【事件の表示】
　特願２００２−　４６６１６「レーザ加工方法及び有孔部材」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　９月　５日出願公開、特開２００３−２４９７４０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
［１］手続の経緯
　本願は、平成１４年２月２２日の出願であって、平成１８年７月２０日付拒絶理由通知に対し、同年１０月２日付で意見書提出と手続補正がなされたが、同年１２月２０日付で拒絶査定がなされたため、これを不服として、平成１９年１月２５日に審判請求がなされるとともに、手続補正がなされたものである。
　
［２］平成１９年１月２５日付手続補正についての補正却下の決定
【補正却下の決定の結論】
　平成１９年１月２５日付の手続補正を却下する。
　
【理由】
１．本件手続補正の内容
　平成１９年１月２５日付の手続補正により、特許請求の範囲の請求項１は、次のとおりに補正された。
　
「【請求項１】
　第１の材料からなる表層部を有する下地部材と、該下地部材の表面に密着し第２の材料で形成された吸収層と、該吸収層表面に密着し第３の材料で形成された被覆層とを有する加工対象物を準備する工程と、
　前記被覆層を透過し、前記吸収層に一部吸収され、前記下地部材の表面で反射し、反射位置の該吸収層及び該被覆層を該下地部材から剥離させる範囲の波長、パルス幅、及びパルスエネルギをもつパルスレーザビームを、１ショットだけ前記加工対象物に前記被覆層表面から入射させ、該被覆層及び該吸収層を剥離させ、穴を形成する工程とを有し、
　前記吸収層及び前記被覆層は、前記波長、パルス幅、及びパルスエネルギをもつパルスレーザビームを１ショットだけ入射させることにより同時に剥離する材料で形成されているレーザ加工方法。」
　
２．補正の適否について
　上記請求項１についての補正は、補正前の請求項１に記載した発明の発明特定事項である「反射位置の該吸収層及び該被覆層を該下地部材から剥離させる性質をもつレーザビーム」を、補正後の請求項１において、「反射位置の該吸収層及び該被覆層を該下地部材から剥離させる範囲の波長、パルス幅、及びパルスエネルギをもつパルスレーザビーム」と限定するとともに、該レーザービームの加工対象物に対する入射について、「１ショットだけ」を付加して、そのようなレーザービームの入射が１ショットだけである旨を限定し、さらに、該吸収層及び該被覆層について、「前記吸収層及び前記被覆層は、前記波長、パルス幅、及びパルスエネルギをもつパルスレーザビームを１ショットだけ入射させることにより同時に剥離する材料で形成されている」と限定するものであるから、上記補正は、特許請求の範囲の限定的減縮を目的とするものに該当するといえる。
　そこで、以下では、本件手続補正後の請求項１に係る発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかどうかを検討する。
　
２−１．本件手続補正後の本願発明
　本件手続補正後の請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明１」という。）は、平成１９年１月２５日付で手続補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものと認める（上記「１．本件手続補正の内容」参照）。
　
２−２．先行刊行物及びその記載事項
　本願の出願前に頒布された刊行物である特開平１１−２６６０６８号公報（拒絶査定において引用された引用文献３、以下、「刊行物１」という。）及び特開平５−５０２７２号公報（以下、「刊行物２」という。）には、以下の事項が記載されている。
　
〔１〕刊行物１：特開平１１−２６６０６８号公報
〔１ａ〕「【特許請求の範囲】
　・・・（中略）・・・
【請求項７】  導体上に絶縁体を有する基板を用意し、該絶縁体にレーザー光を照射して該レーザー光照射部の該絶縁体を除去し、該導体の表面を露出する工程を有する配線基板の製造方法であって、該導体と該絶縁体との間にレーザー光吸収領域を有し、少なくとも該レーザー光吸収領域までレーザー光を照射する工程を含む配線基板の製造方法。」
　
〔１ｂ〕「【００３４】銅配線表面を黒化処理するあるいは光吸収層を設ける効果は、通常のＣＯ2 レーザー加工ではＣＯ2 レーザーの波長λ＝１０．０６μｍに対し、銅の反射率は約９９％であるため、絶縁層材料におけるレーザー光の吸収が存在しても、入射光と銅表面での反射光により定在波が形成され、銅表面は定在波の節となる。このため銅表面近傍の電界強度はほとんどゼロとなり、銅表面近傍の絶縁層材料が残渣として残ると推測される。一方、黒化処理を施す又は光吸収層を設けることにより、レーザー光に対する銅表面の反射率を低下させるとともに、黒化処理面又は光吸収層面での光の吸収を大きくすることで銅表面における電界強度が大きくなり、残渣のない加工面が得られるものと考えられる。・・・」
　
〔１ｃ〕「【００３６】
【実施例】（実施例１）以下、本発明の第１の実施形態を、図６（Ａ）〜図６（Ｄ）に基づいて説明する。図６（Ａ）〜図６（Ｄ）において、１は絶縁体、２，３は銅箔、９はレーザー光の吸収がよく分解しやすい金属薄膜、５はブラインドホール用の窓穴で、外層銅箔２を貫通するようにフォトリソにより形成する。１０はレーザー光により除去された導電層形成用の穴である。
【００３７】本発明の、レーザー穴空け加工用プリント基板を製造するには、まず図６（Ａ）に示したように銅箔３上にレーザー光を吸収し分解しやすい薄膜９を成膜する。・・・
【００３８】・・・
【００３９】次いで図６（Ｂ）に示したように、銅箔３上に薄膜９を成膜したものと絶縁体１とを薄膜９を内側にして貼り合わせる。逆側は銅箔２を貼る。次いで、両面の銅箔をパターニングするとともに、図６（Ｃ）に示したようにプリント基板の外層銅箔２を貫通する窓穴５を形成する。次いで図６（Ｄ）に示すように、前記窓穴５を通してプリント基板にレーザー光を照射し外層銅箔２と内層銅箔３との間にある絶縁材１と金属薄膜９を同時に除去して、ブラインドホール１０を形成すると、炭化層が残存しない銅面が露出する。
【００４０】上記実施形態において、金属薄膜９は１μｍのハンダを蒸着法により成膜したプリント基板において、窓穴５の径がφ０．２ｍｍ、外層銅箔２と内層銅箔３の間の絶縁材の厚さが、０．１ｍｍのとき、レーザー出力が３０ｍｊ／ｐ、パルス幅５０μｓ、を大気中で、５ショット照射して加工したところ、炭化層が残量しない銅面が露出した。」
　
〔２〕刊行物２：特開平５−５０２７２号公報
〔２ａ〕「【特許請求の範囲】
【請求項１】  配線から成る吸収体層及び薄膜が順次形成された基板上の所要部にパルスレーザ光を照射し、前記吸収体層の温度上昇による体積膨張を利用して前記薄膜を除去する薄膜除去方法において、該所要部の近傍に連続レーザ光を照射し、該連続レーザ光の該近傍部からの戻り光と、入射する該連続レーザ光を干渉させて、該パルスレーザ光照射時に発生する超音波の強度を検出し、該超音波の強度を基準値と比較して、薄膜除去の終状態を判定することを特徴とする薄膜除去方法。
【請求項２】  請求項１記載の薄膜除去方法において、パルスレーザ光の照射強度を、薄膜除去の起こるしきい照射強度より低い強度から、徐々に高めながら基板に照射すると共に、発生した超音波の強度と、該パルスレーザ光の強度の比を測定し、該強度比が該低い強度域の値から外れる該パルスレーザの照射強度を基準として、薄膜除去に必要な最適照射強度値を、該基準値に１．１から１．５の範囲の一定値を乗じた値として求め、該最適照射強度での該パルスレーザ光の照射により、薄膜除去を行うことを特徴とする薄膜除去方法。」
　
〔２ｂ〕「【００１６】次に本実施例における動作シーケンスを説明する。
【００１７】最初に、Ｘ−Ｙステージ２を動かして、パルスレーザ光の照射位置が基板１上の薄膜除去を行いたい配線（・・・）の表面になるよう基板１を移動する。次に、その位置から１０μｍ離れた配線表面の平坦部に、プローブレーザ光源８からの連続レーザ光が反射されるようにＸ−Ｙステージ９を動かして微調整する。次にアパーチャ２２の大きさを、基板上でのパルスレーザ照射部の大きさが配線の幅と同じ２μｍ×２μｍの短形となるよう設定する。薄膜除去の起こるしきい照射強度は、この幅程度のＡ１配線であれば１００ＭＷ／ｃｍ2 付近にあるので、まずパルスレーザ光の基板上での照射強度の初期値を、減衰器６により、５０ＭＷ／ｃｍ2 に設定する。次にパルスレーザ光源の繰り返しを５Ｈｚに設定して、一回ごとに照射強度を５ＭＷ／ｃｍ2 ずつ増加させながら、パルスレーザ光照射時に発生する調音波の強度を検出器１１により検出し、パルスレーザ光の照射強度と発生する調音波の強度との関係を測定する。得られる波形は、図３に示すような形状を示すので、弱い照射強度域での勾配が変化するａ点を越えた段階でパルスレーザ光の照射を一時停止し、次に照射するパルスレーザ光の照射強度を、この配線の場合のａ点の照射強度に相当する９０ＭＷ／ｃｍ2 の１，３倍の強度にあたる１１７ＭＷ／ｃｍ2 を最適照射強度に設定し、パルスレーザ光を１ショット照射して、薄膜除去を終了する。同様なシーケンスで配線の断面積が２μｍ幅×１μｍの厚みの場合には、最適照射強度は１３０ＭＷ／ｃｍ2 と予測された。このようにして、薄膜除去を行い、薄膜除去に伴う配線の損傷を薄膜除去前後の配線抵抗値の変化として評価したところ、従来の方法に比べ、抵抗値の増加値は、種々の配線構造を持つ基板につき測定誤差範囲内の０．１Ω程度の非常に低い値に再現性よく抑えることが可能となった。これらの結果は、従来法では、ＬＳＩ作成時の配線データと薄膜除去の予備実験から予測される最適値をもとに薄膜除去を行うが、配線の抵抗増加値が数Ωの範囲内でばらつくこと、時々加工が起こらない場合があるなど、再現性に問題があったのに対し大きな改善が得られることを示している。」
　
〔２ｃ〕「【００１９】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、多様な配線構造に応じて、各々の構造における、損傷がすくなく確実に薄膜除去を行うに必要な最適照射強度を所望の加工すべき配線についてそれぞれ事前に測定して、薄膜除去を行うことができるので、非常に高い歩留まりで確実に薄膜除去を行うことが可能となる。また、薄膜除去の終状態の良否を確実に判定できる利点がある。」
　
２−３．刊行物記載の発明
(ア)刊行物１の上記摘記事項〔１ａ〕には、基板の絶縁体にレーザー光を照射して該レーザー光照射部の絶縁体を除去し、導体の表面を露出すること等を含む配線基板の製造方法が記載されているから、刊行物１には、そのような配線基板の製造に用いるレーザ加工方法が記載されているといえる。
(イ)刊行物１の上記摘記事項〔１ｃ〕には、上記配線基板の製造方法の実施例として、導体としての銅箔上に、レーザー光吸収部としての金属薄膜を成膜したものと、絶縁体とを金属薄膜を内側にして貼り合わせたプリント基板を用意し、該プリント基板にレーザー光を５ショット照射し、絶縁材と金属薄膜を同時に除去して、ブラインドホールを形成する旨、及び、金属薄膜は、ハンダからなるものである旨が記載されている。
(ウ)刊行物１の上記摘記事項〔１ｂ〕の記載から見て、銅箔表面は、レーザー光を反射するものといえる。
　
　以上の(ア)〜(ウ)の事項を考慮し、摘記事項〔１ａ〕〜〔１ｃ〕の記載を整理すると、刊行物１には、次の「レーザー加工方法」に係る発明（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「導体上に絶縁体を有する基板を用意し、該絶縁体にレーザー光を照射して該レーザー光照射部の該絶縁体を除去し、該導体の表面を露出する工程を有する配線基板の製造に用いるレーザー加工方法であって、表面がレーザー光を反射する導体としての銅箔上にレーザー光吸収部としてのハンダからなる金属薄膜を成膜したものと、絶縁体とを金属薄膜を内側にして貼り合わせたプリント基板を用意し、該プリント基板にパルス幅５０μｓのレーザー光を５ショット照射し、絶縁材と金属薄膜を同時に除去して、ブラインドホールを形成するレーザー加工方法。」
　
２−４．対比・判断
(カ)本願補正発明１と刊行物１発明を対比すると、刊行物１発明における「レーザー加工」は、本願補正発明１における「レーザ加工」に相当し、以下同様に、「導体」乃至「（導体としての）銅箔」は「下地部材」に、「銅箔」の銅は「第１の材料」に、「レーザー光吸収部」乃至「（レーザー光吸収部としての）金属薄膜」は「吸収層」に、「ハンダ」は「第２の材料」に、「絶縁体」は「被覆層」に、「絶縁体」を構成する絶縁物乃至「絶縁材」は「第３の材料」に、「（レーザー光が照射される）プリント基板」は「加工対象物」に、「用意」は「準備」に、「ブラインドホール」は「穴」に、「（パルス幅５０μｓの）レーザー光」は「パルスレーザビーム」に、それぞれ相当する。（以下、刊行物１発明の用語に替えて、それに相当する本願補正発明１の用語を使用することがある。）
(キ)刊行物１発明において、吸収層（金属薄膜）は、下地部材（銅箔）上に成膜されることから見て、下地部材の表面に密着するものといえる。
(ク)刊行物１発明において、被覆層（絶縁体）は、下地部材（銅箔）上に吸収層（金属薄膜）を成膜したものと、吸収層（金属薄膜）を内側にして貼り合わされることから見て、吸収層の表面に密着するものといえる。
(ケ)レーザビームは、所定の波長及びエネルギーをもつものであるから、刊行物１発明におけるパルス幅５０μｓのレーザビーム（レーザー光）は、５ショットで、被覆層（絶縁体）と吸収層（金属薄膜）を同時に除去することのできる範囲の波長、パルス幅、及びパルスエネルギーをもつものといえる。
(コ)刊行物１発明において、被覆層（絶縁体）に照射されたレーザビーム（レーザー光）は、吸収層（金属薄膜）に一部吸収され、さらに、吸収層（金属薄膜）に吸収されずに透過するレーザビームは、吸収層（金属薄膜）の透過位置の下地部材（導体）の表面で反射するから、レーザビームは、被覆層（絶縁体）を透過し、吸収層（金属薄膜）に一部吸収され、下地部材（導体）の表面で反射するものであり、しかも、反射位置の被覆層（絶縁体）と吸収層（金属薄膜）が除去されるといえる。
　
　以上の(カ)〜(コ)の事項を勘案すると、両者は、
「第１の材料からなる表層部を有する下地部材と、該下地部材の表面に密着し第２の材料で形成された吸収層と、該吸収層表面に密着し第３の材料で形成された被覆層とを有する加工対象物を準備する工程と、
　前記被覆層を透過し、前記吸収層に一部吸収され、前記下地部材の表面で反射し、反射位置の該吸収層及び該被覆層を該下地部材から除去させる範囲の波長、パルス幅、及びパルスエネルギをもつパルスレーザビームを、前記加工対象物に前記被覆層表面から入射させ、該被覆層及び該吸収層を除去させ、穴を形成する工程とを有し、
　前記吸収層及び前記被覆層は、前記波長、パルス幅、及びパルスエネルギをもつパルスレーザビームを入射させることにより除去する材料で形成されているレーザ加工方法。」である点で一致するが、次の点で相違する。
　
＜相違点Ａ＞
　本願補正発明１では、下地部材からの吸収層及び被覆層の除去が「剥離」であるのに対し、刊行物１発明では、下地部材からの吸収層及び被覆層の除去が「剥離」であるとは規定されていない点
　
＜相違点Ｂ＞
　本願補正発明１では、吸収層及び被覆層を下地部材から除去させる範囲の波長、パルス幅、及びパルスエネルギをもつパルスレーザビームの加工対象物に対する被覆層表面からの入射が、「１ショットだけ」であり、吸収層及び被覆層が、そのような「１ショットだけ」のパルスレーザビームの入射により同時に除去される材料で形成されているのに対し、刊行物１発明では、吸収層及び被覆層を下地部材から除去させる範囲の波長、パルス幅、及びパルスエネルギをもつパルスレーザビームの加工対象物に対する被覆層表面からの入射が、「５ショット」であり、吸収層及び被覆層が、そのような「５ショット」のパルスレーザビームの入射により同時に除去される材料で形成されている点
　
　以下、上記相違点について検討する。
＜相違点Ａについて＞
　刊行物１発明においても、吸収層及び被覆層を下地部材から除去するのであるから、そのような吸収層及び被覆層の下地部材からの除去は、剥離であるともいえる。
　したがって、この相違点Ａは、実質的な相違とはいえない。
　仮に、この相違点Ａが実質的な相違であるとしても、レーザ加工において、レーザビームを照射した部分を剥離して除去することは、上記刊行物２の摘記事項〔２ａ〕、下記周知例１の摘記事項〔周１ａ〕、〔周１ｂ〕、下記周知例２の摘記事項〔周２ａ〕の記載に見られるように、本願出願前において周知の事項であるから、刊行物１発明において、下地部材からの吸収層及び被覆層の除去を「剥離」とすることは、そのような周知事項に基づいて当業者が容易に想到し得たものというべきである。
　
周知例１：特開平５−６７８８２号公報
〔周１ａ〕「【０００７】
【作用】本発明によればビアホール部を形成する絶縁層の光学的透過率を上げることで、ＹＡＧレーザ光が照射されたときにまず下部導体が加熱され、そのときに絶縁層および下部導体の部分的熱膨張が起こり、ＹＡＧレーザ光の照射欠損部よりも若干大きめのほぼ円柱状に絶縁層が飛び出してビアホール部が形成される。そのために、下部導体の露出部が増加し、これにより上下導体間の接続の信頼性を向上することが可能となる。」
〔周１ｂ〕「【００１３】・・・ビアホール４を形成する絶縁層３の光学的透過率を変えることによってＹＡＧレーザの照射状態が変わり、ビアホール部の形状は図４に示すように３タイプに分けられる。図において、２ｒはビアホール４の直径、Ｄはベース基板１でのビアホール４の深さである。まず絶縁層３の透過率が約５９％以上になると図４（ｃ）に示す状態になり、レーザ加工穴より大きめの穴があく。この現象は絶縁層３の透過率が上がるとＹＡＧレーザのレーザ光が照射部の絶縁層３より、下部導体４を先に熱することでその近傍の下部導体や絶縁層３が発熱し熱膨張することで歪が生じて、ＹＡＧレーザの照射光の面積より若干大きめのほぼ円柱状のかたまりがはじき飛ばされて、その部分にビアホール４ａが形成される。」
　
周知例２：特開平７−２０４８７６号公報
〔周２ａ〕「【００１４】レーザビーム１２の出射強度の設定は、保護膜Ｈ１の種類と膜厚で決める。前述したようにレーザ発振器１１のレーザビーム１２の半値幅は１ｎｓから５ｎｓまでの半値幅である短パルスであり、ＩＣ１７表面の保護膜Ｈ１では熱の分散がなく、照射された金属薄膜配線パターンＬ１表面の一部と狭範囲の保護膜だけが集中した熱エネルギーで爆発剥離するのである。ただ、適切なエネルギーは金属薄膜Ｌ１表面までの保護膜Ｈ１の膜厚とその種類に依存しているので、出射エネルギー（パルス高）を制御して適切なエネルギーを有するレーザビーム１２の出射を行なわなければならない。」
　
＜相違点Ｂについて＞
　刊行物２の上記摘記事項〔２ａ〕〜〔２ｃ〕には、本願補正発明１や刊行物１発明と同様の、レーザビーム（レーザ光）で被覆層（薄膜）を除去するレーザ加工において、そのような除去に必要なパルスレーザービームの最適照射強度値を求め、パルスレーザービームの入射により確実に除去する旨が記載され、特に、上記摘記事項〔２ｂ〕には、そのような確実な除去に用いるパルスレーザービームを「１ショット」だけとする旨が記載されている。
　そして、作業の効率化や確実化は、当業者が通常考慮する程度の課題といえるから、刊行物１発明において、レーザ加工による除去作業の効率化や確実化を課題として、吸収層と被覆層とを１ショットで同時に除去するために必要なパルスレーザービームの最適照射強度値を求め、パルスレーザービームの「１ショット」だけの入射により確実に除去するようにして、上記相違点Ｂで示される本願補正発明１の発明特定事項を構成することは、刊行物２の上記記載に基づいて当業者が容易に想到し得たものというべきである。
　
　そして、本願補正発明１は、上記刊行物１、２の記載や上記周知事項から予測できないような格別に顕著な効果を奏するとは認められない。
　
　したがって、本願補正発明１は、刊行物１、２に記載された発明及び上記周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
２−５．補正の適否についてのむすび
　よって、上記補正を含む本件手続補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
［３］本願発明について　
１．本願発明
　平成１９年１月２５日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、平成１８年１０月２日付で手続補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものと認める。
　
「【請求項１】  第１の材料からなる表層部を有する下地部材と、該下地部材の表面に密着し第２の材料で形成された吸収層と、該吸収層表面に密着し第３の材料で形成された被覆層とを有する加工対象物を準備する工程と、
　前記被覆層を透過し、前記吸収層に一部吸収され、前記下地部材の表面で反射し、反射位置の該吸収層及び該被覆層を該下地部材から剥離させる性質をもつレーザビームを、前記加工対象物に前記被覆層表面から入射させ、該被覆層及び該吸収層を剥離させ、穴を形成する工程とを有するレーザ加工方法。」
　
２．引用刊行物及びその記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された本願出願前に頒布された刊行物である特開２０００−２５２６０９号公報（以下、「引用例」という。）には、以下の事項が記載されている。
　
引用例：特開２０００−２５２６０９号公報
（ａ）「【特許請求の範囲】
・・・（中略）・・・
【請求項４】  少なくとも片面に導電層を形成した絶縁層からなるプリント基板にレーザを照射して前記絶縁層にバイアホールを形成するプリント基板の加工方法において、
前記導電層と前記絶縁層との間に前記導電層よりもレーザ吸収率の高い導電界面層を形成したプリント基板に、レーザを照射してバイアホールを形成することを特徴とするプリント基板の加工方法。
【請求項５】  前記レーザで、前記バイアホールの底部から導電層が露出するように前記導電界面層を除去することを特徴とする請求項４に記載のプリント基板の加工方法。」
　
（ｂ）「【０００９】導電層１１，１４は、銅等の導電材料からなるプリント配線であり、・・・」
　
（ｃ）「【００１０】導電界面層１２は、前記導電層１１よりもレーザ吸収率が高い導電材からなるものである。好ましくは、導電層１１よりも少なくとも２倍以上のレーザ吸収率を有するもの、例えば、Ｃｕ，Ｚｎ，Ａｌ，Ｓｎ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉの金属単体、あるいは、これらを少なくとも１種類含む合金、例えば、Ｃｕ−Ｎｉ，Ｃｕ−Ｃｏ，Ｃｕ−Ｃｏ−Ｎｉ，Ｃｕ−Ｃｒ−Ｚｎ合金等が挙げられる。・・・」
　
（ｄ）「【００１１】絶縁層１３は、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレートあるいはエポキシ等のポリマー製であり、既存のものを使用できる。」
　
（ｅ）「【００２３】
【発明の効果】・・・請求項４にかかるプリント基板の加工方法によれば、レーザを照射することにより、レーザが導電界面層で効率良く熱エネルギーに変換されて高温となり、導電界面層を覆う絶縁材やスミアを確実に除去できる。このため、導通不良を防止するとともに、後工程を省力でき、作業性を改善できる。請求項５によれば、導電層が露出するまでレーザを照射して導電界面層を除去する。このため、導電界面層に残留しているおそれがある絶縁材あるいはスミアをより一層確実に除去でき、信頼性が向上するという効果がある。」
　
（ｆ）図１〜３には、導電界面層１２は、導電層１１と絶縁層１３との間に、それらの層と直接接触するように形成されていること、および、プリント基板の絶縁膜表面からレーザ光を照射することが示されている。
　
３．引用例記載の発明
(サ)引用例の上記摘記事項（ａ）に記載されたプリント基板の加工方法は、レーザの照射を利用するものであるから、レーザ加工方法といえる。
(シ)引用例の上記摘記事項（ｂ）、（ｃ）によれば、導電層は、銅等の導電材料からなるものであり、導電界面層は、Ｃｕ，Ｚｎ，Ａｌ，Ｓｎ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉの金属単体、あるいは、これらを少なくとも１種類含む合金からなるものといえる。
(ス)引用例の上記摘記事項（ｄ）によれば、絶縁層は、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレートあるいはエポキシ等のポリマーからなるものといえる。
(セ)引用例の上記摘記事項（ｅ）には、レーザを照射することにより、レーザが導電界面層で効率良く熱エネルギーに変換され、導電界面層が除去される旨が記載されているから、レーザは、絶縁層を透過し、導電界面層に一部吸収されるものといえる。
(ソ)引用例の図１〜３には、上記摘記事項（ｆ）のとおり、導電界面層１２は、導電層１１と絶縁層１３との間に、それらの層と直接接触するように形成されている旨が示されている。
　
　以上の(サ)〜(ソ)の事項を考慮し、摘記事項（ａ）〜（ｆ）の記載を整理すると、引用例には、次の「レーザ加工方法」に係る発明（以下、「引用例発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「少なくとも片面に導電層を形成した絶縁層からなるプリント基板にレーザを照射して前記絶縁層にバイアホールを形成するプリント基板のレーザ加工方法において、該導電層が銅等の導電材料からなり、該絶縁層がポリイミド、ポリエチレンテレフタレートあるいはエポキシ等のポリマーからなり、前記導電層と前記絶縁層との間に、それらの層と直接接触するように、前記導電層よりもレーザ吸収率が高く、Ｃｕ，Ｚｎ，Ａｌ，Ｓｎ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉの金属単体、あるいは、これらを少なくとも１種類含む合金からなる導電界面層を形成したプリント基板に、絶縁層を透過し導電界面層に一部吸収されるレーザを前記絶縁膜表面から照射してバイアホールを形成するとともに、前記レーザで、前記バイアホールの底部から導電層が露出するように前記導電界面層を除去するプリント基板のレーザ加工方法。」
　
４．対比・判断
(タ)本願発明１と引用例発明を対比すると、引用例発明における「導電層」は、本願発明１における「下地部材」に相当し、以下同様に、「銅等の導電材料」は「第１の材料」に、「（レーザ吸収率の高い）導電界面層」は「吸収層」に、「Ｃｕ，Ｚｎ，Ａｌ，Ｓｎ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉの金属単体、あるいは、これらを少なくとも１種類含む合金」は「第２の材料」に、「絶縁層」は「被覆層」に、「ポリイミド、ポリエチレンテレフタレートあるいはエポキシ等のポリマー」は「第３の材料」に、「（レーザが照射される）プリント基板」は「加工対象物」に、「バイアホール」は「穴」に、「（照射される）レーザ」は「レーザビーム」に、それぞれ相当する。（以下、引用例発明の用語に替えて、それに相当する本願発明１の用語を使用することがある。）
(チ)引用例発明において、下地部材（導電層）と被覆層（絶縁層）との間に、それらの層と直接接触するように、吸収層（導電界面層）が形成されていることから見て、吸収層（導電界面層）は下地部材（導電層）の表面に密着し、被覆層（絶縁層）は吸収層（導電界面層）の表面に密着しているといえる。
(ツ)引用例発明のレーザ加工方法においては、加工対象物（プリント基板）をレーザ加工するのであるから、加工対象物（プリント基板）を準備する工程の存在を前提とするものといえる。
(テ)被覆層（絶縁層）表面からレーザ光を入射させて吸収層（導電界面層）を除去する際には、当該吸収層上に形成された被覆層のレーザー照射部も当然、除去されるものである。
　
以上の(タ)〜(テ)の事項を勘案すると、両者は、
「第１の材料からなる表層部を有する下地部材と、該下地部材の表面に密着し第２の材料で形成された吸収層と、該吸収層表面に密着し第３の材料で形成された被覆層とを有する加工対象物を準備する工程と、
　前記被覆層を透過し、前記吸収層に一部吸収され、該吸収層及び該被覆層を該下地部材から除去させる性質をもつレーザビームを、前記加工対象物に前記被覆層表面から入射させ、該被覆層及び該吸収層を除去させ、穴を形成する工程とを有するレーザ加工方法。」である点で一致するが、次の点で相違する。
　
＜相違点α＞
　本願発明１では、下地部材からの吸収層及び被覆層の除去が「剥離」であるのに対し、引用例発明では、下地部材からの吸収層及び被覆層の除去が「剥離」であるとは規定されていない点
　
＜相違点β＞
　本願発明１では、レーザビームが「下地部材の表面で反射」し、下地部材から除去される吸収層及び被覆層が「反射位置」のものであるのに対し、引用例発明では、レーザビームが「下地部材の表面で反射」するかどうかや、除去される吸収層及び被覆層が「反射位置」のものであるかどうかが定かでない点
　
　以下、上記相違点について検討する。
＜相違点αについて＞
　引用例発明においても、吸収層及び被覆層を下地部材から除去するのであるから、そのような吸収層及び被覆層の下地部材からの除去は、剥離であるともいえる。
　したがって、この相違点αは、実質的な相違とはいえない。
　仮にそうでないとしても、レーザ加工において、レーザビームを照射した部分を剥離して除去することは、上記［２］「２−４．対比・判断」の＜相違点Ａについて＞で述べたように、本願出願前において周知の事項であるから、引用例発明において、下地部材からの吸収層及び被覆層の除去を「剥離」とすることは、そのような周知事項に基づいて当業者が容易に想到し得たものというべきである。
　
＜相違点βについて＞
　エポキシ樹脂等からなるプリント基板の、非貫通孔加工用のパルスレーザビームは、引用例の「レーザが導電界面層で効率良く熱エネルギーに変換されて高温とな」（摘記ｅ）るとの記載から見て、樹脂被覆層１にほとんど吸収されることなく透過し、一部が吸収層２で吸収されているものと認められる。また、引用例発明における下地部材（導電層）は、銅等の金属層からなっており、金属層は、その表面でレーザビームを反射する性質を有するものであるから、引用例発明における吸収層を透過してきたレーザビームを、金属である「下地部材の表面で反射」させるようにすることは当業者が容易に成しうるものである。
　そして、そのような領域を含む近傍領域を、「反射位置」として吸収層や被覆層を除去しているものである。
　
　そして、本願発明１は、上記引用例の記載や上記周知事項から予測できないような格別に顕著な効果を奏するとは認められない。
　
　したがって、本願発明１は、引用例に記載された発明及び上記周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
５．むすび 
　以上のとおりであるから、本願発明１は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。