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　特願２００２−３０９３８９「半導体製造装置用セラミックスヒーター」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　５月２０日出願公開、特開２００４−１４６５７０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１４年１０月２４日の出願であって、平成１８年３月１３日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年４月２０日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年５月１９日付けで手続補正がなされ、その後、当審において平成２０年７月４日付けで審尋がなされたものである。
　
第２　平成１８年５月１９日付けの手続補正について
［補正の却下の決定の結論］
　平成１８年５月１９日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
１．本件補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲及び発明の詳細な説明を補正するものであり、補正前の請求項１ないし６を補正後の請求項１ないし５と補正し、補正前の０００８段落を補正するものであって、補正後の請求項１ないし５は、以下のとおりである。
「【請求項１】熱伝導率が１００Ｗ／ｍＫ以上のセラミックス基板の内部に抵抗発熱体を有する半導体製造装置用セラミックスヒーターであって、該抵抗発熱体の互いに隣り合う配線間の距離が１〜５ｍｍであり、均熱性が±０．５％以下であることを特徴とする半導体製造装置用セラミックスヒーター。
【請求項２】熱伝導率が１０Ｗ／ｍＫ以上のセラミックス基板の内部に抵抗発熱体を有する半導体製造装置用セラミックスヒーターであって、該抵抗発熱体の互いに隣り合う配線間の距離が１〜５ｍｍであり、均熱性が±１．０％以下であることを特徴とする半導体製造装置用セラミックスヒーター。
【請求項３】前記セラミックス基板が、窒化アルミニウム、窒化珪素、酸窒化アルミニウム、炭化珪素から選ばれた少なくとも１種からなることを特徴とする、請求項１又は２に記載の半導体製造装置用セラミックスヒーター。
【請求項４】前記抵抗発熱体が、タングステン、モリブデン、白金、パラジウム、銀、ニッケル、クロムから選ばれた少なくとも１種からなることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の半導体製造装置用セラミックスヒーター。
【請求項５】前記セラミックス基板の表面又は内部に、更にプラズマ電極が配置されていることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の半導体製造装置用セラミックスヒーター。」
　
２．補正内容の整理
　本件補正のうち、補正前の請求項１ないし６についてなされた補正の内容を、以下に整理する。
・補正事項ａ
　補正前の請求項１の「セラミックス基板の表面又は内部に抵抗発熱体を有する」を、補正後の請求項１の「セラミックス基板の内部に抵抗発熱体を有する」と補正すること。
・補正事項ｂ
　補正前の請求項１の「配線間の距離が０．１〜５ｍｍであり」を、補正後の請求項１の「配線間の距離が１〜５ｍｍであり」と補正すること。
・補正事項ｃ
　補正前の請求項２の「セラミックス基板の表面又は内部に抵抗発熱体を有する」を、補正後の請求項２の「セラミックス基板の内部に抵抗発熱体を有する」と補正すること。
・補正事項ｄ
　補正前の請求項２の「配線間の距離が０．１〜５ｍｍであり」を、補正後の請求項２の「配線間の距離が１〜５ｍｍであり」と補正すること。
・補正事項ｅ
　補正前の請求項３を削除し、補正前の請求項４ないし６を、補正後の請求項３ないし５に繰り上げるとともに、それに対応して、補正前の請求項４ないし６が引用する請求項の項番を、それぞれ、補正後の請求項３ないし５が引用する請求項の項番とすること。
　
３．補正の目的の適否及び新規事項の追加の有無についての検討
・補正事項ａについて
　補正事項ａについての補正は、実質的に、補正前の請求項１の「セラミックス基板の表面又は内部に抵抗発熱体を有する」態様について、「セラミックス基板の表面」「に抵抗発熱体を有する」態様を削除し、補正後の請求項１の「セラミックス基板の内部に抵抗発熱体を有する」態様のみとするものであり、択一的な記載において選択肢を削除するものであるから、特許法第３６条第５項の規定により請求項に記載した発明を特定するために必要な事項を限定するものであり、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するものである。
　また、補正事項ａについての補正は、上記において検討したとおり、択一的な記載において選択肢を削除するものであるから、願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、「当初明細書等」という。）のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものであることは明らかである。よって、補正事項ａについての補正は、同法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
・補正事項ｂについて
　補正事項ｂについての補正は、実質的に、補正前の請求項１の「配線間の距離」についての数値範囲である「０．１〜５ｍｍ」を、補正後の請求項１の「配線間の距離」についての数値範囲である「１〜５ｍｍ」とし、数値の範囲を限定するものであるから、特許法第３６条第５項の規定により請求項に記載した発明を特定するために必要な事項を限定するものであり、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するものである。
　また、当初明細書等の発明の詳細な説明の００１４段落には、「即ち、本発明においては、抵抗発熱体の配線において、互いに隣り合う配線間の距離を０．１〜５ｍｍとし、好ましくは１．０〜５ｍｍとする。」と記載されており、配線間の距離を１〜５ｍｍとすることが記載されているから、「配線間の距離」を「１〜５ｍｍ」とする補正事項ｂについての補正は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。よって、補正事項ｂについての補正は、同法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
・補正事項ｃ及びｄについて
　上記補正事項ａ及びｂについて検討したのと同様の理由により、補正事項ｃ及びｄについてなされた補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当し、さらに、同法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
・補正事項ｅについて
　補正事項ｅついてなされた補正は、実質的に、補正前の請求項３を削除し、それに対応して、補正前の請求項４ないし６を、補正後の請求項３ないし５と補正するものであるから、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものに該当するものである。
　また、補正事項ｅについての補正は、上記において検討したとおり、実質的に、請求項を削除するものであるから、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものであることは明らかである。よって、補正事項ｅについての補正は、同法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
　
　以上のとおり、本件補正のうち、特許請求の範囲についてなされた補正事項ａないしｅについての補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たすものであり、また、同法第１７条の２第３項の規定に違反するものではない。そして、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第第２号に掲げる事項を目的とする補正事項を含むものであるから、以下において、本件補正が、同第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定する要件（独立特許要件）を満たすか否かについて検討する。
　
４．独立特許要件についての検討
　本件補正による補正後の請求項１ないし５に係る発明のうち、補正後の請求項２に係る発明は、上記「第２　１．」において、補正後の請求項２として記載した事項により特定されるとおりのものである。
　
４−１．刊行物に記載された事項
４−１−１．刊行物１：特開２００２−５７１０７号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された特開２００２−５７１０７号公報（以下、「刊行物１」という。）には、表１、図１、図３及び図４とともに、以下の事項が記載されている。
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、半導体ウエハ、液晶用ガラス基板、磁気ヘッド用基板などのウエハを加熱するのに用いるウエハ加熱部材及びこれを用いたウエハの均熱化方法並びに昇温方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置を製造するにあたり、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、スパッタリング等の成膜工程やエッチング工程等においては、半導体ウエハ（以下、単にウエハと言う）を保持して各種処理温度に加熱するためにウエハ加熱部材が用いられている。」
「【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、成膜工程やエッチング工程では、リードタイムを短くするために所定の温度に加熱するまでの昇温速度を高めることが要求されている。また、成膜特性やエッチング精度を高めるためにはウエハ５０の面内温度差ができるだけ小さいことが望まれている。」
「【００３５】ところで、上記ウエハ加熱部材１，２２を構成する板状セラミック体２，２３の材質としては、アルミナ、窒化珪素、サイアロン、窒化アルミニウムを主成分とするセラミックスを用いることができるが、この中でも窒化アルミニウムを主成分とするセラミックスは他のセラミックスと比較して高い熱伝導率を有することから好適であり、具体的には窒化アルミニウムの含有量が９０％以上であるものが良い。」
「【００３７】更に、上記板状セラミック体２，２３中に埋設する発熱体Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３の間隔が２ｍｍ以下では、発熱体Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３間の絶縁不良を起こすことがあり、また８ｍｍ以上では発熱体Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３間に温度の低い領域が発生し、ウエハ面内の温度差が大きくなり好ましくない。その為、各発熱体Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３の間隔は２ｍｍから８ｍｍが好ましく、更には２ｍｍから５ｍｍであると更にウエハ面の温度差を低減することができ望ましい。」
「【００３９】
【実施例】（実施例１）図１に示すウエハ加熱部材１を製作し、ウエハを加熱した時のウエハの面内温度差について調べる実験を行った。
【００４０】本実験にあたり、ウエハ加熱部材１を構成する板状セラミック体２は窒化アルミニウム質セラミックスにより形成し、外形２４０ｍｍ、厚み１５ｍｍの円盤状とした。また、板状セラミック体２中の内側で外径１００ｍｍの範囲内には図３に示すパターン形状を有する発熱体Ｗ１を、その外側で外径２２０ｍｍ、内径１０２ｍｍの範囲内には図４に示すパターン形状を有する発熱体Ｗ２をそれぞれ埋設した。」
「【００５０】そこで、ウエハ加熱部材１の載置面４に測温用ＴＣウエハを載せた状態で６００℃に加熱し、発熱体Ｗ１の抵抗値Ｒ２が以下の関係が成り立つように調整した。
【００５１】９５．２４１・Ｒ２−２７９．９３５＝Ｔｃ＋ΔＴ
この結果、表１に示すように、本発明のウエハ加熱部材１は、測温用ＴＣウエハの面内温度差が３．９℃であった。」
「（実施例３）次に、実施例１における本発明のウエハ加熱部材１と同様の製法において、内側の発熱体Ｗ１と外側の発熱体Ｗ２を載置面４へ投影した時の発熱体Ｗ１，Ｗ２の間隔を異ならせた、処理温度を６００℃にした時のウエハ加熱部材１の温度分布の良否について調べる実験を行った。
【００６０】この結果、発熱体Ｗ１，Ｗ２の間隔を２ｍｍ〜８ｍｍとすれば、ウエハ面内の温度差を±５℃以下とすることができ、特に２ｍｍ〜５ｍｍの範囲のものが優れていた。」（００５９段落及び００６０段落）
「【００８１】また、請求項３に係る発明のように、上記ウエハ加熱部材に埋設する複数の発熱体（Ｗｘ：ｘ＝１，２，３，…）を以下の工程によって独立して制御することにより上記載置面上に載せたウエハを加熱し、該ウエハの均熱化を図るようにしたことから、どのような雰囲気下でもウエハの面内温度差を±５℃以下に均熱化することができる。
（１）ウエハ加熱部材の載置面にウエハを載せ、基準となる温度と処理温度の少なくとも２点において、上記ウエハの面内温度差を±５℃以下とした時、最も内側の発熱体（Ｗ１）以外の発熱体（Ｗｘ：ｘ＝２，３，…）の抵抗値（Ｒｘ：ｘ＝２，３，…）と、最も内側の発熱体（Ｗ１）以外の発熱体（Ｗｘ：ｘ＝２，３，…）上に位置するウエハの各部位における温度（Ｔｘ：ｘ＝２，３，…）を測定する工程
（２）最も内側の発熱体（Ｗ１）以外の発熱体（Ｗｘ：ｘ＝２，３，…）の抵抗値（Ｒｘ：ｘ＝２，３，…）と、最も内側の発熱体（Ｗ１）以外の発熱体（Ｗｘ：ｘ＝２，３，…）上に位置するウエハの各部位における温度（Ｔｘ：ｘ＝２，３，…）が数１で表されると仮定し、工程（１）で得られた値を基に各発熱体（Ｗｘ：ｘ＝２，３，…）における数１のＫｘとＱｘを最小２乗法により決定するとともに、処理温度における温度検出手段の温度Ｔｃと、最も内側の発熱体（Ｗ１）の温度Ｔ１との温度差ΔＴを算出する工程
(数１)
Ｔｘ＝Ｒｘ×Ｋｘ＋Ｑｘ    （ｘ＝１,２，３，…）
ただし、
Ｔｘ（単位：℃）は各発熱体上に位置するウエハの各部位における温度
Ｒｘ（単位：Ω）は各発熱体の抵抗値
Ｋｘ，Ｑｘは最小２乗法により求められる定数
（３）工程（２）で得られた値を基に、ウエハの中心温度Ｔｗは、温度検出手段から得られる温度Ｔｃを基に、最も内側の発熱体（Ｗ１）に通電する電力を制御するとともに、最も内側の発熱体（Ｗ１）以外の発熱体（Ｗｘ：ｘ＝２，３，…）上に位置するウエハの各部位における温度（Ｔｘ：ｘ＝２，３，…）は、数２となるようなＲｘが得られるように、最も内側の発熱体（Ｗ１）以外の各発熱体（Ｗｘ：ｘ＝２，３，…）に通電する電力を制御する工程
(数２)
  Ｋｘ・Ｒｘ＋Ｑｘ＝Ｔｃ＋ΔＴ        （ｘ＝２，３，…）
ただし、
Ｔｘ（単位：℃）は各発熱体上に位置するウエハの各部位における温度
Ｒｘ（単位：Ω）は各発熱体の抵抗値
Ｋｘ，Ｑｘは最小２乗法により求められる定数
Ｔｃ（単位：℃）は処理温度における温度検出手段にて測定した時の温度
ΔＴ（単位：℃）は処理温度における最も内側の発熱体上に位置するウエハ中心部の温度と温度検出手段にて測定した時の温度との差」
　
（ア）刊行物１には、「（３）工程（２）で得られた値を基に、ウエハの中心温度Ｔｗは、温度検出手段から得られる温度Ｔｃを基に、最も内側の発熱体（Ｗ１）に通電する電力を制御するとともに、最も内側の発熱体（Ｗ１）以外の発熱体（Ｗｘ：ｘ＝２，３，…）上に位置するウエハの各部位における温度（Ｔｘ：ｘ＝２，３，…）は、数２となるようなＲｘが得られるように、最も内側の発熱体（Ｗ１）以外の各発熱体（Ｗｘ：ｘ＝２，３，…）に通電する電力を制御する工程　(数２)  Ｋｘ・Ｒｘ＋Ｑｘ＝Ｔｃ＋ΔＴ　（ｘ＝２，３，…）　ただし、　Ｔｘ（単位：℃）は各発熱体上に位置するウエハの各部位における温度　Ｒｘ（単位：Ω）は各発熱体の抵抗値」（００８１段落）と記載されており、発熱体Ｗ１及び発熱体Ｗ２が、通電されるものであることは明らかである。
（イ）刊行物１には、「また、板状セラミック体２中の内側で外径１００ｍｍの範囲内には図３に示すパターン形状を有する発熱体Ｗ１を、その外側で外径２２０ｍｍ、内径１０２ｍｍの範囲内には図４に示すパターン形状を有する発熱体Ｗ２をそれぞれ埋設した。」（００４０段落）と記載されており、図３及び図４には、所定のパターン形状を有する線状の発熱体Ｗ１及び発熱体Ｗ２が図示されている。
　
　したがって、刊行物１には、以下の発明（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されている。
（刊行物１発明）
「窒化アルミニウム質セラミックスにより形成された板状セラミック体２中に、通電される線状の発熱体Ｗ１及び発熱体Ｗ２が埋設され、半導体装置を製造するための成膜工程やエッチング工程において用いられるウエハ加熱部材１であって、前記発熱体Ｗ１及び発熱体Ｗ２の間隔が２ｍｍ〜５ｍｍであり、処理温度を６００℃にした時のウエハ面内の温度差が±５℃以下であることを特徴とするウエハ加熱部材１。」
　
４−１−２．刊行物２：特開２００２−５７２０７号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された特開２００２−５７２０７号公報（以下、「刊行物２」という。）には、以下の事項が記載されている。
「そのような枚葉式の半導体製造装置を用いる場合に、ローダーで、エッチング装置や成膜装置のチャンバ内のウェハ保持体の上にウェハを搬送し、その保持体に静電チャックでウェハを固定した状態で、または保持体のウェハ支持面の面精度を上げてウェハを静置密着させた状態で保持体に熱を直接与えてウェハを均一に加熱する方法が採用されている。したがって、ウェハ保持体は、少なくともウェハに接する部分が、膜形成用の反応ガスやエッチングガスとしての腐食性の高いハロゲンガス等のガスに対する耐食性と高い熱伝導率を有する材料で構成される必要がある。また、保持体自身に静電チャック機能や機械固定機能、およびヒーター機能を付与する必要がある。
【０００４】そこで、保持体の材料としては、耐食性、高い熱伝導率を有する窒化アルミニウムが注目されてきている。」（０００３段落及び０００４段落）
「【００２３】線状の導電層の線幅および線間隔を狭くすることにより、ウェハ加熱面におけるヒーター線上とヒーター線間上の温度差の影響まで小さくした均一加熱を行なうことも可能となり、また複雑な導電層のパターンも設計しやすくなる。
【００２４】成膜時のウェハの温度分布は少なくとも１％以内に抑える必要があるので、線状の導電層の線幅および線間隔は５ｍｍ以下であるのが好ましく、さらに可能なら、ウェハの温度分布を０．５％以内に抑えるのが好ましく、そのためには線幅および線間隔を１ｍｍ以下に抑える必要がある。本発明の製造方法においては、金属粒子を含むペーストの印刷塗布条件を検討することにより、線幅と線間隔が５ｍｍ以下の線状の導電層のパターンを形成することができる。また、好ましくは、線幅と線間隔が１ｍｍ以下の線状の導電層のパターンを形成することも可能である。
【００２５】この発明の半導体製造装置用ウェハ保持体の製造方法において、保持体の基材としてセラミックスは、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、窒化ケイ素または酸窒化アルミニウムのいずれか１種を含むのが好ましい。上記のようなセラミックスを用いることにより、ウェハ保持体が耐熱性を備えるとともに、反応ガスに用いられる、たとえばハロゲンを含む腐食性のガスに対する耐食性も備えることができる。
【００２６】さらに好ましくは、この発明の半導体製造装置用ウェハ保持体の製造方法において、保持体の基材としてセラミックスは窒化アルミニウムを用いる。窒化アルミニウムを用いることにより、１００Ｗ／ｍＫ以上の高い熱伝導率とハロゲンガス等に対する高い耐食性を有する保持体を製造することができる。」
　
４−２．対比
（ア）刊行物１発明の「窒化アルミニウム質セラミックスにより形成された板状セラミック体２」は、補正発明の「セラミックス基板」に相当する。
（イ）刊行物１発明の「通電される線状の発熱体Ｗ１及び発熱体Ｗ２」は、通電されることにより発熱するものであるから、補正発明の「抵抗発熱体」に相当する。
（ウ）刊行物１発明の「ウエハ加熱部材１」は、「窒化アルミニウム質セラミックスにより形成された板状セラミック体２」からなり、「半導体装置を製造するための成膜工程やエッチング工程において用いられる」ものであるから、補正発明の「半導体製造装置用セラミックスヒーター」に相当する。
（エ）刊行物１発明の「処理温度を６００℃にした時のウエハ面内の温度差が±５℃以下である」ことは、「処理温度」に対する「ウエハ面内の温度差」の割合が、±０．８３％以下であることに等しいから、補正発明の「均熱性が±１．０％以下であること」に相当する。
　
　よって、補正発明と刊行物１発明とは、
「セラミックス基板の内部に抵抗発熱体を有する半導体製造装置用セラミックスヒーターであって、均熱性が±１．０％以下であることを特徴とする半導体製造装置用セラミックスヒーター。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
〈相違点１〉
　補正発明は、「熱伝導率が１０Ｗ／ｍＫ以上のセラミックス基板の内部に抵抗発熱体を有する」ものであるのに対し、刊行物１発明は、「窒化アルミニウム質セラミックスにより形成された板状セラミック体２中に、通電される線状の発熱体Ｗ１及び発熱体Ｗ２が埋設され」たものであり、補正発明の「セラミックス基板の内部に抵抗発熱体を有する」ことに相当する構造を有するものの、「窒化アルミニウム質セラミックスにより形成された板状セラミック体２」の熱伝導率について具体的に限定がなされていない点。
〈相違点２〉
　補正発明は、「該抵抗発熱体の互いに隣り合う配線間の距離が１〜５ｍｍであ」るものであるのに対し、刊行物１発明は、「前記発熱体Ｗ１及び発熱体Ｗ２の間隔が２ｍｍ〜５ｍｍであ」るものの、「線状の発熱体Ｗ１及び発熱体Ｗ２」の互いに隣り合う配線間の距離について具体的に限定がなされていない点。
　
４−３．相違点についての検討
　各相違点について検討する。
〈相違点１について〉
（ア）刊行物２には、「そのような枚葉式の半導体製造装置を用いる場合に、ローダーで、エッチング装置や成膜装置のチャンバ内のウェハ保持体の上にウェハを搬送し、その保持体に静電チャックでウェハを固定した状態で、または保持体のウェハ支持面の面精度を上げてウェハを静置密着させた状態で保持体に熱を直接与えてウェハを均一に加熱する方法が採用されている。」（０００３段落）、「【０００４】そこで、保持体の材料としては、耐食性、高い熱伝導率を有する窒化アルミニウムが注目されてきている。」、及び、「【００２６】さらに好ましくは、この発明の半導体製造装置用ウェハ保持体の製造方法において、保持体の基材としてセラミックスは窒化アルミニウムを用いる。窒化アルミニウムを用いることにより、１００Ｗ／ｍＫ以上の高い熱伝導率とハロゲンガス等に対する高い耐食性を有する保持体を製造することができる。」と記載されており、半導体製造装置用ウェハ保持体において、ウェハを均一に加熱する必要があること、そのために、基材として窒化アルミニウムを用いることにより、基材の熱伝導率を、１００Ｗ／ｍＫ以上にできることが記載されている。
（イ）一方、刊行物１には、「【０００１】　【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、半導体ウエハ、液晶用ガラス基板、磁気ヘッド用基板などのウエハを加熱するのに用いるウエハ加熱部材及びこれを用いたウエハの均熱化方法並びに昇温方法に関するものである。」、「また、成膜特性やエッチング精度を高めるためにはウエハ５０の面内温度差ができるだけ小さいことが望まれている。」（０００５段落）、及び、「【００３５】ところで、上記ウエハ加熱部材１，２２を構成する板状セラミック体２，２３の材質としては、アルミナ、窒化珪素、サイアロン、窒化アルミニウムを主成分とするセラミックスを用いることができるが、この中でも窒化アルミニウムを主成分とするセラミックスは他のセラミックスと比較して高い熱伝導率を有することから好適であり、具体的には窒化アルミニウムの含有量が９０％以上であるものが良い。」と記載されており、ウエハの処理温度の均熱性を高めるために、板状セラミック体２は、熱伝導率が高い材質からなることが望ましいことが記載されており、熱伝導率が高い材質として、窒化アルミニウムを主成分とするセラミックスが記載されている。
（ウ）そして、刊行物１発明及び刊行物２に記載された発明は、いずれも、半導体製造装置用セラミックスヒーターに関する技術分野に属するものであり、共に、ウエハを均一に加熱するために、熱伝導率が高いセラミックス基板を用いるものである点でも共通するものであるから、刊行物１発明において、「窒化アルミニウム質セラミックスにより形成された板状セラミック体２」を、刊行物２に記載された事項に基づき、熱伝導率が１００Ｗ／ｍＫ以上のものとし、補正発明の如く、「熱伝導率が１０Ｗ／ｍＫ以上のセラミックス基板の内部に抵抗発熱体を有する」ものとすることは、当業者が容易になし得たことに過ぎない。
　
〈相違点２について〉
（ア）刊行物２には、「【００２３】線状の導電層の線幅および線間隔を狭くすることにより、ウェハ加熱面におけるヒーター線上とヒーター線間上の温度差の影響まで小さくした均一加熱を行なうことも可能となり、また複雑な導電層のパターンも設計しやすくなる。　【００２４】成膜時のウェハの温度分布は少なくとも１％以内に抑える必要があるので、線状の導電層の線幅および線間隔は５ｍｍ以下であるのが好ましく、さらに可能なら、ウェハの温度分布を０．５％以内に抑えるのが好ましく、そのためには線幅および線間隔を１ｍｍ以下に抑える必要がある。」と記載されており、均一加熱を行なうために、線状の導電層の線間隔を狭くし、ウェハ加熱面におけるヒーター線上とヒーター線間上の温度差の影響を小さくすること、及び、線状の導電層の線間隔の具体的な値として５ｍｍ以下とすることが記載されている。
　そして、刊行物２に記載された「ヒーター線」及び「線状の導電層」は、共に、補正発明の「該抵抗発熱体の互いに隣り合う配線」に相当する。
（イ）一方、刊行物１には、「【０００１】　【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、半導体ウエハ、液晶用ガラス基板、磁気ヘッド用基板などのウエハを加熱するのに用いるウエハ加熱部材及びこれを用いたウエハの均熱化方法並びに昇温方法に関するものである。」、「また、成膜特性やエッチング精度を高めるためにはウエハ５０の面内温度差ができるだけ小さいことが望まれている。」（０００５段落）、及び、「【００３７】更に、上記板状セラミック体２，２３中に埋設する発熱体Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３の間隔が２ｍｍ以下では、発熱体Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３間の絶縁不良を起こすことがあり、また８ｍｍ以上では発熱体Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３間に温度の低い領域が発生し、ウエハ面内の温度差が大きくなり好ましくない。その為、各発熱体Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３の間隔は２ｍｍから８ｍｍが好ましく、更には２ｍｍから５ｍｍであると更にウエハ面の温度差を低減することができ望ましい。」と記載されており、発熱体Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３の間隔が大きいと、発熱体Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３間に温度の低い領域が発生し、ウエハ面内の温度差が大きくなり、ウエハの処理温度の均熱性を高める上で好ましくないこと、そのため、絶縁不良が起きない範囲で、発熱体Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３の間隔を狭くすること、及び、その値を２ｍｍから５ｍｍとすることが記載されている。
　よって、刊行物１発明の「前記発熱体Ｗ１及び発熱体Ｗ２の間隔」である「２ｍｍ〜５ｍｍ」が、絶縁不良が起きず、ウエハ面内の温度差が大きくならない範囲の値であることは明らかである。
（ウ）そして、刊行物１発明及び刊行物２に記載された発明は、いずれも、半導体製造装置用セラミックスヒーターに関する技術分野に属し、共に、抵抗発熱体を、温度の低い領域が発生しないよう配置し、ウエハを均一に加熱するものでる点でも共通するものであり、刊行物２に記載された、線状の導電層の線間隔を狭くし、ウェハ加熱面におけるヒーター線上とヒーター線間上の温度差の影響を小さくすることにより、均一加熱を行なえることが、刊行物１発明の「線状の発熱体Ｗ１及び発熱体Ｗ２」においても当てはまることは明らかであるから、刊行物１発明において、ウエハを均一に加熱するために、刊行物２に記載された発明を適用し、「線状の発熱体Ｗ１及び発熱体Ｗ２」の線間隔を狭くし、その値を、絶縁不良が起きず、ウエハ面内の温度差が大きくならない範囲である、「前記発熱体Ｗ１及び発熱体Ｗ２の間隔」と同程度の「２ｍｍ〜５ｍｍ」とし、補正発明の如く、「該抵抗発熱体の互いに隣り合う配線間の距離が１〜５ｍｍであ」るものとすることは、当業者が容易になし得たことに過ぎない。
（エ）さらに、刊行物１発明において、「処理温度を６００℃にした時のウエハ面内の温度差が±５℃以下」、すなわち、均熱性が±０．８３％以下であり、補正発明と同程度の均熱性を実現しているから、補正発明における、「均熱性が±１．０％以下である」ことが、格別の効果であるとも認められない。
　
　よって、補正発明は、刊行物１発明及び刊行物２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　
４−４．独立特許要件の検討のむすび
　以上のとおり、本件補正による補正後の請求項２に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるので、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する特許法第１２６条第５項の規定に適合しないものである。
　
５．まとめ
　よって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
　平成１８年５月１９日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし６に係る発明は、平成１７年１１月２９日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし６に記載された事項により特定されるとおりのものであり、このうち、本願の請求項２及び３に係る発明は、その請求項２及び３に記載された以下の事項により特定されるものである。
「【請求項２】　熱伝導率が１０Ｗ／ｍＫ以上のセラミックス基板の表面又は内部に抵抗発熱体を有する半導体製造装置用セラミックスヒーターであって、該抵抗発熱体の互いに隣り合う配線間の距離が０．１〜５ｍｍであり、均熱性が±１．０％以下であることを特徴とする半導体製造装置用セラミックスヒーター。
【請求項３】　前記抵抗発熱体の互いに隣り合う配線間の距離が１．０〜５．０ｍｍであることを特徴とする、請求項１又は２に記載の半導体製造装置用セラミックスヒーター。」
　
　よって、本願の請求項２を引用する請求項３に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、以下の事項により特定されるものと認められる。
「熱伝導率が１０Ｗ／ｍＫ以上のセラミックス基板の表面又は内部に抵抗発熱体を有する半導体製造装置用セラミックスヒーターであって、該抵抗発熱体の互いに隣り合う配線間の距離が１．０〜５．０ｍｍであり、均熱性が±１．０％以下であることを特徴とする半導体製造装置用セラミックスヒーター。」
　
第４　刊行物及び刊行物に記載された事項
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物１及び２には、上記「第２　４−１．」に記載したとおりの事項が記載されている。
　
第５　当審の判断
１．対比
（ア）刊行物１発明の「窒化アルミニウム質セラミックスにより形成された板状セラミック体２」は、本願発明の「セラミックス基板」に相当する。
（イ）刊行物１発明の「通電される線状の発熱体Ｗ１及び発熱体Ｗ２」は、通電されることにより発熱するものであるから、本願発明の「抵抗発熱体」に相当する。
（ウ）刊行物１発明の「ウエハ加熱部材１」は、「窒化アルミニウム質セラミックスにより形成された板状セラミック体２」からなり、「半導体装置を製造するための成膜工程やエッチング工程において用いられる」ものであるから、本願発明の「半導体製造装置用セラミックスヒーター」に相当する。
（エ）刊行物１発明の「処理温度を６００℃にした時のウエハ面内の温度差が±５℃以下である」ことは、「処理温度」に対する「ウエハ面内の温度差」の割合が、±０．８３％以下であることに等しいから、本願発明の「均熱性が±１．０％以下であること」に相当する。
　
　よって、本願発明と刊行物１発明とは、
「セラミックス基板の表面又は内部に抵抗発熱体を有する半導体製造装置用セラミックスヒーターであって、均熱性が±１．０％以下であることを特徴とする半導体製造装置用セラミックスヒーター。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
〈相違点１〉
　本願発明は、「熱伝導率が１０Ｗ／ｍＫ以上のセラミックス基板の表面又は内部に抵抗発熱体を有する」ものであるのに対し、刊行物１発明は、「窒化アルミニウム質セラミックスにより形成された板状セラミック体２中に、通電される線状の発熱体Ｗ１及び発熱体Ｗ２が埋設され」たものであり、本願発明の「セラミックス基板の表面又は内部に抵抗発熱体を有する」ことに相当する構造を有するものの、「窒化アルミニウム質セラミックスにより形成された板状セラミック体２」の熱伝導率について具体的に限定がなされていない点。
〈相違点２〉
　本願発明は、「該抵抗発熱体の互いに隣り合う配線間の距離が１．０〜５．０ｍｍであ」るものであるのに対し、刊行物１発明は、「前記発熱体Ｗ１及び発熱体Ｗ２の間隔が２ｍｍ〜５ｍｍであ」るものの、「線状の発熱体Ｗ１及び発熱体Ｗ２」の互いに隣り合う配線間の距離について具体的に限定がなされていない点。
　
２．相違点についての検討
　各相違点について検討する。
〈相違点１について〉
（ア）刊行物２には、「そのような枚葉式の半導体製造装置を用いる場合に、ローダーで、エッチング装置や成膜装置のチャンバ内のウェハ保持体の上にウェハを搬送し、その保持体に静電チャックでウェハを固定した状態で、または保持体のウェハ支持面の面精度を上げてウェハを静置密着させた状態で保持体に熱を直接与えてウェハを均一に加熱する方法が採用されている。」（０００３段落）、「【０００４】そこで、保持体の材料としては、耐食性、高い熱伝導率を有する窒化アルミニウムが注目されてきている。」、及び、「【００２６】さらに好ましくは、この発明の半導体製造装置用ウェハ保持体の製造方法において、保持体の基材としてセラミックスは窒化アルミニウムを用いる。窒化アルミニウムを用いることにより、１００Ｗ／ｍＫ以上の高い熱伝導率とハロゲンガス等に対する高い耐食性を有する保持体を製造することができる。」と記載されており、半導体製造装置用ウェハ保持体において、ウェハを均一に加熱する必要があること、そのために、基材として窒化アルミニウムを用いることにより、基材の熱伝導率を、１００Ｗ／ｍＫ以上にできることが記載されている。
（イ）一方、刊行物１には、「【０００１】　【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、半導体ウエハ、液晶用ガラス基板、磁気ヘッド用基板などのウエハを加熱するのに用いるウエハ加熱部材及びこれを用いたウエハの均熱化方法並びに昇温方法に関するものである。」、「また、成膜特性やエッチング精度を高めるためにはウエハ５０の面内温度差ができるだけ小さいことが望まれている。」（０００５段落）、及び、「【００３５】ところで、上記ウエハ加熱部材１，２２を構成する板状セラミック体２，２３の材質としては、アルミナ、窒化珪素、サイアロン、窒化アルミニウムを主成分とするセラミックスを用いることができるが、この中でも窒化アルミニウムを主成分とするセラミックスは他のセラミックスと比較して高い熱伝導率を有することから好適であり、具体的には窒化アルミニウムの含有量が９０％以上であるものが良い。」と記載されており、ウエハの処理温度の均熱性を高めるために、板状セラミック体２は、熱伝導率が高い材質からなることが望ましいことが記載されており、熱伝導率が高い材質として、窒化アルミニウムを主成分とするセラミックスが記載されている。
（ウ）そして、刊行物１発明及び刊行物２に記載された発明は、いずれも、半導体製造装置用セラミックスヒーターに関する技術分野に属するものであり、共に、ウエハを均一に加熱するために、熱伝導率が高いセラミックス基板を用いるものである点でも共通するものであるから、刊行物１発明において、「窒化アルミニウム質セラミックスにより形成された板状セラミック体２」を、刊行物２に記載された事項に基づき、熱伝導率が１００Ｗ／ｍＫ以上のものとし、本願発明の如く、「熱伝導率が１０Ｗ／ｍＫ以上のセラミックス基板の表面又は内部に抵抗発熱体を有する」ものとすることは、当業者が容易になし得たことに過ぎない。
　
〈相違点２について〉
（ア）刊行物２には、「【００２３】線状の導電層の線幅および線間隔を狭くすることにより、ウェハ加熱面におけるヒーター線上とヒーター線間上の温度差の影響まで小さくした均一加熱を行なうことも可能となり、また複雑な導電層のパターンも設計しやすくなる。　【００２４】成膜時のウェハの温度分布は少なくとも１％以内に抑える必要があるので、線状の導電層の線幅および線間隔は５ｍｍ以下であるのが好ましく、さらに可能なら、ウェハの温度分布を０．５％以内に抑えるのが好ましく、そのためには線幅および線間隔を１ｍｍ以下に抑える必要がある。」と記載されており、均一加熱を行なうために、線状の導電層の線間隔を狭くし、ウェハ加熱面におけるヒーター線上とヒーター線間上の温度差の影響を小さくすること、及び、線状の導電層の線間隔の具体的な値として５ｍｍ以下とすることが記載されている。
　そして、刊行物２に記載された「ヒーター線」及び「線状の導電層」は、共に、本願発明の「該抵抗発熱体の互いに隣り合う配線」に相当する。
（イ）一方、刊行物１には、「【０００１】　【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、半導体ウエハ、液晶用ガラス基板、磁気ヘッド用基板などのウエハを加熱するのに用いるウエハ加熱部材及びこれを用いたウエハの均熱化方法並びに昇温方法に関するものである。」、「また、成膜特性やエッチング精度を高めるためにはウエハ５０の面内温度差ができるだけ小さいことが望まれている。」（０００５段落）、及び、「【００３７】更に、上記板状セラミック体２，２３中に埋設する発熱体Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３の間隔が２ｍｍ以下では、発熱体Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３間の絶縁不良を起こすことがあり、また８ｍｍ以上では発熱体Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３間に温度の低い領域が発生し、ウエハ面内の温度差が大きくなり好ましくない。その為、各発熱体Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３の間隔は２ｍｍから８ｍｍが好ましく、更には２ｍｍから５ｍｍであると更にウエハ面の温度差を低減することができ望ましい。」と記載されており、発熱体Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３の間隔が大きいと、発熱体Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３間に温度の低い領域が発生し、ウエハ面内の温度差が大きくなり、ウエハの処理温度の均熱性を高める上で好ましくないこと、そのため、絶縁不良が起きない範囲で、発熱体Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３の間隔を狭くすること、及び、その値を２ｍｍから５ｍｍとすることが記載されている。
　よって、刊行物１発明の「前記発熱体Ｗ１及び発熱体Ｗ２の間隔」である「２ｍｍ〜５ｍｍ」が、絶縁不良が起きず、ウエハ面内の温度差が大きくならない範囲の値であることは明らかである。
（ウ）そして、刊行物１発明及び刊行物２に記載された発明は、いずれも、半導体製造装置用セラミックスヒーターに関する技術分野に属し、共に、抵抗発熱体を、温度の低い領域が発生しないよう配置し、ウエハを均一に加熱するものである点でも共通するものであり、刊行物２に記載された、線状の導電層の線間隔を狭くし、ウェハ加熱面におけるヒーター線上とヒーター線間上の温度差の影響を小さくすることにより、均一加熱を行なえることが、刊行物１発明の「線状の発熱体Ｗ１及び発熱体Ｗ２」においても当てはまることは明らかであるから、刊行物１発明において、ウエハを均一に加熱するために、刊行物２に記載された発明を適用し、「線状の発熱体Ｗ１及び発熱体Ｗ２」の線間隔を狭くし、その値を、絶縁不良が起きず、ウエハ面内の温度差が大きくならない範囲である、「前記発熱体Ｗ１及び発熱体Ｗ２の間隔」と同程度の「２ｍｍ〜５ｍｍ」とし、本願発明の如く、「該抵抗発熱体の互いに隣り合う配線間の距離が１．０〜５．０ｍｍであ」るものとすることは、当業者が容易になし得たことに過ぎない。
（エ）さらに、刊行物１発明において、「処理温度を６００℃にした時のウエハ面内の温度差が±５℃以下」、すなわち、均熱性が±０．８３％以下であり、本願発明と同程度の均熱性を実現しているから、本願発明における、「均熱性が±１．０％以下である」ことが、格別の効果であるとも認められない。
　
　したがって、本願の請求項２を引用する請求項３に係る発明は、刊行物１及び２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである
　
第６　むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。