【事件の表示】
　平成１０年特許願第　４１４８０号「液晶表示装置及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　９月２５日出願公開、特開平１０−２５３９９２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯 
　本願は、平成１０年２月２４日（パリ条約による優先権主張１９９７年３月３日、韓国）の出願であって、平成１９年８月９日に手続補正がなされたが、同年９月４日付けで拒絶査定がなされ、これに対し同年１２月１０日に拒絶査定不服審判請求がなされるとともに平成２０年１月９日付けで手続補正がなされたものである。 
　  
ＩＩ．平成２０年１月９日付けの手続補正についての補正却下の決定  
［補正却下の決定の結論］  
　平成２０年１月９日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。  
　　  
［理由］  
１．補正の内容・本願補正発明  
　本件補正は、補正前の請求項１を以下のように補正し、補正後の請求項１とすることを含むものである。  
　　  
「液晶表示装置の製造工程において、基板上にゲートバス配線を形成する段階と、前記ゲートバス配線上に絶縁膜を形成する段階と、前記絶縁膜上のみにダミー層を形成する段階と、ここで、前記ダミー層は、真性半導体層および不純物半導体層をこの順で形成することにより構成され、前記ダミー層の上面及び側面を覆うようにソースバス配線とソースパッドを形成する段階とを備えることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。」 
　　  
　本件補正は、補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「ダミー層」について、絶縁膜上「のみ」に形成されることを限定するとともに、「ソースバス配線とソースパッド」について、ダミー層の「上面及び側面」を覆うように形成されることを限定するものであるから、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下「平成１４年改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 
　　  
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１４年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するか）について以下に検討する。 
　　  
２．引用刊行物  
　原査定の拒絶の理由において引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平６−２０２１５３号公報（以下「引用刊行物」という。）には、図とともに以下の事項が記載されている。  
　  
（１）「【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＴＦＴ（薄膜トランジスタ）マトリクス装置及びその製造方法に係り、特にラップトップパソコンや壁掛けＴＶとして用いられるＴＦＴ−ＬＣＤ（ＴＦＴマトリクス型液晶ディスプレー装置）及びその製造方法に関する。」
（２）「【００３９】こうして、ゲート端子部は、透明絶縁基板１０上に形成されたゲート端子下部電極１２ｄと、このゲート端子下部電極１２ｄ上並びに絶縁膜１４及びパッシベーション膜３０上に形成されたゲート端子上部電極３４ｃとから構成され、外部制御回路と接続されるようになっている。次に、図１及び図２に示す逆スタガード型ＴＦＴマトリクス装置の製造方法を、図３乃至図１１の工程断面図を用いて説明する。尚、各図の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）はそれぞれ図１のＡＡ′線断面、ＢＢ′線断面、ＣＣ′線断面、ＤＤ′線断面に対応したドレイン端子部、ＴＦＴ部、画素部及び蓄積容量部、並びにゲート端子部を示す。
【００４０】ガラス基板等の透明絶縁基板１０上に、スパッタ法を用いて、例えばＡｌ又はＣｒ等からなる金属層を成膜する。そしてこの金属層上に、所定のレジストパターンを形成した後、それをマスクとして金属層をエッチングして、ゲート電極１２ａ、Ｃｓ電極１２ｂ、ゲート電極１２ａに接続するゲートバスライン１２ｃ、及びこのゲートバスライン１２ｃに接続するゲート端子下部電極１２ｄをそれぞれ形成する。
【００４１】尚、この金属層は、次の工程で全面に積層する絶縁膜と十分な選択エッチング性を有するものであれば、ＡｌやＣｒに限らず、他の金属材料を使用してもよい（図３参照）。次いで、全面に、プラズマＣＶＤ法を用いて、ＳｉＮ膜又はＳｉＯ2 膜とＳｉＮ膜との２層膜等からなる厚さ約４００ｎｍの絶縁膜１４を成膜する。尚、ここで、ゲート電極１２ａ上の絶縁膜１４を特にゲート絶縁膜１４ａと呼ぶ。
【００４２】続いて、この絶縁膜１４上に、プラズマＣＶＤ法を用いて、厚さ２０ｎｍのノンドープのｉ型ａ−Ｓｉ層１６及びＳｉＯ2 膜又はＳｉＮ膜からなる厚さ１５０ｎｍの保護膜１８を順に成膜する（図４参照）。次いで、この保護膜１８を、ＴＦＴチャネル部を除き、弗酸緩衝液等を用いて全てエッチング除去する。即ち、ＴＦＴ部のゲート電極１２ａ上方にのみ保護膜１８を残存させて、チャネル保護膜１８ａを形成する（図５参照）。
【００４３】次いで、全面に、プラズマＣＶＤ法を用いて、厚さ６０ｎｍのｎ+ 型ａ−Ｓｉ層２０を成膜した後、更にスパッタ法を用いて、厚さ２００ｎｍの例えばＡｌ又はＣｒ等からなる金属層２２を成膜する（図６参照）。次いで、この金属層２２上に、所定のレジストパターンを形成した後、それをマスクとして金属層２２、ｎ+ 型ａ−Ｓｉ層２０、及びｉ型ａ−Ｓｉ層１６を順にエッチングする。こうして、ＴＦＴ部のゲート絶縁膜１４ａ上にｉ型ａ−Ｓｉ層１６からなるａ−Ｓｉ活性層１６ａを形成すると共に、チャネル保護膜１８ａの両側のｎ+ 型ａ−Ｓｉ層２０からなるｎ+ 型ａ−Ｓｉ接合層２０ａ、２０ｂを介してそれぞれａ−Ｓｉ活性層１６ａに接続する金属層２２からなるソース電極２２ａ及びドレイン電極２２ｂを相対して形成し、ＴＦＴを完成させる。
【００４４】また同時に、蓄積容量部のＣｓ電極１２ｂ上に、絶縁膜１４及びｉ型ａ−Ｓｉ層１６からなる誘電体膜２４を介して、ｎ+ 型ａ−Ｓｉ層２０及び金属層２２からなる対向電極２６を形成する。更に、ドレイン端子部において、ドレイン電極２２ｂにドレインバスライン（図示せず）を介して接続するｎ+ 型ａ−Ｓｉ層２０及び金属層２２からなるドレイン端子下部電極２８を形成する（図７参照）。」
　　
　よって、これらを総合すると、引用刊行物には、
「ＴＦＴ−ＬＣＤ（ＴＦＴマトリクス型液晶ディスプレー装置）の製造方法であって、
　透明絶縁基板上に、第１の金属層を成膜し、該第１の金属層をエッチングして、ゲート電極及びゲートバスラインを形成し、
　次いで、全面に、絶縁膜を成膜し、尚、ここで、前記ゲート電極上の前記絶縁膜を特にゲート絶縁膜と呼び、
　続いて、前記絶縁膜上に、ノンドープのｉ型ａ−Ｓｉ層及び保護膜を順に成膜し、次いで、該保護膜を、ＴＦＴチャネル部を除いて全てエッチング除去して、ＴＦＴ部の前記ゲート電極上方にのみ前記保護膜を残存させて、チャネル保護膜を形成し、
　次いで、全面に、ｎ+ 型ａ−Ｓｉ層を成膜し、
　その後、第２の金属層を成膜し、次いで、該第２の金属層上に、所定のレジストパターンを形成した後、それをマスクとして前記第２の金属層、前記ｎ+ 型ａ−Ｓｉ層及び前記ｉ型ａ−Ｓｉ層を順にエッチングして、ＴＦＴ部の前記ゲート絶縁膜上に前記ｉ型ａ−Ｓｉ層からなるａ−Ｓｉ活性層を形成すると共に、前記チャネル保護膜の両側の前記ｎ+ 型ａ−Ｓｉ層からなるｎ+ 型ａ−Ｓｉ接合層を介してそれぞれ前記ａ−Ｓｉ活性層に接続する前記第２の金属層からなるソース電極及びドレイン電極を相対して形成してＴＦＴを完成させると同時に、ドレイン端子部において、前記ドレイン電極にドレインバスラインを介して接続するドレイン端子下部電極を形成する、
ＴＦＴ−ＬＣＤ（ＴＦＴマトリクス型液晶ディスプレー装置）の製造方法。」
の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　　 
３．対比 
　本願補正発明と引用発明とを以下に対比する。
（１）引用発明の「透明絶縁基板」、「ゲートバスライン」、「絶縁膜」、「ノンドープのｉ型ａ−Ｓｉ層」、「ｎ+ 型ａ−Ｓｉ層」、「ドレインバスライン」、「ドレイン端子下部電極」及び「ＴＦＴ−ＬＣＤ（ＴＦＴマトリクス型液晶ディスプレー装置）の製造方法」は、それぞれ本願補正発明の「基板」、「ゲートバス配線」、「絶縁膜」、「真性半導体層」、「不純物半導体層」、「ソースバス配線」、「ソースパッド」及び「液晶表示装置の製造方法」に相当する。
（２）引用発明において、「ドレインバスライン」及び「ドレイン端子下部電極」は、「ノンドープのｉ型ａ−Ｓｉ層」、「ｎ+ 型ａ−Ｓｉ層」及び「第２の金属層」の３層からなり、引用発明の「ドレインバスライン」を形成している「第２の金属層」及び「ドレイン端子下部電極」を形成している「第２の金属層」が、それぞれ本願補正発明の「ソースバス配線」及び「ソースパッド」に相当する。
（３）引用発明において、「透明絶縁基板上に、第１の金属層を成膜し、該第１の金属層をエッチングして、ゲート電極及びゲートバスラインを形成」することは、本願補正発明の「基板上にゲートバス配線を形成する段階」に相当し、次いで、引用発明において、「全面に、絶縁膜を成膜」することは、本願補正発明の「ゲートバス配線上に絶縁膜を形成する段階」に相当する。
（４）引用発明は、「ノンドープのｉ型ａ−Ｓｉ層及び保護膜を順に成膜し、・・・、次いで、全面に、ｎ+ 型ａ−Ｓｉ層を成膜」するから、引用発明の「ノンドープのｉ型ａ−Ｓｉ層」及び「ｎ+ 型ａ−Ｓｉ層」は、本願補正発明の「真性半導体層および不純物半導体層をこの順で形成することにより構成され」た「ダミー層」に相当する。
　そして、引用発明において、「絶縁膜上に、ノンドープのｉ型ａ−Ｓｉ層及び保護膜を順に成膜し、次いで、該保護膜を、ＴＦＴチャネル部を除いて全てエッチング除去して、ＴＦＴ部の前記ゲート電極上方にのみ前記保護膜を残存させて、チャネル保護膜を形成し、次いで、全面に、ｎ+ 型ａ−Ｓｉ層を成膜」することは、本願補正発明の「絶縁膜上のみにダミー層を形成する段階」と、「絶縁膜上にダミー層を形成する段階」である点で一致する。
（５）引用発明において、「第２の金属層上に、所定のレジストパターンを形成した後、それをマスクとして前記第２の金属層、前記ｎ+ 型ａ−Ｓｉ層及び前記ｉ型ａ−Ｓｉ層を順にエッチングして」、「ドレインバスライン」及び「ドレイン端子下部電極」を形成することは、本願補正発明の「ダミー層の上面及び側面を覆うようにソースバス配線とソースパッドを形成する段階」と、「ダミー層の上面を覆うようにソースバス配線とソースパッドを形成する段階」である点で一致する。
（６）したがって、両者は、  
「液晶表示装置の製造工程において、基板上にゲートバス配線を形成する段階と、前記ゲートバス配線上に絶縁膜を形成する段階と、前記絶縁膜上にダミー層を形成する段階と、ここで、前記ダミー層は、真性半導体層および不純物半導体層をこの順で形成することにより構成され、前記ダミー層の上面を覆うようにソースバス配線とソースパッドを形成する段階とを備える液晶表示装置の製造方法。」 
である点で一致し、以下の点で相違する。  
　　  
相違点１：  
　本願補正発明では、絶縁膜上「のみ」にダミー層を形成するのに対し、引用発明では、「絶縁膜上に、ノンドープのｉ型ａ−Ｓｉ層及び保護膜を順に成膜し、次いで、該保護膜を、ＴＦＴチャネル部を除いて全てエッチング除去して、ＴＦＴ部の前記ゲート電極上方にのみ前記保護膜を残存させて、チャネル保護膜を形成し、次いで、全面に、ｎ+ 型ａ−Ｓｉ層を成膜」するから、「絶縁膜」上に「ノンドープのｉ型ａ−Ｓｉ層」を形成するものの、「絶縁膜」及び「チャネル保護膜」上に「ｎ+ 型ａ−Ｓｉ層」を形成する点。
相違点２：
　本願補正発明では、ダミー層の上面「及び側面」を覆うようにソースバス配線とソースパッドを形成するのに対し、引用発明では、「第２の金属層、前記ｎ+ 型ａ−Ｓｉ層及び前記ｉ型ａ−Ｓｉ層を順にエッチングして」、「ドレインバスライン」及び「ドレイン端子下部電極」を形成するから、「ドレインバスライン」及び「ドレイン端子下部電極」を構成する「第２の金属層」は、「ノンドープのｉ型ａ−Ｓｉ層」及び「ｎ+ 型ａ−Ｓｉ層」の側面を覆うように形成されていない点。
　　 
４．判断
　引用発明は、「第２の金属層、前記ｎ+ 型ａ−Ｓｉ層及び前記ｉ型ａ−Ｓｉ層を順にエッチング」するものであって、このとき、「チャネル保護膜」は、「第２の金属層、前記ｎ+ 型ａ−Ｓｉ層及び前記ｉ型ａ−Ｓｉ層を順にエッチング」する際に、ＴＦＴチャネル部のｉ型ａ−Ｓｉ層のエッチングを阻止して、「ＴＦＴ部の前記ゲート絶縁膜上に前記ｉ型ａ−Ｓｉ層からなるａ−Ｓｉ活性層を形成する」ために設けられるものである。
　これに対し、ＴＦＴチャネル部の絶縁膜上に活性層を形成する方法として、チャネル保護膜を設けることなく、前記絶縁膜上に真性半導体層及び不純物半導体層のパターンを形成した後、金属層を成膜及びエッチングしてパターン形成し、次いで、露出した前記不純物半導体層を除去する方法は周知である（例．特開平４−２８８５２９号公報（【００１０】、図２）、特開平８−１８０５８号公報（【００３１】−【００３３】、図１、図４−図７）、特開平７−１８１５１４号公報（【００３１】、図１）、特開平６−１１００８１号公報（【００１７】−【００２０】、図５）参照。）。
　したがって、引用発明において、「チャネル保護膜を形成し」、「第２の金属層、前記ｎ+ 型ａ−Ｓｉ層及び前記ｉ型ａ−Ｓｉ層を順にエッチング」する構成に代えて、「ノンドープのｉ型ａ−Ｓｉ層」及び「ｎ+型ａ−Ｓｉ層」をエッチングしてパターン形成した後、「第２の金属層」を成膜及びエッチングしてパターン形成し、次いで、ＴＦＴチャネル部に露出したｎ+ 型ａ−Ｓｉ層を除去する構成を適用して、上記相違点１に係る本願補正発明の構成となすことは、当業者が容易になし得ることであり、そして、その際、前記「第２の金属層」のパターンを、「ドレインバスライン」及び「ドレイン端子下部電極」を形成している「ノンドープのｉ型ａ−Ｓｉ層」及び「ｎ+型ａ−Ｓｉ層」からなるパターン（上記３．（２）参照。）の上面及び側面を覆うように形成して、上記相違点２に係る本願補正発明の構成となすことは、当業者が必要に応じて適宜なし得ることである。
　そして、本願補正発明が奏する効果は、引用発明及び周知技術から予想できた程度のものである。 
　　  
　したがって、本願補正発明は、引用刊行物に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。  
　　  
５．まとめ　　  
　以上のとおり、本件補正は、平成１４年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　　  
ＩＩＩ．本願発明について
１．本願発明  
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１９年８月９日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし２１に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明は次のとおりのものである。
　　  
「液晶表示装置の製造工程において、基板上にゲートバス配線を形成する段階と、前記ゲートバス配線上に絶縁膜を形成する段階と、前記絶縁膜上にダミー層を形成する段階と、ここで、前記ダミー層は、真性半導体層および不純物半導体層をこの順で形成することにより構成され、前記ダミー層を覆うようにソースバス配線とソースパッドを形成する段階とを備えることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。」（以下「本願発明」という。）  
　　  
２．引用刊行物  
　原査定の拒絶の理由において引用され、本願の優先日前に頒布された引用刊行物、その記載事項及び引用発明は、上記ＩＩ．［理由］２に記載したとおりである。  
　　  
３．対比、判断  
　本願発明は、上記ＩＩ．［理由］３及び４で検討した本願補正発明から、「ダミー層」について、絶縁膜上「のみ」に形成されるとの限定事項を削除するとともに、「ソースバス配線とソースパッド」について、ダミー層の「上面及び側面」を覆うように形成されるとの限定事項を削除したものに相当する。  
　そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含み、かつ限定を付加した本願補正発明が、上記ＩＩ．［理由］３及び４で検討したとおり、引用刊行物に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、引用刊行物に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。  
　　  
４．むすび  
　したがって、本願発明は、引用刊行物に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。  
　　  
　よって、結論のとおり審決する。