【事件の表示】
　特願２００２−５１４４７０「ウエーハ写真平版技術における現像プロセスの改善方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年１月３１日国際公開、ＷＯ０２／０８８３２、平成１６年　２月１９日国内公表、特表２００４−５０５３０１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯 
・本願は、２０００年７月２５日（パリ条約による優先権主張外国庁受理（米国）を国際出願日とする出願であって、原審において平成１７年６月２８日付拒絶理由通知に対して、平成１８年１月４日付手続補正書が提出された後、同年２月２２日に拒絶査定されたものであり、これに対し、同年５月２９日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年６月２８日付手続補正がなされたものである。 
 　 
２．平成１８年６月２８日付手続補正についての補正却下の決定 
［補正却下の決定の結論］ 
・平成１８年６月２８日付手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。 
 　 
［理由］ 
（１）補正後の本願発明 
・本件補正には、特許請求の範囲の記載を次のように補正しようとする補正事項が含まれている。 
（補正前） 
「【請求項１】　第１の実質的に不活性な材料をウエーハ表面に供与して、実質的に不活性な材料の層を形成し、
　第１の現像剤流体によって、ウエーハ表面上の超小型構造に与えられる運動量が、実質的に不活性な材料の層によって低減されるように、第１の現像剤流体をウエーハの表面に供与し、
　現像剤流体を所定滞留時間だけ、ウエーハ表面上にパドルさせて、現像化学変化を実質的に完了させ、現像化学変化の不均一性は、不活性な材料を通した現像剤流体の拡散によって低減し、
　第２の現像剤流体をウエーハ表面に供与し、
　第２の実質的に不活性な材料をウエーハ表面に供与する、ことを特徴とする方法。
【請求項２】　ウエーハ表面を回転させて所定程度まで乾燥させる、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】　前記実質的に不活性の材料は、脱イオン水である、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】　現像化学反応は、不活性な材料を通してウエーハの表面に向かう現像剤流体の拡散に起因する流動によって制御される、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。」
　　　　　
（補正後） 
「【請求項１】　第１の実質的に不活性な材料をウエーハ表面に供与して、実質的に不活性な材料の層を形成し、
　第１の現像剤流体によって、ウエーハ表面上の超小型構造に与えられる運動量が、実質的に不活性な材料の層によって低減されるように、第１の現像剤流体をウエーハの表面に供与し、この第１の現像剤流体の供与中の少なくとも一部において、第１の現像剤流体の供与と同時にウエーハを高速回転し、この高速回転は、微小気泡をウエーハの表面から洗い流すように、ウエーハの外側縁に向かう流れを誘起させるのに十分に高速な角速度で行われ、
　現像剤流体を所定滞留時間だけ、ウエーハ表面上にパドルさせて、現像化学変化を実質的に完了させ、現像化学変化の不均一性は、不活性な材料を通した現像剤流体の拡散によって低減し、
　第１の現像剤流体による現像化学変化の実質的な完了後、ｐＨの急激な変化を制御可能に最小化するために、第２の現像剤流体をウエーハ表面に供与し、
　第２の実質的に不活性な材料をウエーハ表面に供与する、ことを特徴とする方法。
【請求項２】　ウエーハ表面を回転させて所定程度まで乾燥させる、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】　前記実質的に不活性の材料は、脱イオン水である、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】　現像化学反応は、不活性な材料を通してウエーハの表面に向かう現像剤流体の拡散に起因する流動によって制御される、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。」
　 
・本件補正は、請求項１において、 補正前の請求項１に記載された「第１の現像剤流体をウエーハの表面に供与し、」について、
「この第１の現像剤流体の供与中の少なくとも一部において、第１の現像剤流体の供与と同時にウエーハを高速回転し、この高速回転は、微小気泡をウエーハの表面から洗い流すように、ウエーハの外側縁に向かう流れを誘起させるのに十分に高速な角速度で行われ」という限定を行い、 
　また、同じく補正前の「第２の現像剤流体をウエーハ表面に供与し、」について、
「第１の現像剤流体による現像化学変化の実質的な完了後、ｐＨの急激な変化を制御可能に最小化するために」という限定を行ったものである。  
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。 
 　 
（２）引用例記載の発明 
（２−１）刊行物１ 
・原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された特開平１０−５０６０６号公報（原査定時の「刊行物１」。以下、「刊行物１」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。 
　　　　　
（１ａ）「【特許請求の範囲】
【請求項１】被処理体に処理液を供給して現像処理を行う現像処理方法であって、被処理体表面上に純水を供給して前記被処理体表面上に純水の液膜を形成する工程と、前記純水の液膜が形成された前記被処理体表面上に処理液を供給する工程と、を具備することを特徴とする現像処理方法。
【請求項２】 純水の液膜を形成した被処理体を回転させる工程をさらに具備する請求項１記載の現像処理方法。」
　　　　　
（１ｂ）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は現像処理方法に関し、例えば半導体ウエハの表面に現像液やレジスト液等の処理液を供給して現像処理を行う現像処理方法に関する。」
 　　　　
（１ｃ）「【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
従来の現像処理方法においては、
半導体ウエハ表面上に形成されたレジスト膜に処理液である現像液を供給する際、現像液がレジスト膜に最初に接触するときの影響（ファーストインパクト）により現像欠陥を引き起こす
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、第１に、被処理体に処理液を供給して現像処理を行う現像処理方法であって、被処理体表面上に純水を供給して前記被処理体表面上に純水の液膜を形成する工程と、前記純水の液膜が形成された前記被処理体表面上に処理液を供給する工程とを具備することを特徴とする現像処理方法を提供する。」
  　　　
（１ｄ）「【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の現像処理方法は、被処理体表面上に純水を供給して被処理体表面上に純水の液膜を形成し、純水の液膜が形成された被処理体表面上に処理液を供給することを特徴としている。このように
現像液を吐出する前に純水の液膜を形成することにより、現像液を吐出させることによるレジスト膜への影響、すなわちファーストインパクトを緩和することができ、ファーストインパクトに起因する現像欠陥を抑制することができる。
【００１２】また、現像液は、大気圧から一定の高圧力・・・により加圧され、この後ノズル孔から吐出され、レジスト膜に衝突する。レジスト膜に衝突した現像液は、衝突の衝撃および高圧力の解放により泡を生じる。この泡により、解像不良が起こる。
【００１３】このようなファーストインパクトに起因する欠陥は、上述のパドル型の現像液供給装置だけでなく、いわゆるストリームノズルやいわゆるマルチノズルタイプにおいても同様に発生する。」
　　　　　　
（１ｅ）「【００３３】・・・以上説明したレジスト現像処理方法では、工程（４）で純水３０のカーテンがノズル１２およびレジスト膜３１の間に形成されている。このため、工程（５）の現像液２の液盛において、この純水３０がウエハＷの回転により押し広げられることにより、ウエハＷの表面に形成されたレジスト膜３１の表面上に純水３０の液膜が形成される。次いで、現像液２をノズル１２の液吐出孔２８から吐出させることにより、現像液２は、この純水３０の液膜中に均一に混合していき、レジスト膜３１の上に均一に現像液２が行きわたる。すなわち、
純水３０の液膜がレジスト膜３１の上に存在することにより、現像液２が初めてウエハＷに接するときのファーストインパクトが緩和される。また、現像液２のみの液膜形成の際の現像時間超過による過現像や泡の巻き込みを防止する
過度の現像、現像時間超過による過現像、および現像液の泡の巻き込みを阻止することができ、現像液をレジスト膜に均一に供給することができ、これにより現像欠陥の発生を防止することができる
【００３５】このように、本発明の現像処理方法によれば、処理液供給によるファーストインパクトに起因する半導体ウエハＷの欠陥を、処理液、例えば現像液が、被処理体、例えばレジスト膜に初めて接するときに両者の間に純水を介在させることで防止または抑制することができる。」
　　　　　
（１ｆ）「【００４９】上述のような現像部１００におけるレジスト現像処理工程の制御シーケンスについて説明する。・・・
【００５１】上記シーケンスにおいて、
ステップ１
【００５６】
ステップ２
ウエハＷの表面の間に純水のカーテンを形成
【００５７】
ステップ３
ウエハＷを
回転させながら
現像液を吐出
表面に現像液が液盛される
【００５８】
ステップ４
予め定められた時間
停止され、現像処理が進行
・・・
【００５９】
ステップ５
ステップ６
ウエハＷを、回転数２０００ｒｐｍ、加速度５０００ｒｐｍ／ｓｅｃで５秒間回転させる。これと同時に、
リンス液をウエハＷの表面に滴下
【００６０】
ステップ７
加速度１００００ｒｐｍ／ｓｅｃで５秒間回転させる。これと同時に、
リンス液をウエハＷの表面に滴下
【００６１】
ステップ８
【００６２】
ステップ９
　　　　　
（１ｇ）「【００６６】さらに、上述の第２実施形態にかかるレジスト現像処理方法では、
ステップ６でのウエハＷの回転加速度
小さく
現像液はまだ高濃度である
【００６７】一方、ステップ８および９では、ウエハＷのふり切り乾燥が行われる。このときには、ステップ６および７でのリンスにより、ほとんどの現像液がリンス液で置換させれているので、現像液の飛散のおそれがほとんどない。
【００６８】そこで、
ステップ６の現像液除去工程では、ウエハＷの加速度をステップ８および９のふり切り乾燥のときに比べて小さくすることにより、現像液の飛散を防止
　　　　　
・これら記載によれば、刊行物１には以下の発明が記載されているものと認められる。
「微細回路パターンの像様露光を施した半導体ウエハ表面上のフォトレジスト膜に、現像液を供給するにあたり、現像液がフォトレジスト膜に最初に接触するときのインパクトを軽減するために、
先ず、純水ノズルを半導体ウエハ中心位置上部に準備し（ステップ１）、
純水を供与してフォトレジスト膜の上に純水液膜である「純水のカーテン」を形成し（ステップ２）、
次いで、半導体ウエハを回転数３０ｒｐｍ、加速度１００００ｒｐｍ／secで１秒間回転させながら現像液ノズルから現像液を吐出し、フォトレジスト膜の上に純水液膜を介在させつつ現像液を供給し、現像液ノズル直下の過現像、現像液供給ムラ、現像液の泡の巻き込みを阻止して、フォトレジスト膜全体に現像液を均一に泡無く行き渡らせ、フォトレジスト膜上に純水液膜を介在させて現像液を液盛した状態とし（ステップ３）、
次いで、半導体ウエハの回転を所定時間停止して、フォトレジスト膜上に純水液膜を介在させて現像液を液盛した状態で保持して、現像液が純水を通して拡散しフォトレジスト膜を現像する処理を進行、完了させ（ステップ４）、
現像処理の完了後、リンス液ノズルを半導体ウエハ上部に準備し（ステップ５）、
先ず、半導体ウエハを低加速度（５０００ｒｐｍ／sec）で５秒間回転させながらリンス液ノズルからリンス液をフォトレジスト膜に滴下しつつ、処理後の現像液を少量ふり切り除去し、リンス液に置き換え（ステップ６）、
次いで、半導体ウエハを高加速度（１００００ｒｐｍ／sec）で５秒間回転させながらリンス液ノズルからリンス液をフォトレジスト膜に滴下して、処理後の現像液の殆どをふり切り除去してリンス液に置き換える（ステップ７）、
フォトレジスト膜の現像処理方法。」
　　　　　　　　
（２−２）刊行物２ 
・原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された国際公開第００／１６１６３号パンフレット（原査定時の「刊行物７」。以下、「刊行物２」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。 
　　　　
（２ａ）
「Title:IMPROVED YIELD AND LINE WIDTH PERFORMANCE FOR LIQUID POLYMERS AND OTHER MATERIALS
BACKGROUND OF THE INVENTION 
1. Field of the Invention
 The invention relates generally to the field of microelectronic fabrication. 
More particularly, the invention relates to improving the yield and line width performance of  liquid polymers. 
        
2. Discussion of the Related Art
 Lithography process is one of the major drivers of semiconductor industry in its relentless progress in achieving smaller feature sizes with improved yields.
 More specifically, improved critical dimension (CD) control and reduced process-induced defect and particle counts need to be satisfied simultaneously. （第１〜２頁、発明の背景欄）」
 （１．技術分野
本発明は、一般にマイクロエレクトロニクス製品を製造する分野に関する。より具体的には、本発明は液体ポリマーの収率および線幅特性の改善に関する。
　２．背景技術
リソグラフィープロセスは、著しく進展する半導体産業の中で、より微細な構造寸法を改善された収率で達成する主要な原動力となる重要技術の一つである。そして、該プロセスでは、臨界寸法制御の改善と同時に、欠陥部位数の低減が求められている。）
              
（２ｂ）
「SUMMARY OF THE INVENTION 
A primary goal of the invention is to improve yield. Another primary goal of the invention is improved CD control capability. ・・・
A second aspect of the invention is implemented in an embodiment that is based on a method for minimizing precipitation of developing reactant by lowering a sudden change in pH, said method comprising: 
developing at least a portion of a polymer layer on a substrate with an initial charge of a developer fluid;
 then rinsing said polymer with an additional charge of said developer fluid so as to controllably minimize a subsequent sudden change in pH; 
and then rinsing said polymer with a charge of another fluid. （第２頁、発明の要旨開示欄）」
 （本発明の主な目的は、収率を改善することである。本発明のもう一つの主要な目的は、改善された臨界寸法制御能力である。・・・
本発明の第二の側面は、pHの急激な変化を低減して現像反応物の沈殿を最少限にするための方法であり、実施例で具体的に示されている様に、
先ず、所定量の現像液を用いて基板上のポリマー層を現像する、
次いで、現像液を追加的にポリマー層へ滴下して、現像ポリマー層をリンスして、現像後の急激なpHの変化を制御可能に最小化する、
次いで、リンス液を滴下して現像ポリマー層をリンスすることからなる。）
        
（２ｃ）「CLAIMS
8. A method for minimizing precipitation of developing reactant by lowering a sudden change in pH, said method comprising:
 developing at least a portion of a polymer layer on a substrate with an initial charge of a developer fluid;
 then rinsing said polymer with an additional charge of said developer fluid so as to controllably minimize a subsequent sudden change in pH;
 and then rinsing said polymer with a charge of another fluid. 
9. The method of claim 8, wherein developing at least said portion of said polymer on said substrate includes developing at least a portion of an exposed photoresist polymer on said substrate. 
10. The method of claim 8, wherein developing at least said portion of said polymer on said substrate includes developing said at least a portion of said polymer on a semiconductor wafer substrate. 
11. The method of claim 8, wherein rinsing said polymer with said charge of another fluid includes rinsing said polymer with deionized water. （第２３〜２４頁、特許請求の範囲欄）」
（【請求項８】 pHの急激な変化を低下させることによって現像反応物の沈殿を最少限にするための方法であって：
 所定量の現像液を用いて基板上のポリマー層を現像すること；
現像完了後に、追加量の現像液を用いて前記ポリマーをリンスして、
現像後のpHの急激な変化を制御可能に最小化すること；
次いで、 所定量の別の液体を用いて前記ポリマー層をリンスすることを含む。
【請求項９】 請求項８に記載の方法であって、前記基板上の前記ポリマーの少なくとも一部を現像するとは、前記基板上の露光されたフォトレジストポリマー層の少なくとも一部を現像することである該方法。
【請求項１０】 請求項８に記載の方法であって、前記基板上の前記ポリマー層の少なくとも一部を現像するとは、半導体ウエハ基板上の前記ポリマー層の少なくとも一部を現像することである該方法。
【請求項１１】 請求項８に記載の方法であって、前記ポリマー層を所定量の別の液体でリンスするとは、前記ポリマーを脱イオン水でリンスすることである該方法。）
        
・これら記載によれば、刊行物２には、下記のことが示されている。 
「半導体ウエハ基板上の露光されたフォトレジストポリマー層に所定量の現像液を滴下して現像処理を完了の後、処理後の現像液に含まれる現像反応物を沈殿させない様にしながら、フォトレジストポリマー層から除去するためには、現像後のpHの急激な変化を制御可能に最小化することが重要であり、その具体策として、
現像完了後に、先ず、追加量の現像液を用いてポリマー層をリンスすること、
次いで、脱イオン水を用いてそのポリマー層をリンスする事が良い。」
　　　　　　
（３）対比・判断 
・そこで、本願補正発明と刊行物１記載の発明とを対比すると、 
 刊行物１記載の
（ア）「半導体ウエハ」、
（イ）「純水」、
（ウ）「純水液膜」、
（エ）「現像液」、
（オ）「微細回路パターンの像様露光を施した半導体ウエハ表面上のフォトレジスト膜」、
（カ）「現像液がフォトレジスト膜に最初に接触するときのインパクト」、
（キ）「半導体ウエハの回転を所定時間停止して、フォトレジスト膜上に純水液膜を介在させて現像液を液盛した状態で保持して、現像液が純水を通して拡散しフォトレジスト膜を現像する処理を進行、完了させ」、
（ク）「現像処理の完了後」、
（ケ）「リンス液」、
（コ）「泡」、
（サ）「フォトレジスト膜の現像処理方法」は、 
それぞれ、本願補正発明の
（ア）「ウエーハ」、
（イ）「第１の実質的に不活性な材料」、
（ウ）「実質的に不活性な材料の層」、
（エ）「第１の現像剤流体」、
（オ）「ウエーハ表面上の超小型構造」、
（カ）「第１の現像剤流体によって、ウエーハ表面上の超小型構造に与えられる運動量」、
（キ）「現像剤流体を所定滞留時間だけ、ウエーハ表面上にパドルさせて、現像化学変化を実質的に完了させ、現像化学変化の不均一性は、不活性な材料を通した現像剤流体の拡散によって低減し、」、
（ク）「現像化学変化の実質的な完了後」、
（ケ）「第２の実質的に不活性な材料」、
（コ）「微小気泡」、
（サ）「方法」に相当する。 
・また、（シ）刊行物１記載の発明の「半導体ウエハを回転数３０ｒｐｍ、高加速度１００００ｒｐｍ／secで１秒間回転させながら現像液ノズルから現像液を吐出し、フォトレジスト膜の上に純水液膜を介在させつつ現像液を供給し、現像液ノズル直下の過現像、現像液供給ムラ、現像液の泡の巻き込みを阻止して、フォトレジスト膜全体に現像液を均一に泡無く行き渡らせ、フォトレジスト膜上に純水液膜を介在させて現像液を液盛した状態とし（ステップ３）」は、
現像液のフォトレジスト膜・純水液膜への衝突衝撃などで気液界面に不可避的に発生する泡を現像液の液盛の中に抱え込んだままにならない様、フォトレジスト膜全体に現像液を均一に泡無く行き渡らせ、解像不良を防止する工程であるから、
現像液の吐出中、半導体ウエハにかかる回転加速度により、多少の泡を含む現像液には、半導体ウエハの外側方向に流れる様に遠心力がかかっており、泡をウエハ表面から洗い流す様になっている事が明らかであるから、
本願補正発明の（シ）「この第１の現像剤流体の供与中の少なくとも一部において、第１の現像剤流体の供与と同時にウエーハを高速回転し、この高速回転は、微小気泡をウエーハの表面から洗い流すように、ウエーハの外側縁に向かう流れを誘起させるのに十分に高速な角速度で行われ」に相当し、実質的に同じである。
・そして、（ス）刊行物１記載の発明の「先ず、半導体ウエハを低加速度で５秒間回転させながらリンス液ノズルからリンス液をフォトレジスト膜に滴下して、処理後の現像液の一部をふり切り除去し、リンス液に置き換える」ステップ６の動作は、
アルカリ性の現像液の一部分だけをリンス液に置換するものであるから、ｐＨの変化は僅かであり、次工程（ステップ７・高加速度回転で現像液の殆どをふり切り除去しリンス液に置換する）でフォトレジスト膜にもたらされるｐＨの急激な変化を緩和し小さくする作用があるから、
本願補正発明の（ス’）「ｐＨの急激な変化を制御可能に最小化するために、第２の現像剤流体をウエーハ表面に供与」する動作と対比すると、
供与する液体の種類や方法は相違するものの、共に『ｐＨの急激な変化を制御可能に最小化するための動作』であるという点では一致するといえる。
　　　　　　
・したがって、両者の一致点、相違点は以下のとおりと認められる。 
 　 
 ［一致点］ 
 　「第１の実質的に不活性な材料をウエーハ表面に供与して、実質的に不
活性な材料の層を形成し、
　第１の現像剤流体によって、ウエーハ表面上の超小型構造に与えられる運動量が、実質的に不活性な材料の層によって低減されるように、第１の現像剤流体をウエーハの表面に供与し、この第１の現像剤流体の供与中の少なくとも一部において、第１の現像剤流体の供与と同時にウエーハを高速回転し、この高速回転は、微小気泡をウエーハの表面から洗い流すように、ウエーハの外側縁に向かう流れを誘起させるのに十分に高速な角速度で行われ、
　現像剤流体を所定滞留時間だけ、ウエーハ表面上にパドルさせて、現像化学変化を実質的に完了させ、現像化学変化の不均一性は、不活性な材料を通した現像剤流体の拡散によって低減し、
　第１の現像剤流体による現像化学変化の実質的な完了後、ｐＨの急激な変化を制御可能に最小化するための動作をし、
　第２の実質的に不活性な材料をウエーハ表面に供与する、ことを特徴とする方法。」 
 　 
 ［相違点］
現像完了後のフォトレジスト膜のｐＨの急激な変化を制御可能に最小化するための動作として、本願補正発明では、「第２の現像剤流体をウエーハ表面に供与」するのに対して、刊行物１記載の発明では、「半導体ウエハを低加速度で回転させながらリンス液を滴下して、処理後の現像液の一部をふり切り除去し、リンス液に置き換える」点。 　 
　　　　　　
・次に上記相違点について検討する。 
 　　　　　　
上記（２−２）で示したように、刊行物２には、「フォトレジストポリマー層の現像処理後、処理後の現像液に含まれる現像反応物を沈殿させない様にしながら、フォトレジストポリマー層から除去すべく、現像後のpHの急激な変化を制御可能に最小化するには、現像完了後に、先ず、追加量の現像液を用いてフォトレジストポリマー層をリンスする事が良い。」旨記載されている。
　してみると、刊行物１記載の発明に、ｐＨ変化を抑制すべく刊行物２の該技術を適用して、現像完了後のフォトレジスト膜のｐＨの急激な変化を制御可能に最小化するための動作として、
「処理後の現像液の一部をふり切り除去し、リンス液に置き換える」替わりに「追加量の現像液を用いてフォトレジストをリンスする」、即ち、「第２の現像剤流体をウエーハ表面に供与する」として、本願補正発明の構成を想到することは、当業者が容易になし得ることである。 
 　 
そして、全体としてみて、本願補正発明によってもたらされる効果も、刊行物１，２に記載された事項から、当業者であれば当然に予測できる程度のものであって、格別のものとはいえない。 
 　 
したがって、本願補正発明は、刊行物１，２記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。 
 　 
（４）むすび 
・以上のとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
 　 
３．本願発明について 
 平成１８年６月２８日付手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜４に係る発明は、平成１８年１月４日付手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲・請求項１〜４に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。 
 　 
 「【請求項１】 
　第１の実質的に不活性な材料をウエーハ表面に供与して、実質的に不活性な材料の層を形成し、
　第１の現像剤流体によって、ウエーハ表面上の超小型構造に与えられる運動量が、実質的に不活性な材料の層によって低減されるように、第１の現像剤流体をウエーハの表面に供与し、
　現像剤流体を所定滞留時間だけ、ウエーハ表面上にパドルさせて、現像化学変化を実質的に完了させ、現像化学変化の不均一性は、不活性な材料を通した現像剤流体の拡散によって低減し、
　第２の現像剤流体をウエーハ表面に供与し、
　第２の実質的に不活性な材料をウエーハ表面に供与する、ことを特徴とする方法。」 
 　 
（１）引用例 
・原査定の拒絶の理由に引用された刊行物１，２の記載事項は上記２．（２）に記載したとおりである。 
 　 
（２）対比・判断 
・本願発明は、上記２．（１）で示したように、本願補正発明から、「第１の現像剤流体をウエーハの表面に供与する際の角速度等」に関する限定、及び、「第２の現像剤流体をウエーハの表面に供与する際のｐＨ変化等」に関する限定を省いたものに相当する。 
 　 
　そうすると、本願発明の構成要件の全てを含み、更に他の要件を付加したものに相当する本願補正発明が、上記２．（３）に記載したとおり、刊行物１，２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、刊行物１，２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 
 　 
（３）むすび 
・以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。