【事件の表示】
　特願２００１−　５９７６９「高純度ジルコニウム若しくはハフニウム粉の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　７月２６日出願公開、特開２００２−２０６１０３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第一　手続の経緯 
 　本件審判に係る出願は、平成１３年３月５日に出願されたものであって、平成１８年１０月２３日付けで拒絶査定されたものである。 
　この拒絶査定を不服として、平成１８年１１月２８日付けで本件審判請求がなされ、同年１２月１日付けで手続補正がなされたものの、当該手続補正は、当審において、平成２０年７月１５日付けで補正の却下の決定がなされるとともに、同日付けで拒絶理由通知がなされ、平成２０年９月１９日付けで手続補正がなされたものである。　
　
第二　本願発明について
１．本願発明
　本願請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、平成２０年９月１９日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものであって、以下のとおりのものである。
　
「ジルコニウム若しくはハフニウム原料を電子ビーム溶解し高純度化してインゴット化する工程、得られた高純度ジルコニウム若しくはハフニウムインゴットを水素雰囲気中で７００°Ｃ以上に加熱して水素化する工程、該水素化したインゴットを不活性ガスを導入しつつ５００°Ｃ以下に冷却して水素化ジルコニウム若しくはハフニウム粉をインゴットから剥落させ、水素化高純度ジルコニウム若しくはハフニウム粉を得る工程、インゴットから剥落した高純度ジルコニウム若しくはハフニウム粉を、さらに粉砕する工程、及び水素化高純度ジルコニウム若しくはハフニウム粉の水素を真空下又は不活性雰囲気中で加熱することにより除去する工程からなることを特徴とする高純度ジルコニウム若しくはハフニウム粉の製造方法。」
　
　２．当審の拒絶理由の概要
　当審より通知された拒絶理由の概要は、以下のとおりである。
　
　この出願の請求項１〜１１に係る発明（以下、それぞれ、本願発明１〜１１という。）は、その出願前日本国内又は外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　記  
 　引用文献１　特開昭６３−１４３２０９号公報 
 　引用文献２　特開平４−３５０１０５号公報 
 　引用文献４　特開平４−３５８０３０号公報 
 　引用文献Ａ　特開平１０−９１９４１号公報 
 　引用文献Ｂ　特開昭６３−４７３４４号公報 　
 　引用文献Ｃ　特開平１０−１７９０８号公報 
 　引用文献ア　特開平７−２７８６０１号公報 
　 引用文献イ　特開平６−１２８６１３号公報 
　 引用文献ウ　特開平５−１０５９１７号公報 
　
３．刊行物及び刊行物に記載された事項 
　引用文献１（【発明の名称】ＩＶａ族金属粉末の製造方法）には、〈背景技術〉として、以下の記載がある（以下、明瞭化のため適宜下線を引いた。）。 
（１ａ）
「〈背景技術〉 
 　　・・・ 
　ＩＶａ族金属粉末の製造手段としては、・・・上記金属が水素を吸蔵して脆化し易い性質を利用したところの「水素化して破砕され易くなったＩＶａ族金属を粉砕し、その後脱水素処理を施す方法（水素化−脱水素法）」等が知られている。 
 　・・・ 
　”水素化−脱水素法”によるＩＶａ族金属粉末の製造は、現在、概ね上記原理に基づいて行われており、実際には次のような工程・条件を柱として粉末が製造されている。 
 　　第１工程〔水素化〕 
 　　　　　・・・
 　　　　Ｈ２ガス中加熱温度：５００℃以上、 
 　　第２工程〔粉砕〕 
 　　　　雰囲気ガス：アルゴン、 
 　　第３工程〔脱水素〕 
 　　　　処理槽内の真空度：１０−４Ｔｏｒｒ以下、 
 　　　　加熱温度：７００℃以上。」
　　　　　　（１頁右下欄末行、２頁右上欄２行〜２頁左下欄下から２行）  　 
（１ｂ）「ここで、「ＩＶａ族金属」とはＴｉ、　Ｚｒ及びＨｆのみならずこれらを基とする合金をも含む」（３頁右下欄末行〜４頁左上欄１行） 
 　 
 　引用文献２（【発明の名称】高融点活性金属・合金微粉末の製造方法） 
（２ａ）「【０００７】 
 【作用】・・・本発明は特に、チタン，チタン合金，ジルコニウム，ニオブ合金に適用される。これら金属および合金の溶解方法は
公知の方法でよく、例えば電子ビーム溶解
　
「【００１２】以下に従来の製造方法で合金粉末を製造した従来例について説明する。真空中での
電子ビーム溶解炉
ブロック
　
　引用文献２の４頁表１には、７００℃、８００℃で水素化する実施例５、６、比較例３、４が記載されている。
 　 
　引用文献４（【発明の名称】高純度金属材およびその製造方法と、それを用いたスパツタターゲツト、およびそれを用いて形成した配線網と半導体パツケージ）
（４ａ）「【００１５】すなわち、本発明の高純度金属材の第１の製造方法は、チタン、ジルコニウムおよびハフニウムから選ばれた１種の金属を主とする粗金属材をヨウ化物分解法によって精製する工程と、この精製された金属材を高真空下で
電子ビーム溶解
 【００１６】 
 【作用】本発明においては、・・・高真空下で
電子ビーム溶解
高純度
 　 
（４ｂ）「【００２６】本発明の第１の製造方法においては、・・・高真空下で
電子ビーム溶解（以下、ＥＢ溶解と記す）することにより、
高純度金属材が得られる。
 　 
（４ｃ）「【００２８】このようにヨウ化物分解法で精製されたＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ等の金属材は、
ＥＢ溶解によりさらに精製される。
高純度の金属材が得られる
 　 
　引用文献Ｂ（【発明の名称】低酸素合金成形体の製造法） 
「水素化物を形成しうる金属としては、周期律表の２Ａ，３Ａ，
４Ａ
 　このような、水素化物を形成しうる金属を含む金属配合物は、粉状、粒状あるいは
インゴット
 ・・・ 
 　固化合金は、固化に引き続いて、または固化後適宜の時に水素と接触させて水素化する。かかる水素化は合金の種類によってそれぞれ適した条件の下に行うことができる。合金は高純度の水素を吸収して水素化することにより膨張し、
内部応力によって破砕する
 
　引用文献Ｃ（【発明の名称】希土類焼結磁石用合金粉末の製造方法）
「【００３６】水素吸収後、容器内を真空引きし１ｋｇ／ｃｍ２になるまで純度９９．９９９％
Ａｒ置換し２５℃まで水素化粉が冷却
　 
４．引用発明の認定・判断
　引用文献１の（１ａ）の
「〈背景技術〉 
 　　・・・ 
　ＩＶａ族金属粉末の製造手段としては、・・・上記金属が水素を吸蔵して脆化し易い性質を利用したところの「水素化して破砕され易くなったＩＶａ族金属を粉砕し、その後脱水素処理を施す方法（水素化−脱水素法）」等が知られている。 
 　・・・ 
　”水素化−脱水素法”によるＩＶａ族金属粉末の製造は、現在、概ね上記原理に基づいて行われており、実際には次のような工程・条件を柱として粉末が製造されている。 
 　　第１工程〔水素化〕 
 　　　　　・・・
 　　　　Ｈ２ガス中加熱温度：５００℃以上、 
 　　第２工程〔粉砕〕 
 　　　　雰囲気ガス：アルゴン、 
 　　第３工程〔脱水素〕 
 　　　　処理槽内の真空度：１０−４Ｔｏｒｒ以下、 
 　　　　加熱温度：７００℃以上。」
との記載によれば、引用文献１には、ＩＶａ族金属粉末の製造に関して、その背景技術として、
（１）ＩＶａ族金属原料を用意し、これを、水素雰囲気中で５００℃以上に加熱する第１工程、
（２）これを、アルゴンガス雰囲気で粉砕する第２工程及び、
（３）水素化したＩＶａ族金属粉の水素を真空中で加熱することにより除去する第３工程、
からなるＩＶａ族金属粉末の製造方法が記載されているといえる。
　
　そして（１ｂ）の「ここで、「ＩＶａ族金属」とはＴｉ、　Ｚｒ及びＨｆのみならずこれらを基とする合金をも含む」との記載によれば、上記「ＩＶａ族金属」を、ジルコニウム若しくはハフニウムとすることができる。
　したがって、引用文献１には、以下の発明が記載されている。
　
「ジルコニウム若しくはハフニウム原料を水素雰囲気中で５００℃以上に加熱して水素化する工程、該水素化した原料を不活性ガスを導入しつつ粉砕する工程、及び水素化ジルコニウム若しくはハフニウム粉の水素を真空下で加熱することにより除去する工程からなるジルコニウム若しくはハフニウム粉の製造方法。」（以下「引用発明」という。）
　
　よって、本願発明１と引用発明とは、以下の点で一致し、相違する。 
 （一致点） 
「ジルコニウム若しくはハフニウム原料を水素雰囲気中で７００℃以上に加熱して水素化する工程、該水素化した原料を不活性ガスを導入しつつ粉砕する工程、及び水素化ジルコニウム若しくはハフニウム粉の水素を真空下で加熱することにより除去する工程からなるジルコニウム若しくはハフニウム粉の製造方法。」
　
 （相違点１） 
　本願発明１は、「ジルコニウム若しくはハフニウム原料を電子ビーム溶解し高純度化してインゴット化する工程」を備えた「高純度ジルコニウム若しくはハフニウム粉の製造方法」であるのに対して、 
　引用発明は、そのような工程を備えていない「ジルコニウム若しくはハフニウム粉の製造方法」である点。 
　
　（相違点２） 
　本願発明１は、「該水素化したインゴットを不活性ガスを導入しつつ５００°Ｃ以下に冷却して水素化ジルコニウム若しくはハフニウム粉をインゴットから剥落させ、水素化高純度ジルコニウム若しくはハフニウム粉を得る工程、インゴットから剥落した高純度ジルコニウム若しくはハフニウム粉を、さらに粉砕する工程」を備えているのに対して、 
　引用発明は、それらの工程を備えているか不明である点。
　 
（相違点についての判断） 
相違点１について 
　ジルコニウム若しくはハフニウム原料を電子ビーム溶解し、高純度化した後、固化、インゴット化することは、本願出願前周知であるから（引用文献２の（２ａ）、引用文献４（４ａ）〜（４ｃ）、引用文献Ｂ）、引用発明において、高純度ジルコニウム若しくはハフニウム粉を製造するため、その原料段階から高純度化すべく、〔水素化〕工程前に、「ジルコニウム若しくはハフニウム原料を電子ビーム溶解し高純度化してインゴット化する工程」をを備え、「高純度ジルコニウム若しくはハフニウム粉の製造方法」とすることは、当業者であれば容易になし得たものである。
　
相違点２について 
　水素化−脱水素法において、水素化工程後、不活性ガス中で冷却し、粉砕を行うことは、周知である（引用文献Ｃ、特開平４−１３１３０９号公報　３頁右下欄下から９行〜４頁左上欄５行）。
　
　引用発明において、上記のようにして、水素化する工程後のインゴットを不活性ガスを導入しつつ、冷却する際、５００℃以下の適当な温度に冷却することは、当業者が適宜なし得たことである。
　そうすると、インゴットは水素脆化しており、冷却時の熱収縮等により、水素化ジルコニウム若しくはハフニウム粉は、インゴットから剥落し、水素化高純度ジルコニウム若しくはハフニウム粉を得ることができるといえる（引用文献Ｂ参照）。
　そして、インゴットから剥落した高純度ジルコニウム若しくはハフニウム粉を、さらに粉砕することは、当業者が適宜なし得たことである。
　したがって、引用発明において、相違点２の構成を備えることは、当業者であれば容易になし得たものである。
　
　以上のとおり、引用発明において、相違点１、２の構成を備えることは、当業者であれば容易に想到し得たものである。 
　したがって、本願発明は、引用文献１、２、４、Ｃに記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 　 
　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。したがって、本願は拒絶されるべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。