【事件の表示】
　平成１０年特許願第２６０２９６号「露光装置、露光量関数設定方法及び露光方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　３月３１日出願公開、特開２０００−　９１２１０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１０年９月１４日に出願した特願平１０−２６０２９６号であって、平成１９年７月３１日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、平成１９年９月２０日付けで拒絶査定不服審判の請求がなされ、同日付けで手続補正がなされ、平成２０年９月３０日付けで当審において平成１９年９月２０日付けの手続補正を却下し、同日付けで拒絶理由の通知をし、これに対して平成２０年１２月１７日付けで意見書が提出され、同日付けで手続補正がなされたものである。
　
 第２　本願発明  
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２０年１２月１７日付け手続補正により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項に特定される次のとおりのものである。
　
「線幅及びレジスト塗布前の基板反射率から露光量を求める露光量関数が記憶された露光量関数記憶部と、
　露光光を出射する光源と、
　線幅及び基板反射率を入力し、該入力された線幅及び基板反射率と前記露光量関数記憶部に記憶された前記露光量関数を用いて露光量を決定して前記光源から出射される光量を制御し、その光量を変化させることなく１枚の基板全体の露光を行う制御部とを有し、
　前記露光量関数は、露光量をＤ、レジスト塗布前の基板反射率をＲ、線幅をＬｐとしたときに、Ｄ＝αＲ２＋βＲ＋γ−Ｌｐ（但し、α，β，γはいずれも係数）で表されることを特徴とする露光装置。」
　
第３　引用例
１　引用例１
　当審で通知した拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平１０−１７２８８７号公報（以下、「引用例１」という）には、次の事項が記載されている。（後述の「２　引用発明の認定」において直接引用した記載に下線を付した。また、丸囲みの数字は、半角のカッコで囲んで記した。）
　
「【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するための本発明に係るフォトリソグラフィーの露光方法は、半導体基板を順次脱水ベーク処理、ＨＭＤＳ処理、プリベーク処理、レジストコート処理、露光、現像、ポストベーク処理を行う事で所望寸法から成るレジストパターン形成を行う工程の一環として、ステップ　アンド　リピート法を用いた
縮小投影露光装置にてｇ線、ｉ線、Ｘ線、Ｋｒｆ等の露光波長の如何に係わらず特定単波長、もしくは広帯域幅波長を用い、レチクルを透過、照射を行う事で所望寸法の得られる露光を行うフォトリソグラフィーの露光方法に於いて、予め実験にて露光を行う半導体基板の工程のウエーハを用い、反射率と線幅との相関係数、及び露光量と線幅との相関係数を求め、これらの相関係数より露光時の補正量を算出し、露光装置に入力を行う工程と、ステップ　アンド　リピート法にて露光を行う際、各露光ショットの露光に先立って各露光ショット毎に半導体基板の反射率を投影レンズを透過した状態（ＴＴＬ　ＯＮ　ＬＥＮＳ）で、もしくは透過しない状態（ＴＴＬ　ＯＦＦ　ＬＥＮＳ）の何れかで測定する工程と、前記の工程で測定した反射率と前記補正量とを用いて、各露光ショット単位で露光の補正を行って露光を行う工程
【００１１】
【作用】反射率の異なる半導体基板上に同一寸法からなるレジストパターン形成を行うにあたっては、露光量を増減させる事で任意に制御可能である。依って、同一寸法のえられる反射率の異なる半導体基板毎での露光量が求められれば、縮小投影露光による各露光ショット単位の露光前に反射率測定を行い、前記相関係数を露光量にフィードバックする事により容易に同一寸法から成るレジストパターンを反射率の異なる半導体基板内全面に均一に形成可能となる。
【００１２】
【発明の実施の形態】本実施形態に於いては、露光装置にｉ線波長を用いたステップ　アンド　リピート法による縮小投影露光装置を用いた場合を例に採り、グローバルアライメント方法（統計計算による重ね合せ補正）を用い、且つ各露光ショット単位で露光ショット領域の傾斜補正を行うレベリング補正を行う場合の露光方法を例に採り説明する。
【００１３】全般的な工程フローは図１に示す通りである。本実施形態に於けるレジスト膜厚設定は、レジスト膜自体が抱えているバルク効果、膜内多重反射効果等と言った定在波効果、ならびに半導体基板上に形成された段差構造を考慮して１．２ミクロン膜厚に設定を行った場合を例に採り記述する。尚、工程(1)から工程(4)、及び工程(6)から工程(8)までの処理は、図３に示す従来のものと同様であるので、その詳細な説明は省略する。
【００１４】工程(5)の露光に際しては先ず始めに、（１）工程ではウエーハ内に任意設定を行ったショットのアライメント計測を行った後に統計計算にてウエーハの収縮率、Ｘ、Ｙ方向のズレ量を割出し、補正を行う。（２）工程では、各露光ショット単位にて露光領域の傾斜成分の計測を行い、ウエーハ基板を保持しているウエーハステージを動作させる事で最も平坦度が良好な状態に傾斜補正を行う。
【００１５】（３）工程では、投影レンズを透過した状態（ＴＴＬ　ＯＮ　ＬＥＮＳ）にて計測を行うか、もしくは透過しない状態（ＴＴＬ　ＯＦＦ　ＬＥＮＳ）の何れかの方法にて各露光ショットの最適フォーカス点の計測を行い、ウエーハ基板を保持しているウエーハステージを上下駆動させる事でベストフォーカス状態に保持する。
【００１６】次の工程が本実施例の最も特徴とする処であり、（４）工程では縮小投影露光装置に反射率測定機構を設け、投影レンズを透過した状態（ＴＴＬ　ＯＮ　ＬＥＮＳ）にて計測を行うか、もしくは透過しない状態（ＴＴＬ　ＯＦＦ　ＬＥＮＳ）の何れかの方法にて各露光ショット毎の反射率の測定を行う。この際の計測としては、レジスト膜の感光を防止する事を目的とし、露光波長とは異なる単波長、もしくは広帯域幅の波長を用いて計測を行う。
【００１７】次に、予め実験にて求めた反射率と線幅の相関関係、及び露光量変化による線幅変動率（露光量と線幅との相関関係）から露光補正係数を求め、露光装置の露光制御系に入力を行っておき、本補正係数を基に適正露光量を自動計算した後に（５）露光工程を行う。前記補正方法の１実施例として多結晶ポリシリコン膜を成膜した半導体基板上
での実験結果による例を採り図２を用いて説明する。」
　
２　引用発明の認定
　上記「１　引用例１」の記載事項から、引用例１には、露光装置に関して
「縮小投影露光装置にてｇ線、ｉ線、Ｘ線、Ｋｒｆ等の露光波長の如何に係わらず特定単波長、もしくは広帯域幅波長を用い、レチクルを透過、照射を行う事で所望寸法の得られる露光を行うフォトリソグラフィーの露光方法に於いて、予め実験にて露光を行う半導体基板の工程のウエーハを用い、反射率と線幅との相関係数、及び露光量と線幅との相関係数を求め、これらの相関係数より露光時の補正量を算出し、露光装置に入力を行う工程と、ステップ　アンド　リピート法にて露光を行う際、各露光ショットの露光に先立って各露光ショット毎に半導体基板の反射率を投影レンズを透過した状態（ＴＴＬ　ＯＮ　ＬＥＮＳ）で、もしくは透過しない状態（ＴＴＬ　ＯＦＦ　ＬＥＮＳ）の何れかで測定する工程と、前記の工程で測定した反射率と前記補正量とを用いて、各露光ショット単位で露光の補正を行って露光を行う工程からなる露光方法を実施するための露光装置。」の発明（以下、「引用発明」という）が記載されている。
　
３　引用例２
　当審で通知した拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平７−２６３３３３号公報（以下、「引用例２」という）には、次の事項が記載されている。
　
「【００１２】反射率γに対する適正な露光時間Ｚは、微細線幅が反射率と比例関係にあるため、図４に示された露光限界曲線上でＸとＹの間に設定される。変化した反射率γと上記基準反射率αとの差（γ−α）と、上記比較露光時間Ｙと基準露光時間Ｘとの差Ｙ−Ｘを乗じた値を、上記比較反射率βと基準反射率αとの差（β−α）で割った値に基準露光時間Ｘを加えた時間を新たな露光時間Ｚとする。この関係式を数１に示す。 
 【００１３】 
 【数１】 
 　Ｚ＝Ｘ＋（γ−α）×（Ｙ−Ｘ）／（β−α） 
 　ロット単位ごとに工程を進めて、最初の１枚を用いて測定して、反射率γに対して全体のウェハについての新たな露光時間Ｚを求め、その時間Ｚだけ露光させる。この場合、ロット間の微細線幅のばらつきはほとんどなくなり、それぞれのロットごとに条件を設定する必要がなくなる。結局、微細線幅測定周期を減少させながらも均一な微細パターンを調整することを可能にする。このとき、反射率をステッパ装置の整列（アラインメント）待機時に測定すれば、所用時間が余分にかかることはなく、線幅測定時に主として利用される装置である走査型電子顕微鏡のところでのボトルネック現象を減少させることができる 。」
　
第４　対比
１　対比
　引用発明と本願発明を対比する。
　
　引用発明の「予め実験にて露光を行う半導体基板の工程のウエーハを用い、反射率と線幅との相関係数、及び露光量と線幅との相関係数を求め、これらの相関係数より露光時の補正量を算出」の記載から、引用発明においても、線幅、半導体基板の反射率及び露光量の相関関係を求め、それら相互の相関係数から露光量を求めているものであるから、「線幅及び基板反射率から露光量を求めるための反射率／線幅／露光量の相互の関係」が設定され、記憶されているものであるといえる。したがって、引用発明の「予め実験にて露光を行う半導体基板の工程のウエーハを用い、反射率と線幅との相関係数、及び露光量と線幅との相関係数を求め、これらの相関係数より露光時の補正量を算出」することと、本願発明の「線幅及びレジスト塗布前の基板反射率から露光量を求める露光量関数が記憶された露光量関数記憶部」を有することは、「線幅及び基板反射率から露光量を求めるための反射率／線幅／露光量の相互の関係の記憶部」を有する点で一致している。
　
　引用発明の「縮小投影露光装置にてｇ線、ｉ線、Ｘ線、Ｋｒｆ等の露光波長の如何に係わらず特定単波長、もしくは広帯域幅波長を用い、レチクルを透過、照射を行う事で所望寸法の得られる露光を行う」ことは、本願発明の「露光光を出射する光源」を有することに相当する。
　
　引用発明の「反射率と線幅との相関係数、及び露光量と線幅との相関係数を求め、これらの相関係数より露光時の補正量を算出し」「前記の工程で測定した反射率と前記補正量とを用いて、各露光ショット単位で露光の補正を行」うことと、本願発明の「線幅及び基板反射率を入力し、該入力された線幅及び基板反射率と前記露光量関数記憶部に記憶された前記露光量関数を用いて露光量を決定して前記光源から出射される光量を制御」することとは、「基板反射率を入力し、該入力された基板反射率と前記露光量関数記憶部に記憶された反射率／線幅／露光量の相互の関係を用いて露光量を決定して前記光源から出射される光量を制御」することで一致している。
　
　
２　一致点
　したがって、本願発明と引用発明は、
「線幅及び基板反射率から露光量を求める反射率／線幅／露光量の相互の関係が記憶された記憶部と、
　露光光を出射する光源と、
　基板反射率を入力し、該入力された基板反射率と前記記憶部に記憶された前記反射率／線幅／露光量の相互の関係を用いて露光量を決定して前記光源から出射される光量を制御する露光装置。」の発明である点で一致し、次の各点で相違している。
　
３　相違点
（１）相違点１；
　基板反射率として、本願発明が「レジスト塗布前」の基板反射率を用いているのに対して、引用発明においてはその点の限定がない点。
　
（２）相違点２；
　反射率／線幅／露光量の相互の関係を、本願発明が、「露光量をＤ、レジスト塗布前の基板反射率をＲ、線幅をＬｐとしたときに、Ｄ＝αＲ２＋βＲ＋γ−Ｌｐ（但し、α，β，γはいずれも係数）で表される」露光量関数として記憶しているのに対して、引用発明においてはその点の限定がない点。
　
（３）相違点３；
　露光量を求めるためのパラメータとして基板反射率に加え、本願発明は「線幅」も入力しているのに対して、引用発明においてはその点の限定がない点。
　
（４）相違点４；
　露光量を補正する（変化させる）単位として、本願発明においては「１枚の基板全体」であるのに対し、引用発明においては「露光ショット単位」である点。
　
第５　当審の判断
１　上記の相違点について検討する。
　
（１）相違点１について
　基板反射率と露光量の関係を求める際に、基板反射率として「レジスト塗布前」に測定した反射率を用いることは、例えば、原査定の拒絶の理由に引用された特開平２−２３１７０６号公報（第２ページ右下欄第７行〜第３ページ左上欄第２行、第３ページ右上欄第７〜２０行の記載参照）にも記載されているように周知の技術である。
　引用発明においても、上記周知技術を適用して、基板反射率として「レジスト塗布前」に測定した反射率を用いることとし、上記相違点１に係る本願発明の発明特定事項を得ることは当業者が容易になし得たことである。
　
（２）相違点２について
　引用例２の上記記載事項から、引用例２には、新たな露光時間、基準露光時間、比較露光時間、基準反射率、比較反射率の関係を関数で規定したものが記載されており、複数の物理量の相互関係を関数で規定することは周知の技術である。 
 　すなわち、複数の物理量の間に、相互の関係がある場合に、その関係を、近似式等の関数を用いて設定して記憶しておき、１つの物理量を求める際に、該関数に他の（残りの）物理量を入力して求めることは、種々の技術分野で用いられている周知技術であるといえ、引用発明においても該周知技術を採用することに格別の困難性は認められない。
　そして、該周知技術の採用に際して、近似式を、２次の項、１次の項及び定数項で作成することは、周知の技術事項であるから、露光量に線幅を加えた値を、基板反射率の２次項、１次項及び定数項を用いて求める近似式を作成し、上記相違点２に係る本願発明の発明特定事項を得ることは当業者が容易になし得たことである。
　
（３）相違点３について
　３つの物理量の間に相互の関係が認められ、その３つの物理量のうちの２つの物理量（以下、それぞれ、「変数１」「変数２」という。）から残りの１つの物理量（以下「出力値」という。）を求める場合に、変数１及び変数２の両方を入力して出力値を出力するか、変数１と変数２の関係を求めて１つの変数のみを入力して出力値を出力できるようにするかは、当業者が必要に応じて適宜選択し得る事項である。
　引用発明においても、変数である反射率と線幅の関係を求めて、入力する変数を反射率のみとすることに代えて、変数である反射率と線幅の両者を入力するように設定し、上記相違点３に係る本願発明の発明特定事項を得ることは当業者が容易になし得たことである。
　
（４）相違点４について
　露光量の補正をどの単位で行うかは、基板における線幅や反射率の偏り等に起因する露光量補正の要請と、露光量を補正することによる生産効率の低下等を勘案して、当業者が適宜設定し得る事項である。
　したがって、基板の露光における各種の要請や条件に応じて、引用発明においても、「露光ショット単位」の露光量補正に代えて、「１枚の基板全体」を単位とする露光補正を採用し、上記相違点４に係る本願発明の発明特定事項を得ることは当業者が容易になし得たことである。
　
２　本願発明が奏する作用効果
　そして、本願発明によってもたらされる効果は、引用発明及び上記周知技術から当業者が予測し得る程度のものである。
　
３　まとめ
　したがって、本願発明は、引用例１に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明することができたものである。 
　
第６　むすび
　以上より、本願発明は、引用例１に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。