【事件の表示】
　特願２００１−１９６２８２号「基板処理装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年１月１７日出願公開、特開２００３−１７４５６号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯  
　本件に係る出願（以下「本願」という。）は、平成１３年６月２８日の特許出願であって、平成１９年２月２６日付けで拒絶査定がなされ（発送日：同年３月６日）、これに対し、同年４月５日に拒絶査定不服審判が請求され、さらに、同年５月７日付けで手続補正がなされたものである。 
 　 
２．平成１９年５月７日付けの手続補正についての補正却下の決定  
［補正却下の決定の結論］  
　平成１９年５月７日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。  
［理由］  
(1)補正後の請求項１に記載された発明  
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、次のとおりに補正された（以下「本件補正発明」という。）。　  
「基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、
　（a）前記基板を保持する保持手段と、
　（b）前記保持手段に保持された前記基板に、オゾンガスを供給するオゾンガス供給手段を含むオゾン供給手段と、
　（c）前記保持手段に保持された前記基板に、過酸化水素水を含む溶液を供給する過酸化水素水供給手段と、
　（d）前記保持手段に保持された前記基板に、前記過酸化水素水供給手段によって前記過酸化水素水を供給させて、前記保持手段に保持された前記基板上で前記過酸化水素水を薄膜化させる第１ステップと、前記過酸化水素水供給手段による前記過酸化水素水の供給を停止させた後、前記保持手段に保持された前記基板上において薄膜化された前記過酸化水素水の上から、前記オゾン供給手段によって前記オゾンガスを供給させる第２ステップとを含む組合せプロセスを繰り返えさせる制御手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。」
　上記補正は、本件補正前の請求項１に「オゾンを供給するオゾン供給手段と、・・・前記オゾンを供給させる第２ステップとを含む組合せプロセスを繰り返えさせる制御手段と、を備え、前記オゾン供給手段は、前記保持手段に保持された前記基板に、オゾンガスを供給するオゾンガス供給手段を含む」とあったところを「オゾンガスを供給するオゾンガス供給手段を含むオゾン供給手段と、・・・前記オゾン供給手段によって前記オゾンガスを供給させる第２ステップとを含む組合せプロセスを繰り返えさせる制御手段と、を備える」と、発明特定事項であるオゾン供給手段により供給されるオゾンがオゾンガスであることを限定するものであり、特許請求の範囲を減縮するものであるから、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。  
　そこで、本件補正発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する特許法第１２６条第５項の規定に適合するか）否かについて検討する。  
(2)刊行物  
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００１−１４４００６号公報（以下「刊行物」という。）には、図面と共に次の事項が記載されている。  
ア．「以上のように、従来の方法では、高濃度かつ高液温のオゾン溶解水にてレジストの除去を行なうことはできず、あまりエッチングレートをあげることはできないため、処理にかかる時間を短縮することができなかった。
　従って、本発明の目的は、上記の従来技術の問題点を解決し、オゾン溶解水によるレジストの除去を短時間で行う方法を提供することにある。
　【課題を解決するための手段】本発明のレジスト除去方法は、半導体ウェーハ上に形成されたレジスト膜上に、オゾン溶解水およびオゾン分解触媒液を供給することによりレジスト膜を除去することを特徴としている。
　このように、レジスト膜上にオゾン溶解水に加え、オゾン分解触媒液を供給することにより、オゾン溶解水が低温（例えば常温）である場合でもエッチングレートを高く（従来技術の２倍以上）することが可能となった。
　これは、従来のオゾン溶解水のみによるレジストの除去、すなわち、レジスト（有機物）を酸化することによるレジスト除去に加え、アンモニア水や過酸化水素水等のオゾン分解触媒液をオゾン溶解水に添加すると、
オゾンが分解されてＯＨラジカルが生成され、このＯＨラジカルを反応開始剤とするラジカル連鎖反応により、レジスト膜（有機膜）が何段階かの分解反応を経て炭酸ガスと水とに分解されることによるレジスト除去が加わる
　本発明では、
オゾン溶解水とオゾン分解触媒液は、レジスト膜上へ別々に供給され、レジスト膜上にて混合されるのが好ましい。
　また、オゾン分解触媒液を予めレジスト膜上へ供給し、続いてオゾン溶解水をレジスト膜上へ供給するのが好ましい。」（段落【0005】ないし【0011】、下線は当審により付与。以下同様。）
イ．「図１に、本発明の実施の形態によるレジスト除去装置の概略図を示す。本実施の形態のレジスト除去装置は、
ウェーハを１枚づつ処理する、
ウェット処理装置である。
　
本レジスト除去装置は、カップ５内に回転可能なウェーハステージ２を備え、ステージ２にはウェーハ１を真空吸着する機能が具備されている。
オゾン溶解水製造装置６で生成されたオゾン溶解水が処理液吐出ノズル３から、タンク７に充填されたオゾン分解触媒液が処理液吐出ノズル４から、ウェーハ上に吐出できるよう構成されている。
　以下、図１に示すレジスト除去装置を用いた本発明の第１の実施例による半導体ウェーハ上のフォトレジスト除去方法につき説明する。
　
第１の実施例は、オゾン分解触媒液としてアンモニア水を用いた例
　まず、
ウェーハステージ２上に、上面にレジストが成膜されたウェーハ１を真空吸着させ、ウェーハステージ２を回転させる。
　ウェーハ１上への希釈アンモニア水の吐出を流量１Ｌ/min.にて１sec.以上行った後、オゾン溶解水供給管１６に設けられたバルブ１７を開くことにより、オゾン溶解水製造装置６にて生成されたオゾン溶解水を、処理液吐出ノズル３からウェーハ１上へ吐出する。この際のオゾン溶解水の吐出流量も1 Ｌ/min.程度で良い。尚、オゾン溶解液吐出中も希釈アンモニア水の吐出は継続している。
　ここで、オゾン分解触媒液とオゾン溶解水とを同時にウェーハ１上に供給するようにすることも可能であるが、上記のように
オゾン分解触媒液を予めウェーハ１上に吐出し、ウェーハ１表面全体をオゾン分解触媒液で覆った状態にて、オゾン溶解水をウェーハ表面上に吐出することにより、オゾンをウェーハ表面上にて瞬時に分解させることができる
ウ．「次に、本発明の第２の実施例による半導体ウェーハ上のフォトレジスト除去方法につき説明する。
　
第２の実施例では、オゾン分解触媒液として過酸化水素水を用いた例を示す。
　
図１のタンク７にオゾン分解触媒液として過酸化水素水を充填し
　
ウェーハ表面上への希釈過酸化水素水の吐出を1Ｌ/min.にて1sec.以上行った後に、オゾン溶解水のウェーハ表面上への吐出を開始する。この際のオゾン溶解水の吐出流量も1Ｌ/min.程度で良い。尚、オゾン溶解水吐出中も希釈過酸化水素水の吐出は継続している。
エ．「また、上記第１及び第２の実施例では、オゾン溶解水とオゾン分解触媒液とをウェーハ１上で混合させているが、この方法に変えて、ウェーハ上に吐出する前に、予めオゾン溶解水とオゾン分解触媒液とを混合しておいてもよい。しかしながら、
吐出以前に両液を混合しておいた場合、オゾン溶解水とオゾン分触媒液により発生するラジカルは一般的に寿命が非常に短いため、レジストに吐出した際には、反応生成物であるラジカルの多くが消滅しているために、レジストのエッチングレート向上させる効果は少ない。したがって、上記実施例のように、ウェーハ上で混合するのが最も好ましい。
除去対象のレジスト膜の膜厚等に応じて、オゾン溶解水を吐出し始めた時点、
オゾン分解触媒液の吐出を停止してもよい。
オ．上記摘記事項イおよびウによると、ウェーハステージ2に真空吸着されたウェーハ1に、ウェーハステージ2を回転させた状態で、ウェーハ1上に過酸化水素水を予め吐出し、ウェーハ1表面全体を過酸化水素水で覆った状態にする工程が示されているといえる。
カ．上記摘記事項イ、ウおよびエによると、ウェーハ1表面全体を過酸化水素水で覆った状態にする工程の後、ウェーハステージ2に吸着保持されたウェーハ1表面上にオゾン溶解水を吐出し始めた時点で、過酸化水素水の吐出を停止する工程が示されているといえる。
 　上記記載事項及び図面の記載内容からみて、刊行物には、次の発明が記載されている。  
 「ウェーハ1を処理するウェット処理装置であって、
　ウェーハ1を真空吸着するウェーハステージ2と、
　ウェーハステージ2に真空吸着されたウェーハ1に、オゾン溶解水を吐出できる処理液吐出ノズル3と、
　ウェーハステージ2に真空吸着されたウェーハ1に、過酸化水素水を吐出できる処理液吐出ノズル４と、
　ウェーハステージ2に真空吸着されたウェーハ1に，ウェーハステージ2を回転させた状態でウェーハ1上に過酸化水素水を予め吐出し、ウェーハ1表面全体を過酸化水素水で覆った状態にする工程と、その後、ウェーハステージ2に吸着保持されたウェーハ1表面上にオゾン溶解水を吐出し始めた時点で過酸化水素水の吐出を停止する工程を実施する手段、
を備えるウェット処理装置。」
(3)対比  
　本件補正発明と刊行物に記載された発明を対比する。  
　刊行物に記載された発明の「ウェーハ1」は、その構成及び機能からみて、本件補正発明の「基板」に相当し、以下同様に、  
　「ウェット処理装置」は「基板処理装置」に、  
　「真空吸着」は「保持」に、  
　「ウェーハステージ2」は「保持手段」に、  
それぞれ相当する。  
　そして、刊行物に記載された発明の「オゾン溶解水を吐出できる処理液吐出ノズル3」と、本件補正発明の「オゾンガスを供給するオゾンガス供給手段を含むオゾン供給手段」とは、「オゾンを供給するオゾン供給手段」である点で共通する。
　また、刊行物１に記載された発明の「過酸化水素水を吐出できる処理液吐出ノズル４」は、その構成及び機能からみて、本件補正発明の「過酸化水素水を含む溶液を供給する過酸化水素水供給手段」に相当し、以下同様に、
　「ウェーハ1に、ウェーハステージ2を回転させた状態でウェーハ1上に過酸化水素水を予め吐出し、ウェーハ1表面全体を過酸化水素水で覆った状態にする工程」は、ウェーハステージ2の回転により過酸化水素水は、ウェーハ1表面上で薄膜化されるから、「基板に、過酸化水素水供給手段によって過酸化水素水を供給させて、保持手段に保持された基板上で過酸化水素水を薄膜化させる第１ステップ」に、
それぞれ相当する。
　さらに、刊行物に記載された発明の「その後、ウェーハステージ2に吸着保持されたウェーハ1表面上にオゾン溶解水を吐出し始めた時点で過酸化水素水の吐出を停止する工程」は、ウェーハ1表面上を過酸化水素水で覆った後に過酸化水素水の吐出を停止し、オゾン溶解水を吐出し始めるステップを意味する。そして、本件補正発明の「過酸化水素水供給手段による過酸化水素水の供給を停止させた後、保持手段に保持された基板上において薄膜化された過酸化水素水の上から、オゾン供給手段によってオゾンガスを供給させる第２ステップ」なる発明特定事項中の「過酸化水素水の供給を停止させた後」とは、本願明細書の【図6】に、過酸化水素水の供給停止と同時にオゾンガスの供給を開始することが記載されていることを勘案すると、過酸化水素水の供給停止と同時にオゾンガスの供給を開始することを含むものである。また、刊行物に記載された発明の「オゾン溶解水」と本件補正発明の「オゾンガス」とは、「オゾン」である点で共通する。
　したがって、刊行物に記載された発明の「ウェーハステージ2に吸着保持されたウェーハ1表面上にオゾン溶解水を吐出し始めた時点で過酸化水素水の吐出を停止する工程」と、本件補正発明の「過酸化水素水供給手段による過酸化水素水の供給を停止させた後、保持手段に保持された基板上において薄膜化された過酸化水素水の上から、オゾン供給手段によってオゾンガスを供給させる第２ステップ」とは、「過酸化水素水供給手段による過酸化水素水の供給を停止させた後、保持手段に保持された基板上において薄膜化された過酸化水素水の上から、オゾン供給手段によってオゾンを供給させる第２ステップ」という点で共通する。
　また、刊行物に記載された発明の「・・・工程と、・・・工程を実施する手段」と、本件補正発明の「・・・第１ステップと、・・・第２ステップとを含む組合せプロセスを繰り返させる制御手段」とは、「・・・第１ステップと、・・・第２ステップとを含む組合せプロセスを実施する手段」である点で共通する。
　したがって、上記両者の一致点及び相違点は、次のとおりである。　　　［一致点］  
「基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、
　（a）前記基板を保持する保持手段と、
　（b）前記保持手段に保持された前記基板に、オゾンを供給するオゾン供給手段と、
　（c）前記保持手段に保持された前記基板に、過酸化水素水を含む溶液を供給する過酸化水素水供給手段と、
　（d）前記保持手段に保持された前記基板に、前記過酸化水素水供給手段によって前記過酸化水素水を供給させて、前記保持手段に保持された前記基板上で前記過酸化水素水を薄膜化させる第１ステップと、前記過酸化水素水供給手段による前記過酸化水素水の供給を停止させた後、前記保持手段に保持された前記基板上において薄膜化された前記過酸化水素水の上から、前記オゾン供給手段によって前記オゾンを供給させる第２ステップとを含む組合せプロセスを実施する手段と、
を備える基板処理装置。」
［相違点１］
　オゾン供給手段により供給されるオゾンが、
　本件補正発明では、「オゾンガス」であるのに対して、
　刊行物に記載された発明では、「オゾン溶解水」である点。
［相違点２］
　第１ステップと第２ステップとを含む組合せプロセスを実施する手段が、
　本件補正発明では、組合せプロセスを繰り返えさせる制御手段であるのに対して、
　刊行物に記載された発明では、この発明特定事項を備えない点。
(4)当審の判断  
　以下、上記相違点について検討する。
(4-1)相違点１について
　レジスト膜等の有機物を除去するために、基板表面にアンモニア水等のアルカリ溶液と共に、オゾン供給手段によりオゾンガスを供給することは、本願出願前周知の技術事項である（例えば、原査定の拒絶理由通知書で引用された特開２０００−２８６２２０号公報の段落【0004】、【0005】、【0022】、【0025】、【0026】、【0036】や特開２０００−１４７７９３号公報の段落【0027】、【0028】、【0034】、【0048】、【0049】、【図2】、【図7】参照。）。
　したがって、刊行物に記載された発明に上記周知の技術事項を適用して、ウェーハ1表面上に、オゾン供給手段によりオゾン溶解水を吐出することに換えてオゾンガスを供給することは、当業者が容易になし得たものである。
(4-2)相違点２について
　刊行物の摘記事項ア、イおよびエ（上記(2)ア、イおよびエ参照。）に記載されているように、過酸化水素水はオゾンを分解して、ＯＨラジカルを生成し、このＯＨラジカルによるラジカル連鎖反応によりウェーハ１上のレジスト膜が除去されるものである。そして、このＯＨラジカルは寿命が非常に短いため、レジスト膜を除去するためには、ラジカル連鎖反応によりＯＨラジカルを生成し続け、ラジカル連鎖反応を継続させることが必要となる。そのための解決方法として、過酸化水素水とオゾンガスを補給し、ＯＨラジカルを生成することが考えられる。一方で、過酸化水素水の薄膜上に、オゾンガスを供給し、オゾンをウェーハ１表面上にて瞬時に分解させることが、ウェーハ１表面上のレジスト膜を除去するために有効であることも上記摘記事項イに記載されているから、刊行物に記載された発明において、これらを勘案し、もう一度、ウェーハ１表面を過酸化水素水で覆い、その後に、オゾンガスを供給し、このことを繰り返すことにより、ＯＨラジカルを生成し続けることは当業者が必要に応じてなし得た事項である。
　さらに、基板処理工程を制御手段の制御により自動的に行うことも、基板処理の技術分野において、本願出願前から慣用的に用いられている技術事項であることから、刊行物に記載された発明において、処理工程を制御手段の制御により自動的に行わせるようにすることは、当業者が必要に応じてなし得たものである。
(4-3)まとめ
　本件補正発明が奏する効果についてみても、刊行物に記載された発明および周知の技術事項が奏する効果から当業者が予測できる範囲内のものである。
　ゆえに、本件補正発明は、刊行物に記載された発明および周知の技術事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるといえる。  
　よって、本件補正発明は、刊行物に記載された発明および周知の技術事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。　  
(5)むすび  
　以上のとおりであるから、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項で準用する特許法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、平成１８年改正前特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条の規定により却下すべきものである。  
 　 
３．本願発明について  
(1)本願発明  
　平成１９年５月７日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成１８年１１月８日付けの手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。  
　「基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、
　（a）前記基板を保持する保持手段と、
　（b）前記保持手段に保持された前記基板に、オゾンを供給するオゾン供給手段と、
　（c）前記保持手段に保持された前記基板に、過酸化水素水を含む溶液を供給する過酸化水素水供給手段と、
　（d）前記保持手段に保持された前記基板に、前記過酸化水素水供給手段によって前記過酸化水素水を供給させて、前記保持手段に保持された前記基板上で前記過酸化水素水を薄膜化させる第１ステップと、前記過酸化水素水供給手段による前記過酸化水素水の供給を停止させた後、前記保持手段に保持された前記基板上において薄膜化された前記過酸化水素水の上から、前記オゾン供給手段によって前記オゾンを供給させる第２ステップとを含む組合せプロセスを繰り返えさせる制御手段と、
を備え、
　前記オゾン供給手段は、前記保持手段に保持された前記基板に、オゾンガスを供給するオゾンガス供給手段を含むことを特徴とする基板処理装置。」
(2)刊行物  
(2-1)原査定の拒絶の理由に引用した刊行物、刊行物の記載事項、及び、刊行物に記載された発明は、前記「２．(2)刊行物」に記載したとおりである。 
(3)対比・判断  
　本願発明と刊行物に記載された発明とを対比する。  
　本願発明は、前記「２．［理由］」で検討した本件補正発明において、「オゾンガスを供給するオゾンガス供給手段を含むオゾン供給手段と、・・・前記オゾン供給手段によって前記オゾンガスを供給させる第２ステップとを含む組合せプロセスを繰り返えさせる制御手段と、を備える」とあったところを、「オゾンを供給するオゾン供給手段と、・・・前記オゾンを供給させる第２ステップとを含む組合せプロセスを繰り返えさせる制御手段と、を備え、前記オゾン供給手段は、前記保持手段に保持された前記基板に、オゾンガスを供給するオゾンガス供給手段を含む」と、オゾン供給手段により供給されるオゾンが「オゾンガス」であるとの限定を省くものである。
　そうすると、実質的に本願発明の発明特定事項をすべて含み、さらに、他の発明特定事項を付加したものに相当する本件補正発明が、前記「２．(3)対比および(4)当審の判断」に記載したとおり、刊行物に記載された発明および周知の技術事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様に、刊行物に記載された発明および周知の技術事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。  
(4)むすび  
　以上のとおりであるから、本願発明は、刊行物に記載された発明および周知の技術事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。  
　したがって、本願のその他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。  
　よって、結論のとおり審決する。