【事件の表示】
　平成１０年特許願第５０５５０７号「高ドーピングされた領域に対して低い接触抵抗を有する半導体構成要素の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　１月２２日国際公開、ＷＯ９８／０２９１４、平成１２年１０月３１日国内公表、特表２０００−５１４６０２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、１９９７年７月１０日（パリ条約による優先権主張外国庁受理１９９６年７月１５日、ドイツ国）の出願であって、平成１８年２月２日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年５月１５日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年６月１４日付けで手続補正がなされ、その後、当審において、平成２０年７月４日付けで審尋がなされ、同年９月１１日に回答書の提出がなされたものである。　
　
第２　平成１８年６月１４日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１８年６月１４日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲を補正するものであり、補正後の請求項１については、以下のとおりである。
補正事項ａ
　補正前の請求項１を、補正後の請求項１の「【請求項１】　マスク層（３）における接点穴（４）を介してシリコン半導体部材（１）にｎ＋導電するドーピング又はケイ化を施し、ｎ＋導電するドーピングされた又はケイ化された領域（２）を製造し、
ドーピングされた又はケイ化された領域（２）の表面範囲（５）において接点穴（２）の範囲にふっ素イオンを注入し、かつ
続いて接点穴内へチタン膜を形成することによりチタンを含む層を施与し、その際、表面範囲におけるふっ素イオンは、ケイ化を行わなくとも、ドーピングされた又はケイ化された領域の表面範囲においてケイ化チタンの形成を助長し、かつ接点金属（８）を取付ける、という
方法ステップを有する、半導体構成要素の製造方法。」と補正したこと。
　
２　本件補正についての検討
２−１　補正事項の整理
　補正事項ａについての補正は、以下の補正をしたものである。
補正事項ａ−１
　補正前の請求項１の「−マスク層（３）」を、補正後の請求項１の「マスク層（３）」と補正したこと。
補正事項ａ−２
　補正前の請求項１の「半導体部材（１）にｎ＋−又はｐ＋−導電するドーピングされた又はケイ化された領域（２）を製造し」を、補正後の請求項１の「シリコン半導体部材（１）にｎ＋導電するドーピング又はケイ化を施し、ｎ＋導電するドーピングされた又はケイ化された領域（２）を製造し」と補正したこと。
補正事項ａ−３
　補正前の請求項１の「−ドーピング」を、補正後の請求項１の「ドーピング」と補正したこと。
補正事項ａ−４
　補正前の請求項１の「−続いて」を、補正後の請求項１の「続いて」と補正したこと。
補正事項ａ−５
　補正前の請求項１の「接点穴内へチタンをスパッタリングしてチタンを含む層を施与し」を、補正後の請求項１の「接点穴内へチタン膜を形成することによりチタンを含む層を施与し」と補正したこと。
補正事項ａ−６
　補正前の請求項１の「その際、表面範囲におけるふっ素イオンは、ドーピングされた又はケイ化された領域の表面範囲においてケイ化チタンの形成を助長する」を、補正後の請求項１の「その際、表面範囲におけるふっ素イオンは、ケイ化を行わなくとも、ドーピングされた又はケイ化された領域の表面範囲においてケイ化チタンの形成を助長し、かつ接点金属（８）を取付ける」と補正したこと。
　
２−２　補正の目的の適否についての検討
　補正事項ａについての補正は、補正事項ａ−１ないし補正事項ａ−６からなるが、そのうちの補正事項ａ−５について検討する。
　補正事項ａ−５についての補正は、補正前の請求項１の「チタンをスパッタリングして」を、補正後の請求項１の「チタン膜を形成することにより」と補正するものである。
　そして、この補正は、補正前の請求項１の「チタンをスパッタリングして」が、チタンをスパッタリングして「チタンを含む層」を形成することを意味するのに対して、補正後の請求項１の「チタン膜を形成することにより」が、チタンをスパッタリングを含めたあらゆる方法で形成することを意味することは明らかであり、補正前の請求項１に対して、補正後の請求項１において、上位概念化しているのであり、限定しているわけではないので、特許請求の範囲の上位概念から下位概念への変更には該当しない。
　すると、補正事項ａ−５についての補正は、限定的減縮とはなっていないので、補正事項ａ−５についての補正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものではない。また、補正事項ａ−５についての補正は、請求項の削除、誤記の訂正、拒絶理由通知に係る拒絶の理由に示す事項についてする明りょうでない記載の釈明のいずれを目的とするものにも該当しないことは明らかである。
　
２−３　補正の目的の適否についてのむすび
　補正事項ａ−５についての補正を含む本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定に違反する。
　
３　本件補正の独立特許要件についての検討
　次に、仮に、本件補正が、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たすものとして、本件補正の独立特許要件についての検討をする。
　
３−１　本願の補正後の発明について
　本願の補正後の請求項１ないし５に係る発明のうち、本願の補正後の請求項１に係る発明は、「第２　１」に掲げた補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、次のとおりのものである。
「【請求項１】　マスク層（３）における接点穴（４）を介してシリコン半導体部材（１）にｎ＋導電するドーピング又はケイ化を施し、ｎ＋導電するドーピングされた又はケイ化された領域（２）を製造し、
ドーピングされた又はケイ化された領域（２）の表面範囲（５）において接点穴（２）の範囲にふっ素イオンを注入し、かつ
続いて接点穴内へチタン膜を形成することによりチタンを含む層を施与し、その際、表面範囲におけるふっ素イオンは、ケイ化を行わなくとも、ドーピングされた又はケイ化された領域の表面範囲においてケイ化チタンの形成を助長し、かつ接点金属（８）を取付ける、という
方法ステップを有する、半導体構成要素の製造方法。」
　
３−２　引用刊行物に記載された発明
　刊行物１．特開平３−２０５８２０号公報
　原審の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物１（特開平３−２０５８２０号公報）には、第１図とともに、「半導体装置の製造方法」（発明の名称）に関して、以下の事項が記載されている。
ア　「１．Ｓｉ基板にＰ型拡散層を形成する工程と、全面に絶縁膜を形成したのち前記Ｐ型拡散層上にコンタクト孔を形成する工程と、不純物のイオン注入により前記コンタクト孔の底面部のＳｉ基板表面に非晶質層を形成する工程と、非晶質層が形成された底面部を有する前記コンタクト孔内にＷ膜を選択的に成長させる工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。」（特許請求の範囲の請求項１）
イ　「〔従来の技術〕
　従来、Ｐ型拡散層上の絶縁膜に形成されたコンタクト孔内に選択ＣＶＤ法によりＷ膜を成長させる工程では、特にコンタクト孔でのリーク電流を減少させるために、コンタクト孔底部にＢ＋またはＢＦ２＋のイオン注入を行い、８００〜１０００℃で熱処理を行った後、Ｗ膜を成長させている。」（第１頁右下欄第５ないし１１行）
ウ　「第１図（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１の実施例を説明するための半導体チップの断面図である。
　まず、第１図（ａ）に示すように、Ｓｉ基板１の表面にＢ＋をエネルギー３０ｋｅＶ，ドーズ量５×１０１５ｃｍ−２またはＢＦ２＋をエネルギー７０ｋｅＶ，ドーズ量５×１０１５ｃｍ−２で注入し、窒素雰囲気中において９００℃で１０分以上熱処理することによりＰ型拡散層２を形成した後、Ｓｉ基板上に厚さ１〜１．５μｍの絶縁膜３を堆積する。次で絶縁膜３をドライエッチングすることによりＰ型拡散層２上にコンタクト孔４を形成する。
　次に第１図（ｂ）に示すように、ＢＦ２＋５あるいはＡｒ＋をエネルギー３０ｋｅＶ，ドーズ量５×１０１４〜３×１０１５ｃｍ−２で注入する。ＢＦ２＋またはＡｒ＋の注入により、コンタクト孔４底部のＰ型拡散層２の表面に薄い非晶質層７が形成される。
　次に第１図（ｃ）に示すように、ＷＦ６ガスを流量１０〜２０ｓｃｃｍ，ＳｉＨ４ガスを流量６〜１２ｓｃｃｍ、基板温度２５０〜３００℃の条件で、非晶質層７上に選択ＣＶＤ法によりＷ膜８の成長をおこなう。
　このように第１の実施例によれば、Ｗ膜８成長の初期過程において、Ｗ膜８がＳｉ基板１表面の非晶質層７に侵入するため、Ｗ膜８のＳｉ基板１への接着性は良好なものとなる。」（第２頁右上欄第２行ないし同頁左下欄第８行）
エ　「尚、非晶質層を形成するイオンとしてＢＦ２＋とＡｒ＋の他にＢＦ＋，Ｆ＋等を用いることができる。」（第３頁左上欄第２ないし４行）
オ　「その結果Ｗ膜のＳｉ基板への接着性が良好となりコンタクト抵抗が低下し、更にスクライブ線等の大面積上でのＷ膜の剥がれが避けられるという効果がある。」（第３頁左上欄第１１ないし１４行）
　
　以上の記載から、刊行物１には、以下の発明が記載されている。
「Ｓｉ基板にＰ型拡散層を形成する工程と、全面に絶縁膜を形成したのち前記Ｐ型拡散層上にコンタクト孔を形成する工程と、Ｆ＋のイオン注入により前記コンタクト孔の底面部のＳｉ基板表面に非晶質層を形成する工程と、非晶質層が形成された底面部を有する前記コンタクト孔内にＷ膜を選択的に成長させる工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
　刊行物２．特開昭６４−４１２４０号公報
　原審の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物２（特開昭６４−４１２４０号公報）には、第１図とともに、「半導体集積回路装置」（発明の名称）に関して、以下の事項が記載されている。
ア　「第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例の構造並びに製造方法を説明するために工程順に示した集積回路素子の縦断面図である。
　先ず、第１図（ａ）に示す様に、シリコン基板１０１上に、素子分離の為の厚いシリコン酸化膜１０２と、不純物を拡散した活性領域１０３を形成し、トランジスタ等のデバイスを構成した後、配線層との絶縁膜としてリンガラス層１０４を気相成長法にて成長した後、所望の位置に配線層接続の為の開孔１０５を設け、配線層形成前の構造を得る。
　次に、第１図（ｂ）に示す様に、スパッタリング法によりチタン層１０６を０．１μｍ形成し、ひきつづいてチタンの窒化物層１０７を連続的に０．１μｍ形成する。この２層膜１０６，１０７はアルゴンガス雰囲気中でチタンをスパッタリングした後、ひきつづき窒素ガス雰囲気中でチタンをスパッタリングすることによる、いわゆる反応性スパッタリングによって得られる。またその他の方法としては、チタン膜を形成した後、窒素あるいはアンモニアガスプラズマ中でチタン表面を窒化した場合にも、同様の２層膜を得ることができる。次に、フォトレジスト１０８を表面が平坦となるように１．０μｍ程度の厚さに塗布する。しかる後、第１図（ｃ）に示す様に、チタン及び窒化チタン層と、フォトレジスト層が同等の速度でエッチングされる様なＣＦ４系のガスプラズマ中で全面を一様にエッチング除去し、前記リンガラス層１０４が露出した時点でエッチングを停止する。次に、フォトレジスト１０８を除去した後、ＷＦ６とＨ２の混合ガスを用いて、気相成長法により開孔１０５内部に残った窒化チタンの表面にのみ、選択的にタングステン１０９を成長する。
　次いで、アルミニウム配線層１１０を形成すると、第１図（ｄ）に示す構造を有する第１の実施例の装置が完成する。」（第２頁右下欄第９行ないし第３頁右上欄第４行）
　
　刊行物３．特開平５−２５９１１１号公報
　原審の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物３（特開平５−２５９１１１号公報）には、図１、図２、図６とともに、「半導体装置におけるメタルプラグの形成方法」（発明の名称）に関して、以下の事項が記載されている。
ア　「【０００５】メタルプラグを形成するための配線材料として最も広く用いられている材料はタングステンである。そこで、以下の明細書においては配線材料としてタングステンを例にとり説明を行う。図６に、ブランケットＣＶＤ法を用いて配線層間の接続を行う従来の方法を示す。
【０００６】即ち、図６の（Ａ）に示すように、例えばシリコン基板１０に不純物拡散領域を形成することによって下層配線層である下地層１２を設けた後、その上にＳｉＯ2等から成る層間絶縁層１６を形成し、この層間絶縁層１６に開口部２０を形成する。次いで、層間絶縁層１６及び開口部２０内に、例えばＴｉ／ＴｉＮから成る密着層２２を形成する。
【０００７】密着層２２を設ける理由は、ブランケットＣＶＤ法で形成される金属層はステップカバレッジには優れるものの、異種材料層の界面における内部応力の差に起因して、層間絶縁層に対する密着性が乏しいからである。また、金属層を成膜するための原料ガスである金属フッ化物ガスが下地層１２を浸食することを防止する必要もある。更に、ブランケットＣＶＤ法による金属層の形成は比較的高温で行われるため、下地層に対するバリヤ性を高める必要もあるからである。これらの問題を解決するために、ＴｉＮ、ＴｉＷ等から成る密着層を設ける必要がある。ところで、ＴｉＮ、ＴｉＷ等から成る密着層を直接下地層上に形成すると、コンタクト抵抗が増大する。それ故、ＴｉＮ、ＴｉＷと下地層の間にオーミック性に優れたＴｉ層を形成することが望ましい。従って、密着層は、Ｔｉ／ＴｉＮ、Ｔｉ／ＴｉＷ等から構成される。
【０００８】尚、不純物拡散領域が形成された下地層１２の上に、シート抵抗の低減及びバリヤ性の向上を目的として、ＴｉＳｉ2層１４を形成することが望ましい。ＴｉＳｉ2層１４は、例えば、特開平２−２６０６３０号公報において本出願人が提案したＳＩＴＯＸ方法で形成することができる。この方法は、先ず、シリコン基板１０上の自然酸化膜を除去した後、薄いＳｉＯ2層を形成し、更にＴｉ層を積層してから不活性ガス中で熱処理を行うことによって、Ｔｉをシリサイド化する方法である。
【０００９】次に、図６の（Ｂ）に示すように密着層２２全面に、ブランケットＣＶＤ法によって金属層２４を形成する。この例においては、金属層はタングステンから成る。その後、図６の（Ｃ）に示すように、金属層２４及び密着層２２をエッチバックすることによって、開口部２０内にのみ金属層を残し、メタルプラグ２６を形成する。しかる後、図６の（Ｃ）に示すように、メタルプラグ２６に接続する上層配線層２８を形成する。」
イ　「【００２５】（実施例１）本実施例は、ＳｉＯ2層間絶縁層上にプラズマＣＶＤ法でＳｉＮX層から成る酸化防止層を形成した後、層間絶縁層及び酸化防止層に開口部を形成し、次いでＴｉ／ＴｉＮ系の２層構造の密着層を介してブランケットタングステンＣＶＤ法でタングステンから成る金属層を形成し、層間絶縁層の上表面に形成された酸化防止層上の金属層及び密着層を研磨する例である。このプロセスを図１乃至図２を参照しながら説明する。
【００２６】［工程−１００］先ず、下地層１２として不純物拡散領域が形成されたシリコン基板１０上に、ＣＶＤ法等でＳｉＯ2から成る層間絶縁層１６を約６００ｎｍ厚さに形成した。尚、不純物拡散領域が形成された下地層１２の上に、シート抵抗の低減及びバリヤ性の向上を目的として、ＴｉＳｉ2層１４を形成することが望ましい。ＴｉＳｉ2層１４は、例えば、特開平２−２６０６３０号公報において本出願人が提案したＳＩＴＯＸ方法で形成することができる。
【００２７】［工程−１１０］次に、プラズマＣＶＤ法（ＰＥ−ＣＶＤ法）で、層間絶縁層１６の上にＳｉＮXから成り約５０ｎｍ厚さの酸化防止層１８を形成した。酸化防止層１８の形成は、ＳｉＨ4とＮＨ3を用いた通常の条件とすることができる。ここで、ＰＥ−ＣＶＤ法を用いる理由は、減圧ＣＶＤ法で形成したＳｉ3Ｎ4膜はストレスが大きいからである。
【００２８】［工程−１２０］次に、フォトリソグラフィ法及びリアクティブ・イオン・エッチング（ＲＩＥ）法を用いて、酸化防止層１８及び層間絶縁層１６に開口部２０を形成した（図１の（Ａ）参照）。ＲＩＥは、例えば、平行平板型ＲＩＥ装置を使用して、以下の条件で行うことができる。
ＣＨＦ3            ８０sccm
ガス圧             ６．７Ｐａ
ＲＦパワー密度     ０．２５Ｗ／ｃｍ2（１３．５６ＭＨｚ）
【００２９】［工程−１３０］次に、図１の（Ｂ）に示すように、層間絶縁層１６の上表面１６Ａの上に形成された酸化防止層１８及び開口部２０内に、例えばＴｉ層及びＴｉＮ層から成る密着層２２をスパッタ法等で順次形成した。密着層２２の形成には枚葉式スパッタリング装置を使用し、Ｔｉターゲットを装着したスパッタリング・チャンバへの供給ガスの組成を順次変更することで、密着層２２の形成を行った。
【００３０】先ず、前処理として、枚葉式スパッタリング装置に付属したマイクロ波プラズマ・クリーニング・チャンバ内で開口部の底部に存在する自然酸化膜（図示せず）を除去した。次いで、シリコン基板を高真空下スパッタリング・チャンバ内に移送して、例えば、以下の条件でＴｉをスパッタリングすることによって、厚さ約３０ｎｍのＴｉ層を形成した。
Ａｒ            １００sccm
ガス圧          １．３Ｐａ
基板温度        １５０゜Ｃ
ターゲット電力  ４ｋＷ
次に、例えば、以下の条件でＴｉをスパッタリングすることによって、厚さ約７０ｎｍのＴｉＮ層を形成した。
Ａｒ            ４０sccm
Ｎ2             ７０sccm
ガス圧          １．３Ｐａ
ターゲット電力  ５ｋＷ
【００３１】［工程−１４０］次に、図２の（Ａ）に示すように、例えば、タングステンから成る金属層２４をブランケットタングステンＣＶＤ法で密着層２２上に形成した。このブランケットタングステンＣＶＤの条件を、例えば、以下のとおりとすることができる。
第１ステップ（核成長段階）
ＷＦ6／ＳｉＨ4＝２５／１０sccm
圧力            １．０７×１０4Ｐａ（８０Torr）
温度            ４７５°Ｃ
第２ステップ（高速成長段階）
ＷＦ6／Ｈ2    ＝６０／３６０sccm
圧力            １．０７×１０4Ｐａ（８０Torr）
温度            ４７５°Ｃ
【００３２】［工程−１５０］次に、図２の（Ｂ）に示すように、酸化防止層１８をストッパー層として、層間絶縁層１６の上表面１６Ａに形成された酸化防止層１８上の金属層２４及び密着層２２を研磨した。研磨には図４に示した研磨装置を使用した。研磨条件としては、
研磨圧力            ＝５．０  ＰＳＩ
研磨プレート回転数  ＝１２  ＲＰＭ
基板支持台回転数    ＝２６  ＲＰＭ
とすることができる。こうして、金属層から成るメタルプラグ２６を開口部２０内に形成した。
【００３３】［工程−１６０］その後、図２の（Ｃ）に示すように、酸化防止層１８及びメタルプラグ２６の上に、例えばＡｌ−１％Ａｌから成る上層配線層２８を形成して、パターニングを行い、上層配線を完成すれば、目的の多層配線の形成が完了する。」
　
　刊行物４．特開平６−２０９８８号公報
　原審の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物４（特開平６−２０９８８号公報）には、図１ないし図７とともに、「コンタクト形成方法」（発明の名称）に関して、以下の事項が記載されている。
ア　「【０００３】また、アルミニウム（Ａｌ）の配線工程の一つとして、層間絶縁膜にコンタクトホールを開口し、このコンタクトに密着層として薄いＴｉ／ＴｉＮ膜、このＴｉ／ＴｉＮ膜の上にＡｌのシリコン基板へのスパイク防止のためのバリアメタルとしてのタングステン（Ｗ）、そしてこのＷの上に配線材料としてのＡｌをスパッタリングで形成する方法をとっている。
【０００４】図７（ａ）は、従来の方法により、コンタクトホールを形成した後、密着層およびタングステンをコンタクトホールに埋め込んだ状態における断面図である。
【０００５】図７（ａ）に示すように、シリコン基板１の熱酸化により酸化膜２、ＣＶＤ（化学気相成長）法及びフォトリソグラフィー及びＲＩＥ（反応性イオンエッチング）により、ポリシリコン配線３、コンタクト抵抗を下げるための高濃度の不純物拡散層７がそれぞれ形成されている。
【０００６】シリコン基板１の上方全面にＣＶＤ法により加熱流動性材料としてＢＰＳＧ膜を形成する。次に、コンタクト形成領域以外の領域にレジストパターン（図示せず）を形成し、このレジストパターンをマスクとしてＲＩＥによりコンタクトホールを開口し、図７（ａ）に示すように、コンタクト形成領域以外の領域にＢＰＳＧ膜１４ａ及び酸化膜２ａを形成する。
【０００７】次に、レジストパターンを除去した後、９００℃程度の温度で加熱し、ＢＰＳＧ膜１４ａを平坦化する。次に、Ｔｉ／ＴｉＮ膜８をＣＶＤ法により全面に薄く形成する。次に、ＣＶＤ法により、シリコン基板１の上方全面にタングステン（Ｗ）を７００ｎｍの厚さに形成した後に、このタングステンをＲＩＥによりエッチバックし、Ｗ ｐｌｕｇ１９を形成する。この時、Ｗ ｐｌｕｇ１９の中央部にシーム２０と呼ばれる穴状欠陥ができる。」
イ　「【００２２】図１及び図２は、第１実施例によるコンタクト形成工程断面図である。
【００２３】本第１実施例では、まず図１（ａ）に示すように、シリコン基板１を熱酸化して酸化膜２を形成する。次に、ＣＶＤ（化学気相成長）法により、シリコン基板１の上方全面にポリシリコン膜を形成し、その後フォトリソグラフィー及びＲＩＥ（反応性イオンエッチング）によりポリシリコン膜をパターニングして、ポリシリコン配線３を形成する。次に、コンタクト部に不純物拡散層７を形成する。
【００２４】次に、ＣＶＤ法によりシリコン基板１の上方全面に層間絶縁膜として、加熱流動性材料膜であるＢＰＳＧ膜を７００ｎｍの厚さに形成し、その後、コンタクト部以外の領域にレジストパターン（図示せず）を形成し、このレジストパターンをマスクとしてＲＩＥによりコンタクト部のＢＰＳＧ膜４及び酸化膜２を除去して、コンタクト部以外の領域に図１（ｂ）に示すように、ＢＰＳＧ膜４ａ及び酸化膜２ａを形成する。
【００２５】次に、図１（ｃ）に示すように、コンタクト部を含む領域以外の領域にレジストパターン１２ａを形成し、このレジストパターン１２ａをマスクとしてリン（Ｐ）又はボロン（Ｂ）をイオンインプランテーションする。次に、大気中放置又は温水処理等の吸湿処理を行なう。この処理でイオンインプランテーションされた部分のＢＰＳＧ膜４ａに含まれているＰ又はＢが溶出し、この部分のＢＰＳＧ膜４ａ内の不純物の濃度が低下する。
【００２６】次に、９００℃の温度で２０分間、Ｎ2雰囲気中で加熱すると、図２（ａ）に示すようにコンタクト部のＢＰＳＧ膜４ｂの不純物の濃度が低下した分だけ、ｔａｐｅｒ形状が悪化する。
【００２７】次に、図２（ｂ）に示すように、ＣＶＤ法により密着層としてのＴｉ又はＴｉＮ８をコンタクトホール部に形成する。
【００２８】次に、ＣＶＤ法により、シリコン基板１の上方全面にタングステン（Ｗ）を７００ｎｍの厚さに形成し、その後ＲＩＥによりＷを全面エッチバックし、図２（ｂ）に示すようにコンタクト部にＷ ｐｌｕｇ９を形成する。この時、コンタクトホール部のＢＰＳＧ膜４ｂのｔａｐｅｒ形状を悪化させた分だけ、Ｗ ｐｌｕｇ９におけるシーム１０を抑えることができる。
【００２９】次に、アルミニウム（図示せず）を、スパッタ法によりシリコン基板１の上方全面にスパッタリングして蒸着させた後に、フォトリソグラフィーによりパターニングしアルミニウム配線を形成する。」
ウ　「【００３３】次に、第１実施例と同様にして、図３（ｃ）に示すように、コンタクトホール部にＴｉ／ＴｉＮ膜８、Ｗ ｐｌｕｇ９ｂを形成する。」
エ　「【００３９】次に、第１実施例と同様にして、図４（ｃ）に示すように、コンタクトホール部にＴｉ／ＴｉＮ膜８、Ｗ ｐｌｕｇ９ａを形成する。」
オ　「【００４６】次に、第１実施例と同様にして、図６（ｂ）に示すように、コンタクト部にＴｉ／ＴｉＮ膜８、Ｗ ｐｌｕｇ９ｃを形成する。」
　
３−３　対比
　本願の補正後の請求項１に係る発明（以下、「本願補正後発明１」という。）と刊行物１に記載された発明（以下、「刊行物１発明」という。）とを対比する。
（ａ）刊行物１発明の「Ｓｉ基板にＰ型拡散層を形成する工程」において、「Ｓｉ基板」と「拡散層を形成する」ことは、それぞれ、本願補正後発明１の「シリコン半導体部材（１）」と「導電するドーピング」「を施」すことに相当し、また、本願補正後発明１の「導電するドーピング又はケイ化を施」すことは、「導電するドーピング」「を施」すことと「ケイ化を施」すことの択一的な記載であるから、「導電するドーピング」「を施」すことと「ケイ化を施」すことのいずれか一つを選択することで足り、同じく、本願補正後発明１の「導電するドーピングされた又はケイ化された領域（２）を製造」することは、「導電するドーピングされた」「領域（２）を製造」することと「ケイ化された領域（２）を製造」することの択一的な記載であるから、「導電するドーピングされた」「領域（２）を製造」することと「ケイ化された領域（２）を製造」することのいずれか一つを選択することで足りるので、刊行物１発明の「Ｓｉ基板に」「拡散層を形成する工程」は、本願補正後発明１の「シリコン半導体部材（１）に」「導電するドーピング又はケイ化を施し、」「導電するドーピングされた又はケイ化された領域（２）を製造」することに相当する。
（ｂ）刊行物１発明の「絶縁膜」と「コンタクト孔」は、それぞれ、本願補正後発明１の「マスク層（３）」と「接点穴（４）」に相当する。
（ｃ）刊行物１発明の「Ｆ＋のイオン注入により前記コンタクト孔の底面部のＳｉ基板表面に非晶質層を形成する工程」において、「Ｆ＋のイオン注入」は、本願補正後発明１の「ふっ素イオンを注入」することに相当し、「Ｆ＋のイオン注入により前記コンタクト孔の底面部のＳｉ基板表面に非晶質層を形成する」のであるから、「Ｆ＋のイオン注入」する領域は、「前記コンタクト孔の底面部」であり、また、本願補正後発明１の「ドーピングされた又はケイ化された領域（２）」は、「ドーピングされた」「領域（２）」と「ケイ化された領域（２）」の択一的な記載であるから、「ドーピングされた」「領域（２）」と「ケイ化された領域（２）」のいずれか一つを選択することで足りるので、刊行物１発明の「Ｆ＋のイオン注入により前記コンタクト孔の底面部のＳｉ基板表面に」「層を形成する工程」は、本願補正後発明１の「ドーピングされた又はケイ化された領域（２）の表面範囲（５）において接点穴（２）の範囲にふっ素イオンを注入」することに相当する。
（ｄ）刊行物１発明の「前記コンタクト孔内にＷ膜を選択的に成長させる工程」における「Ｗ膜」は、本願補正後発明１の「接点金属（８）」に相当する。
（ｅ）刊行物１発明の「半導体装置の製造方法」は、本願補正後発明１の「半導体構成要素の製造方法」に相当する。
　すると、本願補正後発明１と刊行物１発明とは、
「シリコン半導体部材（１）に導電するドーピング又はケイ化を施し、導電するドーピングされた又はケイ化された領域（２）を製造し、
ドーピングされた又はケイ化された領域（２）の表面範囲（５）において接点穴（２）の範囲にふっ素イオンを注入し、かつ
続いて接点穴内へ接点金属（８）を取付ける、という
方法ステップを有する、半導体構成要素の製造方法。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
　相違点１
　本願補正後発明１は、「ｎ＋導電するドーピング又はケイ化を施し、ｎ＋導電するドーピングされた又はケイ化された領域（２）を製造」するのに対して、刊行物１発明は、「Ｐ型拡散層を形成する」点。
　相違点２
　本願補正後発明１は、「マスク層（３）における接点穴（４）を介してシリコン半導体部材（１）に」「導電するドーピング又はケイ化を施」すのに対して、刊行物１発明は、「Ｓｉ基板にＰ型拡散層を形成する工程と、全面に絶縁膜を形成したのち前記Ｐ型拡散層上にコンタクト孔を形成する工程」を有しており、「拡散層を形成する工程」と「コンタクト孔を形成する工程」の順序が、本願補正後発明１と逆である点。
　相違点３
　本願補正後発明１は、「接点穴内へチタン膜を形成することによりチタンを含む層を施与し、その際、表面範囲におけるふっ素イオンは、ケイ化を行わなくとも、ドーピングされた又はケイ化された領域の表面範囲においてケイ化チタンの形成を助長し、かつ接点金属（８）を取付ける」との構成を有するのに対して、刊行物１発明は、本願補正後発明１の「接点金属（８）を取付ける」ことに相当する「前記コンタクト孔内にＷ膜を選択的に成長させる工程」を有するものの、本願補正後発明１の「接点穴内へチタン膜を形成することによりチタンを含む層を施与し、その際、表面範囲におけるふっ素イオンは、ケイ化を行わなくとも、ドーピングされた又はケイ化された領域の表面範囲においてケイ化チタンの形成を助長」するとの構成は、有していない点。
　
３−４　判断
　以下において、相違点１ないし３について検討する。
　相違点１について
（ａ）Ｓｉ基板に拡散層を形成するにあたり、Ｐ型拡散層を形成することと、Ｎ型拡散層を形成することは、いずれも、導電性のある拡散層を形成する工程として、半導体製造技術分野の慣用技術である。
（ｂ）したがって、刊行物１発明の「Ｓｉ基板にＰ型拡散層を形成する」ことに代えて、慣用技術である、Ｓｉ基板にＮ型拡散層を形成することを採用して、本願補正後発明１のごとく、「シリコン半導体部材（１）にｎ＋導電するドーピング又はケイ化を施し、ｎ＋導電するドーピングされた又はケイ化された領域（２）を製造」するようになすことは、当業者が適宜なし得たことと認められる。　
　
　相違点２について
（ａ）刊行物１の摘記事項イには、従来の技術として、「コンタクト孔底部にＢ＋またはＢＦ２＋のイオン注入を行」（第１頁右下欄第９ないし１０行）うことが、記載されている。
（ｂ）上記の（ａ）の記載によると、「コンタクト孔」を形成してから、その後に「コンタクト孔底部に」「イオン注入を行」うことが、従来から知られていたのであるから、刊行物１発明の「Ｓｉ基板にＰ型拡散層を形成する工程と、全面に絶縁膜を形成したのち前記Ｐ型拡散層上にコンタクト孔を形成する工程」に代えて、刊行物１に記載の従来の技術を適用して、本願補正後発明１のごとく、「マスク層（３）における接点穴（４）を介してシリコン半導体部材（１）に」「導電するドーピング又はケイ化を施」すようになすことは、当業者が適宜なし得たことと認められる。　
　
　相違点３について
（ａ）刊行物２の摘記事項アには、「所望の位置に配線層接続の為の開孔１０５を設け、配線層形成前の構造を得る。」（第２頁右下欄第１７ないし１９行）こと、「スパッタリング法によりチタン層１０６を０．１μｍ形成し、ひきつづいてチタンの窒化物層１０７を連続的に０．１μｍ形成する。」（第２頁右下欄第２０行ないし第３頁左上欄第３行）こと、「気相成長法により開孔１０５内部に残った窒化チタンの表面にのみ、選択的にタングステン１０９を成長する。」（第３頁左上欄第１９行ないし同頁右上欄第１行）ことが、記載されている。
（ｂ）刊行物３の摘記事項アには、「ＳｉＯ2等から成る層間絶縁層１６を形成し、この層間絶縁層１６に開口部２０を形成する。次いで、層間絶縁層１６及び開口部２０内に、例えばＴｉ／ＴｉＮから成る密着層２２を形成する。」（【０００６】段落）こと、「図６の（Ｂ）に示すように密着層２２全面に、ブランケットＣＶＤ法によって金属層２４を形成する。この例においては、金属層はタングステンから成る。」（【０００９】段落）ことが、記載されており、刊行物３の摘記事項イには、「層間絶縁層及び酸化防止層に開口部を形成し、次いでＴｉ／ＴｉＮ系の２層構造の密着層を介してブランケットタングステンＣＶＤ法でタングステンから成る金属層を形成」（【００２５】段落）することが、記載されている。
（ｃ）刊行物４の摘記事項アには、「アルミニウム（Ａｌ）の配線工程の一つとして、層間絶縁膜にコンタクトホールを開口し、このコンタクトに密着層として薄いＴｉ／ＴｉＮ膜、このＴｉ／ＴｉＮ膜の上にＡｌのシリコン基板へのスパイク防止のためのバリアメタルとしてのタングステン（Ｗ）、そしてこのＷの上に配線材料としてのＡｌをスパッタリングで形成する方法をとっている。」（【０００３】段落）ことが、記載され、刊行物４の摘記事項ウには、「図３（ｃ）に示すように、コンタクトホール部にＴｉ／ＴｉＮ膜８、Ｗ ｐｌｕｇ９ｂを形成する。」（【００３３】段落）ことが、記載され、刊行物４の摘記事項エには「図４（ｃ）に示すように、コンタクトホール部にＴｉ／ＴｉＮ膜８、Ｗ ｐｌｕｇ９ａを形成する。」（【００３９】段落）ことが、記載され、刊行物４の摘記事項オには「図６（ｂ）に示すように、コンタクト部にＴｉ／ＴｉＮ膜８、Ｗ ｐｌｕｇ９ｃを形成する。」（【００４６】段落）ことが、記載されている。
（ｄ）上記の（ａ）ないし（ｃ）に記載のように、開孔内に、チタン層、チタンの窒化物層、タングステン層を順次形成することは、周知技術である。
（ｅ）すると、刊行物１発明の「前記コンタクト孔内にＷ膜を選択的に成長させる工程」の代わりに、上記の（ｄ）に記載の周知技術を適用して、本願補正後発明１のごとく、「接点穴内へチタン膜を形成することによりチタンを含む層を施与し、」「かつ接点金属（８）を取付ける」ようになすことは、当業者が適宜なし得たことと認められる。
（ｆ）そして、刊行物１発明に、上記の（ｄ）に記載の周知技術を適用すると、本願補正後発明１と構造が同じになるから、「表面範囲におけるふっ素イオンは、ケイ化を行わなくとも、ドーピングされた又はケイ化された領域の表面範囲においてケイ化チタンの形成を助長」するという、本願補正後発明１と同様な効果を奏することが予想される。
　
　したがって、本願の補正後の請求項１に係る発明は、刊行物１ないし４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
３−５　独立特許要件についてのむすび
　以上のとおり、補正後の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないので、補正後の他の請求項に係る発明についての検討をするまでもなく、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものである。
　
４　まとめ
　よって、本件補正は、上記の「２−３」、及び上記の「３−５」に記載のとおり、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定に違反しており、仮に、請求項１についての補正が、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮に該当するとしても、補正後の請求項１に係る発明は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、本件補正は、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。　
　
第３　本願発明について
　平成１８年６月１４日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし５に係る発明は、平成１７年４月１２日付けの手続補正書の請求項１ないし５に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、そのうち、本願の請求項１に係る発明は、以下のとおりのものである。
「１．　−マスク層（３）における接点穴（４）を介して半導体部材（１）にｎ＋−又はｐ＋−導電するドーピングされた又はケイ化された領域（２）を製造し、
−ドーピングされた又はケイ化された領域（２）の表面範囲（５）において接点穴（２）の範囲にふっ素イオンを注入し、かつ
−続いて接点穴内へチタンをスパッタリングしてチタンを含む層を施与し、その際、表面範囲におけるふっ素イオンは、ドーピングされた又はケイ化された領域の表面範囲においてケイ化チタンの形成を助長する、という
方法ステップを有する、半導体構成要素の製造方法。」
　
第４　引用刊行物に記載された発明
　刊行物１ないし刊行物４に記載された事項及び刊行物１に記載された発明は、上記の「第２　３−２」に記載されたとおりである。
　
第５　対比
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）と刊行物１発明とを対比する。
（ａ）刊行物１発明の「Ｓｉ基板にＰ型拡散層を形成する工程」において、「Ｓｉ基板」と「Ｐ型拡散層を形成する」ことは、それぞれ、本願発明１の「半導体部材（１）」と「ｐ＋−導電するドーピングされた」「領域（２）を製造」することに相当し、また、本願発明１の「ｎ＋−又はｐ＋−導電するドーピング」は、「ｎ＋−」「導電するドーピング」と「ｐ＋−導電するドーピング」の択一的な記載であるから、「ｎ＋−」「導電するドーピング」と「ｐ＋−導電するドーピング」のいずれか一つを選択することで足り、同じく、本願発明１の「ドーピングされた又はケイ化された領域（２）を製造」することは、「ドーピングされた」「領域（２）を製造」することと「ケイ化された領域（２）を製造」することのいずれか一つを選択することで足りるので、刊行物１発明の「Ｓｉ基板にＰ型拡散層を形成する工程」は、本願発明１の「半導体部材（１）にｎ＋−又はｐ＋−導電するドーピングされた又はケイ化された領域（２）を製造」することに相当する。
（ｂ）刊行物１発明の「絶縁膜」と「コンタクト孔」は、それぞれ、本願発明１の「マスク層（３）」と「接点穴（４）」に相当する。
（ｃ）刊行物１発明の「Ｆ＋のイオン注入により前記コンタクト孔の底面部のＳｉ基板表面に非晶質層を形成する工程」において、「Ｆ＋のイオン注入」は、本願発明１の「ふっ素イオンを注入」することに相当し、「Ｆ＋のイオン注入により前記コンタクト孔の底面部のＳｉ基板表面に非晶質層を形成する」のであるから、「Ｆ＋のイオン注入」する領域は、「前記コンタクト孔の底面部」であり、また、本願発明１の「ドーピングされた又はケイ化された領域（２）」は、「ドーピングされた」「領域（２）」と「ケイ化された領域（２）」の択一的な記載であるから、「ドーピングされた」「領域（２）」と「ケイ化された領域（２）」のいずれか一つを選択することで足りるので、刊行物１発明の「Ｆ＋のイオン注入により前記コンタクト孔の底面部のＳｉ基板表面に」「層を形成する工程」は、本願発明１の「ドーピングされた又はケイ化された領域（２）の表面範囲（５）において接点穴（２）の範囲にふっ素イオンを注入」することに相当する。
（ｄ）刊行物１発明の「半導体装置の製造方法」は、本願発明１の「半導体構成要素の製造方法」に相当する。　
　
　すると、本願発明１と刊行物１発明とは、
「半導体部材（１）にｎ＋−又はｐ＋−導電するドーピングされた又はケイ化された領域（２）を製造し、
−ドーピングされた又はケイ化された領域（２）の表面範囲（５）において接点穴（２）の範囲にふっ素イオンを注入する、という
方法ステップを有する、半導体構成要素の製造方法。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
　相違点４
　本願発明１は、「マスク層（３）における接点穴（４）を介して半導体部材（１）にｎ＋−又はｐ＋−導電するドーピングされた又はケイ化された領域（２）を製造」するのに対して、刊行物１発明は、「Ｓｉ基板にＰ型拡散層を形成する工程と、全面に絶縁膜を形成したのち前記Ｐ型拡散層上にコンタクト孔を形成する工程」を有しており、「Ｐ型拡散層を形成する工程」と「コンタクト孔を形成する工程」の順序が、本願発明１と逆である点。
　相違点５
　本願発明１は、「接点穴内へチタンをスパッタリングしてチタンを含む層を施与し、その際、表面範囲におけるふっ素イオンは、ドーピングされた又はケイ化された領域の表面範囲においてケイ化チタンの形成を助長する」との構成を有するのに対して、刊行物１発明は、このような構成を有していない点。
　
第６　当審の判断
　以下において、相違点４及び５について検討する。
　相違点４について
（ａ）刊行物１の摘記事項イには、従来の技術として、「コンタクト孔底部にＢ＋またはＢＦ２＋のイオン注入を行」（第１頁右下欄第９ないし１０行）うことが、記載されている。
（ｂ）上記の（ａ）の記載によると、「コンタクト孔」を形成してから、その後に「コンタクト孔底部にＢ＋またはＢＦ２＋のイオン注入を行」うことが、従来から知られていたのであるから、刊行物１発明の「Ｓｉ基板にＰ型拡散層を形成する工程と、全面に絶縁膜を形成したのち前記Ｐ型拡散層上にコンタクト孔を形成する工程」に代えて、刊行物１に記載の従来の技術を適用して、本願発明１のごとく、「マスク層（３）における接点穴（４）を介して半導体部材（１）にｎ＋−又はｐ＋−導電するドーピングされた又はケイ化された領域（２）を製造」するようになすことは、当業者が適宜なし得たことと認められる。　
　
　相違点５について
（ａ）刊行物２の摘記事項アには、「所望の位置に配線層接続の為の開孔１０５を設け、配線層形成前の構造を得る。」（第２頁右下欄第１７ないし１９行）こと、「スパッタリング法によりチタン層１０６を０．１μｍ形成し、ひきつづいてチタンの窒化物層１０７を連続的に０．１μｍ形成する。」（第２頁右下欄第２０行ないし第３頁左上欄第３行）こと、「気相成長法により開孔１０５内部に残った窒化チタンの表面にのみ、選択的にタングステン１０９を成長する。」（第３頁左上欄第１９行ないし同頁右上欄第１行）ことが、記載されている。
（ｂ）刊行物３の摘記事項アには、「ＳｉＯ2等から成る層間絶縁層１６を形成し、この層間絶縁層１６に開口部２０を形成する。次いで、層間絶縁層１６及び開口部２０内に、例えばＴｉ／ＴｉＮから成る密着層２２を形成する。」（【０００６】段落）こと、「図６の（Ｂ）に示すように密着層２２全面に、ブランケットＣＶＤ法によって金属層２４を形成する。この例においては、金属層はタングステンから成る。」（【０００９】段落）ことが、記載されており、刊行物３の摘記事項イには、「層間絶縁層及び酸化防止層に開口部を形成し、次いでＴｉ／ＴｉＮ系の２層構造の密着層を介してブランケットタングステンＣＶＤ法でタングステンから成る金属層を形成」（【００２５】段落）すること、「図１の（Ｂ）に示すように、層間絶縁層１６の上表面１６Ａの上に形成された酸化防止層１８及び開口部２０内に、例えばＴｉ層及びＴｉＮ層から成る密着層２２をスパッタ法等で順次形成した。」（【００２９】段落）ことが、記載されている。
（ｃ）刊行物４の摘記事項アには、「アルミニウム（Ａｌ）の配線工程の一つとして、層間絶縁膜にコンタクトホールを開口し、このコンタクトに密着層として薄いＴｉ／ＴｉＮ膜、このＴｉ／ＴｉＮ膜の上にＡｌのシリコン基板へのスパイク防止のためのバリアメタルとしてのタングステン（Ｗ）、そしてこのＷの上に配線材料としてのＡｌをスパッタリングで形成する方法をとっている。」（【０００３】段落）ことが、記載され、刊行物４の摘記事項ウには、「図３（ｃ）に示すように、コンタクトホール部にＴｉ／ＴｉＮ膜８、Ｗ ｐｌｕｇ９ｂを形成する。」（【００３３】段落）ことが、記載され、刊行物４の摘記事項エには「図４（ｃ）に示すように、コンタクトホール部にＴｉ／ＴｉＮ膜８、Ｗ ｐｌｕｇ９ａを形成する。」（【００３９】段落）ことが、記載され、刊行物４の摘記事項オには「図６（ｂ）に示すように、コンタクト部にＴｉ／ＴｉＮ膜８、Ｗ ｐｌｕｇ９ｃを形成する。」（【００４６】段落）ことが、記載されている。
（ｄ）上記の（ａ）ないし（ｃ）に記載のように、開孔内に、チタン層、チタンの窒化物層、タングステン層を順次形成することは、周知技術である。
（ｅ）また、上記の（ａ）及び（ｂ）に記載のように、チタン層をスパッタリングにより形成することも、周知技術である。
（ｆ）すると、刊行物１発明の「前記コンタクト孔内にＷ膜を選択的に成長させる工程」の代わりに、上記の（ｄ）及び（ｅ）に記載の周知技術を適用して、本願発明１のごとく、「接点穴内へチタンをスパッタリングしてチタンを含む層を施与」する工程を備えたものとなすことは、当業者が適宜なし得たことと認められる。
（ｇ）そして、刊行物１発明に、上記の（ｄ）及び（ｅ）に記載の周知技術を適用すると、本願発明１と構造が同じになるから、「表面範囲におけるふっ素イオンは、ドーピングされた又はケイ化された領域の表面範囲においてケイ化チタンの形成を助長する」という、本願発明１と同様な効果を奏することが予想される。
　
　したがって、本願の請求項１に係る発明は、刊行物１ないし４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　
第７　むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないので、本願の他の請求項に係る発明についての検討をするまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。