(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光パルスを発生する光源と、前記光源から射出された光パルスを分割する光分割手段と、分割した一方の光パルスを入力して電磁波を放射する電磁波放射手段と、放射された電磁波を平行化する平行化手段と、平行化された電磁波を入力して偏光電磁波を透過させ且つ偏光面を切換可能な偏光手段と、試料で反射した前記偏光電磁波を入力して偏光電磁波成分を透過させる検光手段と、前記透過した偏光電磁波成分を集光する集光手段と、分割された他の一方の光パルスを可変的に時間遅延させる光学的時間遅延手段と、集光された前記偏光電磁波成分と前記時間遅延された他の一方の光パルスとを入力して、集光された前記偏光電磁波成分を電気信号に変換する電磁波検出手段と、を有することを特徴とする偏光解析装置。
【請求項２】
光パルスを発生する光源と、前記光源から射出された光パルスを分割する光分割装置と、分割した一方の光パルスを入力して電磁波を放射する電磁波放射素子と、放射された電磁波を平行化する第１の光学系と、平行化された電磁波を入力して偏光電磁波を透過させ且つ偏光面を切換可能な偏光子と、試料で反射した前記偏光電磁波を入力して偏光電磁波成分を透過させる検光子と、前記透過した偏光電磁波成分を集光する第２の光学系と、分割された他の一方の光パルスを可変的に時間遅延させる第３の光学系と、集光された前記偏光電磁波成分と前記時間遅延された他の一方の光パルスとを入力して、集光された前記偏光電磁波成分を電気信号に変換する電磁波検出素子と、を有することを特徴とする偏光解析装置。
【請求項３】
試料で反射したｓ偏光電磁波及びｐ偏光電磁波の前記電気信号を時間分解した時間分解波形をフーリエ変換し、ｓ偏光電磁波及びｐ偏光電磁波の振幅及び位相の情報を算出する算出手段を更に有することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の偏光解析装置。
【請求項４】
前記算出手段が、試料で反射したｓ偏光電磁波及びｐ偏光電磁波の振幅と位相の情報より、振幅反射率比ｒｐ／ｒｓ（ｒｓ及びｒｐはそれぞれｓ偏光電磁波及びｐ偏光電磁波に対する試料の振幅反射率）及び位相差δｐ−δｓ（δｓ及びδｐはそれぞれ試料で反射されたｓ偏光電磁波及びｐ偏光電磁波の位相）を用いて複素光学定数スペクトルを更に導出することを特徴とする請求項３に記載の偏光解析装置。
【請求項５】
前記電磁波の周波数が１００ＧＨｚから２０ＴＨｚの周波数範囲内であることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかの請求項に記載の偏光解析装置。
【請求項６】
前記光源が，フェムト秒パルスレーザ又は半導体レーザであることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれかの請求項に記載の偏光解析装置。
【請求項７】
前記光分割手段又は前記光分割装置が，ビームスプリッタであることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれかの請求項に記載の偏光解析装置。
【請求項８】
光源から光パルスを発生させる発生ステップと、前記光源から射出された光パルスを分割する分割ステップと、分割した一方の光パルスを入力して電磁波を放射する電磁波放射ステップと、放射された電磁波を平行化する平行化ステップと、平行化された電磁波から第１の偏光電磁波を抽出する第１の偏光ステップと、分割された他の一方の光パルスを用いて前記試料で反射した前記第１の偏光電磁波を検出する第１の検出ステップと、平行化された電磁波から第２の偏光電磁波を抽出する第２の偏光ステップと、前記他の一方の光パルスを用いて試料で反射した前記第２の偏光電磁波を検出する第２の検出ステップと、前記他の一方の光パルスを可変的に時間遅延させる光学的時間遅延ステップと、を有することを特徴とする偏光解析方法。
【請求項９】
前記第１の偏光電磁波がｓ偏光電磁波（入射面に対して電場ベクトルが垂直な電磁波）及びｐ偏光電磁波（入射面に対して電場ベクトルが平行な電磁波）のいずれか一方であり、前記第２の偏光電磁波が他の一方であることを特徴とする請求項８に記載の偏光解析方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、分光学的方法による材料の光学的及び電気的特性測定を行う解析装置及び解析方法に関し、特に、リファレンス測定を必要とせずに非破壊・非接触で材料を測定する解析装置及び解析方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
テラヘルツ波領域（１００ＧＨｚ〜２０ＴＨｚ）における時間領域分光法は、この周波数帯における試料の屈折率と消衰係数からなる複素屈折率、複素電気伝導度、あるいは複素誘電率などの複素光学定数を、Ｋｒａｍｅｒｓ−Ｋｒｏｎｉｇ変換などを必要とせずに、直接的に測定できるという特徴を有する分光法である。さらにテラヘルツ波領域の複素光学定数から、固体、液体又はガスに関する、他の周波数帯での測定では得ることが困難な種々の情報が得られる。しかも、複素光学定数の非接触、非破壊測定が可能である。このような背景からテラヘルツ波領域の時間領域分光法の研究開発及びそれを用いた物性研究が精力的に行われている。
【０００３】
テラヘルツ時間領域分光法を使用した多くの研究が固体、液体、及びガスについて実施されているが、これら研究の多くはテラヘルツ電磁波の透過測定を実施している。他の従来の幾つかの研究においては、テラヘルツ電磁波の透過率が小さな試料の光学定数を導出するために、当該試料を反射した電磁波を測定する。
【０００４】
従来例１の透過測定による時間領域分光法の概要を図５を参照して説明する。従来例１の時間領域分光法では、試料を透過した電磁波と試料を置かない場合の電磁波（リファレンスデータ）とを測定する。
図５は従来例１の時間領域分光法の概略構成図である。パルスレーザ１００は光レーザパルス１０１を発生する。ビームスプリッタ１０２は、入力した光レーザパルス１０１を分岐して光レーザパルス１０３及び１０４を出力する。光レーザパルス１０３は電磁波放射用に使用され、光レーザパルス１０４は電磁波検出用光伝導素子１１０のトリガー用に使用する。光レーザパルス１０３は、ミラー１２０、チョッパ１０５、レンズ１０６を介してテラヘルツ電磁波放射用光伝導素子である放射アンテナ１０８に入射される。
【０００５】
放射アンテナ１０８は光レーザパルス１０３を入力してテラヘルツ電磁波１２４を放射する。生成されたテラヘルツ波１２４は、半球形レンズ１２２及び放物面鏡１０７で平行化され、試料１０９に入射される。安定化電源１２１は、放射アンテナ１０８に電力を供給する。
チョッパ１０５は開口部と遮蔽部を有する回転体で、１〜３ｋＨｚの周期で光レーザパルス１０３の通過と遮断とを繰り返す。
試料１０９を透過したテラヘルツ電磁波１２５は、放物面鏡１１３及び半球形レンズ１２３で集光され、放射アンテナ１０８と対称な位置に置かれた電磁波検出用光伝導素子である受信アンテナ１１０に入射される。検出素子である受信アンテナ１１０はフェムト秒レーザパルス１０４によって励起された瞬間に印加されているテラヘルツ電磁波の電場に比例した信号を出力する。
【０００６】
ビームスプリッタ１０２から出力された他のレーザパルス１０４は、反射鏡であるリトロリフレクタ１１１、ミラー１２８、１２９、レンズ１３０を経由して受信アンテナ１１０に入力される。リトロリフレクタ１１１を取り付けた可動ステージ１１２を矢印の方向に移動させることにより、レーザパルス１０４が受信アンテナ１１０を励起するタイミング（照射タイミングの時間遅延量）は変化する。電流増幅器１２６は、受信アンテナ１１０の出力信号を増幅する。ロックインアンプ１２７は、電流増幅器１２６の出力信号とチョッパ１０５の回転制御信号（又は回転検出信号）とを入力し、電流増幅器１２６の出力信号の中からチョッパ１０５の回転に応じた成分を取り出す。
【０００７】
可動ステージ１１２を移動させて時間遅延量を変えながら、各遅延時間におけるロックインアンプ１２７の出力信号（テラヘルツ電磁波の電場）の振幅を測定する。その結果図６のような放射されたテラヘルツ電磁波の時間分解波形（電場の振幅／時間遅延量特性）を測定できる。
以上のようにテラヘルツ電磁波の時間分解波形そのもの、すなわち電磁波の振幅／位相特性を測定できる。電磁波のパスに試料を挿入した場合とそうでない場合とでそれぞれ時間分解波形を測定し、それぞれをフーリエ変換して得られた複素スペクトルの比をとると、試料の複素透過係数スペクトルが得られる。これから試料の複素屈折率や複素電気伝導度などの複素光学定数をテラヘルツ波領域の広い範囲で一挙に求めることができる。
【０００８】
従来例２の時間領域分光法では、測定対象である試料表面で反射した電磁波の時間分解波形と、反射率１であることが既知である基準となる材料（リファレンス）の表面で反射した電磁波の時間分解波形とを測定し、両者の複素スペクトルの比をとって複素反射係数スペクトルを得る。
従来例１では試料の透過光を測定し、従来例２では試料の反射光を測定する。それ以外の点で両者は同一の構成を有数する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかし反射光を利用する従来例２の時間領域分光法では、位相の情報を十分な精度で知るためには試料とリファレンスの反射面の位置を数μｍ以下の精度で一致させる必要がある（Ｔ．  Ｉ．  Ｊｅｏｎ  ａｎｄ  Ｄ．  Ｇｒｉｓｃｈｋｏｗｓｋｙ：  Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ、  Ｖｏｌ．  ７２、  ３０３２−３０３５  （１９９８）。）。これは一般的な試料ホルダーの機械的精度では非常に困難である。この困難を避けるために膜厚及び屈折率が既知の透明材料を試料表面に張り付け、透明膜表面における反射電磁波及び透明膜と試料の界面における反射電磁波の両者を測定し透明膜の膜厚及び屈折率を考慮したデータ処理によって、十分な精度を得る方法が考案されている（菜嶋  茂樹ら、２００１年（平成１３年）秋季第６１回応用物理学会学術講演会）。しかしながら、この手法は試料に加工が必要であり、かつデータ処理が煩雑という問題がある。
【００１０】
反射光を利用する時間領域分光法において、リファレンス測定をせずに光学定数を導出しようとする試みもなされている。試料の入射角を変えながら反射波形を測定してブリュースター角を求め、それらのデータから試料である基板上の薄膜の屈折率を求める手法が提案されている（Ｍ．  Ｌｉ  ｅｔ  ａｌ．：  Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ、  Ｖｏｌ．  ７４、  ２１１３−２１１５  （１９９９）。）。この手法はごく薄い膜の光学定数を測定できる点で優れているが、入射角を変えるたびに受信アンテナの位置を動かす必要がある。時間領域分光法においては受信アンテナをトリガーするフェムト秒パルスレーザ光の光路を入射角を変えるたびに調整する必要があり、膨大な時間と手間がかかり実用的でない。しかも提案されている手法では連続的なスペクトルは得られない。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記の課題にかんがみて、本発明は、単一の入射角での反射測定において、リファレンス測定なしに、なおかつ試料に加工を施すことなく、電磁波の透過率の低い試料でも複素光学定数スペクトルを高精度で測定できる方法及び装置を提供することを目的とする。
【００１２】
上記目的を達成するために、本発明は下記の構成を有する。
請求項１の発明は、光パルスを発生する光源と、前記光源から射出された光パルスを分割する光分割手段と、分割した一方の光パルスを入力して電磁波を放射する電磁波放射手段と、放射された電磁波を平行化する平行化手段と、平行化された電磁波を入力して偏光電磁波を透過させ且つ偏光面を切換可能な偏光手段と、試料で反射した前記偏光電磁波を入力して偏光電磁波成分を透過させる検光手段と、前記透過した偏光電磁波成分を集光する集光手段と、分割された他の一方の光パルスを可変的に時間遅延させる光学的時間遅延手段と、集光された前記偏光電磁波成分と前記時間遅延された他の一方の光パルスとを入力して、集光された前記偏光電磁波成分を電気信号に変換する電磁波検出手段と、を有することを特徴とする偏光解析装置である。
【００１３】
請求項２の発明は、光パルスを発生する光源と、前記光源から射出された光パルスを分割する光分割装置と、分割した一方の光パルスを入力して電磁波を放射する電磁波放射素子と、放射された電磁波を平行化する第１の光学系と、平行化された電磁波を入力して偏光電磁波を透過させ且つ偏光面を切換可能な偏光子と、試料で反射した前記偏光電磁波を入力して偏光電磁波成分を透過させる検光子と、前記透過した偏光電磁波成分を集光する第２の光学系と、分割された他の一方の光パルスを可変的に時間遅延させる第３の光学系と、集光された前記偏光電磁波成分と前記時間遅延された他の一方の光パルスとを入力して、集光された前記偏光電磁波成分を電気信号に変換する電磁波検出素子と、を有することを特徴とする偏光解析装置である。
【００１４】
請求項３の発明は、試料で反射したｓ偏光電磁波及びｐ偏光電磁波の前記電気信号を時間分解した時間分解波形をフーリエ変換し、ｓ偏光電磁波及びｐ偏光電磁波の振幅及び位相の情報を算出する算出手段を更に有することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の偏光解析装置である。
フーリエ変換とは時間的に変動する量の周波数成分を抽出する一般的な数値計算処理である。
【００１５】
請求項４の発明は、前記算出手段が、試料で反射したｓ偏光電磁波及びｐ偏光電磁波の振幅と位相スペクトルより、振幅反射率比ｒｐ／ｒｓ（ｒｓ及びｒｐはそれぞれｓ偏光電磁波及びｐ偏光電磁波に対する試料の振幅反射率）及び位相差δｐ−δｓ（δｓ及びδｐはそれぞれ試料で反射されたｓ偏光電磁波及びｐ偏光電磁波の位相）を用いて複素光学定数スペクトルを更に導出することを特徴とする請求項３に記載の偏光解析装置である。
【００１６】
請求項５の発明は、前記電磁波の周波数が１００ＧＨｚから２０ＴＨｚの周波数範囲内であることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかの請求項に記載の偏光解析装置である。
【００１７】
請求項６の発明は、前記光源が，フェムト秒パルスレーザ又は半導体レーザであることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれかの請求項に記載の偏光解析装置である。
【００１８】
請求項７の発明は、前記光分割手段又は前記光分割装置が，ビームスプリッタであることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれかの請求項に記載の偏光解析装置である。
【００１９】
請求項８の発明は、光源から光パルスを発生させる発生ステップと、前記光源から射出された光パルスを分割する分割ステップと、分割した一方の光パルスを入力して電磁波を放射する電磁波放射ステップと、放射された電磁波を平行化する平行化ステップと、平行化された電磁波から第１の偏光電磁波を抽出する第１の偏光ステップと、分割された他の一方の光パルスを用いて前記試料で反射した前記第１の偏光電磁波を検出する第１の検出ステップと、平行化された電磁波から第２の偏光電磁波を抽出する第２の偏光ステップと、前記他の一方の光パルスを用いて試料で反射した前記第２の偏光電磁波を検出する第２の検出ステップと、前記他の一方の光パルスを可変的に時間遅延させる光学的時間遅延ステップと、を有することを特徴とする偏光解析方法である。
【００２０】
請求項９の発明は、前記第１の偏光電磁波がｓ偏光電磁波（入射面に対して電場ベクトルが垂直な電磁波）及びｐ偏光電磁波（入射面に対して電場ベクトルが平行な電磁波）のいずれか一方であり、前記第２の偏光電磁波が他の一方であることを特徴とする請求項８に記載の偏光解析方法である。
【００２１】
本発明は、単一の入射角での反射測定において、リファレンス測定なしに、なおかつ試料に加工を施すことなく、電磁波の透過率の低い試料でも複素光学定数スペクトルを高精度で測定できる偏光解析装置及び偏光解析方法を実現出来るという作用を有する。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下本発明の実施をするための最良の形態を具体的に示した実施例について、図面とともに記載する。
【００２３】
《実施例１》
以下実施例を用いて本発明の偏光解析装置及び偏光解析方法を具体的に説明する。なお、本発明は下記の実施例に限定して解釈されるものではない。
図１（ａ）は本発明の実施例の偏光解析装置の概略構成図である。
パルスレーザ（光源）１は光レーザパルスを発生する。光源としてはフェムト秒パルスレーザ又は半導体レーザを使用する。当該光レーザパルスはテラヘルツ波領域（１００ＧＨｚから２０ＴＨｚ）のレーザ光である。ビームスプリッタ２（光分割手段、光分割装置）は、入力した光レーザパルスを分岐して光レーザパルス１０及び１１を出力する。ビームスプリッタ２は、例えばハーフミラーである。光レーザパルス１０は電磁波放射用に、光レーザパルス１１は光伝導アンテナ（受信アンテナ）７のトリガー用に使用する。
【００２４】
光レーザパルス１０は、ミラー４０、チョッパ４１、レンズ４２を介してテラヘルツ電磁波放射用光伝導素子である放射アンテナ３（電磁波放射手段、電磁波放射素子）に入射する。光レーザパルス１０の照射によって放射アンテナ３に瞬間的に電流が流れる。放射アンテナ３にはほぼ光レーザパルス１０が照射されている間だけ過渡電流が流れ、放射アンテナ３はテラヘルツ電磁波２０を放射する。使用した放射アンテナ３は偏光特性を持つが、放射直後の電磁波の最大の大きさを持つ電場ベクトルが、電磁波伝搬方向に対して垂直な面内にあり、なおかつ入射面に対して４５度の角度をなすように設置する。
安定化電源５０は、放射アンテナ３に電力を供給する。
チョッパ４１は開口部と遮蔽部を有する回転体で、１〜３ｋＨｚの周期で光レーザパルス１０の通過と遮断とを繰り返す。
【００２５】
生成されたテラヘルツ電磁波２０は、半球形レンズ４３及び放物面鏡４（平行化手段、第１の光学系）で平行化され、偏光子３０（偏光手段）に入射される。偏光子３０は、テラヘルツ電磁波２０の中から特定の偏光電磁波のみを透過させる。偏光子３０は太さ数μｍの金属ワイヤーを１０μｍ程度の間隔で多数並べたワイヤグリッドである。偏光子３０は試料５の直前あるいは放射アンテナ３の直後に置くことができる。また偏光子３０は方位角を精密に制御できるホルダに取り付けるのが好ましい。
【００２６】
まず放射アンテナ３から放射されたテラヘルツ電磁波２０のうち偏光子３０によってｓ偏光電磁波（又はｐ偏光電磁波）を取り出す（偏光子３０を透過させる。）。この状態で偏光子３０の方位角を９０度回転させればｐ偏光電磁波（又はｓ偏光電磁波）が取り出される（図１（ｂ）参照）。ｓ偏光電磁波は入射面に対して電場ベクトルが垂直な電磁波であり、ｐ偏光電磁波は入射面に対して電場ベクトルが平行な電磁波である。
【００２７】
放射アンテナ３に偏光特性がなければ、偏光子３０を透過したｓ偏光電磁波及びｐ偏光電磁波の振幅及び位相は同一である。放射アンテナ３が偏光特性を持つことがある。この場合は放射アンテナ３から放射された直後の位置で最大の大きさを持つ電場ベクトルが入射面に対し４５度の角度をなすように放射アンテナ３を設置する。これによりｓ及びｐ偏光電磁波の振幅及び位相は同一になる。
上記調整の後、偏光子の方位角を調整してｓ及びｐ偏光電磁波を試料に平行に斜入射させる。
【００２８】
試料５を反射したテラヘルツ電磁波２１（ｓ偏光電磁波又はｐ偏光電磁波）は、検光子３１（検光手段）に平行に入射される。検光子３１は偏光子３０と同様のワイヤグリッドであり（図１（ｂ）参照）、反射電磁波の中から、受信アンテナ７が検出感度の最も高い偏光成分のみを通過させる。検光子３１を透過したテラヘルツ電磁波２１は放物面鏡６及び半球形レンズ４７（集光手段、第２の光学系）で集光され、電磁波検出用光伝導素子である受信アンテナ７（電磁波検出手段、電磁波検出素子）に入射される。検出素子である受信アンテナ７はフェムト秒レーザパルス１１によって励起された瞬間に印加されているテラヘルツ電磁波の電場に比例した信号を出力する。受信アンテナ７はフェムト秒レーザパルス１１によって励起されている間だけ過渡的に導電性になり、光照射をやめると再び絶縁性になる。受信アンテナ７は偏光特性を持つが、その検出感度の最も高い方向が電磁波伝搬方向に対して垂直な面内にあり且つ入射面に対して４５度の角度をなすように、受信アンテナ７を設置する。
【００２９】
ビームスプリッタ２で分割されたもう一方の電磁波検出用の光レーザパルス１１は、反射鏡であるリトロリフレクタ４４、ミラー４５、レンズ４６を経由して受信アンテナ７に入力される。光レーザパルス１１が受信アンテナ７に入力されると、受信アンテナ７は瞬間的に伝導性を示す。この瞬間に受信アンテナ７に到達した反射電磁波２１の電場に比例した電流が流れる。
反射鏡であるリトロリフレクタ４４（光学的時間遅延手段、第３の光学系）は、ビームスプリッタ２と受信アンテナ７の間に配置されている。リトロリフレクタ４４を取り付けた可動ステージ３２を矢印の方向に移動させることによりレーザパルス１１の光路長が変化し、レーザパルス１１が受信アンテナ７を励起するタイミング（照射タイミングの時間遅延量（位相））は変化する。電流増幅器４８は、受信アンテナ７の出力信号を増幅する。ロックインアンプ４９は、電流増幅器４８の出力信号とチョッパ４１の回転制御信号（又は回転検出信号）とを入力し、電流増幅器４８の出力信号の中からチョッパ４１の回転に応じた成分を取り出す。
【００３０】
可動ステージ３２を移動させて時間遅延量を変えながら、各遅延時間におけるロックインアンプ４９の出力信号（テラヘルツ電磁波の電場）の振幅を測定する。その結果放射されたｓ偏光電磁波及びｐ偏光電磁波の時間分解波形（時間遅延量／振幅特性）が得られる。
入射角４５度の場合のｎ型Ｓｉウェハ（０．１３６  Ωｃｍ、厚さ０．７ｍｍ）のｓ及びｐ偏光電磁波の反射電磁波の時間分解波形ｗｓ（ｔ）及びｗｐ（ｔ）（ｔ：時間）を図２に示す。また図２のデータからそれぞれをフーリエ変換して比をとって得られたエリプソメトリック・アングルの周波数変化を図３に示す。図３のデータから計算された複素屈折率スペクトルを図４に示す。なお、図３及び図４中の実線はドルーデモデルによる計算値を示す。
【００３１】
実施例の偏光解析装置においては、コンピュータ５１が指令を送って可動ステージ３２を段階的に移動させながら（レーザパルス１１が受信アンテナ７を励起するタイミングを変えながら）、ロックインアンプ４９の出力信号（ｓ偏光電磁波の出力信号及びｐ偏光電磁波の出力信号）を順次コンピュータ５１に入力する。ロックインアンプ４９の出力信号（時間分解波形）は、Ａ／Ｄ変換された後、コンピュータ５１のメモリに格納される。
【００３２】
他の実施例においては、測定者が可動ステージ３２を段階的に移動させながら、ロックインアンプ４９の出力信号を順次読み取り、読み取った値をコンピュータ５１に入力する。
偏光子３０のワイヤグリッドについて、ｓ偏光電磁波を通す向きとｐ偏向電磁波を通す向きとを電動で切換えても良く、手動で切換えても良い。
測定の際、動かすのは偏光子３０の方位角及び可動ステージ３２の位置だけである。
平行化手段、集光手段、光学的時間遅延手段は放物面鏡やレンズなどの光学的手段で構成される。
【００３３】
コンピュータ５１（算出手段）は、上記の測定データに基づいて下記の計算を行い、計算結果であるパラメータをディスプレイ５２に表示する。
ｓ偏光電磁波及びｐ偏光電磁波の時間分解波形ｗｓ（ｔ）及びｗｐ（ｔ）（ｔ：時間）をそれぞれをフーリエ変換すると、反射電磁波の振幅と位相の情報を含んだ複素スペクトルＥｓ（ν）、Ｅｐ（ν）がそれぞれ得られる。
【００３４】
【数１】
0003550381.tif 000002
【００３５】
【数２】
0003550381.tif 000003
【００３６】
ｓ偏光電磁波及びｐ偏光電磁波の複素スペクトルの比をとると、ｓ偏光電磁波及びｐ偏光電磁波の振幅反射率比ｒｐ（ν）／ｒｓ（ν）及び位相差δｐ−δｓのスペクトルが得られる。
【００３７】
【数３】
0003550381.tif 000004
【００３８】
これらは従来知られている偏光解析法におけるエリプソメトリック・アングルのそれぞれｔａｎΨ（ν）≡ｒｐ／ｒｓにΔ（ν）≡δｐ−δｓに対応している。エリプソメトリック・アングルから偏光解析法を援用して複素光学定数スペクトルを導出することができる。得られたエリプソメトリック・アングルの周波数変化から複素光学定数スペクトルを導出する方法は古くから知られており、例えばＲ．Ｍ．  Ａ．  Ａｚｚａｍ  ａｎｄ  Ｎ．  Ｍ．  Ｂａｓｈａｒａ、  ”Ｅｌｌｉｐｓｏｍｅｔｒｙ  ａｎｄ  Ｐｏｌａｒｉｚｅｄ  Ｌｉｇｈｔ”  （Ｎｏｒｔｈ−Ｈｏｌｌａｎｄ、  １９８７）などに記載されている。
複素光学定数を（ｎ−ｉｋ）  （ｎは複素光学定数の実部部ｋは複素光学定数の虚部）とし、複素誘電率をε＝ε１−ｉε２  （ε１は複素誘電率の実部、ε２は複素誘電率の虚部）とする。θ０を電磁波の試料への入射角として、ε１は式（４）のようにｎとｋで表される。
【００３９】
【数４】
0003550381.tif 000005
【００４０】
同様にε２は式（５）のようにｎとｋで表される。
【００４１】
【数５】
0003550381.tif 000006
【００４２】
さらに、これらの複素誘電率は、複素電気伝導度σ＝σ１−ｉσ２  （σ１は複素電気伝導度の実部、σ２は複素電気伝導度の虚部）と式（６）及び式（７）のような関係式があり、電極パターンを形成することなく、非接触、非破壊で電気特性を測定出来る。ε０は真空中の誘電率である。
【００４３】
【数６】
0003550381.tif 000007
【００４４】
【数７】
0003550381.tif 000008
【００４５】
本発明によれば単一の入射角におけるｓ偏光電磁波及びｐ偏光電磁波の反射波の時間分解波形測定のみでエリプソメトリック・アングルであるｔａｎΨ及びΔが求められ、入射角依存性を測定する必要がない。
さらに本発明によれば、以上で示したように、互いに直交する方位角に偏光子を設定した状態における各々の反射電磁波の時間分解波形を測定することで試料の複素光学定数スペクトルを導出できる。
従来の分光偏光解析方法では偏光子の方位角依存性を詳細に知ることが必要であったため、方位角をわずかずつ変えながら多数回測定する必要があったが、本発明によれば、２回のみの測定で複素光学定数スペクトルが得られる。
本発明のテラヘルツ波偏光解析方法及び装置は、試料で反射された複数の偏光電磁波の時間分解波形を測定することにより、種々の複素データを導出出来る。本発明のテラヘルツ波偏光解析方法及び装置においては、リファレンスデータを測定しない。
【００４６】
【発明の効果】
以上のように金属ミラーなどのリファレンス測定なしにｓ偏光及びｐ偏光電磁波の反射波の時間分解波形の測定から容易に試料の複素光学定数スペクトルが得られる。
さらに試料は電磁波が照射される部位が平面であれば良く、特別な加工は必要ない。例えば薄膜製造装置に組み込んで、半導体あるいは超伝導薄膜の自由キャリア密度及び移動度、あるいは強誘電体の複素誘電率のその場観察が可能になる。
本発明によれば、単一の入射角での反射測定において、リファレンス測定なしに、なおかつ試料に加工を施すことなく、電磁波の透過率の低い試料でも複素光学定数スペクトルを高精度で測定できる偏光解析装置及び偏光解析方法を実現出来るという有利な効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例の偏光解析装置の概略構成図である。
【図２】本発明に係る反射偏光電磁波の時間分解波形を示す図である。
【図３】図２のデータから計算されたエリプソメトリック・アングル（振幅反射率と位相差）の周波数依存性を示す図である。
【図４】図３のデータから計算された複素屈折率を示す図である。
【図５】従来例１の時間領域分光解析装置の概略構成図である。
【図６】従来例１の時間領域分光解析装置で得られる検出信号（時間分解波形）の概念図である。
【符号の説明】
１、１００    パルスレーザ
２、１０２    ビームスプリッタ
３、１０８    電磁波放射用光伝導素子
４、６、１０７、１１３    放物面鏡
５、１０９    試料
７、１１０    電磁波検出用光伝導素子（受信アンテナ）
１０、１１、１０１、１０３、１０４    光レーザパルス
２０、１２４    電磁波
２１    反射電磁波
３０    偏光子
３１    検光子
３２、１１２    可動ステージ
４０、４５、１２０、１２８、１２９    ミラー
４１、１０５    チョッパ
４２、４６、１０６、１３０    レンズ
４３、４７、１２２、１２３    半球レンズ
４４、１１１    リトロリフレクタ
４８、１２６    電流増幅器
４９、１２７    ロックインアンプ
５０、１２１    安定化電源
５１    コンピュータ
５２    ディスプレイ
１２５  透過電磁波
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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