【手続補正書】
【提出日】平成27年5月7日(2015.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換を行って電荷を蓄積するセンサ部及び情報を格納するための記憶部をそれぞれが有する複数のユニットと、前記複数のユニットのそれぞれを制御する制御部と、を備える半導体装置であって、
前記制御部は、前記センサ部で蓄積された前記電荷の量にしたがう前記センサ部の出力信号と基準値との比較を行う第１動作と、前記第１動作における比較の結果に基づいて当該センサ部に対応する前記記憶部に情報を格納する第２動作とを含む処理を、前記複数のユニットのそれぞれについて行うように構成され、
前記制御部は、
第１期間において、前記複数のユニットのうちの１つのユニットについて前記第１動作を行い、当該１つのユニットの前記センサ部の前記出力信号が前記基準値に達している場合に当該１つのユニットについて前記第２動作を行わずに、前記複数のユニットの別のユニットについて前記第１動作を開始し、
前記第１期間とは異なる第２期間において、前記複数のユニットのうちの１つのユニットについて前記第１動作を行い、当該１つのユニットの前記センサ部の前記出力信号が前記基準値に達している場合に当該１つのユニットについて前記第２動作を行い、前記複数のユニットのうちの別のユニットについて前記第１動作を開始する、
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記電荷の蓄積の開始からの経過時間を示す情報を出力するカウンタを備え、
前記制御部は、前記第２動作において、前記カウンタからの情報を前記記憶部に格納する、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記複数のユニットについて前記処理を行う前に、前記複数のユニットの前記記憶部にデフォルトの情報を格納し、
前記第１期間は、前記カウンタが前記デフォルトの情報と同じ情報を出力している期間であり、
前記第２期間は、前記カウンタが前記デフォルトの情報とは異なる情報を出力している期間である、
ことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記デフォルトの情報は、前記カウンタの出力する情報の初期値であり、
前記第１期間は前記第２期間より前の期間である、
ことを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記電荷の蓄積の開始から所定期間が経過した第１時刻に、前記出力信号が前記基準電圧に達していない前記センサ部を有する前記ユニットの前記記憶部に前記デフォルトの情報を格納し、
前記第１期間は、前記第１時刻より後の期間である、
ことを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記制御部は、
前記複数のユニットについて前記処理を行う前に、前記複数のユニットの前記記憶部に前記電荷の蓄積の終了時刻を示す情報を格納し、
前記カウンタが前記電荷の蓄積の終了時刻を示す情報を出力している期間において、前記センサ部の前記出力信号が前記基準値に達していない場合には、当該センサ部を含む前記ユニットについて前記第２動作を行わずに当該センサ部を含む前記ユニットでの前記電荷の蓄積を終了する、
ことを特徴とする請求項２乃至５のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記制御部は、前記電荷の蓄積の開始から所定期間が経過した時刻に前記基準値を変更する、
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記制御部は、前記第１動作における比較の結果、前記センサ部の前記出力信号が前記基準値に達している場合、当該センサ部による前記電荷の蓄積を終了する、
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記制御部は、前記第１動作における比較の結果、前記センサ部の前記出力信号が前記基準値に達している場合、その後は、当該センサ部を含むユニットについて前記処理の少なくとも一部を行わない、
ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記記憶部に格納される情報は、前記電荷の蓄積を開始してから前記センサ部の出力信号が前記基準電圧に達するまでの時間にしたがう、
ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１１】
演算部を更に備え、
前記センサ部の各々は、複数の光電変換部が配された一対のセンサアレイを構成し、
前記演算部は、前記一対のセンサアレイの一方の出力信号と、他方の出力信号とに基づいて位相差検出を行う、
ことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１２】
光電変換を行って電荷を蓄積するセンサ部及び情報を格納するための記憶部をそれぞれが有する複数のユニットと、前記複数のユニットのそれぞれを制御する制御部と、を備える半導体装置であって、
前記制御部は、前記センサ部で蓄積された前記電荷の量にしたがう前記センサ部の出力信号と基準値との比較を行う第１動作と、前記第１動作における比較の結果に基づいて当該センサ部に対応する前記記憶部に情報を格納する第２動作とを含む処理を、前記複数のユニットのそれぞれについて行うように構成され、
前記制御部は、
前記複数のユニットについて前記処理を行う前に、前記複数のユニットの前記記憶部に前記電荷の蓄積の終了時刻を示す情報を格納し、
前記電荷の蓄積の開始後、前記電荷の蓄積の終了時刻において、前記センサ部の前記出力信号が前記基準値に達していない場合には、当該センサ部を含む前記ユニットについて前記第２動作を行わずに当該センサ部を含む前記ユニットでの前記電荷の蓄積を終了する、
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の半導体装置と、
固体撮像装置と、
前記固体撮像装置から出力される信号を処理する処理部と、
を備えることを特徴とするカメラ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の一つの側面は半導体装置にかかり、前記半導体装置は、光電変換を行って電荷を蓄積するセンサ部及び情報を格納するための記憶部をそれぞれが有する複数のユニットと、前記複数のユニットのそれぞれを制御する制御部と、を備える半導体装置であって、前記制御部は、前記センサ部で蓄積された前記電荷の量にしたがう前記センサ部の出力信号と基準値との比較を行う第１動作と、前記第１動作における比較の結果に基づいて当該センサ部に対応する前記記憶部に情報を格納する第２動作とを含む処理を、前記複数のユニットのそれぞれについて行うように構成され、前記制御部は、第１期間において、前記複数のユニットのうちの１つのユニットについて前記第１動作を行い、当該１つのユニットの前記センサ部の前記出力信号が前記基準値に達している場合に当該１つのユニットについて前記第２動作を行わずに、前記複数のユニットの別のユニットについて前記第１動作を開始し、前記第１期間とは異なる第２期間において、前記複数のユニットのうちの１つのユニットについて前記第１動作を行い、当該１つのユニットの前記センサ部の前記出力信号が前記基準値に達している場合に当該１つのユニットについて前記第２動作を行い、前記複数のユニットのうちの別のユニットについて前記第１動作を開始する、ことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置及びカメラ