(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
フッ化亜鉛を製造する方法において、出発物質として高純度の金属亜鉛を使用し、β−ジケトンを用いる処理を行うことなく、該高純度金属亜鉛から金属亜鉛の水溶液を作製する工程、該水溶液に水酸化ナトリウム溶液を添加して水酸化亜鉛沈殿物を作製する工程、該水酸化亜鉛沈殿物を洗浄する工程、洗浄後の前記水酸化亜鉛沈殿物に、フッ素化剤として、いずれも高純度の、フッ化水素酸、あるいはフッ化水素ガス若しくはフッ素ガスを添加してフッ化亜鉛沈殿物を作製する工程、前記フッ化亜鉛沈殿物を脱水する工程、及び脱水後の前記フッ化亜鉛沈殿物を乾燥する工程、の各工程を包含することを特徴とするフッ化亜鉛の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は高純度金属フッ化物の製造方法、更に詳細には光増幅用フッ化物光ファイバ用高純度原料の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＩｎＦ３  、ＧａＦ３  、ＰｂＦ２  、ＺｎＦ２  、ＳｒＦ２  、ＬａＦ３  、ＹＦ３  は光増幅用フッ化物光ファイバの構成原料であり、ＺｎＦ２  はＩｎＦ３  、ＧａＦ３  、ＰｂＦ２  と共にＩｎＦ３  系フッ化物光ファイバの主要組成の一つである。フッ化物光ファイバによる光増幅を阻害する要因として光ファイバ中に混入しているＦｅ、Ｃｕ、Ｎｉなどの遷移金属の不純物及び酸素不純物が挙げられる。これらの遷移金属及び酸素は構成原料中に不純物として存在しており、フッ化物光ファイバの光増幅には遷移金属の不純物濃度が１ｐｐｂ以下、酸素の不純物濃度が１ｐｐｍ以下の高純度金属フッ化物の作製が不可欠である。
従来、ＺｎＦ２  （以下、フッ化亜鉛と略）の製造方法については、試薬特級品のＺｎＣＯ３  に熱フッ化水素酸を添加し、蒸発、濃縮後、ＺｎＦ２  ・４Ｈ２  Ｏとし、乾燥フッ化水素ガスにより、３００℃で加熱脱水し、フッ化亜鉛とする製造方法、又は、亜鉛塩の水溶液にＮａＦ水溶液を添加し、フッ化亜鉛沈殿を生成後、ろ過、脱水・乾燥し、フッ化亜鉛とする製造方法がある。従来の方法で作製したフッ化亜鉛については、出発物質のＺｎＣＯ３  が未溶解のためＣＯ２  が残留し、これがフッ化物光ファイバの損失増の要因となり、光増幅を阻害する。
更に、出発物質の精製が行われていないためにフッ化亜鉛中の遷移金属の不純物濃度は１ｐｐｍ以上、酸素の不純物濃度は１０ｐｐｍ以上と推定され、これについてもフッ化物光ファイバの損失増となる。また、高純度フッ化亜鉛の製造方法として、亜鉛の水溶性塩を出発物質としてｐＨを調整した後、金属不純物の抽出有機試薬としてβ−ジケトンを使用して金属不純物を除去する精製法が提案されている（特開平６−２３９６０４号）が、この方法では酸素不純物の除去ができないことに問題がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、上述の欠点を解決し、高純度のフッ化亜鉛を製造する方法を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明を概説すれば、本発明はフッ化亜鉛の製造方法に関する発明であって、フッ化亜鉛を製造する方法において、出発物質として高純度の金属亜鉛を使用し、β−ジケトンを用いる処理を行うことなく、該高純度金属亜鉛から金属亜鉛の水溶液を作製する工程、該水溶液に水酸化ナトリウム溶液を添加して水酸化亜鉛沈殿物を作製する工程、該水酸化亜鉛沈殿物を洗浄する工程、洗浄後の前記水酸化亜鉛沈殿物に、フッ素化剤として、いずれも高純度の、フッ化水素酸、あるいはフッ化水素ガス若しくはフッ素ガスを添加してフッ化亜鉛沈殿物を作製する工程、前記フッ化亜鉛沈殿物を脱水する工程、及び脱水後の前記フッ化亜鉛沈殿物を乾燥する工程、の各工程を包含することを特徴とする。
【０００５】
本発明は、従来技術のＺｎＣＯ3 に熱フッ化水素酸を添加する方法、又は、亜鉛塩の水溶液にＮａＦ水溶液を添加し、ＺｎＦ2 ・４Ｈ2 Ｏを生成後、脱水・加熱乾燥後、フッ化亜鉛を製造する方法とは、高純度金属亜鉛を出発物質とし、水酸化ナトリウム水溶液を使用し、水酸化亜鉛を作製後に高純度フッ素化剤を加え、高純度のフッ化亜鉛を製造する点で異なる。
また、従来の抽出有機試薬としてβ−ジケトンを添加して金属不純物を除去する精製法とは製造方法に精製工程がない点が異なる。
【０００６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を具体的に説明する。
本発明において、目的とするフッ化亜鉛を、フッ化物光ファイバアンプの出発物として使用する場合には、高純度のフッ化亜鉛を生成させる必要がある。
そのような高純度のフッ化亜鉛を得るためには、原料、試薬及び水として高純度のものを使用する必要がある。
金属亜鉛の高純度のものとしては、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕなどの遷移金属不純物及び酸素不純物の少ないものがよく、現在６Ｎ（シックスナイン）、７Ｎ（セブンナイン）のものが市販されており、上記した程度に高純度のフッ化亜鉛を取得するためには、６Ｎ以上のものを使用することが好適である。
次に、該金属亜鉛の水溶液を作製する工程では、濃塩酸又は濃硝酸のような強酸中で加熱、溶解させることが好ましい。
【０００７】
次の水酸ナトリウム溶液（好ましくは水溶液）を用いて水酸化亜鉛〔Ｚｎ（ＯＨ）２  〕沈殿物を作製する工程においては、前記した程度に高純度のフッ化亜鉛を取得するためには、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕなどの遷移金属不純物が１ｐｐｂレベルの超高純度の水酸化ナトリウム水溶液を用いることが好ましい。
次の洗浄工程では、超純水で十分な洗浄を行い、Ｃｌイオン及びＮａイオンを除去することが好ましい。
次のフッ化工程では、フッ素化剤として高純度のフッ化水素酸を使用するか、水酸化亜鉛の水性液中に、フッ化水素ガス又はフッ素ガスを添加して行うのが好ましい。
次に、得られたフッ化亜鉛沈殿物は、好ましくは前記水酸化亜鉛沈殿物と同様に、超純水による、又はそれにフッ化水素酸を少量加えて洗浄を行うことが好ましい。
フッ化亜鉛沈殿物の脱水・乾燥は、同時に、又は連続的若しくは不連続的に行ってよい。その工程は、真空乾燥器中における加熱による方法、フッ化水素ガス、又はフッ素ガス、あるいはそれらの混合ガス中で加熱する方法等が挙げられる。また、乾燥工程後、フッ素を含むガスで後処理してもよい。
【０００８】
【実施例】
以下、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されない。
【０００９】
実施例１
純度：７Ｎ（９９．９９９９９％）の金属亜鉛を出発物質とする高純度フッ化亜鉛の製造方法について、図１の工程図によって説明する。高純度金属亜鉛５０ｇを秤量し、電子工業用の濃塩酸２００ｍｌを加え、加熱し、溶解する。溶解後、濃度が３ｍｏｌ／リットルでＦｅ、Ｎｉ、Ｃｕの不純物濃度が１ｐｐｂ以下の高純度水酸化ナトリウム溶液５４５ｍｌを添加し、Ｚｎ（ＯＨ）２  沈殿物を作製する。Ｚｎ（ＯＨ）２  沈殿物は、超純水５００ｍｌを加え、５分間、かくはんし沈殿物の洗浄を十分に行い、Ｃｌイオン及びＮａイオンを除去する。洗浄操作は３回繰り返す。Ｚｎ（ＯＨ）２  沈殿物を含む水溶液に５０％高純度フッ化水素酸４０ｍｌを加え、かくはんし、ＺｎＦ２  ・４Ｈ２  Ｏ沈殿物を作製する。図２は、作製したＺｎＦ２  ・４Ｈ２  ＯのＴＧ（熱重量分析）−ＤＴＡ（示差熱分析）曲線を示す図である。また、図３は、市販品の純度９９．９％のＺｎＦ２  ・４Ｈ２  ＯのＴＧ−ＤＴＡ曲線を示す図である。図２、３共、１１０℃付近の脱水による吸熱ピーク、８７２℃のＺｎＦ２  の融点による吸熱ピークは観察されたが、図３にはこれ以外に４１０℃付近の吸熱ピークが観察された。これは、ＺｎＦ２  の出発物質のＺｎＣＯ３  の一部の未溶解部がＣＯ２  を発生したことによるものである。図２のＴＧ−ＤＴＡ曲線にはＣＯ２  放出によるピークはない。これは、ＺｎＦ２  の出発物質にＺｎＣＯ３  を用いていないからである。図２における１００℃から３００℃までの重量減少率は、４１．０ｗｔ％、図３における１００℃から３００℃までの重量減少率は、３５．２ｗｔ％、３００℃から５００℃までの重量減少率は、５．０％である。
ＺｎＦ２  ・４Ｈ２  Ｏ沈澱物は超純水３００ｍｌで洗浄後、ろ過・真空脱気し、Ｆ２  ガスとＨＦガスを使用し、２５０℃で脱水したのち、ＺｎＦ２  とする。また、作製したフッ化亜鉛中のＦｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、酸素の放射化分析を行い、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕについて１ｐｐｂ、酸素について１ｐｐｍの分析結果が得られ、従来、行われていたフッ化亜鉛についてのＦｅ、Ｎｉ、Ｃｕ不純物濃度の定量値よりも３桁、酸素不純物濃度の定量値よりも１桁ほど高純度のフッ化亜鉛を作製することができた。
【００１０】
実施例２
純度：７Ｎ（９９．９９９９９％）の金属亜鉛を出発物質とする高純度フッ化亜鉛の製造方法について、図４の工程図によって説明する。高純度金属亜鉛５０ｇを秤量し、電子工業用の６Ｍ−塩酸４００ｍｌを加え、加熱し、溶解する。溶解後、濃度が３ｍｏｌ／リットルでＦｅ、Ｎｉ、Ｃｕの不純物濃度が１ｐｐｂ以下の高純度水酸化ナトリウム溶液５４５ｍｌを添加し、Ｚｎ（ＯＨ）２  沈殿物を作製する。Ｚｎ（ＯＨ）２  沈殿物は、超純水５００ｍｌを加え、５分間、かくはんし、沈殿物の洗浄を十分に行い、Ｃｌイオン及びＮａイオンを除去する。洗浄操作は３回繰り返す。Ｚｎ（ＯＨ）２  沈殿物を含む水溶液に超純水２００ｍｌを加えた溶液中にフッ化水素ガスを流し、かくはんしながらＺｎＦ２  ・４Ｈ２  Ｏ沈殿物を作製する。ＺｎＦ２  ・４Ｈ２  Ｏの沈澱物のＴＧ−ＤＴＡ曲線は図２に示すものと同じである。
ＺｎＦ２  ・４Ｈ２  Ｏ沈殿物は超純水：フッ化水素酸＝３００ｍｌ：３０ｍｌの比で作製した希フッ化水素酸で洗浄後、ろ過・真空脱気し、ＨＦガスを使用し、２５０℃で脱水したのち、ＺｎＦ２  とする。また、作製したフッ化亜鉛中のＦｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、酸素の放射化分析を行い、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕについて１ｐｐｂ、酸素について１ｐｐｍの分析結果が得られ、従来、行われていたフッ化亜鉛についてのＦｅ、Ｎｉ、Ｃｕ不純物濃度の定量値よりも３桁、酸素不純物濃度の定量値よりも１桁ほど高純度のフッ化亜鉛を作製することができた。
【００１１】
実施例３
純度：７Ｎ（９９．９９９９９％）の金属亜鉛を出発物質とする高純度フッ化亜鉛の製造方法について、図５の工程図によって説明する。高純度金属亜鉛５０ｇを秤量し、電子工業用の高純度の濃硝酸２００ｍｌを加え、加熱し、溶解する。溶解後、濃度が３ｍｏｌ／リットルでＦｅ、Ｎｉ、Ｃｕの不純物濃度が１ｐｐｂ以下の高純度水酸化ナトリウム溶液５４５ｍｌを添加し、Ｚｎ（ＯＨ）２  沈殿物を作製する。Ｚｎ（ＯＨ）２  沈殿物は、超純水５００ｍｌを加え、５分間、かくはんし、沈殿物の洗浄を十分に行い、Ｃｌイオン及びＮａイオンを除去する。洗浄操作は３回繰り返す。Ｚｎ（ＯＨ）２  沈殿物を含む水溶液に高純度の濃度５０％フッ化水素酸４０ｍｌを加え、かくはんしながらＺｎＦ２  ・４Ｈ２  Ｏ沈殿物を作製する。ＺｎＦ２  ・４Ｈ２  Ｏ沈澱物のＴＧ−ＤＴＡ曲線は図２に示すものと同じである。
ＺｎＦ２  ・４Ｈ２  Ｏ沈殿物は超純水：フッ化水素酸＝３００ｍｌ：３０ｍｌの比で作製した希フッ化水素酸で洗浄後、ろ過・真空脱気し、ＨＦガスを使用し、１５０℃で脱水・乾燥したのち、ＺｎＦ２  とする。また、作製したフッ化亜鉛中のＦｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、酸素の放射化分析を行い、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕについて１ｐｐｂ、酸素について１ｐｐｍの分析結果が得られ、従来、行われていたフッ化亜鉛についてのＦｅ、Ｎｉ、Ｃｕ不純物濃度の定量値より３桁、酸素不純物濃度の定量値よりも１桁ほど高純度のフッ化亜鉛を作製することができた。
【００１２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の製造方法によれば、遷移金属を極低濃度にした高純度のフッ化亜鉛を製造することができるものである。また、特にフッ化亜鉛（ＺｎＦ２  ）沈殿物のフッ素ガス又はフッ化水素ガスでの乾燥処理により、酸素不純物すなわち酸化物の少ないフッ化亜鉛（ＺｎＦ２  ）が作製できる。更に、これをフッ化物光ファイバアンプの出発物質として用いることにより、増幅度の高い光ファイバアンプを製造できる利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例１における高純度フッ化亜鉛の製造方法を示す工程図である。
【図２】本発明の実施例１における作製したＺｎＦ２  ・４Ｈ２  ＯのＴＧ−ＤＴＡ曲線を示す図である。
【図３】市販品の純度９９．９％のＺｎＦ２  ・４Ｈ２  ＯのＴＧ−ＤＴＡ曲線を示す図である。
【図４】本発明の実施例２における高純度フッ化亜鉛の製造方法を示す工程図である。
【図５】本発明の実施例３における高純度フッ化亜鉛の製造方法を示す工程図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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