【事件の表示】
　特願２００２−３２６１８０「電圧レベルシフター回路」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　８月　８日出願公開、特開２００３−２２３７９５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成９年２月２５日に出願した特願平９−４１０３０号の一部を平成１４年１１月８日に新たな特許出願としたものであって、平成１７年１２月２８日付けで拒絶査定がなされ、それに対して平成１８年２月３日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年３月３日付けで手続補正がなされ、その後、当審において、平成２０年５月１２日付けで審尋がなされ、同年７月１０日に回答書が提出され、さらに、同年９月１１日付けで、平成１８年３月３日付けの手続補正を却下する決定がなされるとともに、平成２０年１０月１４日付けで拒絶の理由が通知され、それに対して、同年１２月１５日付けで手続補正がなされるとともに、同日付けで意見書が提出されたものである。
　
２．本願発明
　平成１８年３月３日付けの手続補正は却下されており、平成２０年１２月１５日付けの手続補正においては、特許請求の範囲の補正がなされていないので、本願の請求項１ないし４に係る発明は、平成１７年７月２９日付けの手続補正書の特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載された事項により特定されるとおりのものであり、その内の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。
　「【請求項１】　ソース、ドレイン、第１および第２のゲートを有する第１のトランジスタと、
　ソース、ドレイン、第１および第２のゲートを有する第２のトランジスタと、
　入力信号を受け取り、第１および第２のノードに供給するそれぞれの電圧を変化させるスイッチ手段とを備える電圧レベルシフター回路であって、
　該第１および第２のトランジスタのソース／ドレインの一方が第３のノードに接続され、
　該第１および第２のトランジスタのそれぞれの第１のゲートが該第３のノードに接続され、
　該第１のトランジスタのソース／ドレインの他方と該第２のトランジスタの第２のゲートとが該第１のノードに接続され、
　該第２のトランジスタのソース／ドレインの他方と該第１のトランジスタの第２のゲートとが該第２のノードに接続され、
　一端と他端とを有する抵抗等価素子であって、該一端に高電圧が印加され、該他端と該第３のノードとが接続される抵抗等価素子をさらに備え、
　該抵抗等価素子と該第２のトランジスタのオン抵抗値との和が該スイッチ手段のオン抵抗値よりも大きくなるような抵抗値の該抵抗等価素子が挿入されている電圧レベルシフター回路。」
　
３．当審において通知された拒絶の理由の概要
　当審において、平成２０年１０月１４日付けで通知した拒絶の理由は、本願は、明細書及び図面の記載が以下の点で不備であるから、特許法第３６条第４項及び第６項第１号に規定する要件を満たしていないというものである。
　
　「Ａ．発明の詳細な説明の記載について 
 　発明の詳細な説明の００５５段落には、「第１の実施形態では、端子Ｔ４とノードｎｄ３との間に、抵抗Ｒ１が挿入されているため、ノードｎｄ３、ノードｎｄ４、およびノードｎｄ２を流れる電流が制限され、「端子Ｔ４と端子Ｔ５との間の抵抗」による電圧の上昇は小さくなる。つまり、抵抗Ｒ１の抵抗値を大きくすることにより、ノードｎｄ４の電圧を下げることが可能である。」と記載され、また００５６段落には、「ノードｎｄ１の電圧が「Ｖｐｐ−Ｖｔｈｐ１」より低いため、トランジスタＰ１はオンし、出力端子Ｔ３の電圧が上昇し、トランジスタＰ２がオフする。ここで、Ｖｔｈｐ１は、ｐチャネルトランジスタＰ１がオン状態になるためのしきい値である。端子Ｔ４とノードｎｄ３との間に、抵抗Ｒ１が挿入されているため、図１の電圧レベルシフター回路の反転動作は、正常に行われる。」と記載され、更に００６１段落には、「第１の実施形態では、端子Ｔ４とノードｎｄ３との間に、「端子Ｔ４とノードｎｄ４との間の抵抗」が「端子Ｔ５とノードｎｄ４との間の抵抗」より大きくなるような抵抗Ｒ１が挿入されているため、上述したように、電圧レベルシフター回路の反転動作は、正常に行われる。」と記載されているが、図１のように「端子Ｔ４とノードｎｄ３との間に、「抵抗Ｒ１」を挿入して、「ノードｎｄ１」の電圧を「Ｖｐｐ−Ｖｔｈｐ１」より低くすることができたとしても、この「抵抗Ｒ１」によって「ノードｎｄ３」の電圧も降下するため、オン状態にさせようとする「トランジスタＰ１」のソース電圧及び請求項１の「第１のゲート」に相当するバックゲート電圧も低下してしまうので、単に「ノードｎｄ１」の電圧を「Ｖｐｐ−Ｖｔｈｐ１」より低くしただけでは、「トランジスタＰ１」を導通状態にすることはできない。 
 　すなわち、「端子Ｔ４とノードｎｄ３との間に、抵抗Ｒ１を挿入」したとしても、発明の詳細な説明の００１７段落及び００１８段落に記載された「【００１７】　電圧Ｖｓｓが印加される端子Ｔ５とノードｎｄ２との間には、寄生負荷が生ずるため、ノードｎｄ４の電圧が上昇する。ノードｎｄ４の電圧が、例えばＶｐｐ−Ｖｔｈｐ１まで上昇すると、トランジスタＰ１はオン状態にならない。ここで、Ｖｔｈｐ１はトランジスタＰ１がオン状態になるためのしきい値である。　【００１８】　したがって、トランジスタＰ２およびＮ２はオン状態を維持し、貫通電流が流れ続け、図１４の電圧レベルシフター回路は反転しない。」という技術課題を解決することができないものである。 
 　したがって、本願の発明の詳細な説明は、経済産業省令で定めるところにより、当業者が本願の請求項１ないし４に係る発明を実施できる程度に明確かつ十分に記載されたものではない。 
 　 
 Ｂ．特許請求の範囲の記載について 
 （イ）請求項１に記載された構成では、上記Ａ．に記載したとおりの理由で、００１７段落及び００１８に記載された技術課題を解決することができないから、請求項１に係る発明は、発明の詳細な説明に記載されたものではない。 
 　請求項２に係る発明についても同様に、発明の詳細な説明に記載されたものではない。 　 
 （ロ）請求項３及び４は、請求項１又は２を引用するものであるから、請求項３及び４に係る発明は、発明の詳細な説明に記載されたものではない。 」
　
４．拒絶の理由の通知に対する手続補正及び意見書の内容
（１）手続補正について
　上記３．に記載した当審における拒絶の理由の通知に対して、請求人は、平成２０年１２月１５日付けの手続補正において、明細書の００５６段落について、補正前の
　「　【００５６】
　ノードｎｄ１の電圧が「Ｖｐｐ−Ｖｔｈｐ１」より低いため、トランジスタＰ１はオンし、出力端子Ｔ３の電圧が上昇し、トランジスタＰ２がオフする。ここで、Ｖｔｈｐ１は、ｐチャネルトランジスタＰ１がオン状態になるためのしきい値である。端子Ｔ４とノードｎｄ３との間に、抵抗Ｒ１が挿入されているため、図１の電圧レベルシフター回路の反転動作は、正常に行われる。」
　を、補正後の
　「　【００５６】
　ノード
ｎｄ４
Ｖｔｈｐ２
　と補正している。なお、ここにおいて、下線は当合議体にて付加したものである。
　
（２）意見書の内容
　請求人は、平成２０年１２月１５日付けの意見書において、上記（１）に記載した手続補正がなされたことを前提として、以下のように主張している。
　「１.記載不備の拒絶理由（特許法第３６条第４項および同第６項第１号）について
　審判長殿は、平成２０年１０月１５日付け拒絶理由通知書（発送番号；１０５１４５）において記載不備の拒絶理由として次のようにご指摘されておられます。
（中略）
　これに対して、出願人は、同時提出の手続補正書により、出願当初の本願明細書の段落番号００５６の記載を、誤記の訂正として、
　「ノードｎｄ４の電圧が「Ｖｐｐ−Ｖｔｈｐ２」より低いため、トランジスタＰ１はオンし、出力端子Ｔ３の電圧が上昇し、トランジスタＰ２がオフする。ここで、Ｖｔｈｐ１は、ｐチャネルトランジスタＰ１がオン状態になるためのしきい値である。端子Ｔ４とノードｎｄ３との間に、抵抗Ｒ１が挿入されているため、図１の電圧レベルシフター回路の反転動作は、正常に行われる。」に補正しました。
　この補正を踏まえて、図１の電圧レベルシフター回路において、
　端子Ｔ２が電圧Ｖｐｐ、端子Ｔ３が電圧Ｖｓｓから、端子Ｔ２が電圧Ｖｓｓ、端子Ｔ３が電圧Ｖｐｐへ変化する場合について説明します。
　この場合、まず、端子Ｔ１がハイレベル状態でトランジスタＮ１がオン、トランジスタＮ２がオフ状態になり、このトランジスタＮ２がオフ状態において、ノードｎｄ１が電圧ＶｓｓでトランジスタＰ２がオンして、端子Ｔ２は電圧Ｖｐｐの状態になっています。
　次に、端子Ｔ１がロウレベル状態になると、トランジスタＮ１はオフ状態となり、一方、ノードｎｄ１はトランジスタＮ１もトランジスタＰ１もオフ状態であることから、フローティング状態で電圧Ｖｓｓが保たれた状態となります。
　しかし、トランジスタＮ２がオンすると、トランジスタＰ２とトランジスタＮ２の両方がオンすることになり、両トランジスタを通して電流が流れた状態になります。つまり、ノードｎｄ４の電圧は、トランジスタＰ２とトランジスタＮ２の能力比で決定されます。
　このとき、直流電流が流れることから、確かに、ノードｎｄ３の電圧も低下します。このように、ノードｎｄ３の電圧が低下することにより、トランジスタＰ２（トランジスタＰ１を含むＰ−ＭＯＳ）のトランジスタ能力も低下することから、トランジスタＰ２とトランジスタＮ２のトランジスタ能力比（トランジスタＮ１の能力／トランジスタＰ１の能力）が高くなります。この結果として、図１の電圧レベルシフター回路は、動作がし易くなり、反転し易くなります。
　したがって、このため、本願明細書の段落番号００１８の「トランジスタＰ２およびＮ２はオン状態を維持し、貫通電流が流れ続け、図１４の電圧レベルシフター回路は反転しない。」という技術課題を解決することができます。よって、本願発明の詳細な説明は、経済産業省令で定めるところにより、当業者が本願請求項１ないし４に係る発明を実施できる程度に明確かつ十分に記載されたものであることから、上記載不備の拒絶理由は解消したものと確信します。
　
２.結論
　以上のように、本願請求項１〜４の発明は、同時提出の手続補正書による補正および本意見書の事情説明により、特許法第３６条第４項および同第６項第１号の各規定を満足するものと確信しますので、何卒再度御審査の程、お願い申し上げます。」
　
５．補正後の明細書についての検討
（１）そこで、平成２０年１２月１５日付けの手続補正による補正後の本願の明細書（以下、「本願明細書」という。）が、特許法第３６条第４項及び第６項第１号に規定する要件を満たすものであるかにつき、以下に検討する。
ａ．まず、本願明細書の発明の詳細な説明には、本願発明である「電圧レベルシフター回路」における従来技術の問題点及び解決しようとする課題について、以下の事項が記載されている。
　「　　【０００２】
　　【従来の技術】
　入力信号の電圧と異なる電圧を使用するデバイスとして、例えば、フラッシュメモリ、ＥＰＰＲＯＭ等がある。このようなデバイスでは、入力信号の電圧を高電圧もしくは、負電圧にレベルシフトする必要がある。このような回路をレベルシフター回路と言う。なお、本明細書では、高電圧とは、入力信号の電圧より高い電圧を意味する。入力信号の電圧としては、例えば、３Ｖ、または５Ｖなどの値をとる。また、高電圧としては、例えば、８Ｖ、１０Ｖ、または１２Ｖなどの値をとる。
　　　【０００３】
　特開平６−２３６６９４号公報は、図１４に示すような高電圧レベル変換回路を開示している。」
　「　　【００１４】
　　【発明が解決しようとする課題】
　図１４の電圧レベルシフター回路は、入力信号Ｓｉの電圧が電圧Ｖｃｃから電圧Ｖｓｓへ遷移する場合、以下に示す問題を生じる。
　　　【００１５】
　電圧Ｖｓｓの入力信号Ｓｉが入力されると、最初に、トランジスタＮ１がオフ状態になる。このとき、トランジスタＰ１がオフ状態であるため、ノードｎｄ１は電圧Ｖｓｓを維持している。
　　　【００１６】
　次に、トランジスタＮ２がオン状態になる。このとき、トランジスタＰ２は、依然としてオン状態なので、トランジスタＰ２とトランジスタＮ２との間に貫通電流が流れる。
　　　【００１７】
　電圧Ｖｓｓが印加される端子Ｔ５とノードｎｄ２との間には、寄生負荷が生ずるため、ノードｎｄ４の電圧が上昇する。ノードｎｄ４の電圧が、例えばＶｐｐ−Ｖｔｈｐ１まで上昇すると、トランジスタＰ１はオン状態にならない。ここで、Ｖｔｈｐ１はトランジスタＰ１がオン状態になるためのしきい値である。
　　　【００１８】
　したがって、トランジスタＰ２およびＮ２はオン状態を維持し、貫通電流が流れ続け、図１４の電圧レベルシフター回路は反転しない。」
　「　　【００２８】
　本発明は、上記問題点を鑑み、入力信号の電圧が遷移するときに反転動作が安定する電圧レベルシフター回路を提供することを目的とする。」
　
ｂ．また、本願明細書の発明の詳細な説明には、本願発明である「電圧レベルシフター回路」に対応した実施の形態である「第１の実施形態」に関して以下のように記載されている。
　「　　【００４１】
　　【発明の実施の形態】
（実施形態１）
　本発明の第１の実施形態における電圧レベルシフター回路の構成を図１を用いて説明する。
　　　【００４２】
　図１は、第１の実施形態の電圧レベルシフター回路の構成を示している。図１の電圧レベルシフター回路は、入力端子Ｔ１に入力される入力信号Ｓｉの電圧に応じて、出力端子Ｔ２およびＴ３から出力される出力信号Ｓｏ１およびＳｏ２の電圧をそれぞれ変化させる。」
　「　　【００５０】
　以下に、入力信号Ｓｉの電圧が電圧Ｖｃｃから基準電圧Ｖｓｓへ遷移する場合における、図１の電圧レベルシフター回路の動作を説明する。
　　　【００５１】
　入力信号Ｓｉの電圧が電圧Ｖｃｃである場合、トランジスタＮ１およびＰ２がオン状態となり、トランジスタＰ１およびＮ２はオフ状態となる。
　　　【００５２】
　入力信号Ｓｉの電圧が、電圧Ｖｃｃから電圧Ｖｓｓへ遷移すると、最初にトランジスタＮ１がオフ状態となる。次に、インバータＩＮＶ１の入力端子が電圧Ｖｓｓの信号を受け取り、インバータＩＮＶ１の出力端子が電圧Ｖｃｃの信号をトランジスタＮ２のゲートに出力する。このため、トランジスタＮ２がオン状態となる。
　　　【００５３】
　このとき、依然としてトランジスタＰ２はオン状態であるため、トランジスタＰ２とトランジスタＮ２との間に、貫通電流が流れる。このため、ノードｎｄ２の電圧が上昇する。
　　　【００５４】
　上述した場合におけるノードｎｄ４の電圧は、「端子Ｔ４とノードｎｄ４との間の抵抗」と、「ノードｎｄ４と端子Ｔ５との間の抵抗」との比によって決定される。「端子Ｔ４とノードｎｄ４との間の抵抗」とは、「Ｖｐｐに付随する抵抗＋トランジスタＰ２のオン抵抗＋抵抗Ｒ１」であり、「ノードｎｄ４と端子Ｔ５との間の抵抗」とは、「トランジスタＮ２のオン抵抗＋基準電圧Ｖｓｓに付随する抵抗」である。ここで、Ｖｐｐに付随する寄生抵抗とは、端子Ｔ４とノードｎｄ４との間の寄生抵抗を意味し、基準電圧Ｖｓｓに付随する寄生抵抗とは、端子Ｔ５とノードｎｄ２との間の寄生抵抗を意味する。
　　　【００５５】
　第１の実施形態では、端子Ｔ４とノードｎｄ３との間に、抵抗Ｒ１が挿入されているため、ノードｎｄ３、ノードｎｄ４、およびノードｎｄ２を流れる電流が制限され、「端子Ｔ４と端子Ｔ５との間の抵抗」による電圧の上昇は小さくなる。つまり、抵抗Ｒ１の抵抗値を大きくすることにより、ノードｎｄ４の電圧を下げることが可能である。
　　　【００５６】
　ノードｎｄ４の電圧が「Ｖｐｐ−Ｖｔｈｐ２」より低いため、トランジスタＰ１はオンし、出力端子Ｔ３の電圧が上昇し、トランジスタＰ２がオフする。ここで、Ｖｔｈｐ１は、ｐチャネルトランジスタＰ１がオン状態になるためのしきい値である。端子Ｔ４とノードｎｄ３との間に、抵抗Ｒ１が挿入されているため、図１の電圧レベルシフター回路の反転動作は、正常に行われる。
　　　【００５７】
　なお、図１の電圧レベルシフター回路が、シリコン基板に形成される場合、抵抗Ｒ１は拡散抵抗であってもよい。また、抵抗Ｒ１はポリシリコンにより形成されてもよい。
　　　【００５８】
　一般に、デコーダ等では、電圧レベルシフター回路が多数使用されている。複数の電圧レベルシフター回路が同時に動作すると、端子Ｔ５とノードｎｄ４との間のそれぞれの寄生抵抗が顕著に大きくなる。
　　　【００５９】
　複数の電圧レベルシフター回路が同時に動作する場合、図１４に示す従来の電圧レベルシフター回路では、「端子Ｔ５とノードｎｄ４との間の抵抗」が「端子Ｔ４とノードｎｄ４との間の抵抗」より大きくなる。
　　　【００６０】
　ノードｎｄ４の電圧が「Ｖｐｐ−Ｖｔｈｐ１」より高くなると、Ｐ１トランジスタはオンされず、出力端子Ｔ３の電圧は電圧Ｖｐｐになることはない。このため、トランジスタＰ２がオフすることなく、トランジスタＰ２とトランジスタＮ２との間に貫通電流が流れ続ける。
　　　【００６１】
　第１の実施形態では、端子Ｔ４とノードｎｄ３との間に、「端子Ｔ４とノードｎｄ４との間の抵抗」が「端子Ｔ５とノードｎｄ４との間の抵抗」より大きくなるような抵抗Ｒ１が挿入されているため、上述したように、電圧レベルシフター回路の反転動作は、正常に行われる。」
　
（２）そこで、上記（１）ａ．及びｂ．の記載について検討する。
　検討に先立ち、まず、本願の図１に記載された「電圧レベルシフター」について、入力端子Ｔ１の電圧（すなわち、入力信号Ｓｉ）がＶｃｃからＶｓｓに変化する場合の動作についてみると、その回路構成から以下の事項が成り立つものと認められる。
ａ．入力端子Ｔ１の電圧がＶｃｃの時点では、トランジスタＮ１がオン、トランジスタＮ２がオフ、トランジスタＰ１がオフ、トランジスタＰ２がオンとなり、ノードｎｄ１の電圧がＶｓｓ、ノードｎｄ４の電圧がＶｐｐとなっている。
　
ｂ．その後、入力端子Ｔ１の電圧がＶｃｃからＶｓｓへと変化すると、トランジスタＮ１がオフ、トランジスタＮ２はオンとなるが、ノードｎｄ１は、トランジスタＮ１もトランジスタＰ１もオフ状態であることから、フローティング状態となり、電圧はＶｓｓに保たれた状態となる。したがって、トランジスタＰ２はオンを保つこととなるため、トランジスタＰ２とトランジスタＮ２の両方がオンすることになり、両トランジスタを通して貫通電流が流れた状態となる。
　
ｃ．上記ｂ．の状態において、ノードｎｄ４の電圧は、端子Ｔ４から端子Ｔ５に至る経路に存在する抵抗によって以下の値となる。
　
　ノードｎｄ４の電圧　＝　Ｖｓｓ＋（Ｖｐｐ−Ｖｓｓ）×｛ノードｎｄ４と端子Ｔ５との間の抵抗　／（端子Ｔ４とノードｎｄ４との間の抵抗＋ノードｎｄ４と端子Ｔ５との間の抵抗）｝・・・（式１）
　
　ここにおいて、
　
　ノードｎｄ４と端子Ｔ５の間の抵抗　＝　トランジスタＮ２のオン抵抗　＋　Ｖｓｓに付随する寄生抵抗
　
　端子Ｔ４とノードｎｄ４との間の抵抗　＝　Ｖｐｐに付随する寄生抵抗　＋　トランジスタＰ２のオン抵抗　＋　抵抗Ｒ１
　
　であるから、
　
　ノードｎｄ４の電圧　＝　Ｖｓｓ　＋（Ｖｐｐ−Ｖｓｓ）×｛（トランジスタＮ２のオン抵抗　＋　Ｖｓｓに付随する寄生抵抗）／（Ｖｐｐに付随する寄生抵抗　＋　トランジスタＰ２のオン抵抗　＋　抵抗Ｒ１　＋　トランジスタＮ２のオン抵抗　＋　Ｖｓｓに付随する寄生抵抗）｝・・・（式２）
　である。
　
ｄ．そして、図１の回路が反転するためには、トランジスタＰ１がオンになる必要があるが、トランジスタＰ１はＰ型のＭＯＳトランジスタであり、オンになるためには、ソース／ドレインの一方の電圧とゲートとの電圧の差が当該トランジスタのしきい値よりも大きい必要があるから、図１の回路においては、ノードｎｄ３の電圧とノードｎｄ４の電圧との差が、トランジスタＰ１のしきい値Ｖｔｈｐ１よりも大きくなる、すなわち、ノードｎｄ４の電圧が、（ノードｎｄ３の電圧−Ｖｔｈｐ１）よりも低くなる必要がある。
　
ｅ．以上を纏めると、図１の回路が反転動作を行うためには、入力端子Ｔ１の電圧がＶｃｃからＶｓｓに変化した際、ノードｎｄ４の電圧が、（ノードｎｄ３の電圧−Ｖｔｈｐ１）よりも低くなること、すなわち、
　
　ノードｎｄ４の電圧　＜　ノードｎｄ３の電圧−Ｖｔｈｐ１・・・（式３）
　
　であることが必要である。
　そして、
　
　ノードｎｄ３の電圧　＝　Ｖｓｓ　＋　（Ｖｐｐ−Ｖｓｓ）×｛（トランジスタＮ２のオン抵抗　＋　Ｖｓｓに付随する寄生抵抗　＋　トランジスタＰ２のオン抵抗）／（Ｖｐｐに付随する寄生抵抗　＋　トランジスタＰ２のオン抵抗　＋　抵抗Ｒ１　＋　トランジスタＮ２のオン抵抗　＋　Ｖｓｓに付随する寄生抵抗）｝・・・（式４）
　
　であるから、図１の回路が反転動作を行うためには、
　
　Ｖｓｓ　＋（Ｖｐｐ−Ｖｓｓ）×｛（トランジスタＮ２のオン抵抗　＋　Ｖｓｓに付随する寄生抵抗）／（Ｖｐｐに付随する寄生抵抗　＋　トランジスタＰ２のオン抵抗　＋　抵抗Ｒ１　＋　トランジスタＮ２のオン抵抗　＋　Ｖｓｓに付随する寄生抵抗）｝
　＜
　Ｖｓｓ　＋　（Ｖｐｐ−Ｖｓｓ）×｛（トランジスタＮ２のオン抵抗　＋　Ｖｓｓに付随する寄生抵抗　＋　トランジスタＰ２のオン抵抗）／（Ｖｐｐに付随する寄生抵抗　＋　トランジスタＰ２のオン抵抗　＋　抵抗Ｒ１　＋　トランジスタＮ２のオン抵抗　＋　Ｖｓｓに付随する寄生抵抗）｝−　Ｖｔｈｐ１
　
　すなわち、
　
　Ｖｔｈｐ１　＜　（Ｖｐｐ−Ｖｓｓ）×｛トランジスタＰ２のオン抵抗／（Ｖｐｐに付随する寄生抵抗　＋　トランジスタＰ２のオン抵抗　＋　抵抗Ｒ１　＋　トランジスタＮ２のオン抵抗　＋　Ｖｓｓに付随する寄生抵抗）｝・・・（式５）
　
　であることが必要である。
　
（３）上記（２）に記載した事実を踏まえ、上記（１）の記載をみると、本願明細書の００４１段落ないし００５４段落に記載された回路の接続関係、及び各ノードの電圧に関する記載は、上記の（２）ａ．ないしｅ．の記載に沿うものであり、特に問題とすべき点はないが、本願発明の所期の課題を解決するため、すなわち、「したがって、トランジスタＰ２およびＮ２はオン状態を維持し、貫通電流が流れ続け、図１４の電圧レベルシフター回路は反転しない。」（００１８段落）という従来技術の問題点を解決し、「本発明は、上記問題点を鑑み、入力信号の電圧が遷移するときに反転動作が安定する電圧レベルシフター回路を提供することを目的とする。」（００２８段落）という目的を達成するために最も重要な動作である反転動作について記述した００５６段落ないし００６１段落の記載は、上記（２）ｅ．に記載した反転条件と整合しないものである。
　すなわち、００５６段落には、「ノードｎｄ４の電圧が「Ｖｐｐ−Ｖｔｈｐ２」より低いため、トランジスタＰ１はオンし、出力端子Ｔ３の電圧が上昇し、トランジスタＰ２がオフする。」と記載されており、当該記載によれば、ノードｎｄ４に接続されているゲートはトランジスタＰ１のものであるにもかかわらず、「「ノードｎｄ４の電圧が「Ｖｐｐ−Ｖｔｈｐ２」より低い」という、ノードｎｄ４の電圧とトランジスタＰ２のしきい値により決まる条件によりトランジスタＰ１のオン動作が実現されることとなる。
　しかしながら、トランジスタＰ１がオンするための条件は、上記（２）ｅ．に記載したとおり、ノードｎｄ４の電圧が、（ノードｎｄ３の電圧−Ｖｔｈｐ１）よりも低くなることであることに加え、そもそも、ノードｎｄ４の電圧と、当該ノードｎｄ４にゲートが接続されていないトランジスタＰ２のしきい値電圧を論じること自体に意味がないものであるから、００５６段落の記載は、技術的にみて明らかに誤りである。
　また、００５６段落の記載は、その後の、例えば００６０段落の「ノードｎｄ４の電圧が「Ｖｐｐ−Ｖｔｈｐ１」より高くなると、Ｐ１トランジスタはオンされず、出力端子Ｔ３の電圧は電圧Ｖｐｐになることはない。・・・」等の記載と整合していないから、第１の実施形態に関する記載は、全体として整合が取れていないものである。
　したがって、発明の詳細な説明の第１の実施形態に関する記載は、最も重要である反転動作を実現するために必要なトランジスタＰ１のターンオンに関する説明が技術的にみて誤りであり、かつ、説明全体としても整合が取れていないものであるから、当該記載では、当業者が、何故本願発明が所期の技術課題を解決することができるのかを理解すること、すなわち、当業者が、何故本願発明が「したがって、トランジスタＰ２およびＮ２はオン状態を維持し、貫通電流が流れ続け、図１４の電圧レベルシフター回路は反転しない。」（００１８段落）という従来技術の問題点を解決し、「本発明は、上記問題点を鑑み、入力信号の電圧が遷移するときに反転動作が安定する電圧レベルシフター回路を提供することを目的とする。」（００２８段落）という目的を達成することができるのかを理解することは困難である。
　
（４）さらに、本願発明の「該抵抗等価素子と該第２のトランジスタのオン抵抗値との和が該スイッチ手段のオン抵抗値よりも大きくなるような抵抗値の該抵抗等価素子が挿入されている」という発明特定事項について注目すると、本願発明の「抵抗等価素子」、「第２のトランジスタのオン抵抗値」、「スイッチ手段のオン抵抗値」は、各々第１の実施の形態における「抵抗Ｒ１」、「トランジスタＰ２のオン抵抗」、「トランジスタＮ２のオン抵抗」に対応するものと認められるから、「該抵抗等価素子と該第２のトランジスタのオン抵抗値との和が該スイッチ手段のオン抵抗値よりも大きくなるような抵抗値の該抵抗等価素子が挿入されている」ことは、第１の実施の形態において、
　
　抵抗Ｒ１　＋　トランジスタＰ２のオン抵抗　＞　トランジスタＮ２のオン抵抗
　
　であることに相当するものである。
　しかしながら、トランジスタＰ１がオンする条件は、上記５．（２）ｅ．の（式５）に記載したとおり、
　
　Ｖｔｈｐ１　＜　（Ｖｐｐ−Ｖｓｓ）×｛トランジスタＰ２のオン抵抗／（Ｖｐｐに付随する寄生抵抗　＋　トランジスタＰ２のオン抵抗　＋　抵抗Ｒ１　＋　トランジスタＮ２のオン抵抗　＋　Ｖｓｓに付随する寄生抵抗）｝
　
　であるから、たとえ、
　
　抵抗Ｒ１　＋　トランジスタＰ２のオン抵抗　＞　トランジスタＮ２のオン抵抗
　
が成り立ったとしても、必ずしも（式５）が成り立つとはいえないことは明らかである。
　一例を挙げれば、
　
　抵抗Ｒ１　＋　トランジスタＰ２のオン抵抗　＞　トランジスタＮ２のオン抵抗
　
　を満たしてはいるが、抵抗Ｒ１がトランジスタＰ２のオン抵抗と比較して非常に大きい場合を想定すると、（式５）の右辺は非常に小さくなるために、トランジスタＰ１がオンになることができず、反転が実現されないこととなる。
　したがって、本願の発明の詳細な説明に記載された第１の実施の形態は、所期の課題を解決すること、すなわち、「したがって、トランジスタＰ２およびＮ２はオン状態を維持し、貫通電流が流れ続け、図１４の電圧レベルシフター回路は反転しない。」（００１８段落）という従来技術の問題点を解決し、「本発明は、上記問題点を鑑み、入力信号の電圧が遷移するときに反転動作が安定する電圧レベルシフター回路を提供することを目的とする。」（００２８段落）という目的を達成することは困難である。
  また、発明の詳細な説明における他の部分の記載を参照しても、本願発明において「該抵抗等価素子と該第２のトランジスタのオン抵抗値との和」を「該スイッチ手段のオン抵抗値よりも大きく」することで、何故、所期の課題を解決することができるのかということについて、当業者が理解できる程度に十分な記載は見出せない。
　
（５）以上検討したとおり、平成２０年１２月１５日付けの手続補正による補正後の明細書の発明の詳細な説明の記載は、最も重要な反転動作の説明に関して技術的な誤りが存在し、記載全体としてみても整合が取れておらず、かつ、発明の詳細な説明の記載全体を参照しても、本願発明が所期の課題を解決することができる根拠について、当業者が理解できる程度に十分な記載は見出せないから、補正後の明細書の発明の詳細な説明の記載についても、平成２０年１０月１４日付けの拒絶理由通知書において指摘したとおり、所期の課題を解決することができないものである。
　したがって、本願の発明の詳細な説明は、経済産業省令で定めるところにより、当業者が本願発明を実施できる程度に明確かつ十分に記載されたものではないから、本願は特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしておらず、かつ、本願発明は、発明の詳細な説明に記載されたものではないから、本願は特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
　
６．平成２０年１２月１５日付けの手続補正書に誤記があるものと仮定した場合について
（１）本願明細書についての検討は以上のとおりであるが、仮に、平成２０年１２月１５日付けの手続補正書に記載された００５６段落の「ノードｎｄ４の電圧が「Ｖｐｐ−Ｖｔｈｐ２」より低いため、トランジスタＰ１はオンし、出力端子Ｔ３の電圧が上昇し、トランジスタＰ２がオフする。」が「ノードｎｄ４の電圧が「Ｖｐｐ−Ｖｔｈｐ
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　なお、以下においては、００５６段落の「ノードｎｄ４の電圧が「Ｖｐｐ−Ｖｔｈｐ２」より低いため、トランジスタＰ１はオンし、出力端子Ｔ３の電圧が上昇し、トランジスタＰ２がオフする。」を、「ノードｎｄ４の電圧が「Ｖｐｐ−Ｖｔｈｐ１」より低いため、トランジスタＰ１はオンし、出力端子Ｔ３の電圧が上昇し、トランジスタＰ２がオフする。」と読み替えて検討を進める。
　
（２）本願発明に対応する図１に記載された回路の動作は、上記５．（２）ａ．ないしｅ．に記載したとおりであり、図１の回路が反転動作を行うためには、入力端子Ｔ１の電圧がＶｃｃからＶｓｓに変化した際、５．（２）ｅ．の（式３）に記載したとおり、ノードｎｄ４の電圧が、（ノードｎｄ３の電圧−Ｖｔｈｐ１）よりも低くなることが必要である。
　
（３）一方、図１に記載された回路の動作について記載された本願明細書の００４１段落ないし００６１段落の記載についてみると、００４１段落ないし００５４段落に記載された回路の接続関係、及び各ノードの電圧に関する記載は、上記５．（２）ａ．ないしｅ．の記載に沿うものであり、特に問題とすべき点はないが、本願発明の所期の課題を解決するため、すなわち、「したがって、トランジスタＰ２およびＮ２はオン状態を維持し、貫通電流が流れ続け、図１４の電圧レベルシフター回路は反転しない。」（００１８段落）という従来技術の問題点を解決し、「本発明は、上記問題点を鑑み、入力信号の電圧が遷移するときに反転動作が安定する電圧レベルシフター回路を提供することを目的とする。」（００２８段落）という目的を達成するために最も重要な動作である反転動作について記述した００５６段落ないし００６１段落の記載は、上記（２）ｅ．に記載した反転条件と整合しないものである。
　すなわち、００５６段落には、「ノードｎｄ４の電圧が「Ｖｐｐ−Ｖｔｈｐ１」より低いため、トランジスタＰ１はオンし、出力端子Ｔ３の電圧が上昇し、トランジスタＰ２がオフする。」と記載されているが、トランジスタＰ１はＰ型トランジスタであるから、図１に記載された回路において、トランジスタＰ１がオンするためには、ノードｎｄ４の電圧が、（ノードｎｄ３の電圧−Ｖｔｈｐ１）よりも低くなることが必要であり、００５６段落の記載は、技術的にみて誤り若しくは不十分である。
　これについて、さらに詳しく述べると、入力端子Ｔ１の電圧がＶｃｃからＶｓｓに変化したとき、００５５段落に記載されたとおり、「端子Ｔ４とノードｎｄ３との間に、抵抗Ｒ１が挿入されているため、ノードｎｄ３、ノードｎｄ４、およびノードｎｄ２を流れる電流が制限され、「端子Ｔ４と端子Ｔ５との間の抵抗」による電圧の上昇は小さくなる。つまり、抵抗Ｒ１の抵抗値を大きくすることにより、ノードｎｄ４の電圧を下げることが可能である」が、このとき、抵抗Ｒ１が存在するために、トランジスタＰ１のソース／ドレインの一方が接続されているノードｎｄ３の電圧も低下してしまい、当該低下はトランジスタＰ１がオンしにくくなる方向に働くことが明らかである。
　それにもかかわらず、００５６には、「ノードｎｄ４の電圧が「Ｖｐｐ−Ｖｔｈｐ１」より低いため、トランジスタＰ１はオンし・・・」と、抵抗Ｒ１によってノードｎｄ３の電圧が下がることについて考慮することなく、ノードｎｄ４の電圧と「Ｖｐｐ−Ｖｔｈｐ１」でトランジスタＰ１のターンオンを論じているから、発明の詳細な説明における第１の実施形態に関する記載は、最も重要である反転動作を実現するために必要なトランジスタＰ１のターンオンに関する説明が、技術的にみて誤り若しくは不十分であり、当該記載では、当業者が、何故本願発明が所期の技術課題を解決することができるのかを理解すること、換言すれば、当業者が、何故本願発明が「したがって、トランジスタＰ２およびＮ２はオン状態を維持し、貫通電流が流れ続け、図１４の電圧レベルシフター回路は反転しない。」（００１８段落）という従来技術の問題点を解決し、「本発明は、上記問題点を鑑み、入力信号の電圧が遷移するときに反転動作が安定する電圧レベルシフター回路を提供することを目的とする。」（００２８段落）という目的を達成することができるのかを理解することは困難である。
　
（４）したがって、仮に、平成２０年１２月１５日付けの手続補正書に記載された００５６段落の「ノードｎｄ４の電圧が「Ｖｐｐ−Ｖｔｈｐ２」より低いため、トランジスタＰ１はオンし、出力端子Ｔ３の電圧が上昇し、トランジスタＰ２がオフする。」が、「ノードｎｄ４の電圧が「Ｖｐｐ−Ｖｔｈｐ１」より低いため、トランジスタＰ１はオンし、出力端子Ｔ３の電圧が上昇し、トランジスタＰ２がオフする。」の誤記であるとした場合においても、本願の発明の詳細な説明の記載は、最も重要な反転動作に関する説明が技術的にみて誤り若しくは不十分であるから、平成２０年１０月１４日付けの拒絶理由通知書において指摘したとおり、所期の課題を解決することができないものである。
　したがって、上記の誤記が存在すると仮定したとしても、本願の発明の詳細な説明は、経済産業省令で定めるところにより、当業者が本願発明を実施できる程度に明確かつ十分に記載されたものではないから、本願は特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしておらず、かつ、本願発明は、発明の詳細な説明に記載されたものではないから、本願は特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
　
７．請求人の主張についての検討
（１）平成２０年１２月１５日付けの意見書（以下、「意見書」という）における請求人の主張について検討する。
　請求人は、意見書において、「この補正を踏まえて、図１の電圧レベルシフター回路において、　端子Ｔ２が電圧Ｖｐｐ、端子Ｔ３が電圧Ｖｓｓから、端子Ｔ２が電圧Ｖｓｓ、端子Ｔ３が電圧Ｖｐｐへ変化する場合について説明します。　この場合、まず、端子Ｔ１がハイレベル状態でトランジスタＮ１がオン、トランジスタＮ２がオフ状態になり、このトランジスタＮ２がオフ状態において、ノードｎｄ１が電圧ＶｓｓでトランジスタＰ２がオンして、端子Ｔ２は電圧Ｖｐｐの状態になっています。　次に、入力端子Ｔ１がロウレベル状態になると、トランジスタＮ１はオフ状態となり、一方、ノードｎｄ１はトランジスタＮ１もトランジスタＰ１もオフ状態であることから、フローティング状態で電圧Ｖｓｓが保たれた状態となります。　しかし、トランジスタＮ２がオンすると、トランジスタＰ２とトランジスタＮ２の両方がオンすることになり、両トランジスタを通して電流が流れた状態になります。つまり、ノードｎｄ４の電圧は、トランジスタＰ２とトランジスタＮ２の能力比で決定されます。　このとき、直流電流が流れることから、確かに、ノードｎｄ３の電圧も低下します。このように、ノードｎｄ３の電圧が低下することにより、トランジスタＰ２（トランジスタＰ１を含むＰ−ＭＯＳ）のトランジスタ能力も低下することから、トランジスタＰ２とトランジスタＮ２のトランジスタ能力比（トランジスタＮ１の能力／トランジスタＰ１の能力）が高くなります。」ということを根拠として、「この結果として、図１の電圧レベルシフター回路は、動作がし易くなり、反転し易くなります。　したがって、このため、本願明細書の段落番号００１８の「トランジスタＰ２およびＮ２はオン状態を維持し、貫通電流が流れ続け、図１４の電圧レベルシフター回路は反転しない。」という技術課題を解決することができます。」と主張している。
　
（２）しかしながら、たとえ、意見書に記載されたとおり、「ノードｎｄ３の電圧が低下することにより、トランジスタＰ２（トランジスタＰ１を含むＰ−ＭＯＳ）のトランジスタ能力も低下することから、トランジスタＰ２とトランジスタＮ２のトランジスタ能力比（トランジスタＮ１の能力／トランジスタＰ１の能力）が高く」なったとしても、その一方で、ノードｎｄ３の電圧が低下することにより、ノードｎｄ４とノードｎｄ３との電圧の差が縮まり、それはトランジスタＰ１がオンしにくくなるよう、すなわち、反転が起こりにくくなるように作用するから、ノードｎｄ３の電圧が低下したからといって、直ちに、意見書に記載されたように「この結果として、図１の電圧レベルシフター回路は、動作がし易くなり、反転し易くな」るということはできない。
　すなわち、トランジスタＰ１がオン状態となって反転が実現されるためには、上記５．（２）ｅ．に記載したとおり、ノードｎｄ４の電圧が、（ノードｎｄ３の電圧−Ｖｔｈｐ１）よりも低くなることであり、正確には、（式５）に記載されたように、
　
　Ｖｔｈｐ１　＜　（Ｖｐｐ−Ｖｓｓ）×｛トランジスタＰ２のオン抵抗／（Ｖｐｐに付随する寄生抵抗　＋　トランジスタＰ２のオン抵抗　＋　抵抗Ｒ１　＋　トランジスタＮ２のオン抵抗　＋　Ｖｓｓに付随する寄生抵抗）｝
　
　となることが必要である。
　したがって、反転動作を論ずる際には、少なくとも、Ｖｐｐに付随する寄生抵抗、トランジスタＰ２のオン抵抗、抵抗Ｒ１、トランジスタＮ２のオン抵抗、及びＶｓｓに付随する寄生抵抗の各要素を考慮し、（式５）が満たされるような条件を検討する必要があることは明らかであるから、これらの全ての要素を考慮することなく反転動作を論じている「・・・確かに、ノードｎｄ３の電圧も低下します。このように、ノードｎｄ３の電圧が低下することにより、トランジスタＰ２（トランジスタＰ１を含むＰ−ＭＯＳ）のトランジスタ能力も低下することから、トランジスタＰ２とトランジスタＮ２のトランジスタ能力比（トランジスタＮ１の能力／トランジスタＰ１の能力）が高くなります。この結果として、図１の電圧レベルシフター回路は、動作がし易くなり、反転し易くなります。」という請求人の主張は、技術的にみて誤り若しくは不十分である。
　したがって、請求人の主張は採用することができない。
　
８．むすび
　以上のとおりであるから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は、当審において通知した拒絶の理由によって拒絶をすべきものである。
　よって、上記結論のとおり審決する。