(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極を透過する光の強度に応じて電荷を発生し、かつ、前記電荷を一方向に転送する機能を有する垂直レジスタと、前記電荷を前記一方向と直交する方向に転送する水平レジスタと、前記水平レジスタの一端に接続される出力アンプとを備え、前記垂直レジスタの電極の上方には所定の波長の光を透過する色フィルタが設けられる固体撮像装置であって、前記色フィルタのうち特定の色に対応する垂直レジスタの電極が、他の垂直レジスタの電極よりも薄い膜厚の薄膜電極領域を含むことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記垂直レジスタは複数の垂直レジスタが互いに平行に列をなして前記水平レジスタと接続する構成であり、前記垂直レジスタは、それぞれ列毎に前記色フィルタを構成する互いに異なる一つの色フィルタに対応する請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記垂直レジスタの電極は、前記垂直レジスタの上方にあって前記垂直レジスタを駆動し、前記垂直レジスタの転送方向に直交して走査する２層の異なる第１電極及び第２電極から構成され、前記第２電極はその両端部が前記第１電極の上方において重畳する構成であって、前記特定の色に対応する垂直レジスタの電極を構成する電極のうち少なくとも第２電極は、前記薄膜電極領域からなる請求項２記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記色フィルタは、緑（Ｇｒｅｅｎ）フィルタ、赤（Ｒｅｄ）フィルタ、青（Ｂｌｕｅ）フィルタの３色の色フィルタからなり、前記垂直レジスタは複数の垂直レジスタが互いに平行に列をなして前記水平レジスタと接続する構成であり、前記垂直レジスタは、前記垂直レジスタ全体を平面的に見たとき、前記緑フィルタが市松模様に配置され、前記垂直レジスタを列毎に見たとき、一つの列の垂直レジスタにおいては市松模様に配置された前記緑フィルタの間に赤フィルタが挟まれ、前記一つの列の垂直レジスタに隣接する垂直レジスタにおいては、市松模様に配置された前記緑フィルタの間に青フィルタが挟まれる構成である請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記色フィルタは、緑（Ｇｒｅｅｎ）フィルタ、マゼンタ（Ｍａｇｅｎｔａ）フィルタ、シアン（Ｃｙａｎ）フィルタ、黄（Ｙｅｌｌｏｗ）フィルタの４色の色フィルタからなり、前記垂直レジスタは複数の垂直レジスタが互いに平行に列をなして前記水平レジスタと接続する構成であり、前記垂直レジスタは、前記垂直レジスタ全体を行方向に見たとき、一つの行において、シアンフィルタと黄フィルタとが交互に並び、前記一つの行に隣接する上下の行において、緑フィルタとマゼンタフィルタとが交互に並び、前記上下の行の緑フィルタ及びマゼンタフィルタが互いに行方向に一列ずれる構成である請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記特定の色が、青である請求項２又は３記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記特定の色が、青及び赤、或いは、青及び前記垂直レジスタを行毎に見たときの赤フィルタが配置される行の緑である請求項４記載の固体撮像装置。
【請求項８】
前記特定の色が、マゼンタ及びシアンである請求項５記載の固体撮像装置。
【請求項９】
前記電極及び前記色フィルタの間には絶縁膜が形成され、前記絶縁膜には絶縁膜を貫通するコンタクトが設けられ、前記絶縁膜の上方には前記コンタクトを通して前記電極と電気的に接続する配線が形成されており、前記特定の色に対応する垂直レジスタの電極のうち前記コンタクトの位置する部分は、前記他の垂直レジスタの電極と同じ膜厚の電極である請求項１、２、３、４、５、６、７又は８記載の固体撮像装置。
【請求項１０】
前記垂直レジスタを転送方向に垂直な平面で切断したとき、前記薄膜電極領域は、前記コンタクトの位置する部分よりも前記特定の色に対応する垂直レジスタの中央部側にある請求項９記載の固体撮像装置。
【請求項１１】
前記特定の色に対応する垂直レジスタとそれに隣接する垂直レジスタとは半導体基板に形成されたチャネルストッパー層により分離されており、前記コンタクトは前記チャネルストッパー層の上方、かつ、前記チャネルストッパー層領域の内側に位置する請求項９又は１０記載の固体撮像装置。
【請求項１２】
前記垂直レジスタを転送方向に垂直な平面で切断したとき、前記薄膜電極領域は、前記チャネルストッパー層よりも前記特定の色に対応する垂直レジスタの中央部側にある請求項１１記載の固体撮像装置。
【請求項１３】
前記水平レジスタの上方にあって前記水平レジスタを駆動する電極は、前記他の垂直レジスタの電極と同じ膜厚の電極である請求項１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１又は１２記載の固体撮像装置。
【請求項１４】
前記出力アンプを構成する出力ゲート電極は、前記他の垂直レジスタの電極と同じ膜厚の電極である請求項１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２又は１３記載の固体撮像装置。
【請求項１５】
少なくとも前記垂直レジスタの前記電極が、多結晶シリコン膜、或いは、非晶質シリコン膜からなる請求項１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３又は１４記載の固体撮像装置。
【請求項１６】
入射した光の強度に応じて電荷を発生し、かつ、前記電荷を信号電圧に従って一方向に転送する垂直転送チャネルと、前記垂直転送チャネルを互いに分離するチャネルストッパー層とを備える半導体基板を用意し、前記半導体基板の表面にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜上にシリコン膜、酸化膜、耐酸化性膜の順に堆積し、前記耐酸化性膜及び前記酸化膜を同じマスクパターンをマスクとして選択的に除去して前記シリコン膜の表面の一部が露出するシリコン膜露出領域を形成し、前記シリコン膜露出領域を選択的に酸化して前記シリコン膜露出領域の一部を酸化膜とし、前記シリコン膜上の酸化膜を除去して、前記シリコン膜を前記シリコン膜露出領域の薄膜電極領域と前記シリコン膜露出領域以外の電極領域とに区画する製造方法を備える固体撮像装置の製造方法であって、前記薄膜電極領域が、前記固体撮像装置を構成する色フィルタのうち特定の色に対応する垂直転送チャネルの電極内に形成されることを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項１７】
入射した光の強度に応じて電荷を発生し、かつ、前記電荷を信号電圧に従って一方向に転送する垂直転送チャネルと、前記垂直転送チャネルを互いに分離するチャネルストッパー層とを備える半導体基板を用意し、前記半導体基板の表面に第１ゲート絶縁膜を形成し、前記第１ゲート絶縁膜上に第１シリコン膜、第１酸化膜、第１耐酸化性膜の順に堆積し、前記第１耐酸化性膜及び前記第１酸化膜を同じマスクパターンをマスクとして選択的に除去して前記第１シリコン膜の表面の一部が露出する第１シリコン膜露出領域を形成し、前記第１シリコン膜露出領域を選択的に酸化して前記第１シリコン膜露出領域の一部を酸化膜とし、前記第１シリコン膜上の酸化膜を除去した後前記第１シリコン膜を分割して、前記垂直転送チャネルの電荷転送方向と直交し、かつ、前記第１シリコン膜露出領域の第１薄膜電極領域と前記第１シリコン膜露出領域以外の第１電極領域とからなる第１電極を形成し、前記第１電極間の第１ゲート絶縁膜及び前記第１電極上の第１耐酸化性膜、第１酸化膜を除去した後熱処理を施して前記第１電極間の半導体基板表面に第２ゲート絶縁膜を形成すると共に前記第１電極の側面及び表面に層間絶縁膜を形成し、前記第１電極を含む前記半導体基板の表面に第２シリコン膜、第２酸化膜、第２耐酸化性膜を順に堆積し、前記第２耐酸化性膜及び前記第２酸化膜を同じマスクパターンをマスクとして選択的に除去して前記第２シリコン膜の表面の一部が露出する第２シリコン膜露出領域を形成し、前記第２シリコン膜露出領域を選択的に酸化して前記第２シリコン膜露出領域の一部を酸化膜とし、前記第２シリコン膜上の酸化膜を除去した後前記第２シリコン膜を分割して、前記第１電極間を埋めて両端が前記第１電極と一部重畳して前記第１電極と並行し、かつ、前記第２シリコン膜露出領域の第２薄膜電極領域と前記第２シリコン膜露出領域以外の第２電極領域とからなる第２電極を形成する固体撮像装置の製造方法であって、前記第１薄膜電極領域及び前記第２薄膜電極領域が、前記固体撮像装置を構成する色フィルタのうち特定の色に対応する垂直転送チャネルの電極内に形成されることを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項１８】
前記半導体基板には前記垂直転送チャネル以外に、前記垂直転送チャネルから転送されてきた電荷を前記一方向と直交する方向に転送する水平転送チャネルと前記水平転送チャネルの一端に接続される出力アンプとが形成されており、前記水平転送チャネルを駆動する水平転送電極は前記第１電極領域及び前記第２電極領域と同時に形成され、前記出力アンプを駆動する出力ゲート電極は前記第１電極領域、或いは、前記第２電極領域と同時に形成される請求項１７記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１９】
前記特定の色が、青、或いは、青及び赤、或いは、マゼンタ及びシアンである請求項１６、１７又は１８記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項２０】
前記第１薄膜電極領域及び前記第２薄膜電極領域は、前記垂直転送チャネルを転送方向に垂直な平面で切断したとき、前記チャネルストッパー層中央部の位置よりも前記特定の色に対応する垂直転送チャネルの中央部側に形成される請求項１７、１８又は１９記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項２１】
前記第１シリコン膜及び前記第２シリコン膜は、シリコン膜を堆積する際、或いは、シリコン膜の堆積直後に不純物が導入される請求項１７、１８、１９又は２０記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項２２】
前記第１シリコン膜及び前記第２シリコン膜は、それぞれノンドープのシリコン膜の堆積により形成され、それぞれ前記第１シリコン膜上の酸化膜、前記第２シリコン膜上の酸化膜を除去した後に前記ノンドープのシリコン膜に不純物が導入される請求項１７、１８、１９、２０又は２１記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項２３】
前記第１耐酸化性膜及び前記第２耐酸化性膜は、窒化膜である請求項１７、１８、１９、２０、２１又は２２記載の固体撮像装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、固体撮像装置、特に、フルフレーム転送方式あるいはフレーム転送方式のＣＣＤ型固体撮像装置およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
フルフレーム転送方式ＣＣＤイメージセンサは、インターライン転送方式ＣＣＤイメージセンサに比べて、開口率が高いためマイクロレンズが不要であり広い入射光角度に対して遮光膜によるけられが生じない、転送電荷量が大きい、などの特徴を有している。このため、各種の交換レンズを装着し、広い諧調再現性を要求される一眼レフタイプのデジタルスチルカメラでは、チップ面積の大きな２００〜６００万画素のフルフレーム転送方式ＣＣＤイメージセンサが広く使用されている。
【０００３】
図１４は一般的なフルフレーム転送方式ＣＣＤイメージセンサの構成を示す。受光部と垂直方向の電荷転送部を兼ねる垂直レジスタ３０１、水平レジスタ３０２、出力アンプ３０３を備えている。
【０００４】
図１５は画素の平面構成を示す。チャネルストッパー３１１の間の領域全面に垂直レジスタ３０１が形成されている。この例では、４相駆動のレジスタを仮定しており、一点鎖線で囲んだ単位画素３６２には、４電極（第１層転送電極３１５の半分、第２層転送電極３１６、第１層転送電極３１７、第２層転送電極３１８、第１層転送電極３１９の半分）が含まれている。これらの転送電極には、通常その両端からパルスφＶ１〜φＶ４が供給される。
【０００５】
図１６（ａ）、（ｂ）はそれぞれ図１５のＨ−Ｈ’、Ｉ−Ｉ’に沿った断面を示す。Ｐ型シリコン基板３１０に、高濃度Ｐ層のチャネルストッパー３１１、垂直レジスタの転送チャネルを構成するＮ層３１２が形成され、Ｐ型シリコン基板３１０上には酸化シリコン膜（以後は単に酸化膜と表す）、あるいは酸化膜と窒化シリコン膜（以後は単に窒化膜と表す）の積層構造からなるゲート絶縁膜３１３を挟んで、多結晶シリコンあるいは非晶質シリコンからなる第１層転送電極３１５、３１７、３１９、および第２層転送電極３１４、３１６、３１８、３２０が形成されている。これらの転送電極の膜厚は、シリコンでの吸収長が短い短波長の光、特には５００ｎｍ以下を主成分とする青色光を透過するように３０〜１００ｎｍ程度と、インターライン転送方式ＣＣＤイメージセンサで一般的に用いられている２００〜６００ｎｍに比べて薄膜化されている。
【０００６】
転送電極の上には、酸化膜、窒化膜あるいはその両者の間の組成を有する膜、レジストなどの有機系膜からなる層間膜３２１が形成されている。単板カラーカメラに用いるＣＣＤイメージセンサの場合には、前記層間膜上に色フィルタが形成されるが、ここでは省略する。
【０００７】
次に、動作を簡単に説明する。フルフレーム転送方式ＣＣＤイメージセンサでは、受光と電荷転送を垂直レジスタで行うために、機械シャッターが必須である。機械シャッターを開いている期間に、φＶ１をローレベル、φＶ２〜φＶ４をハイレベルにすることによって、入射光量に応じた信号電荷（この例では電子）が蓄積される。機械シャッターを閉じた後に、垂直レジスタを下方に転送された電荷は、一列ずつ水平レジスタに移され、水平レジスタを転送され、出力アンプによって電圧に変換され、外部に信号として取り出される。
【０００８】
図１７は、従来技術による別のフルフレーム転送方式ＣＣＤイメージセンサの画素の平面構成、図１８は図１７のＪ−Ｊ’に沿った断面を示す。この例では、チャネルストッパー３１１上にアルミニウムやタングステンなどの金属配線３２３、３３３を配置し、コンタクト３２２、３３２を介してそれぞれ第２層転送電極３１８、第１層転送電極３１５と接続しており、金属配線から駆動パルスが供給される（１９９１年１２月、アイ・イー・デイー・エム・テクニカル・ダイジェスト、１６７〜１７０頁）。図１５の例と同様に、転送電極の両端からも駆動パルスが供給される場合もある。
【０００９】
図１９（ａ）は、従来技術によるフルフレーム転送方式ＣＣＤイメージセンサの水平レジスタの転送方向に沿った断面を示す。ここでは、２相駆動のレジスタを仮定し、図の右から左に向かって電荷が転送されるものとする。図１６（ｂ）に示した垂直レジスタの断面と異なるのは、水平レジスタの第２層転送電極３５２下に低濃度のＮ層３５３が形成されている点と、隣接する水平レジスタの第１層転送電極３５１と第２層転送電極３５２に共通の駆動パルスφＨ１あるいはφＨ２が印加される点である。低濃度のＮ層３５３を形成するのは、第１層転送電極３５１および３５２に同一の電圧が印加された際に、電荷を蓄積し、かつ転送とは逆方向に電荷が戻らないように、チャネル電位に差をつける必要があるためである。低濃度のＮ層３５３は、第１層転送電極をパターニングした後に、この電極をマスクとしてボロンを自己整合でイオン注入することによって形成されるのが一般的である。
【００１０】
図１９（ｂ）は、出力アンプに用いられるＭＯＳトランジスタの断面で、ここでは表面型を例にしている。ソース領域３５４およびドレイン領域３５５の高濃度Ｎ層は、通常、ゲート電極３５６をマスクとしてリンあるいは砒素を自己整合でイオン注入することによって形成する。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
前述したように、フルフレーム転送方式ＣＣＤイメージセンサでは青色光に対する感度を向上させる目的で垂直レジスタの転送電極を薄膜化しているため、電極の抵抗が高くなる。受光面積の大きなイメージセンサにおいては、電極の左右端から駆動パルスを供給している図１５および図１６に示した例では、中央付近でパルスが鈍り、転送電荷量が減少したり、転送効率が劣化するという問題が生じる。
【００１２】
また、ここでは示さなかったが、同様の画素構造を持ち、画素領域と水平レジスタの間にメモリ領域を有するフレーム転送方式ＣＣＤイメージセンサの場合には、光電変換で発生した電荷をメモリ領域に高速で転送する際に、やはりパルスの鈍りが生じ、高速の転送速度が制限されるためにスミアと呼ばれる偽信号が増加し、画質の劣化を引き起こす。
【００１３】
こうしたパルスの鈍りを抑制するために、図１７および図１８に示したように、チャネルストッパー上に配置した金属配線と転送電極とを接続してパルスを供給する裏打ちという技術が用いられている。しかし、この場合には、金属配線３２３と第２層転送電極３１８とを接続するコンタクト３２２を開孔するドライエッチング工程において、層間膜３２１と第２層転送電極３１８との選択性が低いと、薄い第２層転送電極３１８がエッチングされ、さらにその下のゲート絶縁膜３１３もエッチングされて金属配線３２３とＰ型シリコン基板３１０がチャネルストッパー３１１部分でショートする可能性がある。
【００１４】
水平レジスタの転送電極や出力アンプのトランジスタのゲート電極は、垂直レジスタの転送電極と同一の工程で形成されるのが一般的である。水平レジスタは、１ＭＨｚ〜１００ＭＨｚの高い周波数で駆動されるために、垂直レジスタと同様に転送電極の抵抗が問題となり、転送電荷量の減少や転送効率の劣化を引き起こす。
【００１５】
さらに、図１９（ａ）において水平レジスタの第１層転送電極３５１をマスクとして低濃度のＮ層３５３を形成するボロンイオンを注入する工程で、転送電極が薄い場合にはマスクとして機能しなくなり、水平レジスタの第１層転送電極３５１下のゲート絶縁膜３１３やＮ層３１２にもボロンイオンが注入されて、チャネル電位が変動する不具合が起こりうる。
【００１６】
また、図１９（ｂ）でトランジスタのゲート電極３５６をマスクとして、ソース領域３５４およびドレイン領域３５５の高濃度Ｎ層を形成するリンあるいは砒素のイオン注入工程においても、ゲート電極３５６が薄いとマスクとして機能しなくなり、しきい値電圧などが設計値から変動してしまう。
【００１７】
本発明の目的は、青色を透過する色フィルタを形成した画素を含む特定の画素の転送電極の少なくとも一部の膜厚を他の画素の転送電極よりも薄くすることによって、青色光に対する感度を向上しつつ、垂直レジスタや水平レジスタの転送電荷量の減少や転送効率の劣化を防止し、裏打ち構造における金属配線と基板とのショートの発生を防ぎ、水平レジスタの転送電極およびアンプのトランジスタのゲート電極をマスクとした自己整合イオン注入を可能にする固体撮像装置およびその製造方法を実現することにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
本発明の固体撮像装置は、電極を透過する光の強度に応じて電荷を発生し、かつ、前記電荷を一方向に転送する機能を有する垂直レジスタと、前記電荷を前記一方向と直交する方向に転送する水平レジスタと、前記水平レジスタの一端に接続される出力アンプとを備え、前記垂直レジスタの電極の上方には所定の波長の光を透過する色フィルタが設けられる固体撮像装置であって、前記色フィルタのうち特定の色に対応する垂直レジスタの電極が、他の垂直レジスタの電極よりも薄い膜厚の薄膜電極領域を含むことを特徴としている。
【００１９】
上記固体撮像装置の第１適用形態の固体撮像装置は、前記垂直レジスタは複数の垂直レジスタが互いに平行に列をなして前記水平レジスタと接続する構成であり、前記垂直レジスタは、それぞれ列毎に前記色フィルタを構成する互いに異なる一つの色フィルタに対応し、前記垂直レジスタの電極は、前記垂直レジスタの上方にあって前記垂直レジスタを駆動し、前記垂直レジスタの転送方向に直交して走査する２層の異なる第１電極及び第２電極から構成され、前記第２電極はその両端部が前記第１電極の上方において重畳する構成であって、前記特定の色に対応する垂直レジスタの電極を構成する電極のうち少なくとも第２電極は、前記薄膜電極領域からなる、というものである。
【００２０】
また、上記固体撮像装置の第２適用形態の固体撮像装置は、前記色フィルタは、緑（Ｇｒｅｅｎ）フィルタ、赤（Ｒｅｄ）フィルタ、青（Ｂｌｕｅ）フィルタの３色の色フィルタからなり、前記垂直レジスタは複数の垂直レジスタが互いに平行に列をなして前記水平レジスタと接続する構成であり、前記垂直レジスタは、前記垂直レジスタ全体を平面的に見たとき、前記緑フィルタが市松模様に配置され、前記垂直レジスタを列毎に見たとき、一つの列の垂直レジスタにおいては市松模様に配置された前記緑フィルタの間に赤フィルタが挟まれ、前記一つの列の垂直レジスタに隣接する垂直レジスタにおいては、市松模様に配置された前記緑フィルタの間に青フィルタが挟まれる構成である、というものである。
【００２１】
また、上記固体撮像装置の第３適用形態の固体撮像装置は、前記色フィルタは、緑（Ｇｒｅｅｎ）フィルタ、マゼンタ（Ｍａｇｅｎｔａ）フィルタ、シアン（Ｃｙａｎ）フィルタ、黄（Ｙｅｌｌｏｗ）フィルタの４色の色フィルタからなり、前記垂直レジスタは複数の垂直レジスタが互いに平行に列をなして前記水平レジスタと接続する構成であり、前記垂直レジスタは、前記垂直レジスタ全体を行方向に見たとき、一つの行において、シアンフィルタと黄フィルタとが交互に並び、前記一つの行に隣接する上下の行において、緑フィルタとマゼンタフィルタとが交互に並び、前記上下の行の緑フィルタ及びマゼンタフィルタが互いに行方向に一列ずれる構成である、というものである。
【００２２】
また、上記固体撮像装置の第１適用形態において、前記特定の色が、青であり、上記固体撮像装置の第２適用形態の固体撮像装置において、前記特定の色が、青及び赤、或いは、青及び前記垂直レジスタを行毎に見たときの赤フィルタが配置される行の緑であり、上記固体撮像装置の第３適用形態において、前記特定の色が、マゼンタ及びシアンである、というものである。
【００２３】
また、上記固体撮像装置においては、前記電極及び前記色フィルタの間には絶縁膜が形成され、前記絶縁膜には絶縁膜を貫通するコンタクトが設けられ、前記絶縁膜の上方には前記コンタクトを通して前記電極と電気的に接続する配線が形成されており、前記特定の色に対応する垂直レジスタの電極のうち前記コンタクトの位置する部分は、前記他の垂直レジスタの電極と同じ膜厚の電極であるか、或いは、前記垂直レジスタを転送方向に垂直な平面で切断したとき、前記薄膜電極領域は、前記コンタクトの位置する部分よりも前記特定の色に対応する垂直レジスタの電極の中央部側にあり、前記特定の色に対応する垂直レジスタとそれに隣接する垂直レジスタとは半導体基板に形成されたチャネルストッパー層により分離されており、前記コンタクトは前記チャネルストッパー層の上方、かつ、前記チャネルストッパー層領域の内側に位置し、この場合、前記垂直レジスタを転送方向に垂直な平面で切断したとき、前記薄膜電極領域は、前記チャネルストッパー層よりも前記特定の色に対応する垂直レジスタの中央部側にある、というものである。
【００２４】
また、上記固体撮像装置においては、前記水平レジスタの上方にあって前記水平レジスタを駆動する電極は、前記他の垂直レジスタの電極と同じ膜厚の電極であり、前記出力アンプを構成する出力ゲート電極は、前記他の垂直レジスタの電極と同じ膜厚の電極であり、前記電極が、多結晶シリコン膜、或いは、非晶質シリコン膜からなる、という形態も可能である。
【００２５】
次に、本発明の固体撮像装置の製造方法は、入射した光の強度に応じて電荷を発生し、かつ、前記電荷を信号電圧に従って一方向に転送する垂直転送チャネルと、前記垂直転送チャネルを互いに分離するチャネルストッパー層とを備える半導体基板を用意し、前記半導体基板の表面にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜上にシリコン膜、酸化膜、耐酸化性膜の順に堆積し、前記耐酸化性膜及び前記酸化膜を同じマスクパターンをマスクとして選択的に除去して前記シリコン膜の表面の一部が露出するシリコン膜露出領域を形成し、前記シリコン膜露出領域を選択的に酸化して前記シリコン膜露出領域の一部を酸化膜とし、前記シリコン膜上の酸化膜を除去して、前記シリコン膜を前記シリコン膜露出領域の薄膜電極領域と前記シリコン膜露出領域以外の電極領域とに区画する製造方法を備える固体撮像装置の製造方法であって、前記薄膜電極領域が、前記固体撮像装置を構成する色フィルタのうち特定の色に対応する垂直転送チャネルの電極内に形成されることを特徴とし、より具体的な固体撮像装置の製造方法は、入射した光の強度に応じて電荷を発生し、かつ、前記電荷を信号電圧に従って一方向に転送する垂直転送チャネルと、前記垂直転送チャネルを互いに分離するチャネルストッパー層とを備える半導体基板を用意し、前記半導体基板の表面に第１ゲート絶縁膜を形成し、前記第１ゲート絶縁膜上に第１シリコン膜、第１酸化膜、第１耐酸化性膜の順に堆積し、前記第１耐酸化性膜及び前記第１酸化膜を同じマスクパターンをマスクとして選択的に除去して前記第１シリコン膜の表面の一部が露出する第１シリコン膜露出領域を形成し、前記第１シリコン膜露出領域を選択的に酸化して前記第１シリコン膜露出領域の一部を酸化膜とし、前記第１シリコン膜上の酸化膜を除去した後前記第１シリコン膜を分割して、前記垂直転送チャネルの電荷転送方向と直交し、かつ、前記第１シリコン膜露出領域の第１薄膜電極領域と前記第１シリコン膜露出領域以外の第１電極領域とからなる第１電極を形成し、前記第１電極間の第１ゲート絶縁膜及び前記第１電極上の第１耐酸化性膜、第１酸化膜を除去した後熱処理を施して前記第１電極間の半導体基板表面に第２ゲート絶縁膜を形成すると共に前記第１電極の側面及び表面に層間絶縁膜を形成し、前記第１電極を含む前記半導体基板の表面に第２シリコン膜、第２酸化膜、第２耐酸化性膜を順に堆積し、前記第２耐酸化性膜及び前記第２酸化膜を同じマスクパターンをマスクとして選択的に除去して前記第２シリコン膜の表面の一部が露出する第２シリコン膜露出領域を形成し、前記第２シリコン膜露出領域を選択的に酸化して前記第２シリコン膜露出領域の一部を酸化膜とし、前記第２シリコン膜上の酸化膜を除去した後前記第２シリコン膜を分割して、前記第１電極間を埋めて両端が前記第１電極と一部重畳して前記第１電極と並行し、かつ、前記第２シリコン膜露出領域の第２薄膜電極領域と前記第２シリコン膜露出領域以外の第２電極領域とからなる第２電極を形成する固体撮像装置の製造方法であって、前記第１薄膜電極領域及び前記第２薄膜電極領域が、前記固体撮像装置を構成する色フィルタのうち特定の色に対応する垂直転送チャネルの電極内に形成されることを特徴とする、というものである。
【００２６】
上記具体的な固体撮像装置の製造方法において、前記半導体基板には前記垂直転送チャネル以外に、前記垂直転送チャネルから転送されてきた電荷を前記一方向と直交する方向に転送する水平転送チャネルと前記水平転送チャネルの一端に接続される出力アンプとが形成されており、前記水平転送チャネルを駆動する水平転送電極は前記第１電極領域及び前記第２電極領域と同時に形成され、前記出力アンプを駆動する出力ゲート電極は前記第１電極領域、或いは、前記第２電極領域と同時に形成されるというものである。
【００２７】
また、上記固体撮像装置の製造方法及びその具体的な固体撮像装置の製造方法において、前記特定の色が、青、或いは、青及び赤、或いは、マゼンタ及びシアンである、というものである。
【００２８】
また、上記具体的な固体撮像装置の製造方法において、前記第１薄膜電極領域は、前記垂直転送チャネルを転送方向に垂直な平面で切断したとき、前記チャネルストッパー層中央部の位置よりも前記特定の色に対応する垂直転送チャネルの中央部側に形成され、前記第１シリコン膜及び前記第２シリコン膜は、シリコン膜を堆積する際、或いは、シリコン膜の堆積直後に不純物が導入されるか、或いは、前記第１シリコン膜及び前記第２シリコン膜は、それぞれノンドープのシリコン膜の堆積により形成され、それぞれ前記第１シリコン膜上の酸化膜、前記第２シリコン膜上の酸化膜を除去した後に前記ノンドープのシリコン膜に不純物が導入され、前記第１耐酸化性膜及び前記第２耐酸化性膜は、窒化膜である、という形態が可能である。
【００２９】
【発明の実施の形態】
本発明の第１の実施形態について図１〜図７を用いて説明する。
【００３０】
図１に本発明によるフルフレーム転送方式ＣＣＤイメージセンサの構成の一例を示す。基本的な構成は図１４と同様であり、受光部と垂直方向の電荷転送部を兼ねる垂直レジスタ１、水平レジスタ２、出力アンプ３を備えている。さらに、画素上にストライプ状の緑（Ｇ）、青（Ｂ）、赤（Ｒ）の各色フィルタが列単位に形成されている。
【００３１】
図２には青フィルタ列の画素近傍の平面構成を示す。図１５と同様に、チャネルストッパー１１の間の領域全面に垂直レジスタ１が形成されている。この例でも、４相駆動のレジスタを仮定しており、一点鎖線で囲んだ単位画素には、４電極（第１層転送電極１５の半分、第２層転送電極１６、第１層転送電極１７、第２層転送電極１８、第１層転送電極１９の半分）が含まれている。これらの転送電極には、通常その両端からパルスφＶ１〜φＶ４が供給される。
【００３２】
図３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、第１の実施形態の第１の実施例を示すものであり、それぞれ図２のＡ−Ａ’、Ｂ−Ｂ’、Ｃ−Ｃ’に沿った断面を示す。図１６（ａ）、（ｂ）と同様に、Ｐ型シリコン基板１０に、高濃度Ｐ層のチャネルストッパー１１、垂直レジスタの転送チャネルを構成するＮ層１２が形成され、Ｐ型シリコン基板１０上には酸化膜、あるいは酸化膜と窒化膜の積層構造からなるゲート絶縁膜１３を挟んで、多結晶シリコンあるいは非晶質シリコンからなる第１層転送電極１５、１７、１９、および第２層転送電極１４、１６、１８、２０が形成されている。また、転送電極の上には、酸化膜、窒化膜あるいはその両者の間の組成を有する膜、レジストなどの有機系膜からなる層間膜２１が形成されている。さらに、各画素列には、層間膜２１上に、それぞれ緑フィルタ４１、青フィルタ４２、赤フィルタ４３が形成されている。
【００３３】
本実施例が、図１３〜１５に示した従来例と異なるのは、青フィルタ列の画素において第１層転送電極及び第２層転送電極を緑フィルタ列や赤フィルタ列の画素の転送電極よりも薄くしていることである。青フィルタ列の転送電極のうち、垂直レジスタのチャネル幅全体と両端のチャネルストップ途中までの上の膜厚を、従来例と同様に、シリコンでの吸収長が短い短波長の光、特には５００ｎｍ以下を主成分とする青色光を透過するように３０〜１００ｎｍ程度と薄くしている（図３（ａ）参照））。
【００３４】
一方、緑フィルタ列および赤フィルタ列の画素の転送電極の膜厚は、インターライン転送方式ＣＣＤイメージセンサで一般的に用いられている２００〜６００ｎｍ程度とする。本実施例では、青フィルタ列の画素の転送電極を従来例と同様に薄くすることによって、青色光に対する感度を向上させることができる。
【００３５】
一方、緑フィルタ列および赤フィルタ列の画素の転送電極は、インターライン転送方式ＣＣＤイメージセンサと同程度の膜厚とすることによって、電極抵抗の増加を防いでパルスの鈍りを抑制し、転送電荷量が減少したり、転送効率が劣化するといった従来の不具合を解決できる。例えば、青フィルタ画素の転送電極の膜厚を５０ｎｍ、緑フィルタ列および赤フィルタ列の画素の転送電極の膜厚を３００ｎｍとすると、転送電極の端部から中央部までの抵抗は、全ての画素の転送電極の膜厚が５０ｎｍとした従来の場合に比べて１／２以下に低減される。
【００３６】
また、図１７および図１８に示した裏打ち構造を適用した場合に、本実施例のチャネルストッパー１１上の第２層転送電極１８の膜厚は厚いため、図１７、１８における金属配線３２３と第２層転送電極３１８とを接続するコンタクト３２２を開孔するドライエッチング工程において、第２層転送電極３１８およびその下のゲート絶縁膜３１３がエッチングされて金属配線３２３とＰ型シリコン基板３１０とがチャネルストッパー３１１部分でショートする可能性はないという効果もある。
【００３７】
図４は、従来例の図１９に対応する水平レジスタの転送方向に沿った断面、および出力アンプに用いられるＭＯＳトランジスタの断面を示す。
【００３８】
従来例と異なるのは、水平レジスタの第１層転送電極５１、水平レジスタの第２層転送電極５２の膜厚及び出力アンプＭＯＳトランジスタのゲート電極５６の膜厚が、緑フィルタ列および赤フィルタ列の画素の転送電極と同じ２００〜６００ｎｍ程度としている点である。
【００３９】
例えば、前述の垂直レジスタと同じ３００ｎｍとすると、水平レジスタの転送電極の抵抗は従来の１／６に低減されるため、転送電荷量の減少や転送効率の劣化を生じることがない。また、図４（ａ）の低濃度のＮ層５３を形成する際に、水平レジスタの第１層転送電極５１をパターニングした後に、この電極をマスクとしてボロンを自己整合でイオン注入するのが一般的であるが、例えば多結晶シリコン転送電極の膜厚を５０ｎｍ、酸化膜のゲート絶縁膜の膜厚を６０ｎｍとした場合、ボロンを４０ｋｅＶのエネルギーでイオン注入すると、注入のピーク位置は転送電極とゲート酸化膜を突き抜けてシリコン基板内部に入ってしまう。すなわち、注入量の５０％程度は、水平レジスタの第１層転送電極５１下に入ることになり、チャネル電位を変調してしまうため、転送電荷量の減少や転送効率の劣化を引き起こす。
【００４０】
これに対して、水平レジスタの第１層転送電極５１の膜厚が３００ｎｍであれば、電極がマスクとなりボロンイオンはほぼすべて電極内でストップする。
【００４１】
同様に、図４（ｂ）のソース領域５４およびドレイン領域５５の高濃度Ｎ層をゲート電極５６をマスクとして自己整合でイオン注入する際に、例えば多結晶シリコン転送電極の膜厚を５０ｎｍ、酸化膜のゲート絶縁膜の膜厚を６０ｎｍとした場合、リンを８０ｋｅＶのエネルギーでイオン注入すると、注入量の１５％程度が注転送電極とゲート酸化膜を突き抜けてシリコン基板内部に入ってしまう。その結果、しきい値電圧が設計値から大きくずれてしまい、所望の動作が得られない。これに対して、ゲート電極５６の膜厚が３００ｎｍであれば、電極がマスクとなりリンイオンはほぼすべて電極内でストップする。
【００４２】
図５は、第１の実施形態の第２の実施例であり、図２のＡ−Ａ’に沿った断面である。本実施例が図３（ａ）と異なるのは、第２層転送電極１８の膜厚を薄くする範囲を垂直レジスタのチャネルよりも狭い幅の上にしている点である。これにより、垂直レジスタの両端では青色光に対する感度向上の効果はないが、図３（ａ）と異なりチャネルストッパー１１上は膜厚が厚いため、図１８に示した裏打ち構造を採用する場合、図１８の金属配線３２３に相当する金属配線は図５中の層間膜２１中に形成されるのであるが、図１８のコンタクト３２２と同様のコンタクトを本実施例に形成する際のフォトリソグラフィー工程において、マスク合わせずれによってコンタクトが膜厚の薄い部分にかかり、その後のドライエッチング工程で、第２層転送電極１８とその下のゲート絶縁膜１３もエッチングされて金属配線とＰ型シリコン基板１０がチャネルストッパー１１部分でショートする欠点を除去できる。
【００４３】
図６は、第１の実施の形態の第３の実施例であり、図２のＢ−Ｂ’に沿った断面である。本実施例が図３（ｂ）と異なるのは、青色列の画素において第１層転送電極１５、１７、１９の膜厚を他の画素の膜厚と同一にしている点である。これにより、青色光に対する感度は図３ほど向上しないが、薄膜化しないためにその工程が不要となり工期が短縮されるという利点がある。図６を図５と組み合わることも可能である。
【００４４】
次に、本発明の第２の実施形態を図７〜１０を用いて説明する。
【００４５】
図７は、第２の実施の形態を説明するためのフルフレーム転送方式ＣＣＤイメージセンサの構成の一例を示す。基本的な構成は図１４と同様であり、受光部と垂直方向の電荷転送部を兼ねる垂直レジスタ１０１、水平レジスタ１０２、出力アンプ１０３を備えている。さらに、各画素上には、緑フィルタ（Ｇ）が市松に形成され、青フィルタ（Ｂ）および赤フィルタ（Ｒ）が１行おきに緑フィルタの間に形成されている。
【００４６】
図８は、配列の繰り返し単位となる４画素の平面構成を示す。図９（ａ）、（ｂ）及び図１０（ａ）、（ｂ）は、それぞれ図８のＤ−Ｄ’、Ｅ−Ｅ’、Ｆ−Ｆ’、Ｇ−Ｇ’に沿った断面を示す。
【００４７】
本実施形態が図３と異なるのは、青フィルタ画素上の転送電極だけではなく、赤フィルタ画素上の転送電極も薄く形成している点である。この理由は、青フィルタ画素の転送電極だけを薄くすると、青フィルタ画素の行と赤フィルタ画素の行とで転送電極の抵抗が異なりパルスの鈍りの程度に差ができるため、特に左右の中央付近の垂直レジスタ中を、青フィルタ画素の行から赤フィルタ画素の行へ、あるいは赤フィルタ画素の行から青フィルタ画素の行へ転送する際に、電荷の転送不良が発生する可能性があるからである。
【００４８】
例えば、厚い方の転送電極の膜厚を３００ｎｍ、薄い方の膜厚を５０ｎｍとすると、青フィルタ画素の行の転送電極の抵抗は、赤フィルタ画素の行の抵抗の
３．５倍に増加してしまう。そこで、赤フィルタ画素の転送電極も薄くすることによって、青フィルタ画素の行と赤フィルタ画素の行とで転送電極の抵抗が一致し、上述のような不具合の発生を回避することができる。
【００４９】
なお、ここでは赤フィルタ画素の転送電極を薄くする例を示したが、赤フィルタ画素の行の緑フィルタ画素の転送電極を薄くしても同様の効果を得ることが可能である。
【００５０】
また、図１０（ａ）では、青フィルタの単位画素１６２と緑フィルタの単位画素１６１の境界の第１層転送電極１１５、１１９、１２３、図１０（ｂ）では、赤フィルタの単位画素１６３と緑フィルタの単位画素１６１の境界の第１層転送電極１１５、１１９、１２３をおよそ半分の幅に渡って薄くしているが、これらの電極の膜厚を全体にわたって薄くしたり、厚いままにしても同様の効果が得られる。
【００５１】
図１１は、本発明の第３の実施形態を説明するためのフルフレーム転送方式ＣＣＤイメージセンサの構成の一例を示す。各画素上には、１行おきに緑フィルタ（Ｇ）とマゼンタフィルタ（Ｍｇ）、シアンフィルタ（Ｃｙ）とイエローフィルタ（Ｙｅ）が交互に形成されている。本実施形態では、フィルタ配列が異なるだけで本質的な構造は図８〜１０と同様なので断面図は省略するが、青色の波長の光を透過するマゼンタフィルタ画素およびシアンフィルタ画素の転送電極の膜厚を薄くすることによって、第１および第２の実施形態と同様の効果を得ることが可能である。
【００５２】
次に本発明の実施形態の構造を得るための基本的な製造方法を、第１の実施形態のフルフレーム転送方式ＣＣＤイメージセンサの製造方法を例として、図１２および図１３を用いて説明する。
【００５３】
図１２は、製造工程を図３（ｃ）と同一の断面、即ち、図２におけるＣ−Ｃ’線に沿った断面図で示している。
【００５４】
Ｐ型シリコン基板１０に、高濃度Ｐ層のチャネルストッパー１１、垂直レジスタの転送チャネルを構成するＮ層１２を形成した後に、Ｐ型シリコン基板１０上に酸化膜、あるいは酸化膜と窒化膜の積層構造からなるゲート絶縁膜１３を形成する。その後、垂直レジスタの第１層転送電極となる２００〜６００ｎｍ程度の膜厚の多結晶シリコンあるいは非晶質シリコンのシリコン膜２４を全面に堆積する。必要ならばこの後に、リンを拡散、あるいはリンや砒素をイオン注入して低抵抗化する。この上に、直接、あるいは２０〜５０ｎｍ程度の膜厚の酸化膜２５を成長した上に２０〜１００ｎｍ程度の膜厚の窒化膜２６を成長させる。次に、フォトリソグラフィー技術を用いて、薄膜化する転送電極部分以外を覆うようにフォトレジスト２７をパターニングする（図１２（ａ））。この時のフォトレジストの平面パターンを図１３に示す。
【００５５】
次に、フォトレジストで覆われていない部分の窒化膜２６をドライエッチングで除去した後に、その下の酸化膜２５をウェットエッチングまたはドライエッチングで除去する（図１２（ｂ））。
【００５６】
その後、フォトレジスト２７を剥離し、熱酸化によって露出している多結晶シリコンあるいは非晶質シリコンのシリコン膜２４を所望の膜厚が残るまで酸化し、酸化膜２８を形成する（図１２（ｃ））。
【００５７】
この後、残っている窒化膜２６を除去し、さらに窒化膜２６の下の酸化膜２５、シリコン膜２４を熱酸化して形成された酸化膜２８を除去する。
【００５８】
この後、従来と同様のフォトリソグラアフィーとドライエッチングによって電極をパターニングし、気相成長あるいは熱酸化、またはその両者の組み合わせで酸化膜の層間膜を形成した後に、第２層転送電極となる多結晶シリコンあるいは非晶質シリコンの電極材料を全面に堆積し、上記の工程を繰り返し、青フィルタ画素上の転送電極を薄膜化する。
【００５９】
図６の例のように、第１層転送電極を薄膜化しない場合には、第１層に対しては上述した熱酸化による薄膜化の工程を省略できる。
【００６０】
図１２（ｃ）において薄膜化するための熱酸化の条件は、以下のように決定する。例えば、初期のシリコンの成長膜厚を２００ｎｍとし、最終的に５０ｎｍに薄膜化する場合を仮定する。シリコン膜を酸化する際には、減少する膜厚と形成される酸化膜の膜厚はおおよそ１：２である。したがって、上の例ではシリコン膜の膜厚を１５０ｎｍ減少させるので、３００ｎｍの酸化膜が形成される条件で熱酸化を行えばよい。ただし、第１層転送電極と第２層転送電極との間の層間膜を第１層転送電極を熱酸化して形成する場合には、この工程によって膜厚が減少する分を考慮する必要がある。
【００６１】
一例として、初期のシリコンの成長膜厚を３００ｎｍ、最終的な膜厚を青フィルタ画素が５０ｎｍ、その他の画素が２００ｎｍ、層間の酸化膜を２００ｎｍと仮定する。この場合には、図１２（ｃ）における熱酸化を３００ｎｍの酸化膜が形成される条件とし、薄膜化部分の膜厚を１５０ｎｍとする。その後の層間膜を形成するための熱酸化を２００ｎｍの酸化膜が形成される条件とすることで、薄膜化部分は５０ｎｍに、その他の部分は２００ｎｍとなる。このように、最終的な薄膜化部分の膜厚および層間膜の必要膜厚に応じて、初期の成長膜厚や薄膜化の熱酸化条件を決定すればよい。
【００６２】
また、上記の説明では、シリコン膜を低抵抗化してから熱酸化によって薄膜化する例を示したが、逆に、熱酸化によって薄膜化した後に低抵抗化することも可能である。これにより、リンを高濃度に拡散したシリコン膜では低濃度のシリコンに比べて酸化速度が増加する増速酸化が起こるために、酸化膜厚の制御が困難になることを防止できる。
【００６３】
以上に説明した実施形態はこれに限定されるものではなく、種々の変型が可能である。例えば、本発明はフルフレーム転送方式ＣＣＤイメージセンサだけではなく、同様の画素構造を持つフレーム転送方式ＣＣＤイメージセンサにも適用できる。また、転送電極が２層で構成された例のみを説明したが、単層電極の場合はもちろん、３層以上で構成される場合でも全ての層あるいは一部の層に対して本発明を適用できる。さらに、フィルタ配列がここに示した以外の場合や、Ｎ型基板に設けたＰ層中にＮ層のチャネルが形成された垂直レジスタの場合にも本発明は有効である。
【００６４】
【発明の効果】
本発明によれば、青色の波長の光を透過する色フィルタが形成された画素を含む特定の画素の転送電極の少なくとも一部の膜厚を他の画素の転送電極の膜厚よりも薄くすることによって、青色光に対する感度を向上させることができる。その他の画素や水平レジスタの転送電極、出力アンプのトランジスタのゲート電極などの膜厚を薄くすることがないので、電極の抵抗が増大することによる垂直レジスタや水平レジスタの転送電荷量の減少や転送効率の劣化を防止できる。また、裏打ち構造における金属配線と基板とのショートの発生を防ぐことができる。さらに、水平レジスタの転送電極およびアンプのトランジスタのゲート電極をマスクとした自己整合イオン注入が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態の固体撮像装置の構成図である。
【図２】本発明の第１の実施形態の画素の平面構成図である。
【図３】本発明の第１の実施形態の第１の実施例を示し、図２の画素の平面構成図における切断線に沿った垂直レジスタの断面図である。
【図４】図１の水平レジスタ及び出力アンプトランジスタの断面図である。
【図５】本発明の第１の実施形態の第２の実施例を示し、図２のＡ−Ａ’線に沿った垂直レジスタの断面図である。
【図６】本発明の第１の実施形態の第３の実施例を示し、図２のＡ−Ａ’線に沿った垂直レジスタの断面図である。
【図７】本発明の第２の実施形態の固体撮像装置の構成図である。
【図８】図７の画素の平面構成図である。
【図９】本発明の第２の実施形態を示し、図８の画素の平面構成図における切断線に沿った垂直レジスタの断面図である。
【図１０】本発明の第２の実施形態を示し、図８の画素の平面構成図における別の切断線に沿った垂直レジスタの断面図である。
【図１１】本発明の第３の実施形態の固体撮像装置の構成図である。
【図１２】本発明の第１の実施形態の固体撮像装置の製造方法を示す工程図である。
【図１３】図１２の工程で用いられるフォトレジストパターンを示す図である。
【図１４】従来の固体撮像装置の構成図である。
【図１５】図１４の画素の平面構成図である。
【図１６】従来の固体撮像装置の図１５の平面構成図における切断線に沿った垂直レジスタの断面図である。
【図１７】従来の別の固体撮像装置の画素の平面構成図である。
【図１８】従来の別の固体撮像装置の図１７の平面構成図における切断線に沿った垂直レジスタの断面図である。
【図１９】従来の固体撮像装置の水平レジスタ及び出力アンプトランジスタの断面図である。
【符号の説明】
１、１０１、２０１、３０１    垂直レジスタ
２、１０２、２０２、３０２    水平レジスタ
３、１０３、２０３、３０３    出力アンプ
１０、１１０、３１０    Ｐ型シリコン基板
１１、１１１、３１１    チャネルストッパー
１２、１１２、３１２    Ｎ層
１３、１１３、３１３    ゲート絶縁膜
１４、１６、１８、２０、１１４、１１６、１１８、１２０、１２２、１２４、３１４、３１６、３１８、３２０    第２層転送電極
１５、１７、１９、１１５、１１７、１１９、１２１、１２３、３１５、３１７、３１９    第１層転送電極
２１、１２１、３２１    層間膜
２４    シリコン膜
２５、２８    酸化膜
２６    窒化膜
２７    フォトレジスト
４１、１４１、３４１    緑フィルタ
４２、１４２、３４２    青フィルタ
４３、１４３、３４３    赤フィルタ
５１、３５１    水平レジスタの第１層転送電極
５２、３５２    水平レジスタの第２層転送電極
５３、３５３    低濃度のＮ層
５４、３５４    ソース領域
５５、３５５    ドレイン領域
５６、３５６    ゲート電極
６２、１６２    単位画素（Ｂ）
６３、１６３    単位画素（Ｒ）
１６１    単位画素（Ｇ）
３６２    単位画素
【図１】
0003591423.tif 000002
【図２】
0003591423.tif 000003
【図３】
0003591423.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
0003591423.tif 000011
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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