【事件の表示】
　特願２００４−　２５０５８「半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　４月２２日出願公開、特開２００４−１２８５２６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１１年１２月２日に出願した特願平１１−３４３１７６号の一部を平成１６年２月２日に新たな特許出願としたものであって、その請求項１〜５に係る発明は、平成１８年６月１日付の手続補正書により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜５に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、そのうち、請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、次のとおりのものである。
　
　「【請求項１】
　表面と裏面とを有し、前記裏面に外部電極が形成された基板と、
　前記基板の前記表面上に搭載された、表面に電極パッドを有する半導体素子と、
　前記半導体素子の前記表面を封止する封止樹脂とを備えた半導体装置において、
　前記半導体素子の前記表面における封止樹脂の厚さが０．２ｍｍ以下であり、前記封止樹脂の表面に施される捺印がレーザーでは行われずインクにより行われることを特徴とする半導体装置。」
　
２．引用刊行物及びその摘記事項
　原査定の拒絶の理由に引用した本願出願前に国内において頒布された下記の刊行物１には、図面とともに次の事項が記載されている。
　
　刊行物１：特開平１０−１８９６３７号公報
　
刊行物１の摘記事項
ａ）「【０００４】
　　【発明が解決しようとする課題】上記従来技術では、半導体素子から回路基板との接続を行うための半田ボール搭載電極までの接続は何れも基板上の配線を介して行われた。半導体装置の小型・多ピン化が進むと基板上の端子間隔が狭くなり、半導体素子からボール搭載部までの配線を基板に形成するのが困難になってくるという課題を有していた。
　　【０００５】本発明の目的は、上記従来技術の課題を解決すべく、小型・多ピン化が進んで基板上の端子間隔が狭くなったとしても、半導体素子からボール搭載部までの配線を基板に形成するのを可能にしたＢＧＡ等の半導体装置を提供することにある。」
　
ｂ）「【請求項９】多数の穴を外形の内側にこの外形辺に沿って所望の間隔で配設し、且つ裏面において各々が前記各穴に対応するように多数の電極部を並設形成した基板を設け、該基板の表面における前記多数の穴の内側に半導体素子を搭載し、該半導体素子の外形辺に沿って配設された多数のボンディングパッドの各々と前記基板の裏面に並設形成された多数の電極部の裏面の各々との間において前記各穴を通してボンディングワイヤにより接続を行い、少なくとも前記半導体素子及び前記基板の表面を前記ボンディングワイヤが埋設されるように樹脂により封止したことを特徴とする半導体装置。」
　
ｃ）「【００１７】・・・図９には、本発明に係る半導体装置の組立工程の概略を示す。先ず、図９(ａ)に示すように基板２上に接着剤等１７を用いて半導体素子１を搭載する。次に、図９(ｂ)に示すように半導体素子１上のボンディングパッド５と基板２上の電極部７、８とをボンディングワイヤ４を用いて接続する。次に、図９(ｃ)に示すようにトランスファモールドあるいは液状樹脂の塗布よる樹脂３０による封止を行う。次に、図９(ｄ)に示すように樹脂封止後、当該半導体装置をプリント配線板（図示せず）に搭載・接続するためのはんだボール等の接合材１８を接続し、目的の半導体装置を得る。」
　
３．当審の判断
（１）刊行物１発明
　上記摘記事項ａ）〜ｃ）の記載を整理すると、上記刊行物１には、「多数の穴を基板の外形の内側に、この外形辺に沿って所望の間隔で配設し、基板の裏面には、各々が各穴に対応するように多数の電極部を並設形成した基板を設け、基板の表面には、多数の穴の内側に半導体素子を搭載し、半導体素子上に、その外形辺に沿って多数のボンディングパッドを配設し、少なくとも半導体素子及び基板の表面を樹脂により封止する小型化した半導体装置」に関する発明（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されている。
　
（２）対比・判断
　そこで、本願発明１と刊行物１発明とを対比すると、刊行物１発明の「電極部」、「ボンディングパッド」は、本願発明１の「外部電極」、「電極パッド」に相当するから、両者は、「表面と裏面とを有し、前記裏面に外部電極が形成された基板と、前記基板の前記表面上に搭載された、表面に電極パッドを有する半導体素子と、前記半導体素子の前記表面を封止する封止樹脂とを備えた半導体装置」の点で一致するものの、次の点で相違する。
　
　相違点：半導体素子表面の封止樹脂の厚さ及びその表面に施される捺印について、本願発明１は、封止樹脂の厚さが「０．２ｍｍ以下」であり、捺印がレーザーでは行われず「インク」により行われるのに対し、刊行物１発明は、半導体素子表面の封止樹脂の厚さ及び捺印については不明である点。　
　
　次に、上記相違点について以下検討する。
　刊行物１発明は、上記摘記事項ａ）に記載されているように、「半導体装置の小型化」を前提にしている。一般に、半導体素子を実装する装置の小型化薄型化は、当該技術分野において周知の課題であり、小型化には、薄型化も当然その範疇に含まれているものであり、刊行物１発明の半導体装置においても、半導体素子の表面を封止する封止樹脂の厚さを薄型化することは、当然の課題である。
　そして、下記の周知例１〜３にみられるように、封止樹脂を薄型化するために、半導体素子の表面を封止する封止樹脂の厚さを、０．２ｍｍ以下程度の範囲とすることは、標準的な水準値であり、設計的事項にすぎない。
　また、半導体装置の封止樹脂表面に捺印を施す場合には、レーザー刻印を施す以外に、インクによる捺印を施すことも、下記の周知例４〜６に記載されているように、本願出願前において周知の技術にすぎないから、刊行物１発明の半導体装置において、半導体素子の表面を封止する、０．２ｍｍ以下の厚さの封止樹脂表面に、周知の技術であるインクによる捺印を施すようなことは当業者が適宜成しうることである。
　
　周知例１：特開平８−２７４２３４号公報
　
「【０１１０】図１６に示すような銅箔リード１６を用いることによって、半導体素子１の厚さｃを０.２ｍｍ、インナーリード２の厚さｂを０.１ｍｍ程度とした場合、インナーリード２の上部の樹脂厚さａを０.１ｍｍ以下にすることができ、半導体素子の下部の樹脂厚さｄを０.１ｍｍ程度とすることによって、封止樹脂部の厚さが０.５ｍｍ以下の半導体装置を得ることができる。」
　
　周知例２：特開平６−３３４１０６号公報
　
　「【０００６】前述の樹脂封止型半導体装置の樹脂封止体はその厚さ方向の中央部分にタブ及び半導体ペレットを配置する。つまり、樹脂封止体はタブの一表面上に搭載された半導体ペレットの上側表面上に、タブの一表面と対向する裏面下に夫々存在する。現在の樹脂封止型半導体装置の組立技術においては、例えば半導体ペレットの厚さが ０.４〔ｍｍ〕、タブの厚さが０.１〜０.２〔ｍｍ〕、樹脂封止体の上側の厚さが０.２〜０.３〔ｍｍ〕、樹脂封止体の下側の厚さが０.２〜０.３〔ｍｍ〕の夫々の寸法が加工限界の標準的な水準値であり、これに外部リードの長さが若干加わるので、樹脂封止型半導体装置の実装高さは １.０〔ｍｍ〕を越えてしまう。前記樹脂封止体の上側は、半導体ペレットの素子形成面に搭載された回路システムの保護、外部端子や回路システム内の結線の腐食の防止等を目的として、不可欠である。樹脂封止体の下側は、前述のタブと樹脂封止体との界面で発生する応力の抑制、トランスファモールド工程中の流動性樹脂の金型内の流入特性の安定化（タブの上下夫々に流れる流動性樹脂の均衡を保持し、樹脂封止体の巣の発生を防止する）等を目的として、こちらも不可欠である。このため、樹脂封止体の厚さ（実装高さ）が厚くなるので、樹脂封止型半導体装置の小型化に限界がある。」
　「【００２５】前記樹脂封止体６は、トランスファモールド法で成型され、例えば熱硬化性エポキシ系樹脂が使用される。・・・
【００２６】樹脂封止体６は、図１に示すように、絶縁性樹脂テープ４の一表面つまり絶縁性樹脂テープ４の半導体ペレット２が搭載された表面上に形成され、絶縁性樹脂テープ４の裏面には基本的に形成されない。樹脂封止体６の半導体ペレット２の素子形成面上の厚さは約０.２〜０.３〔ｍｍ〕程度で形成される。」
　
　周知例３：特開昭６１−２２０３４６号公報
　
　「次いで、第５図（ｂ）に示すように少なくとも半導体素子１の電極パッド部２が形成された面上、・・・第１の絶縁性樹脂層１３，１４として例えば厚さ３０μｍ程度のポリカーボネート樹脂フイルムを静置し、・・・プレスし、・・・
　次いで第５図（ｆ）に示すように、・・・１００μｍ厚のポリカーボネート樹脂フイルムからなる第２の絶縁性樹脂層１８を樹脂体１５上に位置合わせして静置し、・・・熱プレスを行った。」（３頁右下欄１６行〜４頁右上欄１２行）
　
　周知例４：特開昭６３−４５８３９号公報
　
「［発明の概要］
　本発明は、半導体素子の収容容器にこの素子の形式名、極性等の表示を行うマーキング装置に於いて、インクを含浸させたテープを介してプリンターヘッド等の表示体を前記収納容器の表面に押圧させることによって、版の取り替えが容易であかつ取扱いが容易なマーキング装置を提供するものである。」（１頁左下欄１４行〜右下欄５行）
　
　周知例５：特開昭６３−１３２９８２号公報
　
　「〔従来の技術〕
　トランジスタ、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子は、通常、エポキシ樹脂を用いたプラスチックパッケージにより樹脂封止され半導体装置化されている。この種の樹脂封止半導体装置の封止樹脂の表面には、一般に、メーカー名や規格等を表示するためマーキングが行われている。
　 〔発明が解決しようとする問題点〕
　・・・
この発明は・・・鮮明でかつ耐久性の高い印刷を行うことができる樹脂封止半導体装置用マーキングインクの提供をその目的とする。」（１頁左下欄１７行〜右下欄１９行）
　
　周知例６：特開平１１−３１７６２号公報
　
　「【００１３】図示するように、・・・そして、接合された半導体素子３と半導体キャリア基板４との隙間にはエポキシ系の封止樹脂７が充填被覆されている。そして半導体素子３の裏面領域には絶縁膜１０が付設されている。また、製品状態としては、半導体素子３の裏面側の露出面にエポキシ系のマークインク８で品番等が捺印（マーキング）されている半導体装置である。・・・また絶縁膜１０はエポキシ系樹脂により構成されている。
【００１４】本実施形態の半導体装置は、半導体素子３の裏面に絶縁膜１０が形成されており、その形成領域も半導体素子３の裏面に加えて、側面領域にも形成されているものである。そしてその絶縁膜１０は平坦に設けられており、厚みも１〜１０［μｍ］と薄膜であり、本実施形態では最適の３［μｍ］の膜厚を採用している。本実施形態のような構成により、絶縁膜１０は平坦に形成されており、半導体装置のコンタクト検査時の押圧荷重が半導体素子３の裏面に均一に印加されるので、半導体装置を構成している特に半導体キャリア４や半導体素子３のワレや欠けを防止することができる。」
　
　また、封止樹脂の厚さが０．２ｍｍ以下の封止樹脂の表面にインクにより捺印することによる効果も、容易に予測可能なものである。
　したがって、本願発明１は、刊行物１に記載された発明及び周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は特許を受けることができないものであり、本願の請求項２〜５については検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。