Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月21日(2015.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
少なくとも２種の光酸発生剤（Ａ）、及び、酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂（Ｂ）を含有し、
前記光酸発生剤が、一般式（Ａ−１）で表される光酸発生剤、及び、一般式（Ａ−２）で表される光酸発生剤を少なくとも含む、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【化１】
2014215549.tif 000001
（一般式（Ａ−１）中のＡ1及び一般式（Ａ−２）中のＡ2は、一般式（Ｂ−１）で表されるアニオン及び一般式（Ｂ−２）で表されるアニオンからなる群から選択され、Ａ1及びＡ2の少なくとも一方は、前記一般式（Ｂ−１）で表されるアニオンを表す。
一般式（Ａ−１）中、Ｚ1は一般式（Ｃ−１）〜（Ｃ−３）で表されるカチオンのうちいずれか一つであり、一般式（Ａ−２）中、Ｚ2は一般式（Ｃ−１）〜（Ｃ−３）で表されるカチオンのうちいずれか一つであり、かつ、前記Ｚ1とは異なる。）
【化２】
2014215549.tif 000002
（一般式（Ｂ−１）中、Ｑ1及びＱ2は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又は有機基を表し、少なくとも一方はフッ素原子、又は、少なくとも１つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。ｐは、１〜３の整数を表す。ｑは、２〜８の整数を表す。Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立に、水素原子又は有機基を表す。Ｌ1は、単結合、−Ｏ−、−ＣＯＯ−、又はＯＣＯ−を表す。Ｌ2は、単結合又は２価の連結基を表す。Ｙは、置換基を有してもよい炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基を表す。
一般式（Ｂ−２）中、Ｑ1’及びＱ2’は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又は有機基を表し、少なくとも一方はフッ素原子、又は、少なくとも１つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。ｐ’は、１以上の整数を表す。ｑ’は、０または１を表す。Ｒ1’及びＲ2’は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、アルキル基、又は、少なくとも１つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。Ｌ’は、単結合、−Ｏ−、−ＣＯＯ−、又はＯＣＯ−を表す。Ｌ’’は、単結合又は２価の連結基を表す。Ｙ’は、脂環式炭化水素基又は非芳香族ヘテロ環基を表す。
【化３】
2014215549.tif 000003
（一般式（Ｃ−１）中、Ｒ3〜Ｒ9は、それぞれ独立に、水素原子、水酸基、カルボキシル基、ハロゲン原子又は有機基を表す。なお、Ｒ3〜Ｒ9のうち少なくとも一つは水酸基、カルボキシル基、ハロゲン原子又は有機基を表す。Ｒ10及びＲ11は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、２−オキソアルキル基、２−オキソシクロアルキル基、アルコキシカルボニルアルキル基、又は、アルコキシカルボニルシクロアルキル基を表す。また、Ｒ3〜Ｒ7のうち任意の２つは、互いに結合して環を形成してもよい。また、Ｒ8とＲ9、又は、Ｒ10とＲ11は、それぞれ互いに結合して環を形成してもよい。）
【化４】
2014215549.tif 000004
（一般式（Ｃ−２）中、Ｒ12及びＲ13は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基又はナフチル基を表す。Ｒ14は、水素原子、フッ素原子、水酸基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、単環もしくは多環のシクロアルキル骨格を有する基、又は、アルキレンオキシド鎖を表す。Ｒ15は、水酸基、カルボキシル基、ハロゲン原子又は有機基を表す。ｒは、０〜２の整数を表す。ｍ１５は、０〜８の整数を表す。なお、Ｒ12とＲ13は、互いに結合して環を形成してもよい。）
【化５】
2014215549.tif 000005
（一般式（Ｃ−３）中、Ｒ16〜Ｒ18は、それぞれ独立に水酸基、カルボキシル基、ハロゲン原子又は有機基を表す。ｍ１６〜ｍ１８は、それぞれ独立に、０〜５の整数を表す。なお、Ｒ16〜Ｒ18のうち任意の２つは、互いに結合して環を形成してもよい。）
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
【化２】
2014215549.tif 000006
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月14日(2014.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車両のドライブトレインの軸に接続されたモータで前記車両のエンジンを模したトルクを発生させるドライブトレイン試験システムにおいて、前記モータを駆動するためのモータ発生トルク指令信号を生成するトルク指令生成装置であって、
前記モータの回転数に応じて前記モータ発生トルク指令信号の値に対する制限値を算出する制限値算出手段と、
直流信号を生成する直流信号生成手段と、
交流信号を生成する交流信号生成手段と、
前記直流信号と前記交流信号と合成しモータ発生トルク指令信号を生成する合成手段と、を備え、
前記交流信号生成手段は、前記直流信号の値と所定の基本振幅との和から前記制限値を減算することにより余剰振幅を算出する余剰振幅算出手段と、前記基本振幅から前記余剰振幅を減算して得られる振幅の交流信号を生成する発信手段と、を備え、前記余剰振幅算出手段及び前記発信手段を用いることによって前記モータ発生トルク指令信号の値が前記制限値を超えないような振幅の交流信号を生成すること特徴とするトルク指令生成装置。
【請求項２】
前記交流信号生成手段は、前記交流信号の周波数に応じた限界振幅を算出する限界振幅算出手段をさらに備え、
前記発信手段は、前記基本振幅から前記余剰振幅を減算して得られる振幅と前記限界振幅とのうち小さい方の振幅の交流信号を生成することを特徴とする請求項１に記載のトルク指令生成装置。
【請求項３】
車両のドライブトレインの軸に接続されたモータで前記車両のエンジンを模したトルクを発生させるドライブトレイン試験システムにおいて、前記モータを駆動するためのモータ発生トルク指令信号を生成するトルク指令生成装置であって、
前記モータの回転数に応じて前記モータ発生トルク指令信号の値に対する制限値を算出する制限値算出手段と、
直流信号を生成する直流信号生成手段と、
交流信号を生成する交流信号生成手段と、
前記直流信号と前記交流信号と合成しモータ発生トルク指令信号を生成する合成手段と、を備え、
前記交流信号生成手段は、基本交流信号を生成する基本信号生成手段と、前記基本交流信号の値に所定の振幅減衰係数を乗算することにより交流信号を生成する乗算手段と、前記モータ発生トルク指令信号の最大値と前記制限値との偏差がなくなるように前記振幅減衰係数を決定する余剰振幅制限手段と、を備え、前記基本信号生成手段、前記乗算手段、及び前記余剰振幅制限手段を用いることによって前記モータ発生トルク指令信号の値が前記制限値を超えないような振幅の交流信号を生成すること特徴とするトルク指令生成装置。
【請求項４】
前記交流信号生成手段は、
前記モータ発生トルク指令信号の周波数成分を検出する周波数成分検出手段と、
前記モータ発生トルク指令信号の周波数に応じた限界振幅を算出する限界振幅算出手段と、
前記限界振幅算出手段によって算出された限界振幅に対する前記周波数成分検出手段によって検出された振幅の比を複数の異なる周波数毎に算出する限界比算出手段と、
前記限界比算出手段によって算出された複数の比のうち最も大きな比が所定の目標値になるように前記振幅減衰係数を決定する限界振幅制限手段と、を備えることを特徴とする請求項３に記載のトルク指令生成装置。
【請求項５】
車両のドライブトレインの軸に接続されたモータで前記車両のエンジンを模したトルクを発生させるドライブトレイン試験システムにおいて、前記モータを駆動するためのモータ発生トルク指令信号を生成するトルク指令生成装置であって、
前記モータの回転数に応じて前記モータ発生トルク指令信号に対する正及び負のトルク制限基本値を算出する基本値算出手段と、
前記正及び負のトルク制限基本値を補正し正及び負のトルク制限値を算出する補正手段と、
直流成分及び交流成分を含む基本信号から前記正のトルク制限値より大きな値及び前記負のトルク制限値より小さな値を切り捨てることによって発生トルク指令信号を生成するトルク指令生成手段と、を備え、
前記補正手段は、前記基本信号に前記正及び負の何れか一方の符号のトルク制限基本値に対して余剰が生じた場合には、他方の符号のトルク制限基本値を絶対値が小さくなる方へ補正することを特徴とするトルク指令生成装置。
【請求項６】
前記補正手段は、前記基本信号に前記正及び負の何れか一方の符号のトルク制限値に対して余剰が生じた場合には、前記基本信号の直流成分の値と前記基本信号の一方の符号側の極値との和から一方の符号のトルク制限基本値を減算して得られる値を他方の符号のトルク制限基本値に加算することによって、当該他方の符号のトルク制限基本値を補正することを特徴とする請求項５に記載のトルク指令生成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月30日(2015.4.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
次に、熱酸化を施すことによって、シリコン窒化膜が除去された部分にシリコン酸化膜が形成される。これにより、第１ウェル領域１２、第３ウェル領域１４の表面に比較的厚いシリコン酸化膜が形成され、続いて、シリコン窒化膜が除去される。次に、比較的厚いシリコン酸化膜を注入マスクとして、ＭＯＳ領域の第２ウェル領域１３（図１参照）を形成するためのｎ型の不純物（たとえばリン）が注入される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
こうして、図２に示すように、圧力センサ領域１６ではフィールド酸化膜１９が形成され、ＭＯＳ領域１７ではフィールド酸化膜１５、１９が形成される。フィールド酸化膜１５、１９の膜厚は、０．２〜１．０μｍ程度である。なお、シリコン窒化膜が除去された位置には、残された下敷酸化膜２１が位置している。フィールド酸化膜１５、１９によって規定された領域内に形成されるＭＯＳトランジスタ等の半導体素子が、フィールド酸化膜１５、１９とその直下に形成されたチャネルストッパー２０によって電気的に絶縁されることになる。その後、下敷酸化膜２１が除去される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
上述した半導体圧力センサでは、圧力センサ領域１６における可動電極３９の表面側を、開口部５４を介して外部空間に開放させることによって、外部の圧力に対応して可動電極３９が変位し、固定電極２３ｂと可動電極３９との間隔（ギャップ）が変化する。半導体圧力センサでは、この間隔の変化を容量値の変化として検出することによって、圧力値が測定される。また、可動電極３９の直下に位置する真空室５１の圧力を基準圧力とすることで、この半導体圧力センサを絶対圧センサとして機能させることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
つまり、上述した半導体圧力センサは、容量の変化を圧力値として測定する容量式の圧力センサであり、容量値は、可動電極３９と固定電極２３ｂとの間の間隔の変化を容量値の変化として圧力が測定される。容量値として、より正確には、固定電極２３ｂと真空室５１との間に位置する第１固定電極保護膜２５ｂおよび第２固定電極保護膜２７ｂのそれぞれの容量値（容量値Ａおよび容量値Ｂ）、可動電極３９と真空室５１との間に位置する酸化膜３５、３８の容量値（容量値Ｃ）、ならびに、真空室５１の容量値（容量値Ｄ）を合わせた容量値（合計値）である。このうち、外部の圧力によって容量が変化するのは真空室５１の容量値Ｄだけであるため、圧力値をより精度よく測定するためには、容量値Ａ〜Ｃのそれぞれの初期の容量値（初期値）を正確に把握する必要がある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
さらに、圧力センサ領域１６の犠牲膜３０ｄは、ＭＯＳ領域１７におけるｐチャネル型のＭＯＳトランジスタのゲート電極３０ａ、ｎチャネル型のＭＯＳトランジスタのゲート電極３０ｂおよびＥＰＲＯＭのゲート電極３０ｃを形成する工程において同時に同じ材料から形成される。これらの工程の関係は、いずれも圧力センサを形成するための専用の工程が不要であることを意味している。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月23日(2015.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
検索用データとコンテンツの属性データとを対応付けて格納するローカルデータベース（１４１）と、
外部から挿入されたメディアから検索用データを抽出する検索用データ抽出手段（２１）と、
前記検索用データ抽出手段が抽出した前記検索用データに対応する前記属性データを前記ローカルデータベースから検索する属性データ検索手段（２２）と、
前記検索用データ抽出手段が抽出した前記検索用データに対応する前記属性データが前記ローカルデータベースに存在しない場合に、当該検索用データを保存する検索用データ保存手段（２３）と、
前記属性データ検索手段が検索した前記属性データと当該属性データを検索する際に使用された前記検索用データとを対応付けてユーザ固有データベース（１４２）に格納する手段と、を備え、
前記属性データ検索手段は、前記ローカルデータベースが更新された場合に、前記検索用データ保存手段が保存している前記検索用データに対応する前記属性データを前記ローカルデータベースから再検索するように構成され、且つ、
次回の前記メディアの挿入時に、前記検索用データ抽出手段が抽出した前記検索用データに対応する前記属性データを前記ユーザ固有データベースから検索し、当該検索用データに対応する前記属性データが前記ユーザ固有データベースに存在しない場合に、当該検索用データに対応する前記属性データを前記ローカルデータベースから検索するように構成されているデータ検索装置。
【請求項２】
前記属性データ検索手段は、さらに、前記検索用データと前記属性データとを対応付けて格納する外部のデータベース（４１）に接続された場合に、前記検索用データ保存手段が保存している前記検索用データに対応する前記属性データを前記外部のデータベースから再検索する請求項１に記載のデータ検索装置。
【請求項３】
前記検索用データには、少なくとも前記メディアのＴＯＣデータが含まれ、
前記属性データ検索手段は、前記検索用データ抽出手段が抽出した前記検索用データに含まれる前記ＴＯＣデータに対応する前記属性データを前記ローカルデータベースから検索し、当該ＴＯＣデータに対応する前記属性データが前記ローカルデータベースに存在しない場合には、前記検索用データに含まれる前記ＴＯＣデータ以外のデータに対応する前記属性データを前記ローカルデータベースから検索する請求項１または２に記載のデータ検索装置。
【請求項４】
検索用データとコンテンツの属性データとを対応付けて格納するローカルデータベース（１４１）を備えるデータ検索装置（１０）において動作するデータ検索プログラムであって、
外部から挿入されたメディアから検索用データを抽出する検索用データ抽出処理と、
前記検索用データ抽出処理によって抽出された前記検索用データに対応する前記属性データを前記ローカルデータベースから検索する属性データ検索処理と、
前記検索用データ抽出処理によって抽出された前記検索用データに対応する前記属性データが前記ローカルデータベースに存在しない場合に、当該検索用データを保存する検索用データ保存処理と、
前記属性データ検索処理によって検索された前記属性データと当該属性データを検索する際に使用された前記検索用データとを対応付けてユーザ固有データベース（１４２）に格納する処理と、
前記ローカルデータベースが更新された場合に、前記検索用データ保存処理によって保存されている前記検索用データに対応する前記属性データを前記ローカルデータベースから再検索する属性データ再検索処理と、
次回の前記メディアの挿入時に、前記検索用データ抽出処理によって抽出された前記検索用データに対応する前記属性データを前記ユーザ固有データベースから検索し、当該検索用データに対応する前記属性データが前記ユーザ固有データベースに存在しない場合に、当該検索用データに対応する前記属性データを前記ローカルデータベースから検索する処理と、
を実行するデータ検索プログラム。
【請求項５】
検索用データとコンテンツの属性データとを対応付けて格納するローカルデータベース（１４１）を備えるデータ検索装置（１０）を用いて行われるデータ検索方法であって、
外部から挿入されたメディアから検索用データを抽出する検索用データ抽出ステップと、
前記検索用データ抽出ステップによって抽出された前記検索用データに対応する前記属性データを前記ローカルデータベースから検索する属性データ検索ステップと、
前記検索用データ抽出ステップによって抽出された前記検索用データに対応する前記属性データが前記ローカルデータベースに存在しない場合に、当該検索用データを保存する検索用データ保存ステップと、
前記属性データ検索ステップによって検索された前記属性データと当該属性データを検索する際に使用された前記検索用データとを対応付けてユーザ固有データベース（１４２）に格納するステップと、
前記ローカルデータベースが更新された場合に、前記検索用データ保存ステップによって保存されている前記検索用データに対応する前記属性データを前記ローカルデータベースから再検索する属性データ再検索ステップと、
次回の前記メディアの挿入時に、前記検索用データ抽出ステップによって抽出された前記検索用データに対応する前記属性データを前記ユーザ固有データベースから検索し、当該検索用データに対応する前記属性データが前記ユーザ固有データベースに存在しない場合に、当該検索用データに対応する前記属性データを前記ローカルデータベースから検索するステップと、
を含むデータ検索方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月6日(2015.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン系基板と、
前記シリコン系基板上に設けられ、Ａｌ組成を含む第一の層と、前記第一の層よりＡｌの含有が少ない第二の層とが交互に積層された第一のバッファ層と、
前記第一のバッファ層上に設けられ、Ａｌ組成を含む第三の層と、前記第三の層よりＡｌの含有が少ない第四の層とが交互に積層された第二のバッファ層と、
前記第二のバッファ層上に設けられ、Ａｌ組成を含む第五の層と、前記第五の層よりＡｌの含有が少ない第六の層とが交互に積層された第三のバッファ層とを有し、
全体として、前記第二のバッファ層が、前記第一バッファ層及び前記第三バッファ層よりＡｌの含有が多く、
前記第四の層は、臨界膜厚以上の厚さを有するものであり、且つ前記第二の層及び前記第六の層より転位が多いものであることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第三のバッファ層上に設けられた能動層をさらに有し、
前記第一の層は、Ａｌ組成を含む第一のサブ層と、前記第一のサブ層よりＡｌの含有が少ない第二のサブ層とが繰り返し形成されたものであり、
前記第五の層は、Ａｌ組成を含む第三のサブ層と、前記第三のサブ層よりＡｌの含有が少ない第四のサブ層とが繰り返し形成されたものであり、
前記第二のサブ層及び前記第四のサブ層は、前記臨界膜厚未満の厚さを有するものであり、
前記第二の層は、前記第一のサブ層よりＡｌの含有が少なく、前記二のサブ層より厚いものであり、
前記第六の層は、前記第四のサブ層よりＡｌの含有が少なく、前記第四のサブ層より厚いものであり、
前記第四の層は、前記二のサブ層及び前記第四のサブ層より厚く、前記第二の層及び前記第六の層より薄いことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第二のサブ層、前記第二の層、前記第四の層、前記第四のサブ層、及び、前記第六の層は、ＧａＮからなることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第一のサブ層、前記第三の層、及び、前記第三のサブ層は、ＡｌＮからなることを特徴とする請求項２又は請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
複数の前記第三の層のＡｌの含有が、前記第三のバッファ層に近いほど少なくなることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第二のバッファ層を構成する複数の前記第三の層のうち、前記第二のバッファ層の中央部に配置された前記第三の層が、前記第二のバッファ層の上面側及び下面側に配置された前記第三の層と比較して、Ａｌの含有が少ないことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月19日(2015.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部の撮像装置と通信をする通信手段と、
前記撮像装置の移動距離を予測演算する演算手段と、
前記演算手段により予測演算された前記移動距離に応じて、前記撮像装置の撮像の動作を前記通信手段を介して遠隔制御する遠隔制御手段と、
を備える情報処理装置。
【請求項２】
前記遠隔制御手段は、前記移動距離が予め設定された設定距離に到達する毎に、前記撮像装置が撮像を開始させるように、前記通信手段を介して遠隔制御する、
請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記遠隔制御手段は、
さらに、前記撮像装置による撮像が終了した後に、前記撮像装置の動作モードを、電力の低消費モードに移行させ、
前記移動距離が予め設定された距離に到達する毎に、前記撮像装置の動作モードを、前記低消費モードから、通常モードに移行させるように、前記通信手段を介して遠隔制御する、
請求項１又は２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記通信手段は、前記遠隔制御手段の遠隔制御により、前記移動距離が予め設定された距離に到達する毎に撮像された画像のデータを受信し、
前記通信手段に逐次受信された画像のデータに基づいて、記録用の画像のデータを生成する記録画像生成手段
をさらに備える請求項１乃至３のうちの何れか１項に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記通信手段は、前記遠隔制御手段により撮像の動作が遠隔制御された前記撮像装置から出力された画像のデータを受信して、さらに、外部の装置に転送する
請求項１乃至４のうちの何れか一項に記載の情報処理装置。
【請求項６】
ＧＰＳ衛星より現在位置を示すデータを取得する取得手段を更に備え、
前記演算手段は、前記取得手段により取得されたデータに基づき、前記撮像装置の移動距離を予測演算する、
請求項１乃至５のうちの何れか１項に記載の情報処理装置。
【請求項７】
撮像装置と、
当該撮像装置の移動距離を予測演算する演算手段を備えた端末とが、通信可能に接続された撮像システムであって、
前記端末は、前記演算手段により予測演算された前記移動距離に基づいて、前記撮像装置の撮像の動作を遠隔制御する遠隔制御手段と、
前記撮像装置は、前記撮像した画像を前記端末に送信する送信手段と、
を備えることを特徴とする撮像システム。
【請求項８】
撮像装置と、位置を検出する位置検出手段を備えた情報処理装置とが、通信可能に接続された撮像システムにおける撮像装置であって、
前記位置検出手段が検出した位置情報から予測演算される前記情報処理装置の移動距離に基づいて、当該撮像装置の撮像の動作を制御する制御手段
を備えることを特徴とする撮像装置。
【請求項９】
外部の撮像装置と通信をする通信手段を備える情報処理装置が実行する情報処理方法であって、
前記撮像装置の移動距離を予測演算する演算ステップと、
前記演算ステップの処理により予測演算された前記移動距離に応じて、前記撮像装置の撮像の動作を前記通信手段を介して遠隔制御する遠隔制御ステップと、
を含む情報処理方法。
【請求項１０】
外部の撮像装置と通信をするコンピュータを、
前記撮像装置の移動距離を予測演算する演算手段、
前記演算手段により予測演算された前記移動距離に応じて、前記撮像装置の撮像の動作を通信により遠隔制御する遠隔制御手段、
として機能させるプログラム。
【請求項１１】
外部の情報処理装置と通信をする撮像装置のコンピュータを、
予測演算された前記情報処理装置の移動距離に応じて、当該撮像装置の撮像の動作を制御する制御手段、
として機能させるプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】情報処理装置、撮像システム、撮像装置、情報処理方法及びプログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、情報処理装置、撮像システム、撮像装置、情報処理方法及びプログラムに関する。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月22日(2015.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
電気部品が装着される複数の部品装着部が一方の面に設けられた箱本体と、
前記箱本体の前記一方の面を覆蓋するカバー部材と、
前記箱本体の周壁部と前記カバー部材の周壁部の一方に設けられたロック部と他方に設けられた被ロック部からなり、該箱本体と該カバー部材を着脱自在に装着固定するロック機構とを備えた電気接続箱であって、
前記箱本体の前記周壁部は、前記一方の面側に突出する端部の突出端位置が周方向で異なることにより形成された高壁部と低壁部を含んでいる一方、
前記箱本体の前記高壁部と前記低壁部よりも外周側に設けられた前記ロック部又は前記被ロック部の少なくとも一部が、前記低壁部を越えて前記一方の面側に突出して露呈されており、
前記ロック機構を介して前記箱本体に前記カバー部材が装着固定された状態で、前記カバー部材の覆蓋面と前記低壁部の上端面との対向距離が、前記カバー部材の前記覆蓋面と前記高壁部の上端部との対向距離よりも大きくされている
ことを特徴とする電気接続箱。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の第一の態様は、電気部品が装着される複数の部品装着部が一方の面に設けられた箱本体と、前記箱本体の前記一方の面を覆蓋するカバー部材と、前記箱本体の周壁部と前記カバー部材の周壁部の一方に設けられたロック部と他方に設けられた被ロック部からなり、該箱本体と該カバー部材を着脱自在に装着固定するロック機構とを備えた電気接続箱であって、前記箱本体の前記周壁部は、前記一方の面側に突出する端部の突出端位置が周方向で異なることにより形成された高壁部と低壁部を含んでいる一方、前記箱本体の前記高壁部と前記低壁部よりも外周側に設けられた前記ロック部又は前記被ロック部の少なくとも一部が、前記低壁部を越えて前記一方の面側に突出して露呈されており、前記ロック機構を介して前記箱本体に前記カバー部材が装着固定された状態で、前記カバー部材の覆蓋面と前記低壁部の上端面との対向距離が、前記カバー部材の前記覆蓋面と前記高壁部の上端部との対向距離よりも大きくされていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月7日(2015.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報処理装置であって、
他の情報処理装置において実行されるアプリケーションへの招待を知らせる招待メッセージを取得する取得部と、
取得された招待メッセージをディスプレイに表示する表示処理部と、を備え、
有効な招待メッセージと、無効な招待メッセージとが異なる表示態様で表示されることを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
未読の招待メッセージと、既読の招待メッセージとが異なる表示態様で表示されることを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記表示処理部は、複数の招待メッセージを並べて表示することを特徴とする請求項１または２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記表示処理部は、複数の招待メッセージを、有効な招待メッセージのグループと無効な招待メッセージのグループとに分けて並べて表示することを特徴とする請求項３に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記表示処理部は、各グループ内で、招待メッセージを所定の順序で並べて表示することを特徴とする請求項４に記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記表示処理部は、表示順位にしたがって、複数の招待メッセージを表示することを特徴とする請求項３から５のいずれかに記載の情報処理装置。
【請求項７】
前記表示処理部は、招待メッセージを表示する順位を決定することを特徴とする請求項６に記載の情報処理装置。
【請求項８】
招待メッセージに関連して、招待したユーザを特定する情報が表示されることを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載の情報処理装置。
【請求項９】
招待メッセージに対応付けられて、アプリケーションのサムネイル画像が表示されることを特徴とする請求項１から８のいずれかに記載の情報処理装置。
【請求項１０】
前記取得部が招待中止メッセージを取得すると、前記表示処理部は、該当する招待メッセージを、無効な招待メッセージとして表示することを特徴とする請求項１から９のいずれかに記載の情報処理装置。
【請求項１１】
招待メッセージが選択されると、招待内容の詳細画面が表示されることを特徴とする請求項１から１０のいずれかに記載の情報処理装置。
【請求項１２】
有効な招待メッセージが選択されると、詳細画面において、招待に応じる手段が表示されることを特徴とする請求項１１に記載の情報処理装置。
【請求項１３】
無効な招待メッセージが選択されると、詳細画面において、招待に応じる手段が表示されないことを特徴とする請求項１２に記載の情報処理装置。
【請求項１４】
情報処理装置において招待メッセージを表示する方法であって、
他の情報処理装置において実行されるアプリケーションへの招待を知らせる招待メッセージを取得し、
有効な招待メッセージと、無効な招待メッセージとを異なる表示態様で表示する、ことを特徴とする表示方法。
【請求項１５】
コンピュータに、
アプリケーションへの招待を知らせる招待メッセージをディスプレイに表示する機能を実現させるためのプログラムであって、
表示する機能は、有効な招待メッセージと無効な招待メッセージとを異なる表示態様で表示する機能を含む、ことを特徴とするプログラム。
【請求項１６】
請求項１５に記載のプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】情報処理装置および表示方法
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月6日(2015.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
測定サンプルに、エタノールアミンリン酸からアセトアルデヒドを生成する反応を触媒する酵素を添加し、アセトアルデヒド、リン酸、及びアンモニアを生成させる第１の酵素反応を行う第１の工程と、
生成した前記アセトアルデヒド、前記リン酸、及び前記アンモニアの少なくともいずれかを定量して、前記測定サンプル中のエタノールアミンリン酸量を決定する第２の工程と、を含み、
前記酵素が、下記のアミノ酸配列からなるＧａｂＴドメインとの相同性が９０％以上のアミノ酸配列領域を有するタンパク質であるエタノールアミンリン酸の測定方法。
ＧＸＸＸＢＡＤＥＢＱＸＧＦＺＲＸＧ
（ただし、Ｘは任意のアミノ酸を意味し、ＢはＩ、ＬおよびＶからなる群より選ばれるいずれかの分岐鎖アミノ酸を意味し、ＺはＧまたはＡを意味する。）
【請求項２】
前記第２の工程が、前記第１の酵素反応後の測定サンプルに、アセトアルデヒドデヒドロゲナーゼ（ＡＬＤＨ）及び酸化型ニコチンアミドアデニンジヌクレオチド（ＮＡＤ+）を添加し、還元型ニコチンアミドアデニンジヌクレオチド（ＮＡＤＨ）を生成させる第２の酵素反応を行う副工程と、
生成した前記還元型ニコチンアミドアデニンジヌクレオチド（ＮＡＤＨ）を分光化学的に定量して、前記第１の酵素反応後の測定サンプル中の前記アセトアルデヒドを定量する副工程と、を含む請求項１に記載の測定方法。
【請求項３】
前記酵素が、
（ａ）真核生物に由来する酵素、又は
（ｂ）ＧＩＭＬＩＣＤＥＩＱＳＧＦＧＲＴＧ、ＧＩＭＬＩＡＤＥＶＱＳＧＡＧＲＴＧ、ＧＩＬＬＶＤＤＥＶＱＭＧＬＧＲＴＧ、ＧＧＶＦＩＡＤＥＶＱＶＧＦＧＲＶＧ、ＧＧＬＦＶＡＤＥＩＱＶＧＦＧＲＩＧ、及びＧＧＶＣＩＡＤＥＶＱＴＧＦＧＲＴＧのいずれかのアミノ酸配列領域を有する酵素
である請求項１又は２に記載の測定方法。
【請求項４】
前記酵素が、
（ｃ）配列番号１０〜１６、１８、及び２０のいずれかで表されるアミノ酸配列領域を有する真核生物に由来する酵素、又は
（ｄ）配列番号２２及び２３のいずれかで表されるアミノ酸配列領域を有する真核生物に由来する酵素
である請求項１又は２に記載の測定方法。
【請求項５】
前記第１の工程において、前記測定サンプルに補酵素をさらに添加する請求項１〜４のいずれか１項に記載の測定方法。
【請求項６】
前記補酵素がピリドキサールリン酸である請求項５に記載の測定方法。
【請求項７】
コンピュータに、請求項１〜６のいずれか１項に記載のエタノールアミンリン酸の測定方法を実行させるためのプログラム。
【請求項８】
前記測定サンプル中のエタノールアミンリン酸の測定値に基づいて、前記測定サンプルを提供した被験者がうつ病患者であるか否かを判定する工程、および、
得られた判定結果を出力する工程をさらに含む請求項７に記載のプログラム。
【請求項９】
請求項７又は８に記載のプログラムを保存したコンピュータで読み取り可能な記録媒体。
【請求項１０】
請求項７又は８に記載のプログラムが組み込まれた測定装置。
【請求項１１】
エタノールアミンリン酸からアセトアルデヒドを生成する反応を触媒する酵素を含み、
前記酵素が、下記のアミノ酸配列からなるＧａｂＴドメインとの相同性が９０％以上のアミノ酸配列領域を有するタンパク質であるエタノールアミンリン酸測定用試薬。
ＧＸＸＸＢＡＤＥＢＱＸＧＦＺＲＸＧ
（ただし、Ｘは任意のアミノ酸を意味し、ＢはＩ、ＬおよびＶからなる群より選ばれるいずれかの分岐鎖アミノ酸を意味し、ＺはＧまたはＡを意味する。）
【請求項１２】
前記酵素の補酵素をさらに含む請求項１１に記載のエタノールアミンリン酸測定用試薬。
【請求項１３】
前記補酵素がピリドキサールリン酸である請求項１２に記載のエタノールアミンリン酸測定用試薬。
【請求項１４】
請求項１１〜１３のいずれか１項に記載のエタノールアミンリン酸測定用試薬を含有するうつ病診断薬。
【請求項１５】
エタノールアミンリン酸からアセトアルデヒドを生成する反応を触媒する酵素を個別に収納した容器を含み、
前記酵素が、下記のアミノ酸配列からなるＧａｂＴドメインとの相同性が９０％以上のアミノ酸配列領域を有するタンパク質であるエタノールアミンリン酸測定用キット。
ＧＸＸＸＢＡＤＥＢＱＸＧＦＺＲＸＧ
（ただし、Ｘは任意のアミノ酸を意味し、ＢはＩ、ＬおよびＶからなる群より選ばれるいずれかの分岐鎖アミノ酸を意味し、ＺはＧまたはＡを意味する。）
【請求項１６】
前記酵素の補酵素を個別に収容した容器をさらに含む請求項１５に記載のエタノールアミンリン酸測定用キット。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
前記目的は、以下の本発明によって達成される。すなわち、本発明は、測定サンプルに、エタノールアミンリン酸からアセトアルデヒドを生成する反応を触媒する酵素を添加し、アセトアルデヒド、リン酸、及びアンモニアを生成させる第１の酵素反応を行う第１の工程と、生成した前記アセトアルデヒド、前記リン酸、及び前記アンモニアの少なくともいずれかを定量して、前記測定サンプル中のエタノールアミンリン酸量を決定する第２の工程と、を含むエタノールアミンリン酸の測定方法を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月19日(2014.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
培地及び動物細胞を保持するための単一の区画からなる細胞培養装置において、前記細胞培養装置は、気体透過性かつ液体不透過性の材料からなる底部と、前記底部に結合された頂部とを備え、前記気体透過性の材料は前記頂部が前記底部よりも上方にあるときには水平位置にあり、前記培地が前記気体透過性の材料と接触し、かつ前記気体透過性の材料が水平位置にあるときには、前記区画は、前記培地の最も低い位置から最も高い位置までの最小距離が６．０センチメートルを超えるように前記培地を保持することができ、前記細胞培養装置は前記培地を混合するための手段を要しない、細胞培養装置。
【請求項２】
前記培地の最も低い位置から最も高い位置までの最小距離が７．０センチメートルである、請求項１に記載の細胞培養装置。
【請求項３】
前記培地の最も低い位置から最も高い位置までの最小距離が８．０センチメートルである、請求項１に記載の細胞培養装置。
【請求項４】
前記培地の最も低い位置から最も高い位置までの最小距離が９．０センチメートルである、請求項１に記載の細胞培養装置。
【請求項５】
前記培地の最も低い位置から最も高い位置までの最小距離が１０．２０センチメートルである、請求項１に記載の細胞培養装置。
【請求項６】
前記培地の最も低い位置から最も高い位置までの最小距離が１５．３１センチメートルである、請求項１に記載の細胞培養装置。
【請求項７】
前記培地の最も低い位置から最も高い位置までの最小距離が２０．３９センチメートルである、請求項１に記載の細胞培養装置。
【請求項８】
前記気体透過性の材料に接する気体透過性物質サポートをさらに備える、請求項１に記載の細胞培養装置。
【請求項９】
気体透過性かつ液体不透過性の材料からなる、少なくとも１つの側壁をさらに備える、請求項１に記載の細胞培養装置。
【請求項１０】
前記動物細胞を付着させるための複数のスカフォールドをさらに備え、前記細胞培養装置が細胞培養の位置に配備されたときに１つのスカフォールドの上方に他のスカフォールドがあるように配置される、請求項１に記載の細胞培養装置。
【請求項１１】
細胞を培養するための方法において、
請求項１に記載の細胞培養装置に培地及び動物細胞を加え、及び、前記動物細胞の培養のために適切な周囲の気体の存在下で前記細胞培養装置を培養に付する工程を備える、方法。
【請求項１２】
前記細胞培養装置には培地が充填される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
細胞培養装置において、
半透過性膜によって区画されない静止型装置の種類に分類される、培地及び動物細胞を培養するための装置を備え、前記装置は気体透過性かつ液体不透過性の材料からなる底部を備え、前記気体透過性の材料は静止細胞培養を行うときには水平位置にあり、前記培地が前記気体透過性かつ液体不透過性の材料に接触し、かつ前記気体透過性の材料が水平位置にあるときには、前記装置は、前記培地の最も低い位置から最も高い位置までの最小距離が６．０センチメートルを超えるように前記培地を保持することができ、前記細胞培養装置は前記培地を混合するための手段を要しない、細胞培養装置。
【請求項１４】
前記培地の最も低い位置から最も高い位置までの最小距離が７．０センチメートルである、請求項１３に記載の細胞培養装置。
【請求項１５】
前記培地の最も低い位置から最も高い位置までの最小距離が８．０センチメートルである、請求項１３に記載の細胞培養装置。
【請求項１６】
前記培地の最も低い位置から最も高い位置までの最小距離が９．０センチメートルである、請求項１３に記載の細胞培養装置。
【請求項１７】
前記培地の最も低い位置から最も高い位置までの最小距離が１０．２０センチメートルである、請求項１３に記載の細胞培養装置。
【請求項１８】
前記培地の最も低い位置から最も高い位置までの最小距離が１５．３１センチメートルである、請求項１３に記載の細胞培養装置。
【請求項１９】
前記培地の最も低い位置から最も高い位置までの最小距離が２０．３９センチメートルである、請求項１３に記載の細胞培養装置。
【請求項２０】
前記気体透過性の材料に接する気体透過性物質サポートをさらに備える、請求項１３に記載の細胞培養装置。
【請求項２１】
気体透過性かつ液体不透過性の材料からなる、少なくとも１つの側壁をさらに備える、請求項１３に記載の細胞培養装置。
【請求項２２】
細胞を培養するための方法において、
請求項１３に記載の細胞培養装置に培地及び動物細胞を加え、及び、前記動物細胞の培
養のために適切な周囲の気体の存在下で前記細胞培養装置を培養に付する工程を備える、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月25日(2015.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の未硬化樹脂を型により成形して硬化させて、前記基板上に硬化した樹脂のパターンを形成するインプリント装置であって、
前記型を保持する型保持機構と、
前記基板を保持する基板保持部と、
前記型保持機構に保持された状態の前記型を、該型に接する空間の圧力を調整することで前記基板に向かい凸形に変形させる圧力調整部と、
前記凸型に変形した前記型と前記樹脂とが接触している際の接触領域の状態を示す画像を取得する測定部と、
前記接触領域の位置を移動させるための駆動部と、
前記型と前記樹脂との引き離し動作中に前記測定部により取得された画像情報に基づいて前記駆動部の動作を制御する制御部と、
を有することを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記画像情報に基づいて前記接触領域の図心の平面座標を算出し、該図心の平面座標の位置が予め取得した前記基板上のパターン形成領域の中心の平面座標の位置に向かうように前記駆動部の動作を制御することを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記画像情報に基づいて前記引き離し動作中の前記接触領域の境界の移動速度を算出し、該移動速度が一定となるように前記駆動部の動作を制御することを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記駆動部は、前記型保持機構に設置され、前記基板の平面に対する前記型保持機構での前記型の保持面の角度を変化させるアクチュエータであることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項５】
前記駆動部は、前記基板保持部に設置され、前記型の面に対する前記基板保持部での前記基板の保持面の角度を変化させるアクチュエータであることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項６】
前記駆動部は、前記型を吸着する複数の吸着溝と、該複数の吸着溝のそれぞれの吸着状態を独立して切り替え可能とする切り替え機構とを含む前記型保持機構であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項７】
前記駆動部は、前記型保持機構に保持されつつ前記基板に向かい凸形に変形した状態の前記型を、前記基板の平面に沿って移動させる移動機構であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項８】
前記型にかかる荷重を計測する荷重計測部を有し、
前記制御部は、前記画像情報に基づいて前記引き離し動作中の前記接触領域の面積を算出し、前記引き離し動作中に、前記荷重が前記基板保持部の吸着圧と前記接触領域の面積を乗じた値を越えないように、前記基板と前記型との相対速度を制御することを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれか１項に記載のインプリント装置を用いて基板上に樹脂のパターンを形成する工程と、
前記工程で前記パターンを形成された基板を加工する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明は、基板上の未硬化樹脂を型により成形して硬化させて、基板上に硬化した樹脂のパターンを形成するインプリント装置であって、型を保持する型保持機構と、基板を保持する基板保持部と、型保持機構に保持された状態の型を、該型に接する空間の圧力を調整することで基板に向かい凸形に変形させる圧力調整部と、凸型に変形した型と樹脂とが接触している際の接触領域の状態を示す画像を取得する測定部と、接触領域の位置を移動させるための駆動部と、型と樹脂との引き離し動作中に測定部により取得された画像情報に基づいて駆動部の動作を制御する制御部と、を有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
モールド保持機構（型保持機構）３は、まず、モールド６を保持するモールドチャック１１と、このモールドチャック１１を保持し、モールド６（モールドチャック１１）を移動させるモールド駆動機構１２とを有する。モールドチャック１１は、モールド６における紫外線７の照射面の外周領域を真空吸着力や静電力により引き付けることでモールド６を保持し得る。例えば、モールドチャック１１が真空吸着力によりモールド６を保持する場合には、モールドチャック１１は、外部に設置された不図示の真空ポンプに接続され、この真空ポンプのＯＮ／ＯＦＦによりモールド６の脱着が切り替えられる。また、モールドチャック１１およびモールド駆動機構１２は、光照射部２から射出された紫外線７がウエハ１０に向けて照射されるように、中心部（内側）に開口領域を有する。この開口領域には、開口領域の一部とモールド６とで囲まれる空間１３を密閉空間とする光透過部材（例えばガラス板）１４が設置され、真空ポンプなどを含む圧力調整装置（圧力調整部）１５により空間１３内の圧力が調整される。圧力調整装置１５は、例えば、モールド６とウエハ１０上の樹脂１６との押し付けに際し、空間１３内の圧力をその外部よりも高く設定することで、パターン部６ａをウエハ１０に向かい凸形に撓ませ、樹脂１６に対してパターン部６ａの中心部から接触させる。これにより、パターン部６ａと樹脂１６との間に気体（空気）が閉じ込められるのを抑え、パターン部６ａの凹凸部に樹脂１６を隅々まで充填させることができる。さらに、モールド保持機構３は、不図示であるが、モールドチャック１１におけるモールド６の保持側に、モールド６の側面に外力または変位を与えることによりモールド６（パターン部６ａ）の形状を補正する倍率補正機構を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月9日(2015.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気的監視システム（１０）で使用する変流器組立体（１６）であって、前記変流器組立体が、
空洞（５０）を少なくとも部分的にその中に画定する複数のシールド部材（４８）を備える容器（４６）において、開口（６０）を画定する内面（５２）をさらに備え、前記開口が前記内面を通って延在する容器と、
前記容器の内部に配置された第１の変流器（３２）と、
前記容器の内部に配置された第２の変流器（３４）において、前記第１の変流器と前記第２の変流器の間の電子的雑音の干渉の低減を助長するために、ある距離だけ前記第１の変流器から離隔された第２の変流器と、
を備え、
前記容器（４６）が、
前記容器の開口（６０）を画定する半径方向の内面（５２）、および前記容器の空洞（５０）を少なくとも部分的に画定する半径方向の外面（７６）を備える内側シールド部材（６８）と、
外側シールド部材（７０）であって、前記容器の空洞が、前記内側シールド部材と前記外側シールド部材の間に延在するように、前記内側シールド部材から半径方向の外側に結合された外側シールド部材（７０）と、
を備え、
請求項１に記載の変流器組立体（１６）。
【請求項２】
前記第１の変流器（３２）に対して電気的に結合された保護コネクタ組立体（１１０）であって、前記第１の変流器を前記電気的監視システム（１０）に電気的に結合するように前記外側シールド部材（７０）を通って延在する保護コネクタ組立体をさらに備える、請求項１に記載の変流器組立体（１６）。
【請求項３】
前記第２の変流器（３４）に対して電気的に結合された少なくとも１つの診断コネクタ組立体（１１２）であって、前記第２の変流器を前記電気的監視システム（１０）に電気的に結合するように前記外側シールド部材（７０）を通って延在する診断コネクタ組立体をさらに備える、請求項２に記載の変流器組立体（１６）。
【請求項４】
前記内部シールド部材（９８）が、前記第１の変流器（３２）と前記第２の変流器（３４）の間の電子的雑音の干渉の低減を助長するように構成されている、請求項１に記載の変流器組立体（１６）。
【請求項５】
前記内部シールド部材（９８）が、前記内部のシールド部材（９８）から外側に延在する少なくとも１つのスペーサ（１０６）を備える、請求項４に記載の変流器組立体（１６）。
【請求項６】
前記第１の変流器（３２）が、閉じた中央の開口（１１６）および巻線（１２０）を有する磁心（１１４）を備え、前記巻線が、前記磁心の外面のまわりに巻きつけられた複数の巻数（１２２）を備える、請求項１に記載の変流器組立体（１６）。
【請求項７】
前記第２の変流器（３４）が、閉じた中央の開口（１２８）および第２の磁心の第２の外面に結合された複数の巻線（１４２）を有する前記第２の磁心（１２６）を備え、
前記複数の巻線の各巻線が、前記第２の外面のまわりに巻きつけられた複数の巻数（１１４）を備える、
請求項６に記載の変流器組立体（１６）。
【請求項８】
電動機（１２）の動作を監視するための電気的監視システム（１０）であって、前記電気的監視システムが、
電流監視デバイス（１４）と、
前記電動機（１２）に結合された変流器組立体（１６）と、
前記容器の内部に配置された第１の変流器（３２）と、
前記容器の内部に配置された第２の変流器（３４）と、
を備え、
前記変流器組立体が、前記電動機に導かれた電流を感知して、前記電流監視デバイスに対して前記感知された電流を表す信号を伝送するように構成され、
前記変流器組立体が、
その中に少なくとも部分的に空洞（５０）を画定する複数のシールド部材（４８）を備えている容器（４６）において、前記容器が内面（５２）をさらに備え、前記内面が前記内面を通って延在する開口（６０）を画定する容器と、
前記容器の開口（６０）を画定する半径方向の内面（５２）、および前記容器の空洞（５０）を少なくとも部分的に画定する半径方向の外面（７６）を備える内側シールド部材（６８）と、
外側シールド部材（７０）であって、前記容器の空洞が、前記内側シールド部材と前記外側シールド部材の間に延在するように、前記内側シールド部材から半径方向の外側に結合された外側シールド部材と、
を備え、
前記第２の変流器は、前記第１の変流器と前記第２の変流器の間の電子的雑音の干渉の低減を助長するために、ある距離だけ前記第１の変流器から離隔された、
電気的監視システム（１０）。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月19日(2015.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の基板の上に第一の絶縁層を形成し、前記第一の絶縁層の一部を前記第一の基板まで除去して隔壁を形成する工程と、
前記第一の絶縁層の一部が除去された前記第一の基板の領域上に第二の絶縁層を形成する工程と、
第二の基板を前記隔壁の上に接合して間隙を形成する工程と、
前記第二の基板から、前記間隙を介して前記第二の絶縁層と対向する振動膜を形成する工程と、
を有する電気機械変換装置の製造方法であって、
前記隔壁を形成する工程では、前記第一の基板に垂直な方向において前記隔壁の間隙側の高さが、前記隔壁の中央部の高さよりも低くなるように前記隔壁を形成することを特徴とする電気機械変換装置の製造方法。
【請求項２】
前記第一の基板は、シリコン基板であることを特徴とする請求項１に記載の電気機械変換装置の製造方法。
【請求項３】
前記第二の基板は、シリコン基板であることを特徴とする請求項１または２に記載の電気機械変換装置の製造方法。
【請求項４】
前記第二の絶縁層は、酸化膜であることを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載の電気機械変換装置の製造方法。
【請求項５】
前記振動膜は、前記第二の基板を薄化して形成することを特徴とする請求項１から４の何れか１項に記載の電気機械変換装置の製造方法。
【請求項６】
前記隔壁の壁面は、少なくとも１段以上の階段状、または傾斜状であることを特徴とする請求項１から５の何れか１項に記載の電気機械変換装置の製造方法。
【請求項７】
前記隔壁を形成する工程では、前記第二の絶縁層を形成する工程の後における前記隔壁の間隙側の高さが、前記隔壁の中央部の高さより高くならないよう、前記隔壁を形成することを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載の電気機械変換装置の製造方法。
【請求項８】
第一の基板の上に形成された第一の絶縁層の一部を前記第一の基板まで除去して形成された隔壁と、
前記第一の絶縁層の一部が除去された前記第一の基板の領域上に形成された第二の絶縁層と、
第二の基板を前記隔壁の上に接合して形成された間隙と、
前記第二の基板から、前記間隙を介して前記第二の絶縁層と対向して形成された振動膜と、
を有する電気機械変換装置であって、
前記第一の基板に垂直な方向において前記隔壁の間隙側の高さが、前記隔壁の中央部の高さよりも低くなるように前記隔壁が形成されていることを特徴とする電気機械変換装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2013070112.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2013070112.tif 000002