【事件の表示】
　平成１１年特許願第２８１０８号「ダイオード」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年８月１５日出願公開，特開２０００−２２８４０４〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
 
第１　手続の経緯
　本願は，平成１１年２月５日の出願であって，平成１８年３月３日付けの拒絶理由に対して，平成１８年５月８日に手続補正書及び意見書が提出されたが，平成１８年８月３０日付けで拒絶査定がされ，これに対し，平成１８年１０月５日に審判が請求されるとともに，平成１８年１１月６日に手続補正書が提出されたものである。
　
第２　平成１８年１１月６日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）についての補正却下の決定
　　
〔補正却下の決定の結論〕
　本件補正を却下する。
　
〔理由〕
１　本件補正の内容
（１）本件補正は，特許請求の範囲（全請求項数は４個で，請求項２〜４は先行する請求項を引用するもの）を補正する補正内容を含むものであるところ，補正前後の請求項１の記載は，次のとおりである。
　
《本件補正前》
【請求項１】
「第１導電型の第１の半導体層と，
　前記第１の半導体層上に形成され，第１の半導体層より不純物濃度が低い第１導電型の第２の半導体層と，
　前記第２の半導体層上に形成され，第２の半導体層より不純物濃度が低い第1導電型の第３の半導体層と，
　前記第３の半導体層内に形成された第２導電型の第４の半導体層と，
　前記第１の半導体層とオーミック接触する第１の主電極と，
　前記第４の半導体層とオーミック接触する第２の主電極を有するダイオードにおいて，
　前記第２及び３の半導体層の不純物濃度及び厚さが，電源電圧が第１及び第２の主電極間に加わったとき空乏層が第１の半導体層に達しないように選ばれていることを特徴とするダイオード。」
　　
《本件補正後》（下線は補正か所）
【請求項１】　
「
上アーム側，下アーム側にＩＧＢＴ素子と，該ＩＧＢＴ素子に逆並列にダイオードを備えたインバータ回路において，
　
前記ダイオードは，
　前記第１の半導体層上に形成され，第１の半導体層より不純物濃度が低い第１導電型の第２の半導体層と，
　前記第２の半導体層上に形成され，第２の半導体層より不純物濃度が低い第１導電型の第３の半導体層と，
　前記第３の半導体層内に形成された第２導電型の第４の半導体層と，
　前記第１の半導体層とオーミック接触する第１の主電極と，
　前記第４の半導体層とオーミック接触する第２の主電極と，
　前記第２及び３の半導体層の不純物濃度及び厚さが，電源電圧が第１及び第２の主電極間に加わったとき空乏層が第１の半導体層に達しないように選ばれていることを特徴とする
インバータ回路
　
２　補正目的の適否
（１）特許法１７条の２第１項４号（審判請求に伴う補正）の規定に基づいて特許請求の範囲についてする補正は，同条第４項１号〜４号に掲げる事項を目的とするものに限られる。
　
（２）請求項１についての本件補正が，同１号に規定する請求の範囲の削除，同３号に規定する誤記の訂正，同４号に規定する明りょうでない記載の釈明（拒絶の理由に示す事項についてするものに限る）のいずれにも該当しないことは明らかである。
　
（３）そこで，請求項１についての本件補正が，同２号に規定する特許請求の範囲の減縮（請求項に記載した発明を特定するために必要な事項を限定するもの）に該当するかについて，以下，検討する。
　本件補正前の請求項１の記載によれば，発明の対象は，「特定構造を有するダイオード」（単体）であり，その第１の主電極と第２の主電極の間に電源電圧が加わるところまでしか規定されていない。これに対し，本件補正後の請求項１に規定された発明は，「インバータ回路」であり，インバータを構成する上アーム側と下アーム側に，ＩＧＢＴとこれに逆並列に接続された特定構造を有するダイオードを備えたものである。
　本件補正前の請求項１に規定されたものは，飽くまでも「特定構造を有するダイオード」（単体）であって，特定の電気回路に組み込まれることについては，直接の規定も，上位概念による規定もない。
　そうすると，請求項１についての本件補正は，発明の対象を「特定構造のダイオード」（単体）から，これを利用した特定の電気回路に変更するものであり，特許法１７条の２第４項２号に規定する特許請求の範囲の減縮（請求項に記載した発明を特定するために必要な事項を限定するもの）に該当するとはいえない。
　
（４）以上の検討によれば，請求項１についての本件補正は，特許法１７条の２第４項１号〜４号に規定するいずれの補正目的にも該当しない。
　
３　したがって，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則３条１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法１７条の２第４項の規定に違反するので，同法１５９条１項において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下すべきものである。　
　
第３　本願発明の新規性（特許法２９条１項３号該当性）
１　本願発明
　上記第２のとおり本件補正は却下されたので，本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，本件補正前の特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりのものであり，再掲すると，次のとおりである。
　
「第１導電型の第１の半導体層と，
　前記第１の半導体層上に形成され，第１の半導体層より不純物濃度が低い第１導電型の第２の半導体層と，
　前記第２の半導体層上に形成され，第２の半導体層より不純物濃度が低い第1導電型の第３の半導体層と，
　前記第３の半導体層内に形成された第２導電型の第４の半導体層と，
　前記第１の半導体層とオーミック接触する第１の主電極と，
　前記第４の半導体層とオーミック接触する第２の主電極を有するダイオードにおいて，
　前記第２及び３の半導体層の不純物濃度及び厚さが，電源電圧が第１及び第２の主電極間に加わったとき空乏層が第１の半導体層に達しないように選ばれていることを特徴とするダイオード。」
　
２　引用例の記載と引用発明
（１）原査定の拒絶の理由に引用された，本願の出願日前に頒布された刊行物である特開昭６１−２４８５５５号公報（以下「引用例」という。）には，第１〜３図とともに，次の記載がある。
　
ア　「本発明は，高いドーピング濃度Ｃ０を有する第１導電型の基板，同じ第１導電型でＣ＜Ｃ０の低いドーピング濃度を有するエピタキシャル表面層，このエピタキシャル表面層と主プレーナｐｎ接合を形成しその領域の大部分に亘って接合深さＸｊを有する前記第１導電型と反対の第２導電型の表面隣接領域，および前記の第２導電型のフローティングガードリング（ｆｌｏａｔｉｎｇ　ｇｕａｒｄｒｉｎｇｓ）構造を有する半導体デバイスに関するものである。
（中略）
　本発明は，整流ダイオード，電界効果トランジスタ，バイポーラトランジスタ，サイリスタおよび特に高い電圧で働く電力用デバイスに極めて有利に用いることができる。」（２頁右上欄２〜１６行）
　
イ　「本発明は，高いドーピング濃度Ｃ０を有する第１導電型の基板，同じ第１導電型でＣ＜Ｃ０の低いドーピング濃度Ｃを有するエピタキシャル表面層，このエピタキシャル表面層と主プレーナｐｎ接合を形成しその領域の大部分に亘って接合深さＸｊを有する前記第１導電型と反対の第２導電型の表面隣接領域，および前記の第２導電型のフローティングガードリング構造を有する半導体デバイスにおいて，基板とエピタキシャル表面層との間に，Ｃ０＞Ｃ’＞Ｃのドーピング濃度Ｃ’を有する第２エピタキシャル層が設けられたことを特徴とするものである。」（２頁左下欄下から２行〜右下欄１０行）
　
ウ　「前記の接合１３に対応する表面領域は金属電極２１で被覆され，・・・」（３頁右下欄下から２行以下）
　
エ　「第１図よりわかるように，半導体素子は，基板１１とエピタキシャル表面層１２との間に更にキャリヤ濃度Ｃ’の第２エピタキシャル層１５を有する。この濃度の異なる２つのエピタキシャル層の形態は，これ等層の濃度と厚さを所定の適当な値とすることによって，フローティングガードリングが設けられた場合に所定のブレークダウン電圧を有し，「オン」状態において最小抵抗Ｒｏｎを有するデバイスを得ることを可能とする。（中略）このクラスの各デバイス１６は，この場合，一方においては特定構造のガードリングを，また他方においは（審決注：「おいは」は「おいては」の誤記である。），やはり第１図のように基板１１とエピタキシャル表面層１２間に位置する第２エピタキシャル層１５を有する。この第２エピタキシャル層１５は，Ｃよりも高いキャリヤ濃度Ｃ’を有し，その厚さｅ’は，和ｅ＋ｅ’が最大でもｅ０と等しいような厚さである。」（４頁左上欄７行〜右上欄１２行）
　
オ　「第２（ａ）図は，プレーナ構造の場合先ず基準デバイス１７に対し，単一エピタキシャル層１８の厚さｅ０と濃度Ｃを，エピタキシャル表面層１２のブレークダウン電圧が少なくとも最高動作電圧Ｖｍに等しくまた「オン」状態の抵抗Ｒｏｎが最小であるように計算する第１の方法によってつくられたそのクラスの１つのデバイス１６を示す。次いで，深さＸｊを有するｐｎ接合１３と関係するフローティングガードリングの前記の特定構造が決められる。次いで，そのクラスの各デバイス１６に対し，ブレークダウン電圧が少なくとも最大動作電圧Ｖと等しくまた「オン」状態の抵抗Ｒｏｎが最小となるように，ｅ＋ｅ’＝ｅ０を維持しながら厚さｅとｅ’および濃度Ｃ’を計算する。当業者にはよく知られているこの計算に関しては，１０頁と１１頁に計算法と関係刊行物が記載されている前記の欧州特許出願が参考になる。
　本願人（審決注：「本願人」は「本発明」の誤記と認める。）は，例えば８００Ｖの最大動作電圧Ｖｍを有する基準デバイスを次のようなパラメータ
Ｘｊ＝６μｍ　ｅ０＝８０μｍ　Ｃ＝１０１４ｃｍ−３と次のようなリング構造（第３図参照）
（中略）
によって形成した。
　同じリング構造を次のパラメータで形成された５００Ｖの最大動作電圧Ｖを有するデバイスを得るのに用いることができ，
　Ｃ’＝２・１０１４ｃｍ−３，ｅ＝２０μｍ　ｅ’＝６０μｍ
エピタキシャル層の全体の持続時間（ｄｕｒａｔｉｏｎ）は何れの場合も同じである。」（４頁右上欄１３行〜右下欄６行）　
　
（２）上記ア〜オによれば，引用例には，次の半導体デバイスの発明（以下「引用発明」という。）が記載されているといえる。
　
「ドーピング濃度Ｃ０を有する第１導電型の基板（１１）と，ドーピング濃度Ｃ’を有する第２エピタキシャル層（１５）と，ドーピング濃度Ｃを有するエピタキシャル表面層（１２）と，エピタキシャル表面層（１２）内に形成された第２導電型の表面隣接領域（主ｐｎ接合（１３）を構成する。）と，当該第２導電型の表面隣接領域を被覆する金属電極（２１）とを有し，
　ドーピング濃度Ｃ０，Ｃ’，Ｃが，Ｃ０＞Ｃ’＞Ｃの関係を満たすようにされている，半導体デバイス。」
　
　引用例には，「金属電極（２１）」が「第２導電型の表面隣接領域」とオーミック接触すること，及び第１導電型の基板とオーミック接触する電極を備えることについて，特に言及されていないが，この点は自明の事項であるから，上記の引用発明は，第２導電型の表面隣接領域とオーミック接触する金属電極（２１）及び第１導電型の基板とオーミック接触する電極を備えていることが明らかである。
　
　また，引用例では，表面周辺にフローティングガードリングが設けられることを前提に，半導体デバイスの構成が説明されているが，上記の引用発明が開示されていることに変わりはない。
　
３　本願発明と引用発明の対比
（１）ア　引用発明の「第１導電型の基板」，「第２エピタキシャル層」，「エピタキシャル表面層」，「エピタキシャル表面層内に形成された第２導電型の表面隣接領域」は，それぞれ，本願発明の「第１導電型の第１の半導体層」，「第１導電型の第２の半導体層」，「第１導電型の第３の半導体層」，「第３の半導体層内に形成された第２導電型の第４の半導体層」に相当する。
　　　イ　引用発明の「ドーピング濃度」は，本願発明でいう「不純物濃度」と同義であり，引用発明では，「第１導電型の基板」のドーピング濃度Ｃ０と「第２エピタキシャル層」のドーピング濃度Ｃ’と「エピタキシャル表面層」のドーピング濃度Ｃの関係が，Ｃ０＞Ｃ’＞Ｃとされているから，本願発明における「第１の半導体層」と「第２の半導体層」と「第３の半導体層」の不純物濃度の関係と同じである。
　　　ウ　引用発明の「第１導電型の基板とオーミック接触する電極」と「第２導電型の表面隣接領域とオーミック接触する金属電極」は，それぞれ，本願発明の「第１の半導体層とオーミック接触する第１の主電極」，「第４の半導体層とオーミック接触する第２の主電極」に相当する。
　　　エ　引用発明に係る半導体デバイスが「ダイオード」を包摂するものであることは，引用例の「本発明は，整流ダイオード，・・・に用いることができる。」との記載からも，明らかである。
　　　オ　引用例には，電源電圧が電極間に加わったときの空乏層の分布について言及されていない。
　
（２）一致点及び相違点
　そうすると，本願発明と引用発明の一致点及び相違点は，次のとおりとなる。
　
《一致点》
　「第１導電型の第１の半導体層と，
　前記第１の半導体層上に形成され，第１の半導体層より不純物濃度が低い第１導電型の第２の半導体層と，
　前記第２の半導体層上に形成され，第２の半導体層より不純物濃度が低い第1導電型の第３の半導体層と，
　前記第３の半導体層内に形成された第２導電型の第４の半導体層と，
　前記第１の半導体層とオーミック接触する第１の主電極と，
　前記第４の半導体層とオーミック接触する第２の主電極を有するダイオード。」
　
《相違点》
　本願発明においては，第２及び３の半導体層の不純物濃度及び厚さが，電源電圧が第１及び第２の主電極間に加わったとき空乏層が第１の半導体層に達しないように選ばれているのに対し，引用発明において，電源電圧が電極間に加わったときに空乏層が第１の半導体層に達しないようにされているか否か明らかでない点。
　
４　相違点についての検討
（１）一般に，ダイオードの電極間に逆方向電圧を加えると，第１導電型の半導体層と第２導電型の半導体層の接合部分（ｐｎ接合）から，不純物濃度に依存して空乏層が広がるが，空乏層が高濃度不純層の部分（本願発明の第１の半導体層に相当）に達してしまうとリーチスルーないしパンチスルー状態となり，ダイオードにブレークダウンを引き起こす原因となることはよく知られた原理であり，ブレークダウンの現象を積極的に利用するような場合を除き，通常は，電源電圧が電極間に加わったときに空乏層が高濃度不純物層の部分に達しないようになされているものと理解できる。
　
（２）そして，引用発明に係る半導体デバイスでは，ブレークダウン電圧が最大動作電圧より高く，かつ，順方向抵抗が小さくなるように，半導体デバイスを構成する層の厚さやドーピング濃度（不純物濃度）が設定されるのであるから（引用例２頁右上欄下から３行〜左下欄６行），引用発明においても，第２及び３の半導体層の不純物濃度及び厚さが，電極間に電圧が加わったときに，空乏層が第１の半導体層に達しないように選ばれているものと考えるのが自然である。
　
（３）そうすると，上記相違点に係る構成は，引用発明も実質的に備えているものといえるから，本願発明は引用発明の通常の使用状態と区別することができない。
　
５　以上のとおり，本願発明は，引用発明を包摂するから，特許出願前に日本国内において頒布された刊行物に記載された発明ということができる。
　
　なお，審判請求人は，意見書（平成１８年５月８日提出）や審判請求理由（平成１９年１月１８日提出）において，本願発明の構成によれば「大きな跳ね上がり電圧が発生するのを防止するとともに，順方向電圧降下が低いダイオード」が得られる旨主張する。
　しかし，本願明細書の発明の詳細な説明及び図４〜８の説明によれば，本願発明は，ダイオードに誘導性の負荷が接続されている場合に，リカバリー動作時の電流の変化率を小さくすることによって，跳ね上がり電圧を小さくすることを課題とするものであり，この課題は，不純物濃度を段階的に高くし，かつ，不純物濃度の上昇でキャリアのライフタイムが低下することによるキャリア消滅の影響が防止できる範囲に不純物濃度を設定することにより，初めて実現できるものである。空乏層が第１の半導体層に接しないことは十分条件とはされていないし，また，上に述べたように，空乏層が第１の半導体に接しないこと自体は，ダイオードの通常の動作状態でも実現されていることである。
　ところが，本願の特許請求の範囲の請求項１には，これらの点について何ら規定されていない。　
　特許請求の範囲は，「特許出願人が特許を受けようとする発明を特定するために必要と認める事項のすべて」を記載したものである（特許法３６条５項）。自らの意思により特許請求の範囲で特定した発明について，特許請求の範囲の記載を離れて発明の効果等を主張することはできない。
　そして，特許請求の範囲の記載上，本願発明が引用発明と区別できないことは，上記４で検討したとおりである。
　
６　結言
　以上の次第で，本願発明は，特許出願前に日本国内において頒布された刊行物に記載された発明であるから，特許法２９条１項３号に掲げる発明に該当し，特許法２９条１項の規定により，特許を受けることができない。
　
　よって，結論のとおり審決する。