【事件の表示】
　特願２００４−１６７９３４「試料解析方法および装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年１１月１８日出願公開、特開２００４−３２５４６０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成９年１０月１日に出願した特願平９−２６８３６３号の一部を，平成１６年６月７日に新たな特許出願としたものであって，平成１９年９月２８日付けで拒絶査定がされ，これに対し，同年１０月３１日に拒絶査定不服審判の請求がされるとともに，同年１１月３０日付けで手続補正がされたものである。
　
第２　平成１９年１１月３０日付けの手続補正についての補正の却下の決定
　
　［補正却下の決定の結論］
　　平成１９年１１月３０日付けの手続補正を却下する。
　
　［理由］
１　補正後の本願発明
　平成１９年１１月３０日付けの手続補正（以下，「本件補正」という。）は，特許請求の範囲を補正するものであって，そのうち請求項１についてする補正は，補正前（平成１８年６月９日付け手続補正書。以下同様。なお，本願については，平成１９年２月５日付けで手続補正がされたが，これは同年９月２８日付けの補正の却下の決定により却下された。）の特許請求の範囲の
「【請求項１】
　試料室内の試料にイオンビームを照射する照射光学系と、
前記試料に前記イオンビームを照射して分離された試料片を載せる試料ホルダと、
当該試料ホルダに前記試料片を移動する移送手段と、
当該試料片を搭載した前記試料ホルダを装置外に搬出する容器を備えることを特徴とする試料作製装置。」
を，
「【請求項１】
　
真空
　前記試料に前記イオンビームを照射
することにより前記試料から
摘出
摘出
複数の
　当該試料ホルダに前記試料片を移動する
プローブ
　
前記真空試料室内で前記プローブを用いて
複数の
と
イオンビームを用いた
　
　上記補正は，補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「試料室」を「
真空
することにより前記試料から
摘出
摘出
複数の
プローブ
前記真空試料室内で前記プローブを用いて
イオンビームを用いた
　
　そこで，本願補正発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について検討する。
　
２　引用例
（１）引用例１
　原査定の拒絶の理由に引用した，本願出願日前に頒布された刊行物である，特開平５−５２７２１号公報（以下「引用例１」という。）には，図面とともに，次の事項が記載されている（下線は当審にて付加した）。
　
ア　「【００１０】
【実施例】以下に、本発明の実施例を図１〜図６を参照して説明する。図３は、
本実施例で用いられるＦＩＢ装置の基本構成を示す。液体金属イオン源１００から放出したイオンは、コンデンサレンズ１０１と対物レンズ１０６によりＦＩＢ１となって試料２上に集束される
【００１１】試料２は、２軸（Ｘ，Ｙ）方向に移動可能なステージ１０８上において、このステージ１０８に装着された試料回転装置１２０の回転軸に固定されている。ステージ１０８の移動は、ステージ制御部１０８ａに基づきＸ及びＹの各駆動部を介して行われる。この実施例で、試料回転装置１２０の回転軸はステージ１０８と平行に設定されている。
【００１２】１０７はガス源で、ガス源１０７から発生したガス（Ｗ（ＣＯ）6 ）は、ガスノズル８によりＦＩＢ１の試料照射部の近傍に導かれる。ガス源１０７はガス源制御部１０７ａにより制御される。ＦＩＢの照射により試料２の表面から発生した二次電子は、二次電子検出器１０９により検出される。二次電子検出器１０９からの二次電子信号をＡ／Ｄ変換し、ＦＩＢの偏向制御と同期してコンピュータ１１０の画像メモリに取り込むことにより、ＣＲＴ１１０ａ上に走査イオン顕微鏡（Scanning Ion Microscope: 略してＳＩＭ) による像が表示される。
【００１３】
マニピュレータ１１２は、図４に示すように、３枚のバイモルフ型圧電素子３０を９０°ずつ方向を回転して接続し、Ｘ，Ｙ，Ｚの３軸の駆動を可能としたものである。マニピュレータの先端には、金属製のプローブ３１を装着している
【００１４】上記コンピュータ１１０は、システムバス１１１を介して可変アパーチャ１０２の絞り駆動、デフレクタ１０５によるビームの偏向動作、二次電子検出器１０９からの信号検出、マニピュレータ１１２の駆動、ステージ１０８の移動、ガスの供給等の各制御を行う。」
　
イ　「【００１５】次に、上記構成を有するＦＩＢ装置を用いて試料２を加工する。図１は、試料２から分析対象部を含む試料の一部を分離する工程（ａ）〜（ｇ）を示した斜視図である。この実施例で、試料２はシリコン基板であり、分離された試料の一部を、以下「分離試料」という。以下に、分離の手順を工程（ａ）〜（ｇ）に従って説明する。
【００１６】（ａ）  試料２の表面に対しＦＩＢ１が直角に照射するように試料２の姿勢を保ち、試料２上でＦＩＢ１を矩形に走査させ、試料表面に所要の深さの角穴３を形成する。
（ｂ）  試料２の表面に対するＦＩＢ１の軸が約７０°傾斜するように、試料２を傾斜させ、底穴４を形成する。試料２の傾斜角の姿勢変更は、試料回転装置１２０によって行われる。
（ｃ）  試料２の姿勢を変更し、試料２の表面がＦＩＢ１に対し再び垂直になるように試料２を設置し、切欠き溝５を形成する。
（ｄ）  マニピュレータ１１２を駆動し、プローブ３１の先端を、試料２の分離する部分に接触させる。接触したか否かについての判定方法については、後述される。
（ｅ）  ガスノズル６からＷ（ＣＯ）6 ガス７を供給し、ＦＩＢ１を、プローブ３１の先端部を含む領域に局所的に照射し、堆積膜８を形成する。接触状態にある試料２の分離部分とプローブ３１の先端は、堆積膜８で接続される。試料２の分離部分とプローブ３１の接続については、ガス雰囲気中での集束イオンビーム照射により形成したビーム誘起堆積膜により、又は集束イオンビーム加工により発生したスパッタ粒子による再付着膜により行うことができる。
（ｆ）  
ＦＩＢ１で残りの部分を切欠き加工し、試料２から分離試料９を切り出す。切り出された分離試料９は、接続されたプローブ３１で支持された状態になる
（ｇ）  
マニピュレータ１１２を駆動し、分離試料９を所要の箇所に移動させる
上記実施例において、ＦＩＢ１の加工エリアを指定する際、予め加工エリアを含む領域をＦＩＢ１でラスタ走査し、試料２の表面から発生した二次電子（代表的な二次粒子）の信号量を輝度信号として画像化したＳＩＭ像を利用した。二次電子の検出は、二次電子検出器１０９によって行われる。ＳＩＭ像を利用した試料表面の方向（Ｘ，Ｙ軸方向）における加工エリアの設定は比較的簡単に行うことができる。しかし、プローブ３１と試料２との接触に関する判定は、Ｚ軸方向の情報が必要であるため、困難である。すなわち、ＦＩＢ１のフォーカス状態の違いによりＺ軸方向に関するある程度の情報が得られるが、ミクロンレベルの判定は困難である。
【００１７】従って本実施例では、工程（ｄ）において、プローブ３１を導電性のものとし、それを高抵抗を介して電圧源（電圧をＶｓとする）に接続する。プローブ３１の電位は、プローブ３１が試料２と接触していない時はほぼＶｓとなり、接触した時は試料２の電位（接地電位）となる。これにより、接触がプローブ３１のＳＩＭ像の輝度レベルを変化させるため、このレベル変化に基づき正確な接触判定ができるようになった。
【００１８】
切り出した分離試料９は、その後、その断面を再びＦＩＢ加工（微細ビームによる仕上げ加工）し、断面構造をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）で観察した。また、同様の手法で分離試料８の裏面を仕上げ、その構造を観察することもできる。つまり、本実施例によると、試料表面に平行な断面の観察も可能になる。プローブ３１に保持された分離試料９は、試料２とは別個に多種の分析装置に挿入して測定することが可能である。例えば、二次イオン質量分析計で元素分析を行うことができる。また分離試料９は分析に適した形状に再加工することもできる。例えば分析部を頂角部に含むくさび形に分離試料９を加工し、ＣＡＴ（Composition Analysis by Thickness-fringe) 法により、組成分析することもできる
　
ウ　「【００２０】図５に
半導体ウェハー５２に対し多点のＴＥＭ分析を行った実施例を示す。この実施例では、分析点５０ａ〜５０ｅ，５１ａ，５１ｂをそれぞれ含む微小試料を、半導体ウェハー５２から分離し、図２と同様の手法により、それぞれの分離試料を薄膜化した後、ＴＥＭ分析を行った。この実施例で明らかなように、本発明による分離方法では、１枚のウェハーの中から多数の分離試料を得ることができる
また分析対象の複数の試料部分を分離した後、ウェハー自身については他の分析や追加のプロセスを施すことが可能である
　
　以上の記載を総合すると，引用例１には，
「液体金属イオン源１００から放出したイオンを、ＦＩＢ１となって試料２上に集束させるコンデンサレンズ１０１、対物レンズ１０６等と、
ＦＩＢ１で試料２から切り出された分離試料９を所要の箇所に移動させる、先端に金属製のプローブ３１を装着したマニピュレータと、を備えたＦＩＢ装置。」（以下，「引用発明」という。）
が記載されているものと認められる。
　
（２）引用例２
　原査定の拒絶の理由に引用した，本願出願日前に頒布された刊行物である，実願平４−３５９６１号（実開平５−９４７６６号）のＣＤ−ＲＯＭ（以下「引用例２」という。）には，図面とともに，次の事項が記載されている（下線は，当審にて付加した）。
　なお，原査定の拒絶の理由とされる，平成１８年１１月２８日付けの拒絶理由通知書では，引用例２を，「実願平４−３５９６１号（実開平５−９４７６６号）のマイクロフィルム」として記載しているが，マイクロフィルムの発行によって公開されたのは平成５年１月７日以前に発行された公開実用新案公報の全文明細書であり，平成５年１月８日以降にはＣＤ−ＲＯＭとして発行されているところ，上記拒絶理由通知書における記載は「実願平４−３５９６１号（実開平５−９４７６６号）のＣＤ−ＲＯＭ」とすべきものの誤記である。一方，請求人は，上記拒絶理由通知に対する平成１９年２月５日付けの意見書，平成１９年１１月３０日付けの手続補正書により補正された審判請求書，及び，当審における審尋に対する平成２１年３月１９日付けの回答書において，引用例２の記載に基づいた主張をしており，上記誤記にかかわらず，原査定の拒絶の理由は正しく請求人に伝えられたものである。また，請求人は，この点についてなんら主張していない。
　
ア　「【０００１】
    【産業上の利用分野】
  本考案は、
表面分析装置において、試料を支持するとともに試料の汚染を防止する気密試料容器に関する
　
イ　「【０００８】
    【課題を解決するための手段】
  本考案は、上記の目的を達成するために、
分析試料を取り付ける試料台
気密試料容器
　
ウ　「【００１０】
    【実施例】
  以下、本考案の実施例について図を参照しながら詳細に説明する。
  図１は、本考案の気密試料容器の断面図である。
  図１において、
１０は試料台
１５は試料ホルダ
【００１１】
  始めに、試料台１０について説明する。
  
試料台１０は気密試料容器基台１４と試料ホルダ１５とからなる
試料１６は試料ホルダ１５の上端部に取り付けられる。試料ホルダ１５は分析室に導入されるときに、軸１９から抜き取ることによって気密試料容器基台１４から取り外される
【００１２】
  試料台１０の気密試料容器基台１４の上部外周部には溝１１が形成され、該溝１１にはＯリング１２が取り付けられる。
  次に、蓋２０について説明する。
  
蓋２０の気密容器部分は
試料１６及び試料ホルダ１５を該気密容器部分の内側に収納する
　
エ　「【００１８】
  次に、本考案の気密試料容器の使用方法を説明する。
  図３は本考案の気密試料容器による試料の分析工程ブロック図である。
  図３において、
試料８の分析は真空に保持された分析室２において行なわれる。該分析室２に隣接して試料準備室１が設置され、試料８は試料準備室１を介して分析室２内に挿入される
【００１９】
  
試料８は、例えば試料作成室３において試料台９の上に設置されて分析のための準備が行なわれる。該試料作成室３内は真空状態あるいは乾燥Ｎ2 ガスによって満たされており、試料台９上に試料８を載せた後本考案の蓋７を取付ける
蓋７が被された試料８は、試料作成室３から取り出され前記試料準備室１内に搬送される
　
（３）周知例１
　本願出願日前に頒布された刊行物である，特開平９−１９９０６９号公報（以下「周知例１」という。）には，図面とともに，次の事項が記載されている（下線は，当審にて付加した）。
　
ア　「【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩの基板や、配線部等の状態を検査する手法として、
被検査対象物の一部を試料として切除した上で、該試料の所要箇所にＦＩＢ（集束イオンビ−ム）装置などによって加工を加え、この試料を試料ホルダーに保持した状態でＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）によって観察することが行われている。従来のＴＥＭ用試料ホルダ−は、試料ホルダ−に試料を取り付けたまま試料作製ができないため、ＦＩＢ装置によって予め試料に加工を施した上で、加工を施した試料をホルダーに取付けてＴＥＭによる観察に供していた
　
３　対比
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
　
（１）引用発明の「液体金属イオン源１００」、「コンデンサレンズ１０１、対物レンズ１０６等」は，イオンをＦＩＢとして試料２上に集束させるのであるから，本願補正発明の「試料にイオンビームを照射する照射光学系」に相当する。
（２）引用発明の「ＦＩＢ１で試料２から切り出された分離試料９を所要の箇所に移動させる、先端に金属製のプローブ３１を装着したマニピュレータ」について，「ＦＩＢ１で試料２から切り出された分離試料９」が移動される「所要の箇所」は，本願補正発明の「前記試料に前記イオンビームを照射することにより前記試料から分離摘出された摘出試料片を載せる複数の試料ホルダ」と，「前記試料に前記イオンビームを照射することにより前記試料から分離摘出された摘出試料片を載せる所定の箇所」である点で共通するとともに，引用発明の「分離試料９を所要の箇所に移動させる、先端に金属製のプローブ３１を装着したマニピュレータ」は，本願補正発明の「当該試料ホルダに前記試料片を移動するプローブ」と，「所定の箇所に前記試料片を移動するプローブ」である点で共通する。
（３）引用発明の「ＦＩＢ装置」は，ＦＩＢにより試料２を加工して，分離試料９を切り出しているのであるから，本願補正発明の「イオンビームを用いた試料作製装置」に相当する。
　
　そうすると，本願補正発明と引用発明とは，
「試料にイオンビームを照射する照射光学系と、
　前記試料に前記イオンビームを照射することにより前記試料から分離摘出された摘出試料片を載せる所定の箇所と、
　所定の箇所に前記試料片を移動するプローブと、
を備えるイオンビームを用いた試料作製装置。」
である点で一致しており，次の点で相違する。
　
相違点１：本願補正発明では，試料が「真空試料室内」にあるのに対し，引用発明では当該構成について明らかでない点。
　
相違点２：摘出試料片を載せる所定の箇所が，本願補正発明では「複数の試料ホルダ」であるのに対し，引用発明では所要の箇所がどのような箇所であるのか明らかでない点。
　
相違点３：本願補正発明では「前記真空試料室内で前記プローブを用いて当該試料片を搭載した前記複数の試料ホルダを装置外に搬出する容器」を備えているのに対し，引用発明では当該構成について明らかでない点。
　
４　判断
　上記各相違点について判断する。
（１）相違点１について
　引用発明は，ＦＩＢにより試料を加工するＦＩＢ装置であり，試料が真空中に配置されることは当業者に明らかである。そして，試料室のような構成によって，そのように試料を真空中に配置することは，技術常識である。引用例１では，このような構成について，単にその記載を省略したものであり，上記相違点１は，実質的な相違となるものではない。
　
（２）相違点２について
　引用例１には，摘記事項（１）イ【００１８】に記載されるように，分離試料を切り出した後，様々な分析装置で測定しうることが示されている。このように，様々な分析装置で分離試料を測定するためには，試料から分離試料を切り出したＦＩＢ装置とは異なる分析装置に分離試料を導入して，測定を行うとすることは，当業者において通常為し得たものである。そうすると，引用発明において，マニピュレータにより分離試料を所要の箇所に移動させるのは，引用発明のＦＩＢ装置とは異なる分析装置に分離試料を導入するためであることは，当業者における通常の理解である。
　また，引用例１には，摘記事項（１）ウに記載されるように，１枚の半導体ウェハーから複数の分離試料を得ることが示されている。当該箇所に「また分析対象の複数の試料部分を分離した後、ウェハー自身については他の分析や追加のプロセスを施すことが可能である。」と記載されていることからすると，この複数の分離試料を得ることは，他の分析や追加のプロセスなどの異なる時点におけるものではなく，１枚のウエハから一連の試料分離の操作によって複数の分離試料を同じ時点において得るものであることは，当業者には明らかである。
　ここで，例えば周知例１に示されるように，ＦＩＢ装置によって加工された試料を，ホルダーに取り付けてＴＥＭで観察することなどは，従来周知の技術であると言える。してみると，引用発明において，分離試料を切り出した後の分析装置で測定するために，分析装置に適当な試料ホルダを試料室内に備えるようにして，マニピュレータにより分離試料を移動させる箇所を該試料ホルダとすること，その際に，一連の試料分離の操作によって複数の分離試料を得るのであるから，分離試料ごとに試料ホルダを用意し，試料ホルダを複数とすることは，当業者であれば容易に為し得たものである。
　
（３）相違点３について
　上記相違点２について示したように，引用発明において，試料から分離試料を切り出したＦＩＢ装置とは異なる分析装置に分離試料を導入して，測定を行うとすることは，当業者において通常為し得たものである。一方，引用発明では，ＦＩＢ装置とは異なる分析装置にどのように分離試料を導入するかは明らかでない。
　ここで，試料作成室３において試料の分析のための準備を行い，試料１６が取り付けられた試料ホルダ１５と，気密試料容器基台１４とからなる試料台１０に，蓋２０を被せることにより，試料１６及び試料ホルダ１５を気密容器部分の内側に収納して，蓋が被された試料は、試料作成室３から取り出され前記試料準備室１内に搬送され，試料は試料準備室１を介して分析室２内に挿入されることが，引用例２に記載されている。
　そうすると，引用発明のＦＩＢ装置は，後の分析装置における測定のために試料から分離試料を切り出す試料作成のための装置であるといえるから，上記引用例２に記載される気密容器の構成を採用し，ＦＩＢ装置から，試料が取り付けられた試料ホルダを気密容器に収納して，分析装置に搬送するようなことは，当業者であれば容易に為し得たものである。そして，上記相違点２について示したように，一連の試料分離の操作によって複数の分離試料を複数の試料ホルダに搭載して得るのであるから，上記の気密容器が，それら複数の試料ホルダを搬送できるようなものとすることは，当業者において容易に為し得た範囲内のものである。
　
　そして，本願補正発明の作用効果は，引用発明，引用例２に記載された技術的事項及び周知の技術から，当業者であれば予測できる範囲のものである。
　以上の通り，本願補正発明は，引用発明，引用例２に記載された技術的事項及び周知の技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
５　むすび
　上記のとおり，本件補正は，平成１８年改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成１９年１１月３０日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので，本願の請求項１乃至２２に係る発明は，平成１８年６月９日付け手続補正書の請求項１乃至２２に記載された事項により特定されるとおりのものであって，その請求項１に係る発明は，上記第２，１に記載のとおりのものである（以下，「本願発明」という。）。
　
２　引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例及びその記載事項は，上記第２，２（１）及び（２）に記載したとおりである。
　
３　対比・判断
　本願発明は，上記第２で検討した本願補正発明において，「
真空
することにより前記試料から
摘出
摘出
複数の
プローブ
前記真空試料室内で前記プローブを用いて
イオンビームを用いた
　そうすると，本願発明の構成要件をすべて含み，さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が，上記第２，４に述べたとおり，引用発明，引用例２に記載された技術的事項及び周知の技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も同様の理由により，引用発明，引用例２に記載された技術的事項及び周知の技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　
４　むすび
　以上のとおり，本願発明は，引用発明，引用例２に記載された技術的事項及び周知の技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　したがって，その余の請求項に係る発明について審理するまでもなく，本件出願は拒絶されるべきものである。
　
　よって，結論のとおり審決する。