(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィー工程において、所望の設計パターンに近い転写イメージが得られるように露光パターンを変形させる露光パターンの補正方法であって、
前記所望の設計パターンの外形線を所定のルールに基づいて分割し、分割された各辺に対して複数個の評価点を付加する工程と、
前記露光パターンの露光後のイメージをシミュレーションによって算出し、前記設計パターンの前記各辺の各評価点と該露光後のイメージの該各評価点と対応する位置との距離を各々算出する工程と、
前記距離を、前記各評価点における前記距離と所定係数との積の和を出力値とする評価関数に入力し、該評価関数の出力値に基づき前記各辺の位置を補正して、補正後の露光パターンを決定する工程と
を備えていることを特徴とする露光パターンの補正方法。
【請求項２】
一の辺に付加された前記複数の評価点のうち、前記距離の最大値もしくは最小値が該複数の評価点の両端以外の中にある場合、該最大値もしくは最少値に所定定数を掛けた値を前記評価関数の出力値とする
ことを特徴とする請求項１記載の露光パターンの補正方法。
【請求項３】
一の辺に付加された前記複数の評価点のうち、前記露光後のイメージの前記評価点における前記設計パターンに対する傾きが０に近い評価点での前記距離に所定定数をかけた値を前記評価関数の出力値とする
ことを特徴とする請求項１記載の露光パターンの補正方法。
【請求項４】
前記所定係数において、前記露光後のイメージの前記評価点における前記設計パターンに対する傾きの絶対値が大きくなるほど該所定係数を小さくし、該傾きの絶対値が小さくなるほど該所定係数を大きくする
ことを特徴とする請求項１記載の露光パターンの補正方法。
【請求項５】
前記所定係数を、前記露光後のイメージの前記評価点における前記設計パターンに対する傾きのべき乗の絶対値と反比例するよう設定する
ことを特徴とする請求項１記載の露光パターンの補正方法。
【請求項６】
リソグラフィー工程において、所望の設計パターンに近い転写イメージが得られるように露光パターンを変形させる露光パターンの補正方法であって、
前記所望の設計パターンの外形線を所定のルールに基づいて分割し、分割された各辺に対して複数個の評価点を付加する工程と、
前記露光パターンの露光後の転写エネルギー強度の等高線を用いた転写イメージと前記設計パターンとの各評価点における位置ずれ量や傾きをシミュレーションによって算出する工程と、
前記転写エネルギー強度を、前記各評価点における前記転写エネルギー強度と所定係数との積の和を出力値とする評価関数に入力し、該評価関数の出力値に基づき前記各辺の位置を補正して、補正後の露光パターンを決定する工程と
ことを特徴とする露光パターンの補正方法。
【請求項７】
一の辺に付加された前記複数の評価点のうち、前記転写エネルギー強度の最大値もしくは最小値が該複数の評価点の両端以外の中にある場合、該最大値もしくは最少値を前記評価関数の出力値とする
ことを特徴とする請求項６記載の露光パターンの補正方法。
【請求項８】
前記所定係数において、前記評価点における前記転写エネルギー強度の傾きの絶対値が大きくなるほど該所定係数を小さくし、該傾きの絶対値が小さくなるほど該所定係数を大きくする
ことを特徴とする請求項６記載の露光パターンの補正方法。
【請求項９】
前記所定係数を、前記評価点における前記転写エネルギー強度の傾きのべき乗の絶対値と反比例するよう設定する
ことを特徴とする請求項６記載の露光パターンの補正方法。
【請求項１０】
請求項１〜９記載のうちいずれか１項に記載の露光パターンの補正方法によって露光パターンの補正を行う
ことを特徴とする露光パターンの補正装置。
【請求項１１】
請求項１〜９記載のうちいずれか１項に記載の露光パターンの補正方法を用いて形成されたパターンを備えている露光用マスクを用いて露光を行う
ことを特徴とする露光方法。
【請求項１２】
請求項１〜９記載のうちいずれか１項に記載の露光パターンの補正方法を用いて形成された露光パターンでの露光を行う
ことを特徴とする露光方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置等のリソグラフィー工程おける露光パターンの補正方法および露光パターンの補正装置および露光マスクおよび露光方法並びに半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置等の製造において適用されるフォトリソグラフィー工程では、所望の設計パターンと対応するマスクパターンを備えた露光マスクを用意し、この露光マスクを介して光を照射することでレジスト材料へ設計パターンを転写している。
【０００３】
近年、作成する半導体装置の微細化に伴って設計ルールが微細化し、理論的な現像の限界付近でのリソグラフィープロセスが行われるようになってきた。このため、解像度が不十分となり、マスクパターンと転写されたレジストパターンとの乖離が問題となってきている。
【０００４】
この現象により、転写パターンの変形によるデバイス性能の劣化や、パターンのブリッジや断線による歩留り低下といった問題が生じる。そこで、このような問題を回避するため、所望のレジストパターンを得るためにカットアンドトライでマスクパターンを最適している。
【０００５】
このマスクパターンの最適化としては、設計パターンに対して複数の修飾パターンを付加することでマスクパターンの補正を行い、転写実験もしくはシミュレーションによって転写パターンを求め、最も設計パターンに近い転写パターンを得るよう修飾パターンを決定するという処理が成されている。
【０００６】
しかし、カットアンドトライで最適なマスクパターンを得る方法は膨大な時間と工数がかかる。このため、限定されたパターンにしか適用できず、ＡＳＩＣのような不規則なパターンには適用できない。また、カットアンドトライでは評価できるマスクパターンの数に限りがあり、最適なマスクパターンを見逃す可能性もある。
【０００７】
そこで、マスクパターンの最適化を計算機上で自動で行うため、光近接効果補正技術が開発されている。この光近接効果補正においては、入力された設計パターンに対し、以下の操作を行うことでマスクパターンの補正を行っている。
（１）入力された設計パターンの辺を分割する。
（２）分割された各辺（エッジ）の中心に評価点を付加する。
（３）評価点における転写イメージを求めるとともに、この評価点と転写イメージの評価点と対応する位置とのずれを求める。または、評価点におけるエネルギー強度の所望の値とのずれを求める。
（４）各分割されたエッジを評価点における転写イメージのずれが０となるようにエッジ位置を移動する。
【０００８】
上記（１）〜（４）のうち（３）〜（４）を計算機にて繰り返し行うことで、最適なマスクパターンを求めるようにしている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような自動光近接効果技術を用いてマスクパターンの補正を行うには次のような問題がある。すなわち、評価点におけるずれ（エラー）を最小に追い込むに伴い、評価点の付加されていない部分のエラーが大きくなってしまい、全体としてのパターンのずれが大きくなってしまう。
【００１０】
図３６は従来例によるマスクパターンの補正例を示す図である。このように、図中×印で示される評価点でのずれを最小にしようとした場合、設計パターンＰの形状によっては補正されたマスクパターンによる転写イメージＩが設計パターンＰに対して大きく膨らんでしまう部分が発生する。
【００１１】
そこで、設計パターンＰの分割数を増やして同時に評価点の間隔を小さくすることが考えられるが、補正後のマスクパターンが複雑化してしまい、製造が困難となったりマスクコストの増加を招いてしまう。さらに、微細パターンの発生により欠陥検査が不可能となり、欠陥保証されたマスクの作成が不可能となる場合もある。
【００１２】
また、マスクパターンに対して不必要に段差が生じることで、転写イメージのコントラストを低下させるという問題も生じる。図３７（ａ）は設計パターンＰに対する転写イメージＩを示し、（ｂ）は設計パターンＰに補正パターンＰ’を付加した場合の転写イメージＩを示している。（ａ）、（ｂ）ともに転写イメージＩは変わらないものの、（ｂ）のように補正パターンＰ’が付加されていることによりパターン段差が拡大すると、転写イメージＩのコントラストが劣化し、結果として露光裕度が縮小してしまうという問題となる。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明はこのような課題を解決するために成されたものである。すなわち、本発明の露光パターンの補正方法は、リソグラフィー工程において、所望の設計パターンに近い転写イメージが得られるように露光パターンを変形させる方法であり、所望の設計パターンの外形線を所定のルールに基づいて分割し、分割された各辺に対して複数個の評価点を付加する工程と、露光パターンの露光後のイメージをシミュレーションによって算出し、設計パターンの各辺の各評価点と露光後のイメージの各評価点と対応する位置との距離を各々算出する工程と、この距離を各評価点におけるその距離と所定係数との積の和を出力値とする評価関数に入力し、評価関数の出力値に基づき各辺の位置を補正して、補正後の露光パターンを決定する工程とから成るものである。
【００１４】
また、所望の設計パターンの外形線を所定のルールに基づいて分割し、分割された各辺に対して複数個の評価点を付加する工程と、露光パターンの露光後の転写エネルギー強度の等高線を用いた転写イメージと設計パターンとの各評価点における位置ずれ量や傾きをシミュレーションによって算出する工程と、この転写エネルギー強度を、各評価点におけるその距離と所定係数との積の和を出力値とする評価関数に入力し、この評価関数の出力値に基づき各辺の位置を補正して、補正後の露光パターンを決定する工程とから成るものでもある。
【００１５】
さらに、本発明は、上記のような補正方法によって露光パターンの補正を行う補正装置であり、上記の補正方法を用いて形成されたマスクパターンを備えている露光用マスクでもあり、この露光用マスクを用いて露光を行う露光方法でもあり、この露光用マスクを用いてリソグラフィー加工を施し製造される半導体装置でもある。
【００１６】
本発明では、設計パターンの外形線を分割した各辺に対して複数個の評価点を付加しており、各評価点と露光後のイメージの各評価点に対応する位置との距離を算出しているため、一つの辺において複数の評価点と露光イメージとの距離が複数算出でき、これらの値から露光イメージが設計パターンに対してどのような傾斜となっているかを判別できるようになる。また、この距離を所定の評価関数に入力して露光パターンの補正量を決定するため、設計パターンと露光後のイメージとの合わせを最適化できるようになる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施形態を図に基づいて説明する。本実施形態における露光パターンの補正方法は、所望の設計パターンに近い転写イメージが得られるよう露光パターンを変形させる方法である。先ず、本実施形態における露光パターンの補正方法の概要を説明する。なお、以下で説明する各処理は、ワークステーション等の計算機上で行われるものである。
【００１８】
初めに、図１に示すように設計パターンＰの外形線を分割してエッジＥを形成し、各エッジＥに対して複数個の評価点Ｈを付加する。これらの評価点Ｈの間隔を十分に小さくすることで評価点がない部分でのエラーの見逃しを回避できるようになる。
【００１９】
次に、図２に示すように現段階での露光パターンの転写イメージＩをシミュレーションによって算出し、図中矢印で示すような距離すなわち各評価点Ｈとその評価点Ｈに対応する転写イメージＩとの距離（エラー）を算出する。
【００２０】
次いで、各評価点Ｈでの距離（エラー）に基づき、エッジＥの両端以外で転写イメージＩのピークがある場合（転写イメージＩが凸型または凹型となる場合）には、このピーク位置が設計パターンＰと合うよう露光パターンへ補正（バイアス）を加える。例えば、図２（ａ）においてはエッジＥの中央部分にある評価点Ｈがピークに対応しており、図２（ｂ）に示すように、この評価点Ｈと対応する転写イメージＩのピークが設計パターンＰと合うようバイアスを加える。
【００２１】
本実施形態では、このバイアス量を算出するにあたり、所定の評価関数を用いており、設計者の意図に沿う自然な補正を加えられるようにしている。
【００２２】
また、各評価点Ｈでの距離（エラー）において、エッジＥの両端にピークがくる場合（転写イメージＩが凸型または凹型ではない場合）には、転写イメージＩの設計パターンＰと平行に近い部分が設計パターンＰと一致するように露光パターンへバイアスを加える。例えば、図３（ａ）に示す例では、エッジＥに対して図中左端の評価点Ｈが転写イメージＩのピーク位置に対応し、この部分が設計パターンＰと平行に近くなっている。したがって、図３（ｂ）に示すように、この部分が設計パターンＰと一致するよう露光パターンへバイアスを加える。
【００２３】
このバイアス量を算出する場合には、転写イメージＩにおいて設計パターンＰと平行に近い部分のエラーを重視するような所定の評価関数を用いており、設計者の意図に沿う自然な補正を加えられるようにしている。
【００２４】
図４は補正例を示す図である。このように設計パターンＰの外形線を分割し、分割によって得られる各エッジ内に複数の評価点Ｈ（図中×印）を付加する。そして、先に説明したように、所定の評価関数によって各エッジに補正（バイアス）を加えることで、設計者の意図に合った自然な（不要に膨らみのない）転写イメージＩを得られるようになる。また、線幅の制御も的確に行われることになる。
【００２５】
次に具体的な実施形態の説明を行う。図５〜図１０は第１実施形態を説明する図である。第１実施形態では、０．２０μｍルールのＳＲＡＭのポリシリコンレイヤーを、露光波長２４８ｎｍ、ＮＡ＝０．５５、σ＝０．６０の条件で露光する場合を例としている。
【００２６】
図５は第１実施形態で適用する設計パターンを示している。この設計パターンＰにできるだけ近い転写パターンが得られるよう露光パターンを補正することになる。先ず、図６に示すように、設計パターンＰの外形線を所定のピッチで分割し、複数のエッジを形成する。さらに、図７に示すように、この各エッジ内において複数の評価点（図中×印）を付加する。
【００２７】
次に、この設計パターンＰそのままのマスクをジャストフォーカスで転写した場合に得られる光強度分布を求め、光強度の所定閾値においてスライスした等高線を転写イメージとして求める。図８は、この転写イメージＩを設計パターンＰに重ねて示したものである。
【００２８】
次いで、各エッジに付加した全ての評価点において、転写イメージＩの評価点と対応する位置とのずれ量と、転写イメージＩの評価点と対応する位置での傾きを求める。この際、転写イメージＩのずれ量を計測する方向は設計パターンＰの線方向に対して垂直方向とし、設計パターンＰより外側方向を正方向とする。
【００２９】
ここで、各評価点に対応して得られるずれ量をＥ、各評価点に対応した転写イメージＩの傾きをＳとする。
【００３０】
次に、得られたずれ量Ｅと傾きＳを以下の式に代入し、分割されたエッジの補正量（バイアス量Ｂ）を算出する。このバイアス量Ｂが露光パターンに付加される補正パターンの量である。
【００３１】
Ｂ＝−０．５・Σ（Ｅｉ  ／Ｓｉ  ２  ）／Σ（１／Ｓｉ２  ）
ここでＥｉ  はエッジにおけるｉ番目の評価点でのずれ量、Ｓｉ  はエッジにおけるｉ番目の評価点での傾きを示す。
【００３２】
なお、この式はエッジにおいて両端の評価点に対応するずれ量にピークがある場合であり、各評価点に対応した傾きが小さい（設計パターンＰに対して平行に近い）ほどバイアスＢへの影響が強くなるよう設定している。この式の傾きＳにかかるべき乗数を大きくすることで、この影響を強くすることができ、反対にべき乗数を小さくすることで、この影響を弱くすることができる。
【００３３】
また、この式における−０．５は所定定数であり、「−」は、ずれ量と反対の方向へバイアスをかけることを意味し、「０．５」は、一度の計算で行うバイアスの量を調整するための係数である。
【００３４】
一方、エッジの両端以外の評価点でずれ量のピークがある場合は次の式によってバイアス量を計算する。
【００３５】
Ｂ＝−０．５・Ｅｐ
ここで、Ｅｐ  はピークに対応した評価点でのずれ量を示している。
【００３６】
この式では、エッジの両端以外の評価点でずれ量のピークがある場合には、そのピークと対応した評価点で転写イメージＩと設計パターンＰとを合わせるようなバイアス量Ｂを算出している。
【００３７】
各エッジにおける転写イメージＩの傾き形態に応じて上記式によってバイアス量Ｂを計算した後は、その各エッジに対応した露光パターンをそのバイアス量Ｂだけ移動させて補正後の露光パターンを得る。なお、この補正後の露光パターンを得た後は、評価点の位置はそのままにして同様な計算を適宜繰り返し行い、最適な露光パターンを得るようにする。
【００３８】
図９はこのような計算によって得られた補正後の露光パターンを示している。これをマスクパターンとして露光マスクに形成することで、図１０に示すような転写イメージＩを形成することができる。このような補正により、設計パターンＰにおけるラインエンドの縮みが、図８に示す補正前の転写イメージＩに比べて大幅に解消され、ライン幅の制御も向上している。
【００３９】
また、コンタクトホールが形成される部分の面積縮小も抑えられ、重ね合わせ裕度も向上している。このようにして露光パターンを補正して露光用マスクを形成することで、設計者の意図に合ったパターンを形成することができ、またこの露光用マスクを利用した露光で半導体装置を製造することにより、電気的特性の良い製品を歩留り良く製造することができるようになる。
【００４０】
ここで、第１実施形態で適用した設計パターンを用いて、従来例と本実施形態との補正結果の比較を行う。図１１は第１実施形態と同様な設計パターンＰの外形線を分割し、得られた各エッジの中央に評価点（図中×印）を１つ付加した例である（従来例）。また、図１２はこの評価点でのずれ量を最小にする補正を加えた後のマスクパターンを示し、図１３は図１２のマスクパターンを用いた転写イメージを示している。
【００４１】
従来例では、各エッジの１つしか評価点が付加されないため、その評価点でのずれ量を小さくする補正を進めるため、バイアス量Ｂとして以下の式を用いている。
【００４２】
Ｂ＝−０．５・Ｅ
Ｅは評価点におけるずれ量
【００４３】
このため、従来例では評価点の付加されていない部分のずれ量（エラー）は全く考慮されておらず、その結果、評価点でのずれ量は小さくなっているものの、図１３に示すように、その周辺のエッジ位置のずれが悪化してしまう。
【００４４】
これに対し、第１実施形態の補正方法を適用することで、図１０に示すように転写イメージＩは設計パターンＰに対して不要にずれてしまう部分を抑制できるようになる。
【００４５】
また、図１４は、図１１で適用した従来例の補正方法に比べ、設計パターンＰを分割して得るエッジの間隔を１／２にした場合である。図１５はこの各エッジの中央に１つの評価点を付加した状態を示している。また、図１６はこの評価点でのずれ量を最小とするよう補正を加えた後の露光パターンを採用したマスクパターンを示している。さらに、図１７は図１６で示すマスクパターンを用いた場合の転写イメージである。
【００４６】
このように、エッジ間隔を単に短くするだけでは、評価点の周辺の補正に悪影響が発生し、設計パターンＰに対して転写イメージＩがはみ出る部分も発生している。また、図１６に示すように、エッジ間隔を短くするほどマスクパターンが複雑化し、マスク作成を困難とする。
【００４７】
これに対し、第１実施形態では、設計パターンＰに対する転写イメージＩの不要なはみ出しはなく、またマスクパターンも複雑化しないというメリットがある。
【００４８】
次に第２実施形態の説明を行う。図１８〜図２２は第２実施形態を説明する図である。第２実施形態では、０．２０μｍルールのＳＲＡＭのポリシリコンレイヤーを、露光波長２４８ｎｍ、ＮＡ＝０．５５、σ＝０．６０の条件で露光する場合を例としている。
【００４９】
図１８は第２実施形態で適用する設計パターンを示している。この設計パターンＰにできるだけ近い転写パターンが得られるよう露光パターンを補正することになる。先ず、図１９に示すように、設計パターンＰの外形線に所定のピッチで複数の評価点（図中×印）を付加する。先に説明した第１実施形態では、初めに設計パターンＰの外形を分割する際に、所定のピッチで分割したが、第２実施形態では、エッジ分割を設計パターンＰの隅部（コーナー部）のみで行った点に特徴がある。
【００５０】
次に、この設計パターンＰそのままのマスクをジャストフォーカスで転写した場合に得られる光強度分布を求め、光強度の所定閾値においてスライスした等高線を転写イメージとして求める。図２０は、この転写イメージＩを設計パターンＰに重ねて示したものである。ただし、この光強度の所定閾値は、図２０における長さＬがパターンルールである０．２０μｍとなるように設定されている。
【００５１】
次いで、全ての評価点において、転写イメージＩの評価点と対応する位置とのずれ量と、転写イメージＩの評価点と対応する位置での傾きを求める。この際、転写イメージＩのずれ量を計測する方向は設計パターンＰの線方向に対して垂直方向とし、設計パターンＰより外側方向を正方向とする。
【００５２】
ここで、各評価点に対応して得られるずれ量をＥ、各評価点に対応した転写イメージＩの傾きをＳとする。
【００５３】
次に、得られたずれ量Ｅと傾きＳを以下の式に代入し、分割されたエッジの補正量（バイアス量Ｂ）を算出する。このバイアス量Ｂが露光パターンに付加される補正パターンの量である。
【００５４】
Ｂ＝−０．５・Σ（Ｅｉ  ／Ｓｉ  ２  ）／Σ（１／Ｓｉ２  ）
ここでＥｉ  は設計パターンの外形線における隅部間でのｉ番目の評価点でのずれ量、Ｓｉ  は設計パターンの外形線における隅部間でのｉ番目の評価点での傾きを示す。
【００５５】第２実施形態では、初めに設計パターンＰに対して分割を行っていないため、バイアスを加える単位として、設計パターンの隅部間をエッジとして計算を行い、そのエッジに対してバイアスを加えるようにしている。なお、上記の式は設計パターンの隅部間において両端の評価点に対応するずれ量にピークがある場合であり、各係数の意味は第１実施形態と同様である。
【００５６】
また、エッジ（設計パターンの隅部間）の両端以外の評価点でずれ量のピークがある場合は次の式によってバイアス量を計算する。
【００５７】
Ｂ＝−０．５・Ｅｐ
ここで、Ｅｐ  はピークに対応した評価点でのずれ量を示している。この式における意味も第１実施形態と同様である。
【００５８】
上記式によってバイアス量Ｂを計算した後は、その各エッジ（設計パターンの隅部間）に対応した露光パターンをそのバイアス量Ｂだけ移動させて補正後の露光パターンを得る。なお、この補正後の露光パターンを得た後は、評価点の位置はそのままにして同様な計算を適宜繰り返し行い、最適な露光パターンを得るようにする。
【００５９】
図２１はこのような計算によって得られた補正後の露光パターンを示している。これをマスクパターンとして露光マスクに形成することで、図２２に示すような転写イメージＩを形成することができる。このような補正により、設計パターンＰにおけるラインエンドの縮みが、図２０に示す補正前の転写イメージＩに比べて大幅に解消され、ライン幅の制御も向上している。
【００６０】
また、第２実施形態での補正方法により、補正前のマスクパターンに対して補正のための小さな補正用パターンを付加する必要がなくなり、マスクパターン図形数を増加させることなく補正できるようになる。これによって、マスクコストの増加を発生させずに良好な転写イメージを得ることができるようになる。
【００６１】
次に第３実施形態の説明を行う。図２３〜図２９は第３実施形態を説明する図である。第３実施形態では、０．１５μｍルールのＳＲＡＭのポリシリコンレイヤーを、加速電圧５０ｋＶの電子線描画装置で描画する場合を例としている。
【００６２】図２３は第３実施形態で適用する設計パターンを示している。この設計パターンＰにできるだけ近い転写パターンが得られるよう電子線描画装置による露光（描画）パターンを補正することになる。先ず、図２４に示すように、設計パターンＰの外形線を所定のピッチで分割し、複数のエッジを形成する。さらに、図２５に示すように、この各エッジ内において複数の評価点（図中×印）を付加する。
【００６３】
次に、この設計パターンＰをそのままの描画した場合のエネルギー強度分布を求め、所定閾値においてスライスした等高線を転写イメージとして求める。図２６は、この転写イメージＩを設計パターンＰに重ねて示したものである。
【００６４】
次いで、各エッジに付加した全ての評価点において、エネルギー強度の等高線である転写イメージＩの評価点と対応する位置とのずれ量と、転写イメージＩの評価点と対応する位置での傾きを求める。この際、転写イメージＩのずれ量を計測する方向は設計パターンＰの線方向に対して垂直方向とし、設計パターンＰより外側方向を正方向とする。
【００６５】
ここで、各評価点に対応して得られるずれ量をＥ、各評価点に対応した転写イメージＩの傾きをＳとする。
【００６６】
次に、得られたずれ量Ｅと傾きＳを以下の式に代入し、分割されたエッジの補正量（バイアス量Ｂ）を算出する。このバイアス量Ｂが露光パターンに付加される補正パターンの量である。
【００６７】
Ｂ＝−０．５・Σ（Ｅｉ  ／Ｓｉ  ２  ）／Σ（１／Ｓｉ２  ）
ここでＥｉ  はエッジにおけるｉ番目の評価点でのずれ量、Ｓｉ  はエッジにおけるｉ番目の評価点での傾きを示す。なお、この式は設計パターンの隅部間において両端の評価点に対応するずれ量にピークがある場合であり、各係数の意味は第１実施形態と同様である。
【００６８】
また、エッジの両端以外の評価点でずれ量のピークがある場合は次の式によってバイアス量を計算する。
【００６９】
Ｂ＝−０．５・Ｅｐ
ここで、Ｅｐ  はピークに対応した評価点でのずれ量を示している。この式における意味も第１実施形態と同様である。
【００７０】
各エッジにおける転写イメージＩの傾き形態に応じて上記式によってバイアス量Ｂを計算した後は、その各エッジに対応した描画パターンをそのバイアス量Ｂだけ移動させて補正後の描画パターンを得る。なお、この補正後の描画パターンを得た後は、評価点の位置はそのままにして同様な計算を適宜繰り返し行い、最適な描画パターンを得るようにする。
【００７１】
図２７はこのような計算によって得られた補正後の描画パターンを示している。このような描画パターンで描画を行うことにより、図２８に示すような転写イメージＩを形成することができる。このような補正により、設計パターンＰにおけるラインエンドの縮みが図２６に示す補正前の転写イメージＩに比べて大幅に解消され、設計パターンＰに近い転写イメージＩを得ることができる。
【００７２】
次に、電子線描画装置でこの補正後の描画パターンでの直接描画を行う。図２９はこの描画パターンでの直接描画を行った際の転写イメージＩ’を、設計パターンＰに重ねて表したものである。このように、電子線描画を行う場合であっても上記のような描画（露光）パターン補正を行うことにより、設計パターンＰに近い転写イメージを得ることができ、高精度な描画を行うことができるようになる。
【００７３】
また、第３実施形態における他の例として、電子線描画装置でステンシルマスクを用いた一括露光を行う場合を以下に説明する。第３実施形態の他の例では、０．１５μｍルールのＳＲＡＭのポリシリコンレイヤーを、加速電圧５０ｋＶの電子線描画装置で描画する際、ステンシルマスクパターンを用いる場合例としている。
【００７４】
図２３に示すように、この設計パターンＰにできるだけ近い転写パターンが得られるよう電子線描画装置による露光（描画）パターンを補正することになる。先ず、図２４に示すように、設計パターンＰの外形線を所定のピッチで分割し、複数のエッジを形成する。さらに、図２５に示すように、この各エッジ内において複数の評価点（図中×印）を付加する。
【００７５】
次に、この設計パターンＰをそのままの描画した場合のエネルギー強度分布を求め、所定閾値においてスライスした等高線を転写イメージとして求める。図２６は、この転写イメージＩを設計パターンＰに重ねて示したものである。
【００７６】
次いで、各エッジに付加した全ての評価点において、エネルギー強度の等高線である転写イメージＩの評価点と対応する位置とのずれ量と、転写イメージＩの評価点と対応する位置での傾きを求める。この際、転写イメージＩのずれ量を計測する方向は設計パターンＰの線方向に対して垂直方向とし、設計パターンＰより外側方向を正方向とする。
【００７７】
ここで、各評価点に対応して得られるずれ量をＥ、各評価点に対応した転写イメージＩの傾きをＳとする。
【００７８】
次に、得られたずれ量Ｅと傾きＳを以下の式に代入し、分割されたエッジの補正量（バイアス量Ｂ）を算出する。このバイアス量Ｂが露光パターンに付加される補正パターンの量である。
【００７９】
Ｂ＝−０．５・Σ（Ｅｉ  ／Ｓｉ  ２  ）／Σ（１／Ｓｉ２  ）
ここでＥｉ  はエッジにおけるｉ番目の評価点でのずれ量、Ｓｉ  はエッジにおけるｉ番目の評価点での傾きを示す。なお、この式は設計パターンの隅部間において両端の評価点に対応するずれ量にピークがある場合であり、各係数の意味は第１実施形態と同様である。
【００８０】
また、エッジの両端以外の評価点でずれ量のピークがある場合は次の式によってバイアス量を計算する。
【００８１】
Ｂ＝−０．５・Ｅｐ
ここで、Ｅｐ  はピークに対応した評価点でのずれ量を示している。この式における意味も第１実施形態と同様である。
【００８２】
各エッジにおける転写イメージＩの傾き形態に応じて上記式によってバイアス量Ｂを計算した後は、その各エッジに対応した描画パターンをそのバイアス量Ｂだけ移動させて補正後の描画パターンを得る。なお、この補正後の描画パターンを得た後は、評価点の位置はそのままにして同様な計算を適宜繰り返し行い、最適な描画パターンを得るようにする。
【００８３】
図２７はこのような計算によって得られた補正後の描画パターンを示している。このような描画パターンで描画を行うことにより、図２８に示すような転写イメージＩを形成することができる。このような補正により、設計パターンＰにおけるラインエンドの縮みが図２６に示す補正前の転写イメージＩに比べて大幅に解消され、設計パターンＰに近い転写イメージＩを得ることができる。
【００８４】
次に、この補正後の描画パターンをもつ電子線描画装置のステンシルマスクを作成し、電子線描画装置で一括露光を行う。図２９はこの描画パターンでの直接描画を行った際の転写イメージＩ’を、設計パターンＰに重ねて表したものである。このように、電子線描画を行う場合であってもステンシルマスク作成において上記のような描画（露光）パターン補正を行うことにより、設計パターンＰに近い転写イメージを得ることができ、高スループットで高精度な描画を行うことができるようになる。
【００８５】
次に第４実施形態の説明を行う。図３０〜３５は第４実施形態を説明する図である。第４実施形態では、０．２０μｍルールのＳＲＡＭのポリシリコンレイヤーを、露光波長２４８ｎｍ、ＮＡ＝０．５５、σ＝０．６０の条件で露光する場合を例としている。
【００８６】
図３０は第４実施形態で適用する設計パターンを示している。この設計パターンＰにできるだけ近い転写パターンが得られるよう露光パターンを補正することになる。先ず、図３１に示すように、設計パターンＰの外形線を所定のピッチで分割し、複数のエッジを形成する。さらに、図３２に示すように、この各エッジ内において複数の評価点（図中×印）を付加する。
【００８７】
次に、この設計パターンＰそままのマスクで露光した場合の光強度を求め、図３２で示すラインの長さＬがラインルールである０．２０μｍとなるよう光強度の閾値を設定して、これによりスライスした光強度の等高線を光強度イメージとして求める。図３３は、この光強度イメージＣを設計パターンＰに重ねて示したものである。
【００８８】
次いで、各エッジに付加した全ての評価点において、光強度イメージＣの評価点と対応する位置とのずれ量と、光強度イメージＣの評価点と対応する位置での傾きを求める。この際、光強度イメージＣのずれ量を計測する方向は設計パターンＰの線方向に対して垂直方向とし、設計パターンＰより外側方向を正方向とする。
【００８９】
ここで、各評価点に対応して得られるずれ量をＥ、各評価点に対応した光強度イメージＣの傾きをＳとする。
【００９０】
次に、得られたずれ量Ｅと傾きＳを以下の式に代入し、分割されたエッジの補正量（バイアス量Ｂ）を算出する。このバイアス量Ｂが露光パターンに付加される補正パターンの量である。
【００９１】
Ｂ＝０．１・Σ（Ｅｉ  ／Ｓｉ  ２  ）／Σ（１／Ｓｉ２  ）
ここでＥｉ  はエッジにおけるｉ番目の評価点での光強度ずれ量（エラー）、Ｓｉ  はエッジにおけるｉ番目の評価点での光強度のエラーの傾きを示す。
【００９２】
なお、この式はエッジにおいて両端の評価点に対応するずれ量にピークがある場合であり、各係数の意味は第１実施形態と同様である。
【００９３】
一方、エッジの両端以外の評価点でずれ量のピークがある場合は次の式によってバイアス量を計算する。
【００９４】
Ｂ＝０．１・Ｅｐ
ここで、Ｅｐ  はピークに対応した評価点での光強度のずれ量（エラー）を示している。この式における意味も第１実施形態と同様である。
【００９５】
各エッジにおける光強度イメージＣの傾き形態に応じて上記式によってバイアス量Ｂを計算した後は、その各エッジに対応した露光パターンをそのバイアス量Ｂだけ移動させて補正後の露光パターンを得る。なお、この補正後の露光パターンを得た後は、評価点の位置はそのままにして同様な計算を適宜繰り返し行い、最適な露光パターンを得るようにする。
【００９６】
図３４はこのような計算によって得られた補正後の露光パターンを示している。これをマスクパターンとして露光マスクに形成することで、図３５に示すような転写イメージＩを形成することができる。このような補正により、設計パターンＰにおけるラインエンドの縮みが大幅に解消され、ライン幅の制御も向上している。
【００９７】
また、コンタクトホールが形成される部分の面積縮小も抑えられ、重ね合わせ裕度も向上している。このようにして露光パターンを補正して露光用マスクを形成することで、設計者の意図に合ったパターンを形成することができ、またこの露光用マスクを利用した露光で半導体装置を製造することにより、電気的特性の良い製品を歩留り良く製造することができるようになる。
【００９８】
次に、第５実施形態の説明を行う。第５実施形態では、０．２０μｍルールのＳＲＡＭのポリシリコンレイヤーを、露光波長２４８ｎｍ、ＮＡ＝０．５５、σ＝０．６０の条件で露光する場合を例とし、設計パターンに対する転写イメージの傾きが０に近い（設計パターンと平行に近い）評価点でのずれ量に所定定数を掛けた値を補正量としている点に特徴がある。
【００９９】
すなわち、第５実施形態では、図５に示す設計パターンＰにできるだけ近い転写パターンが得られるよう露光パターンを補正することになる。先ず、図６に示すように、設計パターンＰの外形線を所定のピッチで分割し、複数のエッジを形成する。さらに、図７に示すように、この各エッジ内において複数の評価点（図中×印）を付加する。
【０１００】
次に、この設計パターンＰそのままのマスクをジャストフォーカスで転写した場合に得られる光強度分布を求め、光強度の所定閾値においてスライスした等高線を転写イメージとして求める。図８は、この転写イメージＩを設計パターンＰに重ねて示したものである。
【０１０１】
次いで、各エッジに付加した全ての評価点において、転写イメージＩの評価点と対応する位置とのずれ量と、転写イメージＩの評価点と対応する位置での傾きを求める。この際、転写イメージＩのずれ量を計測する方向は設計パターンＰの線方向に対して垂直方向とし、設計パターンＰより外側方向を正方向とする。
【０１０２】
ここで、各評価点に対応して得られるずれ量をＥ、各評価点に対応した転写イメージＩの傾きをＳとする。
【０１０３】
こうして得られた転写イメージＩのずれ量Ｅと、各評価点に対応した傾きＳとから、図３６に示すフローチャートに沿って、各分割されたエッジにおけるエラー値Ｅ’を決定する。
【０１０４】
すなわち、先ず、各評価点におけるずれ量Ｅを求め（ステップＳ１０１）、次にエッジの両端以外の評価点に転写イメージＩのピークがあるか否かの判断を行う（ステップＳ１０２）。エッジの両端以外の評価点に転写イメージＩのピークがある場合、つまり転写イメージＩが凸型または凹型となっている場合、ステップＳ１０２の判断でＹｅｓとなり、そのピークでのずれ量ＥをそのエッジのエラーＥ’とする（ステップＳ１０３）。
【０１０５】
一方、エッジの両端以外の評価点に転写イメージＩのピークがない場合、つまり転写イメージＩが凸型や凹型となっていない場合、ステップＳ１０２の判断でＮｏとなり、両端における転写イメージＩが設計パターンＰに対して平行に近いか否かを判定する（ステップＳ１０４）。
【０１０６】
このステップＳ１０４では、各評価点に対応する傾きＳが所定の値より小さいか否かを判定し、この結果に基づいてステップＳ１０５〜Ｓ１０７のいずれかへ分岐していく。
【０１０７】
例えば、所定の値を１／４として、傾きＳとの比較を行う。ここで、Ｓ＞１／４となる場合には転写イメージＩの両端とも設計パターンＰに対して平行に近くないと判定し（ステップＳ１０５）、そのエッジの中心となる評価点でのずれ量Ｅを、そのエッジでのエラーＥ’とする（ステップＳ１０９）。
【０１０８】
また、各評価点のうち一方の端となる評価点での傾きＳがＳ≦１／４となる場合には、転写イメージＩの一方の端が設計パターンＰに対して平行に近いと判定し（ステップＳ１０６）、そのエッジ端における評価点でのずれ量ＥをそのエッジでのエラーＥ’とする（ステップＳ１１０）。
【０１０９】
また、各評価点のうち両端の評価点での傾きＳが共にＳ≦１／４となる場合には、転写イメージＩの両端が設計パターンＰに対して平行に近いと判定し（ステップＳ１０７）、この場合には、Ｓの値がより０に近い方の端に対応する評価点を選択し（ステップＳ１０８）、その評価点でのずれ量ＥをそのエッジでのエラーＥ’とする（ステップＳ１１０）。
【０１１０】
そして、このように転写イメージＩの傾きＳに応じて決定した各エラーＥ’をそのエッジでのエラーＥ’とし（ステップＳ１１１）、エラーＥ’の決定処理を終了する。
【０１１１】
エラーＥ’が決定した後は、そのエラーＥ’を以下の式に代入し、分割されたエッジの補正量（バイアス量Ｂ）を算出する。このバイアス量Ｂが露光パターンに付加される補正パターンの量である。
【０１１２】
Ｂ＝−０．５・Ｅ’
なお、この式における−０．５は所定定数であり、「−」は、ずれ量と反対の方向へバイアスをかけることを意味し、「０．５」は、一度の計算で行うバイアスの量を調整するための係数である。
【０１１３】
このようにバイアス量Ｂを計算した後は、その各エッジに対応した露光パターンをそのバイアス量Ｂだけ移動させて補正後の露光パターンを得る。なお、この補正後の露光パターンを得た後は、評価点の位置はそのままにして同様な計算を適宜繰り返し行い、最適な露光パターンを得るようにする。
【０１１４】
図９はこのような計算によって得られた補正後の露光パターンを示している。これをマスクパターンとして露光マスクに形成することで、図１０に示すような転写イメージＩを形成することができる。このような補正により、設計パターンＰにおけるラインエンドの縮みが、図８に示す補正前の転写イメージＩに比べて大幅に解消され、ライン幅の制御も向上している。
【０１１５】
また、コンタクトホールが形成される部分の面積縮小も抑えられ、重ね合わせ裕度も向上している。このようにして露光パターンを補正して露光用マスクを形成することで、設計者の意図に合ったパターンを形成することができ、またこの露光用マスクを利用した露光で半導体装置を製造することにより、電気的特性の良い製品を歩留り良く製造することができるようになる。
【０１１６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば次のような効果がある。すなわち、露光パターンの補正によって転写レジストイメージに不自然な歪みが発生することを防止し、設計者の意図に沿った補正を自動的に行うことが可能となる。また、露光パターンに付加する補正パターンを不要に細かくすることがなくなり、転写強度分布の傾きの劣化による露光裕度の減少を抑制できるようにな。これらによって、図形数増加を抑制しながらより高精度な補正を行うことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】エッジと評価点とを示す図である。
【図２】補正形態を示す図（その１）である。
【図３】補正形態を示す図（その２）である。
【図４】補正例を示す図である。
【図５】第１実施形態を説明する図（その１）である。
【図６】第１実施形態を説明する図（その２）である。
【図７】第１実施形態を説明する図（その３）である。
【図８】第１実施形態を説明する図（その４）である。
【図９】第１実施形態を説明する図（その５）である。
【図１０】第１実施形態を説明する図（その６）である。
【図１１】第１の比較例を説明する図（その１）である。
【図１２】第１の比較例を説明する図（その２）である。
【図１３】第１の比較例を説明する図（その３）である。
【図１４】第２の比較例を説明する図（その１）である。
【図１５】第２の比較例を説明する図（その２）である。
【図１６】第２の比較例を説明する図（その３）である。
【図１７】第２の比較例を説明する図（その４）である。
【図１８】第２実施形態を説明する図（その１）である。
【図１９】第２実施形態を説明する図（その２）である。
【図２０】第２実施形態を説明する図（その３）である。
【図２１】第２実施形態を説明する図（その４）である。
【図２２】第２実施形態を説明する図（その５）である。
【図２３】第３実施形態を説明する図（その１）である。
【図２４】第３実施形態を説明する図（その２）である。
【図２５】第３実施形態を説明する図（その３）である。
【図２６】第３実施形態を説明する図（その４）である。
【図２７】第３実施形態を説明する図（その５）である。
【図２８】第３実施形態を説明する図（その６）である。
【図２９】第３実施形態を説明する図（その７）である。
【図３０】第４実施形態を説明する図（その１）である。
【図３１】第４実施形態を説明する図（その２）である。
【図３２】第４実施形態を説明する図（その３）である。
【図３３】第４実施形態を説明する図（その４）である。
【図３４】第４実施形態を説明する図（その５）である。
【図３５】第４実施形態を説明する図（その６）である。
【図３６】第５実施形態におけるエラーの決定フローチャートである。
【図３７】従来の補正例を示す図（その１）である。
【図３８】従来の補正例を示す図（その２）である。
【符号の説明】
Ｅ  エッジ    Ｈ  評価点    Ｉ  転写イメージ    Ｐ  設計パターン
【図１】
0003551660.tif 000002
【図２】
0003551660.tif 000003
【図３】
0003551660.tif 000004
【図４】
0003551660.tif 000005
【図５】
0003551660.tif 000006
【図６】
0003551660.tif 000007
【図７】
0003551660.tif 000008
【図８】
0003551660.tif 000009
【図９】
0003551660.tif 000010
【図１０】
0003551660.tif 000011
【図１１】
0003551660.tif 000012
【図１２】
0003551660.tif 000013
【図１３】
0003551660.tif 000014
【図１４】
0003551660.tif 000015
【図１５】
0003551660.tif 000016
【図１６】
0003551660.tif 000017
【図１７】
0003551660.tif 000018
【図１８】
0003551660.tif 000019
【図１９】
0003551660.tif 000020
【図２０】
0003551660.tif 000021
【図２１】
0003551660.tif 000022
【図２２】
0003551660.tif 000023
【図２３】
0003551660.tif 000024
【図２４】
0003551660.tif 000025
【図２５】
0003551660.tif 000026
【図２６】
0003551660.tif 000027
【図２７】
0003551660.tif 000028
【図２８】
0003551660.tif 000029
【図２９】
0003551660.tif 000030
【図３０】
0003551660.tif 000031
【図３１】
0003551660.tif 000032
【図３２】
0003551660.tif 000033
【図３３】
0003551660.tif 000034
【図３４】
0003551660.tif 000035
【図３５】
0003551660.tif 000036
【図３６】
0003551660.tif 000037
【図３７】
0003551660.tif 000038
【図３８】
0003551660.tif 000039