【事件の表示】
　平成　８年特許願第　８６４８７号「真空成膜装置用部品とそれを用いた真空成膜装置、およびターゲット、バッキングプレート」拒絶査定不服審判事件〔平成　９年１０月２１日出願公開、特開平　９−２７２９６５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成８年４月９日の出願であって、平成１８年５月２９日付けで拒絶理由の通知がなされ、同年８月７日に意見書及び明細書の記載に係る手続補正書が提出されたが、同年１０月１１日付けで拒絶査定がなされ、同年１１月１６日に拒絶査定不服の審判請求がなされ、同年１２月１８日に明細書の記載に係る手続補正書が提出され、平成１９年２月２２日に前記審判に係る請求書の手続補正書が提出され、平成２０年１２月１２日付けで特許法第１６４条第３項に基づく報告を引用した審尋がなされ、平成２１年２月１６日に回答書が提出されたものである。
　
２．平成１８年１２月１８日付けの明細書の記載に係る手続補正についての補正却下の決定
（１）補正却下の決定の結論
　平成１８年１２月１８日付けの明細書の記載に係る手続補正を却下する。
（２）理由
　平成１８年１２月１８日付けの明細書の記載に係る手続補正（以下、「本件補正」という。）のうち、特許請求の範囲についてする補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に規定される事項を目的とするものであると認める。
　そこで、本件補正によって補正された特許請求の範囲のうち、請求項１に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかどうかをまず検討する。
（２−１）補正後の発明
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下、「補正発明１」という。）は、以下のとおりのものである。
「【請求項１】　真空成膜装置の構成部品であって、部品本体と、前記部品本体の表面に形成された溶射膜とを具備し、前記溶射膜は溶射形成後に真空中にて573〜773Kの加熱温度で脱ガス処理が施されたＴｉ溶射膜またはＡｌ溶射膜からなり、かつガス残存量が10Torr・cc/g以下であることを特徴とする真空成膜装置用部品。」
（２−２）引用文献の記載
（２−２−１）引用文献１
　本願出願前に頒布された刊行物であり、原査定の拒絶理由で引用文献１として引用された特開平０７−１０２３６６号公報には、次の事項が記載されている。
（ア）「【産業上の利用分野】本発明は、薄膜形成装置に関し、更に詳細には真空中で基板上に物理的、或いは物理化学的に薄膜を形成する際に用いる装置内の機器または構成部品に汚染物が付着し、これが基板上に形成される薄膜に再付着することを防止するための薄膜形成装置に関する。」（段落【０００１】）
（イ）「【従来の技術】真空中で基板上に物理的、或いは物理化学的に薄膜を形成するための薄膜形成方法としては、真空蒸着、スパッタリング、プラズマＣＶＤ等の気相成長法があり、工業的に広く利用されている。そして前記方法で基板上に形成された薄膜の品質を著しく阻害する要因として直径がサブミクロン程度以上もあるパーティクルと言われている微粒子が薄膜内に取り込まれるという問題がある。
　このパーテイクル発生源としては、薄膜形成素材の純度、密度等に係わる場合と、薄膜形成装置内の機器または構成部品に付着し、堆積した堆積物の剥離飛散による汚染物質に係わる場合とがある。そして工業的に種々検討されている後者の飛散による汚染物質に対しての解決手段としては、・・・
 4 チタンまたはステンレス鋼の加工品表面にアルミニウム或いはモリブデンを溶射コーテイングする
・・・等が知られている。」（段落【０００２】〜【０００３】。当審注：上記「4」は、引用文献１中では「4」が丸で囲まれた数字として記載されているが、本審決の自動文書作成編集装置では当該丸で囲まれた数字の表示ができないので「4」と表記する。以下の摘示事項についても同様である。）
（ウ）「【発明が解決しようとする課題】従来から実施されている基板上への薄膜形成装置内の汚染防止対策技術の具体的問題についてスパッタリング装置を例にして説明する。
　スパッタリング装置内で発生するパーティクル汚染物質は装置内の機器、構成部品等にスパッタリングにより付着した堆積物が例えば付着力、熱膨脹応力等の物理的、機械的作用により剥離し、飛散したものである。
　これらの防止対策としては、・・・
 4 シールド板、シャッター板、基板ホルダー等の機器、構成部品（チタン、ステンレス鋼）の加工品表面にアルミニウム、或いはモリブデンの溶射コーテイング層を形成させる。
　この場合においては、
　イ）溶射コーテイング層のチタン、ステンレス鋼に対する密着力が溶射母材強度の２０〜３０％程度のため、付着堆積物の増加による内部応力により剥離し、飛散してパーティクルの発生源となる、
　ロ）溶射コーテイング層の密度は溶射母材の密度の８０％程度となるため、吸蔵不純ガスが多く、スパッタリング中でのガス放出による薄膜品質のバラツキと異常放電によるパーティクルの発生源となる、
　ハ）構成部品の凹凸或いは穴部分では溶射粒子間の結合力が弱く、パーティクルの発生源となる、
等の問題がある。」（段落【０００４】〜【０００８】）
（エ）「【作用】機器または構成部品はチタンまたはチタン合金の表面にアルミニウム層またはアルミニウム合金層で被覆された汚染防止材で構成されているため、成膜中に機器または構成部品に基板上に形成する薄膜素材の微粒子が付着すると確実に付着堆積して容易に剥離しないので、成膜中或いは点検時において機器または構成部品よりパーティクルの発生はなく、また、吸蔵ガスの放出がない。」（段落【００１３】）
（２−２−２）引用文献２
　本願出願前に頒布された刊行物であり、原査定の拒絶理由で引用文献２として引用された特開昭６１−０８７８６１号公報には、次の事項が記載されている。
（カ）「２．特許請求の範囲
 (1) 真空雰囲気中で加工・処理を行なう装置の真空容器の内壁および内部治具の表面に、該構造材とは異なる材料の膜を溶射法により被覆させることを特徴とする真空装置構造材の表面処理方法。
 (2) 構造材がステンレス鋼等の鋼であり被覆膜材料が高純度のアルミニウムであることを特徴とする特許請求の範囲第(1)項記載の真空装置構造材の表面処理方法。」（特許請求の範囲第１項及び第２項）
（キ）「本発明は、真空を利用した加工・処理装置、特に、真空蒸着法により基体表面に誘電体、半導体、金属等の薄膜を被覆するための真空装置等の容器内壁、内部治具の表面処理に関するものである。」（第１頁右欄第４〜７行）
（ク）「本発明の目的は、従来装置の構造材の機械的強度および機械加工性などの特徴を損なうことなく、該構造材表面をガス放出量の少ない膜で被覆することによって従来装置に比べて真空中でのガス放出の少ない装置、すなわち真空排気特性の良い装置を提供することにある。」（第２頁左上欄第１２〜１７行）
（ケ）「［発明の実施例］
　・・・該アルミニウム粒子は、該構造材の凹凸状表面のくぼみを埋め、さらにその表面に堆積してアルミニウム膜で該構造材表面を覆う。５は、アルミニウム溶射膜（以下Ａｌ溶射膜という）を示す。
　・・・
　ここで、Ａｌ溶射膜の厚みは２００〜３００μｍ程度であり、通常の溶射処理と同じく溶射に先立ちＳＵＳ３０４基板表面はブラスト処理を行った。
　・・・
　Ａｌ溶射膜の表面には約３０μｍ程度のＡｌ粒子が付着しているが、膜内部は緻密な構造であった。
　・・・
　以上の結果から、純Ａｌ溶射処理によって、従来真空装置用構造材として多用されてきたＳＵＳ３０４鋼に比べて、真空中での吸着ガス放出量がきわめて少なく、しかも機械強度・加工上、従来のＳＵＳ３０４鋼とまったく変わらない特性をもつことが明らかになった。」（第２頁左下欄第７行〜第４頁左上欄第１６行）
（コ）「なお本発明は、前記した真空排気性のよい装置の提供とは別に、・・・腐食性の強い例えばフッ素化合物ガスを使用する真空装置の腐食防止処理としてもきわめて有効である。」（第４頁左上欄第１７行〜同頁右上欄第１行）
（２−２−３）引用文献３
　本願出願前に頒布された刊行物であり、原査定の拒絶理由で引用文献３として引用された特開平０４−０４５２６１号公報には、次の事項が記載されている。
（サ）「２．特許請求の範囲
（４）溶射成膜法によって表面に絶縁膜が形成された金属基板を真空中で使用する時に高温となる領域を予め高温加熱して吸着ガスを脱離させた真空部材。」（特許請求の範囲第４項）
（シ）「大画面ディスプレイにおいては、・・・溶射成膜法によって大面積基板にセラミックス等の絶縁皮膜を形成した絶縁基板を使用することが多い。
　・・・溶射膜７３においては膜の表面上だけではなく、偏平化された溶射粒子の隙間にはH2O、CO2、CO等のガスが大量に吸着されている。このような真空部材７０を平板型ディスプレイなどに使用した場合、ディスプレイを構成する真空容器内でのガスの発生による汚染が問題となる。この問題を解決するために、従来から真空部材を予め真空中で脱ガスした後、ディスプレイなどの真空容器中に組み込む方法がとられている。」（第１頁右欄第２０行〜第２頁左上欄第１７行）
（ス）「平板型ディスプレイでは線条ヒータが通常７００℃に加熱され、また第９図に示す溶射膜の脱ガス性能特性図に示すように溶射膜（・・・）が金属基板（・・・）と同等の脱ガス性能を確保するためには６５０℃−４時間の真空加熱処理が必要であるが、従来の脱ガス方法では４５０℃以上に真空部材を加熱することができないという課題を有していた。」（第２頁右上欄第１７行〜同頁左下欄第４行）
（２−３）対比
　ここで、引用文献２の摘示事項（カ）〜（コ）について検討すると、（キ）には（カ）の「真空雰囲気中で加工・処理を行なう装置」が「特に、真空蒸着法により基体表面に誘電体、半導体、金属等の薄膜を被覆するための真空装置」であると記載されており、同じく（キ）には「本発明は・・・真空装置等の容器内壁、内部治具の表面処理に関する」と記載されていることから、その実施例である（ケ）に記載の表面処理された「構造材」には、「真空蒸着装置」の「内部治具」の構造材が含まれるといえる。
　上記検討を踏まえ、上記（カ）〜（コ）の記載事項を補正発明１の記載ぶりに則して記載すると、引用文献２には、
「真空蒸着装置の内部治具であって、構造材と、前記構造材の表面に被覆された溶射膜とを具備し、前記溶射膜は真空中での吸着ガス放出量がきわめて少ない純Ａｌ溶射膜からなる真空蒸着装置の内部治具。」
の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているといえる。
　そこで、補正発明１と引用発明とを対比すると、補正発明１の「真空成膜装置」には「真空蒸着装置」が含まれる（本願明細書の段落【００３８】）し、治具は装置内部に用いる部品を意味する技術常識に照らせば、引用発明の「真空蒸着装置」及び「内部治具」がそれぞれ本願発明の「真空成膜装置」及び「構成部品」に相当することは明らかである。また、補正発明１における「部品本体の表面に形成された溶射膜」とは、構成部品本体を構成する材料の表面に溶射膜を被覆することに他ならないから、引用発明の「構造材」は補正発明１の「部品本体」に相当するといえる。さらに、本願明細書の実施例４（段落【００４８】）を参照するに、本願発明の「Ａｌ」溶射膜に「純Ａｌ」の溶射膜を含むことは明らかである。
　そうすると、両発明は、
「真空成膜装置の構成部品であって、部品本体と、前記部品本体の表面に形成された溶射膜とを具備し、前記溶射膜はＡｌ溶射膜からなる真空成膜装置用部品。」
である点で一致し、
（ａ）補正発明１の溶射膜は「溶射形成後に真空中にて573〜773Kの加熱温度で脱ガス処理」が施されたものであるのに対して、引用発明の溶射膜はかかる処理が施されたものではない点（以下、「相違点ａ」という。）、
（ｂ）補正発明１の溶射膜は「ガス残存量が10Torr・cc/g以下である」のに対して、引用発明の溶射膜では「真空中での吸着ガス放出量がきわめて少ない」とされているのみであって、ガス残存量が不明である点（以下、「相違点ｂ」という。）、
で相違する。
（２−４）検討
　上記相違点ａ及びｂについて検討する。
（ｉ）相違点ｂについて
　上記（２−２−１）（ア）〜（ウ）によれば、引用文献１には、気相成長法における基板上のパーティクルの取り込みを防止するために、その発生源である薄膜形成装置内の機器または構成部品に付着し、堆積した堆積物の剥離飛散による汚染物質に対する解決手段として、ステンレス鋼等の構成部品の表面にアルミニウムの溶射コーテイング層を形成する技術が記載されており、当該溶射コーテイング層を形成した場合には、コーテイング層に吸蔵不純ガスが多く、ガス放出による薄膜品質のバラツキと異常放電によるパーティクルの発生源となる技術課題が生じることも記載されている。
　上記の技術課題は、引用文献１において従来の技術として説明されているものであるが、真空排気特性を良くするとともに腐食防止処理としてもきわめて有効であるＡｌ溶射膜（上記（ク）及び（コ）参照）をステンレス鋼の内部治具表面に形成した引用発明の真空蒸着装置にもあてはまることであるから、引用文献１に接した当業者は、引用発明における真空蒸着装置のさらなる性能改善を目的として、当該Ａｌ溶射膜のガス残存量を少なくすべきことは容易に想到し得たことである。そして、ガス残存量はできるだけ少ないほうがよいことは引用文献１の記載から自明であるから、ガス残存量の上限値は、ガス放出による品質のバラツキやパーティクルの発生防止といった効果の程度を勘案して、当業者が適宜設定し得たことといえるし、また本願明細書及び図面を参照しても、ガス残存量を単位重量あたりの残存ガス量で表して「10Torr・cc/g以下」の範囲と設定することに格別な技術的意義があるものとも認められない。
　してみれば、相違点ｂに係る発明特定事項は、当業者が困難なく導出できたものである。
（ｉｉ）相違点ａについて
　上記（２−２−３）（サ）〜（ス）によれば、引用文献３には、溶射成膜法によって形成された絶縁膜では、偏平化された溶射粒子の隙間にH2O、CO2、CO等のガスが大量に吸着されており、これらのガスを溶射膜が形成された真空部材から予め真空中で加熱して脱ガスする際には、温度と時間を規定した真空加熱処理が必要であることが記載されている。
　そして、引用発明におけるＡｌ溶射膜においても、上記（ｉ）で指摘したとおり、Ａｌ溶射膜の残存ガス量を少なくすべきことは引用文献１の開示より自明の技術課題であるし、溶射が通常大気中で行われる技術常識に照らせば、当該残存ガスは大気中に含まれるH2O、CO2、CO等のガスであると推認されるから、絶縁膜である溶射膜中に含まれるH2O、CO2、CO等を脱ガスする発明である引用文献３の知見は、引用発明におけるＡｌ溶射膜の脱ガスにも適用できると解される。
　そうであれば、引用発明における残存ガスの課題解決にあたり、引用文献３に記載されているような真空加熱処理を採用する程度のことは、当業者が容易に想到し得たことである。そして、加熱処理の最適温度範囲は、温度と時間を勘案して当業者が適宜設定し得たことといえるし、また本願明細書及び図面を参照しても、「真空中にて573〜773Kの加熱温度」の範囲でＡｌ溶射膜に脱ガス処理を施すことに、当然Ａｌの融点以下とすること以外に考慮すべき格別な技術的事項があるものとも認められない。
　してみれば、相違点ａに係る発明特定事項は、当業者が困難なく導出できたものである。
　以上のとおり、補正発明１は、引用文献１〜３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができるものとは認められない。
（２−５）補正却下の決定のむすび
　したがって、平成１８年１２月１８日付けの明細書の記載に係る手続補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項の規定において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
　平成１８年１２月１８日付けの明細書の記載に係る手続補正は、上記のとおり、補正却下の決定がなされた。
　したがって、本願の特許請求の範囲に記載された発明は、平成１８年８月７日付けの明細書の記載に係る手続補正によって補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜８に記載されたとおりのものであり、そのうち請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、次の事項により特定されるものである。
「【請求項１】真空成膜装置の構成部品であって、部品本体と、前記部品本体の表面に形成された溶射膜とを具備し、前記溶射膜は溶射形成後に真空中または還元ガス雰囲気中にて脱ガス処理が施され、ガス残存量が10Torr・cc/g以下であることを特徴とする真空成膜装置用部品。」
　そして、本願発明１は、上記補正発明１の真空成膜装置用部品において、溶射膜が、溶射形成後に真空中にて「573〜773Kの加熱温度で脱ガス処理が施されたＴｉ溶射膜またはＡｌ溶射膜からな（る）」という特定事項を有さないものにすぎないから、本願発明１と引用発明とを対比すると、上記２．（２−３）で補正発明１と引用発明とを対比したときと同様の相違点ｂを有するのであり、その余において両発明は一致するものである。
　してみれば、上記２．（２−４）での検討が同様に当てはまるから、本願発明１についても、引用文献１〜３に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．補正案について
　なお、審判請求人は、平成２１年２月１６日に提出した回答書において以下のような明細書の特許請求の範囲の補正案を提示しているので、当該補正案に係る発明（以下、「補正案発明」という。）についても検討する。
「（１）第１案
補正の内容：「Ｔｉ溶射膜またはＡｌ溶射膜」を、「膜厚が１００μｍ〜３００μｍのＴｉ溶射膜またはＡｌ溶射膜」と補正する。
（２）第２案
　補正の内容：「Ｔｉ溶射膜またはＡｌ溶射膜」を、「膜厚が１００μｍ〜３００μｍ、表面粗さ(Ra)が１２μｍ〜２５μｍのＴｉ溶射膜またはＡｌ溶射膜」と補正する。」
　上記補正案発明の「（１）第１案」は、上記補正発明１において、Ｔｉ溶射膜またはＡｌ溶射膜に「膜厚が１００μｍ〜３００μｍ」という特定事項を付加するものであり、「（２）第２案」は、（１）に加えて「表面粗さ(Ra)が１２μｍ〜２５μｍ」という特定事項を付加するものである。
　しかしながら、上記（２−２−２）（ケ）に摘示したように、引用文献２にはＡｌ溶射膜の膜厚を「２００〜３００μｍ程度」にすることが開示されているから、補正案発明第１案の膜厚の特定が格別なものでないことは明らかである。
　また、薄膜形成装置内の機器又は構成部品の表面に汚染防止材として被覆形成するアルミニウム層につき、付着した堆積物が剥離、飛散することのないようにすべきことは、上記（２−２−１）（エ）に摘示したように、引用文献１に記載されていることであるし、堆積する膜の剥離が生じることのない適切な表面の状態を一定の表面粗さＲａの範囲で規定することも、原審の拒絶理由で引用した引用文献４（特開平０３−１４６６７２号公報の第２頁右上欄第１６行〜左下欄第１行）等に開示されているように当業者において周知の手段であるから、上記の堆積物の剥離、飛散防止のために適した表面粗さの規定をＡｌ溶射膜に採用する点に何ら困難性は見いだせない。しかも、上記（２−２−２）（ケ）に摘示したように、引用文献２に記載のＡｌ溶射膜の表面には約３０μｍ程度のＡｌ粒子が付着していることから、当該Ａｌ溶射膜においても表面粗さ(Ra)は「１２μｍ〜２５μｍ」の近傍であるものと推認できるし、本願明細書及び図面を参照すると、「表面粗さ(Ra)が１２μｍ〜２５μｍ」とする上限値及び下限値は、それぞれＴｉ溶射膜（実施例１）とＡｌ溶射膜（実施例４）の実施例における表面粗さの測定値を単に上下限値として採用したにすぎず、当該数値範囲に特定したことによる作用効果については何ら見当たらないから、当該数値範囲に格別な臨界的意義があるものとも認められない。
　よって、この補正案の第１案又は第２案のいずれを採用したとしても、補正案発明は依然として、引用文献１〜３に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
５．むすび
　以上のとおり、本願請求項１に係る発明は、引用文献１〜３に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。