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　特願２００２−１４８０４９「半導体集積装置及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年１２月　５日出願公開、特開２００３−３４７４７６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１４年５月２２日の出願であって、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１８年７月２７日付の手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、次のとおりのものである。
　
「【請求項１】一方の主面上に複数の外部端子が形成される絶縁基板と、
　一方の主面に複数の半導体素子が形成された半導体チップと、
　前記半導体チップの側面を被いつつ前記絶縁基板の他方の主面と前記半導体チップの他方の主面との間に充填される樹脂と、
　前記樹脂の前記半導体チップの側面との接触面と対向する面を迂回しつつ、前記絶縁基板の複数の外部端子と接続される外部配線と、
　前記樹脂の前記半導体チップの一方の主面と同一面側に形成され、前記外部配線と接続される内部端子と、を備え、
　前記内部端子は複数の層からなり、これら複数の層の何れかの層と同内部端子の幅よりも狭い線幅を有する内部配線と接続されると共に、
前記複数の層の重なり合う領域が前記半導体チップの側面と前記樹脂との界面を被うように形成されることを特徴とする半導体集積装置。」
　
２．引用刊行物及びその摘記事項
　原査定の拒絶の理由に引用された本願出願前に国内において頒布された下記の刊行物１には、次の事項が記載されている。
　
（１）刊行物１：特表２００２−５１２４３６号公報（平成１８年５月２５日付の拒絶理由通知の引用文献１）
　
（１ａ）「【特許請求の範囲】
【請求項１】　一体状にパッケージされた光電子工学的集積回路デバイスであって、
　放射エミッタと放射レシーバの少なくとも一方を含み、電気絶縁性の物理的保護材料で形成された上部表面と下部表面とを有し、前記上部表面と前記下部表面との少なくとも一方は放射に対して透過性であり、電気絶縁性の端縁表面がパッドを有する集積回路ダイ、
を含む一体状にパッケージ実装された光電子工学的集積回路デバイス。」
　
（１ｂ）「【００２１】
　好適実施形態の詳細な説明
　ここで図１Ａ〜図２２を参照すると、本発明の好適実施形態による集積回路デバイスの製造が例示される。
　図１Ａ及び図１Ｂは共に、本発明の好適実施形態によって構成され動作する集積回路デバイスの好適実施形態を例示する。この集積回路デバイスには、その縁部表面１４に沿ってメッキされた多数の電気接点１２を有する、・・・集積回路パッケージ１０が含まれる。
【００２２】
　本発明の好適実施形態によれば、接点１２は縁部表面を越えてパッケージの平面表面１６に延びる。この接点配置によって、回路基板へのパッケージ１０の平面設置及び縁部設置の両方が可能になる。・・・
【００２３】
　図１Ｃは、はんだ付け可能バンプ１７が各接点１２の端部に提供される、本発明の代替実施形態を例示する。・・・
【００２４】
　本発明の好適実施形態によれば、図２及び図４Ａに例示されるように、・・・複数の仕上げ済ダイ２２を有する完全なシリコン・ウェハ２０が、そのアクティブ表面２４で、エポキシの層２８によって放射線透過性保護絶縁カバー・プレート２６に接着される。・・・
　・・・
【００２９】
　任意選択である、ウェハ厚さの削減に続いて、ウェハは、・・・個々のダイを分離する所定のダイス線沿いに背面に沿ってエッチングされる。・・・エッチングされたウェハは図４Ｃに示される。
【００３０】
　上記のエッチングは・・・、図４Ｃに示されるようにシリコンをフィールド酸化膜層までエッチングする。
　シリコン・エッチングの結果は複数の分離されたダイ４０であり、その各々には・・・シリコンが含まれる。
【００３１】
　図４Ｄに見られるように、シリコン・エッチングに続いて、第２絶縁パッケージ層４２が、絶縁パッケージ層２６の反対側の側面でダイ４０の上に接着される。エポキシの層４４がダイ４０と層４２の間に置かれ、エポキシはまたダイ４０間の隙間を埋める。・・・
【００３２】
　エッチングされたウェハ２０と第１及び第２絶縁パッケージ層２６及び４２のサンドイッチはその後隣接するダイ４０間の隙間に沿って引かれた線５０に沿って部分的に切断され、複数の事前パッケージ集積回路の輪郭に沿った切り欠きを画定する。切り欠きに沿ったダイの縁部がシリコン４０の外側限度から少なくとも距離ｄだけ離れるように線５０が選択されることが本発明の特徴であり、これは図４Ｄ及び図５に示されているが、図５はここで追加して参照されるものである。
【００３３】
　線５０に沿った図４Ｄのサンドイッチの部分切断によってウェハ２０の多数のパッド３４の縁部が露出されることが本発明の特徴であるが、このパッド縁部は、そのように露出されると、ダイ４０の接点表面５１を画定する。
【００３４】
　ここで特に図５を参照すると、フィールド酸化膜層を含む少なくとも１つの絶縁層が参照符号３２で示され、金属パッドが参照符号３４で示される。金属の上に置かれる絶縁層が参照符号３６で示される。・・・
【００３５】
　ここで図６、図７Ａ、図７Ｂ、図８Ａ及び図８Ｂを参照すると、本発明の好適実施形態による集積回路素子製造のさらに別のステップが例示される。
　図６は、参符５４で、図５に関連して上記で説明されたような部分切断によって形成される切り欠きの好適断面形状を例示する。垂直線５６は、露出断面パッド表面５１を画定する、切り欠き５４とパッド３４の交差を示す。垂直線５８は、その後の段階でダイを個々の集積回路に分離する後続最終切断の位置を示す。
【００３６】
　図７Ａ及び図７Ｂは傾斜縁部１４と上部表面１６に沿った金属接点１２の形成を例示する。この接点は、・・・切り欠き５４の内面に延びて、パッド３４の表面５１との電気接点を確立するのが見られる。・・・
　初めにダイを個別チップに分割することなく、パッド３４の表面５１に電気接触する金属接点がダイに形成されることが本発明の特徴である。
【００３７】
　図８Ａ及び図８Ｂは、金属接点形成に続いて、ウェハ上の個々のダイを個々の事前パッケージ集積回路素子にダイシングすることを例示する。図８Ａははんだ付け可能バンプのない・・・構成を示し、図８Ｂは・・・接点１２にはんだ付け可能バンプ１７が提供されるものを示す。」
　
（１ｃ）「【００４８】
　ここで図１１Ａ〜図１１Ｅを参照すると、・・・その縁部表面３１４に沿ってメッキされた多数の電気接点を有する、・・・集積回路パッケージ３１０を含む集積回路素子の５つの代替好適実施形態が例示される。
【００４９】
　・・・図１１Ｃは、透過性保護層３１７のそれぞれの表面３１６及び３１９の上の両方の被覆３１５及び３１８を示す。光電子工学的構成要素は、・・・シリコン基板３２２の表面３２０上に形成される。表面３２０は透過性保護層３１７に面している。」
　
（１ｄ）図１Ｃには、集積回路デバイスの平面表面１６に、複数のはんだ付け可能バンプ１７が形成される旨が示されている。
　
（１ｅ）図５には、パッド３４は、該パッド３４の幅より狭い線幅の内部配線と接続されていることが示されている。
　
（１ｆ）図８Ｂには、エポキシ層４４は、ダイ４０の側面を被うとともに、第２絶縁パッケージ層４２の上面とダイ４０の下面との間に充填されている旨、ダイ４０端部の上面とダイ４０側面のエポキシ層４４の上面を被うようにパッド３４が形成されている旨、金属接点１２は、切り欠きの内面から第２絶縁パッケージ層４２の下面まで伸び、パッド３４の端面は、金属接点１２に接触し、第２絶縁パッケージ層４２下面の金属接点１２には、はんだ付け可能バンプ１７が形成されている旨が示されている。
　
３．刊行物１に記載された発明
（１）摘記（１ａ）の記載からみて、刊行物１には、放射エミッタと放射レシーバとを含むダイを含む光電子工学的集積回路デバイスが記載されているといえる。
　
（２）摘記（１ｂ）には、該光電子工学的集積回路デバイスの製造工程に関し、複数の仕上げ済ダイを有する完全なシリコン・ウェハのアクティブ表面に、エポキシ層２８により放射線透過性の第１絶縁パッケージ層２６を接着し、エッチングにより個々のダイ４０に分離し、第１絶縁パッケージ層２６の反対側のダイ４０の上に、第２絶縁パッケージ層４２を接着して、エポキシ層４４をダイ４０と第２絶縁パッケージ層４２の間に形成するとともに、エポキシでダイ４０間の隙間を埋め、エッチングされたウェハ２０と第１及び第２絶縁パッケージ層２６、４２のサンドイッチは、隣接するダイ４０間の隙間に沿って引かれた線５０に沿って部分的に切断され、複数のパッケージ集積回路の輪郭に沿った切り欠き５４を画定し、切り欠きの内面に伸び、パッド３４の表面と電気接点が確立された金属接点１２を形成し、金属接点１２には、はんだ付け可能バンプ１７が提供されることが記載されている。
　
（３）図８Ｂには、摘記（１ｆ）のとおり、エポキシ層４４は、ダイ４０の側面を被うとともに、第２絶縁パッケージ層４２の上面とダイ４０の下面との間に充填されている旨、ダイ４０端部の上面とダイ４０側面のエポキシ層４４の上面を被うようにパッド３４が形成されている旨、金属接点１２は、切り欠きの内面から第２絶縁パッケージ層４２の下面まで伸び、パッド３４の端面は、金属接点１２に接触し、第２絶縁パッケージ層４２下面の金属接点１２には、はんだ付け可能バンプ１７が形成されている旨が示されている。
　
（４）図５には、摘記（１ｅ）のとおり、パッド３４は、該パッド３４の幅より狭い線幅の内部配線と接続されていることが示されている。
　
（５）図１Ｃには、摘記（１ｄ）のとおり、集積回路デバイスの平面表面１６に、複数のはんだ付け可能バンプ１７が形成される旨が示されている。
　
　上記（１）〜（５）の事項を考慮し、上記摘記（１ａ）〜（１ｆ）を整理すると、刊行物１には、次の「光電子工学的集積回路デバイス」についての発明（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「放射エミッタと放射レシーバとを含むダイを含む光電子工学的集積回路デバイスであって、
　その製造工程は、複数の仕上げ済ダイを有する完全なシリコン・ウェハのアクティブ表面に、エポキシ層２８により放射線透過性の第１絶縁パッケージ層２６を接着し、エッチングにより個々のダイ４０に分離し、第１絶縁パッケージ層２６の反対側のダイ４０の上に、第２絶縁パッケージ層４２を接着して、エポキシ層４４をダイ４０と第２絶縁パッケージ層４２の間に形成するとともに、エポキシでダイ４０間の隙間を埋め、エッチングされたウェハ２０と第１及び第２絶縁パッケージ層２６、４２のサンドイッチは、隣接するダイ４０間の隙間に沿って引かれた線５０に沿って部分的に切断され、複数のパッケージ集積回路の輪郭に沿った切り欠き５４を画定し、切り欠きの内面に伸び、パッド３４の表面と電気接点が確立された金属接点１２を形成し、金属接点１２には、はんだ付け可能バンプ１７が提供されることを含み、
　エポキシ層４４は、ダイ４０の側面を被うとともに、第２絶縁パッケージ層４２の上面とダイ４０の下面との間に充填され、ダイ４０端部の上面とダイ４０側面のエポキシ層４４の上面を被うようにパッド３４が形成され、金属接点１２は、切り欠きの内面から第２絶縁パッケージ層４２の下面まで伸び、パッド３４の端面は、金属接点１２に接触し、第２絶縁パッケージ層４２下面の金属接点１２には、はんだ付け可能バンプ１７が形成され、
　パッド３４は、該パッド３４の幅より狭い線幅の内部配線と接続され、
　第２絶縁パッケージ層４２下面の平坦表面には、複数のはんだ付け可能バンプ１７が形成される光電子工学的集積回路デバイス。」
　
４．対比・判断
　本願発明と刊行物１発明を対比すると、
（１）刊行物１発明における「光電子工学的集積回路デバイス」は、本願発明における「半導体集積装置」に相当し、以下同様に、「第２絶縁パッケージ層４２」は「絶縁基板」に、「はんだ付け可能バンプ」は「外部端子」に、「第２絶縁パッケージ層４２の下面の平坦表面」は（絶縁基板の）「一方の主面」に、「ダイ４０」は「半導体チップ」に、（ダイの）「上面」は、（半導体チップの）「一方の主面」に、「エポキシ層４４」乃至その材料は「樹脂」に、「金属接点１２」は「外部配線」に、「パッド３４」は「内部端子」に、それぞれ相当するといえる。
（２）刊行物１発明におけるダイに含まれる「放射エミッタと放射レシーバ」は、本願発明における（半導体チップの一方の主面に形成された）「複数の半導体素子」に相当するといえる。
（３）刊行物１発明における「エポキシでダイ４０間の隙間を埋め、・・・隣接するダイ４０間の隙間に沿って引かれた線５０に沿って部分的に切断され、複数のパッケージ集積回路の輪郭に沿った切り欠き５４を画定し、切り欠きの内面に伸び、パッド３４の表面と電気接点が確立された金属接点１２を形成」する旨は、本願発明における「前記樹脂の前記半導体チップの側面との接触面と対向する面を迂回しつつ、前記絶縁基板の複数の外部端子と接続される外部配線」を備える旨と同様の事項を意味するといえる。
（４）刊行物１発明における「パッド３４の表面と電気接点が確立された金属接点１２」及び「パッド３４の端部は、金属接点１２に接触」する旨は、本願発明における「外部配線と接続される内部端子」と同様の事項を意味するといえる。
（５）刊行物１発明における「ダイ４０端部の上面とダイ４０側面のエポキシ層４４の上面を被う」旨は、ダイの側面とエポキシ層との界面を被う旨を意味するといえる。
　
　以上の（１）〜（５）の事項を勘案すると、両者は、
「一方の主面上に複数の外部端子が形成される絶縁基板と、一方の主面に複数の半導体素子が形成された半導体チップと、前記半導体チップの側面を被いつつ前記絶縁基板の他方の主面と前記半導体チップの他方の主面との間に充填される樹脂と、前記樹脂の前記半導体チップの側面との接触面と対向する面を迂回しつつ、前記絶縁基板の複数の外部端子と接続される外部配線と、前記樹脂の前記半導体チップの一方の主面と同一面側に形成され、前記外部配線と接続される内部端子と、を備え、前記内部端子は、同内部端子の幅よりも狭い線幅を有する内部配線と接続されると共に、前記半導体チップの側面と前記樹脂との界面を被うように形成される半導体集積装置」である点で一致するが、次の点で相違する。
　
＜相違点＞
　本願発明では、外部配線と内部配線とに接続される内部端子が「複数の層からなり」、内部配線と接続されるのが「これら複数の層の何れかの層」であり、「複数の層の重なり合う領域が半導体チップの側面と樹脂との界面を被うように形成」されるのに対し、刊行物１発明では、そのようになっていない点
　
　以下、上記相違点について検討する。
　導体間の導電接続技術において、一方の導体層の端面を他方の導体に接触させて導電接続する際に、良好な導電接続を課題として、両者の接触面積が大きくなるように、他方の導体と接触する一方の導体層の接続部を複数の層とし、接続部の厚さを厚くすることは、下記の周知例１の（周１ａ）、（周１ｂ）、周知例２の（周２ａ）〜（周２ｄ）の記載にみられるように、本願出願前において周知の事項である。
　
周知例１：実願昭５８−１４２６０６号（実開昭６０−４９６２１号）の　　　　　　マイクロフィルム
　
（周１ａ）「従来の積層セラミックコンデンサでは、外部電極形成時に内部電極層と外部電極が合金化し導通がとられるが、その際に内部電極層の厚みが薄いと外部電極ペースト塗布時の内部電極層との接触面積が小さくなり、内部抵抗を大きくして・・・問題が生じるものであった。・・・
　考案の目的
　本考案はこのような従来の問題点に鑑み、・・・内部電極層と外部電極との接触を良好に・・・した積層セラミックコンデンサを提供することを目的とする。
　考案の構成
　この目的を達成するために本考案においては、・・・上記内部電極層にそれを各層毎に互いに反対方向に設けられた外部電極層とは重なり合わない引出し部を設け、かつ上記内部電極層の引出し部の厚みを重なり合う対向電極層の厚みの１．３〜３．０倍としてなるものである。この構成によれば、対向電極層と重なり合わない内部電極層の引出し部の厚みを対向電極層と重なり合う内部電極層の厚みの１．３〜３．０倍とすることにより、・・・積層セラミックコンデンサが得られることとなる。」（２頁１４行〜４頁１３行）
　
（周１ｂ）「実施例の説明
　・・・電極ペーストを印刷して内部電極層及びその引出し部を形成した。この時、最初に第１のパターンを用いて・・・印刷し、乾燥後に第２のパターンを用いて印刷を行い、引出し部を厚くした。ここで、・・・複数回印刷を繰り返すことにより、引出し部の厚みを内部電極層の厚みの１．１〜３．５倍まで変化させた。・・・そして、これらの上にさらにセラミックグリーンシートの積み重ねと電極ペースト印刷を交互に繰り返して積層数４層とし、切断して内部電極層の引出し部を露出させ、・・・焼成した。」（４頁１４行〜５頁１３行）
　
周知例２：特開平５−６９３８号公報
（周２ａ）「【０００４】
【発明が解決しようとする課題】・・・従来方法の前者を用いてプラグを形成した場合、第２の導電層３とプラグ７の接触面積は、スルーホール６の径寸法と、第２の導電層３の膜厚のみで決定されるため、導電層の膜厚が薄くなると接触抵抗は大きくなってしまう問題点がある。
　・・・・・・
【０００６】本発明は、このような従来の問題点に着目して創案されたものであって、スルーホールに臨む導電層とプラグとの接触抵抗を小さくする多層配線の形成方法を得んとするものである。」
　
（周２ｂ）「【０００８】
【作用】スルーホール内に露出する第１の絶縁層およびまたは第２絶縁層をエッチングすることにより、第２の導電層の積層面の一部が露出し、スルーホール内での第２導電層の露出面積が増加する。次に、プラグを形成すると、第２の導電層とプラグとの接触面積は、上記増大した露出面積と同じであるため、第２の導電層とプラグの接触抵抗は小さくなる。」
　
（周２ｃ）「【００１６】（第２実施例）図４〜図６は、本発明の第２実施例を示している。
【００１７】本実施例では、先ず、図４に示すように、ポリシリコン膜２１上に、順次、ＰＳＧ膜２２，ＳｉＯ2膜２３，ＰＳＧ膜２４，ポリシリコン膜２５，ＰＳＧ膜２６，ＳｉＯ2膜２７を積層し、レジストパターン２８をマスクとしてスルーホール２９を開口する。
【００１８】次に、図５に示すように、・・・ウェットエッチング処理を施して、スルーホール２９に臨むＰＳＧ膜２２，２４，２６を等方性エッチングして、第１の導電層であるポリシリコン膜２１、及び第２の導電層であるポリシリコン膜２５の露出面積を増加させる。
【００１９】次いで、スルーホール２９内に・・・タングステン３０を成長させることで、図６に示すように、各導電層との接触面積の大きいプラグを形成することが可能となる。」
　
（周２ｄ）図６には、スルーホール内のタングステン３０と接続するポリシリコン膜２５の接続部分の両面にタングステンの層が形成されている旨が示されている。
　
　してみると、刊行物１発明において、内部端子（パッド３４）の端面と外部配線（金属接点１２）を接続する際に、良好な導電接続を課題として、両者の接触面積が大きくなるように、内部端子を複数の層とすることは、格別に困難なこととはいえない。
　そして、内部端子（パッド３４）を内部配線と接続する際に、これら複数の層のうち、少なくとも何れかの一層をその接続に用いなければならないことは当然であるし、また、「複数の層の重なり合う領域が半導体チップの側面と樹脂との界面を被うように形成」することは、設計的な事項にすぎない。
　してみれば、上記相違点で示される本願発明の特定事項は、上記周知事項に基づいて当業者が容易に想到し得たものというべきである。
　
　そして、本願発明が奏する効果は、刊行物１の記載や上記周知事項から予測できないような格別に顕著なものとは認められない。
　
　したがって、本願発明は、刊行物１に記載された発明及び上記周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。