【事件の表示】
　特願２００７−　１５２３２「光源装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　４月１９日出願公開、特開２００７−１０３９８０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ　手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１３年２月２１日に出願した特願２００１−４５２３４号（以下「原出願」という。）の一部を平成１９年１月２５日に新たな特許出願としたものであって、同年１０月１５日に手続補正がなされたところ、同年１２月３日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２０年１月１０日に拒絶査定不服審判請求がなされるとともに同年２月４日付けで手続補正がなされたものである。
　
　
ＩＩ　平成２０年２月４日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２０年２月４日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１　補正の内容  
　平成２０年２月４日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の請求項１を、以下のように補正することを含むものである。
　
「透明性を有する半導体発光素子と、
　内壁面が前記半導体発光素子の側面と対向して底面から開口に向かって拡開する傾斜面からなる凹部を有し、前記半導体発光素子のアノード電極およびカソード電極に対応した一対のアノード電気配線パターンとカソード電気配線パターンとを前記傾斜面を含む表面に設けた絶縁性に優れた反射性を有する基材と、
　波長変換材料が混入された透明樹脂とを備え、
　前記一対の前記アノード電気配線パターンと前記カソード電気配線パターンとに跨って前記半導体発光素子の端面部から対称になる等しい距離まで前記半導体発光素子の載置面の面積よりも大きく前記透明樹脂を均一な厚さに前記一対の前記アノード電気配線パターンと前記カソード電気配線パターンとに設け、該透明樹脂の上に前記半導体発光素子が接着固定されており、前記半導体発光素子の裏面から発する光を前記波長変換材料で波長変換するとともに、該波長変換された光を前記絶縁性に優れた反射性を有する前記基材や前記一対の前記電気配線パターン部で反射し、この反射した光と、前記半導体発光素子の表面から直接発する光とを混合して前記半導体発光素子の表面方向から放射することを特徴とする光源装置。」
　
２　新規事項
　本件補正は、補正前の請求項１の「透明樹脂」を、「半導体発光素子の端面部から対称になる等しい距離まで」設けること（以下「本件補正事項」という。）を含むものである。 　 
　この点について検討する。
　上記本件補正事項に関して、願書に最初に添付した明細書または図面（以下「当初明細書等」という。）には、以下の記載がある。
　
ア　「【請求項１】
　・・・（略）・・・、
　前記アノード電気配線パターンと前記カソード電気配線パターンとに跨って前記半導体発光素子の載置面の面積よりも大きく均一に前記透明樹脂を設け、該透明樹脂の上に前記半導体発光素子が接着固定されており、前記半導体発光素子の裏面から発する光を前記波長変換材料で波長変換する・・・（略）・・・。」 
　
イ　「【００１４】
　本発明の請求項１に係る光源装置は、・・・（略）・・・、
　前記アノード電気配線パターンと前記カソード電気配線パターンとに跨って前記半導体発光素子の載置面の面積よりも大きく均一に前記透明樹脂を設け、該透明樹脂の上に前記半導体発光素子が接着固定されており、前記半導体発光素子の裏面から発する光を前記波長変換材料で波長変換する・・・（略）・・・。
　【００１５】
　請求項１に係る光源装置によれば、半導体発光素子の裏面から下方に放射した光が、透明樹脂の波長変換材料により波長変換された光として再度上方に反射させられる。更に、半導体発光素子の４つの側面から放射して下方に進んだ光を半導体発光素子よりも大きな面積で設けられた透明樹脂の波長変換材料により、波長変換された光として再度略上方に反射させられる。そして、上記反射光と、半導体発光素子から出射される直接の放射光とが完全に混ざり合う。・・・（略）・・・。透明樹脂に混入される波長変換材料を一定の均一のある厚さで塗布または印刷したときに、混合された全体の色調を厚さでなく面積でコントロールすることができる。しかも、透明樹脂が接着材としての機能も兼ねて半導体発光素子を固定することができる。」
　
ウ　「【００２４】
　以上のように、請求項１に係る光源装置によれば、半導体発光素子の裏面から下方に放射した光が、透明樹脂の波長変換材料により波長変換された光として再度上方に反射させられる。更に、半導体発光素子の４つの側面から放射して下方に進んだ光を半導体発光素子よりも大きな面積で設けられた透明樹脂の波長変換材料により、波長変換された光として再度略上方に反射させられる。そして、上記反射光と、半導体発光素子から出射される直接の放射光とが完全に混ざり合う。・・・（略）・・・透明樹脂が半導体発光素子の面積より大きな面積で設けられる。これにより、透明樹脂に混入される波長変換材料を一定の均一のある厚さで塗布または印刷したときに、混合された全体の色調を厚さでなく面積でコントロールすることができる。しかも、透明樹脂が接着材としての機能も兼ねて半導体発光素子を固定することができる。」
　
エ　「【００２９】
　・・（略）・・・。これら基材の反射性を有したパターンや電気配線パターン上には、波長変換材料を混入した透明樹脂が半導体発光素子の裏面の面積（半導体発光素子の載置面積）よりも大きい面積で設けられ、この透明樹脂上に半導体発光素子が載置されている。」
　
オ　「【００３１】
　・・・（略）・・・。この光源装置１Ａは、リードフレーム２１に形成されるパターン２（２ａ，２ｂ）とリード端子６（６ａ，６ｂ）、透明樹脂３、半導体発光素子４、ボンディングワイヤ（以下、ワイヤと略称する）５およびモールドケース（以下、ケースと略称する）７から概略構成される。」
　
カ　「【００３５】
　・・・（略）・・・。透明樹脂３は、塗布または印刷により常に一定量が維持される。また、透明樹脂３は、半導体発光素子４をパターン２に固着する接着剤としての機能も兼ねている。
【００３６】
　透明樹脂３は、ケース７の凹状部７ａ内の底面に露出するパターン２と半導体発光素子４の裏面４ａ（電極を持たない面）との間に介在して設けられる。更に説明すると、図２に示すように、透明樹脂３は、リードフレーム２１のパターン２ａ上において、パターン２ａ上の半導体発光素子４の載置面（半導体発光素子４の裏面４ａの面積に相当）２４を含め、半導体発光素子４の外側周囲に及んで半導体発光素子４の載置面２４よりも大きな面積で広い範囲に設けられる。これにより、半導体発光素子４の裏面４ａから放射された光をより効率的に色変換でき、特に印刷等による波長変換材料の量が薄くても最適な色調を得ることができる。
【００３７】
　すなわち、透明樹脂３は、半導体発光素子４の裏面４ａからの出射光を波長変換する。」
　
キ　「【００５４】
　・・・（略）・・・、半導体発光素子４の上方から青色光が放射され、半導体発光素子４の下方に放射した青色光が透明樹脂３の波長変換材料によって黄色光に色変換される。この色変換された黄色光は、透明樹脂３の上方および下方に放射される。透明樹脂３の下方に放射された黄色光は、下部のパターン２ａの面で反射されて上方に放射される。そして、半導体発光素子４自身が放射する青色光と、透明樹脂３の波長変換材料によって色変換された黄色光とが混ざり合って半導体発光素子４の上方から白色光が放射される。」
　
ク　「【００６０】
　透明樹脂３は、塗布または印刷により常に一定量を維持している。そして、透明樹脂３は、図３に示すように、リードフレーム２１上において、半導体発光素子４の載置面２４を含め、半導体発光素子４の大きさよりも大きな面積で広い範囲で半導体発光素子４の側面４ｅと対向する傾斜面２３上の位置まで及んで設けられる。これにより、半導体発光素子４から放射された光をより効率的に色変換でき、特に印刷等による波長変換材料の量が薄くても最適な色調を得ることができる。
　【００６１】
　・・・（略）・・・。
　半導体発光素子４の裏面４ａから下方向に放射された光は、透明樹脂３の波長変換材料で波長変換される。・・・（略）・・・。
　【００６２】
　また、図４に示すように、半導体発光素子４の４つの側面４ｅから出射された光の内、下方向に進んだ光線Ｌ２２は、傾斜面２３に設けられた透明樹脂３に含まれている波長変換材料によって波長変換される。・・・（略）・・・。
　【００６３】
　・・・（略）・・・。
　【００６４】
　また、図４に示すように、例えば側面４ｅから出射される光線Ｌ１に対し、下向きに出射される出射角β１＝３０°程度の光線Ｌ２２は、４５°の傾きを持つ傾斜面２３で、透明樹脂３の波長変換材料により波長変換されて反射される。・・・（略）・・・。
　【００６５】
　同様に、側面４ｅから出射される光線Ｌ１に対し、上向きに出射される出射角β＝３０°程度の光線Ｌ３２は、４５°の傾きを持つ傾斜面２３で、透明樹脂３の波長変換材料により波長変換されて反射される。・・・（略）・・・。
　【００６６】
　このように、半導体発光素子４の４つの側面４ｅから出射した光は、半導体発光素子４の４つの側面４ｅの位置に対応してリードフレーム２１のパターン２の傾斜面２３上に設けた透明樹脂３の波長変換材料によって波長変換される。その後、傾斜面２３により垂直上方向に光が反射される。・・・（略）・・・。
　【００６７】
　・・・図１乃至図４では、半導体発光素子４の載置面２４よりも大きな面積で透明樹脂３をリードフレーム２１のパターン２上に設ける構成について説明した・・・（略）・・・。」
　
ケ　「【００７４】
　透明樹脂３は、基板１１上の凹部２５に塗布または印刷により形成され、常に一定量を維持している。そして、透明樹脂３の面積は、図５に示すように、半導体発光素子４の裏面４ａの面積よりも大きい。しかも、半導体発光素子４の裏面４ａは、透明樹脂３内に含まれるように透明樹脂３を介して凹部２５の平坦面２５ａ上に接着される。」
　
コ　「【００７８】
　透明樹脂３は、ケース７の凹部２５上に塗布または印刷により形成され、常に一定量を維持している。そして、透明樹脂３の面積は、図７に示すように、半導体発光素子４の裏面４ａの面積よりも大きい。しかも、半導体発光素子４の裏面４ａは、透明樹脂３内に含まれるように透明樹脂３を介して凹部２５の平坦面２５ａ上に接着される。
　【００７９】
　なお、上記光源装置１Ｄにおいて、図８に示すように、ケース７の凹状部７ａ内に凹部２５を形成しない構成としてもよい。この場合、透明樹脂３は、ケース７の凹状部７ａの平坦面７ｃ上に設けられる。透明樹脂３の面積は、半導体発光素子４の裏面４ａの面積よりも大きい。しかも、半導体発光素子４の裏面４ａは、透明樹脂３内に含まれるように透明樹脂３を介してケース７の平坦面７ｃ上に接着される。
　【００８０】
　このように、本例における光源装置１では、反射性を有する基材（反射性を有する基板１１やリードフレーム２１、ケース７内の反射性を有するパターンや電気配線パターン等）上に、波長変換材料（または波長変換材料と導電性材料）を混入した透明樹脂３によって、半導体発光素子４が接着固定されている。これにより、半導体発光素子４の表面４ｂ以外の面（裏面４ａ、側面４ｅ）から出射された光は、透明樹脂３の波長変換材料（または波長変換材料と導電性材料）により波長変換される。そして、この波長変換された光は、再度半導体発光素子４を透過し、表面４ｂから混合光として出射される。
　【００８１】・・・（略）・・・。
　【００８２】
　特に、図３乃至図５および図７に示すように、半導体発光素子４の４つの側面４ｅと対向して傾斜面２３を有する光源装置によれば、半導体発光素子４の裏面４ａからの出射光と、半導体発光素子４の４つの側面４ｅからの出射光の大部分とが半導体発光素子４の裏面４ａと傾斜面２３とに形成される透明樹脂３の波長変換材料により波長変換され、半導体発光素子４に反射される。そして、半導体発光素子４の表面４ｂからの青色の出射光と、裏面４ａや側面４ｅから出射されて波長変換された黄色の反射光とが混合されることにより白色光を得ることができる。・・・（略）・・・。
　【００８３】・・・（略）・・・。
　【００８４】
　例えば、青色発光の半導体発光素子４からの光が橙色蛍光顔料又は橙色蛍光染料を混合した透明樹脂３に投射されると、青色光と橙色光との混合によって白色光が得られる。透明樹脂３が多い場合には、橙色の色調の濃い光が得られる。透明樹脂３が少ない場合には、青色の色調の濃い光が得られる。しかし、同じ量の透明樹脂３でも密度分布が大きいと、再度半導体発光素子４に戻る波長変換された光の光量が多くなる。従って、半導体発光素子４から放射された光がほとんど透明樹脂３の表面からの波長変換光となってしまう。
　【００８５】
　そこで、図３乃至図５および図７に示す光源装置１Ｂ，１Ｃ，１Ｄでは、基材（ケース７、基板１１、リードフレーム２１）に凹部を有し、白色光に必要な波長変換材料を含む透明樹脂３の量を維持している。そして、透明樹脂３の波長変換材料の粒子間に無色透明なエポキシ樹脂やシリコーン樹脂等を存在させている。この構成によれば、透明樹脂３で波長変換された光が凹部の底面まで到達し、凹部による反射光が透明樹脂３の波長変換材料の粒子間を通過する。・・・（略）・・・。
　【００８６】
　・・・図９に示すように、傾斜面２３を設けた光源装置１において、傾斜面２３にパターン（電気配線パターン）２を有する構成とすれば、半導体発光素子４のアノード電極やカソード電極とパターン２とを容易にワイヤーボンダによってワイヤ（金線）５を接続することができる。なお、この構成を採用する場合には、半導体発光素子４の側面４ｅと対向する傾斜面２３の部分に透明樹脂３が設けられるようにし、それ以外の傾斜面２３の部分のスペースを利用してパターン２が位置するようにする。」
　
サ　基板１１の表面及び該表面に形成された凹部に跨って電気配線パターン２ａ、２ｂが形成され、該電気配線パターン２ａ、２ｂ上に透明樹脂３が形成され、該透明樹脂３上に半導体発光素子４が配置されること、が図３及び図９から見て取れる。
　
　以上のとおり、当初明細書等には、上記本件補正事項（透明樹脂を、半導体発光素子の端面部から対称になる等しい距離まで設けること）については記載がされておらず、また、当該本件補正事項が当初明細書等の記載から自明な事項である、ということもできない。
　
　よって、上記本件補正事項を含む本件補正は、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてなされたものとはいえない。
　
　したがって、本件補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。 
　
（なお、請求人は、平成２０年９月２２日付回答書において、「図９において、半導体発光素子の端面部から対称になる等しい距離まで透明樹脂が設けられていることは、スケールで測定しても明らかである。」と主張するが、図９自体から上記本件補正事項に係る「『透明樹脂』を、『半導体発光素子の端面部から対称になる等しい距離まで』設ける」との技術思想を把握することは到底できない。よって、請求人の上記主張は採用できない。）
　
３　独立特許要件 
　本件補正は、補正前の請求項１の「アノード電気配線パターンとカソード電気配線パターン」が、「一対の」ものである、との限定を付加するとともに、同じく「透明樹脂」を、「半導体発光素子の端面部から対称になる等しい距離まで」「前記一対の前記アノード電気配線パターンと前記カソード電気配線パターンとに」設ける、との限定を付加するものであるから、上記補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
 　 
（１）刊行物記載の発明  
　原出願の出願前に頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である特開平１１−６８１６６号公報（以下「引用刊行物」という。）には、図とともに以下の事項が記載されている。
　
ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光ダイオード装置、特に発光ダイオードチップから照射される光を波長変換して外部に放出する発光ダイオード装置に関する。」
　
イ　「【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明による発光ダイオード装置の実施の形態を図１〜図６について説明する。・・・（略）・・・。図１に示すように、本発明による発光ダイオード装置（１１）は、カソード側のリードとしての配線導体（３）（審決注：「（１３）の誤記と認める。」）のカップ部（１６）の底部（１６ａ）に蛍光バインダ層（１０）を介して固着された発光ダイオードチップ（２）を有する。発光ダイオードチップ（２）は、カップ部（１６）の上縁部（１６ｃ）から突出しないように、蛍光バインダ層（１０）上に接着される。蛍光バインダ層（１０）は、発光ダイオードチップ（２）から照射される光に対して光透過性を有するホットメルト接着剤等のバインダと、バインダ内に混合され且つ発光ダイオードチップ（２）から照射される光を吸収して他の発光波長に変換する蛍光物質とを含む。・・・（略）・・・。
【０００８】バインダ中に含まれる蛍光物質は、発光ダイオードチップ（２）の光線を吸収しながら、その光線の波長とは異なる波長の光線を発する。蛍光物質は、基体、付活体及び融剤より成る。・・・（略）・・・。
【０００９】その後、従来の発光ダイオード装置（１）と同様に、発光ダイオードチップ（２）のカソード電極（２ａ）及びアノード電極（２ｂ）をそれぞれボンディングワイヤ（５、６）によりカソード側及びアノード側の配線導体（１３、１４）に接続して、封止樹脂（８）によって発光ダイオードチップ（２）、カップ部（１６）、ボンディングワイヤ（５、６）及び配線導体（１３、１４）の端部が被覆される。使用の際に配線導体（１３、１４）間に電圧を印加して発光ダイオードチップ（２）に通電すると、発光ダイオードチップ（２）から下方に照射される光は、蛍光バインダ層（１０）内を通過した後、カップ部（１６）の側壁（１６ｂ）で反射して封止樹脂（８）の外部に放出される。その際に、発光ダイオードチップ（２）から四方に放射された光成分の内、下方向に放出された光成分・・・の一部は蛍光バインダ層（１０）に達し、そこで波長変換されて異なった波長の光となった後に蛍光バインダ層（１０）から放出され、波長変換されない発光ダイオードチップ（２）からの光成分と混合して封止樹脂（８）を通して発光ダイオード装置（１１）の外部に放出される。
【００１０】具体的には、例えば発光ダイオードチップ（２）に発光波長のピークが約４４０ｎｍから約４７０ｎｍのＧａＮ系の青色発光ダイオードチップ（２）を用い、また蛍光バインダ層（１０）に付活剤としてＣｅ（セリウム）を適量添加したＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット、化学式Ｙ３Ａ１５Ｏ１２、励起波長のピーク約４５０ｎｍ、発光波長のピーク約５４０ｎｍの黄緑色光）の単結晶を用いれば、青色発光ダイオードチップ（２）の発光波長とＹＡＧ蛍光体の励起波長とがほぼ一致するため効率よく波長変換が行われる。」
　
ウ　「【００１２】図２〜図６は、本発明の他の実施の形態を示す。図２は、カップ部（１６）の底部（１６ａ）及び側壁（１６ｂ）を含む内部全体に蛍光バインダ層（１０）及び追加の蛍光バインダ層（１０ａ）を塗布した例を示す。蛍光バインダ層（１０）の塗布面積が少ないため波長変換された光成分が少なくなり、その結果発光ダイオード装置（１１）の発光が所望の色調にならない場合は、図２に示すように、カップ部（１６）の上縁部（１６ｃ）を越えない範囲で、カップ部（１６）の底部（１６ａ）から側面（１６ｂ）に至るまでのカップ部（１６）の内部全面に蛍光バインダ層（１０）を塗布してもよい。この場合、追加の蛍光バインダ層（１０ａ）は、偽灯を防ぐため、上縁部（１６ｃ）から上方に突出しない。」
　
エ　「【００１６】図６は、チップ形発光ダイオード装置（２１）に適用した本発明の他の実施の形態を示す。チップ形発光ダイオード装置（２１）では、絶縁性基板（１７）の一方の主面にカップ部（１６）と、相互に離間した配線導体（１３、１４）とが形成され、配線導体（１３、１４）の一方の端部は、カップ部（１６）内に配置される。発光ダイオードチップ（２）はカップ部（１６）の底部（１６ａ）にて配線導体（３）（審決注：「（１３）の誤記と認める。」）に蛍光バインダ層（１０）を介して固着される。配線導体（１３、１４）の他方の端部は、絶縁性基板（１７）の側面及び他方の主面に延びて配置される。発光ダイオードチップ（２）のカソード電極（２ａ）及びアノード電極（２ｂ）はそれぞれボンディングワイヤ（５、６）により配線導体（１３、１４）に接続される。発光ダイオードチップ（２）、カップ部（１６）、ボンディングワイヤ（５、６）、配線導体（１３、１４）の一方の端部側は絶縁性基板（１７）の一方の主面に形成された断面台形状の封止樹脂（８）によって被覆される。図６の発光ダイオード装置（２１）でも、発光ダイオードチップ（２）から照射された光の一部が蛍光体バインダ層（１０）の蛍光物質によって発光波長が変換され、図１の発光ダイオード装置と同様の作用効果が得られる。」
　
オ　上記イ（【００１０】）によれば、発光ダイオードチップ（２）としてＧａＮ系のものを用いることが記載されているといえる。
　
カ　以下の（ア）、（イ）が、図６から見て取れる。
（ア）絶縁性基板（１７）の一方の主面に形成されるカップ部（１６）は、底部（１６ａ）と該底部（１６ａ）から上方に向かって次第に広がる側壁（１６ｂ）とからなること。
（イ）配線導体（１３、１４）の一方の端部は、カップ部（１６）内の側壁（１６ｂ）及び底部（１６ａ）に配置されること。
　
　上記ア、イ、エ、オ及びカの記載を総合すると、引用刊行物には、以下の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されている、と認められる。
　
「絶縁性基板（１７）の一方の主面に、底部（１６ａ）と該底部（１６ａ）から上方に向かって次第に広がる側壁（１６ｂ）とからなるカップ部（１６）と、相互に離間した配線導体（１３、１４）とが形成され、配線導体（１３、１４）の一方の端部はカップ部（１６）内の側壁（１６ｂ）及び底部（１６ａ）に配置され、ＧａＮ系の発光ダイオードチップ（２）が該カップ部（１６）の底部（１６ａ）にて前記配線導体（１３）に蛍光バインダ層（１０）を介して固着され、前記発光ダイオードチップ（２）のカソード電極（２ａ）及びアノード電極（２ｂ）はそれぞれボンディングワイヤ（５、６）により前記配線導体（１３、１４）に接続され、発光ダイオードチップ（２）から照射された光の一部が蛍光体バインダ層（１０）の蛍光物質によって発光波長が変換される発光ダイオード装置（２１）。」
　
　また、上記ア、イ及びウの記載を総合すると、引用刊行物には、以下の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されている、と認められる。
　
「カソード側のリードとしての配線導体（１３）のカップ部（１６）の底部（１６ａ）に蛍光バインダ層（１０）を塗布し、該蛍光バインダ層（１０）を介して発光ダイオードチップ（２）を固着し、蛍光バインダ層（１０）は、発光ダイオードチップ（２）から照射される光に対して光透過性を有するホットメルト接着剤等のバインダと、バインダ内に混合され且つ発光ダイオードチップ（２）から照射される光を吸収して他の発光波長に変換する蛍光物質とを含み、発光ダイオードチップ（２）のカソード電極（２ａ）及びアノード電極（２ｂ）をそれぞれボンディングワイヤ（５、６）によりカソード側及びアノード側の配線導体（１３、１４）に接続し、配線導体（１３、１４）間に電圧を印加して発光ダイオードチップ（２）に通電すると、発光ダイオードチップ（２）から下方に照射される光は、蛍光バインダ層（１０）内を通過した後、カップ部（１６）の側壁（１６ｂ）で反射して封止樹脂（８）の外部に放出され、発光ダイオードチップ（２）から四方に放射された光成分の内、下方向に放出された光成分の一部は蛍光バインダ層（１０）に達し、そこで波長変換されて異なった波長の光となった後に蛍光バインダ層（１０）から放出され、波長変換されない発光ダイオードチップ（２）からの光成分と混合して外部に放出される発光ダイオード装置（１１）であって、
　蛍光バインダ層（１０）の塗布面積が少ないため波長変換された光成分が少なくなり、その結果発光ダイオード装置（１１）の発光が所望の色調にならない場合は、カップ部（１６）の底部（１６ａ）から側面（１６ｂ）に至るまでのカップ部（１６）の内部全面に蛍光バインダ層（１０）を塗布する発光ダイオード装置。」
　
（２）対比
　本願補正発明と引用発明１とを対比する。
ア　引用発明１の「蛍光バインダ層（１０）」及び「発光ダイオード装置（２１）」は、それぞれ、本願補正発明の「波長変換材料が混入された透明樹脂」及び「光源装置」に相当する。
　
イ　本願明細書の【００２２】には、「請求項５に係る光源装置は、半導体発光素子が、・・・、ＧａＮ系のいずれかの半導体発光素子からなる」と記載されており、該ＧａＮ系の半導体発光素子が本願補正発明における「透明性を有する半導体発光素子」であるといえるから、引用発明１の「ＧａＮ系の発光ダイオードチップ（２）」は、本願補正発明の「透明性を有する半導体発光素子」に相当する、といえる。
　
ウ　引用発明１は、「絶縁性基板（１７）の一方の主面に、底部（１６ａ）と該底部（１６ａ）から上方に向かって次第に広がる側壁（１６ｂ）とからなるカップ部（１６）と、相互に離間した配線導体（１３、１４）とが形成され、配線導体（１３、１４）の一方の端部はカップ部（１６）内の側壁（１６ｂ）及び底部（１６ａ）に配置され」ているから、引用発明１の「絶縁性基板（１７）」、「一方の主面」、「底部（１６ａ）」、「底部（１６ａ）から上方に向かって次第に広がる側壁（１６ｂ）」、「カップ部（１６）」及び「配線導体（１３、１４）」は、それぞれ、本願補正発明の「絶縁性に優れた基材」、「表面」、「底面」、「底面から開口に向かって拡開する傾斜面」、「凹部」及び「一対のアノード電気配線パターンとカソード電気配線パターン」に相当するとともに、引用発明１は、本願補正発明の「底面から開口に向かって拡開する傾斜面からなる凹部を有し、一対のアノード電気配線パターンとカソード電気配線パターンとを前記傾斜面を含む表面に設けた絶縁性に優れた基材」を備える、といえる。
　
エ　引用発明１は、「ＧａＮ系の発光ダイオードチップ（２）が該カップ部（１６）の底部（１６ａ）にて・・・固着され」るから、引用発明１が、本願補正発明の「（凹部の）内壁面が前記半導体発光素子の側面と対向して」なる事項を備えることは明らかである。
　
オ　引用発明１は、「発光ダイオードチップ（２）のカソード電極（２ａ）及びアノード電極（２ｂ）はそれぞれボンディングワイヤ（５、６）により前記配線導体（１３、１４）に接続され」るから、本願補正発明の「一対のアノード電気配線パターンとカソード電気配線パターン」に相当する引用発明１の「配線導体（１３、１４）」が、「半導体発光素子のアノード電極およびカソード電極に対応した」ものである、といえることは明らかである。
　
カ　引用発明１は、「ＧａＮ系の発光ダイオードチップ（２）が・・・前記配線導体（１３）に蛍光バインダ層（１０）を介して固着され」ているから、本願補正発明の「透明樹脂の上に前記半導体発光素子が接着固定されており」なる事項を備える。
　
キ　引用発明１の「発光ダイオード装置（２１）」は、「発光ダイオードチップ（２）から照射された光の一部が蛍光体バインダ層（１０）の蛍光物質によって発光波長が変換される」ものであり、しかも、引用刊行物の【００１６】には（３（１）エ参照。）、「図６の発光ダイオード装置（２１）でも、・・・、図１の発光ダイオード装置と同様の作用効果が得られる。」と記載されているから、引用刊行物の【０００９】（３（１）イ参照。）の「発光ダイオードチップ（２）から下方に照射される光は、蛍光バインダ層（１０）内を通過した後、カップ部（１６）の側壁（１６ｂ）で反射して・・・外部に放出される。その際に、発光ダイオードチップ（２）から四方に放射された光成分の内、下方向に放出された光成分・・・の一部は蛍光バインダ層（１０）に達し、そこで波長変換されて異なった波長の光となった後に蛍光バインダ層（１０）から放出され、波長変換されない発光ダイオードチップ（２）からの光成分と混合して・・・発光ダイオード装置（１１）の外部に放出される。」なる記載に照らせば、引用発明１の「絶縁性基板（１７）」及び「配線導体（１３、１４）」は蛍光体バインダ層（１０）の蛍光物質によって波長変換された光を反射する光反射性を有するものであるといえるとともに、前記「発光ダイオード装置（２１）」は、本願補正発明の「前記半導体発光素子の裏面から発する光を前記波長変換材料で波長変換するとともに、該波長変換された光を前記絶縁性に優れた反射性を有する前記基材や前記一対の前記電気配線パターン部で反射し、この反射した光と、前記半導体発光素子の表面から直接発する光とを混合して前記半導体発光素子の表面方向から放射する」なる事項を備えるものである、といえる。
　
ク　引用発明１の「ＧａＮ系の発光ダイオードチップ（２）が該カップ部（１６）の底部（１６ａ）にて前記配線導体（１３）に蛍光バインダ層（１０）を介して固着され」なる事項と、本願補正発明の「一対の前記アノード電気配線パターンと前記カソード電気配線パターンとに跨って前記半導体発光素子の端面部から対称になる等しい距離まで前記半導体発光素子の載置面の面積よりも大きく前記透明樹脂を均一な厚さに前記一対の前記アノード電気配線パターンと前記カソード電気配線パターンとに設け、該透明樹脂の上に前記半導体発光素子が接着固定されており」なる事項とは、「カソード電気配線パターンに前記透明樹脂を設け、該透明樹脂の上に前記半導体発光素子が接着固定されて」いる点で一致する。
　
　よって、本願補正発明と引用発明１とは、
「透明性を有する半導体発光素子と、
　内壁面が前記半導体発光素子の側面と対向して底面から開口に向かって拡開する傾斜面からなる凹部を有し、前記半導体発光素子のアノード電極およびカソード電極に対応した一対のアノード電気配線パターンとカソード電気配線パターンとを前記傾斜面を含む表面に設けた絶縁性に優れた反射性を有する基材と、
　波長変換材料が混入された透明樹脂とを備え、
　前記カソード電気配線パターンに前記透明樹脂を設け、該透明樹脂の上に前記半導体発光素子が接着固定されており、前記半導体発光素子の裏面から発する光を前記波長変換材料で波長変換するとともに、該波長変換された光を前記絶縁性に優れた反射性を有する前記基材や前記一対の前記電気配線パターン部で反射し、この反射した光と、前記半導体発光素子の表面から直接発する光とを混合して前記半導体発光素子の表面方向から放射する光源装置。」
の点で一致し、次の点で相違する。  
 　
相違点
　波長変換材料が混入された透明樹脂を、本願補正発明では、一対のアノード電気配線パターンとカソード電気配線パターンとに跨って半導体発光素子の端面部から対称になる等しい距離まで前記半導体発光素子の載置面の面積よりも大きく均一な厚さに前記一対の前記アノード電気配線パターンと前記カソード電気配線パターンとに設けるのに対し、引用発明１では、一方の配線導体（１３）に設ける点。
　　
（３）判断  
　上記相違点につき検討する。
　引用刊行物には上記３（１）に述べたとおりの引用発明２が記載され、「カップ部の底部に蛍光バインダ層を塗布し」た「発光ダイオード装置」において、「蛍光バインダ層の塗布面積が少ないため波長変換された光成分が少なくなり、その結果発光ダイオード装置の発光が所望の色調にならない場合は、カップ部の底部から側面に至るまでのカップ部の内部全面に蛍光バインダ層を塗布する」ことが記載されているところ、引用発明１においても、蛍光バインダ層の塗布面積が少ないために波長変換された光成分が少なく、発光ダイオード装置の発光が所望の色調にならない場合に、蛍光バインダ層をカップ部の底部から側面に至るまでのカップ部の内部全面に塗布し、その結果、該蛍光バインダ層を配線導体（１３）及び（１４）の両方に跨って発光ダイオードチップの載置面の面積よりも大きく均一な厚さに設けるようになすことは、当業者が容易になし得ることである。そしてその際、前記蛍光バインダ層への光の入射角度によって微妙に輝度や色度にむらが生じないようにするために該蛍光バインダ層を発光ダイオードチップの端面部から対称になる等しい距離まで設けるようになして、上記相違点に係る本願補正発明の構成となすことは、当業者が設計上適宜なし得ることである。
　そして、本願補正発明によってもたらされる効果は、引用発明１及び引用発明２から予測し得る程度のものである。  
 　  
　したがって、本願補正発明は、引用刊行物記載の発明から当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。  
 　  
（４）むすび  
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。  
 　
　
ＩＩＩ　本願発明について
１　本願発明
　本件補正は上記ＩＩ２及び３のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１９年１０月１５日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１〜５に記載された事項によって特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明は次のとおりのものである。
　
「透明性を有する半導体発光素子と、
　内壁面が前記半導体発光素子の側面と対向して底面から開口に向かって拡開する傾斜面からなる凹部を有し、前記半導体発光素子のアノード電極およびカソード電極に対応したアノード電気配線パターンとカソード電気配線パターンとを前記傾斜面を含む表面に設けた絶縁性に優れた反射性を有する基材と、
　波長変換材料が混入された透明樹脂とを備え、
　前記アノード電気配線パターンと前記カソード電気配線パターンとに跨って前記半導体発光素子の載置面の面積よりも大きく前記透明樹脂を均一な厚さに設け、該透明樹脂の上に前記半導体発光素子が接着固定されており、前記半導体発光素子の裏面から発する光を前記波長変換材料で波長変換するとともに、該波長変換された光を前記絶縁性に優れた反射性を有する前記基材や前記電気配線パターン部で反射し、この反射した光と、前記半導体発光素子の表面から直接発する光とを混合して前記半導体発光素子の表面方向から放射することを特徴とする光源装置。」（以下「本願発明」という。）
　
２　刊行物記載の発明
　原出願の出願前に頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された引用刊行物、引用発明１及び引用発明２は、前記ＩＩ３（１）に記載したとおりである。
　
３　対比・判断
　本願発明は、前記ＩＩで検討した本願補正発明における、「アノード電気配線パターンとカソード電気配線パターン」が、「一対の」ものである、との限定を省くとともに、「透明樹脂」を、「半導体発光素子の端面部から対称になる等しい距離まで」「前記一対の前記アノード電気配線パターンと前記カソード電気配線パターンとに」設ける、との限定を省いたものである。そうすると、本願発明の発明特定事項をすべて含み、さらに限定を付加したものに相当する本願補正発明が、上記ＩＩ３（２）及び（３）で検討したとおり、引用刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものであるから、本願発明も同様の理由により、引用刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。