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　特願２００３−　８２５８９「フィルタ機能付き火炎センサ」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年１０月２１日出願公開、特開２００４−２９６４５８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１５年３月２５日の出願であって、平成１８年８月７日に手続補正がなされ、平成１９年２月７日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年３月１９日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年４月１８日に手続補正（以下「本件補正」という。）がなされたものである。
　
第２　本件補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容
（１）本件補正により、特許請求の範囲は、
「　【請求項１】
　色ガラスフィルタを備え、検出対象波長範囲を含む所定の波長範囲の光を透過させるフィルタ装置と、前記フィルタ装置を透過した光を受光する受光装置とを備えてなるフィルタ機能付き光センサであって、
　前記フィルタ装置が、前記色ガラスフィルタの一方の表面上に光透過層としてのＳｉＯ2及びＨｆＯ2を交互に堆積させて形成される第１干渉フィルタ構造と、前記色ガラスフィルタの他方の表面上に光透過層としてのＳｉＯ2及びＨｆＯ2を交互に堆積させて形成される第２干渉フィルタ構造とを備え、
　前記受光装置が、単数または複数の半導体層を有する半導体受光素子構造を備え、
　前記半導体受光素子構造中の単数または複数の半導体層に、ＩｎxＡｌyＧａ1-x-yＮ（０≦ｘ≦０．２１、０≦ｙ≦１）を含んだ受光領域が形成され、当該受光領域の形成に係る前記単数または複数の半導体層のバンドギャップエネルギが３．４ｅＶ以上に設定されたフィルタ機能付き光センサ。
　　【請求項２】
　前記受光領域の吸収端波長に相当する前記検出対象波長範囲の長波長端波長が、前記フィルタ装置による所定の光透過波長範囲の長波長端波長近傍に設計され、
　前記検出対象波長範囲内にある所定の第１波長における第１感度の値が、前記検出対象波長範囲外にあり、前記第１波長より５０ｎｍだけ長波長の第２波長における第２感度の値の１万倍以上である請求項１に記載のフィルタ機能付き光センサ。
　　【請求項３】
　前記検出対象波長範囲の長波長端波長が波長３１０ｎｍである請求項２に記載のフィルタ機能付き光センサ。
　　【請求項４】
　前記検出対象波長範囲の長波長端波長が波長３００ｎｍである請求項２に記載のフィルタ機能付き光センサ。
　　【請求項５】
　前記検出対象波長範囲の長波長端波長が波長２９０ｎｍである請求項２に記載のフィルタ機能付き光センサ。
　　【請求項６】
　前記検出対象波長範囲の長波長端波長が波長２８０ｎｍである請求項２に記載のフィルタ機能付き光センサ。
　　【請求項７】
　請求項１から請求項６の何れか１項に記載のフィルタ機能付き光センサを窒素ガス又は不活性ガスで封止して構成した火炎センサ。」から、
　
「　【請求項１】
　色ガラスフィルタを備え、検出対象波長範囲を含む所定の波長範囲の光を透過させるフィルタ装置と、前記フィルタ装置を透過した光を受光する受光装置とを備えてなるフィルタ機能付き
火炎
　
前記色ガラスフィルタがホウ素酸化物を主成分とし、更にシリカを含んで作製され、
　前記フィルタ装置が、前記色ガラスフィルタの一方の表面上に光透過層としてのＳｉＯ2及びＨｆＯ2を交互に堆積させて形成される
、厚さが３μｍ以下の
、厚さが３μｍ以下の
　前記受光装置が、単数または複数の半導体層を有する半導体受光素子構造を備え、
　前記半導体受光素子構造中の単数または複数の半導体層に、ＩｎxＡｌyＧａ1-x-yＮ（０≦ｘ≦０．２１、０≦ｙ≦１）を含んだ受光領域が形成され、当該受光領域の形成に係る前記単数または複数の半導体層のバンドギャップエネルギが３．４ｅＶ以上に設定されたフィルタ機能付き
火炎
　　【請求項２】
　前記受光領域の吸収端波長に相当する前記検出対象波長範囲の長波長端波長が、前記フィルタ装置による所定の光透過波長範囲の長波長端波長近傍に設計され、
　前記検出対象波長範囲内にある所定の第１波長における第１感度の値が、前記検出対象波長範囲外にあり、前記第１波長より５０ｎｍだけ長波長の第２波長における第２感度の値の１万倍以上である請求項１に記載のフィルタ機能付き
火炎
　　【請求項
３
　前記検出対象波長範囲の長波長端波長が波長３００ｎｍである請求項２に記載のフィルタ機能付き
火炎
　　【請求項
４
　前記検出対象波長範囲の長波長端波長が波長２８０ｎｍである請求項２に記載のフィルタ機能付き
火炎
　
（２）上記（１）によれば、本件補正前の請求項１においては、本件補正により、本件補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「光センサ」が「火炎センサ」に、「色ガラスフィルタ」が「ホウ素酸化物を主成分とし、更にシリカを含んで作製され」るものに、「第１干渉フィルタ構造」が「厚さが３μｍ以下の」ものに、「第２干渉フィルタ構造」が「厚さが３μｍ以下の」ものに、それぞれ限定されることになる。
　そうすると、本件補正前の請求項１に対してなされた補正は平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的としたものに該当するから、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
２　引用例
（１）原査定の拒絶の理由において引用され、本願の出願日前に頒布された刊行物である特開２００３−５７１１１号公報（以下「引用例」という。）には、図とともに以下の事項が記載されている。
　
ア　「【特許請求の範囲】
【請求項１】  複数のフィルタ手段を入射光の進行方向に対して直列に重畳して配置することで構成されたフィルタ装置と、前記フィルタ装置を通過した光を受光する受光装置とを備えてなる火炎センサであって、
前記複数のフィルタ手段による合成光透過率スペクトルにおいて、検出対象波長域における第１透過率が、前記検出対象波長域よりも長波長側にある遮光波長域における第２透過率よりも大きく、
前記検出対象波長域にある所定の第１波長における第１感度の値が、前記遮光波長域にあり、前記第１波長より５０ｎｍ長波長の第２波長における第２感度の値の１万倍以上である火炎センサ。
　・・・（中略）・・・
【請求項５】  前記複数のフィルタ手段の少なくとも１つが色ガラスフィルタであり、他の少なくとも１つが多層膜フィルタである請求項１から請求項４の何れかに記載の火炎センサ。
　・・・（中略）・・・
【請求項６】  前記受光装置が、下地層構造と、前記下地層構造上に設けられた、受光層を含む受光層構造とを備えてなる半導体素子であり、
前記下地層構造が備える複数の半導体層が、前記下地層構造の結晶状態を改善する複数のバッファ層を備えて構成される請求項１から請求項５の何れかに記載の火炎センサ。
【請求項７】  前記受光層が直接ギャップ形の半導体である請求項６に記載の火炎センサ。
【請求項８】  前記受光層のバンドギャップエネルギが３．６ｅＶ以上である請求項６または請求項７に記載の火炎センサ。
　・・・（中略）・・・
【請求項１２】  前記受光層がＡｌxＧａ1-xＮ（０≦ｘ≦１）を含む請求項６から請求項１１の何れかに記載の火炎センサ。」
　
イ　「【００５１】図２は、火炎センサ２０、３０に対して入射される火炎の光、太陽光、室内光の各スペクトルを示すグラフである。ここで、室内光は波長約３２０ｎｍ以上の紫外域から可視域の波長範囲に広がり、太陽光は波長約２９０ｎｍ以上の紫外域から可視域の波長範囲に広がり、火炎の光は約２００ｎｍ〜約３４０ｎｍの波長範囲に広がっている。従って、図示したような室内光および太陽光の紫外域から可視域に広がる波長範囲の光を選択的に遮断し、火炎センサ２０、３０の受光装置２１、２３には検出対象波長域にある火炎の光のみが入射されることを確実にするフィルタ装置２２を用いる必要がある。更に、上述したように、波長３００ｎｍ〜４００ｎｍの波長範囲の光に対して光電流を発生させるような欠陥準位が火炎センサを構成する半導体層中に含まれることから、その波長範囲の光を更に遮断することで上記波長範囲の光が受光装置に照射されず、ほとんど光電流を発生させないようにさせるフィルタ装置２２を用いる必要がある。従って、少なくとも波長４００ｎｍ〜７００ｎｍの波長範囲における平均透過率が１０％以下である特性を有する第１フィルタ手段１１と、少なくとも波長３００ｎｍ〜４００ｎｍの波長範囲における平均透過率が３０％以下である特性を有するようなフィルタ手段１２という少なくとも２つのフィルタ手段１１、１２をフィルタ装置２２が備えていることが好ましい。
【００５２】以下の図３〜図６を参照して、フィルタ装置２２が備える第１フィルタ手段１１および第２フィルタ手段１２の例について、それぞれの透過率特性のグラフを用いて説明する。
【００５３】図３に示すのは、ＨＯＹＡ株式会社から販売されている光学フィルタ（色ガラスフィルタ）の透過率特性であり、例として、Ｕ−３３０、Ｕ−３４０、Ｕ−３５０、およびＵ−３６０と表記される光学フィルタの透過率特性を示す。ここで、各光学フィルタに付記された数字は、透過率が最高になる波長を表している。図示するような波長選択性を有する光学フィルタを用いて光を透過させることで、特定の波長範囲の光の光強度が好適に低減される。例えば、Ｕ−３３０の透過率特性に着目すると、透過ピークの短波長側の透過限界波長が約２１０ｎｍに位置し、長波長側の透過限界波長が約４２５ｎｍに位置することから、波長２１０ｎｍ〜４２５ｎｍの範囲以外の光の光強度が低減される。更に、波長２８０ｎｍにおいて透過率が３０％を超えており、波長２７０ｎｍ〜波長３７０ｎｍの範囲において透過率が７０％を超えており、波長２８０ｎｍ〜波長３００ｎｍの範囲において透過率が８０％を超えていることから、火炎の光の波長範囲（２００ｎｍ〜３４０ｎｍ）の光は、その強度がほとんど低減されること無しに光学フィルタを透過することができる。
【００５４】しかし、透過率スペクトルの立ち上がりが緩やかであり、且つ透過率スペクトルの裾が尾を引いていることから、Ｕ−３３０を用いた場合には波長４００ｎｍ付近の太陽光や室内光を完全に遮断することができず、受光層が検出対象波長域にある火炎の光だけを受光するように、そのバンドギャップエネルギを調整したとしても、受光層では波長３００ｎｍ〜４００ｎｍの範囲の光を受光するような欠陥準位が存在することによって太陽光や室内光が吸収され、光電流が発生されることとなる。
【００５５】色ガラスフィルタを用いて光の透過率を下げるためには、含まれる不純物を増加させることや、厚さを増大させることを行えばよい。しかし、この方法では、透過率の低いガラスを使用しているために、特定の波長範囲の光のみの透過率を下げることはできず、全体的な波長範囲において透過率の低下を招く。従って、火炎の発光の内で紫外域に存在する発光を検出対象とする場合、検出対象波長における透過率と、検出対象波長域よりも長波長側にある遮光波長域における透過率との比は２桁程度である。
【００５６】図４に示すのは、ＨＯＹＡ株式会社から販売されている別の光学フィルタ（色ガラスフィルタ）の透過率特性であり、例として、ＵＶ−２８、ＵＶ−３０、ＵＶ−３２、ＵＶ−３４、ＵＶ−３６と表記される光学フィルタの透過率特性を示す。ここで、各光学フィルタに付記された数字は、透過限界波長の１／１０の数字に相当しており、ＵＶ−２８であれば透過限界波長が２８０ｎｍであることを示している。ここで、ＵＶ−２８は燐酸塩ガラスなどを用いて作製され、ＵＶ−３０、ＵＶ−３２、ＵＶ−３４、ＵＶ−３６は珪酸塩ガラスなどを用いて作製される。この色ガラスフィルタは、図３に示したフィルタと異なり、透過率限界波長よりも短波長側の光を遮断し、長波長側の光を透過させる単純な特性を有している。
【００５７】図５および図６に示すのは、朝日分光株式会社から販売されている光学フィルタ（多層膜フィルタ）の透過率特性であり、例として、ＵＶ３００（図５）とＵＶ３２５（図６）と表記される光学フィルタの透過率特性を示す。多層膜フィルタとは、複数枚のガラスを積層することで入射光に干渉を生じさせ、特定の波長範囲の光をその干渉によって打ち消すことで高い波長選択性を示すように構成されたフィルタである。透過率特性のグラフには光の干渉を利用していることを示す干渉縞が現れており、その干渉の効果として特定の波長範囲においては透過率を極めて小さくすることができる。
【００５８】図５および図６中から明らかであるように、透過率スペクトルが極めて急峻に変化し、高い波長選択性を示すことが分かる。例えば、ＵＶ３００では、波長３２５ｎｍ〜３７０ｎｍの波長範囲の透過率がほぼ零であり、ＵＶ３２５では、波長３４０ｎｍ〜３９０ｎｍの波長範囲の透過率がほぼ零であり、更に立ち上がりは極めて急峻である。干渉によって打ち消される光の波長範囲を調整するには、積層するガラスの厚さを調整すればよい。
【００５９】多層膜フィルタは、弗化マグネシウム、ＳｉＯ2、アルミナ等の紫外域においても透過率の高い材料を複数枚重ねて構成される。その原理は、所定の厚さの材料を重ねて構成することで、それらの間で光の干渉が生じ、特定波長の光が打ち消されるというものである。従って、特定の波長範囲の光の透過率を下げるためには、多数の材料を重ねて、何度も干渉を生じさせることで、光を何度も打ち消し合わせればよい。この場合、上述のような透過率の高い材料を使用していることから、干渉が生じない波長範囲の光の透過率は高いまま維持され、その結果、検出対象波長における透過率と、検出対象波長域よりも長波長側にある遮光波長域における透過率との比が５桁程度になるまで設定することができる。
【００６０】以上のことから、第１フィルタ手段１１に色ガラスフィルタであるＵ−３３０を用い、第２フィルタ手段１２に多層膜フィルタであるＵＶ３００を用いた場合、第１フィルタ手段１１において入射光の内の波長約４００ｎｍ以下、且つ波長約７００ｎｍ以上の波長範囲の光が遮断され、第２フィルタ手段１２によって、波長３２０ｎｍ〜波長３８０ｎｍの波長範囲の光をほぼ完全に遮光することができることから、第１フィルタ手段１１と第２フィルタ手段１２とを組み合わせて用い、受光層（ｉ型半導体層６）のバンドギャップエネルギを所定のカットオフ波長に設定しておくことで波長３００ｎｍ以下の光が効果的に遮光されるという効果が発揮される。その効果の具体例について以下の図７および図８を参照して説明する。」
　
（２）上記（１）によれば、引用例には、
「複数のフィルタ手段を入射光の進行方向に対して直列に重畳して配置することで構成されたフィルタ装置と、前記フィルタ装置を通過した光を受光する受光装置とを備えてなる火炎センサにおいて、
　前記複数のフィルタ手段による合成光透過率スペクトルにおいて、検出対象波長域における第１透過率が、前記検出対象波長域よりも長波長側にある遮光波長域における第２透過率よりも大きく、
　前記検出対象波長域にある所定の第１波長における第１感度の値が、前記遮光波長域にあり、前記第１波長より５０ｎｍ長波長の第２波長における第２感度の値の１万倍以上であり、
　前記複数のフィルタ手段の少なくとも１つが色ガラスフィルタであり、他の少なくとも１つが多層膜フィルタであり、
　前記受光装置が、下地層構造と、前記下地層構造上に設けられた、直接ギャップ形の半導体である受光層を含む受光層構造とを備えてなる半導体素子であり、
　前記下地層構造が備える複数の半導体層が、前記下地層構造の結晶状態を改善する複数のバッファ層を備えて構成されており、
　前記受光層のバンドギャップエネルギが３．６ｅＶ以上であり、
　前記受光層がＡｌxＧａ1-xＮ（０≦ｘ≦１）を含む、
　火炎センサ。」の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
３　対比
（１）本願補正発明と引用発明とを以下に対比する。
　
ア　引用発明の「色ガラスフィルタ」、「複数のフィルタ手段」、「通過」、「受光装置」及び「火炎センサ」は、それぞれ、本願補正発明の「色ガラスフィルタ」、「フィルタ装置」、「透過」、「受光装置」及び「火炎センサ」に相当する。
　
イ　引用発明においては「前記複数のフィルタ手段による合成光透過率スペクトルにおいて、検出対象波長域における第１透過率が、前記検出対象波長域よりも長波長側にある遮光波長域における第２透過率よりも大き」いとされているから、引用発明の「フィルタ装置」は、本願補正発明の「フィルタ装置」と「検出対象波長範囲を含む所定の波長範囲の光を透過させる」点で一致する。
　
ウ　引用発明の「火炎センサ」は、「フィルタ装置」を備えているから、「フィルタ機能付き火炎センサ」であることになる。
　
エ　引用発明の「受光装置」は、「下地層構造と、前記下地層構造上に設けられた、直接ギャップ形の半導体である受光層を含む受光層構造とを備えてなる半導体素子」であるから、本願補正発明の「受光装置」とは、「単数または複数の半導体層を有する半導体受光素子構造を備え」ている点で一致する。
　また、引用発明の「受光層」は、「ＡｌxＧａ1-xＮ（０≦ｘ≦１）を含」んでおり、「バンドギャップエネルギが３．６ｅＶ以上であ」るから、引用発明は、本願補正発明の「前記半導体受光素子構造中の単数または複数の半導体層に、ＩｎxＡｌyＧａ1-x-yＮ（０≦ｘ≦０．２１、０≦ｙ≦１）を含んだ受光領域が形成され、当該受光領域の形成に係る前記単数または複数の半導体層のバンドギャップエネルギが３．４ｅＶ以上に設定された」との事項を備えている。
　
（２）上記（１）によれば、本願補正発明と引用発明とは、
「色ガラスフィルタを備え、検出対象波長範囲を含む所定の波長範囲の光を透過させるフィルタ装置と、前記フィルタ装置を透過した光を受光する受光装置とを備えてなるフィルタ機能付き火炎センサであって、
　前記受光装置が、単数または複数の半導体層を有する半導体受光素子構造を備え、
　前記半導体受光素子構造中の単数または複数の半導体層に、ＩｎxＡｌyＧａ1-x-yＮ（０≦ｘ≦０．２１、０≦ｙ≦１）を含んだ受光領域が形成され、当該受光領域の形成に係る前記単数または複数の半導体層のバンドギャップエネルギが３．４ｅＶ以上に設定されたフィルタ機能付き火炎センサ。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
[相違点１]
　色ガラスフィルタについて、本願補正発明では「ホウ素酸化物を主成分とし、更にシリカを含んで作製され」ているのに対し、引用発明ではそうなっていない点。
　
[相違点２]
　フィルタ装置について、本願補正発明では「前記色ガラスフィルタの一方の表面上に光透過層としてのＳｉＯ2及びＨｆＯ2を交互に堆積させて形成される、厚さが３μｍ以下の第１干渉フィルタ構造と、前記色ガラスフィルタの他方の表面上に光透過層としてのＳｉＯ2及びＨｆＯ2を交互に堆積させて形成される、厚さが３μｍ以下の第２干渉フィルタ構造とを備え」ているのに対し、引用発明では「少なくとも１つが色ガラスフィルタであり、他の少なくとも１つが多層膜フィルタであ」る点。
　
４　判断
　上記各[相違点]について検討する。
　
（１）[相違点１]について
　引用例における上記２（イ）の【００５１】の「従って、少なくとも波長４００ｎｍ〜７００ｎｍの波長範囲における平均透過率が１０％以下である特性を有する第１フィルタ手段１１・・・」との記載、同【００５３】の「例えば、Ｕ−３３０の透過率特性に着目すると、透過ピークの短波長側の透過限界波長が約２１０ｎｍに位置し、長波長側の透過限界波長が約４２５ｎｍに位置することから、波長２１０ｎｍ〜４２５ｎｍの範囲以外の光の光強度が低減される。更に、波長２８０ｎｍにおいて透過率が３０％を超えており、波長２７０ｎｍ〜波長３７０ｎｍの範囲において透過率が７０％を超えており、波長２８０ｎｍ〜波長３００ｎｍの範囲において透過率が８０％を超えていることから、火炎の光の波長範囲（２００ｎｍ〜３４０ｎｍ）の光は、その強度がほとんど低減されること無しに光学フィルタを透過することができる。」との記載、同【００６０】の「以上のことから、第１フィルタ手段１１に色ガラスフィルタであるＵ−３３０を用い、・・・」との記載によれば、引用例には、引用発明における「色ガラスフィルタ」として、可視光を遮断するとともに所定の紫外光を透過させる色ガラスフィルタを用いることが記載されているものと認められる。
　他方、紫外線透過ガラスとして、ホウ素酸化物を主成分とし、更にシリカを含んで作製されるものは本願出願前に周知である（例えば、特開昭６０−４６９４６号公報の実施例Ｎｏ．４，１０及び１１で示される紫外線透過ガラス、特開昭６２−８７４３３号公報の実施例１〜３及び７で示される紫外線透過ガラス、特開平６−８７６２７号公報の実施例１，２，９〜１１で示される非常に高い紫外線透過率を有する光学クラウンガラスを参照。）。
　そして、可視光を遮断するとともに所定の紫外光を透過させる色ガラスフィルタにおいて、紫外線透過ガラスが基礎ガラスとして用いられることが本願出願前に周知である（例えば、特開昭６２−２７３４６号公報の第３頁左下欄第９行〜第１４行の記載、特開昭６３−２８２１３９号公報の第２頁左下欄第１１行〜第１５行の記載を参照。）。
　そうすると、引用発明の色ガラスフィルタとして、可視光を遮断するとともに所定の紫外光を透過させるものを採用するに当たり、上記各周知技術を踏まえて、上記[相違点１]に係る本願補正発明の構成を得ることは、当業者が適宜なし得たことにすぎない。
　
（２）[相違点２]について
　フィルタ装置として、色ガラスフィルタの一方の表面上に光透過層としての第１干渉フィルタ構造と、前記色ガラスフィルタの他方の表面上に光透過層としての第２干渉フィルタ構造とを備えた構成は、本願出願前に周知の技術である（例えば、特開２００１−１５４０１６号公報の【０００５】、【００２６】、【００２８】、【００３２】、【００３３】、【００３８】、図４、図５の各記載、特開平１０−２３９５１７号公報の【００２７】、【００２８】の各記載を参照。）。
　そして、ＳｉＯ2からなる低屈折率層及びＨｆＯ2からなる高屈折率層を交互に積層させて形成される干渉フィルタ構造は本願出願前に周知である（例えば、特開２００１−１７４４０６号公報の【００２４】、図２の各記載、特開２００２−１９６３１６号公報の【００６７】〜【００７０】、図３５〜図３７の各記載、特開平８−３２０４１２号公報の【実施例１】、図１の各記載、特開２００３−４９４１号公報の【０００７】の記載を参照。）。
　さらに、多層膜干渉フィルタにおいて、膜厚が大きくなるとひび割れがおきやすくなることが本願出願前に周知である（例えば、上記特開２００３−４９４１号公報の【０００７】、【０００８】の各記載、特開２００２−４０２３９号公報の【０００２】〜【０００５】の各記載、特開２００１−２９６４２１号公報の【０００２】、【０００４】、【０００９】の各記載、特開昭６４−１９３０６号公報の第４頁右下欄第２行〜第１０行の記載を参照。）。
　そうすると、引用発明の複数のフィルタ手段（本願補正発明の「フィルタ装置」に相当。）として、上記各周知技術を踏まえつつ、ひび割れをおこさないよう多層膜の膜厚を小さくして、上記[相違点２]に係る本願補正発明の構成を得ることは当業者が適宜なし得たことにすぎない。
　
（３）本願補正発明の効果は、引用発明、引用例に記載された事項及び上記各周知技術に基づいて当業者が予測し得た程度のものにすぎない。
　
（４）したがって、本願補正発明は、引用例に記載された発明及び上記各周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
５　以上のとおりであるから、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本件補正は上記第２のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１８年８月７日付け手続補正書により補正された明細書の特許請求
の範囲の請求項１〜７に記載された事項により特定されるものであって、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記第２の１（１）において、本件補正前の請求項１として記載したとおりのものである。
　
２　引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例及びその記載事項は、上記第２の２のとおりである。
　
３　対比・判断
　本願発明は、上記第２で検討した本願補正発明において、上記第２の１（２）で指摘した限定を省いたものである。
　そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含み、更に他の要件を付加したものに相当する本願補正発明が、上記第２の４のとおり、引用例に記載された発明及び上記各周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用例に記載された発明及び上記各周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明及び上記各周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。