【事件の表示】
　平成　９年特許願第３２７９００号「液晶表示装置及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　６月１９日出願公開、特開平１０−１６１１５８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　
第１　手続の経緯
　
　本願は、平成９年１１月２８日（パリ条約による優先権主張１９９６年１１月２９日、大韓民国）の出願であって、平成１９年８月９日に手続補正がなされ、同年９月４日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年１２月７日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年１２月２５日に手続補正がなされたものである。
　
第２　平成１９年１２月２５日付け手続補正についての補正却下の決定
　
〔補正却下の決定の結論〕
　平成１９年１２月２５日付け手続補正を却下する。
　
〔理由〕
１．本件補正の内容・目的
　平成１９年１２月２５日付け手続補正（以下「本件補正」という。）は、特許請求の範囲についてするもので、本件補正前の請求項７に、
「基板と、
　前記基板上に形成されたゲートバス配線と、
　前記基板上に形成されたデータバス配線と、
　前記基板上に形成されたスイッチング素子と、
　前記ゲートバス配線、前記データバス配線及び前記スイッチング素子を覆うように形成された粗い表面の保護層と、
　前記保護層の粗い表面上に形成された画素電極とを備え、
　前記保護層は有機絶縁物質を含み、前記有機絶縁物質はポリイミド系樹脂、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、ベンゾシクロブテン（benzocyclobutene）、フッ素が添加されたポリイミド（polyimide）、過フルオロシクロブタン（perfluorocyclobutane：PFCB）、及びフルオロポリアリールエーテル（fluoropolyarylether）のうちの少なくとも一つを含み、前記画素電極は、前記ゲートバス配線、又は前記データバス配線の少なくともいずれか一方に重畳されることを特徴とする液晶表示装置。」
とあったものを、
　
「基板と、
前記基板上に形成されたゲートバス配線と、
前記基板上に形成されたデータバス配線と、
前記基板上に形成されたスイッチング素子と、
前記ゲートバス配線、前記データバス配線及び前記スイッチング素子を覆うように形成され
、画素電極がオーバエッチされることを防ぐように全体の表面を粗くした
前記保護層の粗い表面上に形成された画素電極とを備え、
前記画素電極と前記データバス配線間のリーク電流及びクロストーク現象を防ぐように
前記画素電極は、
前記データバス配線
と補正して新たな請求項６とする内容を含むものである。
　
　上記補正内容は、発明を特定するために必要な事項として本件補正前の請求項７に記載されていた「粗い表面の保護層」を「画素電極がオーバエッチされることを防ぐように全体の表面を粗くした保護層」と限定し、同じく本件補正前の請求項７に記載されていた「前記保護層」が「有機絶縁物質を含」むことについて「前記画素電極と前記データバス配線間のリーク電流及びクロストーク現象を防ぐように」との機能的限定を付加し、かつ、同じく本件補正前の請求項７に記載されていた「前記画素電極」が「重畳される」対象が「前記ゲートバス配線、又は前記データバス配線の少なくともいずれか一方」であったのを「前記データバス配線」に減縮するものであるから、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　
　そこで、本件補正後の請求項６に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
２．刊行物の記載事項
　
（１）原査定の拒絶の理由に引用された本願の出願前に頒布された刊行物である特開平４−２５７８２６号公報（以下「引用例１」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
　
ア　「【０００３】その一例としての、アクティブマトリクス液晶表示装置は、ＴＦＴが形成されたアクティブマトリクス基板と、対向電極を有する対向基板とを貼り合わせ、両基板間に液晶を封入して作成される。図３はこのようなアクティブマトリクス基板の一従来例を示しており、以下のようにして作成される。まず、ガラス等からなる透明絶縁性の基板１上にＴａ、Ｃｒ等の金属からなるゲート電極２を形成し、次いで、該ゲート電極２を覆うようにしてＳｉＮｘ、ＳｉＯｘ等からなるゲート絶縁膜４、非晶質シリコン（以下ａ−Ｓｉと称する）、多結晶シリコン、ＣｄＳｅ等からなる半導体層５をこの順に積層する。次いで、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ等からなるソース電極６およびドレイン電極８をパターニングにより形成してＴＦＴ３０を得る。なお、オーミックコンタクトをとるために、通常、半導体層５とソース電極６およびドレイン電極８との間にはリン（Ｐ）をドーピングしたｎ＋ａ−Ｓｉ層９が形成される。
【０００４】そして、以上のようにしてＴＦＴ３０が作成された基板１上にポリイミドやアクリル樹脂等の層間絶縁膜（透明絶縁膜）１０を塗布し、その表面にＩＴＯ（Ｉｎｄｉｎｍ　　Ｔｉｎ　　Ｏｘｉｄｅ）等の透明導電膜を成膜し、これをパターニングして絵素電極１１を形成する。絵素電極１１は層間絶縁膜１０に形成されたコンタクトホール１２を介してドレイン電極８に接続される。」
　
イ　「【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従来例では、層間絶縁膜１０をポリイミドやアクリル樹脂で形成するため、該層間絶縁膜１０とＩＴＯ等の透明導電膜で形成される絵素電極１１との密着性が悪く、絵素電極１１をパターニングする際に使用されるウェットエッチャントが層間絶縁膜１０と絵素電極１１との密着不良部に染み込み、絵素電極１１が層間絶縁膜１０から剥離され、これに起因する断線等の不具合いを発生し易いという問題がある。このため、不良品が多発し、アクティブマトリクス基板の歩留まり低下の要因となっていた。」
　
ウ　「【００１０】
【実施例】本発明の実施例について以下に説明する。
【００１１】図１および図２は本発明方法により製造されるアクティブマトリクス基板を示しており、このアクティブマトリクス基板は、透明のガラス基板１上にソースバスライン７およびゲートバスライン３を縦横に配線し、両バスライン３、７で囲まれた矩形状の領域に絵素電極１１をマトリクス状に配設してなる。
【００１２】ゲートバスライン３にはゲート電極２が分岐され、ソースバスライン７にはソース電極６が分岐される。ゲート電極２の位置にはスイッチング素子として機能するＴＦＴ３０が形成される。このＴＦＴ３０は前記ソース電極６とドレイン電極８を備え、図１に示す構造になっている。
【００１３】以下、図１に従いアクティブマトリクス基板の構造およびその製造手順について説明する。図１（ａ）に示すように、まずスパッタリング法によりガラス基板１上に膜厚３００ｎｍのＴａ膜を成膜し、次いで、該Ｔａ膜をフォトリソグラフィによりパターニングしてゲート電極２を形成する（この時図２に示すゲートバスライン３が同時に形成される。）。次に、プラズマＣＶＤ法により、ガラス基板１上にゲート電極２を覆うようにして膜厚４００ｎｍのＳｉＮｘ膜からなるゲート絶縁膜４、膜厚１００ｎｍのａ−Ｓｉからなる半導体層５およびリン（Ｐ）をドーピングした膜厚４０ｎｍのｎ＋−Ｓｉ層９を連続して積層し、これを図示する断面形状にパターニングする。
【００１４】次いで、これらを覆うようにしてガラス基板１上にスパッタリング法により膜厚２００ｎｍのＭｏ膜を成膜し、これをパターニングしてソース電極６（この時図２に示されるソースバスライン７が同時に形成される。）およびドレイン電極８を得、これによりＴＦＴ３０がマトリクス状に配置されたＴＦＴアレイが作成される。
【００１５】次に、図３（ｂ）に示すように、ガラス基板１上に膜厚１μｍのアクリル樹脂からなる層間絶縁膜１０を塗布し、これをパターニングして、該層間絶縁膜１０のドレイン電極８の端部に相当する部分にコンタクトホール１２を開口する。…（略）…。
【００１６】次いで、図３（ｃ）に示すように、層間絶縁膜１０の上にスパッタリング法により膜厚１００ｎｍのＩＴＯ膜を成膜し、この膜をレジストおよびウェットエッチャントを用いたエッチング法によりパターニングして、図示する形状の絵素電極１１を得る。該絵素電極１１の端部はコンタクトホール１２を通してドレイン電極８の端部に電気的に接続される。」
　
エ　図２から、絵素電極１１とソースバスライン７とは重畳していることが見てとれる。
　
オ　上記アないしエからみて、引用例１には、
「ソースバスラインおよびゲートバスラインを縦横に配線し両バスラインで囲まれた矩形状の領域に絵素電極をマトリクス状に配設してなるアクティブマトリクス基板と、対向電極を有する対向基板とを貼り合わせ、両基板間に液晶を封入して作成されるアクティブマトリクス液晶表示装置において、
　前記アクティブマトリクス基板は、透明絶縁性の基板上にゲート電極を形成し、次いで、該ゲート電極を覆うようにしてゲート絶縁膜、半導体層をこの順に積層し、次いで、ソース電極およびドレイン電極をパターニングにより形成してＴＦＴを得て、該ＴＦＴが作成された基板上にポリイミドやアクリル樹脂等の層間絶縁膜を塗布し、その表面に透明導電膜を成膜し、これをパターニングして前記ソースバスラインに重畳する絵素電極を形成し、該絵素電極は層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介してドレイン電極に接続されている構造であって、前記層間絶縁膜はポリイミドやアクリル樹脂で形成するため、該層間絶縁膜とＩＴＯ等の透明導電膜で形成される前記絵素電極との密着性が悪いと、前記絵素電極をパターニングする際に使用されるウェットエッチャントが前記層間絶縁膜と前記絵素電極との密着不良部に染み込み、前記絵素電極が前記層間絶縁膜から剥離されることに起因する断線等の不具合いが発生し易い構造であるアクティブマトリクス液晶表示装置。」の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
　
（２）原査定の拒絶の理由に引用された本願の出願前に頒布された刊行物である特開昭６３−１６８６２４号公報（以下「引用例２」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
　
ア　「〔従来の技術〕
　…（略）…エポキシ樹脂やアクリル樹脂等からなる保護膜が設けられていた。
　しかし、此の保護膜は、…（略）…この保護膜と透明導電膜…（略）…との密着性についての配慮が不足しており、そのためカラー液晶表示素子の信頼性は必ずしも万全とは言い難かった。
〔発明が解決しようとする問題点〕
　本発明は上記従来のカラー液晶表示素子の問題点を解決し、信頼性の高いカラー液晶表示素子を提供することを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
　上記問題点を解決するために本発明においては、ガラス基板の内面に接着したカラーフィルタの内側に、カラーフィルタの色素の防染用に設けた保護膜の内側表面を表面処理して粗面化し、この粗面化した保護膜の上に、透明導電膜を形成させ…（略）…るようにした。保護膜内側表面の粗面化は、酸素プラズマやアルカリなどによる表面処理によって極めて容易に実現できる。
〔作用〕
　上記のようにカラーフィルタの保護膜は、その内側表面を粗面化するだけで、透明導電膜…（略）…との密着性が向上し、それによってカラー液晶表示素子の信頼性を高めることが出来る。
〔実施例〕
　第１図は…（略）…保護膜３の膜面を、プラズマ又はアルカリ処理により図示の如く粗面化する。粗面化する方法としては、…（略）…保護膜材がエポキシ樹脂、アクリル樹脂などの有機物の場合は酸素プラズマ、又は強アルカリ水溶液による処理が適している。
…（略）…
　次に本発明を、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等を有する通称アクティブマトリクス基板液晶表示素子に応用した例を説明する。
…（略）…
　液晶ＬＣは上下のガラス基板ＳＵＢ１及びＳＵＢ２間に封入され、液晶分子の向きは上下の配向膜ＯＲＩ２及びＯＲＩ１で決められる。ＰＳＶ２はアクリル系の樹脂で形成された保護膜である。ＦＩＬはカラーフィルタである。ＩＴＯ２は配列された複数のピクセル電極ＩＴＯ１に対向する共通透明電極である。
…（略）…共通電極層ＩＴＯ２、配向膜ＯＲＩ１及びＯＲＩ２、無機保護膜ＰＳＶ１、画素電極ＩＴＯ１及びゲート絶縁膜ＧＩの層はシール材ＳＬの内側に留められる。
　カラーフィルタＦＩＬの保護膜ＰＳＶ２の下面は第１図に示した実施例について説明したように粗面化（上面に比べて）されており、ガラス基板ＳＵＢの…（略）…中央部分の表示領域では透明電極ＩＴＯ２との接着強度を高めている。」（１頁左下欄１７行〜３頁左上欄１４行）
　
イ　第３図から、保護膜ＰＳＶ２の内側表面全体が粗面化されていることが見てとれる。
　
ウ　上記ア及びイからみて、引用例２には、
「有機物からなる保護層の内側表面全体を表面処理して粗面化し、この粗面化した保護層の上に透明導電膜を形成するようにして、前記保護層の透明導電膜との密着性を向上して信頼性を高めた液晶表示素子。」の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
　
３．対比
　
　本願補正発明と引用発明１とを対比する。
　
（１）引用発明１の「透明絶縁性の基板」、「ゲートバスライン」、「ソースバスライン」、「ＴＦＴ」、「『ＴＦＴが作成された基板上に』『塗布』された『ポリイミドやアクリル樹脂等の層間絶縁膜』」、「絵素電極」、「ポリイミドやアクリル樹脂」、「ポリイミド」、「ソースバスラインに重畳する」及び「アクティブマトリクス液晶表示装置」は、それぞれ、本願補正発明の「基板」、「ゲートバス配線」、「データバス配線」、「スイッチング素子」、「保護層」、「画素電極」、「有機絶縁物質」、「ポリイミド系樹脂」、「データバス配線に重畳される」及び「液晶表示装置」に相当する。
　
（２）引用発明１の「ゲートバス配線」及び「データバス配線」は、いずれも「基板」上に形成されていることが明らかであるから、引用発明１は、本願補正発明の、「前記基板上に形成されたゲートバス配線」と「前記基板上に形成されたデータバス配線」とを備えている。
　
（３）引用発明１は「透明絶縁性の基板上にゲート電極を形成し、次いで、該ゲート電極を覆うようにしてゲート絶縁膜、半導体層をこの順に積層し、次いで、ソース電極およびドレイン電極をパターニングにより形成してＴＦＴを得て」いるから、引用発明１の「スイッチング素子（ＴＦＴ）」は「基板上に形成された」ものである。
　
（４）引用発明１のゲート電極及びソース電極は、それぞれ、ゲートバスライン及びソースバスラインと一体に形成されていることが明らかであり、引用発明１の「保護層（ポリイミドやアクリル樹脂等の層間絶縁膜）」は、ソース電極およびドレイン電極をパターニングにより形成してＴＦＴを得た基板上に塗布されているから、引用発明１の「保護層」は、「ゲートバス配線」、「データバス配線」及び「スイッチング素子」を覆うように形成されていることが明らかである。
　
（５）上記（１）ないし（４）から、本願補正発明と引用発明１とは、
「基板と、
前記基板上に形成されたゲートバス配線と、
前記基板上に形成されたデータバス配線と、
前記基板上に形成されたスイッチング素子と、
前記ゲートバス配線、前記データバス配線及び前記スイッチング素子を覆うように形成された保護層と、
前記保護層の表面上に形成された画素電極とを備え、
前記保護層は有機絶縁物質を含み、前記有機絶縁物質はポリイミド系樹脂を含み、
前記画素電極は、前記データバス配線に重畳される液晶表示装置。」の点で一致し、次の点で相違すると認められる。 
　
相違点１：
　本願補正発明においては、画素電極がオーバエッチされることを防ぐように保護層の全体の表面を粗くしているのに対して、引用発明１においては、そのようにしているかどうか不明である点。
　
相違点２：
　本願補正発明においては、画素電極とデータバス配線間のリーク電流及びクロストーク現象を防ぐように、保護層が有機絶縁物質を含み、前記有機絶縁物質がポリイミド系樹脂、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、ベンゾシクロブテン（benzocyclobutene）、フッ素が添加されたポリイミド（polyimide）、過フルオロシクロブタン（perfluorocyclobutane：PFCB）、及びフルオロポリアリールエーテル（fluoropolyarylether）のうちの少なくとも一つを含むのに対して、引用発明１においては、保護層は有機絶縁物質を含み、前記有機絶縁物質はポリイミド系樹脂を含んでいるが、それが画素電極とデータバス配線間のリーク電流及びクロストーク現象を防ぐようになっているかどうか明らかでない点。
　
４．判断
　
　上記相違点について検討する。
　
（１）相違点１について
　引用発明１の液晶表示装置は、層間絶縁膜とＩＴＯ等の透明導電膜で形成される絵素電極との密着性が悪いと、前記絵素電極をパターニングする際に使用されるウェットエッチャントが前記層間絶縁膜と前記絵素電極との密着不良部に染み込み、前記絵素電極が前記層間絶縁膜から剥離されることに起因する断線等の不具合いが発生し易い構造であって、前記層間絶縁膜はポリイミドやアクリル樹脂等の有機物からなるものであるところ、引用例２には、「有機物からなる保護層の内側表面全体を表面処理して粗面化し、この粗面化した保護層の上に透明導電膜を形成するようにして、前記保護層の透明導電膜との密着性を向上して信頼性を高めた液晶表示素子。」である引用発明２が記載されているから、引用発明１の液晶表示装置において、有機物からなる層間絶縁膜と透明導電膜からなる絵素電極との密着性を向上して、前記絵素電極をパターニングする際に使用されるウェットエッチャントが前記層間絶縁膜と前記絵素電極との密着不良部に染み込むことを防止して、前記絵素電極が前記層間絶縁膜から剥離されることを防止し、断線等の不具合いの発生を防ぐことによって信頼性を高めるという目的、すなわち「画素電極がオーバエッチされることを防ぐ」目的で、引用発明２を採用し、引用発明１において、その層間絶縁膜（保護層）の全体の表面を粗面化（粗く）し、そのように粗面化した層間絶縁膜（保護層）の表面上に絵素電極（画素電極）を形成するようにして上記相違点１に係る本願補正発明の構成となすことは、引用発明２に基づいて、当業者が容易に想到することができた程度のことである。
　
（２）相違点２について
ア　本願明細書の段落００３２に「本発明は、誘電率が小さい有機絶縁物質を保護層として用いるため、リーク電流及びクロストーク現象を防ぐことができる。」と記載されている。
イ　上記アの記載からみて、上記相違点２に関する本願補正発明の「画素電極とデータバス配線間のリーク電流及びクロストーク現象を防ぐように、保護層が有機絶縁物質を含み、前記有機絶縁物質がポリイミド系樹脂、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、ベンゾシクロブテン（benzocyclobutene）、フッ素が添加されたポリイミド（polyimide）、過フルオロシクロブタン（perfluorocyclobutane：PFCB）、及びフルオロポリアリールエーテル（fluoropolyarylether）のうちの少なくとも一つを含む」との技術事項は、「ポリイミド系樹脂、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、ベンゾシクロブテン（benzocyclobutene）、フッ素が添加されたポリイミド（polyimide）、過フルオロシクロブタン（perfluorocyclobutane：PFCB）、及びフルオロポリアリールエーテル（fluoropolyarylether）」などの有機絶縁物質は誘電率が小さいため、これらの誘電率が小さい有機絶縁物を保護層に用いるという技術手段により、画素電極とデータバス配線間のリーク電流及びクロストーク現象を防ぐという課題を解決することを意味しているものと認められる。
ウ　一方、引用発明１においても「保護層（層間絶縁膜）」に用いられている「ポリイミド」は、本願補正発明において列挙されている有機絶縁物質の一つである「ポリイミド系樹脂」に相当する有機絶縁物質である。
エ　してみると、引用発明１の「ポリイミド系樹脂」からなる「保護層」も、本願補正発明と同様に、「画素電極」と「データバス配線」間のリーク電流及びクロストーク現象を防ぐ機能を備えていることが明らかである。
　よって、上記相違点２は実質的な相違点ではない。
　
（３）効果について
　そして、本願補正発明の奏する効果は、引用発明１の奏する効果及び引用発明２の奏する効果から当業者が予測できた程度のものである。
　
（４）まとめ
　したがって、本願補正発明は、引用例１に記載された発明及び引用例２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　よって、本願補正発明は、特許法２９条２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
５．小括
　
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
　
１．本願発明
　
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１９年８月９日付けの手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし１１に記載された事項によって特定されるものであるところ、請求項７に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記「第２〔理由〕１」で、本件補正前の請求項７として記載したとおりのものである。
　
２．引用例
　
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例及びその記載事項は、前記「第２〔理由〕２」に記載したとおりである。
　
３．対比・判断
　
　本願発明は、前記第２で検討した本願補正発明から、「保護層」の「表面を粗くした」ことについて「画素電極がオーバエッチされることを防ぐように全体の」との限定を省き「粗い表面の」とし、「前記保護層」が「有機絶縁物質を含」むことについての「前記画素電極と前記データバス配線間のリーク電流及びクロストーク現象を防ぐように」との限定を省き、かつ、「前記画素電極」が「重畳される」対象を「前記データバス配線」から「前記ゲートバス配線、又は前記データバス配線の少なくともいずれか一方」と拡張したものに相当する。
　
　そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み、さらに減縮したものに相当する本願補正発明が、前記「第２〔理由〕４」に記載したとおり、引用例１に記載された発明及び引用例２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、引用例１に記載された発明及び引用例２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび 
　
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。