【事件の表示】
　平成１１年特許願第　３４４７０号「光電変換装置および放射線読取装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年１１月　５日出願公開、特開平１１−３０７７５６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成１１年２月１２日（特許法第４１条に基づく優先権主張、平成１０年２月２０日）の出願であって、平成１８年３月１４日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年４月１７日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年５月１５日付けで手続補正がなされ、その後、当審において、平成２０年７月４日付けで審尋がなされ、同年９月４日に回答書が提出されたものである。
　
第２．平成１８年５月１５日付けの手続補正についての却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成１８年５月１５日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１．平成１８年５月１５日付けの手続補正について
１−１．補正の内容
　平成１８年５月１５日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１ないし３０を、補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし１２と補正し、補正前の明細書の００１１段落及び００１２段落を、補正後の明細書の００１１段落及び００１２段落と補正するものであり、その内、補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし１２は、以下のとおりである。
　「【請求項１】　絶縁性支持体上に２次元状に配列された複数の画素を有し、前記画素は、光電変換素子と、該光電変換素子に発生した電荷を受けるゲートと、該ゲートに蓄積された前記電荷に応じた信号を信号線に読み出すためのソース又はドレインと、前記絶縁性支持体上に準備された非単結晶半導体層と、を有する増幅用薄膜トランジスタである読出用電界効果トランジスタと、前記読出用電界効果トランジスタの前記ソース又はドレインに接続された選択用電界効果トランジスタと、前記ゲートをリセットするためのリセット用電界効果トランジスタと、を備え、放射線を吸収して前記光電変換素子が検知可能な波長帯域の光を放出する波長変換体を前記光電変換素子上に有する放射線読取装置であって、
　前記光電変換素子は、前記読出用電界効果トランジスタ、前記選択用電界効果トランジスタ、および前記リセット用電界効果トランジスタの少なくとも一つの上部に配置されていることを特徴とする放射線読取装置。
【請求項２】　前記選択用電界効果トランジスタは、前記読出用電界効果トランジスタと電源との間に設けられ、前記選択用電界効果トランジスタと前記リセット用電界効果トランジスタは夫々前記絶縁性支持体上に準備された非単結晶半導体層を有する薄膜トランジスタで構成されていることを特徴とする請求項１に記載の放射線読取装置。
【請求項３】　前記選択用電界効果トランジスタと前記リセット用電界効果トランジスタ、及び前記読出用電界効果トランジスタの少なくとも１つが前記非単結晶半導体層としてアモルファスシリコンを用いて構成していることを特徴とする請求項２に記載の放射線読取装置。
【請求項４】　前記選択用電界効果トランジスタと前記リセット用電界効果トランジスタ、及び前記読出用電界効果トランジスタの少なくとも１つが前記非単結晶半導体層としてポリシリコンを用いて構成していることを特徴とする請求項２に記載の放射線読取装置。
【請求項５】　前記光電変換素子は、前記絶縁性支持体上に準備された非単結晶半導体層を有することを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の放射線読取装置。
【請求項６】　絶縁性支持体上に２次元状に配列された複数の画素を有し、前記画素は、光電変換素子と、該光電変換素子に発生した電荷を受けるゲートと、該ゲートに蓄積された前記電荷に応じた信号を信号線に読み出すためのソース又はドレインと、前記絶縁性支持体上に準備された非単結晶半導体層を有する読出用電界効果トランジスタと、前記ゲートをリセットするためのリセット用電界効果トランジスタと、前記読出用電界効果トランジスタの前記ソース又はドレインに接続された選択用電界効果トランジスタと、を含む増幅回路を備え、放射線を吸収して前記光電変換素子が検知可能な波長帯域の光を放出する波長変換体を前記光電変換素子上に有する放射線読取装置であって、
　前記光電変換素子は、前記増幅回路と前記波長変換体との間に配置されていることを特徴とする放射線読取装置。
【請求項７】　前記増幅回路はソースホロワ回路である請求項６に記載の放射線読取装置。
【請求項８】　前記非単結晶半導体層はアモルファスシリコン又はポリシリコンである請求項６又は７に記載の放射線読取装置。
【請求項９】　前記選択用電界効果トランジスタと前記リセット用電界効果トランジスタは夫々前記絶縁性支持体上に準備された非単結晶半導体層を有する薄膜トランジスタで構成されていることを特徴とする請求項６から８のいずれか１項に記載の放射線読取装置。
【請求項１０】　前記選択用電界効果トランジスタと前記リセット用電界効果トランジスタ、及び前記読出用電界効果トランジスタの少なくとも１つが前記非単結晶半導体層としてアモルファスシリコンを用いて構成していることを特徴とする請求項９に記載の放射線読取装置。
【請求項１１】　前記選択用電界効果トランジスタと前記リセット用電界効果トランジスタ、及び前記読出用電界効果トランジスタの少なくとも１つが前記非単結晶半導体層としてポリシリコンを用いて構成していることを特徴とする請求項９に記載の放射線読取装置。
【請求項１２】　前記光電変換素子は、前記絶縁性支持体上に準備された非単結晶半導体層を有することを特徴とする請求項６から１１のいずれか１項に記載の放射線読取装置。」
　
１−２．補正事項の整理
　特許請求の範囲の補正を整理すると以下のとおりである。
（補正事項ａ）
　補正前の請求項１０を、補正後の請求項１に繰り上げるとともに、「【請求項１】　絶縁性支持体上に２次元状に配列された複数の画素を有し、前記画素は、光電変換素子と、該光電変換素子に発生した電荷を受けるゲートと、該ゲートに蓄積された前記電荷に応じた信号を信号線に読み出すためのソース又はドレインと、前記絶縁性支持体上に準備された非単結晶半導体層と、を有する増幅用薄膜トランジスタである読出用電界効果トランジスタと、前記読出用電界効果トランジスタの前記ソース又はドレインに接続された選択用電界効果トランジスタと、前記ゲートをリセットするためのリセット用電界効果トランジスタと、を備え、放射線を吸収して前記光電変換素子が検知可能な波長帯域の光を放出する波長変換体を前記光電変換素子上に有する放射線読取装置であって、　前記光電変換素子は、前記読出用電界効果トランジスタ、前記選択用電界効果トランジスタ、および前記リセット用電界効果トランジスタの少なくとも一つの上部に配置されていることを特徴とする放射線読取装置。」と補正したこと。
（補正事項ｂ）
　補正前の請求項１１を、補正後の請求項２に繰り上げるとともに、「【請求項２】　前記選択用電界効果トランジスタは、前記読出用電界効果トランジスタと電源との間に設けられ、前記選択用電界効果トランジスタと前記リセット用電界効果トランジスタは夫々前記絶縁性支持体上に準備された非単結晶半導体層を有する薄膜トランジスタで構成されていることを特徴とする請求項１に記載の放射線読取装置。」と補正したこと。
（補正事項ｃ）
　補正前の請求項１２ないし１４を、補正後の請求項３ないし５に繰り上げるとともに、「【請求項３】　前記選択用電界効果トランジスタと前記リセット用電界効果トランジスタ、及び前記読出用電界効果トランジスタの少なくとも１つが前記非単結晶半導体層としてアモルファスシリコンを用いて構成していることを特徴とする請求項２に記載の放射線読取装置。　【請求項４】　前記選択用電界効果トランジスタと前記リセット用電界効果トランジスタ、及び前記読出用電界効果トランジスタの少なくとも１つが前記非単結晶半導体層としてポリシリコンを用いて構成していることを特徴とする請求項２に記載の放射線読取装置。　【請求項５】　前記光電変換素子は、前記絶縁性支持体上に準備された非単結晶半導体層を有することを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の放射線読取装置。」と補正したこと。
（補正事項ｄ）
　補正前の請求項２５を、補正後の請求項６に繰り上げるとともに、「【請求項６】　絶縁性支持体上に２次元状に配列された複数の画素を有し、前記画素は、光電変換素子と、該光電変換素子に発生した電荷を受けるゲートと、該ゲートに蓄積された前記電荷に応じた信号を信号線に読み出すためのソース又はドレインと、前記絶縁性支持体上に準備された非単結晶半導体層を有する読出用電界効果トランジスタと、前記ゲートをリセットするためのリセット用電界効果トランジスタと、前記読出用電界効果トランジスタの前記ソース又はドレインに接続された選択用電界効果トランジスタと、を含む増幅回路を備え、放射線を吸収して前記光電変換素子が検知可能な波長帯域の光を放出する波長変換体を前記光電変換素子上に有する放射線読取装置であって、　前記光電変換素子は、前記増幅回路と前記波長変換体との間に配置されていることを特徴とする放射線読取装置。」と補正したこと。
（補正事項ｅ）
　補正前の請求項２３を、補正後の請求項７に繰り上げるとともに、「【請求項７】　前記増幅回路はソースホロワ回路である請求項６に記載の放射線読取装置。」と補正したこと。
（補正事項ｆ）
　補正前の請求項２６を、補正後の請求項８に繰り上げるとともに、「【請求項８】　前記非単結晶半導体層はアモルファスシリコン又はポリシリコンである請求項６又は７に記載の放射線読取装置。」と補正したこと。
（補正事項ｇ）
　補正前の請求項１８を、補正後の請求項９に繰り上げるとともに、「【請求項９】　前記選択用電界効果トランジスタと前記リセット用電界効果トランジスタは夫々前記絶縁性支持体上に準備された非単結晶半導体層を有する薄膜トランジスタで構成されていることを特徴とする請求項６から８のいずれか１項に記載の放射線読取装置。」と補正したこと。
（補正事項ｈ）
　補正前の請求項１９を、補正後の請求項１０に繰り上げるとともに、「【請求項１０】　前記選択用電界効果トランジスタと前記リセット用電界効果トランジスタ、及び前記読出用電界効果トランジスタの少なくとも１つが前記非単結晶半導体層としてアモルファスシリコンを用いて構成していることを特徴とする請求項９に記載の放射線読取装置。」と補正したこと。
（補正事項ｉ）
　補正前の請求項２０を、補正後の請求項１１に繰り上げるとともに、「【請求項１１】　前記選択用電界効果トランジスタと前記リセット用電界効果トランジスタ、及び前記読出用電界効果トランジスタの少なくとも１つが前記非単結晶半導体層としてポリシリコンを用いて構成していることを特徴とする請求項９に記載の放射線読取装置。」と補正したこと。
（補正事項ｊ）
　補正前の請求項７を、補正後の請求項１２に繰り下げるとともに、「【請求項１２】　前記光電変換素子は、前記絶縁性支持体上に準備された非単結晶半導体層を有することを特徴とする請求項６から１１のいずれか１項に記載の放射線読取装置。」と補正したこと。
（補正事項ｋ）
　補正前の請求項１ないし６、８、９、１５ないし１７、２１、２２、２４、及び２７ないし３０を削除すること。
　
２．補正の目的の適否についての検討
２−１．補正事項ｇについて
　補正後の請求項９は補正後の請求項６ないし８を択一的に引用するものである。そして、補正後の請求項６、７、８は、各々補正前の請求項２５、２３、２６に対応するものであり、補正前の請求項２５、２３、及び２６は、独立請求項である補正前の請求項２２を直接的又は間接的に引用するものである。
　しかしながら、補正後の請求項９は、請求人が審判請求書の請求の理由の「【本願発明が特許されるべき理由】（２）補正の内容及び根拠」において述べているように、補正前の請求項１８を基に新たに作成されたものであり、補正前の請求項２２及びそれを引用する請求項である請求項２３ないし２６のいずれかの請求項に係る発明について、発明特定事項を限定したものではない。
　また、補正前の請求項１８を含め、補正前の請求項２２ないし２６以外の全ての請求項について検討しても、補正後の請求項９が、補正前の請求項２２ないし２６以外のいずれかの請求項に係る発明について、発明特定事項を限定したものということはできない。
　したがって、補正事項ｇについての補正は、特許法（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法をいう。以下において、特許法第１７条の２第４項に言及する場合について同様。）第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当しない。
　また、当該補正が、特許法第１７条の２第４項のその余のいずれの号に掲げる事項を目的とするものにも該当しないことは明らかである。
　したがって、補正事項ｇについての補正は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしていない。
　
２−２．補正事項ｈ及びｉについて
　補正後の請求項１０及び１１は、補正後の請求項９を引用するものであり、また、補正後の請求項９は、補正後の請求項６ないし８を択一的に引用するものである。
　そして、補正後の請求項６、７、８は、各々補正前の請求項２５、２３、２６に対応するものであり、補正前の請求項２５、２３、及び２６は、独立請求項である補正前の請求項２２を直接的又は間接的に引用するものである。
　しかしながら、補正後の請求項１０及び１１は、請求人が審判請求書の請求の理由の「【本願発明が特許されるべき理由】（２）補正の内容及び根拠」において述べているように、補正前の請求項１９及び２０を基に新たに作成されたものであり、補正前の請求項２２及びそれを引用する請求項である請求項２３ないし２６のいずれかの請求項に係る発明について、発明特定事項を限定したものではない。
　また、補正前の請求項１９及び２０を含め、補正前の請求項２２ないし２６以外の全ての請求項について検討しても、補正後の請求項１０又は１１が、補正前の請求項２２ないし２６以外のいずれかの請求項に係る発明について、発明特定事項を限定したものということはできない。
　したがって、補正事項ｈ及びｉについての補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当しない。
　また、当該補正が、特許法第１７条の２第４項のその余のいずれの号に掲げる事項を目的とするものにも該当しないことは明らかである。
　したがって、補正事項ｈ及びｉについての補正は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしていない。
　
２−３．補正事項ｊについて
　　補正後の請求項１２は、補正後の請求項６ないし１１を択一的に引用するものである。そして、これらの請求項の内、補正後の請求項６が独立請求項であり、補正後の請求項７ないし１１は請求項６を直接的または間接的に引用するものである。
　そして、独立請求項である補正後の請求項６は、補正前の請求項２５に対応するものであり、補正前の請求項２５は、独立請求項である補正前の請求項２２を引用するものである。
　しかしながら、補正後の請求項１２は、請求人が審判請求書の請求の理由の「【本願発明が特許されるべき理由】（２）補正の内容及び根拠」において述べているように、補正前の請求項７を基に新たに作成されたものであり、補正前の請求項２２及びそれを引用する請求項である請求項２３ないし２６のいずれかの請求項に係る発明について、発明特定事項を限定したものではない。
　また、補正前の請求項７を含め、補正前の請求項２２ないし２６以外の全ての請求項について検討しても、補正後の請求項１２が、補正前の請求項２２ないし２６以外のいずれかの請求項に係る発明について、発明特定事項を限定したものということはできない。
　したがって、補正事項ｊについての補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当しない。
　また、当該補正が、特許法第１７条の２第４項のその余のいずれの号に掲げる事項を目的とするものにも該当しないことは明らかである。
　したがって、補正事項ｊについての補正は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしていない。
　
　以上のとおりであるから、補正事項ｇないしｊについての補正を含む本件補正は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしていない。
　
３．補正の却下の決定についてのむすび
　以上検討したとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３．本願発明
　平成１８年５月１５日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし３０に係る発明は、平成１７年１１月１１日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし３０に記載された事項により特定されるとおりのものであり、その内の請求項１に係る発明は、請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。
　「【請求項１】　絶縁性支持体上に２次元状に配列された複数の画素を有し、前記画素は、光電変換素子と、該光電変換素子に発生した信号電荷に応じた信号を信号線に読み出すために前記絶縁性支持体上に準備された非単結晶半導体層を有する読出用電界効果トランジスタと、を少なくとも備える光電変換装置であって、
　前記読出用電界効果トランジスタは、前記信号電荷を受けるゲートと、該ゲートに蓄積された前記信号電荷に応じた前記信号を前記信号線に読み出すためのソース又はドレインと、を有する増幅用薄膜トランジスタであることを特徴とする光電変換装置。」
　
第４．刊行物に記載された発明
１．刊行物１：特開平４−３３４８２号公報
１−１．原審の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に日本国内において頒布された特開平４−３３４８２号公報（以下、「刊行物１」という。）には、第１図とともに、「固体撮像素子」（発明の名称）に関して、以下の事項が記載されている。
　
　「第１図は、本実施例に係る固体撮像素子（Ａ）、特に画素の構造がフォトダイオードで発生した光信号電荷に応じた電位をＭＯＳ　ＦＥＴ（ＭＯＳ型電界効果トランジスタ）のゲートに印加して電流増幅を行なうタイプの増幅型固体撮像素子（Ａ）を示す回路図である。
　この固体撮像素子（Ａ）の各画素（１）は、フォトダイオード（Ｄ）と、夫々ＭＯＳ　ＦＥＴ　で構成された増幅用トランジスタ（Ｔａ）、水平スイッチングトランジスタ（Ｔｘ）及びリセット手段（２）である水平リセット用トランジスタ（ＴＲｘ）、垂直リセット用トランジスタ（ＴＲｙ）とを有して成り、これら画素（１）がマトリクス状に配列されて固体撮像素子（Ａ）のイメージ部（３）を構成する。」（第３頁左上欄第１６行ないし右上欄第１０行）
  「次に、各画素（１）の構成を説明すると、各画素（１）におけるフォトダイオード（Ｄ）の一端子は、増幅用トランジスタ（Ｔａ）のゲートに接続され、フォトダイオード（Ｄ）で発生した光信号電荷に基づく電位が増幅用トランジスタ（Ｔａ）のゲートに印加されるようになされている。また、増幅用トランジスタ（Ｔａ）には、水平スイッチングトランジスタ（Ｔｘ）が直列に接続されると共に、水平スイッチングトランジスタ（Ｔｘ）のゲートには水平走査回路（５）からの列選択線（ｌｘ）が接続され、更にこの水平スイッチングトランジスタ（Ｔｘ）のドレインは第１垂直走査回路（４ａ）からの水平信号線（ｌｓ）が接続される。また、フォトダイオード（Ｄ）の一端子は、上記増幅用トランジスタ（Ｔａ）のほか、水平リセット用トランジスタ（ＴＲｘ）にも接続される。この水平リセット用トランジスタ（ＴＲｘ）は、直列に接続される垂直リセット用トランジスタ（ＴＲｙ）と共にリセット手段（２）を構成する。」（第３頁右下欄第１行ないし第１９行）
　
１−２．また、刊行物１において、「水平スイッチングトランジスタ（Ｔｘ）」の接続関係についてみると、「更にこの水平スイッチングトランジスタ（Ｔｘ）のドレインは第１垂直走査回路（４ａ）からの水平信号線（ｌｓ）が接続される。」（第３頁右下欄第１１行ないし第１３行）という記載、及び第１図から、水平スイッチングトランジスタ（Ｔｘ）は、ソース、ドレインが、各々増幅用トランジスタ（Ｔａ）のソース又はドレイン、水平信号線（ｌＳ）に接続される構成となっていることは明らかである。
　したがって、以上の記載を総合すると、刊行物１には、以下の発明が記載されているものと認められる。
　「マトリクス状に配列された複数の画素（１）を有し、前記各画素（１）は、フォトダイオード（Ｄ）と、ＭＯＳＦＥＴで構成された増幅用トランジスタ（Ｔａ）とを含み、前記各画素（１）における前記フォトダイオード（Ｄ）の一端子は、前記増幅用トランジスタ（Ｔａ）のゲートに接続され、前記フォトダイオード（Ｄ）で発生した光信号電荷に基づく電位が前記増幅用トランジスタ（Ｔａ）のゲートに印加されるようになされ、前記増幅用トランジスタ（Ｔａ）のソース又はドレインが、水平スイッチングトランジスタ（Ｔｘ）のソースに接続され、この水平スイッチングトランジスタ（Ｔｘ）のドレインが、水平信号線（ｌＳ）に接続されていることを特徴とする固体撮像素子。」
　
２．刊行物２：国際公開第９７／１４１８６号パンフレット
　原審の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に日本国内において頒布された国際公開第９７／１４１８６号パンフレット（以下、「刊行物２」という。）には、「有機及び無機パシベーション層からなる画像センサ」（発明の名称の訳文）に関して、図１ないし図３とともに、以下の事項が記載されている。
　
　「ここで特に図面を参照するに、図１は、本発明による画像検出器の基本的な作動原理を示す。
　図１に示されるように、電磁放射線Ｒは、感光性素子２０からなる画像検出器１００の上に入射される。この例では、感光性素子は、可視光線からなる電磁放射線Ｒに応ずる感光性ダイオードからなる。アレー２は、図１では、この場合はダイオード２０の寄生又は自己容量を示すコンデンサ２０ｂと並列のダイオード２０ａとして示される単一の感光性素子２０によって系統的に示されているが、検出器のダイナミックレンジを改善するよう追加的なコンデンサを含んでもよい。ダイオード２０ａの陰極として示される感光性ダイオード２０の第１の電極２１は、以下説明されるように共通線４０に接続され、一方ダイオード２０ａの陽極として示される感光性ダイオード２０の第２の電極２２は、関連するスイッチング素子３０の第２の電極３２、この例では薄膜トランジスタ３０のドレイン電極に接続される。薄膜トランジスタ３０の制御又はゲート電極３３は、行導体４１に接続され、一方薄膜トランジスタ３０の第１の又はソース電極３１は、列導体を通って従来の種類の電荷に敏感な読み出し増幅器４３に接続される。欧州特許出願第４４０２８２号に記載されている種類の読み出し装置もまた使用されうる。
　図２は、光検出器アレー２の領域の回路設計を系統的に示す。この例では、アレー２は、画像検出器が人間又は動物の体の領域の診断用のＸ線画像を検出するために使用される場合に必要とされる分解能の質を達成するため、典型的には２００μｍ（マイクロメートル）以下のピッチ及び４００ｍｍｘ４００ｍｍまでの全体的な大きさを有する光ダイオード２０の２次元のアレーからなる。典型的には、アレーは、２０００ｘ２０００の画素のアレーである。便宜上、図２には、アレーの一部分のみが詳しく示されている。
　薄膜トランジスタスイッチング素子３０は、（３行及び３列のみが図示されている）１−ｍ行及び１−ｎ列のマトリックスに配置されており、所与の行の各トランジスタのゲートは、行ドライバ又はデコーダ／アドレッシング回路４４の同じ行導体４１に接続され、所与の列の各トランジスタのソースは、図１に示されるような読み出し増幅器４３を含む列デコーダ／アドレッシング回路４５の同じ列導体４２に接続される。図２の実線４６は、光検出器アレー２の電磁放射線検出領域の範囲を示す。」（第６頁第５行ないし第７頁第１１行の訳文）
　「以下、特に図３を参照して、画像検出器の構造について詳述する。
　基板１は、一般的にガラスの基板である、絶縁基板である。第１の金属化層は、基板の上に提供され、トランジスタ３０の制御又はゲート電極を画成するようパターン化されている。この金属化層は、クロム層を付着させることによって提供されうる。
　次に、一般的に二酸化ケイ素又は窒化ケイ素の層である絶縁層４が付着され、続いてトランジスタ３０の真性導体チャネル領域を形成する真性半導体層５、及び任意にエッチング止め層６が付着される。エッチング止め層６は、一般的に窒化ケイ素層であり、エッチング止めとして働くよう各トランジスタ３０の中央領域の上の領域を残すため、マスク及び従来の写真平版及びエッチング技術を利用してパターン化された絶縁層である。次に、一般的にｎ伝導性型のドープド半導体層７が付着され、続いて第２の金属化レベル又は層８が付着される。層７及び８は、トランジスタ端子３１，３２を画成するようパターン化されている。ドープド半導体層７は、ソース及びドレイン接触領域を形成するが、これは形成される必要はなく、真性半導体層５によって形成されたトランジスタのチャネル上に直接付着された金属化層を有し、層７は事実上省略されうる。
　ドープド半導体層７は、例えばアモルファス又は多結晶質半導体ケイ素といった、真性半導体層５と同じ材料から形成されうる。第２の金属化層は、クロム層でありえ、更に層８の伝導性を増加させるよう、図３に示されるパターン化されたアルミニウム層を含みうる。
　他のトランジスタ形状もまた使用されうるが、薄膜トランジスタは、このようにして形成される。更に、スイッチング装置は、ゲート制御信号を供給する代わりに、行及び列導体に対して適当な電圧レベルを印加することで切り替えられるダイオードからなる。
　厚い絶縁層９は、トランジスタの上に付着される。この絶縁層は、典型的には５μｍ以上の厚さ及び低い誘電定数を有する。
　上述のように、低い誘電定数を有する厚いポリイミド層の利点は、画素電極２２（感光性素子の上部）と、読み出し電極３１（薄膜トランジスタのソース）との間に導入された追加的な容量は最小に維持されるということである。ポリイミド層は、既知の技術を用いて充分に平坦な上面を有する充分な厚さまで付着されうる。絶縁層は、感光性素子２０がスイッチング素子３０と重なることを許し、装置の感光性領域が可能な限り大きくなることを可能にする。
　本発明による追加的な絶縁障壁層１０は、絶縁層９の上に付着され、イオン障壁層として働くよう、高密度の分子形状を有する。障壁層は、プラズマＣＶＤ（化学蒸着）過程によって付着された窒化ケイ素の層であることが望ましく、プラズマエッチング段階を使用して形作られる。そのような窒化ケイ素層を形成する過程は、当業者によって既知である。スパッタリング過程によって付着されうる酸化金属層といった他の障壁層が考慮されうる。この障壁層は、感光性素子の、出願人によって感光性素子の性能を時間の経過とともに劣化させることが見いだされたポリイミド層からの汚染を防ぐ。
　例えばクロム層でありうる金属層２１は、障壁層１０の上に付着され、この層は、感光性素子の共通電極を画成する。感光性素子はアモルファスケイ素ダイオードからなり、既知の技術を使用して構成される。示された例では、ダイオードは、第１の電極２１の上に、（第１の電極２１に隣接してｎ伝導性型の層を有する）ｎ−ｉ−ｐダイオード構造２０ａからなる。第２の電極２２は、例えばＩＴＯ層といった透明な導体によって形成されている。
  実質的に障壁層１０の中にエッチングされた開口に対応する孔が第１の電極層２１の中にエッチングされる。次に、感光性素子２０及び共通電極２１のさらされた端をパシベートするため、絶縁層１１が付着される。絶縁層９の中に、トランジスタのドレイン３２と、関連する感光性素子２０の上部電極２２との要求された接続を可能にするチャネルＣを形成するため、続けて絶縁層９の中に孔がエッチングされる。チャネルＣは、溝が掘られた形状で、第１の電極層２１の孔及び障壁層１０の開口の下に画成される。この形状は、プラズマエッチングによって形成されうる。最後に、金属化は、光ダイオード２０の最も上の接触２２及びトランジスタ３０のドレイン電極３２の間の共通接続１２を作るために使用される。この金属化層はまた、伝導性を改善するアルミニウム被膜を有するクロム層からなる。」（第７頁第１８行〜第９頁第２７行の訳文）
　
３．刊行物３：特開平５−４８８２５号公報
　原審の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に日本国内において頒布された特開平５−４８８２５号公報（以下、「刊行物３」という。）には、図１ないし図４とともに、「カラ−画像読取用イメ−ジセンサ」（発明の名称）に関して、以下の事項が記載されている。
　
　「【０００７】
【実施例】以下、本発明に係るカラ−画像読取用イメ−ジセンサの一実施例について図１乃至図３を参照しながら説明する。ここで、図１はカラ−画像読取用イメ−ジセンサの一実施例における平面図、図２は図１のＡ−Ａ線拡大断面図、図３は図１のＢ−Ｂ線断面図である。このカラ−画像読取用イメ−ジセンサは、基本的には、ガラス等の絶縁基板１の上に形成された下部フォトダイオ−ドＢと、この下部フォトダイオ−ドＢの上に積層された上部フォトダイオ−ドＡとからなるものであるが、本実施例においては、下部フォトダイオ−ドＢと絶縁基板１との間には、第１薄膜電界効果トランジスタ（以下、「第１ＴＦＴ」と略称する。）２が配されている。この第１ＴＦＴ２は、下部フォトダイオ−ドＢに接続されて、下部フォトダイオ−ドＢからの画素信号を選択して外部回路に出力する役割を果たすものであるが、必ずしも下部フォトダイオ−ドＢと絶縁基板１との間に配されなければならないものでなく、また、スイッチング機能を有するものであれば、特に、ＴＦＴに限られず、他の素子でもよいものである。尚、上部フォトダイオ−ドＡにも同様の機能を果たす第２ＴＦＴ３が接続されており、上部及び下部フォトダイオ−ドＡ，Ｂが配された部位の近傍に設けられている。
【０００８】また、このカラ−画像読取用イメ−ジセンサは、一次元配列のいわゆるラインタイプのイメ−ジセンサであっても、また、二次元配列のイメ−ジセンサのいずれであってもよいものである。絶縁基板１の上には、第１絶縁層４が配されており、この第１絶縁層４は、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜により形成されているものである。そして、この第１絶縁層４上に第１ＴＦＴ２の一部を形成する第１半導体層５、ｎ+ オ−ミック層６及び第２電極７が順に積層されている。ここで、第１半導体層５は、例えば、水素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）から、第２電極７は、例えば、クロム（Ｃｒ）から、それぞれなるものである。尚、ＴＦＴそれ自体は公知・周知であり、本発明の要旨とは直接関係しないので、ここでの説明は以上に止め、その詳細な説明は省略する。」（０００７段落ないし０００８段落）
　
４．刊行物４：特開平４−３７３１７２号公報
　原審の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に日本国内において頒布された特開平４−３７３１７２号公報（以下、「刊行物４」という。）には、図１ないし図３、図５ないし図７、図１４、及び図１５とともに、「イメージセンサ」（発明の名称）に関して、以下の事項が記載されている。
　
　「【請求項３】　基板上に半導体層を上部電極と下部電極で挟んで形成される受光素子と、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を具備する薄膜トランジスタと、採光部とを有するセンサ部が２次元に配列されたイメージセンサにおいて、前記薄膜トランジスタの上に絶縁層を介して前記受光素子が形成され、前記絶縁層に設けた接続口で前記受光素子の前記下部電極と前記薄膜トランジスタの前記ドレイン電極とを接続したことを特徴とするイメージセンサ。」（特許請求の範囲の請求項３）
　「【０００２】
【従来の技術】従来の密着型イメージセンサとしては、受光素子を含むセンサ部の集合体を原稿の幅と同程度の長さを持つようにライン状に形成した１次元の受光素子アレイを有し、原稿と密着して用いられる１次元密着型イメージセンサがあった。
【０００３】このイメージセンサのセンサ部は、図１４のイメージセンサの断面説明図に示すように、透明な基板１上に形成された光電変換部である受光素子（フォトダイオード）２、スイッチング素子である薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）３から構成され、入射した光が原稿５の面で反射されて受光素子２の受光部に達し、ここで反射光はその照度に応じて電気信号に変換され、薄膜トランジスタ３のＯＮ／ＯＦＦにより順次読み出されるものである（特開昭６３−９３５８号公報参照）。
【０００４】ここで、従来のイメージセンサにおけるセンサ部の受光素子と薄膜トランジスタの具体的構成について、図１４を使って説明する。受光素子２は、図１４に示すように、ガラス等の絶縁性の基板１上に形成された下部共通電極となるクロム（Ｃｒ）等による金属電極１１と、各受光素子毎に分割形成された水素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）から成る光導電層１２と、同様に分割形成された酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）から成る上部電極の透明電極１３とが順次積層するサンドイッチ型を構成している。
【０００５】尚、ここでは下部電極の金属電極１１は主走査方向に連続的に形成され、金属電極１１の上に光導電層１２が離散的に分割して形成され、上部電極の透明電極１３も同様に離散的に分割して個別電極となるよう形成されており、光導電層１２を金属電極１１と透明電極１３で挟んだ部分が各受光素子２を形成している。
【０００６】また、薄膜トランジスタ３の構成は、図１４に示すように、前記基板１上にゲート電極２１としてのクロム（Ｃｒ１）層、ゲート絶縁層２０としてのシリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）、半導体活性層１９としての水素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）層、ゲート電極２１に対向するよう設けられたトップ絶縁層２３としてのシリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）、オーミックコンタクト層１８としてのｎ＋　水素化アモルファスシリコン（ｎ＋ａ−Ｓｉ：Ｈ）層、ドレイン電極１７とソース電極１６としてのクロム（Ｃｒ２）層、その上に層間絶縁層１４としてポリイミド層、更にその上に配線層２２またはトップ絶縁層２３の上部においてはａ−Ｓｉ：Ｈ層の遮光用としてのアルミニウム（Ａｌ）の遮光層２２′とを順次積層した逆スタガ構造のトランジスタである。
【０００７】また、従来のイメージセンサとしては、図１５の平面説明図に示すように透明基板上に受光素子が２次元のマトリクス状に配列され、２次元の領域を順次１行毎に読み取ることができる２次元密着型イメージセンサも提案されている。
【０００８】この２次元密着型イメージセンサは、受光素子を有するセンサ部を行方向と列方向の２次元に配置して形成されたセンサ部エリアと、各行または各列を選択的に走査するＧａｔｅ線及びＤａｔａ線を含む走査回路から構成されている。２次元密着型イメージセンサにおいては、採光を基板裏面から行う必要があるため、図１５の平面説明図に示すように、受光素子２と薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）３に加えて採光部４を各センサ部内に設けている（特開昭６４−６２９８０号公報参照）。」（０００２段落ないし０００８段落）
　「【００２４】
【実施例】本発明の一実施例について図面を参照しながら説明する。本実施例のイメージセンサは、図１の等価回路図に示すように、ガラス等の絶縁性の基板１上に形成された複数の受光素子（フォトダイオード）２から成る長尺状の受光素子アレイと、各受光素子に１対１に対応する複数個の薄膜トランジスタ３から成る電荷転送部と共通信号線７及び駆動用ＩＣ８から構成されている。
【００２５】本実施例のイメージセンサでは、原稿面で反射した反射光を受光素子２にて受光してその受光量に応じて電荷が発生し、各受光素子２に発生した電荷は、各薄膜トランジスタ３をブロック毎にオンすることにより共通信号線７を介して駆動用ＩＣ８に転送され、画像信号として出力されるようになっている。
【００２６】ここで、１対の受光素子と薄膜トランジスタの組（画素）の構成について説明する。図２は本発明の一実施例に係るイメージセンサの１画素の平面説明図、図３は図２のＡ−Ａ′部分の断面説明図である。
尚、図１４及び図１５と同様の構成をとる部分については同一の符号を使って説明する。
【００２７】本実施例のイメージセンサの画素は、ガラス等の絶縁性の基板１上に形成された受光素子２と、絶縁層を挟んで受光素子２の上部に形成された薄膜トランジスタ３及び配線とで構成されている。
【００２８】受光素子２は、図２、図３に示すように、ガラス等の基板１上に酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）から成る下部共通電極としての透明電極１３と、水素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）から成る光導電層１２と、Ｃｒ等による上部電極の金属電極１１とが順次積層するサンドイッチ型を構成している。ここでは、共通電極としての透明電極１３は主走査方向に帯状に形成され、透明電極１３の上に光導電層１２が主走査方向に離散的に分割して形成され、同様に上部電極の金属電極１１も主走査方向に離散的に分割して形成されることにより、光導電層１２を透明電極１３と金属電極１１とで挟んだ部分が各受光素子を構成している。
【００２９】また、受光素子２全体を覆うように透明な絶縁層１４が形成され、さらにその上に薄膜トランジスタ３が形成される構成となっている。絶縁層１４には、コンタクトホール１５が設けられており、受光素子２の金属電極１１と薄膜トランジスタ３のドレイン電極１７とを接続している。
【００３０】薄膜トランジスタ３は、絶縁層１４の上にソース電極１６及びドレイン電極１７としてのクロム（Ｃｒ２）層、オーミックコンタクト層１８としてのｎ＋水素化アモルファスシリコン（ｎ＋　ａ−Ｓｉ：Ｈ）層、半導体活性層１９としての水素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）層、その上にゲート絶縁層２０、さらにその上にゲート電極２１とソース電極１６からの配線２２としての共通のアルミニウム（Ａｌ）層を順次積層したスタガ型のトランジスタである。
【００３１】そして、上記の構成のイメージセンサにおいて、原稿の表面で反射されて基板１の裏側から入射した光は受光素子２の受光部に達し、ここで反射光の照度に応じた電荷が発生して、薄膜トランジスタ３のＯＮ／ＯＦＦにより順次読み出されるようになっている。」（００２４ないし００３１段落）
　「【００３９】本実施例では受光素子の上に薄膜トランジスタを形成しているが、応用例として、図５の断面説明図に示すように、透明基板１の上に形成された逆スタガ型の薄膜トランジスタ３の上に受光素子２を積層した構造も考えられる。」（００３９段落）
　「【００４２】上記別の実施例のイメージセンサのセンサ部は、図６の平面説明図と図６のＢ−Ｂ′部分の断面説明図である図７に示すように、ガラス等の絶縁性の基板１上に形成された薄膜トランジスタ３と、絶縁層を介して薄膜トランジスタ３の上部に形成された受光素子２と、採光部４と配線とで構成されている。
【００４３】薄膜トランジスタ３は、ガラス等の基板１上にクロム（Ｃｒ１）から成るゲート電極２１を形成し、その上に絶縁層２０を介して半導体活性層１９としての水素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）層、ゲート電極２１と対向するようにトップ絶縁層２３としてのシリコン窒化膜（ＳｉＮｘ　）層、オーミックコンタクト層としてのｎ＋　ａ−Ｓｉ：Ｈ層、ソース電極１６・ドレイン電極１７としてのクロム（Ｃｒ２）層を順次積層した逆スタガ型のトランジスタである。
【００４４】その上に、センサ部全体を覆うように透明な絶縁層１４が形成され、さらにその上に受光素子２が形成されている。絶縁層１４にはコンタクトホール１５が設けられており、薄膜トランジスタのドレイン電極１７と受光素子の下部電極である金属電極１１とを接続し、またソース電極１６と配線２２とを接続している。」（００４２段落ないし００４４段落）
　「【００７１】請求項３記載の発明によれば、薄膜トランジスタの上に絶縁層を介して受光素子を形成し、薄膜トランジスタのドレイン電極と受光素子の下部電極とを接続して積層構造のセンサ部とし、センサ部内で採光部以外の構成部分が占める面積を小さくし、センサ部を２次元に配列したイメージセンサとしているので、十分な採光部を確保しても画素面積を小さくすることができるため、画素密度を高くして、解像度を向上させ、更に高感度とすることができる効果がある。」（００７１段落）
　
第５．対比
１．本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）と刊行物１に記載された発明（以下、「刊行物発明」という。）とを対比すると、刊行物発明の「マトリクス状」、「画素（１）」は、各々本願発明の「２次元状」、「画素」に相当する。
　また、刊行物発明の「フォトダイオード（Ｄ）」、「水平信号線（ｌＳ）」は、それぞれ、本願発明の「光電変換素子」、「信号線」に相当する。
　また、刊行物発明の「増幅用トランジスタ（Ｔａ）」は、本願発明の「該光電変換素子に発生した信号電荷に応じた信号を信号線に読み出すため」の「読出用電界効果トランジスタ」に相当するとともに、本願発明の「前記読出用電界効果トランジスタは、前記信号電荷を受けるゲートと、該ゲートに蓄積された前記信号電荷に応じた前記信号を前記信号線に読み出すためのソース又はドレインと、を有する増幅用」「トランジスタ」に相当する。
　また、刊行物発明の「固体撮像素子」は、本願発明の「光電変換装置」に相当する。
　
２．したがって、本願発明と刊行物発明とは、
　「２次元状に配列された複数の画素を有し、前記画素は、光電変換素子と、該光電変換素子に発生した信号電荷に応じた信号を信号線に読み出すための読出用電界効果トランジスタと、を少なくとも備える光電変換装置であって、
　前記読出用電界効果トランジスタは、前記信号電荷を受けるゲートと、該ゲートに蓄積された前記信号電荷に応じた前記信号を前記信号線に読み出すためのソース又はドレインと、を有する増幅用トランジスタであることを特徴とする光電変換装置。」
　
　である点で一致し、以下の点で相違する。
（相違点１）
　本願発明は、「２次元状に配列された複数の画素」を「絶縁性支持体上に」有するのに対して、刊行物発明は、本願発明の「２次元状に配列された複数の画素」に相当する「マトリクス状に配列された複数の画素（１）」を有するものの、当該「画素（１）」を「絶縁性支持体上に」有することについて特定されていない点。
　
（相違点２）
　本願発明は、「読出用電界効果トランジスタ」が「前記絶縁性支持体上に準備された非単結晶半導体層を有する」のに対して、刊行物発明は、本願発明の「読出用電界効果トランジスタ」に相当する「増幅用トランジスタ（Ｔａ）」を有するものの、当該「増幅用トランジスタ（Ｔａ）」が、「前記絶縁性支持体上に準備された非単結晶半導体層を有する」ことについて特定されていない点。
　
（相違点３）
　本願発明は、「増幅用」「トランジスタ」が「薄膜トランジスタ」であるのに対して、刊行物発明は、「増幅用トランジスタ（Ｔａ）」が、薄膜トランジスタであることについて特定されていない点。
　
第６．当審における判断
　上記相違点１ないし３について、以下に検討する。
１．相違点１について
１−１．一般に、画像センサの技術分野において、２次元状に配列された画素を絶縁基板上に配置することは、例えば、以下のとおり、刊行物２ないし４に記載されており、当業者における慣用技術である。
　
ａ．刊行物２の図２には、画素のアレーが記載されており、当該画素のアレーは、本願発明の「２次元状に配列された複数の画素」、及び刊行物発明の「マトリクス状に配列された複数の画素（１）」に相当する。
　そして、画素のアレーの内の１つの画素部分である画素検出器の構造を示した図３には、「一般的にガラスの基板である、絶縁基板」（第７頁第２０行の訳文）上に画素が形成されていることが記載されている。
　
ｂ．刊行物３には、「このカラ−画像読取用イメ−ジセンサは、・・・二次元配列のイメ−ジセンサのいずれであってもよいものである。」（０００８段落）ことが記載されており、当該「二次元配列のイメ−ジセンサ」は、本願発明の「２次元状に配列された複数の画素」、及び刊行物発明の「マトリクス状に配列された複数の画素（１）」に相当する。
　そして、刊行物３には、「イメ−ジセンサは、基本的には、ガラス等の絶縁基板１の上に形成」（０００７段落）されていることが記載されている。
　
ｃ．刊行物４には、「センサ部が２次元に配列されたイメージセンサ」（請求項３）が記載されており、当該「イメージセンサ」は、本願発明の「２次元状に配列された複数の画素」、及び刊行物発明の「マトリクス状に配列された複数の画素（１）」に相当する。
　そして、刊行物４には、「本実施例のイメージセンサは、」「ガラス等の絶縁性の基板１上に形成された」（００２４段落）ものであることが記載されている。
　
１−２．したがって、刊行物発明に対して刊行物２ないし４に記載された慣用技術を適用し、刊行物発明において、「マトリクス状に配列された複数の画素（１）」をガラス等の絶縁基板の上に形成すること、すなわち、本願発明の如く、「絶縁性支持体上に２次元状に配列された複数の画素を有」するように構成することは、当業者が容易になし得た事項である。
　
２．相違点２及び３について
２−１．一般に、画像センサの技術分野において、必要となる種々のトランジスタを、画素が形成される絶縁基板上に設けた非単結晶層を有する薄膜トランジスタによって実現することは、例えば、以下のとおり、刊行物２ないし４に記載されており、当業者における慣用技術である。
　
ａ．刊行物２には、「薄膜トランジスタ３０」が記載されており、刊行物２の「基板１は、一般的にガラスの基板である、絶縁基板である。第１の金属化層は、基板の上に提供され、トランジスタ３０の制御又はゲート電極を画成するようパターン化されている。この金属化層は、クロム層を付着させることによって提供されうる。」（第７頁第２０行ないし第２３行の訳文）、及び図３等の記載から、当該「薄膜トランジスタ３０」は、「一般的にガラスの基板である、絶縁基板」上に形成されていることが明らかである。
　また、「薄膜トランジスタ３０」は、非単結晶層である「例えばアモルファス又は多結晶質半導体ケイ素」（第８頁第８ないし９行の訳文）を有するものである。
　そして、上記の「１．相違点１について」において検討したように、刊行物２には、画素が「一般的にガラスの基板である、絶縁基板」の上に形成されていることが記載されている。
　以上を総合すると、刊行物２には、画素が形成された「一般的にガラスの基板である、絶縁基板」上に設けた非単結晶層である「例えばアモルファス又は多結晶質半導体ケイ素」を有する「薄膜トランジスタ３０」が記載されている。
　
ｂ．刊行物３には、「このカラ−画像読取用イメ−ジセンサは、基本的には、ガラス等の絶縁基板１の上に形成された下部フォトダイオ−ドＢと、この下部フォトダイオ−ドＢの上に積層された上部フォトダイオ−ドＡとからなるものであるが、本実施例においては、下部フォトダイオ−ドＢと絶縁基板１との間には、第１薄膜電界効果トランジスタ（以下、「第１ＴＦＴ」と略称する。）２が配されている。」（０００７段落）と記載されており、刊行物３には、「第１薄膜電界効果トランジスタ」「２」を「ガラス等の絶縁基板１」上に形成することが記載されている。
　そして、当該「第１薄膜電界効果トランジスタ」「２」は、非単結晶層である「水素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）」（０００８段落）を有するものである。
　さらに、上記の「１．相違点１について」において検討したように、刊行物３には、「イメ−ジセンサは、基本的には、ガラス等の絶縁基板１の上に形成」（０００７段落）されていることが記載されている。
　以上を総合すると、刊行物３には、「二次元配列のイメ−ジセンサ」が形成された「ガラス等の絶縁基板１の上に形成」された非単結晶層である「水素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）」を有する「第１薄膜電界効果トランジスタ」「２」が記載されていることが明らかである。
　
ｃ．刊行物４には、「このイメージセンサのセンサ部は、図１４のイメージセンサの断面説明図に示すように、透明な基板１上に形成された光電変換部である受光素子（フォトダイオード）２、スイッチング素子である薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）３から構成され」（０００３段落）と記載されており、ここにおける「透明な基板１」とは、「ガラス等の絶縁性の基板１」（０００４段落）のことであるから、刊行物４には、「薄膜トランジスタ３」を「ガラス等の絶縁性の基板１」上に形成することが記載されている。
　そして、刊行物４の「薄膜トランジスタ３」は、非単結晶層である「半導体活性層１９としての水素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）層」（０００６段落）を有するものである。
　さらに、上記の「１．相違点１について」において検討したように、刊行物４には、「本実施例のイメージセンサは、」「ガラス等の絶縁性の基板１上に形成された」（００２４段落）ものであることが記載されいる。
　したがって、以上を総合すると、刊行物４には、「本実施例のイメージセンサ」が形成された「ガラス等の絶縁性の基板１上に形成された」非単結晶層である「半導体活性層１９としての水素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）層」を有する「薄膜トランジスタ３」が記載されていることが明らかである。
　
２−２．したがって、刊行物発明に対して刊行物２ないし４に記載された慣用技術を適用し、刊行物発明において、「増幅用トランジスタ（Ｔａ）」を、「マトリクス状に配列された複数の画素（１）」が形成された絶縁基板上に設けた非単結晶層を有する薄膜トランジスタにより実現すること、すなわち、「増幅用トランジスタ（Ｔａ）」を、本願発明の如く、「前記絶縁性支持体上に準備された非単結晶半導体層を有する」「薄膜トランジスタ」とすることは、当業者が容易になし得た事項である。
　
　よって、本願発明は、刊行物２ないし４に記載された慣用技術を勘案することにより、刊行物発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第７．むすび
　以上検討したとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。