【事件の表示】
　特願２０００−２８６２４８「第ＩＩＩ族の窒化物をベースとする半導体に対する選択的成長プロセス」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　５月２９日出願公開、特開２００１−１４８３４９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１２年９月２１日の出願（優先日：１９９９年９月２１日　米国）であって、平成１８年１月２６日に拒絶査定され、平成１８年５月１日に審判請求されたものである。その請求項１〜１０に係る発明は、平成１６年９月８日付の手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜１０に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、そのうち、請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、次のとおりのものである。
　
　「【請求項１】　予め定めた基板の領域上に、第ＩＩＩ族の窒化物を選択的に形成するための方法であって、
　ａ）第ＩＩＩ族の窒化物の層の成長と互換性を持つ材料の基板を供給するステップと、
　ｂ）第ＩＩＩ族の窒化物の層の成長のために選択した前記基板のこれらの領域を露出したままの状態に維持するために、マスキング材料の層で前記基板をマスキングするステップと、
　ｃ）垂直に成長させるエピタキシャル・プロセスにより、ステップｂ）で形成した前記基板上の第ＩＩＩ族の窒化物の層をエピタキシャル成長させるステップであって、前記マスキング層の上に成長した前記エピタキシャル材料が第ＩＩＩ族極性の結晶面とＮ極性の結晶面の両方を伴なう多結晶であり、前記基板上に成長したエピタキシャル材料が第ＩＩＩ族極性の結晶面を伴なう単結晶であるステップと、
　ｄ）前記エピタキシャル第ＩＩＩ族の窒化物材料を、第ＩＩＩ族極性単結晶材料はエッチングしないで、前記多結晶材料の前記Ｎ極性結晶面を選択的に除去するエッチング剤を使用してエッチングするステップと、
　ｅ）ステップｂ）の前記マスキング層を除去するステップとを含む方法。」
　
２．引用刊行物及びその摘記事項
　原査定の拒絶の理由に引用した本願優先日前に国内に頒布された下記の刊行物１及び周知例１、２には、次の事項が記載されている。
　
　刊行物１：特開平１０−２３３３８５号公報（平成１６年６月１０日付の　　　　　　拒絶理由通知の引用文献１）
　
　周知例１：特開昭６３−１７３３１７号公報（同通知の引用文献２）
　周知例２：特開平３−１０４２３８号公報
　
（１）刊行物１の摘記事項
ａ．「【０００４】
　　【課題を解決するために手段】・・・
　　【０００５】・・・窒化物半導体のエピタキシャル成長膜は、基板との界面を除いて、Ｃ軸に平行な線欠陥密度は、・・・大変多いことが知られており、人為的に欠陥密度を制御することは困難である。しかしながら、それ以外の欠陥密度は・・・極めて少なく・・・、十分に人為的に制御できる範囲であることがわかった。従って、Ｃ軸に平行な線欠陥以外の欠陥をエピタキシャル成長膜中に人為的に発生させ、エッチング液を用いて、ウエットエッチングを行うことにより、所定のエッチングが可能となる。
　　【０００６】本発明に係る窒化物半導体のエッチング方法は、人為的に窒化物半導体に結晶欠陥を増加させる工程と、ウエットエッチングによりエッチングを行う工程と、を含むことを特徴としている。・・・
　　【０００７】また、本発明では、人為的に結晶欠陥を増加させる手段として、エッチングを行う窒化物半導体成長前の、基板あるいは下層の窒化物半導体の、全体あるいはその一部分に、その上に成長した窒化物半導体の結晶欠陥が増加するような処理を施すことを特徴としている。具体的には、基板あるいは下層の窒化物半導体上に、異種の物質を蒸着させる方法や、異種の物質を塗布する方法、あるいは表面を荒らす方法など、が挙げられる。」
　
ｂ．「【００１１】
　　【発明の実施の形態】本発明は窒化物半導体のエピタキシャル成長膜に、人為的に結晶欠陥を発生させることにより、ウエットエッチングが行える特性を利用したものである。
　　【００１２】（実施例１）有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）により成長した、窒化物半導体膜であるＧａＮ膜をエッチングした例を図面第１を参照しながら、以下に示す。
　　【００１３】ＧａＮ膜は、・・・ＭＯＣＶＤ法により作製した。・・・基板としてサファイアＣ面基板（１１）を用いた。成長に使用するサファイア基板には、あらかじめストライプ状・・・のＡｌ２Ｏ３膜（１２）を電子ビーム蒸着及びリフトオフにより形成しておいた。サファイア上に蒸着したＡｌ２Ｏ３膜は基板のサファイア（Ａｌ２Ｏ３）に比べ結晶の品質が劣るために、蒸着膜上に成長したＧａＮ膜（１３）はＣ軸に平行な（（００・１）方向）線欠陥（１４）以外の線欠陥や面欠陥が発生する（１５の領域）。・・・サファイア基板上に直接成長した部分のＧａＮ膜にはＣ軸方向に延びた線欠陥のみが存在し、・・・また、Ａｌ２Ｏ３蒸着膜上のＧａＮ膜はＣ軸方向の欠陥に加えて、（１０・０）方向や（１１・０）方向に延びた線欠陥や面欠陥が多数見受けられた。本成長膜を・・・ＫＯＨ水溶液で・・・エッチングを行った結果、サファイア基板上に直接成長した部分は、全くエッチングされなかったが、Ａｌ２Ｏ３蒸着膜上に成長した部分はそのほとんどがエッチングされた。本実施例ではサファイア基板にＡｌ２Ｏ３を蒸着した例を示したが、蒸着する膜は特にＡｌ２Ｏ３膜に限る必要はない。しかし、Ａｌ２Ｏ３膜の場合、基板であるサファイアとは同じ成分であるため、成長膜への不純物拡散の影響は考慮する必要がないという利点がある。他の物質として、ＡｌＮ、ＳｉＯ２等を使用してみたが、同様の傾向を示した。」
　
ｃ．「【００１８】（実施例５）エッチング液としては、ＫＯＨ水溶液以外に、ＮａＯＨ、などのアルカリ水溶液等をエッチング液としてとして使用した場合に於ても、エッチングの速度は違うものの、人為的に欠陥を発生させた部分はエッチングされる。しかしながら、欠陥の有無に対して最も顕著に反応するのは、ＫＯＨを使用した場合であり、Ｃ軸に平行な線欠陥以外の転移密度が、１×１０４ｃｍ−２程度の欠陥密度で容易にエッチングの制御が可能であった。」
　
（２）周知例１の摘記事項
ｄ．「第２図（ｅ）に示すように、半導体エピタキシャル層２０８例えばＧａＡｓ層を気相成長法、例えばＭＯＣＶＤ法に依りＧａＡｓ基板２０１上に成長させる。この時ステッパー投影外領域２０２のＳｉＯ２膜２０７上には多数のＧａＡｓの多結晶粒２０９がグローバルアライメントマーク２０５上を履う様に成長する。次に、第２図（ｆ）に示すように、ＳｉＯ２膜２０７を例えばＨＦを用いたウェットエッチングに依り除去する。この時ＳｉＯ２膜上に成長していたＧａＡｓの多結晶粒２０９も同時に除去され、明瞭なグローバルアライメントマーク２０５が現われる。」（４頁右上欄３行〜１４行）
　
（３）周知例２の摘記事項
ｅ．「第１図（Ｂ）はエピタキシャル成長の工程を示す。第１図（Ａ）の工程によって形成されたメサ構造３の表面を除いた残りの基板表面上に、第２半導体の単結晶成長を妨げる性質を有する材料の選択成長用マスク４を形成する。・・・選択成長用マスク４を形成した基板１上に第２半導体を成長する。単結晶が露出しているメサ表面上には単結晶エピタキシャル層５が成長する一方、選択成長用マスク４の上には多結晶層６が成長する。このようにして、歪み応力を緩和した半導体エピタキシャル層を備えた半導体装置が得られる。
　なお、その後選択成長用マスク４とその上の多結晶６を除去することもできる。」（３頁左下欄１行〜１５行）
　
３．当審の判断
（１）刊行物１の発明
　上記摘記事項ａには、窒化物半導体のエピタキシャル成長膜は、Ｃ軸に平行な線欠陥密度が大変多く、それ以外の欠陥密度は極めて少ないので、Ｃ軸に平行な線欠陥以外の欠陥をエピタキシャル成長膜中に人為的に発生させ、エッチング液を用いて、ウエットエッチングを行うことが記載されている。
　上記摘記事項ｂには、 実施例１として、サファイア基板に、あらかじめストライプ状のＡｌ２Ｏ３膜を電子ビーム蒸着により形成すること、サファイア基板上に蒸着したＡｌ２Ｏ３膜は基板のサファイアに比べ結晶の品質が劣るために、Ａｌ２Ｏ３膜上に成長したＧａＮ膜は、Ｃ軸に平行な線欠陥以外の線欠陥や面欠陥が発生すること、サファイア基板上に直接成長した部分のＧａＮ膜にはＣ軸方向に延びた線欠陥のみが存在し、また、Ａｌ２Ｏ３膜上のＧａＮ膜はＣ軸方向の欠陥に加えて、線欠陥や面欠陥が多数見受けられること、 ＧａＮ膜をＫＯＨ水溶液でエッチングを行った結果、サファイア基板上に直接成長した部分は、全くエッチングされなかったが、Ａｌ２Ｏ３膜上に成長した部分はそのほとんどがエッチングされること、Ａｌ２Ｏ３膜の他の物質として、ＳｉＯ２を使用してみたが、同様の傾向を示したことから、刊行物１にはＡｌ２Ｏ３膜に代えてＳｉＯ２を用いることが記載されている。
　上記摘記事項ｃには、 エッチング液としてＫＯＨ水溶液を使用した場合に、欠陥の有無に対して最も顕著に反応し、人為的に欠陥を発生させた部分がエッチングされることが記載されている。
　
　そこで、上記摘記事項ａ〜ｃをまとめると、刊行物１には、「サファイア基板上にＳｉＯ２膜をストライプ状に蒸着すること、エピタキシャル成長したとき、ＳｉＯ２膜上に成長したＧａＮ膜は、Ｃ軸に平行な線欠陥以外の線欠陥や面欠陥が発生するが、サファイア基板上に直接エピタキシャル成長したＧａＮ膜には、Ｃ軸方向に延びた線欠陥のみが存在すること、ＧａＮ膜をＫＯＨ水溶液でエッチングを行うこと、このエッチングにより、サファイア基板上に直接エピタキシャル成長したＧａＮ膜は、全くエッチングされないものの、ＳｉＯ２膜上に成長したＧａＮ膜はそのほとんどがエッチングされることを含む方法」、に関する発明（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されていることになる。
　
（２）対比・判断
　本願発明１と刊行物１発明とを対比する。
　
　刊行物１発明の「サファイア基板」、「ＧａＮ膜」は、本願発明１の「予め定めた基板」、「第ＩＩＩ族の窒化物の層」に相当する。
　刊行物１発明の「ＳｉＯ２」、「ＫＯＨ水溶液」は、本願発明１の「マスキング材料の層」または「マスキング層」、「エッチング剤」に相当する。
　
　さらに、刊行物１発明において、本願発明１の「ａ）基板を供給するステップ」を有することは当然である。
　刊行物１には、Ａｌ２Ｏ３膜に代えてＳｉＯ２を使用できることが記載されており、サファイア基板上にＳｉＯ２膜をストライプ状に蒸着することは、本願発明１の「ｂ）第ＩＩＩ族の窒化物の層の成長のために選択した基板のこれらの領域を露出したままの状態に維持するために、マスキング材料の層で基板をマスキングするステップ」に相当する。
　また、刊行物１発明において、ＧａＮ膜を、サファイア基板上に直接エピタキシャル成長させるとともに、ＳｉＯ２膜上に成長させることは、本願発明１のｃ）垂直に成長させるエピタキシャル・プロセスにより、ステップｂ）で形成した基板上の第ＩＩＩ族の窒化物の層をエピタキシャル成長させるステップに相当する。
　また、刊行物１発明のＧａＮ膜をＫＯＨ水溶液でエッチングを行うことは、本願発明１の「ｄ）エピタキシャル第ＩＩＩ族の窒化物材料を、エッチング剤を使用してエッチングするステップ」に相当する。
　
　そうすると、両者は、「予め定めた基板の領域上に、第ＩＩＩ族の窒化物を選択的に形成するための方法であって、ａ）基板を供給するステップと、ｂ）第ＩＩＩ族の窒化物の層の成長のために選択した前記基板のこれらの領域を露出したままの状態に維持するために、マスキング材料の層で前記基板をマスキングするステップと、ｃ）垂直に成長させるエピタキシャル・プロセスにより、ステップｂ）で形成した前記基板上の第ＩＩＩ族の窒化物の層をエピタキシャル成長させるステップと、ｄ）前記エピタキシャル第ＩＩＩ族の窒化物材料を、エッチング剤を使用してエッチングするステップと、を含む方法」の点で一致するものの、次の点で相違する。
　
　相違点１：ステップａ）について、本願発明１は、第ＩＩＩ族の窒化物の層の成長と互換性を持つ材料の基板であるのに対し、刊行物１発明のサファイア基板はそのような材料の基板であることが不明である点。
　
　相違点２：ステップｃ）、ｄ）について、本願発明１は、マスキング層の上に成長したエピタキシャル材料が第ＩＩＩ族極性の結晶面とＮ極性の結晶面の両方を伴なう多結晶であり、基板上に成長したエピタキシャル材料が第ＩＩＩ族極性の結晶面を伴なう単結晶であり、第ＩＩＩ族極性単結晶材料はエッチングしないで、多結晶材料のＮ極性結晶面を選択的に除去するエッチング剤を使用してエッチングするのに対し、刊行物１発明は、エピタキシャル材料の成長したＧａＮ膜がどのような結晶面を有するのか不明であり、刊行物１発明のＫＯＨ水溶液によるエッチングが、第ＩＩＩ族極性単結晶材料はエッチングしないで、多結晶材料のＮ極性結晶面を選択的に除去するエッチングであるか否かが不明である点。
　
　相違点３：ステップｅ）について、本願発明１は、ステップｂ）のマスキング層を除去するのに対し、刊行物１発明では除去しているか否か不明な点。
　
　そこで、上記相違点１〜３について、次に検討する。
　
（２−１）相違点１について
　本願の発明の詳細な説明において、「互換性を持つ」とはどのようなことか記載はないが、本願発明１の、第ＩＩＩ族の窒化物の層を成長させる基板として、具体的には、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＣ、及びＧａＮを含むものの、これらに制限されない種々の材料を含むことができるとしている（本願明細書【００１０】参照）。刊行物１発明の基板材料には、材料としてＡｌ２Ｏ３を用いたサファイア基板を使用して、その上に第ＩＩＩ族の窒化物の層をエピタキシャル成長させており、本願発明１と格別な相違は認められないので、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）基板を用い、第ＩＩＩ族の窒化物の層の成長と互換性を持つ基板とすることは当業者が適宜成しうることである。
　
（２−２）相違点２について
　本願発明１は、第ＩＩＩ族極性単結晶材料はエッチングしないで、多結晶材料のＮ極性結晶面を選択的に除去するエッチング剤として、具体的には、水酸化カリウムの溶液を用いている（本願明細書【０００８】、【００１
４】参照）。
　刊行物１発明において、単結晶基板であるサファイア基板上に直接エピタキシャル成長したＧａＮ膜も、単結晶膜と認められる。
　また、刊行物１の摘記事項ａ（【０００７】）によれば、人為的に結晶欠陥を増加させる手段として、基板上に、異種の物質を蒸着させる方法や、異種の物質を塗布する方法、・・・などが挙げられる、としている。また、摘記事項ｂによれば、他の物質として、ＡｌＮ、ＳｉＯ２等を使用してみたが、同様の傾向を示したことが記載されている。Ｃ軸に平行な線欠陥以外の線欠陥や面欠陥を含むＳｉＯ２膜上に成長したＧａＮ膜は、これらの欠陥に由来して第ＩＩＩ族極性の結晶面とＮ極性結晶面の両方を伴う多結晶となっていると認められる。
　そうすると、刊行物１発明は、成長した多結晶を含み、本願発明１と同じＫＯＨ水溶液でＧａＮ膜をエッチングすることにより、サファイア基板上に直接エピタキシャル成長した単結晶のＧａＮ膜はエッチングしないで、Ａｌ２Ｏ３蒸着膜上に成長した多結晶を含むＧａＮ膜はそのほとんどをエッチングしている。
　換言すれば、刊行物１発明においても、本願発明１と同様に、ＫＯＨ水溶液により、基板上に直接エピタキシャル成長した単結晶のＧａＮ膜は除去しないで、蒸着、塗布した膜上に成長した多結晶を含むＧａＮ膜を選択的に除去しているものと認められる。
　したがって、上記相違点２は、実質的な相違ではない。
　
（２−３）相違点３について
　基板上に形成したマスクをエッチングにより除去するようなことは、上記周知例１の摘記事項ｄに記載の「ＳｉＯ２膜２０７」の除去、上記周知例２の摘記事項ｅに記載の「選択成長用マスク４」の除去のように、周知の技術であり、刊行物１発明において、ＳｉＯ２膜上に成長したＧａＮ膜をエッチングした後、ＳｉＯ２膜を除去するようなことは容易になし得る程度の事項にすぎない。
　
　そして、本願発明１の上記相違点１〜３については、格別顕著な作用効果は認められない。
　
　したがって、本願発明１は、刊行物１に記載された発明及び周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は特許を受けることができないものであり、他の請求項２〜１０に係る発明については検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。