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　特願２００４−１６７９３２「試料解析方法および装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年１２月　２日出願公開、特開２００４−３４３１３１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成９年１０月１日に出願した特願平９−２６８３６３号の一部を，平成１６年６月７日に新たな特許出願としたものであって，平成１９年９月２８日付けで拒絶査定がされ，これに対し，同年１０月３１日に拒絶査定不服審判の請求がされるとともに，同年１１月３０日付けで手続補正がされたものである。
　
第２　平成１９年１１月３０日付けの手続補正についての補正の却下の決定
　
　［補正却下の決定の結論］
　　平成１９年１１月３０日付けの手続補正を却下する。
　
　［理由］
１　補正後の本願発明
　平成１９年１１月３０日付けの手続補正（以下，「本件補正」という。）は，特許請求の範囲を補正するものであって，そのうち請求項１についてする補正は，補正前（平成１８年６月９日付け手続補正書。以下同様。なお，本願については，平成１９年２月５日付けで手続補正がされたが，これは同年９月２８日付けの補正の却下の決定により却下された。）の特許請求の範囲の
「【請求項１】
試料を載置する試料ステージと、
当該試料ステージが設置される試料室と、
前記試料に対してイオンビームを照射する照射光学系と、
当該試料室内に設けられ、前記試料から摘出された試料片を載せる試料ホルダと、
前記試料から摘出される試料片を前記試料ホルダへ移動する移送手段と、
当該移送手段と前記試料との接触を導通によって検知する検知手段とを備えたことを特徴とする試料作製装置。」
を，
「【請求項１】
　試料を載置する試料ステージと、
　当該試料ステージが設置される試料室と、
　前記試料に対してイオンビームを照射する照射光学系と、
　当該試料室内に設けられ、前記試料から摘出された試料片を載せる試料ホルダと、
　前記試料から摘出される試料片を前記試料ホルダへ移動する移送手段と、
　当該移送手段と前記試料との接触を導通によって検知する検知手段とを備え
、
　
前記イオンビームにより、前記試料片となる摘出すべき試料が前記摘出すべき試料上面の辺の一部に設けた支持部により支えられた状態となった後、当該導通により検知した前記移送手段と前記摘出すべき試料との接触検知結果を基に、前記移送手段と前記摘出すべき試料とが接触した時点で前記移送手段を停止させる
　
　上記補正は，補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「移送手段」について，その動作を，「前記イオンビームにより、前記試料片となる摘出すべき試料が前記摘出すべき試料上面の辺の一部に設けた支持部により支えられた状態となった後、当該導通により検知した前記移送手段と前記摘出すべき試料との接触検知結果を基に、前記移送手段と前記摘出すべき試料とが接触した時点で前記移送手段を停止させる」と限定するものであるから，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前（以下単に「平成１８年改正前」という。）の特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するものである。
　
　そこで，本願補正発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について検討する。
　
２　引用例
（１）引用例１
　原査定の拒絶の理由に引用した，本願出願日前に頒布された刊行物である，特開平５−５２７２１号公報（以下「引用例１」という。）には，図面とともに，次の事項が記載されている（下線は当審にて付加した）。
　
ア　「【００１０】
【実施例】以下に、本発明の実施例を図１〜図６を参照して説明する。
図３は、本実施例で用いられるＦＩＢ装置の基本構成を示す。液体金属イオン源１００から放出したイオンは、コンデンサレンズ１０１と対物レンズ１０６によりＦＩＢ１となって試料２上に集束される
【００１１】
試料２は、２軸（Ｘ，Ｙ）方向に移動可能なステージ１０８上において、このステージ１０８に装着された試料回転装置１２０の回転軸に固定されている
【００１２】１０７はガス源で、ガス源１０７から発生したガス（Ｗ（ＣＯ）6 ）は、ガスノズル８によりＦＩＢ１の試料照射部の近傍に導かれる。ガス源１０７はガス源制御部１０７ａにより制御される。ＦＩＢの照射により試料２の表面から発生した二次電子は、二次電子検出器１０９により検出される。二次電子検出器１０９からの二次電子信号をＡ／Ｄ変換し、ＦＩＢの偏向制御と同期してコンピュータ１１０の画像メモリに取り込むことにより、ＣＲＴ１１０ａ上に走査イオン顕微鏡（Scanning Ion Microscope: 略してＳＩＭ) による像が表示される。
【００１３】
マニピュレータ１１２は、図４に示すように、３枚のバイモルフ型圧電素子３０を９０°ずつ方向を回転して接続し、Ｘ，Ｙ，Ｚの３軸の駆動を可能としたものである。マニピュレータの先端には、金属製のプローブ３１を装着している
【００１４】上記コンピュータ１１０は、システムバス１１１を介して可変アパーチャ１０２の絞り駆動、デフレクタ１０５によるビームの偏向動作、二次電子検出器１０９からの信号検出、マニピュレータ１１２の駆動、ステージ１０８の移動、ガスの供給等の各制御を行う。」
　
イ　「【００１５】次に、上記構成を有するＦＩＢ装置を用いて試料２を加工する。図１は、試料２から分析対象部を含む試料の一部を分離する工程（ａ）〜（ｇ）を示した斜視図である。この実施例で、試料２はシリコン基板であり、分離された試料の一部を、以下「分離試料」という。以下に、分離の手順を工程（ａ）〜（ｇ）に従って説明する。
【００１６】（ａ）  試料２の表面に対しＦＩＢ１が直角に照射するように試料２の姿勢を保ち、試料２上でＦＩＢ１を矩形に走査させ、試料表面に所要の深さの角穴３を形成する。
（ｂ）  試料２の表面に対するＦＩＢ１の軸が約７０°傾斜するように、試料２を傾斜させ、底穴４を形成する。試料２の傾斜角の姿勢変更は、試料回転装置１２０によって行われる。
（ｃ）  
試料２の姿勢を変更し、試料２の表面がＦＩＢ１に対し再び垂直になるように試料２を設置し、切欠き溝５を形成する
（ｄ）  
マニピュレータ１１２を駆動し、プローブ３１の先端を、試料２の分離する部分に接触させる。接触したか否かについての判定方法については、後述される
（ｅ）  ガスノズル６からＷ（ＣＯ）6 ガス７を供給し、ＦＩＢ１を、プローブ３１の先端部を含む領域に局所的に照射し、堆積膜８を形成する。
接触状態にある試料２の分離部分とプローブ３１の先端は、堆積膜８で接続される
（ｆ） 
 ＦＩＢ１で残りの部分を切欠き加工し、試料２から分離試料９を切り出す
（ｇ）  
マニピュレータ１１２を駆動し、分離試料９を所要の箇所に移動させる
上記実施例において、
ＦＩＢ１の加工エリアを指定する際、予め加工エリアを含む領域をＦＩＢ１でラスタ走査し、試料２の表面から発生した二次電子（代表的な二次粒子）の信号量を輝度信号として画像化したＳＩＭ像を利用した
【００１７】従って本実施例では
、工程（ｄ）において、プローブ３１を導電性のものとし、それを高抵抗を介して電圧源（電圧をＶｓとする）に接続する。プローブ３１の電位は、プローブ３１が試料２と接触していない時はほぼＶｓとなり、接触した時は試料２の電位（接地電位）となる。これにより、接触がプローブ３１のＳＩＭ像の輝度レベルを変化させるため、このレベル変化に基づき正確な接触判定ができるようになった
【００１８】
切り出した分離試料９は、その後、その断面を再びＦＩＢ加工（微細ビームによる仕上げ加工）し、断面構造をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）で観察した。また、同様の手法で分離試料８の裏面を仕上げ、その構造を観察することもできる。つまり、本実施例によると、試料表面に平行な断面の観察も可能になる。プローブ３１に保持された分離試料９は、試料２とは別個に多種の分析装置に挿入して測定することが可能である。例えば、二次イオン質量分析計で元素分析を行うことができる。また分離試料９は分析に適した形状に再加工することもできる。例えば分析部を頂角部に含むくさび形に分離試料９を加工し、ＣＡＴ（Composition Analysis by Thickness-fringe) 法により、組成分析することもできる
　
ウ　分離方法の分離手順を示す斜視図である図１には，その（ｄ）において，切欠き溝５の上部右側から，プローブ３１が試料に対して接触されるように配置されていることが記載されている。
　
　以上の記載を総合すると，引用例１には，
「その上において装着された試料回転装置１２０の回転軸に試料２が固定されているステージ１０８と、
液体金属イオン源１００から放出したイオンを、ＦＩＢ１となって試料２上に集束させるコンデンサレンズ１０１、対物レンズ１０６等と、
その先端に金属製のプローブ３１を装着し、分離試料９を所要の箇所に移動させるマニピュレータと、を備え、
ＦＩＢにより試料２に切欠き溝５を形成した後、マニピュレータ１１２を駆動し、プローブ３１の先端を、試料２の分離する部分に接触させ、接触したか否かについての判定は、プローブ３１の電位の変化による、ＳＩＭ像の輝度レベルの変化に基づき行う、ＦＩＢ装置。」（以下，「引用発明」という。）
が記載されているものと認められる。
　
（２）周知例１
　本願出願日前に頒布された刊行物である，特開平９−１９９０６９号公報（以下「周知例１」という。）には，図面とともに，次の事項が記載されている（下線は，当審にて付加した）。
　
ア　「【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩの基板や、配線部等の状態を検査する手法として、
被検査対象物の一部を試料として切除した上で、該試料の所要箇所にＦＩＢ（集束イオンビ−ム）装置などによって加工を加え、この試料を試料ホルダーに保持した状態でＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）によって観察することが行われている。従来のＴＥＭ用試料ホルダ−は、試料ホルダ−に試料を取り付けたまま試料作製ができないため、ＦＩＢ装置によって予め試料に加工を施した上で、加工を施した試料をホルダーに取付けてＴＥＭによる観察に供していた
　
（３）周知例２
　本願出願日前に頒布された刊行物である，実願昭４８−１２５３７３号（実開昭５０−６９９５７号）のマイクロフィルム（以下「周知例２」という。）には，図面とともに，次の事項が記載されている（下線は，当審にて付加した）。
　
ア　「２　実用新案登録請求の範囲
　
被測定物に接触させて前記被測定物の座標を測定するために座標測定器に付属して用いられるプローブにおいて、前記プローブと前記被測定物をそれぞれ電極とし前記プローブと前記被測定物が接触した瞬間における前記プローブと前記被測定物間の電圧の変化または電流を検出して検出信号を発生
　３　考案の詳細な説明
　本考案は３次元座標測定器用接触検出プローブに関する。
　
通常数μｍの測定精度を要求される３次元座標測定器で被測定物の形状を測定
　
（４）周知例３
　本願出願日前に頒布された刊行物である，特開平５−７１９０７号公報（以下「周知例３」という。）には，図面とともに，次の事項が記載されている（下線は，当審にて付加した）。
　
ア　「【特許請求の範囲】
【請求項１】  
レーザーマシン等で任意の形状を切断加工するＣＮＣ制御装置において、ノズルの先端に取付ける先端が球状をしたタッチセンサと、タッチセンサと被加工物体の間に電圧を印加してタッチセンサが被加工物体に接触したことを検出する検出手段
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、
高精度なレーザーマシンに使用されるＣＮＣ制御装置に関する
　
（５）周知例４
　本願出願日前に頒布された刊行物である，特開平７−３３３１２０号公報（以下「周知例４」という。）には，図面とともに，次の事項が記載されている（下線は，当審にて付加した）。
　
ア　「【０００２】
【従来の技術】半導体素子などの特定のメモリセルのゲート部分の解析や、特定のコンタクトホール部の金属接合界面の解析など、
特定個所の透過電子顕微鏡（以下ＴＥＭと称する）用試料の作成には、近年集束イオンビーム（以下、ＦＩＢと略称）加工が用いられる
【０００３】次に、図３に示すように、集束イオンビーム２にて突起部１の両側に深さｄ＝３〜１０μｍ、幅ｗ＝４〜１５μｍの加工を施し、中央部に厚さｔの薄膜部３を残す。この薄膜部３に観察したい個所があるようにする。この薄膜部３はＴＥＭ観察を行なうため、その厚さｔは１００ｎｍ程度以下である必要がある。このわずかな厚さを残すため、初めはビーム径０．５〜１μｍ程度の集束イオンビームにより、膜厚１μｍ程度を残すように加工し、さらにビーム径を０．１μｍ程度以下のより細いビームを用いて、薄膜部３の厚さｔを徐々に追い込んでいき、ＴＥＭの観察用試料しとて必要とされる最終的な厚さ１００ｎｍ程度以下に仕上げるようにする。
【０００４】なお、これに関連する第１の従来技術としては、例えば特開平５−１５９８１号公報が挙げられ、断面ＳＥＭ観察用の試料の加工方法として最終的に得たい断面の位置を規定できるマークを加工し、これの走査イオン像（ＳＩＭ像）を利用して仕上げ加工位置を設定する方式が知られている。
・・・
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】集束イオンビーム２の位置のドリフトは０．１μｍ〜０．５μｍ／１０分程度あることが多い。このため図４の試料加工面の要部平面図に示したように、加工中にビームが薄膜部３の中央方向へドリフトすると、薄膜部３を必要以上に加工し過ぎて、観察すべき個所を誤って削り取ってしまうことがしばしばあった。
【０００７】また、薄膜部３の厚さｔが２００ｎｍ程度に近づくと、走査イオン像により薄膜部３を認識しにくくなり、加工領域５を設定すること自体が困難になり、観察すべき個所を加工してしまう危険性が高かった。そこで第１の従来技術では、図４に示すように薄膜部３の観察領域４で示す領域にマーク６ａ、６ｂを設け、これの走査イオン像（ＳＩＭ像）を観察することで、これをたよりに加工領域５を定めていた。ところが薄膜部３の厚さが２００ｎｍ程度の薄さに近づくと、
走査イオン像をとることにより薄膜部３の頂上部が加工されてしまい
　
３　対比
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
　
（１）引用発明の「ステージ１０８」は，その上において装着された試料回転装置１２０を介して試料２を載置するものであるから，本願補正発明の「試料を載置する試料ステージ」に相当する。
（２）引用発明の「液体金属イオン源１００」、「コンデンサレンズ１０１、対物レンズ１０６等」は，イオンをＦＩＢとして試料２上に集束させるのであるから，本願補正発明の「前記試料に対してイオンビームを照射する照射光学系」に相当する。
（３）引用発明の「その先端に金属製のプローブ３１を装着し、分離試料９を所要の箇所に移動させるマニピュレータ」は，分離試料９を所要の箇所に移動させるためのものであり，「分離試料９」は試料２から切り出されたものである（摘記事項イ【００１６】「（ｆ）」）から，本願補正発明の「前記試料から摘出される試料片を前記試料ホルダへ移動する移送手段」と，「前記試料から摘出される試料片を所定の箇所へ移動する移送手段」である点で共通する。
（４）引用発明の「ＦＩＢにより試料２に切欠き溝５を形成した後、マニピュレータ１１２を駆動し、プローブ３１の先端を、試料２の分離する部分に接触させ、接触したか否かについての判定は、プローブ３１の電位の変化による、ＳＩＭ像の輝度レベルの変化に基づき行う」ことについて，まず，「ＦＩＢにより試料２に切欠き溝５を形成」することは，その後に分離試料９を試料２から分離するために，試料２の一部を切り欠き，切り欠き溝５の形成されていない残部で分離試料９となる部分を試料２に支えているのであるから，本願補正発明の「前記イオンビームにより、前記試料片となる摘出すべき試料が前記摘出すべき試料上面の辺の一部に設けた支持部により支えられた状態と」することと，「前記イオンビームにより、前記試料片となる摘出すべき試料が前記摘出すべき試料の一部により支えられた状態と」する点で共通する。
　次に，引用発明の「マニピュレータ１１２を駆動し、プローブ３１の先端を、試料２の分離する部分に接触させ」ることは，接触させた後に，接触状態にある試料２の分離部分とプローブ３１の先端を堆積膜で接続する（摘記事項イ【００１６】「（ｅ）」）のであるから，マニピュレータ１１２の駆動は，接触させるまで行い，接触したら停止されることは明らかであり，また，引用発明は「接触したか否かについての判定は、プローブ３１の電位の変化による、ＳＩＭ像の輝度レベルの変化に基づき行」っているのであるから，引用発明の「マニピュレータ１１２を駆動し、プローブ３１の先端を、試料２の分離する部分に接触させ、接触したか否かについての判定は、プローブ３１の電位の変化による、ＳＩＭ像の輝度レベルの変化に基づき行う」ことは，本願補正発明の「当該導通により検知した前記移送手段と前記摘出すべき試料との接触検知結果を基に、前記移送手段と前記摘出すべき試料とが接触した時点で前記移送手段を停止させる」と，「前記移送手段と前記摘出すべき試料との接触の判定を基に、前記移送手段と前記摘出すべき試料とが接触した時点で前記移送手段を停止させる」点で共通する。
（５）引用発明の「ＦＩＢ装置」は，試料２を加工して，分離試料９を切り出しているのであるから，本願補正発明の「試料作製装置」に相当する。
　
　そうすると，本願補正発明と引用発明とは，
「試料を載置する試料ステージと、
　前記試料に対してイオンビームを照射する照射光学系と、
　前記試料から摘出される試料片を所定の箇所へ移動する移送手段と、を備え、　
　前記イオンビームにより、前記試料片となる摘出すべき試料が前記摘出すべき試料の一部により支えられた状態となった後、前記移送手段と前記摘出すべき試料との接触の判定を基に、前記移送手段と前記摘出すべき試料とが接触した時点で前記移送手段を停止させる試料作製装置。」
である点で一致しており，次の点で相違する。
　
相違点１：本願補正発明では「試料ステージが設置される試料室」を備えているのに対し，引用発明では当該構成について明らかでない点。
　
相違点２：本願補正発明では「試料室内に設けられ、前記試料から摘出された試料片を載せる試料ホルダ」を備え，移送手段が試料片を「試料ホルダ」へ移動させるのに対し，引用発明では試料ホルダを有するかについて明らかでなく，マニピュレータが分離試料９を「所要の箇所」に移動させる点。
　
相違点３：本願補正発明では「当該移送手段と前記試料との接触を導通によって検知する検知手段」を備え，「当該導通により検知した」「検知結果」を基に移送手段を停止させているのに対し，引用発明では「プローブ３１の電位の変化による、ＳＩＭ像の輝度レベルの変化に基づ」いた「接触したか否かについての判定」を基にマニピュレータ１１２の駆動を停止させている点。
　
相違点４：前記試料片となる摘出すべき試料が前記摘出すべき試料の一部により支えられた状態について，試料の一部が，本願補正発明では「試料上面の辺の一部に設けた支持部」であるのに対し，引用発明では，ＦＩＢにより試料２に切欠き溝５を形成し，その切り欠き溝５の形成されていない残部である点。
　
４　判断
　上記各相違点について判断する。
（１）相違点１について
　引用発明は，ＦＩＢにより試料を加工するＦＩＢ装置であり，試料が真空中に配置されることは当業者に明らかである。そして，試料室のような構成によって，そのように試料を真空中に配置することは，技術常識である。引用例１では，このような構成について，単にその記載を省略したものであり，上記相違点１は，実質的な相違となるものではない。
　
（２）相違点２について
　引用例１には，摘記事項（１）イ【００１８】に記載されるように，分離試料を切り出した後，様々な分析装置で測定しうることが示されている。このように，様々な分析装置で分離試料を測定するためには，試料から分離試料を切り出したＦＩＢ装置とは異なる分析装置に分離試料を導入して，測定を行うとすることは，当業者において通常為し得たものである。そうすると，引用発明において，マニピュレータにより分離試料を所要の箇所に移動させるのは，引用発明のＦＩＢ装置とは異なる分析装置に分離試料を導入するためであることは，当業者における通常の理解である。
　ここで，例えば周知例１に示されるように，ＦＩＢ装置によって加工された試料を，ホルダーに取り付けてＴＥＭで観察することなどは，従来周知の技術であると言える。してみると，引用発明において，分離試料を切り出した後の分析装置で測定するために，分析装置に適当な試料ホルダを試料室内に備えるようにして，マニピュレータにより分離試料を移動させる箇所を該試料ホルダとすることは，当業者であれば容易に為し得たものである。
　
（３）相違点３について
　周知例２及び周知例３それぞれに記載されるように，微細な測定や加工を行う際に，プローブ（タッチセンサ）と，被測定物（被加工物体）との接触を，それらの間の導通によって検出することは，周知の技術である。
　引用発明では，プローブと試料との接触の判定は，プローブの電位の変化を，ＳＩＭ像の輝度レベルの変化に基づいて行っているが，引用発明においてＳＩＭ像を得るためには，加工エリアを含む領域をＦＩＢでラスタ走査することを行わなくてはならない（摘記事項（１）イ【００１６】）。一方，例えば周知例４に記載されるように，ＦＩＢ装置において，ＳＩＭ像を得ることにより，試料が加工されてしまうという問題があることが，当業者に従来周知の課題である。
　してみると，引用発明における上記のような構成によって発生する従来周知の課題を解決するために，上記周知の技術を採用し，プローブと試料との導通を検出する構成を備え，プローブと試料との接触の判定に用いるプローブの電位の変化を，プローブと試料との導通によって検出するようなことは，当業者であれば容易に為し得たものである。
　そして，そのような構成を採用すると，引用発明において，プローブと試料との接触を検出した時点でマニピュレータの駆動を停止させることができるようになるのであるから，試料やプローブの破損を最小限に抑えることができると言う効果は，当業者であれば予測し得たものである。
　
（４）相違点４について
　引用発明において，ＦＩＢにより試料２に切欠き溝５を形成しているのは，引用例１の図１及び分離手順の記載を参照すると，プローブ３１を試料２に接続すると，切欠き溝５の位置でＦＩＢとプローブ３１とが支障するためであり（摘記事項（１）ウ），試料２の分離の手順は，切欠き溝５を形成し，プローブ３１を試料２に接続した後に，ＦＩＢで残りの部分を切欠き加工して，試料から分離試料を切り出している（摘記事項（１）イ【００１６】）。すると，プローブ３１を試料２に接続することと，ＦＩＢで残りの部分を切欠き加工することとは，プローブ３１を試料２に接続するときに，分離試料９となるべき試料の部分が，少なくとも一部において試料２に支えられた状態であればよいのであって，プローブ３１を試料２に接続する前に切欠き溝５を形成する箇所が，プローブ３１とＦＩＢとが支障する箇所のみとする必然性もない。してみると，プローブ３１を試料２に接続する前に，どこまで切欠き溝を形成するかは，当業者において適宜設定し得たものであり，例えばプローブ３１を試料２に接続して，直ちに分離試料を試料から分離できるように，切欠き溝が形成されていないところをなるべく少なく，すなわち，試料上面の辺の一部のみを支持部として，分離試料９となるべき試料の部分が試料２に支持されるようにすることは，当業者において容易に為し得たものである。
　
　そして，本願補正発明の作用効果は，引用発明及び周知の技術から，当業者であれば予測できる範囲のものである。
　以上の通り，本願補正発明は，引用発明及び周知の技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
５　むすび
　上記のとおり，本件補正は，平成１８年改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成１９年１１月３０日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので，本願の請求項１乃至２０に係る発明は，平成１８年６月９日付け手続補正書の請求項１乃至２０に記載された事項により特定されるとおりのものであって，その請求項１に係る発明は，上記第２，１に記載のとおりのものである（以下，「本願発明」という。）。
　
２　引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例及びその記載事項は，上記第２，２（１）に記載したとおりである。
　
３　対比・判断
　本願発明は，上記第２で検討した本願補正発明において，「移送手段」について，その動作の限定を省いたものである。
　そうすると，本願発明の構成要件をすべて含み，さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が，上記第２，４に述べたとおり，引用発明及び周知の技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も同様の理由により，引用発明及び周知の技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　
４　むすび
　以上のとおり，本願発明は，引用発明及び周知の技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　したがって，その余の請求項に係る発明について審理するまでもなく，本件出願は拒絶されるべきものである。
　
　よって，結論のとおり審決する。