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【手続補正書】
【提出日】平成27年2月13日(2015.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の電極を取り囲む隔離基板と、
ウエハに接触するように構成された上部部分を有する複数の突起と、
前記複数の電極の１つと前記複数の突起の前記上部部分との間にそれぞれ位置決めされた複数の放電要素とを備え、
前記複数の放電要素が、前記隔離基板内に蓄積された電荷を放電するように構成される、
静電チャック。
【請求項２】
前記隔離基板内に蓄積された前記電荷を放電するように前記複数の放電要素に結合された放電回路をさらに備える、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項３】
前記放電回路が、チャッキングモードで動作するときは前記複数の放電要素を電気接地から切り離し、放電モードで動作するときは前記複数の放電要素を接地に接続するように構成された少なくとも１つのスイッチを備える、請求項２に記載の静電チャック。
【請求項４】
前記複数の放電要素の導電率が、前記ウエハと前記静電チャックとの間の放電を制限するように選択される、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項５】
前記複数の放電要素の導電率が、１０メガオーム／平方単位から１０ギガオーム／平方単位の範囲内である、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項６】
前記複数の放電要素の導電率が、１０メガオーム／平方単位を超える、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項７】
前記複数の放電要素の導電率が、１ギガオーム／平方単位を超える、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項８】
前記複数の放電要素がシートである、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項９】
前記複数の電極の数より大きい数の前記複数の放電要素を含む、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項１０】
等しい数の前記複数の放電要素および前記複数の電極を含む、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項１１】
前記複数の電極の数より小さい数の前記複数の放電要素を含む、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項１２】
前記複数の放電要素の少なくとも１つが、前記隔離基板の縁部近傍に位置決めされる、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項１３】
前記複数の放電要素の少なくとも１つが、環状の形状を有し、前記隔離基板の縁部近傍に位置決めされる、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項１４】
前記複数の放電要素の少なくとも１つの形状が、前記複数の電極のうち、前記放電要素より下に位置決めされた電極と同じ形状である、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項１５】
前記複数の放電要素のそれぞれの形状が、前記複数の放電要素より下に位置決めされた前記複数の電極と同じ形状である、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項１６】
前記複数の放電要素のそれぞれの形状およびサイズが、前記複数の放電要素より下に位置決めされた前記複数の電極と同じ形状およびサイズである、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項１７】
前記複数の放電要素のそれぞれの形状が、前記複数の電極のうち、前記放電要素より下に位置決めされた電極と同じ形状であり、前記複数の放電要素のそれぞれのサイズが、前記それぞれの放電要素より下に位置する各電極のサイズより大きい、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項１８】
前記複数の放電要素のいずれも、異なる電圧レベルに設定されるように配置された前記複数の電極の上に位置決めされない、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項１９】
前記複数の放電要素の少なくとも１つが、格子の形状である、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項２０】
静電チャックを動作させる方法であって、
静電チャックの突起上にウエハを配置するステップであり、前記静電チャックが、少なくとも１つの電極を取り囲む隔離基板と、前記隔離基板の上面に沿って前記複数の突起の少なくとも一部分の下へ延びる少なくとも１つの放電要素とを含む、配置するステップと、
少なくとも１つの放電要素が浮遊電位に置かれるチャッキングモードで、前記静電チャックを動作させるステップと、
前記隔離基板内に蓄積された電荷を放電するように前記放電要素が放電回路に結合される放電モードで、前記静電チャックを動作させるステップと、
前記ウエハから前記静電チャックを取り外すステップとを含む方法。
【請求項２１】
前記隔離基板内に蓄積された前記電荷を放電するように前記複数の放電要素の１つにそれぞれ結合された放電回路をさらに備える、請求項１に記載の静電チャック。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月27日(2015.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を照射すると電磁波を発生・検出し得る光伝導素子であって、
光が照射された際に抵抗率が変化することにより電磁波を発生・検出し得る半導体層を有する光伝導層と、
前記半導体層と接して配された複数の電極を備え、
前記半導体層は、
抵抗率が、前記複数の電極が接する前記半導体層の面と交わる方向に変化し、且つ、
前記半導体層において第１の領域及び前記第１の領域より前記交わる方向に前記複数の電極から離れた第２の領域をとるとき、前記第１の領域での抵抗率が前記第２の領域での抵抗率より大きいことを特徴とする光伝導素子。
【請求項２】
前記第１の領域での光吸収波長が、前記第２の領域での光吸収波長より短いことを特徴とする請求項１に記載の光伝導素子。
【請求項３】
前記光の入射側から前記第１の領域、前記第２の領域をこの順に配することを特徴とする請求項１または２に記載の光伝導素子。
【請求項４】
前記半導体層を構成する材料の組成、キャリア濃度、成長温度のうちの少なくとも１つがステップ状あるいはグレーデッドに分布していることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の光伝導素子。
【請求項５】
前記半導体層は半導体超格子構造を有し、前記半導体超格子構造の量子井戸の厚さや深さ及びトンネル障壁の厚さや高さのうちの少なくとも１つがステップ状あるいはグレーデッドに分布していることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の光伝導素子。
【請求項６】
前記電極は、介在する絶縁膜に開けたコンタクトホールの部分でだけ、前記半導体層と接していることを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の光伝導素子。
【請求項７】
前記交わる方向は、前記複数の電極が接する前記半導体層の面と垂直な方向であることを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載の光伝導素子。
【請求項８】
前記複数の電極は、２つの電極からなることを特徴とする請求項１乃至７の何れか１項に記載の光伝導素子。
【請求項９】
前記第１の領域と前記第２の領域は、該第１の領域を流れる電流と該第２の領域を流れる電流とが同程度になるように構成されていることを特徴とする請求項１乃至８の何れか１項に記載の光伝導素子。
【請求項１０】
前記半導体層は、前記第１の領域を含む第１の半導体層と、前記第２の領域を含む第２の半導体層と、を有することを特徴とする請求項１乃至９の何れか１項に記載の光伝導素子。
【請求項１１】
請求項１から１０の何れか１項に記載の光伝導素子と、前記光伝導素子を励起する光を照射するための光照射手段と、を少なくとも備えたことを特徴とする電磁波発生・検出装置。
【請求項１２】
電磁波発生装置と、電磁波検出装置と、前記電磁波発生装置と前記電磁波検出装置における電磁波発生時と電磁波検出時との間の遅延時間を調整するための調整手段を少なくとも備え、前記調整手段により遅延時間を調整することで、発生している電磁波の時間波形をサンプリングして取得する時間領域分光装置であって、
前記電磁波発生装置と前記電磁波検出装置の少なくとも一方を、請求項１１に記載の電磁波発生・検出装置を用いて構成したことを特徴とする時間領域分光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月19日(2015.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体低温成長層を有する光伝導素子であって、
前記半導体低温成長層と半導体基板との間に位置し、かつ前記半導体低温成長層よりも薄い半導体層を有し、
前記半導体低温成長層は、前記半導体層と格子整合し前記半導体基板と格子整合しない半導体を含むことを特徴とする光伝導素子。
【請求項２】
半導体低温成長層を有する光伝導素子であって、
前記半導体低温成長層と半導体基板との間に位置し、かつ前記半導体低温成長層よりも薄い半導体層を備え、
前記半導体層は、少なくとも第１半導体領域と第２半導体領域を有し、
前記第１半導体領域は、前記半導体低温成長層と格子整合する半導体を含み、
前記第２半導体領域は、前記半導体基板と格子整合する半導体を含むことを特徴とする光伝導素子。
【請求項３】
前記半導体層は、第１の層と第２の層とを有し、
前記第１の層は、前記半導体低温成長層と接しており、前記半導体低温成長層と格子整合し且つ前記半導体基板と格子整合しない半導体を含み、
前記第２の層は、前記第１の層と前記半導体基板との間に位置しており、前記半導体低温成長層と格子整合し且つ前記半導体基板と格子整合しない半導体を含み、
前記第１の層に含まれる前記半導体と前記第２の層に含まれる前記半導体とは、異なることを特徴とする請求項１に記載の光伝導素子。
【請求項４】
前記半導体層は、４００度以上７００度以下の成長温度で成長させた層であることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の光伝導素子。
【請求項５】
前記半導体層は、前記半導体低温成長層のバンドギャップよりも広いバンドギャップを持つことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の光伝導素子。
【請求項６】
前記半導体層、前記半導体低温成長層および電極を含む構成は、前記半導体基板と異なる第２の半導体基板上で形成され、前記第２の半導体基板は除去されていることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の光伝導素子。
【請求項７】
前記半導体基板の一部に穴を有することを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の光伝導素子。
【請求項８】
前記半導体低温成長層はInxGa1-xAs（0≦x≦1）層またはGaAsySb1-y（0≦y≦1）層であることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の光伝導素子。
【請求項９】
前記半導体層は、Ｇｅを含む層を有することを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の光伝導素子。
【請求項１０】
前記半導体層は、第１の層と第２の層とを有し、
前記半導体基板はＳｉ基板であり、
前記半導体低温成長層は２００℃以上４００℃未満の成長温度で成長させたＧａＡｓ層であり、
前記第１の層は４００℃以上７００℃以下の成長温度で成長させたＡｓを含む層であり、
前記第２の層は４００℃以上７００℃以下の成長温度で成長させたＧｅを含む層であることを特徴とする請求項１に記載の光伝導素子。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれか１項に記載の光伝導素子と、
前記光伝導素子を励起するための光を発する光源と、
前記光伝導素子の光照射面に前記光源の光を照射するための光学手段と、を有することを特徴とするテラヘルツ波発生・検出装置。
【請求項１２】
電磁波発生素子を含むテラヘルツ波発生装置と、電磁波検出素子を含むテラヘルツ波検出装置を備え、前記電磁波発生素子のテラヘルツ波発生タイミングと前記電磁波検出素子のテラヘルツ波検出タイミングとの時間差を制御することで、発生しているテラヘルツ波パルスの時間波形をサンプリングの原理により測定するテラヘルツ時間領域分光装置であって、
前記テラヘルツ波発生装置と前記テラヘルツ波検出装置の少なくとも一方を、請求項１１に記載のテラヘルツ波発生・検出装置を用いて構成したことを特徴とするテラヘルツ時間領域分光装置。
【請求項１３】
半導体低温成長層を有する光伝導素子の製造方法であって、
半導体基板上に半導体層を４００℃以上７００℃以下で形成する工程と、
前記半導体層上に、前記半導体層と格子整合しつつ前記半導体基板と格子整合しない半導体を含む半導体低温成長層を２００℃以上４００℃未満で形成する工程と、を有することを特徴とする光伝導素子の製造方法。
【請求項１４】
半導体低温成長層を有する光伝導素子の製造方法であって、
半導体基板上に、前記半導体基板と格子整合する半導体を含む第２半導体領域を４００℃以上７００℃以下で形成し、前記第２半導体領域上に第１半導体領域を形成する工程と、
前記第１半導体領域上に、前記第１半導体領域と格子整合をする半導体を含む半導体低温成長層を２００℃以上４００℃未満で形成する工程と、を有することを特徴とする光伝導素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月30日(2015.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
ウェーハがそれぞれ導入され、成膜処理が並行して行われる複数の反応室と、
前記複数の反応室内に同一の原料ガスをそれぞれ供給する複数の原料ガス供給ラインと、前記原料ガス供給ラインにおける前記原料ガスの流量を制御する流量制御機構と、を有する原料ガス供給機構と、
前記複数の反応室内にキャリアガスをそれぞれ供給する複数のキャリアガス供給ラインを有するキャリアガス供給機構と、
前記複数の反応室内でそれぞれの成膜処理が並行して行われている間に、前記複数の原料ガス供給ラインの内、いずれの時刻でも少なくとも一つが開放状態となるように前記複数の原料ガス供給ラインをそれぞれ断続的に開閉し、前記原料ガスを供給する前記反応室を順次切り替える原料ガス切り替え機構と、
を備えることを特徴とする半導体製造装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
成膜処理が並行して行われる複数の反応室内にウェーハをそれぞれ導入し、
前記複数の反応室内の所定位置で前記ウェーハをそれぞれ保持し、
前記複数の反応室内に同一の原料ガスをそれぞれ供給する複数の原料ガス供給ライン及びキャリアガスを供給する複数のキャリアガス供給ラインの内、少なくとも前記複数の原料ガス供給ラインから前記原料ガスをベントし、
前記複数の反応室内でそれぞれの成膜処理が並行して行われている間に、前記複数の原料ガス供給ラインの内、いずれの時刻でも少なくとも一つが開放状態となるように前記複数の原料ガス供給ラインをそれぞれ断続的に開放し、
前記原料ガスを供給する前記反応室を順次切り替え、
前記反応室内で保持された前記ウェーハの上面に、前記原料ガス及び前記キャリアガスを含むプロセスガスを整流状態で供給し、
前記ウェーハを所定温度で加熱し、
前記ウェーハを所定の回転速度で回転させることを特徴とする半導体製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の一態様の半導体製造装置は、ウェーハがそれぞれ導入され、成膜処理が並行して行われる複数の反応室と、前記複数の反応室内に同一の原料ガスをそれぞれ供給する複数の原料ガス供給ラインと前記原料ガス供給ラインにおける前記原料ガスの流量を制御する流量制御機構とを有する原料ガス供給機構と、前記複数の反応室内にキャリアガスをそれぞれ供給するキャリアガス供給ラインを有するキャリアガス供給機構と、前記複数の反応室内でそれぞれの成膜処理が並行して行われている間に、前記複数の原料ガス供給ラインの内、いずれの時刻でも少なくとも一つが開放状態となるように前記複数の原料ガス供給ラインをそれぞれ断続的に開閉し、前記原料ガスを供給する前記反応室を順次切り替える原料ガス切り替え機構と、を備える。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、本発明の一態様の半導体製造方法は、成膜処理が並行して行われる複数の反応室内にウェーハをそれぞれ導入し、前記複数の反応内の所定位置で前記ウェーハをそれぞれ保持し、前記複数の反応室内に同一の原料ガスをそれぞれ供給する複数の原料ガス供給ライン及びキャリアガスを供給する複数のキャリアガス供給ラインの内、少なくとも前記複数の原料ガス供給ラインから前記原料ガスをベントし、前記複数の反応室内でそれぞれの成膜処理が並行して行われている間に、前記複数の原料ガス供給ラインの内、いずれの時刻でも少なくとも一つが開放状態となるように前記複数の原料ガス供給ラインをそれぞれ断続的に開放し、前記原料ガスを供給する前記反応室を順次切り替え、前記反応室内で保持された前記ウェーハの上面に、前記原料ガス及び前記キャリアガスを含むプロセスガスを整流状態で供給し、前記ウェーハを所定温度で加熱し、前記ウェーハを所定の回転速度で回転させる。
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月20日(2015.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ロータ（１８）内のスロット（２４）を修正するシステム（４０）であって、
垂直軸（４６）を有するベース（４４）と、
前記垂直軸に沿ってベースに沿って滑動するよう前記ベースに取り付けられたドリル（４２）と、
前記ドリル（４２）に接続され且つ該ドリルが挿入される前記スロット（２４）の内側表面と係合するよう構成されたクランプ（８０）と、
前記ロータ（１８）に隣接した固定プラットフォームから前記ドリル（４２）を支持する手段と、
前記ドリル（４２）と前記ドリル（４２）を支持する手段との間の滑動接続部（１１２）と
を備える、システム（４０）。
【請求項２】
ロータ（１８）内のスロット（２４）を修正するシステム（４０）であって、
垂直軸（４６）を有するベース（４４）と、
前記垂直軸に沿ってベースに沿って滑動するよう前記ベースに取り付けられたドリル（４２）と、
前記ドリル（４２）に接続され且つ該ドリルが挿入される前記スロット（２４）の内側表面と係合するよう構成されたクランプ（８０）と、
前記ドリルと結合された第１の端部と、前記ロータ（１８）に隣接した固定プラットフォームに接続された第２の端部とを備えるカップリング（１００）と、
前記ドリル（４２）と前記カップリング（１００）との間の滑動接続部（１１２）と
を備える、システム（４０）。
【請求項３】
前記ドリル（４２）を支持する手段が、前記ロータ（１８）に隣接した固定プラットフォームに解除可能に接続されるカップリング（１００）を含む、請求項１に記載のシステム（４０）。
【請求項４】
前記ドリル（４２）と前記ドリル（４２）を支持する手段との間に枢動接続部（１０８）を更に備える、請求項１又は３に記載のシステム（４０）。
【請求項５】
前記ドリル（４２）に解除可能に接続する手段を更に備える、請求項１〜４の何れかに記載のシステム（４０）。
【請求項６】
前記ドリル（４２）に解除可能に接続する手段が、万力グリップ、ネジ接続部、弾性ひも、バネ、又は磁気カップリングのうちの少なくとも１つを含む、請求項５に記載のシステム（４０）。
【請求項７】
前記ドリル（４２）に解除可能に接続する手段に接続された付勢部材（１２０〜１２４）を更に備える、請求項５〜６の何れかに記載のシステム（４０）。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月8日(2015.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
走行する糸の糸張力を測定する糸張力センサ（１）であって、
ロッド形状の力伝達エレメント（２）が設けられていて、該力伝達エレメント（２）の第１の端部が、走行する糸と作用結合しており、
ロッド形状の力伝達エレメント（２）の運動を該力伝達エレメント（２）の長手方向において糸の走行方向に対して垂直な方向で案内するガイド手段（３，４）が設けられており、
ロッド形状の力伝達エレメント（２）の第２の端部と作用結合している測定手段（９）が設けられており、
該測定手段（９）を受容するための受容手段（７，８）が設けられており、
さらにハウジング（１１）が設けられていて、該ハウジング（１１）内に、ロッド形状の力伝達エレメント（２）、ガイド手段（３，４）、測定手段（９）及び受容手段（７，８）が配置されている形式のものにおいて、
糸張力センサ（１）が、ガイド手段（３，４）を保持するための保持手段（６）を有しており、
該保持手段（６）がハウジング（１１）に固定されており、
受容手段（７，８）が、保持手段（６）との堅い結合部だけによって保持されている
ことを特徴とする糸張力センサ（１）。
【請求項２】
ハウジング（１１）における保持手段（６）の固定部が遊びを有している、請求項１記載の糸張力センサ（１）。
【請求項３】
保持手段は、円筒形のスリーブ（６）として形成されている、請求項１又は２記載の糸張力センサ（１）。
【請求項４】
ガイド手段（３，４）は、ロッド形状の力伝達エレメント（２）の長手方向軸線が円筒形のスリーブ（６）の周面に対して平行に配置されているように、形成されている、請求項３記載の糸張力センサ（１）。
【請求項５】
ハウジング（１１）は、円筒形のスリーブ（６）を受容するために該スリーブ（６）に相応する円筒形の切欠き（２０）を有している、請求項４記載の糸張力センサ（１）。
【請求項６】
測定手段は、ロッド形状の力伝達エレメント（２）との相互作用によって変形可能である変形エレメント（９）を有している、請求項１から５までのいずれか１項記載の糸張力センサ（１）。
【請求項７】
変形エレメントは撓みバー（９）として形成されている、請求項６記載の糸張力センサ（１）。
【請求項８】
測定手段は、変形時に固有抵抗が変化する測定エレメントを有しており、測定エレメントは変形エレメント（９）に組み込まれている、請求項６又は７記載の糸張力センサ（１）。
【請求項９】
測定手段は、ロッド形状の力伝達エレメント（２）の位置を検出するポジションセンサを有している、請求項１から６までのいずれか１項記載の糸張力センサ（１）。
【請求項１０】
ガイド手段は少なくとも１つのダイヤフラムを有している、請求項１から９までのいずれか１項記載の糸張力センサ（１）。
【請求項１１】
少なくとも１つのダイヤフラムは、ロッド形状の力伝達エレメントが糸との非接触時に規定された位置において保持されるように、形成されている、請求項１０記載の糸張力センサ（１）。
【請求項１２】
少なくとも１つのダイヤフラムは、ポリカーボネートから製造されている、請求項１０又は１１記載の糸張力センサ（１）。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月12日(2015.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
前面に開口部を有する貯蔵室と、
貯蔵物を収納するとともに、スライドして前記貯蔵室に出し入れされる収納ケースと、
前記収納ケースの上面をスライドする小物ケースとを備え、
前記収納ケースは、前記小物ケースによって上面が覆われる第１部分、及び前記小物ケースによって上面が覆われない第２部分を有し、
前記小物ケースによって前記収納ケースの第１部分の上面全体を覆った状態で、前記小物ケースの位置を維持する係合部と、
前記係合部による前記小物ケースの位置の維持を解除する操作レバーと、
を備えたことを特徴とする冷蔵庫。
【請求項２】
前面に開口部を有する貯蔵室と、
貯蔵物を収納するとともに、スライドして前記貯蔵室に出し入れされる収納ケースと、
前記収納ケースの上面を前後にスライドする小物ケースと、
前記小物ケースが前記収納ケースの上面を後方から前方へ向かって所定の位置まで移動した状態で、前記小物ケースの位置を維持する係合部と、
前記係合部による前記小物ケースの位置の維持を解除する操作レバーと、
を備えたことを特徴とする冷蔵庫。
【請求項３】
前記操作レバーは、前記小物ケースに取り付けられており、
前記操作レバーの回動によって、前記係合部による前記小物ケースの位置の維持を解除することを特徴とする請求項１または２に記載の冷蔵庫。
【請求項４】
前記操作レバーは、上端に把持部を有し、
前記把持部は、後方に移動する方向に前記操作レバーを回動させて、前記係合部による前記小物ケースの位置の維持を解除することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の冷蔵庫。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
近年、野菜の乾燥を防止するために収納ケース内の隙間を可能な限り閉塞させることが望まれる。しかしながら上記特許文献では小物ケースを前方へ移動させて小物ケースと収納ケース内との隙間を無くした状態でも、収納ケースの急な開動作により、小物ケースが後方へスライド移動することがある。そして、収納ケースに対する小物ケースの位置が維持されないで扉が閉じられる状態となる。これにより、必要以上の隙間を介して収納ケース内に冷気が進入して野菜等が乾燥する問題があった。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月6日(2015.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力画像から物体の姿勢を推定して記憶する物体姿勢推定方法であって、
物体を包含する画像を入力することと、
前記入力画像の２値マスクを作成することと、
前記入力画像の前記２値マスクからシングレットのセットを抽出することであって、各シングレットは、前記入力画像内の前記物体の内側および外側輪郭内にある点を表す、抽出することと、
シングレットの前記セットを連結して、デュプレックス行列として表されるメッシュにすることと、
候補姿勢のセットを作るべく２つのデュプレックス行列を比較することと、
物体姿勢推定値を作り、前記物体姿勢推定値を記憶することと、
を含む、物体姿勢推定方法。
【請求項２】
前記物体の複数の画像を入力することをさらに含み、各画像は、前記複数の画像の互いにおける視像とは異なる、前記物体の視像を包含する、請求項１に記載の物体姿勢推定方法。
【請求項３】
前記物体の前記複数の画像の各々における前記視像を、前記物体のためのＣＡＤモデルを用いて生成することをさらに含む、請求項２に記載の物体姿勢推定方法。
【請求項４】
前記物体の前記複数の画像の各々における前記視像を、カメラを備えたロボットを用いて生成することをさらに含む、請求項２に記載の物体姿勢推定方法。
【請求項５】
前記入力画像内の前記物体を検出し、前記物体のバウンディングボックスを計算することをさらに含む、請求項１に記載の物体姿勢推定方法。
【請求項６】
前記物体の内側および外側輪郭を抽出することをさらに含む、請求項１に記載の物体姿勢推定方法。
【請求項７】
前記姿勢推定値をエネルギー関数の最適化としてモデル化することによって前記物体姿勢推定値を精緻化することをさらに含む、請求項１に記載の物体姿勢推定方法。
【請求項８】
前記エネルギー関数におけるエネルギー値を最小化するべく姿勢推定値を反復的に計算することをさらに含む、請求項７に記載の物体姿勢推定方法。
【請求項９】
前記姿勢推定値を反復的に計算するために速度スクリューを計算することをさらに含む、請求項８に記載の物体姿勢推定方法。
【請求項１０】
レンダリングアプリケーションプログラミングインタフェース（ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  ｐｒｏｇｒａｍｍｉｎｇ  ｉｎｔｅｒｆａｃｅ、ＡＰＩ）を用いて前記物体のモデル輪郭曲線を仮想画像に投影することをさらに含む、請求項７に記載の物体姿勢推定方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月6日(2015.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受診者の受診予定が記録される携帯記録媒体と通信可能な健診情報処理装置であって、
前記携帯記録媒体から受診予定を取得する取得手段と、
前記取得手段により取得した受診予定が予定ありである健診項目について、受診しない理由の入力を受け付ける理由受付手段と、
前記理由受付手段により受け付けた受診しない理由を前記携帯記録媒体に記録する記録手段と、
を備え、
前記取得手段は、さらに、
前記携帯記録媒体に記録された前記受診しない理由を取得することを特徴とし、
前記取得手段により取得した前記受診しない理由に基づき、前記情報処理装置が用いられる健診項目の受診の可否を判定する判定手段と、
を備えることを特徴とする健診情報処理装置。
【請求項２】
健診項目ごとに妊娠時に受診が可能であるかを示す情報を記憶する受診可否情報記憶手段をさらに備え、
前記判定手段は、前記受診しない理由が妊娠している旨である場合、前記記憶手段に記憶された情報と、前記情報処理装置が用いられる健診項目とに基づき、当該受診者の受診の可否を判定することを特徴とする請求項１に記載の健診情報処理装置。
【請求項３】
前記健診項目における健診の結果を表示する表示制御手段をさらに備え、
前記表示制御手段は、前記取得手段により受診しない理由として妊娠している旨を取得した場合、妊娠時における健診結果であることを認識可能に表示することを特徴とする請求項２に記載の健診情報処理装置。
【請求項４】
前記携帯記録媒体には、過去の健診結果および当該過去の健診時に妊娠していた旨の情報が記録され、
前記表示制御手段は、さらに、過去の健診結果を表示することを特徴とし、当該過去の健診時に妊娠していた旨の情報が記録されている場合は、当該過去の健診結果について、妊娠時における健診結果であることを認識可能に表示することを特徴とする請求項３に記載の健診情報処理装置。
【請求項５】
前記判定手段により受診不可と判定された場合、受診できない旨を通知する通知手段をさらに備えることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の健診情報処理装置。
【請求項６】
受診者の受診予定が記録される携帯記録媒体と通信可能な健診情報処理装置を複数備えた健診情報処理システムであって、
第１の健診情報処理装置は、
前記携帯記録媒体から受診予定を取得する取得手段と、
前記取得手段により取得した受診予定が予定ありである健診項目について、受診しない理由の入力を受け付ける理由受付手段と、
前記理由受付手段により受け付けた受診しない理由を前記携帯記録媒体に記録する記録手段と、
を備え、
第２の健診情報処理装置は、
前記第１の健診情報処理装置の記録手段により前記携帯記録媒体に記録された前記受診しない理由を取得する理由取得手段と、
前記理由取得手段により取得した前記受診しない理由に基づき、前記第２の情報処理装置が用いられる健診項目の受診の可否を判定する判定手段と、
を備えることを特徴とする健診情報処理システム。
【請求項７】
受診者の受診予定が記録される携帯記録媒体と通信可能な健診情報処理装置における情報処理方法であって、
前記健診情報処理装置の取得手段が、前記携帯記録媒体から受診予定を取得する取得工程と、
前記健診情報処理装置の理由受付手段が、前記取得工程により取得した受診予定が予定ありである健診項目について、受診しない理由の入力を受け付ける理由受付工程と、
前記健診情報処理装置の記録手段が、前記理由受付工程により受け付けた受診しない理由を前記携帯記録媒体に記録する記録工程と、
を備え、
前記取得工程は、さらに、前記携帯記録媒体に記録された前記受診しない理由を取得することを特徴とし、
前記健診情報処理装置の判定手段が、前記取得工程により取得した前記受診しない理由に基づき、前記情報処理装置が用いられる健診項目の受診の可否を判定する判定工程をさらに備えることを特徴とする健診情報処理方法。
【請求項８】
受診者の受診予定が記録される携帯記録媒体と通信可能な健診情報処理装置において実行可能なプログラムであって、
前記健診情報処理装置を、
前記携帯記録媒体から受診予定を取得する取得手段と、
前記取得手段により取得した受診予定が予定ありである健診項目について、受診しない理由の入力を受け付ける理由受付手段と、
前記理由受付手段により受け付けた受診しない理由を前記携帯記録媒体に記録する記録手段として機能させ、
を備え、
前記取得手段を、さらに、前記携帯記録媒体に記録された前記受診しない理由を取得する手段として機能させ、
前記健診情報処理装置を、前記取得手段により取得した前記受診しない理由に基づき、前記情報処理装置が用いられる健診項目の受診の可否を判定する判定手段として機能させることを特徴とするプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月26日(2015.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
交流電源の交流電圧を直流電圧に整流する整流手段と、
直流電圧を平滑する平滑手段と、
前記整流手段と前記平滑手段の間に接続され、昇圧リアクタ、スイッチング手段及び逆流防止ダイオードからなる１つ以上の昇圧手段と、
前記交流電源と前記整流手段の間の一方の交流電源線を開閉する短絡手段と、
前記交流電源と短絡手段の間に一端が接続されたリアクタと、
前記リアクタの他端にアノードが接続され、前記平滑手段の正極側端子にカソードが接続された第１の整流ダイオードと、
前記交流電源と前記整流手段の間の他方の交流電源線上にアノードが接続され、前記平滑手段の正極側端子にカソードが接続された第２の整流ダイオードと、
前記第１の整流ダイオードのアノードにカソードが、前記平滑手段の負極側端子にアノードが接続された第３の整流ダイオードと、
前記第１の整流ダイオードのアノードと前記第２の整流ダイオードのアノードの間に接続された双方向スイッチング手段と、
前記短絡手段、前記双方向スイッチング手段及び前記スイッチング手段を動作させる制御手段と、
を備えたことを特徴とする直流電源装置。
【請求項２】
交流電源から前記整流手段へ流れる電流を検出する電源電流検出手段と、
前記交流電源の電圧を検出する電源電圧検出手段とを備え、
前記制御手段は、
前記電源電流検出手段が検出した電流および前記電源電圧検出手段が検出した電圧から電源電力を求め、
電源電力が所定の電力値未満の場合、前記短絡手段を開放し、前記双方向スイッチング手段及び前記スイッチング手段のスイッチング動作を停止し、
電源電力が前記所定の電力値以上の場合、前記短絡手段を短絡し、前記双方向スイッチング手段のスイッチング動作を停止し、前記スイッチング手段のスイッチング動作を行う、
ことを特徴とする請求項１に記載の直流電源装置。
【請求項３】
交流電源から前記整流手段へ流れる電流を検出する電源電流検出手段と、
前記交流電源の電圧を検出する電源電圧検出手段とを備え、
前記制御手段は、
前記電源電流検出手段が検出した電流および前記電源電圧検出手段が検出した電圧から電源電力を求め、
電源電力が第１の所定の電力値未満の場合、前記短絡手段を開放し、前記双方向スイッチング手段及び前記スイッチング手段のスイッチング動作を停止し、
電源電力が第２の所定の電力値（但し、第２の所定の電力値は第１の所定の電力値より大きい）以上の場合、前記短絡手段を短絡し、前記双方向スイッチング手段のスイッチング動作を停止し、前記スイッチング手段のスイッチング動作を行い、
電源電力が第１の所定の電力値以上かつ第２の所定の電力値未満の場合は、前記短絡手段、前記双方向スイッチング手段、前記スイッチング手段の動作状態を変更しないことを特徴とする請求項１に記載の直流電源装置。
【請求項４】
前記制御手段は、
前記短絡手段を短絡する際、前記双方向スイッチング手段をスイッチング動作させて、直流電圧を前記交流電源の電圧ピーク値よりも高い電圧に制御してから、前記短絡手段を短絡させることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の直流電源装置。
【請求項５】
前記制御手段は、
前記短絡手段を開放する際、前記スイッチング手段を停止させ、前記双方向スイッチング手段をスイッチング動作させて、直流電圧を前記交流電源の電圧ピーク値よりも高い電圧に制御してから、前記短絡手段を開放させることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の直流電源装置。
【請求項６】
前記制御手段は、
前記短絡手段を開放する際、直流電圧が前記交流電源の電圧ピーク値よりも低い電圧に低下する前に、前記短絡手段を開放させることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の直流電源装置。
【請求項７】
コモンモードノイズを低減するために前記交流電源と前記リアクタの間に接続された第１のノイズフィルタと、
ノーマルモードノイズを低減するために前記短絡手段と前記整流手段の間に接続された第２のノイズフィルタと、
を備えたことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の直流電源装置。
【請求項８】
前記第１の整流ダイオード、前記第２の整流ダイオード及び前記第３の整流ダイオードの電流容量は、いずれも前記整流手段の電流容量よりも小さいことを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の直流電源装置。
【請求項９】
前記リアクタのインダクタンス値は前記昇圧リアクタのインダクタンス値より大きく、前記リアクタの電流容量は前記昇圧リアクタの電流容量より小さく、前記昇圧リアクタの高周波鉄損は前記リアクタの高周波鉄損より小さいことを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の直流電源装置。
【請求項１０】
前記スイッチ手段は、ワイドバンドギャップ半導体素子によって形成されていることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の直流電源装置。
【請求項１１】
前記ワイドバンドギャップ半導体は、炭化珪素（ＳｉＣ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）系材料又はダイヤモンドであることを特徴とする請求項１０記載の直流電源装置。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか一つに記載の直流電源装置を備えることを特徴とするモータ駆動装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載のモータ駆動装置を備えることを特徴とする空気調和装置。
【請求項１４】
請求項１２に記載のモータ駆動装置を備えることを特徴とする冷蔵庫。
【請求項１５】
請求項１２に記載のモータ駆動装置を備えることを特徴とするヒートポンプ給湯装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の直流電源装置は、交流電源の交流電圧を直流電圧に整流する整流手段と、直流電圧を平滑する平滑手段と、前記整流手段と前記平滑手段の間に接続され、昇圧リアクタ、スイッチング手段及び逆流防止ダイオードからなる１つ以上の昇圧手段と、前記交流電源と前記整流手段の間の一方の交流電源線を開閉する短絡手段と、前記交流電源と短絡手段の間に一端が接続されたリアクタと、前記リアクタの他端にアノードが接続され、前記平滑手段の正極側端子にカソードが接続された第１の整流ダイオードと、前記交流電源と前記整流手段の間の他方の交流電源線上にアノードが接続され、前記平滑手段の正極側端子にカソードが接続された第２の整流ダイオードと、前記第１の整流ダイオードのアノードにカソードが、前記平滑手段の負極側端子にアノードが接続された第３の整流ダイオードと、前記第１の整流ダイオードのアノードと前記第２の整流ダイオードのアノードの間に接続された双方向スイッチング手段と、前記短絡手段、前記双方向スイッチング手段及び前記スイッチング手段を動作させる制御手段と、を備えたことを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月30日(2015.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基体と、前記透明基体の表面に直接形成された有機物および無機酸化物を含む有機無機複合膜とにより構成された透明物品であって、
前記透明基体がガラス板であり、前記有機無機複合膜が単層であり、
前記有機無機複合膜の膜厚が、１μｍを超え５μｍ以下であり、
前記有機無機複合膜が前記無機酸化物としてシリカを含み、
前記有機無機複合膜が前記シリカを主成分とし、
前記有機無機複合膜の表面に対して実施するＪＩＳ  Ｒ  ３２１２に規定されたテー
バー摩耗試験の後に、前記有機無機複合膜が前記透明基体から剥離せず、
前記テーバー摩耗試験の後に測定した、当該テーバー摩耗試験を適用した部分のヘイズ
率が４％以下であり、
前記有機物の少なくとも一部が紫外線吸収剤であり、
前記透明物品が、車両用の窓ガラスである、
透明物品。
【請求項２】
前記有機物が、前記紫外線吸収剤に加え、紫外線吸収能を有しない親水性有機ポリマーを含む、請求項１に記載の透明物品。
【請求項３】
前記有機無機複合膜が、インジウム錫酸化物微粒子およびアンチモン錫酸化物微粒子から選ばれる少なくとも１種を含む、請求項１または２に記載の透明物品。
【請求項４】
前記シリカが、シリコンアルコキシドを出発原料とするゾルゲル法により得られたものである、請求項１〜３のいずれか１項に記載の透明物品。
【請求項５】
可視光線透過率が７０％以上、紫外線透過率が１．１％以下、波長３７０ｎｍにおける
光の透過率が２．０％以下である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の透明物品。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月25日(2015.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
鋳造製品の各種製造データをデータベースに登録して管理する鋳造製品の製造データ管理方法であって、
砂型を製造する造型工程における前記砂型の製造データを取得する第１データ取得工程と、
鋳造用金属を溶解して溶湯を製造し、その溶湯を出湯する溶湯製造工程における前記溶湯の製造データを取得する第２データ取得工程と、
を備えており、
前記第１データ取得工程において取得した前記砂型の製造データを対応する前記各鋳造製品に関連付けて前記データベースに登録して管理し、
前記溶湯を前記砂型に注湯する注湯工程を実行した際、前記第２データ取得工程において取得した前記溶湯の製造データを対応する前記各鋳造製品に関連付けて前記データベースに登録して管理することを特徴とする鋳造製品の製造データ管理方法。
【請求項２】
鋳造製品の各種製造データをデータベースに登録して管理する鋳造製品の製造データ管理方法であって、
砂型を製造する造型工程における前記砂型の製造データを取得する第１データ取得工程と、
鋳造用金属を溶解して溶湯を製造し、その溶湯を出湯する溶湯製造工程における前記溶湯の製造データを取得する第２データ取得工程と、
前記砂型のキャビティ内に組み込まれる中子を製造する中子製造工程における前記中子の製造データを取得する第３データ取得工程と、
を備えており、
前記第１データ取得工程及び前記第２データ取得工程において取得した前記各製造データを対応する前記各鋳造製品に関連付けて前記データベースに登録して管理し、
前記造型工程における前記砂型のキャビティ内に中子を組み込む際、前記第３データ取得工程において取得した前記中子の製造データを対応する前記各鋳造製品に対して関連付けて前記データベースに登録して管理することを特徴とする鋳造製品の製造データ管理方法。
【請求項３】
前記砂型のキャビティ内に組み込まれる中子を製造する中子製造工程における前記中子の製造データを取得する第３データ取得工程を備えており、
前記造型工程における前記砂型のキャビティ内に中子を組み込む際、前記第３データ取得工程において取得した前記中子の製造データを対応する前記各鋳造製品に対して関連付けて前記データベースに登録して管理することを特徴とする請求項１記載の鋳造製品の製造データ管理方法。
【請求項４】
鋳造製品の各種製造データをデータベースに登録して管理する鋳造製品の製造データ管理方法であって、
砂型を製造する造型工程における前記砂型毎の製造データを取得する第１データ取得工程と、
鋳造用金属を溶解して溶湯を製造し、その溶湯を出湯する溶湯製造工程における出湯毎に前記溶湯の製造データを取得する第２データ取得工程と、
を備えており、
前記砂型毎に造型シリアル番号を付与し、この造型シリアル番号に前記第１データ取得工程において前記砂型毎に取得した前記砂型の製造データを結び付け、
前記溶湯の出湯毎に溶解シリアル番号を付与し、この溶解シリアル番号に前記第２データ取得工程において前記出湯毎に取得した前記溶湯の製造データを結び付け、
前記鋳造製品毎に製品シリアル番号を付与し、この製品シリアル番号と前記造型シリアル番号と前記溶解シリアル番号とを結び付けることによって、前記砂型の製造データ及び前記溶湯の製造データを対応する前記各鋳造製品に関連付けて前記データベースに登録して管理することを特徴とする鋳造製品の製造データ管理方法。
【請求項５】
前記砂型のキャビティ内に組み込まれる中子を製造する中子製造工程における前記中子毎の製造データを取得する第３データ取得工程を備えており、
前記中子毎に中子シリアル番号を付与し、この中子シリアル番号に第３データ取得工程において前記中子毎に取得した前記中子の製造データを結び付け、
前記鋳造製品毎に製品シリアル番号を付与し、この製品シリアル番号と前記中子シリアル番号とを結びつけることによって、前記中子の製造データを対応する前記各鋳造製品に関連付けて前記データベースに登録して管理することを特徴とする請求項４記載の鋳造製品の製造データ管理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本願第１発明の鋳造製品の製造データ管理方法は鋳造製品の各種製造データをデータベースに登録して管理する。この鋳造製品の製造データ管理方法は第１データ取得工程と第２データ取得工程とを備えている。第１データ取得工程は砂型を製造する造型工程における砂型の製造データを取得する。第２データ取得工程は、鋳造用金属を溶解して溶湯を製造し、その溶湯を出湯する溶湯製造工程における溶湯の製造データを取得する。この鋳造製品の製造データ管理方法は第１データ取得工程において取得した砂型の製造データを対応する各鋳造製品に関連付けてデータベースに登録して管理する。また、この鋳造製品の製造データ管理方法は、溶湯を砂型に注湯する注湯工程を実行した際、第２データ取得工程において取得した溶湯の製造データを対応する各鋳造製品に関連付けてデータベースに登録して管理する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
鋳造製品の製造工程において、砂型及び溶湯は中間物である。砂型及び溶湯の状態は鋳造製品の品質に大きな影響を与える。しかし、砂型は解枠時に崩されてしまう。このため、鋳造製品が完成した後に砂型を直接的に検証することができない。また、溶湯も鋳造製品が完成した後に直接的に検証することができない。そこで、この鋳造製品の製造データ管理方法は、第１データ取得工程において取得した造型工程における砂型の製造データ、及び第２データ取得工程において取得した溶湯製造工程における溶湯の製造データを対応する各鋳造製品に関連付けてデータベースに登録し、管理する。これによって、鋳造製品が完成した後であっても、データベースに登録した各種製造データから、その鋳造製品を製造した際の砂型及び溶湯の検証を行うことができる。なお、本願第１発明等において、「関連付け」とは、データベースにアクセスすることによって、鋳造製品から各種製造データを特定することができる状態、かつ、各種製造データから鋳造製品を特定することができる状態にすることをいう。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
したがって、本願第１発明の鋳造製品の製造データ管理方法は、鋳造製品の品質に影響を与え、鋳造製品が完成した後に検証し難い製造工程における中間物を検証することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月4日(2015.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）スフェロイド形成可能な培養基材上で細胞を培養する工程と、（ｂ）前記細胞と被験物質とを接触させる工程と、（ｃ）スフェロイド形態の変化を観測し、当該観測した変化を指標として、被験物質が前記細胞の上皮性維持に及ぼす効果を評価する工程と、を含む細胞の上皮性維持に作用する物質のスクリーニング方法。
【請求項２】
前記工程（ｃ）は、前記観測した変化を指標として、上皮マーカーであるＥ−ｃａｄｈｅｒｉｎ発現量の増加及び上皮−間葉転換に対する被験物質の抑制・阻害作用効果を評価することを特徴とする請求項１に記載のスクリーニング方法。
【請求項３】
前記工程（ｃ）は、前記観測した変化を指標として、間葉系マーカーであるＮ−ｃａｄｈｅｒｉｎ、Ｖｉｍｅｎｔｉｎ、又はＺＥＢ１の少なくとも何れか１以上の発現量の低下及び間葉−上皮転換に対する被験物質の促進・誘導作用効果を評価することを特徴とする請求項１に記載のスクリーニング方法。
【請求項４】
前記スフェロイド形態の変化は、被験サンプル群においてネガティブコントロール群と比して、スフェロイドのサイズが大きくなること、所定のサイズ以上のスフェロイドの数が増加すること、又は、スフェロイドの円形度がより１に近付くこと、の少なくとも何れか１以上の変化であることを特徴とする請求項１乃至３いずれかに記載のスクリーニング方法。
【請求項５】
前記工程（ｃ）は、スフェロイド内の低酸素領域を検出可能な試薬を用いて評価することを特徴とする請求項１乃至４いずれかに記載のスクリーニング方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月21日(2015.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
細胞接着分子の秩序化層で少なくとも部分的にコーティングされている三次元表面を提供するステップと、
細胞を含まない緩衝液の流れと同時に、流れのないよどみ線を作り出すような条件で、前記表面を横切って細胞集団を含む細胞の流れを流すステップと
を含む方法であって、
前記流れの方向は、前記よどみ線とゼロではない角度αｓを形成し、前記細胞集団中の少なくとも１つの細胞は、前記細胞接着分子によって認識される表面部分を含み、前記細胞集団中の前記少なくとも１つの細胞は、前記流れの方向に対してαｓである方向に、前記よどみ線に沿って少なくとも一部の時間回転する、方法。
【請求項２】
前記表面は複数の細片を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記表面は少なくとも５個の細片を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記表面は少なくとも７個の細片を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記表面は少なくとも１３個の表面を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項６】
前記表面は複数のコーティングされた範囲を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記複数のコーティングされた範囲は、前記流れの方向に対して異なる角度を形成する異なる種類の縁部を提供する、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記複数のコーティングされた範囲が、正方形、矩形、三角形、多角形、楕円、円、弧、波、およびこれらの組合せからなる群より選択される形状を画定する、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記異なる種類の縁部の少なくとも１つが実質的に直線である、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記異なる種類の縁部の少なくとも１つが曲線状部分を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
前記異なる種類の縁部の少なくとも１つが、直線部分および曲線状部分の両方を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１２】
αｓが約５度よりも大きい、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
αｓが約３０度未満である、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記表面上を流される細胞上の剪断応力が、約０．２ｄｙｎ／ｃｍ２〜約５ｄｙｎ／ｃｍ２の間の範囲である、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
細胞接着分子の秩序化層で少なくとも部分的にコーティングされている表面を提供するステップであって、前記表面は、前記秩序化層でコーティングされた範囲と、前記秩序化層でコーティングされていない別の範囲との間に少なくとも１つの縁部を含む、ステップと、
細胞を含まない緩衝液の流れと同時に、前記少なくとも１つの縁部とゼロではない角度αｓを形成する方向に、前記表面を横切って細胞集団を含む細胞の流れを流すステップであって、前記細胞集団中の少なくとも１つの細胞は、前記細胞接着分子によって認識される表面部分を含み、前記少なくとも１つの細胞は、前記少なくとも１つの縁部の少なくとも一部に沿って回転する結果として、流れの前記方向に対してαｓである方向に、ある時間回転する、ステップと
を含む方法。
【請求項１６】
前記細胞集団の残りから前記少なくとも１つの細胞を分離するステップをさらに含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記縁部が、約５μｍ未満の距離にわたる、細胞接着分子の密度の約１０％から約９０％への変化に対応する鋭さによって特徴付けられ、ここで、細胞接着分子の密度のパーセンテージが、前記縁部に隣接する前記コーティングされた範囲内の細胞接着分子の最大密度と比較して測定される、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記表面が複数の縁部を含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
前記表面が、複数のコーティングされた範囲を含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項２０】
前記コーティングされた範囲のそれぞれが、２つの縁部を有する細片を画定する、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
それぞれの細片の前記２つの縁部が、実質的に平行である、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記細片が互いに実質的に平行である、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記細胞集団が、共通の特性を有する細胞の少なくとも１つの部分集団を含み、前記流すステップにおいて、前記部分集団中の少なくとも１つの細胞が、前記少なくとも１つの縁部の少なくとも一部に沿って回転する結果として、前記流れの方向に対してαｓである方向に、ある時間回転する、請求項１５に記載の方法。
【請求項２４】
前記部分集団からの実質的にすべての細胞が、前記縁部の少なくとも一部に沿って回転する結果として、前記流れの方向に対してαｓである方向に、ある時間回転する、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記部分集団中の細胞すべてが、前記細胞接着分子によって認識される表面部分を含む、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記表面部分が、Ｐ−セレクチンのリガンド、Ｅ−セレクチンのリガンド、Ｌ−セレクチンのリガンド、およびこれらの組合せからなる群より選択される、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
前記部分集団中の細胞がすべて幹細胞である、請求項２５に記載の方法。
【請求項２８】
前記部分集団中の細胞がすべて癌細胞である、請求項２５に記載の方法。
【請求項２９】
前記部分集団中の細胞がすべて前駆細胞である、請求項２５に記載の方法。
【請求項３０】
前記部分集団中の細胞がすべて、赤血球、好中球、リンパ球、単球、白血球、およびこれらの組合せからなる群より選択される細胞型である、請求項２５に記載の方法。
【請求項３１】
前記細胞接着分子が、セレクチン、インテグリン、カドヘリン、免疫グロブリン細胞接着分子、およびこれらの組合せからなる群より選択される、請求項１５に記載の方法。
【請求項３２】
前記細胞接着分子が、１つまたは複数の細胞外基質細胞接着分子を含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項３３】
前記細胞接着分子の秩序化層が抗体をさらに含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項３４】
前記細胞接着分子の秩序化層が、１つまたは複数の細胞修飾リガンドをさらに含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項３５】
前記細胞の部分集団を収集するステップをさらに含む、請求項２３に記載の方法。