【事件の表示】
　特願２００２−２４１４１２「プラズマ処理方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　３月１１日出願公開、特開２００４−　７９４５３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、平成１４年８月２２日の出願であって、平成１９年１１月１４日付けで拒絶理由が通知され、平成２０年６月４日付けで拒絶査定がなされた。
　本件は、前記拒絶査定を不服として平成２０年７月１０日に請求された拒絶査定不服審判事件である。
　
２　本願発明
　本願の請求項１に係る発明は、平成１９年９月２７日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された技術的事項により特定されるとおりのものと認められ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりである。
「処理室と、この処理室の内面に装着され前記処理室への汚染物の付着を防止する防着部材と、前記処理室内に配置された電極と、前記処理室内を真空排気する真空排気部と、前記処理室内にプラズマ発生用ガスを供給するガス供給部と、前記電極に高周波電圧を印加する高周波電源部とを備えたプラズマ処理装置によるプラズマ処理方法であって、前記処理室内を真空排気する真空排気工程と、真空排気後の処理室内にプラズマ発生用ガスを供給するガス供給工程と、前記電極に高周波電圧を印加することによりプラズマ放電を発生させて前記処理室内に載置された処理対象物のプラズマ処理を行うプラズマ処理工程とを含み、プラズマ放電開始に先立って前記プラズマ発生用ガスの流量を所与のプラズマ処理条件によって規定されるプラズマ処理圧力に基づいて設定し、プラズマ放電開始後に処理室内の圧力を検出しこの検出結果に基づいてプラズマ発生用ガスの流量を調整することにより、プラズマ処理過程において処理対象物の表面から除去された汚染物や処理対象物の微粒子が前記防着部材に堆積して形成された堆積層から放出されるガスによる処理室内の圧力上昇分を補正することを特徴とするプラズマ処理方法。」
　
３　本願出願前に頒布された刊行物
３−１　引用例１
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開２００２−１８２７５号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに以下の技術的事項の記載がある。
３−１−ａ　【特許請求の範囲】の欄
「【請求項１】ワークが収納されるチャンバと、チャンバ内を真空吸引する真空吸引手段と、チャンバ内にプラズマ発生用ガスを供給するガス供給手段と、チャンバに設けられた電極に高周波電圧を印加することによりチャンバ内にプラズマを発生させる電源部と、チャンバの内面に内張りされた内張り部とを備え、前記内張り部の表面を粗面加工を施さない平滑面としたことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】前記内張り部が内張り板であり、スペーサを介して前記チャンバの内面に内張りされていることを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。」
３−１−ｂ　段落【０００２】〜【０００７】
「【０００２】
【従来の技術】プリント基板の回路パターンのパッドをクリーニングするために、プリント基板をプラズマクリーニングすることが知られている。プラズマ処理装置は、プリント基板をチャンバ内に収納し、チャンバ内にプラズマを発生させてプリント基板の表面に衝突させ、この表面をエッチングしてクリーニングするものである。このようなクリーニングは、ウェハなどのワークに対しても行われる。プリント基板やウェハなどのワークをプラズマクリーニングする場合、ワークの表面をエッチングしたことにより生じた細かい粒子は周囲に飛散する。そこで従来のプラズマ処理装置は、チャンバの内面にブラスト処理などの粗面加工を施すことにより、細かな凹凸のある粗面にしてその表面積を大きくしており、飛散した粒子をこの粗面に付着させるようにしていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来のプラズマ処理装置は、上述のようにチャンバの内面を表面積の大きい粗面にしていたため、この表面には上記粒子が大量に付着しやすく、更に大量に付着した粒子に湿気が付着しやすい。
【０００４】ところで、プラズマ処理は、チャンバ内を真空ポンプなどの真空吸引手段で吸引してその内圧を大巾に低下させた後、チャンバ内にプラズマ発生用ガスを送って行われる。ところが、従来のプラズマ処理装置のチャンバの内面には、大量の粒子と湿気が付着しているため、真空吸引手段による真空吸引時の排気特性が著しく低下し、その結果、チャンバ内を所定の内圧まで減圧するのに要する時間が大巾に長くなる（例えば、当初は２０秒程度で所定の内圧まで減圧できていたものが、３０秒以上を要するようになる）という問題点があった。このように真空吸引時間が長くなると、それだけプラズマ処理に要するタクトタイムも長くなり、作業能率は低下する。
【０００５】そこで本発明は、チャンバの内面に付着する粒子による真空吸引時の排気特性の低下を防止し、タクトタイムを短縮できるプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
……
【０００７】本発明によれば、チャンバの内面となる内張り部の表面は平滑面であるから、単にアルコール液などで清拭できる。したがって真空吸引時の排気特性の低下はわずかであり、短いタクトタイムでプラズマ処理を行うことができる。」
３−１−ｃ　段落【００１１】，【００１２】
「【００１１】このプラズマ処理装置は上記のような構成より成り、次に動作を説明する。上蓋２を受座３上に載置してチャンバ１内を密閉し、真空吸引手段１１によりチャンバ１内を真空吸引するとともに、ガス供給手段１２からチャンバ１内にプラズマ発生用ガスを供給する。次いで下部電極４に高周波高圧の電圧を印加する。するとチャンバ１内にプラズマが発生し、プラズマはプリント基板１３の表面に衝突してクリーニングする。
【００１２】プラズマが衝突することにより、プリント基板１３の表面はエッチングされ、エッチングにより生じた粒子は周囲に飛散して内張り板１５の内面に付着する。この場合、内張り板１５の表面は平滑面であり、その表面積は小さいので、上記従来のものよりも粒子の付着量は少なく、またこれに付着する湿気も少ない。また付着した粒子はアルコール液などの清掃液を含浸させた清掃具により簡単に清拭できる。この清拭は、適宜行えばよい。プリント基板１３のプラズマ処理は繰り返し行われ、その都度チャンバ１内を真空吸引手段１１で真空吸引するが、粒子や湿気の付着量は少ないので、排気特性の低下はわずかであり、したがって短時間でチャンバ１内を所定の内圧まで減圧することができる。」
　
　これらの記載および図面の内容からして、引用例１には以下の発明が記載されている。
「チャンバと、チャンバ内面に内張りされ前記チャンバ内面への、ワークの表面をエッチングしたことにより生じた飛散粒子の付着量を少なくする平滑な内張り部と、前記チャンバ内に設けられた電極と、前記チャンバ内を真空吸引する真空吸引手段と、前記チャンバ内にプラズマ発生用ガスを供給するガス供給手段と、前記電極に高周波電圧を印加する電源部とを備えたプラズマ処理装置によるプラズマ処理方法であって、前記チャンバ内を真空吸引するとともにガス供給手段からプラズマ発生用ガスを供給し、次いで電極に高周波高圧の電圧を印加してチャンバ内にプラズマを発生させ、チャンバ内に収納したプリント基板等のワーク表面にプラズマを衝突させてクリーニングするプラズマ処理方法。」（以下、「引用発明」という。）
　
３−２　引用例２
　同じく原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開昭５４−７７５７３号公報（以下、「引用例２」という。）には、以下の技術的事項の記載がある。
３−２−ａ　第１頁右下欄第３行〜第２頁左上欄第６行
「このプラズマエツチングに際しては、減圧されたベルジヤー内に活性ガスを導入し、このガスを高周波放電によりプラズマ化し、このプラズマ中の中性ラジカルガスによって被エツチング材（半導体ウエハ）をエツチング反応で部分的に揮発させている。エツチング特性はガス圧、電力により大きく変動する。ガス圧はガス供給量と排気量とのバランスで決まるが、このガス圧を一定にしてもガス供給量及び排気量によって状態が異なる。従ってこれらの要因を制御することが重要となる。
　このようなプラズマエツチング装置は量産性の点からかなり内容積の大きなものであり、最近の平行平板型のように内部が複雑に構成されているものもある。従って、装置内を一度常圧にすると、空気等のガスが内部の部品の壁面やベルジヤー内壁に吸着されてしまい、吸着ガスは大量なものとなる。この状態でエツチング処理すると、活性ガスをプラズマ化したときに上記の吸着ガスが大量に放出され、ベルジヤー内の圧力を上昇させることになる。この圧力上昇はエツチングの不安定要因となるので、ベルジヤー内の圧力が規定値に達するのに十数分を要し、然も再現性良く圧力を設定することができない。」
　
３−３　引用例３
　同じく原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開平６−１３３２７号公報（以下、「引用例３」という。）には、図面とともに以下の技術的事項の記載がある。
３−３−ａ　段落【０００１】〜【０００４】
「【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、例えばスパッタリング、ドライエッチングおよびＣＶＤのような薄膜の形成または加工等に用いられる半導体製造装置等において、真空チャンバー内の処理ガスの圧力を制御する装置および制御する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２に従来技術のガス圧制御装置を用いた半導体製造装置を示す。従来技術のガス圧制御装置は、圧力計３、制御ユニット４およびマスフロー５からなり、それらが真空ポンプ２を備える真空チャンバー１に図示するように接続されて半導体製造装置が形成されている。真空チャンバー１内の圧力を測定するように真空チャンバー１に取り付けられた圧力計３は制御ユニット４に電気的に接続され、制御ユニット４はマスフロー５に電気的に接続され、マスフロー５は真空チャンバー１に処理ガスを供給するように真空チャンバー１に接続されている。
【０００３】次に動作について説明する。真空チャンバー１において目的に応じた処理ガスを利用してウエハ処理を行う場合、均一の処理を行うには処理ガスの圧力を一定に維持しなくてはならない。そのために、真空チャンバー１に取り付けた圧力計３の時々刻々の指示値の情報を制御ユニット４に伝達し、制御ユニット４からその情報に応じた制御信号をマスフロー５に伝達し、マスフロー５はその制御信号に従って真空チャンバー１内の圧力が一定になるように処理ガスの流量を制御して真空チャンバー１に送り込む。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従来のガス圧制御装置では、真空チャンバー１内の全圧を測定し、その測定値により処理ガスの真空チャンバー１への導入量を制御するので、真空チャンバー１内で例えば高温が原因でアウトガスが発生して真空チャンバー１内の雰囲気が変化した場合、アウトガスの分圧をも合わせた全圧の変化に従って処理ガスの導入量を変化させることになり、処理ガスの分圧、すなわち処理ガスのみの圧力を制御することができなかった。従って、ウエハの処理を正確に制御することができなかった。」
　
４　対比（一致点・相違点）
　本願発明と上記引用発明とを対比する。
　引用発明の「チャンバ」「内張り」「ワークの表面をエッチングしたことにより生じた飛散粒子」「真空吸引」「プリント基板等のワーク」「ワーク表面にプラズマを衝突させてクリーニングする」が、本願発明の「処理室」「装着」「汚染物」「真空排気」「処理対象物」「プラズマ処理」に相当すること、また、引用発明の「電源部」は、電極に高周波電圧を印加するものであることから、本願発明の「高周波電源部」に相当することは明らかである。
　そうすると、引用発明の「チャンバ内を真空吸引するとともにガス供給手段からプラズマ発生用ガスを供給」することが、本願発明の「処理室内を真空排気する真空排気工程と、真空排気後の処理室内にプラズマ発生用ガスを供給するガス供給工程」に相当すること、ならびに、引用発明の「電極に高周波高圧の電圧を印加してチャンバ内にプラズマを発生させ、チャンバ内に収納したプリント基板等のワーク表面にプラズマを衝突させてクリーニングする」ことが、本願発明の「電極に高周波電圧を印加することによりプラズマ放電を発生させて前記処理室内に載置された処理対象物のプラズマ処理を行うプラズマ処理工程」に相当することも、当業者の技術常識からして明らかである。
　
　そうすると、本願発明と引用発明とは、
（一致点）
「処理室と、この処理室の内面に装着され前記処理室への汚染物の付着を防止する防着部材と、前記処理室内に配置された電極と、前記処理室内を真空排気する真空排気部と、前記処理室内にプラズマ発生用ガスを供給するガス供給部と、前記電極に高周波電圧を印加する高周波電源部とを備えたプラズマ処理装置によるプラズマ処理方法であって、前記処理室内を真空排気する真空排気工程と、真空排気後の処理室内にプラズマ発生用ガスを供給するガス供給工程と、前記電極に高周波電圧を印加することによりプラズマ放電を発生させて前記処理室内に載置された処理対象物のプラズマ処理を行うプラズマ処理工程とを含むプラズマ処理方法。」である点で一致し、次の点で相違する。
（相違点）
　本願発明は、「プラズマ放電開始に先立って前記プラズマ発生用ガスの流量を所与のプラズマ処理条件によって規定されるプラズマ処理圧力に基づいて設定し、プラズマ放電開始後に処理室内の圧力を検出しこの検出結果に基づいてプラズマ発生用ガスの流量を調整することにより、プラズマ処理過程において処理対象物の表面から除去された汚染物や処理対象物の微粒子が前記防着部材に堆積して形成された堆積層から放出されるガスによる処理室内の圧力上昇分を補正する」のに対し、引用発明にはプラズマ発生用ガスの流量，プラズマ処理圧力をはじめ、それらの制御や測定について記載がない点。
　
５　検討・判断
　上記相違点について検討する。
　引用例１には、チャンバ内表面にはエッチングによって生じた細かい粒子が付着しやすく、更に付着した粒子に湿気が付着しやすく、真空吸引手段による真空吸引時の排気特性が低下して、プラズマ処理に要するタクトタイムも長くなるという問題点の指摘とともに（前記摘記「３−１−ｂ」中の段落【０００２】〜【０００４】参照）、内張り部の表面を平滑面としても粒子の付着量は少なくなるもののアルコール液による清拭が必要であって、わずかとはいえ、真空吸引時の排気特性の低下がある（前記摘記「３−１−ｂ」中の段落【０００７】、同「３−１−ｃ」中の段落【００１２】参照）ことが記載されており、プラズマ処理過程において処理対象物の表面から除去された汚染物や処理対象物の微粒子が堆積して形成された堆積層には湿気が付着すること、その堆積量如何にかかわらず真空特性が悪化することは、引用例１が示唆する事項である。
　そして、引用例２に記載された「装置内を一度常圧にすると、空気等のガスが内部の部品の壁面やベルジヤー内壁に吸着されてしまい、吸着ガスは大量なものとなる。この状態でエツチング処理すると、活性ガスをプラズマ化したときに上記の吸着ガスが大量に放出され、ベルジヤー内の圧力を上昇させることになる。」（前記摘記「３−２−ａ」参照）との技術的事項からして、引用例１に記載されている粒子に付着した湿気は、エツチング処理中にも放出されてベルジヤー内、すなわち、処理室内の圧力を上昇させることは、当業者に明らかな事項であるといえる。
　一方、引用例３に関する前記摘記「３−３−ａ」の事項からして、引用例３には、
・真空チャンバーにおいて目的に応じた処理ガスを利用してウエハ処理を行う場合、均一の処理を行うには処理ガスの圧力を一定に維持する必要があること、
・上記処理ガスの圧力を一定に維持するために、真空チャンバーに取り付けた圧力計の時々刻々の指示値の情報を制御ユニットに伝達し、制御ユニットからその情報に応じた制御信号をマスフローに伝達し、マスフローはその制御信号に従って真空チャンバー内の圧力が一定になるように処理ガスの流量を制御して真空チャンバーに送り込むこと、
・真空チャンバー内では高温が原因でアウトガスが発生し、真空チャンバー内の雰囲気が変化する、
という技術的事項が記載されていることは明らかである。
　してみると、微粒子の堆積量にかかわらず、「プラズマ処理過程において処理対象物の表面から除去された汚染物や処理対象物の微粒子が前記防着部材に堆積して形成された堆積層から放出されるガス」に対処して処理ガスの圧力を一定に維持するため、真空チャンバーに取り付けた圧力計の時々刻々の指示値の情報を制御ユニットに伝達し、制御ユニットからその情報に応じた制御信号をマスフローに伝達し、マスフローはその制御信号に従って真空チャンバー内の圧力が一定になるように処理ガスの流量を制御して真空チャンバーに送り込むこと、すなわち「プラズマ放電開始後に処理室内の圧力を検出しこの検出結果に基づいてプラズマ発生用ガスの流量を調整することにより、プラズマ処理過程において処理対象物の表面から除去された汚染物や処理対象物の微粒子が前記防着部材に堆積して形成された堆積層から放出されるガスによる処理室内の圧力上昇分を補正する」よう構成することは当業者が容易に想到し得る事項であって、「プラズマ放電開始に先立って前記プラズマ発生用ガスの流量を所与のプラズマ処理条件によって規定されるプラズマ処理圧力に基づいて設定」することは、前記「プラズマ放電開始後に」「プラズマ発生用ガスの流量を調整することにより」「補正する」に際し、流量の初期値を定める上で必然的な事項にすぎない。
　したがって、引用発明に前記相違点の構成を付加することは、引用例１が示唆する事項および引用例２，３に記載された技術的事項に基づいて当業者が容易に想到し得る事項である。
　また、本願発明が奏する作用効果も、引用発明、ならびに、引用例１が示唆する事項および引用例２，３に記載された技術的事項から当業者が想定できる範囲のものにすぎない
　
　よって、本願発明は、引用発明、ならびに、引用例１が示唆する事項および引用例２，３に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明することができたものである。
　
６　むすび
　上記のとおり、本願の請求項１に係る発明は、本願出願前に頒布された刊行物である引用例１ないし３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　よって、結論のとおり審決する。