【事件の表示】
　特願２００４−１１１５５０「半導体光素子の作製方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　６月２３日出願公開、特開２００５−１６７１８０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本願手続の概要は、次のとおりである。
　特許出願　　　　　　　　平成１６年　４月　５日
（パリ条約による優先権主張２００３年１１月２８日、韓国）
　拒絶理由通知書発送　　　平成１８年　６月　６日
　意見書・手続補正書提出　平成１８年　９月　６日
　拒絶査定謄本送達　　　　平成１８年１０月１７日
　審判請求　　　　　　　　平成１９年　１月１５日
　手続補正書提出　　　　　平成１９年　１月１５日
　
II．平成１９年１月１５日付け手続補正についての補正却下の決定
［Ｉ］補正却下の決定の結論
　平成１９年１月１５付け手続補正を却下する。
　
［II］理由
１．本件補正の内容
　平成１９年１月１５付け手続補正（以下、「本件補正」という。）は、本願特許請求の範囲の請求項１を
「【請求項１】
　ａ）半導体基板上にエッチング比の異なる２種以上の半導体層を交互に積層する工程と、
　ｂ）所定のマスクを用いて、前記エッチング比の異なる積層された前記半導体層に対して、所定のパターニングを行ってメサを形成する工程と、
　ｃ）前記パターンニングによって形成された前記メサの側面方向へ少なくとも１種以上の前記半導体層を選択的にエッチングしてエアギャップを形成することによって、残された半導体層で構成されるメサ構造が形成されるようにする工程と、
　ｄ）前記エアギャップが埋め込まれるように、
前記半導体層に比べて屈折率の差異が大きくかつ
　
２．独立特許要件についての検討
　本件補正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものと認められるので、以下に補正後の請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）について、独立特許要件の検討を行う。
　
（１）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平６−９７５６６号公報（以下、「引用例」という。）には、図とともに次の記載がある。
　
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光半導体素子及びその製造方法に係り、特に光反射器の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】光通信、光情報処理等の分野では、発光ダイオード，半導体レーザ，フォトダイオード等の光半導体素子が不可欠である。このような光半導体素子においては、光入力部，光出力部の光学反射率（以下、反射率という）が重要なパラメータとなっている。反射率の制御は、従来より、誘電体多層膜や半導体多層膜などからなる多層構造の多層膜光反射器を用いて行なわれている。最も良く知られた手法は、多層膜の各層の光学的厚さ（屈折率と厚さの積）を使用する波長の１／４に設定し、層数を調整することで所望の高反射率を実現している。
【０００３】上述した多層膜光反射器を用いた光半導体素子として、図１５に示す如き面発光型半導体レーザ装置が提案されている（特開平２−１７７４９０号公報）。図中、９０は基板であり、この基板９０に形成された開口部１００の下方には高抵抗埋込み層９２に埋込まれた活性層９８とｐ型クラッド層９９とが設けられている。活性層９８はｐ型クラッド層９９とｎ型クラッド層９１とで挾持され、このｎ型クラッド層９１の上には誘電体反射膜９７が設けられ、また、ｐ型クラッド層９９の下には半導体多層膜光反射器９３が設けられている。そして、ｐ側電極９５，ｎ側電極９６がそれぞれ半導体多層膜光反射器９３，基板９０に設けられている。なお、９４はｐ側コンタクト層である。
【０００４】このように構成された面発光型半導体レーザ装置において、例えば、発振波長が８８０ｎｍの場合には、半導体多層膜光反射器９３として、厚さ７４．１ｎｍのＡｌＡｓ（屈折率２．９７）からなる半導体膜と、厚さ６２．５ｎｍのＧａＡｌＡｓ（屈折率３．５２）からなる半導体膜とのペアを１５個重ねたものを用いることで、９９％程度の高反射率を実現できる。
【０００５】しかしながら、発振波長が１．３〜１．５μｍ程度の長波長の場合には、半導体多層膜光反射器９３として、厚さ１１７．２ｎｍのＩｎＰ（屈折率３．２）からなる半導体膜と、厚さ１０７．１ｎｍのＩｎＧａＡｓＰ（屈折率約３．５）からなる半導体膜とのペアを３０個以上重ねたものを用いらなければ、高反射率を実現できない。このような半導体多層膜光反射器９３を作成するには、全体として厚さが７μｍ以上の半導体膜を結晶成長する必要がある。このため、半導体多層膜光反射器９３の作成に長時間を要し、スループットが低下する。また、７μｍ程度の厚膜の半導体膜を平坦に結晶成長するのは困難であるため、設計通りの特性が得られないという問題もある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述の如く、半導体多層膜光反射器を用いた従来の面発光型半導体レーザ装置においては、使用する半導体材料により、厚膜の半導体多層膜光反射器が必要となるので、半導体多層膜光反射器の作成に長時間を要し、スループットが低下するという問題があった。また、厚膜の半導体膜を平坦に結晶成長するのは困難であるため、設計通りの特性を有する半導体多層膜光反射器が得られないという問題もあった。
【０００７】本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、その目的とするところは、スループットの低下や光反射器の特性低下を防止し得る光半導体素子及びその製造方法を提供することにある。」
　
「【００３８】…図８は、本発明の第４の実施例に係る面発光型半導体レーザ装置の形成工程平面図、図９は図８の面発光型半導体レーザ装置のＢ−Ｂ´断面図である。
【００３９】まず、図８（ａ），図９（ａ）に示すように、高抵抗ＧａＡｓ基板５１上にノンドープＡｌＡｓ層５２とノンドープＧａＡｓ層５３とを交互に堆積する。ノンドープＡｌＡｓ層５２の物理的な膜厚（光学長に換算しない膜厚）は、発振波長の１／４の長さになっている。次いで最上層のノンドープＡｌＡｓ層５２上にｎ型ＧａＡｓクラッド層５４，Ｉｎ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ活性層５５，ｐ型ＧａＡｓクラッド層５６を順次形成する。これら半導体層５４，５５，５６の全体の光学的な膜厚は発振波長と同じ長さになっている。この後、ｐ型ＧａＡｓクラッド層５６上にノンドープＡｌＡｓ層５２とノンドープＧａＡｓ層５３とを交互に堆積する。上記ノンドープＡｌＡｓ層５２，ノンドープＧａＡｓ層５３，ｎ型ＧａＡｓクラッド層５４，Ｉｎ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ活性層５５，ｐ型ＧａＡｓクラッド層５６はＭＯＣＶＤ法，ＭＢＥ法等を用いて成膜する。
【００４０】次に図８（ｂ），図９（ｂ）に示すように、全面にＳｉＯ2 膜５７をプラズマＣＶＤ法等を用いて堆積した後、電子ビーム或いは通常の紫外光を用いたリソグラフィによってＳｉＯ2 膜５７をパターニングし、ｎ側電極，ｐ側電極となる領域のＳｉＯ2 膜５７を除去する。次いでＳｉＯ2 膜５７をマスクに用いて高抵抗ＧａＡｓ基板５１，ノンドープＡｌＡｓ層５２，ノンドープＧａＡｓ層５３，ｎ型ＧａＡｓクラッド層５４，Ｉｎ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ活性層５５及びｐ型ＧａＡｓクラッド層５６をエッチングしてｎ側電極，ｐ側電極となる領域に溝を形成した後、ｎ側電極の領域の溝内にｎ型Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ埋込み層５８を埋込み、ｐ側電極の領域の溝内にｐ型Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ埋込み層５９を埋込む。この後、リフトオフによりｎ型Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ埋込み層５８，ｐ型Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ埋込み層５９上にそれぞれｎ側電極６１，ｐ側電極６０を形成する。ｎ側電極６１，ｐ側電極６０に電圧が印加されると、ｎ型Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ埋込み層５８，ｐ型Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ埋込み層５９からＩｎ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ活性層５５に電流が流れる結果、基板表面と垂直な方向にレーザ光５０（図９（ｃ）参照）が出射する。次に図８（ｃ）に示すように、フォトリソグラフィ等を用いて、半導体多層膜光反射器となる領域以外のＳｉＯ2 膜５７を除去する。
【００４１】次に図８（ｄ），図９（ｃ）に示すように、ＳｉＯ2 膜５７，ｎ側電極６１，ｐ側電極６０をマスクとして用い、高抵抗ＧａＡｓ基板５１に達するまで、ノンドープＡｌＡｓ層５２，ノンドープＧａＡｓ層５３，ｎ型ＧａＡｓクラッド層５４，Ｉｎ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ活性層５５，ｐ型ＧａＡｓクラッド層５６をエッチングする。この結果、これら半導体層５２，５３，５４，５５，５６の側面が露出する。次いで弗酸又は弗酸の希釈液を用いて、ノンドープＡｌＡｓ層５２，ＳｉＯ2 膜５７を選択的に除去する。この結果、Ｉｎ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ活性層５５の上下にそれぞれ厚さが発振波長の１／４の長さのノンドープＧａＡｓ層５３と空隙６２とからなる半導体多層膜光反射器６３ａ，６３ｂが形成される。最後に、硫化処理等のパッシベーション処理を施す。」
　
「【００５９】…なお、本発明は上述した実施例に限定されるものではない。例えば、半導体多層膜光反射器を構成する半導層の材料として、上述した半導体材料の以外にも、ＡｌＧａＩｎＡｓ，ＩｎＧａＡｓＰ，ＩｎＧａＡｌＰ等を用いも良い。また、半導体層の代わりにＳｉＮ，ＳｉＯ2 等からなる誘電体層を用いても良い。また、空隙を誘電体で充填しても良い。この場合、空隙の光学的厚さが充填材によって変わるので、空隙の光学的厚さが発振波長の１／４になるように調整する。」
　
　ここで、上記段落【００３８】ないし【００４１】には、半導体層と空隙とからなる半導体多層膜光反射器を備えた面発光型半導体レーザ装置の形成工程について記載され、また、段落【００５９】には、その空隙を誘電体で充填することが記載されており、これらの記載を参照すれば、引用例には、
「高抵抗ＧａＡｓ基板５１上にノンドープＡｌＡｓ層５２とノンドープＧａＡｓ層５３とを交互に堆積し、次いで最上層のノンドープＡｌＡｓ層５２上にｎ型ＧａＡｓクラッド層５４，Ｉｎ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ活性層５５，ｐ型ＧａＡｓクラッド層５６を順次形成し、さらに、ｐ型ＧａＡｓクラッド層５６上にノンドープＡｌＡｓ層５２とノンドープＧａＡｓ層５３とを交互に堆積し、（【００３９】）
　全面にＳｉＯ2 膜５７を堆積した後、ＳｉＯ2 膜５７をパターニングし、エッチングしてｎ側電極，ｐ側電極となる領域に溝を形成し、溝内を埋込んだ後、ｎ側電極６１，ｐ側電極６０を形成し、フォトリソグラフィ等を用いて、半導体多層膜光反射器となる領域以外のＳｉＯ2 膜５７を除去し、（【００４０】）
　ＳｉＯ2 膜５７，ｎ側電極６１，ｐ側電極６０をマスクとして用い、高抵抗ＧａＡｓ基板５１に達するまで、ノンドープＡｌＡｓ層５２，ノンドープＧａＡｓ層５３，ｎ型ＧａＡｓクラッド層５４，Ｉｎ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ活性層５５，ｐ型ＧａＡｓクラッド層５６をエッチングし、これら半導体層５２，５３，５４，５５，５６の側面を露出させ、弗酸又は弗酸の希釈液を用いて、ノンドープＡｌＡｓ層５２，ＳｉＯ2 膜５７を選択的に除去することにより、活性層５５の上下にノンドープＧａＡｓ層５３と空隙６２とからなる半導体多層膜光反射器６３ａ，６３ｂを形成し、（【００４１】）
　空隙６２を誘電体で充填する（【００５９】）
　面発光型半導体レーザ装置の製造方法。」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
（２）対比
　本願補正発明と引用発明を対比するに、引用発明の「高抵抗ＧａＡｓ基板５１」及び「ノンドープＡｌＡｓ層５２とノンドープＧａＡｓ層５３」が本願補正発明の「半導体基板」及び「エッチング比の異なる２種以上の半導体層」にそれぞれ相当するところであり、引用発明の「ノンドープＡｌＡｓ層５２とノンドープＧａＡｓ層５３とを交互に堆積」する工程は、本願補正発明の「ａ）半導体基板上にエッチング比の異なる２種以上の半導体層を交互に積層する工程」に相当する。
　また、引用発明の「フォトリソグラフィ等を用いて、半導体多層膜光反射器となる領域以外のＳｉＯ2 膜５７を除去し、ＳｉＯ2 膜５７，ｎ側電極６１，ｐ側電極６０をマスクとして用い、高抵抗ＧａＡｓ基板５１に達するまで、ノンドープＡｌＡｓ層５２，ノンドープＧａＡｓ層５３，ｎ型ＧａＡｓクラッド層５４，Ｉｎ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ活性層５５，ｐ型ＧａＡｓクラッド層５６をエッチングし、これら半導体層５２，５３，５４，５５，５６の側面を露出させ」る工程は、本願補正発明の「ｂ）所定のマスクを用いて、前記エッチング比の異なる積層された前記半導体層に対して、所定のパターニングを行ってメサを形成する工程」に相当する。
　また、引用発明の「空隙６２」が本願補正発明の「エアギャップ」に相当し、引用発明の「弗酸又は弗酸の希釈液を用いて、ノンドープＡｌＡｓ層５２，ＳｉＯ2 膜５７を選択的に除去することにより、活性層５５の上下にノンドープＧａＡｓ層５３と空隙６２とからなる半導体多層膜光反射器６３ａ，６３ｂを形成」する工程は、本願補正発明の「ｃ）前記パターンニングによって形成された前記メサの側面方向へ少なくとも１種以上の前記半導体層を選択的にエッチングしてエアギャップを形成することによって、残された半導体層で構成されるメサ構造が形成されるようにする工程」に相当する。　また、引用例の段落【００５９】には誘電体としてＳｉＮ及びＳｉＯ2 が例示されており、引用発明における空隙６２を充填する「誘電体」としてもこれらの物質が想定されるところ、ＳｉＯ2 は本件補正後の請求項６に「前記半導体層に比べて屈折率の差異が大きくかつ所定の伝熱特性を有する物質」として例示されているから、引用発明の空隙６２を充填する「誘電体」が本願補正発明の「前記半導体層に比べて屈折率の差異が大きくかつ所定の伝熱特性を有する物質」に相当することは明らかである。
　したがって、引用発明の「空隙６２を誘電体で充填する」ことは、本願補正発明の工程ｄ）の『「前記エアギャップ」を「前記半導体層に比べて屈折率の差異が大きくかつ所定の伝熱特性を有する物質」で埋め込む』ことに相当する。
　そして、「面発光型半導体レーザ装置の製造方法」は、「半導体光素子の作製方法」といえるから、結局、本願補正発明と引用発明は、ともに
「ａ）半導体基板上にエッチング比の異なる２種以上の半導体層を交互に積層する工程と、
　ｂ）所定のマスクを用いて、前記エッチング比の異なる積層された前記半導体層に対して、所定のパターニングを行ってメサを形成する工程と、
　ｃ）前記パターンニングによって形成された前記メサの側面方向へ少なくとも１種以上の前記半導体層を選択的にエッチングしてエアギャップを形成することによって、残された半導体層で構成されるメサ構造が形成されるようにする工程と、
　ｄ）前記エアギャップに前記半導体層に比べて屈折率の差異が大きくかつ所定の伝熱特性を有する物質を埋め込む工程と、を備えた半導体光素子の作製方法。」の発明である点で一致する。
　一方、本願補正発明は、上記「エアギャップに前記半導体層に比べて屈折率の差異が大きくかつ所定の伝熱特性を有する物質を埋め込む工程」において、物質のエアギャップへの埋込を蒸着により行うものであるのに対し、引用発明では、空隙に誘電体を充填するための具体的手段が不明である点で相違する。
　
（３）判断
　上記相違点について検討するに、空隙に物質を埋め込む手段として、物質を蒸着することにより行うことは、例えば、特開２００３−１３３５３４号公報（２００３年５月９日発行、段落【００３３】参照）、特開平５−４８０９８号公報（段落【００３４】、図４参照）、特開２００３−１１００２１号公報（２００３年４月１１日発行、段落【００２０】〜【００２４】、図２〜図６参照）に記載されているように、周知技術であるから、引用発明において、空隙への誘電体の充填を誘電体を蒸着することにより行うことは当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　また、本願補正発明の効果についても、上記引用例に記載された事項及び上記周知技術に基づいて当業者が予測可能なものであって、格別のものとはいえない。
　したがって、本願補正発明は、上記引用発明及び上記周知技術に基いて、当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
３．むすび
　よって、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項に規定する要件を満たしていないので、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
III．本願発明について
１．本願発明
　平成１９年１月１５日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１８年９月６日付け手続補正書の請求項１ないし８に記載された事項によって特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりである。
「【請求項１】
　ａ）半導体基板上にエッチング比の異なる２種以上の半導体層を交互に積層する工程と、
　ｂ）所定のマスクを用いて、前記エッチング比の異なる積層された前記半導体層に対して、所定のパターニングを行ってメサを形成する工程と、
　ｃ）前記パターンニングによって形成された前記メサの側面方向へ少なくとも１種以上の前記半導体層を選択的にエッチングしてエアギャップを形成することによって、残された半導体層で構成されるメサ構造が形成されるようにする工程と、
　ｄ）前記エアギャップが埋め込まれるように、所定の伝熱特性を有する物質を蒸着する工程と、を備えたことを特徴とする半導体光素子の作製方法。」
　
２．判断
　本願発明は、上記本願補正発明において「前記半導体層に比べて屈折率の差異が大きくかつ」との発明特定事項を欠くものであるから、上記II．［II］２．での検討と同様の理由により、上記引用例に記載された発明及び上記周知技術に基いて、当業者が容易に発明できたものと認められる。
　　
３．むすび
　したがって、本願発明は、上記引用例に記載された発明及び上記周知技術に基いて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。