【事件の表示】
　上記当事者間の特許第３２７９２９４号発明「半導体装置のテスト方法、半導体装置のテスト用プローブ針とその製造方法およびそのプローブ針を備えたプローブカード」の特許無効審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
　審判費用は、請求人の負担とする。
【理　由】
第１　手続の経緯
１　本件特許第３２７９２９４号の請求項１ないし７に係る発明についての出願は、平成１１年８月２７日（優先日平成１０年８月３１日）に出願され、平成１４年２月２２日にその発明についての特許権の設定登録がなされたものである。
　
２　１次無効審判（無効２００４−８０１０５号）
　審判請求日：平成１６年７月１６日
　審判請求の趣旨：「本件特許の請求項２、３及び７に係る特許を無効とする。」（特許法第２９条第２項違反）
　訂正請求日：平成１６年１０月４日
　審決日：平成１７年４月１８日
　審決の結論：「訂正を認める。本件審判の請求は、成り立たない。」
　１次審決取消訴訟提起日：平成１７年５月２７日（知的財産高等裁判所平成１７年（行ケ）第１０５０３号、請求の趣旨：「特許庁が無効２００４−８０１０５号事件について平成１７年４月１８日にした審決を取り消す。」）
　１次判決：判決言渡日平成１８年３月１日、判決主文「原告の請求を棄却する。」
　上告受理申立て：平成１８年３月１３日
　上告審決定：決定日平成１８年６月２０日、決定主文「本件を上告審として受理しない。」
　
３　２次無効審判（無効２００５−８０１７７号）
　審判請求日：平成１７年６月７日
　審判請求の趣旨：「本件特許の請求項２及び３に係る特許を無効とする。」（特許法第３６条第６項第１号および第２号違反）
　審決日：平成１８年１２月２２日
　審決の結論：「本件審判の請求は、成り立たない。」
　２次審決取消訴訟提起日：平成１９年１月１７日（知的財産高等裁判所平成１９年（行ケ）第１００２４号、請求の趣旨：「特許庁が無効２００５−８０１７７号事件について平成１８年１２月２２日にした審決を取り消す。」）
　２次判決：判決言渡日平成１９年１０月３０日、判決主文「原告の請求を棄却する。」（その後、２次判決は確定した。）
　
４　本件無効審判（無効２００６−８０２２２号）
　審判請求日：平成１８年１０月３１日
　請求の趣旨：「本件特許の請求項２、３及び７に係る特許を無効とする。」（平成１４年改正前特許法第３６条第４項違反）
　答弁書提出：平成１９年１月２２日
　弁駁書提出：平成１９年３月１４日
　請求人上申書提出：平成１９年３月２６日
　
第２　本件特許の請求項２、３及び７に係る発明
　本件特許の請求項２、３及び７に係る発明（以下、「本件発明２」、「本件発明３」、「本件発明７」という。）は、上記１次無効審判請求手続における訂正請求により訂正された明細書（以下、「本件明細書」という。）の特許請求の範囲の請求項２、３及び７に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
　「【請求項２】先端部を半導体装置の電極パッドに押圧し、上記先端部と上記電極パッドを電気的接触させて、半導体装置の動作をテストする半導体装置のテスト用プローブ針において、上記プローブ針は側面部と先端部から構成され、上記先端部は球状の曲面であり、上記曲面の曲率半径ｒを１０≦ｒ≦２０μｍ、 表面粗さを０．４μｍ以下としたことを特徴とする半導体装置のテスト用プローブ針。
【請求項３】先端部を半導体装置の電極パッドに押圧し、上記先端部と上記電極パッドを電気的接触させて、半導体装置の動作をテストする半導体装置のテスト用プローブ針において、上記プローブ針の先端部の形状は，上記押圧による電極パッドとの接触により当該電極パッドにせん断を発生させる球状曲面形状であって、かつ、表面粗さは０．４μｍ以下であることを特徴とする半導体装置のテスト用プローブ針。
【請求項７】複数のプローブ針を上下動して、半導体装置の電極パッドに当接させ、上記半導体装置をテストするプローブカードにおいて、上記プローブ針は、請求項２乃至５のいずれかに記載の半導体装置のテスト用プローブ針であることを特徴とするプローブカード。」
　
第３　請求人の主張の概要
１　請求人の主張する無効理由：特許法第３６条第４項第１号違反
（１）請求項２に係る発明について
　請求項２に係る発明は、半導体装置のテスト用プローブ針の、
　ｉ）先端部の球状の曲面の曲率半径ｒを１０≦ｒ≦２０μｍ、
　ｉｉ）表面粗さを０．４μｍ以下、
としたことによって、
「コンタクト寿命を大幅にのばすことができ、凝着が防止できることからさらに連続して安定に電気的導通を取るプローブ針を提供することができる。」（段落【００５７】）
という効果を奏するとされる発明であるが、本件明細書の発明の詳細な説明の記載からは、上記効果を確認することができず、本件明細書の発明の詳細な説明は、請求項２に係る発明について、当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものではない。
（２）請求項３に係る発明について
　請求項３に係る発明は、半導体装置のテスト用プローブ針の、
　ｉ）先端部の形状を球状曲面形状とし、かつ、
　ｉｉ）表面粗さを０．４μｍ以下、
としたことによって、
「凝着が防止できることからさらに連続して安定に電気的導通を取るプローブ針を提供することができる。」（段落【００６０】）
という効果を奏するとされる発明であるが、本件明細書の発明の詳細な説明の記載からは、上記効果を確認することができず、本件明細書の発明の詳細な説明は、請求項３に係る発明について、当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものではない。
（３）請求項７に係る発明について
　請求項７に係る発明は、請求項２及び請求項３を引用するものであり、請求項２及び請求項３について述べたと同じ理由により、本件明細書の発明の詳細な説明は、少なくとも、請求項２又は請求項３を引用する部分において、請求項７に係る発明について、当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものではない。
（４）証拠方法
　甲第１号証：無効２００４−８０１０５（１次無効）の審決公報
　甲第２号証：平成１７年（行ケ）第１０５０３号判決（１次判決）
　甲第３号証：平成１３年１２月２７日付け意見書
　甲第４号証：平成１６年１０月４日付けの無効審判答弁書（１次無効）
　甲第５号証：「広辞苑　第５版」１４５５頁『ずれ』の項目、１５２６頁『せんだん』の項目
　甲第６号証：「金属塑性加工学」丸善株式会社発行、昭和４６年６月２５日、４〜１１頁
　甲第７号証：特開２０００−１４７００４号公報（本件特許に係る出願公開公報）
　甲第８号証：実験報告書（株式会社日本マイクロニクス　ＰＢ技術統括部杉山正　作成）
　甲第９号証：平成１８年（ワ）第１９３０７号　特許権侵害損害賠償等請求事件訴状
　参考資料１：特開平５−２７３２３７号公報
　参考資料２：特開平６−６１３１６号公報
　参考資料３：特開平７−６３７８５８号公報
　参考資料４：特開平８−１５２４３６号公報
　参考資料５：特開平８−１６６４０７号公報
　参考図１〜２
以下は、弁駁書で追加された証拠
　甲第１０号証：江口光一氏による「解説資料　プロービングとワイヤボンディング」
　甲第１１号証：「プローブライト社　プローブカード技術」フジアドバンス株式会社
　甲第１２号証：東芝マイクロエレクトロニクス株式会社の証明書「（株）日本マイクロニクス様向け評価用ベタウエハ断面構造図」
以下は、平成１９年３月２６日付け上申書で追加された証拠
　甲第１３号証：実験報告書（株式会社日本マイクロニクス　ＰＢ技術統括部杉山正　作成）　
　
２　請求人の主張の要点
（１）請求項２に係る発明について
　ア　請求項２に係る発明の奏する効果
　請求項２に係る発明は、適用される半導体装置の電極パッドの厚さにかかわらず、「コンタクト寿命を大幅にのばすことができ、凝着が防止できることからさらに連続して安定に電気的導通を取るプローブ針を提供することができる。」という効果を奏するとされる発明であると解される。
　イ　効果を確認することができない理由
　（ア）電極パッドの厚さが約０．８μｍの場合
　　　ａ　本件明細書段落【００４１】及び図７に示された試験
　　　（ａ）本件明細書段落【００４１】には、「・・・電極パッドの厚さ約０．８μｍに対して曲率半径を変えて同様の試験をした結果を図７に示すが、７〜３０μｍの曲率半径がコンタクト寿命において良好な結果が得られており、好ましくは１０〜２０μｍである。」と、プローブ針の曲率半径が「１０≦ｒ≦２０μｍ」の範囲で、コンタクト寿命において好ましい結果が得られたことが記載されている。
　　　（ｂ）しかし、段落【００４１】には、針圧及び試験に用いたプローブ針の先端部の表面粗さについて記載がなく、当業者は、表面粗さがいくらのプローブ針を用い、いくらの針圧をかけて試験が行われたのか知ることができない。
　　　（ｃ）したがって、当業者は、段落【００４１】に記載された試験を追試して、曲率半径が「１０≦ｒ≦２０μｍ」の範囲で、本件明細書の図７に示されるようなコンタクト回数を得ることができるのかどうかを確認することができない。
　　　ｂ　本件明細書段落【００４５】及び図８に記載された試験
　　　（ａ）本件明細書段落【００４５】には、「・・・電極パッドの厚さ約０．８μｍのＤＲＡＭに対して先端の曲率半径１５μｍのプローブ針を用いて試験をした結果」、表面粗さが「０．４μｍ程度以下で急激にコンタクト回数を増やすことがで」きることがわかった」ことが記載され、「これはプローブ針の先端に酸化物が付着しにくくなったためと推察」できること、また、「上記実施の形態１で示した範囲内で、電極パッドの厚さあるいはプローブ針の先端の曲率半径を変えてもほぼ同様の結果が得られた」ことが記載されている。
　　　（ｂ）ここで、「上記実施の形態１で示した範囲内で、電極パッドの厚さあるいはプローブ針の先端の曲率半径を変えてもほぼ同様の結果が得られた」との記載は、「電極パッドの厚さ約０．８μｍに対して曲率半径を変えた場合にも、ほぼ同様の結果が得られた」ことを意味するものと解される。
　　　（ｃ）しかしながら、本件明細書の「実施の形態１」に記載されている曲率半径ｒの範囲としては、次のとおり５種類があり得るから、「電極パッドの厚さ約０．８μｍに対して曲率半径を変えた場合」が、曲率半径ｒを「１０≦ｒ≦２０μｍ」の範囲で変えた場合であると一義的に解釈することはできず、上記「実施の形態１で示した範囲内で、電極パッドの厚さあるいはプローブ針の先端の曲率半径を変えてもほぼ同様の結果が得られた」との記載に基づいて、本件第２発明の効果を確認することはできない。
　ｉ）　　６ｔ≦ｒ≦３０ｔ（段落【００２９】）
　電極パッドｔの厚さ約０．８μｍの場合、４．８μｍ≦ｒ≦２４μｍとなる。
　ｉｉ）　８ｔ≦ｒ≦２３ｔ（段落【００２９】）
　電極パッドｔの厚さ約０．８μｍの場合、６．４μｍ≦ｒ≦１８．４μｍとなる。
　ｉｉｉ）７〜３０μｍ（段落【００４１】）
　ｉｖ）　１０〜２０μｍ（段落【００４１】）
　ｖ）　　９ｔ≦ｒ１≦３５ｔ（段落【００４２】）
　電極パッドｔの厚さ約０．８μｍの場合、７．２μｍ≦ｒ≦２８μｍとなる。
　　　ｃ　被請求人の意見書における主張
　　　（ａ）被請求人は、平成１３年１０月２３日付けの拒絶理由通知書に対する平成１３年１２月２７日付け意見書（甲３号証）において、「参考図１」を提示して以下の主張を行った。
　「また、本願発明の請求項３に係る発明は、上述のようなせん断変形を起こすプローブ針であり、先端の表面粗さが極小さいものであります。この表面粗さは、電極パッド厚さに比べ小さい必要があり、例えば本書に添付した【参考図１】に示すように、電極パッド厚さが０．８μｍ程度であると、半分以下の０．４μｍ以下の表面粗さを備えたプローブ針でなければ、せん断を起こせないことになります。この事実は出願当初の明細書の段落【００４５】の記載、および【図８】により充分証明されています。」
　　　（ｂ）被請求人の上記主張によれば、本件明細書段落【００４５】及び図８に示された試験結果は、厚さが約０．８μｍ程度の電極パッドに対しては、表面粗さが０．４μｍ以下のプローブ針でないと「せん断」を起こすことができないという事実を示すものでしかない。
　よって、本件明細書の図８に示されるとおり、接触抵抗が１Ωを越えるコンタクト回数が表面粗さが０．４μｍ程度以下で急激に増えたとしても、それは、プローブ針の表面粗さを０．４μｍ程度以下とすることによって、電極パッドの「せん断」が起こるようになったことに起因するのであって、段落【００４５】に記載されている「プローブ針の先端に酸化物が付着しにくくなったため」とはいえない。
　　　（ｃ）したがって、段落【００４５】及び図８に示された試験結果は、プローブ針の先端部の曲率半径ｒを「１０≦ｒ≦２０μｍ」とすることによって、「コンタクト寿命を大幅にのばすことができ、凝着が防止できることからさらに連続して安定に電気的導通を取るプローブ針を提供することができる」（段落【００５７】）という請求項２に係る発明の効果を証明するものとはいえない。
　（イ）電極パッドの厚さが約０．８μｍ以外の場合
　　　ａ（ａ）本件明細書段落【００４５】及び図８に示された試験は、「電極パッドの厚さ約０．８μｍのＤＲＡＭ」を用いて行われた試験ではあるが、「上記実施の形態１で示した範囲内で、電極パッドの厚さあるいはプローブ針の先端の曲率半径を変えてもほぼ同様の結果が得られた。」（段落【００４５】）と記載されている。
　　　（ｂ）そして、この記載は、「電極パッドの厚さ約０．８μｍに対して曲率半径を変えた場合のほかに、電極パッドの厚さを変えるとともにそれに応じて曲率半径を変化させた場合においても、表面粗さが０．４μｍ程度以下で急激にコンタクト回数を増やすことができるという結果が得られたことを意味する」ということができる（平成１７年（行ケ）第１０５０３号知財高裁判決（甲２号証）１９頁下から２行〜２０頁５行）。
　そして、「電極パッドの厚さを変えるとともにそれに応じて曲率半径を変化させた場合」とは、本件明細書【００４２】に記載された「９ｔ≦ｒ１≦３５ｔ」という関係式に基づいて、電極パッドの厚さｔに応じて、曲率半径ｒを変化させた場合のことを意味すると解するのが相当である(甲２号証の１９頁１６〜１８行）。
　　　ｂ（ａ）一方、電極パッドの厚さｔに関して、本件明細書の「実施の形態１」には、「・・・ＤＲＡＭ等の一般的なロジック系集積半導体装置では厚さ０．８μｍ程度のＡｌ−Ｃｕ膜である。電力用等特殊用途の半導体装置では、パッド厚さが２〜３μｍのものもある。・・・」（段落【００２５】）との記載があり、それ以外のパッド厚さについての記載はないから、電極パッドの厚さｔに関して、実施の形態１で示した範囲内は０．８μｍから３μｍまでの範囲と考えるのが妥当である。
　　　（ｂ）電極パッドの厚さｔが０．８μｍを超えて１μｍ、２μｍ又は３μｍと電極パッドの厚さｔを変化させた場合を想定すると、それぞれの場合における曲率半径ｒの範囲は、「９ｔ≦ｒ１≦３５ｔ」という関係式に基づけば、それぞれ以下のとおりとなる。
　ｉ）　　ｔ＝１μｍの場合９μｍ≦ｒ≦３５μｍ 
　ｉｉ）　ｔ＝２μｍの場合１８μｍ≦ｒ≦７０μｍ 
　ｉｉｉ）ｔ＝３μｍの場合２７μｍ≦ｒ≦１０５μｍ 
　　　（ｃ）上記いずれの場合も、曲率半径ｒの範囲は、本件第２発明の「１０≦ｒ≦２０μｍ」の範囲とはかけ離れており、これらの場合において、仮に「表面粗さが０．４μｍ程度以下で急激にコンタクト回数を増やすことができるという結果が得られた」としても、それは、請求項２に係る発明の効果を裏付けるものではない。
　　　ｃ　さらに、電極パッドの厚さｔが０．８μｍ以外の場合については、本件明細書【００４１】及び図７に示される試験に対応する試験の結果が本件明細書には全く記載されていないので、電極パッドの厚さｔが「０．８μｍ」以外の場合において、（ｉ）先端部の球状の曲面の曲率半径ｒを１０≦ｒ≦２０μｍとすることに加えて（ｉｉ）表面粗さを０．４μｍ以下としたことによって、「コンタクト寿命を大幅にのばすことができ、凝着が防止できることからさらに連続して安定に電気的導通を取るプローブ針を提供することができる。」（段落【００５７】）という請求項に係る発明の効果が得られるかどうかを、発明の詳細な説明の記載に基づいて確認することは、到底できるものではない。
　（ウ）検証試験
　　　ａ　請求人は、段落【００４１】及び図７に示された試験、及び、段落【００４５】及び図８に記載ないしは示された試験を再現することができるかを検証すべく、検証試験を行ったので、その結果を実験報告書（甲８号証）として提出する。
　　　ｂ（ａ）検証試験は、先端部の曲率半径ｒ及び表面粗さをそれぞれ異ならせた６０本の試験用プローブ針を製造し、これらの試験用プローブ針を、実際に、電極パッドに相当する層としてＡｌ−Ｃｕを０．８μｍの膜厚で蒸着したウエハに繰り返しコンタクトさせ、個々のプローブ針と電極パッドに相当するＡｌ−Ｃｕ層間の接触抵抗を測定して、本件明細書の図７及び図８における試験と同様に、接触抵抗が１Ωを超えるまでのコンタクト回数をコンタクト寿命として求めることによって行われた。
　　　（ｂ）検証試験において被告が用いたウエハには，酸化シリコンとＡｌ−Ｃｕの蒸着膜との間に、阻止金属の層、具体的にはチタンの層が存在した。
　　　（ｃ）検証試験では、個々のプローブ針先端の表面粗さとして、本件明細書でいう表面粗さであるとされる最大高さではなく、十点平均粗さの値が用いられているが、これは被告が所有している実験設備(走査レーザー顕微鏡)の性能上の制約によるものである。
　最大高さと十点平均粗さとの間には、一般に、最大高さが十点平均粗さの１．８倍を超えることはないとの関係があるから、表面粗さとして十点平均粗さを用いた乙３１試験の結果によっても、本件明細書の図７及び図８に示された試験結果についての再現性の可否を検証することができる。
　　　ｃ（ａ）本件明細書段落【００４１】及び図７に示される試験に対応するものとしては、実験報告書（甲８）の図５に示す結果が得られた。実験報告書（甲８）の図５に示すとおり、曲率半径ｒが、例えば約１５μｍ〜約２０μｍの範囲にあっても、コンタクト寿命は約６万回、約１６万回、２０万回以上と大きくばらついており、また、曲率半径ｒが２５μｍを超えても、コンタクト寿命が２０万回を超えるプローブ針が存在し、プローブ針先端部の曲率半径ｒとコンタクト寿命との間に有意な相関関係は認められなかった。
　　　（ｂ）実験報告書（甲８）の図７は、図５に示した結果を、プローブ針の先端部の表面粗さの範囲別に色分けして示した図であるが、表面粗さを加味しても、プローブ針先端部の曲率半径ｒとコンタクト寿命との間に有意な相関関係は認められなかった。
　　　（ｃ）検証試験では、本件明細書段落【００４１】及び図７に示された「７〜３０μｍの曲率半径がコンタクト寿命において良好な結果が得られており、好ましくは１０〜２０μｍである」との結果は、傾向としてすらも確認することができなかった。
　　　ｄ（ａ）本件明細書段落【００４５】及び図８に示される試験に対応するものとしては、実験報告書（甲８）の図６に示す結果が得られた。図６に示すとおり、十点平均粗さが約０．８μｍ程度から低下して約０．４μｍ程度になるまでは、コンタクト寿命は２０万回以上と安定しているにもかかわらず、十点平均粗さが０．４μｍを下回ると、コンタクト寿命は急激に低下するという結果が得られた。
　　　（ｂ）この結果は、本件明細書の図８に示される結果とは、全く傾向を異にし、検証試験では、本件明細書段落【００４５】及び図８に示される効果を確認することはできなかった。
　　　ｅ　さらに、実験報告書（甲８）の図９には、コンタクト寿命が２０万回以上であったプローブ針の先端部の写真を示されているが、０．４μｍ以下であるプローブ針(図９の左端の写真)においても、プローブ針先端部にアルミニュームの凝着が認められた。
　この結果は、表面粗さが０．４μｍ程度以下の場合に、急激にコンタクト回数を増やすことができた理由として、「これはプローブ針の先端に酸化物が付着しにくくなったためと推察」できるとする本件明細書段落【００４５】の記載と相反する結果である。
　（エ）以上のとおり、本件明細書の発明の詳細な説明は、請求項２に係る発明について、当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものではない。
　
（２）請求項３に係る発明について
　ア　請求項３に係る発明の奏する効果
　請求項３に係る発明は、「凝着が防止できることからさらに連続して安定に電気的導通を取るプローブ針を提供することができる。」（段落【００６０】）という効果を奏するとされる発明である。
　イ　効果を確認することができない理由
　表面粗さとコンタクト回数との関係を調べた試験は、本件明細書段落【００４５】及び図８に示されるものだけであるが、この試験においては、上記「（１）イ（イ）電極パッドの厚さが約０．８μｍ以外の場合」で述べたとおりプローブ針の先端部の曲率半径ｒは、電極パッドの厚さｔに応じて所定の範囲に管理されている（具体的には、段落【００４２】に記載された「９ｔ≦ｒ１≦３５ｔ」という関係式に基づいて管理されている）のであるから、仮に段落【００４５】に記載されている「上記実施の形態１で示した範囲内で、電極パッドの厚さあるいはプローブ針の先端の曲率半径を変えてもほぼ同様の結果が得られた」という記載が正しいものであるとしても、プローブ針の先端部の曲率半径ｒの如何に関わらず、表面粗さを「０．４μｍ以下」とすることによって、「凝着が防止できることからさらに連続して安定に電気的導通を取るプローブ針を提供することができる。」（段落【００６０】）という請求項３に係る発明の効果を確認することはできない。
　
（３）請求項７に係る発明について
　請求項７に係る発明は、請求項２又は３の半導体装置のテスト用プローブ針を引用するものであるから、上記（１）及び（２）の理由により、請求項２又は請求項３を引用する部分において、当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものではない。
　
第４　当審の判断
１　本件明細書の発明の詳細な説明には、次のような記載がある。
（１）「【０００１】【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体集積回路の電気的特性確認のテスト（ウエハテスト）もしくは表示デバイスの表示テストまたは電子回路基板の動作テストを行うためのプローブ針とその製造方法およびそのプローブ針によってテストした半導体装置に関するものである。
【０００２】【従来の技術】従来のプローブ針は、図１３（ａ）に示すように、先端が鈎型に曲げられたプローブ針２０２を上下動するプローブカード２０１に取り付け、半導体集積回路のテストパッド（以下電極パッドと称する）に押し当てる際に電極パッド表面の酸化膜を破って電極パッド新生面に真接触（電気的接触）をさせてテスト（プロービング）を行っていた。
・・・
【０００９】【発明が解決しようとする課題】従来のプローブ針は・・・、電気特性テスト時にプローブ針先端と電極パッドとの真の接触面積（電気的導通部分２０６）が極端に小さく、十分な導通が得られない場合があった。また、プロービングを繰り返すことで、針の先端２００に酸化膜２０４が堆積していくため、電極パッドとの真の接触面積が少なくなり、導通が不安定になるという問題点があった。
【００１０】さらに、先端部を球面状として応力の低減は図れても、酸化被膜の除去が不十分のためやはり真接触面積の確保ができなかった。すなわち、接触面積が大きくなっても球面直下のアルミニウム酸化被膜の残存が安定接触を妨げており、かつコンタクト回数の増加とともに先端部に付着するアルミニウム酸化物をある頻度で頻繁に除去する必要があった。
【００１１】さらに、この酸化被膜残存の問題を解決するために提案された構造として、酸化被膜の剥離と真の接触の確保を異なる針先面で行う図１５の場合、初期状態は良好な結果が得られたが、コンタクト数を重ねるに従って接触不良を発生する針が生じた・・・。第２の面にアルミニウムが付着しており、このアルミニウムが酸化することによって接触抵抗の増大をもたらす。・・・
【００１２】また，針表面を研磨加工する、研磨傷に電極材料であるアルミニウムが食い込み、このアルミニウムが酸化して接触不良を起こすという問題があった。また、一般にタングステンプローブ針材料は焼結体であるため内部に空孔欠陥があり、アルミニウムがこの空孔に食い込み、このアルミニウムが酸化して接触不良を誘発し問題となっていることも判明した。
・・・
【００１４】本発明は上記のような問題点を解消するためになされたもので、プローブ針先端と電極パッドとの真の接触面積を大きくして、少ない針滑り量で確実な電気的接触が得られかつ生産性の高いプローブ針・・・を提供するものである。」
（２）「【００２５】【発明の実施の形態】実施の形態１．本発明の実施の形態を図を用いて説明する。図１、 図２は本発明の実施の形態１によるプローブ針と電極パッドの状態を示す説明図である。・・・ＤＲＡＭ等の一般的なロジック系集積半導体装置では厚さ０．８μｍ程度のＡｌ−Ｃｕ膜である。電力用等特殊用途の半導体装置では、パッド厚さが２〜３μｍのものもある。・・・」
（３）「【００２６】・・・プローブ針１と電極パッド２の電気的導通部は、プロービングの際、電極パッド２の表面の酸化膜８をプローブ針１を滑らすことによって破り、電極パッド新生面と接触することで得られる。なお、プローブ針１は電極パッド２の面に対し垂直ではなく、ここでは８度の倒れ角度を有した場合を示しており、この角度によってプローブ針１と電極パッド２との相対すべりが発生する。また、プローブ針１・・・先端部は等高線が密となっている曲率ｒ１の第１の曲面と、等高線が粗となっている曲率ｒ２の曲面で構成されており、この２つの面は連続した球状の曲面となっている。」
（４）「【００２９】針先の接線方向７の角度を変化させて行った実験によると、このようなせん断が起こりうる針先の接線方向７と電極パッド面の角度は１５度〜３５度であり、安定してせん断が起こる角度は１７度〜３０度である。よって、針先の接線方向ベクトル７が電極パッド表面となす角度が１５度から３５度、望ましくは１７度から３０度になるような針先形状であれば、電極パッド表面の酸化被膜８を破り、電極パッド新生面と接触することができ、十分な電気的導通が得られるようになる。上記の接線角度が得られる条件を針先の曲率半径ｒと電極パッドの厚さｔの関係で表すとそれぞれ６ｔ≦ｒ≦３０ｔ、 ８ｔ≦ｒ≦２３ｔとなる。・・・」
（５）「【００３２】・・・本発明では電極パッド表面と針の接触角度がすべりを発生させやすくかつ針の前面に新生面が形成され、ここが密着（針の長軸方向の力が加わる形状となっている）し、電気的接触面となる。ただし、この面にも従来例と同様にアルミニウムの凝着が発生するが、次のプロービング時に針の滑り方向に位置するため，大きな離脱力が加わり除去され、新生面との接触が常に確保できる。したがって、本発明ではアルミニウム凝着部が残存するのは電気的接触を必要としない第二の曲面の側面に近いところである。この針と従来のフラット針を用いて導通試験した結果を図５に比較して示すが、従来の（ｂ）では５００回程度で接触抵抗が１オームを越えてしまう接触不良が発生したのに対し、（ａ）に示す本発明の針では１００００回を越える接触回数において、導通不良は起こっていない。」
（６）「【００４１】また、同じ球面といえども前述したように電極パッドのせん断変形が容易に発生するか否かで接触の安定性は大きく異なる。ＤＲＡＭ等一般的な集積半導体装置の電極パッドの厚さ約０．８μｍに対して曲率半径を変えて同様の試験をした結果を図７に示すが、７〜３０μｍの曲率半径がコンタクト寿命において良好な結果が得られており、好ましくは１０〜２０μｍである。７μｍ以下では曲率半径が小さすぎるため電気的導通面の第一の面に十分な力が加わらずかつ面積が小さいため問題となり、上限の２０〜３０μｍは、前述した電極パッドのせん断が発生する範囲の上限である２４μｍにほぼ一致している。
【００４２】なお、電極パッド厚さが異なると、適正な曲率半径ｒ１もそれに応じて変化するが、
　９ｔ≦ｒ１≦３５ｔ 
なる関係に基づいて同様な管理を行えばよい。」
（７）「【００４５】実施の形態２．図８は本発明の実施の形態２によるプローブ針の表面粗さと接触抵抗が１オームを越えるコンタクト回数の関係を示すもので，電極パッドの厚さ約０．８μｍのＤＲＡＭに対して先端の曲率半径１５μｍのプローブ針を用いて試験をした結果である。これより、表面粗さが１μｍと粗い場合には２００００回程度で寿命を迎えるが、電解研磨などにより面粗度を上げていくと、０．４μｍ程度以下で急激にコンタクト回数を増やすことができることがわかった。特に０．１μｍにした場合には３８万回に達し、表面粗さが１μｍの場合の約２０倍の寿命を達成できる。これはプローブ針の先端に酸化物が付着しにくくなったためと推察でき、上記実施の形態１で示した範囲内で、電極パッドの厚さあるいはプローブ針の先端の曲率半径を変えてもほぼ同様の結果が得られた。」
（８）「【００５７】【発明の効果】・・・また、本発明の第１の構成に係る半導体装置のテスト用プローブ針によれば、先端部を半導体装置の電極パッドに押圧し、上記先端部と上記電極パッドを電気的接触させて、半導体装置の動作をテストする半導体装置のテスト用プローブ針において、上記プローブ針は側面部と先端部から構成され、上記先端部は球状の曲面であり、上記曲面の曲率半径ｒを１０≦ｒ≦２０μｍ、表面粗さを０．４μｍ以下としたので、コンタクト寿命を大幅にのばすことができ、凝着が防止できることからさらに連続して安定に電気的導通を取るプローブ針を提供することができる。」
（９）「【００６０】また、本発明の第２の構成に係る半導体装置のテスト用プローブ針によれば、先端部を半導体装置の電極パッドに押圧し、上記先端部と上記電極パッドを電気的接触させて、半導体装置の動作をテストする半導体装置のテスト用プローブ針において、上記プローブ針の先端部の形状は、上記押圧による電極パッドとの接触により当該電極パッドにせん断を発生させる球状曲面形状であって、かつ、表面粗さを０．４μｍ以下にしたので、凝着が防止できることからさらに連続して安定に電気的導通を取るプローブ針を提供することができる。」
（１０）「【００６４】また、本発明のプローブカードによれば、複数のプローブ針を上下動して、半導体装置の電極パッドに当接させ、上記半導体をテストするプローブカードにおいて、上記第１乃至４のいずれかの構成に係る半導体装置のテスト用プローブ針を備えたので、プローブ針先端の凝着が防止できることからさらに連続して安定に電気的試験を行うことができる。」
　
２　本件発明２について
（１）本件発明２に係る請求項２の記載を再掲すると、次のとおりである。
「【請求項２】先端部を半導体装置の電極パッドに押圧し、上記先端部と上記電極パッドを電気的接触させて、半導体装置の動作をテストする半導体装置のテスト用プローブ針において、上記プローブ針は側面部と先端部から構成され、上記先端部は球状の曲面であり、上記曲面の曲率半径ｒを１０≦ｒ≦２０μｍ、 表面粗さを０．４μｍ以下としたことを特徴とする半導体装置のテスト用プローブ針。」
　そして、２次判決で、「上記請求項２の理解の在り方について検討するに，同請求項の記載自体から明らかなように，同請求項は、「先端部を半導体装置の電極パッドに押圧し，上記先端部と上記電極パッドを電気的接触させて，半導体装置の動作をテストする半導体装置のテスト用プローブ針において、」とする前段部分（以下「請求項２の前段部分」という。）と「上記プローブ針は側面部と先端部から構成され，上記先端部は球状の曲面であり，上記曲面の曲率半径ｒを１０≦ｒ≦２０μｍ，表面粗さを０．４μｍ以下としたことを特徴とする半導体装置のテスト用プローブ針」とする後段部分（以下「請求項２の後段部分」という。）の２つの部分から成るところ、前段の「先端部を半導体装置の電極パッドに押圧し，上記先端部と上記電極パッドを電気的接触させて，半導体装置の動作をテストする半導体装置のテスト用プローブ針において、」との部分は，「プローブ」又は「プローブ針」の用語が，測定あるいは検知用機器を示す技術用語として各種の技術分野で広く使用されている技術状況を踏まえ，本件発明に係る「プローブ針」の検査対象及び検査方法を規定することにより，本件発明に係る「テスト用プローブ針」の技術分野を「プローブ先端部を半導体の電極パッドに電気的接触させて半導体装置の動作をテストするプローブ針」に係る技術分野であることを明らかにするためにその技術的特徴を上記のとおり測定の対象及び方法により一般的に規定したに止まるものであって，本件発明２に係る「テスト用プローブ針」自体の構成を規定したものでないことはその記載文言，特に「・・・において、」との記載及びこれを受けて続く請求項２の後段部分の記載内容自体から明らかというべきである。その上で，請求項２の後段部分において「上記プローブ針は側面部と先端部から構成され、上記先端部は球状の曲面であり、上記曲面の曲率半径ｒを１０≦ｒ≦２０μｍ，表面粗さを０．４μｍ以下としたことを特徴とする半導体装置のテスト用プローブ針」と規定し、本件発明に係るプローブ針それ自体の構成，すなわち，側面部及び先端部から成る基本構成と先端部の球状の曲率半径及びその表面粗さを規定し，もって「物」としての本件発明２に係るプローブ針の構成を特定したものであることは請求項２の後段部分の記載から明らかというべきである。」と判示されたとおり、請求項２の前段部分の記載は、本件発明に係る「テスト用プローブ針」の技術分野を「プローブ先端部を半導体の電極パッドに電気的接触させて半導体装置の動作をテストするプローブ針」に係る技術分野であることを明らかにするためにその技術的特徴を測定の対象及び方法により一般的に規定したに止まるものであって、本件発明２に係る「テスト用プローブ針」自体の構成を規定したものでないから、したがって、請求項２の前段部分の記載において、本件発明２のプローブ針の押圧対象である電極パッドの厚さに限定がないからといって、本件発明２のプローブ針がすべての厚みの電極パッドに作用効果を奏することが必要なわけではない。
　
（２）そこで、上記１の、本件明細書の発明の詳細な説明の記載を検討すると、まず、上記１（２）の記載「図１、 図２は本発明の実施の形態１によるプローブ針と電極パッドの状態を示す説明図である。・・・ＤＲＡＭ等の一般的なロジック系集積半導体装置では厚さ０．８μｍ程度のＡｌ−Ｃｕ膜である。」、１（５）の記載「この針と従来のフラット針を用いて導通試験した結果を図５に比較して示すが、従来の（ｂ）では５００回程度で接触抵抗が１オームを越えてしまう接触不良が発生したのに対し、（ａ）に示す本発明の針では１００００回を越える接触回数において、導通不良は起こっていない。」、及び上記１（６）の記載「ＤＲＡＭ等一般的な集積半導体装置の電極パッドの厚さ約０．８μｍに対して曲率半径を変えて同様の試験をした結果を図７に示すが、７〜３０μｍの曲率半径がコンタクト寿命において良好な結果が得られており、好ましくは１０〜２０μｍである。」によれば、一般的な集積半導体装置の電極パッドの厚さ約０．８μｍに対し、プローブ針先端部の球状の曲面の曲率半径ｒを１０≦ｒ≦２０μｍとすることによりコンタクト寿命において良好な結果が得られたことが記載されている。
　さらに、上記１（７）の記載「実施の形態２．図８は本発明の実施の形態２によるプローブ針の表面粗さと接触抵抗が１オームを越えるコンタクト回数の関係を示すもので，電極パッドの厚さ約０．８μｍのＤＲＡＭに対して先端の曲率半径１５μｍのプローブ針を用いて試験をした結果である。これより、表面粗さが１μｍと粗い場合には２００００回程度で寿命を迎えるが、電解研磨などにより面粗度を上げていくと、０．４μｍ程度以下で急激にコンタクト回数を増やすことができることがわかった。・・・上記実施の形態１で示した範囲内で、電極パッドの厚さあるいはプローブ針の先端の曲率半径を変えてもほぼ同様の結果が得られた。」によれば、一般的な集積半導体装置の電極パッドの厚さ約０．８μｍに対し、プローブ針先端部の球状の曲面の曲率半径１５μｍ、表面粗さが０．４μｍ以下では、急激にコンタクト回数を増やすことができることが記載されており、また、後段の記載「上記実施の形態１で示した範囲内で、電極パッドの厚さあるいはプローブ針の先端の曲率半径を変えてもほぼ同様の結果が得られた」と実施の形態１に関する段落【００４２】の記載「なお、電極パッド厚さが異なると、適正な曲率半径ｒ１もそれに応じて変化するが、９ｔ≦ｒ１≦３５ｔなる関係に基づいて同様な管理を行えばよい。」とによれば、曲率半径１５μｍの時と同様の結果を、実施の形態１で好ましいとされたプローブ針先端部の球状の曲面の曲率半径ｒの範囲１０≦ｒ≦２０μｍであって不等式９ｔ≦ｒ１≦３５ｔなる関係を満たす範囲内の電極パッド厚さｔに対しても得られることが読みとれる。
　したがって、これらの記載と、上記１（８）の記載「上記曲面の曲率半径ｒを１０≦ｒ≦２０μｍ、表面粗さを０．４μｍ以下としたので、コンタクト寿命を大幅にのばすことができ、凝着が防止できることからさらに連続して安定に電気的導通を取るプローブ針を提供することができる。」によれば、本件発明２は、一般的な集積半導体装置の電極パッドの厚さに対し、プローブ針先端部の球状の曲面の曲率半径ｒを１０≦ｒ≦２０μｍ、表面粗さが０．４μｍ以下としたことにより、コンタクト寿命を大幅にのばすことができ、凝着が防止できることからさらに連続して安定に電気的導通を取るプローブ針を提供することができるという作用効果を奏するものである。
　よって、本件明細書の発明の詳細な説明は、当業者が本件発明２を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されているものというべきであり、特許法第３６条第４項第１号に違反しているとする請求人の主張は採用できない。
　なお、請求人は、甲第８号証の実験報告書によれば、「曲率半径ｒが、例えば約１５μｍ〜約２０μｍの範囲にあっても、コンタクト寿命は約６万回、約１６万回、２０万回以上と大きくばらついており、また、曲率半径ｒが２５μｍを超えても、コンタクト寿命が２０万回を超えるプローブ針が存在し、」等と主張している。しかしながら、本件明細書の上記１（５）の記載「従来の（ｂ）では５００回程度で接触抵抗が１オームを越えてしまう接触不良が発生したのに対し、（ａ）に示す本発明の針では１００００回を越える接触回数において、導通不良は起こっていない」及び１（６）の記載「７〜３０μｍの曲率半径がコンタクト寿命において良好な結果が得られており、好ましくは１０〜２０μｍである。」によれば、好ましくは１０〜２０μｍであるが、７〜３０μｍの曲率半径がコンタクト寿命において良好な結果が得られているのであり、その良好な結果とは、従来５００回程度のものが本件発明では１００００回を超えても導通不良は起こっていないというものであるから、実験報告書におけるコンタクト寿命は約６万回、約１６万回、２０万回以上というのは、いずれも本件明細書にいう良好な結果であって矛盾するところはない。
　また、甲第１３号証の実験報告書によれば、電極パッドの厚さ１．１２μｍの場合、プローブ針先端の表面粗さとコンタクト寿命との間には、有意な関係は認められず、表面粗さが特定の値以下のときにコンタクト回数を急激に増やすことができたとする図８に示される実験結果と同様の結果は得ることができなかった旨主張している。しかしながら、甲第１３号証の実験報告書の図５ないし８に示された測定点は、縦軸コンタクト寿命（万回）に関しては概ね１万回以上の位置にプロットされており、本件明細書の上記１（５）の記載「従来の（ｂ）では５００回程度で接触抵抗が１オームを越えてしまう接触不良が発生したのに対し、（ａ）に示す本発明の針では１００００回を越える接触回数において、導通不良は起こっていない」及び１（６）の記載「７〜３０μｍの曲率半径がコンタクト寿命において良好な結果が得られており、好ましくは１０〜２０μｍである。」によれば、好ましくは１０〜２０μｍであるが、７〜３０μｍの曲率半径がコンタクト寿命において良好な結果が得られているのであり、その良好な結果とは、従来５００回程度のものが本件発明では１００００回を超えても導通不良は起こっていないというものであるから、甲第１３号証の実験報告書の図面にプロットされたコンタクト寿命の殆どは、いずれも本件明細書にいう良好な結果であって矛盾するところはない。
　したがって、甲第８号証の実験報告書及び甲第１３号証の実験報告書に基づく請求人の主張は採用することができない。
　
３　本件発明３について
（１）本件発明３に係る請求項３の記載を再掲すると、次のとおりである。
　「【請求項３】先端部を半導体装置の電極パッドに押圧し、上記先端部と上記電極パッドを電気的接触させて、半導体装置の動作をテストする半導体装置のテスト用プローブ針において、上記プローブ針の先端部の形状は，上記押圧による電極パッドとの接触により当該電極パッドにせん断を発生させる球状曲面形状であって、かつ、表面粗さは０．４μｍ以下であることを特徴とする半導体装置のテスト用プローブ針。」
　そして、本件発明２と同じく、請求項３の前段部分の記載は、本件発明に係る「テスト用プローブ針」の技術分野を「プローブ先端部を半導体の電極パッドに電気的接触させて半導体装置の動作をテストするプローブ針」に係る技術分野であることを明らかにするためにその技術的特徴を測定の対象及び方法により一般的に規定したに止まるものであって、本件発明３に係る「テスト用プローブ針」自体の構成を規定したものでないから、したがって、請求項３の前段部分の記載において、本件発明３のプローブ針の押圧対象である電極パッドの厚さに限定がないからといって、本件発明３のプローブ針がすべての厚みの電極パッドに作用効果を奏することが必要なわけではない。
（２）そこで、上記１の本件明細書の発明の詳細な説明の記載を検討すると、上記１（７）の記載「実施の形態２．図８は本発明の実施の形態２によるプローブ針の表面粗さと接触抵抗が１オームを越えるコンタクト回数の関係を示すもので，電極パッドの厚さ約０．８μｍのＤＲＡＭに対して先端の曲率半径１５μｍのプローブ針を用いて試験をした結果である。これより、表面粗さが１μｍと粗い場合には２００００回程度で寿命を迎えるが、電解研磨などにより面粗度を上げていくと、０．４μｍ程度以下で急激にコンタクト回数を増やすことができることがわかった。・・・上記実施の形態１で示した範囲内で、電極パッドの厚さあるいはプローブ針の先端の曲率半径を変えてもほぼ同様の結果が得られた。」によれば、一般的な集積半導体装置の電極パッドの厚さ約０．８μｍに対し、プローブ針先端部の球状の曲面の曲率半径１５μｍ、表面粗さが０．４μｍ以下では、急激にコンタクト回数を増やすことができることが記載されており、さらに、後段の記載「上記実施の形態１で示した範囲内で、電極パッドの厚さあるいはプローブ針の先端の曲率半径を変えてもほぼ同様の結果が得られた」と実施の形態１に関する段落【００４２】の記載「なお、電極パッド厚さが異なると、適正な曲率半径ｒ１もそれに応じて変化するが、９ｔ≦ｒ１≦３５ｔなる関係に基づいて同様な管理を行えばよい。」とによれば、曲率半径１５μｍの時と同様の結果が、不等式９ｔ≦ｒ１≦３５ｔなる関係を満たす範囲内の曲率半径及び電極パッド厚さｔに対しても得られることが示されている。
　これらの記載と、上記１（３）の記載「プローブ針１と電極パッド２の電気的導通部は、プロービングの際、電極パッド２の表面の酸化膜８をプローブ針１を滑らすことによって破り、電極パッド新生面と接触することで得られる。」、上記１（４）の記載「針先の接線方向７の角度を変化させて行った実験によると、このようなせん断が起こりうる針先の接線方向７と電極パッド面の角度は１５度〜３５度であり、安定してせん断が起こる角度は１７度〜３０度である。よって、針先の接線方向ベクトル７が電極パッド表面となす角度が１５度から３５度、望ましくは１７度から３０度になるような針先形状であれば、電極パッド表面の酸化被膜８を破り、電極パッド新生面と接触することができ、十分な電気的導通が得られるようになる。上記の接線角度が得られる条件を針先の曲率半径ｒと電極パッドの厚さｔの関係で表すとそれぞれ６ｔ≦ｒ≦３０ｔ、 ８ｔ≦ｒ≦２３ｔとなる。」及び上記１の（９）の記載「本発明の第２の構成に係る半導体装置のテスト用プローブ針によれば、先端部を半導体装置の電極パッドに押圧し、上記先端部と上記電極パッドを電気的接触させて、半導体装置の動作をテストする半導体装置のテスト用プローブ針において、上記プローブ針の先端部の形状は、上記押圧による電極パッドとの接触により当該電極パッドにせん断を発生させる球状曲面形状であって、かつ、表面粗さを０．４μｍ以下にしたので、凝着が防止できることからさらに連続して安定に電気的導通を取るプローブ針を提供することができる。」によれば、本件発明３は、一般的な集積半導体装置の電極パッドの厚さに対し、プローブ針の先端部の形状は，上記押圧による電極パッドとの接触により当該電極パッドにせん断を発生させる球状曲面形状であって、かつ、表面粗さは０．４μｍ以下であることにより、コンタクト回数を増やすことができ、凝着が防止できることからさらに連続して安定に電気的導通を取るプローブ針を提供することができるという作用効果を奏するものである。
　したがって、本件明細書の発明の詳細な説明は、当業者が本件発明３を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されているものというべきであり、特許法第３６条第４項第１号に違反しているとする請求人の主張は採用できない。
　
４　本件発明７について
（１）本件発明７に係る請求項７の記載を再掲すると、次のとおりである。
　「【請求項７】複数のプローブ針を上下動して、半導体装置の電極パッドに当接させ、上記半導体装置をテストするプローブカードにおいて、上記プローブ針は、請求項２乃至５のいずれかに記載の半導体装置のテスト用プローブ針であることを特徴とするプローブカード。」
（２）本件発明７は、請求項２乃至５のいずれかに記載の半導体装置のテスト用プローブ針を引用して記載したプローブカードの発明であるところ、請求項４及び５に係る発明に関しては、発明の詳細な説明の記載不備は申し立てられておらず、請求項２及び３に係る発明については、上記２及び３に記載したごとく発明の詳細な説明は当業者が本件発明３及び４を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されているものと認められる。
　そうすると、上記１（１）の記載「本発明は、例えば半導体集積回路の電気的特性確認のテスト（ウエハテスト）もしくは表示デバイスの表示テストまたは電子回路基板の動作テストを行うためのプローブ針とその製造方法およびそのプローブ針によってテストした半導体装置に関するものである。・・・従来のプローブ針は、図１３（ａ）に示すように、先端が鈎型に曲げられたプローブ針２０２を上下動するプローブカード２０１に取り付け、半導体集積回路のテストパッド（以下電極パッドと称する）に押し当てる際に電極パッド表面の酸化膜を破って電極パッド新生面に真接触（電気的接触）をさせてテスト（プロービング）を行っていた。」及びの上記１（１０）の記載「本発明のプローブカードによれば、複数のプローブ針を上下動して、半導体装置の電極パッドに当接させ、上記半導体をテストするプローブカードにおいて、上記第１乃至４のいずれかの構成に係る半導体装置のテスト用プローブ針を備えたので、プローブ針先端の凝着が防止できることからさらに連続して安定に電気的試験を行うことができる。」によれば、請求項２乃至５のいずれか記載の半導体装置のテスト用プローブ針を用いて、複数のプローブ針を上下動して、半導体装置の電極パッドに当接させ、上記半導体装置をテストするプローブカードとすれば、プローブ針先端の凝着が防止できることからさらに連続して安定に電気的試験を行うことができることが記載されていると認められるから、本件明細書の発明の詳細な説明は、当業者が本件発明７を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されているものというべきであり、特許法第３６条第４項第１号に違反しているとする請求人の主張は採用できない。
　
５　むすび
　以上のとおりであるから、請求人が主張する理由及び提出した証拠によっては、本件の請求項２、３及び７に係る特許を無効とすることはできない。
　審判に関する費用については、特許法第１６９条第２項の規定で準用する民事訴訟法第６１条の規定により、請求人が負担すべきものとする。  
 　よって、結論のとおり審決する。