【事件の表示】
　特願２００１−３４７８０７「気密端子の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　５月２３日出願公開、特開２００３−１５２１２９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　出願　　　　　　　　　　　　：平成１３年１１月１３日
　拒絶理由通知　　　　　　　　：平成１７年　６月１５日付
　意見書提出　　　　　　　　　：平成１７年　８月　９日付
　手続補正　　　　　　　　　　：平成１７年　８月　９日付
　拒絶理由通知（最後）　　　　：平成１７年１０月３１日付
　意見書提出　　　　　　　　　：平成１７年１２月　９日付
　手続補正　　　　　　　　　　：平成１７年１２月　９日付
　補正の却下の決定（平成１７年１２月９日付手続補正）
　　　　　　　　　　　　　　　：平成１８年　６月　２日付
　拒絶査定　　　　　　　　　　：平成１８年　６月　２日付
　審判請求　　　　　　　　　　：平成１８年　７月　６日
　手続補正　　　　　　　　　　：平成１８年　７月　６日付
　前置報告　　　　　　　　　　：平成１８年　９月　８日付
　審尋　　　　　　　　　　　　：平成２０年　４月２８日付
　回答書提出　　　　　　　　　：平成２０年　６月２７日付
　
ＩＩ．平成１８年７月６日付の手続補正についての補正却下の決定
　
【補正却下の決定の結論】
　平成１８年７月６日付の手続補正を却下する。
　
【理　由】
　
１．本件手続補正の内容
　本件手続補正は、特許請求の範囲についての補正事項を含んでおり、補正前後の特許請求の範囲は、次のとおりである。
　なお、平成１７年１２月９日付の手続補正は、平成１８年６月２日付で却下されているため、本件手続補正前の特許請求の範囲は、平成１７年８月９日付で手続補正されたものである。
　
＜補正前の特許請求の範囲＞
　「【請求項１】　開口部内壁にめっき膜を有する円筒状ケースに、ガラスを介してリードを挿通させた側壁にめっき膜を有するプラグを押し込んでめっき膜を圧着させる気密端子製造方法であって、前記円筒状ケース側のめっき膜を薄く、前記プラグ側のめっき膜を厚く設定することを特徴とする気密端子の製造方法。
　【請求項２】　前記プラグ側のめっき膜はＳｎＣｕ半田であり、その膜中銅濃度を１ｗｔ％以上、めっき膜厚を１０μｍ以上に設定することを特徴とする請求項１に記載の気密端子の製造方法。
　【請求項３】　前記円筒状ケース側のめっき膜はＳｎＣｕ半田またはＮｉであることを特徴とする請求項２に記載の気密端子の製造方法。
　【請求項４】　前記ＳｎＣｕ半田のめっき膜を形成後、この半田に温度が７５℃〜１５０℃、処理時間が０．５時間〜６時間の熱負荷を付与してウィスカー発生を防止することを特徴とする請求項３に記載の気密端子の製造方法。」
　
＜補正後の特許請求の範囲＞
　「【請求項１】　開口部内壁にめっき膜を有する円筒状ケースと、ガラスを介してリードを挿通させた側壁にめっき膜を有するプラグとを具備し、前記円筒状ケースに前記プラグを押し込んでそれぞれのめっき膜を圧着させる気密端子製造方法であって、前記プラグ側のめっき膜はＳｎＣｕ半田であり、その膜中銅濃度を１ｗｔ％以上、めっき膜厚を１０μｍ以上に設定すると共に、前記円筒状ケース側のめっき膜はＳｎＣｕ半田またはＮｉであり、前記円筒状ケース側の内面めっき膜厚を１μｍ以下に設定し、前記プラグ側のめっき膜厚より薄くしたことを特徴とする気密端子の製造方法。」
　
　上記補正事項について検討するに、補正前の請求項１を引用する請求項２をさらに引用する請求項３は、補正後の請求項１に対応するものと認められるところ、上記補正事項は、補正前の請求項１に記載した発明特定事項である「円筒状ケース側のめっき膜」について、補正後の請求項１において「膜厚を１μｍ以下に設定し」と限定するとともに、補正前の請求項１、２及び４を削除するものである。
　したがって、この補正事項は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項第１号に規定された請求項の削除、及び、同項第２号に規定された特許請求の範囲の限定的減縮を目的としたものに該当する。
　
　以下では、本件手続補正後の請求項１に係る発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か（同法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するものであるか否か）について検討する。
　
２．本件手続補正後の請求項１に係る発明
　本件手続補正後の請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明１」という。）は、平成１８年７月６日付で手続補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものと認める（上記１．の＜補正後の特許請求の範囲＞参照）。
　
３．引用刊行物及びその摘記事項
　平成１７年１０月３１日付の拒絶理由通知（最後）に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開２００１−２８５００７号公報（以下、「刊行物１」という。）には、次の事項が記載されている。
　
（１）刊行物１：特開２００１−２８５００７号公報
（１ａ）「【特許請求の範囲】
【請求項１】　少なくとも、水晶片、気密端子及び封止管で構成される圧入型シリンダータイプ水晶振動子の、気密端子を構成する金属環の圧入面に溶融温度が２２０℃以上の錫−銅合金をメッキしたことを特徴とする気密端子。
【請求項２】　・・・
【請求項３】　・・・
【請求項４】　・・・
【請求項５】　請求項１から４記載のいずれかの気密端子を使用したことを特徴とする圧入型シリンダータイプ水晶振動子。」
　
（１ｂ）「【００１３】
【発明の実施の形態】図２は本発明に係わる圧入型シリンダータイプ水晶振動子に使用する気密端子の断面図である。気密端子１は２本のリード４、４と金属環２と絶縁部材３で構成されている。一般的に絶縁部材はガラスであり、２本のリード４、４と金属環２を位置決め固定している。・・・
　　　【００１４】前記リード４、４のインナー部４ａ、４ａには、電極が施された水晶片が導電性接着剤により固定されるが、金属環２及びリード４の表面には直接錫−銅の合金メッキを施すか、下地に銅又はニッケルをメッキしその上に錫−銅の合金メッキを施す。
　　　【００１５】圧入型シリンダータイプ水晶振動子における気密封止は、金属環２の外周に封止管の内周を圧入して行われる。・・・
　　　【００１６】例えば、気密端子１の金属環２表面に第１メッキ層として１〜５μｍの銅またはニッケルをメッキする。さらに第２メッキ層として・・・錫−銅合金、好ましくは錫（９０〜９７％）−銅（１０〜３％）合金を５〜２０μｍメッキをするか、・・・錫（９０〜９７％）−銅（１０〜３％）合金を直接５〜３０μｍメッキする。銅の比率を１０〜３％とするのは、錫−銅合金の銅の比率が１０％以上のメッキの場合は合金メッキ液中のＳｎ２＋が酸化還元されてＳｎ４＋になって沈殿するためメッキ液中の比率が変化し、メッキの管理が難しくなるからである。錫−銅の合金メッキを５〜２０μｍとするのは気密性確保に必要な厚みの確保であり、少ないと気密性の確保ができず、多すぎると圧入の際に剥離が生じるためである。」
　
（１ｃ）「【００１８】前記気密端子を使用する圧入型シリンダータイプ水晶振動子に使用する封止管には圧入部の相性を考えて一般には錫−銅の合金メッキを施すが、封止管の圧入による変形部に応力がかかり錫のホイスカ（ひげ結晶）が発生しやすくなるので、錫または錫を含む合金を避ける方が好ましい。封止管の材料そのものか、ニッケルメッキを施した封止管とするとよい。」
　
（１ｄ）「【００２５】錫メッキを施さない封止管を用いることで、本発明による気密端子を使用した圧入型シリンダータイプ水晶振動子でもホイスカの発生がなく、信頼性の高い水晶振動子が得られる。」
　
（１ｅ）図２には、金属環の内側に設けられたガラスをリードが挿通していることが示されている。
　
４．刊行物１記載の発明
(ア)上記摘記（１ａ）には、少なくとも、水晶片、気密端子及び封止管で構成され、気密端子を構成する金属環の圧入面に溶融温度が２２０℃以上の錫−銅合金をメッキした気密端子を使用した圧入型シリンダータイプ水晶振動子が記載されている。
(イ)上記摘記（１ｂ）の「圧入型シリンダータイプ水晶振動子における気密封止は、金属環２の外周に封止管の内周を圧入して行われる。」との記載からみて、気密封止される圧入型シリンダータイプ水晶振動子は、金属環の外周に封止管の内周を圧入して気密封止することにより製造されるといえる。
(ウ)上記摘記（１ｂ）には、「気密端子１は２本のリード４、４と金属環２と絶縁部材３で構成されている。一般的に絶縁部材はガラスであり、２本のリード４、４と金属環２を位置決め固定している。」と記載され、また、図２には、摘記（１ｅ）のとおり、金属環の内側に設けられたガラスをリードが挿通していることが示されているから、気密端子は、リード、金属環、及び、リードと金属環を位置決め固定するガラスで構成され、金属環の内側に設けられたガラスをリードが挿通しているといえる。
(エ)上記摘記（１ｂ）の「気密端子１の金属環２表面に第１メッキ層として・・・銅またはニッケルをメッキする。さらに第２メッキ層として・・・錫（・・・）−銅（・・・）合金を・・・メッキをするか、錫（９０〜９７％）−銅（１０〜３％）合金を直接５〜３０μｍメッキする。」との記載からみて、気密端子の金属環表面のメッキは、第１メッキ層をメッキすることなくなされる、厚さが５〜３０μｍの錫（９０〜９７％）−銅（１０〜３％）合金メッキでもよいことが理解できる。
(オ)上記摘記（１ｃ）の「封止管には圧入部の相性を考えて一般には錫−銅の合金メッキを施すが、封止管の圧入による変形部に応力がかかり錫のホイスカ（ひげ結晶）が発生しやすくなるので、錫または錫を含む合金を避ける方が好ましい。・・・ニッケルメッキを施した封止管とするとよい。」との記載からみて、封止管の圧入部、すなわち、金属環の外周へ圧入する「封止管の内周表面」に、ニッケルメッキを施すとよいことが理解できる。
　
　そこで、上記(ア)〜(オ)の事項を考慮しつつ、摘記（１ａ）〜（１ｅ）の記載を整理すると、刊行物１には、次の「圧入型シリンダータイプ水晶振動子の製造方法」についての発明（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されていると認められる。
「少なくとも、水晶片、気密端子及び封止管で構成され、気密端子を構成する金属環の圧入面に溶融温度が２２０℃以上の錫−銅合金をメッキした気密端子を使用した気密封止された圧入型シリンダータイプ水晶振動子の製造方法であって、気密端子は、リード、金属環、及び、リードと金属環を位置決め固定するガラスで構成され、金属環の内側に設けられたガラスをリードが挿通しており、気密端子の金属環表面のメッキは、厚さが５〜３０μｍの錫（９０〜９７％）−銅（１０〜３％）合金メッキであり、封止管の内周表面にはニッケルメッキが施され、気密端子の金属環の外周に封止管の内周を圧入して気密封止する、気密封止された圧入型シリンダータイプ水晶振動子の製造方法。」
　
５．対比・判断
　本願補正発明１は、円筒状ケース側のめっき膜がＮｉである態様を包含するから、そのような態様の本願補正発明１と刊行物１発明を対比する。
(カ)刊行物１発明における「気密封止された圧入型シリンダータイプ水晶振動子」は、本願補正発明１における「気密端子」に相当し、以下同様に、「封止管」は「円筒状ケース」に、「内周表面」は「開口部内壁」に、「気密端子」は「プラグ」に、「金属環表面」は「側壁」に、「メッキ」は「めっき」乃至「めっき膜」に、「錫−銅合金」は「ＳｎＣｕ半田」に、「ニッケル」は「Ｎｉ」に、それぞれ相当する。（以下、刊行物１発明における用語の代わりに、それに相当する本願補正発明１における用語を使用することがある。）
(キ)刊行物１発明における圧入面にメッキした気密端子と内周表面にニッケルメッキが施された封止管について、「気密端子の金属環の外周に封止管の内周を圧入して気密封止する」ことは、本願補正発明１における「円筒状ケースに前記プラグを押し込んでそれぞれのめっき膜を圧着させる」ことに相当するといえる。
(ク)刊行物１発明の「錫（９０〜９７％）−銅（１０〜３％）合金」における「％」は、本願補正発明１における「ｗｔ％」に相当すると認められるから、両者は、プラグ側のめっき膜のＳｎＣｕ半田における膜中銅濃度が「３〜１０ｗｔ％」である点で一致しているといえる。
(ケ)両者は、プラグ側のめっき膜厚が「１０〜３０μｍ」である点で一致しているといえる。
　
　上記(カ)〜(ケ)の事項を考慮すると、両者の一致点、相違点は、次のとおりである。
＜一致点＞
「開口部内壁にめっき膜を有する円筒状ケースと、ガラスを介してリードを挿通させた側壁にめっき膜を有するプラグとを具備し、前記円筒状ケースに前記プラグを押し込んでそれぞれのめっき膜を圧着させる気密端子製造方法であって、前記プラグ側のめっき膜はＳｎＣｕ半田であり、その膜中銅濃度を３〜１０ｗｔ％、めっき膜厚を１０〜３０μｍに設定すると共に、前記円筒状ケース側のめっき膜はＮｉである気密端子の製造方法。」
　
＜相違点＞
　本願補正発明１では、「円筒状ケース側の内面めっき膜厚を１μｍ以下に設定し、プラグ側のめっき膜厚より薄くした」のに対し、刊行物１発明では、円筒状ケース側の内面めっき膜厚は、その数値や、プラグ側のめっき膜厚との大小関係が不明である点
　
　以下、上記相違点について検討する。
　刊行物１の摘記（１ｃ）には、「封止管には圧入部の相性を考えて一般には錫−銅の合金メッキを施すが、封止管の圧入による変形部に応力がかかり錫のホイスカ（ひげ結晶）が発生しやすくなるので、錫または錫を含む合金を避ける方が好ましい。封止管の材料そのものか、ニッケルメッキを施した」と記載され、また、摘記（１ｄ）には、「錫メッキを施さない封止管を用いることで、本発明による気密端子を使用した圧入型シリンダータイプ水晶振動子でもホイスカの発生がなく」と記載されているから、円筒状ケース（封止管）の内面には、めっきを施さなくても、ホイスカが発生しないか、発生しにくいことが理解できる。
　そうすると、円筒状ケース（封止管）内面のＮｉのめっき膜厚を極めて薄くしてもよいことは容易に推測することができる。
　
　しかも、円筒状ケース（封止管）内面のＮｉのめっき膜厚を１μｍ以下の範囲内の値とすることは、下記の周知例１、２の記載にみられるように、本願出願前において周知の事項でもある。
　
周知例１：特開平５−３２７３８９号公報
（周１ａ）「【特許請求の範囲】
【請求項１】圧電振動素子を収納する洋白材でなる缶の表面に厚み０．２〜１．０μｍのニッケルの保護被膜を直接形成したことを特徴とする圧電振動子用缶。」
（周１ｂ）「【００１２】
【発明の効果】上述のようであるので本発明は以下の効果を奏する。ニッケルを極薄く０．２〜１．０μｍ生地に直接鍍金したので、キリンス処理のものの電着電圧と同じ電圧で電着が可能で、電着時のスプラッシュの発生を少なくすることができ、また生地本来の特性を逸失させることがない。また気密試験での耐水性，エージングでの耐熱性及び疑似試験においても変色が起こらず充分満足する結果が得られた。」
　
周知例２：特開平１０−１５０１１５号公報
（周２ａ）「【特許請求の範囲】
【請求項１】洋白材の表面に厚さ０．５〜５．０μｍのＮｉめっきを施した後、熱処理によりＮｉめっき層のＮｉを再結晶化させてなる電子部品の封止用ケース材料。」
（周２ｂ）「【００１４】また、Ｎｉめっき層の厚さとしては、０．５μｍ未満では絞り加工の際の母材の伸び率に対してＮｉめっき層に充分な伸び率を与えることができずにＮｉめっき層に破断を生じる点、および５．０μｍを超えるとめっき加工に多大な処理時間を要し、かつ価格が高くなる点から０．５〜５．０μｍであるのがよい・・・。」
　
　してみれば、刊行物１発明において、円筒状ケース（封止管）内面のＮｉのめっき膜厚を、１０〜３０μｍのプラグ側のめっき膜より薄い１μｍ以下の範囲内の値とし、前記相違点で示される本願補正発明１の特定事項を構成することは、刊行物１の上記摘記（１ｃ）、（１ｄ）の記載や上記周知事項に基づいて当業者が容易に想到し得たものというべきである。
　
　そして、本願明細書の次の摘記（Ａ）、（Ｂ）の記載からみて、本願補正発明１において、円筒状ケース側の内面めっき膜厚を１μｍ以下としたのは、ケースの内面に厚いめっき膜を施すことが困難であるためであって、その「１μｍ以下」という数値に格別の技術的意義が存在するとはいえない。
　
（Ａ）「【００１２】本願発明においては、まずめっき処理について、圧入面の１つであるケースの内面に厚いめっき膜を施すことが困難であるために、ケース内面は１μｍ以下の極端に薄い半田厚とし、逆にプラグ側の半田厚を十分厚くすることにより、圧入に必要な半田量を確保した。また、この場合ケース側のめっき材質は、Ｎｉ等の軟金属以外のものを用いても良い。」
　
（Ｂ）「【００２３】また、シリンダータイプの場合プラグ側に圧入による気密性を確保できるだけの半田量つまり半田めっき厚を施せば、ケース側のめっき処理には、Ｎｉ等の軟金属以外を用いても良い。」
　
　なお、本願明細書の段落【００２２】には、めっき膜がＳｎＣｕ半田である場合について、膜中銅濃度３ｗｔ％以上めっき厚１μｍ以下の領域において、ウィスカーの発生防止が可能である旨が記載されているが、この記載は、めっき膜がＮｉである場合に当て嵌まるものではないし、また、本願補正発明１では、円筒状ケース側のめっき膜がＳｎＣｕ半田である場合について、膜中銅濃度が３ｗｔ％以上である旨を限定していないから、膜中銅濃度と無関係に円筒状ケース側のめっき膜が１μｍ以下と限定した点には、上述した以上の格別の技術的意義が存在するとはいえない。
　
　以上の検討からみて、本願補正発明１は、刊行物１に記載された発明及び周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
６．補正の適否についてのまとめ
　したがって、上記補正事項を含む本件手続補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
ＩＩＩ．本願発明について　
１．本願発明
　平成１８年７月６日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜４に係る発明（以下、「本願発明１」〜「本願発明４」という。）は、平成１７年８月９日付で手続補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜４に記載されたものと認められるところ、本願発明１〜本願発明３は、次のとおりのものである。
　
「【請求項１】　開口部内壁にめっき膜を有する円筒状ケースに、ガラスを介してリードを挿通させた側壁にめっき膜を有するプラグを押し込んでめっき膜を圧着させる気密端子製造方法であって、前記円筒状ケース側のめっき膜を薄く、前記プラグ側のめっき膜を厚く設定することを特徴とする気密端子の製造方法。
　【請求項２】　前記プラグ側のめっき膜はＳｎＣｕ半田であり、その膜中銅濃度を１ｗｔ％以上、めっき膜厚を１０μｍ以上に設定することを特徴とする請求項１に記載の気密端子の製造方法。
　【請求項３】　前記円筒状ケース側のめっき膜はＳｎＣｕ半田またはＮｉであることを特徴とする請求項２に記載の気密端子の製造方法。」
　
２．引用刊行物及びその摘記事項
　平成１７年１０月３１日付の拒絶理由通知（最後）に引用された、本願出願前に頒布された刊行物１とその摘記事項は、上記ＩＩ．３．に記載したとおりである。
　
３．対比・判断
　本願発明３は、上記ＩＩ．で検討した本願補正発明１から、その発明特定事項の「円筒状ケース側のめっき膜」について、「膜厚を１μｍ以下に設定し」との限定を削除したものに相当する。
　また、本願発明２は、本願発明３から「前記円筒状ケース側のめっき膜はＳｎＣｕ半田またはＮｉである」との発明特定事項を削除したものに相当し、本願発明１は、本願発明２から「前記プラグ側のめっき膜はＳｎＣｕ半田であり、その膜中銅濃度を１ｗｔ％以上、めっき膜厚を１０μｍ以上に設定する」との発明特定事項を削除したものに相当する。
　
　そうすると、本願発明１乃至本願発明３の特定事項を全て含み、さらに他の発明特定事項を付加したものに相当する本願補正発明１が、上記ＩＩ．５．に記載したとおり、刊行物１に記載された発明及び周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明１乃至本願発明３も、同様の理由により、刊行物１に記載された発明及び周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明１乃至本願発明３は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願発明４について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。