【事件の表示】
　特願２０００−　３９７０６「半導体集積回路装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　８月２４日出願公開、特開２００１−２３０１８６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１２年（２０００年）２月１７日に出願された特願２０００−３９７０６号）であって、平成１８年９月１１日付けで手続補正がなされ、平成１９年１１月６日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年１２月１３日付けで拒絶査定不服審判の請求がなされたものである。
　
第２　本願発明 
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１８年９月１１日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載から見て、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
　
「以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法：
(a)ウエハの第１の主面にフォトレジスト膜を形成する工程；
(b)上記フォトレジスト膜が形成された上記ウエハを露光装置のウエハステージに設置する工程；
(c)上記ウエハステージに設置された上記ウエハの上記第１の主面の第１の領域に対して、第１の位相シフトマスクパターンを紫外光により縮小投影露光する工程；
(d)上記工程の後、上記ウエハステージに設置された上記ウエハの上記第１の主面の上記第１の領域に対して、上記第１の位相シフトマスクパターンと同一のマスク基板上の同一の主面上に形成された第２の位相シフトマスクパターンであって上記第１の位相シフトマスクパターンの位相を反転させたものを上記紫外光により上記工程(c)と実質的に同一露光条件で縮小投影露光する工程；
(e)上記工程の後、上記フォトレジスト膜をパターニングする工程；
　ここで、上記(c)及び(d)工程の露光はスキャンニング露光によって行われ、上記第１及び第２の位相シフトマスクパターンは基板溝シフタを有するレベンソン方式によるものであり、上記レベンソン方式によるマスクパターンはラインアンドスペースパターンを転写するためのものである。」
　
第３　引用例
１　引用例１
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平６−８３０３２号公報（以下、「引用例１」という）には、次の事項が記載されている。（下記「２　引用例１に記載された発明の認定」において直接関係する箇所に下線を付した。）
　
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、位相シフト露光方法、及び該露光方法に使用できる位相シフトマスクの作製方法に関する。本発明の位相シフト露光方法は、各種のパターン形成用技術として利用することができ、例えば
半導体装置製造プロセスにおいてレジストパターン等の各種パターンを形成する場合の露光方法
【０００２】
【従来の技術】フォトマスクを利用してパターンを形成するもの、例えば半導体装置等は、その加工寸法が年々微細化させる傾向にある。このような背景で、微細化した半導体装置を得るフォリソグラフィーの技術において、その解像度を更に向上させるため、位相シフト技術が注目されている。
位相シフト技術は、マスクを透過する光に位相差を与え、これにより光強度プロファイルを改善するもの
【０００３】従来の位相シフト技術については、特開昭５８−１７３７４４号公報や、ＭＡＲＣ　Ｄ．ＬＥＶＥＮＳＯＮ　他“Ｉｍｐｒｏｖｉｎｇ　Ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ　ｉｎ　Ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ　ｗｉｔｈ　ａ　Ｐｈａｓｅ−Ｓｈｉｆｔｉｎｇ　Ｍａｓｋ”ＩＥＥＥ　ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ　ＯＮ　ＥＬＥＣＴＲＯＮ　ＤＥＶＩＣＥＳ．Ｖｏｌ．ＥＤ−２９　Ｎｏ．１２，ＤＥＣＥＭＢＥＲ　１９８２，Ｐ１８２８〜１８３６、また、ＭＡＲＣ　Ｄ．ＬＥＶＥＮＳＯＮ　他“Ｔｈｅ　Ｐｈａｓｅ−Ｓｈｉｆｔｉｎｇ　ＭａｓｋＩＩ：Ｉｍａｇｉｎｇ　Ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎｓ　ａｎｄ　Ｓｕｂｍｉｃｒｏｍｅｔｅｒ　Ｒｅｓｉｓｔ　Ｅｘｐｏｓｕｒｅｓ”同誌　Ｖｏｌ．ＥＤ−３１，Ｎｏ．６，ＪＵＮＥ１９８４，Ｐ７５３〜７６３に記載がある。
【０００４】また、特公昭６２−５０８１１号には、透明部と不透明部とで形成された所定のパターンを有し、不透明部をはさむ両側の透明部の少なくとも一方に位相部材を設け、該両側の透明部に位相差を生ずる構成とした位相シフトマスクが開示されている。
【０００５】従来より知られている位相シフト技術の内、
レベンソン型と称されるものを例にとって、これについて、図22を利用して説明すると、次のとおりである。例えばライン・アンド・スペースのパターン形成を行う場合
【０００６】上記の場合、この効果を最も確実ならしめるには位相を１８０°反転させることが最も有利であるが、このためには、
　　　　　　λ
　Ｄ＝────────
　　　　２（ｎ−１）
（ｎは位相シフト部の形成材料の屈折率、λは露光波長）なる膜厚Ｄで膜形成した位相シフト部１１ａを設ける。
【０００７】上述したような、
隣り合う光透過部で光の位相をシフト（理想的には１８０°反転）させる位相シフトマスクは、空間周波数変調型（あるいはレベンソン型）と称されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする問題点】位相シフト部は、位相をシフトさせる材料を成膜すること等により形成され、あるいは光透過材料に屈折率を変化させるような物質をドープするような手法によても形成できるが、いずれにしても、一般的には、光透過率が必ずしも透過部より大きくならない。理想的には、位相シフト部も、光透過部もともに１００％の光透過率があると良いのであるが、通常は困難である。特に、位相シフト材料として、ＥＢレジストを用いる場合、この問題が顕著である。図５（ａ）に、ＳＯＧを用いてＳｉＯ2 シフターを形成して、これを用いてラインアンドスペースを形成し、理想に近い状態を得た場合を示す。これに対し図５（ｂ）に位相シフト材料に透過率の低い材料を用いた場合を示す。
【０００９】ＥＢレジストを位相シフト材料として用いることは、マスク製造工程上有利である。
【００１０】以下、従来知られている位相シフトマスク形成法について、ＳｉＯ2 等を位相シフト部とするいわゆるハードシフターと、ＥＢレジストを位相シフト部とする場合について、説明する。
【００１１】ハードシフターの形成にあっては、ガラス（例えば石英ガラス）等の透明基板１上にＣｒ等の遮光材料１０′を形成し、ＥＢレジスト（ポジ型）２ａを形成し（図６）、ＥＢ描画により該ＥＢレジストを露光して可溶部２１ａとし（図７）、レジストを現像して遮光材料１０′（Ｃｒ等）をエッチングし（図８）、レジスト剥離して、基板１上に遮光部１０を形成する（図９）。
【００１２】次いでその上にＳＯＧ等のシフター材３（位相シフト材料）を形成し、更にＥＢレジスト２ｂ（ネガ型）を形成し（図10）、再びＥＢ描画により露光して不溶部２１ｂを形成し（図11）、レジスト現像し（図12）、シフター材３をエッチングして（図13）、レジスト剥離し、パターン状の位相シフト部３０を形成する（図14）。これにより、図14に示すように光透過部１２と、遮光部１０と、位相シフト部１１とを有する位相シフトマスクが得られる。
【００１３】一方、ＥＢレジストをシフターとする場合、まず同様に基板１上に遮光材料１０′を形成し、ネガ型のＥＢレジスト２ａを形成し（図15）、ＥＢ描画で露光して可溶部２１ａを形成し（図16）、レジスト現像して遮光材料１０′をエッチングし（図17）、レジスト剥離して基板１上に遮光部１０が形成された構造を得、次にネガ型ＥＢレジスト２を形成し（図19）、ＥＢ描画で露光して不溶部２ａを形成し（図20）、現像してレジストパターンによる位相シフト部２０を形成する（図21）。これにより、光透過部１２と、遮光部１０と、位相シフト部１１とを有する位相シフトマスクを得る。
【００１４】上記のように、シフター材として検討されているＳＯＧ等の無機物質を用いると、シフター材のスピンコート、エッチング（当然異方性が望ましい）等マスク製作プロセスが複雑であるが、これに比して、シフター材をＥＢレジストにすると、比較的容易に位相シフトマスクを製作することが可能である。
【００１５】しかし、ＥＢレジストは光の透過率が低いため、これを用いて例えばポジ型のフォトレジストを露光すると、理想的には図５（ａ）に示すようにシフターを通らない透過部からの光でパターニングされたスペースの幅Ｌ１ と、シフターを透過した位相シフト部を通る光でパターニングされたスペースの幅Ｌ３ とが同じであるべきものなのに、図５（ｂ）のように、シフター透過の光でパターニングされたスペースの幅Ｌ３ ′が狭くなり、スペース間のラインの幅Ｌ２ ′も設計からずれてしまう。このように、開口部の幅が互い違いに開いてしまい、実デバイスへの応用には極めて問題である。
【００１６】上記は、ＥＢレジストを例にとって説明したが、光透過率が低い位相シフト材料についてはいずれも同様であり、光透過部（例えば石英部分）よりも光透過率の小さい位相シフト材料であれば、このような問題は何らかの形で生ずるものである。
【００１７】
【発明の目的】本発明は上記従来技術の問題点を解決して、光透過率の低い位相シフト材料（シフター材）により位相シフト部を形成する技術においても、パターン幅の変動などの光透過率が低いことによる問題の生じないようにした位相シフト露光方法を提供しようとするものでり、また、これに用いる位相シフトマスクの作製方法を提供しようとするものである。
【００１８】
【問題点を解決するための手段】本出願の請求項１の発明は、
光透過部と、位相シフト部とを形成した第１の位相シフトマスクと、該第１の位相シフトマスクとは、光透過部と位相シフト部との位置を反転させて形成した第２の位相シフトマスクとを用い、該第１の位相シフトマスクによる露光と、第２の位相シフトマスクによる露光との少なくとも２度の露光によって多重露光する
【００１９】本出願の請求項２の発明は、
位相シフトマスクが、光透過部と位相シフト部とが交互に形成されたものである
【００２０】本出願の請求項３の発明は、位相シフト部が、ＥＢレジストを位相シフト材料として形成されたことを特徴とする請求項１または２に記載の位相シフト露光方法であり、これにより上記目的を達成するものである。
【００２１】本出願の請求項４の発明は、光透過部と、位相シフト部とを形成した第１の位相シフトマスクと、該第１の位相シフトマスクとは、光透過部と位相シフト部との位置を反転させて形成した第２の位相シフトマスクとの、少なくとも２つの位相シフトマスクを、同一のレチクルより作製することを特徴とする位相シフトマスクの作製方法であり、これにより上記目的を達成するものである。
【００２２】本出願の請求項５の発明は、位相シフト部が、ＥＢレジストを位相シフト材料として形成されたことを特徴とする請求項４に記載の位相シフトマスクの作製方法であり、これにより上記目的を達成するものである。
【００２３】
【作用】前述したようにＥＢレジストは一般に透過率が低く、確かにこれをシフター材とすると位相シフトマスク形成工程が容易であり、また、コントラストを上げる効果もあるものの、このような透過率の低いシフター材は、シフターを通過した後の光は強度が下がる。このため例えばラインアンドスペースパターンにこのようなレジストシフターの如き透過率の低いシフターを用いて例えばレベンソン型位相シフト法を適用すると、フォトレジストにポジ型を用いた場合、図５（ｂ）に示したようにシフター部に対応するウェハの開口部は細くなる。逆にネガ型を用いれば線幅が細くなるわけで、一層問題は深刻化する。
【００２４】これに対し、本発明によれば、シフターの配置を逆にしたマスクをもう一枚作成し、被露光材であるウェハ等を２度露光することにより、上記の問題を解決することができる。
【００２５】通常、例えば図１（ａ）のような位相シフトマスクを作成する場合、シフター部のＥＢレジストに例えばネガ型レジストを使い、シフターとして残したい部分をＥＢ描画する。現像すれば描画されなかった部分は溶けて残らない。全く同じことを今度は例えばポジ型のＥＢレジストを用いた場合、最初のマスクとはシフターの位置が完全に反転したマスクができあがる（図１（ｂ））。こうして作られた２枚目のマスクを用いて、被露光材であるウェハ等を２度露光すれば最終的にウェハ等は均等な光強度で露光される。」
　
　【図１】ないし【図５】，【図２２】及び【０００５】段落の記載から、引用例１のものは、ライン・アンド・スペースのパターン形成を行うものであることは明らかである。
　
２　引用例１に記載された発明の認定
　上記記載から、引用例１には、
「半導体装置製造プロセスにおいてレジストパターン等の各種パターンを形成する場合の露光方法であって、
　マスクを透過する光に位相差を与え、これにより光強度プロファイルを改善するものである位相シフト技術が用いられ、
　光透過部と、位相シフト部とを形成した第１の位相シフトマスクと、該第１の位相シフトマスクとは、光透過部と位相シフト部との位置を反転させて形成した第２の位相シフトマスクとを用い、該第１の位相シフトマスクによる露光と、第２の位相シフトマスクによる露光との少なくとも２度の露光によって多重露光するものであり、
　位相シフトマスクが、光透過部と位相シフト部とが交互に形成されたレベンソン型のものであり、
　形成されるマスクパターンは、ライン・アンド・スペースのパターンである位相シフト露光方法。」の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
３　引用例２
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平１０−１０４８１６号公報（以下、「引用例２」という）には、次の事項が記載されている。（下記「第５　当審の判断」において参照する記載に下線を付した。）
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フォトマスク及びその製造方法に関し、特に、ＨＦ（フッ酸）蒸気によりガラス部又は位相シフター部をエッチングすることにより、断面にオーバーハングした形状を持たせ、石英基板部ないし位相シフター部をドライエッチングした部位の透過光量を調整するフォトマスク及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体集積回路の高集積化に伴い、その回路製版に用いられるレチクルにも一層微細化が要求される。例えば、代表的なＬＳＩであるＤＲＡＭを例にあげると、これらのレチクルを用いて転写されるデバイスのパターンの線幅は、現在の１６ＭｂＤＲＡＭでは０．５μｍと微細なものである。さらに、６４ＭｂＤＲＡＭの微細な製版には、従来のステッパーを用いた露光方式では最早限界にきており、このような要求に応えるために様々な露光法等が研究されている。位相シフトフォトマスクもその一つであり、それを用いると、現在のステッパーによっても解像度を上げることが可能なため、その開発も盛んになっており、最近では、デバイス作製に導入されつつある。
【０００３】位相シフトフォトマスクとしては、図６（ａ）に断面図を示す通り、
石英基板１上に繰り返し模様の遮光層２を設け、１個おきのスペース部３の透明基板１を位相差で半波長分彫り込んだ構成の、レベンソンタイプの下シフター型に属する石英基板彫り込み型の位相シフトフォトマスク
石英基板１上にエッチングストップ層４、ＳｉＯ
２
 系等の位相シフター層５、さらにその上に繰り返し模様の遮光層２を設け、１個おきのスペース部６の位相シフター層５を彫り込んだ構成の、レベンソンタイプの下シフター型位相シフトフォトマスク
　
４　引用例３
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平１１−１１１６０１号公報（以下、「引用例３」という）には、次の事項が記載されている。（下記「第５　当審の判断」において参照する記載に下線を付した。）
「【０００７】本発明は斯かる点に鑑み、１つのレイヤのパターンを多重露光で形成する場合に、従来のように複数枚のレチクルのパターンを順次重ねて露光する方式に比べて、レチクルの製造コストや管理コストを低減できると共に、スループットを向上できる露光方法を提供することを第１の目的とする。更に本発明は、１つのレイヤのパターンを多重露光で形成する場合に、レチクルの製造コストを低減できると共に、高い結像特性が得られる露光方法を提供することを第２の目的とする。
【０００８】更に本発明は、そのような露光方法を使用できる露光装置を提供することをも目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明による第１の露光方法は、露光対象の基板の同一レジスト（感光材料）上の複数の被露光領域（４６Ｂ〜４６Ｇ）にそれぞれ異なるＮ個（Ｎは２以上の整数）のマスクパターンの像を重ねて露光する露光方法において、
マスク（Ｒ）上で所定方向に一列に配置されたＮ個のマスクパターン領域（４５Ａ，４５Ｂ）を形成しておき、その基板上にそのマスク上のそれらＮ個のマスクパターンの像（Ａ１，Ｂ１）を露光する第１工程と、その基板とそのマスクとをマスクパターン領域（４５Ａ，４５Ｂ）のその所定方向の幅に対応する幅だけその所定方向に相対移動して、その基板上にそのマスク上のそれらＮ個のマスクパターンの像（Ａ２，Ｂ２）を部分的に重ね合わせて露光する第２工程と、を有し、この第２工程を更に少なくとも（Ｎ−２）回繰り返すもの
【００１０】斯かる本発明によれば、
１枚のマスク上に複数個のマスクパターンが形成されている
【００１１】なお、二重露光する場合（Ｎ＝２の場合）には、その第１工程及び第２工程を１度実行することで、少なくとも１つの被露光領域で二重露光が行われる。また、本発明において、それらＮ個のマスクパターンの像をその基板上に露光する際に、そのマスクパターンを照明する照明光束に対して、そのマスクとその基板とを同期走査させて露光し、そのマスク上でのそれらＮ個のマスクパターン領域の配列方向とその同期走査の走査方向とを平行に設置し、そのマスクパターン毎に露光条件を変化させることが望ましい。
【００１２】これは本発明を
ステップ・アンド・スキャン方式のような走査露光方式で露光する場合に適用する
【００１３】また、本発明による第２の露光方法は、スリット状の照明領域でマスク（Ｒ）のパターンを照明し、そのマスクのパターンがその照明領域の走査方向に複数配置され、そのマスクと基板（Ｗ）とを同期走査させることによってそのマスクのパターンの像をその基板の同一レジスト上に投影する露光方法であって、そのマスクのパターン毎に露光条件を変化させて露光するものである。
【００１４】斯かる本発明によれば、１回の露光終了後に１個のパターン分だけマスク（Ｒ）と基板（Ｗ）とを走査方向にずらして部分的に重ね合わせた露光を行うことによって、１枚のマスクを用いて多重露光を行うことができる。更に、照明領域が別のパターンに移動する毎に、露光条件を当該パターンに最適化された条件に切り換えることによって、多重露光による高い結像特性が得られる。
【００１５】また、本発明による露光装置は、スリット状の照明領域でマスク（Ｒ）のパターンを照明し、そのマスクのパターンがその照明領域の走査方向に複数配置され、そのマスクと基板（Ｗ）とを同期走査させることによってそのマスクのパターン像をその基板の同一レジスト上に投影する露光装置であって、そのマスクとその基板とをその走査方向に同期走査して露光を行う際に、そのスリット状の照明領域が次のパターン領域に移動するのに応じて露光条件を変化させる露光条件制御系（１１，１２，４１，４３）を設けたものである。斯かる露光装置によれば、本発明の第１、又は第２の露光方法が使用できる。」
　
第４　対比
１　引用発明と本願発明とを対比する。
　
　引用発明の「半導体装置製造プロセスにおいてレジストパターン等の各種パターンを形成する」ことは、技術常識から当然に、一方の面にフォトレジスト膜を形成したウエハをウエハステージに載置し、露光後に（露光によって）フォトレジスト膜をパターンニングすることを含むものであるから、引用発明の「半導体装置製造プロセスにおいてレジストパターン等の各種パターンを形成する場合の露光方法」が、本願発明の「(a)ウエハの第１の主面にフォトレジスト膜を形成する工程；(b)上記フォトレジスト膜が形成された上記ウエハを露光装置のウエハステージに設置する工程；(e)上記工程（露光工程）の後、上記フォトレジスト膜をパターニングする工程；を含む半導体集積回路装置の製造方法」に相当する。
　
　引用発明の「光透過部と、位相シフト部とを形成した第１の位相シフトマスク」を用い、「該第１の位相シフトマスクによる露光」をすることと、本願発明の「(c)上記ウエハステージに設置された上記ウエハの上記第１の主面の第１の領域に対して、第１の位相シフトマスクパターンを紫外光により縮小投影露光する」こととは、「(c)上記ウエハステージに設置された上記ウエハの上記第１の主面の第１の領域に対して、第１の位相シフトマスクパターンを露光する」ことで一致する。
　
　引用発明の「第１の位相シフトマスクとは、光透過部と位相シフト部との位置を反転させて形成した第２の位相シフトマスク」とを用い、「第２の位相シフトマスクによる露光との少なくとも２度の露光によって多重露光する」ことと、本願発明の「（第１の位相マスクを用いた露光の工程(c)の後、）上記ウエハステージに設置された上記ウエハの上記第１の主面の上記第１の領域に対して、上記第１の位相シフトマスクパターンと同一のマスク基板上の同一の主面上に形成された第２の位相シフトマスクパターンであって上記第１の位相シフトマスクパターンの位相を反転させたものを上記紫外光により上記工程(c)と実質的に同一露光条件で縮小投影露光する」こととは、「（第１の位相マスクを用いた露光の工程(c)の後、）上記ウエハステージに設置された上記ウエハの上記第１の主面の上記第１の領域に対して、第２の位相シフトマスクパターンであって上記第１の位相シフトマスクパターンの位相を反転させたものを露光する」ことで一致する。
　
引用発明の「位相シフトマスクが、光透過部と位相シフト部とが交互に形成されたレベンソン型のもの」であることと、本願発明の「第１及び第２の位相シフトマスクパターンは基板溝シフタを有するレベンソン方式によるもの」であることとは、「第１及び第２の位相シフトマスクパターンはレベンソン方式によるもの」であることで一致している。
　
　引用発明の「形成されるマスクパターンは、ライン・アンド・スペースのパターンである」ことは、本願発明の「（上記レベンソン方式による）マスクパターンはラインアンドスペースパターンを転写するためのものである」ことに相当する。
　
２　一致点
　よって、本願発明と引用発明は、
「 以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法：
(a)ウエハの第１の主面にフォトレジスト膜を形成する工程；
(b)上記フォトレジスト膜が形成された上記ウエハを露光装置のウエハステージに設置する工程；
(c)上記ウエハステージに設置された上記ウエハの上記第１の主面の第１の領域に対して、第１の位相シフトマスクパターンを露光する工程；
(d)上記工程の後、上記ウエハステージに設置された上記ウエハの上記第１の主面の上記第１の領域に対して、第２の位相シフトマスクパターンであって上記第１の位相シフトマスクパターンの位相を反転させたものを露光する工程；
(e)上記工程の後、上記フォトレジスト膜をパターニングする工程；
　ここで、上記第１及び第２の位相シフトマスクパターンはレベンソン方式によるものであり、上記レベンソン方式によるマスクパターンはラインアンドスペースパターンを転写するためのものである。」の発明である点で一致し、次の各点で相違する。
　
３　相違点
（１）相違点１；
　本願発明の露光は、「紫外光により縮小投影露光する」ものであるのに対して、引用発明には、その点の明確な特定がない点。
　
（２）相違点２；
　本願発明は、第１の位相シフトマスクパターンの露光と第１の位相シフトマスクパターンの露光とが、「実質的に同一露光条件」で露光するものであるのに対して、引用発明には、その点の明確な特定がない点。
　
（３）相違点３；
　本願発明は、第１の位相シフトマスクパターンと第２の位相シフトマスクパターンが「同一のマスク基板上の同一の主面上に形成された」ものであるのに対して、引用発明には、その点の限定がない点。
　
（４）相違点４；
　本願発明は、第１の位相シフトマスクパターンの露光と第１の位相シフトマスクパターンの露光とが、「スキャンニング露光」によって行われるものであるのに対して、引用発明には、その点の限定がない点。
　
（５）相違点５；
　本願発明は、第１の位相シフトマスクパターンと第２の位相シフトマスクパターンが「基板溝シフタを有する」ものであるのに対して、引用発明には、その点の限定がない点。
　
第５　当審の判断
１　上記各相違点について検討する。
（１）相違点１について
　半導体集積回路装置の製造に関する技術分野において、露光が「紫外光」による「縮小投影露光」であることは通常のことであり、例を挙げるまでもない周知の技術である。
　したがって、引用発明においても、露光が「紫外光により縮小投影露光」であるとして上記相違点１に係る本願発明の発明特定事項を得ることは当業者が容易に想到し得ることである。
　
（２）相違点２について
　引用発明のように、「光透過部と、位相シフト部とを形成した第１の位相シフトマスクと、該第１の位相シフトマスクとは、光透過部と位相シフト部との位置を反転させて形成した第２の位相シフトマスクとを用い、該第１の位相シフトマスクによる露光と、第２の位相シフトマスクによる露光によって多重露光」することによって、隣り合う開口を均一にしようとする場合、すなわち、第１の位相シフトマスクによる「光透過部による露光」に第２の位相シフトマスクによる「位相シフタ部による露光」を加えた露光と、第１の位相シフトマスクによる「位相シフタ部による露光」に第２の位相シフトマスクによる「光透過部による露光」を加えた露光を同じものにするためには、第１の位相シフトマスクによる露光の露光条件と、第２の位相シフトマスクによる露光の露光条件を同じにすればよいことは、当業者であれば容易に想到し得ることである。
　
（３）相違点３について；
　引用例３には、多重露光技術において、マスクを１枚で済ませてマスクの製造コストを低減させるため、同一のマスク基板の同一の面に、多重露光する複数のマスクパターンを形成することが記載されている。
　引用発明においても、マスクの製造コストを低減させるため、引用例３に記載された技術を採用して、多重露光する第１の位相シフトマスクパターンと第２の位相シフトマスクパターンを「同一のマスク基板上の同一の主面上に形成」するとして、上記相違点３に係る本願発明の発明特定事項を得ることは当業者が容易に想到し得ることである。
　
（４）相違点４について；
　フォトマスクを利用してパターンを形成する露光技術において、スキャンニング露光は、引用例３にも記載されている周知の技術である。
　引用発明においても、露光方法として、上記周知の技術を採用して、上記相違点４に係る本願発明の発明特定事項を得ることは当業者が容易に想到し得ることである。
　
（５）相違点５について；
　引用例２には、「１個おきのスペース部６の位相シフター層５を彫り込んだ構成」、すなわち、位相シフトマスクパターンが「基板溝シフタを有する」ものである点が記載されている。
　引用発明と引用例２に記載された発明は、レベンソン型である点で共通しており、同じ技術分野に属していて相互に技術の適用が可能なものであるといえるから、引用発明の位相シフトマスクパターンにおいて、上記引用例２に記載された「基板溝シフタを有する」ものである点を採用して、上記相違点５に係る本願発明の発明特定事項を得ることは当業者が容易に想到し得ることである。
　
２　本願発明が奏する作用効果
　そして、本願発明によってもたらされる効果は、引用発明、引用例２，３に記載された発明及び周知技術から、当業者が予測し得る程度のものである。
　
３　まとめ
　したがって、本願発明は、引用例１ないし３に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第６　むすび
　以上より、本願発明は、引用例１ないし３に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。