(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空容器内に設けられると共に、Ｘ線光軸に沿って試料を透過した透過Ｘ線の像を拡大して前記真空容器内の所定の位置に結像させるＸ線拡大部と、
真空容器内に設けられると共に、前記Ｘ線光軸に対して直角となるように前記所定の位置に配置され、前記Ｘ線拡大部で拡大された結像を垂直入射する反射型Ｘ線電子光電変換面と、
真空容器内に設けられると共に、前記反射型Ｘ線電子光電変換面に発生する光電子の像を前記結像の入射方向と逆方向となる法線方向へ加速放出させる加速電極と、
前記加速電極により加速された光電子の像を所定方向へ偏向させる偏向部と、
前記偏向部により偏向された光電子の像を可視光像に変換して撮像する撮像部と、
を備えたことを特徴とする結像型Ｘ線顕微鏡。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、Ｘ線透過像を拡大して観測するための結像型Ｘ線顕微鏡に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の結像型Ｘ線顕微鏡に関連する技術としては、特開平３−１３４９４３号や特公平５−４７７８号に開示されたものがある。これらは、Ｘ線源から放射されたＸ線を試料に透過させ、その試料の画像情報を有する透過Ｘ線（以下、透過Ｘ線の像と呼ぶ）を真空容器内に設けられたＸ線拡大部で拡大すると共に透過型Ｘ線電子光電変換面で光電子（以下、透過Ｘ線の像に対応して光電子の像と呼ぶ）とに変換し、更にこの光電子の像を加速させて電子増倍部で増幅した後、蛍光面にて可視光像に変換してＣＣＤカメラ等で観測する構成となっている。
【０００３】
ここで、上記の透過型Ｘ線電子光電変換面は、上記の透過Ｘ線の像の入射方向と同じ方向へ上記の光電子の像を出射するので、Ｘ線源と真空容器及びＣＣＤカメラが、直列に配置されている。
【０００４】
又、文献「ＡＤＶ  ｉｎ  Ｅ．Ｅ  ｐｈｙｓｉｃｓ  ｖｏｌ．６４．Ｂ  」に記載されているような反射型Ｘ線電子光電変換面を適用し、透過Ｘ線の像の入射に対応して発生する光電子の像を、その透過Ｘ線の像の入射してきた方向とは逆の方向へ所定傾斜角をもって出射・加速させるものも知られている。この文献に開示されている反射型Ｘ線電子光電変換面を適用すると、透過Ｘ線の像の入射方向と光電子の像の出射方向が同一方向でないので、Ｘ線源と真空容器及びＣＣＤカメラが直列に配置されず、その結果、長手方向に短いコンパクトな結像型Ｘ線顕微鏡を実現することができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
前者の技術（特開平３−１３４９４３号や特公平５−４７７８号に開示された技術）にあっては、前述したように、Ｘ線源と真空容器及びＣＣＤカメラが、ほぼ直列に配置されるので構造上長手方向に長い顕微鏡となり、実質的に大型且つ操作性が悪い等の問題があった。
【０００６】
更に、前者の技術に適用される透過型Ｘ線電子光電変換面は、図７の部分断面図に示す如く、約１００ｎｍ程度の厚さから成る高分子薄膜１を下地とし、この高分子薄膜１の表面に、光電変換材料である約３０ｎｍ程度のＡｕ層２と、約１００ｎｍ程度のＣｓＩ層３とが蒸着により積層された構造となっている。更に、かかる透過型Ｘ線電子光電変換面は、図８の平面図に示すような光電面支持メッシュ電極４の表面上に積層（高分子薄膜ａから積層）されることにより、平面性が確保されている。しかし、かかる透過型Ｘ線電子光電変換面にあっては、入射する透過Ｘ線が、Ａｕ層２とＣｓＩ層３との機械的構造強度を保つための高分子薄膜１により吸収されるために、光電変換量子効率の減少若しくはそのＸ線波長による制限を受けるという問題がある。
【０００７】
更に又、前者の技術にあっては、透過型Ｘ線電子光電変換面を真空容器内に収容して、その真空容器内を強制排気することにより真空雰囲気を実現している。しかし、透過型Ｘ線電子光電変換面の一方の面（透過Ｘ線の入射する側面）に掛かる排気抵抗Ｐ１と透過型Ｘ線電子光電変換面の他方の面（光電子の出射する側面）に掛かる排気抵抗Ｐ２とを一様にすることが困難であるため、透過型Ｘ線電子光電変換面の機械的強度を超えた排気抵抗差｜Ｐ１−Ｐ２｜が生じることによって、透過型Ｘ線電子光電変換面が損傷を受けるという問題があった。更に、このような排気抵抗の影響を受け易いことから、排気又は真空リーク速度に制限を受けると共に、作業中に透過型Ｘ線電子光電変換面を損傷し易いという問題があった。
【０００８】
後者の技術（前記文献による技術）にあっては、反射型Ｘ線電子光電変換面に対して直角に透過Ｘ線の像が入射し、その入射方向より所定の傾斜角度で傾けて配置された加速電極により、光電子の像をその傾斜角方向へ加速させる構成となっている。即ち、この加速電極と反射型Ｘ線電子光電変換面の光電子放出面との間に掛かる高電界により光電子の像を所定の傾斜角方向へ加速させる。しかし、光電子放出面と加速電極は相互に所定の傾斜角度に設置されているので、この高電界の制御が極めて困難であり、光電子放出面に生じる光電子の全てが所定の傾斜方向へ一様に加速されず、画像歪みを招来するという問題があった。
【０００９】
本発明はこのような従来技術の課題に鑑みて成されたものであり、機械的強度が高く、光電変換量子効率が優れ、画像歪みを改善し、装置の小形化を図ることができる結像型Ｘ線顕微鏡を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
このような目的を達成するために本発明は、Ｘ線光軸に沿って試料を透過した透過Ｘ線の像を拡大して所定の位置に結像させるＸ線拡大部と、前記Ｘ線光軸に対して直角となるように前記所定の位置に配置され前記Ｘ線拡大部で拡大された結像を垂直入射する反射型Ｘ線電子光電変換面と、前記反射型Ｘ線電子光電変換面に発生する光電子の像を前記結像の入射方向と逆方向となる法線方向へ加速放出させる加速電極と、前記加速電極により加速された光電子の像を所定方向へ偏向させる偏向部と、前記偏向部により偏向された光電子の像を可視光像に変換して撮像する撮像部とを備え、前記Ｘ線拡大部と反射型Ｘ線電子光電変換面と加速電極を真空容器内に設ける構成とした。
【００１１】
【作用】
かかる構成を有する本発明の結像型Ｘ線顕微鏡によれば、試料を透過した透過Ｘ線の像がＸ線拡大部によりＸ線拡大像となり、反射型Ｘ線電子光電変換面に垂直入射される。反射型Ｘ線電子光電変換面にはこのＸ線拡大像の垂直入射に対応して光電子の像が発生し、この光電子の像は加速電極により上記垂直入射方向に対して逆の方向へ加速・放出される。そして、このように加速・放出された光電子の像は、偏向部によって発生される磁界の影響を受けて、途中から所定の方向へ偏向され、その偏向方向に設けられている撮像部により撮像される。
【００１２】
このように、反射型Ｘ線電子光電変換面に発生する光電子の像を一旦法線方向（即ち、上記垂直入射方向に対して逆の方向）へ加速・放出させた後に、偏向させることにより、画像歪みの発生を大幅に低減することができる。また、透過Ｘ線の入射方向と光電子の放射方向が逆方向となるので、真空容器の長さが短くなり実質的に装置の小形化を実現する。反射型Ｘ線電子光電変換面を適用することにより、機械的強度の向上と、光電変換量子効率の向上が図られている。
【００１３】
【実施例】
以下、本発明による結像型Ｘ線顕微鏡の一実施例を図面と共に説明する。まず、図１に基づいてこの結像型Ｘ線顕微鏡の全体構造を説明すると、Ｘ線を発生するＸ線発生部Ａと、このＸ線発生部Ａから放射されたＸ線を集光して試料に照射しその試料を透過した透過Ｘ線による像（以下、透過Ｘ線の像と呼ぶ）を拡大する光学ミラー室Ｂと、光学ミラー室Ｂで拡大された透過Ｘ線を所定位置に結像させ、内蔵されている反射型Ｘ線電子光電変換面により光電子の像に変換して加速・放出させると共に、その加速された光電子の像から試料像の映像信号を形成する反射型Ｘ線ズーミング管部Ｃと、顕微鏡全体の動作を制御するマイクロコンピュータシステム等を内蔵する制御部（図示せず）を備えている。
【００１４】
Ｘ線発生部Ａ、光学ミラー室Ｂ及び反射型Ｘ線ズーミング管部Ｃは、図示長手方向に延設された真空容器Ｅ内に構成され、Ｘ線発生部Ａと光学ミラー室Ｂ及び光学ミラー室Ｂと反射型Ｘ線ズーミング管部Ｃの夫々の接続部分が、真空ゲートバルブ５，６を介して接続されている。
【００１５】
真空容器Ｅの内、Ｘ線発生部Ａが構成される部分は、ターボ分子ポンプ７ａとロータリーポンプ７ｂとによる真空排気ポンプと真空度測定用ゲージ８によって真空引きが行われ、光学ミラー室Ｂが構成される部分は、ターボ分子ポンプ９ａとロータリーポンプ９ｂとによる真空排気ポンプと真空度測定用ゲージ１０によって真空引きが行われ、反射型Ｘ線ズーミング管部Ｃが構成される部分は、ターボ分子ポンプ１１ａとロータリーポンプ１１ｂとによる真空排気ポンプと真空度測定用ゲージ１２によって真空引きの駆動制御が行われる。よって、真空容器Ｅ内は、Ｘ線発生部Ａと光学ミラー室Ｂ及び反射型Ｘ線ズーミング管部Ｃの各部分毎に、独自の真空引きと、独自の真空リークが可能となっている。
【００１６】
測定すべき試料は光学ミラー室Ｂ内に設けられる。かかる試料の設置又は他の試料の交換を行うには、まず、真空ゲートバルブ５，６を締めた状態で、光学ミラー室Ｂの真空容器部分のみの真空リークを行い、次に、光学ミラー室Ｂの所定位置に試料を設置し、再びターボ分子ポンプ９ａとロータリーポンプ９ｂによる真空排気ポンプと真空度測定用ゲージ１０によって真空引きを行うことにより、交換操作が実現される。このように、簡素な作業で試料の設置を行うことができるので、作業時間の短縮化が可能である。
【００１７】
更に、真空容器Ｅの内、光学ミラー室Ｂ及び反射型Ｘ線ズーミング管部Ｃの部分が、防振ステージ１３上に載置されることにより、分割振動による観察分解能の劣化を防止している。
【００１８】
次に、各部分の構造を詳述する。このＸ線発生部Ａには、Ｘ線発生制御部１４により制御されるガスパフ型Ｘ線源が用いられ、例えば、使用ガスとしてＮ２  ガスが用いられる。Ｘ線発生ユニット１５内には一対の放電電極が内蔵されており、その上側にはガス導入バルブ１６、その下側には放電電極にスイッチング電圧を印加するためのスイッチング装置１７と、スイッチング装置１７に高圧電力を供給するための大容量コンデンサ装置１８と、大容量コンデンサ装置１８を蓄電させるための高電圧電源装置１９ａ，１９ｂが設けられている。
【００１９】
Ｎ２  ガスはガス導入バルブ１６を介して真空雰囲気中の上記放電電極にパルス的に導入され、かかる放電電極間に柱状のガス塊が形成される。そのガス塊のガス密度がＸ線発生効率の高い密度となったときに、スイッチング装置１７が放電電極に大容量コンデンサ装置１８の高圧電力を供給することにより、放電を励起させ、この放電によりＮ２  ガスをプラズマ化させる。そして、このプラズマを流れる電流によりプラズマ粒子は放電電極の軸中心方向へ加速され、高温高密度のプラズマ（ピンチプラズマ）となってＸ線が放出される。尚、Ｎ２  ガスを使用することにより、２ｎｍ〜３ｎｍの波長のＸ線が発生する。
【００２０】
Ｘ線発生部ＡのＸ線放出側の真空容器Ｅ内には、図２の部分断面図に示すように、約０．１μｍの厚さのＴｉ薄膜１９が設けられており、上記の放電電極においてＸ線が発生するのと同時に生じる紫外線と可視光線及び飛沫の通過を遮断して、上記波長のＸ線のみを光学ミラー室Ｂへ透過させる。尚、このＴｉ薄膜１９の外周部分には適宜の貫通穴が形成されているので、真空排気時の排気差動圧力によってこのＴｉ薄膜１９が破損することを防止している。
【００２１】
次に光学ミラー室Ｂの構成を図２の部分拡大図に基づいて説明する。真空容器Ｅ内に、所定の間隔をおいてＸ線集光ミラー２０とＸ線拡大ミラー２１が配置され、Ｘ線集光ミラー２０によるＸ線集光位置に、試料２２を配置するための試料ホルダー２３が設けられている。尚、Ｘ線集光ミラー２０とＸ線拡大ミラー２１は共にウォルター型斜入射ミラーが用いられると共に、いずれも同一の光学的ＮＡを有し、試料２２を透過した透過Ｘ線の像から最大効率の拡大結像を得ることができるようになっている。
【００２２】
更に、試験者が多軸マニュピレータ２４を操作することによって試料ホルダー２３の位置や向き等を微調整することができ、多軸マニュピレータ２５を操作することによってＸ線集光ミラー２０の位置や向き等を微調整することができ、多軸マニュピレータ２６を操作することによってＸ線拡大ミラー２１の位置や向き等を微調整することができるようになっている。即ち、試料ホルダー２３とＸ線集光ミラー２０及びＸ線拡大ミラー２１の位置関係を適宜に微調整することにより、Ｘ線発生部Ａから放出されたＸ線を集光して目的の試料２２へ照射させ、試料２２を透過した透過Ｘ線の像を拡大して、後述する所定の結像面に鮮明結像させることができる。
【００２３】
更に、試料２２の試料ホルダー２３への装着は、図３及び図４に示す試料セル２７を装着することによって行われるようになっている。尚、図３は試料セル２７の平面図、図４は図３のＸ−Ｘ線矢視断面を示す。即ち、試料セル２７は、大径でドーナッツ状の第１のスペーサー２８ａと、第１のスペーサ−２８ａの貫通穴にＯリング２９を介在させて嵌装される小径且つドーナッツ状の第２のスペーサ２８ｂを有しており、いずれのスペーサー２８ａ，２８ｂもステンレス製で約１ｍｍの厚さに形成されている。又、スペーサー２８ａは、外径が約３０ｍｍであり、且つ、周側端には後述する複数のネジ３０を螺合させるための複数の雌ネジ部が形成されている。第２のスペーサー２８ｂの中央部分に形成された貫通穴の内径が約３ｍｍ程度であり、この貫通穴が試料２２を収容するための試料室３１として使用される。
【００２４】
そして、これら第１，第２のスペーサー２８ａ，２８ｂとＯリング２９を組み合わせて試料室３１に所定の試料２２を収容した状態で、第１，第２のスペーサー２８ａ，２８ｂとＯリング２９の両側に、約２５０μｍの厚さの円形状の窒化珪素薄膜３２，３３を重ね、更にステンレス製の円板状支持金具３４，３５を重ねて複数個のボルト３０で一体化する構造となっている。そして、一体化されたときの全体の厚さは約５．５ｍｍ程度となる。尚、支持金具３４，３５の中央領域Ｗには最大直径約５ｍｍ程度の円錐状貫通穴が穿設されると共に、上記複数のボルト３０を螺合するための雌ネジ部が予め形成されており、更に、窒化珪素薄膜３２，３３には、中央領域Ｗより若干狭い領域について予めエッチングされることにより約１００ｎｍの厚さの試料窓３６，３７が形成されている。そして、この試料セル２７を試料ホルダー２３に装着すると、Ｘ線集光ミラー２２により集光されたＸ線が中央領域Ｗないし試料窓３６（又は３７）を介して試料２２に入射し、試料２２を透過した透過Ｘ線の像が試料窓３７（又は３６）ないし反対側の中央領域Ｗを介してＸ線拡大ミラー２１へ伝搬する。
【００２５】
例えば、ヘラ細胞（ＨｅＬａ細胞）等の生物細胞を試料２２とする場合には、試料室３１内に生理的食塩水と共に試料２２を密封する。又、Ｏリング２９の作用により、生理的食塩水の外部への漏れが防止されると共に、試料室３１内部が１気圧に保たれることから、試料２２を生きた状態で観察することができる。更に、試料２２に入射するウォーターウィンドウ領域のＸ線は、炭素を含む有機物の存在部分で選択的に吸収されるので、透過Ｘ線は、生物細胞の微細な構造に関する明瞭な像の情報を有することとなる。そして、かかる情報を有する透過Ｘ線の像は、Ｘ線拡大ミラー２１で所定倍率に拡大され、後述する反射型Ｘ線ズーミング管部Ｃ内の所定の結像位置に結像される。
【００２６】
次に反射型Ｘ線ズーミング管部Ｃの構造を図５に基づいて説明する。尚、図５は、拡大部分断面図である。Ｘ線拡大ミラー２１からの透過Ｘ線の結像面には、透過Ｘ線の入射に伴って光電子を発生する反射型Ｘ線電子光電変換面３８が設けられ、反射型Ｘ線電子光電変換面３８の前方にはグランド電位に設定されたアパーチャ電極３９が固定されている。この反射型Ｘ線電子光電変換面３８は、Ｃｕで形成された光電面電極４０の先端部（透過Ｘ線の入射方向に対向する端部）に嵌着され且つ表面粗さが１００ｎｍ以下に研磨された約１ｍｍの厚さのＡｕ板と、そのＡｕ板の表面に約１００ｎｍの厚さで蒸着されたＣｓＩ層で構成され、Ａｕ板の表面とＣｓＩ層の表面は、透過Ｘ線の入射方向に対して直角となっている。
【００２７】
そして、光電面電極４０には、高圧電源装置４１により約−８ｋＶないし−１０ｋＶの範囲の電圧が印加され、アパーチャ電極３９にはグランド電位が印加され、反射型Ｘ線電子光電変換面３８が透過Ｘ線の入射に対して発生した光電子を、反射型Ｘ線電子光電変換面３８とアパーチャ電極３９との間に発生する強電界によって、透過Ｘ線の入射方向とは逆の方向（即ち、反射型Ｘ線電子光電変換面３８の光放出面の法線方向）へ放出して加速させる。
【００２８】
更に、反射型Ｘ線ズーミング管部Ｃには、反射型Ｘ線電子光電変換面３８の前方横側に、第１の電磁レンズ４２と第２の電磁レンズ４３、及び偏向コイル４４が連設されている。第１，第２の電磁レンズ４２，４３は、反射型Ｘ線電子光電変換面３８から出力されてアパーチャ電極３９により加速された光電子を、拡大磁場により拡大させ且つ所定の収束距離で収束させる。この拡大率は第１の電磁レンズ４２と第２の電磁レンズ４３に流す電流を変化させて真空容器Ｅ内に発生する磁力の比率を変えることで、収束距離を変化させなくとも約１０倍ないし２００倍の範囲で連続的に変化させることができるようになっている。尚、この実施例では、収束距離は、反射型Ｘ線電子光電変換面３８の光電子放出面から７０ｃｍに設定されている。
【００２９】
偏向コイル４４は、真空容器Ｅ内に偏向磁場を発生させ、第１，第２の電磁レンズ４２，４３の拡大磁場の磁力線に沿って走行してきた光電子を、所定の偏向角で偏向させることにより、２枚タンデムのマイクロチャンネルプレート４５の方向へ走行させる。この実施例では、光電子の偏向角が透過Ｘ線の入射光軸に対して９°に設定され、偏向コイル４４による偏向磁場の中心から反射型Ｘ線電子光電変換面３８の光電子放出面までの距離Ｗ１と、この偏向磁場の中心からマイクロチャンネルプレート４５の光電子入射面までの距離Ｗ２の合計距離が７０ｃｍに設定されており、更にこの合計距離が、第１，第２の電磁レンズ３５，３６の拡大収束距離となっている。したがって、反射型Ｘ線電子光電変換面３８上に結像された透過Ｘ線の像に対応して発生する光電子の像は、その透過Ｘ線の入射を妨げることなく、上記拡大磁場で拡大され且つ所定の偏向角で偏向されて、マイクロチャンネルプレート４５の光電子入射面に投影結像される。
【００３０】
尚、第１，第２の電磁レンズ４２，４３と偏向コイル４４への電力供給は、不図示の駆動用電源から行うようになっている。
【００３１】
マイクロチャンネルプレート４５は、約５００Ｖないし約２０００Ｖの範囲内の電圧が掛けられることにより、最大で１０５  倍の電子増倍率が設定され、更に、電子増倍された電子は３０００Ｖの印加電圧による電界により加速されてマイクロチャンネルプレート４５の後方に設けられた蛍光面４６に入射し、可視光像に変換される。
【００３２】
蛍光面４６の後方には、リレーレンズを内蔵する光学系４７が設けられ、更に、光学系４７の結像面に設けられたＣＣＤカメラ４８によって、可視像を撮像するようになっている。そして、ＣＣＤカメラ４８から出力される映像信号は画像処理装置に伝送され、テレビジョンモニタ等に静止画表示される。
【００３３】
図６は、以上に説明した結像型Ｘ線顕微鏡の構造及び機能を概略的に示している。そして、同図中、２点鎖線で示すＸ線光軸Ｑに沿って試料２２を透過した透過Ｘ線の像が反射型Ｘ線電子光電変換面３８に入射することにより発生する光電子の像を、その透過Ｘ線の入射方向とは逆の方向へアパーチャ電極３９により加速・出射させた後、偏向コイル４４によって所定の方向へ偏向させるので、反射型Ｘ線電子光電変換面３８に生じる光電子が加速電界に従って一様に出射した後に偏向されることとなる。したがって、前述した従来の技術（文献「ＡＤＶ  ｉｎ  Ｅ．Ｅｐｈｙｓｉｃｓ  ｖｏｌ．６４．Ｂ  」）では、反射型Ｘ線電子光電変換面３８の光電子放出面に対して予め加速電界が傾斜して掛かるように設定することで、光電子の走行方向を決める場合には、この光電子放出面に対する電界分布が一様でないために、光電子の放出方向が一様でなくなり画像歪みを招くことと成るのに対し、この実施例では、光電子放出面に対して法線方向へ光電子を放出させるように電界が掛けられているので、光電子は一様に放出され、その後に所定の方向へ偏向させてＣＣＤカメラ４８等で撮像するので、画像歪みが大幅に低減されることとなる。
【００３４】
更に、反射型Ｘ線電子光電変換面３８は、透過型Ｘ線電子光電変換面とは異なり、支持メッシュ電極と高分子薄膜（図８参照）を有しないので、光電変換量子効率が優れ、又、光電変換量子効率を向上させるために設けられるＡｕ層の厚さに制限がないことから、軟Ｘ線から硬Ｘ線の範囲において光電変換量子効率の向上を図ることができる。更に又、反射型Ｘ線電子光電変換面３８の光電子放出面に対して光電面電極から法線方向へ電荷を供給することができるので、光電面面抵抗が下がり、大電流を流すことができる。又、反射型Ｘ線電子光電変換面３８は、透過型Ｘ線電子光電変換面と比べて機械的強度が高いので、真空容器Ｅ内の真空引き等によって生じる差圧の影響で損傷等を受けない。又、この実施例では、反射型Ｘ線ズーミング管Ｃの真空容器部分に反射型Ｘ線電子光電変換面３８を設けることにより、真空引き等によって生じる差圧の発生を予め防止しているので、機械的強度の向上が図られている。
【００３５】
【発明の効果】
以上に説明したように本発明によれば、反射型Ｘ線電子光電変換面に発生する光電子の像を一旦法線方向（即ち、透過Ｘ線の像の入射方向に対して逆の方向）へ加速・放出させた後に偏向させ、その偏向方向に設けられた撮像部により撮像するようにしたので、画像歪みの発生を大幅に低減することができる。また、透過Ｘ線の入射方向と光電子の放射方向が逆方向となるので、真空容器の長さが短くなり実質的に装置の小形化を実現する。反射型Ｘ線電子光電変換面を適用することにより、光電変換量子効率の向上と、機械的強度の向上が図られる等の優れた効果を有する結像型Ｘ線顕微鏡を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による結像型Ｘ線顕微鏡の一実施例の全体構成を示す平面図である。
【図２】光学ミラー室の構造を示す部分断面図である。
【図３】試料セルの構造を示す平面図である。
【図４】試料セルの構造を示す断面図である。
【図５】反射型Ｘ線ズーミング管部の構造を示す部分断面図である。
【図６】結像型Ｘ線顕微鏡の全体構造を概念的に示す断面図である。
【図７】透過型Ｘ線電子光電変換面の構造を示す部分断面図である。
【図８】透過型Ｘ線電子光電変換面に使用される光電面支持メッシュ電極の構造を示す平面図である。
【符号の説明】
２０…Ｘ線集光ミラー、２１…Ｘ線拡大ミラー、２２…試料、２３…試料ホルダー、３８…反射型Ｘ線電子光電変換面、３９…アパーチャ電極、４２，４３…電磁レンズ、４４…偏向コイル、４５…マイクロチャンネルプレート、４６…蛍光面、４７…光学系、４８…ＣＣＤカメラ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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