(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を多段に収納するカセットに対して基板を搬入・搬出するインデクサユニットと、前記インデクサユニットに連ねて設けられ、露光後の基板を現像する現像処理部を少なくとも備えたプロセスユニットと、前記プロセスユニットに連ねて設けられ、前記プロセスユニットと露光装置との間の基板の受け渡しを仲介するインターフェイスユニットとを備えた基板処理装置において、
前記インターフェイスユニットに、露光された基板を加熱処理する加熱手段と、前記加熱手段で加熱された基板を冷却する冷却手段と、基板の周縁部を露光するエッジ露光手段とを配備したことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
基板を多段に収納するカセットに対して基板を搬入・搬出するインデクサユニットと、前記インデクサユニットに連ねて設けられ、基板にフォトレジストを塗布する塗布処理部および露光後の基板を現像する現像処理部を少なくとも備えたプロセスユニットと、前記プロセスユニットに連ねて設けられ、前記プロセスユニットと露光装置との間の基板の受け渡しを仲介するインターフェイスユニットとを備えた基板処理装置において、
前記インターフェイスユニットに、露光された基板を加熱処理する加熱手段と、前記加熱手段で加熱された基板を冷却する冷却手段と、基板の周縁部を露光するエッジ露光手段とを配備し、
前記インデクサユニットに、フォトレジストと基板との密着性を向上させるための密着強化剤で基板を処理するアドヒージョン処理手段を配備したことを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、露光処理された基板を加熱処理してレジストの反応を促進し、その後に基板を現像処理する基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
最近の半導体ウエハの製造においては、高集積回路化にともないますます回路パターンを微細化する技術が要求されてきている。そのため、従来のレジストを用いた半導体ウエハ製造方法とは異なり、化学増幅型レジストと呼ばれるレジストを用いた半導体ウエハ製造方法が行われている。これは、化学増幅型レジストが塗布された基板を露光し、その後、基板を加熱することにより、レジストの化学反応を促進するものである。すなわち、化学増幅型レジストに光を照射すると、触媒作用を持つ物質が生成されてレジスト膜中に３次元分布する。つまりレジスト膜中にパターンが潜伏した状態ができあがる。そして、露光後に基板を加熱することにより、前記触媒によって現像液に対する溶解速度変化を引き起こす化学反応が活性化される。その基板を現像することによりレジスト膜上にパターンが浮かび上がる。
【０００３】
上記の化学増幅型レジストを用いた半導体ウエハ製造装置として、図５に示すような装置が知られている。
この装置は、基板を多段に収納した複数個のカセットＣが載置され、各カセットＣに対して基板を搬入・搬入するインデクサユニット（ＩＤ）１００と、基板に所定の処理を施すプロセスユニット１０１と、本装置に連設される露光装置２００との間で基板の受け渡し行うインターフェイスユニット（ＩＦ）１０２とから構成されている。
【０００４】
インデクサユニット１００でカセットＣから取り出された基板は、プロセスユニット１０１の搬送路ＴＲを往復動する基板搬送機構（図示せず）に受け渡されて、最初にアドヒージョン処理部である第１加熱部ＨＰ１  に搬入される。第１加熱部ＨＰ１  では、ＨＭＤＳ（Ｈｅｘａ  Ｍｅｔｈｌ  Ｄｉ  Ｓｉｌａｚａｎ  ）の蒸気中に基板が置かれ、基板とフォトレジストとの密着性をあげるための処理が施される。第１加熱部ＨＰ１  から取り出された基板は、その下段の第１冷却部ＣＰ１  に搬入されて冷却される。第１冷却部ＣＰ１  から取り出された基板はスピンコータＳＣに搬入されてフォトレジストが塗布される。フォトレジスト膜が形成された基板Ｗは第２加熱部ＨＰ２  および第２冷却部ＣＰ２  で順次に加熱・冷却処理された後、インターフェイスユニット１０２を介して露光装置２００に送られる。
【０００５】
露光装置２００で回路パターンを露光された基板Ｗはインターフェイス１０２を介して、プロセスユニット１０１内の第３加熱部ＨＰ3 に搬入されて加熱処理される。この加熱処理より、上記したように、現像液に対する溶解速度変化を引き起こす化学反応がレジスト膜内で活性化される。そして、第３加熱部ＨＰ3 の下方に配備された第３冷却部ＣＰ3 で基板が冷却されて化学反応が停止される。その後、基板はスピンデベロッパＳＤに搬入されて現像処理されることにより、基板表面にパターンが浮かび上がる。以上の処理を受けた基板はインデクサユニット１００に送られてカセットＣ内に収納される。
【０００６】
ところで、この種の化学増幅型レジストは、パターンニングの精度を維持するために、露光後の加熱処理時間を精度よくコントロールされる必要性がある。しかしながら、上述した従来の装置は、以下のような理由で、上記の時間を精度よくコントロールすることができないという問題点がある。
【０００７】
すなわち、露光後の基板を熱処理する第３加熱部ＨＰ３  と第３冷却部ＣＰ３  とをプロセスユニット１０１側に設けているので、プロセスユニット１０１側の装置が故障すると、露光された基板がインターフェイスユニット１０２上に長時間放置される。露光されたレジスト膜の化学反応は室温中でも若干進むので、基板がインターフェイスユニット１０２に長く放置されると、前記化学反応時間がトータル的に長くなる。また、正常な場合でも、プロセスユニット１０１での各処理時間は必ずしも同じではないので、プロセスユニット１０１での基板の順送り時間（タクトタイム）は一番長い処理時間に合わせられることになる。その結果、第３加熱部ＨＰ３  で加熱処理された基板が第３冷却部ＣＰ３  で冷却されるまでの時間が幾分長くなり、その分だけレジスト膜の化学反応の停止処理が遅れ、結果として前記化学反応時間が長くなる。
【０００８】
上記の問題点を解決するために、本出願人によって次のような基板処理装置が提案されている（特開平８−１７７２４号公報）。以下、図６を参照して説明する。
この基板処理装置は、露光後の基板を熱処理する第３加熱部ＨＰ３  と第３冷却部ＣＰ３  とをインターフェイスユニット１０２に配備したことを特徴としている。この装置によれば、露光装置２００から受け取った露光済の基板をインターフェイスユニット１０２内で加熱・冷却処理することができるので、プロセスユニット１０１の故障などによって露光済の基板が長時間室温に曝されることがなく、化学増幅型レジストの化学反応時間を精度よくコントロールすることができる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
図６に示した従来装置は、上記のような利点を有するものの、さらに検討を進めた結果、次のような改善すべき点が明らかになった。
【００１０】
一般に半導体製造行程などでは、基板の周縁部に残存したレジスト膜が剥離して飛散し、パーティクルの原因になるのを防止するために、基板の周縁部を露光し（以下、「エッジ露光」という」）、回路パターンの現像処理過程で、基板の周縁部のレジスト膜を不要な回路パターンと一緒に除去する行程が置かれている。図７に示すように、エッジ露光部１０３は基板処理装置におけるプロセスユニット１０１内に設置されでいる。このような基板処理装置において、露光装置２００で回路パターンが露光された基板はインターフェイスユニット１０２を介して、プロセスユニット１０１のエッジ露光部１０３に送られる。ここでエッジ露光された基板が、再びインターフェイスユニット１０２に送られて、第３加熱部ＨＰ３ および第３冷却部ＣＰ３ で加熱・冷却処理される。
【００１１】
このように図７に示した基板処理装置では、回路パターンが露光された基板がプロセスユニット１０１を介してインターフェイスユニット１０２に送られるので、図５に示した従来装置と同様に、プロセスユニット１０１の状況によって、回路パターンが露光された基板がインターフェイスユニット１０２で長時間曝されるおそれがある。
【００１２】
また、化学増幅型レジストは、露光後の化学反応の促進・停止（加熱・冷却）処理が行われるまでに、アルカリ性雰囲気に曝されると、化学反応が阻害されてパターンニングの品質が低下することが知られている。そのため化学増幅型レジストを扱う基板処理装置では、ケミカルフィルタを装備して大気中のアルカリ性雰囲気を除去している。このケミカルフィルタは高価であるので、装置コストの低減の面から、その配置領域は出来るだけ小さい方が好ましいが、図７に示した基板処理装置では、インターフェイスユニット１０２の他に、エッジ露光部１０３や基板の搬送路ＴＲにもケミカルフィルタを設置する必要があるので、それだけ装置コストが嵩むという難点もある。
【００１３】
さらに、アドヒージョン処理を行う第１加熱部ＨＰ１  は、密着強化剤としてＨＭＤＳを使う関係で、アルカリ性ガス（アンモニアガス）の発生源になる。上述した図５〜図７の各従来装置では、第１加熱部ＨＰ１  がインターフェイスユニット１０２に並設されるプロセスユニット１０１内に設けられているので、上記のようなケミカルフィルタを装備したとしても、化学増幅型レジストの化学反応が完結していない基板がアルカリ性雰囲気の影響を受けるおそれがある。
【００１４】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、エッジ露光部を備えた基板処理装置において、露光後の基板の加熱処理時間（化学増幅型レジストの反応時間）を精度よくコントロールすることを目的とする。
【００１５】
また、本発明の他の目的は、アドヒージョン処理部で発生するガスが、レジスト膜のパターン形成に悪影響を及ぼさないようにした基板処理装置を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項１に記載の発明は、基板を多段に収納するカセットに対して基板を搬入・搬出するインデクサユニットと、前記インデクサユニットに連ねて設けられ、露光後の基板を現像する現像処理部を少なくとも備えたプロセスユニットと、前記プロセスユニットに連ねて設けられ、前記プロセスユニットと露光装置との間の基板の受け渡しを仲介するインターフェイスユニットとを備えた基板処理装置において、前記インターフェイスユニットに、露光された基板を加熱処理する加熱手段と、前記加熱手段で加熱された基板を冷却する冷却手段と、基板の周縁部を露光するエッジ露光手段とを配備したことを特徴とする。
【００１８】
請求項２に記載の発明は、基板を多段に収納するカセットに対して基板を搬入・搬出するインデクサユニットと、前記インデクサユニットに連ねて設けられ、基板にフォトレジストを塗布する塗布処理部および露光後の基板を現像する現像処理部を少なくとも備えたプロセスユニットと、前記プロセスユニットに連ねて設けられ、前記プロセスユニットと露光装置との間の基板の受け渡しを仲介するインターフェイスユニットとを備えた基板処理装置において、前記インターフェイスユニットに、露光された基板を加熱処理する加熱手段と、前記加熱手段で加熱された基板を冷却する冷却手段と、基板の周縁部を露光するエッジ露光手段とを配備し、前記インデクサユニットに、フォトレジストと基板との密着性を向上させるための密着強化剤で基板を処理するアドヒージョン処理手段を配備したことを特徴とする。
【００１９】
【作用】
請求項１に記載の発明の作用は次のとおりである。
本発明に係る基板処理装置に連ねて設けられる露光装置で露光された基板を、本装置のインターフェイスユニットが受け取ると、このインターフェイスユニット内で、次のように処理が進められる。まず、エッジ露光手段がその基板の周縁を露光する。続いて、周縁露光された基板を加熱手段が加熱処理することにより、露光されたレジスト領域の化学反応を促進させる。加熱処理後、その基板を冷却手段に移して冷却することにより、前記化学反応を停止させる。
基板の冷却処理が終わると、その基板はインターフェイスユニットからプロセスユニットに送られ、ここで現像処理される。現像処理された基板はプロセスユニットからインデクサユニットに送られて、カセットに収納される。
【００２１】
請求項２に記載の発明の作用は次のとおりである。
インデクサユニットにおいて、処理対象となる基板がカセットから取り出されると、インデクサユニットに配備されたアドヒージョン処理手段が密着強化剤で基板を処理する。処理された基板はインデクサユニットからプロセスユニットに移され、ここでフォトレジストが塗布される。フォトレジストが塗布された基板はインターフェイスユニットを介して、本装置に連ねて設けられる露光装置に送られて回路パターンが露光される。
露光された基板を、本装置のインターフェイスユニットが受け取ると、このインターフェイスユニット内で、次のように処理が進められる。まず、エッジ露光手段がその基板の周縁を露光する。続いて、周縁露光された基板を加熱手段が加熱処理することにより、露光されたレジスト領域の化学反応を促進させる。加熱処理後、その基板を冷却手段に移して冷却することにより、前記化学反応を停止させる。
基板の冷却処理が終わると、その基板はインターフェイスユニットからプロセスユニットに送られ、ここで現像処理される。現像処理された基板はプロセスユニットからインデクサユニットに送られて、カセットに収納される。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。
図１は本発明に係る基板処理装置の一実施例の平面図、図２はインターフェイスユニットを示す斜視図であり、図３はインターフェイスユニットの下段を示す平面図である。
【００２３】
本実施例に係る基板処理装置は、大別すると、半導体ウエハなどの基板Ｗを多段に収納する複数個のカセットＣに対して基板Ｗの搬入・搬出を行うインデクサユニット１０と、このインデクサユニット１０に連ねて設けられ、基板Ｗに対して後述する所要の処理を施すプロセスユニット２０と、このプロセスユニット２０と本装置外の露光装置２００との間に介在し、プロセスユニット２０と露光装置２００との間の基板Ｗの受け渡しを仲介するインターフェイスユニット３０とを備え、装置全体はエアーフィルタ等を備えたクリーンベンチに覆われて構成されている。以下、各部の構成を説明する。
【００２４】
まず、インデクサユニット１０の構成を説明する。複数個のカセットＣを一列状態に並べて載置するカセット載置台１１があり、このカセット載置台１１の隣にアドヒージョン処理部１２が配置されている。図４に示すように、アドヒージョン処理部１２は、上段に配置された第１加熱部ＨＰ１  と、下段に配置された第１冷却部ＣＰ１  とで構成されている。第１加熱部ＨＰ１  の内室には加熱プレート１２ａと、この加熱プレート１２ａを貫いて昇降する支持ピン１３ａとが設けられている。また、第１加熱部ＨＰ１  の内室には、密着強化剤としてのＨＭＤＳ（Ｈｅｘａ  Ｍｅｔｈｌ  Ｄｉ  Ｓｉｌａｚａｎ  ）の蒸気が導入され、この雰囲気中にフォトレジスト塗布前の基板Ｗが置かれることにより、フォトレジストと基板Ｗとの密着性の向上を図るための処理（アドヒージョン処理）が行われる。第１冷却部ＣＰ１  の内室には冷却プレート１２ｂと、この冷却プレート１２ｂを貫いて昇降する支持ピン１３ｂとが設けられている。
【００２５】
カセット載置台１１とアドヒージョン処理部１２に沿って搬送路Ｙ１  が設けられ、この搬送路Ｙ１  上を第１ロボット１４が往復動するように構成されている。この第１ロボット１４は、各カセットＣへの基板Ｗの搬入・搬出と、アドヒージョン処理部１２への基板Ｗの搬入・搬出とを行う。第１ロボット１４は、処理済の基板Ｗの受け取りと、未処理の基板Ｗの受け渡しを連続して行うために、基板Ｗを支持する上下２段構成の支持アーム１４ａ、１４ｂを備えている。各支持アーム１４ａ、１４ｂは一体に昇降し、かつ長手方向にそれぞれ独立して前後動するように構成されている。また、搬送経路Ｙ１  の中程に、プロセスユニット２０との間で基板Ｗの受け渡しをするための基板受け渡し位置Ｐ１  が設定されている。
【００２６】
プロセスユニット２０は、その中央部にインデクサユニット１０の搬送経路Ｙ１  に直交する搬送経路Ｘが配備されている。この搬送経路Ｘに沿って第２ロボット２１が移動自在に設けられている。第２ロボット２１は、基板受け渡し位置Ｐ１  とプロセスユニット２０の各処理部との間、およびプロセスユニット２０の各処理部とインターフェイスユニット３０の基板受け渡し部Ｐ２  との間で、それぞれ基板Ｗを搬送する。第２ロボット２１は、処理済の基板Ｗの受け取りと、未処理の基板Ｗの受け渡しを連続して行うために、基板Ｗを支持する上下２段構成の支持アーム２１ａ、２１ｂを備えている。各支持アーム２１ａ、２１ｂは一体に昇降および旋回可能で、かつ長手方向にそれぞれ独立して前後動するように構成されている。
【００２７】
搬送経路Ｘの側方（図１の上方）に、基板Ｗを加熱する第２加熱部ＨＰ２  と、第２加熱部ＨＰ２  で加熱された基板Ｗを冷却する第２冷却部ＣＰ２  とが、上下に２段に積み重ねられて配置されている。その隣に、同様に上下２段構成の第３加熱部ＨＰ３  と第３冷却部ＣＰ３  とが配置されている。搬送経路Ｘを挟んでその向側に、基板Ｗの表面にレジスト液を滴下した後、基板Ｗを回転して均一な膜厚のレジスト膜を形成するスピンコータＳＣが、その隣に、露光装置２００や後述するエッジ露光部５０で露光された基板Ｗを回転させながら現像するスピンデベロッパＳＤが、それぞれ設けられている。
【００２８】
インターフェイスユニット３０は、図２に示すように、上下方向に２段に構成されている。搬送経路Ｘの延長上に位置する上段に、プロセスユニット２０との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板受け渡し部Ｐ２  と、後述する第３ロボット３３と第４ロボット３４との基板受け渡し場所となる基板受け渡し部Ｐ３  とが上下に配置されている。基板受け渡し部Ｐ２  には、上段側の底板３１の上面から突出された複数個の支持ピン３２がある。この支持ピン３２の上端に第２ロボット２１により搬送されてきた基板Ｗを受け渡し、あるいは、支持ピン３２の上端に支持された基板Ｗを第２ロボット２１が受け取ってプロセスユニット２０に搬送する。基板受け渡し部Ｐ３  には、基板受け渡し部Ｐ２  の上方の位置において、上段側の底板３１に立設された支持板６０の上面から突出された複数個の支持ピン６１がある。この支持ピン６１の上端に対して第３ロボット３３及び第４ロボット３４が基板Ｗを受け渡すことにより、第３ロボット３３と第４ロボット３４間で基板Ｗの受け渡しが行われる。
【００２９】
基板受け渡し部Ｐ２  、Ｐ３  を挟んで搬送経路Ｘと対向する位置に、基板受け渡し部Ｐ３  と、後述する熱処理部４０、エッジ露光部５０、およびバッファ用カセットＢＦＣとの間で基板Ｗを受け渡しする第３ロボット３３が設けられている。第３ロボット３３は、基板Ｗを支持する上下２段構成の支持アーム３３ａ、３３ｂを備えている。支持アーム３３ａ、３３ｂは一体に昇降およひ旋回動可能で、それぞれが独立して前後動するように構成されている。第３ロボット３３の側方（図１では上側）に露光処理された基板Ｗを熱処理（加熱／冷却）する熱処理部４０が設けられている。熱処理部４０は上段の第４加熱部ＨＰ４  と下段の第４冷却部ＣＰ４  とで構成されている。熱処理部４０の上にエッジ露光部５０が配置されている。エッジ露光部５０は、基板Ｗを保持して回転させるスピンチャック５１および回転半径方向に移動可能な光源５２などを備えて構成されている。第３ロボット３３を挟んで熱処理部４０と対向する位置に、熱処理部４０で熱処理された基板Ｗを待機させておくためのバッファ用のカセットＢＦＣが設けられている。
【００３０】
インターフェイスユニット３０の下段には、搬送経路Ｘと直交する方向に搬送経路Ｙ２  が配備されている。この搬送経路Ｙ２  に沿って第４ロボット３４が移動自在に設けられている。第４ロボット３４は、基板受け渡し部Ｐ２  と後述する各テーブル３５，３６との間、及び基板受け渡し部Ｐ３  と基板受け渡し部Ｐ２  間で基板Ｗを搬送する。第４ロボット３４は、その上端に基板Ｗを支持する支持アーム３４ａを備え、この支持アーム３４ａは、インターフェイスユニット３０の下段から上段にわたって昇降するとともにその長手方向に前後動し、かつ旋回自在に構成されている。
【００３１】
また、インターフェイスユニット３０の下段には、図２、図３に示すように、搬送経路Ｙ２  を挟んでスピンデベロッパＳＤと対向する位置に、露光装置２００に基板Ｗを受け渡すための露光送り用テーブル３５と、露光装置２００で露光処理された基板Ｗを受け取るための露光戻り用テーブル３６とがそれぞれ設けられている。各テーブル３５，３６それぞれには、その上面から突出された複数個の支持ピン３７があり、この支持ピン３７の上端に基板Ｗが支持される。また、各テーブル３５，３６には、基板センタリング機構３８が備えられている。基板センタリング機構３８は、支持ピン３７を挟んで対向配備され、それぞれ接近・離間移動可能な一対のガイド板３８ａで構成されている。各ガイド板３８ａの対向する端縁は基板Ｗに合わせて円弧状に形成されており、各ガイド板３８ａが接近した時に、各ガイド板３８ａが基板Ｗの外周縁に当接して、基板Ｗを各テーブル３５，３６の中心上に心合わせ位置決めするようになっている。
【００３２】
図３に示すように、露光装置２００には、プロセスユニット２０でレジスト膜が形成された基板Ｗを露光処理する露光処理部２０１と、露光処理部２０１と上記した各テーブル３５，３６との間で基板Ｗを搬送する第５ロボット２０２とが備えられている。
【００３３】
次に、上述した構成を備えた基板処理装置の動作を説明する。
（１）  まず、インデクサユニット１０内において、所定のカセットＣから処理対象となる基板を取り出すために、第１ロボット１４が所定のカセットＣの前に移動する。続いて、支持アーム１４ａ、１４ｂが処理対象の基板に対向する高さにまで上昇した後、一方の支持アーム１４ａ（または１４ｂ）が基板下側に進入する。この支持アーム１４ａが少し上昇して基板Ｗを受け取り、後退する。
【００３４】
（２）  基板ＷをカセットＣから取り出した後、第１ロボット１４は搬送経路Ｙ１  に沿って、アドヒージョン処理部１２へ移動する。続いて、支持アーム１４ａが前進して基板Ｗをアドヒージョン処理部１２の第１加熱部ＨＰ１  に受け渡す。具体的には、支持アーム１４ａが第１加熱部ＨＰ１  の処理室内に進入して、上昇位置にある支持ピン１３ａの上に基板Ｗを受け渡し、支持アーム１４ａが後退した後、支持ピン１３ａが下降することにより、基板Ｗが加熱プレート１２ａに置かれる。この基板Ｗは第１加熱部ＨＰ１  でＨＭＤＳの蒸気に曝されることにより、フォトレジストとの密着性が向上させられる。
【００３５】
なお、処理対象の基板を第１加熱部ＨＰ１  にセットする際に、既に第１加熱部ＨＰ１  内に処理済の基板がある場合には、もう一方の支持アーム１４ｂで処理済の基板Ｗを取り出し、続いて支持アーム１４ａを前進させて処理対象の基板Ｗを第１加熱部ＨＰ１  に送り込む。このような基板Ｗの取り出し、送り込み動作は、上下２段の支持アームを備えた第２ロボット２１および第３ロボット３３の場合も同様であるので、以下では繰り返しの説明は省略する。
【００３６】
アドヒージョン処理された基板Ｗを第１加熱部ＨＰ１  から取り出した第１ロボット１４は、この基板Ｗを下段の第１冷却部ＣＰ１  に送り込む。第１加熱部ＨＰ１  の処理で高温になった基板Ｗは、第１冷却部ＣＰ１  で冷却される。冷却処理された基板Ｗを第１ロボット１４が取り出し、この基板Ｗを基板受け渡し位置Ｐ１  に搬送する。
【００３７】
（３）  基板受け渡し位置Ｐ１  で、第１ロボット１４から第２ロボット２１へ基板Ｗを受け渡す。第２ロボット２１はこの基板ＷをスピンコータＳＣに搬入する。ここで、基板Ｗの表面にレジスト液が滴下された後回転され、基板Ｗの表面に均一なレジスト膜が形成される。
【００３８】
（４）  つぎに、第２ロボット２１がスピンコータＳＣから基板Ｗを取り出し、第２加熱部ＨＰ２  に搬入する。ここで、レジスト膜が形成された基板Ｗが乾燥される。乾燥後、第２ロボット２１が第２加熱部ＨＰ２  から基板Ｗを取り出し、この基板Ｗを第２冷却部ＣＰ２  に搬入する。ここで、高温になった基板Ｗが冷却される。冷却後、第２冷却部ＣＰ２  から基板Ｗを取り出した第２ロボット２１は、この基板Ｗをインターフェイスユニット３０の基板受け渡し部Ｐ２  に搬送する。これで、プロセスユニット２０での処理が一旦終わり、基板Ｗはインターフェイスユニット３０を介して露光装置２００に搬送される。
【００３９】
次に、インターフェイスユニット３０による、プロセスユニット２０と露光装置２００との間の基板Ｗの受け渡し動作を説明する。
【００４０】
（５）  まず、第４ロボット３４が搬送経路Ｙ２  に沿って前進し、基板受け渡し部Ｐ２  の支持ピン３２上に支持された基板Ｗの下方に支持アーム３４ａを挿入する。その後、支持アーム３４ａが上昇することにより、支持ピン３２から基板Ｗを受け取る。基板Ｗを支持した第４ロボット３４は、支持アーム３４ａを後退させるとともに下降させ、インターフェイスユニット３０の下段側に基板Ｗを搬送する。つぎに、支持アーム３４ａが露光送り用テーブル３５に対向するように旋回する。旋回停止した支持アーム３４ａは、テーブル３５の上方に前進し、続いて下降することにより、テーブル３５の支持ピン３７上に基板Ｗを移載する。支持アーム３４ａが後退した後、基板センターリング機構３８が作動して、基板Ｗが位置合わせされる。
【００４１】
（６）  つぎに、露光装置２００の第５ロボット２０２が、テーブル３５にセットされた基板Ｗを受け取り、この基板Ｗを露光処理部２０１に搬送する。ここで、レジスト膜が形成された基板Ｗに、回路パターンが露光されることにより、触媒作用を持つ物質がレジスト膜内に生成され、レジスト膜中にパターンが潜伏した状態ができあがる。
【００４２】
（７）  露光後、第５ロボット２０２が、露光済みの基板Ｗをインターフェイスユニット３０の露光戻り用テーブル３６に搬送する。そして、第４ロボット３４が、上記した基板受け渡し部Ｐ２  から露光送り用テーブル３５への基板搬送とは逆の手順で、基板Ｗを今度は基板受け渡し部Ｐ３  に搬送する。回路パターンが露光された基板Ｗが基板受け渡し部Ｐ３  の支持ピン６１上に渡されると、第３ロボット３３が、基板受け渡し部Ｐ３  の支持ピン６１上に支持された基板Ｗの下方に、一方の支持アーム３３ａ（または３３ｂ）を挿入する。その後、支持アーム３３ａが上昇して、支持ピン３２から基板Ｗを受け取る。
【００４３】
（８）  基板Ｗを受け取った支持アーム３３ａは、エッジ露光部５０に対向するように旋回および上昇した後、エッジ露光部５０のスピンチャック５１の上方に前進する。続いて、支持アーム３３ａが下降することにより、基板Ｗをスピンチャック５１上に移載する。スピンチャック５１はこの基板Ｗを吸着保持する。支持アーム３３ａが後退退避した後、光源５２が基板Ｗの周縁部に移動する。スピンチャック５１が基板Ｗを回転させると同時に、光源５２から光ビームが照射される。これにより基板Ｗの周縁部が露光される。
【００４４】
（９）  基板Ｗのエッジ露光が終わると、第３ロボット３３の支持アーム３３ａ（または３３ｂ）がエッジ露光部５０に進出して基板Ｗを搬出する。エッジ露光された基板Ｗを受け取った支持アーム３３ａは、熱処理部４０の第４加熱部ＨＰ４  に対向する位置にまで下降する。続いて第３アーム３３ａが前進して、この基板Ｗを第４加熱部ＨＰ４  に搬入する。この第４加熱部ＨＰ４  で基板Ｗが加熱処理されることにより、回路パターンの露光およびエッジ露光されたレジスト膜内で、現像液に対する溶解速度変化を引き起こす化学反応が促進される。加熱処理後、第３ロボット３３が基板Ｗを第４加熱部ＨＰ４  から取り出して、この基板Ｗを第４冷却部ＣＰ４  に搬入する。ここで、加熱された基板Ｗが冷却されることにより、化学反応が停止される。その後、第３ロボット３３を基板Ｗを基板受け渡し部Ｐ３  に搬送する。
【００４５】
なお、この際、プロセスユニット２０の処理能力が低かったり、あるいはプロセスユニット２０に故障が発生したりして待時間が生じたときのように、基板Ｗを一旦待機させる必要がある場合には、第４冷却部ＣＰ４  から取り出された基板Ｗを第３ロボット３３がバッファ用カセットＢＦＣに収納する。
【００４６】
（１０）  冷却処理された基板Ｗが基板受け渡し部Ｐ３  に置かれると、第４ロボット３４が、基板受け渡し部Ｐ３  から基板Ｗを受け取り、この基板Ｗを基板受け渡し部Ｐ２  に渡す。基板Ｗが基板受け渡し部Ｐ２  に置かれると、プロセスユニット２０の第２ロボット２１が、基板受け渡し部Ｐ２  から基板Ｗを受け取り、この基板ＷをスピンデベロッパＳＤに搬入する。ここで、回路パターンの露光およびエッジ露光処理された基板Ｗが現像処理される。現像処理が終わると、第２ロボット２１がスペンデベロッパＳＤから基板Ｗを取り出し、第３加熱部ＨＰ３  に搬入する。ここでポストベーキング処理が行われて耐エッチング性の向上が図られる。その後、第２ロボット２１が第３加熱部ＨＰ３  から基板Ｗを取り出し、この基板Ｗを第３冷却部ＣＰ３  に搬入する。ここで、高温になった基板Ｗが冷却される。冷却後、第３冷却部ＣＰ３  から基板Ｗを取り出した第２ロボット２１は、この基板Ｗを、インデクサユニット１０の基板受け渡し位置Ｐ１  に待機している第１ロボット１４に受け渡す。第１ロボット１４は、この基板Ｗを、上述したカセットＣからの基板Ｗの取り出し動作とは逆の手順で、所定のカセットＣに搬入する。
【００４７】
以上のように、インターフェイスユニット３０に、熱処理部４０とエッジ露光部５０とを設けて、プロセスユニット２０側のタクトタイムに関係なく回路パターン露光およびエッジ露光後の基板Ｗを加熱／冷却処理するように構成したので、基板に対して上記の各露光をした後、その基板Ｗを加熱・冷却するまでの所要時間（レジスト膜の化学反応時間）を短縮し、かつ一定にすることができる。また、プロセスユニット２０に故障が発生しても露光後に基板Ｗが室温で長時間放置されることがなく、露光処理された基板Ｗを速やかに加熱・冷却処理して、化学増幅型レジストの化学反応を完結させることができる。また、化学増幅型レジストの化学反応が完結していない基板Ｗが流通するのはインターフェイスユニット３０の領域だけであるので、化学増幅型レジストに悪影響を与えるアルカリ性雰囲気を遮断するためのケミカルフィルタを少なくともインターフェイスユニット３０に設ければよく、高価なケミカルフィルタを設置する領域が小さくなる。
【００４８】
しかも、アルカリ性雰囲気の発生源となるアドヒージョン処理部１２を、インターフェイスユニット３０から離れたインデクサユニット１０に配備したので、インターフェイスユニット３０内にある化学反応が完結していない基板Ｗが、アルカリ性雰囲気の影響を受ける危険性が低減する。
【００４９】
本発明は、次のように変形実施することも可能である。
（１）  上記実施例では、インデクサユニット１０に載置された各カセットＣから基板Ｗを取り出し、アドヒージョン処理やフォトレジスト塗布処理を行うようにしたが、本発明はこれに限定されるものではない。予めフォトレジストを塗布した基板ＷをカセットＣに収納してインデクサユニット１０に載置するようにしてもよい。この場合、アドヒージョン処理部１２やスピンコータＳＣを設ける必要はない。
【００５０】
（２）  上記の実施例におけるインデクサユニット１０に代えて、あるいはインデクサユニット１０と共に、例えば、図１に鎖線で示すように、インターフェイスユニット３０の上段の搬送経路Ｙ２  に沿って複数個のカセットＣを設け、第４ロボット３４を使って基板Ｗの搬入・搬出を行うようにした別のインデクサユニットを設けてもよい。
【００５１】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば次のような効果を奏する。
請求項１に記載の発明によれば、本発明に係る基板処理装置に連ねて設けられる露光装置で露光された基板を、本装置のインターフェイスユニットが受け取ると、このインターフェイスユニット内で、エッジ露光、加熱処理、および冷却処理がその順に行われる。したがって、本発明によれば、露光された基板を加熱・冷却処理してレジスト膜の化学反応を完結させるまでの所要時間を、プロセスユニットの状態によって影響を受けることなく、短縮し、かつ一定にすることができる。また、本発明によれば、レジスト膜の化学反応が完結していない基板に対して悪影響を及ぼすアルカリ性雰囲気を遮断するためのケミカルフィルタをインターフェイスユニットに設ければ十分であるので、高価なケミカルフィルタを設置する領域が少なくなり、それだけ装置のコストを低減することができる。
【００５３】
請求項２に記載の発明によれば、請求項１の発明と同様に、レジスト膜の化学反応を完結させるまでの所要時間を短縮し、かつ一定にすることができ、また装置コストの低減を図ることができる。また、アルカリ性雰囲気の発生源になるアドヒージョン処理手段をインデクサユニットに設けているので、アドヒージョン処理手段をプロセスユニットに設けている場合と比較して、レジスト膜の化学反応が完結していない基板がアルカリ性雰囲気に曝される危険性を低減させることもできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る基板処理装置の一実施例の概略構成を示す平面図である。
【図２】インターフェイスユニットの概略構成を示す斜視図である。
【図３】インターフェイスの下段の平面図である。
【図４】アドヒージョン処理部の概略構成を示す斜視図である。
【図５】従来の基板処理装置の一例を模式的に示した平面図である。
【図６】従来の基板処理装置の別の例を模式的に示した平面図である。
【図７】従来の基板処理装置のさらに別の例を模式的に示した平面図である。
【符号の説明】
Ｗ…基板
Ｃ…カセット
１０…インデクサユニット
１２…アドヒージョン処理部
ＨＰ１  …第１加熱部
ＣＰ１  …第１冷却部
１４…第１ロボット
２０…プロセスユニット
２１…第２ロボット
３０…インターフェイスユニット
３３…第３ロボット
３４…第４ロボット
４０…熱処理部
ＨＰ４  …第４加熱部（加熱手段）
ＣＰ４  …第４冷却部（冷却手段）
５０…エッジ露光部
２００…露光装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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