(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板上に、誘電体層および記録層をこの順で有し、誘電体層が窒化ケイ素、窒化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化インジウムおよび酸化アルミニウムの少なくとも１種を含み、記録層がＣｏ、Ｐｔ、Ｍ（Ｍは、ＡｌおよびＳｉの少なくとも１種）およびＯを主成分とし、主成分中の原子比を
式  （Ｃｏ１−ｘ  Ｐｔｘ  ）１００−ａ−ｂ  Ｍａ  Ｏｂ
で表わしたとき、
０．１５≦ｘ≦０．８０、
２≦ａ≦１５、
５≦ｂ≦２５
である光磁気記録媒体。
【請求項２】
透明基板上に、誘電体層および記録層をこの順で有し、記録層がＣｏ、Ｐｔ、Ｍ（Ｍは、ＡｌおよびＳｉの少なくとも１種）およびＯを主成分とし、主成分中の原子比を
式  （Ｃｏ１−ｘ  Ｐｔｘ  ）１００−ａ−ｂ  Ｍａ  Ｏｂ
で表わしたとき、
０．１５≦ｘ≦０．８０、
２≦ａ≦１５、
５≦ｂ≦２５
であり、記録層が、粒状の結晶粒子と、各結晶粒子を包囲する結晶粒界とから構成されている光磁気記録媒体。
【請求項３】
記録層の角形比が０．９５以上である請求項１または２の光磁気記録媒体。
【請求項４】
再生光の波長が６００ｎｍ以下である請求項１〜３のいずれかの光磁気記録媒体。
【請求項５】
記録層が結晶粒子と結晶粒界とから構成され、記録層中において結晶粒子の占める比率が５５体積％以上である請求項１〜４のいずれかの光磁気記録媒体。
【請求項６】
記録層が結晶粒子と結晶粒界とから構成され、記録層の結晶粒子の平均粒径が５０〜２００  Ａである請求項１〜５のいずれかの光磁気記録媒体。
【請求項７】
記録層が結晶粒子と結晶粒界とから構成され、記録層の結晶粒界の主成分がＭの酸化物である請求項１〜６のいずれかの光磁気記録媒体。
【請求項８】
記録層が結晶粒子と結晶粒界とから構成され、記録層の結晶粒界の平均幅が１０〜３０  Ａである請求項１〜７のいずれかの光磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、光磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、様々な光メモリへのニーズが高まっており、その中で光磁気記録媒体は書き換え可能なことから活発な研究開発がなされている。光磁気記録媒体の記録材料には、カー回転角が大きいこと、カーループの角形比が大きいこと、垂直磁化膜であること、キュリー点が２００〜３００℃であることが要求され、従来、ＴｂＦｅＣｏなどの希土類−遷移金属アモルファス合金薄膜が一般に使用されている。光磁気記録の高密度化を実現する手段として、光源に使用するレーザの短波長化が検討され、波長７００ｎｍ以下の半導体レーザによる記録再生が実現されつつある。また、４００〜５００ｎｍ帯の半導体レーザの室温発振も確認されている。しかしながら、従来使用されているＴｂＦｅＣｏ等は短波長域でのカー回転角が０．２°以下と小さいため、短波長域でのカー回転角が大きい材料が望まれている。
【０００３】
短波長域でのカー回転角が大きい材料として、Ｐｔ／Ｃｏ多層膜が注目されており、０．２５〜０．４°の大きなカー回転角が報告されている。しかし、多層膜ではＰｔ層厚が１ｎｍ程度、Ｃｏ層厚が０．２〜０．５ｎｍ程度と非常に薄く、再現性よく同じ膜構成の多層膜を作製するのが困難である。また、このような多層膜を記録膜とする光磁気ディスクを実用化するための課題のひとつに、繰り返し書き換え特性が挙げられる。現在実用化されている希土類−遷移金属合金膜を用いた光磁気ディスクは、１０６  回以上の繰り返し書き換え回数を達成している。しかし、Ｐｔ／Ｃｏ多層膜は、何度も書き換えを行うと照射するレーザ光の熱的影響を受け、Ｐｔ層とＣｏ層との界面での拡散により垂直磁気異方性が低下してしまう。そのため、書き換え回数は、せいぜい１０４  回であると報告されている。
【０００４】
このようなＰｔ／Ｃｏ多層膜に対し、Ｃｏ２５Ｐｔ７５合金膜が検討され、報告されている（文献１：Ｊ．Ｍａｇｎ．Ｓｏｃ．Ｊｐｎ．，Ｖｏｌ．１７，Ｓｕｐｐｌｅｍｅｎｔ  Ｎｏ．Ｓ１，ｐ１４０（１９９３））。ＣｏＰｔ合金膜はＰｔ／Ｃｏ多層膜と同等以上のカー回転角を有し、しかも多層膜でないため、繰り返し書き換え回数特性はＰｔ／Ｃｏ多層膜より優れている。しかしながら、文献１に示されるように、ＣｏＰｔ合金膜では成膜時の基板温度を２００℃以上にしなければ、高角形比および高保磁力が得られない。このため、ポリカーボネート等の高分子樹脂基板を用いることはできないという欠点がある。
【０００５】
室温の基板上に形成可能な垂直磁化膜については、以下のような提案がある。
【０００６】
特開平２−７３５１０号公報には、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｂ、Ｍ（Ｍは、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｇｅ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｐ、Ｓｅ、Ｃ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｒｅの１種以上）およびＯからなる磁性薄膜が記載されている。同公報の実施例では、磁性薄膜をガラス基板上に形成している。
【０００７】
特開平２−７３５１１号公報には、ＣｏＰｔ系、あるいはＣｏＰｔＯ系に、ＢまたはＭＩ  （ＭＩ  は、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗの１種以上）の少なくとも一方を含む磁性薄膜を基板上に形成する際に、基板と磁性薄膜との間に所定の金属からなる下地膜を設けることが提案されている。同公報の実施例では、厚さ１５００  Ａの金属下地膜を用いている。
【０００８】
特開平２−７４０１２号公報には、Ｃｏ、Ｐｔ、ＢおよびＯを含む磁性薄膜が記載されている。同公報の実施例では、磁性薄膜をガラス基板上に形成している。
【０００９】
特開平２−７４０１３号公報には、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｍ（Ｍは、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗの１種以上）およびＯを含む磁性薄膜が記載されている。同公報の実施例では、磁性薄膜をガラス基板上に形成している。
【００１０】
これら各公報に記載されている磁性薄膜は、室温で基板上に形成した場合でも垂直磁化膜となるものであるが、各公報記載のＭ−Ｈカーブなどからわかるように、これらの磁性薄膜はいずれも角形性が悪い。垂直磁気記録媒体に適用する場合には保磁力が重要であるが、光磁気記録膜に適用する場合には、保磁力よりも角形比が重要である。光磁気記録膜の角形比が低いと、高Ｃ／Ｎが得られない。
【００１１】
Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，ｖｏｌ．６７，５１７５（１９９０）（文献２）には、厚さ１０ｎｍのＰｔ下地層上に形成した厚さ２０ｎｍのＣｏＰｔＢＯ膜が、保磁力１  ｋＯｅ、角形比１．０の垂直磁化膜となること、また、波長７８０ｎｍにおけるカー回転角が０．２°となることが報告されている。
【００１２】
しかし、Ｐｔのような金属の下地層を１０ｎｍ以上もの厚さに設けると、基板側から再生光を入射させる光磁気記録媒体の記録層に適用した場合、再生光が遮られ、再生出力が実質的に得られないという重大な問題が生じる。記録層側から光を入射させる構成とすればこのような問題は生じないが、この構成では媒体の構造が複雑になり、また、通常とは異なる機構の媒体駆動装置が必要となる。すなわち、金属下地膜を設ける必要があると、光磁気記録媒体への適用は現実的ではない。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、短波長域においてカー回転角が大きく、かつカーループの角形比が高い記録層を有し、しかも、基板を通して再生光を入射させることが可能であり、また、優れた繰り返し書き換え特性を有し、基板に樹脂材料を用いることが可能な光磁気記録媒体を提供することである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
このような目的は、下記（１）〜（８）のいずれかの構成により達成される。（１）透明基板上に、誘電体層および記録層をこの順で有し、誘電体層が窒化ケイ素、窒化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化インジウムおよび酸化アルミニウムの少なくとも１種を含み、記録層がＣｏ、Ｐｔ、Ｍ（Ｍは、ＡｌおよびＳｉの少なくとも１種）およびＯを主成分とし、主成分中の原子比を
式  （Ｃｏ１−ｘ  Ｐｔｘ  ）１００−ａ−ｂ  Ｍａ  Ｏｂ
で表わしたとき、
０．１５≦ｘ≦０．８０、
２≦ａ≦１５、
５≦ｂ≦２５
である光磁気記録媒体。
（２）透明基板上に、誘電体層および記録層をこの順で有し、記録層がＣｏ、Ｐｔ、Ｍ（Ｍは、ＡｌおよびＳｉの少なくとも１種）およびＯを主成分とし、主成分中の原子比を
式  （Ｃｏ１−ｘ  Ｐｔｘ  ）１００−ａ−ｂ  Ｍａ  Ｏｂ
で表わしたとき、
０．１５≦ｘ≦０．８０、
２≦ａ≦１５、
５≦ｂ≦２５
であり、記録層が、粒状の結晶粒子と、各結晶粒子を包囲する結晶粒界とから構成されている光磁気記録媒体。
（３）記録層の角形比が０．９５以上である上記（１）または（２）の光磁気記録媒体。
（４）再生光の波長が６００ｎｍ以下である上記（１）〜（３）のいずれかの光磁気記録媒体。
（５）記録層が結晶粒子と結晶粒界とから構成され、記録層中において結晶粒子の占める比率が５５体積％以上である上記（１）〜（４）のいずれかの光磁気記録媒体。
（６）記録層が結晶粒子と結晶粒界とから構成され、記録層の結晶粒子の平均粒径が５０〜２００  Ａである上記（１）〜（５）のいずれかの光磁気記録媒体。
（７）記録層が結晶粒子と結晶粒界とから構成され、記録層の結晶粒界の主成分がＭの酸化物である上記（１）〜（６）のいずれかの光磁気記録媒体。
（８）記録層が結晶粒子と結晶粒界とから構成され、記録層の結晶粒界の平均幅が１０〜３０  Ａである上記（１）〜（７）のいずれかの光磁気記録媒体。
【００１５】
【作用および効果】
上記したように、ＣｏＰｔにＢ等を添加した合金に、さらに酸素を添加することにより垂直磁化膜となることが知られており、また、金属下地層を設けることにより垂直磁気異方性が向上することが知られている。
【００１６】
酸素添加により垂直磁化膜となるのは、結晶組織構造が柱状となって、その形状効果により膜面垂直方向に異方性が生じるためと考えられている。上記文献２では、垂直磁化膜の柱状構造が報告されている。垂直磁化膜において、垂直方向の磁化曲線の角形性をよくするためには、理想的には膜の反磁界係数Ｎ＝１の単磁区構造にすればよい。したがって、個々の結晶粒子の磁気的結合を断ち切って、孤立した単磁区粒子のように磁化反転が生じるようにすれば、垂直方向の保磁力は最大となり、磁化曲線の角形性がよくなる。しかし、上記のように結晶粒子を柱状構造に配列させた場合、柱状晶が膜面垂直方向に均一に成長していれば問題ないが、どうしても膜面垂直方向から傾いて斜めに成長する柱状晶ができてしまうため、光磁気記録媒体の記録層のように広い面積を有する場合は均一性に問題が生じ、カーループの角形性の悪い部分ができてしまうという問題がある。
【００１７】
これに対し本発明では、カー回転角の大きなＣｏＰｔ合金に酸素との親和性の大きな元素Ｍを添加して、Ｍ酸化物を主成分とする明瞭で幅の広い結晶粒界を形成し、これにより結晶粒を粒界相で包囲された粒状にして孤立化させる。このため、（１１１）配向を有する面心立方（ｆｃｃ）構造のＣｏＰｔ合金磁性微結晶が高密度に分散し、かつ各結晶粒子が単磁区粒子のように振る舞う角形性の極めて良好な記録層が実現する。また、柱状構造の場合のような柱状晶の結晶配向や配列の乱れによって生じる磁気的不均一性が少ないため、広い面積にわたって均一な磁気特性が得られる。
【００１８】
しかも、この記録層は、短波長域におけるカー回転角が大きい。一般に、添加元素Ｍや酸素の含有量が多くなると飽和磁化が低くなるため、それに伴なってカー回転角は小さくなる。しかし、本発明では、記録層の組織構造を制御すると共にＭや酸素の添加量を所定範囲内とすることにより、６００ｎｍ以下、特に４００〜６００ｎｍの短波長域におけるカー回転角の減少を極めて小さく抑えることができるという新規な効果が得られる。このため、高密度記録に対応する短波長の再生光を用いた場合でも、上記した高角形比と相まって高Ｃ／Ｎが得られる。
【００１９】
また、記録層を上記所定の誘電体層上に形成することにより、記録層の結晶粒子の（１１１）配向性がさらに良好となるため、垂直磁気異方性が大きくなる。上記所定の誘電体層は光を透過するため、基板を通してレーザ光が入射する通常の光磁気記録媒体に適用できる。また、この誘電体層によって、多重反射によるエンハンス効果も得られる。
【００２０】
また、本発明では、記録層形成に際して基板を加熱する必要がないので、安価で取り扱いの容易な樹脂基板を用いることができる。
【００２１】
また、この記録層は多層膜ではないので、１０６  回以上の繰り返し書き換え特性が得られる。
【００２２】
【具体的構成】
以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。
【００２３】
本発明の光磁気記録媒体の構成例を図１に示す。この光磁気記録媒体は、透明な基板１上に、第一誘電体層１２、記録層１３、第二誘電体層１４、反射層１５および保護層１６をこの順で有する。
【００２４】
記録層は、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｍ（Ｍは、ＡｌおよびＳｉの少なくとも１種）およびＯを主成分とする。そして、主成分中の原子比は、
式  （Ｃｏ１−ｘ  Ｐｔｘ  ）１００−ａ−ｂ  Ｍａ  Ｏｂ
で表わされる。上記式において、
０．１５≦ｘ≦０．８０、
２≦ａ≦１５、
５≦ｂ≦２５
であり、好ましくは
０．４≦ｘ≦０．６、
５≦ａ≦１０、
１０≦ｂ≦２０
である。ｘが小さすぎるとカーループの角形性が悪くなり、大きすぎるとカー回転角が小さくなってしまい、また、高保磁力が得られない。ａが小さすぎると、カー回転角が小さくなり、高保磁力も得られない。ａが大きすぎると、高保磁力が得られない。ｂが小さすぎると、高保磁力が得られず、カーループの角形性も悪くなる。ｂが大きすぎると、短波長域におけるカー回転角が著しく小さくなってしまう。なお、記録層の組成は、ＥＰＭＡなどにより測定することができる。
【００２５】
Ｍは記録層中において選択的に酸化されて酸化物相を形成する。本発明では、Ｍとして、選択的に酸化されやすいＡｌおよびＳｉの少なくとも１種を用いる。
【００２６】
記録層は、粒状の結晶粒子と、各結晶粒子を包囲する結晶粒界とから構成されていることが好ましい。すなわち、記録層が柱状晶構造ではないことが好ましい。本明細書において粒状の結晶粒子とは、全周にわたって結晶粒界に包囲されているほぼ等方形状の結晶粒子を意味する。結晶粒子の長径／短径の平均は、１〜２であることが好ましい。
【００２７】
粒状の結晶粒子は、ＣｏおよびＰｔを主成分とし、（１１１）配向のｆｃｃ構造をもつ磁性相である。粒状の結晶粒子は、実質的にＣｏとＰｔとだけから構成されていてもよく、さらに、ＭやＯが固溶していてもよい。
【００２８】
粒状の結晶粒子を取り囲む結晶粒界は、ＭおよびＯを主成分とし、Ｍの酸化物相が主体であるが、他の元素、例えばＣｏが含まれていてもよく、この場合、Ｃｏの酸化物として存在していると考えられる。結晶粒界の酸化物は、通常、最も安定な酸化物、例えばＡｌ２  Ｏ３  やＳｉＯ２  等として存在するが、このような化学量論組成から偏倚していてもよい。なお、結晶粒界の酸化物相は、非晶質状態に近い非常に微細な結晶相として存在するため、通常のＸ線回折などでは検出が困難である。
【００２９】
粒状の結晶粒子の平均粒径は、好ましくは５０〜２００  Ａ、より好ましくは５０〜１５０  Ａである。平均粒径が小さすぎると、超常磁性的な振る舞いが強くなって保磁力が低くなる。平均粒径が大きすぎると、単磁区粒子のような磁化反転が生じなくなるので、保磁力が低くなり、カーループの角形性も悪くなる。なお、粒状の結晶粒子の平均粒径は、Ｘ線回折においてＣｏＰｔ（１１１）ピークの半値幅を測定し、シェラーの式から求める。
【００３０】
結晶粒界の平均幅は、好ましくは１０〜３０  Ａ、より好ましくは１５〜２５  Ａである。平均幅が小さすぎると、粒状の結晶粒子間の磁気的結合を十分に断ち切ることができなくなるため、保磁力が低くなり、カーループの角形性も悪くなる。平均幅が大きすぎる場合、カーループの角形性は良好であるが、磁性相である粒状の結晶粒子の体積比率が低くなってしまうため、カー回転角が非常に小さくなってしまう。なお、結晶粒界の平均幅は、透過型電子顕微鏡を用いて求める。具体的には、隣り合う粒状の結晶粒子間の最短距離を測定し、測定値の平均を求める。平均の算出に用いる測定値の数は、５０以上とすることが好ましい。
【００３１】
記録層中において粒状の結晶粒子の占める比率は、好ましくは５５体積％以上、より好ましくは６５体積％以上である。磁性相である粒状の結晶粒子の比率が低すぎると、カー回転角が著しく小さくなってしまう。粒状の結晶粒子の比率は、透過型電子顕微鏡を用いて求める。
【００３２】
記録層の厚さは、好ましくは１０〜２００ｎｍ、より好ましくは１０〜５０ｎｍである。記録層が薄すぎる場合、連続膜とならず島状構造となる傾向が生じるため、カー回転角が小さくなってしまう。一方、厚すぎると、カーループの角形比が低下する傾向を示す。
【００３３】
記録層の特性は、以下のとおりである。角形比として、０．９５以上が容易に得られ、１．０とすることもできる。また、保磁力として１．０  ｋＯｅ以上が容易に得られ、１．５  ｋＯｅ以上、２  ｋＯｅにも及ぶ値とすることもできる。また、波長６００ｎｍ以下、特に、４００〜６００ｎｍの短波長域でのカー回転角を、通常、０．３０°以上とすることが容易であり、０．３５°以上、０．５°にも及ぶ値とすることもできる。
【００３４】
記録層の形成には、蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法などの各種気相法を用いることが好ましいが、特にスパッタ法を用いることが好ましい。
【００３５】
スパッタ法を用いる場合、Ｃｏ、ＰｔおよびＭ酸化物を含む焼結体からなるターゲットを用いてもよく、ＣｏＰｔ合金ターゲットとＭ酸化物ターゲットとを用い、同時にスパッタを行なってもよい。また、ＣｏＰｔＭ合金ターゲットや、ＣｏＰｔ合金ターゲット＋Ｍターゲットなどを用い、Ａｒ−Ｏ２  混合ガス雰囲気中で反応性スパッタを行なってもよい。反応性スパッタ法における分圧比Ｏ２  ／（Ａｒ＋Ｏ２  ）は、０．２〜２．５体積％程度とすることが好ましい。スパッタ圧力は、ＲＦスパッタの場合には、通常、５×１０−３〜５×１０−２Ｔｏｒｒ、好ましくは１×１０−２〜５×１０−２Ｔｏｒｒである。スパッタ圧力が高いほうが結晶粒子を小さくできるからである。イオンビームスパッタでは、スパッタ粒子エネルギーが通常のスパッタ法よりも高いため結晶粒子が小さくなりやすいので、スパッタ圧力は１．５×１０−３〜４×１０−３Ｔｏｒｒ程度とすればよい。スパッタ法における他の各種条件は、スパッタ方式の種類に応じて適宜決定すればよい。
【００３６】
本発明の光磁気記録媒体の基板には、通常の樹脂基板を用いることができ、耐熱性の低い安価なポリカーボネート基板を用いることもできる。記録層形成時に２００℃を超える基板温度が必要とされる場合には高価な耐熱性樹脂の基板を使う必要があるが、本発明では記録層形成時に、通常、基板を加熱せず、基板を水冷等により冷却してもよい。本発明において、２００℃を超える温度の基板上に記録層を形成した場合には、結晶粒子が成長して保磁力が低くなってしまう。また、媒体ノイズが高くなるため、Ｃ／Ｎが低くなってしまう。
【００３７】
記録光および再生光は基板を通して照射されるため、基板は樹脂やガラスなどの透明材質から構成されるが、本発明では前述したようにポリカーボネート基板を用いることができる。基板の表面には、トラッキング信号検出用グルーブやアドレスなどを示すピットなどがあらかじめ形成されている。
【００３８】
第一誘電体層および第二誘電体層は、各種酸化物、炭化物、窒化物、硫化物あるいはこれらの混合物（ＬａＳｉＯＮなど）等からなる誘電体物質から構成され、Ｃ／Ｎの向上および記録層の信頼性向上のために、好ましくは少なくとも一方、より好ましくは両方が設けられるが、本発明では、Ｓｉ３  Ｎ４  等の窒化ケイ素、ＡｌＮ等の窒化アルミニウム、ＺｎＯ等の酸化亜鉛、Ｉｎ２  Ｏ３  等の酸化インジウムおよびＡｌ２  Ｏ３  等の酸化アルミニウムの少なくとも１種を含む第一誘電体層を設けることが特に好ましい。なお、これらのうち、酸化亜鉛（ＺｎＯ）は六方晶系結晶であり、酸化インジウム（Ｉｎ２  Ｏ３  ）は立方晶系結晶であり、他は非晶質である。このような第一誘電体層上に上記記録層を形成することにより、記録層の（１１１）配向性がさらに良好となる。すなわち、上記した従来のＣｏＰｔＢＯ膜のような金属下地層を設けることなく、垂直磁気異方性の大きな記録層が実現する。このため、基板を通して再生光を入射しても信号を読み出すことができる。しかも、多重反射によるエンハンス効果を利用して見掛けのカー回転角を大きくすることができるため、大きな再生出力を得ることが可能である。第一誘電体層の厚さは特に限定されないが、記録層の結晶配向性向上のためには５ｎｍ以上とすることが好ましく、エンハンス効果を利用するためには２０〜２００ｎｍ程度とすることが好ましい。第一誘電体層の具体的厚さは、媒体を構成する各層の光学定数や厚さなどを考慮して最適なエンハンス効果が得られるように決定すればよい。なお、第二誘電体層の厚さは１０〜１００ｎｍ程度であることが好ましい。各誘電体層は、スパッタ法等の気相法により形成されることが好ましい。
【００３９】
反射層は、Ｃ／Ｎ向上のために設けられる。反射層を構成する材質は、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｏ等の金属、あるいはこれらを含む合金、あるいはこれらを含む化合物であることが好ましい。反射層は、スパッタ法等の気相法により形成することが好ましい。反射層の厚さは、３０〜２００ｎｍ程度とすることが好ましい。
【００４０】
保護層は、反射層までの積層膜の保護のために設けられる樹脂層である。保護層を構成する樹脂は特に限定されないが、放射線硬化型化合物の硬化物であることが好ましい。放射線硬化型化合物としてはアクリル基を有するものが好ましく、これと光重合増感剤ないし開始剤とを含有する塗膜を、紫外線や電子線により硬化して保護層とすることが好ましい。保護層の厚さは、通常、１〜３０μｍ  、好ましくは２〜２０μｍ  である。
【００４１】
【実施例】
以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明をさらに詳細に説明する。
【００４２】
＜実施例１＞
多元高周波マグネトロンスパッタ装置を用いて、直径４インチ、厚さ５ｍｍのＳｉ３  Ｎ４  焼結ターゲットを下記条件にてスパッタし、水冷したコーニング７０５９ガラス基板上に厚さ１００ｎｍの誘電体層を形成した。
【００４３】
誘電体層スパッタ条件
到達圧力    ：７×１０−７Ｔｏｒｒ
スパッタガス：Ａｒ−１０体積％Ｎ２
スパッタ圧力：１×１０−２Ｔｏｒｒ
投入電力    ：２．４Ｗ／ｃｍ２
成膜速度    ：１０ｎｍ／ｍｉｎ
【００４４】
その後、連続して、直径４インチ、厚さ３ｍｍのＣｏ５５Ｐｔ４５（原子％）合金ターゲット上に５ｍｍ角のＡｌチップを対称性良く配置した複合ターゲットを下記条件にてスパッタし、厚さ３０ｎｍの記録層を形成した。スパッタに際しては、Ａｌチップの数を変えることにより記録層中のＡｌ含有量を制御した。また、スパッタガス中のＯ２  比率を変えることにより記録層中の酸素含有量を制御した。なお、基板はこのときも水冷を続けた。
【００４５】
記録層スパッタ条件
スパッタガス：Ａｒ−０．１体積％Ｏ２  〜Ａｒ−２．５体積％Ｏ２
スパッタ圧力：３×１０−２Ｔｏｒｒ
投入電力    ：４．０Ｗ／ｃｍ２
成膜速度    ：１０ｎｍ／ｍｉｎ
【００４６】
このようにして形成した記録層について、以下の測定および評価を行なった。結果を表１に示す。
【００４７】
記録層組成
ＥＰＭＡにより測定した。ただし、組成測定用のサンプルは、誘電体層を設けずに上記条件にて厚さ１μｍ  の記録層だけを形成したものである。
【００４８】
垂直方向の保磁力（Ｈｃ⊥）、カー回転角（θｋ）、カーループの角形比（θｋｒ／θｋｓ）
日本分光社製カー効果測定装置を用い、最大磁場５  ｋＯｅ、波長４００ｎｍにおけるカーループを測定し、これから求めた。
【００４９】
結晶粒子の平均粒径（Ｄ）
Ｘ線回折法を用いてＣｏＰｔ（１１１）ピークの半値幅から求めた。
【００５０】
結晶粒子の体積比率および結晶粒界厚さ
透過型電子顕微鏡を用いて求めた。
【００５１】
【表１】
0003566779.tif 000002
【００５２】
表１に示されるように、本発明のサンプルＮｏ．  １０１〜１０３では、Ｈｃが高く、θｋが大きく、カーループの角形性も良好である。これに対し、Ｍ含有量が本発明範囲を上回るサンプルＮｏ．  １０４では、カーループの角形性は良好であるが、Ｈｃが低い。サンプルＮｏ．  １０４の結晶粒界平均幅は１５  Ａなので、結晶粒子間の磁気的結合は十分に断ち切られている。しかし、サンプルＮｏ．  １０４では酸素に対するＭの比率が高いため、酸素と結合しなかったＭ原子が結晶粒子中に多く固溶して結晶粒子の磁気特性が悪くなり、これによりＨｃが低くなったと考えられる。サンプルＮｏ．  １０５では酸素が少ないため、結晶粒界平均幅が小さくなって結晶粒子間の磁気的結合が存在するため、Ｈｃが低くカーループの角形性が悪くなっている。サンプルＮｏ．  １０６ではＭが少ないため、結晶粒界にＣｏの酸化物も析出して磁性結晶粒子の組成がＰｔリッチになり、これによりθｋが小さくなり、Ｈｃも低くなったと考えられる。
【００５３】
なお、表１に示すサンプルでは、結晶粒子の長径／短径の平均が１〜１．５であった。
【００５４】
日本分光社製カー効果測定装置を用い、最大磁場１５  ｋＯｅでサンプルＮｏ．  １０１の波長４００〜６００ｎｍにおけるθｋを測定した。比較のために、純Ａｒ雰囲気中でスパッタして形成した酸素を含まない記録層についても、同様な測定を行なった。酸素を含まない記録層に対するサンプルＮｏ．  １０１のθｋの比率を、各波長において求めたところ、下記の結果が得られた。
【００５５】
波長（ｎｍ） θｋ（％）
４００      ９４
４５０      ９５
５００      ９０
５５０      ８０
６００      ６７
【００５６】
この結果から、サンプルＮｏ．  １０１では酸素添加によるθｋの低下が短波長域において極めて小さいことがわかり、特に、将来実現するであろう青色レーザの波長帯域である４００〜５００ｎｍでの低下がほとんどみられないことがわかる。なお、純Ａｒ雰囲気中でスパッタして形成した記録層は、垂直磁化膜にはならなかった。
【００５７】
誘電体層を設けなかった以外はサンプルＮｏ．  １０２と同様にして形成した記録層サンプルと、サンプルＮｏ．  １０２とについて、保磁力の比較を行なった。この結果、窒化ケイ素誘電体層上に記録層を形成することにより、Ｈｃおよび角形性が高くなることがわかった。また、両サンプルについてＸ線回折により結晶性の評価を行なったところ、サンプルＮｏ．  １０２のほうがＣｏＰｔ（１１１）ピークの強度が大きく、結晶性が良好であることがわかった。Ｈｃおよび角形性の向上は、結晶性の向上によると考えられる。なお、誘電体層を、窒化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化インジウムまたは酸化アルミニウムから構成した場合でも、同等の結果が得られた。
【００５８】
＜実施例２＞
多元高周波マグネトロンスパッタ装置を用いて、直径４インチ、厚さ５ｍｍのＡｌＮ焼結ターゲットを下記条件にてスパッタし、水冷したコーニング７０５９ガラス基板上に厚さ６０ｎｍの誘電体層を形成した。
【００５９】
誘電体層スパッタ条件
到達圧力    ：７×１０−７Ｔｏｒｒ
スパッタガス：Ａｒ−１０体積％Ｎ２
スパッタ圧力：１×１０−２Ｔｏｒｒ
投入電力    ：２．４Ｗ／ｃｍ２
成膜速度    ：１５ｎｍ／ｍｉｎ
【００６０】
その後、連続して、直径４インチ、厚さ３ｍｍのＣｏＰｔ合金ターゲット上に５ｍｍ角のＳｉチップを対称性良く配置した複合ターゲットを下記条件にてスパッタし、厚さ３０ｎｍの記録層を形成した。ＣｏＰｔ合金ターゲットとしては、Ｃｏ５０Ｐｔ５０（原子％）、Ｃｏ１５Ｐｔ８５（原子％）、Ｃｏ９０Ｐｔ１０（原子％）の３種を用いた。スパッタに際しては、Ｓｉチップの数を変えることにより記録層中のＳｉ含有量を制御した。また、スパッタガス中のＯ２  比率を変えることにより記録層中の酸素含有量を制御した。なお、基板はこのときも水冷を続けた。
【００６１】
記録層スパッタ条件
スパッタガス：Ａｒ−０．２体積％Ｏ２  〜Ａｒ−３．０体積％Ｏ２
スパッタ圧力：３×１０−２Ｔｏｒｒ
投入電力    ：４．０Ｗ／ｃｍ２
成膜速度    ：１８ｎｍ／ｍｉｎ
【００６２】
このようにして形成した記録層について、実施例１と同様な測定および評価を行なった。結果を表２に示す。
【００６３】
【表２】
0003566779.tif 000003
【００６４】
表２に示されるように、本発明のサンプルＮｏ．  ２０１〜２０３では、Ｈｃが高く、θｋが大きく、カーループの角形性も良好である。これに対し、酸素含有量が本発明範囲を上回るサンプルＮｏ．  ２０４では、カーループの角形性は良好であるが、Ｈｃが低くθｋが小さい。Ｈｃが低いのは結晶粒径が小さいためで、θｋが小さいのは、結晶粒界の平均幅が３５  Ａと大きく、結晶粒子の比率が４０体積％と低いためと考えられる。サンプルＮｏ．  ２０４では、Ｍに対する酸素の比率が高いので、Ｍと結合しなかった酸素がＣｏと結合して結晶粒界に析出し、これにより結晶粒子中のＣｏ濃度が減少したと考えられ、また、酸素が結晶粒子中にも固溶していると考えられる。サンプルＮｏ．  ２０５ではＰｔが多すぎるため、Ｈｃが低くなりθｋが小さくなっている。サンプルＮｏ．  ２０６ではＰｔが少なすぎるため、カーループの角形性が悪くなっている。
【００６５】
なお、表２に示すサンプルでは、結晶粒子の長径／短径の平均が１〜１．５であった。
【００６６】
＜実施例３＞
トラッキング信号検出用のグルーブを形成した直径１３０ｍｍのポリカーボネート基板上に、厚さ６０ｎｍの第一誘電体層、厚さ２０ｎｍの記録層、厚さ７０ｎｍの第二誘電体層および厚さ５０ｎｍの反射層をこの順で形成し、光磁気ディスクを得た。記録層は実施例１のサンプルＮｏ．  １０３と同様にして形成し、第一誘電体層および第二誘電体層は実施例１の誘電体層と同様にして形成し、反射層はＡｌのスパッタにより形成した。この光磁気ディスクの記録再生特性を、波長４８８ｎｍのＡｒレーザを用いて調べたところ、０．６４μｍ  のピット長で４５  ｄＢ  という良好なＣ／Ｎが得られた。
【００６７】
以上の実施例の結果から、本発明の効果が明らかである。
【図面の簡単な説明】
【図１】光磁気記録媒体の断面構造を示す模式図である。
【符号の説明】
１  基板
１２  第一誘電体層
１３  記録層
１４  第二誘電体層
１５  反射層
１６  保護層
【図１】
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