【事件の表示】
　平成　９年特許願第２７６００３号「パターン形成方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　４月３０日出願公開、特開平１１−１１９４４１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明 
　本願は、平成９年１０月８日の出願であって、平成１９年４月２０日付けの拒絶理由の通知に対し、同年７月１９日付けで明細書に係る手続補正がなされたが、同年８月７日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年９月２６日付けで拒絶査定に対する審判請求がなされたものであり、その請求項１に係る発明は、同年１９年７月１９日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。（以下「本願発明」という。）
　　
「【請求項１】被処理物上に、露光により極性が変化する有機導電性材料からなる有機導電性膜を形成する工程と、
　前記有機導電性膜を選択的に露光する工程と、
　前記有機導電性膜に対しシリル化処理を施す工程と、
　酸素を含むガスを用いてプラズマエッチングを施し、前記有機導電性膜のうち表面がシリル化されていない部分を除去する工程と、
　残存した有機導電性膜をエッチングマスクとして前記被処理物をエッチングする工程とを有することを特徴とするパターン形成方法。」
　 
２．引用刊行物記載の発明
（１）刊行物１
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１として引用された特開平７−５０２８６号公報（以下、「刊行物１」という。）には、次の事項が記載されている。（下線は当審にて付与した。）
　　　
(1a)「【請求項１】 急傾斜の側面を有する高度に解像されたレジスト構造物を製造する方法において、
−
基板上に
無水物基及びブロックされたイミド基又はフェノールヒドロキシ基を含むポリマーと、露光時に強酸を形成する化合物の形の光活性成分とからなるフォトレジスト層を施し
−こ
のフォトレジスト層を像に応じて露光し
−
露光したフォトレジスト層を、多官能性アミノ−又はヒドロキシシロキサンの水溶液又は水性アルコール溶液で処理し
−
こうして処理したフォトレジスト層を酸素含有プラズマ中でエッチングすることを特徴とする高度に解像されたレジスト構造物の製法
　　
(1b)「【請求項９】 
フォトレジスト層をドライエッチング可能の平坦化層上に施す
　　
(1c)「【０００５】
湿式現像可能の単層レジストの使用と関連する問題点を除去するために、いわゆる二層系が開発されたが、これは当然複雑化する
　
(1d)「【００１４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、急傾斜の側面を有する高度に解像されたレジスト構造物を製造する方法、並びにそれに適した、操作が簡単で酸素プラズマ中で高い選択性を有し、既存の通常の装置を使用することを可能とし、また特にＤＵＶ領域内で高い感光性を有する乾式現像可能のレジスト系を提供することにある。」
　
(1e)「【００２４】本発明は有利には単層系でだけではなく、乾式現像可能の二層系でも使用することができる。その際反応性レジストは薄層として、諸要件に応じて自由に選択できる、ドライエッチング可能の平坦化層上に施す。更に土台としてはすなわち基板としては一般に半導体物質、金属、セラミック又はこれに類するものを使用する。」
　
(1f)「例  ２
　シリコンウエハ上に市販のポジ型レジストＴＳＭＲ８９００（Ｔｏｋｙｏ  Ｏｈｋａ  Ｋｏｇｙｏ  Ｃｏ．社製）を遠心塗布し（４０００ｒｐｍ、２０秒間）、９０℃で５分間乾燥する。次いで循環炉中で２４０℃で３５分間加熱する。加熱後平坦化層として使用するレジストの厚さは１．３μｍである。
【００３９】
平坦化層上に
レジストを遠心塗布する
露光し
シリル化溶液（１）で３０秒間処理し
レジストを酸素プラズマ中で乾式現像する
　
　上記の事項から、刊行物１には、以下の発明が開示されていると認められる。（以下、「刊行物１発明」という。） 
　 
「ドライエッチング可能の平坦化層上に、
無水物基及びブロックされたフェノールヒドロキシ基を含むポリマーと、露光時に強酸を形成する化合物の形の光活性成分とからなるフォトレジスト層を施し、
−このフォトレジスト層を像に応じて露光し、
−露光したフォトレジスト層を、多官能性アミノ−又はヒドロキシシロキサンの水溶液又は水性アルコール溶液で処理し、
−こうして処理したフォトレジスト層を酸素含有プラズマ中でエッチングする、
レジスト構造物の製法。」　
　　
　　
３．対比 
　本願発明と刊行物１発明とを比較すると、次のとおりである。
　刊行物１発明の「ドライエッチング可能の平坦化層」は、本願発明の「被処理物」に相当する。
　刊行物１発明の、「無水物基及びブロックされたフェノールヒドロキシ基を含むポリマーと、露光時に強酸を形成する化合物の形の光活性成分とからなるフォトレジスト層を施す」ことと、本願発明の、「露光により極性が変化する有機導電性材料からなる有機導電性膜を形成する工程」とは、「露光により極性が変化する有機材料からなる有機膜を形成する工程」である点では一致する。
　刊行物１発明の「像に応じて露光」することは、本願発明の「選択的に露光する工程」に相当する。
　刊行物１発明の「多官能性アミノ−又はヒドロキシシロキサンの水溶液又は水性アルコール溶液で処理」することは、「シリル化処理を施す工程」に相当する。
　刊行物１発明の、「処理したフォトレジスト層を酸素含有プラズマ中でエッチングする」は、本願発明の、「酸素を含むガスを用いてプラズマエッチングを施し、前記有機導電性膜のうち表面がシリル化されていない部分を除去する工程」と、「酸素を含むガスを用いてプラズマエッチングを施し、有機膜のうち表面がシリル化されていない部分を除去する工程」である点では共通する。
　そして、刊行物１の「レジスト構造物の製法」は、その製法により製造された、「レジスト構造物」をエッチングマスクとして、前記「被処理物」である「ドライエッチング可能の平坦化層」をドライエッチングすることは自明であるから、本願の発明の、「残存した有機導電性膜をエッチングマスクとして前記被処理物をエッチングする工程とを有するパターン形成方法」とは、一応、「残存した有機膜をエッチングマスクとして前記被処理物をエッチングする工程とを有するパターン形成方法」で共通する。　
　
　したがって、本願発明と刊行物１発明とは、
「被処理物上に、露光により極性が変化する有機材料からなる有機膜を形成する工程と、
　前記有機膜を選択的に露光する工程と、
　前記有機膜に対しシリル化処理を施す工程と、
　酸素を含むガスを用いてプラズマエッチングを施し、前記有機膜のうち表面がシリル化されていない部分を除去する工程と、
　残存した有機膜をエッチングマスクとして前記被処理物をエッチングする工程とを有するパターン形成方法。」
である点で一致し、次の点で相違する。
　
［相違点１］
　被処理物上に形成される「有機膜」が、本願発明では、「露光により極性が変化する有機導電性材料からなる有機導電性膜」であるのに対し、刊行物１発明では、有機導電性材料を有さず、有機導電性膜ではない点。
　
［相違点２］
　「酸素を含むガスを用いてプラズマエッチングを施し、前記有機性膜のうち表面がシリル化されていない部分を除去する工程」と、「残存した有機膜をエッチングマスクとして前記被処理物をエッチングする工程」とが、本願発明においては、非連続的、すなわち、有機膜のパターンを作製するための「プラズマエッチング」とは別に、その後の「エッチング」工程を有するのに対し、刊行物１発明は、両工程が別にあるか否かは曖昧であり、連続的、すなわち、一度の「酸素を含むガスを用いてプラズマエッチング」において、引き続き、下層の「ドライエッチング可能の平坦化層」を、ドライエッチングしていると解することができる点。
　
４．判断
　上記相違点について検討する。 
（相違点１について）
　レジスト材料に「有機導電性材料」を用いて、チャージアップ防止することは周知である。
　例えば、原審で引用文献４ないし６として引用された、特開平５−２１０２４２号公報（【請求項１】、【０００７】〜【００１２】、【００１５】）、特開平３−８８８１９号公報（請求項１、５、第４頁左下欄第６行〜第５頁左上欄第８行）および特開平４−２５１８５３号公報（【請求項１】、【０００５】、【０００６】、【００３５】）には、レジスト層に、有機導電性材料を用いて、チャージアップを防止することが記載されている。
　
　したがって、刊行物１発明において、周知の、チャージアップ防止効果の必要に応じて、有機導電性材料を用いることを当業者が容易に想到しうることである。
　
（相違点２について） 
　一応の相違点とはしたが、刊行物１発明において、連続的に一工程で行われていても、前記両工程を有することにおいて、本願発明とは共通するから、実質的には相違点ではない。
　仮に、相違点であるとしても、刊行物１発明で製造された「レジスト構造物」は、なんらかのパターン形成のためのマスクとして使用するものであり、下層の処理物をエッチングするためのエッチングマスクとして使用することは、当業者にとって自明である。
　そして、刊行物１には、「ドライエッチング可能の平坦化層」を包含されない態様も記載されている。
　したがって、刊行物１発明において、「ドライエッチング可能の平坦化層」を含まないレジスト構造物に関しても、基板あるいは基板に含まれる被処理物をエッチングするためのマスクとして用いることも上記と同じく自明である。
　よって、相違点２は、実質的に相違点ではないか、相違点であるとしても、技術常識からみて、当業者が容易に想到しうることである。
　
（本願発明が奏する作用効果について）
　相違点１による作用効果について、刊行物１には、工程を複雑化しないことが記載されており、周知技術が記載されているとした文献には、チャージアップ防止効果が記載されている。
　相違点２による作用効果については、レジスト構造物形成後のエッチングレジストとしての使用工程を記載したにすぎないから、格別な作用効果はない。
　そして、本願発明においても、その実施形態として、明細書には、「残存した有機膜をエッチングマスクとして前記被処理物をエッチングする工程」が具体的に記載されていない。
　よって、本願作用効果は、刊行物１および上記周知技術により、想到しうる程度のことである。
　
５．請求人の主張について　
　請求人は、平成１９年９月２６日付け審判請求書において、下記のように主張している。
「（３）しかしながら、本願出願人が平成１９年７月１９日提出の意見書で主張したように、引用文献１〜３にはシリル化処理について記載されているものの、被処理物の上に形成する膜が導電性であることは記載されていません。 
 　一方、引用文献４〜１０には、導電性膜について記載されていますが、導電性膜のシリル化処理については記載されていません。引用文献４のように露光及び現像処理を施してパターンを形成するタイプの感光性導電膜では、パターン形成に際しシリル化処理は必要ありません。従って、引用文献４に記載された感光性導電膜を引用文献１〜３に記載された技術に用いることは通常考えられることではありません。そもそも、本願発明は露光及び現像処理を施してパターンを形成するタイプの感光性導電膜を使用するものではありません。」
「引用文献４に記載されているような導電性レジスト（露光及び現像処理を施してパターンを形成するタイプの感光性導電膜）の解像度は十分ではありません。従って、引用文献４に記載された方法は、超微細パターンの形成に適用することは困難です。」
　しかしながら、上記主張において、「引用文献４のように露光及び現像処理を施してパターンを形成するタイプの感光性導電膜では、パターン形成に際しシリル化処理は必要」ないというが、レジスト膜に有機導電性材料を用いて、チャージアップを防止する点が記載されている。
　引用文献４〜６は、露光現像するタイプではあるかもしれないが、極性は変化していること、刊行物１には、上記記載事項(1c)にあるように、「湿式現像」、「二層系」の問題点の解消として、刊行物１発明が記載されており、引用文献４が「湿式現像」であるからといって、刊行物１発明に、有機導電性材料の使用を妨げるものではない。
　たとえ、引用文献４のレジスト組成物をそのまま適用すると解像度が十分でなく、本願発明の解像度が十分であるとしても、本願発明は、そのために特定の有機導電性材料を用いたからであって、本願発明は、そのような有機導電性材料に限定しているわけではない。
　
　そして、本願発明の実験例１を参照するに、いわゆる化学増幅レジストに用い得るような特定の酸解性基を有するポリマーと光酸発生剤を有する反応系に、特定の導電剤を含有したものであり、平成１９年７月１９日付けの意見書の主張によれば、導電剤は、反応には寄与しない。
　したがって、「露光により極性が変化する有機導電性材料」が、「露光により極性が変化する有機材料」と「導電性材料」を混合させたものでもよく、それぞれ、シリル化可能な特性、チャージアップを防止する作用効果に寄与するものであり、両者の組合せによる格別顕著な作用効果は認められない。
　たとえ、両者の組合せによる相乗作用効果があったとしても、それは本願の実験例１，２に記載されたような特定の組合せによるものであり、本願発明の構成のみによるものではない。
　　　
　したがって、本願発明は、刊行物１に記載された発明および周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 
　
６．むすび 
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、刊行物１に記載された発明および周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　したがって、その他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。