【事件の表示】
　特願２００２−２４２５１８「磁気記録媒体および磁気記録再生装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年３月１８日出願公開、特開２００４−　８６９３６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１ 手続の経緯
　本願は、平成１４年８月２２日の出願であって、拒絶理由通知の応答期間内である平成１８年５月８日付けで手続補正がされたが、同年８月２５日付けで拒絶査定がされ、これに対し、同年１０月３日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年１０月１８日付けで手続補正がされたものである。
　そして、審尋に対して、平成２１年３月３日付けで回答書が提出されている。
　
第２ 平成１８年１０月１８日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　　平成１８年１０月１８日付けの手続補正を却下する。
［理　由］
　
１．補正後の本願発明
　平成１８年１０月１８日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）により、特許請求の範囲の請求項１は、
「表面に円周方向に沿う条痕を有する、ディスク状のガラス基板上に、配向調整層、非磁性下地層、磁性層及び保護膜をこの順で有する磁気記録媒体において、
配向調整層はガラス基板と接し、
磁
磁
と補正された。
　上記補正は、「保持力」を「保磁力」と補正するとともに、補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「配向調整層」について「ガラス基板と接し」すなわち、ガラス基板と配向調整層との間に他の層が存在しないとの限定を付加するものであって、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる同法改正前の特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮及び同項第３号の誤記の訂正を目的とする補正に該当する。
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された事項により特定される発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる同法改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
２．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開平１０−７４３１４号公報（以下、「引用例」という。）には、「磁気記録媒体および磁気記憶装置」について、図面とともに次の事項が記載されている。（なお、
下線
　
　ア．「【請求項１】
基板上に、複数の下地層が積層された多層下地層を介して形成された磁性層を有する磁気記録媒体において、前記多層下地層の少なくとも一層がCoを含有する非晶質、或いは微結晶材料から成ることを特徴とする磁気記録媒体。
　イ．「【0011】上記の多層下地層を構成するCoを含有する非晶質、或いは微結晶材料から成る層を構成する材料としてはCoとの非晶質、或いは微結晶を形成する元素を含む材料であれば、その組成は特に限定されない。
ガラス基板上に、Coを含有する非晶質、或いは微結晶材料から成る第一の下地層を形成すると、その上に形成されるCr合金等のbcc構造を有する下地層（以下、これを第二の下地層という）の結晶粒が微細化されると同時に、bcc構造の(100)面が膜面に平行に成長しやすくなる。これによって、Co合金磁性膜のhcp構造を持つ結晶粒の磁化容易軸が膜面内を向くように成長し、かつ、その粒径が小さくなる。このため、保磁力が向上し、ノイズが低減される。
Coを含有する非晶質、或いは微結晶材料を用いた場合には結晶粒の微細化が顕著であり、かつ、結晶粒径の分散も小さくなる。これは、Coを含有する非晶質、或いは微結晶材料では表面に微細な凹凸が均一に形成され、第二の下地層の結晶粒が、これを核にして成長するためである。
　ウ．「【0013】第一の下地層の具体的な材料としては、Ti、Y、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、W、Si、Bから成る第一の群より選ばれた少なくとも1種の
第一の添加元素とCoとの合金
第一の添加元素の濃度は、5at％以上、70at％以下の範囲にあることが望ましい。第一の添加元素の濃度が5at％よりも小さいと磁性層の結晶粒が、ガラス基板の上に第二の下地層を直接形成した場合に比べて大きくなり、70at％よりも大きいと磁性膜のc軸が膜面から立ち上がった成分が多くなり好ましくない。また、第一の添加元素としては第一の群の中でZr、Ta、Wを用いると、磁化容易軸の面内配向成分が強くなり特に好ましい。
　エ．「【0037】＜実施例4＞　実施例1と同様な磁気記憶装置において、
第一の下地層にCoCrW合金を使用した磁気記録媒体を用いた
【0038】実施例1と同様に、
強化ガラス基板上にCo-25at%Cr-12at%W合金を25nm形成した
下地層形成後、220℃になるよう基板加熱を行い、CrMo下地層50nm、CoCrPtTa磁性層25nm、カーボン保護膜10nmと順次形成した。
　
　上記記載事項によれば、引用例には、次の発明（以下、「引用例発明」という。）が記載されている。
　「ガラス基板上に、第一の下地層、第二の下地層、磁性層、カーボン保護膜を順次形成した磁気記録媒体において、第一の下地層にＣｏＣｒＷ合金を使用した磁気記録媒体。」
　
３．対比
　引用例発明における「ガラス基板」「第二の下地層」「磁性層」「カーボン保護膜」は、それぞれ、本願補正発明の「ディスク状のガラス基板」「非磁性下地層」「磁性層」「保護膜」に相当する。
　次に、引用例発明の「第一の下地層」と本願補正発明の「配向調整層」との関係について検討する。
　引用例発明において、第一の下地層は、Ｃｏを含有する非晶質或いは微結晶材料であることにより、その上に形成される第二の下地層の結晶粒が微細化されて磁性層の磁化容易軸の面内配向成分が強くなるのであるから（上記２．イ、ウ参照）、引用例発明の「第一の下地層」は、配向調整作用を有しており、本願補正発明の「配向調整層」に相当する。
　また、ガラス基板上に第一の下地層、第二の下地層、磁性層、カーボン保護膜を順次形成しているから、第一の下地層がガラス基板と接していることは明らかである。
　そして、第一の下地層は、ＣｏＣｒＷ合金を使用しているから、Ｃｏ−Ｗ系合金を含むものである。
　
　したがって、本願補正発明と、引用例発明とを対比すると、両者の一致点、相違点は次のとおりである。
　
　［一致点］
　「ディスク状のガラス基板上に、配向調整層、非磁性下地層、磁性層及び保護膜をこの順で有する磁気記録媒体において、前記配向調整層がＣｏ−Ｗ系合金を含む磁気記録媒体。」である点。
　
　［相違点］
　［相違点１］
　ガラス基板が、本願補正発明では「表面に円周方向に沿う条痕を有し、前記条痕の線密度が７５００（本／ｍｍ）以上２０００００（本／ｍｍ）以下」であるのに対し、引用例発明では、条痕が設けられていない点。
　［相違点２］
　本願補正発明では、磁性層の磁気的異方性指数（円周方向の保磁力／半径方向の保磁力）が１．０５以上であるのに対し、引用例発明では磁性層の磁気的異方性について特定されていない点。
　
４．相違点について
　(1) 相違点１について
　磁気記録媒体において、ガラス基板の表面に条痕（テクスチャー）を設けることにより磁性層に磁気的異方性を与えることは周知である。（特開2001-101656号公報、特開2001-209927号公報、特開2001-357513号公報、特開2001-331934号公報、特開2002-163817号公報等参照。特に、特開2001-101656号公報の段落[0012]には「テクスチャーライン方向への磁化をより大きくするためには、上記のように定義されたテクスチャーラインの密度が10本／μｍ（10000本／ｍｍ）以上、特に20本／μｍ（20000本／μｍ）以上が望ましいと、特開2002-163817号公報の段落[0061]には、条痕の線密度を7500（本／ｍｍ）以上とすることが記載されている。）
　そうすると、引用例発明におけるガラス基板の表面に円周方向に沿う条痕を設けることは、周知技術に基づいて当業者が容易に想到しうることであり、その線密度を７５００（本／ｍｍ）以上２０００００本／ｍｍ）以下とすることは単なる設計事項にすぎない。
　
　(2) 相違点２について
　本願明細書の表１及び表２を参照すると、磁気的異方性指数（円周方向の保磁力／半径方向の保磁力）（ＯＲ）の値は、テクスチャー条痕が形成されていない比較例ではいずれも１．００であるのに対し、テクスチャー加工がされたものでは、実施例及び参考例のいずれも１．０５以上であり、比較例34でも１．０４であるから、本願補正発明において磁性層の磁気的異方性指数の値が１．０５以上となるのは、ガラス基板の表面にテクスチャー条痕が形成されたことによる効果であるということができる。
　また、ＯＲの値を１．０５以上とすることについて、臨界的意義があるということはできない。
　上記(1)で述べたとおり、ガラス基板の表面に条痕（テクスチャー）を設けることにより磁性層に磁気的異方性を与えることは周知であるから、磁性層の磁気的異方性指数の値を１．０５以上と特定することは当業者が適宜なしうることである。
　
　そして、上記各相違点について総合的に検討しても、本願補正発明の奏する効果は、当業者が予測しうる程度のものである。
　
　したがって、本願補正発明は、その出願前に頒布された刊行物である引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、出願の際独立して特許を受けることができない。
　
　なお、請求人は、平成２１年３月３日付の回答書において、次のとおり主張している。
　「引用文献３，４に記載の発明は、磁性粒子のｃ軸を面内配向させることを意図しています（引用文献３の段落０００３、０００９の記載、引用文献４の段落０００４〜０００７の記載。）。確かにこれらの文献には、磁性粒子のｃ軸を面内でどのように分布させることを意図しているかについて明確な記載はありません。しかしながら、これらの文献では基板にテクスチャー加工を施していないことを鑑みれば、ｃ軸を面内で等方的に配向させること、すなわち本願発明の比較例１〜３３に示した、ＯＲ＝ＭｒｔＯＲ＝１．００の配向を意図していることは明らかです。以上のことから、これらの文献がｃ軸を面内で円周方向に配向させることを意図する本願発明と相反することは明らかです。」
　
　しかしながら、引用文献３（特開平10-74314号公報）、４（特開2002-222518号公報）のいずれにも、
ｃ軸を面内で等方的に配向させること
　一方、相違点１について上記したとおり、引用例発明におけるガラス基板の表面に円周方向に沿う条痕を設けることは、周知技術に基づいて当業者が容易に想到しうることである。
　更に、特開2001-6144号公報（原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１）の段落[0051]には、「実施例１の場合よりも保磁力が低くなる傾向が認められた。これは、非晶質Ni-P膜で被覆したAl合金ないしはガラスを基板とするディスクではディスクの周方向にテクスチャー加工が施され、周方向に測定したレマネンス保磁力Hrが大きくなるためと考えられる。本実施例では、テクスチャー加工を行っていない。」と記載されているように、ディスクの周方向にテクスチャー加工が施されることにより、周方向の磁気的異方性が与えられることは、当業者が容易に推考しうることである。
　したがって、請求人の上記主張を採用することはできない。
　
　また、請求人は、上記回答書において補正案を示し、補正の機会を求めているが、補正できる時期ではなく、また、補正の機会を与えるべき理由もないから、補正の機会を与えるには及ばない。
　
５．補正却下についてのむすび
　以上のとおりであるから、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる同法改正前の特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３ 本願発明について
　平成１８年１０月１８日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、同項記載の発明を「本願発明」という。）は、平成１８年５月８日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
　
「【請求項１】表面に円周方向に沿う条痕を有する、ディスク状のガラス基板上に、配向調整層、非磁性下地層、磁性層及び保護膜をこの順で有する磁気記録媒体において、前記条痕の線密度が７５００（本／ｍｍ）以上２０００００（本／ｍｍ）以下であり、前記磁性層の磁気的異方性指数（円周方向の保持力／半径方向の保持力）が１．０５以上であって、前記配向調整層がＣｏ−Ｗ系合金を含むことを特徴とする磁気記録媒体。」
　（なお、「保持力」は「保磁力」の誤記であることは明らかである。）
　
１．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例、および、その記載事項は、前記「第２ ２．」に記載したとおりである。
　
２．対比・判断
　本願発明は、前記「第２」で検討した本願補正発明から「配向調整層」について「ガラス基板と接し」との構成を省いたものである。
　そうすると、本願発明を特定するために必要な事項を全て含み、さらに他の特定事項を付加したものに相当する本願補正発明が、前記「第２ ４．」に記載したとおり、引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
３．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶されるべきである。
　よって、結論のとおり審決する。