【事件の表示】
　特願２００２−１９９５５５「反射ケース付半導体発光装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年１０月　３日出願公開、特開２００３−２８２９５５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯・本願発明 
　本願は、平成１４年７月９日（優先権主張　平成１３年７月１９日、平成１４年１月１５日）に特許出願したものであって、その請求項に係る発明は、平成１９年５月７日付け手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし請求項４に記載された事項によって特定されるものと認められるところ、請求項１に係る発明は次のとおりのものである。 
 　 
 「絶縁性基板の表面に形成された電極部に半導体発光素子を実装し、この半導体発光素子からの光を反射させるための反射ケースを前記絶縁性基板上に設け、この反射ケース内部を透光性樹脂で封止した半導体発光装置において、
前記反射ケースの透光性樹脂との接触面の少なくとも一部にシボを形成し、
前記シボの凹凸段差が１２μｍ以上であり、且つ、前記シボ間のピッチが２０μｍ以下であることを特徴とする半導体発光装置。」（以下「本願発明」という。）
 　 
２　刊行物の記載  
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平９−２９８３１４号公報（以下「引用例」という。）には、次の記載がある。
　
（１）「【０００１】【発明の属する技術分野】本願発明は、発光素子を利用した発光装置に関し、特に２個以上の発光素子を内包し半導体特性が安定且つ、多色発光時の混色性に優れた発光装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】発光装置であるチップ部品型ＬＥＤアッセンブリなどは、電気的及び機械的に安定化させた素子の如く使用できるように発光素子をチップ型保護体で保護させている。したがって、用途上より外形が小型であることが要求される。この様なチップ部品型ＬＥＤアッセンブリなどは、個々に電力を供給し複数色などの発光を行わせるため発光素子としての各ＬＥＤチップをパッケージ内の別々の電極上に固着させて構成させてある。」、
「【００１１】　以下に本願発明について説明する。図１は本願発明の発光素子の模式図を示し、図１（Ａ）は発光素子を上面より見たものを示す。図１（Ｂ）は、図１（Ａ）の模式的Ａ−Ａ断面図である。液晶ポリマー成型品などよりなるパッケージ１０３内にパッケージ電極１０１がインサートされている。このパッケージ電極上に各ＬＥＤチップがそれぞれ共通接着剤として銀ペーストなどを利用して固着されている。・・・
【００１２】パッケージの発光素子を内包した凹部には、透光性のシリコーンまたはエポキシ等の樹脂にてモールドし外部環境からＬＥＤチップを保護してある。・・・
・・・
【００１５】（パッケージ１０３）パッケージ１０３は、発光素子１０５を凹部に固定保護するとともに外部との電気的接続が可能な如く電極を有するものである。すなわち、パッケージ１０３は発光素子１０５をさらに外部環境から保護するために透光性保護体などをパッケージの凹部に収容させてもよい。したがって、パッケージは、透光性保護体との接着性がよく透光性保護体よりも剛性の高いものが求められる。また、透光性保護体との接着性を向上させ熱膨張時に透光性保護体から働く力を外部に向かわせるために筒状部を外部に向けて広がる摺鉢形状としても良い。・・・また、発光素子と外部とを電気的に遮断させるために絶縁性を有することが望まれる。さらに、パッケージは、発光素子などからの熱の影響をうけた場合、保護体との密着性を考慮して熱膨張率の小さい物が好ましい。パッケージの内部表面は、エンボス加工させて接着面積を増やしたり、プラズマ処理して保護体との密着性を向上させることもできる。
・・・
【００２１】（透光性保護体１０９）透光性保護体１０９は、各発光素子１０５やその電気的接続のためのワイヤー１０４等を外部力、塵芥や水分などから保護するために設けられる。・・・この様な透光性保護体の材料として具体的には、エポキシ樹脂、ユリア樹脂、シリコン樹脂、フッ素樹脂、ポリカーボネート樹脂などなどの耐候性に優れた樹脂が好適に用いられる。」
　
（２）図１（Ｂ）から、
　ア　パッケージ１０３は、周囲にパッケージ電極１０１が形成された板状の部分と、その上に設けられた摺鉢形状の筒状部とからなり、前記板状の部分と前記筒状部によって発光素子を内包する凹部が形成されていること、
　イ　発光素子を内包するパッケージの凹部の表面は、該凹部に収容された透光性保護体１０９と接していること
がみてとれる。
 　 
３　引用発明 
　上記２によれば、引用例には、次の発明が記載されているものと認められる。 
 　 
「絶縁性を有するパッケージにインサートされたパッケージ電極上に発光素子としてのＬＥＤチップが固着され、前記パッケージの発光素子を内包した凹部にエポキシ等の樹脂からなる透光性保護体をモールドした発光装置であって、前記パッケージは、周囲にパッケージ電極が形成された板状の部分と、その上に設けられた摺鉢形状の筒状部とからなり、前記板状の部分と前記筒状部によって発光素子を内包する凹部が形成され、前記パッケージの内部表面は、エンボス加工させて接着面積を増やし透光性保護体との密着性を向上させる発光装置。」（以下「引用発明」という。） 
 　 
４　対比
（１）本願発明と引用発明とを対比する。 
 　 
　ア　引用発明の「『絶縁性を有するパッケージ』の『周囲にパッケージ電極が形成された板状の部分』」、「パッケージ電極」、「発光素子としてのＬＥＤチップ」及び「発光装置」は、それぞれ、本願発明の「絶縁性基板」、「絶縁性基板の表面に形成された電極部」、「半導体発光素子」及び「半導体発光装置」に相当する。
 　 
　イ　引用発明の「エポキシ等の樹脂からなる透光性保護体」は、本願発明の「透光性樹脂」に相当する。
　
　ウ　引用発明において、「パッケージの発光素子を内包した凹部」は、「周囲にパッケージ電極が形成された板状の部分と、その上に設けられた摺鉢形状の筒状部と」によって形成され、「凹部にエポキシ等の樹脂からなる透光性保護体をモールド」したものであるから、該摺鉢形状の筒状部の内部が透光性樹脂で封止されることは明らかである。
　そして、上記アに照らせば、該「摺鉢形状の筒状部」は、「絶縁性基板」の上に設けられたものといえるから、「『絶縁性基板の上に設け』、『内部を透光性樹脂で封止した『ケース』」である点で、本願発明の「反射ケース」と一致する。
　
　エ　引用発明の「パッケージの内部表面」は、「エンボス加工させて接着面積を増やし透光性保護体との密着性を向上させる」ものであるから、透光性保護体との接触面が存在し、該接触面に凹凸が形成されることは明らかである。
　他方、本願発明は、「反射ケースの透光性樹脂との接触面の少なくとも一部にシボを形成」するものであるところ、これによって、該「接触面」の少なくとも一部に凹凸が形成されることは明らかである。
　よって、上記ウに照らせば、引用発明は、「ケースの透光性樹脂との接触面の少なくとも一部に凹凸を形成」したものである点において、本願発明と一致する。
　
　オ　以上によれば、両者は、
　
 「絶縁性基板の表面に形成された電極部に半導体発光素子を実装し、ケースを前記絶縁性基板上に設け、このケース内部を透光性樹脂で封止した半導体発光装置において、
前記ケースの透光性樹脂との接触面の少なくとも一部に凹凸を形成した半導体発光装置。」 
 である点で一致し、以下の（ア）及び（イ）の点で相違するものと認められる。
　
（ア）「ケース」が、本願発明では、「半導体発光素子からの光を反射させるための反射ケース」であるのに対して、引用発明では、摺鉢形状の筒状部であって、半導体発光素子からの光を反射させるかどうか不明である点（以下「相違点１」という。）。
（イ）「ケースの透光性樹脂との接触面の少なくとも一部に」形成された「凹凸」が、本願発明では、シボであって、前記シボの凹凸段差が１２μｍ以上であり、且つ、前記シボ間のピッチが２０μｍ以下と規定しているのに対して、引用発明では、凹凸の具体的な形状が不明である点（以下「相違点２」という。）。
　
５　判断
（１）相違点１について
　ケース内に設けた凹部に半導体発光素子を透光性樹脂で封止した半導体発光装置において、凹部内面を反射面とすることは慣用手段であるから、引用発明の「ケース」を「反射ケース」とすることは、当業者が適宜なし得る程度のことである。
　
（２）相違点２について
　ア　引用発明における「エンボス加工」は「接着面積を増やし透光性保護体との密着性を向上させる」ものであるところ、エンボス加工によって形成される凹凸を具体的にどのようなものとするかは、所要の密着性を得るとの観点から、当業者が設計上適宜定め得る事項というべきである。
　
　イ　他方、本願明細書には、以下の記載がある。
　　「【００１４】ここで用いる反射ケース５の内側壁にはシボ５１が形成されている。このシボ５１は反射ケース５の少なくとも一部に形成されていればよい・・・透光性樹脂６の反射ケース５からの剥離を有効に防止するためには、反射ケース５の透光性樹脂６との接触面の全域にシボ５１が形成されているのが望ましい。
【００１５】シボ５１の凹凸段差は１２μｍ以上が好ましい。凹凸段差が１２μｍより小さいと、充分な接触面積を確保できず透光性樹脂の剥離を完全に防止できないおそれがあり、加えて半導体発光素子からの光を充分に乱反射させることができず光度ムラを抑えられないおそれがあるからである。
【００１６】また、シボ間のピッチは２０μｍ以下とするのが好ましい。ピッチが２０μｍより大きいと充分な接触面積を確保できず透光性樹脂の剥離を完全に防止できないおそれがあり、加えて半導体発光素子からの光を充分に乱反射させることができず光度ムラを抑えられないおそれがあるからである。」
　
　ウ　上記イによれば、透光性樹脂６の反射ケース５からの剥離を有効に防止するためには、反射ケース５の透光性樹脂６との接触面の全域にシボ５１が形成されているのが望ましく、その際に、シボ５１の凹凸段差は１２μｍ以上が好ましい、とされているものと認められる。
　そうすると、反射ケース５の透光性樹脂６との接触面の全域にシボ５１が形成されている場合にあっても、シボの凹凸段差が１２μｍ以上であり、且つ、前記シボ間のピッチが２０μｍ以下とすることは、設計上好ましい範囲を定めたものにすぎず、まして、本願発明は、「反射ケース５の透光性樹脂６との接触面の全域に」シボを形成するものに特定されるのではなく、「ケースの透光性樹脂との接触面の少なくとも一部に」シボが形成されれば足りるものであるから、シボの凹凸段差が１２μｍ以上であり、且つ、前記シボ間のピッチが２０μｍ以下とすることに、何ら技術的意義を認めることはできない。
　また、凹凸の形状が「シボ」である点についても、凹凸を形成する以上の格別の技術的意義は認められない。
　
　エ　したがって、引用発明において、相違点２に係る本願発明の構成とすることは、当業者が設計上適宜なし得る程度以上のものとはいえない。
　　
６　むすび 
　以上の検討によれば、本願発明は、引用例に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。