【事件の表示】
　特願２００１−３１２０７２「ドーパントが注入されたマイクロ電気光学機械デバイスおよびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　７月１２日出願公開、特開２００２−１９６２６７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、平成１３年１０月１０日（パリ条約による優先権主張：２０００年１０月１０日、米国）に特許出願したものであって、平成１８年５月１９日付けで手続補正がなされたが、同年６月１５日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年９月１９日に拒絶査定不服審判請求がなされた後、同年１０月１９日付けで手続補正（以下「本件補正」という。）がなされたものである。
　
２　本件補正についての却下の決定
（１）結論
　 本件補正を却下する。
　
（２）理由
　ア　補正の内容
　本件補正は、請求項１を下記のとおり補正しようとする内容を含むものである。
「　基板上に位置する少なくとも１種類の注入ドーパント
であって、少なくとも１つが分離埋込み原子の形態、または少なくとも１つが約１ｎｍないし約１，０００ｎｍの範囲の大きさを有するクラスタの形態を取る注入ドーパント
　前記ミラーが移動可能に取り付けられる取付け基板と
　を含むマイクロ電気機械システム（ＭＥＭＳ）光デバイス。」
　
　イ　補正の目的
　上記補正は、補正前の請求項１における「注入ドーパント」について、「少なくとも１つが分離埋込み原子の形態、または少なくとも１つが約１ｎｍないし約１，０００ｎｍの範囲の大きさを有するクラスタの形態を取る」との限定を付加するものであるから、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
　ウ　独立特許要件
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて検討する。
　
（ア）刊行物の記載
　原査定の拒絶理由に引用した特開平７−１２０６８８号公報（以下「引用例」という。）には、以下の記載がある。
　
　ａ「【０００４】ところで、近年、半導体フォトリングラフィ（審決注：「フォトリングラフィ」は「フォトリソグラフィ」の誤記と認められる。以下同様。）プロセスを用いた極めて小型の可動機構を有する微小機械がマイクロメカニクス技術により検討されている。半導体フォトリングラフィプロセスにより作製された微小機械は、アレイ化、低コスト化が容易であり、小型化することで高速応答性も期待できる。マイクロメカニクス技術を用いた機械式光学素子である光偏向器としては、Ｋ．Ｅ．Ｐｅｔｅｒｓｅｎにより提案されたＴｏｒｓｉｏｎａｌ  Ｓｃａｎｎｉｎｎｇ  Ｍｉｒｒｏｒ（ＩＢＭ  Ｊ．ＲＥＳ．ＤＥＶＥＬＯＰ．，ＶＯＬ．２４（１９８０）ｐ６３１−６３７）および片持ち梁の変形によりレーザー光を走査するＭｉｃｒｏｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  ｌｉｇｈｔ  ｍｏｄｕｌａｔｏｒ  ａｒｒａｙ（Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，ｖｏｌ．３１．ｎｏ．８（１９７７）ｐ５２１−５２３）がある。・・・」
　
　ｂ　「【００２７】（第２実施例）図８は本発明の光偏向器の第２実施例の斜視図である。
【００２８】本実施例の光偏向器２０は、第１実施例の支持部をなくし、基板１上に新たに２つのコンタクト２４ａ，２４ｂと、コンタクト２４ａ，２４ｂとねじり回転する梁部２６ａ，２６ｂとを結合する支持部２５ａ，２５ｂが設けてある。さらに、誘電体薄膜層２２がミラー部２３の下面（固定電極３に対向する面）に形成されており、ミラー部２３が導電体薄膜層と誘電体薄膜層２２の２層構成となっている。・・・
【００２９】次に、本実施例の光偏向器の作製工程の一例を図９を用いて説明する。
【００３０】シリコンからなる基板１を１１００℃に加熱した酸化炉に投入し、酸素と窒素の１μｍの絶縁層である熱酸化シリコン膜３２を形成した後、窒化シリコン膜３３を３０００Ａ（審決注：「Ａ」は「Å」の誤記と認められる。）形成し、２層膜からなる絶縁膜を形成する。・・・
【００３１】そして、ミラー部２３の誘電体薄膜層２２となる窒化シリコン３６を低圧気相成長法で３０００Å形成し、さらに、ミラー部２３、支持部２５ａ，２５ｂ及び梁部２６ａ，２６ｂとなる電気導電体薄膜として、ドーピング処理を施した低抵抗多結晶シリコン膜３７をパターニングし、機械可動部２の構造体を形成した（図９の（ｄ）参照）。・・・
【００３３】本発明では、低応力窒化シリコンの形成法としてジクロラルシラン２０ｃｃｍ，アンモニア５ｃｃｍ，成膜温度８５０℃で成膜し、窒化シリコン膜の応力は３×１０9ｄｙｎ／ｃｍ2の引っ張り応力となった。また多結晶シリコンは、成膜温度６００℃でイオン注入法により１×１０16（ｉｏｎｓ／ｃｍ2）注入した後１１００℃、窒素雰囲気の拡散処理を施した。・・・」
　
　ｃ　図８から、基板１、絶縁層３２、絶縁層３３からなる積層体の上に、コンタクト２４ａ、２４ｂ、支持部２５ａ、２５ｂ、梁部２６ａ、２６ｂを介して、ミラー部２３が取り付けられた様子がみてとれる。
　
（イ）引用発明
　上記（ア）ｂ、ｃによれば、引用例には、「基板１、絶縁層３２、絶縁層３３からなる積層体の上に、コンタクト２４ａ、２４ｂ、支持部２５ａ、２５ｂ、梁部２６ａ、２６ｂを介して、上面が導電体薄膜層、下面が誘電体薄膜層２２の２層構成となっているミラー部２３が取り付けられた光偏光器２０であって、ミラー部２３の導電体薄膜層は、成膜温度６００℃でイオン注入法により１×１０16（ｉｏｎｓ／ｃｍ2）注入した後、１１００℃、窒素雰囲気の拡散処理を施すことによりドーピング処理を施した低抵抗多結晶シリコン膜３７をパターニングして形成したものである光偏光器２０」（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
（ウ）対比
　本願補正発明（以下、本項において「前者」という。）と引用発明（以下、本項において「後者」という。）とを対比する。
　
　ａ　後者の「ミラー部２３」は、「上面が導電体薄膜層、下面が誘電体薄膜層２２の２層構成となっている」ものであるから、後者の「誘電体薄膜層２２」、「導電体薄膜層」は、前者の「基板」、「基板上に位置する・・・光反射光学層」に相当し、後者の「ミラー部２３」は、前者の「ミラー」に相当する。
　
　ｂ　後者の「導電体薄膜層」は、「ドーピング処理を施した低抵抗多結晶シリコン膜３７をパターニングして形成した」ものであるから、前者の「少なくとも１種類の注入ドーパント・・・を含有する」との特定事項を備えるものである。
　
　ｃ　前者の「注入ドーパント」は、「少なくとも１つが分離埋込み原子の形態」、または「少なくとも１つが約１ｎｍないし約１，０００ｎｍの範囲の大きさを有するクラスタの形態」を取るものであるところ、後者の「ドーピング処理」は、「成膜温度６００℃でイオン注入法により１×１０16（ｉｏｎｓ／ｃｍ2）注入した後、１１００℃、窒素雰囲気の拡散処理を施す」ものであって、かかる「ドーピング処理」を施した後者において、ドーパントが「分離埋込み原子の形態」を取ることは明らかであるから、後者は、前者の「注入ドーパントは、少なくとも１つが分離埋込み原子の形態を取る」との特定事項を備えるものである。
　
　ｄ　後者の「基板１、絶縁層３２、絶縁層３３からなる積層体」は、後者の「ミラーが移動可能に取り付けられる取付け基板」に相当する。
　
　ｅ　前記（ア）ａによれば、半導体フォトリソグラフィプロセスにより作製された、マイクロメカニクス技術を用いた機械式光学素子である光偏向器が提案されたとされるところ、後者の「導電体薄膜層」が「ドーピング処理を施した低抵抗多結晶シリコン膜３７をパターニングして形成したものである」ことに照らせば、後者の「光偏光器２０」は、「半導体フォトリソグラフィプロセスにより作製された、マイクロメカニクス技術を用いた機械式光学素子」であると認められるから、前者の「マイクロ電気機械システム（ＭＥＭＳ）光デバイス」に相当する。
　
　ｆ　よって、両者は、
「基板上に位置する少なくとも１種類の注入ドーパントであって、少なくとも１つが分離埋込み原子の形態を取る注入ドーパントを含有する光反射光学層を有するミラーと、
　前記ミラーが移動可能に取り付けられる取付け基板と
　を含むマイクロ電気機械システム（ＭＥＭＳ）光デバイス。」
である点で一致し、相違するところはない。
　
（エ）小括
　以上の検討によれば、本願補正発明は、引用例に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３　本願発明について
（１）本願発明
　上記のとおり、本件補正は却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１８年５月１９日付けで補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし１０に記載された事項によって特定されるものであるところ、請求項１に係る発明は次のとおりのものである。
「　基板上に位置する少なくとも１種類の注入ドーパントを含有する光反射光学層を有するミラーと、
　前記ミラーが移動可能に取り付けられる取付け基板と
　を含むマイクロ電気機械システム（ＭＥＭＳ）光デバイス。」（以下「本願発明」という。）
　
（２）刊行物の記載及び引用発明
　前記２（２）ウ（ア）（イ）のとおりである。
　
（３）判断
　本願発明は、本願補正発明における、「注入ドーパント」についての「少なくとも１つが分離埋込み原子の形態、または少なくとも１つが約１ｎｍないし約１，０００ｎｍの範囲の大きさを有するクラスタの形態を取る」との限定を省いたものであるところ、前記２（２）ウ（ウ）（エ）で検討したとおり、当該限定を有する本願補正発明が引用例に記載された発明である以上、当該限定を省いたものである本願発明も、同様の理由により、引用例に記載された発明である。
　
４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。