【事件の表示】
　平成１０年特許願第１２２６３３号「赤外線輻射検出器、特に赤外線検出ボロメータ、の製造法」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　２月１２日出願公開、特開平１１−　４０８２４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯 
　本願は，平成１０年３月２７日（パリ条約による優先権主張１９９７年３月２８日，ベルギー）の出願であって，平成１８年９月１４日に手続補正がなされ，同年１０月５日付けで拒絶査定がなされ，これに対し平成１９年１月９日に拒絶査定不服審判請求がなされるとともに同年２月８日付けで手続補正がなされたものである。 
　  
ＩＩ．平成１９年２月８日付けの手続補正についての補正却下の決定  
［補正却下の決定の結論］  
　平成１９年２月８日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。  
　　  
［理由］  
１．本願補正発明  
　本件補正は，補正前の請求項１４を以下のように補正し，補正後の請求項１３とすることを含むものである。  
　　  
「【請求項１３】
　多結晶シリコンゲルマニウムから構成される活性領域（１６又は４７）と赤外線吸収体（４９）を含む赤外線検出ボロメータであって，
　上記活性領域（１６又は４７）は，多結晶シリコンゲルマニウムから構成される薄く長い支持部（１５又は４８）により，基板上に懸架され，
上記支持部は固定点（１４）で基板（１０又は４１）に接続し，
上記支持部（１５又は１８）は上記活性領域と上記基板の間に電気的接続を形成する赤外線検出ボロメータ。」 
　　  
　本件補正後の請求項１３に係る上記補正は，補正前の請求項１４に記載した発明を特定するために必要な事項である「支持部」について，「多結晶シリコンゲルマニウムから構成される」ことを限定するとともに，「活性領域（１６又は４７）のための」とあったところを「活性領域と基板の間に電気的接続を形成する」と限定するものであるから，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 
　　  
　そこで，本件補正後の請求項１３に記載された発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。 
　　  
２．引用刊行物  
２．１．引用刊行物１
　原査定の拒絶の理由において引用された，本願の優先日前に頒布された刊行物である特表平７−５０２８１２号公報（以下「引用刊行物１」という。）には，図面とともに以下の事項が記載されている。  
　  
（１）「
請求の範囲
排他的所有権又は権利が請求される発明の実施例を次の通り限定する：
１．赤外線感知素子を有する赤外線感知ボロメータを製造する方法において，
　第１の絶縁層（２２）を有する半導体基板（２０）を準備する工程と；
　前記第１の絶縁層（２２）の上に酸化物層（２４）を蒸着する工程と；
　前記酸化物層（２４）をマスキングし且つエッチングして，残留酸化物領域（２８）を形成する工程と；
　第１のポリシリコンの層（３０）を蒸着する工程と；
　前記残留酸化物領域で前記第１のポリシリコンの層をマスキングし且つエッチングする工程と；
　第２のポリシリコンの層（３４）を蒸着する工程と；
　所定の抵抗の温度係数（ＴＣＲ）を得るために前記第２のポリシリコンの層に（ヒ素）イオンを注入する工程と；
　前記第２のポリシリコンの層（３４）をマスキングし且つエッチングして，前記赤外線〔ＩＲ〕感知素子に少なくとも１つの開口（３６）を形成する工程と；
　前記少なくとも１つの開口を通してエッチング液を塗布して前記残留酸化物領域を除去すると共に，前記赤外線（ＩＲ）感知素子が上方に懸架されているような状態で空洞を形成する工程とから成る方法。」（２頁左上欄１−１８行）
　　
（２）「
発明の背景
　ここで開示する本発明は，一般に，熱放射を検出する検出器に関し，特に，吸収した放射のエネルギーが検出素子の温度を上昇させ，その結果，検出器の特性を変化させるような種類の検出器に関する。ボロメータは，吸収した放射が電気抵抗の値を変化させるように大きな温度係数を有する材料から製造される。
　従来，ボロメータは，典型的には，集積回路では通常は使用されないパーマロイなどの赤外線感知薄膜材料を使用していた。パーマロイのような材料を使用すると，下部に位置する集積回路と，ボロメータ素子及び相互接続とに対して多数の完全に独立したマスクが要求されるという点で，ボロメータの製造を複雑にする。
　従って，集積回路でも通常使用されている材料から集積赤外線感知ボロメータ素子を製造する方法の必要性がある。」（２頁左下欄３−１４行）
　　
（３）「
発明の概要
　本発明は，これらの必要性及び他の必要性を赤外線感知ボロメータを製造する方法を提供することにより解決する。・・・（略）・・・。第２のポリシリコン層を蒸着し，所定の抵抗率の温度係数（ＴＣＲ）を得るために不純物を添加する。・・・（略）・・・。その結果得られる構造は第２のポリシリコンから成る薄い膜である。熱時定数が低くなるように，この膜は小さな熱コンダクタンスを育する。抵抗は高いＴＣＲを有し，熱伝導率に反比例する応答性は高い。膜を所定の電流でバイアスすると，吸収される赤外線エネルギーは膜を加熱して，抵抗の変化を発生させ，その結果得られる電流の信号×抵抗の変化がシリコン基板中の回路により感知される。」（２頁左下欄１５−２９行）
　　
（４）「熱特性（Ｇ＋ｊηＨ）は高い応答性を得るために小さくなければならない。この項を小さくするのに有効な方法は，熱伝導率の低い材料により支持されるＩＲ感知材料の懸垂ブリッジを使用するというものである。」（３頁左上欄３−６行）
　　
（５）「検出感度を計算するのであるが，これは，この条件では現在のポリシリコン抵抗器によって検出器がどれほど適切に動作するであろうかということの測定値である。通常はＤ＊で表わされる検出感度は，
・・・（略）・・・
ポリシリコン素子に関わる抵抗及びその雑音特性の選択に従って何らかの改善（三分の一以内）が可能であるということに注意すべきである。検出感度の理論上の限界は２×１０１０ｃｍ√（Ｈｚ）／Ｗである。慨して，ボロメータについてはｌ０９ｃｍ√（Ｈｚ）／Ｗが適切であると考えられる。従って本発明のポリシリコン素子ボロメータでは良い性能が期待されると思われる。」（３頁右上欄８−１８行）
　　
（６）「本発明に従った単一のＩＲ感知ポリシリコンボロメータが図面に示されており，全体を１０で示されている。
　図６に示すようなＩＲ検出アレイの一部は画素セル１２のマトリクスに分割されており，各画素の出力は集積回路１４により個別に制御される。通常，ＩＲアレイは２５６×２５６アレイ又は他の都合の良い大きさのアレイとしてレイアウトされる。各画素の出力を表示目的のために制御できるように，マルチプレックス配列を集積回路１４と相互接続してある。各画素セルは，実際のＩＲ検出素子であるポリシリコン抵抗器１０と，ＩＣ１４の形態をとる支援エレクトロニクスとを含む。
　図５ａは，本発明の方法において使用すべき半導体デバイスの一部を示す。
　図５ａには，酸化物層２２を有するシリコン基板２０が示されている。ＣＶＤにより酸化物層２２の上に窒化シリコン層２４を蒸着する。層２４の目的は，後の処理工程でエッチストッパとして作用することである。
　ＣＶＤにより窒化シリコン層２４の上に酸化物層２６を蒸着する。酸化物層２６の厚さは後の処理工程で形成すべき空洞の深さを確定する。ＣＶＤにより窒化シリコン層２４の上に酸化物層２６を蒸着する。
　既知のマスキング手順及びエッチング手順を使用して酸化物層２６をエッチングし，図５ｂに示すような酸化物領域２８を形成する。酸化物領域２８を形成するための酸化物層２６のエッチングをＩＣ１４の形成時に使用しても良い。
　図５ｃに示すように，ＣＶＤにより第１のポリシリコン層３０を蒸着する。次に，ポリシリコン３０をマスキングし，エッチングして，ボロメータのＩＲ感知素子１０のための場所３２を設ける。ポリシリコン３０のエッチングは酸化物層２８の中にわずかに入るまで進むべきである。
　場所３２のエッチングに続いて，第２のポリシリコン層３４を蒸着する。ポリシリコン３４の典型的な厚さは１０００から５０００オングストロームである。次に，所望のＴＣＲを得るために，ヒ素，リン又はホウ素のイオン注入によりポリシリコン３４に不純物を添加する。
　次に，感知素子１０を規定するようにエッチングすると共に，素子１０に複数の開口３６をエッチングするために，第３のマスクが必要である。開口３６は溝穴として示されているが，他の種類の開口であっても良い。次に，酸化物領域２８を除去したときに空洞の上方に不純物添加ポリシリコン抵抗器が懸架されるように，エッチング液を使用して酸化物領域２８をエッチングにより除去する。
　ＩＲ感知素子１０を介して定電流Ｉを供給するために，素子１０は図５ｅに示すようなマトリクス線３８及び４０に接続される。素子１０の抵抗の変化は電圧変化トランジスタ１４により感知される。トランジスタ，すなわち，ＩＣ１４の設計と，マトリクス線３８及び４０の形成と，素子１０，ＩＣ１４及びマトリクスシステムの相互接続とは，別個の処理工程の数を減らすように調整されるべきである。ＩＲ感知素子１０を製造する方法を述べたので，さらに数多くの利点を挙げ，それらを理解することができる。従来，パーマロイの使用は，パーマロイが多くのＩＣ処理工程と相いれないために，ボロメータ製造工程を複雑にさせていた。パーマロイの代わりにポリシリコンを使用すると，ポリシリコンＣＶＤ工程はパーマロイスパッタリング工程と比べて準備及び制御するのが容易するという利点が得られる。また，ポリシリコン工程は金属酸化物半導体（ＭＯＳ）プロセスとも矛盾しない。
　また，本発明のポリシリコン素子はパーマロイより高い温度の工程に耐えることができる。
　加えて，広範囲の抵抗率を得るために，ヒ素，リン又はホウ素を使用することにより，本発明のポリシリコン素子に不純物を添加できる。
　本発明に従って製造したポリシリコン素子はパーマロイから利用できるより高いＴＣＲを達成することもできる。」（３頁左下欄１６行−４頁左上欄５行）
　
（７）上記（６）に照らすと，図５ｅから，
　ＩＲ感知素子１０のための場所３２において，第２のポリシリコン層３４の下に空洞が形成されていることが見てとれるので，図５ｅから，
　シリコン基板２０上に酸化物層２２及び窒化シリコン層２４を有し，
前記窒化シリコン層２４上に空洞および第１のポリシリコン層３０を有し，
　前記第１のポリシリコン層３０の上から前記空洞の上にわたって第２のポリシリコン層３４を有することが見てとれる。
　
（８）図５ｆにおいて，ＩＲ感知素子１０の両端に対応する破線が，図５ｅの空洞上の第２のポリシリコン層３４のうち，第１のポリシリコン層３０と接する位置から，それぞれ離れた位置に対応しているから，両図から，
　空洞の上に形成された第２のポリシリコン層３４は，中央にＩＲ感知素子１０を形成し，第１のポリシリコン層３０と接する位置を固定点とし，該固定点からＩＲ感知素子１０の位置までの第２のポリシリコン膜３４により，ＩＲ感知素子１０をシリコン基板２０上に懸架して支持していることが見てとれる。
　
（９）図５ｅおよび図６から，ＩＲ感知素子１０の近くに集積回路１４が配置され，第２のポリシリコン層３４が集積回路１４と電気的に接続されることにより，ＩＲ感知素子１０と集積回路１４が電気的に接続されていることが見てとれる。
　　
　よって，これらを総合すると，引用刊行物１には，  
「ポリシリコンからなるＩＲ感知素子１０を備える赤外線感知ボロメータであって，前記赤外線感知ボロメータは，
　シリコン基板２０上に酸化物層２２及び窒化シリコン層２４を有し，
前記窒化シリコン層２４上に空洞および第１のポリシリコン層３０を有し，
　前記第１のポリシリコン層３０の上から前記空洞の上にわたって，不純物が添加された，１０００から５０００オングストロームの厚さの第２のポリシリコン層３４を有し，
　前記空洞の上に形成された前記第２のポリシリコン層３４は，中央に前記ＩＲ感知素子１０を形成し，前記第１のポリシリコン層３０と接する位置を固定点とし，該固定点から前記ＩＲ感知素子１０の位置までの前記第２のポリシリコン膜３４により，前記ＩＲ感知素子１０を前記シリコン基板２０上に懸架して支持しており，
　前記ＩＲ感知素子１０の近くに集積回路１４が配置されており，
　前記第２のポリシリコン層３４が前記集積回路１４と電気的に接続されることにより，前記ＩＲ感知素子１０と前記集積回路１４が電気的に接続されており，
　前記第２のポリシリコン層３４を所定の電流でバイアスすると，吸収される赤外線エネルギーは前記第２のポリシリコン層３４を加熱して，抵抗の変化を発生させ，その結果得られる電流の信号×抵抗の変化が前記シリコン基板２０中の回路により感知され，
　前記ＩＲ感知素子１０抵抗の変化は集積回路１４により感知され，
　各画素セルは，前記ＩＲ感知素子１０と，前記集積回路１４の形態をとる支援エレクトロニクスとを含み，各画素の出力は前記集積回路１４により個別に制御される赤外線感知ボロメータ。」の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　　 
２．２．引用刊行物２
　原査定の拒絶の理由において引用された，本願の優先日前に頒布された刊行物であるSPIE Growth and Characterization of Materials for Infrared Detectors II , Vol.2554, p.43-54（論文名：The Growth and Properties of Semiconductor Bolometers for Infrared Detection，1995年発行。以下「引用刊行物２」という。）には，図とともに以下の事項が記載されている（当審訳をかっこ書きで付した。なお，下線は当審で付した。）。  
　
（１）「ABSTRACT
This paper describes the growth and properties of micro-machined semiconductor microbolometers. These thermally isolated structures are employed in uncooled infrared detectors developed at the Defence Science and Technology Organisation (DSTO). 
Recent research is focused towards developing high performance bolometers from the amorphous and more recently the microcrystalline phases of the SiGe:H material system.
Particular attention is given to materials and material growth techniques that maximise the responsivity and the minimise the electronic excess noise. 
（概要
本論文は，マイクロ機械加工された半導体マイクロボロメーターの成長および特性について記述します。これらの熱的に孤立した構造は，国防科学技術機構(DSTO)で開発された非冷却赤外線検出器で使用されます。
最近の研究は，アモルファスであるもの，より最近では，微晶質相の水素含有ＳｉＧｅ材料系から，高機能ボロメーターを発達させる方へ集中します。
特定の注意は，応答性を最大限にし，かつ電子的な過剰なノイズを最小限にする材料の成長技術にはらわれます。
  　
（２）「2. BASIC BOLOMETER CHARACTERISTICS 
2.1 0ptimising the semiconductor bolometer responsivity
Resistance bolometers are composed of an absorbing material with heat capacity, C, where the incident infrared radiation (IR) is converted to heat. Heat is lost through a thermal conductance, G, to a substrate of temperature Ts, resulting in a thermal time constant (τ=C/G), which expresses the exponential increase and decrease in temperature following the respective turning on and off of the incident radiation. 
・・・（略）・・・
Good responsivity follows from materials with high values of α, which is a characteristic of semiconductors rather than metals, and by minimising G through good thermal isolation of the bolometer.
（２．基本的なボロメーター特性
半導体ボロメーター応答性
抵抗ボロメーターは熱容量Cの吸収材料から成ります，そこで，入射された赤外線（IR）放射が熱に変わり，熱が熱伝導率Gを通して失われ，温度Tsの基板に熱の時定数（τ=C/G）になり，それは入射した放射線の変化の後で指数関数的な増加と温度の減少を表します。
・・・（略）・・・
良い応答性は，金属よりむしろ半導体の特性の高いαの値を有する材料およびボロメーターの良い熱の隔離を通してGを最小にすることに従います
　　　
（３）「4. SFB FABRICATION
DSTO's capability to quickly take a conceptual design and turn it into a functioning detector has resulted in a considerable variation in the methods of fabrication. These methods in combination with the wide range of materials studied form a ‘toolkit’ that can be used to produce SFB detectors. There are, however, some basic fabrication steps common to most variations of the ‘toolkit’.
The first step is to sufficiently planarise the surface to allow the subsequent deposition of the SFB detector. In most cases this can be combined with the sacrificial polymer layer, typically made of polyimide. The polyimide is spun on and patterned to form mesas on which the detector will be constructed. Polyimide is a good material for this as it is intrinsically planarising (having been developed for this purpose), can cope with the temperatures involved in the later processing, and allows the slope of the mesa walls to be adjusted to suit the deposition requirements. A thin silicon nitride pellicle layer may next be deposited, to help reduce the mechanical stress in the detector and enhance the thermal isolation design. On this, nichrome or another suitable metal is sputter deposited to form the bottom metal. This provides the electrical contact to the detector and acts as the bottom reflector of the optical cavity.
An amorphous silicon layer, 750 nm thick, is deposited onto the bottom metal, usually by sputter deposition techniques.　Without breaking the vacuum the silicon is then covered in the thin (5 nm) NiCr top metal layer. The top metal is then patterned by sputter etching and this top metal layer can then in turn be used as the mask for reactivity ion etching the semiconductor. This results in the basic detector structure, a cross-sectional schematic of which is illustrated in fig. 5. The sacrificial layer is subsequently removed by oxygen plasma etching to leave a self-supporting detector, as shown in the electron micrograph shown in figure 1. Since the vertical scale of fig. 5 has been greatly increased relative to the horizontal scale it is not immediately obvious that the detector is in fact a very low broad structure; increasing the difficulty of removing the sacrificial layer. In order to assist in this removal process one or more holes are usually built into the detector to allow O2 to reach the polyimide mesa more effectively. This structure is now thermally isolated by a single support on each side. Note that that the number and location of the thermal isolation supports can vary depending on the design requirements of the detector, with many other detectors having a support in each corner. Note that this basic description of how an SFB is fabricated is made considerably more complex if the detector is to be build on a VLSI readout circuit; in which case electrical connections must be made through vias to the underlying circuit. The problem of planarisation also becomes much more significant.
From equation (1) it is clear that in order to achieve a high responsivity, the thermal conductance (G) from the detector must be minimised.
Thermal isolation is enhanced by the use of long, thin supporting structures constructed of low thermal conductivity material
（４．ＳＦＢ製造
素早く机上の設計をとって，それを機能している検出器に変えるDSTOの能力は，製造方法にかなりの変化をもたらします。研究された多様な材料と結合するこれらの方法は，SFB検出器を生産するのに用いられることができる『ツールキット』をつくります。しかし，『ツールキット』の大部分のバリエーションに共通のいくらかの基本的な製造段階があります。
第１段階は，SFB検出器の以降の堆積を許すために，表面を十分に平坦化することになっています。ほとんどの場合，これは犠牲のポリマー層（典型的にポリイミドでできている）と結合されることができます。ポリイミドは回転塗布されて，検出器が造られるメサを作るためにパターン化されます。それが本質的に平坦化していて（この目的のために開発された）ポリイミドはこれのための良い材料で，後の処理に関係する温度に対処することができて，メサ壁の傾斜を堆積条件を満たすように調整されます。検出器で機械的なストレスを減らして，熱の隔離設計を強化するのを助けるために，薄い窒化ケイ素薄膜層は，次に堆積されるかもしれません。これの上に，ニクロムまたはもう一つの適当な金属は，一番下の金属を形成するためにスパッター堆積されます。これは電気的接点を検出器に提供して，光学空洞の下部反射器の働きをします。
アモルファスシリコン層（厚さ750nm）は，一番下の金属の上に，通常スパッター堆積技術によって堆積されます。　真空を打破することなく，シリコンはそれから薄い（5nm）NiCrトップ金属層で覆われます。一番上の金属はそれからスパッターエッチングによってパターン化され，そして，この表面の金属層がそれから，半導体の反応性イオンエッチングのためのマスクとして順番に使われることができます。これは基本的な検出器構造となります。そして，それの断面概略図は図5の中で例示されます。図1で示される電子顕微鏡写真で示すように，犠牲の層は，自立の検出器を残すために，酸素プラズマエッチングによってその後取り除かれます。図5の垂直スケールが水平スケールと比較して大いに増やされたので，検出器が実際あまり低い幅広い構造であること；犠牲の層を取り除くことの難しさを増やしているは，すぐに明らかでありません。この除去プロセスを援助するために，一つ以上の穴は，通常，O2をより効果的にポリイミドメサに到着させるために，検出器に組み入れられます。この構造は，現在両側で一回の支持によって熱的に孤立します。各々の角で支持をしている多くの他の検出器で，熱の隔離支持物の数と位置が検出器のデザイン条件に従って異なることができることに注意すべきです。検出器がVLSI表示回路上に作られているならば；電気接続が下にある回路にビアを通して行われなければならないので，SFBがどのように作られるかというこの基本的な説明がかなりより複雑にされることに注意すべきです。平坦化の問題も，ずっと重要になります。
方程式(1)から，高い応答性を達成するために，検出器からの熱伝導率（G）が最小にされなければならないことは明らかです。
ボロメーターの熱の隔離設計は，検出器支持物によって熱の伝導を決定します。熱の隔離は，低熱伝導率材料から造られる長い，細い支持構造を用いて強化されます。
　  
（４）「Further materials research is being undertaken to improve the performance of SFB detectors, aiming towards thermal fluctuation noise limited performance.
 Alloying Si with a suitable material such as Ge is one approach with the potential for producing higher performance detectors.
By combining low noise with an optimum resistance value and a high level of thermal isolation it will be possible to produce SFB devices with a D
*
 greater than l×l0
9
cm Hz
1/2
W
-1
.
The microcrystalline phases of the above amorphous materials have the potential to improve SFB performance.」（５３頁１３−２２行）
（更なる材料研究がSFB検出器の性能，熱の変動ノイズ性能を制限するということに狙いを定めて，更なる材料研究がSFB検出器の性能を向上させるために着手されています。
Geのような適当な材料とSiの合金をつくることは，より高性能検出器を生産する潜在能力による1つのアプローチです。
最適の抵抗値を有する低いノイズと高水準の熱の隔離とを結合することによって，l×l0
9
cm Hz
1/2
W
-1
より大きなD
*
でSFB装置を生産することが可能です。
上記のアモルファス材料を微結晶化した相は，SFB性能を向上させる可能性があります。）
　  
（５）図５（Fig.5）からは，検出器の支持構造が，長い形状であり，固定点で基板に接続していることが見てとれる。
　　
３．対比 
　本願補正発明と引用発明とを以下に対比する。
（１）引用発明の「ＩＲ感知素子１０」，「赤外線感知ボロメータ」，「シリコン基板２０」及び「固定点」は，それぞれ本願補正発明の「活性領域」，「赤外線検出ボロメータ」，「基板」及び「固定点」に相当する。
（２）引用発明の「固定点から前記ＩＲ感知素子１０の位置までの前記第２のポリシリコン膜３４」は，本願補正発明の「支持部」に相当し，前者は「１０００から５０００オングストロームの厚さ」を有するから，両者は，薄い点で一致する。
（３）引用発明は，
「第２のポリシリコン層３４が前記集積回路１４と電気的に接続されることにより，前記ＩＲ感知素子１０と前記集積回路１４が電気的に接続されており，
　前記第２のポリシリコン層３４を所定の電流でバイアスすると，吸収される赤外線エネルギーは前記第２のポリシリコン層３４を加熱して，抵抗の変化を発生させ，その結果得られる電流の信号×抵抗の変化が前記シリコン基板２０中の回路により感知され，
　前記ＩＲ感知素子１０抵抗の変化は集積回路１４により感知され，
　各画素セルは，前記ＩＲ感知素子１０と，前記集積回路１４の形態をとる支援エレクトロニクスとを含み，各画素の出力は前記集積回路１４により個別に制御される」から，
シリコン基板２０中に集積回路１４を有し，ＩＲ感知素子１０を懸架して支持する「固定点から前記ＩＲ感知素子１０の位置までの前記第２のポリシリコン膜３４」が，ＩＲ感知素子１０とシリコン基板２０中の集積回路１４の間の電気的接続の経路の一部を構成する，といえるので，引用発明の「固定点から前記ＩＲ感知素子１０の位置までの前記第２のポリシリコン膜３４」と，本願補正発明の「支持部」は，「活性領域と基板の間に電気的接続を形成する」点で一致する。
　　 
　したがって，両者は，  
「活性領域を含む赤外線検出ボロメータであって，
　上記活性領域は，薄い支持部により，基板上に懸架され，
　上記支持部は固定点を有し，
　上記支持部は上記活性領域と上記基板の間に電気的接続を形成する赤外線検出ボロメータ。」 
である点で一致し，以下の点で相違する。  
　　  
相違点１：  
　「活性領域」及び「支持部」が，本願補正発明では，「多結晶シリコンゲルマニウム」から構成されるのに対し，引用発明では，ポリシリコンから構成される点。
　　  
相違点２：
　本願補正発明は，赤外線吸収体を含むのに対し，引用発明は，そうではない点。
　　　
相違点３： 
　「薄い支持部」が，本願補正発明では，「長い」形状であり，「固定点（１４）で基板（１０又は４１）に接続」するのに対し，引用発明では，長いものであるのか明らかでなく，また，固定点で基板に接続されるものではない点。
　　 
４．判断  
４．１．相違点１についての判断 
（１）引用発明に関して，上記２．１．（４）から，熱特性は高い応答性を得るために小さくなければならないこと，上記２．１．（５）から，ボロメータの検出感度Ｄ＊は，概してｌ０９ｃｍ√（Ｈｚ）／Ｗが適切であることが，それぞれ理解されるから，結局，引用発明においても，高い応答性や適切な検出感度Ｄ＊を有するものを得ることが技術的課題であるといえる。
（２）これに対し，引用刊行物２には，(ア)赤外線検出器に用いられる半導体ボロメータ材料として，微結晶相のシリコンゲルマニウムを用いる旨（上記２．２．（１）及び（４）参照。），(イ)応答性を最大限にし，電子的な過剰なノイズを最小限にすることに特定の注意がはらわれる旨（同（１）参照。），(ウ)良い応答性は，ボロメーターの良い熱の隔離を通してG（熱伝導率）を最小にすることに従う旨（同（２）参照。），(エ)シリコンゲルマニウムは，最適の抵抗値を有する低いノイズと高水準の熱の隔離とを結合することによって，l×l09cm Hz1/2W-1より大きなD*（検出感度）で半導体膜ボロメーターを生産することが可能である旨（同（４）参照。），記載されている。
（３）上記（２）によると，多結晶シリコンゲルマニウムは，熱伝導率が低い材料であって，多結晶シリコンゲルマニウムをボロメータ材料に採用することにより，半導体ボロメータの応答性や検出感度を高める技術が，引用刊行物２に記載されていたものと認められる。
（４）そうすると，引用発明において，適切な検出感度を得たり，応答性を高めるために，「活性領域」及び「支持部」の材料を多結晶シリコンに代えて，熱伝導率が低い材料である，多結晶シリコンゲルマニウムを採用して，本願補正発明の相違点１に係る発明の構成をなすことは，当業者が容易になし得ることである。
　　 
４．２．相違点２についての判断 
　赤外線をボロメータにより検出する装置において，赤外線を吸収する赤外線吸収体を有するものとする技術は，本願優先日前に周知であるから（例．特開平８−２６１８３２号公報（【要約】，図５参照。），特開平９−５３９８０号公報（【００３２】，図６参照。），特開平８−２０１１７７号公報（【０００２】，図６参照。）），引用発明を赤外線吸収体を有するものとすることは，当業者が適宜なし得る程度のことである。
　　
４．３．相違点３についての判断 
（１）上記４．１．（１）のとおり，引用発明においても，高い応答性を有するものを得ることが技術課題であり，また，引用発明は，ＩＲ感知素子１０の近くに，シリコン基板１０中に設けられた（上記３．（３）参照。）集積回路１４を備えるものである。
（２）これに対し，引用刊行物２には，上記４．１．（２）の(イ)及び(ウ)に加え，(オ)高い応答性を達成するために，検出器からの熱伝導率（G）が最小にされなければならない旨（上記２．２．（３）参照。），(カ)ボロメータの熱の隔離は，低熱伝導率材料から造られる細く長い支持構造を用いて強化される旨（同（３）参照。）記載されており，また，上記２．２．（５）から，検出器の支持構造を，固定点で基板に接続する長い形状とすることが理解できるから，固定点で基板に接続する長い形状の支持構造を用いて，ボロメータからの熱の隔離を強化して応答性を高める技術が，引用刊行物２に記載されていたものと認められる。
（３）そうすると，引用発明において，ＩＲ感知素子１０の応答性を高めるために，薄い支持部を薄く長い形状とし，その固定点で基板と接続するものとすることは，引用刊行物２の記載事項に基づいて当業者が適宜なし得ることである。
　　 
　そして，本願補正発明が奏する効果は，引用発明，引用刊行物１の記載事項及び引用刊行物２の記載事項にから予想できた程度のものである。 
　　  
　したがって，本願補正発明は，引用刊行物１に記載された発明，引用刊行物１の記載事項及び引用刊行物２の記載事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により，特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。  
　　  
５．まとめ　　  
　以上のとおり，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　　  
ＩＩＩ．本願発明について
１．本願発明  
　平成１９年２月８日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので，本願の請求項に係る発明は，平成１８年９月１４日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１−２３に記載された事項により特定されるものであるところ，その請求項１４に係る発明は次のとおりのものである。  
　　  
「【請求項１４】　多結晶シリコンゲルマニウムから構成される活性領域（１６又は４７）と赤外線吸収体（４９）を含み，
　上記活性領域（１６又は４７）は，固定点（１４）で基板（１０又は４１）に接続する上記活性領域（１６又は４７）のための薄く長い支持部（１５又は４８）により，基板上に懸架される赤外線検出ボロメータ。」（以下「本願発明」という。）  
　　  
２．引用刊行物  
　原査定の拒絶の理由において引用された，本願の優先日前に頒布された引用刊行物及びその記載事項は，上記ＩＩ．２．に記載したとおりである。  
　　  
３．対比，判断  
　本願発明は，前記ＩＩ．３で検討した本願補正発明から，「支持部」についての「多結晶シリコンゲルマニウムから構成される」との限定を削除するとともに，「活性領域（１６又は４７）のため」とあったところを「活性領域と基板の間に電気的接続を形成する」とした限定を削除して元に戻したものに相当する。  
　そうすると，本願発明の発明特定事項を全て含み，かつ限定を付加した本願補正発明が，上記ＩＩ．３に記載したとおり，引用刊行物１に記載された発明，引用刊行物１の記載事項及び引用刊行物２の記載事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も同様の理由により，引用刊行物１に記載された発明，引用刊行物１の記載事項及び引用刊行物２の記載事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。  
　　  
４．むすび  
　したがって，本願発明は，引用刊行物１に記載された発明，引用刊行物１の記載事項及び引用刊行物２の記載事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができない。  
　　  
　よって，結論のとおり審決する。