【事件の表示】
　特願２００１−　６８０１７「被膜形成装置及び被膜形成方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　９月１７日出願公開、特開２００２−２６３５４８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１３年３月１２日の出願であって、平成１８年８月２５日付けで拒絶をすべき旨の査定がなされ、平成１８年９月２７日付けで拒絶査定不服審判が請求され、平成１８年１０月２５日付け手続補正書により審判請求書の請求の理由が補正された。その後平成２０年８月１８日付けで当審より拒絶の理由が通知され、平成２０年１０月１７日付けで意見書及び手続補正書が提出されたものである。
　
　したがって、本願請求項１に係る発明は、平成２０年１０月１７日付け手続補正書により補正された明細書及び出願当初の図面からみて、特許請求の範囲の請求項１に記載された以下の事項により特定されるものである。
　
　「【請求項１】　基板を上流側から下流側へ搬送するライン上に塗布ステーションを設け、この塗布ステーションよりも下流側のライン上に減圧乾燥ステーションを配置した被膜形成装置において、前記塗布ステーションの上流側には塗布装置が、下流側には回転処理装置が配置され、前記減圧乾燥ステーションには、複数の減圧乾燥装置がライン上に直列に配置され、下流側の減圧乾燥装置は上流側での減圧乾燥処理が終了した基板を受けて処理を継続すべく、複数の減圧乾燥装置はそれぞれ独立して処理条件を設定し得るものとされ、且つ下流側の減圧乾燥装置の減圧状態を上流側の減圧乾燥装置の減圧状態よりも圧力を低く設定したことを特徴とする被膜形成装置。」（以下、「本願発明」という。）
　
２．特許法第２９条の２の適用
（１）先願明細書等に記載された発明
　当審より通知した拒絶の理由において引用した、本願の出願日前の他の特許出願であって、本願特許出願後に出願公開された、特願２０００−１３５４１４号（特開２００１−３１９８５２号）の願書に最初に添付された明細書又は図面（以下、「先願明細書等」という。）には、次のことが記載されている。
　
ａ）「【特許請求の範囲】
【請求項１】  被処理基板上に塗布された揮発性の溶剤を含む塗布液を乾燥させる乾燥方法であって、
第１の減圧空間内に前記基板を置いて、前記塗布液中の溶剤を所定の量だけ揮発させる第１の工程と、
前記第１の乾燥工程の後に、前記第１の減圧空間から実質的に独立した第２の減圧空間内に前記基板を置きかつ加熱して、前記塗布液中の溶剤をさらに所定の量だけ揮発させる第２の工程とを有する乾燥方法。
【請求項２】  前記第２の減圧空間の圧力を前記第１の減圧空間の圧力よりも低い値に設定する請求項１に記載の乾燥方法。
　　　　　　　　　　　　‥　　（中略）　　‥
【請求項９】  被処理基板上に塗布された揮発性の溶剤を含む塗布液を乾燥する乾燥装置であって、
第１の減圧空間を有し、前記第１の減圧空間内に前記基板を置いて、前記塗布液中の溶剤を所定の量だけ揮発させる第１の処理部と、
前記第１の減圧空間から実質的に独立した第２の減圧空間を有し、前記第２の減圧空間内に前記基板を置いてかつ加熱して、前記塗布液中の溶剤をさらに所定の量だけ揮発させる第２の処理部とを有する乾燥装置。」（【特許請求の範囲】）
　
ｂ）「【００１６】図１に、本発明の一実施形態における乾燥装置の構成を模式的に示す。この乾燥装置は、密閉可能つまり減圧可能な２つの処理室またはチャンバ１０，１２を併設してなる。両チャンバ１０，１２は、側壁１４とゲートバルブ１６を介して互いに隣接している。」（段落【００１６】）
　
ｃ）「【００３１】先ず、被処理基板Ｂは第１のチャンバ１０に搬入される。この搬入される基板Ｂは、直前に塗布装置（図示せず）において基板表面全体にたとえば常法の塗布工程たとえばスピンコート法により塗布液を一定の膜厚に塗布されている。
【００３２】この基板Ｂの搬入に際して、第１のチャンバ１０の室内は不活性ガス（パージングガス）で満たされ常圧に維持されている。ゲートバルブ３４が開いて外部搬送装置の搬送アームが基板Ｂを保持したまま室１０内に入ってきて、基板Ｂを支持台１８の上方にセットする。そこに、リフトピン２２が上昇して搬送アームから基板Ｂを受け取る。搬送アームが退室した後、リフトピン２２が下降して基板Ｂを支持台１８に載置する。一方で、ゲートバルブ３４が閉じて、第１のチャンバ１０内は密閉空間となる。
　　　　　　　　‥　　（中略）　　　‥
【００３４】こうして、第１のチャンバ１０において基板Ｂが常圧状態から真空度の比較的低い設定圧力まで徐々に減圧する空間内に置かれることで、基板Ｂ上の塗布液中の溶剤が徐々にかつ穏やかに揮発し、揮発した溶剤は室外に排出される。ここで、減圧乾燥の初期段階には、基板Ｂの表面よりガスが放出される。また、真空引きの初期段階には第１のチャンバ１０の内壁等からもガスが放出される。　　‥　（中略）　‥
【００３５】真空引きを開始してから所定時間ｔ1が経つと、第１のチャンバ１０における減圧乾燥処理が終了する。この時点で、基板Ｂ上の塗布液は一定の段階まで乾燥している。この減圧乾燥処理における乾燥の度合いまたは溶剤の揮発量は、レジスト液の種類に依存するが、処理時間ｔ1、圧力等のパラメータによって調節可能であり、たとえば所望の到達乾燥度（総揮発量）の３０％の程度まで乾燥させてよい。
【００３６】上記のようにして第１のチャンバ１０における減圧乾燥処理が終了すると、リフトピン２２が上昇して基板Ｂを水平姿勢のまま所定の高さ位置まで持ち上げる。この直後に、同室内の搬送装置２４が作動して、搬送アーム２６をリフトピン２２に支持されている基板Ｂの下まで伸ばし、リフトピン２２から基板Ｂを受け取る。一方で、ゲートバルブ１６が開く。
　　　　　　‥　　（中略）　　‥
【００３８】第２のチャンバ１２の室内は、基板Ｂの搬入に先立って予め所定の真空度たとえば１０-2 Torr付近に維持されている。基板Ｂの搬入時には上記のようにゲートバルブ１６が開いて一時的に第１のチャンバ１０と連通するため、第２のチャンバ１２の室内の圧力は上昇する。この圧力の変化は圧力センサ５８によって検出され、コントローラの制御の下で第２の真空排気システムにより直ちに補正される。これにより、第２のチャンバ１２においては、基板Ｂの搬入直後から所定の真空度で減圧乾燥を開始することができる。」（段落【００３１】〜【００３８】）
　
ｄ）「【００４２】このように、第２のチャンバ１２内では、第１のチャンバ１２内で減圧乾燥処理を一定の段階まで受けてきた基板Ｂに対して、より高い真空度の減圧空間にて減圧乾燥処理が続行されると同時に加熱処理が行われる。これにより、基板Ｂ上の塗布液から溶剤が本格的に勢いよく揮発し、短時間のうちに塗布液が乾燥して、塗布膜（被膜）が形成される。」（段落【００４２】）
　
ｅ）【００６０】塗布プロセス部１１２は、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）１３４と、乾燥ユニット（ＶＤ）１３６と、エッジリムーバ・ユニット（ＥＲ）１３８と、上下２段型アドヒージョン／冷却ユニット（ＡＤ／ＣＯＬ）１４０と、冷却ユニット（ＣＯＬ）１４２と、加熱ユニット（ＨＰ）１４４とを含んでいる。乾燥ユニット（ＶＤ）１３６が本発明の一実施形態による乾燥装置であり、その詳細は後に説明する。」（段落【００６０】）
　　
ｆ）上記ｅ）及び図５等の記載からみて、先願明細書等に記載された塗布プロセス部１１２は、上流側に配置されたレジスト塗布ユニット（ＣＴ）１３４と、当該レジスト塗布ユニット（ＣＴ）１３４よりも下流側に配置された乾燥ユニット（ＶＤ）１３６とがライン上に配置され、当該ライン上を基板が搬送されるものであることがわかる。
　
ｇ）上記ａ）乃至ｄ）、及び図１等の記載からみて、先願明細書等に記載された乾燥ユニット（ＶＤ）１３６は、ライン上に直列に配置され、各々のチャンバにおいて基板を減圧乾燥させるものであること、及び各々のチャンバにおける減圧乾燥は、それぞれ独立して真空度等の処理条件を設定できるものであることがわかる。
　
ｈ）以上のこと、及び図面の記載からみて、先願明細書等には以下の発明が記載されているものといえる。
　
　「基板を上流側から下流側へ搬送するライン上にレジスト塗布ユニット（ＣＴ）１３４を設け、このレジスト塗布ユニット（ＣＴ）１３４よりも下流側のライン上に乾燥ユニット（ＶＤ）１３６を配置した塗布プロセス部１１２において、前記乾燥ユニット（ＶＤ）１３６には、第１のチャンバ１０と第２のチャンバ１２との２つのチャンバがライン上に直列に配置され、下流側の第２チャンバ１２は、上流側（第１チャンバ１０）での減圧乾燥処理が終了した基板を受けて（減圧乾燥）処理を継続すべく、２つのチャンバ１０及び１２はそれぞれ独立して処理条件を設定し得るものとされ、且つ下流側の第２チャンバ１２の真空度を上流側の第１チャンバ１０の真空度よりも圧力を低く設定した塗布プロセス部１１２。」（以下、「先願明細書等に記載された発明」という。）
　
（２）対比
　本願発明と先願明細書等に記載された発明とを比較すると、先願明細書等に記載された発明における「レジスト塗布ユニット（ＣＴ）１３４」、「乾燥ユニット（ＶＤ）１３６」、「塗布プロセス部１１２」、「第１のチャンバ１０」、「第２のチャンバ１２」および「真空度」は、それぞれ本願発明における「塗布ステーション」、「減圧乾燥ステーション」、「被膜形成装置」、「上流側の減圧乾燥装置」、「下流側の減圧乾燥装置」および「減圧状態」に相当し、先願明細書等に記載された発明は第１のチャンバ１０及び第２のチャンバ１２の「２つのチャンバ」を備えるものであり、本願発明の「複数の減圧乾燥装置」に包含されるものであるから、両者は、「基板を上流側から下流側へ搬送するライン上に塗布ステーションを設け、この塗布ステーションよりも下流側のライン上に減圧乾燥ステーションを配置した被膜形成装置において、前記減圧乾燥ステーションには、複数の減圧乾燥装置がライン上に直列に配置され、下流側の減圧乾燥装置は上流側での減圧乾燥処理が終了した基板を受けて処理を継続すべく、複数の減圧乾燥装置はそれぞれ独立して処理条件を設定し得るものとされ、且つ下流側の減圧乾燥装置の減圧状態を上流側の減圧乾燥装置の減圧状態よりも圧力を低く設定した被膜形成装置。」である点で一致するが、本願発明の備える「塗布ステーション」は「上流側には塗布装置が、下流側には回転処理装置が配置され」るものであるのに対し、先願明細書等に記載された発明が備える「塗布プロセス部１１２」は具体的にどのようなものか明らかでない点、相違する。
　しかし、回転塗布（いわゆるスピンコート）の技術分野において、上流側に塗布装置を、下流側に回転処理装置を配設したような形式のものは、例えば特開平４−１１８０７３号公報（公報第２頁左下欄第１９行〜右下欄第１５行、同第４頁左下欄７行〜第５頁左上欄第１７行、及び第１図、第２図等の記載を参照されたい。）、特開平２−２９０２７７号公報（公報第４頁左下欄第６行〜同第５頁右上欄第６行、及び第２図等の「第１の実施例」に関する記載を参照されたい。）に記載されているように、上記他の特許出願の出願前において周知の技術である（以下、「周知技術」という。）。
　してみると、上記の相違点は、単に先願明細書等に記載された発明の塗布プロセス部１１２に当該周知技術を採用した程度のことにすぎず、また、上記周知技術を採用することが、本願発明の課題とする、減圧乾燥装置による処理時間を短くすることによりタクトタイムを短縮しつつ基板を同一条件で処理することと、特段齟齬を生ずるものでもない（むしろ、２つの工程を個々に処理できるという意味では、本願発明の課題に沿った好適なものといえる）ので、上記の相違点については、当業者にとり設計上、適宜に選択・採用する程度の微差にすぎない。
　したがって、本願発明は、先願明細書等に記載された発明と同一であり、しかも、本願発明の発明者が先願明細書等に記載された発明の発明者と同一でもなく、また本願の出願の時点において、本願の出願人が上記他の特許出願の出願人と同一でもないので、特許法第２９条の２の規定により、特許を受けることができないものである。
　
３．進歩性について
（１）刊行物１に記載された発明
　当審より通知した拒絶の理由において引用した、本願の出願前に日本国内で頒布された刊行物である特開２０００−１０６３４１号公報（以下、「刊行物１」という。）には、次のことが記載されている。
　
ａ）「【００４０】次に、本実施の形態に係る塗布・現像処理システムにおける、一体的に設けられたレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）２２、乾燥処理ユニット（ＤＲ）８０およびエッジリムーバー（ＥＲ）２３で構成されるユニット部１０７について説明する。図３は、一体的に設けられたレジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）、乾燥処理ユニット（ＤＲ）およびエッジリムーバー（ＥＲ）からなるユニット部１０７の全体構成を示す概略平面図である。
【００４１】図３に示すように、これらレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）２２、乾燥処理ユニット（ＤＲ）８０およびエッジリムーバー（ＥＲ）２３で構成されるユニット部１０７は、同一のステージに一体的に並設されている。レジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）２２でレジストが塗布された基板Ｇは、ガイドレール４３に沿って移動可能な一対のユニット内搬送機構である例えば搬送アーム４１により乾燥処理ユニット（ＤＲ）８０を経てエッジリムーバー（ＥＲ）２３に搬送されるようになっている。　‥（以下略）　‥」（段落【００４０】、【００４１】）
　
ｂ）「【００５１】次に、レジスト塗布から加熱処理までの一連の動作について詳細に説明する。上述のように一体的に構成されたレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）２２、乾燥処理ユニット（ＤＲ）８０およびエッジリムーバー（ＥＲ）２３においては、まず、レジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）２２において、シャッター９５を下降下させ、搬入口２２ａから主搬送装置１８により基板Ｇがスピンチェック５１上に載置される。主搬送装置１８が搬入口２２ａから退出した後、シャッター９５が上昇し、レジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）２２、乾燥処理ユニット（ＤＲ）８０およびエッジリムーバー（ＥＲ）２３を配置するユニット部１０７内は閉じられた空間となる。スピンチャック５１および回転カップ５２とともに基板Ｇが回転され、噴頭５６が基板Ｇの中心上方に位置するようにアーム５５が回動され、溶剤ノズル５８から基板Ｇの表面中心にシンナーが供給される。
【００５２】続いて、基板Ｇを回転させた状態でレジストノズル５７から基板Ｇの中心にレジストを滴下して基板Ｇ全体に拡散させ、蓋体９３で回転カップ５２を閉塞し、基板Ｇの回転数を上昇させてレジスト膜の膜厚を整える。
【００５３】その後、回転カップ５２を回転させるか、または排気口１０４から排気を引き、回転カップ５２内を常圧よりも低い圧力に維持しながら、レジスト膜の乾燥を行う。（第一の乾燥工程）。
【００５４】回転カップ５２内を減圧してレジスト膜の乾燥を行うことにより、次工程へ基板Ｇを搬送する搬送アーム４１にレジストが付着して乾燥してこれがパーティクルとなって基板Ｇ上に付着することもなく、搬送アーム４１の加減速によってレジスト膜厚が慣性力により変動することもなく、転写に対しても効果的である。また、回転カップ５２内を減圧しているので、回転カップ５２内のミストが外にもれてパーティクルとなって基板に付着することもない。また、第一の乾燥工程において、転写が発生しない程度に加熱することも可能で、さらに、乾燥処理時間が短縮できる。
【００５５】その後、回転カップ５２内でシャワーヘッド９４から基板Ｇに気体である不活性ガスをレジスト膜の膜厚が変化しない程度の量で供給しながらレジスト膜を乾燥させると、さらに乾燥処理時間を短縮できる。
【００５６】このようにしてレジスト塗布が終了した基板Ｇは、スピンチャック５１から搬送アーム４１により、乾燥処理ユニット（ＤＲ）８０に搬送され、そこを通過しながらシャワーヘッド８２から不活性ガスが吹き付けられてレジスト液中のシンナー等の溶剤がある程度蒸発され、その後エッジリムーバー（ＥＲ）２３に搬送され、載置台６１上に載置されて、４個のリムーバーヘッド６２が基板Ｇの各辺に沿って移動し、吐出されたシンナーにより基板Ｇの四辺のエッジに付着した余分なレジストが除去（端面処理工程）される。エッジリムーバー（ＥＲ）２３から搬出された基板Ｇは、ユニット２８，２９のいずれかの加熱処理ユニット（ＨＰ）にてプリベーク処理が施される。」（段落【００５１】〜【００５６】）
　
ｃ）「【００６２】さらに、図６に示した不活性ガス等の吹き付けによる乾燥に代えて、前記第一の乾燥工程を行った後で、第二の乾燥工程である減圧乾燥を行ってもよい。すなわち、筐体８１に、排気ポンプ（減圧手段、図示略）を有するガス排気管（図示略）を接続し、筐体８１を密閉して筐体８１内を排気ポンプにより排気するように構成されていてもよい。
【００６３】第二の乾燥工程の雰囲気は、第一の乾燥工程の雰囲気より低圧力に設定されるのが好ましい。第一の乾燥工程にてレジスト膜中の微小泡が成長しない程度に常圧から減圧して乾燥させ、前記微小泡が成長しない程度に乾燥した後に、第一の乾燥工程の雰囲気より低圧力に設定された第二の乾燥工程の雰囲気で乾燥させることにより、微小泡が成長して膜厚が変化することがなく、転写に対しても効果的である。また、第一と第二の乾燥工程に分けることにより並列処理が行え、効率よく乾燥処理を行うことができる。」（段落【００６２】、【００６３】）
　
ｄ）上記ａ）及び図３の記載からみて、刊行物１に記載された「ユニット部１０７」は、ユニット内搬送機構上にレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）２２、及び当該レジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）２２の下流側のユニット内搬送機構上に乾燥処理ユニット（ＤＲ）８０を配置したものであることがわかる。
　
ｅ）上記ｂ）、ｃ）、図３及び図６の記載からみて、刊行物１に記載された「ユニット部１０７」では、レジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）２２において、回転カップ５２内の基板にレジストを滴下し、基板の回転数を上昇させレジスト膜の膜厚を整えた後、レジスト処理ユニット内に存在する回転カップ２２内において第一の乾燥工程（減圧乾燥）を実行し、その後乾燥処理ユニット（ＤＲ）８０において第二の乾燥工程（減圧乾燥）を実行するものであること、また、当該第二の乾燥工程の雰囲気は第一の乾燥工程の雰囲気よりも低圧力に設定されるものであることがわかる。さらに上記ｃ）によれば、乾燥工程を第一と第二の乾燥工程に分けることにより、並列処理が行え、効率よく乾燥処理を行うことができるものであることもわかる。
　
ｆ）以上のことからみて、刊行物１には、次の発明が記載されているものといえる。
　
　「基板を上流側から下流側へ搬送するユニット内搬送機構上にレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）２２を設け、このレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）２２よりも下流側のユニット搬送機構上に乾燥処理ユニット（ＤＲ）８０を配置したユニット部１０７において、第一の乾燥工程を行うレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）２２と乾燥処理ユニット（ＤＲ）８０とがユニット内搬送機構上に直列に配置され、下流側の乾燥処理ユニット（ＤＲ）８０は上流側での第一の乾燥工程が終了した基板を受けて処理を継続すべく、第一の乾燥工程及び第二の乾燥工程はそれぞれ独立して処理条件を設定し得るものとされ、且つ下流側の乾燥処理ユニット（ＤＲ）８０における第二の乾燥工程の雰囲気を上流側の第一の乾燥工程の雰囲気よりも圧力を低く設定した、ユニット部１０７。」（以下、「刊行物１に記載された発明」という。）　
　
（２）刊行物２に記載された技術
　当審より通知した拒絶の理由において引用した、本願の出願前に日本国内で頒布された刊行物である特開平７−２８３１０８号公報（以下、「刊行物２」という。）には、次のことが記載されている。
　
ａ）「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜形成装置及び薄膜形成方法に関し、特に、各種基板の表面にフォトレジスト等の塗布液を塗布して薄膜を形成する薄膜形成装置及び薄膜形成方法に関する。」（段落【０００１】）
　
ｂ）「【００１５】
【実施例】
第１実施例
図１及び図２において、本発明の第１実施例による薄膜形成装置は、角型基板１の表面にフォトレジスト液の薄膜を形成するスピンコータ２と、薄膜が形成された角型基板１の端縁から不要な薄膜を除去する基板端縁洗浄装置３と、角型基板１を乾燥させるオーブン４とから主に構成されている。スピンコータ２は、基板周囲の雰囲気を減圧して基板を減圧乾燥する機能も有している。スピンコータ２と基板端縁洗浄装置３との間及び基板端縁洗浄装置３とオーブン４との間には、角型基板１を保持して搬送するための基板搬送ロボット５，６がそれぞれ配置されている。」（段落【００１５】）
　
ｃ）「【００２５】
第２実施例
図６に示す第２実施例の薄膜形成装置は、スピンコータ４０と、減圧乾燥装置４１と、基板端縁洗浄装置４２と、複数のオーブン４３とを有している。スピンコータ４０は従来のスピンコータと同様であり、基板を保持する基板保持部と、基板表面に塗布液を供給する塗布液供給部と、基板保持部を回転させるための回転機構とを有している。減圧乾燥装置４１は、装置本体４５と、装置本体４５に対して開閉自在な蓋４６とを有している。基板１はケース本体４５に設けられた支持ピン４７上に載置される。ケース本体４５には真空ポンプ等を含む排気系が接続されている。また排気経路の途中には切り換え弁４８が設けられており、ガス供給系が接続されている。基板端縁洗浄装置４２及びオーブン４３は前述の実施例と同様の構成である。」（段落【００２５】）
　
ｄ）上記ａ）、図１、図２及び図６の記載からみて、刊行物２に記載された薄膜形成装置は、工程ライン上に、上流側にフォトレジスト液の薄膜を形成するスピンコータ４０を、下流側に減圧乾燥装置４１を直列に配置したものであることがわかる。
　
ｅ）以上のこと、並びに図１，図２及び図６等の記載からみて、刊行物２には、「基板を上流側から下流側へ搬送するライン上にスピンコータ２を設け、当該スピンコータ２において塗布回転処理、及び減圧乾燥処理を実行する薄膜形成装置。」（第１実施例）、及び、「基板を上流側から下流側へ搬送するライン上にスピンコータ４０を設け、このスピンコータ４０よりも下流側のライン上に減圧乾燥処理装置４１を配置し、当該スピンコータ４０において塗布回転処理を実行し、また当該減圧乾燥処理装置４１において減圧乾燥処理を実行するようにした薄膜形成装置。」（第２実施例）の両者が記載されており、当業者であれば、フォトレジスト等を塗布回転処理した後、減圧乾燥処理を実行する場合に、当該減圧乾燥処理については、スピンコータ部により実行しても、当該スピンコータに直列して別個に設けた減圧乾燥処理装置により実行しても、何れでもよいことが理解できる（以下、「刊行物２に記載された技術」という。）。
　
（３）周知技術
　先に上記２．（２）においても指摘したように、回転塗布（いわゆるスピンコート）の技術分野において、上流側に塗布装置を、下流側に回転処理装置を配設したような形式のものは、例えば特開平４−１１８０７３号公報、特開平２−２９０２７７号公報に記載されているように本願出願前において周知技術である。
　
（４）対比
　本願発明と刊行物１に記載された発明とを対比すると、刊行物１に記載された発明の備える「ユニット内搬送機構」、「レジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）２２」、「乾燥処理ユニット（ＤＲ）８０」、「ユニット部１０７」及び「雰囲気」は、それぞれ本願発明の備える「ライン」、「塗布ステーション」、「減圧乾燥ステーション」、「被膜形成装置」及び「減圧状態」に相当し、また、刊行物１に記載された発明における「乾燥処理ユニット（ＤＲ）８０」は、レジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）２２の下流に配置され、且つ第二の乾燥工程を実行するものであるから、本願発明の備える「減圧乾燥ステーション」及び「下流側の減圧乾燥装置」に相当するものである。さらに、刊行物１に記載された発明では、上流側での「第一の乾燥工程」は「レジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）２２」により実行され、下流側の「第二工程の乾燥処理」は「乾燥処理ユニット（ＤＲ）」により実行されるものであるから、上流側の減圧乾燥装置において先の減圧乾燥処理を実行し、下流側の減圧乾燥装置において次の減圧乾燥処理を実行するものである本願発明とは、処理部位を異にするものではあるが、ともに「上流側において減圧乾燥処理が終了した基板を受けて（減圧乾燥）処理を継続」するものである限りにおいて、両者は共通する。
　したがって、両者は、次の一致点及び相違点を有するものである。
　
〈一致点〉
　「基板を上流側から下流側へ搬送するライン上に塗布ステーションを設け、この塗布ステーションよりも下流側のライン上に減圧乾燥ステーションを配置した被膜形成装置において、前記減圧乾燥ステーションには、減圧乾燥装置がライン上に直列に配置され、下流側の減圧乾燥処理は上流側での減圧乾燥処理が終了した基板を受けて処理を継続すべく、複数の減圧乾燥処理はそれぞれ独立して処理条件を設定し得るものとされ、且つ下流側の減圧乾燥処理の減圧状態を上流側の減圧乾燥処理の減圧状態よりも圧力を低く設定した被膜形成装置。」
　
〈相違点〉
ａ）本願発明における「塗布ステーション」は、「塗布ステーションの上流側には塗布装置が、下流側には回転処理装置が配置」されたものであるのに対し、刊行物１に記載された発明における「レジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）２２」は、塗布及び回転処理をともに実行するものである点（以下、「相違点１」という。）。
　
ｂ）第一段階の減圧乾燥処理について、本願発明では、「減圧乾燥ステーション」に配置された上流側の「減圧乾燥装置」により実行されるのに対し、刊行物１に記載された発明では、「乾燥処理ユニット（ＤＲ）８０」の上流側にある「レジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）２２」により実行されるものである点（以下、「相違点２」という。）。
　　
（５）当審の判断
ａ）相違点１について
　刊行物１に記載された発明の「レジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）２２」の部分に上記周知技術を採用し、相違点１に係る本願発明のようにすることは、当業者にとり、設計上適宜に選択・採用する程度の微差にすぎない。
　
ｂ）相違点２について
　刊行物２に記載された技術の示唆するところに従い、刊行物１に記載された発明では「レジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）２２」により実行されていた第一乾燥工程を別個に設けた乾燥処理装置により実行することとし、相違点２に係る本願発明のようにすることは、当業者にとり、通常の創作力の範囲でなしうる程度のことにすぎない。
　
　また、本願発明を全体としてみても、刊行物１に記載された発明、刊行物２に記載された技術及び周知技術に比べ、予測されないような顕著な効果を奏するものとも認められない。
　
（６）まとめ
　したがって、本願発明は、刊行物１に記載された発明、刊行物２に記載された技術及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明できたものである。
　
４．むすび
　以上の通り、本願発明は、先願明細書等に記載された発明と同一であり、しかも、本願発明の発明者が先願明細書等に記載された発明の発明者と同一でもなく、また本願の出願の時点において、本願の出願人が上記他の特許出願の出願人と同一でもないので、特許法第２９条の２の規定により、特許を受けることができないものである。
　
　また、本願発明は、刊行物１に記載された発明、刊行物２に記載された技術及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものでもある。
　
　よって、結論の通り審決する。