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　特願２００２−３４２７２６「半導体製造装置に供給する空気の浄化・空調方法および半導体製造装置の空気浄化・空調ユニット」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　６月２４日出願公開、特開２００４−１７６９７８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１４年１１月２６日の出願であって、その請求項１に係る発明は、平成２１年４月２２日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次の事項により特定されるものである（以下「本願発明」という。）。
　　　
「半導体製造装置に連通した空気循環経路内に吸着部を設け、該吸着部で空気中の塩基性ガスを含むガス状汚染物質を濃度１ｐｐｂ以下に吸着除去した後、空調手段を用いて空気の温度および湿度の調節を行うにあたり、
　吸着材によるガス状汚染物質の吸着を行う吸着部と、吸着材の加熱による再生を行う再生部とを少なくとも一対併設し、切換手段で空気の流路を切り替えることにより吸着と再生を交互に繰り返すことによって、連続的に空気中のガス状汚染物質を吸着除去し、
　前記吸着材として、チタンおよびケイ素からなる二元系複合酸化物、チタンおよびジルコニウムからなる二元系複合酸化物、並びにチタン、ケイ素およびジルコニウムからなる三元系複合酸化物から選ばれる１種または２種以上からなる固体酸性物質と、活性炭とを含むものを用いることを特徴とする半導体製造装置に供給する空気の浄化・空調方法。」
　　　
２．引用例
　これに対し、当審における平成２１年２月１９日付けで通知した拒絶の理由に引用した特開２００２−９３６８８号公報（以下「引用例１」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
　　　
（１）−ア
「【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハや液晶表示器用のガラス基板などの基板にフォトレジスト膜を塗布形成する装置、あるいはフォトレジスト膜が形成された基板に露光、現像、薬液処理、洗浄処理などを施す基板処理装置に係り、特にこの種の基板処理装置において周囲環境中の汚染物質を除去するための技術に関する。
【従来の技術】半導体ウエハなどの基板に微細回路パターンを形成するフォトリソグラフィ工程、例えば基板にフォトレジスト剤を回転塗布するスピンコータでは、回路パターンのますますの微細化に伴い、化学増幅型レジストの使用が主流になりつつある。化学増幅型フォトレジストは、周囲環境中に例えばアンモニア等の化学物質が存在すると、化学反応過程が阻害され、必要とされる微細回路の形成が困難になることが知られている。」（段落【０００１】〜【０００２】）
　　　
（１）−イ
「周囲環境を極力清浄にするという要請に応えるために、最近では、基板処理装置の上部からダウンフローとして供給する空気の送風経路に、例えば『表面に酸性物質を付着させ、アンモニア等のアルカリ性物質を取り除けるようにした化学吸着フィルタ』や、『アンモニア等だけでなく、大気中に存在する有機物質も除去可能な活性炭フィルタ』等を装着し、装置内部に供給する空気を清浄にするようにしている。」（段落【０００３】）
　　　
（１）−ウ
「さらに、スピンコータなどでは、その塗布均一性を確保するために、処理部を温度コントロール、あるいは湿度コントロールしているものが一般的である。このような空調手段のランニングコストを低減させるために、最近では、装置内より排出された気流を回収し、循環して使用する手法が採られることがある。このような循環式の空調手段で問題になるのが、装置内部で発生する有機溶剤雰囲気が多量に循環経路に侵入し、装置に取り付けられたフィルタ類に吸着してしまうことである。フィルタに有機物質が吸着すると、フィルタは本来の性能を発揮することができず、寿命が著しく短くなってしまう。装置側から発生する有機溶剤雰囲気を回収排気する手段もあるが、全ての有機溶剤雰囲気を排気するのは困難であり、またフィルタ種によっては低濃度の有機溶剤雰囲気であっても悪影響を受けることが確認されているので、効果の高い対策を講じることは非常に難しい。」（段落【０００６】）　　　
（１）−エ
「・・・。さらに、本発明は、循環式の空調手段を備えた基板処理装置において、装置側から発生する有機溶剤雰囲気を効果的に除去することを目的としている。」（段落【０００７】）
　　　
（１）−オ
「請求項５に記載の発明は、請求項２〜４のいずれかに記載の基板処理装置において、再生処理手段は、再生処理位置にある吸着部材を加熱することにより、吸着部材から汚染物質を離脱させるものである。」（段落【００１２】）
　　　
（１）−カ
「請求項９に記載の発明は、請求項２〜８のいずれかに記載の基板処理装置において、吸着部材から基板処理部に至る清浄化空気流通経路に清浄化空気の温度および湿度を調整する温湿度コントローラを備えたものである。」（段落【００１６】）
　　　
（１）−キ
「本実施例に係る基板処理装置は、大きく分けて半導体ウエハなどの基板にフォトレジスト剤を回転塗布する処理装置本体（スピンコータ）１０と、外気（非清浄空気）を取り込んで外気中の化学的汚染物質を吸着除去し、清浄度クラスが１０以下の清浄化空気（以下、単に「清浄化空気」という）を処理装置本体１０へ供給する吸着除去装置２０とから構成されている。
　本明細書中の清浄度クラスとは、清浄度レベルを等級分けしたものであり、清浄度クラスが１０以下とは、１ｆｔ3 の空気中に含まれる粒径０．１μｍ以上の微粒子数が１０個以下であることを表す。」（段落【００３０】〜【００３１】）
　　　
（１）−ク
「次に図５を参照して吸着除去装置２０の構成を説明する。吸着除去装置２０は、外気を取り込んで外気中のアンモニア、有機溶剤、酸性物質などの化学的汚染物質を吸着するとともに、加熱されることにより、吸着した汚染物質を離脱する再生可能な吸着部材２１を備えている。・・・。この吸着部材２１は、その周面とモータ２２の出力軸との間にベルト２３が巻回されており、軸心Ｑ周りに回転変位可能に構成されている。この軸心Ｑの周りに、非清浄空気を清浄化する清浄化処理位置Ｐ１と、吸着部材２１に吸着した汚染物質を離脱させる再生処理位置Ｐ２と、吸着部材２１を冷却する冷却処理位置Ｐ３とが固定して設定されている。吸着部材２１が低速度で連続的に回転変位することにより、吸着部材２１が各位置Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３をその順に通過していく。モータ２２およびベルト２３は、本発明における変位手段に相当する。
　吸着部材２１は、例えばセラミック紙などの耐水性、耐水蒸気性を有する材料に疎水性ゼオライトを水性ディスパージョンの含浸により付着して、加熱乾燥することによって、回転軸芯方向の壁面に形成された多数の並行な通気孔が吸着部材２１を貫通するハニカム形状に形成される。通気孔の壁面は疎水性ゼオライトを主成分としていて、通気孔内を流通する気流に対して疎水性ゼオライトが有効に接触することができる。ゼオライトはアンモニアなどに対して優れた吸着性能を有する。
　なお、吸着部材２１は、２種類以上の吸着部材を空気流通方向に多段に積層して構成してもよい。例えば、前段の吸着部材をゼオライトで、後段の吸着部材を有機物質の吸着性能に優れた活性炭で形成する。このように２種以上の吸着部材を組み合わせることにより、外気に存在する化学的汚染物質に応じた清浄化機能を吸着部材２１にもたせることができる。」（段落【００３３】〜【００３６】）
　　
（１）−ケ
「清浄化処理位置Ｐ１で化学的汚染物質を吸着した吸着部材２１の部位は、吸着部材２１の回転変位によって再生処理位置Ｐ２に達する。再生処理位置Ｐ２では、排気ファン２７が作動することにより、ヒータ２６から送られてきた熱風が吸着部材２１の部位を通過する。熱風によって加熱された吸着部材２１の部位は、吸着していた化学的汚染物質を離脱する。離脱された化学的汚染物質は熱風の流れに乗って流路Ｌ６を流通し、排気ファン２７および排気経路２８を介して排気される。この排気空気は、吸着部材２１から離脱された化学的汚染物質を濃縮した状態で含む。このように再生処理位置Ｐ２では、回転変位する吸着部材２１に熱風を流通させることにより再生処理が連続して行われる。
・・・。以上のように図５に示した吸着除去装置２０によると、吸着部材２１の一部が清浄化処理位置Ｐ１にあるときには、吸着部材２１の他の部位が再生処理位置Ｐ２にあって、清浄化処理と再生処理とを同時並行して行うので、・・・、装置のランニングコストを低減することができる。また、再生処理のために清浄化処理を一時的に中断する必要もないので、処理装置本体１０へ清浄化空気を絶え間なく供給することができ、装置の稼動効率を向上することができる。さらに、冷却処理位置Ｐ３では、温度上昇している吸着部材２１を強制的に冷却しているので、再生処理の終わった吸着部材２１の部位を短時間の間に清浄化処理位置Ｐ１に戻して使用することができる。」（段落【００４１】〜【００４３】）
　　　　　　
（１）−コ
「本実施例の特徴は、吸着除去装置２０から処理装置本体１０の基板処理部１１に至る清浄化空気流通経路１３に清浄化空気の温度および湿度を調整する温湿度コントローラ３０を設けた点にある。なお、符号３１は、温湿度コントローラ３０に備えられた内蔵ファンである。
　本実施例によれば、吸着除去装置２０で得られた清浄化空気は、その温度および湿度が調整された後に、処理装置本体１０の基板処理部１１に供給されるので、基板処理部１１が周囲環境の温度および湿度の悪影響を受けることがない。なお、本実施例においても、図２に示した第２実施例のように、清浄化空気流通経路１３に化学吸着フィルタ１４を設けるようにしてもよい。
＜第４実施例＞図４は本発明に係る基板処理装置の第４実施例の概略構成を示した図である。図４において、図１〜図３中の各符号と同一の符号で示した各部は、第１〜第３実施例の各装置と同様の構成部分であるので、ここでの説明は省略する。
　本実施例の特徴は、処理装置本体１０の基板処理部１１を流通した空気を、処理装置本体１０の底部で回収し、この空気を循環経路１６を介して吸着除去装置２０（具体的には、図５中に示した清浄化処理位置Ｐ１）に戻す点にある。
　本実施例によれば、処理装置本体１０内部で発生した有機溶剤雰囲気が回収された空気中に含まれていても、その有機溶剤は吸着除去装置２０内の吸着部材２１によって吸着除去される。また、上述したように吸着除去装置２０の吸着部材２１は清浄化処理と並行して再生処理されるので、従来装置に備えられていた化学吸着フィルタなどのように、有機溶剤の吸着によって性能が劣化したり、交換頻度が増えるという不都合もない。」（段落【００４９】〜【００５３】）
　　
（１）−サ
「なお、本発明は上述した各実施例のものに限定されず、次のように変形実施することもできる。
　（１）各実施例では、再生処理位置Ｐ２で吸着部材２１に熱風を送ることにより、吸着部材２１に吸着した化学的汚染物質を離脱させるようにしたが、吸着部材２１をヒータなどで直接に加熱することによって汚染物質を離脱させてもよい。・・・（中略）・・・。
　（３）各実施例では、処理装置本体１０に塵埃除去フィルタ１２や化学吸着フィルタ１４を備えたが、これらのフィルタに代えて、あるいはこれらのフィルタとともに、活性炭フィルタを備えるようにしてもよい。
　（４）各実施例では、基板処理装置として基板にフォトレジストを塗布するスピンコータを例示したが、本発明はフォトレジストが塗布された基板を扱う種々の基板処理装置、例えば露光装置、現像装置、薬液処理装置などにも適用することができる。」（段落【００６５】〜【００６８】）
　　
　そして、引用例１において、吸着部材２１を回転変位させ、清浄化処理位置Ｐ１と再生処理位置Ｐ２とを通過させて、連続的に吸着再生処理を行っていることからみて、吸着と再生は交互に繰り返すことによって行われているものと理解できる。
　また、摘記事項（１）−クには、吸着部材２１の前段を、（アンモニアなどを吸着する）ゼオライトで、後段を活性炭で形成したものが示されている。
　　　
　以上の記載及び図面によると、引用例１には、
「半導体ウエハなどのフォトレジスト膜が形成された基板に露光などを施す基板処理装置に連通した、空気の循環経路１６内に吸着除去装置２０を設け、該装置で空気中のアンモニア等の化学的汚染物質を清浄度クラスを１０以下の濃度に吸着した後、温湿度コントローラ３０を用いて清浄化空気の温度および湿度の調節を行うにあたり、
　吸着部材２１による化学的汚染物質の吸着を行う清浄化処理位置Ｐ１と、吸着していた化学的汚染物質を熱風により離脱する再生処理位置Ｐ２とを設定し、吸着部材２１を回転変位させ、吸着と再生を交互に繰り返すことによって、連続的に空気中の化学的汚染物質の吸着除去を行い、
　前記吸着部材２１として、疎水性ゼオライトと、活性炭とを含むものを用いる、半導体ウエハなどの基板処理装置に清浄な空気を供給する方法。」（以下「引用発明１」という。）が記載されている。
　　　
　同じく、当審における拒絶の理由に引用した特開昭６３−１３７７３２号公報（以下「引用例２」という。）には、次の事項が記載されている。
　　　
（２）−ア
「チタンおよびケイ素からなる二元系複合酸化物、チタンおよびジルコニウムからなる二元系複合酸化物および／またはチタン、ケイ素およびジルコニウムからなる三元系複合酸化物を基材とし、ハニカム形状に成型されてなる吸着剤を用い排ガス中の悪臭成分を除去するに際し、吸着能の低下した吸着剤を空気流通下１００〜５００℃の範囲の温度で再生処理し再使用することを特徴とする吸着式悪臭排ガス処理方法。」（特許請求の範囲（３））
　　
（２）−イ
「＜産業上の利用分野＞本発明は新規な吸着式排ガス処理方法に関する。
＜従来技術とその問題点＞・・・。従来、排出ガス中の悪臭成分すなわち・・・アンモニア、・・・アミン類等の臭気閾値の低い物質等の悪臭を除去する方法が数多く提案され、・・・。吸着法は活性炭やシリカゲル等で吸着除去する方法であり、・・・。活性炭は・・・、アンモニア、トリメチルアミン等の低分子量の塩基性ガスに対しては脱臭効果が小さいとされている。」（第１頁右下欄第８行〜第２頁右上欄第６行）
　　
（２）−ウ
「一般に、チタンおよびケイ素からなる二元系複合酸化物は、・・・、固体酸として知られ、構成するおのおの単独の酸化物には見られない顕著な酸性を示し、また高い比表面積を有する。すなわち、ＴｉＯ２−ＳｉＯ２は酸化チタンおよび酸化ケイ素を単に混合したものでなく、チタンおよびケイ素がいわゆる二元系複合酸化物を形成することによりその特異な物性が発現するものと認めることができるものである。また、チタン、ジルコニウムからなる二元系複合酸化物およびチタン、ジルコニウムおよびケイ素からなる三元系複合酸化物もＴｉＯ２−ＳｉＯ２と同じような性質を有する複合酸化物として特定される。・・・。本発明にかかる吸着剤の組成成分である上記複合酸化物は優れた吸着能を有し、容易に所望の形状に成形できる優れた成形性を有している。特にアンモニア、アミン類の吸着除去能に優れている。・・・。なかでも、アンモニア、アミン類の塩基性ガスに対する優れた吸着能は上記複合酸化物の有する固体酸の性質が帰因しているものと考えられる。」（第２頁右下欄第１３行〜第３頁左上欄第２０行）
　　
（２）−エ
「本発明になる吸着式悪臭排ガス処理方法によれば、耐熱性にすぐれる無機質吸着剤を基材としてハニカム形状に成型してなる構造体として使用するものであるため、吸着工程時のガス流圧損は小さく従つて送風機などの電力代が安くなり、また、脱着工程時には高温加熱空気の導入により安全に且つ効率よく脱着再生出来る利点を有する。」（第３頁左下欄第１０〜１６行）
　　
（２）−オ
「本発明になるハニカム形状の吸着剤の容器への充填方法は、単に固定層として積み上げてもよいし、回転式のローターにセツトし、連続吸着、連続脱着することも可能である。」（第３頁右下欄第１４〜１７行）
　　　
（２）−カ
「実施例５
　実施例１〜３で得られた各吸着剤につき次のような方法で悪臭ガスの吸着、脱着操作を繰り返し、吸着能変化を調べた。
　吸着条件　悪臭ガス　アンモニア　２０００ｐｐｍ／空気（ドライ）」（第６頁左上欄）
　　
　そうすると、引用例２には、
「チタンおよびケイ素からなる二元系複合酸化物、チタンおよびジルコニウムからなる二元系複合酸化物、および／またはチタン、ケイ素およびジルコニウムからなる三元系複合酸化物からなる固体酸を吸着剤として用い、アンモニア等の塩基性ガス（悪臭成分）を吸着除去するとともに、吸着能の低下した吸着剤を加熱して再生することによって、連続吸着が可能な吸着式排ガス処理方法。」（以下「引用発明２」という。）が記載されている。
　　　
３．対比・判断
　本願発明と引用発明１とを対比する。
　引用発明１の「半導体ウエハなどのフォトレジスト膜が形成された基板に露光などを施す基板処理装置」は、本願発明の「半導体製造装置」に相当し、以下同様に、「空気の循環経路１６」は「空気循環経路」に、「吸着除去装置２０」は「吸着部」に、「空気中のアンモニア等の化学的汚染物質」は「空気中の塩基性ガスを含むガス状汚染物質」に、「吸着した後」は「吸着除去した後」に、「温湿度コントローラ３０」は「空調手段」に、「吸着部材２１」は「吸着材」に、「熱風により離脱する」は「加熱による再生を行う」に、「吸着部材２１による化学的汚染物質の吸着を行う清浄化処理位置Ｐ１」は「吸着材によるガス状汚染物質の吸着部」に、「吸着していた化学的汚染物質を熱風により離脱する再生処理位置Ｐ２」は「吸着材の加熱による再生を行う再生部」に、「半導体ウエハなどの基板処理装置に清浄な空気を供給する方法」は「半導体製造装置に供給する空気の浄化・空調方法」に、それぞれ相当する。
　　　
　そして、一般に、ゼオライトは、固体酸性を有するものであることは、知られているから、引用発明１の「疎水性ゼオライト」も本願発明の「チタンおよびケイ素からなる二元系複合酸化物、チタンおよびジルコニウムからなる二元系複合酸化物、並びにチタン、ケイ素およびジルコニウムからなる三元系複合酸化物から選ばれる１種または２種以上からなる」ものも、「加熱再生が可能な塩基性ガスの吸着剤である固体酸性物質」としては共通のものである。　　
　そうすると、両者は、
「半導体製造装置に連通した空気循環経路内に吸着部を設け、該吸着部で空気中の塩基性ガスを含むガス状汚染物質を所定濃度に吸着除去した後、空調手段を用いて空気の温度および湿度の調節を行うにあたり、
　吸着材によるガス状汚染物質の吸着を行う吸着部と、吸着材の加熱による再生を行う再生部とを有し、吸着と再生を交互に繰り返すことによって、連続的に空気中のガス状汚染物質を吸着除去し、
　吸着材として、（加熱再生が可能な塩基性ガスの吸着剤である）固体酸性物質と、活性炭とを含むものを用いる半導体製造装置に供給する空気の浄化・空調方法。」で一致し、次のア〜ウの点で相違する。
　　　
相違点ア
　吸着除去した後のガス状汚染物質の濃度につき、本願発明では、「１ｐｐｂ以下」としているのに対し、引用発明１では、「清浄度クラスを１０以下」としている点。
　　　
相違点イ
　吸着と再生を交互に繰り返す手段につき、本願発明では、「吸着部と再生部とを少なくとも一対併設し、切換手段で空気の流路を切り替える」ものであるのに対し、引用発明１では、「吸着部材を回転変位させ、吸着部（清浄化処理位置）と再生部（再生処理位置）における吸着と再生を交互に繰り返す」ものである点。
　　　
相違点ウ
　加熱再生が可能な塩基性ガスの吸着材につき、本願発明では、「チタンおよびケイ素からなる二元系複合酸化物、チタンおよびジルコニウムからなる二元系複合酸化物、並びにチタン、ケイ素およびジルコニウムからなる三元系複合酸化物から選ばれる１種または２種以上からなる固体酸性物質」であるのに対し、引用発明１では、「疎水性ゼオライト」である点。
　　
　そこで、上記相違点について検討する。
　まず、相違点アについてみると、引用発明１における「清浄度クラスを１０以下」は、本願発明の「１ｐｐｂ以下」とは、目標とする程度が異なるものである。
　　　
　しかし、半導体製造装置の技術分野において、空気の清浄度を高めようとすることは、従来より周知の課題であり、また、本願出願当時、アンモニア等の化学的汚染物質を低減する目標濃度として、「１ｐｐｂ以下」は、よく知られた目標値である（例えば、特開平１１−１５１４１５号公報、特開２００２−１０２６３８号公報参照）。
　　
　そうすると、吸着除去した後のガス状汚染物質の濃度につき、本願発明のように、１ｐｐｂ以下とした点は、当業者であれば、上記周知の技術事項に基づいて、容易に想到し得たことである。
　　
　次に、相違点イについて検討する。
　アンモニア等の化学的汚染物質の吸着材の分野において、吸着と再生を行うに際し、吸着部となる部材と再生部となる部材とを少なくとも一対併設し、空気の流路を切り替えるようにすることは、本願出願当時周知の技術手段である（例えば、当審による拒絶理由において提示した特開２００１−２８６７５１号公報の段落【００３０】の他、特開２０００−３１７２４６号公報の段落【００１４】参照。）。
　　
　そうすると、吸着と再生を交互に繰り返す手段につき、引用発明１におけるような、吸着部材を回転変位させるようにしたものに代えて、本願発明のように、吸着部と再生部とを少なくとも一対併設し、切換手段で空気の流路を切り替えるものとした点は、周知技術に基づいて、当業者が容易に想到し得たことである。
　　　
　さらに、相違点ウについて検討する。
　引用例２についてみたとおり、「チタンおよびケイ素からなる二元系複合酸化物、チタンおよびジルコニウムからなる二元系複合酸化物、並びにチタン、ケイ素およびジルコニウムからなる三元系複合酸化物からなる固体酸を吸着材として用い、塩基性ガスを吸着除去するとともに、吸着材を加熱再生することにより連続して吸着する排ガス処理方法。」が、本願出願前公知であったことは、前記のとおりである。
　　　
　確かに、引用例２においては、排ガス中の悪臭成分を吸着することが目的として示されており、半導体製造装置に供給する空気を浄化することについての記載はみられない。
　　
　しかし、引用発明２において吸着除去しようとする悪臭成分は、引用発明１おいて、除去すべき汚染ガス物質として挙げられている、アンモニア等の塩基性ガスであり、吸着材が吸着しようとする物質は、引用発明１のものと変わりはない。
　　　
　そうすると、引用発明１において、疎水性ゼオライトに換え、加熱再生が可能な塩基性ガスの吸着材として、引用発明２の吸着材を採用し、本願発明のように、チタンおよびケイ素からなる二元系複合酸化物、チタンおよびジルコニウムからなる二元系複合酸化物、並びにチタン、ケイ素およびジルコニウムからなる三元系複合酸化物から選ばれる１種または２種以上からなる固体酸性物質とすることは、当業者であれば、容易に想到し得ることといえる。
　　
　そして、本願発明を全体としてみても、その奏する作用効果は、引用発明１、引用発明２及び周知技術から当業者が予測できる程度のものである。
　　
　してみると、本願発明は、引用発明１、引用発明２及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明１、引用発明２及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　
　そうすると、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく拒絶すべきものである。
　　　
　よって、結論のとおり審決する。