(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
エポキシ樹脂、硬化剤、無機充填材及び内部離型剤を必須成分とする封止用エポキシ樹脂組成物において、内部離型剤として天然カルナバワックスとアマイド系ワックスを用い、内部離型剤を、下記構造式（１）で示される化合物及び下記構造式（２）で示される化合物の、少なくとも一方からなる物質中に予め分散させた後に配合して成ることを特徴とする封止用エポキシ樹脂組成物。
【化１】
0003570319.tif 000009
【請求項２】
構造式（１）及び（２）で示される化合物の使用量を、内部離型剤１００質量部に対して１０〜１００質量部として成ることを特徴とする請求項１に記載の封止用エポキシ樹脂組成物。
【請求項３】
内部離型剤を、構造式（１）で示される化合物及び構造式（２）で示される化合物の、少なくとも一方からなる物質中に予め分散するにあたって、内部離型剤として配合される成分の融点以上で溶融すると共に分散させることを特徴とする請求項１又は２に記載の封止用エポキシ樹脂組成物。
【請求項４】
内部離型剤を０．１〜５．０質量％配合して成ることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂組成物。
【請求項５】
エポキシ樹脂として、下記構造式（３）に示す化合物を含有して成ることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂組成物。
【化２】
0003570319.tif 000010
【請求項６】
エポキシ樹脂として、下記構造式（４）に示す化合物を含有して成ることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂組成物。
【化３】
0003570319.tif 000011
【請求項７】
硬化剤として下記構造式（５）に示す化合物を含有して成ることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂組成物。
【化４】
0003570319.tif 000012
【請求項８】
無機充填材の配合量を８０〜９３質量％として成ることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂組成物。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか記載の封止用エポキシ樹脂組成物にて封止されて成ることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置に関し、詳しくは、ＳＯＰ、ＱＦＰ等の表面実装用パッケージ（デバイス）として構成される半導体装置等のために好適に用いることができる封止用エポキシ樹脂組成物及びこの封止用エポキシ樹脂組成物にて封止された半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、ダイオード、トランジスタ、集積回路等の電気、電子部品や半導体装置等の封止方法としては、例えば、エポキシ樹脂やシリコン樹脂等による封止方法や、ガラス、金属、セラミック等を用いたハーメチックシール法等が採用されていたが、近年では、信頼性の向上と共に大量生産が可能であり、またコストメリットがあるエポキシ樹脂を用いた低圧トランスファ成形に依る樹脂封止が主流を占めるようになってきた。
【０００３】
このエポキシ樹脂を用いる封止方法としては、ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂を樹脂成分とし、硬化剤としてフェノールノボラック樹脂、無機充填材として溶融シリカ、内部離型剤として天然カルナバワックス等を主成分とする樹脂組成物が一般的に使用されていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、ＩＣ、ＬＳＩ、ＶＬＳＩ等の電子部品等の半導体装置の高密度化、高集積化に伴って封止樹脂の薄肉化への要請が高まり、そのためにはこれまでのエポキシ樹脂組成物では必ずしも満足に対応できなくなってきている。
【０００５】
詳しく述べると、表面実装デバイスとして形成された半導体装置においては、実装時にデバイス自身が高温下に曝されるため、パッケージクラックが避けられない事態となっている。これは、封止樹脂の成形後の半導体装置が保管中に吸湿し、この水分が高温に曝される際に急激に気化膨脹し、封止樹脂がこれに耐えきれずにパッケージにクラックが生じるものである。
【０００６】
そこで、近年、封止用エポキシ樹脂組成物においては、耐熱性、密着性等の向上がはかられ、実際にこれらの特性の改良がなされてきている。しかしながら、耐熱性や密着性の向上とひきかえに、封止樹脂の成形時の離型性の悪化や金型と強制的に離型させるための外滑性の強いワックスの使用によるパッケージ汚れの発生等の連続成形性の悪化が問題視されている。そこでこれらの特性の両立が検討されているが、未だ満足した結果が得られていないものであった。
【０００７】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、硬化成形物の耐熱性及び密着性が良好で半導体装置の封止樹脂として用いた場合に優れた耐リフロー性を有し、且つ、金型成形時の離型性が良好であると共にパッケージにくもり等のパッケージ汚れが発生しにくく、優れた連続成形性を有する封止用エポキシ樹脂組成物、及びこの封止用エポキシ樹脂組成物にて封止された半導体装置を提供することを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項１に係る封止用エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂、硬化剤、無機充填材及び内部離型剤を必須成分とする封止用エポキシ樹脂組成物において、内部離型剤として天然カルナバワックスとアマイド系ワックスを用い、内部離型剤を、下記構造式（１）で示される化合物及び下記構造式（２）で示される化合物の、少なくとも一方からなる物質中に予め分散させた後に配合して成ることを特徴とするものである。
【０００９】
【化５】
0003570319.tif 000002
【００１０】
また請求項２の発明は、請求項１の構成に加えて、構造式（１）及び（２）で示される化合物の添加量を、内部離型剤１００質量部に対して１０〜１００質量部として成ることを特徴とするものである。
【００１１】
また請求項３に記載の発明は、請求項１又は２の構成に加えて、内部離型剤を、構造式（１）で示される化合物及び構造式（２）で示される化合物の、少なくとも一方からなる物質中に予め分散するにあたって、内部離型剤として配合される成分の融点以上で溶融すると共に分散させることを特徴とするものである。
【００１３】
また請求項４の発明は、請求項１乃至３のいずれかの構成に加えて、内部離型剤を０．１〜５．０質量％配合して成ることを特徴とするものである。
【００１４】
また請求項５の発明は、請求項１乃至４のいずれかの構成に加えて、エポキシ樹脂として、下記構造式（３）に示す化合物を含有して成ることを特徴とするものである。
【００１５】
【化６】
0003570319.tif 000003
【００１６】
また請求項６の発明は、請求項１乃至５のいずれかの構成に加えて、エポキシ樹脂として、下記構造式（４）に示す化合物を含有して成ることを特徴とするものである。
【００１７】
【化７】
0003570319.tif 000004
【００１８】
また請求項７の発明は、請求項１乃至６のいずれかの構成に加えて、硬化剤として下記構造式（５）に示す化合物を含有して成ることを特徴とするものである。
【００１９】
【化８】
0003570319.tif 000005
【００２０】
また請求項８の発明は、請求項１乃至７のいずれかの構成に加えて、無機充填材の配合量を８０〜９３質量％として成ることを特徴とするものである。
【００２１】
また本発明の請求項９に係る半導体装置は、請求項１乃至８のいずれか記載の封止用エポキシ樹脂組成物にて封止されて成ることを特徴とするものである。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を説明する。
【００２３】
エポキシ樹脂成分としては、従来から封止用エポキシ樹脂組成物の樹脂成分として用いられているものを単独で、あるいは複数種を併用して用いることができ、ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、ブロム含有エポキシ樹脂、ナフタレン環を有するエポキシ樹脂等の各種のものを用いることができる。ここで、上記構造式（３）及び（４）で示されるエポキシ樹脂の内の少なくとも一方を用いると、耐リフロー性を特に向上することができて好ましい。
【００２４】
硬化剤としては、一分子中に二個以上のフェノール性水酸基を有するものであれば、特に制限されるものではないが、例えばフェノールノボラック樹脂、ナフトール樹脂等を挙げることができる。硬化剤の配合量は、エポキシ樹脂成分のエポキシ当量に対する硬化剤の水酸基当量の当量比で０．８〜１．２とすることが好ましい。
【００２５】
内部離型剤として、天然カルナバワックス等の天然ワックスや、石油ワックス、その他各種合成ワックスを、単独で、あるいは複数種を併用して用いることができる。特にオレイン酸アマイド等のアマイド系ワックスを用いると、耐リフロー性を更に向上することができて好ましい。
【００２６】
ここで内部離型剤の配合量は、組成物全量に対して０．１〜５．０質量％とすることが好ましく、配合量がこの範囲に満たないと充分な離型性を得ることが困難となり、逆に配合量がこの範囲を超えると、離型剤の配合量が多くなり過ぎてパッケージ汚れが発生しやすくなり、連続成形性が充分に向上されなくなるおそれがある。
【００２７】
また無機充填材としては、溶融シリカ、結晶シリカ、アルミナ、窒化ケイ素、三酸化アンチモン等の各種のものを用いることができる。無機充填材の配合量は８０〜９３質量％とすることが好ましく、更に好ましくは８２〜９１質量％とするものである。無機充填材の配合量が８０質量％に満たないと、硬化成形体の熱膨脹率及び吸水率が大きくなって耐リフロー性が低下するおそれがあり、逆に無機充填材の配合量が９３質量％を超えると樹脂成形時におけるエポキシ樹脂組成物の流動性が低減し、特に半導体装置の封止樹脂成形時にダイパット変位やワイヤスイープ等の不良の発生や、硬化成形体内部におけるボイドの発生のおそれがある。
【００２８】
また、上記以外の成分として、必要に応じて硬化促進剤、カップリング剤、難燃剤、シリコーン可とう剤等の種々の添加物を適宜配合することができる。
【００２９】
上記のような各成分にてエポキシ樹脂組成物を調製するにあたっては、内部離型剤は、上記構造式（１）で示される化合物及び上記構造式（２）で示される化合物の、少なくとも一方からなる物質（以下、分散母材という）中に予め分散させておくものである。ここで、内部離型剤を分散母材中に分散するにあたっては、内部離型剤として配合される各成分の融点以上で溶融すると共に分散母材中に分散させることが好ましく、この場合、耐リフロー性や連続成形性を特に向上することができる。
【００３０】
具体的には、例えば、内部離型剤として配合される各成分を、その融点以上の温度に加熱して溶融すると共に混合する。更に上記構造式（１）又は（２）で示される化合物のうちの一方又は双方を、溶融した内部離型剤中に混合して、更に加熱、混合し、分散母材と内部離型剤が共に溶融した状態で分散母材中に内部離型剤を分散させる。以下、この分散母材中に内部離型剤が分散したものを分散物をいう。この分散物を冷却・固化した後、粉砕し、分散物の粉末を得る。ここで、耐リフロー性や連続成形性を充分に向上するためには、分散母材の使用量は、内部離型剤の総量１００質量部に対して１０〜１００質量部とすることが好ましく、使用量がこの範囲に満たない場合や、逆に使用量がこの範囲を超える場合はいずれも耐リフロー性や連続成形性を充分に向上することが困難となるおそれがある。
【００３１】
この分散物の粉末と、上記のエポキシ樹脂組成物の各成分とを配合し、ミキサーやブレンダー等により混合した後、ニーダーや三本ロール等で加熱混練することにより、目的とするエポキシ樹脂組成物を得ることができる。また加熱混練後、冷却固化したものを粉砕して粉状のエポキシ樹脂組成物を得たり、また更に必要に応じて打錠することによりタブレット状のエポキシ樹脂組成物を得ることもできる。
【００３２】
このようにして得られるエポキシ樹脂組成物は、その硬化成形体が優れた耐吸湿半田クラック性を有することとなり、半導体装置の封止樹脂として適用した場合に、鉛フリー半田を用いた場合のような高温リフローにおいても、パッケージクラックの発生や、リードフレーム又は半導体チップと封止樹脂との剥離の発生を防止することができるものである。
【００３３】
本発明のエポキシ樹脂組成物を用い、基板やリードフレーム上に搭載した半導体素子と結線部分を封止することにより半導体装置を得るにあたっては、例えば先ず４２アロイや銅等の金属製のリードフレーム上に、半導体素子をダイボンディングする。次にＡｕ等の細線ワイヤを用いたワイヤボンディング法等でリードフレームと半導体素子を結線する。次に本発明のエポキシ樹脂組成物を用いてトランスファー成形等により封止樹脂を成形し、半導体素子とワイヤを封止するものである。
【００３４】
【実施例】
以下、本発明を実施例によって詳述する。
【００３５】
まず、下記のようにして、分散物Ａ〜Ｊを調製した。尚、内部離型剤として用いた成分のうち、天然カルナバワックスの融点は８２℃、オレイン酸アマイドの融点は７５℃である。また構造式（１）で示される化合物としては、上記構造式（１）中のＲ１が炭素数１７のアルキル基であり、融点が５２℃のものを、構造式（２）で示される化合物としては、上記構造式（２）中のＲ２が炭素数１７のアルキル基であり、融点が５２℃のものをそれぞれ用いた。
【００３６】
（分散物Ａ）
内部離型剤として天然カルナバワックス１００質量部及びオレイン酸アマイド１００質量部を予め１２０℃のオーブンにて溶融・混合した後、分散母材として上記構造式（１）で示される化合物を４０質量部加え、更にディスパーにて１３０℃で３０分間加熱して溶融・混合し、分散母材中に内部離型剤を分散させた。分散後、このものを取り出し、冷却した後粉砕して粉状の分散物Ａを得た。
【００３７】
（分散物Ｂ）
分散母材として上記構造式（２）で示される化合物を４０質量部用いた以外は分散物Ａの場合と同様にて、粉状の分散物Ｂを得た。
【００３８】
（分散物Ｃ）
分散母材として上記構造式（２）で示される化合物を２０質量部用いた以外は分散物Ａの場合と同様にて、粉状の分散物Ｃを得た。
【００３９】
（分散物Ｄ）
分散母材として上記構造式（１）で示される化合物を２０質量部用いた以外は分散物Ａの場合と同様にて、粉状の分散物Ｄを得た。
【００４０】
（分散物Ｅ）
分散母材として上記構造式（１）で示される化合物を２００質量部用いた以外は分散物Ａの場合と同様にて、粉状の分散物Ｄを得た。
【００４１】
（分散物Ｆ）
分散母材として上記構造式（１）で示される化合物を１０質量部用いた以外は分散物Ａの場合と同様にて、粉状の分散物Ｆを得た。
【００４２】
（分散物Ｇ）
分散母材として上記構造式（１）で示される化合物を３００質量部用いた以外は分散物Ａの場合と同様にて、粉状の分散物Ｇを得た。
【００４３】
（分散物Ｈ）
分散母材を配合した後の加熱温度を７０℃とした以外は分散物Ａの場合と同様にて、粉状の分散物Ｈを得た。
【００４４】
（分散物Ｉ）
内部離型剤として天然カルナバワックス２００質量部を用いると共にオレイン酸アマイドを使用しなかった以外は分散物Ａの場合と同様にて、粉状の分散物Ｉを得た。
【００４５】
（分散物Ｊ）
内部離型剤として天然カルナバワックス１００質量部及びオレイン酸アマイド１００質量部を予め１２０℃のオーブンにて溶融・混合した後、そのまま更にディスパーにて１３０℃で３０分間加熱して溶融・混合した。その後、このものを取り出し、冷却した後粉砕して粉状の分散物Ｊを得た。
【００４６】
各分散物の組成を表１にまとめる。
【００４７】
【表１】
0003570319.tif 000006
【００４８】
（実施例１〜１９、比較例１〜８）
各実施例及び比較例につき、表２，３に示す成分を配合し、ミキサーで均一に混合した後、ニーダーで加熱・混練し、更に冷却固化した後粉砕して粉末状のエポキシ樹脂組成物を得た。
【００４９】
ここで、表中に示すｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂は、住友化学工業株式会社製の「ＥＳＣＮ１９５ＸＬ」（エポキシ当量１９５）、式（３）に示すエポキシ樹脂は、油化シェルエポキシ株式会社製の「ＹＸ４０００Ｈ」（構造式（３）中のＲ３，Ｒ６，Ｒ７，Ｒ１０は炭素数１のアルキル基（メチル基）、Ｒ４，Ｒ５，Ｒ８，Ｒ９は水素原子、エポキシ当量１９２）、式（４）に示すエポキシ樹脂は大日本インキ化学工業株式会社製の品番「ＨＰ７２００」（構造式（４）中のｎは０〜８、エポキシ当量２６４）である。
【００５０】
また、式（５）に示すフェノール樹脂は住金ケミカル株式会社製の品番「ＨＥ１００Ｃ」（構造式（５）中のｎは０〜８、水酸基当量１６９）である。
【００５１】
また溶融シリカは、溶融シリカの表面に、溶融シリカ１００質量部に対して０．６質量部のγ−ヒドロキシプロピルトリメトキシシランにてシランカップリング処理を施したものである。
【００５２】
またブロム化エポキシ樹脂は、住友化学工業株式会社製の「ＥＳＢ４００Ｔ」（エポキシ当量４００）である。
【００５３】
（耐リフロー性試験）
銅製のリードフレーム上に、評価用の半導体素子としてＴＥＧ（ｔｅｓｔ  ｅｌｅｍｅｎｔｓ  ｇｒｏｕｐ）を搭載し、各実施例及び比較例にて調製した封止用エポキシ樹脂組成物を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力６．９ＭＰａ、成形時間９０秒間の条件でトランスファー成形した後、１７５℃で６時間アフターキュアーを行って樹脂封止し、外形寸法１５ｍｍ×１９ｍｍ×２．４ｍｍの評価用の６０ｐｉｎＱＦＰ（ｑｕａｄ  ｆｌａｔ  ｐａｃｋａｇｅ）を作製した。
【００５４】
この評価用ＱＦＰを８５℃／６０％ＲＨの条件下に７２時間暴露して吸湿させた後、ＥＩＡＪ規格に準拠したＩＲリフロー処理を施した。処理後の試料を実体顕微鏡にて観察し、封止樹脂におけるクラックの発生の有無を観察した。その結果を表２，３中に示す。尚、表中の評価結果における分母は試験に供した試料数、分子はクラックが発生した試料数である。
【００５５】
（連続成形性試験）
銅製のリードフレーム上に、評価用の半導体素子としてＴＥＧを搭載し、各実施例及び比較例にて調製した封止用エポキシ樹脂組成物を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力９．８ＭＰａ、成形時間９０秒間の条件でトランスファー成形して樹脂封止し、４００ｍｉｌの評価用の２８ｐｉｎＳＯＰ（ｓｍａｌｌ  ｏｕｔｌｉｎｅ  ｐａｃｋａｇｅ）を作製した。このＳＯＰの成形を、同一の金型を用いて繰り返し行った。
【００５６】
・離型性評価
上記のような連続成形を行っていくうちに、カルの発生や、カルのふくれや汚れ、パッケージの欠け、割れ、ゲート折れ等の離型不良が発生が起こるまでの成形回数を計数した。
【００５７】
・パッケージ汚れ評価
上記のような連続成形を行っていくうちに、成形されるＳＯＰの表面にくもり等のパッケージ汚れが発生するまでの成形回数を計数した。
【００５８】
以上の結果を表２，３に示す。
【００５９】
【表２】
0003570319.tif 000007
【００６０】
【表３】
0003570319.tif 000008
【００６１】
以上の結果から明らかなように、内部離型剤を分散母材中に分散させずに配合した比較例１〜７では連続成形性が悪く、特に比較例１，２では耐リフロー性についても良好な結果が得られなかった。
【００６２】
それに対して、全ての実施例において、良好な耐リフロー性及び連続成形性の評価が得られた。
【００６３】
また、分散物の種類を変動させた実施例１〜８及び比較例８の評価結果から、オレイン酸アマイドを含む内部離型剤１００質量部に対して１０〜１００質量部の分散母材を用い、内部離型剤の分散母材への分散を、内部離型剤の融点以上で行った実施例１〜４では、分散母材の使用量が少ない実施例６、分散母材の使用量が多い実施例７、内部離型剤の分散母材への分散を、内部離型剤の融点未満で行った実施例８、内部離型剤としてオレイン酸アマイドを使用しなかった比較例８と比べて、耐リフロー性及び連続成形性が特に向上したことが確認された。
【００６４】
また分散物の配合量を変動させた実施例１，９〜１２の評価結果から、内部離型剤の配合量を０．１〜５．０質量％の範囲とした実施例１，９，１０では、内部離型剤の配合量が少ない実施例１１や、内部離型剤の配合量が多い実施例１２と比べて、連続成形性が特に向上したことが確認された。尚、実施例１２において耐リフロー性が低下しているのは、内部離型剤の配合量を増大させることにより無機充填材の配合量が相対的に低下したためと考えられる。
【００６５】
また無機充填材の配合量を変動させた実施例１，１６〜１９の評価結果から、実施例１，１７，１９では、無機充填材の配合量が少ない実施例１６，１８や無機充填材の配合量が多い実施例１９と比べて、特に耐リフロー性の評価が向上したことが確認された。
【００６６】
また、実施例１等と比べると、構造式（３）に示すエポキシ樹脂を用いた実施例１３、構造式（４）に示すエポキシ樹脂を用いた実施例１４、構造式（５）に示すフェノール樹脂を用いた実施例１５では、耐リフロー性が更に向上したことが確認された。
【００６７】
【発明の効果】
上記のように本発明の請求項１に係る封止用エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂、硬化剤、無機充填材及び内部離型剤を必須成分とする封止用エポキシ樹脂組成物において、内部離型剤として天然カルナバワックス及びアマイド系ワックスを用い、内部離型剤を、上記構造式（１）で示される化合物及び上記構造式（２）で示される化合物の、少なくとも一方からなる物質中に予め分散させた後に配合したため、この封止用エポキシ樹脂組成物の硬化成形物の耐熱性及び密着性が良好で半導体装置の封止樹脂として用いた場合に優れた耐リフロー性を有し、且つ、金型成形時の離型性が良好であると共にパッケージにくもり等のパッケージ汚れが発生しにくく、優れた連続成形性を有するものである。しかも内部離型剤として、アマイド系ワックスを用いたため、この封止用エポキシ樹脂組成物の硬化成形物の耐熱性及び密着性を更に向上することができ、半導体装置の封止樹脂として用いた場合に更に優れた耐リフロー性を有するものである。
【００６８】
また請求項２の発明は、請求項１の構成に加えて、構造式（１）及び（２）で示される化合物の使用量を、内部離型剤１００質量部に対して１０〜１００質量部としたため、この封止用エポキシ樹脂組成物の硬化成形物の耐熱性及び密着性を更に向上することができ、半導体装置の封止樹脂として用いた場合に更に優れた耐リフロー性を有するものである。
【００６９】
また請求項３の発明は、請求項１又は２の構成に加えて、内部離型剤を、構造式（１）で示される化合物及び構造式（２）で示される化合物の、少なくとも一方からなる物質中に予め分散するにあたって、内部離型剤として配合される成分の融点以上で溶融すると共に分散させるため、この封止用エポキシ樹脂組成物の硬化成形物の耐熱性及び密着性を更に向上することができ、半導体装置の封止樹脂として用いた場合に更に優れた耐リフロー性を有するものである。
【００７１】
また請求項４の発明は、請求項１乃至３のいずれかの構成に加えて、内部離型剤を０．１〜５．０質量％配合したため、この封止用エポキシ樹脂組成物の硬化成形物を金型成形するにあたっての離型性を更に向上することができると共にパッケージにくもり等のパッケージ汚れが更に発生しにくくなり、更に優れた連続成形性を有するものである。
【００７２】
また請求項５の発明は、請求項１乃至４のいずれかの構成に加えて、エポキシ樹脂として、上記構造式（３）に示す化合物を含有したため、この封止用エポキシ樹脂組成物の硬化成形物の耐熱性及び密着性を更に向上することができ、半導体装置の封止樹脂として用いた場合に更に優れた耐リフロー性を有するものである。
【００７３】
また請求項６の発明は、請求項１乃至５のいずれかの構成に加えて、エポキシ樹脂として、上記構造式（４）に示す化合物を含有したため、この封止用エポキシ樹脂組成物の硬化成形物の耐熱性及び密着性を更に向上することができ、半導体装置の封止樹脂として用いた場合に更に優れた耐リフロー性を有するものである。
【００７４】
また請求項７の発明は、請求項１乃至６のいずれかの構成に加えて、硬化剤として上記構造式（５）に示す化合物を含有したため、この封止用エポキシ樹脂組成物の硬化成形物の耐熱性及び密着性を更に向上することができ、半導体装置の封止樹脂として用いた場合に更に優れた耐リフロー性を有するものである。
【００７５】
また請求項８の発明は、請求項１乃至７のいずれかの構成に加えて、無機充填材の配合量を８０〜９３質量％としたため、この封止用エポキシ樹脂組成物の硬化成形物の耐熱性及び密着性を更に向上することができ、半導体装置の封止樹脂として用いた場合に更に優れた耐リフロー性を有するものである。
【００７６】
また本発明の請求項９に係る半導体装置は、請求項１乃至８のいずれか記載の封止用エポキシ樹脂組成物にて封止されたため、優れた耐リフロー性を有し、且つ、封止樹脂の金型成形時の離型性が良好であると共にパッケージにくもり等のパッケージ汚れが発生しにくく、優れた連続成形性を有するものである。