【事件の表示】
　特願２００２−５４５７７２「イオン注入システム及び制御方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　６月　６日国際公開、ＷＯ０２／４３８０３、平成１６年　６月２４日国内公表、特表２００４−５１９０７０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、日本国を指定国として、パリ条約に基づく優先権主張（米国、優先権主張の日平成１２年１１月３０日）を伴って、平成１３年６月１２日に出願された国際出願であって、本願について、平成１７年８月１８日付けで拒絶理由が通知され、それに対して平成１８年２月２８日付けで意見書ならびに手続補正書が提出されたものの、平成１９年１２月２５日付けで拒絶査定がなされた。
　本件は、前記拒絶査定を不服として平成２０年４月７日に請求された拒絶査定不服審判事件である。
　
２．本願発明
　本願の請求項１ないし１９に係る発明は、平成１８年２月２８日付け手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし１９に記載された技術的事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明は次のとおりである（以下、「本願発明」という。）。                
「ターゲット基板に二量体イオンを注入するように構成されたイオン注入システムであって、該イオン注入システムが、
　ガスをイオン化するために囲まれた空間を規定し、イオンビーム軸に沿って二量体イオンを形成するイオン化チャンバーを有するイオン供給源であって、前記イオン化チャンバーが、イオンビーム軸を画定するように該イオン化チャンバーからイオンを抽出させる出口開口部と、前記イオン化チャンバー内でガスをイオン化するため電子を発生させるための電子供給源と、前記イオン化チャンバーにガスを供給するガス供給源とを有するイオン供給源と、
　前記二量体イオンを所望の注入エネルギーレベルよりも大きい移動エネルギーレベルに加速するための加速段階と、
　注入前に前記二量体イオンを低注入エネルギーレベルに減速するための減速段階とを、を備えていることを特徴とするイオン注入システム。」
　
３．原査定の拒絶の理由に引用された刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である特開平５−３１４９４５号公報（以下、「引用例１」という。）、特開平８−１７３７６号公報（以下、「引用例２」という。）、特開平４−６７４０号公報（以下、「引用例３」という。）ならびに特開２０００−２６８７４０号公報（以下、「引用例４」という。）には、それぞれ、図面とともに以下の技術的事項の記載がある。（以下摘記中の下線は、当審で付加した。）
（３−１）引用例１
（３−１−１）段落【０００２】
「【０００２】
【従来の技術】現在、半導体装置製造プロセスで用いられている大電流型イオン注入装置は、１０〜８０ｋｅＶのエネルギ範囲における１〜１０ｍＡ程度のビーム電流で半導体ウエファにイオンを注入している。図２は、かかる注入装置の概略構成図である。イオン源１から引出されたイオンを質量分析電磁石２の磁場に通し、所望質量のイオンを分離抽出する。抽出イオンのビームは真空状態にあるエンドステーション３に導入され、ウエファディスク４に保持されているウエファ６に注入される。」
（３−１−２）段落【０００８】
「【０００８】
【実施例】図１は本発明に係るイオン注入装置の一実施例を示す構成図であり、図２と同一符号は同等部分を示している。イオン源として負イオン源１１が用いられており、図に示したものは、セシウムを用いて負イオン生成効率を上げているプラズマスパッタ型負イオン源である。このイオン源の真空チャンバ１２にガス導入口１３からキセノンガスを導入し、フィラメント１４から放出される熱電子と衝突させ、キセノンプラズマを生成し、真空チャンバの周囲に配置されている永久磁石の磁場によって真空チャンバ内に閉じ込める。真空チャンバ１２内には、発生させたい目的元素、例えばボロンＢ、ヒ素Ａｓを含む材質のスパッタターゲット１５がバッキングプレート１６と冷却用軸体１７によって支持配置されており、同ターゲット１５をスパッタ電源１８によって真空チャンバ１２に対して負電位にバイアスすることにより、キセノンプラズマがターゲット１５をスパッタリングする。このとき、ターゲット１５の表面にセシウムが付着しているとスパッタリングに伴い負イオンが発生する確率が高くなる。そこで、セシウムリザーバ１９からセシウム蒸気を真空チャンバ１２内に供給し、ターゲット１５に付着させている。真空チャンバ１２のイオン出口部に引出し電極２０が配置されており、引出し電源２１によって、同電極に対し真空チャンバ１２を負の高電位（〜数１０ｋＶ）とすることにより、真空チャンバ内に発生した負イオンはビームとして引出される。」
（３−１−３）段落【００１１】〜【００１３】
「【００１１】負イオンとして、二つの原子が結合しイオンとなっているダイマーイオンを用いることにより、更に、チャージアップ軽減に効果を発揮する。これは、ダイマーイオンでは、原子当りの電荷量が従来のイオンの場合の半分になり、ウエファ５に対する原子の注入量が従来と同じならビーム電流は半分で済み、ビーム電流を従来の２倍にしたときに、同程度のチャージアップ現象が生ずることになる。
【００１２】また、
ダイマーイオンによれば、空間電荷抑制、低エネルギ注入に効果を生ずる。低エネルギで大電流ビームを輸送しようとすると、ビームの中の電荷が反発しあってビームが拡がり、ビームの取扱が難しくなるが、電荷量が半分なので扱い易くなる。
【００１３】
浅い接合とか、表層のアモルファス化の実施に見られるように、注入エネルギはますます下がる傾向にある。エネルギを下げるとイオン源からの引出しビーム量が減ったり、空間電荷現象がより顕著に現れ、注入装置として、その動作、機能を充分に発揮させるのが難しくなる。しかし、ダイマーイオンによれば、２倍のエネルギで注入したときに、単原子当りでは目的とするエネルギとなり、低エネルギ注入に威力を発揮する
（３−１−４）【図１】
　【図１】には、上記（３−１−２）の記載に即したイオン注入装置の構成図が図示されている。
　
　これらの記載および図示内容を勘案すると、引用例１には以下の発明が記載されている。
「ウエファに二つの原子が結合しイオンとなっているダイマーイオンを注入するためのイオン注入装置において、
　注入すべき目的元素を含む材質のスパッタターゲットを配した真空チャンバにガス導入口からキセノンガスを導入して、フィラメントから放出される熱電子と衝突させてキセノンプラズマを生成し、前記スパッタターゲットをスパッタリングしてイオンを発生するイオン出口部を有するイオン源と、
　真空チャンバのイオン出口部に配置した引出し電極に対して真空チャンバを高電位とすることにより、真空チャンバ内に発生したイオンをビームとして引出す、イオン注入装置。」（以下、「引用発明」という。）
　
（３−２）引用例２
（３−２−１）【特許請求の範囲】の欄
「【請求項１】分子蒸気とフィラメントから発生する熱電子を衝突させ単原子イオンを含むイオンを発生させる第１チャンバと、該第１チャンバより発生した上記イオンに分子蒸気を衝突させ上記単原子イオンを多原子分子イオンに電荷変換させる第２チャンバとを備えたことを特徴とするイオン源。
【請求項２】　請求項１に記載のイオン源と、該イオン源から発生したイオンを質量分析して抽出する質量分析マグネットと、上記抽出されたイオンを被注入体に注入するエンドステーションとを備えたことを特徴とするイオン注入装置。」
（３−２−２）段落【０００２】〜【０００３】
「【０００２】
【従来の技術】半導体へのドーピング技術としてイオン注入法は実用化されている。図３はこの種の一般的なイオン注入装置の概略構成を示す平面図、図４は図３における従来のイオン源を示す断面構造図である。図において、１はイオンを発生させるアークチャンバ、２はアークチャンバ１よりイオンを引き出す電極、３は分子蒸気ここではＡｓ２あるいはＡｓ４という形の砒素蒸気を発生するベーポライザ、４は砒素蒸気をチャンバ１内に供給するノズル、５は熱電子を放出するフィラメントでこれら１〜５でイオン源１ａを形成している。……
【０００３】次に動作について説明する。
ベーポライザ３の中には固体のここでは砒素が入っており、ベーポライザ３を３８０℃程度に加熱するとＡｓ
２
あるいはＡｓ
４
という形の分子状の砒素蒸気が発生し、ノズル４からアークチャンバ１内に砒素蒸気が供給される。フィラメント５には１００Ａ程度の電流が流れており、フィラメントから熱電子が発生する。アークチャンバ１とフィラメント５の間にはアーク電圧がかかっており、この電圧によって熱電子は加速されて砒素蒸気と衝突しイオンを発生させる。
（３−２−３）段落【００１１】
「【００１１】次に動作について説明する。図中１〜５に示した部分についての動作は従来と同様である。第１チャンバ１で発生し電極２によって引き出されたＡｓ＋イオンは第２チャンバ１１内に入る。第２チャンバ１１内には第２のベーポライザ１２から供給された砒素蒸気（Ａｓ２，Ａｓ４の形で存在）が充満しており、入射してきた単原子イオンであるＡｓ＋イオンと衝突する。引き出し電極２の電圧によって入射するＡｓ＋イオンのエネルギを適度な値に制御することによって、第２チャンバ１１内で砒素蒸気と衝突した際のＡｓ２＋，Ａｓ４＋イオンの発生割合を増やすことができる。〔例えば、２Ａｓ＋＋Ａｓ２（中性）→２Ａｓ２＋といった電荷変換が生じると推定される。〕第２チャンバ１１内で発生したＡｓ２＋イオンあるいはＡｓ４＋イオンは第二の引き出し電極１４によって引き出され、その後は従来と同様、図３に示す質量分析マグネット６で質量分析されて必要なイオンのみ加速管７へ入る。加速管で所定のエネルギに加速されたイオンはエンドステーション８に入りディスク１０に載置されたウエハ９に入射する。……」
（３−２−４）【図１】
　図１には、前記（３−２−３）の記載に即したイオン源の概略構成図が図示されている。
　
（３−３）引用例３
（３−３−１）第１頁右下欄第５〜９行
「［産業上の利用分野］
　本発明は、イオン源からイオン引出し系、質量分析管を含むビームトランスポート系を介して大電流イオンビームを基板に注入するイオン注入装置に関するものである。」
（３−３−２）第２頁左上欄第９行〜同右上欄第１８行
「［発明が解決しようとする課題］
　近年ＩＣメモリーの製作に当って、
Ｂの浅い接合を作る必要が高まり、そのため５ｋｅＶ或いはそれ以下数ｋｅＶのエネルギでＢイオンビームを注入する必要が起きてきた。
　しかしながら、従来の大電流イオン注入装置を用いて数ｋＶ〜十数ｋＶのイオンを注入しようとすると、注入されるイオンビーム量が極端に減って、効率良く高いスループットで注入を行うことは不可能であった。すなわち、イオン源Ａから引出し電極系Ｂによって引出される電流は引出し電圧の３／２乗に比例するので、引出し電圧を高くしなければならない。イオン源が低電位であり、ビームトランスポート系が接地電位であると、引出し電圧はイオン源Ａと引出し電極系Ｂとの電位差となるので、大電流を引出すのに必要な４０ｋＶ程度の電位差を作ることはできなくなる。またイオンビームが５ｋｅＶであると、通常１．２ｍにも及ぶビームトランスポート系を介して大電流ビームをトランスポートすることは空間電荷効果のために困難となる。
　このように、
従来の大電流イオン注入装置を用いて数ｋＶ〜十数ｋＶのイオンを注入することは、引出し電圧やビームトランスポート系における空間電荷効果の影響で、効率か悪く高いスループットを得ることができないという問題があった。
　
本発明は、このような従来の装置の問題を解決して、数ｋＶ〜十数ｋＶの低エネルギで大電流イオンビームを基板に注入できるようにしたイオン注入装置を提供することを目的としている。
（３−３−３）第２頁右上欄第１９行〜第３頁右上欄第５行
「［課題を解決するための手段］
　上記の目的を達成するために、本発明は、イオン源からイオン引出し系、質量分析管を含むビームトランスポート系を介して大電流イオンビームを基板に注入するイオン注入装置において、高い電位勾配をもつようにされた三枚の穴あき電極と加減速用の二枚の穴あき電極とから成る減速静電レンズ系を設け、イオン源を接地電位に対して数ｋＶ〜十数ｋＶに、イオン源から減速静電レンズ系までのビームトランスポート系を接地電位に対して負の数十ｋＶに、減速静電レンズ系の第１の穴あき電極をビームトランスポート系と同じ負の数十ｋＶに、減速静電レンズ系の第３の穴あき電極を接地電位に、減速静電レンズ系の第２の穴あき電極を第１の穴あき電極と第３の穴あき電極との中間の電位に、減速静電レンズ系の第４の穴あき電極を負の電位に、また減速静電レンズ系の第５の穴あき電極を接地電位にそれぞれ保ち、減速静電レンズ系をイオンビームの減速機能と共に集束レンズとして用いることを特徴としている。
［作　　用］
　
本発明にるイオン注入装置においては、イオン源で発生され、引出し電極系で引出され、質量分析管により同一電荷をもつ単一原子イオン又は分子イオンにされ、集束アパーチャを通って集束されてきたイオンビームは、減速静電レンズで減速されて、基板に注入される。
　またイオン源から集束アパーチャまではイオンビームはイオン源の電位とビームトランスポート系の電位との電位差に相当する電位すなわち約４０ｋｅＶで輸送される。イオンビームの空間電荷効果による拡がりはそのエネルギの３／２乗に反比例するので、従来の数ｋＶのビームの輸送に比較して格段と容易に大電流を輸送することかできる。
　また、減速静電レンズ系においては、第１の穴あき電極にはビームトランスポート系と同じ−Ｖｔの電位が、第３の穴あき電極には接地電位が、第２の穴あき電極には第１、第３の穴あき電極に印加される電位の中間の電位（例えば−１／２Ｖｔ）が、それぞれ印加され、構造的に高い電位勾配が与えられるようにし、これによりイオンの空間電荷効果に抗してビームの集束作用が得られる。
　さらに、減速静電レンズ基の第４の穴あき電極を負の電位に、また減速静電レンズ基の第５の穴あき電極を接地電位にそれぞれ接続することにより、減速静電レンズ基を出て基板に達するイオンビームと残留気体との衝突によって生じた低エネルギの電子はイオンビームの空間電荷による電位に捕らえられ、イオンビームに沿って逆流してくるか、これらの電子は減速静電レンズ基の第４の穴あき電極によって塞き止められ、低エネルギの電子をイオンビームの中に溜込み、イオンの空間電荷を中和させ、空間電荷効果によるビームの拡がりを抑えることができる。基板は接地電位にされ、結果的にはイオン源の電位と基板の電位との電位差に相当するＶａｅＶ（数ｋＶ〜十数ｋＶ）でイオン注入は行われることになる。」
（３−３−４）第３頁左下欄第１６行〜同右下欄第１１行
「次に、図示装置の動作について説明する。
　
イオン源１と引出し電極系２との間にはおよそＶａ＋Ｖｔ（Ｖａ＝５ｋＶ、Ｖｔ＝２５ｋＶの場合には３０ｋＶ）の電圧が印加されているので、イオン源１からＢ
＋
を例に取っても５ｍＡまでのイオンビームを容易に引出すことができる。こうしてイオン源１から引出し電極系２によって引出されたイオンビームは、減速静電レンズ７の第１の電極７１までは電場のない空間をＶａ＋ＶｔｅＶ（上述の例では３０ｋｅＶ）で輸送されるので、質量分析管３等を高透過率で通過し、集束アパーチャ５に効率よく集束される。集束アパーチャ５から出たイオンビームはある開き角で進み、減速静電レンズ７で再集束される共に、減速静電レンズ７の出口ではＶｔｅＶたけ減速され、従って（Ｖａ＋Ｖｔ）−Ｖｔ＝ＶａｅＶで基板９に注入される。
（３−３−５）図１
　図１には、上記（３−３−３）、（３−３−４）に即したイオン注入装置の概略図が図示されている。
　
（３−４）引用例４
（３−４−１）段落【００２８】
「【００２８】図１に示したイオン照射装置では、まずイオン源チャンバー１でイオンが生成される（その詳細については後述する）。次に、このイオンはイオン源チャンバー１に隣接した引き出し電極２によって引き出され、分離電磁石３に導入され、そこで、電荷と質量に応じてイオン種毎に質量分離される。分離電磁石３を通過したイオンは、続いてスリット４に導入され、そこで所望のイオン種のみが完全に分離される。
分離された所望のイオン種を、加速器５によって所望の最終エネルギーまで加速または減速する。そして、所望のエネルギーを持ったイオンビームが四極レンズ６によって試料１２（例えば半導体基板）の表面に集束点を持つように集束される。
（３−４−２）【図１】
　図１には、段落【００２８】の記載に対応したイオン照射装置の全体構成が図示されている。
　
４．対比（一致点・相違点）
　本願発明と上記引用発明とを対比する。
　引用発明の（ａ）「イオン注入装置」が、本願発明の（ａ’）「イオン注入システム」に相当することは明らかであるので、引用発明の（ｂ）「ウエファ」は本願発明の（ｂ’）「ターゲット基板」に相当する。また、引用発明の（ｃ）「二つの原子が結合しイオンとなっているダイマーイオン」と、本願発明の（ｃ’）「二量体イオン」とが同義であることも明らかである。
　ここで、引用発明の（ｄ）「注入すべき目的元素を含む材質のスパッタターゲットを配した真空チャンバにガス導入口からキセノンガスを導入して、フィラメントから放出される熱電子と衝突させてキセノンプラズマを生成し、前記スパッタターゲットをスパッタリングしてイオンを発生するイオン出口部を有するイオン源」において、前記「真空チャンバ」は、その空間内で注入すべき目的元素のダイマーイオンを発生するものであることから、本願発明の「イオン化チャンバー」に相当するものであって、前記真空チャンバと引出し電極２０との配置関係が図示された図１の図示内容からして、前記真空チャンバとイオン出口部とでイオンビーム軸が形成されること、ならびに、前記真空チャンバがイオンの供給源として機能することは明らかであるので、前記（ｄ）は、本願発明の（ｄ’）（元素を）「イオン化するために囲まれた空間を規定し、イオンビーム軸に沿って二量体イオンを形成するイオン化チャンバーを有するイオン供給源であって、前記イオン化チャンバーが、イオンビーム軸を画定するように該イオン化チャンバーからイオンを抽出させる出口開口部」を有する、という構成に相当するといえる。
　次に、引用発明の（ｅ）「真空チャンバのイオン出口部に配置した引出し電極に対して真空チャンバを高電位とすることにより、真空チャンバ内に発生したイオンをビームとして引出す」構成について検討すると、前記「真空チャンバ内に発生したイオン」は「二つの原子が結合しイオンとなっているダイマーイオン」であって、前記「真空チャンバを高電位とすることにより、真空チャンバ内に発生したイオンをビームとして引出す」際には、イオンと真空チャンバとが互いに逆極性であることは明らかであって、イオンを高電位で加速することに他ならないので、前記（ｅ）は、本願発明の（ｅ’）「二量体イオンを所望の注入エネルギーレベルよりも大きい移動エネルギーレベルに加速するための加速段階」を備えることと同義である。
　
　そうすると、両者は、
（一致点）
「ターゲット基板に二量体イオンを注入するように構成されたイオン注入システムであって、該イオン注入システムが、
　イオン化するために囲まれた空間を規定し、イオンビーム軸に沿って二量体イオンを形成するイオン化チャンバーを有するイオン供給源であって、前記イオン化チャンバーが、イオンビーム軸を画定するように該イオン化チャンバーからイオンを抽出させる出口開口部とを有するイオン供給源と、
　前記二量体イオンを所望の注入エネルギーレベルよりも大きい移動エネルギーレベルに加速するための加速段階を備えているイオン注入システム。」の点で一致し、次の点で相違する。
（相違点１）
　本願発明は、イオン注入に用いられる二量体イオンが「ガス」をイオン化して得られるものであって「イオン化チャンバー内で（二量体イオンとなる）ガスをイオン化するため電子を発生させるための電子供給源と、前記イオン化チャンバーに（二量体イオンとなる）ガスを供給するガス供給源」を具備しているのに対し、引用発明においてイオン注入に用いられる二量体イオンは、固体であるターゲットをキセノンイオンでスパッタリングしてイオン化することにより得られるものであって、イオン化チャンバー内に設けられているフィラメントは電子の発生源であるものの、前記キセノンイオンを発生させるためのものであって、二量体イオンとなるガスのイオンを発生させるためのものではない点。
（相違点２）
　本願発明は、加速段階の後段に「注入前に前記二量体イオンを低注入エネルギーレベルに減速するための減速段階」を備えるのに対し、引用発明は前記のような減速段階を具備していない点。
　
５．検討・判断
（５−１）相違点１について
　イオン化チャンバー内に電子供給源を設け、目的とするイオンの原料ガスを前記イオン化チャンバー内に供給し、電子供給源で発生した電子を用いて前記原料ガスをイオン化するよう構成したイオン源、イオン化チャンバー内に電子供給源と固体のターゲット物質配し、前記チャンバー内に不活性ガスを供給して電子供給源から発生した電子で前記不活性ガスをイオン化し、イオン化した不活性ガスイオンで前記ターゲット物質をスパッタリングして目的とするイオンを得るイオン源は、例えば特開平１−１８９８３８号公報にも記載されているように、イオン源の構成として、いずれも本願の優先権主張の日前に周知の事項である。
　そして、二量体イオン注入のためのイオン源として、イオン化チャンバー内に電子供給源を設け、ガスの供給源から注入すべきイオンの原料ガスを前記イオン化チャンバー内に供給し、電子供給源で発生した電子を用いて前記原料ガスをイオン化するように構成したイオン源は、引用例２に記載されている（特に前記（３−２−２）、（３−２−３）参照）ように、本願の優先権主張の日前に公知のイオン源の構成にすぎない。
　してみると、イオン化チャンバー内で二量体イオンとなるガスをイオン化するため電子を発生させるための電子供給源と、前記イオン化チャンバーに二量体イオンとなるガスを供給するガス供給源を設け、イオン化チャンバー内でガスをイオン化して二量体イオンを得る点に格別の困難性は見いだせない。
　
（５−２）相違点２について
　イオン注入装置において、イオン注入時のエネルギーを所望の値とするため、イオンが基板に入射する直前にイオンの加減速を行うことは、引用例４に記載されているように本願の優先権主張の日前に周知の事項（前記（３−４−１）参照）にすぎない。
　また、平成１７年８月１８日付け拒絶理由通知書において前記引用例４と併記して提示された引用例３には、浅い接合を作るために必要な低エネルギイオンビームを注入する際、イオン源から同一の電荷をもつ単一原子イオン又は分子イオンを高電圧で引出してビームトランスポート系を通過させ、基板への注入が行われる直前に減速を行うことにより、ビームトランスポート系における空間電荷効果の影響を避けつつ高いビーム電流を得ることができることが記載されている（前記（３−３）のうち、特に下線部参照。）。
　そして、引用例１には、ダイマーイオン、すなわち二量体イオンを用いることで、低エネルギで大電流ビームを輸送する際の空間電荷効果の抑制が図られること、浅い接合形成のための低エネルギ注入に多大な効果を生ずることも記載されている（前記（３−１−３）参照）。
　そうすると、引用発明において、低エネルギでイオン注入を行って浅い接合を形成する際、さらにビームトランスポート系での空間電荷効果の影響を避けるため、高エネルギーで加速を行ってビームトランスポート系を通過させつつ、その後段に減速手段を設けて、二量体イオンを用いることによる作用効果との相乗効果を期することは当業者が容易に想到し得る事項であり、その際に生ずる作用効果も、引用発明ならびに引用例３に記載された技術的事項から当業者が予測しうる範囲のものである。
　
　よって、本願発明は、引用発明および引用例２、３に記載された技術的事項、ならびに、周知の事項に基づいて当業者が容易に発明することができたものである。
　
６．むすび
　上記のとおり、本願の請求項１に係る発明は、本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である引用例１ないし３に記載された発明ならびに周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。