(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電荷発生層及び電荷輸送層を含む感光層が、電荷発生層及び電荷輸送層の順に導電性基体表面に設けられた電子写真感光体に、波長が４５０ｎｍ以下の可干渉光を露光して潜像を形成する潜像形成工程を含む画像形成方法であって、電荷輸送層が下記一般式（Ｉ）で表される化合物、一般式（III）で表される化合物、一般式（Ｖ）で表される化合物、一般式（Ｘ）〜一般式（XIII）で表される構造の１種以上を部分構造として有する化合物、又は一般式（XIV）で表される構造を部分構造として有する化合物を少なくとも１種含み、
前記電子写真感光体を露光した場合、電荷輸送層に吸収される吸収フォトン数（ＮA）と、電荷輸送層で発光する蛍光発光フォトン数（ＮF）と、が下記式（１）を満たす電子写真感光体を用いることを特徴とする画像形成方法。
ＮF ≦０．７５×ＮA （ただし、ＮF＝ＮA＝０の場合を除く。）    （１）
【化１】
0003566594.tif 000068
一般式（Ｉ）において、Ｒ1〜Ｒ3は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜５の置換若しくは未置換のアルキル基、炭素数７〜１５の置換若しくは未置換のアラルキル基、炭素数６〜１５の置換若しくは未置換のアリール基、炭素数１〜５の置換若しくは未置換のエーテル基を示す。ａ、ｂ及びｃは、それぞれ１〜３のいずれかである。
【化２】
0003566594.tif 000069
一般式（III）において、Ｒ8〜Ｒ11は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜５の置換若しくは未置換のアルキル基、炭素数７〜１５の置換若しくは未置換のアラルキル基、炭素数６〜１５の置換若しくは未置換のアリール基、炭素数１〜１５の置換若しくは未置換のアミノ基を示し、ｇ、ｈ及びｉは、それぞれ１〜３のいずれかの整数である。
【化３】
0003566594.tif 000070
一般式（Ｖ）において、Ａｒ1は無置換のあるいはアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基若しくはアミノ基で置換されていてもよいアリール基又は複素環基を示し、Ａｒ2及びＡｒ3は、それぞれアルキル基、フェニル基又はナフチル基を示す。
【化４】
0003566594.tif 000071
一般式（Ｘ）〜（XIII）において、Ａは下記一般式（VIII）又は一般式（IX）を示し、Ｂは−Ｏ−（Ｙ′−Ｏ）ｍ′−又はＺ′を示し、Ｙ、Ｙ′、Ｚ及びＺ′は、それぞれ２価の炭化水素基を示す。ｍ、ｍ′は１〜５の整数であり、ｎは０又は１である。ｐは５〜５００の整数、ｑは１〜５０００の整数、ｒは１〜３５００の整数をそれぞれ示す。ただし、ｑ＋ｒは５〜５０００の整数であり、かつ０．３≦ｑ／（ｑ＋ｒ）＜１である。
【化５】
0003566594.tif 000072
前記一般式（VIII）及び一般式（IX）においてＲ17〜Ｒ22は、それぞれ水素原子、アルキル基、アルコキシ基、置換アミノ基、ハロゲン原子又は置換若しくは未置換のアリール基を示す。ｙ及びｚは、それぞれ０又は１である。Ｕは置換又は未置換のアリール基を示し、Ｔは炭素数１〜１０の枝分かれしてもよい２価の炭化水素基を示す。
【化６】
0003566594.tif 000073
一般式（XIV）において、Ｒ23は水素原子、置換若しくは未置換のアルキル基又は置換若しくは未置換のアリール基を示し、Ｒ24及びＲ25は、それぞれ水素原子、置換若しくは未置換のアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子又は置換若しくは未置換のアリール基を示す。Ｙ1は置換若しくは未置換のアルキル基、又は置換若しくは未置換のアリーレン基を示す。Ｔ1は枝分かれしてもよい２価の脂肪族基を示し、ｎ1は０又は１である。Ａｒ10及びＡｒ11は、それぞれ置換若しくは未置換のアリール基を示す。ｔは５〜５０００の整数である。
【請求項２】
前記電子写真感光体の表面における解像度が、４００ｄｐｉ以上であることを特徴とする請求項１に記載の画像形成方法。
【請求項３】
前記電子写真感光体のプロセススピードが、４０ｍｍ／ｓｅｃ．以上であることを特徴とする請求項１又は２に記載の画像形成方法。
【請求項４】
前記露光の出力が、１ｍＷ以上であることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の画像形成方法。
【請求項５】
前記可干渉光が、固体半導体レーザー光であることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の画像形成方法。
【請求項６】
前記電荷輸送層が、前記一般式 (III）で表されるトリフェニルメタン化合物を含み、かつ、前記一般式（Ｉ）で表される化合物、下記一般式（II）及び一般式（IV）で表される化合物の少なくとも１種を含有することを特徴とする請求項１に記載の画像形成方法。
【化７】
0003566594.tif 000074
一般式（II）において、Ｒ1〜Ｒ3は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜５の置換若しくは未置換のアルキル基、炭素数７〜１５の置換若しくは未置換のアラルキル基、炭素数６〜１５の置換若しくは未置換のアリール基、炭素数１〜５の置換若しくは未置換のエーテル基を示す。ａ、ｂ及びｃは、それぞれ１〜３のいずれかである。Ｘは、下記構造式の中から選択される構造の少なくとも１種である。
【化８】
0003566594.tif 000075
前記構造式において、Ｒ4〜Ｒ7は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜５の置換若しくは未置換のアルキル基を示し、ｄ、ｅ及びｆは、それぞれ１〜５のいずれかの整数である。
【化９】
0003566594.tif 000076
一般式（IV）において、Ｒ12〜Ｒ14は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜５の置換若しくは未置換のアルキル基、炭素数７〜１５の置換若しくは未置換のアラルキル基、炭素数６〜１５の置換若しくは未置換のアリール基、炭素数１〜５の置換若しくは未置換のエーテル基を示し、ｊ、ｋ及びｌは、それぞれ１〜３のいずれかの整数である。
【請求項７】
少なくとも、露光光源と、電荷発生層及び電荷輸送層を含む感光層が導電性基体表面に設けられた電子写真感光体と、を有し、請求項１から６のいずれかに記載の画像形成方法に用いられることを特徴とする画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、波長６００ｎｍ以下の露光光源を使用して、高解像度の画像を得ることが可能な画像形成方法及びそれに用いる画像形成装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
レーザー光を露光光源とする電子写真装置としては、レーザープリンターが代表的な製品である。その露光用光源の半導体レーザーには、大部分にＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系の８００ｎｍ近傍の近赤外領域に発振波長を有するものが使用されている。
近年、電子写真装置による出力画像の画質が向上し、高解像度化が急速に進んでいる。この高解像度の画像を得ることができるように装置上対応させることは、光学的な面からは比較的容易である。すなわち、解像度を向上させるには、レーザービームのスポット径を細く絞り込むとともに、書き込み密度を高くすることにより達成される。
【０００３】
ところが、光源として近赤外域に発振波長を持つ半導体レーザーを使用すると、光学系の操作でビーム径を細くしても鮮明なスポット輪郭を得ることが困難であるという問題がある。これは、レーザー光には回折限界が存在することに起因するものであり、避けられない現象である。
前記問題を解決するためには、レーザー光の発振波長自体を短縮することが有効であると考えられる。この理由は、スポット径Ｄの下限は、レーザー光の発振波長λに正比例していて、次式で求められるからである。
Ｄ＝１．２２λ／ＮＡ
式中、ＮＡはレンズ開口数を意味する。
【０００４】
発振波長の短い半導体レーザーの開発は着実に進展しており、１９９０年代初期には、既に６５０ｎｍ付近に発振波長を有する赤色半導体レーザーが実用化されている。また、１９９５年１２月に日亜化学工業（株）により、波長４１０ｎｍを発振する青紫色半導体レーザーの開発成功が発表され、さらには、松下電器産業（株）により、非線形光学素子を用いたＳＨＧ（第２高調波）による波長４２５ｎｍを発振するレーザーも開発されたことから、発振波長４００〜５００ｎｍ程度の青色系半導体レーザーの実用化が現実のものとなった。  これに関連するものとして、特開平５−１９５９８号公報では、波長４００〜５００ｎｍの光源を用いた電子写真装置が提案され、また、特開平８−１５８８１号公報では、特定の結晶構造のペリレン顔料を用いて可視半導体レーザーにより露光させる感光体も提案されている。
【０００５】
ところが、一般に、電子写真感光体は、その層構成が導電性基体側から電荷発生層、電荷輸送層の順に積層されたものであるため、上層に設けた電荷輸送層に用いられている電荷輸送材料が、通常電荷発生材料と同様に４８０ｎｍ以下の波長を吸収するために、照射した光の一部が光導電層の表面で吸収されて光感度を低下させるという問題があった。
この問題を解消するものとして、特開平９−２４００５１号公報には、電荷発生層を電荷輸送層の上層に設けた正帯電型の感光体が提案されている。この感光体は、確かに高感度であり高解像度の潜像を形成できる。
しかし、正帯電型の感光体は、従来より普通に使用されていた負帯電のものと逆の極性になるため、トナーの帯電極性も含めた大きなシステム変更を必要とするか、或いはトナーの極性を変えないで使用するには、現在一般に使用されているイメージライティング方式をバックライティング方式に変更する必要がある。また、このバックライティング方式の場合でも、細線の再現性を確保することは非常に難しいという問題があり、多少の感度低下を伴っても、導電性基体側から電荷発生層、電荷輸送層の順に積層した従来の層構成の感光体の方が実用性に優れている。
【０００６】
また、従来の層構成の電子写真感光体を使用し、実際に６００ｎｍ以下の波長のレーザー光により潜像を形成した場合に、予期したとおりの解像度の画像が得られないという問題もあった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、前記従来における諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、高解像度の画像を得ることが可能な画像形成方法、及び該画像形成方法に用いる画像形成装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、前記問題について、その原因を検討した結果、露光波長によっては露光した光の一部が電荷輸送材料に吸収され、露光した光より長波長の蛍光が、電荷輸送材料から新たに発光していることに起因することが判った。すなわち、電荷輸送材料から蛍光発光が等方的に起こり、かつ、電荷輸送材料が吸収した光よりも長波長の光を発生し、その光が電荷発生層に達し、実質上レーザーのスポットよりもかなり広がって露光が行われていたためである。
【０００９】
従来、電荷輸送材料は、６００ｎｍ以下の波長成分を含むハロゲンランプや、タングステンランプを光源とした複写機にも使用されてきたが、これらの光源は、波長成分が広く分布しているため、電荷輸送材料に吸収されるフォトン（光子）の割合、さらに電荷輸送層で発光する蛍光のフォトン数が実質上無視できる程度であり問題にはならなかった。
しかし、光源として、レーザー光を用いた場合には、波長成分の揃った高強度の光を露光するため、上記のように電荷輸送材料が発する長波長の蛍光が問題となることが判り、上記の電荷輸送材料の発光を抑えることにより前記問題を解決し得ることを見出した。
【００１０】
従って、前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。
＜１＞  電荷発生層及び電荷輸送層を含む感光層が、電荷発生層及び電荷輸送層の順に導電性基体表面に設けられた電子写真感光体に、波長が４５０ｎｍ以下の可干渉光を露光して潜像を形成する潜像形成工程を含む画像形成方法であって、電荷輸送層が下記一般式（Ｉ）で表される化合物、一般式（III）で表される化合物、一般式（Ｖ）で表される化合物、一般式（Ｘ）〜一般式（XIII）で表される構造の１種以上を部分構造として有する化合物、又は一般式（XIV）で表される構造を部分構造として有する化合物を少なくとも１種含み、
前記電子写真感光体を露光した場合、電荷輸送層に吸収される吸収フォトン数（ＮA）と、電荷輸送層で発光する蛍光発光フォトン数（ＮF）と、が下記式（１）を満たす電子写真感光体を用いることを特徴とする画像形成方法。
ＮF ≦０．７５×ＮA （ただし、ＮF＝ＮA＝０の場合を除く。）    （１）
【化１０】
0003566594.tif 000002
一般式（Ｉ）において、Ｒ1〜Ｒ3は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜５の置換若しくは未置換のアルキル基、炭素数７〜１５の置換若しくは未置換のアラルキル基、炭素数６〜１５の置換若しくは未置換のアリール基、炭素数１〜５の置換若しくは未置換のエーテル基を示す。ａ、ｂ及びｃは、それぞれ１〜３のいずれかである。
【化１１】
0003566594.tif 000003
一般式（III）において、Ｒ8〜Ｒ11は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜５の置換若しくは未置換のアルキル基、炭素数７〜１５の置換若しくは未置換のアラルキル基、炭素数６〜１５の置換若しくは未置換のアリール基、炭素数１〜１５の置換若しくは未置換のアミノ基を示し、ｇ、ｈ及びｉは、それぞれ１〜３のいずれかの整数である。
【化１２】
0003566594.tif 000004
一般式（Ｖ）において、Ａｒ1は無置換のあるいはアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基若しくはアミノ基で置換されていてもよいアリール基又は複素環基を示し、Ａｒ2及びＡｒ3は、それぞれアルキル基、フェニル基又はナフチル基を示す。
【化１３】
0003566594.tif 000005
一般式（Ｘ）〜（XIII）において、Ａは下記一般式（VIII）又は一般式（IX）を示し、Ｂは−Ｏ−（Ｙ′−Ｏ）ｍ′−又はＺ′を示し、Ｙ、Ｙ′、Ｚ及びＺ′は、それぞれ２価の炭化水素基を示す。ｍ、ｍ′は１〜５の整数であり、ｎは０又は１である。ｐは５〜５００の整数、ｑは１〜５０００の整数、ｒは１〜３５００の整数をそれぞれ示す。ただし、ｑ＋ｒは５〜５０００の整数であり、かつ０．３≦ｑ／（ｑ＋ｒ）＜１である。
【化１４】
0003566594.tif 000006
前記一般式（VIII）及び一般式（IX）においてＲ17〜Ｒ22は、それぞれ水素原子、アルキル基、アルコキシ基、置換アミノ基、ハロゲン原子又は置換若しくは未置換のアリール基を示す。ｙ及びｚは、それぞれ０又は１である。Ｕは置換又は未置換のアリール基を示し、Ｔは炭素数１〜１０の枝分かれしてもよい２価の炭化水素基を示す。
【化１５】
0003566594.tif 000007
一般式（XIV）において、Ｒ23は水素原子、置換若しくは未置換のアルキル基又は置換若しくは未置換のアリール基を示し、Ｒ24及びＲ25は、それぞれ水素原子、置換若しくは未置換のアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子又は置換若しくは未置換のアリール基を示す。Ｙ1は置換若しくは未置換のアルキル基、又は置換若しくは未置換のアリーレン基を示す。Ｔ1は枝分かれしてもよい２価の脂肪族基を示し、ｎ1は０又は１である。Ａｒ10及びＡｒ11は、それぞれ置換若しくは未置換のアリール基を示す。ｔは５〜５０００の整数である。
【００１１】
＜２＞  前記電子写真感光体の表面における解像度が、４００ｄｐｉ以上であることを特徴とする前記＜１＞に記載の画像形成方法である。
＜３＞  前記電子写真感光体のプロセススピードが、４０ｍｍ／ｓｅｃ．以上であることを特徴とする前記＜１＞又は＜２＞に記載の画像形成方法である。
＜４＞  前記露光の出力が、１ｍＷ以上であることを特徴とする前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の画像形成方法である。
＜５＞  前記可干渉光が、固体半導体レーザー光であることを特徴とする前記＜１＞から＜４＞のいずれかに記載の画像形成方法である。
【００１４】
＜６＞  前記電荷輸送層が、前記一般式 (III）で表されるトリフェニルメタン化合物を含み、かつ、前記一般式（Ｉ）で表される化合物、下記一般式（II）及び一般式（IV）で表される化合物の少なくとも１種を含有することを特徴とする前記＜１＞に記載の画像形成方法である。
【化１６】
0003566594.tif 000008
一般式（II）において、Ｒ1〜Ｒ3は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜５の置換若しくは未置換のアルキル基、炭素数７〜１５の置換若しくは未置換のアラルキル基、炭素数６〜１５の置換若しくは未置換のアリール基、炭素数１〜５の置換若しくは未置換のエーテル基を示す。ａ、ｂ及びｃは、それぞれ１〜３のいずれかである。Ｘは、下記構造式の中から選択される構造の少なくとも１種である。
【化１７】
0003566594.tif 000009
前記構造式において、Ｒ4〜Ｒ7は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜５の置換若しくは未置換のアルキル基を示し、ｄ、ｅ及びｆは、それぞれ１〜５のいずれかの整数である。
【化１８】
0003566594.tif 000010
一般式（IV）において、Ｒ12〜Ｒ14は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜５の置換若しくは未置換のアルキル基、炭素数７〜１５の置換若しくは未置換のアラルキル基、炭素数６〜１５の置換若しくは未置換のアリール基、炭素数１〜５の置換若しくは未置換のエーテル基を示し、ｊ、ｋ及びｌは、それぞれ１〜３のいずれかの整数である。
【００１８】
＜７＞  少なくとも、露光光源と、電荷発生層及び電荷輸送層を含む感光層が導電性基体表面に設けられた電子写真感光体と、を有し、前記＜１＞から＜６＞のいずれかに記載の画像形成方法に用いられることを特徴とする画像形成装置である。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の画像形成方法及び画像形成装置を説明する。
＜画像形成方法＞
本発明の画像形成方法は、潜像形成工程を含み、必要により、現像工程、転写工程、定着工程等のその他の工程を含む。
本発明における前記潜像形成工程は、電荷発生層及び電荷輸送層を含む感光層が、電荷発生層及び電荷輸送層の順に導電性基体表面に設けられた電子写真感光体に、波長が４５０ｎｍ以下の可干渉光を露光して潜像を形成する工程である。
【００２０】
前記電子写真感光体は、電荷輸送層が前記一般式（Ｉ）で表される化合物、一般式（III）で表される化合物、一般式（Ｖ）で表される化合物、一般式（Ｘ）〜一般式（XIII）で表される構造の１種以上を部分構造として有する化合物、又は一般式（XIV）で表される構造を部分構造として有する化合物を少なくとも１種含み、露光した場合、前記電荷輸送層に吸収される吸収フォトン数（ＮA）と、前記電荷輸送層で蛍光発光する蛍光発光フォトン数（ＮF）と、が下記式（１）を満たすものが用いられる。
ＮF ≦０．７５×ＮA （ただし、ＮF＝ＮA＝０の場合を除く。）    （１）
前記ＮFは、より高解像度の画像を得る観点から、ＮF≦０．５×ＮAを満たすように行われるのが好ましく、ＮF≦０．３×ＮAを満たすように行われるのがより好ましい。
【００２１】
前記電荷輸送層に吸収される吸収フォトン数（ＮＡ）と、前記電荷輸送層で発光する蛍光発光フォトン数（ＮＦ）と、が前記式（１）を満たさない場合には、発振波長が６００ｎｍ以下の短波長のレーザー光によって露光しても、電荷輸送材料から発生する長波長の蛍光発光光の影響が大きくなるため、実質上レーザーのスポットよりもかなり広がって露光が行われてしまい、所望の高解像度の画像を得ることができない。
一方、前記電荷輸送層に吸収される吸収フォトン数（ＮＡ）と、前記電荷輸送層で発光する蛍光発光フォトン数（ＮＦ）と、が前記式（１）を満たす場合には、電荷輸送材料から、より長波長の蛍光発光光が発生しても、実質的に潜像解像度には殆ど影響しないため、所望の高解像度の画像を得ることが可能となる。
【００２２】
ここで、前記電荷輸送層に吸収される吸収フォトン数（ＮＡ）及び前記電荷輸送層で蛍光発光する蛍光発光フォトン数（ＮＦ）は、発光測定装置（装置名：日立Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ  Ｓｐｅｃｔｏｒｏ  Ｐｈｏｔｏｍｅｔｅｒ８５０、日立製作所（株）製）を用いて、以下のように求めた。
【００２３】
先ず、前記電荷発生層に照射される、電荷輸送層からの発光量を見積るために、蛍光量子収率によって、それぞれの電荷輸送層の蛍光強度を定量化した。
【００２４】
ここで、蛍光量子収率としては、絶対蛍光量子収率の測定は困難であるため、蛍光標準物質を基準とする相対蛍光量子収率を用いた。
前記測定装置の出力及び蛍光量子収率には、次の式（Ａ）の関係がある。
ＮＦ  ＝Ｋ×Ａ／１００×φ      （Ａ）
式（Ａ）において、ＮＦは蛍光発光フォトン数、φは物質の蛍光量子収率、Ｋは装置関数、Ａは光吸収率である。
【００２５】
前記装置関数Ｋとは、蛍光発光フォトン数（ＮＦ）以外に、蛍光発光を検知する装置の感度・発光の見込み角等が加わった装置に固有の値である。装置関数Ｋは、蛍光量子収率φが既知の物質を標準として光吸収が既知の試料を作製し、その蛍光発光フォトン数（ＮＦ）を求めて得ることができる。
この値が決まれば、未知物質の蛍光量子収率φは、その測定試料の光吸収率Ａと蛍光発光フォトン数（ＮＦ）とを測定し、その値をもとに、次の式（Ｂ）から既知物質を基準とした蛍光量子収率φを求めることができる。
φ＝ＮＦ  ／（Ｋ×Ａ／１００）      （Ｂ）
また、蛍光量子収率φは、吸収フォトン数（ＮＡ）に対する蛍光発光フォトン数（ＮＦ）の割合であるため、Ｋ×Ａ／１００を吸収フォトン数（ＮＡ）とした。
【００２６】
前記測定試料は、電荷輸送材料を含有する電荷輸送層形成用塗布液をスライドガラス上に塗布し、これを一定時間加熱乾燥させたものを用いた。
測定に際し、先ず、蛍光標準物質であるアントラセン（純度９９．５％、東京化成社製）の１×１０−６Ｍのエタノール溶液を調製し、分光光度計（Ｕ−４０００型、日立製作所社製）で光吸収率（％）を求めた。
次に、上記の発光測定装置を用いて、種々の波長における発光スペクトルを測定し、各々のスペクトルを波数単位に変換した後に波数に対して積分し、蛍光発光フォトン数（ＮＦ）を求めた。
【００２７】
前記可干渉光の波長は、６００ｎｍ以下であり、４８０ｎｍ以下が好ましく、４５０ｎｍ以下がより好ましい。
前記可干渉光が、６００ｎｍを超える場合には、レーザービームのスポット径を細くしても、鮮明なスポット輪郭を得ることができないため、高解像度の画像を得ることができない。
尚、前記可干渉光の波長の下限値としては、特に制限はないが、３５０ｎｍ程度である。
【００２８】
前記可干渉光としては、ガスレーザーに対して著しく小型化できる点で、半導体レーザー光が好ましい。該半導体レーザー光は、特に、４８０ｎｍ以下、更には、４５０ｎｍ以下の波長とすれば、極めて高解像度の画像を得ることが可能となるため有効である。
前記半導体レーザー光としては、多量子井戸構造の固体（窒化ガリウム系等）半導体レーザーや、非線形光学素子により短波長化したもの等が挙げられる。本発明においては、より低出力のレーザーでよいこと等から、発振波長が６００ｎｍ以下の固体半導体レーザー光が特に好ましい。
【００２９】
前記露光の際、前記電子写真感光体表面における解像度としては、４００ｄｐｉ以上が好ましく、６００ｄｐｉ以上がより好ましく、１２００ｄｐｉ以上が特に好ましい。
前記解像度が、４００ｄｐｉ未満の場合には、高解像度の画質を得ることができないことがある。一方、前記解像度が、４００ｄｐｉ以上の場合には、高解像度の画像を得ることができ、更に、６００ｄｐｉ以上、１２００ｄｐｉ以上の解像度とすることにより、より解像度の高い画像を好適に得ることができる。
【００３０】
前記露光の出力としては、１ｍＷ以上が好ましく、３ｍＷ以上がより好ましく、５ｍＷ以上が特に好ましい。特に、前記非線形光学素子を用いる場合には、露光の出力が高いことが必要となる。
前記露光の出力が、１ｍＷ未満の場合には、電子写真感光体の感度の点や、光学系のロス等の点で好ましくないことがある。
【００３１】
［電子写真感光体］
前記電子写真用感光体は、感光層が導電性基体表面に設けられたものである。
−導電性基体−
前記導電性基体としては、導電性を有する基板であれば、特に制限がないが、例えば、アルミニウム、銅、亜鉛、ステンレス鋼、クロム、ニッケル、モリブデン、バナジウム、インジウム、金、白金等の金属又は合金を用いた金属板、金属ドラム、金属ベルト、あるいは導電性ポリマー、酸化インジウム等の導電性化合物やアルミニウム、パラジウム、金等の金属又は合金を塗布するか、蒸着するか或いはラミネートした紙、プラスチックフィルム、ベルト等が挙げられる。
これらの導電性基体は、必要に応じて、画質に影響を与えない範囲で、表面陽極酸化被膜処理、熱水酸化処理や薬品処理、着色処理等又は砂目立て等の乱反射処理等の表面処理等が行われていてもよい。
【００３２】
−感光層−
前記感光層は、電荷発生層及び電荷輸送層を含み、必要に応じてその他の層を含む。
【００３３】
−−電荷発生層−−
前記電荷発生層は、少なくとも、電荷発生材料を有し、必要に応じて結着樹脂等のその他の成分を含有してなる。
【００３４】
前記電荷発生材料としては、例えば、アゾ系顔料、キノン系顔料、ペリレン系顔料、インジゴ系顔料、チオインジゴ系顔料、ビスベンゾイミダゾール系顔料、フタロシアニン系顔料、キナクリドン系顔料、キノリン系顔料、レーキ系顔料、アゾレーキ系顔料、アントラキノン系顔料、オキサジン系顔料、ジオキサジン系顔料、トリフェニルメタン系顔料等の種々の有機顔料や、アズレニウム系染料、スクエアリウム系染料、ピリリウム系染料、トリアリルメタン系染料、キサンテン系染料、チアジン系染料、シアニン系染料等の種々の染料や、アモルファスシリコン、アモルファスセレン、テルル、セレン−テルル合金、硫化カドミウム、硫化アンチモン、酸化亜鉛、硫化亜鉛等の種々の無機材料が挙げられる。これらの中でも、感度、電気的安定性、照射光に対する光化学的安定性の点で、芳香族縮合環系顔料、ペリレン系顔料、アゾ系顔料等が好ましい。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
【００３５】
前記結着樹脂としては、例えば、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルホルマール樹脂、ブチラールの一部がホルマールやアセトアセタール等で変性された部分アセタール化ポリビニルアセタール樹脂等のポリビニルアセタール系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリエステル樹脂、変性エーテル型ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、フェノキシ樹脂、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、尿素樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール樹脂、ポリビニルアントラセン樹脂、ポリビニルピレン等が挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
【００３６】
これらの中でも、特に、ポリビニルアセタール系樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体、フェノキシ樹脂、又は、変性エーテル型ポリエステル樹脂等が好ましい。これらの樹脂を用いれば、前記顔料等の電荷発生材料の分散性がより良好となり、電荷発生層を形成するための後述の分散塗布液が、長期に亘って凝集せず安定化するため、均一な電荷発生層を形成することができる。その結果、電気特性に優れた電子写真感光体を得ることが可能となるため、画質欠陥の少ない画像を得ることが可能となる。
但し、通常の状態で層形成できる樹脂であれば、これらに限定されるものではない。
【００３７】
前記電荷発生材料と、前記結着樹脂との配合比としては、体積比（電荷発生材料：結着樹脂）で、５：１〜１：２の範囲が好ましい。
【００３８】
前記結着樹脂以外のその他の成分としては、酸化防止剤、光安定化剤等の安定剤等が挙げられる。
前記酸化防止剤としては、例えば、フェノール系、硫黄系、リン系、アミン系化合物等の酸化防止剤が挙げられる。前記光安定化剤としてはビス（ジチオベンジル）ニッケル、ジ−ｎ−ブチルチオカルバミン酸ニッケル等が挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
【００３９】
前記電荷発生層の形成方法としては、例えば、前記電荷発生材料を、前記導電性基体表面に真空蒸着により形成する方法や、特定の有機溶剤中に、前記結着樹脂及び前記電荷発生材料を分散させた電荷発生層形成用塗布液を、前記導電性基体表面に塗布して形成する方法等が挙げられる。
【００４０】
前記分散塗布液に用いられる特定の有機溶剤としては、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、クロロベンゼン、酢酸メチル、酢酸ｎ−ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム等の通常使用される有機溶剤等が挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
【００４１】
前記塗布には、ブレードコーティング法、ワイヤーバーコーティング法、スプレーコーティング法、浸漬コーティング法、ビードコーティング法、エアーナイフコーティング法、カーテンコーティング法等の通常の塗布方法が適用される。
【００４２】
前記電荷発生層の厚みとしては、通常０．０１〜５μｍであり、０．１〜２．０μｍが好ましい。
前記厚みが、０．０１μｍ未満の場合には、電荷発生層を均一に形成できないことがある一方、５μｍを超える場合には、電子写真特性が著しく低下することがある。
【００４３】
−−電荷輸送層−−
前記電荷輸送層は、少なくとも電荷輸送材料を有し、必要に応じて結着樹脂等のその他の成分を含有してなる。
【００４４】
前記電荷輸送材料としては、前記露光の際、波長が４５０ｎｍ以下の種々の可干渉光に対応して、前記電荷輸送層に吸収される吸収フォトン数（ＮA）と、前記電荷輸送層で発光する蛍光発光フォトン数（ＮF）と、が前記式（１）を満たし得るような材料が好ましい。このような電荷輸送材料としては、以下の低分子化合物、高分子化合物等が挙げられる。
【００４５】
前記低分子化合物としては、前記の一般式（Ｉ）、一般式（III）及び一般式（Ｖ）で表される化合物が挙げられる。
【００４６】
前記高分子化合物としては、前記一般式（Ｘ）ないし一般式（XIV）で表されるものが挙げられる。
これらのうち、トリフェニルアミン化合物、トリフェニルメタン系化合物としては、蛍光を発し難い点で、フェニル基と共役した不飽和結合又は芳香環を有しない化合物が好ましく、重原子効果により効果的に蛍光発光の量子収率を低下することが可能な点で、窒素原子に直結した芳香環以外に、少なくとも１以上のハロゲン原子を有する化合物がより好ましい。また、これらを含むポリマーを用いるのも好ましい。
これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
【００４７】
前記電荷輸送材料の中でも、モビリティ、安定性及び光に対する透明性の点で、一般式（Ｉ）及び一般式（III）で表される化合物が好ましく、下記一般式（Ｉ）及び一般式（III）で表される各種化合物が特に好ましい。また、一般式（II）、一般式（IV）、一般式（VI）及び一般式（VII）で表される化合物を参考例とし挙げる。
【００４８】
【化２１】
0003566594.tif 000011
一般式（Ｉ）又は（ＩＩ）において、Ｒ１〜Ｒ３は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜５の置換若しくは未置換のアルキル基、炭素数７〜１５の置換若しくは未置換のアラルキル基、炭素数６〜１５の置換若しくは未置換のアリール基、炭素数１〜５の置換若しくは未置換のエーテル基を示す。ａ、ｂ及びｃは、それぞれ１〜３のいずれかである。Ｘは、下記構造式の中から選択される構造の少なくとも１種である。
【００４９】
【化２２】
0003566594.tif 000012
前記構造式において、Ｒ４〜Ｒ７は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜５の置換若しくは未置換のアルキル基を示し、ｄ、ｅ及びｆは、それぞれ１〜５のいずれかである。
【００５０】
前記一般式（Ｉ）で表されるトリフェニルアミン化合物の具体例を、各置換基を特定することにより下記表１に示す。尚、本明細書において、表中の化合物の具体例を、「化合物Ｎｏ．」で示すことがある。
【００５１】
【表１】
0003566594.tif 000013
【００５２】
前記一般式（ＩＩ）で表されるトリフェニルアミン化合物の具体例を、各置換基を特定することにより下記表２に示す。
【００５３】
【表２】
0003566594.tif 000014
【００５４】
【化２３】
0003566594.tif 000015
一般式（ＩＩＩ）において、Ｒ８〜Ｒ１１は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜５の置換若しくは未置換のアルキル基、炭素数７〜１５の置換若しくは未置換のアラルキル基、炭素数６〜１５の置換若しくは未置換のアリール基、炭素数１〜１５の置換若しくは未置換のアミノ基を示し、ｇ、ｈ及びｉは、それぞれ１〜３のいずれかである。
【００５５】
前記一般式（ＩＩＩ）で表されるトリフェニルメタン化合物の具体例を、各置換基を特定することにより表３〜表５に示す。
【００５６】
【表３】
0003566594.tif 000016
【００５７】
【表４】
0003566594.tif 000017
【００５８】
【表５】
0003566594.tif 000018
【００５９】
【化２４】
0003566594.tif 000019
一般式（ＩＶ）において、Ｒ１２〜Ｒ１４は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜５の置換若しくは未置換のアルキル基、炭素数７〜１５の置換若しくは未置換のアラルキル基、炭素数６〜１５の置換若しくは未置換のアリール基、炭素数１〜５の置換若しくは未置換のエーテル基を示し、ｊ、ｋ及びｌは、それぞれ１〜３の整数である。
【００６０】
前記一般式（ＩＶ）で表されるベンジジン化合物の具体例を各置換基を特定することにより表６〜表８に示す。
【００６１】
【表６】
0003566594.tif 000020
【００６２】
【表７】
0003566594.tif 000021
【００６３】
【表８】
0003566594.tif 000022
【００６４】
【化２５】
0003566594.tif 000023
一般式（Ｖ）において、Ａｒ１は無置換のあるいはアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基若しくはアミノ基で置換されていてもよいアリール基又は複素環基を示し、Ａｒ２及びＡｒ３は、それぞれアルキル基、フェニル基又はナフチル基を示す。
【００６５】
前記一般式（Ｖ）で表される化合物の具体例を各置換基を特定することにより表９〜表１１に示す。
【表９】
0003566594.tif 000024
【００６６】
【表１０】
0003566594.tif 000025
【００６７】
【表１１】
0003566594.tif 000026
【００６８】
【化２６】
0003566594.tif 000027
一般式（ＶＩ）において、Ｒ１５及びＲ１６は、それぞれ水素原子、アルキル基又はアリール基を示す。Ｒ１５とＲ１６とは、結合して環を形成してもよい。Ａｒ４は、アリーレン基又は複素環基を示し、Ａｒ５及びＡｒ６は、それぞれアルキル基、アリール基又は複素環基を示す。
【００６９】
前記一般式（ＶＩ）で表される化合物の具体例を各置換基を特定することにより表１２〜表１４に示す。
【表１２】
0003566594.tif 000028
【００７０】
【表１３】
0003566594.tif 000029
【００７１】
【表１４】
0003566594.tif 000030
【００７２】
【化２７】
0003566594.tif 000031
一般式（ＶＩＩ）において、Ａｒ７はアリーレン基又は複素環基を示し、Ａｒ８  及びＡｒ９は、それぞれアルキル基、アリール基又は複素環基を示す。
【００７３】
前記一般式（ＶＩＩ）  で表される化合物の具体例を各置換基を特定することにより表１５に示す。
【００７４】
【表１５】
0003566594.tif 000032
【００７５】
【化２８】
0003566594.tif 000033
一般式（ＶＩＩＩ）又は（ＩＸ）において、Ｒ１７〜Ｒ２２は、それぞれ水素原子、アルキル基、アルコキシ基、置換アミノ基、ハロゲン原子又は置換若しくは未置換のアリール基を示す。ｙ及びｚは、それぞれ０又は１である。Ｕは置換又は未置換のアリール基を示し、Ｔは炭素数１〜１０の枝分かれしてもよい２価の炭化水素基を示し、以下の具体例が挙げられる。
【００７６】
【化２９】
0003566594.tif 000034
【００７７】
【化３０】
0003566594.tif 000035
【００７８】
前記一般式（ＶＩＩＩ）で表される構造（部分構造）の具体例を、各置換基を特定することにより表１６〜表２１に示す。
【表１６】
0003566594.tif 000036
【００７９】
【表１７】
0003566594.tif 000037
【００８０】
【表１８】
0003566594.tif 000038
【００８１】
【表１９】
0003566594.tif 000039
【００８２】
【表２０】
0003566594.tif 000040
【００８３】
【表２１】
0003566594.tif 000041
【００８４】
前記一般式（ＩＸ）で表される構造（部分構造）の具体例を、各置換基を特定することにより表２２〜表２６に示す。
【表２２】
0003566594.tif 000042
【００８５】
【表２３】
0003566594.tif 000043
【００８６】
【表２４】
0003566594.tif 000044
【００８７】
【表２５】
0003566594.tif 000045
【００８８】
【表２６】
0003566594.tif 000046
【００８９】
【化３１】
0003566594.tif 000047
一般式（Ｘ）〜（ＸＩＩＩ）において、Ａは前記一般式（ＶＩＩＩ）又は一般式（ＩＸ）を示し、Ｂは−Ｏ−（Ｙ′−Ｏ）ｍ′−又はＺ′を示し、Ｙ、Ｙ′、Ｚ及びＺ′は、それぞれ２価の炭化水素基を示す。ｍ、ｍ′は１〜５の整数であり、ｎは０又は１である。ｐは５〜５００の整数、ｑは１〜５０００の整数、ｒは１〜３５００の整数をそれぞれ示す。ただし、ｑ＋ｒは５〜５０００の整数であり、かつ０．３≦ｑ／（ｑ＋ｒ）＜１である。
【００９０】
前記一般式（Ｘ）で表される構造を有する化合物の具体例を各置換基等を特定することにより表２７に示す。
【表２７】
0003566594.tif 000048
【００９１】
前記一般式（ＸＩ）で表される構造を有する化合物の具体例を各置換基等を特定することにより表２８に示す。
【表２８】
0003566594.tif 000049
【００９２】
前記一般式（ＸＩＩ）で表される構造を有する化合物の具体例を各置換基等を特定することにより表２９に示す。
【表２９】
0003566594.tif 000050
【００９３】
前記一般式（ＸＩＩＩ）で表される構造を有する化合物の具体例を各置換基等を特定することにより表３０〜表３２に示す。
【表３０】
0003566594.tif 000051
【００９４】
【表３１】
0003566594.tif 000052
【００９５】
【表３２】
0003566594.tif 000053
尚、表２７〜表３２のおける重合度（ｐ，ｑ，ｒ）は、ＧＰＣ測定（スチレン換算）により得たおおよその値である。
【００９６】
【化３２】
0003566594.tif 000054
一般式（ＸＩＶ）において、Ｒ２３は水素原子、置換若しくは未置換のアルキル基又は置換若しくは未置換のアリール基を示し、Ｒ２４及びＲ２５は、それぞれ水素原子、置換若しくは未置換のアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子又は置換若しくは未置換のアリール基を示す。Ｙ１は置換若しくは未置換のアルキル基、又は置換若しくは未置換のアリーレン基を示す。Ｔ１は枝分かれしてもよい２価の脂肪族基を示し、ｎ１は０又は１である。Ａｒ１０及びＡｒ１１は、それぞれ置換若しくは未置換のアリール基を示す。ｔは５〜５０００の整数である。
【００９７】
前記一般式（ＸＩＶ）で表される構造を有する化合物の具体例を各置換基等を特定することにより表３３〜表３８に示す。
尚、表３３〜表３８における重合度（ｔ）は、ＧＰＣ測定（スチレン換算）により得たおおよその値である。
【００９８】
【表３３】
0003566594.tif 000055
【００９９】
【表３４】
0003566594.tif 000056
【０１００】
【表３５】
0003566594.tif 000057
【０１０１】
【表３６】
0003566594.tif 000058
【０１０２】
【表３７】
0003566594.tif 000059
【０１０３】
【表３８】
0003566594.tif 000060
【０１０４】
前記結着樹脂としては、特に制限はないが、電気絶縁性のフィルム形成が可能な高分子重合体が好ましい。このような高分子重合体としては、例えば、ポリカーボネート、ポリエステル、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリビニルアセテート、スチレン−ブタジエン共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体、シリコン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、スチレン−アルキッド樹脂、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリスルホン、カゼイン、ゼラチン、ポリビニルアルコール、エチルセルロース、フェノール樹脂、ポリアミド、カルボキシ−メチルセルロース、塩化ビニリデン系ポリマーラテックス、ポリウレタン等が挙げられる。これらの結着樹脂は、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。これらの樹脂の中でも、前記電荷輸送材料との相溶性、溶剤への溶解性、強度に優れている点で、ポリカーボネート、ポリエステル、メタクリル樹脂、アクリル樹脂等が特に好ましい。
【０１０５】
前記結着樹脂以外のその他の成分としては、可塑剤、表面改質剤、酸化防止剤、光劣化防止剤等の添加剤が挙げられる。
前記可塑剤としては、例えば、ビフェニル、塩化ビフェニル、ターフェニル、ジブチルフタレート、ジエチレングリコールフタレート、ジオクチルフタレート、トリフェニル燐酸、メチルナフタレン、ベンゾフェノン、塩素化パラフィン、ポリプロピレン、ポリスチレン、各種フルオロ炭化水素等が挙げられる。
前記酸化防止剤としては、例えば、フェノール系、硫黄系、リン系、アミン系化合物等の酸化防止剤が挙げられる。
前記光劣化防止剤としては、例えば、ベンゾトリアゾール系化合物、ベンゾフェノン系化合物、ヒンダードアミン系化合物等が挙げられる。
【０１０６】
前記電荷輸送層の形成方法としては、例えば、特定の有機溶剤中に、前記結着樹脂及び前記電荷輸送材料を分散させた電荷輸送層形成用塗布液を、前記電荷発生層表面に塗布して形成する方法等が挙げられる。
【０１０７】
前記有機溶媒としては、用いる電荷輸送材料の種類によって異なるが、適宜選択して最適なものを用いるのが好ましい。例えば、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール等のアルコール類；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド類；テトラヒドロフラン、ジオキサン、メチルセロソルブ等のエーテル類；酢酸メチル、酢酸エチル等のエステル類；ジメチルスルホキシド、スルホラン等のスルホキシド及びスルホン類；塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素、トリクロロエタン等の脂肪族ハロゲン化炭化水素；ベンゼン、トルエン、キシレン、モノクロルベンゼン、ジクロルベンゼン等の芳香族類等が挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
【０１０８】
電荷輸送材料と結着樹脂との配合比（電荷輸送材料：結着樹脂）としては、２：１０〜１０：２が好ましく、モビリティー、強度の点から３：１０〜１０：８の範囲がより好ましい。
【０１０９】
電荷輸送層の厚みとしては、通常５〜５０μｍであり、１０〜４０μｍが好ましい。
前記厚みが、５μｍ未満の場合には、帯電が困難になる一方、５０μｍを超える場合には、電子写真特性が著しく低下することがある。
【０１１０】
−その他の層−
前記その他の層としては、例えば、前記電荷発生層と前記導電性基体との間に設けられる公知の下引き層や、前記電荷輸送層の上に設けられる、公知の保護層等が挙げられる。
【０１１１】
前記下引き層に用いる結着樹脂としては、例えば、ポリアミド樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、フェノール樹脂、ポリウレタン樹脂、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、塩化ビニリデン樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリビニルアルコール樹脂、水溶性ポリエステル樹脂、ニトロセルロース、カゼイン、ゼラチン、ポリグルタミン酸、澱粉、スターチアセテート、アミノ澱粉、ポリアクリル酸、ポリアクリルアミド、ジルコニウムキレート化合物、チタニルキレート化合物、チタニルアルコキシド化合物、有機チタニル化合物、シランカップリング剤等の公知の材料が挙げられる。これらの材料は、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
【０１１２】
前記結着樹脂には、更に、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化ジルコニウム、チタン酸バリウム、シリコーン樹脂等の微粒子を混合してもよい。
【０１１３】
前記下引き層を形成する際の塗布方法としては、ブレードコーティング法、ワイヤーバーコティング法、スプレーコーティング法、浸漬コーティング法、ビードコーティング法、エアーナイフコーティング法、カーテンコーティング法等が採用される。下引き層の厚みとしては、通常０．０１〜１０μｍ程度であり、０．０５〜２μｍが好ましい。
【０１１４】
−電子写真感光体−
前記電子写真感光体としては、従来より普通に使用されていた感光体のシステム変更が不用である等の点で、導電性基体側から電荷発生層、電荷輸送層の順に順次積層された従来の層構成の電子写真感光体の方が、実用性に優れている。
【０１１５】
図２〜５は、いずれも、前記電子写真感光体の表面近傍の一例を示す拡大断面図である。
図２において、電子写真感光体２０ａは、導電性基体１３ａの上に、電荷発生層１１ａ及び電荷輸送層１２ａが設けられてなる。
図３において、電子写真感光体２０ｂは、導電性基体１３ｂの上に、下引き層１４ｂ、電荷発生層１１ｂ、及び、電荷輸送層１２ｂが設けられてなる。
図４において、電子写真感光体２０ｃは、導電性基体１３ｃの上に、電荷発生層１１ｃ、電荷輸送層１２ｃ、保護層１５ｃが設けられてなる。
図５において、電子写真感光体２０ｄは、導電性基体１３ｄの上に、下引き層１４ｄ、電荷発生層１１ｄ、電荷輸送層１２ｄ及び保護層１５ｄが設けられてなる。
【０１１６】
以上説明した電子写真感光体に、波長が６００ｎｍ以下の可干渉光を露光することにより、潜像形成工程において、好適に、高解像度の潜像を形成することが可能となる。
【０１１７】
本発明の画像形成方法において、前記その他の工程としては、画像形成方法における公知の工程、例えば、現像剤担持体表面に形成された現像剤の層により前記潜像を現像してトナー画像を形成する現像工程、該トナー画像を転写体表面に転写する転写工程、転写された画像を定着させる定着工程の外、クリーニング工程等が好適に挙げられる。これら各工程は、従来公知のものをいずれも適用することができる。
【０１１８】
以上より、本発明の画像形成方法によれば、高解像度の画像を得ることができる。
【０１１９】
＜画像形成装置＞
本発明の画像形成装置は、少なくとも、露光光源と、電荷発生層及び電荷輸送層を含む感光層が導電性基体表面に設けられた電子写真感光体と、を有し、必要に応じてその他の部材を有する。
【０１２０】
図１は、本発明の画像形成装置の一例を示す概略構成図である。図１において、画像形成装置１０は、電子写真感光体としての感光体ドラム９の周りに、帯電器１と、露光光源２と、現像器３と、転写用ロール４と、除電用光源５と、クリーニングブレード６と、が順次配設され、更に、定着用ロール７と、用紙８とが配設されている。
【０１２１】
帯電器１としては、コロトロン、スコロトロン、帯電ローラー等の帯電器として公知のものが好適に用いられる。
露光光源２としては、波長が６００ｎｍ以下の可干渉光を発振する光源であれば、特に制限はなく、公知の露光光源が好適に用いられる。
前記可干渉光としては、［露光］の項で既に述べた可干渉光が好適である。
【０１２２】
現像器３としては、現像器として公知のものが好適に用いられる。また、用いられる現像剤としては、トナー径が１０μｍ以下のものが好ましく、さらにトナー径が８μｍ以下、６μｍ以下のものを使用することにより、顕著な効果が現れる。
また、トナー径としては、かぶり等の発生を抑える点から、通常３μｍ以上が好ましい。
【０１２３】
感光体ドラム９は、［電子写真感光体］の項で既に述べた電子写真感光体の構成からなる。即ち、導電性材料からなる円筒部材（導電性基体）表面に前記感光層が設けられてなる。
【０１２４】
電子写真感光体としての感光体ドラム９は、図示しない駆動手段によって矢印方向に回転駆動される。
電子写真感光体としての感光体ドラム９のプロセススピードとは、電子写真感光体表面の線速度をいい、一般的には、画像形成装置全体の搬送速度と同意義である。
前記感光体ドラム９（電子写真感光体）のプロセススピードとしては、４０ｍｍ／ｓｅｃ．以上が好ましく、７０ｍｍ／ｓｅｃ．以上、１００ｍｍ／ｓｅｃ．以上、１５０ｍｍ／ｓｅｃ．以上、更には、２００ｍｍ／ｓｅｃ．以上とプロセススピードが高くなる程好ましい。
【０１２５】
従来の長波長の半導体レーザーにおいて、ポリゴンミラーの大きさを変えずにビーム径を小さくするためには、ポリゴンミラーの面数を減らす必要があった。また、高解像度、かつ、高プロセススピードを実現するためには、ポリゴンミラーを更に高速回転する必要があった。
しかし、本発明の画像形成装置においては、上記のように短波長のレーザー光を露光に用いることができるため、ビーム径を小さくするためにポリゴンミラーの大きさ、面数を変える必要がなく、高解像度、かつ、高プロセススピードを実現するためには、ポリゴンミラーの回転速度をそれに応じて大きくするのみでよい。
したがって、より短波長のレーザーを用いることにより、好適に、高プロセススピードを実現することが可能である。
【０１２６】
以上より、本発明の画像形成装置には、短波長のレーザー光を光源として用いることができるため、レーザービームのスポットの拡散は、従来の半導体レーザーに比べて低減され、極めて高解像度の潜像の形成が実現する。
特に、解像度が４００ｄｐｉ以上、特に、６００ｄｐｉ、１２００ｄｐｉ以上において顕著な効果が現われる。
【０１２７】
【実施例】
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明は、下記実施例に何ら限定されるものではない。
尚、実施例中、「部」はいずれも「重量部」を意味する。
【０１２８】
（参考例１）
［電子写真感光体の作製］
−下引き層の形成−
板状のアルミニウム基体（導電性基体）に、ジルコニウム化合物（商品名：オルガノチックスＺＣ５４０、マツモト製薬社製）１０部及びシラン化合物（商品名：Ａ１１１０、日本ユニカー社製）１部と、ｉ−プロパノール４０部及びブタノール２０部からなる溶液を浸漬コーティング法で塗布し、１５０℃において１０分間加熱乾燥して、下引き層（厚み：０．１μｍ）を形成した。
【０１２９】
−電荷発生層の形成−
次に、電荷発生材料としてジブロモアントアントロン顔料８部、カルボキシル変性塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体（商品名：ＶＭＣＨ、ユニオンカーバイド社製）２部及びブタノール１００部の混合物を、ガラスビーズと共にサンドミルで１時間分散処理して電荷発生層形成用塗布液を得、これを上記下引き層の上に浸漬コーティング法で塗布し、１００℃において１０分間加熱乾燥して、電荷発生層（厚み：約１μｍ）を形成した。
【０１３０】
−電荷輸送層の形成−
次に、電荷輸送材料として前記例示化合物（化合物Ｎｏ．６６）６部及びビスフェノール（Ｚ）ポリカーボネート９部をモノクロロベンゼン８５部に溶解させて得られた電荷輸送層形成用塗布液を、上記の電荷発生層上に塗布し、１１５℃において６０分間加熱乾燥し、電荷輸送層（厚み：約２０μｍ）を形成した。
以上のようにして板状アルミニウム基体上に感光層が設けられた電子写真感光体を作製した。
【０１３１】
＜潜像の形成及び解析（解像度の評価）＞
得られた電子写真感光体を、コロナ放電により暗所で−４００Ｖに帯電した後、色素レーザー（波長４１０ｎｍ）により、幅４０μｍの直線状のマスクを通して潜像を形成した。
その後、潜像解析装置（「電子写真学会誌」第３２巻、第４号、６２（１９９３）に記載されているＳＦＭを応用して作製したもの）を用い、得られた潜像と直角方向にスキャンさせることにより、潜像の解析を行った。
潜像の幅は、露光中心の電位減衰率の２０分の１の電位減衰率になった位置間の幅とした。その潜像の幅は４７μｍであった。
【０１３２】
＜電荷輸送層の吸収フォトン数（ＮＡ）と蛍光発光フォトン数（ＮＦ）の算出＞
上記の電荷輸送層の形成に用いた電荷輸送層形成用塗布液を、スライドガラス上に塗布し、１１５℃において６０分間加熱乾燥させ、蛍光測定用試料を得た。前述の発光測定装置（装置名：日立Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ  Ｓｐｅｃｔｏｒｏ  Ｐｈｏｔｏｍｅｔｅｒ８５０、日立製作所（株）製）を用い、前述と同様にして電荷輸送層の吸収フォトン数（ＮＡ）と蛍光発光フォトン数（ＮＦ）とを求めたところ、レーザー（波長４１０ｎｍ）に対応する吸収フォトン数（ＮＡ）は３．５６×１０３  であり、蛍光発光フォトン数（ＮＦ）は１．６３×１０３であり、前記式（１）の関係を満たしていた。
【０１３３】
（比較例１）
［電子写真感光体の作製］
参考例１の［電子写真感光体の作製］と同様にして電子写真感光体を作製した。
＜潜像の形成及び解析（解像度の評価）＞
参考例１の＜潜像の形成及び解析（解像度の評価）＞において、レーザー（波長４１０ｎｍ）を、レーザー（波長４０３ｎｍ）に代えた外は、参考例１と同様にして潜像を形成し、解析を行ったところ、潜像の幅は７８μｍであった。
【０１３４】
＜電荷輸送層の吸収フォトン数（ＮA）と蛍光発光フォトン数（ＮF）の算出＞
参考例１の＜電荷輸送層の吸収フォトン数（ＮA）と蛍光発光フォトン数（ＮF）の算出＞と同様にして算出したところ、レーザー（波長４０３ｎｍ）に対応する吸収フォトン数（ＮA）は１．７７×１０4であり、蛍光発光フォトン数（ＮF）は１．４１×１０4 であって、式（１）の関係を満たしていなかった。
【０１３５】
（比較例２）
［電子写真感光体の作製］
参考例１の［電子写真感光体の作製］において、前記例示化合物（化合物Ｎｏ．６６）を、下記構造式で表される化合物に代えた外は、参考例１と同様にして電子写真感光体を作製した。
【０１３６】
【化３３】
0003566594.tif 000061
【０１３７】
＜潜像の形成及び解析（解像度の評価）＞
参考例１の＜潜像の形成及び解析＞において、レーザー（波長４１０ｎｍ）を、レーザー（波長４０３ｎｍ）に代えた外は、参考例１と同様にして潜像を形成し、解析を行ったところ、潜像の幅は７６μｍであった。
【０１３８】
＜電荷輸送層の吸収フォトン数（ＮA）と蛍光発光フォトン数（ＮF）の算出＞
参考例１の＜電荷輸送層の吸収フォトン数（ＮA）と蛍光発光フォトン数（ＮF）の算出＞と同様にして算出したところ、レーザー（波長４０３ｎｍ）に対応する吸収フォトン数（ＮA）は１．４４×１０4であり、蛍光発光フォトン数（ＮF）は１．１０×１０4 であり、前記式（１）の関係を満たしていなかった。
【０１３９】
（実施例１〜２８、参考例２〜３１）
［電子写真感光体の作製］
参考例１の［電子写真感光体の作製］において、前記例示化合物（化合物Ｎｏ．６６）を、下記表３９から表４０の「電荷輸送材料」の欄に示す各化合物（それぞれ「化合物Ｎｏ．」で示す。）に代えた外は、参考例１と同様にして各電子写真感光体を作製した。
【０１４０】
＜潜像の形成及び解析（解像度の評価）＞
参考例１の＜潜像の形成及び解析（解像度の評価）において、レーザー（波長４１０ｎｍ）を、下記表３９から表４０の「波長（ｎｍ）」の欄に示す波長のレーザーに代えた外は、参考例１と同様にして潜像を形成し、解析を行った。それぞれの潜像の幅（静電潜像の解像度）（μｍ）を表３９及び４０に示す。
【０１４１】
＜電荷輸送層の吸収フォトン数（ＮA）と蛍光発光フォトン数（ＮF）の算出＞
参考例１の＜電荷輸送層の吸収フォトン数（ＮA）と蛍光発光フォトン数（ＮF）の算出＞と同様にして算出した。表３９から表４０の「波長（ｎｍ）」の欄に示すそれぞれの波長のレーザーに対応する吸収フォトン数（ＮA）及び蛍光発光フォトン数（ＮF）を表３９及び表４０に示す。
また、吸収フォトン数（ＮA）及び蛍光発光フォトン数（ＮF）が前記式（１）の関係を満たす場合を「○」、満たさない場合を「×」として評価し、表３９及び表４０に示す。
【０１４２】
【表３９】
0003566594.tif 000062
【０１４３】
【表４０】
0003566594.tif 000063
【０１４４】
（実施例２９）
［電子写真感光体の作製］
参考例１の−電荷輸送層の形成−において、前記例示化合物（化合物Ｎｏ．６６）６部を、前記例示化合物（化合物Ｎｏ．４８）３部および前記例示化合物（化合物Ｎｏ．６６）３部に代えた外は、参考例１と同様にして、電子写真感光体を作製した。
【０１４５】
＜潜像の形成及び解析（解像度の評価）＞
得られた電子写真感光体について、参考例１と同様にして、潜像の形成、解析を行った。潜像の幅は４８μｍであった。
【０１４６】
＜電荷輸送層の吸収フォトン数（ＮA）と蛍光発光フォトン数（ＮF）の算出＞
参考例１の＜電荷輸送層の吸収フォトン数（ＮA）と蛍光発光フォトン数（ＮF）の算出＞と同様にして算出した。レーザー（波長４１０ｎｍ）に対応する吸収フォトン数（ＮA）は３．８８×１０3であり、蛍光発光フォトン数（ＮF）は１．７２×１０3 であり、前記式（１）の関係を満たしていた。
【０１４７】
（実施例３０）
［電子写真感光体の作製］
参考例１の−電荷輸送層の形成−において、前記例示化合物（化合物Ｎｏ．６６）６部を、前記例示化合物（化合物Ｎｏ．６３）３部および前記例示化合物（化合物Ｎｏ．６６）３部に代えた外は、参考例１と同様にして、電子写真感光体を作製した。
【０１４８】
＜潜像の形成及び解析（解像度の評価）＞
得られた電子写真感光体を、参考例１と同様にして、潜像の形成、解析を行った。潜像の幅は４８μｍであった。
【０１４９】
＜電荷輸送層の吸収フォトン数（ＮA）と蛍光発光フォトン数（ＮF）の算出＞
参考例１の＜電荷輸送層の吸収フォトン数（ＮA）と蛍光発光フォトン数（ＮF）の算出＞と同様にして算出した。レーザー（波長４１０ｎｍ）に対応する吸収フォトン数は３．９０×１０3であり、蛍光発光フォトン数は１．７８×１０3であり、前記式（１）の関係を満たしていた。
【０１５０】
（実施例３１）
［電子写真感光体の作製］
参考例１の−電荷輸送層の形成−において、前記例示化合物（化合物Ｎｏ．６６）６部及びビスフェノール（Ｚ）ポリカーボネート９部を、前記例示化合物（化合物Ｘ−１）５部に代え、モノクロロベンゼン８５部を２９部に変え、加熱乾燥の温度（１１５℃）を１２０℃に変えた外は、参考例１と同様にして電子写真感光体を作製した。
【０１５１】
＜潜像の形成及び解析＞
得られた電子写真感光体を、参考例１と同様に、潜像の形成、解析を行った。潜像の幅は４７μｍであった。
【０１５２】
＜電荷輸送層の吸収フォトン数（ＮA）と蛍光発光フォトン数（ＮF）の算出＞
参考例１の＜電荷輸送層の吸収フォトン数（ＮA）と蛍光発光フォトン数（ＮF）の算出＞と同様にして算出した。レーザー（波長４１０ｎｍ）に対応する吸収フォトン数は３．１０×１０3であり、蛍光発光フォトン数は０．８１×１０3であり、前記式（１）の関係を満たしていた。
【０１５３】
（実施例３２〜５０）
［電子写真感光体の作製］
実施例３１の−電荷輸送層の形成−において、前記例示化合物（化合物Ｘ−１）を、下記表４１の「電荷輸送材料」の欄に示す化合物（それぞれ「化合物Ｎｏ．」で示す。）に代えた外は、実施例３１と同様にして各電子写真感光体を作製した。
【０１５４】
＜潜像の形成及び解析（解像度の評価）＞
実施例３１の＜潜像の形成及び解析（解像度の評価）＞において、レーザー（波長４１０ｎｍ）を、下記表４１の「波長（ｎｍ）」の欄に示す波長のレーザーに代えた外は、実施例と同様にして潜像を形成し、解析を行った。それぞれの潜像の幅（静電潜像の解像度）（μｍ）を表４１に示す。
【０１５５】
＜電荷輸送層の吸収フォトン数（ＮA）と蛍光発光フォトン数（ＮF）の算出＞
実施例３１の＜電荷輸送層の吸収フォトン数（ＮA）と蛍光発光フォトン数（ＮF）の算出＞と同様にして算出し、評価した。表４１の「波長（ｎｍ）」の欄に示すそれぞれの波長のレーザーに対応する吸収フォトン数（ＮA）及び蛍光発光フォトン数（ＮF）を表４１に示す。
また、吸収フォトン数（ＮA）及び蛍光発光フォトン数（ＮF）が前記式（１）の関係を満たす場合を「○」、満たさない場合を「×」として評価し、表４１に示す。
【０１５６】
【表４１】
0003566594.tif 000064
【０１５７】
（実施例５１）
［電子写真感光体の作製］
−下引き層の形成−
ホーニング処理を施したアルミニウムパイプ（導電性基体）に、ジルコニウム化合物（商品名：オルガノチックスＺＣ５４０、松本製薬社製）１００部及びシラン化合物（商品名：Ａ１１１０、日本ユニカー社製）１部と、ｉ−プロパノール４０部及びブタノール２０部からなる溶液を、浸漬コーティング法で塗布し、１５０℃において１０分間加熱乾燥して、下引き層（厚み：０．５μｍ）を形成した。
【０１５８】
−電荷発生層の形成−
参考例１の−電荷発生層の形成−と同様にして、前記下引き層上に、電荷発生層を形成した。
【０１５９】
−電荷輸送層の形成−
次に、電荷輸送材料として前記例示化合物（化合物Ｎｏ．９）２部及びポリカーボネート樹脂３部をモノクロロベンゼン２９部に溶解させて得られた電荷輸送層形成用塗布液を、上記の電荷発生層上に浸漬コーティング法で塗布し、１２０℃において１時間加熱乾燥し、電荷輸送層（厚み：２０μｍ）を形成した。
以上のようにしてアルミニウムパイプ上に感光層が設けられた電子写真感光体を作製した。
【０１６０】
＜印字テスト及び画像（細線のボケ）の評価＞
得られた電子写真感光体を、色素レーザー（波長４０３ｎｍ）を用いた画像形成装置（解像度：４００ｄｐｉ）に搭載し、常温常湿（２０℃、４０ＲＨ）環境下、グリッド電圧−４００Ｖのスコロトロン帯電器で帯電させ、露光（出力：５ｍＷ）して放電を行うプロセス（電子写真感光体のプロセススピード：４０ｍｍ／ｓｅｃ．）によって印字テストを実施し、画像を得た。
得られた画像について、細線のボケを目視により観察し、「○：ボケあり」「×：ボケなし」の基準によって評価した。結果を表４２に示す。
【０１６１】
＜電荷輸送層の吸収フォトン数（ＮA）と蛍光発光フォトン数（ＮF）の算出＞
参考例１の＜電荷輸送層の吸収フォトン数（ＮA）と蛍光発光フォトン数（ＮF）の算出＞と同様にして算出した。レーザー（波長４０３ｎｍ）に対応する吸収フォトン数（ＮA）及び蛍光発光フォトン数（ＮF）を表４２に示す。
また、吸収フォトン数（ＮA）及び蛍光発光フォトン数（ＮF）が前記式（１）の関係を満たす場合を「○」、満たさない場合を「×」として評価し、表４２に示す。
【０１６２】
（実施例５２）
［電子写真感光体の作製］
実施例５１の−電荷輸送層の形成−において、前記例示化合物（化合物Ｎｏ．９）を、前記例示化合物（化合物Ｎｏ．３）に代えた外は、実施例５１と同様にして電子写真感光体を作製した。
＜印字テスト及び画像（細線のボケ）の評価＞
実施例５１における＜印字テスト及び画像（細線のボケ）の評価＞と同様にして、得られた画像について、細線のボケを目視により観察し、同様にして評価した。結果を表４２に示す。
【０１６３】
＜電荷輸送層の吸収フォトン数（ＮA）と蛍光発光フォトン数（ＮF）の算出＞
参考例１の＜電荷輸送層の吸収フォトン数（ＮA）と蛍光発光フォトン数（ＮF）の算出＞と同様にして算出した。レーザー（波長４０３ｎｍ）に対応する吸収フォトン数（ＮA）及び蛍光発光フォトン数（ＮF）を表４２に示す。
また、吸収フォトン数（ＮA）及び蛍光発光フォトン数（ＮF）が前記式（１）の関係を満たす場合を「○」、満たさない場合を「×」として評価し、表４２に示す。
【０１６４】
（実施例５３）
［電子写真感光体の作製］
実施例５１の−電荷輸送層の形成−において、前記例示化合物（化合物Ｎｏ．９）を、前記例示化合物（化合物Ｎｏ．８）に代えた外は、実施例５１と同様にして電子写真感光体を作製した。
＜印字テスト及び画像（細線のボケ）の評価＞
実施例５１における＜印字テスト及び画像（細線のボケ）の評価＞と同様にして、得られた画像について、細線のボケを目視により観察し、同様にして評価した。結果を表４２に示す。
【０１６５】
＜電荷輸送層の吸収フォトン数（ＮA）と蛍光発光フォトン数（ＮF）の算出＞
参考例１の＜電荷輸送層の吸収フォトン数（ＮA）と蛍光発光フォトン数（ＮF）の算出＞と同様にして算出した。レーザー（波長４０３ｎｍ）に対応する吸収フォトン数（ＮA）及び蛍光発光フォトン数（ＮF）を表４２に示す。
また、吸収フォトン数（ＮA）及び蛍光発光フォトン数（ＮF）が前記式（１）の関係を満たす場合を「○」、満たさない場合を「×」として評価し、表４２に示す。
【０１６６】
（実施例５４）
［電子写真感光体の作製］
実施例５１の−電荷輸送層の形成−において、前記例示化合物（化合物Ｎｏ．９）２部及びポリカーボネート樹脂３部を、例示化合物（Ｘ−１）５部に代えた外は、実施例５１と同様にして電荷輸送層を形成し、アルミニウムパイプ上に感光体が設けられた電子写真感光体を作製した。
【０１６７】
＜印字テスト及び画像（細線のボケ）の評価＞
得られた電子写真用感光体を、実施例５１における＜印字テスト及び画像（細線のボケ）の評価＞と同様に印字テストを実施し、画像を得、細線のボケを観察し、評価した。結果を表４２に示す。
【０１６８】
＜電荷輸送層の吸収フォトン数（ＮA）と蛍光発光フォトン数（ＮF）の算出＞
参考例１の＜電荷輸送層の吸収フォトン数（ＮA）と蛍光発光フォトン数（ＮF）の算出＞と同様にして算出した。レーザー（波長４０３ｎｍ）に対応する吸収フォトン数（ＮA）及び蛍光発光フォトン数（ＮF）を表４２に示す。
また、吸収フォトン数（ＮA）及び蛍光発光フォトン数（ＮF）が前記式（１）の関係を満たす場合を「○」、満たさない場合を「×」として評価し、表４２に示す。
【０１６９】
（比較例３）
［電子写真感光体の作製］
実施例５１の−電荷輸送層の形成−において、前記例示化合物（化合物Ｎｏ．９）を、前記例示化合物（化合物Ｎｏ．６６）に代えた外は、実施例５１と同様にして電荷輸送層を形成し、アルミニウムパイプ上に感光体が設けられた電子写真感光体を作製した。
【０１７０】
＜印字テスト及び画像（細線のボケ）の評価＞
得られた電子写真用感光体を、実施例５１における＜印字テスト及び画像（細線のボケ）の評価＞と同様に印字テストを実施し、画像を得、細線のボケを観察し、評価した。結果を表４２に示す。
【０１７１】
＜電荷輸送層の吸収フォトン数（ＮA）と蛍光発光フォトン数（ＮF）の算出＞
参考例１の＜電荷輸送層の吸収フォトン数（ＮA）と蛍光発光フォトン数（ＮF）の算出＞と同様にして算出した。レーザー（波長４０３ｎｍ）に対応する吸収フォトン数（ＮA）及び蛍光発光フォトン数（ＮF）を表４２に示す。
また、吸収フォトン数（ＮA）及び蛍光発光フォトン数（ＮF）が前記式（１）の関係を満たす場合を「○」、満たさない場合を「×」として評価し、表４２に示す。
【０１７２】
【表４２】
0003566594.tif 000065
【０１７３】
（実施例５５〜５８、比較例４）
表４３の「電子写真感光体」の欄に示された「実施例Ｎｏ．」又は「比較例Ｎｏ．」に対応する上記実施例又は比較例中、［電子写真感光体の作製］で得られた電子写真感光体を用い、実施例５１の＜印字テスト及び画像（細線のボケ）の評価＞において、画像形成装置（解像度：４００ｄｐｉ）の電子写真感光体のプロセススピードを、４０ｍｍ／ｓｅｃ．、１００ｍｍ／ｓｅｃ．、及び、１５０ｍｍ／ｓｅｃ．の各数値に設定した外は、実施例５１と同様にして印字テスト及び画像（細線のボケ）の評価を行った。結果を表４３に示す。
【０１７４】
【表４３】
0003566594.tif 000066
【０１７５】
（実施例５９〜６２、比較例５）
表４４の「電子写真感光体」の欄に示された「実施例Ｎｏ．」又は「比較例Ｎｏ．」に対応する上記実施例又は比較例中、［電子写真感光体の作製］で得られた電子写真感光体を用い、実施例５１の＜印字テスト及び画像（細線のボケ）の評価＞において、画像形成装置（解像度：４００ｄｐｉ）の露光の出力を、１ｍＷ、３ｍＷ、及び、５ｍＷの各数値に設定した外は、実施例５１と同様にして、印字テストを実施し、画像を得て評価を行い、実施例５１と同様にしてして印字テスト及び画像（細線のボケ）の評価を行った。結果を表４４に示す。
【０１７６】
【表４４】
0003566594.tif 000067
【０１７７】
（実施例６３）
実施例５１の［電子写真感光体の作製］で作製した電子写真感光体を用い、＜印字テスト及び画像（細線のボケ）の評価＞において、色素レーザー（波長４０３ｎｍ）を、固体半導体レーザー（波長４００ｎｍ）に代えた外は、実施例５１と同様にして印字テストを実施し、画像を得て細線のボケの評価を行ったところ、細線は、非常にシャープでボケは全く観察されず、非常に優れた画像であった。
また、実施例５１と同様にして、電荷輸送層の吸収フォトン数（ＮA）及び蛍光発光フォトン数（ＮF）の算出を行ったところ、固体半導体レーザー（波長４００ｎｍ）に対応する吸収フォトン数（ＮA）は２．５５×１０3であり、蛍光発光フォトン数（ＮF）は０．６０×１０3であり、前記式（１）の関係を満たしていた。
【０１７８】
【発明の効果】
本発明によれば、高解像度の画像を得ることが可能な画像形成方法、及び該画像形成方法に用いる画像形成装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の画像形成装置の一例を示す概略構成図である。
【図２】本発明に用いる電子写真感光体の表面近傍の一例を示す拡大断面図である。
【図３】本発明に用いる電子写真感光体の表面近傍の他の一例を示す拡大断面図である。
【図４】本発明に用いる電子写真感光体の表面近傍の他の一例を示す拡大断面図である。
【図５】本発明に用いる電子写真感光体の表面近傍の他の一例を示す拡大断面図である。
【符号の説明】
１：帯電器
２：露光光源
３：現像器
４：転写用ロール
５：除電用光源
６：クリーニングブレード
７：定着用ロール
８：用紙
９：感光体ドラム
１０：画像形成装置
１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ：電荷発生層
１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ：電荷輸送層
１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄ：導電性基体
１４ｂ、１４ｄ：下引き層
１５ｃ、１５ｄ：保護層
【図１】
0003566594.tif 000077
【図２】
0003566594.tif 000078
【図３】
0003566594.tif 000079
【図４】
0003566594.tif 000080
【図５】
0003566594.tif 000081