(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
製膜室を形成するチャンバと、該チャンバ内にて上下に配設された製膜ユニットと、該製膜ユニットの少なくとも一側部に設けられた基板加熱ヒータとを有し、前記製膜ユニットの対向位置に、下端側を基準として支持させた基板を前記基板加熱ヒータによって加熱した状態にて、前記製膜ユニットによって前記基板へ製膜を施す真空処理装置であって、
前記製膜ユニットは、前記チャンバの底面を構成するベース上に固定された製膜ユニット支持台上に支持され、下端部が前記基板の下端部の基準とほぼ同一基準位置とされていることを特徴とする真空処理装置。
【請求項２】
前記製膜ユニットは、その上端部が前記製膜室の上部にて、熱膨張による相対変位可能に支持されていることを特徴とする請求項１記載の真空処理装置。
【請求項３】
前記製膜ユニットを構成する構成部材を前記製膜ユニット支持台または前記製膜室の上部に支持する支持部にて、熱膨張による相対変位可能に支持されていることを特徴とする請求項１または請求項２記載の真空処理装置。
【請求項４】
前記支持部は、前記構成部材の一部が配設可能な溝部を有し、該溝部は、熱膨張による相対変位方向に沿って形成されていることを特徴とする請求項３記載の真空処理装置。
【請求項５】
前記支持部は、孔部と、該孔部へ挿入可能なピンとから構成され、前記孔部が、熱膨張による相対変位方向に沿う長孔とされていることを特徴とする請求項３記載の真空処理装置。
【請求項６】
前記支持部は、端部に前記構成部材を保持する凹部が形成された支持部材を有し、該支持部材は、前記構成部材を熱膨張による相対変位方向へ摺動可能に保持してなることを特徴とする請求項３記載の真空処理装置。
【請求項７】
前記製膜ユニットを構成する放電用電極の上下端部が、セラミックスから形成された前記支持部材によって支持されていることを特徴とする請求項６記載の真空処理装置。
【請求項８】
前記支持部は、前記構成部材に形成された孔部と、該孔部へ挿通されて前記製膜ユニット支持台または前記製膜室の上部に設けられた排気カバーに形成されたネジ孔へねじ込まれるネジとから構成され、前記孔部が、熱膨張による相対変位方向に沿う長孔とされていることを特徴とする請求項３記載の真空処理装置。
【請求項９】
前記ネジには、円滑性を有する処理を施した座金が設けられていることを特徴とする請求項８記載の真空処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば、プラズマＣＶＤ装置、スパッタリング装置、ドライエッチング装置などの基板へ製膜を施す真空処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、基板へ製膜を施す真空処理装置としては、プラズマＣＶＤ装置、スパッタリング装置、ドライエッチング装置などが知られている。
特に、シリコン太陽電池等の半導体を製造する際に、その製膜を行う装置としては、プラズマＣＶＤ装置が用いられている。
この種の真空処理装置を、図１４に示すプラズマＣＶＤ装置を例にとって説明する。
【０００３】
図において、符号１は、製膜ユニットであり、この製膜ユニット１の両側部には、基板加熱ヒータ２が設けられている。
そして、これら製膜ユニット１及び基板加熱ヒータ２が、図示しない真空チャンバ内に収納されており、製膜ユニット１は、真空チャンバの上方から吊り下げられて支持されている。
この基板加熱ヒータ２と製膜ユニット１との間には、製膜ユニット１に対して近接離間方向に移動されるヒータカバー３が設けられており、このヒータカバー３に、製膜する母材である基板Ｋが下端を基準として支持されるようになっている。
【０００４】
製膜ユニット１には、中央に設けられた温度制御ヒータ１１の両側部に防着板１２を介して配設されたラダー電極１３が配設されており、外周がラダー電極１３を臨む部分が開口された排気カバー１４によって囲われた構造とされている。そして、前述したように、これら防着板１２、ラダー電極１３及び排気カバー１４などからなる製膜ユニット１は、真空チャンバの上方に吊り下げられて支持され、下方へ熱膨張される構造となっている。
【０００５】
そして、このプラズマＣＶＤ装置では、真空チャンバ内が減圧された状態にてＳｉＨ4からなる原料ガスを含む製膜ガスが送り込まれ、ラダー電極１３に高周波電流が給電されると、真空チャンバ内にてプラズマが発生し、基板加熱ヒータ２によって加熱された基板Ｋに製膜が施されるようになっている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、近年では、上記構造のプラズマＣＶＤ装置によって製造する製品の大型化が要求されており、このため、大型の基板Ｋに製膜を施すための大型のプラズマＣＶＤ装置が開発されている。
しかしながら、上記構造のプラズマＣＶＤ装置にあっては、装置の大型化にともない製膜ユニット１の熱膨張量が大きくなるため、下端を基準とした基板との熱膨張差を吸収しきれず、位置精度が低下してしまう問題があった。
また、製膜ユニット１を構成する防着板１２、ラダー電極１３及び排気カバー１４など吊り下げられた構造であるので、各構成部品の支持部分の負担が大きくなり、位置調整が困難であった。
【０００７】
この発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、熱膨張による影響を抑えて良好な位置精度を確保しつつ大型化が可能な真空処理装置を提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項１記載の真空処理装置は、製膜室を形成するチャンバと、該チャンバ内にて上下に配設された製膜ユニットと、該製膜ユニットの少なくとも一側部に設けられた基板加熱ヒータとを有し、前記製膜ユニットの対向位置に、下端側を基準として支持させた基板を前記基板加熱ヒータによって加熱した状態にて、前記製膜ユニットによって前記基板へ製膜を施す真空処理装置であって、前記製膜ユニットは、前記チャンバの底面を構成するベース上に固定された製膜ユニット支持台上に支持され、下端部が前記基板の下端部の基準とほぼ同一基準位置とされていることを特徴としている。
【０００９】
つまり、基板加熱ヒータによって加熱された基板へ製膜を施す製膜ユニットがチャンバの底面を構成するベース上に固定された製膜ユニット支持台上に、基板の基準位置とほぼ同一高さを基準として支持されているので、基板と製膜ユニットとの熱膨張差を極力抑えることができ、これにより、大型製品を製造するために装置が大型化されても、基板に対する製膜ユニットの熱膨張差による製膜への影響をなくすことができ、品質の良好な大型の製品を製造することができる。
また、ベースに固定された製膜ユニット支持台上に製膜ユニットを支持した構造であるので、上方から吊り下げる従来構造と比較して、装置が大型化しても、十分な安定性にて支持させることができ、しかも、製膜ユニットの支持部における負担も大幅に低減させることができる。
【００１０】
請求項２記載の真空処理装置は、請求項１記載の前記製膜ユニットの上端部が前記製膜室の上部にて、熱膨張による相対変位可能に支持されていることを特徴としている。
【００１１】
このように、製膜ユニットが熱膨張しても、その上端部が相対変位可能に支持されているので、熱膨張によって製膜ユニットに無理な応力が加わるような不具合を防止することができ、装置の破損、損傷を確実に防止することができる。
【００１２】
請求項３記載の真空処理装置は、請求項１または請求項２記載の真空処理装置において、前記製膜ユニットを構成する構成部材を前記製膜ユニット支持台または前記製膜室の上部に支持する支持部にて、熱膨張による相対変位可能に支持されていることを特徴としている。
【００１３】
すなわち、製膜ユニット支持台または製膜室上部にて製膜ユニットを支持する支持部にて、製膜ユニットを構成する構成部材が、熱膨張による相対変位可能に支持されているので、熱膨張によって製膜ユニットの構成部材に無理な応力が加わるような不具合を防止することができ、装置の破損、損傷を確実に防止することができる。
【００１４】
請求項４記載の真空処理装置は、請求項３記載の真空処理装置において、前記支持部が、前記構成部材の一部が配設可能な溝部を有し、該溝部は、熱膨張による相対変位方向に沿って形成されていることを特徴としている。
【００１５】
つまり、構成部材の熱膨張方向に沿って形成された溝部に製膜ユニットの構成部材の一部が配設されているので、構成部材が熱膨張したとしても、構成部材へ無理な応力が加わるような不具合を防止することができ、装置の破損、損傷を確実に防止することができる。
【００１６】
請求項５記載の真空処理装置は、請求項３記載の真空処理装置において、前記支持部が、孔部と、該孔部へ挿入可能なピンとから構成され、前記孔部が、熱膨張による相対変位方向に沿う長孔とされていることを特徴としている。
【００１７】
このように、構成部材の熱膨張方向に沿う長孔からなる孔部にピンを挿入することにより、製膜ユニットの構成部材が支持されているので、構成部材が熱膨張したとしても、構成部材へ無理な応力が加わるような不具合を防止することができ、装置の破損、損傷を確実に防止することができる。
【００１８】
請求項６記載の真空処理装置は、請求項３記載の真空処理装置において、前記支持部が、端部に前記構成部材を保持する凹部が形成された支持部材を有し、該支持部材は、前記構成部材を熱膨張による相対変位方向へ摺動可能に保持してなることを特徴としている。
【００１９】
すなわち、支持部材によって製膜ユニットの構成部材が熱膨張の方向に沿って摺動可能に支持されているので、構成部材が熱膨張したとしても、構成部材へ無理な応力が加わるような不具合を防止することができ、装置の破損、損傷を確実に防止することができる。
【００２０】
請求項７記載の真空処理装置は、請求項６記載の真空処理装置において、前記製膜ユニットを構成する放電用電極の上下端部が、セラミックスから形成された前記支持部材によって支持されていることを特徴としている。
【００２１】
つまり、製膜ユニットの構成部材である放電用電極の上下端部がセラミックスから形成された支持部材によって支持されているので、この放電用電極を他の構成部材に対して確実に絶縁した状態にてその熱膨張に沿って摺動可能に支持することができる。
【００２２】
請求項８記載の真空処理装置は、請求項３記載の真空処理装置において、前記支持部が、前記構成部材に形成された孔部と、該孔部へ挿通されて前記製膜ユニット支持台または前記製膜室の上部に設けられた排気カバーに形成されたネジ孔へねじ込まれるネジとから構成され、前記孔部が、熱膨張による相対変位方向に沿う長孔とされていることを特徴としている。
【００２３】
すなわち、製膜ユニットの構成部材に形成された孔部へネジを挿通させて製膜ユニット支持台または排気カバーに形成されたねじ孔へねじ込むことにより取り付けられる構成部材の孔部が、熱膨張の方向に沿う方向の長孔とされているので、構成部材が熱膨張したとしても、構成部材へ無理な応力が加わるような不具合を防止することができ、装置の破損、損傷を確実に防止することができる。
【００２４】
請求項９記載の真空処理装置は、請求項８記載の真空処理装置において、前記ネジに、円滑性を有する処理を施した座金が設けられていることを特徴としている。
【００２５】
このように、ネジに設けられた座金に、円滑性を有する処理を施しているので、このネジによる支持箇所にて構成部材の摺動を良好にすることができる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態例の真空処理装置を図面を参照して説明する。
ここでは、真空処理装置として、プラズマを発生させて基板へ化学蒸着させるプラズマＣＶＤ装置を例にとって説明する。
図１において、符号２１は、プラズマＣＶＤ装置である。このプラズマＣＶＤ装置２１は、真空チャンバ２２の中央に製膜ユニット２３が設けられており、この製膜ユニット２３の両側部に、基板Ｋが支持されるヒータカバー２４を介して基板加熱ヒータ２５が設けられている。
【００２７】
次に製膜ユニット２３の構成について説明する。
製膜ユニット２３は、ベース３１上に載置された製膜ユニット支持台３２を有しており、この製膜ユニット支持台３２上に各構成部品が支持された構造とされている。
製膜ユニット支持台３２には、その中央に、支持突条３３が長手方向へわたって形成されており、この支持突条３３の上部に、温度制御ヒータ３４が支持されている。
【００２８】
図２に示すように、温度制御ヒータ３４は、上面板３５、側面板３６及び端面板３７によって囲われている。
上面板３５には、その上面に、係止片３８が形成されており、この係止片３８が真空チャンバ２２の上部のブラケット２２ａにネジ止め固定されている。また、上面板３５には、両側部に沿って複数の支持ピン３９が形成されている。
【００２９】
側面板３６は、その上端部分が屈曲されており、この屈曲された上端部には、図３及び図４に示すように、上面板３５に設けられた支持ピン３９が挿通される長孔４１が形成されている。
また、製膜ユニット支持台３２の支持突条３３には、図５に示すように、その上面に、係合溝部４２が、長手方向に沿って形成されており、この係合溝部４２には、側面板３６の下端部が嵌合されるようになっている。
【００３０】
つまり、側面板３６は、その上端部分に形成された長孔４１を上面板３５の支持ピン３９係合させ、さらに、下端部を、製膜ユニット支持台３２の支持突条３３に形成された係合溝部４２に係合させることにより、製膜ユニット支持台３２上に支持されて温度制御ヒータ３４の周囲を囲うようになっている。
なお、側面板３６の上端部分に形成された長孔４１は、それぞれ側面板３６の中心から略放射状に形成されており、側面板３６が熱膨張しても防着板５１との位置関係を保つことができるようにしている。
【００３１】
温度制御ヒータ３４の両側面には、防着板５１、ラダー電極５２及び基板保持板５３が順に配設されており、これら防着板５１、ラダー電極５２及び基板保持板５３の支持構造を順に説明する。
防着板５１には、その背面側に、図６に示すように、下方へ突出する複数の支持棒５４が中央及び両側部近傍に間隔をあけて溶接固定されている。製膜ユニット支持台３には、その上面側に、図７にも示すように、防着板５１に固定された支持棒５４が挿入される支持孔５５が形成されている。
【００３２】
なお、支持棒５４には、その途中にフランジ部５６が形成されており、このフランジ部５６によって支持孔５５への支持棒５４の挿入量が所定長さに規定されるようになっている。
また、これら支持孔５５の内、両側部近傍に形成された支持孔５５は、断面視長孔とされている。
【００３３】
防着板５１の上端部分には、その中央及び両側部近傍に間隔をあけて孔部５７が形成されており、これら孔部５７には、図８に示すように、製膜ユニット２３の上部を構成する排気カバー５８に形成された孔部に挿入されて上下に摺動可能とされた支持ピン５９が挿入され、これにより防着板５１の上端部が支持されるようになっている。
【００３４】
ラダー電極５２は、ガス吹出し一体型であり、上下のパイプ部６１同士の間に複数の格子部６２が間隔をあけて設けられた構造とされている。
製膜ユニット支持台３２には、図９及び図１０に示すように、その上面における両側部近傍に、電極下端支持部６３が設けられている。
【００３５】
これら電極下端支持部６３は、製膜ユニット支持台３２にネジ６４によって固定されるベース板部６５と、このベース板部６５に一体的に形成された保持筒部６６と、この保持筒部６６に嵌合されて保持されたセラミックス製の下端支持部材６７とを有している。下端支持部材６７の先端部には、湾曲状に形成された凹部６８が形成されており、この凹部６８にラダー電極５２の下方側のパイプ部６１が保持されるようになっている。
なお、電極下端支持部６３のベース板部６５を製膜ユニット支持台３２に固定するネジ６４が挿通される孔部６９は、この電極下端支持部６３によって支持するラダー電極５２の長手方向に対して直交する方向に沿う長孔とされている。
【００３６】
また、ラダー電極５２の上端部は、図１１に示すように、排気カバー５８に設けられた電極上端支持部７１によって支持されている。
この電極上端支持部７１は、排気カバー５８に形成された孔部に、その上方から挿入されたセラミックス製の上端支持部材７２からなるもので、この上端支持部材７２の先端部には、湾曲状に形成された凹部７３が形成されており、この凹部７３にラダー電極５２の上方側のパイプ部６１が保持されるようになっている。
【００３７】
なお、上端支持部材７２の後端部近傍には、排気カバー５８の孔部よりも大きな外径のリング部材７４が取り付けられており、上端支持部材７２の排気カバー５８からの脱落が防止されるようになっている。
【００３８】
図１２に示すように、基板保持板５３は、下板８１、上板８２及び側板８３とから構成されたものである。製膜ユニット支持台３２には、その両側面に位置決め段部８４が形成されており、図１３に示すように、この位置決め段部８４に、下板８１が配設されるようになっている。また、この段部８４には、下板８１の両側部にて側板８３の下端部も配設されるようになっている。
【００３９】
下板８１には、その中央及び両側部近傍に、孔部８４が形成されており、これら孔部８４にネジ８５を挿通させ、製膜ユニット支持台３２に形成されたネジ孔へねじ込むことにより、下板８１が製膜ユニット支持台３２の所定高さ位置に取り付けられるようになっている。
同様に側板８３の下端部にも孔部８６が形成されており、これら孔部８６にネジ８５を挿通させ、製膜ユニット支持台３２のネジ孔へねじ込むことにより、側板８３の下端部が製膜ユニット支持台３２に取り付けられるようになっている。
【００４０】
上板８２にも、その中央及び両側部近傍に、孔部８７が形成されており、これら孔部８７にネジ８５を挿通させ、排気カバー５８の取り付け片８８に形成されたネジ孔へねじ込むことにより、上板８２が排気カバー５８に取り付けられるようになっている。
同様に側板８３の上端部にも孔部８９が形成されており、これら孔部８９にネジ８５を挿通させ、排気カバー５８の取り付け片８８のネジ孔へねじ込むことにより、側板８３の上端部が排気カバー５８に取り付けられるようになっている。
【００４１】
なお、下板８１及び上板８２の両側部近傍に形成された孔部８４、８７は、それぞれ長手方向に沿う長孔とされており、また、側板８３の上端部近傍に形成された孔部８９も、長手方向に沿う長孔とされている。
また、これら下板８１、上板８２及び側板８３を取り付けるネジ８５に設けられた座金９０には、その表面に円滑性を有する処理を施しており、下板８１、上板８２及び側板８３の熱膨張時に、ネジ８５における固定箇所にて、スライドが許容されるようになっている。ここで、この真空処理装置は、真空中にて作業が行われるので、グリース等は使用できないため、部材の焼き付きを防止するための円滑性を有する処理として、例えば、タフトライド処理等を施すことが望ましい。
【００４２】
このように、上記構造の真空処理装置であるプラズマＣＶＤ装置によれば、基板加熱ヒータ２５によって加熱された基板Ｋへ製膜を施す製膜ユニット２３が真空チャンバ２２の底面を構成するベース３１上に固定された製膜ユニット支持台３２上に、基板Ｋの基準位置とほぼ同一高さを基準として支持されているので、基板Ｋと製膜ユニット２３との熱膨張差を極力抑えることができ、これにより、大型製品を製造するために装置が大型化されても、基板Ｋに対する製膜ユニット２３の熱膨張差による製膜への影響をなくすことができ、品質の良好な大型の製品を製造することができる。
【００４３】
また、ベース３１に固定された製膜ユニット支持台３２上に製膜ユニット２３を支持した構造であるので、上方から吊り下げる従来構造と比較して、装置が大型化しても、十分な安定性にて支持させることができ、しかも、製膜ユニット２３の支持部における負担も大幅に低減させることができる。
【００４４】
また、製膜ユニット２３を構成する温度制御ヒータ３４の側面板３６、防着板５１、ラダー電極５２、基板保持板５３などの構成部材を、製膜ユニット支持台３２や排気カバー５８などへ支持する支持部にて、それぞれ熱膨張の方向に沿って相対変位可能に支持されているので、熱膨張によって製膜ユニット２３の構成部材に無理な応力が加わるような不具合を防止することができ、装置の破損、損傷を確実に防止することができる。
【００４５】
特に、製膜ユニット２３の構成部材であるラダー電極５２の上下端部がセラミックスから形成された上端支持部材７２、下端支持部材６７によって支持されているので、このラダー電極を他の構成部材に対して確実に絶縁した状態にてその熱膨張に沿って摺動可能に支持することができる。
また、基板保持板５３を製膜ユニット支持台３２や排気カバー５８にネジ止め固定するネジ８５に、円滑性を有する被覆が施された座金９０が設けられているので、ネジ８５による支持箇所にて基板保持板５３の摺動を良好にすることができる。
【００４６】
【発明の効果】
以上、説明したように、本発明の真空処理装置によれば、下記の効果を得ることができる。
請求項１記載の真空処理装置によれば、基板加熱ヒータによって加熱された基板へ製膜を施す製膜ユニットがチャンバの底面を構成するベース上に固定された製膜ユニット支持台上に、基板の基準位置とほぼ同一高さを基準として支持されているので、基板と製膜ユニットとの熱膨張差を極力抑えることができ、これにより、大型製品を製造するために装置が大型化されても、基板に対する製膜ユニットの熱膨張差による製膜への影響をなくすことができ、品質の良好な大型の製品を製造することができる。
また、ベースに固定された製膜ユニット支持台上に製膜ユニットを支持した構造であるので、上方から吊り下げる従来構造と比較して、装置が大型化しても、十分な安定性にて支持させることができ、しかも、製膜ユニットの支持部における負担も大幅に低減させることができる。
【００４７】
請求項２記載の真空処理装置によれば、製膜ユニットが熱膨張しても、その上端部が相対変位可能に支持されているので、熱膨張によって製膜ユニットに無理な応力が加わるような不具合を防止することができ、装置の破損、損傷を確実に防止することができる。
【００４８】
請求項３記載の真空処理装置によれば、製膜ユニット支持台または製膜室上部にて製膜ユニットを支持する支持部にて、製膜ユニットを構成する構成部材が、熱膨張による相対変位可能に支持されているので、熱膨張によって製膜ユニットの構成部材に無理な応力が加わるような不具合を防止することができ、装置の破損、損傷を確実に防止することができる。
【００４９】
請求項４記載の真空処理装置によれば、構成部材の熱膨張方向に沿って形成された溝部に製膜ユニットの構成部材の一部が配設されているので、構成部材が熱膨張したとしても、構成部材へ無理な応力が加わるような不具合を防止することができ、装置の破損、損傷を確実に防止することができる。
【００５０】
請求項５記載の真空処理装置によれば、構成部材の熱膨張方向に沿う長孔からなる孔部にピンを挿入することにより、製膜ユニットの構成部材が支持されているので、構成部材が熱膨張したとしても、構成部材へ無理な応力が加わるような不具合を防止することができ、装置の破損、損傷を確実に防止することができる。
【００５１】
請求項６記載の真空処理装置によれば、支持部材によって製膜ユニットの構成部材が熱膨張の方向に沿って摺動可能に支持されているので、構成部材が熱膨張したとしても、構成部材へ無理な応力が加わるような不具合を防止することができ、装置の破損、損傷を確実に防止することができる。
【００５２】
請求項７記載の真空処理装置によれば、製膜ユニットの構成部材である放電用電極の上下端部がセラミックスから形成された支持部材によって支持されているので、この放電用電極を他の構成部材に対して確実に絶縁した状態にてその熱膨張に沿って摺動可能に支持することができる。
【００５３】
請求項８記載の真空処理装置によれば、製膜ユニットの構成部材に形成された孔部へネジを挿通させて製膜ユニット支持台または排気カバーに形成されたねじ孔へねじ込むことにより取り付けられる構成部材の孔部が、熱膨張の方向に沿う方向の長孔とされているので、構成部材が熱膨張したとしても、構成部材へ無理な応力が加わるような不具合を防止することができ、装置の破損、損傷を確実に防止することができる。
【００５４】
請求項９記載の真空処理装置によれば、ネジに設けられた座金に、円滑性を有する処理を施しているので、このネジによる支持箇所にて構成部材の摺動を良好にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態例の真空処理装置であるプラズマＣＶＤ装置の概略構造を説明するプラズマＣＶＤ装置の概略断面図である。
【図２】本発明の実施形態例の真空処理装置であるプラズマＣＶＤ装置の製膜ユニットの構成を説明する製膜ユニットの分解斜視図である。
【図３】本発明の実施形態例の真空処理装置であるプラズマＣＶＤ装置の製膜ユニットの構造を説明する製膜ユニットの斜視図である。
【図４】本発明の実施形態例の真空処理装置であるプラズマＣＶＤ装置の製膜ユニットの構造を説明する側面板の支持部分の斜視図である。
【図５】本発明の実施形態例の真空処理装置であるプラズマＣＶＤ装置の製膜ユニットの構造を説明する側面板の支持部分の斜視図である。
【図６】本発明の実施形態例の真空処理装置であるプラズマＣＶＤ装置の製膜ユニットの構造を説明する製膜ユニットの斜視図である。
【図７】本発明の実施形態例の真空処理装置であるプラズマＣＶＤ装置の製膜ユニットの構造を説明する防着板の支持部分の斜視図である。
【図８】本発明の実施形態例の真空処理装置であるプラズマＣＶＤ装置の製膜ユニットの構造を説明する防着板の支持部分の斜視図である。
【図９】本発明の実施形態例の真空処理装置であるプラズマＣＶＤ装置の製膜ユニットの構造を説明する製膜ユニットの斜視図である。
【図１０】本発明の実施形態例の真空処理装置であるプラズマＣＶＤ装置の製膜ユニットの構造を説明するラダー電極の支持部分の斜視図である。
【図１１】本発明の実施形態例の真空処理装置であるプラズマＣＶＤ装置の製膜ユニットの構造を説明するラダー電極の支持部分の斜視図である。
【図１２】本発明の実施形態例の真空処理装置であるプラズマＣＶＤ装置の製膜ユニットの構造を説明する製膜ユニットの斜視図である。
【図１３】本発明の実施形態例の真空処理装置であるプラズマＣＶＤ装置の製膜ユニットの構造を説明する基板保持板の支持部分の斜視図である。
【図１４】真空処理装置であるプラズマＣＶＤ装置の従来例を説明するプラズマＣＶＤ装置の概略斜視図である。
【符号の説明】
２１  真空処理装置
２２  真空チャンバ（チャンバ）
２３  製膜ユニット
２５  基板加熱ヒータ
３１  ベース
３２  製膜ユニット支持台
３６  側面板（構成部材）
３９  支持ピン（ピン）
４１  長孔（孔部）
４２  係合溝部（溝部）
５１  防着板（構成部材）
５２  ラダー電極（放電用電極、構成部材）
５３  基板保持板（構成部材）
５４  支持棒（ピン）
５５  支持孔（孔部）
５７  孔部
５８  排気カバー
５９  支持ピン（ピン）
６７  下端支持部材（支持部材）
６８、７３  凹部
７２  上端支持部材（支持部材）
８４、８６、８７、８９  孔部
８５  ネジ
９０  座金
Ｋ  基板
【図１】
0003546185.tif 000002
【図２】
0003546185.tif 000003
【図３】
0003546185.tif 000004
【図４】
0003546185.tif 000005
【図５】
0003546185.tif 000006
【図６】
0003546185.tif 000007
【図７】
0003546185.tif 000008
【図８】
0003546185.tif 000009
【図９】
0003546185.tif 000010
【図１０】
0003546185.tif 000011
【図１１】
0003546185.tif 000012
【図１２】
0003546185.tif 000013
【図１３】
0003546185.tif 000014
【図１４】
0003546185.tif 000015