【事件の表示】
　特願２００５−５０７１８２「弾性表面波装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年１２月２９日国際公開、ＷＯ２００４／１１４５２１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１６年４月５日（優先権主張平成１５年６月１７日）を国際出願日とする出願であって、平成１７年１１月１１日付けで拒絶理由通知がなされ、平成１８年１月１９日付けで手続補正がなされたが、同年６月８日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年７月１９日に拒絶査定不服審判の請求がなされたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項１に係る発明は、平成１８年１月１９日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりの次のものと認める。（以下、「本願発明」という。）
「圧電基板と、圧電基板上に形成されたインターデジタル電極とを備え、前記インターデジタル電極がＣｕまたはＣｕを主成分とする合金からなる主電極層と、前記主電極層と基板との間に配置されたＮｉＣｒを主成分とする密着層とを有し、前記密着層の膜厚が、５〜５０ｎｍの範囲にあることを特徴とする、弾性表面波装置。」
　
３．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された特開２００２−２６６８５号公報（以下、「引用例１」という。）、及び実願昭５０−８５４７５号（実開昭５２−１０４０号）のマイクロフィルム（以下、「引用例２」という。）には、それぞれ、図面とともに次の事項が記載されている。
　
（引用例１）
Ａ．「【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、弾性表面波素子に関するもので、特に、たとえばアンテナデュプレクサとして用いるのに適した高い耐電力性を有する電極を備える、弾性表面波素子に関するものである。」
　
Ｂ．「【０００２】
【従来の技術】弾性表面波素子は、周知のように、機械的振動エネルギーが固体表面付近にのみ集中して伝搬する弾性表面波を利用した電子部品であり、一般に、圧電性を有する圧電基板と、この圧電基板上に形成された、信号を印加するためのインタディジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極のような電極とをもって構成され、フィルタや共振器として用いられている。
【０００３】このような弾性表面波素子において、電極材料としては、電気抵抗率が低く、比重の小さいＡｌまたはＡｌを主成分とするＡｌ系合金を用いるのが一般的である。
【０００４】近年、小型化かつ軽量化された携帯電話などの移動体通信端末装置の開発が急速に進められている。そのため、これらの移動体通信端末装置に使用される部品の小型化が求められており、ＲＦ部（高周波部）の小型化に寄与するため、共振器、段間フィルタ、ディプレクサなどを弾性表面波素子によって構成することが行なわれている。これらの中でも、アンテナディプレクサとなる弾性表面波素子は、ＲＦ部のフロントエンド部に位置するため、高い耐電力性が要求される。
【０００５】加えて、移動体通信の高周波化に伴い、弾性表面波素子の動作周波数も数百ＭＨｚから数ＧＨｚへと高周波化するとともに、高出力化が望まれている。高周波化により、ＩＤＴ電極のパターン幅の微細化が必要となり、中心周波数２ＧＨｚ帯フィルタでは、電極線幅を約０. ５μｍに形成する必要がある。
【０００６】しかしながら、上述のように微細な線幅を有するＩＤＴ電極に高電圧レベルの信号を印加すると、弾性表面波によって、ＩＤＴ電極が強い応力を受ける。この応力が、電極膜の限界応力を超えると、ストレスマイグレーションが発生する。前述したように、電極材料としてＡｌが用いられていると、ストレスマイグレーションのため、Ａｌ原子が結晶粒界を移動し、その結果、電極にヒロックやボイドが発生し、そのため、電極が破壊し、やがては、電気的短絡や挿入損失の増加、共振子のＱ低下などの弾性表面波素子の特性劣化に至る。
【０００７】このような問題を解決するため、特開平９−９８０４３号公報や特開平９−１９９９７６号公報では、圧電基板上に形成された電極において、Ｃｕを用いることが記載されている。」
　
Ｃ．「【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、Ｃｕには、酸化されやすく耐蝕性が劣るという問題がある。また、Ｃｕをもって構成された電極は、圧電基板との密着性が悪いという問題もある。
【０００９】上述した公報においては、Ｃｕの耐酸化性および耐蝕性を向上させるため、Ｚｎ等の金属を少量添加することが記載されているが、このような対策では、Ｃｕの耐酸化性および耐蝕性を十分に向上させることができない。
【００１０】また、特開平９−９８０４３号公報では、Ｃｕにシリコンを少量含有させることによって、基板との密着性の向上を図ることが記載されているが、その効果は十分でなく、たとえば、ワイヤボンディング時に電極が基板から剥がれるという問題に遭遇することがある。
【００１１】そこで、この発明の目的は、電極においてＣｕを用いながらも、上述したような問題を解決し得る、弾性表面波素子を提供しようとすることである。」
　
Ｄ．「【００１２】
【課題を解決するための手段】この発明は、圧電基板と、この圧電基板上に形成された電極とを備える、弾性表面波素子に向けられるものであって、上述した技術的課題を解決するため、電極が、圧電基板上に形成される、ＴｉまたはＴｉ合金からなる第１の電極層と、第１の電極層上に形成される、ＣｕまたはＣｕ合金からなる第２の電極層とを備えることを特徴としている。」
　
Ｅ．「【００１７】
【発明の実施の形態】図１は、この発明の一実施形態による弾性表面波素子１の一部を示す断面図であり、圧電基板２上に電極３が形成された部分を示している。
【００１８】圧電基板２は、たとえば、ＬｉＴａＯ３またはＬｉＮｂＯ３の単結晶から構成される。
【００１９】また、電極３は、圧電基板２上に形成される第１の電極層４と、第１の電極層４上に形成される第２の電極層５と、第２の電極層５上に形成される第３の電極層６とを備えている。
【００２０】第１の電極層４は、ＴｉまたはＴｉ合金からなり、たとえば、蒸着法によって形成される。第２の電極層５は、ＣｕまたはＣｕ合金からなり、たとえば、蒸着法によって形成される。
【００２１】このように、ＣｕまたはＣｕ合金からなる第２の電極層５を形成するにあたって、その下地層として、圧電基板２上にＴｉまたはＴｉ合金からなる第１の電極層４をまず形成することによって、第２の電極層５の圧電基板２への密着性を高めることができる。また、ＴｉまたはＴｉ合金からなる第１の電極層４上に、ＣｕまたはＣｕ合金からなる第２の電極層５を形成することによって、この第２の電極層５における結晶配向性が向上し、耐電力性を向上させることができる。
　・・・（中略）・・・
【００２３】このような電極３の厚みに関して、一例として、第１の電極層４は１０ｎｍとされ、第２の電極層５は６０ｎｍとされ、第３の電極層６は３０ｎｍとされる。すなわち、第２の電極層５の厚みは、電極３の総厚みの６０％とされる。前述したような第１の電極層４による第２の電極層５と圧電基板２との間の密着性の向上、第２の電極層５による耐電力性の向上、および第３の電極層６によるＣｕの酸化抑制作用を考慮したとき、第２の電極層５の厚みは、電極３の総厚みの４０％以上かつ８０％以下とされることが好ましい。」
　
Ｆ．「【００２９】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、圧電基板上に形成される電極として、圧電基板上にＴｉまたはＴｉ合金からなる第１の電極層を形成した上で、ＣｕまたはＣｕ合金からなる第２の電極層を形成しているので、第２の電極層の圧電基板に対する密着性を高めることができるとともに、第２の電極層における結晶配向性を優れたものとし、そのため、耐電力性に優れた弾性表面波素子を得ることができる。
【００３０】したがって、弾性表面波素子が、たとえばアンテナディプレクサのような高い耐電力性が要求される用途に向けられても、また、高周波化に伴いＩＤＴ電極のパターン幅の微細化が進んでも、ストレスマイグレーションによる電極の破壊を生じにくくすることができ、電気的短絡や挿入損失の増加、共振子のＱ低下などの特性劣化を招きにくくすることができる。また、たとえばワイヤボンディング時に電極が剥がれにくくなり、そのため、ワイヤボンディング用のパッドを新たに設ける必要がなく、その結果、弾性表面波素子を得るための工程数を少なくし、弾性表面波素子のコストを低減することができる。」
　
　上記Ｂの段落【０００２】の【従来の技術】の項に、「弾性表面波素子は、・・・一般に、圧電性を有する圧電基板と、この圧電基板上に形成された、信号を印加するためのインタディジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極のような電極とをもって構成され、・・・」と記載され、また、引用例１の【発明の効果】として、上記Ｆの段落【００３０】に、「・・・高周波化に伴いＩＤＴ電極のパターン幅の微細化が進んでも、ストレスマイグレーションによる電極の破壊を生じにくくすることができ、・・・」と記載されていることから、上記引用例１に開示されている発明は、「圧電基板」と該「圧電基板」上に形成された「インタディジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極」とを備える「弾性表面波素子」に関するものであるということができる。
　そして、上記Ｅの段落【００２３】には、「第１の電極層４」として、厚みが「１０ｎｍ」であるものが例示されている。
　
　よって、上記Ａ〜Ｆの記載及び図１を参照すると、引用例１には、次の発明が記載されているものと認められる。（以下、「引用例１記載の発明」という。）
「圧電基板と、圧電基板上に形成されたインタディジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極とを備え、前記インタディジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極がＣｕまたはＣｕ合金からなる第２の電極層と、前記第２の電極層と基板との間に配置されたＴｉまたはＴｉ合金からなる第１の電極層とを有し、前記第１の電極層の厚みが１０ｎｍである弾性表面波素子。」
　
（引用例２）
Ｇ．「２、実用新案登録請求の範囲
　圧電体の表面上に設けられる櫛型電極の少くとも電極端子部をクロム層またはニクロム層とこの層の上に設けられた銅層とによって構成し、この銅層にリード線を超音波ボンディングによって固着してなる弾性表面波装置。」（明細書第１頁第４〜９行）
　
Ｈ．「第３図に示すように直方体状の圧電体１２の表面に真空蒸着およびホトエッチングの手段を利用して櫛型電極１３，１４を形成する。櫛型電極１３，１４の電極端子部１５，１６は真空蒸着時に二層に構成する。第１層１７，１８は厚さ５００〜２０００Åのクロム層またはニクロム層、第２層は１９，２０は厚さ１０００Å以上の銅層である。櫛型電極１３，１４の櫛型部分は電極端子部１５，１６と同様二層にしてもよいが、クロム層またはニクロム層を設けずに銅の蒸着を行なってもよい。・・・（中略）・・・尚、クロムまたはニクロムは圧電体１２の表面によく接着し、リード線２１，２２を銅の層に接着するよりも強固に接着するものである。またクロムよりもニクロムの方が蒸着がしやすいだけ有利である。」（明細書第２頁第１２行〜第３頁第１６行）
　
　上記Ｈの記載において、「櫛型電極１３，１４の櫛型部分は電極端子部１５，１６と同様二層にしてもよい」との記載がなされており、そのような場合には、「銅」からなる「櫛型電極１３，１４の櫛型部分」と「圧電体１２」の表面の間には、「クロム層またはニクロム層」が配置されることになるものと解される。
　
　よって、上記Ｇ，Ｈの記載及び関連する図面を参照すると、引用例２には、実質的に、次の発明が記載されているものと認められる。（以下、「引用例２記載の発明」という。）
「圧電体と、圧電体の表面上に形成された櫛型電極とを備え、前記櫛型電極が銅からなる第２層と、前記第２層と圧電体の表面との間に配置されたクロムまたはニクロムよりなる第１層とを有する弾性表面波装置。」
　
４．対比
　本願発明と引用例１記載の発明とを対比すると、まず、引用例１記載の発明における「インタディジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極」は、本願発明における「インターデジタル電極」に相当する。
　次に、引用例１記載の発明における「ＣｕまたはＣｕ合金からなる第２の電極層」は、「インタディジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極」本体を構成する主となる電極層であり、また、「ＣｕまたはＣｕ合金」は、「ＣｕまたはＣｕを主成分とする合金」に相当するから、上記「ＣｕまたはＣｕ合金からなる第２の電極層」は、本願発明における「ＣｕまたはＣｕを主成分とする合金からなる主電極層」に相当する。
　また、引用例１記載の発明における「第２の電極層と基板との間に配置されたＴｉまたはＴｉ合金からなる第１の電極層」は、「第２の電極層」を「基板」に密着させるための電極層であるから、上記「第２の電極層と基板との間に配置されたＴｉまたはＴｉ合金からなる第１の電極層」と、本願発明における「主電極層と基板との間に配置されたＮｉＣｒを主成分とする密着層」とは、「主電極層と基板との間に配置された密着層」である点で共通するものである。
　さらに、引用例１記載の発明における「厚み」は、本願発明における「膜厚」に相当し、引用例１記載の発明における「第１の電極層」と、本願発明における「密着層」とは、「所定の膜厚を有する」点において共通するものであるということができる。
　そして、引用例１記載の発明における「弾性表面波素子」は、引用例１の上記Ａに「たとえばアンテナデュプレクサとして用いるのに適した」と記載されているように、種々の「装置」に用いられるものであり、「弾性表面波装置」を構成しているということができるものである。
　
　よって、本願発明と引用例１記載の発明とは、ともに、
「圧電基板と、圧電基板上に形成されたインターデジタル電極とを備え、前記インターデジタル電極がＣｕまたはＣｕを主成分とする合金からなる主電極層と、前記主電極層と基板との間に配置された密着層とを有し、前記密着層が所定の膜厚を有するものである弾性表面波装置。」
である点で一致し、次の点で相違する。
　
　相違点：「主電極層と基板との間に配置された密着層」が、本願発明においては、「ＮｉＣｒを主成分とする」ものであり、かつ、「膜厚が、５〜５０ｎｍの範囲にある」ものであるのに対し、引用例１記載の発明においては、「ＴｉまたはＴｉ合金からなる」ものであり、かつ、「厚みが１０ｎｍである」ものである点。
　
５．当審の判断
　そこで、上記相違点について検討する。
　引用例２の上記Ｈには、弾性表面波装置において、「櫛型電極１３，１４の櫛型部分」を「二層」、すなわち「銅層」と「クロム層またはニクロム層」の二層にしてもよい旨の記載がなされており、その場合、上記Ｈに「尚、クロムまたはニクロムは圧電体１２の表面によく接着し」と記載されていることからもわかるように、「クロム層またはニクロム層を設けずに銅の蒸着」を行うよりも、クロム層またはニクロム層を設けて二層にした方が、より密着性が高まることは、当業者にとって自明である。
　一方、引用例１記載の発明において、「ＴｉまたはＴｉ合金からなる第１の電極層」を設ける直接的理由は、引用例１の上記Ｅの段落【００２１】に「このように、ＣｕまたはＣｕ合金からなる第２の電極層５を形成するにあたって、その下地層として、圧電基板２上にＴｉまたはＴｉ合金からなる第１の電極層４をまず形成することによって、第２の電極層５の圧電基板２への密着性を高めることができる。」と記載されているように、やはり「密着性を高める」ようにするためである。
　してみれば、引用例１記載の発明において、「ＴｉまたはＴｉ合金からなる第１の電極層」を設ける代わりに、同じく「密着性を高める」ようにするために、引用例２記載の発明において用いられている「クロムまたはニクロムよりなる」層を設けるようにすることは、当業者が適宜になし得ることである。
　そして、上記Ｅの段落【００２３】には、電極層の厚みに関して、「密着性の向上」のみならず「耐電力性の向上」等をも総合的に考慮した上で「第１の電極層４」の厚みを「１０ｎｍ」とする具体例が挙げられている。
　ここで、引用例１記載の発明において、「ＴｉまたはＴｉ合金からなる第１の電極層」を設ける代わりに、引用例２記載の発明において用いられている「クロムまたはニクロムよりなる」層のうち特に「ニクロム層」を設けるようにした場合に、その「ニクロム」という材質に応じて所望の効果を発揮できるような厚みとすることは、当業者が適宜に設計できる事項にすぎない。
　そして、本願発明において「密着層の膜厚」を「５〜５０ｎｍの範囲」とすることに特に臨界的意義があるものとは認められず、上記数値範囲は、当業者が「密着層」を「ニクロム」すなわち「ＮｉＣｒ」を主成分とするものとした場合に所望の効果を発揮させるために適宜に選択できる数値範囲にすぎないものと認められる。
　したがって、引用例１記載の発明において、「主電極層と基板との間に配置された密着層」を「ＮｉＣｒを主成分とする」ものとし、かつ、その「膜厚」を「５〜５０ｎｍの範囲」とすることは、引用例２記載の発明を参酌することにより、当業者が適宜に設計できる事項にすぎない。
　
　そして、本願発明の構成によってもたらされる効果も、引用例１，２に記載の発明から当業者が容易に予測することができる程度のものであって、格別のものとはいえない。
　
６．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１，２に記載の発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。