Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月22日(2015.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極層及び第２の電極層と、
前記第１の電極層上の第１の領域と、前記第２の電極層上の第２の領域と、前記第１の領域と前記第２の領域との間のチャネル形成領域と、を含む酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上のゲート電極層と、
前記ゲート電極層上の上部絶縁層と、
前記ゲート電極層の側面に配置された側壁絶縁層と、
前記第１の領域に接するソース電極層と、
前記第２の領域に接するドレイン電極層と、
前記ソース電極層上及び前記ドレイン電極層上の第１の絶縁層と、
前記上部絶縁層上、前記側壁絶縁層上、前記ソース電極層上及び前記ドレイン電極層上の第２の絶縁層と、
前記第１の絶縁層に設けられた第１の開口及び前記第２の絶縁層に設けられた第２の開口を介して前記ソース電極層と電気的に接続される第１の配線層と、
前記第１の絶縁層に設けられた第３の開口及び前記第２の絶縁層に設けられた第４の開口を介して前記ドレイン電極層と電気的に接続される第２の配線層と、
を有し、
前記第１の領域の抵抗は、前記チャネル形成領域の抵抗よりも低く、
前記第２の領域の抵抗は、前記チャネル形成領域の抵抗よりも低く、
前記ソース電極層の上端の位置及び前記ドレイン電極層の上端の位置は、前記上部絶縁層の上面の位置より下であり、
前記ソース電極層の上端の位置及び前記ドレイン電極層の上端の位置は、前記ゲート電極層の上面の位置より上であり、
前記第１の電極層は、前記第１の開口と重なる領域を有し、
前記第２の電極層は、前記第３の開口と重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１の電極層及び第２の電極層を形成し、
前記第１の電極層上及び前記第２の電極層上に酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に前記酸化物半導体層と重なるゲート電極層及び上部絶縁層を形成し、
前記ゲート電極層及び前記上部絶縁層をマスクとして、前記酸化物半導体層の抵抗を低下させる元素を前記酸化物半導体層に導入して、第１の領域、第２の領域及びチャネル形成領域を形成し、
前記ゲート電極層の側面に側壁絶縁層を形成し、
前記酸化物半導体層、前記ゲート電極層、前記側壁絶縁層及び前記上部絶縁層上に、導電膜を形成し、
前記導電膜上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜及び前記導電膜を、前記上部絶縁層が露出するまで化学的機械的研磨法により除去することによって前記導電膜を分断して、ソース電極層及びドレイン電極層、及び第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層、前記上部絶縁層、前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層上に、第２の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層に、前記ソース電極層の前記第１の電極層と重なる領域に達する第１の開口と、前記ドレイン電極層の前記第２の電極層と重なる領域に達する第２の開口と、を形成し、
前記第２の絶縁層上に、前記第１の開口において前記ソース電極層と電気的に接続する第１の配線層と、前記第２の開口において前記ドレイン電極層と電気的に接続する第２の配線層と、を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月9日(2015.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソース電極層及びドレイン電極層と、
第１の不純物領域、第２の不純物領域、及び前記第１の不純物領域と前記第２の不純物領域に挟まれたチャネル形成領域を含み、且つ、前記第１の不純物領域のチャネル長方向の側面において前記ソース電極層と接し、前記第２の不純物領域のチャネル長方向の側面において前記ドレイン電極層と接する酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層、前記ソース電極層、及び前記ドレイン電極層の上面と接するゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層を介して前記チャネル形成領域上に設けられたゲート電極層と、
前記ゲート電極層のチャネル長方向の側面の一方と接する第１の側壁層と、
前記ゲート電極層のチャネル長方向の側面の他方と接する第２の側壁層と、を有し、
前記酸化物半導体層の上面のチャネル長方向の長さは、前記酸化物半導体層の下面のチャネル長方向の長さよりも長く、
前記第１の側壁層の少なくとも一部は、前記ゲート絶縁層を介して前記ソース電極層上に設けられ、
前記第２の側壁層の少なくとも一部は、前記ゲート絶縁層を介して前記ドレイン電極層上に設けられ、
前記第１の側壁層及び前記第２の側壁層は、導電性を有する半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の側壁層、前記第２の側壁層及び前記ゲート電極層上に設けられた絶縁層と、
前記絶縁層及び前記ゲート絶縁層に設けられた第１の開口を介して、前記ソース電極層と電気的に接続する第１の配線層と、
前記絶縁層及び前記ゲート絶縁層に設けられた第２の開口を介して、前記ドレイン電極層と電気的に接続する第２の配線層と、を有する半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記絶縁層は、酸化アルミニウム層を含む半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月7日(2015.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層のゲート電極層と、
前記ゲート電極層上の絶縁層と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極層またはドレイン電極層と、
前記ソース電極層または前記ドレイン電極層上の、ソース配線層またはドレイン配線層と、を有し、
前記ソース電極層または前記ドレイン電極層は、前記ゲート絶縁層及び前記絶縁層が有する第１の開口または第２の開口に埋め込まれている半導体装置。
【請求項２】
酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層のゲート電極層と、
前記ゲート電極層上の絶縁層と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続する、ソース電極層またはドレイン電極層と、
前記ソース電極層または前記ドレイン電極層上の、ソース配線層またはドレイン配線層と、を有し、
前記絶縁層の上面と、前記ソース電極層またはドレイン電極層の上面とは略一致する半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月8日(2015.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物絶縁膜を形成し、
前記酸化物絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に前記酸化物半導体膜と重なる領域を有するゲート電極層と、前記ゲート電極層上に絶縁膜と、を形成し、
前記ゲート電極層及び前記絶縁膜をマスクとして前記酸化物半導体膜にドーパントを選択的に導入し、
前記ゲート絶縁膜上に、前記ゲート電極層の側面を覆う領域及び前記絶縁膜の側面を覆う領域を有する側壁絶縁層を形成し、
前記酸化物半導体膜上、前記ゲート絶縁膜上、前記ゲート電極層上、前記絶縁膜上、及び前記側壁絶縁層上に導電膜を形成し、
前記導電膜上に層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜及び前記導電膜を、前記ゲート電極層上の前記絶縁膜が露出するまで化学的機械研磨法により除去し、前記導電膜を分断して、ソース電極層及びドレイン電極層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記絶縁膜、前記ソース電極層、前記ドレイン電極層、前記側壁絶縁層、及び前記層間絶縁膜上に酸化アルミニウム膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記導電膜上に酸化アルミニウム膜を形成し、前記酸化アルミニウム膜上に前記層間絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記酸化物半導体膜を形成する前に前記酸化物絶縁膜表面に平坦化処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記側壁絶縁層を形成する前に前記酸化物半導体膜に酸素を導入することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月15日(2015.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上にゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜上に導電膜を形成し、
前記導電膜を、ハロゲンを含むガスによりエッチングすることでソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記酸化物半導体膜に残留物除去工程を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面上に導電膜を形成し、
前記導電膜を、ハロゲンを含むガスによりエッチングすることでゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層に残留物除去工程を行い、
前記残留物除去工程を行ったゲート電極層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜上にソース電極層及びドレイン電極層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
絶縁表面上に第１の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜を、ハロゲンを含むガスによりエッチングすることでゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層に残留物除去工程を行い、
前記残留物除去工程を行ったゲート電極層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜上に第２の導電膜を形成し、
前記第２の導電膜を、ハロゲンを含むガスによりエッチングすることでソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記酸化物半導体膜に残留物除去工程を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、前記残留物除去工程として溶液による処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至３のいずれか一項において、前記残留物除去工程としてプラズマ処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月24日(2015.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜と接する領域を有する、酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜と接する領域を有する、ゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して、前記酸化物半導体膜と重なる領域を有する、ゲート電極と、を有し、
前記第１の絶縁膜は、酸化アルミニウム又は酸化シリコンを有し、
前記第１の絶縁膜において、電子スピン共鳴にて測定される、ｇ値の信号が、２．００５以上２．０１５以下に表れ、
前記酸化物半導体膜は、比抵抗率が３ｋΩ・ｃｍ以上の範囲内にあることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜と接する領域を有する、酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜と接する領域を有する、ゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して、前記酸化物半導体膜と重なる領域を有する、ゲート電極と、を有し、
前記第１の絶縁膜は、酸化アルミニウム又は酸化シリコンを有し、
前記第１の絶縁膜において、電子スピン共鳴にて測定される、ｇ値の信号が、２．００５以上２．０１５以下に表れ、
前記酸化物半導体膜において、電子スピン共鳴にて測定される、ｇ値の信号が、１．８８以上１．９８以下に表れず、
前記酸化物半導体膜は、比抵抗率が３ｋΩ・ｃｍ以上の範囲内にあることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜と接する領域を有する、酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜と接する領域を有する、ゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して、前記酸化物半導体膜と重なる領域を有する、ゲート電極と、を有し、
前記第１の絶縁膜は、酸化アルミニウム又は酸化シリコンを有し、
前記第１の絶縁膜において、電子スピン共鳴にて測定される、ｇ値の信号が、２．００５以上２．０１５以下に表れ、
前記酸化物半導体膜において、電子スピン共鳴にて測定される、ｇ値の信号が、１．８８以上１．９８以下に表れないことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月19日(2015.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像読取装置の原稿台に置かれた原稿に対応する第１のデータと、前記原稿台を覆うカバーに対応する第２のデータとを含む画像データを取得する取得手段と、
前記取得手段により取得された前記画像データに含まれる対象画素について、複数種類の光学的な特性のそれぞれに対応する信号値を特定する特定手段と、
前記特定手段により前記対象画素に対して特定された前記複数種類の光学的な特性のそれぞれに対応する前記信号値のうちの、少なくとも２つの種類に対応する信号値を互いに比較することにより、前記画像データに対応する画像における前記第１のデータに対応する原稿領域を判定する判定手段と、
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記少なくとも２つの種類に対応する信号値は、前記対象画素に対応するＲＧＢ信号のＲ信号値とＧ信号値であり、
前記判定手段は、前記Ｒ信号値と前記Ｇ信号値とを互いに比較することで、前記画像データのうちの前記第１のデータに対応する前記原稿領域を判定する、
ことを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記判定手段は、前記画像における、前記Ｇ信号値より前記Ｒ信号値の方が大きい対象画素に対応する領域を、前記原稿領域と判定する、
ことを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記カバーの表面の色は、白色を含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記判定手段は、さらに前記画像データの彩度または輝度を閾値と比較することで、前記画像データのうちの前記第１のデータに対応する前記原稿領域を判定する、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記判定手段は、前記比較することにより、前記対象画素が前記原稿領域に含まれる画素であるかを判定して、前記原稿領域を判定する、
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記判定手段は、前記原稿領域に含まれる画素であると判定された前記対象画素が予め定められた数以上集合している領域を前記原稿領域と判定する、
ことを特徴とする請求項６に記載の画像処理装置。
【請求項８】
前記画像読取装置を含み、前記取得手段は前記画像読取装置による前記原稿の読取で得られた前記画像データを取得する、
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項９】
前記画像読取装置は、前記原稿台に置かれた前記原稿に対応する第１の領域と、前記カバーに対応する第２の領域を光学的に読み取ることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項１０】
画像読取装置の原稿台に置かれた原稿に対応する第１のデータと、前記原稿台を覆うカバーに対応する第２のデータとを含む画像データを取得する取得工程と、
前記取得工程において取得された前記画像データに含まれる対象画素について、複数種類の光学的な特性のそれぞれに対応する信号値を特定する特定工程と、
前記特定工程において前記対象画素に対して特定された前記複数種類の光学的な特性のそれぞれに対応する前記信号値のうちの、少なくとも２つの種類に対応する信号値を互いに比較することにより、前記画像データに対応する画像における前記第１のデータに対応する原稿領域を判定する判定工程と、
を有することを特徴とする画像処理方法。
【請求項１１】
請求項１乃至９のいずれか１項に記載の画像処理装置の各手段としてコンピュータを機能させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像処理装置および画像処理方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、原稿領域を検出する画像処理装置および画像処理方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の目的は、このような従来の問題点を解決することにある。本発明は、上記の点に鑑み、原稿領域を高精度に検出する画像処理装置および画像処理方法を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記課題を解決するため、本発明に係る画像処理装置は、画像読取装置の原稿台に置かれた原稿に対応する第１のデータと、前記原稿台を覆うカバーに対応する第２のデータとを含む画像データを取得する取得手段と、前記取得手段により取得された前記画像データに含まれる対象画素について、複数種類の光学的な特性のそれぞれに対応する信号値を特定する特定手段と、前記特定手段により前記対象画素に対して特定された前記複数種類の光学的な特性のそれぞれに対応する前記信号値のうちの、少なくとも２つの種類に対応する信号値を互いに比較することにより、前記画像データに対応する画像における前記第１のデータに対応する原稿領域を判定する判定手段と、を備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月30日(2014.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
軟骨伝導振動源と、局部的な突出のない外面と、振動の加速度または振幅が最も大きくなるよう前記軟骨伝導振動源の振動が伝達される前記外面上の軟骨接触部と、前記軟骨接触部におけるよりも小さい振動の加速度または振幅を呈する前記外面上の軟骨非接触部とを有することを特徴とする携帯電話。
【請求項２】
前記軟骨非接触部は、前記外面の上下中心軸からも左右中心軸からも外れた位置にあることを特徴とする請求項１記載の携帯電話。
【請求項３】
前記軟骨非接触部における振動の加速度または振幅は前記軟骨接触部における振動の加速度または振幅の１／４以下であることを特徴とする請求項１または２記載の携帯電話。
【請求項４】
前記軟骨非接触部における振動の加速度または振幅は前記軟骨接触部からの距離が増加するに従って単調減少することを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の携帯電話。
【請求項５】
軟骨伝導振動源と、外面と、前記外面の上下中心軸からも左右中心軸からも外れた位置に設定され振動の加速度または振幅が最も大きくなるよう前記軟骨伝導振動源の振動が伝達される前記外面上の軟骨接触部と、前記軟骨接触部におけるよりも小さい振動の加速度または振幅を呈する前記外面上の軟骨非接触部とを有することを特徴とする携帯電話。
【請求項６】
前記軟骨接触部は硬質材料で構成されるとともに携帯電話筐体に接触しないよう軟骨伝導振動源を保持し、前記軟骨接触部は弾性体を介して携帯電話筐体に保持されることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の携帯電話。
【請求項７】
軟骨伝導振動源と、筐体と、前記筐体に接触しないよう前記軟骨伝導振動源を保持する軟骨接触部と、前記軟骨接触部と携帯電話筐体の間に介在する防振材を有することを特徴とする携帯電話。
【請求項８】
前記軟骨接触部は硬質材料で構成されるとともに前記防振材は弾性体であることを特徴とする請求項７記載の携帯電話。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月17日(2015.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハイダイナミックレンジ画像を生成するための複数の画像の撮影を行うハイダイナミックレンジ撮影が可能な撮像装置であって、
撮像手段と、
前記撮像手段で得られる画像の被写体輝度に応じた適正露出をオーバー露出側に補正してハイダイナミックレンジ撮影用の適正露出を算出する適正露出算出手段と、
前記ハイダイナミックレンジ撮影用の適正露出で撮影した画像から得られる輝度情報と、前記ハイダイナミックレンジ撮影用の適正露出に対してアンダー露出で撮影した画像から得られる輝度情報とから、シーンのダイナミックレンジを算出するダイナミックレンジ算出手段と、
前記ダイナミックレンジ算出手段により算出される前記シーンのダイナミックレンジに基づいて、ハイダイナミックレンジ画像を生成するための複数の画像の撮影露出幅を決定する決定手段と、
を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記ダイナミックレンジ算出手段が、撮影開始指示に応答して前記ダイナミックレンジの算出を行うことを特徴とする請求項１記載の撮像装置。
【請求項３】
前記ハイダイナミックレンジ撮影において優先する輝度域を判定する判定手段を有し、
前記適正露出算出手段は、前記優先する輝度域が低輝度域であれば、前記被写体輝度に応じた適正露出をオーバー露出側に補正してハイダイナミックレンジ撮影用の適正露出を算出し、前記優先する輝度域が高輝度域であれば、前記被写体輝度に応じた適正露出をアンダー露出側に補正してハイダイナミックレンジ撮影用の適正露出を算出し、
前記ダイナミックレンジ算出手段は、前記優先する輝度域が低輝度域であれば、前記ハイダイナミックレンジ撮影用の適正露出で撮影した画像から得られる輝度情報と、前記ハイダイナミックレンジ撮影用の適正露出に対してオーバー露出で撮影した画像から得られる輝度情報とから、シーンのダイナミックレンジを算出し、前記優先する輝度域が高輝度域であれば、前記ハイダイナミックレンジ撮影用の適正露出で撮影した画像から得られる輝度情報と、前記ハイダイナミックレンジ撮影用の適正露出に対してアンダー露出で撮影した画像から得られる輝度情報とから、シーンのダイナミックレンジを算出することを特徴とする請求項１または請求項２記載の撮像装置。
【請求項４】
前記判定手段が、前記撮像装置に設定されているシーンモードの種類に応じて前記優先する輝度域を判定することを特徴とする請求項３記載の撮像装置。
【請求項５】
前記判定手段が、撮影で得られた画像の輝度情報に基づくシーン解析により前記優先する輝度域を判定することを特徴とする請求項３記載の撮像装置。
【請求項６】
前記判定手段が、前記画像の中心領域と周辺領域との輝度の差に基づいて前記シーン解析を行うことを特徴とする請求項５記載の撮像装置。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の撮像装置を内蔵もしくは接続した電子機器。
【請求項８】
合成画像を生成するための複数の画像の撮影を行う撮像装置であって、
撮像手段と、
前記撮像手段で得られる画像の被写体輝度に応じた基準露出を補正した第１の露出を算出する露出算出手段と、
前記第１の露出で撮影した画像から得られる輝度情報と、前記第１の露出と異なる露出で撮影した画像から得られる輝度情報とから、シーンの輝度分布情報を算出する輝度分布情報算出手段と、
前記輝度分布情報算出手段により算出される前記シーンの輝度分布情報に基づいて、合成画像を生成するための複数の画像の撮影露出幅を決定する決定手段と、
を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項９】
前記輝度分布情報算出手段は、前記第１の露出で撮影した画像から得られる輝度情報と、前記第１の露出及び前記基準露出と異なる露出で撮影した画像から得られる輝度情報とから、前記シーンの輝度分布情報を算出することを特徴とする請求項８に記載の撮像装置。
【請求項１０】
前記輝度分布情報算出手段は、前記第１の露出で撮影した画像から得られる輝度情報と、前記第１の露出及び前記基準露出と異なる露出であって、前記第１の露出との間に前記基準露出を含む露出で撮影した画像から得られる輝度情報とから、前記シーンの輝度分布情報を算出することを特徴とする請求項８に記載の撮像装置。
【請求項１１】
合成画像を生成するための複数の画像の撮影において優先する輝度域を判定する判定手段を有し、
前記露出算出手段は、前記優先する輝度域に応じて前記第１の露出を算出することを特徴とする請求項８から請求項１０のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１２】
前記判定手段が、前記撮像装置に設定されているシーンモードの種類に応じて前記優先する輝度域を判定することを特徴とする請求項１１記載の撮像装置。
【請求項１３】
前記判定手段が、撮影で得られた画像の輝度情報に基づくシーン解析により前記優先する輝度域を判定することを特徴とする請求項１１記載の撮像装置。
【請求項１４】
前記判定手段が、画像の中心領域と周辺領域との輝度の差に基づいて前記シーン解析を行うことを特徴とする請求項１３記載の撮像装置。
【請求項１５】
請求項８から請求項１４のいずれか１項に記載の撮像装置を内蔵もしくは接続した電子機器。
【請求項１６】
ハイダイナミックレンジ画像を生成するための複数の画像の撮影を行うハイダイナミックレンジ撮影が可能な撮像手段を有する撮像装置の制御方法であって、
適正露出算出手段が、前記撮像手段で得られる画像の被写体輝度に応じた適正露出をオーバー露出に補正してハイダイナミックレンジ撮影用の適正露出を算出する適正露出算出工程と、
ダイナミックレンジ算出手段が、前記ハイダイナミックレンジ撮影用の適正露出で撮影した画像から得られる輝度情報と、前記ハイダイナミックレンジ撮影用の適正露出に対してアンダー露出で撮影した画像から得られる輝度情報とから、シーンのダイナミックレンジを算出するダイナミックレンジ算出工程と、
決定手段が、前記シーンのダイナミックレンジに基づいて、ハイダイナミックレンジ画像を生成するための複数の画像の撮影露出幅を決定する決定工程と、
を有することを特徴とする撮像装置の制御方法。
【請求項１７】
合成画像を生成するための複数の画像の撮影を行う撮像手段を有する撮像装置の制御方法であって、
前記撮像手段で得られる画像の被写体輝度に応じた基準露出を補正した第１の露出を算出する露出算出工程と、
前記第１の露出で撮影した画像から得られる輝度情報と、前記第１の露出と異なる露出で撮影した画像から得られる輝度情報とから、シーンの輝度分布情報を算出する輝度分布情報算出工程と、
前記輝度分布情報算出工程で算出される前記シーンの輝度分布情報に基づいて、合成画像を生成するための複数の画像の撮影露出幅を決定する決定工程と、
を有することを特徴とする撮像装置の制御方法。
【請求項１８】
撮像装置が有するコンピュータに、請求項１６または１７記載の撮像装置の制御方法の各工程を実行させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月19日(2015.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面および下面に貫通する少なくとも２つの溝（貫通溝）空間を有する導電体基板、前記導電体基板の上面（第１面）に付着した絶縁体基板（第１面絶縁体基板）および前記導電体基板の下面（第２面）に付着した絶縁体基板（第２面絶縁体基板）から構成されることを特徴とする静電容量型マイクロホンであって、
隣接する２つの貫通溝（第１貫通溝および第２貫通溝）を横方向（導電体基板の厚さ方向に対して略直角方向）に隔てる導電体基板（第１基板側壁）を一方の電極（第１基板側壁容量電極）とし、
前記第１基板側壁容量電極と前記隣接する貫通溝のうちの１つ（第１貫通溝）を挟んで対向し、前記第１基板側壁容量電極と電気的に導通しない導電体基板の側壁（第２基板側壁）を他方の対向電極（第２基板側壁容量電極）とし、これらの第１基板側壁容量電極および第２基板側壁容量電極の間の第１貫通溝（空間）を静電容量空間とし、
前記第１基板側壁容量電極が音波により振動し変位することにより前記第１貫通溝空間の静電容量が変化することを用いて音波を検出することを特徴とし、さらに
第１基板側壁容量電極は、その上面が第１面絶縁体基板に付着、および／またはその下面が第２面絶縁体基板に付着していること、および／または
第２基板側壁容量電極は、その上面が第１面絶縁体基板に付着、および／またはその下面が第２面絶縁体基板に付着していること、を特徴とする、静電容量型マイクロホン。
【請求項２】
上面および下面に貫通する少なくとも２つの溝（貫通溝）空間を有する導電体基板、前記導電体基板の上面（第１面）に付着した絶縁体基板（第１面絶縁体基板）および前記導電体基板の下面（第２面）に付着した絶縁体基板（第２面絶縁体基板）から構成されることを特徴とする静電容量型センサであって、
隣接する２つの貫通溝（第１貫通溝および第２貫通溝）を横方向（導電体基板の厚さ方向に対して略直角方向）に隔てる導電体基板（第１基板側壁）を一方の電極（第１基板側壁容量電極）とし、
前記第１基板側壁容量電極と前記隣接する貫通溝のうちの１つ（第１貫通溝）を挟んで対向し、前記第１基板側壁容量電極と電気的に導通しない導電体基板の側壁（第２基板側壁）を他方の対向電極（第２基板側壁容量電極）とし、これらの第１基板側壁容量電極および第２基板側壁容量電極の間の第１貫通溝（空間）を静電容量空間とし、
前記第１基板側壁容量電極が力量（加速度、角速度、または圧力等）により振動し変位することにより前記第１貫通溝空間の静電容量が変化することを用いて力量（加速度、角速度、または圧力等）を検出することを特徴とし、さらに
第１基板側壁容量電極は、その上面が第１面絶縁体基板に付着、および／またはその下面が第２面絶縁体基板に付着していること、および／または
第２基板側壁容量電極は、その上面が第１面絶縁体基板に付着、および／またはその下面が第２面絶縁体基板に付着していること、を特徴とする、静電容量型力量センサ。
【請求項３】
主基板上に形成した絶縁性ポリマーの上面に開口した少なくとも２つの隣接する凹部（第１凹部および第２凹部）を有し、前記主基板の上面に付着した薄板基板を有する静電容量型力量センサであって、
隣接する２つの凹部を横方向（絶縁性ポリマーの厚さ方向に対して略直角方向）に隔てる絶縁性ポリマーの基板側壁（第１基板側壁）（の側面）上に形成した導電体膜を一方の電極（第１基板側壁容量電極）とし、
前記第１基板側壁容量電極と前記隣接する凹部のうちの１つ（第１凹部）を挟んで対向し、前記第１基板側壁容量電極と電気的に導通しない絶縁性ポリマーの基板側壁（第２基板側壁）の側面上に形成した導電体膜を他方の対向電極（第２基板側壁容量電極）とし、これらの第１基板側壁容量電極および第２基板側壁容量電極の間の第１凹部空間を静電容量空間とし、
前記第１基板側壁容量電極が力量（加速度、角速度、または圧力等）により振動し変位することにより前記第１凹部空間の静電容量が変化することを用いて力量（加速度、角速度、または圧力等）を検出することを特徴とし、
さらに
第１基板側壁は、その上面が薄板基板に付着していること、および／または
第２基板側壁は、その上面が薄板基板に付着していること、
を特徴とする静電容量型力量センサ。
【請求項４】
基板の第１面（表面）から第２面（裏面）に向かい、基板面（第１面および第２面）に対して略垂直に形成された凹部または貫通孔を用いることを特徴とする電気二重層キャパシタであって、隣接する凹部または貫通孔の間に形成される基板側壁と、前記凹部または貫通孔のうちの少なくとも１つの凹部において前記基板側壁と対向する他の基板側壁とを対向電極とする電気二重層キャパシタであり、前記対向する基板側壁電極間の前記凹部または貫通孔内に電解質を有することを特徴とする電気二重層キャパシタ。
【請求項５】
圧電体基板の第１面（表面）から第２面（裏面）に向かい、基板面（第１面および第２面）に対して略垂直に形成された凹部または貫通孔を用いることを特徴とする微小発電機であって、隣接する凹部によって形成される基板側壁の両側面に形成した導電体膜・電極を２つの電極とし、前記基板側壁が変形することによって基板側壁の両側面に発生する電荷を前記導電体膜・電極で集めて発電することを特徴とする微小発電機。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月13日(2015.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電圧と低雑音の第２の電圧との間で遷移するパルス信号を生成する信号生成部と、
前記パルス信号と出力ノードの電圧との間の電圧差を保持する電圧保持部と、
前記パルス信号の遷移に対応して前記出力ノードの電圧を第３の電圧に設定することにより画素選択信号を生成し、前記出力ノードから出力する電圧設定部と、
前記画素選択信号によって駆動される撮像部と
を備えた撮像装置。
【請求項２】
前記電圧設定部は、オン状態になることにより前記画素選択信号を前記第３の電圧に設定するスイッチを有する
請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記スイッチは、前記パルス信号が前記第２の電圧から前記第１の電圧に遷移するタイミングを含む第１の期間においてオン状態になる
請求項２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記電圧設定部は、オン状態になることにより前記画素選択信号を前記第３の電圧に設定するダイオードを有する
請求項１に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記電圧設定部は、オン状態になることにより、前記画素選択信号の電圧をリセットするリセットスイッチをさらに有する
請求項４に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記リセットスイッチは、前記パルス信号が前記第２の電圧である期間のうちの第２の期間においてオン状態になる
請求項５に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記第２の期間は、前記パルス信号が前記第２の電圧から前記第１の電圧に遷移する直前に設けられている
請求項６に記載の撮像装置。
【請求項８】
前記リセットスイッチは、前記パルス信号に複数のパルスが現れるごとにオン状態になる
請求項６または請求項７に記載の撮像装置。
【請求項９】
前記電圧設定部は、一端が前記出力ノードに接続され、他端に前記第２の電圧が供給された抵抗素子をさらに有する
請求項４に記載の撮像装置。
【請求項１０】
前記ダイオードのアノードは前記出力ノードに接続され、カソードには前記第３の電圧に対応する電圧が供給されている
請求項４から請求項９のいずれか一項に記載の撮像装置。
【請求項１１】
前記第２の電圧は接地電圧である
請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載の撮像装置。
【請求項１２】
前記電圧保持部は容量素子を含む
請求項１から請求項１１のいずれか一項に記載の撮像装置。
【請求項１３】
第１の電圧と低雑音の第２の電圧との間で遷移するパルス信号と、出力ノードの電圧との間の電圧差を保持し、
前記パルス信号の遷移に対応して前記出力ノードの電圧を第３の電圧に設定することにより画素選択信号を生成して、前記出力ノードから出力し、
前記画素選択信号により撮像部を駆動する
撮像装置の駆動方法。
【請求項１４】
撮像装置と、
前記撮像装置により得られた撮像画像を表示する表示装置と
を備え、
前記撮像装置は、
第１の電圧と低雑音の第２の電圧との間で遷移するパルス信号を生成する信号生成部と、
前記パルス信号と出力ノードの電圧との間の電圧差を保持する電圧保持部と、
前記パルス信号の遷移に対応して前記出力ノードの電圧を第３の電圧に設定することにより画素選択信号を生成し、前記出力ノードから出力する電圧設定部と、
前記画素選択信号によって駆動される撮像部と
を有する撮像表示システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
撮像部１１は、入射した撮像光に応じて電気信号を発生させるものである。この撮像部１１では、入射した撮像光の光量に応じた電荷量の信号電荷を発生して内部に蓄積する光電変換部（後述する光電変換素子２１）を有する画素（撮像画素）２０が、マトリックス状に２次元配置されている。なお、図１中に示したように、以下、撮像部１１内における水平方向を“Ｈ”方向とし、垂直方向を“Ｖ”方向として説明する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
この１垂直期間Ｔｖでは、まず、タイミングｔ２１〜ｔ２２の露光期間Ｔexにおいて、図１０に示したように露光動作が行われる。すなわち、撮像光Ｌinが撮像部１１へ入射すると、各画素２０内の光電変換素子２１では、この撮像光Ｌinが信号電荷に変換（光電変換）される。そして、この信号電荷が画素２０内の蓄積ノード容量Ｃｓに蓄積され、蓄積ノード電圧Ｖｎが徐々に変化する（図１３中の矢印Ｐ３１参照）。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１９】
まず、タイミングｔ７１において、信号Ｓ１が低レベルから高レベルに変化する（図３０（Ａ））。これにより、バッファ回路４１の出力信号Ｓboutは、低レベル（接地電圧ＧＮＤ）から高レベル（電圧ＶＤＤ１）に変化する（図３０（Ｂ））。これに応じて、行走査信号Ｖreadは立ち上がり、ダイオード６３がオン状態になる電圧ＶＤＤ３＋Ｖon（高レベル電圧ＶＨ）でクランプされる（図３０（Ｃ））。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３８】
図３３（Ｃ）は、本変形例に係るドライバ７６Ｃの一構成例を表すものであり、上記第２の実施の形態の変形例２−１に係るドライバ７６（図２９）に対して本変形を施したものである。ドライバ７６Ｃは、行走査信号Ｖreadの低レベル電圧ＶＬを設定するためのダイオード８４と、行走査信号Ｖreadの電圧の変動を抑えるための抵抗８６を有している。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月10日(2015.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
移動可能なセンサを含む移動可能に配置された読取部と、
原稿台に置かれた原稿を前記読取部を移動させて読み取る第１の読取機構と、
前記読取部に対して原稿を搬送して原稿を読み取る第２の読取機構と、
前記第１の読取機構と前記第２の読取機構を駆動する共通の駆動源と、
前記第１の読取機構と前記第２の読取機構に、前記共通の駆動源からの駆動力をそれぞれ伝達する伝達手段と、
前記共通の駆動源の回転方向を変えることなく、前記第２の読取機構の回転を正転から逆転に切換える切換手段と、を備え、前記切換手段は前記読取部の移動により動作される
ことを特徴とする画像読取装置。
【請求項２】
前記読取部の移動量と移動方向に応じて前記切換手段が動作されることを特徴とする請求項１に記載の画像読取装置。
【請求項３】
前記切換手段により切換わる認識部をさらに有し、前記認識部が、前記読取部に読取られることにより、前記第２の読取機構の正転と逆転が識別されることを特徴とする請求項１または２に記載の画像読取装置。
【請求項４】
前記認識部を、前記読取部が前記切換手段を動作させる場合の前記読取部の位置と、前記原稿を搬送して読み取る場合の前記読取部の位置との間の位置に配置したことを特徴とする請求項３に記載の画像読取装置。
【請求項５】
前記読取部の移動方向の位置を補正するための、あるいは読取画像の処理において色補正を行うための基準板を、前記読取部を移動させて前記原稿を読み取る場合の前記読取部の位置と、前記原稿を搬送して読み取る場合の前記読取部の位置との間の位置に配置したことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の画像読取装置。
【請求項６】
前記切換手段は、前記読取部が前記切換手段に接触したときに、前記第２の読取機構の回転方向を切換えることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の画像読取装置。
【請求項７】
前記切換手段は、前記読取部が前記切換手段の一部を押したときに、前記第２の読取機構の回転方向を切換えることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の画像読取装置。
【請求項８】
前記切換手段は、前記読取部が前記切換手段を逆方向に通過したときに、前記第２の読取機構の回転方向を切換えることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の画像読取装置。
【請求項９】
前記伝達手段は、前記共通の駆動源の駆動力を前記第２の読取機構に伝え、前記切換手段は、前記駆動力の前記第２の駆動機構への伝達経路を変えることにより、前記第２の読取機構の回転方向を切換えることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の画像読取装置。
【請求項１０】
前記切換手段は、前記第２の読取機構の回転方向を逆転から正転に切り替えることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の画像読取装置。
【請求項１１】
記録紙に画像を印刷するプリンタ部をさらに備えることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の画像読取装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明に係わる画像読取装置は、移動可能なセンサを含む移動可能に配置された読取部と、原稿台に置かれた原稿を前記読取部を移動させて読み取る第１の読取機構と、前記読取部に対して原稿を搬送して原稿を読み取る第２の読取機構と、前記第１の読取機構と前記第２の読取機構を駆動する共通の駆動源と、前記第１の読取機構と前記第２の読取機構に、前記共通の駆動源からの駆動力をそれぞれ伝達する伝達手段と、前記共通の駆動源の回転方向を変えることなく、前記第２の読取機構の回転を正転から逆転に切換える切換手段と、を備え、前記切換手段は前記読取部の移動により動作されることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月13日(2014.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像形成データに含まれているオブジェクトに基づいて、画素毎に黒色及び有彩色の少なくとも何れか一方の第１階調値を特定することにより第１画像データを生成するとともに、当該オブジェクトが配置されている領域において画素を特定し、当該特定された画素の第２階調値が予め定められた階調値よりも大きくなるように、第２画像データを生成する画像処理部と、
前記第１画像データに基づいて、黒色及び有彩色の少なくとも何れか一方の現像剤を用いて第１画像を形成するとともに、前記第２画像データに基づいて、白色の現像剤を用いて第２画像を形成する画像形成部と、を備えること
を特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記画像処理部は、前記特定された画素において、前記第１階調値が小さいほど、前記第２階調値が大きくなるように前記第２画像データを生成すること
を特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記画像処理部は、前記特定された画素において、前記第１階調値が「０」である場合に、前記第２階調値を「０」よりも大きな値となるように前記第２画像データを生成すること
を特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記オブジェクトのタイプ毎に、前記第２画像データの生成方法を示す白設定情報を記憶する状態記憶部を更に備え、
前記画像処理部は、前記白設定情報で示される生成方法に従って前記第２画像データを生成すること
を特徴とする請求項１から３の何れか一項に記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記生成方法には、前記オブジェクトが配置される領域に含まれる全ての画素の中から、画素を特定する第１方法と、前記オブジェクトが配置される領域に含まれ、かつ、前記オブジェクトとして描画される輪郭により囲まれた領域に含まれる画素の中から、画素を特定する第２方法とが含まれること
を特徴とする請求項４に記載の画像形成装置。
【請求項６】
前記オブジェクトのタイプには、テキスト、グラフィック及びイメージが含まれること
を特徴とする請求項４又は５に記載の画像形成装置。
【請求項７】
前記白設定情報を入力する入力部を更に備えること
を特徴とする請求項４から６の何れか１項に記載の画像形成装置。
【請求項８】
前記画像形成部は、前記第２画像を前記第１画像よりも下層に形成すること
を特徴とする請求項１から７の何れか１項に記載の画像形成装置。
【請求項９】
前記画像処理部は、
前記画像形成データを解析することで、前記オブジェクトを特定するコマンド解析部と、
前記コマンド解析部で特定されたオブジェクトに基づいて、前記第１画像データ及び前記第２画像データを生成する展開部と、を備えること
を特徴とする請求項１から８の何れか一項に記載の画像形成装置。
【請求項１０】
前記コマンド解析部は、前記画像形成データを解析することで、前記オブジェクトを描画するための描画数値データと、前記オブジェクトのタイプとを特定すること
を特徴とする請求項９に記載の画像形成装置。
【請求項１１】
前記画像処理部は、前記コマンド解析部により特定されたオブジェクトの中間コードを生成する中間コード作成部をさらに備え、
前記展開部は、前記中間コード作成部で作成された中間コードにより、前記第１画像データ及び前記第２画像データを生成すること
を特徴とする請求項９又は１０に記載の画像形成装置。
【請求項１２】
前記展開部は、
前記第１画像データを生成する第１画像データ生成部と、
前記第２画像データを生成する第２画像データ生成部と、を備えること
を特徴とする請求項９から１１の何れか一項に記載の画像形成装置。
【請求項１３】
画像形成データに含まれているオブジェクトに基づいて、画素毎に黒色及び有彩色の少なくとも何れか一方の第１階調値を特定することにより第１画像データを生成するとともに、当該オブジェクトが配置されている領域において画素を特定し、当該特定された画素の第２階調値が予め定められた階調値よりも大きくなるように、第２画像データを生成する画像処理過程と、
前記第１画像データに基づいて、黒色及び有彩色の少なくとも何れか一方の現像剤を用いて第１画像を形成するとともに、前記第２画像データに基づいて、白色の現像剤を用いて第２画像を形成する画像形成過程と、を有すること
を特徴とする画像形成方法。
【請求項１４】
画像形成データに含まれるオブジェクトに基づいて第１画像データを生成するとともに、当該オブジェクトが配置されている領域において階調値が所定値以下の画素を特定して、当該特定した画素について白色の現像剤を用いる第２画像データを生成すること
を特徴とするデータ生成方法。
【請求項１５】
画像形成データに含まれるオブジェクトに基づいて第１画像データを生成するとともに、当該オブジェクトが配置されている領域において階調値が「０」の画素を特定して、当該特定した画素について白色の現像剤を用いる第２画像データを生成すること
を特徴とする請求項１４に記載のデータ生成方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像形成装置、画像形成方法及びデータ生成方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、画像形成装置、画像形成方法及びデータ生成方法に関する。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月14日(2014.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可変表示を行う可変表示手段に特定表示結果が導出表示されたときに遊技者にとって有利な有利状態に制御する遊技機であって、
前記有利状態に制御される可能性を示唆する示唆演出を実行する示唆演出実行手段を備え、
前記示唆演出実行手段は、複数の示唆画像を選択肢として表示し、該選択肢のうちから選択した前記示唆画像に対応する演出を実行する特別演出実行手段を含み、
前記特別演出実行手段は、前記複数の示唆画像を表示した後、前記複数の示唆画像を含む１つの特定画像と新たな示唆画像とを選択肢として表示する
ことを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、可変表示を行う可変表示手段に特定表示結果が導出表示されたときに遊技者にとって有利な有利状態に制御するパチンコ機やスロット機などの遊技機に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、演出の過程において有利状態に対する期待感を変化させる遊技機を提供することを目的とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
（１）本発明による遊技機は、可変表示を行う可変表示手段（例えば、特別図柄表示器８ａ，８ｂ）に特定表示結果（例えば、大当り図柄）が導出表示されたときに遊技者にとって有利な有利状態（例えば、大当り遊技状態）に制御する遊技機であって、有利状態に制御される可能性を示唆する示唆演出（例えば、図２９に示す演出）を実行する示唆演出実行手段（例えば、演出制御用マイクロコンピュータ１００において、ステップＳ８２４，Ｓ８２７，Ｓ８２８，Ｓ８２９，Ｓ８３０，Ｓ８３１〜Ｓ８３３，Ｓ８４１〜Ｓ８４３の処理を実行する部分）を備え、示唆演出実行手段は、複数の示唆画像（例えば、図２９に示す示唆画像９ａ〜９ｈ）を選択肢として表示し、選択肢のうちから選択した示唆画像に対応する演出（例えば、複数の示唆画像を含む特定画像９ｉ，９ｊの表示）を実行する特別演出実行手段（例えば、演出制御用マイクロコンピュータ１００において、ステップＳ５３３〜Ｓ５３６，Ｓ８３１〜Ｓ８３３，Ｓ８４１〜Ｓ８４３の処理を実行する部分）を含み、特別演出実行手段は、複数の示唆画像を表示した後、複数の示唆画像を含む１つの特定画像（例えば、特定画像９ｉ，９ｊ）と新たな示唆画像（例えば、図２９（Ｃ）に示す示唆画像９ｃ，９ｄ、図２９（Ｄ）に示す示唆画像９ｅ，９ｆ，９ｇ，９ｈ）とを選択肢として表示することを特徴とする。
そのような構成によれば、示唆演出の過程において遊技者の期待感を変化させことができ、さらに、選択肢を認識しやすいという効果を得ることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
（４）上記の（１）〜（３）の遊技機において、特別演出実行手段は、特定画像に含まれない示唆画像を、特定画像に含まれる示唆画像に比べて、高い割合で最終的に選択する（例えば、演出制御用マイクロコンピュータ１００が、最終画像を、特定画像に含まれる示唆画像には含ませないような選択処理を行う）ように構成されていてもよい。
そのような構成によれば、示唆画像に対する注目度を高めることができ、示唆画像に対する遊技者の期待感を高めることができる。
（５）上記の（１）〜（４）の遊技機において、有利状態に制御されることを予告する予告演出（例えば、可変表示中に実行される演出であって、当該可変表示の表示結果を予告する演出）を実行する予告演出実行手段（例えば、演出制御用マイクロコンピュータ１００で実現される）と、所定期間に亘って所定の演出が連続して行われる連続演出（例えば、先読み予告演出や擬似連演出）を実行する連続演出実行手段（例えば、演出制御用マイクロコンピュータ１００で実現される）とを備え、連続演出は、第１連続演出と、第１連続演出が実行されるときに比べて、表示結果が特定表示結果になるときに実行頻度が高い第２連続演出とを含み、予告演出実行手段は、演出態様が異なる複数の予告演出のいずれかを実行し、連続演出実行手段は、第１連続演出を開始した後、予告演出実行手段により実行されている予告演出の演出態様の違いに応じて異なる割合で、第１連続演出の中途から第２連続演出に移行させる連続演出態様変更手段（例えば、演出制御用マイクロコンピュータ１００で実現される）を含むように構成されていてもよい。
そのような構成によれば、第１連続演出よりも特定表示結果の期待度が高い第２連続演出が開始されなくても、遊技者を、第２連続演出に期待させることができる。
（６）上記の（１）〜（５）の遊技機において、遊技者にとって有利な有利価値（例えば、確変状態）を付与する価値付与手段（例えば、遊技制御用マイクロコンピュータ５６０で実現される）と、所定期間に亘って所定の演出が連続して行われる連続演出（例えば、先読み予告演出や擬似連演出）を実行する連続演出実行手段（例えば、演出制御用マイクロコンピュータ１００で実現される）とを備え、連続演出は、第１連続演出と、第１連続演出が実行されるときに比べて、表示結果が特定表示結果になるときに実行頻度が高い第２連続演出とを含み、連続演出実行手段は、第１連続演出を開始した後、第１連続演出の中途から第２連続演出に移行させる連続演出態様変更手段（例えば、演出制御用マイクロコンピュータ１００で実現される）を含み、価値付与手段は、連続演出態様変更手段がいずれのタイミングで第２連続演出に移行に移行させたかに応じて、有利価値を付与する割合を異ならせる（例えば、確変状態に移行する場合に、演出制御用マイクロコンピュータ１００は、高い割合で第２連続演出に移行に移行させる）ように構成されていてもよい。
そのような構成によれば、第１連続演出よりも特定表示結果の期待度が高い第２連続演出が開始されなくても、遊技者を、第２連続演出に期待させることができる。
（７）上記の（１）〜（６）の遊技機において、所定期間に亘って所定の演出が連続して行われる連続演出（例えば、先読み予告演出や擬似連演出）を実行する連続演出実行手段（例えば、演出制御用マイクロコンピュータ１００で実現される）を備え、連続演出は、第１連続演出と、第１連続演出が実行されるときに比べて、表示結果が特定表示結果になるときに実行頻度が高い第２連続演出とを含み、連続演出実行手段は、第１連続演出を実行するときに、演出態様が異なる複数の第１連続演出のいずれかを実行し、連続演出実行手段は、第１連続演出を開始した後、第１連続演出の演出態様の違いに応じて異なる割合で、第１連続演出の中途から第２連続演出に移行させる連続演出態様変更手段を含む（例えば、演出制御用マイクロコンピュータ１００で実現される）ように構成されていてもよい。
そのような構成によれば、第１連続演出よりも特定表示結果の期待度が高い第２連続演出が開始されなくても、遊技者を、第２連続演出に期待させることができる。