(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極層、半導体光活性層及び第２電極層の積層体からなる光起電力装置の製造方法であって、
絶縁表面を有する基板の略全表面上に、前記第１電極層を構成する第１導電膜を形成する工程と、
前記絶縁表面上で前記基板の全外周の内側に前記第１導電膜を分割する下部外周溝を形成して、前記第１電極層を分割形成する工程と、
前記下部外周溝から前記基板の外周側へ拡がる外周絶縁部材を前記基板の全外周の内側に配置する工程と、
前記第１導電膜上の略全面に前記半導体光活性層を構成する半導体膜及び第２電極層を構成する第２導電膜の積層体を形成する工程と、
この第２導電膜の露出方向から、前記外周絶縁部材上における前記下部外周溝より前記基板の外周側に位置する部分に、エネルギービームを照射して、照射部分の前記半導体膜及び前記第２導電膜を除去し、前記外周絶縁部材に到達する上部外周溝を形成して、前記半導体光活性層及び前記第２電極層を分割形成する工程とからなることを特徴とする光起電力装置の製造方法。
【請求項２】
第１電極層、半導体光活性層及び第２電極層の積層体からなる複数の発電領域を電気接続した光起電力装置の製造方法であって、
絶縁表面を有する基板の略全表面上に、前記第１電極層を構成する第１導電膜を形成する工程と、
前記絶縁表面上で前記基板の全外周の内側に前記第１導電膜を分割する下部外周溝を形成し、前記各発電領域間に前記第１導電膜を分割する領域間溝を形成して各発電領域毎に対応した第１電極層を分割形成する工程と、
前記下部外周溝から前記基板の外周側へ拡がる外周絶縁部材を前記基板の全外周の内側に配置し、前記領域間溝と平行に前記第１電極層上に分割絶縁部材を配置する工程と、
前記第１導電膜上の略全面に前記半導体光活性層を構成する半導体膜及び前記第２電極層を構成する第２導電膜の積層体を形成する工程と、
この第２導電膜の露出方向から、前記外周絶縁部材上における前記下部外周溝より前記基板の外周側に位置する部分及び前記領域間絶縁部材上に位置する部分に、エネルギービームを照射して、照射部分の前記半導体膜及び前記第２導電膜を除去し、前記外周絶縁部材に到達する上部外周溝及び前記領域間絶縁部材に到達する上部溝を形成して、各発電領域に対応した前記半導体光活性層及び前記第２電極層を分割形成する工程と
隣接する前記第１電極層及び前記第２電極層を電気的に接続することによって、複数の前記発電領域を電気接続する工程と、を有することを特徴とする光起電力装置の製造方法。
【請求項３】
絶縁表面を有する基板上に、第１電極層、半導体光活性層及び第２電極層の積層体からなる複数の発電領域を配設し、これら積層体を電気接続した光起電力装置の製造方法であって、
前記絶縁表面の略全面上に、第１電極層を構成する第１導電膜を形成する工程と、
前記絶縁表面上で、前記複数の発電領域の配列方向に沿った前記基板の外周の内側に、前記第１導電膜を分割する下部外周溝を形成し、前記各発電領域間に前記第１導電膜を分割する領域間溝を形成して、前記各発電領域毎に対応した第１電極層を形成する工程と、
前記下部外周溝から前記基板の前記外周側へ拡がる外周絶縁部材を前記基板の全外周の内側に配置し、前記領域間溝と平行に前記第１電極層上に分割絶縁部材を配置する工程と、
前記第１導電膜上の略全表面に前記半導体光活性層を構成する半導体膜及び前記第２電極層を構成する第２導電膜の積層体を形成する工程と、
この第２導電膜の露出方向から、前記外周絶縁部材上における前記下部外周溝より前記基板の外周側に位置する部分及び前記領域間絶縁部材上に位置する部分に、エネルギービームを照射して、照射部分の前記半導体光活性層及び前記第２導電膜を除去し、前記外周絶縁部材に到達する上部外周溝及び前記領域間絶縁部材に到達する上部溝を形成して、各発電領域に対応した前記半導体光活性層及び前記第２電極層を分割形成する工程と
隣接する前記第１電極層及び前記第２電極層を電気的に接続することによって、複数の前記発電領域を電気接続する工程と、を有することを特徴とする光起電力装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光起電力装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の光起電力装置の製造方法において、基板上の中央部に配置される第１電極層、半導体光活性層及び第２電極層の積層体からなる発電領域と、基板上の外周部に存在する非発電領域とを分割する製造方法及び構造が、例えば、特開平７−２３１０１５号公報に開示されている。ここに開示された製造方法は、絶縁基板上に、第１電極層を構成する第１導電膜を形成する工程と、基板上の全外周の内側に第１導電膜を分割する下部外周溝を形成し、前記第１電極層を分割形成する工程と、下部外周溝に外周絶縁部材を基板の全外周の内側に配置する工程と、第１導電膜上の略全表面に半導体光活性層を構成する半導体膜及び第２電極層を構成する第２導電膜の積層体を形成する工程と、この第２電極層の露出方向から、外周絶縁部材上にエネルギービームを照射して、照射部分の半導体膜及び第２導電膜を除去し、外周絶縁部材に到達する上部外周溝を形成して、半導体光活性層及び第２電極層を分割形成する工程からなる。そして、特に、上記の上部外周溝は、下部外周溝に配置された外周絶縁部材の直上に形成されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
この従来の製造方法においては、外周絶縁部材上にエネルギービームを照射する工程においては、偶発的なエネルギービーム出力の過剰や半導体膜及び第２導電膜の膜厚の不均一等の理由により、上部外周溝が外周絶縁部材を貫き、発電領域の第１電極層に至ることがある。この場合、第２電極層と第１電極層とが導通状態となり、セルショ−トが発生する。更には、外周絶縁部材を貫き、第１電極層に至る上部外周溝を通って水分が進入し、第１電極層が腐食される。
【０００４】
本発明はこのような問題点を解決するために成されたものであり、たとえ、上部外周溝が外周絶縁部材を貫いても、セルショ−トが発生せず、耐湿性の大きい光起電力装置の製造方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明の光起電力装置の製造方法の主要な構成は、第１電極層、半導体光活性層及び第２電極層の積層体からなる光起電力装置の製造方法であって、
絶縁表面を有する基板の略全表面上に、前記第１電極層を構成する第１導電膜を形成する工程と、
前記絶縁表面上で前記基板の全外周の内側に前記第１導電膜を分割する下部外周溝を形成して、前記第１電極層を分割形成する工程と、
前記下部外周溝から前記基板の外周側へ拡がる外周絶縁部材を前記基板の全外周の内側に配置する工程と、
前記第１導電膜上の略全面に前記半導体光活性層を構成する半導体膜及び第２電極層を構成する第２導電膜の積層体を形成する工程と、
この第２導電膜の露出方向から、前記外周絶縁部材上における前記下部外周溝より前記基板の外周側に位置する部分に、エネルギービームを照射して、照射部分の前記半導体膜及び前記第２導電膜を除去し、前記外周絶縁部材に到達する上部外周溝を形成して、前記半導体光活性層及び前記第２電極層を分割形成する工程とからなることを特徴とする。
【０００６】
【実施例】
以下に、本発明の光起電力装置の製造方法の第１実施例を、図１〜５を用いて詳細に説明する。
【０００７】
まず、図１において、１０は可撓性を有するステンレスやアルミニウム等の金属シートとこの上に形成されたポリイミド等の絶縁樹脂膜からなる基板、又は、ポリイミド等の樹脂からなるフィルムの基板である。この基板１０は、矩形状であり、透光性でも、非透光性でもよい。２０ａ〜２０ｃは後述する第１電極層、半導体光活性層及び第２電極層の積層体で構成される発電領域である。また、２０ａｔ、２０ｃｔは、光起電力装置からの出力を取り出すための左端、右端出力端子領域である。
【０００８】
そして、図１に示す工程において、発電領域２０ａ〜２０ｃの各領域間において基板１０の側辺に平行に、帯状の銀ペースト等からなる導電ペースト３０ａｂ、３０ｂｃを配置する。そして、左端、右端出力端子領域２０ａｔ、２０ｃｔにおいても、基板１０の側辺に平行に帯状の導電ペースト３１、３２を配置する。ここで、導電ペースト３０ａｂ、３０ｂｃ、３１、３２は、ポリイミド又はフェノール系のバインダーに銀、ニッケル又はアルミニウム等の粉末（粒径約３〜７μｍ）を含むもので、スクリーン印刷によりパターニングされた後、２５０〜３００℃で焼成され、高さ約１０〜５０μｍ、幅約０．２〜０．６ｍｍに形成される。
【０００９】
次に、上記導電ペーストを含んで基板１０上の全面に、厚さ約０．１〜１．０μｍの第１導電膜４０が形成される。この第１導電膜４０としては、アルミニウム、チタン、ニッケル等の金属が用いられる。
【００１０】
図２に示す工程においては、まず、基板１０の各辺の内側に、レーザビームや電子ビーム等のエネルギービームを照射して、照射部分の第１導電膜を除去し、下部外周溝５０（幅約５０μｍ）を形成する。加えて、各発電領域間における導電ペースト３０ａｂ、３０ｂｃの左側及び導電ペースト３２の左側に、レーザビームや電子ビーム等のエネルギービームを照射して、照射部分の第１導電膜を除去し、領域間溝５１、５１、端子部溝５２（幅約５０μｍ）を形成する。これにより、各発電領域毎に対応した第１電極層４０ａ〜４０ｃが分割形成される。
【００１１】
次に、下部外周溝５０から基板１０の外周側へ拡がる外周絶縁部材６０を、基板１０の全外周の内側に配置する。そして、領域間溝５１、５１、端子部溝５２にも、各々、領域間絶縁部材６１、６１、絶縁部材６２を配置する。加えて、第１電極層４０ａ〜４０ｃ各々の左端で、これら各々の上に、分割絶縁部材６３・・・を配置する。これら絶縁部材６１、６２、６３は、ポリイミド又はフェノ−ル系のバインダーに二酸化シリコン等の無機材料の粉末（粒径約１．５〜７．０μｍ）を含むもので、スクリーン印刷法によりパタ−ニングされた後、２５０〜３００℃で乾燥され、高さ約１０〜５０μｍ、幅約０．２〜０．６ｍｍに形成される。
【００１２】
絶縁樹脂表面と金属膜からなる第１導電膜４０との密着力は比較的小さく、剥離しやすい。この実施例では、基板１０との密着力が良好な外周絶縁部材６０を、下部外周溝５０にて直接基板１０上に形成すると共に、基板１０の外側に拡がって形成しているので、発電領域外の第１導電膜が基板１０より剥離するのを防止している。
【００１３】
そして、第１電極層上で基板１０上方の略全面に、アモルファスシリコン、アモルファスシリコンカーバイド、アモルファスシリコンゲルマニウム等をｐｎまたはｐｉｎに積層した半導体膜７０（厚さ約０．３〜１．０μｍ）を、及び、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化錫（ＳｎＯ２）等の透明  導電膜からなる第２導電膜８０（厚さ約０．３〜１．０μｍ）を積層形成する。
【００１４】
次に図３の示す工程においては、この第２導電膜８０の露出方向から、外周絶縁部材６０上における下部外周溝５０より基板１０の外周側に位置する部分に、レーザビームや電子ビーム等のエネルギービームを照射して、照射部分の半導体膜７０及び第２導電膜８０を除去し、外周絶縁部材６０に到達する上部外周溝９０（幅約５０μｍ）を形成する。そして、同様に、この第２導電膜８０の露出方向から、分割絶縁部材６３・・・上に位置する部分に、レーザビームや電子ビーム等のエネルギービームを照射して、照射部分の半導体膜７０及び第２導電膜８０を除去し、分割絶縁部材６３に到達する上部溝９１（幅約５０μｍ）を形成する。そして、これらの上部外周溝９０、上部溝９１により、各発電領域に対応した半導体光活性層７０ａ〜７０ｃ及び第２電極層８０ａ〜８０ｃに分割形成される。加えて、左端出力端子領域２０ａｔにおいては、半導体膜材料からなる半導体層７０ａｔ及び第２導電膜材料からなる第２電極パッド８０ａｔが分割形成されることになる。一方、右端出力端子領域２０ｃｔにおいては、半導体光活性層７０ｃから延出した半導体層７０ｃｔ及び第２電極層８０ｃから延出する第２電極延出部８０ｃｔが形成されることになる。
【００１５】
更に、第２導電膜の露出側から、導電ペースト３０ａｂ、３０ｂｃ、３１、３２上に位置する部分に、レーザビームや電子ビーム等のエネルギービームを照射する。これにより、導電ペースト３０ａｂ、３０ｂｃと、第２電極層８０ａ、８０ｂが各々溶着されて電気的に接続され、各発電領域２０ａ〜２０ｃが直列に接続される。また、左端出力端子領域２０ａｔにおいては、導電ペースト３１と第２電極パッド８０ａｔが電気的に接続され、第１電極層２０ａからの出力を導出することができる。更には、右端出力端子領域２０ｃｔにおいては、導電ペースト３２と第２電極延出部８０ｃｔとが電気的に接続され、この導電ペースト３２により出力端子での電気抵抗を低減し、集電効率が向上する。
【００１６】
図４に示す工程においては、基板１０の上下辺に平行な複数の枝部分１０１とこれら枝部分１０１の右端で連続している幹部分１０２からなる集電極１００・・・を第２電極層８０ａ〜８０ｃ上に形成する。これらの集電極１００の幹部分１０２は、各々、導電ペースト３０ａｂ、３０ｂｃ、３２の上方に位置すると共に、基板１０の側辺に平行に配置され、帯状の形状を有する。ここで、右端出力端子領域２０ｃｔに位置する集電極１００の幹部分１０２は、出力端子１０４として機能している。また、左端出力端子領域２０ａｔにおいては、導電ペースト３１上方の第２電極パッド８０ａｔ上に導電ペーストからなる帯状の出力端子１０３を形成する。
【００１７】
そして、出力端子１０３、１０４上の一端に、半田付けを容易にするために銅ペースト（図示せず）を配置した上に、半田めっきした矩形状の銅箔１０５、１０６を半田付けする。
【００１８】
次に、第２電極層８０ａ〜８０ｃ上で基板１０上方の略全面に、透光性を有するポリエチレンテレフタレ−トフィルム、フッ素系フィルム等からなる厚さ約２５〜１０００μｍの熱可塑性樹脂の保護膜１１０を、熱可塑性樹脂からなる接着層（図示せず）を介して形成する。そして、銅箔１０５、１０６上に位置する保護膜１１０に、半田ごてを当てて半田を溶かすことにより、熱により保護膜に開穴１１１、１１１を開けると共に、銅箔１０５、１０６上に半田層（図示せず）を形成する。この半田層を介して、リード線１２０、１２０を半田付けして、光起電力装置が完成する。
【００１９】
一方、図５は、本発明の第２実施例により製造された光起電力装置を示す。第１実施例との大きな違いは、円形の基板１５を用いた点であり、同じような製造工程を有するものである。なお、第１実施例と同じ名称のものは、同一の材料、製造方法を示すものであり、詳細な説明は省略する。
【００２０】
円形の基板１５上には、左右方向に配列された発電領域２５ａ〜２５ｄ、配列方向の左端、右端には、略三日月状の左端、右端出力端子領域２１ａｔ、２１ｄｔが配置されている。
【００２１】
まず、発電領域２５ａ〜２５ｄの各領域間において、発電領域の配列方向と直交する方向に、帯状の導電ペースト３５ａｂ、３５ｂｃ、３５ｃｄが配置される。そして、左端、右端出力端子領域２５ａｔ、２５ｄｔにおいも同様に、帯状の導電ペースト３６、３７を配置する。この後、上記導電ペーストを含んで基板１５上方の全面に、第１導電膜４５が形成される。
【００２２】
次の工程においては、まず、基板１５の外周の内側に、エネルギービームを照射して、照射部分の第１導電膜４５を除去し、下部外周溝５５を形成する。加えて、各発電領域間における導電ペースト３５ａｂ、３５ｂｃ、３５ｃｄの左側及び導電ペースト３７の左側に、エネルギービームを照射して、照射部分の第１導電膜を除去し、領域間溝５６、５６、端子部溝５７を形成する。これにより、各発電領域毎に対応した第１電極層４５ａ〜４５ｄが分割形成される。
【００２３】
そして、下部外周溝５５から基板１５の外周側へ拡がる外周絶縁部材６５を、基板１５の全外周の内側に配置する。そして、領域間溝５６、５６、端子部溝５７にも、各々、領域間絶縁部材６６、６６、絶縁部材６７を配置する。加えて、第１電極層４５ａ〜４５ｄ各々の左端で、これら各々の上に、分割絶縁部材６８・・・を配置する。その後、基板１５上方の略全面に、半導体膜７５及び第２導電膜８５を積層形成する。
【００２４】
次の工程においては、この第２導電膜８５の露出方向から、外周絶縁部材６５上における下部外周溝５５より基板１５の外周側に位置する部分に、エネルギービームを照射して、照射部分の半導体膜７５及び第２導電膜８５を除去し、外周絶縁部材６５に到達する上部外周溝９５を形成する。そして、同様に、この第２導電膜８５の露出方向から、分割絶縁部材６８・・・上に位置する部分に、エネルギービームを照射して、照射部分の半導体膜７５及び第２導電膜８５を除去し、分割絶縁部材６８に到達する上部溝９６を形成する。そして、これらの上部外周溝９５、上部溝９６により、各発電領域に対応した半導体光活性層７５ａ〜７５ｄ及び第２電極層８５ａ〜８５ｄに分割形成される。加えて、左端出力端子領域２５ａｔにおいては、半導体膜材料からなる半導体層７５ａｔ及び第２導電膜材料からなる第２電極パッド８５ａｔが分割形成されることになる。一方、右端出力端子領域２５ｄｔにおいては、半導体光活性層７５ｄから延出した半導体層７５ｄｔ及び第２電極層８５ｄから延出する第２電極延出部８５ｄｔが形成されることになる。
【００２５】
更に、第２導電膜の露出側から、導電ペースト３５ａｂ、３５ｂｃ、３５ｃｄ、３６、３７上に位置する部分に、エネルギービームを照射する。これにより、導電ペースト３５ａｂ、３５ｂｃ、３５ｃｄと、第２電極層８５ａ、８５ｂ、８５ｃが各々溶着され電気的に接続され、各発電領域２５ａ〜２５ｄが直列に接続される。また、左端出力端子領域２５ａｔにおいては、導電ペースト３６と第２電極パッド８５ａｔが電気的に接続され、第１電極層２５ａからの出力を導出することができる。更には、右端出力端子領域２５ｄｔにおいては、導電ペースト３７と第２電極延出部８５ｄｔとが電気的に接続され、この導電ペースト３７により出力端子領域での電気抵抗を低減され、集電効率が向上する。
【００２６】
次の工程においては、発電領域の配列方向に平行な複数の枝部分１０６とこれら枝部分１０６の右端で連続している幹部分１０７からなる集電極１０５・・・を第２電極層８５ａ〜８５ｄ上各々に形成する。ここで、右端出力端子領域２５ｄｔに位置する集電極１０５の幹部分は、出力端子１０９として機能している。また、左端出力端子領域２５ａｔにおいては、導電ペースト３６上の第２電極パッド８５ａｔ上に導電ペーストからなる出力端子１０８を形成する。
【００２７】
そして、出力端子１０８、１０９上の中央部に、半田付けを容易にするために銅ペースト（図示せず）を配置した上に、半田めっきした矩形状の銅箔１１５、１１６を半田付けする。
【００２８】
更に、第２電極層８５ａ〜８５ｄ上で基板１１上方の略全面に、透光性の熱可塑性樹脂のフィルムからなる保護膜１２０を、熱可塑性樹脂からなる接着層（図示せず）を介して形成する。そして、銅箔１１５、１１６上に位置する保護膜１２０に、半田ごてを当てて半田を溶かすことにより、熱により保護膜に開穴１２１、１２１を開けると共に、銅箔１１５、１１６上に半田層（図示せず）を形成する。この半田層を介して、リード線１３０、１３０を半田付けして、光起電力装置が完成する。
【００２９】
図６は、この第２実施例において、エネルギービームとしてパルス発振のＹＡＧレーザを用いたときの上部外周溝９５の形状を示す図である。図に示すように、１パルスにより円形の除去ができ、ＹＡＧレーザビームを円状に走査することにより、円形の上部外周溝９５を形成している。ここで、ＹＡＧレーザビームを円状に走査すると、直線状に走査するときに比べて走査スピードが低下し、各パルスが重なる部分の面積が増える。このように、パルスが重なる部分の面積が増加すると、パルス状のレーザ照射を２回以上受ける面積が増加することになるので、その分、上部外周溝９５が外周絶縁部材６５を貫通することが多くなる。従って、パルス発振のＹＡＧレーザを円状に走査して上部外周溝を形成する場合は、特に、本発明の構成を用いて、セルショートを防止することは重要である。
【００３０】
以上の両実施例においては、光起電力装置の表面にフィルムを配置しているので、実際の長期使用に際しては、基板の外周部における各層（又は膜）の間から水分が進入することになる。しかしながら、本発明においては、外周絶縁部材が、下部外周溝から基板の外周側へ拡がる幅広の形状をしているので、基板の外周からの水分が、発電領域内の第１電極層に至るのを、十分に防止することができる。
【００３１】
また、外周絶縁部材は絶縁材料からなる粉末をバインダーに混入させ、基板上にパターン配置後焼成をするものであり、焼成後においては、微視的に見ると、多孔質な部材である。従って、長期使用においては、上部外周溝の下に位置する多孔質な外周絶縁部材中に水分が進入し、発電領域に至る可能性がある。しかしながら、上部外周溝が発電領域の第１電極層より基板の外周側に形成されていること、及び、外周絶縁部材が下部外周溝から基板の外周側へ拡がる幅広の形状をしていることで、上部外周溝から進入した水分が発電領域内の第１電極層に至るのを、十分に防止することができる。
【００３２】
また、両実施例においては、第２電極層と保護膜とを透明として、この側より光を入射しているが、第１電極層と基板とを透明として、この側より光を入射させてもよい。
【００３３】
【発明の効果】
本発明の光起電力装置の製造方法は、以上の構成であり、外周絶縁部材上にエネルギービームを照射する工程において、偶発的なエネルギービーム出力の過剰や半導体膜及び第２導電膜の膜厚の不均一等の理由により、上部外周溝が外周絶縁部材を貫いたとしても、上部外周溝が発電領域の第１電極層より基板の外周側に形成されているので、同一発電領域内の第１電極層と第２電極層とが導通状態になることはない。
【００３４】
そして、上部外周溝は、発電領域の第１電極層より基板の外周側に形成されているので、上部外周溝を介して進入する水分が直接第１電極層に達することがないので、耐湿性が向上する。
【００３５】
また、外周絶縁部材は、下部外周溝から基板の外周側へ拡がる幅広の形状をしているので、基板の外周から又は上部外周溝からの水分が、発電領域内の第１電極層に至るのを、十分に防止することができる。
【００３６】
更には、外周絶縁部材は、下部外周溝を埋めて基板上に直接形成されると共に、基板の外周側へ拡がって形成されているので、発電領域外の第１導電膜が基板より剥離するのを防止することができる。これに伴い、発電領域外の第１電極膜の剥離によって引き起こされる水分の発電領域内への進入をも、防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例における第１工程を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ断面図、（ｃ）は（ａ）におけるＢ−Ｂ断面図である。
【図２】本発明の一実施例における第２工程を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ断面図、（ｃ）は（ａ）におけるＢ−Ｂ断面図である。
【図３】本発明の一実施例における第３工程を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ断面図、（ｃ）は（ａ）におけるＢ−Ｂ断面図である。
【図４】本発明の一実施例における第４工程を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ断面図、（ｃ）は（ａ）におけるＢ−Ｂ断面図である。
【図５】本発明の他の実施例により製造された光起電力装置を示す図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ断面図、（ｃ）は（ａ）におけるＢ−Ｂ断面図である。
【図６】図５の基板外周部の拡大図である。
【符号の説明】
１０    基板
２０ａ〜２０ｃ    発電領域
４０    第１導電膜
４０ａ〜４０ｃ    第１電極層
５０    下部外周溝
５１    領域間溝
６０    外周絶縁部材
６３    分割絶縁部材
７０    半導体膜
７０ａ〜７０ｃ    半導体光活性層
８０    第２導電膜
８０ａ〜８０ｃ    第２電極層
９０    上部外周溝
９１    上部溝
【図１】
0003573869.tif 000002
【図２】
0003573869.tif 000003
【図３】
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【図４】
0003573869.tif 000005
【図５】
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【図６】
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