(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
双方の基板において個別的にストライプ状の透明導電膜を形成し、各々透明導電膜上および透明導電膜間の部分に透明な断線防止膜を形成し、断線防止膜上に遮光層形成材料を貼り付けまたは塗布し、透明導電膜上の断線防止膜が現れるまで遮光層形成材料を研磨することにより透明導電膜間に遮光層を形成し、面一となった断線防止膜および遮光層の上に配向膜を形成し、各々の配向膜どうしを内側にし各々の透明導電膜どうしを直交状態にして両基板を対向させて貼り合わせ、両基板間に液晶層を充填するドットマトリクス型液晶表示装置の製造方法。
【請求項２】
断線防止膜として、ＴｉＯ２―ＳｉＯ２薄膜またはＳｉ３Ｎ４ 系薄膜またはＳｉＯ２ 系薄膜のいずれかを用いる請求項３に記載のドットマトリクス型液晶表示装置の製造方法。
【請求項３】
断線防止膜の膜厚を２００〜１６００Åとする請求項３または請求項４に記載のドットマトリクス型液晶表示装置の製造方法。
【請求項４】
遮光層形成材料としてラミネートタイプの顔料分散型アクリル樹脂系材料を用い、その研磨による遮光層の膜厚を０．６μｍ以上にする請求項３に記載のドットマトリクス型液晶表示装置の製造方法。
【請求項５】
遮光層形成材料として塗布タイプの顔料分散型塗料を用い、その研磨による遮光層の膜厚を０．３μｍ以上にする請求項３に記載のドットマトリクス型液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ドットマトリクス型液晶表示装置、さらに詳しくは対向する２枚の基板の内面のそれぞれにストライプ状透明導電膜が互いに直交する状態で形成されている高精細・高コントラストの単純マトリクス方式のドットマトリクス型液晶表示装置、およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年のドットマトリクス型液晶表示装置は薄型・軽量であり、表示品質が良いことから、液晶ＴＶ、携帯型パソコン、計測機器等々の表示装置として用途が急速に拡大し、その性能もＣＲＴと同等のレベルに達しつつある。
【０００３】
ドットマトリクス型液晶表示装置には、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）等のスイッチング素子を各画素に備えたアクティブマトリクス方式の液晶表示装置、ＴＮ（ねじれネマティック）型やＳＴＮ（超ねじれネマティック）型の液晶、強誘電型液晶、反強誘電型液晶を用いた単純マトリクス方式の液晶表示装置がある。
【０００４】
アクティブマトリクス方式の液晶表示装置は、色彩、絵の動作速度、コントラスト等において最も高品質の表示が可能であるが、透明基板上の各画素にＴＦＴやダイオード等のスイッチング素子を形成するために工程が複雑になり、製造コストが高い。
【０００５】
一方、単純マトリクス方式の液晶表示装置は、構造が簡単であるため、製造コストは安い。しかし、デューティ比（時分割駆動を行っている単純マトリクス方式ＬＣＤの走査線の本数の逆数）が大きくなるに従って１画素に印加できるＯＮとＯＦＦのときの実効電圧の比が小さくなり、表示のコントラスト比が低下して見えにくくなり、ＴＮ型ではデューティ比約１／３０（走査線数約３０本）が実用上の限界である。これに対して、印加電圧変化に対する液晶の光透過／遮断特性を急峻にして高デューティ比での画像コントラストを改良したＳＴＮ型液晶表示装置が開発され、また、各画素のスイッチング素子がなくても液晶自身にメモリ性があるため、コントラストの高い表示が可能な強誘電型液晶や反強誘電型液晶が開発され、単純マトリクス方式の液晶表示装置でも高品質の画像表示が可能になってきた。特にＳＴＮ型液晶は安価で高品質の表示が可能で、携帯用パソコンや携帯型ワープロの表示装置の代表的な用途として最も広く普及している。
【０００６】
しかし、単純マトリクス方式のＳＴＮ型液晶の表示装置はＣＲＴやアクティブマトリクス方式の液晶表示装置に比べるとコントラストが低く、視野角が狭いなどの短所があり、より高度な表示品質のための改良が望まれている。
【０００７】
図１０に従来のＳＴＮ型液晶表示装置の断面斜視図を示す。図１１の（ａ）はセグメント側電極基板２００を製品に対して上下反転した状態の断面図、（ｂ）はコモン側電極基板１００をセグメント側電極基板２００に対して９０度回した状態で示す断面図である。まず、コモン側電極基板１００の構造を説明する。透明基板としてのガラス基板１１上に縦横格子状の黒色の遮光層１３を形成してあるとともに遮光層１３の格子の穴部にＲ，Ｇ，Ｂのカラーフィルタ層１２を形成してある。遮光層１３およびカラーフィルタ層１２の上にオーバーコート層１４を形成し、オーバーコート層１４上でカラーフィルタ層１２に対応する位置にストライプ状の透明導電膜１５を平行に形成してある。透明導電膜１５としては例えばＩＴＯ（酸化インジウム錫）の薄膜を用いている。透明導電膜１５上とオーバーコート層１４の露出部上に配向膜１９を形成してある。次に、セグメント側電極基板２００の構造を説明する。透明基板としてのガラス基板２１上にストライプ状の透明導電膜２５を平行に形成してある。透明導電膜２５としては例えばＩＴＯ膜を用いている。透明導電膜２５上とガラス基板２１の露出部上に上下リーク防止層２６を形成し、上下リーク防止層２６上に配向膜２９を形成してある。
【０００８】
図１０に示すように、コモン側電極基板１００とセグメント側電極基板２００とをそれぞれの配向膜１９，２９どうし内側にするとともにそれぞれの透明導電膜１５，２５どうしを直交した状態にして対向させて、両基板を貼り合わせ、両者間に液晶層３１を充填し、封止してある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
コモン側電極基板１００における遮光層１３の形成法の１つである印刷法は、近年、高精細印刷法の技術開発が進み、小さい面積ならば数μｍのパターンの印刷も可能になってきている。しかし、版材とインクの漏れの不均一、印刷（転写）するときの応力による版材の変形等により、パターンが微細になるほど、また面積が大きくなるほど、平面内や断面のインクのパターン形状の均一性は得難くなり、良好な転写像を得られないという問題がある。
【００１０】
顔料等黒色の着色剤を混合した光架橋性の液を用いたフォトリソグラフィ法の場合、通常は露光マスクを用い、光架橋性の液を塗布した側の面から露光する方法（例えば特開平４−４０４２０号公報）はよく知られている。この方法には、投射、近接（プロキシミティ）、接触（コンタクト）などで一括あるいは分割で露光する方法や、光、Ｘ線、電子線のビームを走査して露光する方法が知られているが、基板（ワーク）の位置合わせが困難なことや高価な装置が必要であるなどの欠点がある。
【００１１】
また、カラーフィルタ層においてフィルタ材料を透過しない波長領域の光を用いて、光架橋性の液を塗布した基板の背面より露光することによって、マスクを省略し、セルフアライメントする方法もあるが（特開平５−２０３８０７号公報）、高価な装置が必要であるなどの欠点がある。
【００１２】
さらに、アライメントずれの問題がある。すなわち、図１２に示すように、コモン側電極基板１００では露光時に遮光層１３ひいてはカラーフィルタ層１２に対して透明導電膜１５のアライメントずれ（図の上下方向）が生じ、セグメント側電極基板２００では基板貼り合わせ時にカラーフィルタ層１２に対して透明導電膜２５のアライメントずれ（図の左右方向）が生じ、ハッチングで示す光漏れ部４１が形成されてしまうために、コントラストが低下するという問題がある。透明導電膜１５，２５の幅をカラーフィルタ層１３の寸法より数μｍ大きくすることによりアライメントずれを避けることも可能ではあるが、高精細・高輝度の液晶表示装置の設計においては大きな問題であり、解決策が求められている。
【００１３】
本発明はこのような事情に鑑みて創案されたものであって、多少のアライメントずれが生じてもカラーフィルタ層に光漏れ部が生じることはなく、高デューティ比のドットマトリクス型液晶表示装置であっても、コントラストの低下を招かないですみ、高精細化・高輝度化を図ることができるドットマトリクス型液晶表示装置およびその製造方法を提供することを目的としている。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明にかかわるドットマトリクス型液晶表示装置の製造方法は、次のような手順の工程からなっている。すなわち、
（１）フィルタ層付きの基板とフィルタ層無しの基板との双方において  個別的にストライプ状の透明導電膜を形成する。
【００１６】
（２）各々透明導電膜上および透明導電膜間の部分に透明な断線防止膜を形成する。
【００１７】
（３）断線防止膜上に遮光層形成材料を貼り付けまたは塗付する。
【００１８】
（４）透明導電膜上の断線防止膜が現れるまで遮光層形成材料を研磨することにより透明導電膜間に遮光層を形成する。
【００１９】
（５）面一となった断線防止膜および遮光層の上に配向膜を形成する。
【００２０】
以上により、フィルタ層付きの基板とフィルタ層無しの基板を得る。両基板の作製は個別的に行う。
【００２１】
（６）各々の配向膜どうしを内側にし各々の透明導電膜どうしを直交状態にして両基板を対向させて貼り合わせ、両基板間に液晶層を充填・封止し、液晶セルを得る。
【００２２】
このような製造方法によって、フィルタ層付きの基板において透明導電膜を形成するときにカラーフィルタ層とのアライメントずれが生じない状態で形成することができ、カラーフィルタ層の幅に対して透明導電膜の幅にマージンをとらなくても、２枚の基板を貼り合わせるときに多少のアライメントずれが生じてもカラーフィルタ層に光漏れ部が生じないですみ、コントラストの低下のない高開口率で高精細・高輝度の液晶表示装置を作製することができる。透明導電膜間に遮光層を形成するに当たり、遮光層形成材料を貼り付けまたは塗布し、それを研磨することにより透明導電膜間に遮光層を形成するので、高価で高精度を要する取り扱いのむずかしい露光装置を必要としないですむ。単に透明導電膜上に遮光層形成材料を貼り付けまたは塗布して研磨すると、透明導電膜にキズや断線が生じるおそれがあるが、断線防止膜を形成した上で遮光層形成材料を貼り付けまたは塗布し、断線防止膜が現れるまで遮光層形成材料を研磨するので、透明導電膜にキズや断線は生じない。フィルタ層無しの基板においては透明導電膜と遮光層との間の断線防止膜が上下リーク防止層として機能することになり、上下リーク防止層を省略することができる。
【００２３】
上記の製造方法においては、断線防止膜としては、透明導電膜のキズ・断線を防止する機能を充分に発揮させるためには、ＴｉＯ２−ＳｉＯ２  系薄膜またはＳｉ３Ｎ４  系薄膜またはＳｉＯ２  系薄膜が好ましい。また、断線防止膜の膜厚としては２００〜１６００Åが好ましい。２００Åを下回ると良好な成膜が期待できない。１６００Åを超えると、液晶層に対する実効電圧の降下が大きすぎて表示品位の低下を招く。２００〜１６００Åであると、成膜が良好で表示品位も良好である。
【００２４】
また、上記の製造方法においては、遮光層形成材料としてラミネートタイプの顔料分散型アクリル樹脂系材料を用い、その研磨による遮光層の膜厚を０．６μｍ以上にするのがよい。あるいは、遮光層形成材料として塗布タイプの顔料分散型塗料を用い、その研磨による遮光層の膜厚を０．３μｍ以上にするのがよい。黒がしまり、コントラスト低下を起こさない透過率は１％以下であり、それに対応するＯＤ値（吸光度：＝−ｌｏｇ１０（透過率））は２以上であるが、上記の条件がこれを満たす。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明にかかわるドットマトリクス型液晶表示装置およびその製造方法の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００２６】
図１は実施の形態にかかわるドットマトリクス型液晶表示装置の一例であるＳＴＮ型液晶表示装置の断面斜視図、図２の（ａ）はセグメント側電極基板２００を製品に対して上下反転した状態の断面図、（ｂ）はコモン側電極基板１００をセグメント側電極基板２００に対して９０度回した状態で示す断面図である。まず、コモン側電極基板１００の構造を説明する。透明基板としてのガラス基板１１上に縦方向に細長いストライプ状のＲ，Ｇ，Ｂの３種類のカラーフィルタ層１２が密接した繰り返し状態で配列してある。すべてのカラーフィルタ層１２をトータルに見ると、１つの面一の層をなしている。すべてのカラーフィルタ層１２の上にオーバーコート層１４を形成し、オーバーコート層１４上においてカラーフィルタ層１２の長手方向に対して直角な状態でストライプ状の透明導電膜１５を平行に形成してある。透明導電膜１５としては例えばＩＴＯ（酸化インジウム錫）の薄膜を用いている。透明導電膜１５上とオーバーコート層１４の露出部上に透明な断線防止膜１７を形成してある。隣接する透明導電膜１５，１５の間にあって断線防止膜１７の凹部に遮光層１８を形成してある。断線防止膜１７の上面と遮光層１８の表面とは面一となっている。断線防止膜１７および遮光層１８の上に配向膜１９を形成してある。次に、セグメント側電極基板２００の構造を説明する。透明基板としてのガラス基板２１上にストライプ状の透明導電膜２５を平行に形成してある。透明導電膜２５としては例えばＩＴＯ膜を用いている。透明導電膜２５上とガラス基板２１の露出部上に透明な断線防止膜２７を形成してある。隣接する透明導電膜２５，２５の間にあって断線防止膜２７の凹部に遮光層２８を形成してある。断線防止膜２７の上面と遮光層２８の表面とは面一となっている。断線防止膜２７および遮光層２８の上に配向膜２９を形成してある。従来の技術における上下リーク防止層２６はない。
【００２７】
図１に示すように、コモン側電極基板１００とセグメント側電極基板２００とをそれぞれの配向膜１９，２９どうし内側にするとともにそれぞれの透明導電膜１５，２５どうしを直交した状態にして対向させて、両基板を貼り合わせ、両者間に液晶層３１を充填し、封止してある。Ｒ，Ｇ，Ｂの各カラーフィルタ層１２に対向する透明導電膜２５の幅はカラーフィルタ層１２の幅よりも小さくなっている。それぞれ１つずつの透明導電膜２５と断線防止膜２７と遮光層２８の幅の合計と１つのカラーフィルタ層１２の幅とがほぼ等しくなっている。
【００２８】
図３は、セグメント側電極基板２００の透明導電膜２５および遮光層２８と、コモン側電極基板１００の透明導電膜１５および遮光層１８と、Ｒ，Ｇ，Ｂのカラーフィルタ層１２との重なり状態を示す概略の平面図である。各カラーフィルタ層１２は下側の透明導電膜１５に対して直交しており、かつすべての透明導電膜１５に対して一連につながった細長いものであるから、各カラーフィルタ層１２に対する透明導電膜１５の縦方向のアライメントずれは生じない。透明導電膜１５が縦方向にずれたとしても、各カラーフィルタ層１２に対する透明導電膜１５の位置関係は全く相対的なものであり、決して絶対的なものではないので、アライメントずれが生じず、光漏れ部も形成されない。また、コモン側電極基板１００において透明導電膜１５の間に遮光層１８を形成する一方、セグメント側電極基板２００においても透明導電膜２５の間に遮光層２８を形成し、両基板の貼り合わせによって初めて上下の両遮光層１８，２８が縦横格子状に交差した遮光層マトリクスが現出されるようにしているので、各カラーフィルタ層１２の幅より透明導電膜２５の幅を小さくしているにもかかわらず、貼り合わせ時に横方向に多少のアライメントずれが生じても、カラーフィルタ層１２に光漏れ部が形成されることはない。すなわち、カラーフィルタ層１２の幅に対して透明導電膜２５の幅にマージンをとらなくても、また、コントラストの低下も生じない。カラーフィルタ層１２の幅より上側の透明導電膜２５も下側の透明導電膜１５も小さくしてあることで、高精細・高輝度の液晶表示装置が得られる。
【００２９】
次に、図４に基づいてコモン側電極基板１００の製造方法について説明する。ガラス基板１１上に表示領域の全幅にわたる細長いストライプ状のＲ，Ｇ，Ｂの３種類のカラーフィルタ層１２を密接した繰り返し状態で配列し、すべてのカラーフィルタ層１２の上にスピンコート法によりオーバーコート層１４を形成し、オーバーコート層１４上にＩＴＯ膜１５ａを成膜し、フォトリソグラフィ法によりパターン形成を行ってカラーフィルタ層１２の長手方向に対して直交する状態でストライプ状の透明導電膜１５を平行に形成する。外部回路との接続端子部にカバーレジスト５１を塗布する。図は液晶セル２枚取りの場合を示している。次に、接続端子部を除いて、透明導電膜１５上とオーバーコート層１４の露出部上で基板全面にわたってロールコーターやスピンコート等の方法により２００〜１６００μｍの膜厚で断線防止膜１７を形成する。そして、断線防止膜１７上に遮光層用として、ラミネートタイプの顔料分散型アクリル樹脂系材料の貼り付け、または塗布タイプの顔料分散型塗料の塗布を行い、焼成を行って、遮光層形成材料１８ａを形成する。その後、断線防止膜１７が現れるまで遮光層形成材料１８ａの研磨を行う。断線防止膜１７は、この研磨時に不測に透明導電膜１５がキズつけられたり断線されたりするのを防止する。遮光層形成材料１８ａの研磨は、透明導電膜１５上の断線防止膜１７が全面的に露出されるまで行う。隣接する透明導電膜１５，１５の間に所定の遮光層１８が形成されることになる。遮光層１８の形成を遮光層形成材料１８ａの研磨で行うから、露光工程は省略できる。すなわち、遮光層の形成のための露光装置は不要である。断線防止膜１７の上面と遮光層１８の表面とを面一とする。接続端子部のカバーレジスト５１を剥離し、基板全体を洗浄する。最後に、図２に示すように断線防止膜１７および遮光層１８の上に配向膜１９を形成する。
【００３０】
次に、図５に基づいてセグメント側電極基板２００の製造方法について説明する。ガラス基板２１上にＩＴＯ膜２５ａを成膜し、フォトリソグラフィ法によりパターン形成を行ってストライプ状の透明導電膜２５を平行に形成する。外部回路との接続端子部にカバーレジスト５２を塗布する。図は液晶セル２枚取りの場合を示している。次に、接続端子部を除いて、透明導電膜２５上とガラス基板２１の露出部上で基板全面にわたって上記と同様にして２００〜１６００μｍの膜厚で断線防止膜２７を形成する。その様子を図６に示す。図６の（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるｂ−ｂ′線での断面図である。５３は接続端子部、２７ａは断線防止膜２７の空所である。そして、断線防止膜２７上に上記と同様にしてラミネートタイプまたは塗布タイプの遮光層形成材料２８ａを形成する。その後、断線防止膜２７が現れるまで遮光層形成材料２８ａの研磨を行う。隣接する透明導電膜２５，２５の間に所定の遮光層２８が形成されることになる。遮光層２８の形成を遮光層形成材料２８ａの研磨で行うから、露光装置は不要である。断線防止膜２７の上面と遮光層２８の表面とを面一とする。接続端子部のカバーレジスト５２を剥離し、基板全体を洗浄する。最後に、図２に示すように断線防止膜２７および遮光層２８の上に配向膜２９を形成する。
【００３１】
あとは、図１に示すように、コモン側電極基板１００とセグメント側電極基板２００とをそれぞれの配向膜１９，２９どうし内側にするとともにそれぞれの透明導電膜１５，２５どうしを直交した状態にして対向させて、シール材を印刷し、プラスチックビーズ（スペーサ）を散布し、両基板を貼り合わせ、その後２枚分の液晶セルをカットして取り出し、両者間に液晶層３１を充填し、封止する。
【００３２】
【実施例】
ガラス基板１１，２１としてソーダガラスを用いた。透明導電膜１５，２５として７０００ÅのＩＴＯ膜１５ａ，２５ａをスパッタ法にて成膜した。フォトリソグラフィ法により、レジスト塗布、プリベーク、露光、現像、ポストベーク、エッチング、レジスト剥離、洗浄を行い、透明導電膜１５，２５のパターン形成を行った。接続端子部に印刷したレジストにはポストベークを行った。透明な断線防止膜１７，２７としてＴｉＯ２−ＳｉＯ２  系薄膜を接続端子部を除いた全面にスピンコート法により塗布し、焼成を行い、２００〜２０００Åの断線防止膜１７，２７を形成した。断線防止膜が現れるまで遮光層形成材料１８ａ，２８ａを研磨することにより遮光層１８，２８の形成を行い、顕微鏡で観察したが、２００Å、１０００Å、２０００Åのいずれの膜厚の断線防止膜でも透明導電膜１５，２５のキズおよび断線は生じていなかった。
【００３３】
液晶表示装置の完成の後において、透明導電膜１５，２５の断線を検査したが、断線は生じていなかった。また、断線防止膜１７，２７の存在による液晶層３１に対する実効電圧への影響を測定したところ図７のようになった。断線防止膜の膜厚が２００Åより薄いものについては均一な成膜ができなかった。また、表示品位上許容できる電圧降下は１％以内ということが経験的に得られており、この条件では１６００Å以下の断線防止膜を用いることが好ましいといえる。断線防止膜の材料としては、上記したＴｉＯ２−ＳｉＯ２  系の他に、Ｓｉ３Ｎ４  系やＳｉＯ２  系でもよく、ほぼ同等の効果があった。断線防止膜の塗布法としては、スピンコート法の他に、ロールコーター法やスパッタ法を用いてもよい。
【００３４】
研磨によって遮光層１８，２８を形成するための遮光層形成材料１８ａ，２８ａとして、２μｍのラミネートタイプの顔料分散型アクリル樹脂系材料を貼り付け、焼成を行った。塗布タイプの顔料分散型塗料の場合も２μｍの塗布とした。そして、遮光層形成材料の研磨により隣接透明導電膜間に遮光層を形成したが、その遮光層の膜厚として、０．２μｍ、０．４μｍ、０．６μｍ、０．８μｍ、１．０μｍの５種類のものを作った。遮光層の膜厚と吸光度であるＯＤ値との関係を測定したところ、図８に示す結果が得られた。ＯＤ値＝−ｌｏｇ１０（透過率）である。黒がしまり、コントラスト低下が起こらない透過率１％以下に対応するＯＤ値２以上を条件とすると、ラミネートタイプでは０．６μｍ以上が必要であり、塗布タイプでは０．３μｍ以上が必要であることが分かる。なお、ＯＤ値は２以上であればいくらであってもよい。
【００３５】
従来タイプの比較例として、次のようなものを作製した。コモン側電極基板としては、Ｒ，Ｇ，Ｂのカラーフィルタ層のドット形成後に、遮光層を裏面露光により形成し、オーバーコート層をスピンコート法にて塗布し、その後、上述の方法で透明導電膜を形成した。セグメント側電極基板としては、透明導電膜を形成し、上下リーク防止層としてＴｉＯ２−ＳｉＯ２  系薄膜を印刷法により形成した。配向膜以降は両基板とも本発明実施例と同様の処理を行った。なお、本発明実施例と比較例とは、ともに、その透明導電膜を７０００Å、断線防止膜を１０００Å、遮光層を０．７μｍ（７０００Å）とした。
【００３６】
本発明実施例によるＳＴＮ型液晶パネルおよび比較例（従来例）のＳＴＮ型液晶パネルについてそれぞれ故意にアライメントずれを生じさせるため、貼り合わせ装置のアライメントトレランス（アライメント許容値）を１０μｍに設定して１００セルずつ作製し、アライメントずれの度合いによりパネルを選別し、各アライメントずれ量でのコントラストを測定した。その結果を表１に示す。
【００３７】
【表１】
0003556822.tif 000002
【００３８】
なお、比較例（従来例）のアライメントずれ２μｍについてはサンプルが得られなかった。
【００３９】
アライメントずれ０μｍのときを１００％としてコントラストのグラフ化を行うと、図９のようになった。本発明実施例の場合には、プロット点の近似線はほぼ１００％の水平線であった。これに対して比較例（従来例）の場合には、アライメントずれ０〜７μｍの範囲で約３０％のコントラスト低下があった。したがって、本発明によってパネルのアライメントずれの低下およびばらつきを大幅に改善することができたことは明らかである。また、本発明実施例では上側の断線防止膜２７を上下リーク防止膜に兼用しており、従来例の場合の上下リーク防止層２６を省略しても、上下リーク（光漏れ）は発生しなかった。
【００４０】
比較例（従来例）の場合に、カラーフィルタ層の幅が１００μｍとすると、コントラストの低下を回避するには、透明導電膜の幅は例えば１１０μｍのようにマージン（１０μｍ）を見込む必要があったが、本発明実施例の場合は、透明導電膜の幅は１００μｍまたはそれ以下でよく、コントラストの低下を招くことなく、高精細化が可能となる。
【００４１】
上記した実施の形態および実施例は単なる例示に過ぎず、本発明は、その精神あるいは主要な特徴から逸脱しない範囲で、他のいろいろな形で実施することができる。
【００４２】
なお、本発明の技術をＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）ディスプレイなど他の表示装置の基板に応用することができる。
【００４４】
【発明の効果】
ドットマトリクス型液晶表示装置の製造方法にかかわる本発明によれば、ドットマトリクス型液晶表示装置を所期通りに作成することができるほか、透明導電膜間に遮光層を形成するに当り、遮光層形成材料を貼り付けまたは塗付し、それを研磨することにより透明導電膜間に遮光層を形成するので、高価で高精度を要する取り扱いのむずかしい露光装置を必要としないですみ、また、断線防止膜を形成した上で遮光層形成材料を貼り付けまたは塗付し、断線防止膜が現れるまで遮光層形成材料を研磨するので、透明導電膜にキズや断線は生じないですみ、さらに、フィルタ層無しの基板においては透明導電膜と遮光層との間の断線防止膜が上下リーク防止層として機能することになり、上下リーク防止層を省略することができる。
【００４５】
透明導電膜のキズ・断線を防止する機能を充分に発揮させるためには、断線防止膜としては、ＴｉＯ２−ＳｉＯ２  系薄膜またはＳｉ３Ｎ４  系薄膜またはＳｉＯ２  系薄膜が好ましい。また、成膜が良好で表示品位も良好とするには、断線防止膜の膜厚としては、２００〜１６００Åが好ましい。さらに、遮光層として黒がしまり、コントラスト低下を起こさない透過率は１％以下であり、それに対応するＯＤ値（吸光度）を２以上とするには、ラミネートタイプの顔料分散型アクリル樹脂系材料を用いて遮光層の膜厚を０．６μｍ以上にするか、塗布タイプの顔料分散型塗料を用いて遮光層の膜厚を０．３μｍ以上にするのがよい。
【００４６】
本件にかかわる明細書（特に発明の詳細な説明および特許請求の範囲）または図面においては、出願当初に記載してある任意の事項（任意の要素または任意の要素の結合関係・組み合わせ関係を含む）について、その省略の可能性を留保する。さらに、特許請求の範囲に記載していないが発明の詳細な説明または図面に記載してある任意の事項について特許請求の範囲への追加の可能性ならびにその追加に伴う説明の変更の可能性を留保する。すなわち、そのような省略または追加・変更が直接的かつ一義的に導かれるものとして取り扱うものとし、新規事項の追加でないことを宣言する。
【００４７】
なお、断線防止膜の膜厚として２００〜１６００Åが好ましいとしたが、膜厚の下限としては、２００〜１６００Åの範囲で任意の値を設定することが可能であり（これをＡｘとする）、また、上限としては、２００〜１６００Åの範囲で前記Ａｘを下回らない条件で任意の値を設定することが可能であり（これをＢｘとする）、範囲の設定について、上限・下限ともに任意の値を取り得るものとする。この場合の範囲は、Ａｘ〜Ｂｘと表される。また、遮光層の膜厚の下限として、０．６μｍと０．３μｍをあげたが、それぞれより小さい値として−０．１μｍ、−０．０５μｍの許容値をもつものとして取り扱い、また、より大きい値として任意の値を取り得るものとして取り扱うものとする。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態にかかわるドットマトリクス型液晶表示装置の断面斜視図
【図２】実施の形態におけるセグメント側電極基板とコモン側電極基板の断面図
【図３】実施の形態のドットマトリクス型液晶表示装置の概略の平面図
【図４】実施の形態におけるコモン側電極基板の製造工程を示す図
【図５】実施の形態におけるセグメント側電極基板の製造工程を示す図
【図６】実施の形態におけるセグメント側電極基板を作製するときの断線防止膜の形成の様子を示す平面図と断面図
【図７】実施例における断線防止膜の膜厚と実効電圧との関係を示すグラフ
【図８】実施例における遮光層の膜厚とＯＤ値（吸光度）との関係を示すグラフ
【図９】実施例と比較例（従来例）とのアライメントずれとコントラストとの関係を示すグラフ
【図１０】従来の技術にかかわるドットマトリクス型液晶表示装置の断面斜視図
【図１１】従来の技術におけるセグメント側電極基板とコモン側電極基板の断面図
【図１２】従来の技術のドットマトリクス型液晶表示装置の概略の平面図
【符号の説明】
１１……ガラス基板                    １２……カラーフィルタ層
１３……遮光層                        １４……オーバーコート層
１５……透明導電膜                    １５ａ…ＩＴＯ膜
１７……断線防止膜                    １８……遮光層
１８ａ…遮光層形成材料                １９……配向膜
２１……ガラス基板                    ２５……透明導電膜
２５ａ…ＩＴＯ膜                      ２６……上下リーク防止層
２７……断線防止膜                    ２８……遮光層
２８ａ…遮光層形成材料                ２９……配向膜
３１……液晶層３１                    ４１……光漏れ部
５１……カバーレジスト                ５２……カバーレジスト
１００……コモン側電極基板            ２００……セグメント側電極基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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