【事件の表示】
　特願２０００−　４５５７７「配線基板及び配線基板の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　８月３１日出願公開、特開２００１−２３７５４７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１２年２月２３日の出願であって、平成１７年９月７日付け拒絶理由通知に対して、平成１７年１２月５日付けで手続補正がされたが、平成１８年４月２４日付けで拒絶査定され、これに対し、平成１８年６月２１日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、平成１８年７月２１日付けで手続補正がされたものである。
　
第２　平成１８年７月２１日付けの手続補正についての補正却下の決定
〔補正却下の決定の結論〕
　平成１８年７月２１日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　
〔理由〕
１．本件補正前及び本件補正後の本願発明
　本件補正は、明細書の全文についてするもので、特許請求の範囲については、以下（ア）〜（ウ）の点を含むものである。
　
（ア）補正前の請求項１〜３及び請求項７を削除した点。
　
（イ）補正前の請求項４に「上記第１ビア導体と第１接続パッドの組、及び、上記第２ビア導体と第２接続パッドの組のうち、少なくともいずれかは、ビア導体の少なくとも一部が接続パッドの露出した部分に含まれ、かつ、接続パッドのパッド中心軸から上記層間導体までの距離よりも、ビア導体のビア中心軸から上記層間導体までの距離の方が大きい」と記載されていたところを、これに対応する補正後の請求項１では、「上記第１ビア導体と第１接続パッドの組、及び、この組と隣り合う上記第２ビア導体と第２接続パッドの組のうち、上記第１ビア導体と第１接続パッドの組は、第１ビア導体の少なくとも一部が第１接続パッドの露出した部分に含まれ、かつ、第１接続パッドのパッド中心軸から上記層間導体までの距離よりも、第１ビア導体のビア中心軸から上記層間導体までの距離の方が大きくされてなり、上記第２ビア導体と第２接続パッドの組は、第２ビア導体の全体が第２接続パッドの露出した部分に含まれ、かつ、第２ビア導体のビア中心軸が第１接続パッドのパッド中心軸と略一致してなる」と限定した点。
　なお、補正後の請求項１には、「上記第２ビア導体と第２接続パッドの組は、・・・かつ、第２ビア導体のビア中心軸が第１接続パッドのパッド中心軸と略一致してなる」と記載されているが、前記第２ビア導体と中心軸が略一致するのが「第１接続パッド」ではなく、「第２接続パッド」であることは、明らかであるので、前述の補正後の請求項１の記載は、「上記第２ビア導体と第２接続パッドの組は、・・・かつ、第２ビア導体のビア中心軸が第２接続パッドのパッド中心軸と略一致してなる」を誤記したものであるといえる。
（以下、この点に係る補正事項を「本件補正事項」という。）
　
（ウ）補正前の請求項６に「少なくとも１以上の層間配線」及び「上記第２ビア導体と第３ビア導体との間には、上記層間配線が形成されていないか、上記第１ビア導体と第２ビア導体との間よりも少ない本数形成されている」とあったところを、これに対応する補正後の請求項３においては、それぞれ「複数の層間配線」及び「上記第２ビア導体と第３ビア導体との間には、上記第１ビア導体と第２ビア導体との間よりも少ない本数形成されている」と限定した点。
　
　以上を総合すると、前記（ア）〜（ウ）の点を含む特許請求の範囲についての補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項第１号（請求項の削除）及び第２号（特許請求の範囲の減縮）に掲げる事項を目的とするものである。
　そこで、本件補正後における特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定する要件を満たすか）否かを、前記本件補正事項に係る、補正後の請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）について以下に検討する。
　本願補正発明は、次のとおりのものである。
　
「【請求項１】第１絶縁層と、上記第１絶縁層上に積層された第２絶縁層と、上記第２絶縁層上に積層され基板外表面を形成する第３絶縁層と、上記第２絶縁層を貫通する第１ビア導体と、上記第２絶縁層を貫通し、上記第１ビア導体と隣り合う第２ビア導体と、上記第２絶縁層上に形成され、上記第１ビア導体と電気的に接続し、上記第３絶縁層を貫通して形成された第１開口内に少なくとも一部が露出する第１接続パッドと、上記第２絶縁層上に形成され、上記第２ビア導体と電気的に接続し、上記第３絶縁層を貫通して形成された第２開口内に少なくとも一部が露出する第２接続パッドと、上記第１絶縁層と第２絶縁層との層間に形成され、上記第１ビア導体と第２ビア導体との間に位置し、これら第１ビア導体及び第２ビア導体とは絶縁する層間導体と、を備え、
　上記第１ビア導体と第１接続パッドの組、及び、この組と隣り合う上記第２ビア導体と第２接続パッドの組のうち、上記第１ビア導体と第１接続パッドの組は、第１ビア導体の少なくとも一部が第１接続パッドの露出した部分に含まれ、かつ、第１接続パッドのパッド中心軸から上記層間導体までの距離よりも、第１ビア導体のビア中心軸から上記層間導体までの距離の方が大きくされてなり、上記第２ビア導体と第２接続パッドの組は、第２ビア導体の全体が第２接続パッドの露出した部分に含まれ、かつ、第２ビア導体のビア中心軸が第２接続パッドのパッド中心軸と略一致してなる配線基板。」
　
　なお、前記請求項１には、「上記第２ビア導体と第２接続パッドの組は、・・・かつ、第２ビア導体のビア中心軸が第１接続パッドのパッド中心軸と略一致してなる」と記載されているが、前述のとおり、これは、「上記第２ビア導体と第２接続パッドの組は、・・・かつ、第２ビア導体のビア中心軸が第２接続パッドのパッド中心軸と略一致してなる」の誤記と認められるので、本願補正発明を前記のように認定した。
　
２．引用例及びその記載事項
（１）これに対して、原査定の拒絶の理由に引用した、本願出願前に頒布された刊行物である特開２０００−３９８０号公報（以下、「引用例１」という。）には、図１６〜図２５とともに以下の事項が記載されている。
　
〔１ａ〕「【発明の属する技術分野】
　本発明は、１層又は複数層の絶縁樹脂層を有する半導体搭載用回路基板及びその製造方法に関するものである。」（【０００１】）
　
〔１ｂ〕「本発明はこれらの事情を考慮してなされたものであり、第１の目的は、微細配線化による高密度配線が可能であり、半導体の高周波化、多機能化に伴う信号線数の増加に対して積層数を増加する必要がない半導体搭載用回路基板及びその製造方法を提供することにあり、更に、第２の目的は、プラスチックＰＧＡパッケージに適用する場合に、入出力ピンのプル強度の確保と高密度配線とを両立させることができる半導体搭載用回路基板及びその製造方法を提供することにある。」（【００１０】）
　
〔１ｃ〕「［実施形態（３）］
　次に、本発明をプラスチックＰＧＡパッケージに適用した実施形態（３）を図１６乃至図２５に基づいて説明する。本実施形態（３）の半導体搭載用回路基板４１（図２５参照）は、入出力ピン４２を外部端子１９に接合したところに特徴があり、前記実施形態（１）と実質的に同じ部分については同一符号を付して説明を簡略化する。以下、本実施形態（３）の半導体搭載用回路基板４１を製造するプロセスを説明する。・・・
　（１）１層目の絶縁樹脂層１２の形成
　前記実施形態（１）と同じ方法で、図１６に示すように、金属板２２上に絶縁樹脂層１２を形成する。・・・
　（２）外部端子１９、基板補強体２０、搭載部補強体（図示せず）の形成
　前記実施形態（１）と同じ方法で、絶縁樹脂層１２の下面の金属板２２をエッチングすることにより、図１７に示すように、絶縁樹脂層１２の下面に外部端子１９と基板補強体２０と搭載部補強体を同時に形成する。尚、図１７〜図２５には、搭載部補強体の図示が省略されているが、本実施形態（３）においても、前記実施形態（１），（２）と同様の搭載部補強体を形成する。・・・
　（３）ビアホール１３の形成
　前記実施形態（１）と同じ方法で、図１８に示すように、フォトリソグラフィ技術又はレーザー加工により絶縁樹脂層１２のうちの外部端子１９に対応する位置にビアホール１３を形成する。・・・
　（４）１層目のビア導体１４と配線パターン１５の形成
　前記実施形態（１）と同じ方法で、図１９に示すように、ビアホール１３に導体を充填してビア導体１４を形成すると共に、絶縁樹脂層１２上に配線パターン１５を形成する。・・・
　（５）両面の絶縁樹脂層４３，４４の形成と片面のビアホール４５の形成
　図２０に示すように、基板の上下両面に絶縁樹脂層４３，４４を形成する。絶縁樹脂層４３，４４の形成方法は、１層目の絶縁樹脂層１２と同じ方法で形成すれば良い。そして、基板上面側の絶縁樹脂層４３にフォトリソグラフィ技術又はレーザー加工によりビアホール４５を形成する。・・・
　（６）２層目のビア導体４６と配線パターン４７の形成
　１層目のビア導体１４と配線パターン１５と同じ形成方法で、図２１に示すように、２層目のビア導体４６と配線パターン４７の形成する。
　以上説明した工程で、２層分の配線回路を形成できるが、３層以上の多層回路を形成する場合には、絶縁樹脂層４３上に、次の層の絶縁樹脂層を形成して、ビアホール、ビア導体、配線パターンを形成する工程を必要な積層数だけ繰り返せば良い。そして、最上層の配線パターン４７（表層配線パターン）の表面には、Ｎｉ，Ｐｄ，Ａｕ等のバッファメタル膜をメッキ等により形成しても良い。・・・
　（７）両面の保護用絶縁樹脂層４８，４９の形成と開口部５０，５１の形成
　図２２に示すように、基板両面に、エポキシ系、ポリミド系の感光性樹脂や熱硬化性樹脂により保護用の絶縁樹脂層４８，４９を形成する。そして、基板上面の絶縁樹脂層４８（保護層）には、フリップチップ接続部１８ａに対応する部分にフォトリソグラフィ技術又はレーザー加工により開口部５０を形成する。更に、基板下面の保護用の絶縁樹脂層４９には、外部端子１９に対応する部分にレーザー加工又はドリルにより２層の絶縁樹脂層４９，４４を貫通する開口部５１を形成し、その開口部５１により外部端子１９を露出させる。
　（８）バッファメタル層５２，５３の形成
　図２３に示すように、開口部５０，５１内に露出するフリップチップ接続部１８ａと外部端子１９の表面にバッファメタル層５２，５３をＮｉ、Ｐｄ、Ａｕ等で形成する。これらは、無電解メッキ（例えばＮｉ／Ａｕメッキ）を用いると、容易に形成することができる。・・・
　（９）入出力ピン４２の接合
　図２４に示すように、基板下面の開口部５１内に露出する外部端子１９に入出力ピン４２をＡｇろう材又は高温半田等により接合する。この際、外部端子１９表面のバッファメタル層５３によって接合力が高められる。・・・
　（１０）補強材５４の形成とバンプ５５の形成
　図２５に示すように、基板下面の絶縁樹脂層４９の下面に、補強材５４を絶縁性樹脂のモールド成形により形成する。この補強材５４は、入出力ピン４２の接合部を補強すると共に基板下面の開口部５１を封止する役割も果たす。尚、モールド成形に代えて、予め形成された補強材５４を絶縁樹脂層４９の下面に接合するようにしても良い。そして、基板上面の絶縁樹脂層４８の開口部５０内に露出するフリップチップ接続部１８ａに半田等で半球状のバンプ５５を形成する。・・・
　以上説明した本実施形態（３）のプラスチックＰＧＡパッケージによれば、金属板２２のエッチングにより形成した外部端子１９に入出力ピン４２を接合するようにしたので、従来のように入出力ピン４２をスルーホールに打ち込まなくても、入出力ピン４２の接合強度を向上させることができる。このため、入出力ピン４２を固定するためのスルーホールを形成する必要がなくなり、配線密度を高密度化することができる。・・・
　しかも、本実施形態（３）では、基板下面の絶縁樹脂層４９の下面に、入出力ピン４２の接合部を補強する補強材５４を設けたので、入出力ピン４２のプル強度を更に高めることができ、１０ｋｇｆ／ｐｉｎ以上のプル強度を確保することができる。」（【００５３】〜【００６５】）
　
〔１ｄ〕実施形態（３）の補強材の形成とバンプの形成工程を説明する断面図である図２５には、１層目の絶縁樹脂層１２上に配線パターン１５が形成され、その上面に絶縁樹脂層４３が形成され、該絶縁樹脂層４３に形成された左右２つのビアホール４５及び該２つのビアホール４５内にそれぞれ形成された２層目のビア導体４６を備えた半導体基板搭載用回路基板４１において、前記配線パターン１５の一部が、前記２つのビアホール４５内にそれぞれ形成された２層目のビア導体４６の間に位置し、かつこれらのビア導体４６との間に前記絶縁樹脂層４３を介して配置された形態が図示されている。
　
〔１ｅ〕同じく図２５には、前記絶縁樹脂層４３の上面に配線パターン４７が形成され、その上面に保護用絶縁樹脂層４８が形成され、該保護用絶縁樹脂層４８のフリップチップ接続部１８ａに対応する部分に形成された左右２つの開口部５０を備えた半導体基板搭載用回路基板４１において、前記２つのビアホール４５内にそれぞれ形成された２層目のビア導体４６の間に位置し、かつこれらのビア導体４６との間に前記絶縁樹脂層４３を介して配置された前記配線パターン１５の一部と、前記右側のビアホール４５及び該ビアホール内に形成された２層目のビア導体４６の中心軸との距離が、前記配線パターン１５の一部と、前記左右２つの開口部５０の内の右側の開口部の中心軸との距離よりも大きくされてなる形態が図示されている。
　
〔１ｆ〕同じく図２５には、前記絶縁樹脂層４３に形成された左右２つのビアホール内にそれぞれ形成された２層目のビア導体４６と、前記絶縁樹脂層４３の上面に形成され、前記２層目のビア導体４６のそれぞれに対応する左右２つの配線パターン４７とが、それぞれ一体のものとして形成された形態が図示されている。
　
〔１ｇ〕同じく図２５には、前記絶縁樹脂層４３の上面に形成された配線パターン４７の少なくとも一部が、前記保護用絶縁樹脂層４８の開口部５０内に露出するフリップチップ接続部１８ａにまで延在した形態が図示されている。
　
（２）引用例１の摘記事項〔１ａ〕〜〔１ｇ〕を総合勘案すると、引用例１には、次の発明（以下、「引用例１発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「１層目の絶縁樹脂層と、該１層目の絶縁樹脂層の上面に形成された絶縁樹脂層と、該１層目の絶縁樹脂層の上面に形成された絶縁樹脂層の上面にさらに形成された保護用絶縁樹脂層と、前記１層目の絶縁樹脂層の上面に形成された絶縁樹脂層に形成された左右２つのビアホール及び該ビアホール内にそれぞれ形成された２層目のビア導体と、前記１層目の絶縁樹脂層の上面に形成された絶縁樹脂層の上面に形成され、左右２つの前記２層目のビア導体のそれぞれと一体のものであり、かつそれぞれのフリップチップ接続部にまで少なくとも一部が延在した左右２つの配線パターンと、前記保護用絶縁樹脂層に形成され、前記フリップチップ接続部を露出するように形成された左右２つの開口部と、前記１層目の絶縁樹脂層上に形成され、前記左右２つのビアホール内にそれぞれ形成された２層目のビア導体の間に位置し、かつこれらのビア導体との間に前記１層目の絶縁樹脂層の上面に形成された絶縁樹脂層を介して配置された配線パターンの一部と、を備えた半導体搭載用回路基板において、前記配線パターンの一部と前記左右２つのビアホールの内の右側のビアホール内に形成された２層目のビア導体の中心軸との距離が、前記配線パターンの一部と前記左右２つの開口部の内の右側の開口部の中心軸との距離よりも大きくされてなる半導体搭載用回路基板。」
　
３．対比・判断
　そこで、本願補正発明と引用例１発明とを対比する。
　
（ア）引用例１発明における「１層目の絶縁樹脂層」、「１層目の絶縁樹脂層の上面に形成された絶縁樹脂層」、「保護用絶縁樹脂層」及び「半導体搭載用回路基板」は、それぞれ本願補正発明における「第１絶縁層」、「第１絶縁層上に積層された第２絶縁層」、「第２絶縁層上に積層され基板外表面を形成する第３絶縁層」及び「配線基板」に相当する。
（イ）引用例１発明における「１層目の絶縁樹脂層の上面に形成された絶縁樹脂層に形成された左右２つのビアホール内にそれぞれ形成された２層目のビア導体」は、第２絶縁層を貫通し、かつ互いに隣り合うものであるから、それぞれ本願補正発明の「第１ビア導体」及び「第２ビア導体」のいずれかに対応する。
（ウ）引用例１発明における「左右２つの開口部」のそれぞれは、本願補正発明における「第１開口」及び「第２開口」のいずれかに対応する。
（エ）引用例１発明における「左右２つの配線パターンの少なくとも一部が延在したそれぞれのフリップチップ接続部」は、それぞれ、前記第２絶縁層上に形成され、前記第１ビア導体又は第２ビア導体と一体のものとして形成され、しかも前記第１開口又は第２開口内に露出していることから、本願補正発明における「第１接続パッド」及び「第２接続パッド」のいずれかに対応する。
（オ）引用例１発明における「１層目の絶縁樹脂層上に形成され、左右２つのビアホール内にそれぞれ形成された２層目のビア導体の間に位置し、かつこれらのビア導体との間に前記１層目の絶縁樹脂層の上面に形成された絶縁樹脂層を介して配置された配線パターンの一部」は、「第１絶縁層上に積層された第２絶縁層」に相当する前記１層目の絶縁樹脂層の上面に形成された絶縁樹脂層によって、前記第１ビア導体及び第２ビア導体とは絶縁するものであるから、本願補正発明における「第１絶縁層と第２絶縁層との層間に形成され、第１ビア導体と第２ビア導体との間に位置し、これら第１ビア導体及び第２ビア導体とは絶縁する層間導体」に相当するものといえる。
（カ）前記（イ）、（エ）を前提とし、前記「第２ビア導体」及びこれと電気的に接続する「第２接続パッド」の組、及び前記「第１ビア導体」及びこれと電気的に接続する「第１接続パッド」の組を、それぞれ左側、右側に位置する組であるとすると、これらの組同士は、互いに隣り合うものであるから、引用例１発明において、「配線パターンの一部と左右２つのビアホールの内の右側のビアホール内に形成された２層目のビア導体の中心軸との距離が、前記配線パターンの一部と左右２つの開口部の内の右側の開口部の中心軸との距離よりも大きくされてなる」点は、本願補正発明における「第１ビア導体と第１接続パッドの組、及び、この組と隣り合う第２ビア導体と第２接続パッドの組のうち、上記第１ビア導体と第１接続パッドの組は、第１接続パッドのパッド中心軸から上記層間導体までの距離よりも、第１ビア導体のビア中心軸から上記層間導体までの距離の方が大きくされてな」る点と一致している。
　
　前記（ア）〜（カ）を勘案すると、本願補正発明と引用例１発明とは、次の点で一致する。
　
＜一致点＞
「第１絶縁層と、上記第１絶縁層上に積層された第２絶縁層と、上記第２絶縁層上に積層され基板外表面を形成する第３絶縁層と、上記第２絶縁層を貫通する第１ビア導体と、上記第２絶縁層を貫通し、上記第１ビア導体と隣り合う第２ビア導体と、上記第２絶縁層上に形成され、上記第１ビア導体と電気的に接続し、上記第３絶縁層を貫通して形成された第１開口内に少なくとも一部が露出する第１接続パッドと、上記第２絶縁層上に形成され、上記第２ビア導体と電気的に接続し、上記第３絶縁層を貫通して形成された第２開口内に少なくとも一部が露出する第２接続パッドと、上記第１絶縁層と第２絶縁層との層間に形成され、上記第１ビア導体と第２ビア導体との間に位置し、これら第１ビア導体及び第２ビア導体とは絶縁する層間導体と、を備え、
　上記第１ビア導体と第１接続パッドの組、及び、この組と隣り合う上記第２ビア導体と第２接続パッドの組のうち、上記第１ビア導体と第１接続パッドの組は、第１接続パッドのパッド中心軸から上記層間導体までの距離よりも、第１ビア導体のビア中心軸から上記層間導体までの距離の方が大きくされてなる配線基板。」
　
　一方で、両者は、次の点で相違している。
　
＜相違点１＞
　第１接続パッドのパッド中心軸から上記層間導体までの距離よりも、第１ビア導体のビア中心軸から上記層間導体までの距離の方が大きくされてなる「第１ビア導体と第１接続パッドの組」について、本願補正発明では、さらに、「第１ビア導体の少なくとも一部が第１接続パッドの露出した部分に含まれ」るとの限定が付されているのに対して、引用例１発明では、そのような限定が付されていない点。
　
＜相違点２＞
　「第２ビア導体と第２接続パッドの組」について、本願補正発明では、「第２ビア導体の全体が第２接続パッドの露出した部分に含まれ、かつ、第２ビア導体のビア中心軸が第２接続パッドのパッド中心軸と略一致してなる」ものであるとの限定が付されているのに対して、引用例１発明では、そのような限定が付されていない点。
　
　以下、相違点１、２について検討する。
　
＜相違点１、２について＞
　ビア導体が形成された下層の絶縁層と、その上に形成され、前記ビア導体に接続する配線の少なくとも一部を露出するような開口部（本願補正発明の「接続パッド」に相当）が設けられた上層の絶縁層とを含む配線基板において、（ａ）前記ビア導体の少なくとも一部が前記開口部の露出した部分に含まれ、かつ前記開口部の中心軸と前記ビア導体の中心軸とが互いにずれた構造や、（ｂ）前記ビア導体の上面の全体が前記開口部の露出した部分に含まれ、かつ前記ビア導体の中心軸と前記開口部の中心軸とが略一致した構造は、以下の周知例１〜４に記載されているように、いずれも本願出願時既に周知のものにすぎない。
　そうすると、引用例１発明における「第１ビア導体と第１接続パッドの組」を「第１ビア導体の少なくとも一部が第１接続パッドの露出した部分に含まれ」るような構造に変更することや、同じく引用例１発明における「第２ビア導体と第２接続パッドの組」を「第２ビア導体の全体が第２接続パッドの露出した部分に含まれ、かつ、第２ビア導体のビア中心軸が第２接続パッドのパッド中心軸と略一致してなる」構造とすることは、いずれも周知技術の転用にすぎず、当業者が容易になし得たことである。
　
周知例１：特開平１１−５４９２７号公報
〔周１ａ〕「（実施形態２）・・・
　図２は本発明の複合配線基板の構造の別の例を概略的に示す断面図である。
　この複合配線基板は、４層の配線層１１、１２、１５、１６と３層の絶縁層２１ａ、２１ｂ、２１ｃとを有する多層のリジッド部１０１と、２層の配線層１３、１４を有するフレキシブル部１０２とを、第３の絶縁層２３と導電性ピラー３２とを有するインターフェース部１０３により電気的および機械的に接続したものである。・・・
　前述したように、フレキシブル部１０２とインターフェース部１０３との接合界面は、その接合強度が向上するように形成されている。すなわち、第２の絶縁層２２と第３の絶縁層２３との接合界面、および配線層１４と第３の絶縁層との接合界面には例えば微小な凹凸形状が形成されたり、接触角１２０°以上の高いぬれ性を有するような改質層を有しており、これによりフレキシブル部１０２とよりリジッドなインターフェース部１０３とを強固に接合することができる。・・・
　なおここでは、リジッド部１０１を構成する配線層１１、１２、１５、１６を導電性ピラー３１により層間接続した構成について説明しているが、例えば必要に応じてスルーホール接続など導電性ピラー以外の層間接続を採用することも可能である。ただし、前述したように導電性ピラーを採用することによって層間接続の配設密度を向上することができ、また生産性を向上することができるから、導電性ピラーを多く用いることが好適である。」（【０１０５】〜【０１０８】）
　
〔周１ｂ〕複合配線基板の構造の別の例を概略的に示す断面図である図２には、その第３の絶縁層２３に形成された導電性ピラー３２の内の一つ（左から２番目）と、第２の絶縁層２２に形成された配線層１３、１４の層間接続部（左から２番目）とを、前記導電性ピラー３２の少なくとも一部が前記層間接続部を形成するための開口部の露出した部分に含まれるようにしつつ、前記導電性ピラーの中心軸と前記開口部の中心軸とが互いにずれるように配置した形態が図示されている。
　
周知例２：特開２０００−４９４５８号公報
〔周２ａ〕「図３は本発明における異なる形態の多層配線基板４０の要部を示す断面図である。尚、前記の形態と共通する部分や要素には同じ符号を用いるものとする。この配線基板４０は、前記と同じコア基板２に複数のスルーホール４と、その内部のスルーホール導体６と熱硬化性樹脂(充填材)９、及びその上下端に蓋導体１０,１０′を有し、コア基板２の両面には導体層１５,１５′を形成する。蓋導体１０,１０′及び導体層１５,１５′の上には、前記下部樹脂層１６，１６′及び上部樹脂層１８,１８′からなる第１の樹脂層１７,１７′がそれぞれ形成されると共に、上部樹脂層１８,１８′のビアホール１９,１９′内には第１のビア導体２０,２０′が形成されている。・・・
　このビア導体２０,２０′の凹部２６,２６′内にも、前記同様の充填材２８，２８′が充填されると共に、ビア導体２０,２０′の各水平片２４,２４′の上には充填材２８,２８′を覆う円形の蓋導体３０,３０′が形成される。また、上部樹脂層１８,１８′の上には、ビア導体２０,２０′の各水平片２４,２４′、蓋導体３０,３０′、及び導体層３３,３３′が形成される。更に、蓋導体３０,３０′と導体層３３,３３′との間には、これらと同一平面を形成するように第２の樹脂層３４,３４′の下部層３５,３５′が配設される。 そして、各蓋導体３０,３０′周縁の平坦部上で且つ各ビア導体２０,２０′の上端の円周上に第２のビア導体３８,３８′が形成され、その周囲には導体層３３,３３′等を覆う第２の樹脂層３４の上部層３６,３６′が形成される。・・・
　ビア導体２０,２０′の各凹部２６,２６′内に充填された充填材２８,２８′が収縮し、各蓋導体３０,３０′の中央部が前記と同様に凹むことがある。その場合でも、その上に接続されるビア導体３８,３８′は、その底部３９,３９′の中心が係る凹みを外れた蓋導体３０,３０′の周縁の平坦部上に形成されるので、ビア導体２０,３８及びビア導体２０′,３８′同士間の導通を確実に取ることができる。しかも、配線基板４０は、ビア導体２０,２０′同士が蓋導体１０,１０′及びスルーホール導体６を介して導通しているので、コア基板２を挟んで両面に形成された各導体層１５,１５′,３３,３３′間を確実に接続した信頼性を有する立体回路が形成される。尚、第２の樹脂層３４,３４′上に別の導体層４２,４２′を形成したり、その上に形成するソルダーレジスト層４６の表面に突出するハンダバンプ４４を形成したり、或いはソルダーレジスト層４６′の間に露出する端子４８を形成して、搭載する電子部品等と導通できることも明らかである。」（【００１９】〜【００２１】及び図３参照）
　
周知例３：特開平１１−２０４９４０号公報
〔周３ａ〕「【発明の実施の形態】
　以下、本発明の一実施形態を図１乃至図３に基づいて説明する。まず、図１及び図２に基づいてＢＧＡ基板２１の構造を説明する。コア基板２２は、例えばガラスエポキシ基板、ＢＴ（ビスマレイミド・トリアジン）エポキシ基板等により形成された単層又は多層基板であり、その所定位置には、上下方向に貫通するスルーホール２３が形成され、更に、無電解めっき、電解めっき等でスルーホール導体２５や導体パターン２４が形成されている。・・・
　このコア基板２２の上面には、積層基板２６が接着剤、導電性ペースト等により接合されている。この積層基板２６は、プリプレグ等により形成された複数枚の熱硬化性の絶縁樹脂シート２７を熱圧着して積層したものであり、基板面に対して各絶縁樹脂シート２７間の接合面が直角となっている。各絶縁樹脂シート２７の片面には、複数本のビア導体２８のパターンがプリント配線技術により一直線状に形成されている。積層基板２６の上面及びコア基板２２の下面には、それぞれソルダーレジストパターン２９，３０が形成されている。そして、コア基板２２の下面には、多数の半田ボール（図示せず）が接合され、各半田ボールがコア基板２２のスルーホール導体２５を介して積層基板２６側のビア導体２８と電気的に接続されている。・・・
　以上のように構成したＢＧＡ基板２１を製造する手順を説明する。・・・
　尚、コア基板２２のスルーホール２３の形成は、コア基板２２を積層基板２６と接合した後に行うようにしても良い。この場合には、まず、コア基板２２の上面に積層基板２６を接着剤により接合した後、コア基板２２側から例えば炭酸ガスレーザでスルーホール２３を形成する。この後、無電解めっきと電解めっきによりスルーホール導体２５を形成して、このスルーホール導体２５と積層基板２６側のビア導体２８とを導通させる。この際、スルーホール２３のめっきと同時に、コア基板２２の下面全体にめっき被膜を形成する。その後、このめっき被膜をフォトエッチングして導体パターンを形成する。・・・
　この後、積層基板２６の上面及びコア基板２２の下面に、それぞれ感光性のソルダーレジストを印刷により例えば２０μｍの厚みで塗布し、露光（３００ｍｊ）、現像（炭酸ソーダ１％）した後、１０００ｍｊのＵＶキュアーとポストベーク（１５０℃、１時間）を行う。この後、無電解Ｎｉめっきと無電解Ａｕめっきを施してパッドを形成した後、コア基板２２の下面のパッドに半田ボールを接合してＢＧＡ基板２１を形成する。」（【０００８】〜【００１６】）
　
〔周３ｂ〕ＢＧＡ基板の構造を模式的に示す断面図である図１には、ビア導体２８が形成された積層基板２６上に開口部を有するソルダレジストパターン２９を形成したものにおいて、前記開口部が、前記ビア導体２８の上面の全体を含み、かつ前記ビア導体２８の中心軸と略一致する中心軸を有するものである形態が図示されている。
　
周知例４：特開平４−２５２０９５号公報
〔周４ａ〕「【従来の技術】
　図５（Ａ），（Ｂ）は従来のセラミックプリント配線板１０を示す。１１はセラミック基板本体であり、導体ビア１２−１〜１２−３が形成してある。・・・
　１３は薄膜配線層体であり、下面において上記導体ビア１２−１〜１２−３と電気的に接続された接続用メタルパッド１４−１〜１４−３と、有機絶縁膜１５と、接続用メタルパッド１４−１〜１４−３と電気的に接続されて上記絶縁膜１５を貫通して形成された絶縁膜ビア１６−１〜１６−３と、絶縁膜ビア１６−１〜１６−３と一体の配線層１７−１〜１７−３とよりなる。・・・
　接続用メタルパッド１４−１〜１４−３は、セラミック基板本体１１の焼成時の収縮率のばらつきを見込んで、導体ビア１２−１〜１２−３の径ｄ１の数倍大きい径ｄ３の大きさとしてある。これにより、セラミック基板本体１１の収縮率のばらつき如何に関係なく、各接続用メタルパッド１４−１〜１４−３は、対応する導体ビア１２−１〜１２−３を拾い、対応する導体ビアと電気的に接続される。・・・
　絶縁膜ビア１６−１〜１６−３は、対応する接続用メタルパッド１４−１〜１４−３の中心に形成してあり、各接続用メタルパッド１４−１〜１４−３と電気的に接続してある。」（【０００５】〜【０００８】）
　
〔周４ｂ〕従来のセラミックプリント配線板の１例を示す図である図５には、セラミック基板本体１１に形成された導体ビア１２−１、１２−３に対応して、その上面の有機絶縁膜１５に形成された絶縁膜ビア１６−１、１６−３が、それぞれ前記導体ビア１２−１、１２−３の上面に対応する領域の少なくとも一部を露出しつつ、前記絶縁膜ビア１６−１、１６−３と前記導体ビア１２−１、１２−３の中心軸がずれるように配置されたものであって、同じくセラミック基板本体１１に形成された導体ビア１２−２に対応して、その上面の有機絶縁膜１５に形成された絶縁膜ビア１６−２が、前記導体ビア１２−２の上面に対応する領域の全体を露出するとともに、前記絶縁膜ビア１６−２と前記導体ビア１２−２の中心軸が略一致するように配置されたものが図示されている。
　
　そして、本願補正発明の効果は、引用例１発明及び前記周知技術の効果から予測可能な範囲のものであって、格別顕著なものではない。
　したがって、本願補正発明は、引用例１発明及び前記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．本件補正についてのむすび
　以上のとおりであるから、本願補正発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。よって、本件補正事項は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項に規定する要件を満たさないものであり、該本件補正事項を含む本件補正は、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１．本願発明
　平成１８年７月２１日付けの手続補正は前記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜７に係る発明は、平成１７年１２月５日付け手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜７に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項４に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
　
「【請求項４】第１絶縁層と、上記第１絶縁層上に積層された第２絶縁層と、上記第２絶縁層上に積層され基板外表面を形成する第３絶縁層と、上記第２絶縁層を貫通する第１ビア導体と、上記第２絶縁層を貫通し、上記第１ビア導体と隣り合う第２ビア導体と、上記第２絶縁層上に形成され、上記第１ビア導体と電気的に接続し、上記第３絶縁層を貫通して形成された第１開口内に少なくとも一部が露出する第１接続パッドと、上記第２絶縁層上に形成され、上記第２ビア導体と電気的に接続し、上記第３絶縁層を貫通して形成された第２開口内に少なくとも一部が露出する第２接続パッドと、上記第１絶縁層と第２絶縁層との層間に形成され、上記第１ビア導体と第２ビア導体との間に位置し、これら第１ビア導体及び第２ビア導体とは絶縁する層間導体と、を備え、
　上記第１ビア導体と第１接続パッドの組、及び、上記第２ビア導体と第２接続パッドの組のうち、少なくともいずれかは、ビア導体の少なくとも一部が接続パッドの露出した部分に含まれ、かつ、接続パッドのパッド中心軸から上記層間導体までの距離よりも、ビア導体のビア中心軸から上記層間導体までの距離の方が大きい配線基板。」
　
２．引用例及びその記載事項
　これに対して、原査定の拒絶の理由で引用された引用例１及びその記載事項は、前記「第２　〔理由〕２．」に記載したとおりである。
　
３．対比・判断
　本願発明は、前記「第２　〔理由〕」で検討した本願補正発明において、「上記第１ビア導体と第１接続パッドの組、及び、この組と隣り合う上記第２ビア導体と第２接続パッドの組のうち、上記第１ビア導体と第１接続パッドの組は、第１ビア導体の少なくとも一部が第１接続パッドの露出した部分に含まれ、かつ、第１接続パッドのパッド中心軸から上記層間導体までの距離よりも、第１ビア導体のビア中心軸から上記層間導体までの距離の方が大きくされてなり、上記第２ビア導体と第２接続パッドの組は、第２ビア導体の全体が第２接続パッドの露出した部分に含まれ、かつ、第２ビア導体のビア中心軸が第２接続パッドのパッド中心軸と略一致してなる」とあったところを、「上記第１ビア導体と第１接続パッドの組、及び、上記第２ビア導体と第２接続パッドの組のうち、少なくともいずれかは、ビア導体の少なくとも一部が接続パッドの露出した部分に含まれ、かつ、接続パッドのパッド中心軸から上記層間導体までの距離よりも、ビア導体のビア中心軸から上記層間導体までの距離の方が大きい」と、限定を解除したものに相当する。
　そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含み、更に他の要件を付加したものに相当する本願補正発明が前記「第２　〔理由〕３．」に記載したとおり、引用例１発明及び前記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用例１発明及び前記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明（本願の請求項４に係る発明）は、引用例１発明及び前記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　したがって、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。