【事件の表示】
　特願２００２−５６０２４６「光学装置における又は関係する改良」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　８月　１日国際公開、ＷＯ０２／６００２２、平成１６年　８月２６日国内公表、特表２００４−５２６３０６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明 
　本願は、２００２年１月２３日（パリ条約による優先権主張２００１年１月２３日、英国）を国際出願日とする出願であって、平成１９年２月２８日に誤訳訂正及び手続補正がなされ、同年５月２１日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年８月２４日付けで拒絶査定不服審判請求がなされたものであって、その請求項に係る発明は、同年２月２８日の誤訳訂正及び手続補正後の明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし２８に記載された事項により特定されるものであると認められるところ、請求項１に係る発明は次のものである。
「【請求項１】
　互いに縦の関係で１列に配置される複数の光学的活性装置が形成される材料であるウェハーであって、前記光学的活性装置のそれぞれは、
　入力端及び出力端を有する光学的活性領域と、
　前記光学的活性領域の入力端から前記装置の入力端へ延伸する第１の光学的不活性領域と、
　前記光学的活性領域の出力端から前記装置の出力端へ延伸する第２の光学的不活性領域と、を有し、
　縦方向に配置され隣接する各々連続した１組の装置の前記第１及び第２の光学的不活性領域は、単一の延伸する光学的不活性領域を形成し、前記単一の延伸する光学的不活性領域を介して前記装置が互いに劈開が可能であり、前記延伸する光学的不活性領域の全長は、劈開面の調整における前記装置の前記縦方向の軸に対する誤差が±０．５度までである場合常に前記ウェハーの通常の使用可能径全体にわたって前記劈開が前記延伸する光学的不活性領域内に収まるようにするのに充分である、ウェハー。」（以下「本願発明」という。）
　
２．引用例
（１）原査定の拒絶の理由に引用された、本願優先日前の刊行物である特開平７−５８４１０号公報（以下「引用例１」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
ａ．「【０００２】
【従来技術】半導体レーザ素子の電極２は、例えば図２に示すように、ウェハ上に形成されたエピタキシャル層１上に、素子毎に分割された形状に形成されている。その理由は、劈開面によってウェハから半導体レーザ素子を切り出す際に、劈開部で剥がれた電極がストライプ状の活性層３に垂れ下がり、電気的短絡を起こしたり、ビームパターンを乱したりすることを防止するためであり、また、レーザ共振器端面となる部分付近の半導体層を露出させておくことによって、エッチドミラー面形成などの端面近傍の加工を容易にするためである。Ａｕを含む金属膜をＩｎＰ層表面に形成して、素子毎に分割された電極を形成する場合には、以下のような工程で行う。即ち、先ず、例えばＥＢ蒸着法とリフトオフ法を用いてパターニングされた金属膜を形成する。次いで、加熱炉を用いて約４００℃において３分程度のシンタリングを行う。これにより、ＡｕとＩｎＰの合金層が形成され、オーミックコンタクトが得られる。」
　
ｂ．図２から、ウェハ上に形成されたエピタキシャル層１上（上記ａ．参照。）に、半導体レーザ素子となる部分が、ストライプ状の活性層３を示す線（点線）のそれぞれに沿って３個一列に並んで配置され、各素子は、該素子間の電極２が形成されていない部分で劈開されて切り出される様子が見てとれる。
　
　上記ａ．及びｂ．によれば、引用例１には、次の発明が記載されていると認められる。
「劈開面によってウェハから半導体レーザ素子を切り出す際に、劈開部で剥がれた電極がストライプ状の活性層に垂れ下がり、電気的短絡を起こしたり、ビームパターンを乱したりすることを防止するために、電極を、ウェハ上に形成されたエピタキシャル層上に、素子毎に分割された形状に形成した半導体レーザ素子であって、
　前記ウェハには、半導体レーザ素子が、ストライプ状の活性層のそれぞれに沿って３個ずつ一列に並んで配置され、各素子は、該素子間の電極が形成されていない部分で劈開されて切り出される、半導体レーザ素子。」（以下「引用発明」という。）　
　
（２）同じく、拒絶の理由で引用した刊行物である特開平７−３０７３１６号公報（以下「引用例２」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
ｃ．「【０００６】・・・・オリエンテ−ションフラットは劈開面に平行であるのが最も望ましい。しかし自然劈開してオリエンテ−ションフラットを付けるのではなく、インゴットの段階で長い結晶全体の側面にＯＦ、ＩＦを付けるので、オリエンテ−ションフラットと結晶の劈開面方向とがわずかに食い違う。
【０００７】既に述べたようにインゴットの段階でＸ線回折により結晶方位を決め、｛０１１｝を研削して印を付ける。従来のウエ−ハでは、０．５°がずれの許容誤差であった。つまりＯＦ、ＩＦの方位は（０±１±１）±０．５°とする。つまり厳密な劈開面から０．５°食い違っても差し支えないと考えられていたのである。・・・・
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】半導体レ−ザの素子を製造するには次のようにする。一例として埋め込み型について説明する。・・・・ここまでのウエ−ハプロセスにおいて、素子の位置決めは、全て２つのオリエンテ−ションフラットによっている。活性層の方向は、何れかのオリエンテ−ションフラットの面に平行である。素子が完成した時は活性層には励起光が層面の方向に伝搬する。つまり光の伝搬方向を決める導波路がオリエンテ−ションフラットに平行になる。
【０００９】ウエ−ハ全体にデバイスを形成するウエ−ハプロセスが終わると、（１００）基板（ウエ−ハ）を、（０±１±１）の劈開面に沿って縦横に切断する。多数の等価なチップが得られる。これがレ−ザチップである。チップの４つの切断面の内、活性層に平行な面を側面と呼び、活性層に直交する面を端面と呼ぶ。端面は劈開面であるからきれいな平坦面になる。これがレ−ザ光の反射面になる。平行な２端面が共振器になる。一方の面の反射率を１にし、他方の面を１以下にして、後者の端面から光を外部に取り出す。
【００１０】チップを適当なパッケ−ジにダイボンドし、ピンと電極をワイヤボンデイングによって接続し、キャップで封止してレ−ザ素子を完成する。このような製造方法によって半導体レ−ザが作られる。チップの切断線は厳密に劈開面である。しかしウエ−ハの上にチップ単位のデバイスを作製する段階では、オリエンテ−ションフラットによってデバイスの方位を決定している。オリエンテ−ションフラットと劈開面の方向がΘだけ食い違うとする。デバイスの方位と、その側面、端面の角度がΘだけ異なることになる。劈開面に沿って切り取られるのでチップは正確に長方形である。しかし、デバイス自体はこれに対して平行四辺形に形成されていることになる。
【００１１】従来はΘの公差が０．５°ということになっていた。これはＳＥＭＩによる基準である。・・・・」
　
３．対比・判断 
（１）本願発明と引用発明とを対比する。
 
　ア．引用発明における「劈開面」、「ウェハ」及び「半導体レーザ素子」は、それぞれ、本願発明における「劈開面」、「ウェハー」及び「光学的活性装置」に相当する。
　
　イ．引用発明において、「半導体レーザ素子」（光学的活性装置）が、ストライプ状の活性層のそれぞれに沿って３個ずつ一列に並んで配置された、その並びの方向は、本願発明の「縦の関係」又は「縦方向」に相当する。したがって、引用発明と本願発明の「光学的活性装置」は、「互いに縦の関係で１列に配置される複数の」ものである点で一致し、引用発明が、本願発明の「互いに縦の関係で１列に配置される複数の光学的活性装置が形成される材料であるウェハー」を備えるのは明らかである。
　
　ウ．本願発明における「入力端」及び「出力端」について、本願明細書には特段説明がないことに照らせば、本願発明における「装置の入力端」及び「装置の出力端」とは、「半導体レーザ素子」（光学的活性装置）の端部の、いずれかの端部を特定する程度の意味を有するにとどまるものと解される。そして、引用発明における「半導体レーザ素子」（光学的活性装置）も、同様な端部を有することは明らかであるから、引用発明における「半導体レーザ素子」（光学的活性装置）は、本願発明における「装置の入力端」及び「装置の出力端」を有するといえる。
　
　エ．引用発明の「半導体レーザ素子」（光学的活性装置）の活性層において、その上に電極が形成されている部分及び電極が形成されていない部分が、それぞれ、本願発明における「光学的活性領域」及び「光学的不活性領域」に相当する。
　
　オ．引用発明の「光学的活性領域」と「光学的不活性領域」（上記エ．参照）との境界は、前記「光学的活性領域」の端部をなし、該端部は「光学的活性領域」の両端にあり、上記ウ．に照らせば、その一方が入力端になり、他方が出力端になるといえる。したがって、引用発明の「光学的活性領域」が、「入力端」及び「出力端」を有するのは明らかである。
　
　カ．上記ウ．及びオ．から、引用発明における「『光学的活性領域の入力端』から『装置』の端部へ延伸する部分の『光学的不活性領域』」及び該「『装置』の端部」は、それぞれ、本願発明の「第１の光学的不活性領域」及び「装置の入力端」に相当する。同様に、引用発明における「『光学的活性領域の出力端』から『装置』の端部へ延伸する部分の『光学的不活性領域』」及び該「『装置』の端部」は、それぞれ、本願発明の「第２の光学的不活性領域」及び「装置の出力端」に相当する。
　
　キ．引用発明における「複数本のストライプ状の活性層のそれぞれの上に３個一列に並んで配置され」た「半導体レーザ素子」（光学的活性装置）のうち、隣接する連続した２個の素子（装置）について、各素子（装置）の「光学的活性領域」の間の「光学的不活性領域」（上記エ．参照）は、該素子（装置）が切り出される前は、一つの「光学的不活性領域」をなしている。すると、引用発明の前記一つの「光学的不活性領域」は、２個の素子（装置）の一方の「第１の光学的不活性領域」又は「第２の光学的不活性領域」のいずれかの領域と、他方の「第２の光学的不活性領域」又は「第１の光学的不活性領域」のいずれかの領域とから形成されていると理解できるから、前記一つの「光学的不活性領域」は、隣接する１組の素子（装置）の一方の「第１の光学的不活性領域」及び他方の「第２の光学的不活性領域」を形成するものである。したがって、引用発明は、本願発明の「縦方向に配置され隣接する各々連続した１組の装置の第１及び第２の光学的不活性領域は、単一の延伸する光学的不活性領域を形成」する事項を備えるといえる。
　
　ク．引用発明は、「各素子は、該素子間の電極が形成されていない部分で劈開されて切り出される」から、「素子間の電極が形成されていない部分」すなわち「単一の延伸する光学的不活性領域」（上記キ．参照。）で劈開されて切り出される。したがって、引用発明は、本願発明の「単一の延伸する光学的不活性領域を介して前記装置が互いに劈開が可能」である事項を備える。
　
　ケ．すると、本願発明と引用発明とは、
「互いに縦の関係で１列に配置される複数の光学的活性装置が形成される材料であるウェハーであって、前記光学的活性装置のそれぞれは、
　入力端及び出力端を有する光学的活性領域と、
　前記光学的活性領域の入力端から前記装置の入力端へ延伸する第１の光学的不活性領域と、
　前記光学的活性領域の出力端から前記装置の出力端へ延伸する第２の光学的不活性領域と、を有し、
　縦方向に配置され隣接する各々連続した１組の装置の前記第１及び第２の光学的不活性領域は、単一の延伸する光学的不活性領域を形成し、前記単一の延伸する光学的不活性領域を介して前記装置が互いに劈開が可能である、ウェハー。」
である点で一致し、次の点で相違する。
　
＜相違点＞
　延伸する光学的不活性領域につき、その全長が、本願発明は「劈開面の調整における前記装置の前記縦方向の軸に対する誤差が±０．５度までである場合常に前記ウェハーの通常の使用可能径全体にわたって前記劈開が前記延伸する光学的不活性領域内に収まるようにするのに充分である」のに対し、引用発明は、そのようなものであるか否か不明である点。
　
（２）判断
　上記相違点について検討する。
　引用例２には、ウエ−ハ（本願発明のウェハーに相当する。）全体にデバイスを形成するウエ−ハプロセスが終わると、ウエ−ハを、劈開面に沿って縦横に切断して多数の等価なレ−ザチップを得るものにおいて、デバイスの方位と、劈開面方向とがわずかに食い違い、その許容誤差は、従来のウエ−ハでは±０．５°である知見が記載されている（上記２．（２）ｃ．参照。
）
　すると、引用発明は、「劈開面によってウェハから半導体レーザ素子を切り出す際に、劈開部で剥がれた電極がストライプ状の活性層に垂れ下がり、電気的短絡を起こしたり、ビームパターンを乱したりすることを防止するために、電極を、ウェハ上に形成されたエピタキシャル層上に、素子毎に分割された形状に形成した」ものであるから、ウェハ（ウェハー）の通常の使用可能径全体にわたって、劈開部で剥がれた電極がストライプ状の活性層に垂れ下がらない程度に、該電極は距離をあけて分割されるべきものであるところ、引用例２の上記知見によると、「デバイスの方位と、劈開面方向とがわずかに食い違い、その許容誤差は、従来のウエ−ハでは±０．５°」であるから、劈開面に関して±０．５°までの許容誤差が有っても常に、劈開部で剥がれた電極がストライプ状の活性層に垂れ下がらないように、前記電極間の距離を十分にあけるべきであることは当業者には明らかである。
　そうすると、引用発明において、前記電極間の距離に等しい「延伸する光学的不活性領域の全長」を、劈開の調整において（許容）誤差が±０．５度までである場合常に前記劈開が前記「延伸する光学的不活性領域内」に収まる長さにすることは、当業者にとって容易である。
　よって、引用発明における「延伸する光学的不活性領域の全長」を、引用例２に記載の上記知見をもとに設定し、上記相違点に係る本願発明の構成となすことは、当業者が容易になし得ることである。　
　
４．むすび 
　以上のとおり、本願発明は、引用例１に記載の発明及び引用例２に記載の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。