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　特願２００２−　９０５７６「光機能デバイスおよびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年１０月１０日出願公開、特開２００３−２８７６３６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　本願発明
　本願は、平成１４年３月２８日に特許出願したものであって、その請求項に係る発明は、平成１９年７月６日付けで補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし請求項１７に記載されたとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明は、次のとおりのものである。
　
「基板と、
　この基板上の少なくとも一部の領域に形成した金属層と、
　この金属層の上に所定の厚さで形成したクラッド層と、
　このクラッド層中における前記金属層から一定距離だけ離れ、かつそれぞれがこの金属層の層方向に間隔を置いて配置された複数の導波路コアと、
　これら複数の導波路コアのうちのそれぞれ隣接するものの中間位置に設けられた細長い窪みであって、内面が光を反射または吸収する物質で被覆され、前記クラッド層の上面から前記金属層または前記基板に至る溝と、
　前記クラッド層の上を厚みをもって被覆した絶縁性を有する遮光性の樹脂
とを具備することを特徴とする光機能デバイス。」（以下「本願発明」という。）
　
２　刊行物の記載    
（１）原査定の拒絶理由に引用した、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平１０−２８２３５１号公報（以下「刊行物１」という。）には、以下の記載がある。
　
　ア　「【００３６】本発明の光導波路12においてクラッド部８の外表面を被覆する金属膜11には、上述のＡｌの他にも、この光導波路12のコア部６を伝送させる光として光通信に使用される可視光から近赤外光の領域の光を反射・吸収・遮蔽できる金属材料であってクラッド部８の外表面に被覆膜を形成できるものであれば、種々の金属材料を用いることができる。
【００３７】このような金属材料としては、例えばＡｌやＣｕ・Ｔｉ・Ｃｒ・Ａｕ・Ｐｔ・Ｍｏ等あるいはこれらの合金があり、これら金属材料を用いることにより、電子ビーム蒸着法や抵抗加熱蒸着法等の各種の蒸着法あるいはスパッタリング法・ＣＶＤ法などの薄膜形成手法により容易に金属膜11を形成してクラッド部８を被覆することができる。
【００３８】これにより、光導波路12から外部への漏れ光および外部から光導波路12への迷光はこれら金属膜11で反射もしくは吸収されて遮断されるため迷光や漏れ光がなくなり、クロストークの発生をほぼ完全に防止できる光導波路12となる。」
　
　イ　「【００７９】〔例２：本発明の実施例〕スパッタリング法により厚さ0.5 μｍのＡｌ膜を形成したＳｉウエハ上に前述のシロキサンポリマを塗布し、85℃／30分および270 ℃／30分の熱処理を行ない、厚さ15μｍのクラッド層（屈折率1.4405、λ＝1.3 μｍ）を形成した。
【００８０】次に、シロキサンポリマとテトラ−ｎ−ブトキシチタンとの混合液を用いて厚さ６μｍのコア層（屈折率1.4450、λ＝1.3 μｍ）を形成した。
【００８１】続いてコア部の加工の際にマスクとなる厚さ0.5 μｍのＡｌ膜をスパッタリング法により形成し、コア部のパターンとなるライン幅６μｍのレジストパターンをフォトリソグラフィ手法により形成した。このパターンは、図４に平面図で示すように、基板26上に形成された分岐光導波路27と直線光導波路28とからなるものとした。
【００８２】次いで、燐酸・酢酸・硝酸の混合溶液によりＡｌ膜をエッチングし、レジストパターンが転写されたＡｌパターンを得た。
【００８３】次いで、レジストを除去した後、ＲＩＥ法によりコア部のパターニングを行なった。ここでＲＩＥの条件はＯ2 60ｓｃｃｍ、圧力５Ｐａ、出力600 Ｗとし、断面がほぼ矩形のコア部を形成した。
【００８４】その後、Ａｌパターンを除去し、上記と同様にしてクラッド層（屈折率1.4405、λ＝1.3 μｍ）を形成した。
【００８５】さらに、コア部を形成した方法と同様に光導波路パターン部をエッチング加工し、最後に、前述のようにＡｌ膜をスパッタリング法により導波路パターンを覆うように形成した。
【００８６】以上により、図６に図４のＩ−Ｉ’線断面図で示すような断面を有する、コア部32のサイズが６μｍ×６μｍ、コア部32の屈折率が1.4450、クラッド部31の屈折率が1.4405、クラッド部31の全厚が30μｍで、クラッド部31の外表面を厚さ0.5 μｍのＡｌ膜33で被覆した構造の本発明の埋め込み型光導波路を製作した。
【００８７】この光導波路を用いて、〔例１〕と同様にクロストークの評価を行なった。まずパワー10ｄＢｍ、波長1.3 μｍのＬＤからの光をシングルモード光ファイバを通して図４の分岐光導波路27のＡで示した端面に入射して分岐光導波路27中を伝搬させた。そして、直線光導波路28のＢで示した端面にシングルモード光ファイバを光接続して出射する光の強度を調べた。その結果、直線光導波路28の端面Ｂからの出射光の強度は−40ｄＢｍ以下（検出器の感度以下）であり、クロストークは認められなかった。
【００８８】また、この光導波路27・28を用いた光電子混在基板を作製したところ、クロストークの発生をほぼ完全に防止でき、高品質の信号変換および光信号伝送が可能であることが確認できた。」
　
　ウ　上記イの記載を踏まえて、図６をみると、基板26上にＡｌ膜が形成され、該Ａｌ膜の上に三つのクラッド部31が間隔をおいて形成され、各クラッド部31の間は、クラッド部31の上面からＡｌ膜に至る溝を形成していること、各クラッド部31中にコア部32が形成されていることがみてとれる。
　
（２）原査定の拒絶理由に引用した、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２０００−２８８３７号公報（以下「刊行物２」という。）には、以下の記載がある。
　
　ア　「(57)【要約】
【課題】  密集して形成される光導波路間のクロストークを低減する。
【解決手段】  高分子材料からなるコア４ｐと、これを包囲する高分子材料からなるクラッド６からなる個々の光導波路の光入射端および光出射端を除く部位を、光吸収層８で包囲する。ある光導波路から散乱光が放射されても、この光は光吸収層８で吸収されるので、他の光導波路に結合されることがない。クラッド６はコアの上下を挟む下部クラッド層３ｐと上部クラッド層５ｐとを一括的にパターニングすることで形成され、光吸収層８は、このクラッド６の上下を挟む下部光吸収層２と上部光吸収層７とにより構成される。伝搬光として近赤外波長域の半導体レーザ光を想定した場合、コア４ｐとクラッド６は鎖状有機高分子、光吸収層８は環状有機高分子を主体とする材料によりそれぞれ構成できる。」（１頁左下欄）」
　
　イ　「【特許請求の範囲】
【請求項１】  高分子材料からなるコア部がこれより屈折率の低い高分子材料からなるクラッド部に被覆されてなる光導波路を基板上に少なくとも１本有する光学素子であって、
前記光導波路の各々の光入射端および光出射端を除く部位が光吸収層に包囲されていることを特徴とする光学素子。
【請求項２】  前記光吸収層が高分子材料からなることを特徴とする請求項１記載の光学素子。
【請求項３】  前記コア部およびクラッド部を構成する高分子材料が鎖状有機高分子を主体とし、前記光吸収層を構成する高分子材料が環状有機高分子を主体とすることを特徴とする請求項２記載の光学素子。
【請求項４】  前記鎖状有機高分子材料がフッ素樹脂、アクリル系樹脂またはエポキシ系樹脂の少なくともいずれかであり、前記環状有機高分子がポリイミド系樹脂であることを特徴とする請求項３記載の光学素子。」（２頁第１欄１行〜１８行）
　
３　引用発明
　上記２（１）イ及びウによれば、刊行物１には、次の発明が記載されているものと認められる。
　
「スパッタリング法により厚さ0.5 μｍのＡｌ膜を形成したＳｉウエハ上にシロキサンポリマを塗布し、85℃／30分および270 ℃／30分の熱処理を行ない、厚さ15μｍのクラッド層（屈折率1.4405、λ＝1.3 μｍ）を形成し、次に、シロキサンポリマとテトラ−ｎ−ブトキシチタンとの混合液を用いて厚さ６μｍのコア層（屈折率1.4450、λ＝1.3 μｍ）を形成し、続いてコア部の加工の際にマスクとなる厚さ0.5 μｍのＡｌ膜をスパッタリング法により形成し、コア部のパターンとなるライン幅６μｍのレジストパターンをフォトリソグラフィ手法により形成し、このパターンは、基板26上に形成された分岐光導波路27と直線光導波路28とからなるものであり、次いで、燐酸・酢酸・硝酸の混合溶液によりＡｌ膜をエッチングし、レジストパターンが転写されたＡｌパターンを得、次いで、レジストを除去した後、ＲＩＥ法によりコア部のパターニングを行なって、断面がほぼ矩形のコア部を形成し、その後、Ａｌパターンを除去し、上記と同様にしてクラッド層（屈折率1.4405、λ＝1.3 μｍ）を形成し、さらに、コア部を形成した方法と同様に光導波路パターン部をエッチング加工し、最後に、Ａｌ膜をスパッタリング法により導波路パターンを覆うように形成することにより、コア部32のサイズが６μｍ×６μｍ、コア部32の屈折率が1.4450、クラッド部31の屈折率が1.4405、クラッド部31の全厚が30μｍで、基板26上にＡｌ膜が形成され、該Ａｌ膜の上に三つのクラッド部31が間隔をおいて形成され、各クラッド部31の間は、クラッド部31の上面からＡｌ膜に至る溝を形成し、各クラッド部31中にコア部32が形成され、クラッド部31の外表面を厚さ0.5 μｍのＡｌ膜33で被覆した構造の埋め込み型光導波路を製作し、この光導波路27・28を用いて作製した、クロストークの発生をほぼ完全に防止できる、光電子混在基板。」（以下「引用発明」という。）
　
４　対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
　
（１）引用発明の「基板26」、「『基板26上に』『形成され』た『Ａｌ膜』」、「『Ａｌ膜の上に』『間隔をおいて形成され』『全厚が30μｍ』である『三つのクラッド部31』」及び「光電子混在基板」は、それぞれ、本願発明の「基板」、「基板上の少なくとも一部の領域に形成した金属層」、「金属層の上に所定の厚さで形成したクラッド層」及び「光機能デバイス」に相当する。
　
（２）引用発明は、「スパッタリング法により厚さ0.5 μｍのＡｌ膜を形成したＳｉウエハ上に前述のシロキサンポリマを塗布し、85℃／30分および270 ℃／30分の熱処理を行ない、厚さ15μｍのクラッド層（屈折率1.4405、λ＝1.3 μｍ）を形成し、次に、シロキサンポリマとテトラ−ｎ−ブトキシチタンとの混合液を用いて厚さ６μｍのコア層（屈折率1.4450、λ＝1.3 μｍ）を形成」するものであるから、引用発明の「コア部32」は、「金属層から一定距離だけ離れ」て配置されたものといえ、かつ、該「コア部32」は、「『Ａｌ膜の上に』『間隔をおいて形成され』た『三つの』『各クラッド部31』」中に形成され」たものであるから、本願発明の「クラッド層中における前記金属層から一定距離だけ離れ、かつそれぞれがこの金属層の層方向に間隔を置いて配置された複数の導波路コア」に相当する。
　
（３）引用発明は、「各クラッド部31の間は、クラッド部31の上面からＡｌ膜に至る溝を形成し」、「クラッド部31の外表面を厚さ0.5 μｍのＡｌ膜33で被覆した構造」であるから、前記「溝」の内面は、「Ａｌ膜33で被覆」されており、刊行物１の前記２（１）アの記載に照らせば、該「Ａｌ膜33」は、光を反射・吸収・遮蔽できる金属材料の一例であることが明らかである。また、引用発明は、「各クラッド部31中にコア部32が形成され」たものであるところ、前記「溝」は、「各クラッド部31の間」に形成されたものであるから、各「コア部32」の中間位置に設けられたものであって、「細長い窪み」と表現することができる。
　よって、引用発明の前記「溝」は、本願発明の「これら複数の導波路コアのうちのそれぞれ隣接するものの中間位置に設けられた細長い窪みであって、内面が光を反射または吸収する物質で被覆され、前記クラッド層の上面から前記金属層に至る溝」に相当する。
　
（４）よって、両者は、
「基板と、
　この基板上の少なくとも一部の領域に形成した金属層と、
　この金属層の上に所定の厚さで形成したクラッド層と、
　このクラッド層中における前記金属層から一定距離だけ離れ、かつそれぞれがこの金属層の層方向に間隔を置いて配置された複数の導波路コアと、
　これら複数の導波路コアのうちのそれぞれ隣接するものの中間位置に設けられた細長い窪みであって、内面が光を反射または吸収する物質で被覆され、前記クラッド層の上面から前記金属層に至る溝
とを具備する光機能デバイス。」
である点で一致し、
「本願発明は、クラッド層の上を厚みをもって被覆した絶縁性を有する遮光性の樹脂を具備するのに対して、引用発明は、クラッド部31の外表面を厚さ0.5 μｍのＡｌ膜33で被覆した構造である点。」（以下「相違点」という。）
で相違するものと認められる。
　
５　判断
（１）上記２（２）によれば、刊行物２には、コアとクラッド部とからなる光導波路を光吸収層であるポリイミド系樹脂を一例とする環状有機高分子を主体とする材料で包囲し、ある光導波路から散乱光が放射されても、この光は光吸収層８で吸収されるので、他の光導波路に結合されることがないようにして、密集して形成される光導波路間のクロストークを低減する技術が記載されているものと認められる。
　そして、上記技術に基づけば、引用発明における「クラッド部31」の外表面において、光を反射・吸収・遮蔽できるようにするために被覆するものとして、金属材料に限らず、樹脂も用い得るものであることが、当業者にとって理解可能であるといえる。
　しかるところ、光送受信モジュール等の光機能デバイスにおいて、雑音やクロストークを生じさせる光を遮断するために所望の箇所に遮光性の樹脂を用いることは、本願の出願前に周知の技術である（例えば、特開平１１−２４８９７８号公報１頁の要約欄、特開２００１−１７４６７５号公報１頁の要約欄、特開２００１−３２４６５５号公報の【００５２】〜【００５５】を参照。）。
　
（２）そうすると、引用発明において、クラッド部31の外表面の適宜の箇所を遮光性樹脂で被覆することは、当業者が容易になし得る程度のことであり、溝の内面となるクラッド部31をＡｌ膜33で被覆しつつ、クラッド部31の上を厚みをもって遮光性樹脂で被覆することに格別の困難性を要するものとは認められない。
　そして、とくに導電性を持たせない限り、樹脂は、一般に絶縁性を有するものであるから、結局のところ、相違点に係る本願発明の構成とすることは、当業者が容易になし得る程度のことである。
　
（３）そして、本願発明において奏される効果も、引用発明及び上記刊行物２記載の技術並びに上記周知技術から当業者が予測し得る程度以上のものとは認められない。
　
（４）なお、請求人は、審判請求の理由において、「本願発明の遮光方法は、基本的に光吸収層とクラッド層との屈折率の差を利用していますが、上述のように、これだけでは完全な遮光は出来ません。しかしながら本願発明では、光吸収層である樹脂が漏れ光を吸収することにより、その不完全さを補い、実用上十分な遮光性を実現することが可能になります。樹脂の膜厚は、漏れ光が吸収できればよいので、極めて厳しい遮光性が求められる場合でも、それほど厚くする必要がありません。また、光吸収層として絶縁性の樹脂を使用するのであれば、その上に配線を形成することも可能になります。すなわち、本願発明は引用文献１及び２記載の発明とは発想が異なり、特有の構成により特有の効果を得ることができるものであります。」と主張する（平成１９年１０月９日付け手続補正書（方式）２頁２９行〜３７行）ので、以下に検討して付言する。
　まず、「本願発明では、光吸収層である樹脂が漏れ光を吸収することにより、その不完全さを補い、実用上十分な遮光性を実現することが可能になる」、「樹脂の膜厚は、漏れ光が吸収できればよいので、極めて厳しい遮光性が求められる場合でも、それほど厚くする必要がない」旨の主張について検討するに、本願明細書には、かかる事項は記載されておらず、本願発明が具備するものは「クラッド層の上を厚みをもって被覆した絶縁性を有する遮光性の樹脂」であって、光吸収層とクラッド層との屈折率の差を利用するものに特定されるものではない。
　次に、「光吸収層として絶縁性の樹脂を使用するのであれば、その上に配線を形成することも可能になる」旨の主張について検討するに、本願明細書には、かかる事項は記載されておらず、本願明細書に基づかない主張であるし、また、本願発明は、光機能デバイス上の配線の有無を問わないものであって、本願明細書に、「【００７７】・・・また、サブキャリアに固定したフォトダイオード（図示せず）を実装することによって、導波路基板表面の電極パタンを不要とすることも可能である。」との記載があることに照らしても、本願発明は、光機能デバイスの上に配線を形成するものに限られないことが明らかであるところ、光機能デバイスの上に配線を形成しないものにおいては、「絶縁性を有する遮光性の樹脂の上に配線を形成することも可能になる」こと自体、何ら技術上の意義を認められないものであるから、上記主張は、単に、絶縁性を有する遮光性の樹脂の上に配線を形成することも「可能になる」ことをいうにとどまり、このことをもって、本願発明特有の構成による特有の効果ということはできない。
　以上のとおり、請求人の主張は、本願明細書及び本願発明の要旨に基づかないものであって、失当である。
　
６　むすび
　以上の検討によれば、本願発明は、刊行物１及び刊行物２にそれぞれ記載された発明並びに周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。