【事件の表示】
　平成　９年特許願第２６９０２４号「振幅変調および位相変調を行うための整調可能な薄膜バルク型音響共振器が組み込まれている装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　５月１５日出願公開、特開平１０−１２６１６０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯 
　本件は、平成９年１０月１日（パリ条約による優先権主張１９９６年１０月２日、米国）の特許出願であって、平成１８年８月１５日付けで拒絶理由通知がなされ、平成１９年２月２２日付けで手続補正書が提出され、同年５月２３日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年８月２７日付けで拒絶査定不服審判の請求がなされた。
　　　
　　　　　
２．本件発明 
　本件の請求項１に係る発明は、平成１９年２月２２日付け手続補正書によって補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである（以下「本件発明」という）。
　　　　  
「【請求項１】　基板と、
共振手段と、
前記共振手段の第１の面に隣接する第１電極と、
前記共振手段の第２の面に隣接する第２電極と、
前記第２電極および前記基板間に位置する膜と、
１対のエッチング窓と、
前記基板の少なくとも一部分を前記膜の少なくとも一部分から隔てるエアギャップと
からなり、前記エアギャップが、前記エッチング窓を通して前記基板の一部分を除去することにより形成され、
前記共振手段が、前記の第１および第２の電極間に印加された電圧によって当該電極間に生じた電界に応答して共振し、前記エアギャップが、前記共振手段により生成された振動を前記基板から絶縁するバルク型音波共振器。」
　　　　
　　　　 　　　
３．引用例 
　原査定の拒絶の理由に引用された特開昭６０−１０３７０９号公報（以下、「引用例」という）には、下記の事項が記載されている。
　　　
（ア）「　＜産業上の利用分野＞
　本発明は音響共振器とその製造方法に関し、更に具体的には、支持基体の１側から全ての工程を成し得る音響共振器とその製造方法に関するものである。」（公報第２頁右上欄５行〜９行）
　
（イ）「第１図と第２図は本発明による多層構造の、ＧａＡｓ構成体上に蒸着された共振器を示すものである。図示の通り、ＧａＡｓ基体１０の上にはＡｌＮの第１層１２、Ａｌの第２層１４、ＡｌＮの第３層１６、そしてＡｌの第４層１８が形成されている。電極層１４及び１８は充分な導電性を有して共振作動が助長されるような厚みを有しており、通常約０．１０〜０．２０μｍ厚としている。ＡｌＮの層１６は、電極によって形成される電界に応答して固有振動数にて共振する圧電体であり、この共振周波数は層１６の厚さの関数である。層１６は一般には１．０〜２５．０μｍ厚とし、これによって約１．０ＧＨｚ以上から２００ＭＨｚ以下までの基本周波数範囲となる。ＡｌＮの層１２は充分な厚みを有していて、後述するようにエッチング工程中に層１４を保護している。上記層１２は、共振器作動中にスプリアス変換の制御をするものとして作用させるためにも、充分な厚さを有している。具体的には、０．５μｍ程度の厚さが典型的である。」（公報第３頁左上欄１６行〜右上欄１５行）
　　
（ウ）「次いで上記蒸着された多層複合剤から音響共振器が作製される。まず最初の段階としては層１８からＡｌ電極を形成することである。電極とする層１８の部分を従来周知の方法にて覆い、次に同じ層１８の覆われていない部分を除去して層１８の電極とする。本発明の方法を示した第１図及び第２図において、１個の多層複合材から複数の共振器が形成されている。第１図において電極２０は、２００μｍ×２００μｍのパッド２１とリード線２２を有し、リード線２２によって基体上の他の回路部品と集積化される。」（公報第３頁右下欄７行〜１７行）　
　　
（エ）「電極２０が形成された後で、その近傍にキャビティ２５を形成して層１６、１４及び１２を通ってＧａＡｓ基体に到るようにする。」（公報第４頁左上欄７行〜９行）
　　
（オ）「最後に、キャビティ２５からＧａＡｓ基板１０にエッチング剤を入れて電極パッド２１の反対のＧａＡｓ部を除去する。エッチング剤はパッド２１の反対側のピラミッド状開口２７を蝕刻し、その結果形成される共振器はＧａＡｓ基体に周辺を支持した棚状の形状を有する構成体となる。」（公報第４頁左上欄１９行〜右上欄５行）
　
（カ）「共振器の電極となる層１４は種々の方法によって電気的接点を具備するように出来る。」（公報第４頁左下欄３行〜４行）
　
（キ）「本発明の製造方法に従って、たて波共振器を作製した。Ａｌ電極の厚さは０．２μｍ、ＡｌＮの遮蔽層の厚さは０．５μｍ、そして共振器の厚さは６．５μｍであった。基本直列共振周波数は９９４．９６ＭＨｚであり、基本並列共振周波数は１０００．２１ＭＨｚであった。」（公報第４頁右下欄１６行〜第５頁左欄３行）
　　　
　よって、上記（ア）乃至（キ）及び関連図面から、引用例には、
「ＧａＡｓ基体１０と、
ＡｌＮの第３層１６と、
前記ＡｌＮの第３層１６の上面に隣接するＡｌの第４層１８と、
前記ＡｌＮの第３層１６の下面に隣接するＡｌの第２層１４と、
前記Ａｌの第２層１４および前記ＧａＡｓ基体１０間に位置するＡｌＮの第１層１２と、
キャビティと、
前記ＧａＡｓ基体１０の一部分を前記ＡｌＮの第１層１２の一部分から隔てるピラミッド状開口と
からなり、前記ピラミッド状開口が、前記キャビティを通して前記ＧａＡｓ基体１０の一部分を除去することにより形成され、
前記ＡｌＮの第３層１６が、電極によって形成される電界に応答して共振する音響共振器。」
の発明（以下、「引用発明」という）が記載されている。
　　　　
　　　　　　　　　　  
４．対比 
（１）本件発明と引用発明との対応関係について
　引用発明の「ＧａＡｓ基体１０」、「ＡｌＮの第１層１２」は、本件発明の「基板」、「膜」に相当している。
　引用例には、Ａｌの第４層１８を電極にする事が上記（ウ）に記載され、Ａｌの第２層１４を電極にする事が上記（カ）に記載されているので、引用発明の「Ａｌの第４層１８」、「Ａｌの第２層１４」は、本件発明の「第１電極」、「第２電極」に相当している。
　引用例には、「キャビティ２５からＧａＡｓ基板１０にエッチング剤を入れて電極パッド２１の反対のＧａＡｓ部を除去する」ことが上記（オ）に記載されているので、引用発明の「キャビティ」は、本件発明の「エッチング窓」に相当している。
　引用発明の「ピラミッド状開口」は、ＧａＡｓ基体１０の一部分を除去することにより形成され、ＧａＡｓ基体１０の一部分をＡｌＮの第１層１２の一部分から隔てるものであるから、本件発明の「エアギャップ」に相当している。
　引用例には、「ＡｌＮの層１６は、電極によって形成される電界に応答して固有振動数にて共振する圧電体であり、この共振周波数は層１６の厚さの関数である。」ことが上記（イ）に記載されているので、引用発明の「ＡｌＮの第３層１６」、「上面」、「下面」は、本件発明の「共振手段」、「第１の面」、「第２の面」に相当している。
　また、本件発明と引用発明は、共振器である点で共通している。
　　
（２）本件発明と引用発明の一致点について
　上記の対応関係から、本件発明と引用発明は、
「基板と、
共振手段と、
前記共振手段の第１の面に隣接する第１電極と、
前記共振手段の第２の面に隣接する第２電極と、
前記第２電極および前記基板間に位置する膜と、
エッチング窓と、
前記基板の少なくとも一部分を前記膜の少なくとも一部分から隔てるエアギャップと
からなり、前記エアギャップが、前記エッチング窓を通して前記基板の一部分を除去することにより形成され、
前記共振手段が、前記の第１および第２の電極間に印加された電圧によって当該電極間に生じた電界に応答して共振する共振器。」
の点で一致している。
　　　　　
（３）本件発明と引用発明の相違点について
　本件発明と引用発明は、下記の点で相違する。
（相違点Ａ）
　本件発明の共振器は「バルク型音波共振器」であるのに対し、引用発明の共振器は音響共振器である点で相違する。
　　
（相違点Ｂ）
　本件発明は、エッチング窓が「一対」であるのに対し、引用発明はそのような構成になっていない点で相違する。
　　
（相違点Ｃ）
　本件発明では、エアギャップが「共振手段により生成された振動を前記基板から絶縁する」構成となっているのに対し、引用例にはＡｌＮの第３層１６で生成した振動がピラミッド状開口によりＧａＡｓ基体１０から絶縁されることが記載されていないので、引用発明がそのような構成を有しているかは定かではない点で相違する。
　　
　　　　
５．当審の判断 
（１）相違点Ａについて
　本件明細書の段落９には、「バルク型音波（ＢＡＷ）共振器」を「薄膜バルク型音響共振器」ともいうことが記載されている。また、引用発明の音響共振器は、圧電薄膜である「ＡｌＮの第３層１６」が、「電極によって形成される電界に応答して共振する」ものであり、引用例にはたて波共振器として作製することも上記（キ）に記載されていることから、引用発明の音響共振器は「薄膜バルク型音響共振器」であると解される。
　してみると、本件発明の「バルク型音波（ＢＡＷ）共振器」と引用発明の「音響共振器」とは、どちらも「薄膜バルク型音響共振器」であるので、相違点Ａには実質的な差違はない。
　　
（２）相違点Ｂについて
　圧電薄膜共振器等の分野では、圧電薄膜の下部にエアギャップを形成するために、エッチング用の一対の穴を圧電薄膜が形成された面側に設けることは、原査定の拒絶の理由に引用された特開平１−９８３１１号公報の第２図、特開平６−２０４７７６号公報の図２１に記載されているように周知技術である。
　してみると、引用発明において、ピラミッド状開口を形成するエッチングのためにエッチング窓を一対設けることは、上記周知技術にすぎず、引用発明には該周知技術が適用されることを阻害する特段の事情も認められないので、引用発明において、エアギャップを形成するために、一対のエッチング窓を設けることは、当業者ならば容易に想到し得たものである。
　
（３）相違点Ｃについて
　一般に薄膜バルク型音響共振器では、圧電体を共振させるために圧電体が共振する領域にエアギャップを設けて、圧電体の共振による振動が基板から絶縁されるように構成されている。
　そして、引用例には、上記（ウ）に、
「第１図において電極２０は、２００μｍ×２００μｍのパッド２１とリード線２２を有し、リード線２２によって基体上の他の回路部品と集積化される。」　
と記載され、上記（オ）に、
「キャビティ２５からＧａＡｓ基板１０にエッチング剤を入れて電極パッド２１の反対のＧａＡｓ部を除去する。」
と記載されていることから、引用発明では、主に電極２０のパッド２１の領域で圧電体が共振し、その共振する領域に対応したＧａＡｓ部が除去されていると認められる。
　してみると、引用発明においても、ピラミッド状開口が圧電体であるＡｌＮの第３層１６により生成された振動をＧａＡｓ基板１０から絶縁する構成になっていると認められるので、相違点Ｃは格別なものとすることができない。
　　　
（４）本件発明の作用効果について　　　
　本件発明の作用効果も、引用発明及び周知技術から当業者が予測できる範囲のものである。　　　　
　　　　　
６．むすび 
　以上のとおり、本件発明は、当業者が引用発明及び周知技術に基いて容易に発明することができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　したがって、本件は、他の請求項について、検討するまでもなく拒絶されるべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。