【事件の表示】
　平成１０年特許願第３２２２０１号「太陽電池モジュール」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　５月３０日出願公開、特開２０００−１５０９４４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、平成１０年１１月１２日に特許出願したものであって、平成１８年１１月２日付けで手続補正がなされたが、平成１９年４月１３日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年５月１７日付けで拒絶査定不服審判請求がなされた後、同年６月１５日付けで手続補正（以下「本件補正」という。）がなされたものである。
　
２　本件補正についての却下の決定
（１）結論
　 本件補正を却下する。
　
（２）理由
　ア　補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１につき、補正前の
「透光性基板上に形成された、透明電極層、光半導体層および金属層の少なくとも一部を光ビームによる加工によって複数のセルに分離し、相互に電気的に集積化してなる薄膜太陽電池モジュールであって、前記透光性基板の周辺部における、前記透明電極層、前記光半導体層および前記金属層は、機械的に除去されており、かつ機械的に除去された部分の内側の位置において、前記透明電極層、前記光半導体層および前記金属層は除去されて分離溝が形成されていることを特徴とする薄膜太陽電池モジュール。」
を
「透光性基板上に形成された、透明電極層、光半導体層および金属層の少なくとも一部を光ビームによる加工によって複数のセルに分離し、相互に電気的に集積化してなる薄膜太陽電池モジュールであって、前記透光性基板の周辺部における、前記透明電極層、前記光半導体層および前記金属層は、
０．５ｍｍ以上、１ｃｍ以下の幅にわたって
レーザーにより
に補正しようとする内容を含むものである。
　
　イ　補正の目的
　上記補正の内容は、補正前の請求項１における、「透明電極層、光半導体層および金属層」が「機械的に除去され」る部分の幅を「０．５ｍｍ以上、１ｃｍ以下」に限定するとともに、「透明電極層、光半導体層および金属層」が「除去されて分離溝が形成され」る手法を「レーザーによ」るものに限定するものであるから、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当すると認められる。
　
　ウ　独立特許要件
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて検討する。
　
（ア）刊行物の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平９−８３００１号公報（以下「引用例」という。）には、次の記載がある（なお、表記の都合上、丸数字は、「○１」のように記載した。）。
　
　ａ　「【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の集積化薄膜太陽電池は、以下のような工程によって形成される。
○１先ずガラス等の透光性基板の上に、酸化錫（以下ＳｎＯ2 と記す）や酸化インジウム錫（以下ＩＴＯと記す）あるいは酸化亜鉛（以下ＺｎＯと記す）等の透明導電性を有する金属酸化物により、基板の一方向に延びた複数個の短冊状の第一電極層を、隣設し合う領域間の分離帯によって隔てられた状態で基板のほぼ全面にわたって形成する。これには、一旦絶縁性透明基板上全面に金属酸化物層を被着した後、レーザースクライブによって分離帯部分を溶断除去する方法が採用される。
○２続いてこの第一電極層上に、ｐ型の水素化非晶質炭化シリコン（以下ｐ型のａ−ＳｉＣ：Ｈと記す）、ｉ型の水素化非晶質シリコン（以下ｉ型のａ−Ｓｉ：Ｈと記す）、ｎ型の水素化非晶質シリコン（以下ｎ型のａ−Ｓｉ：Ｈと記す）の３層を順次堆積して半導体層を形成する。
○３その後、レーザースクライブ法によって半導体層の一部を除去して接続用開溝部を設ける。この段階において、一つの半導体層領域は二つの第一電極層にわたって形成された構造となる。
○４続いてこの複数の半導体層領域の上に、アルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）などの金属材料からなる第二電極層を形成する。
○５そして、前記の接続用開溝部に沿ってレーザースクライブ法により、少なくとも第二電極層の一部を除去した分割溝を形成する。」
　
　ｂ　「【００１４】
【実施例】次に本発明の太陽電池構造を、具体的実施例に基づいて説明する。図１は、請求項１に記載の集積化薄膜太陽電池１ａの断面構造例を表している。ガラス基板３上には、基板３の一方向に延びたＳｎＯ2 による複数個の短冊状の第一電極層５が、隣設し合う領域間の分離帯７によって隔てられた状態で基板３のほぼ全面にわたって形成されている。これには、先ず基板３全面にＳｎＯ2 を堆積した後に、レーザースクライブによって分離帯７の部分を溶断して形成される。そして第一電極層５の上面側には、二つの第一電極層５にわたって、一方の第一電極層５上に開口した接続用開溝部９を設けた半導体層１１が設けられている。この半導体層１１は、例えば第一電極層５側から、膜厚１５０Åのｐ型ａ−ＳｉＣ：Ｈ１１ｐ、同３２００Åのｉ型ａ−Ｓｉ：Ｈ１１ｉ、同３００Åのｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈ１１ｎの３つの層が、プラズマＣＶＤ法によって順次形成されたものであり、接続用開溝部９については、レーザースクライブ法によって半導体層１１を部分的に溶断することで形成される。そして、この半導体層１１の上面側には、接続用開溝部９を介して一方の第一電極層５と電気的に接続した状態で、分割溝１３によって複数領域に分離された第二電極層１５が設けられることにより、第二電極層１５と他方の第一電極層５に挟まれた領域よりなる単位素子１７が構成される。ここでも、分割溝１３の形成にはレーザースクライブ法が用いられる。このようにして、複数個の単位素子１７が一方向に直列に接続された構造となる。」
　
　ｃ　「【００２４】また、以上の図１〜図３に説明した集積化薄膜太陽電池においては、基板３上に第一電極層５を形成する際に、ＣＶＤ法やスパッタリング法によってＳｎＯ2等が先ず基板３の全面に被着され、その後にレーザースクライブ法によって分離帯７が形成される。従って、ＣＶＤによって被着した後には、基板３の全周にわたってその端面３３にも、第一電極層５の形成材料であるＳｎＯ2 等の金属酸化物が回り込んで被着されている。このような状況において、ハンダメッキ銅箔２５のハンダ付け時にハンダが基板３の端面に回り込んでしまうと、結局は、集積化薄膜太陽電池１ａ〜１ｃの両積層帯部２１の第一電極層５，５の間、すなわち正極と負極とが短絡することになる。これを防止するためには、すでに図１〜図３に示しているが、基板３の端部直近の少なくとも第二電極層１５、望ましくは第二電極層１５、半導体層１１、第一電極層５の全てを除去した絶縁代３３を形成しておくとよい。この除去は、レーザースクライブ法や機械的な罫書き法、その他の公知の方法によって簡便に行うことができる。」
　
　ｄ　図１から、第二電極層１５及び半導体層１１が、分割溝１３によって分離されている様子がみてとれる。
　
（イ）引用発明
　上記（ア）によれば、引用例には、次の発明が記載されているものと認められる。
　
　「ガラス基板上に、前記基板の一方向に延びた複数個の短冊状の透明導電性を有する第一電極層が、隣設し合う領域間の分離帯によって隔てられた状態で前記基板のほぼ全面にわたって形成され、前記第一電極層の上面側に、二つの前記第一電極層にわたって、一方の前記第一電極層上に開口した接続用開溝部を設けた半導体層が設けられ、前記半導体層の上面側に、前記接続用開溝部を介して一方の前記第一電極層と電気的に接続した状態で金属材料からなる第二電極層が設けられ、レーザースクライブ法で形成された分割溝によって前記第二電極層及び前記半導体層が複数領域に分離されることにより、前記第二電極層と他方の前記第一電極層に挟まれた領域よりなる単位素子が構成され、複数個の前記単位素子が一方向に直列に接続された集積化薄膜太陽電池において、前記基板の端部直近の前記第二電極層、前記半導体層、前記第一電極層の全てを、レーザースクライブ法や機械的な罫書き法、その他の公知の方法によって除去した絶縁代を形成した、集積化薄膜太陽電池。」（以下「引用発明」という。）
　
（ウ）対比
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
　
　ａ　引用発明の「ガラス基板」、「透明導電性を有する第一電極層」、「半導体層」、「金属材料からなる第二電極層」、は、それぞれ、本願補正発明の「透光性基板」、「透明電極層」、「光半導体層」、「金属層」に相当する。
　
　ｂ　上記ａに照らすと、引用発明の「ガラス基板上に、前記基板の一方向に延びた複数個の短冊状の透明導電性を有する第一電極層が、隣設し合う領域間の分離帯によって隔てられた状態で前記基板のほぼ全面にわたって形成され、前記第一電極層の上面側に、二つの前記第一電極層にわたって、一方の前記第一電極層上に開口した接続用開溝部を設けた半導体層が設けられ、前記半導体層の上面側に、前記接続用開溝部を介して一方の前記第一電極層と電気的に接続した状態で金属材料からなる第二電極層が設けられ、レーザースクライブ法で形成された分割溝によって前記第二電極層及び前記半導体層が複数領域に分離されることにより、前記第二電極層と他方の前記第一電極層に挟まれた領域よりなる単位素子が構成され、複数個の前記単位素子が一方向に直列に接続された集積化薄膜太陽電池」は、本願補正発明の「透光性基板上に形成された、透明電極層、光半導体層および金属層の少なくとも一部を光ビームによる加工によって複数のセルに分離し、相互に電気的に集積化してなる薄膜太陽電池モジュール」に相当する。
　
　ｃ　上記ａに照らすと、引用発明の「基板の端部直近の第二電極層、半導体層、第一電極層の全てを、レーザースクライブ法や機械的な罫書き法、その他の公知の方法によって除去した絶縁代を形成した」と、本願補正発明の「透光性基板の周辺部における、透明電極層、光半導体層および金属層は、０．５ｍｍ以上、１ｃｍ以下の幅にわたって機械的に除去されており」とは、「透光性基板の周辺部における、透明電極層、光半導体層および金属層は、除去されており」との点で一致する。
　
　ｄ　以上によれば、両者は、
「透光性基板上に形成された、透明電極層、光半導体層および金属層の少なくとも一部を光ビームによる加工によって複数のセルに分離し、相互に電気的に集積化してなる薄膜太陽電池モジュールであって、前記透光性基板の周辺部における、前記透明電極層、前記光半導体層および前記金属層は、除去されている薄膜太陽電池モジュール。」
である点で一致し、下記（ａ）及び（ｂ）の点で相違するものと認められる。
　
（ａ）透光性基板の周辺部における、透明電極層、光半導体層および金属層が除去される幅及び除去の手法につき、本願補正発明では、幅が「０．５ｍｍ以上、１ｃｍ以下」であり、「機械的に除去され」るものであるのに対して、引用発明では、除去される幅が不明であり、「レーザースクライブ法や機械的な罫書き法、その他の公知の方法によって除去」したものである点（以下「相違点１」という。）。
　
（ｂ）本願補正発明は、「（透明電極層、光半導体層および金属層が）機械的に除去された部分の内側の位置において、前記透明電極層、前記光半導体層および前記金属層はレーザーにより除去されて分離溝が形成されている」のに対して、引用発明は、絶縁代（透明電極層、光半導体層および金属層が除去された部分）の内側の位置において、分離溝が形成されていない点（以下「相違点２」という。）。
　
（エ）相違点についての判断
　ａ　相違点１について
（ａ）引用発明における「絶縁代」をどの程度の幅とするかは、当業者が設計上当然定めなければならない事項である。
　そして、「絶縁」のためにはある程度の幅を持たせることが望ましい一方、この部分は、発電に寄与しない領域であり、かかる領域の大きさは小さい方が望ましいことは、当業者にとって自明のことである（例えば、引用例の【０００４】には、「集積化薄膜太陽電池４０は、当然ながら基板一枚当たりの出力を少しでも高くする必要があり、基板３の大きさに対して、発電に寄与しない領域の割合を少しでも小さくしなければならない。」と記載されているところであり、また、原査定に引用した、特開平８−８３９１９号公報の【００２３】には、「絶縁部分は、太陽電池としては光電変換などに寄与しない部分であるので、狭い方が好ましいが、狭すぎるに絶縁耐力が十分ではないので、請求項５記載のように、フレームに沿って形成され、その幅が１０μｍから１０００μｍの範囲であることが太陽電池の効率上及び絶縁耐力の関係で好ましい。」と記載されているところである。）から、かかる観点に立って、引用発明の「絶縁代」の幅を定めることは、当業者が設計上適宜なし得ることというべきである。
　
（ｂ）また、引用発明の「絶縁代」は、「第二電極層、半導体層、第一電極層」を「レーザースクライブ法や機械的な罫書き法、その他の公知の方法によって除去」して形成したものであるところ、「機械的な罫書き法」は、本願補正発明でいう「機械的に除去」するものといえるし、その他の手法としても、太陽電池セル製造過程において、グラインダ、サンドブラストを用いて、所要部分を機械的に除去することは、本願出願当時に周知の技術であり（例えば、原査定の拒絶の理由に引用した、特開平１０−０５１０１８号公報の【００３４】及び【００４０】を参照。）、引用発明において、かかる手法を採用し、「絶縁代」を「機械的に除去され」るものとすることは、当業者が適宜なし得ることである。
　そして、かかる手法を採用する際に、上記（ａ）の観点に立って、「絶縁代」の幅を、本願補正発明が規定する「０．５ｍｍ以上、１ｃｍ以下」程度のものとすることに、何ら困難性を要するものとはいえない（なお、上記特開平８−８３９１９号公報の【請求項７】には、「太陽電池モジュールにおける絶縁部分の少なくとも１箇所の形成にあたり、レーザービームを照射して半導体層及び／又は導電層の一部分を分離除去する」との記載がある一方、上記（ａ）のとおり、【００２３】に、「絶縁部分は、・・・その幅が１０μｍから１０００μｍの範囲であることが太陽電池の効率上及び絶縁耐力の関係で好ましい。」と記載されており、ここで、１０００μｍ、すなわち１ｍｍは、本願補正発明が規定する「０．５ｍｍ以上、１ｃｍ以下」の範囲内であることからみて、レーザースクライブ法を採用する場合であっても、除去部分の幅を、本願補正発明が規定する「０．５ｍｍ以上、１ｃｍ以下」の範囲内のものとすることは可能であると考えられる。）。
　
（ｃ）他方、本願明細書をみるに、除去部分の幅に関して、「前記透光性基板の周辺の除去される部分の幅は、絶縁耐圧と有効面積率とから決定されるが、０．５ｍｍ以上、好ましくは０．５ｍｍないし１ｃｍ、より好ましくは１ないし５ｍｍである。」（【００１０】）との記載があるにとどまるところ、これによれば、本願補正発明において、除去部分の幅を特定したことは、まさに設計上適宜の範囲を定めたものと解され、このことに、設計的事項以上の技術的意義があるものと解することは到底できない。
　
（ｄ）以上によれば、引用発明において、相違点１に係る本願発明の構成とすることは、当業者が適宜なし得たものである。
　
　ｂ　相違点２について
　複数のセルを集積化した薄膜太陽電池モジュールにおいて、基板の周辺部に、レーザービームを用いて導電層等を分離する絶縁用の溝を二箇所に設け、絶縁性能を向上させることは、従来周知の技術である（例えば、上記特開平８−８３９１９号公報の【請求項１】、【請求項７】、【００１９】、【００４５】、原査定に引用した、特開平１０−２１４９８３号公報の【００１３】、【００２６】参照。）から、引用発明において、絶縁性能を向上させるために、絶縁代に加えて、絶縁代の内側の位置において、「第二電極層、半導体層、第一電極層」（透明電極層、光半導体層および金属層）を「レーザーにより除去」した分離溝を形成し、相違点２に係る本願発明の構成とすることは、当業者が必要に応じて適宜なし得る程度のことである。
　
（オ）小括
　以上の検討によれば、本願補正発明は、引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３　本願発明について
（１）本願発明
　上記のとおり、本件補正は却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１８年１１月２日付けで補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし請求項６に記載された事項によって特定されるものであるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、前記２（２）アにおいて、補正前のものとして示したとおりのものである。
　
（２）判断
　前記２（２）イのとおり、本件補正は、特許請求の範囲を減縮を目的としたものと認められる。
　しかるところ、前記２（２）ウで検討したとおり、本願発明に係る特許請求の範囲を減縮したものである本願補正発明が、引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである以上、減縮前の本願発明も、本願補正発明と同様の理由により、引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　以上の検討によれば、本願発明は、引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。