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【手続補正書】
【提出日】平成27年10月20日(2015.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発酵セルロースと粉末ガムベースまたは粉末ガムとを分散媒に分散させ、さらに凍結乾燥させることを特徴とする、ポーラス状食品の製造方法。
【請求項２】
前記分散媒は水であることを特徴とする、請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記分散液において、０．１〜０．８重量％の前記発酵セルロースが分散されることを特徴とする、請求項１または２に記載の製造方法。
【請求項４】
前記分散液において、１０．０〜３０．０重量％の前記粉末ガムベースまたは粉末ガムが分散されることを特徴とする、請求項１から３のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項５】
凍結乾燥させた発酵セルロースの骨格を有し、さらに粉末ガムベースまたは粉末ガムを含むポーラス状食品。
【請求項６】
前記発酵セルロースの割合が０．２〜２．０重量％であり、ガムベースの割合が５〜４０重量％である、請求項５に記載のポーラス状食品。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月20日(2015.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発酵セルロースを分散媒に分散させ、さらに凍結乾燥させることを特徴とする、易崩壊性食品の製造方法。
【請求項２】
前記分散媒は水であることを特徴とする、請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記分散液において、０．１〜０．８重量％の前記発酵セルロースが分散されることを特徴とする、請求項１または２に記載の製造方法。
【請求項４】
凍結乾燥させた発酵セルロースの骨格を有する易崩壊性食品。
【請求項５】
前記発酵セルロースの割合は０．１〜２０．０重量％である、請求項４に記載の易崩壊性食品。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月9日(2015.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バッテリと、非常ユニットと、常用ユニットとを備えた照明装置において、
前記非常ユニットは、
制御を受けることにより前記バッテリに充電されている電圧を昇圧して、前記常用ユニットの交流電源電圧に対する定格電圧よりも低い予め設定された上限電圧と、前記上限電圧よりも低い予め設定された下限電圧との間の設定電圧区間に含まれる直流の昇圧電圧として出力するバッテリ昇圧回路と、
商用電源と接続されて前記商用電源が供給状態にあるか停電状態にあるかを検知し、前記供給状態を検知すると前記商用電源から供給される商用電源電圧を出力し、前記停電状態を検知すると前記商用電源との接続を解除すると共に前記バッテリ昇圧回路に対する前記制御により前記バッテリ昇圧回路に前記昇圧電圧を出力させる検知回路と
を有し、
前記常用ユニットは、
前記非常ユニットが前記商用電源電圧を出力すると前記商用電源電圧を入力し、前記非常ユニットが前記昇圧電圧を出力すると前記昇圧電圧を入力する全波整流回路と、
前記全波整流回路の出力端に接続され、前記全波整流回路の出力する電圧を入力して力率を改善する力率改善回路と、
前記力率改善回路の出力電圧を入力し、入力した前記出力電圧を、前記出力電圧の大きさに応じた電圧であって光源に供給する電圧である光源供給電圧に変換する変換回路と、
前記全波整流回路の出力する電圧の大きさを検出し、検出した前記電圧の大きさが前記バッテリ昇圧回路の出力する前記昇圧電圧が属すべき前記設定電圧区間にあるときには、予め設定された大きさの出力電圧を前記力率改善回路に出力させる電圧検出回路と
を有することを特徴とする照明装置。
【請求項２】
前記電圧検出回路は、
前記全波整流回路の出力する電圧の大きさとして前記設定電圧区間の前記上限電圧よりも大きい電圧を検出すると前記光源が光出力１００％で発光するべき出力電圧を前記力率改善回路に出力させ、前記全波整流回路の出力する電圧の大きさとして前記設定電圧区間に含まれる電圧を検出すると前記光源が光出力１００％よりも小さい所定の光出力で発光するべき出力電圧を前記力率改善回路に出力させることを特徴とする請求項１記載の照明装置。
【請求項３】
前記常用ユニットは、前記変換回路として、
前記力率改善回路の出力電圧を入力し、入力した前記出力電圧を高周波の交流電圧に変換し、変換した前記高周波の交流電圧で前記光源である放電灯を点灯させる放電灯点灯回路と、
前記力率改善回路の出力電圧を入力し、入力した前記出力電圧を所定の大きさの直流電圧に変換し、変換した前記直流電圧で前記光源であるＬＥＤを点灯させるＬＥＤ点灯回路とのいずれかを有することを特徴とする請求項１または２に記載の照明装置。
【請求項４】
前記バッテリ昇圧回路によって昇圧される前記昇圧電圧が属すべき前記設定電圧区間は、
前記上限電圧が、前記常用ユニットの前記交流電源電圧に対する前記定格電圧に所定の比率を乗じて決定され、
前記下限電圧が、上記上限電圧に、前記昇圧電圧が属すべき前記設定電圧区間にあるときに前記電圧検出回路が前記力率改善回路に出力させる前記予め設定された大きさの出力電圧に対応する前記光源の光出力比を乗じて決定されることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月13日(2015.10.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸素を含む下地絶縁層と、
前記下地絶縁層上に設けられた島状の酸化物積層と、
前記島状の酸化物積層の上面の一部と接する領域と、前記島状の酸化物積層のチャネル形成方向における側面と接する領域と、を有する第１のソース電極層と、
前記島状の酸化物積層の上面の一部と接する領域と、前記島状の酸化物積層のチャネル形成方向における側面と接する領域と、を有する第１のドレイン電極層と、
前記第１のソース電極層上に設けられ、前記酸化物積層の上面の一部に接する領域を有し、金属窒化物を含む第２のソース電極層と、
前記第１のドレイン電極層上に設けられ、前記酸化物積層の上面の一部に接する領域を有し、金属窒化物を含む第２のドレイン電極層と、
前記第２のソース電極層上及び前記第２のドレイン電極層上に設けられ、前記第２のソース電極層及び前記第２のドレイン電極層との間で前記酸化物積層の上面の一部と接する領域を有するゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層を介して前記酸化物積層と重畳する領域を有するゲート電極層と、
前記ゲート絶縁層上及び前記ゲート電極層上に接して設けられた保護絶縁層と、を有し、
前記酸化物積層は、少なくともチャネルを形成する酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層と前記下地絶縁層との間に設けられた第１の酸化物層と、前記酸化物半導体層と前記ゲート絶縁層との間に設けられた第２の酸化物層と、前記第１の酸化物層、前記酸化物半導体層及び前記第２の酸化物層の側面に接して設けられた第３の酸化物層と、を含み、且つ前記第３の酸化物層は曲面を有し、
前記下地絶縁層と前記ゲート絶縁層とは、前記島状の酸化物積層の外周部において接する領域を有し、
前記保護絶縁層は、前記ゲート絶縁層よりも酸素に対する透過性が低い半導体装置。
【請求項２】
酸素を含む下地絶縁層と、
前記下地絶縁層上に設けられた島状の酸化物積層と、
前記島状の酸化物積層の上面の一部と接する領域と、前記島状の酸化物積層のチャネル形成方向における側面と接する領域と、を有する第１のソース電極層と、
前記島状の酸化物積層の上面の一部と接する領域と、前記島状の酸化物積層のチャネル形成方向における側面と接する領域と、を有する第１のドレイン電極層と、
前記第１のソース電極層上に設けられ、前記酸化物積層の上面の一部に接する領域を有し、金属窒化物を含む第２のソース電極層と、
前記第１のドレイン電極層上に設けられ、前記酸化物積層の上面の一部に接する領域を有し、金属窒化物を含む第２のドレイン電極層と、
前記第２のソース電極層上及び前記第２のドレイン電極層上に設けられ、前記第２のソース電極層及び前記第２のドレイン電極層の間で前記酸化物積層の上面の一部と接する領域を有するゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層を介して、前記酸化物積層と重畳する領域、前記第２のソース電極層と重畳する領域、及び前記第２のドレイン電極層と重畳する領域を有するゲート電極層と、
前記ゲート絶縁層上及び前記ゲート電極層上に接して設けられた保護絶縁層と、を有し、
前記酸化物積層は、少なくともチャネルを形成する酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層と前記下地絶縁層との間に設けられた第１の酸化物層と、前記酸化物半導体層と前記ゲート絶縁層との間に設けられた第２の酸化物層と、前記第１の酸化物層、前記酸化物半導体層及び前記第２の酸化物層の側面に接して設けられた第３の酸化物層と、を含み、且つ前記第３の酸化物層は曲面を有し、
前記下地絶縁層と前記ゲート絶縁層とは、前記島状の酸化物積層の外周部において接する領域を有し、
前記保護絶縁層は、前記ゲート絶縁層よりも酸素に対する透過性が低い半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記酸化物半導体層、前記第１の酸化物層及び前記第２の酸化物層は、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、ＮｄまたはＨｆ）であり、
前記第１の酸化物層及び前記第２の酸化物層は、Ｉｎに対するＭの原子数比が前記酸化物半導体層よりも大きい半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記酸化物半導体層は、結晶部を含み、
前記結晶部のｃ軸は、前記酸化物半導体層の表面の法線ベクトルに平行である半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第１のソース電極層及び前記第１のドレイン電極層は、前記第２のソース電極層及び前記第２のドレイン電極層よりも酸素と結合しやすい材料を含む半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記保護絶縁層に含まれる水素濃度は、５×１０１９ｃｍ−３未満である半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月23日(2015.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料がプラズマ処理される処理室と、前記処理室内にプラズマを生成するプラズマ生成手段と、前記試料を載置する試料台と、前記試料台に高周波電力を供給する高周波電源とを備えるプラズマ処理装置において、
反応生成物の滞在時間以上の周期で前記反応生成物からの発光を周期的に変化させた場合における周波数と同じ周波数の発光成分を検出する検出器をさらに備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマ処理装置において、
前記高周波電力をパルス変調したとき、前記検出器は、前記パルス変調の周波数と同じ周波数の発光成分を検出することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載のプラズマ処理装置において、
前記パルス変調のオフ時間を前記反応生成物の密度が６０％以下に減衰するような時間とすることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項４】
請求項２に記載のプラズマ処理装置において、
前記検出器は、前記発光成分を所定時間だけ遅延させる遅延手段を具備することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項５】
請求項４に記載のプラズマ処理装置において、
前記所定時間は、前記パルス変調のオン時間の半分であることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項６】
請求項４に記載のプラズマ処理装置において、
前記パルス変調の周期は、前記反応生成物の滞在時間の３倍以上であり、
前記所定時間は、前記反応生成物の滞在時間であり、
前記検出器の信号を検出する期間Ｔｓは、前記パルス変調の周期をＴとした場合、(２)式を満たすような時間とすることを特徴とするプラズマ処理装置。
Ｔｓ／Ｔ＝(前記パルス変調のデューティー比)−(前記反応生成物の滞在時間)／Ｔ…（２）
【請求項７】
プラズマ発光の変化に基づいてプラズマエッチングの終了する時点を判定する終点判定を用いて試料をプラズマエッチングするプラズマ処理方法において、
前記終点判定は、反応生成物の滞在時間以上の周期で前記反応生成物からの発光を周期的に変化させた場合における周波数と同じ周波数の発光成分に基づいてプラズマエッチングの終了する時点を判定することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項８】
請求項７に記載のプラズマ処理方法において、
前記試料を載置する試料台に供給される高周波電力をパルス変調することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項９】
請求項８に記載のプラズマ処理方法において、
前記パルス変調のオフ時間を前記反応生成物の密度が６０％以下に減衰するような時間とすることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項１０】
請求項８に記載のプラズマ処理方法において、
前記発光成分を所定時間だけ遅延させて検出することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載のプラズマ処理方法において、
前記所定時間は、前記パルス変調のオン時間の半分であることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項１２】
請求項１０に記載のプラズマ処理方法において、
前記パルス変調の周期は、前記反応生成物の滞在時間の３倍以上であり、
前記所定時間は、前記反応生成物の滞在時間であり、
前記反応生成物の発光を検出する検出器の信号を検出する期間Ｔｓは、前記パルス変調の周期をＴとした場合、(２)式を満たすような時間とすることを特徴とするプラズマ処理方法。
Ｔｓ／Ｔ＝(前記パルス変調のデューティー比)−(前記反応生成物の滞在時間)／Ｔ・・・（２）
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明は、試料がプラズマ処理される処理室と、前記処理室内にプラズマを生成するプラズマ生成手段と、前記試料を載置する試料台と、前記試料台に高周波電力を供給する高周波電源とを備えるプラズマ処理装置において、反応生成物の滞在時間以上の周期で前記反応生成物からの発光を周期的に変化させた場合における周波数と同じ周波数の発光成分を検出する検出器をさらに備えることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明は、プラズマ発光の変化に基づいてプラズマエッチングの終了する時点を判定する終点判定を用いて試料をプラズマエッチングするプラズマ処理方法において、
前記終点判定は、反応生成物の滞在時間以上の周期で前記反応生成物からの発光を周期的に変化させた場合における周波数と同じ周波数の発光成分に基づいてプラズマエッチングの終了する時点を判定することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月14日(2015.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物絶縁膜上に、酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層上に、第１のソース電極層および第１のドレイン電極層を形成し、
前記第１のソース電極層上、および前記第１のドレイン電極層上、第２のソース電極層、および第２のドレイン電極層を、それぞれ形成し、
前記第２のソース電極層上、および前記第２のドレイン電極層上に、ゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜へ、酸素を注入し、
前記ゲート絶縁膜上に、ゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上に、絶縁膜を形成する半導体装置の作製方法であって、
前記酸化物絶縁膜は、前記酸化物半導体層と接する領域を有し、
前記酸化物絶縁膜は、前記第２のソース電極層の外側で、前記ゲート絶縁膜と接する領域を有し、
前記酸化物絶縁膜は、前記第２のドレイン電極層の外側で、前記ゲート絶縁膜と接する領域を有し、
前記絶縁膜は、前記ゲート絶縁膜と接する領域を有し、
加熱処理を経て、前記ゲート絶縁膜中の酸素を、前記酸化物半導体層に供給することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
酸化物絶縁膜上に、酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層上に、第１のソース電極層および第１のドレイン電極層を形成し、
前記第１のソース電極層上、および前記第１のドレイン電極層上、第２のソース電極層、および第２のドレイン電極層を、それぞれ形成し、
前記第２のソース電極層上、および前記第２のドレイン電極層上に、ゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜へ、酸素を注入し、
前記ゲート絶縁膜上に、ゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上に、絶縁膜を形成する半導体装置の作製方法であって、
前記酸化物絶縁膜は、前記酸化物半導体層と接する領域を有し、
前記酸化物絶縁膜は、前記第２のソース電極層の外側で、前記ゲート絶縁膜と接する領域を有し、
前記酸化物絶縁膜は、前記第２のドレイン電極層の外側で、前記ゲート絶縁膜と接する領域を有し、
前記絶縁膜は、前記ゲート絶縁膜と接する領域を有し、
加熱処理を経て、前記酸化物絶縁膜中の酸素を、前記ゲート絶縁膜を介して、前記酸化物半導体層に供給することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
酸化物絶縁膜上に、酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層上に、第１のソース電極層および第１のドレイン電極層を形成し、
前記第１のソース電極層上、および前記第１のドレイン電極層上、第２のソース電極層、および第２のドレイン電極層を、それぞれ形成し、
前記第２のソース電極層上、および前記第２のドレイン電極層上に、ゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に、ゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上に、絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜を介して、前記ゲート絶縁膜へ、酸素を注入する半導体装置の作製方法であって、
前記酸化物絶縁膜は、前記酸化物半導体層と接する領域を有し、
前記酸化物絶縁膜は、前記第２のソース電極層の外側で、前記ゲート絶縁膜と接する領域を有し、
前記酸化物絶縁膜は、前記第２のドレイン電極層の外側で、前記ゲート絶縁膜と接する領域を有し、
前記絶縁膜は、前記ゲート絶縁膜と接する領域を有し、
加熱処理を経て、前記ゲート絶縁膜中の酸素を、前記酸化物半導体層に供給することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
酸化物絶縁膜上に、酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層上に、第１のソース電極層および第１のドレイン電極層を形成し、
前記第１のソース電極層上、および前記第１のドレイン電極層上、第２のソース電極層、および第２のドレイン電極層を、それぞれ形成し、
前記第２のソース電極層上、および前記第２のドレイン電極層上に、ゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に、ゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上に、絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜を介して、前記ゲート絶縁膜へ、酸素を注入する半導体装置の作製方法であって、
前記酸化物絶縁膜は、前記酸化物半導体層と接する領域を有し、
前記酸化物絶縁膜は、前記第２のソース電極層の外側で、前記ゲート絶縁膜と接する領域を有し、
前記酸化物絶縁膜は、前記第２のドレイン電極層の外側で、前記ゲート絶縁膜と接する領域を有し、
前記絶縁膜は、前記ゲート絶縁膜と接する領域を有し、
加熱処理を経て、前記酸化物絶縁膜中の酸素を、前記ゲート絶縁膜を介して、前記酸化物半導体層に供給することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月14日(2015.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物絶縁膜と、
前記酸化物絶縁膜上の、酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続された、第１のソース電極層と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続された、第１のドレイン電極層と、
前記第１のソース電極層上の、第２のソース電極層と、
前記第１のドレイン電極層上の、第２のドレイン電極層と、
前記第２のソース電極層は、前記酸化物半導体層と接する第１の領域を有し、
前記第２のドレイン電極層は、前記酸化物半導体層と接する第２の領域を有し、
前記第２のソース電極層上、及び前記第２のドレイン電極層上の、ゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の、ゲート電極層と、を有し、
前記ゲート絶縁膜は、前記第２のソース電極層の外側で、前記酸化物絶縁膜と接する第３の領域を有し、
前記ゲート絶縁膜は、前記第２のドレイン電極層の外側で、前記酸化物絶縁膜と接する第４の領域を有し、
前記酸化物絶縁膜は、前記酸化物半導体層と重なる、第５の領域を有し、
前記酸化物絶縁膜において、前記第３の領域と重なる領域の膜厚は、前記第５の領域の膜厚より薄く、
前記酸化物絶縁膜において、前記第４の領域と重なる領域の膜厚は、前記第５の領域の膜厚より薄い、ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
酸化物絶縁膜と、
前記酸化物絶縁膜上の、酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続された、第１のソース電極層と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続された、第１のドレイン電極層と、
前記第１のソース電極層上の、第２のソース電極層と、
前記第１のドレイン電極層上の、第２のドレイン電極層と、
前記第２のソース電極層は、前記酸化物半導体層と接する第１の領域を有し、
前記第２のドレイン電極層は、前記酸化物半導体層と接する第２の領域を有し、
前記第２のソース電極層上、及び前記第２のドレイン電極層上の、ゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の、ゲート電極層と、を有し、
前記ゲート絶縁膜は、前記第１のソース電極層の外側で、前記酸化物絶縁膜と接する第３の領域を有し、
前記ゲート絶縁膜は、前記第１のドレイン電極層の外側で、前記酸化物絶縁膜と接する第４の領域を有し、
前記酸化物絶縁膜は、前記酸化物半導体層と重なる、第５の領域を有し、
前記酸化物絶縁膜において、前記第３の領域と重なる領域の膜厚は、前記第５の領域の膜厚より薄く、
前記酸化物絶縁膜において、前記第４の領域と重なる領域の膜厚は、前記第５の領域の膜厚より薄い、ことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
酸化物絶縁膜と、
前記酸化物絶縁膜上の、酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続された、第１のソース電極層と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続された、第１のドレイン電極層と、
前記第１のソース電極層上の、第２のソース電極層と、
前記第１のドレイン電極層上の、第２のドレイン電極層と、
前記第２のソース電極層は、前記酸化物半導体層と接する第１の領域を有し、
前記第２のドレイン電極層は、前記酸化物半導体層と接する第２の領域を有し、
前記第２のソース電極層上、及び前記第２のドレイン電極層上の、ゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の、ゲート電極層と、を有し、
前記ゲート絶縁膜は、前記第２のソース電極層の外側で、前記酸化物絶縁膜と接する第３の領域を有し、
前記ゲート絶縁膜は、前記第２のドレイン電極層の外側で、前記酸化物絶縁膜と接する第４の領域を有し、
前記酸化物絶縁膜は、前記酸化物半導体層と重なる、第５の領域を有し、
前記酸化物半導体層において、前記第５の領域と重なる領域の膜厚は、前記第１の領域と重なる領域の膜厚より薄く、
前記酸化物半導体層において、前記第５の領域と重なる領域の膜厚は、前記第２の領域と重なる領域の膜厚より薄い、ことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
酸化物絶縁膜と、
前記酸化物絶縁膜上の、酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続された、第１のソース電極層と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続された、第１のドレイン電極層と、
前記第１のソース電極層上の、第２のソース電極層と、
前記第１のドレイン電極層上の、第２のドレイン電極層と、
前記第２のソース電極層は、前記酸化物半導体層と接する第１の領域を有し、
前記第２のドレイン電極層は、前記酸化物半導体層と接する第２の領域を有し、
前記第２のソース電極層上、及び前記第２のドレイン電極層上の、ゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の、ゲート電極層と、を有し、
前記ゲート絶縁膜は、前記第１のソース電極層の外側で、前記酸化物絶縁膜と接する第３の領域を有し、
前記ゲート絶縁膜は、前記第１のドレイン電極層の外側で、前記酸化物絶縁膜と接する第４の領域を有し、
前記酸化物絶縁膜は、前記酸化物半導体層と重なる、第５の領域を有し、
前記酸化物半導体層において、前記第５の領域と重なる領域の膜厚は、前記第１の領域と重なる領域の膜厚より薄く、
前記酸化物半導体層において、前記第５の領域と重なる領域の膜厚は、前記第１の領域と重なる領域の膜厚より薄い、ことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記酸化物半導体層は、結晶質を有し、
前記結晶質のｃ軸は、前記酸化物半導体層の表面の法線ベクトルに平行な方向にそうことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月6日(2015.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
演算部１６ａは、光ファイバレーザ部１０ａの制御のための各種演算処理を行うものであり、たとえばＣＰＵ（Central  Processing  Unit）で構成される。記憶部１６ｂは、演算部１６ａが演算処理を行うために使用する各種プログラムやデータ等が格納されており、たとえばＲＯＭ（Read  Only  Memory）で構成される。記憶部１６ｃは、演算部１６ａが演算処理を行う際の作業スペース等として使用されるものであり、たとえばＲＡＭ（Random  Access  Memory）で構成される。記憶部１６ｄは、演算部１６ａの演算処理の結果等を記憶するためのものであり、たとえば不揮発性メモリであるＥＥＰＲＯＭ（Electrically  Erasable  Programmable  Read-Only  Memory）やFerroelectric  RAMで構成される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
このように、補正係数α（ｔ）は累積駆動時間ｔの関数である。そこで、本実施の形態では、制御部１６において、演算部１６ａは、記憶部１６ｂに格納されたプログラムに従って、半導体励起レーザ１２ａ、１２ｂの駆動状態をモニタし、レーザ装置１００の使用開始時からの駆動時間を累積して累積駆動時間ｔとして記憶部１６ｄに書き込み記憶させ、値を更新するようにしている。累積駆動時間ｔは一時的に記憶部１６ｃに記憶させてもよいが、その場合はレーザ装置１００の使用終了時（電源オフ時）には不揮発性メモリである記憶部１６ｄに書き込まれる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
そして、演算部１６ａは、記憶部１６ｄに記憶された累積駆動時間ｔを読み出して、記憶部１６ｂに格納されたプログラムに従って演算処理を行って、補正係数α（ｔ）を算出し、記憶部１６ｄにその補正係数α（ｔ）を書き込み、値を更新する。補正係数α（ｔ）も一時的に記憶部１６ｃに記憶させても良い。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
その後、演算部１６ａは、所定の指示信号Ｓａが入力されたときに、記憶部１６ｄに記憶された補正係数α（ｔ）を読み出す。そして、演算部１６ａは、記憶部１６ｂに格納されたプログラムに従って、記憶部１６ｄに格納されたデータテーブルの初期電流値に、補正係数を乗算して補正電流値を算出する演算処理を行って、当該補正電流値を駆動電流Ｉａとして各半導体励起レーザ１２ａ、１２ｂに供給する。これによって、光ファイバレーザ部１０ａは、所望の光強度のレーザ光Ｌ１を安定して出力することができる。最終的には、レーザ装置１００としても、所望の強度の出力光Ｌ２を安定して出力することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
半導体励起レーザ１２ａ、１２ｂの駆動状態のモニタは、所定のサンプリング時間周期（たとえば１μｓ周期）で行うことができる。記憶部１６ｄへの累積駆動時間ｔの書き込みは、サンプリング毎に行っても良いし、複数のサンプリング時間周期を含むより長い時間周期（たとえば２００ｍｓ周期）で行っても良い。累積駆動時間ｔについては、たとえば書き込みの周期（たとえば２００ｍｓ）内で１度でも半導体励起レーザ１２ａ、１２ｂが駆動していることをモニタしたら、書き込みの際にはその周期（２００ｍｓ）をその直前の累積駆動時間ｔの値に加算して、新たな累積駆動時間ｔとして書き込むようにしてもよい。または、累積駆動時間ｔを２００ｍｓ周期で記憶部１６ｃに記憶させ、より長い周期（例えば２分周期）で、不揮発性メモリである記憶部１６ｄに書き込むようにしてもよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
なお、累積電流値Ｉsumは、各半導体励起レーザ１２ａ、１２ｂにそれまでに供給した補正電流値Ｉcorの総和の累積値でも良い。累積電流値Ｉsumは、半導体励起レーザ１２ａ、１２ｂの駆動状態をモニタする際に、レーザ装置１００の使用開始時からの補正電流値Ｉcorの累積値として記憶部１６ｄに書き込み、値を更新するようにしてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月11日(2015.8.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理液を用いて基板を処理するための基板処理装置であって、
基板を保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段に保持されている基板の表面に処理液を供給する処理液供給手段と、
前記基板保持手段に保持されている基板を回転させる基板回転手段と、
前記ヒータを、前記基板保持手段から独立して支持するヒータ支持部材と、
前記ヒータと前記基板保持手段に保持されている基板とが接近／離反するように、前記基板保持手段および前記ヒータ支持部材の少なくとも一方を移動させる移動手段とを含む、基板処理装置。
【請求項２】
前記ヒータは、前記基板保持手段に保持されている基板と平行に対向する対向面を有し、その対向面の輻射熱により当該基板を加熱するものであり、
前記対向面は、単位面積当たりの発熱量を互いに異ならせることが可能な複数の対向領域に区分けされている、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記複数の対向領域の単位面積当たりの発熱量は、前記基板回転手段による基板の回転による回転軸線から離れるに従って高くなるように設定されている、請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記複数の対向領域は、前記回転軸線を中心とする円形領域と、円形領域の外周を取り囲む一または複数の環状領域と含む、請求項２または３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
少なくとも１つの前記環状領域は、周方向に複数の分割領域に分割されており、
前記複数の分割領域は、前記対向面の単位面積当たりの発熱量を互いに異ならせることが可能に設けられている、請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記基板保持手段は、板状のベース部と、前記ベース部に取り付けられ、前記ベース部から離隔した状態で基板を支持する基板支持部とを有し、
前記ヒータは、前記ベース部と、前記基板支持部に支持されている基板とによって区画される空間内に収容配置されている、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記ヒータ支持部材は、前記ベース部と接することなく当該ベース部を厚み方向に挿通し、一端が前記ヒータに連結された支持ロッドを含む、請求項６に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記処理液供給手段は、前記基板の表面に、複数種の処理液を選択的に供給するものであり、
前記基板処理装置は、前記移動手段を制御して、前記基板および前記ヒータの相対位置を、当該基板に供給される処理液の種類に対応する相対位置に配置させる制御部をさらに含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記制御部は、前記ヒータを、前記基板に供給される処理液の種類に対応する出力に制御する、請求項８に記載の基板処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
前記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、処理液を用いて基板（Ｗ）を処理するための基板処理装置（１；１００；２００；３００）であって、基板を保持する基板保持手段（２；３０１）と、前記基板保持手段に保持されている基板の表面に処理液を供給する処理液供給手段（４，５，３０，３５；３０９）と、前記基板保持手段に保持されている基板を回転させる基板回転手段（１４；３０３，３０５）と、前記基板保持手段に保持されている基板に対向配置され、前記基板を加熱するためのヒータ（３；１０３；２０３；３１１）と、前記ヒータを、前記基板保持手段から独立して支持するヒータ支持部材（２５；３１３）と、前記ヒータと前記基板保持手段に保持されている基板とが接近／離反するように、前記基板保持手段および前記ヒータ支持部材の少なくとも一方を移動させる移動手段（２３；３１２）とを含む、基板処理装置である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
請求項７に記載の発明は、前記ヒータ支持部材は、前記ベース部と接することなく当該ベース部を厚み方向に挿通し、一端が前記ヒータに連結された支持ロッド（２５）を含む、請求項６に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、支持ロッドが、ベース部と接することなく、当該ベース部を厚み方向に挿通している。そのため、ベース部と基板との間の空間に収容配置されたヒータを、基板保持手段から独立した状態で支持することができる。これにより、このようなヒータの支持を比較的簡単な構成で実現することができる。
請求項８に記載のように、前記処理液供給手段は、前記基板の表面に、複数種の処理液を選択的に供給するものであり、前記基板処理装置は、前記移動手段を制御して、前記基板および前記ヒータの相対位置を、当該基板に供給される処理液の種類に対応する相対位置に配置させる制御部をさらに含んでいてもよい。
また、請求項９に記載のように、前記制御部は、前記ヒータを、前記基板に供給される処理液の種類に対応する出力に制御していてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月26日(2015.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶インゴットから切り出された初期酸素濃度が１４ｐｐｍａ以下のＮ領域（ＮＰＣ）のシリコンウェーハをボンドウェーハとして準備する工程と、該準備したシリコンウェーハに酸化膜を形成する工程と、該酸化膜を形成したシリコンウェーハの貼り合わせ面となる表面から前記酸化膜を通してイオン注入を行って、前記シリコンウェーハ中にイオン注入層を形成する工程と、該イオン注入層を形成したシリコンウェーハとベースウェーハを貼り合わせて、前記シリコンウェーハを前記イオン注入層で剥離して剥離ウェーハとＳＯＩウェーハとに分離させる工程とを含むＳＯＩウェーハを製造する方法であって、
前記酸化膜形成工程の前に、前記準備したシリコンウェーハに酸化性雰囲気下で１１００℃〜１２５０℃の温度で３０分〜１２０分間の熱処理を施す工程、及び該熱処理後のシリコンウェーハの貼り合わせ面となる表面を研磨する工程を行うことを特徴とするＳＯＩウェーハの製造方法。
【請求項２】
前記研磨工程において、前記熱処理後のシリコンウェーハに形成された酸化膜を除去した後、貼り合わせ面となる表面を０．１〜０．２μｍ研磨することを特徴とする請求項１に記載のＳＯＩウェーハの製造方法。
【請求項３】
前記剥離ウェーハを、ＳＯＩウェーハの製造の際にボンドウェーハとして再利用することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のＳＯＩウェーハの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月29日(2015.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料がプラズマ処理される処理室と、前記プラズマを生成するための高周波電力が供給され前記プラズマを生成するためのガスが供給されるガス供給部が形成された第一の電極と、前記ガスを前記処理室内に供給し前記第一の電極の下方に配置された第一のガス供給板と、前記第一のガス供給板を介して前記第一の電極と対向し前記試料を載置する第二の電極とを備えるプラズマ処理装置において、
前記第一のガス供給板の下方に配置された第二のガス供給板をさらに備え、
前記第一の電極と前記第一および第二のガス供給板は、前記試料が配置される領域を覆って平面的に重なるように配置され、
前記ガス供給部は、前記第一のガス供給板に前記ガスを供給する第一のガス孔を有し、
前記第一のガス供給板は、前記第二のガス供給板に前記ガスを供給する第二のガス孔を有し、
前記第二のガス供給板は、前記処理室に前記ガスを供給する第三のガス孔を有し、
前記第一のガス孔と前記第二のガス孔とは平面的に異なる位置に配置され、その間は第一の流路で接続され、
前記第二のガス孔と前記第三のガス孔とは平面的に異なる位置に配置され、その間は第二の流路で接続され、
前記第一のガス孔から供給されたガスが流れる溝状の前記第一の流路は、前記ガス供給部または前記第一のガス供給板に形成され、
前記第二のガス孔から供給されたガスが流れる溝状の前記第二の流路は、前記第一の供給板または前記第二のガス供給板に形成され、
前記第一のガス孔は、前記第一のガス供給板へ投影される像が前記第一のガス供給板へ投影される前記第一の流路の像の中へ投影されるように前記ガス供給部を貫通し、
前記第二のガス孔は、前記第二のガス供給板へ投影される像が前記第二のガス供給板へ投影される前記第二の流路の像の中へ投影されるように前記第一のガス供給板を貫通し、
前記第三のガス孔は、前記第一のガス供給板へ投影される像が前記第一のガス供給板へ投影される前記第二の流路の像の中へ投影されるように前記第二のガス供給板を貫通するとともに前記第一のガス供給板から供給されたガスを前記処理室内へ供給するものであることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマ処理装置において、
前記第一の流路および前記第二の流路の深さは、前記第一の流路内および前記第二の流路内に発生する電圧が放電開始電圧より低くなるような深さであることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載のプラズマ処理装置において、
前記第一の流路および前記第二の流路の深さは、１ｍｍ以下であることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項４】
請求項１に記載のプラズマ処理装置において、
前記第一の流路が前記第一のガス供給板に形成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項５】
請求項４に記載のプラズマ処理装置において、
前記第二の流路は、少なくとも中心と外周からなる同心円状に形成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項６】
請求項１ないし請求項５のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置において、
前記第一のガス供給板および前記第二のガス供給板は、酸化シリコン、シリコン、酸化イットリウムまたは酸化アルミニウムからなることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項７】
請求項１ないし請求項５のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置において、
前記第一の電極は、導体であり、
前記第一の電極表面および前記第一のガス供給板と対向する前記第一電極の面は、酸化シリコン、酸化イッリウム、ポリイミドまたは酸化アルミニウムによりコーティングされていることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項８】
試料がプラズマ処理される処理室と、前記プラズマを生成するための高周波電力が供給され前記プラズマを生成するためのガスが供給され第一のガス孔を有するガス供給部が形成された第一の電極と、前記ガスを前記処理室内に供給し前記第一の電極の下方に配置された第一および第二のガス供給板と、前記第一及び第二のガス供給板を介して前記第一の電極と対向し前記試料を載置する第二の電極とを備えるプラズマ処理装置において、
前記第一のガス供給板の下方に配置された第二のガス供給板をさらに備え、
前記第一の電極と前記第一及び第二のガス供給板は、前記試料が配置される領域を覆って平面的に重なるように配置され、
前記ガス供給部は、前記第一のガス供給板に前記ガスを供給する第一のガス孔を有し、
前記第一のガス供給板は、前記第二のガス供給板に前記ガスを供給する第二のガス孔を有し、
前記第二のガス供給板は、前記処理室に前記ガスを供給する第三のガス孔を有し、
前記第一のガス孔と前記第二のガス孔とは平面的に異なる位置に配置され、その間は第一の流路で接続され、
前記第二のガス孔と前記第三のガス孔とは平面的に異なる位置に配置され、その間は第二の流路で接続され、
前記第一のガス孔から供給されたガスが流れる溝状の第一の流路は、前記ガス供給部または前記第一のガス供給板に形成され、
前記第二のガス孔から供給されたガスが流れる溝状の第二の流路は、前記第一の供給板または前記第二のガス供給板に形成され、
前記第一のガス孔は、前記ガス供給部を貫通して前記第一の流路に接続され、
前記第二のガス孔は、前記第一のガス供給板を貫通して前記第一の流路および前記第二の流路に接続され、
前記第三のガス孔は、前記第二のガス供給板を貫通して前記第二の流路に接続されるとともに前記第一のガス供給板から供給されたガスを前記処理室内へ供給するものであることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項９】
請求項８に記載のプラズマ処理装置において、
前記第一の流路および前記第二の流路の幅は、前記第一のガス孔、前記第二のガス孔および前記第三のガス孔の直径よりも大きいことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１０】
請求項８または請求項９に記載のプラズマ処理装置において、
前記第一の流路および前記第二の流路が前記第一のガス供給板に形成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載のプラズマ処理装置において、
前記第一のガス供給板の誘電率は、前記第二のガス供給板の誘電率よりも小さいことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載のプラズマ処理装置において、
前記第一のガス供給板は石英であり、前記第二のガス供給板は酸化イットリウムであることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１３】
請求項１または請求項８に記載のプラズマ処理装置において、
前記処理室の中心軸と直交する平面状に投影される複数の前記第一のガス孔の像が前記処理室の中心軸と直交する平面状に投影される複数の前記第三のガス孔の像に対してそれぞれ一方の隣に位置するように前記複数の第一のガス孔が前記ガス供給部に形成され、
前記処理室の中心軸と直交する平面状に投影される複数の前記第二のガス孔の像が前記処理室の中心軸と直交する平面状に投影される複数の前記第三のガス孔の像に対してそれぞれ他方の隣に位置するように前記複数の第二のガス孔が前記第一のガス供給板に形成されることを特徴とするプラズマ処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月7日(2015.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、
少なくとも１つのブランカをそれぞれ含む第１グループおよび第２グループを含むブランカアレイと、
前記複数の荷電粒子線を偏向して前記基板上で走査させる偏向器と、
前記第１グループおよび前記第２グループに対してそれぞれ互いに異なるタイミングで、描画を制御する制御信号を供給する制御部と、
を含み、
前記第１グループおよび前記第２グループは、前記タイミングの差に起因する前記偏向器の走査方向における互いの描画領域のずれを補償するように、前記走査方向に互いにずれた相対位置で配置されている、ことを特徴とする描画装置。
【請求項２】
前記複数の荷電粒子線を生成するための複数の開口が形成されたアパーチャアレイ部材を更に含み、
前記アパーチャアレイ部材における前記複数の開口の配置は、前記第１グループおよび前記第２グループの配置と整合している、ことを特徴とする請求項１に記載の描画装置。
【請求項３】
前記第１グループおよび前記第２グループは、前記偏向器によって各荷電粒子線が走査される速度と前記タイミングの差とに基づいた値だけ互いにずれて配置されている、ことを特徴とする請求項１又は２に記載の描画装置。
【請求項４】
前記ブランカアレイは、前記第１グループおよび前記第２グループを含めて、少なくとも１つのブランカをそれぞれ含む複数のグループを含み、
前記第１グループおよび前記第２グループは、前記複数のグループにおけるグループの数で前記走査方向における画素ピッチを除した値の倍数だけ互いにずれて配置されている、ことを特徴とする請求項１又は２に記載の描画装置。
【請求項５】
前記第１グループおよび前記第２グループは、前記走査方向とは直交する方向に互いに離れて配置されている、ことを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項６】
前記第１グループおよび前記第２グループは、前記走査方向に互いに離れて配置されている、ことを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項７】
各ブランカと並列に接続されたコンデンサを含み、
前記コンデンサは、前記制御信号が供給されている期間に、該制御信号に応じて電荷を蓄積することにより、前記制御信号が供給されていない期間に、対応するブランカに印加される電圧を維持する、ことを特徴とする請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載の描画装置を用いて基板に描画を行う工程と、
前記工程で描画を行われた前記基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての描画装置は、複数の荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、少なくとも１つのブランカをそれぞれ含む第１グループおよび第２グループを含むブランカアレイと、前記複数の荷電粒子線を偏向して前記基板上で走査させる偏向器と、前記第１グループおよび前記第２グループに対してそれぞれ互いに異なるタイミングで、描画を制御する制御信号を供給する制御部と、を含み、前記第１グループおよび前記第２グループは、前記タイミングの差に起因する前記偏向器の走査方向における互いの描画領域のずれを補償するように、前記走査方向に互いにずれた相対位置で配置されている、ことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月4日(2015.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機金属錯体を含む発光層を一対の電極間に有する発光素子であり、
液体クロマトグラフによる分離後の前記有機金属錯体に対して、アルゴンガスを３０ｅＶ以上１００ｅＶ以下のエネルギーで衝突させる、ポジティブモードの液体クロマトグラフ質量分析で、少なくともｍ／ｚ＝６９１付近にプロダクトイオンが検出される発光素子。
【請求項２】
有機金属錯体を含む発光層を一対の電極間に有する発光素子であり、
一次イオンにＢｉ３＋＋を用い、前記一次イオンの照射量が８×１０１０ｉｏｎｓ／ｃｍ２以上１×１０１２ｉｏｎｓ／ｃｍ２以下である飛行時間二次イオン質量分析計で、前記有機金属錯体を測定した正イオンの定性スペクトルにおいて、少なくともｍ／ｚ＝６９１付近にプロダクトイオンが検出される発光素子。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記有機金属錯体は、ノルボルニル骨格、ジアジン骨格、及びフェニル骨格を含む配位子を少なくとも二つと、イリジウムと、を有する発光素子。
【請求項４】
有機金属錯体を含む発光層を一対の電極間に有する発光素子であり、
液体クロマトグラフによる分離後の前記有機金属錯体に対して、アルゴンガスを３０ｅＶ以上１００ｅＶ以下のエネルギーで衝突させる、ポジティブモードの液体クロマトグラフ質量分析で、少なくともｍ／ｚ＝７７１付近にプロダクトイオンが検出される発光素子。
【請求項５】
請求項４において、
前記有機金属錯体は、アダマンチル骨格、ジアジン骨格、及びフェニル骨格を含む配位子を少なくとも二つと、イリジウムと、を有する発光素子。
【請求項６】
有機金属錯体を含む発光層を一対の電極間に有する発光素子であり、
前記有機金属錯体は、ノルボルニル骨格又はアダマンチル骨格、ジアジン骨格、及びフェニル骨格を含む配位子を少なくとも二つと、イリジウムと、を有し、
前記二つの配位子は、前記イリジウムとそれぞれ結合し、
前記有機金属錯体の分子量は、７００以上１４００以下である発光素子。
【請求項７】
有機金属錯体を含む発光層を一対の電極間に有する発光素子であり、
前記有機金属錯体は、一つのノルボルニル骨格又はアダマンチル骨格、一つのジアジン骨格、及び一つのフェニル骨格を含む配位子を少なくとも二つと、イリジウムと、を有し、
前記二つの配位子は、前記イリジウムとそれぞれ結合し、
前記有機金属錯体の分子量は、７００以上１４００以下である発光素子。
【請求項８】
請求項６又は７において、
液体クロマトグラフによる分離後の前記有機金属錯体に対して、アルゴンガスを３０ｅＶ以上１００ｅＶ以下のエネルギーで衝突させる、ポジティブモードの液体クロマトグラフ質量分析で、少なくともｍ／ｚ＝６９１付近にプロダクトイオンが検出される発光素子。
【請求項９】
請求項６又は７において、
液体クロマトグラフによる分離後の前記有機金属錯体に対して、アルゴンガスを３０ｅＶ以上１００ｅＶ以下のエネルギーで衝突させる、ポジティブモードの液体クロマトグラフ質量分析で、少なくともｍ／ｚ＝７７１付近にプロダクトイオンが検出される発光素子。
【請求項１０】
請求項６又は７において、
一次イオンにＢｉ３＋＋を用い、前記一次イオンの照射量が８×１０１０ｉｏｎｓ／ｃｍ２以上１×１０１２ｉｏｎｓ／ｃｍ２以下である飛行時間二次イオン質量分析計で、前記有機金属錯体を測定した正イオンの定性スペクトルにおいて、少なくともｍ／ｚ＝６９１付近にプロダクトイオンが検出される発光素子。
【請求項１１】
請求項６乃至１０のいずれか一項において、
前記ジアジン骨格は、ピリミジン骨格である発光素子。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一項において、
前記発光層は、前記有機金属錯体を分散させる有機化合物を含む発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月6日(2015.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
板状体の両側の端縁部のそれぞれを、無端ベルトを有するコンベア装置の前記ベルトとこのベルトの支持面に対向するクランプ爪との間に挟み込むことにより当該板状体を固定する構造体であって、
前記クランプ爪は、前記板状体の前記無端ベルトに支持される端縁部の縁を前記挟み込み状態において集中的に押圧する押圧面を有する、板状体の固定構造体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
無端ベルトを有する一対のコンベア装置と、各コンベア装置のベルトの支持面にそれぞれ対向するクランプ爪を備えた一対のクランプ部材とを具備し、所定大きさの基板を各コンベア装置により受け入れて、その基板の両側の端縁部のそれぞれを前記コンベア装置のベルトと前記クランプ爪との間に挟み込んで固定する装置であって、
前記クランプ爪は、前記基板の前記無端ベルトに支持される端縁部の縁にある薄肉部を前記挟み込み状態において集中的に押圧する押圧面を有する基板支持装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明は、板状体の両側の端縁部のそれぞれを、無端ベルトを含むコンベア装置の前記ベルトとこのベルトの支持面に対向するクランプ爪との間に挟み込むことにより当該板状体を固定する構造体において、クランプ爪を、板状体の無端ベルトに支持される端縁部の縁を前記挟み込み状態において集中的に押圧する押圧面を有するものにしている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明が適用される基板支持装置は、無端ベルトを有する一対のコンベア装置と、各コンベア装置のベルトの支持面にそれぞれ対向するクランプ爪を備えた一対のクランプ部材とを具備し、所定大きさの基板を各コンベア装置により受け入れて、その基板の両側の端縁部のそれぞれをコンベア装置のベルトとクランプ爪との間に挟み込んで固定するもので、クランプ爪として、基板の前記無端ベルトに支持される端縁部の縁にある薄肉部を前記挟み込み状態において集中的に押圧するものが使用される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
本発明によれば、板状体の両側の無端ベルトに支持される端縁部の縁をそれぞれ集中的に押圧することによって、コンベアベルトの変形を防いで、クランプ爪からの押圧力とコンベアベルトからの押圧力とを釣り合わせることができるので、反りを生じさせることなく板状体を固定することができる。また固定前の板状体に反りが生じている場合には、その反りを軽減して板状体を固定することができる。