(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料の表面抵抗を計測する表面抵抗計測装置であって、
接地板と、
前記接地板の上に配され、その上に前記試料が設置される誘電体と、
前記接地板、前記誘電体および前記試料を収容するキャビティと、
前記試料と直接的に接触しない状態で、前記キャビティ内に挿入されるアンテナと、
前記アンテナに所定の周波数を与えて、前記アンテナの検出から前記試料の共振の鋭さを測定する共振計測部と、
前記試料と同一形状であって、表面抵抗、共振の鋭さおよび形状因子の関係が既知である参照試料の前記形状因子を算出し、算出した前記形状因子を前記関係に適用して前記試料における表面抵抗と共振の鋭さとの関係として算出し、算出した前記関係および前記共振計測部により測定された共振の鋭さから、前記試料の表面抵抗を求める表面抵抗計算部と
を備えることを特徴とする表面抵抗計測装置。
【請求項２】
前記表面抵抗計算部は、前記参照試料の共振の鋭さの測定値と計算により算出した値とを比較した結果を用いて、前記参照試料の前記形状因子を算出することを特徴とする請求項１に記載の表面抵抗計測装置。
【請求項３】
前記参照試料が導体細線であり、前記表面抵抗計算部は、前記形状因子を少なくとも前記導体細線の直径を変数として求めることを特徴とする請求項２に記載の表面抵抗計測装置。
【請求項４】
前記試料が、平板状試料または平板状バルク単結晶であることを特徴とする請求項２に記載の表面抵抗計測装置。
【請求項５】
前記キャビティが直方体であることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の表面抵抗計測装置。
【請求項６】
前記所定の周波数がマイクロ波領域であることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の表面抵抗計測装置。
【請求項７】
試料の表面抵抗を計測する表面抵抗計測方法であって、
前記試料を、キャビティ内の接地板の上に配された誘電体の上に配し、
前記試料とは直接接触しないようアンテナを前記キャビティ内に挿入し、
前記アンテナに所定の周波数を与え、前記アンテナの検出から前記試料の共振の鋭さを測定し、
前記試料と同一形状であって、表面抵抗、共振の鋭さおよび形状因子の関係が既知である参照試料の前記形状因子を算出し、算出した前記形状因子を前記関係に適用して、前記試料の表面抵抗と共振の鋭さとの関係として算出し、
算出した前記関係に基づき、測定された前記共振の鋭さから前記試料の表面抵抗を求める
ことを特徴とする表面抵抗計測方法。
【請求項８】
前記関係算出ステップは、
前記参照試料をキャビティ内の接地板の上に配された誘電体の上に配するステップと、
前記参照試料とは直接接触しないようアンテナを前記キャビティ内に挿入するステップと、
前記アンテナに所定の周波数を与え、前記アンテナの検出から前記参照試料の共振の鋭さを測定するステップと、
前記参照試料の前記関係、および、測定された前記共振の鋭さに基づいて前記参照試料の前記形状因子を算出し、
算出した前記形状因子を適用した前記関係を、前記試料の表面抵抗と共振の鋭さの前記関係として算出するステップと
を有する請求項７に記載の表面抵抗計測方法。
【請求項９】
前記形状因子算出ステップは、前記参照試料の共振の鋭さの測定値と計算により算出した値とを比較した結果を用いて、前記参照試料の前記形状因子を算出することを特徴とする請求項８に記載の表面抵抗計測方法。
【請求項１０】
前記参照試料が導体細線であり、前記形状因子算出ステップは、前記形状因子を少なくとも前記導体細線の直径を変数として求めることを特徴とする請求項９に記載の表面抵抗計測方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、表面抵抗測定装置および方法に関する。特に本発明は、試料に所定の周波数を与えて、その共振の鋭さを測定することにより、試料の表面抵抗を測定する装置および方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、情報通信分野の発展に伴い、フィルタやアンテナなどのマイクロ波受動デバイスの高率化が求められている。その中でも、酸化物超伝導マイクロ波受動デバイスは、高周波伝送路として注目されている。したがって、酸化物超伝導体の高周波特性、特に表面抵抗を高い精度で測定することが望まれている。
【０００３】
酸化物超伝導体の表面抵抗を測定する方法として、プローブ結合型マイクロストリップ共振器法がある。この測定方法では、まず、エッチングにより誘電体上に超伝導体の薄膜マイクロストリップラインが形成され、これが接地板の上に搭載された状態で円筒形のキャビティ内に設置される。このキャビティに一対のモノポールアンテナが挿入されて、アンテナにより薄膜マイクロストリップラインに共振が励起される。共振の鋭さ、いわゆるＱ値を測定することにより、解析的に求めたＱ値と表面抵抗との関係式から、超伝導体の薄膜マイクロストリップラインの表面抵抗が算出される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上述のプローブ結合型マイクロストリップ共振法には、以下の欠点がある。まず、キャビティが円筒形であるため、キャビティのモードによりマイクロストリップ共振器の共振特性が影響を受けやすい。より具体的には、円筒形のキャビティの共振と、マイクロストリップラインの共振とを分離して測定することが難しい。したがって、Ｑ値の正確な測定に限界がある。さらに、マイクロストリップラインが薄膜形状のＱ値と表面抵抗との関係は解析的に求めることができるが、その他の形状ではＱ値と表面抵抗との関係が解析的求められないことも多い。酸化物超伝導体を高周波伝送路として応用する場合には、その形状を細線や平板状のバルク単結晶など薄膜マイクロストリップライン以外の特殊形状とすることが考えられるが、酸化物超伝導体の細線形状や平板状バルク単結晶におけるＱ値と表面抵抗との関係は解析的には未知である。よって、Ｑ値を測定するだけでは表面抵抗を得ることができない。
【０００５】
そこで本発明は、上記の課題を解決することのできる表面抵抗測定装置および方法を提供することを目的とする。この目的は特許請求の範囲における独立項に記載の特徴の組み合わせにより達成される。また従属項は本発明の更なる有利な具体例を規定する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
即ち、本発明の第１の形態によると、試料の表面抵抗を計測する表面抵抗計測装置は、接地板と、前記接地板の上に配され、その上に前記試料が設置される誘電体と、前記接地板、前記誘電体および前記試料を収容するキャビティと、前記試料と直接的に接触しない状態で、前記キャビティ内に挿入されるアンテナと、前記アンテナに所定の周波数を与えて、前記アンテナの検出から前記試料の共振の鋭さを測定する共振計測部と、前記共振計測部により測定された共振の鋭さから、前記試料と同一形状であって、表面抵抗と共振の鋭さとの関係が既知である参照試料に基づいて、前記試料の表面抵抗を求める表面抵抗計算部とを備える。
【０００７】
前記表面抵抗測定装置において、前記表面抵抗計算部は、前記参照試料の共振の鋭さの測定値と計算により算出した値とを比較した結果を用いて、前記試料の表面抵抗を求めてもよい。さらに、前記参照試料が導体細線であり、前記計算により算出する値は、少なくとも前記導体細線の直径を変数としてもよい。また、前記試料が、平板状試料または平板状バルク単結晶であってもよい。さらに、前記参照試料は、銅製または金製であってもよい。
【０００８】
前記表面抵抗測定装置において、前記キャビティが直方体であってもよい。さらに、前記キャビティの上面が超伝導体であってもよい。
【０００９】
前記表面抵抗測定装置において、前記所定の周波数がマイクロ波領域であってもよい。
【００１０】
前記表面抵抗測定装置において、前記試料は超伝導体の細線状ウィスカであってもよい。また、前記試料は超伝導体の平板状試料または超伝導体の平板状バルク単結晶であってもよい。
【００１１】
本発明の第２の形態によると、試料の表面抵抗を計測する表面抵抗計測方法は、前記試料を、キャビティ内の接地板の上に配された誘電体の上に配し、前記試料とは直接接触しないようアンテナを前記キャビティ内に挿入し、前記アンテナに所定の周波数を与え、前記アンテナの検出から前記試料の共振の鋭さを測定し、前記試料と同一形状であって、表面抵抗と共振の鋭さとの関係が既知である参照試料に基づいて、前記試料の表面抵抗と共振の鋭さとの関係を算出し、算出した前記関係に基づき、測定された前記共振の鋭さから前記試料の表面抵抗を求める。
【００１２】
前記表面抵抗測定方法において、前記試料の表面抵抗と共振の鋭さとの関係は、前記参照試料の共振の鋭さの測定値と計算により算出した値とを比較した結果を用いて算出されてもよい。
【００１３】
さらに、前記表面抵抗測定装置において、前記参照試料が導体細線であり、前記計算により算出する値は、少なくとも前記導体細線の直径を変数としてもよい。
【００１４】
なお上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではなくこれらの特徴群のサブコンビネーションも又発明となりうる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態はクレームにかかる発明を限定するものではなく、また実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。
【００１６】
図１は、本発明の実施形態によるプローブ結合型の表面抵抗測定装置１０を示す。この実施形態による表面抵抗測定装置１０は、試料の表面抵抗の温度依存性を計測することができる。この表面抵抗測定装置１０は、温度制御室１２と、温度制御室１２の中に配されるキャビティ１４と、キャビティ１４と信号線１６、１８で接続され、所定の周波数を発生すると共に共振の鋭さ、すなわちＱ値を測定する共振計測部２０と、共振計測部２０により測定された共振の鋭さが信号線２２から入力され、試料の表面抵抗を求める表面抵抗計算部２４とを備える。共振計測部２０の例は、ベクトルネットワークアナライザである。ベクトルネットワークアナライザは、共振周波数、挿入損失、Ｑ値等を測定することができる。また、表面抵抗計算部２４の例は、パーソナルコンピュータである。本実施形態において、表面抵抗計算部２４は、表面抵抗測定装置１０の全体を制御する制御部を兼ねる。
【００１７】
さらに、表面抵抗測定装置１０は、信号線３８を通じて表面抵抗計算部２４からの指示により温度制御室１２の温度を制御する温度制御部３６を備える。さらに、表面抵抗測定装置１０は、キャビティ１４の中の試料の温度を測定して、表面抵抗計算部２４に信号線３０を通じて出力する温度計２８とを備える。
【００１８】
図２は、表面抵抗測定装置１０のキャビティ１４の斜視図である。キャビティ１４は、接地板４０と、接地板４０の上に配される誘電体４２と、誘電体４２の上に設置される試料４４とを収容する。接地板４０は、銅または金などの導体である。試料４４が超伝導体である場合には、接地板４０もＹＢＣＯなどの超伝導体であることが好ましい。また、誘電体４２の例は、絶縁体樹脂（例えばポリフェニリンオキシド樹脂（ＰＰＯ））またはセラミックス（例えばＡｌ２Ｏ３、ＭｇＯ）などである。これら接地板４０、誘電体４２および試料４４を共振器と呼ぶ。
【００１９】
キャビティ１４は、直方体形状を有している。直方体形状のキャビティを用いることにより、円筒形のキャビティを用いる場合に問題となる共振特性に与えるモードの影響を押さえることができる。キャビティ１４は、導体たとえば銅製である。キャビティ１４の各壁のうち、Ｑ値に対して天井の影響が最も大きい。よって、超伝導体の試料を計測する場合には、キャビティ１４の天井を超伝導体としてもよい。キャビティ１４の向かい合う側壁から、試料４４と直接的に接触しない状態で、キャビティ１４の中にモノポールアンテナ４６、４８が挿入される。
【００２０】
図３は、図２のキャビティ１４の中央断面図である。図中においては、モノポールアンテナ４６、４８はいずれも試料４４の上に存在していない。しかしながら、プローブ結合型の共振器法にあっては、Ｑ値はアンテナ４６、４８と試料４４との水平方向距離、すなわち結合度にあまり影響されない。よって、これに限られず、アンテナ４６、４８が試料４４の上にあってもよい。
【００２１】
図４は、この表面抵抗測定装置１０を用いた特殊形状の試料の表面抵抗を測定するフローチャートである。
【００２２】
まず、表面抵抗を求めたい試料と同一形状であって、Ｑ値と表面抵抗との関係が既知である参照試料について、形状因子を決定する。ここで同一形状とは、形状を特徴付けるパラメータが同じであることをいい、合同な形状だけでなく、相似な形状などを含む。参照試料の例は、銅の細線である。
【００２３】
参照試料は、キャビティ１４内の接地板４０の上に配された誘電体４２の上に配される（Ｓ１０）。この参照試料とは直接接触しないようキャビティ１４の中に接地された一対のモノポールアンテナ４６、４８の一方（例えばアンテナ４６）に、共振計測部２４から所定の周波数の電磁波が与られる（Ｓ１２）。アンテナからの電磁波により、参照試料は、その長さよって決まるある周波数付近で共振する。一対のモノポールアンテナアンテナの他方（例えばアンテナ４８）の検出から、共振計測部２４により参照試料のＱ値が測定される（Ｓ１４）。細線形状の試料は、表面抵抗が試料の直径に依存することが予想されるので、複数の異なる直径の参照試料についてＱ値が計測されることが好ましい。ここで、参照試料のＱ値、表面抵抗および形状因子の間を関係付ける既知の関係式に基づいて、測定されたＱ値と、関係式に基づいて計算されたＱ値とが比較される（Ｓ１６）。より具体的には、グラフ上でカーブフィティングを行い、形状因子が決定される。
【００２４】
次に、参照試料を用いた形状因子を用いることにより、Ｑ値と表面抵抗との関係が未知である試料４４の表面抵抗を求める。試料４４をキャビティ１４内に設置し（Ｓ１８）、アンテナの一方４６に所定の周波数を与え（Ｓ２０）、アンテナの他方４８からＱ値を測定する（Ｓ２２）のは、参照試料の場合と同様である。ここで、例えば試料４４の表面抵抗の温度依存性を測定したい場合には、温度制御部３６により温度制御室１２の温度が制御され、キャビティ１４の中の温度を温度計２８で計測しながら複数の温度条件によるＱ値が測定される。測定された試料４４のＱ値から、すでに求めた参照試料の形状因子を用いて、試料４４の表面抵抗が得られる（Ｓ２４）。
【００２５】
参照試料と同一形状の他の試料について表面抵抗を求める場合には、すでにＳ１６において形状因子が決定されているので、Ｓ１８からＳ２４までの工程を繰り返すことにより、この試料の表面抵抗を得ることができる。
【００２６】
この実施形態によれば、Ｑ値、表面抵抗および形状因子の間の関係式が既知である参照試料について予めその形状因子を求めておくことにより、同一形状でＱ値と表面抵抗との関係が未知である試料のＱ値から表面抵抗を得ることができる。
【００２７】
上記実施形態においては、細線形状の試料について述べたが、これに限られない。例えば、平板状試料についても同様な手法を用いてＱ値から表面抵抗を求めることができる。
【００２８】
【実施例】
この実施形態を用いて、試料の表面抵抗を求めた実施例について説明する。
【００２９】
（実施例１）
酸化物超伝導体の細線状ウィスカを試料として、その表面抵抗の温度依存性を求めた。この超伝導体の細線状ウィスカは、Ｑ値、表面抵抗および形状因子の関係式が解析的には分かっていない。そこで、同一形状の参照試料として、表面抵抗測定装置１０を用いて銅細線の形状因子を決定する実験をした。
【００３０】
参照試料の実験では、直径が０．０８５ｍｍから０．４４ｍｍの銅線を用いて銅線試料を作成した。ここで、共振周波数が約８ＧＨｚとなるように共振器を設計した。直径が０．０８５ｍｍの銅線の長さは１０．５ｍｍであり、その他の銅線の長さは９．５ｍｍである。この銅線の長さの違いは、銅線の形状効果を考慮したものである。キャビティ１４内の接地板４０には、膜厚が１８μｍの銅膜を用いた。誘電体４２の基板には、厚さが０．５ｍｍのＰＰＯ基板を用いた。この誘電体４２の非誘電率εｒ＝１０．１６、誘電損ｔａｎδ＝８．８×１０−３（８ＧＨｚにおいて）である。
【００３１】
これらの参照試料を順次、キャビティ１４内に設置し、共振計測部２４から８ＧＨｚ付近の周波数の電磁波が与られ、共振計測部２４により参照試料のＱ値が測定された。このＱ値の測定は、室温で行われた。
【００３２】
図５は、参照試料としての銅細線試料を用いた共振器のＱ値について試料直径依存性を測定した結果を示す。実験結果は白抜きの丸（○）で示されている。この測定されたＱ値のグラフ上で、カーブフィティングにより形状因子を特定する。導体の線状試料のＱ値と表面抵抗との間には、形状因子を用いて、次の関係式がある。
【００３３】
【式１】
１／Ｑ＝ｇ１ＲＳ１＋ｇ２ＲＳ２
【式２】
ｇ１＝ｃｏｎｓｔ．／ｄ
ここで、ｇ１、ｇ２はそれぞれ線状試料と接地板の形状因子であり、ＲＳ１、ＲＳ２はそれぞれ線状試料と接地板の表面抵抗である。さらに、ｄは線状試料の直径である。
【００３４】
これら式１および式２から、参照試料としての銅細線試料を用いた共振器のＱ値は、次式で表される。
【００３５】
【式３】
Ｑ∝ｄ／（ｄ＋ａ）
ここでａは定数である。この定数ａをパラメータとして、測定されたＱ値が式３から計算で求まるＱ値のカーブ上に乗るようにカーブフィティングした。その結果が図５における実線である。実線上に測定値が乗るようにカーブフィティングできたこと、式１から式３の関係式の妥当性が確認された。このときのパラメータの値から、銅細線試料の形状因子を求めた。ただし、ここでは表面抵抗ＲＳ１自身は、試料の直径に依らないとした。
【００３６】
次に、酸化物超伝導体の細線状ウィスカとして、ＢＳＣＣＯウィスカを作成した。図６は、ＢＳＣＣＯウィスカの走査電子顕微鏡写真である。この写真中で、うにの刺のように見えるのがウィスカである。ウィスカはａ軸方向に成長する。このＢＳＣＣＯウィスカは、臨界温度Ｔｃが約８０ＫであるＢｉ２Ｓｒ２ＣａＣｕ２ＯＸと、わずかなＢｉ２Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３ＯＸからできていることが分かった。測定に使用したＢＳＣＣＯウィスカの試料４４は、直径約１０μｍ、長さは約９．５ｍｍであった。
【００３７】
このＢＳＣＣＯウィスカのＱ値を測定するにあたり、キャビティ１４内の誘電体４２の基板は基板厚が０．５ｍｍのＭｇＯ基板を用いた。接地板４０には、膜厚が１．２μｍでｃ軸配向したＹＢＣＯ（ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏｘ）膜を用いた。ＹＢＣＯ膜のＴｃは８６．６Ｋである。その表面抵抗は、周波数２２ＧＨｚにおいて、温度が３５Ｋのとき０．８ｍΩ、温度７７Ｋのとき１．６ｍΩであった。
【００３８】
表面抵抗測定装置１０におけるＢＳＣＣＯの細線状ウィスカの測定にあっては、まず温度制御部３６により試料４４を約１５Ｋまで冷却した。その後、試料４４を自然昇温させながら、共振器のＱ値を測定した。
【００３９】
図７は、ＢＳＣＣＯの細線状ウィスカのＱ値について温度依存性を測定した結果を示す。なお、共振周波数は１０ＧＨｚである。この図より、臨界温度付近以上の温度で急激にＱ値が低下することがわかった。
【００４０】
図８は、すでに求めた銅線の形状因子に基づいて、図７に示す測定Ｑ値から求めた表面抵抗を示す。なお図８は、超伝導体の表面抵抗が周波数の２乗に比例することを用いて、周波数を６．９ＧＨｚに変換して表面抵抗を示した。図８に示すように、測定したＱ値から銅線の形状因子に基づいて、ＢＳＣＣＯの細線状ウィスカの表面抵抗の絶対値を求めることができた。
【００４１】
（実施例２）
平板状バルク単結晶の一例としてＢＳＣＣＯバルク単結晶を用いた共振器におけるＱ値を測定し、この測定Ｑ値から表面抵抗を求めた。ここで共振器のＱ値は、第１共振点、第２共振点および第３共振点で測定した。
【００４２】
図９は、キャビティ１４内に設置される共振器として、接地板５０、誘電体５２およびＢＳＣＣＯバルク単結晶（Ｂｉ２Ｓｒ２ＣａＣｕ２ＯＸ）の試料５４およびを示す。接地板５０には銅を用いた。誘電体５２の基板には、Ａｌ２Ｏ３を用いた。試料５４の幅ｗは０．８ｍｍ、厚みｔは０．３ｍｍ、長さｌは７．８ｍｍである。
【００４３】
図１０は、ＢＳＣＣＯバルク単結晶を用いた共振器のＱ値の温度依存性を示す。第１共振点における共振器のＱ値は、温度２０．２Ｋ、周波数７．２ＧＨｚにおいて１８５０であった。第２共振点における共振器のＱ値は、温度１９．９Ｋ、周波数１４．２ＧＨｚにおいて１４２０であった。第３共振点における共振器のＱ値は、温度１８．７Ｋ、周波数２０．５ＧＨｚにおいて１３２０であった。
【００４４】
図１１は、ＢＳＣＣＯバルク単結晶の規格化された表面抵抗ＲＳの温度依存性を示す。ここで、平板状バルク単結晶の場合は、Ｑ値と表面抵抗ＲＳとの関係は次式が仮定される。
【００４５】
【式４】
ＲＳ＝Ｇ／Ｑ
ここで、Ｇは形状因子である。ここで、導体細線と同様、Ｑ値、表面抵抗および形状因子との関係が既知である同一形状の参照試料を用いて予め形状因子を決定することにより、平板状バルク単結晶もその測定Ｑ値から表面抵抗を求めることができる。
【００４６】
以上、本発明の実施形態によれば、Ｑ値を正確に測定することができる。さらに、高周波に対するＱ値と表面抵抗との関係が解析的に求められない特殊形状の試料であっても、同一形状であって、Ｑ値、表面抵抗および形状因子の関係が既知である参照試料の形状因子を用いて、試料のＱ値から表面抵抗を求めることができる。さらに、これにより高周波に対する試料の表面抵抗のふるまいを評価することができ、試料の表面抵抗の絶対値を知ることができる。
【００４７】
以上、本発明を実施（の）形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施形態に記載の範囲には限定されない。上記実施形態に、多様な変更または改良を加えることができる。そのような変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
【００４８】
【発明の効果】
上記説明から明らかなように、本発明によればＱ値を正確に測定することができる。さらに、高周波に対するＱ値と表面抵抗との関係が解析的に求められない特殊形状の試料であっても、同一形状であって、Ｑ値、表面抵抗および形状因子の関係が既知である参照試料の形状因子を用いて、試料のＱ値から表面抵抗を求めることができる。
【００４９】
さらに、本発明の測定方法によれば、Ｑ値はアンテナと試料の水平方向距離すなわち結合度にあまり影響されないため、同一装置において、試料を順次交換して接地できるため、基板上に薄膜パターンを形成したマイクロストリップライン等の測定に比較し、測定が容易である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態によるプローブ結合型の表面抵抗測定装置
【図２】表面抵抗測定装置のキャビティの斜視図
【図３】図２のキャビティの中央断面図
【図４】表面抵抗測定装置を用いた特殊形状試料の表面抵抗を測定するフローチャート
【図５】銅細線試料のＱ値について試料直径依存性を測定した結果
【図６】ＢＳＣＣＯウィスカの走査電子顕微鏡写真
【図７】ＢＳＣＣＯのウィスカのＱ値について温度依存性を測定した結果
【図８】図６に示す測定Ｑ値から求めた表面抵抗
【図９】キャビティ内に設置される共振器
【図１０】ＢＳＣＣＯバルク単結晶を用いた共振器のＱ値の温度依存性
【図１１】ＢＳＣＣＯバルク単結晶の規格化された表面抵抗ＲＳの温度依存性
【符号の説明】
１０  表面抵抗測定装置
１２  温度制御室
１４  キャビティ
１６、１８、２２、２６、３０、３４、３８  信号線
２０  共振計測部
２４  表面抵抗計算部
２８  温度計
３６  温度制御部
４０、５０  接地板
４２、５２  誘電体
４４、５４  試料
４６、４８  モノポールアンテナ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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