【事件の表示】
　平成１１年特許願第　　７１３２号「ウエーハの異物質検査装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年１０月１５日出願公開、特開平１１−２８１５８０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本願は、平成１１年１月１４日（パリ条約による優先権主張：平成１０年１月１４日、韓国）の出願であって、平成１８年２月１６日付けで拒絶査定がなされ（発送日：同年２月２２日）、これに対し、同年５月２３日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、同年６月８日付けで手続補正がなされたものである。
　
II．平成１８年６月８日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１８年６月８日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１．補正後の本願発明
　本件補正は、明細書の記載を補正するものであって、そのうち、特許請求の範囲に係る補正は、補正前（平成１７年７月２５日付け手続補正書によって補正。以下同じ）の請求項１、２の記載を以下のとおり補正するものである。（請求項３、４は補正していない。）
「【請求項１】　
ゼノン・ランプの
　前記ウエーハ（２７）からの反射光の反射率を検出する反射率検出部と、
　該反射率に基づいて前記信号処理部に導かれるウエーハ（２７）からの反射光の光量を調節する光量調節手段と、を備え、
　前記光量調節手段は、ウエーハ（２７）からの反射光の反射光路中に出没自由に配設された複数個のフィルターと、
　前記反射率に基づいて前記反射光路中に介在させて反射光を透過させるフィルターの組み合わせを制御するフィルター制御部と、からなり、
　前記複数個のフィルターの遮断率は、それぞれ２％, ５％, １０％, １５％であることを特徴とするウエーハの異物質検査装置。
　
【請求項２】　
ゼノン・ランプの
　前記レンズ部から投射された放射光を所定の方向に反射させるハーフ・ミラー( ７) と、
　前記ハーフ・ミラー( ７) によって、反射された反射光を多方向に分散するビーム・スプリッター( １７) と、
　前記ビーム・スプリッター( １７) から投射された放射光から自動焦点におけるウエーハ（２７）の合焦位置を検出して、電気信号に変換するPCD センサー(１３)(１５) と、
　前記PCD センサー( １３)(１５) の電気信号を増幅するAMP センサー( １９)(２１) と、
　前記ハーフ・ミラー（７）を透過して、ウエーハ（２７）で反射した反射光を拡大する対物レンズ（９）と、
　前記対物レンズ（９）を透過した反射光を所定の方向に反射する反射鏡（８）と、
　前記反射鏡（８）によって反射された反射光を電気信号に変換するCCD センサー( １１) と、
　前記CCD センサー( １１) から出力した電気信号を入力して、前記AMP センサー( １９)(２１) から出力された電気信号を入力すると共に、内蔵されたモニター（３０）に映像を映し出す映像処理装置( ２３) と、
　前記AMP センサー( １９)(２１) からの出力に基づいて得られる前記映像処理装置（２３）からの自動焦点用の電気信号を機械的エネルギーに変換し、その機械的エネルギーをピエゾ部（２９）に送るピエゾ駆動装置（２５）と、
　前記ピエゾ駆動装置（２５）から送られた機械的エネルギーによって、ウェハ（２７）を読み取り、合焦位置となるようにウエーハ（２７）の位置を合わせるピエゾ部（２９）と、を含んで構成されるウエーハ( ２７) の異物質検査装置において、
　前記反射鏡( ８) とCCD センサー( １１) の間に形成され、複数個のフィルターを用いて、前記反射鏡( ８) からCCD センサー( １１) に投射される反射光の光量を自動調節するフィルター組み合わせ装置( １００) を備え、
　前記フィルター組み合わせ装置( １００) は、
　前記CCD センサー( １１) の出力に基づいて、ウエーハ( ２７) から反射される反射光の光量を検出するウエーハ反射率検出部( １０１) と、
　前記ウエーハ反射率検出部( １０１) で検出された反射光量を基準光量と比較し、反射光量の大きさによってフィルターの遮断率を決定するフィルター制御部( １０３) と、
　前記フィルター制御部( １０３) から出力される前記フィルターの遮断率に応じて作動するソレノイド・バルブ駆動部( １０５) と、
　前記ソレノイド・バルブ駆動部( １０５) の制御信号によって開閉される複数個のソレノイド・バルブ( １０７a 〜１０７d)と、
　前記ソレノイド・バルブ( １０７a 〜１０７d)にそれぞれ形成され、ソレノイド・バルブ( １０７a 〜１０７d)の開閉によって所定の距離を往復運動するエアー・シリンダー(１０９a 〜１０９d)と、
　それぞれのエアー・シリンダー( １０９a 〜１０９d)の一端に装着され、前記フィルターの遮断率にしたがって組合わされることでウエーハ（２７）の反射率を調節する遮断率の異なる複数個のフィルター( １１１a 〜１１１d)と、を備え、
　前記複数個のフィルター( １１１a 〜１１１d)の遮断率は、それぞれ２％, ５％, １０％, １５％であることを特徴とするウエーハの異物質検査装置。」（下線は補正箇所を示す。）
　上記補正は、補正前の請求項１、２に記載された発明の「放射光」に「ゼノン・ランプの」との限定をそれぞれ付加するものであって、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項第２号に規定する、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の前記請求項１、２に係る発明（以下「本願補正発明１、２」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
２．本願補正発明１について
　
（２−１）本願補正発明１
　本願補正発明１は、平成１８年６月８日付け手続補正書によって補正された請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「【請求項１】　ゼノン・ランプの放射光をウエーハ（２７）に投射し、該ウエーハ（２７）から反射された反射光を信号処理部で信号処理してウエーハ（２７）表面の異常の有無を検出するウエーハ（２７）の異常検出装置において、
　前記ウエーハ（２７）からの反射光の反射率を検出する反射率検出部と、
　該反射率に基づいて前記信号処理部に導かれるウエーハ（２７）からの反射光の光量を調節する光量調節手段と、を備え、
　前記光量調節手段は、ウエーハ（２７）からの反射光の反射光路中に出没自由に配設された複数個のフィルターと、
　前記反射率に基づいて前記反射光路中に介在させて反射光を透過させるフィルターの組み合わせを制御するフィルター制御部と、からなり、
　前記複数個のフィルターの遮断率は、それぞれ２％, ５％, １０％, １５％であることを特徴とするウエーハの異物質検査装置。」
　
（２−２）引用例記載の発明
ア．原査定の拒絶の理由に引用された本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である特開平６−２４９７９１号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに次の記載がある。
（１）「【０００１】【産業上の利用分野】本発明は、欠陥検査装置、特に、半導体ＬＳＩウエハ、ガラスマスク等のウエハ面上の微小異物を高感度で検出する技術に関し、例えば、半導体集積回路装置の製造方法に利用して有効な技術に関する。」
（２）「【０００３】また、単に「欠陥」というときは、原則として、外来異物、異物その他に起因するパターン自体の欠陥の両方を含むものとする。」
（３）「【００２０】・・・、被検査物を保持するためのステージ装置と、被検査物に検査光を照射するための検査光照射装置と、被検査物における検査光の散乱光を検出する散乱光検出器と、散乱光検出器の検出結果に基づいて欠陥を判定する欠陥判定装置とを備えている欠陥検査装置において、前記散乱光検出器と前記被検査物との間に透過率の異なる光学的フイルタが交換自在に介設されており、これら光学的フイルタは被検査物表面の反射率・・・の相違に対応して交換されるように構成されていることを特徴とする。」
（４）「【００６３】すなわち、作業者はモニター３７の出力信号波形が図４（ａ）に示されている状態になった場合には、モニター３７を監視しながらＮＤフイルタ４１を適宜交換して行き、散乱光検出器３４の出力信号のうち直流成分のオフセット値を適当に低減させることにより、モニター３７にモニタリングされる出力信号波形が図４（ｂ）に示されている状態になるように制御する。」
　これらの記載によれば、引用例１には、
「検査光をウエハに照射し、ウエハにおける散乱光を検出する散乱光検出器と、散乱光検出器の検出結果に基づいて欠陥を判定する欠陥判定装置とを備えているウエハの欠陥検査装置において、散乱光検出器と前記ウエハとの間に透過率の異なる光学的フイルタが交換自在に介設されており、これら光学的フイルタはウエハ表面の反射率の相違に対応して交換されるウエハの欠陥判定装置。」（以下、「引用発明１」という。）が記載されていると認めることができる。
　
（２−３）対比
　本願補正発明１を、引用発明１と対比する。
　引用発明１の（ａ）「ウエハ」、（ｂ）「検査光」、（ｃ）「照射」は、それぞれ本願補正発明１の 
（ａ）「ウエーハ（２７）」、（ｂ）「放射光」、（ｃ）「投射」に相当することが明らかである。
　また、引用発明１の(ｄ)「散乱光」は、本願補正発明１の (ｄ)「反射光」とウエーハ表面に投射した放射光のウエーハ表面からの光である「反射散乱光」という点で共通する。
　また、引用発明１の(ｅ)「散乱光検出器の検出結果に基づいてウエハ面上の欠陥を判定する」ことと、本願補正発明１の(ｅ)「反射された反射光を信号処理部で信号処理してウエーハ（２７）表面の異常の有無を検出する」ことは、「反射散乱された反射散乱光を信号処理部で信号処理してウエーハ（２７）表面の異常の有無を検出する」点で共通する。
　また、引用発明１の(ｆ)「ウエハの欠陥判定装置」は、引用例１について摘記した（１）「・・・本発明は、欠陥検査装置、特に、半導体ＬＳＩウエハ、ガラスマスク等のウエハ面上の微小異物を高感度で検出する技術に関し、・・・」の記載から、異物検査に関する装置であることは明らかであるので、本願補正発明１の(ｆ)「ウエーハの異物質検査装置」に相当し、引用発明１の(ｇ)「欠陥判定装置とを備えているウエハの欠陥検査装置」が、ウエハの異常を検出することは明らかであるから、本願補正発明１の(ｇ)「ウエーハ（２７）の異常検出装置」に相当する。
　したがって、引用発明１の(ｈ)「ウエハにおける散乱光を検出する散乱光検出器と、散乱光検出器の検出結果に基づいてウエハ面上の欠陥を判定する欠陥判定装置とを備えているウエハの欠陥検査装置」と、本願補正発明１の(ｈ)「ゼノン・ランプの放射光をウエーハ（２７）に投射し、該ウエーハ（２７）から反射された反射光を信号処理部で信号処理してウエーハ（２７）表面の異常の有無を検出するウエーハ（２７）の異常検出装置」は、「放射光をウエーハ（２７）に投射し、該ウエーハ（２７）から反射散乱された反射散乱光を信号処理部で信号処理してウエーハ（２７）表面の異常の有無を検出するウエーハ（２７）の異常検出装置」という点で共通している。
　また、引用発明１の(ｉ)「散乱光検出器と前記ウエハとの間に透過率の異なる光学的フイルタが交換自在に介設されており、これら光学的フイルタはウエハ表面の反射率の相違に対応して交換される」と、
本願補正発明１の (ｉ)「該反射率に基づいて前記信号処理部に導かれるウエーハ（２７）からの反射光の光量を調節する光量調節手段と、を備え、
　前記光量調節手段は、ウエーハ（２７）からの反射光の反射光路中に出没自由に配設された複数個のフィルターと、
　前記反射率に基づいて前記反射光路中に介在させて反射光を透過させるフィルターの組み合わせを制御するフィルター制御部と、からなり」は、
「ウエーハからの反射散乱光の反射率に基づいて信号処理部に導かれるウエーハ（２７）からの反射散乱光の光量を調節する光量調節について、
　前記光量調節は、ウエーハ（２７）からの反射散乱光の反射散乱光路中に選択自由に配設された複数個のフィルターを反射率に基づいて選択する」で共通する。
　よって両者は、
　
（一致点）
「放射光をウエーハに投射し、該ウエーハから反射散乱された反射散乱光を信号処理部で信号処理してウエーハ表面の異常の有無を検出するウエーハの異常検出装置において、
　ウエーハからの反射散乱光の反射率に基づいて信号処理部に導かれるウエーハからの反射散乱光の光量を調節する光量調節について、
　前記光量調節は、ウエーハからの反射散乱光の反射散乱光路中に選択自由に配設された複数個のフィルターを反射率に基づいて選択するものであるウエーハの異物質検査装置。」
で一致し、次の相違点で相違する。
（相違点１）
　ウエーハに投射する放射光について、本願補正発明１では、ゼノン・ランプの放射光であるのに対して、引用発明１では特に限定していない点、
　
（相違点２）
　検査に用いるウエーハからの反射散乱光について、本願補正発明１では反射光であるのに対して、引用発明１では散乱光である点、
　
（相違点３）
　ウエーハからの反射散乱光の反射率の取得について、本願補正発明１では、反射率検出部を用いるのに対して、引用発明１では、そのような検出部を具備していない点、
　
（相違点４）
　選択自由に配設された複数個のフィルターによる光量調節について、本願補正発明１では、遮断率がそれぞれ２％, ５％, １０％, １５％である出没自由に配設される複数個のフィルターと該フィルターの組み合わせを制御するフィルター制御部からなる光量調整手段を有するのに対して、引用発明１では、単に交換自在に介設される遮断率不明の複数のフィルターを有し、該フィルターを交換する点。
　
（２−４）判断
（１）相違点１について
　検査のためにウエーハに投射する放射光としてゼノン・ランプを用いることは、例えば特開平７−３１８５０２号公報、特開平７−３３３１６４号公報、特開平７−１０７３４６号公報に記載されている様に、従来周知の技術事項であり、放射光を検査対象に応じて選択することは光学検査においては普通に行われていることであるから、引用発明１の放射光としてゼノン・ランプを用いることは、当業者が適宜成し得る設計事項にすぎない。
　
（２）相違点２について
　ウエーハからの反射散乱光のうちウエーハの欠陥検査のために、反射光を用いることは、例えば特開平８−２２００１０号公報に記載されている様に、従来周知の技術事項であり、検査に用いる反射散乱光は検査に応じて選択されるものであるから、引用発明１の散乱光を用いる検査に換えて、反射光を用いる検査を採用することは、当業者が容易に想到するものと認められる。
　
（３）相違点３について
　引用例１について行った前記摘記（４）に記載されているように、引用例１では、ウエハからの散乱光強度を作業者が監視し、その強度が適正な値となるよう、光学的フィルタの交換を行っている。
　ここで、前記したウエハからの散乱光強度は、ウエハの反射率に依存することは明らかである。
　そして、作業者が行っている作業を自動化し、作業者を介在させることなく、自動的にその作業を行うように構成することは分野を問わず、一般的に行われている事項にすぎない。
　してみると、引用例１において、光学フィルタ交換のため、散乱光強度、即ち、反射率を自動的に測定できるよう、反射率検出部を設ける程度のことは、当業者が格別の創作力を要することなくなし得る事項にすぎない。
　
（４）相違点４について
　選択自由に配設された複数個のフィルターによる光量調節として、遮断率が異なり出没自由に配設される複数のフィルターと該フィルターの組み合わせを制御するフィルター制御部とからなる光量調整手段を用いるものが、特開昭６３−１３０２７１号公報、特開平８−２１１２９５号公報に記載されている様に、従来周知の技術事項であり、光量調節を自動化することは当業者が普通に考えることである。
　しかも、必要とされるフィルターの遮断率は検出すべき反射光の強度、信号処理部に於ける光の検出感度等によって決定されるものである
　したがって、引用発明１の選択自由に配設された複数個のフィルターによる光量調節として、遮断率が異なり出没自由に配設される複数のフィルターと該フィルターの組み合わせを制御するフィルター制御部とからなる光量調整手段を採用し、フィルターの遮断率をそれぞれ２％, ５％, １０％, １５％とすることに、格別の困難性は認められない。
　そして、本願補正発明１の作用効果も、引用発明１および上記周知技術から当業者であれば予測できる範囲のものである。
　
（２−５）むすび
　したがって、本願補正発明１は、引用例１に記載された発明及び上記周知技術に基づいて、当業者が容易に発明することができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 
　
３．本願補正発明２について
　
（３−１）本願補正発明２に記載された発明特定事項
本願補正発明２には、合焦について、以下のように記載されている。
「前記レンズ部から投射された放射光を所定の方向に反射させるハーフ・ミラー( ７) と、
　前記ハーフ・ミラー( ７) によって、反射された反射光を多方向に分散するビーム・スプリッター( １７) と、
　前記ビーム・スプリッター( １７) から投射された放射光から自動焦点におけるウエーハ（２７）の合焦位置を検出して、電気信号に変換するPCD センサー(１３)(１５) と、
　前記PCD センサー( １３)(１５) の電気信号を増幅するAMP センサー( １９)(２１) と、・・・　前記CCD センサー( １１) から出力した電気信号を入力して、前記AMP センサー( １９)(２１) から出力された電気信号を入力すると共に、内蔵されたモニター（３０）に映像を映し出す映像処理装置( ２３) と、
　前記AMP センサー( １９)(２１) からの出力に基づいて得られる前記映像処理装置（２３）からの自動焦点用の電気信号を機械的エネルギーに変換し、・・・」
　
（３−２）明細書又は図面の記載事項
　そして合焦について、本願明細書の発明の詳細な説明には、本願補正発明２と同等の内容が「【０００４】・・・放射光を所定の方向に反射されるハーフ・ミラー３７と、前記ハーフ・ミラー３７によって反射された反射光を多方向に分散するビーム・スプリッター４７と、前記ビーム・スプリッター４７から投射された放射光を自動焦点における後述するウエーハ５７の合焦位置を検出して、電気信号に変換するPCD センサー（Position Charge Device）４３、４５と、前記PCD センサー４３，４５の電気信号を増幅するAMP （Amplifiers）センサー４９，５１・・・前記AMP センサー４９，５１から出力された電気信号を入力するとともに、前記CCD センサー４１から出力した電気信号を入力して、内蔵されたモニター６０に映像を映し出す映像処理装置５３と、前記AMP センサー４９，５１からの出力に基づいて得られる前記映像処理装置５３からの自動焦点用の電気信号を機械的エネルギーに変換・・・」、「【００１１】・・・放射光を所定の方向に反射させるハーフ・ミラー( ７) と、前記ハーフ・ミラー( ７) によって、反射された反射光を多方向に分散するビーム・スプリッター( １７) と、前記ビーム・スプリッター( １７) から投射された放射光から自動焦点におけるウエーハ（２７）の合焦位置を検出して、電気信号に変換するPCD センサー(１３)(１５) と、前記PCD センサー( １３)(１５) の電気信号を増幅するAMP センサー( １９)(２１) と、・・・前記CCD センサー( １１) から出力した電気信号を入力して、前記AMP センサー( １９)(２１) から出力された電気信号を入力すると共に、内蔵されたモニター（３０）に映像を映し出す映像処理装置( ２３) と、前記AMP センサー( １９)(２１) からの出力に基づいて得られる前記映像処理装置（２３）からの自動焦点用の電気信号を機械的エネルギーに変換・・・」と記載され、【発明の実施の形態】には、「【００１６】・・・分離光は、ＰＣＤセンサー１３、１５からＡＭＰセンサー１９、２１及び映像処理装置２３を透過して、ピエゾ駆動装置２５に送られる。ピエゾ駆動装置２５は、映像処理装置２３からの電気信号を機械的エネルギーに変換・・・」、「【００１８】ところで、前記ビーム・スプリッター１７から投射された放射光から自動焦点におけるウエーハ２７の合焦位置を検出するためには、２つのＰＣＤセンサー１３、１５が必要である。自動焦点におけるウエーハ２７の合焦位置は、２つのＰＣＤセンサー１３、１５から出力されるそれぞれの電気信号のパルスの交差位置によって与えられるからである。」と記載されている。
　そして【図１】【図３】には、上記の発明の詳細な説明の記載に対応して、放射光がハーフ・ミラー( ７、３７)で反射され、その反射光がビーム・スプリッター( １７、４７)に入射して２つの光に分散されて、PCD センサー(１３、１５、４３，４５)に入射し、その出力がAMP センサー( １９、２１、４９，５１) を介して映像処理装置（２３、５３）に入力されるとともに、反射光が、反射鏡（８、３８）で反射され、CCD センサー( １１、４１) に入射し、その出力信号がモニター（３０、６０）に入力されることが図示されている。
　本願補正発明２の記載あるいは、それと同等の内容の上記発明の詳細な説明の記載ならびに図面の記載からすると、ウエーハ上への放射光の合焦位置は、放射光から分散された２つの光を検出する２つのＰＣＤセンサーのみによって得られるものであって、その出力が映像処理装置を介して機械的エネルギーに変換されて出力されるものと解され、その合焦位置の取得、あるいは機械的エネルギーへの変換に際して、反射光は何ら関与していないものと解される。
　また、上記【発明の実施の形態】の記載からすると、「ウエーハ２７の合焦位置は、２つのＰＣＤセンサーから出力されるそれぞれの電気信号のパルスの交差位置によって与えられ」るとされている。
　
（３−３）判断
　一方、光を用いた被検体の焦点位置の検出手法としては、対象物が発する光によって測距を行うパッシブ型と、被検体に向けて光等を投射し、被検体からの反射を検出して測距を行うアクティブ型が一般に知られているが、いずれも、被検体からの光を利用している。
　このような一般的な技術常識からすると、本願補正発明２に記載されているような「放射光の分散光のみを用いて合焦位置を検出」する事項については、それを如何に達成するのか、その具体的内容について発明の詳細な説明に明示のない限り、当業者が発明を実施することができず、その事項が発明の詳細な説明に記載されていると認めることはできない。
　しかるに、前記したとおり、実施の形態には「ＰＣＤセンサーから出力されるそれぞれの電気信号のパルスの交差位置によって与えられ」ることが記載されているにすぎず、前記「交差位置」がいかなるものであるのか明らかでないとともに、前記した「放射光の分散光のみを用いた合焦位置の検出」が如何に実施され得るのか、何ら明確に記載されていない。
　してみると、本願補正発明２が、発明の詳細な説明に記載されていると認めることはできない。
　
（３−４）むすび
　上記のとおり、本願補正発明２は、発明の詳細な説明に記載したものであるとはいえないから、特許法第３６条第６項第１号の規定に適合するものではないので、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 
　
４．まとめ
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条５項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
  III．本願発明について
１．本願発明
　平成１８年６月８日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし４に係る発明は、平成１７年７月２５日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載された事項によって特定されるとおりのものであるところ、そのうち請求項１ならびに請求項２に係る発明（以下、それぞれを本願発明１、本願発明２という。）は以下のとおりである。
　「【請求項１】　放射光をウエーハ（２７）に投射し、該ウエーハ（２７）から反射された反射光を信号処理部で信号処理してウエーハ（２７）表面の異常の有無を検出するウエーハ（２７）の異常検出装置において、
　前記ウエーハ（２７）からの反射光の反射率を検出する反射率検出部と、
　該反射率に基づいて前記信号処理部に導かれるウエーハ（２７）からの反射光の光量を調節する光量調節手段と、を備え、
　前記光量調節手段は、ウエーハ（２７）からの反射光の反射光路中に出没自由に配設された複数個のフィルターと、
　前記反射率に基づいて前記反射光路中に介在させて反射光を透過させるフィルターの組み合わせを制御するフィルター制御部と、からなり、
　前記複数個のフィルターの遮断率は、それぞれ２％, ５％, １０％, １５％であることを特徴とするウエーハの異物質検査装置。
　
【請求項２】　放射光を一定の波長帯域にろ過してウエーハ( ２７) 側に透過させるレンズ部（３）と、
　前記レンズ部から投射された放射光を所定の方向に反射させるハーフ・ミラー( ７) と、
　前記ハーフ・ミラー( ７) によって、反射された反射光を多方向に分散するビーム・スプリッター( １７) と、
　前記ビーム・スプリッター( １７) から投射された放射光から自動焦点におけるウエーハ（２７）の合焦位置を検出して、電気信号に変換するPCD センサー(１３)(１５) と、
　前記PCD センサー( １３)(１５) の電気信号を増幅するAMP センサー( １９)(２１) と、
　前記ハーフ・ミラー（７）を透過して、ウエーハ（２７）で反射した反射光を拡大する対物レンズ（９）と、
　前記対物レンズ（９）を透過した反射光を所定の方向に反射する反射鏡（８）と、
　前記反射鏡（８）によって反射された反射光を電気信号に変換するCCD センサー( １１) と、
　前記CCD センサー( １１) から出力した電気信号を入力して、前記AMP センサー( １９)(２１) から出力された電気信号を入力すると共に、内蔵されたモニター（３０）に映像を映し出す映像処理装置( ２３) と、
　前記AMP センサー( １９)(２１) からの出力に基づいて得られる前記映像処理装置（２３）からの自動焦点用の電気信号を機械的エネルギーに変換し、その機械的エネルギーをピエゾ部（２９）に送るピエゾ駆動装置（２５）と、
　前記ピエゾ駆動装置（２５）から送られた機械的エネルギーによって、ウェハ（２７）を読み取り、合焦位置となるようにウエーハ（２７）の位置を合わせるピエゾ部（２９）と、を含んで構成されるウエーハ( ２７) の異物質検査装置において、
　前記反射鏡( ８) とCCD センサー( １１) の間に形成され、複数個のフィルターを用いて、前記反射鏡( ８) からCCD センサー( １１) に投射される反射光の光量を自動調節するフィルター組み合わせ装置( １００) を備え、
　前記フィルター組み合わせ装置( １００) は、
　前記CCD センサー( １１) の出力に基づいて、ウエーハ( ２７) から反射される反射光の光量を検出するウエーハ反射率検出部( １０１) と、
　前記ウエーハ反射率検出部( １０１) で検出された反射光量を基準光量と比較し、反射光量の大きさによってフィルターの遮断率を決定するフィルター制御部( １０３) と、
　前記フィルター制御部( １０３) から出力される前記フィルターの遮断率に応じて作動するソレノイド・バルブ駆動部( １０５) と、
　前記ソレノイド・バルブ駆動部( １０５) の制御信号によって開閉される複数個のソレノイド・バルブ( １０７a 〜１０７d)と、
　前記ソレノイド・バルブ( １０７a 〜１０７d)にそれぞれ形成され、ソレノイド・バルブ( １０７a 〜１０７d)の開閉によって所定の距離を往復運動するエアー・シリンダー(１０９a 〜１０９d)と、
　それぞれのエアー・シリンダー( １０９a 〜１０９d)の一端に装着され、前記フィルターの遮断率にしたがって組合わされることでウエーハ（２７）の反射率を調節する遮断率の異なる複数個のフィルター( １１１a 〜１１１d)と、を備え、
　前記複数個のフィルター( １１１a 〜１１１d)の遮断率は、それぞれ２％, ５％, １０％, １５％であることを特徴とするウエーハの異物質検査装置。」
　
２．拒絶の理由
［理由１］特許法第２９条第２項について
（１−１）引用例記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例、及びその記載事項は、前記「II．２．本願補正発明１について（２−２）」に記載したとおりである。
　
（１−２）対比・判断
　本願発明１は、前記「II．２．本願補正発明１について」で検討した本願補正発明１から「放射光」の限定事項である「ゼノン・ランプの」との構成を省いたものである。
　そうすると、本願発明１の構成要件をすべて含み、さらに前記構成要件に限定事項を付加したものに相当する本願補正発明１が、前記「II．２．本願補正発明１について」に記載したとおり、引用例１に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明１も同様の理由により、引用例１に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるので、本願発明１は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
［理由２］特許法第３６条第６項第１号について
　
（２−１）本願発明２
　本願発明２は、前記「II．３．本願補正発明２について」で検討した本願補正発明２から「放射光」の限定事項である「ゼノン・ランプの」との構成を省いたものである。
 
（２−２）本願発明２に記載された発明特定事項と本願明細書又は図面の記載
　合焦については、本願発明２において記載されている事項ならびに、本願明細書又は図面に記載されている事項は前記「３．（３−１）」ならびに「３．（３−２）」に記載したとおりである。
（２−３）判断
　合焦について、本願発明２が発明特定事項とする内容と明細書又は図面の記載内容は本願補正発明２に関する内容と同じであるので、前記「３．（３−３）」に記載したとおり、本願発明２は、発明の詳細な説明に記載されていると認めることができない。
　したがって、本願発明２は、特許法第３６条第６項第１号の規定に適合するものではない。
　
３．まとめ
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である引用例１に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に想到をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により、また、本願の請求項２に係る発明は、本願の発明の詳細な説明に記載したものでないので、特許法第３６条第６項第１号の規定により特許を受けることができない。
　したがって、請求項３乃至４に係る発明について審理するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。