【事件の表示】
　特願２００１−１８０１１３「半導体素子、及び半導体素子用基板」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年１２月２６日出願公開、特開２００２−３７４００３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．本願発明
　本願は、平成１３年６月１４日の出願であって、その請求項に係る発明は、平成２０年６月２日に補正された本願明細書の特許請求範囲の請求項１ないし９に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりである。
「サファイア単結晶からなる基板と、この基板の主面上方においてエピタキシャル成長され、膜面と平行な方向から１０度以内の範囲にＣ軸を有する、六方晶系III族窒化物膜からなる半導体層とを具える半導体素子であって、
　前記主面が、サファイア単結晶のＲ面を所定の結晶軸を中心として回転させたオフセット面であることを特徴とする、半導体素子。」
　　
２．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平１１−１１２０２９号公報（以下「引用例」という。）には、図とともに次の記載がある。　
　
「【０００２】
【産業上の利用分野】本発明は光半導体装置に関し、特にGaN 系半導体を用いて組立られる発光素子と受光半導体素子の効率を改善するための構造に関する。」
　
「【００１０】
【実施例】発明者等はGaN系半導体の成長面方位を変えてピエゾ電界を調べ、その歪量子井戸層内に発生するピエゾ電界が変化することを知り、成長面方位によってピエゾ電界を制御することとした。図１に示すウルツ鉱型GaN（WZ-GaN）系半導体の結晶構造１0を参照して以下にその原理を説明する。図１の一点鎖線11に沿って面方位を[0001]方向すなわちｃ軸方向から[2-1-10]方向を通って[000-1]方向まで傾けた場合に、これらの面方向の面をGaN上に成長させたGa0.9In0.1N歪量子井戸層内に発生するピエゾ電界は図２のグラフに示すように変化する。
【００１１】図２の横軸は注目面の面方位が[0001]方向となす角を示し、0°が[0001]方向を、180°が[000-1]方向を示す。縦軸はピエゾ電界の大きさを表わし、[0001]方向あるいは[000-1]方向において発生するピエゾ電界が最大となることが分る。一方、[0001]方向と約40°、90°または約140°をなす方向では歪層内においてもピエゾ電界が全く発生しないことが判明した。この[0001]方向から[000-1]方向に傾ける際どの方向に向かって傾けても（例えば図１の一点鎖線1２などに沿っても）同じ結果となった。すなわち、ピエゾ電界は[0001]方向と当該面の面方位との角度差によって一意に決定される。言い換えると、動径rがｃ軸（[0001]方向）からの俯角θと[0001]方向の回り方位角φを有する球座標表示を採用すると、ピエゾ電界はφによらずθのみによって決定されるといえる。動径rが成長面の面方位を示している。
【００１２】したがって、例えば量子井戸組立においてピエゾ電界が発生しない低指数面としては、[0001]方向と90°をなすものとして、{2-1-10}（A面）、{0-110}(M面)などが、約40°、140°をなすものとして{2-1-14}、{01-12}（R面）などが挙げられる。」
　
「【００１６】図７は、本発明の好適実施例の一つである発光素子30の簡略構造を示す。結晶成長方位を除けば、堆積される各層の組成は従来の発光素子の場合と同様である。発光素子30の組立では、まずサファイア、SiC、GaN等の基板31にn型GaNコンタクト層33、n型AlGaNクラッド層34、多重歪量子井戸層35、p型AlGaNクラッド層36、ｐ型GaNコンタクト層37を順次堆積して形成する。その後n型GaNコンタクト層33とｐ型GaNコンタクト層37とのそれぞれには、それぞれの電極となるn電極38とp電極39とが形成されている。多重歪量子井戸層35はGaInN/GaN多重歪量子井戸層あるいはGaInN/GaInN多重歪量子井戸層が普通に用いられる。
【００１７】本実施例において、上記各層がピエゾ電界を殆ど発生しないように｛２−１−１０｝面を成長させて形成する場合は、基板３１の成長面はサファイア基板のとき{01-12}面、SiC基板とき{2-1-10｝面などが用いられる。」
　
　上記【００１６】及び【００１７】の記載によれば、引用例には、
「サファイア基板の{01-12}面上に{2-1-10}面を成長させて、n型GaNコンタクト層、n型AlGaNクラッド層、多重歪量子井戸層、p型AlGaNクラッド層、p型GaNコンタクト層を形成した発光素子。」の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。　
　
３．対比
　本願補正発明と引用発明を対比する。
　
ア　引用発明の「サファイア基板」が「サファイア単結晶からなる基板」であることは当業者に明らかである。
　
イ　引用発明の「n型GaNコンタクト層、n型AlGaNクラッド層、多重歪量子井戸層、p型AlGaNクラッド層、p型GaNコンタクト層」の各層が「III族窒化物膜からなる半導体層」であることは明らかである。
　さらに、これらがエピタキシャル成長により形成されるものであることも当業者には明らかである。
　
ウ　引用例図１及び【００１０】〜【００１２】の記載を参照すれば、引用発明における各層の成長面である{2-1-10}面は、六方晶系におけるＡ面であり、Ｃ軸と平行な面であることが理解されるから、引用発明の前記各層は、「膜面と平行な方向から１０度以内の範囲にＣ軸を有する、六方晶系III族窒化物膜からなる半導体層」であるといえる。
　
エ　また、引用発明の「発光素子」が「半導体素子」であることは明らかである。
　
　以上のことから、本願発明と引用発明はともに
「サファイア単結晶からなる基板と、この基板の主面上方においてエピタキシャル成長され、膜面と平行な方向から１０度以内の範囲にＣ軸を有する、六方晶系III族窒化物膜からなる半導体層とを具える半導体素子。」の発明である点で一致する。
　
　一方、本願発明は、前記主面が、サファイア単結晶のＲ面を所定の結晶軸を中心として回転させたオフセット面であるのに対し、引用発明では、主面がサファイア基板の{01-12}面である点で相違する。　
　
４．相違点についての検討
　上記相違点について検討する。
　引用発明の「サファイア基板の{01-12}面」とは、引用例図１及び【００１０】〜【００１２】の記載を参照すれば、サファイア単結晶のＲ面であることが理解される。
　したがって、上記相違点は、引用発明では結晶面であるＲ面そのものを主面としているのに対し、本願発明ではＲ面を所定の結晶軸を中心として回転させたオフセット面を主面としていることであるといえる。
　ここで、本願発明が主面をオフセット面としているのは、本願明細書【００２２】の記載からみて、オフセットさせなかった結晶面に半導体膜を成長した場合、半導体膜中に反転双晶が形成されて、その結晶性が劣化してしまうからであると認められる。
　一方、一般に半導体膜を基板上に成長させる際に、基板の結晶面上に成長させると双晶が成長して結晶性が劣化することから、結晶面を傾斜させたオフ基板上に形成させることが、例えば、特開２０００−３４０５１２号公報の「【０００７】基板１０２として炭化珪素からなる基板（ＳｉＣ基板）を用いる場合、しばしば（０００１）面（Ｃ面）から［ 1 1 -2 0 ］方向に数度オフした面（いわゆる（０００１）オフ面）を主面とする基板が用いられる。（０００１）ジャスト面上には３Ｃ−ＳｉＣ双晶が成長するが、（０００１）オフ面を用いると６Ｈ−ＳｉＣ単結晶が成長することから、一般的に、（０００１）オフ面を主面とするＳｉＣ基板が用いられるのである。」との記載、また、特開平５−３３５２５８号公報の「【００１５】…このような正確な｛１１１｝Ｂ結晶面の表面では双晶が形成されるために、結晶性ばかりでなく膜面状態も悪くなることが分かっている…。【００１６】そこで本発明においては、…基板として｛００１｝結晶面から〔１１０〕結晶軸方向に向かって数度傾斜したいわゆるオフ基板、またはそれと結晶学的に等価な例えば〔─１─１─１〕結晶軸方向に向かって数度傾斜したオフ基板を用いて、…、形成される斜面が｛１１１｝Ｂ結晶面から僅かにオフされるようにしている。このように｛１１１｝Ｂ結晶面から傾いた結晶面（オフ｛１１１｝Ｂ結晶面）上においては双晶が形成されないことが上述の文献において明らかにされており、このため本発明においては…、そのエピタキシャル成長層に双晶が形成されることがなく、膜表面のきれいな層として形成されることとなる。」との記載、さらに、特開平５−１１０１３２号公報の「【０００７】【実施例】図１は、本発明による半導体発光素子の実施例の構造図である。これは分子線エピタキシー法により製作する。製作手順は、ＺｎドープＩｎＰ（１１１）Ｂの１．０度オフ基板１１上に、…積層する。基板にオフ基板を用いるのは積層中に双晶が発生するのを防ぐ為である。」との記載にみられるように周知である。
　したがって、引用発明においても、結晶面であるＲ面に半導体層を成長したのでは双晶が形成されて結晶性が劣化するおそれがあることは当業者に明らかであり、これを防止するために、Ｒ面のオフセット面に半導体層を成長するようにして、上記相違点に係る本願発明の発明特定事項とすることは、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　また、本願発明の効果についても、引用例に記載された事項及び上記周知事項に基づいて当業者が予測可能なものであって、格別なものとはいえない。
　
５．むすび
　したがって、本願発明は、引用例に記載された発明及び上記周知事項に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。