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　特願２００４−３６６３４６「全方向反射性の反射鏡を用いた光モード変換器」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　７月　７日出願公開、特開２００５−１８２０３８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明 
　本願は、平成１６年１２月１７日（パリ条約による優先権主張２００３年１２月１７日、韓国）に特許出願したものであって、その請求項に係る発明は、平成１９年１０月２９日付け手続補正書で補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１−８に記載された事項により特定されるものであると認められるところ、請求項１に係る発明は次のものである。
「【請求項１】
　基板と、
　前記基板に形成される第１導波路と、
　前記基板に形成され、前記第１導波路と光学的に結合される第２導波路と、
　前記第１導波路の両側に設けられ、第１導波路を進行するモードに対する全方向反射性の反射性を有する全方向反射性の反射鏡と、
　を備え、
　前記第１導波路と前記反射鏡との間にエアギャップが形成されていて、
　前記全方向反射性の反射鏡は、Ｓｉ／ＳｉＯ２による反復的な多重層構造を有することを特徴とする、モード変換器。」（以下「本願発明」という。）
　
２．引用例 
（１）原査定の拒絶の理由に引用された、本願優先日前の刊行物である特開２００１−３５６２２９号公報（以下「引用例１」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
　ａ．「【０００８】一方、最近研究が盛んになったフォトニック結晶構造（以下、ＰｈＣ構造）とは、光の波長のおよそ半分程の周期の微細周期構造を作り込むことにより、その波長の光が存在できないという、いわゆる光のバンドギャップを発生させるものである。
【０００９】従って、ＰｈＣ構造に、光の伝搬すべき経路に沿って欠陥を作ることにより、その欠陥部分が光導波路として機能する。この方法による光の伝搬では、１００％の閉じ込め効果が期待できるため、急激な曲げも可能となり、光回路の小型化が期待される。
【０００９】従って、ＰｈＣ構造に、光の伝搬すべき経路に沿って欠陥を作ることにより、その欠陥部分が光導波路として機能する。この方法による光の伝搬では、１００％の閉じ込め効果が期待できるため、急激な曲げも可能となり、光回路の小型化が期待される。
【００１０】本来、ＰｈＣ構造は３次元に作製し、３次元的にバンドギャップを発生させるが、図８に断面構造を示すように、高さ方向に対しては、物質７ａ、７ｂ、７ｃの屈折率の違いで光を閉じ込め、面内のＰｈＣ構造４により２次元的な閉じ込めのみを行う２次元ＰｈＣ構造は、作製が比較的容易であるため、検討が進んでいる。
【００１１】・・・・
【００１２】・・・・
【００１３】２次元ＰｈＣ構造（以下、単にＰｈＣ構造と呼ぶ）４は、例えばＳｉのような屈折率の大きい１つの材料を用いて、図９や図１０のような微細周期構造を作れば良いが、３次元方向への拡張性や、他のデバイスとの組合せなどを考慮して孔８ａ部分もしくは柱８ｂの隙間部分を他の材料で埋め込み、また、２次元構造の上に低屈折率物質を積層するという方法もある。このような場合に材料の組合せが問題となるが、Ｓｉとその酸化物であるＳｉＯ2との組合せは材料の整合性も良く加工も容易で、最も有望な組合せである。」
　
　ｂ．「【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態例として、主として下記の光集積回路について説明する。
(1) 光伝搬層内に形成した微細周期構造いわゆる２次元フォトニック結晶構造（以下、単にＰｈＣ構造と呼ぶ）内に欠陥を設けることでその欠陥部分に光を閉じ込める方法と、光の進行方向を含む面に対して垂直な方向においては上下の層に対して光伝播層のみ屈折率を高くすることにより光を閉じ込め、上記面内においては光の進むべき経路に沿って屈折率の高い物質のコアを設けて光を閉じ込める方法とを組合せた光集積回路。
・・・・
(4) ＰｈＣ構造による光閉じ込めを用いた光伝搬路と高屈折率コア形光導波路との接続部分に、スポットサイズ変換機能を付けることにより、ＰｈＣ構造部分と通常の光導波路部分との接続効率を高めた光集積回路。
【００２２】・・・・
【００２３】［実施形態例１］図１及び図２に、本発明の第１実施形態例として、ＰｈＣ構造により光集積回路を構成した場合の光入出力部に、Ｓｉ光導波路を適用した例の光集積回路を示す。
【００２４】図１、図２において、ＰｈＣ構造により形成したＰｈＣ回路部１は、そのＰｈＣ構造内に欠陥を設けて形成した光導波路構造（図１１、図１２中の光導波路２、３参照）を有しており、この光導波路構造にＳｉ光導波路１０のコア（図６、図７中のコア１１参照）が接続される形で集積されている。・・・・Ｓｉ光導波路１０としては、図６（ｂ）や図７（ａ）に示したリブ型Ｓｉ光導波路、あるいは、図７（ｂ）に示した埋込リブ型Ｓｉ光導波路が用いられる。」
　
　ｃ．「【００４３】［実施形態例３］
【００４４】図４、図５に、本発明の第４実施形態例として、ＰｈＣ構造による光導波路とＳｉ光導波路との間に、スポットサイズ変換（ＳＳ変換）構造を有する光集積回路を示す。
【００４５】図４、図５に例示した各光集積回路は、図１、図２に示した第１実施形態例と同様、ＰｈＣ構造により光集積回路を形成した場合の光入出力部にＳｉ光導波路１０を適用した例であるが、実施形態例１との違いは、ＰｈＣ構造による光導波路２とＳｉ光導波路１０との間に、スポットサイズ変換（ＳＳ変換）構造を設けていることである。
【００４６】・・・・
【００４７】また、図５に例示した光集積回路のスポットサイズ変換構造６は、Ｓｉ光導波路１０との接続のために、ＰｈＣ構造４による光導波路２を連続的にに（当審注：「連続的に」の誤記と認める。）徐々に光閉じ込め幅を拡大してスポットサイズを変換し、Ｓｉ光導波路１０と接続する構造となっている。
【００４８】図５中、右側のＳｉ光導波路１０には、図４に示したようなスポットサイズ変換構造１２を設けてある。
【００４９】図４、図５どちらの光集積回路でも、スポットサイズ０．３μｍとスポットサイズ４μｍとの直接接続に比べて、結合効率が増大するのは明らかである。・・・・
【００５０】・・・・
【００５１】即ち、ＰｈＣ構造４による光導波路２とＳｉ光導波路１０との少なくとも一方のサイズを変化させて、導波光のスポットサイズを変換することにより、結合損失を低減する効果がある。」
　
　ｄ．上記ｃ．におけるＰｈＣ構造４（２次元フォトニック結晶構造）の材料は具体的には記載されていないが、上記ａ．（【００１３】）には、Ｓｉのような屈折率の大きい１つの材料を用いて微細周期構造を作り、孔部分もしくは柱の隙間部分を他の材料で埋め込む場合、Ｓｉとその酸化物であるＳｉＯ2との組合せが材料の整合性も良く加工も容易で、最も有望な組合せであることが示されているから、上記ｃ．における、ＰｈＣ構造により光集積回路を形成した場合の光入出力部にＳｉ光導波路を適用した例において、ＰｈＣ構造４の微細周期構造の材料に、ＳｉとＳｉＯ2との組合せを用いることは、当然想定されていることであると理解できる。
　
　ｅ．図６及び図８から、図５に示された光集積回路のＳｉ光導波路１０及びＰｈＣ構造４（２次元フォトニック結晶構造）は、基板の上に形成されるものであるといえることは、当業者において明らかである。
　
　上記ａ．〜ｅ．によれば、引用例１には、次の発明が記載されていると認められる。
　「ＰｈＣ構造（２次元フォトニック結晶構造）による光閉じ込めを用いた光導波路とＳｉ光導波路との接続部分に、スポットサイズ変換構造を設けることにより、ＰｈＣ構造部分と通常の光導波路部分との接続効率を高めた光集積回路であって、
　ＰｈＣ構造の微細周期構造の材料に、ＳｉとＳｉＯ2との組合せを用い、
　ＰｈＣ構造及びＳｉ光導波路を基板上に形成し、
　ＰｈＣ構造による光導波路を連続的に徐々に光閉じ込め幅を拡大してスポットサイズを変換した、光集積回路。」（以下「引用発明１」という。）
　
（２）原査定の拒絶の理由に引用された、本願優先日前の刊行物である特開２００２−２８６９５８号公報（以下「引用例２」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
　ｆ．「【請求項１】  入射口と出射口とを有し、前記入射口から入射された光を前記出射口へ導く導波路と、
前記導波路に接して設けられた第１のガイドと、
前記導波路に接し、かつ、前記第１のガイドに対向して設けられた第２のガイドとを備え、
前記第１および第２のガイドは、前記光が進行する第１の方向に垂直な第２の方向に屈折率が規則的に変化する一次元のフォトニック結晶体から成る、光導波路。」
　
　ｇ．「【００２１】図３は、１次元のフォトニック結晶体における光の透過率の周期数依存性を示す。図３の（ａ）〜（ｅ）は、それぞれ、２周期、３周期、４周期、５周期、および６周期の場合を示す。また、図３の（ａ）〜（ｅ）の各図において、縦軸は、ｄＢ単位で表した光の透過率であり、横軸は光の振動数である。したがって、縦軸の値「０」は、光の透過率が１００％であることを示し、縦軸の値がマイナスの値であれば、光の透過率が小さいことを示す。たとえば、縦軸の値が−２０ｄＢのとき光の透過率は約１％である。更に、各図において、破線は、１次元のフォトニック結晶体への光の入射角が０度の場合を示し、１点鎖線は入射角が４５度の場合を示し、実線は入射角が８９度の場合を示す。
【００２２】図３の結果、１次元のフォトニック結晶体への入射角が大きくなると、各周期数において光の透過率が小さくなる。そして、４周期の場合、入射角が０度であっても、光の振動数を選択すれば光の透過率は−２０ｄＢ以下になり、十分に光を閉じ込められる。好適な周期数の範囲は、４〜６周期の範囲である。
【００２３】図３に示したとおり、入射角が８９度の場合、透過率が最も小さいため、ガイド２，３への光の入射角が８９度になるように導波路４に光を入射させれば、入射した光は、殆ど損失することなく導波路４を伝搬する。すなわち、図４に示すように、ガイド２，３の法線３０と成す角度が８９度になるように導波路４に光を入射させる。入射された光は、ガイド２と導波路４との界面２５およびガイド３と導波路４との界面２６でほぼ１００％反射されながら導波路４中を進行する。この場合、光は、界面２５，２６において８９度の入射角と等しい反射角で反射されるため、導波路４中をほぼ平行光ＬＢとして進行する。
【００２４】このように、１次元のフォトニック結晶体をガイドに用いれば、導波路とガイドとの界面で光をロスしない光導波路を作製することができる。」
　
　上記ｆ．及びｇ．によれば、引用例２には、次の発明が記載されていると認められる。
　「入射口と出射口とを有し、前記入射口から入射された光を前記出射口へ導く導波路と、
前記導波路に接して設けられた第１のガイドと、
前記導波路に接し、かつ、前記第１のガイドに対向して設けられた第２のガイドとを備え、
前記第１および第２のガイドは、前記光が進行する第１の方向に垂直な第２の方向に屈折率が規則的に変化する一次元のフォトニック結晶体から成る、光導波路であって、
　一次元のフォトニック結晶体における周期数が４周期の場合、入射角が０度であっても、光の振動数を選択すれば光の透過率は−２０ｄＢ以下になり、十分に光を閉じ込められ、入射角が８９度の場合、透過率が最も小さいため、ガイドへの光の入射角が８９度になるように前記導波路に光を入射させれば、入射した光は、ガイドと導波路との界面でほぼ１００％反射されながら導波路中を進行する、
　一次元のフォトニック結晶体をガイドに用いた、導波路とガイドとの界面で光をロスしない光導波路。」（以下「引用発明２」という。）
　
（３）原査定の拒絶の理由に引用された、本願優先日前の刊行物である特表平８−５０５７０７号公報（以下「引用例３」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
　ｈ．「第８ａ図と第８ｂ図は、発明の別の実施態様による導波管５６の区分を描く。ＧａＡｓ等の材料から作られた高屈折率エピレイヤー５１は、基板５３を形成するために、ＧａxＡｌ1-xＡｓ等の材料から作られた低屈折率ベース基板５０の上面において形成される。基板５３はまた、誘電又は光学材料の如く他の材料からも作られる。周期誘電構造５２は、エピレイヤー５１の平面において２次元で周期的である。光導波管５６の区分は、ほぼ平行なトレンチ５８と６０の間のエピレイヤー５１において形成される。導波管区分５６は、９００円形ベンド６２を含む。９０゜のベンド角度は、例示の目的のみのために選択される。ベンド角度は、９０°である必要はない。トレンチ５８と６０は、エッチング又は他の公知のプロセスによって形成される。トレンチにおける空気は、導波管５６によって伝達された光の内面反射に対して屈折率コントラストを設ける。周期誘電構造５２は、トレンチ５８と６０の外側に設けられ、全内面反射のための必要条件が満たされない場合に損失を除去する。
　周期誘電構造５２は、導波管５６において伝搬する光の既知周波数において周波数帯ギャップを有するように、第４〜６図に関して記載された如く形成される。このため、光は、エピレイヤー５１の平面において基板５３に伝搬しない。結果として、ベンド６２における光の損失は、事実上除去される。
　例示のために、光は、矢印６４の方向において導波管５６を通って移動する。ベンド６２に進入する時、光は、前述の如く角度の増大とともに導波管５６とトレンチ５８の間の障壁６６に打ち当たる。一様な基板を有する先行素子において、光は、基板に伝搬し、損失される。しかし、第８ａ図と第８ｂ図に示された如く本発明において、光は、周期誘電構造５２のために基板５３に伝搬しない。代わりに、光は、導波管５６内に閉じ込められ、ベンド６２を通って継続する。
　第８ａ図と第８ｂ図の実施態様において、導波管５６は、エピレイヤー５１においてトレンチ５８と６０を生成することにより形成される。第１ａ図と第１ｂ図に関連して記載されたものを含む他の方法がまた、可能である。高屈折率チャネルが、一様基板に材料を拡散するか、又は基板における材料をエッチングすることにより形成される。チャネルが形成された後、周期誘電構造が、前述の手順により基板において形成される。」（１７頁９行〜１８頁９行）
　
　ｉ．「 ２２．縮小された放射損を有する光回路部品において、
基板（２０２）と、基板上又は基板内に形成された光集積回路（２０８、２１０、２１２）とを具備し、
少なくとも２つの次元において誘電率における空間周期変動を有する周期誘電格子構造（２２２）を有する、基板上又は基板内に形成した領域を具備し、格子次元は、光集積回路が動作可能である電磁放射線の周波数帯を規定する周波数帯ギャップを生成するように配分され、周期変動の平面において、そのような周波数における放射線が、領域内の少なくとも一つの次元において伝搬するのを実質的に防止されることを特徴とする光回路部品。
・・・・
　３６．光集積回路が、光導波管（２１２）を具備する請求の範囲２２に記載の光回路部品。
・・・・
　４１．光導波管が、基板の表面において２つのほぼ平行なトレンチ（５８、６０）の間の材料のチャネルである請求の範囲３６に記載の光回路部品。」（３２頁１５行〜３４頁４行）
　
　ｊ．「光は、導波管の内側とその上の空気の間の屈折率コントラストのために、導波管から空間に伝搬しない。」（１６頁１６〜１８行。）
　
　上記ｈ．ないしｊ．によれば、引用例３には、次の発明が記載されていると認められる。
　「基板と、基板上又は基板内に形成された光集積回路とを具備し、
　少なくとも２つの次元において誘電率における空間周期変動を有する周期誘電格子構造を有する、基板上又は基板内に形成した領域を具備し、格子次元は、光集積回路が動作可能である電磁放射線の周波数帯を規定する周波数帯ギャップを生成するように配分され、周期変動の平面において、そのような周波数における放射線が、領域内の少なくとも一つの次元において伝搬するのを実質的に防止される光回路部品において、
　光集積回路が、光導波管を具備し、
　光導波管が、基板の表面において２つのほぼ平行なトレンチの間の材料のチャネルであり、
　トレンチにおける空気は、光導波管によって伝達された光の内面反射に対して屈折率コントラストを設け、周期誘電格子構造は、２つのトレンチの外側に設けられ、全内面反射のための必要条件が満たされない場合の損失を除去したもの。」（以下「引用発明３」という。）
　
３．対比・判断 
（１）本願発明と引用発明１とを対比する。 
　ア．引用発明１における「Ｓｉ光導波路」、「ＳｉとＳｉＯ2」及び「基板」は、それぞれ、本願発明における「第２導波路」、「Ｓｉ／ＳｉＯ２」及び「基板」に相当する。
　
　イ．引用発明１における「『ＰｈＣ構造（２次元フォトニック結晶構造）による光閉じ込めを用いた光導波路とＳｉ光導波路との接続部分』に設けられ、『ＰｈＣ構造による光導波路を連続的に徐々に光閉じ込め幅を拡大してスポットサイズを変換した』、『スポットサイズ変換構造』」は、「Ｓｉ光導波路」（第２導波路）と接続されているから、 「『スポットサイズ変換構造』における『ＰｈＣ構造による光導波路』の、光が導波する部分」は、本願発明における「第１光導波路」に相当し、引用発明１は、本願発明の「第２導波路」が「第１導波路と光学的に結合される」なる事項を備える。
　
　ウ．引用発明１のＰｈＣ構造は基板上に形成されるから、上記イ．の「『スポットサイズ変換構造』における『ＰｈＣ構造による光導波路』の、光が導波する部分」すなわち「第１光導波路」も基板上に形成されることは、明らかである。
　
　エ．引用発明１の「スポットサイズ変換構造」は、「ＰｈＣ構造による光導波路を連続的に徐々に光閉じ込め幅を拡大」したものであり、該「ＰｈＣ構造」が「第１光導波路」（上記イ．参照。）の両側に設けられることは、明らかであるから、引用発明１の「ＰｈＣ構造」と、本願発明の「全方向反射性の反射鏡」は、「第１導波路の両側に設けられ」、第１導波路において光を閉じ込める、すなわち、第１導波路を進行するモードを閉じ込める構造である点で一致する。
　
　オ．引用発明１の「ＰｈＣ構造の微細周期構造の材料」である「ＳｉとＳｉＯ2との組合せ」は、ＳｉとＳｉＯ2との周期構造、すなわち、ＳｉとＳｉＯ2とが交互に反復して備わった構造であると理解できる。したがって、引用発明１における「ＰｈＣ構造」と、本願発明の「全方向反射性の反射鏡」は、「Ｓｉ／ＳｉＯ２による反復的な」構造を有する点で一致する。
　
　カ．引用発明１における「『スポットサイズ変換構造』を設けた『光集積回路』」は、本願発明の「モード変換器」に相当する。
　
　上記ア．〜カ．からみて、両発明は、
「基板と、
　前記基板に形成される第１導波路と、
　前記基板に形成され、前記第１導波路と光学的に結合される第２導波路と、
　前記第１導波路の両側に設けられ、第１導波路を進行するモードを閉じ込める構造と、
　を備え、
　前記第１導波路を進行するモードを閉じ込める構造は、Ｓｉ／ＳｉＯ２による反復的な構造を有する、モード変換器。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
　
＜相違点１＞
　第１導波路を進行するモードを閉じ込める構造につき、本願発明は、当該モードに対する「全方向反射性の反射性を有する全方向反射性の反射鏡」であって、その反復的な構造が「多重層構造」であるのに対し、引用発明１は、「ＰｈＣ構造（２次元フォトニック結晶構造）」である点。
　
＜相違点２＞
　本願発明は、「第１導波路」と「第１導波路を進行するモードを閉じ込める構造」との間にエアギャップが形成されているのに対し、引用発明１はそれが形成されていない点。
　
（２）上記相違点について検討する。
（２−１）上記相違点１について
　引用例２には、上記２．（２）に記載のとおりの引用発明２が記載されており、引用発明２における「一次元のフォトニック結晶体」から成る「ガイド」は、光を反射し、反復的な多重層構造を有するものであると理解できるから、引用発明２の前記「ガイド」は、本願発明の「反復的な多重層構造を有する」「反射鏡」に相当するものである。また、引用発明２は、ガイドへの入射角が８９度の場合、入射した光は、ガイドと導波路との界面でほぼ１００％反射し、入射角が０度であっても、十分に光を閉じ込められるから、引用発明２の前記「ガイド」は、「全方向反射性の反射鏡」であるといえる。
　そして、引用発明１において、光閉じ込めのためのＰｈＣ構造として、具体的のどのような構造を用いるかは、当業者が必要に応じて適宜選択すべき設計上の事項であるところ、引用発明１の光閉じ込めのための構造として、引用発明２のガイドを適用し、上記相違点１に係る本願発明の構成となすことは、当業者が容易になし得ることである。
　
（２−２）相違点２について
　引用発明３は、上記２．（３）に記載のとおりの「光回路部品」であって、トレンチ（本願発明における「エアギャップ」に相当する。）を、光導波管と、光を閉じ込める構造である「周期誘電格子構造」の間に形成するものであり、引用例３の上記２．（３）ｊ．の記載に照らせば、該トレンチは、光導波管によって伝達された光の内面反射に対して屈折率コントラストを設けることにより、光導波管によって伝達される前記光が該光導波管から外部に漏れないようにしたものと理解できる。
　そして、引用発明１と引用発明３はいずれも光を閉じ込める構造（ＰｈＣ構造）を備えるものであり、引用発明１において、光導波路及びＳｉ光導波路から伝達される光が外部に漏れないようにするために引用発明３を適用し、上記相違点２に係る本願発明の構成となすことは、当業者が容易になし得ることである。
　
　また、本願発明の効果は、本願明細書の記載をみても、引用発明１ないし３から当業者が予想し得る程度以上の、格別のものとは認められない。
　
４．むすび 
　以上のとおり、本願発明は、引用例１ないし３のそれぞれに記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。