【事件の表示】
　平成　７年特許願第３３１７６６号「弾性表面波デバイス」拒絶査定不服審判事件〔平成　９年　６月１０日出願公開、特開平　９−１５３７５８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯 
　本願は、平成７年１２月２０日（国内優先権主張、平成７年９月２９日）の特許出願であって、平成１６年７月１４日付けで拒絶理由が通知され、同年９月２１日付けで手続補正書が提出され、平成１８年３月２８日付けで拒絶査定され、これに対して同年５月８日付けで拒絶査定不服審判の請求がなされ、当審において平成２０年６月１７日付けで拒絶理由が通知されたものである。
　　
　　　　　
２．本願発明 
　本願の請求項１に係る発明は、平成１６年９月２１日付け手続補正書によって補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである（以下「本願発明」という）。
　　　　  
　「【請求項１】 圧電基板と、前記圧電基板上に形成された少なくとも一対のくし歯状電極と、前記圧電基板上に形成され前記くし歯状電極にそれぞれ接続された複数の第１の面状電極と、前記くし歯状電極および第１の面状電極の上側から前記圧電基板上に形成された誘電体層と、前記誘電体層上の第１の面状電極に対応する第１の領域および第１の領域と連続する該領域以外の第２の領域に延伸して形成された第２の面状電極と、第２の面状電極の第２の領域で接続された外部接続端子とを具備することを特徴とする弾性表面波デバイス。」
　　　　
　　　　 　　　
３．引用例 
　これに対し、当審で通知した拒絶理由に引用された特開平０４−２３４７９８号公報（以下、「引用例１」という）には、下記の事項が記載されている。
　　　
（ア）「【０００８】
【実施例】図１は圧電基盤２０上にすだれ状電極を有する変換器３０，４０を有するＳＡＷデバイス１０の斜視図である。ここでは２つの変換器が示されているが、本発明は２つのＳＡＷ変換器のみの配置に制限されない。圧電基盤２０は圧電半導体物質等の基盤でもよい。圧電基盤はリチウム・ニオブ酸塩，リチウム・タンタル亜鉛，窒化アルミニウム等の物質から成る。変換器３０は、バス・バー１３１，１３６と共に、クシ状に入り組んだ電極１３０，１３５から構成され、そのバス・バー１３１，１３６はクシ型電極１３０，１３５をそれぞれ接続している。変換器４０は、バス・バー１４１，１４６と共に、クシ状に入り組んだ電極１４０，１４５から構成され、そのバス・バー１４１，１４６はクシ型電極１４０，１４５をそれぞれ接続している。電極１３０，１３５，１４０，１４５、バス・バー１３１，１３６，１４１，１４６は、アルミニウムのような適した金属から成る。」
　　
（イ）「【００１０】音響吸収体５０，６０は、室温加硫したシリコーン・ゴムのような粘性物質から成り、基盤２０の端による不要な音響信号の反射を抑制するように配置される。もしその反射を抑制できなければ、不要なスプリアス出力信号を生ずることになる。外部負荷９５およびソース９０との相互結線は一般にはワイヤが用いられ、図２においてはバス・バー１３１，１３６，１４１，１４６と結合するワイヤ１５０のようなものであるが、他の相互結線手段でもよい。
【００１１】図２は、基盤２０の表面上であってＳＡＷ変換器３０，４０上に配置された誘電体保護膜１１０を有するＳＡＷデバイス１０の断面図である。誘電体保護膜１１０は水素添加された窒化シリコン層を有する。水素添加された窒化シリコン層はプラズマ強化化学蒸着法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により堆積される。ＳＡＷデバイス１０はまた上部にメタライズされたキャパシタ電極１２０を有し、ＳＡＷ変換器バス・バー１３１，１３６，１４１，１４６と容量的に結合する。外部の電気回路との接続は上側のキャパシタ電極１２０を用いてＡＣカップリングすることにより為される。この外部との接続は例えば通常のワイヤボンディングの技術等により行なわれる。
【００１２】誘電体膜１１０はこうして従来技術とは違って完全にＳＡＷ変換器３０，４０の金属被覆された領域すべてを覆いつくす。ＳＡＷデバイスは数ギガヘルツまでのＲＦ信号に対して動作する。信号は図２に示すような誘電体保護膜１１０を通じてＳＡＷ変換器の内外を結合する。ＡＣカップリングする際の結合容量Ｃcは、図２においては近似的に次式で表される。」
　　　
　また、図面第２図には、キャパシタ電極１２０が誘電体保護膜１１０を介してバス・バー１３１上の領域に形成され、キャパシタ電極１２０にはワイヤ１５０が結合される構造が記載されている。
　よって、上記（ア），（イ）及び図面の記載から、引用例１には、
「バス・バー１３１，１３６とクシ状に入り組んだ電極１３０，１３５が圧電基盤２０上に形成され、クシ状に入り組んだ電極１３０，１３５は、バス・バー１３１，１３６にそれぞれ接続されてＳＡＷ変換器３０を構成し、ＳＡＷ変換器３０上にはＳＡＷ変換器３０の金属被覆された領域すべてを覆いつくす誘電体保護膜１１０を配置し、キャパシタ電極１２０が誘電体保護膜１１０を介してバス・バー１３１上の領域に形成され、外部との接続はキャパシタ電極１２０にワイヤ１５０をワイヤボンディングにより結合したＳＡＷデバイス１０」
の発明（以下、「引用発明」という）が記載されている。
　　　　
  　　
４．対比 
（１）本願発明と引用発明との対応関係について
　引用発明の「圧電基盤２０」及び「ＳＡＷデバイス」は、それぞれ本願発明の「圧電基板」及び「弾性表面波デバイス」に相当している。
　引用発明の「クシ状に入り組んだ電極１３０，１３５」は、電極１３０と１３５が一対でＳＡＷ変換器３０の一部を構成しているので、本願発明の「一対のくし歯状電極」に相当している。
　引用発明の「バス・バー１３１，１３６」は、図面第１図に幅の広い面状の電極として記載され、また、「クシ状に入り組んだ電極１３０，１３５」にそれぞれ接続されるものであるから、本願発明の「複数の第１の面状電極」に相当している。
　上記（イ）の「誘電体膜１１０はこうして従来技術とは違って完全にＳＡＷ変換器３０，４０の金属被覆された領域すべてを覆いつくす」及び「誘電体保護膜１１０は水素添加された窒化シリコン層を有する。水素添加された窒化シリコン層はプラズマ強化化学蒸着法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により堆積される」の記載、図面第２図のバス・バー１３１，１３６及び圧電基盤２０上に層状に誘電体保護膜１１０が堆積されている記載から、引用発明の「誘電体保護膜１１０」は、バス・バー１３１，１３６、クシ状に入り組んだ電極１３０，１３５、及び圧電基盤２０上に層状に堆積されて形成されるものである。よって、引用発明の「誘電体保護膜１１０」は、本願発明の「くし歯状電極および第１の面状電極の上側から前記圧電基板上に形成された誘電体層」に相当している。
　引用発明のワイヤ１５０のキャパシタ電極１２０に接続されている部分は、キャパシタ電極１２０にワイヤボンディングで結合されＳＡＷデバイスを外部と接続するものであるから、本願発明の「外部接続端子」に対応している。
　引用発明の「キャパシタ電極１２０」は、誘電体保護膜１１０を介してバス・バー１３１上の領域に形成されているため、引用発明の「キャパシタ電極１２０」と本願発明の「第２の面状電極」は、「誘電体層上の第１の面状電極に対応する第１の領域に設けられた電極」である点で共通している。
　　　
（２）本願発明と引用発明の一致点について
　上記の対応関係から、本願発明と引用発明１は、
「圧電基板と、前記圧電基板上に形成された少なくとも一対のくし歯状電極と、前記圧電基板上に形成され前記くし歯状電極にそれぞれ接続された複数の第１の面状電極と、前記くし歯状電極および第１の面状電極の上側から前記圧電基板上に形成された誘電体層と、前記誘電体層上の第１の面状電極に対応する第１の領域に形成された電極と、外部接続端子とを具備することを特徴とする弾性表面波デバイス。」
の点で一致している。
　　　　　
（３）本願発明と引用発明の相違点について
　本願発明は下記の点で引用発明と相違する。
（相違点Ａ）
　本願発明の「第２の面状電極」は形状が面状であるのに対し、引用発明の「キャパシタ電極１２０」は、形状が面状であるか不明である点。
（相違点Ｂ）
　本願発明の「第２の面状電極」は、「誘電体層上の第１の面状電極に対応する第１の領域および第１の領域と連続する該領域以外の第２の領域に延伸して形成」されているのに対し、引用発明の「キャパシタ電極１２０」は、延伸した構造とはなっていない点。
（相違点Ｃ）
　本願発明の「外部接続端子」は、「第２の面状電極の第２の領域」に接続されているのに対し、引用発明のワイヤ１５０のキャパシタ電極１２０に接続されている部分は、そのような領域に接続されていない点。
　　　
　　　　
５．当審の判断 
（１）相違点Ａについて
　引用発明において、「キャパシタ電極１２０」を面状に形成することについて検討すると、キャパシタ電極１２０は、面状に形成されたバス・バーと誘電体保護膜１１０を介して設けることによりキャパシタを形成するものであり、キャパシタは一般に面状の電極間に誘電体を設けた構造であるから、引用発明において、「キャパシタ電極１２０」の形状を面状とすることは、格別なものではない。
　　
（２）相違点Ｂ、Ｃについて
（２−１）弾性表面波デバイスにおけるワイヤボンディングによる技術課題について
　当審で通知した拒絶理由に引用された特開平０２−２７８９１０号公報（以下、「引用例２」という）には、
（ウ）「〔発明が解決しようとする課題〕
　上述した従来の弾性表面波素子は、交叉指状電極部分にワイヤボンディング法によって外部接続を行なっているが、使用帯域周波数が例えばｌＧＨｚ程度になればその電極厚が３００〜４００Åと薄くなるため、ワイヤボンディング圧力によって膜が破壊し、導通不良となる欠点がある。」（公報第１頁右下欄８行〜１４行）
が記載され、また、同じく特開平０６−３５０３７９号公報（以下、「引用例３」という）には、
（エ）「【０００５】圧電体単結晶基板１の表面に形成された各電極は、厚さ０.１〜０.２μｍ程度のアルミニウムによって構成され、所定のパターン形状は蒸着及びホトエッチングによって形成される。図２に電極パッド部（第１電極接続部）９の拡大断面図を示す。図２（ａ）に示すように、圧電体基板１の上に形成された電極パッド９に高周波電圧を供給するためのリードワイヤ１２が圧接（ワイヤボンド）法によってワイヤボンド部１３に接続されている。このようにして構成されているワイヤボンド部１３は電極パッド部９のアルミニウム層が厚さ０.１〜０.２μｍ程度と薄いため、ワイヤボンド部１３に十分な強度を得ることができない。そのため製造工程において接続されているリードワイヤ１２に、図２（ｂ）に示すように外力が付加されると、強度が低下している電極パッド部９に応力が集中し、その結果電極パッド部９が破壊されることがある。」
が記載されている。
　このように、弾性表面波デバイスの技術分野では、外部と接続するワイヤを弾性表面波デバイス上の電極にワイヤボンディングにより結合した場合、結合される電極がワイヤボンディングの圧力によって破壊されてしまうことは周知な技術課題である。
　　　　
（２−２）ワイヤーボンディングによるダメージを回避する構成について
  当審で通知した拒絶理由に引用された特開平０５−３４７４３０号公報（以下、「引用例４」という）には、下記の事項が記載されている。
（オ）「【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図９に示す従来の端面発光型半導体発光素子アレイは、各素子上部の個別電極３５から外部の駆動回路に対して電気的な接続をとるために設けられたボンディングパット３６への電気的配線がワイヤーボンディング３７により形成されている。・・・中略・・・ワイヤーボンディング３７による発光素子へのダメージ、例えばボンディングの際の熱、振動等により、発光効率の劣化及び寿命の低減等が生じてしまうという問題点がある。」
（カ）「【００１０】本発明の目的は、上述した従来の問題点を解消することを目的とし、例えば６００ｄｐｉ以上のような高密度に発光部を形成でき、ワイヤーボンディングによる発光素子へのダメージを生じなくすることができる半導体発光装置を提供することにある。・・・中略・・・
【００１１】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明の特徴は、半導体基板上にモノリシックに複数個少なくとも一列配置してなる端面発光型半導体発光素子アレイ構造を有する半導体発光装置において、端面発光型半導体発光素子内に基板と平行に形成された発光層に対して半導体基板と反対側の上記発光素子上に形成された個別電極と、外部の駆動回路に対して電気的な接続をとるために端面発光型発光素子の光出射方向（前端面）以外の方向の発光素子の形成されていない基板面上に絶縁性誘電体膜をはさんで形成されたボンディングパットとの間を、端面発光型半導体発光素子の２つの光出射端面のうち上記ボンディングパットに近い側の一方の光出射端面（後端面）上を絶縁性誘電体膜を介して通り、更に上記基板上の絶縁性誘電体膜上を金属材料を用いて電気的に配線接続したことにある。なお、上記配線、ボンディングパット用金属は、単層、多層のいずれでも良く、配線材料とボンディングパット材料は各々別々の材料を用いても良い。」
（キ）「【００１７】さらに、これらの各発光ダイオードのキャップ層１５上にはそれぞれＡｕ−Ｚｎ／ＡｕからなるＰ側電極１６が形成され、又基板１の裏面にはＡｕ−Ｇｅ／Ｎｉ／ＡｕからなるＮ側電極１７が形成されている。このＰ側電極１６は図１に示すように端面発光型発光ダイオードアレイ２の光出射端面２ａと該端面発光型発光ダイオードアレイ２の後方に配置されたボンディングパット４（４−１〜４−２５６）へ、Ｐ側電極１６上から端面発光型発光ダイオードアレイの後端面２ｂ上を絶縁性誘導体膜１８であるＳｉＯ２をはさんでボンディングパット４へ配線３がなされており、電気的に接続されている。その配線３は金属材料であるＣｒ／Ａｕの２層構造からなっている。なおボンディングパット４と配線３は同じ材料であり同時に形成されるものである。この配線用ボンディングパット４は光出射方向に４−１〜４−４のようにそれぞれ４段に配列されており、高密度実装が可能になっている。」
（ク）「　　【００２２】
　また、上記絶縁性誘電体膜１８としてＳｉＯ２で説明したが、Ｓｉ３Ｎ４，Ａｌ２Ｏ３など他の材料でも良く、単層のみならず多層でも良い。
　また、上記配線用金属材料３としてＣｒ／Ａｕ２層構造で説明したが、Ａｕ単層でも良く、Ａｌ，Ａｌ−Ｓｉ，Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ，Ｃｕ等の他の材料でも良い。ただし、少なくともボンディングパット４は、両者の密着性が良いことが望ましく、そのような観点から、両者の材料としては、ＳｉＯ２，Ｃｒ／Ａｕ，ＳｉＯ２とＡｌ等の組み合わせが好ましい。」
　上記（オ）〜（ク）の記載から、引用例４には、外部との接続を行うためのワイヤボンディングの接続技術において、ワイヤボンディングされる電極下部の素子に対してワイヤボンディングによるダメージを回避するために、ワイヤボンディングのためのアルミニウムからなる電極は、素子の電極と電気的に接続され基板上の素子が形成されていない領域にＳｉＯ２からなる絶縁膜を介して形成することが開示されている。
　　　　
（２−３）引用例２〜４に記載された発明の引用発明への適用性について
　引用発明と引用例２及び３に記載された発明は、弾性表面波デバイスに係る発明である点で共通しており、上記（２−１）に記載したように、引用例２及び３に記載された発明から、弾性表面波デバイスの技術分野では、外部と接続するワイヤを弾性表面波デバイス上の電極にワイヤボンディングにより結合した場合、結合される電極がワイヤボンディングの圧力によって破壊されてしまうことは周知な技術課題である。
　また、引用例４に記載された発明は半導体発光素子に係わるものであるが、基板上に形成された素子の電極に対してワイヤボンディングを施す技術分野において引用発明と共通しており、さらに、弾性表面波デバイスでは上記（エ）に記載されているようにアルミニウムからなる電極にワイヤボンディングを行うことは周知であり、引用例４に記載された発明においてもアルミニウムからなる電極にワイヤボンディングを行う点でも共通していることから、引用例４に記載されたワイヤボンディングのための電極構成を引用発明に適用することの阻害要因は認められない。
　　　　
（２−４）まとめ
　してみると、引用発明において、ワイヤボンディングによりキャパシタ電極１２０が破壊されることは、上記（２−１）に記載した周知な技術課題から容易に予測できるものであり、このワイヤボンディングによりキャパシタ電極１２０が破壊されることを回避するために、キャパシタ電極１２０のワイヤボンディングが行われる部分をＳＡＷ変換器３０が形成されていない圧電基盤２０上の領域で誘電体保護膜を介して形成することで、相違点Ｂの「第２の面状電極」を「誘電体層上の第１の面状電極に対応する第１の領域および第１の領域と連続する該領域以外の第２の領域に延伸して形成」するとともに、相違点Ｃの「外部接続端子」を「第２の面状電極の第２の領域」に接続する構成を引用発明に採用することは、引用例２乃至４の記載に基づいて当業者ならば容易に想到し得たものである。
　
（３）本願発明の作用効果について　　　
　また、本願発明の作用効果も、引用発明及び上記引用例２〜４に記載された事項から当業者が予測できる範囲のものである。　
　　
　　　
６．むすび 
　以上のとおり、本願発明は、当業者が上記引用例１乃至４に記載された発明に基いて容易に発明することができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　したがって、本願は、他の請求項について、検討するまでもなく拒絶されるべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。