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【手続補正書】
【提出日】平成27年4月1日(2015.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
蒸発器と、
本体を備える凝縮器であって、前記本体は、幅よりも大きい長さと、前記長さに沿った長軸と、中央チャンネルと、前記本体内の複数の平行な垂直方向に延在するチャンバーと、を備え、前記チャンバーは、閉鎖された上端を有し、前記チャンバーは、前記上端で互いから離れて閉鎖されており、前記複数の平行な垂直方向に延在するチャンバーは、前記中央チャンネルから前記長軸に沿って横方向に延在しており、前記中央チャンネルは、前記長軸に対して垂直である前記本体を通じて横方向に延在する、凝縮器と、
前記凝縮器を前記蒸発器に流体的に連結する凝縮物ラインであって、前記凝縮器の前記本体から横方向に延在している、凝縮物ラインと、
を備える、熱サイフォンシステム。
【請求項２】
前記本体は、前記本体に形成されたキャビティーと、前記キャビティーにおける複数の壁であって、前記キャビティーを、前記複数の平行な垂直方向に延在するチャンバーに分割する、複数の壁と、を有していることを特徴とする請求項１に記載の熱サイフォンシステム。
【請求項３】
前記複数の平行な垂直方向に延在するチャンバーの第１の組は、前記中央チャンネルの第１の側から横方向に延在しており、前記複数の平行な垂直方向に延在するチャンバーの第２の組は、前記中央チャンネルの反対側の第２の側から横方向に延在していることを特徴とする請求項２に記載の熱サイフォンシステム。
【請求項４】
複数の導熱フィンをさらに備えており、前記導熱フィンは前記本体から外側に突出していることを特徴とする請求項２に記載の熱サイフォンシステム。
【請求項５】
前記複数の導熱フィンは、前記本体から垂直に突出していることを特徴とする請求項４に記載の熱サイフォンシステム。
【請求項６】
前記複数の導熱フィンは、前記複数の平行な垂直方向に延在するチャンバーに対して垂直に方向付けられることを特徴とする請求項５に記載の熱サイフォンシステム。
【請求項７】
前記凝縮物ラインは、前記長軸に対して垂直に延在することを特徴とする請求項２に記載の熱サイフォンシステム。
【請求項８】
前記凝縮物ラインは、前記中央チャンネルの端部に連結されることを特徴とする請求項７に記載の熱サイフォンシステム。
【請求項９】
前記複数の壁は、前記複数の平行な垂直方向に延在するチャンバー内の内側に向けて突出する起伏を備えることを特徴とする請求項２に記載の熱サイフォンシステム。
【請求項１０】
前記中央チャンネルは、前記複数の平行な垂直方向に延在するチャンバーと同じ高さを有することを特徴とする請求項９に記載の熱サイフォンシステム。
【請求項１１】
前記起伏は、前記起伏のピークが前記長軸に沿って離隔して配置された状態で、垂直な第１の軸に対して垂直である第２軸上で、内側に向けて突出していることを特徴とする請求項９に記載の熱サイフォンシステム。
【請求項１２】
マザーボードと、
前記マザーボードに取り付けられた熱発生装置と、
を備え、前記蒸発器は、前記熱発生装置上に支持されることを特徴とする請求項１に記載の熱サイフォンシステム。
【請求項１３】
サーバーラック内へのスライド可能な挿入のために構成されたトレイを備え、
前記マザーボードは、前記トレイ上に取り付けられ、平面に載置され、
前記凝縮器は、前記トレイ上に支持されることを特徴とする請求項１２に記載の熱サイフォンシステム。
【請求項１４】
前記トレイに取り付けられたファンであって、前記マザーボードの上方に、且つ前記本体から外側に向けて突出する複数の導熱フィンの間に、空気流を発生させるように方向付けられるファンをさらに備えていることを特徴とする請求項１３に記載の熱サイフォンシステム。
【請求項１５】
前記熱発生装置は、コンピュータチップを備えることを特徴とする請求項１２に記載の熱サイフォンシステム。
【請求項１６】
蒸発器と、
本体を備える凝縮器であって、前記本体は、
幅よりも大きい長さと、前記長さに沿った長軸と、
キャビティーと、
前記キャビティー内の複数の壁と、を備えており、前記複数の壁が、前記キャビティーを複数の平行な垂直方向に延在するチャンバーに分割し、前記チャンバーが閉鎖された上端を有し、前記複数の平行な垂直方向に延在するチャンバーは、中央チャンネルから前記長軸に対して平行に横方向に延在しており、前記中央チャンネルは、前記長軸に対して垂直である前記本体を通じて横方向に延在する、凝縮器と、
前記凝縮器の前記中央チャンネルを前記蒸発器に流体的に連結する凝縮物ラインであって、前記凝縮器の前記本体及び前記中央チャンネルから横方向に延在しており、前記チャンバーに対して垂直に延在している、凝縮物ラインと、
を備える、熱サイフォンシステム。
【請求項１７】
前記本体は、床部と、前記床部から上向きに延在する外側側壁と、を備え、
前記凝縮物ラインは、前記外側側壁における孔を通じて前記中央チャンネルに流体的に連結されることを特徴とする請求項１６に記載の熱サイフォンシステム。
【請求項１８】
前記複数の平行な垂直方向に延在するチャンバーの第１の組は、前記中央チャンネルの第１の側から横方向に延在しており、前記複数の平行な垂直方向に延在するチャンバーの第２の組は、前記中央チャンネルの反対側の第２の側から横方向に延在していることを特徴とする請求項１７に記載の熱サイフォンシステム。
【請求項１９】
前記本体から外向きに突出する複数の導熱フィンをさらに備えることを特徴とする請求項１６に記載の熱サイフォンシステム。
【請求項２０】
前記凝縮物ラインは、前記中央チャンネルの端部に連結されることを特徴とする請求項１６に記載の熱サイフォンシステム。
【請求項２１】
前記凝縮物ラインは、前記中央チャンネルに対して平行であることを特徴とする請求項２０に記載の熱サイフォンシステム。
【請求項２２】
前記中央チャンネルは、前記複数の平行な垂直方向に延在するチャンバーと同じ高さを有することを特徴とする請求項１６に記載の熱サイフォンシステム。
【請求項２３】
蒸発器と、
凝縮器であって、
床面と、上面と、前記床面から上向きに延在する外側側壁とを有する本体と、
前記本体内の複数の平行な垂直方向に延在するチャンバーであって、閉鎖された上端を有する、複数の平行な垂直方向に延在するチャンバーと、
前記本体内の中央チャンネルであって、前記底面から前記上面へ延在する２つの平行なチャンネル壁を備え、前記チャンネル壁は、前記底面から前記上面への複数の開口部を有し、前記開口部は、前記チャンバーを形成するために、前記中央チャンネルから外側へ前記本体まで横方向に延在し、前記チャンバーのそれぞれは、前記中央チャンネルに対して垂直である２つの平行なチャンバー壁を有する、中央チャンネルと、
を備える、凝縮器と、
前記凝縮器の前記中央チャンネルを前記蒸発器に流体的に連結する凝縮物ラインであって、前記本体及び前記中央チャンネルから横方向に延在し、前記チャンバー壁に対して垂直に延在する、凝縮物ラインと、
を備える、熱サイフォンシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月5日(2015.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）フラザスルフロン又はその塩と（Ｂ）ピラフルフェンエチル、フルアゾレート、アザフェニジン、ベンカルバゾン、カルフェントラゾンエチル、スルフェントラゾン、シニドンエチル、フルミクロラックペンチル、フルミオキサジン、ベンズフェンジゾン、ブタフェナシル、サフルフェナシル、［３−（２−クロロ−４−フルオロ−５−（３−メチル−２,６−ジオキソ−４−トリフルオロメチル−３,６−ジヒドロ−２H−ピリミジン−1−イル）フェノキシ）ピリジン−２−イルオキシ］酢酸エチル、オキサジアルギル、オキサジアゾン、ペントキサゾン、フルチアセットメチル、チジアジミン、ピラクロニル、プロフルアゾール、フルフェンピルエチル及びこれらの塩からなる群より選ばれる少なくとも１種のプロトポルフィリノーゲンオキシダーゼ阻害剤とを含有する、（Ａ）と（Ｂ）との混合比率が重量比で１００：１〜１：１００である除草組成物。
【請求項２】
（Ｂ）が、ピラフルフェンエチル、カルフェントラゾンエチル、スルフェントラゾン、フルミオキサジン、サフルフェナシル、［３−（２−クロロ−４−フルオロ−５−（３−メチル−２,６−ジオキソ−４−トリフルオロメチル−３,６−ジヒドロ−２H−ピリミジン−1−イル）フェノキシ）ピリジン−２−イルオキシ］酢酸エチル、オキサジアルギル、フルチアセットメチル、フルフェンピルエチル、フルミクロラックペンチル、アザフェニジン、ブタフェナシル、ペントキサゾン、ピラクロニル及びこれらの塩からなる群より選ばれる少なくとも１種である、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
（Ｂ）が、ピラフルフェンエチル、カルフェントラゾンエチル、スルフェントラゾン、フルミオキサジン、サフルフェナシル、オキサジアルギル、フルチアセットメチル、フルフェンピルエチル、ブタフェナシル、ペントキサゾン、ピラクロニル及びこれらの塩からなる群より選ばれる少なくとも１種である、請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
（Ａ）フラザスルフロン又はその塩と（Ｂ）ピラフルフェンエチル、フルアゾレート、アザフェニジン、ベンカルバゾン、カルフェントラゾンエチル、スルフェントラゾン、シニドンエチル、フルミクロラックペンチル、フルミオキサジン、ベンズフェンジゾン、ブタフェナシル、サフルフェナシル、［３−（２−クロロ−４−フルオロ−５−（３−メチル−２,６−ジオキソ−４−トリフルオロメチル−３,６−ジヒドロ−２H−ピリミジン−1−イル）フェノキシ）ピリジン−２−イルオキシ］酢酸エチル、オキサジアルギル、オキサジアゾン、ペントキサゾン、フルチアセットメチル、チジアジミン、ピラクロニル、プロフルアゾール、フルフェンピルエチル及びこれらの塩からなる群より選ばれる少なくとも１種のプロトポルフィリノーゲンオキシダーゼ阻害剤とを含有する、（Ａ）と（Ｂ）との混合比率が重量比で１００：１〜１：１００である除草組成物を望ましくない植物又はそれらが生育する場所に施用し、望ましくない植物を防除又はその生育を抑制する方法。
【請求項５】
（Ａ）フラザスルフロン又はその塩を０．５〜１２０g/ha、（Ｂ）ピラフルフェンエチル、フルアゾレート、アザフェニジン、ベンカルバゾン、カルフェントラゾンエチル、スルフェントラゾン、シニドンエチル、フルミクロラックペンチル、フルミオキサジン、ベンズフェンジゾン、ブタフェナシル、サフルフェナシル、［３−（２−クロロ−４−フルオロ−５−（３−メチル−２,６−ジオキソ−４−トリフルオロメチル−３,６−ジヒドロ−２H−ピリミジン−1−イル）フェノキシ）ピリジン−２−イルオキシ］酢酸エチル、オキサジアルギル、オキサジアゾン、ペントキサゾン、フルチアセットメチル、チジアジミン、ピラクロニル、プロフルアゾール、フルフェンピルエチル及びこれらの塩からなる群より選ばれる少なくとも１種のプロトポルフィリノーゲンオキシダーゼ阻害剤を０．５〜１０００g/ha望ましくない植物又はそれらが生育する場所に施用し、望ましくない植物を防除又はその生育を抑制する方法。
【請求項６】
（Ｂ）が、ピラフルフェンエチル、カルフェントラゾンエチル、スルフェントラゾン、フルミオキサジン、サフルフェナシル、［３−（２−クロロ−４−フルオロ−５−（３−メチル−２,６−ジオキソ−４−トリフルオロメチル−３,６−ジヒドロ−２H−ピリミジン−1−イル）フェノキシ）ピリジン−２−イルオキシ］酢酸エチル、オキサジアルギル、フルチアセットメチル、フルフェンピルエチル、フルミクロラックペンチル、アザフェニジン、ブタフェナシル、ペントキサゾン、ピラクロニル及びこれらの塩からなる群より選ばれる少なくとも１種である、請求項４又は５に記載の方法。
【請求項７】
（Ｂ）が、ピラフルフェンエチル、カルフェントラゾンエチル、スルフェントラゾン、フルミオキサジン、サフルフェナシル、オキサジアルギル、フルチアセットメチル、フルフェンピルエチル、ブタフェナシル、ペントキサゾン、ピラクロニル及びこれらの塩からなる群より選ばれる少なくとも１種である、請求項４又は５に記載の方法。
【請求項８】
望ましくない植物が、オオイヌノフグリ、イヌホオズキ、オランダミミナグサ、シロザ、カラスムギ、セスバニア、クロタラリア、イチビ、バミューダグラス、シロヒエ、トウモロコシ、アメリカアサガオ及びシャッターケインからなる群より選ばれる少なくとも１種である、請求項４又は５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月3日(2015.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
４位にアリール基を有するピリミジンの３位の窒素がイリジウムに配位し、
前記ピリミジンの２位、５位、および６位の少なくともいずれか一にアルキル基またはアリール基を有し、
前記ピリミジンの４位のアリール基は、前記イリジウムと結合することによりオルトメタル化した構造を有する有機金属錯体を有する発光装置。
【請求項２】
２位にアリール基を有する１，３，５−トリアジンの１位の窒素がイリジウムに配位し、
前記１，３，５−トリアジンの４位および６位の少なくともいずれか一に置換基を有し、
前記アリール基は、前記イリジウムと結合することによりオルトメタル化した構造を有する有機金属錯体を有する発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月8日(2015.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極間に、
一導電型を有する単結晶シリコン基板と、
前記単結晶シリコン基板の一方の面に設けられた前記単結晶シリコン基板とは逆の導電型を有する第１の領域と、
前記第１の領域上に設けられた絶縁膜と、
前記単結晶シリコンの他方の面に設けられた前記単結晶シリコン基板と同じ導電型で、前記単結晶シリコン基板よりもキャリア密度の高い第２の領域と、を有し、
前記単結晶シリコン基板表面は、微細な略四角錐状の複数の凸部、及び隣接する前記凸部間で構成される凹部からなる凹凸形状であり、前記凸部の頂点を含み、前記凸部の一面及び該一面と対向する面を二等分する断面において、前記頂点は鈍角をなして形成されており、前記凹部の底は曲面をなして形成されていることを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
一対の電極間に、
一導電型を有する単結晶シリコン基板と、
前記単結晶シリコン基板の一方の面に接する第１のシリコン半導体層と、
前記第１のシリコン半導体層に接し、前記単結晶シリコン基板とは逆の導電型を有する第２のシリコン半導体層と、
前記単結晶シリコン基板の他方の面に接する第３のシリコン半導体層と、
前記第３のシリコン半導体層に接し、前記単結晶シリコン基板と同じ導電型で、前記単結晶シリコン基板よりもキャリア密度の高い第４のシリコン半導体層と、を有し、
前記単結晶シリコン基板表面は、微細な略四角錐状の複数の凸部、及び隣接する前記凸部間で構成される凹部からなる凹凸形状であり、前記凸部の頂点を含み、前記凸部の一面及び該一面と対向する面を二等分する断面において、前記頂点は鈍角をなして形成されており、前記凹部の底は曲面をなして形成されていることを特徴とする光電変換装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記第１のシリコン半導体層及び前記第３のシリコン半導体層は、ｉ型の導電型を有する非晶質シリコン層であることを特徴とする光電変換装置。
【請求項４】
請求項２または３において、
前記第２のシリコン半導体層及び前記第４のシリコン半導体層は、微結晶シリコン層であることを特徴とする光電変換装置。
【請求項５】
一導電型を有する単結晶シリコン基板と、
前記単結晶シリコン基板の一方の面上に設けられた第１の絶縁層と、
前記単結晶シリコン基板の他方の面に設けられた前記単結晶シリコン基板とは逆の導電型を有する第１の領域と、
前記単結晶シリコン基板の他方の面に設けられた前記単結晶シリコン基板と同じ導電型で、前記単結晶シリコン基板よりもキャリア密度の高い第２の領域と、
前記単結晶シリコン基板の他方の面に接する第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層の開口部において前記第１の領域と接する第１の電極と、
前記第２の絶縁層の開口部において前記第２の領域と接する第２の電極と、を有し、
前記単結晶シリコン基板表面は、微細な略四角錐状の複数の凸部、及び隣接する前記凸部間で構成される凹部からなる凹凸形状であり、前記凸部の頂点を含み、前記凸部の一面及び該一面と対向する面を二等分する断面において、前記頂点は鈍角をなして形成されており、前記凹部の底は曲面をなして形成されていることを特徴とする光電変換装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記頂点の角度は、９０°より大きく、１２０°以下であることを特徴とする光電変換装置。
【請求項７】
表面に（１００）面を有する単結晶シリコン基板の表面をアルカリ溶液に浸漬させてエッチングすることにより、微細な略四角錐状の複数の凸部、及び隣接する前記凸部間で構成される凹部からなる凹凸形状とし、
前記凹凸形状を有する前記単結晶シリコン基板を混酸液に浸漬させてエッチングすることにより、前記凸部の頂点を含み、前記凸部の一面及び該一面と対向する面を二等分する断面において、前記頂点は鈍角をなすように形成し、かつ、前記凹部の底が曲面をなすように形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項８】
請求項７において、
前記アルカリ溶液は、水酸化カリウム、または水酸化ナトリウムを含む水溶液であることを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項９】
請求項７または８において、
前記混酸液は、フッ酸、硝酸、及び酢酸を含むことを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項７乃至９のいずれか一項において、
前記頂点の角度は、９０°より大きく、１２０°以下であることを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月30日(2015.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁膜上に、表面に概略垂直なｃ軸を有している結晶を含む第１の結晶性酸化物半導体膜を形成し、
前記第１の結晶性酸化物半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜を介して前記第１の結晶性酸化物半導体膜に酸素を注入して、少なくとも一部が非晶質化した酸化物半導体膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上に酸化アルミニウム膜を形成し、
前記一部が非晶質化した酸化物半導体膜に加熱処理を行って少なくとも一部を結晶化させて、表面に概略垂直なｃ軸を有している結晶を含む第２の結晶性酸化物半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁膜上に、表面に概略垂直なｃ軸を有している結晶を含む第１の結晶性酸化物半導体膜を形成し、
前記第１の結晶性酸化物半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極層を形成し、
前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極を介して前記第１の結晶性酸化物半導体膜に酸素を注入して、少なくとも一部が非晶質化した酸化物半導体膜を形成し、
前記ゲート電極層上に酸化アルミニウム膜を形成し、
前記一部が非晶質化した酸化物半導体膜に加熱処理を行って少なくとも一部を結晶化させて、表面に概略垂直なｃ軸を有している結晶を含む第２の結晶性酸化物半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記絶縁膜上に非晶質酸化物半導体膜を形成し、
前記非晶質酸化物半導体膜に加熱処理を行って少なくとも一部を結晶化させて、前記第１の結晶性酸化物半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１又は請求項２において、
前記絶縁膜上に、加熱しながら前記第１の結晶性酸化物半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記絶縁膜として、表面の平均面粗さが０．０５ｎｍ以上０．５ｎｍ未満である絶縁膜を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記ゲート電極層と、前記酸化アルミニウム膜との間に酸化絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、
前記酸化アルミニウム膜の形成前に、ゲート電極層の側面を覆う領域を有するサイドウォール構造の絶縁層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項において、
前記ゲート絶縁膜を形成する前に、前記第１の結晶性酸化物半導体膜に対して、水素又は水分を放出させる加熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項において、
イオン注入法を用いて前記第１の結晶性酸化物半導体膜に酸素を注入することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一項において、
前記第２の結晶性酸化物半導体膜には、該酸化物半導体が結晶状態における化学量論的組成比に対し、酸素の含有量が過剰な領域が含まれていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月22日(2015.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビット線と、
ワード線と、
ソース線と、
メモリセルと、を有し、
前記メモリセルは、セルトランジスタと、スタック型のキャパシタと、を有し、
前記セルトランジスタのゲートは、前記ワード線と電気的に接続され、
前記セルトランジスタのソースは、前記ソース線と電気的に接続され、
前記セルトランジスタのドレインは、前記キャパシタの一方の電極と電気的に接続され、
前記ビット線は、前記キャパシタの上に配置されることを特徴とする半導体メモリ装置。
【請求項２】
ビット線と、
ワード線と、
ソース線と、
メモリセルと、を有し、
前記メモリセルは、セルトランジスタと、スタック型のキャパシタと、を有し、
前記セルトランジスタのゲートは、前記ワード線と電気的に接続され、
前記セルトランジスタのソースは、前記ソース線と電気的に接続され、
前記セルトランジスタのドレインは、前記キャパシタの一方の電極と電気的に接続され、
前記キャパシタの他方の電極は、ビット線と電気的に接続され、
ビット線は、前記キャパシタの上に配置されることを特徴とする半導体メモリ装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記ソース線は、前記ワード線と平行に配置されている半導体メモリ装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記ソース線は、前記ビット線に平行な配線と接続している半導体メモリ装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記キャパシタの容量は、前記セルトランジスタのゲート容量の１倍乃至１０倍である半導体メモリ装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記セルトランジスタのオフ抵抗は１×１０１８Ω以上である半導体メモリ装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一に記載の半導体メモリ装置において、前記ソース線の全てにおいてその電位を、データの読み出し中、保存中、書き込み中で一定に保つ半導体メモリ装置の駆動方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項６のいずれか一に記載の半導体メモリ装置において、
一のデータの書き込み直後と他のデータの書き込み直後とで前記セルトランジスタのドレインおよびソースの電位が不変である半導体メモリ装置の駆動方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月16日(2015.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタと、
前記第１のトランジスタと重なる領域を有する、第２のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタは、半導体基板と、一対の低抵抗領域と、第１のゲート絶縁膜と、ゲート電極と、を有し、
前記一対の低抵抗領域は、前記半導体基板にあり、
前記ゲート電極は、前記半導体基板の溝部にある部分を有し、
前記第１のゲート絶縁膜は、前記一対の低抵抗領域上にあり、
前記第１のゲート絶縁膜は、前記溝部の側面及び底面にあり、
前記第２のトランジスタは、半導体膜と、第２のゲート絶縁膜と、前記ゲート電極と、一対の電極と、を有し、
前記ゲート電極は、前記半導体基板の表面より、盛り上がった部分を有し、
前記第２のゲート絶縁膜は、前記ゲート電極を覆う領域を有し、
前記一対の電極の一方は、前記一対の低抵抗領域の一方と電気的に接続され、
前記半導体膜は、前記第２のゲート絶縁膜上にあり、
前記半導体膜は、前記一対の電極のそれぞれと、電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１のトランジスタと、
前記第１のトランジスタと重なる領域を有する、第２のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタは、半導体基板と、一対の低抵抗領域と、第１のゲート絶縁膜と、ゲート電極と、を有し、
前記一対の低抵抗領域は、前記半導体基板にあり、
前記ゲート電極は、前記半導体基板の溝部にある部分を有し、
前記第１のゲート絶縁膜は、前記一対の低抵抗領域上にあり、
前記第１のゲート絶縁膜は、前記溝部の側面及び底面にあり、
前記第２のトランジスタは、酸化物半導体膜と、第２のゲート絶縁膜と、前記ゲート電極と、一対の電極と、を有し、
前記ゲート電極は、前記半導体基板の表面より、盛り上がった部分を有し、
前記第２のゲート絶縁膜は、前記ゲート電極を覆う領域を有し、
前記一対の電極の一方は、前記一対の低抵抗領域の一方と電気的に接続され、
前記酸化物半導体膜は、前記第２のゲート絶縁膜上にあり、
前記酸化物半導体膜は、前記一対の電極のそれぞれと、電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記半導体基板はｎ型半導体であり、前記一対の低抵抗領域はｐ型半導体であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第２のゲート絶縁膜は、前記第１のゲート絶縁膜と接する領域を有し、
前記第２のゲート絶縁膜の第２のコンタクトホールは、前記第１のゲート絶縁膜の第１のコンタクトホールと重なる領域を有し、
前記第１のコンタクトホール及び前記第２のコンタクトホールを介して、前記一対の電極の一方は、前記一対の低抵抗領域の一方と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月20日(2015.3.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と、
シール材によって前記第１の基板に固定された第２の基板と、を有し、
前記第１の基板は、
トランジスタと、
前記トランジスタに接続する第１の電極と、
前記第１の電極上に有機化合物を含む層と、
前記有機化合物を含む層上に第２の電極と、
前記第１の電極の周縁を覆う隔壁と、
前記隔壁上に遮光性を有するスペーサと、を有し、
前記第２の基板は、
前記第２の基板に接するブラックマトリクス及び着色層と、を有し、
前記ブラックマトリクスは、前記遮光性を有するスペーサ上の前記第２の電極と重なり、
前記着色層は、前記第１の電極と重なることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の基板と前記第２の基板と前記シール材による閉空間は、減圧空間、または不活性ガスで充填することを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記ブラックマトリクスは、前記第２の電極と接していることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項１または請求項２において、
前記ブラックマトリクス及び前記着色層は、無機材料からなる保護層で覆われ、前記保護層は、前記第２の電極と接していることを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記遮光性を有するスペーサは、黒色の樹脂であることを特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記遮光性を有するスペーサの側面は、第１の基板平面に対する角度が、９０°または９０°よりも大きく、
前記側面に形成された領域における前記有機化合物を含む層の膜厚は、前記第１の電極と重なる領域における前記有機化合物を含む層の膜厚よりも薄いことを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記遮光性を有するスペーサの上面形状は、線状、または網の目状であることを特徴とする発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月15日(2015.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のＭＥＭＳスイッチを備える負荷スイッチアレイに生じる誘導サージ電圧を低減するシステムであって、
電流バイパス回路と、
信号発生器を含む制御システムであって、
前記複数のＭＥＭＳスイッチのが異なる速さで切り替えられるように、該制御システムが、前記信号発生器によって生成された信号に応答して、前記負荷スイッチアレイの任意の１以上のＭＥＭＳスイッチをゼロでない電圧差に渡って開状態と閉状態との間で独立して切り替えることが可能である、前記制御システムと、
を含む、
誘導サージ電圧を低減するシステム。
【請求項２】
前電流バイパス記回路が、ハイブリッドアーク制限技術（ＨＡＬＴ）回路を含む、請求項１記載のシステム。
【請求項３】
前記制御システムが、前記負荷スイッチアレイの前記複数のＭＥＭＳスイッチアレイの第１の部分を第１の速さで切り替え、
前記負荷スイッチアレイの前記複数のＭＥＭＳスイッチアレイの第２の部分を第２の速さで切り替えるように構成されている、請求項１または２に記載のシステム。
【請求項４】
前記負荷スイッチアレイの前記複数のＭＥＭＳスイッチアレイが、前記複数のＭＥＭＳスイッチアレイの開離時間分布が非線形に発生するように切り替えられる、請求項１乃至３のいずれかに記載のシステム。
【請求項５】
前記負荷スイッチアレイは、電力装置として機能する、請求項１乃至４のいずれかに記載のシステム。
【請求項６】
前記電力装置はモータ起動装置である、請求項５記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月22日(2015.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光素子
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と、
第２の電極と、
前記第１の電極と前記第２の電極との間のＥＬ層とを有する発光素子であって、
前記第１の電極は、反射面を有し、
前記第２の電極は、半反射面を有し、
前記反射面と前記半反射面との光学的距離をＬとすると、前記発光素子の発光波長範囲に、Ｌ＝ｎλ／２（ｎは２以上の整数）を満たす波長λが２以上存在することを特徴とする発光素子。
【請求項２】
第１の電極と、
第２の電極と、
前記第１の電極と前記第２の電極との間のＥＬ層とを有する発光素子であって、
前記第１の電極は、反射面を有し、
前記第２の電極は、半反射面を有し、
前記ＥＬ層は、少なくとも第１の発光層と、第２の発光層とを有し、
前記第２の発光層は、前記第１の発光層と異なる色を発光し、
前記発光素子における前記反射面と前記半反射面で構成される共振構造の光学的距離が６５０ｎｍ乃至１５００ｎｍであることを特徴とする発光素子。
【請求項３】
第１の電極と、
第２の電極と、
前記第１の電極と前記第２の電極との間のＥＬ層とを有する発光素子であって、
前記第１の電極は、反射面を有し、
前記第２の電極は、半反射面を有し、
前記ＥＬ層は、少なくとも第１の発光層と、第２の発光層と、第３の発光層とを有し、
前記第１の発光層と、前記第２の発光層と、前記第３の発光層とは、互いに異なる色を発光し、
前記発光素子における前記反射面と前記半反射面で構成される共振構造の光学的距離が６５０ｎｍ乃至１５００ｎｍであることを特徴とする発光素子。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記ＥＬ層は、電荷発生層を有し、
前記電荷発生層は、膜厚調節層としての機能を有することを特徴とする発光素子。
【請求項５】
請求項４において、
前記膜厚調節層は、透光性を有する導電性金属酸化物又は、キャリア輸送性を有する有機化合物と前記有機化合物にアクセプタ性もしくはドナー性を有する物質との複合材料のいずれか一もしくは両方を有することを特徴とする発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月11日(2015.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＬＥＤの複数のグループから成る複数個のＬＥＤを有する照明器具によって発生される色をチューニングするために、ＬＥＤのそれぞれの上記グループが異なる色を有する光を発生し、ＬＥＤのそれぞれの上記グループに印加される電流が独立可変である、方法であって、
ＬＥＤの前記グループへの全電流の少なくとも２つの異なる試験分配を確定することと、
前記全電流の前記異なる試験分配のそれぞれについて、前記照明器具によって発生される光の色を測定することと、
上記発生した光のターゲット色を希望値を測定値から決めることと、
前記測定された色と、前記全電流の前記分配における変化単位を前記照明器具によって発生される光の色における変化量と直線的に関連づける比例定数とに少なくとも一部は基づき、前記ターゲット色を有する光を発生する前記全電流の所望の分配を決定することとを含む方法。
【請求項２】
ＬＥＤの前記複数のグループは、暖白色ＬＥＤのグループと冷白色ＬＥＤのグループとを含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記試験分配のうちの第１の試験分配は、暖白色ＬＥＤの前記グループに全電流のすべてを、そして冷白色ＬＥＤの前記グループにゼロ電流を送ることを含み、前記試験分配のうちの第２の試験分配は、冷白色ＬＥＤの前記グループに全電流のすべてを、そして暖白色ＬＥＤの前記グループにゼロ電流を送ることを含む請求項１または請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記少なくとも２つの試験分配は、暖白色ＬＥＤの前記グループに前記全電流の約半分を、冷白色ＬＥＤの前記グループに前記全電流の約半分を送ることを含む第３の試験分配をさらに含む請求項３に記載の方法。
【請求項５】
ＬＥＤの前記複数のグループは、赤色ＬＥＤのグループをさらに含む請求項１または２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
ＬＥＤの前記複数のグループは、緑色ＬＥＤのグループをさらに含む請求項１または２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
ＬＥＤの前記複数のグループは、赤色ＬＥＤのグループおよび緑色ＬＥＤのグループをさらに含む請求項１または２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記複数のＬＥＤは、冷白色ＬＥＤの少なくとも２つのグループと暖白色ＬＥＤのなくとも１つのグループとを含む請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記光の前記色の前記測定は、前記照明器具の外部にあるスペクトロメーターを使用して実行される請求項１、２、または８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記照明器具は、前記複数のＬＥＤによって発生される前記光を混合するための全反射レンズを備え、前記光の前記色の前記測定は、前記全反射レンズの正面から出る光に基づく請求項１、２、または８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
ＬＥＤの複数のグループを含む複数の発光ダイオード（ＬＥＤ）を有する照明器具によって発生される色をチューニングするための、ＬＥＤのそれぞれのグループが異なる色を有する光を発生し、ＬＥＤのそれぞれのグループに印加される電流が独立可変である、装置であって、
前記照明器具を保持するように構成された調整用固定具と、
前記照明器具によって発生された光の色を検出し測定するように構成されたスペクトロメーターと、
ＬＥＤの前記グループのうちのそれぞれのグループに電流を送るように構成された電流供給サブシステムであって、ＬＥＤの前記グループのうちのそれぞれのグループに送られる前記電流は独立可変である、電流供給サブシステムと、
前記スペクトロメーターおよび前記電流供給サブシステムに結合された制御システムであって、前記スペクトロメーターから前記測定された光の色を受け取り、電流制御信号を前記電流制御回路に供給するように構成された、制御システムとを備え、
前記制御システムは、
前記電流供給サブシステムおよび前記スペクトロメーターを操作して前記光の前記色の少なくとも２回の初期測定をＬＥＤの前記グループ間への全電流の少なくとも２回の異なる試験分配に対して行い、
前記少なくとも２回の初期測定と、前記全電流の前記分配における変化単位を前記照明器具によって発生される光の色における変化量と直線的に関連づける比例定数との結果に基づき、ＬＥＤの前記グループ間への前記全電流のターゲット分配を決定し、前記全電流の前記ターゲット分配が前記照明器具にターゲット色に非常に近い色を有する光を発生させるように構成された制御プロセッサを備える装置。
【請求項１２】
前記制御プロセッサは、ＬＥＤの前記グループに前記全電流の前記ターゲット分配を行うように前記電流供給サブシステムに命令を送るようにさらに構成される請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記照明器具を前記調整用固定具内に配置し、前記調整用固定具から前記照明器具を取り外すように構成されているロボット・システムをさらに備え、
前記制御システムは、前記ロボット・システムを操作するようにさらに構成される請求項１１に記載の装置。
【請求項１４】
前記電流供給サブシステムは、
前記全電流を発生するように構成された電流源と、
前記電流源に結合され、前記全電流を前記照明器具への複数の電流入力に分配するように構成され、それぞれの電流入力がＬＥＤの前記グループのうちの異なる１つのグループに関連付けられている、プログラマブル・ポテンショメーターとを備える請求項１１に記載の装置。
【請求項１５】
前記照明器具は、前記複数のＬＥＤによって発生される前記光を混合するための全反射レンズを備え、前記スペクトロメーターは、前記全反射レンズの正面から出る光を受け取るように構成される請求項１１に記載の装置。
【請求項１６】
前記少なくとも２回の初期測定は、
前記全電流のすべてがＬＥＤの前記グループのうちの第１のグループに供給され、ＬＥＤの前記グループのうちの他のどのグループにも電流が供給されないとききに行われる第１の測定と、
前記全電流のすべてがＬＥＤの前記グループのうちの第２のグループに供給され、ＬＥＤの前記グループのうちの他のどのグループにも電流が供給されないとききに行われる第２の測定とを含む請求項１１〜１５のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１７】
前記少なくとも２回の初期測定は、前記全電流のほぼ等しい割合の部分がＬＥＤの前記グループのうちのそれぞれのグループに供給されるときに行われる第３の測定をさらに含む請求項１６に記載の装置。
【請求項１８】
前記制御回路は、前記全電流の前記ターゲット分配を決定することが前記第１、第２、および第３の測定の結果に基づき前記全電流の前記ターゲット分配の近似を計算することを含むようにさらに構成される請求項１７に記載の装置。
【請求項１９】
前記全電流の所望の分配の決定は、前記照明器具の外側にある制御システムを使用して行われる請求項１または請求項２に記載の方法。
【請求項２０】
前記制御システム、前記全電流の所望の分配を示すパラメーターを有する前記照明器具に搭載された電流制御装置によるプログラミングをさらに含む請求項１９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月28日(2015.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ処理システムであって、
真空チャンバーと、
電力バスと、
接地バスと、
正相二次電極バスと、
負相二次電極バスと、
正相一次電極バスと、
負相一次電極バスと、
複数の絶縁トランスであって、該絶縁トランスのそれぞれは、一次巻線及び二次巻線を含み、該一次巻線は前記電力バスに結合された第１の端部及び前記接地バスに結合された第２の端部を有し、該一次巻線の該第１の端部は前記電力バスに並列に結合され、該一次巻線の該第２の端部は前記接地バスに並列に結合され、前記二次巻線は、前記正相二次電極バスに結合された第１の端部及び前記負相二次電極バスに結合された第２の端部を有する、複数の絶縁トランスと、
前記正相二次電極バスを前記正相一次電極バスに結合する第１の複数のコンデンサーと、
前記負相二次電極バスを前記負相一次電極バスに結合する第２の複数のコンデンサーと、
前記真空チャンバー内の複数電極であって、該電極のそれぞれは、前記正相一次電極バス又は前記負相一次電極バスと結合される、複数電極と、
を備える、プラズマ処理システム。
【請求項２】
前記正相一次電極バスを接地に結合する第１の負荷コイルと、
前記負相一次電極バスを接地に結合する第２の負荷コイルと、
を更に備える、請求項１に記載のプラズマ処理システム。
【請求項３】
前記正相一次電極バス及び前記負相一次電極バスは、平行な構成を有し、前記正相一次電極バスは、前記第１の負荷コイルに結合された周端部を有し、前記負相一次電極バスは、前記第２の負荷コイルに結合された周端部を有する、請求項２に記載のプラズマ処理システム。
【請求項４】
前記電力バス、前記接地バス、前記正相二次電極バス、前記負相二次電極バス、前記正相一次電極バス、前記負相一次電極バス、前記複数の絶縁トランス、前記第１の複数のコンデンサー、前記第２の複数のコンデンサー、前記第１の負荷コイル、及び前記第２の負荷コイルを収容する接地されたエンクロージャを更に備え、
前記第１の負荷コイル及び前記第２の負荷コイルは、前記エンクロージャにより接地に電気的に結合される、請求項２に記載のプラズマ処理システム。
【請求項５】
ＲＦインピーダンスを有する中央供給点近傍で前記電力バスに結合されたＲＦ入力フィードスルーを更に備え、
前記コンデンサーの容量と前記負荷インダクターのインダクタンスは、前記中央供給点と前記ＲＦ入力フィードスルーとの間のインピーダンス不整合を低減するように選択される、請求項２に記載のプラズマ処理システム。
【請求項６】
前記一次巻線の前記第１の端部は、前記電力バスに規則的な離間間隔で結合され、前記一次巻線の前記第２の端部は、前記接地バスに規則的な離間間隔で結合され、前記二次巻線の前記第１の端部は、前記正相二次電極バスに規則的な離間間隔で結合され、前記二次巻線の前記第２の端部は、前記負相二次電極バスに規則的な離間間隔で結合される、請求項１に記載のプラズマ処理システム。
【請求項７】
前記電極のそれぞれを前記正相一次電極バス又は前記負相一次電極バスに結合するように構成された複数のフィードスルーを更に備える、請求項１に記載のプラズマ処理システム。
【請求項８】
前記フィードスルーを前記正相一次電極バス又は前記負相一次電極バスのうちのいずれか一方に交互に電気的に結合するように構成された複数のブラケットを更に備える、請求項７に記載のプラズマ処理システム。
【請求項９】
前記フィードスルーは、封止冷却剤経路を前記電極に提供するように更に構成される、請求項７に記載のプラズマ処理システム。
【請求項１０】
前記電極は、前記真空チャンバー内に複数の局所プロセスチャンバーを画定する並列配置された構成を有し、前記電極のそれぞれは外周部を有し、前記フィードスルーのそれぞれは、前記電極のうちの１つの前記外周部から外に向かって突出する、請求項７に記載のプラズマ処理システム。
【請求項１１】
前記真空チャンバー内の正相チャンバー電極バスであって、前記正相一次電極バスに結合された前記電極に結合される、正相チャンバー電極バスと、
前記真空チャンバー内の負相チャンバー電極バスであって、前記負相一次電極バスに結合された前記電極に結合される、負相チャンバー電極バスと、
を更に備える、請求項１に記載のプラズマ処理システム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月10日(2015.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、容量素子と、を備える複数のメモリセルと、
前記メモリセルに書き込むデータを保持する機能を有するデータバッファと、
基準電位および異なる複数の書き込みデータ電位を生成する機能を有する電位生成回路と、
周期が一定のコントロール信号を出力する機能を有するコントロール信号生成回路と、
前記複数の書き込みデータ電位のうちのいずれか一または前記基準電位を前記メモリセルに書き込む機能を有する書き込み回路と、
前記メモリセルに書き込まれた前記複数の書き込みデータ電位のうちのいずれか一または前記基準電位を読み出す機能を有する読み出し回路と、
前記コントロール信号の出力制御を行う機能を有するスイッチング素子と、
を有し、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方と前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、ビット線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方と前記第２のトランジスタのゲートは、前記容量素子の電極の一方と電気的に接続され、
前記容量素子の電極の他方は、ワード線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタは、酸化物半導体を有し、
前記第２のトランジスタは、シリコン、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム、炭化シリコンまたはガリウム砒素のいずれかを有し、
前記書き込み回路から前記複数のメモリセルのそれぞれに前記基準電位が書き込まれ、
前記コントロール信号の入力に基づいて前記書き込み回路では前記複数の書き込みデータ電位のうちのいずれか一が選択され、
前記コントロール信号の出力に基づいて前記ワード線の電位が変化し、
前記第２のトランジスタのしきい値電圧に達したときに前記スイッチング素子はオフ状態となり、前記コントロール信号の出力が停止され、
前記スイッチング素子がオフ状態となったときに選択されている前記複数の書き込みデータ電位のうちのいずれか一が、前記書き込み回路から前記メモリセルに書き込まれることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月5日(2015.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｍ行ｎ列に並んだ複数のメモリセルを有し、
前記メモリセルは、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、容量素子とを有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、ワード線に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタの第１端子は、ビット線に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタの第２端子は、前記容量素子の第１電極に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタの第２端子は、前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記容量素子の第２電極は、データ線に電気的に接続され、
各行の前記第２のトランジスタ同士は、直列に接続され、
各行の１列目の前記第２のトランジスタの第１端子は、電源線に電気的に接続され、
各行のｎ列目の前記第２のトランジスタの第２端子は、出力信号線に電気的に接続される半導体記憶装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記電源線と前記出力信号線との導通状態を検出することで、検索したいデータのアドレスを特定する半導体記憶装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第１のトランジスタは、酸化物半導体をチャネルとして有する半導体記憶装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第２のトランジスタの上に前記第１のトランジスタが位置する半導体記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月25日(2014.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記把持部材は、前記筐体に近接した収納位置と、前記筐体から離隔した引出位置との間を可逆的に変位し、
前記凹部は、前記収納位置において、前記把持部材内部に収容される、請求項１に記載の電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
しかしながら図８及び図９に示すような構成では、支持部材１４１及び１４２をハンドル１０４に対して回動可能な構成としているため、ハンドル１０４の外郭における支持部材１４１及び１４２の取付位置近傍に、支持部材１４１及び１４２が出入りするハンドル１０４における端面に開口（以下「遊挿口」と称す）１０４ｄ及び１０４ｅが生じてしまう。したがって、ハンドル１０４を図８及び図９に示す引出位置から矢印Ｘに示す方向に収納する際、またはハンドル１０４を手で把持した状態でノートパソコンを持ち運ぶ際に、ノートパソコンが搖動等すると、１０４ｄまたは１０４ｅに異物を挟み込んでしまうことがあり、ハンドル１０４の収納動作をスムーズに行えなくなるという問題がある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
上記のような構成とすることにより、支持部材４３及び４４がハンドル部材４に対して回動動作する際に、ハンドル部材４と支持部材４３及び４４との間に異物が挟まることを軽減することができる。具体的には、支持部材４３に凹部４３ａを備え、支持部材４４に凹部４４ａを備えることにより、支持部材４３及び４４が回動動作する前と回動動作した後における角度Ｒ１及びＲ２の変化が小さいため、ハンドル部材４と支持部材４３及び４４との間に異物が挟まりにくい。Ｒ１及びＲ２の変化を小さくさせるためには、凹部４３ａおよび４４ａを円弧状に形成することが望ましい。ハンドル部材４を引き出した状態で、支持部材４３及び４４とハンドル部材４とが交差する交差部に円弧の頂点を形成するまたはハンドル部材４に頂点を収納することで、ハンドル部材４を引き出しても、Ｒ１及びＲ２の角度の変化はなだらかに変化し、角度を減少させることもできる。例えば、図７Ｂに示す状態と図７Ｃに示す状態とでは、ハンドル部材４に対する支持部材４３及び４４の角度は大きく異なるが、ハンドル部材４と凹部４３ａ及び４４ａとの角度Ｒ１及びＲ２は大差がなく、ハンドル部材４と支持部材４３及び４４との間に異物が挟まりにくい。また、例えば、ハンドル部材４が、図７Ｃに示す位置から矢印ＪまたはＭに示す方向へ大きく変位したとしても、角度Ｒ１またはＲ２が極端に小さくなる（例えば鋭角）になることはなく、ハンドル部材４と支持部材４３及び４４との間に異物が挟まりにくい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
なお、本実施の形態では、ハンドル部材４に長円状凹部１４ｃ、１４ｄ，１５ｃ，１５ｄを形成したが、第１の筐体１における支持部材４１及び４２の支持箇所に長円状凹部を形成する構成としても、本実施の形態と同様に動作する。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月6日(2015.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中央に開口が形成された器具本体と；
外形が略直方体形状をなし、前記外形の短辺側に一対の電極を有している表面実装型のLEDパッケージと；
前面側には前記LEDパッケージの一対の電極のうちのいずれか一方が前記器具本体の開口側を向くように前記LEDパッケージが複数実装され、かつ、前記複数のLEDパッケージが前記器具本体の開口を囲むように実装されている器具本体に裏面側が取り付けられた複数又は一枚の基板と；
を具備する照明器具であって、
前記基板は、絶縁領域によって複数のブロックに区画された前記LEDパッケージの各電極が接続可能である複数の配線パターンを有しており、
前記基板に実装された複数のLEDパッケージは、前記開口を囲むように複数の列状に配設され、前記列間は各列において隣り合う前記LEDパッケージが実装可能である部分との間よりも離間するように設けられており、
前記複数の配線パターンのブロックは、各LEDパッケージの外側と内側とに配設されるように形成されているものであって、かつ、前記LEDパッケージの列間には複数の配線パターンが配設されるように形成されていることを特徴とする照明器具。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】照明器具
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明の実施形態は、ＬＥＤ等の発光素子を用いた照明器具に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、上記課題に鑑みなされたもので、発光素子の温度上昇を抑制できる照明器具を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の実施形態による照明器具は、中央に開口が形成された器具本体と；外形が略直方体形状をなし、前記外形の短辺側に一対の電極を有している表面実装型のLEDパッケージと；前面側には前記LEDパッケージの一対の電極のうちのいずれか一方が前記器具本体の開口側を向くように前記LEDパッケージが複数実装され、かつ、前記複数のLEDパッケージが前記器具本体の開口を囲むように実装されている器具本体に裏面側が取り付けられた複数又は一枚の基板と；を具備する照明器具であって、前記基板は、絶縁領域によって複数のブロックに区画された前記LEDパッケージの各電極が接続可能である複数の配線パターンを有しており、前記基板に実装された複数のLEDパッケージは、前記開口を囲むように複数の列状に配設され、前記列間は各列において隣り合う前記LEDパッケージが実装可能である部分との間よりも離間するように設けられており、前記複数の配線パターンのブロックは、各LEDパッケージの外側と内側とに配設されるように形成されているものであって、かつ、前記LEDパッケージの列間には複数の配線パターンが配設されるように形成されていることを特徴とする。