【事件の表示】
　特願２００１−１６３７７２「記憶データ破壊／非破壊判定方法、及び、電気機器」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年１２月１３日出願公開、特開２００２−３５８２４７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１３年５月３１日の出願であって、平成１７年９月３０日付けで拒絶の理由が通知され、同年１１月２５日付けで手続補正がなされ、平成１８年４月１９日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年５月２５日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに同年５月３１日付けで手続補正がなされ、当審より平成２０年１２月５日付けで拒絶の理由が通知され、平成２１年２月５日付けで手続補正がなされたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２１年２月５日付けの手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された次の通りのものである。
　
「揮発性の記憶装置へ供給される電圧が、当該記憶装置の動作が保証される動作電圧の最小値より高く、且つ、通電時に供給される電圧が変動し得る最低値より低い値であるしきい値よりも低くなると、補助電源により電圧が供給される当該記憶装置の記憶領域のうち、当該記憶装置へ供給される電圧が前記しきい値より低い間は、そこに記憶されているデータが保持されることが要求されるバックアップ領域に記憶されている全てのデータを用いた所定の計算結果を第１のチェックデータとして算出し、この第１のチェックデータを当該記憶装置の前記バックアップ領域以外の領域に書き込み、
　当該記憶装置へ供給される電圧が、前記しきい値よりも高くなると、当該記憶装置の前記バックアップ領域に記憶されている全てのデータを用いた前記所定の計算結果を第２のチェックデータとして算出し、前記第１のチェックデータと前記第２のチェックデータとを比較することによって、当該記憶装置の前記バックアップ領域に記憶されているデータが当該記憶装置へ供給される電圧の低下により破壊されたか否かを判定することを特徴とする記憶データ破壊／非破壊判定方法。」
　
　
３．引用発明
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平０５−２９８１９５号公報（以下、「引用文献１」という。）には、図面と共に以下の事項が記載されている。（下線は、当審にて便宜上付与したもの。）
　
Ａ．「【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、
電池を用いてＲＡＭや時計にバックアップ給電を行なう情報処理装置に係り、特に電池バックアップによるデータ保全のチェックに係る情報処理を行なう情報処理装置
　
Ｂ．「【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の情報処理装置の電池バックアップによるデータ保全のチェック動作は以上のように行なわれており、ＲＡＭの記憶内容が破壊されているかどうかの判断は、ＲＡＭ内の特定アドレスに書込まれた固定データが破壊されているかどうかにより行なっていたので、その特定アドレス以外のアドレスの内容が破壊されていても、正常と見なし通常運転に移行してしまうので危険であるという問題点があった。この危険を回避するために通常の情報処理装置には、電池の電圧低下を検知するバッテリアラーム検知回路を設けて、通常運転に移行しないように保護処置をしている。しかしこの場合にも、バッテリアラームが発生したときに、同時に時計がクリアされていればＲＡＭの内容が破壊されたと判断できるが、時計４がクリアされていない場合には、特定アドレス以外のアドレスの内容が破壊されている可能性があり、ＲＡＭ内に記憶されている多量のデータ（例えば数値制御装置の場合には、パラメータや加工プログラムのデータ）を、操作表示装置に表示させ作業者が目で見て確認するか、フロッピディスクのような２次記憶装置の内容と比較しなければならないという欠点があった。また
前記特定アドレスの定義を拡大して、特定アドレスを単一アドレスでなく複数アドレスと考えても、電池電圧の降下により最初に破壊される一連のアドレス（以後弱点アドレスと云う）がＲＡＭのＩＣチップを製造するメーカやその種類により異なるため、単に複数の固定アドレスの比較では、ＲＡＭの内容チェックとしては不十分である
【０００６】本発明は上記のような問題点を解決するためになされたもので、
電池によるバックアップ期間中に、電池障害の発生等によりＲＡＭの内容が破壊されているか否かを、精度の高いデータチェック方法で検出し
　
Ｃ．「【００２３】
【実施例】
実施例１．図１は本発明の実施例１に係る情報処理装置の構成を示すブロック図であり、１〜４、７〜９は上記従来装置の各機器と全く同じものである。１０は電池の出力電圧が所定値以下に低下したことを検知するバッテリアラーム検知回路、１１は電源７への入力電源を切断した瞬間に出力される割込信号、１２は表示コントローラ、１３は操作表示装置であり、ＣＲＴ等の表示部と作業者が例えばパラメータや加工プログラム等を入力するためのキー（図示せず）や装置本体を動かすための操作ボタン（図示せず）が多数取り付けられている。１６は周囲温度を検知する温度センサ、１５はこの温度センサによって検知されたアナログ信号をディジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換器である。図２〜図４は、図１の動作を説明するフローチャートであり、図２は図１の電源切断時のフローチャート、図３は図１の電源投入時のフローチャート、また図４は図１の電池寿命警告を説明するフローチャートである。
【００２４】図２〜図４を参照し、図１の動作を説明する。図１において、電源７への
入力電源（例えばＡＣ１００Ｖ、図示せず）が切断されると、図２のＳｔｅｐ１で電源７から割込信号１１がプロセッサ１に出力される
Ｓｔｅｐ４でバックアップ全領域のチェックサム（全領域のデータをすべて加算した総和値）を計算する
Ｓｔｅｐ５でこのチェックサムをＲＡＭ３の未使用の特定アドレスに書込み
電源７の直流電圧保持時間を過ぎると、無瞬断スイッチ８は点線で示す如く電池９側に接続され、電池９の電流がＲＭＡ３と時計４に供給される
この直流電源の切換時に、瞬時といえども直流電源が断になることはない
　
Ｄ．「【００２５】図１において、
電源７への入力電源が投入され
出力直流電圧が規定値になると、無瞬断スイッチ８は実線で示す如く接続され、電源７から電流がＲＡＭ３と時計４に供給される
同じ計算を繰り返しＲＡＭ３のチェックサムを再び計算する
Ｓｔｅｐ１４で前記計算したチェツクサムと図１のＳｔｅｐ５でＲＡＭ３の特定アドレスに記憶したデータとを比較し、一致しているかを判断する
較結果が一致しなければ、Ｓｔｅｐ１５でプロセッサ１はＲＡＭ３と時計４のデータをクリアすると同時にＲＡＭ  ＥＲＲ（エラー）フラグをＯＮし
【００２６】次いで、Ｓｔｅｐ１６ではＲＡＭ  ＥＲＲ（エラー）フラグがＯＮしているかどうかを調べ、ＯＮしていなければＳｔｅｐ１７に進む。前記ＲＡＭ  ＥＲＲフラグがＯＮしていれば、Ｓｔｅｐ１８でＲＡＭ３が破壊されている旨を操作表示装置１３の表示部に表示し、作業者にデータの修復を指示する。作業者はこの指示をみて、Ｓｔｅｐ１９でパラメータや加工プログラム等のデータを操作表示装置１３より手動操作又はフロッピディスクのような２次記憶装置より入力する。また時計４の時刻設定をして、Ｓｔｅｐ２２の通常処理に移行する。Ｓｔｅｐ１７では、バッテリアラームフラグがＯＮしているかどうか調べる。ＯＮしていなければ、正常と見なしＳｔｅｐ２２の通常処理に進む。前記フラグがＯＮしていれば、Ｓｔｅｐ２０でバッテリの電圧が低下している旨を操作表示装置１３の表示部に表示し、作業者にＲＡＭデータのチェックを指示する。作業者はＳｔｅｐ２１で、ＲＡＭ３内に記憶されているデータが正常かどうかを、操作表示装置１３の表示部を見ながら、またはフロッピディスクのような２次記憶装置とのデータ比較でチェックし、万一データが破壊されていれば手動操作又はフロッピディスクのような２次記憶装置より入力する。また、時計４の時刻が正しいかチェックをし、万一データが破壊されていれば時刻データを設定をし、Ｓｔｅｐ２２の通常処理に移行する。なお、上記実施例では計算が簡単なため算出するデータをチェックサムとしたが、ＣＲＣ（Ｃｙｃｌｉｃ  Ｒｅｄｕｎｄａｎｃｙ  Ｃｈｅｃｋ、巡回冗長検査）でもよい。要するに、代数計算であればよい。」
　
　Ｃ．の記載「図１において、
電源７への入力電源（例えばＡＣ１００Ｖ、図示せず）が切断されると
電源７から割込信号１１がプロセッサ１に出力され
　
　
　よって、これらの記載より、引用文献１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
　電池を用いてＲＡＭにバックアップ給電を行う情報処理装置において、
　前記ＲＡＭへ供給される電源への入力電源が切断されると、該電源から割込信号がプロセッサに出力され、
　該プロセッサは、前記電源の直流電圧保持時間内に、前記ＲＡＭのバックアップを要する領域内の全データについてのチェックサム算出処理が完了するか否かを判別し、
　前記直流電圧保持時間内に全データについてのチェックサム算出処理が完了すると判断すると、前記ＲＡＭのバックアップ全領域のチェックサムを計算し、前記ＲＡＭの未使用の特定アドレスに該チェックサムを書込み、
　完了しないと判断すると、乱数データに対応するチェックアドレスに格納されたデータについてのチェックサムを計算し、前記ＲＡＭの未使用の特定アドレスに該チェックサムを書込み、
　前記電源の直流電圧保持時間を過ぎると前記ＲＡＭは電池によりバックアップされ、
　その後、前記電源への入力電源が投入されると、　
　前記ＲＡＭへ前記電源が投入され、
　前記入力電源の切断時において、ＲＡＭのバックアップ全領域のチェックサムを計算したか、乱数データに対応するチェックアドレスに格納されたデータについてのチェックサムを計算したかに応じて、前記入力電源の切断時と同じ計算を繰り返しＲＡＭのチェックサムを再び計算し、
　前記計算したチェックサムと前記ＲＡＭ内の特定アドレスに記憶したチェックサムとを比較し、該比較結果が一致しなければ、ＲＡＭ　ＥＲＲフラグをＯＮし、ＲＡＭが破壊されている旨を操作表示装置の表示部に表示するＲＡＭデータのチェック方法。
　
　
４．対比
　本願発明と引用発明とを対比すると、引用発明の「ＲＡＭ」、「ＲＡＭのバックアップ全領域のチェックサム」、入力電源の切断時と同じ計算を繰り返した「ＲＡＭのチェックサム」は、それぞれ、本願発明の「揮発性の記憶装置」、バックアップ領域に記憶されている全てのデータを用いた所定の計算結果である「第１のチェックデータ」、前記バックアップ領域に記憶されている全てのデータを用いた前記所定の計算結果である「第２のチェックデータ」に相当する。
　ここで、引用発明の「ＲＡＭのバックアップを要する領域」とは、入力電源の切断後もデータを保持したい領域のことであるから、本願発明の「記憶装置へ供給される電圧が前記しきい値より低い間は、そこに記憶されているデータが保持されることが要求されるバックアップ領域」に相当する。
　そして、引用発明の「ＲＡＭ」の記憶領域は、入力電源の切断時後にも直流電圧の供給を受け、さらに電池によりバックアップ給電も行われるものであるから、本願発明の「補助電源により電圧が供給される当該記憶装置の記憶領域」に相当する。
　さらに、引用発明の「前記ＲＡＭの未使用の特定アドレス」とは、バックアップを要する領域としてデータが格納された以外の特定アドレスの領域であるから、本願発明の「当該記憶装置の前記バックアップ領域以外の領域」に相当する。
　また、引用発明の「計算したチェックサムと前記ＲＡＭ内の特定アドレスに記憶したチェックサムとを比較し、該比較結果が一致しなければ、ＲＡＭ　ＥＲＲフラグをＯＮし、ＲＡＭが破壊されている旨を操作表示装置の表示部に表示するＲＡＭデータのチェック方法」とは、入力電源が切断された時に計算したチェックサムと入力電源の再投入後に計算したチェックサムが一致するか否かにより、ＲＡＭのバックアップを要する領域のデータが、電池によるバックアップ給電中に破壊されたか否かを判定する方法であるから、本願発明の「前記第１のチェックデータと前記第２のチェックデータとを比較することによって、当該記憶装置の前記バックアップ領域に記憶されているデータが当該記憶装置へ供給される電圧の低下により破壊されたか否かを判定することを特徴とする記憶データ破壊／非破壊判定方法」に相当する。
　
　そして、引用発明の「ＲＡＭへ供給される電源への入力電源が切断される」ことを検出することと、本願発明の「揮発性の記憶装置へ供給される電圧が、当該記憶装置の動作が保証される動作電圧の最小値より高く、且つ、通電時に供給される電圧が変動し得る最低値より低い値であるしきい値よりも低くなると」ことを検出することとは、チェックデータの算出開始のタイミングとして、揮発性の記憶装置へ供給される電源の異常を検出する点で、共通する。
　同様に、引用発明の「電源への入力電源が投入される」ことを検出することと、本願発明の「当該記憶装置へ供給される電圧が、前記しきい値よりも高くなる」ことを検出することとは、復旧処理開始のタイミングとして、揮発性の記憶装置へ供給される電源の再開を検出する点で、共通する。
　
　
　よって、本願発明と引用発明とは、
　
　揮発性の記憶装置へ供給される電源の異常を検出すると、
　補助電源により電圧が供給される当該記憶装置の記憶領域のうち、当該記憶装置へ供給される電圧が前記しきい値より低い間は、そこに記憶されているデータが保持されることが要求されるバックアップ領域に記憶されている全てのデータを用いた所定の計算結果を第１のチェックデータとして算出し、この第１のチェックデータを当該記憶装置の前記バックアップ領域以外の領域に書き込み、
　当該揮発性の記憶装置へ供給される電源の再開を検出すると、
　当該記憶装置の前記バックアップ領域に記憶されている全てのデータを用いた前記所定の計算結果を第２のチェックデータとして算出し、前記第１のチェックデータと前記第２のチェックデータとを比較することによって、当該記憶装置の前記バックアップ領域に記憶されているデータが当該記憶装置へ供給される電圧の低下により破壊されたか否かを判定することを特徴とする記憶データ破壊／非破壊判定方法。
　
　である点で一致し、次の点で相違する。
　
　
（相違点１）
　揮発性の記憶装置へ供給される電源の異常および再開を検出する手法が、本願発明では、「揮発性の記憶装置へ供給される電圧が、当該記憶装置の動作が保証される動作電圧の最小値より高く、且つ、通電時に供給される電圧が変動し得る最低値より低い値であるしきい値よりも低くなる」および「当該記憶装置へ供給される電圧が、前記しきい値よりも高くなる」ことにより検出しているのに対して、引用発明では、単に「ＲＡＭへ供給される電源への入力電源が切断される」および「電源への入力電源が投入されると、前記ＲＡＭへ前記電源が投入され」として、具体的にどのように判断しているか不明である点。
　
（相違点２）
　本願発明では「チェックデータ」は、常に「バックアップ領域に記憶されている全てのデータを用いた所定の計算結果」により算出されるのに対して、引用発明では、電源から割込信号がプロセッサに出力されると、プロセッサが「前記電源の直流電圧保持時間内に、前記ＲＡＭのバックアップを要する領域内の全データについてのチェックサム算出処理が完了するか否かを判別し、
　前記直流電圧保持時間内に全データについてのチェックサム算出処理が完了すると判断」した場合のみ「ＲＡＭのバックアップ全領域のチェックサムを計算」し、完了しないと判断した場合は、「乱数データに対応するチェックアドレスに格納されたデータ」のみの「チェックサムを計算」する点で相違する。
　
　
５．検討
　
（相違点１）について
　例えば、特開平１１−８５３３４号公報には、計算装置において、電源異常時に、必要な待避処理を行う手法として、計算機等の入力電圧の許容電圧範囲をもとにしきい値を設定し、該計算機への電源の入力電圧が、前記しきい値より低くなったことを検知して電源異常を検知し、予備バッテリーに切り替えて待避処理を行い、入力電圧が前記しきい値以上になったことにより電源の復旧を検知する手法が記載されている（段落［０００４］、［０００５］参照。）ように、しきい値による電源異常の検出手法は通常行われている事項である。そして、該しきい値として、記憶装置の動作が保証される動作電圧の最小値より高く、且つ、通電時に供給される電圧が変動し得る最低値より低い値である必要があることは、電源異常時の待避処理を正常に行うために当然に想定される事項である。
　したがって、引用発明において、通常行われている電源異常の検知手法を用いることに格別の困難性はない。
　
（相違点２）について
　例えば特開平１１−８５３３４号公報の記載「予備バッテリー７は最低計算機自体が正常に終了することができる容量を持っていればよい。」（段落［０００６］）や、特開平０３−２６９７４７号公報の記載「停電時には電源切断時と同じ動作がなされ、多くの回路へ電力を供給する必要があるため、電源バックアップに使用するバッテリも大容量のものが必要になっていた。」（第３頁右上欄）等にもあるように、電源異常時の待避処理に必要な容量のバックアップ電源を設けることは通常行われている事項である。
　ここで、チェックサムの算出対象として、ＲＡＭのバックアップを要する全領域のチェックサムを取る方が信頼性が高いことは自明な事項であり、引用発明においても、電源にＲＡＭのバックアップ全領域のチェックサムを取るに足りる容量の補助電源を設けることにより、割込信号を受けたプロセッサにて、電源の直流電圧保持時間内に、前記ＲＡＭのバックアップを要する領域内の全データについてのチェックサム算出処理が完了するか否かを判別する処理を不要として、常に全データについてのチェックサムを行うようにすることは当業者が容易に推考できた事項である。
　
　
　そして、本願発明の構成によってもたらされる効果も、引用発明及び周知技術から当業者が予測することができる程度のものであり、格別なものではない。
　
　
６．むすび
　したがって、本願発明は、引用文献１に記載された発明および周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。