【事件の表示】
　特願２００３−４０１７７３「めっき装置及びめっき方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　６月２３日出願公開、特開２００５−１６３０８０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１５年１２月１日の出願であって、請求項１〜３に係る発明は、平成１８年７月３日付けで手続補正された特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された事項により特定されるのものと認められるところ、そのうち、請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、次のとおりである。
「【請求項１】　めっき液を貯留するめっき液槽と、
　シード層が形成された基板を前記めっき液槽内で保持するホルダと、
　前記めっき液槽内に配置され、酸化還元電位が前記シード層を構成している金属の酸化還元電位より卑な物質から構成され、前記ホルダに保持された基板のシード層に電気的に接続可能な第１のアノードと、
　前記めっき液槽内に配置され、前記ホルダに保持された基板が前記めっき液に浸漬される領域と前記第１のアノードが配置された領域とを電気的な繋がりを維持したまま分離する隔壁或いは隔膜と、
　前記めっき液槽内に配置され、前記ホルダに保持された基板のシード層との間に電圧を印加可能な第２のアノードと
を具備することを特徴とするめっき装置。」
　
２．引用例とその記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された本願出願前に国内において頒布された刊行物である特開２００１−４９４９１号公報（以下、「引用例」という。）には、次の事項が記載されている。
（１）引用例：特開２００１−４９４９１号公報
（１ａ）「【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板上に形成されたＣｕ膜をシードとしてその上にＣｕ電解めっき成膜を行うに当たり、前記Ｃｕシード膜付き基板をめっき液に浸漬する際にＣｕよりもイオン化傾向の大きい金属をＣｕシード膜に接触させることを特徴とするＣｕ電解めっき成膜方法。
【請求項２】  Ｃｕよりもイオン化傾向の大きい金属とＣｕシード膜付き基板とを同じめっき液中に浸漬する、請求項１記載のＣｕ電解めっき成膜方法。」
　
（１ｂ）「【０００２】
【従来の技術】・・・ダマシン法を用いてＣｕ膜の埋め込みを行う方法としては、・・・電解めっき法・・・等が検討されている。
【０００３】・・・Ｃｕ電解めっきに際して、Ｃｕシード付き基板をめっき液に浸漬すると、電解開始までの数秒間Ｃｕシードがめっき液に曝されることになり、その間にＣｕシードが電解めっき液との腐食反応により溶解してしまうという問題が生じる。ＰＶＤにより成膜されたＣｕシードは、厚さが不均一な膜であるため、この腐食反応によりＣｕシードの薄い部分が優先的に溶解されてしまい、さらに厚さの不均一な膜となってしまう。一方、ＣＶＤで成膜した場合には均一な膜が得られるものの、この膜はもともと薄い膜であるため、腐食反応による溶解により、シード膜が一層薄くなり、場合によっては下地が露出してしまうこともある。このような状態のまま電解めっきを行うと、生成したＣｕ膜が基板の溝やビアを完全に埋め尽くすことができず、図１に示す如く、電解めっきによるめっき膜１の生成の間に溝２やビアホール中にシーム３やボイド４を形成してしまい、配線欠陥となって、製品の信頼性を損なうこととなる。」
　
（１ｃ）「【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明は、Ｃｕシード膜付き基板上にＣｕ電解めっきにより、高い信頼性をもって、微細なＣｕ配線を形成することのできる方法を提供しようとするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため、本発明は、基板上に形成されたＣｕ膜をシードとしてその上にＣｕ電解めっき成膜を行うに当たり、前記Ｃｕシード膜付き基板をめっき液に浸漬する際にＣｕよりもイオン化傾向の大きい金属をＣｕシード膜に接触させることを特徴とするＣｕ電解めっき成膜方法を提供する。
【０００６】
【発明の実施の形態】すなわち、本発明においては、Ｃｕシード膜をめっき液による腐食から保護するため、Ｃｕの腐食をそれよりもイオン化傾向の大きい金属により肩代わりさせる、いわゆる犠牲防食を利用する。例えば、Ｃｕよりもイオン化傾向の大きいすなわち電気化学的に卑である金属であるＺｎをＣｕシード膜と短絡させて配線することにより、Ｚｎを腐食溶解させ、Ｃｕの腐食溶解を抑制する。」
　
（１ｄ）「【００１１】そこで、アノードにおける反応をＣｕ以外の他の金属を用いて代用することによりＣｕシード膜の溶解を抑制することを試みた。ここでは、このようにして犠牲腐食される金属としてＣｕよりもイオン化傾向の大きいＺｎを採用した。しかるに、従来のＣｕ電解めっき法では、図３に示すように、Ｃｕシード膜の付いたシリコン基板５を直接めっき液６中に浸漬し、これをカソードとしてコンタクト７を介して電源８に接続し、一方で電源８とアノード９とを接続し、電解を行っている。そこで、図４に示すように、犠牲腐食に用いる金属すなわちＺｎをＣｕシード膜付きシリコン基板５上のＣｕシード膜と接触させた状態でめっき液６中に浸漬する方法を採用する。この場合、図５に示すように、カソードとなるＣｕシード膜付きシリコン基板５はシリコン基板１０上にバリアメタル層１１を介してＣｕシード膜１２が形成されており、これがコンタクト７を介して電源に接続された構成を有し、このＣｕシード膜付きシリコン基板５には、コンタクト７と同様の構造により、この基板を挟み込むようにしてＺｎ片１３が取り付けられている。あるいは、図６に示すように、配線１４によりＣｕシード膜付きシリコン基板５からなるカソードのコンタクト７に電気接続したＺｎ片１５をめっき液６中に浸漬する方法を採用することもできる。
【００１２】また、図７に示すように、めっき液６を収容するめっき槽の外部に他の液槽１６を設け、配線１７によりめっき槽中に配置されたＣｕシード膜付きシリコン基板５からなるカソードのコンタクト８に電気接続したＺｎ片１８をこの液槽１６中に浸漬する方法を採用してもよい。」
　
（１ｅ）「【００１６】実施例２
図７に示したようにして、めっき液中へのＺｎの溶解を防ぐため、めっき槽中のＣｕシード膜と他の液槽中のＺｎ片とをＰｔ線を用いて接続し、このＺｎ片を下記の溶液Ａ、ＢまたはＣに浸漬した。・・・」
　
３．引用例記載の発明
(ア)引用例の摘記（１ａ）、（１ｃ）には、基板上に形成されたＣｕ膜をシードとしてその上にＣｕ電解めっき成膜を行うに当たり、前記Ｃｕシード膜付き基板をめっき液に浸漬する際にＣｕよりもイオン化傾向の大きい金属をＣｕシード膜に接触させることを特徴とするＣｕ電解めっき成膜方法が記載され、また、Ｃｕよりもイオン化傾向の大きい金属は、Ｃｕよりも電気化学的に卑な金属のＺｎであることも記載されている。
(イ)引用例の摘記（１ｄ）には、該Ｃｕ電解めっき成膜方法に関し、Ｃｕシード膜の付いた基板を直接めっき液中に浸漬し、これをカソードとしてコンタクトを介して電源に接続し、一方で電源とアノードとを接続すること、配線によりＣｕシード膜付き基板からなるカソードのコンタクトに電気接続したＺｎ片をめっき液中に浸漬すること、めっき液はめっき槽に収容されていることが記載されており、これらの記載からみて、引用例には、該Ｃｕ電解めっき成膜方法を実施するためのＣｕ電解めっき装置も記載されているといえる。
　
　以上の(ア)、(イ)の事項を考慮し、摘記（１ａ）〜（１ｄ）の記載を整理すると、引用例には、次の「Ｃｕ電解めっき装置」についての発明（以下、「引用例発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「基板上に形成されたＣｕ膜をシードとしてその上にＣｕ電解めっき成膜を行うに当たり、前記Ｃｕシード膜付き基板をめっき槽に収容されためっき液に浸漬する際にＣｕよりもイオン化傾向の大きい金属をＣｕシード膜に接触させることを特徴とするＣｕ電解めっき成膜方法を実施するためのＣｕ電解めっき装置であって、Ｃｕよりもイオン化傾向の大きい金属は、Ｃｕよりも電気化学的に卑な金属のＺｎであり、Ｃｕシード膜の付いた基板を直接めっき液中に浸漬し、これをカソードとしてコンタクトを介して電源に接続し、一方で電源とアノードとを接続し、配線によりＣｕシード膜付き基板からなるカソードのコンタクトに電気接続したＺｎ片をめっき液中に浸漬するＣｕ電解めっき装置。」
　
４．対比・判断
　本願発明１と引用例発明を対比すると、
(カ)引用例発明における「Ｃｕ電解めっき装置」は、本願発明１における「めっき装置」に相当し、以下同様に、「めっき槽」は「めっき液槽」に、「Ｃｕ膜」乃至「Ｃｕシード膜」は「シード層」に、「アノード」は「第２のアノード」に、それぞれ相当する。（以下、引用例発明における用語の代わりに、それに相当する本願発明１の用語を使用することがある。）
(キ)本願明細書の「【００２２】犠牲アノード７は、酸化還元電位がシード層１０３を構成している金属の酸化還元電位より卑な物質から構成されている。このような物質としては、例えば金属、・・・等が挙げられる。具体的には、例えばシード層１０３がＣｕから構成されている場合には、犠牲アノード７はＺｎ，・・・等から構成することが可能である。」との記載や、引用例発明における「Ｃｕよりも電気化学的に卑な金属のＺｎ」との事項からみて、引用例発明におけるめっき液中に浸漬される「Ｚｎ片」は、本願発明１における「酸化還元電位が前記シード層を構成している金属の酸化還元電位より卑な物質から構成され」た「第１のアノード」に相当するといえる。
(ク)引用例発明におけるＣｕシード膜の付いた基板は、めっき液槽に収容されためっき液中に浸漬されることからみて、めっき液槽内で保持されるといえる。
　
　以上の(カ)〜(ク)の事項を勘案すると、両者は、
「めっき液を貯留するめっき液槽と、前記めっき液槽内に配置され、酸化還元電位がシード層を構成している金属の酸化還元電位より卑な物質から構成され、基板のシード層に電気的に接続される第１のアノードと、前記めっき液槽内に配置され、基板のシード層との間に電圧を印加される第２のアノードとを具備し、シード層が形成された基板を前記めっき液槽内で保持するめっき装置。」である点で一致するが、次の点で相違する。
　
＜相違点１＞
　本願発明１では、シード層が形成された基板をめっき液槽内で保持する「ホルダ」を具備するのに対し、引用例発明では、そのような「ホルダ」を具備することが規定されていない点
　
＜相違点２＞
　基板のシード層と第１のアノードとの電気的な接続について、本願発明１では、「接続可能」とされているのに対し、引用例発明では、「接続可能」と規定されていない点
　
＜相違点３＞
　基板のシード層と第２のアノードとの間の電圧の印加について、本願発明１では、「印加可能」とされているのに対し、引用例発明では、「印加可能」と規定されていない点
　
＜相違点４＞
　本願発明１では、「めっき液槽内に配置され、基板がめっき液に浸漬される領域と第１のアノードが配置された領域とを電気的な繋がりを維持したまま分離する隔壁或いは隔膜」を具備するのに対し、引用例発明では、そのような隔壁或いは隔膜を具備していない点
　
　以下、上記相違点１〜４について検討する。
＜相違点１＞
　めっき装置において、被めっき物をめっき液槽内で保持する保持部材としてのホルダを設けることは、本願出願前において周知乃至慣用の事項であるから、上記相違点１は、実質的な相違といえないか、仮に、実質的な相違であるとしても、上記周知の事項に基づいて当業者が容易に想到し得た事項というべきである。
　
＜相違点２＞
　引用例１発明は、「Ｃｕ電解めっき成膜を行うに当たり、前記Ｃｕシード膜付き基板をめっき液に浸漬する際にＣｕよりもイオン化傾向の大きい金属をＣｕシード膜に接触させる・・・」ものであり、めっき液に浸漬する際に第１のアノード（Ｚｎ片）をシード層（Ｃｕシード膜）に接触、すなわち、接続するものといえるから、基板のシード層と第１のアノードとの電気的な接続を「接続可能」とすることは、当業者が適宜になし得た事項というべきである。
　また、引用例の摘記（１ｂ）の従来の技術における問題点の記載からみて、引用例発明において、基板のシード層（Ｃｕシード膜）と第１のアノード（Ｚｎ片）とを電気的に接続するのは、Ｃｕ電解めっきに際して、Ｃｕシード（「シード層」に相当するので、以下、「シード層」という。）付き基板をめっき液に浸漬すると、電解開始までの数秒間シード層がめっき液に曝されることになり、その間にシード層が電解めっき液との腐食反応により溶解してしまうという問題等を解決するためであって、そのような電気的接続を電解開始までの数秒間とすることにより、シード層が電解めっき液との腐食反応により溶解してしまうという問題等が解決されることは明らかである。してみると、摘記（１ｂ）の記載に基づいても、引用例発明において、基板のシード層と第１のアノードとの電気的な接続を電解開始までの数秒間とするように「接続可能」とすることは、当業者が適宜になし得た事項といえる。
　
＜相違点３＞
　めっき装置において、被めっき物と陽極との間の電圧の印加を「印加可能」とすることは、本願出願前において周知の事項であるから、引用例発明において、被めっき物としての基板のシード層と陽極としての第２アノードとの間の電圧の印加を「印加可能」とすることは、上記周知の事項に基づいて当業者が容易に想到し得た事項というべきである。
　
＜相違点４＞
　引用例の摘記（１ｄ）には、上述のような、シード層が電解めっき液との腐食反応により溶解してしまうという問題等を解決するために採用される、Ｃｕよりもイオン化傾向の大きい金属であるＺｎをシード層に接触させる手段として、
(１)引用例発明のように、Ｚｎ片（第１アノード）とシード層付き基板とを同じめっき液中に浸漬すること、
の外に、
(２)めっき液を収容するめっき液槽の外部に他の液槽を設け、シード層に電気接続したＺｎ片をこの液槽中に浸漬すること、
も記載されている。
　そして、上記(２)の手段を採用する理由は、摘記（１ｃ）〜(１ｅ)の記載からみて、上記問題点等を解決するためだけでなく、さらに、電極（第１アノード）を構成するＺｎのめっき液中への溶解による影響を防ぐためと認められるところ、そのような電極を構成するＺｎのめっき液中への溶解による影響を防ぐことは、引用例発明のように、上記(１)の手段を採用した場合においても、当て嵌まる望ましい事項と認められる。
　しかも、電極を構成する材料が溶解などにより他の電極等が存在する領域へ侵入乃至拡散して影響するのを防ぐ手段として、該電極が配置された領域とそれ以外の領域とを電気的な繋がりを維持したまま分離する隔壁或いは隔膜を液槽内に設けることは、本願出願前において周知の事項といえる。
　してみれば、引用例発明において、第１アノード（電極）としてのＺｎ片からめっき液中へのＺｎの溶解による影響を防ぐことを課題として、第１アノードが配置された領域とそれ以外のめっき液の領域とを電気的な繋がりを維持したまま分離する隔壁或いは隔膜をめっき液槽内に設けて、前記相違点４で示される本願発明１の特定事項を構成することは、摘記（１ｃ）〜（１ｅ）の記載や上記周知の事項に基づいて当業者が容易に想到し得たものというべきである。
　
　そして、本願発明１は、引用例の記載や上記周知の事項から予測できないような格別に顕著な効果を奏するとは認められない。
　したがって、本願発明１は、引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明１は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。