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　特願２００１−１３０８９９「堆積膜形成装置及び堆積膜形成方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　１月１１日出願公開、特開２００２−　　９３１９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
 　本願は、平成８年９月５日に出願した特願平８−２５５５３５号（以下「原出願」という。）の一部を平成１３年４月２７日に新たな特許出願としたものであって、平成１８年７月２８日付け及び同年１０月１７日付けで手続補正がなされたが、平成１９年６月１５日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年７月１９日付けで拒絶査定不服審判請求がなされるとともに、同年８月１０日付けで手続補正がなされた後、当審において、平成２１年３月２７日付けで同手続補正が却下されるとともに、同日付けで拒絶理由通知がなされ、平成２１年５月２８日付けで手続補正がなされたものである。
　
２　本願発明
　本願の請求項に係る発明は、平成２１年５月２８日付け手続補正後の明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし９に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明は、次のとおりのものである。
　
「基板上にｐｉｎ接合を含む複数の半導体層をプラズマＣＶＤ法によって連続的に堆積して堆積膜を形成する堆積膜形成装置において、
　前記基板の移動方向の上手から下手方向に向かって堆積膜形成速度が形成初期の形成速度よりも後期の形成速度が相対的に小さくなるように水素化シリコンガスを含むガスを流す手段を有する微結晶ｉ型半導体層を堆積する第１の堆積室と、
　前記基板の移動方向の下手から上手方向に向かって堆積膜形成速度が前記ｉ型半導体層との接合界面部分の形成速度よりも上部の形成速度が相対的に大きくなるように水素化シリコンガスを含むガスを流す手段を有する微結晶ｐ型半導体層を堆積する第２の堆積室と、
　非晶質ｉ型半導体層を形成する堆積室と、をさらに有し、
　前記第１の堆積室は、前記非晶質ｉ型半導体層を形成する堆積室と、前記第２の堆積室との間に設けられ、
　前記第１の堆積室の下手に前記第２の堆積室が分離通路で連結され、前記微結晶ｉ型半導体層の上に前記微結晶ｐ型半導体層を形成することを特徴とする堆積膜形成装置。」（以下「本願発明」という。）。
　
３　刊行物の記載
（１）当審における拒絶理由通知に引用された、原出願の出願前に頒布された刊行物である特開平４−１９２４１４号公報（以下「刊行物１」という。）には、以下の記載がある。
　
　ア　「１．連続的に移動する基板上に非単結晶半導体薄膜を形成できる構造を有する薄膜形成装置内の放電空間を流動する成膜ガスの流速を、該放電空間に配設された排気コンダクタンス調整手段を用いて制御することで、前記非単結晶半導体薄膜中に存在せしめる小結晶部分の粒径を膜厚方向に連続的に分布させることを特徴とする非単結晶半導体薄膜の形成方法。 
２．・・・（略）・・・ 
３．前記成膜ガスの流速が１ｃｍ／秒以下であることを特徴とする請求項１記載の方法。 
４．ｐｉｎ接合を有する光電変換素子において、ｐ層またはｎ層の少なくとも一方が請求項１記載の方法により形成されてなる光電変換素子。」（特許請求の範囲）
 　 
　イ　「ところで、アモルファスシリコン系薄膜を用いたｐｉｎ接合を持つ光電変換素子では、ｐ型半導体薄膜層及びｎ型半導体薄膜層はできるだけ低抵抗であることが望ましく、しかも太陽光スペクトルに対して透過率ができるだけ大きいことが望ましい。粒系が約３０Åから約２００Åまでの小結晶部分が膜中に存在すると、その薄膜（以下、微結晶半導体薄膜と記す）は粒径が２０Å以下のアモルファスシリコン薄膜（以下、完全なアモルファス半導体薄膜と記す）に比ベドーピング効率が非常に優れ低抵抗であり、かつ、太陽光スペクトルに対する透過率も優れていることは周知の通りである。この微結晶半導体薄膜は光電変換素子のｐ型半導体薄膜層及びｎ型半導体薄膜層に適しており、光電変換素子のｐ型層及びｎ型層に応用され、光電変換効率を向上できる。
　しかしながら、このような膜構造の光電変換素子では、ｐ型半導体薄膜層とｉ型半導体薄膜層とは微結晶半導体薄膜と完全なアモルファス半導体薄膜との接合となるため両薄膜間の密着性はｐ型半導体薄膜層としてアモルファス半導体薄膜を用いた場合に比べ不十分なものとならざるを得ず、膜剥がれが生じることがあり、光電変換素子の信頼性を低下させる原因となっていた。ｉ型半導体薄膜層とｎ型半導体薄膜層との接合の場合にも同様のことがいえる。
〔発明が解決しようとする課題〕
　これらの問題を解決するには、ｐ型半導体薄膜層、ｎ型半導体薄膜層として望ましい膜構成として、密着性を向上させるためにｉ型半導体薄膜層近傍ではアモルファスとし、ｉ型半導体薄膜層からある程度離れた領域ではある粒径を持った微結晶となる構造とする、あるいは、ｉ型半導体薄膜層から離れるに従って微結晶中の粒径が徐々に大きくなる膜構造にすることである。
　本発明の目的は、光電変換素子のようにｐｉｎ接合を有するデバイスにおいて各層の接合面における密着性を向上させることを可能とする、非単結晶半導体薄膜の膜厚方向に粒径分布のプロファイルを持たせ得る成膜方法を提供することにある。」（２頁右上欄１行〜同頁左下欄末行）
 　 
　ウ　「〔作用〕
　本発明においては、可撓性基板を移動させて非単結晶半導体薄膜を形成できる構造を有する装置、例えば、ロール・ツー・ロール方式を採用した連続プラズマＣＶＤ装置において、少なくとも一つの反応容器には放電空間内の排気コンダクタンスを調整できる機構を備えており、放電空間を流動する成膜ガスの流速を放電空間内の排気コンダクタンスを調整することによって制御し、例えばｐ型半導体薄膜層を形成する場合、成膜ガス（例えば、ＳｉＨ４ガス、Ｈ２ガスおよびＢＦ３ガスからなる混合ガス）を、可撓性基板の移動方向と同一のあるいは逆の方向に流動させた状態で、望ましくは１ｃｍ／秒以下（ガス流が粘性流の領域で扱われることは言うまでもないが）に制御し、非単結晶半導体薄膜中に存在する極めて小さい結晶部分の粒径を、可撓性基板を移動させることで自動的に膜厚方向に分布をもたせること（プロファイリング）が可能で、かつその粒径を連続的に変化させて半導体薄膜を形成するものである。成膜ガスが前記の移動する可撓性基板と高周波印加電極との間に形成された分解領域内で流動しながら分解されるため、成膜ガスの流動方向の上流部分と下流部分では、原子組成比及び結晶性の異なった薄膜が形成される。」（２頁右下欄１４行〜３頁左上欄１７行）
 　 
　エ　「実施例１
　第１図に本発明で使用した非単結晶半導体薄膜の形成装置の概略図を示す。反応容器１０１は放電空間を外気から遮断しているが、可撓性長尺基板１０４の導入部分は不図示のガス・ゲートによって他の雰囲気から遮断されている。可撓性長尺基板１０４は、磁化された搬送用ローラー１０２によって支持され、ハロゲンランプヒーター１０３によって所望の温度に加熱されている。成膜容器１０１から絶縁されているＲＦ印加電極１０６にはＲＦ電源１０９が結線されている。ＲＦ印加電極１０６は回転ハンドル１１０を回すことによって可撓性長尺基板１０４との距離を変化させ得る構造となっており、放電空間の容積を変化させて、排気コンダクタンスを調整することが可能である。この時、ＲＦ印加電極１０６と成膜容器１０１との間には、ＲＦ印加電極を支持し、反応容器内の気密性を保持するための成膜容器から絶縁された伸縮可能なベローズ１０８が設けられている。成膜ガス導入管１０５から導入された成膜ガスは、可撓性長尺基板１０４とＲＦ印加電極１０６との間の放電空間を流動し、不図示の真空排気ポンプ及び不図示のコンダクタンス調整バルブに接続されている排気管１０７を通って排出される。
　先ず最初に、可撓性長尺基板１０４を移動させない状態で可撓性長尺基板１０４とＲＦ印加電極１０６との距離を３ｃｍ、成膜ガスのトータル流量を３００ＳＣＣＭとしコンダクタンス調整バルブを調節して、排気コンダクタンスを調整する（但し、成膜ガスの混合比は変化させない）ことによって成膜ガスの流量を５ｃｍ／秒、１ｃｍ／秒、０．５ｃｍ／秒および０．１ｃｍ／秒と変化させて成膜を行い、成膜ガスの流動方向での膜の膜厚分布の評価を行った。成膜条件は第１表に示す通りである。
　第２図に、得られた薄膜の膜厚の成膜ガスの流動方向に対する基板位置依存性を示す。流速が５ｃｍ／秒の場合には、膜厚の基板位置依存性は現れないが、１ｃｍ／秒以下にすると、成膜ガスの流れの上流（ガス導入管）付近では膜厚が厚くなり、反対に下流（排気管）付近では薄くなり、膜厚の基板位置依存性が現れていることが理解される。この依存性の現れる原因としては、流速が１ｃｍ／秒以下と比較的流速が小さい場合のグロー放電分解による活性種の生成時定数に対する活性種の放電空間滞在時定数の比が流速５ｃｍ／秒以下の場合のそれらの比に較べて大きいために、ガス流の上流部分では膜の体積（審決注、「堆積」の誤記と認められる。）速度が増加していると考えられる。従って、ＲＦ印加電力及び容器内圧力が一定ならば、成膜ガスの流速を変化させることで、成膜ガスの流動方向での堆積速度の分布を作ることが可能である。
・・・（略）・・・ 
　従って、ＲＦ印加電力および容器内圧力が一定ならば、成膜ガスの流速を変化させることでガスの流動方向で薄膜中の小結晶の粒径のプロファイリングおよびそれに伴う暗伝導度のプロファイリングを行うことが可能である。」（３頁右上欄１１行〜４頁右上欄１７行）
 　 
　オ　「実施例２
　可撓性長尺基板１０４をある一定の速度で成膜ガスの流動方向と同一の方向に移動させた以外は実施例１と同様にして成膜を行った。・・・（略）・・・
　従って、基板移動速度、ＲＦ印加電力および容器内圧力が一定ならば、成膜ガスの流速を変化させることで堆積膜の膜厚方向で薄膜中の小結晶の粒径のプロファイリングを行うことが可能であり、プロファイリングを行った薄膜は暗伝導度が大きく、非常に低抵抗な膜である。」（４頁右上欄１８行〜同頁右下欄２行）
 　 
　カ　「実施例５
　本発明の成膜方法を実現するための構造を有した非単結晶半導体薄膜の成膜装置の一例を第５図に示す。この装置を用いて第４図に示すような構造の非単結晶半導体薄膜光電変換素子を作製した。第４図の光電変換素子は、ステンレス基板４０１上にｎ型半導体薄膜層４０２、ｉ型半導体薄膜層４０３およびｐ型半導体薄膜層４０４をプラズマＣＶＤ法で順次形成し、その後、透明導電膜４０５および集電電極４０６を形成して作製される。第５図において、可撓性長尺基板５０６として、厚さ０．２ｍｍのステンレス板を用いた。５０１、５０２及び５０３は成膜容器であるが、成膜容器５０３は第１図に示したような可撓性長尺基板５０６とＲＦ印加電極５１２との距離を調節する機構を有する。成膜ガスはそれぞれの成膜容器の成膜ガス導入管５０７、５０８及び５０９から導入され、可撓性長尺基板５０６とＲＦ印加電極５１０、５１１及び５１２との間を通って不図示の真空排気ポンプ及び不図示のコンダクタンス調整バルブにつながった排気管５１３、５１４および５１５から排気される。各成膜容器はガス・ゲート５２２〜５２５によって互いに分離され、このガス・ゲートによりある成膜容器内の成膜ガスが他の成膜容器内に侵入するのが防止される。
　同図において、成膜容器５０１ではｎ型半導体薄膜層４０２を、成膜容器５０２ではｉ型半導体薄膜層４０３を、成膜容器５０３においてｐ型半導体層４０４をそれぞれ成膜させた。成膜条件を第３表に示す。
  
　本発明の成膜方法を導入したｐ型半導体薄膜層は、ｉ型半導体薄膜層近傍では完全なアモルファス半導体薄膜であるが、ｉ型半導体薄膜層から遠ざかるに従って小結晶部分の粒径が大きくなるような分布を有し、ｐ型半導体薄膜層の上層付近では粒径が約５０Åとなる微結晶半導体薄膜となるプロファイルを持たせることができた。」（５頁右上欄１１行〜同頁右下欄下から３行）
 　 
　キ　「実施例６
　第６図に示すような構造の非単結晶半導体薄膜光電変換素子を作製した。ポリイミド・フィルム６０１上に下部電極６０２を形成した後、ｎ型半導体薄膜層６０３、ｉ型半導体薄膜層６０４及びｐ型半導体薄膜層６０５をプラズマＣＶＤ法により順次形成し、その後、透明導電膜６０６及び集電電極６０７を形成して光電変換素子を作製した。第７図の非単結晶半導体薄膜成膜装置において、可撓性長尺基板７０６として、厚さ０．１ｍｍのポリイミド・フィルム上に下部電極としてＣｒを真空蒸着により０．１μｍの厚さで形成させたものを用いた。成膜容器７０１は可撓性長尺基板７０６とＲＦ印加電極７１０との距離を変化させることができるが、他の成膜容器７０２及び７０３にはこの機構は設けていない。成膜ガスはそれぞれの成膜容器の成膜ガス導入管７０７、７０８及び７０９から導入され、可撓性長尺基板７０６とＲＦ印加電極７１０、７１１及び７１２との間を通って不図示の真空排気ポンプ及び不図示のコンダクタンス調整バルブにつながった排気管７１３、７１４および７１５から排気される。各成膜容器はガス・ゲート７２２〜７２５によって互いに分離され、このガス・ゲートによりある成膜容器内の成膜ガスが他の成膜容器内に侵入するのが防止される。
　同図において、成膜容器７０１ではｎ型半導体薄膜層６０３を、成膜容器７０２ではｉ型半導体薄膜層６０４を、成膜容器７０３においてｐ型半導体薄膜層６０５をそれぞれ成膜させた。成膜条件を第５表に示す。
  
　本発明の成膜方法を導入したｎ型半導体薄膜層６０３は、下部電極６０２近傍では粒径が約８０Åとなる微結晶膜であるが、ｉ型半導体薄膜層６０４に近づくに従って粒径が小さくなるような分布を有し、ｉ型半導体薄膜層６０４近傍では完全なアモルファス膜となるプロファイルを持たせることができた。」（６頁右上欄末行〜７頁左上欄５行）
 　 
　ク　「〔発明の効果〕
　以上説明したように、本発明の非単結晶半導体薄膜の形成方法によれば、薄膜中の構造の膜厚方向へのプロファイリングが可能となり、ｐｉｎ接合を持つ光電変換素子を形成する場合、ｐ型半導体層および／またはｎ型半導体層の結晶粒径のプロファイリングを行うことによりｉ型半導体層との接合界面における密着性を改善することができ、光電変換素子の変換効率及び信頼性を向上させることが可能となる。」（７頁左下欄６行〜１５行）
　
　ケ　上記カに照らして第５図をみると、成膜装置は、ｎ型半導体薄膜層を形成する成膜容器５０１、ｉ型半導体薄膜層を形成する成膜容器５０２およびｐ型半導体薄膜層を形成する成膜容器５０３を有し、各成膜容器はそれぞれ、成膜ガスが導入される成膜ガス導入管５０７、５０８、５０９、成膜ガスが排気される排気管５１３、５１４、５１５、及びＲＦ印加電極５１０，５１１、５１２を有することがみてとれる。
　また、ｐ型半導体薄膜層を形成する成膜容器５０３において、成膜ガスを可撓性基板の移動方向と同一の方向に流動させることがみてとれる。
 　 
　コ　上記キに照らして第７図をみると、成膜装置は、ｎ型半導体薄膜層を形成する成膜容器７０１、ｉ型半導体薄膜層を形成する成膜容器７０２およびｐ型半導体薄膜層を形成する成膜容器７０３を有し、各成膜容器はそれぞれ、成膜ガスが導入される成膜ガス導入管７０７、７０８、７０９、成膜ガスが排気される排気管７１３、７１４、７１５、及びＲＦ印加電極７１０、７１１、７１２を有することがみてとれる。
　また、ｎ型半導体薄膜層を形成する成膜容器７０１において、成膜ガスを可撓性基板の移動方向と逆の方向に流動させることがみてとれる。
 　 
　サ　上記エの「第２図に、得られた薄膜の膜厚の成膜ガスの流動方向に対する基板位置依存性を示す。流速が５ｃｍ／秒の場合には、膜厚の基板位置依存性は現れないが、１ｃｍ／秒以下にすると、成膜ガスの流れの上流（ガス導入管）付近では膜厚が厚くなり、反対に下流（排気管）付近では薄くなり、膜厚の基板位置依存性が現れていることが理解される。この依存性の現れる原因としては、流速が１ｃｍ／秒以下と比較的流速が小さい場合のグロー放電分解による活性種の生成時定数に対する活性種の放電空間滞在時定数の比が流速５ｃｍ／秒以下の場合のそれらの比に較べて大きいために、ガス流の上流部分では膜の体積（審決注、「堆積」の誤記と認められる。）速度が増加していると考えられる。」との記載から、成膜ガスの流れの上流（ガス導入管）付近の方が、下流（排気管）付近よりも、膜の堆積速度が大きいことは明らかである。
 　 
（２）当審における拒絶理由通知に引用された、原出願の出願前に頒布された刊行物である特開平４−２６６０６７号公報（以下「刊行物２」という。）には、以下の記載がある。
　
　ア　「【特許請求の範囲】
【請求項１】　ｐｉｎ型の光起電力素子において、ｉ型層のうち少なくともｐ型層に接する部分が微結晶からなることを特徴とする光起電力素子。」
 　 
　イ　「【００１０】
【発明が解決しようとする問題点】しかしながら前記微結晶ｐ層やａ−ＳｉＣのｐ層を非晶質太陽電池の窓層に用いた場合、微結晶を作製する条件は高いプラズマパワーが必要であるため、場合によっては下地のｉ層にドーパントが拡散してしまうことや、非晶質のｉ層の上に微結晶のｐ層を作製することが難しいことなどが問題となっている。また、微結晶ｐ層及びａ−ＳｉＣのｐ層は非晶質ｉ層とは格子定数やバンドギャップが異なることから接合部分に於いて欠陥が生じやすいという問題がある。このため前記微結晶ｐ層やａ−ＳｉＣのｐ層は窓層として本来、極めて良好な特性を有しているものの、太陽電池を作製した場合には、更に改良の余地が残されている。この様な半導体界面に於ける準位の低減については例えば、ａ−ＳｉＣのｐ層とｉ層との界面にイントリンジックなａ−ＳｉＣ層を設け所謂バッファ層とすることが開示されている。しかしながら、微結晶ｐ層とｉ層とのバッファ層については提案されていなかった。
【００１１】本発明の目的は、上述した問題点を解決し、光電変換効率の高い太陽電池を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上述した問題点を克服し、変換効率の高い太陽電池を鋭意検討した結果、ｐｉｎ型太陽電池のｐｉ界面のｉ層を微結晶とすることで良好な太陽電池特性が得られると言う知見を得て、この知見に基いて更なる研究を行ない、光起電力素子に適用し、完成するに至ったものである。即ち、その骨子は、ｉ型層のうち少なくともｐ型層に接する部分が微結晶からなることを特徴とするｐｉｎ型光起電力素子にある。ここで、前記ｉ型層は例えばシリコンまたはシリコン合金からなり、前記微結晶からなる層の膜厚は例えば５０Åから１５０Åである。」
 　 
　ウ　「【００１５】図１〜図４は、本発明によるｐｉｎ型光起電力素子の構成例を模式的に表わしたものである。図１は光が図の上部から入射する構造の太陽電池であり、図に於いて１００は太陽電池本体、１０１は基板、１０２は下部電極、１０３はｎ型半導体層、１０４はｉ型半導体層、１０５は微結晶のｉ型半導体層、１０６はｐ型半導体層、１０７は上部電極、１０８は集電電極を表す。・・・（略）・・・。なお、いずれの光起電力素子に於いても各単位素子のｎ型半導体層とｐ型半導体層とは目的に応じて各層の積層順を入れかえて使用することもできる。以下、これらの光起電力素子の構成について、図１を例にとり説明する。」
 　 
　エ　「【００３７】
【実施例】実施例１：図６に示す公知のＲＦ放電プラズマＣＶＤ成膜装置を用いて以下のようにして図１に示す本発明のｐｉｎ型太陽電池を作製した。・・・（略）・・・。
【００３８】・・・（略）・・・ｎ型非晶質シリコン層１０３を４００Å堆積した。・・・（略）・・・イントリンジック層１０４を３０００Å堆積した。その後、・・・（略）・・・１分間の成膜を行い約３０Åの膜厚の微結晶ｉ層１０５を堆積した。
【００３９】・・・（略）・・・。
【００４０】・・・（略）・・・。続いて・・・（略）・・・ｐ層１０６を１００Å堆積した。尚、前述の条件でｐ層１０６のみをガラス基板上に堆積した試料を透過型電子顕微鏡およびラマンスペクトルにより観察したところ粒径２０Åから１００Åの微結晶であることを確認した。」
 　 
４　引用発明
（１）上記３（１）によれば、刊行物１には、次の発明が記載されているものと認められる。
　
 「連続的に移動する可撓性基板上にｎ型半導体薄膜層、アモルファスのｉ型半導体薄膜層および微結晶のｐ型半導体薄膜層をプラズマＣＶＤ法で順次形成する非単結晶半導体薄膜の成膜装置であって、
　成膜容器内のＳｉＨ４ガスを含む成膜ガスが他の成膜容器内に侵入するのを防止するガス・ゲートによって互いに分離された、ｎ型半導体薄膜層を形成する成膜容器、アモルファスのｉ型半導体薄膜層を形成する成膜容器および微結晶のｐ型半導体薄膜層を形成する成膜容器とからなり、
　各成膜容器は、ＳｉＨ４ガスを含む成膜ガスが導入される成膜ガス導入管と、真空排気ポンプ及びコンダクタンス調整バルブにつながった、ＳｉＨ４ガスを含む成膜ガスが排気される排気管と、ＲＦ印加電極とを有し、
　ｐ型半導体薄膜層を形成する成膜容器は、ＳｉＨ４ガスを含む成膜ガスを可撓性基板の移動方向と同一の方向に流動させ、該ＳｉＨ４ガスを含む成膜ガスの流速を、該成膜容器に配設された排気コンダクタンス調整手段を用いて、１ｃｍ／秒以下に制御し、該ＳｉＨ４ガスを含む成膜ガスの流れの上流（ガス導入管）付近の方が、下流（排気管）付近よりも膜の堆積速度を大きくすることにより、ｐ型半導体薄膜層を、アモルファスのｉ型半導体薄膜層近傍では完全なアモルファス半導体薄膜であるが、上層付近では微結晶半導体薄膜となるプロファイルを持たせて、ｉ型半導体薄膜層との接合界面における密着性を改善する、
成膜装置。」（以下「引用発明１」という。）
　
（２）上記３（２）によれば、刊行物２には、次の発明が記載されているものと認められる。
　
 「ｐｉｎ型の光起電力素子において、非晶質ｉ型半導体層と微結晶ｐ型半導体層の間に微結晶ｉ型半導体層を設けることにより、非晶質ｉ型半導体層の上に微結晶ｐ型半導体層を作製することが難しいという問題、微結晶ｐ型半導体層は非晶質ｉ半導体層とは格子定数やバンドギャップが異なることから接合部分に於いて欠陥が生じやすいという問題を克服した光起電力素子。」（以下「引用発明２」という。）
　
５　対比
 　本願発明と引用発明１とを対比する。
　
（１）引用発明１の「可撓性基板」、「半導体薄膜層」、「成膜容器」、「ＳｉＨ４ガスを含む成膜ガス」及び「ガス・ゲート」は、本願発明の「基板」、「半導体層」、「堆積室」「水素化シリコンガスを含むガス」及び「分離通路」に、それぞれ相当する。
 　 
（２）引用発明１は、「連続的に移動する可撓性基板上にｎ型半導体薄膜層、アモルファスのｉ型半導体薄膜層および微結晶のｐ型半導体薄膜層をプラズマＣＶＤ法で順次形成する非単結晶半導体薄膜の成膜装置」であるので、本願発明と「基板上にｐｉｎ接合を含む複数の半導体層をプラズマＣＶＤ法によって連続的に堆積して堆積膜を形成する堆積膜形成装置」である点で一致する。
 　 
（３）引用発明１の「ＳｉＨ４ガスを含む成膜ガスが導入される成膜ガス導入管」と、「真空排気ポンプ及びコンダクタンス調整バルブにつながった、ＳｉＨ４ガスを含む成膜ガスが排気される排気管」は、本願発明の「水素化シリコンガスを含むガスを流す手段」に相当する。
 　 
（４）引用発明１の「ｐ型半導体薄膜層を形成する成膜容器」は、「成膜ガスを可撓性基板の移動方向と同一の方向に流動させ、該成膜ガスの流速を、該成膜容器に配設された排気コンダクタンス調整手段を用いて、１ｃｍ／秒以下に制御し、該成膜ガスの流れの上流（ガス導入管）付近の方が、下流（排気管）付近よりも膜の堆積速度を大きくする」ものであって、「ｐ型半導体薄膜層の上層付近では微結晶半導体薄膜となる」ものであるから、引用発明１の「微結晶のｐ型半導体薄膜層を形成する成膜容器」と本願発明の「微結晶ｐ型半導体層を堆積する第２の堆積室」とは、「前記基板の移動方向に沿って堆積膜形成速度が接合界面部分の形成速度と上部の形成速度とが相対的に異なるように水素化シリコンガスを含むガスを流す手段を有する微結晶ｐ型半導体層を堆積する堆積室」である点で一致する。
 　 
（５）引用発明１は、「成膜容器内のＳｉＨ４ガスを含む成膜ガスが他の成膜容器内に侵入するのを防止するガス・ゲートによって互いに分離された、ｎ型半導体薄膜層を形成する成膜容器、ｉ型半導体薄膜層を形成する成膜容器およびｐ型半導体薄膜層を形成する成膜容器とからな」るから、引用発明と本願発明とは「他の堆積室の下手に前記微結晶ｐ型半導体層を堆積する堆積室が分離通路で連結され」る点で一致する。
 　 
（６）引用発明１の「アモルファスのｉ型半導体薄膜層を形成する成膜容器」は、本願発明の「非晶質ｉ型半導体層を形成する堆積室」に相当する。
　
（７）したがって、本願発明と引用発明１とは、
「基板上にｐｉｎ接合を含む複数の半導体層をプラズマＣＶＤ法によって連続的に堆積して堆積膜を形成する堆積膜形成装置において、
　前記基板の移動方向に沿って堆積膜形成速度が接合界面部分の形成速度と上部の形成速度とが相対的に異なるように水素化シリコンガスを含むガスを流す手段を有する微結晶ｐ型半導体層を堆積する堆積室と、
　非晶質ｉ型半導体層を形成する堆積室と、をさらに有し、
　他の堆積室の下手に前記微結晶ｐ型半導体層を堆積する堆積室が分離通路で連結された堆積膜形成装置。」
である点で一致し、次の点で相違するものと認められる。 
 　 
　本願発明は、非晶質ｉ型半導体層を形成する堆積室と微結晶ｐ型半導体層を堆積する堆積室との間に「前記基板の移動方向の上手から下手方向に向かって堆積膜形成速度が形成初期の形成速度よりも後期の形成速度が相対的に小さくなるように水素化シリコンガスを含むガスを流す手段を有する微結晶ｉ型半導体層を堆積する第１の堆積室」を有し、前記微結晶ｉ型半導体層の上に前記微結晶ｐ型半導体層を形成するものであって、該微結晶ｐ型半導体層を堆積する堆積室が「前記基板の移動方向の下手から上手方向に向かって堆積膜形成速度が前記ｉ型半導体層との接合界面部分の形成速度よりも上部の形成速度が相対的に大きくなるように水素化シリコンガスを含むガスを流す」ものであるのに対し、引用発明１は、「微結晶ｉ型半導体層を堆積する第１の堆積室」を有さず、微結晶ｐ型半導体層を堆積する堆積室が水素化シリコンガスを含むガスを基板の移動方向と同一の方向に流し、微結晶ｐ型半導体層を、非晶質ｉ型半導体層近傍では完全なアモルファス半導体薄膜であるが、上層付近では微結晶半導体薄膜となるプロファイルを持たせるものである点（以下「相違点」という。）。
 　 
５　判断 
 　上記相違点について検討する。 
　
（１）刊行物２には、前記４（２）のとおりの引用発明２が記載されており、引用発明１と引用発明２とは、非晶質ｉ型半導体層の上に微結晶ｐ型半導体層を形成する際に、両者の界面において生じる問題を解決するものである点において共通するものといえる。
　そして、引用発明１は、半導体薄膜を構成する各層に対応させて、それぞれの層を形成する堆積室（成膜容器）を設けたものといえるところ、引用発明１において、上記問題を解決する手段である、「ｐ型半導体薄膜層を形成する成膜容器は、ＳｉＨ４ガスを含む成膜ガスを可撓性基板の移動方向と同一の方向に流動させ、該ＳｉＨ４ガスを含む成膜ガスの流速を、該成膜容器に配設された排気コンダクタンス調整手段を用いて、１ｃｍ／秒以下に制御し、該ＳｉＨ４ガスを含む成膜ガスの流れの上流（ガス導入管）付近の方が、下流（排気管）付近よりも膜の堆積速度を大きくすることにより、ｐ型半導体薄膜層を、アモルファスのｉ型半導体薄膜層近傍では完全なアモルファス半導体薄膜であるが、上層付近では微結晶半導体薄膜となるプロファイルを持たせ」る構成、すなわち、「微結晶ｐ型半導体層を堆積する堆積室が水素化シリコンガスを含むガスを基板の移動方向と同一の方向に流し、微結晶ｐ型半導体層を、非晶質ｉ型半導体層近傍では完全なアモルファス半導体薄膜であるが、上層付近では微結晶半導体薄膜となるプロファイルを持たせ」る構成に代えて、引用発明２における上記問題を解決する手段である、「非晶質ｉ型半導体層と微結晶ｐ型半導体層の間に微結晶ｉ型半導体層を設ける」との構成を得るために、非晶質ｉ型半導体層を形成する堆積室と微結晶ｐ型半導体層を堆積する堆積室との間に、微結晶ｉ型半導体薄膜層を形成する堆積室を設けることは、引用発明２に基づいて当業者が容易に想到し得ることである。 
 　 
（２）ア　ここで、引用発明１が、「ｐ型半導体薄膜層を、アモルファスのｉ型半導体薄膜層近傍では完全なアモルファス半導体薄膜であるが、上層付近では微結晶半導体薄膜となるプロファイルを持たせて、ｉ型半導体薄膜層との接合界面における密着性を改善する」ものであることに照らせば、微結晶ｉ型半導体層の非晶質ｉ型半導体層との接合界面は非晶質であることが望ましいことは自明である。
　
　イ　また、引用発明２は、「非晶質ｉ型半導体層と微結晶ｐ型半導体層の間に微結晶ｉ型半導体層を設けることにより、非晶質ｉ型半導体層の上に微結晶ｐ型半導体層を作製することが難しいという問題、微結晶ｐ型半導体層は非晶質ｉ半導体層とは格子定数やバンドギャップが異なることから接合部分に於いて欠陥が生じやすいという問題を克服した」ものであって、引用発明２は、微結晶ｐ型半導体層が微結晶ｉ型半導体層と接合されることにより、接合部分に於いて欠陥が生じやすいという問題を克服したものということができるから、微結晶ｉ型半導体層の微結晶ｐ型半導体層との接合界面は微結晶となることが望ましいことは自明である。
　
　ウ　してみると、非晶質ｉ型半導体層を形成する堆積室と微結晶ｐ型半導体層を堆積する堆積室との間に、微結晶ｉ型半導体薄膜層を形成する堆積室を設けるに際し、微結晶ｉ型半導体薄膜層について、「非晶質ｉ型半導体層近傍では非晶質であるが、微結晶ｐ型半導体層との接合部分となる上層では微結晶となるプロファイルを持たせる」ことは、当業者が当然考慮する程度のことといえる。
　
　エ　そして、引用発明１が、「ｐ型半導体薄膜層を形成する成膜容器は、ＳｉＨ４ガスを含む成膜ガスを可撓性基板の移動方向と同一の方向に流動させ、該ＳｉＨ４ガスを含む成膜ガスの流れの上流（ガス導入管）付近の方が、下流（排気管）付近よりも膜の堆積速度を大きくすること」により、「ｐ型半導体薄膜層を、アモルファスのｉ型半導体薄膜層近傍では完全なアモルファス半導体薄膜であるが、上層付近では微結晶半導体薄膜となるプロファイルを持たせ」るものであるに照らせば、上記ウのとおり、微結晶ｉ型半導体薄膜層について、「非晶質ｉ型半導体層近傍では非晶質であるが、微結晶ｐ型半導体層との接合部分となる上層では微結晶となるプロファイルを持たせる」ために、微結晶ｉ型半導体薄膜層を形成する堆積室において、「ＳｉＨ４ガスを含む成膜ガスを可撓性基板の移動方向と同一の方向に流動させ、該ＳｉＨ４ガスを含む成膜ガスの流れの上流（ガス導入管）付近の方が、下流（排気管）付近よりも膜の堆積速度を大きくする」こと、すなわち、「基板の移動方向の上手から下手方向に向かって堆積膜形成速度が形成初期の形成速度よりも後期の形成速度が相対的に小さくなるように水素化シリコンガスを含むガスを流す」ことは、当業者が適宜採用し得る手段というべきである。
　
　オ　さらに、上記イのとおり、引用発明２は、「微結晶ｐ型半導体層が微結晶ｉ型半導体層と接合されることにより、微結晶ｐ型半導体層は非晶質ｉ半導体層とは格子定数やバンドギャップが異なることから接合部分に於いて欠陥が生じやすいという問題を克服した」ものであるから、微結晶ｐ型半導体層の微結晶ｉ型半導体層との接合界面は、非晶質ではなく微結晶となることが望ましいことは自明である。
　しかるところ、刊行物１には、成膜ガスの流れの上流（ガス導入管）付近の方が、下流（排気管）付近よりも膜の堆積速度を大きくすることにより、半導体薄膜層を、結晶の粒径の分布を形成するものであること（上記３（１）エを参照。）、成膜ガスを可撓性基板の移動方向と逆の方向に流動させて、半導体薄膜層の下部を微結晶膜、上部をアモルファス膜となるプロファイルを持たせること（上記３（１）キ及びコを参照。）が記載されているものと認められる。
　そうすると、微結晶ｐ型半導体層の微結晶ｉ型半導体層との接合界面が、非晶質ではなく微結晶となるようにするために、微結晶ｐ型半導体薄膜層を形成する堆積室において、「成膜ガスを可撓性基板の移動方向と逆の方向に流動させ、ＳｉＨ４ガスを含む成膜ガスの流れの上流（ガス導入管）付近の方が、下流（排気管）付近よりも膜の堆積速度を大きくする」こと、すなわち、「基板の移動方向の下手から上手方向に向かって堆積膜形成速度が前記ｉ型半導体層との接合界面部分の形成速度よりも上部の形成速度が相対的に大きくなるように水素化シリコンガスを含むガスを流す」ことは、当業者が適宜採用し得る手段というべきである。
　
（３）以上の検討によれば、引用発明１において、相違点に係る本願発明の構成とすることは、引用発明２及び刊行物１の記載事項に基づいて当業者が容易に想到し得たものというべきである。
 　 
（４）本願発明の奏する効果についてみても、刊行物１及び刊行物２の記載事項から当業者が予測できる範囲を超えるほどの格別顕著なものとは認められない。
 　 
６　むすび
　以上の検討によれば、本願発明は、刊行物１及び刊行物２にそれぞれ記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。