(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＧｅＯ２  ドープ石英を主成分とするコアと純粋石英を主成分とするクラッドを有し、該コアとクラッドにはＦがドープされて該Ｆドーパント濃度がコアおよびクラッドの長手方向に連続して変化することによりコアの屈折率とクラッドの屈折率がそれぞれコアおよびクラッドの長手方向に連続して変化しており、かつ、コアの屈折率に対するクラッドの相対屈折率がコアおよびクラッドの全長にわたって等しい誘導ブリルアン散乱抑圧型の分散シフト光ファイバ母材の製造方法であって、コアの中心部に該コアと同心円状で該コアの内径よりも小さいコア中心穴を形成した後、このコア中心穴を塞いでコアおよびクラッドを縮径させるコラプス処理を施すことを特徴とする分散シフト光ファイバ母材の製造方法。
【請求項２】
コア中心穴は、コアを形成するコア層とクラッドを形成するクラッド層とを合成して成るスートをガラス化した後に形成することを特徴とする請求項１記載の分散シフト光ファイバ母材の製造方法。
【請求項３】
コア中心穴は、コアを形成するコア層とクラッドを形成するクラッド層とを合成して成るスートをガラス化する前のコア層に形成することを特徴とする請求項１記載の分散シフト光ファイバ母材の製造方法。
【請求項４】
コア中心穴は、コアを形成するコア層とクラッドを形成するクラッド層とを合成して成るスートをガラス化した後に形成し、然る後に該コア中心穴内壁をエッチングすることにより該コア中心穴内壁に界面処理を施した後コラプス処理することを特徴とする請求項１記載の分散シフト光ファイバ母材の製造方法。
【請求項５】
コアを形成するコア層とクラッドを形成するクラッド層とをＶＡＤ法によって合成して成るスートのコア層の直径の大きさをスート端部においてクラッド層端面よりも突出したコア層端部の大きさに基づいて推定し、該コア層の中心部を削ってコア層の推定直径よりも小さいコア中心穴を形成し、然る後に前記スートをガラス化するときにコラプス処理を施すことを特徴とする請求項１記載の分散シフト光ファイバ母材の製造方法。
【請求項６】
コアを形成するコア層とクラッドを形成するクラッド層とをＶＡＤ法によって合成して成るスートのコア層の直径の大きさをスート端部においてクラッド層端面よりも突出したコア層端部の大きさに基づいて推定し、該コア層の中心部を削ってコア層の推定直径よりも小さいコア中心穴を形成した後ガラス化し、然る後に該コア中心穴の内壁に機械研削とエッチングの一方又は両方を行って界面処理を施し、然る後にコラプス処理を施すことを特徴とする請求項１記載の分散シフト光ファイバ母材の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、誘導ブリルアン散乱抑圧型の分散シフト光ファイバ母材の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
光ファイバ中の誘導ブリルアン散乱（ＳＢＳ）は、非線形現象の１つであり、入射光とファイバ中の音響フォノンとの間の非弾性散乱によって生じる。誘導ブリルアン散乱により光信号は後方に散乱され、その程度はしきい値を越えると急激に増加する。そして、この誘導ブリルアン散乱の増加に起因し、しきい値を越えて入射光パワーを増加させても透過光パワーは殆ど変化しなくなるため、誘導ブリルアン散乱は光通信にとって大きな障害となる。近年ではエルビウムドープ光ファイバ増幅器の発展により光の高出力が可能になってきたため、この高出力の光を入力して、その強い入射光パワーをあまり減少させることなく透過させることができる光ファイバの開発が求められており、このような光の入力限界パワーの大きい光ファイバを形成するために、誘導ブリルアン散乱を抑圧することは非常に重要となってきている。
【０００３】
ところで、誘導ブリルアン散乱は、光ファイバの屈折率等のファイバ特性が均一であるほど起こり易いことが知られており、したがって、誘導ブリルアン散乱を抑圧するためには光ファイバの長手方向に何らかの変化を与えて光ファイバの特性を長手方向に不均一化すればよいことになる。
【０００４】
そこで、特開平５−２４９３２９号公報に示されているように、ＧｅＯ２  （酸化ゲルマニウム）ドープ石英を主成分とするコアと、純粋石英を主成分とするクラッドを有する光ファイバにおいて、これらのコアとクラッドにはＦ（フッ素）がドープされており、このＦドーパント濃度がコアおよびクラッドの長手方向に連続して変化することによりコアの屈折率とクラッドの屈折率がそれぞれコアおよびクラッドの長手方向に連続して変化した誘導ブリルアン散乱抑圧型の分散シフト光ファイバが提案されている。なお、この分散シフト光ファイバはコアの屈折率に対するクラッドの相対屈折率（比屈折率差）がコアおよびクラッドの全長にわたって等しく形成されており、この分散シフト光ファイバの屈折率分布は図４に示すようになっている。
【０００５】
すなわち、光ファイバの入射側から出射側に向かうに連れて、Ｆドーパント濃度が徐々に増加しており、それに伴い、コアおよびクラッドの屈折率はそれぞれ、光ファイバの入射側から出射側に向かうに連れて徐々に低下しているが、コアの長手方向に対するＦドーパント濃度変化とクラッドの長手方向に対するＦドーパント濃度変化とは等しいために、コアの屈折率に対するクラッドの相対屈折率（図４のＮ）の大きさは光ファイバの長手方向のどの位置においても等しい大きさとなっている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、光ファイバを形成する光ファイバ母材の製造方法として、コアを形成するコア層とクラッドを形成するクラッド層とを、ＶＡＤ（Ｖａｐｏｒ−ｐｈａｓｅ  Ａｘｉａｌ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いて同時合成してスートを形成し、このスートをガラス化する方法が広く用いられている。前記ＶＡＤ法を用いてスートを形成するときには、コアおよびクラッドの原材料を気相化し、図５に示すように、棒状の基板１０の先端側に、コア層３となるＧｅＯ２  ドープ石英ガラス粒子体を気相反応により合成して基板１０の軸方向に堆積させていき、このコア層３の外周側にクラッド層４の石英ガラス粒子体を堆積させていく。なお、同図に示すように、基板１０を上側に引き上げながらコア層３およびクラッド層４を堆積させていくことにより、コア層３およびクラッド層４が基板１０の軸方向に堆積される。
【０００７】
スート５は白色体であり、このスート５を例えばゾーン炉内に通して高温で反応させることにより、ガラス化が行われ、このガラス化によって透明な光ファイバ母材が形成される。なお、光ファイバ母材をその端部から高周波加熱炉、電気炉、酸素・水素炎等で２０００℃程度に加熱しながら紡糸することにより、細い光ファイバが形成される。
【０００８】
図４に示したような屈折率分布を有する前記誘導ブリルアン散乱抑圧型の分散シフト光ファイバ母材を形成するときには、前記の如く、スート５をゾーン炉内に通すときに、このゾーン炉内のＦ分圧を時間変化させながらスート５を長手方向に通していくことにより、Ｆドーパント濃度をコアおよびクラッドの長手方向に連続して変化させることができる。すなわち、Ｆ雰囲気のゾーン炉内にスート５の一端側から通していってガラス化すると、このガラス化においてＦがコアおよびクラッドにドープされるが、このとき、ゾーン炉内のＦ分圧を時間がたつに連れて徐々に大きくしていくと、コアおよびクラッドにドープされるＦドーパント濃度が、コアおよびクラッドの長手方向に連続して徐々に増加することになるため、スート５の一端側を入射側とし、他端側を出射側とすれば、図４に示したような屈折率分布を有する分散シフト光ファイバが形成される。
【０００９】
しかしながら、このようなゾーン炉内でのＦ分圧変化を時間がたつに連れて急激に変化させることは難しく、エルビウムドープ光ファイバ増幅器からの高出力の光を強いパワーのまま透過させることができるように、誘導ブリルアン散乱発生のしきい値を十分に高くできるほど、Ｆ分圧の変化によってＦドーパント濃度変化を急激にすることはできなかった。
【００１０】
そこで、例えば分散シフト光ファイバ母材におけるコアの体積を減少させることにより、光ファイバ長手方向に対するＦドーパント濃度変化量を大きくすることも考えられる。それというのは、前記の如く、光ファイバは光ファイバ母材の紡糸によって形成されることから、同じコア径の光ファイバを形成するにあたり、光ファイバ母材のコアの体積が大きいと、形成される光ファイバの長さが長くなり、結果的に光ファイバ長手方向に対するＦドーパント濃度変化量が小さくなってしまう。その逆に、光ファイバ母材におけるコアの体積が小さいと、光ファイバ長手方向に対するＦドーパント濃度変化量を大きくすることができるのである。
【００１１】
しかしながら、コアを形成するためのコア層３をＶＡＤ法によって形成させる際に、コア層３を細径に堆積させると不安定となり、コア層３およびクラッド層４を基板１０の軸方向に均一に堆積成長させることができなくなってしまうために、スート５を作製するときにコア層３の体積を減少させて光ファイバ母材を形成することは困難だった。
【００１２】
本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、その目的は、分散シフト光ファイバにドープされるＦドーパント濃度の光ファイバ長手方向に対する変化量を大きくすることが可能であり、それにより、光ファイバの誘導ブリルアン散乱発生のしきい値を高くして誘導ブリルアン散乱を抑圧し、光ファイバへの入力限界パワーを大きくすることができる分散シフト光ファイバ母材の製造方法を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は次のような構成により課題を解決するための手段としている。すなわち、本発明は、ＧｅＯ２  ドープ石英を主成分とするコアと純粋石英を主成分とするクラッドを有し、該コアとクラッドにはＦがドープされて該Ｆドーパント濃度がコアおよびクラッドの長手方向に連続して変化することによりコアの屈折率とクラッドの屈折率がそれぞれコアおよびクラッドの長手方向に連続して変化しており、かつ、コアの屈折率に対するクラッドの相対屈折率がコアおよびクラッドの全長にわたって等しい誘導ブリルアン散乱抑圧型の分散シフト光ファイバ母材の製造方法であって、コアの中心部に該コアと同心円状で該コアの内径よりも小さいコア中心穴を形成した後、このコア中心穴を塞いでコアおよびクラッドを縮径させるコラプス処理を施すことを特徴として構成されている。
【００１４】
また、前記コア中心穴は、コアを形成するコア層とクラッドを形成するクラッド層とを合成して成るスートをガラス化した後に形成すること、前記コア中心穴は、コアを形成するコア層とクラッドを形成するクラッド層とを合成して成るスートをガラス化する前のコア層に形成することも本発明の特徴的な構成とされている。
【００１５】
さらに、前記コア中心穴は、コアを形成するコア層とクラッドを形成するクラッド層とを合成して成るスートをガラス化した後に形成し、然る後に該コア中心穴内壁をエッチングすることにより該コア中心穴内壁に界面処理を施した後コラプス処理することも本発明の特徴的な構成とされている。
【００１６】
さらに、前記コアを形成するコア層とクラッドを形成するクラッド層とをＶＡＤ法によって合成して成るスートのコア層の直径の大きさをスート端部においてクラッド層端面よりも突出したコア層端部の大きさに基づいて推定し、該コア層の中心部を削ってコア層の推定直径よりも小さいコア中心穴を形成し、然る後に前記スートをガラス化するときにコラプス処理を施すこと、前記コアを形成するコア層とクラッドを形成するクラッド層とをＶＡＤ法によって合成して成るスートのコア層の直径の大きさをスート端部においてクラッド層端面よりも突出したコア層端部の大きさに基づいて推定し、該コア層の中心部を削ってコア層の推定直径よりも小さいコア中心穴を形成した後ガラス化し、然る後に該コア中心穴の内壁に機械研削とエッチングの一方又は両方を行って界面処理を施し、然る後にコラプス処理を施すことも本発明の特徴的な構成とされている。
【００１７】
上記構成の本発明において、コアの中心部に、コアと同心円状でコアの内径よりも小さいコア中心穴が形成された後、このコア中心穴がコラプス処理によって塞がれ、コアおよびクラッドが縮径される。また、コアが縮径することにより、コアの外周側のクラッドも縮径することにはなるが、この縮径によってクラッドの体積が変化することはないため、コアの体積のみがコア中心穴を形成した分だけ、コア中心穴を形成する前に比べて減少し、分散シフト光ファイバに対するコアの体積の割合が小さくなる。
【００１８】
なお、一般に、スートをガラス化する際に、若干はコアおよびクラッドの縮径が生じるが、本発明において行われるコラプス処理によるコアおよびクラッドの縮径は、コア中心穴を塞いでコアを縮径させ、それに伴いクラッドも縮径させるものであるから、コア中心穴を形成しない状態でガラス化するときに比べ、コアおよびクラッドの縮径の割合は大きいものとなる。
【００１９】
そして、以上のようにして光ファイバ母材のコアの体積を減少させることにより、本発明においては、従来の分散シフト光ファイバ母材の製造と同様のＦ分圧変化によって分散シフト光ファイバ母材を製造しても、光ファイバ母材の紡糸（線引き）によって形成される光ファイバの長手方向に対するＦドーパント濃度変化量が従来よりも増加し、光ファイバの長手方向での屈折率分布等の構造変化率が増加するために、誘導ブリルアン散乱発生のしきい値が高くなり、光ファイバの入力限界パワーが高くなり、上記課題が解決される。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。なお、本実施形態例の説明において、従来例と同一名称部分には同一符号を付し、その重複説明は省略する。図１〜図３には、本発明に係る分散シフト光ファイバ母材の製造方法の第１〜第３実施形態例の要部構成がそれぞれ示されている。第１〜第３本実施形態例が従来の分散シフト光ファイバ母材の製造方法と異なる特徴的なことは、コアの中心部にコアと同心円状でコアの内径よりも小さいコア中心穴６を形成した後、このコア中心穴６を塞いでコアおよびクラッドを縮径させるコラプス処理を施すようにしたことである。
【００２１】
具体的には、本実施形態例でも、まず、従来例と同様に、図５に示したようにしてＶＡＤ法により、ＧｅＯ２  ドープ石英を主成分とするコア層３と純粋石英を主成分とするクラッド層４とを同時合成してスート５を形成する。なお、本実施形態例では、コア８のクラッド９に対する比屈折率差Δ＋が１．０  ％で、屈折率形状がａ乗プロファイル（ａ＝８）となるように、すなわち、屈折率形状がコア８の中心部を中心としたＹ＝Ｘａ  の曲線形状を呈するようにＧｅ（ゲルマニウム）をドープしたコア層３（コアスート）の外周側に、純シリカスートを堆積させてクラッド層４とした。
【００２２】
そして、本第１実施形態例では、図１の（ａ）に示すように、このスート５をガラス化する前に、コア層３の中心部を機械研削等により、経比にして６０％削り出し、スート状態でコア層３の体積が６４％になるようにコア中心穴６を形成する（コア中心穴６の直径：コア層３の直径＝６：１０となる）。そして、この状態で、スート５をゾーン炉内で加熱し、コア層３およびクラッド層４にＦをドープし、かつ、そのＦドーパント濃度をコア層３およびクラッド層４の長手方向に連続して変化させながらガラス化し、同図の（ｂ）に示すようにコア（コア部）８およびクラッド（クラッド部）９を形成する。また、このガラス化によってコア中心穴６を塞いで、コア層３よりもコア８を、クラッド層４よりもクラッド９を縮径させるコラプス処理を施し、Ａ′＜Ａ，Ｂ′＜Ｂとする。
【００２３】
なお、スート５は、前記の如く、白色体であり、スート状態ではコア層３とクラッド層４との区別がつかないが、ＶＡＤ法によってコア層３とクラッド層４とを合成してスート５を形成すると、図５に示したように、クラッド層４の下部側にコア層３が突出することになり、スート５の端部においてクラッド層４の端面よりもコア層３の端部が突出するために、このコア層３の端部の大きさに基づいてコア層３の直径の大きさを推定し、このコア層３の推定直径よりも小さいコア中心穴６を形成するようにする。
【００２４】
一方、第２実施形態例においては、従来例と同様にして、図２の（ａ）に示すようなスート５を形成した後、このスート５をゾーン炉内でＦ雰囲気下で加熱してガラス化およびＦドープを行って、同図の（ｂ）に示すようにコア８とクラッド９とを形成する。そして、同図の（ｃ）に示すように、コア８の中心部と径比にして８０％削り出してコア中心穴６を形成し（コア中心穴径：コア径＝８：１０）、機械研削およびフッ酸によるエッチングによりコア中心穴６の内壁に界面処理を施し、然る後に減圧等によりコラプス処理を施して同図の（ｄ）に示すように、コア８とクラッド９を縮径させて、Ａ′＜Ａ，Ｂ′＜Ｂとする。
【００２５】
また、本第３実施形態例においては、上記第１、第２実施形態例と同様にスート５を形成した後、図３の（ａ）に示すように、コア層３の中心部を径比にして８０％削り出して（コア中心穴径：コア層径＝８：１０）、スート状態でコア層３の体積が３６％となるようにする。そして、このスート５をゾーン炉内でＦ雰囲気下で加熱することにより、ガラス化し、かつ、コア８およびクラッド９の長手方向にＦドーパント濃度を変化させ、同図の（ｂ）に示すように、コア層３の内径Ａよりもコア８の内径Ａ′を小さくし、クラッド層４の内径Ｂよりもクラッド９の内径Ｂ′を小さくする。なお、このガラス化工程において、コア中心穴６はスート状態のときよりも小さくなり、少し塞がれた状態となるが、スート状態で形成したコア中心穴６の大きさが大きいために、完全には塞がれずに小さめの穴として残る。
【００２６】
次に、このコア中心穴６の内壁を上記第２実施形態例と同様に、機械研削した後フッ酸エッチングして界面処理し、然る後に、減圧等によってコラプス処理を施して、同図の（ｃ）に示すように、コア８およびクラッド９の内径を縮径させ、Ａ″＜Ａ′，Ｂ″＜Ｂ′とする。
【００２７】
本第１から第３実施形態例の分散シフト光ファイバ母材の製造方法は以上のような方法であり、スート５をガラス化する前あるいはガラス化した後にコア中心穴６を形成し、このコア中心穴６をコラプス処理によって塞いだものであるから、コア８およびクラッド９をそれぞれ、コア層３およびクラッド層４に比べて縮径し、しかも、コア８の体積をコア層３の体積に比べて大幅に減少させることが可能となり、それにより、この光ファイバ母材を用いて形成される光ファイバの長手方向に対するＦドーパント濃度の変化量を、コア中心穴６の形成およびコラプス処理を施さずに形成される光ファイバに比べて非常に大きくすることができる。
【００２８】
また、上記第２、第３の実施形態例においては、スート５のガラス化後にコラプス処理する際に、コア中心穴６の内壁に界面処理を施しているために、コラプス処理を行い易くすることができ、コラプス処理後に形成される光ファイバ母材の品質の均一化を図ることができる。
【００２９】
実際に、本第１から第３実施形態例の方法によって製造した分散シフト光ファイバ母材を用いて形成した光ファイバについて、Ｆドープを行わないときのコア８およびクラッド９の屈折率を基準とし、コア８およびクラッド９にＦドープを行うことにより変化する比屈折率差Δ［Ｆ］を、光ファイバの入射側ＩＮおよび出射側ＥＸについてそれぞれ求め、また、この比屈折率差Δ［Ｆ］の光ファイバ全長での変化量と、光ファイバ単位長さ当たりの変化量とを求めたところ、表１に示す結果が得られた。なお、比屈折率差Δ［Ｆ］は、Ｆドーパント濃度に対応して変化するものである。また、表１には、比較例として、従来のように、スート５にコア中心穴６を設けずにそのままスート５をガラス化して形成した光ファイバについて、前記各比屈折率差Δ［Ｆ］の値を求めた結果も共に示してある。
【００３０】
【表１】
0003580640.tif 000002
【００３１】
この表１から明らかなように、光ファイバ単位長さ当りの比屈折率差Δ［Ｆ］の変化量は、比較例が０．００７  ％／ｋｍであるのに対し、第１、第２、第３実施形態例においては、それぞれ、０．０１１  ％／ｋｍ，０．０２０  ％／ｋｍ，０．０２１  ％／ｋｍとなり、いずれも比較例よりも大きくなることが確認された。
【００３２】
また、表１には、光ファイバ単位長さ当りの損失、波長１５５０ｎｍでの光ファイバ単位長さ当りの分散、誘導ブリルアン散乱発生しきい値、光ファイバの入力限界パワーを、第１から第３実施形態例および比較例の方法により形成した光ファイバについて求めた結果も示してあるが、この結果から明らかなように、誘導ブリルアン散乱発生しきい値が、比較例においては９．０  ｄＢｍであるのに対し、第１、第２、第３実施形態例においては、それぞれ、１２．０ｄＢｍ，１７．０ｄＢｍ，１７．０ｄＢｍとなり、本実施形態例においては、誘導ブリルアン散乱発生しきい値も比較例より大幅に大きくなっていることが分かる。
【００３３】
なお、Ｆドープを行わない一般的な分散シフト光ファイバにおいては、誘導ブリルアン散乱発生しきい値は７．０  ｄＢｍである。また、入力限界パワーは、この一般の分散シフト光ファイバにおいては５ｍＷであり、比較例においても８ｍＷであるのに対し、本第１、第２、第３実施形態例においては、それぞれ、１６ｍＷ，４０ｍＷ，４０ｍＷとなり、入力限界パワーが格段に増加し、特に、第２、第３実施形態例においては、入力限界パワーを比較例に比べて約５倍増加できることが確認された。
【００３４】
本実施形態例によれば、前記のように、ＶＡＤ法によってスート５を形成した後に、スート５をガラス化する前、あるいはガラス化した後にコア中心穴６を形成し、コラプス処理によってコア８およびクラッド９をコア層３およびクラッド層４よりも縮径させて光ファイバ母材を製造することにより、光ファイバのコア８の体積を容易に減少させ、光ファイバの長手方向の構造変化率を大きくし、Ｆドーパント濃度の光ファイバ長手方向に対する変化量を大きくすることができるために、Ｆドーパント濃度変化量が大きくなるに連れて高くなる誘導ブリルアン散乱発生のしきい値を高くすることが可能となり、光ファイバの入力限界パワーを増加させることができる。
【００３５】
特に、本第２、第３実施形態例のように、コア中心穴６を大きく形成すると、それにより、光ファイバ長手方向に対するＦドーパント濃度の変化量も大きくすることができるために、誘導ブリルアン散乱発生しきい値もその分だけ高くすることが可能となり、入力限界パワーを例えば５倍といった非常に大きな値に増加させることができる。
【００３６】
なお、本発明は上記実施形態例に限定されることはなく、様々な実施の態様を採り得る。例えば、上記第１実施形態例では、コア中心穴６は、コア層３の中心部を径比にして６０％削り出して形成し、上記第２、第３実施形態例では、コア中心穴６は、コア層３又はコア８を径比にして８０％削り出して形成したが、コア中心穴６の大きさは特に限定されることはなく、適宜設定されるものである。なお、表１から明らかなように、上記第１実施形態例に比べ大きなコア中心穴６を形成してコア８の体積を小さくした第２、第３実施形態例の方が、第１実施形態例よりも誘導ブリルアン散乱発生しきい値を高くして、入力限界パワーをより一層増加させることが可能であり、このように、コア中心穴６を大きく形成することにより、光ファイバの入力限界パワーをより一層高めることができる。
【００３７】
また、上記第３実施形態例のように、スート５にコア中心穴６を形成し、ガラス化工程においてコア中心穴６を小さくするものの、コア中心穴６を完全に塞いでしまわずに、ガラス化後にコア中心穴６の内壁に界面処理を施してコラプス処理を行うようにするときには、スート５をガラス化する際にコア中心穴６が完全に塞がれないように、大きめのコア中心穴６を形成することが望ましい。
【００３８】
さらに、上記実施形態例では、コア中心穴６は機械研削によって形成したが、コア中心穴６の形成方法は特に限定されるものではなく、適宜設定されるものであり、例えばエッチング等によって形成してもよい。
【００３９】
さらに、上記第２、第３実施形態例では、ガラス化後のコア中心穴６に機械研削とフッ酸エッチングの両方を施してコア中心穴６の内壁に界面処理を施したが、この界面処理の方法は、機械研削又はエッチングのいずれか一方によって行ってもよい。また、エッチングは必ずしもフッ酸により行うとは限らず、フッ酸以外のエッチング液によって行ってもよい。
【００４０】
また、コア中心穴６をガラス化後に形成した際にも、機械研削やエッチングによる界面処理は省略することもできる。ただし、コア中心穴６の内壁に界面処理を施すことにより、コア中心穴６の内壁を凹凸のない滑らかな形状とすることが可能となり、コラプス処理も行い易くなるし、コラプス処理後に形成される光ファイバ母材を均一化して良好なものとすることができる。
【００４１】
さらに、上記実施形態例では、コア８のクラッド９に対する比屈折率差Δ＋が１．０  ％で、屈折率形状がａ乗プロファイル（ａ＝８）にＧｅ（ゲルマニウム）がドープされたコア層３（コアスート）の周りにクラッド層４を堆積させたスート５を用いて光ファイバ母材を形成したが、コア８のクラッド９に対する比屈折率差Δ＋の大きさや、屈折率形状は特に限定されるものではなく、適宜設定されるものである。
【００４２】
さらに、分散シフト光ファイバ母材にドープするＦドーパント濃度は特に限定されるものではなく、適宜設定されるものである。
【００４３】
さらに、上記実施形態例では、スート５をガラス化するときに、ゾーン炉内での加熱によってガラス化を行ったが、ガラス化は必ずしもゾーン炉内で行うとは限らず、適宜の方法により行われるものである。
【００４４】
さらに、上記実施形態例では、スート５をＶＡＤ法によって形成し、このスート５をガラス化する前又はガラス化した後にコア中心穴６を形成し、然る後にコラプス処理を施して分散シフト光ファイバ母材を製造したが、例えばＶＡＤ法以外のＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ  ）法等によって形成したスート５をガラス化する前又はガラス化した後に、コア中心穴６を形成するようにしてもよい。
【００４５】
【発明の効果】
本発明によれば、コアおよびクラッドにドープされたＦドーパント濃度がコアおよびクラッドの長手方向に連続して変化した誘導ブリルアン散乱抑圧型の分散シフト光ファイバ母材を製造するときに、コアの中心部にコアと同心円状でコアの内径よりも小さいコア中心穴を形成した後、このコア中心穴を塞いでコアおよびクラッドを縮径させるコラプス処理を施すようにしたものであるから、容易にコアの体積を減少させて、Ｆドーパント濃度の長手方向の変化量を大きくすることができる。そのため、このＦドーパント濃度の変化量に伴い変化するコアおよびクラッドの屈折率の変化量を大きくすることができ、このように光ファイバの長手方向の構造変化率を増加させることにより、誘導ブリルアン散乱発生しきい値を高め、光ファイバの入力限界パワーを増大させることができる。
【００４６】
また、コア中心穴は、コアを形成するコア層とクラッドを形成するクラッド層とを合成して成るスートをガラス化した後に形成したり、ガラス化する前に形成したりして容易に形成することが可能であり、ガラス化後に形成したコア中心穴内壁をエッチングや機械研削によって界面処理を施した後にコラプス処理を行えば、コラプス処理を行い易くすることができるし、コラプス処理後に形成される光ファイバ母材の品質の均一化を図ることができる。
【００４７】
さらに、ＶＡＤ法によって合成して成るスートのコア層の直径の大きさをスート端部においてクラッド層端面よりも突出したコア層端部の大きさに基づいて推定すれば、コア層の大きさを容易に推定することが可能となり、このコア層の推定直径よりも小さいコア中心穴を形成することにより、コア中心穴形成操作を容易に行え、入力限界パワーの大きさ分散シフト光ファイバの製造を容易に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る分散シフト光ファイバ母材の製造方法の第１実施形態例の要部構成を示す説明図である。
【図２】本発明に係る分散シフト光ファイバ母材の製造方法の第２実施形態例の要部構成を示す説明図である。
【図３】本発明に係る分散シフト光ファイバ母材の製造方法の第３実施形態例の要部構成を示す説明図である。
【図４】誘導ブリルアン散乱抑圧型の分散シフト光ファイバの屈折率分布構造の一例を示す説明図である。
【図５】ＶＡＤ法によるスートの形成方法を示す説明図である。
【符号の説明】
３  コア層
４  クラッド層
５  スート
６  コア中心穴
８  コア
９  クラッド
【図１】
0003580640.tif 000003
【図４】
0003580640.tif 000004
【図２】
0003580640.tif 000005
【図３】
0003580640.tif 000006
【図５】
0003580640.tif 000007