連なって形成される、１フィールド期間分の撮像信号ＩＰが得られる。
【００３０】
駆動信号形成部２５は、タイミング信号形成部２６からの垂直方向クロック信号ＣＬＶ，水平方向クロック信号ＣＬＨ、及び、読出指令信号ＣＲＯ及びＣＲＥが供給され、読出ゲート駆動信号φＧＯを読出指令信号ＣＲＯに応じて形成するとともに、読出ゲート駆動信号φＧＥを読出指令信号ＣＲＥに応じて形成し、また、２相の垂直転送駆動信号φＶ１及びφＶ２の夫々を垂直方向クロック信号ＣＬＶに基づいて形成し、さらに、２相の水平転送駆動信号φＨ１及びφＨ２の夫々を水平方向クロック信号ＣＬＨに基づいて形成する。そして、駆動信号形成部２５は、読出ゲート駆動信号φＧＯ，垂直転送駆動信号φＶ１及びφＶ２、及び、水平転送駆動信号φＨ１及びφＨ２を読出指令信号ＣＲＯに応じて、また、読出ゲート駆動信号φＧＥ，垂直転送駆動信号φＶ１及びφＶ２、及び、水平転送駆動信号φＨ１及びφＨ２を読出指令信号ＣＲＥに応じて、夫々、固体撮像部１０における撮像面形成部に供給する。
【００３１】
タイミング信号形成部２６は、同期信号発生部２７からの垂直同期信号ＳＶ及び水平同期信号ＳＨが供給され、さらに、後述される欠陥検出部３５からの蓄積指令信号ＣＣＯ及びＣＣＥが供給されるもとで、垂直方向クロック信号ＣＬＶを水平同期信号ＳＨに基づいて形成し、また、水平方向クロック信号ＣＬＨを、水平同期信号ＳＨより著しく高い周波数を有するが、水平同期信号ＳＨに同期したものとして形成するとともに、読出指令信号ＣＲＯ及びＣＲＥを、夫々、蓄積指令信号ＣＣＯ及びＣＣＥに基づき、奇数フィールド期間及び偶数フィールド期間に対応するものとして形成し、それらを駆動信号形成部２５に供給するものとされている。
【００３２】
また、タイミング信号形成部２６には、固体撮像部１０が備える撮像面形成部の製造過程において行われたテストにより検知された撮像面形成部における欠陥画素の位置を、撮像面形成部における多数の画素水平列の各々をあらわす垂直方向アドレスＡＶ、及び、撮像面形成部における各画素水平列内における画素の各々の位置をあらわす水平方向アドレスＡＨをもって特定するものとされた欠陥画素データが格納されて、固体撮像部１０の撮像面形成部に伴うものとされたＲＯＭが内蔵されている。このＲＯＭに格納された欠陥画素データは、撮像面形成部における欠陥画素が属する画素水平列を特定する垂直方向アドレスＡＶと、その垂直方向アドレスＡＶによって特定された画素水平列内における欠陥画素の位置を特定する水平方向アドレスＡＨとを含むアドレスを示すものとされる。
【００３３】
そして、タイミング信号形成部２６からは、固体撮像部１０の撮像面形成部における予め検知された欠陥画素、即ち、ＲＯＭに格納されて固体撮像部１０の撮像面形成部に付随するものとされた欠陥画素データにより特定される欠陥画素からの出力信号に基づくものとされる撮像信号ＩＰの欠陥部分が、固体撮像部１０における撮像面形成部から得られるとき、それに対応して、ＲＯＭに格納された欠陥画素データに基づく第１の欠陥補正指示信号ＣＸが送出され、それが欠陥検出部３５に供給される。
【００３４】
図３及び図４は、上述の如くにして固体撮像部１０における撮像面形成部から得られる撮像信号ＩＰの状態を示す。図３は、主として奇数フィールド期間における様子を示し、図３のＡに示される如くの、図３のＢに示される垂直同期信号ＳＶの前縁部から始まる奇数フィールド期間Ｏ−Ｆにおいては、例えば、図３のＣに示される水平同期信号ＳＨの奇数フィールド期間Ｏ−Ｆの開始時点から数えて１３番目のもの以降において、図３のＤに示される如く、奇数画素水平列の夫々を形成する光電変換素子部１５で得られた分の電荷に基づくライン期間分の撮像信号が連なって形成される撮像信号ＩＰが得られる。撮像信号ＩＰにおける各ライン期間分に付された奇数数字は、当該ライン期間分の撮像信号を形成する電荷が得られた撮像面形成部における奇数画素水平列の水平電荷転送部１８側からの番号をあらわす。なお、この例にあっては、当該奇数フィールド期間Ｏ−Ｆの開始時点より３ライン期間だけ先立つ時点から当該奇数フィールド期間Ｏ−Ｆの開始時点から１７ライン期間だけ経過するまでの２０ライン期間に相当する期間は、実際には垂直ブランキング期間ＴＢＬＫとされる。
【００３５】
同様に、図４は、主として偶数フィールド期間における様子を示し、図４のＡに示される如くの、図４のＢに示される垂直同期信号ＳＶの前縁部から始まる偶数フィールド期間Ｅ−Ｆにおいては、例えば、図４のＣに示される水平同期信号ＳＨ（奇数フィールド期間Ｏ−Ｆの場合に比して０．５ライン期間分のズレを生じている）の偶数フィールド期間Ｅ−Ｆの開始時点から数えて１４番目のもの以降において、図４のＤに示される如く、偶数画素水平列の夫々を形成する光電変換素子部１５で得られた分の電荷に基づくライン期間分の撮像信号が連なって形成される撮像信号ＩＰが得られる。撮像信号ＩＰにおける各ライン期間分に付された偶数数字は、当該ライン期間分の撮像信号を形成する電荷が得られた撮像面形成部における偶数画素水平列の水平電荷転送部１８側からの番号をあらわす。なお、ここにおいても、当該偶数フィールド期間Ｅ−Ｆの開始時点より３ライン期間だけ先立つ時点から当該偶数フィールド期間Ｅ−Ｆの開始時点から１７ライン期間だけ経過するまでの２０ライン期間に相当する期間は、実際には垂直ブランキング期間ＴＢＬＫとされる。
【００３６】
固体撮像部１０における撮像面形成部から得られる撮像信号ＩＰは、サンプリング・ホールド部３０に供給される。サンプリング・ホールド部３０においては、撮像信号ＩＰに対する所定の短周期毎のレベル・サンプリング及びサンプル・レベルの保持が行われてサンプリング・ホールド出力信号ＳＩが得られ、それがアナログ／ディジタル（Ａ／Ｄ）変換部３１に供給される。Ａ／Ｄ変換部３１においては、サンプリング・ホールド出力信号ＳＩに基づいての撮像信号ＩＰのディジタル化が図られ、Ａ／Ｄ変換部３１から、撮像信号ＩＰに対応するディジタル撮像信号ＤＩが得られて、それが欠陥補正部３２に供給される。
【００３７】
欠陥補正部３２には、欠陥検出部３５から送出される第１の欠陥補正指示信号ＣＸ及び第２の欠陥補正指示信号ＣＤも供給される。そして、欠陥補正部３２においては、第１の欠陥補正指示信号ＣＸ及び第２の欠陥補正指示信号ＣＤの夫々に応じて、ディジタル撮像信号ＤＩに含まれる、固体撮像部１０の撮像面形成部における欠陥画素に起因してもたらされた欠陥部分についての補正が行われる。欠陥補正部３２における第１の欠陥補正指示信号ＣＸ及び第２の欠陥補正指示信号ＣＤに応じたディジタル撮像信号ＤＩにおける欠陥部分についての補正にあたっては、既に提案されている撮像部から得られる撮像信号についての欠陥補正方式が適宜採用される。
【００３８】
そして、欠陥補正部３２から、ディジタル撮像信号ＤＩに対してそれに含まれる欠陥部分に応じた欠陥補正が施されて得られるものとされるディジタル撮像信号ＤＩＣが送出され、信号処理部３３に供給される。信号処理部３３においては、ディジタル撮像信号ＤＩＣについての各種の処理が行われて、固体撮像部１０における撮像面形成部から得られた撮像信号ＩＰに基づく映像信号ＤＶが形成され、それが出力端子３４に導出される。
【００３９】
欠陥検出部３５には、タイミング信号形成部２６からのＲＯＭに格納された欠陥画素データに基づく第１の欠陥補正指示信号ＣＸに加えて、タイミング信号形成部２６からの垂直方向クロック信号ＣＬＶ，水平方向クロック信号ＣＬＨ，読出指令信号ＣＲＯ及び読出指令信号ＣＲＥ，同期信号発生部２７からの垂直同期信号ＳＶ、及び、制御ユニット３６からのリセット信号ＣＲＳ及び欠陥検出指令信号ＣＳＴが供給される。
【００４０】
そして、欠陥検出部３５は、タイミング信号形成部２６からの第１の欠陥補正指示信号ＣＸが供給されないもとで、ディジタル撮像信号ＤＩに含まれる、固体撮像部１０の撮像面形成部における欠陥画素に起因してもたらされる欠陥部分を検出するとともに、検出された欠陥部分の原因をなしている撮像面形成部における欠陥画素を、撮像面形成部における垂直方向アドレスＡＶ及び水平方向アドレスＡＨをもって特定し、撮像面形成部における欠陥画素が属する画素水平列を特定する垂直方向アドレスＡＶと、その垂直方向アドレスＡＶによって特定された画素水平列内における欠陥画素の位置を特定する水平方向アドレスＡＨとを含むアドレスを示す欠陥アドレスデータ、即ち、検出された欠陥部分に対応する欠陥アドレスデータを、内蔵するデータメモリ部に格納する動作を行い、また、タイミング信号形成部２６からの第１の欠陥補正指示信号ＣＸが供給されるとき、その第１の欠陥補正指示信号ＣＸに応じて、ディジタル撮像信号ＤＩに含まれる欠陥部分の検出、もしくは、検出された欠陥部分に対応する欠陥アドレスデータのデータメモリ部への格納が、実質的に行われないようにする動作を行う。さらに、欠陥検出部３５は、タイミング信号形成部２６からの第１の欠陥補正指示信号ＣＸが供給されないもとで、内蔵するデータメモリ部に格納された欠陥アドレスデータに基づき、適切なタイミングをとるものとされる第２の欠陥補正指示信号ＣＤを形成して、それを欠陥補正部３２に供給する動作、及び、タイミング信号形成部２６からの第１の欠陥補正指示信号ＣＸが供給されるとき、その第１の欠陥補正指示信号ＣＸを欠陥補正部３２に供給する動作をも行う。
【００４１】
欠陥検出部３５にあっては、このような動作を通じて、タイミング信号形成部２６に対する蓄積指令信号ＣＣＯ及びＣＣＥの供給が行われるとともに、ディジタル撮像信号ＤＩにおける欠陥部分を検出し、検出された欠陥部分に対応する欠陥アドレスデータをデータメモリ部に格納する動作、及び、第１の欠陥補正指示信号ＣＸに応じて、ディジタル撮像信号ＤＩに含まれる欠陥部分の検出、もしくは、検出された欠陥部分に対応する欠陥アドレスデータのデータメモリ部への格納が、実質的に行われないようにする動作が行われる期間が終了したとき、検出終了信号ＣＥの制御ユニット３６への送出が行われる。
【００４２】
制御ユニット３６には、欠陥検出部３５に、ディジタル撮像信号ＤＩにおける欠陥部分を検出し、検出された欠陥部分に対応する欠陥アドレスデータをデータメモリ部に格納する動作、及び、第１の欠陥補正指示信号ＣＸに応じて、ディジタル撮像信号ＤＩに含まれる欠陥部分の検出、もしくは、検出された欠陥部分に対応する欠陥アドレスデータのデータメモリ部への格納が実質的に行われないようにする動作を行わせるべく操作される、欠陥検出スイッチ３７Ｒが設けられている。そして、制御ユニット３６は、欠陥検出スイッチ３７が操作されて一時的にオン状態とされると、先ず、リセット信号ＣＲＳを欠陥検出部３５に供給し、続いて、欠陥検出指令信号ＣＳＴを、その後欠陥検出部３５から検出終了信号ＣＥが到来する時点あるいはその後の時点まで、欠陥検出部３５及び駆動信号形成部２５の夫々に供給する。
【００４３】
駆動信号形成部２５は、制御ユニット３６からの欠陥検出指令信号ＣＳＴが供給されるとき、それに応じて、絞り機構１２に供給される絞り機構駆動信号ＣＩを、絞り機構１２に全絞り状態をとらせるものとなす。絞り機構１２が全絞り状態をとるもとにあっては、固体撮像部１０における撮像面形成部が、実質的に外光が入射しない状態に維持される。その後、駆動信号形成部２５に対する制御ユニット３６からの欠陥検出指令信号ＣＳＴの供給が停止されると、駆動信号形成部２５は、絞り機構１２に供給される絞り機構駆動信号ＣＩを、絞り機構１２に欠陥検出指令信号ＣＳＴの供給前の状態をとらせるものに戻す。
【００４４】
欠陥検出部３５は、制御ユニット３６からのリセット信号ＣＲＳが供給されると、それに応じて、それまで内蔵するデータメモリ部に格納されていた欠陥アドレスデータを消去して、データメモリ部に対する新たな欠陥アドレスデータの書込みに備える。そして、続いて制御ユニット３６から到来する欠陥検出指令信号ＣＳＴに応じ、絞り機構１２が全絞り状態をとるものとされたもとにおいて、ディジタル撮像信号ＤＩにおける欠陥部分を検出し、検出された欠陥部分に対応する欠陥アドレスデータをデータメモリ部に格納する動作を開始する。
【００４５】
斯かるもとで、制御ユニット３６は、装置全体に対する動作モード設定を行う動作モード制御部を形成しており、欠陥検出スイッチ３７がオフ状態に維持されているとき、欠陥補正部３２において、固体撮像部１０における撮像面形成部から得られた撮像信号ＩＰに基づくディジタル撮像信号ＤＩに、第１の欠陥補正指示信号ＣＸ及び第２の欠陥補正指示信号ＣＤに応じた欠陥補正が施され、欠陥補正されたディジタル撮像信号ＤＩＣに基づく映像信号ＤＶが出力端子３４に得られるノーマル動作モードを設定し、また、欠陥検出スイッチ３７が操作されて一時的にオン状態とされるとき、欠陥検出部３５において、ディジタル撮像信号ＤＩにおける欠陥部分が検出され、検出された欠陥部分に対応する欠陥アドレスデータがデータメモリ部に格納される動作、及び、第１の欠陥補正指示信号ＣＸに応じて、ディジタル撮像信号ＤＩに含まれる欠陥部分の検出、もしくは、検出された欠陥部分に対応する欠陥アドレスデータの内蔵するデータメモリ部への格納が実質的に行われないようになす動作が行われる欠陥検出動作モードを設定する。
【００４６】
図５は、本発明に係る撮像信号欠陥検出及び補正装置に備えられる欠陥検出部３５に関連する技術説明のための、当該本発明に係る欠陥検出部３５に相当する他の欠陥検出部３５の具体構成についての例を示す。この例においては、信号入力端子４０に、同期信号発生部２７からの垂直同期信号ＳＶが供給される。垂直同期信号ＳＶは、図６のＡに示される如く、その各周期をもって、図６のＢに示される如くに、奇数フィールド期間Ｏ−Ｆと偶数フィールド期間Ｅ−Ｆとが交互に設定されるものとされる。また、信号入力端子４１及び４２には、タイミング信号形成部２６からの垂直方向クロック信号ＣＬＶ及び水平方向クロック信号ＣＬＨが夫々供給される。
【００４７】
制御ユニット３６に設けられた欠陥検出スイッチ３７が操作されて一時的にオン状態とされ、それに応じて、制御ユニット３６により欠陥検出動作モードが設定されるときには、制御ユニット３６からリセット信号ＣＲＳ及びそれに続く欠陥検出指令信号ＣＳＴが送出され、その欠陥検出指令信号ＣＳＴが、信号入力端子４３に、例えば、図６のＣに示される如くのタイミングをもって供給される。図６のＣに示される如くにして欠陥検出指令信号ＣＳＴが信号入力端子４３に供給される場合には、欠陥検出指令信号ＣＳＴの供給開始時点は、固体撮像部１０における撮像面形成部から得られた撮像信号ＩＰに基づくディジタル撮像信号ＤＩが形成され、そのディジタル撮像信号ＤＩに基づいて形成される映像信号ＤＶが出力端子３４に導出される動作が行われる期間である、映像信号出力期間ＴＣＯ内にあるものとされる。斯かる映像信号出力期間ＴＣＯにおいては、信号入力端子４４に、ディジタル撮像信号ＤＩが、図６のＧに示される如くに供給される。
【００４８】
信号入力端子４４に供給されるディジタル撮像信号ＤＩは、奇数フィールド期間Ｏ−Ｆにおいては、固体撮像部１０の撮像面形成部における奇数画素水平列の夫々を形成する光電変換素子部１５で得られた電荷に基づく、ライン期間分の撮像信号が連なって形成された奇数ラインフィールド期間信号  Ｏ．Ｌ．Ｆ．  とされ、また、偶数フィールド期間Ｅ−Ｆにおいては、撮像面形成部における偶数画素水平列の夫々を形成する光電変換素子部１５で得られた電荷に基づく、ライン期間分の撮像信号が連なって形成された偶数ラインフィールド期間信号  Ｅ．Ｌ．Ｆ．  とされる。
【００４９】
さらに、映像信号出力期間ＴＣＯにおける欠陥検出指令信号ＣＳＴの供給前にあっては、信号入力端子４０を通じて垂直同期信号ＳＶが供給される蓄積指令信号発生部４５に、信号入力端子４３を通じての欠陥検出指令信号ＣＳＴの供給がなされず、それにより、蓄積指令信号発生部４５から得られる蓄積指令信号ＣＣＯ及びＣＣＥが、図６のＤ及びＥに夫々示される如くに、各々が垂直同期信号ＳＶの周期の２倍の周期を有し、垂直同期信号ＳＶに同期して交互にあらわれるパルス信号とされる。
【００５０】
そして、蓄積指令信号発生部４５に、信号入力端子４３を通じた欠陥検出指令信号ＣＳＴが供給されると、蓄積指令信号発生部４５は、それ以降、欠陥検出指令信号ＣＳＴの供給開始時点後３個目の垂直同期信号ＳＶに同期したパルス信号として蓄積指令信号ＣＣＯを発生させた後、予め設定された、例えば、ｎフィールド期間（ｎ≧６）に相当する期間ＴＣＧＯが経過するまで、蓄積指令信号ＣＣＯを発生させず、その後、期間ＴＣＧＯが経過したとき、蓄積指令信号ＣＣＯを、垂直同期信号ＳＶの周期の２倍の周期を有して垂直同期信号ＳＶに同期するパルス信号として発生させ、また、欠陥検出指令信号ＣＳＴの供給開始時点の直前に、垂直同期信号ＳＶに同期したパルス信号として蓄積指令信号ＣＣＥを発生させた後、予め設定された、例えば、ｎフィールド期間に相当する期間ＴＣＧＥが経過するまで、蓄積指令信号ＣＣＥを発生させず、その後、期間ＴＣＧＥが経過したとき、蓄積指令信号ＣＣＥを、垂直同期信号ＳＶに同期させて発生させ、さらに、その後６フィールド期間に相当する期間をおいて、それ以後、再び、蓄積指令信号ＣＣＥを垂直同期信号ＳＶの周期の２倍の周期を有して垂直同期信号ＳＶに同期するパルス信号として発生させる。
【００５１】
図６のＤ及びＥに示される如くに、期間ＴＣＧＯにおいてはあらわれないものとされる蓄積指令信号ＣＣＯ及び期間ＴＣＧＥにおいてはあらわれないものとされる蓄積指令信号ＣＣＥは、書込制御信号発生部４６に供給されるとともにタイミング信号形成部２６に供給される。タイミング信号形成部２６は、読出指令信号ＣＲＯ及びＣＲＥを、夫々、蓄積指令信号ＣＣＯ及びＣＣＥに同期して発せられるパルス列信号として送出する。それゆえ、期間ＴＣＧＯ内においては、駆動信号形成部２５から固体撮像部１０における撮像面形成部への読出ゲート駆動信号φＧＯの供給がなされず、撮像面形成部における奇数画素水平列の夫々を形成する光電変換素子部１５で得られた電荷の垂直電荷転送部１６への読出しは行われない。また、期間ＴＣＧＥ内においては、駆動信号形成部２５から固体撮像部１０における撮像面形成部への、読出ゲート駆動信号φＧＥの供給がなされず、撮像面形成部における偶数画素水平列の夫々を形成する光電変換素子部１５で得られた電荷の垂直電荷転送部１６への読出しは行われない。
【００５２】
このようにして、期間ＴＣＧＯにあっては、撮像面形成部における奇数画素水平列の夫々を形成する光電変換素子部１５が電荷蓄積状態におかれ、また、期間ＴＣＧＥにあっては、撮像面形成部における偶数画素水平列の夫々を形成する光電変換素子部１５が電荷蓄積状態におかれることになるが、期間ＴＣＧＯ及び期間ＴＣＧＥの両者が含まれる期間においては、固体撮像部１０の前方に配された絞り機構１２が全絞り状態をとるものとされているので、撮像面形成部は実質的に外光が入射しない状態におかれており、光電変換素子部１５における外光による電荷の蓄積はなされない。
【００５３】
そして、期間ＴＣＧＯの終端時点が到来すると、蓄積指令信号発生部４５から蓄積指令信号ＣＣＯが垂直同期信号ＳＶに同期してあらわれるパルス信号として発生せしめられ、それがタイミング信号形成部２６に供給される。それにより、タイミング信号形成部２６は、期間ＴＣＧＯの終端時点において読出指令信号ＣＲＯを、蓄積指令信号ＣＣＯに同期して発せられるパルス列信号として送出する。その結果、駆動信号形成部２５から固体撮像部１０における撮像面形成部への、読出ゲート駆動信号φＧＯ，垂直転送駆動信号φＶ１及びφＶ２、及び、水平転送駆動信号φＨ１及びφＨ２の供給が、期間ＴＣＧＯの終端時点において開始され、撮像面形成部における奇数画素水平列の夫々を形成する光電変換素子部１５で得られた電荷の垂直電荷転送部１６への読出し、及び、読み出された電荷の垂直電荷転送部１６による転送及び水平電荷転送部１８による転送が、期間ＴＣＧＯの終端時点において開始される。
【００５４】
同様に、期間ＴＣＧＥの終端時点が到来すると、蓄積指令信号発生部４５から蓄積指令信号ＣＣＥが垂直同期信号ＳＶに同期してあらわれるパルス信号として発生せしめられ、それがタイミング信号形成部２６に供給される。それにより、タイミング信号形成部２６は、期間ＴＣＧＥの終端時点において読出指令信号ＣＲＥを、蓄積指令信号ＣＣＥに同期して発せられるパルス列信号として送出する。その結果、駆動信号形成部２５から固体撮像部１０における撮像面形成部への、読出ゲート駆動信号φＧＥ，垂直転送駆動信号φＶ１及びφＶ２、及び、水平転送駆動信号φＨ１及びφＨ２の供給が、期間ＴＣＧＥの終端時点において開始され、撮像面形成部における偶数画素水平列の夫々を形成する光電変換素子部１５で得られた電荷の垂直電荷転送部１６への読出し、及び、読み出された電荷の垂直電荷転送部１６による転送及び水平電荷転送部１８による転送が、期間ＴＣＧＥの終端時点において開始される。
【００５５】
斯かる際における撮像面形成部に設けられた光電変換素子部１５で得られた電荷の垂直電荷転送部１６への読出し、及び、読み出された電荷の垂直電荷転送部１６による転送及び水平電荷転送部１８による転送は、撮像面形成部における撮像信号ＩＰの形成に直接的に寄与しない領域からの電荷の読出し及び転送をも含むものとされ、通常の１フィールド期間より長い期間に亙って行われる。それにより、撮像面形成部から、それらが実質的に外光が入射しない状態におかれたもとで、期間ＴＣＧＯが経過したときにおける奇数画素水平列の夫々を形成する光電変換素子部１５の電荷状態をあらわす撮像信号ＩＰが得られ、また、同様にして、撮像面形成部から、それらが実質的に外光が入射しない状態におかれたもとで、期間ＴＣＧＥが経過したときにおける偶数画素水平列の夫々を形成する光電変換素子部１５の電荷状態をあらわす撮像信号ＩＰが得られる。
【００５６】
それに伴い、欠陥検出動作モードのもとにおいては、信号入力端子４４に、そのときの撮像信号ＩＰに基づくディジタル撮像信号ＤＩが、図６のＧに示される如くに、期間ＴＣＧＯの終端時点から開始される１フィールド期間より長い期間である期間ＴＤＤＯにおいて供給され、さらに、期間ＴＣＧＥの終端時点から開始される１フィールド期間より長い期間である期間ＴＤＤＥにおいて供給される。
【００５７】
蓄積指令信号発生部４５から発せられる蓄積指令信号ＣＣＯ及びＣＣＥが供給される書込制御信号発生部４６からは、期間ＴＣＧＥの終端時点において供給される蓄積指令信号ＣＣＥ、及び、期間ＴＣＧＯの終端時点において供給される蓄積指令信号ＣＣＯに応じて、図６のＦに示される如くの、期間ＴＣＧＥの終端時点から２フィールド期間に亙って、及び、期間ＴＣＧＯの終端時点から２フィールド期間に亙って、夫々、高レベルをとる書込制御信号ＣＷＣが送出されて、それが後述される欠陥データが格納されるデータメモリ部４７における制御端子に供給される。
【００５８】
データメモリ部４７は、書込制御信号発生部４６から供給される書込制御信号ＣＷＣが、高レベルをとるときのみデータの書込みが可能とされ、それ以外のときには、データの読出し、あるいは、データの消去が可能とされる。従って、信号入力端子４４に、ディジタル撮像信号ＤＩが、図６のＧに示される如くに、期間ＴＤＤＥ及び期間ＴＤＤＯにおいて供給されるもとにあっては、データメモリ部４７がデータの書込みが可能な状態におかれる。
【００５９】
期間ＴＤＤＥ及び期間ＴＤＤＯにおいて信号入力端子４４に供給されるディジタル撮像信号ＤＩは、レベル置換部５０に供給される。レベル置換部５０には、零レベル信号発生部５１からの、零レベルをあらわすディジタル零レベル信号ＤＺも供給される。
【００６０】
さらに、レベル置換部５０には、信号入力端子４８に供給されるタイミング信号形成部２６から送出された第１の欠陥補正指示信号ＣＸの供給が、アンドゲート部４９を通じてなされる。アンドゲート部４９は、信号入力端子４３を通じた欠陥検出指令信号ＣＳＴが供給されるようにされており、欠陥検出指令信号ＣＳＴが供給される期間、即ち、制御ユニット３６により欠陥検出動作モードが設定されている期間においては、オン状態におかれる。従って、欠陥検出動作モードのもとにあっては、タイミング信号形成部２６から送出された第１の欠陥補正指示信号ＣＸが、信号入力端子４８及びアンドゲート部４９を通じて、レベル置換部５０に供給されることになる。
【００６１】
レベル置換部５０にあっては、第１の欠陥補正指示信号ＣＸが供給されないときには、信号入力端子４４からのディジタル撮像信号ＤＩがそのまま出力端に導出され、第１の欠陥補正指示信号ＣＸが供給されるとき、その第１の欠陥補正指示信号ＣＸに応じて、信号入力端子４４からのディジタル撮像信号ＤＩに代えて、零レベル信号発生部５１からのディジタル零レベル信号ＤＺが出力端に導出される。それにより、レベル置換部５０の出力端には、信号入力端子４４からのディジタル撮像信号ＤＩと第１の欠陥補正指示信号ＣＸに応じたディジタル零レベル信号ＤＺとが得られる。
【００６２】
タイミング信号形成部２６から第１の欠陥補正指示信号ＣＸが送出されるときには、前述の如く、タイミング信号形成部２６に内蔵されたＲＯＭに格納されて固体撮像部１０の撮像面形成部に付随するものとされた、欠陥画素データにより特定される欠陥画素からの出力信号に基づくものとされる撮像信号ＩＰの欠陥部分が、固体撮像部１０における撮像面形成部から得られる。従って、タイミング信号形成部２６から送出された第１の欠陥補正指示信号ＣＸがレベル置換部５０に供給されるとき、信号入力端子４４からのディジタル撮像信号ＤＩは、ＲＯＭに格納された欠陥画素データにより特定される欠陥画素からの出力信号に基づくものとされる、撮像信号ＩＰの欠陥部分に対応する欠陥部分とされている。
【００６３】
それゆえ、レベル置換部５０の出力端には、実質的に、ＲＯＭに格納された欠陥画素データにより特定される欠陥画素からの出力信号に基づくものとされる、撮像信号ＩＰの欠陥部分に対応する欠陥部分が、第１の欠陥補正指示信号ＣＸに応じて、零レベル部分に置換されたものとされるディジタル撮像信号ＤＩが得られることになる。
【００６４】
レベル置換部５０から得られるディジタル撮像信号ＤＩ及びディジタル零レベル信号ＤＺは、クランプ部５２におい夫々の黒レベルが固定され、さらに、ブランキング部５３において、ディジタル撮像信号ＤＩに対し、固体撮像部１０の撮像面形成部における各画素水平列を形成する光電変換素子部１５からの電荷に基づいて得られた部分以外の部分にブランキングがかけられる処理が施され、ディジタル撮像信号ＤＩ’及びディジタル零レベル信号ＤＺ’とされてレベル比較部５４に供給される。
【００６５】
ディジタル撮像信号ＤＩ’は、絞り機構１２が全絞り状態とされて撮像面形成部が実質的に外光が入射しない状態におかれたもとで得られた撮像信号ＩＰに基づくものであるので、撮像面形成部の夫々における画素、即ち、光電変換素子部１５が適正に動作するもとでは小なるレベルをあらわすはずである。換言すれば、ディジタル撮像信号ＤＩ’において、比較的大なるレベルをあらわす部分があれば、その部分は、撮像面形成部における欠陥画素に起因する欠陥部分であることになる。
【００６６】
レベル比較部５４には、基準レベル発生部５５からの予め設定された正極性の基準レベルをあらわすディジタル基準レベル信号ＤＲが供給される。そして、レベル比較部５４において、ディジタル撮像信号ＤＩ’及びディジタル零レベル信号ＤＺ’があらわすレベルとディジタル基準レベル信号ＤＲがあらわす基準レベルとが比較され、レベル比較部５４から、ディジタル撮像信号ＤＩ’及びディジタル零レベル信号ＤＺ’があらわすレベルが基準レベル以下であるとき低レベルをあらわし、ディジタル撮像信号ＤＩ’があらわすレベルが基準レベルを越えているとき高レベルをあらわすレベル比較データＤＤが得られる。なお、ディジタル零レベル信号ＤＺ’があらわすレベル（零レベル）が、基準レベルを越えることはない。
【００６７】
従って、レベル比較部５４にあっては、ディジタル撮像信号ＤＩ’に含まれる欠陥部分が、レベル比較データＤＤが高レベルをあらわすものとされることにより検出される。そして、レベル比較部５４から得られるレベル比較データＤＤは、欠陥データ格納制御部５６に供給される。
【００６８】
このようなもとで、クランプ部５２，ブランキング部５３，レベル比較部５４及び基準レベル発生部５５が含まれる部分によって、固体撮像部１０における撮像面形成部からの撮像信号ＩＰに基づいて得られるディジタル撮像信号ＤＩに含まれる、撮像面形成部における欠陥画素からの出力に基づく欠陥部分を検出する信号欠陥検出部が形成されている。また、レベル置換部５０及び零レベル信号発生部５１が含まれる部分によって、タイミング信号形成部２６から第１の欠陥補正指示信号ＣＸが送出されるとき、信号欠陥検出部によるディジタル撮像信号ＤＩに含まれる欠陥部分の検出が実質的に行われない状態となす欠陥検出制御部が形成されている。
【００６９】
ブランキング部５３から得られるディジタル撮像信号ＤＩ’及びディジタル零レベル信号ＤＺ’は、レベルデータ形成部５７にも供給される。レベルデータ形成部５７においては、ディジタル撮像信号ＤＩ’のレベルをあらわすレベルデータＤＥが形成され、それが欠陥データ格納制御部５６に供給される。
【００７０】
欠陥データ格納制御部５６は、レベル比較部５４から得られるレベル比較データＤＤが高レベルをあらわすとき、レベルデータ形成部５７からのレベルデータＤＥにおける、それがあらわすレベルが最大であるものからレベル順に所定数までのものの各々に応じて、データメモリ部４７に書込み状態をとらせる書込制御信号ＣＭを供給する。
【００７１】
斯かる際、信号入力端子４１を通じた垂直方向クロック信号ＣＬＶが垂直方向アドレスカウンタ（Ｖ−アドレスカウンタ）６１に供給され、また、信号入力端子４２を通じた水平方向クロック信号ＣＬＨが水平方向アドレスカウンタ（Ｈ−アドレスカウンタ）６２に供給される。さらに、Ｖ−アドレスカウンタ６１には、信号入力端子６３及び６４に夫々供給される、タイミング信号形成部２６により蓄積指令信号ＣＣＯ及びＣＣＥに基づいて形成された読出指令信号ＣＲＯ及びＣＲＥが、加算部６５を通じてリセット信号として供給され、また、Ｈ−アドレスカウンタ６２には、垂直方向クロック信号ＣＬＶがリセット信号として供給される。
【００７２】
それにより、Ｖ−アドレスカウンタ６１は、読出指令信号ＣＲＯ及びＣＲＥの到来毎に計数値がリセットされるもとで、奇数フィールド期間及び偶数フィールド期間の夫々において垂直方向クロック信号ＣＬＶを計数し、計数データＤＡＶを送出する。また、Ｈ−アドレスカウンタ６２は、垂直方向クロック信号ＣＬＶの到来毎に計数値がリセットされるもとで、水平方向クロック信号ＣＬＨを計数して、計数データＤＡＨを送出する。従って、Ｖ−アドレスカウンタ６１から得られる計数データＤＡＶの内容は、固体撮像部１０の撮像面形成部における垂直電荷転送部１６による電荷転送に同期して変化し、また、Ｈ−アドレスカウンタ６２から得られる計数データＤＡＨの内容は、固体撮像部１０の撮像面形成部における水平電荷転送部１８による電荷転送に同期して変化するものとされる。
【００７３】
それゆえ、Ｖ−アドレスカウンタ６１から得られる計数データＤＡＶの内容は、撮像面形成部から撮像信号ＩＰが得られるとき、撮像面形成部における、そのとき得られている撮像信号ＩＰを形成するものとされた電荷を提供した画素、即ち、光電変換素子部１５が属する画素水平列を特定する垂直方向アドレスＡＶをあらわし、また、Ｈ−アドレスカウンタ６２から得られる計数データＤＡＨの内容は、撮像面形成部から撮像信号ＩＰが得られるとき、撮像面形成部における、そのとき得られている撮像信号ＩＰを形成するものとされた電荷を提供した画素、即ち、光電変換素子部１５のそれが属する画素水平列内における位置を特定する水平方向アドレスＡＨをあらわすものとされる。
【００７４】
従って、期間ＴＤＤＥ及び期間ＴＤＤＯにおいて、レベル比較部５４からのレベル比較データＤＤが高レベルをあらわすものとされて、ディジタル撮像信号ＤＩ’に含まれた欠陥部分が検出されたときには、そのときＶ−アドレスカウンタ６１から得られている計数データＤＡＶがあらわす垂直方向アドレスＡＶが、検出された欠陥部分の原因をなす撮像面形成部における欠陥画素、もしくは、検出された擬似欠陥部分に対応する撮像面形成部における擬似欠陥画素が属する画素水平列を特定しており、また、そのときＨ−アドレスカウンタ６２から得られている計数データＤＡＨがあらわす水平方向アドレスＡＨが、検出された欠陥部分の原因をなす撮像面形成部における欠陥画素のそれが属する画素水平列内における位置を特定している。従って、斯かる際には、計数データＤＡＶ及び計数データＤＡＨが、撮像面形成部についての欠陥アドレスデータを形成していることになる。
【００７５】
このようにしてＶ−アドレスカウンタ６１から送出される計数データＤＡＶ及びＨ−アドレスカウンタ６２から送出される計数データＤＡＨは、前述の如くに、データメモリ部４７に供給される。そして、データメモリ部４７においては、Ｖ−アドレスカウンタ６１から送出される計数データＤＡＶ及びＨ−アドレスカウンタ６２から送出される計数データＤＡＨが、欠陥データ格納制御部５６から供給される書込制御信号ＣＭに応じて、欠陥データＤＡＶＲ及びＤＡＨＲとして書き込まれて格納される。
【００７６】
欠陥データ格納制御部５６からデータメモリ部４７への書込制御信号ＣＭの供給は、レベル比較部５４から得られるレベル比較データＤＤが高レベルをあらわすもとで、レベルデータ形成部５７からのレベルデータＤＥにおける、それがあらわすレベルが最大であるものからレベル順に所定数までのものの各々に応じてなされるので、データメモリ部４７には、ディジタル撮像信号ＤＩ’における欠陥部分であってそのレベルが最大であるものからレベル順に所定数までのものの原因をなす、撮像面形成部における欠陥画素の夫々を特定する垂直方向アドレスＡＶ及び水平方向アドレスＡＨをあらわし、欠陥アドレスデータを形成する計数データＤＡＶ及び計数データＤＡＨが、欠陥データＤＡＶＲ及びＤＡＨＲとして格納されることになる。
【００７７】
期間ＴＤＤＥ及び期間ＴＤＤＯが経過すると、書込制御信号発生部４６からの書込制御信号ＣＷＣが供給される検出終了信号発生部６９から、図６のＨに示される如くの、書込制御信号ＣＷＣの後縁時点に応じて形成される検出終了信号ＣＥが得られ、その検出終了信号ＣＥが制御ユニット３６に供給される。それにより、制御ユニット３６は、図６のＣに示される如くに、欠陥検出指令信号ＣＳＴの送出を検出終了信号ＣＥの前縁の時点において停止させる。そして、検出終了信号ＣＥの前縁時点において、欠陥検出部３５による欠陥検出動作、即ち、ディジタル撮像信号ＤＩ’における欠陥部分を検出し、検出された欠陥部分の原因をなしている固体撮像部１０の撮像面形成部における欠陥画素を特定する欠陥アドレスデータ、即ち、検出された欠陥部分に対応する欠陥アドレスデータをデータメモリ部４７に格納する動作が完了し、それに伴い、制御ユニット３６により欠陥検出動作モードが解除されて、その後、例えば、制御ユニット３６によりノーマル動作モードが設定される状態とされて、映像信号出力期間ＴＣＯに戻る。
【００７８】
欠陥検出動作が完了した欠陥検出部３５にあっては、その後の映像信号出力期間ＴＣＯにおいて、タイミング信号形成部２６からの第１の欠陥補正指示信号ＣＸが信号入力端子４８を通じて供給されないとき、データメモリ部４７から、そこに格納された欠陥データＤＡＶＲ及びＤＡＨＲが読み出され、読み出された欠陥データＤＡＶＲ及びＤＡＨＲが、垂直方向アドレス比較部（Ｖ−アドレス比較部）７０及び水平方向アドレス比較部（Ｈ−アドレス比較部）７１に夫々供給されてラッチされる。
【００７９】
Ｖ−アドレス比較部７０には、Ｖ−アドレスカウンタ６１からの計数データＤＡＶが供給される。そして、Ｖ−アドレスカウンタ６１からの計数データＤＡＶがあらわす垂直方向アドレスデータＡＶがＶ−アドレス比較部７０にラッチされた欠陥データＤＡＶＲがあらわす垂直方向アドレスＡＶと一致するとき、Ｖ−アドレス比較部７０から、高レベルをとる比較出力信号ＣＶＲが得られて、アンド回路７２の一方の入力端に供給される。
【００８０】
また、Ｈ−アドレス比較部７１には、Ｈ−アドレスカウンタ６２からの計数データＤＡＨが供給される。そして、Ｈ−アドレスカウンタ６２からの計数データＤＡＨがあらわす水平方向アドレスデータＡＨがＨ−アドレス比較部７１にラッチされた欠陥データＤＡＨＲがあらわす水平方向アドレスＡＨと一致するとき、Ｈ−アドレス比較部７１から、高レベルをとる比較出力信号ＣＨＲが得られて、アンド回路７２の他方の入力端に供給される。アンド回路７２からは、比較出力信号ＣＶＲと比較出力信号ＣＨＲとの両者が高レベルをとるものとなるとき、第２の欠陥補正指示信号ＣＤが得られ、それがオア回路７３を通じて欠陥補正部３２に供給される。
【００８１】
これに対して、タイミング信号形成部２６からの第１の欠陥補正指示信号ＣＸが信号入力端子４８を通じて供給されるときには、その第１の欠陥補正指示信号ＣＸが、そのまま、オア回路７３を通じて欠陥補正部３２に供給される。それにより、欠陥補正部３２においては、第２の欠陥補正指示信号ＣＤに応じての、ディジタル撮像信号ＤＩに含まれる欠陥部分についての補正が行われるのみならず、第１の欠陥補正指示信号ＣＸに応じての、ディジタル撮像信号ＤＩに含まれる欠陥部分についての補正も行われることになる。
【００８２】
なお、斯かる際には、制御ユニット３６からの欠陥検出指令信号ＣＳＴの送出がなされていないので、アンドゲート部４９がオフ状態とされ、信号入力端子４８を通じて供給されるタイミング信号形成部２６からの第１の欠陥補正指示信号ＣＸが、レベル置換部５０に供給される事態は生じない。従って、レベル置換部５０の出力端には、常時、信号入力端子４４を通じて供給されるディジタル撮像信号ＤＩが得られる。
【００８３】
斯かるもとで、Ｖ−アドレス比較部７０，Ｈ−アドレス比較部７１及びアンド回路７２を含む部分により指示信号形成部が形成されており、また、オア回路７３により、第１の欠陥補正指示信号ＣＸ及び第２の欠陥補正指示信号ＣＤを欠陥補正部３２に供給する指示信号供給部が形成されている。
【００８４】
図７は、本発明に係る撮像信号欠陥検出及び補正装置に備えられる欠陥検出部３５に関連する技術説明のための、当該本発明に係る欠陥検出部３５に相当する他の欠陥検出部３５の具体構成についての他の例の部分を示す。この図７に示される他の例は、図５に示される例が、レベル置換部５０及び零レベル信号発生部５１が除去されて、信号入力端子４４を通じたディジタル撮像信号ＤＩが直接にクランプ部５２に供給されるようになされるとともに、ブランキング部５３に、タイミング信号形成部２６からの第１の欠陥補正指示信号ＣＸが、信号入力端子４８及びアンドゲート部４９を通じて供給されるようになされて得られるものに相当しており、図７においては、図５に示される各部分及び各信号に対応する部分及び信号が、図５と共通の符号が付されて示されている。
【００８５】
このような図７に示される他の例におけるブランキング部５３にあっては、欠陥検出動作モードのもとにおいて、アンドゲート部４９を通じた第１の欠陥補正指示信号ＣＸが供給されないとき、クランプ部５２を経て供給されるディジタル撮像信号ＤＩに対し、固体撮像部１０の撮像面形成部における各画素水平列を形成する光電変換素子部１５からの電荷に基づいて得られた部分以外の部分にブランキングがかけられる処理が施され、それにより得られるディジタル撮像信号ＤＩ’が、ブランキング部５３から導出されて、レベル比較部５４に供給される。それに対して、欠陥検出動作モードのもとにあって、アンドゲート部４９を通じた第１の欠陥補正指示信号ＣＸがブランキング部５３に供給されるときには、ブランキング部５３において、クランプ部５２を経て供給されるディジタル撮像信号ＤＩの全体にブランキングがかけられる。それにより、タイミング信号形成部２６から第１の欠陥補正指示信号ＣＸが送出される際には、実質的に、ブランキング部５３からディジタル撮像信号ＤＩ’が導出されない状態とされる。
【００８６】
従って、タイミング信号形成部２６から第１の欠陥補正指示信号ＣＸが送出されるときには、クランプ部５２，ブランキング部５３，レベル比較部５４及び基準レベル発生部５５を含んで形成される信号欠陥検出部に、ブランキング部５３からのディジタル撮像信号ＤＩ’が供給されず、信号欠陥検出部によるディジタル撮像信号ＤＩに含まれる欠陥部分の検出が停止される。そして、ブランキング部５３は、タイミング信号形成部２６から第１の欠陥補正指示信号ＣＸが送出されるとき、ディジタル撮像信号ＤＩ’の信号欠陥検出部への供給を停止させて、信号欠陥検出部によるディジタル撮像信号ＤＩに含まれる欠陥部分の検出が実質的に行われない状態を設定する欠陥検出制御部を形成していることになる。
【００８７】
このような図７に示される第２の例において、その他の動作は、図５に示される第１の例の場合と同様とされる。
【００８８】
図８は、本発明に係る撮像信号欠陥検出及び補正装置に備えられる欠陥検出部３５の具体構成についての例の部分を示す。この図８に示される例は、図５に示される例が、レベル置換部５０及び零レベル信号発生部５１が除去されて、信号入力端子４４を通じたディジタル撮像信号ＤＩが直接にクランプ部５２に供給されるようになされるとともに、レベル比較部５４に、タイミング信号形成部２６からの第１の欠陥補正指示信号ＣＸが、信号入力端子４８及びアンドゲート部４９を通じて供給されるようになされて得られるものに相当しており、図８においても、図５に示される各部分及び各信号に対応する部分及び信号が、図５と共通の符号が付されて示されている。
【００８９】
このような図８に示される例におけるレベル比較部５４にあっては、欠陥検出動作モードのもとにおいて、アンドゲート部４９を通じた第１の欠陥補正指示信号ＣＸが供給されないとき、ブランキング部５３からのディジタル撮像信号ＤＩ’があらわすレベルとディジタル基準レベル信号ＤＲがあらわす基準レベルとが比較される。そして、レベル比較部５４から、ディジタル撮像信号ＤＩ’があらわすレベルが基準レベル以下であるとき低レベルをあらわし、ディジタル撮像信号ＤＩ’があらわすレベルが基準レベルを越えているとき高レベルをあらわすレベル比較データＤＤが得られて、欠陥データ格納制御部５６に供給される。それに対して、欠陥検出動作モードのもとにあって、アンドゲート部４９を通じた第１の欠陥補正指示信号ＣＸがレベル比較部５４に供給されるときには、レベル比較部５４において、ディジタル撮像信号ＤＩ’があらわすレベルとディジタル基準レベル信号ＤＲがあらわす基準レベルとを比較する比較動作が停止される。それにより、タイミング信号形成部２６から第１の欠陥補正指示信号ＣＸが送出される際には、実質的に、レベル比較部５４からレベル比較データＤＤが得られない状態とされる。
【００９０】
従って、タイミング信号形成部２６から第１の欠陥補正指示信号ＣＸが送出されるときには、クランプ部５２，ブランキング部５３，レベル比較部５４及び基準レベル発生部５５を含んで形成される信号欠陥検出部によるディジタル撮像信号ＤＩに含まれる欠陥部分の検出が停止される。そして、レベル比較部５４は、タイミング信号形成部２６から第１の欠陥補正指示信号ＣＸが送出されるとき、ディジタル撮像信号ＤＩ’があらわすレベルとディジタル基準レベル信号ＤＲがあらわす基準レベルとを比較する比較動作を停止することによって、信号欠陥検出部によるディジタル撮像信号ＤＩに含まれる欠陥部分の検出が実質的に行われない状態を設定する欠陥検出制御部を形成していることになる。
【００９１】
このような図８に示される例においても、その他の動作は、図５に示される例の場合と同様とされる。
【００９２】
図９は、本発明に係る撮像信号欠陥検出及び補正装置に備えられる欠陥検出部３５の具体構成についての他の例の部分を示す。この図９に示される他の例は、図５に示される例における欠陥データ格納制御部５６とデータメモリ部４７との間にアンドゲート部７６が設けられ、そのアンドゲート部７６に、欠陥データ格納制御部５６から得られる書込制御信号ＣＭが供給されるとともに、アンドゲート部４９を通じた第１の欠陥補正指示信号ＣＸが、インバータ部７５により反転欠陥補正指示信号ＣＸＩとされて、供給されるようになされて得られるものに相当しており、図９においても、図５に示される各部分及び各信号に対応する部分及び信号が、図５と共通の符号が付されて示されている。
【００９３】
このような図９に示される他の例におけるインバータ部７５から得られる反転欠陥補正指示信号ＣＸＩは、欠陥検出動作モードのもとにおいて、第１の欠陥補正指示信号ＣＸがインバータ部７５に供給されないとき、高レベルをとり、第１の欠陥補正指示信号ＣＸがインバータ部７５に供給されるとき、低レベルをとるものとされる。そして、アンドゲート部７６は、反転欠陥補正指示信号ＣＸＩが高レベルをとるとき、オン状態におかれ、反転欠陥補正指示信号ＣＸＩが低レベルをとるとき、オフ状態におかれる。
【００９４】
それゆえ、欠陥検出動作モードのもとにおいて、第１の欠陥補正指示信号ＣＸがインバータ部７５に供給されないとき、アンドゲート部７６にあっては、高レベルをとるものとされた反転欠陥補正指示信号ＣＸＩに応じてオン状態がとられ、欠陥データ格納制御部５６から得られる書込制御信号ＣＭが、アンドゲート部７６を通じて、データメモリ部４７に供給される。それにより、データメモリ部４７においては、書込制御信号ＣＭに応じて、ディジタル撮像信号ＤＩ’における欠陥部分であってそのレベルが最大であるものからレベル順に所定数までのものに対応する欠陥アドレスデータを形成する計数データＤＡＶ及び計数データＤＡＨが、欠陥データＤＡＶＲ及びＤＡＨＲとして格納される。
【００９５】
また、欠陥検出動作モードのもとにおいて、第１の欠陥補正指示信号ＣＸがインバータ部７５に供給されるとき、アンドゲート部７６にあっては、低レベルをとるものとされた反転欠陥補正指示信号ＣＸＩに応じてオフ状態がとられ、欠陥データ格納制御部５６から得られる書込制御信号ＣＭが、データメモリ部４７に供給されなくなる。それにより、データメモリ部４７において、書込制御信号ＣＭに応じた、欠陥アドレスデータを形成する計数データＤＡＶ及び計数データＤＡＨについての、欠陥データＤＡＶＲ及びＤＡＨＲとしての格納が停止される。
【００９６】
従って、欠陥検出動作モードのもとにあって、タイミング信号形成部２６から第１の欠陥補正指示信号ＣＸが送出されるときには、データメモリ部４７において、欠陥アドレスデータを形成する計数データＤＡＶ及び計数データＤＡＨについての、欠陥データＤＡＶＲ及びＤＡＨＲとしての格納が行われないことになり、インバータ部７５及びアンドゲート部７６は、タイミング信号形成部２６から第１の欠陥補正指示信号ＣＸが送出されるとき、データメモリ部４７における欠陥アドレスデータの格納が実質的に行われない状態を設定する欠陥検出制御部を形成していることになる。
【００９７】
このような図９に示される他の例においても、その他の動作は、図５に示される例の場合と同様とされる。
【００９８】
【発明の効果】
以上の説明から明らかな如く、本発明の第１の態様もしくは第２の態様に係る撮像信号欠陥検出及び補正装置にあっては、撮像部がその撮像面形成部に予め得られた欠陥画素データが付随するものとされる場合、撮像部から、撮像面形成部に付随する欠陥画素データにより特定される欠陥画素からの出力信号に基づくものとされる撮像信号の欠陥部分が得られるとき、それに対応して、制御信号送出部から第１の欠陥補正指示信号が送出される。
【００９９】
そして、欠陥検出動作モードが設定されたもとにおいて、制御信号送出部から第１の欠陥補正指示信号が送出されると、それに応じて、データメモリ手段における欠陥アドレスデータの格納が停止される状態、もしくは、信号欠陥検出部による撮像信号に含まれる欠陥部分の検出が実質的に行われない状態とされ、それにより、撮像面形成部に付随する欠陥画素データにより特定される欠陥画素についての重複検出が回避されることになる。従って、データメモリ手段には、撮像面形成部における欠陥画素のうちの、撮像面形成部に付随する欠陥画素データにより特定されないものについての検出結果が格納されることになり、データメモリ手段のメモリ容量の無駄な消費が招かれる事態が防止される。
【０１００】
その後、ノーマル動作モードが設定されたもとにおいては、撮像部から、データメモリ手段に格納された欠陥アドレスデータによって特定される欠陥画素からの出力信号に基づくものとされる撮像信号の欠陥部分が得られるとき、データメモリ手段から読み出された欠陥アドレスデータに基づいて形成された第２の欠陥補正指示信号に応じた撮像信号に対する欠陥補正が行われ、また、撮像部から、撮像面形成部に付随する欠陥画素データにより特定される欠陥画素からの出力信号に基づくものとされる撮像信号の欠陥部分が得られるとき、制御信号送出部から送出される第１の欠陥補正指示信号に応じた撮像信号に対する欠陥補正が行われるので、撮像面形成部に付随する欠陥画素データが効率よく有効利用されることになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る撮像信号欠陥検出及び補正装置の一例をそれが適用されたビデオカメラが備える固体撮像部，光学系等と共に示すブロック構成図である。
【図２】図１に示される例が適用される固体撮像部における撮像面形成部の説明に供される概略構成図である。
【図３】図１に示される例が適用される固体撮像部の動作説明に供されるタイムーチャートである。
【図４】図１に示される例が適用される固体撮像部の動作説明に供されるタイムーチャートである。
【図５】図１に示される例における欠陥検出部に関連する技術説明のための、その欠陥検出部に相当する他の欠陥検出部の具体構成についての例を示すブロック構成図である。
【図６】図５に示される欠陥検出部の具体構成についての例の動作説明に供されるタイムーチャートである。
【図７】図１に示される例における欠陥検出部に関連する技術説明のための、その欠陥検出部に関連する他の欠陥検出部の具体構成についての他の例の部分を示すブロック構成図である。
【図８】図１に示される例における欠陥検出部の具体構成についての例の部分を示すブロック構成図である。
【図９】図１に示される例における欠陥検出部の具体構成についての他の例の部分を示すブロック構成図である。
【符号の説明】
１０    固体撮像部
１１    レンズ・システム
１２    絞り機構
１３    半導体基体
１５    光電変換素子部
１６    垂直電荷転送部
１７    電荷読出ゲート部
１８    水平電荷転送部
１９    電荷出力部
２０    出力端子
２５    駆動信号形成部
２６    タイミング信号形成部
２７    同期信号発生部
３０    サンプリング・ホールド部
３１    Ａ／Ｄ変換部
３２    欠陥補正部
３３    信号処理部
３５    欠陥検出部
３６    制御ユニット
３７    欠陥検出スイッチ
４５    蓄積指令信号発生部
４６    書込制御信号発生部
４７    データメモリ部
４９，７６    アンドゲート部
５０    レベル置換部
５１    零レベル信号発生部
５２    クランプ部
５３    ブランキング部
５４    レベル比較部
５５    基準レベル発生部
５６    欠陥データ格納制御部
５７    レベルデータ形成部
６１    Ｖ−アドレスカウンタ
６２    Ｈ−アドレスカウンタ
６９    検出終了信号発生部
７０    Ｖ−アドレス比較部
７１    Ｈ−アドレス比較部
７２    アンド回路
７３    オア回路
７５    インバータ部
【図１】
0003591007.tif 000002
【図２】
0003591007.tif 000003
【図３】
0003591007.tif 000004
【図４】
0003591007.tif 000005
【図５】
0003591007.tif 000006
【図６】
0003591007.tif 000007
【図７】
0003591007.tif 000008
【図８】
0003591007.tif 000009
【図９】
0003591007.tif 000010