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　特願２００１−２３３９８３「発光装置及びそれに用いる支持台」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　２月１４日出願公開、特開２００３−　４６１４２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明 
　本願は、平成１３年８月１日に特許出願したものであって、その請求項に係る発明は、平成２０年９月１６日付け手続補正書で補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された事項により特定されるものであると認められるところ、請求項１に係る発明は次のものである。
「【請求項１】　一方の面に極性が異なる一対の電極を備える発光素子と、前記一対の電極が固定される一対の電極を上面に備える支持台とからなる発光装置において、前記支持台の上面の前記一対の電極の間に、互いに独立した少なくとも２つの溝を形成し、前記複数の溝は、一直線上に配置されたことを特徴とする発光装置。」（以下「本願発明」という。）
　
２．引用例
（１）当審において平成２０年７月１６日付けで通知した拒絶の理由で引用した刊行物である特開平７−２３５７２９公報（以下「引用例１」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。 
　ア．「【０００６】
【課題を解決するための手段】我々は、窒化ガリウム系化合物半導体よりなるレーザチップをヒートシンクに載置するにあたり、このヒートシンクに予め正、負両方の電極をパターン形成し、これらの電極に、レーザチップの電極を接続して載置することにより、上記目的が達成できることを見いだした。即ち本発明の窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子は、サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体層が積層され、その窒化ガリウム系化合物半導体層の同一面側に正、負一対の電極が形成されてなるレーザチップが、同じく同一面側に正、負一対の電極パターンがメタライズされた絶縁性のヒートシンクに、互いの電極同士が対向するように載置されてなることを特徴とするものである。
【０００７】本発明の一レーザ素子の構造を図１に示す。１はサファイア基板、２は窒化ガリウム系化合物半導体層、３と４は窒化ガリウム系化合物半導体層２の同一面側に設けられた負電極と正電極であり、レーザチップ１０は基本的に１、２、３、４よりなっている。一方、レーザチップ１０を載置するヒートシンク２０は絶縁性、高熱伝導性の材料よりなり、その表面にはチップ１０の負電極３および正電極４と対応する位置にパターンメタライズされたヒートシンク２０の負電極３３および正電極４４が形成されている。そしてレーザチップ１０の電極と、ヒートシンク２０の電極とが対向するように、チップの負電極３とヒートシンク１０の負電極３３、およびチップの正電極４とヒートシンクの正電極４４とが導電性材料１１を介して接続されている。
　・・・・中略・・・・
【０００９】一方、ダイオードチップを載置するヒートシンク２０にはダイヤモンド、ＡｌＮ、ｃＢＮ、ＳｉＣ、Ｓｉ、ＢｅＯ等の高熱伝導性を有し、絶縁性の材料を好ましく用いることができる（但し本明細書において、絶縁性とは半絶縁性のものも含むものとする。）。これらの材料に蒸着、スパッタ等の薄膜形成技術を用いて、同一面側に電極パターン４４、３３をメタライズできる。図１はメタライズされた正電極４４がヒートシンク２０の周縁部と連続して、ヒートシンク２０の底部にまでパターニングされている。このように、ヒートシンク２０表面にメタライズする二種類の電極の内のいずれか一方をヒートシンクの裏面（レーザチップが載置される面と反対面）まで連続形成することにより、金属ステム２１と導通が図れるので、レーザチップの熱が電極を通って直接逃げやすくなる。またワイヤボンディングの工程を減らすことができる。
【００１０】また、レーザチップの電極３、４と、ヒートシンクの電極３３、４４とを直接接続する導電性材料１１には、例えばＡｕＳｎ、ＰｂＳｎ、Ｉｎ、ＡｕＳｉ等のはんだ材を用いることができる。」
　
　イ．図１から、レーザチップ１０は、ヒートシンク２０の上方に載置されていることがみてとれる。
　
　上記ア．及びイ．によれば、引用例１には、次の発明が記載されていると認められる。
「サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体層が積層され、その窒化ガリウム系化合物半導体層の同一面側に正、負一対の電極が形成されてなるレーザチップが、同じく同一面側に正、負一対の電極パターンがメタライズされた絶縁性のヒートシンクの上方に、互いの電極同士が対向するように載置され、レーザチップの電極と、ヒートシンクの電極は、はんだ材で直接接続される、窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子。」（以下「引用発明」という。）
　
（２）同じく、拒絶の理由で引用した刊行物である特開平９−２９８３１０公報（以下「引用例２」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
「【０００２】
【従来の技術】一般に、窒化物半導体よりなる発光チップは、同一面側に正と負の電極が設けられている。これは窒化物半導体が絶縁性基板の上に成長されることが多いことによる。このような発光チップは例えばフェースダウンの状態で、あるいはフェースアップの状態で例えばステム、リードフレーム、ヒートシンク、サブマウント等の支持体にマウントされて発光素子とされる。
【０００３】本出願人は、先に特開平７−２３５７２９号公報において、窒化物半導体発光チップがフェースダウンで支持体にマウントされてなるレーザ素子を示した。この技術は、例えばサファイアのような絶縁性基板を用いた窒化物半導体レーザチップの放熱性を向上させる目的で、レーザチップをフェースダウンして絶縁性のヒートシンク上にマウントしたものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】通常、同一面側に２種類の電極が設けられた半導体チップをフェースダウンで支持体にボンディングする場合、支持体の所定の位置に、加熱された半田材がディスペンサーにより所定量吐出されると同時に、半導体チップがその半田材の上に載置され、冷却により支持体と半導体チップとが電気的に接続される手段が行われる。半田材には銀ペースト、Ｉｎペースト、Ｐｂ／Ｓｎ等の低融点金属が用いられることが多い。しかし、半田材は、周知のように過熱された状態で流動性が大きいという欠点を有している。そのため同一面側に正と負の電極が設けられた窒化物半導体チップでは、半田材が所定の位置より流出することにより、片方の電極と接触して電極間をショートさせてしまう恐れがある。」
　
３．対比・判断 
（１）本願発明と引用発明とを対比する。
　ア．引用発明の「レーザチップ」及び「窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子」は、それぞれ、本願発明の「発光素子」及び「発光装置」に相当する。
　
　イ．引用発明の「ヒートシンク」は、レーザチップを載置するものであるから、本願発明の「支持台」に相当する。
　
　ウ．引用発明の「サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体層が積層され、その窒化ガリウム系化合物半導体層の同一面側に正、負一対の電極が形成されてなるレーザチップ」において、「窒化ガリウム系化合物半導体層の同一面」が、「レーザチップ」の表面のうちの一つの面でもあることは明らかであるから、引用発明の「窒化ガリウム系化合物半導体層の同一面」は、本願発明の「（発光素子の）一方の面」に相当する。
　
　エ．上記ウ．から、引用発明の「（窒化ガリウム系化合物半導体層の同一面側に形成された）正、負一対の電極」は、本願発明の「発光素子の一方の面に備えられた）極性が異なる一対の電極」に相当することが明らかである。
　
　オ．引用発明における「同一面側に正、負一対の電極パターンがメタライズされた絶縁性のヒートシンク」は、その上方に、レーザチップを「互いの電極同士が対向するように載置」するものであり、かつ、「レーザチップの電極と、ヒートシンクの電極は、はんだ材で直接接続される」から、引用発明と本願発明は、「支持台」が「発光素子の一対の電極が固定される一対の電極を上面に備える」点において一致する。
　
　すると、本願発明と引用発明とは、
「一方の面に極性が異なる一対の電極を備える発光素子と、前記一対の電極が固定される一対の電極を上面に備える支持台とからなる発光装置」
である点で一致し、次の点で相違する。
　
［相違点］
　本願発明が、「支持台の上面の一対の電極の間に、互いに独立した少なくとも２つの溝を形成し、複数の溝は、一直線上に配置され」ているのに対し、引用発明は、そのようになっていない点。
　
　（２）上記相違点について検討する。
　上記２．（２）によれば、引用例２には、同一面側に正と負の電極が設けられた窒化物半導体チップでは、支持体と半導体チップとを電気的に接続するのに用いられるはんだが所定の位置より流出することにより、片方の電極と接触して電極間をショートさせてしまう恐れがあることが記載されているものと認められる。
　しかるところ、複数の素子側電極の各々を対応する基板側電極にはんだにより接続固定する技術において、隣接する基板側電極間に、各接続固定部から流出したはんだが流れ込む溝をそれぞれ形成し、はんだによる接続固定時に、各接続固定部から流れ出たはんだがそれぞれの溝に流れ込み、両溝の形成により両溝間に構成された堤によって流れ込んだはんだが合流することを防ぐことは、本願出願前に周知である（例．特開平１−１３８７７６号公報（第２頁左下欄第１行〜第３頁左上欄第７行、第２図（ｂ）参照。）、特開２００１−５３１１１号公報（【００２１】、【００２２】、図１参照。））。
　そうすると、引用発明において、発光素子の電極と、支持台の電極とを、はんだ材で直接接続する際に、各接続部から流出したはんだにより、支持台の一対の電極間がショートする恐れがあることは、当業者が容易に理解できるから、これを防ぐために、引用発明に上記周知技術を適用し、支持台の上面の一対の電極の間に、各接続部から流出したはんだが流れ込む溝をそれぞれ形成すると同時に、両溝間に堤を構成することは、当業者が容易に想到することができる程度のことである。
　そして、前記溝を具体的にどのように配置するかは、各接続部から流出したはんだが対応する溝に流れ込み、かつ、前記堤により、流れ込んだはんだが合流することを防ぐ機能を発揮する範囲で、当業者が適宜決定できる設計上の事項というべきである。
　他方、本願明細書には、「【００３１】・・・中略・・・複数の溝を一直線上に配置するので、支持台や発光装置の外観形状を小型化することが出来る。」との記載があるが、支持台や発光装置の大きさは、単に溝の配置のみによって定まるものとはいえないから、複数の溝を一直線上に配置する点に「支持台や発光装置の外観形状を小型化する」との技術的意義があるとはいえない。
　したがって、本願発明において、「互いに独立した少なくとも２つの溝」、すなわち「複数の溝」を「一直線上に配置」したことに、設計事項以上の格別の技術的意味は認められない。
　
４．むすび 
　以上のとおり、本願発明は、引用例１に記載の発明、引用例２に記載の事項及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。