【手続補正書】
【提出日】平成27年11月5日(2015.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁性自由層と、
前記自由層の第１の側にある第１の障壁層とを備え、
前記障壁層は、ダウントラック方向において底部シールド及び上部シールドの少なくとも一つと直接接触する、リーダー。
【請求項２】
自由層および障壁層を含むセンサースタックを備え、前記センサースタックは、ダウントラック方向において、上部シールドと底部シールドとの間に位置し、前記障壁層は、前記底部シールド及び前記上部シールドの少なくとも一つと接触する、リーダー。
【請求項３】
前記障壁層と接触する前記底部シールド及び前記上部シールドの前記少なくとも一つは、合成反強磁性（ＳＡＦ）構造を含む、請求項１または２に記載のリーダー。
【請求項４】
前記自由層の磁化方向と前記基準層の磁化方向とは、休止状態において、鈍角を成す、請求項１〜３のいずれか１項に記載のリーダー。
【請求項５】
自由層および障壁層を備えるセンサースタックと、
基準層およびピン止め層を備える合成反強磁性（ＳＡＦ）シールド層とを備え、
前記基準層の磁化方向は、休止状態において、前記自由層の磁化方向と鈍角を成す、デバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
情報は、記憶媒体１０４上のデータトラック１１０のデータビット位置に書き込まれ得、データビット位置から読み取られ得る。変換器ヘッドアセンブリ１２４は、アクチュエータの回転軸１２２の遠位端でアクチュエータアセンブリ１２０のアクチュエータアーム１２６に搭載される。変換器ヘッドアセンブリ１２４は、ディスク回転時に、記憶媒体１０４の表面上部に近接して浮上する。アクチュエータアセンブリ１２０は、シーク操作時に、アクチュエータの回転軸１２２の周りを回転する。シーク操作は、読み取りおよび書き込み操作のために、対象データトラック上に変換器ヘッドアセンブリ１２４を位置付ける。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
障壁層２１２は、底部シールド２０６のＳＡＦ構造から自由層２１０を分離する。障壁層２１２は、量子力学的電子トンネル効果が基準層２２０と自由層２１０との間に生じる十分な薄さである。電子トンネル効果は、電子スピンに依存し、センサー２００の磁気応答を、基準層２２０のＳＡＦ構造および自由層２１０の相対配向およびスピン偏極の関数にする。電子トンネル効果の最も高い確率は、基準層２２０のＳＡＦ構造および自由層２１０の磁気モーメントが並行の場合に生じ、電子トンネル効果の最も低い確率は、基準層２２０のＳＡＦ構造および自由層２１０の磁気モーメントが逆平行の場合に生じる。したがって、センサー２００の電気抵抗は、印加磁界に応答して変化する。ディスクドライブにおけるデータディスク上のデータビットは、図２の面に直交する方向において、図２の面内に、または図２の面から磁化する。したがって、センサー２００がデータビット上を通過するとき、自由層２１０の磁気モーメントは、図２の面内に、または図２の面から回転し、センサー２００の電気抵抗を変化させる。したがって、センサー２００によって感知されるビットの値（例えば、１または０のいずれか）は、第１の電極から、センサー２００に接続される第２の電極へ流れる電流に基づいて判定され得る。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
図３は、ＭＲセンサー３００の代替的な例示的な実施のＡＢＳ図を説明する。具体的には、ＭＲセンサー３００は、（ダウントラック方向において）上部シールド３０４と底部シールド３０６との間に位置するセンサースタック３０２を含む。さらに、センサースタック３０２は、（クロストラック方向において）２つの側面シールド３０８と３０９との間にある。しかしながら、代替的な実施において、側面シールド３０８および３０９は、永久磁石に置き換えられ得る。底部シールド３０６は、ＳＡＦ基準層３２０と、非磁性層３２１によって分離されるＳＡＦピン止め層３２２とを含むＳＡＦ構造を含んでもよい。センサースタック３０２内の種々の層の配置は、センサースタック３０２が自由層３１０と上部シールド３０４との間に障壁層３１４も含むことを除けば、センサースタック２０２と実質的に同様である。具体的には、障壁層３１４は、上部シールド３０２のＳＡＦ構造と接触する。自由層３１０と上部シールド３０４との間に障壁層３１４を提供することは、信号雑音を低減することによってＳＮＲをさらに向上させ、かつセンサー３００の性能を制御するための付加的な調整パラメータを提供する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
図４は、ＭＲセンサー４００の代替的な例示的な実施のＡＢＳ図を説明する。具体的には、ＭＲセンサー４００は、（ダウントラック方向において）上部シールド４０４とＳＡＦスタック４０６との間に位置するセンサースタック４０２を含む。さらに、センサースタック４０２は、（クロストラック方向において）２つの側面シールド４０８と４０９との間にある。しかしながら、代替的な実施において、側面シールド４０８および４０９は、永久磁石に置き換えられ得る。センサースタック４０２内の種々の層の配置は、センサースタック２０２と実質的に同様である。ＳＡＦスタック４０６は、上部シールド４０４の（クロストラック方向における）幅よりも実質的に狭い（クロストラック方向における）幅を有し得る。例えば、ＳＡＦスタック４０６の幅は、センサースタック４０２の幅と実質的に同様に同様であり得る。代替的な実施において、ＳＡＦスタック４０６の幅は、センサースタック４０２の幅と上部シールド４０４の幅との間であり得る。さらに、ＳＡＦスタック４０６の（ダウントラック方向における）厚さは、センサースタック４０２の厚さよりも大きい場合がある。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
図９は、本明細書に説明される磁気抵抗センサーの製造を説明する例示的な操作９００を説明する。操作９０２は、底部シールドＳＡＦ構造を形成する。操作９０２は、強磁性層、障壁層、および強磁性層を堆積して、底部シールドＳＡＦ構造を形成することを含み得る。その後、操作９０４は、センサースタックの障壁層を形成する。操作９０６は、センサースタックの幅が、底部シールドの幅と実質的に同一であるかを判定する。幅が異なる場合、操作９０８は、底部シールドＳＡＦ構造の幅と異なる幅となるように、センサースタックの障壁層をパターン形成する。ある実施において、障壁層は、センサースタックの自由層の上部にも形成され得る。その後、操作９１０は、センサースタックの障壁層上に自由層を形成する。操作９１２は、側面シールド（または永久磁石）を形成する。最後に、操作９１４は、自由層および側面シールド上に、単一層として上部シールドを堆積する。代替的に、操作９１４は、ＳＡＦ構造として上部シールドを堆積し得る。操作９０６が、センサースタックの幅は、底部シールドの幅と実質的に同一であると判定すると、操作９０８は起こらず、操作９１０は、センサースタックの障壁層上に自由層を形成する。それから、操作９１２と操作９１４とが続く。
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９】
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