【事件の表示】
　平成　８年特許願第３３７４９６号「半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　９年　７月１５日出願公開、特開平　９−１８６１０２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成８年１２月２日（パリ条約による優先権主張１９９５年１２月１１日、韓国）の出願であって、平成１８年３月２３日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年６月２３日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。
　
第２　本願発明について
　本願の請求項１ないし８に係る発明は、平成１６年１０月１２日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１ないし８に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、そのうち、本願の請求項１に係る発明は、以下のとおりである。
「【請求項１】
　半導体基板上にコンタクトホールを有する絶縁膜を形成する段階と、
　前記絶縁膜が形成された前記半導体基板に対し、不活性ガスを使用したＲＦプラズマ又はＥＣＲプラズマによるプラズマ処理を施す段階と、
　前記プラズマ処理された半導体基板の全面にタングステン窒化薄膜を蒸着することにより、表面が滑らかで段差塗布性が良好な前記タングステン窒化薄膜を形成する段階とを含めてなることを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
第３　引用刊行物及び該引用刊行物記載の発明
刊行物１．特開平６−２６０４５５号公報
　原審の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物１（特開平６−２６０４５５号公報）には、図１、図３とともに、「窒化チタン成膜の前処理方法および窒化チタン膜の成膜方法」（発明の名称）に関して、以下の事項が記載されている。
ア　「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置を製造する際に用いる窒化チタン成膜の前処理方法および窒化チタン膜の成膜方法に関するものである。」
イ　「【０００７】また、上記窒化チタン膜のカバリッジを改善するには、例えばＣＶＤ法によって、窒化チタン膜を成膜する。この方法では、コンタクトホールの内部に形成される窒化チタン膜はカバリッジ性良く成膜される。」
ウ　「【００１６】
【実施例】本発明の窒化チタン成膜の前処理方法に関する実施例を、図１の前処理工程図により説明する。図１の（１）に示すように、半導体基板１１の上層には拡散層１２が形成されている。この半導体基板１１は、例えばシリコン系基板で形成されている。上記半導体基板１１の上面には絶縁膜１３が成膜されている。上記拡散層１２の上方の絶縁膜１３にはコンタクトホール１４が形成されている。通常、半導体基板１１が大気中にさらされている場合には、コンタクトホール１４の底部における半導体基板１１の表面には、極薄い酸化膜３１が形成される。
【００１７】まず、上記半導体基板１１を、温度雰囲気が例えば２５℃の場合には、１３．３μＰａ以下の真空度を有する圧力雰囲気に投入する。圧力雰囲気を上記のように設定することにより、コンタクトホール１４の底部に露出している半導体基板１１の表面には、上記圧力雰囲気に投入した後には、新たな酸化膜（図示せず）は形成されない。」
エ　「【００２１】そして上記真空度に保持した圧力雰囲気に希ガス〔例えばアルゴン（Ａｒ）〕を導入して、希ガス雰囲気にする。このときの希ガス雰囲気の圧力は、例えば１３．３μＰａに設定する。そして希ガスによる低エネルギーのプラズマを発生させる。そのプラズマによってコンタクトホール１３の底部における半導体基板１１の表面を低いエネルギーでエッチングする、いわゆるソフトエッチングを行う。プラズマの発生は、例えばＩＣＰ（Induction  Coupled  Plasma）法またはＥＣＲ（Electron  Cyclotron  Resonance）法による。」
オ　「【００２３】また上記ＥＣＲ法によるソフトエッチング条件は、例えば希ガスに流量が２０ｓｃｃｍのアルゴン（Ａｒ）ガスを用い、圧力雰囲気を例えば１３．３μＰａに設定する。またマイクロ波パワーを例えば７００Ｗ、基板ＲＦバイアスを例えば５０Ｗに設定する。
【００２４】図１に示すように、上記ソフトエッチングによって、露出している半導体基板１１の表面に形成されている自然酸化膜のような極薄い酸化膜３１（２点鎖線で示す部分）は除去され、その部分の半導体基板１１の表面は清浄化される。」
カ　「【００２８】次に本発明の窒化チタン膜の成膜方法に関する実施例を、図３の成膜工程図により説明する。なお前記図１で説明したと同様の構成部品には同一の符号を付す。図３の（１）に示すように、上記実施例で説明した窒化チタン成膜の前処理方法を行って、コンタクトホール１４の底部における半導体基板１１の表面に生成されている極薄い酸化膜３１（２点鎖線で示す部分）を除去する。
【００２９】そして上記希ガス雰囲気を半導体基板１１が再酸化されない真空度（例えば温度が２５℃の場合には１３．３μＰａ）の圧力雰囲気にし、さらに連続してその圧力雰囲気に、窒化チタン膜を成膜するガスで酸化性ガスを含まないガスを導入する。このようにして図３の（２）示すように、コンタクトホール１４の底部における半導体基板１１の表面と当該コンタクトホール１４の含む内壁と絶縁膜１２の上面とに窒化チタン膜１５を成膜する。
【００３０】上記窒化チタン膜１５の成膜方法では、図１で説明した前処理方法を行った後、希ガス雰囲気を半導体基板１１が酸化されない真空度の圧力雰囲気にし、さらに連続して、その圧力雰囲気に窒化チタン膜１５を成膜するガスで酸化性ガスを含まないガスを導入して窒化チタン膜１５を成膜することにより、ガス系を変えるだけで窒化チタン膜１５が成膜される。このため、コンタクトホール１４の底部に露出している半導体基板１１の表面を清浄な状態に保持した状態で窒化チタン膜１５が成膜されるので、半導体基板１１と窒化チタン膜１５との接続は電気的接続性能が高いものになる。すなわち、電気的に優れたオーミック接合になる。」
　
　以上の記載から、刊行物１には、以下の発明が記載されている。
「半導体基板１１の上面にコンタクトホール１４が形成された絶縁膜１３を形成する段階と、前記コンタクトホール１４の底部における前記半導体基板１１の表面を、希ガスによる低エネルギーのＥＣＲ法プラズマによってエッチングする段階と、続いて、窒化チタン膜１５を成膜するガスで酸化性ガスを含まないガスを導入して、前記コンタクトホール１４の底部における前記半導体基板１１の表面と前記コンタクトホール１４の内壁と前記絶縁膜１３の上面とに前記窒化チタン膜１５を成膜する段階とを含めてなることを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
刊行物２．特開平６−２９５９０４号公報
　原審の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物２（特開平６−２９５９０４号公報）には、図１とともに、「配線の形成方法」（発明の名称）に関して、以下の事項が記載されている。
ア　「【０００９】図１（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実施例を説明するための工程順に示した半導体チップの断面図である。
【００１０】まず、図１（ａ）に示すように、シリコン基板１の上に酸化シリコン膜２を形成し、酸化シリコン膜２を選択的にエッチングして接続孔３を形成する。
【００１１】次に、図１（ｂ）に示すように、接続孔３を含む酸化シリコン膜２の表面に窒化チタン膜４を形成して表面を被覆する。
【００１２】次に、図１（ｃ）に示すように、ジメチルアルミニウムハイドライドを原料とし、成長室の圧力１．３Ｔｏｒｒ，キャリア水素の流量３００ＳＣＣＭの気相化学成長法で、接続孔３を含む表面にアルミニウム膜５を堆積し、接続孔３内にアルミニウム膜５を充填する。」
イ　「【００１７】なお、本実施例で用いたジメチルアルミニウムハイドライドの代りにトリイソブチルアルミニウム，トリメチルアミンアラン，ジエチルアルミニウムハイドライドのいずれかを用いても良く、窒化チタン膜の代りにチタン膜又は窒化タングステン膜を用いても良い。」
　
第４　対比
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）と刊行物１に記載された発明（以下、「刊行物１発明」という。）とを対比する。
（ａ）刊行物１発明の「半導体基板１１」、「コンタクトホール１４」、「絶縁膜１３」は、それぞれ、本願発明１の「半導体基板」、「コンタクトホール」、「絶縁膜」に相当するので、刊行物１発明の「半導体基板１１の上面にコンタクトホール１４が形成された絶縁膜１３を形成する段階」は、本願発明１の「半導体基板上にコンタクトホールを有する絶縁膜を形成する段階」に相当する。
（ｂ）刊行物１発明の「希ガス」、「低エネルギーのＥＣＲ法プラズマによってエッチングする」ことは、本願発明１の「不活性ガス」、「ＥＣＲプラズマによるプラズマ処理」に相当し、また、本願発明１の「ＲＦプラズマ又はＥＣＲプラズマによるプラズマ処理」は、「ＲＦプラズマ」「によるプラズマ処理」と「ＥＣＲプラズマによるプラズマ処理」との択一的な記載であるから、「ＲＦプラズマ」「によるプラズマ処理」と「ＥＣＲプラズマによるプラズマ処理」のいずれか一つを選択することで足りるので、刊行物１発明の「前記コンタクトホール１４の底部における前記半導体基板１１の表面を、希ガスによる低エネルギーのＥＣＲ法プラズマによってエッチングする段階」は、本願発明１の「前記絶縁膜が形成された前記半導体基板に対し、不活性ガスを使用したＲＦプラズマ又はＥＣＲプラズマによるプラズマ処理を施す段階」に相当する。
（ｃ）刊行物１発明の「続いて、窒化チタン膜１５を成膜するガスで酸化性ガスを含まないガスを導入して、前記コンタクトホール１４の底部における前記半導体基板１１の表面と前記コンタクトホール１４の内壁と前記絶縁膜１３の上面とに前記窒化チタン膜１５を成膜する段階」において、刊行物１発明の「窒化チタン膜１５を成膜するガスで酸化性ガスを含まないガスを導入」することは、刊行物１の摘記事項イの「ＣＶＤ法によって、窒化チタン膜を成膜する」という記載を参酌すると、「ＣＶＤ法」による「窒化チタン膜１５を成膜するガスで酸化性ガスを含まないガスを導入」することであり、この「ＣＶＤ法」は、本願の発明の詳細な説明の【０００９】段落に記載の「低圧化学気相蒸着（ＬＰＣＶＤ）」に対応し、かつ、本願発明１の「蒸着」に相当する。また、刊行物１発明の「前記コンタクトホール１４の底部における前記半導体基板１１の表面と前記コンタクトホール１４の内壁と前記絶縁膜１３の上面」は、本願発明１の「半導体基板の全面」に相当し、刊行物１発明では、「半導体基板１１の表面を、希ガスによる低エネルギーのＥＣＲ法プラズマによってエッチング」しているので、刊行物１発明の「半導体基板１１」は、プラズマ処理されている。さらに、刊行物１発明の「窒化チタン膜１５」と本願発明１の「タングステン窒化薄膜」は、「窒化薄膜」である点で共通する。よって、刊行物１発明の「続いて、窒化チタン膜１５を成膜するガスで酸化性ガスを含まないガスを導入して、前記コンタクトホール１４の底部における前記半導体基板１１の表面と前記コンタクトホール１４の内壁と前記絶縁膜１３の上面とに前記窒化チタン膜１５を成膜する段階」は、本願発明１の「前記プラズマ処理された半導体基板の全面に」「窒化薄膜を蒸着することにより、」「窒化薄膜を形成する段階」に相当する。
　すると、本願発明１と刊行物１発明とは、
「半導体基板上にコンタクトホールを有する絶縁膜を形成する段階と、前記絶縁膜が形成された前記半導体基板に対し、不活性ガスを使用したＲＦプラズマ又はＥＣＲプラズマによるプラズマ処理を施す段階と、前記プラズマ処理された半導体基板の全面に窒化薄膜を蒸着することにより、窒化薄膜を形成する段階とを含めてなることを特徴とする半導体装置の製造方法。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
　相違点１
　本願発明１は、「前記プラズマ処理された半導体基板の全面にタングステン窒化薄膜を蒸着することにより、表面が滑らかで段差塗布性が良好な前記タングステン窒化薄膜を形成する段階」を備えているのに対して、刊行物１発明は、「窒化チタン膜１５を成膜するガスで酸化性ガスを含まないガスを導入して、」「窒化チタン膜１５を成膜する」段階を備えている点。
　
第５　当審の判断
　以下において、相違点１について検討する。
（ａ）刊行物２の摘記事項アには、「接続孔３を含む酸化シリコン膜２の表面に窒化チタン膜４を形成して表面を被覆する。」（【００１１】段落）ことが、記載されており、また、刊行物２の摘記事項イには、「窒化チタン膜の代りに」「窒化タングステン膜を用いても良い。」（【００１７】段落）ことが、記載されている。
　また、障壁金属層、すなわち、バリア層として、「窒化チタン」と「窒化タングステン」は、いずれも、周知の材料である。
（ｂ）例えば、以下の周知文献１，２に記載されているように、半導体装置の製造方法において、障壁金属層、すなわち、バリア層として、窒化タングステン膜をＣＶＤ法により形成することは、周知技術である。
　なお、ＣＶＤ法は、本願発明１の「蒸着」に相当する。
（ｃ−１）周知文献１．特開平５−１２９２３１号公報（原審の拒絶理由通知に引用）（図１〜図３、図５、図６、及び、【０００７】、【００１０】、【００１２】、【００１４】、【００１５】段落参照）には、「【０００７】・・・窒化タングステン膜は、ＴｉＮ，ＴｉＷ膜と同様に高融点で緻密であり、Ｓｉ基板とのオーミック接触も容易に得られるために、Ａｌ，Ｃｕ等の低抵抗金属のバリア層として用いることもできる。」、「【００１０】その後に、図２に示す様に、ＮＨ3 ，ＷＦ6 ，Ｈ2 を用いた低圧ＣＶＤ法により、形成温度４００℃で窒化タングステン膜３を全面に厚さ５−５０ｎｍ堆積させた。」こと、「【００１２】・・・窒化タングステン膜３は、厚さ５ｎｍでも接着層およびバリア層としての機能は十分・・・」、「【００１４】・・・直径０.５μｍ のコンタクト孔ｈを形成した。　【００１５】次に、図６に示す様に、ＨＦ溶液でコンタクト底部の自然酸化膜をエッチングした後、低圧ＣＶＤ法により形成温度６００℃で窒化タングステン膜３を２０ｎｍ、全面に堆積させた。」ことが、記載されている。
（ｃ−２）周知文献２．特開平６−３１４７７６号公報（原審の拒絶理由通知に引用）（図３、図４、及び、【００１８】、【００３１】段落参照）には、「【００１８】また、本発明の第４、第５の発明に係るキャパシタ構造においては、ドープドポリSi層上に、段差被覆性の優れたＣＶＤ法により金属窒化物膜を下部電極として形成するので、プレーナ構造以外の電極の側壁をも使用するような複雑な電極構造にも対応することが可能となり、単位平面積当たりのキャパシタ容量の増大が図れる。更に、この金属窒化物膜は比抵抗が小さく、しかも酸素のバリア層として機能するので、多結晶シリコン層上に低誘電率のシリコン酸化膜が形成されることがなく、ペロブスカイト誘電体膜の高い誘電率による高いキャパシタ容量はそのまま維持される。」、「【００３１】・・・次に、下部電極として金属窒化物である４の窒化チタン膜をＣＶＤ法で形成した後（図４(e))、ドライエッチングでパターニングすると図４(f) のようになる。この時、金属窒化物として、窒化チタン、窒化ジルコニウム、窒化ハフニウム、窒化バナジウム、窒化ニオブ、窒化タンタル、窒化クロム、窒化モリブデン、窒化タングステン、窒化パラジウムを用いることも可能である。」ことが、記載されている。
（ｄ）刊行物１には、「コンタクトホール１４の底部における半導体基板１１の表面には、極薄い酸化膜３１が形成される。」（【００１６】段落）こと、「希ガス」による「ＥＣＲ」「法による」「ソフトエッチング」によって、「極薄い酸化膜３１」「を除去する」（【００２１】、【００２４】、【００２８】段落）こと、その後に、「窒化チタン膜を成膜するガスで酸化性ガスを含まないガスを導入する。」（【００２９】段落）ことが、記載されている。
　そして、上記（ａ）に記載のように、刊行物２には、「窒化チタン膜の代りに」「窒化タングステン膜を用いても良い。」ことが記載され、また、障壁金属層、すなわち、バリア層として、「窒化チタン」と「窒化タングステン」は、いずれも、周知の材料であり、かつ、上記（ｂ）に記載のように、窒化タングステン膜をＣＶＤ法により形成することも、周知技術であり、窒化タングステン膜をＣＶＤ法により形成する際にも、刊行物１発明と同様に、コンタクトホールの底部における半導体基板の表面の極薄い酸化膜を除去する処理を行うのが自然である。よって、半導体基板の表面の極薄い酸化膜の除去を、希ガスによるＥＣＲ法プラズマによるソフトエッチングを用いて行っている刊行物１発明において、障壁金属層（バリア層）として「窒化チタン膜１５」の代わりに「窒化タングステン膜」を採用することに格別の阻害要因は認められない。
（ｅ）刊行物１発明の「前記コンタクトホール１４の底部における前記半導体基板１１の表面を、希ガスによる低エネルギーのＥＣＲ法プラズマによってエッチングする段階」により、「半導体基板１１の表面」のみならず、「コンタクトホール１４」の内壁や「絶縁膜」の表面の汚染物質等も除去されることは明らかであるから、少なくとも、刊行物１発明の「前記コンタクトホール１４の底部における前記半導体基板１１の表面を、希ガスによる低エネルギーのＥＣＲ法プラズマによってエッチングする段階」を行うと、それ以前よりは、「コンタクトホール１４」の内壁や「絶縁膜」の表面が、一般的には滑らかになるものであり、形成されるどのような窒化薄膜の表面も、より滑らかになることは明らかである。
　また、本願の図面の図３と図４を参照すると、本願発明１の「プラズマ処理を施」した、図４では、コンタクトホールの入口の角部分が、テーパー形状になっているので、図３と比較して、どのような窒化薄膜を形成した場合でも、段差塗布性がより良好になることが明らかであるが、刊行物１発明の「希ガスによる低エネルギーのＥＣＲ法プラズマによってエッチングする」処理は、本願発明１の「プラズマ処理」と同等の処理であるから、当然ながら、刊行物１発明においても、上記処理によって、本願の図面の図４のように、コンタクトホール１４の入口の角部分が、ある程度テーパー形状化するものと認められる。
　よって、事前にプラズマ処理を行えば、どのような窒化薄膜を成膜した場合でも、表面がより滑らかになり、段差塗布性が良好になると認められるから、本願発明１の「表面が滑らかで段差塗布性が良好な」点は、「窒化チタン膜１５」の代わりに「窒化タングステン膜」を採用したことによる特有の効果とは認められない。
（ｆ）すると、刊行物１発明の「続いて、窒化チタン膜１５を成膜するガスで酸化性ガスを含まないガスを導入して、前記コンタクトホール１４の底部における前記半導体基板１１の表面と前記コンタクトホール１４の内壁と前記絶縁膜１３の上面とに前記窒化チタン膜１５を成膜する段階」の「窒化チタン膜１５」の代わりに、上記（ａ）に記載のように、「窒化タングステン膜」を採用し、上記（ｂ）に記載の周知技術である、窒化タングステン膜をＣＶＤ法により形成することを用い、また、上記（ｄ）及び（ｅ）の記載も考慮して、刊行物１発明が、本願発明１のごとく、「前記プラズマ処理された半導体基板の全面にタングステン窒化薄膜を蒸着することにより、表面が滑らかで段差塗布性が良好な前記タングステン窒化薄膜を形成する段階」を備えるようにすることは、当業者が適宜なし得たことである。
　
　したがって、本願の請求項１に係る発明は、刊行物１及び２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第６　むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、本願の他の請求項に係る発明についての検討をするまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。