(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に第１の絶縁層を有するウエハのダイシング領域に当該ウエハをハーフカットする溝を形成する工程と、
前記溝はその側面に凹凸部を有し、当該凹凸部の形成された溝に第２の絶縁層を形成する工程と、
前記第２の絶縁層で前記溝の側面を被覆した状態で、前記ウエハのフルカットを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記溝は、開口径の異なる複数の溝を一体化して成ることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記溝は、第１の開口径を有する第１の溝と、当該第１の溝の下に一体化して設けた第２の開口径を有する第２の溝とを含み、前記第２の開口径は第１の開口径より大きいことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１の溝は異方性エッチングにより、前記第２の溝は等方性エッチングにより形成されることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
電極パッドの一部を露出する開口部を有した第１の絶縁層をウエハ上に形成する工程と、
前記開口部から露出する前記電極パッドと接続され、ウエハ上面に延在する配線層を形成する工程と、
前記配線層を含むチップの周囲に位置し、前記ウエハをハーフカットする第１の溝を形成する工程と、
前記第１の溝を介して前記第１の絶縁層の一部を等方性エッチングして当該第１の溝よりも開口径の広い第２の溝を形成する工程と、
前記配線層，第２の溝及び第１の溝を含む前記ウエハ表面を樹脂封止して第２の絶縁層を形成する工程と、
前記第１及び第２の溝内に形成された前記第２の絶縁層を介して前記ウエハをフルカットすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
層間絶縁層を介して形成された電極パッドの一部を露出する開口部を有したパッシベーション膜をウエハ上に形成する工程と、
前記開口部から露出する前記電極パッドと接続され、ウエハ上面に延在する配線層を形成する工程と、
前記配線層を含むチップの周囲に位置し、前記ウエハをハーフカットする第１の溝を形成する工程と、
前記第１の溝を介して前記層間絶縁膜の上層部を等方性エッチングして当該第１の溝よりも開口径の広い第２の溝を形成する工程と、
前記配線層，第２の溝及び第１の溝を含む前記ウエハ表面を樹脂封止して絶縁層を形成する工程と、
前記第１及び第２の溝内に形成された前記絶縁層を介して前記ウエハをフルカットすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記層間絶縁膜はＢＰＳＧ膜から成り、当該ＢＰＳＧ膜が前記パッシベーション膜を構成するシリコン窒化膜よりも等方性エッチングレートが高いことを利用して、当該ＢＰＳＧ膜の上層部に前記第１の溝よりも開口径の広い第２の溝を形成すること特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特にチップサイズパッケージの製造方法に関する。チップサイズパッケージ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）は、ＣＳＰとも呼ばれ、チップサイズと同等か、わずかに大きいパッケージの総称であり、高密度実装を目的としたパッケージである。本発明は、ＣＳＰに採用されるメタルポスト形成における信頼性向上技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、この分野では、一般にＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）と呼ばれ、面状に配列された複数のハンダボールを持つ構造、ファインピッチＢＧＡと呼ばれ、ＢＧＡのボールピッチをさらに狭ピッチにして外形がチップサイズに近くなった構造等が知られている。
【０００３】
また、最近では、「日経マイクロデバイス」１９９８年８月号  ４４頁〜７１頁に記載されたウエハＣＳＰがある。このウエハＣＳＰは、基本的には、チップのダイシング前に配線やアレイ状のパッドをウエハプロセス（前工程）で作り込むＣＳＰである。この技術によって、ウエハプロセスとパッケージ・プロセス（後工程）が一体化され、パッケージ・コストが大幅に低減できるようになることが期待されている。
【０００４】
ウエハＣＳＰの種類には、樹脂封止型と再配線型がある。樹脂封止型は、従来のパッケージと同様に表面を封止樹脂で覆った構造であり、チップ表面の配線層上にメタルポストを形成し、その周囲を封止樹脂で固める構造である。
【０００５】
一般にパッケージをプリント基板に搭載すると、プリント基板との熱膨張差によって発生した応力がメタルポストに集中すると言われているが、樹脂封止型では、メタルポストが長くなるため、応力が分散されると考えられている。
【０００６】
一方、再配線型は、図１０に示すように、封止樹脂を使わず、再配線を形成した構造である。つまりチップ５１の表面にＡｌ電極５２、配線層５３、絶縁層５４が積層され、配線層５３上にはメタルポスト５５が形成され、その上に半田ボール５６が形成されている。配線層５３は、半田ボール５６をチップ上に所定のアレイ状に配置するための再配線として用いられる。
【０００７】
樹脂封止型は、メタルポストを１００μｍ程度と長くし、これを封止樹脂で補強することにより、高い信頼性が得られる。しかしながら、封止樹脂を形成するプロセスは、後工程において金型を用いて実施する必要があり、プロセスが複雑になる。
【０００８】
一方、再配線型では、プロセスは比較的単純であり、しかも殆どの工程をウエハプロセスで実施できる利点がある。しかし、なんらかの方法で応力を緩和し信頼性を高めることが必要とされている。
【０００９】
また図１１は、図１０の配線層５３を省略したものであり、Ａｌ電極５２が露出した開口部を形成し、この開口部には、メタルポスト５５とアルミ電極５２との間にバリアメタル５８を少なくとも一層形成し、このメタルポスト５５の上に半田ボール５６が形成されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、図１０において、メタルポスト５５を完全に覆うようにポリイミド樹脂を塗布し、硬化後にその上面を研磨して、前記メタルポスト５５の頭部を露出させ、この露出部に半田ボール５６を形成した後に、このポリイミド樹脂と一緒にダイシングして、個々のチップに分割していた。
【００１１】
そのため、ダイシングによって露出される側面は、Ａｌ電極５２の下層に形成される絶縁層（例えば、ＢＰＳＧ膜）と絶縁樹脂層５４との界面が位置し、絶縁層の吸湿性が高いため、この界面より湿気が侵入し、素子の劣化が生じてしまうという問題があった。
【００１２】
また、例えばエポキシ樹脂より成る絶縁樹脂層とＢＰＳＧ膜、絶縁樹脂層とＳｉ３Ｎ４膜、絶縁樹脂層とＳｉＯ２膜等は、その熱膨張係数が異なるため、その界面に湿気等が侵入した場合に、絶縁樹脂層５４の剥離等が発生するという問題もあった。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記課題に鑑みてなされ、図２に示すようにＢＰＳＧ膜から成る層間絶縁層２を介して形成されたＡｌ電極１の一部を露出する開口部Ｋを有したパッシベーション膜３をウエハ上に形成し、図４に示すように前記開口部Ｋから露出する前記Ａｌ電極１と接続され、ウエハ上面に延在する配線層７を形成する。次に、図５に示すように前記配線層７上にメタルポスト８を形成した後に、当該配線層７を含むチップの周囲に位置し、前記ウエハをハーフカットする第１の溝ＴＣ１を形成する。更に、図７に示すように前記第１の溝ＴＣ１を介して前記層間絶縁膜２の上層部を等方性エッチングして当該第１の溝ＴＣ１よりも開口径の広い第２の溝ＴＣ２を形成する。そして、図８に示すように前記配線層７，第２の溝ＴＣ２及び第１の溝ＴＣ１を含む前記ウエハ表面を樹脂封止して絶縁樹脂層Ｒを形成した後に、図９に示すように前記樹脂層Ｒから露出したメタルポスト８上に半田ボール１２を形成し、最後に前記第１及び第２の溝ＴＣ１，ＴＣ２内に形成された前記樹脂層Ｒを介して前記ウエハをフルカットすることを特徴とするものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。
【００１５】
図９に於いて、図番１は、通常のワイヤボンディングタイプのＩＣチップに於いて、最上層のメタル（ボンディングパッドとしても機能する部分）の部分であり、このＡｌ電極１のコンタクトホールＣが形成される層間絶縁膜（例えば、ＢＰＳＧ膜）を図番２で示す。
【００１６】
また、このコンタクトホールＣの下層には、メタルが複数層で形成され、例えばトランジスタ（ＭＯＳ型のトランジスタまたはＢＩＰ型のトランジスタ）、拡散領域、ポリＳｉゲートまたはポリＳｉ等とコンタクトしている。
【００１７】
ここで、本実施例は、ＭＯＳ型で説明しているが、ＢＩＰでも実施できることは言うまでもない。
【００１８】
また本構造は、一般には一層メタル、２層メタル…と呼ばれるＩＣである。
【００１９】
更には、パッシベーション膜を図番３で示す。ここでパッシベーション膜３は、シリコン窒化膜（以下、Ｓｉ３Ｎ４膜という。）から成り（例えば、エポキシ樹脂またはポリイミド樹脂等でも良い。）、更にこの上には、例えばエポキシ樹脂等から成る絶縁樹脂層ｒが被覆されている。この絶縁樹脂層ｒは、後述するようにフラット性を実現し、半田ボールの高さを一定にしている。
【００２０】
また、Ａｌ電極１上には、キャップメタルとして窒化Ｔｉ膜（ＴｉＮ）５が形成されている。
【００２１】
パッシベーション膜３と絶縁樹脂層ｒは、窒化Ｔｉ膜（ＴｉＮ）５を露出する開口部Ｋが形成され、ここには、配線層のメッキ電極（シード層）としてＣｕの薄膜層６が形成される。そしてこの上には、Ｃｕメッキにより形成される配線層７が形成される。
【００２２】
そして、配線層７を含むチップ全面には、樹脂から成る樹脂層Ｒが形成される。ただし、図面上では省略しているが、樹脂層Ｒと配線層７、樹脂層Ｒとメタルポスト８の界面には後述するように樹脂層ＲとＣｕとの反応を防止するためのＳｉ３Ｎ４膜を設けても良い。
【００２３】
樹脂層Ｒは、熱硬化性、熱可塑性樹脂であれば実施可能であり、特に熱硬化性樹脂として、アミック酸フィルム、ポリイミド、エポキシ系の樹脂が好ましい。また熱可塑性樹脂であれば、熱可塑性ポリマー（日立化成：ハイマル）等が好ましい。またアミック酸フィルムは３０〜５０％の収縮率である。
【００２４】
ここで、樹脂層Ｒは、液状のアミック酸を主材料として用意され、ウエハ全面にスピンオンされ、厚さ２０〜６０μｍ程度で形成される。その後、この樹脂層Ｒは、熱硬化反応により重合される。温度は、３００℃以上である。しかし、熱硬化前のアミック酸より成る樹脂は、前記温度の基で非常に活性に成り、Ｃｕと反応し、その界面を悪化させる問題がある。しかし、配線層の表面に上記Ｓｉ３Ｎ４膜を被覆することにより、このＣｕとの反応を防止することができる。ここでＳｉ３Ｎ４膜の膜厚は、１０００〜３０００Å程度である。
【００２５】
また、Ｓｉ３Ｎ４膜は、バリア性が優れた絶縁膜で良いが、ＳｉＯ２膜は、バリア性に劣る。しかし、ＳｉＯ２膜を採用する場合は、Ｓｉ３Ｎ４膜よりもその膜厚を厚くする必要がある。また、Ｓｉ３Ｎ４膜は、プラズマＣＶＤ法で形成できるので、そのステップカバレージも優れ、好ましい。更に、メタルポスト８を形成した後、樹脂層Ｒを被覆するので、前記Ｓｉ３Ｎ４膜を形成するとＣｕから成る配線層７とアミック酸を主材料とする樹脂層の反応を防止するばかりでなく、Ｃｕから成るメタルポスト８とアミック酸を主材料とする樹脂層Ｒの反応も防止できる。
【００２６】
Ｃｕから成るメタルポスト８の上に直接半田ボールが形成されると、酸化されたＣｕが原因で半田ボールとの接続強度が劣化する。また酸化防止のためにＡｕを直接形成すると、Ａｕが拡散されるため、間にＮｉが挿入されている。ＮｉはＣｕの酸化防止をし、またＡｕはＮｉの酸化防止をしている。従って半田ボールの劣化および強度の劣化は抑制される。
【００２７】
ここでＮｉ、Ａｕは、電解メッキで形成されるが無電解メッキでも良い。
【００２８】
最後に、メタルポスト８の頭部に、半田ボール１２が形成される。
【００２９】
ここで半田ボールと半田バンプの違いについて説明する。半田ボールは、予めボール状の半田が別途用意され、メタルポスト８に固着されるものであり、半田バンプは、配線層７、メタルポスト８を介して電解メッキで形成されるものである。半田バンプは、最初は厚みを有した膜として形成され、後工程の熱処理により球状に形成されるものである。
【００３０】
ここでは、図６でシード層が取り除かれるので、電解メッキでは形成できず、実際は半田ボールが用意される。
【００３１】
最後に、ウエハ状態で用意されているチップ個々の周囲には、ＴＣ１，ＴＣ２で示す第１及び第２の溝が形成され、これらの溝に絶縁樹脂層が埋め込まれている。ここでは、工程の簡略化から樹脂層Ｒと同一のものが形成されているが、工程の簡略化を考慮しなければ必ずしも同一である必要はない。
【００３２】
これらの溝ＴＣ１，ＴＣ２及び樹脂層Ｒは、本発明の特徴を為すものであり、第１の溝ＴＣ１よりも開口径の広い第２の溝ＴＣ２を形成し、これらの溝ＴＣ１，ＴＣ２に樹脂層Ｒを封止した後、幅狭のダイシングブレードＤＣによりフルカットする。このようにフルカットラインＤＬのほぼ中央部に開口径の広い第２の溝ＴＣ２が形成されることで、樹脂層Ｒの剥離が抑制できる。また、少なくとも半導体基板（Ｓｉ基板）に到達した第１の溝ＴＣ１とフルカットラインＤＬとの間には樹脂層Ｒが配置され、耐湿劣化を引き起こす各層の界面端部を覆うことができ、阻止劣化の防止が可能となる。
【００３３】
一般的には、ウエハは２００〜３００μｍの厚みを有している。また、前述したように第１の溝ＴＣ１は、図８の基板表面から半導体基板（Ｓｉ基板）に到達していれば良く、ウエハの厚みも考慮すれば、溝の深さは、Ｓｉ基板から１〜１００μｍ程度が好ましい。
【００３４】
続いて、図９に示す構造の製造方法について説明する。
【００３５】
先ず、Ａｌ電極１を有するＬＳＩが形成された半導体基板（ウエハ）を準備する。ここでは、前述したように１層メタル、２層メタル・・のＩＣで、例えばトランジスタのソース電極、ドレイン電極が一層目のメタルとして形成され、ドレイン電極とコンタクトしたＡｌ電極１が２層目のメタルとして形成されている。
【００３６】
ここでは、ドレイン電極が露出する層間絶縁膜２のコンタクト孔Ｃを形成した後、ウエハ全面にＡｌを主材料とする電極材料、窒化Ｔｉ膜５を形成し、ホトレジスト層をマスクとして、Ａｌ電極１と窒化Ｔｉ膜５を所定の形状にドライエッチングしている。
【００３７】
ここでは、パッシベーション膜３を形成し、この後開口したコンタクト孔Ｃにバリアメタルを形成するのと違い、バリアメタルとしての窒化Ｔｉ膜も含めてホトレジスト層で一度に形成でき、工程数の簡略が可能となる。
【００３８】
また窒化Ｔｉ膜５は、後に形成するＣｕの薄膜層６のバリアメタルとして機能している。しかも窒化Ｔｉ膜は、反射防止膜として有効であることにも着目している。つまりパターニングの際に使用されるレジストのハレーション防止としても有効である。ハレーション防止として最低１２００Å〜１３００Å程度必要であり、またこれにバリアメタルの機能を兼ね備えるためには、２０００Å〜３０００Å程度が好ましい。これ以上厚く形成されると、今度は窒化Ｔｉ膜が原因で、ストレスが発生する。
【００３９】
また、Ａｌ電極１と窒化Ｔｉ膜５がパターニングされた後、全面にパッシベーション膜３が被覆される。パッシベーション膜として、ここではＳｉ３Ｎ４膜が採用されているが、ポリイミド樹脂等も可能である。（以上図１参照）
続いて、パッシベーション膜３の表面に絶縁樹脂層ｒが被覆される。この絶縁樹脂層は、ここでは、ポジ型の感光性ポリイミド膜が採用され、約３〜５μｍ程度が被覆されている。そして開口部Ｋが形成される。
【００４０】
この感光性ポリイミド膜を採用することで、図２の開口部Ｋのパターニングにおいて、別途ホトレジスト層を形成して開口部Ｋを形成する必要が無くなり、メタルマスクの採用により工程の簡略化が実現できる。もちろんホトレジスト層でも可能である。しかもこのポリイミド膜は、平坦化の目的でも採用されている。つまり半田ボール１２の高さが全ての領域において均一である為には、メタルポスト８の高さが全てにおいて均一である必要があり、配線層７もフラットに精度良く形成される必要がある。その為にポリイミド樹脂を塗布し、ある粘度を有した流動性を有する樹脂である故、その表面をフラットにできる。
【００４１】
ここでＡｌ電極１はＬＳＩの外部接続用のパッドも兼ね、半田ボール（半田バンプ）から成るチップサイズパッケージとして形成しない時は、ワイヤボンディングパッドとして機能する部分である。（以上図２参照）
続いて全面にＣｕの薄膜層６を形成する。このＣｕの薄膜層６は、後に配線層７のメッキ電極となり、例えばスパッタリングにより約１０００〜２０００Å程度の膜厚で形成される。
【００４２】
続いて、全面に例えばホトレジスト層ＰＲ１を塗布し、配線層７に対応するホトレジスト層ＰＲ１を取り除く。（以上図３参照）
続いて、このホトレジスト層ＰＲ１の開口部に露出するＣｕの薄膜層６をメッキ電極とし、配線層７を形成する。この配線層７は機械的強度を確保するために２〜５μｍ程度に厚く形成する必要がある。ここでは、メッキ法を用いて形成したが、蒸着やスパッタリング等で形成しても良い。
【００４３】
この後、ホトレジスト層ＰＲ１を除去する。（以上図４参照）
続いて、配線層７上のメタルポスト８が形成される領域を露出したホトレジスト層ＰＲ２が形成され、この露出部に電解メッキでＣｕのメタルポスト８が３０〜１００μｍ程度の高さに形成される。
【００４４】
ここで、前記第１の溝ＴＣ１の形成タイミングは、いろいろと考えられるが例えば、メタルポストの形成後が考えられる。ここでは、前記ホトレジスト層ＰＲ２に第１の溝ＴＣ１のラインが露出されるように形成されていれば、この第１の溝ＴＣ１の露出部に沿ってダイシングが可能になる。また、別途第１の溝ＴＣ１のみを露出させるホトレジスト層を形成すればエッチングによっても形成できる。（以上図５参照）
続いて、ホトレジスト層ＰＲ２を除去し、配線層７をマスクとしてＣｕの薄膜層６を除去する。（以上図６参照）
更に本発明では、前記第１の溝ＴＣ１を介して前記層間絶縁膜２の上層部を等方性エッチングして当該第１の溝ＴＣ１よりも開口径の広い第２の溝ＴＣ２を形成する。本実施形態では、例えばフッ酸処理を施すことで、層間絶縁膜２を構成するＢＰＳＧ膜が前記パッシベーション膜３を構成するシリコン窒化膜よりも等方性エッチングレートが高いことを利用して、当該ＢＰＳＧ膜の上層部に前記第１の溝ＴＣ１よりも開口径の広い（例えば、２０μｍ程度）第２の溝ＴＣ２を形成している。（以上図７参照）
次に示す工程は、図面では省略したが、配線層７、メタルポスト８も含めて全表面にプラズマＣＶＤ法でＳｉ３Ｎ４膜を被着しても良い。
【００４５】
これは、後の工程で形成される硬化前の樹脂層ＲとＣｕが熱により反応する。そのためこの界面が劣化する問題を有している。従って配線層７、メタルポスト８は、全てこのＳｉ３Ｎ４膜で被覆する必要がある。このＳｉ３Ｎ４膜は、界面の劣化が発生しない場合は、もちろん省略が可能である。
【００４６】
また、後工程によりメタルポスト８上に形成するＮｉ１０、Ａｕ１１も含めて、当該メタルポスト８形成後に、Ｓｉ３Ｎ４膜を形成すれば、配線層７、メタルポスト８も含めて被覆することができる。またパターニングされて露出している側面Ｍも一緒に保護する必要があるが、ここでは、両者をパターニングした後にＳｉ３Ｎ４膜を被覆するので、側面Ｍも一緒に保護される。
【００４７】
そして、前記第１の溝ＴＣ１の形成タイミングとして、前記Ｓｉ３Ｎ４膜を形成した後でも良い。
【００４８】
つまり、Ｓｉ３Ｎ４膜で全面を保護しているので、この状態で第１の溝ＴＣ１をダイシングしたり、またはエッチングできる。Ｓｉ３Ｎ４膜がウエハ全面に形成されているため、メタルポスト８の酸化を防止できる。更には、第２の溝ＴＣ２の形成時におけるエッチング保護膜としても利用できる。
【００４９】
以下、樹脂層Ｒを全面に塗布した後に、当該樹脂層Ｒを研磨して前記メタルポスト８の頭部を露出させる。（以上図８参照）
続いて、前記メタルポスト８の頭部にＮｉ１０を電解メッキで約１０００Å、Ａｕ１１を同じく電解メッキで約５０００Å形成し、その上に半田ボール１２を搭載する。そして、ダイシング工程に移る。
【００５０】
このダイシング工程は、前記第１の溝ＴＣ１よりも幅狭のダイシングブレードＤＣを用意し、これを用いて前記第１の溝ＴＣ１のほぼ中央部をフルカットする。第１の溝ＴＣ１は、例えば半導体基板まで到達しているハーフカットで実現されているため、半導体基板から上層に形成される各層の界面端部は、前記樹脂層Ｒで保護されてチップ・サイズ・パッケージが完成する。（以上図９参照）
このとき、フルカットラインＤＬの途中に、第１の溝ＴＣ１よりも開口径の広い第２の溝ＴＣ２を形成し、その部分に絶縁樹脂層Ｒを介在させたことで、従来構造に比して樹脂層とチップとの密着性が強まり、絶縁樹脂層Ｒとチップとの間の剥離の発生を抑止できる。従って、製品としての耐湿性等における信頼性が向上する。
【００５１】
【発明の効果】
本発明によれば、第１の溝をハーフカットにより形成した後に、層間絶縁膜とパッシベーション膜とのエッチングレート比の違いを利用して、当該層間絶縁膜の上層部に前記第１の溝よりも開口径の広い第２の溝を形成した状態で樹脂封止し、フルカットすることで、樹脂とチップとの側面での密着性が強まり、製品の耐湿性等における信頼性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図７】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図８】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図９】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図１０】従来のチップサイズパッケージを説明する図である。
【図１１】従来のチップサイズパッケージを説明する図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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