(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子からの発光信号を受けるように絶縁物を介してリードフレームにマウントされる受光素子と、
この受光素子が受けた発光信号により制御され前記リードフレームにマウントされる半導体チップと、
を備え、
前記リードフレームには、前記受光素子と前記半導体チップとの間にスリットが設けられている
ことを特徴とする光半導体装置。
【請求項２】
発光素子の発光信号を受けるように絶縁物を介してリードフレームにマウントされ前記受光素子とともに樹脂で被覆される受光素子と、
この受光素子が受けた発光信号により制御され前記リードフレームにマウントされ前記樹脂とは別体の樹脂で被覆される半導体チップと、
を備え、
前記リードフレームには、前記受光素子と前記半導体チップとの間にスリットが設けられている
ことを特徴とする光半導体装置。
【請求項３】
前記スリットは直線状スリットであることを特徴とする請求項１または２記載の光半導体装置。
【請求項４】
前記スリットはほぼＬ字状スリットであることを特徴とする請求項１または２記載の光半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は光半導体装置に係り、特に、受光素子等の絶縁物等が半導体チップ等に流出するのを阻止するスリットを設けた光半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】
一般に光半導体装置１０は図４に示すようにＬＥＤ  等の発光素子１１から発生する発光信号をフォトダイオード等の受光素子１２が受け、この発光信号を電気信号に変換してＭＯＳＦＥＴ等の半導体チップ１３ａ  、１３ｂ  …に送り、図示しない負荷を制御するようにしたものである。
【０００３】
この光半導体装置１０には図５、図６に示すように鉄、銅等の第１のリードフレーム１４ａ  、１４ｂ  …と第２のリードフレーム１５が備えられている。
【０００４】
この第１のリードフレーム１４ａ  、１４ｂ  …には絶縁物１６が塗布され絶縁ペースト１７が塗られた部分に受光素子１２がマウントされ、この絶縁を維持するようになっている。
【０００５】
また、この第１のリードフレーム１４ａ  、１４ｂ  …にはＡｇペースト等により直接的に半導体チップ１３ａ  、１３ｂ  …がマウントされ、負荷を制御するようになっている。
【０００６】
さらに、第２のリードフレーム１５には前記受光素子１２に発光信号を送る発光素子１１がマウントされ、図示しない情報源からの情報信号を光信号に変換して光伝達をするようになっている。
【０００７】
この発光素子１１と受光素子１２および半導体チップ１３ａ  、１３ｂ  …にはシリコーン樹脂等の透明樹脂１８が被覆され、これらの耐湿、耐電圧を強化するとともに光伝達効率を向上するようになっている。
【０００８】
ところで、これらの絶縁物１６、透明樹脂１８は製造工程において塗布量等が少ないと耐湿が保持できなくなるばかりか光伝達効率を低下させてしまうと言う問題がある。
【０００９】
これに対し絶縁物１６の塗布量が多いとこれが図７に矢印により示すように半導体チップ１３ａ  、１３ｂ  …まで流出しこれらの接触により抵抗、電流、電圧等の電気的特性を損なわせてしまうと言う問題がある。
【００１０】
また、透明樹脂１８の被覆量が多いと図８に示すように発光素子１１と受光素子１２および半導体チップ１３ａ  、１３ｂ  …の樹脂が結合してしまい耐湿度を低下させたり光伝達効率の変動させると言う問題がある。
【００１１】
そのため、絶縁物１６、透明樹脂１８の塗布量、被覆量は適正量に維持するようにされている。
【００１２】
しかし、塗布時、被覆時の製造作業工程においてはこの量を適正に維持することが困難なため、通常、やや多めの量の絶縁物１６、透明樹脂１８を塗布し被覆し半導体チップ１３ａ，１３ｂ…の耐湿度の低下を防止し発光素子１１と受光素子１２との間における光伝達効率の変動を防止している。
【００１３】
そこで本発明は多めの量の絶縁物等による上記問題を解決するため受光素子と半導体チップとの間にスリットを設け、発光素子、受光素子、半導体チップが絶縁物、透明樹脂によりその特性を損なわないようにするとともに光伝達効率の変動を防止した光半導体装置を提供することを目的とするものである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明は、発光素子からの発光信号を受けるように絶縁物を介してリードフレームにマウントされる受光素子と、この受光素子が受けた発光信号により制御され前記リードフレームにマウントされる半導体チップと、を備え、前記リードフレームには、前記受光素子と前記半導体チップとの間にスリットが設けられていることを特徴とする光半導体装置を、提供するものである。
【００１５】
また、本発明は、発光素子の発光信号を受けるように絶縁物を介してリードフレームにマウントされ前記受光素子とともに第１の樹脂で被覆される受光素子と、この受光素子が受けた発光信号により制御され前記リードフレームにマウントされ前記樹脂とは別体の樹脂で被覆される半導体チップと、を備え、前記リードフレームには、前記受光素子と前記半導体チップとの間にスリットが設けられていることを特徴とする光半導体装置。
【００１６】
さらに、本発明のスリットは直線状スリットであることを特徴とする光半導体装置を提供するものである。
【００１７】
さらに、本発明のスリットはほぼＬ字状スリットであることを特徴とする光半導体装置を提供するものである。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下本発明の光半導体装置の実施の形態を添付図面により説明する。
本発明の光半導体装置２０は基本的には従来の光半導体装置１０とほぼ同様であるから同一部分は同一符号を付して説明する。
【００１９】
この光半導体装置２０の受光素子１２と半導体チップ１３ａ  との間のリードフレーム１４ａ  には図１に示すような直線状スリット２１が設けられ、受光素子１２とリードフレーム１４ａ  との間に介在される絶縁物１６が半導体チップ１３ａ  に流出するのを阻止しその電気的特性の低下を防止する。
【００２０】
また、この直線状スリット２１は発光素子１１、受光素子１２に被覆される透明樹脂１８、半導体チップ１３ａ  に被覆される透明樹脂１８の流出を阻止しこれらの形態を維持するとともにその結合を防止する。
【００２１】
これにより発光素子１１と受光素子１２との間の光伝達効率の変動を防止するとともに半導体チップ１３ａ  の耐湿度の低下を阻止する。
【００２２】
また、図３に示すように受光素子１２と半導体チップ１３ａ  との間のリードフレーム１４ａ  にはほぼＬ字状スリット２２が設けられる。
【００２３】
このＬ字状スリット２２により受光素子１２と半導体チップ１３ａ  との間の絶縁物１６の流出を阻止し、発光素子１１と受光素子１２とに被覆される透明樹脂１８、半導体チップ１３ａ  に被覆される透明樹脂１８の流出を抑え結合を防止して電気特性の維持と光伝達効率の変動を防止する。
【００２４】
【発明の効果】
本発明は発光素子からの発光信号を受けるように絶縁物を介してリードフレームにマウントされる受光素子と、この受光素子が受けた発光信号により制御され前記リードフレームにマウントされる半導体チップと、受光素子と半導体チップとの間のリードフレームに直線状あるいはＬ字状のスリットとを設けたから絶縁物が半導体チップに流出するのを防止しその電気的特性を損なわせることがないようにすることができる。
【００２５】
また、本発明は発光素子の発光信号を受けるように絶縁物を介してリードフレームにマウントされ前記発光素子とともに樹脂が被覆される受光素子と、この受光素子が受けた発光信号により制御され前記リードフレームにマウントされ樹脂が被覆される半導体チップと、受光素子と半導体チップとの間のリードフレームに直線状あるいはＬ字状のスリットとを設けたから発光素子と受光素子および半導体チップに被覆される樹脂の流出を防止し発光素子と受光素子との間の光伝達効率の変動を防止するとともに半導体チップの耐湿度の低下を阻止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光半導体装置の概要を示す平面図。
【図２】図１をＩＩ−ＩＩ線に沿って切断し矢印方向に見た断面図。
【図３】本発明の他の光半導体装置の概要を示す平面図。
【図４】一般的に使用されている光半導体装置の電気的な接続図。
【図５】従来の光半導体装置の概要を示す平面図。
【図６】図５をＶＩ−ＶＩ線に沿って切断し矢印方向に見た断面図。
【図７】従来の光半導体装置における絶縁物の流れ込み動作を説明する説明図。
【図８】従来の光半導体装置における透明樹脂の結合動作を説明する説明図。
【符号の説明】
１０、２０  光半導体装置
１１  発光素子
１２  受光素子
１３ａ  、１３ｂ    半導体チップ
１４ａ  、１４ｂ  、１５  リードフレーム
１６  絶縁物
１７  絶縁ペースト
１８  透明樹脂
２１  直線状スリット
２２  Ｌ字状スリット
【図１】
0003559700.tif 000002
【図２】
0003559700.tif 000003
【図３】
0003559700.tif 000004
【図４】
0003559700.tif 000005
【図５】
0003559700.tif 000006
【図６】
0003559700.tif 000007
【図７】
0003559700.tif 000008
【図８】
0003559700.tif 000009