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　特願２００１−３０２１２１「半導体装置及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　４月１１日出願公開、特開２００３−１０９９５７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は，平成１３年９月２８日の出願であって、平成１８年４月４日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年５月１１日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項１ないし９に係る発明は、平成１７年１２月１２日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし９に記載された事項により特定されるものであり、その請求項４に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、その請求項４に記載されている事項により特定される以下のとおりのものである。
　
「【請求項４】　下層配線層と、上層配線層と、これらの配線層間を絶縁するＳＯＧ膜を含む層間絶縁膜とを有し、前記下層配線層が、スリット幅が０.４〜１.７μｍである２以上のスリットを有しており、該スリット間のライン幅が０.８〜３.３μｍであり、前記下層配線層が、前記ライン上で前記層間絶縁膜に形成された０.５〜３μｍ2のビアホール底面の面積を有するビアホールを介して上層配線層と電気的に接続されてなる半導体装置であって、前記ライン幅／スリット幅の比率が２以下になるようにパターニングされてなることを特徴とする半導体装置。」
　
３．刊行物に記載された発明
　刊行物１：特開平４−９２４２８号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に日本国内で頒布された特開平４−９２４２８号公報（以下、「刊行物１」という。）には、第１図ないし第３Ｆ図及び第１０図とともに、以下の事項が記載されている。
　
　「半導体製造プロセスにおいて、表面の平坦性は多層配線を行う場合に望ましいことである。上記においては、特に２層目の層間絶縁膜５はスピン・オン法によって液状の塗布液（ＳＯＧ（Spin On Glass）もしくはポリイミド樹脂等の樹脂液）を回転による遠心力の作用下で例えば矢印９方向に流動させながら塗布して形成される。ここで、上記のスピン・オン法とは、ある種の物質（液体）を回転下で塗布する技術を指し、この中にはＳＯＧ法や、ポリイミド樹脂を用いるポリイミド法も含まれる。なお、他の層間絶縁膜４及び６は化学的気相成長法による絶縁膜（例えばＳｉＯ２膜）であって下地形状に追随した表面性を呈するので、層間絶縁膜５による平坦性はそのまま半導体の表面性を規定することになる。」（第２頁左上欄第１８行ないし右上欄第１２行）
「即ち、本発明は、半導体基体上にて、下層の導電層と（特に配線層）上層の導電層（特に配線層）とが層間絶縁膜に設けた複数のコンタクトホールを介して互いに接続されており、前記複数のコンタクトホール間の領域で前記下層の導電層に切欠部が設けられている半導体装置に係るものである。」（第２頁右下欄第１９行ないし第３頁左上欄第４行）
「本実施例において注目すべき構成は、下層の単一の配線層３において第１図に明示するように、各コンタクトホール７（図示簡略化のために４列にして示している。）の各列当たり所定数の（図示簡略化のために４個としている）コンタクトホール７を形成し、各列間に直線状の切欠部１０を一定幅でかつ一定ピッチに形成していることである。従って、各層間絶縁膜、特にスピン・オン法で被着される層間絶縁膜５は矢印９方向（即ち、切欠部１０を横切る例えば直交方向）にその塗布液が流動する際に切欠部１０内に入り込んで一部保持されると共に、各切欠部１０の両側では等幅の配線層３上に同等厚みに層間絶縁膜５が塗布されることになる。即ち、後述の第３Ｄ図の工程で示すように、切欠部１０の両側では切欠部１０で分割された配線層３が等幅となっているために、塗布液の表面張力や回転による影響が同等となるからである。この結果、層間絶縁膜５はほぼ同等の厚みで配線層３上に塗布されることになるから、各コンタクトホール７における層間絶縁膜５の厚み（即ちコンタクトホールの深さ）は場所的に同等となり、既述したアスペクト比が均一化することになる。
　こうして、コンタクトホール７における上層の配線層８のステップカバレッジに差が生じなくなり、コンタクト抵抗が各コンタクトホール間でほぼ一定となる。しかも、十分な厚みで配線層８を均一に被着させることができるから、断線も生じることがない。
　例えば、上記において、切欠部１０の幅ｄ１及びこれに隣接した配線層３の幅ｄ２は夫々１．２μｍとし、コンタクトホール７の径は０．９μｍとしたとき、本実施例における各コンタクト抵抗は４〜８Ωの範囲内でほぼ均一となった。なお、配線層３及び８の厚みは０．５〜１．５μｍ（例えば１．０μｍ）、層間絶縁膜５の厚み（配線層３上）は０．３μｍ以下（例えば０．１μｍ）、層間絶縁膜４の厚みは０．５μｍ以下（例えば０．３μｍ）、層間絶縁膜６の厚みは１．０μｍ以下（例えば０．５μｍ）とするのがよい。
　また、コンタクトホール７を多数設けているので、上下の配線層間のコンタクト抵抗を単一のコンタクトホールの場合に比べて減少させ得る等の効果がある。なお、本例の構造では、同一面積で回路を作る場合、コンタクトホール７の数は第７図の例に比べて減ることがあるが、上記した理由からトータルのコンタクト抵抗は大きく減少する。
　次に、本実施例による多層配線構造の形成方法を第３図で説明する。
　まず、第３Ａ図のように、下層のＡｌ、ＷＳｉｘ、Ｗ等の配線層材料３をスパッタリング法、真空蒸着法、化学的気相成長法で被着した後、第３Ｂ図のように、同材料をパターニングして配線層３に加工すると同時に上記した切欠部１０も形成する。
　次に第３Ｃ図のように、切欠部１０を含む表面上に層間絶縁膜４（例えばＳｉＯ２膜）を化学的気相成長法で形成してから、第３Ｄ図のように層間絶縁膜５（例えばポリイミド樹脂）をスピン・オン法によって塗布、形成する。この際、矢印９方向（即ち切欠部１０を横切る例えば直交方向）に塗布液が流動しようとするが、上記した切欠部１０内に流動した塗布液が入り込み、そこで一部保持されると同時に、切欠部１０の両側では配線層３は等幅に分割されているために各配線層３上では塗布液の表面張力と遠心力の作用が夫々同等となる。この結果、適量の塗布液が配線層３の上面に均等に供給され、その供給条件はほぼ一様となる（第１０図参照）。従って、切欠部１０の両側においてはコンタクトホールを形成する各位置での層間絶縁膜５の厚みはほぼ同等となる。なお、この層間絶縁膜５は、塗布液の塗布後に硬化させたものである。
　次に第３Ｅ図にように、層間絶縁膜６（例えばＳｉＯ２膜）を化学的気相成長法で堆積させた後、第３Ｆ図のように、フォトリソグラフィーによって各層間絶縁膜を貫通してコンタクトホール７を形成する。これらのコンタクトホール７は上記の切欠部１０のない配線層３上に形成する。
　そして次に、Ａｌ、ＷＳｉｘ、Ｗ等の配線層材料をスパッタリング法、真空蒸着法又は化学的気相成長法で被着し、パターニングして第１図及び第２図に示した配線層８を形成する。
　このようにして多層配線構造を形成すると、特に３Ｄ図の工程において配線層３の切欠部１０の作用で層間絶縁膜５が配線層３上でほぼ同等厚さに塗布されるから、第３Ｆ図のコンタクトホール７は場所的にほぼ同じ深さに再現性よく形成することができる。この場合、層間絶縁膜５はスピン・オン法によって液状の塗布液を遠心力（回転）で例えば矢印９方向に流動させながら塗布するために、層間絶縁膜５の塗布後の表面は平坦化される。」（第３頁右上欄第７行ないし第４頁右上欄第２０行）
　
　また、第１図及び第２図から、「切欠部１０」が２以上あることは明らかである。さらに、図面の簡単な説明には、「３………下層の配線層」と記載されている。
　
　したがって、刊行物１には、以下の発明（以下、「刊行物発明」という。）が記載されている。
　
「下層の配線層３と、上層の配線層８と、層間絶縁膜４と、スピン・オン法で被着される層間絶縁膜５（例えばポリイミド樹脂）と、層間絶縁膜６とを有し、前記下層の配線層３が、幅ｄ１が１．２μｍである２以上の切欠部１０を有しており、前記切欠部１０に隣接した前記下層の配線層３の幅ｄ２が１．２μｍであり、前記下層の配線層３と前記上層の配線層８とが、前記切欠部１０のない前記下層の配線層３上に前記各層間絶縁膜４，５，６を貫通して形成された径が０．９μｍのコンタクトホール７を介して互いに接続されてなる半導体装置であって、下層のＡｌ、ＷＳｉｘ、Ｗ等の配線層材料３をパターニングして前記下層の配線層３を形成することを特徴とする半導体装置。」
　
４．対比
　本願発明と刊行物発明とを対比・検討する。
（ａ）刊行物発明における「下層の配線層３」及び「上層の配線層８」は、それぞれ、本願発明における「下層配線層」及び「上層配線層」に相当する。
（ｂ）刊行物発明において、「層間絶縁膜４」、「スピン・オン法で被着される層間絶縁膜５」及び「層間絶縁膜６」が全体として「下層の配線層３」と「上層の配線層８」とを絶縁する層間絶縁膜の機能を有していることは明らかであり、一方、本願発明における「ＳＯＧ膜」は「Spin on Glass膜」（本願明細書の０００１段落）の意味であるから、本願発明における「ＳＯＧ膜を含む層間絶縁膜」と、刊行物発明における「層間絶縁膜４」、「スピン・オン法で被着される層間絶縁膜５」及び「層間絶縁膜６」からなる層間絶縁膜とは、「スピン・オン法で被着される膜を含む層間絶縁膜」である点で共通する。
（ｃ）刊行物発明における「切欠部１０」は、本願発明における「スリット」に相当し、刊行物発明における「幅ｄ１が１．２μｍ」は、本願発明における「スリット幅が０．４〜１．７μｍ」に相当する。
（ｄ）刊行物発明における「前記切欠部１０に隣接した前記下層の配線層３」は、本願発明における「該スリット間のライン」に相当し、刊行物発明における「幅ｄ２が１．２μｍ」は、本願発明における「該スリット間のライン幅が０．８〜３．３μｍ」に相当する。
（ｅ）刊行物発明における「前記切欠部１０のない前記下層の配線層３上に前記各層間絶縁膜４，５，６を貫通して形成された」「コンタクトホール７」は、本願発明における「前記ライン上で前記層間絶縁膜に形成された」「ビアホール」に相当し、刊行物発明における「径が０．９μｍ」は、円の面積に換算すると０．６４μｍ２程度の値となるから、本願発明における「０．５〜３μｍ２のビアホール底面の面積」に相当する。
（ｆ）刊行物発明における幅ｄ２／幅ｄ１の比率は１であって、２以下であるから、刊行物発明の「下層のＡｌ、ＷＳｉｘ、Ｗ等の配線層材料３をパターニングして前記下層の配線層３を形成する」ことは、本願発明の「前記ライン幅／スリット幅の比率が２以下になるようにパターニングされてなる」ことに相当する。
　
　したがって、本願発明と刊行物発明とは、
「下層配線層と、上層配線層と、これらの配線層間を絶縁するスピン・オン法で被着される膜を含む層間絶縁膜とを有し、前記下層配線層が、スリット幅が０.４〜１.７μｍである２以上のスリットを有しており、該スリット間のライン幅が０.８〜３.３μｍであり、前記下層配線層が、前記ライン上で前記層間絶縁膜に形成された０.５〜３μｍ2のビアホール底面の面積を有するビアホールを介して上層配線層と電気的に接続されてなる半導体装置であって、前記ライン幅／スリット幅の比率が２以下になるようにパターニングされてなることを特徴とする半導体装置。」
である点で一致し、以下の点で一応相違する。
　
　相違点
　本願発明は、「スピン・オン法で被着される膜」が「ＳＯＧ膜」であるのに対し、刊行物発明は、「スピン・オン法で被着される層間絶縁膜５」が「例えばポリイミド樹脂」である点。
　
５．当審の判断
　以下、相違点について検討する。
　
　相違点について
　刊行物発明における「ポリイミド樹脂」は一例として挙げられた材料であるが、スピン・オン法で被着される他の絶縁膜一般に適用可能な技術であることは明らかである。
　また、スピン・オン法で被着される層間絶縁膜材料として、ＳＯＧがポリイミド樹脂とともに代表的な材料であることは周知であり、刊行物１においても、従来技術として「特に２層目の層間絶縁膜５はスピン・オン法によって液状の塗布液（ＳＯＧ（Spin On Glass）もしくはポリイミド樹脂等の樹脂液）を回転による遠心力の作用下で例えば矢印９方向に流動させながら塗布して形成される。ここで、上記のスピン・オン法とは、ある種の物質（液体）を回転下で塗布する技術を指し、この中にはＳＯＧ法や、ポリイミド樹脂を用いるポリイミド法も含まれる。」（第２頁左上欄第２０行ないし右上欄第８行）と記載されている。
　よって、刊行物発明における「スピン・オン法で被着される層間絶縁膜５」の「例えばポリイミド樹脂」として、「ポリイミド樹脂」以外に想定される材料の選択肢に、ＳＯＧが当然含まれていることは自明であるから、当該相違点は実質的なものではない。
　
　なお、請求人は、審判請求書の請求の理由の「３）　引用文献２との違いについて」において、
「　審査官殿のご認定のとおり、引用文献２の実施例１、及び第１図〜第４図には、「・・・」が記載されています。また、さらに引用文献２の実施例１における各コンタクト抵抗は４〜８Ωの範囲内でほぼ均一となった旨が記載されています。
　一方、本願明細書の段落〔００２６〕には、「図３によれば・・・」と記載されています。
　念のために、本願明細書の図面図３を以下の図９に示します。
　すなわち、上記の図９からも明らかなように、本発明者らは、ライン幅／スペース間隔（幅）の比率が２以下であれば、引用文献２に記載のコンタクトホール抵抗の下限値４よりもさらに低い２以下のビアホール抵抗がとなることを見出して、本研究を完成させたものであります。このライン幅／スペース間隔（幅）の比率とビアホール抵抗との相関関係に関する発見に関しては、引用文献２には記載も示唆もされておりません。
　すなわち、本願発明と引用文献２とは同一発明ではありません。
　したがって、例え、引用文献２に、たまたま本願発明が規定するライン幅、スリット幅、ライン幅／スリット幅およびビアホールの底面の面積（または径）のそれぞれの範囲のうち、・・・それぞれ１点が記載されているだけで、しかも、得られた各コンタクト抵抗も本願発明のアスペクトである「４」以下を上回り、「４〜８Ωの範囲内でほぼ均一となった」と記載されている引用文献２に基づき、本願発明を同一発明とするのは、あまりにも酷であり、本願発明の技術的貢献に対して見合った特許査定が与えられてしかるべきものであると、思料致します。」と主張しているので、以下検討する。
　なお、ここにおいて、「下限値４よりもさらに低い２以下のビアホール抵抗がとなる」は、「下限値４よりもさらに低い２以下のビアホール抵抗となる」の誤記と認められるので、「下限値４よりもさらに低い２以下のビアホール抵抗となる」と読み替えて検討する。
　
（ア）ビアホール抵抗の値は、本願の請求項４に発明特定事項として記載されたものではないから、本願発明と刊行物発明との構成上の差異とはならず、相違点として挙げることはできない。
（イ）ビアホール抵抗の値は、配線層の材料や成膜方法、ビアホールの深さ（層間絶縁膜の厚さ）をはじめとして、様々な条件によって大きく異なるものであるから、これらの条件の差異を無視して、本願発明のビアホール抵抗（本願明細書００１９段落に記載された「４Ω以下、好ましくは３Ω以下、さらに好ましくは２Ω以下」）の数値と刊行物発明のコンタクト抵抗（刊行物１の第３頁左下欄第１９行ないし第２０行に記載された「４〜８Ω」）の数値のみを単に比較しても意味はなく、この点をもって本願発明と刊行物発明との効果に差異があると主張することはできない。
（ウ）本願明細書に記載された「４Ω以下、好ましくは３Ω以下、さらに好ましくは２Ω以下」と刊行物１に記載された「４〜８Ω」は、「４Ω」において共通しているから、本願発明と刊行物発明とは、単にビアホール（コンタクトホール）の抵抗値のみを比較しても、共通する値を含んでおり、効果の点で差異があるとは認められない。
　また、刊行物発明におけるコンタクト抵抗の「４〜８Ω」は、実施例として記載された「径が０．９μｍ」（面積は０．６４μｍ２程度）の場合の値であるが、一般に配線層間の接触面積が大きいほどコンタクト抵抗が小さくなることは技術常識であるから、コンタクトホールの面積を本願発明の「０.５〜３μｍ2」に含まれるより大きな値、例えば３μｍ2とすれば、コンタクト抵抗が「４〜８Ω」よりもさらに小さくなることは容易に予測可能である。よってこの点でも、上記ビアホール（コンタクトホール）の抵抗値の差は、実質的なものではない。
（エ）請求の理由に記載された図９（本願図面の図３も同様）の縦軸は、「ビアホール抵抗（相対値）」であり、絶対値の単位が記載されているわけではない。よって、「上記の図９からも明らかなように、・・・引用文献２に記載のコンタクトホール抵抗の下限値４よりもさらに低い２以下のビアホール抵抗となる」は、本願発明の相対値と刊行物発明の絶対値（単位はΩ）とを比較して、「下限値４よりもさらに低い２以下」と主張していることになり、この比較が技術的に意味を有さないことは明らかである。
　
　よって、請求人の主張は、採用することができない。
　
　したがって、本願発明は、刊行物１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、請求項１ないし３に係る発明及び請求項５ないし９に係る発明について検討するまでもなく、特許法第２９条第１項第３号の規定により拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。