(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
差動増幅回路を構成する第１、第２トランジスタと、
高周波信号として入力される電流信号を電圧に変換し、その電圧を前記第１トランジスタのベースに与える電流／電圧変換回路と、
前記第１トランジスタのベースに所定電圧を第１抵抗と位相補償用コンデンサの並列回路を介して与えるバイアス手段と、
前記第２トランジスタのベースに前記差動増幅器の出力電圧を第２抵抗のみを介して与える帰還手段と、
を備えることを特徴とする電流電圧変換装置。
【請求項２】
前記位相補償用コンデンサが、半導体基板に設けた該半導体基板と逆導電型のエピタキシャル層と、該エピタキシャル層の表面に設けた絶縁層と、前記エピタキシャル層に設けた電極と、前記絶縁層の表面に設けた電極とによって構成されることを特徴とする請求項１に記載の電流電圧変換装置。
【請求項３】
前記電流／電圧変換回路の出力が第３抵抗を介して前記第１トランジスタのベースに接続されるとともに、
前記第２トランジスタのベースには、前記電流／電圧変換回路と同一の構成で且つ電流信号が入力されない回路が第４抵抗を介して接続されることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の電流電圧変換装置。
【請求項４】
請求項１〜請求項３のいずれかに記載の電流電圧変換装置と、外部から受光した光信号を電流信号に変換する受光素子とを有し、
該受光素子から出力された電流信号を、前記電流電圧変換装置で電圧信号に増幅して変換することを特徴とする受光増幅装置。
【請求項５】
前記受光素子としてフォトダイオードを備えた請求項４に記載の受光増幅装置を備えるとともに、当該受光増幅装置からの出力信号をトラッキングエラー制御又はフォーカスエラー制御又はデータとして出力することを特徴とする光ピックアップ装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電流信号を電圧信号に変換する電流電圧変換装置及びこの電流電圧変換装置を用いたＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｖｉｄｅｏ  Ｄｉｓｃ）、ＣＤ−ＲＯＭ（Ｃｏｍｐａｃｔ  Ｄｉｓｋ  −  Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）、ＣＤ−Ｒ（Ｃｏｍｐａｃｔ  Ｄｉｓｋ  −  Ｒｅｃｏｒｄａｂｌｅ）、ＣＤ−ＲＷ（Ｃｏｍｐａｃｔ  Ｄｉｓｋ  −  Ｒｅｗｒｉｔａｂｌｅ）などの再生又は記録を行う装置内のピックアップシステムに設けられる受光増幅装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ＣＤやＤＶＤなどの光ディスクにおける発展がめざましく、特にＣＤに至っては、情報を記録することのできるＣＤ−ＲやＣＤ−ＲＷが開発されている。このような光ディスクの再生又は記録を行う装置は、安定して情報の再生及び記録を行うための光ピックアップ装置が設けられている。以下に、従来の光ピックアップ装置について、図面を参照して説明する。
【０００３】
図５に示すように、光ピックアップ装置は、レーザー光を受光して発生した電流信号を電圧信号に変換する電流／電圧変換回路２と、この電流／電圧変換回路２と同様の回路構成をしたリファレンス回路３と、電流／電圧変換回路２の電圧信号が抵抗Ｒ３を介して正相入力端子ａに与えられるとともにリファレンス回路３の電圧信号が抵抗Ｒ４を介して逆相入力端子ｂに与えられる差動増幅回路４とによって構成される受光増幅装置１’’が複数設けられる。更に、この受光増幅装置１’’は、差動増幅回路４の逆相入力端子ｂと出力端子ｃとの間に抵抗Ｒ１とコンデンサＣ１の並列回路が接続して負帰還を構成するとともに、差動増幅回路４の正相入力端子ａに抵抗Ｒ２とコンデンサＣ２の並列回路を介して外部バイアスＶｓが印加される。
【０００４】
このような受光増幅装置１’’において、電流／電圧変換回路２内のダイオード（不図示）にレーザー光が照射されたときと照射されていないときの電流／電圧変換回路２から出力される電圧信号の大きさを、それぞれＶＯＰ、ＶＯＳとする。ここで、電流／電圧変換回路２が理想状態であれば、レーザー光が照射されていないときの電圧信号ＶＯＳが外部バイアスＶｓと等しくなる。しかし、電流／電圧変換回路２内に設けられた各素子の不整合性などからオフセット電圧が生じるため、ＶＯＰ及びＶＯＳはオフセット電圧を重畳した値となる。又、リファレンス回路３は、電流／電圧変換回路２と同様の回路構成のため同一の特性示すので、電流／電圧変換回路２にレーザー光が照射されていないときの電圧信号ＶＯＳを出力する。
【０００５】
このように電流／電圧変換回路２から出力された電圧信号ＶＯＰ及びリファレンス回路３から出力された電圧信号ＶＯＳが差動増幅回路４に入力され、この差動増幅回路４によってＶＯＰ−ＶＯＳに比例した電圧信号が出力される。今、電圧信号ＶＯＰ，ＶＯＳは、それぞれ同一のオフセット電圧が重畳した電圧信号となるため、この重畳したオフセット電圧がキャンセルされる。よって、差動増幅回路４によって電流／電圧変換回路２で生じたオフセット電圧の重畳した電圧信号からオフセット電圧をキャンセルした電圧信号を増幅して出力することができる。
【０００６】
このような受光増幅装置１’’を６つ有する光ピックアップ回路は、レーザー光を受光する６つの受光増幅装置に設けられたそれぞれのフォトダイオードが、図６のように配設される。即ち、フォトダイオードＰＤａ，Ｐｄｂ，ＰＤｃ，ＰＤｄ，ＰＤｅ，ＰＤｆで受光して発生した電流信号が電圧信号として６つの受光増幅装置から出力される。又、図６のように、フォトダイオードＰＤａ，ＰＤｂ，ＰＤｃ，ＰＤｄが２×２の格子状に互いに隣接して配されて４分割フォトダイオードを形成し、又、間隔を置いて、この４分割フォトダイオードの左右に、フォトダイオードＰＤｅ，ＰＤｆが配される。
【０００７】
このように配されたフォトダイオードＰＤａ，Ｐｄｂ，ＰＤｃ，ＰＤｄを有する受光増幅装置から出力される電圧信号によって、フォーカス信号とデータ信号が得られる。又、フォトダイオードＰＤｅ，ＰＤｆを有する受光増幅装置から出力される電圧信号によって、トラッキングデータを得て光ディスクのトラック位置が確認される。尚、本明細書では、外部入力信号が高速となるフォトダイオードＰＤａ，Ｐｄｂ，ＰＤｃ，ＰＤｄを有する受光増幅装置について議論する。尚、データ信号とは、光ディスクに記録された音楽、映像、プログラム情報などの信号であり、又、フォーカス信号とは、光ディスクに照射されるレーザー光の焦点を調整するための信号である。
【０００８】
図７のように、フォトダイオードＰＤａ，Ｐｄｂ，ＰＤｃ，ＰＤｄを有する受光増幅装置１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄの電圧信号をＶａ，Ｖｂ，Ｖｃ，Ｖｄとする。このとき得られるデータ信号及びフォーカス信号は、それぞれ以下のように表される。
データ信号＝Ｖａ＋Ｖｂ＋Ｖｃ＋Ｖｄ
フォーカス信号１＝Ｖａ＋Ｖｃ−（Ｖｂ＋Ｖｄ）
フォーカス信号２＝Ｖａ−Ｖｃ
フォーカス信号３＝Ｖｂ−Ｖｄ
【０００９】
受光増幅装置１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄから出力される電圧信号よりこのようなデータ信号、フォーカス信号１，２，３が得られるとき、フォーカス信号１，２，３が０となるように調整される。即ち、フォーカス信号１，２，３が０となるとき、受光増幅装置１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄから出力される電圧信号Ｖａ，Ｖｂ，Ｖｃ，Ｖｄが全て等しくなるので、フォトダイオードＰＤａ，Ｐｄｂ，ＰＤｃ，ＰＤｄに照射されるレーザー光の割合が等しくなる。よって、図６のようにフォトダイオードＰＤａ，Ｐｄｂ，ＰＤｃ，ＰＤｄで構成された４分割ダイオードの中央の斜線部にレーザー光が照射された状態となり、焦点の整合性がとれた状態となったことが確認できる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記した受光増幅装置１’’において、電流／電圧変換回路２から出力される電圧信号の電圧変化をΔＶ、差動増幅回路４から出力される電圧信号の電圧変化をΔＶＯとすると、抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４及びコンデンサＣ１，Ｃ２より（１）式のような関係になる。尚、ｒ１は抵抗Ｒ１及びコンデンサＣ１によって（２）式のように表され、又、ｒ２は抵抗Ｒ２及びコンデンサＣ２によって（３）式のように笑わされる。又、（２）、（３）式におけるωは、角周波数である。
【００１１】
【数１】
0003585772.tif 000002
【数２】
0003585772.tif 000003
【数３】
0003585772.tif 000004
【００１２】
よって、（１）式は２次の極を持つことがわかる。又、（２）、（３）式のｒ３，ｒ３は、角周波数ωが大きくなるとき、即ち電流／電圧変換回路２の電圧信号が高周波となるとき、その値が大きくなるため、（１）式で表されるゲインΔＶ／ΔＶＯが減衰する。又、このときの極周波数をｆ１，ｆ２としたとき、それぞれ、（４）、（５）式のように表される。
【００１３】
【数４】
0003585772.tif 000005
【数５】
0003585772.tif 000006
【００１４】
よって、電流／電圧変換回路２から出力される電圧信号の周波数が極周波数ｆ１より高くなったとき周波数が高くなる毎に（１）式のゲインが低下（例えばオクターブ６ｄＢ）を始め、更に極周波数ｆ２より高くなったときは、更に大きな割合（例えばオクターブ１２ｄＢ）でゲインが低下する。よって、回路の高速化を図るには、高周波の信号が入力された時のそのゲインの低下を抑制するために、コンデンサＣ１，Ｃ２の容量値を小さく設計する必要がある。しかしながら、ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）チップ上にこのような微小容量を設ける際、その製造プロセス上、その容量値のバラツキが大きく、特性が設計値からはずれてしまう可能性が大きくなる。
【００１５】
上記のような問題を鑑みて、本発明は、回路の高速化に対応するために、高周波の信号におけるゲインの低下を防ぐことのできる電流電圧変換装置及びこの電流電圧変換装置を用いた受光増幅装置を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
上記のような目的を達成するために、差動増幅回路を構成する第１、第２トランジスタと、高周波信号として入力される電流信号を電圧に変換し、その電圧を前記第１トランジスタのベースに与える電流／電圧変換回路と、前記第１トランジスタのベースに所定電圧を第１抵抗と位相補償用コンデンサの並列回路を介して与えるバイアス手段と、前記第２トランジスタのベースに前記差動増幅器の出力電圧を第２抵抗のみを介して与える帰還手段と、を備えることを特徴とする電流電圧変換装置を提供する。
【００１８】
このような電流電圧変換装置において、前記位相補償用コンデンサが、半導体基板に設けた該半導体基板と逆導電型のエピタキシャル層と、該エピタキシャル層の表面に設けた絶縁層と、前記エピタキシャル層に設けた電極と、前記絶縁層の表面に設けた電極とによって構成し、前記エピタキシャル層と前記半導体基板の比抵抗を高くして、前記位相補償用コンデンサに付随する寄生容量を低減させることによって、発振を防止して安定化させることができる。
【００１９】
上記したそれぞれの電流電圧変換装置において、前記電流／電圧変換回路の出力が第３抵抗を介して前記第１トランジスタのベースに接続され、前記第２トランジスタのベースには前記電流／電圧変換回路と同一で且つ電流信号が入力されない回路が第４抵抗を介して接続されるような構成の電流電圧変換装置としても構わない。
【００２０】
更に、本発明は、上記したそれぞれの電流電圧変換回路と、外部から受光した光信号を電流信号に変換する受光素子とを有し、該受光素子から出力された電流信号を、前記電流電圧変換装置で電圧信号に増幅して変換することを特徴とする受光増幅装置を提供する。
【００２１】
このような受光増幅装置において、前記受光素子をフォトダイオードとしても構わない。
【００２２】
【発明の実施の形態】
＜第１の実施形態＞
本発明の第１の実施形態について、図面を参照して説明する。図１は、本実施形態の受光増幅装置の内部構造を示す回路図である。図１に示す受光増幅装置１は、レーザー光を受光して発生した電流信号を電圧信号に変換する電流／電圧変換回路２と、この電流／電圧変換回路２と同様の回路構成をしたリファレンス回路３と、電流／電圧変換回路２の電圧信号が抵抗Ｒ３を介して正相入力端子ａに与えられるとともにリファレンス回路３の電圧信号が抵抗Ｒ４を介して逆相入力端子ｂに与えられる差動増幅回路４とによって構成される。
【００２３】
又、この受光増幅装置１は、差動増幅回路４の逆相入力端子ｂと出力端子ｃとの間に抵抗Ｒ１とコンデンサＣ１の並列回路が接続して負帰還を構成するとともに、差動増幅回路４の正相入力端子ａに抵抗Ｒ２を介して外部バイアスＶｓが印加される。尚、抵抗Ｒ１，Ｒ２の抵抗値が等しくなるように設定されるとともに、抵抗Ｒ３，Ｒ４の抵抗値も等しくなるように設定される。
【００２４】
このような受光増幅回路１において、電流／電圧変換回路２は、アノードが接地されたフォトダイオードＰＤと、フォトダイオードＰＤのカソードが入力端子に接続されたアンプ２０と、このアンプ２０の入力端子と出力端子の間に接続された抵抗Ｒａとから構成される。又、リファレンス回路３は、電流／電圧変換回路２のフォトダイオードＰＤが省略された回路構成になる。
【００２５】
又、差動増幅回路４は、ベースがそれぞれ正相入力端子ａ、逆相入力端子ｂとなるｎｐｎ型トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２と、電源電圧がエミッタに印加されるとともにコレクタがトランジスタＴｒ１のコレクタに接続されたｐｎｐ型トランジスタＴｒ３と、電源電圧がエミッタに印加されるとともにコレクタがトランジスタＴｒ２のコレクタに接続されたｐｎｐ型トランジスタＴｒ４と、トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２のエミッタ同士が接続した接続ノードからグランドに向かって定電流Ｉａを流す定電流源４０と、コレクタに電源電圧が印加されトランジスタＴｒ２，Ｔｒ４のコレクタ同士が接続した接続ノードにベースが接続されるとともにエミッタが出力端子ｃとなるｎｐｎ型トランジスタＴｒ５と、トランジスタＴｒ５のエミッタからグランドに向かって定電流Ｉｂを流す定電流源４１とを有する。更に、この差動増幅回路４において、トランジスタＴｒ３，Ｔｒ４のベース同士が接続され、そして、トランジスタＴｒ３のベースとコレクタが接続される。
【００２６】
このような受光増幅回路１の動作は、従来の受光増幅回路１’’（図５）と同様に、まず、フォトダイオードＰＤがレーザー光を受光して発生した電流信号を電流／電圧変換回路２で電圧信号ＶＯＰに変換し、差動増幅回路４の正相入力端子ａに抵抗Ｒ３を介して入力する。このとき、リファレンス回路３より電圧信号ＶＯＳが抵抗Ｒ４を介して差動増幅回路４の逆相入力端子ｂに入力される。次に、差動増幅回路に電圧信号ＶＯＰ，ＶＯＳが入力されると、その出力端子ｃよりＶＯＰ−ＶＯＳに比例した値となる電圧信号が出力される。尚、受光増幅回路１内に設けられた各素子を隣接するようにレイアウトすることによって、差動増幅回路４で電流／電圧変換回路２に生じるオフセット電圧を、リファレンス回路３で電流／電圧変換回路２と同様に生じるオフセット電圧によってキャンセルすることができる。
【００２７】
次に、差動増幅回路４の動作について、説明する。差動増幅回路４は、正相入力端子ａに与えられる電圧が逆相入力端子ｂに与えられる電圧よりも高くなったとき、トランジスタＴｒ１を流れるコレクタ電流がＩａ／２＋ΔＩとなるとともに、トランジスタＴｒ２を流れるコレクタ電流がＩａ／２−ΔＩとなる。ところで、トランジスタＴｒ３，Ｔｒ４はカレントミラー回路を形成しているので、トランジスタＴｒ３，Ｔｒ４にともにＩａ／２＋ΔＩのエミッタ電流が流れる。よって、トランジスタＴｒ５のベースに、トランジスタＴｒ４に流れるエミッタ電流とトランジスタＴｒ２に流れるコレクタ電流の差となる２ΔＩが流れる。
【００２８】
トランジスタＴｒ５に２ΔＩのベース電流が流れると、このベース電流をα倍増幅した２α×ΔＩのコレクタ電流が流れる。よって、２α×ΔＩ−Ｉｂの電流が、出力端子ｃから逆相入力端子に帰還する抵抗Ｒ１とコンデンサＣ１の並列回路に流れるとともに、抵抗Ｒ４にも流れる。よって、出力端子ｃに現れる電圧信号は、ΔＩに比例して変化する。又、ΔＩは電流／電圧変換回路２の電圧信号ＶＯＰとリファレンス回路３の電圧信号ＶＯＳの差ＶＯＰ−ＶＯＳに比例した値であるので、出力端子ｃに現れる電圧信号はＶＯＰ−ＶＯＳに比例して変化する。
【００２９】
このような受光増幅装置１において、従来の受光増幅装置１’’（図５）と同様に、伝達関数を求めると（６）式のようになる。よって、従来の受光増幅装置１’’の伝達関数を表す（１）式と比較したとき、その極数が１つ減った状態となっていることがわかる。よって、極数が２つ有る従来の受光増幅装置１’’と比較して高周波でのゲインの低下率が小さくなるため、従来のものと比べて、より高域の周波数の信号を扱うことができる。尚、ΔＶは電流／電圧変換回路２の電圧信号の電圧変化、ΔＶＯは出力端子ｃより出力される電圧信号の電圧変化を表す。又、ｒ１は、従来と同様（２）式で表される値である。
【００３０】
【数６】
0003585772.tif 000007
【００３１】
このような受光増幅回路１において、コンデンサＣ１は、図２のように半導体基板上に形成される。即ち、ｐ型半導体基板５に形成されたｎ型エピタキシャル層６と、ｎ型エピタキシャル層６の表面に形成された絶縁酸化膜７と、この絶縁酸化膜７の表面に形成された電極８と、ｎ型エピタキシャル層６の表面に形成された電極９によって、コンデンサＣ１が形成される。又、コンデンサＣ１を形成するｎ型エピタキシャル層６の周囲に、ｐ型拡散層１０ａ，１０ｂが形成される。
【００３２】
このようにコンデンサＣ１をｐ型半導体基板５に形成したとき、図２のように、ｐ型半導体基板５とｎ型エピタキシャル層６によって、寄生容量Ｃｐ１が形成される。この寄生容量Ｃｐ１は、図３のように、一端が接地されるとともに、出力端子ｃとコンデンサＣ１と抵抗Ｒ１の接続ノードに他端が接続される。この寄生容量Ｃｐ１によって、逆相入力端子ｂに帰還される電圧信号の位相遅れが発生して、位相補償容量であるコンデンサＣ１によって進んだ位相が解消されて、発振する可能性がある。よって、位相遅れθと角周波数の関係が（７）式のような関係となるため、この位相の遅れを広域帯で抑制するには、寄生容量Ｃｐ１の値を極力小さくする必要がある。
【００３３】
【数７】
0003585772.tif 000008
【００３４】
ところで、この寄生容量Ｃｐ１は、ｐ型半導体基板５とｎ型エピタキシャル層６に形成される空乏層の広がりに起因し、空乏層が広いほど寄生容量Ｃｐ１の容量値が小さくなる。よって、ｐ型半導体基板５とｎ型エピタキシャル層６の比抵抗を高くすることで空乏層を広くし、寄生容量Ｃｐ１の容量値を小さくする。又、このように比抵抗を高くしたｐ型半導体基板５とｎ型エピタキシャル層６は、位相補償容量であるコンデンサＣ１の形成される部分のみとすることで、他の回路部でのラッチアップを抑制することができる。このように高周波数の電圧信号に対応した受光増幅装置が形成され、この受光増幅装置を有する装置における演算処理の高速化を図ることができる。又、フォトダイオードＰＤの寄生容量を低減させるため、ｐ型半導体基板の比抵抗を高くするときにおいて、併用することが容易である。
【００３５】
＜第２の実施形態＞
本発明の第２の実施形態について、図面を参照して説明する。図４は、本実施形態の受光増幅装置の内部構造を示す回路図である。尚、図４の受光増幅装置１’において、第１の実施形態の受光増幅装置１（図１）と同様の目的で使用される素子及び回路については、同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。図４の受光増幅装置１’は、図１の受光増幅装置１のコンデンサＣ１が省略されるとともに、一端が正相入力端子ａに接続されるとともに他端に電圧Ｖｓが印加されたコンデンサＣ２が抵抗Ｒ２に並列に接続された受光増幅装置である。
【００３６】
このような構成の受光増幅装置１’は、基本的に従来の受光増幅装置１''及び第１の実施形態の受光増幅装置１（図１）と同様の動作を行う。このとき、この受光増幅装置１’の伝達関数が、（８）式のように表される。よって、従来の受光増幅装置１''（図５）の伝達関数を表す（１）式と比較したとき、その極数が１つ減った状態となっていることがわかる。よって、極数が２つ有る従来の受光増幅装置１''と比較して高周波でのゲインの低下率が小さくなるため、従来のものと比べて、より高域の周波数の信号を扱うことができる。尚、ΔＶは電流／電圧変換回路２の電圧信号の電圧変化、ΔＶＯは出力端子ｃより出力される電圧信号の電圧変化を表す。又、ｒ２は、従来と同様（３）式で表される値である。
【００３７】
【数８】
0003585772.tif 000009
【００３８】
【発明の効果】
本発明によると、電流電圧変換装置に設けた差動増幅回路の第１トランジスタのゲートに、位相補償用コンデンサを接続するため、従来のように第１及び第２トランジスタのゲートに位相補償用コンデンサを接続したときと比べて、高域の周波数におけるゲインの低下率を抑制することができる。よって、従来と比較してより高域の周波数の信号を扱うことができるので、このような電流電圧変換装置が設けられた受光増幅装置において、信号の処理を高速化することが可能となる。又、位相補償用コンデンサを形成する領域の半導体基板及びエピタキシャル層の比抵抗を大きくすることによって、この領域に形成される寄生容量の容量値を小さくすることができるので、この寄生容量による電流電圧変換装置の発振を防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態の受光増幅装置の内部構造を示す回路図。
【図２】半導体基板上に形成したコンデンサの構造を示す断面図。
【図３】寄生容量との関係を示した受光増幅装置の一部を示す回路図。
【図４】本発明の第２の実施形態の受光増幅装置の内部構造を示す回路図。
【図５】従来の受光増幅装置の内部構造を示すブロック図。
【図６】光ピックアップ装置に設けられたフォトダイオードの配置を示した図。
【図７】光ピックアップ装置内に設けられた受光増幅装置の相関図。
【符号の説明】
１    受光増幅装置
２    電流／電圧変換回路
３    リファレンス回路
４    差動増幅回路
５    ｐ型半導体基板
６    ｎ型エピタキシャル層
７    絶縁酸化膜
８，９    電極
１０ａ，１０ｂ    ｐ型拡散層
２０    アンプ
４０，４１    定電流源
Ｒａ，Ｒ１〜Ｒ５    抵抗
Ｔｒ１，Ｔｒ２，Ｔｒ５    ｎｐｎ型トランジスタ
Ｔｒ３，Ｔｒ４    ｐｎｐ型トランジスタ
Ｃ１，Ｃ２    コンデンサ
ＰＤ    フォトダイオード
Ｃｐ１    寄生容量
【図１】
0003585772.tif 000010
【図２】
0003585772.tif 000011
【図３】
0003585772.tif 000012
【図４】
0003585772.tif 000013
【図５】
0003585772.tif 000014
【図６】
0003585772.tif 000015
【図７】
0003585772.tif 000016