【事件の表示】
　平成　８年特許願第２６４４０７号「薄膜厚測定装置」拒絶査定不服審判事件〔平成　９年　６月　３日出願公開、特開平　９−１４３７２２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯 
　本願は、平成８年１０月４日（パリ条約による優先権主張１９９５年１１月８日、韓国）の出願であって、平成１７年９月２日付けで拒絶理由が起案され、平成１８年３月９日に意見書及び明細書の記載に係る手続補正書の提出がなされ、同年５月１０日付けで拒絶査定が起案され、同年８月８日に拒絶査定不服の審判請求及び明細書の記載に係る手続補正書の提出がなされ、平成２０年１０月２８日付けで特許法第１６４条第３項に基づく報告を引用した審尋が起案され、期間を指定して請求人の意見を求めたところ、請求人からの回答書の提出が無かったものである。
　
２．平成１８年８月８日付けの手続補正について
［補正却下の決定の結論］
　平成１８年８月８日付けの手続補正（以下、必要に応じて「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
（１）本件補正により、平成１８年３月９日付けの手続補正書の特許請求の範囲 
「【請求項１】　半導体素子の薄膜形成プログラムを補正するための薄膜厚測定装置において、
　薄膜形成装置における処理の終了後に、冷却のために待機させるウェ−ハを一時的に支持する支持部材と、
　前記支持部材から冷却済みのウェ−ハが移送される際に該ウェ−ハを持ち上げるウェ−ハリフタと、
　前記支持部材及び前記ウェ−ハリフタを外部と隔離するためにその側面を取り囲む冷却室壁と、
　前記冷却室壁の上部に位置する冷却室蓋と、
　前記冷却室蓋の所定の位置に搭載されていて、前記支持部材からの冷却済みのウェ−ハの移送の際に前記ウェ−ハリフタによって該ウェ−ハが持ち上げられた状態で該ウェ−ハの膜厚を測定する薄膜厚測定センサと、
　を備えることを特徴とする薄膜厚測定装置。
　【請求項２】　前記薄膜厚測定センサは、前記ウェ−ハと非接触に膜厚を測定することを特徴とする請求項１に記載の薄膜厚測定装置。
　【請求項３】　前記薄膜形成装備は、単一型金属蒸着装置であることを特徴とする請求項１に記載の薄膜厚測定装置。
　【請求項４】　前記薄膜厚測定センサにより測定した膜厚に基づいて前記薄膜形成装置における前記薄膜形成プログラムのパラメータを調整する調整手段をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の薄膜厚測定装置。」が、次のように補正された。
「【請求項１】　半導体素子の薄膜形成プログラムを補正するための薄膜厚測定装置において、
　薄膜形成装置における処理の終了後に、冷却室で冷却のために待機させるウェーハを一時的に支持する支持部材と、
　前記支持部材から冷却済みのウェーハが移送させる際に該ウェーハを持ち上げるウェーハリフタと、
　前記支持部材及び前記ウェーハリフタを外部と隔離するためにその側面を取り囲む冷却室壁と、
　前記冷却室壁の上部に位置する冷却室蓋と、
　前記冷却室蓋の所定の位置に搭載されていて、同一の冷却室内で前記支持部材からの冷却済みのウェーハの移送の際に前記ウェーハリフタによって該ウェーハが持ち上げられた状態で該ウェーハの膜厚を測定する薄膜厚測定センサと、
　を備えることを特徴とする薄膜厚測定装置。
　【請求項２】　前記薄膜厚測定センサは、前記ウェーハと非接触に膜厚を測定することを特徴とする請求項１に記載の薄膜厚測定装置。
　【請求項３】　前記薄膜形成装備は、単一型金属蒸着装置であることを特徴とする請求項１に記載の薄膜厚測定装置。
　【請求項４】　前記薄膜厚測定センサにより測定した膜厚に基づいて前記薄膜形成装置における前記薄膜形成プログラムのパラメータを調整する調整手段をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の薄膜厚測定装置。」
（２）そして、本件補正は、平成１８年３月９日付けの手続補正書の特許請求の範囲の請求項１おける「冷却のために待機させるウェーハを一時的に支持する支持部材」及び「前記支持部材からの冷却済みのウェーハの移送の際に前記ウェーハリフタによって該ウェーハが持ち上げられた状態で該ウェーハの膜厚を測定する薄膜厚測定センサ」を「冷却室で冷却のために待機させるウェーハを一時的に支持する支持部材」及び「同一の冷却室内で前記支持部材からの冷却済みのウェーハの移送の際に前記ウェーハリフタによって該ウェーハが持ち上げられた状態で該ウェーハの膜厚を測定する薄膜厚測定センサ」とするいわゆる限定的減縮を目的とする補正事項を内容としており、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる事項を目的とするものであるから、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項に規定する補正の要件を満たしているといえる。
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものかについて検討する。
（ｉ）原査定の拒絶の理由において引用文献２として引用された特開平０３−２６７３７２号公報（以下、「引用文献」という。）には次の事項が記載されている。 
（ア）「本発明は連続成膜方法にかかり、さらに詳しくはＬＳＩや薄膜ヘッド等の機能性薄膜を作成するにあたり、その薄膜の膜厚又は膜厚及び組成のバラツキを抑えることにより、後工程のエツチングバラツキや特性バラツキを低減するのに好敵な連続成膜方法に関する。」（第１頁右下欄第第１６行〜第２頁左上欄第１行）
（イ）「本発明の第２の連続成膜方法は、基板又は基板を保持した基板トレーを入れる仕込室と、基板上に薄膜を作成する成膜室と、基板又は基板トレーを取り出すための搬出室と、上記仕込室と成膜室と搬出室間において、基板又は基板トレーを搬送する搬送装置とを備え、順次仕込室に基板又は基板トレーを入れて、連続して成膜し、成膜された基板を順次搬出室から取り出す連続成膜方法において、成膜室から搬出室へ移送するステップにおいて、基板上に作成された膜の特性を測定し、測定結果に基づいて成膜室の成膜条件を変更することを特徴としている。
・・・
上記第２の発明によれば、測定結果に基づいて、次の成膜条件（成膜時間、基板温度、投入電力、バイアス電圧、ガス圧力等）を変更するため、所望の特性（膜厚、組成、その他電気伝導度等の諸特性）を有する薄膜を連続して得ることが可能になる。」（第２頁左下欄第３行〜同右下欄第１１行）
（ウ）「測定結果が所望の範囲外であれば、信号ＮＧを出力するとともに、測定された異常値や成膜の成変条件を成膜制御部マイクロコンピュータ３に出力する。」（第３頁左上欄第７〜１０行）
（エ）「第２図に示す成膜装置は、成膜されるべき基板２１もしくは該基板２１を少なくとも１枚以上保持している基板トレー２２をい入れる仕込室１１と、真空バルブで該仕込室と分離された予備排気・加熱室１２と、該基板に成膜を行う成膜室１３と、成膜された基板を冷却する冷却室を兼ねた測定室１４と、各処理を終えた基板又は基板を保持している基板トレーを取り出す搬出室１５からなる成膜装置であり、」（第３頁右上欄第１〜９行）
（オ）「測定室１４における測定の結果、膜厚が予定より薄かった場合、成膜室１３にもどされて追加成膜される。
　第３図は第２図に示す成膜装置における成膜室１３と測定室１４の概略を示す図である。基板トレー２２は搬送用ローラ３２により移送され、各室は真空バルブ２４によって隔てられている。本実施例の場合、非破壊の測定位置であるＸ線源２６や受光・カウンタ一部２７を真空槽３０の外に出しているが、中に入れてもよいことは言うまでもない。」（第３頁右上欄第１８行〜同左下欄第７行）
　また、当審決において周知例として提示する本願出願前日本国内において頒布された刊行物である特開平５−２９４４３号公報（以下、「周知例」という。）には次の事項が記載されている。
（カ）「本発明による一実施例のウエーハ冷却装置は図１に示すように、クーリングプレート１の表面に一定の間隔を設けてウエーハ１１を保持するホルダー１０が設けられており、このクーリングプレート１の周囲にチャンバ３を密着させて密閉された空間を形成している。」（段落【００１１】） 
（キ）「チャンバ３にはこの空間内の圧力を検知する圧力センサ４と、この空間内の空気を排気する配管に設けた真空用バルブ５と、絞り弁７を介してこのチャンバ３に接続されている窒素配管に設けた窒素用バルブ６とを設けている。
　この圧力センサ４の検知した圧力により作動して真空用バルブ５と窒素用バルブ６の開閉を制御するコントローラ９が設けられている。このウエーハ冷却装置を用いてウエーハを冷却するには、ウエーハ１１をクーリングプレート１の表面に一定の間隔を設けてホルダー１０に載置し、真空用バルブ５を開いてこの空間内の空気を排気し、この空間の圧力が規定の圧力に到達したことが圧力センサ４により検知された場合には、コントローラ９が作動して窒素用バルブ６を開くと、この窒素配管に供給されている窒素が絞り弁７により断熱膨張されてこの空間の温度が急速に低下し、ウエーハ１１が図３の本発明の冷却曲線に沿って急速に冷却される。
　ウエーハ１１の温度が冷却設定温度近くまで冷却されたことを温度センサ８が検知すると、コントローラ９が作動してホルダー１０が下降しウエーハ１１がクーリングプレート１の表面に載置され、ウエーハ１１の温度を冷却設定温度に維持することが可能となる。」（段落【００１３】〜【００１５】）
（ｉｉ）対比・判断
　引用文献の記載事項（ア）には「ＬＳＩ・・・の機能性薄膜を作成する」ことが記載され、記載事項（エ）には「成膜されるべき基板・・・に成膜を行う成膜室１３と、成膜された基板を冷却する冷却室を兼ねた測定室１４と、・・・からなる成膜装置」が記載され、記載事項（オ）には「測定室における測定」が「膜厚」についてのものであることが記載され、記載事項（イ）には、膜の特性として測定するものは膜厚が含まれる旨の記載があり、「測定結果に基づいて成膜室の成膜条件を変更すること」が記載され、記載事項（ウ）には「測定結果が所望の範囲外であれば、信号ＮＧを出力するとともに、測定された異常値や成膜の成変条件を成膜制御部マイクロコンピュータ３に出力する」ことが記載され、記載事項（イ）には「基板又は基板トレーを搬送する搬送装置とを備え」ることが記載されている。そして、記載事項（オ）には「搬送用ローラ３２により移送され」ること及び「Ｘ線源２６や受光・カウンタ一部２７を真空槽３０の外に出しているが、中に入れてもよい」ことが記載されている。
　これらを本願補正発明の記載ぶりに則って整理すると「成膜されるべき基板に成膜を行う成膜室と、搬送用ローラからなる搬送装置を有するＬＳＩの機能性薄膜を作成するための成膜装置を構成する、真空槽の外に出しているが、中に入れてもよいＸ線源や受光・カウンタ一部による膜厚測定結果に基づいて成膜室の成膜条件を成膜制御部マイクロコンピュータに出力して変更する、成膜された基板を冷却する冷却室を兼ねた測定室」の発明（以下、「引用発明」という。）が引用文献には記載されていると認められる。
　そこで、引用発明の「ＬＳＩ」が「大規模集積回路」のことであって、本願補正発明の「半導体素子」と同義であって、引用発明の「成膜されるべき基板」が本願補正発明の「ウェーハ」に相当することが明らかであることを踏まえて本願補正発明と引用発明を対比すると、引用発明の「膜厚測定結果に基づいて成膜室の成膜条件を成膜制御部マイクロコンピュータに出力して変更する」「測定室」が、本願補正発明の「半導体素子の薄膜形成プログラムを補正するための薄膜厚測定装置」に相当するということができ、また、引用発明が「ローラ」以外に基板の支持装置を有するものでなく、成膜後の冷却前の待機状態を含む期間中、引用発明の「ローラ」により基板は支持されていることは明らかであるから「搬送用ローラからなる搬送装置」は、本願補正発明の「薄膜形成装置における処理の終了後に、冷却室で冷却のために待機させるウェーハを一時的に支持する支持部材」に相当するということができる。さらに、引用発明の「冷却室を兼ねた測定室」が「壁」と「蓋」を有することは冷却と測定の機能からみて当然のことであり、該「壁」が搬送用ローラも含めて外部と隔離する機能を有することも自然であり、冷却室が測定室も兼ねる以上、各種センサの接続が必須となり、そのための「蓋」が上部に位置することも測定室として当然の事項にすぎない（要すれば、周知例記載事項（キ）チャンバ参照。）。そうすると、引用発明の「冷却室を兼ねた測定室」が本願補正発明の「支持部材を外部と隔離するためにその側面を取り囲む冷却室壁」及び「冷却室壁の上部に位置する冷却室蓋」を備えることは明らかである。そして、引用発明の「Ｘ線源や受光・カウンタ一部」は本願補正発明の「ウェーハの膜厚を測定する薄膜厚測定センサ」に相当するということができる。
　してみれば、本願補正発明と引用発明とは、
「半導体素子の薄膜形成プログラムを補正するための薄膜厚測定装置において、
　薄膜形成装置における処理の終了後に、冷却室で冷却のために待機させるウェーハを一時的に支持する支持部材と、
　前記支持部材を外部と隔離するためにその側面を取り囲む冷却室壁と、
　前記冷却室壁の上部に位置する冷却室蓋と、
　該ウェーハの膜厚を測定する薄膜厚測定センサと、
　を備えることを特徴とする薄膜厚測定装置。」である点で一致し、以下の点で相違する。
ａ　本願補正発明では、「支持部材から冷却済みのウェーハが移送させる際に該ウェーハを持ち上げるウェーハリフタ」を備えるのに対して、引用発明ではこの特定事項については記載のない点（以下、「相違点（ａ）」という。）。
ｂ　本願補正発明では、薄膜厚測定センサが「前記冷却室蓋の所定の位置に搭載されていて、同一の冷却室内で前記支持部材からの冷却済みのウェーハの移送の際に前記ウェーハリフタによって該ウェーハが持ち上げられた状態で」ウェーハの膜厚を測定するのに対して、引用発明では測定時の基板の位置については記載のない点（以下、「相違点（ｂ）」という。）。
　そこで、上記相違点（ａ）について検討する。
　原査定の拒絶の理由において引用文献１として引用された特開平０５−２５９２５９号公報の図２において前処理室４Ａには加熱装置２０上に棒状の部材を介してウェハが支持され、保持ヘッド２２Ａが移送を行っていることからみても、ウェハ移送の際にウェハを持ち上げる点は、当該技術分野の周知手段にすぎず、冷却済みのウェーハの移送の際にその採用を妨げる特段の事情を見いだすことはできず、また、その採用によって顕著な効果が得られたものとすることはできない。
　したがって、上記相違点（ａ）は、単なる周知手段の採用であって、当業者であれば適宜なし得ることである。
　次に、相違点（ｂ）について検討する。
　上記周知例の記載事項（カ）には、「ウエーハ冷却装置は図１に示すように、クーリングプレート１の表面に一定の間隔を設けてウエーハ１１を保持するホルダー１０が設けられており、このクーリングプレート１の周囲にチャンバ３を密着させて密閉された空間を形成している。」ことが記載されている。そして、上記記載における「クーリングプレート」は、本願補正発明における「冷却室で冷却のために待機させるウェーハを一時的に支持する支持部材」の機能を有すると認められ、同記載事項（キ）に「ウエーハ１１をクーリングプレート１の表面に一定の間隔を設けてホルダー１０に載置し・・・ウエーハ１１の温度が冷却設定温度近くまで冷却されたことを温度センサ８が検知すると、コントローラ９が作動してホルダー１０が下降しウエーハ１１がクーリングプレート１の表面に載置され」るから、該「ホルダー」は、上昇により「クーリングプレート」との間隔保持、センサの検知及び移送を目的としているから、本願補正発明の「ウェーハリフタ」に相当することは明らかで、当該技術分野の周知の支持部材とし用いられてきたものということができる（必要であれば、特開平７−１２１２４７号公報、ウェハ押上ピン１０参照。）。そして、前記のように下降前にセンサが検知することが記載されているから、「ウェーハが持ち上げられた状態で」センサが検知即ち、測定することも普通に採用されることにすぎないものであり、この測定態様により顕著な作用効果が得られたものとすることができない。
　したがって、上記相違点（ｂ）は、単なる測定態様の限定であって、当業者であれば適宜なし得ることである。
　そして、本願明細書の記載を検討しても、当業者が予測しうる以上の格別顕著な効果が奏されたものとは認められない。
　したがって、本願補正発明は、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
（ｉｉｉ）まとめ
　以上のとおりであるから、本願補正発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。そうすると、平成１８年８月８日付けで提出された手続補正書によりなされた補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反してなされたものである。
（３）むすび
　したがって、平成１８年８月８日付けで提出された手続補正書によりなされた補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
　平成１８年８月８日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１８年３月９日付けの手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりのものである。 
　
４．引用文献 
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献（特開平０３−２６７３７２号公報）及びその記載事項は、「前記２．（２）（ｉ）」に記載したとおりである。 
　
５．対比・判断 
　本願発明は、上記「２．（２）（ｉｉ）」で検討した本願補正発明からみると、「冷却室で冷却のために待機させるウェーハを一時的に支持する支持部材」の「冷却室で」及び「同一の冷却室内で前記支持部材からの冷却済みのウェーハの移送の際に前記ウェーハリフタによって該ウェーハが持ち上げられた状態で該ウェーハの膜厚を測定する薄膜厚測定センサ」の「同一の冷却室内で」という限定事項を省いたものである。
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の限定を付加したものである本願補正発明が上記「２．（２）（ｉｉ）」で述べたとおり、引用文献１に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用文献１に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
６．むすび 
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、引用文献に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　したがって、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。