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特願２００２−１６５３９「温度ヒュ−ズおよびこれを装着した保護装置」拒絶査定不服審判事件　〔平成１５年７月３１日出願公開、特開２００３−２１７４１６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　本願は、平成１４年１月２５日の特許出願であり、平成１９年１０月１１日付けで拒絶査定がなされ、この拒絶査定を不服として、同年１１月１４日に本件審判請求がなされるとともに、同年１２月１１日付けで手続補正（前置補正）がなされたものである。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
第２　平成１９年１２月１１日付け手続補正についての補正却下の決定
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
［補正却下の決定の結論］
　平成１９年１２月１１日付け手続補正を却下する。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
［理由］
１．平成１９年１２月１１日付けの手続補正により特許請求の範囲の請求項１は、
　【請求項１】
　セラミック基板と、このセラミック基板の両面に設けて相互に導通スルーホールにより接続した複数個のパターン電極と、セラミック基板表面側に搭載して前記パターン電極間に接続した低融点合金可溶体のヒューズ素子と、前記ヒューズ素子とパターン電極の一部をカバー被覆するセラミック基板表面側に封止した絶縁キャップと、セラミック基板裏面側の前記複数個のパターン電極にはんだ付けした複数個のリード部材と、前記ヒューズ素子と熱的結合状態で前記セラミック基板に配置した抵抗体の発熱素子とを具備し、前記絶縁キャップはそのカバー被覆面積を前記セラミック基板の全体面積よりやや小さく形成したことを特徴とする温度ヒューズ。
と補正された。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　上記補正は、出願当初の明細書又は図面に記載した事項の範囲内において構成を限定するものであるから、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号でいう特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、上記請求項１に記載された発明（以下「本願補正発明」という）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について、以下で検討する。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
２．引用例等及びその記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された本願出願前に頒布された刊行物である特開２００１−３１９５５２号公報（以下「引用例」という）には、以下の事項が記載されている。
（１）【０００１】
「【発明の属する技術分野】この発明は保護素子に関し、特にセラミック製の絶縁基板に導電ペーストを塗布焼成して形成した電極を有する温度ヒューズや抵抗付きヒューズ等の保護素子に関する。」
（２）【００１９】
「【実施形態２】次に、本発明の第２実施形態である抵抗付きヒューズと称される保護素子について、図面を参照して説明する。図４は、そのような保護素子Ｂの一部を切り開いた平面図で、図５は図４のＡ−Ａ線に沿う断面図、図６は一部を切り開いた下面図である。図４〜図６において、１１はアルミナセラミック等よりなる略矩形状の絶縁基板で、その長手方向の両端近傍の中心線から偏芯した位置に透孔１２、１３が形成されている。絶縁基板１１の表面の前記透孔１２,１３を含まない第１位置，前記透孔１２を含む第２位置，透孔１３を含む第３位置に、それぞれＡｇＰｔ、ＡｇＰｄの導電体粒子を含む導電ペーストを塗布焼成して電極１４，１５，１６が形成されている。また、絶縁基板１１の裏面の前記透孔１２を含む第４位置，透孔１３を含む第５位置に、それぞれＡｇＰｔ、ＡｇＰｄの導電体粒子の導電ペーストを塗布焼成して電極１７，１８が形成されている。これらの電極１４、１５、１６、１７、１８は、シート抵抗値が１．３ｍΩ／□以下で、かつ厚さが１７〜３５μｍに形成されている。なお、これらの電極１４，１５，１６および１７，１８は、絶縁基板１１に直接形成する場合の他、予めＭｎＭｏペースト等を塗布焼成して下地層を形成しておいて、その上に形成してもよい。このようにすると、絶縁基板１１に対する電極１４，１５，１６および１７，１８の密着強度を大きくできる。ここで、絶縁基板１１の表面の第２位置における電極１５と裏面の第４位置における電極１７とは、透孔１２内に充填された導電物質によって接続されており、絶縁基板１１の表面の第３位置における電極１６と裏面の第５位置における電極１８とは、透孔１３内に充填された導電物質によって接続されている。前記絶縁基板１１の裏面の電極１７，１８間にまたがって、例えば酸化ルテニウム等の抵抗ペーストを塗布焼成して抵抗体１９が形成されており、これらの電極１７、１８および抵抗体１９はガラスまたは耐熱性樹脂等の絶縁材料よりなる絶縁層２０で被覆されている。これらの電極１４、１５、１６上に第１実施形態の保護素子Ａと同様に、銅製またはニッケル製のリード２１、２２、２３が、例えばはんだ付け等により接続されている。さらに、前記電極１４、１５の内方端間にまたがって、低融点合金２４が溶接等により接続されている。この低融点合金２４の全面はフラックス２５で覆われ、さらにその上方からセラミックまたは樹脂等の成形体からなる絶縁キャップ２６が被せられ、エポキシ樹脂等の封止樹脂２７で固着封止されている。」
（３）【００２２】
「（前略）・・・・
それによって、充電器４９−正直流入力端子４１−第１端子３０（２１）−ヒューズ３３（２４）−第２端子３１（２２）−抵抗体３４（１９）−第３端子３２（２３）−トランジスタ４８−負直流入力端子４２−充電器４９の経路で電流が流れて、抵抗体３４（１９）が発熱して、その発熱による加熱でヒューズ３３（２４）が溶断して、リチウムイオン二次電池５０の充電を阻止する。したがって、リチウムイオン二次電池５０の過充電が防止されて、危険が未然に防止できる。」
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　図４〜８とともに上記記載事項を総合すると、引用例には、
「セラミック絶縁基板と、このセラミック絶縁基板の両面に設けて相互に透孔１２，１３内に充填された導電物質により接続した複数個の電極１４，１５，１６，１７，１８と、セラミック絶縁基板表面側に搭載して前記電極１４，１５間に接続した低融点合金２４のヒューズ２４と、前記ヒューズ２４と電極１４，１５の一部をカバー被覆するセラミック絶縁基板表面側に封止した絶縁キャップ２６と、セラミック絶縁基板表面側の前記複数個の電極１４，１５にはんだ付けした複数個のリード２１，２２，２３と、前記ヒューズ２４と熱的結合状態で前記セラミック絶縁基板に配置した抵抗体１９とを具備し、前記絶縁キャップ２６はそのカバー被覆面積を前記セラミック絶縁基板の全体面積より小さく形成した抵抗付きヒューズ。」
に関する発明（以下「引用発明」という）が記載されているものと認められる。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　また、本願出願前の周知技術として以下に挙げる周知例には、概略、以下のことが記載されている。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　［周知例１］　特開２０００−２７６９８８号公報
　温度ヒューズに関するもので、図１を参照すると、セラミック基板１１の表面側に電極２１〜２３と温度ヒューズ２６が配置され、セラミック基板１１の裏面側に
給電用
給電する
全体面積よりやや小さく形成したキャップ２９
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　［周知例２］　特開２０００−４０４５３号公報
　温度ヒューズに関するもので、図２を参照すると、絶縁基板１１の一方の面に配置した低融点可溶合金片３への給電を絶縁基板１１の他方の面に配置したリード導体２，２から行うようにしたものが開示されている。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
３．発明の対比
　本願補正発明と引用発明とを対比すると、引用発明の「抵抗付きヒューズ」は、本願補正発明の「温度ヒューズ」に相当するものであることは、機能的にみて明らかである。
　また、引用発明の「セラミック絶縁基板」は、本願補正発明の「セラミック基板」に相当し、以下同様に、
「透孔１２，１３内に充填された導電物質」は、「導通スルーホール」に、
「電極１４，１５，１６，１７，１８」は、「複数個のパターン電極」に、
「低融点合金２４のヒューズ２４」は、「低融点合金可溶体のヒューズ素子」に、
「絶縁キャップ２６」は、「絶縁キャップ」に、
「リード２１，２２，２３」は、「複数個のリード部材」に、
「抵抗体１９」は、「抵抗体の発熱素子」に、
それぞれ相当するものである。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　そうすると、両発明は、
「セラミック基板と、このセラミック基板の両面に設けて相互に導通スルーホールにより接続した複数個のパターン電極と、セラミック基板表面側に搭載して前記パターン電極間に接続した低融点合金可溶体のヒューズ素子と、前記ヒューズ素子とパターン電極の一部をカバー被覆するセラミック基板表面側に封止した絶縁キャップと、セラミック基板の前記複数個のパターン電極にはんだ付けした複数個のリード部材と、前記ヒューズ素子と熱的結合状態で前記セラミック基板に配置した抵抗体の発熱素子とを具備した温度ヒューズ。」
である点で一致し、以下の点で相違しているものと認められる。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　＜相違点１＞
　複数個のリード部材が、本願補正発明では、セラミック基板裏面側の複数個のパターン電極にはんだ付けされているのに対して、引用発明では、セラミック基板表面側の複数個のパターン電極にはんだ付けされている点
　＜相違点２＞
　絶縁キャップに関して、本願補正発明では、そのカバー被覆面積がセラミック基板の全体面積よりやや小さく形成されているのに対して、引用発明では、図面を参照した限りでは、そのカバー被覆面積がセラミック基板の全体面積より小さく形成されている点
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
４．当審の判断（相違点の検討）
　上記相違点について検討する。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　＜相違点１＞について
　上記周知例１，２には、基板の表面に配置した温度ヒューズ（低融点可溶合金片）に対して基板の裏面に給電手段を設けたものが開示されているから、このような周知の給電方法を引用発明の温度ヒューズに対する給電態様に採用して、すなわち、基板表面側に配置した給電用のリード部材に代えて基板裏面側に給電用のリード部材を配置して基板表面側の温度ヒューズに給電するよう構成し、本願補正発明でいう上記相違点１の構成とすることは当業者にとって技術的に困難なことではない。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　＜相違点２＞について
　上記周知例１には、基板の表面にはその
全体面積よりやや小さく形成したキャップ２９
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　そして、上記相違点１，２を併せ備える本願補正発明の作用・効果について検討しても、引用発明及び上記周知例に記載の事項から当業者が予測し得る範囲内のものである。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　したがって、本願補正発明は、引用発明及び上記周知例に記載の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
５．独立特許要件の欠如に伴う手続補正の却下
　以上によれば、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下は免れない。
　よって、補正却下の決定の結論のとおり決定する。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
第３　本願の発明について
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
１．本願発明
　平成１９年１２月１１日付け手続補正は上記のとおり却下されたから、本願の各請求項に係る発明は、平成１９年４月１６日付けの手続補正に係る特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された事項によって特定されるものと認められるが、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という）は、次のとおりである。　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　【請求項１】
　相互にスルーホールで導通接続した複数個の電極部にリード部材を設けたセラミック基板と、このセラミック基板の一方の面に搭載して絶縁キャップで封止した低融点合金可溶体のヒューズ素子と、このヒューズ素子と熱的結合状態で前記セラミック基板に配置した抵抗体の発熱素子とを具備し、前記リード部材は前記セラミック基板の他方の面に配置したことを特徴とする温度ヒューズ。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
２．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例並びに本願出願前に周知の技術は、上記「第２」２．に記載したとおりである。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
３．発明の対比
　上記「第２」２．のところで「引用発明」を認定し、この「引用発明」の認定によれば、本願発明と引用発明とは、
「相互にスルーホールで導通接続した複数個の電極部にリード部材を設けたセラミック基板と、このセラミック基板の一方の面に搭載して絶縁キャップで封止した低融点合金可溶体のヒューズ素子と、このヒューズ素子と熱的結合状態で前記セラミック基板に配置した抵抗体の発熱素子とを具備した温度ヒューズ。」
である点で一致し、以下の点で相違しているものと認められる。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　＜相違点＞
　リード部材に関して、本願発明では、セラミック基板の他方の面（裏面側）に配置しているのに対して、引用発明では、ヒューズ素子とともにセラミック基板の一方の面（表面側）に配置している点
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
４．当審の判断（相違点の検討）
　本願発明でいう上記相違点の構成とすることは、上記「第２」４．の＜相違点１＞についてのところで検討したのと同様の理由により当業者が容易に想到できたものである。
　したがって、本願発明は、引用発明及び上記周知例に記載の事項に基づいて当業者が容易に想到することができたものである。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明（請求項１に係る発明）は、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　そうすると、このような特許を受けることができない発明を包含する本願は、本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。