(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
減圧手段により内部を減圧され、基板を収容して処理を施すための減圧処理容器と、
この減圧処理容器を開閉可能な蓋体と、
上記減圧処理容器が上記蓋体で閉塞された場合に、上記減圧処理容器と上記蓋体との間をシール面にてシールするためのシール部材と、
上記減圧処理容器の内部に設けられ、上記基板を収容可能な内部空間を有し、上記内部空間において基板が収容される位置よりも下方に上記内部空間と上記減圧処理容器内の空間とを連通する連通口が形成され、上記シール面の隙間から上記減圧処理容器内に流入する気流が上記基板に直接当たるのを防止する遮蔽容器とを含むことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
上記遮蔽容器は、上記蓋体に対向する開口を有し、
上記減圧手段は、上記減圧処理容器と上記遮蔽容器との間に形成される遮蔽空間を減圧するものであることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
上記遮蔽容器と蓋体との間の隙間をシールするためのシール手段をさらに含むことを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】
上記シール手段は、遮蔽容器と蓋体との間の隙間をシールするためのＯリングであることを特徴とする請求項３記載の基板処理装置。
【請求項５】
上記シール手段は、遮蔽容器と蓋体との間の隙間を非接触にてシールするためのラビリンス機構であることを特徴とする請求項３記載の基板処理装置。
【請求項６】
上記シール部材は、リップパッキンであることを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項７】
上記減圧処理容器内において上記遮蔽容器の下方に設けられ、基板洗浄用の純水が貯留される貯留槽をさらに含むことを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項８】
減圧手段により内部を減圧され、基板を収容して処理を施すための減圧処理容器と、
この減圧処理容器を開閉可能な蓋体と、
上記減圧処理容器が上記蓋体で閉塞された場合に、上記減圧処理容器と上記蓋体との間をシール面にてシールするためのリップパッキンと、
上記減圧処理容器の内部に設けられ、上記基板を収容可能な内部空間を有し、さらに上記蓋体に対向する開口を有し、上記シール面の隙間から上記減圧処理容器内に流入する気流が上記基板に直接当たるのを防止する遮蔽容器と、
この遮蔽容器と上記蓋体との間の隙間を非接触でシールするシール手段とを含むことを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】
上記シール手段は、ラビリンス機構であることを特徴とする請求項８記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハや液晶表示装置用ガラス基板のような各種の被処理基板に対して処理を施すための装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置の製造工程では、複数枚の半導体ウエハ（以下単に「ウエハ」という。  ）を一括して処理するバッチ式のウエハ処理装置が用いられる場合がある。この種のウエハ処理装置は、複数枚のウエハを一括して薬液などに浸漬させ、これによりウエハ表面を洗浄したりウエハ表面に形成された薄膜を除去したりするために用いられ、たとえばこのような薬液処理を行うための複数の薬液処理部と、薬液処理後のウエハを水洗いし、さらに減圧乾燥させる減圧乾燥部とを備えている。
【０００３】
図１０は、減圧乾燥部の概略断面図である。減圧乾燥部は、純水によってウエハＷを水洗いするとともに、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）ベーパを利用してウエハＷを乾燥させるもので、チャンバ７００と、チャンバ７００の上面に開閉可能に装着されたカバー７０１と、カバー７０１が閉塞されている場合に、チャンバ７００内に外気が侵入しないようにするために、チャンバ７００とカバー７０１との間をシールするＯリング７０２と、チャンバ７００内に設けられた昇降可能なウエハガイド７０３と、チャンバ７００内の下方に配置され、純水が貯留される貯留槽７０４と、チャンバ７００内の上方に配置され、ＩＰＡベーパが吐出されるノズル７０５と、チャンバ７００内を減圧するための減圧ポンプ７０６が接続された排気管７０７とを備えている。
【０００４】
図示しないウエハ搬送ロボットによってウエハＷが搬送されてくると、カバー７０１が開けられ、この状態においてウエハ搬送ロボットからウエハガイド７０３にウエハＷが渡される。ウエハガイド７０３では、当該ウエハＷが鉛直に一括して整列保持される。その後、ウエハガイド７０３が下降させられ、二点鎖線で示すように、純水が貯留されている貯留槽７０４に収容され、この貯留槽７０４にて水洗いされる。その後、ＩＰＡベーパがノズル７０５からチャンバ７００内に供給されるとともに、ウエハガイド７０３が実線で示す位置まで上昇させられる。この上昇過程において、ウエハＷに付着している水滴がＩＰＡベーパと置換され、水滴がウエハＷから除去されるとともにウエハＷの表面がＩＰＡベーパによって覆われる。さらに、この状態において減圧ポンプ７０６が駆動され、チャンバ７００内が減圧される。その結果、ウエハＷの表面を覆っていたＩＰＡベーパが蒸発する。これにより、ウエハＷが乾燥される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
チャンバ７００内が減圧されている場合、チャンバ７００内では、チャンバ７００の上方から排気管７０７が接続されている下方に向く気流が発生する。Ｏリング７０２によってチャンバ７００とカバー７０１との間が確実にシールされている場合には特に問題はないが、Ｏリング７０２のシール面７０２ａが経年変化等によって劣化すると、Ｏリング７０２とカバー７０１との間に隙間ができ、この隙間から外気がチャンバ７００内に吸い込まれる。その結果、白抜き矢印で示すように、パーティクルを含む外気が乾燥処理中のウエハＷに直接当たる。その結果、半導体装置の歩留まりの低下を招くという不具合が生じていた。
【０００６】
そこで、本発明の目的は、上述の技術的課題を解決し、パーティクルを含む外気が侵入してきても、当該外気が基板に直接当たるのを防止することができる基板処理装置を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
上記目的を達成するための請求項１記載の発明は、減圧手段により内部を減圧され、基板を収容して処理を施すための減圧処理容器と、この減圧処理容器を開閉可能な蓋体と、上記減圧処理容器が上記蓋体で閉塞された場合に、上記減圧処理容器と上記蓋体との間をシール面にてシールするためのシール部材と、上記減圧処理容器の内部に設けられ、上記基板を収容可能な内部空間を有し、上記内部空間において基板が収容される位置よりも下方に上記内部空間と上記減圧処理容器内の空間とを連通する連通口が形成され、上記シール面の隙間から上記減圧処理容器内に流入する気流が上記基板に直接当たるのを防止する遮蔽容器とを含むことを特徴とする基板処理装置である。
【０００８】
本発明によれば、シール部材と基板との間が遮蔽容器によって遮蔽されているから、たとえシール部材のシール面が劣化して外気が減圧処理容器内に吸い込まれてきたとしても、当該外気が基板に直接当たるのを防止できる。したがって、基板にパーティクルが付着するのを防止できるから、処理を良好に行うことができる。そのため、高品質な基板を提供できるから、基板処理の歩留まりの低下を抑えることができる。
また、遮蔽容器の基板収容位置よりも下方に遮蔽容器の内部空間と減圧容器の内部の空間とを連通する連通口が形成されているから、遮蔽容器の内部から上記連通口へと向かう気流を生じさせることができる。したがって、シール部材のシール面から外気が減圧処理容器内に吸い込まれても、当該外気は上記気流によって連通口から遮蔽容器の内部に導かれるのを阻止される。
しかも、遮蔽容器の内部空間の空気は、連通口を介して流出するから、多量の空気を短時間に流出させることができる。よって、減圧速度が速くなるから、効率的な処理を行うことができる。
【０００９】
請求項２記載の発明は、上記遮蔽容器は、上記蓋体に対向する開口を有し、上記減圧手段は、上記減圧処理容器と上記遮蔽容器との間に形成される遮蔽空間を減圧するものであることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置である。
【００１０】
本発明では、たとえば基板を遮蔽容器の内部に収容した状態において減圧手段によって遮蔽空間を減圧し、処理を行うことができる。したがって、遮蔽容器の内部空間と遮蔽空間とが連通しているので、遮蔽容器の内部空間から遮蔽空間に向く気流が生じる。そのため、シール部材のシール面の隙間から外気が減圧処理容器内に吸い込まれても、当該外気は上記気流によって遮蔽容器の内部に導かれるのを阻止される。よって、外気が遮蔽容器内の基板に直接当たることがない。そのため、上記請求項１記載の発明と同様の作用効果を奏する。
【００１１】
請求項３記載の発明は、上記遮蔽容器と蓋体との間の隙間をシールするためのシール手段をさらに含むことを特徴とする請求項２記載の基板処理装置である。
本発明では、遮蔽容器と蓋体との間の隙間がシールされているから、当該隙間から遮蔽容器の内部に外気が導かれるのも阻止される。そのため、外気が遮蔽容器内の基板に直接当たることがない。
【００１２】
請求項４記載の発明は、上記シール手段は、遮蔽容器と蓋体との間の隙間をシールするためのＯリングであることを特徴とする請求項３記載の基板処理装置である。
【００１３】
本発明によれば、Ｏリングによって遮蔽容器と蓋体との間の隙間がシールされるから、上記隙間を確実にシールすることができる。そのため、外気の遮蔽容器の内部への侵入を確実に阻止できるから、基板へのパーティクルの付着を一層確実に防止できる。よって、上記請求項１ないし３に記載の発明に比べて一層高品質な基板を提供することができる。
【００１４】
請求項５記載の発明は、上記シール手段は、遮蔽容器と蓋体との間の隙間を非接触にてシールするためのラビリンス機構であることを特徴とする請求項３記載の基板処理装置である。
本発明によれば、遮蔽容器と蓋体との間の隙間が非接触にてシールされるから、シール部分におけるパーティクルの発生がない。したがって、シール面にてシールする上記請求項４記載の発明に比べて基板へのパーティクルを一層確実に防止できる。よって、上記請求項４記載の発明に比べて一層高品質な基板を提供することができる。
【００１５】
請求項６記載の発明は、上記シール部材は、リップパッキンであることを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の基板処理装置である。
本発明によれば、減圧処理容器と蓋体との間の隙間を良好にシールすることができるから、外気の減圧処理容器への侵入を最小限に抑えることができる。
請求項７記載の発明は、上記減圧処理容器内において上記遮蔽容器の下方に設けられ、基板洗浄用の純水が貯留される貯留槽をさらに含むことを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の基板処理装置である。
請求項８記載の発明は、減圧手段により内部を減圧され、基板を収容して処理を施すための減圧処理容器と、この減圧処理容器を開閉可能な蓋体と、上記減圧処理容器が上記蓋体で閉塞された場合に、上記減圧処理容器と上記蓋体との間をシール面にてシールするためのリップパッキンと、上記減圧処理容器の内部に設けられ、上記基板を収容可能な内部空間を有し、さらに上記蓋体に対向する開口を有し、上記シール面の隙間から上記減圧処理容器内に流入する気流が上記基板に直接当たるのを防止する遮蔽容器と、この遮蔽容器と上記蓋体との間の隙間を非接触でシールするシール手段とを含むことを特徴とする基板処理装置である。
請求項９記載の発明は、上記シール手段は、ラビリンス機構であることを特徴とする請求項８記載の基板処理装置である。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下では、本発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の第１実施形態の基板処理装置である減圧乾燥部が適用されるウエットステーションの全体構成を示す斜視図である。このウエットステーション１は、カセットＣに収納されている複数枚（たとえば２６枚）のウエハＷに対して薬液処理を施すためのものである。
【００１７】
ウエットステーション１は、２カセット分の枚数（たとえば５２枚）のウエハＷの向きを整えるための整列部２と、向きが整えられた後のウエハＷをカセットＣから一括して取り出すための取出部３と、取出部３によってカセットから取り出されたウエハＷに対して薬液処理を施すための複数の薬液処理部４、５、６、７、８および９と、薬液処理後の複数枚のウエハＷを一括して水洗いし、かつ減圧乾燥させる減圧乾燥部１０とを備えている。整列部２、取出部３、薬液処理部４〜９および減圧乾燥部１０は、所定の処理部配列方向ａに沿って直線状に配置されている。
【００１８】
薬液処理部４〜９は、複数枚のウエハＷを一括して所定の薬液に浸漬させることによってウエハＷを処理するものである。すなわち、各薬液処理部４〜９の内部には、たとえばアンモニア、フッ酸、硫酸などの薬液を貯留できる貯留槽（図示せず）が配置されており、薬液が貯留されている貯留槽内にウエハＷを浸漬させることによって、ウエハＷの表面が洗浄されたりウエハＷの表面に形成されている薄膜が除去されたりするようになっている。
【００１９】
また、このウエットステーション１は、取出部３から減圧乾燥部１０までの間において、複数枚のウエハＷを一括して搬送するためのウエハ搬送ロボット１１を備えている。ウエハ搬送ロボット１１は、処理部配列方向ａに沿って移動可能なもので、処理部配列方向ａに関して開閉可能なウエハ保持チャック１２を有している。ウエハ保持チャック１２は、ウエハ搬送ロボット１１に対して昇降自在に取り付けられている。この構成により、薬液処理部４〜９および減圧乾燥部１０の内部にまで下降してウエハＷの受け渡しを行うことができるようになっている。
【００２０】
図２は、ウエハ保持チャック１２の構成を示す正面図である。ウエハ保持チャック１２は、処理部配列方向ａに関して互いに対向するように配置された一対のチャック部１３を有している。各チャック部１３は、それぞれ、処理部配列方向ａにほぼ直交するウエハ配列方向ｂに関して所定間隔離れて配置された一対のアーム部１４（一方側のみ図示）と、ウエハ配列方向ｂに沿って延び、アーム部１４の下端部においてアーム部同士をつなぐ上下一対の保持部１５とを有している。各チャック部１３の保持部１５には、Ｖ字状の保持溝１６が多数形成されている。
【００２１】
ウエハＷを保持する際には、一対のチャック部１３が互いに近づけられる。その結果、一対のチャック部１３の各保持溝１６にウエハＷの周縁部が係合する。これにより、ウエハＷは、ウエハ保持チャック１２に鉛直に保持される。そのため、複数枚のウエハＷは、ウエハ保持チャック１２にウエハ配列方向ｂに沿って鉛直に整列保持される。
【００２２】
図３は、減圧乾燥部１０の内部構成を薬液処理部９が位置する側から見た断面図、図４は、減圧乾燥部１０の内部構成をウエハ保持ロボット１１が位置する側から見た断面図である。減圧乾燥部１０は、純水を用いてウエハＷに付着している薬液等を洗い流し、かつＩＰＡ（イソプロピルアルコール）ベーパを利用して洗浄後のウエハＷを乾燥させるためのものである。減圧乾燥部１０は、チャンバ２０と、チャンバ２０内において複数枚のウエハＷを一括して保持するためのウエハガイド４０と、ウエハガイド４０を昇降させるためのリフタ６０と、チャンバ２０内の下部に配置され、純水が貯留される貯留槽８０と、チャンバ２０内の上部に配置された遮蔽部１００とを備えている。
【００２３】
チャンバ２０は、平面視においてほぼ矩形のもので、側壁２１、２２、２３および２４によって囲まれている。チャンバ２０の上面には、オートカバー１２０が開閉可能に装着されている。オートカバー１２０は、ウエハ保持ロボット１１が備えられている側と反対側の支点部１２１を支点にして、開閉機構１２２によって自動的に開閉することができる。オートカバー１２０は、ウエハ保持チャック１３とチャンバ２０内のウエハガイド４０との間でウエハＷの受け渡しが行われる際に開けられ、純水洗浄処理および乾燥処理時には閉塞される。
【００２４】
チャンバ２０の上面には、オートカバー１２０の閉塞状態において、オートカバー１２０とチャンバ２０との間をシールするためのリップパッキン１２３が設けられている。これにより、チャンバ２０の外部からパーティクルを含む外気がチャンバ２０内に侵入するのが防止されるとともに、ＩＰＡベーパがチャンバ２０外に漏れるのが防止される。
【００２５】
遮蔽部１００は、主として、リップパッキン１２３のシール面が劣化した場合に、チャンバ２０内に侵入するおそれのある外気から基板処理位置に置かれているウエハＷを遮蔽するためのもので、チャンバ２０のほぼ上半分の空間内に配置されている。遮蔽部１００は、チャンバ２０の側壁２１〜２４の近傍に当該各側壁２１〜２４に沿うように配置された４つの側壁１０１、１０２、１０３および１０４を有している。各側壁１０１〜１０４の上端付近には、チャンバ２０の内側に入り込む段差部１０１ａ、１０２ａ、１０３ａおよび１０４ａが形成されている。遮蔽部１００の上面は、主として、ウエハ保持チャック１２をチャンバ２０内に進入させるために、開口している。
【００２６】
オートカバー１２０の内壁には、オートカバー１２０の閉じ状態において下方に突出する突出部３００が取り付けられている。突出部３００は、オートカバー１２０の閉塞状態において、遮蔽部１００の側壁１０１〜１０４の上端に形成された段差部１０１ａ〜１０４ａの外側に位置するように、配置されている。すなわち、突出部３００と段差部１０１ａ〜１０４ａとによって、遮蔽部１００の上面とオートカバー１２０との間の隙間を非接触にてシールするラビリンス機構３０１が構成されている。
【００２７】
各側壁１０１〜１０４のうちリフタ６０が配置されている側の側壁１０２には、リフタ６０の上下動を許容するために上下に長い切欠き１０６が形成されている。また、遮蔽部１００の下面は開口している。この構成により、を収容空間１０５内の基板処理位置にウエハＷが達するまでウエハガイド４０を上昇させることができる。
【００２８】
このように、チャンバ２０の内部空間は、上端側がラビリンス機構３０１によってシールされた遮蔽部１００によって、遮蔽部１００の内部空間である収容空間１０５とその外部空間である遮蔽空間１０７とに区画されている。ただし、遮蔽部１００の下面が開口していることから、収容空間１０５と遮蔽空間１０７とはこの下面の開口（以下「連通口」という。）１０８によって連通されている。
【００２９】
ウエハガイド４０は、ウエハ配列方向ｂに沿って長く形成され、このウエハ配列方向ｂと直交する処理部配列方向ａに関して互いに所定間隔だけ離れている４つのガイド部４１、４２、４３および４４と、これらガイド部４１〜４４の先端部を互いに連結するための連結部４５とを備えている。ガイド部４１には、当該ガイド部４１を挟んで対向し、かつウエハ配列方向ｂに沿って長い２つの保持板４６および４７がそれぞれボルト５２および５３によって取り付けられている。ガイド部４４には、当該ガイド部４４を挟んで対向し、かつウエハ配列方向ｂに沿って長い２つの保持板４８および４９がボルト５４および５５によって取り付けられている。また、ガイド部４２および４３には、それぞれ、当該各ガイド部４２および４３の外側の面に、ウエハ配列方向ｂに沿って長い１つの保持板５０および５１がボルト５６および５７によって取り付けられている。
【００３０】
各保持板４６〜５１の上辺には、それぞれ、ほぼＶ字状の複数の保持溝５８が形成されている。いずれかの保持板に形成されている１つの保持溝は、他の保持板の平面視において処理部配列方向ａに沿う直線上に位置する他の５つの保持溝とともに、１つのグループを形成している。この１つのグループに含まれる６つの保持溝５８はウエハＷの周縁部の形状に沿うように配置されている。１枚のウエハＷは、１つのグループに含まれる保持溝５８にその周縁部が係合した状態で鉛直に保持される。ウエハガイド４０には、上述のような６つの保持溝５８で構成されるグループがウエハ配列方向ｂに関して複数形成されており、これによりウエハガイド４０では、複数枚のウエハＷを一括してウエハ配列方向ｂに沿って整列保持することができる。
【００３１】
このように、ウエハＷは、６つの保持溝５８によって保持されるから、保持状態が非常に安定する。したがって、ウエハＷが倒れるなどの不具合の発生を防止できる。そのため、ウエハＷを傷つけることを回避できるから、高品質なウエハＷを提供できる。
リフタ６０は、このようなウエハガイド４０を予め定める純水処理位置（実線で示す）と基板処理位置（二点鎖線で示す）との間で昇降させる。純水処理位置は、貯留槽８０の内部であって、貯留槽８０内に純水が貯留されている場合に、当該純水にウエハＷが完全に浸漬されるような位置に設定されている。基板処理位置は、ウエハガイド４０に保持されているウエハＷの下端部が遮蔽部１００の収容空間１０５内に完全に収まるような位置に設定されている。ウエハガイド４０が純水処理位置まで下降されるのは、主として、ウエハＷに純水洗浄処理を施す場合である。また、ウエハガイド４０が基板処理位置まで上昇されるのは、ウエハ保持チャック１２からウエハＷを受け取る場合、および純水洗浄処理が終了した後にウエハＷを乾燥させる場合である。
【００３２】
リフタ６０は、ガイド部４１〜４４を連結板４５の側壁２２側で連結し、支持する支持アーム６１と、支持アーム６１の上端に取り付けられた支持部６２と、支持部６２の下端に取り付けられ、下方に向けて延びた支持軸６３と、この支持軸６３を上下方向に移動させる昇降機構６４とを備えている。昇降機構６４によって支持軸６３が昇降されると、これに伴って支持部６２および支持アーム６１も昇降し、その結果ウエハガイド４０が昇降する。
【００３３】
なお、参照符号７８は、ウエハＷを乾燥させる際に用いられるＩＰＡベーパから昇降機構６４などを保護したり、昇降機構６４で発生するパーティクルがチャンバ２０内に侵入するのを防止するためのベローズである。
貯留槽８０は、平面視においてほぼ矩形のもので、側壁８１、８２、８３および８４、ならびに底壁８５を有し、上面が開口している。貯留槽８０の底壁８５付近にはノズル８６が配置されている。ノズル８６には、図示しない純水用タンクから純水が導かれる純水供給路８７が連結されている。純水供給路８７の途中部には、純水供給弁８８が介装されている。この構成により、純水供給弁８８の開閉を制御することで、貯留槽８０に純水を供給することができる。
【００３４】
貯留槽８０の側壁８１〜８４の上辺には、所定間隔で所定深さのＶ字状のノッチ９０が複数個形成されている。この構成により、貯留槽８０に貯留されている純水をノッチ９０を介して貯留槽８０の外部にオーバーフローさせることができる。これにより、元々ウエハＷに付着していて純水洗浄処理中に純水中に溶けだした薬液やパーティクル等を貯留槽８０外に排出することができる。
【００３５】
チャンバ２０の底壁２５には、チャンバ２０外にまで延びたドレン排出路２６が連結されている。これにより、純水洗浄処理中に貯留槽８０からオーバーフローされた薬液やパーティクル等の溶けだした純水をチャンバ２０外に排出することができる。
また、貯留槽８０の底壁８５には、ドレン弁９１が介装されたドレン排出路９２が連結されている。この構成により、ドレン弁９１の開閉を制御することで、貯留槽８０に貯留されている純水を貯留槽８０の外部に排出することができる。これにより、純水洗浄処理後において使用済の純水を排出することができるようになっている。
【００３６】
収容空間１０５内の上部には、ウエハ配列方向ｂに沿って長く延びた２つのＩＰＡ管１４０が配置されている。ＩＰＡ管１４０には、ＩＰＡベーパをチャンバ２０内に供給するためのＩＰＡ吐出孔１４１が複数形成されている。ＩＰＡ吐出孔１４１からは、純水洗浄処理後の乾燥処理時においてＩＰＡベーパが吐出されるようになっている。一方、純水洗浄処理後においては、ウエハガイド４０が上位置に向けて上昇させられる。この上昇途中において、チャンバ２０内に供給されたＩＰＡベーパとウエハＷの表面に付着している水滴とが置換される。すなわち、ウエハＷ表面から水滴が除去されるとともに、ウエハＷ表面がＩＰＡベーパによって覆われる。
【００３７】
排出路２６の途中部には、排気管３０が連結されている。また、純水供給路８７は、純水排出弁９５が介装された純水排出路９６を介して、排気管３０に接続されている。排気管３０には、減圧ポンプ３１が接続されている。
減圧ポンプ３１は、乾燥処理時に駆動されるようになっている。この場合、チャンバ２０内の空気が排気管３０を介して吸引され、チャンバ２０内が減圧される。その結果、ウエハＷ表面を覆っているＩＰＡベーパが蒸発する。これにより、ウエハＷを乾燥させることができる。
【００３８】
また、減圧ポンプ３１が駆動されると同時に、純水排出弁９５が開成される。その結果、ノズル８６から閉成状態にある純水供給弁８８に至る純水供給路８７内の純水が純水排出路９６を介して吸引される。これにより、純水供給路８７内が乾燥されるようになっている。
図５は、開閉機構１２２の構成を示すための図であって、図４のｈ方向から見た図である。開閉機構１２２は、オートカバー１２０をチャンバ２０の背面２６側にある支点部１２１を支点にして自動的に開閉させるためのもので、図示しない制御部によってその動作が制御される。開閉機構１２２は、オートカバー１２０の支点側に取り付けられた可動部２５０を備えている。可動部２５０は、側面視においてほぼ長方形状のもので、オートカバー１２０が取り付けられている取付端において支点部１２１に回動自在に取り付けられている。可動部２５０の取付端の反対側である揺動端には、当該可動部２５０を支点部１２１を中心にして回動させるための第１シリンダ２５１の第１ロッド２５２が連結ピン２５３を介して連結されている。
【００３９】
さらに具体的には、第１シリンダ２５１は、可動部２５０を、当該可動部２５０がほぼ水平になる閉塞位置と揺動端が取付端に対して下方に位置する開放位置との間で、支点部１２１を中心にして回動させるものである。第１シリンダ２５１は、チャンバ２０の背面２６の上部に向けて斜めに進退するように、チャンバ２０の側壁２４の外側に斜めに取り付けられている。可動部２５０の揺動端は、第１シリンダ２５１の第１ロッド２５２に固定された連結ピン２５３に回動可能に取り付けられている。
【００４０】
この構成により、第１ロッド２５２が延ばされると、可動部２５０が支点部１２１を中心して回動し、やがて、実線で示すように、閉塞位置に達する。その結果、オートカバー１２０は閉塞状態となる。一方、この状態から第１ロッド２５２が引っ込むと、可動部２５０は支点部１２１を中心にして上述とは反対方向に回動し、やがて、二点鎖線で示すように、開放位置に達する。その結果、オートカバー１２０は開放状態となる。
【００４１】
また、開閉機構１２２は、オートカバー１２０が閉じられる際に、オートカバー１２０を確実に閉じるための先端閉じ部２６０を備えている。オートカバー１２０の先端１２０ａには、閉塞状態において下方に突出する係合爪２７０が取り付けられている。係合爪２７０の先端は、オートカバー１２０の閉塞状態において水平に突出している。先端閉じ部２６０は、オートカバー１２０が閉じられたときに、係合爪２７０を上方から押さえつけることによって、オートカバー１２０を確実に閉塞させる。
【００４２】
先端閉じ部２６０は、側面視において細長く、かつその先端部が係合爪２７０に上方から係合するようにされた係合爪２６１を、当該係合爪２６１が係合爪２７０に係合する位置と当該係合が解除される位置との間で回動させるための第２シリンダ２６２を備えている。係合爪２６１は、側壁２４に取り付けられた固定ピン２６４に回動可能に取り付けられ、かつ先端部の反対側の端部が第２ロッド２６３に固定されている取付ピン２６５に回動可能に取り付けられている。第２シリンダ２６２の第２ロッド２６３は、上下方向に沿って進退可能なものである。
【００４３】
この構成により、第２ロッド２６３が上方向に延びると、これに伴って係合爪２６１が固定ピン２６４を中心にして回動し、やがて、実線で示すように、係合爪２６１の先端部が係合爪２７０に係合する。その結果、係合爪２７０が係合爪２６１によって上方から押さえつけられる。これにより、オートカバー１２０が確実に閉塞される。この状態から第２ロッド２６３が下方向に引っ込むと、係合爪２６１が上記とは反対方向に回動する。その結果、上記係合状態が解除される。
【００４４】
図６は、減圧乾燥部１０の概略断面図である。上述のように、乾燥処理時においては、オートカバー１２０は閉塞されている。この場合、チャンバ２０の内外は、リップパッキン１２３によって遮断されている。このような状態で減圧ポンプ３１が駆動されると、遮蔽空間１０７内の空気は、チャンバ２０の上方から下方にある排気管３０に向かって吸引される。一方、収容空間１０５は遮蔽部１００の連通口１０８によって遮蔽空間１０７に連通されているから、収容空間１０５内の空気は、当該連通口１０８を通って遮蔽空間１０７に導かれ、さらに、排気管３０に向かって吸引される。すなわち、収容空間１０５から遮蔽部１００の下方の遮蔽空間１０７に向く気流４００が生じる。
【００４５】
ところで、チャンバ２０の内外を遮断しているリップパッキン１２３は、経年変化等によって、そのシール面１２３ａが劣化する場合がある。この場合、オートカバー１２０とチャンバ２０との間に隙間ができる。このような状態で乾燥処理が行われると、白抜き矢印で示すように、外気が上記隙間からチャンバ２０内に吸い込まれる。
【００４６】
この吸い込まれた外気は、ラビリンス機構３０１によって遮蔽部１００の上面に導かれるのが阻止されるために、遮蔽部１００の側壁１０１〜１０４とチャンバ２０の側壁２１〜２４との間を通って遮蔽部１００の下方まで導かれる。一方、収容空間１０５からその下方の遮蔽空間１０７に向く気流４００が生じている。したがって、外気は、気流４００によって遮蔽部１００の下面の開口に向かうことなく、排気管３０に向けて導かれる。すなわち、外気は、収容空間１０５の基板処理位置に位置しているウエハＷに当たることなく、排気管３０に吸引されていく。
【００４７】
以上のように第１実施形態によれば、ウエハＷを完全に収容できる遮蔽部１００をチャンバ２０内に配置し、かつ遮蔽部１００の上面をラビリンス機構３０１によってシールしているから、たとえ乾燥処理時に外気がチャンバ２０内に吸い込まれても、当該外気がウエハＷに直接当たることはない。したがって、ウエハＷにパーティクルが付着するのが防止されるから、乾燥処理を良好に行うことができる。よって、高品質なウエハＷを提供することができる。
【００４８】
なお、上記説明では、遮蔽部１００の上面とオートカバー１２０との間をラビリンス機構３０１によって非接触にシールしている。しかし、たとえば図７に示すように、遮蔽部１００の上面とオートカバー１２０との間を、遮蔽部１００の上端に設けられたベース部４１０に取り付けられたＯリング４１１によってシールするようにしてもよい。このようにすれば、リップパッキン１２３周辺と遮蔽部１００の上部とをさらに確実にシールするから、外気がウエハＷに直接当たるのをさらに確実に防止する。
【００４９】
図８は、本発明の第２実施形態の基板処理装置である減圧乾燥部の概略断面図である。図８において、図６と同じ機能部分については同一の参照符号を使用する。
上記第１実施形態にかかる遮蔽部１００は、チャンバ２０のほぼ上半分の空間内に配置され、かつその下面が開口しているのに対して、この第２実施形態にかかる遮蔽部１００は、チャンバ２０の内部空間のほぼ全体に配置され、かつ下面は開口していないものである。すなわち、遮蔽部１００の底壁１０９は、チャンバ２０の底壁２５の近傍に当該底壁２５に沿って配置されており、遮蔽空間１０７は、遮蔽部１００の側壁１０１〜１０４および底壁１０９とチャンバ２０の側壁２１〜２４および底壁２５との間の空間となる。
【００５０】
また、上記第１実施形態では、遮蔽部１００の上面とオートカバー１２０との間はラビリンス機構３０１やＯリング４１１などのシール手段によってシールされているのに対して、この第２実施形態では、ラビリンス機構３０１やＯリング４１１のようなシール手段は備えられていない。すなわち、オートカバー１２０の内壁に取り付けられた突出部３００は備えられておらず、したがって遮蔽部１００の上面とオートカバー１２０との間は隙間があいたままとなっている。
【００５１】
以上のことから、この第２実施形態では、遮蔽部１００によって区画された収容空間１０５と遮蔽空間１０７とは、遮蔽部１００の下面において連通されているのではなく、遮蔽部１００の上面において連通されていると言える。
減圧ポンプ３１が連結されている排気管３０は、遮蔽空間１０７に直結している。したがって、減圧ポンプ３１が駆動されると、遮蔽空間１０７内の空気が排気管３０に吸引される。これに伴って、収容空間１０５内の空気は、遮蔽部１００の上面から遮蔽空間１０７に吸い込まれ、収容空間１０５から遮蔽空間１０７に向く気流４３０が生じる。この気流４３０は、遮蔽空間１０７から収容空間１０５への空気の流れを阻止しているから、実質的に、遮蔽部１００とオートカバー１２０との間の隙間をシールする機能を果たしている。したがって、リップパッキン１２３のシール面１２３ａの隙間から外気がチャンバ２０内に吸い込まれても、上記気流４３０によって当該外気は収容空間１０５に導かれるのを阻止され、そのまま遮蔽空間１０７を通って排気管３０に吸い込まれる。よって、外気が収容空間１０５内に収容されているウエハＷに当たることがない。
【００５２】
以上のようにこの第２実施形態によっても、外気がウエハＷに直接当たるのを防止できるから、乾燥処理を良好に行うことができ、したがって高品質なウエハＷの提供に貢献できる。
図９は、本発明の第３実施形態の基板処理装置である減圧乾燥部の概略断面図である。図９において、図６と同じ機能部分については同一の参照符号を使用する。
【００５３】
なお、この第３実施形態では、上記第１実施形態において説明した遮蔽部１００の構成および遮蔽部１００に関連する構成をベースにしているが、上記図７に示した構成、および上記第２実施形態において説明した構成をベースにしてもよいのはもちろんである。
上記実施形態では、チャンバ２０の底壁２５に連結された排出路２６の途中部に排気管３０が連結され、チャンバ２０の上方から下方に向く気流を発生させているのに対して、この第３実施形態では、チャンバ２０の側壁２４の上部に排気管３０が連結され、チャンバ２０の下方から上方に向く気流を発生させている。具体的には、排気管３０は、側壁２４の上部であって、かつリップパッキン１２３が設けられている位置の近傍に配置されている。
【００５４】
この構成では、減圧ポンプ３１が駆動されると、チャンバ２０の下方から遮蔽部１００の側壁１０４とチャンバ２０の側壁２４との間を通って排気管３０に向く気流４４０が発生する。また、この気流４４０には、遮蔽部１００の下面に向けて下降し、さらに連通口１０８から遮蔽部１００の側壁１０４とチャンバ２０の側壁２４との間に導かれる収容空間１０５内の空気も含まれる。一方、排気管３０が連結されている側壁２４側のリップパッキン１２３のシール面１２３ａの隙間からチャンバ２０内に吸い込まれた外気は、ラビリンス機構３０１によって収容空間１０５内に侵入するのが阻止されるから、遮蔽空間１０７に導かれ、その後すぐに、排気管３０に吸い込まれる。また、排気管３０が連結されていない側壁２１〜２３側から吸い込まれた空気は、遮蔽部１００の側壁１０１〜１０３に沿って排気管３０に吸引されていく。
【００５５】
以上のように第３実施形態によれば、排気管３０をチャンバ２０の側壁２４の上部であって、かつリップパッキン１２３の近傍に連結しているから、チャンバ２０内に吸い込まれた外気をすぐに回収することができる。したがって、上記実施形態に比べてウエハＷに外気が当たる可能性をさらに低くすることができるから、乾燥処理を一層良好に行うことができる。よって、一層高品質なウエハＷを提供することができる。
【００５６】
本発明の実施の形態は以上のとおりであるが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではない。たとえば、上記実施形態では、オートカバー１２０は、チャンバ２０の上端に取り付けられた支点部１２１を支点にして開閉できるようになっているが、たとえば上下方向に開閉できるようなものであってもよい。この場合、遮蔽部１００をチャンバ２０内に固定するのではなく、たとえばオートカバー１２０に固定するようにしてもよい。この構成によれば、オートカバー１２０と遮蔽部１００との間に隙間が形成されることはない。すなわち、収容空間１０５内に外気が入り込む可能性のある経路を１つなくすことができるから、外気がウエハＷに直接当たるのを一層確実に防止することができる。
【００５７】
また、上記実施形態では、本発明をウエハＷに処理を施す装置に適用する場合について説明しているが、本発明は、液晶表示装置用ガラス基板やＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）などの各種の被処理基板に処理を施す装置に対しても広く適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態の基板処理装置である減圧乾燥部を含むウエットステーションの全体構成を示す斜視図である。
【図２】ウエハ保持チャックを示す正面図である。
【図３】減圧乾燥部の内部構成を薬液処理部が位置する側から見た断面図である。
【図４】減圧乾燥部の内部構成をウエハ保持ロボットが位置する側から見た断面図である。
【図５】開閉機構の構成を説明するために、図４のｈ方向から見た側面図である。
【図６】減圧乾燥部の概略断面図である。
【図７】シール手段としてＯリングを用いた場合の減圧乾燥部の概略断面図である。
【図８】本発明の第２実施形態の基板処理装置である減圧乾燥部の概略断面図である。
【図９】本発明の第３実施形態の基板処理装置である減圧乾燥部の概略断面図である。
【図１０】従来の減圧乾燥部の概略断面図である。
【符号の説明】
１  ウエットステーション
１０  減圧乾燥部
２０  チャンバ（減圧処理容器）
３１  減圧ポンプ（減圧手段）
１００  遮蔽部（遮蔽手段）
１２０  オートカバー（蓋体）
１２３  リップパッキン（シール部材）
１２３ａ  シール面
３０１  ラビリンス機構（シール手段）
４１１  Ｏリング（シール手段）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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