【事件の表示】
　平成　８年特許願第２９９７１７号「プラズマ処理装置用電極板の製造方法及びプラズマ処理装置用電極板」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　５月１９日出願公開、特開平１０−１３００５５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成８年１０月２４日の出願であって、平成１２年６月１３日に手続補正書が提出され、平成１５年１０月１５日付けで拒絶理由の通知がなされ、平成１５年１２月１９日に意見書及び手続補正書が提出され、平成１６年５月２４日付けで拒絶理由の通知がなされ、平成１６年８月６日に意見書及び手続補正書が提出されたが、平成１７年４月１９日付けで拒絶査定がなされ、平成１７年５月２６日に拒絶査定不服の審判請求がなされ、平成１７年６月２７日に前記審判に係る請求書の手続補正書および明細書の記載に係る手続補正書が提出され、平成２０年１０月２３日付けで特許法第１６４条第３項に基づく報告を引用した審尋がなされ、平成２０年１２月２６日に回答書の提出がなされたものである。
　
２．平成１７年６月２７日付けの明細書の記載に係る手続補正についての補正却下の決定
　
（１）補正却下の決定の結論
　平成１７年６月２７日付けの明細書の記載に係る手続補正を却下する。
　
（２）理由
　平成１７年６月２７日付けの明細書の記載に係る手続補正（以下、「本件補正」という。）は、平成１６年８月６日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１、４、６及び７にそれぞれ記載されていた「上記成形工程で生じる上記樹脂成形体表面のひび割れに起因する上記樹脂成形体表層部の硬化ムラ」を「上記成形工程で上記樹脂成形体表面にひび割れを形成する上記樹脂成形体表層部の硬化ムラであって且つプラズマ中の分解生成物が堆積する部位」とする補正であり、この補正は特許法第１７条の２第４項第２号を目的とするものであることは明らかである。
　そこで、本件補正によって補正された特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明（以下、「補正後の発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかどうかを検討する。
　
（２−１）補正後の発明
　本件補正後の請求項４に係る発明（以下、「補正発明４」という。）は、以下のとおりのものである。
「【請求項４】フラン系、ポリイミド系及びポリカルボジイミド系の熱硬化性樹脂のいずれか１種または２種以上を混合してなる液状の熱硬化性樹脂を熱硬化して樹脂成形体を得る成形工程と、熱硬化した上記樹脂成形体を炭素質粉末で包皮した状態あるいは非酸化性雰囲気下で加熱して炭素化し、ガラス状カーボンからなる焼成体を得る焼成工程と、上記焼成体の表面を研磨する研磨工程とを備え、上記成形工程で上記樹脂成形体表面にひび割れを形成する上記樹脂成形体表層部の硬化ムラであって且つプラズマ中の分解生成物が堆積する部位を、上記成形工程の後であり上記焼成工程の前、または上記研磨工程において除去することを特徴とするプラズマ処理装置用電極板の製造方法。」
　
（２−２）引用刊行物記載の発明
　本願出願前に頒布された刊行物である特開平０７−０２２３８５号公報（以下、「引用刊行物」という。）には、「ＲＩＥ用電極及びその製造方法に関する」発明（段落【０００１】）として、次の事項が記載されている。
（ア）「ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）は、反応性ガスを高周波放電することによって生じた活性イオンによる物理的なスパッタリング作用、活性ラジカルによる化学的作用あるいはそれらの相乗作用によって加工を行なう技術であり、半導体素子等の超微細パターンの加工技術として利用されている。
　従来よりＲＩＥに用いられている装置は、一般に、真空容器中に互いに平行に配置した２個の平板状電極と、それら電極に高周波電圧を印加する電源とを備えて構成され、エッチング時には真空容器内にＣＦ4等の反応性ガスが導入される。」（段落【０００２】〜【０００３】）
（イ）「ガラス状カーボンは、フラン系樹脂、フェノール樹脂またはこれらの混合樹脂を炭化して得られる、組織的に極めて緻密かつ均質な三次元網目状のガラス構造を有する特異な炭素質物である。」（段落【００１６】）
（ウ）「「原料樹脂」は、焼成によってガラス状カーボンが得られるものであればよく、例えば、従来から知られているフラン系樹脂、フェノール樹脂またはこれらの混合樹脂が好ましい。
　原料樹脂の「成形」を行なう方法としては、原料が液状のフラン系樹脂の場合は、例えば、硬化剤を混合して粘性を調整したうえで型に鋳込む方法が採用され・・・る。
　成形体の変形を防止するため、成形・硬化後にその成形体を熱処理して二次硬化を行なうのが好ましい。二次硬化の際の加熱温度は、・・・原料樹脂の硬化温度以上、２５０℃以下の範囲がより好ましい。」（段落【００１９】〜【００２１】）
（エ）「［実施例１］
　フルフリルアルコールに、硬化剤としてパラトルエンスルホン酸を・・・混合し、次にその混合物を吸引脱泡処理した。その後、室温にて直径２５０ｍｍの円板状に注型し、硬化させた。次いで、３０℃から９０℃まで段階的に昇温させながら、・・・その成形体を二次硬化させた。
　次に、二次硬化させた円板状成形体の厚さ方向に、複数の通気孔を加工した。・・・
　次に、通気孔を形成した成形体を窒素雰囲気の焼成炉に入れ、・・・１０００℃まで昇温させて焼成し、円板状の電極素材を得た。そして、カーボンヒーター炉内で２３００℃で二次焼成を行なった。
　その後、湿式ダイヤモンド研削加工により、この電極素材の表裏両面に仕上加工を施して直径２０３ｍｍ、厚さ３ｍｍの円板状ＲＩＥ用電極に仕上げた。さらに、表裏両面を研磨して鏡面仕上げした後、・・・高純度のガラス状カーボン製ＲＩＥ用電極を得た。」（段落【００２９】〜【００３２】）
（オ）「こうして得られたＲＩＥ用電極を、平行平板型プラズマエッチング装置に装着し、・・・Ｓｉウェーハへのダスト汚染評価（ダストチェック）を行なった。」（段落【００３４】）
　ここで、上記（ア）〜（オ）の摘示事項について検討する。
（あ）上記（エ）において、得られた「ガラス状カーボン製ＲＩＥ電極」は、上記（オ）の記載からみて、「プラズマエッチング装置」の電極に用いられることは明らかであり、また、上記（ア）の「ＲＩＥに用いられている装置は、・・・互いに平行に配置した２個の平板状電極と・・・を備え」の記載や上記（オ）の「ＲＩＥ用電極を、平行平板型プラズマエッチング装置に装着し」の記載をみると、上記ＲＩＥ電極は「電極板」であるといえる。
（い）上記（エ）でガラス状カーボンの原料に用いている「フルフリルアルコール」は、上記（イ）及び（ウ）に記載されている「液状のフラン系」原料樹脂の一例であることは明らかであり、上記（イ）に記載のとおり、加熱によって炭化することも明らかである。また、上記（ウ）及び（エ）の記載からみて、当該原料樹脂は熱硬化性の樹脂であり、成形体を得る段階で熱硬化させているといえる。
　そうすると、上記（ア）〜（オ）の記載事項を補正発明４の記載ぶりに則して記載すると、引用刊行物には、
「フラン系の液状の熱硬化性樹脂を熱硬化して樹脂成形体を得、熱硬化した上記樹脂成形体を窒素雰囲気下で加熱して炭化し、ガラス状カーボンからなる電極素材を得、上記電極素材の表裏両面を研磨するプラズマエッチング装置用電極板の製造方法」
の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
（２−３）対比
　補正発明４と引用発明とを対比する。
　ここで、引用発明における「電極素材」は成形体を焼成して得た「焼成体」であるから、引用発明における「樹脂成形体を得」、「電極素材を得」及び「研磨する」が、それぞれ補正発明４における「成形工程」、「焼成工程」及び「研磨工程」に相当することは明らかである。また、本願明細書（以下、平成１７年６月２７日付けの手続補正書によって補正された明細書をいう。）の段落【０００２】及び【００１４】を参照するに、補正発明４における「プラズマ処理装置」及び「非酸化性雰囲気」には、それぞれ「プラズマエッチング装置」及び「窒素雰囲気」が含まれることも明らかである。さらに、技術常識からして、「炭化」と「炭素化」は同義である。
　そうすると、両発明は、
「フラン系の液状の熱硬化性樹脂を熱硬化して樹脂成形体を得る成形工程と、熱硬化した上記樹脂成形体を非酸化性雰囲気下で加熱して炭素化し、ガラス状カーボンからなる焼成体を得る焼成工程と、上記焼成体を研磨する研磨工程とを備えるプラズマ処理装置用電極板の製造方法」
である点で一致し、以下の二点で相違する。
・相違点ａ：研磨工程において、補正発明４では焼成体の「表面」を研磨するのに対し、引用発明では「表裏両面」を研磨する点
・相違点ｂ：研磨工程において、補正発明４では「成形工程で樹脂成形体表面にひび割れを形成する樹脂成形体表層部の硬化ムラであって且つプラズマ中の分解生成物が堆積する部位」を除去するのに対して、引用発明では除去する部位が特定されていない点
　
（２−４）検討
　上記相違点ａ及びｂについて検討する。
（ａ）相違点ａついて
　ガラス状カーボンからなるプラズマ処理装置用電極板の製造方法において、例えば上記（エ）摘示の実施例に記載されているように、焼成後の研磨は仕上げ加工のために行うものであり、仕上すべき箇所は適宜決定すべきものといえるから、引用発明の研磨工程において、焼成体の研磨を表面に対して行うか表裏面に対して行うかは、当業者が困難なく成し得ることにすぎない。
（ｂ）相違点ｂについて
　補正発明４において除去する「成形工程で樹脂成形体表面にひび割れを形成する樹脂成形体表層部の硬化ムラであって且つプラズマ中の分解生成物が堆積する部位」について、本願明細書及び図面の段落【００１７】、【００１８】及び図３には、熱硬化性樹脂の硬化現象に基づいて、当該部位が発生する現象に関して説明されている。
　しかしながら、本願明細書の段落【００２０】には、研磨工程において具体的に当該部位を除去する際には、「研磨工程において焼成体表面の少なくとも２０μｍを研磨により除去するようにしたため、あるいは、成形工程において樹脂成形体表面の少なくとも２５μｍを除去した後、焼成、研磨するようにしたため、硬化工程で樹脂成形体の表面に形成された境界４Ｇを除去することができ、もってプラズマ処理中にガラス状カーボンからなる電極板が消耗する際に、電極板の表面が均一に消耗され、常に電極表面を平坦な状態に維持し、プラズマ処理時の分解生成物が電極表面に堆積し難く、この堆積物に起因するパーティクルの発生を効果的に防止することができ、ひいてはプラズマ処理におけるウエハの歩留向上に寄与する電極を製造することができる。」と記載されており、実施例においても「本実施例は研磨工程において焼成体表面の少なくとも２０μｍを除去する方法である。」と記載されているのみであるし、さらに段落【００２２】には「尚、本発明は上記実施形態に何等制限されるものでない。要は、ガラス状カーボンからなる電極板を製造する過程において、原料である熱硬化性樹脂の硬化工程において形成された表面部分の境界を、研磨により樹脂成形体または焼成体の表面から除去するようにした製造方法であれば、その発明は本発明に包含される。」と記載されている点からみても、上記部位を除去するに際しては、その存在位置を特定してから除去する必要はなく、焼成体表面の少なくとも２０μｍの範囲を除去さえすれば、当該部位を含む「表面部分の境界」の除去は達成されると解される。
　そうすると、補正発明４における研磨工程において除去すべき部位とは、願書に最初に添付した明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載されていた「焼成体表面の少なくとも２０μｍ」に他ならないといえる。
　一方、引用発明においては、上記（オ）に摘示のとおり、焼成工程後に得られた焼成体に対し、鏡面仕上げである研磨工程に先だって、湿式ダイヤモンド研削加工も行っており、焼成前に直径２５０ｍｍであった円板状の成形体を直径２０３ｍｍ、厚さ３ｍｍの円板状ＲＩＥ用電極に仕上げている。樹脂成形体が焼成処理により収縮することは技術常識であるとしても、本願明細書の段落【００２０】及び【００２１】に「本実施形態によれば、研磨工程において焼成体表面の少なくとも２０μｍを研磨により除去するようにした・・・。また、本発明の他の実施形態としては樹脂成形体の焼成体を得る前に、樹脂成形体表面を研磨除去する方法がある。・・・本実施形態では上記実施形態の場合よりも５μｍ余分に研磨しているが、研磨後の樹脂成形体を焼成すれば、樹脂成形体は焼成処理により収縮するため、焼成体を２０μｍ研磨した場合と実質的には同じ状態になる」と記載があるように、プラズマ処理装置用電極板の大きさであれば、その収縮の程度がミクロンオーダーであることは明らかであるから、引用発明において、仕上げ加工を施す研削工程において、焼成体の表面が２０μｍ以上除去されているとみることができる。そうすると、引用発明１においても、研削工程において、焼成体から「成形工程で樹脂成形体表面にひび割れを形成する樹脂成形体表層部の硬化ムラであって且つプラズマ中の分解生成物が堆積する部位」に相当する部分が除去されているといえる。
　してみれば、上記相違点ｂは、補正発明４では研磨工程で当該部位を除去しているのに対して、引用発明では研削工程で除去している点にあるといえるから、この点について検討するに、焼成後において、焼成体表面の少なくとも２０μｍの範囲の除去を研削工程で行うか研磨工程で行うかは、当業者が適宜成し得ることにすぎないものである。また、本願明細書及び図面を参照しても、当該除去を研削工程で行うことに代えて研磨工程で行うことによって、当業者が予測し得ない格別顕著な効果が奏されるものとも認められない。
　以上のとおり、補正発明４は、引用刊行物１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができるものとは認められない。
　
（２−５）むすび
　したがって、平成１７年６月２７日付け手続補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項の規定において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
　平成１７年６月２７日付けの明細書の記載に係る手続補正は、上記のとおり、補正却下の決定がなされた。
　したがって、本願の特許請求の範囲に記載された発明は、平成１６年８月６日付け手続補正書によって補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜１０に記載されたとおりのものであり、その請求項４に係る発明（以下、「本願発明４」という。）は、次の事項により特定されるものである。
「【請求項４】フラン系、ポリイミド系及びポリカルボジイミド系の熱硬化性樹脂のいずれか１種または２種以上を混合してなる液状の熱硬化性樹脂を熱硬化して樹脂成形体を得る成形工程と、熱硬化した上記樹脂成形体を炭素質粉末で包皮した状態あるいは非酸化性雰囲気下で加熱して炭素化し、ガラス状カーボンからなる焼成体を得る焼成工程と、上記焼成体の表面を研磨する研磨工程とを備え、上記成形工程で生じる上記樹脂成形体表面にひび割れに起因する上記樹脂成形体表層部の硬化ムラを、上記成形工程の後であり上記焼成工程の前、または上記研磨工程において除去することを特徴とするプラズマ処理装置用電極板の製造方法。」
　そして、本願発明４は、実質的に上記補正発明４の「且つプラズマ中の分解生成物が堆積する部位」という特定事項を有さないものにすぎないから、本願発明４と引用発明とを対比すると、上記２（２−３）で補正発明４と引用発明とを対比したときと同様の一致点及び相違点ａを有し、さらに「研磨工程において、本願発明４では「成形工程で生じる樹脂成形体表面にひび割れに起因する樹脂成形体表層部の硬化ムラ」を除去するのに対して、引用発明では除去する部位が特定されていない」という相違点ｂ’を有するものである。
　しかしながら、上記相違点ｂ’における本願発明４の除去部分は、上記のように、補正発明４の除去部分に特定事項を付さないものにすぎないから、上記２（２―４）（ｂ）における相違点ｂの検討内容は相違点ｂ’にも同様に当てはまり、上記相違点ｂ’も当業者が適宜成し得ることにすぎないものである。
　以上のとおりであるから、本願発明４は、引用刊行物に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。