【事件の表示】
　特願２００５−　１３１０２「有機電界発光表示装置およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　８月１１日出願公開、特開２００５−２１５６７５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１７年（２００５年）１月２０日（パリ条約による優先権主張、平成１６年１月２７日、大韓民国）の出願（特願２００５−１３１０２号）であって、平成１９年３月２６日付で拒絶査定がなされ、これに対して、平成１９年７月２日付で拒絶査定不服審判の請求がなされ、平成１９年８月１日付で手続補正がなされたものである。
　
第２　平成１９年８月１日付手続補正について
　平成１９年８月１日付手続補正により、特許請求の範囲の請求項１〜９に係る発明は、平成１９年３月５日付手続補正書の特許請求の範囲に記載の、
「【請求項１】
　基板上の非発光領域に形成され，ソース／ドレイン領域を備える半導体層と；
　前記基板上に形成され，連結ホールを通じて前記半導体層と電気的に連結されるソース／ドレイン電極を備える薄膜トランジスタと；
　前記基板上の発光領域に形成され，連結ホールを通じて前記ソース／ドレイン電極のうちの一つに連結される下部電極と；
　前記下部電極上の発光領域に形成される有機発光層と；
　前記有機発光層の上部に形成される上部電極と；
を含み，
　前記連結ホールは，その表面における隅部分が屈曲され，
　前記連結ホールの下部面の隅は屈曲し，下部面における曲率半径の中心は前記下部面上に存在し，
　前記連結ホールの上部面の隅も屈曲し，上部面における曲率半径の中心は，前記下部面における曲率半径の中心から，前記下部面に対して垂直方向に延ばした軸上に位置し，
　前記上部面の曲率半径は，前記下部面の曲率半径より大きいことを特徴とする，有機電界発光表示装置。
　　【請求項２】
　前記連結ホールの屈曲した隅は，前記上部面および下部面の四隅に形成されることを特徴とする，請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
　　【請求項３】
　基板上の非発光領域に形成され，ソース／ドレイン領域を備える半導体層と；
　前記基板上に形成され，連結ホールを通じて前記半導体層と電気的に連結されるソース／ドレイン電極を備える薄膜トランジスタと；
　前記基板上の発光領域に形成され，連結ホールを通じて前記ソース／ドレイン電極のうちの一つに連結される下部電極と；
　前記下部電極上の発光領域に形成される有機発光層と；
　前記有機発光層の上部に形成される上部電極と；
を含み，
　前記連結ホールは，その表面における隅部分が屈曲され，
　前記連結ホールの上部および下部面は，円形に形成され，
　前記上部面の半径中心と下部面の半径中心は，下部面に対して垂直な同一の軸上に位置し，
　前記上部面の半径は，前記下部面の半径より大きいことを特徴とする，有機電界発光表示装置。
　　【請求項４】
　前記ソース／ドレイン領域と前記ソース／ドレイン電極とを絶縁させるための絶縁膜上に形成された連結ホールは，コンタクトホールであることを特徴とする，請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
　　【請求項５】
　前記ソース／ドレイン電極と前記下部電極とを絶縁させるための絶縁膜上に形成された連結ホールは，ビアホールであることを特徴とする，請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
　　【請求項６】
　前記下部電極はアノード電極，前記上部電極はカソード電極であることを特徴とする，請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
　　【請求項７】
　基板上の非発光領域に形成され，ソース／ドレイン領域を備える半導体層を形成する段階と；
　前記基板上に形成され，連結ホールを通じて前記半導体層と電気的に連結されるソース／ドレイン電極を備える薄膜トランジスタを形成する段階と；
　前記基板上に形成され，連結ホールを通じて前記ソース／ドレイン電極のうちの一つに連結される下部電極を形成する段階と；
　前記下部電極上の発光領域に有機発光層を形成する段階と；
　前記有機発光層の上部に上部電極を形成する段階と；
を含み，
　前記連結ホールは，
　その表面における隅部分が屈曲され，
　下部面における曲率半径の中心が前記下部面上に存在するように下部面の隅を屈曲させ，
　上部面における曲率半径の中心が前記下部面における曲率半径の中心から，前記下部面に対して垂直方向に延ばした軸上に位置するように上部面の隅も屈曲させ，
　前記上部面の曲率半径は，前記下部面の曲率半径より大きくなるように形成されることを特徴とする，有機電界発光表示装置の製造方法。
　　【請求項８】
　前記連結ホールの屈曲した隅は，前記上部面および下部面の四隅に形成されることを特徴とする，請求項７に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
　　【請求項９】
　基板上の非発光領域に形成され，ソース／ドレイン領域を備える半導体層を形成する段階と；
　前記基板上に形成され，連結ホールを通じて前記半導体層と電気的に連結されるソース／ドレイン電極を備える薄膜トランジスタを形成する段階と；
　前記基板上に形成され，連結ホールを通じて前記ソース／ドレイン電極のうちの一つに連結される下部電極を形成する段階と；
　前記下部電極上の発光領域に有機発光層を形成する段階と；
　前記有機発光層の上部に上部電極を形成する段階と；
を含み，
　前記連結ホールは，
　その表面における隅部分が屈曲され，
　上部および下部面が，前記上部面の半径中心と下部面の半径中心が前記下部面に対して垂直な同一の軸上に位置するように，円形に形成され，
　前記上部面の半径は，前記下部面の半径より大きくなるように形成されることを特徴とする，有機電界発光表示装置の製造方法。」が
　
「【請求項１】
　基板上の非発光領域に形成され，ソース／ドレイン領域を備える半導体層と；
　前記基板上に形成され，連結ホールを通じて前記半導体層と電気的に連結されるソース／ドレイン電極を備える薄膜トランジスタと；
　前記基板上の発光領域に形成され，連結ホールを通じて前記ソース／ドレイン電極のうちの一つに連結される下部電極と；
　前記下部電極上の発光領域に形成される有機発光層と；
　前記有機発光層の上部に形成される上部電極と；
を含み，
　前記連結ホールは，その表面における隅部分が彎曲され，
　前記連結ホールの下部面の隅は彎曲し，下部面における曲率半径の中心は前記下部面上に存在し，
　前記連結ホールの上部面の隅も彎曲し，上部面における曲率半径の中心は，前記下部面における曲率半径の中心から，前記下部面に対して垂直方向に延ばした軸上に位置し，
　前記上部面の曲率半径は，前記下部面の曲率半径より大きいことを特徴とする，有機電界発光表示装置。
　　【請求項２】
　前記連結ホールの彎曲した隅は，前記上部面および下部面の四隅に形成されることを特徴とする，請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
　　【請求項３】
　基板上の非発光領域に形成され，ソース／ドレイン領域を備える半導体層と；
　前記基板上に形成され，連結ホールを通じて前記半導体層と電気的に連結されるソース／ドレイン電極を備える薄膜トランジスタと；
　前記基板上の発光領域に形成され，連結ホールを通じて前記ソース／ドレイン電極のうちの一つに連結される下部電極と；
　前記下部電極上の発光領域に形成される有機発光層と；
　前記有機発光層の上部に形成される上部電極と；
を含み，
　前記連結ホールは，その表面における隅部分が彎曲され，
　前記連結ホールの上部および下部面は，円形に形成され，
　前記上部面の半径中心と下部面の半径中心は，下部面に対して垂直な同一の軸上に位置し，
　前記上部面の半径は，前記下部面の半径より大きいことを特徴とする，有機電界発光表示装置。
　　【請求項４】
　前記ソース／ドレイン領域と前記ソース／ドレイン電極とを絶縁させるための絶縁膜上に形成された連結ホールは，コンタクトホールであることを特徴とする，請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
　　【請求項５】
　前記ソース／ドレイン電極と前記下部電極とを絶縁させるための絶縁膜上に形成された連結ホールは，ビアホールであることを特徴とする，請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
　　【請求項６】
　前記下部電極はアノード電極，前記上部電極はカソード電極であることを特徴とする，請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
　　【請求項７】
　基板上の非発光領域に形成され，ソース／ドレイン領域を備える半導体層を形成する段階と；
　前記基板上に形成され，連結ホールを通じて前記半導体層と電気的に連結されるソース／ドレイン電極を備える薄膜トランジスタを形成する段階と；
　前記基板上に形成され，連結ホールを通じて前記ソース／ドレイン電極のうちの一つに連結される下部電極を形成する段階と；
　前記下部電極上の発光領域に有機発光層を形成する段階と；
　前記有機発光層の上部に上部電極を形成する段階と；
を含み，
　前記連結ホールは，
　その表面における隅部分が彎曲され，
　下部面における曲率半径の中心が前記下部面上に存在するように下部面の隅を彎曲させ，
　上部面における曲率半径の中心が前記下部面における曲率半径の中心から，前記下部面に対して垂直方向に延ばした軸上に位置するように上部面の隅も彎曲させ，
　前記上部面の曲率半径は，前記下部面の曲率半径より大きくなるように形成されることを特徴とする，有機電界発光表示装置の製造方法。
　　【請求項８】
　前記連結ホールの彎曲した隅は，前記上部面および下部面の四隅に形成されることを特徴とする，請求項７に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
　　【請求項９】
　基板上の非発光領域に形成され，ソース／ドレイン領域を備える半導体層を形成する段階と；
　前記基板上に形成され，連結ホールを通じて前記半導体層と電気的に連結されるソース／ドレイン電極を備える薄膜トランジスタを形成する段階と；
　前記基板上に形成され，連結ホールを通じて前記ソース／ドレイン電極のうちの一つに連結される下部電極を形成する段階と；
　前記下部電極上の発光領域に有機発光層を形成する段階と；
　前記有機発光層の上部に上部電極を形成する段階と；
を含み，
　前記連結ホールは，
　その表面における隅部分が彎曲され，
　上部および下部面が，前記上部面の半径中心と下部面の半径中心が前記下部面に対して垂直な同一の軸上に位置するように，円形に形成され，
　前記上部面の半径は，前記下部面の半径より大きくなるように形成されることを特徴とする，有機電界発光表示装置の製造方法。」と補正された。
　
　この補正は、請求項１−３，７−９に記載の「屈曲」を「彎曲」に補正するものであって、誤記の訂正又は明りょうでない記載の釈明を目的とするもの、すなわち、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項第３号又は第４号に掲げる事項を目的とするものであるから、適法な補正である。
　
第３　本願発明 
　本願の請求項３に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１９年８月１日付手続補正書でなされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項３に記載された事項により特定されるものである。（上記「第２　平成１９年８月１日付手続補正について」の記載参照。）
　
第４　引用例
１　引用例１
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００３−３１６２９６号公報（以下、「引用例１」という。）には、次の事項が記載されている。
「【００４１】図３は図２のＡ−Ａ線に沿う断面図である。この図において、電気光学装置１は、基板２と、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ：Indium Tin Oxide）等の透明電極材料からな画素電極２３と、画素電極２３上に配置された有機ＥＬ素子３と、画素電極２３との間で有機ＥＬ素子３を挟み込むように配置されている陰極２２２と、基板２上に形成され、画素電極２３に対する通電を制御する通電制御部としてのカレントＴＦＴ２４とを有している。更に、陰極２２２の上層には封止層２０（第２の保護層）が設けられている。陰極２２２は、アルミニウム（Ａｌ）やマグネシウム（Ｍｇ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、カルシウム（Ｃａ）から選ばれる少なくとも１つの金属から構成されている。陰極２２２は上述した各材料の合金や積層したものをも含む。カレントＴＦＴ２４は、走査線駆動回路８０及びデータ線駆動回路９０からの作動指令信号に基づいて作動し、画素電極２３への通電制御を行う。
【００４２】発光素子３は、陽極２３から正孔を輸送可能な正孔輸送層７０と、電気光学物質の１つである有機ＥＬ物質を含む発光層６０と、発光層６０の上面に設けられている電子輸送層５０とから概略構成されている。そして、電子輸送層５０の上面に陰極（対向電極）２２２が配置されている。
【００４３】ＴＦＴ２４は、ＳｉＯ２を主体とする下地保護層２８１を介して基板２の表面に設けられている。このＴＦＴ２４は、下地保護層２８１の上層に形成されたシリコン層２４１と、シリコン層２４１を覆うように下地保護層２８１の上層に設けられたゲート絶縁層２８２と、ゲート絶縁層２８２の上面のうちシリコン層２４１に対向する部分に設けられたゲート電極２４２と、ゲート電極２４２を覆うようにゲート絶縁層２８２の上層に設けられた第１層間絶縁層２８３（絶縁膜）と、ゲート絶縁層２８２及び第１層間絶縁層２８３にわたって開孔するコンタクトホールを介してシリコン層２４１と接続するソース電極２４３と、ゲート電極２４２を挟んでソース電極２４３と対向する位置に設けられ、ゲート絶縁層２８２及び第１層間絶縁層２８３にわたって開孔するコンタクトホールを介してシリコン層２４１と接続するドレイン電極２４４と、ソース電極２４３及びドレイン電極２４４を覆うように第１層間絶縁層２８３の上層に設けられたバリア層２８５（保護層、第１の保護層）と、更にその上層に設けられた第２層間絶縁層２８４（絶縁膜）とを備えている。
【００４４】そして、第２層間絶縁層２８４の上面に画素電極２３が配置され、画素電極２３とドレイン電極２４４とは、第２層間絶縁層２８４とバリア層２８５とにわたって開孔するコンタクトホール２３ａを介して接続されている。また、第２層間絶縁層２８４の表面のうち有機ＥＬ素子が設けられている以外の部分と陰極２２２との間には、合成樹脂などからなる第３絶縁層２２１が設けられている。
【００４５】なお、シリコン層２４１のうち、ゲート絶縁層２８２を挟んでゲート電極２４２と重なる領域がチャネル領域とされている。また、シリコン層２４１のうち、チャネル領域のソース側にはソース領域が設けられている一方、チャネル領域のドレイン側にはドレイン領域が設けられている。このうち、ソース領域が、ゲート絶縁層２８２と第１層間絶縁層２８３とにわたって開孔するコンタクトホールを介して、ソース電極２４３に接続されている。一方、ドレイン領域が、ゲート絶縁層２８２と第１層間絶縁層２８３とにわたって開孔するコンタクトホールを介して、ソース電極２４３と同一層からなるドレイン電極２４４に接続されている。画素電極２３はドレイン電極２４４を介して、シリコン層２４１のドレイン領域に接続されている。」
　
　また、【図２】，【図３】から、画素電極２３は基板上の発光領域に配置され、ＴＦＴ２４は発光領域ではない非発光領域に設けられていることが見て取れる。
　
　上記記載から、
・「ＴＦＴ２４は、ＳｉＯ２を主体とする下地保護層２８１を介して基板２の表面に設けられている。このＴＦＴ２４は、下地保護層２８１の上層に形成されたシリコン層２４１・・・を備えている」こと、（【００４３】）
・「ＴＦＴ２４は、非発光領域に設けられている」こと、（【図２】、【図３】）
・「シリコン層２４１のうち、チャネル領域のソース側にはソース領域が設けられている一方、チャネル領域のドレイン側にはドレイン領域が設けられている」こと、（【００４５】）
・「このＴＦＴ２４は、・・・シリコン層２４１と、・・・ゲート電極２４２と、・・・コンタクトホールを介してシリコン層２４１と接続するソース電極２４３と、・・・コンタクトホールを介してシリコン層２４１と接続するドレイン電極２４４と、・・・を備えている」こと、（【００４３】）
・「画素電極２３とドレイン電極２４４とは、第２層間絶縁層２８４とバリア層２８５とにわたって開孔するコンタクトホール２３ａを介して接続されている」こと、（【００４４】）
・「画素電極２３は基板上の発光領域に配置され」ていること、（【図２】、【図３】）
・「電気光学装置１は、・・・画素電極２３上に配置された有機ＥＬ素子３と、画素電極２３との間で有機ＥＬ素子３を挟み込むように配置されている陰極２２２と、・・・を有している」こと、（【００４１】）
が記載事項として抽出される。
　
　したがって、引用例１には、
「基板２上の非発光領域に形成され，ソース領域及びドレイン領域を備えるシリコン層２４１と；
　前記基板２上に形成され，コンタクトホールを介して前記シリコン層２４１と電気的に連結されるソース電極２４３／ドレイン電極２４４を備えるＴＦＴ２４と；
　前記基板２上の発光領域に形成され，コンタクトホール２３ａを介して前記ドレイン電極２４４に接続される画素電極２３と；
　前記画素電極２３上に形成される有機ＥＬ素子３と；
　前記画素電極２３との間で前記有機ＥＬ素子３を挟み込むように配置されている陰極２２２と；
を含む電気光学装置。」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
２　引用例２
　また、原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２０００−３１２００５号公報（以下、「引用例２」という。）には、次の事項が記載されている。
　
「【００９１】図６は図５の等価回路に基づいて隣接画素を示す平面図である。図６において、液晶装置のＴＦＴアレイ基板１０上には、マトリクス状に複数の透明な画素電極９ａ（点線部９ａ’により輪郭が示されている）が設けられており、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ、走査線３ａ及び容量線３ｃが設けられている。データ線６ａは、コンタクトホール５を介してポリシリコン膜等からなる半導体層１ａのうち後述のソース領域に電気接続されており、画素電極９ａは、図中右上がりの斜線で示した領域に夫々形成された導電層８０ａを中継して、コンタクトホール８ａ及びコンタクトホール８ｂを介して半導体層１ａのうち後述のドレイン領域に電気接続されている。また、半導体層１ａのうちチャネル領域１ａ’（図中右下りの斜線の領域）に対向するように走査線３ａが配置されており、走査線３ａはゲート電極として機能する。このように、走査線３ａとデータ線６ａとの交差する個所には夫々、チャネル領域１ａ’に走査線３ａがゲート電極として対向配置されたＴＦＴ３０が設けられている。
【００９２】容量線３ｃは、走査線３ａに沿ってほぼ直線状に伸びる本線部と、データ線６ａと交差する箇所からデータ線６ａに沿って前段側（図中、上向き）に突出した突出部とを有する。
【００９３】特に、導電層８０ａは夫々、コンタクトホール８ａにより半導体層１ａのドレイン領域に電気接続されており、コンタクトホール８ｂにより画素電極９ａに電気接続されており、半導体層１ａの高濃度ドレイン領域１ｅと画素電極９ａとの間におけるバッファとして機能している。また、ＴＦＴアレイ基板１０から見て画素スイッチング用ＴＦＴ３０の少なくともチャネル領域１ａを覆うような第１遮光膜（図示せず）を設ければＴＦＴアレイ基板１０の側からの反射光（戻り光）等がチャネル領域１ａ’への侵入を防ぐことができ、これに起因した光電流の発生による画素スイッチング用ＴＦＴ３０の特性の変化や劣化を防ぐことができる。」
　
「【０１１５】尚、コンタクトホール８ａ、８ｂ及び５の平面形状は、円形や四角形或いはその他の多角形状等でもよいが、円形は特にコンタクトホールの周囲の層間絶縁膜等におけるクラック防止に役立つ。そして、良好な電気接続を得るために、ドライエッチング後にウエットエッチングを行って、これらのコンタクトホール８ａ、８ｂ及び５に夫々若干のテーパをつけることが好ましい。」
　
３　引用例３
　また、原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平７−２９７３７１号公報（以下、「引用例３」という。）には、次の事項が記載されている。
　
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路装置のコンタクトホールに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、図３に示すように、半導体集積回路装置の絶縁層３２に形成されるコンタクトホール３１の角部３１ａ〜３１ａは、１つの角で設計するという構成が採用されていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】　しかしながら、上記のものでは、主として静電気に基づく電界集中効果により、半導体基板のｐｎ接合破壊等がコンタクトホールの角部で生じやすくなり、半導体集積回路装置の品質が低下するという問題点を有していた。
【０００４】本発明の目的は、コンタクトホールの角部における電界集中を低減することが可能な半導体集積回路装置を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、直線状の複数の辺によって形成された半導体集積回路装置のコンタクトホールにおいて、上記複数の辺で構成される角部を弧状にしたことにより、上記の目的を達成している。
【０００６】上記弧状の角部は、弧の形状やそれぞれ角度が９０度以上の多角形の複数の辺で形成した形状であることが望ましい。
【０００７】
【実施例】以下、本発明を図面に示す一実施例に基づいて具体的に説明する。
【０００８】図１において、１はコンタクトホールで、絶縁層２に形成してあり、電極３を露出する。コンタクトホール１の辺１ａ〜１ａで構成される角部１ｂ〜１ｂの形状は、弧状（本例では、弧としてある。）になっている。よって、コンタクトホール１の角部１ｂ〜１ｂにおける電界集中が緩和されるので、従来、コンタクトホール１の角部に発生していた電界集中によるｐｎ接合破壊を防止できる。」
　
第５　対比
　引用発明と本願発明とを対比する。
　引用発明の「コンタクトホール」が、本願発明の「連結ホール」に相当する。
　そして、引用発明の「基板２上の非発光領域に形成され，ソース領域及びドレイン領域を備えるシリコン層２４１」は、本願発明の「基板上の非発光領域に形成され，ソース／ドレイン領域を備える半導体層」に相当する。
　また、引用発明の「前記基板２上に形成され，コンタクトホールを介して前記シリコン層２４１と電気的に連結されるソース電極２４３／ドレイン電極２４４を備えるＴＦＴ２４」は、本願発明の「前記基板上に形成され，連結ホールを通じて前記半導体層と電気的に連結されるソース／ドレイン電極を備える薄膜トランジスタ」に相当する。
　また、引用発明の「前記基板２上の発光領域に形成され，コンタクトホール２３ａを介して前記ドレイン電極２４４に接続される画素電極２３」は、本願発明の「前記基板上の発光領域に形成され，連結ホールを通じて前記ソース／ドレイン電極のうちの一つに連結される下部電極」に相当する。なお、ここで、本願発明の上記記載が、選択的記載であり、その一方に、引用発明の上記特定事項が相当しているため、「相当する」とした。
　また、引用発明の「前記画素電極２３上に形成される有機ＥＬ素子３」は、本願発明の「前記下部電極上の発光領域に形成される有機発光層」に相当する。
　また、引用発明の「前記画素電極２３との間で前記有機ＥＬ素子３を挟み込むように配置されている陰極２２２」は、「陰極２２２」が「有機ＥＬ素子３」よりさらに上に配置されていることを意味していることが明らかであるから、本願発明の「前記有機発光層の上部に形成される上部電極」に相当する。
　さらに、引用発明の「電気光学装置」は「有機ＥＬ素子３」の発光により表示する装置であるから、本願発明の「有機電界発光表示装置」に相当する。
　
　よって、本願発明と引用発明は、
「基板上の非発光領域に形成され，ソース／ドレイン領域を備える半導体層と；
　前記基板上に形成され，連結ホールを通じて前記半導体層と電気的に連結されるソース／ドレイン電極を備える薄膜トランジスタと；
　前記基板上の発光領域に形成され，連結ホールを通じて前記ソース／ドレイン電極のうちの一つに連結される下部電極と；
　前記下部電極上の発光領域に形成される有機発光層と；
　前記有機発光層の上部に形成される上部電極と；
を含む有機電界発光表示装置」である点で一致し、次の点で相違する。
　
相違点；
　本願発明の連結ホールは、
「その表面における隅部分が彎曲され，前記連結ホールの上部および下部面は，円形に形成され，前記上部面の半径中心と下部面の半径中心は，下部面に対して垂直な同一の軸上に位置し，前記上部面の半径は，前記下部面の半径より大きい」ものであるのに対し、引用発明は、連結ホールに相当するコンタクトホールに関しそのような限定がない点。
　
第６　当審の判断
　次に、上記相違点について検討する。
　引用例２の記載より、引用例２には、薄膜トランジスタを有する半導体装置の画素電極と半導体層を電気的に連結させるためのコンタクトホールについて、コンタクトホールの平面形状を円形とし、コンタクトホールにテーパをつけることが記載されている。そして、この場合のテーパは、技術常識から、上側面の開口部が大きく、下側面の開口部が小さくなるテーパであって、全ての個所で傾斜が等しい一様なテーパを意味しているものと認められるから、引用例２には、「連結ホールの上部および下部面は，円形に形成され，前記上部面の半径中心と下部面の半径中心は，下部面に対して垂直な同一の軸上に位置し，前記上部面の半径は，前記下部面の半径より大きい連結ホール（コンタクトホール）」が記載されているといえる。
　なお、本願発明の連結ホールに関する記載における「その表面における隅部分が彎曲され」については、連結ホールの「表面における」形状が円形であれば、その外周上の全ての個所で、「隅部が湾曲している」ものであるということができるから、この部分の特定は、表面の形状が円形であること以上の事項を特定するものではない。
　したがって、引用例２には、「その表面における隅部分が彎曲され，前記連結ホールの上部および下部面は，円形に形成され，前記上部面の半径中心と下部面の半径中心は，下部面に対して垂直な同一の軸上に位置し，前記上部面の半径は，前記下部面の半径より大きい連結ホール（コンタクトホール）」の構成が記載されているといえる。
　
　また、引用例３の記載より、半導体集積回路装置のコンタクトホールにおいて、角部における電界集中を低減するためにコンタクトホールの角部を弧状にするという技術課題は周知の自明な技術課題であるといことができる。
　
　したがって、引用発明においても、上記の自明な技術課題を解決するために、引用例２に記載のコンタクトホールの構成を採用し、「その表面における隅部分が彎曲され，前記連結ホールの上部および下部面は，円形に形成され，前記上部面の半径中心と下部面の半径中心は，下部面に対して垂直な同一の軸上に位置し，前記上部面の半径は，前記下部面の半径より大きい連結ホール（コンタクトホール）」とすることに格別の困難性は認められない。
　さすれば、上記相違点に係る発明特定事項を得ることは、引用例３に記載された周知の技術課題にかんがみ、引用発明に引用例２に記載の発明を適用することによって当業者が容易に想到し得たことである。
　
  そして、本願発明によってもたらされる効果は、引用発明、引用例２に記載された発明及び引用例３に記載された技術的事項から、当業者が予測し得る程度のものである。
　
　したがって、本願発明は、引用発明、引用例２に記載された発明及び引用例３に記載された技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第７　むすび
　以上のとおりであり、本願発明は、引用例１に記載された発明、引用例２に記載された発明及び引用例３に記載された技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。