【事件の表示】
　平成　９年特許願第２１１７９７号「ポリサイドゲート電極及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　５月２２日出願公開、特開平１０−１３５４５９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯  
　本願は、平成９年８月６日（パリ条約による優先権主張１９９６年１０月２４日、大韓民国）の出願であって、平成１７年１２月２日付けで拒絶査定がなされ、これに対して平成１８年３月７日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものであって、「ポリサイドゲート電極及びその製造方法」に関するものである。 
　
２．平成１７年７月２５日付け手続補正
（１）補正の内容
　平成１７年７月２５日付けの手続補正は、補正前の特許請求の範囲の請求項１及び請求項４を補正後の特許請求の範囲の請求項１及び請求項４と補正するとともに、補正前の明細書の０００９段落ないし００１１段落を補正後の明細書の０００９段落ないし００１１段落と補正するものであり、補正前後の請求項１及び請求項４は各々以下のとおりである。
　
本件補正前の請求項１
「【請求項１】　ゲート酸化膜の形成された半導体基板上に形成され、ポリシリコン層パターン、シリサイド層パターン及びマスク層パターンが積層されて形成されたゲートパターンと、
　前記シリサイド層パターンの両面の嵩収縮部に高温熱酸化工程で形成された収縮補償酸化膜と、
　前記ゲートパターンの側壁に形成されたゲートスペーサとを具備することを特徴とするポリサイドゲート電極。」　
　
本件補正後の請求項１
「【請求項１】　ゲート酸化膜の形成された半導体基板上に形成され、ポリシリコン層パターン、シリサイド層パターン及びマスク層パターンが積層されて形成されたゲートパターンと、
　前記シリサイド層パターンの両面の嵩収縮部に高温熱酸化工程で形成され、前記マスク層パターンの側壁と前記ポリシリコン層パターンの側壁とから突出している収縮補償酸化膜と、
　前記ゲートパターンの側壁に形成されたゲートスペーサと、
を具備することを特徴とするポリサイドゲート電極。」
　
本件補正前の請求項４
「【請求項４】　ゲート酸化膜の形成された半導体基板上にポリシリコン層、シリサイド層及びマスク層を積層して形成する第１段階と、
　前記第１段階で積層された層を順次にパタニングして前記半導体基板の所定部を露出させるマスク層パターン、シリサイド層パターン及びポリシリコン層パターンよりなるゲートパターンを形成する第２段階と、
　前記ゲートパターンの側面及び前記第２段階で露出された半導体基板上を洗浄して前記パタニング工程時発生されたポリマーを除去する第３段階と、
　前記第３段階の結果物に対して熱酸化工程を行い、前記第３段階の洗浄する段階で嵩の減縮されたシリサイド層パターンの両面に収縮補償酸化膜を形成する第４段階と、
　前記収縮補償酸化膜の形成された前記ゲートパターンの側壁にゲートスペーサを形成する第５段階とを具備することを特徴とするポリサイドゲート電極の製造方法。」　
　
本件補正後の請求項４
「【請求項４】　ゲート酸化膜の形成された半導体基板上にポリシリコン層、シリサイド層及びマスク層を積層して形成する第１段階と、
　前記第１段階で積層された層を順次にパタニングして前記半導体基板の所定部を露出させるマスク層パターン、シリサイド層パターン及びポリシリコン層パターンよりなるゲートパターンを形成する第２段階と、
　前記ゲートパターンの側面及び前記第２段階で露出された半導体基板上を洗浄して前記パタニング工程時発生されたポリマーを除去する第３段階と、
　前記第３段階の結果物に対して熱酸化工程を行い、前記第３段階の洗浄する段階で嵩の減縮されたシリサイド層パターンの両面に、前記マスク層パターンの側壁と前記ポリシリコン層パターンの側壁とから突出する収縮補償酸化膜を形成する第４段階と、
　前記収縮補償酸化膜の形成された前記ゲートパターンの側壁にゲートスペーサを形成する第５段階と
を具備することを特徴とするポリサイドゲート電極の製造方法。」
　
（２）本件補正の内容の整理 
（２−１）本件補正の内、請求項１についての補正内容を整理する。
〈補正事項１〉 
　本件補正前の請求項１の「高温熱酸化工程で形成された収縮補償酸化膜」を、本件補正後の請求項１の「高温熱酸化工程で形成され、前記マスク層パターンの側壁と前記ポリシリコン層パターンの側壁とから突出している収縮補償酸化膜」と補正すること。 
（２−２）本件補正の内、請求項４についての補正内容を整理する。
〈補正事項２〉 
　本件補正前の請求項４の「収縮補償酸化膜を形成する」を、本件補正後の請求項４の「、前記マスク層パターンの側壁と前記ポリシリコン層パターンの側壁とから突出する収縮補償酸化膜を形成する」と補正すること。
（２−３）明細書の０００９段落についての補正内容を整理する。
〈補正事項３〉 
　本件補正前の０００９段落の「高温熱酸化工程で形成された収縮補償酸化膜」を「高温熱酸化工程で形成され、前記マスク層パターンの側壁と前記ポリシリコン層パターンの側壁とから突出している収縮補償酸化膜」と補正すること。
（２−４）明細書の００１０段落についての補正内容を整理する。
〈補正事項４〉 
　本件補正前の００１０段落の「収縮補償酸化膜を形成する」を「、前記マスク層パターンの側壁と前記ポリシリコン層パターンの側壁とから突出する収縮補償酸化膜を形成する」と補正すること。
（２−５）明細書の００１１段落についての補正内容を整理する。
〈補正事項５〉 
　本件補正前の００１１段落の「高温熱酸化工程で形成された収縮防止酸化膜」を「高温熱酸化工程で形成された、前記マスク層パターンの側壁と前記ポリシリコン層パターンの側壁とから突出している収縮防止酸化膜」と補正すること。
　
３．本件補正についての検討　
（１）願書に最初に添付した明細書又は図面の記載
　願書に最初に添付した明細書（以下、「当初明細書」という。）又は図面（以下「当初図面」という。）には、以下の事項が記載されている。
「【０００２】  【従来の技術】  半導体装置の集積度が増加することにより低抵抗配線の重要性が増大されており、最近には低抵抗配線構造としてポリシリコン膜上に高融点金属シリサイド膜を積層させたポリサイド構造がビットラインやゲート等に広く使用されている。  ポリサイド構造をゲートに使用する場合、タングステンシリサイドやチタンシリサイドのようなシリサイド物質の嵩の収縮により後続されて形成される層間絶縁膜内にボイドが発生され、これにより隣接したランディングパッド間の電気的ショートがもたらされる。
【０００３】  以下、図２Ａ乃至図２Ｄに基づき従来のポリサイドゲート電極の製造方法を説明する。  図２Ａはゲート酸化膜１５が形成された半導体基板１０上にポリシリコン層パターン２０とシリサイド層パターン２５及びマスク酸化膜パターン３０よりなるゲートパターン２０、２５及び３０が形成されたことを示す断面図である。
【０００４】  この際、前記マスク酸化膜パターン３０は６００℃以下の温度条件で形成される低温酸化膜（Low Temperature Oxide ：ＬＴＯ）がよく使用される。従って、６００℃以上の温度条件で蝕刻防止酸化膜が形成される場合に発生されるシリサイドの結晶化に因した嵩収縮現象が発生されない。  図２Ｂは前記ゲートパターン２０、２５及び３０を形成するための蝕刻工程時、露出された半導体基板１０の上面及びゲートパターン２０、２５及び３０の外面上に発生されたポリマー（図示せず）を除去するための洗浄工程を行った後の断面図である。
【０００５】  シリサイド層パターン（図２Ａの２５）は前記洗浄工程により一部消耗されて左右に減縮変形された形のシリサイド層パターン２５ａとして示される。  図２Ｃは洗浄工程が行われた結果物の全面に層間絶縁膜３５が形成されたことを示す断面図である。  この層間絶縁膜３５は通常、高温酸化膜（High Temperature Oxide：ＨＴＯ）で形成される。前記高温酸化膜の形成時、シリサイド物質が結晶化されその嵩収縮が発生する。従って、図２Ｂのシリサイド層パターン２５ａは再度変形され、図２Ｃに示されたようなシリサイド層パターン２５ｂになる。これにより、前記層間絶縁膜３５内部の前記シリサイド層パターン２５ｂの付近でボイド４０が発生する。
【０００６】  図２Ｄはゲートスペーサ３５ａをマスクとして用いたセルフアラインコンタクト方法でコンタクトホールを形成し、ここに導電物質を充填してランディングパッド４５が形成されたことを示す断面図である。  この際、前記層間絶縁膜（図２Ｃの３５）の異方性蝕刻により前記ゲートスペーサ３５ａが形成され、隣接したゲート電極間の半導体基板の所定部を露出させる。一方、前記ボイド（図２Ｃの４０）は前記層間絶縁膜の異方性蝕刻工程時部分蝕刻され、前記ゲートスペーサ３５ａに溝４０ａを形成する。このような溝４０ａは前記ゲートスペーサ３５ａに沿って長く伸ばされた形であり、ランディングパッド４５の形成のため露出された半導体基板１０上に導電物質を充填する過程で導電物質で充填される。
【０００７】  【発明が解決しようとする課題】  しかしながら、前記ランディングパッド４５ののパタニング後にも溝４０ａに充填された導電物質は除去されず、隣接素子間の伝導通路を提供するブリッジを発生させる。その結果として、半導体素子の失敗（Failure ）をもたらす。  本発明の目的はシリサイド層の嵩収縮に因したボイドによりもたらされる隣接素子間の電気的ショートが防止されたポリサイドゲート電極を提供することにある。
【０００８】  本発明の他の目的は前記ゲート電極の製造に適した製造方法を提供することにある。」（０００２〜０００８段落）、
「【００１２】　【発明の実施の形態】  図１Ａはゲートパターン１２０、１２５及び１３０を形成する段階を示す断面図である。  半導体基板１１０上に通常の方法でゲート酸化膜１１５を形成し、その上にポリシリコン層、シリサイド層及びマスク層を積層する。引続き、前記マスク層を通常の方法でパタニングすることによりゲートパターンを限定するマスク酸化膜パターン１３０を形成し、前記シリサイド層の所定部を露出させる。次いで、前記マスク酸化膜パターン１３０を蝕刻マスクとして前記シリサイド層及びポリシリコン層を蝕刻することにより、前記半導体基板１１０の所定部を露出させるシリサイド層パターン１２５及びポリシリコン層パターン１２０を形成する。従って、マスク酸化膜パターン１３０、シリサイド層パターン１２５及びポリシリコン層パターン１２０よりなるゲートパターンが完成される。この際、前記ゲート酸化膜１１５もともにパタニングされる。
【００１３】  ここで、前記マスク酸化膜パターン１３０は６００℃以下の温度条件で形成されうる絶縁物質で形成することが望ましい。例えば、低温酸化膜が使用されうる。　図１Ｂはゲートパターンが形成された前段階の結果物の表面を洗浄する段階を示した断面図である。
【００１４】  前記ゲートパターンの形成のための蝕刻工程時、前記露出された半導体基板１１０の上面及びゲートパターン１２０、１２５及び１３０の外面上に発生されたポリマー（図示せず）を除去するための洗浄工程を行う。  この際、前記シリサイド層パターン（図１Ａの１２５）は前記洗浄工程により一部消耗され左右に減縮変形された形のシリサイド層パターン１２５ａとして示される。
【００１５】　図１Ｃは収縮補償酸化膜１３５及び層間絶縁膜１４０を形成する段階を示した断面図である。  具体的に、前記減縮変形された形のシリサイド層パターン１２５ａの両面に高温、即ち８００℃以上の温度で熱酸化工程を進行して収縮補償酸化膜１３５を形成する。ついで、その結果物の全面に層間絶縁膜１４０を形成する。この際、シリサイド層パターン１２５ａの熱酸化速度がポリシリコン層パターン１２０の熱酸化速度より速いという事実が前記収縮補償酸化膜１３５の形成を可能にする。また、熱酸化工程、即ち温度、時間及び注入されるガス量等を調節して熱酸化工程を行うことにより、収縮補償酸化膜１３５がシリサイド層パターンの収縮された部分だけ補償するようにしうる。
【００１６】  このように形成された前記収縮補償酸化膜１３５により前記シリサイド層パターン１２５ａが収縮される際、その収縮された嵩が補償され、共に前記層間絶縁膜の内部にボイド（図２Ｃの４０）が発生されることを防止しうる。従って、隣接素子間の伝導通路を提供するブリッジの発生が防止され究極的には隣接素子間に短絡が発生することが防止される。
【００１７】  図１Ｄはスペーサ１４０ａ及びランディングパッド１４５を形成する段階を示した断面図である。  具体的に、前記層間絶縁膜１４０を異方性蝕刻して前記ゲートパターンの側壁にスペーサ１４０ａを形成すると同時に両ゲート電極の間の半導体基板の所定部を露出させ、その結果物の全面に導電物、例えばポリシリコン層を蒸着してからパタニングして所定の形を有するランディングパッド１４５を形成する。」（００１２〜００１７段落）
　
（２）新規事項の追加の有無についての検討 
　前記補正事項１の新規事項の有無について検討する。
（２−１）当初明細書の記載について
（ａ）「前記マスク層パターンの側壁と前記ポリシリコン層パターンの側壁とから突出している収縮補償酸化膜」との記載は、当初明細書には一切記載されていない。
（ｂ）さらに、「収縮補償酸化膜」に関連する当初明細書の００１５段落の「収縮補償酸化膜１３５がシリサイド層パターンの収縮された部分だけ補償するようにしうる。」との記載について検討すると、「収縮補償酸化膜」は、「前記マスク層パターンの側壁と前記ポリシリコン層パターンの側壁」からの突出の有無にかかわらず、「シリサイド層パターンの収縮された部分」を「補償」するものであることを述べたに過ぎないものであるから、「収縮補償酸化膜」が、「前記マスク層パターンの側壁と前記ポリシリコン層パターンの側壁とから突出している」ことは、上記記載から、自明の事項とは言えない。
（ｃ）よって、「前記マスク層パターンの側壁と前記ポリシリコン層パターンの側壁とから突出している収縮補償酸化膜」は、当初明細書には、記載も示唆もない。
　
（２−２）当初図面の記載について
（ａ）当初図面の図１のうち、図１Ｃの記載を、関連する当初明細書の記載も含め検討する。当初明細書の００１５段落の「図１Ｃは収縮補償酸化膜１３５及び層間絶縁膜１４０を形成する段階を示した断面図である。  具体的に、前記減縮変形された形のシリサイド層パターン１２５ａの両面に高温、即ち８００℃以上の温度で熱酸化工程を進行して収縮補償酸化膜１３５を形成する。ついで、その結果物の全面に層間絶縁膜１４０を形成する。」との記載から、前記「高温、即ち８００℃以上の温度で熱酸化工程を進行し」、「収縮補償酸化膜１３５」と同時に、図１Ｃの「ポリシリコン層パターン１２０の側壁」及び「マスク層パターン１３０の側壁」も熱酸化されていると解するのが自然である。
（ｂ）また、当初明細書の００１５段落の「シリサイド層パターン１２５ａの熱酸化速度がポリシリコン層パターン１２０の熱酸化速度より速いという事実が前記収縮補償酸化膜１３５の形成を可能にする。」との記載から、当初明細書には、「ポリシリコン層パターン１２０」が少なくとも熱酸化されていることが記載されている。
（ｃ）しかしながら、当初図面においては、「ポリシリコン層パターン１２０の側壁」、「マスク層パターン１３０の側壁」のいずれにおいても、熱酸化又は該熱酸化に伴って形成されている酸化膜に相当する記載も示唆もない。
（ｄ）さらに、図１Ｃの図面においては、「収縮補償酸化膜１３５」の「層間絶縁膜１４０」と接している凸形状の面には、直角面が記載されているが、当該直角面は、当初明細書の記載の「熱酸化工程」からは、通常、形成し得ない形状である。
（ｅ）一般に、半導体分野において用いる図面は、機械分野の図面と異なり、各部の形状、大きさ、相対的位置関係等が適当にデフォルメされて描かれていることは当業者の常識であるが、本願の当初図面も、上記（ａ）ないし（ｄ）に記載したとおり、正確な描写がなされたものではなく、当初図面における図１が、「収縮補償酸化膜１３５」の形状を正確に記載したものではないことは明らかである。よって、たとえ当初図面の図１に、「収縮補償酸化膜１３５」が、「ポリシリコン層パターン１２０の側壁」や「マスク層パターン３０の側壁」から突出しているような図が記載されていたとしても、その記載のみをもって、「収縮補償酸化膜１３５」が、「マスク層パターン１３０の側壁とポリシリコン層パターン１２０の側壁とから突出している」という技術思想が、当初図面に記載されているということはできない。
　
（２−３）発明の作用・効果の観点からの検討
（ａ）当初明細書の０００３段落ないし０００５段落の記載により、「シリサイド層パターン（図２Ａの２５）は前記洗浄工程により一部消耗されて左右に減縮変形され」、「シリサイド層パターン２５ａ」が形成された後の「高温酸化膜の形成時」に、「シリサイド層パターン２５ａは再度変形され」、「シリサイド層パターン２５ｂ」となる、すなわち、「シリサイド層パターン（図２Ａの２５）」が、「洗浄工程」による「減縮変形」と、その後の「高温酸化膜の形成時」の「再度変形」により、「ボイド４０が発生する」と解される。
（ｂ）すると、上記部分の記載からいえることは、「ボイド４０」が発生しない程度の量の「収縮補償酸化膜」を設けることが必要であるということに留まり、「収縮補償酸化膜」が、「前記マスク層パターンの側壁と前記ポリシリコン層パターンの側壁とから突出している」ことは記載も示唆もされていないことは明らかである。したがって、本願発明の作用・効果の観点からみても、「前記マスク層パターンの側壁と前記ポリシリコン層パターンの側壁とから突出している収縮補償酸化膜」との記載は、当初明細書又は当初図面の記載から自明の事項ではない。
　よって、補正事項１についての補正は、当初明細書又は当初図面に記載した事項の範囲内においてしたものではないから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。
　
　なお、請求人は、請求の理由において、「本願の図１には、「収縮補償酸化膜１３５」が「マスク層パターン１３０の側壁とポリシリコン層パターン１２０の側壁とから突出している」ことが明確に示されている。・・・上述のように、特許法第１７条の２第３項の規定は、「明細書又は図面に記載」と選択的な要件としていずれか一方に記載されていれば足りることを意味しており、「明細書及び図面に記載」を要求するものではない。・・・確かに、発明の種類によっては、「図面は発明の要旨を理解し易く説明するために作成提出されるもの」に該当する場合もあり得ると考えられる。しかし、本願発明は、半導体装置の電極という明らかな「物の発明」であり、その形態は図面から容易に把握されるものである。したがって、原審審査官による「図面は発明の要旨を理解し易く説明するために作成提出されるもの」との見解は、本願については妥当しない。」と主張している。
　しかしながら、上で検討したとおり、本願の当初図面の記載は正確なものではなく、「収縮補償酸化膜１３５」が、「前記マスク層パターンの側壁と前記ポリシリコン層パターンの側壁とから突出している」という技術思想が、当初図面に記載されているとはいえないから、請求人の主張は採用できない。
　
（３）上記２．（２）（２−２）ないし（２−５）の補正事項２ないし５についての補正も、上記３．（２）（２−１）ないし（２−３）において検討したと同様の理由により、当初明細書又は当初図面に記載した事項の範囲内においてしたものではないから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。
　
（４）本件補正についてのまとめ
　以上、検討したとおり、補正事項１を含む本件補正は、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。