【事件の表示】
　平成１０年特許願第１７０６２９号「シリコン単結晶ウエーハおよびシリコン単結晶ウエーハの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年１２月２１日出願公開、特開平１１−３４９３９３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１０年６月３日の出願であって、平成１６年４月３０日付けで拒絶理由の通知がなされ、平成１６年７月５日に意見書が提出されたが、平成１６年１２月１３日付けで拒絶査定がなされ、平成１７年１月１９日に拒絶査定不服の審判請求がなされるとともに明細書の記載に係る手続補正書が提出され、平成２０年１０月２３日付けで特許法第１６４条第３項に基づく報告を引用した審尋がなされ、平成２０年１２月１１日に回答書が提出されたものである。
　
２．平成１７年１月１９日付けの明細書の記載に係る手続補正についての補正却下の決定
（１）補正却下の決定の結論
　平成１７年１月１９日付けの明細書の記載に係る手続補正を却下する。
（２）理由
　平成１７年１月１９日付けの明細書の記載に係る手続補正（以下、「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１の「シリコン単結晶ウエーハのGrown-in欠陥」を「シリコン単結晶ウエーハの結晶成長中に導入されたGrown-in欠陥」とする補正を含むものであり、この補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に規定される事項を目的とするものであることは明らかである。
　そこで、本件補正によって補正された請求項１に記載されている事項により特定される発明（以下、「補正後の発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかどうかを以下に検討する。
（２−１）補正後の発明
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下、「補正発明」という。）は、以下のとおりのものである。
「【請求項１】　チョクラルスキー法により窒素をドープされたシリコン単結晶棒をウエーハに加工して得られたシリコン単結晶ウエーハであって、該シリコン単結晶ウエーハの結晶成長中に導入されたGrown-in欠陥のサイズが７０nm以下であることを特徴とするシリコン単結晶ウエーハ。」
（２−２）引用刊行物記載の発明
（２−２−１）引用刊行物１
　本願出願前に頒布された刊行物である特開平１０−０９８０４７号公報（原査定の拒絶理由で引用された引用文献１であり、以下「引用刊行物１」という。）には、「いわゆる「ａｓ−ｇｒｏｗｎ」欠陥が低密度であるシリコン半導体ウエハの製造方法」（段落【０００１】）に関して、次の事項が記載されている。
（ア）「単結晶は、通常チョコラルスキー法（ＣＺ法）又はフロートゾーン法（ＦＺ法）を用いて製造されている。・・・ＣＺ結晶もＦＺ結晶も、完全結晶格子を有していない。格子は、「ａｓ−ｇｒｏｗｎ」欠陥と称される規則的障害を含んでいる。用語「欠陥」は、以下、もっぱら成長したままでの欠陥を意味するのに使用する。」（段落【０００２】〜【０００３】）
（イ）「【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、特に表面近傍の領域において低欠陥密度を有する酸素ドーピング濃度が少なくとも４×１０17／ｃｍ3 であるシリコンウエハを得ることができる、シリコンウエハの最適化された製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】上記目的は、本発明による、
（１）低欠陥密度を有するシリコンウエハの製造方法であって、
ａ）酸素ドーピング濃度が少なくとも４×１０17／ｃｍ3 であるシリコン単結晶を融解物質を凝固し冷却することにより製造するが、その際、８５０℃〜１１００℃の温度範囲での冷却中の単結晶の保持時間が８０分未満であり；
ｂ）単結晶を加工してシリコンウエハを形成し；そして
ｃ）シリコンウエハを少なくとも１０００℃の温度で少なくとも１時間のアニーリング時間でアニーリングすること、を特徴とする製造方法・・・により達成される。
【発明の実施の形態】本発明者等は、上記製造方法の工程ａ）が、単結晶の欠陥密度を、規定の温度範囲においてもっとゆっくりと冷却させた比較結晶で見られる欠陥密度と比較してかなり増加させる効果を有することを見出した。・・・低欠陥シリコンウエハを得る目的では、・・・単結晶における欠陥密度の重要性が欠陥サイズ分布における小欠陥の割合が増加するにつれて減少することを意味する。製造方法の工程ａ）により、確実に小欠陥の割合はできるかぎり大きくなり、大欠陥の割合はできるかぎり小さくなる。小欠陥は、製造方法の工程ｃ）中に実質的に除去されるので、アニーリングしたシリコンウエハは低い欠陥密度しか有していない。
　さらに、本発明者等は、窒素による単結晶のドーピングも、欠陥サイズ分布に影響を及ぼすことを見出した。窒素によりドーピングされ、窒素ドーピング濃度が少なくとも１×１０14／ｃｍ3 である単結晶については、欠陥サイズ分布は、窒素によりドーピングされなかった比較結晶の欠陥サイズ分布に対して同様に小欠陥に有利にシフトする。」（段落【０００６】〜【０００９】）
（ウ）「【実施例】以下、本発明を、実施例により説明する。
　実施例１）
直径２００ｍｍの種々の単結晶を、ＣＺ法により製造し、加工して、カテゴリーＣＺ１〜ＣＺ３のシリコンウエハを形成した。全ての単結晶において、酸素濃度は、５×１０17／ｃｍ3 よりも上であった。カテゴリーＣＺ１のシリコンウエハの場合には、成長している単結晶を積極的に冷却し、冷却している結晶の８５０℃〜１１００℃の範囲の温度における保持時間は、８０分未満であった。カテゴリーＣＺ２及びＣＺ３の比較ウエハの場合には、単結晶の引上げ中の強制冷却を省略し、前記温度インターバルの保持時間は８０分間を超えていた。・・・表面検査機器を使用してＣＯＰを評価したところ、０．１２μｍより大きい欠陥を検出できた。次に、３つのカテゴリー全てのシリコンウエハを、温度１２００℃、アニーリング時間２時間でアルゴン雰囲気中でアニーリングし、・・・欠陥を検査した。・・・図３は、アニーリング前のシリコンウエハについての欠陥サイズ分布を示す。カテゴリーＣＺ２及びＣＺ３のシリコンウエハについての欠陥サイズは、測定範囲にわたってほとんど均一に分布しているけれども、小欠陥の割合はカテゴリーＣＺ１のシリコンウエハについては著しく大きく、大欠陥の割合は著しく小さい。」（段落【００１８】）
（エ）「実施例２）
直径２００ｍｍの２つの異なる単結晶を、ＣＺ法により製造し、加工して、シリコンウエハを形成した。２つの単結晶のうちの一つだけを窒素によりドーピングし、その窒素濃度は３×１０14／ｃｍ3 であった。両方の単結晶とも、酸素濃度は、９×１０17／ｃｍ3 であった。シリコンウエハについての欠陥サイズ分布の解析したところ（その結果を、図４に示す）、窒素ドーピングにより欠陥サイズ分布がより小さい欠陥のほうにシフトしたことが分かった。」（段落【００１９】）
（オ）「以下、本発明の好ましい実施形態を列挙する。
（１）低欠陥密度を有するシリコンウエハの製造方法であって、
　ａ）酸素ドーピング濃度が少なくとも４×１０17／ｃｍ3 であるシリコン単結晶を融解物質を凝固し冷却することにより製造するが、その際、８５０℃〜１１００℃の温度範囲での冷却中の単結晶の保持時間が８０分未満であり；
　ｂ）単結晶を加工してシリコンウエハを形成し；そして
　ｃ）シリコンウエハを少なくとも１０００℃の温度で少なくとも１時間アニーリングすること、を特徴とする製造方法。
（２）前記単結晶が、工程ａ）中に窒素によりドーピングされ、窒素ドーピング濃度が少なくとも１×１０14／ｃｍ3 である、前記（１）記載の製造方法。」（段落【００２１】）
（２−２−２）引用刊行物２
　本願出願前に頒布された刊行物である、「Kozo NAKAMURA et al., Control of Grown-in Defect Formation Process in Czochralski Silicon Crystals, PROCEEDINGS OF THE KAZUSA AKADEMIA PARK FORUM ON THE SCIENCE AND TECHNOLOGY OF SILICON MATERIALS」１９９７年１１月１２〜１４日、第１９７頁ないし第２１０頁（原査定の拒絶理由で引用された引用文献３であり、以下「引用刊行物２」という。）には、「Control of Grown-in Defect Formation Process in Czochralski Silicon Crystals（仮訳：チョクラルスキーシリコン結晶中のgrown-in欠陥形成プロセスの制御）」と題して、次の事項が記載されている。
（カ）「Abstract
　In order to develop the control method of grown-in defects in CZ (Czochralski) silicon crystals, we have investigated how the growth parameter controls the formation of grown-in defects during the growth process. For this purpose, we have prepared: 1) three crystals grown with a temporally pulling halt and 2) 17 crystals rapidly cooled after separation from the melt and 3) 22 conventional crystals grown under different growth conditions. The relationship between the LSTDs (Laser Scattering Tomography Defect) density and the cooling rate at each temperature range of these crystals have been investigated .・・・The results can be summarized as follows.
1) The defect density increases with an increase in the cooling rates at the defect formation temperature of 1120℃ during the pulling process, and then the defect size decreases.」（第１９７頁Abstract欄。参考仮訳「要約　CZ(Czochralski)シリコン結晶中のgrown-in欠陥の制御方法を開発するために、我々は、成長パラメータがどのようにして成長過程でのgrown-in欠陥の形成を制御するか研究した。この目的のために、次のものを準備した:　1)一時的に引き上げを停止した３個の結晶、2)融液からの分離後に急冷した１７個の結晶、3)異なる成長条件下で成長させた２２個の従来の結晶。これらの結晶の各温度域におけるＬＳＴＤ(レーザー光散乱トモグラフィー欠陥)密度と冷却速度との関係を調べた。・・・結果は以下のように要約することができる。1) 引き上げプロセス中、１１２０℃の欠陥形成温度での冷却速度の増加に伴い、欠陥密度は増加し、欠陥サイズは減少する。」）
（キ）「1. Introduction
・・・the investigation about the precursors of grown-in defects and the technology for the defect control have been extensively carried out for last several years. As a result, following informations has been learned.
　1) LSTDs, FPDs, and COPs are of the same origin. 2) LSTDs were the voids of octahedral shape which were covered by a oxide layer a few nm in thickness on the inner-surface, and those sizes were 50-150nm. 3) The grown-in defect density strongly depends on the cooling rate near 1100℃ during the growth process.」（第１９７頁下から第２１〜１１行。参考仮訳「１．緒言・・・grown-in欠陥の前駆体と欠陥制御技術の研究は、ここ数年、広く行われてきている。その結果、次の情報が得られている。1)ＬＳＴＤ、ＦＰＤ及びＣＯＰの起源は同じである。2)ＬＳＴＤは、内表面上が数ｎｍ厚の酸素層で覆われた八面体形状のボイドであり、そのサイズは５０〜１５０ｎｍであった。3)grown-in欠陥密度は、成長プロセスにおける１１００℃近傍の冷却速度に強く依存する。」）
（ク）「2-3. Rapid cooling test
　In order to investigate the formation temperature of LSTDs and the dependence of LSTDs density on the cooling rate, a series of rapid cooling test of crystals 100 and 150 mm in diameter have been carried out.・・・The cooling rates of each crystal were changed by the lift-up pattern in the range of 2.0 to 70 ℃/min.」（第１９８頁第１８〜２５行。参考仮訳「２−３．急冷試験　ＬＳＴＤの形成温度とＬＳＴＤ密度の冷却速度依存性を調査するために、直径１００ｍｍ及び１５０ｍｍの結晶で一連の急冷試験を行った。・・・各結晶の冷却速度は、引き上げパターンによって２．０〜７０℃／分の範囲で変えられた。」）
（ケ）3-3. The dependence of defect density and size on the cooling rate
　Summarizing the results of the conventional growth test and the temporary halt and rapid cooling test, the relationship between the cooling rate at 1120℃ and the density and average scattering intensity of LSTDs are shown Fig.6. The scattering intensity which is proportional to the square of the defect volume decreases with an increase in the cooling rate at 1120℃. The density of LSTDs increases with an increase in the cooling rate up to 40℃/min, then decreases at cooling rates higher than that.
・・・
　From Fig.7, it is found that the area density of gate oxide defect further increases at the cooling rate higher than 40℃/min at which LSTDs density is decreased. This fact suggests that the decrease of defect density at the cooling rate higher than 40℃/min does not mean the suppression of defect formation and that the size of a majority of the defects becomes smaller than the size of the detection limit as LSTD.
・・・
　From the above mentioned results, it is shown that the grown-in defect density and size in silicon crystals is mainly controlled by the cooling rate at 1120℃.」（第２０２頁第１行〜第２０３頁第２９行。参考仮訳「３−３．　欠陥密度とサイズの冷却速度依存性　　従来の成長試験と一時的な停止と急冷試験の結果を要約し、１１２０℃における冷却速度と密度とＬＳＴＤの平均散乱強度との関係を図６に示す。欠陥体積の二乗に比例する散乱強度は、１１２０℃における冷却速度の上昇に伴い減少する。ＬＳＴＤの密度は、４０℃／分までは冷却速度の上昇に伴い増加し、それ以上の冷却速度では減少する。・・・図７より、ＬＳＴＤの密度が減少する冷却速度が４０℃／分以上では、ゲート酸素欠陥の面密度はさらに増加することがわかる。この事実は、冷却速度が４０℃／分以上であるときの欠陥密度の減少が欠陥形成の抑制を意味するのではなく、大部分の欠陥のサイズがＬＳＴＤとしての検出限界サイズより小さくなったことを示唆している。・・・上記で述べた結果より、シリコン結晶中のgrown-in欠陥の密度とサイズは、主として１１２０℃における冷却速度で制御されることが示される。」）
（２−２−３）引用刊行物３
　本願出願前に頒布された刊行物である特開平０７−０４１３９１号公報（原査定の拒絶理由で引用された引用文献４であり、以下「引用刊行物３」という。）には、次の事項が記載されている。
（サ）「【請求項７】　チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を製造する過程において、結晶製造炉内で１２００℃〜８００℃の温度領域を３００分以下の滞在時間で通過させ、８００℃〜５００℃の温度領域を２００分以上滞在させることを特徴とする、シリコン単結晶の製造方法。」（【請求項７】）
（シ）「【作用】ＣＺ法によるシリコン単結晶育成過程において、融点から１２００℃までの高温域では、直径が約２００〜８００オングストロームの微小結晶欠陥が高密度（１０9 個／ｃｍ3 程度）に発生する。１２００℃〜８００℃の温度域では、この微小結晶欠陥のうち比較的大きいものが成長し小さいものが分解して、結果的に直径が１０００オングストローム以上の微小結晶欠陥が低密度（１０7 個／ｃｍ3 程度）に残存する。８００℃〜５００℃の温度域では、直径が約３００オングストロームの微小結晶欠陥が高密度（１０9 個／ｃｍ3 程度）に新たに等しい大きさで形成される一方、１０００オングストローム以上の微小結晶欠陥が直径約３００オングストロームになるまで溶解する。５００℃以下の温度域では、サーマルドナーと呼ばれる異種の欠陥が発生する。従って、５００℃〜８００℃の低温域で熱処理する事により、約３００オングストロームの小さいサイズの微小結晶欠陥を高密度に均一に形成することができる。」（段落【０００９】）
（ス）「この一連の熱処理の効果は、シリコン単結晶がウェーハである場合に最も大きいが、インゴットあるいはブロックであっても充分な効果を持つ。
　ＣＺ法によりシリコン単結晶を製造する過程において、結晶製造装置内で８００℃〜５００℃の温度域を２００分以上滞在させることによっても同等の効果が得られる。この場合１２００℃〜８００℃の温度域を３００分以下の滞在時間で通過させると微小結晶欠陥の成長が抑制されてより効果が高くなる。」（段落【００１４】〜【００１５】）
（２−３）対比
　引用刊行物１の記載事項（２−２−１）（ア）〜（オ）について検討すると、上記（ウ）及び（エ）の「直径２００ｍｍの種々の単結晶を、ＣＺ法により製造し、加工して・・・シリコンウエハを形成した」との記載から、ウエハに加工する前のシリコン単結晶が棒状の「単結晶棒」であることは明らかである。また、上記（イ）に記載されている「製造方法の工程ａ）」及び「製造方法の工程ｃ）」は、「製造方法の工程ａ）が・・・規定の温度範囲においてもっとゆっくりと冷却させた比較結晶・・・と比較して・・・効果を有する」との記載及び文脈からして、同じく（イ）に記載の「ａ）酸素ドーピング濃度が少なくとも４×１０17／ｃｍ3 であるシリコン単結晶を融解物質を凝固し冷却することにより製造するが、その際、８５０℃〜１１００℃の温度範囲での冷却中の単結晶の保持時間が８０分未満であり」及び「ｃ）シリコンウエハを少なくとも１０００℃の温度で少なくとも１時間アニーリングすること」をそれぞれ指していることは明らかである。さらに、上記（エ）の記載によれば、ＣＺ法によるシリコン単結晶製造時に窒素をドーピングすることにより、加工して形成されたシリコンウエハ中の欠陥サイズ分布を解析したところ、欠陥サイズ分布がより小さい欠陥のほうにシフトした旨の開示があり、当該欠陥サイズ分布の解析前に製造方法の工程ｃ）であるアニーリングをした旨の記載はない。なお、上記（ア）の「用語「欠陥」は、以下、もっぱら成長したままでの欠陥を意味するのに使用する。」との記載によれば、引用刊行物１における「欠陥」とは、「ａｓ−ｇｒｏｗｎ」欠陥を意味しているものと解される。
　そうすると、上記（ア）〜（オ）の記載事項を補正発明の記載ぶりに則して記載すると、引用刊行物１には、
「チョコラルスキー法により窒素をドーピングされたシリコン単結晶棒をウエハに加工して得られたシリコン単結晶ウエハであって、該シリコン単結晶ウエハのａｓ−ｇｒｏｗｎ欠陥のサイズ分布が小さい欠陥のほうにシフトしたシリコン単結晶ウエハ。」
の発明（以下、「引用発明１−１」という。）が記載されているといえる。
　そこで、補正発明と引用発明１−１とを対比する。
　ここで、「Grown-in欠陥」とは、熱処理をしないAs-grown結晶中に観察できるＣＯＰ、ＬＳＴＤ、ＦＰＤのような巨視的欠陥や微小欠陥を指し、酸素等の不純物原子・点欠陥（空孔、自己格子間原子）などが引上炉内で結晶中に凝集することにより形成された欠陥であることが技術常識である（要すれば、ＵＣＳ半導体基盤技術研究会編「シリコンの科学」（株式会社リアライズ社）、１９９６年６月２８日、p.153参照）し、引用発明１−１の「ａｓ−ｇｒｏｗｎ欠陥」とは、（２−２−１）（ア）の記載によれば、「成長したままでの欠陥」すなわち熱処理等の後処理をしない状態での欠陥と解されるから、引用発明１−１の「ａｓ−ｇｒｏｗｎ欠陥」は補正発明の「Grown-in欠陥」に相当する。
　また、引用発明１−１における「欠陥のサイズ分布が小さい欠陥のほうにシフトした」とは、上記（２−２−１）（イ）及び（エ）の記載によれば、窒素をドーピングすることにより、窒素をドーピングしないものに比して、単結晶中のサイズの小さい欠陥の割合が増加し、サイズの大きい欠陥の割合が減少したことを意味するから、引用発明１−１は、窒素がドーピングされたシリコン単結晶ウエハ中の欠陥のサイズが小さい点において、補正発明と共通する。
　さらに、引用発明１−１の「チョコラルスキー法」、「ドーピング」及び「ウエハ」が、それぞれ補正発明の「チョクラルスキー法」、「ドープ」及び「ウエーハ」に相当することは明らかである。
　そうすると、両発明は、
「チョクラルスキー法により窒素をドープされたシリコン単結晶棒をウエーハに加工して得られたシリコン単結晶ウエーハであって、該シリコン単結晶ウエーハのGrown-in欠陥のサイズが小さいシリコン単結晶ウエーハ。」
である点で一致し、
（ａ）Grown-in欠陥について、補正発明が「結晶成長中に導入された」ものであるのに対して、引用発明１−１ではかかることが特定されていない点（以下、「相違点ａ」という。）、
（ｂ）Grown-in欠陥のサイズについて、補正発明が「７０ｎｍ以下である」としてサイズの上限値が特定されているのに対して、引用発明１−１ではかかる上限値が特定されていない点（以下、「相違点ｂ」という。）、
で相違する。
（２−４）検討
　上記相違点ａ及びｂについて検討する。
（ａ）相違点ａついて
　補正発明における「結晶成長中に導入されたGrown-in欠陥」について、本願明細書中には「本発明は、・・・制御して結晶成長を行うことにより結晶内部に存在するグローンイン（Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ）欠陥と呼ばれる結晶欠陥のサイズを最小限にしたシリコン単結晶ウエーハ・・・」（段落【０００１】）や「・・・ＣＺ法により育成されたシリコン単結晶中には、上記Grown-in欠陥と呼ばれる、結晶成長中に導入された結晶欠陥がさまざまな測定法で見いだされる・・・」（段落【０００３】）とあるのみで、必ずしも明確な定義はなされていないものの、上記（２−３）に記載したGrown-in欠陥に関する技術常識及び審判請求書の記載（平成１７年１月１９日提出の審判請求書の【本願発明が特許されるべき理由】「３．本願発明と引用発明との対比」（２）１））の記載からみても、補正発明における「結晶成長中に導入されたGrown-in欠陥」とは、「アニール」がなされていない時のGrown-in欠陥を意味するものと解される。
　ところで、引用発明１−１においても、上記（２−２−１）（イ）に「製造方法の工程ａ）により、確実に小欠陥の割合はできるかぎり大きくなり、大欠陥の割合はできるかぎり小さくなる。小欠陥は、製造方法の工程ｃ）中に実質的に除去されるので、アニーリングしたシリコンウエハは低い欠陥密度しか有していない。・・・窒素による単結晶ドーピングも、欠陥サイズ分布に影響を及ぼすことを見出した。・・・窒素によりドーピングされなかった比較結晶の欠陥サイズ分布に対して同様に小欠陥に有利にシフトする。」と記載されているように、単結晶中に窒素をドーピングすることにより、工程ｃ）であるアニーリングがなされていない時に「シリコン単結晶ウエハのａｓ−ｇｒｏｗｎ欠陥のサイズ分布が小さい欠陥のほうにシフト」するから、当該サイズ分布が小さい欠陥のほうにシフトしているａｓ−ｇｒｏｗｎ欠陥が熱処理前、すなわち結晶成長中に導入されたものを意味していることは明らかである。
　そうすると、相違点（ａ）は単なる表現上の差異にすぎず、実質的相違点とは認められない。
（ｂ）相違点ｂについて
（ｂ−１）引用刊行物１及び２に基づく判断
　補正発明におけるGrown-in欠陥のサイズの測定手段について、本願明細書中では、実施例に「ウエーハ中のGrown-in欠陥のサイズをＬＳＴ（Laser Scattering Tomography）にて測定し比較した。」（段落【００３４】）と記載されているから、技術常識に照らせば、当該サイズはＬＳＴ欠陥、すなわちＬＳＴＤのサイズを測定して特定していると解される。また、「Grown-in欠陥のサイズが７０ｎｍ以下であること」は、上記実施例における結果が「窒素ドープされたウエーハはGrown-in欠陥のサイズが約６０ｎｍと半分に抑制されていることがわかる（図１）」（段落【００３４】）との記載及び図１に基づくものであり、窒素ドープをして冷却速度を大きくすれば「Grown-in欠陥のサイズが７０ｎｍ以下」が実現されるのであって、上限値が「７０ｎｍ」であることに格別臨界的な意義は見いだせない。
　一方、引用発明１−１には、ＬＳＴＤのサイズの上限値は特定されていないものの、（２−２−１）（ウ）ではＣＺ１ウエハの小欠陥の割合が著しく大きく、（エ）では窒素ドーピングにより欠陥サイズ分布がより小さい欠陥のほうにシフトしたことから、引用刊行物１には、「８５０℃〜１１００℃の温度範囲での冷却中の単結晶の保持時間が８０分未満」である工程ａ）を施す場合と、窒素ドーピングする場合とでは、いずれも単結晶中の欠陥サイズ分布を同様に小さい欠陥のほうにシフトすることが開示されているといえる。また、（オ）には、発明の好ましい実施形態として、上記工程ａ）中に窒素をドーピングすることが記載されているから、（イ）の「低欠陥シリコンウエハを得る目的では、・・・単結晶における欠陥密度の重要性が欠陥サイズ分布における小欠陥の割合が増加するにつれて減少することを意味する」との記載とあわせると、引用発明１−１においては、工程ａ）中に窒素をドーピングし、より小さい欠陥の割合が多くなるように製造することが好ましい態様であるといえる。
　ここで、上記引用刊行物２の（２−２−２）（キ）の記載によれば、シリコン結晶中のgrown-in欠陥の密度は成長プロセス中の１１００℃近傍の冷却速度に強く依存すること及びＬＳＴＤのサイズが５０〜１５０ｎｍであることがすでに知られており、（カ）、（ク）及び（ケ）に記載されている、結晶の冷却速度を２．０〜７０℃／分の範囲で変化させた実験結果では、欠陥形成温度である１１２０℃での冷却速度を大きくすることにより、欠陥体積の二乗に比例する散乱強度が減少し、このことは欠陥サイズがＬＳＴＤの検出限界以下の範囲を含むまで減少することを意味する旨の開示がある。また、（キ）に記載されているように、ＬＳＴＤのサイズが５０〜１５０ｎｍであることがすでに検出されて知られていることを勘案すると、ここでいうＬＳＴＤの検出限界以下のサイズとは、少なくとも５０ｎｍより小さい値であるといえるから、（キ）の「grown-in欠陥密度は、成長プロセスにおける１１００℃近傍の冷却速度に強く依存する」との記載とあわせると、引用刊行物２には、引き上げプロセス中の１１００〜１１２０℃近傍における冷却速度でシリコン結晶中のgrown-in欠陥の密度とサイズが制御でき、冷却速度を２．０〜７０℃／分の範囲で大きくすることによって、すでに５０〜１５０ｎｍのサイズであることが知られているＬＳＴＤの大部分のサイズを５０ｎｍより小さくすることができることが開示されているといえる。
　してみれば、窒素ドーピングによって、単結晶中の欠陥サイズ分布が小さい欠陥のほうにシフトしている引用発明１−１において、引用刊行物２に接した当業者は、工程ａ）中にて１１００〜１１２０℃近傍の冷却速度を大きくして、ＬＳＴにて測定されるＬＳＴＤのサイズをさらに小さくする程度のことは当業者が容易に想到し得たことであるし、冷却速度を２．０〜７０℃／分の範囲で変化させた結果、ＬＳＴＤのサイズが７０ｎｍ以下であるシリコン単結晶ウェハを得る程度のことも、困難なく成し得たことと認められる。
（ｂ−２）引用刊行物１及び３に基づく判断
　引用刊行物３の（２−２−３）（サ）〜（ス）の記載によれば、シリコン単結晶を製造する過程において、結晶製造装置内で１２００℃〜８００℃の温度域を３００分以下の滞在時間で通過させ、結晶製造装置内で８００℃〜５００℃の温度域を２００分以上滞在させると、直径約３００オングストローム（ｎｍ単位に換算すると「３０ｎｍ」）の微小結晶欠陥を高密度に均一に形成することができるとの開示がなされているといえる。なお、この結晶製造装置内での特定温度域での滞在は、技術常識からしてアニール熱処理でないことは明らかであるから、上記結晶製造装置内で滞在させた結晶中の欠陥も、補正発明における「結晶成長中に導入されたGrown-in欠陥」に相当することは明らかである。
　してみれば、窒素ドーピングによって、単結晶中の欠陥サイズ分布が小さい欠陥のほうにシフトしている引用発明１−１において、引用刊行物３に接した当業者は、結晶製造装置内で１２００℃〜８００℃の温度域を３００分以下の滞在時間で通過させ、８００℃〜５００℃の温度域を２００分以上滞在させることにより、結晶欠陥サイズの上限値を約３０ｎｍ、すなわち７０ｎｍ以下とする程度のことは、容易に成し得たことである。
　そして、本願明細書及び図面を参照しても、補正発明が引用刊行物１〜３に記載されている発明に比して、格別顕著な効果を奏しているものとも認められない。
　以上のとおり、補正発明は、引用刊行物１及び２に記載された発明、又は引用刊行物１及び３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができるものとは認められない。
（２−５）補正却下の決定のむすび
　したがって、平成１７年１月１９日付け手続補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項の規定において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
　平成１７年１月１９日付けの明細書の記載に係る手続補正は、上記のとおり、補正却下の決定がなされた。
　したがって、本願の特許請求の範囲に記載された発明は、願書に最初に添付した明細書の特許請求の範囲の請求項１〜８に記載されたとおりのものであって、そのうち請求項１、２及び６に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１、２及び６」という。）は次の事項により特定されるものである。
「【請求項１】　チョクラルスキー法により窒素をドープされたシリコン単結晶棒をウエーハに加工して得られたシリコン単結晶ウエーハであって、該シリコン単結晶ウエーハのGrown-in欠陥のサイズが７０nm以下であることを特徴とするシリコン単結晶ウエーハ。
　【請求項２】　チョクラルスキー法により窒素をドープされたシリコン単結晶棒をウエーハに加工して得られたシリコン単結晶ウエーハであって、該単結晶棒が１１５０〜１０８０℃における冷却速度を２．３℃／min 以上に制御されて育成された単結晶棒であることを特徴とするシリコン単結晶ウエーハ。
　【請求項６】　シリコン単結晶ウエーハの製造方法において、チョクラルスキー法によって窒素をドープしたシリコン単結晶棒を、該単結晶棒の１１５０〜１０８０℃における冷却速度を２．３℃／min 以上に制御しつつ育成した後、該単結晶棒をウエーハに加工してシリコン単結晶ウエーハを製造することを特徴とするシリコン単結晶ウエーハの製造方法。」
　
４．原査定の拒絶理由
　これに対して、原査定の拒絶理由は、本願請求項１〜８に係る発明は、いずれも引用文献１（特開平１０−０９８０４７号公報）、引用文献２（D. GRAEF et al., Characterization of Crystal Quality by Crystal Originated Particle Delineation and the Impact on the Silicon Wafer Surface, Journal of the Electrochemical Society、１９９８年１月、Ｖｏｌ．１４５、Ｎｏ．１、第２７５頁ないし２８４頁）、引用文献３（Kozo NAKAMURA et al., Control of Grown-in Defect Formation Process in Czochralski Silicon Crystals, PROCEEDINGS OF THE KAZUSA AKADEMIA PARK FORUM ON THE SCIENCE AND TECHNOLOGY OF SILICON MATERIALS、１９９７年１１月１２日、第１９７頁ないし第２１０頁）、引用文献４（特開平０７−０４１３９１号公報）及び引用文献５（特開平０７−０４１３９９号公報）に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないとするものである。
　
５．検討
　そこで、本願発明１、２及び６について、以下に検討する。
（１）本願発明１について
　本願発明１は、実質的に上記補正発明の「結晶成長中に導入された」という特定事項（上記相違点ａ）を有さないものにすぎないから、本願発明１と引用発明１−１とを対比すると、上記２．（２−３）で補正発明と引用発明１−１とを対比したときと同じ一致点及び相違点ｂを有していることになる。
　そうすると、上記２．（２−４）での検討と同様の理由により、本願発明１は、引用刊行物１及び２に記載された発明、又は引用刊行物１及び３に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
（２）本願発明２について
　上記２．（２−２−１）（オ）の記載によれば、引用刊行物１に記載された発明の好ましい実施形態には、単結晶を冷却する工程ａ）中に窒素をドーピングするものも含む。また、上記２．（２−３）で検討したように、ウエハに加工する前のシリコン単結晶が棒状であることは明らかであるし、単結晶棒の「製造」と「育成」が同義であることは技術常識である。
　そうすると、上記２．（２−２−１）（ア）〜（オ）の記載事項を本願発明２の記載ぶりに則して記載すると、引用刊行物１には、
「チョコラルスキー法により窒素をドーピングされたシリコン単結晶棒をウエハに加工して得られたシリコン単結晶ウエハであって、該単結晶棒が８５０℃〜１１００℃の温度範囲での冷却中の単結晶の保持時間が８０分未満に制御されて育成された単結晶棒であるシリコン単結晶ウエハ。」
の発明（以下、「引用発明１−２」という。）が記載されているといえる。
　そこで、本願発明２と引用発明１−２とを上記２．（２−３）における対比にあたっての検討も勘案して対比すると、両発明は、
「チョクラルスキー法により窒素をドープされたシリコン単結晶棒をウエーハに加工して得られたシリコン単結晶ウエーハであって、該単結晶棒が冷却制御されて育成された単結晶棒であるシリコン単結晶ウエーハ。」
で一致し、
　シリコン単結晶棒の育成時の冷却制御について、本願発明２が「１１５０〜１０８０℃における冷却速度を２．３℃／min以上」に制御されたものであるのに対して、引用発明１−２では「８５０℃〜１１００℃の温度範囲での冷却中の単結晶の保持時間が８０分未満」に制御されたものである点（以下、「相違点ｃ」という。）、
で相違する。
　上記相違点ｃについて検討する。
　引用発明１−２では、シリコン単結晶ウエハのａｓ−ｇｒｏｗｎ欠陥のサイズ分布を小さい欠陥のほうにシフトさせるために、「８５０℃〜１１００℃の温度範囲での冷却中の単結晶の保持時間が８０分未満」としていることから、その冷却速度を計算すると、（１１００−８５０）℃／８０分＝３．１２５℃／分の計算結果より、８５０℃〜１１００℃における冷却速度の平均値は３．１２５℃／分より大きいものとなる。そうすると、当該冷却が一定の速度で行われるのであれば、引用発明１−２の冷却速度は、本願発明２と重複するものの、引用発明１−２においては、８５０℃〜１１００℃の範囲での保持時間が特定されているのみで、「１１５０〜１０８０℃」の範囲における冷却速度については明確にされておらず、重複しているとは直ちにいえない。
　ところで、本願発明２において冷却速度を２．３℃／min以上とする温度範囲の限定の理由について、本願明細書には、「結晶欠陥のサイズは原子空孔の凝集温度帯域の通過時間に大きく影響される。この原子空孔の凝集温度帯域は１１５０〜１０８０℃であることが知られており、単結晶を育成する際に、この温度帯域を短時間で通過させることにより結晶欠陥の大きさをより小さくすることができることが予想される。そのため、本発明では、この原子空孔の凝集温度帯域である１１５０〜１０８０℃における冷却速度を、２．３℃／min以上、・・・程度の高速に制御しつつ結晶の育成を行うこととした。」（段落【００１９】）と記載されているように、冷却速度を制御する温度範囲の上限を「１１５０℃」とし下限を「１０８０℃」とするのは、原子空孔の凝集温度帯域、すなわち欠陥が原子空孔の凝集によって形成される温度であるからであるとされている。そして、本願明細書及び図面を参照しても、当該温度範囲以外での冷却速度については何ら記載されていないから、冷却速度を制御する際の温度範囲の設定は、欠陥が原子空孔の凝集によって形成される温度を含むようにすれば足りると解することが妥当である。
　ここで、上記２．（２−２−２）（カ）〜（ケ）によれば、引用刊行物２には、チョクラルスキー法によって製造されるシリコン結晶中の成長過程でのGrown-in欠陥の形成制御に関し、欠陥形成温度である１１００〜１１２０℃近傍での冷却速度を２．０〜７０℃／分の間で変えたところ、冷却速度が大きいほど欠陥サイズが減少し、Grown-in欠陥の密度とサイズは、主として１１００〜１１２０℃における冷却速度で制御されることが示されている。
そうすると、引用刊行物２に接した当業者は、引用発明１−２において特にGrown-in欠陥のサイズを小さくするのに効果的である欠陥形成温度の１１００〜１１２０℃近傍の温度域に着目して、その温度域での冷却速度を３．１２５℃／minより大きい、すなわち「２．３℃／min以上」の値とする程度のことは容易に想到し得たことであるし、酸素等の不純物原子・点欠陥（空孔、自己格子間原子）などが引上炉内で結晶中に凝集することによりGrown-in欠陥が形成される技術常識（上記２．（２−３）参照）を勘案すれば、特に制御すべき温度範囲を、欠陥形成温度域である「１１５０〜１０８０℃」の範囲を含む範囲に設定する程度のことも、当業者が困難なく成し得たことである。
　そして、本願明細書及び図面を参照しても、本願発明２が引用刊行物１、２に記載されている発明に比して、格別顕著な効果を奏しているものとも認められない。
（３）本願発明６について
　上記「（２）本願発明２について」における引用刊行物１の記載事項の検討を踏まえて、２．（２−２−１）（ア）〜（オ）の記載事項を本願発明６の記載ぶりに則して記載すると、引用刊行物１には、
「シリコン単結晶ウェハの製造方法において、チョコラルスキー法によって窒素をドーピングしたシリコン単結晶棒を、該単結晶棒の８５０℃〜１１００℃の温度範囲での冷却中の単結晶の保持時間を８０分未満に制御しつつ育成した後、該単結晶棒をウエハに加工してシリコン単結晶ウエハを製造するシリコン単結晶ウエハの製造方法。」
の発明（以下、「引用発明１−３」という。）が記載されているといえる。
　そこで、本願発明６と引用発明１−３とを上記２．（２−３）における対比にあたっての検討も勘案して対比すると、両発明は、
「シリコン単結晶ウェーハの製造方法において、チョクラルスキー法によって窒素をドープしたシリコン単結晶棒を、該単結晶棒の冷却を制御しつつ育成した後、該単結晶棒をウエーハに加工してシリコン単結晶ウエーハを製造するシリコン単結晶ウエーハの製造方法。」
で一致し、
　シリコン単結晶棒の育成時の冷却制御について、本願発明６が「１１５０〜１０８０℃における冷却速度を２．３℃／min以上」に制御するのに対して、引用発明１−３では「８５０℃〜１１００℃の温度範囲での冷却中の単結晶の保持時間を８０分未満」に制御された方法である点（以下、「相違点ｄ」という。）、
で相違する。
　そうすると、上記相違点ｄは、上記「（２）本願発明２について」で検討した相違点ｃと同じであるから、同様の理由により、本願発明６についても、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明１は引用刊行物１及び２又は引用刊行物１及び３に記載された発明に基づいて、本願発明２及び６は引用刊行物１及び２に記載された発明に基いて、いずれも当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。