【事件の表示】
　特願２０００−２４６５７７「シリコン−ゲルマニウム・トランジスタの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　４月　６日出願公開、特開２００１−　９４１０６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯 
　本願は、平成１２年８月１６日（パリ条約による優先権主張、１９９９年８月１６日、米国）の出願であって、平成１８年３月２９日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年７月３日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年８月２日付けで手続補正がなされ、その後、当審において、平成２０年１１月１１日付けで審尋がなされ、平成２１年５月１２日に回答書が提出されたものである。
　
第２．拒絶理由通知、意見書、拒絶査定及び審判請求書の概要
１．原審における平成１７年６月３０日付けの拒絶理由通知(以下、「拒絶理由通知」という。）の概要　
　
「１．この出願は、発明の詳細な説明の記載が下記の点で、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていない。
　(略）　
　　　　　　　　　　 　　　　　記　
　
＜請求項１０、１１、２３、２４、３２、３３、及び発明の詳細な説明について＞　
・理由　１
　請求項１０、請求項２３、請求項３２においては、「プラズマ強化型化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）」によって、「シリコンのエピタキシャル層の少なくとも一部分を酸化物シリコンに変換する」と記載されているが、ＣＶＤ法は膜を蒸着する方法であって、シリコンを酸化物に変換する方法ではないから、前記請求項に係る発明をどのように実施するのかが明らかではない。
　また、発明の詳細な説明においても、段落番号【００２６】〜【００２９】には、「プラズマ強化型化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）」によって、シリコンを直接シリコン酸化物に変換することが記載されており、特に段落番号【００２９】には、詳細な条件が記載されているが、これをみても、どのようにすれば「プラズマ強化型化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）」によって、シリコンを直接シリコン酸化物に変換できるのかが明らかではない。
　したがって、本願の発明の詳細な説明は、「プラズマ強化型化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）」によって、「シリコンのエピタキシャル層の少なくとも一部分を酸化物シリコンに変換する」ことを規定する請求項１０、請求項２３、請求項３２について、当業者が実施できる程度に明確かつ十分に記載されているものとは認められない。
　請求項１０、請求項２３、請求項３２を引用する請求項１１、２４、３３についても同様である。」（以下、「拒絶の理由１」という。）　
「＜請求項１〜３８、及び発明の詳細な説明について＞　
・理由　１
　発明の詳細な説明における段落番号【００２５】〜【００２６】においては、「二酸化シリコン層５２および犠牲の酸化物レベル４２は、シリコンのエピタキシャル層が形成された後に取り除かれるからである。」（段落番号【００２５】）、「シリコンのエピタキシャル層５４の少なくとも一部分が、図６に示されているように、シリコン酸化物に変換されて安定なゲート絶縁物層５６を画定する。ゲート絶縁物層５６は、プラズマ強化型ＣＶＤまたは高圧酸化などの低温のプロセスを使って形成されることが好ましい。ゲート絶縁物層５６はシリコンの保護層５８とゲート酸化物層６０とを含む。」（段落番号【００２６】）と記載されており、図６には、「エピタキシャル層５４」が酸化されて「シリコン保護層５８」と「ゲート酸化物層６０」がシリコン基板上に形成された状態が記載されている。
　しかしながら、段落番号【００２５】によると、エピタキシャル層５４を形成した後、「二酸化シリコン層５２」及び「犠牲の酸化物レベル４２」が取り除かれるのであるから、シリコンのエピタキシャル層５４を酸化する段階では、当該エピタキシャル層５４の側面を含め、シリコン基板の表面が全て露出しているものと認められる。そして、その状態で酸化処理を行えば、シリコン基板及びシリコンのエピタキシャル層の側面を含む全ての露出面が酸化されることになるから、シリコンエピタキシャル層の上側部分のみが酸化されるとする図６の記載は、発明の詳細な記載に照らして、不明確である。
　また、シリコン基板及びシリコンのエピタキシャル層の側面を含む全ての露出面が酸化された場合に、どのようにすればトランジスタを製造できるのかについては、当業者にとって明らかであるといえない。
　なお、段落番号【００２５】の記載からは、エピタキシャル層を形成し、
酸化した後
　したがって、本願の発明の詳細な説明は、当業者が本願発明を実施できる程度に明確かつ十分に記載されているものとは認められない。」（以下、「拒絶の理由２」という。）
　
２．原審における平成１７年１２月２８日付け意見書(以下、「意見書」という。）の概要　
　
　「拒絶の理由１」及び「拒絶の理由２」についての「意見書」における、請求人の主張は以下のとおりである。
　　
「理由１＜請求項１０，１１，２３，２４，３２，３３及び発明の詳細な説明＞：
　審査官殿は、ＰＥＣＶＤ方は、シリコンを酸化物に変換する方法ではない旨主張されています。しかしながら、この点については、“Plasma-Assisted Oxidation Anodization and Nitridation of Silicon, IBM Journal of Research and Development, Vol. 43, Number 1/2, 1999”（参考として本従来例を、同日付け物件提出書にて提出致します。）、特に本従来例８頁に記載されるように、圧力、温度及びプラズマを用いて、シリコンを酸化して二酸化シリコンを生成する旨記載されています。従って、酸化物へシリコンを変換するためのプロセスは、明細書に記載された条件下、従来公知の技術によりなされます。」（以下、「意見書での主張１」という。）　　
「理由１＜請求項１〜３８、発明の詳細な説明＞：
　本願発明においては、エピタキシャル層を形成し
酸化した後に
　
３．原審における平成１８年３月２９日付け拒絶査定（以下、「拒絶査定」という。）の概要　
　
　拒絶査定において、審査官は、「この出願については、平成１７年６月３０日付け拒絶理由通知書に記載した理由１によって、拒絶をすべきものである。」と判断しており、その備考（１）及び（２）は以下のとおりである。
「備考　（１）
　出願人は、意見書において、「理由１＜請求項１０，１１，２３，２４，３２，３３及び発明の詳細な説明＞」に対する意見として、物件提出書にて従来例を提示した上で、「圧力、温度及びプラズマを用いて、シリコンを酸化して二酸化シリコンを生成する旨記載されています。従って、酸化物へシリコンを変換するためのプロセスは、明細書に記載された条件下、従来公知の技術によりなされます。」と主張している。
　しかしながら、出願人は、ＰＥＣＶＤ法、すなわち「プラズマ強化型化学蒸着」によって、シリコンを酸化することについて、何らの釈明もしていないから、拒絶理由は解消しない。
　よって、この出願の発明の詳細な説明は、「プラズマ強化型化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）」によって、「シリコンのエピタキシャル層の少なくとも一部分を酸化物シリコンに変換する」ことを規定する補正後の請求項６に係る発明について、当業者が実施できる程度に明確かつ十分に記載されていない。
（拒絶理由通知でも述べているが、「プラズマ強化型化学蒸着」（ＰＥＣＶＤ）は、その文言が示す通り、「蒸着」の方法であり、シリコンを酸化物に変換する方法ではない。そして、圧力、温度及びプラズマを用いてシリコンを酸化して二酸化シリコンを生成することができるとしても、それは、「プラズマ酸化」であり、「プラズマ強化型化学蒸着」ではない。）」（以下、「拒絶査定の備考１」という。）　
　
　備考（２）における、出願人の「意見書での主張２」に対する審査官の判断は以下のとおりである。
　「しかしながら、「本願発明においては、エピタキシャル層を形成し
酸化した後に
　ゆえに、この主張は採用できないから、拒絶理由は解消しない。
　（略）
　よって、この出願の発明の詳細な説明は、当業者が本願発明を実施できる程度に明確かつ十分に記載されていない。」（以下、「拒絶査定の備考２」という。）
　
４．平成１８年９月１５日付けの手続補正で補正した審判請求書（以下「審判請求書」という。）の請求理由の概要　
　
　審判請求書の請求理由における「３．本件発明が特許されるべき理由」の拒絶査定の備考（１）及び（２）に対する、請求人の主張は以下のとおりである。　
「備考（１）：
　別途提出した手続補正書において、「前記シリコンのエピタキシャル層上にシリコン酸化物層を形成するステップ」についての規定を追加いたしましたが、補正後請求項１には、シリコンのエピタキシャル層の変換に関するステップの規定がありますので、この補正によっては、補正後請求項５に規定する「前記変換はプラズマ強化型化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）」との関係において、ご指摘の点を解消しておりません。従いまして、出願人は再度の補正により対処したいと考えております。この点ご考慮いただき、補正の機会を与えていただきたくお願い申し上げます。」（以下、「審判請求書での主張１」という。）　
「備考（２）：
　ご指摘の通り、「本願発明においては、エピタキシャル層を形成し
酸化した後に
　本件発明においては、二酸化シリコン層５２及び犠牲の酸化物層４２は、エピタキシャル層の形成後で
酸化の前に
　　　
第３．平成１８年８月２日付け手続補正(以下、「本件補正」という。）の却下の決定　
　
　［補正却下の決定の結論］
　平成１８年８月２日付けの手続補正を却下する。
　［理由］
１．本件補正の内容
　本件補正は、明細書の０００５段落および０００７段落を補正するとともに、補正前の請求項１、３ないし８（補正前の請求項２は欠落している）を補正後の請求項１ないし７と補正するものであって、補正後の請求項１は以下のとおりである。　
　
「【請求項１】　トランジスタを作るための方法であって、
　シリコン−ゲルマニウムのエピタキシャル層を含んでいるシリコン基板を用意するステップと、
　前記シリコン−ゲルマニウムのエピタキシャル層のチャネル領域上にイオン注入用マスキング層を形成するステップと、
　前記チャネル領域に隣接していて分離されているソースおよびドレインの領域を画定するために、イオン注入用マスキング層を使ってシリコン−ゲルマニウムのエピタキシャル層の中にドーパントをイオン注入するステップと、
　前記チャネル領域を露出させるために前記イオン注入の後、前記イオン注入用マスキング層を取り除くステップと、
　前記露出されたチャネル領域上にシリコンのエピタキシャル層を形成するステップと、ここで、前記シリコンのエピタキシャル層は、前記ソース及びドレイン上に形成されず、
　前記シリコンのエピタキシャル層上にシリコン酸化物層を形成するステップと、
　前記チャネル上であり前記ソース及びドレインに隣接する前記トランジスタのためのゲート絶縁物層を画定するために前記シリコンのエピタキシャル層の少なくとも一部分を酸化物シリコンに変換するステップと、
　前記ゲート絶縁物層上に導電性のゲートを形成するステップとを含む方法。」
　
２．請求項１についての補正内容の整理
　請求項１についての補正は、補正前の請求項１の「前記チャネル上であり前記ソース及びドレインに隣接する前記トランジスタのためのゲート絶縁物層を画定するために前記シリコンのエピタキシャル層の少なくとも一部分を酸化物シリコンに変換するステップ」の前に、「前記シリコンのエピタキシャル層上にシリコン酸化物層を形成するステップと、」を追加するものである（以下、「補正事項１」という。）。
　
３．請求項１についての補正による新規事項の追加の有無についての検討
（１）補正事項１についての補正により、補正後の請求項１は、「前記チャネル上であり前記ソース及びドレインに隣接する前記トランジスタのためのゲート絶縁物層を画定するために前記シリコンのエピタキシャル層の少なくとも一部分を酸化物シリコンに変換するステップ」と「前記シリコンのエピタキシャル層上にシリコン酸化物層を形成するステップ」との両ステップを備えるものとなった。　　　
（２）しかしながら、本願の願書に最初に添付した明細書には、「前記トランジスタのためのゲート絶縁物層を画定するために前記シリコンのエピタキシャル層の少なくとも一部分を酸化物シリコンに変換するステップ」「を含む方法」（請求項１）、「前記トランジスタのためのゲート絶縁物層を画定するために前記シリコンのエピタキシャル層の一部分だけをシリコン酸化物に変換し、前記ゲート絶縁物層がゲート酸化物層と、前記ゲート酸化物層と前記チャネル領域との間のシリコン保護層とを含んでいる変換のステップ」「を含む方法」（請求項１４）、「前記シリコンのエピタキシャル層の厚さの７５〜９５％をシリコン酸化物に変換し、ゲート酸化物層を画定し、残りのシリコンのエピタキシャル層が前記ゲート酸化物層と前記チャネル領域との間のシリコン保護層を形成するステップ」「を含む方法」（請求項２７）、「その方法は、イオン注入の後でイオン注入用マスキング層を取り除いてチャネル領域を露出させるステップと、その露出されたチャネル領域の上にシリコンのエピタキシャル層を形成するステップとをさらに含む。プラズマ強化型化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）または高圧酸化のいずれかを使って、シリコンのエピタキシャル層の少なくとも一部分がシリコン酸化物に変換されてゲート絶縁物層を形成することが好ましい。このステップは両方とも、シリコン酸化物が形成される時にチャネル領域からゲート絶縁物層へゲルマニウムが移動するのを防ぐために、低温において行われる。導電性のゲートがゲート絶縁物層の上面に形成される。」（０００９段落）、「１つの実施形態においては、シリコン・エピタキシャル層の一部分だけがシリコン酸化物に変換されてゲート絶縁物層を画定することが好ましい。」（００１１段落）、「本発明のもう１つの態様は、チャネル領域と、そのチャネル領域に隣接していて分離されているソースおよびドレインの領域のペアを有するシリコン−ゲルマニウムのエピタキシャル層を含んでいるシリコン基板を備えるシリコン−ゲルマニウム・トランジスタに関する。ゲート絶縁物層はチャネル領域の上にある。そのゲート絶縁物層はチャネル領域に隣接したゲート酸化物層と、そのゲート酸化物層とチャネル領域との間のシリコン保護層とを含むことが好ましい。導電性のゲートはそのゲート酸化物層の上面にある。」（００１２段落）、「シリコンのエピタキシャル層５４の少なくとも一部分が、図６に示されているように、シリコン酸化物に変換されて安定なゲート絶縁物層５６を画定する。ゲート絶縁物層５６は、プラズマ強化型ＣＶＤまたは高圧酸化などの低温のプロセスを使って形成されることが好ましい。」（００２６段落）、「以下の表１を参照すると、代表的なプラズマ強化型ＣＶＤのパラメータがゲート絶縁物層５６を形成するために提供されている。」（００２７段落）、「プラズマ強化型ＣＶＤを使ってゲート絶縁物層５６を形成することに対する代替案として、高圧酸化を使うことができる。表２は高圧酸化のパラメータを好適なパラメータの値と一緒にリストしている。」（００３０段落）ことが記載されている。　　　
（３）上記（２）の摘記事項と本願の図４ないし図７を参照すると、本願の明細書及び図面には、シリコンのエピタキシャル層上にシリコン酸化物層を形成するステップを「１回」備える「トランジスタを作るための方法」のみが記載されており、「前記シリコンのエピタキシャル層上にシリコン酸化物層を形成するステップ」と、「シリコンのエピタキシャル層５４」の「一部分」を変換して「シリコン酸化物層を形成するステップ」とをともに備えた「トランジスタを作るための方法」は記載されておらず、補正前の請求項１に「前記シリコンのエピタキシャル層上にシリコン酸化物層を形成するステップ」を追加する補正は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入するものであり、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内においてなされたものではない。　
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、請求項１についての補正を含む本件補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。　
　
第４．本願の明細書について
　平成１８年８月２日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の明細書および図面は、平成１７年１２月２８日付けの手続補正により補正された明細書および図面であって、その特許請求の範囲に記載される、出願時の請求項１及び１０にそれぞれ対応する請求項である、請求項１及び６は以下のとおりである。
　
「【請求項１】　トランジスタを作るための方法であって、
　シリコン−ゲルマニウムのエピタキシャル層を含んでいるシリコン基板を用意するステップと、
　前記シリコン−ゲルマニウムのエピタキシャル層のチャネル領域上にイオン注入用マスキング層を形成するステップと、
　前記チャネル領域に隣接していて分離されているソースおよびドレインの領域を画定するために、イオン注入用マスキング層を使ってシリコン−ゲルマニウムのエピタキシャル層の中にドーパントをイオン注入するステップと、
　前記チャネル領域を露出させるために前記イオン注入の後、前記イオン注入用マスキング層を取り除くステップと、
　前記露出されたチャネル領域上にシリコンのエピタキシャル層を形成するステップと、ここで、前記シリコンのエピタキシャル層は、前記ソース及びドレイン上に形成されず、　
　前記チャネル上であり前記ソース及びドレインに隣接する前記トランジスタのためのゲート絶縁物層を画定するために前記シリコンのエピタキシャル層の少なくとも一部分を酸化物シリコンに変換するステップと、
　前記ゲート絶縁物層上に導電性のゲートを形成するステップとを含む方法。」
「【請求項６】　請求項１に記載の方法において、前記変換はプラズマ強化型化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）又は高圧酸化を使って行われ、前記ＰＥＣＶＤ又は高圧酸化は６００℃以下の温度において行われる方法。」
　
第５．当審の判断
１．「拒絶の理由１」について　
　出願時の請求項１０に対応する、上記第４．に記載される、請求項６について以下に検討する。
　
（１）原審における拒絶理由通知において、請求項６に対応する、出願時の請求項１０及び発明の詳細な説明について、以下の理由により、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていないと指摘している。
　「請求項１０・・・においては、「プラズマ強化型化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）」によって、「シリコンのエピタキシャル層の少なくとも一部分を酸化物シリコンに変換する」と記載されているが、ＣＶＤ法は膜を蒸着する方法であって、シリコンを酸化物に変換する方法ではないから、前記請求項に係る発明をどのように実施するのかが明らかではない。
　また、発明の詳細な説明においても、段落番号【００２６】〜【００２９】には、「プラズマ強化型化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）」によって、シリコンを直接シリコン酸化物に変換することが記載されており、特に段落番号【００２９】には、詳細な条件が記載されているが、これをみても、どのようにすれば「プラズマ強化型化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）」によって、シリコンを直接シリコン酸化物に変換できるのかが明らかではない。
　したがって、本願の発明の詳細な説明は、「プラズマ強化型化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）」によって、「シリコンのエピタキシャル層の少なくとも一部分を酸化物シリコンに変換する」ことを規定する請求項１０・・・について、当業者が実施できる程度に明確かつ十分に記載されているものとは認められない。」
（２）拒絶理由通知における、上記（１）の指摘に対して、請求人は意見書において、「意見書での主張１」として、以下のとおり反論している。
　「審査官殿は、ＰＥＣＶＤ方は、シリコンを酸化物に変換する方法ではない旨主張されています。しかしながら、この点については、“Plasma-Assisted Oxidation Anodization and Nitridation of Silicon, IBM Journal of Research and Development, Vol. 43, Number 1/2, 1999”（参考として本従来例を、同日付け物件提出書にて提出致します。）、特に本従来例８頁に記載されるように、圧力、温度及びプラズマを用いて、シリコンを酸化して二酸化シリコンを生成する旨記載されています。従って、酸化物へシリコンを変換するためのプロセスは、明細書に記載された条件下、従来公知の技術によりなされます。」
（３）請求人は、意見書及び審判請求書において、本願の明細書に、「プラズマ強化型化学蒸着」によって、シリコンエピタキシャル層が酸化できることが記載されているとは主張しておらず、また、本願の明細書又は図面には、「プラズマ強化型化学蒸着」によって、シリコンエピタキシャル層が酸化できることは記載されていない。
　また、「プラズマ強化型化学蒸着」（ＰＥＣＶＤ）は、その文言が示す通り、「蒸着」の方法であり、シリコンを酸化物に変換する方法ではない。ここで、圧力、温度及びプラズマを用いてシリコンを酸化して二酸化シリコンを生成することができるとしても、それは、「プラズマ酸化」であり、「プラズマ強化型化学蒸着」ではない。
（４）したがって、本願の明細書には、「プラズマ強化型化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）」によって、「シリコンのエピタキシャル層の少なくとも一部分を酸化物シリコンに変換する」ことを規定する請求項６に係る発明について、当業者が実施できる程度に明確かつ十分に記載されていない。　
　よって、本願は特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていない。
（５）なお、意見書に添付された文献には、プラズマ酸化に関する技術は記載されているとしても、「プラズマ強化型化学蒸着」（ＰＥＣＶＤ）に関して何ら記載されていない。
　さらに、平成１８年８月２日付け手続補正により補正した、上記第４．に記載される請求項６に対応する、請求項５には、「請求項１に記載の方法において、前記変換はプラズマ強化型化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）」「を使って行われ、前記ＰＥＣＶＤ」「は６００℃以下の温度において行われる方法。」と記載されており、また、平成２１年５月２１日付けの回答書に添付された、上記請求項６に対応する、「補正案」の請求項５においても、「請求項１に記載の方法において、前記変換はプラズマ強化型化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）」「を使って行われ、前記ＰＥＣＶＤ」「は６００℃以下の温度において行われる方法。」と記載されるのみであるから、上記第４．に記載される請求項６に対応する、請求項５に記載された発明をどのようにして実施するかについて、当業者が容易に実施できるように、本願の明細書または図面に記載がなく、本願は、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていない。
　　
２．「拒絶の理由２」について
　出願時の請求項１に対応する、上記第４．に記載される、請求項１について以下に検討する。
　
（１）原審における拒絶理由通知において、請求項１及び発明の詳細な説明について、以下の理由により、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていないと指摘している。
　
　「発明の詳細な説明における段落番号【００２５】〜【００２６】においては、「二酸化シリコン層５２および犠牲の酸化物レベル４２は、シリコンのエピタキシャル層が形成された後に取り除かれるからである。」（段落番号【００２５】）、「シリコンのエピタキシャル層５４の少なくとも一部分が、図６に示されているように、シリコン酸化物に変換されて安定なゲート絶縁物層５６を画定する。ゲート絶縁物層５６は、プラズマ強化型ＣＶＤまたは高圧酸化などの低温のプロセスを使って形成されることが好ましい。ゲート絶縁物層５６はシリコンの保護層５８とゲート酸化物層６０とを含む。」（段落番号【００２６】）と記載されており、図６には、「エピタキシャル層５４」が酸化されて「シリコン保護層５８」と「ゲート酸化物層６０」がシリコン基板上に形成された状態が記載されている。　
　しかしながら、段落番号【００２５】によると、エピタキシャル層５４を形成した後、「二酸化シリコン層５２」及び「犠牲の酸化物レベル４２」が取り除かれるのであるから、シリコンのエピタキシャル層５４を酸化する段階では、当該エピタキシャル層５４の側面を含め、シリコン基板の表面が全て露出しているものと認められる。そして、その状態で酸化処理を行えば、シリコン基板及びシリコンのエピタキシャル層の側面を含む全ての露出面が酸化されることになるから、シリコンエピタキシャル層の上側部分のみが酸化されるとする図６の記載は、発明の詳細な記載に照らして、不明確である。
　また、シリコン基板及びシリコンのエピタキシャル層の側面を含む全ての露出面が酸化された場合に、どのようにすればトランジスタを製造できるのかについては、当業者にとって明らかであるといえない。
　（略）
　したがって、本願の発明の詳細な説明は、当業者が本願発明を実施できる程度に明確かつ十分に記載されているものとは認められない。」
（２）拒絶理由通知における、上記（１）の指摘に対して、請求人は意見書において、「意見書での主張２」として、以下のとおり反論している。
　「本願発明においては、エピタキシャル層を形成し
酸化した後に
（３）ここで、請求人は、「意見書での主張２」において、「・・・は、当業者にとって自明な技術です。」また、「このような技術は、当業者にとって公知の技術です。」と主張するとともに、請求人は、「審判請求書での主張２」において、「ご指摘の通り、「本願発明においては、エピタキシャル層を形成し
酸化した後に
酸化した後に
　さらに、「意見書での主張２」は、「本願発明においては、エピタキシャル層を形成し
酸化した後に
（４）次に、請求人は、「審判請求書での主張２」において、「二酸化シリコン層５２及び犠牲の酸化物層４２が、エピタキシャル層の形成後で
酸化の前に
　しかしながら、「二酸化シリコン層５２及び犠牲の酸化物層４２が、エピタキシャル層の形成後で
酸化の前に
酸化の前に
　したがって、「高圧酸化」を用いた「ゲート酸化物層６０」の形成によっても、「プラズマ強化型化学蒸着」を用いた「ゲート酸化物層６０」の形成によっても、本願の明細書に記載された方法では、本願の図６に記載される構成が形成できるものとは認められない。
（５）ここで、請求人は、「審判請求書での主張２」において、「二酸化シリコン層５２及び犠牲の酸化物層４２が、エピタキシャル層の形成後で
酸化の前に
　しかしながら、例えば、「高圧酸化」により、シリコンエピタキシャル層を酸化して、「ゲート酸化物層６０」を形成する際には、上記（４）で検討したとおり、シリコンエピタキシャル層の側面にも、「ゲート酸化物層６０」と同程度の厚さのシリコン酸化膜が形成されるとともに、シリコン・ゲルマニウムのエピタキシャル層５０の表面にも、「ゲート酸化物層６０」と同程度の厚さのシリコン・ゲルマニウムの酸化物層が形成されること、さらには、前記形成された、シリコンエピタキシャル層の側面のシリコン酸化膜、及びシリコン・ゲルマニウムのエピタキシャル層５０の表面に形成されるシリコン・ゲルマニウムの酸化物層は、無視できるほど薄い酸化膜であるとは認められず、仮に、シリコンエピタキシャル層の側面のシリコン酸化膜またはシリコン・ゲルマニウムの酸化物層が無視できる程度の厚さであるとすると、同程度の厚さの「ゲート酸化物層６０」も無視できる程度の厚さとなるところ、そのような「ゲート酸化物層６０」を備えた半導体装置は、素子として有効な特性を備えた半導体装置とはなりえないから、請求項１に記載された発明をどのようにして実施するかについて、当業者が容易に実施できるように、本願の明細書または図面に記載されていない。
　したがって、請求人の上記主張は採用できない。
（６）以上のとおりであるから、本願の明細書及び図面に記載された「方法」によっては、請求項１に記載された発明をどのようにして実施するか不明であり、また、本願の図６に記載した構造を形成することはできず、本願の発明の詳細な記載は、当業者が容易に発明を実施できる程度に明確かつ十分に記載されていない。
　よって、本願は、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていない。
　　
第６．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、特許法第３６条第４項の規定により拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。