【事件の表示】
　特願２００３−５３４３１２「ハイブリッドＭＥＭＳ製造方法及び新規な光ＭＥＭＳデバイス」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　４月１７日国際公開、ＷＯ０３／３１３２１、平成１７年　２月１７日国内公表、特表２００５−５０４６４８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、２００２年７月１７日の国際出願（パリ条約による優先権主張２００１年７月２４日、アメリカ合衆国）であって、平成１６年３月８日付の手続補正を経て平成１９年４月２０日付で拒絶査定がなされ、同年７月２５日に拒絶査定を不服とする審判が請求されるとともに、同年８月２４日付で明細書を補正対象書類とする手続補正（以下、「本件補正」という。）がなされたものである。そして、当審による平成２０年８月２０日付審尋に対し、平成２１年２月２３日付で回答書が提出されたものである。
　
２．本件補正についての補正却下の決定
【補正却下の決定の結論】
　本件補正を却下する。
　
【理由】
2.1　補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１及び７が次のとおり補正された。
＜補正前＞
「【請求項１】
　マイクロ電子機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスを製造するハイブリッドな方法であって、
　ＭＥＭＳ構造材料層に隣接してハンドル層を実装するステップと、
　前記ＭＥＭＳ構造材料層の上に表面マイクロマシニングにより構造及び犠牲材料層を構築するステップと、
　前記構造及び犠牲材料層に駆動電子装置を実装するステップと、
　前記ハンドル層を前記ＭＥＭＳ構造材料から除去するステップと、
　前記犠牲材料を溶解させることにより取り除くステップと、
を含むことを特徴とする方法。」
「【請求項７】
　光マイクロ電子機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスを製造するハイブリッドな方法であって、
　ミラー層に隣接してハンドル層を実装して前記ミラー層を保持及び保護するステップと、
　表面マイクロマシニングを用いて前記ミラー層の上に構造及び犠牲材料層を構築するステップであって、前記構造材料がＭＥＭＳ構造を形成する、ステップと、
　前記ＭＥＭＳ構造にバイアスが与えられ得るように、駆動電子装置を前記構造及び犠牲材料層に実装するステップと、
　前記ハンドル層を前記ミラー層から除去するステップと、
　前記犠牲材料を溶解させて取り除き、前記ＭＥＭＳ構造を解放して、前記バイアス下で動作させるステップと、
を含むことを特徴とする方法。」
＜補正後＞
「【請求項１】
　マイクロ電子機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスを製造するハイブリッドな方法であって、
　
シリコン（Ｓｉ）である
　前記ＭＥＭＳ構造材料層の上に表面マイクロマシニングにより構造及び犠牲材料層を構築するステップと、
　前記構造及び犠牲材料層に駆動電子装置を実装するステップと、
　前記ハンドル層を前記ＭＥＭＳ構造材料から除去するステップと、
　前記犠牲材料を溶解させることにより取り除くステップと、
を含むことを特徴とする方法。」
「【請求項７】
　光マイクロ電子機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスを製造するハイブリッドな方法であって、
　
シリコン（Ｓｉ）である
　表面マイクロマシニングを用いて前記ミラー層の上に構造及び犠牲材料層を構築するステップであって、前記構造材料がＭＥＭＳ構造を形成する、ステップと、
　前記ＭＥＭＳ構造にバイアスが与えられ得るように、駆動電子装置を前記構造及び犠牲材料層に実装するステップと、
　前記ハンドル層を前記ミラー層から除去するステップと、
　前記犠牲材料を溶解させて取り除き、前記ＭＥＭＳ構造を解放して、前記バイアス下で動作させるステップと、
を含むことを特徴とする方法。」
（なお、下線は補正箇所を明確化する目的で当審にて付したものである。）
　
2.2　補正の適否の判断
　上記補正事項は、請求項１及び７に記載した発明を特定するためにそれぞれ必要な事項である「ＭＥＭＳ構造材料層」及び「ミラー層」について、「シリコン（Ｓｉ）である」との限定を加えるものであるから、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下、「改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下、「本件補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
2.3　本件補正発明
　本件補正発明は、本件補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、請求項１の記載は次のとおりである。
「マイクロ電子機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスを製造するハイブリッドな方法であって、
　シリコン（Ｓｉ）であるＭＥＭＳ構造材料層に隣接してハンドル層を実装するステップと、
　前記ＭＥＭＳ構造材料層の上に表面マイクロマシニングにより構造及び犠牲材料層を構築するステップと、
　前記構造及び犠牲材料層に駆動電子装置を実装するステップと、
　前記ハンドル層を前記ＭＥＭＳ構造材料から除去するステップと、
　前記犠牲材料を溶解させることにより取り除くステップと、
を含むことを特徴とする方法。」
　
2.4　刊行物記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用された、国際出願前に発行された次の刊行物には、以下の事項が記載されていると認められる。
　
　刊行物１：　特開平９−４３４０９号公報
　刊行物２：　国際特許出願公開第００／７８６６７号明細書
　
2.4.1　刊行物１
ａ．（段落【０００１】）
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は可動ミラー装置（deformable mirror device；ＤＭＤ）及びその製造工程に係り、特に光の反射効率を高め、制御回路基板の損傷を低減させるＤＭＤ及びその製造工程に関する。」
ｂ．（段落【０００９】）
「【０００９】
【発明の実施の形態】以下、添付した図面に基づき本発明をさらに詳細に説明する。本発明による可動ミラー装置を示した図６を参照すれば、アドレス走査回路（図示せず）を含む基板１０の上面には熱酸化膜２０と所定のパターンの電極３０が形成されている。前記電極３０の上面には第１ポスト４０が形成されており、該第１ポスト４０には第１可動ミラー５０が回転可能に支持されている。そして、前記第１可動ミラー５０の上面には第２ポスト６０が形成されており、該第２ポスト６０には第２可動ミラー７０が回転可能に支持されている。」
ｃ．（段落【００１１】）
「【００１１】前記のような構成の本発明による可動ミラー装置において、前記基板１０のアドレス走査回路により所定の電位が第１ポスト４０に印加されれば、第１可動ミラー５０が電位差により回動される。これにより、第１可動ミラー５０により支持された第２ポスト６０及び第２可動ミラー７０も共に回動される。
　ここで、前記第２ポスト６０と前記第２可動ミラー７０との連結部分に凹部がないので、従来の技術に比して第２可動ミラー７０の光の反射効率を高める。」
ｄ．（段落【００１２】〜【００１６】）
「【００１２】前記本発明による可動ミラー装置は次のような製造工程で製造される。まず、図３（Ａ）に示したように、シリコンやガラスよりなるベース１００上に前記第２可動ミラー７０を所定の形状に形成される。この際、第２可動ミラー７０はアルミニウムをスパッタリングや蒸着して形成される。次いで、図３（Ｂ）及び図３（Ｃ）に示したように、前記ベース１００と第２可動ミラー７０の上面に第１フォトレジスト層７１を所定のパターンに形成する。そして、図３（Ｄ）に示したように、前記第１フォトレジスト層７１のパターン内に前記第２ポスト６０を形成する。この際、前記第２ポスト６０はスパッタリングにより第２可動ミラー７０から延長形成される。
【００１３】引き続き、図３（Ｅ）及び図３（Ｆ）に示したように、前記第２ポスト６０及び前記第１フォトレジスト層７１の上面に第２フォトレジスト層６１を所定のパターンに形成する。そして、図４（Ａ）に示したように、前記第２フォトレジスト層６１のパターン内に前記第１可動ミラー５０を形成する。この際、第１可動ミラー５０はアルミニウムをスパッタリングや蒸着して形成される。ここで、前記第２ポスト６０は前記第１可動ミラー５０と第２可動ミラー７０との間に垂直に形成される。
【００１４】次いで、図４（Ｂ）及び図４（Ｃ）に示したように、前記第１可動ミラー５０及び第２フォトレジスト層６１の上面に第３フォトレジスト層５１を所定のパターンに形成する。そして、図４（Ｄ）に示したように、前記第３フォトレジスト層５１のパターン内に前記第１ポスト４０を形成する。ここで、前記第１，２ポスト４０，６０は導電性金属で形成される。
【００１５】次いで、図４（Ｅ）に示したように、前記第１ポスト４０及び第３フォトレジスト層５１の上面に第４フォトレジスト層４１を所定のパターンに形成し、図５（Ａ）に示したように前記第４フォトレジスト層４１のパターン内に電極３０を形成する。次に、図５（Ｂ）及び図５（Ｃ）に示したように、前記工程により形成された第１，２可動ミラー５０，７０、第１，２ポスト４０，６０及び電極３０を前記アドレス走査回路を含め上面に電極１１及び熱酸化膜２０の形成された基板１０に接合させる。
【００１６】最後に、前記フォトレジスト層を取り除きベース１００を分離させて図６に示したような可動ミラー装置を完成する。」
　
　摘記事項ｂ，ｃから、「第２可動ミラー７０」が回動可能な光の反射面であり、「第１ポスト４０」、「第１可動ミラー５０」及び「第２ポスト６０」は「第２可動ミラー７０」を回動可能に支持する構造を構成し、「基板１０」は「第２可動ミラー７０」の駆動回路を含む駆動電子装置であることが、当業者には容易に理解される。
　また、刊行物１に記載された「可動ミラー装置」が、「マイクロ電子機械システム（ＭＥＭＳ）デバイス」の一種であることも当業者には明白であるから、「第２可動ミラー７０」は「ＭＥＭＳ構造材料層」であり、「第１ポスト４０」、「第１可動ミラー５０」及び「第２ポスト６０」はＭＥＭＳデバイスの「構造」をなすものということができる。
　さらに、摘記事項ｄから明らかなように、「第２ポスト６０」、「第１可動ミラー５０」、「第１ポスト４０」及び「フォトレジスト層」は「表面マイクロマシニング」によって形成されるものである。
　そこで、上記摘記事項を本件補正発明の記載に沿って整理すると、刊行物１には次の事項（以下、「刊行物１記載の発明」という。）が記載されていると認められる。
「マイクロ電子機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスを製造する方法であって、
　ベースに隣接してアルミニウムであるＭＥＭＳ構造材料層を実装するステップと、
　前記ＭＥＭＳ構造材料層の上に表面マイクロマシニングにより構造及びフォトレジスト層を構築するステップと、
　前記構造及びフォトレジスト層に駆動電子装置を実装するステップと、
　前記ベースを前記ＭＥＭＳ構造材料から除去するステップと、
　前記フォトレジスト層を取り除くステップと、
を含む方法。」
　
2.4.2　刊行物２
ａ．（Abstract）
「A method is provided for fabricating a MEMS structure from a silicon-on insulator (SOI) wafer that has been bonded to a support substrate, such as a glass substrate, in order to form silicon components that can be both precisely and repeatedly formed. The SOI wafer includes a handle wafer, an insulating layer disposed on the handle wafer and a silicon layer disposed on the insulating layer. At least one trench is etched through the silicon layer by reactive ion etching. By utilizing the reactive ion etching, the trenches can be precisely defined, such as to within a tolerance of 0.1 to 0.2 microns of a predetermined width. After bonding the support subsrate to the silicon layer, the handle wafer is removed, such as by reactive ion etching. Thereafter, the insulating layer is selectively removed, again typically by reactive ion etching, to form the resulting MEMS structure that has a very precise and repeatable size and shape, such as to within a fraction of a micron. （以下、省略。）」
　
　上記摘記事項において、ＳＯＩウエハ(SOI wafer)のシリコン層(silicon layer)がＭＥＭＳデバイス(MEMS structure)のＭＥＭＳ構造材料層であり、ハンドル層(handle layer)が絶縁層(insulating layer)を介してシリコン層に隣接して設けられていることは、当業者であれば容易に理解し得る。本願の明細書の段落【００２１】〜【００２３】の記載から、刊行物２に記載されたシリコン層、絶縁層、ハンドル層の配列は本件補正発明のそれと同一であると認められるから、刊行物２に記載された方法においても、「ＭＥＭＳ構造材料層に隣接してハンドル層を実装」しているということができる。
　そこで、上記摘記事項を本件補正発明の記載に沿って整理すると、刊行物２には次の事項（以下、「刊行物２記載の事項」という。）が記載されていると認められる。
「ＭＥＭＳデバイスを製造する方法において、
　ＳＯＩウエハを用いてシリコンであるＭＥＭＳ構造材料層に隣接してハンドル層を実装すること。」
　
2.5　対比
　本件補正発明と刊行物１記載の発明とを比較すると、まず、後者の「ベース」は製造工程中はＭＥＭＳデバイスを支持する一方、製造工程が終了すると除去されるものであるから、前者の「ハンドル層」に相当するものというべきである。また、後者の「フォトレジスト層」はＭＥＭＳデバイスの製造工程中は表面マイクロマシニングによってＭＥＭＳ構造と共に積層され、製造工程が終了すると除去されるものであるから、前者の「犠牲材料層」に相当するものというべきである。そして、後者における「ベースに隣接してアルミニウムであるＭＥＭＳ構造材料層を実装するステップ」と、前者における「シリコン（Ｓｉ）であるＭＥＭＳ構造材料層に隣接してハンドル層を実装するステップ」とは、ＭＥＭＳ構造材料層とハンドル層とを互いに隣接して実装するものである限りにおいて共通するということができる。
　そうしてみると、両者は次の点において一致及び相違するものと認められる。
【一致点】
「マイクロ電子機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスを製造する方法であって、
　ＭＥＭＳ構造材料層とハンドル層とを互いに隣接して実装するステップと、
　前記ＭＥＭＳ構造材料層の上に表面マイクロマシニングにより構造及び犠牲材料層を構築するステップと、
　前記構造及び犠牲材料層に駆動電子装置を実装するステップと、
　前記ハンドル層を前記ＭＥＭＳ構造材料から除去するステップと、
　前記犠牲材料を取り除くステップと、
を含むことを特徴とする方法。」である点。
【相違点１】
　前者はシリコンからなるＭＥＭＳ構造材料層に隣接してハンドル層を実装するＭＥＭＳデバイスのハイブリッドな製造方法であるのに対し、後者はこのようなものでない点。
【相違点２】
　犠牲材料は、前者では溶解させることにより取り除くのに対し、後者ではこのような特定がない点。
　
2.6　判断
　以下、上記各相違点について検討する。
　
2.6.1　【相違点１】について
　刊行物２には、ＭＥＭＳデバイスを製造する方法において、ＳＯＩウエハを用いてシリコンであるＭＥＭＳ構造材料層に隣接してハンドル層を実装することが記載されている。刊行物２記載の事項は刊行物１記載の発明とＭＥＭＳデバイスの製造方法の技術分野に係るから、刊行物１記載の発明に刊行物２記載の事項を適用してＭＥＭＳ構造材料層をシリコンとすることにとどまらず、ＳＯＩウエハを用いてＭＥＭＳ構造材料層に隣接してハンドル層を実装することは、当業者が容易に想到し得るものである。
　刊行物１記載の発明に刊行物２記載の事項を適用して、ＳＯＩウエハを用いてシリコンであるＭＥＭＳ構造材料層に隣接してハンドル層を実装したものに、表面マイクロマシニングによって構造及び犠牲材料層とを構築してＭＥＭＳデバイスを製造する方法は、本件補正発明と同じく、「ハイブリッド」なものとなる。
　
2.6.2　【相違点２】について
　フォトレジスト層を、フォトレジスト材料を溶解させることによって除去することは、例を挙げるまでもなく、従来より周知かつ慣用の技術である。
　よって、刊行物１記載の発明においても、フォトレジスト材よりなる犠牲材料を溶解させることにより取り除くことは、当業者が容易に想到し得る。
　
2.7　まとめ
　本件補正発明には、刊行物１記載の発明及び刊行物２記載の事項並びに従来周知の技術に基いて普通に予測される範囲を超える格別の作用効果を見出すこともできないため、本件補正発明は刊行物１記載の発明及び刊行物２記載の事項並びに従来周知の技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許出願の際に独立して特許を受けることができないものである。
　したがって、本件補正は、改正前特許法第１７条の２第５項で準用する特許法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、改正前特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　なお、請求人は平成２１年２月２３日付回答書において、『ＭＥＭＳ構造材料層の上に表面マイクロマシニングにより構築される「構造」及び「犠牲材料層」がそれぞれ「ポリシリコン」及び「酸化物」であるとさらに限定する用意がある。』と述べている。しかしながら、特許法に規定する補正の機会は逸しているため、補正を許容すべき理由はないが、一応、上記補正についても検討しておく。
　ＭＥＭＳ構造材料層の上に、それぞれ「ポリシリコン」及び「酸化物」からなる「構造」及び「犠牲材料層」を表面マイクロマシニングにより構築したものは、Kubby, J. et al: Hybrid integration of light emitters and detectors with SOI based Micro-Opto-Electro-Mechanical Systems (MOEMS), Proceedings of the SPIE, Vol.4293, pp.32-45(2001) にも記載されているように公知の技術である。したがって、補正により上記限定を加えても、本件補正発明が特許出願の際に独立して特許を受けることができないものであるとの結論には変わりはない。
　
３．本願発明について
3.1　本願発明
　平成１９年８月２４日付の明細書を補正対象書類とする手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明は、平成１６年３月８日付手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりである。
「マイクロ電子機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスを製造するハイブリッドな方法であって、
　ＭＥＭＳ構造材料層に隣接してハンドル層を実装するステップと、
　前記ＭＥＭＳ構造材料層の上に表面マイクロマシニングにより構造及び犠牲材料層を構築するステップと、
　前記構造及び犠牲材料層に駆動電子装置を実装するステップと、
　前記ハンドル層を前記ＭＥＭＳ構造材料から除去するステップと、
　前記犠牲材料を溶解させることにより取り除くステップと、
を含むことを特徴とする方法。」
　
3.2　刊行物記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物とその記載事項は、上記2.4項に記載したとおりである。
　
3.3　対比・判断
　本願発明は、前記２．で検討した本件補正発明から、発明特定事項である「ＭＥＭＳ構造材料層」について「シリコン（Ｓｉ）である」との限定を除いたものに該当する。
　そうすると、本願発明の構成を全て含む本件補正発明が、上記2.7項に記載したとおり、刊行物１記載の発明及び刊行物２記載の事項並びに従来周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同じ理由により当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
3.4　むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、請求項２ないし１０に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。