(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基板を保持する保持部材と、前記保持部材を担持する第１の担持部材と、前記第１の担持部材を搬送する搬送手段とを備える透明導電膜付き基板の製造装置において、前記第１の担持部材は、前記保持部材を第２の担持部材を介して担持し、前記第２の担持部材は、前記第１の担持部材上に配列されると共に、前記保持部材を担持する担持体と、前記担持体を包囲するように前記第１の担持部材の上に配列されると共に、前記製造装置の蒸発粒子の雰囲気から前記担持体を部分的に仕切るように高さが前記担持体より低い仕切体とからなることを特徴とする透明導電膜付き基板の製造装置。
【請求項２】
前記担持体の外面と前記仕切体の内面との間隔に係る前記第１の担持部材上の第１の辺、及び前記仕切体の高さに係る前記仕切体の内面上の第２の辺を、直角を挟む二辺とする直角三角形の斜辺と、前記第１の辺とがなす角度は、４５〜８５°であることを特徴とする請求項１記載の透明導電膜付き基板の製造装置。
【請求項３】
前記角度は、６０〜８５°であることを特徴とする請求項２記載の透明導電膜付き基板の製造装置。
【請求項４】
前記担持体と前記仕切体との高さの差は、１〜５ｍｍであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の透明導電膜付き基板の製造装置。
【請求項５】
前記高さの差は、１〜３ｍｍであることを特徴とする請求項４記載の透明導電膜付き基板の製造装置。
【請求項６】
前記第２の担持部材は、セラミックス製であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の透明導電膜付き基板の製造装置。
【請求項７】
前記担持体及び前記仕切体は、円筒形であることを特徴とする１乃至６のいずれか１項に記載の透明導電膜付き基板の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、透明導電膜付き基板の製造装置に関し、特に、減圧下においてプラズマを用いて基板上に透明導電膜を成膜する透明導電膜付き基板の製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、液晶ディスプレイ素子や有機ＥＬ素子製造に関して、絶縁性基板上へのＩＴＯ膜等の透明導電膜又はＳｉＯ２、ＴｉＯ２膜等の透明非導電膜の成膜は、スパッタリング法やイオンプレーティング法に代表されるプラズマ利用の薄膜形成方法を実行する基板の製造装置によって行われる。
【０００３】
従来の基板の製造装置としてのイオンプレーティング装置では、後述する図９〜図１２に示す絶縁性基板の成膜治具９００及び搬送ローラ１０００を用いて、プラズマビームによってイオン化されたＩＴＯ焼結体の蒸発粒子の雰囲気内で絶縁性基板を搬送することにより、絶縁性基板上にＩＴＯ膜を成膜する。
【０００４】
図９は、従来のイオンプレーティング装置における絶縁性基板の成膜治具の斜視図である。
【０００５】
図９において、絶縁性基板の成膜治具９００は、絶縁性基板９０１を保持するトレイ９０２と、トレイ９０２を担持するキャリア９０３とで構成される。
【０００６】
トレイ９０２は、底部９０２ａに矩形の切り欠き部９０２ｂを有する箱状部材から成り、この箱状部材の上縁９０２ｃには、対向部において夫々２つの突起９０２ｄが設けられている。トレイ９０２は、箱状部材の底部９０２ａで絶縁性基板９０１を保持する。
【０００７】
また、キャリア９０３は、中にトレイ９０２を収容すると共に、トレイ９０２をその突起９０２ｄによって担持する枠体からなる。
【０００８】
このような成膜治具９００は、絶縁性基板９０１を保持しつつ、ＩＴＯ焼結体の蒸発粒子の雰囲気内で図１０〜図１１に示す搬送ローラ１０００によって図１０中の搬送方向Ａに搬送され、これにより、絶縁性基板９０１上にＩＴＯ膜が成膜される。
【０００９】
図１０は、図９の成膜治具９００及び搬送ローラ１０００の概略構成を示す平面図であり、図１１は、図１０の線ＸＩ−ＸＩに関する断面図である。
【００１０】
図１０及び図１１において、図１０中の搬送方向Ａに沿って配列された複数対の搬送ローラ１０００は、不図示のイオンプレーティング装置におけるＩＴＯ焼結体の蒸発粒子の雰囲気内に配されている。この搬送ローラ１０００上には、トレイ９０２を担持するキャリア９０３が載置されており、搬送ローラ１０００の回転により図１０中の搬送方向Ａに搬送される。
【００１１】
このようなイオンプレーティング装置においては、一般に、絶縁性基板９０１上にＩＴＯ膜等の透明導電膜をプラズマを用いて成膜する。しかしながら、この絶縁性基板９０１が接触しているトレイ９０２は導電性であるので、絶縁性基板９０１からトレイ９０２へ異常放電が起こりがちである。
【００１２】
この異常放電は、プラズマ雰囲気中に存在する電荷を帯電する絶縁性基板９０１と、該絶縁性基板９０１と電位差のある導電性の物質（アース電位であるトレイ９０１等の成膜治具９００の構成部品等）が接触したときに、絶縁性基板９０１が帯電していた電荷をトレイ９０１等の成膜治具９００の構成部品等に放電することによって発生する。
【００１３】
絶縁性基板９０１による異常放電の際の帯電電荷の放電は瞬時に行われるので、発生する電流は非常に大きくなり、その結果、絶縁性基板９０１に異常放電の衝撃の痕が発生し、且つ導電性の物質の一部が蒸発することによって飛散し、飛散した導電性の物質が絶縁性基板９０１に付着する等の問題が生じる。
【００１４】
例えば、図９の成膜治具９００において、絶縁性基板９０１がトレイ９０２と接触する部分が傷付いたり、トレイ９０２、キャリア９０３又は搬送ローラ１０００の一部が蒸発により飛散して絶縁性基板９０１に付着する。その結果、透明導電膜の成膜の後工程において、上述した問題に起因する絶縁性基板９０１の基板割れ及び異物付着等が発生するという問題が生じる。
【００１５】
このような異常放電による絶縁性基板９０１の基板割れ及び異物付着等を防止するためには、絶縁性基板９０１に接している成膜治具９００を絶縁性基板９０１と同じ電位にする必要がある。そのためには、成膜治具９００をイオンプレーティング装置本体から電気的にフローティング化すればよく、従来のイオンプレーティング装置では、図１２に示すように搬送ローラ１０００の軸芯を非導電性のセラミックス軸芯１２００とすることによって成膜治具９００をイオンプレーティング装置本体から電気的にフローティング化している。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、セラミックス軸芯１２００には、絶縁性基板９０１及び成膜治具９００の荷重と、搬送ローラ１０００の回転に基づく回転トルクとが負荷されるので、セラミックス軸芯１２００が破損して成膜治具９００の搬送が不可となる等の成膜治具の搬送トラブルが発生するという問題がある。
【００１７】
本発明の目的は、異常放電の発生を防止するのに加え、搬送ローラを強固にすることができる透明導電膜付き基板の製造装置を提供することにある。
【００１８】
【課題を解決する手段】
上記目的を達成するため、請求項１記載の透明導電膜付き基板の製造装置は、絶縁性基板を保持する保持部材と、前記保持部材を担持する第１の担持部材と、前記第１の担持部材を搬送する搬送手段とを備える透明導電膜付き基板の製造装置において、前記第１の担持部材は、前記保持部材を第２の担持部材を介して担持し、前記第２の担持部材は、前記第１の担持部材上に配列されると共に、前記保持部材を担持する担持体と、前記担持体を包囲するように前記第１の担持部材の上に配列されると共に、前記製造装置の蒸発粒子の雰囲気から前記担持体を部分的に仕切るように高さが前記担持体より低い仕切体とからなることを特徴とする。
【００１９】
請求項１記載の透明導電膜付き基板の製造装置によれば、担持体が仕切体によって製造装置の蒸発粒子の雰囲気から部分的に仕切られているので、仕切体が蒸発粒子の担持体の外面への付着経路上にラビリンスを形成することができ、その結果、透明導電膜が絶縁性基板から搬送手段までつながるのを防止し、絶縁性基板は安定したフローティング状態を維持し、もって異常放電を避けることができるのに加えて、搬送手段の軸芯をセラミックスで構成する必要をなくして、剛性の高い金属で構成することができ、もって搬送ローラを強固にすることができる。
【００２０】
請求項２記載の透明導電膜付き基板の製造装置は、請求項１記載の透明導電膜付き基板の製造装置において、前記担持体の外面と前記仕切体の内面との間隔に係る前記第１の担持部材上の第１の辺、及び前記仕切体の高さに係る前記仕切体の内面上の第２の辺を、直角を挟む二辺とする直角三角形の斜辺と、前記第１の辺とがなす角度は４５〜８５°であることを特徴とする。
【００２１】
請求項２記載の透明導電膜付き基板の製造装置によれば、第１の辺及び第２の辺を直角を挟む二辺とする直角三角形の斜辺と、第１の辺とがなす角度は、４５〜８５°であるので、担持体の外面と仕切体の内面との間隔を小さくすることができ、蒸発粒子が仕切体の内面へ回り込むことが困難となり、透明導電膜が絶縁性基板から搬送手段までつながるのを確実に防止できる。
【００２２】
請求項３記載の透明導電膜付き基板の製造装置は、請求項２記載の透明導電膜付き基板の製造装置において、前記角度は６０〜８５°であることを特徴とする。
【００２３】
請求項３記載の透明導電膜付き基板の製造装置によれば、第１の辺及び第２の辺を直角を挟む二辺とする直角三角形の斜辺と、第１の辺とがなす角度は、６０〜８５°であるので、透明導電膜が絶縁性基板から搬送手段までつながるのをより確実に防止できる。
【００２４】
請求項４記載の透明導電膜付き基板の製造装置は、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の透明導電膜付き基板の製造装置において、前記担持体と前記仕切体との高さの差は１〜５ｍｍであることを特徴とする。
【００２５】
請求項４記載の透明導電膜付き基板の製造装置によれば、担持体と仕切体との高さの差は、１〜５ｍｍであるので、蒸発粒子が仕切体の内面へ回り込むことが困難となり、透明導電膜が絶縁性基板から搬送手段までつながるのを効果的に防止できる。
【００２６】
請求項５記載の透明導電膜付き基板の製造装置は、請求項４記載の透明導電膜付き基板の製造装置において、前記高さの差は１〜３ｍｍであることを特徴とする。
【００２７】
請求項５記載の透明導電膜付き基板の製造装置によれば、担持体と仕切体との高さの差は、１〜３ｍｍであるので、透明導電膜が絶縁性基板から搬送手段までつながるのをより効果的に防止できる。
【００２８】
請求項６記載の透明導電膜付き基板の製造装置は、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の透明導電膜付き基板の製造装置において、前記第２の担持部材は、セラミックス製であることを特徴とする。
【００２９】
請求項６記載の透明導電膜付き基板の製造装置によれば、第２の担持部材は、セラミックス製であるので、絶縁性基板が安定したフローティング状態を確実に維持して異常放電を避けることができる。
【００３０】
請求項７記載の透明導電膜付き基板の製造装置は、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の透明導電膜付き基板の製造装置において、前記担持体及び前記仕切体は、円筒形であることを特徴とする。
【００３１】
請求項７記載の透明導電膜付き基板の製造装置によれば、担持体及び仕切体は円筒形であるので、担持体及び仕切体は容易に生産できることに加え、担持体及び仕切体が第１の担持部材上に配列される際に、担持体及び仕切体の方向性を考慮する必要を無くすことができる。
【００３２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態に係る透明導電膜付き基板の製造装置を図面を参照して詳述する。
【００３３】
図１は、本発明の実施の形態に係る透明導電膜付き基板の製造装置の概略構成を示す図である。
【００３４】
尚、本発明の実施の形態に係る透明導電膜付きの基板の製造装置は、イオンプレーティング装置から成る。
【００３５】
図１において、成膜室となる真空容器８の一方の側壁には排気口９が設けられ、他方の側壁には筒状部１０が設けられている。そして、該筒状部１０には圧力勾配型のプラズマガン１２が装着されると共に該筒状部１０の周囲には収束コイル１１が配設されている。
【００３６】
プラズマガン１２は、電磁石コイル１３が内蔵されて筒状部１０に接続された第１の中間電極１４と、環状永久磁石１５が内蔵されて第１の中間電極１４と並設された第２の中間電極１６と、陰極１７と、該陰極１７と第２の中間電極１６との間に介在された円筒状のガラス管１８とを備えている。
【００３７】
電磁石コイル１３は電源１９により励磁され、収束コイル１１は電源２０により励磁される。尚、電源１９及び電源２０は、共に可変電源とされている。
【００３８】
第１及び第２の中間電極１４、１６は夫々垂下抵抗器２１、２２を介して可変電圧型の主電源２３の一端（正側）に接続され、該主電源２３の他端（負側）は陰極１７に接続されている。また、主電源２３にはスイッチ２６を介して補助放電電源２４及び垂下抵抗器２５が並列接続されている。
【００３９】
また、ガラス管１８の内部には、陰極１７に固着されたＭｏ（モリブデン）からなる円筒部材２７と、陰極１７を貫通するＴａ（タンタル）からなるパイプ２８と、該パイプ２８の先端近傍において円筒部材２７に固着されたＬａＢ６からなる円盤状部材２９とが設けられ、放電ガス（例えば、所定量の酸素を含有したアルゴンガス）が矢印Ｂ方向からパイプ２８を介しプラズマガン１２の内部に供給される。
【００４０】
真空容器８の底部には、タブレット（被蒸発物質）としてのＩＴＯ焼結体３０を収容する主ハース３１が配設され、また主ハース３１には補助ハース３２が周設されている。主ハース３１は熱伝導率の良好な導電性材料、例えば、銅で形成されると共に、プラズマガン１２からのプラズマビームが入射する凹部を有し、さらに主電源２３の正側に接続されて陽極を形成し、プラズマビームを吸引する。
【００４１】
補助ハース３２も主ハース３１と同様、熱伝導率の良好な銅等の導電性材料で形成されると共に、環状永久磁石３３及び電磁石３４を収容する。該電磁石３４は可変電源であるハースコイル電源３５により励磁される。すなわち、補助ハース３２は、主ハース３１を囲む環状容器内に環状永久磁石３３と電磁石３４とを同軸上に積層して配設されると共に、電磁石３４はハースコイル電源３５に接続され、環状永久磁石３３によって形成される磁界と電磁石３４によって形成される磁界とが重畳するように構成されている。この場合、環状永久磁石３３により発生する中心側の磁界の向きと電磁石３４の中心側の磁界の向きとが同一方向とされ、ハースコイル電源３５の電圧を変化させることにより、電磁石３４に供給される電流を変化可能にしている。
【００４２】
また、補助ハース３２も垂下抵抗器３６を介して主ハース３１と同様、主電源２３の正側に接続されて陽極を構成している。
【００４３】
本発明の実施の形態においては、真空容器８の上部に、絶縁性基板を保持するための後述する図２の成膜治具２００を図１中の搬送方向Ａに搬送する搬送ローラ群３７が配設されている。搬送ローラ群３７は、水平に配列された複数材の搬送ローラ３８（搬送手段）からなる（図２）。各搬送ローラ３８の軸芯は、セラミックス製ではなく、セラミックスよりも剛性が高い金属製である。また、真空容器８の上部には、上記絶縁性基板を所定の温度に加熱する加熱ヒータ３９が設けられている。
【００４４】
このように構成されたイオンプレーティング装置は、ＳｎＯ２：４〜６質量％のＩＴＯ焼結体３０を主ハース３１の凹部に収容し、プラズマガン１２の陰極１７側から放電ガスをパイプ２８に供給することにより、パイプ２８と主ハース３１との間で放電を発生し、これによりプラズマビームを生成する。このプラズマビームは環状永久磁石１５及び電磁石１３により収束され、収束コイル１１と補助ハース３２内の環状永久磁石３３及び電磁石３４により決定される磁界に案内されて主ハース３１に到達する。
【００４５】
そして、このプラズマビームにより主ハース３１に収容されているＩＴＯ焼結体３０はプラズマ加熱されて蒸発する。この蒸発粒子はプラズマビームによりイオン化し、加熱ヒータ３９により加熱されている絶縁性基板上に付着してＩＴＯ膜を成膜する。
【００４６】
次に、図１における成膜治具２００について説明する。
【００４７】
図２は、図１における成膜治具２００の斜視図であり、図３は、図２の線ＩＩＩ−ＩＩＩに関する断面図である。
【００４８】
図２及び図３において、成膜治具２００は、絶縁性基板２０２を保持するトレイ２０１（保持部材）と、担持体３００（第２の担持部材）を介してトレイ２０１を担持するキャリア２０３（第１の担持部材）とによって構成される。担持体３００は、図４により後述する。
【００４９】
トレイ２０１は、底部２０１ａに矩形の切り欠き部２０１ｂを有する金属等の箱状部材から成り、この箱状部材の上縁２０１ｃには、対向部において夫々２つの突起２０１ｄが設けられている。トレイ２０１は、箱状部材の底部２０１ａで絶縁性基板２０２を保持する。また、ＩＴＯ焼結体３０の蒸発粒子が上記開口部を介して露出された絶縁性基板２０２上に付着する。
【００５０】
キャリア２０３は、中にトレイ２０１を収容すると共に担持体３００を介してトレイ２０１をその突起２０１ｄによって担持する金属等の枠体からなる。
【００５１】
図４は、図３における担持体３００の斜視図であり、図５は、図４の線Ｖ−Ｖに関する断面である。
【００５２】
図４及び図５において、担持体３００は、キャリア２０３上に垂直に配列されたセラミックス製の円筒体３００ａ（仕切体）と、円筒体３００ａの中に同軸的に収容され、且つキャリア２０３上に配列された円筒体３００ｂ（担持体）からなる（図５）。即ち、円筒体３００ａと円筒体３００ｂは入れ子構造となっている。
【００５３】
円筒体３００ｂの高さは、円筒体３００ａの高さより差Ａだけ高い。これにより、トレイ２０１は円筒体３００ｂにのみ担持される。従って、円筒体３００ｂは直接突起２０１ｄに接触するが、円筒体３００ａは突起２０１ｄに接触せず、円筒体３００ａと円筒体３００ｂとの間にラビリンスを形成する。また、図５では、円筒体３００ａの内径の１／２と円筒体３００ｂの外径の１／２の差をＢで示している。
【００５４】
図５において、円筒体３００ｂの高さと円筒体３００ａの高さの差Ａは好ましくは、１〜５ｍｍであり、さらに好ましくは、１〜３ｍｍである。また、円筒体３００ａの内径の１／２と円筒体３００ｂの外径の１／２の差Ｂに対応する辺ＯＰ（第１の辺）と円筒体３００ａの高さに対応する辺ＯＱ（第２の辺）とを直角を挟む二辺とする直角三角形において、辺ＯＰと斜辺ＰＱとがなす角度をθとすると、角度θは好ましくは、４５〜８５°、さらに好ましくは、６０〜８５°である。このとき、円筒体３００ｂの高さと円筒体３００ａの高さの差Ａ及び円筒体３００ａの内径の１／２と円筒体３００ｂの外径の１／２の差Ｂは小さい方が望ましい。
【００５５】
図６は、図１の透明導電膜付き基板の製造装置におけるＩＴＯ膜の成膜過程を説明する図である。
【００５６】
図６において、ＩＴＯ焼結体３０をプラズマビームによって加熱することにより、主ハース３１に収容されているＩＴＯ焼結体３０から蒸発した蒸発粒子６００は、絶縁性基板２０２、トレイ２０１、キャリア２０３及び搬送ローラ３８の夫々において蒸発粒子６００の雰囲気に接する面、並びに円筒体３００ｂ及び円筒体３００ａの外表面に付着し、ＩＴＯ膜６０１を成膜する。
【００５７】
このとき、円筒体３００ａが蒸発粒子６００の雰囲気と円筒体３００ｂの外表面とを仕切ることによって蒸発粒子６００の付着経路上にラビリンスを形成する。これにより、蒸発粒子６００が直接円筒体３００ｂの外表面に到達するのを防止し、その結果、ＩＴＯ膜６０１が絶縁性基板２０２から搬送ローラ３８までつながるのを防止することができる。
【００５８】
本発明の実施の形態によれば、円筒体３００ａが蒸発粒子６００の雰囲気と円筒体３００ｂの外表面とを仕切ることによって蒸発粒子６００の付着経路上にラビリンスを形成する。その結果、ＩＴＯ膜６０１が絶縁性基板２０２から搬送ローラ３８までつながることがないので、絶縁性基板２０２が安定したフローティング状態を維持し、異常放電を避けることができるのに加えて、搬送ローラ３８の軸芯をセラミックスで構成する必要をなくして、剛性の高い金属で構成することができるので、搬送ローラ３８を強固にすることができる。
【００５９】
上述した本発明の実施の形態において、円筒体３００ｂは円筒でなく中実の丸棒であってもよく、絶縁性基板２０２に付着させる導電膜が非導電性（例えば、ＳｉＯ２又はＴｉＯ２等）であるときは、担持体３００は円筒体３００ｂのみで構成されてもよい。また、トレイ２０１の突起２０１ｄの数は３又は５以上であってもよい。
【００６０】
さらに、図７に示すように図２中の搬送方向Ａと平行に配設された平行板７００が、蒸発粒子６００の雰囲気と、平行板７００と平行に配設され且つ平行板７００よりも高さが高い平行板７０１の外表面とを仕切ることによって蒸発粒子６００の付着経路上にラビリンスを形成してもよい。
【００６１】
この他、図８に示すように、トレイ２０１の蒸発粒子に接する面から垂直方向且つ図２中の搬送方向Ａと平行に配設されたフランジ８００及び円筒体３００ａが、蒸発粒子６００の雰囲気と円筒体３００ｂの外表面とを仕切ることによって蒸発粒子６００の付着経路上にラビリンスを形成してもよい。
【００６２】
次に、本発明の実施例を具体的に説明する。
【００６３】
図１の透明導電膜付き基板の製造装置において、上述した高さの差Ａ及び角度θを下記表１に示すように設定して透明導電膜付き基板のテストピースを作製した。（実施例１〜６、比較例１〜４）
【００６４】
【表１】
0003559519.tif 000002
【００６５】
尚、本発明の実施例における円筒体３００ａは、その外径が２０ｍｍであり、その肉厚が１ｍｍであり、且つその高さが５ｍｍであった。一方、本発明の実施例における円筒体３００ｂは、上記円筒体３００ａにおいて、上述した高さの差Ａ及び角度θが表１の値になるように設定された。また、本発明の実施例における円筒体３００ｂ及び円筒体３００ａの材質はアルミナとした。
【００６６】
また、上記のテストピース作製の際には、ＳｎＯ２含有率が５．０質量％のＩＴＯ焼結体をタブレットとして使用し、下記の放電条件によってイオンプレーティング法により絶縁性基板２０２上に膜厚１５０ｎｍのＩＴＯ膜６０１を成膜した。
【００６７】
〔放電条件〕
放電ガス：Ａｒ＋Ｏ２
放電電流：２００Ａ
真空容器８内の圧力：２．６６×１０−１Ｐａ（２．０×１０−３Ｔｏｒｒ）
放電ガス中の酸素分圧：２．６６×１０−２Ｐａ（２．０×１０−４Ｔｏｒｒ）
絶縁性基板２０２の基板温度：２００℃
そして、上記各テストピースについて、テストピース上に発生した異常放電の衝撃の痕の発生率を測定した。尚、測定された発生率は上記表１に示されている。
【００６８】
上記表１から明らかなように、比較例１〜３は角度θが４０°と小さいため、図５における半径の差Ｂは大きくなる。従って、蒸発粒子６００が円筒体３００ａの内面に回り込むことが容易であるので、円筒体３００ｂと円筒体３００ａの間にＩＴＯ膜６０１が成膜され、ＩＴＯ膜６０１は絶縁性基板２０２から搬送ローラ３８までつながることとなる。その結果、異常放電が発生することが確認された。
【００６９】
また、比較例４は高さの差Ａが０ｍｍであるため、円筒体３００ａの外表面にＩＴＯ膜６０１が成膜されると、円筒体３００ａの外表面に成膜されたＩＴＯ膜６０１を介してＩＴＯ膜６０１は絶縁性基板２０２から搬送ローラ３８までつながることとなる。その結果、異常放電が発生することが確認された。
【００７０】
これに対して実施例１〜６は角度θが４５〜６０°と比較例１〜３における角度θよりも大きいため、図５における半径の差Ｂは小さくなる。従って、蒸発粒子６００が円筒体３００ａの内面に回り込むことが困難となり、円筒体３００ｂと円筒体３００ａの間にＩＴＯ膜６０１が成膜されることもない。さらに、実施例１〜６は高さの差Ａが０ｍｍより大きい２ｍｍ以上であるため、円筒体３００ａの外表面に成膜されたＩＴＯ膜６０１を介してＩＴＯ膜６０１が絶縁性基板２０２から搬送ローラ３８までつながることもない。その結果、異常放電が発生しないことが確認された。
【００７１】
尚、本実施の形態では、円筒体３００ａ及び円筒体３００ｂの材質としてアルミナを用いたが、この他、カルシア、マグネシア、石英ガラス、トリア、チタニア、ムライト、スピネル、フォルステライト、ジルコニア及びジルコンのいずれか１つを用いてもよい。
【００７２】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、請求項１記載の透明導電膜付き基板の製造装置によれば、担持体が仕切体によって製造装置の蒸発粒子の雰囲気から部分的に仕切られているので、仕切体が蒸発粒子の担持体の外面への付着経路上にラビリンスを形成することができ、その結果、透明導電膜が絶縁性基板から搬送手段までつながるのを防止し、絶縁性基板は安定したフローティング状態を維持し、もって異常放電を避けることができるのに加えて、搬送手段の軸芯をセラミックスで構成する必要をなくして、剛性の高い金属で構成することができ、もって搬送ローラを強固にすることができる。
【００７３】
請求項２記載の透明導電膜付き基板の製造装置によれば、第１の辺及び第２の辺を直角を挟む二辺とする直角三角形の斜辺と、第１の辺とがなす角度は、４５〜８５°であるので、担持体の外面と仕切体の内面との間隔を小さくすることができ、蒸発粒子が仕切体の内面へ回り込むことが困難となり、透明導電膜が絶縁性基板から搬送手段までつながるのを確実に防止できる。
【００７４】
請求項３記載の透明導電膜付き基板の製造装置によれば、第１の辺及び第２の辺を直角を挟む二辺とする直角三角形の斜辺と、第１の辺とがなす角度は、６０〜８５°であるので、透明導電膜が絶縁性基板から搬送手段までつながるのをより確実に防止できる。
【００７５】
請求項４記載の透明導電膜付き基板の製造装置によれば、担持体と仕切体との高さの差は、１〜５ｍｍであるので、蒸発粒子が仕切体の内面へ回り込むことが困難となり、透明導電膜が絶縁性基板から搬送手段までつながるのを効果的に防止できる。
【００７６】
請求項５記載の透明導電膜付き基板の製造装置によれば、担持体と仕切体との高さの差は、１〜３ｍｍであるので、透明導電膜が絶縁性基板から搬送手段までつながるのをより効果的に防止できる。
【００７７】
請求項６記載の透明導電膜付き基板の製造装置によれば、第２の担持部材は、セラミックス製であるので、絶縁性基板が安定したフローティング状態を確実に維持して異常放電を避けることができる。
【００７８】
請求項７記載の透明導電膜付き基板の製造装置によれば、担持体及び仕切体は円筒形であるので、担持体及び仕切体は容易に生産できることに加え、担持体及び仕切体が第１の担持部材上に配列される際に、担持体及び仕切体の方向性を考慮する必要を無くすことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態に係る透明導電膜付き基板の製造装置の概略構成を示す図である。
【図２】図１における成膜治具２００の斜視図である。
【図３】図２の線ＩＩＩ−ＩＩＩに関する断面図である。
【図４】図３における担持体３００の斜視図である。
【図５】図４の線Ｖ−Ｖに関する断面である。
【図６】図１の透明導電膜付き基板の製造装置におけるＩＴＯ膜の成膜過程を説明する図である。
【図７】本発明の実施の形態における担持体３００の他の形態を示す図である。
【図８】本発明の実施の形態におけるトレイ２０１の他の形態を示す図である。
【図９】従来のイオンプレーティング装置における絶縁性基板の成膜治具の斜視図である。
【図１０】図９の成膜治具９００及び搬送ローラ１０００の概略構成を示す平面図である。
【図１１】図１０の線ＸＩ−ＸＩに関する断面図である。
【図１２】従来のイオンプレーティング装置における電気的フローティングの概略構造を示す図である。
【符号の説明】
３０  ＩＴＯ焼結体
３１  主ハース
３８，１０００  搬送ローラ
２００，９００  成膜治具
２０１，９０２  トレイ
２０１ａ，９０２ａ  底部
２０１ｂ，９０２ｂ  切り欠き部
２０１ｃ，９０２ｃ  上縁
２０１ｄ，９０２ｄ  突起
２０２，９０１  絶縁性基板
２０３，９０３  キャリア
３００  担持体
３００ａ，３００ｂ  円筒体
６００  蒸発粒子
６０１  ＩＴＯ膜
７００，７０１  平行板
８００  フランジ
１２００  セラミックス軸芯
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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