【事件の表示】
　平成　９年特許願第３２０８６９号「半導体ウェハの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　６月　８日出願公開、特開平１１−１５４６５５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成９年１１月２１日の出願であって、その請求項１ないし２に係る発明は、平成２０年１１月１０日付けの手続補正書によって補正された明細書及び出願当初の図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１ないし２に記載されたとおりのものと認められるところ、その請求項１ないし２に記載された発明（以下、「本願発明１」ないし「本願発明２」という。）は次のとおりである。
「【請求項１】　半導体インゴットを切断して得られたスライスドウェハを加工して半導体ウェハを製造するにあたり、切断された該スライスドウェハを平坦化加工した後に、その外周部を面取りし、その後、該スライスドウェハの表面をプラズマエッチングすることを特徴とする半導体ウェハの製造方法。
【請求項２】　前記平坦化加工において、両頭研削した後に、さらに仕上げ平坦化加工としての両頭研削をすることを特徴とする請求項１記載の半導体ウェハの製造方法。」
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
２．引用刊行物記載の発明（事項）
　これに対し、当審での平成２０年９月３日付けの拒絶の理由に引用された本件出願前に頒布された刊行物である特開平７−２８３１７６号公報（以下、「刊行物１」という。）及び特開平９−２７２０４９号公報（以下、「刊行物２」という。）には、次の事項が記載されている。
（１）刊行物１
ア　段落【０００７】
「【課題を解決するための手段】本発明の半導体ウェハの研磨方法は、円形のウェハのオリエンテーションフラットがへき開面を要求される半導体ウェハを研磨する方法において、ラッピング加工までは最終形状が確保できる大きさでウェハを加工し、ラッピング後にオリエンテーションフラットのへき開面出しを行ない、その後ポリッシングを行うようにしたものである。」
イ　段落【０００８】〜【００１１】
「【作用】ラッピング加工までの工程には、スライス工程、整形工程、エッチング工程がある。スライス工程では、規定の厚さおよび面方位にダイヤモンドブレードで切断する。整形工程では、ウェハサイズがラッピング加工まで、オリエンテーションフラット部のへき開面出し作業が可能で最終的な大きさを確保できる大きさにウェハを加工する。その加工歪みをエッチング工程により取り除く。ラッピング加工は、スライスされたウェハの平坦度、厚さを揃えるために行なわれる。これには片面方式および両面方式がある。
　・・・。
　ポリシングでは、ウェハ表面の加工歪層を除去し、歪みのない鏡面を得るためケミカルポリッシングまたはメカノケミカルポリッシングを行なう。最後に、それまでのプロセスで汚染された表面を清浄にし、酸化物のない鏡面を得る。
　なお、へき開面出し工程後、砥石による面取り加工を行なうが、この面取りではデバイス製造プロセスで周辺欠けなどが発生しないようにするとともに、最終的な外周寸法を正確に出す。また、要所にスライスあるいはラッピングされたウェハの加工歪により生じた反りを取り除くためのエッチング処理工程が入れる。」
ウ　段落【００１５】〜【００２０】
「【実施例】本発明の半導体ウェハの研磨方法をＧａＡｓウェハに適用した実施例を説明する。図１に本実施例の工程手順を示す。
　まず、ボート成長法により製造したインゴットからスライスしたＧａＡｓウェハ２５枚を５４×５４mmの角形に整形した（ステップ１１）。このウェハサイズはオリエンテーションフラット部のへき開面出し作業が可能で最終的にφ５０mmが確保できる大きさである。次いで、スライスや整形で生じた加工歪、反りを除去するために、このウェハをアンモニア系のエッチャントでエッチングした（ステップ１２）。
　その後、両面同時ラッピングでラッピング加工を行った（ステップ１３）。研磨材はアルミナ系のものを水に溶かしたスラリを使用した。
　ラッピング加工後、角形ウェハの一辺のへき開面出し作業を行った（ステップ１４）。へき開面は（０１’１’）とした。
　さらに、へき開面を出した面のみについては面取りを行わず、残りのウェハ外周部の面取り加工を行い、所定の直径φ５０mm、オリエンテーションフラットの長さ１６mmの円形ウェハに整形した（ステップ１５）。
　その後、ラッピングで生じた加工歪、反りを除去するためにエッチングを行った（ステップ１６）。このエッチングでも上述したアンモニア系のエッチャントを使用した。さらにポリッシングを行ってウェハを鏡面仕上げした（ステップ１７）。研磨液は砥粒を加えたメカノケミカル液を使用し、研磨布に１層構造の硬めの不織布を使用した。」
エ　段落【００２４】〜【００２６】
「なお、上記実施例では・・・また、実施例のエッチング方法、ラッピング方法、およびポリッシング方法に限定されるものでもない。いずれによってもチッピングの発生を有効に防止することができる。
　・・・またへき開面出し時のウェハ形状は、角形に限定されるものではなく、任意の形状でもよい。したがって、ＬＥＣ法によって成長させた円柱状インゴットからスライスしたウェハにも適用できる。」
オ　段落【００２７】
「【発明の効果】本発明によれば、ラッピング後にへき開面出しを行なうようにしたので、オリエンテーションフラット部のへき開面のチッピングを大幅に減少することができ、製品歩留りを向上させることができる。」
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　上記摘記事項イにおいて、「ラッピング加工」は、スライスされたウェハの平坦度、厚さを揃えるために行なわれるから、「平坦化加工」ということができ、また、「ラッピング加工」は、「研磨加工」ということができる。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　これらの記載事項を図１を参照しつつ、技術常識を考慮しながら本願発明に照らして整理すると、刊行物１には、次の事項（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「インゴットを切断して得られたスライスしたウェハを加工して半導体ウェハを研磨するにあたり、切断された該スライスしたウェハを平坦化加工した後に、その外周部を面取り加工し、その後、該スライスしたウェハの表面をエッチング加工する半導体ウェハの研磨方法であって、
　前記平坦化加工において、両面同時ラッピング加工する半導体ウェハの研磨方法。」
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
（２）刊行物２
ア　段落【０００１】
「【発明の属する技術分野】本発明は、例えばアルミニウム基板のような薄肉円板状の工作物の平行な２平面を研削する工作物の両頭平面研削方法および工作物の両頭平面研削盤の技術分野に属するものである。」
イ　段落【００１７】
「【発明の実施の形態】以下、本発明の工作物の両頭平面研削方法を実現する実施の形態に係る両頭平面研削盤を、２段の砥石（１段目の砥石が粗砥石であり、２段目の砥石が仕上砥石である。）を持つ場合を例として、その概略平面構成説明図の図１と、加工物の板厚測定から砥石のドレッシング時期を決定するフロー図の図２とを参照しながら説明する。」
ウ　段落【００２３】〜【００２４】
「以下、上記両頭平面研削盤の作用態様を説明すると、先ずローディング機構３の作動によりポケット１ａに工作物２が掛合されると共に、キャリヤ１の移動により工作物２が粗研削機構１０の粗砥石１２，１４の間に搬入される。両面が粗研削された工作物２が粗砥石１２，１４からでると、粗研削された工作物２の板厚が直ちに板厚測定器５，５′により測定され、板厚データが砥石間隔制御装置６に入力される。この砥石間隔制御装置６は、入力された板厚データと、入力装置７から入力される目標板厚との差をなくするのに必要な工作物２の切込量を求め、求めた切込量だけ粗砥石１２，１４と仕上砥石２２，２４との間隔を狭めるようにという板厚調整信号を粗砥石作動装置１６と仕上砥石作動装置２６とに出力する。
　このように、砥石間隔制御装置６から板厚調整信号が粗砥石作動装置１６と仕上砥石作動装置２６とに出力されるので、例え粗研削機構１０による工作物２の粗仕上寸法精度に問題があったとしても仕上研削機構２０の仕上砥石２２，２４により精度を満足する板厚に研削加工することができる。」
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　これらの記載事項を図１を参照しつつ、技術常識を考慮しながら本願発明に照らして整理すると、刊行物２には、次の事項（以下、「刊行物２記載の事項」という。）が記載されていると認められる。
「アルミニウム基板のような薄肉円板状の工作物の平行な２平面を両頭平面研削した後に、さらに仕上げ研削に両頭平面研削をすること。」
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
３．本願発明２についての対比・判断
３−１　対比
　本願発明２と引用発明とを対比すると、
　引用発明における「インゴット」は本願発明２における「半導体インゴット」に、以下同様に、「スライスしたウェハ」は「スライスドウェハ」に、「両面同時ラッピング加工」は「平坦化加工」に、「面取り加工」は「面取り」に、それぞれ相当することは明らかである。
　また、引用発明における「半導体ウェハの研磨方法」は、「半導体ウェハの製造方法」ということができるものである。
　そして、引用発明における「エッチング加工」は、「エッチング加工」である限りにおいて本願発明２における「プラズマエッチング」と共通し、また、引用発明における「両面同時ラッピング加工」は、「両面同時平坦化加工」である限りにおいて本願発明２における「両頭研削」と共通している。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　してみると、両者の一致点及び相違点は次のとおりと認められる。
［一致点］
「半導体インゴットを切断して得られたスライスドウェハを加工して半導体ウェハを製造するにあたり、切断された該スライスドウェハを平坦化加工した後に、その外周部を面取りし、その後、該スライスドウェハの表面をエッチング加工する半導体ウェハの製造方法であって、
　前記平坦化加工において、両面同時平坦化加工をする半導体ウェハの製造方法。」
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
［相違点１］
　エッチング加工が、
　本願発明２では、プラズマエッチングであるのに対して、
　引用発明では、プラズマエッチングでない点。
［相違点２］
　本願発明２では、両頭研削した後に、さらに仕上げ平坦化加工としての両頭研削をするのに対して、
　引用発明では、両面同時ラッピング加工しているにすぎない点。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
３−２　相違点についての判断 
 (１)　相違点１について 
　半導体ウェハの表面をプラズマエッチングすることは、例えば、特開平９−２６０３１４号公報の段落【００３７】〜【００４１】及び図２に記載されているように、本件出願前周知の事項である。
　そして、刊行物１には、実施例のエッチング方法に限定されるものでもない旨記載されている。（上記摘記事項エ参照。）
　してみると、引用発明において、上記周知の事項を採用して、エッチング加工としてプラズマエッチングとすることは当業者が容易に想到し得たことである。
 　 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
 (２)　相違点２について 
　上記刊行物２記載の事項の「両頭平面研削」は本願発明２の「両頭研削」に相当することは明らかである。
　そうすると刊行物２記載の事項は、「アルミニウム基板のような薄肉円板状の工作物の平行な２平面を両頭研削した後に、さらに仕上げ研削に両頭研削をすること。」と言い換えることができる。
　そして、引用発明と刊行物２記載の事項とは、薄肉円板状の工作物を両面同時平坦化加工する点で技術的事項が共通している。
　してみると、引用発明に刊行物２記載の事項を適用し、引用発明における平坦化加工として、引用発明で用いられている両面ラッピング加工に代えて、まず、両頭研削した後に、さらに仕上げ研削に両頭研削を用いることは、当業者であれば容易に想到し得たことである。
　また、本願発明２の奏する効果も、引用発明、刊行物２記載の事項及び上記周知の事項から当業者が予測できる範囲内のものであって格別なものとはいえない。 
 　 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　したがって、本願発明２は、引用発明、刊行物２記載の事項及び上記周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
 　 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
４．本願発明１についての対比・判断
　本願発明１と引用発明とを対比すると、
　引用発明における「インゴット」は本願発明１における「半導体インゴット」に、以下同様に、「スライスしたウェハ」は「切断して得られたスライスドウェハ」に、「両面同時ラッピング加工」は「平坦化加工」に、「面取り加工」は「面取り」に、それぞれ相当することは明らかである。
　また、引用発明における「半導体ウェハの研磨方法」は、「半導体ウェハの製造方法」ということができるものである。
　そして、引用発明における「エッチング加工」は、「エッチング加工」である限りにおいて本願発明１における「プラズマエッチング」と共通している。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　してみると、両者の一致点及び相違点は次のとおりと認められる。
［一致点］
「半導体インゴットを切断して得られたスライスドウェハを加工して半導体ウェハを製造するにあたり、切断された該スライスドウェハを平坦化加工した後に、その外周部を面取りし、その後、該スライスドウェハの表面をエッチング加工する半導体ウェハの製造方法。」
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
［相違点３］
　エッチング加工が、
　本願発明１では、プラズマエッチングであるのに対して、
　引用発明では、プラズマエッチングでない点。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　相違点３は上記相違点１と同じである。
　そして、相違点１についての判断は上記３−２に記載したとおりである。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　したがって、本願発明１は、同様の理由により引用発明及び上記周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
５．むすび 
　以上のとおりであり、本願発明２ないし本願発明１は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　したがって、本件出願は拒絶されるべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。