Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月2日(2015.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
平面スロットアンテナ２４２の先端側（下端側）には遅波材２４６が配置されている。なお，外側導体２３２の下端は平面スロットアンテナ２４２まで延び，遅波材２４４の周囲を覆っている。また，平面スロットアンテナ２４２および遅波材２４６の周囲は被覆導体２４８で覆われている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１０】
回転載置台１１０の各ウエハ載置部１１３には，ウエハＷを冷却する冷却機構が設けられている。この冷却機構は，例えば回転テーブル１１２の上面に形成されたアルミニウムなどの熱伝導性のよい金属製の円板状凸部１９１内に冷媒流路１９０を設け，この冷媒流路１９０に，図示しないチラーユニットからの所定温度の冷媒（例えば冷却水）を導入配管１９２から導入し，導出配管１９３から導出して冷却媒体を循環供給するように構成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２０】
なお，プラズマ生成部３００以外の構成は図１に示すものと同様であるため，その詳細な説明を省略する。図２２には，ガス孔１７２の位置を点線で示しており，図２３には，回転載置台１１０上に配置されるガス孔１７２，マイクロ波を供給するための導波管３１０，プランジャ３３０の位置を一点鎖線で示し，回転載置台１１０を回転させたときのウエハＷの軌跡（内側と外側）を点線で示している。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２１】
図２１に示すプラズマ生成部３００は，処理室１０２内にマイクロ波を供給するための複数の導波管３１０を備える。複数の導波管３１０は，接地されている。各導波管３１０は矩形導波管であり，天井部１０６の中心側から周縁側に向けて放射状に延在する導波路ＷＧを画成している。ここでは，図２２に示すように天井部１０６に８本の導波管３１０を設けた例を挙げている。なお，導波管３１０の数や形状はこれに限られるものではない。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３７】
大気搬送室４４０には，ウエハＷの位置決め装置としてのオリエンタ（プリアライメントステージ）４４８が設けられている。オリエンタ４４８は，例えば内部に回転載置台とウエハＷの周縁部を光学的に検出する光学センサとを備え，ウエハＷのオリエンテーションフラットやノッチ等を検出して位置合せを行う。
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月27日(2015.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子が支持体にフリップチップ実装された発光装置の製造方法であって、
（ａ）基板と、基板上に形成された半導体層と、該半導体層上に形成されたｐ側電極およびｎ側電極とを有する構造体を準備し、
（ｂ）ｐ側配線およびｎ側配線を同一面上に有する支持体を準備し、
（ｃ）前記構造体のｐ側電極およびｎ側電極と前記支持体のｐ側配線およびｎ側配線とを、導電性粒子および第１樹脂を含む異方性導電材料を用いて、それぞれ電気的に接続し、その後、
（ｄ）前記基板を前記構造体から除去して発光素子とする
ことを含む、発光装置の製造方法。
【請求項２】
工程（ｃ）にて、前記異方性導電材料は、前記構造体と前記支持体との間の空間を満たすと共に、前記基板の側面に少なくとも部分的に接触している、請求項１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項３】
工程（ｄ）にて、前記基板の除去をレーザー照射により実施する、請求項１または２に記載の発光装置の製造方法。
【請求項４】
工程（ｃ）より後に、
（ｐ）前記構造体の周りを囲むようにして、前記異方性導電材料上に、該異方性導電材料より高い反射率を有する光反射体を形成することを更に含む、請求項１〜３のいずれかに記載の発光装置の製造方法。
【請求項５】
工程（ｐ）を工程（ｄ）より前に実施する、請求項４に記載の発光装置の製造方法。
【請求項６】
前記光反射体が、シリコーン系樹脂に光反射性粒子を分散させて成る層、金属層、および誘電体多層膜からなる群より選択される、請求項４または５に記載の発光装置の製造方法。
【請求項７】
工程（ｄ）より後に、
（ｑ）前記基板の除去により露出した前記半導体層上に蛍光体層を形成することを更に含む、請求項１〜６のいずれかに記載の発光装置の製造方法。
【請求項８】
工程（ｑ）は、前記半導体層上に蛍光体シートを接着することまたは蛍光体膜を電着形成することにより実施される、請求項７に記載の発光装置の製造方法。
【請求項９】
工程（ｄ）より後、工程（ｑ）より前に、
（ｒ）前記基板の除去により露出した前記半導体層の周囲で、該半導体層より突出した前記異方性導電材料の部分を除去することを更に含む、請求項７または８に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１０】
工程（ｑ）は、前記基板の除去により露出した前記半導体層の周囲で、該半導体層より突出した異方性導電材料の部分を壁部として、該壁部で囲まれた該半導体層上の窪みに蛍光体含有樹脂を供給し、硬化させることにより実施される、請求項７に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１１】
工程（ｃ）より前に、
（ｓ）前記構造体のｐ側電極およびｎ側電極上、あるいは、前記支持体のｐ側配線およびｎ側配線上にバンプを形成することを更に含み、
工程（ｃ）にて、前記構造体のｐ側電極およびｎ側電極と前記支持体のｐ側配線およびｎ側配線とを、前記異方性導電材料を用いて、前記バンプを介して、それぞれ電気的に接続する、請求項１〜１０のいずれかに記載の発光装置の製造方法。
【請求項１２】
工程（ａ）にて、ｐ側電極およびｎ側電極が開口部を有する保護膜で被覆されており、
工程（ｓ）にて、バンプをｐ側電極およびｎ側電極上に、該保護膜の開口部に位置し、かつバンプの頂部が保護膜から突出するように形成する、請求項１１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１３】
前記異方性導電材料はフィラーを更に含み、該フィラーは、前記第１樹脂よりも伝熱性の高い材料でできている、請求項１〜１２のいずれかに記載の発光装置の製造方法。
【請求項１４】
前記導電性粒子は、第２樹脂から成るコアと、該コアを被覆する金属から成る導電性層とにより構成されている、請求項１〜１３のいずれかに記載の発光装置の製造方法。
【請求項１５】
前記第１樹脂の熱膨張係数に対する、該第１樹脂の熱膨張係数と前記第２樹脂の熱膨張係数との差の絶対値の割合が、１．０以下である、請求項１４に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１６】
前記異方性導電材料から前記導電性粒子を除いた材料の平均熱膨張係数に対する、該平均熱膨張係数と前記第２樹脂の熱膨張係数との差の絶対値の割合が、１．０以下である、請求項１４または１５に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１７】
半導体層と、前記半導体層の同一面側に形成されたｐ側電極およびｎ側電極とを有する発光素子と、
ｐ側配線およびｎ側配線を同一面上に有する支持体と、
前記発光素子の半導体層の、前記ｐ側電極および前記ｎ側電極が形成された面と反対側の面に配置された蛍光体層と
を備え、
前記発光素子のｐ側電極およびｎ側電極と前記支持体のｐ側配線およびｎ側配線とが、少なくとも異方性導電材料によって、それぞれ電気的に接続されており、該異方性導電材料は導電性粒子および第１樹脂を含むことを特徴とする発光装置。
【請求項１８】
前記異方性導電材料は、前記発光素子と前記支持体との間の空間を満たすと共に、前記蛍光体層の側面に少なくとも部分的に接触している、請求項１７に記載の発光装置。
【請求項１９】
前記発光素子のｐ側電極およびｎ側電極上、あるいは、前記支持体のｐ側配線およびｎ側配線上に設けられたバンプを更に備え、
前記発光素子のｐ側電極およびｎ側電極と前記支持体のｐ側配線およびｎ側配線とが、前記異方性導電材料および前記バンプによって、それぞれ電気的に接続されている、請求項１７または１８に記載の発光装置。
【請求項２０】
前記発光素子の周囲で前記異方性導電材料上に配置された光反射体を更に備える、請求項１７〜１９のいずれかに記載の発光装置。
【請求項２１】
前記フィラーは、金属酸化物、金属窒化物およびカーボンからなる群より選択される少なくとも１種の粒子である、請求項１３に記載の発光装置の製造方法。
【請求項２２】
前記異方性導電材料はフィラーを更に含み、該フィラーは、前記第１樹脂よりも伝熱性の高い材料でできている、請求項１７〜２０のいずれかに記載の発光装置。
【請求項２３】
前記フィラーは、金属酸化物、金属窒化物およびカーボンからなる群より選択される少なくとも１種の粒子である、請求項２２に記載の発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月12日(2015.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一端が開口した電気絶縁性を有する有底筒形状のアウタボビンと、
前記アウタボビンの外周部に設けられた１次巻線と、
前記アウタボビン内に同軸的に配置された電気絶縁性を有する筒形状のインナボビンと、
前記インナボビン内に配置された円柱状のコア部材と、
前記インナボビンの外周部に設けられた２次巻線と、
前記アウタボビンの前記一端の開口を封鎖し、前記インナボビン内を封止室にする封止部材と、
前記コア部材の一方の端部に固定され、軸線方向に延在して前記封止部材を軸線方向に貫通して外部に露呈し、前記２次巻線の一端部を導通接続されて一方の電極をなす導電性の第１の棒状部材と、
前記コア部材の他方の端部に固定され、軸線方向に延在して前記第１のボビンの底部をなす端壁部を軸線方向に貫通して外部に露呈し、前記１次巻線の一端部および前記２次巻線の他端部を導通接続されて他方の電極をなす導電性の第２の棒状部材と、
を有する変圧器。
【請求項２】
請求項１に記載の変圧器をトリガ回路のトリガトランスとして用いたストロボ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月18日(2014.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
電圧変換マスク信号発生回路５は、トランジスタＴｒ１〜Ｔｒ６，ＰＭＯＳ９〜ＰＭＯＳ１４と、抵抗Ｒ３〜Ｒ５と、インバータＩＮＶ５〜ＩＮＶ７と、ダイオードＤ１，Ｄ２とを有する。Ｔｒ１〜Ｔｒ６はバイポーラトランジスタである。Ｔｒ１，Ｔｒ２，ＰＭＯＳ９，ＰＭＯＳ１０がカレントミラー回路ＣＭ３を構成し、Ｔｒ３，Ｔｒ４，ＰＭＯＳ１１，１２がカレントミラー回路ＣＭ４を構成し、Ｔｒ５，Ｔｒ６，ＰＭＯＳ１３，ＰＭＯＳ１４がカレントミラー回路ＣＭ５を構成する。このカレントミラー回路ＣＭ３，ＣＭ４がそれぞれＨＶＰＭＯＳ１，ＨＶＰＭＯＳ２の出力信号の電流を減衰させる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2014049959.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2014049959.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月3日(2015.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像を表示する表示領域を有するＥＬ発光層を有する表示装置であって、
前記ＥＬ発光層を含む第１基板と、
透明部材からなる第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間において、前記表示領域の外縁を囲むように配置されたダム材と、
前記第１基板及び前記第２基板と前記ダム材とによって囲まれた空間に充填された充填材と、
前記第１基板又は前記第２基板の一方であって、他方の基板に対向した面に形成された凹部と、を有し、
前記凹部は、前記表示領域と前記ダム材が形成された領域との間に形成されたことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記第１基板又は前記第２基板における前記凹部が形成された領域は、前記凹部が形成されていない領域よりも基板厚が薄いことを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
前記凹部は、前記第１基板における前記第２基板に対向した面に形成されていることを特徴とする請求項１又は２記載の表示装置。
【請求項４】
画像を表示する表示領域を有するＥＬ発光層を有する表示装置であって、
前記ＥＬ発光層を含む第１基板と、
透明部材からなる第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間において、前記表示領域の外縁を囲むように配置されたダム材と、
前記第１基板及び前記第２基板と前記ダム材とによって囲まれた空間に充填された充填材とを有し、
前記第１基板と前記第２基板との間隔は、前記表示領域と前記ダム材との間の箇所において、他の箇所よりもステップ状に拡大していることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
前記第１基板における前記第２基板に対向した面に凹部が形成されていることを特徴とする請求項４記載の表示装置。
【請求項６】
前記凹部は、前記第１基板における前記第２基板に対向した面に形成された、前記第１基板の外縁側の領域を前記表示領域側よりも基板厚を薄くしている段差と、前記ダム材の側面とに囲まれることによって形成されている請求項３記載の表示装置。
【請求項７】
前記第１基板における前記第２基板に対向した面には、前記第１基板の外縁側の領域を前記表示領域側よりも基板厚を薄くしている段差が形成されていることを特徴とする請求項４記載の表示装置。
【請求項８】
前記凹部は、前記表示領域を囲む一連の溝であることを特徴とする請求項１、２、３、５及び６のいずれか一記載の表示装置。
【請求項９】
前記凹部は、複数個の溝からなることを特徴とする請求項１、２、３、５、６及び８のいずれか一記載の表示装置。
【請求項１０】
前記表示領域の平面形状が実質矩形であり、
前記ダム材は、前記表示領域を実質矩形枠状で囲っており、
前記ダム材の各屈曲部分の内側に、夫々、前記凹部をなす何れかの溝が配置されていることを特徴とする請求項９記載の表示装置。
【請求項１１】
前記ダム材の各屈曲部分の内側に夫々配置された前記凹部をなす何れかの溝の平面形状は、前記ダム材が屈曲した形状に沿った鉤型であることを特徴とする請求項１０記載の表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月7日(2015.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電磁石と、
前記電磁石により駆動される可動接点と、
前記可動接点に接触及び開離可能に対向配置される固定接点と、
前記固定接点に対する前記可動接点の開離方向の動作を止めるバックストップと、
前記バックストップを、前記固定接点と前記可動接点との間に予め定めた接点ギャップを形成する位置に配置するバックストップ位置決め部とを具備し、
前記バックストップの位置に応じて、前記固定接点と動作が止められた前記可動接点との間に、異なる寸法に定めた前記接点ギャップが形成される、
電磁継電器。
【請求項２】
前記バックストップ位置決め部は、第１寸法の接点ギャップを形成する第１の位置と、該第１寸法とは異なる第２寸法の接点ギャップを形成する第２の位置とのそれぞれに、前記バックストップを配置できる、請求項１に記載の電磁継電器。
【請求項３】
前記第１の位置に配置される第１のバックストップと、前記第２の位置に配置される第２のバックストップとを具備する、請求項２に記載の電磁継電器。
【請求項４】
前記電磁石は、コイルが装着される巻枠を備え、前記バックストップ位置決め部は、該巻枠に設けられる、請求項１〜３のいずれか１項に記載の電磁継電器。
【請求項５】
電磁継電器と負荷とを含む電気回路であって、
前記電磁継電器は、
第１の接点を有する第１の端子と、
第２の接点を有する第２の端子と、
前記第１の接点及び前記第２の接点に開離可能に接触して、前記第１の端子と前記第２の端子とを互いに電気的に接続する短絡部材とを具備し、
前記第１の端子と前記第２の端子と前記短絡部材と前記負荷とが直列に接続される、
電気回路。
【請求項６】
複数の前記電磁継電器を具備し、１つの前記電磁継電器の前記第１の端子又は前記第２の端子と他の１つの前記電磁継電器の前記第１の端子又は前記第２の端子とが互いに接続される、請求項５に記載の電気回路。
【請求項７】
電磁石と、
前記電磁石により駆動される可動接点と、
前記可動接点に接触及び開離可能に対向配置される固定接点と、
前記固定接点と前記可動接点との間の接点ギャップを形成するバックストップを配置可能なバックストップ位置決め部とを具備する、
電磁継電器。
【請求項８】
前記バックストップ位置決め部には、板状のバックストップが装着されるスリット又は溝が形成されている、請求項７に記載の電磁継電器。
【請求項９】
前記バックストップ位置決め部は、第１の側壁と、該第１の側壁に対して向かい合わせに配置される第２の側壁とを有し、
前記固定接点及び前記可動接点は、前記第１の側壁と前記第２の側壁との間に配置される、請求項７又は８に記載の電磁継電器。
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月28日(2015.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
本発明の請求項２１に記載の照射部材は、太陽からの光を導入するための採光手段と、前記採光手段からの光をその内面で反射させながら所定方向へと導く筒状の導光手段と、を備えた採光装置において用いられる照射手段としての照射部材であって、平板状の導光板と、前記導光板の端面に対向して設けられた照明手段とを備え、前記照明手段は複数のＬＥＤを有し、前記ＬＥＤから照射された光は、前記導光板の前記端面から前記導光板の内部に導入され、前記導光板に形成された多数の溝部により反射されて前記導光板の下面から出射され、前記導光手段により導かれた太陽からの光は、前記導光板の上面から入射して前記導光板の下面から出射されることを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
本発明の請求項２２に記載の照射部材は、積層部材を更に有し、前記積層部材は、前記導光板と、前記導光板の上面に積層された反射板と、前記導光板の下面に積層された拡散板と、を備え、前記反射板の中央領域には開口部が形成され、前記開口部に透光性の保護板がはめ込まれていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
本発明の請求項２１に記載の照射部材によれば、太陽からの光と照明手段からの光の双方を照射できるので、例えば雨天時や夜間などにおいて照射部材から照射される太陽からの光の照度が低下して屋内が暗くなったときには、照明手段からの光によって屋内を照明することができ、屋内を安定した照度で照明することができる。また、照明手段が導光板の端面に設置されるため、照明手段が邪魔にならない。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
本発明の請求項２２に記載の照射部材によれば、導光板の上面には反射板が積層されているので、照明手段からの光を効率良く導光板の下面側から照射できる。また、反射板の中央領域には透光性の保護板がはめ込まれているので、導光手段により導かれた太陽からの光を積層部材の厚み方向に通過させて、その下面から照射することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月3日(2015.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記回路基板は、前記回路基板の両端部のうち前記光源から近い側の端部Ｐ３から前記光源から遠い側の端部Ｐ２に向かって、基板表面に第１のインダクタと第２のインダクタとキャパシタとを配置し、
前記感温素子は、第１のインダクタとキャパシタとの間の第２のインダクタが配置された基板の裏面に配置されたことを特徴とする請求項１に記載の電源装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月27日(2015.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
商用交流電力が供給される電子安定器に接続されて交流電流を直流電流に変換する整流部と、
前記整流部と直列発光体との間の電流供給ラインに前記直列発光体と並列に設けられ、前記整流部から出力された直流電流に含まれる交流成分を除去する平滑用コンデンサと、
前記電子安定器から出力される出力電圧と等価な出力電圧を前記直列発光体の起動時に起動電圧として生成するインピーダンス素子と、
該インピーダンス素子に並列に設けられた短絡用スイッチング素子と、
前記直列発光体の起動時から一定時間経過後に前記短絡用スイッチング素子を短絡させるタイマー制御回路と、
を有することを特徴とする点灯制御回路。
【請求項２】
前記インピーダンス素子は、前記整流部と前記直列発光体との間の電流供給ラインに直列に介装されていることを特徴とする請求項１に記載の点灯制御回路。
【請求項３】
前記インピーダンス素子は、前記電子安定器と前記整流部との間に介装されていることを特徴とする請求項１に記載の点灯制御回路。
【請求項４】
前記インピーダンス素子は、ツェナーダイオード、抵抗器、インダクタのいずれかであることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の点灯制御回路。
【請求項５】
前記短絡用スイッチング素子は、半導体スイッチング素子であることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の点灯制御回路。
【請求項６】
商用交流電力が供給される電子安定器に接続されて交流電流を直流電流に変換する整流部と、
前記整流部と直列発光体との間の電流供給ラインに前記直列発光体と並列に設けられ、前記整流部から出力された直流電流に含まれる交流成分を除去する平滑用コンデンサと、
前記電流供給ラインに介挿され、前記電子安定器から出力される出力電圧と等価な出力電圧を前記直列発光体の起動時に起動電圧として生成するために起動時に開成状態にあり、かつ前記直列発光体の起動時から一定時間経過後に閉成状態とされる短絡用スイッチング素子と、
前記直列発光体の起動時から一定時間経過後に前記短絡用スイッチング素子を閉成状態にするタイマー制御回路と、
を有することを特徴とする点灯制御回路。
【請求項７】
前記短絡用スイッチング素子は、前記整流部と前記直列発光体との間の電流供給ラインに直列に介装されていることを特徴とする請求項６に記載の点灯制御回路。
【請求項８】
前記短絡用スイッチング素子は、前記電子安定器と前記整流部との間に介装されていることを特徴とする請求項６に記載の点灯制御回路。
【請求項９】
商用交流電力が供給される電子安定器に接続されて交流電流を直流電流に変換する整流部と、
前記整流部と直列発光体との間の電流供給ラインに前記直列発光体と並列に設けられかつ前記整流部から出力された直流電流に含まれる交流成分を除去する平滑用コンデンサと、
前記電子安定器から出力される出力電圧と等価な出力電圧を前記直列発光体の起動時に起動電圧として生成し、かつ前記直列発光体の起動時から一定時間経過後に前記直列発光体を複数個の固体発光素子の直列接続からなる並列接続体に切り替える切替制御回路と、
を有することを特徴とする点灯制御回路。
【請求項１０】
一対の電極ピンをそれぞれ有する口金により両端部が封止された直管の内部に、
請求項１ないし請求項９のいずれか１項に記載の点灯制御回路と、
複数個の個体発光素子の直列接続体からなる直列発光体と、
を有することを特徴とする照明灯。
【請求項１１】
商用交流電力が供給される電子安定器に接続されて交流電流を直流電流に変換する整流部と、前記整流部と直列発光体との間の電流供給ラインに前記直列発光体と並列に設けられ、前記整流部から出力された直流電流に含まれる交流成分を除去する平滑用コンデンサとを備えた点灯制御回路の制御方法であって、
前記電子安定器から出力される出力電圧と等価な出力電圧を、前記直列発光体の起動時に起動電圧としてインピーダンス素子で生成して前記直列発光体に印加させ、
前記直列発光体の起動時から一定時間経過後に前記インピーダンス素子の両端子間を短絡させることによって、前記電子安定器から前記起動電圧より低い電圧を出力させて前記直列発光体に印加させることを特徴とする点灯制御回路の制御方法。
【請求項１２】
前記整流部と前記直列発光体との間の電流供給ラインに前記インピーダンス素子を直列に介装させたことを特徴とする請求項１１に記載の点灯制御回路の制御方法。
【請求項１３】
前記電子安定器と前記整流部との間に前記インピーダンス素子を介装させたことを特徴とする請求項１１に記載の点灯制御回路の制御方法。
【請求項１４】
前記インピーダンス素子をツェナーダイオード、抵抗器、インダクタのいずれかにしたことを特徴とする請求項１１ないし請求項１３のいずれか１項に記載の点灯制御回路の制御方法。
【請求項１５】
前記インピーダンス素子の両端子間の短絡を該インピーダンス素子に並列接続した短絡用スイッチング素子で行い、該短絡用スイッチング素子は、半導体スイッチング素子であることを特徴とする請求項１１ないし請求項１４のいずれか１項に記載の点灯制御回路の制御方法。
【請求項１６】
商用交流電力が供給される電子安定器に接続されて交流電流を直流電流に変換する整流部と、前記整流部と直列発光体との間の電流供給ラインに前記直列発光体と並列に設けられ、前記整流部から出力された直流電流に含まれる交流成分を除去する平滑用コンデンサとを備えた点灯制御回路の制御方法であって、
前記電流供給ラインに短絡用スイッチング素子を介装させ、
前記直列発光体の起動時に、前記短絡用スイッチング素子を開成させることにより、前記電子安定器から出力される出力電圧と等価な出力電圧を生成して前記直列発光体に印加させ、
前記直列発光体の起動時から一定時間経過後に前記短絡用スイッチング素子を閉成させることにより、前記電子安定器から前記起動電圧より低い電圧を出力させて前記直列発光体に印加させることを特徴とする点灯制御回路の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の点灯制御回路は、商用交流電力が供給される電子安定器に接続されて交流電流を直流電流に変換する整流部と、
前記整流部と直列発光体との間の電流供給ラインに前記直列発光体と並列に設けられ、前記整流部から出力された直流電流に含まれる交流成分を除去する平滑用コンデンサと、
前記電子安定器から出力される出力電圧と等価な出力電圧を前記直列発光体の起動時に起動電圧として生成するインピーダンス素子と、
該インピーダンス素子に並列に設けられた短絡用スイッチング素子と、
前記直列発光体の起動時から一定時間経過後に前記短絡用スイッチング素子を短絡させるタイマー制御回路と、
を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月9日(2015.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理室内に処理ガスのプラズマを生成することによって，前記被処理基板に形成された多層膜を，パターニングされたマスク層をマスクとしてプラズマエッチングするプラズマ処理方法であって，
前記多層膜は，比誘電率の異なる第１膜及び第２膜が交互に積層された積層膜と，この積層膜上に形成された窒化珪素層と，を有し，
臭素含有ガス，塩素含有ガス，ヨウ素含有ガスのうちの１つ又は２つ以上を組合せたガスとフルオロカーボン系ガスとを含む処理ガスを前記処理室内に導入してプラズマエッチングを複数回実行することによって，前記窒化珪素層から前記積層膜に渡って凹部を徐々に形成していくエッチング処理を行い，
その際に所定のタイミングで前記処理ガスにホウ素含有ガスを所定の流量比で添加することによって，前記凹部に露出する前記窒化珪素層の側壁に保護膜を形成しながら前記積層膜のエッチングを進行させることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項２】
前記ホウ素含有ガスは，少なくとも最初のプラズマエッチングで導入することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理方法。
【請求項３】
前記ホウ素含有ガスは，前記最初のプラズマエッチングから所定回数のプラズマエッチングに渡って導入することを特徴とする請求項１又は２に記載のプラズマ処理方法。
【請求項４】
前記ホウ素含有ガスは，前記最初のプラズマエッチングからすべての回数のプラズマエッチングに渡って導入することを特徴とする請求項３に記載のプラズマ処理方法。
【請求項５】
前記ホウ素含有ガスの流量比は，前記積層膜のエッチングが進行するに連れて徐々に減少させることを特徴とする請求項３又は４に記載のプラズマ処理方法。
【請求項６】
前記ホウ素含有ガスの流量比を減少させるタイミングは，前記プラズマエッチングの所定回数ごとであることを特徴とする請求項５に記載のプラズマ処理方法。
【請求項７】
前記処理室内に上部電極と下部電極を対向して設け，前記下部電極上に被処理基板を配置し，
前記下部電極に印加するバイアス用高周波電力は，前記積層膜のエッチングが進行するに連れて増加することを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のプラズマ処理方法。
【請求項８】
前記下部電極に印加するバイアス用高周波電力を増加するタイミングは，前記プラズマエッチングの所定回数ごとであることを特徴とする請求項７に記載のプラズマ処理方法。
【請求項９】
前記最初のプラズマエッチングでは，前記ホウ素含有ガスの流量比は少なくともＨＢｒガスに対して１０％以上４０％以下の範囲で設定することを特徴とする請求項２〜８のいずれかに記載のプラズマ処理方法。
【請求項１０】
前記ホウ素含有ガスは，三弗化ホウ素，三塩化ホウ素，酸化ホウ素のいずれかであることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載のプラズマ処理方法。
【請求項１１】
前記被処理基板の温度は，少なくとも前記複数回のプラズマエッチングにかけては，１５０℃〜２００℃になるように調整することを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載のプラズマ処理方法。
【請求項１２】
前記第１膜と第２膜のいずれか一方はシリコン酸化膜であり，他方はポリシリコン膜であることを特徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載のプラズマ処理方法。
【請求項１３】
処理室内に上部電極と下部電極を対向して設け，前記下部電極上に被処理基板を配置し，前記処理室内に処理ガスのプラズマを生成することによって，比誘電率の異なる第１膜及び第２膜が交互に積層された積層膜と，この積層膜上に形成された窒化珪素層とを有する多層膜を，パターニングされたマスク層をマスクとしてプラズマエッチングするプラズマ処理装置であって，
プラズマ生成機構と，
前記プラズマ生成機構を制御して，臭素含有ガス，塩素含有ガス，ヨウ素含有ガスのうちの１つ又は２つ以上を組合せたガスとフルオロカーボン系ガスとを含む処理ガスを前記処理室内に導入し，前記下部電極に第１高周波電源からプラズマ生成用高周波電力を印加すると共に，前記下部電極に第２高周波電源からバイアス用高周波電力を印加して前記窒化珪素層から前記積層膜に渡って凹部を徐々に形成していくエッチング処理を行う制御部と，
前記制御部は，前記エッチング処理の際に，所定のタイミングで前記処理ガスにホウ素含有ガスを所定の流量比で添加するように制御することによって，前記凹部に露出する前記窒化珪素層の側壁に保護膜を形成しながら前記積層膜のエッチングを進行させることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１４】
前記プラズマ生成用高周波電力は２７ＭＨｚ以上であり，前記バイアス用高周波電力は、３８０ｋＨｚ以上１ＭＨｚ以下であることを特徴とする請求項１３に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１５】
前記処理室内に上部電極と下部電極を対向して設け，前記下部電極上に被処理基板を配置し，前記下部電極に２７ＭＨｚ以上のプラズマ生成用高周波電力を印加すると共に３８０ｋＨｚ以上１ＭＨｚ以下のバイアス用高周波電力を印加することを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のプラズマ処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月18日(2015.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
研磨パッドを支持するための研磨テーブルと、
弾性膜で構成された基板保持面および圧力室を有し、該基板保持面で基板を保持して前記圧力室内の圧力により前記基板を前記研磨パッドに押圧する基板保持装置と、
前記圧力室内の前記圧力の変化に基づいて前記基板の前記基板保持面からの離脱を検出する基板離脱検出部とを備えたことを特徴とする研磨装置。
【請求項２】
前記基板離脱検出部は、前記圧力室内の圧力の最小点を検出することにより、前記基板保持面からの離脱を検出することを特徴とする請求項１に記載の研磨装置。
【請求項３】
弾性膜で構成された基板保持面および圧力室を有する基板保持装置を用いて基板を研磨する方法であって、
前記圧力室内の圧力により前記基板を研磨パッドに押圧し、前記基板と前記研磨パッドとを相対運動をさせながら前記基板の研磨を行い、
研磨後の基板を前記基板保持面上に保持し、
前記基板を基板受け渡し装置に受け渡す際、前記圧力室内の前記圧力の変化を監視し、前記圧力室内の前記圧力の変化に基づいて前記基板の前記基板保持面からの離脱を検出することを特徴とする研磨方法。
【請求項４】
前記圧力室内の圧力の最小点を検出することにより、前記基板保持面からの離脱を検出することを特徴とする請求項３に記載の研磨方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
上述した目的を達成するために、本発明の一態様は、研磨パッドを支持するための研磨テーブルと、弾性膜で構成された基板保持面および圧力室を有し、該基板保持面で基板を保持して前記圧力室内の圧力により前記基板を前記研磨パッドに押圧する基板保持装置と、前記圧力室内の前記圧力の変化に基づいて前記基板の前記基板保持面からの離脱を検出する基板離脱検出部とを備えたことを特徴とする研磨装置である。
本発明の好ましい態様は、前記基板離脱検出部は、前記圧力室内の圧力の最小点を検出することにより、前記基板保持面からの離脱を検出することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の他の態様は、弾性膜で構成された基板保持面および圧力室を有する基板保持装置を用いて基板を研磨する方法であって、前記圧力室内の圧力により前記基板を研磨パッドに押圧し、前記基板と前記研磨パッドとを相対運動をさせながら前記基板の研磨を行い、研磨後の基板を前記基板保持面上に保持し、前記基板を基板受け渡し装置に受け渡す際、前記圧力室内の前記圧力の変化を監視し、前記圧力室内の前記圧力の変化に基づいて前記基板の前記基板保持面からの離脱を検出することを特徴とする研磨方法である。
本発明の好ましい態様は、前記圧力室内の圧力の最小点を検出することにより、前記基板保持面からの離脱を検出することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月27日(2015.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
二次電池を収容したケース部と、
前記ケース部を背負うための背負部と、
を備え、
前記背負部には、前記二次電池を制御するスイッチと、前記二次電池の残量を表示する機構と、の少なくとも一方を有する残量表示部が設けられていることを特徴とする背負式電源。
【請求項２】
前記背負部は、ユーザの腰に係合するベルト部を備え、
前記残量表示部は、前記ベルト部に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の背負式電源。
【請求項３】
前記残量表示部における前記二次電池を制御するスイッチは、前記ケース部が背負われた状態において、前記ベルト部の外面方向を向いていることを特徴とする請求項２に記載の背負式電源。
【請求項４】
前記残量表示部は、前記二次電池を収容したケース部とケーブルを介して接続されており、前記ベルト部は、前記ケーブルを収容するケーブル収容部を有することを特徴とする請求項２又は３に記載の背負式電源。
【請求項５】
前記残量表示部は、前記ベルト部に着脱可能に設けられており、前記ベルト部は、少なくとも１つ以上の残量表示部収納部を有することを特徴とする請求項２乃至請求項４の何れか１項に記載の背負い式電源。
【請求項６】
前記残量表示部における二次電池の残量を表示する機構は、前記ケース部が背負われた状態において、上方向を向くことが可能であることを特徴とする請求項３から請求項５の何れか１項に記載の背負式電源。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月29日(2015.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも２層の情報信号層を備え、
上記２層の情報信号層は、同一組成の記録材料により構成される、光の照射により情報信号を記録可能である記録層を含んでいる光情報記録媒体。
【請求項２】
情報信号を記録または再生するための光が照射される光照射面を有し、
上記２層の情報信号層は、上記光照射面から遠い第１の情報信号層と、上記光照射面から近い第２の情報信号層とからなり、
上記光照射面側における上記第１の情報信号層の反射率Ｒ０および上記第２の情報信号層の反射率Ｒ１は、２％≦Ｒ１≦２Ｒ０の関係を満たす請求項１に記載の光情報記録媒体。
【請求項３】
情報信号を記録または再生するための光が照射される光照射面を有し、
上記光照射面側における上記２層の情報信号層の反射率は、２％以上１０％以下の範囲内であり、
上記２層の情報信号層の透過率は、７１％以上８１％以下の範囲内である請求項１に記載の光情報記録媒体。
【請求項４】
単層の状態での上記２層の情報信号層の反射率は、４％以上１０％以下の範囲内であり、
上記２層の情報信号層の透過率は、７１％以上８１％以下の範囲内である請求項１に記載の光情報記録媒体。
【請求項５】
上記２層の情報信号層は、同一の層構成を有し、
上記２層の情報信号層を構成する各層が、同一の組成を有している請求項１から４のいずれかに記載の光情報記録媒体。
【請求項６】
上記２層の情報信号層は、記録層の表面の少なくとも一方に設けられた保護層をさらに備え、
上記２層の情報信号層の保護層は、同一組成の材料により構成されている請求項１から４のいずれかに記載の光情報記録媒体。
【請求項７】
上記材料は、誘電体材料である請求項６に記載の光情報記録媒体。
【請求項８】
上記記録層は、パラジウム（Ｐｄ）の酸化物を含んでいる請求項１から７のいずれかに記載の光情報記録媒体。
【請求項９】
上記２層の情報信号層は、隣り合って設けられている請求項１から８のいずれかに記載の光情報記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月13日(2015.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
構成ＡのメモリマクロＭＭ０において、ＩＯ回路ＩＯは行方向に３２個配置され、３２ビットのＩＯ幅を有する。各ワード線ドライバＷＤＲＶで選択されるメモリセルＭＣは列方向に５１２行配置され、各ＩＯ回路ＩＯが有する２列のメモリセルＭＣを含め、ワード長は１０２４ビットとなる。構成ＢのメモリマクロＭＭ１において、ＩＯ回路ＩＯは行方向に１７個配置され、１７ビットのＩＯ幅を有する。各ワード線ドライバＷＤＲＶで選択されるメモリセルＭＣは、列方向に１２８行配置され、各ＩＯ回路ＩＯが有する２列のメモリセルＭＣを含め、ワード長は２５６ビットとなる。メモリマクロＭＭ０、およびメモリマクロＭＭ１において、列方向に配置されるメモリセルＭＣの行数は、各々の要求ワード長を満たすように、基本単位ｍを必要な整数倍した値に設定される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
図３に示す基本単位ｍの行数で構成されるメモリセルアレイＡＲＹにおけるビット線ＢＬ、またはビット線ＺＢＬに印加する負バイアス電圧ΔＶＢＬを所望の値に設定するには、ビット線ＢＬ／ＺＢＬの負荷容量Ｃｂｌに供給する電荷量を容量素子Ｃｎｂｌに蓄積する必要がある。式２は、そのために容量素子Ｃｎｂｌに印加すべきバイアス電圧ΔＶｎｂｌの値を示す。このバイアス電圧ΔＶｎｂｌは、式１に示す通り、負バイアス基準電圧生成部ＶＢＡＤＪが備える基準抵抗ＲＲＥＦのオン抵抗、およびレプリカ抵抗ＲＰＲのオン抵抗により決定される。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月24日(2015.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
駆動電極を有する第１振動腕部と第２振動腕部と、
前記第１振動腕部と前記第２振動腕部との一方の端部を接続する第１基部と、他方の端部を接続する第２基部と、
前記第１振動腕部と前記第２振動腕部とに設けられた錘膜と、を備えること、
を特徴とする振動片。
【請求項２】
前記錘膜が金属膜からなり、
前記駆動電極と前記錘膜とが重ならず、互いに独立した位置に配置されていること、
を特徴とする請求項１に記載の振動片。
【請求項３】
前記錘膜は、
少なくとも前記第１振動腕部の前記駆動電極が設けられた位置と前記第２振動腕部の前記駆動電極が設けられた位置とのいずれか一方において発生する歪よりも小さい歪が発生する位置に配置されていること、
を特徴とする請求項１または請求項２に記載の振動片。
【請求項４】
前記駆動電極は、
前記第１振動腕部と前記第２振動腕部とに発生する歪が最も大きい位置に配置されていること、
を特徴とする請求項３に記載の振動片。
【請求項５】
前記錘膜は、
前記第１振動腕部と前記第２振動腕部とに発生する歪が最も小さい位置に配置されていること、
を特徴とする請求項３または請求項４に記載の振動片。
【請求項６】
前記錘膜は、
前記第１振動腕部及び前記第２振動腕部の長さ方向中央部よりも前記第１基部側と、前記長さ方向中央部よりも前記第２基部側とに配置されていること、
を特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか一項に記載の振動片。
【請求項７】
前記錘膜は、
前記第１振動腕部及び前記第２振動腕部の長さ方向中央部に配置されていること、
を特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の振動片。
【請求項８】
前記錘膜が、前記駆動電極と同じ材質で成膜されていること、
を特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれか一項に記載の振動片。
【請求項９】
請求項１ないし請求項８のいずれか一項に記載の振動片と、
前記振動片を収容するパッケージと、を備えていること、
を特徴とする振動子。
【請求項１０】
請求項１ないし請求項８のいずれか一項に記載の振動片と、
前記振動片を収容するパッケージと、を備えていること、
を特徴とする電子デバイス。
【請求項１１】
前記パッケージは、前記振動片の固定端部を片持ち支持するパッケージベースと、前記パッケージベースの開口部を封止する可撓性を有する蓋体と、
前記蓋体の変位を前記振動片の自由端部に伝達する伝達部と、を備えていること、
を特徴とする請求項１０に記載の電子デバイス。
【請求項１２】
請求項１ないし請求項８のいずれか一項に記載の振動片を備えていること、
を特徴とする電子機器。
【請求項１３】
請求項１ないし請求項８のいずれか一項に記載の振動片を備えていること、
を特徴とする移動体。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月5日(2015.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単色光を出力する光源と、
該光源の出力光軸上に配置され、前記単色光が照射されることにより該単色光とは異なる色の光を発生する波長変換素子と、
前記光源と前記波長変換素子との間に配置され、前記単色光を透過するとともに前記波長変換素子において発生された光のうち前記光源側に散乱した光を前記波長変換素子の方向に前記出力光軸と平行に折り返すダイクロイックミラーとを備える光源装置。
【請求項２】
前記ダイクロイックミラーと前記波長変換素子との間に配置され、該波長変換素子から前記光源側に散乱した光を平行光にする第１のコリメート光学系と、
前記波長変換素子の後段に配置され、該波長変換素子から前記光源とは反対側に散乱した光を平行光にする第２のコリメート光学系とを備える請求項１に記載の光源装置。
【請求項３】
前記第１のコリメート光学系が、平面を有するレンズを備え、
前記ダイクロイックミラーが、前記平面に一体的に形成されている請求項２に記載の光源装置。
【請求項４】
前記第１のコリメート光学系が、第１のレンズを備え、
前記第１のレンズと、前記波長変換素子と、が離間して配置されている請求項２または請求項３に記載の光源装置。
【請求項５】
前記第１のコリメート光学系が、第１のレンズを備え、
前記第１のレンズと、前記ダイクロイックミラーと、が離間して配置されている請求項２から請求項４のいずれかに記載の光源装置。
【請求項６】
前記第２のコリメート光学系が、第２のレンズを備え、
前記第２のレンズと、前記波長変換素子と、が離間して配置されている請求項２から請求項５のいずれかに記載の光源装置。
【請求項７】
複数の前記波長変換素子が、前記出力光軸上の前記単色光の照射領域において、前記出力光軸に沿う方向にまたは交差する方向に配置されている請求項１から請求項６のいずれかに記載の光源装置。
【請求項８】
複数組の前記波長変換素子および前記ダイクロイックミラーが、前記出力光軸上に直列に配置されている請求項１から請求項７のいずれかに記載の光源装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月11日(2015.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単体硫黄、金属硫化物、金属多硫化物、及び有機硫黄化合物からなる群から選択される少なくとも一つを含む硫黄系電極活物質を有する正極と、
下記式
【化１】
2014017111.tif 000001
（ここで、Ｒ1は、炭素数１〜９のフッ素置換されていてもよいアルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよいフェニル基、又はハロゲン原子で置換されていてもよいシクロヘキシル基のいずれかであり、Ｒ2は、炭素数１〜９のフッ素置換されていてもよいアルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよいフェニル基、ハロゲン原子で置換されていてもよいシクロヘキシル基、又はエチル基のいずれかである）、
【化２】
2014017111.tif 000002
（ここで、Ｒ3、Ｒ4は、炭素数１〜９のフッ素置換されていてもよいアルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよいフェニル基、又はハロゲン原子で置換されていてもよいシクロヘキシル基のいずれかである）、
【化３】
2014017111.tif 000003
（ここで、Ｒ5、Ｒ6は、炭素数１〜９のフッ素置換されていてもよいアルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよいフェニル基、又はハロゲン原子で置換されていてもよいシクロヘキシル基のいずれかである）、又は、
【化５】
2014017111.tif 000004
（ここで、Ｒ7は、炭素数１〜９のフッ素置換されていてもよいアルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよいフェニル基、又はハロゲン原子で置換されていてもよいシクロヘキシル基のいずれかである）、で表されるグライムと、アルカリ金属塩と、を含み、前記グライムと前記アルカリ金属塩との少なくとも一部が錯体を形成し、さらに、前記アルカリ金属及び多硫化アルカリ金属（Ｍ2Ｓn：1 ≦ n ≦ 8）と化学反応しないフッ素系溶媒、イオン液体、及び炭化水素の群から選ばれる１種又は２種以上を含有する電解液と、
前記正極の対極であって、前記アルカリ金属、前記アルカリ金属を含む合金、又は炭素を有する負極と、
を備え、
前記グライムに対する前記アルカリ金属塩の混合比が、モル換算で０．８０以上で、かつ前記グライム中の前記アルカリ金属塩の飽和濃度で決まる値以下であるアルカリ金属−硫黄系二次電池。
【請求項２】
前記アルカリ金属塩がＭＸで表され、ここで、Ｍはアルカリ金属、Ｘは、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＢＦ4、ＰＦ6、ＣＦ3ＳＯ3、ＣｌＯ4、ＣＦ3ＣＯ2、ＡｓＦ6、ＳｂＦ6、ＡｌＣｌ4、Ｎ（ＣＦ3ＳＯ2）2、Ｎ（ＣＦ3ＣＦ2ＳＯ2）2、ＰＦ3（Ｃ2Ｆ5）3、Ｎ（ＦＳＯ2）2、Ｎ（ＦＳＯ2）（ＣＦ3ＳＯ2）、Ｎ（ＣＦ3ＣＦ2ＳＯ2）2、Ｎ（Ｃ2Ｆ4Ｓ2Ｏ4）、Ｎ（Ｃ3Ｆ6Ｓ2Ｏ4）、Ｎ（ＣＮ）2、Ｎ（ＣＦ3ＳＯ2）（ＣＦ3ＣＯ）、Ｒ1ＦＢＦ3（但し、Ｒ1Ｆ＝ｎ-ＣmＦ2m+1、ｍ＝１〜４の自然数）およびＲ2ＢＦ3（但し、Ｒ2＝ｎ−ＣpＨ2p+1、ｐ＝１〜５の自然数）からなる群から選ばれる少なくとも一種である請求項１に記載のアルカリ金属−硫黄系二次電池。
【請求項３】
下記式
【化２】
2014017111.tif 000005
（ここで、Ｒ3、Ｒ4は、炭素数１〜９のフッ素置換されていてもよいアルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよいフェニル基、又はハロゲン原子で置換されていてもよいシクロヘキシル基のいずれかである）、又は
【化３】
2014017111.tif 000006
（ここで、Ｒ5、Ｒ6は、炭素数１〜９のフッ素置換されていてもよいアルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよいフェニル基、又はハロゲン原子で置換されていてもよいシクロヘキシル基のいずれかである）で表されるグライムと、
アルカリ金属塩と、を含み、前記グライムと前記アルカリ金属塩との少なくとも一部が錯体を形成している二次電池用電解液。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月7日(2015.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原稿の画像と原稿の外部の背景画像を読み取って得られた画像データを処理する画像処理装置であって、
前記画像データから前記背景画像の色と前記原稿の余白領域の色との類似度に基づく抽出パラメータを用いて、前記画像データに基づく画像に含まれるエッジを抽出する抽出手段と、
前記抽出手段により抽出されたエッジに基づき、前記画像データに基づく前記画像における前記原稿の領域を判定する原稿判定手段と、
を有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記抽出手段は、前記画像データに対し、所定のフィルタによりフィルタ処理を施した後に、前記抽出パラメータを用いて量子化してエッジを抽出することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記類似度に応じて複数のフィルタの中のいずれかを決定する決定手段を更に有し、前記抽出手段は前記決定手段により決定されたフィルタを用いて前記画像データに対しフィルタ処理を施すことを特徴とする請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記画像データから前記背景画像の色と前記原稿の余白領域の色との前記類似度を判定する類似度判定手段を更に有し、
前記抽出手段は、前記類似度判定手段により判定された類似度に基づく抽出パラメータを用いて、前記画像データに基づく画像に含まれるエッジを抽出することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記類似度判定手段は、前記背景画像の白色部分及び原稿の白色部分の分光反射スペクトルに基づいて前記類似度を判定することを特徴とする請求項４に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記類似度判定手段は、前記原稿の白色部分のＲＧＢ各色の出力濃度の差分の大小により前記類似度を判定することを特徴とする請求項５に記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記抽出手段は、前記類似度が第１の類似度の場合、当該第１の類似度よりも小さな第２の類似度の場合に用いられる第２の抽出パラメータでは抽出されないエッジを抽出可能な第１の抽出パラメータを用いることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項８】
前記原稿判定手段は、さらに前記画像データの輝度、或いは彩度を基に、前記原稿の領域を判定することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項９】
前記原稿を読み取り、前記画像データを出力する読取部をさらに有することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項１０】
前記読取部は、ユーザが前記原稿を置くための原稿台と、当該原稿台に置かれた原稿を押さえるための原稿台カバーを有し、
前記背景画像は、前記読取部が前記原稿台カバーを読み取ることで得られた画像であることを特徴とする請求項９に記載の画像処理装置。
【請求項１１】
前記画像処理装置は、前記原稿を読み取り、前記画像データを出力する読取装置と接続された外部装置であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項１２】
原稿の画像と原稿の外部の背景画像を読み取って得られた画像データを処理する画像処理方法であって、
前記画像データから前記背景画像の色と前記原稿の余白領域の色との類似度に基づく抽出パラメータを用いて、前記画像データに基づく画像に含まれるエッジを抽出する抽出工程と、
前記抽出工程において抽出されたエッジに基づき、前記画像データに基づく前記画像における前記原稿の領域を判定する原稿判定工程と、
を有することを特徴とする画像処理方法。
【請求項１３】
請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の画像処理装置の各手段としてコンピュータを機能させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記目的を達成するために本発明の一態様に係る画像処理装置は以下のような構成を備える。即ち、
原稿の画像と原稿の外部の背景画像を読み取って得られた画像データを処理する画像処理装置であって、
前記画像データから前記背景画像の色と前記原稿の余白領域の色との類似度に基づく抽出パラメータを用いて、前記画像データに基づく画像に含まれるエッジを抽出する抽出手段と、
前記抽出手段により抽出されたエッジに基づき、前記画像データに基づく前記画像における前記原稿の領域を判定する原稿判定手段と、を有することを特徴とする。