【事件の表示】
　特願２００２−　５６９９７「半導体表面上に金属バンプを形成する方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　９月１２日出願公開、特開２００３−２５８０１４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１４年３月４日の出願であって、平成１７年８月３０日付け拒絶理由通知に対して、平成１８年３月２日付けで手続補正がされたが、平成１８年３月２２日付けで拒絶査定され、これに対し、平成１８年６月２２日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、平成１８年７月２４日付けで手続補正がされたものである。
　
第２　平成１８年７月２４日付けの手続補正についての補正却下の決定
〔補正却下の決定の結論〕
　平成１８年７月２４日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　
〔理由〕
１．本件補正前及び本件補正後の本願発明
　本件補正前後の特許請求の範囲の記載は以下のとおりである。
　
＜補正前＞
「【請求項１】
　半導体基板を覆う金属バンプを形成するための方法であって、
　前記半導体基板上に金属層を形成する工程；
　フォトレジスト層を、前記金属層を覆うように付着させる工程、ここで、前記フォトレジスト層中の開口により前記金属層は露出されている；
　前記開口により露出された前記金属層上に、１０〜１００μｍの厚さを有する銅層を付着させる工程；
　はんだ層を、前記開口中の前記銅層を覆うように付着させる工程；
　前記フォトレジスト層を除去する工程；および
　前記金属層（前記銅層の下にある金属層を除く）を除去する工程
を含む前記方法。
【請求項２】
　前記金属層が、チタンを含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
　前記フォトレジスト層が、１００〜２００μｍの厚さを有する、請求項１記載の方法。
【請求項４】
　前記銅層を付着させる工程の後に、前記開口中の前記銅層を覆うようにニッケル層を付着させる工程を更に含み、続いて、前記開口中の前記ニッケル層を覆うように前記はんだ層を付着させる工程を行う、請求項１記載の方法。
【請求項５】
　前記はんだ層が、３０〜１００μｍの厚さを有する、請求項１記載の方法。
【請求項６】
　前記ニッケル層が、１〜１０μｍの厚さを有する、請求項４記載の方法。
【請求項７】
　半導体基板を覆う金属バンプであって：
　前記半導体基板を覆う金属層；
　前記金属層を覆う銅層、ここで、前記銅層は、１０〜１００μｍの厚さを有する；
　前記銅層を覆うはんだ層
を含む前記金属バンプ。
【請求項８】
　前記金属層が、チタンを含む、請求項７記載の金属バンプ。
【請求項９】
　前記銅層及び前記はんだ層の間にニッケル層を更に含む、請求項７記載の金属バンプ。
【請求項１０】
　前記はんだ層が、３０〜１００μｍの厚さを有する、請求項７記載の金属バンプ。
【請求項１１】
　前記ニッケル層が、１〜１０μｍの厚さを有する、請求項９記載の金属バンプ。」
　
＜補正後＞
「【請求項１】
　半導体基板を覆う金属バンプを形成するための方法であって、
　前記半導体基板上に第一の金属層を付着させる工程；
　フォトレジスト層を、前記第一の金属層を覆うように形成する工程、ここで、前記フォトレジスト層中の開口により前記第一の金属層は露出されている；
　前記開口により露出された前記第一の金属層上に、１０〜１００μｍの厚さを有する銅層を付着させる工程；
　はんだ層を、前記開口中の前記銅層を覆うように付着させる工程；
　前記フォトレジスト層を除去する工程； 
　前記第一の金属層（前記銅層の下にある金属層を除く）を除去する工程；および
　前記フォトレジスト層を除去する工程の後に、前記はんだ層をリフローする工程
を含む前記方法。
【請求項２】
　前記第一の金属層が、チタンを含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
　前記フォトレジスト層が、１００〜２００μｍの厚さを有する、請求項１記載の方法。
【請求項４】
　前記銅層を付着させる工程の後に、前記開口中の前記銅層を覆うように第二の金属層を付着させる工程を更に含み、続いて、前記開口中の前記第二の金属層を覆うように前記はんだ層を付着させる工程を行う、請求項１記載の方法。
【請求項５】
　前記はんだ層が、３０〜１００μｍの厚さを有する、請求項１記載の方法。
【請求項６】
　前記第二の金属層が、１〜１０μｍの厚さを有する、請求項４記載の方法。
【請求項７】
　前記第二の金属層がニッケルを含む、請求項４記載の方法。
【請求項８】
　前記フォトレジスト層を除去する工程の後に、前記第二の金属層の端と前記銅層の端との間の距離が０．２μｍより大きくなるまで、前記銅層をその側壁からエッチングする工程を更に含む、請求項４記載の方法。」
　
２．補正の適否
（１）補正後の請求項１に係る補正事項
　本件補正は、補正前の請求項１に「前記フォトレジスト層を除去する工程の後に、前記はんだ層をリフローする工程」を付加する点（以下、「本件補正事項１」という。）を含むものであるが、補正前の請求項１には、その発明を特定するために必要な事項としての「はんだ層をリフローする工程」が記載されておらず、してみると、上記本件補正事項１が、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号にいう「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものに該当しないことは明らかであるし、請求項の削除、誤記の訂正及び明りょうでない記載の釈明のいずれを目的とするものにも該当しないことは明らかである。
　
（２）補正後の請求項４に係る補正事項
　本件補正は、補正前の請求項４記載の「ニッケル層」を、これに対応する補正後の請求項４記載の「第二の金属層」に補正する点（以下、「本件補正事項２」という。）を含むものであるが、これは補正前の請求項４に係る発明の発明特定事項である「ニッケル層」を、ニッケル以外の金属材料からなるものを含みうる「第二の金属層」にまで拡張したものであるから、上記本件補正事項２が特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当しないことは明らかであるし、請求項の削除、誤記の訂正及び明りょうでない記載の釈明のいずれを目的とするものにも該当しないことは明らかである。
　なお、補正後の請求項４は、補正前の請求項１に「前記銅層を付着させる工程の後に、前記開口中の前記銅層を覆うように第二の金属層を付着させる工程を更に含み、続いて、前記開口中の前記第二の金属層を覆うように前記はんだ層を付着させる工程を行う」点を付加したものともいえるが、補正前の請求項１には、その発明を特定するために必要な事項としての「第二の金属層を付着させる工程」がそもそも記載されておらず、してみると、補正前の請求項１に「前記銅層を付着させる工程の後に、前記開口中の前記銅層を覆うように第二の金属層を付着させる工程を更に含み、・・・前記はんだ層を付着させる工程を行う」点を付加することは、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号にいう「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものに該当しないことは明らかであるし、請求項の削除、誤記の訂正及び明りょうでない記載の釈明のいずれを目的とするものにも該当しないことは明らかである。
　
（３）補正後の請求項８に係る補正事項
　本件補正は、補正前の請求項４に「前記フォトレジスト層を除去する工程の後に、前記第二の金属層の端と前記銅層の端との間の距離が０．２μｍより大きくなるまで、前記銅層をその側壁からエッチングする工程」を付加する点（以下、「本件補正事項３」という。）を含むものであるが、補正前の請求項４には、その発明を特定するために必要な事項としての「銅層をその側壁からエッチングする工程」が記載されておらず、してみると、上記本件補正事項３が、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号にいう「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものに該当しないことは明らかであるし、請求項の削除、誤記の訂正及び明りょうでない記載の釈明のいずれを目的とするものにも該当しないことは明らかである。
　
（４）本件補正についてのむすび
　したがって、上記本件補正事項１〜３は、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定に違反するので、上記本件補正事項１〜３を含む本件補正は、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１．本願発明
　平成１８年７月２４日付け手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜１１に係る発明は、平成１８年３月２日付け手続補正により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜１１に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項７に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
　
「【請求項７】
　半導体基板を覆う金属バンプであって：
　前記半導体基板を覆う金属層；
　前記金属層を覆う銅層、ここで、前記銅層は、１０〜１００μｍの厚さを有する；
　前記銅層を覆うはんだ層
を含む前記金属バンプ。」
　
２．引用例及びその記載事項並びに引用発明
（１）これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開平１１−１６３０１９号公報（以下、「引用例」という。）には、図２及び図３とともに、以下の事項が記載されている。
　
〔１ａ〕「【請求項１】半導体基板上に回路を構成する素子が形成され、かつ回路の入出力および電源電圧を供給するためのパッドを有する半導体装置において、上記半導体基板のパッド電極部に金属メッキバンプと半田バンプが二層に形成されていて、前記金属メッキバンプの水平寸法にたいして、高さ寸法が１．５倍以上有ることを特徴とする半導体装置。
　【請求項２】請求項１記載の半導体装置において、上記金属メッキバンプは厚み３５〜１２０ミクロンメータの金属で形成されてなることを特徴とする半導体装置。
　【請求項３】請求項１記載の半導体装置において、上記金属メッキバンプ層はＣｕ，Ａｕ，Ｐｔ，Ａｇ，Ｐｄ，等柔らかい金属で形成されてなることを特徴とする半導体装置。
　【請求項４】請求項１記載の半導体装置おいて、上記金属メッキバンプは上記半導体基板上に形成された有機樹脂層の開口部に、金属メッキにより形成され、前記有機樹脂層を残す構造となっている事を特徴とする半導体装置。」（【特許請求の範囲】の【請求項１】〜【請求項４】）
　
〔１ｂ〕「【発明の属する技術分野】
　本発明は、半導体装置の外部接続技術、及び半導体装置のパッケージ技術に関する。」（【０００１】）
　
〔１ｃ〕「【課題を解決するための手段】
　本発明は、半田バンプの下に金属メッキバンプを形成し完全な二層構造とし、前記金属メッキバンプは実装時のストレスを緩和するために、バンプの水平寸法にたいして、高さ寸法が１．５倍以上有る構造とし、金属メッキバンプ自身により回路基板との熱膨張係数の差による応力を吸収できるようにしたものである。また、金属メッキバンプに使用する金属は金属の中で相対的に柔らかいものを選択する事により、より効果が高まるものである。上記手段により、回路基板上に実装した場合の半導体基板と回路基板との熱膨張係数の差によるストレスの応力を金属メッキバンプ部分で緩和でき、信頼性上の問題を無くし実用可能とするものである。」（【０００４】）
　
〔１ｄ〕「（第一実施形態）
　図２は、本発明を適用して有効な半導体装置を回路基板に半田溶融させて実装した一例の断面図である。この実施例の半田バンプは半導体基板１１の上に形成された後、製品用回路を組むための回路基板１９の上に形成された金属配線１８に接続される。図２では狭い範囲の図となっているが、回路基板１９には幾つかの半導体装置が実装され製品となるものである。この実施例の半導体装置は断面図にしめすように、バンプの水平寸法にたいして、高さ寸法が１．５倍以上有る構造となった金属メッキバンプの上に半田バンプが形成されているものである。
　次に、図３を参照しながら、上記実施例の半導体装置の製造プロセスの一例について説明する。なお、半導体基板上に回路を構成する工程は従来の半導体装置のプロセスと同様であるので説明を省略し、パッシベーション膜形成後のプロセスを説明する。図３（１）の工程は、パッシベーション膜１３を形成しアルミパッド１４に対応した部分に開口部をあけられた後、スパッタ法によりパッシベーション膜１３の上にＴｉとＣｕからなるアンダーバリア層２１を形成する。次に、前記アンダーバリア層２１の上にフォトレジスト膜２２を形成し、所定の工程を経て、選択メッキを行うための開口部２３を形成する。しかる後、図３（２）に示すように、銅メッキを行い銅メッキバンプ２４を形成する。この時のメッキ厚さは、バンプのアスペクト比１．５以上となるように決めるが、３５〜１２０ミクロンが最適である。続いて、上記銅メッキバンプ２４の上に二層目の半田層２５を、メッキ、又は半田ペースト印刷により形成する。次に、熱処理によりウェトバックを行い、球形の半田バンプ２６が図３（３）に示すように形成される。しかる後、フォトレジスト膜２２の剥離を行い、図３（４）のように半導体装置が完成される。上記プロセスに従うと応力緩和構造をした金属メッキバンプを有する半導体装置が得られ、実装時のストレスを金属メッキバンプ部分で緩和できるものである。」（【０００６】）
　
〔１ｅ〕図２には、シリコン基板１１上のアルミパッド１４上にアンダーバリア層２１が配置されること、該アンダーバリア層２１上に金属メッキバンプ２４が配置されること、及び該金属メッキバンプ２４上に球形の半田バンプ２６が形成されることがそれぞれ示されている。
　
（２）引用例の摘記事項〔１ａ〕〜〔１ｅ〕及び図２及び図３を総合勘案すると、引用例には、次の発明が記載されていると認められる。
　
「半導体基板上に回路を構成する素子が形成され、かつ回路の入出力および電源電圧を供給するためのアルミパッドを有する半導体装置において、
　該アルミパッド上に形成されたＴｉとＣｕからなるアンダーバリア層と、
　該アンダーバリア層上に銅メッキを行って形成され、水平寸法にたいして、高さ寸法が１．５倍以上あり、かつ厚みが３５〜１２０ミクロンメータの金属メッキバンプと、
　該金属メッキバンプ上に形成された球形の半田バンプと、
を具えた半導体装置。」
　
　ここで、「アンダーバリア層」、「金属メッキバンプ」及び「球形の半田バンプ」からなるものを「端子構造」というと、引用例には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「半導体基板上に回路を構成する素子が形成され、かつ回路の入出力および電源電圧を供給するためのアルミパッドを有する半導体装置の上記アルミパッド上に形成される端子構造において、
　上記アルミパッド上に形成されたＴｉとＣｕからなるアンダーバリア層と、
　該アンダーバリア層上に銅メッキを行って形成され、水平寸法にたいして、高さ寸法が１．５倍以上あり、かつ厚みが３５〜１２０ミクロンメータの金属メッキバンプと、
　該金属メッキバンプ上に形成された球形の半田バンプと、
を具えた端子構造。」
　
３．対比・判断
　そこで、本願発明と引用発明とを対比すると、引用発明における「半導体基板」、「端子構造」、「ＴｉとＣｕからなるアンダーバリア層」及び「球形の半田バンプ」は、本願発明における「半導体基板」、「金属バンプ」、「金属層」及び「はんだ層」に相当する。
　また、引用発明における「銅メッキを行って形成され、水平寸法にたいして、高さ寸法が１．５倍以上あり、かつ厚みが３５〜１２０ミクロンメータの金属メッキバンプ」は、本願発明における「銅層」に対応する。
　さらに、引用発明において、上記端子構造が半導体基板上のアルミパッド上に形成される点、上記アンダーバリア層が上記半導体基板上のアルミパッド上に形成される点、上記金属メッキバンプが上記アンダーバリア層上に形成される点、及び上記球形の半田バンプが上記金属メッキバンプ上に形成される点は、本願発明において、金属バンプが半導体基板を覆う点、金属層が半導体基板を覆う点、銅層が金属層を覆う点、及びはんだ層が銅層を覆う点にそれぞれ相当する。
　
　そうすると、本願発明と引用発明とは次の点で一致する。
　
＜一致点＞
「半導体基板を覆う金属バンプであって：
　前記半導体基板を覆う金属層；
　前記金属層を覆う銅層；
　前記銅層を覆うはんだ層を含む前記金属バンプ。」
　
　一方で、本願発明と引用発明とは、次の点で相違する。
　
＜相違点＞
　金属層を覆う銅層の厚さが、本願発明では、「１０〜１００μｍ」であるのに対して、引用発明では、「３５〜１２０ミクロンメータ」である点。
　
　そこで、上記相違点について検討する。
　
＜相違点について＞
　まず、引用発明においては、銅層の厚さが「３５〜１２０ミクロンメータ」と規定されているが、「ミクロンメータ」が「μｍ」を意味することは明らかである。そうすると、本願発明と引用発明とは、その銅層の厚さの範囲について、「３５〜１００μｍ」の範囲で一部重複しているといえる。
　そこで、引用発明における銅層の厚さの範囲「３５〜１２０μｍ」を、この範囲と一部重複する本願発明の「１０〜１００μｍ」の範囲に変更することを当業者が容易になし得たか否かについて、以下検討する。
　
　引用例の摘記事項〔１ｃ〕、〔１ｄ〕の記載によれば、引用発明は、実装時のストレスを緩和するために、金属メッキバンプの水平寸法にたいして、高さ寸法が１．５倍以上有る構造とし、金属メッキバンプ自身により回路基板との熱膨張係数の差による応力を吸収できるようにしたものであるから、このような目的を達成できる範囲で、金属メッキバンプ、即ち銅層の厚さを適宜設定することに格別の困難性は見い出せないし、しかも、本願発明の銅層の厚さ範囲の下限及び上限である「１０μｍ」及び「１００μｍ」の値に格別の臨界的意義があるとも認められないので、引用発明における銅層の厚さの範囲「３５〜１２０μｍ」を、この範囲と一部重複する本願発明の「１０〜１００μｍ」の範囲に変更することは、当業者が適宜なし得た設計的事項である。
　
　したがって、本願発明は、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、本願の請求項７に係る発明（本願発明）は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　したがって、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。