(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板が水平面に対して所定の傾斜を有するように基板を支持する基板支持手段と、
前記基板支持手段に支持された基板に対して、基板の傾斜に沿った下向きに近い第１方向と前記第１方向よりも基板の傾斜に沿った上向きに近い第２方向との間において供給する方向を変化させながら処理液を供給する処理液供給手段と、
基板が常に一定方向から処理液の供給を受け始めるように、前記処理液供給手段が基板に対して処理液を供給し始める前に、前記処理液供給手段による処理液の供給方向を所定の第３方向に向けるように制御する制御手段と、
を備えた基板処理装置。
【請求項２】
前記第３方向は、基板に対して処理液を供給し始めたときに前記基板支持手段に支持された基板の表面において供給された処理液が上方に流れ難い向きに設定される、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記第３方向は、前記基板支持手段に支持された傾斜姿勢の基板の表面に垂直に延びる方向よりも基板の傾斜に沿った下向きに近い方向に設定される、請求項１又は２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記第３方向は、基板の傾斜に沿った上向きよりも基板の傾斜に沿った下向きに近い方向に設定される、請求項１又は２に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記第３方向は前記第１方向に設定される、請求項１又は２に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記処理液供給手段から基板に対して処理液を供給し始めるときに、前記処理液供給手段から基板に対して所定量だけ処理液が供給されるまでは、前記処理液供給手段による処理液の供給方向を前記第３方向に向け続ける制御を行う、請求項１から５のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記処理液は基板上の薄膜をエッチングするエッチング液であり、
前記基板支持手段及び前記処理液供給手段を覆うケーシングをさらに備えた、請求項１から６のいずれかに記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示用基板の製造あるいは半導体の製造に使用される基板処理装置、特に、基板に対して処理液の供給方向を回動させて処理液供給することにより基板処理を行う工程を含んだ基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の基板処理装置としては、搬送方向に並設された搬送ローラ等によって処理チャンバー内に基板を搬送しつつ、処理液供給手段から基板の表面に対して処理液をシャワー状に噴射することにより所定の基板処理を行うものが知られている。このような基板処理装置においては、処理の種類に応じて、洗浄液、現像液、剥離液、エッチング液などがシャワーパイプから基板に噴射される。
【０００３】
そして、このような基板処理装置の中には、固定されたシャワーパイプから基板に処理液を噴射するだけでは基板表面への処理液の供給が不均一になり易いことに鑑み、シャワーパイプを回動させながら基板に処理液を供給して基板表面への処理液供給の均一化を図っている装置がある。例えば、特開平１０−７９３６８号公報には、基板搬送方向に沿った複数のシャワーパイプをその長手方向の中心軸を中心として回動させる基板処理装置が示されている。
【０００４】
一方、上記公報の装置もそうであるように、基板処理装置では通常基板を水平状態で保持・搬送して各処理ユニットで処理を施す。しかし、近年、基板を傾斜状態で保持あるいは搬送しつつ基板に処理を施す装置が出現している。このように基板を傾斜姿勢として処理を行うと、処理液が基板の傾斜に沿って速やかに流下し、基板の処理効率が向上するというメリットが生じる。例えば、特開平９−２２６９１６号公報等においては、基板を傾斜状態で保持あるいは搬送しつつ基板に処理を施す装置が示されている。
【０００５】
また、このように基板を傾斜状態にして基板処理を行う装置に対し、処理液を供給するシャワーパイプを回動させて処理液の供給方向を変化させる上記の技術を組み合わせた装置も従来に存在する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
基板を傾斜状態にして基板処理を行い、且つシャワーパイプを回動させる基板処理装置のエッチングチャンバーの一例を図２に示す。このエッチングチャンバー４は、図１に示す複数の基板処理チャンバーから成る基板処理装置１の基板処理チャンバーのひとつであり、搬入口４ａから搬入されてきた基板Ｗに対してエッチング液をシャワーパイプ２１のスプレーノズル２１ａから噴射して基板Ｗにエッチングを施す。各シャワーパイプ２１は、モータ４１の回転に従ってリンク機構４３等によりその長手方向を軸として往復回動し、図３に示す状態と図４に示す状態とを繰り返してその噴射方向を変えながら基板Ｗにエッチング液を噴射する。
【０００７】
このエッチングチャンバー４における工程は、基板Ｗの搬入、基板Ｗに対するエッチングの処理、基板Ｗの搬出の順で行われる。そして、スプレーノズル２１ａからのエッチング液の噴射及びシャワーパイプ２１の回動は、基板Ｗに対するエッチングの処理を行っている間だけ行われ、基板Ｗの搬出入時には行われない。そして、エッチングの処理時間とシャワーパイプ２１の回動の周期との間には特に相関関係がないため、基板Ｗに対するエッチングの処理が終了してシャワーパイプ２１の回動を止めるときにスプレーノズル２１ａが向いている方向も、決まった方向に向いていないのが現状である。
【０００８】
したがって、基板Ｗに対してエッチング液を噴射し始めるときに、スプレーノズル２１ａが図３に示すように下向きである場合もあれば、スプレーノズル２１ａが図４に示すように上向きになっている場合もある。
【０００９】
しかしながら、基板処理の試験を繰り返すうちに、基板を傾斜させてエッチングを行う場合には、基板にエッチング液を吹きかけ始めるときの供給方向がエッチング後の基板の処理ムラに対して重要なファクターとなることが判明してきている。すなわち、各基板にエッチング液を吹きかけ始めるときの供給方向が一致していなければ、基板によって処理ムラの度合いが異なる傾向にあることがわかってきている。また、基板にエッチング液を吹きかけ始めるときの供給方向が上向きであって（図４参照）基板Ｗに衝突した後に一部のエッチング液が矢印Ａ２に示すように基板Ｗ上を傾斜上方に向かって流れるときには、この部分と他の部分との間で処理の進行に差が発生し、結果としてそれぞれの基板に比較的大きな処理ムラが生じることもわかってきている。
【００１０】
本発明の課題は、基板を傾斜状態としてこれに処理液の供給方向を回動させながら処理液供給することにより基板処理を行う工程を含んだ基板処理装置において、それぞれの基板の基板処理後の処理ムラの度合いの差を抑制することにある。
【００１１】
また、本発明の別の課題は、基板を傾斜状態としてこれに処理液の供給方向を回動させながら処理液供給することにより基板処理を行う工程を含んだ基板処理装置であって、基板処理後の処理ムラが少ない装置を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
請求項１に係る基板処理装置は、基板支持手段と、処理液供給手段と、制御手段とを備えている。基板支持手段は、基板が水平面に対して所定の傾斜を有するように基板を支持する。処理液供給手段は、基板支持手段に支持された基板に対して処理液を供給する。この処理液供給手段は、第１方向と第２方向との間で処理液を供給する方向を変化させながら処理液を供給する。第１方向は、基板の傾斜に沿った下向きに近い方向であり、第２方向は、第１方向よりも基板の傾斜に沿った上向きに近い方向である。制御手段は、基板が常に一定方向から処理液の供給を受け始めるように、処理液供給手段が基板に対して処理液を供給し始める前に、処理液供給手段による処理液の供給方向を所定の第３方向に向けるように制御する。
【００１３】
ここでは、基板に処理液供給手段から処理液を供給し始める前に、この処理液供給手段による処理液の供給方向を第３方向に向けている。したがって、基板に処理液が供給されるときには、常に処理液供給手段は第３方向に処理液を供給する。このように、それぞれの基板が常に一定方向から処理液の供給を受け始めるようになっているため、基板毎の処理ムラの度合いに殆ど差が生じなくなり、処理品質が一定するようになる。
【００１４】
請求項２に係る基板処理装置は、請求項１に記載の装置であって、第３方向は、基板に対して処理液を供給し始めたときに基板支持手段に支持された基板の表面において供給された処理液が上方に流れ難い向きに設定される。
【００１５】
ここでは、第３方向の設定によって、基板に対して処理液を供給し始めたときに基板の表面において供給された処理液がなるべく上方に流れないようにしている。したがって、基板に対して処理液を供給し始めたときには、殆ど全ての処理液が基板表面を傾斜下向きに流れるようになる。このように、処理液を供給し始めたときに基板表面を傾斜上向きに逆流する処理液が殆どなくなるため、処理後の基板の処理ムラが抑えられ、処理品質が向上する。
【００１６】
請求項３に係る基板処理装置は、請求項１又は２に記載の装置であって、第３方向は、基板支持手段に支持された傾斜姿勢の基板の表面に垂直に延びる方向よりも基板の傾斜に沿った下向きに近い方向に設定される。
【００１７】
ここでは、第３方向が基板の表面に垂直に延びる方向やそれよりも傾斜上向きに近い方向であれば基板に対して処理液を供給し始めたときに基板の表面において供給された処理液が上方に流れる恐れが高いため、この第３方向をこれよりも基板の傾斜に沿った下向きに近い方向に設定している。このため、基板に対して処理液を供給し始めたときには、概ね処理液が基板表面を傾斜下向きに流れる。
【００１８】
請求項４に係る基板処理装置は、請求項１又は２に記載の装置であって、第３方向は、基板の傾斜に沿った上向きよりも基板の傾斜に沿った下向きに近い方向に設定される。
【００１９】
ここでは、第３方向が傾斜上向きに近い方向であれば基板に対して処理液を供給し始めたときに基板の表面において供給された処理液が上方に流れる恐れが高いため、この第３方向を傾斜上向きよりも傾斜下向きに近い方向に設定している。このため、基板に対して処理液を供給し始めたときには、概ね処理液が基板表面を傾斜下向きに流れる。
【００２０】
請求項５に係る基板処理装置は、請求項１又は２に記載の装置において、第３方向は第１方向に設定される。
【００２１】
ここでは、第３方向を基板の傾斜に沿った下向きに近い第１方向に設定することによって、基板に対して処理液を供給し始めたときに基板の表面において供給された処理液が概ね下方に流れるようにしている。このように第３方向を設定することで、基板に処理液を供給し始めた当初において基板表面を傾斜上向きに逆流する処理液が殆どなくなるため、処理後の基板の処理ムラが抑えられ、処理品質が向上する。
【００２２】
請求項６に係る基板処理装置は、請求項１から５のいずれかに記載の装置において、制御部は、処理液供給手段から基板に対して処理液を供給し始めるときに、処理液供給手段から基板に対して所定量だけ処理液が供給されるまでは、処理液供給手段による処理液の供給方向を第３方向に向け続ける制御を行う。
【００２３】
通常、処理液供給手段から処理液を基板に供給するときには、供給開始から十分な処理液が供給され始めるまでの間に若干のタイムラグが存在する。このタイムラグを考慮せずに供給開始と同時に処理液の供給方向を変化させ始めた場合、処理液を供給し始めるときに供給方向を第３方向に設定していることによる上記の効果が薄れてしまう。
【００２４】
また、第３方向を基板に対して処理液を供給し始めたときに基板支持手段に支持された基板の表面において供給された処理液が上方に流れ難い向きに設定する場合には、供給開始後しばらくの間処理液を基板表面に沿って傾斜下向きに流すようにすることで各基板の処理ムラをより少なくすることが期待される。
【００２５】
これらの事由に鑑み、ここでは、処理液供給手段から基板に対して処理液を供給し始めるときに、処理液供給手段から基板に対して所定量だけ処理液が供給されるまでは、処理液供給手段による処理液の供給方向を第３方向に向け続けている。このように制御することで、上記の作用効果をより安定向上させることができる。
【００２６】
請求項７に係る基板処理装置は、請求項１から６のいずれかに記載の装置において、処理液供給装置から供給される処理液は、基板上の薄膜をエッチングするエッチング液である。そして、本請求項に係る基板処理装置は、ケーシングをさらに備えている。このケーシングは、基板支持手段及び処理液供給手段を覆うものである。
【００２７】
本請求項に係る装置はエッチング液により基板のエッチングを行う基板処理装置であり、処理ムラを抑えるために処理液の供給方向を変化させることが多いので、請求項１から６のいずれかに記載の発明がより効果的且つ有用なものとなる。
【００２８】
なお、エッチング液やそのミストが周囲に飛散することを防止するために、基板を支持する基板支持手段や処理液供給手段をケーシングで覆っている。
【００２９】
【発明の実施の形態】
＜装置の全体構成＞
図１に本発明の一実施形態である基板処理装置１を示す。基板処理装置１は、液晶表示器用のガラスの基板Ｗ上に形成された薄膜にエッチングを施す装置であって、主として、基板姿勢変更装置３と、エッチングチャンバー４と、水洗処理チャンバー５と、乾燥チャンバー６と、基板姿勢変更装置７とから構成されている。各チャンバー４〜６内には搬送ローラが配備されており、各チャンバー４〜６の下方の空間には、エッチングチャンバー４に薬液を供給するための薬液槽や配管、水洗処理チャンバー５に純水を供給するための純水槽や配管、高圧空気・排気・排液・排水等の各種配管、制御装置や電気配線等が配置される。
【００３０】
基板姿勢変更装置３，７は、基板の水平姿勢と傾斜姿勢とを切り替える。エッチングチャンバー４，水洗処理チャンバー５，及び乾燥チャンバー６は、基板を傾斜状態で保持・搬送して基板にそれぞれの処理を施す。
【００３１】
＜装置の動作概略＞
前工程からローダ２に運ばれてきたカセットＣからロボット２ａのハンドによって取り出された基板は、このロボット２ａのハンドによって水平状態で基板姿勢変更装置３に載置される。
【００３２】
基板姿勢変更装置３では、基板の姿勢を、水平姿勢から傾斜姿勢へと切り替える。その後基板は、基板姿勢変更装置３内の搬送ローラ及びエッチングチャンバー４内の搬送ローラによって、エッチングチャンバー４に移動する。
【００３３】
エッチングチャンバー４では、エッチング用の薬液（エッチング液）が基板に噴射され、基板表面上の薄膜が所定の厚さだけ食刻される。このようにエッチングされた基板は、次に水洗処理チャンバー５に送られて、基板に付着した薬液が洗い流される。そして、水洗処理を終えた基板は、乾燥チャンバー６でエアー吹き付けによる乾燥処理が行われた後に、基板姿勢変更装置７に移送される。
【００３４】
基板姿勢変更装置７に搬送された基板は、ここで姿勢が傾斜姿勢から水平姿勢へと切り替えられる。そして、アンローダ１２のロボット１２ａのハンドにより基板姿勢変更装置７から取り出された基板は、アンローダ１２のカセットＣに収納され次工程に運ばれていく。
【００３５】
＜エッチングチャンバーの詳細＞
エッチングチャンバー４には、図２〜図５に示すように、主として、搬送ローラ（基板支持手段）１１と、搬入口４ａからの基板搬入時に基板Ｗに薬液を層状に吹き付ける入口液カーテン１９と、基板Ｗに上方から薬液を噴射する上部シャワーパイプ（処理液供給手段）２１と、基板Ｗを搬送ローラ１１によって基板搬送方向に沿って揺動させるときに使用する位置センサー３３，３４と、エッチングの終点を検出する光学透過式のＥＰＳ（エンド・ポイント・センサー）３５が配置されている。また、このエッチングチャンバー４は、ケーシング１３によって覆われている（図２参照）。
【００３６】
搬送ローラ１１は、基板Ｗを所定の傾斜状態で支持しながら基板搬送方向（図１及び図５の左右方向）に沿って搬送させるものであって、軸方向を基板搬送方向と直交させて、水平面に対して斜めにして延設されている（図３参照）。この搬送ローラ１１に支持される基板Ｗの傾斜は、基板搬送方向と直交する面と基板Ｗとの交線が水平面に対して所定角度だけ傾斜するような傾斜である。この所定角度は、エッチングの効率等を考慮して、５゜〜１５゜の範囲において適当な値に設定される。
【００３７】
入口液カーテン１９は、エッチングチャンバー４内の搬入口４ａ付近に設けられており、基板搬送方向（図５の左から右へと向かう方向）と直交する方向に延びている。但し、水平面に対しては、搬送ローラ１１や基板Ｗと同じく所定の角度だけ傾斜した状態で固定されている。
【００３８】
上部シャワーパイプ２１は、図２から図５に示すようにその長手方向を基板Ｗの搬送方向に沿わせて延設され、また、その長手方向を回転軸として回転可能なようにケーシング１３に回転自在に支持されている。そして、前記上部シャワーパイプ２１は基板Ｗと一定距離の位置に配され、搬送方向と直交する方向に複数個、並置されている。すなわち、複数の上部シャワーパイプ２１が配置される面を搬送ローラ１１に支持されて傾斜している基板Ｗに対して平行に配している。この上部シャワーパイプ２１には、下方に突出するスプレーノズル２１ａが基板搬送方向に沿って複数設けられている。各上部シャワーパイプ２１は、後述する回動機構４０によって基板搬送方向に沿ったその長手方向を軸として往復回動し、図３に示す状態と図４に示す状態とを繰り返して、スプレーノズル２１ａの向き、すなわち薬液の噴射方向を変えながら、基板Ｗに薬液を噴射する。なお、このように上部シャワーパイプ２１が回動するため、これらに薬液を送る配管には伸縮可能な伸縮配管２１ｂが使用されている。
【００３９】
これらの上部シャワーパイプ２１は、基板Ｗがエッチングチャンバー４内の所定位置に搬入されてきた後に、基板Ｗに薬液を噴射する。このエッチングチャンバー４内では、ＥＰＳ３５によってエッチングの終了が自動的に検出されるが、それまでの間、基板Ｗは、両位置センサー３３，３４の間を往復動することによって揺動しながら、上部シャワーパイプ２１から薬液の噴射を受ける。
【００４０】
回動機構４０は、主として、モータ４１と、円板４２と、リンク機構４３と、往復棒４５とから構成されている（図２参照）。モータ４１は、摩擦ブレーキを内蔵したサーボモータであって、後述する制御部３０からの指令によって位置制御を行うことができ、所定の角度で停止することが可能である。円板４２は、モータ４１の回転軸先端に固定されている。リンク機構４３は、円板４２の外周部にリンクする部材や往復棒４５にリンクする部材等を有し、モータ４１及び円板４２の回転に従って往復棒４５をその長手方向に沿って往復移動させる。往復棒４５は、図３に示す状態と図４に示す状態との間を往復する。この往復棒４５は、ケーシング１３の側壁上部に開けられた開口１３ａ（図３参照）を貫通しており、ケーシング１３内において基板搬送方向に延びる複数の円柱状のピン４５ａが固着されている。
【００４１】
一方、上部シャワーパイプ２１の端面には、穴が形成された連結プレート２３が固着されている。この連結プレート２３の穴に往復棒４５のピン４５ａが係合しており、往復棒４５が往復動すると各上部シャワーパイプ２１がその長手方向を軸として往復回動するようにされている。なお、図３に示す状態のときには、基板Ｗの傾斜下向きの方向（矢印Ａ１参照）と各スプレーノズル２１ａから基板Ｗに噴射される薬液の方向Ｅ１との為す角度Ｄ１は、約３０゜〜７０゜（平均約５０゜）に設定されており、図４に示す状態のときには、基板Ｗに噴射される薬液の方向Ｅ２と基板Ｗの傾斜下向きの方向との角度Ｄ２は、約７０゜〜１１０゜（平均約９０゜）に設定されている。以下、図３に示す状態におけるスプレーノズル２１ａの基板Ｗに対する薬液の噴射方向Ｅ１を第１方向と、図４に示す状態におけるスプレーノズル２１ａの基板Ｗに対する薬液の噴射方向Ｅ２を第２方向と称す。
【００４２】
＜エッチングチャンバーの制御＞
次に、エッチングチャンバー４における基板処理（エッチング）の制御について説明する。
【００４３】
図６にエッチングチャンバー４の制御系統を示す。エッチングチャンバー４における基板Ｗの処理を制御する制御部３０には、位置センサ３３，３４やＥＰＳ３５からの信号、及びモータ４１からその回転角度の情報が入力される。また、基板処理装置１全体を司るメイン制御部１ａからの信号も入力される。これらの入力信号を基に、制御部３０は、搬送ローラ１１、モータ４１、入口液カーテン１９の制御バルブ、上部シャワーパイプ２１の制御バルブ等に指令を発する。この制御部３０は、以下に示すように制御を行う。
【００４４】
エッチングチャンバー４に基板Ｗを搬入するときには、搬入シャッター（図示せず）を開けるとともに搬送ローラ１１を駆動して基板Ｗを搬入させる。このときには、入口液カーテン１９の制御バルブが開けられ、入口液カーテン１９から搬入されてくる基板Ｗに対して膜状に薬液が吹き付けられる。
【００４５】
エッチングチャンバー４内の所定位置への基板Ｗの搬入が完了すると、搬入及び搬出シャッター（図示せず）が閉められ、上部のシャワーパイプ２１の制御バルブが開けられる。これにより、上部シャワーパイプ２１から基板Ｗの上面に薬液が噴射されて、基板Ｗのエッチングが開始される。このエッチング中においては、上記のように、上部シャワーパイプ２１が所定角度だけ往復回動するとともに、搬送ローラ１１によって基板Ｗが両位置センサー３３，３４の間を基板搬送方向に往復動させられる。
【００４６】
そして、ＥＰＳ３５によってエッチングの終了が検出されると、その信号を受けて上部シャワーパイプ２１の制御バルブが閉められる。そして、処理を終えた基板Ｗは、搬送ローラ１１によって隣接する水洗処理チャンバー５へと搬出されていく。
【００４７】
本エッチングチャンバー４においては、上部シャワーパイプ２１を往復回動させてスプレーノズル２１ａの向き、すなわち噴射される薬液の向きを変化させながら基板Ｗにエッチングを施すが、このスプレーノズル２１ａの向き及び薬液噴射のＯＮ／ＯＦＦの制御は、図７に示す時系列に従って行われる。以下、この制御について詳述する。
【００４８】
基板Ｗがエッチングチャンバー４内に搬入されるときには、制御部３０からの指令により、スプレーノズル２１ａの向きが図３に示す第１方向となるようにモータ４１が位置制御される。そして、エッチングチャンバー４内の所定位置への基板Ｗの搬入が完了すると（時間Ｔ１）、スプレーノズル２１ａからの薬液の噴射を始める。
【００４９】
スプレーノズル２１ａから薬液の噴射を始めた後しばらくは、上部シャワーパイプ２１の回動はさせず、スプレーノズル２１ａの向きを第１方向に固定したまま基板Ｗに対する薬液の噴射を継続させる。そして、所定の時間が経過して時間Ｔ２になった時点で、制御部３０がモータ４１に指令を出し上部シャワーパイプ２１を回動させ始める。
【００５０】
これからＥＰＳ３５によってエッチングの終了が検出されるまでの間（時間Ｔ２〜時間Ｔ３）は、上部シャワーパイプ２１の回動とスプレーノズル２１ａからの薬液噴射とが並行して行われ、基板Ｗの表面に対して薬液が幅方向に概ね均一に供給される。
【００５１】
エッチングが終了すると（時間Ｔ３）、スプレーノズル２１ａからの薬液の噴射は中止されるが、上部シャワーパイプ２１の回動は継続される。そして、この上部シャワーパイプ２１の回動は、基板Ｗのエッチングチャンバー４からの搬出処理中において、スプレーノズル２１ａの向きが第１方向（図３）となるまで継続される。そして、モータ４１からの情報によってスプレーノズル２１ａの向きが第１方向となったことを制御部３０が認識すると、モータ４１が停止させられ上部シャワーパイプ２１の回動が止まる。
【００５２】
＜本基板処理装置及びエッチングチャンバー制御の特徴＞
（１）
本装置１のエッチングチャンバー４の制御では、基板Ｗにスプレーノズル２１ａから薬液を噴射し始める前に、このスプレーノズル２１ａによる薬液の噴射方向を予め図３に示す第１方向に向けるようにしている。したがって、基板Ｗに薬液が供給されるときには、常にスプレーノズル２１ａは第１方向に薬液を噴射する。このように、どの基板に対しても常に一定方向から薬液の噴射が始まるようにされているため、基板毎に処理ムラの度合いが異なるという不具合が解消され、基板毎の処理ムラの差が殆どなくなり、処理品質が一定となる。
【００５３】
（２）
本装置１のエッチングチャンバー４の制御では、基板Ｗに薬液を噴射し始めるときのスプレーノズル２１ａの方向を図３に示す第１方向としているため、基板Ｗに対して薬液を噴射し始めたときに基板Ｗの表面において薬液が傾斜上方には殆ど流れていかない。すなわち、薬液を基板Ｗに噴射し始めてスプレーノズル２１ａの向きが第１方向にされている間（図７に示す時間Ｔ１〜時間Ｔ２）は、図３に示す矢印Ａ１のように殆どの薬液が基板Ｗの表面の沿って傾斜下方に流れる。したがって、本装置１を使用すれば、エッチング後の基板Ｗの処理ムラが抑えられ、処理品質が向上する。
【００５４】
（３）
本装置１のエッチングチャンバー４の制御では、スプレーノズル２１ａから薬液の噴射を始めた後しばらくは、上部シャワーパイプ２１の回動はさせず、スプレーノズル２１ａの向きを第１方向に固定したまま基板Ｗに対する薬液の噴射を継続させている。そして、所定の時間が経過して時間Ｔ２になった時点で上部シャワーパイプ２１を回動させ始めている。
【００５５】
したがって、スプレーノズル２１ａから基板Ｗに対して所定量だけ薬液が噴射されるまでは、スプレーノズル２１ａの向きが第１方向に向き続けていることになる。
【００５６】
このため、スプレーノズル２１ａから薬液を基板Ｗに噴射させるときに、噴射開始から十分な量の薬液が噴射され始めるまでの間にタイムラグが存在する場合にも、時間Ｔ１から時間Ｔ２までの所定時間の間にこのタイムラグが吸収される。これにより、基板Ｗに十分な薬液が供給され始めるときのスプレーノズル２１ａの向きが図４に示すような向きとなることが回避される。
【００５７】
［他の実施形態］
（Ａ）
上記実施形態では、スプレーノズル２１ａから薬液を基板Ｗに噴射し始めるときのスプレーノズル２１ａの向きを第１方向に設定しているが、必ずしも第１方向そのものに設定しなければならない訳ではない。傾斜姿勢の基板Ｗの表面に概ね垂直に延びる図４に示す第２方向よりも第１方向に近い方向であって、基板Ｗの表面において薬液が傾斜上方に殆ど流れていかない方向であれば、第１方向と第２方向との間に位置する方向（第３方向）に設定しても良い。
【００５８】
（Ｂ）
上記実施形態では、モータ４１に位置制御の可能なサーボモータを採用し、このモータ４１からの情報によって上部シャワーパイプ２１の回動を制御して、基板Ｗのエッチングチャンバー４からの搬出中にスプレーノズル２１ａの向きを第１方向にして上部シャワーパイプ２１の回動が止めている。しかし、スプレーノズル２１ａの向き、すなわち上部シャワーパイプ２１の回動角度を検知する手段として他の手段を使うこともできる。
【００５９】
例えば、モータ４１の回転軸に検知治具を固定し、リミットスイッチや光電センサ等でこの検知治具の位置を検知させることができる。
【００６０】
また、図８及び図９に示すように、往復棒４５のケーシング１３の外部の部分に突起４５ｂを設け、ケーシング１３に固定部材４７により固定した近接スイッチ４９によって突起４５ｂの近接を検知させることで、上部シャワーパイプ２１の回動角度が図８に示す状態となっていることを制御部３０に知らせることもできる。
【００６１】
【発明の効果】
本発明では、基板に処理液供給手段から処理液を供給し始める前に処理液供給手段による処理液の供給方向を所定の方向に向けているため、それぞれの基板が常に一定方向から処理液の供給を受け始めるようになり、基板毎の処理ムラの度合いに殆ど差が生じなくなって、処理品質が一定する。
【００６２】
また、別の本発明では、基板に処理液を供給し始めるときの処理液供給手段による処理液の供給方向を所定の方向に固定して、基板に対して処理液を供給し始めたときに基板の表面において供給された処理液がなるべく上方に流れないようにしているため、処理後の基板の処理ムラが抑えられ、処理品質が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の平面概略図。
【図２】エッチングチャンバーの概略斜視図。
【図３】エッチングチャンバー上部の一状態図（横断面図）。
【図４】エッチングチャンバー上部の一状態図（横断面図）。
【図５】基板処理装置の一部縦断面概略図。
【図６】エッチングチャンバーの制御系統図。
【図７】スプレーノズルの状態の時系列図。
【図８】他の実施形態のエッチングチャンバー上部の一状態図（横断面図）。
【図９】他の実施形態のエッチングチャンバー上部の一状態図（横断面図）。
【符号の説明】
１    基板処理装置
４    エッチングチャンバー
１１    搬送ローラ（基板支持手段）
１３    ケーシング
２１    上部シャワーパイプ（処理液供給手段）
２１ａ    スプレーノズル
３０    制御部（制御手段）
【図１】
0003556110.tif 000002
【図２】
0003556110.tif 000003
【図３】
0003556110.tif 000004
【図４】
0003556110.tif 000005
【図５】
0003556110.tif 000006
【図６】
0003556110.tif 000007
【図７】
0003556110.tif 000008
【図８】
0003556110.tif 000009
【図９】
0003556110.tif 000010