【手続補正書】
【提出日】平成27年1月6日(2015.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像増強装置であって、
ａ．光入力部に位置付けられるレンズであって、光景の画像を形成する、レンズと、
ｂ．画像増強管であって、
ｉ）該レンズによって形成された該光景の該画像を受信するように位置付けられる光電陰極であって、該光景の該画像に応じて光電子を生成する、光電陰極と、
ｉｉ）基板、放射層および該光電陰極を備える入力面を備えるマイクロチャネルプレートであって、該基板は該基板の頂面から該基板の底面まで延びる複数の細孔を画定し、該複数の細孔が抵抗層を形成する外面上に抵抗物質を有し、該放射層は該抵抗層を覆って形成され、ここで、該抵抗膜、該放射膜、および該基板のうちの少なくとも１つがイオンの生成を抑制し、該マイクロチャネルプレートが該光電陰極によって生成された該光電子を受信して、２次電子を生成する、マイクロチャネルプレートとを備える、画像増強管と、
ｃ．該マイクロチャネルプレートによって生成された該２次電子を受信し、該光景の増強画像を生成する、電子検出器と
を備える、画像増強装置。
【請求項２】
前記マイクロチャネルプレートは、鉛低減ガラスマイクロチャネルプレートを備える、請求項１に記載の画像増強装置。
【請求項３】
前記マイクロチャネルプレートは、半導体マイクロチャネルプレートを備える、請求項１に記載の画像増強装置。
【請求項４】
前記マイクロチャネルプレート基板は、Ａｌ２Ｏ３、シリコン、ＳｉＯ２、プラスチック、およびＳｉ３Ｎ４のうちの少なくとも１つから形成される、請求項１に記載の画像増強装置。
【請求項５】
前記マイクロチャネルプレートは、第１の放射層と第２の放射層とを備え、該第２の放射層は、該マイクロチャネルプレートの前記２次電子放出効率を増加させる、請求項１に記載の画像増強装置。
【請求項６】
前記マイクロチャネルプレートの前記第２の放射層は、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、およびＮｉＯ２のうちの少なくとも１つを備える、請求項５に記載の画像増強装置。
【請求項７】
前記マイクロチャネルプレートは、前記第１の放射層と前記第２の放射層との間に位置付けられる、イオン障壁層をさらに備える、請求項５に記載の画像増強装置。
【請求項８】
前記マイクロチャネルプレートは、イオン障壁層をさらに備える、請求項１に記載の画像増強装置。
【請求項９】
前記放射層は、時間の関数として、２次電子放出効率の増加およびゲイン劣化の減少のうちの少なくとも１つを達成するように選択される、請求項１に記載の画像増強装置。
【請求項１０】
前記マイクロチャネルプレートは、Ｃｕ２Ｏ、ＣｕＯ、ＺｎＯ、およびＳｎＯ２のうちの少なくとも１つを備える、抵抗膜を備える、請求項１に記載の画像増強装置。
【請求項１１】
前記マイクロチャネルプレートは、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、およびＮｉＯ２のうちの少なくとも１つを備える、放射膜を備える、請求項１に記載の画像増強装置。
【請求項１２】
前記電子検出器は、蛍光体スクリーンおよび電荷結合素子のうちの少なくとも１つを備える、請求項１に記載の画像増強装置。
【請求項１３】
画像増強装置であって、
ａ．光景の画像を受信するための入力ウィンドウを有するマイクロチャネルプレートであって、基板の頂面から該基板の底面まで延びる複数の細孔を画定する基板であって該複数の細孔が抵抗層を形成する外面上に抵抗物質を有する、基板と、該抵抗層を覆って形成される放射層とを備え、ここで、該抵抗膜、該放射膜、および該基板のうちの少なくとも１つがイオンの生成を抑制する、マイクロチャネルプレートと、
ｂ．該マイクロチャネルプレートの該入力ウィンドウ上に直接形成される光電陰極であって、該光電陰極は、該光景の該受信された画像に応じて光電子を生成し、該マイクロチャネルプレートは、該生成された光電子に応じて２次電子を生成する、光電陰極と、
ｃ．該マイクロチャネルプレートによって生成された該２次電子を受信し、該光景の増強画像を生成する電子検出器と
を備える、画像増強装置。
【請求項１４】
前記マイクロチャネルプレートは、鉛低減ガラスマイクロチャネルプレートを備える、請求項１３に記載の画像増強装置。
【請求項１５】
前記マイクロチャネルプレートは、半導体マイクロチャネルプレートを備える、請求項１３に記載の画像増強装置。
【請求項１６】
前記マイクロチャネルプレートは、第１の放射層と第２の放射層とを備え、該第２の放射層は、該マイクロチャネルプレートの前記２次電子放出効率を増加させる、請求項１３に記載の画像増強装置。
【請求項１７】
前記マイクロチャネルプレートは、前記第１の放射層と前記第２の放射層との間に位置付けられる、イオン障壁層をさらに備える、請求項１６に記載の画像増強装置。
【請求項１８】
前記マイクロチャネルプレートは、イオン障壁層をさらに備える、請求項１３に記載の画像増強装置。
【請求項１９】
画像増強装置であって、
ａ．光景の画像を形成するための手段と、
ｂ．該光景の該画像を受信するように位置付けられるマイクロチャネルプレートであって、基板の頂面から該基板の底面まで延びる複数の細孔を画定する基板であって該複数の細孔が抵抗層を形成する外面上に抵抗物質を有する、基板と、該抵抗層を覆って形成される放射層とを備え、ここで、該抵抗膜、該放射膜、および該基板のうちの少なくとも１つがイオン生成を抑制する、マイクロチャネルプレートと、
ｃ．光電陰極を該マイクロチャネルプレートに統合するための手段であって、該光電陰極は、該光景の該受信された画像に応じて光電子を生成し、該マイクロチャネルプレートは、該生成された光電子に応じて２次電子を生成する、手段と、
ｄ．該マイクロチャネルプレートによって生成された電子を検出し、該光景の増強画像を生成するための手段と
を備える、画像増強装置。
【請求項２０】
前記マイクロチャネルプレートは、鉛低減ガラスマイクロチャネルプレートを備える、請求項１９に記載の画像増強装置。
【請求項２１】
前記マイクロチャネルプレートは、半導体マイクロチャネルプレートを備える、請求項１９に記載の画像増強装置。
【請求項２２】
前記マイクロチャネルプレートは、第１の放射層と第２の放射層とを備え、該第２の放射層は、該マイクロチャネルプレートの前記２次電子放出効率を増加させる、請求項１９に記載の画像増強装置。
【請求項２３】
前記マイクロチャネルプレートは、前記第１の放射層と前記第２の放射層との間に位置付けられる、イオン障壁層をさらに備える、請求項２２に記載の画像増強装置。
【請求項２４】
前記マイクロチャネルプレートは、イオン障壁層をさらに備える、請求項１９に記載の画像増強装置。
【請求項２５】
前記マイクロチャネルプレートは、イオンが前記光電陰極に影響を及ぼすことを防止するための手段をさらに備える、請求項１９に記載の画像増強装置。
【請求項２６】
画像増強装置であって、
ａ．陰極ウィンドウ上に直接形成される光電陰極であって、光景の画像に応じて光電子を生成する、光電陰極と、
ｂ．該光電陰極によって生成された光電子を受信するための入力面を有し、該光電陰極の真後ろに位置付けられ、かつ真空間隔によって該光電陰極から離間される、マイクロチャネルプレートであって、該マイクロチャネルプレートが、基板の頂面から該基板の底面まで延びる複数の細孔を画定する基板であって該複数の細孔が抵抗層を形成する外面上に抵抗物質を有する、基板と、該抵抗層を覆って形成される放射層とを備え、ここで、該抵抗膜、該放射膜、および該基板のうちの少なくとも１つがイオンの生成を抑制し、該生成された光電子に応じて２次電子を生成する、マイクロチャネルプレートと、
ｃ．該マイクロチャネルプレートによって生成された該２次電子を受信し、該光景の増強画像を生成する、電子検出器と
を備える、画像増強装置。