【事件の表示】
　特願２０００−２４５４９８「相互接続の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　３月３０日出願公開、特開２００１−　８５５２３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本願は、平成１２年８月１４日の出願（パリ条約による優先権主張１９９９年８月３０日、米国）であって、平成１７年８月１９日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１１月２２日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年１２月２２日付けで手続補正がなされたものであり、その後、当審において、平成２０年１月１５日付けで審尋がなされ、同年７月１６日に回答書が提出され、同年１０月６日付けで、平成１７年１２月２２日付けの手続補正が却下され、同年１０月２０日付けで拒絶の理由が通知され、その指定期間内である平成２１年２月２３日に手続補正がなされるとともに意見書が提出されたものである。 
　 
第２　本願発明　 
　本願の請求項１ないし６に係る発明は、平成２１年２月２３日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１ないし６に記載された事項により特定されるとおりのものであって、このうち、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。　 
「【請求項１】　（ａ）第一の誘電層、ストップ層及び第二の誘電層がこの順で積み重ねた構成を含むスタック層を設けるステップ、
　（ｂ）前記スタック層上に第１の開口を有する第１のマスク層を形成するステップ、
　（ｃ）前記スタック層へ延伸するが貫通しない凹部を形成するステップ
　（ｄ）前記第１のマスク層上に第２の小開口を有する第２のマスク層を形成するステップ、前記第２の小開口は前記凹部を露出し、前記第１の開口より小さく、
　（ｅ）前記スタック層を通って延伸するビアを形成するステップ、
　（ｆ）前記凹部および前記ビア中に導電材料を形成して相互接続を形成するステップ　とを有することを特徴とする相互接続の製造方法。」
　
第３　刊行物に記載される発明
　刊行物１．特開平８−３１６３０９号公報
　当審における拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物１（特開平８−３１６３０９号公報）には、図１ないし図３とともに、「半導体装置の製造方法」（発明の名称）に関して、以下の事項が記載されている。
「【請求項１】  導電体層の上方に上層配線が形成され、かつ該上層配線と前記導電体層との間に導電性を有する柱状のコンタクト部が介装されてなる多層配線構造を有する半導体装置の製造方法であって、
前記導電体層上に層間絶縁膜を形成し、その後該層間絶縁膜に前記上層配線用の溝を形成する第１工程と、
前記溝の直下の前記層間絶縁膜に前記導電体層に到達するコンタクトホールを形成する第２工程と、
前記溝内と前記コンタクトホール内とを埋め込む状態で前記層間絶縁膜上に導電材料からなる膜を形成する第３工程と、
前記層間絶縁膜の上面が露出する位置まで前記導電材料からなる膜を除去し、前記溝内に前記導電材料を埋め込んでなる前記上層配線と、前記コンタクトホール内に前記導電材料を埋め込んでなりかつ前記導電体層と前記上層配線とにそれぞれ連続する前記コンタクト部とを形成し、前記多層配線構造を得る第４工程とを有していることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】  前記第１工程は、前記導電体層上に形成された層間絶縁膜上に、所定の幅の溝状の孔を有する第１レジストパターンを形成する工程と、その後該第１レジストパターンをマスクとしたエッチングによって前記溝を形成する工程とからなり、
前記第２工程は、前記孔の幅よりも大きい内寸の開口を有する貫通孔を備えた第２レジストパターンを、前記孔上に前記貫通孔が位置するようにして前記第１レジストパターン上に形成する工程と、その後前記第１レジストパターンと第２レジストパターンとをマスクとしたエッチングによって前記コンタクトホールを形成する工程と、前記エッチング後前記第１レジストパターンと前記第２レジストパターンとを除去する工程とからなることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。」　
「【００１５】
【実施例】以下、本発明に係る半導体装置の製造方法の実施例を図面に基づいて説明する。図１（ａ）〜（ｃ）、図２（ｄ）〜（ｆ）、図３（ｅ）、（ｆ）は本発明の一実施例を工程順に説明するための図であり、特に本発明の特徴である多層配線構造の形成工程を示す図である。また図１〜図３において（イ）は上層配線とコンタクト部とを形成する箇所、（ロ）は上層配線のみを形成する箇所を示している。
【００１６】この実施例において、多層配線構造１を形成するには、まず（イ）の箇所、（ロ）の箇所とも同じようにして図１（ａ）〜（ｃ）に示す工程を行う。すなわち、図１（ａ）に示すごとくＳｉ基板または下層配線からなる導電体層２上に、ＣＶＤによって、第１層間絶縁膜３ａと、第２層間絶縁膜３ｂと、第３層間絶縁膜３ｃとを順次積層し、層間絶縁膜３を形成する。このとき、後の溝５を形成するための異方性エッチングにおいて、第２層間絶縁膜３ｂのエッチング速度が、第３層間絶縁膜３ｃのそれに対して小さくなるような絶縁材料を用いて第２層間絶縁膜３ｂを形成する。
【００１７】ここでは、第１層間絶縁膜３ａおよび第３層間絶縁膜３ｃがＳｉＯ2 系からなり、第２層間絶縁膜３ｂが窒化シリコン（ＳｉＮ）からなる。また第１層間絶縁膜３ａを０．０５μｍ〜１μｍ程度の膜厚に、第２層間絶縁膜３ｂを０．０１μｍ〜０．５μｍ程度の膜厚に、第３層間絶縁膜３ｃを０．０３μｍ〜１μｍ程度の膜厚にそれぞれ形成する。
【００１８】次いで層間絶縁膜３上に、例えば光が照射されると硬化し現像液に対して不溶となるネガ型レジストを用いて第１レジスト膜（図示略）を形成する。その後、リソグラフィによって第１レジスト膜を、後述する上層配線１０のパターンが反転した形状にパターニングし、つまり上層配線１０のパターン以外の部分を現像液に対して不溶化し、上層配線１０の幅と略等しい幅ｔ、この実施例では０．１μｍ〜５μｍ程度の幅ｔの溝状の孔４ａを有する第１レジストパターン４を形成する。
【００１９】次に図１（ｂ）に示すように、第１レジストパターン４をマスクとしたＲＩＥ等の異方性エッチングによって、層間絶縁膜３に上層配線１０用の溝５を形成する。上記異方性エッチングによって、溝５の幅ｓは孔４ａの幅ｔに略等しい、０．１μｍ〜５μｍ程度に形成される。また上記したように第２層間絶縁膜３ｂは、この異方性エッチングにおけるエッチング速度が第３層間絶縁膜３ｃのそれに対して小さいことから、この工程において第２層間絶縁膜３ｂはエッチングストッパー層となる。よって、ここではほとんど第３層間絶縁膜３ｃのみがエッチングされて、第３層間絶縁膜３ｃの上面から第２層間絶縁膜３ｂの上面までの深さの溝５が形成される。
【００２０】次に図１（ｃ）に示すごとく、第１レジストパターン４上に後述する第２レジストパターン７形成用の第２レジスト膜６を塗布形成する。このとき第２レジスト膜６を構成するレジスト材料は、溝５内および孔４ａ内にも埋め込まれる。なお、ここで形成する第２レジスト膜６と上記第１レジストパターン４とは、次工程における第２レジスト膜６のパターニングの際、第１レジストパターン４が影響を受けずその形状が維持されるという条件を満たす関係であることが必要である。本実施例では、上記条件を満たすべくネガ型レジストからなる第１レジストパターン４に対して、第２レジスト膜６を光が照射されると現像液に対する溶解度が高くなるポジ型レジストを用いて形成する。
【００２１】次にリソグラフィによって第２レジスト膜６をパターニングし、図２（ｄ）に示すように、貫通孔７ａを有する第２レジストパターン７を形成する。ここで、貫通孔７ａの形成部分については、（イ）の箇所における第１レジストパターン４の孔４ａ上に位置させる。また貫通孔７ａについては、その開口形状を例えば略円形、四角形等に形成するとともに、その開口の内寸（内径）ｗを、孔４ａの幅ｔよりも大きく設定する。この実施例では、０．１μｍ〜５μｍ程度の孔４ａの幅ｔに対して、貫通孔７ａの内寸ｗを０．１５μｍ〜８μｍ程度の範囲でしかも孔４ａの幅ｔよりも大きく形成する。
【００２２】なお、上記したように第２レジスト膜６はポジ型レジストからなり、上記リソグラフィの際、貫通孔７ａの形成部分のみが露光されて現像液に対する溶解度が高められるものである。よってリソグラフィの際の現像工程では、貫通孔７ａの形成部分の第２レジスト膜６と溝５内および孔４ａ内に埋め込まれた第２レジスト膜６のレジスト材料とが、現像液に溶解されて除去される。また第１レジストパターン４はネガ型レジストで形成されており、すでに先のリソグラフィで硬化してなるため、上記リソグラフィの影響を受けることがなく、したがってこの工程を経ても第１レジストパターン４の形状は維持される。
【００２３】続いて図２（ｅ）に示すように、第２レジストパターン７と第１レジストパターン４とをマスクとしたＲＩＥ等の異方性エッチングを行って、（イ）の箇所における溝５の直下の層間絶縁膜３、すなわちここでは第２層間絶縁膜３ｂと第１層間絶縁膜３ａとに、溝５に連通しかつ導電体層２に到達するコンタクトホール８を形成する。上記異方性エッチングは、第２層間絶縁膜３ｂをエッチングした後、第１層間絶縁膜３ａをエッチングするというように、２段階で行っても良い。
【００２４】この工程では、第２レジストパターン７の貫通孔７ａの直下に、第１レジストパターン４の孔４ａが位置しており、この孔４ａの幅ｔが貫通孔７ａの内寸ｗよりも小さいことから、実質的には第１レジストパターン４がこの工程におけるマスクとなる。よって、形成されるコンタクトホール８の内寸ｒは、孔４ａの幅ｔに略等しい、すなわち溝５の幅ｓに略等しい０．１μｍ〜５μｍ程度に形成される。また実質的にこの工程におけるマスクとなる第１レジストパターン４は上記したように上層配線１０形成用であるため、コンタクトホール８は自己整合的に上層配線１０の直下位置に形成されることとなる。
【００２５】次に、図２（ｆ）に示すように層間絶縁膜３上のすべての第１レジストパターン４と第２レジストパターン７とを剥離する。したがって、（イ）、（ロ）のいずれの箇所においても第１レジストパターン４と第２レジストパターン７とが除去された状態になる。
【００２６】次いで（イ）の箇所、（ロ）の箇所とも同様にして図３（ｇ）、（ｈ）に示す工程を行う。すなわち、スパッタリングまたはＣＶＤにより、図３（ｇ）に示すように層間絶縁膜３の上面にＡｌ、Ｗ等の導電材料からなる膜（以下、導電材料膜と記す）９を０．０３μｍ〜１μｍの厚みに形成する。この際、（イ）の箇所においては、溝５内およびこれに連通するコンタクトホール８内が上記導電材料で埋め込まれ、また（ロ）の箇所においては、溝５内が上記導電材料で埋め込まれる。
【００２７】そして図３（ｈ）に示すように、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing)またはＲＩＥ等の異方性エッチングによって、層間絶縁膜３が露出する位置まで導電材料膜９を除去する。このことにより、（イ）の箇所においては、溝５内に導電材料を埋め込んでなる上層配線１０を形成するとともに、コンタクトホール８内に導電材料を埋め込んでなりかつ導電体層２と上層配線１０とにそれぞれ連続してこれらに直に接続するコンタクト部１１を形成する。また（ロ）の箇所においては、溝５内に導電材料を埋め込んでなる上層配線１０を形成する。以上の工程によって、多層配線構造１を得る。」　　
　
　以上の記載から、刊行物１には、以下の発明が記載されている。
「Ｓｉ基板または下層配線からなる導電体層２上に、ＳｉＯ2 系からなる第１層間絶縁膜３ａと、窒化シリコン（ＳｉＮ）からなりエッチングストッパー層である第２層間絶縁膜３ｂと、ＳｉＯ2 系からなる第３層間絶縁膜３ｃとを順次積層して層間絶縁膜３を形成する工程と、
　前記層間絶縁膜３上に、所定の幅の溝状の孔４ａを有する第１レジストパターンを形成する工程と、
　前記第１レジストパターンをマスクとしたエッチングによって前記第２層間絶縁膜３ｂをエッチングストッパー層として前記第３層間絶縁膜３ｃに上層配線１０用の溝５を形成する工程と、
　前記溝状の孔４ａの幅よりも大きい内寸の開口を有する貫通孔７ａを備えた第２レジストパターンを、前記溝状の孔４ａ上に前記貫通孔７ａが位置するようにして前記第１レジストパターン上に形成する工程と、
　前記第１レジストパターンと第２レジストパターンとをマスクとしたエッチングによって前記第２層間絶縁膜３ｂと前記第３層間絶縁膜３ｃとに、前記溝５に連通しかつ前記Ｓｉ基板または前記下層配線からなる導電体層２に到達するその内寸ｒが前記溝５の幅ｓに略等しいコンタクトホール８を形成する工程と、
　前記溝５内と前記コンタクトホール８内とを埋め込む状態で前記層間絶縁膜３上に導電材料からなる膜を形成し、前記層間絶縁膜３の上面が露出する位置まで前記導電材料からなる膜を除去し、前記溝５内に前記導電材料を埋め込んでなる前記上層配線１０と、前記コンタクトホール８内に前記導電材料を埋め込んでなりかつ前記Ｓｉ基板または前記下層配線からなる導電体層２と前記上層配線１０とにそれぞれ連続するコンタクト部とを形成し、多層配線構造を得る工程とを有していることを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
　刊行物２．特開平１１−１６２９８２号公報
　当審における拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物２（特開平１１−１６２９８２号公報）には、図１ないし図３とともに、「半導体装置の製造方法」（発明の名称）に関して、以下の事項が記載されている。
「【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩデバイスでは、Ａｌ合金膜のドライエッチングによる配線層加工が主流である。しかしながら配線ピッチの微細化に伴い、Ａｌ合金膜のドライエッチングによる微細加工が非常に難しくなって来ている。またＡｌ合金に替わる低抵抗配線材料として有望なＣｕ膜等のドライエッチングが困難な材料を配線層として用いるため、ドライエッチングに代わる技術として溝配線（ダマシンプロセス）が検討されている。」　
「【００１１】
【発明の実施の形態】次に、本発明の第１の実施の形態について説明すると、まず、図１（ａ）に示すように、シリコンなどの半導体基板上のフィールド絶縁膜などの絶縁膜１を選択的に被覆して、複数の配線層，・・・，２ｉ，２ｊ，２ｋ，・・・を形成し、酸化シリコン膜３１Ａを例えば厚さ１０００ｎｍ、プラズマ窒化膜３２Ａ（エッチング阻止膜）を例えば厚さ５０ｎｍ、酸化シリコン膜３３Ａを例えば厚さ５００ｎｍ順次に堆積して層間絶縁膜を形成する。
【００１２】続いて、ＫｒＦエキシマリソグラフィーを用いて、図１（ｂ）に示すように、配線層２ｊの上方に幅０．３μｍ程度の開口６Ａを有するフォトレジスト膜７Ａを形成する。次に、このフォトレジスト膜７Ａをマスクとしてドライエッチングにより酸化シリコン膜３３Ａをプラズマ窒化膜３２Ａに対し選択的にエッチングすることによって配線溝８Ａを形成する。この時のエッチング装置としては平行平板型ナローギャップＲＩＥ装置を用い、エッテングガスとしてＣ4 Ｆ8 、ＣＯ、Ａｒ及びＯ2 を所定の比率で混合した第１の混合ガスを用いた。従来例では、配線溝８の形成が一応終了した後にもビアホール９を形成するためエッチングを続行しなければならず、そのためにプラズマ窒化膜３２がエッチングされてしまうという問題がある。このビアホールを形成するための酸化シリコン膜３１のエッチング時に発生する酸素の作用によりプラズマ窒化膜３２上にデポジション膜ができても除去されてしまうからである。本実施の形態では、配線溝８Ａの形成が終われば直ちにエッチングを停止できるので、このような不具合はない。
【００１３】フオトレジスト膜７Ａ除去後、半導体基板表面全面に有機材料を塗布して約１８０℃のホットプレート上でベークすることにより、図１（ｃ）に示すように、有機塗布膜１２を形成する。この有機塗布膜としては、感光剤を含有しない点を除きフォトレジスト膜と同じものでよい。
【００１４】引き続き、図２（ａ）に示すように、所定の配線層２ｊに目合わせされた開口径０．２μｍ程度の開口１３を有するフォトレジスト膜１４を形成し、このフォトレジスト膜１４をマスクとしてドライエッチングにより有機塗布膜１２、その下層のプラズマ窒化膜３２Ａ及び酸化シリコン膜３１Ａを連続的に異方性エッチングして配線層２ｊに緊がるビアホール９Ａを形成する。ただし、有機塗布膜１２のエッチングにはＣｌ2 とＯ2 の混合ガスを用い（フォトレジスト膜１４もエッチングされるので、その厚さは予め十分に厚くしておく）、プラズマ窒化膜３２Ａのエッチングには前述の第１の混合ガスにおいて、Ｏ2 の混合比を大きくした第２の混合ガスを用い、酸化シリコン膜３１Ａのエッチングには、第１の混合ガスを用いた。このビアホール形成時に配線溝８Ａは有機塗布膜で埋められているので底面に穴があくだけでそのほかの形状変化は起きない。
【００１５】フォトレジスト膜１４及び有機塗布膜１２をプラズマアッシング法等によって剥離することによって、図２（ｂ）に示すように、配線溝８Ａ、ビアホール９Ａａの形成を終わる。
【００１６】次に、図２（ｃ）に示すように、配線溝８Ａの幅０．３μｍの２分に１以上、例えば０．２μｍの厚さのアルミニウム膜（金属膜１０Ａ）を堆積して配線溝８Ａ及びビアホール９Ａａを埋める。
【００１７】次に、酸化シリコン膜３３Ａ上の金属膜１０ＡをＣＭＰ法又はエッチバック法により除去し、図３に示すように、配線溝８Ａ及びビアホール９Ａａ内にのみ埋め込み金属１１Ａとして残す。この埋め込み金属１１Ａは、ビアホール９Ａａを介して配線層２ｊに繋がる上層の配線層（溝配線）である。こうして、２層配線構造を形成することが出来る。」　　
　
第４　対比
　本願発明と刊行物１に記載された発明（以下、「刊行物発明」という。）とを以下において対比する。　
（ａ）刊行物発明の「ＳｉＯ2 系からなる第１層間絶縁膜３ａ」、「窒化シリコン（ＳｉＮ）からなりエッチングストッパー層である第２層間絶縁膜３ｂ」、「ＳｉＯ2 系からなる第３層間絶縁膜３ｃ」、「層間絶縁膜３」は、それぞれ、本願発明の「第一の誘電層」、「ストップ層」、「第二の誘電層」、「スタック層」に相当するので、刊行物発明の「ＳｉＯ2 系からなる第１層間絶縁膜３ａと、窒化シリコン（ＳｉＮ）からなりエッチングストッパー層である第２層間絶縁膜３ｂと、ＳｉＯ2 系からなる第３層間絶縁膜３ｃとを順次積層して層間絶縁膜３を形成する工程」は、本願発明の「（ａ）第一の誘電層、ストップ層及び第二の誘電層がこの順で積み重ねた構成を含むスタック層を設けるステップ」に相当する。
（ｂ）さらに、本願の図２において、本願発明の「第一の誘電層、ストップ層及び第二の誘電層がこの順で積み重ねた構成を含むスタック層」が、半導体基板上に形成されており、一方、刊行物発明においても、「ＳｉＯ2 系からなる第１層間絶縁膜３ａと、窒化シリコン（ＳｉＮ）からなりエッチングストッパー層である第２層間絶縁膜３ｂと、ＳｉＯ2 系からなる第３層間絶縁膜３ｃとを順次積層して層間絶縁膜３」を「Ｓｉ基板または下層配線からなる導電体層２上に」に形成しているので、刊行物発明の「Ｓｉ基板または下層配線からなる導電体層２上に、ＳｉＯ2 系からなる第１層間絶縁膜３ａと、窒化シリコン（ＳｉＮ）からなりエッチングストッパー層である第２層間絶縁膜３ｂと、ＳｉＯ2 系からなる第３層間絶縁膜３ｃとを順次積層して層間絶縁膜３を形成する工程」は、本願発明の「第一の誘電層、ストップ層及び第二の誘電層がこの順で積み重ねた構成を含むスタック層を設けるステップ」に相当する。
（ｃ）刊行物発明の「第１レジストパターン」及び「所定の幅の溝状の孔４ａ」は、本願発明の「第１のマスク層」及び「第１の開口」にそれぞれ相当するので、刊行物発明の「前記層間絶縁膜３上に、所定の幅の溝状の孔４ａを有する第１レジストパターンを形成する工程」は、本願発明の「（ｂ）前記スタック層上に第１の開口を有する第１のマスク層を形成するステップ」に相当する。
（ｄ）刊行物発明の「上層配線１０用の溝５」は、本願発明の「凹部」に相当し、刊行物発明の「前記第１レジストパターンをマスクとしたエッチングによって前記第２層間絶縁膜３ｂをエッチングストッパー層として前記第３層間絶縁膜３ｃに上層配線１０用の溝５」を形成する際に、「上層配線１０用の溝５」が「層間絶縁膜３」を貫通しないことは明らかであるから、刊行物発明の「前記第１レジストパターンをマスクとしたエッチングによって前記第２層間絶縁膜３ｂをエッチングストッパー層として前記第３層間絶縁膜３ｃに上層配線１０用の溝５を形成する工程」は、本願発明の「（ｃ）前記スタック層へ延伸するが貫通しない凹部を形成するステップ」に相当する。
（ｅ）刊行物発明の「貫通孔７ａ」及び「第２レジストパターン」は、それぞれ本願発明の「第２の」「開口」及び「第２のマスク層」に相当し、刊行物発明において、「貫通孔７ａ」により「溝状の孔４ａ」が露出されていることは、刊行物１の図２（ｄ）（イ）から明らかであるから、刊行物発明の「貫通孔７ａを備えた第２レジストパターンを、前記溝状の孔４ａ上に前記貫通孔７ａが位置するようにして前記第１レジストパターン上に形成する」ことは、本願発明の「第２のマスク層」の「前記第２の」「開口」が「前記凹部」に「露出」していることに相当する。
　したがって、刊行物発明の「開口を有する貫通孔７ａを備えた第２レジストパターンを、前記溝状の孔４ａ上に前記貫通孔７ａが位置するようにして前記第１レジストパターン上に形成する工程」は、本願発明の「前記第１のマスク層上に第２の」「開口を有する第２のマスク層を形成するステップ、前記第２の」「開口は前記凹部を露出し」ていることに相当する。
（ｆ）刊行物発明の「第１層間絶縁膜３ａ」、「前記第２層間絶縁膜３ｂ」及び「前記第３層間絶縁膜３ｃ」からなる「層間絶縁膜３」は、本願発明の「スタック層」に相当し、刊行物発明の「前記第２層間絶縁膜３ｂと前記第３層間絶縁膜３ｃとに、前記溝５に連通しかつ前記Ｓｉ基板または前記下層配線からなる導電体層２に到達する」「コンタクトホール８」が「第１層間絶縁膜３ａ」をも貫通していることは明らかであって、刊行物発明の「コンタクトホール８」は、本願発明の「ビア」に相当するので、刊行物発明の「前記第２層間絶縁膜３ｂと前記第３層間絶縁膜３ｃとに、前記溝５に連通しかつ前記Ｓｉ基板または前記下層配線からなる導電体層２に到達する」「コンタクトホール８を形成する工程」は、本願発明の「前記スタック層を通って延伸するビアを形成するステップ」に相当する。
（ｇ）刊行物発明の「溝５」、「コンタクトホール８」は、本願発明の「凹部」、「ビア」に相当するから、刊行物発明の「前記溝５内と前記コンタクトホール８内とを埋め込む状態で前記層間絶縁膜３上に導電材料からなる膜を形成し、前記層間絶縁膜３の上面が露出する位置まで前記導電材料からなる膜を除去し、前記溝５内に前記導電材料を埋め込んでなる前記上層配線１０と、前記コンタクトホール８内に前記導電材料を埋め込んでなりかつ前記Ｓｉ基板または前記下層配線からなる導電体層２と前記上層配線１０とにそれぞれ連続するコンタクト部とを形成し、多層配線構造を得る工程」は、本願発明の「（ｆ）前記凹部および前記ビア中に導電材料を形成して相互接続を形成するステップ」に相当する。
（ｈ）刊行物発明の「半導体装置」において、「多層配線構造」により、「前記Ｓｉ基板または前記下層配線からなる導電体層２」と「上層配線１０」とを「コンタクトホール８内に」埋め込んだ「導電材料」により導電的に接続するものであって、刊行物発明も、「半導体装置」の「多層配線構造」による接続の形成方法を包含するものであるから、刊行物発明の「半導体装置の製造方法」は、本願発明の「相互接続の製造方法」に相当する。
　
　したがって、本願発明と刊行物発明とは、
「（ａ）第一の誘電層、ストップ層及び第二の誘電層がこの順で積み重ねた構成を含むスタック層を設けるステップ、
　（ｂ）前記スタック層上に第１の開口を有する第１のマスク層を形成するステップ、
　（ｃ）前記スタック層へ延伸するが貫通しない凹部を形成するステップ
　（ｄ）前記第１のマスク層上に第２の開口を有する第２のマスク層を形成するステップ、前記第２の開口は前記凹部を露出し、　
　（ｅ）前記スタック層を通って延伸するビアを形成するステップ、
　（ｆ）前記凹部および前記ビア中に導電材料を形成して相互接続を形成するステップ　とを有することを特徴とする相互接続の製造方法。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
　相違点１
　本願発明は、「（ｄ）前記第１のマスク層上に第２の小開口を有する第２のマスク層を形成するステップ、前記第２の小開口は前記凹部を露出し、前記第１の開口より小さく、」及び「（ｅ）前記スタック層を通って延伸するビアを形成するステップ　」を備えるのに対して
　刊行物発明は、「前記溝状の孔４ａの幅よりも大きい内寸の開口を有する貫通孔７ａを備えた第２レジストパターンを、前記溝状の孔４ａ上に前記貫通孔７ａが位置するようにして前記第１レジストパターン上に形成する工程」及び「前記第１レジストパターンと第２レジストパターンとをマスクとしたエッチングによって前記第２層間絶縁膜３ｂと前記第３層間絶縁膜３ｃとに、前記溝５に連通しかつ前記Ｓｉ基板または前記下層配線からなる導電体層２に到達するその内寸ｒが前記溝５の幅ｓに略等しいコンタクトホール８を形成する工程」を備えた点、言い換えると、　
　本願発明の「第２の小開口を有する第２のマスク層」の「第２の小開口」は、「第１の開口を有する第１のマスク層」の「第１の開口」より小さいのに対して、刊行物発明において、「貫通孔７ａ」の「開口」は、「前記溝状の孔４ａの幅よりも大きい内寸」であり、また、本願発明の「第２の開口」に相当する刊行物発明の「コンタクトホール８」の「内寸ｒ」が、本願発明の「第１の開口」に相当する刊行物発明の「上層配線１０用の溝５」の「幅ｓに略等しい」点。
　　　
第５　当審の判断
　以下において、各相違点について検討する。　
　１．相違点１について（その１）
　（ａ）刊行物１の図１（ｂ）（イ）及び「次に図１（ｂ）に示すように、第１レジストパターン４をマスクとしたＲＩＥ等の異方性エッチングによって、層間絶縁膜３に上層配線１０用の溝５を形成する。上記異方性エッチングによって、溝５の幅ｓは孔４ａの幅ｔに略等しい、０．１μｍ〜５μｍ程度に形成される。」（【００１９】段落）の記載から、「溝状の孔４ａ」は溝であって、溝の長さ方向には、溝の幅と比較して十分な長さに延在していることは明らかである。
　（ｂ）また、刊行物１の図２（ｄ）（イ）及び「次にリソグラフィによって第２レジスト膜６をパターニングし、図２（ｄ）に示すように、貫通孔７ａを有する第２レジストパターン７を形成する。ここで、貫通孔７ａの形成部分については、（イ）の箇所における第１レジストパターン４の孔４ａ上に位置させる。また貫通孔７ａについては、その開口形状を例えば略円形、四角形等に形成するとともに、その開口の内寸（内径）ｗを、孔４ａの幅ｔよりも大きく設定する。」（【００２１】段落）の記載から、「貫通孔７ａ」は、その開口形状が「例えば略円形、四角形等に形成」されており、「その開口の内寸（内径）ｗを、孔４ａの幅ｔよりも大きく設定」されており、「貫通孔７ａ」の「内寸（内径）ｗ」は、「溝状の孔４ａ」の幅方向においては、「孔４ａの幅ｔよりも大き」いものの、「溝状の孔４ａ」の溝の長さ方向（配線長方向）においては、「貫通孔７ａ」の「内寸（内径）ｗ」は、「溝状の孔４ａ」の溝の長さより小さいことは明らかである。
　（ｃ）さらに、刊行物１の図２（ｆ）（イ）及び「第２レジストパターン７の貫通孔７ａの直下に、第１レジストパターン４の孔４ａが位置しており、この孔４ａの幅ｔが貫通孔７ａの内寸ｗよりも小さいことから、実質的には第１レジストパターン４がこの工程におけるマスクとなる。よって、形成されるコンタクトホール８の内寸ｒは、孔４ａの幅ｔに略等しい」（【００２４】段落）の記載から、「開口形状を例えば略円形、四角形等」である「第２のレジストパターン」を用いて形成される「コンタクトホール８」も同様な形状（略円形、四角形等）となることは明らかであるから、「コンタクトホール８」の「内寸ｒ」は、「溝状の孔４ａ」の幅方向において、「孔４ａの幅ｔ」と同等であるが、「溝状の孔４ａ」の溝の長さ方向（配線長方向）においては、「コンタクトホール８」の「内寸ｒ」は、「溝状の孔４ａ」の溝の長さより小さいことは明らかである。
　（ｄ）したがって、刊行物発明の「貫通孔７ａ」の「開口」が、配線長方向においては、「前記溝状の孔４ａの幅」よりも小さく、刊行物発明の「コンタクトホール８」の「内寸ｒ」が、配線長方向においては、「上層配線１０用の溝５」の「幅」より小さいことは明らかであり、刊行物発明の「上層配線１０用の溝５」は、本願発明の「第１の開口」に相当し、刊行物発明の「コンタクトホール８」は、本願発明の「第２の開口」に相当しており、少なくとも、刊行物１の上層配線１０の配線長方向においては、刊行物発明の「コンタクトホール８」は、本願発明の「前記第１の開口より小さい第２の開口」に相当することになる。
　よって、上記相違点１については、本願発明と刊行物発明とは、実質的に相違しない。
　
　（ｅ）以上のとおり、本願発明は、刊行物１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　
　２．相違点１について（その２）
　（ａ）仮に、本願発明の「前記第１の開口よりも小さい第２の開口」が、「第２の開口」の全ての側壁部分が、「第１の開口」よりも内側にある、ということを意味するものであり、この点で本願発明と刊行物発明とが相違するとして以下に検討する。
　（ｂ）刊行物２には、本願発明及び刊行物発明と同様な、「二重ダマシン構造」に相当する構造の製造方法に係り、「図１（ａ）に示すように、シリコンなどの半導体基板上のフィールド絶縁膜などの絶縁膜１を選択的に被覆して、複数の配線層，・・・，２ｉ，２ｊ，２ｋ，・・・を形成し、酸化シリコン膜３１Ａを例えば厚さ１０００ｎｍ、プラズマ窒化膜３２Ａ（エッチング阻止膜）を例えば厚さ５０ｎｍ、酸化シリコン膜３３Ａを例えば厚さ５００ｎｍ順次に堆積して層間絶縁膜を形成する。」（【００１１】段落）こと、「続いて、ＫｒＦエキシマリソグラフィーを用いて、図１（ｂ）に示すように、配線層２ｊの上方に幅０．３μｍ程度の開口６Ａを有するフォトレジスト膜７Ａを形成する。次に、フォトレジスト膜７Ａをマスクとしてドライエッチングにより酸化シリコン膜３３Ａをプラズマ窒化膜３２Ａに対し選択的にエッチングすることによって配線溝８Ａを形成する。」（【００１２】段落）こと、「フオトレジスト膜７Ａ除去後、・・・、図１（ｃ）に示すように、有機塗布膜１２を形成する。この有機塗布膜としては、感光剤を含有しない点を除きフォトレジスト膜と同じものでよい。」（【００１３】段落）こと、「引き続き、図２（ａ）に示すように、・・・開口１３を有するフォトレジスト膜１４を形成し、このフォトレジスト膜１４をマスクとしてドライエッチングにより有機塗布膜１２、その下層のプラズマ窒化膜３２Ａ及び酸化シリコン膜３１Ａを連続的に異方性エッチングして配線層２ｊに緊がるビアホール９Ａを形成する。」（【００１４】段落）ことが記載されている。
　したがって、刊行物２には、「酸化シリコン膜３１Ａ」、「プラズマ窒化膜３２Ａ（エッチング阻止膜）」及び「酸化シリコン膜３３Ａ」からなる「層間絶縁膜」上に、開口６Ａを備えた「フォトレジスト膜７Ａ」をマスクとして「酸化シリコン膜３３Ａ」に「配線溝８Ａ」を形成し、「酸化シリコン膜３３Ａ」に形成した、開口１３を備えた有機塗布膜１２とフォトレジスト膜１４を用いて、ビアホール９Ａを形成することが記載されている。
　（ｃ）刊行物２に記載される、「酸化シリコン膜３１Ａ」、「プラズマ窒化膜３２Ａ（エッチング阻止膜）」、「酸化シリコン膜３３Ａ」、「層間絶縁膜」、「開口６Ａ」を備えた「フォトレジスト膜７Ａ」、「配線溝８Ａ」、「開口１３」を備えた「有機塗布膜１２」と「フォトレジスト膜１４」及び「ビアホール９Ａ」は、それぞれ、刊行物発明の「第１層間絶縁膜３ａ」、「第２層間絶縁膜３ｂ」、「第３層間絶縁膜３ｃ」、「層間絶縁膜３」、「所定の幅の溝状の孔４ａ」を備えた「第１レジストパターン」、「上層配線１０用の溝５」、「貫通孔７ａ」を備えた「第２レジストパターン」及び「コンタクトホール８」に相当し、また、それぞれ、本願発明の「第一の誘電層」、「ストップ層」、「第二の誘電層」、「スタック層」、「第１の開口」を備えた「第１のマスク層」、「凹部」、「第２」の「開口」を備えた「第２のマスク層」及び「ビア」に相当する。
　（ｄ）上記（ｃ）を参照すると、刊行物２に記載の「配線溝８Ａ」は、実質的に、本願発明の「第１の開口」に相当し、刊行物２に記載の「ビアホール９Ａ」は、実質的に、本願発明の「第２の開口」に相当しており、また、刊行物２の図２（ｂ）を参照すると、刊行物２に記載の「配線溝８Ａ」よりも、刊行物２に記載の「ビアホール９Ａ」及び「開口１３」が小さいことは、明らかであるので、刊行物２に記載の「ビアホール９Ａ」は、本願発明の「第１の開口より小さい第２の開口」に相当する。
　すると、刊行物発明の「前記溝状の孔４ａの幅よりも大きい内寸の開口を有する貫通孔７ａを備えた第２レジストパターン」に代えて、刊行物２に記載の、「配線溝８Ａ」の幅よりも小さく、「ビアホール９Ａ」と同じ幅の「開口１３を有するフォトレジスト膜１４」及び「有機塗布膜１２」により「第２のレジストパターン」を形成する工程を用いて、刊行物発明が、本願発明の如く、「第１の開口より小さ」い、「第２の開口を形成するステップ」を備えたものとすることは、当業者が適宜なし得た程度のことと認められる。
　その際、「前記第１レジストパターンと第２レジストパターンとをマスクとしたエッチングによって前記第２層間絶縁膜３ｂと前記第３層間絶縁膜３ｃとに、前記溝５に連通しかつ前記Ｓｉ基板または前記下層配線からなる導電体層２に到達するその内寸ｒ」（刊行物２記載の「ビアホール９Ａ」に相当）が、刊行物２の配線溝８Ａより小さくなることは明らかである。
　　
　したがって、本願の請求項１に係る発明は、刊行物１及び刊行物２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　３．まとめ
　本願発明は、刊行物１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができず、また、本願発明は、刊行物１及び刊行物２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第６　むすび 
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第１項第３号又は同法同条第２項の規定により特許を受けることができないものであるので、本願の他の請求項に係る発明についての検討をするまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。