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　特願２００２−１６９５５６「基板処理装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　１月１５日出願公開、特開２００４−　１４９６６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１４年６月１１日の出願（特願２００２−１６９５５６号）であって、平成１９年４月９日付けで拒絶査定がなされ、これに対し平成１９年５月１７日付けで拒絶査定不服審判の請求がなされ、平成１９年６月１４日付けで手続補正がなされた。
　
２．平成１９年６月１４日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）について
　本件補正は、平成１９年１月９日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の記載である
「【請求項１】　基板処理装置であって、
　第１の処理ユニット群を有する第１のプロセス部と、
　第２の処理ユニット群を有するとともに、前記第１のプロセス部と積層配置の関係にある第２のプロセス部と、
を備え、
　前記第１のプロセス部と前記第２のプロセス部はいずれも、
　　前記処理ユニット群に含まれる複数の処理ユニットがそれぞれにおいて積層されてなる複数の処理ユニット積層部と、前記複数の処理ユニット間での基板の移載を行う少なくとも１つの移載手段とが、基板の処理進行方向に沿って交互にかつ一列に隣接配置された配列構造を有しており、
　前記第１のプロセス部で第１の基板処理シーケンスに係る処理が行われた後の基板を、前記基板処理装置外の他の装置に受け渡すとともに、前記他の装置で処理された後に戻ってきた基板に対し前記第２のプロセス部で第２の基板処理シーケンスに係る処理を行うことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】　請求項１に記載の基板処理装置であって、
　前記第１のプロセス部における基板の処理進行方向と、前記第２のプロセス部における基板の処理進行方向とが、互いに略逆向きであることを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】　請求項１または請求項２に記載の基板処理装置であって、
　前記少なくとも１つの移載手段が複数の移載手段であり、各処理ユニットごとに、基板の移載のために使用する移載手段が、前記複数の移載手段の中から選択されて固定的に割当てられていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】　請求項３に記載の基板処理装置であって、
　前記複数の移載手段の各々が、その配置箇所に応じて割り当てられている役割および動作範囲内において互いに独立に動作可能であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】　請求項４に記載の基板処理装置であって、
　前記少なくとも１つの移載手段が、前記処理ユニット間での基板の移載のための動作として、前記処理ユニットにアクセスするための上下動作および基板を授受するために備わるアームの進退動作のみを行うように構成されてなる、
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】　請求項３ないし請求項５のいずれかに記載の基板処理装置であって、
　前記処理ユニット積層部に前記移載手段の間で基板を授受するための基板載置部を設けてなる、
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】　請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の基板処理装置であって、
　前記第１の処理ユニット群が薬液塗布処理ユニットを含み、
　前記第２の処理ユニット群が現像処理ユニットを含むことにより、
　前記第１の基板処理シーケンスとして基板への薬液膜の形成を行い、
　前記第２の基板処理シーケンスとして基板に形成された露光パターンの現像を行う、
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】　請求項７に記載の基板処理装置であって、
　前記第１のプロセス部と前記第２のプロセス部においては、
　前記複数の処理ユニット積層部の少なくとも１つに対して前記配列構造の配列方向と垂直な向きに隣接配置された副移載手段、
をそれぞれにさらに備えており、
　前記第１のプロセス部においては前記薬液塗布処理ユニットが、前記第２のプロセス部においては前記現像処理ユニットが、前記副移載手段に隣接配置されてなる、
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】　請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の基板処理装置であって、
　前記第１のプロセス部が、それぞれが前記配列構造を有し前記第１の基板処理シーケンスを完結可能な複数の第１のユニット部を隣接配置してなり、
　前記第２のプロセス部が、それぞれが前記配列構造を有し前記第２の基板処理シーケンスを完結可能な複数の第２のユニット部を隣接配置してなることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１０】　請求項１ないし請求項９のいずれかに記載の基板処理装置であって、
　前記第１のプロセス部と前記第２のプロセス部がいずれも、
　処理待ち状態の基板を収容可能な収容手段、
をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１１】　基板処理装置であって、
　それぞれが複数の処理ユニットを含むユニット群を有し、所定の基板処理シーケンスに係る処理を行う複数のプロセス部が積層配置されてなり、
　前記複数のプロセス部が少なくとも、前記基板処理シーケンスとして薬液膜の形成を行う第１のプロセス部と基板に形成された露光パターンの現像を行う第２のプロセス部とを有してなり、
　前記複数のプロセス部がいずれも、
　それぞれにおいて前記ユニット群に含まれる少なくとも１つのユニットが配置された複数のユニット配置部と、
　前記複数のユニット配置部の間に設けられ、基板の受け渡しを行う受け渡し手段と、
　前記プロセス部において処理待ち状態の基板を収容可能な収容手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。」を、
　
「【請求項１】
　基板処理装置であって、
　薬液塗布処理ユニットを含む第１の処理ユニット群を有する第１のプロセス部と、
　現像処理ユニットを含む第２の処理ユニット群を有するとともに、前記第１のプロセス部と積層配置の関係にある第２のプロセス部と、
を備え、
　前記第１のプロセス部と前記第２のプロセス部はいずれも、
　　前記処理ユニット群に含まれる複数の処理ユニットがそれぞれにおいて積層されてなる複数の処理ユニット積層部と、前記複数の処理ユニット間での基板の移載を行う少なくとも１つの移載手段とが、基板の処理進行方向に沿って交互にかつ一列に隣接配置された配列構造を有するとともに、
　前記複数の処理ユニット積層部の少なくとも１つに対して前記配列構造の配列方向と垂直な向きに隣接配置された副移載手段、
をそれぞれにさらに備えており、
　前記第１のプロセス部においては前記薬液塗布処理ユニットが、前記第２のプロセス部においては前記現像処理ユニットが、前記副移載手段に隣接配置されてなり、
　前記第１のプロセス部で第１の基板処理シーケンスに係る処理として基板への薬液膜の形成が行われた後の基板を、前記基板処理装置外の他の装置に受け渡すとともに、前記他の装置で処理された後に戻ってきた基板に対し前記第２のプロセス部で第２の基板処理シーケンスに係る処理として基板に形成された露光パターンの現像を行うことを特徴とする
基板処理装置。
【請求項２】
　請求項１に記載の基板処理装置であって、
　前記第１のプロセス部が、それぞれが前記配列構造を有し前記第１の基板処理シーケンスを完結可能な複数の第１のユニット部を隣接配置してなり、
　前記第２のプロセス部が、それぞれが前記配列構造を有し前記第２の基板処理シーケンスを完結可能な複数の第２のユニット部を隣接配置してなることを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
　基板処理装置であって、
　第１の処理ユニット群を有する第１のプロセス部と、
　第２の処理ユニット群を有するとともに、前記第１のプロセス部と積層配置の関係にある第２のプロセス部と、
を備え、
　前記第１のプロセス部と前記第２のプロセス部はいずれも、
　　前記処理ユニット群に含まれる複数の処理ユニットがそれぞれにおいて積層されてなる複数の処理ユニット積層部と、前記複数の処理ユニット間での基板の移載を行う少なくとも１つの移載手段とが、基板の処理進行方向に沿って交互にかつ一列に隣接配置された配列構造を有しており、
　前記第１のプロセス部が、それぞれが前記配列構造を有し第１の基板処理シーケンスを完結可能な複数の第１のユニット部を隣接配置してなり、
　前記第２のプロセス部が、それぞれが前記配列構造を有し第２の基板処理シーケンスを完結可能な複数の第２のユニット部を隣接配置してなり、
　前記第１のプロセス部で前記第１の基板処理シーケンスに係る処理が行われた後の基板を、前記基板処理装置外の他の装置に受け渡すとともに、前記他の装置で処理された後に戻ってきた基板に対し前記第２のプロセス部で前記第２の基板処理シーケンスに係る処理を行うことを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
　請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の基板処理装置であって、
　前記第１のプロセス部における基板の処理進行方向と、前記第２のプロセス部における基板の処理進行方向とが、互いに略逆向きであることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
　請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の基板処理装置であって、
　前記少なくとも１つの移載手段が複数の移載手段であり、各処理ユニットごとに、基板の移載のために使用する移載手段が、前記複数の移載手段の中から選択されて固定的に割当てられていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
　請求項５に記載の基板処理装置であって、
　前記複数の移載手段の各々が、その配置箇所に応じて割り当てられている役割および動作範囲内において互いに独立に動作可能であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
　請求項６に記載の基板処理装置であって、
　前記少なくとも１つの移載手段が、前記処理ユニット間での基板の移載のための動作として、前記処理ユニットにアクセスするための上下動作および基板を授受するために備わるアームの進退動作のみを行うように構成されてなる、
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
　請求項５ないし請求項７のいずれかに記載の基板処理装置であって、
　前記処理ユニット積層部に前記移載手段の間で基板を授受するための基板載置部を設けてなる、
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】
　請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の基板処理装置であって、
　前記第１のプロセス部と前記第２のプロセス部がいずれも、
　処理待ち状態の基板を収容可能な収容手段、
をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。」と補正するものである。
　
　本件補正は、以下の補正からなる。
補正１；
　旧請求項１を引用する旧請求項７を引用する旧請求項８を請求項１とする。
補正２；
　上記旧請求項８を引用する旧請求項９を請求項２とする。
補正３；
　旧請求項１を引用する旧請求項９を請求項３とする。
補正４；
　旧請求項２から６を、請求項１から３を引用して、請求項４から８とする。
補正５；
　旧請求項１０を、請求項１から８を引用して請求項９とする。
補正６；
　旧請求項１１を削除する。
　
　したがって、本件補正は、旧請求項の引用関係を替え、組み替えたもので、一部の請求項を削除したものと見ることができ、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定に適合する。
　
３．本願発明
　本願の請求項１〜９に係る発明は、本件補正により補正された手続補正書の特許請求の範囲の請求項１〜９に記載された事項により特定されるものであると認められるところ、その請求項３に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、同手続補正書の特許請求の範囲の請求項３に記載された、以下のとおりのものである。
「基板処理装置であって、
　第１の処理ユニット群を有する第１のプロセス部と、
　第２の処理ユニット群を有するとともに、前記第１のプロセス部と積層配置の関係にある第２のプロセス部と、
を備え、
　前記第１のプロセス部と前記第２のプロセス部はいずれも、
　　前記処理ユニット群に含まれる複数の処理ユニットがそれぞれにおいて積層されてなる複数の処理ユニット積層部と、前記複数の処理ユニット間での基板の移載を行う少なくとも１つの移載手段とが、基板の処理進行方向に沿って交互にかつ一列に隣接配置された配列構造を有しており、
　前記第１のプロセス部が、それぞれが前記配列構造を有し第１の基板処理シーケンスを完結可能な複数の第１のユニット部を隣接配置してなり、
　前記第２のプロセス部が、それぞれが前記配列構造を有し第２の基板処理シーケンスを完結可能な複数の第２のユニット部を隣接配置してなり、
　前記第１のプロセス部で前記第１の基板処理シーケンスに係る処理が行われた後の基板を、前記基板処理装置外の他の装置に受け渡すとともに、前記他の装置で処理された後に戻ってきた基板に対し前記第２のプロセス部で前記第２の基板処理シーケンスに係る処理を行うことを特徴とする基板処理装置。」
　
４．引用例
　原査定の拒絶の理由で引用され本願の出願前に頒布された特開２００１−１７６７９２号公報（以下、「引用例１」という。）には、次の事項が記載されている。
ア．【００１６】
　図３乃至図５を参照すると、本発明の半導体製造のためのフォトリソグラフィ装置（１０）は塗布工程を実行するユニットを塗布モジュール（４０）にて構成し、現像工程を実行するユニットを現像モジュール（７０）にて構成して各々異なる層に配置されるようにする。特に、本実施態様では塗布モジュール（４０）を上層に配置し、現像モジュール（７０）を下層に配置した。・・・第１通路（６０）には第１通路（６０）を移動しながら基板を移送させるためのキャリアである第１ロボット（６２）が配置され、第２通路（８０）には第２通路（８０）を移動しながら基板を移送させるためのキャリアである第２ロボット（８２）が配置される。このような構成を通じて本発明の好ましい実施態様による装置（１０）では、基板がローディング／アンローディングされるポート（２０）と、露光システム（１５０）と基板を出し入れするインタフェース部（３０）との間で基板を自由に移送させることができる。
【００１７】
　・・・本実施態様でポート（２０）とインタフェース部（３０）は各々一つの駆動部（２２，３２）へ上層と下層の基板を移送することができるように構成した。勿論、このような駆動部の構成は当業者ならば多様な形態に構成することができる。
　
イ．【００２１】
　図４乃至図６を参照すると、本発明の好ましい実施態様に基づく装置（１０）は上述したような構成を有すると同時に、図４及び図５で示されたように、塗布モジュール（４０）を構成するユニットが第１通路（６０）の両側に設けられ、現像モジュール（７０）を構成するユニットが第２通路（８０）の両側に設けられるようにする。即ち、図４で示されたように、塗布モジュール（４０）は第１通路（６０）の一側にベークユニット（５０）を配置し、その反対側（即ち、第１通路（６０）の他側）に塗布機（４２）を配置する。そして、図５で示されたように、現像モジュール（７０）は第２通路（８０）の一側にベークユニット（５０）を配置し、その反対側（即ち、第２通路（８０）の他側）に現像機（７２）を配置する。また、塗布モジュール（４０）と現像モジュール（７０）を構成するユニットは基板の大きさに適合に調節されることができる。例えば、ウェーハの場合６インチ、８インチ、１２インチ、１５インチそして１６インチ等の多様な直径が適用され、その大きさはだんだん増大されている趨勢である。従って、塗布モジュール（４０）と現像モジュール（７０）は工程に直接適用される基板を参照して構成すべきものである。
【００２２】
　このような構成により、本発明の半導体製造のためのフォトリソグラフィ装置（１０）にあっては、設置面積を減らすことができる上、新規工程のためのユニットを設ける時でも他のユニットを変更しなくても容易に適用することができるものである。一方、ベークユニット（５０）は基板を加熱するための加熱プレート（Ｈ／Ｐ）（５２）と加熱プレート（５２）で加熱された基板を一定な温度に冷却させるための冷却プレート（Ｃ／Ｐ）（５４）を多数個具備する。そして、加熱プレート（５２）と冷却プレート（５４）は、図６で示されたように、一対ずつ積層されるように構成する。例えば、加熱プレート（５２）と冷却プレート（５４）を２行２段乃至２行５段の形態に構成することができる。
【００２３】【発明の効果】
　以上に述べたように、本発明にあっては、塗布工程と現像工程が完全に分離されて進行されるので工程の遅滞が殆ど発生されない。特に、基板の移送時に発生される遅滞を効果的に除去することができる。かつ、塗布工程と現像工程とが分離されて進行されるので、各ユニットの活用を最大な高めることができる。従って、設備の稼動を安定的に維持することができる。かつ、従来の装置に比べて相対的に狭い面積に設けることができ、新規工程或いは追加工程が発生される時でも容易に適用させることができる。
　
　したがって、上記記載事項、及び各図面から引用例１には、
「フォトリソグラフィ装置（１０）であって、
　塗布機（４２）、ベークユニット（５０）を有する塗布モジュール（４０）と、
　現像機（７２）、ベークユニット（５０）を有するとともに、塗布モジュール（４０）の下層に配置した現像モジュール（７０）と、
を備え、
　前記塗布モジュール（４０）と前記現像モジュール（７０）はいずれも、
　前記塗布機（４２）、ベークユニット（５０）、あるいは現像機（７２）、ベークユニット（５０）に含まれる、複数のベークユニット（５０）がそれぞれにおいて基板を加熱するための加熱プレート（Ｈ／Ｐ）（５２）と加熱プレート（５２）で加熱された基板を一定な温度に冷却させるための冷却プレート（Ｃ／Ｐ）（５４）を多数個具備し、そして、加熱プレート（５２）と冷却プレート（５４）は、一対ずつ積層されており、前記塗布機（４２）、ベークユニット（５０）間、あるいは現像機（７２）、ベークユニット（５０）間での基板を移送させるためのキャリアである第１ロボット（６２）、あるいは第２ロボット（８２）が配置されており、
　前記塗布モジュール（４０）で塗布工程を実行した後の基板を、前記フォトリソグラフィ装置（１０）外の露光システム（１５０）と基板を出し入れするインタフェース部（３０）との間で基板を自由に移送させることができるとともに、前記露光システム（１５０）で処理された後に戻ってきた基板に対し前記現像モジュール（７０）で現像工程を実行することを特徴とするフォトリソグラフィ装置（１０）。」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
　また、本願の出願前に頒布された特開２０００−１２４１２９号公報（以下、「周知例１」という。）には、次の事項が記載されている。
ウ．【００２２】
　処理ステーション３では，正面側（図１中の下側）にレジスト塗布装置ユニット２０と，背面側に現像処理装置ユニット３０とが配置されている。カセットステーション２側から処理ステーション３を見た図２に基づいてレジスト塗布装置ユニット２０及び現像処理装置ユニット３０を説明すると，レジスト塗布装置ユニット２０には，カップＣＰ内のウェハＷに対してレジスト液を塗布し，所定の膜厚のレジスト膜を形成するレジスト塗布装置２１，２２が下から順に，例えば２段に積み重ねられている。現像処理装置ユニット３０には，カップＣＰ内のウェハＷに対して現像液を供給し，所定の現像処理を行う現像処理装置３１，３２が下から順に，例えば２段に積み重ねられている。
【００２３】
　また，インターフェイス部５側から処理ステーション３を見た図３に基づいてレジスト塗布装置ユニット２０及び現像処理装置ユニット３０を説明すると，レジスト塗布装置ユニット２０には，上記レジスト塗布装置２１，２２と同一のレジスト塗布装置２３，２４が下から順に，例えば２段に積み重ねられており，現像処理装置ユニット３０には上記現像処理装置３１，３２と同一の現像処理装置３３，３４が下から順に，例えば２段に積み重ねられている。従って，レジスト塗布装置ユニット２０には合計４台のレジスト塗布装置２１，２２，２３，２４が備えられており，現像処理装置ユニット３０には合計４台の現像処理装置３１，３２，３３，３４が備えられている。
【００２４】
　レジスト塗布装置ユニット２０と現像処理装置ユニット３０との間には，ウェハＷを所定温度に加熱する各種加熱装置を有する熱処理ユニットが配置されている。熱処理ユニットには第１熱処理ユニット４０と，第２熱処理ユニット５０と，第３熱処理ユニット６０と，第４熱処理ユニット７０とがあり，第１熱処理ユニット４０及び第２熱処理ユニット５０はカセットステーション２側に，第３熱処理ユニット６０及び第４熱処理ユニット７０はインターフェイス部５側に夫々配置されている。
【００２５】
　第１熱処理ユニット４０には，例えばウェハＷとレジストとの密着性を向上させるアドヒージョン装置４１と，ウェハＷを位置合わせするアライメント装置４２と，ウェハＷを待機させるエクステンション装置４３と，レジスト塗布後のウェハＷを加熱するプリベーキング装置４４，４５と，現像処理後のウェハＷを加熱するポストベーキング装置４６との各種熱処理装置が，下から順に例えば５段に積み重ねられている。第２熱処理ユニット５０には，例えばアライメント装置５１と，エクステンション装置５２と，プリベーキング装置５３，５４と，ポストベーキング装置５５，５６とが，下から順に例えば５段に積み重ねられている。
　なお，第１熱処理ユニット４０に属する各加熱装置には，ウェハＷを搬入自在なウェハ搬入口４７と，ウェハＷを搬出自在なウェハ搬出口４８とが別個に設けられており，第２熱処理ユニット５０に属する各加熱装置には，ウェハ搬入口５７と，ウェハ搬出口５８とが別個に設けられている。
【００２６】
　第３熱処理ユニット６０には，例えばアライメント装置６１と，エクステンション装置６２と，プリベーキング装置６３，６４と，露光処理後のウェハＷを所定温度に加熱するポストエクスポージャベーキング装置６５と，ポストベーキング装置６６とが，下から順に例えば５段に積み重ねられている。第４熱処理ユニット７０には，例えばアライメント装置７１と，エクステンション装置７２と，プリベーキング装置７３，７４と，ポストエクスポージャベーキング装置７５と，ポストベーキング装置７６とが，下から順に例えば５段に積み重ねられている。なお，第３熱処理ユニット６０の各加熱装置には，ウェハ搬入口６７とウェハ搬出口６８とが個別に設けられており，第４熱処理ユニット７０の各加熱装置にはウェハ搬入口７７とウェハ搬出口７８とが個別に設けられている。
【００２７】
　第１熱処理ユニット４０と第３熱処理ユニット６０との間には第１主搬送装置８０が，第２熱処理ユニット５０と第４熱処理ユニット７０との間には第２主搬送装置９０とがそれぞれ配置されている。第１主搬送装置８０及び第２主搬送装置９０は基本的に同一の構成を有しており，図４に基づいて第１主搬送装置８０の構成を説明すれば，第１主搬送装置８０は，上端及び下端で相互に接続され対向する一対の壁部８１，８２からなる筒状支持体８３の内側に，上下方向（Ｚ方向）に昇降自在なウェハ搬送手段８４を装備している。筒状支持体８３はモータ８５の回転軸に接続されており，モータ８５の回転駆動力により，前記回転軸を中心としてウェハ搬送手段８４と一体に回転する。従って，ウェハ搬送手段８４はθ方向に回転自在となっている。
　　
　上記記載事項ウ．の段落【００２５】、【００２６】の、第１熱処理ユニット４０、第３熱処理ユニット６０、及び第２熱処理ユニット５０、第４熱処理ユニット７０が、本願発明の処理ユニット積層部に相当し、段落【００２７】の、第１主搬送装置８０、第２主搬送装置９０が、本願発明の移載手段に相当することは明らかである。
　そして、段落【００２７】の記載及び【図１】、並びに各熱処理ユニット搬入口、搬出口等から、熱処理ユニットと主搬送装置とが、基板の処理進行方向に沿って交互にかつ一列に隣接配置された配列構造を有している点が記載されているといえる。
　
　また、上記記載事項ウ．の段落【００２２】、【００２３】の、レジスト塗布装置ユニット２０に備えられた合計４台のレジスト塗布装置２１，２２，２３，２４、及び現像処理装置ユニット３０に備えられた合計４台の現像処理装置３１，３２，３３，３４が、本願発明の第１の基板処理シーケンスを完結可能な複数の第１のユニット部、及び第２の基板処理シーケンスを完結可能な複数の第２のユニット部に相当することは明らかである。
　そして、それらは、熱処理ユニットと主搬送装置とが、基板の処理進行方向に沿って交互にかつ一列に隣接配置された配列構造に、隣接配置してなるといえる。
　
　
　また、本願の出願前に頒布された特開２００１−１８９３６９号公報（以下、「周知例２」という。）には、次の事項が記載されている。
エ．【００７６】
　図９、図１０に示すように、第１の処理ステーション８では、正面側に液処理が行われる第１の処理ユニット群として、反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）群１３ａ及びレジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群１３ｂが設けられている。反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）群１３ａは、常温付近でウエハＷに対して塗布処理を行う反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）１６がｚ軸方向に３段に積み重ねられて構成される。また、レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群１３ｂは、常温付近でウエハＷに対して塗布処理を行うレジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）１７がｚ軸方向に３段に積み重ねられて構成される。更に、反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）群１３ａ及びレジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群１３ｂにそれぞれ隣接してケミカルタワー１５ａ、１５ｂが配置されている。ケミカルタワー１５ａには反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）１６に処理液として供給される反射防止膜材料が収容されており、ケミカルタワー１５ｂにはレジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）１７に処理液として供給されるレジスト材料が収容されている。
【００７７】
　第１の処理ステーション８の背面部には、搬送装置１９ａを挟んで、第２の処理ユニット群として第１加熱・温調処理ユニット群１４ａ、第２加熱・温調処理ユニット群１４ｂが配置されている。第１加熱・温調処理ユニット群１４ａ、第２加熱・温調処理ユニット群１４ｂは、それぞれケミカルタワー１５ａ、１５ｂに隣接して配置されている。第１加熱・温調処理ユニット群１４ａでは第１加熱・温調処理ユニット１０ａがｚ軸方向に８段に積み重ねられて構成されている。第２加熱・温調処理ユニット群１４ｂでは第２加熱・温調処理ユニット１０ｂがｚ軸方向に８段に積み重ねられて構成されている。各第１及び第２加熱・温調処理ユニット１０ａ、１０ｂは、ウエハＷに対して温調処理を行う温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａ、１８ｂと加熱処理を行う加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ａ、２０ｂとがそれぞれ互いに隣接されて一体化して構成されている。
・・・
【００８０】
　一方、第２の処理ステーション９では、図９、図１０に示すように、第１の処理ステーション８と同様に、正面側に常温付近でウエハＷに対して液処理を行う第１の処理ユニット群として、第１現像処理ユニット群１３ｃ及び第２現像処理ユニット群１３ｄが配置されている。第１現像処理ユニット群１３ｃは現像処理ユニット（ＤＥＶ）２６がｚ軸方向に２段に積み重ねられて構成され、第２現像処理ユニット群１３ｄも同様に現像処理ユニット（ＤＥＶ）２６がｚ軸方向に２段に積み重ねられて構成されている。更に、第２現像処理ユニット群１３ｄに隣接してケミカルタワー１５ｃが配置されている。このケミカルタワー１５ｃには、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２６に処理液として供給される現像液が収容されている。
【００８１】
　第２の処理ステーション９の背面部には、搬送装置１９ｂを挟んで第２加熱・温調処理ユニット群１０ｂに対向した位置に、第２の処理ユニット群として第３加熱・温調処理ユニット群１４ｃが配置されている。第３加熱・温調処理ユニット群１４ｃは、それぞれケミカルタワー１５ｃに隣接して配置されている。第３加熱・温調処理ユニット群１４ｃは第３加熱・温調処理ユニット１０ｃがｚ軸方向に８段に積み重ねられて構成される。
　
オ．【００８９】
　次に、このように構成された塗布現像処理システム１における処理工程を説明する。尚、加熱・温調処理ユニットにおける動作は上述の第一実施形態と同様のため省略する。
【００９０】
　塗布現像処理システム１において、カセットＣ内に収容された未処理のウエハＷはカセットステーション２のウエハ搬送体１１によって取り出された後、第１の処理ステーション３の第１加熱・温調熱処理ユニット１０ａにおける温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａ内に搬送され、温調板２５上に載置されて温調処理が行われる。
【００９１】
　温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａ内で温調処理が行われたウエハＷは、搬送装置１９ａによって反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）群１３ａにおける反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）１６内に搬送され、反射防止膜用の処理液が塗布される。
【００９２】
　反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）１６で反射防止膜用の処理液が塗布されたウエハＷは、搬送装置１９ａによって第１加熱・温調処理ユニット１０ａの温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａ内に搬送され、温調板２５上に載置される。温調板２５上に載置されたウエハＷは、加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ａ内へ搬送され加熱処理が行われる。
【００９３】
　その後、ウエハＷは温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａ内へ搬送され、温調処理が行われる。
【００９４】
　温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａで温調処理が行われたウエハＷは、搬送装置１９ａによってレジスト塗布ユニット群１３ｂにおけるレジスト塗布ユニット（ＣＴ）１７内に搬送され、レジスト液が塗布される。
【００９５】
　レジスト塗布ユニット（ＣＴ）１７でレジスト液が塗布されたウエハＷは、搬送装置１９ａにより、第２加熱・温調処理ユニット１０ｂの温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ｂ内に搬送される。更に、ウエハＷは加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ｂ内へ搬送され、加熱処理が行われる。
　　
　上記記載事項エ．の段落【００７７】の、第１加熱・温調処理ユニット群１４ａ、第２加熱・温調処理ユニット群１４ｂが、本願発明の処理ユニット積層部に相当し、搬送装置１９ａが、本願発明の移載手段に相当することは明らかである。
　そして、段落【００７７】の記載及び【図９】、並びに上記記載事項オ．の記載等から、加熱・温調処理ユニット群と搬送装置１９ａとが、基板の処理進行方向に沿って交互にかつ一列に隣接配置されている点が記載されているといえる。
　
　また、上記記載事項エ．の段落【００７６】の、反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）群１３ａ及びレジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群１３ｂが第１の処理ステーション８で行われる基板処理シーケンスを完結可能な複数の第１のユニット部に相当し、段落【００８０】の、第１現像処理ユニット群１３ｃ及び第２現像処理ユニット群１３ｄが第２の処理ステーション８で行われる基板処理シーケンスを完結可能な複数の第２のユニット部に相当することは明らかである。
　そして、それらは、加熱・温調処理ユニット群と搬送装置とが、基板の処理進行方向に沿って交互にかつ一列に隣接配置された配列構造に、隣接配置してなるといえる。
　
　
　また、本願の出願前に頒布された特開２００１−９３８２７号公報（以下、「周知例３」という。）には、次の事項が記載されている。
カ．【００２５】
　処理ステーション３では、正面側にレジスト・反射防止膜塗布ユニット群２０が、背面側に現像処理ユニット群３０がそれぞれ配置されている。正面側に現像処理ユニット群３０を、背面側にレジスト・反射防止膜塗布ユニット群２０をそれぞれ配置しても勿論構わない。
・・・
【００３０】
　現像処理ユニット群３０についてもレジスト・反射防止膜塗布ユニット群２０と同様に構成されている。即ち、現像処理ユニット群３０は、カップＣＰ内でウェハＷをスピンチャックに載せて現像液を供給して、該ウェハＷに対して現像処理を施す現像処理ユニット３１、３２が並列配置され、さらにこれら各現像処理ユニット３１、３２の上段には現像処理ユニット３３、３４が積み重ねられて構成されている。
　
キ．【００３６】
　第１搬送装置５０及び第２の搬送装置６０の両側には、熱処理ユニットが配置されている。熱処理ユニットには、第１熱処理ユニット７０と、第２熱処理ユニット８０と、第３熱処理ユニット９０と、第４熱処理ユニット１００とがあり、第１熱処理ユニット７０及び第３熱処理ユニット９０はカセットステーション２側に、第２熱処理ユニット８０及び第４熱処理ユニット１００はインターフェイス部５側に夫々配置されている。
【００３７】
　各熱処理ユニット群７０、８０、９０、１００には、ウェハＷの位置合わせを行うアライメントユニット７１と、ウェハＷを待機させるエクステンションユニット７２と、ウェハＷを加熱処理する加熱処理ユニット７３〜７７とが下から順に、例えば７段に積み重ねられたものが配置される。
　
　上記記載事項キ．の段落【００３６】の、第１熱処理ユニット７０や第２熱処理ユニット８０は、【図２】も参照すると本願発明の処理ユニット積層部に相当し、第１搬送装置５０が、本願発明の移載手段に相当することは明らかである。
　そして、段落【００３６】の記載及び【図１】等から、熱処理ユニット群と第１搬送装置５０とが、基板の処理進行方向に沿って交互にかつ一列に隣接配置されている点が記載されているといえる。
　
　また、上記記載事項カ．の段落【００２５】の、レジスト・反射防止膜塗布ユニット群２０が第１の基板処理シーケンスを完結可能な複数の第１のユニット部に相当し、段落【００３０】の、現像処理ユニット群３０が第２の基板処理シーケンスを完結可能な複数の第２のユニット部に相当することは明らかである。
　そして、それらは、熱処理ユニット群と搬送装置とが、基板の処理進行方向に沿って交互にかつ一列に隣接配置された配列構造に、隣接配置してなるといえる。
　
５．対比
　引用発明の「フォトリソグラフィ装置（１０）」は本願発明の「基板処理装置」に相当し、以下、同様に、「塗布機（４２）、ベークユニット（５０）」は「第１の処理ユニット群」に、「塗布モジュール（４０）」は「第１のプロセス部」に、「現像機（７２）、ベークユニット（５０）」は「第２の処理ユニット群」に、「塗布モジュール（４０）の下層に配置した」は「第１のプロセス部と積層配置の関係にある」に、「現像モジュール（７０）」は「第２のプロセス部」に、「前記塗布モジュール（４０）で塗布工程を実行した後の基板」は「第１の基板処理シーケンスに係る処理が行われた後の基板」に、それぞれ相当する。
　
　引用発明の「複数のベークユニット（５０）がそれぞれにおいて基板を加熱するための加熱プレート（Ｈ／Ｐ）（５２）と加熱プレート（５２）で加熱された基板を一定な温度に冷却させるための冷却プレート（Ｃ／Ｐ）（５４）を多数個具備し、そして、加熱プレート（５２）と冷却プレート（５４）は、一対ずつ積層されて」いるので、引用発明は、本願発明の「複数の処理ユニットがそれぞれにおいて積層されてなる複数の処理ユニット積層部」の構成を有していることは明らかである。
　
　引用発明の「前記塗布機（４２）、ベークユニット（５０）間、あるいは現像機（７２）、ベークユニット（５０）間での基板を移送させるためのキャリアである第１ロボット（６２）、あるいは第２ロボット（８２）が配置されており」と、本願発明の「前記複数の処理ユニット間での基板の移載を行う少なくとも１つの移載手段とが、基板の処理進行方向に沿って交互にかつ一列に隣接配置された配列構造を有しており」とは、「前記複数の処理ユニット間での基板の移載を行う少なくとも１つの移載手段が、配置された配列構造を有しており」の点で一致する。
　
　引用発明の「塗布機（４２）」は、塗布の基板処理シーケンスを完結することは明らかであるので、本願発明の「第１の基板処理シーケンスを完結可能な第１のユニット部」に相当し、同様に、「現像機（７２）」は現像の基板処理シーケンスを完結することは明らかであるので、本願発明の「第２の基板処理シーケンスを完結可能な第２のユニット部」に相当する。
　そして、それらは、引用例１の【図４】、【図５】から、それぞれ「塗布モジュール（４０）」及び「現像モジュール（７０）」が複数ずつ有しているので、「塗布モジュール（４０）」及び「現像モジュール（７０）」内に複数配置されているといえ、引用発明は、本願発明の「前記第１のプロセス部が、それぞれが前記配列構造を有し第１の基板処理シーケンスを完結可能な複数の第１のユニット部を隣接配置してなり、
　前記第２のプロセス部が、それぞれが前記配列構造を有し第２の基板処理シーケンスを完結可能な複数の第２のユニット部を隣接配置してなり、」の構成の内、「前記第１のプロセス部が、それぞれが前記配列構造を有し第１の基板処理シーケンスを完結可能な複数の第１のユニット部を配置してなり、
　前記第２のプロセス部が、それぞれが前記配列構造を有し第２の基板処理シーケンスを完結可能な複数の第２のユニット部を配置してなり、」の構成を有していることは明らかである。
　
　引用発明は、基板を、「前記フォトリソグラフィ装置（１０）外の露光システム（１５０）と基板を出し入れするインタフェース部（３０）との間で基板を自由に移送させることができる」のであるから、本願発明の「前記基板処理装置外の他の装置に受け渡す」の構成を有していることは明らかである。
　
　引用発明は、「前記露光システム（１５０）で処理された後に戻ってきた基板に対し前記現像モジュール（７０）で現像工程を実行する」のであるから、本願発明の「前記他の装置で処理された後に戻ってきた基板に対し前記第２のプロセス部で第２の基板処理シーケンスに係る処理を行う」の構成を有していることは明らかである。
　
　すると、本願発明と引用発明とは、
「基板処理装置であって、
　第１の処理ユニット群を有する第１のプロセス部と、
　第２の処理ユニット群を有するとともに、前記第１のプロセス部と積層配置の関係にある第２のプロセス部と、
を備え、
　前記第１のプロセス部と前記第２のプロセス部はいずれも、
　前記処理ユニット群に含まれる複数の処理ユニットがそれぞれにおいて積層されてなる複数の処理ユニット積層部と、前記複数の処理ユニット間での基板の移載を行う少なくとも１つの移載手段が、配置された配列構造を有するとともに、
　前記第１のプロセス部が、それぞれが前記配列構造を有し第１の基板処理シーケンスを完結可能な複数の第１のユニット部を配置してなり、
　前記第２のプロセス部が、それぞれが前記配列構造を有し第２の基板処理シーケンスを完結可能な複数の第２のユニット部を配置してなり、
　前記第１のプロセス部で第１の基板処理シーケンスに係る処理が行われた後の基板を、前記基板処理装置外の他の装置に受け渡すとともに、前記他の装置で処理された後に戻ってきた基板に対し前記第２のプロセス部で第２の基板処理シーケンスに係る処理を行うことを特徴とする基板処理装置。」の点で一致し、以下の点で相違する。
　
相違点；
　処理ユニット積層部と移載手段との配列構造、該配列構造とユニット部の配置関係が、本願発明では、
「基板の処理進行方向に沿って交互にかつ一列に隣接配置された配列構造を有しており、
　前記第１のプロセス部が、それぞれが前記配列構造を有し第１の基板処理シーケンスを完結可能な複数の第１のユニット部を隣接配置してなり、
　前記第２のプロセス部が、それぞれが前記配列構造を有し第２の基板処理シーケンスを完結可能な複数の第２のユニット部を隣接配置してな」っているのに対し、引用発明では、そのような限定がない点。
　
６．当審の判断
相違点について
　処理ユニット積層部と移載手段とを基板の処理進行方向に沿って交互にかつ一列に隣接配置するとともに、第１の基板処理シーケンスを完結可能な複数の第１のユニット部と第２の基板処理シーケンスを完結可能な複数の第２のユニット部が、それぞれ、処理ユニット積層部と移載手段との配列構造に隣接配置してなる点は、従来周知（上記周知例１〜３参照。）の技術事項であって、引用発明において、そのような構成を採ることは、当業者にとって困難性がない。
　
　そして、本願発明によってもたされる効果は、上記引用発明、及び従来周知の技術事項から当業者が予測し得る程度のものである。 
　
７．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１に記載された発明、及び従来周知の技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。