【事件の表示】
　平成１１年特許願第３４４９１０号「感放射線性樹脂組成物」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年６月２２日出願公開、特開２００１−１６６４７８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯  
　本願は、平成１１年１２月３日の出願であって、平成２０年６月２６日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年７月２９日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年８月１９日付で手続補正がなされたものである。  
 　  
２．平成２０年８月１９日付の手続補正についての補正却下の決定  
　　　
［補正却下の決定の結論］  
　平成２０年８月１９日付の手続補正を却下する。  
　　　　
［理由］  
　　　　
２−１．補正後の本願発明  
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、  
 「【請求項１】 
 （Ａ）下記式（１）
ここで、Ｒ１は水素原子またはメチル基でありそしてＲ２は２−メチル−２−アダマンチル基、２−エチル−２−アダマンチル基、２−ｎ−プロピル−２−アダマンチル基または２−イソプロピル−２−アダマンチル基である、で示される繰り返し単位および下記式（２）
ここでＲ３は水素原子またはメチル基である、で表される繰り返し単位を含有しそして上記式（１）で表わされる繰返し単位の含有量が５０重量％以下である共重合体、
（Ｂ）感放射線性酸発生剤並びに
（Ｃ）酸拡散制御剤を含有し
そして上記（Ｂ）感放射線性酸発生剤が
ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムノナフルオロブタンスルホネート、
ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、
ジフェニルヨードニウムノナフルオロブタンスルホネート、
ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、
ジ（ｐ−クロロフェニル）ヨードニウムノナフルオロブタンスルホネート、
ジ（ｐ−クロロフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、
ジ（ｐ−トリフルオロメチルフェニル）ヨードニウムノナフルオロブタンスルホネート、
ジ（ｐ−トリフルオロメチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、
トリフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネート、
トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、
４−ｔ−ブチルフェニル・ジフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネート、
４−ｔ−ブトキシフェニル・ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、
４−ヒドロキシフェニル・ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、
４−ヒドロキシフェニル・ジフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネート、
トリ（ｐ−メトキシフェニル）スルホニウムノナフルオロブタンスルホネート、
フェニル・テトラメチレンスルホニウムノナフルオロブタンスルホネート、
フェニル・テトラメチレンスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、
ｐ−ヒドロキシフェニル・テトラメチレンスルホニウムノナフルオロブタンスルホネート、
ｐ−ヒドロキシフェニル・テトラメチレンスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、
４,４’−ビス（ジフェニルスルホニオフェニル）スルフィドジノナフルオロブタンスルホネート、
４,４’−ビス（ジフェニルスルホニオフェニル）スルフィドジトリフルオロメタンスルホネート、
Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ビシクロ［２.２.１］ヘプト−５−エン−２,３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２.２.１］ヘプト−５−エン−２,３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ビシクロ［２.２.１］ヘプタン−５,６−オキシ−２,３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−（ノナフルオロブチルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、
Ｎ−（ノナフルオロブチルスルホニルオキシ）−７−オキ
サビシクロ［２.２.１］ヘプト−５−エン−２,３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−（ノナフルオロブチルスルホニルオキシ）ビシクロ［２.２.１］ヘプタン−５,６−オキシ−２,３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−（ノナフルオロブチルスルホニルオキシ）ナフチルイミド
よりなる群から選ばれる少なくとも１種である、ことを特徴とする感放射線性樹脂組成物。」
と補正された。
(化合物名が認識しやすい様に、当審にて改行を施して表記した。)
 　　　　　　
　上記補正は、補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「（Ｂ）感放射線性酸発生剤」について、補正前の百数十種の化合物を削減して上記２８種の化合物に限定するものであって、 平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。  
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。  
 　  
２−２．引用文献  
 ・原査定の拒絶の理由に引用された特開平９−７３１７３号公報（以下、「引用例１」という。）には、次の記載がある。 （下線は当審にて付与。） 
《１ａ》 
 「【発明の名称】レジスト材料及びレジストパターンの形成方法
 【要約】
【課題】 現像時のクラックの発生やパターンの剥離を低減可能な化学増幅型レジスト材料を提供することを目的とする。
【解決手段】 脂環式炭化水素基を含有しかつその基の炭素原子に低級アルキル基が結合している部分を含む保護されたアルカリ可溶性基を有し、そしてそのアルカリ可溶性基が酸により脱離して当該化合物をアルカリ可溶性とならしめる構造単位を含む酸感応性化合物と、放射線露光により酸を発生する酸発生剤とを含んでなるように、構成する。」
（発明の名称、要約欄）
　　　　　　
《１ｂ》 
「【００９７】また、本発明の
化学増幅型レジスト
酸発生剤
放射線の照射によりプロトン酸を生じる物質
　本発明の実施において適当な酸発生剤は、以下に列挙するものに限定されないけれども、次のようなものを包含する。
（１）次式により表されるジアゾニウム塩：
　　　　
Ａｒ−Ｎ２＋Ｘ−　　　　
（上式において、Ａｒは、置換もしくは非置換の芳香族基、例えばフェニル基など、又は脂環式基を表し、そして
Ｘは
有機スルホン酸アニオン
　…
（８）次式により表されるイミド化合物：
【０１１３】
【０１１４】（上式において、Ｘは前記定義に同じである）
（９）その他、例えばオキシムスルホネート、ジアゾナフトキノン、ベンゾイントシレートなど。」
（９７〜１１４段落）
　　　　　　　　
《１ｃ》 
「【０１６４】…
例１７
２−メチルアダマンチルメタクリレート／ｐ−ビニルフェノール（組成比＝２３：７７
【０１６４】【化９５】（転記を省略）
【０１６６】に２重量％の酸発生剤、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネートを添加し、シクロヘキサノンに溶解した。得られたレジスト溶液を、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）で前処理したシリコン基板上に膜厚０．７μｍでスピンコートし、ホットプレート上で１００℃で１００秒間プリベークした。
　プリベークの完了後、得られたレジスト膜をＫｒＦエキシマステッパ（ニコン社製、ＮＡ＝０．４５）で波長２４８nmのＫｒＦレーザ光のパターンに選択露光した。続いて、露光後のレジスト膜を１３０℃で６０秒間ＰＥＢ（露光後ベーク）した。
　その後、レジスト膜を０．２７Ｎのテトラメチルアンモニウムハイドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液で６０秒間現像し、さらに純水で３０秒間リンスした。露光に用いたレーザ光パターンに相当する所望のレジストパターンがパターンの剥れを生じることなく得られた。なお、本例での照射線量の闘値エネルギＥｔｈは８２mJ／cm２であり、解像力は０．３２５μｍ Ｌ＆Ｓであった。」
（１６４〜１６６段落）
 　　　　 
《１ｄ》 
「【０２６４】
【発明の効果】本発明によれば、上記したような化学増幅型レジストを使用することにより、また、特に、かかるレジストと組み合わせて特定のアンモニウム化合物又はモルフォリン化合物の水溶液又はアルコール溶液を現像液として使用することにより、レジスト樹脂とのなじみやすさ、溶解度をコントロールして、現像時に発生するストレスを緩和することにより、レジストパターンの剥離やクラックの発生を低減し、安定したパターニング特性を得ることができる。
　さらに、本発明によれば、現像時に発生する歪みを緩和することにより、安定したパターニング特性を得ることもできる。さらにまた、本発明によれば、露光マージンが広くなり、安定した微細レジストパターンを形成することができ、その際、下地に対するレジストの密着性も非常に良好である。
　また、焼き付けようとする回路パターンが遮光されるようにできた露光マスクを介して露光を行う場合に、所望のマスクパターンよりポジ型パターンが若干大きくできあがることも防止できる。」
（２６４段落）
　　　　　　　　　　
・上掲《１ｂ》には、
「化学増幅型レジストにおいて…酸感応性…共重合体と組み合わせて用いられる…放射線の照射によりプロトン酸を生じる…酸発生剤」主要８種類の一つ「（８）次式により表されるイミド化合物」の第二例として、「ビシクロ［２.２.１］ヘプト−５−エン−２,３−ジカルボキシイミド」のＮ位に「Ｘ」で示されるアニオンが付いた化合物が記載され（《１ｂ》の【化７７】参照）、該「Ｘ」は、「有機スルホン酸アニオン」、即ち、有機（スルホニルオキシ）アニオン等であることも記載されている。（《１ｂ》の（１）と（８）参照）
　したがって、引用例１には、
感放射線性酸発生剤として、「Ｎ−（有機スルホニルオキシ）ビシクロ［２.２.１］ヘプト−５−エン−２,３−ジカルボキシイミド」
　　　　　　　
・以上のことから、上記《１ａ》〜《１ｄ》の記載等を含む引用例１には、次の発明が記載されていると認めることができる。
　　　　
「酸に感応して脱離する２−メチルアダマンチル基が結合したメタクリレートの繰返し単位とｐ−ビニルフェノールの繰返し単位との組成比＝２３：７７からなる共重合体、および、
Ｎ−（有機スルホニルオキシ）ビシクロ［２.２.１］ヘプト−５−エン−２,３−ジカルボキシイミドの感放射線性酸発生剤
を含有する化学増幅ポジ型フォトレジスト組成物。」
　　　　　　
２−３．先願明細書
・原査定の拒絶の理由に引用された先願発明（特願２０００−３０９７５５号）の出願当初明細書（特開２００１−１９４７９２号公報参照）（以下、「先願明細書」という。）には、次の記載がある。  
 《２ａ》 
 「【発明の名称】フェノール／脂環式コポリマーおよびフォトレジスト
【要約】
【課題】　化学増幅ポジ型レジストの成分として有用な新規なポリマーの提供。
【解決手段】 光活性な成分、ならびに
１）少なくとも約１２５立方オングストロームの分子容を有する第三エステル脂環式基を含み、
全ポリマー単位に基づいて約１から５０モル％の量で存在するフォト酸レイビルエステル基；および
２）全ポリマー単位に基づいて約２０から９５モル％の量で存在するフェノール基の繰り返し単位を
含むポリマーを含む樹脂バインダーを含むフォトレジスト組成物。」
（発明の名称、要約欄）
　　 
 《２ｂ》 
「【発明の詳細な説明】
【０００１】本発明は、フェノールと第三エステル脂環式炭化水素基を含むフォト酸レイビルエステル（ｐｈｏｔｏａｃｉｄ−ｌａｂｉｌｅ ｅｓｔｅｒ）の繰り返し単位を含む新規ポリマーに関する。本発明のポリマーは化学増幅ポジ型レジストの成分として特に有用である。」
（１段落）
　　　 　　　
 《２ｃ》 　
「特に好ましい本発明のポリマーは、以下の、任意に前記のようなさらなるポリマーを含んでもよいが、好ましくは９０モル％またはそれ以上の以下に図示する単位、より好ましくは９５モル％またはそれ以上の以下に図示する単位を含むか、または以下に図示する単位のみを含む。
【００４１】
【化９】　　（転記を省略）
【００４２】（１）ポリ（４−ヒドロキシスチレン−コ−エチルフェンコールメタクリレート）
（２）ポリ（４−ヒドロキシスチレン−コ−２−メチルアダマンチルメタクリレート）
（３）ポリ（４−ヒドロキシスチレン−コ−８−メチルトリシクロデカニルメタクリレート）」（４０〜４２段落）
　　　　　　　
《２ｄ》
「【００６１】本発明のレジスト組成物はさらに活性化放射線での露光によりレジストのコーティング層中に潜像を生成するのに充分な量で好適に使用されるフォト酸生成物質（すなわち、「ＰＡＧ」）を含む。
　２４８ｎｍでのイメージングに好ましいＰＡＧとしては、イミドスルホネート、たとえば以下の式：
【００６２】
【００６３】（式中、Ｒはカンファー、アダマンタン、アルキル（たとえばＣ１−１２アルキル）およびペルフルオロアルキル、たとえばペルフルオロ（Ｃ１−１２アルキル）、特にペルフロオロオクタンスルホネート、ペルフルオロノナンスルホネートなどである）の化合物があげられる。
　特に好ましいＰＡＧはＮ−［（ペルフルオロオクタンスルホニル）オキシ］−５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミドである。」
（６１〜６３段落）
　　　　
《２ｅ》
「【００６８】本発明のレジストの好ましい任意の添加剤は付加塩基、特に水酸化テトラブチルアンモニウム（ＴＢＡＨ）、
乳酸テトラブチルアンモニウム
現像されたレジストレリーフイメージの解像度を向上する
（６８段落）
　　　　　　
《２ｆ》
「【００９５】実施例７：本発明のポリマーの合成
…
【００９７】
フェノール（重合したｐ−ヒドロキシスチレン）および２−メチルアダマンチルメタクリレート（他の単位はなし）
のポリマー
　ポリマー１は
８５モル％のフェノール単位と１５モル％の２−メチルアダマンチルメタクリレート単位
…
【００９８】実施例８：フォトレジスト調製およびリソグラフィー結果
以下の成分を乳酸エチル中１２．５％の固形分（固形分は、乳酸エチル溶媒をのぞいたレジストの全成分に基づいた各成分の重量パーセントとして表す）で混合して本発明のフォトレジスト（フォトレジスト１）を調製した。
フォトレジスト１は前記実施例１（「前記実施例７」の誤記と認められる。；当審注）に記載されているポリマー１を含有していた。
　　　
　レジスト成分 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　固形分
ＰＨＳ／ＭＡＭＡコポリマー（…）（ポリマー１）　 　　　　９４．４０
ジ−ｔ−ブチルフェニルヨードニウムカンファースルホネート 　４．７２
乳酸テトラブチルアンモニウム 　　　　　　　　　　　　　　　０．３８
Ｓｉｌｗｅｔ７６０４界面活性剤 　　　　　　　　　　　　　　０．５０
（Ｕｎｉｏｎ Ｃａｒｂｉｄｅから入手）
…
【０１００】前記フォトレジスト１および２をＴＥＬ Ｍａｒｋ８トラック（Tokyo Electoron Limitedから入手）上６”シリコンウェファー（Shipley Companyから入手したアンチリフレクティブコーティングＡＲ３であらかじめコートした）上にスピンコートして、約４０００オングストロームの厚さを達成し、１３０℃で６０秒ベークした。コートされたウェファーをライン／スペーステストパターンのためにＫｒＦレーザー（２４８ｎｍ）を備えたＧＣＡ ＸＬＳ７８００ ＤＵＶステッパー（０．５３ＮＡ、０．７４σ使用）上で露光し、続いて９０秒１３０℃の露光後ベークを行い、水性アルカリ性現像液で現像した。
　現像されたウェファーを切断し、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）により１：１ライン／スペースパターンを用いて露光ラチチュード（ｅｘｐｏｓｕｒｅ ｌａｔｉｔｕｄｅ）およびフォーカスラチチュード（ｆｏｃｕｓ ｌａｔｉｔｕｄｅ）について評価した。レジスト１および２のそれぞれは１：１ラインスペースパターンについて１８０ｎｍでよく解像されたイメージを提供した。」
（９５〜１００段落）
　　　　　
・上掲《２ｄ》には、先願明細書に記載の発明の化学増幅ポジ型フォトレジストの必須配合成分であるフォト酸生成物質に最も好適な化合物として、「【化１２】の式で表されるイミドスルホネート」、即ち、「ビシクロ［２.２.１］ヘプト−５−エン−２,３−ジカルボキシイミド」のＮ位に
「−ＯＳＯ２Ｒ」で示される有機（スルホニルオキシ）基が付いたイミドスルホネート化合物が記載され、該Ｒは、炭素数が１〜１２のペルフルオロアルキル基であることも付記されている。
・該Ｒの最も単純な炭素数１の場合が、ペルフルオロメチル基（＝トリフルオロメチル基）であるから、先願明細書には、
フォト酸発生剤として、「Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ビシクロ［２.２.１］ヘプト−５−エン−２,３−ジカルボキシイミド」
　　　　　　　
・以上のことから、上記《２ａ》〜《２ｆ》の記載等を含む先願明細書には、次の発明が記載されていると認めることができる。
　　　　　　　
「（ａ）ｐ−ヒドロキシスチレンの繰返し単位と、酸に感応して脱離する２−メチルアダマンチル基が結合したメタクリレートの繰返し単位とのモル比＝８５：１５からなる共重合体、
（ｂ）Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ビシクロ［２.２.１］ヘプト−５−エン−２,３−ジカルボキシイミドのフォト酸発生剤、及び、
（ｃ）現像レジストレリーフイメージ解像度の向上剤として機能する付加塩基である、乳酸テトラブチルアンモニウム
を含有する化学増幅ポジ型フォトレジスト組成物。」
　　　　　　　
２−４．引用例１記載発明との対比  
・本願補正発明と引用例１記載の発明とを対比すると、
後者の「酸に感応して脱離する２−メチルアダマンチル基が結合したメタクリレートの繰返し単位とｐ−ビニルフェノールの繰返し単位との組成比＝２３：７７からなる共重合体」は、前者の「Ｒ１はメチル基であり、Ｒ２は２−メチル−２−アダマンチル基である式（１）で表される繰り返し単位と、式（２）で示される繰返し単位とからなり、式（１）で表される繰返し単位の含有量が５０重量％以下である共重合体」に相当し、また、
後者の「化学増幅ポジ型フォトレジスト組成物」は、前者の「感放射線性樹脂組成物」に相当するから、
両者は、
「（Ａ）Ｒ１はメチル基であり、Ｒ２は２−メチル−２−アダマンチル基である式（１）で表される繰り返し単位と、式（２）で示される繰返し単位とからなり、式（１）で表される繰返し単位の含有量が５０重量％以下である共重合体、
（Ｂ）感放射線性酸発生剤、
を含有する感放射線性樹脂組成物。」 
 で一致し、以下の点で一応相違している。  
 　 　　　 
 ［相違点１］ 
感放射線性酸発生剤について、 
 本願補正発明は、
「Ｎ−（有機スルホニルオキシ）ビシクロ［２.２.１］ヘプト−５−エン−２,３−ジカルボキシイミド」を例示しているのに対して、 
 引用例１記載の発明は、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ビシクロ［２.２.１］ヘプト−５−エン−２,３−ジカルボキシイミド」を例示している点。  
 　　　　　 
 ［相違点２］ 
（Ｃ）酸拡散制御剤について、 
 本願補正発明は、必須配合成分と規定しているのに対して、 引用例１記載の発明は、特に配合を規定していない点。  
   　  
２−５．引用例１記載発明との対比に係る判断  
［相違点１について］ 
・感放射線性酸発生剤の中の「Ｘ」成分について、引用例１では、「ＣＦ３（＝トリフルオロメチル）」や「有機スルホン酸アニオン」が記載されているし、「有機スルホン酸アニオン」即ち、有機（スルホニルオキシ）アニオンの中で最も単純な典型例が、「有機基」としてフッ素置換されたメチル基を持つ「（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）アニオン」であるから、引用例１で感放射線性酸発生剤として例示される「Ｎ−（有機スルホニルオキシ）ビシクロ［２.２.１］ヘプト−５−エン−２,３−ジカルボキシイミド」から、「Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ビシクロ［２.２.１］ヘプト−５−エン−２,３−ジカルボキシイミド」を選択することは、当業者が容易になし得ることである。
・なお、念のため付記するに、感放射線性酸発生剤における有機（スルホニルオキシ）アニオンの中で最も単純な典型例が、「（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）アニオン」であることは、例えば、本願補正発明で推奨する感放射線性酸発生剤２８種のうち、３種が「（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）アニオン」を有していることからも明らかである。
　　　　　
［相違点２について］ 
・化学増幅ポジ型フォトレジストとして使用される「感放射線性樹脂組成物」では、感放射線性酸発生剤から発生する強酸が非露光領域まで影響を及ぼすことを抑制するため、安定した弱塩基性の窒素化合物を「酸拡散制御剤」として極微量配合することが周知技術である。
（例えば、拒絶査定時に示した特開平８−１０１５０６号公報、特開平１１−７２９２０号公報、特開平９−３１１４５２号公報等の周知引例を参照）
　したがって、「酸拡散制御剤」を必須の構成成分と規定することは、当業者にとって容易であるし、その作用効果も新たなものでは無い。
 　　　　 
・してみると、本願補正発明は、引用例１に記載された発明および周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。  
 　  
２−６．先願明細書記載発明との対比・判断
・本願補正発明と先願明細書記載の発明とを対比すると、 
後者の「（ａ）ｐ−ヒドロキシスチレンの繰返し単位と、酸に感応して脱離する２−メチルアダマンチル基が結合したメタクリレートの繰返し単位と
のモル比＝８５：１５からなる共重合体」は、
前者の「（Ａ）Ｒ１はメチル基であり、Ｒ２は２−メチル−２−アダマンチル基である式（１）で表される繰り返し単位と、式（２）で示される繰返し単位とからなり、式（１）で表される繰返し単位の含有量が５０重量％以下である共重合体」に相当し、
後者の「（ｂ）Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ビシクロ［２.２.１］ヘプト−５−エン−２,３−ジカルボキシイミドのフォト酸発生剤」は、前者の「（Ｂ）Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ビシクロ［２.２.１］ヘプト−５−エン−２,３−ジカルボキシイミドの感放射線性酸発生剤」に相当し、
後者の「（ｃ）現像レジストレリーフイメージ解像度の向上剤として機能する付加塩基である、乳酸テトラブチルアンモニウム」は、前者の「（Ｃ）酸拡散制御剤」に相当し、また、
後者の「化学増幅ポジ型フォトレジスト組成物」は、
前者の「感放射線性樹脂組成物」に相当するから、
両者は、すべての構成で一致している。
　　　　　　
・してみると、本願補正発明は、先願明細書に記載された発明であるから、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができない。 
　　　　　　
２−７．むすび  
・以上のとおり、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。  
 　  
３．本願発明について  
　平成２０年８月１９日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明は、平成２０年５月１９日付で手続補正された明細書の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。  
 　  
「【請求項１】 
（Ａ）下記式（１）
【化１】
ここで、Ｒ１は水素原子またはメチル基でありそしてＲ２は２−メチル−２−アダマンチル基、２−エチル−２−アダマンチル基、２−ｎ−プロピル−２−アダマンチル基または２−イソプロピル−２−アダマンチル基である、で表される繰返し単位および下記式（２）
【化２】
ここでＲ３は水素原子またはメチル基である、で表される繰返し単位を含有しそして上記式（１）で表わされる繰返し単位の含有量が５０重量％以下である共重合体、
（Ｂ）感放射線性酸発生剤並びに
（Ｃ）酸拡散制御剤を含有し
そして上記（Ｂ）感放射線性酸発生剤が
ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムノナフルオロブタンスルホネート、
ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、
ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムｐ−トルエンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムベンゼンスルホネート、
ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム１０−カンファースルホネート、
ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムオクタンスルホネート、
ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、
４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、
ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムパーフルオロベンゼンスルホネート、
ジフェニルヨードニウムノナフルオロブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、
ジフェニルヨードニウムｐ−トルエンスルホネート、
ジフェニルヨードニウムベンゼンスルホネート、
ジフェニルヨードニウム１０−カンファースルホネート、
ジフェニルヨードニウムオクタンスルホネート、
ジフェニルヨードニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、
ジフェニルヨードニウム４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、
ジフェニルヨードニウムパーフルオロベンゼンスルホネート、
ジ（ｐ−クロロフェニル）ヨードニウムノナフルオロブタンスルホネート、ジ（ｐ−クロロフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジ（ｐ−クロロフェニル）ヨードニウムｐ−トルエンスルホネート、
ジ（ｐ−クロロフェニル）ヨードニウムベンゼンスルホネート、
ジ（ｐ−クロロフェニル）ヨードニウム１０−カンファースルホネート、
ジ（ｐ−クロロフェニル）ヨードニウムオクタンスルホネート、
ジ（ｐ−クロロフェニル）ヨードニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、
ジ（ｐ−クロロフェニル）ヨードニウム４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、
ジ（ｐ−クロロフェニル）ヨードニウムパーフルオロベンゼンスルホネート、
ジ（ｐ−トリフルオロメチルフェニル）ヨードニウムノナフルオロブタンスルホネート、
ジ（ｐ−トリフルオロメチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、
ジ（ｐ−トリフルオロメチルフェニル）ヨードニウムｐ−トルエンスルホネート、
ジ（ｐ−トリフルオロメチルフェニル）ヨードニウムベンゼンスルホネート、
ジ（ｐ−トリフルオロメチルフェニル）ヨードニウム１０−カンファースルホネート、
ジ（ｐ−トリフルオロメチルフェニル）ヨードニウムオクタンスルホネート、
ジ（ｐ−トリフルオロメチルフェニル）ヨードニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、
ジ（ｐ−トリフルオロメチルフェニル）ヨードニウム４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、
ジ（ｐ−トリフルオロメチルフェニル）ヨードニウムパーフルオロベンゼンスルホネート、
トリフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネート、
トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、
トリフェニルスルホニウムｐ−トルエンスルホネート、
トリフェニルスルホニウムベンゼンスルホネート、
トリフェニルスルホニウム１０−カンファースルホネート、
トリフェニルスルホニウムオクタンスルホネート、
トリフェニルスルホニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、トリフェニルスルホニウム４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、
トリフェニルスルホニウムナフタレンスルホネート、
トリフェニルスルホニウムパーフルオロベンゼンスルホネート、
４−ｔ−ブチルフェニル・ジフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネート、
４−ｔ−ブトキシフェニル・ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、
４−ヒドロキシフェニル・ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、
４−ヒドロキシフェニル・ジフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネート、
４−ヒドロキシフェニル・ジフェニルスルホニウムベンゼンスルホネート、４−ヒドロキシフェニル・ジフェニルスルホニウム１０−カンファースルホネート、
４−ヒドロキシフェニル・ジフェニルスルホニウムオクタンスルホネート、４−ヒドロキシフェニル・ジフェニルスルホニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、
４−ヒドロキシフェニル・ジフェニルスルホニウム４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、
パーフルオロベンゼンスルホネート、
トリ（ｐ−メトキシフェニル）スルホニウムノナフルオロブタンスルホネート、
フェニル・テトラメチレンスルホニウムノナフルオロブタンスルホネート、フェニル・テトラメチレンスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、フェニル・テトラメチレンスルホニウムｐ−トルエンスルホネート、
フェニル・テトラメチレンスルホニウムベンゼンスルホネート、
フェニル・テトラメチレンスルホニウム１０−カンファースルホネート、
フェニル・テトラメチレンスルホニウムオクタンスルホネート、
フェニル・テトラメチレンスルホニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、
フェニル・テトラメチレンスルホニウム４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、
フェニル・テトラメチレンスルホニウムパーフルオロベンゼンスルホネート、
ｐ−ヒドロキシフェニル・テトラメチレンスルホニウムノナフルオロブタンスルホネート、
ｐ−ヒドロキシフェニル・テトラメチレンスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、
ｐ−ヒドロキシフェニル・テトラメチレンスルホニウムｐ−トルエンスルホネート、
ｐ−ヒドロキシフェニル・テトラメチレンスルホニウムベンゼンスルホネート、
ｐ−ヒドロキシフェニル・テトラメチレンスルホニウム１０−カンファースルホネート、
ｐ−ヒドロキシフェニル・テトラメチレンスルホニウムオクタンスルホネート、
ｐ−ヒドロキシフェニル・テトラメチレンスルホニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、
ｐ−ヒドロキシフェニル・テトラメチレンスルホニウム４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、
ｐ−ヒドロキシフェニル・テトラメチレンスルホニウムパーフルオロベンゼンスルホネート、
４,４’−ビス（ジフェニルスルホニオフェニル）スルフィドジノナフルオロブタンスルホネート、
４,４’−ビス（ジフェニルスルホニオフェニル）スルフィドジトリフルオロメタンスルホネート、
４,４’−ビス（ジフェニルスルホニオフェニル）スルフィドジｐ−トルエンスルホネート、
４,４’−ビス（ジフェニルスルホニオフェニル）スルフィドジベンゼンスルホネート、
４,４’−ビス（ジフェニルスルホニオフェニル）スルフィドジ１０−カンファースルホネート、
４,４’−ビス（ジフェニルスルホニオフェニル）スルフィドジオクタンスルホネート、
４,４’−ビス（ジフェニルスルホニオフェニル）スルフィドジ２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、
４,４’−ビス（ジフェニルスルホニオフェニル）スルフィドジ４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、
４,４’−ビス（ジフェニルスルホニオフェニル）スルフィドジパーフルオロベンゼンスルホネート、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ビシクロ［２.２.１］ヘプト−５−エン−２,３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２.２.１］ヘプト−５−エン−２,３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ビシクロ［２.２.１］ヘプタン−５,６−オキシ−２,３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキシ）スクシンイミド、
Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキシ）ビシクロ［２.２.１］ヘプト−５−エン−２,３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２.２.１］ヘプト−５−エン−２,３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキシ）ビシクロ［２.２.１］ヘプタン−５,６−オキシ−２,３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）ビシクロ［２.２.１］ヘプト−５−エン−２,３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２.２.１］ヘプト−５−エン−２,３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）ビシクロ［２.２.１］ヘプタン−５,６−オキシ−２,３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−（２−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシ）ビシクロ［２.２.１］ヘプト−５−エン−２,３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−（２−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２.２.１］ヘプト−５−エン−２,３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−（２ートリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシ）ビシクロ［２.２.１］ヘプタン−５,６−オキシ−２,３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−（４−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシ）スクシンイミド、
Ｎ−（４−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（４−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、
Ｎ−（４−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシ）ビシクロ［２.２.１］ヘプト−５−エン−２,３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−（４−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２.２.１］ヘプト−５−エン−２,３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−（４−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシ）ビシクロ［２.２.１］ヘプタン−５,６−オキシ−２,３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−（４−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシ）ナフチルイミド、
Ｎ−（ノナフルオロブチルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、
Ｎ−（ノナフルオロブチルスルホニルオキシ）ビシクロ［２.２.１］ヘプト−５−エン−２,３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−（ノナフルオロブチルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２..２.１］ヘプト−５−エン−２,３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−（ノナフルオロブチルスルホニルオキシ）ビシクロ［２.２.１］ヘプタン−５,６−オキシ−２,３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−（ノナフルオロブチルスルホニルオキシ）ナフチルイミド、
ビス（ｐ−ｔ−ブチルフェニルスルホニル）シアゾメタン、
ビス（３、３−ジメチル−１、５−ジオキサスピロ［５、５］ドデカン−８−スルホニル）ジアゾメタンおよび
ビス（１、４−ジオキサスピロ［４、５］デカン−７−スルホニル）ジアゾメタンよりなる群から選ばれる少なくとも１種である、ことを特徴とする感放射線性樹脂組成物。」
〔式（１）、式（２）は前掲の本願補正発明のものと同じなので転記を省略。〕 
　　　　　　　　
（１）引用例等  
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例１とその記載事項は、前記「２−２．」に記載したとおりである。
　また、原査定の拒絶の理由に引用された先願明細書とその記載事項は、前記「２−３．」に記載したとおりである。　  
 　  
（２）対比・判断  
・本願請求項１に係る発明は、前記２−１．で検討した本願補正発明の「（Ｂ）感放射線性酸発生剤」の削減された２８種を削減前の百数十種に戻したものに相当する。  
・そうすると、本願請求項１に係る発明の特定事項を全て含み、さらに他の制限事項を付加したもの（Ｂ成分の選択範囲を２８種に削減したもの）に相当する本願補正発明が、前記「２−４．〜２−５．」に記載したとおり、引用例１に記載された発明および周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願請求項１に係る発明（Ｂ成分の選択範囲を削減する前のもの）も、同様の理由により、引用例１に記載された発明および周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
・また、本願請求項１に係る発明の特定事項を全て含み、さらに他の制限事項を付加したものに相当する本願補正発明が、前記「２−６．」に記載したとおり、先願明細書に記載された発明であるから、本願請求項１に係る発明も、同様の理由により、先願明細書に記載された発明であることは明白である。
　　　　　　　
（３）むすび  
・以上のとおり、本願請求項１に係る発明は、引用例１に記載された発明および周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。  　　　　
・また、本願請求項１に係る発明は、先願明細書に記載された発明であるから、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。  
　　　　　　
・なお、当審では、審判請求人から提示された、回答書中の「補正提案１」についても、慎重に検討したが、依然として、
「引用例１に記載された発明および周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたもの」であり、且つ、
「先願明細書に記載された発明」であって、特許を受けることができないものであるから（前記「２−４．〜２−６．」の詳細な検討内容を参照のこと）、更なる補正の機会を設けることは無しとした。