Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月9日(2015.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体に印刷する印刷装置であって、
通信規格に係る通信インターフェイスが１又は複数設けられたインターフェイスボードが接続可能に構成され、
接続された前記インターフェイスボードの機種情報を取得し、取得した機種情報を、登録されている前記インターフェイスボードの機種情報と比較し、比較結果に基づいて、接続された前記インターフェイスボードの有効、無効を決定する制御部を備えることを特徴とする印刷装置。
【請求項２】
前記インターフェイスボードの機種情報は、シリーズを示す情報と、属するシリーズにおける識別情報とを含んで構成され、
登録されている前記インターフェイスボードの機種情報にシリーズを示す情報が含まれている場合、前記制御部は、接続された前記インターフェイスボードの機種情報を取得し、取得した機種情報に含まれるシリーズを示す情報と、登録されている前記インターフェイスボードのシリーズを示す情報とを比較し、比較結果に基づいて、接続された前記インターフェイスボードの有効、無効を決定することを特徴とする請求項１に記載の印刷装置。
【請求項３】
前記インターフェイスボードの機種情報と、当該インターフェイスボードに設けられた前記通信インターフェイスとが対応付けられて登録され、
前記制御部は、前記インターフェイスボードが有効であると決定した場合に、接続された前記インターフェイスボードの機種情報を取得し、取得した機種情報を、登録されている前記インターフェイスボードの機種情報と比較し、比較結果に基づいて、接続された前記インターフェイスボードに設けられた特定の前記通信インターフェイスの有効、無効を決定することを特徴とする請求項１又は２に記載の印刷装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記インターフェイスボードを制御するボード制御部と通信可能に構成され、所定のタイミングで前記ボード制御部と通信して、前記ボード制御部から前記インターフェイスボードの機種情報を取得することを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の印刷装置。
【請求項５】
通信規格に係る通信インターフェイスが１又は複数設けられたインターフェイスボードが接続可能に構成され、記録媒体に印刷する印刷装置の制御方法であって、
接続された前記インターフェイスボードの機種情報を取得し、取得した機種情報を、前記印刷装置に登録されている前記インターフェイスボードの機種情報と比較し、比較結果に基づいて、接続された前記インターフェイスボードの有効、無効を決定することを特徴とする印刷装置の制御方法。
【請求項６】
前記インターフェイスボードの機種情報は、シリーズを示す情報と、属するシリーズにおける識別情報とを含んで構成され、
登録されている前記インターフェイスボードの機種情報にシリーズを示す情報が含まれている場合、接続された前記インターフェイスボードの機種情報を取得し、取得した機種情報に含まれるシリーズを示す情報と、登録されている前記インターフェイスボードのシリーズを示す情報とを比較し、比較結果に基づいて、接続された前記インターフェイスボードの有効、無効を決定することを特徴とする請求項５に記載の印刷装置の制御方法。
【請求項７】
前記インターフェイスボードの機種情報と、当該インターフェイスボードに設けられた前記通信インターフェイスとを対応付けて登録し、
前記インターフェイスボードが有効であると決定した場合に、接続された前記インターフェイスボードの機種情報を取得し、取得した機種情報を、登録されている前記インターフェイスボードの機種情報と比較し、比較結果に基づいて、接続された前記インターフェイスボードに設けられた特定の前記通信インターフェイスの有効、無効を決定することを特徴とする請求項５又は６に記載の印刷装置の制御方法。
【請求項８】
所定のタイミングで前記インターフェイスボードと通信して、当該インターフェイスボードの機種情報を取得することを特徴とする請求項５ないし７のいずれかに記載の印刷装置の制御方法。
【請求項９】
通信規格に係る通信インターフェイスが１又は複数設けられたインターフェイスボードが接続可能に構成され、記録媒体に印刷する印刷装置を制御する制御部により実行されるプログラムであって、
前記制御部に、接続された前記インターフェイスボードの機種情報を取得させ、取得させた機種情報を、前記印刷装置に登録されている前記インターフェイスボードの機種情報と比較させ、比較結果に基づいて、接続された前記インターフェイスボードの有効、無効を決定させることを特徴とするプログラム。
【請求項１０】
前記インターフェイスボードの機種情報は、シリーズを示す情報と、属するシリーズにおける識別情報とを含んで構成され、
登録されている前記インターフェイスボードの機種情報にシリーズを示す情報が含まれている場合、前記制御部に、接続された前記インターフェイスボードの機種情報を取得させ、取得した機種情報に含まれるシリーズを示す情報と、登録されている前記インターフェイスボードのシリーズを示す情報とを比較させ、比較結果に基づいて、接続された前記インターフェイスボードの有効、無効を決定させることを特徴とする請求項９に記載のプログラム。
【請求項１１】
前記インターフェイスボードの機種情報と、当該インターフェイスボードに設けられた前記通信インターフェイスとを対応付けて登録し、
前記インターフェイスボードが有効であると決定した場合、前記制御部に、接続された前記インターフェイスボードの機種情報を取得させ、取得した機種情報を、登録されている前記インターフェイスボードの機種情報と比較させ、比較結果に基づいて、接続された前記インターフェイスボードに設けられた特定の前記通信インターフェイスの有効、無効を決定させることを特徴とする請求項９又は１０に記載のプログラム。
【請求項１２】
前記制御部に、所定のタイミングで前記インターフェイスボードと通信させ、当該インターフェイスボードの機種情報を取得させることを特徴とする請求項９ないし１１のいずれかに記載のプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月27日(2015.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の開始条件の成立に基づいて複数の識別情報を変動表示する変動表示ゲームを実行する遊技機において、
実行中の前記変動表示ゲームに関連する演出表示を表示する変動表示領域と、
前記変動表示領域に表示される表示内容とは別の情報を表示可能な情報表示領域と、
前記変動表示領域と前記情報表示領域の表示を制御する表示制御手段と、を備え、
前記表示制御手段は、前記変動表示ゲームに関連する演出表示の実行中に、前記情報表示領域に前記変動表示領域に表示される表示内容とは別の情報を表示可能であることを特徴とする遊技機。
【請求項２】
前記表示制御手段は、前記情報表示領域に前記変動表示領域に表示される表示内容とは別の情報を表示する場合に、当該情報表示領域と前記変動表示領域とを重なるように表示させることが可能であることを特徴とする請求項１に記載の遊技機。
【請求項３】
前記変動表示領域又は前記情報表示領域が設けられる移動可能な可動表示装置を備えることを特徴とする請求項１または２に記載の遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
しかしながら、特許文献１の技術では、遊技の興趣を向上させることができなかった。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は、上記の課題に鑑みなされたもので、遊技の興趣を向上させることができる遊技機を提供することを目的とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の代表的な一形態では、所定の開始条件の成立に基づいて複数の識別情報を変動表示する変動表示ゲームを実行する遊技機において、実行中の前記変動表示ゲームに関連する演出表示を表示する変動表示領域と、前記変動表示領域に表示される表示内容とは別の情報を表示可能な情報表示領域と、前記変動表示領域と前記情報表示領域の表示を制御する表示制御手段と、を備え、前記表示制御手段は、前記変動表示ゲームに関連する演出表示の実行中に、前記情報表示領域に前記変動表示領域に表示される表示内容とは別の情報を表示可能である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の一形態によれば、遊技の興趣を向上させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月15日(2015.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
ここで、第１部材２５、本体部材２３および第２部材２７を作製する材料は、例えば以下の合成樹脂を用いることができる。低密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、直鎖状低密度ポリエチレン、ホモポリプロピレン、ランダムポリプロピレン、ブロック状ポリプロピレン等のポリオレフィン系樹脂およびこれらのモノマーの共重合体若しくはモノマーと他のモノマーとの共重合体、ポリ塩化ビニル、塩素化ポリ塩化ビニル、ＡＢＳ、ＡＡＳ、ＡＥＳ、ポリスチレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリフッ化ビニリデン、ポリフェニレンサルファイド、ポリサルホン、ポリエーテルケトン及びこれらのコモノマー若しくはコモノマーと他のモノマーとの共重合体等である。これらの材料は単独で使用しても併用しても良い。以上のように各種の熱可塑性樹脂を用いることができるが、コスト面、成形性、物性、耐低温性、耐熱性等の特性とのバランスを考慮して、ポリプロピレン系樹脂を用いても良い。なお、デッキボード２１の剛性を高める場合は、フィラーを副材料として配合しても良い。副材料は、特に限定されるものではないが、コスト面、成形性、取り扱い性等とのバランスを考慮して、タルク、炭酸カルシウム等を用いても良い。フィラーの添加量が増加すると、コスト高、比重の増大につながるので、これらのバランスを考慮して、添加量は総重量に対してタルクの場合は５〜３０質量％、炭酸カルシウムの場合は２０質量％程度以下としても良い。さらに、前記フィラーの他に、酸化防止剤、紫外線吸収剤、帯電防止剤、抗菌剤、難燃剤、光安定剤、滑剤等を必要に応じて添加もしてもよい。また、デッキボード２１の製品厚みは３〜１０ｍｍ、目付量は１０００〜３０００ｇ／ｍ２とすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月20日(2015.3.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
赤外線の入射及び出射のいずれかまたは双方を行う赤外線装置（２）を筐体（１０）内に収容した赤外線機器（１）であって、
前記筐体（１０）には、赤外光を透過する赤外透過窓部（１２）が設けられ、当該赤外透過窓部（１２）には、近赤外線レーザー溶着に用いる近赤外線レーザーを透過する側の光透過性樹脂と当該レーザーを受けると発熱して溶融する光吸収性樹脂とのうち光透過性樹脂が用いられ、前記赤外透過窓部（１２）を除く筐体本体部（１１）には、前記光吸収性樹脂が用いられ、前記赤外透過窓部（１２）と前記筐体本体部（１１）とが前記近赤外線レーザー溶着により接合固定されていることを特徴とする赤外線機器（１）。
【請求項２】
前記筐体（１０）は、前記赤外線装置（２）が収容される筐体内部（１０Ｓ）が密閉状態となるよう、前記赤外透過窓部（１２）と前記筐体本体部（１１）とが接合固定されている請求項１に記載の赤外線機器（１）。
【請求項３】
前記光透過性樹脂と前記光吸収性樹脂とは主となる樹脂材料が共通である請求項１又は請求項２に記載の赤外線機器（１）。
【請求項４】
前記赤外透過窓部（１２）は、前記赤外線装置（２）を搭載した前記筐体本体部（１１）に対し、該赤外線装置（２）が筐体内部（１０Ｓ）に収容されるよう接合固定される請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の赤外線機器（１）。
【請求項５】
前記筐体本体部（１１）は、上面側に前記赤外線装置（２）が設けられて前記筐体（１０）の底部を形成する一方、前記赤外透過窓部（１２）は、前記底部（１１）の外周側から上方に延出する筒状壁部（１１Ａ）と、前記筒状壁部（１２Ａ）の上端側にて前記底部（１１）に対し筐体内部空間を挟んで対向する上端部（１２Ｂ）とが設けられて前記筐体（１０）の蓋部をなす請求項４に記載の赤外線機器（１）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明の赤外線機器は、
赤外線の入射及び出射のいずれかまたは双方を行う赤外線装置（２）を筐体（１０）内に収容した赤外線機器（１）であって、
前記筐体（１０）には、赤外光を透過する赤外透過窓部（１２）が設けられ、当該赤外透過窓部（１２）に、近赤外線レーザー溶着に用いる近赤外線レーザーを透過する側の光透過性樹脂と当該レーザーを受けると発熱・溶融する光吸収性樹脂とのうち光透過性樹脂が用いられ、前記赤外透過窓部（１２）を除く筐体本体部（１１）には、前記光吸収性樹脂が用いられ、前記赤外透過窓部（１２）と前記筐体本体部（１１）とが前記近赤外線レーザー溶着により接合固定されていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月17日(2015.8.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
長尺の記録紙を切断し紙出口から単票として発行する単票発行装置であって、
紙搬送経路に沿って前記記録紙を搬送する紙搬送手段と、
前記紙搬送手段によって搬送される前記記録紙に情報を印刷する印刷手段と、
情報が印刷された前記記録紙を切断して前記単票とする紙切断手段と、
前記紙出口において待機する前記記録紙の姿勢変化を検知する記録紙姿勢検知手段と、
前記各手段を制御する制御手段と、を備え、
前記記録紙姿勢検知手段は、前記記録紙の姿勢が変化したことを検知し、
前記制御手段は、前記記録紙姿勢検知手段の検知結果に基づいて、前記紙切断手段を動
作させ前記単票として発行することを特徴とする単票発行装置。
【請求項２】
前記記録紙姿勢検知手段は、前記記録紙の搬送方向と少なくとも交差する方向に前記記
録紙の姿勢が変化したことを検知することを特徴とする請求項１に記載の単票発行装置。
【請求項３】
前記記録紙姿勢検知手段は、前記記録紙の姿勢変化を、前記記録紙の紙幅領域において
検知することを特徴とする請求項１または２に記載の単票発行装置。
【請求項４】
前記記録紙姿勢検知手段は、前記記録紙の姿勢変化を時系列で検知することを特徴とす
る請求項１乃至３のいずれか一項に記載の単票発行装置。
【請求項５】
前記記録紙姿勢検知手段の検知結果を無効とする期間を有することを特徴とする請求項
１乃至４のいずれか一項に記載の単票発行装置。
【請求項６】
印刷手段によって長尺の記録紙を、紙切断手段によって任意の長さに
切断して紙出口から単票として発行する単票発行方法であって、
前記紙出口に到達している前記記録紙の姿勢変化を記録紙姿勢検知手段によって検知す
る記録紙姿勢変化検知工程と、
前記記録紙姿勢検知工程での検知結果に基づいて、制御手段によって、前記紙切断手段
を動作させ前記記録紙を切断するか否かを判定する紙切断動作判定工程とし、
前記紙切断動作判定工程で前記記録紙を切断すると判定された場合は、前記紙切断手段
を動作させ前記記録紙を切断する記録紙切断工程と、を有することを特徴とする単票発行方法。
【請求項７】
前記記録紙姿勢検知工程は、前記記録紙の搬送方向と少なくとも交差する方向に前記記
録紙の姿勢が変化したことを検知することを特徴とする請求項６に記載の単票発行方法。
【請求項８】
前記記録紙姿勢検知工程は、前記記録紙の姿勢変化を、前記記録紙の紙幅領域において
検知することを特徴とする請求項６または７に記載の単票発行方法。
【請求項９】
前記記録紙姿勢検知工程は、前記記録紙の姿勢変化を時系列で検知することを特徴とす
る請求項６乃至８のいずれか一項に記載の単票発行方法。
【請求項１０】
前記紙切断動作判定工程は、前記記録紙姿勢検知工程での検知結果を無効とする条件を
有することを特徴とする請求項６乃至９のいずれか一項に記載の単票発行方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
（適用例１）長尺の記録紙を切断し紙出口から単票として発行する単票発行装置であって、紙搬送経路に沿って前記記録紙を搬送する紙搬送手段と、前記紙搬送手段によって搬送される前記記録紙に情報を印刷する印刷手段と、情報が印刷された前記記録紙を切断して前記単票とする紙切断手段と、前記紙出口において待機する前記記録紙の姿勢変化を検知する記録紙姿勢検知手段と、前記各手段を制御する制御手段と、を備え、前記記録紙姿勢検知手段は、前記記録紙の姿勢が変化したことを検知し、前記制御手段は、前記記録紙姿勢検知手段の検知結果に基づいて、前記紙切断手段を動作させ前記単票として発行することを特徴とする単票発行装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
（適用例６）印刷手段によって長尺の記録紙を、紙切断手段によって任意の長さに切断して紙出口から単票として発行する単票発行方法であって、前記紙出口に到達している前記記録紙の姿勢変化を記録紙姿勢検知手段によって検知する記録紙姿勢変化検知工程と、前記記録紙姿勢検知工程での検知結果に基づいて、制御手段によって、前記紙切断手段を動作させ前記記録紙を切断するか否かを判定する紙切断動作判定工程とし、前記紙切断動作判定工程で前記記録紙を切断すると判定された場合は、前記紙切断手段を動作させ前記記録紙を切断する記録紙切断工程と、を有することを特徴とする単票発行方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月26日(2015.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
照明光として、面状照明光、複数の線状照明光、または一列に並んだ複数の点状照明光によって形成された線状照明光を出力可能な照明装置と、映像信号に応じて前記照明光を変調することにより映像光を生成する表示パネルとを備えた表示装置に用いられる前記照明装置において、
前記照明光を生成する照明光学系と、
前記照明光の発散角を狭めるレンズシートと
を備え、
前記照明光学系は、
離間して互いに対向配置された第１透明基板および第２透明基板と、
前記第１透明基板または前記第２透明基板の端面に光を照射する光源と、
前記第１透明基板および前記第２透明基板の間隙に設けられ、かつ電場の大きさに応じて、前記光源からの光に対して散乱性もしくは透明性を示す光変調層と、
三次元表示モードのときに、前記光変調層に複数の線状散乱領域を生成させる電場を発生させるとともに、二次元表示モードのときに、前記光変調層に面状散乱領域を生成させる電場を発生させる電極と
を有する
照明装置。
【請求項２】
前記レンズシートは、断面が多角形状またはシリンドリカル形状の複数の帯状凸部が当該帯状凸部の延在方向と交差する方向に並べて配置された凹凸面を有する
請求項１に記載の照明装置。
【請求項３】
前記帯状凸部は、前記線状散乱領域の延在方向と平行な方向に延在している
請求項２に記載の照明装置。
【請求項４】
前記帯状凸部は、前記線状散乱領域の配列方向に延在している
請求項２に記載の照明装置。
【請求項５】
前記帯状凸部は、前記線状散乱領域の延在方向および前記線状散乱領域の配列方向の双方と斜めに交差する方向に延在している
請求項２に記載の照明装置。
【請求項６】
前記帯状凸部の断面は、シリンドリカル形状となっており、
前記帯状凸部は、当該帯状凸部の、幅方向の中央が、前記線状散乱領域と対向するように配置されている
請求項２に記載の照明装置。
【請求項７】
前記帯状凸部のピッチは、前記線状散乱領域のピッチをＰ１とすると、Ｐ１／ｎ（ｎ＝１，２，……）となっている
請求項６に記載の照明装置。
【請求項８】
前記帯状凸部の断面は、底角が６０°〜７０°の三角形状となっており、
前記帯状凸部は、前記光変調層側に配置されている
請求項２に記載の照明装置。
【請求項９】
前記帯状凸部と前記線状散乱領域との間の距離Ｌｚは、前記帯状凸部の曲率半径をＲ、前記帯状凸部の屈折率をｎ１とし、前記帯状凸部と前記線状散乱領域の間の屈折率をｎ２とすると、０＜Ｌｚ＜Ｒ／（ｎ２（ｎ１−１））×１．４となっている
請求項６に記載の照明装置。
【請求項１０】
前記帯状凸部は、前記線状散乱領域の延在方向と平行な方向に延在している
請求項９に記載の照明装置。
【請求項１１】
前記帯状凸部のピッチは、前記線状散乱領域のピッチをＰ１とすると、Ｐ１／ｎ（ｎ＝１，２，……）となっている
請求項１０に記載の照明装置。
【請求項１２】
前記帯状凸部の半径は、前記線状散乱領域のピッチをＰ１、三次元の視点数をＮとすると、Ｐ１／Ｎ×０．６＜Ｒ＜Ｐ１／Ｎ×１．４となっている
請求項１１に記載の照明装置。
【請求項１３】
前記帯状凸部の断面の端部の形状が、以下に示すコーニック面において−４０＜ｋ＜０となっている
請求項９ないし請求項１２のいずれか一項に記載の照明装置。
【数１】
2013093309.tif 000001
【請求項１４】
前記レンズシートは、屈折率が等方性の材料で構成されている
請求項１ないし請求項１３のいずれか一項に記載の照明装置。
【請求項１５】
前記帯状凸部は、前記光変調層側に配置されている
請求項６に記載の照明装置。
【請求項１６】
照明光として、面状照明光、複数の線状照明光、または一列に並んだ複数の点状照明光によって形成された線状照明光を出力可能な照明装置と、
映像信号に応じて前記照明光を変調することにより映像光を生成する表示パネルと
を備え、
前記照明装置は、
前記照明光を生成する照明光学系と、
前記照明光の発散角を狭めるレンズシートと
を有し、
前記照明光学系は、
離間して互いに対向配置された第１透明基板および第２透明基板と、
前記第１透明基板または前記第２透明基板の端面に光を照射する光源と、
前記第１透明基板および前記第２透明基板の間隙に設けられ、かつ電場の大きさに応じて、前記光源からの光に対して散乱性もしくは透明性を示す光変調層と、
三次元表示モードのときに、前記光変調層に複数の線状散乱領域を生成させる電場を発生させるとともに、二次元表示モードのときに、前記光変調層に面状散乱領域を生成させる電場を発生させる電極と
を有する
表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月30日(2015.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
行列状に配列され、光電変換により信号を生成する複数の画素と、
前記複数の画素の構成する複数の列に対応して設けられ、それぞれが前記複数の列のいずれか１つに接続される複数の画素出力線と、
前記複数の画素出力線に対応して設けられ、それぞれが前記複数の画素出力線のいずれか１つの信号を増幅する複数の列アンプと、
前記複数の列アンプへ供給される制御信号を生成する駆動回路とを有し、
前記複数の列アンプの各々は、
第１の入力端子と、
第２の入力端子と、
出力端子と、
前記第１の入力端子及び前記第２の入力端子間に接続される入力容量と、
前記第２の入力端子及び前記出力端子間に接続される第１のスイッチとを有し、
前記駆動回路は、前記第１のスイッチを非導通状態から導通状態に切り替える期間よりも、前記第１のスイッチを導通状態から非導通状態に切り替える期間を長くするように前記制御信号を生成することを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記複数の列アンプの各々は、前記第１のスイッチ及び前記第２の入力端子間に、ソース及びドレインが相互に短絡されて接続されるＭＯＳトランジスタを有することを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記駆動回路は、前記ＭＯＳトランジスタのチャネルが形成された状態からチャネルが形成されていない状態に切り替える期間よりも、前記ＭＯＳトランジスタのチャネルが形成されていない状態からチャネルが形成された状態に切り替える期間を長くするように前記制御信号を生成することを特徴とする請求項２記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記ＭＯＳトランジスタの制御信号は、前記第１のスイッチの制御信号の反転信号であることを特徴とする請求項２又は３記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記第１のスイッチを導通状態から非導通状態に切り替える期間では、前記ＭＯＳトランジスタは、チャネルが形成されていない状態を維持することを特徴とする請求項２記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記第１のスイッチを導通状態から非導通状態に切り替える期間では、前記ＭＯＳトランジスタのソース及びゲート間電圧は、前記ＭＯＳトランジスタの閾値電圧より低く、かつ前記ＭＯＳトランジスタの閾値電圧に向けて変化することを特徴とする請求項２又は５記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記駆動回路は、前記制御信号の時間に対する傾きを決定する定電流源を含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項８】
前記第１の定電流源の電流値は、複数の駆動モードに応じて変化することを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項９】
前記複数の駆動モードは、同一の画素出力線に接続された複数の画素に基づく信号を加算する、加算モードを含むことを特徴とする請求項８記載の固体撮像装置。
【請求項１０】
前記列アンプで増幅された信号をデジタル信号に変換するＡＤ変換器をさらに有することを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１１】
行列状に配列され、光電変換により信号を生成する複数の画素と、
前記複数の画素の構成する複数の列に対応して設けられ、それぞれが前記複数の列のいずれか１つに接続される複数の画素出力線と、
前記複数の画素出力線に対応して設けられ、それぞれが前記複数の画素出力線のいずれか１つの信号を増幅する複数の列アンプと、
前記複数の列アンプへ供給される制御信号を生成する駆動回路とを有し、
前記複数の列アンプの各々は、前記画素出力線に電気的に接続された第１の端子、及び、前記列アンプの入力端子に電気的に接続された第２の端子を有する入力容量と、前記入力端子、及び、前記列アンプの出力端子の間の電気経路に配されたスイッチとを有し、
前記制御信号は、前記スイッチに供給され、かつ、前記スイッチを非導通状態にするための第１の信号レベルと、前記スイッチを導通状態にするための第２の信号レベルとを少なくとも含み、
前記駆動回路は、前記第１の信号レベルから前記第２の信号レベルへの遷移にかかる期間よりも、前記第２の信号レベルから前記第１の信号レベルへの遷移にかかる期間を長くするように、前記制御信号を生成することを特徴とする固体撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の固体撮像装置は、行列状に配列され、光電変換により信号を生成する複数の画素と、前記複数の画素の構成する複数の列に対応して設けられ、それぞれが前記複数の列のいずれか１つに接続される複数の画素出力線と、前記複数の画素出力線に対応して設けられ、それぞれが前記複数の画素出力線のいずれか１つの信号を増幅する複数の列アンプと、前記複数の列アンプへ供給される制御信号を生成する駆動回路とを有し、前記複数の列アンプの各々は、第１の入力端子と、第２の入力端子と、出力端子と、前記第１の入力端子及び前記第２の入力端子間に接続される入力容量と、前記第２の入力端子及び前記出力端子間に接続される第１のスイッチとを有し、前記駆動回路は、前記第１のスイッチを非導通状態から導通状態に切り替える期間よりも、前記第１のスイッチを導通状態から非導通状態に切り替える期間を長くするように前記制御信号を生成することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月26日(2014.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像データに含まれる画素の複数の成分信号のうち、第一の成分信号をネットワークを介して外部装置に送信する送信手段と、
前記外部装置において前記第一の成分信号に対して画像処理された信号を受信する受信手段と、
前記受信手段によって受信した画像処理後の第一の成分信号と、前記画素の複数の成分信号のうちの前記第二の成分信号とを用いて、印刷のためのデータを生成する生成手段とを有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記第一の成分信号は色度を示す信号であり、前記第二の成分信号は明度を示す信号であることを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記画像処理は色相彩度調整処理であり、前記画像処理に応じた色空間はＣＩＥＬａｂ色空間であり、前記第一の成分信号はａ＊、ｂ＊信号であり、前記第二の成分信号はＬ＊信号であることを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記画像処理はシャープネス処理であり、前記画像処理に応じた色空間はＣＩＥＬａｂ色空間であり、前記第一の成分信号はＬ＊信号であり、前記第二の成分信号はａ＊、ｂ＊信号であることを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項５】
さらに、前記画像処理が前記画像処理装置で実行するのか、前記外部装置で実行するのかを判定する判定手段を有し、
前記判定手段による判定の結果、前記画像処理を前記外部装置で実行すると判定された場合、前記送信手段は、前記第一の成分信号を外部装置に送信することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記生成手段は、前記受信手段によって受信された前記画像処理後の第一の成分信号と前記第二の成分信号とを合成することによって、前記印刷のためのデータを生成することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項７】
画像データに含まれる画素の複数の成分信号のうち、第一の成分信号をネットワークを介して外部装置に送信する送信ステップと、
前記外部装置において前記第一の成分信号に対して画像処理された信号を受信する受信ステップと、
前記受信手段によって受信した画像処理後の第一の成分信号と、前記画素の複数の成分信号のうちの前記第二の成分信号とを用いて、印刷のためのデータを生成する生成ステップとを有することを特徴とする画像処理方法。
【請求項８】
コンピュータを請求項１乃至６のいずれか一項に記載された画像処理装置の各手段として機能させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記目的を達成するため、本発明の画像処理装置は、画像データに含まれる画素の複数
の成分信号のうち、第一の成分信号をネットワークを介して外部装置に送信する送信手段と、前記外部装置において前記第一の成分信号に対して画像処理された信号を受信する受信手段と、前記受信手段によって受信した画像処理後の第一の成分信号と、前記画素の複数の成分信号のうちの前記第二の成分信号とを用いて、印刷のためのデータを生成する生成手段とを有する。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月16日(2015.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光素子、発光装置、電子機器、照明装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極間にＥＬ層を有し、
前記ＥＬ層は、燐光性イリジウム金属錯体を含み、
前記燐光性イリジウム金属錯体は、
４位にアリール基を有するピリミジン環の３位の窒素が金属に配位し、
前記ピリミジン環の６位にカルバゾール骨格を含む置換基を有し、
前記ピリミジン環の４位のアリール基は、前記金属と結合することによりオルトメタル化した構造であることを特徴とする発光素子。
【請求項２】
一対の電極間にＥＬ層を有し、
前記ＥＬ層は、燐光性イリジウム金属錯体を含み、
前記燐光性イリジウム金属錯体は、
２位にアリール基を有するピリミジン環の１位の窒素が金属に配位し、
前記ピリミジン環の４位にカルバゾール骨格を含む置換基を有し、
前記ピリミジン環の２位のアリール基は、前記金属と結合することによりオルトメタル化した構造であることを特徴とする発光素子。
【請求項３】
一対の電極間にＥＬ層を有し、
前記ＥＬ層は、燐光性イリジウム金属錯体を含み、
前記燐光性イリジウム金属錯体は、
２位にアリール基を有する１，３，５−トリアジン環の１位の窒素が金属に配位し、
前記１，３，５−トリアジン環の４位にカルバゾール骨格を含む置換基を有し、
前記１，３，５−トリアジン環の２位のアリール基は、前記金属と結合することによりオルトメタル化した構造であることを特徴とする発光素子。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一に記載の発光素子を有する発光装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか一に記載の発光素子を有する電子機器。
【請求項６】
請求項１乃至請求項３のいずれか一に記載の発光素子を有する照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月11日(2015.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電荷結合デバイス（ＣＣＤ）であって、該電荷結合デバイスは、
電荷キャリアの移送のためのチャンネルであって、該チャネルは、第１の導電性型を有する、チャネルと、
該チャネルの上に配置され、該チャネル内の電荷キャリアの移送を制御する複数のゲート電極と、
該チャネルの相対する側面から横方向に離して置かれ、該第１の導電性型と反対の第２の導電性型を有する第１のチャネルストップおよび第２のチャネルストップと、
該チャネルと該第１のチャネルストップおよび第２のチャネルストップの各々との間に配置された完全に枯渇している領域と、
複数の制御ワイヤであって、各ワイヤは、ゲート電極に電気的に接続され、該チャネルと該第２のチャネルストップとの間の水平方向の距離は、該チャネルと該チャネルから最も遠くに配置された該制御ワイヤとの間の水平方向の距離よりも大きい、複数の制御ワイヤと
を備えている、電荷結合デバイス。
【請求項２】
前記完全に枯渇している領域のうちの少なくとも１つは、前記チャネルの下に延びている、請求項１に記載のＣＣＤ。
【請求項３】
（ｉ）前記ＣＣＤは、複数の相で電荷キャリアを移送し、（ｉｉ）前記複数のゲート電極は、各相に対するただ１つの独立的に制御可能なゲート電極を備えている、請求項１に記載のＣＣＤ。
【請求項４】
前記複数のゲート電極のうちの少なくとも１つは、少なくとも１つの他のゲート電極によって印加される電圧よりも大きな電圧の印加によって前記チャネル内の電荷を増倍するように構成されている、請求項１に記載のＣＣＤ。
【請求項５】
前記第１のチャネルストップまたは前記第２のチャネルストップのうちの少なくとも１つは、実質的に前記チャネルの全長に沿って延びている連続性のドープされた領域である、請求項１に記載のＣＣＤ。
【請求項６】
前記第１のチャネルストップまたは前記第２のチャネルストップのうちの少なくとも１つは、複数の離散かつ分離されたドープされた領域を備えている、請求項１に記載のＣＣＤ。
【請求項７】
複数の制御ワイヤをさらに備え、各ワイヤは、ゲート電極に電気的に接続され、前記チャネルと前記第２のチャネルストップとの間の水平方向の距離は、該チャネルと該制御ワイヤのうちの少なくとも１つとの間の水平方向の距離よりも小さい、請求項１に記載のＣＣＤ。
【請求項８】
前記チャネルは、前記第２の導電性型のドープされたウェル内に配置されている、請求項１に記載のＣＣＤ。
【請求項９】
前記複数のゲート電極の各々は、前記チャネルの幅よりも大きな幅を有する、請求項１に記載のＣＣＤ。
【請求項１０】
電荷結合デバイス（ＣＣＤ）を形成する方法であって、該方法は、
基板内に配置されたチャネルを形成することであって、該チャネルは、第１の導電性型を有する、ことと、
該チャネル内における電荷キャリアの移送を制御するための複数のゲート電極を該チャネルの上に形成することと、
該第１の導電性型と反対の第２の導電性型を有する第１のチャネルストップおよび第２のチャネルストップを該チャネルの相対する側面から横方向に離して形成することであって、該第１のチャネルストップおよび第２のチャネルストップは各々、完全に枯渇している領域によって該チャネルから離して置かれる、ことと、
複数の制御ワイヤを形成することであって、各ワイヤは、ゲート電極に電気的に接続され、該チャネルと該第２のチャネルストップとの間の水平方向の距離は、該チャネルと該チャネルから最も遠くに配置された該制御ワイヤとの間の水平方向の距離よりも大きい、ことと
を含む、方法。
【請求項１１】
前記チャネルを形成することは、前記第１の導電性型のドーパントのイオン注入を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１のチャネルストップおよび第２のチャネルストップを形成することは、前記第２の導電性型のドーパントのイオン注入を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記複数のゲート電極のうちの少なくとも１つは、少なくとも１つの他のゲート電極によって印加される電圧よりも大きな電圧の印加によって前記チャネル内の電荷を増倍するように構成される、請求項１０に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月7日(2015.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】酸化物半導体膜
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩｎｘＧｅ（１−ｘ／２）（１−ｙ）Ｓｎ（１−ｘ／２）ｙＺｎ１−ｘ／２Ｏ３（ＺｎＯ）ｎ（ｘは０より大きく２未満の数、ｙは０以上１未満の数、ｎは１以上の数）で表される結晶を有する酸化物半導体膜。
【請求項２】
Ｉｎｘ（１−ｙ）ＧａｘｙＧｅ１−ｘ／２Ｚｎ１−ｘ／２Ｏ３（ＺｎＯ）ｎ（ｘは０より大きく２未満の数、ｙは０以上１未満の数、ｎは１以上の数）で表される結晶を有する酸化物半導体膜。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月27日(2015.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜上に、金属膜を形成し、
前記酸化物半導体膜中の酸素を前記金属膜に移動させ、前記酸化物半導体膜上に金属酸化物膜を形成し、
前記酸化物半導体膜と前記金属酸化物膜とをエッチング加工して、島状の酸化物半導体膜と島状の金属酸化物膜とを形成し、
前記島状の金属酸化物膜上に、酸化シリコン、酸窒化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化ガリウム、又はＧａ―Ｚｎ系金属酸化物のいずれかを有する絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に、前記島状の酸化物半導体膜と重なる領域を有するゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記金属膜は、アルミニウム、ジルコニウム、ハフニウム、又はタンタルのいずれかであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月11日(2015.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上の、ソース電極層、ドレイン電極層及び酸化物半導体層と、
前記ソース電極層、前記ドレイン電極層及び前記酸化物半導体層の上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上のゲート電極層と、
前記ゲート電極層の一方の側面と接する第１の側壁層と、
前記ゲート電極層の他方の側面と接する第２の側壁層と、を有し、
前記酸化物半導体層の一方の側面は、前記ソース電極層と接し、
前記酸化物半導体層の他方の側面は、前記ドレイン電極層と接し、
前記酸化物半導体層は、前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層とは重ならず、
前記第１の側壁層の少なくとも一部は、前記ソース電極層と重なり、
前記第２の側壁層の少なくとも一部は、前記ドレイン電極層と重なり、
前記第１の側壁層及び前記第２の側壁層は、導電性を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
基板と、
前記基板上のソース電極層、ドレイン電極層及び酸化物半導体層と、
前記ソース電極層、前記ドレイン電極層及び前記酸化物半導体層の上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上のゲート電極層と、
前記ゲート電極層の一方の側面と接する第１の側壁層と、
前記ゲート電極層の他方の側面と接する第２の側壁層と、を有し、
前記酸化物半導体層は、第１の不純物領域、第２の不純物領域及び前記第１の不純物領域と前記第２の不純物領域とに挟まれたチャネル形成領域と、を有し、
前記酸化物半導体層の前記第１の不純物領域の一方の側面は、前記ソース電極層と接し、
前記酸化物半導体層の前記第２の不純物領域の一方の側面は、前記ドレイン電極層と接し、
前記酸化物半導体層は、前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層とは重ならず、
前記第１の側壁層の少なくとも一部は、前記ソース電極層と重なり、
前記第２の側壁層の少なくとも一部は、前記ドレイン電極層と重なり、
前記第１の側壁層及び前記第２の側壁層は、導電性を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記酸化物半導体層は、前記ソース電極層または前記ドレイン電極層と接する側面において、テーパ形状を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１の側壁層、前記第２の側壁層及び前記ゲート電極層上の絶縁層と、
前記絶縁層及び前記ゲート絶縁層が有する第１の開口を介して、前記ソース電極層と電気的に接続する第１の配線層と、
前記絶縁層及び前記ゲート絶縁層が有する第２の開口を介して、前記ドレイン電極層と電気的に接続する第２の配線層と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
基板上に島状の酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層を覆う導電膜を形成し、
前記導電膜を研磨処理することで、前記酸化物半導体層を露出させるとともに、前記導電膜からソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記酸化物半導体層、前記ソース電極層、及び前記ドレイン電極層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上にゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層の側面に接して、導電性を有する第１の側壁層及び第２の側壁層を形成し、
前記第１の側壁層の少なくとも一部は、前記ソース電極層と重なり、
前記第２の側壁層の少なくとも一部は、前記ドレイン電極層と重なること特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月9日(2015.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の濃度にて第１の導電型のバックグラウンドドーピングがされている基板を含んでなる半導体デバイス構造において、
前記基板を貫通している、基板貫通バイアと、
前記基板の第１の面に設けられ、第２の導電型の第１のドープ領域を有するデバイスと、
前記基板貫通バイアの周りに設けられる第２のドープ領域とを備え、前記第２のドープ領域は前記第１の濃度よりも高い第２の濃度にて前記第１の導電型にドープされ、
前記デバイスは前記基板貫通バイアに結合する横方向拡散ＭＯＳ（ＬＤＭＯＳ）トランジスタであり、前記ＬＤＭＯＳトランジスタは前記基板貫通バイアに結合する前記第１の導電型の本体接続を有し、前記第２のドープ領域は前記本体接続よりも深い深さまで延伸している、半導体デバイス構造。
【請求項２】
第１の濃度にて第１の導電型のバックグラウンドドーピングがされている基板を含んでなる半導体デバイス構造において、
前記基板を貫通している、基板貫通バイアと、
前記基板の第１の面に設けられ、第２の導電型の第１のドープ領域を有するデバイスと、
前記基板貫通バイアの周りに設けられる第２のドープ領域とを備え、前記第２のドープ領域は前記第１の濃度よりも高い第２の濃度にて前記第１の導電型にドープされ、
前記第１のドープ領域は前記基板の前記第１の面の下方の第１の深さまで延伸する、前記ＬＤＭＯＳトランジスタのドリフト領域を備え、前記第２のドープ領域は前記基板の前記第１の面の下方の第２の深さまで延伸し、前記第２の深さは前記第１の深さよりも大きく、前記第２の深さは前記第１の深さの１０倍以上である、半導体デバイス構造。
【請求項３】
第１の濃度にて第１の導電型のバックグラウンドドーピングがされている基板を含んでなる半導体デバイス構造において、
前記基板を貫通している、基板貫通バイアと、
前記基板の第１の面に設けられ、第２の導電型の第１のドープ領域を有するデバイスと、
前記基板貫通バイアの周りに設けられる第２のドープ領域とを備え、前記第２のドープ領域は前記第１の濃度よりも高い第２の濃度にて前記第１の導電型にドープされ、前記第２の濃度は前記第１の濃度の１００００倍よりも高く、前記ＬＤＭＯＳトランジスタは、前記基板の前記第１の面の下方の第１の深さまで延伸するドリフト領域を備え、前記ドープ領域は前記基板の前記第１の面の下方の第２の深さまで延伸し、前記第２の深さは前記第１の深さよりも少なくとも５倍大きい、半導体デバイス構造。
【請求項４】
第１の面から第２の面まで貫通するバイアを有した半導体基板と、
第１の面に設けられ、第１のドープ領域を有するデバイスと、
前記バイアの周りに前記バイアに接触するように設けられた第２のドープ領域とを備えた半導体デバイス構造において、
前記基板は第１の濃度のバックグラウンドドーピングレベルを有し、
前記基板は第１の導電型を有し、
前記第１のドープ領域は前記第２の導電型を有して前記基板の表面から第１の深さまで延伸しており、
前記第２のドープ領域は前記基板から第２の深さまで延伸しており、
前記第２の深さは前記第１の深さよりも大きく、
前記第２のドープ領域は第２のドーピングレベルを有し、かつ、
前記第２の濃度は前記第１の濃度よりも高い、半導体デバイス構造。
【請求項５】
第１の濃度にて第１の導電型をバックグラウンドドーピングしてなる半導体基板を用いた半導体デバイス構造の製造方法において、
前記半導体基板の第１の面であって、前記第１の面の下方の第１の深さまで延びる第２の導電型の第１のドープ領域を有している、前記第１の面の上、及び内部にデバイスを形成する工程と、
前記半導体基板の前記第１の面と第２の面の間に延びて前記基板を貫通する開口を形成する工程と、
第２のドープ領域を形成する工程であって、前記第２のドープ領域は前記第１の深さよりも深く前記第１の面から延びる第２の深さまで前記開口の内部に設けられ、前記第１の濃度よりも高い第２の濃度を有し、かつ、前記第１の導電型を有している、前記第２のドープ領域を形成する工程と、
前記開口に金属を充填する工程であって、前記金属は前記第２のドープ領域に接触している、前記開口に金属を充填する工程とを備える、半導体デバイス構造の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月13日(2015.10.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の極性の導電性を有する第１の広バンドギャップ半導体の層を含む基板（３０６）と、
前記基板と電気的に接触して結合された第２の極性の導電性を有する前記第１または第２の広バンドギャップ半導体の第２の層（３０８）であって、前記第２の極性は前記第１の極性と異なる、第２の層と、
前記第２の層と電気的に接触して結合された前記第１の極性の導電性を有する前記第１、前記第２、または第３の広バンドギャップ半導体の第３の層（３１２）と
を含み、
前記第２の層および前記第３の層は、隣接接触層間の界面に対して約５度から約８０度の角を成す傾斜側壁の少なくとも一部を画成し、
前記第２の極性の導電性を有する前記層は、前記第１の極性の導電性を有する前記層に比して低濃度にドープされる、
メサ構造の半導体ダイ（３０２）と、
前記基板と電気的に接触して結合された第１の電極（３１０）と、
前記第３の層と電気的に接触して結合された第２の電極（３１４）とを含む過渡電圧抑制器（ＴＶＳ）アセンブリ（２１８）であって、
所定の大きさよりも大きい電圧が、前記第１および第２の電極を横切って印加されるとき、前記ＴＶＳアセンブリは、比較的大量の電流が前記ＴＶＳアセンブリを通って流れることを可能にするパンチスルーモードで動作する、ＴＶＳアセンブリ。
【請求項２】
前記ダイならびに前記第１および第２の電極を少なくとも部分的に取り囲むガラスまたはセラミック封入材（４１４）さらに含む、請求項１に記載のＴＶＳアセンブリ。
【請求項３】
第１の極性の導電性を有する前記層は、ｎ＋型導電性層を含み、第２の極性の導電性を有する前記層は、ｐ−型導電性層を含む、請求項１に記載のＴＶＳアセンブリ。
【請求項４】
第１の極性の導電性を有する前記層は、ｐ＋型導電性層を含み、第２の極性の導電性を有する前記層は、ｎ−型導電性層を含む、請求項１に記載のＴＶＳアセンブリ。
【請求項５】
前記基板および前記層は、炭化シリコン（ＳｉＣ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、ダイヤモンド、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ホウ素（ＢＮ）、およびそれらの組合せの少なくとも１つを含む、請求項１に記載のＴＶＳアセンブリ。
【請求項６】
ＳｉＣを含む第２の極性の導電性を有する層について、ドーパント濃度は、第１の極性の導電性を有する前記層のドーパント濃度よりも大きさが約１から５桁小さい、請求項１に記載のＴＶＳアセンブリ。
【請求項７】
前記第１および前記第２の電極の各々と前記ダイとの間に位置する拡散接合または合金化接触層（７０２、７０４）をさらに含む、請求項１に記載のＴＶＳアセンブリ。
【請求項８】
前記拡散接合または合金化接触層は、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）およびそれらの組合せを含む、請求項７に記載のＴＶＳアセンブリ。
【請求項９】
前記ダイならびに前記第１および第２の電極を少なくとも部分的に取り囲むガラス封入材をさらに含み、
前記第１および前記第２の電極は、前記ガラス封入材の熱膨張係数と実質的に一致する熱膨張係数を含む、
請求項１に記載のＴＶＳアセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月22日(2015.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャビティーを有する胴体と、
前記キャビティーに配置された複数のリードフレームと、
前記複数のリードフレームのうち、少なくとも１つの上に配置された発光チップと、
前記キャビティーにモールディング部材と、
前記胴体の上に配置され、前記発光チップから放出された光を屈折させる高分子層と、
前記高分子層の上に配置され、入射される光を放出する第１電極層と、
前記高分子層と前記胴体との間に配置され、前記発光チップから放出された光が透過される第２電極層と、
前記第１電極層の上に配置された第１ベースフィルムと、
前記第２電極層の下に配置された第２ベースフィルムと、
を備え、
前記第２ベースフィルムの一部は、前記モールディング部材の上面に接触することを特徴とする、光源モジュール。
【請求項２】
前記高分子層は前記第１電極層と前記第２電極層に供給される電圧の差によって前記第１電極層から入射される光の指向角を変換させることを特徴とする、請求項１に記載の光源モジュール。
【請求項３】
前記高分子層は液晶を含むことを特徴とする、請求項１または２に記載の光源モジュール。
【請求項４】
前記液晶は屈折率異方性を有することを特徴とする、請求項３に記載の光源モジュール。
【請求項５】
前記高分子層の屈折率は０．１５乃至０．２５であることを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の光源モジュール。
【請求項６】
前記高分子層の下面の面積は、前記胴体の下面の面積の９０％乃至１５０％の範囲を有することを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の光源モジュール。
【請求項７】
前記第１及び第２ベースフィルムは透光性フィルムであることを特徴とする、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の光源モジュール。
【請求項８】
前記第１及び第２電極層は透光性の金属酸化物または金属窒化物を含むことを特徴とする、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の光源モジュール。
【請求項９】
前記高分子層の幅は、前記胴体の下面の幅の９０％乃至１５０％の範囲を有することを特徴とする、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の光源モジュール。
【請求項１０】
前記第２ベースフィルムは、前記胴体の上面に接着されることを特徴とする、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の光源モジュール。
【請求項１１】
前記高分子層は前記第１及び第２電極層の電圧によって前記発光チップから放出された光を遮断または透過させることを特徴とする、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の光源モジュール。
【請求項１２】
前記第１及び第２電極層は前記胴体の幅より広い幅を有することを特徴とする、請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の光源モジュール。
【請求項１３】
前記高分子層は前記第１及び第２電極層に供給される第１駆動電圧と第２駆動電圧との差が前記第１駆動電圧を基準に７０％を超過すれば、入射される光を１３０度以下の光指向角分布で照射することを特徴とする、請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の光源モジュール。
【請求項１４】
前記高分子層は前記第１及び第２電極層に供給される第１駆動電圧と第２駆動電圧との差が前記第１駆動電圧を基準に３０％乃至７０％範囲の差が出れば、入射される光を１４０度以上の光指向角分布で照射することを特徴とする、請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の光源モジュール。
【請求項１５】
前記発光素子の胴体の上面の周りに収納溝を含み、
前記収納溝には、前記第２ベースフィルム及び前記第２電極層の外側縁部が配置されることを特徴とする、請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の光源モジュール。