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　特願２０００−　８０４６５「ＤＬＣ膜成膜装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　９月２６日出願公開、特開２００１−２６２３４４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯 
　本願は、平成１２年３月２２日の出願であって、平成１６年８月６日付けで拒絶理由の通知がなされ、同年１０月１３日に意見書及び手続補正書の提出がなされ、平成１７年４月６日付けで拒絶査定がなされ、同年４月２８日付けで拒絶査定不服の審判が請求され、その後当審から平成２１年３月１１日付けで拒絶理由が通知され、同年５月１５日に意見書及び手続補正書が提出されたものである。
　
２．平成２１年５月１５日付け手続補正書による補正についての補正却下の決定  
　  
［補正却下の結論］  
　　  
　平成２１年５月１５日付け手続補正書による補正を却下する。  
　  
［理由］   
　平成２１年５月１５日付け手続補正書による補正（以下、「本件補正」という。）は、補正前の請求項１〜３である
「 　　【請求項１】　基板を装填したチャンバー内で炭化水素ガスを放電させてプラズマ状態とし、そのプラズマ中のプラスイオンを前記基板上に捕捉してＤＬＣ膜を成膜するＤＬＣ膜成膜装置において、 
 　前記炭化水素ガスを前記チャンバー内に供給する炭化水素ガス供給装置と、 
 　前記基板に成膜されるＤＬＣ膜の成膜レートを制御する制御ガスを、前記チャンバー内に供給する制御ガス供給装置と、 
 　所望の成膜レートとなるように前記炭化水素ガス供給装置および前記制御ガス供給装置を制御して、前記炭化水素ガスと前記制御ガスとの分圧比を制御する制御装置とを設けたことを特徴とするＤＬＣ膜成膜装置。 
 　　【請求項２】　請求項１に記載のＤＬＣ膜成膜装置において、 
 　前記制御ガスが、前記炭化水素ガスのイオン化エネルギーより大きな準安定励起エネルギーを有するガスであることを特徴とするＤＬＣ膜成膜装置。 
 　　【請求項３】　請求項２に記載のＤＬＣ膜成膜装置において、 
 　前記制御ガスがヘリウムガスであることを特徴とするＤＬＣ膜成膜装置。」
を
「　　【請求項１】　基板を装填したチャンバー内でエチレンガスを放電させてプラズマ状態とし、そのプラズマ中のプラスイオンを前記基板上に捕捉してＤＬＣ膜を成膜するＤＬＣ膜成膜装置において、
　前記エチレンガスを前記チャンバー内に供給するエチレンガス供給装置と、
　前記基板に成膜されるＤＬＣ膜の成膜レートを制御するヘリウムガスを、前記チャンバー内に供給するヘリウムガス供給装置と、
　１．３５Å／ｓ乃至５．９１Å／ｓの成膜レートとなるように前記エチレンガス供給装置および前記ヘリウムガス供給装置を制御して、前記エチレンガスと前記ヘリウムガスとの分圧比を制御する制御装置とを設けたことを特徴とするＤＬＣ膜成膜装置。」
と補正するものである。
　この補正は、補正前の請求項１及び２を削除し、補正前の請求項３の「炭化水素ガス」を「エチレンガス」に、「所望の成膜レート」を「１．３５Å／ｓ乃至５．９１Å／ｓ」に減縮して新たに請求項１とたものであって、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第１及び２号に該当する。
　そこで、補正された請求項１に係る発明（以下、「補正後本願発明」という。）が特許出願の際に独立して特許を受けることができるかどうかについて検討する。
　
Ａ．引用文献 
　当審が平成２１年３月１１日付け拒絶理由通知に引用した本願出願日前に頒布された特開平５−９７３６号公報（以下、「引用文献１」という。）には、以下の事項が記載されている。 
 （１）「【請求項１】炭素含有ガスおよび希ガスからなる混合ガス、あるいは炭素含有ガス、水素ガスおよび希ガスからなる混合ガスを、電子サイクロトロン共鳴法により励起し、基材に接触させることを特徴とするダイヤモンド状炭素薄膜の製造方法。」（【請求項１】）
 （２）「本発明の製造方法においては、原料ガスとして、炭素含有ガスおよび希ガスからなる混合ガス・・・・・・が使用さる。」（【０００５】：「使用さる」は「使用される」の誤記と認める。） 
 （３）「本発明で使用される炭素含有ガスとしては、例えば、メタノ−ル・・・・・・等のアルコ−ル系ガス類・・・・・・エチレン・・・・・・等のアルケン系ガス類・・・・・・などがあげられる。」（【０００６】） 
 （４）「本発明で使用される希ガスは、・・・・・・例えば、ヘリウム、アルゴン、ネオン、キセノン等があげられる。上記希ガスの混合ガス中の混合量は、少なくなると得られる薄膜がグラファイト状となり、多くなるとダイヤモンド状炭素薄膜の形成速度が低下するので、混合ガス中２０〜９０ｖｏｌ％が好ましい。」（【０００８】） 
 （５）「図１は、本発明のダイヤモンド状炭素薄膜の製造方法に使用される装置の１例を示す模式断面図である。 
 ・・・・・・ 
 　図１において、１は真空容器であり、真空容器１はプラズマ発生室１１と成膜室１２からなっている。 
 ・・・・・・ 
 真空容器１内には・・・・・・基材６を保持する・・・・・・プラズマ発生室１１には、混合ガスを導入するためのガス導入管８、９が設けられており・・・・・・導入管８および９を用いて混合ガスを構成する成分ガスを個別に導入してもよい。
・・・・・・
磁石４によって基材６に所定磁場強度の磁場を印加するとともにマイクロ波発振器２によって所定周波数のマイクロ波を発生させ、マイクロ波導入路３を通じて真空容器１内にマイクロ波を導入する。その結果、真空容器１内に導入された原料ガスは励起されてプラズマ状態となり、炭素含有活性種が生成し、該炭素含有活性種が基材６に接触することにより、基材６上にダイヤモンド状炭素薄膜が形成されるのである。」（【００１１】〜【００１７】）
 （６）「（実施例４）真空容器内に、メタノ−ルガスを流量５５SCCMに設定してガス導入管８より導入し、アルゴンガスを流量６０SCCMに設定してガス導入管９より導入し、０．０５Torrの圧力とした以外は実施例１と同様にして４時間成膜した。このときの成膜速度は０．５μｍ／時間であった。」（【００３０】） 
 （７）「（実施例５）真空容器内に、メタノ−ルガスを流量２０SCCMに設定してガス導入管８より導入し、アルゴンガスを流量８０SCCMに設定してガス導入管９より導入し、０．０５Torrの圧力とした以外は実施例１と同様にして４時間成膜した。このときの成膜速度は０．６μｍ／時間であった。」（【００３２】） 
 　 
　当審が平成２１年３月１１日付け拒絶理由に引用した本願出願日前に頒布された特開平６−６５７４４号公報（以下、「引用文献２」という。）には、以下の事項が記載されている。 
 （８）「【請求項１】２００℃以下に保持された基材の表面に、炭素及び水素を含有する反応ガスを電子サイクロトロン共鳴法により励起し接触させて成膜することを特徴とするダイヤモンド状炭素薄膜の製造方法。」（【請求項１】） 
 （９）「本発明で使用される反応ガスとしては、炭素と水素を含有するガスであり、例えば、・・・・・・エチレン・・・・・・等のアルケン系ガス類・・・・・・が挙げられる。
・・・・・・
また、反応ガスとしては、・・・・・・上記ガスと希ガスとの混合ガスも使用可能である。
・・・・・・
上記希ガスは・・・・・・例えば、ヘリウム、アルゴン、ネオン、キセノン等が挙げられる。」（【０００７】〜【０００９】） 
 （１０）「希ガスを混合するとプラズマ電子密度が大きくなるため、ダイヤモンド状炭素薄膜の成膜速度が高くなる傾向がある。そして、上記混合ガス中における希ガスの混合量は、混合ガスの種類や成膜圧力等によって適宜決定されるが、過剰でも過小でも、得られる薄膜がグラファイト状になり、ダイヤモンド状炭素薄膜の成膜速度が低下するので、混合ガス中２０〜９０ｖｏｌ％が好ましい。」（【００１０】） 
　
 Ｂ．対比・判断 
 （あ）上記（５）の「真空容器１内には・・・・・・基材６を保持する」との記載から、基材は真空容器内に装填されているといえる。 
 （い）上記（２）の「原料ガスとして、炭素含有ガスおよび希ガスからなる混合ガス・・・・・・が使用される」との記載、並びに、上記（３）の「炭素含有ガスとしては、例えば、メタノ−ル・・・・・・等のアルコ−ル系ガス類・・・・・・エチレン・・・・・・等のアルケン系ガス類・・・・・・などがあげられる。」との記載、及び上記（４）の「本発明で使用される希ガスは、・・・・・・例えば、ヘリウム、アルゴン・・・・・・等があげられる。」との記載からみて、原料ガスはメタノ−ルやエチレン等の炭素含有ガスとヘリウムやアルゴン等の希ガスの混合ガスであるといえる。 
 （う）上記（い）の検討結果と、上記（５）の「真空容器１内に導入された原料ガスは励起されてプラズマ状態となり、炭素含有活性種が生成し、該炭素含有活性種が基材６に接触することにより、基材６上にダイヤモンド状炭素薄膜が形成されるのである。」との記載からみて、メタノ−ルやエチレン等の炭素含有ガスを放電させてプラズマ状態とし、基材上にダイヤモンド状炭素薄膜が形成されているといえる。 
 （え）上記（５）の「真空容器１はプラズマ発生室１１と成膜室１２からなっている。・・・・・・ラズマ発生室１１には、混合ガスを導入するためのガス導入管８、９が設けられており・・・・・・導入管８および９を用いて混合ガスを構成する成分ガスを個別に導入してもよい。」との記載からみて、真空容器内にメタノ−ルやエチレン等の炭素含有ガスとヘリウムやアルゴン等の希ガスをそれぞれ導入する導入管があるといえる。また、このことは上記（６）及び（７）の記載からも裏付けられる。 
 （お）上記（６）の実施例４と上記（７）の実施例５のメタノールガス及びアルゴンガスの流量を比較すると、前者が５５ＳＣＣＭと２０ＳＣＣＭ、後者が６０ＳＣＣＭと８０ＳＣＣＭであって、メタノールガス及びアルゴンガスの流量は変化しているから、引用文献１には明言がないが、上記（５）に記載の装置は、導入管のそれぞれにガス流量を調整する手段を有していることは明らかであって、引用文献１に記載の装置は、メタノールやエチレン等の炭素含有ガスとヘリウムやアルゴン等の希ガスのガス流量をそれぞれ調整する手段を有しているといえる。 
 　 
 　上記（あ）〜（お）の検討を踏まえて、上記（１）〜（７）に記載された事項を、補正後本願発明の記載ぶりに則して整理すると、引用文献１には、 
　「基材を装填した真空容器内でメタノ−ルやエチレン等の炭素含有ガスを放電させてプラズマ状態とし基材上にダイヤモンド状炭素薄膜を形成する装置において、 
 　前記炭素含有ガスを前記真空容器内に導入する導入管と、 
 　ヘリウムやアルゴン等の希ガスを前記真空容器内に導入する導入管と、 
 　前記炭素含有ガスの流量と前記希ガスの流量をそれぞれ調整する手段とを設けた装置。」
 の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているといえる。 
 　 
 　補正後本願発明と引用発明を対比する。 
 （か）引用発明の「ダイヤモンド状炭素薄膜」は補正後本願発明の「ＤＬＣ膜」であることは明らかである（要すれば、特開平６−３４４４９５号公報、特開平５−２４８６５号公報を参照）。 
 （き）引用発明の「基材」及び「真空容器」は、それぞれ、補正後本願発明の「基板」及び「チャンバー」に相当する。 
 （く）補正後本願発明の「エチレンガス」、「ヘリウムガス」は、それぞれ、「炭素含有ガス」、「希ガス」の一つであることは明らかである。
 （け）引用発明の「前記炭素含有ガスを前記真空容器内に導入する導入管」及び「ヘリウムやアルゴン等の希ガスを前記真空容器内に導入する導入管」は、上記（き）及び（く）の検討結果より、それぞれ、「炭素含有ガスをチャンバー内に供給する炭素含有ガス供給装置」、及び「希ガスをチャンバー内に供給する希ガス供給装置」に相当するとみることができる。 
 （こ）引用発明の「炭素含有ガスの流量と希ガスの流量をそれぞれ調整する手段」は、これらのガスが共に真空容器、すなわち、チャンバー内に供給されることから、チャンバー内のガスの分圧比を制御する手段といえ、この調整する手段は、「炭素含有ガス供給装置および希ガス供給装置を制御して、炭素含有ガスと希ガスの分圧比を制御する制御装置」とみることができる。 
  
　そうすると、両者は、共に、 
　「基板を装填したチャンバー内で炭素含有ガスを放電させてプラズマ状態とし、そのプラズマ中のプラスイオンを前記基板上に捕捉してＤＬＣ膜を成膜するＤＬＣ膜成膜装置において、 
　前記炭素含有ガスを前記チャンバー内に供給する炭素含有ガス供給装置と、 
　希ガスを、前記チャンバー内に供給する希ガス供給装置と、 
　前記炭素含有ガス供給装置および前記希ガス供給装置を制御して、前記炭素含有ガスと前記希ガスとの分圧比を制御する制御装置とを設けたＤＬＣ膜成膜装置。」 
である点で一致し以下の点で相違している。 
相違点１：炭素含有ガスにつき、補正後本願発明では、「エチレンガス」を用いているのに対し、引用発明では「エチレンガス」は例示されているガスの一つにすぎない点
相違点２：希ガスにつき、補正後本願発明では、「ヘリウムガス」であって、「基板に成膜されるＤＬＣ膜の成膜レートを制御する」ものであるのに対し、引用発明では「ヘリウムガス」は例示されている一つのガスにすぎず、「基板に成膜されるＤＬＣ膜の成膜レートを制御する」という事項について明言がない点 
 相違点３：炭素含有ガス供給装置および希ガス供給装置を制御して、炭素含有ガスと希ガスとの分圧比を制御する制御装置につき、補正後本願発明では、「１．３５Å／ｓ乃至５．９１Å／ｓの成膜レートとなるように」するものであるのに対し、引用発明では、かかる事項について明言がない点 
　 
　そこで、これら相違点について検討する。 
・相違点１について
　 炭素含有ガスにつき、引用文献１にはエチレンが例示されているから、炭素含有ガスをエチレンガスとすることは当業者にとって困難とはいえない。
・相違点２について 
 　希ガスにつき、引用文献１にはヘリウムが例示されており、希ガスをヘリウムガスすることは当業者にとって困難とはいえない。また、引用発明の希ガスは炭素含有ガスとと共にチャンバー内に供給されるから、引用発明のチャンバー内のガスは補正後本願発明と同じであること、そして、下記相違点３の検討のところで述べることとを合わせてみると、引用発明の希ガスは「基板に成膜されるＤＬＣ膜の成膜レートを制御する」ものであるといえる。 
・相違点３について 
 　上記（６）をみると、実施例４では、メタノールガス流量が５５ＳＣＣＭ、アルゴンガスの流量が６０ＳＣＣＭのとき、成膜速度、すなわち、成膜レートが０．５μｍ／時間単位換算を行うと、１．３８Å／ｓであり、アルゴンガスの分圧は６０／（５５＋６０）＝０．５２であること、 
 　上記（７）をみると、実施例５では、メタノールガス流量が２０ＳＣＣＭ、アルゴンガスの流量が８０ＳＣＣＭのとき、成膜速度、すなわち、成膜レートが０．６μｍ／時間であり、単位換算を行うと、１．６６Å／ｓであり、アルゴンガスの分圧は８０／（２０＋８０）＝０．８であること 
 がそれぞれ記載されているといえる。 
　この２の実施例をみると、メタノールガスとアルゴンガスの流量比、すなわち、分圧比を変化させると成膜レートが変化していることが分かるが、この変化が有意の変化であるのか（換言すれば測定誤差程度のものか）を判断することは直ちにできない。 
 　しかし、上記（４）及び引用文献２の上記（１０）には、炭化水素ガスに過剰・過小でない量の希ガスを混合すると成膜レートが高くなることが記載されているから、この上記（４）及び引用文献２の（８）〜（１０）の記載に接した当業者は、アルゴンガス分圧が０．５２のときの成膜レートが１．３８Å／ｓ（実施例４）、アルゴンガス分圧が０．８のときの成膜レートが１．６６Å／ｓ（実施例５）のデータをみて、アルゴンガス分圧と成膜レートには相関関係があるという現象を把握し、アルゴンガス分圧を変化させれば、１．３５Å／ｓ乃至５．９１Å／ｓの間の成膜レートに制御できるという知見を得るものといえる。 
 　そうすると、この相違点３に係る補正後本願発明の特定事項は当業者であれば困難なくなしえたものである。 
 　よって、補正後本願発明は引用発明及び引用文献２に記載された発明から当業者が容易になしえたものである。 
 　そして、補正後本願発明の奏する作用・効果は当業者であれば当然に予想できる程度のものである。 
　 　 
Ｃ．補正却下のむすび
　よって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明  
　上記のとおり平成２１年５月１５日付け手続補正書による補正は却下されたので、本願の請求項１に係る発明は平成１６年１０月１３日付け手続補正書によって補正された請求項１〜３に記載されたとおりのものであって、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。  
　
「 　　【請求項１】　基板を装填したチャンバー内で炭化水素ガスを放電させてプラズマ状態とし、そのプラズマ中のプラスイオンを前記基板上に捕捉してＤＬＣ膜を成膜するＤＬＣ膜成膜装置において、 
 　前記炭化水素ガスを前記チャンバー内に供給する炭化水素ガス供給装置と、 
 　前記基板に成膜されるＤＬＣ膜の成膜レートを制御する制御ガスを、前記チャンバー内に供給する制御ガス供給装置と、 
 　所望の成膜レートとなるように前記炭化水素ガス供給装置および前記制御ガス供給装置を制御して、前記炭化水素ガスと前記制御ガスとの分圧比を制御する制御装置とを設けたことを特徴とするＤＬＣ膜成膜装置。 」
　
４．引用発明との対比・判断
　平成２１年３月１１日付け拒絶理由において引用した引用文献１及び引用文献２には、ぞれぞれ、上記補正却下の決定のＡ．の（１）〜（１０）に適示した事項が記載されており、引用文献１には、同Ｂ．の引用発明が記載されているといえる。
　上記Ｂ．の検討結果及び引用発明の「メタノ−ルやエチレン等の炭素含有ガス」、「希ガス」は、それぞれ、本願発明の「炭化水素ガス」、「制御ガス」に相当することからみて、
　本願発明と引用発明とを対比すると、両者は、共に、
　「基板を装填したチャンバー内で炭化水素ガスを放電させてプラズマ状態とし、そのプラズマ中のプラスイオンを前記基板上に捕捉してＤＬＣ膜を成膜するＤＬＣ膜成膜装置において、 
 　前記炭化水素ガスを前記チャンバー内に供給する炭化水素ガス供給装置と、 
 　制御ガスを、前記チャンバー内に供給する制御ガス供給装置と、 
 　前記炭化水素ガス供給装置および前記制御ガス供給装置を制御して、前記炭化水素ガスと前記制御ガスとの分圧比を制御する制御装置とを設けたＤＬＣ膜成膜装置。」 
である点で一致し以下の点で相違している。 
相違点４：制御ガスにつき、本願発明では、「基板に成膜されるＤＬＣ膜の成膜レートを制御する」ものであるのに対し、引用発明１ではかかる事項について明言がない点
相違点５：炭化水素ガス供給装置および制御ガス供給装置を制御して、炭化水素ガスと制御ガスとの分圧比を制御する制御装置につき、本願第１発明では、「所望の成膜レートとなるように」するものであるのに対し、引用発明１では、かかる事項について明言がない点 
　
　そこで、これら相違点について検討する。
・相違点４について
　引用発明の希ガス、すなわち、制御ガスは炭素含有ガスと共にチャンバー内に供給されるから、引用発明のチャンバー内のガスは本願発明と同じであること、そして、下記相違点５の検討のところで述べることとを合わせてみると、引用発明の制御ガスは「基板に成膜されるＤＬＣ膜の成膜レートを制御する」ものであるといえる。 
・相違点５について
　この相違点５は、「１．３５Å／ｓ乃至５．９１Å／ｓ」という数値限定を取り除いた相違点３と同じになるから、相違点３の検討のところで述べたものと同じ理由により、この相違点５に係る本願発明の特定事項は当業者であれば容易になしえたことである。
　そして、本願発明の奏する作用・効果も当業者であれば当然に予想できた程度のものである。
　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明１及び引用文献２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることはできない。  
　したがって、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。  
　よって、結論のとおり審決する。