【事件の表示】
　特願２００４−３０５８５３「垂直磁気記録ヘッドおよびその製造方法、ならびに磁気記録装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　５月１１日出願公開、特開２００６−１２０２２４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続きの経緯・本願発明
　本願は、平成１６年１０月２０日の出願であって、平成１７年１２月２２日付けで通知した拒絶の理由に対し、平成１８年２月２７日付けで手続補正がなされたが、平成１８年５月２６日付けで拒絶査定され、これに対し平成１８年６月２８日付けで拒絶査定不服審判が請求されたものである。
　そして、本願の請求項１ないし５に係る発明は、前記平成１８年２月２７日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載されたとおりのものであると認める。そのうち、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりである。
「磁束を発生させる薄膜コイルと、
  媒体進行方向に移動する記録媒体に対向する記録媒体対向面から後方に向かって延在し、前記薄膜コイルにおいて発生した磁束に基づいて前記記録媒体をその表面と直交する方向に磁化させるための磁界を発生させると共に、前記記録媒体対向面において前記記録媒体の記録トラック幅を規定する幅を有する磁極層と、
　前記磁極層の前記媒体進行方向側において前記記録媒体対向面から後方に向かって延在することにより、その記録媒体対向面に近い側においてギャップ層により前記磁極層から隔てられ、かつ、遠い側においてバックギャップを通じて前記磁極層に連結され、前記記録媒体対向面において前記記録トラック幅を規定する幅よりも大きな幅を有すると共に、前記ギャップ層に隣接しながら前記記録媒体対向面から後方の第１の位置まで延在する第１の磁気遮蔽層部分と、その第１の磁気遮蔽層部分に部分的に乗り上げながら前記記録媒体対向面から後方の少なくとも前記バックギャップまで延在する第２の磁気遮蔽層部分と、を含む磁気遮蔽層と、
　前記ギャップ層に隣接しながら前記第１の位置から後方に向かって延在し、前記第１の磁気遮蔽層部分と共に平坦面を構成すると共に前記第１の位置に基づいてスロートハイトを規定し、無機絶縁性材料を含んで構成された第１の絶縁層部分と、その第１の絶縁層部分のうちの前記平坦面に隣接しながら前記第１の位置よりも後退した第２の位置から後方に向かって延在し、前記薄膜コイルを被覆すると共に、加熱時に流動性を示す材料を含んで構成された第２の絶縁層部分と、を含む絶縁層と、を備えた
　ことを特徴とする垂直磁気記録ヘッド。」
　
２　引用例
（１）原査定の拒絶の理由に引用された、特開２００４−２８１０１７号公報（平成１６年１０月７日公開。以下、「引用例１」という。）には、垂直磁気記録ヘッドについて、以下の記載がある（下線は、当審で付した。）。
　
ア．「【００４３】
図１に示す垂直磁気記録ヘッドＨ１は記録媒体Ｍに垂直磁界を与え、記録媒体Ｍのハード膜Ｍａを垂直方向に磁化させる
　
イ．「【００４５】
スライダ２１はＡｌ２Ｏ３・ＴｉＣなどの非磁性材料で形成されており、スライダ２１の対向面２１ａが記録媒体Ｍに対向し、記録媒体Ｍが回転すると、表面の空気流によりスライダ２１が記録媒体Ｍの表面から浮上し、またはスライダ２１が記録媒体Ｍに摺動する。
図１
記録媒体Ｍの移動方向はＡ方向である
　
ウ．「【００５８】
磁極層３０の上
アルミナまたはＳｉＯ
２
などの無機材料によって、第３絶縁性材料層３３が設けられ
第３絶縁性材料層３３上には、パーマロイなどの強磁性材料によって、リターンパス層３４が形成されている
【００５９】
リターンパス層３４の前端面３４ａは、記録媒体との対向面Ｈ１ａに露出している
奥側で、リターンパス層３４の接続部３４ｂと磁極層３０及びヨーク層２８とが接続されている
【００６０】
接続部３４ｂの周囲において、コイル絶縁下地層３５が形成されている
。このコイル絶縁下地層３５の上にＣｕなどの導電性材料によりコイル層３６が形成されている
コイル層３６はフレームメッキ法などで形成されたものであり、接続部３４ｂの周囲に所定の巻き数となるようにスパイラル（螺旋）状にパターン形成されている
【００６１】
コイル層３６および底上げ層３７は、レジスト材料などの有機材料のコイル絶縁層３８で被覆されている
　
エ．「【００６４】
なお、
第３絶縁性材料層３３上であって、記録媒体との対向面Ｈ１ａから所定距離離れた位置に、無機または有機材料によってＧｄ決め層４０が形成されている
記録媒体との対向面Ｈ１ａからＧｄ決め層４０の前端縁までの距離で、磁気ヘッドＨ１のギャップデプス長が規定される
【００６５】
図１及び図２に示すように、
対向面Ｈ１ａには、リターンパス層３４の前端面３４ａ、および磁極層３０の前端面３０ａが現れている
【００６６】
図１及び図２に示す磁気ヘッドＨ１では、リード層３９を介してコイル層３６に記録電流が与えられると、コイル層３６を流れる電流の電流磁界によってリターンパス層３４とヨーク層２８に記録磁界が誘導され
対向面Ｈ１ａでは、磁極層３０の前端面３０ａとリターンパス層３４の前端面３４ａからの漏れ記録磁界が、記録媒体Ｍのハード膜Ｍａを貫通しソフト膜Ｍｂを通過する
【００６７】
図２に示すように、磁極層３０の前端面３０ａの厚みＨｔは、リターンパス層３４の前端面３４ａの厚みＨｒよりも小さく、
磁極層３０の前端面３０ａのトラック幅方向（図示Ｘ方向）の幅寸法Ｗｔは、リターンパス層３４の前端面３４ａの同方向での幅寸法Ｗｒよりも十分に短く
【００６８】　
従って、
磁極層３０の前端面３０ａに洩れ記録磁界の磁束φが集中し、この集中している磁束φにより前記ハード膜Ｍａが垂直方向へ磁化され
　
オ．「【００７４】
次に、図５に示すように、メッキ下地膜２９の上にレジスト層Ｒを形成する。レジスト層Ｒをパターン露光して現像することにより、溝Ｒａを形成する。この溝Ｒａはトラック幅方向（図示Ｘ方向）に所定の内幅寸法Ｗ１を有し、また
対向面Ｈ１ａからの奥方向（ハイト方向；図示Ｙ方向）へ所定の奥行き寸法Ｌ２を有する
　
カ．「【００９１】
図７に示される工程の後、
第３絶縁性材料層３３、Ｇｄ決め層４０、コイル絶縁下地層３５、コイル層３６、コイル絶縁層３８、リターンパス層３４、保護層４１を形成する
　
キ．「【００９４】
図８は、磁極層３０の下にスパイラル状のコイル層が形成される磁気ヘッドＨ２
【００９５】
読取り部ＨＲの構造は図１に示された磁気ヘッドと同じなので、設明を省略する。　
【００９６】
読み取り部ＨＲの上には、Ａｌ２Ｏ３またはＳｉＯ２などの無機材料による分離層２７を介して、
垂直磁気記録方式の記録用の磁気ヘッドＨ２
　
ク．「【００９８】
磁気ヘッドＨ２では、パーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ）などの強磁性材料がメッキされてリターンパス層６０が形成され
　
ケ．「【０１０１】
なお、メッキ下地膜６１を形成せず、
リターンパス層６０そのものをメッキ下地として使用して、隆起層６２をメッキで形成
　
コ．「【０１０６】
非磁性層６９の上には、磁極層７０がメッキ形成され
　
サ．「【０１０９】
そして、ヨーク層７１およびリード層７２が保護層７３に覆われている。なお、対向面Ｈ２ａには、
リターンパス層６０の前端面６０ｂ、隆起層６２の前端面６２ｂ、および磁極層７０の前端面７０ａが現れている
【０１１０】
図８及び図９に示す磁気ヘッドＨ２では、リード層７２を介してコイル層６５に記録電流が与えられると、
コイル層６５
対向面Ｈ２ａでは、磁極層７０の前端面７０ａと隆起層６２の前端面６２ａからの漏れ記録磁界が、記録媒体Ｍのハード膜Ｍａを貫通しソフト膜Ｍｂを通過する
図９に示すように、
磁極層７０の前端面７０ａに洩れ記録磁界の磁束φが集中し、この集中している磁束φにより前記ハード膜Ｍａが垂直方向へ磁化されて、磁気データが記録される
　
シ．「【０１１９】
上部シールド層２６上には、Ａｌ２Ｏ３などからなる分離層２７を介して、インダクティブヘッドＨ３の下部コア層８０が積層されている。下部コア層８０は、ＮｉＦｅなどによって形成される。下部コア層８０上には、Ｇｄ決め層８１が形成され、
Ｇｄ決め層８１は例えば絶縁材料などで形成される
　
ス．図１には、磁極層３０、第３絶縁性材料層３３、リターンパス層３４が記録媒体との対向面Ｈ１ａから奥方向へ延びていることが図示されている。リターンパス層３４は、磁極層３０の記録媒体Ｍの移動方向Ａの基端側に位置している。
　また、第３絶縁性材料層３３上の、Ｇｄ決め層４０（【００９１】では「Ｇｄ決め層４０」とあり、図中の４２及び【符号の説明】「４２　Ｇｄ決め層」の４２は、４０の誤記と認め、図中の番号を「４０」と認定した。）とコイル絶縁下地層３５には、コイル層３６とコイル絶縁層３８が図示されている。コイル絶縁層３８の前端縁は、Ｇｄ決め層４０の上に部分的に乗り上げるように、Ｇｄ決め層の前端から少し奥側に変位した位置から奥方向へ延びていることが図示されている。
　
セ．図２には、リターンパス層のＷｒが磁極層３０のＷｔより幅広に図示されている。
　
ソ．図８には、垂直磁気記録方式の記録用の磁気ヘッドＨ２について、磁極層７０、非磁性層６９、隆起層６２、リターンパス層６０、コイル層６５からなる構成で図示されている。
　
タ．図９には、記録媒体Ｍの対向面Ｈ２ａ側から見た正面図で、磁極層７０の前端面７０ａ、非磁性層６９、隆起層６２の前端面６２ｂ、リターンパス層６０の前端面６０ｂからなる構成で図示されている。
　
　上記「ア．」ないし「カ．」、及び「シ．」ないし「セ．」の記載又は図示事項によれば、図１及び図２に示される垂直磁気記録ヘッドについて、引用例１には次の発明（以下、「引用例１発明」という。）が記載されていると認められる。
「フレームメッキ法などでスパイラル状に導電性材料により形成されているコイル層と、
　移動する記録媒体の対向面より奥側でリターンパス層の接続部と接続し、記録媒体を垂直方向へ磁化させる磁束が集中するように記録媒体の対向面においてトラック幅方向の幅を有する磁極層と、
　パーマロイなどの強磁性材料によって形成されているリターンパス層であって、磁極層の記録媒体の移動方向基端側において記録媒体の対向面から奥方向へ延び、記録媒体の対向面側で第３絶縁材料層により磁極層から隔てられ、第３絶縁材料層の奥側で磁極層に接続し、記録媒体の対向面において磁極層のトラック幅方向の幅よりも長い幅を有すると共に、記録媒体の対向面から所定距離離れた位置のＧｄ決め層の前端縁まで延びている第３絶縁材料層上の部分と、奥側の磁極層に接続する接続部とを含む
リターンパス層
　第３絶縁性材料層の上に、記録媒体の対向面から所定距離離れた位置に前端縁を有して奥側に延びる無機または有機材料によって形成され、ギャプデプス長を規定するＧｄ決め層と、コイル絶縁下地層と、Ｇｄ決め層上でＧｄ決め層の前端から少し奥側に変位した位置から奥方向へ延びてコイル層を被覆するレジスト材料などの有機材料で形成されたコイル絶縁層と、
　を備えた垂直磁気記録ヘッド。」
　
（２） 拒絶の理由に引用された、特開２００１−１５５３０９号公報（以下、「引用例２」という。）には、薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法について、以下の記載と図面が示されている（下線は、当審で付した。）。
　
チ．「【０００３】ところで、
記録ヘッドの性能のうち、記録密度を高める
トラック幅を数ミクロンからサブミクロン寸法まで狭くした狭トラック構造の記録ヘッドを実現する必要があり、これを達成するために半導体加工技術が利用されている
　
ツ．「【０００９】次に、図１３に示したように、下部磁極層１０８の上に、絶縁膜、例えばアルミナ膜よりなる記録ギャップ層１０９を０．２μｍの厚みに形成する。次に、磁路形成のために、記録ギャップ層１０９を部分的にエッチングして、コンタクトホール１０９ａを形成する。次に、磁極部分における記録ギャップ層１０９の上に、記録ヘッド用の
磁性材料よりなる上部磁極チップ１１０を、０．５〜１．０μｍの厚みに形成する
【００１０】次に、図１４に示したように、
上部磁極チップ１１０をマスクとして、イオンミリングによって、記録ギャップ層１０９と下部磁極層１０８をエッチングする。図１４（ｂ）に示したように、上部磁極部分（上部磁極チップ１１０）、記録ギャップ層１０９および下部磁極層１０８の一部の各側壁が垂直に自己整合的に形成され
【００１１】
次に、全面に、例えばアルミナ膜よりなる絶縁層１１１を、約３μｍの厚みに形成
この絶縁層１１１を、上部磁極チップ１１０および磁性層１１９の表面に至るまで研磨して平坦化する
【００１２】次に、
平坦化された絶縁層１１１の上に、例えば銅（Ｃｕ）よりなる誘導型の記録ヘッド用の第１層目の薄膜コイル１１２を形成する。次に、絶縁層１１１およびコイル１１２の上に、フォトレジスト層１１３を、所定のパターンに形成する。
【００１３】次に、図１５に示したように、
上部磁極チップ１１０、フォトレジスト層１１３，１１５および磁性層１１９の上に、記録ヘッド用の磁性材料、例えばパーマロイよりなる上部磁極層１１６を形成する。
薄膜磁気ヘッド
【００１４】図１６は、
図１５に示した薄膜磁気ヘッドの平面図
【００１５】図１５において、
ＴＨは、スロートハイトを表し、ＭＲ−Ｈは、ＭＲハイトを表している。なお、スロートハイトとは、２つの磁極層が記録ギャップ層を介して対向する部分すなわち磁極部分の、エアベアリング面側の端部から反対側の端部までの長さ（高さ
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】薄膜磁気ヘッドの性能を向上させるには、図１５に示したような
スロートハイトＴＨ、ＭＲハイトＭＲ−Ｈ、エイペックスアングルθおよび記録トラック幅Ｐ２Ｗを正確に形成する
　
テ．図１５は、薄膜磁気ヘッドの断面図であり、スローハイトの長さの上部磁極１１０、フォトレジスト層１１５および磁性層１１９の上に、上部磁極層１１６が形成されている。
　
３　対比
（１）本願発明と引用例１発明とは、「垂直磁気記録ヘッド」に関する点で一致する。
（２）引用例１発明の「コイル層」は、磁束を発生させるために「フレームメッキ法などでスパイラル状に導電性材料により形成されている」明らかに薄膜の層であるから、本願発明の「磁束を発生させる薄膜コイル」に相当する。　
（３）本願発明と引用例１発明とで共通する「磁極層」について比較する。
　引用例１発明の「移動する記録媒体の対向面」は、本願発明の「媒体進行方向に移動する記録媒体に対向する記録媒体対向面」に、引用例１発明の「奥側」は、「記録媒体の対向面」からヘッドの内部に引っ込んだ側のことで、本願発明の「後方」に相当するから、引用例１発明の「磁極層」が「移動する記録媒体の対向面より奥側でリターンパス層の接続部と接続し」ていることは、少なくとも対向面より奥側に延びている点において、本願発明の「磁極層」が「媒体進行方向に移動する記録媒体に対向する記録媒体対向面から後方に向かって延在し」との構成に相当する。
　同じく引用例１発明の「磁極層」が「記録媒体を垂直方向に磁化させる」ことは、コイル層に発生した磁束に基づいて記録媒体の表面と直交する方向に磁化させていることが明らかであるから、本願発明の「磁極層」が「薄膜コイルにおいて発生した磁束に基づいて記録媒体をその表面と直交する方向に磁化させるための磁界を発生させる」ことに相当する。　
　同じく引用例１発明の「磁極層」が「記録媒体の対向面においてトラック幅方向の幅を有する」ことは、本願発明の「磁極層」が「記録媒体対向面において記録媒体の記録トラック幅を規定する幅を有する」ことに相当する。
（４）引用例１発明の「リターンパス層」と本願発明の「磁気遮蔽層」とを比較する。
　引用例１発明の「リターンパス層」が「磁極層の記録媒体の移動方向基端側において記録媒体の対向面から奥方向へ延び、記録媒体の対向面側で第３絶縁材料層により磁極層から隔てられ、第３絶縁材料層の奥側で磁極層に接続し」ていることは、本願発明の「磁気遮蔽層」が「記録媒体対向面から後方に向かって延在することにより、その記録媒体対向面に近い側においてギャップ層により前記磁極層から隔てられ、かつ、遠い側においてバックギャップを通じて前記磁極層に連結され」ていることに相当する。ここで、引用例１発明の「第３絶縁材料層」は、「磁極層」と「リターンパス層」とを記録媒体の対向面から所定距離離間している点で、本願発明の「ギャップ層」に相当する。
　引用例１発明の「リターンパス層」が、「記録媒体の対向面において磁極層のトラック幅方向の幅よりも長い幅を有して」いることは、本願発明の「磁気遮蔽層」が「記録媒体対向面において記録トラック幅を規定する幅よりも大きな幅を有する」ことに相当する。
　同じく引用例１発明の「リターンパス層」が「記録媒体の対向面から所定距離離れた位置のＧｄ決め層の前端縁まで延びている第３絶縁材料層上の部分」を含むことは、本願発明の「磁気遮蔽層」が「ギャップ層に隣接しながら記録媒体対向面から後方の第１の位置まで延在する」「磁気遮蔽層部分」を含むことに相当する。
　同じく引用例１発明の「リターンパス層」が「第３絶縁材料層の奥側で磁極層に接続し」ていることは、本願発明の「磁気遮蔽層」が「記録媒体対向面から後方の少なくともバックギャップまで延在する」「磁気遮蔽層部分」を含むことに相当する。　
（５）引用例１発明の「Ｇｄ決め層」と、本願発明の「第１の絶縁層部分」とを比較すると、引用例１発明の「Ｇｄ決め層」が「第３絶縁性材料層の上に、記録媒体の対向面から所定距離離れた位置に前端縁を有して奥側に延びる」ことは、本願発明の「第１の絶縁層部分」が「ギャップ層に隣接しながら」「第１の位置から後方に向かって延在」することに相当する。
　同じく引用例１発明の「Ｇｄ決め層」が「記録媒体の対向面から所定距離離れた位置に前端縁を有して」「ギャップデプス長を規定する」ことは、本願発明の「第１の絶縁層部分」が「第１の位置に基づいてスロートハイトを規定し」ていることに相当する。同じく引用例１発明の「Ｇｄ決め層」が「無機」の「絶縁性材料」を含んで構成されることは明らかである。
　引用例１発明の「コイル絶縁層」と、本願発明の「第２の絶縁層部分」とを比較すると、引用例１発明の「コイル絶縁層」が「Ｇｄ決め層の上から奥側に向かって延び」ていることは、Ｇｄ決め層の前端縁よりも奥側の位置からさらに奥側に延びていることになるから、本願発明の「第２の絶縁層部分」が、「第１の絶縁層部分」「に隣接しながら第１の位置よりも後退した第２の位置から後方に向かって延在し」ていることに相当する。
　同じく引用例１発明の「コイル絶縁層」が「コイル層を被覆する」ことは、本願発明の「第２の絶縁層部分」が「薄膜コイルを被覆する」ことに相当する。
　同じく引用例１発明の「コイル絶縁層」が「レジスト材料などの有機材料で形成された」ことは、レジスト材料が加熱時に流動性を示すものであるから、本願発明の「第２の絶縁層部分」が、フォトレジストなど「加熱時に流動性を示す材料を含んで構成された」ことに相当する。
　引用例１発明が少なくとも、「Ｇｄ決め層」及び「コイル絶縁層」の各絶縁層を有することは、本願発明が、「第１の絶縁層部分」と「第２の絶縁層部分」とを含む「絶縁層」を備えることに相当する。
　
　以上のことからすると、本願発明と引用例１発明は次の点で一致する。 
＜一致点＞ 
 「磁束を発生させる薄膜コイルと、
  媒体進行方向に移動する記録媒体に対向する記録媒体対向面から後方に向かって延在し、前記薄膜コイルにおいて発生した磁束に基づいて前記記録媒体をその表面と直交する方向に磁化させるための磁界を発生させると共に、前記記録媒体対向面において前記記録媒体の記録トラック幅を規定する幅を有する磁極層と、
　前記記録媒体対向面から後方に向かって延在することにより、その記録媒体対向面に近い側においてギャップ層により前記磁極層から隔てられ、かつ、遠い側においてバックギャップを通じて前記磁極層に連結され、前記記録媒体対向面において前記記録トラック幅を規定する幅よりも大きな幅を有すると共に、前記ギャップ層に隣接しながら前記記録媒体対向面から後方の第１の位置まで延在する磁気遮蔽層部分と、前記記録媒体対向面から後方の少なくとも前記バックギャップまで延在する磁気遮蔽層部分と、を含む磁気遮蔽層と、
　前記ギャップ層に隣接しながら前記第１の位置から後方に向かって延在すると共に前記第１の位置に基づいてスロートハイトを規定し、無機絶縁性材料を含んで構成された第１の絶縁層部分と、その第１の絶縁層部分に隣接しながら前記第１の位置よりも後退した第２の位置から後方に向かって延在し、前記薄膜コイルを被覆すると共に、加熱時に流動性を示す材料を含んで構成された第２の絶縁層部分と、を含む絶縁層と、を備えた
　垂直磁気記録ヘッド。」
　
　一方、次の各相違点で相違する。 
相違点（１）
　本願発明では、磁気遮蔽層が、「磁極層の媒体進行方向側において」記録媒体対向面から後方に向かって延在すると特定されているのに対して、引用例１発明では、磁極層の移動方向基端側において後方に向かって延在している点。　
相違点（２）
　本願発明では、磁気遮蔽層が、「ギャップ層に隣接しながら前記記録媒体対向面から後方の第１の位置まで延在する第１の磁気遮蔽層部分と、その第１の磁気遮蔽層部分に部分的に乗り上げながら前記記録媒体対向面から後方の少なくとも前記バックギャップまで延在する第２の磁気遮蔽層部分と」を含むと特定されるのに対し、引用例１発明では、そのように特定されない点。
相違点（３）
　本願発明では、第１の絶縁層部分が「第１の磁気遮蔽層部分と共に平坦面を構成すると共に」、第２の絶縁層部分が「平坦面」に隣接しながら第１の位置よりも後退した第２の位置から後方に向かって延在する」と特定されるのに対して、引用例１発明では、そのように特定されていない点。
　
４　当審の判断
相違点（１）について
　磁気遮蔽層が磁極層の媒体進行方向側において後方に向かって延在する垂直磁気記録ヘッドは周知（特開２００２−９２８２０号公報の主磁極３１とトレーリングエッジｔｗｅ側のリターンパス磁極３２を備えた垂直記録用磁気ヘッド（図３，４）、特開２００２−１００００５号公報の磁気ヨーク５と主磁極３を備えた薄膜単磁極型垂直磁気ヘッド（図１）及び【００３９】の「媒体進行方向から見た主磁極と磁気ヨークのリーディング側、トレーリング側の関係は逆でもかまわない。」、特開２００３−４５００８号公報の主磁極１２とディスク回転方向側の上部シールド１１の垂直記録用磁気ヘッド（図６）等参照。）であり、引用例１発明の垂直磁気記録ヘッドにおいて、磁気遮蔽層に相当するリターンパス層を磁極層の媒体進行方向側において奥側に延びた構成とすることは、当業者が容易に想到しうることである。
 　 
相違点（２）について
　引用例２には、上部磁極が、上部磁極チップ、磁性層及び上部磁極層で形成され、上部磁極チップは記録ギャップ層に隣接し、上部磁極チップのエアベアリング面側の端部から反対側間での距離をスロートハイト長さとする誘導型の薄膜磁気ヘッドの構成が記載されている。
　また、引用例２には、薄膜磁気ヘッドは半導体加工技術を利用して製造されるもので、先ず、スロートハイト長さを規定する上部磁極チップが形成され、次に、アルミナ膜からなる絶縁層が形成され、絶縁層の表面を上部磁極チップと共に平坦面に構成すること、絶縁層上に薄膜コイルを形成することが記載されている。
　引用例１発明と、引用例２に記載された発明とは、いずれも半導体加工技術を利用して製造される薄膜磁気ヘッドに関するものである点で、きわめて近接した技術分野に属するものであり、引用例１には、図８，図９に、引用例１発明の実施形態として、隆起層（第１の磁気遮蔽層部分）とリターンパス層（第２の磁気遮蔽層部分）とに分離形成したものが記載されている（上記「２．引用例　（１）」の「キ．」ないし「サ．」、「ソ．」及び「タ．」参照。）から、引用例２に示される薄膜型磁気ヘッドの構造を適用することに、格別困難な事情は認められない。
　すると、引用例１発明の垂直磁気記録ヘッドにおいて、引用例２の上部磁極が、磁極チップと上部磁極層とからなる構造を適用して、「ギャップ層に隣接しながら前記記録媒体対向面から後方の第１の位置まで延在する第１の磁気遮蔽層部分と、その第１の磁気遮蔽層部分に」「乗り上げながら前記記録媒体対向面から後方の少なくとも前記バックギャップまで延在する第２の磁気遮蔽層部分と」からなる構造とすることは当業者が容易に想到しうるものである。
　ここで、第２の磁気遮蔽層部分が、第１の磁気遮蔽層部分に「部分的に」乗り上げながら、と特定される点については、スロートハイトが「磁極チップ」によって規定される以上、磁極チップに乗り上げる上部磁極層を磁極チップの後端側と揃える必要も、スロートハイトよりもさらに微小な寸法に形成すべき必要もないことが明らかであるから、引用例１のＧｄ決め層のすぐ上部でリターンパス層が奥側に張り出している位置関係と同様に、上部磁極の記録媒体対向面からの寸法を磁極チップより大きくして、磁極チップに「部分的に」乗り上げる形態とすることは、当業者が適宜なし得ることにすぎない。
　
相違点（３）について
　「相違点（２）について」と同様に、引用例２に示される薄膜型磁気ヘッドの構造を適用することに、格別困難な事情は認められない。
　すると、引用例２の磁極チップの奥側にアルミナ膜よりなる絶縁層を形成して磁極チップとともに平坦面が形成され、当該平坦面に隣接しながら奥方向に延びるコイル絶縁層を形成することを適用して、「第１の磁気遮蔽層部分と共に平坦面を構成すると共に」第１の絶縁層部分と、「平坦面」に隣接しながら」「後方に向かって延在する」第２の絶縁層部分とを形成することは当業者が容易に想到しうるものである。
　ここで、第２の絶縁層部分が、「第１の位置よりも後退した第２の位置から」後方に向かって延在する点は、すでに、「３．対比　（５）」において、引用例１発明の「Ｇｄ決め層」と「コイル絶縁層」との位置関係と一致する旨示したところであるが、念のため、第１の絶縁層部分と第２の絶縁層部分を上記のように形成した場合についても検討すると、「相違点（２）について」で検討した、第２の磁気遮蔽層部分が、第１の磁気遮蔽層部分に「部分的に」乗り上げる点と同様であって、第１の磁気遮蔽層がスロートハイトを規定する以上、コイル絶縁層の前端をアルミナ膜よりなる絶縁層の前端と揃える必要も、アルミナ膜よりなる絶縁層の前端よりさらに前方に出す必要も、ないことが明らかであるから、第１の絶縁層部分と第２の絶縁層部分を上記のように形成した場合であっても、引用例１発明のコイル絶縁層の前端がＧｄ決め層の前端よりも奥側に変位している位置関係を維持して、第２の絶縁層部分を「第１の位置よりも後退した第２の位置から」後方に向かうようにすることは当業者が適宜なし得ることにすぎない。
　
　以上のとおりであるから、上記各相違点は格別なものではなく、また、上記相違点を総合的に検討しても本願発明の奏する効果は当業者が当然に予測しうる範囲内のものである。
　
５　むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、引用例１，２に記載された発明及び周知技術に基づき当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。