【事件の表示】
　特願２００４−１３４１０１「コネクタ用接続端子」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年１１月１０日出願公開、特開２００５−３１４７４９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１６年４月２８日の出願であって、平成１９年３月１９日付で拒絶査定がなされ、平成１９年４月２５日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、平成１９年５月２３日付で手続補正がなされた。
　そして、本願は、平成１９年１０月２６日付で、当審により拒絶の理由が通知され、その指定期間内である平成１９年１２月２７日に意見書が提出されたものである。
　
２．理由１、２、３について
　一方、当審において平成１９年１０月２６日付で通知した拒絶の理由の概要は、次の理由１〜３である。
　
理由１．下記２−１．の点で、請求項１の記載が、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
理由２．下記２−２．の点で、明細書及び図面の記載が、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。
理由３．請求項１、２に係る発明は、本願の出願前に頒布された引用文献等１〜８に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　　　　記
２−１．請求項１に係る発明は、「上記金層が上記パラジウム層を形成するパラジウムストライク表面を部分的にラップするように形成されている」と規定するものであるが、「表面を部分的にラップするように形成」という語句の意味が不明であり、また、慣用される技術用語であるともいえない。したがって、発明の範囲が明確でない。
２−２．請求項１に係る発明は、「表面を部分的にラップするように形成されている」ものであるが、発明の詳細な説明には、「表面を部分的にラップするように形成」する具体的な製造条件などの手段について、記載されておらず、また、該手段は、当業者に自明なものとも認められない。よって、発明の詳細な説明は、当業者が請求項１に係る発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されたものでない。
　
３．理由１〜２についての判断
３−１．本件明細書の記載について
　請求項１の「部分的にラップするように形成されている」との記載の意味について、語句の意味が不明であり、また、慣用される技術用語であるともいえない。そこで、本件特許出願の出願当初の明細書（以下、本件明細書という）の記載を参酌して解釈すべきことになる。
　そして、その前提として、本件明細書においては、以下の、（本【0009】）〜（本【0016】〜【0018】）、（本図５）、（本全１）〜（本全２）のように記載されている。
　
（本【0009】）「 図１は、この発明の実施の形態１による電子部品の表面処理を示す説明図である。 図１において、銅合金などからなる母材１上に、順次、ニッケルめっき２（ニッケル層）、パラジウムストライクめっき３（パラジウム層）、金ラップめっき４（金層）が３層に形成されている。」（【０００９】）
（本【0011】）「 図５は、この発明の実施の形態１による電子部品の表面処理を示す原理図である。 図５において、１〜４は、図１におけるものと同一のものである。図５では、金ラップめっき４は、パラジウムストライクめっき３の表面を部分的にラップするように形成されている。」（【００１１】）
（本【0013】）「次いで、金ラップめっき４が、０．００３〜０．０２μｍの厚さに形成され、金ラップめっき４の厚さ＜パラジウムストライクめっき３の厚さの関係にあると、図５に示されるように、パラジウムストライクめっき３の核を覆うようになる。この状態では、はんだぬれ性のよい表面処理が得られる。また、金ラップめっき４の上述の厚さでは、金色を発色しない。・・・このとき、金ラップめっき４のめっき厚が、厚くなり金色が出る厚さ（約０．０３μｍ以上）になると、金の拡散量が多くなり、最近のファインピッチ製品のはんだ付け時などには、はんだ中の金濃度が濃くなり、はんだ強度が低下する。したがって、金ラップめっき４の厚さを、金色を発色しない０．０２μｍ以下に形成する必要がある。」（【００１３】）
（本【0016】〜【0018】）「実施の形態１によれば、・・・電子部品が得られる効果がある。
　 次に上述した電子部品の表面処理方法について具体的に説明する。
  上述したように、・・・厚さ０．００３〜０．０２μｍの金ラップめっき４（金めっき）を形成し、かつ金ラップめっき４の厚さ＜パラジウムストライクめっき３の厚さの関係になるようにすれば、はんだぬれ性の良好な表面処理を行うことができる。この３層の形成は、次のようにして行われる。
  まず、厚さ１〜３μｍのニッケルめっき２が形成された母材１を、通常市販されている濃度より薄い濃度に調合されたパラジウム液に漬し、電流密度１〜１０Ａ／ｄｍ２の条件で、パラジウム電解めっきを行い、厚さ０．００７〜０．１μｍのパラジウムストライクめっき３を形成する。
　次いで、このパラジウムストライクめっき３された母材１を、通常市販されている濃度より薄い濃度に調合された金液に漬し、電流密度０．０５〜０．１Ａ／ｄｍ２の条件で、金電解めっきを行い、厚さ０．００３〜０．０２μｍの金ラップめっき４を形成する。
　このパラジウムストライクめっき３及び金ラップめっき４は、パラジウム液の収容されたパラジウム槽及び金液の収容された金槽を含むめっきラインを、順次、電子部品を一定速度で連続して移動させることによって、形成することができる。
　パラジウム、金の液濃度及び電流密度により、それぞれ析出速度が変化するので、パラジウム、金の液濃度は、使用しているめっきライン（装置）性能に応じて設定される。」（【００１６】〜【００１８】）
（本図５）図５には、層状の記号１の上全面に、隙間のない層状のものである記号２が積層され、記号２の上に、ところどころ、球状の記号３が存在し、記号３の上に、ところどころ、記号３より小さな球状の記号４が存在するものが、示されている。また、スケールの記載など、図５に描かれた物の実際の大きさを表す記載はない。
（本全１）本件明細書全体には、「ラップ」の語自体についても、また、「ラップ」の語句を含む「部分的にラップするように形成されている」、「金ラップめっき」、「Ａｕラップめっき」、「Ａｕラップ処理」、の語句のいずれについても、明確な定義はなく、技術的に明らかであるとはいいがたい。
（本全２）本件明細書全体には、「部分的にラップするように形成されている」と記載した箇所は、上記（本【0011】）以外に存在しない。本件明細書の他の箇所にも「ラップ」の語はあるものの、全て、「金ラップめっき」乃至、これと同義と考えられる、「Ａｕラップめっき」、「Ａｕラップ処理」のいずれかの語句の一部として用いられている。
　
３−３．本件明細書の記載に基づく判断
３−３−１．発明の明確性について
　本件明細書の記載からは、「部分的にラップするように形成されている」との記載の意味は、以下のように考えられる。
　上記（本全１）に示したように、定義といえる記載はないので、本願請求項１に係る発明を具体化しているものと考えられる「発明の実施の形態１」等、他の記載を検討する。本願請求項１に係る発明と同じく「部分的にラップするように形成されている」との記載がある箇所は、上記（本全２）に示したように「この発明の実施の形態１」の「表面処理を示す原理図」である図５を説明した上記（本【0011】）のみである。上記（本【0011】）においては、「図５では、金ラップめっき４は、パラジウムストライクめっき３の表面を部分的にラップするように形成されている。」との記載があり、金ラップめっきが、図５に示されるように形成されていれば、「部分的にラップするように形成されている」に該当する、と考えられる。
　また、上記（本【0013】）には、「金ラップめっき４が、０．００３〜０．０２μｍの厚さに形成され、金ラップめっき４の厚さ＜パラジウムストライクめっき３の厚さの関係にあると、図５に示されるように、パラジウムストライクめっき３の核を覆うようになる。この状態では、はんだぬれ性のよい表面処理が得られる。また、金ラップめっき４の上述の厚さでは、金色を発色しない。」との記載がある（以下、「０．００３〜０．０２μｍの厚さに形成され、厚さ＜パラジウム層を形成するパラジウムストライクめっきの厚さの関係を満たす」ことを「厚さ条件」という）。
　よって、金ラップめっきであって、厚さ条件を満たすように形成されれば、「金ラップめっきが、図５に示されるように形成されている」ものであって、その結果、金層はパラジウムストライク表面を「部分的にラップするように形成されている」ことになる。
　しかし、「金ラップめっき」についても、その意味するところが明らかといえない。すなわち、上記（本【0016】〜【0018】）に「金ラップめっき４（金めっき）」とあって、金ラップめっきと金めっきが併記されており、このため、金ラップめっきと金めっきとは同じものであることが疑われる。また、上記（本【0016】〜【0018】）では、「・・・の条件で、金電解めっきを行い、厚さ０．００３〜０．０２μｍの金ラップめっき４を形成する。」とし、金ラップめっきを行うことと金めっきを行うことの製造工程上の違いを明示していない。さらに、上記（本【0016】〜【0018】）に示される金ラップめっきの厚さ条件は、特許請求の範囲における金めっきの厚さ条件と同一である。よって、本件明細書の記載からは、本件発明の特徴である金ラップめっきについて、単なる金めっきとは異なる技術的意義が明らかではない。このため、金ラップめっきを行う「部分的にラップするように形成されている」との発明特定事項についても、単なる部分的に被覆するという以上の技術的意義も明らかでない。したがって、本願請求項１に係る発明は、不明確である。
　
３−３−２．実施可能要件について
　本件明細書には、金めっき時の電流密度及び金液の濃度というめっき条件に関し、上記（本【0016】〜【0018】）の記載はあるが、金の電流密度の値については、上記（本【0016】〜【0018】）に「電流密度０．０５〜０．１Ａ／ｄｍ２の条件で、」と記載されているところ、単に電流密度の値を０．０５〜０．１Ａ／ｄｍ２に調整することで、形成されるめっきが金ラップめっきになるのか不明である。
  また、金液の濃度については、上記（本【0016】〜【0018】）に具体的値は記載されておらず、金ラップめっきの具体的めっき条件とは、具体的にいかなる金液の濃度とすることを指すのか、不明である。
　よって、本件明細書には、本願発明における特有の技術事項である金ラップめっきについて具体的めっき条件が記載されているとはいえず、また、当業者が容易に実施しうるともいえない。
　したがって、金ラップめっきを行う「部分的にラップするように形成されている」との発明特定事項を有する、本願の請求項１に係る発明は、当業者が実施しうる程度に明確かつ十分に発明の詳細な説明が記載されているとはいえない。
　
３−４．理由２についての請求人の反論について
　具体的めっき条件の開示に関し、請求人は、平成１９年１２月２７日付の意見書において、上記（本【0016】〜【0018】）の記載を引用するとともに、「この記載に基づいて、当業者であれば、パラジウム電解めっきにおけるパラジウム液の濃度及び電流密度や、金ラップめっきにおける金液の濃度及び電流密度を
適宜調整
　
　しかしながら、仮に、「金ラップめっきにおける金液の濃度及び電流密度を
適宜調整
　
　また、請求人は、審判請求書の請求の理由・認定事項ｉｉについて、の中で、「従って、本願発明の特徴部分を構成する要素の一つである部分的ラップについて、何らの具体的な理由の明示もなく、「部分的なラップは所定の金層の厚さによって自ずと達成されるものである」と認定したことは、審査官の独断的な誤解によるものであり、全く不当であると考えます。」と主張している。「部分的なラップは所定の金層の厚さによって自ずと達成されるものである」ことが全く不当であるから、「部分的にラップするように形成されている」ことは、単に金めっきを所定の金層の厚さとすることで、自ずと達成されるものではなく、何か特殊な処理が必要となることが窺われる。しかし、本願発明の実施例で採用する、パラジウム液の濃度及び電流密度、金液の濃度及び電流密度は、めっきにおいては、一般的な制御条件であるから、「表面を部分的にラップするように形成」するための具体的手段が明らかにされるべきである。
　
　よって、上記請求人の主張は採用できない。
　
４．理由３について
４−１．本願発明１について
　本願の請求項１、２に係る発明は、平成１９年５月２３日付手続補正書の特許請求の範囲の請求項１、２に記載されたとおりのものと認められるところ、その請求項１に記載された発明（以下、「本願発明１」という。）を一応次のとおりに認定する。
　
「【請求項１】　はんだ付けされるはんだ付け部を有し、このはんだ付け部にはニッケル、パラジウム及び金の３層構造の表面処理がなされたコネクタ用接続端子において、上記パラジウム層及び金層は、上記パラジウム層の厚さが、０．００７μｍ以上０．１μｍ未満の範囲、上記金層の厚さが、０．００３μｍ以上０．０１μｍ未満の範囲、かつ上記金層の厚さ＜上記パラジウム層の厚さの関係を有すると共に、上記金層が上記パラジウム層を形成するパラジウムストライク表面を部分的にラップするように形成されていることを特徴とするコネクタ用接続端子。」
　
４−２．引用例１〜２
　当審における拒絶の理由に引用された刊行物である、特開平１０−３１３０８７号公報（以下「引用例１」という。）、特開平４−１９３９８２号公報（以下「引用例２」という。）には、それぞれ、以下の事項が記載されている。
　
引用例１（特開平１０−３１３０８７号公報）
（１ａ）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、はんだ付けが可能な半導体チップ実装用リードフレーム及びコンデンサ、コネクター、スイッチなどの電子部品に使用されるリード材に関する。」（【０００１】）
（１ｂ）「【００１０】
【実施例】以下に本発明を実施例により詳細に説明する。なお、各層の皮膜は電気めっき法により形成した。各めっき層の厚さは表１にまとめて示した。また、めっき液組成とめっき条件は表２に示した。
実施例１　Ｃｕ−０．３ｗｔ％Ｃｒ−０．２５ｗｔ％Ｓｎ−０．２ｗｔ％Ｚｎ合金条をプレス加工して、図１に示すリードフレーム本体を得た。・・・リードフレーム本体に・・・Ｃｒ層を形成させた・・・後、表面にＰｄ層を形成した。・・・
【００１１】
・・・実施例３　基材Ｃｕ合金条とＣｒ合金層の間にＮｉ層を形成した以外は実施例１と同様・・・
【００１２】
実施例４　Ｐｄ層の上にさらにＡｕ層を形成した以外は実施例３と同様・・・
【００１４】
・・・従来例２　実施例４においてＮｉ層とＰｄ層の間にＣｒ又はＣｒ合金層を形成せず３層構造とした・・・」（【００１０】〜【００１４】）
（１ｃ）表１には、従来例２の行のめっき厚（μｍ）として、Ｎｉ又はＮｉ合金欄に「１．０」、Ｃｒ又はＣｒ合金欄に「−」、Ｐｄ又はＰｄ合金欄に「０．０５」、Ａｕ−Ｆ欄に「０．００３」という値が、それぞれ記載されている。
　また、表１には、実施例１及び従来例２の行の評価項目　はんだ付け性濡れ時間（ＳＥＣ）として、３００℃欄に、「１秒以下」という値が、記載されている。
（１ｄ）「【００２０】表１より明らかなように、実施例１〜７のリードフレームは、いずれもワイヤーボンディング性、はんだ付け性、曲げ加工性及び耐食性が良好であり、・・・」（【００２０】）
　
引用例２（特開平４−１９３９８２号公報）
（２ａ）「電子機器用接続部品としてコネクタは最も代表的なものであり・・・・コネクタの製造コストを下げる目的で・・・金めっきの厚みを薄くするとともに、被膜のピンホールの数が指数関数的に増え、耐食性が著しく低下するという問題を抱えている。
そこで、ニッケル下地めっき後、中間めっきとしてパラジウムまたはパラジウム合金をめっきし、その上に金めっきしたものが利用されている。しかし、この３層めっきでも十分な耐食性が得られていない。この問題を解決する方法のひとつに封孔処理がある。すなわち、各種の無機性、あるいは有機性の薬品で金めつき面を処理し、ピンホールを塞ぎ耐食性を向上させようとするものであるが、」（２頁左上欄２行〜右上欄８行）
（２ｂ）「［実施例］
・・・雄、及び雌の連続端子を・・・連続電気めっきラインを通して電気めっきを施した。めっきラインにおいては、・・・ニッケルめっき後、・・・パラジウム−ニッケル合金めっき後、酸性めっき浴により金を０．１μｍの厚みで接点部に部分めっきした。また、連続めっきラインでは、金めつき後に封孔処理工程を設け、同工程ではトリクロロエタンを溶媒とした各種封孔処理液に連続端子を通入することにより封孔処理を施した。」（６頁左上欄５〜２０行）
　　
４−３．引用例１記載発明
　引用例１には、摘記事項（１ｂ）に、「実施例１・・・　リードフレーム本体に・・・Ｃｒ層を形成させた・・・後、表面にＰｄ層を形成した。・・・実施例３　基材Ｃｕ合金条とＣｒ合金層の間にＮｉ層を形成した以外は実施例１と同様・・・実施例４　Ｐｄ層の上にさらにＡｕ層を形成した以外は実施例３と同様・・・従来例２　実施例４においてＮｉ層とＰｄ層の間にＣｒ又はＣｒ合金層を形成せず３層構造とした・・・」と記載されている。該記載から、Ｃｕ合金条上に、実施例１はＣｒ層、Ｐｄ層を、実施例３はＮｉ層、Ｃｒ層、Ｐｄ層を、実施例４はＮｉ層、Ｃｒ層、Ｐｄ層、Ａｕ層を、従来例２はＮｉ層、Ｐｄ層、Ａｕ層を、順に形成することが理解できる。
　上記理解を元にすると、摘記事項（１ｂ）、（１ｃ）には、従来例２として、「基材Ｃｕ合金条にＮｉ層を形成し、間にＣｒ又はＣｒ合金層を形成せずＰｄ層を形成し、めっき厚０．０５μｍのＰｄ層の上にさらに、めっき厚０．００３μｍのＡｕ層の３層構造を電気めっき法により形成した、はんだ付け性濡れ時間（ＳＥＣ）１秒以下の、リードフレーム本体。」が記載されている、といえる。
　また、摘記事項（１ｂ）〜（１ｄ）では、実施例１及び従来例２は共に、「はんだ付け性濡れ時間（ＳＥＣ）１秒以下」であり、「実施例１・・・のリードフレームは、・・・はんだ付け性・・・が良好」と記載されている。
　よって、摘記事項（１ａ）〜（１ｄ）を総合すると、引用例１には、「基材Ｃｕ合金条にＮｉ層を形成し、間にＣｒ又はＣｒ合金層を形成せずＰｄ層を形成し、めっき厚０．０５μｍのＰｄ層の上にさらに、めっき厚０．００３μｍのＡｕ層の３層構造を、電気めっき法により形成した、はんだ付け性が良好な、リードフレーム本体。」の発明（以下、「引用例１記載発明」という。）が記載されていることになる。  
　
４−４．引用例１記載発明との対比・判断
　本願発明１と引用例１記載発明とを対比する。
　引用例１記載発明の「はんだ付け性が良好な、リードフレーム本体。」は、はんだ付けという接合を行うものであるから、本願発明１の「接続端子。」に相当し、また、本願発明１の「はんだ付けされるはんだ付け部」を、具備するものともいえる。
　また、引用例１記載発明の「Ｎｉ層を形成し、間にＣｒ又はＣｒ合金層を形成せずＰｄ層を形成し、めっき厚０．０５μｍのＰｄ層の上にさらに、めっき厚０．００３μｍのＡｕ層の３層構造を電気めっき法により形成」することは、本願発明１の「ニッケル、パラジウム及び金の３層構造の表面処理」することに相当する。
　また、JIS 0400:1998「電気めっき及び関連処理用語」によれば、「ストライクめっき」とは、「後工程で行われる皮膜の析出を促進するための電着金属の薄膜」）をいうから、引用例１記載発明の「めっき厚０．０５μｍのＰｄ層の上にさらに、めっき厚０．００３μｍのＡｕ層」を形成することは、本願発明１の「金層が上記パラジウム層を形成するパラジウムストライク表面に形成されている」ことに対応する。
　また、引用例１記載発明の「めっき厚０．０５μｍのＰｄ層の上にさらに、Ａｕめっき厚０．００３μｍのＡｕ層」であれば、本願発明１の「上記パラジウム層の厚さが、０．００７μｍ以上０．１μｍ未満の範囲、上記金層の厚さが、０．００３μｍ以上０．０１μｍ未満の範囲、かつ上記金層の厚さ＜上記パラジウム層の厚さの関係」を満たす。
　
　よって、両者は、「はんだ付けされるはんだ付け部を有し、このはんだ付け部にはニッケル、パラジウム及び金の３層構造の表面処理がなされた接続端子において、上記パラジウム層及び金層は、上記パラジウム層の厚さが、０．００７μｍ以上０．１μｍ未満の範囲、上記金層の厚さが、０．００３μｍ以上０．０１μｍ未満の範囲、かつ上記金層の厚さ＜上記パラジウム層の厚さの関係を有し、かつ金層がパラジウム層を形成するパラジウムストライク表面に形成されている接続端子。」の点で一致するものの、次の点で相違する。
　
相違点１：接続端子の用途が、本願発明１においては、「コネクタ用」であるのに対し、引用例１記載発明においては、リードフレームである点
相違点２：金層とパラジウム層との被覆の態様が、本願発明１においては、「上記金層が上記パラジウム層を形成するパラジウムストライク表面を部分的にラップするように形成されている」のに対し、引用例１記載発明においては、金層がパラジウム層を形成するパラジウムストライク表面に形成されているものの、「部分的にラップするように」と記載されていない点
　
以下、相違点について検討する。
相違点１について
　引用例１の摘記事項（１ａ）に、「本発明は、はんだ付けが可能な半導体チップ実装用リードフレーム及びコンデンサ、コネクター、スイッチなどの電子部品に使用されるリード材に関する。」と記載されており、「コネクター」用途の選択は、当業者が容易に想到しうるものである。
　
相違点２について
　相違点２にいう「部分的にラップするように形成されている」こととは、「部分的に被覆するように形成されている」ことを含むことが考えられるので、その部分を容易に想到しうるかどうかを、以下、検討する。
　
　引用例２は、摘記事項（２ａ）によれば、「電子機器用接続部品として・・・最も代表的な・・・コネクタの製造コストを下げる目的で・・・金めっきの厚みを薄くするとともに、被膜のピンホールの数が指数関数的に増え、耐食性が著しく低下するという問題を抱えている。
そこで、ニッケル下地めっき後、中間めっきとしてパラジウムまたはパラジウム合金をめっきし、その上に金めっきしたものが利用されている。しかし、この３層めっきでも十分な耐食性が得られていない。この問題を解決する方法のひとつに封孔処理がある。すなわち、各種の無機性、あるいは有機性の薬品で金めつき面を処理し、ピンホールを塞ぎ耐食性を向上させようとするものであるが、」と記載されており、コネクタ用接続端子では、金めっきの厚みを薄くするとともに、金めっき膜のピンホールの数が指数関数的に増え、ニッケル／パラジウム／金の３層めっきでも、封孔処理により、ピンホールを塞いでいることが理解できる。
　そして、摘記事項（２ｂ）に、「金を０．１μｍの厚みで接点部に部分めっきした・・・後に封孔処理工程・・・を施した」ことが記載されており、金めっき厚が、０．１μｍの厚みの場合に、封孔処理を行っており、封孔処理によって塞ぐべきピンホールが、存在していることになる。
　したがって、引用例２における、コネクタ用接続端子として、ニッケル／パラジウム／金の３層めっきでも、金めっきの厚みを０．１μｍ以下に薄くすると、金めっき膜のピンホールの数が０．１μｍの場合に比して指数関数的に増えていることになる。そして、下地表面の内、被膜が存在しない部分であるピンホールが存在すること自体、金めっき層が、ピンホールの無い部分にのみ「部分的に被覆するように形成されている」ことといえるし、また、ピンホールが指数関数的に増えることとは、反面、下地表面の被覆が残った箇所は急速に減って、減る前に比して部分的になっているので、このことからも「表面を部分的に被覆するように形成されている」、といえる。
　
　そうであれば、引用例１記載発明は、ニッケル／パラジウム／金の３層めっきした接続端子であって、金層の厚さは、０．００３μｍであり、０．１μｍ以下の薄い膜厚のものである。該金層は、引用例２に記載されているような、「表面を部分的に被覆するように形成されている」被覆であるといえるか、そうでないとしても、「表面を部分的に被覆するように形成されている」被覆とすることは、当業者が容易に想到しうるものである。
　よって、相違点２は、実質的差異でないか、差異であるとしても当業者が容易に想到しうるものである。
　
　そして、本願発明１の効果も引用例１〜２の記載から予測できるもので、顕著でない。
　したがって、本願発明１は、引用例１に記載された発明及び引用例１〜２に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明１は、発明が明確でないから、特許請求の範囲の記載が、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
　また、この出願の発明の詳細な説明は、当業者が本願発明１を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されていないから、明細書及び図面の記載が、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。
　また、本願発明１は、引用例１に記載された発明及び引用例１〜２に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　したがって、上記のとおり本願発明１が特許を受けることができないため、本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。