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【手続補正書】
【提出日】平成27年10月30日(2015.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】弾性波装置と封止体
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板と、
前記圧電基板の表面上に弾性表面波を発生させるべく前記圧電基板上に設けられた櫛形電極と、
前記圧電基板の上に設けられ前記櫛形電極を前記圧電基板との間に封止する封止体と
を備え、
前記封止体は、前記封止体の第１のガラス転移温度よりも低温の第１の温度領域における第１の線膨張係数を有し、
前記第１の線膨張係数は、前記第１のガラス転移温度よりも高温の第２の温度領域における前記封止体の第２の線膨張係数よりも大きい弾性波装置。
【請求項２】
前記第１の線膨張係数は、前記圧電基板の表面によって画定される平面に平行かつ前記弾性表面波の伝播方向に垂直な方向における前記圧電基板の線膨張係数よりも大きい請求項１記載の弾性波装置。
【請求項３】
前記第２の線膨張係数は、前記弾性表面波の伝播方向における前記圧電基板の線膨張係数よりも小さい請求項１記載の弾性波装置。
【請求項４】
前記封止体は、前記第1のガラス転移温度よりも高温の第２のガラス転移温度を有し、
前記第２の温度領域は、前記第1のガラス転移温度と前記第２のガラス転移温度との間に存在し、
前記第２のガラス転移温度よりも高温の第３の温度領域における前記封止体の第３の線膨張係数が、前記第２の線膨張係数よりも大きい請求項１記載の弾性波装置。
【請求項５】
前記第３の線膨張係数は、前記圧電基板の表面によって画定される平面に平行かつ前記弾性表面波の伝播方向に垂直な方向における前記圧電基板の線膨張係数よりも大きい請求項４記載の弾性波装置。
【請求項６】
前記第１のガラス転移温度及び前記第２のガラス転移温度は前記封止体の硬化温度よりも低い請求項４に記載の弾性波装置。
【請求項７】
圧電基板と、
前記圧電基板上に設けられた櫛形電極と、
前記圧電基板の上に設けられ前記櫛形電極を前記圧電基板との間に封止する封止体と
を備え、
前記封止体は、前記封止体の硬化温度よりも低温の温度領域に複数のガラス転移温度を有する弾性波装置。
【請求項８】
圧電基板と、
前記圧電基板の表面上に弾性表面波を発生させるべく前記圧電基板上に設けられた櫛形電極と
前記圧電基板の上に設けられ前記櫛形電極を前記圧電基板との間に封止する封止体と
を備え、
前記封止体はガラス転移温度を有し、
前記封止体の線膨張係数が、前記ガラス転移温度よりも低温で前記圧電基板の線膨張係数よりも大きくかつ前記ガラス転移温度よりも高温で前記圧電基板の線膨張係数よりも小さい弾性波装置。
【請求項９】
前記封止体は前記ガラス転移温度を複数有する請求項８記載の弾性波装置。
【請求項１０】
基板上に取り付けられた電子装置を封止する封止体であって、
前記封止体は、
前記封止体の第１のガラス転移温度よりも低温の第１の温度領域における第１の線形膨張係数と、
前記第１のガラス転移温度よりも高温の第２の温度領域における第２の線形膨張係数と
を有し、
前記第１のガラス転移温度は前記電子装置の動作温度範囲内にあり、
前記第１の線形膨張係数は前記第２の線形膨張係数よりも大きい封止体。
【請求項１１】
前記第１の線形膨張係数は、前記弾性表面波の前記伝播方向における前記圧電基板の線形膨張係数よりも大きい請求項２に記載の弾性波装置。
【請求項１２】
前記第２の線形膨張係数は、前記圧電基板の表面によって画定される平面に平行かつ前記弾性表面波の伝播方向に垂直な方向における前記圧電基板の線形膨張係数よりも小さい請求項３に記載の弾性波装置。
【請求項１３】
前記第３の線形膨張係数は、前記弾性表面波の前記伝播方向における前記圧電基板の線形膨張係数よりも小さい請求項５に記載の弾性波装置。
【請求項１４】
前記圧電基板の線形膨張係数は前記弾性表面波の伝播方向に関連付けられる請求項８に記載の弾性波装置。
【請求項１５】
前記封止体は前記櫛形電極の上方に空間を画定する請求項１に記載の弾性波装置。
【請求項１６】
前記櫛形電極と前記封止体との間に設けられたカバーをさらに備える請求項１５に記載の弾性波装置。
【請求項１７】
前記封止体は無機充填材を包含する熱硬化性樹脂を含む請求項１に記載の弾性波装置。
【請求項１８】
前記第１のガラス転移温度は前記弾性波装置の動作温度範囲内にある請求項１に記載の弾性波装置。
【請求項１９】
前記封止体は異なるタイプの熱硬化性樹脂を含み、
前記熱硬化性樹脂はそれぞれが互いに異なるガラス転移温度を有する請求項４に記載の弾性波装置。
【請求項２０】
前記第１のガラス転移温度は５０℃以下である請求項１９記載の弾性波装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月14日(2015.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、
前記絶縁基板上に位置するスイッチング素子と、
前記スイッチング素子と電気的に接続された画素電極と、
前記画素電極のエッジをカバーすると共に、前記画素電極の一部を露出する枠状のリブと、
前記画素電極上に位置する発光層と、
前記発光層上に位置する共通電極と、
無機系材料によって形成され前記共通電極をカバーし、且つ前記画素電極の前記一部と対向する領域から前記リブ上まで延在した第１保護層と、
前記画素電極の前記一部と対向する領域において前記第１保護層上に位置するカラーフィルタと、
無機系材料によって形成され前記カラーフィルタをカバーし、且つ前記画素電極の前記一部と対向する領域から前記リブ上にまで延在し、前記リブ上で前記第１保護層に積層された第２保護層と、
を備えた有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記第１保護層及び前記第２保護層は、シリコン窒化物層の単層、もしくは、シリコン窒化物層及びシリコン酸化物層の積層体である、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記リブは無機系材料によって形成された、請求項１または２に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記リブはシリコン窒化物によって形成された、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
前記リブ上において、前記発光層、前記共通電極、前記第１保護層、及び、前記第２保護層の順に積層された、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
前記リブの厚さよりも、前記カラーフィルタの厚さの方が大きい、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
絶縁基板と、
前記絶縁基板上に位置する第１有機ＥＬ素子と、
前記絶縁基板上に位置し、前記第１有機ＥＬ素子に隣接する第２有機ＥＬ素子と、
前記第１有機ＥＬ素子及び前記第２有機ＥＬ素子を区画する格子状のリブと、
無機系材料によって形成され前記第１有機ＥＬ素子及び前記第２有機ＥＬ素子をカバーし、前記第１有機ＥＬ素子と前記リブと前記第２有機ＥＬ素子とに跨って配置された第１保護層と、
前記第１有機ＥＬ素子の第１発光部と対向する領域において前記第１保護層上に位置する第１カラーフィルタと、
前記第２有機ＥＬ素子の第２発光部と対向する領域において前記第１保護層上に位置する第２カラーフィルタと、
無機系材料によって形成され前記第１カラーフィルタ及び前記第２カラーフィルタをカバーし、且つ前記第１有機ＥＬ素子と前記リブと前記第２有機ＥＬ素子とに跨って配置され、前記リブ上で前記第１保護層に積層された第２保護層と、
を備えた有機ＥＬ表示装置。
【請求項８】
前記第１有機ＥＬ素子及び前記第２有機ＥＬ素子は、前記第１発光部と対向する領域と前記リブと記第２発光部と対向する領域とを跨いで延在し白色に発光する共通の発光層を備えた、請求項７に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項９】
前記リブの厚さよりも、前記第１カラーフィルタの厚さ及び前記第２カラーフィルタの厚さの方が大きい、請求項７または８に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１０】
絶縁基板と、
前記絶縁基板上に位置し、第１の画素電極を有する第１の画素と、
前記絶縁基板上に位置し、第２の画素電極を有する第２の画素と、
前記第１の画素と前記第２の画素との境界に位置し、前記第１の画素電極の一部と前記第２の画素電極の一部とを露出するリブと、
前記第１の画素電極の前記絶縁基板とは反対側に位置し、前記第１の画素電極の前記一部と対向する第１のカラーフィルタと、
前記第２の画素電極の前記絶縁基板とは反対側に位置し、前記第２の画素電極の前記一部と対向する第２のカラーフィルタと、
前記第１の画素と前記リブと前記第２の画素とに跨って配置されると共に、前記第１のカラーフィルタと前記第２のカラーフィルタとに接して形成され、且つ前記第１のカラーフィルタと前記第２のカラーフィルタとを覆う第２の保護層と、を備え、
前記第１のカラーフィルタの厚さは、前記リブの厚さよりも大きく、
前記第２のカラーフィルタの厚さは、前記リブの厚さよりも大きいことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項１１】
前記リブは、前記リブにおいて前記絶縁基板から最も遠くに位置する第１の面を有し、
前記第１のカラーフィルタは、前記第１のカラーフィルタにおいて前記絶縁基板から最も遠くに位置する第２の面を有し、
前記第２のカラーフィルタは、前記第２のカラーフィルタにおいて前記絶縁基板から最も遠くに位置する第３の面を有し、
前記第２の面から前記絶縁基板までの距離は、前記第１の面から前記絶縁基板までの距離よりも大きく、
前記第３の面から前記絶縁基板までの距離は、前記第１の面から前記絶縁基板までの距離よりも大きいことを特徴とする請求項１０に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１２】
前記第２保護層は、シリコン窒化物層の単層、もしくは、シリコン窒化物層及びシリコン酸化物層の積層体であることを特徴とする請求項１０または請求項１１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１３】
前記第１のカラーフィルタ及び前記第２のカラーフィルタの、前記第２の保護層とは反対側には、前記第１の画素と前記リブと前記第２の画素とに跨って形成された第１の保護層が形成され、
前記第１の保護層と前記第２の保護層とは、前記リブの前記絶縁基板から最も遠くに位置する面上で接していることを特徴とする請求項１０乃至１２のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１４】
前記第１保護層は、シリコン窒化物層の単層、もしくは、シリコン窒化物層及びシリコン酸化物層の積層体であることを特徴とする請求項１３に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１５】
前記第１の画素電極の前記絶縁基板とは反対側には、前記第１の画素と前記リブと前記第２の画素とに跨って配置された共通電極が形成され、
前記第１のカラーフィルタ及び前記第２のカラーフィルタは、前記共通電極の前記絶縁基板とは反対側に位置していることを特徴とする請求項１０乃至１４のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１６】
前記共通電極と前記第１の画素電極との間には、前記第１の画素と前記リブと前記第２の画素とに跨って配置された発光層が形成されていることを特徴とする請求項１５に記載の有機ＥＬ表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月28日(2015.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
貫通口を設けた弾性体よりなる軟骨伝導部と前記軟骨伝導部に一端を接続されて振動源となる枝部とを有するイヤホンを一対備えたことを特徴とするステレオイヤホン。
【請求項２】
前記貫通口の外側周囲に輪状縁を有することを特徴とする請求項１記載のステレオイヤホン。
【請求項３】
スライド可能に構成した前記枝部のスライドにより前記貫通口を開閉するよう構成したことを特徴とする請求項１記載のステレオイヤホン。
【請求項４】
変形可能な弾性体よりなる軟骨伝導部と前記軟骨伝導部に一端を接続されて振動源となる枝部とを有するイヤホンを一対備えたことを特徴とするステレオイヤホン。
【請求項５】
前記弾性体は弾性変形を容易にする中空部を有することを特徴とする請求項４記載のステレオイヤホン。
【請求項６】
前記枝部は前記軟骨伝導部に接続される鞘部を有し、振動源となる圧電バイモルフを前記鞘部内部においてその内壁に触れることなく前記軟骨伝導部に接続したことを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載のステレオイヤホン。
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月24日(2015.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
線源としてＣｕＫα線を用いたＸ線回折法により求められる（００２）面の平均層面間隔ｄ００２が０．３４０ｎｍ以上であるリチウムイオン電池用の炭素質の負極材料であって、
温度４０℃、相対湿度９０％ＲＨの条件下で当該負極材料を１２０時間保持した後、
前記負極材料を温度１３０℃、窒素雰囲気の条件下で１時間保持して予備乾燥し、次いで、前記予備乾燥した後の前記負極材料を２００℃、３０分間保持することにより発生した水分をカールフィッシャー電量滴定法にて測定したとき、
前記予備乾燥した後の前記負極材料から発生した水分量が、前記予備乾燥した後の前記負極材料１００質量％に対し、０．２０質量％以下である、リチウムイオン電池用負極材料。
【請求項２】
請求項１に記載のリチウムイオン電池用負極材料において、
窒素吸着におけるＢＥＴ３点法による比表面積が１ｍ２／ｇ以上１５ｍ２／ｇ以下である、リチウムイオン電池用負極材料。
【請求項３】
請求項１または２に記載のリチウムイオン電池用負極材料において、
炭酸ガスの吸着量が１０ｍｌ／ｇ未満である、リチウムイオン電池用負極材料。
【請求項４】
請求項１乃至３いずれか一項に記載のリチウムイオン電池用負極材料において、
ハロゲン含有量が５０ｐｐｍ未満である、リチウムイオン電池用負極材料。
【請求項５】
請求項１乃至４いずれか一項に記載の負極材料を含む、負極活物質。
【請求項６】
請求項５に記載の負極活物質において、
前記負極材料とは異なる種類の負極材料をさらに含む、負極活物質。
【請求項７】
請求項６に記載の負極活物質において、
異なる種類の前記負極材料が黒鉛質材料である、負極活物質。
【請求項８】
請求項５乃至７いずれか一項に記載の負極活物質を含む、リチウムイオン電池用負極。
【請求項９】
請求項８に記載のリチウムイオン電池用負極と、電解質と、正極とを少なくとも備えた、リチウムイオン電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９７】
なお、当然ながら、上述した本件各発明は、その内容が相反しない範囲で組み合わせることができる。
以下、参考形態の例を付記する。
＜付記＞
（付記１）
線源としてＣｕＫα線を用いたＸ線回折法により求められる（００２）面の平均層面間隔ｄ００２が０．３４０ｎｍ以上であり、樹脂組成物を炭化処理してなるリチウムイオン電池用の負極材料であって、
温度４０℃、相対湿度９０％ＲＨの条件下で当該負極材料を１２０時間保持した後、
熱重量測定装置を用いて、
（Ａ）前記負極材料を温度１３０℃、窒素雰囲気の条件下で１時間保持する工程と、
（Ｂ）前記（Ａ）工程後の前記負極材料を窒素雰囲気下で、温度４０℃から５４０℃まで１０℃／分で昇温し、前記負極材料の重量減少量を測定する工程と、
を順次おこない、
前記（Ａ）工程後の前記負極材料の重量をＸとし、
前記（Ｂ）工程における１５０℃での前記負極材料の重量をＹ１とし、
前記（Ｂ）工程における２５０℃での前記負極材料の重量をＹ２としたとき、
１００×（Ｙ１−Ｙ２）／Ｘで定義される化学吸着水率Ａが０．５％以下である、リチウムイオン電池用負極材料。
（付記２）
付記１に記載のリチウムイオン電池用負極材料において、
前記化学吸着水率Ａが０．３％以下である、リチウムイオン電池用負極材料。
（付記３）
付記１または２に記載のリチウムイオン電池用負極材料において、
１００×（Ｘ−Ｙ２）／Ｘが０．６％以下である、リチウムイオン電池用負極材料。
（付記４）
付記１乃至３いずれか一つに記載のリチウムイオン電池用負極材料において、
前記（Ｂ）工程における５００℃での前記負極材料の重量をＹ３としたとき、
１００×（Ｙ２−Ｙ３）／Ｘで定義される化学吸着水率Ｂが１．０％以下である、リチウムイオン電池用負極材料。
（付記５）
付記４に記載のリチウムイオン電池用負極材料において、
１００×（Ｘ−Ｙ３）／Ｘが１．６％以下である、リチウムイオン電池用負極材料。
（付記６）
付記１乃至５いずれか一つに記載のリチウムイオン電池用負極材料において、
温度４０℃、相対湿度９０％ＲＨの条件下で当該負極材料を１２０時間保持した後、
前記負極材料を温度１３０℃、窒素雰囲気の条件下で１時間保持して予備乾燥し、次いで、前記予備乾燥した後の前記負極材料を２００℃、３０分間保持することにより発生した水分をカールフィッシャー電量滴定法にて測定したとき、
前記予備乾燥した後の前記負極材料から発生した水分量が、前記予備乾燥した後の前記負極材料１００質量％に対し、０．２０質量％以下である、リチウムイオン電池用負極材料。
（付記７）
付記１乃至６いずれか一つに記載のリチウムイオン電池用負極材料において、
窒素吸着におけるＢＥＴ３点法による比表面積が１ｍ２／ｇ以上１５ｍ２／ｇ以下である、リチウムイオン電池用負極材料。
（付記８）
付記１乃至７いずれか一つに記載のリチウムイオン電池用負極材料において、
炭酸ガスの吸着量が１０ｍｌ／ｇ未満である、リチウムイオン電池用負極材料。
（付記９）
付記１乃至８いずれか一つに記載のリチウムイオン電池用負極材料において、
ハロゲン含有量が５０ｐｐｍ未満である、リチウムイオン電池用負極材料。
（付記１０）
付記１乃至９いずれか一つに記載の負極材料を含む、負極活物質。
（付記１１）
付記１０に記載の負極活物質において、
前記負極材料とは異なる種類の負極材料をさらに含む、負極活物質。
（付記１２）
付記１１に記載の負極活物質において、
異なる種類の前記負極材料が黒鉛質材料である、負極活物質。
（付記１３）
付記１０乃至１２いずれか一つに記載の負極活物質を含む、リチウムイオン電池用負極。
（付記１４）
付記１３に記載のリチウムイオン電池用負極と、電解質と、正極とを少なくとも備えた、リチウムイオン電池。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月16日(2014.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１乃至第３のメモリセルと、第１及び第２の行選択線と、第１及び第２の列選択線と、を有し、
前記第１のメモリセルと前記第２のメモリセルは同じ行に設けられ、
前記第１のメモリセルと前記第３のメモリセルは同じ列に設けられ、
前記第１乃至第３のメモリセルのそれぞれは、第１のゲート及び第２のゲートを有するトランジスタを有し、
前記第１の行選択線は、前記第１のメモリセルの前記トランジスタの前記第１のゲート及び前記第２のメモリセルの前記トランジスタの前記第１のゲートと電気的に接続され、
前記第２の行選択線は、前記第３のメモリセルの前記トランジスタの前記第１のゲートと電気的に接続され、
前記第１の列選択線は、前記第１のメモリセルの前記トランジスタの前記第２のゲート及び前記第３のメモリセルの前記トランジスタの前記第２のゲートと電気的に接続され、
前記第２の列選択線は、前記第２のメモリセルの前記トランジスタの前記第２のゲートと電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記トランジスタは、酸化物半導体層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
第１乃至第３のメモリセルと、第１及び第２のデータ線と、第１及び第２の行選択線と、第１及び第２の列選択線と、第１及び第２の読み出し線と、を有し、
前記第１のメモリセルと前記第２のメモリセルは同じ行に設けられ、
前記第１のメモリセルと前記第３のメモリセルは同じ列に設けられ、
前記第１乃至第３のメモリセルは、それぞれ、
ソースと、ドレインと、第１のゲートと、第２のゲートと、を有する第１のトランジスタと、
ソースと、ドレインと、第１のゲートと、第２のゲートと、を有する第２のトランジスタと、を有し、
前記第１のデータ線は、前記第１のメモリセルの前記第１のトランジスタの前記ソースまたは前記ドレインの一方及び前記第１のメモリセルの前記第２のトランジスタの前記ソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
前記第１のデータ線は、前記第３のメモリセルの前記第１のトランジスタの前記ソースまたはドレインの一方及び前記第３のメモリセルの前記第２のトランジスタの前記ソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
前記第２のデータ線は、前記第２のメモリセルの前記第１のトランジスタの前記ソースまたはドレインの一方及び前記第２のメモリセルの前記第２のトランジスタの前記ソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
前記第１の行選択線は、前記第１のメモリセルの前記第１のトランジスタの前記第１のゲート及び前記第２のメモリセル前記第１のトランジスタの前記第１のゲートと電気的に接続され、
前記第２の行選択線は、前記第３のメモリセルの前記第１のトランジスタの前記第１のゲートと電気的に接続され、
前記第１の列選択線は、前記第１のメモリセルの前記第１のトランジスタの前記第２のゲート及び前記第３のメモリセルの前記第１のトランジスタの前記第２のゲートと電気的に接続され、
前記第２の列選択線は、前記第２のメモリセルの前記第１のトランジスタの前記第２のゲートと電気的に接続され、
前記第１の読み出し選択線は、前記第１のメモリセルの前記第２のトランジスタの前記ソースまたはドレインの他方及び前記第２のメモリセルの第２のトランジスタの前記ソースまたはドレインの他方に電気的に接続され、
前記第２の読み出し選択線は、前記第３のメモリセルの前記第２のトランジスタの前記ソースまたはドレインの他方と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタの前記第１のゲートが前記第２のトランジスタの前記ソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタの前記第２のゲートが前記第１のトランジスタの前記ソースまたはドレインの他方に電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記第１のトランジスタは、酸化物半導体層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記第２のトランジスタは、前記第１のトランジスタの上に積層して設けられることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月24日(2015.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に第１の反射層及び第１の透明導電層が順に形成された第１のベース基板を準備する工程と、
絶縁表面上に第２の反射層及び前記第１の透明導電層と異なる厚さの第２の透明導電層が順に形成された第２のベース基板を準備する工程と、
前記第１の透明導電層上に第１のＥＬ層を形成する工程と、
前記第２の透明導電層上に前記第１のＥＬ層と同一装置及び同一条件にて第２のＥＬ層を形成する工程と、
前記第１のＥＬ層上に透光性を有する第１の導電層を形成する工程と、
前記第２のＥＬ層上に透光性を有する第２の導電層を形成する工程と、
前記第１の導電層上方に第１の基板を設ける工程と、
前記第２の導電層上方に第２の基板を設ける工程と、を有することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の導電層および第２の導電層の一方または両方に、４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長領域において３０％以上の光反射率及び５０％以上の光透過率を有する層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記第２の導電層を前記第１の導電層と同一装置及び同一条件にて形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記第１の基板を通過して取り出される光の色は、前記第２の基板を通過して取り出される光の色とは異なることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項５】
絶縁表面を有する透光性の基板上に第１の透明導電層が形成された第１のベース基板を準備する工程と、
絶縁表面を有する透光性の基板上に前記第１の透明導電層と異なる厚さの第２の透明導電層が形成された第２のベース基板を準備する工程と、
前記第１の透明導電層上に第１のＥＬ層を形成する工程と、
前記第２の透明導電層上に前記第１のＥＬ層と同一装置及び同一条件にて第２のＥＬ層を形成する工程と、
前記第１のＥＬ層上に導電性を有する第１の反射層を形成する工程と、
前記第２のＥＬ層上に導電性を有する第２の反射層を形成する工程と、を有することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項６】
請求項５において、
前記第１の反射層および前記第２の反射層は、抵抗率が１．０×１０−３［Ω・ｃｍ］以下の材料を有することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項７】
請求項５または６において、
前記第１のベース基板を通過して取り出される光の色は、前記第２のベース基板を通過して取り出される光の色とは異なることを特徴とする発光装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月25日(2015.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光素子、発光装置および照明装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性を有する電極と、光反射性を有する電極と、を有し、
前記透光性を有する電極と前記光反射性を有する電極との間に、第１の発光層と、第２の発光層と、第３の発光層と、第１の中間層と、第２の中間層と、を有し、
前記第１の発光層は、前記透光性を有する電極と前記第１の中間層との間に設けられ、
前記第２の発光層は、前記第１の中間層と前記第２の中間層との間に設けられ、
前記第３の発光層は、前記第２の中間層と前記光反射性を有する電極との間に設けられ、
前記第１の発光層からの発光スペクトルのピークは、
前記第２及び第３の発光層からの発光スペクトルのピークに比べ長波長の位置にあり、
前記第２の発光層からの発光スペクトルのピークは、
前記第１及び第３の発光層からの発光スペクトルのピークに比べ短波長の位置にある
ことを特徴とする発光素子。
【請求項２】
透光性を有する電極と、光反射性を有する電極と、を有し、
前記透光性を有する電極と前記光反射性を有する電極との間に、第１の発光層と、第２の発光層と、第３の発光層と、第１の中間層と、第２の中間層と、を有し、
前記第１の発光層は、前記透光性を有する電極と前記第１の中間層との間に設けられ、
前記第２の発光層は、前記第１の中間層と前記第２の中間層との間に設けられ、
前記第３の発光層は、前記第２の中間層と前記光反射性を有する電極との間に設けられ、
前記第１の発光層からの発光スペクトルのピークは、
前記第２及び第３の発光層からの発光スペクトルのピークに比べ長波長の位置にあり、
前記第２の発光層からの発光スペクトルのピークは、
前記第１及び第３の発光層からの発光スペクトルのピークに比べ短波長の位置にあり、
前記光反射性を有する電極と、前記第１の発光層との光学距離は、前記第１の発光層からの発光のピーク波長の３／４であり、
前記光反射性を有する電極と、前記第２の発光層との光学距離は、前記第２の発光層からの発光のピーク波長の３／４であり、
前記光反射性を有する電極と、前記第３の発光層との光学距離は、前記第３の発光層からの発光のピーク波長の１／４である
ことを特徴とする発光素子。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の発光素子を有する発光装置。
【請求項４】
請求項１または請求項２に記載の発光素子を光源として有する照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月3日(2015.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】リチウムイオン二次電池の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｂ軸方向の長さがａ軸方向及びｃ軸方向の長さより短い扁平形状を有する単結晶粒であるリチウム含有複合酸化物を複数含むスラリーを正極集電体上に塗布した後、
前記スラリーに圧力または振動を加え、複数の前記リチウム含有複合酸化物のｂ軸が前記正極集電体の表面と交差するように、前記リチウム含有複合酸化物を前記正極集電体上に設けることを特徴とするリチウムイオン二次電池の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
複数の前記リチウム含有複合酸化物を積層させることを特徴とするリチウムイオン二次電池の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記リチウム含有複合酸化物は、オリビン型であることを特徴とするリチウムイオン二次電池の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記単結晶粒のｂ軸は、前記正極集電体の表面に対し６０度以上９０度以下で交差することを特徴とするリチウムイオン二次電池の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記リチウム含有複合酸化物は、一般式ＬｉＭＰＯ４（Ｍは、Ｆｅ（ＩＩ），Ｍｎ（ＩＩ），Ｃｏ（ＩＩ），Ｎｉ（ＩＩ）の一以上）で表されることを特徴とするリチウムイオン二次電池の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月13日(2015.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
光拡散層を有する偏光子保護フィルムであって、
反射画像鮮明度測定試験における反射画像鮮明度Ｃｎ（％）の総和値Ｒｃ（％）が以下の式（１）の関係を満たし、かつ全ヘイズ値Ｈ（％）が以下の式（２）の関係を満たし、
前記反射画像鮮明度測定試験は、試験片からの反射光の光量を、反射光の光線軸に直交し、速度１０ｍｍ／ｍｉｎで移動する幅ｎ（ｍｍ）の光学くしを通して測定するものであり、
前記反射画像鮮明度Ｃｎ（％）は、前記反射画像鮮明度測定試験において光線軸上に前記光学くしの透過部分があるときの反射光量の最高値をＭｎ、光線軸上に前記光学くしの遮光部分があるときの反射光量の最小値をｍｎとした場合に、下記の式（３）で算出され、
前記総和値Ｒｃは、前記光学くしの幅ｎ（ｍｍ）が、それぞれ０．５、１、２である場合の反射画像鮮明度Ｃ０．５、Ｃ１、Ｃ２の総和値である、偏光子保護フィルム。
０≦Ｒｃ≦１７０      式（１）
０≦Ｈ≦６      式（２）
Ｃｎ＝{（Ｍｎ−ｍｎ）／（Ｍｎ＋ｍｎ）}×１００      式（３）
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月23日(2015.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性支持体および導電層を有する電子写真用の導電性部材であって、
該導電層は、
分子構造中に四級アンモニウムイオンを有するイオン導電性樹脂をバインダー樹脂として含み、かつ、
下記式（１）で示されるキャリア分子を含むことを特徴とする導電性部材。
【化１】
2012212127.tif 000001
【請求項２】
前記イオン導電性樹脂の分子構造中にエチレンオキサイドユニットを有する請求項１に記載の導電性部材。
【請求項３】
前記イオン導電性樹脂がフェノール樹脂である請求項２に記載の導電性部材。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れか一項に記載の導電性部材を有することを特徴とする電子写真装置。
【請求項５】
請求項１乃至３の何れか一項に記載の導電性部材を有し、電子写真装置の本体に着脱可能に構成されていることを特徴とするプロセスカートリッジ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明によれば、導電性支持体および導電層を有する電子写真用の導電性部材であって、該導電層は、分子構造中に四級アンモニウムイオンを有するイオン導電性樹脂をバインダー樹脂として含み、かつ、下記式（１）で示されるキャリア分子を含むことを特徴とする導電性部材が提供される。
【化１】
2012212127.tif 000002
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
そして、前記した通り、μが小さいキャリア分子を用いることにより、帯電部材に対して長時間に亘って電圧を印加した場合における帯電部材への電気抵抗ムラの発生を低減できる。その一方で、μの小さいキャリア分子は、導電層の導電化においては、μの大きいキャリア分子と比較して相対的に不利である。そこで、本発明者らは、導電層の導電化と、導電性部材への電気抵抗ムラの発生の低減とを高いレベルで両立し得るキャリア分子について検討を重ねた。その結果、バインダー樹脂が第四級アンモニウムイオンを分子内に有する場合において、導電層が下記式（１）で示されるキャリア分子を含むことが好ましいことを見出した。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
式（１）で表される構造を有するキャリア分子は、プロトンやハロゲンイオン等の一般的なキャリア分子と比較し、分子サイズが極めて大きいことが特徴である。そのため、イオン移動度μが小さく、本発明の目的を達成できると考えている。
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
以上のような理由から、分子サイズが大きく、かつ、バインダー樹脂との絡み合いが生じにくい構造を有するキャリア分子が本発明において好ましく、上記式（１）のキャリア分子が好適である。
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
すなわち、式（１）で表されるキャリア分子は、導電層中において、バインダー樹脂と絡み合いにくいこと、および、キャリア分子の疎水性が高いため、低湿環境下においても帯電部材の電気抵抗を十分に低下させることができるためである。
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
ところで、本発明に係る導電層は、上記式（１）で表されるキャリア分子以外の、イオン導電に寄与するキャリア分子を含むことを含んでいてもよい。しかし、導電層中に、キャリア移動度μが異なっている複数種のキャリア分子が存在していると、導電層に電気抵抗ムラが生じやすくなる。そのため、本発明に係る導電層に含まれるイオン伝送に寄与するキャリア分子に対して、上記式（１）で表されるキャリア分子の占める割合が、５０モル％以上、１００モル％以下、特には、７０モル％以上、１００モル％以下であることが好ましい。
【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
以下、本発明の実施例について説明する。
なお、実施例１〜５９において、イオン交換に供したキャリア分子として「シクロヘキサフルオロプロパン−１，３−ビス（スルホニル）イミド」を用いた塗工液Ｎｏ．１０、２５、３７〜３８、４０〜４１を用いた実施例１０、２５、３７〜３８、４０〜４１、４６、５１、５５、５７及び５９以外は、本発明における参考例である。
A：導電層形成用の塗工液Ｎｏ．１〜４２の調製；
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月11日(2015.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体材料と少なくとも１つのトナー吸収層とを含む、電子写真印刷法用の記録材料であって、
前記記録材料が前記支持体材料と前記トナー吸収層との間に配置されるプラスチックフィルムを含むこと、そして、前記プラスチックフィルムが金属でコーティングされることを特徴とする、前記記録材料。
【請求項２】
金属が４０ｘ１０６Ｓ／ｍ以下の導電率を有することを特徴とする、請求項１に記載の記録材料。
【請求項３】
金属がアルミニウムであることを特徴とする、請求項１又は２に記載の記録材料。
【請求項４】
プラスチックフィルムが、多層の二軸延伸ポリプロピレンフィルムであることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の記録材料。
【請求項５】
プラスチックフィルムの金属コーティングされた側が、粗さ値Ｒｚにより表される特定粗さ（specific roughness）０．０１〜２μｍを有することを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の記録材料。
【請求項６】
支持体材料の裏側が樹脂層を有することを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の記録材料。
【請求項７】
樹脂層が押出されたポリオレフィン層であるか、又は、ラミネートされたポリマーフィルムであることを特徴とする、請求項６に記載の記録材料。
【請求項８】
トナー吸収層が、水溶性及び／又は水分散性の結合剤、無機微粒子顔料、及び／又は導電性成分を含むことを特徴とする、請求項１〜７のいずれか一項に記載の記録材料。
【請求項９】
水分散性結合剤がエチレンアクリレートポリマー又はエチレンアクリレートコポリマーであることを特徴とする、請求項８に記載の記録材料。
【請求項１０】
微粒子顔料が、酸化アルミニウム、酸化アルミニウム水和物、ケイ酸、アンチモンの酸化物、インジウムの酸化物、チタンの酸化物、亜鉛の酸化物又はスズの酸化物、あるいは、これらの元素の２つ以上の混合酸化物である、請求項８又は９に記載の記録材料。
【請求項１１】
微粒子顔料が、１０ｎｍ〜２μｍの平均粒径を有することを特徴とする、請求項８〜１０のいずれか一項に記載の記録材料。
【請求項１２】
微粒子顔料が、１０ｍ２／ｇ〜４００ｍ２／ｇのＢＥＴ表面積を有することを特徴とする、請求項８〜１０のいずれか一項に記載の記録材料。
【請求項１３】
導電性成分が微粒子の導電性顔料であることを特徴とする、請求項８〜１２のいずれか一項に記載の記録材料。
【請求項１４】
導電性成分が導電性ポリマーであることを特徴とする、請求項８〜１２のいずれか一項に記載の記録材料。
【請求項１５】
トナー吸収層における導電性成分の量が、乾燥した層の質量に対する０〜５０重量％、特に０．１〜４．０重量％であることを特徴とする、請求項８〜１４のいずれか一項に記載の記録材料。
【請求項１６】
支持体材料が、原紙又はコーティングされた原紙であることを特徴とする、請求項１〜１５のいずれか一項に記載の記録材料。
【請求項１７】
記録材料の表面抵抗率が、ＤＩＮ５３４８３により測定される１５（Ｏｈｍ／ｃｍ）未満であることを特徴とする、請求項６〜１５のいずれか一項に記載の記録材料。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年7月1日(2015.7.1)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
周波数ｆｐのポンプ光源と、
前記周波数ｆｐのポンプ放射光の伝播方向にある前部面（８）と後部面（９）を有する非線形結晶（７）と、
結晶（７）の前部面（８）上に位置する第１のミラー（１０）と一緒に周波数ｆｓのシグナル光のための第１共鳴キャビティを画定し、結晶（７）の前部面（８）の上流側に位置する第２ミラー（１）と一緒に周波数ｆｃのコンプリメンタリー光のための第２共鳴キャビティを画定する、前記結晶の後部面の下流側に位置するアクロマートミラー（２）と、
一対のシグナル光およびコンプリメンタリー光の縦モードのための二重共鳴型共振器を形成するそれぞれ光路長ｌｓおよびｌｃの前記２つのキャビティと、を備え、
前記周波数ｆｐのポンプ放射光は、往路では、前記結晶の前部面（８）から入射し、前記結晶の後部面（９）から出射して結晶を通過し、アクロマートミラー（２）で反射した後、復路では、前記結晶の後部面（９）から入射し、
前記結晶の光学指数は、シグナル周波数ｆｓおよびコンプリメンタリー周波数ｆｃに対してそれぞれｎｓ，ｎｃであり、
前記結晶は、その後部面（９）が、放射光の伝播方向であるＺ方向と直交するＸ方向に対して零ではない角度αで傾斜したくさび形に形成されるとともに、前記結晶（７）はＸＺ平面上に移動可能であるアクロマチック位相維持ポンプリターン付きの二重共鳴型光パラメトリック発振器であって、
一対のシグナル光およびコンプリメンタリー光の縦モードのための二重共鳴が維持され、結果として前記周波数ｆｓおよびｆｃが連続的に広範囲に渡って同調可能なように、前記２つの共鳴型キャビティの光路長ｌｓおよびｌｃの比率を夫々同時に修正するため、前記結晶（７）は、ＸＺ平面上を移動するステージに載置され、方向Ｘに対して下記式を満足する零でない角度βで傾斜した方向に移動可能であることを特徴とするアクロマチック位相維持ポンプリターン付きの二重共鳴型光パラメトリック発振器。
【数４】
2012212139.tif 000001
【請求項２】
前記非線形結晶は、疑似位相整合において作動可能な、Ｚ方向に放射光が連続的に透過する、周期的に反転するドメインを備えていることを特徴とする請求項１に記載の二重共鳴型光パラメトリック発振器。
【請求項３】
アクロマートミラー（２）で反射される前の最後の周期的ドメイン（１５）の前記後部面（９）は、
ＸＹ平面と交差する平面のＹ方向と平行な直線に沿って配向され、結果として、前記結晶のＸ方向における位置に関わらず、前記シグナル光、前記コンプリメンタリー光、及び前記ポンプ放射光における相対位相値ΔΦが維持されることを特徴とする請求項２に記載の二重共鳴型光パラメトリック発振器。
【請求項４】
前記結晶の反転ドメインの周期性は、Ｘ方向に連続的に変化することを特徴とする請求項２に記載の二重共鳴型光パラメトリック発振器。
【請求項５】
前記最後の周期的ドメイン（１５）の後部面（９）は、平面ＹＺに対して平行をなす平面において、Ｙ方向に対して角度γをなすように研磨され、結果として、放射光波間の戻りに対する相対的な位相値（ΔΦ）が、光学キャビティにおける結晶のＹ方向に沿って位置を修正することによって調整されることを特徴とする請求項３または４に記載の二重共鳴型光パラメトリック発振器。
【請求項６】
前記ポンプレーザの周波数は可変であり、結果として、前記結晶の光分散および前記キャビティの光路長の変化が補償され、大変広範な周波数範囲において連続的な同調が達成されることを特徴とする請求項１に記載の二重共鳴型光パラメトリック発振器。
【請求項７】
第１ドメインの光路長が可変であり、結果として、前記結晶の光分散および前記キャビティの光路長の変化が補償され、大変広範な周波数範囲において連続的な同調が達成されることを特徴とする請求項２に記載の二重共鳴型光パラメトリック発振器。
【請求項８】
コンプリメンタリー光は、結晶のＹ方向に配向された結晶軸ｃに沿って偏光するとともに、シグナル光およびポンプ放射光は、結晶軸ｃに直交して偏光しており、３つの放射光間における光分散と比率Ｒの変化とを補償するために、結晶軸ｃに沿って電界が印加され、コンプリメンタリー共振器の光路長が調整されることを特徴とする請求項７に記載の二重共鳴型光パラメトリック発振器。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月6日(2015.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ光を出射するレーザ光源と、
該レーザ光源から出射されたレーザ光を試料に集光する対物レンズと、
該対物レンズの光軸に直交する方向にレーザ光を走査させる走査部と、
該走査部により走査されるレーザ光の試料内における集光位置の深さを調節する集光深さ調節部と、
前記試料内におけるレーザ光の集光位置から発せられる蛍光を検出する蛍光検出部と、
前記レーザ光源からのレーザ光の強度を調節するレーザ光強度調節部と、
これらを制御する制御部とを備え、
前記制御部が、前記蛍光検出部により検出した蛍光から、試料の断面画像を試料の表面から深さ方向に順次取得するとともに、過去に取得した試料の断面画像における蛍光の強度分布に基づいて、次に取得する試料の断面画像におけるレーザ光の強度分布を調節するレーザ顕微鏡。
【請求項２】
試料の表面からの深さに応じたレーザ光の強度分布を格納するレーザ光強度記憶部を備える請求項１に記載のレーザ顕微鏡。
【請求項３】
前記レーザ光強度調節部により調節されたレーザ光の強度と、前記走査部によるレーザ光の走査位置および前記集光深さ調節部により調節されるレーザ光の集光位置とを対応付けて記憶するレーザ光強度記憶部を備える請求項１または２に記載のレーザ顕微鏡。
【請求項４】
前記制御部が、前記蛍光検出部により検出した蛍光の強度に基づいて、レーザ光の集光位置における試料の有無を判定する請求項１から３いずれかに記載のレーザ顕微鏡。
【請求項５】
前記制御部が、同一断面においてレーザ光の強度を調節して前記試料に複数回レーザ光を照射し、前記蛍光検出部により検出した蛍光の強度の変動値に基づいて、レーザ光の集光位置における試料の有無を判定する請求項１から４いずれかに記載のレーザ顕微鏡。
【請求項６】
前記レーザ光強度調節部が、前記蛍光検出部により検出した蛍光の強度が所定値以上の領域に対して、同一断面においてレーザ光の強度を低下させる請求項１に記載のレーザ顕微鏡。
【請求項７】
前記レーザ光源が、超短パルスレーザ光を出射する多光子励起用レーザ光源である請求項１から６いずれかに記載のレーザ顕微鏡。
【請求項８】
試料に集光させたレーザ光を、その集光位置を深さ方向に変化させつつ、深さ方向に交差する方向に走査させて、各深さ位置における試料の断面画像を取得する観察方法であって、
レーザ光の集光位置から発生した蛍光から、試料の断面画像を試料の表面から深さ方向に順次取得するとともに、過去に取得した試料の断面画像における蛍光の強度分布に基づいて、次に取得する試料の断面画像におけるレーザ光の強度分布を調節し、
蛍光の強度とレーザ光の集光位置とに基づいて試料の２次元的な蛍光画像を取得する観察方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月13日(2015.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
また、光拡散層の表面（基材フィルム１０１とは反対側の表面）は、透光性樹脂１０３のみによって形成されていることが好ましい。すなわち、透光性微粒子１０４は、光拡散層１０２表面から突出しておらず、完全に光拡散層１０２内に埋没していることが好ましい。光拡散層１０２表面から透光性微粒子１０４が突出すると、全ヘイズ値Ｈが上記式（２）の関係を満たすように偏光子保護フィルムを作製することが難しい場合がある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
ポリエチレンテレフタレートは、ジカルボン酸成分としてテレフタル酸に由来する構成単位と、ジオール成分としてエチレングリコールに由来する構成単位とを有するポリエステルであり、全繰り返し単位の８０モル％以上がエチレンテレフタレートであるのが好ましく、他の共重合成分に由来する構成単位を含んでいてもよい。他の共重合成分としては、イソフタル酸、ｐ−β−オキシエトキシ安息香酸、４，４’−ジカルボキシジフェニル、４，４’−ジカルボキシベンゾフェノン、ビス（４−カルボキシフェニル）エタン、アジピン酸、セバシン酸、５−ナトリウムスルホイソフタル酸、１，４−ジカルボキシシクロヘキサン等のジカルボン酸成分や、プロピレングリコール、ブタンジオール、ネオペンチルグリコール、ジエチレングリコール、シクロヘキサンジオール、ビスフェノールＡのエチレンオキサイド付加物、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリテトラメチレングリコール等のジオール成分が挙げられる。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月9日(2015.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】酸化物半導体膜及び半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
微小な空洞を有し、かつ前記微小な空洞内は、窒素、水素および酸素の少なくともいずれかを、前記微小な空洞外と比べて高い濃度で含むことを特徴とする酸化物半導体膜。
【請求項２】
請求項１において、
前記微小な空洞の直径が０．１ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることを特徴とする酸化物半導体膜。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記微小な空洞の外周部に接して結晶部を有することを特徴とする酸化物半導体膜。
【請求項４】
ゲート電極と、
前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の一対の電極と、
前記ゲート絶縁膜を介して、前記ゲート電極と重畳し、かつ前記一対の電極と一部が接し、チャネル領域、ソース領域およびドレイン領域を有する酸化物半導体膜と、を有し、
前記ソース領域および前記ドレイン領域は、前記チャネル領域よりも低密度であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
チャネル領域、ソース領域およびドレイン領域を有する酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜と一部が接する一対の電極と、
前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記酸化物半導体膜と重畳するゲート電極と、を有し、
前記ソース領域および前記ドレイン領域は、前記チャネル領域よりも低密度であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
チャネル領域、ソース領域およびドレイン領域を有する酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して、前記チャネル領域と重畳するゲート電極と、
前記ゲート絶縁膜および前記ゲート電極上の層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上の一対の電極と、を有し、
前記ゲート絶縁膜および前記層間絶縁膜は、前記ソース領域および前記ドレイン領域をそれぞれ露出する開口部を有し、前記一対の電極は、前記開口部を介して前記ソース領域および前記ドレイン領域と接し、前記ソース領域および前記ドレイン領域は、前記チャネル領域よりも低密度であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
ゲート電極と、
前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と重畳し、チャネル領域、ソース領域およびドレイン領域を有する酸化物半導体膜と、
前記ゲート絶縁膜および前記酸化物半導体膜上の、前記ソース領域および前記ドレイン領域をそれぞれ露出する開口部を有する層間絶縁膜と、
前記開口部を介して前記酸化物半導体膜と接する一対の電極と、を有し、
前記ソース領域および前記ドレイン領域は、前記チャネル領域よりも低密度であることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜と一部が接する一対の電極と、
前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記酸化物半導体膜と重畳し、かつ前記一対の電極と重畳しないゲート電極と、を有し、
前記酸化物半導体膜の、前記一対の電極および前記ゲート電極と重畳しない領域は、前記一対の電極および前記ゲート電極と重畳する領域よりも低密度であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項４乃至請求項８のいずれか一において、
前記ソース領域および前記ドレイン領域は、１×１０２０ｃｍ−３以上３×１０２２ｃｍ−３以下の水素を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項９において、
前記チャネル領域の水素濃度は、５×１０１８ｃｍ−３未満であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項４乃至請求項８のいずれか一において、
前記ソース領域および前記ドレイン領域は、微小な空洞を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１１において、
前記微小な空洞は、窒素分子、酸素分子および水素分子の少なくともいずれかを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１１または請求項１２において、
前記微小な空洞の直径が０．１ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１１乃至請求項１３のいずれか一において、
前記微小な空洞の外周部に接して結晶部を有することを特徴とする半導体装置。