【事件の表示】
　平成　９年特許願第３４７０６４号「半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　６月２２日出願公開、特開平１１−１６８１０３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成９年１２月２日の出願であって、平成１８年３月２８日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年７月３日に拒絶査定に対する審判の請求がなされるとともに、同年８月２日付けで手続補正がなされ、その後当審において、平成２０年１１月１１日付けで審尋がなされたものである。
　
　
第２．平成１８年８月２日付けの手続補正についての却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成１８年８月２日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１．本件補正の内容
　平成１８年８月２日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）は、明細書の特許請求の範囲及び発明の詳細な説明を補正するものであり、その内容は以下のとおりである。
　
１−１．補正事項ａ
　補正前の請求項１を、補正後の請求項１の
「【請求項１】　下層に半導体基板又は導電膜が存する第１の絶縁膜上に、シリコン窒化膜からなる第２の絶縁膜を形成する第１の工程と、
　前記第２の絶縁膜上に、シリコン酸化膜からなる第３の絶縁膜を形成する第２の工程と、
　前記下層の表面の一部が露出するように絶縁膜第１、第２及び第３の絶縁膜に開孔を形成する第３の工程と、
　前記開孔の内壁面を含む前記第３の絶縁膜の表面に下地導電膜を形成する第４の工程と、
　前記開孔内を埋め込むように前記下地導電膜上に第１の導電膜を形成する第５の工程と、
　前記第３の絶縁膜をストッパーとして当該第３の絶縁膜上の前記第１の導電膜をエッチングして除去し、前記第１の導電膜を前記開孔内のみに充填して導電プラグを形成する第６の工程と、
　前記第３の絶縁膜を除去する第７の工程とを有し、
　前記第２の工程において、後の前記第６の工程における前記エッチングの際に前記導電プラグに生じる膜厚の目減り量を見込んで、当該目減り量と等しい膜厚となるように前記第３の絶縁膜を形成し、
　前記第７の工程において、前記第３の絶縁膜を除去することにより前記第２の絶縁膜の表面を前記導電プラグの表面と同一平面とすることを特徴とする半導体装置の製造方法。」
と補正すること。
　
１−２．補正事項ｂ
　補正前の明細書の０００７段落を、補正後の明細書の０００７段落と補正すること。
　
２．補正事項の整理
２−１．補正事項ａについて
　補正前の請求項１の「下層に半導体基板又は導電膜が存する第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成する第１の工程と、　前記第２の絶縁膜上に第３の絶縁膜を形成する第２の工程と、」を、補正後の請求項１の「下層に半導体基板又は導電膜が存する第１の絶縁膜上に、シリコン窒化膜からなる第２の絶縁膜を形成する第１の工程と、　前記第２の絶縁膜上に、シリコン酸化膜からなる第３の絶縁膜を形成する第２の工程と、」と補正すること。
　
２−２．補正事項ｂについて
　補正前の明細書の０００７段落の「下層に半導体基板又は導電膜が存する第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成する第１の工程と、前記第２の絶縁膜上に、シリコン酸化膜からなる第３の絶縁膜を形成する第２の工程と、」を、補正後の明細書の０００７段落の「下層に半導体基板又は導電膜が存する第１の絶縁膜上に、シリコン窒化膜からなる第２の絶縁膜を形成する第１の工程と、前記第２の絶縁膜上に、シリコン酸化膜からなる第３の絶縁膜を形成する第２の工程と、」と補正すること。
　
３．補正の目的の適否及び新規事項の追加の有無についての検討 
３−１．補正事項ａについて
　補正事項ａについての補正は、補正前の請求項１の「第２の絶縁膜」及び「第３の絶縁膜」を、それぞれ、「シリコン窒化膜からなる第２の絶縁膜」及び「シリコン酸化膜からなる第３の絶縁膜」とすることにより、「絶縁膜」の材料をより具体的に限定したものであるから、当該補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項（以下、単に「特許法第１７条の２第４項」という。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また、当該補正が、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内においてなされたものであることは、例えば【００５６】段落の記載から明らかであるから、当該補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項（以下、単に「特許法第１７条の２第３項」という。）に規定する要件を満たすものである。
　
３−２．補正事項ｂについて
　補正事項ｂについての補正が、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内においてなされたものであることは、例えば【００５６】段落の記載から明らかであるから、当該補正は、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
　
３−３．補正の目的の適否及び新規事項の追加の有無についてのまとめ
　以上のとおりであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定する要件を満たすものであり、かつ、同法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものである。
　したがって、本件補正による補正後の特許請求の範囲に記載された事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かにつき、さらに検討を進める。
　
４．独立特許要件についての検討
４−１．補正発明
　本願の補正後の請求項１及び２に係る発明は、本件補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その請求項１及び２に記載された事項により特定されるものであり、その内の請求項１に係る発明（以下、「補正発明」という。）は、以下のとおりのものである。
　
「【請求項１】　下層に半導体基板又は導電膜が存する第１の絶縁膜上に、シリコン窒化膜からなる第２の絶縁膜を形成する第１の工程と、
　前記第２の絶縁膜上に、シリコン酸化膜からなる第３の絶縁膜を形成する第２の工程と、
　前記下層の表面の一部が露出するように第１、第２及び第３の絶縁膜に開孔を形成する第３の工程と、
　前記開孔の内壁面を含む前記第３の絶縁膜の表面に下地導電膜を形成する第４の工程と、
　前記開孔内を埋め込むように前記下地導電膜上に第１の導電膜を形成する第５の工程と、
　前記第３の絶縁膜をストッパーとして当該第３の絶縁膜上の前記第１の導電膜をエッチングして除去し、前記第１の導電膜を前記開孔内のみに充填して導電プラグを形成する第６の工程と、
　前記第３の絶縁膜を除去する第７の工程とを有し、
　前記第２の工程において、後の前記第６の工程における前記エッチングの際に前記導電プラグに生じる膜厚の目減り量を見込んで、当該目減り量と等しい膜厚となるように前記第３の絶縁膜を形成し、
　前記第７の工程において、前記第３の絶縁膜を除去することにより前記第２の絶縁膜の表面を前記導電プラグの表面と同一平面とすることを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
　なお、平成１８年８月２日付けの手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１には、「絶縁膜第１、第２及び第３の絶縁膜」と記載されているが、明らかに日本語として不自然であるから、請求項１に記載された「絶縁膜第１、第２及び第３の絶縁膜」は、「第１、第２及び第３の絶縁膜」の誤記であると認め、補正発明を上記のとおり認定した。
　
４−２．引用刊行物に記載された発明
　刊行物１．特開平７−１６９８３５号公報
　原審の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に日本国内において頒布された特開平７−１６９８３５号公報（以下、「刊行物１」という。）には、図１、２、４、８とともに、「半導体素子のメタルプラグの形成方法」（発明の名称）に関して、以下の事項が記載されている。
ア．「【００１６】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明する。図１は本発明の第１の実施例を示す半導体素子のメタルプラグの形成工程断面図である。まず、図１（ａ）に示すように、シリコン基板１１上へゲート電極１２、ソース・ドレイン領域１３を有するトランジスタを形成後に、ＰＳＧ，ＢＰＳＧ等ＣＶＤ酸化膜からなる層間絶縁膜１４を基板全面に形成し、しかるべき平坦化処理を施した後に、周知のホトリソ・エッチング技術により、コンタクトホール１５を形成する。
【００１７】次に、図１（ｂ）に示すように、スパッタにより、Ｔｉ膜を基板全面に形成した後に、Ｎ2 雰囲気中のＲＴＡ処理により、熱窒化（ＴｉＮ）膜１６を形成し、引き続き、Ｗ−ＣＶＤにより基板全面にＷ膜１７を形成する。次に、図１（ｃ）に示すように、全面エッチバックにより、コンタクト部以外のＷ膜１７をエッチング除去し、Ｗプラグ１８を形成する。
【００１８】ここで、コンタクトホール径０．８〜０．５μｍ、深さ０．５〜２．０μｍでのＷ埋め込みにおけるプラグロス量（落ち込み量）は、約０．２〜０．３μｍである。しかし、実際のロス量は、更に深く、図１（ｃ）に示すように、逆円錐形を呈しており、この現象がその後の当該接続部メタル配線カバレージ悪化の原因となっている。
【００１９】ここまでは、前記した従来のＢＬＫ−ＷＣＶＤ法により形成することができる〔図２（ａ）〜図２（ｃ）参照〕。次に、図１（ｄ）に示すように、コンタクト形成エッチング条件により、全面エッチバックを行い、層間絶縁膜１４を０．２〜０．３μｍエッチング除去し、層間絶縁膜１９を形成する。なお、層間絶縁膜１４を形成するときは、設定膜厚に対し、０．２〜０．３μｍ厚く形成しておき、最終的な層間絶縁膜１９が設定膜厚になるようにする。
【００２０】次に、図１（ｅ）に示すように、メタル配線スパッタにより、メタル配線２０を形成する。ここでは、上記した処理により、Ｗプラグトップ部１８ａと層間絶縁膜１９の表面が一致することから、上層導電層（Ａｌ配線）の段差被覆性（カバレージ）が改善され、安定した接続を行うことができる。また、段差被覆性（カバレージ）の改善に伴い、ＭＥ（エレクトロマイグレーション）耐性を向上させることができ、高い信頼性の接続を行うことができる。」
イ．「【００２４】・・・次に、本発明の第３の実施例について説明する。図４は本発明の第３の実施例を示す半導体素子のメタルプラグの形成工程断面図である。
【００２５】（１）まず、図４（ａ）に示すように、Ｎ+ 拡散層３２が形成されたシリコン基板３１上に絶縁膜（シリコン酸化膜）３３が、例えば８０００Å形成されている。これを（図示せず）通常のホトリソ・エッチング技術を用い、シリコン酸化膜３３を貫通し、Ｎ+ 拡散層３２に達するコンタクトホール３４を形成する。次いで、密着層となるＴｉＮ膜を約１０００Åスパッタし（図示せず）、次に、全面にＷをＣＶＤにより形成する〔ＢＬＫ（ブランケット）Ｗと呼ばれる〕。このＢＬＫ−Ｗの全面エッチング技術により、Ｗプラグ３５をコンタクトホール３４内に埋め込む。この際、Ｗプラグ３５の高さは、面内均一性、ローディング効果、オーバエッチ等によりシリコン酸化膜３３の高さよりは低くなり、コンタクトホール３４内に埋設される形（例えば２０００Å）になる。
【００２６】（２）次に、図４（ｂ）に示すように、Ｗプラグ３５とシリコン酸化膜３３の選択比が大きくとれる条件で、シリコン酸化膜３３を約４０００Å全面エッチバックして、Ｗプラグ３５がシリコン酸化膜３３表面より約２０００Å突出した形状を得る。
（３）次に、図４（ｃ）に示すように、バリアメタルとして、ＴｉＮ膜を１０００Å、メタルとしてＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜を７０００Å、ＡＲＭとしてＴｉＮ膜を１０００Å（それぞれ図示なし）スパッタにより形成し、通常のホトリソ／エッチング技術を用いパターニングすることにより、メタル積層配線層３６を形成する。」
ウ．「【００３０】・・・次に、本発明の第４の実施例について説明する。図８は本発明の第４の実施例を示す半導体素子のメタルプラグの形成工程断面図である。
【００３１】（１）まず、図８（ａ）に示すように、拡散層４２が形成されたシリコン基板４１上に、シリコン酸化膜４３ａを４０００Å、シリコン窒化膜４３ｂを５００Å、シリコン酸化膜４３ｃを４０００Å積層して形成する。この３層の積層された絶縁膜を、通常のホトリソ／エッチング技術を用い（図示せず）、コンタクトホール４４を形成する。次いで、第３の実施例の図４（ａ）と同様に、ＢＬＫ−Ｗを全面エッチバックして、コンタクトホール４４内にＷプラグ４５を埋め込む。
【００３２】（２）次に、図８（ｂ）に示すように、シリコン酸化膜４３ｃと、Ｗプラグ４５とシリコン窒化膜４３ｂのエッチング選択比が大きくとれるエッチング条件で、全面エッチバックを約４０００Å行う。この際、上記選択比の条件で行っているので、シリコン窒化膜４３ｂで精度良くエッチング終了することができ、Ｗプラグ４５を２０００Åの高さ、コンタクトホール４４より突出した形状を得る。
【００３３】（３）次に、図８（ｃ）に示すように、バリアメタルとして、ＴｉＮ膜を１０００Å、メタルとしてＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜を７０００Å、ＡＲＭとしてＴｉＮ膜を１０００Å、スパッタにより形成し、通常のホトリソ／エッチング技術を用いパターニングすることにより、メタル積層配線層４６を形成する。」
　
　ここにおいて、００１６段落に記載された「ＰＳＧ，ＢＰＳＧ等ＣＶＤ酸化膜からなる層間絶縁膜１４を基板全面に形成」する工程によって、「基板」すなわち「シリコン基板１１」が「層間絶縁膜１４」の下層となることは、図１（ａ）より明らかであるから、００１６段落に記載された「周知のホトリソ・エッチング技術により、コンタクトホール１５を形成する」工程において、「層間絶縁膜１４」の下層の「シリコン基板１１」の表面の一部が露出するように、「層間絶縁膜１４」をエッチングしていることも、図１（ａ）より明らかである。
　また、００１７段落に記載された「Ｔｉ膜を基板全面に形成した後に、Ｎ2 雰囲気中のＲＴＡ処理により、熱窒化（ＴｉＮ）膜１６を形成」する工程において、「熱窒化（ＴｉＮ）膜１６」を、「コンタクトホール１５」の内壁面を含む「層間絶縁膜１４」の表面に形成していること、及び、００１７段落に記載された「Ｗ−ＣＶＤにより基板全面にＷ膜１７を形成する」工程において、「Ｗ膜１７」を、「コンタクトホール１５」内を埋め込むように「熱窒化（ＴｉＮ）膜１６」上に形成していることは、いずれも図１（ｂ）より明らかである。
　さらに、００１７段落に記載された「全面エッチバックにより、コンタクト部以外のＷ膜１７をエッチング除去し、Ｗプラグ１８を形成する」工程に関して、００１８段落の「ここで、コンタクトホール径０．８〜０．５μｍ、深さ０．５〜２．０μｍでのＷ埋め込みにおけるプラグロス量（落ち込み量）は、約０．２〜０．３μｍである。」との記載、及び、図１（ｃ）に「Ｗプラグ１８」の上面が「層間絶縁膜１４」の上面よりも低くなっていることが示されていることから、「コンタクト部以外のＷ膜１７をエッチング除去」する際に「層間絶縁膜１４」のエッチングレートが「Ｗ膜１７」のエッチングレートよりも小さくなっていることは明らかである。また、００１９段落の「層間絶縁膜１４を０．２〜０．３μｍエッチング除去し、層間絶縁膜１９を形成する。なお、層間絶縁膜１４を形成するときは、設定膜厚に対し、０．２〜０．３μｍ厚く形成しておき、最終的な層間絶縁膜１９が設定膜厚になるようにする。」との記載より、「層間絶縁膜１９」を形成するためのエッチングが行われるまでは「層間絶縁膜１４」の膜厚が減少していないことも勘案すると、００１７段落に記載された「全面エッチバックにより、コンタクト部以外のＷ膜１７をエッチング除去し、Ｗプラグ１８を形成する」工程において、「層間絶縁膜１４」がエッチングストッパーとして機能していることは明らかである。
　
　したがって、刊行物１には、摘記事項アの「第１の実施例」に関して、以下の発明（以下、「刊行物発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「層間絶縁膜１４を下層のシリコン基板１１全面に形成する工程と、
　前記下層のシリコン基板１１の表面の一部が露出するように、前記層間絶縁膜１４にコンタクトホール１５を形成する工程と、
　前記コンタクトホール１５の内壁面を含む前記層間絶縁膜１４の表面に、熱窒化（ＴｉＮ）膜１６を形成する工程と、
　前記コンタクトホール１５内を埋め込むように前記熱窒化（ＴｉＮ）膜１６上にＷ膜１７を形成する工程と、
　前記層間絶縁膜１４をエッチングストッパーとして、全面エッチバックにより、コンタクト部以外の前記Ｗ膜１７をエッチング除去し、Ｗプラグ１８を形成する工程と、
　前記層間絶縁膜１４を０．２〜０．３μｍエッチング除去し、層間絶縁膜１９を形成する工程とを有し、
　Ｗ埋め込みにおけるプラグロス量（落ち込み量）は、約０．２〜０．３μｍであり、前記層間絶縁膜１４を形成するときは、設定膜厚に対し、０．２〜０．３μｍ厚く形成しておき、最終的な前記層間絶縁膜１９が設定膜厚になるようにし、
　上記した処理により、Ｗプラグトップ部１８ａと前記層間絶縁膜１９の表面が一致するようにする
　半導体素子のメタルプラグの形成方法。」
　
４−３．対比 
　補正発明と刊行物発明とを対比する。
　
（ａ）補正発明の「半導体基板又は導電膜」は、「半導体基板」と「導電膜」の択一的な記載であるから、刊行物発明の「下層のシリコン基板１１」は、補正発明の「下層」の「半導体基板又は導電膜」に相当する。
　
（ｂ）補正発明の「下層に半導体基板又は導電膜が存する第１の絶縁膜上に、シリコン窒化膜からなる第２の絶縁膜を形成する第１の工程と、　前記第２の絶縁膜上に、シリコン酸化膜からなる第３の絶縁膜を形成する第２の工程」により、結果として、「下層」の「半導体基板又は導電膜」上に、「第１の絶縁膜」、「シリコン窒化膜からなる第２の絶縁膜」、「シリコン酸化膜からなる第３の絶縁膜」が順に積層された構造が形成されることになる。
　ここで、「第１の絶縁膜」、「第２の絶縁膜」、「第３の絶縁膜」の積層構造が、全体として「絶縁膜」を構成していることは明らかであり、刊行物発明の「層間絶縁膜１４」は、補正発明の「第１の絶縁膜」、「第２の絶縁膜」、「第３の絶縁膜」が順に積層された構造からなる「絶縁膜」に対応するから、補正発明の「下層に半導体基板又は導電膜が存する第１の絶縁膜上に、シリコン窒化膜からなる第２の絶縁膜を形成する第１の工程と、　前記第２の絶縁膜上に、シリコン酸化膜からなる第３の絶縁膜を形成する第２の工程」と、刊行物発明の「層間絶縁膜１４を下層のシリコン基板１１全面に形成する工程」とは、「下層に半導体基板又は導電膜が存する絶縁膜を形成する工程」である点で共通する。
　
（ｃ）刊行物発明の「コンタクトホール１５」は補正発明の「開孔」に相当するから、補正発明の「前記下層の表面の一部が露出するように第１、第２及び第３の絶縁膜に開孔を形成する第３の工程」と刊行物発明の「前記下層のシリコン基板１１の表面の一部が露出するように、前記層間絶縁膜１４にコンタクトホール１５を形成する工程」とは、「前記下層の表面の一部が露出するように絶縁膜に開孔を形成する工程」である点で共通する。
　
（ｄ）刊行物発明の「熱窒化（ＴｉＮ）膜１６」は補正発明の「下地導電膜」に相当し、補正発明の「第３の絶縁膜」は、「第１の絶縁膜」、「第２の絶縁膜」、「第３の絶縁膜」が順に積層された構造からなる「絶縁膜」における最上層であるから、補正発明の「前記開孔の内壁面を含む前記第３の絶縁膜の表面に下地導電膜を形成する第４の工程」と刊行物発明の「前記コンタクトホール１５の内壁面を含む前記層間絶縁膜１４の表面に、熱窒化（ＴｉＮ）膜１６を形成する工程」とは、「前記開孔の内壁面を含む前記絶縁膜の表面に下地導電膜を形成する工程」である点で共通する。
　
（ｅ）刊行物発明の「Ｗ膜１７」は補正発明の「第１の導電膜」に相当するから、刊行物発明の「前記コンタクトホール１５内を埋め込むように前記熱窒化（ＴｉＮ）膜１６上にＷ膜１７を形成する工程」は、補正発明の「前記開孔内を埋め込むように前記下地導電膜上に第１の導電膜を形成する第５の工程」に相当する。
　
（ｆ）刊行物発明の「Ｗプラグ１８」は補正発明の「導電プラグ」に相当し、刊行物発明の「コンタクト部以外の前記Ｗ膜１７をエッチング除去し、Ｗプラグ１８を形成する工程」において、「コンタクト部以外の前記Ｗ膜１７」が「層間絶縁膜１４」上の「前記Ｗ膜１７」を意味していることは図１（ｂ）及び（ｃ）より明らかであり、また、補正発明の「第３の絶縁膜」は、「第１の絶縁膜」、「第２の絶縁膜」、「第３の絶縁膜」が順に積層された構造からなる「絶縁膜」における最上層であるから、補正発明の「前記第３の絶縁膜をストッパーとして当該第３の絶縁膜上の前記第１の導電膜をエッチングして除去し、前記第１の導電膜を前記開孔内のみに充填して導電プラグを形成する第６の工程」と刊行物発明の「前記層間絶縁膜１４をエッチングストッパーとして、全面エッチバックにより、コンタクト部以外の前記Ｗ膜１７をエッチング除去し、Ｗプラグ１８を形成する工程」とは、「前記絶縁膜をストッパーとして当該絶縁膜上の前記第１の導電膜をエッチングして除去し、前記第１の導電膜を前記開孔内のみに充填して導電プラグを形成する工程」である点で共通する。
　
（ｇ）補正発明の「第３の絶縁膜」は、「第１の絶縁膜」、「第２の絶縁膜」、「第３の絶縁膜」が順に積層された構造からなる「絶縁膜」における最上層であって、当該「絶縁膜」の一部を構成するものであるから、補正発明の「前記第３の絶縁膜を除去する第７の工程」と刊行物発明の「前記層間絶縁膜１４を０．２〜０．３μｍエッチング除去し、層間絶縁膜１９を形成する工程」とは、「前記絶縁膜の一部を除去する工程」である点で共通する。
　
（ｈ）刊行物発明の「Ｗ埋め込みにおけるプラグロス量（落ち込み量）」は、補正発明の「前記エッチングの際に前記導電プラグに生じる膜厚の目減り量」に相当し、また、刊行物発明の「前記層間絶縁膜１４を形成するときは、設定膜厚に対し、０．２〜０．３μｍ厚く形成しておき、最終的な前記層間絶縁膜１９が設定膜厚になるように」することが「Ｗ埋め込みにおけるプラグロス量（落ち込み量）は、約０．２〜０．３μｍであ」ることを見込んで行われたものであることは明らかである。
　よって、上記（ｂ）及び（ｆ）で検討したとおり、補正発明の「第２の工程」及び「第６の工程」がそれぞれ「絶縁膜を形成する工程」及び「導電プラグを形成する工程」の一部であることを勘案すると、補正発明の「前記第２の工程において、後の前記第６の工程における前記エッチングの際に前記導電プラグに生じる膜厚の目減り量を見込んで、当該目減り量と等しい膜厚となるように前記第３の絶縁膜を形成」することと刊行物発明の「Ｗ埋め込みにおけるプラグロス量（落ち込み量）は、約０．２〜０．３μｍであり、前記層間絶縁膜１４を形成するときは、設定膜厚に対し、０．２〜０．３μｍ厚く形成しておき、最終的な前記層間絶縁膜１９が設定膜厚になるように」することとは、「前記絶縁膜を形成する工程において、後の前記導電プラグを形成する工程における前記エッチングの際に前記導電プラグに生じる膜厚の目減り量を見込んで、前記絶縁膜を形成」する点で共通する。
　
（ｉ）刊行物発明の「Ｗプラグトップ部１８ａ」が「Ｗプラグ１８」の表面を意味することは図１（ｄ）より明らかであるから、刊行物発明の「Ｗプラグトップ部１８ａ」は補正発明の「前記導電プラグの表面」に相当する。また、補正発明の「前記第２の絶縁膜の表面」が、「第１の絶縁膜」、「第２の絶縁膜」、「第３の絶縁膜」が順に積層された構造からなる「絶縁膜」のうち、当該「絶縁膜」の一部である「第３の絶縁膜」を除去することにより最終的に残った部分の表面を意味していることは、「第１の工程」、「第２の工程」、「第７の工程」についての記載から明らかであり、一方、刊行物発明の「上記した処理」が「前記層間絶縁膜１４を０．２〜０．３μｍエッチング除去し、層間絶縁膜１９を形成する工程」を意味すること、及び、刊行物発明の「前記層間絶縁膜１９の表面」が、「層間絶縁膜１４」のうち、当該「層間絶縁膜１４」の一部である「０．２〜０．３μｍ」を除去することにより最終的に残った「層間絶縁膜１９」の表面を意味していることは、いずれも明らかである。
　よって、上記（ｇ）で検討したとおり、補正発明の「第７の工程」が「前記絶縁膜の一部を除去する工程」の一部であることを勘案すると、補正発明の「前記第７の工程において、前記第３の絶縁膜を除去することにより前記第２の絶縁膜の表面を前記導電プラグの表面と同一平面とする」ことと刊行物発明の「上記した処理により、Ｗプラグトップ部１８ａと前記層間絶縁膜１９の表面が一致するようにする」こととは、「前記絶縁膜の一部を除去する工程において、前記絶縁膜の一部を除去することにより最終的に残った絶縁膜の表面を前記導電プラグの表面と同一平面とする」点で共通する。
　
（ｊ）刊行物発明の「半導体素子のメタルプラグの形成方法」は、「半導体素子のメタルプラグ」が半導体装置の構成要素であるから、補正発明の「半導体装置の製造方法」に相当する。
　
（ｋ）以上を総合すると、補正発明と刊行物発明とは、 
「下層に半導体基板又は導電膜が存する絶縁膜を形成する工程と、
　前記下層の表面の一部が露出するように絶縁膜に開孔を形成する工程と、
　前記開孔の内壁面を含む前記絶縁膜の表面に下地導電膜を形成する工程と、
　前記開孔内を埋め込むように前記下地導電膜上に第１の導電膜を形成する第５の工程と、
　前記絶縁膜をストッパーとして当該絶縁膜上の前記第１の導電膜をエッチングして除去し、前記第１の導電膜を前記開孔内のみに充填して導電プラグを形成する工程と、
　前記絶縁膜の一部を除去する工程とを有し、
　前記絶縁膜を形成する工程において、後の前記導電プラグを形成する工程における前記エッチングの際に前記導電プラグに生じる膜厚の目減り量を見込んで、前記絶縁膜を形成し、
　前記絶縁膜の一部を除去する工程において、前記絶縁膜の一部を除去することにより最終的に残った絶縁膜の表面を前記導電プラグの表面と同一平面とすることを特徴とする半導体装置の製造方法。」 
　である点で共通し、以下の点で相違する。 
　
（相違点１）
　「下層に半導体基板又は導電膜が存する絶縁膜を形成する工程」に関して、補正発明は「下層に半導体基板又は導電膜が存する第１の絶縁膜上に、シリコン窒化膜からなる第２の絶縁膜を形成する第１の工程と、　前記第２の絶縁膜上に、シリコン酸化膜からなる第３の絶縁膜を形成する第２の工程」であるのに対し、刊行物発明は「層間絶縁膜１４を下層のシリコン基板１１全面に形成する工程」である点。
　
（相違点２）
　「前記下層の表面の一部が露出するように絶縁膜に開孔を形成する工程」に関して、補正発明は「前記下層の表面の一部が露出するように第１、第２及び第３の絶縁膜に開孔を形成する第３の工程」であるのに対し、刊行物発明は「前記下層のシリコン基板１１の表面の一部が露出するように、前記層間絶縁膜１４にコンタクトホール１５を形成する工程」である点。
　
（相違点３）
　「前記開孔の内壁面を含む前記絶縁膜の表面に下地導電膜を形成する工程」に関して、補正発明は「前記開孔の内壁面を含む前記第３の絶縁膜の表面に下地導電膜を形成する第４の工程」であるのに対し、刊行物発明は「前記コンタクトホール１５の内壁面を含む前記層間絶縁膜１４の表面に、熱窒化（ＴｉＮ）膜１６を形成する工程」である点。
　
（相違点４）
　「前記絶縁膜をストッパーとして当該絶縁膜上の前記第１の導電膜をエッチングして除去し、前記第１の導電膜を前記開孔内のみに充填して導電プラグを形成する工程」に関して、補正発明は「前記第３の絶縁膜をストッパーとして当該第３の絶縁膜上の前記第１の導電膜をエッチングして除去し、前記第１の導電膜を前記開孔内のみに充填して導電プラグを形成する第６の工程」であるのに対し、刊行物発明は「前記層間絶縁膜１４をエッチングストッパーとして、全面エッチバックにより、コンタクト部以外の前記Ｗ膜１７をエッチング除去し、Ｗプラグ１８を形成する工程」である点。
　
（相違点５）
　「前記絶縁膜の一部を除去する工程」に関して、補正発明は「前記第３の絶縁膜を除去する第７の工程」であるのに対し、刊行物発明は「前記層間絶縁膜１４を０．２〜０．３μｍエッチング除去し、層間絶縁膜１９を形成する工程」である点。
　
（相違点６）
　「前記絶縁膜を形成する工程において、後の前記導電プラグを形成する工程における前記エッチングの際に前記導電プラグに生じる膜厚の目減り量を見込んで、前記絶縁膜を形成」することに関して、補正発明は「前記第２の工程において、後の前記第６の工程における前記エッチングの際に前記導電プラグに生じる膜厚の目減り量を見込んで、当該目減り量と等しい膜厚となるように前記第３の絶縁膜を形成」するのに対して、刊行物発明は「Ｗ埋め込みにおけるプラグロス量（落ち込み量）は、約０．２〜０．３μｍであり、前記層間絶縁膜１４を形成するときは、設定膜厚に対し、０．２〜０．３μｍ厚く形成しておき、最終的な前記層間絶縁膜１９が設定膜厚になるように」する点。
　
（相違点７）
　「前記絶縁膜の一部を除去する工程において、前記絶縁膜の一部を除去することにより最終的に残った絶縁膜の表面を前記導電プラグの表面と同一平面とする」ことに関して、補正発明は「前記第７の工程において、前記第３の絶縁膜を除去することにより前記第２の絶縁膜の表面を前記導電プラグの表面と同一平面とする」のに対して、刊行物発明は「上記した処理により、Ｗプラグトップ部１８ａと前記層間絶縁膜１９の表面が一致するようにする」点。
　
４−４．判断 
　以下において、相違点１ないし７について検討する。
　
４−４−１．相違点１及び相違点５について
（ａ）刊行物１の摘記事項イ．には、「第３の実施例」に関して、「【００２５】（１）まず、図４（ａ）に示すように、Ｎ+ 拡散層３２が形成されたシリコン基板３１上に絶縁膜（シリコン酸化膜）３３が、例えば８０００Å形成されている。これを（図示せず）通常のホトリソ・エッチング技術を用い、シリコン酸化膜３３を貫通し、Ｎ+ 拡散層３２に達するコンタクトホール３４を形成する。次いで、密着層となるＴｉＮ膜を約１０００Åスパッタし（図示せず）、次に、全面にＷをＣＶＤにより形成する〔ＢＬＫ（ブランケット）Ｗと呼ばれる〕。このＢＬＫ−Ｗの全面エッチング技術により、Ｗプラグ３５をコンタクトホール３４内に埋め込む。この際、Ｗプラグ３５の高さは、面内均一性、ローディング効果、オーバエッチ等によりシリコン酸化膜３３の高さよりは低くなり、コンタクトホール３４内に埋設される形（例えば２０００Å）になる。　【００２６】（２）次に、図４（ｂ）に示すように、Ｗプラグ３５とシリコン酸化膜３３の選択比が大きくとれる条件で、シリコン酸化膜３３を約４０００Å全面エッチバックして、Ｗプラグ３５がシリコン酸化膜３３表面より約２０００Å突出した形状を得る。・・・」（００２５及び００２６段落）と記載されており、刊行物１の摘記事項ウ．には、「第４の実施例」に関して、「【００３１】（１）まず、図８（ａ）に示すように、拡散層４２が形成されたシリコン基板４１上に、シリコン酸化膜４３ａを４０００Å、シリコン窒化膜４３ｂを５００Å、シリコン酸化膜４３ｃを４０００Å積層して形成する。この３層の積層された絶縁膜を、通常のホトリソ／エッチング技術を用い（図示せず）、コンタクトホール４４を形成する。次いで、第３の実施例の図４（ａ）と同様に、ＢＬＫ−Ｗを全面エッチバックして、コンタクトホール４４内にＷプラグ４５を埋め込む。　【００３２】（２）次に、図８（ｂ）に示すように、シリコン酸化膜４３ｃと、Ｗプラグ４５とシリコン窒化膜４３ｂのエッチング選択比が大きくとれるエッチング条件で、全面エッチバックを約４０００Å行う。この際、上記選択比の条件で行っているので、シリコン窒化膜４３ｂで精度良くエッチング終了することができ、Ｗプラグ４５を２０００Åの高さ、コンタクトホール４４より突出した形状を得る。」（００３１及び００３２段落）と記載されている。
　
（ｂ）ここで、刊行物１の摘記事項イ．に記載された「第３の実施例」と、刊行物１の摘記事項ウ．に記載された「第４の実施例」とを照らし合わせると、「第３の実施例の図４（ａ）と同様に、ＢＬＫ−Ｗを全面エッチバックして、コンタクトホール４４内にＷプラグ４５を埋め込む。」（００３１段落）と記載されているように、「コンタクトホール４４内にＷプラグ４５を埋め込む」部分に関するプロセス自体は、「第４の実施例」が「第３の実施例」を援用しており、「第３の実施例」と「第４の実施例」とでほぼ共通するものであるから、両者の主たる相違は、絶縁膜に関する部分である。そして、「第３の実施例」は、当初に「シリコン基板３１上に絶縁膜（シリコン酸化膜）３３が、例えば８０００Å形成され」、後の工程で「Ｗプラグ３５とシリコン酸化膜３３の選択比が大きくとれる条件で、シリコン酸化膜３３を約４０００Å全面エッチバック」するのに対し、「第４の実施例」は、当初に「シリコン基板４１上に、シリコン酸化膜４３ａを４０００Å、シリコン窒化膜４３ｂを５００Å、シリコン酸化膜４３ｃを４０００Å積層して形成」し、後の工程で「シリコン酸化膜４３ｃと、Ｗプラグ４５とシリコン窒化膜４３ｂのエッチング選択比が大きくとれるエッチング条件で、全面エッチバックを約４０００Å行う」ことにより、「シリコン窒化膜４３ｂで精度良くエッチング終了することができ」（００３２段落）るようにするものである。
　換言すれば、「第３の実施例」では、「絶縁膜」として「シリコン酸化膜３３」のみを形成した上で、当該「シリコン酸化膜３３」の一部を「全面エッチバック」するのに対し、「第４の実施例」では、図８（ａ）に示されるように、最下層の「シリコン酸化膜４３ａ」、中間層の「シリコン窒化膜４３ｂ」、最上層の「シリコン酸化膜４３ｃ」を「積層して形成」した上で、「シリコン酸化膜４３ｃと」「シリコン窒化膜４３ｂのエッチング選択比が大きくとれるエッチング条件で」「全面エッチバック」を行ったものであって、これにより、図８（ｂ）に示されるように、中間層の「シリコン窒化膜４３ｂ」がエッチングストッパーとなるように、最上層の「シリコン酸化膜４３ｃ」をエッチング除去し、「シリコン窒化膜４３ｂで精度良くエッチング終了することができ」るようにしたものであると認められるから、「第４の実施例」が、「絶縁膜」を「全面エッチバック」する際のエッチング制御性を向上させるべく、「第３の実施例」を改良したものであることは明らかである。
　
（ｃ）よって、刊行物１の摘記事項イ．及びウ．には、「絶縁膜」を「全面エッチバック」する際のエッチング制御性を向上させるために、当該「絶縁膜」を、１層構造のものに換えて、最下層の「絶縁膜」、中間層の「シリコン窒化膜」、最上層の「シリコン酸化膜」が積層して形成された３層構造のもので構成した上で、「全面エッチバック」の際には、中間層の「シリコン窒化膜」をエッチングストッパーとして最上層の「シリコン酸化膜」をエッチング除去する技術が記載されているものと認められる。
　
（ｄ）一方、刊行物発明は、「層間絶縁膜１４を下層のシリコン基板１１全面に形成する工程」及び「前記層間絶縁膜１４を０．２〜０．３μｍエッチング除去し、層間絶縁膜１９を形成する工程」を有するものであるが、「前記層間絶縁膜１４を０．２〜０．３μｍエッチング除去」する際の「０．２〜０．３μｍ」という値は、「Ｗ埋め込みにおけるプラグロス量（落ち込み量）は、約０．２〜０．３μｍであ」ることを見込んで「Ｗプラグトップ部１８ａと前記層間絶縁膜１９の表面が一致するように」設定されたものであるから、精密なエッチング制御性が求められることは当然である。
　よって、刊行物発明において、上記（ｃ）に記載した、刊行物１の摘記事項イ．及びウ．に記載された技術を適用することにより、上記「層間絶縁膜１４を下層のシリコン基板１１全面に形成する工程」における「層間絶縁膜１４」に換えて、最下層の「層間絶縁膜」、中間層の「シリコン窒化膜」、最上層の「シリコン酸化膜」が積層して形成された３層構造のもので構成するとともに、上記「前記層間絶縁膜１４を０．２〜０．３μｍエッチング除去し、層間絶縁膜１９を形成する工程」における「前記層間絶縁膜１４を」「エッチング除去」することに換えて、中間層の「シリコン窒化膜」をエッチングストッパーとして最上層の「シリコン酸化膜」をエッチング除去することは、当業者が容易になし得たものである。
　
（ｅ）そして、積層膜を形成する際に下側の膜から順に形成していくことは常套手段であって、上記（ｄ）に記載された「３層構造」を形成するために、「層間絶縁膜」上に「シリコン窒化膜」を形成する工程及び当該「シリコン窒化膜」上に「シリコン酸化膜」を形成する工程を有しているのは明らかであること、及び、上記「３層構造」における「層間絶縁膜」、「シリコン窒化膜」、「シリコン酸化膜」が、それぞれ補正発明における「第１の絶縁膜」、「シリコン窒化膜からなる第２の絶縁膜」、「シリコン酸化膜からなる第３の絶縁膜」に相当することを勘案すれば、刊行物発明の「層間絶縁膜１４を下層のシリコン基板１１全面に形成する工程」及び「前記層間絶縁膜１４を０．２〜０．３μｍエッチング除去し、層間絶縁膜１９を形成する工程」に対して、刊行物１の摘記事項イ．及びウ．に記載された技術を適用することにより、補正発明の「下層に半導体基板又は導電膜が存する第１の絶縁膜上に、シリコン窒化膜からなる第２の絶縁膜を形成する第１の工程と、　前記第２の絶縁膜上に、シリコン酸化膜からなる第３の絶縁膜を形成する第２の工程」に相当する構成及び「前記第３の絶縁膜を除去する第７の工程」に相当する構成を備えたものとなることは、明らかである。
　したがって、相違点１及び相違点５は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
４−４−２．相違点２について
　刊行物発明の「前記下層のシリコン基板１１の表面の一部が露出するように、前記層間絶縁膜１４にコンタクトホール１５を形成する工程」において、「コンタクトホール１５」は、刊行物１の図１（ａ）にも示されているとおり、「層間絶縁膜１４」の全体を貫通して形成されるべきものであるから、刊行物発明において、上記「４−４−１．（ｄ）」で検討したとおり刊行物１の摘記事項イ．及びウ．に記載された技術を適用し、「層間絶縁膜１４」に換えて、最下層の「層間絶縁膜」、中間層の「シリコン窒化膜」、最上層の「シリコン酸化膜」の３層構造とすることが当業者が容易になし得たものであることと等しく、刊行物発明において、「コンタクトホール１５」が、「層間絶縁膜」、「シリコン窒化膜」、「シリコン酸化膜」の全体を貫通して形成される構成とすること、すなわち、補正発明の「前記下層の表面の一部が露出するように第１、第２及び第３の絶縁膜に開孔を形成する第３の工程」に相当する構成を備えたものとすることもまた、当業者が容易になし得たことである。
　
４−４−３．相違点３について
　刊行物発明の「前記コンタクトホール１５の内壁面を含む前記層間絶縁膜１４の表面に、熱窒化（ＴｉＮ）膜１６を形成する工程」において、「熱窒化（ＴｉＮ）膜１６」は、刊行物１の図１（ｂ）にも示されているとおり、（「コンタクトホール１５の内壁面」を除けば）「層間絶縁膜１４」の上表面に形成されるべきものであるから、刊行物発明において、上記「４−４−１．（ｄ）」で検討したとおり刊行物１の摘記事項イ．及びウ．に記載された技術を適用し、「層間絶縁膜１４」に代えて、最下層の「層間絶縁膜」、中間層の「シリコン窒化膜」、最上層の「シリコン酸化膜」の３層構造とすることが当業者が容易になし得たものであることと等しく、刊行物発明において、「熱窒化（ＴｉＮ）膜１６」が、最上層の「シリコン酸化膜」の表面に形成される構成とすること、すなわち、補正発明の「前記開孔の内壁面を含む前記第３の絶縁膜の表面に下地導電膜を形成する第４の工程」に相当する構成を備えたものとすることもまた、当業者が容易になし得たことである。
　
４−４−４．相違点４について
　刊行物発明の「前記層間絶縁膜１４をエッチングストッパーとして、全面エッチバックにより、コンタクト部以外の前記Ｗ膜１７をエッチング除去し、Ｗプラグ１８を形成する工程」において、「エッチングストッパーとして」機能するのが「層間絶縁膜１４」の上表面であることは明らかであるから、刊行物発明において、上記「４−４−１．（ｄ）」で検討したとおり刊行物１の摘記事項イ．及びウ．に記載された技術を適用し、「層間絶縁膜１４」に換えて、最下層の「層間絶縁膜」、中間層の「シリコン窒化膜」、最上層の「シリコン酸化膜」の３層構造とすることが当業者が容易になし得たものであることと等しく、刊行物発明において、「エッチングストッパーとして」機能するのが最上層の「シリコン酸化膜」の上表面となる構成とすること、すなわち、補正発明の「前記第３の絶縁膜をストッパーとして当該第３の絶縁膜上の前記第１の導電膜をエッチングして除去し、前記第１の導電膜を前記開孔内のみに充填して導電プラグを形成する第６の工程」に相当する構成を備えたものとすることもまた、当業者が容易になし得たことである。
　
４−４−５．相違点７について
（ａ）刊行物発明の「上記した処理」が「前記層間絶縁膜１４を０．２〜０．３μｍエッチング除去し、層間絶縁膜１９を形成する工程」を意味することは明らかであるから、刊行物発明は、「Ｗプラグトップ部１８ａと前記層間絶縁膜１９の表面が一致するようにする」ために、「前記層間絶縁膜１４を０．２〜０．３μｍエッチング除去し、層間絶縁膜１９を形成」したものである。
（ｂ）そして、刊行物発明において、上記「４−４−１．（ｄ）」で検討したとおり刊行物１の摘記事項イ．及びウ．に記載された技術を適用し、「層間絶縁膜１４を下層のシリコン基板１１全面に形成する工程」における「層間絶縁膜１４」に換えて、最下層の「層間絶縁膜」、中間層の「シリコン窒化膜」、最上層の「シリコン酸化膜」が積層して形成された３層構造のもので構成するとともに、「前記層間絶縁膜１４を０．２〜０．３μｍエッチング除去し、層間絶縁膜１９を形成する工程」における「前記層間絶縁膜１４を」「エッチング除去」することに換えて、中間層の「シリコン窒化膜」をエッチングストッパーとして最上層の「シリコン酸化膜」をエッチング除去する構成とすることは、当業者が容易になし得たものであるが、そのような構成を採った場合には、当該エッチング除去後に残存する膜が中間層の「シリコン窒化膜」及び最下層の「層間絶縁膜」であることは明らかであるから、刊行物発明において、「Ｗプラグトップ部１８ａ」と「一致するようにする」べき対象が、中間層の「シリコン窒化膜」「の表面」となること、すなわち、補正発明の「前記第７の工程において、前記第３の絶縁膜を除去することにより前記第２の絶縁膜の表面を前記導電プラグの表面と同一平面とする」に相当する構成を備えたものとすることもまた、当業者が容易になし得たことである。
　
４−４−６．相違点６について
（ａ）刊行物発明の「前記層間絶縁膜１４を形成するときは、設定膜厚に対し、０．２〜０．３μｍ厚く形成しておき」及び「前記層間絶縁膜１４を０．２〜０．３μｍエッチング除去し」における「０．２〜０．３μｍ」という値が、「Ｗ埋め込みにおけるプラグロス量（落ち込み量）は、約０．２〜０．３μｍであり」における「Ｗ埋め込みにおけるプラグロス量（落ち込み量）」の値を見込んで、「Ｗプラグトップ部１８ａと前記層間絶縁膜１９の表面が一致するようにする」ために、上記「Ｗ埋め込みにおけるプラグロス量（落ち込み量）」と等しい値に設定されたものであることは明らかである。
（ｂ）そして、刊行物発明において、上記「４−４−１．（ｄ）」で検討したとおり刊行物１の摘記事項イ．及びウ．に記載された技術を適用し、「層間絶縁膜１４を下層のシリコン基板１１全面に形成する工程」における「層間絶縁膜１４」に換えて、最下層の「層間絶縁膜」、中間層の「シリコン窒化膜」、最上層の「シリコン酸化膜」が積層して形成された３層構造のもので構成するとともに、「前記層間絶縁膜１４を０．２〜０．３μｍエッチング除去し、層間絶縁膜１９を形成する工程」における「前記層間絶縁膜１４を」「エッチング除去」することに換えて、中間層の「シリコン窒化膜」をエッチングストッパーとして最上層の「シリコン酸化膜」をエッチング除去する構成とすることは、当業者が容易になし得たものであるが、そのような構成を採った場合には、上記「４−４−５．（ｂ）」で検討したとおり、「Ｗプラグトップ部１８ａ」と中間層の「シリコン窒化膜」「の表面」が「一致するようにする」ためには、後の工程で「エッチング除去」される最上層の「シリコン酸化膜」の膜厚を「Ｗ埋め込みにおけるプラグロス量（落ち込み量）」と等しい値とする必要があることは当業者にとって明らかであるから、刊行物発明において、補正発明の「前記第２の工程において、後の前記第６の工程における前記エッチングの際に前記導電プラグに生じる膜厚の目減り量を見込んで、当該目減り量と等しい膜厚となるように前記第３の絶縁膜を形成（する）」に相当する構成を備えたものとすることもまた、当業者が容易になし得たことである。
　
４−４−７．相違点の検討についてのまとめ
　以上検討したとおりであるから、補正発明は、刊行物発明、及び、刊行物１の摘記事項イ．及びウ．に記載された技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　したがって、本願の補正後の請求項１に係る発明は、刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
４−５．独立特許要件についてのまとめ
　補正後の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないので、補正後の他の請求項についての検討を行うまでもなく、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものである。
　
５．補正の却下の決定についてのむすび
　以上検討したとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３．本願発明について
　平成１８年８月２日付けの手続補正は上記「第２．」のとおり却下されたので、本願の請求項１及び２に係る発明は、平成１８年２月１５日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その請求項１及び２に記載された事項により特定されるものであり、その内の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、以下のとおりのものである。
　
「【請求項１】　下層に半導体基板又は導電膜が存する第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成する第１の工程と、
　前記第２の絶縁膜上に第３の絶縁膜を形成する第２の工程と、
　前記下層の表面の一部が露出するように第１、第２及び第３の絶縁膜に開孔を形成する第３の工程と、
　前記開孔の内壁面を含む前記第３の絶縁膜の表面に下地導電膜を形成する第４の工程と、
　前記開孔内を埋め込むように前記下地導電膜上に第１の導電膜を形成する第５の工程と、
　前記第３の絶縁膜をストッパーとして当該第３の絶縁膜上の前記第１の導電膜をエッチングして除去し、前記第１の導電膜を前記開孔内のみに充填して導電プラグを形成する第６の工程と、
　前記第３の絶縁膜を除去する第７の工程とを有し、
　前記第２の工程において、後の前記第６の工程における前記エッチングの際に前記導電プラグに生じる膜厚の目減り量を見込んで、当該目減り量と等しい膜厚となるように前記第３の絶縁膜を形成し、
　前記第７の工程において、前記第３の絶縁膜を除去することにより前記第２の絶縁膜の表面を前記導電プラグの表面と同一平面とすることを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
　なお、平成１８年２月１５日付けの手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１には、「絶縁膜第１、第２及び第３の絶縁膜」と記載されているが、明らかに日本語として不自然であるから、請求項１に記載された「絶縁膜第１、第２及び第３の絶縁膜」は、「第１、第２及び第３の絶縁膜」の誤記であると認め、本願発明を上記のとおり認定した。
　
　
第４．引用刊行物に記載された発明
　刊行物１には、上記「第２．４−２．」に記載したとおりの事項が記載されており、刊行物１には以下の発明（刊行物発明）が記載されているものと認められる。
　
「層間絶縁膜１４を下層のシリコン基板１１全面に形成する工程と、
　前記下層のシリコン基板１１の表面の一部が露出するように、前記層間絶縁膜１４にコンタクトホール１５を形成する工程と、
　前記コンタクトホール１５の内壁面を含む前記層間絶縁膜１４の表面に、熱窒化（ＴｉＮ）膜１６を形成する工程と、
　前記コンタクトホール１５内を埋め込むように前記熱窒化（ＴｉＮ）膜１６上にＷ膜１７を形成する工程と、
　前記層間絶縁膜１４をエッチングストッパーとして、全面エッチバックにより、コンタクト部以外の前記Ｗ膜１７をエッチング除去し、Ｗプラグ１８を形成する工程と、
　前記層間絶縁膜１４を０．２〜０．３μｍエッチング除去し、層間絶縁膜１９を形成する工程とを有し、
　Ｗ埋め込みにおけるプラグロス量（落ち込み量）は、約０．２〜０．３μｍであり、前記層間絶縁膜１４を形成するときは、設定膜厚に対し、０．２〜０．３μｍ厚く形成しておき、最終的な前記層間絶縁膜１９が設定膜厚になるようにし、
　上記した処理により、Ｗプラグトップ部１８ａと前記層間絶縁膜１９の表面が一致するようにする
　半導体素子のメタルプラグの形成方法。」
　
　
第５．対比
　本願発明と刊行物発明とを対比する。
　
（ａ）本願発明の「半導体基板又は導電膜」は、「半導体基板」と「導電膜」の択一的な記載であるから、刊行物発明の「下層のシリコン基板１１」は、本願発明の「下層」の「半導体基板又は導電膜」に相当する。
　
（ｂ）本願発明の「下層に半導体基板又は導電膜が存する第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成する第１の工程と、　前記第２の絶縁膜上に第３の絶縁膜を形成する第２の工程」により、結果として、「下層」の「半導体基板又は導電膜」上に、「第１の絶縁膜」、「第２の絶縁膜」、「第３の絶縁膜」が順に積層された構造が形成されることになる。
　ここで、「第１の絶縁膜」、「第２の絶縁膜」、「第３の絶縁膜」の積層構造が、全体として「絶縁膜」を構成していることは明らかであり、刊行物発明の「層間絶縁膜１４」は、本願発明の「第１の絶縁膜」、「第２の絶縁膜」、「第３の絶縁膜」が順に積層された構造からなる「絶縁膜」に対応するから、本願発明の「下層に半導体基板又は導電膜が存する第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成する第１の工程と、　前記第２の絶縁膜上に第３の絶縁膜を形成する第２の工程」と、刊行物発明の「層間絶縁膜１４を下層のシリコン基板１１全面に形成する工程」とは、「下層に半導体基板又は導電膜が存する絶縁膜を形成する工程」である点で共通する。
　
（ｃ）刊行物発明の「コンタクトホール１５」は本願発明の「開孔」に相当するから、本願発明の「前記下層の表面の一部が露出するように第１、第２及び第３の絶縁膜に開孔を形成する第３の工程」と刊行物発明の「前記下層のシリコン基板１１の表面の一部が露出するように、前記層間絶縁膜１４にコンタクトホール１５を形成する工程」とは、「前記下層の表面の一部が露出するように絶縁膜に開孔を形成する工程」である点で共通する。
　
（ｄ）刊行物発明の「熱窒化（ＴｉＮ）膜１６」は本願発明の「下地導電膜」に相当し、本願発明の「第３の絶縁膜」は、「第１の絶縁膜」、「第２の絶縁膜」、「第３の絶縁膜」が順に積層された構造からなる「絶縁膜」における最上層であるから、本願発明の「前記開孔の内壁面を含む前記第３の絶縁膜の表面に下地導電膜を形成する第４の工程」と刊行物発明の「前記コンタクトホール１５の内壁面を含む前記層間絶縁膜１４の表面に、熱窒化（ＴｉＮ）膜１６を形成する工程」とは、「前記開孔の内壁面を含む前記絶縁膜の表面に下地導電膜を形成する工程」である点で共通する。
　
（ｅ）刊行物発明の「Ｗ膜１７」は本願発明の「第１の導電膜」に相当するから、刊行物発明の「前記コンタクトホール１５内を埋め込むように前記熱窒化（ＴｉＮ）膜１６上にＷ膜１７を形成する工程」は、本願発明の「前記開孔内を埋め込むように前記下地導電膜上に第１の導電膜を形成する第５の工程」に相当する。
　
（ｆ）刊行物発明の「Ｗプラグ１８」は本願発明の「導電プラグ」に相当し、刊行物発明の「コンタクト部以外の前記Ｗ膜１７をエッチング除去し、Ｗプラグ１８を形成する工程」において、「コンタクト部以外の前記Ｗ膜１７」が「層間絶縁膜１４」上の「前記Ｗ膜１７」を意味していることは図１（ｂ）及び（ｃ）より明らかであり、また、本願発明の「第３の絶縁膜」は、「第１の絶縁膜」、「第２の絶縁膜」、「第３の絶縁膜」が順に積層された構造からなる「絶縁膜」における最上層であるから、本願発明の「前記第３の絶縁膜をストッパーとして当該第３の絶縁膜上の前記第１の導電膜をエッチングして除去し、前記第１の導電膜を前記開孔内のみに充填して導電プラグを形成する第６の工程」と刊行物発明の「前記層間絶縁膜１４をエッチングストッパーとして、全面エッチバックにより、コンタクト部以外の前記Ｗ膜１７をエッチング除去し、Ｗプラグ１８を形成する工程」とは、「前記絶縁膜をストッパーとして当該絶縁膜上の前記第１の導電膜をエッチングして除去し、前記第１の導電膜を前記開孔内のみに充填して導電プラグを形成する工程」である点で共通する。
　
（ｇ）本願発明の「第３の絶縁膜」は、「第１の絶縁膜」、「第２の絶縁膜」、「第３の絶縁膜」が順に積層された構造からなる「絶縁膜」における最上層であって、当該「絶縁膜」の一部を構成するものであるから、本願発明の「前記第３の絶縁膜を除去する第７の工程」と刊行物発明の「前記層間絶縁膜１４を０．２〜０．３μｍエッチング除去し、層間絶縁膜１９を形成する工程」とは、「前記絶縁膜の一部を除去する工程」である点で共通する。
　
（ｈ）刊行物発明の「Ｗ埋め込みにおけるプラグロス量（落ち込み量）」は、本願発明の「前記エッチングの際に前記導電プラグに生じる膜厚の目減り量」に相当し、また、刊行物発明の「前記層間絶縁膜１４を形成するときは、設定膜厚に対し、０．２〜０．３μｍ厚く形成しておき、最終的な前記層間絶縁膜１９が設定膜厚になるように」することが「Ｗ埋め込みにおけるプラグロス量（落ち込み量）は、約０．２〜０．３μｍであ」ることを見込んで行われたものであることは明らかである。
　よって、上記（ｂ）及び（ｆ）で検討したとおり、本願発明の「第２の工程」及び「第６の工程」がそれぞれ「絶縁膜を形成する工程」及び「導電プラグを形成する工程」の一部であることを勘案すると、本願発明の「前記第２の工程において、後の前記第６の工程における前記エッチングの際に前記導電プラグに生じる膜厚の目減り量を見込んで、当該目減り量と等しい膜厚となるように前記第３の絶縁膜を形成」することと刊行物発明の「Ｗ埋め込みにおけるプラグロス量（落ち込み量）は、約０．２〜０．３μｍであり、前記層間絶縁膜１４を形成するときは、設定膜厚に対し、０．２〜０．３μｍ厚く形成しておき、最終的な前記層間絶縁膜１９が設定膜厚になるように」することとは、「前記絶縁膜を形成する工程において、後の前記導電プラグを形成する工程における前記エッチングの際に前記導電プラグに生じる膜厚の目減り量を見込んで、前記絶縁膜を形成」する点で共通する。
　
（ｉ）刊行物発明の「Ｗプラグトップ部１８ａ」が「Ｗプラグ１８」の表面を意味することは図１（ｄ）より明らかであるから、刊行物発明の「Ｗプラグトップ部１８ａ」は本願発明の「前記導電プラグの表面」に相当する。また、本願発明の「前記第２の絶縁膜の表面」が、「第１の絶縁膜」、「第２の絶縁膜」、「第３の絶縁膜」が順に積層された構造からなる「絶縁膜」のうち、当該「絶縁膜」の一部である「第３の絶縁膜」を除去することにより最終的に残った部分の表面を意味していることは、「第１の工程」、「第２の工程」、「第７の工程」についての記載から明らかであり、一方、刊行物発明の「上記した処理」が「前記層間絶縁膜１４を０．２〜０．３μｍエッチング除去し、層間絶縁膜１９を形成する工程」を意味すること、及び、刊行物発明の「前記層間絶縁膜１９の表面」が、「層間絶縁膜１４」のうち、当該「層間絶縁膜１４」の一部である「０．２〜０．３μｍ」を除去することにより最終的に残った「層間絶縁膜１９」の表面を意味していることは、いずれも明らかである。
　よって、上記（ｇ）で検討したとおり、本願発明の「第７の工程」が「前記絶縁膜の一部を除去する工程」の一部であることを勘案すると、本願発明の「前記第７の工程において、前記第３の絶縁膜を除去することにより前記第２の絶縁膜の表面を前記導電プラグの表面と同一平面とする」ことと刊行物発明の「上記した処理により、Ｗプラグトップ部１８ａと前記層間絶縁膜１９の表面が一致するようにする」こととは、「前記絶縁膜の一部を除去する工程において、前記絶縁膜の一部を除去することにより最終的に残った絶縁膜の表面を前記導電プラグの表面と同一平面とする」点で共通する。
　
（ｊ）刊行物発明の「半導体素子のメタルプラグの形成方法」は、「半導体素子のメタルプラグ」が半導体装置の構成要素であるから、本願発明の「半導体装置の製造方法」に相当する。
　
（ｋ）以上を総合すると、本願発明と刊行物発明とは、 
「下層に半導体基板又は導電膜が存する絶縁膜を形成する工程と、
　前記下層の表面の一部が露出するように絶縁膜に開孔を形成する工程と、
　前記開孔の内壁面を含む前記絶縁膜の表面に下地導電膜を形成する工程と、
　前記開孔内を埋め込むように前記下地導電膜上に第１の導電膜を形成する第５の工程と、
　前記絶縁膜をストッパーとして当該絶縁膜上の前記第１の導電膜をエッチングして除去し、前記第１の導電膜を前記開孔内のみに充填して導電プラグを形成する工程と、
　前記絶縁膜の一部を除去する工程とを有し、
　前記絶縁膜を形成する工程において、後の前記導電プラグを形成する工程における前記エッチングの際に前記導電プラグに生じる膜厚の目減り量を見込んで、前記絶縁膜を形成し、
　前記絶縁膜の一部を除去する工程において、前記絶縁膜の一部を除去することにより最終的に残った絶縁膜の表面を前記導電プラグの表面と同一平面とすることを特徴とする半導体装置の製造方法。」 
　である点で共通し、以下の点で相違する。 
　
（相違点１）
　「下層に半導体基板又は導電膜が存する絶縁膜を形成する工程」に関して、本願発明は「下層に半導体基板又は導電膜が存する第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成する第１の工程と、　前記第２の絶縁膜上に第３の絶縁膜を形成する第２の工程」であるのに対し、刊行物発明は「層間絶縁膜１４を下層のシリコン基板１１全面に形成する工程」である点。
　
（相違点２）
　「前記下層の表面の一部が露出するように絶縁膜に開孔を形成する工程」に関して、本願発明は「前記下層の表面の一部が露出するように第１、第２及び第３の絶縁膜に開孔を形成する第３の工程」であるのに対し、刊行物発明は「前記下層のシリコン基板１１の表面の一部が露出するように、前記層間絶縁膜１４にコンタクトホール１５を形成する工程」である点。
　
（相違点３）
　「前記開孔の内壁面を含む前記絶縁膜の表面に下地導電膜を形成する工程」に関して、本願発明は「前記開孔の内壁面を含む前記第３の絶縁膜の表面に下地導電膜を形成する第４の工程」であるのに対し、刊行物発明は「前記コンタクトホール１５の内壁面を含む前記層間絶縁膜１４の表面に、熱窒化（ＴｉＮ）膜１６を形成する工程」である点。
　
（相違点４）
　「前記絶縁膜をストッパーとして当該絶縁膜上の前記第１の導電膜をエッチングして除去し、前記第１の導電膜を前記開孔内のみに充填して導電プラグを形成する工程」に関して、本願発明は「前記第３の絶縁膜をストッパーとして当該第３の絶縁膜上の前記第１の導電膜をエッチングして除去し、前記第１の導電膜を前記開孔内のみに充填して導電プラグを形成する第６の工程」であるのに対し、刊行物発明は「前記層間絶縁膜１４をエッチングストッパーとして、全面エッチバックにより、コンタクト部以外の前記Ｗ膜１７をエッチング除去し、Ｗプラグ１８を形成する工程」である点。
　
（相違点５）
　「前記絶縁膜の一部を除去する工程」に関して、本願発明は「前記第３の絶縁膜を除去する第７の工程」であるのに対し、刊行物発明は「前記層間絶縁膜１４を０．２〜０．３μｍエッチング除去し、層間絶縁膜１９を形成する工程」である点。
　
（相違点６）
　「前記絶縁膜を形成する工程において、後の前記導電プラグを形成する工程における前記エッチングの際に前記導電プラグに生じる膜厚の目減り量を見込んで、前記絶縁膜を形成」することに関して、本願発明は「前記第２の工程において、後の前記第６の工程における前記エッチングの際に前記導電プラグに生じる膜厚の目減り量を見込んで、当該目減り量と等しい膜厚となるように前記第３の絶縁膜を形成」するのに対して、刊行物発明は「Ｗ埋め込みにおけるプラグロス量（落ち込み量）は、約０．２〜０．３μｍであり、前記層間絶縁膜１４を形成するときは、設定膜厚に対し、０．２〜０．３μｍ厚く形成しておき、最終的な前記層間絶縁膜１９が設定膜厚になるように」する点。
　
（相違点７）
　「前記絶縁膜の一部を除去する工程において、前記絶縁膜の一部を除去することにより最終的に残った絶縁膜の表面を前記導電プラグの表面と同一平面とする」ことに関して、本願発明は「前記第７の工程において、前記第３の絶縁膜を除去することにより前記第２の絶縁膜の表面を前記導電プラグの表面と同一平面とする」のに対して、刊行物発明は「上記した処理により、Ｗプラグトップ部１８ａと前記層間絶縁膜１９の表面が一致するようにする」点。
　
　
第６．当審の判断 
　以下において、相違点１ないし７について検討する。
　
１．相違点１及び相違点５について
（ａ）刊行物１の摘記事項イ．には、「第３の実施例」に関して、「【００２５】（１）まず、図４（ａ）に示すように、Ｎ+ 拡散層３２が形成されたシリコン基板３１上に絶縁膜（シリコン酸化膜）３３が、例えば８０００Å形成されている。これを（図示せず）通常のホトリソ・エッチング技術を用い、シリコン酸化膜３３を貫通し、Ｎ+ 拡散層３２に達するコンタクトホール３４を形成する。次いで、密着層となるＴｉＮ膜を約１０００Åスパッタし（図示せず）、次に、全面にＷをＣＶＤにより形成する〔ＢＬＫ（ブランケット）Ｗと呼ばれる〕。このＢＬＫ−Ｗの全面エッチング技術により、Ｗプラグ３５をコンタクトホール３４内に埋め込む。この際、Ｗプラグ３５の高さは、面内均一性、ローディング効果、オーバエッチ等によりシリコン酸化膜３３の高さよりは低くなり、コンタクトホール３４内に埋設される形（例えば２０００Å）になる。　【００２６】（２）次に、図４（ｂ）に示すように、Ｗプラグ３５とシリコン酸化膜３３の選択比が大きくとれる条件で、シリコン酸化膜３３を約４０００Å全面エッチバックして、Ｗプラグ３５がシリコン酸化膜３３表面より約２０００Å突出した形状を得る。・・・」（００２５及び００２６段落）と記載されており、刊行物１の摘記事項ウ．には、「第４の実施例」に関して、「【００３１】（１）まず、図８（ａ）に示すように、拡散層４２が形成されたシリコン基板４１上に、シリコン酸化膜４３ａを４０００Å、シリコン窒化膜４３ｂを５００Å、シリコン酸化膜４３ｃを４０００Å積層して形成する。この３層の積層された絶縁膜を、通常のホトリソ／エッチング技術を用い（図示せず）、コンタクトホール４４を形成する。次いで、第３の実施例の図４（ａ）と同様に、ＢＬＫ−Ｗを全面エッチバックして、コンタクトホール４４内にＷプラグ４５を埋め込む。　【００３２】（２）次に、図８（ｂ）に示すように、シリコン酸化膜４３ｃと、Ｗプラグ４５とシリコン窒化膜４３ｂのエッチング選択比が大きくとれるエッチング条件で、全面エッチバックを約４０００Å行う。この際、上記選択比の条件で行っているので、シリコン窒化膜４３ｂで精度良くエッチング終了することができ、Ｗプラグ４５を２０００Åの高さ、コンタクトホール４４より突出した形状を得る。」（００３１及び００３２段落）と記載されている。
　
（ｂ）ここで、刊行物１の摘記事項イ．に記載された「第３の実施例」と、刊行物１の摘記事項ウ．に記載された「第４の実施例」とを照らし合わせると、「第３の実施例の図４（ａ）と同様に、ＢＬＫ−Ｗを全面エッチバックして、コンタクトホール４４内にＷプラグ４５を埋め込む。」（００３１段落）と記載されているように、「コンタクトホール４４内にＷプラグ４５を埋め込む」部分に関するプロセス自体は、「第４の実施例」が「第３の実施例」を援用しており、「第３の実施例」と「第４の実施例」とでほぼ共通するものであるから、両者の主たる相違は、絶縁膜に関する部分である。そして、「第３の実施例」は、当初に「シリコン基板３１上に絶縁膜（シリコン酸化膜）３３が、例えば８０００Å形成され」、後の工程で「Ｗプラグ３５とシリコン酸化膜３３の選択比が大きくとれる条件で、シリコン酸化膜３３を約４０００Å全面エッチバック」するのに対し、「第４の実施例」は、当初に「シリコン基板４１上に、シリコン酸化膜４３ａを４０００Å、シリコン窒化膜４３ｂを５００Å、シリコン酸化膜４３ｃを４０００Å積層して形成」し、後の工程で「シリコン酸化膜４３ｃと、Ｗプラグ４５とシリコン窒化膜４３ｂのエッチング選択比が大きくとれるエッチング条件で、全面エッチバックを約４０００Å行う」ことにより、「シリコン窒化膜４３ｂで精度良くエッチング終了することができ」（００３２段落）るようにするものである。
　換言すれば、「第３の実施例」では、「絶縁膜」として「シリコン酸化膜３３」のみを形成した上で、当該「シリコン酸化膜３３」の一部を「全面エッチバック」するのに対し、「第４の実施例」では、図８（ａ）に示されるように、最下層の「シリコン酸化膜４３ａ」、中間層の「シリコン窒化膜４３ｂ」、最上層の「シリコン酸化膜４３ｃ」を「積層して形成」した上で、「シリコン酸化膜４３ｃと」「シリコン窒化膜４３ｂのエッチング選択比が大きくとれるエッチング条件で」「全面エッチバック」を行ったものであって、これにより、図８（ｂ）に示されるように、中間層の「シリコン窒化膜４３ｂ」がエッチングストッパーとなるように、最上層の「シリコン酸化膜４３ｃ」をエッチング除去し、「シリコン窒化膜４３ｂで精度良くエッチング終了することができ」るようにしたものであると認められるから、「第４の実施例」が、「絶縁膜」を「全面エッチバック」する際のエッチング制御性を向上させるべく、「第３の実施例」を改良したものであることは明らかである。
　
（ｃ）よって、刊行物１の摘記事項イ．及びウ．には、「絶縁膜」を「全面エッチバック」する際のエッチング制御性を向上させるために、当該「絶縁膜」を、１層構造のものに換えて、最下層の「絶縁膜」、中間層の「シリコン窒化膜」、最上層の「シリコン酸化膜」が積層して形成された３層構造のもので構成した上で、「全面エッチバック」の際には、中間層の「シリコン窒化膜」をエッチングストッパーとして最上層の「シリコン酸化膜」をエッチング除去する技術が記載されているものと認められる。
　
（ｄ）一方、刊行物発明は、「層間絶縁膜１４を下層のシリコン基板１１全面に形成する工程」及び「前記層間絶縁膜１４を０．２〜０．３μｍエッチング除去し、層間絶縁膜１９を形成する工程」を有するものであるが、「前記層間絶縁膜１４を０．２〜０．３μｍエッチング除去」する際の「０．２〜０．３μｍ」という値は、「Ｗ埋め込みにおけるプラグロス量（落ち込み量）は、約０．２〜０．３μｍであ」ることを見込んで「Ｗプラグトップ部１８ａと前記層間絶縁膜１９の表面が一致するように」設定されたものであるから、精密なエッチング制御性が求められることは当然である。
　よって、刊行物発明において、上記（ｃ）に記載した、刊行物１の摘記事項イ．及びウ．に記載された技術を適用することにより、上記「層間絶縁膜１４を下層のシリコン基板１１全面に形成する工程」における「層間絶縁膜１４」に換えて、最下層の「層間絶縁膜」、中間層の「シリコン窒化膜」、最上層の「シリコン酸化膜」が積層して形成された３層構造のもので構成するとともに、上記「前記層間絶縁膜１４を０．２〜０．３μｍエッチング除去し、層間絶縁膜１９を形成する工程」における「前記層間絶縁膜１４を」「エッチング除去」することに換えて、中間層の「シリコン窒化膜」をエッチングストッパーとして最上層の「シリコン酸化膜」をエッチング除去することは、当業者が容易になし得たものである。
　
（ｅ）そして、積層膜を形成する際に下側の膜から順に形成していくことは常套手段であって、上記（ｄ）に記載された「３層構造」を形成するために、「層間絶縁膜」上に「シリコン窒化膜」を形成する工程及び当該「シリコン窒化膜」上に「シリコン酸化膜」を形成する工程を有しているのは明らかであること、及び、上記「３層構造」における「層間絶縁膜」、「シリコン窒化膜」、「シリコン酸化膜」が、それぞれ本願発明における「第１の絶縁膜」、「第２の絶縁膜」、「第３の絶縁膜」に相当することを勘案すれば、刊行物発明の「層間絶縁膜１４を下層のシリコン基板１１全面に形成する工程」及び「前記層間絶縁膜１４を０．２〜０．３μｍエッチング除去し、層間絶縁膜１９を形成する工程」に対して、刊行物１の摘記事項イ．及びウ．に記載された技術を適用することにより、本願発明の「下層に半導体基板又は導電膜が存する第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成する第１の工程と、　前記第２の絶縁膜上に第３の絶縁膜を形成する第２の工程」に相当する構成及び「前記第３の絶縁膜を除去する第７の工程」に相当する構成を備えたものとなることは、明らかである。
　したがって、相違点１及び相違点５は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
２．相違点２について
　刊行物発明の「前記下層のシリコン基板１１の表面の一部が露出するように、前記層間絶縁膜１４にコンタクトホール１５を形成する工程」において、「コンタクトホール１５」は、刊行物１の図１（ａ）にも示されているとおり、「層間絶縁膜１４」の全体を貫通して形成されるべきものであるから、刊行物発明において、上記「１．（ｄ）」で検討したとおり刊行物１の摘記事項イ．及びウ．に記載された技術を適用し、「層間絶縁膜１４」に換えて、最下層の「層間絶縁膜」、中間層の「シリコン窒化膜」、最上層の「シリコン酸化膜」の３層構造とすることが当業者が容易になし得たものであることと等しく、刊行物発明において、「コンタクトホール１５」が、「層間絶縁膜」、「シリコン窒化膜」、「シリコン酸化膜」の全体を貫通して形成される構成とすること、すなわち、本願発明の「前記下層の表面の一部が露出するように第１、第２及び第３の絶縁膜に開孔を形成する第３の工程」に相当する構成を備えたものとすることもまた、当業者が容易になし得たことである。
　
３．相違点３について
　刊行物発明の「前記コンタクトホール１５の内壁面を含む前記層間絶縁膜１４の表面に、熱窒化（ＴｉＮ）膜１６を形成する工程」において、「熱窒化（ＴｉＮ）膜１６」は、刊行物１の図１（ｂ）にも示されているとおり、（「コンタクトホール１５の内壁面」を除けば）「層間絶縁膜１４」の上表面に形成されるべきものであるから、刊行物発明において、上記「１．（ｄ）」で検討したとおり刊行物１の摘記事項イ．及びウ．に記載された技術を適用し、「層間絶縁膜１４」に代えて、最下層の「層間絶縁膜」、中間層の「シリコン窒化膜」、最上層の「シリコン酸化膜」の３層構造とすることが当業者が容易になし得たものであることと等しく、刊行物発明において、「熱窒化（ＴｉＮ）膜１６」が、最上層の「シリコン酸化膜」の表面に形成される構成とすること、すなわち、本願発明の「前記開孔の内壁面を含む前記第３の絶縁膜の表面に下地導電膜を形成する第４の工程」に相当する構成を備えたものとすることもまた、当業者が容易になし得たことである。
　
４．相違点４について
　刊行物発明の「前記層間絶縁膜１４をエッチングストッパーとして、全面エッチバックにより、コンタクト部以外の前記Ｗ膜１７をエッチング除去し、Ｗプラグ１８を形成する工程」において、「エッチングストッパーとして」機能するのが「層間絶縁膜１４」の上表面であることは明らかであるから、刊行物発明において、上記「１．（ｄ）」で検討したとおり刊行物１の摘記事項イ．及びウ．に記載された技術を適用し、「層間絶縁膜１４」に換えて、最下層の「層間絶縁膜」、中間層の「シリコン窒化膜」、最上層の「シリコン酸化膜」の３層構造とすることが当業者が容易になし得たものであることと等しく、刊行物発明において、「エッチングストッパーとして」機能するのが最上層の「シリコン酸化膜」の上表面となる構成とすること、すなわち、本願発明の「前記第３の絶縁膜をストッパーとして当該第３の絶縁膜上の前記第１の導電膜をエッチングして除去し、前記第１の導電膜を前記開孔内のみに充填して導電プラグを形成する第６の工程」に相当する構成を備えたものとすることもまた、当業者が容易になし得たことである。
　
５．相違点７について
（ａ）刊行物発明の「上記した処理」が「前記層間絶縁膜１４を０．２〜０．３μｍエッチング除去し、層間絶縁膜１９を形成する工程」を意味することは明らかであるから、刊行物発明は、「Ｗプラグトップ部１８ａと前記層間絶縁膜１９の表面が一致するようにする」ために、「前記層間絶縁膜１４を０．２〜０．３μｍエッチング除去し、層間絶縁膜１９を形成」したものである。
（ｂ）そして、刊行物発明において、上記「１．（ｄ）」で検討したとおり刊行物１の摘記事項イ．及びウ．に記載された技術を適用し、「層間絶縁膜１４を下層のシリコン基板１１全面に形成する工程」における「層間絶縁膜１４」に換えて、最下層の「層間絶縁膜」、中間層の「シリコン窒化膜」、最上層の「シリコン酸化膜」が積層して形成された３層構造のもので構成するとともに、「前記層間絶縁膜１４を０．２〜０．３μｍエッチング除去し、層間絶縁膜１９を形成する工程」における「前記層間絶縁膜１４を」「エッチング除去」することに換えて、中間層の「シリコン窒化膜」をエッチングストッパーとして最上層の「シリコン酸化膜」をエッチング除去する構成とすることは、当業者が容易になし得たものであるが、そのような構成を採った場合には、当該エッチング除去後に残存する膜が中間層の「シリコン窒化膜」及び最下層の「層間絶縁膜」であることは明らかであるから、刊行物発明において、「Ｗプラグトップ部１８ａ」と「一致するようにする」べき対象が、中間層の「シリコン窒化膜」「の表面」となること、すなわち、本願発明の「前記第７の工程において、前記第３の絶縁膜を除去することにより前記第２の絶縁膜の表面を前記導電プラグの表面と同一平面とする」に相当する構成を備えたものとすることもまた、当業者が容易になし得たことである。
　
６．相違点６について
（ａ）刊行物発明の「前記層間絶縁膜１４を形成するときは、設定膜厚に対し、０．２〜０．３μｍ厚く形成しておき」及び「前記層間絶縁膜１４を０．２〜０．３μｍエッチング除去し」における「０．２〜０．３μｍ」という値が、「Ｗ埋め込みにおけるプラグロス量（落ち込み量）は、約０．２〜０．３μｍであり」における「Ｗ埋め込みにおけるプラグロス量（落ち込み量）」の値を見込んで、「Ｗプラグトップ部１８ａと前記層間絶縁膜１９の表面が一致するようにする」ために、上記「Ｗ埋め込みにおけるプラグロス量（落ち込み量）」と等しい値に設定されたものであることは明らかである。
（ｂ）そして、刊行物発明において、上記「１．（ｄ）」で検討したとおり刊行物１の摘記事項イ．及びウ．に記載された技術を適用し、「層間絶縁膜１４を下層のシリコン基板１１全面に形成する工程」における「層間絶縁膜１４」に換えて、最下層の「層間絶縁膜」、中間層の「シリコン窒化膜」、最上層の「シリコン酸化膜」が積層して形成された３層構造のもので構成するとともに、「前記層間絶縁膜１４を０．２〜０．３μｍエッチング除去し、層間絶縁膜１９を形成する工程」における「前記層間絶縁膜１４を」「エッチング除去」することに換えて、中間層の「シリコン窒化膜」をエッチングストッパーとして最上層の「シリコン酸化膜」をエッチング除去する構成とすることは、当業者が容易になし得たものであるが、そのような構成を採った場合には、上記「５．（ｂ）」で検討したとおり、「Ｗプラグトップ部１８ａ」と中間層の「シリコン窒化膜」「の表面」が「一致するようにする」ためには、後の工程で「エッチング除去」される最上層の「シリコン酸化膜」の膜厚を「Ｗ埋め込みにおけるプラグロス量（落ち込み量）」と等しい値とする必要があることは当業者にとって明らかであるから、刊行物発明において、本願発明の「前記第２の工程において、後の前記第６の工程における前記エッチングの際に前記導電プラグに生じる膜厚の目減り量を見込んで、当該目減り量と等しい膜厚となるように前記第３の絶縁膜を形成（する）」に相当する構成を備えたものとすることもまた、当業者が容易になし得たことである。
　
７．相違点の検討についてのまとめ
　以上検討したとおりであるから、本願発明は、刊行物発明、及び、刊行物１の摘記事項イ．及びウ．に記載された技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　したがって、本願の請求項１に係る発明は、刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　
　
第７．むすび
　以上検討したとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、本願の他の請求項についての検討を行うまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。