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　特願２００２−５５６２３５「ウエハスケールで設けられるキャップによって保護される加速度計」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　７月１８日国際公開、ＷＯ０２／５６０３１、平成１６年　８月１９日国内公表、特表２００４−５２５３５７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、２００２年１月８日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００１年１月１０日、オーストラリア）を国際出願日とする出願であって、平成１８年９月１４日付け（発送日　平成１８年９月２６日）で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１８年１２月１８日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同日付けで手続補正がなされたものである。
　
　そして、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成１８年１２月１８日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「【請求項１】
　上面および下面を有するチップであって、前記チップ内には微細加工された加速度計が形成され、前記加速度計は、前記チップの平面から移動できるように前記チップの残りの部分から片持ち支持されたマスを有している、当該チップと、
　前記加速度計の少なくとも一部を覆って前記上面に接着され、前記片持ち支持されたマスが移動できる第１のキャビティを形成する第１の熱可塑性の中空成形キャップと、
　を有し、
　前記第１の熱可塑性の中空成形キャップは、
　熱可塑性材料から成形され、
　当該加速度計パッケージを形成するための、異方性エッチング技術によるウエハからの前記チップの分離の際には、前記加速度計をマスクし、
　前記分離後は、当該加速度計パッケージ内で前記加速度計を保護する、
　微細加工された加速度計パッケージ。」
　
２．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２０００−３４０５２６号公報（以下「引用刊行物」という。）には、以下の事項が図面とともに記載されている。
　
〈記載事項１〉
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、保護シートで覆った半導体ウェハをスクライブラインに沿ってダイシングカットしてチップ化する半導体装置およびその製造方法・・・・・・・に関する。
〈記載事項２〉
【００３２】（第１実施形態）本実施形態は、本発明による半導体装置の製造方法を、表面マイクロ加工型の加速度センサ・・・等の半導体にて構成された可動部を有する半導体装置に適用したものとして説明する。図１及び図２は、本実施形態に係る製造工程を示す概略断面図であり、以下、本実施形態をこの製造工程順に説明していく。
〈記載事項３〉
【００３３】まず、図１（ａ）に示す様に、保護シート１として、例えばポリオレフィン等を基材とするＵＶ硬化性の粘着シートを用意する。ここで、保護シート１の粘着面１ａが半導体ウェハ１１を覆う面である。また、図１（ｂ）に示す凹部２と真空吸着用の穴部３を有する治具４を、ヒータブロック上（図示せず）に設置する。このヒータブロックは真空吸着用の穴部３を持った治具４の該穴部３と対応し、真空吸着できるように加工されている。
〈記載事項４〉
【００３４】次に、図１（ｃ）に示す治具固定工程では、保護シート１の粘着面１ａを上にして、粘着面１ａとは反対側の面１ｂを治具４上に置き、真空吸着用の穴部３により保護シート１を治具４の凹部２に吸引してへこませる。上記ヒータブロックにより治具４は４０〜２００℃に加熱されているので、保護シート１には、凹部２の形状に対応するキャップ部（保護キャップ部）５が形成される。そして、穴部３からの吸引力により保護シート１は治具４に固定される。
〈記載事項５〉
【００３５】続いて、図１（ｄ）に示す除去工程では、保護シート１を固定したままの治具４を上記ヒータブロックから取り除き、上記ヒータブロックと同様に真空吸着可能な台（図示せず）の上に設置する。
【００３６】そして、切断治具を用いたプレスまたはカッターまたはエキシマレーザ等により、保護シート１のうち後述のダイシングカット工程にてダイシングカットする領域（スクライブ領域）に対応する領域を切断して除去し、除去された部分に形成された溝部６により、保護シート１を半導体チップのサイズに相当する大きさに分割する。
〈記載事項６〉
【００３７】次に、貼り合わせ工程では、可動部１０を持つ半導体ウェハ（シリコン基板等）１１を、可動部１０がキャップ部５と対向する状態で、治具４に固定されている保護シート１に接着剤等により接着する。
〈記載事項７〉
【００３９】続いて、半導体ウェハ１１の他の面（可動部側の面とは反対の面）にダイシング用シート１２を接着する。なお、このダイシング用シート１２は、予め半導体ウェハ１１に接着しておいてもよい。
【００４０】この貼り合わせ工程により、図１（ｅ）に示す様に、半導体ウェハ１１の一方の面に、キャップ部５を有するとともに半導体チップのサイズに相当する大きさに分割された保護シート１としての保護部材（保護キャップ）１４が、治具４に固定されたまま接着され、半導体ウェハ１１の他方の面にダイシング用シート１２が接着されている状態となる。
〈記載事項８〉
【００４１】続いて、図２（ａ）に示すダイシングカット工程では、治具４を保護シート１（保護部材１４）から取り外した後、ダイシング台１３に真空吸着（吸着構造図示せず）により半導体ウェハ１１を吸着し、保護シート１における除去された領域である溝部６に沿ってダイシングを行い、チップに分割する。このときダイシング用シート１２はハーフカットする。こうして、半導体ウェハ１１がチップ化され、各チップは保護部材（保護キャップ）１４により保護された状態となる。
〈記載事項９〉
【００４８】（第２実施形態）本実施形態では、上記第１実施形態と同様に保護部材（保護キャップ）１４を形成するが、第１実施形態との違いは、半導体ウェハ１１として、一面に外部と電気接続するためのワイヤボンディング用のパッド部２１（図３（ｅ）参照）が形成されたものを用い、保護部材１４を除去することなく最後まで使用する（製品として残す）ことである。そのためにパッド部２１に対応する部分の保護部材１４も除去する必要がある。以下、主として第１実施形態と相違するところについて述べる。
〈記載事項１０〉
【００４９】図３及び図４は本実施形態に係る製造工程を示す概略断面図である。図３（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）に示す工程は、それぞれ上記図１（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）と同様である。次に、図３（ｄ）に示す除去工程では、上記図１（ｄ）の除去工程と同様に、保護シート１のうちダイシングカットする領域に対応する領域（上記溝６に対応する部分）及びパッド部２１に対応する領域を除去して開口部２３を形成する。
〈記載事項１１〉
【００５０】次に、図３（ｅ）に示す貼り合わせ工程では、パッド部２１に対応する領域を除去することによって形成された開口部２３からパッド部２１を露出させるように、保護シート１を半導体ウェハ１１の一面に貼り合わせる。これによって、開口部２３から半導体ウェハ１１におけるパッド部２１とダイシング部２２とを露出させる。その他の貼り合わせの要領は上記第１実施形態と同様である。
〈記載事項１２〉
【００５２】次に、図４（ａ）に示す様に、上記第１実施形態と同様の要領にてダイシングカット工程を行い、半導体ウェハ１１をカットするのであるが、本実施形態では、カット終了後における半導体チップ（半導体装置）２００は、図４（ｂ）に示す様に、保護部材１４を付けたままの状態とする。
〈記載事項１３〉
【００５４】図５は、このワイヤボンディング工程終了後における半導体装置の一例を示すものである。基板（例えば、セラミック基板、プリント基板、及びリードフレーム等）３０に接着剤（接着シート）３２または銀ペースト等を介し、上記半導体チップ（半導体装置）２００の一例としての半導体加速度センサ３１を、ロボットのアームなどによるハンドリング等を用いて設置する。次に、金線、アルミ線等からなるワイヤ３３により基板３０上の外部取り出し端子３４にワイヤボンディングする。こうして、ワイヤボンディング工程が完了する。
　
　上記記載事項１ないし１３及び第１〜５図から、第２実施形態のものにおいて、以下のア〜カの点が読み取れる。
　
（１）記載事項７〜９、１２、１３及び図５から、「半導体チップ２００は、一方の面および他方の面を有している」点。
（２）記載事項２、６、９、１２、１３及び図５から、「半導体チップ２００内には表面マイクロ加工型の加速度センサが形成され、前記加速度センサは、前記半導体チップ２００の平面から移動できるように前記半導体チップ２００に支持された可動部１０を有している」点。
（３）記載事項７、９、１２、１３及び図５から、「保護部材１４は、可動部１０を覆って半導体チップ２００の一方の面に接着されている」点。
（４）記載事項６、９、１２、１３及び図５から、「保護部材１４は、半導体チップ２００に支持された可動部１０が移動できる空洞部を形成している」点。
（５）記載事項３、７から、「保護部材１４は、ポリオレフィン等を基材とする材料から成形されている」点。
（６）記載事項８、１２、１３、図４、５からみて、ダイシングカットによる半導体ウエハ１１からの半導体チップ２００の分離の際には、保護部材１４は半導体加速度センサ３１に形成されている表面マイクロ加工型の加速度センサを覆い、ダイシングカットによる半導体チップ２００の分割後は、半導体加速度センサ３１内で表面マイクロ加工型の加速度センサが保護されていることは明らかであるから、「保護部材１４は、半導体加速度センサ３１を形成するための、ダイシングカットによる半導体ウェハ１１からの半導体チップ２００の分割の際には、表面マイクロ加工型の加速度センサを覆い、前記分割後は、当該半導体加速度センサ３１内で前記表面マイクロ加工型の加速度センサを保護している」点。
　
　したがって、上記記載事項１ないし１２、１３及び第１〜５図に基づけば、引用刊行物には、
「一方の面および他方の面を有する半導体チップ２００であって、前記半導体チップ２００内には表面マイクロ加工型の加速度センサが形成され、前記加速度センサは、前記半導体チップ２００の平面から移動できるように前記半導体チップ２００に支持された可動部１０を有している、当該半導体チップ２００と、
　可動部１０を覆って前記一方の面に接着され、前記半導体チップ２００に支持された可動部１０が移動できる空洞部を形成する保護部材１４と、
　を有し、
　前記保護部材１４は、
　ポリオレフィン等を基材とする材料から成形され、
　当該半導体加速度センサ３１を形成するための、ダイシングカットによる半導体ウェハ１１からの前記半導体ウェハ１１の分割の際には、前記表面マイクロ加工型の加速度センサを覆い、
　前記分割後は、当該半導体加速度センサ３１内で前記表面マイクロ加工型の加速度センサを保護する、
　半導体加速度センサ３１。」の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
３．対比
　本願発明と引用発明とを比較する。
（１）引用発明の「一方の面」は、本願発明の「上面」に相当し、以下同様に、「他方の面」は「下面」に、「半導体チップ２００」は「チップ」に、「表面マイクロ加工型の加速度センサ」は「微細加工された加速度計」に、「可動部１０」は「マス」に、「空洞部」は「第１のキャビティ」に、「保護部材１４」は「中空成形キャップ」に、「半導体ウェハ１１」は「ウエハ」に、「分割」は「分離」に、「覆い」は「マスクし」に、「半導体加速度センサ３１」は「微細加工された加速度計パッケージ」にそれぞれ相当する。
（２）引用発明の可動部１０は、半導体チップ２００内に構成され、可動部１０以外の半導体チップ２００の部分に支持されていることは明らかであるから、引用発明の「前記半導体チップ２００に支持された可動部１０」と本願発明の「前記チップの残りの部分から片持ち支持されたマス」とは、「前記チップ（半導体チップ）の残りの部分に支持されたマス（可動部）」という点で共通する。
（３）引用発明の「可動部１０」は、加速度センサが有する部材、換言すると、加速度センサの少なくとも一部を構成する部材であることは明らかであるから、引用発明の「可動部１０を覆って」は、本願発明の「前記加速度計の少なくとも一部を覆って」に相当する。
（４）引用発明の保護部材１４は、ポリオレフィン（例えば、熱可塑性樹脂であるポリエチレン）を基材とする材料から形成されているので、当該保護部材１４が熱可塑性を有する熱可塑性材料であることは明らかであるから、引用発明の「ポリオレフィン等を基材とする材料」は、本願発明の「熱可塑性材料」に相当する。
（５）引用発明の「ダイシングカット」と本願発明の「異方性エッチング技術」とは、「ウエハ分離技術」という点で共通する。
　
　したがって、本願発明と引用発明の両者は、
「上面および下面を有するチップであって、前記チップ内には微細加工された加速度計が形成され、前記加速度計は、前記チップの平面から移動できるように前記チップの残りの部分に支持されたマスを有している、当該チップと、
　前記加速度計の少なくとも一部を覆って前記上面に接着され、前記支持されたマスが移動できる第１のキャビティを形成する第１の熱可塑性の中空成形キャップと、
　を有し、
　前記第１の熱可塑性の中空成形キャップは、
　熱可塑性材料から成形され、
　当該加速度計パッケージを形成するための、ウェハ分離技術によるウエハからの前記チップの分離の際には、前記加速度計をマスクし、
　前記分離後は、当該加速度計パッケージ内で前記加速度計を保護する、
　微細加工された加速度計パッケージ。」の点で一致し、以下の点で相違する。
　
［相違点１］
　加速度計が有する、チップの残りの部分に支持されたマスの支持態様が、本願発明は、片持ち支持であるのに対して、引用発明は、片持ち支持か否かが特定されていない点。
　
［相違点２］
　加速度計パッケージが有するチップをウエハからの分離の際に用いるウェハ分離技術が、本願発明は、「異方性エッチング技術」であるのに対して、引用発明は、「ダイシングカット」である点。
　
４．判断
（１）相違点１について
　微細加工された加速度計において、マス（重り部、カンチレバ）を片持ち支持とすることは周知技術（特開２０００−２７７７５３号公報、特開平３−２８２３７３号公報、特開平１−１６３６７０号公報）であるから、引用発明の可動部１０（マス）を片持ち支持させることは、当業者であれば、容易に行い得る設計的事項にすぎない。
　したがって、相違点１に係る本願発明の発明特定事項は格別なものではない。
　
（２）相違点２について
　半導体ウェハに微細加工技術により多数形成された加速度センサを単離するために、異方性エッチングを行うことは周知技術（例えば、特開平４−１３０６４７号公報、特開平９−２７４６５号公報；段落００２０、００２９、００３０の記載に留意、等を参照）であるから、引用発明において表面マイクロ加工型の加速度センサが多数形成された半導体ウェハ１１から半導体チップ２００を分割するために、ダイシングカットに代えて当該周知技術の異方性エッチングを選択することは、当業者にとって困難なことではない。
　また、本願発明の対象が「加速度計パッケージ」という物の発明であることを考慮すると、本願発明は、「当該加速度計パッケージを形成するための、異方性エッチング技術によるウエハからの前記チップの分離の際には」という加速度パッケージが有する「チップ」を得る製造プロセスを限定したことで、上記チップの分離にダイシングカットを採用した引用発明に比して、物の発明としての格別な技術的特徴点を見出すことができない。
　したがって、相違点２に係る本願発明の発明特定事項は格別なものではない。
　
　そして、本願発明の効果は、引用刊行物の記載及び周知技術から当業者が予測し得る範囲内のものである。
　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。