【手続補正書】
【提出日】平成27年6月25日(2015.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップ搭載領域とそれを取り囲む周辺領域とを有する第１部材と、前記チップ搭載領域に搭載された半導体チップと、前記半導体チップを覆う第２部材とを有する半導体装置であって、
前記第１部材と前記第２部材とを結合するために前記周辺領域と前記第２部材との間に前記チップ搭載領域を全周にわたって取り囲むように枠状に配置された接着剤を備え、
前記第１部材と前記枠状に配置された前記接着剤との間および前記第２部材と前記枠状に配置された前記接着剤との間の少なくとも一方の一部に、前記周辺領域の内側の空間と前記周辺領域の外側の空間とを連通させる隙間が形成されている、
を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記接着剤が配置された枠状領域のうち前記隙間が形成された領域における前記接着剤の幅が前記枠状領域のうち他の領域の幅よりも狭い、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
（ｅ）前記接着剤が配置された枠状領域のうち前記隙間が形成された領域における前記第１部材の表面粗さが前記枠状領域のうち他の領域における前記第１部材の表面粗さよりも小さい、および、
（ｆ）前記接着剤が配置された枠状領域のうち前記隙間が形成された領域における前記第２部材の表面粗さが前記枠状領域のうち他の領域における前記第２部材の表面粗さよりも小さい、
の少なくともいずれか一方を満たすことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
（ｇ）前記第１部材は、前記接着剤が配置された枠状領域のうち前記隙間が形成された領域に撥液処理が施されている、および、
（ｈ）前記第２部材は、前記接着剤が配置された枠状領域のうち前記隙間が形成された領域に撥液処理が施されている、
の少なくともいずれか一方を満たすことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記接着剤が配置された枠状領域のうち前記隙間が形成された領域における前記周辺領域と前記第２部材との間隔が前記枠状領域のうち他の領域における前記周辺領域と前記第２部材との間隔より小さい、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１部材は、前記チップ搭載領域を有する板部材と、前記周辺領域を有する枠状部材と、前記板部材と前記枠状部材とを結合するために前記板部材の前記チップ搭載領域を全周にわたって取り囲むように枠状に配置された第２接着剤とを含む、
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第２部材は、前記半導体チップを覆う板部材と、枠状部材と、前記板部材と前記枠状部材とを結合するために前記板部材に枠状に連続的に配置された第２接着剤とを含む、
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記板部材と前記第２接着剤との間および前記枠状部材と前記第２接着剤との少なくとも一方の一部に、前記周辺領域の内側の空間と前記周辺領域の外側の空間とを連通させる隙間が形成されている、
ことを特徴とする請求項６又は７に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記半導体チップは、固体撮像チップである、
ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の半導体装置と、
前記半導体装置から出力される信号を処理する処理部と、
を備えることを特徴とするカメラ。
【請求項１１】
チップ搭載領域とそれを取り囲む周辺領域とを有する第１部材と、前記チップ搭載領域に搭載された半導体チップと、前記半導体チップを覆うように前記第１部材に固定された第２部材とを有する半導体装置の製造方法であって、
前記チップ搭載領域に前記半導体チップが搭載された前記第１部材の前記周辺領域と前記第２部材とを接着剤で接着する接着工程と、
前記接着工程において前記接着剤が硬化を開始した後に前記第１部材と前記第２部材との間に応力を発生させることにより、前記第１部材と前記接着剤との間および前記第２部材と前記接着剤との間の少なくとも一方の一部に、前記周辺領域の内側の空間と前記周辺領域の外側の空間とを連通させる隙間を形成する応力印加工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記接着工程は、前記周辺領域と前記第２部材との間に前記チップ搭載領域を全周にわたって取り囲むように前記接着剤を配置する配置工程を含み、
前記配置工程では、前記接着剤を配置する領域のうち前記隙間を形成すべき領域における前記接着剤の幅が前記接着剤を配置する領域のうち他の領域における前記接着剤の幅よりも狭くなるように前記接着剤を配置する、
ことを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記接着工程は、前記周辺領域と前記第２部材との間に前記チップ搭載領域を全周にわたって取り囲むように前記接着剤を配置する配置工程を含み、
前記配置工程において前記接着剤を配置する領域のうち前記隙間を形成すべき領域における前記周辺領域と前記第２部材との間隔が前記接着剤を配置する領域のうち他の領域における前記周辺領域と前記第２部材との間隔よりも小さい、
ことを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記接着工程は、前記周辺領域と前記第２部材との間に前記チップ搭載領域を全周にわたって取り囲むように前記接着剤を配置する配置工程を含み、
（ａ）前記接着剤を配置する領域のうち前記隙間を形成すべき領域における前記第１部材の表面粗さが前記接着剤を配置する領域のうち他の領域における前記第１部材の表面粗さよりも小さい、および、
（ｂ）前記接着剤を配置する領域のうち前記隙間を形成すべき領域における前記第２部材の表面粗さが前記接着剤を配置する領域のうち他の領域における前記第２部材の表面粗さよりも小さい、
の少なくとも一方を満たすことを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記接着工程は、前記周辺領域と前記第２部材との間に前記チップ搭載領域を全周にわたって取り囲むように前記接着剤を配置する配置工程と、前記接着剤を硬化させる硬化工程と、を含み、
前記硬化工程では、前記接着剤を配置する領域のうち前記隙間を形成すべき領域における前記接着剤の硬化率が前記接着剤を配置する領域のうち他の領域における前記接着剤の硬化率よりも低くなるように、前記接着剤を硬化させる、
ことを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
（ｃ）前記第１部材は、前記接着剤を配置する領域のうち前記隙間を形成すべき領域に撥液処理が施されている、および、
（ｄ）前記第２部材は、前記接着剤を配置する領域のうち前記隙間を形成すべき領域に撥液処理が施されている、
の少なくとも一方を満たすことを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
前記接着工程は、前記周辺領域と前記第２部材との間に前記チップ搭載領域を全周にわたって取り囲むように前記接着剤を配置する配置工程を含み、
前記配置工程において前記接着剤を配置する領域のうち前記隙間を形成すべき領域における前記周辺領域と前記第２部材との間隔が前記接着剤を配置する領域のうち他の領域における前記周辺領域と前記第２部材との間隔よりも小さくなるように、前記周辺領域の表面が湾曲している、
ことを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
前記接着工程は、前記周辺領域と前記第２部材との間に前記チップ搭載領域を全周にわたって取り囲むように前記接着剤を配置する配置工程を含み、
前記配置工程では、前記接着剤を配置する領域のうち前記隙間を形成すべき領域における前記接着剤の幅が前記接着剤を配置する領域のうち他の領域における前記接着剤の幅よりも狭くなるように前記接着剤を配置し、
前記製造方法は、
（ａ）前記接着剤を配置する領域のうち前記隙間を形成すべき領域における前記第１部材の表面粗さが前記接着剤を配置する領域のうち他の領域における前記第１部材の表面粗さよりも小さい、および、
（ｂ）前記接着剤を配置する領域のうち前記隙間を形成すべき領域における前記第２部材の表面粗さが前記接着剤を配置する領域のうち他の領域における前記第２部材の表面粗さよりも小さい、
の少なくとも一方を満す、
ことを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
前記接着工程は、前記周辺領域と前記第２部材との間に前記チップ搭載領域を全周にわたって取り囲むように前記接着剤を配置する配置工程を含み、前記配置工程では、前記接着剤を配置する領域のうち前記隙間を形成すべき領域における前記接着剤の幅が前記接着剤を配置する領域のうち他の領域における前記接着剤の幅よりも狭くなるように前記接着剤を配置し、
前記製造方法は、
（ｃ）前記第１部材は、前記接着剤を配置する領域のうち前記隙間を形成すべき領域に撥液処理が施されている、および、
（ｄ）前記第２部材は、前記接着剤を配置する領域のうち前記隙間を形成すべき領域に撥液処理が施されている、
の少なくとも一方を満す、
ことを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
前記応力印加工程は、前記接着工程の終了後に実施される、
ことを特徴とする請求項１１乃至１９のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２１】
前記応力印加工程は、前記第１部材および前記第２部材の少なくとも一方を加熱する工程を含む、
ことを特徴とする請求項１１乃至２０のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２２】
前記半導体チップは、固体撮像チップである、
ことを特徴とする請求項１１乃至２１のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。