(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
核磁気共鳴を用いた拡散計測にあって、任意の拡散計測パルスシーケンスのb-factorを、パルスシーケンス実行中に傾斜磁場コイルから発生する傾斜磁場波形の時間積分を核磁気共鳴信号の位相に基づいて計測することにより求めるよう構成したことを特徴とする核磁気共鳴装置。
【請求項２】
静磁場を発生する静磁場発生手段と、傾斜磁場を発生する傾斜磁場発生手段と、高周波磁場を発生する高周波磁場発生手段と、検査対象からの核磁気共鳴信号を取得する信号検出手段と、前記検査対象からの核磁気共鳴信号を処理する信号処理手段とを備えた核磁気共鳴装置において、前記傾斜磁場発生手段のひとつの軸に直交し、かつ傾斜磁場中心を含まない任意断面からの第１のスピンエコーを発生させる手段と、任意の拡散計測パルスシーケンスにおいて用いられる傾斜磁場パルスのうち、前記軸方向成分の印加を行う手段と、前記第１のスピンエコーの位相値（φ１）から、前記任意の拡散計測パルスシーケンスにおいて用いられる傾斜磁場パルス波形の時間積分を求める手段と、前記時間積分から前記任意の拡散計測パルスシーケンスのb-factorを求める手段とを有してなることを特徴とする核磁気共鳴装置。
【請求項３】
前記任意の拡散計測パルスシーケンスにおいて用いられる傾斜磁場パルスの印加を行わずに、前記任意断面からの第２のスピンエコーを発生させる手段と、前記第２のスピンエコーの位相値（φ2）を、前記第１のスピンエコーの位相値（φ1）から差し引いた位相差の差分（Δφ＝φ1−φ2）から、前記任意の拡散計測パルスシーケンスにおいて用いられる傾斜磁場パルス波形の時間積分を求める手段とを有し、前記時間積分から前記任意の拡散計測パルスシーケンスのb-factorを求めるよう構成したことことを特徴とする請求項２記載の核磁気共鳴装置。
【請求項４】
静磁場を発生する静磁場発生手段と、傾斜磁場を発生する傾斜磁場発生手段と、高周波磁場を発生する高周波磁場発生手段と、検査対象からの核磁気共鳴信号を取得する信号検出手段と、前記検査対象からの核磁気共鳴信号を処理する信号処理手段とを備えた核磁気共鳴装置において、前記傾斜磁場発生手段のひとつの軸に直交し、かつ傾斜磁場中心を含まない任意断面からの第１のスティミュレィテッドエコーを発生させる手段と、任意の拡散計測パルスシーケンスにおいて用いられる傾斜磁場パルスのうち、前記軸方向成分の印加を行う手段と、前記第１のスティミュレィテッドエコーの位相値（φ1）から、前記任意の拡散計測パルスシーケンスにおいて用いられる傾斜磁場パルス波形の時間積分を求める手段と、前記時間積分から前記任意の拡散計測パルスシーケンスのb-factorを求める手段とを有してなることを特徴とする核磁気共鳴装置。
【請求項５】
前記任意の拡散計測パルスシーケンスにおいて用いられる傾斜磁場パルスの印加を行わずに、前記任意断面からの第２のスティミュレィテッドエコーを発生させる手段と、前記第２のスティミュレィテッドエコーの位相値（φ2）を、前記第１のスティミュレィテッドエコーの位相値（φ1）から差し引いた位相差の差分（Δφ＝φ1−φ2）から、前記任意の拡散計測パルスシーケンスにおいて用いられる傾斜磁場パルス波形の時間積分を求める手段とを有し、前記時間積分から前記任意の拡散計測パルスシーケンスのb-factorを求めるよう構成したことを特徴とする請求項４記載の核磁気共鳴装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、核磁気共鳴装置に係り、特に、核磁気共鳴を用いた拡散計測装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
核磁気共鳴イメージング装置  （ｍａｇｎｅｔｉｃ  ｒｅｓｏｎａｎｃｅ  ｉｍａｇｉｎｇ、ＭＲＩ）は、静磁場中に置かれた核スピンが核磁気共鳴の共鳴条件を満たす高周波磁場を吸収することを利用して、物質の断層像などを得る装置である。
【０００３】
信号計測の際に、分子拡散（ブラウン運動）を強調する傾斜磁場対を印加することにより、拡散係数を求める拡散計測法が１９６５年に提案され、脳梗塞の診断等に応用されている。上記拡散計測法の詳細については、「ジャーナル・オブ・ケミカル・フィジックス（Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｐｈｙｓｉｃｓ）」第４２巻、２８８〜２９２頁（１９６５年）において述べられているが、以下に簡単に述べる。
【０００４】
最も一般的な拡散計測法では、スピンエコー型のパルスシーケンスを用い、反転高周波パルス印加の前後にスピンの運動を検出するための傾斜磁場（ｍｏｔｉｏｎ  ｐｒｏｂｉｎｇ  ｇｒａｄｉｅｎｔ、  ＭＰＧ）を印加する。第１のＭＰＧ印加に際して、各スピンはぞれぞれの存在する場所に応じた強度の傾斜磁場を感受するため、再差運動の周波数が場所毎に変化し、位相変化が生じる。上記位相変化は傾斜磁場の印加量（強度と時間の積）に従う。上記反転高周波パルスの後に、第１のＭＰＧと同一形状を有する第２のＭＰＧを印加する。
【０００５】
静止部位では、第１および第２のＭＰＧ印加時点における各スピンの場所が同じであるため、第２のＭＰＧ印加によって上記第１のＭＰＧ印加により生じた位相変化は相殺される。従って、ＭＰＧ印加に起因する信号量の減少は起こらない。
これに対して動きのある部位では、第１および第２のＭＰＧ印加時点における各スピンの場所が異なるため、第２のＭＰＧ印加によって第１のＭＰＧ印加により生じた位相変化は相殺されず、信号量が減衰する。運動が一定の速度で行われる場合には位相変化は一定値となるが、ランダムな動きの場合には位相の分散とともに信号量の減少は大きくなる。
【０００６】
上記例では、スピンエコー型のパルスシーケンスを用いているが、グラディエントエコー型のパルスシーケンスでも同様の計測が可能である。この場合には、第１および第２のＭＰＧの傾斜磁場パルスは逆極性であり、極性以外は同一形状である。
【０００７】
以上のメカニズムにより、計測部位の動きやすさ（拡散係数）が、ＭＲＩ画像のコントラストとして反映される。このような画像を拡散強調画像という。脳梗塞などにより細胞が石灰化すると、周辺の組織に対して拡散係数が変化するので、拡散強調画像のコントラストから病変部位の特定が可能となる。また、ＭＰＧの印加量を変化させて画像計測を繰り返すことにより、ピクセル毎の拡散係数を求めることもできる。ＭＰＧを印加しない場合、および印加した場合のＭＲＩ信号をそれぞれＳ０、Ｓｍｐｇとすると、これらの信号と拡散係数Ｄとの関係は数式（１）で表される。
【０００８】
【数１】
0003605071.tif 000002
数式（１）において、右辺の係数ｂはＭＰＧの印加量に依存する位相の関数であり、ｂ−ｆａｃｔｏｒ（傾斜磁場による核磁気共鳴信号減衰因子）と呼ばれる。数式（１）から、複数のｂ−ｆａｃｔｏｒに対して左辺対数のプロットを直線近似すれば、上記直線の傾きから拡散係数Ｄが求められる。
【０００９】
厳密にはｂ−ｆａｃｔｏｒはＭＰＧだけでなく、イメージングの傾斜磁場にも依存する。拡散係数計測値に及ぼすイメージング傾斜磁場の影響が、「ジャーナル・オブ・マグネティック・レゾナンス（Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）」、第９０巻、３０３〜３１２頁（１９９０年）にて論じられている。
【００１０】
拡散現象の効果を強調するために、ＭＰＧとして用いる傾斜磁場は、通常のイメージング傾斜磁場に比べて高強度である。しかし、最近では、計測時間を短縮するため、エコープラナー法（ｅｃｈｏ  ｐｌａｎａｒ  ｉｍａｇｉｎｇ、ＥＰＩ）等の超高速撮影法を用いて拡散計測を行うことが多い。これらの超高速撮影法の多くは、高強度のイメージング傾斜磁場を用いるため、ｂ−ｆａｃｔｏｒへの寄与も大きい。そこで、一般に用いられている拡散計測では、イメージング傾斜磁場の影響までも含めたｂ−ｆａｃｔｏｒを数式（２）に従って計算する。
【００１１】
【数２】
0003605071.tif 000003
ここで、ｋ（ｘ、ｙ、ｔ）およびｋ１はそれぞれ数式（３）および数式（４）により与えられる。Ｇ（ｘ、ｙ、ｔ）は傾斜磁場強度分布である。また、ＴＥは励起高周波パルス印加からエコー発生までの時間間隔である。
【００１２】
【数３】
0003605071.tif 000004
【００１３】
【数４】
0003605071.tif 000005
上記数式（２）計算をＭＲＩ計測空間の各軸に対して行う。上記方法により求められるｂ−ｆａｃｔｏｒは、ＭＰＧに起因する項、イメージング傾斜磁場に起因する項、両者のクロスタームの和となる。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
前述のごとく、上記従来技術により求められるｂ−ｆａｃｔｏｒは、ＭＰＧに起因する項、イメージング傾斜磁場に起因する項、両者のクロスタームの和である。しかし、拡散計測では高強度の傾斜磁場を用いるため、渦電流の発生量が多い。エコープラナー法などのイメージング法を拡散計測に適用すれば、ＭＰＧだけでなくイメージング傾斜磁場による渦電流も無視できない。渦電流が傾斜磁場コイル上に生じた場合、二次的な傾斜磁場が発生し、画像歪みなどの原因となる。
【００１５】
上記傾斜磁場コイル上に生じた渦電流がＭＲＩ信号に与える影響は、減衰の時定数により異なる。第１のケースは、上記時定数が十分短く、信号計測期間以前に減衰する場合であり、このケースでは、渦電流の影響は問題にならない。第２のケースは、上記時定数が信号計測期間に比べ十分長い場合であり、このケースでは、渦電流の影響はほぼ傾斜磁場のオフセットと見なすことができるので、シミングによる磁場補正や信号処理による画像補正も可能である。第３のケースは、信号計測時間と同程度の時定数を有する場合であり、このケースでは、シミングも画像補正も困難である。特に、エコープラナー法のように１スキャン毎の信号計測時間が長い計測法では、第３のケースに該当する可能性が高い。このような信号計測期間中に変動する渦電流の影響を押さえるため、本計測に先立ってプリスキャンを行い、渦電流を定常状態にする方法がよく用いられる。
【００１６】
しかし、プリスキャンを行って渦電流を定常状態とし、信号計測期間中に変動する成分を抑制したとしても、ｂ−ｆａｃｔｏｒに対する上記渦電流の寄与は消滅するわけではない。第１、第２のケースについても同様である。従って、ｂ−ｆａｃｔｏｒを求める際に上記渦電流に起因する項を考慮する必要がある。しかし、この渦電流の発生量は装置ごとに異なり、計算によって求めることは難しい。
【００１７】
本発明の目的は、核磁気共鳴装置において、上述した渦電流による二次的な傾斜磁場に起因する項を含めたｂ−ｆａｃｔｏｒを求める技術を提供することにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を解決するために、本発明では、傾斜磁場コイルから発生した傾斜磁場波形の時間積分を計測し、数式（２）に従ってｂ−ｆａｃｔｏｒを求めるものである。
【００１９】
上記傾斜磁場波形の時間積分は、被検体から発生するＭＲ信号の位相に基づいて得られる。このような傾斜磁場波形計測法については、「ジャーナル・オブ・マグネティック・レゾナンス（Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）」、第１３２巻、１５０〜１５３頁（１９９８年）において論じられている。
【００２０】
上記傾斜磁場波形計測法では、傾斜磁場の各軸に対して２回ずつの計測を行う。第１の計測では、ひとつの軸に直交し、傾斜磁場中心を含まない任意断面を選択的に励起した後、傾斜磁場波形計測の対象となるパルスシーケンスで用いられる傾斜磁場パルスのうち、上記軸成分のみを発生させ、任意期間の信号計測を行う。第２の計測では、第１の計測と同一の断面を選択的に励起した後、上記傾斜磁場の発生は行わずに、上記任意期間の信号計測のみ行う。上記第１、第２の信号の位相差Δφ（ｒ、ｔ）は、傾斜磁場波形Ｇ（ｒ、ｔ）の時間積分ｋ（ｒ、ｔ）、磁気回転比γ、および上記任意断面の傾斜磁場中心からの距離Ｄとの積になる。ここで、ｒ＝（ｘ、ｙ、ｚ）である。γおよびＤは既知であるから、これらの値で位相差Δφ（ｒ、ｔ）を除算することにより、ｋ（ｒ、ｔ）を求めることができる。
【００２１】
本発明では、上記計測法を利用して任意パルスシーケンスのｂ−ｆａｃｔｏｒを計測するものである。スピンエコーを用いて、ｂ−ｆａｃｔｏｒを計測するパルスシーケンスを図３に示す。
【００２２】
図３において斜線を施した、ｂ−ｆａｃｔｏｒ計測区間３０６において、ｂ−ｆａｃｔｏｒ計測の対象となるパルスシーケンスに含まれる傾斜磁場パルスを印加する。ただし、１回の計測に際してはいずれかひとつの軸方向にのみ、上記傾斜磁場パルスを印加する。３０２〜３０４は、選択的高周波パルス３０１とともに検査対象に印加されるスライス選択傾斜磁場パルスである。ただし、１回の計測に際しては、上記ｂ−ｆａｃｔｏｒ計測の対象となるパルスシーケンスに含まれる傾斜磁場パルスを印加する軸と同方向のスライス選択傾斜磁場パルスを印加する。該任意断面の核磁化を励起してから所定の時間τ後、非選択高周波パルス３０５を印加し、上記核磁化の反転を行う。上記非選択高周波パルス３０５の印加からさらに時間τが経過すると、スピンエコーが発生するので、Ａ／Ｄ区間３０７において、スピンエコーを計測する。
【００２３】
上記スピンエコーは静磁場不均一等に応じて減衰するため、減衰時間の時定数に比べて上記ｂ−ｆａｃｔｏｒ計測区間３０６が長い場合は、１回のスキャンで上記ｂ−ｆａｃｔｏｒ計測区間３０６全区間の信号計測を行うことは困難である。
【００２４】
そこで、図４に示すように、非選択高周波パルスの印加タイミング、およびＡ／Ｄ区間をずらすことにより、異なる区間の信号を計測する。このように、必要に応じて複数回のスキャンを行うことにより、上記ｂ−ｆａｃｔｏｒ計測区間３０６全体の信号を計測することができる。なお、図４中の４０１〜４０７は、それぞれ図３中の３０１〜３０７に対応する。
【００２５】
次に、上記ｂ−ｆａｃｔｏｒ計測区間３０６において、傾斜磁場パルスの印加を行わずに信号計測のみを行う。傾斜磁場パルスを印加する場合と同様に、必要に応じて複数回のスキャンを行い、上記ｂ−ｆａｃｔｏｒ計測区間３０６全体の信号を計測する。本発明では、上記傾斜磁場パルスを印加する場合および印加しない場合の２通りの計測を、上記スライス選択傾斜磁場を印加する軸を変えて３通り行うため、合計６通りの計測を行う。
【００２６】
また、スティミュレィテッドエコーを用いて、ｂ−ｆａｃｔｏｒを計測するパルスシーケンスを図１１に示す。図１１において斜線を施した、ｂ−ｆａｃｔｏｒ計測区間１１０７において、ｂ−ｆａｃｔｏｒ計測の対象となるパルスシーケンスに含まれる傾斜磁場パルスを印加する。ただし、１回の計測に際してはいずれかひとつの軸方向にのみ、上記傾斜磁場パルスを印加する。１１０２〜１１０４は、選択的高周波パルス１１０１とともに検査対象に印加されるスライス選択傾斜磁場パルスである。ただし、１回の計測に際しては、上記ｂ−ｆａｃｔｏｒ計測の対象となるパルスシーケンスに含まれる傾斜磁場パルスを印加する軸と同方向のスライス選択傾斜磁場パルスを印加する。任意断面の核磁化を励起してから所定の時間τ後、非選択高周波パルス１１０５を印加し、上記励起された核磁化を縦磁化に戻す。上記非選択高周波パルス１１０５の印加からさらに時間ε後、非選択高周波パルス１１０６を印加し、上記核磁化を再び励起する。さらに時間τが経過すると、スティミュレィテッドエコーが発生するので、Ａ／Ｄ区間１１０８において、スティミュレィテッドエコーを計測する。
【００２７】
上記スティミュレィテッドエコーは静磁場不均一等に応じて減衰するため、減衰時間の時定数に比べて上記ｂ−ｆａｃｔｏｒ計測区間１１０７が長い場合は、１回のスキャンで上記ｂ−ｆａｃｔｏｒ計測区間１１０７全区間の信号計測を行うことは困難である。
【００２８】
そこで、図１２に示すように上記時間τを変えるか、あるいは図１３に示すように上記時間εを変えて、Ａ／Ｄ区間をずらすことにより、異なる区間の信号を計測する。このように、必要に応じて複数回のスキャンを行うことにより、上記ｂ−ｆａｃｔｏｒ計測区間１１０７全体の信号を計測することができる。
【００２９】
次に、上記ｂ−ｆａｃｔｏｒ計測区間１１０７において、傾斜磁場パルスの印加を行わずに信号計測のみを行う。傾斜磁場パルスを印加する場合と同様に、必要に応じて複数回のスキャンを行い、上記ｂ−ｆａｃｔｏｒ計測区間１１０７全体の信号を計測する。本発明では、上記傾斜磁場パルスを印加する場合および印加しない場合の２通りの計測を、上記スライス選択傾斜磁場を印加する軸を変えて３通り行うため、合計６通りの計測を行う。
【００３０】
上記６通りの計測で得られたＭＲ信号に基づき、ｂ−ｆａｃｔｏｒを求めるためのアルゴリズムを図１に示す。図１において、変数ｉは１〜３の値を取り、スライス選択傾斜磁場の方向を表す。該変数ｉが４以上となった時、繰り返しループ１０２を抜ける。変数ｊは１〜２の値を取り、上記ｂ−ｆａｃｔｏｒ計測区間３０６あるいは１１０７における傾斜磁場パルスの有無を表す。図３〜４、図１１〜１３のパルスシーケンスを用いて上記ｂ−ｆａｃｔｏｒ計測区間３０６あるいは１１０７のＭＲ信号を計測する。該変数ｊが３以上となった時、繰り返しループ１０４を抜け、数式（２）に従ってＭＲ信号の位相差Δφ（ｒ、ｔ）からｂｉを求める。ここで、ｂｉはｂ−ｆａｃｔｏｒのｉ方向成分である。最後にｂ１、ｂ２、ｂ３の和からｂ−ｆａｃｔｏｒを求められる（１１１）。
【００３１】
上記ＭＲ信号の位相差Δφ（ｒ、ｔ）には、傾斜磁場パルス自身による位相項だけでなく、傾斜磁場により発生する渦電流による位相項も含まれるため、渦電流の影響を含むｂ−ｆａｃｔｏｒが求められる。
【００３２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
【００３３】
図２は、本発明を実施するための拡散計測装置の一例を示す構成図である。図において、２０１は静磁場を発生するコイル、２０２は傾斜磁場を発生するコイル、２０３は検査対象であり、この検査対象はコイル２０１および２０２内に配置される。シーケンサ２０４は傾斜磁場電源２０５、高周波発信器２０６に命令を送り、傾斜磁場および高周波パルスを検査対象２０３に印加する。高周波パルスは、高周波変調器２０７、高周波増幅器２０８を経て高周波送信器２０９により、検査対象２０３に印加される。検査対象から発生したＭＲ信号は受信器２１０によって受波され、増幅器２１１、位相検波器２１２、Ａ／Ｄ変換器２１３を通ってＣＰＵ２１４に送られ、ここでｂ−ｆａｃｔｏｒの計算や画像再構成などの信号処理が行われる。必要に応じて、記憶媒体２１５に信号や演算結果、測定条件などを記憶させることもできる。また、ＣＰＵ２１４で信号処理を行った結果を表示装置２１６に表示させることもできる。
【００３４】
図３および図４は、本発明を実施するためのパルスシーケンスの一実施例である。図３において、３０１は選択高周波パルス、３０２〜３０４はスライス選択傾斜磁場パルス、３０５は非選択高周波パルスである。スライス選択傾斜磁場３０２〜３０４は、選択的高周波パルス３０１とともに検査対象に印加されるスライス選択傾斜磁場パルスであり、１回の計測に際してはいずれかひとつを用いて任意断面の核磁化の励起を行う。ただし、任意断面は傾斜磁場中心を含まない。上記任意断面の核磁化を励起してから所定の時間τ後、非選択高周波パルス３０５を印加し、上記核磁化の反転を行う。上記非選択高周波パルス３０５の印加からさらに時間τが経過すると、スピンエコーが発生するので、  Ａ／Ｄ区間３０７において、該スピンエコーを計測する。また、斜線で示した３０６はｂ−ｆａｃｔｏｒ計測区間であり、上記ｂ−ｆａｃｔｏｒの計測対象となるパルスシーケンスのうち、上記スライス選択傾斜磁場と同方向の傾斜磁場パルスが印加される。
【００３５】
上記スピンエコーは検査対象の静磁場不均一等に応じて減衰するため、減衰時間の時定数に比べて上記ｂ−ｆａｃｔｏｒ計測区間３０６が長い場合は、１回のスキャンで上記ｂ−ｆａｃｔｏｒ計測区間３０６全体の信号計測を行うことは困難である。
【００３６】
そこで、図４に示すように、非選択高周波パルスの印加タイミング、およびＡ／Ｄ区間のタイミングを変えて、図３と同様のパルスシーケンスを実行する。これは、Ａ／Ｄ区間のタイミングを変えて同様の計測を繰り返し行うことにより、上記ｂ−ｆａｃｔｏｒ計測区間全体の信号を取得するためである。上記ｂ−ｆａｃｔｏｒ計測区間の区間長から、上記繰り返し計測の回数が決まるので、該繰り返し回数に応じて上記非選択高周波パルスの印加タイミングおよびＡ／Ｄ区間のタイミングを決める。
【００３７】
図３あるいは図４において、二番目の高周波パルスとして非選択高周波パルスを用いる理由は、該高周波パルスの印加タイミングが、上記ｂ−ｆａｃｔｏｒ計測区間３０６に含まれるためである。選択高周波パルスを用いれば、同時にスライス選択傾斜磁場を印加しなければならないので、上記ｂ−ｆａｃｔｏｒ計測区間３０６で印加される傾斜磁場パルスは、ｂ−ｆａｃｔｏｒ計測対象となるパルスシーケンスとは一致しなくなる。このため、スライス選択は一番目の高周波パルスのみで行い、二番目の高周波パルスは非選択高周波パルスを用いる。非選択高周波パルスは、核磁化を１８０度回転させる反転パルスとして用いるため、上記選択高周波パルスが作用しない領域の核磁化からは信号が発生しない。
【００３８】
本発明では、上記ｂ−ｆａｃｔｏｒ計測区間全体の信号の位相φ１からｂ−ｆａｃｔｏｒを求めるが、該位相φ１には静磁場不均一やケミカルシフトなど、上記傾斜磁場パルスや渦電流に起因する位相以外の成分が含まれる。そこで、上記ｂ−ｆａｃｔｏｒ計測区間３０６において、傾斜磁場パルスの印加を行わずに信号計測を行い、該信号の位相φ２を上記位相φ１から差し引くことにより、上記傾斜磁場パルスや渦電流に起因する位相以外の成分を除去する。ｂ−ｆａｃｔｏｒを求める場合には、上記位相の差分Δφ（ｔ）＝φ１−φ２を用いる。本発明では、上記傾斜磁場パルスを印加する場合と印加しない場合の２通りの計測を、上記スライス選択傾斜磁場の方向を変えて３通り行うため、合計６通りの計測を行う。
【００３９】
次に、本発明を各種の拡散計測法に適用した場合についての具体例を述べる。
【００４０】
図５は、スピンエコー法による拡散計測法のパルスシーケンスである。図５において、５０１は第１の選択高周波パルス、５０２は第１のスライス選択傾斜磁場パルス、５０３は第２の選択高周波パルス、５０４は第２のスライス選択傾斜磁場パルスである。第１の選択高周波パルス５０１と第２の選択高周波パルス５０３は、時間ＴＥ／２によって隔てられており、上記第２の選択高周波パルス５０３からさらに時間ＴＥ／２の後にスピンエコーが発生する。５０５はリードアウト方向のディフェーズ傾斜磁場、５０６はリードアウト方向のリフェーズ傾斜磁場である。該リードアウト方向のリフェーズ傾斜磁場５０６は、上記ディフェーズ傾斜磁場５０５印加による位相分散が相殺される時刻と、上記スピンエコー発生時刻とが一致するように配置する。５０７は位相エンコード傾斜磁場、５０８はスライス方向の第１のＭＰＧ、５０９はスライス方向の第２のＭＰＧ、５１０はリードアウト方向の第１のＭＰＧ、５１１はリードアウト方向の第２のＭＰＧ、５１２は位相エンコード方向の第１のＭＰＧ、５１３は位相エンコード方向の第２のＭＰＧである。各方向の第１および第２のＭＰＧは、傾斜磁場波形は同一である。また、各方向のＭＰＧは同時に印加するとは限らず、いずれか１方向にのみ印加する場合も、複数方向に同時に印加する場合もある。ＭＰＧ複数方向に同時に印加する場合、上記ＭＰＧの傾斜磁場波形は一致しているとは限らない。
【００４１】
また、図５のパルスシーケンスにより、検査対象の拡散係数を求める場合には、従来技術の項で述べたように、第１および第２のＭＰＧ５０８〜５１３の傾斜磁場強度を変化させて複数回の計測を行う。
【００４２】
前節図５では一般的に用いられているスピンエコー法による拡散計測法について説明したが、本節では上記スピンエコー法による拡散計測法に本発明を適用し、ｂ−ｆａｃｔｏｒを計測する場合について述べる。
【００４３】
図６において、６０１は選択高周波パルス、６０２〜６０４はスライス選択傾斜磁場パルスである。ただし、選択高周波パルス６０１は図５における選択高周波パルス５０１とは異なり、ＭＲＩ計測空間の３方向に直交する任意の断面を選択的に励起するために用いられる。上記スライス選択傾斜磁場パルス６０２〜６０４は同時に印加するのではなく、１計測につきいずれかひとつを用いる。６０５は非選択高周波パルスであり、上記選択高周波パルス６０１により励起された核磁化を反転させ、所定の時刻にスピンエコーを発生させるために用いられる。Ａ／Ｄ区間６０６において、スピンエコーを計測する。
【００４４】
図３および図４の説明において述べたように、上記非選択高周波パルス６０５の印加タイミングをずらすことによって、上記スピンエコーの発生時刻もずれる。該スピンエコー発生時刻のずれに連動して、上記Ａ／Ｄ区間６０６がずれるので、任意区間の信号を計測することができる。この様子を図７に示す。図７のパルスシーケンスでは、非選択高周波パルス７０５の印加タイミングが図６よりも遅れているため、スピンエコー発生時刻がずれ、Ａ／Ｄ区間７０６も後ろにずれている。７０７はｂ−ｆａｃｔｏｒ計測対象パルスシーケンス挿入部分であり、上記スピンエコー法による拡散計測法のパルスシーケンスで用いられる傾斜磁場パルスが印加される。すなわち、７０８、７０９、７１０、７１１、７１２、７１３、７１４、７１５、７１６、７１７、７１８は、それぞれ上記５０２、５０４、５０５、５０６、５０７、５０８、５０９、５１０、５１１、５１２、５１３と同一の傾斜磁場パルスである。
【００４５】
傾斜磁場パルス、および渦電流以外の要因に起因する位相成分を除去するため、ｂ−ｆａｃｔｏｒ計測対象パルスシーケンス挿入部分６０７において、傾斜磁場パルスを印加せずに上記位相成分除去用の信号を計測する。上記ｂ−ｆａｃｔｏｒ計測対象パルスシーケンス挿入部分６０７において、傾斜磁場パルスを印加した場合と印加しない場合の信号からそれぞれ位相を求め、両者の差分Δφ（ｒ、ｔ）から数式（２）に従ってｂｉを求める。なお、上記ｂｉは、上記選択高周波パルス６０１と同時に印加するスライス選択傾斜磁場パルス６０２〜６０４の印加方向の成分である。ＭＲＩ計測空間の３方向に対して同様のｂ−ｆａｃｔｏｒ計測を行い、全成分の和を求める。
【００４６】
上述したように、検査対象の拡散係数を求める場合には、第１および第２のＭＰＧ５０８〜５１３の傾斜磁場強度を変化させて繰り返し信号計測を行う。この場合、図６のパルスシーケンスにおいても、ＭＰＧ５０８〜５１３と同様にＭＰＧ６１３〜６１８の傾斜磁場強度を変化させて、繰り返し計測を行う。
【００４７】
図８はエコープラナー法による拡散計測法のパルスシーケンスである。図８において、８０１は第１の選択高周波パルス、８０２は第１のスライス選択傾斜磁場パルス、８０３は第２の選択高周波パルス、８０４は第２のスライス選択傾斜磁場パルスである。第１の選択高周波パルス８０１と第２の選択高周波パルス８０３は、時間ＴＥ／２時間によって隔てられており、上記第２の選択高周波パルス８０３からさらに時間ＴＥ／２の後にスピンエコーが発生する。８０５はリードアウト方向のディフェーズ傾斜磁場、８０６はリードアウト傾斜磁場であり、極性反転を繰り返してマルチエコーを発生させる。８０７は位相エンコード方向のディフェーズ傾斜磁場、８０８はブリップ位相エンコード傾斜磁場である。
【００４８】
スキャン方法によっては、上記位相エンコード方向のディフェーズ傾斜磁場８０７が不要な場合もあり、また８０８のようなブリップパルスではなく、連続的な矩形パルスが用いられる場合もある。８０９はスライス方向の第１のＭＰＧ、８１０はスライス方向の第２のＭＰＧ、８１１はリードアウト方向の第１のＭＰＧ、８１２はリードアウト方向の第２のＭＰＧ、８１３は位相エンコード方向の第１のＭＰＧ、８１４は位相エンコード方向の第２のＭＰＧである。各方向の第１および第２のＭＰＧは傾斜磁場波形は同一である。また、各方向のＭＰＧは同時に印加するとは限らず、いずれか１方向にのみ印加する場合も、複数方向に同時に印加する場合もある。ＭＰＧ複数方向に同時に印加する場合、上記ＭＰＧの傾斜磁場波形は一致しているとは限らない。
【００４９】
また、図８のパルスシーケンスにより、検査対象の拡散係数を求める場合には、従来技術の項で述べたように、第１および第２のＭＰＧ８０９〜８１４の傾斜磁場強度を変化させて複数回の計測を行う。
【００５０】
前節図８では一般的に用いられているエコープラナー法による拡散計測法について説明したが、本節では上記エコープラナー法による拡散計測法に本発明を適用し、ｂ−ｆａｃｔｏｒを計測する場合について述べる。
【００５１】
図９において、９０１は選択高周波パルス、９０２〜９０４はスライス選択傾斜磁場パルスである。ただし、選択高周波パルス９０１は、図８における選択高周波パルス８０１とは異なり、ＭＲＩ計測空間の３方向に直交する任意の断面を選択的に励起するために用いられる。上記スライス選択傾斜磁場パルス９０２〜９０４は同時に印加するのではなく、１計測につきいずれかひとつを用いる。９０５は非選択高周波パルスであり、上記選択高周波パルス９０１により励起された核磁化を反転させ、所定の時刻にスピンエコーを発生させるために用いられる。Ａ／Ｄ区間９０６において、スピンエコーを計測する。
【００５２】
図３および図４の説明において述べたように、上記非選択高周波パルス９０５の印加タイミングをずらすことによって、上記スピンエコーの発生時刻もずれる。スピンエコー発生時刻のずれに連動して、上記Ａ／Ｄ区間９０６がずれるので、任意区間の信号を計測することができる。この様子を図１０に示す。図１０のパルスシーケンスでは、非選択高周波パルス１００５の印加タイミングが図９よりも遅れているため、スピンエコー発生時刻がずれ、Ａ／Ｄ区間１００６も後ろにずれている。
【００５３】
９０７はｂ−ｆａｃｔｏｒ計測対象パルスシーケンス挿入部分であり、上記スピンエコー法による拡散計測法のパルスシーケンスで用いられる傾斜磁場パルスが印加される。すなわち、９０８、９０９、９１０、９１１、９１２、９１３、９１４、９１５、９１６、９１７、９１８、９１９は、それぞれ上記８０２、８０４、８０５、８０６、８０７、８０８、８０９、８１０、８１１、８１２、８１３、８１４と同一の傾斜磁場パルスである。
【００５４】
傾斜磁場パルス、および渦電流以外の要因に起因する位相成分を除去するため、ｂ−ｆａｃｔｏｒ計測対象パルスシーケンス挿入部分９０７において、傾斜磁場パルスを印加せずに上記位相成分除去用の信号を計測する。上記ｂ−ｆａｃｔｏｒ計測対象パルスシーケンス挿入部分９０７において、傾斜磁場パルスを印加した場合と印加しない場合の信号からそれぞれ位相を求め、両者の差Δφ（ｒ、ｔ）から数式（２）に従ってｂｉを求める。なお、上記ｂｉは、上記選択高周波パルス９０１と同時に印加するスライス選択傾斜磁場パルス９０２〜９０４の印加方向の成分である。ＭＲＩ計測空間の３方向に対して同様のｂ−ｆａｃｔｏｒ計測を行い、全成分の和を求める。
【００５５】
上述したように、検査対象の拡散係数を求める場合には、第１および第２のＭＰＧ８０９〜８１４の傾斜磁場強度を変化させて繰り返し信号計測を行う。この場合、図９のパルスシーケンスにおいても、ＭＰＧ８０９〜８１４と同様にＭＰＧ９１４〜９１９の傾斜磁場強度を変化させて、繰り返し計測を行う。
【００５６】
図１１乃至図１３は、本発明を実施するためのパルスシーケンスの他の実施例である。図１１において、１１０１は選択高周波パルス、１１０２〜１１０４はスライス選択傾斜磁場パルス、１１０５〜１１０６は非選択高周波パルスである。スライス選択傾斜磁場１１０２〜１１０４は、選択的高周波パルス１１０１とともに検査対象に印加されるスライス選択傾斜磁場パルスであり、１回の計測に際してはいずれかひとつを用いて任意断面の核磁化の励起を行う。ただし、任意断面は傾斜磁場中心を含まない。
【００５７】
上記任意断面の核磁化を励起してから所定の時間τ後、非選択高周波パルス１１０５を印加し、上記核磁化を縦磁化に戻す。縦磁化に戻した核磁化は、再び励起されるまで静磁場不均一や横緩和時間の影響を受けない。上記非選択高周波パルス１１０５の印加からさらに時間ε後、非選択高周波パルス１１０６を印加し上記縦磁化に戻した核磁化を再び励起する。さらに時間τが経過すると、スティミュレィテッドエコーが発生するので、Ａ／Ｄ区間１１０８において、スピンエコーを計測する。また、斜線で示した１１０７はｂ−ｆａｃｔｏｒ計測区間であり、上記ｂ−ｆａｃｔｏｒの計測対象となるパルスシーケンスのうち、上記スライス選択傾斜磁場と同方向の傾斜磁場パルスが印加される。上記スティミュレィテッドエコーは検査対象の静磁場不均一等に応じて減衰するため、該減衰時間の時定数に比べて上記ｂ−ｆａｃｔｏｒ計測区間１１０７が長い場合は、１回のスキャンで上記ｂ−ｆａｃｔｏｒ計測区間１１０７全体の信号計測を行うことは困難である。
【００５８】
そこで、図１２あるいは１３に示すように、非選択高周波パルスの印加タイミングおよび、Ａ／Ｄ区間のタイミングを変えて、図１１と同様のパルスシーケンスを実行する。図１２は時間τを変え、図１３は時間ｔを変えることにより、上記Ａ／Ｄ区間のタイミングを変えている。これは、Ａ／Ｄ区間のタイミングを変えて同様の計測を繰り返し行うことにより、上記ｂ−ｆａｃｔｏｒ計測区間全体の信号を取得するためである。上記ｂ−ｆａｃｔｏｒ計測区間の区間長から、上記繰り返し計測の回数が決まるので、繰り返し回数に応じて上記非選択高周波パルスの印加タイミングおよびＡ／Ｄ区間のタイミングを決める。
【００５９】
図１１〜１３において、二番目および三番目の高周波パルスとして非選択高周波パルスを用いる理由は、該高周波パルスの印加タイミングが、上記ｂ−ｆａｃｔｏｒ計測区間１１０７に含まれるためである。選択高周波パルスを用いれば、同時にスライス選択傾斜磁場を印加しなければならないので、上記ｂ−ｆａｃｔｏｒ計測区間１１０７で印加される傾斜磁場パルスは、ｂ−ｆａｃｔｏｒ計測対象となるパルスシーケンスとは一致しなくなる。このため、スライス選択は１番目の高周波パルスのみで行い、２番目および３番目の高周波パルスは非選択高周波パルスを用いる。
【００６０】
本発明では、上記ｂ−ｆａｃｔｏｒ計測区間全体の信号の位相φ１からｂ−ｆａｃｔｏｒを求めるが、位相φ１には静磁場不均一やケミカルシフトなど、上記傾斜磁場パルスや渦電流に起因する位相以外の成分が含まれる。そこで、上記ｂ−ｆａｃｔｏｒ計測区間３０６において、傾斜磁場パルスの印加を行わずに信号計測を行い、該信号の位相φ２を上記位相φ１から差し引くことにより、上記傾斜磁場パルスや渦電流に起因する位相以外の成分を除去する。ｂ−ｆａｃｔｏｒを求める場合には、上記位相の差分Δφ（ｔ）＝φ１−φ２を用いる。本発明では、上記傾斜磁場パルスを印加する場合と印加しない場合の２通りの計測を、上記スライス選択傾斜磁場の方向を変えて３通り行うため、合計６通りの計測を行う。
【００６１】
上記６通りの計測で得られたＭＲ信号に基づき、ｂ−ｆａｃｔｏｒを求めるためのアルゴリズムを図１に示す。図１において、変数ｉは１〜３の値を取り、スライス選択傾斜磁場の方向を表す。該変数ｉは初期値を１とし（１０１）、ｉ＜４である間＋１を加算して（１１０）繰り返し、ｉ≧４となった時、繰り返しループ１０２を抜ける。変数ｊは１〜２の値を取り、上記ｂ−ｆａｃｔｏｒ計測区間における傾斜磁場パルスの有無を表す。図３〜図４、あるいは図１１〜１３のパルスシーケンスを用いて上記ｂ−ｆａｃｔｏｒ計測区間のＭＲ信号を計測し、位相φｊ（ｒ、ｔ）を求める（１０５）。該変数ｊは初期値を１とし（１０３）、ｊ＜３である間＋１を加算して繰り返し、ｊ≧３以上となった時、繰り返しループ１０４を抜ける。φ１とφ２の位相差Δφ（ｒ、ｔ）を求め（１０７）、上記励起断面と傾斜磁場中心との距離ＬｉでΔφ（ｒ、ｔ）を割って、傾斜磁場波形の時間積分ｋ（ｒ、ｔ）を求める（１０８）。数式（２）に従って、ｋ（ｒ、ｔ）からｂｉを求める（１０９）。ここで、ｂｉはｂ−ｆａｃｔｏｒのｉ方向成分である。最後にｂ１、ｂ２、ｂ３の和からｂ−ｆａｃｔｏｒを求められる（１１１）。
【００６２】
上記ＭＲ信号の位相差Δφ（ｒ、ｔ）には、傾斜磁場パルス自体による位相項だけでなく、傾斜磁場により発生する渦電流による位相項も含まれるため、渦電流の影響を含むｂ−ｆａｃｔｏｒが求められる。
【００６３】
以上述べたように、本発明は、任意の拡散計測法パルスシーケンスのｂ−ｆａｃｔｏｒを、パルスシーケンス実行中に傾斜磁場コイルから発生する傾斜磁場波形の時間積分を計測することにより求めるものである。上記傾斜磁場波形の時間積分はＭＲ信号の位相から求められるので、ＭＲ信号を発生させるために、任意断面を選択励起してから所定の時間後に、非選択高周波パルスを印加してスピンエコーあるいはスティミュレィテッドエコーを発生させるようにしたものである。
【００６４】
上記ＭＲ信号を計測するためのパルスシーケンスでは、上記選択励起に引き続いて、上記任意の拡散計測法パルスシーケンスにおいて用いられる傾斜磁場パルスを印加するので、上記ＭＲ信号の位相には傾斜磁場パルスに起因する位相項が含まれる。また、傾斜磁場パルス自体だけでなく、傾斜磁場に起因する渦電流が発生する２次的な傾斜磁場に起因する位相項も含まれるため、渦電流の影響を含むｂ−ｆａｃｔｏｒを求めることができる。従って、本発明によれば、従来法に比べて、より精度の高い拡散計測を行うことが可能である。
【００６５】
また，本発明では、上記非選択高周波パルスの印加タイミングを変化させることにより、上記スピンエコーあるいはスティミュレィテッドエコーの発生タイミングをずらし、複数回にわけて上記ＭＲ信号の計測を行うので、上記任意の拡散計測法パルスシーケンスが、静磁場不均一等による信号減衰の時定数に比べて長い場合においても、ｂ−ｆａｃｔｏｒを計測することが可能である。
【００６６】
以上、本発明を整理すると、次のようになる。
【００６７】
１）核磁気共鳴を用いた拡散計測にあって、任意の拡散計測パルスシーケンスのｂ−ｆａｃｔｏｒを、パルスシーケンス実行中に傾斜磁場コイルから発生する傾斜磁場波形の時間積分を計測することにより求めるよう構成したことを特徴とする核磁気共鳴装置。
【００６８】
２）静磁場を発生する静磁場発生手段と、傾斜磁場を発生する傾斜磁場発生手段と、高周波磁場を発生する高周波磁場発生手段と、検査対象からの核磁気共鳴信号を取得する信号検出手段と、前記検査対象からの核磁気共鳴信号を処理する信号処理手段とを備えた核磁気共鳴装置において、前記傾斜磁場発生手段のひとつの軸に直交し、かつ傾斜磁場中心を含まない任意断面からの第１のスピンエコーを発生させる手段と、任意の拡散計測パルスシーケンスにおいて用いられる傾斜磁場パルスのうち、前記軸方向成分の印加を行う手段と、前記第１のスピンエコーの位相値（φ１）から、前記任意の拡散計測パルスシーケンスにおいて用いられる傾斜磁場パルス波形の時間積分を求める手段と、前記時間積分から前記任意の拡散計測パルスシーケンスのｂ−ｆａｃｔｏｒを求める手段とを有してなることを特徴とする核磁気共鳴装置。
【００６９】
３）前記２）の構成において、前記任意の拡散計測パルスシーケンスにおいて用いられる傾斜磁場パルスの印加を行わずに、前記任意断面からの第２のスピンエコーを発生させる手段と、前記第２のスピンエコーの位相値（φ２）を、前記第１のスピンエコーの位相値（φ１）から差し引いた位相差の差分（Δφ＝φ１−φ２）から、前記任意の拡散計測パルスシーケンスにおいて用いられる傾斜磁場パルス波形の時間積分を求める手段とを有し、前記時間積分から前記任意の拡散計測パルスシーケンスのｂ−ｆａｃｔｏｒを求めるよう構成したことことを特徴とする核磁気共鳴装置。
【００７０】
４）静磁場を発生する静磁場発生手段と、傾斜磁場を発生する傾斜磁場発生手段と、高周波磁場を発生する高周波磁場発生手段と、検査対象からの核磁気共鳴信号を取得する信号検出手段と、前記検査対象からの核磁気共鳴信号を処理する信号処理手段とを備えた核磁気共鳴装置において、前記傾斜磁場発生手段のひとつの軸に直交し、かつ傾斜磁場中心を含まない任意断面からの第１のスティミュレィテッドエコーを発生させる手段と、任意の拡散計測パルスシーケンスにおいて用いられる傾斜磁場パルスのうち、前記軸方向成分の印加を行う手段と、前記第１のスティミュレィテッドエコーの位相値（φ１）から、前記任意の拡散計測パルスシーケンスにおいて用いられる傾斜磁場パルス波形の時間積分を求める手段と、前記時間積分から前記任意の拡散計測パルスシーケンスのｂ−ｆａｃｔｏｒを求める手段とを有してなることを特徴とする核磁気共鳴装置。
【００７１】
５）前記４）の構成において、前記任意の拡散計測パルスシーケンスにおいて用いられる傾斜磁場パルスの印加を行わずに、前記任意断面からの第２のスティミュレィテッドエコーを発生させる手段と、前記第２のスティミュレィテッドエコーの位相値（φ２）を、前記第１のスティミュレィテッドエコーの位相値（φ１）から差し引いた位相差の差分（Δφ＝φ１−φ２）から、前記任意の拡散計測パルスシーケンスにおいて用いられる傾斜磁場パルス波形の時間積分を求める手段とを有し、前記時間積分から前記任意の拡散計測パルスシーケンスのｂ−ｆａｃｔｏｒを求めるよう構成したことを特徴とする核磁気共鳴装置。
【００７２】
６）前記３）の構成において、前記第１のスピンエコーの位相値（φ１）および前記第２のスピンエコーの位相値（φ２）は、それぞれ発生タイミングの異なる複数個のスピンエコーから得られるよう構成したことを特徴とする核磁気共鳴装置。
【００７３】
７）前記５〕の構成において、前記第１のスティミュレィテッドエコーの位相値（φ１）および前記第２のスティミュレィテッドエコーの位相値（φ２）は、それぞれ発生タイミングの異なる複数個のスティミュレィテッドエコーから得られるよう構成したことを特徴とする核磁気共鳴装置。
【００７４】
８）前記３）又は前記５）の構成において、前記時間積分を求める手段は、前記位相値（φ１）あるいは位相差の差分（Δφ）を前記任意断面と傾斜磁場中心との距離で割ることにより、前記時間積分を求めるよう構成したことを特徴とする核磁気共鳴装置。
【００７５】
９）前記２）の構成において、前記スピンエコーを発生させる手段は、第１および第２の高周波パルスを印加する手段であり、前記第２の高周波パルスは非選択高周波パルスであることを特徴とする核磁気共鳴装置。
【００７６】
１０）前記４）の構成において、前記スティミュレィテッドエコーを発生させる手段は、第１および第２および第３の高周波パルスを印加する手段であり、前記第２および前記第３の高周波パルスは非選択高周波パルスであることを特徴とする核磁気共鳴装置。
【００７７】
【発明の効果】
本発明は、核磁気共鳴を用いた拡散計測装置において、渦電流による二次的な傾斜磁場に起因する項を含めたｂ−ｆａｃｔｏｒを求める技術を実現するものであり、従来法に比べて、より精度の高い拡散計測を行うことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるｂ−ｆａｃｔｏｒ計測アルゴリズムを説明するフロー図。
【図２】本発明を実施するための計測装置の構成を説明するブロック図。
【図３】本発明を実施するためのパルスシーケンスの一例（１）を示す図。
【図４】本発明を実施するためのパルスシーケンスの一例（２）を示す図。
【図５】スピンエコー法による拡散計測パルスシーケンスの例を示す図。
【図６】図５のスピンエコー法による拡散計測パルスシーケンスへの本発明の適用例（１）を示す図。
【図７】図５のスピンエコー法による拡散計測パルスシーケンスへの本発明の適用例（２）を示す図。
【図８】エコープラナー法による拡散計測パルスシーケンスの例を示す図。
【図９】図８のエコープラナー法による拡散計測パルスシーケンスへの本発明の適用例（１）を示す図。
【図１０】図８のエコープラナー法による拡散計測パルスシーケンスへの本発明の適用例（２）を示す図。
【図１１】本発明を実施するためのパルスシーケンスの他の例（１）を示す図。
【図１２】本発明を実施するためのパルスシーケンスの他の例（２）を示す図。
【図１３】本発明を実施するためのパルスシーケンスの他の例（３）を示す図。
【符号の説明】
２０１：静磁場を発生するコイル、２０２：傾斜磁場を発生するコイル、２０３：検査対象、２０４：シーケンサ、２０５：傾斜磁場電源、２０６：高周波発信器、２０７：高周波変調器、２０８：高周波増幅器、２０９：高周波送信器、２１０：受信器、２１１：増幅器、２１２：位相検波器、２１３：Ａ／Ｄ変換器、２１４：ＣＰＵ、２１５：記憶媒体、２１６：表示装置、３０１、４０１：選択高周波パルス、３０２〜３０４、４０２〜４０４：スライス選択傾斜磁場パルス、３０５、４０５：非選択高周波パルス、３０６、４０６：ｂ−ｆａｃｔｏｒ計測区間、３０７、４０７：Ａ／Ｄ区間、５０１：第１の選択高周波パルス、５０２：第１のスライス選択傾斜磁場パルス、５０３：第２の選択高周波パルス、５０４：第２のスライス選択傾斜磁場パルス、５０５：リードアウト方向のディフェーズ傾斜磁場、５０６：リードアウト方向のリフェーズ傾斜磁場、５０７：位相エンコード傾斜磁場、５０８：スライス方向の第１のＭＰＧ、５０９：スライス方向の第２のＭＰＧ、５１０：リードアウト方向の第１のＭＰＧ、５１１：リードアウト方向の第２のＭＰＧ、５１２：位相エンコード方向の第１のＭＰＧ、５１３：位相エンコード方向の第２のＭＰＧ、６０１、７０１：選択高周波パルス、６０２〜６０４、７０２〜７０４：スライス選択傾斜磁場パルス、６０５、７０５：非選択高周波パルス、６０６、７０６：Ａ／Ｄ区間、６０７、７０７：ｂ−ｆａｃｔｏｒ計測対象パルスシーケンス挿入部分、６０８、７０８：ｂ−ｆａｃｔｏｒ計測対象パルスシーケンスにおける第１のスライス選択傾斜磁場パルス、６０９、７０９：ｂ−ｆａｃｔｏｒ計測対象パルスシーケンスにおける第２のスライス選択傾斜磁場パルス、６１０、７１０：ｂ−ｆａｃｔｏｒ計測対象パルスシーケンスにおけるリードアウト方向のディフェーズ傾斜磁場、６１１、７１１：ｂ−ｆａｃｔｏｒ計測対象パルスシーケンスにおけるリードアウト方向のリフェーズ傾斜磁場、６１２、７１２：ｂ−ｆａｃｔｏｒ計測対象パルスシーケンスにおける位相エンコード傾斜磁場、６１３、７１３：ｂ−ｆａｃｔｏｒ計測対象パルスシーケンスにおけるスライス方向の第１のＭＰＧ、６１４、７１４：ｂ−ｆａｃｔｏｒ計測対象パルスシーケンスにおけるスライス方向の第２のＭＰＧ、６１５、７１５：ｂ−ｆａｃｔｏｒ計測対象パルスシーケンスにおけるリードアウト方向の第１のＭＰＧ、６１６、７１６：ｂ−ｆａｃｔｏｒ計測対象パルスシーケンスにおけるリードアウト方向の第２のＭＰＧ、６１７、７１７：ｂ−ｆａｃｔｏｒ計測対象パルスシーケンスにおける位相エンコード方向の第１のＭＰＧ、６１８、７１８：ｂ−ｆａｃｔｏｒ計測対象パルスシーケンスにおける位相エンコード方向の第２のＭＰＧ、８０１：第１の選択高周波パルス、８０２：第１のスライス選択傾斜磁場パルス、８０３：第２の選択高周波パルス、８０４：第２のスライス選択傾斜磁場パルス、８０５：リードアウト方向のディフェーズ傾斜磁場、８０６：リードアウト傾斜磁場、８０７：位相エンコード方向のディフェーズ傾斜磁場、８０８：ブリップ位相エンコード傾斜磁場、８０９：スライス方向の第１のＭＰＧ、８１０：スライス方向の第２のＭＰＧ、８１１：リードアウト方向の第１のＭＰＧ、８１２：リードアウト方向の第２のＭＰＧ、８１３：位相エンコード方向の第１のＭＰＧ、８１４：位相エンコード方向の第２のＭＰＧ、９０１、９０１：選択高周波パルス、９０２〜９０４、１００２〜１００４：スライス選択傾斜磁場パルス、９０５、１００５：非選択高周波パルス、９０６、１００６：Ａ／Ｄ区間、９０７、１００７：はｂ−ｆａｃｔｏｒ計測対象パルスシーケンス挿入部分、９０８、１００８：ｂ−ｆａｃｔｏｒ計測対象パルスシーケンスにおける第１のスライス選択傾斜磁場パルス、９０９、１００９：ｂ−ｆａｃｔｏｒ計測対象パルスシーケンスにおける第２のスライス選択傾斜磁場パルス、９１０、１０１０：ｂ−ｆａｃｔｏｒ計測対象パルスシーケンスにおけるリードアウト方向のディフェーズ傾斜磁場、９１１、１０１１：ｂ−ｆａｃｔｏｒ計測対象パルスシーケンスにおけるリードアウト傾斜磁場、９１２、１０１２：ｂ−ｆａｃｔｏｒ計測対象パルスシーケンスにおける位相エンコード方向のディフェーズ傾斜磁場、９１３、１０１３：ｂ−ｆａｃｔｏｒ計測対象パルスシーケンスにおけるブリップ位相エンコード傾斜磁場、９１４、１０１４：ｂ−ｆａｃｔｏｒ計測対象パルスシーケンスにおけるスライス方向の第１のＭＰＧ、９１５、１０１５：ｂ−ｆａｃｔｏｒ計測対象パルスシーケンスにおけるスライス方向の第２のＭＰＧ、９１６、１０１６：ｂ−ｆａｃｔｏｒ計測対象パルスシーケンスにおけるリードアウト方向の第１のＭＰＧ、９１７、１０１７：ｂ−ｆａｃｔｏｒ計測対象パルスシーケンスにおけるリードアウト方向の第２のＭＰＧ、９１８、１０１８：ｂ−ｆａｃｔｏｒ計測対象パルスシーケンスにおける位相エンコード方向の第１のＭＰＧ、９１９、１０１９：ｂ−ｆａｃｔｏｒ計測対象パルスシーケンスにおける位相エンコード方向の第２のＭＰＧ、１１０１、１２０１、１３０１：選択高周波パルス、１１０２〜１１０４、１２０２〜１２０４：スライス選択傾斜磁場パルス、１１０５〜１１０６、１２０５〜１２０６、１３０５〜１３０６：非選択高周波パルス、１１０７、１２０７、１３０７：ｂ−ｆａｃｔｏｒ計測区間、１１０８、１２０８、１３０８：Ａ／Ｄ区間。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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