Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月10日(2015.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロ波を発生させるマイクロ波発生装置と、
前記マイクロ波発生装置に接続され、マイクロ波の伝送方向に長尺をなすとともに、該伝送方向に直交する方向の断面が矩形をした長尺な中空状の導波管と、
前記導波管に接続されてその内部へ処理ガスを供給するガス供給装置と、
前記導波管の一部分であって、マイクロ波により生成したプラズマを外部に放出するアンテナ部と、
前記アンテナ部の短辺もしくは長辺をなす壁に形成された１又は複数のスロット孔と、
前記導波管内で生成する前記マイクロ波による定在波の位相を周期的にシフトさせる位相シフト手段と、
を備え、
前記位相シフト手段が、前記導波管の長尺方向に一致する方向を回転軸として回転運動するとともに、前記導波管内を進行してくるマイクロ波を透過及び／又は反射する壁部材を有しており、該壁部材によって前記定在波の腹と節の位置を周期的に変化させるものであり、
大気圧状態の前記導波管内に供給された処理ガスをマイクロ波によって前記スロット孔でプラズマ化し、前記スロット孔から外部へ放出するプラズマ生成装置。
【請求項２】
前記壁部材の回転運動が偏心回転である請求項１に記載のプラズマ生成装置。
【請求項３】
前記壁部材が、回転方向に不均一な形状を有している請求項１に記載のプラズマ生成装置。
【請求項４】
前記壁部材が、前記導波管の長尺方向に異なる厚みを有している請求項１に記載のプラズマ生成装置。
【請求項５】
マイクロ波を発生させるマイクロ波発生装置と、
前記マイクロ波発生装置に接続され、マイクロ波の伝送方向に長尺をなすとともに、該伝送方向に直交する方向の断面が矩形をした長尺な中空状の導波管と、
前記導波管に接続されてその内部へ処理ガスを供給するガス供給装置と、
前記導波管の一部分であって、マイクロ波により生成したプラズマを外部に放出するアンテナ部と、
前記アンテナ部の短辺もしくは長辺をなす壁に形成された１又は複数のスロット孔と、
前記導波管内で生成する前記マイクロ波による定在波の位相を周期的にシフトさせる位相シフト手段と、
を備え、
前記位相シフト手段が、前記導波管の長尺方向に対して交差する方向を回転軸として回転運動するとともに、前記導波管内を進行してくるマイクロ波を透過及び／又は反射する壁部材を有しており、該壁部材によって前記定在波の腹と節の位置を周期的に変化させるものであり、
大気圧状態の前記導波管内に供給された処理ガスをマイクロ波によって前記スロット孔でプラズマ化し、前記スロット孔から外部へ放出するプラズマ生成装置。
【請求項６】
前記壁部材の材質が、誘電体又は金属からなる請求項１から５のいずれか１項に記載のプラズマ生成装置。
【請求項７】
前記位相シフト手段を覆うカバー部材をさらに備えた請求項１から６のいずれか１項に記載のプラズマ生成装置。
【請求項８】
前記スロット孔は、矩形状に設けられており、その長手方向と前記アンテナ部の長手方向が一致するように配設されている請求項１から７のいずれか１項に記載のプラズマ生成装置。
【請求項９】
前記アンテナ部に長尺な一つのスロット孔のみが設けられている請求項８に記載のプラズマ生成装置。
【請求項１０】
前記アンテナ部に複数のスロット孔が一列に配設されている請求項８に記載のプラズマ生成装置。
【請求項１１】
前記アンテナ部に複数のスロット孔が並列的に複数列配置されている請求項８に記載のプラズマ生成装置。
【請求項１２】
前記マイクロ波発生装置と前記アンテナ部との間の前記導波管内に、前記処理ガスの通過を遮る隔壁を備えた請求項１から１１のいずれか１項に記載のプラズマ生成装置。
【請求項１３】
前記スロット孔の縁面は、前記壁の厚み方向に開口幅が変化するように傾斜して設けられている請求項１から１２のいずれか１項に記載のプラズマ生成装置。
【請求項１４】
さらに、パルス発生器を備え、マイクロ波をパルス状に発生させてプラズマを生成させる請求項１から１３のいずれか１項に記載のプラズマ生成装置。
【請求項１５】
請求項１から１４のいずれか１項に記載のプラズマ生成装置を備え、発生させたプラズマを利用して被処理体に対して所定の処理を行うプラズマ処理装置。
【請求項１６】
前記スロット孔が被処理体に対向するように前記アンテナ部が配置される請求項１５に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１７】
被処理体の表裏両面にそれぞれアンテナ部が配置される請求項１６に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１８】
被処理体がフィルム状をなし、ロール・トゥ・ロール方式で搬送可能に設けられている請求項１６又は１７に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１９】
請求項１５から１８のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置を用いて、被処理体を処理するプラズマ処理方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年3月5日(2015.3.5)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線通信システムにおけるパイロット改善のための方法であって、
基地局においてアップリンク・パイロット・チャネル情報を決定することと、
１または複数の無線端末が、１または複数の選択されたパイロット・チャネル制御動作を行いパイロット改善を容易にするために、前記アップリンク・パイロット・チャネル情報を、前記１または複数の無線端末へ送信することと、
前記１または複数の選択されたパイロット・チャネル制御動作にしたがって、１または複数の協調する無線端末で実行される電力制御動作のモニタおよび指示を行うこととを備え、
前記１または複数の無線端末で実行される電力制御動作は、前記１または複数の無線端末のパイロット・チャネル状態および／またはデータ・レートに関連しており、
前記１または複数の電力制御動作は、パイロット信号を、前記パイロット信号の電力の存在に基づいて適合させることを含み、
前記基地局が前記パイロット信号の電力の存在を検出すると、前記基地局は、前記１または複数の無線端末に前記パイロット信号をブーストすることを許可する、方法。
【請求項２】
１または複数の制御チャネルの電力レベルを自律的に上昇させることをさらに備える請求項１に記載の方法。
【請求項３】
データ・チャネルのデータ・レートに応じて、１または複数の制御チャネルの電力レベルを自律的に上昇させることをさらに備える請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記１または複数の制御チャネルの電力レベルを、前記電力レベルの上昇量と等しい量だけ減少させることをさらに備える請求項３に記載の方法。
【請求項５】
データ・チャネルのデータ・レートに応じて、１または複数の高められた制御チャネルの電力レベルを上昇させることをさらに備える請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記１または複数の高められた制御チャネルを復号することと、
前記１または複数の高められた制御チャネルをパイロット・リファレンスに変換するために、変調信号をフリップすることと
をさらに備える請求項５に記載の方法。
【請求項７】
別の１または複数の制御チャネルを復調するために、前記パイロット・リファレンスを１または複数の制御チャネルと結合して、フェーズ・リファレンスおよび／または増幅リファレンスを提供することをさらに備える請求項６に記載の方法。
【請求項８】
無線通信システムの通信装置であって、前記通信装置はプロセッサを備え、
前記プロセッサは、
基地局においてアップリンク・パイロット・チャネル情報を決定し、
１または複数の無線端末が、１または複数の選択されたパイロット・チャネル制御動作を行いパイロット改善を容易にするために、前記アップリンク・パイロット・チャネル情報を、前記１または複数の協調する無線端末へ送信し、
前記１または複数の選択されたパイロット・チャネル制御動作にしたがって、前記１または複数の協調する無線端末で実行される電力制御動作のモニタおよび指示を行う
ように構成され、
前記１または複数の無線端末で実行される電力制御動作は、前記１または複数の協調する無線端末のパイロット・チャネル状態および／またはデータ・レートに関連しており、
前記１または複数の電力制御動作は、パイロット信号を、前記パイロット信号の電力の存在に基づいて適合させることを含み、
前記基地局がパイロット信号の電力の存在を検出すると、前記基地局は、前記１または複数の無線端末に前記パイロット信号をブーストすることを許可する、通信装置。
【請求項９】
前記プロセッサは、データ・チャネルのデータ・レートに応じて、１または複数の高められた制御チャネルの電力レベルを上昇させるためのシグナルを提供する請求項８に記載の通信装置。
【請求項１０】
前記プロセッサは、１または複数の高められた制御チャネルを復号し、前記１または複数の高められた制御チャネルをパイロット・リファレンスに変換するために変調信号をフリップするためのシグナルを提供する請求項８に記載の通信装置。
【請求項１１】
前記プロセッサは、別の１または複数の制御チャネルを復調するために、パイロット・リファレンスを１または複数の制御チャネルと結合させ、フェーズ・リファレンスおよび／または増幅リファレンスを提供させるためのシグナルを提供する請求項９に記載の通信装置。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】図面
【訂正対象項目名】図６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図６】
2012199951.tif 000001
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７０】
図６は、本明細書に記載されたパイロット最適化スキームに関するアップリンク・パイロット最適化を容易にする１つの特定の高レベルな方法論６００を例示する。６０４では、パイロット・チャネルの電力の予め定められた関数にしたがって、パイロット最適化スキームを容易にするために、必要なアップリンク・チャネル情報が、基地局３０４またはその一部によって決定される。６０６では、１または複数のＵＥ３０２からのそれぞれのアップリンク・パイロット・チャネル情報が、このパイロット・チャネル条件および／または状態に関連する予め定められた関数にしたがって、ＵＥ３０２パイロット最適化を容易にするためにモニタされる。６０８では、ＵＥ３０２が、予め定められた関数およびそれぞれのアップリンク・パイロット・チャネル情報にしたがって、基地局３０４またはその一部からパイロット最適化コマンドを受信し、それを処理する。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月16日(2015.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の樹脂と型のパターン面とを接触させて、前記基板上の樹脂にパターンを形成する複数のインプリント装置を備えるインプリントシステムであって、
前記インプリント装置は、前記基板を保持して移動する移動体を備え、
前記インプリントシステムは、
１つの前記インプリント装置が、離型工程を実行する時間帯に、該インプリント装置とは異なる２つ以上の前記インプリント装置の移動体が同時に加速または減速を行わないように、前記２つ以上のインプリント装置のうち少なくとも１つの前記インプリント装置の移動体に対し、加速または減速を開始するタイミングを設定する制御部を備えることを特徴とするインプリントシステム。
【請求項２】
前記制御部は、前記複数のインプリント装置の移動体の加速または減速に関する情報を取得し、該情報に基づいて前記タイミングを設定することを特徴とする請求項１に記載のインプリントシステム。
【請求項３】
前記１つのインプリント装置が樹脂硬化工程および離型工程を実行する時間帯に、該インプリント装置とは異なる２つ以上の前記インプリント装置の移動体が同時に加速または減速を行わないように、前記２つ以上のインプリント装置のうち少なくとも１つの前記インプリント装置の移動体に対し、加速または減速を開始するタイミングを設定する制御部を備えることを特徴とする請求項１または２に記載のインプリントシステム。
【請求項４】
前記１つのインプリント装置が押型工程、樹脂硬化工程および離型工程を実行する時間帯に、該インプリント装置とは異なる２つ以上の前記インプリント装置の移動体が同時に加速または減速を行わないように、前記２つ以上のインプリント装置のうち少なくとも１つの前記インプリント装置の移動体に対し、加速または減速を開始するタイミングを設定する制御部を備えることを特徴とする請求項３に記載のインプリントシステム。
【請求項５】
前記インプリント装置は、少なくとも３つ以上が同一の梁上に位置するように、複数の梁で構成された床面に設置され、
前記制御部は、前記梁の長手方向に対して平行方向の加速または減速に関する情報を取得し、該情報に基づいて、前記同一の梁上のインプリント装置の前記移動体のうち少なくとも１つの移動体に対し、加速または減速を開始するタイミングを設定することを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載のインプリントシステム。
【請求項６】
基板上の樹脂と型のパターン面とを接触させて、前記基板上の樹脂にパターンを形成する複数のインプリント装置を用いるインプリント方法であって、
前記インプリント方法は、
前記複数のインプリント装置が備える移動体の加速または減速に関する情報を取得する工程と、
前記情報に基づいて、１つの前記インプリント装置が離型工程を実行する時間帯に、該インプリント装置とは異なる２つ以上の前記インプリント装置の移動体が同時に加速または減速を行わないように、前記２つ以上のインプリント装置のうち少なくとも１つの前記インプリント装置の移動体に対し、加速または減速を開始するタイミングを設定する工程と、を有することを特徴とするインプリント方法。
【請求項７】
請求項１ないし５のいずれか１項に記載のインプリントシステムまたは請求項６に記載のインプリント方法を用いてパターン形成を基板上に行う工程と、
前記工程で前記パターン形成を行われた前記基板を加工する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月10日(2014.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物半導体膜と、
一対の電極と、
ゲート絶縁膜と、
ゲート電極と、
一対の配線と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、前記ゲート絶縁膜を介して、前記ゲート電極と重なる第１の領域を有し、
前記酸化物半導体膜は、前記一対の電極の一方と重なる第２の領域を有し、
前記酸化物半導体膜は、前記一対の電極の他方と重なる第３の領域を有し、
前記酸化物半導体膜は、前記第１の領域と、前記第２の領域との間に、第４の領域を有し、
前記酸化物半導体膜は、前記第１の領域と、前記第３の領域との間に、第５の領域を有し、
前記一対の電極の一方は、前記酸化物半導体膜と電気的に接続され、
前記一対の電極の他方は、前記酸化物半導体膜と電気的に接続され、
前記一対の配線の一方は、前記一対の電極の一方と電気的に接続され、
前記一対の配線の他方は、前記一対の電極の他方と電気的に接続され、
前記第４の領域は、窒素、リン、又は硼素を、前記第１の領域乃至前記第３の領域より高い濃度で有し、
前記第５の領域は、窒素、リン、又は硼素を、前記第１の領域乃至前記第３の領域より高い濃度で有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
酸化物半導体膜と、
一対の電極と、
ゲート絶縁膜と、
ゲート電極と、
一対の配線と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、前記ゲート絶縁膜を介して、前記ゲート電極と重なる第１の領域を有し、
前記酸化物半導体膜は、前記一対の電極の一方と重なる第２の領域を有し、
前記酸化物半導体膜は、前記一対の電極の他方と重なる第３の領域を有し、
前記酸化物半導体膜は、前記第１の領域と、前記第２の領域との間に、第４の領域を有し、
前記酸化物半導体膜は、前記第１の領域と、前記第３の領域との間に、第５の領域を有し、
前記一対の電極の一方は、前記酸化物半導体膜と電気的に接続され、
前記一対の電極の他方は、前記酸化物半導体膜と電気的に接続され、
前記一対の配線の一方は、前記ゲート絶縁膜の第１の開口部を介して、前記一対の電極の一方と電気的に接続され、
前記一対の配線の他方は、前記ゲート絶縁膜の第２の開口部を介して、前記一対の電極の他方と電気的に接続され、
前記第１の開口部は、前記第２の領域の内側に重なり、
前記第２の開口部は、前記第３の領域の内側に重なり、
前記第４の領域は、窒素、リン、又は硼素を、前記第１の領域乃至前記第３の領域より高い濃度で有し、
前記第５の領域は、窒素、リン、又は硼素を、前記第１の領域乃至前記第３の領域より高い濃度で有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月24日(2015.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の第１の電極と、
前記第１の電極上の絶縁層と、
前記絶縁層上のゲート電極と、
前記ゲート電極上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上の半導体層と、を有し、
前記半導体層は、前記絶縁層を介して前記第１の電極と重なる第１の領域と、前記絶縁層を介して前記第１の電極と重なる第２の領域と、前記ゲート絶縁層を介して前記ゲート電極と重なる第３の領域と、を有し、
前記ゲート電極の高さは、前記ゲート電極の、チャネル長の方向の断面における底辺の長さ以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第３の領域にチャネルが形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記チャネル長は、前記底辺の長さの２倍以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１または請求項３のいずれか一項において、
前記半導体層は、酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記ゲート絶縁層は、前記ゲート電極と同種の元素を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
基板上の第１の電極と、
前記基板上の第２の電極と、
前記第１電極上及び前記第２の電極上の絶縁層と、
前記絶縁層上のゲート電極と、
前記ゲート電極上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上の半導体層と、を有し、
前記半導体層は、前記絶縁層を介して前記第１の電極と重なる第１の領域と、前記絶縁層を介して前記第２の電極と重なる第２の領域と、前記ゲート絶縁層を介して前記ゲート電極と重なる第３の領域と、を有し、
前記ゲート電極の高さは、前記ゲート電極の、チャネル長の方向の断面における底辺の長さ以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項６において、
前記第３の領域にチャネルが形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項６または請求項７において、
前記第１の領域と前記第２の領域は、互いに異なる導電型を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項６乃至請求項８のいずれか一項において、
前記チャネル長は、前記底辺の長さの２倍以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項６乃至請求項９のいずれか一項において、
前記ゲート絶縁層は、前記ゲート電極と同種の元素を含むことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月4日(2015.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体膜と、
前記半導体膜上方の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上方の第１の導電膜と、
前記第１の絶縁膜上方の第２の導電膜と、
前記第１の絶縁膜上方に設けられ、前記第１の導電膜と前記第２の導電膜との間に溝部を有する第２の絶縁膜と、
前記第１の導電膜および前記第２の導電膜と接する領域を有し、前記溝部の側面および底面と接する領域を有する酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上方の第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜上方の第３の導電膜と、
を有し、
前記第１の導電膜は、前記第１の絶縁膜を介して前記半導体膜と重なる領域を有し、
前記第３の導電膜は、前記第３の絶縁膜を介して前記酸化物半導体膜と重なる領域を有することを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項２】
半導体膜と、
前記半導体膜上方の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上方の第１の導電膜と、
前記第１の絶縁膜上方の第２の導電膜と、
前記第１の絶縁膜上方に設けられ、前記第１の導電膜と前記第２の導電膜との間に溝部を有する第２の絶縁膜と、
前記第１の導電膜および前記第２の導電膜と接する領域を有し、前記溝部の側面および底面と接する領域を有する酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上方の第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜上方の第３の導電膜と、
前記第３の絶縁膜上方の第４の導電膜と、
を有し、
前記第１の導電膜は、前記第１の絶縁膜を介して前記半導体膜と重なる領域を有し、
前記第３の導電膜は、前記第３の絶縁膜を介して前記酸化物半導体膜と重なる領域を有し、
前記第４の導電膜は、前記第３の絶縁膜および前記酸化物半導体膜を介して前記第１の導電膜と重なる領域を有することを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記第４の導電膜は、前記第３の導電膜と同一材料を有することを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記第２の導電膜は、前記第１の導電膜と同一材料を有することを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記第２の絶縁膜は、前記第１の導電膜および前記第２の導電膜の上面を露出するように設けられることを特徴とする半導体記憶装置。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年2月27日(2015.2.27)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３４】
あるいはまた、非糖類水溶性ポリマーは、アクリル酸又はメタクリル酸から形成されるコポリマーのような両親媒性ポリマーである。本明細書において参照する両親媒性ポリマーとは、疎水性セグメント及び親水性セグメントで構成されるブロックコポリマーである。疎水性セグメントは、炭素数２〜２５０のポリマー鎖であることができる。本明細書に関して、炭素数は、セグメント中の炭素原子の数を表す。炭素数は、好ましくは５〜１００であり、もっとも好ましくは５〜５０である。親水性セグメントはイオン性である。親水性セグメントのモノマー単位の数は、好ましくは１〜１００である。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月20日(2015.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線金属を含有する半導体ウェーハのケミカルメカニカルポリッシングに有用なケミカルメカニカル研磨組成物であって、初期成分として、
水、
アゾールインヒビター０．１〜５重量％、
アルカリ金属有機界面活性剤０．０５〜１重量％、
ハイドロトロープ０．０５〜５重量％、
リン含有剤０．１〜５重量％、
非糖類水溶性ポリマー０．０５〜５重量％、
式Ｉ
【化６】
2012199531.tif 000001
（式中、Ｒは、水素及びＣ1-5アルキル基から選択され、ｘは１又は２である）
の水溶性酸化合物０．０５〜５重量％、
錯化剤０．０１〜５重量％、
酸化剤０〜２５重量％、及び
有機溶媒０〜１０重量％
を含むケミカルメカニカル研磨組成物。
【請求項２】
さらに、砥粒を含む、請求項１記載のケミカルメカニカル研磨組成物。
【請求項３】
アンモニウムを０．００１重量％未満含有し、水溶性セルロースを０．００１重量％未満含有する、請求項１又は２記載のケミカルメカニカル研磨組成物。
【請求項４】
初期成分として、
水、
ベンゾトリアゾールであるアゾールインヒビター０．１〜５重量％、
オクタンスルホン酸ナトリウムであるアルカリ金属有機界面活性剤０．０５〜１重量％、
トルエンスルホン酸ナトリウム、キシレンスルホン酸ナトリウム及びそれらの混合物から選択されるハイドロトロープ０．１〜１重量％、
リン酸三カリウム、リン酸水素二カリウム、リン酸二水素カリウム及びそれらの混合物から選択されるリン含有剤０．１〜５重量％、
メタクリル酸とアクリル酸とのコポリマーである非糖類水溶性ポリマー０．０５〜３重量％、
イミノ二酢酸である式Ｉの水溶性酸化合物０．０５〜５重量％、
錯化剤であるリンゴ酸０．１〜５重量％、及び
酸化剤０〜２５重量％
を含む、請求項１〜３のいずれか１項記載のケミカルメカニカル研磨組成物。
【請求項５】
アンモニウムを０．００１重量％未満しか含有しない、請求項４記載のケミカルメカニカル研磨組成物。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項記載のケミカルメカニカル研磨組成物を製造する方法であって、
水を提供すること、
アゾールインヒビターを提供すること、
アルカリ金属有機界面活性剤を提供すること、
ハイドロトロープを提供すること、
リン含有剤を提供すること、
非糖類水溶性ポリマーを提供すること、
式Ｉ
【化８】
2012199531.tif 000002
（式中、Ｒは、水素及びＣ1-5アルキル基から選択され、ｘは１又は２である）
の水溶性酸化合物を提供すること、
錯化剤を提供すること、
場合によっては任意の酸化剤を提供すること、
場合によっては任意の有機溶媒を提供すること、
場合によっては任意の砥粒を提供すること、
前記水、前記アルカリ金属有機界面活性剤、前記ハイドロトロープ、前記非糖類水溶性ポリマー、前記式Ｉの任意の水溶性酸化合物、前記錯化剤、場合によって提供される任意の酸化剤、場合によって提供される任意の有機溶媒、及び場合によって提供される任意の砥粒を合わせて混合物を形成すること、及び
前記アゾールインヒビター及び前記リン含有剤を前記混合物に加えてケミカルメカニカル研磨組成物を形成すること
を含む方法。
【請求項７】
基材のケミカルメカニカルポリッシングの方法であって、
銅配線を有する半導体ウェーハである基材を提供すること、
請求項１〜５のいずれか１項記載のケミカルメカニカル研磨組成物を提供すること、
場合によっては酸化剤を前記ケミカルメカニカル研磨組成物に加えること、
ケミカルメカニカル研磨パッドを提供すること、
前記ケミカルメカニカル研磨パッドと前記基材との間の界面に０．６９〜３４．５kPaのダウンフォースで動的接触を生じさせること、及び
前記ケミカルメカニカル研磨パッドと前記基材との間の前記界面又はその近くの前記ケミカルメカニカル研磨パッド上に前記ケミカルメカニカル研磨組成物を注入すること
を含み、前記ケミカルメカニカル研磨組成物が、リン酸、水酸化マグネシウム及び水酸化リチウムの少なくとも一つの添加によって２〜６に調節されたｐＨを示す方法。
【請求項８】
提供される前記ケミカルメカニカル研磨組成物が濃縮形態であり、前記方法が、前記ケミカルメカニカル研磨組成物を水で希釈することをさらに含む、請求項７記載の方法。
【請求項９】
前記ケミカルメカニカル研磨組成物が４倍濃縮物として提供され、前記方法が、
前記ケミカルメカニカル研磨組成物を、希釈後の初期成分の配合量が、
ベンゾトリアゾール０．２〜０．４重量％、
オクタンスルホン酸ナトリウム０．０５〜１重量％、
トルエンスルホン酸ナトリウム、キシレンスルホン酸ナトリウム及びそれらの混合物から選択されるハイドロトロープ０．４５〜１重量％、
リン酸三カリウム、リン酸水素二カリウム、リン酸二水素カリウム及びそれらの混合物から選択されるリン含有剤０．５〜２重量％、
カルボキシメチルセルロース０．１〜１重量％、
メタクリル酸とアクリル酸とのコポリマー０．０５〜１重量％、
イミノ二酢酸０．４〜２重量％、及び
リンゴ酸０．１〜０．５重量％
になるように水で希釈すること、及び
酸化剤を前記ケミカルメカニカル研磨組成物に加えること
をさらに含む、請求項７又は８記載の方法。
【請求項１０】
前記ケミカルメカニカル研磨パッドが、ポリマー中空コア微粒子を含有するポリウレタン研磨層及び塗膜サブパッドを含む場合、前記ケミカルメカニカル研磨組成物が、２００mm研磨機上、毎分６１回転のプラテン速度、毎分５７回転のキャリヤ速度、２００ml/minのケミカルメカニカル研磨組成物流量及び１３．８kPaの公称ダウンフォースで少なくとも４，０００Å/minの銅除去速度を示す、請求項７〜９のいずれか１項記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月26日(2014.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と、
前記ゲート電極と重なる領域に、チャネル形成領域を有する半導体膜と、
前記半導体膜と電気的に接続された、ソース電極と、
前記半導体膜と電気的に接続された、ドレイン電極と、
前記ゲート電極と、前記半導体膜との間の、第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜とを有し、
前記第１の絶縁膜は、シリコンと酸素とを有し、
前記第２の絶縁膜は、ハフニウムと酸素とを有し、
前記第１の絶縁膜は、負の固定電荷を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ゲート電極と、
前記ゲート電極と重なる領域に、チャネル形成領域を有する半導体膜と、
前記半導体膜と電気的に接続された、ソース電極と、
前記半導体膜と電気的に接続された、ドレイン電極と、
前記ゲート電極と、前記半導体膜との間の、ゲート絶縁膜とを有し、
前記ゲート絶縁膜は、シリコンと酸素とを有する第１の絶縁膜と、ハフニウムと酸素とを有する第２の絶縁膜とを有し、
前記ゲート絶縁膜は、負の固定電荷を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
ゲート電極と、
前記ゲート電極と重なる領域に、チャネル形成領域を有する酸化物半導体膜と、
前記半導体膜と電気的に接続された、ソース電極と、
前記半導体膜と電気的に接続された、ドレイン電極と、
前記ゲート電極と、前記酸化物半導体膜との間の、第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜とを有し、
前記第１の絶縁膜は、シリコンと酸素とを有し、
前記第２の絶縁膜は、ハフニウムと酸素とを有し、
前記第１の絶縁膜は、負の固定電荷を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
ゲート電極と、
前記ゲート電極と重なる領域に、チャネル形成領域を有する酸化物半導体膜と、
前記半導体膜と電気的に接続された、ソース電極と、
前記半導体膜と電気的に接続された、ドレイン電極と、
前記ゲート電極と、前記酸化物半導体膜との間の、ゲート絶縁膜とを有し、
前記ゲート絶縁膜は、シリコンと酸素とを有する第１の絶縁膜と、ハフニウムと酸素とを有する第２の絶縁膜とを有し、
前記ゲート絶縁膜は、負の固定電荷を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項３又は請求項４において、
前記酸化物半導体膜は、１×１０１８ｃｍ−３以下の水素と、５×１０１６ｃｍ−３以下のナトリウムとを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項３乃至請求項５のいずれか一において、
前記ゲート電極を上方からみたとき、前記チャネル形成領域のチャネル幅方向における前記ゲート電極の端部は、前記ソース電極の端部と、前記酸化物半導体膜の端部との間、及び前記ドレイン電極の端部と、前記酸化物半導体膜の端部との間にあることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項３乃至請求項６のいずれか一において、
前記酸化物半導体膜に接して、層間絶縁膜を有し、
前記層間絶縁膜は、昇温脱離ガス分光法分析により、酸素原子に換算した、酸素の放出量が、１．０×１０１８ｃｍ−３以上となることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記第１の絶縁膜は、０．０１ａｔｏｍｉｃ％以上１０ａｔｏｍｉｃ％以下のアルミニウムを有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月5日(2014.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャネル形成領域と、ソース領域と、ドレイン領域と、第１のゲート電極と、を有する第１のトランジスタと、
前記チャネル形成領域の上方又は前記ソース領域の上方又は前記ドレイン領域の上方に設けられた、前記第１のゲート電極と、第１の絶縁層と、第２の接続電極と、
前記第１の絶縁層の上方又は前記第１のゲート電極の上方又は前記第２の接続電極の上方に設けられた、第２の絶縁層と、第１の接続電極と、第３の接続電極と、
前記第２の絶縁層の上方に設けられ、チャネル形成領域を有する酸化物半導体層と、ソース電極と、ドレイン電極と、第２のゲート電極と、を有する第２のトランジスタと、
を有し、
前記第１の接続電極は、前記第１のゲート電極と前記ソース電極及び前記ドレイン電極の一方とを電気的に接続する機能を有し、
前記第２の接続電極及び前記第３の接続電極は、前記ソース領域及び前記ドレイン領域の一方と前記ソース電極及び前記ドレイン電極の他方とを電気的に接続する機能を有し、
前記ソース領域又は前記ドレイン領域は、前記酸化物半導体層と重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の接続電極の前記第１のトランジスタのチャネル幅方向の長さは、前記第１のゲート電極の前記第１のトランジスタのチャネル幅方向の長さより短いことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第３の接続電極の前記第１のトランジスタのチャネル長方向の長さは、前記第２の接続電極の前記第１のトランジスタのチャネル長方向の長さより短いことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記酸化物半導体層は、前記第２の接続電極と重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月12日(2014.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、第１の絶縁膜、酸化物半導体膜、第２の絶縁膜の順に形成し、
前記第２の絶縁膜、前記酸化物半導体膜、及び前記第１の絶縁膜の素子分離領域をエッチングすることにより、前記第１の絶縁膜に素子分離溝を形成し、
前記第２の絶縁膜及び前記素子分離溝上に、第３の絶縁膜を形成し、
前記第３の絶縁膜に平坦化処理を行うことにより、前記第２の絶縁膜を露出させるとともに、前記素子分離溝に前記第３の絶縁膜を埋め込み、
前記第２の絶縁膜をエッチングすることにより、前記酸化物半導体膜を露出させ、
前記第３の絶縁膜及び露出した前記酸化物半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして、前記酸化物半導体膜に第１の濃度となるようにドーパントを添加することで、前記酸化物半導体膜に第１のドーパントを含む領域を形成し、
前記ゲート電極の側面にサイドウォール絶縁膜を形成し、
前記ゲート電極及び前記サイドウォール絶縁膜をマスクとして、第２の濃度となるように前記ドーパントを添加することにより、前記酸化物半導体膜に第２のドーパントを含む領域を形成し、
前記第３の絶縁膜及び前記第２のドーパントを含む領域と接するように、ソース電極及びドレイン電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記ソース電極又はドレイン電極は、第１の導電膜及び第２の導電膜を有し、
前記第１の導電膜は、前記サイドウォール絶縁膜に接することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記第１の導電膜の膜厚は、前記第２の導電膜の膜厚よりも薄いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記第１の絶縁膜として、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化窒化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化ハフニウム、酸化イットリウムのいずれか一又は複数を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記第３の絶縁膜として、酸化アルミニウムを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記酸化物半導体膜として、Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｎ、及びＺｎから選ばれた一種以上の元素を含む金属酸化物を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月25日(2015.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層に接して酸化物半導体層を形成し、
前記ゲート電極に光を照射し、
前記絶縁層は、加熱により酸素を放出することが可能であり、
前記ゲート電極と重なる領域の前記絶縁層から前記酸化物半導体層中に酸素が添加され、前記ゲート電極と重なる領域の前記酸化物半導体層中の酸素欠損および界面準位が低減されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面を有する基板上に酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層に接して絶縁層を形成し、
前記絶縁層上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極に光を照射し、
前記絶縁層は、加熱により酸素を放出することが可能であり、
前記ゲート電極と重なる領域の前記絶縁層から前記酸化物半導体層中に酸素が添加され、前記ゲート電極と重なる領域の前記酸化物半導体層中の酸素欠損および界面準位が低減されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記ゲート電極の前記絶縁層と接する面に、窒化モリブデン、窒化タングステン、窒化チタン、窒化タンタル、窒化アルミニウムのいずれか一以上を有する層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法
【請求項４】
絶縁表面を有する基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層に接し、且つ前記酸化物半導体層を介して前記ゲート電極と重なる領域を有する絶縁層を形成し、
前記絶縁層上に前記ゲート電極と重なる金属層を形成し、
前記金属層に光を照射し、
前記絶縁層は、加熱により酸素を放出することが可能であり、
前記金属層と重なる領域の前記絶縁層から前記酸化物半導体層中に酸素が添加され、前記ゲート電極と重なる領域の前記酸化物半導体層中の酸素欠損および界面準位が低減されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
絶縁表面を有する基板上に金属層を形成し、
前記金属層上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層に接して酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に、前記金属層及び前記酸化物半導体層と重なるようにゲート電極を形成し、
前記金属層に光を照射処理し、
前記絶縁層は、加熱により酸素を放出することが可能であり、
前記金属層と重なる領域の前記絶縁層から前記酸化物半導体層中に酸素が添加され、前記ゲート電極と重なる領域の前記酸化物半導体層中の酸素欠損および界面準位が低減されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項４又は請求項５において、
前記金属層として、４００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の波長領域において６０％以上の光吸収率を有する層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記絶縁層を、酸素又は酸素とアルゴンの混合ガスを用いたスパッタリング法により形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月2日(2015.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の第１の突起と、前記一対の第１の突起の間に設けられた第２の突起とを有するゲート電極と、
前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜と接して、且つ前記一対の第１の突起および前記第２の突起に重畳する半導体膜と、
前記半導体膜と接し、且つ前記一対の第１の突起に重畳する一対の電極と、を有し、
チャネル幅方向における前記半導体膜の側端は、前記一対の第１の突起の頂面より外側にあり、
前記チャネル幅方向における前記一対の電極の側端は、前記一対の第１の突起の頂面より外側にあることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記一対の第１の突起は、前記チャネル幅方向において、複数設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第２の突起は、前記半導体膜のチャネル長方向において、複数設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記ゲート電極は、前記一対の第１の突起および前記第２の突起を有する第１の領域と、前記第１の領域に接する第２の領域と、を有し、
前記第１の領域と前記第２の領域とは、異なる導電材料によって構成されており、
前記第１の領域を構成する導電材料と、前記第２の領域を構成する導電材料との仕事関数の差は、０．６ｅＶ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記ゲート電極は、多階調マスクを用いて形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記半導体膜に形成される実効上のチャネル長は、上面から見た前記一対の電極間の距離である見かけ上のチャネル長に対して３倍以上の長さを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記半導体膜に形成される実効上のチャネル幅は、上面から見た前記一対の電極の幅である見かけ上のチャネル幅に対して３倍以上の長さを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記半導体膜は、酸化物半導体膜であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月4日(2015.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの気道導管を内部に有する気道チューブと、
前記気道チューブの遠位端部上に取り付けられた膨張式のカフと、
を含んだ人工気道であって、
前記気道チューブの端部分が前記カフの中へと延びており、前記カフは、前記気道チューブの前記端部分と前記カフの内側側壁とによって画成される窪みを含み、前記カフの内側側壁は、前記端部分に対して密封的に連結され、前記少なくとも１つの気道導管は、前記窪みと流体連通しており、
前記カフは、前記内側側壁から連なる前方密封壁を含み、前記前方密封壁は、概ね平面内にあると共に、使用時に患者の声門開口と密封的に係合し、前記カフは後方壁を更に含み、前記後方壁は、前方密封壁の外側周縁部から延びて、前記端部分を覆って延びるとともに、使用時に、前記カフが膨張すると弾力的に拡張されて、患者の後方咽頭壁と密封的に係合する、人工気道。
【請求項２】
前方密封壁は、その遠位端部および近位端部に近接した前記気道チューブの前記端部分に対してのみ連結されている、請求項１記載の人工気道。
【請求項３】
前記カフの形状は、膨張時に、前記窪みを含む横断面において、前記後方壁が逆Ｕ字形状を有すると共に、前記逆Ｕ字形状の両端部が前方密封壁の外側周縁部へと連なるようになっており、前記カフは、前記カフの前記内側側壁が前記気道チューブの端部分に連結されているところを除いて、前記端部分から間隔を置かれている、請求項１記載の人工気道。
【請求項４】
前記カフは、単一の一体成型品として成型されていることを特徴とする、請求項１記載の人工気道。
【請求項５】
前記膨張式のカフは、シリコンゴムから一体的に成型されている、請求項１記載の人工気道。
【請求項６】
前記カフの遠位端部に配置され、使用時に患者の食道と流体連通する排出チャンバと、
前記排出チャンバと流体連通した前記排出導管と、
前記排出チャンバと流体連通した前記通気導管と、
をさらに備え、
使用時に、前記排出導管へ吸引が加えられ、これにより前記排出チャンバへと入って行く吐き戻された物質が前記排出導管を通じて取り除かれるように構成されており、前記通気導管は、患者の組織へ負圧が加えられるのを実質的に防止する、請求項１記載の人工気道。
【請求項７】
前記通気導管は、前記排出チャンバを外気へと通じさせる、請求項６記載の人工気道。
【請求項８】
少なくとも前記排出導管および前記通気導管は、前記気道チューブの前記遠位端部内に設置されている、請求項６記載の人工気道。
【請求項９】
気道チューブの前記遠位端部は、当該人工気道の遠位端部に構造上の剛性を与える、請求項１記載の人工気道。
【請求項１０】
前記少なくとも１つの気道導管との流体連通をもたらすための連結体と、
前記連結体を、前記気道チューブの近位端部に対して密封的に連結するための手段と、
をさらに備えた請求項１記載の人工気道。
【請求項１１】
前記気道チューブは、別個に形成されてから互いに結合された近位部分と遠位部分とによって形成されている、請求項１記載の人工気道。
【請求項１２】
前記カフは、前記気道チューブの隣接した部分の上に重なる近位および遠位差込部を含んでいる、請求項１記載の人工気道。
【請求項１３】
前記遠位差込部が、排出導管の遠位部分内にある一体型の後方を向いたフランジを含み、前記フランジが前記カフの材料によって画成される、請求項１２記載の人工気道。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月3日(2015.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バトルゲームを提供するサーバであって、
複数のユーザ毎に、バトルに使用する第１オブジェクト及び第２オブジェクトとしてそれぞれ設定されたオブジェクトを記憶する記憶部と、
前記バトルゲームの進行に応じて各ユーザに付与されたポイントに基づいて、各ユーザが前記第１オブジェクトとして設定しているオブジェクトのパラメータ値の補正値を決定するパラメータ調整部と、
各ユーザからの要求に従って、各ユーザが前記第１オブジェクトとして設定しているオブジェクトのパラメータ値を当該オブジェクトについて決定された補正値により補正した値と、各ユーザが前記第２オブジェクトとして設定しているオブジェクトのパラメータ値と、を用いてバトルを実行するゲーム進行部と、
を有することを特徴とするサーバ。
【請求項２】
前記第１オブジェクトは、前記バトルゲームで前記第２オブジェクトより優先的に使用されるオブジェクトである、請求項１に記載のサーバ。
【請求項３】
前記パラメータ調整部は、各オブジェクトのパラメータ値の補正値を、各オブジェクトを前記第１オブジェクトとして設定している全てのユーザに付与された前記ポイントの合計値に基づいて決定する、請求項１または２に記載のサーバ。
【請求項４】
第１のユーザの端末に、第１のユーザが前記第１オブジェクトとして設定しているオブジェクトを前記第１オブジェクトとして設定している第２のユーザに付与されている前記ポイントを表示するための表示データを送信する通信部をさらに有する、請求項３に記載のサーバ。
【請求項５】
前記パラメータ調整部は、各オブジェクトのパラメータ値の補正値を、前記合計値が高いほど高くなるように決定された各オブジェクトの順位に基づいて決定する、請求項３に記載のサーバ。
【請求項６】
ユーザの端末に、前記第１オブジェクトとして設定されている各オブジェクトの前記順位を表示するための表示データを送信する通信部をさらに有する、請求項５に記載のサーバ。
【請求項７】
記憶部を有し、バトルゲームを提供するサーバの制御方法であって、前記サーバが、
複数のユーザ毎に、バトルに使用する第１オブジェクト及び第２オブジェクトとしてそれぞれ設定されたオブジェクトを前記記憶部に記憶し、
前記バトルゲームの進行に応じて各ユーザに付与されたポイントに基づいて、各ユーザが前記第１オブジェクトとして設定しているオブジェクトのパラメータ値の補正値を決定し、
各ユーザからの要求に従って、各ユーザが前記第１オブジェクトとして設定しているオブジェクトのパラメータ値を当該オブジェクトについて決定された補正値により補正した値と、各ユーザが前記第２オブジェクトとして設定しているオブジェクトのパラメータ値と、を用いてバトルを実行する、
ことを含むことを特徴とする制御方法。
【請求項８】
記憶部を有し、バトルゲームを提供するサーバの制御プログラムであって、前記サーバに、
複数のユーザ毎に、バトルに使用する第１オブジェクト及び第２オブジェクトとしてそれぞれ設定されたオブジェクトを前記記憶部に記憶し、
前記バトルゲームの進行に応じて各ユーザに付与されたポイントに基づいて、各ユーザが前記第１オブジェクトとして設定しているオブジェクトのパラメータ値の補正値を決定し、
各ユーザからの要求に従って、各ユーザが前記第１オブジェクトとして設定しているオブジェクトのパラメータ値を当該オブジェクトについて決定された補正値により補正した値と、各ユーザが前記第２オブジェクトとして設定しているオブジェクトのパラメータ値と、を用いてバトルを実行する、
ことを実行させることを特徴とする制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月15日(2015.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データ処理システムにおいて、入力された質問に応答して質問応答（ＱＡ）システムに
より生成された回答候補の間の共通性を識別するための方法であって、
前記データ処理システムにより、前記ＱＡシステムから、入力された質問への複数の回答候補を受け取るステップと；
前記データ処理システムにより、前記回答候補内に存在するタームを識別するステップと；
前記データ処理システムにより、各前記回答候補内のターム間の関係を決定するステップと；
前記データ処理システムにより、前記決定された各前記回答候補内のターム間の関係に基づいて、第一タームと第二タームとの間で共通する関係を決定するステップであって、前記共通する関係は、前記複数の回答候補の少なくともサブセットの間で共通する、ステップと；
前記データ処理システムにより、前記複数の回答候補と前記共通する関係とをユーザに提示するステップと
を含む、方法。
【請求項２】
前記第一タームまたは前記第二タームの少なくとも一つが、実体タイプを有する実体である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記共通する関係を決定するステップが、前記サブセット内の前記ターム間の関係の交点を決定するステップを含む、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記共通する関係を決定するステップが、
複数のエントリを含む関係データ・ストアをサーチするステップであって、各エントリは、少なくとも一つのコーパスの文書の前処理の間に見つかった第一の見つかったタームと少なくとも一つの第二の見つかったタームとの間の関係に対応する、ステップと；
回答候補内に見つかったタームにマッチする、前記関係データ・ストア内の一つ以上のエントリを識別するステップと
を含む、請求項１乃至３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記関係データ・ストア内の各エントリが、コーパスの少なくとも一つの文書の自然言語処理を通じて前記コーパスの前記少なくとも一つの文書内に識別された関係に基づいて、前記コーパスの前記少なくとも一つの文書の前処理の間に見つかった第一タームと前記コーパスの前記少なくとも一つの文書の前処理の間に見つかった第二タームとの間のペアワイズ関係を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記関係データ・ストア内の各エントリが、前記前処理の間に前記コーパスの前記少なくとも一つの文書内に対応するペアワイズ関係が見つかった頻度を指示する対応する出現頻度値をさらに含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記複数の回答候補と前記共通する関係とをユーザに提示するステップが、各前記関係の前記対応する出現頻度値とともに前記回答候補と前記関係との視覚的表示を生成するステップを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記視覚的表示が、前記共通する関係を裏付ける、コーパスの少なくとも一つの文書からの少なくとも一つの証拠テキスト・パッセージをさらに含み、前記回答候補または前記証拠テキスト・パッセージの少なくとも一つの一部が、前記共通する関係の出現頻度値に対応する値に基づいて、前記視覚的表示において強調される、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記第一タームと前記第二タームとの間で共通する関係を決定するステップが、
前記回答候補を出力するためのグラフィカル・ユーザ・インタフェース（ＧＵＩ）の第一部分と、前記回答候補間でユーザが識別を望む所望の共通する関係を指定するためにユーザが選択可能な複数のオプションを出力するための前記ＧＵＩの第二部分と、前記回答候補内の前記ターム間の関係と前記共通する関係とを出力するための前記ＧＵＩの第三部分と、前記共通する関係を裏付ける、コーパスの文書からの証拠テキスト・パッセージを出力するための前記ＧＵＩの第四部分とを提供する、前記ＧＵＩを提示するステップ
をさらに含む、請求項１乃至８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
前記複数の回答候補と前記共通する関係とをユーザに提示するステップが、前記回答候補と、前記共通する関係を裏付ける、コーパスの少なくとも一つの文書からの少なくとも一つの証拠テキスト・パッセージとの視覚的表示を生成するステップであって、前記回答候補の少なくとも一つまたは前記少なくとも一つの証拠テキスト・パッセージの一部が、前記視覚的表示において強調されるステップを含む、請求項１乃至９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
コンピュータ・プログラムであり、コンピューティング・デバイス上で実行されると、前記コンピューティング・デバイスに、
前記ＱＡシステムから、入力された質問への複数の回答候補を受け取るステップと；
前記回答候補内に存在するタームを識別するステップと；
各前記回答候補内のターム間の関係を決定するステップと；
前記決定された各前記回答候補内のターム間の関係に基づいて、第一タームと第二タームとの間で共通する関係を決定するステップであって、前記共通する関係は、前記複数の回答候補の少なくともサブセットの間で共通する、ステップと；
前記複数の回答候補と前記共通する関係とをユーザに提示するステップと
を実行させるコンピュータ・プログラム。
【請求項１２】
プロセッサと；
前記プロセッサに結合されたメモリであって、前記メモリは命令を含み、前記命令は、前記プロセッサにより実行されると、
質問応答（ＱＡ）システムから、入力された質問への複数の回答候補を受け取ること；
前記回答候補内に存在するタームを識別すること；
各前記回答候補内のターム間の関係を決定すること；
前記決定された各前記回答候補内のターム間の関係に基づいて、第一タームと第二タームとの間で共通する関係を決定すること、ただし前記共通する関係は、前記複数の回答候補の少なくともサブセットの間で共通すること；および
前記複数の回答候補と前記共通する関係とをユーザに提示すること
を前記プロセッサに行わせる、メモリと
を含む、装置。