【手続補正書】
【提出日】平成27年7月3日(2015.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
雲の水滴サイズ分布を決定する方法であって、
前記雲の深さを電磁放射ビームによりサンプリングすることと、
前記雲から戻った電磁放射の散乱信号を、測定散乱曲線を与えるべく視野角レンジ［ｐｔｏｔａｌ（θ）］にわたり測定することと、
前記測定散乱曲線の一部を除去することと、
当該除去された一部を、推定散乱曲線を与えるべく残りの前記測定散乱曲線の外挿で置換することと、
前方散乱モデルを使用して前記推定散乱曲線から第１推定水滴サイズ分布［ｎ（１）（Ｄ）］を決定することと
を含む方法。
【請求項２】
直接後方散乱モデル及び前記前方散乱モデルを使用してｎ（１）（Ｄ）から計算散乱曲線を与えることをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記計算散乱曲線を前記測定散乱曲線と対比して前記計算散乱曲線が前記測定散乱曲線に設定許容範囲内で従うか否かを決定することをさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
ｎ（１）（Ｄ）から第１推定水滴メジアン体積径（ＤＭＶＤ（１））を決定することと、
ｎ（１）（Ｄ）から第１推定形状パラメータ（μ（１））を決定することと
をさらに含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記計算散乱曲線が前記測定散乱曲線に前記設定許容範囲内で従わないことに応じて値ＤＭＶＤ（１）を変更して、第２推定水滴メジアン体積径ＤＭＶＤ（２）を与えることと、
ＤＭＶＤ（２）及びμ（１）を使用して第２推定水滴サイズ分布ｎ（２）（Ｄ）を与えることと
をさらに含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記直接後方散乱モデル及び前記前方散乱モデルを使用してｎ（２）（Ｄ）から第２計算散乱曲線を与えることと、
前記第２計算散乱曲線を前記測定散乱曲線と対比して前記第２計算散乱曲線が前記測定散乱曲線と前記設定許容範囲内で従うか否かを決定することと
をさらに含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記第２計算散乱曲線が前記測定散乱曲線に前記設定許容範囲内で従わないことに応じて値ＤＭＶＤ（２）を変更して第３推定の水滴メジアン体積径（ＤＭＶＤ（３））を与えることをさらに含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
ＤＭＶＤ（３）及びμ（１）を使用して第３推定水滴サイズ分布［ｎ（３）（Ｄ）］を与えることをさらに含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記直接後方散乱モデル及び前記前方散乱モデルを使用してｎ（３）（Ｄ）から第３計算散乱曲線を与えることと、
前記第３計算散乱曲線を前記測定散乱曲線と対比して前記第３計算散乱曲線が前記測定散乱曲線と前記設定許容範囲内で従うか否かを決定することと
をさらに含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記測定散乱曲線はカットオフ角未満の視野角において除去される、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記カットオフ角は前記電磁放射ビームの発散角である、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
残りの前記測定散乱曲線の外挿が、前記カットオフ角において前記残りの前記散乱曲線と一致しかつθ＝０において消滅する条件を満たす、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記測定散乱曲線の除去された一部は、前記電磁放射の直接後方散乱に対応する信号［ｐｄｉｒｅｃｔ（θ）］を含み、
前記残りの前記測定散乱曲線は、前記電磁放射の前方散乱に対応する信号［ｐｓｃａｔ（θ）］を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
前記推定散乱曲線は、前記電磁放射の前記前方散乱の第１推定［ｐ（１）ｓｃａｔ（θ）］を与える、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
ｎ（１）（Ｄ）は関数
【数１】
2013130564.tif 000001
により決定され、Ｓは前方散乱モデルを組み込んだ行列である、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記計算散乱曲線は関数
【数２】
2013130564.tif 000002
により決定され、Ｃは直接後方散乱モデルを組み込んだ行列である、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
ＤＭＶＤ（１）は式
【数３】
2013130564.tif 000003
により決定される、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
μ（１）は式
【数４】
2013130564.tif 000004
により決定され、Ｄ１はＤＭＶＤ（１）未満の第１水滴径であり、Ｄ２はＤＭＶＤ（１）未満の第２水滴径である、請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
前記第３計算散乱は測定散乱曲線に設定許容範囲内で従い、最大検出可能水滴径を超える径を有する水滴の分布がｎ（３）（Ｄ）により説明される、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記第３計算散乱曲線は関数
【数５】
2013130564.tif 000005
により決定される、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
ｎ（３）（Ｄ）を使用して有効水滴径（Ｄｅｆｆ）を決定することをさらに含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
Ｄｅｆｆを使用して前記雲の含水率を決定することをさらに含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項２３】
第ｎ計算散乱曲線が前記測定散乱曲線に前記設定許容範囲内で従わないことに応じて値ＤＭＶＤ（ｎ）を変更して前記水滴メジアン体積径の第ｎ＋１推定［ＤＭＶＤ（ｎ＋１）］を与えることをさらに含み、
ｎは３より大きな整数である、請求項９に記載の方法。
【請求項２４】
ＤＭＶＤ（ｎ＋１）及びμ（１）を使用して第（ｎ＋１）推定水滴サイズ分布［ｎ（ｎ＋１）（Ｄ）］を与えることをさらに含む、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記直接後方散乱モデル及び前記前方散乱モデルを使用してｎ（ｎ＋１）（Ｄ）から第（ｎ＋１）計算散乱曲線を与えることをさらに含み、
前記第（ｎ＋１）計算散乱曲線は前記測定散乱曲線に前記設定許容範囲内で従う、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
ｎ（ｎ＋１）（Ｄ）を使用して前記有効水滴径（Ｄｅｆｆ）を決定することをさらに含む、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
Ｄｅｆｆを使用して前記雲の含水率を決定することをさらに含む、請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
前記測定散乱曲線はカットオフ角未満の視野角において除去される、請求項２５に記載の方法。
【請求項２９】
前記カットオフ角は前記電磁放射ビームの発散角である、請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
前記測定散乱曲線の除去された一部は、前記電磁放射の直接後方散乱に対応する信号［ｐｄｉｒｅｃｔ（θ）］を含み、
前記残りの前記測定散乱曲線は、前記電磁放射の前方散乱に対応する信号［ｐｓｃａｔ（θ）］を含む、請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】
前記推定散乱曲線は、前記電磁放射の前記前方散乱の第１推定［ｐ（１）ｓｃａｔ（θ）］を与える、請求項３０に記載の方法。
【請求項３２】
ｎ（１）（Ｄ）は関数
【数６】
2013130564.tif 000006
により決定され、Ｓは前方散乱モデルを組み込んだ行列である、請求項３１に記載の方法。
【請求項３３】
前記計算散乱曲線は関数
【数７】
2013130564.tif 000007
により決定され、Ｃは直接後方散乱モデルを組み込んだ行列である、請求項３２に記載の方法。
【請求項３４】
ＤＭＶＤ（１）は式
【数８】
2013130564.tif 000008
により決定される、請求項３２に記載の方法。
【請求項３５】
μ（１）は式
【数９】
2013130564.tif 000009
により決定され、Ｄ１はＤＭＶＤ（１）未満の第１水滴径であり、Ｄ２はＤＭＶＤ（１）未満の第２水滴径である、請求項３４に記載の方法。