(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子ビームを用いて試料上を偏向器により走査するようにした荷電粒子ビーム装置における前記偏向器の駆動に用いられる偏向器駆動回路であって、
２つ以上の極となる周波数と１つ以上の零となる周波数を有する階段状の周波数特性を有する第一の増幅部と、
前記第一の増幅部よりも出力側に置かれる第二の増幅部とを含み、
該第二の増幅部の周波数特性の極となる周波数が、前記第一の増幅部の周波数特性と該第二の増幅部の周波数特性とを合成した結果得られる周波数特性における最も低い極周波数よりも高い周波数領域において−２０ｄＢ/ｄｅｃの特性が得られるごとく設定されていることを特徴とする偏向器駆動回路。
【請求項２】
請求項１に記載の偏向器駆動回路であって、前記第一の増幅部と前記第二の増幅部とがレベルシフト回路を介して接続されることを特徴とする偏向器駆動回路。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の偏向器駆動回路を用いた荷電粒子ビーム装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、荷電粒子ビームを用いて試料上にＬＳＩパターン等を描画するための荷電粒子ビーム描画装置等の荷電粒子ビーム装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
荷電粒子ビーム描画装置等のような荷電粒子ビーム装置の処理能力（スループット）を向上するためには、偏向制御を行う信号（偏向信号）の応答性を向上し、待ち時間を削減することが重要である。
【０００３】
偏向信号の応答性を決定する要因の中で、偏向器に対して電圧を印加するための駆動回路の応答速度が支配的な要因である。駆動回路の応答速度は、駆動回路を構成する能動素子（トランジスタ）の周波数特性により決定される。一般的にトランジスタの周波数特性は、トランジスタの耐圧特性とトレードオフ関係にあるため、高周波特性に優れたトランジスタで構成される駆動回路は、出力振幅が数Ｖから十数Ｖ程度に限定されてしまう。逆に、数十Ｖから百数十Ｖ程度の高電圧出力を得られるように駆動回路を構成すると、高耐圧特性を有するトランジスタの周波数特性により応答性が低下してしまう。
【０００４】
このようなことから、荷電粒子ビーム描画装置では、高速な応答性を有する駆動回路で駆動する小角高速偏向器と高電圧特性を有する駆動回路で駆動する大角低速偏向器とを備える多段偏向器構成が一般的に用いられている（「ＪＯＵＲＮＡＬ  ＯＦ  ＶＡＣＣＵＭ  ＳＣＩＥＮＣＥ  ＡＮＤ  ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ  Ｂ，  ２７５９  （１９９２）」）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来技術では、荷電粒子ビーム描画装置の構造や制御システムの複雑化が大きな課題となる。構造上の複雑化は、物理的な構造物の工作精度の低下、配置場所が限定され光学条件上の最適配置が実現できないことによる光学特性の低下、更に荷電粒子ビーム通路空間の真空度低下により堆積したコンタミネーションのチャージアップが原因となるドリフト現象等、描画精度低下の大きな要因となる。
【０００６】
また、制御システムの複雑化は、校正の煩雑化によるオーバヘッド時間の増加を招き、スループットを低下させる要因となる。また、装置規模が大きくなる要因でもある。
【０００７】
そこで、本発明は、高速偏向制御と高電圧偏向制御を両立できる偏向器駆動回路を提供し、また、これを用いて高精度描画を実現する荷電粒子ビーム装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記従来課題を解決するためには、構造や制御システムを複雑化させる多段偏向器構成を単一偏向器構成にしなければならない。このためには、高速応答性（百数十ｎｓ）と高電圧出力特性（数十Ｖ〜百数十Ｖ）の両方を有する駆動回路を実現しなければならない。
【０００９】
本発明では、上記特性を有する駆動回路を実現するため、駆動回路の構成を次の様にした。
【００１０】
動作電源電圧が異なる第１増幅部と第２増幅部をベース接地入力を有するレベルシフト回路で接続し、第１増幅部には、低耐圧であるが周波数特性に優れるトランジスタを用いた差動増幅段、電圧増幅段、出力強化段を設け、１つ以上の極と零を夫々有する様な帰還ループを設けた。また、第２増幅部は高耐圧トランジスタを用いて構成し、第１増幅部の最大電圧増幅率よりも低い電圧増幅率を有するように構成した。
【００１１】
これにより、本発明は、高耐圧特性を有するトランジスタで構成される高電圧増幅部の周波数特性を改善し高速応答性と高電圧出力特性を両立できるとともに、歪やドリフトの影響が少ない高い直流精度を有する偏向器駆動回路を得ることが出来る。また、これにより、複雑な多段偏向器構成を簡単な単一偏向器構成にすることができ、荷電粒子ビーム装置の高精度化が図れる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を、図を用いて説明する。
【００１３】
図１は、本発明の一実施例の基本的構成を示す。図１に示されるように、多段増幅構成であり、第１増幅部１０１と第２増幅部１０３を有し、それぞれがレベルシフト部１０２を介して接続される構成を有している。この構成において、出力から入力に対して帰還率βの負帰還を施すことにより、閉ループ利得−１／βを得るようにしている。ここで、第１増幅部１０１は、高周波特性に優れるトランジスタを用いて構成されており、広帯域・小振幅出力特性を有する。また、高耐圧特性を有するトランジスタを用いて構成されている第２増幅部１０３は、第１増幅部１０１よりも高い電源電圧により駆動されており高電圧出力特性を有している。
【００１４】
本発明では、前記課題を解決するために必要となる高速応答性と高電圧出力特性を両立する駆動回路を実現するため、上記構成の駆動回路において各増幅段の利得周波数特性を図２（ａ）に示すようにした。
【００１５】
図２は、（ａ）に示す本実施例の利得周波数特性を、（ｂ）に示す一般的な多段増幅構成の利得特性と比較して示した図である。各図において、横軸は信号周波数を、縦軸は利得（ｄＢ）をあらわしている。
【００１６】
本発明の利得周波数特性を示す図２（ａ）において、破線で示す利得周波数特性２０１は前記第１増幅部１０１の特性を、一点破線で示す利得周波数特性２０２は前記第２増幅部１０３の特性を示している。また、太い実線で示した利得周波数特性２０３は、全体の利得周波数特性を示している。本図において、全体の利得周波数特性は、各増幅部の利得周波数特性の乗算（Ａ３＝Ａ１＊Ａ２、図中では加算）により得られる。
【００１７】
従来の利得周波数特性を示す図２（ｂ）において、細い実線は第１増幅部１０１の特性２０４を、２点斜線は第２増幅部１０３の特性２０５をそれぞれ表している。全体の利得周波数特性２０６は、太い実線で示され、上記と同様に第１増幅部１０１と第２増幅部１０３のそれぞれの利得周波数特性を乗算（図中では加算）することにより得られる。
【００１８】
本発明の実施例では、第１増幅部１０１の利得周波数特性２０１は複数の極と零を有する階段状の利得周波数特性となっている。これには、第２増幅部１０３の利得２０２を低く設定する事を可能にするという目的がある。
【００１９】
従来の多段増幅構成の場合は、利得周波数特性は図２（ｂ）に示すように一つの極のみを有する台形状の利得周波数特性２０４、２０５の組合せとなっていた。また、利得の大小関係は第１増幅部１０１の利得２０４よりも第２増幅部１０３の利得２０５の方が大きいという関係になっていた。
【００２０】
これは、図２（ｂ）のような台形状の利得周波数特性２０４、２０５で第１増幅部１０１の利得を高く設定してしまうと、第１増幅部１０１の利得周波数特性２０４の極周波数が大幅に低くなり、第２増幅部１０３の利得周波数特性２０５との合成である全体の利得周波数特性２０７において利得＞０なる領域に、１次の傾斜（−２０ｄＢ／ｄｅｃ）でなく２次の傾斜（−４０ｄＢ／ｄｅｃ）が現れてしまい、負帰還を掛けて使用した場合に発振してしまう。そのため、従来の構成では、第１増幅部１０１の利得周波数特性２０４の極周波数を、第１増幅部１０１の利得２０４と第２増幅部１０３の利得２０５の積が１になる周波数ｆ２より高い周波数に設定する必要があるため、第１増幅部１０１の利得２０４は低く押さえられていた。
【００２１】
荷電粒子ビーム描画装置では高い直流精度や安定性が駆動回路に要求されるため、駆動回路には全体で高利得が要求される。これを得るためには第２増幅部１０３の利得２０５を高く設定しなければならず、図２（ｂ）に示すような利得周波数特性の関係、つまり、第１増幅部１０１は低く、第２増幅部１０３は高いという関係になる。
【００２２】
第２増幅部１０３の利得が高い場合には、（１）ミラー効果による利得帯域幅の減少、（２）消費電力変動による出力の温度ドリフトが顕在化することになる。ミラー効果は、エミッタ接地方式で電圧増幅する場合に利得を高くすると、ベース−コレクタ間の寄生容量の影響が利得に比例して大きくなり、その増幅段での利得帯域幅が減少する現象である。第２増幅部１０３は高耐圧特性を有するトランジスタを使用しているためベース−コレクタ間の寄生容量がもともと大きく、このミラー効果による利得帯域幅の減少が著しい。従って、素子本来の利得帯域幅を得るのが困難になる。
【００２３】
一方、消費電力変動による出力の温度ドリフトに関しては、高い電源電圧で動作する第２増幅部１０３の電力変動が大きく、出力ドリフトの主な発生場所となる。多段構成の場合に負帰還を掛けて動作させることにより後段で発生するドリフトなどの変動は、それよりも前段の利得の作用により出力への影響が圧縮される。従って、前段の利得を高くするほど出力ドリフトを少なくして高安定化することが出来る。
【００２４】
本発明の実施例では、図２（ａ）に示すような、第１増幅部１０１の利得周波数特性２０１を階段状に成形してＤＣ利得を高くし、第２増幅部１０３の利得２０２を低く押さえるという利得周波数特性とすることで、上記利得帯域幅の減少と出力ドリフト発生の問題を回避して、高速応答性と高電圧出力特性を有する高安定な駆動回路を得られるようにした。
【００２５】
先に述べたとおり、第１増幅段１０１の利得周波数特性２０１を階段状に成形することで後段の第２増幅部１０３の利得を下げられるようにしている。つまり、第１増幅部１０１の直流利得は高く設定し、利得を下げたことで高い周波数に移動した第２増幅部１０３の利得の極周波数ｆ１と第１増幅部１０１の利得の零周波数ｆ１が一致するように利得周波数特性２０１を階段状に成形する。これにより、全体の利得周波数特性２０３において利得＞０なる領域に２次の傾斜が現れず、１次の傾斜（−２０ｄＢ／ｄｅｃ）となって、負帰還を掛けても発振せず安定して動作させることが可能になる。更に、第１増幅段１０１の高い直流利得により全体の高利得化がなされ荷電粒子ビーム描画装置の駆動回路として要求される高い直流精度が得られる。
【００２６】
図３は、本発明のレベルシフト部１０２の実施形態例を示す図である。図のように、第１増幅段１０１の出力を抵抗３０２を介して電源３０４でバイアスされたトランジスタ３０３のエミッタに接続して第１増幅部１０１の出力電圧信号を電流信号に変換する。これを抵抗３０１で検出して第２増幅部１０３の電源電圧３０６を基準にした電圧信号に再変換している。第２増幅部１０３では再変換された電圧信号を増幅して高電圧信号が得られる。
【００２７】
先に説明した通り、本発明の構成では利得配分が第１増幅部１０１の利得が第２増幅部１０３の利得よりも大きくなるように設定されているため、電圧信号をそのまま用いるレベルシフト方法、例えばエミッタ接地形式や抵抗分割方式ではレベルシフト後の信号の高周波特性が低下してしまう。これは、本発明における第１増幅部１０１の出力振幅が従来の方式に比べて大きい（数百から数千倍）ことにより、レベルシフト部１０３の寄生容量の影響が顕著に表れるためである。従って、本実施例のごとく寄生容量の影響を受けないように電圧信号を電流信号に変換する方式が高周波特性を低下させないために必要である。
【００２８】
図４は、本発明における第１増幅部１０１の利得周波数特性の成形方法を示した実施形態例である。本実施形態例では、第１増幅部１０１は能動負荷４０３を有する差動増幅段４０２と増幅・出力段４０５を有する形態とした。能動負荷４０３を有することで高利得且つ低歪特性が得られる。この差動増幅段４０２の出力に利得周波数特性を成形するための素子４０４を設けている。ここでは、素子４０４は抵抗とコンデンサによりなるものとする。この素子４０４を付加することにより、図に示すように、素子４０４を付加しない場合の利得周波数特性４０７に対して、周波数Ｆｐ１、Ｆｐ２に極を、Ｆｚ１に零を有する利得周波数特性４０６が形成される。ここで素子４０４の抵抗値と容量値から零周波数Ｆｚ１が決定でき、抵抗値により零周波数Ｆｚ１より高周波領域の平坦な利得領域の利得が決定出来る。
【００２９】
図５は、第１増幅部１０１の利得周波数特性の成形を、第１増幅部１０１にローカルな負帰還経路を設けることにより行う方法の例を示す。図のように、抵抗と容量からなる素子５０２で負帰還経路を設ける。これにより図に示すように、負帰還経路を付加しない場合の利得周波数特性５０４に対して、周波数Ｆｐ１、Ｆｐ２に極を、Ｆｚ１に零を有する利得周波数特性５０３が形成される。ここで素子５０２の抵抗値と容量値から零周波数Ｆｚ１が決定でき、素子５０２の抵抗値と抵抗５０５の抵抗値により、零周波数Ｆｚ１より高周波領域の平坦な利得領域の利得が決定出来る。
【００３０】
図６は、より大きな電圧差を持つ第１増幅部１０１と第２増幅部１０３の間でのレベルシフト方法の一例を示した図である。図のように、本実施例ではレベルシフト部１０２はエミッタ入力のトランジスタ６０４〜６０６を直列に接続した構成になっている。各トランジスタ６０４〜６０６のベースに個別にバイアス電圧Ｖｂｉａｓ１〜ＶｂｉａｓＮを印加することで高い電圧差を得ている。更に、本方式ではレベルシフトに用いるトランジスタの耐圧特性を下げられるため、低容量のトランジスタが使用できるようになる。これにより寄生容量の影響を低減し、より高周波特性に優れたレベルシフトが行える。
【００３１】
図７は、レベルシフト部１０２を含めた第２増幅部１０３にローカルな負帰還経路を設けて利得を設定する場合の実施形態例を示す図である。本方式では第２増幅部１０３の利得は、抵抗７０８と抵抗７０３の比によって決定される。第２増幅部１０３の利得を設定するに当たって第２増幅部１０３の内部の増幅段に抵抗付加のエミッタ接地回路を設け、エミッタ抵抗とコレクタ抵抗の比で利得を設定し、上記負帰還を設けない方法も可能である。この場合は、大振幅動作時にコレクタ電流が激しく変化するために増幅度が変化して信号波形に歪が発生することが懸念される。
【００３２】
そこで、本実施例の場合は、上記増幅段を能動付加を有するエミッタ接地回路とすることで波形歪を低減する方法を用いている。この場合、第２増幅部１０３の利得が増大するので、これを低く保つように上記負帰還経路を設ける。この方法により低い利得であり、さらに歪の発生の少ない第２増幅部１０３を得ることが出来る。
【００３３】
図８（ａ）は、従来の多段偏向器構成を有する荷電粒子ビーム描画装置の構成である。図において、８０１は荷電粒子ビーム鏡体、８０２は荷電粒子ビーム源、８０３は荷電粒子ビーム、８０４、８０５、８０６は静電偏向器、８０７は試料、８０８は試料ステージ、８０９はレーザ測長計、８１１は試料ステージ制御系、８１２は偏向制御系、８１３はデータ制御系、８１４は制御計算機、８１５、８１６、８１７は偏向器駆動回路である。これら以外にも荷電粒子ビーム描画装置の構成要素があるが本例では省略する。
【００３４】
図８（ｂ）は、本発明の駆動回路を荷電粒子ビームの位置制御信号の増幅に用いた荷電粒子ビーム描画装置の構成を説明する図である。従来の３段偏向器構成が、本発明による駆動回路８１８により一段構成の静電偏向器８１０となり構造が簡素化され、装置の安定性が向上し描画精度が向上した。
【００３５】
高耐圧特性を有するトランジスタで構成される高電圧増幅部の周波数特性を改善し高速応答性と高電圧出力特性を両立できるとともに、歪やドリフトの影響が少ない高い直流精度を有する偏向器駆動回路を得ることが出来る。これにより、複雑な多段偏向器構成を簡単な単一偏向器構成にすることが出来る。これにより荷電粒子ビーム描画装置の高精度化が図れる。また、可変矩形用開口と多角図形用開口を備えたマスクを用いて、可変成形ビームによりパターン描画する荷電粒子ビーム描画装置の場合においては、マスク上へのビーム照射位置を制御する信号を本発明による偏向器駆動回路を介して偏向器に供給するように構成しても、上述と同様な効果を得ることができる。
【００３６】
なお、上述した実施例では、荷電粒子ビーム描画装置を例にとって説明してきたが、本発明は、かかる描画装置に限らず、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）等のような荷電粒子ビーム装置に対しても有効である。
【００３７】
以上、本発明を整理すると、次のようになる。
（１）荷電粒子ビームを用いて試料上を偏向器により走査するようにした荷電粒子ビーム装置における前記偏向器の駆動に用いられる偏向器駆動回路にあって、階段状に成形され、直流利得の高い利得周波数特性を有する前段増幅部と低い利得に設定した後段増幅部とをレベルシフト部を介して接続されてなることを特徴とする偏向器駆動回路。
（２）荷電粒子ビームを用いて試料上を偏向器により走査するようにした荷電粒子ビーム描画装置における前記偏向器の駆動に用いられる偏向器駆動回路にあって、複数の増幅部を直列に接続した構成を有し、かつ、前記複数の増幅部のうち信号入力端側の第１番目の増幅部が、利得周波数特性において２つ以上の極となる周波数と１つ以上の零となる周波数を有するよう構成されていることを特徴とする偏向器駆動回路。
（３）前記（２）の構成において、前記複数の増幅部のうち、前記第１番目の増幅部よりも出力端側の増幅部の利得周波数特性において極となる周波数の値と、前記第１番目の増幅部の利得周波数特性において零となる周波数の値とが、前記第１番目の増幅部の利得周波数特性と前記第１番目の増幅部よりも出力端側の増幅部の利得周波数特性とを合成して得られる利得周波数特性において、最も低い周波数を有する極よりも高い周波数領域において−２０ｄＢ／ｄｅｃの特性が得られるごとく設定されていることを特徴とする偏向器駆動回路。
（４）前記（２）の構成において、前記複数の増幅部のうち、前記第１番目の増幅部の直流利得の値が、前記第１番目の増幅部よりも出力端側の増幅部が有する直流利得よりも大きい値に設定されていることを特徴とする偏向器駆動回路。
（５）前記（２）の構成において、前記複数の増幅部が、ベース接地されたトランジスタを用いた方式のレベルシフト器により接続されていることを特徴とする偏向器駆動回路。
（６）前記（２）の構成において、前記第１番目の増幅部に前記利得周波数特性を形成するための帰還路を有することを特徴とする偏向器駆動回路。
（７）前記（５）の構成において、前記レベルシフト器に接続された増幅部に該増幅部の出力から前記レベルシフト器入力への帰還路を設けたことを特徴とする偏向器駆動回路。
（８）荷電粒子ビームを用いて試料上を偏向器により走査するようにした荷電粒子ビーム装置において、前記偏向器の駆動に用いられる偏向器駆動回路が、階段状に成形され直流利得の高い利得周波数特性を有する前段増幅部と低い利得に設定した後段増幅部とをレベルシフト部を介して接続した構成を有することを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
（９）荷電粒子ビームを用いて試料上を偏向器により走査するようにした荷電粒子ビーム装置において、前記偏向器の駆動に用いられる偏向器駆動回路が、複数の増幅部を直列に接続した構成を有し、かつ、信号入力端側の第１番目の増幅部が、利得周波数特性において２つ以上の極となる周波数と１つ以上の零となる周波数を有するよう構成されていることを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
（１０）荷電粒子ビームを偏向器により走査して試料上に所望のパターンを描画する荷電粒子ビーム描画装置において、前記偏向器の駆動に用いられる偏向器駆動回路が、階段状に成形され直流利得の高い利得周波数特性を有する前段増幅部と低い利得に設定した後段増幅部とをレベルシフト部を介して接続した構成を有することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
（１１）荷電粒子ビームを偏向器により走査して試料上に所望のパターンを描画する荷電粒子ビーム描画装置において、前記偏向器の駆動に用いられる偏向器駆動回路が、複数の増幅部を直列に接続した構成を有し、かつ、信号入力端側の第１番目の増幅部が、利得周波数特性において２つ以上の極となる周波数と１つ以上の零となる周波数を有するよう構成されていることを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
（１２）前記（１０）または（１１）の構成において、可変矩形用開口と多角図形開口を同一面内に備えたマスクを有し、該マスク上へのビーム照射位置を制御する信号を前記（１０）または（１１）に示した偏向器駆動回路を介して偏向器に供給するように構成した荷電粒子ビーム描画装置。
【００３８】
【発明の効果】
以上説明したとおり、本発明によれば、高耐圧特性を有するトランジスタで構成される高電圧増幅部の周波数特性を改善し、高速応答性と高電圧出力特性を両立できるとともに、歪やドリフトの影響が少ない高い直流精度を有する偏向器駆動回路を得ることができる。これにより、複雑な多段偏向器構成を簡単な単一偏向器構成にすることができ、荷電粒子ビーム描画装置の高精度化が図れる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による偏向器駆動回路の基本的構成を説明する図。
【図２】（ａ）は本発明における利得周波数特性の特徴を説明する図、（ｂ）は従来の利得周波数特性を説明する図。
【図３】本発明におけるレベルシフト部の構成例を説明する図。
【図４】本発明における利得周波数特性の成形方法の一例を説明する図。
【図５】本発明における利得周波数特性の成形方法の他の例を説明する図。
【図６】本発明におけるレベルシフト部の他の構成例を説明する図。
【図７】本発明における利得設定方法の一例を説明する図。
【図８】（ａ）は従来の荷電粒子ビーム描画装置の例を説明する図、（ｂ）は本発明による荷電粒子ビーム描画装置の構成例を説明する図。
【符号の説明】
１０１…第１増幅部、１０２…レベルシフト部、１０３…第２増幅部、２０１…第１増幅部利得周波数特性、２０２…第２増幅部利得周波数特性、２０３…全体利得周波数特性、２０４…第２増幅部利得周波数特性、２０５…第１増幅部利得周波数特性、２０６…全体利得周波数特性、２０７…全体利得周波数特性、３０１…電流検出抵抗、３０２…入力抵抗、３０３…トランジスタ、３０４…バイアス電圧源、３０５…電源電圧、３０６…電源電圧、４０１…電流源、４０２…差動段、４０３…能動負荷、４０４…素子、４０５…増幅・出力段、４０６…成形後の利得周波数特性、４０７…成形前の利得周波数特性、５０１…増幅回路部、５０２…素子、５０３…成形後の利得周波数特性、５０４…成形前の利得周波数特性、５０５…抵抗、６０１…電流検出抵抗、６０２…入力抵抗、６０３バイアス電圧源、６０４…トランジスタ、６０５…トランジスタ、６０６トランジスタ、６０７…電源電圧、６０８…電源電圧、７０１…電源電圧、７０２…電源電圧、７０３…帰還抵抗、７０４…入力抵抗、７０５…電流検出抵抗、７０６…バイアス電圧源、７０７…トランジスタ、７０８…抵抗、８０１…鏡体、８０２…ビーム源、８０３…ビーム、８０４…偏向器、８０５…偏向器、８０６…偏向器、８０７…試料、８０８…ステージ、８０９…干渉計、８１０…偏向器、８１１…ステージ制御部、８１２…偏向制御部、８１３…データ制御部、８１４…制御計算機、８１５…偏向器駆動回路、８１６偏向器駆動回路、８１７…偏向器駆動回路、８１８…偏向器駆動回路。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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