【事件の表示】
　特願２００３−１５６９８２「半導体パッケージ」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年１２月２４日出願公開、特開２００４−３６３１８７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１５年６月２日の出願であって、その請求項１、２に係る発明は、願書に最初に添付された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１、２に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その内、請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、次のとおりのものである。
　
　「【請求項１】　一面に接続端子が設けられた基板と、
　この基板の前記一面に、前記接続端子に電気的に接続して搭載された半導体チップと、
　この半導体チップに重ねて設けられ、熱膨張率が当該半導体チップと近似するダミー層と、
　このダミー層に重ねて設けられ、熱膨張率が前記基板と近似する金属層と、
　前記基板の前記一面を前記半導体チップ及び前記ダミー層と共に封止し且つ前記金属層をその一面が外部に露出するように埋め込んだモールド樹脂層と、
　前記基板の他面に、前記一面の接続端子と電気的に接続して設けられた端子とを具備してなる半導体パッケージ。」
　
２．引用刊行物及びその摘記事項
　原査定の拒絶の理由に引用した本願出願前に国内において頒布された下記の刊行物１、２には、次の事項が記載されている。
　
　刊行物１：特開２００２−１７０９０６号公報（平成１８年１０月１６日　　　　　　付の拒絶理由通知書の引用文献１）
　刊行物２：特開平１０−１１６９３６号公報（同拒絶理由通知書の引用文　　　　　　献３）
　
＜刊行物１の摘記事項＞
１ａ）「【００５１】図１７は、本発明の第１０実施例による半導体装置の断面図である。図１７に示す半導体装置２０ｋは、半導体チップ４上に半田ボール６ｅが形成され、半田ボール６ｅを挟んで半導体チップ４ａが配設されている。半導体チップ４ａの背面を封止樹脂８から露出するように配設し、この半導体チップ４ａの背面とヒートシンク４２を接続させる。これにより、半導体装置で発生した熱を効率的に放出することができる。尚、半導体チップ４ａは必ずしも電気的に機能させる必要はなく、半導体装置の熱抵抗を低減させるためのダミー素子を搭載してもよい。」
　
１ｂ）「【０００４】
【従来の技術】図１８は従来のファンアウト型の半導体装置の断面図である。図１８において、半導体装置１は大略すると基板２、半導体チップ４、半田ボール６、及び封止樹脂８等により構成されている。ここで、インターポーザは、基板２、電極パターン１０、ボンディングパッド１２により構成され、外部の電極と半導体チップとを電気的に導通させるために用いられる。
【０００５】基板２は、例えばポリイミド樹脂、セラミック樹脂、ガラスエポキシ樹脂等により形成されており、その表面２ａには半導体チップ４が搭載されると共に、電極パターン１０が形成される。半導体チップ４は、・・・ＤＢ材（ボンディング材）５により基板２に固定されている。・・・
【０００６】電極パターン１０は、一部をボンディングパッド１２と一体化されている。このボンディングパッド１２と半導体チップ４の電極とは、ワイヤ１４により接続されている。これにより、半導体チップ４と電極パターン１０、ボンディングパッド１２はワイヤ１４及び配線パターンを介して電気的に接続された構成となっている。また、基板２の半導体チップ４が接続された面２ａは、半導体チップ４、ワイヤ１４、ボンディングパッド５等を保護するためにエポキシ系樹脂等よりなる封止樹脂８により封止されている。
【０００７】更に、また、基板２の電極パターン１０と対向する位置には、基板２を貫通する孔部１６が形成されている。・・・
【０００８】一方、基板２の裏面２ｂには、半田ボール６が配設されている。この半田ボール６は、前記した孔部１６の形成位置に配設されており、この孔部１６を介して電極パターン１０に接合された構成とされている。」
　
１ｃ）「【００３４】図１は本発明の第１実施例による半導体装置の断面図である。図１に示した半導体装置２０は、ワイヤボンディング接続されたファンアウト型の半導体装置である。以下に示す図１〜１７において、図１８に示した構成部品と同じ部品には同じ符号を付し、その説明は省略する。」
　
＜刊行物２＞
２ａ）「【００３１】図４は、・・・半導体パッケージの要部構成例を断面的に示したものである。図４において、７は一主面に接続端子（図示省略）が設けられた樹脂基板、８は前記樹脂基板７の接続端子に対応させ電気的に接続し搭載された半導体素子である。ここで、樹脂基板７は、たとえばガラスクロスを基材とし、エポキシ樹脂を含浸して成る熱膨張係数が　１．１〜　１．２×１０−５／Ｋ・・・のガラスエポキシ樹脂基板である。また、半導体素子８は、たとえば・・・ＩＣチップ（フリップチップ）で、フェースダウン型に樹脂基板７面の接続端子に電気的に接続され、かつ固定されている。
【００３２】さらに、１１は前記半導体素子８を含む樹脂基板７の一主面をモールド封止するモールド樹脂層、１２は前記モールド樹脂層１１上面側に一体的に配置された熱膨張係数が樹脂基板に近似する金属層、１３は前記半導体素子８側に電気的に接続して樹脂基板７の他主面側に導出・配置させたボール・グリッド・アレイ型端子、１５は半導体素子８の上面に前記金属層１２を接合する接着剤層である。」
　
２ｂ）「【００１３】・・・発明は、・・・半導体パッケージにおいて、金属層が半導体素子上面に熱的に接続されていることを特徴とする。・・・樹脂基板面上のモールド樹脂層を、前記樹脂基板とほぼ同じ熱膨張係数を有する金属層で挟着る構成を採る。そして、この構成においては、樹脂基板に比べ、熱膨張係数の大きいモールド樹脂層の熱収縮によって、樹脂基板をモールド樹脂層側に反らす作用を呈する。一方、モールド樹脂層上面側に一体的に配置され、モールド樹脂層を挟着する金属層が、樹脂基板とほぼ同じ熱膨張係数を有する・・・ため、モールド樹脂層側に樹脂基板を反らす作用を相殺する。つまり、モールド樹脂層を挟着する樹脂基板および金属層によって、モールド樹脂層の熱収縮による両側の反りを相互に吸収（相殺）し、所要の平坦性を採った薄型半導体パッケージとして機能することになる。」
　
３．当審の判断
（１）刊行物１発明
　上記摘記事項１ａ）、１ｃ）によれば、刊行物１の図１７に記載された第１０実施例の半導体装置は、同図１８に記載された、従来のファンアウト型の半導体装置を改良した発明に関するものである。
　摘記事項１ｂ）に記載された従来の技術を参照しつつ、摘記事項１a）で半導体チップ４上に配設する半導体チップ４ａとして、電気的に機能しない、半導体装置の熱抵抗を低減させるためのいわゆるダミー素子を選択したものとして、摘記事項ａ）の記載を整理すると、刊行物１には、「表面２ａに、一部をボンディングパッド１２と一体化された電極パターン１０が形成された基板２と、この基板の前記表面２ａに、前記ボンディングパッド１２にワイヤ１４により接続された半導体チップ４と、この半導体チップ４上に配設された、ダミー素子と、このダミー素子の背面を封止樹脂８から露出するように配設し、このダミー素子の背面とヒートシンク４２を接続させ、また、基板２の電極パターンと対向する位置には、基板を貫通する孔部が形成され、基板２の裏面２ｂには半田ボール６が配設されている半導体装置」（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されている。
　
（２）対比・判断
　そこで、本願発明１と刊行物１発明とを対比すると、刊行物１発明の「表面２ａ」、「ボンディングパッド」及び「ダミー素子」は、本願発明１の「一面」、「接続端子」及び「ダミー層」に相当する。
　また、刊行物１発明の「ヒートシンク」、「半田ボール」、「封止樹脂」及び「裏面２ｂ」は、本願発明１の「金属層」、「端子」、「モールド樹脂層」及び「他面」に相当する。
　
　そうすると、両者は、「一面に接続端子が設けられた基板と、この基板の前記一面に、前記接続端子に電気的に接続して搭載された半導体チップと、この半導体チップに重ねて設けられるダミー層と、このダミー層に重ねて設けられる金属層と、前記基板の前記一面を前記半導体チップ及び前記ダミー層と共に封止し且つ前記金属層をその一面が外部に露出するように埋め込んだモールド樹脂層と、前記基板の他面に、前記一面の接続端子と電気的に接続して設けられた端子とを具備してなる半導体パッケージ」の点で一致するものの、次の点で一応相違する。
　
　相違点１：ダミー層について、本願発明１のダミー層は、熱膨張率が半導体チップと近似するものであるのに対し、刊行物１発明のダミー素子は、そのようなものであることが記載されていない点。
　相違点２：金属層について、本願発明１の金属層は、熱膨張率が基板と近似するものであるのに対し、刊行物１発明のヒートシンクは、そのようなものであることが記載されていない点。
　
　次に、上記相違点１、２について検討する。
　
＜相違点１について＞
　上記刊行物１の摘記事項１ａ）によれば、ダミー素子は、半導体装置の熱抵抗を低減させるために、半導体チップ４ａに替えて搭載するものであるが、半導体チップ４ａの背面とヒートシンクを接続させることにより、半導体装置で発生した熱を効率的に放出することと、半導体チップ４ａは、必ずしも電気的に機能させる必要はないということとを勘案すると、半導体チップ４上にダミー素子を搭載する場合には、最初に、半導体チップ４ａから電気的機能を省いた半導体チップを、半導体装置の熱抵抗を低減させるためのダミー素子として搭載するのが自然である。
　そうすると、請求人が主張するように、ダミー素子として熱伝導率の高い金属製のものを搭載することがあるとしても、それは電気的機能を省いた半導体チップでは、半導体装置の熱抵抗を低減させる上で十分ではない場合に限られるとするのが相当である。
　そして、刊行物１に記載のダミー素子として、電気的機能を省いた半導体チップを搭載するとした場合、この電気的機能を省いた半導体チップの熱膨張率が、半導体チップの熱膨張率と同一或いは近似したものになることは当然のことであるから、上記相違点１は実質上の相違点とはいえない。
　
＜相違点２について＞
　上記刊行物２の摘記事項２ａ）、２ｂ）には、半導体パッケージにおいて、半導体素子が搭載された樹脂基板の一主面をモールド樹脂により封止するとともに、この半導体素子の上面に接合され、かつ、モールド樹脂層上面側に一体的に配置された金属層が、樹脂基板とほぼ同じ熱膨張係数を有することにより、この金属層が、モールド樹脂層側に樹脂基板を反らす作用を相殺する旨が記載されている。
　そして、一般に、樹脂基板とモールド樹脂との熱膨張係数の差により発生する、半導体パッケージの反りを防止しようとすることは、当然に行われるべき自明の技術的課題である。また、刊行物１発明の半導体装置も、摘記事項１b）を参酌すると樹脂基板を用いてモール度樹脂で封止するものである。
　そうすると、刊行物１発明の半導体装置も、刊行物２に記載の半導体パッケージと同様に、半導体チップを搭載した樹脂基板をモールド樹脂で封止したものであるから、半導体装置の反りを防止するという技術的課題は当然に有することである。
　してみると、刊行物１発明において、金属層が、モールド樹脂層側に樹脂基板を反らす作用を相殺するために、金属層の熱膨張係数を樹脂基板のそれとほぼ同じ熱膨張係数にして、刊行物２に記載の技術的手段を適用することにより、ダミー素子の背面に接続するヒートシンクの熱膨張率を基板の熱膨張率に近似させて、半導体装置の反りを防止するようなことは容易に想到することができるものである。
　
　そして、本願発明１において、ダミー層の熱膨張率を半導体チップのそれと近似させるとともに、金属層の熱膨張率を基板のそれと近似させたことによっても、刊行物１及び２に記載された発明と比較して、格別顕著な作用効果を奏するものとも認められない。
　
　したがって、本願発明１は、上記刊行物１及び刊行物２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は特許を受けることができないものであり、本願の請求項２については検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。