(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
メッキ槽に保持したメッキ液に浸漬されるアノード及びカソードと、前記アノード及びカソードに電圧を印加する電圧印加手段とを具備し、前記メッキ液中に保持した被メッキ部材に錫−ビスマス合金メッキを施す錫−ビスマス合金メッキ装置において、
前記被メッキ部材を前記メッキ槽に保持したメッキ液に浸漬させた状態で当該メッキ槽の長手方向に亘って搬送する搬送手段と、前記メッキ液にビスマス化合物を補充するビスマス補充手段とを具備し、前記アノードが、少なくとも表面がビスマスより貴な材料からなるものであると共に、前記電圧印加手段が、パルス電圧を印加するものであり、前記被メッキ部材が、連続する絶縁フィルムの表面に導電層からなる配線パターンが設けられたフィルムキャリアテープであり、前記メッキ液はビスマスの濃度が１０〜２０重量％の高濃度組成であり、前記搬送手段により前記被メッキ部材を搬送しながら前記導電層上に連続的に錫−ビスマス合金メッキを施すことを特徴とする錫−ビスマス合金メッキ装置。
【請求項２】
請求項１において、前記アノードが、少なくとも表面が白金からなる白金アノードであることを特徴とする錫−ビスマス合金メッキ装置。
【請求項３】
メッキ槽に保持したメッキ液に浸漬されるアノードと、被メッキ部材に接触するカソードとを具備し、前記アノード及びカソードに電圧を印加することにより前記メッキ液中に保持した被メッキ部材に錫−ビスマス合金メッキを施す錫−ビスマス合金メッキ方法において、
前記メッキ液はビスマスの濃度が１０〜２０重量％の高濃度組成であり、前記被メッキ部材が、連続する絶縁フィルムの表面に導電層からなる配線パターンが設けられたフィルムキャリアテープであり、前記アノードとして少なくとも表面がビスマスより貴な材料からなるものを用いると共に当該アノード及び前記カソードにパルス電圧を印加し、前記メッキ液にビスマス化合物の補充を行いながら、前記被メッキ部材を前記メッキ槽に保持した前記錫−ビスマス合金メッキ液に浸漬させた状態で当該メッキ槽の長手方向に亘って搬送しながら前記導電層上に連続的に錫−ビスマス合金メッキ加工を施すことを特徴とする錫−ビスマス合金メッキ方法。
【請求項４】
請求項３において、前記アノードとして、少なくとも表面が白金からなる白金アノードを用いることを特徴とする錫−ビスマス合金メッキ方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、被メッキ部材に錫−ビスマス合金メッキを施す錫−ビスマス合金メッキ装置及びメッキ方法に関し、特に、ＩＣあるいはＬＳＩなどの電子部品を実装する電子部品実装用フィルムキャリアテープ（ＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）テープ、Ｔ−ＢＧＡ（Ｔａｐｅ  Ｂａｌｌ  ＧｒｉｄＡｒｒａｙ）テープ、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｆｉｌｍ）テープ、ＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  Ｓｐｅｃｉｆｉｃ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）テープなど）などの長尺物に対してメッキを施す錫−ビスマス合金メッキ装置及びメッキ方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
エレクトロニクス産業の発達に伴い、ＩＣ（集積回路）、ＬＳＩ（大規模集積回路）等の電子部品を実装するプリント配線板の需要が急激に増加しているが、電子機器の小型化、軽量化、高機能化が要望され、これら電子部品の実装方法として、最近ではＴＡＢテープ、Ｔ−ＢＧＡテープ、ＣＯＦテープおよびＡＳＩＣテープ等の電子部品実装用フィルムキャリアテープを用いた実装方式が採用されている。特に、パーソナルコンピュータなどのように、高精細化、薄型化、液晶画面の額縁面積の狭小化が要望されている液晶表示素子（ＬＣＤ）を使用する電子産業や、最近ではインクジェットプリンターのヘッド搭載部においてもＴＡＢテープ等の電子部品実装用フィルムキャリアテープが使用されている。
【０００３】
ここで、このような電子部品実装用フィルムキャリアテープの一例として、ＴＡＢテープについて説明する。
【０００４】
ＴＡＢテープとしては、一般的に、連続した絶縁フィルム上に極めて薄い導電層を、金属箔を接着又はスパッタリングや真空蒸着法あるいは無電解メッキにより設け、この導電層を所定形状にパターニングしたものに電気メッキを施すことにより導電層上にメッキ層を設け、これにより絶縁フィルム上に導電層及びメッキ層からなる配線パターンが形成されたものが知られている。
【０００５】
このような電気メッキによるメッキ層は、従来では錫−鉛合金で形成していたが、国際的な鉛フリー化によって錫−ビスマス合金に変更されてきている。
【０００６】
従来の錫−鉛合金のメッキ層の形成では、メッキ装置に錫−鉛合金アノードを用いてメッキ液中の金属を補充するのに対し、この錫−ビスマス合金によるメッキ層の形成では、メッキ装置に純錫のアノードを用いて、ビスマスを化合物としてメッキ液中に補充してメッキ層を形成していた。
【０００７】
ここで、アノード反応とカソード反応は下記のように予想される。
【０００８】
【化１】
0003565556.tif 000002
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
従来の錫−ビスマス合金からなるメッキ層では、ビスマスを低濃度（約２〜５％）の組成で形成していたが、メッキ層の融点を下げたいという要望に答えるべく、ビスマスを高濃度（約１０〜２０％）の組成としてメッキを行うと、メッキ液中のビスマス濃度の減少が非常に大きいという問題があった。例えば、１６重量％Ｂｉ−Ｓｎメッキ皮膜を形成する際に使用されるビスマス量は、メッキ液に補充されるビスマス量の約０．５％程度しか使用されず、非常に効率が悪いことがわかった。これは下記の反応のように錫とビスマスとの置換反応によるものと予想される。
【００１０】
【化２】
３Ｓｎ＋２Ｂｉ３＋  →  ２Ｂｉ＋３Ｓｎ２＋
【００１１】
一方、錫−ビスマス合金メッキ皮膜においても、錫メッキで知られているように、槍状析出物（デンドライトウィスカー）が生成するという問題がある。この槍状析出物は、５０μｍ以上に延び、例えば、ＴＡＢテープの配線パターンにメッキした場合には、端子から突出するように析出するので、１００μｍ程度のピッチで隣接する端子間ではショートする事態も発生するという問題がある。
【００１２】
本発明は、このような事情に鑑み、高濃度のビスマスを含有するメッキ液のビスマスを有効に使用して安定したビスマス濃度の錫−ビスマス合金メッキを施すことができ、さらに、槍状析出物の生成を抑えることができる錫−ビスマス合金メッキ装置及びメッキ方法を提供することを課題とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決する本発明の第１の態様は、メッキ槽に保持したメッキ液に浸漬されるアノード及びカソードと、前記アノード及びカソードに電圧を印加する電圧印加手段とを具備し、前記メッキ液中に保持した被メッキ部材に錫−ビスマス合金メッキを施す錫−ビスマス合金メッキ装置において、前記被メッキ部材を前記メッキ槽に保持したメッキ液に浸漬させた状態で当該メッキ槽の長手方向に亘って搬送する搬送手段と、前記メッキ液にビスマス化合物を補充するビスマス補充手段とを具備し、前記アノードが、少なくとも表面がビスマスより貴な材料からなるものであると共に、前記電圧印加手段が、パルス電圧を印加するものであり、前記被メッキ部材が、連続する絶縁フィルムの表面に導電層からなる配線パターンが設けられたフィルムキャリアテープであり、前記メッキ液はビスマスの濃度が１０〜２０重量％の高濃度組成であり、前記搬送手段により前記被メッキ部材を搬送しながら前記導電層上に連続的に錫−ビスマス合金メッキを施すことを特徴とする錫−ビスマス合金メッキ装置にある。
【００１４】
かかる第１の態様では、アノードがビスマスより貴なので、メッキ液中のビスマスとアノードとの置換反応が抑制されてメッキ液中のビスマスのロスを抑えることができ、また、パルス電圧を印加することにより、メッキ皮膜を構成する皮膜粒子を微細化することができ、長い槍状析出物の成長を抑制することができる。加えて、フィルムキャリアテープの配線パターンに、錫−ビスマス合金メッキを効率よく且つ高品質に形成することができる。さらに、フィルムキャリアテープの配線パターンに、搬送しながら連続的に錫−ビスマス合金メッキを効率よく且つ高品質に形成することができる。
【００１５】
本発明の第２の態様は、第１の態様において、前記アノードが、少なくとも表面が白金からなる白金アノードであることを特徴とする錫−ビスマス合金メッキ装置にある。
【００１６】
かかる第２の態様では、メッキ液中のビスマスとアノードとの置換反応を抑えることができ、メッキ液中のビスマスのロスを抑えることができる。
【００２１】
本発明の第３の態様は、メッキ槽に保持したメッキ液に浸漬されるアノードと、被メッキ部材に接触するカソードとを具備し、前記アノード及びカソードに電圧を印加することにより前記メッキ液中に保持した被メッキ部材に錫−ビスマス合金メッキを施す錫−ビスマス合金メッキ方法において、前記メッキ液はビスマスの濃度が１０〜２０重量％の高濃度組成であり、前記被メッキ部材が、連続する絶縁フィルムの表面に導電層からなる配線パターンが設けられたフィルムキャリアテープであり、前記アノードとして少なくとも表面がビスマスより貴な材料からなるものを用いると共に当該アノード及び前記カソードにパルス電圧を印加し、前記メッキ液にビスマス化合物の補充を行いながら、前記被メッキ部材を前記メッキ槽に保持した前記錫−ビスマス合金メッキ液に浸漬させた状態で当該メッキ槽の長手方向に亘って搬送しながら前記導電層上に連続的に錫−ビスマス合金メッキ加工を施すことを特徴とする錫−ビスマス合金メッキ方法にある。
【００２２】
かかる第３の態様では、アノードがビスマスより貴なので、メッキ液中のビスマスとアノードとの置換反応が抑制されてメッキ液中のビスマスのロスを抑えることができ、また、パルス電圧を印加することにより、メッキ皮膜を構成する皮膜粒子を微細化することができ、長い槍状析出物の成長を抑制することができる。加えて、フィルムキャリアテープの配線パターンに、錫−ビスマス合金メッキを効率よく且つ高品質に形成することができる。さらに、フィルムキャリアテープの配線パターンに、搬送しながら連続的に錫−ビスマス合金メッキを効率よく且つ高品質に形成することができる。
【００２３】
本発明の第４の態様は、第３の態様において、前記アノードとして、少なくとも表面が白金からなる白金アノードを用いることを特徴とする錫−ビスマス合金メッキ方法にある。
【００２４】
かかる第４の態様では、メッキ液中のビスマスとアノードとの置換反応を抑えることができ、メッキ液中のビスマスのロスを抑えることができる。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下に、図面に基づいて本発明の実施形態を詳細に説明する。
【００３０】
（実施形態）
図１は、一実施形態に係る錫−ビスマス合金メッキ装置の概略斜視図であり、図２は、錫−ビスマス合金メッキ装置の上面図である。
【００３１】
図１及び２に示すように、本実施形態の錫−ビスマス合金メッキ装置４０は、メッキ液４１を保持するメッキ槽４２を具備する。
【００３２】
このメッキ槽４２は、略矩形断面形状で長手方向に延びる樋形状に形成されている。このようなメッキ槽４２には、フィルムキャリアテープなどのテープ状の被メッキ部となる配線パターン等を有する被メッキ体１が、その内部で起立した状態でメッキ液４１中に浸漬されながら、図示しない搬送手段によって連続的に搬送される。具体的には、メッキ槽４２の長手方向両側の壁には、それぞれ、スリット部４２Ａ、４２Ｂが設けられており、被メッキ体１は、このメッキ槽４２の一方の壁に設けられたスリット部４２Ａからメッキ槽４２内の幅方向略中央を長手方向に亘って搬送され、他方の壁に設けられたスリット部４２Ｂを介してメッキ槽４２の外側に搬送されるようになっている。
【００３３】
また、メッキ槽４２内には、被メッキ体１の両側に、被メッキ体１の表面に対峙するように所定の距離離間して、陽極（アノード）４３が設けられている。
【００３４】
アノード４３は、少なくともビスマスより貴な金属からなるもので、かかる材料からアノード全体を形成したものでも、かかる材料をメッキしたものでもよく、好適には、白金アノードが用いられる。
【００３５】
このようなアノード４３の形状、配置位置等は特に限定されず、通常用いられている形状、配置とすればよい。
【００３６】
また、このような錫−ビスマス合金メッキ装置４０では、陰極（カソード）は、被メッキ体１上に設けられる配線パターンなどの被メッキ部であり、被メッキ部は、メッキ槽４２の外側に設けられたロール状のコンタクトロール４６を介して図示しない電源にそれぞれ接続されている。
【００３７】
このような錫−ビスマス合金メッキ装置４０では、図示しない搬送手段によって被メッキ体１を移動させて、アノード４３と、コンタクトロール４６を介してカソードとなる被メッキ部との間に電圧を印加することにより、被メッキ部上に錫−ビスマス合金からなるメッキ層を形成することができる。
【００３８】
また、このような錫−ビスマス合金メッキ装置４０では、メッキ液４１のビスマスがメッキ層として被メッキ部上に析出されるため、常に一定のビスマス濃度のメッキ層を形成するにはメッキ液４１にビスマス化合物を補充する必要がある。このビスマス化合物としては、例えば、アルカンスルホン酸系またはアルキルスルホン酸系の３価のビスマス化合物を挙げることができる。このようなビスマス化合物をメッキ液４１中に補充することにより、一定のビスマス濃度（約１０〜２０％）の組成である錫−ビスマス合金からなるメッキ層を容易に形成することができる。
【００３９】
ここで、本発明の錫−ビスマス合金メッキ装置４０によってメッキされる被メッキ体１となる半導体パッケージの一例について説明する。
【００４０】
図３は、一実施形態に係る電子部品実装用フィルムキャリアテープの一例を示す概略平面図であり、図４は、図３のフィルムキャリアテープに電子部品を実装した状態のＡ−Ａ′断面図である。
【００４１】
図３及び図４に示すように、本実施形態のフィルムキャリアテープ１０は、ＴＡＢテープであり、テープ状の絶縁フィルム１１の一方面に、複数の配線パターン１２が連続的に形成されている。絶縁フィルム１１は、幅方向両側に移送用のスプロケット孔１３を一定間隔で有し、一般的には、移送されながらＩＣ等の電子部品３０が実装され、電子部品３０実装後、各配線パターン１２毎に切断される。なお、このようなフィルムキャリアテープ１０は、電子部品３０が実装された後、各配線パターン１２毎に切断される場合と、各配線パターン１２毎に切断された後、電子部品３０が実装される場合がある。
【００４２】
また、絶縁フィルム１１の幅方向両端部には、スプロケット孔１３が設けられているが、絶縁フィルム１１にスプロケット孔１３と共に位置合わせのための貫通孔、不良パッケージ表示、パッケージ外形などの種々の目的に合わせた貫通孔を形成することもできる。
【００４３】
この配線パターン１２は、実装する電子部品３０と接続するデバイス側接続端子１４と、外部と接続する入力側外部接続端子１５及び出力側外部接続端子１６とを除く領域が、ソルダーレジスト層１７によって覆われている。
【００４４】
ここで、絶縁フィルム１１としては、可撓性を有すると共に耐薬品性及び耐熱性を有する材料を用いることができる。かかる絶縁フィルム１１の材料としては、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド等を挙げることができ、特に、ビフェニル骨格を有する全芳香族ポリイミド（例えば、商品名：ユーピレックス；宇部興産（株））が好ましい。なお、絶縁フィルム１１の厚さは、一般的には、２５〜１２５μｍ、好ましくは、５０〜７５μｍである。
【００４５】
このような絶縁フィルム１１は、配線パターン１２の所定の領域にデバイスホール１８がパンチングにより形成されている。配線パターン１２のデバイス側接続端子１４は、デバイスホール１８の縁部からデバイスホール１８内に突出するように設けられており、このデバイス側接続端子１４には、例えば、金（Ａｕ）からなるバンプ３１を介して電子部品３０が接続されている。詳しくは、電子部品３０は、デバイスホール１８よりも小さな外形を有し、電子部品３０の電極３２に施されたバンプ３１を介してデバイスホール１８内に突出したデバイス側接続端子１４と電気的に接続されている。
【００４６】
配線パターン１２は、絶縁フィルム１１に形成されたデバイスホール１８及びスプロケット孔１３などが形成された一方の面に、一般的には、銅やアルミニウムからなる導電体箔などの導電層２０をパターニングすることにより形成される。このような導電層２０は、絶縁フィルム１１上に直接積層しても、接着剤層を介して熱圧着等により形成してもよい。導電層２０の厚さは、例えば、６〜７０μｍ、好ましくは、８〜３５μｍである。導電体箔からなる導電層２０としては、銅箔、特に、エッチング特性、操作性などを考慮すると、電解銅箔が好ましい。
【００４７】
なお、絶縁フィルム１１上に導電体箔を設けるのではなく、導電体箔に、例えば、ポリイミド前駆体を塗布し、焼成してポリイミドフィルムからなる絶縁フィルムとすることもできる。
【００４８】
また、絶縁フィルム１１上に設けられた導電層２０は、フォトリソグラフィー法により、デバイス側接続端子１４、入力側外部接続端子１５及び出力側外部接続端子１６を含む配線パターン１２としてパターニングされる。すなわち、フォトレジスト層を塗布した後、フォトレジスト層をフォトマスクを介してエッチング液で化学的に溶解（エッチング処理）して除去し、さらにフォトレジストをアルカリ液等にて溶解除去することにより導電体箔をパターニングする。
【００４９】
次いで、このようにエッチングによりパターニングされた配線パターン１２上には、ソルダーレジスト材料塗布液が塗布され、所定のパターニングにより、ソルダーレジスト層１７が形成される。
【００５０】
さらに、ソルダーレジスト層１７により覆われていない配線パターン１２上、すなわち、デバイス側接続端子１４、入力側外部接続端子１５及び出力側外部接続端子１６上には、メッキ層２１が形成される。具体的には、デバイス側接続端子１４上には、デバイス側接続端子１４の表面層となるメッキ層２１ａが設けられ、入力側外部接続端子１５及び出力側外部接続端子１６上には、メッキ層２１ａとこの上に錫−ビスマス合金からなるメッキ層２１ｂとが設けられている。この錫−ビスマス合金からなるメッキ層２１ｂは、上述した錫−ビスマス合金メッキ装置４０によってビスマス濃度が高濃度（約１０〜２０％）の組成で形成されており、これにより、メッキ層２１ｂの融点を下げることができる。なお、メッキ層２１ａはデバイス側接続端子１４側のみに設け、入力側外部接続端子１５及び出力側外部接続端子１６上は錫−ビスマス合金からなるメッキ層２１ｂのみとしてもよい。
【００５１】
そして、本実施形態では、錫−ビスマス合金メッキ装置４０によって入力側外部接続端子１５及び出力側外部接続端子１６に錫−ビスマス合金からなるメッキ層２１ｂが形成されるため、このメッキ層２１ｂによってこれら各接続端子１５及び１６と、駆動素子及び回路基板等とを容易に且つ確実に接続することができる。
【００５２】
なお、絶縁フィルム１１上に設けられた配線パターン１２には、絶縁フィルム１１の幅方向両側に、入力側外部接続端子１５及び出力側外部接続端子１６のそれぞれに亘ってメッキリード１２ａが形成されるようにパターニングされている。
【００５３】
この絶縁フィルム１１の幅方向両側に設けられたメッキリード１２ａは、絶縁フィルム１１上で導通するように設けられている。本実施形態では、例えば、各配線パターン１２の間に導電層２０をパターニングすることにより導通部１２ｂを形成して両側のメッキリード１２ａを導通し、メッキリード１２ａを上述した錫−ビスマス合金メッキ装置４０のコンタクトロール４６と接触させることにより、コンタクトロール４６を介して配線パターン１２に給電するようになっている。
【００５４】
ここで、このように絶縁フィルム１１上のソルダーレジスト層１７によって覆われていない配線パターン１２、すなわち、デバイス側接続端子１４、入力側外部接続端子１５及び出力側外部接続端子１６上にメッキ層２１ｂを施す方法についてついて詳しく説明する。なお、図５は、錫−ビスマス合金メッキ装置に絶縁フィルムを搬送した際の長手方向の断面図である。
【００５５】
まず、配線パターン１２上、すなわち、デバイス側接続端子１４、入力側外部接続端子１５及び出力側外部接続端子１６上に、従来のメッキ装置によってメッキ層２１ａを形成する。このメッキ層２１ａを形成した後、図５に示すように、錫−ビスマス合金メッキ装置４０によって、入力側外部接続端子１５及び出力側外部接続端子１６上に形成されたメッキ層２１ａ上に、錫−ビスマス合金からなるメッキ層２１ｂを形成する。
【００５６】
このようなメッキ槽４２内に起立した状態で搬送された絶縁フィルム１１は、配線パターン１２の幅方向の入力側外部接続端子１５又は出力側外部接続端子１６の何れか一方がメッキ液４１に浸漬されるようになっている。すなわち、本実施形態の錫−ビスマス合金メッキ装置４０では、メッキ槽４２内には、メッキ液４１の液面が絶縁フィルム１１のデバイスホール１８より下となる量で保持されており、入力側外部接続端子１５及び出力側外部接続端子１６上の両方にメッキ層２１ｂを形成するには、二度絶縁フィルム１１を錫−ビスマス合金メッキ装置４０に通してメッキ加工を施す必要がある。
【００５７】
また、コンタクトロール４６は、別途図示しない電源に接続されており、絶縁フィルム１１上に設けられたメッキリード１２ａに接触することで、導通部１２ｂを介して配線パターン１２に給電するようになっている。すなわち、本実施形態では、配線パターン１２がメッキ層２１ｂを形成するための陰極（カソード）である被メッキ部となっている。
【００５８】
このようにすることで、配線パターン１２のソルダーレジスト層１７が形成されていない領域、すなわち、メッキ液４１に浸漬された被メッキ部である入力側外部接続端子１５及び出力側外部接続端子１６上に錫−ビスマス合金メッキからなるメッキ層２１ｂを容易に形成することができる。
【００５９】
なお、本実施形態では、錫−ビスマス合金メッキ装置４０によってメッキされる被メッキ体１としてフィルムキャリアテープであるＴＡＢテープを例示したが、勿論、これに限定されず、本発明の錫−ビスマス合金メッキ装置及びメッキ方法をＴ−ＢＧＡ（Ｔａｐｅ  Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）テープ、テープＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）、ＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  Ｓｐｅｃｉｆｉｃ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）テープ、、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｆｉｌｍ）テープなどの各種半導体パッケージ等に適用できることは言うまでもない。
【００６０】
（実施例）
実施例では、上述した錫−ビスマス合金メッキ装置４０を用い、組成が、錫５５ｇ／Ｌ、ビスマス３６ｇ／Ｌ（１６重量％Ｂｉ−Ｓｎ）のメッキ液４１を１５０リットル（Ｌ）保持した。
【００６１】
このようなメッキ装置４０を用い、オンオフの時間がｔｏｎ／ｔｏｆｆ＝１０ｍｓｅｃ／３０ｍｓｅｃのパルス電源を使用し、オン時の電流密度が約２０Ａ／ｄｍ２〜３０Ａ／ｄｍ２となるようにしてメッキを行った。なお、メッキ液温度は４０℃±２℃とした。
【００６２】
ＴＡＢテープを１００ｍ処理して入力側端子及び出力側端子にメッキを施した。１００ｍのＴＡＢテープについて、入力側端子及び出力側端子の面積、平均メッキ厚、メッキ皮膜中のビスマス濃度を測定した。この結果を表１に示す。
【００６３】
この結果より、メッキ皮膜の密度を計算すると、７．６５ｇ／ｃｍ３であった。また、１００ｍＴＡＢテープのメッキ処理に使用されたＳｎ量及びＢｉ量を計算すると、Ｓｎ＝２５．４１ｇ、Ｂｉ＝４．３４３ｇとなった。
【００６４】
なお、この計算によるＳｎ及びＢｉのメッキ液の濃度変化を計算すると、Ｓｎ＝０．１６９ｇ／Ｌ、Ｂｉ＝０．０２９ｇ／Ｌとなるが、１００ｍ処理後のメッキ液のＳｎ及びＢｉの濃度は変化なしであった。
【００６５】
また、１００ｍ処理後において、メッキ槽内には、ビスマスや錫の酸化等による沈殿物が確認されなかったので、メッキ液中の錫及びビスマスはメッキ皮膜の形成のみに使用されたと考えられる。
【００６６】
さらに、実施例の配線パターンを顕微鏡で観察したところ、槍状析出物は観察されなかった。
【００６７】
【表１】
0003565556.tif 000003
【００６８】
（比較例１）
アノードとして錫アノードを用いた以外は実施例と同様にしてメッキ処理を行った。なお、ＴＡＢテープの処理量は２５ｍとし、２回繰り返し行った。
【００６９】
この処理について、入力側端子及び出力側端子の面積、平均メッキ厚、メッキ皮膜中のビスマス濃度を測定した。この結果を表２に示す。
【００７０】
この結果より、メッキ皮膜の密度を計算すると、１回目及び２回目とも７．６５ｇ／ｃｍ３であった。また、２５ｍＴＡＢテープのメッキ処理に使用されたＢｉ量を計算すると、１回目＝１．１５ｇ、２回目＝１．１８６ｇとなった。
【００７１】
また、１回目及び２回目のメッキ液中のＢｉ量の変化は以下の通りであった。
【００７２】
１回目＝２９ｇ／Ｌ−２６．８ｇ／Ｌ＝３３０ｇ
２回目＝３４ｇ／Ｌ−３１．７ｇ／Ｌ＝３６３．４ｇ
【００７３】
このメッキ皮膜に使用されたＢｉ量と、メッキ液中のＢｉの減少量とからメッキ皮膜に使用されたＢｉの比率を計算すると下記の通りとなり、ビスマスの約９９．５％以上がアノードのＳｎとの置換反応に使用されてしまうことが確認された。
【００７４】
１回目＝１．１５／３３０＝０．３５％
２回目＝１．１８６／３６３．４＝０．３３％
【００７５】
【表２】
0003565556.tif 000004
【００７６】
（比較例２）
パルス電圧の代わりに、電流密度１０Ａ／ｄｍ２の直流電圧を印加した以外は、実施例と同様にメッキ処理を行った。
【００７７】
この結果得られた配線パターンを顕微鏡で観察したところ、長さ５０μｍ以上の槍状析出物が多数観察された。
【００７８】
（試験例１）
実施例で形成したメッキ皮膜を含む配線パターン（銅箔＋錫メッキ＋錫−ビスマス合金メッキ）について融点をＤＳＣ（示差走査熱量測定装置；リガク社製）にて測定した。ＤＳＣの測定は、試料重量２０±０．０２ｍｇの試料をアルミナるつぼに採取し、室温から３５０℃まで、２０℃／ｍｉｎで昇温し、エア流量を１００ｃｃ／ｍｉｎとして測定した。結果を表３に示す。また、表３には、錫−ビスマス合金メッキの代わりに錫−鉛半田を設けた配線パターンについて測定した結果を示す。
【００７９】
この結果、錫−ビスマス合金メッキを有する配線パターンは、従来の錫−鉛半田と同等の融点を示すことが確認された。
【００８０】
【表３】
0003565556.tif 000005
【００８１】
（試験例２）
実施例と同様にＴＡＢテープを合計２２５ｍ処理し、初期（１２５ｍ処理時）、５０ｍ処理後（１７５ｍ処理時）及び１００ｍ処理時（２２５ｍ処理時）のそれぞれのメッキ皮膜について、試験例１と同様にＤＳＣ測定を行ったところ、表４の結果が得られた。
【００８２】
この結果、処理量が増大しても、ＤＳＣの測定結果には変化が見られず、安定したメッキ皮膜が得られていることが確認された。
【００８３】
【表４】
0003565556.tif 000006
【００８４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明では、アノードとしてビスマスより貴な金属からなるアノードを設けるようにしたため、ビスマスがアノードに置換析出されるのを防止し、ビスマス濃度が高濃度で組成の安定したメッキ層を容易に且つ確実に形成することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る錫−ビスマス合金メッキ装置の概略斜視図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る錫−ビスマス合金メッキ装置の上面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る電子部品実装用フィルムキャリアテープの概略構成を示す平面図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る電子部品実装用フィルムキャリアテープに電子部品を実装した際の断面図であり、図３のＡ−Ａ′断面図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る錫−ビスマス合金メッキ装置に絶縁フィルムを搬送した際の長手方向の断面図である。
【符号の説明】
１  被メッキ体
１０  フィルムキャリアテープ
１１  絶縁フィルム
１２  配線パターン
１２ａ  メッキリード
１２ｂ  導通部
１３  スプロケット孔
１４  デバイス側接続端子
１５  入力側外部接続端子
１６  出力側外部接続端子
１７  ソルダーレジスト層
２０  導電層
２１、２１ａ、２１ｂ  メッキ層
３０  電子部品
４０  錫−ビスマス合金メッキ装置
４１  メッキ液
４２  メッキ槽
４３  アノード
４６  コンタクトロール
【図１】
0003565556.tif 000007
【図２】
0003565556.tif 000008
【図３】
0003565556.tif 000009
【図４】
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【図５】
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