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　特願２００４−　３６９８９「半導体集積回路装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　８月　５日出願公開、特開２００４−２２１６０６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１０年３月４日（優先権主張平成９年３月５日）に出願した特願平１０−５３８３６７号の一部を平成１６年２月１３日に新たな特許出願としたものであって、平成１９年２月５日付け拒絶理由通知に対して、平成１９年４月１６日付けで手続補正がなされたが、平成１９年８月１日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、平成１９年９月６日に拒絶査定不服審判が請求されたものである。
　
第２　本願発明について
１．本願発明
　本願の請求項１〜５に係る発明は、平成１９年４月１６日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１〜５に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
　
「【請求項１】
　以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法；
（ａ）半導体ウエハを枚葉式酸化炉の熱処理チャンバへ導入する工程、
（ｂ）前記熱処理チャンバ内のガス雰囲気を窒素によって置換する工程、
（ｃ）第１の温度で、触媒を用いて酸素と水素から水分を合成する工程、
（ｄ）前記工程（ｂ）の後、前記合成した水分を気体状態を維持したまま、前記酸化炉の熱処理チャンバへ導入して、前記熱処理チャンバ内の半導体ウエハの第１主面上に水分を含んだ酸化性雰囲気を形成する工程、
（ｅ）前記熱処理チャンバ内の前記水分を含んだ酸化性雰囲気において、前記第１の温度より高い第２の温度まで前記半導体ウエハの主面をランプ加熱して、前記半導体ウエハの第１主面上のシリコン表面を熱酸化処理して絶縁膜を形成する工程、
（ｆ）前記工程（ｅ）の後、前記熱処理チャンバ内の前記水分を含んだ酸化性雰囲気を窒素によって置換する工程。」
　
２．引用例及びその記載事項並びに引用発明
（１）一方、原査定の拒絶の理由で引用された、本願優先権主張日前に頒布された刊行物である特開平６−３３３９１８号公報（以下、「引用例１」という。）には、図１とともに、以下の事項が記載されている。
　
〔１ａ〕「【請求項１】  不活性ガスと水分と水素の活性種とからなる弱酸化性ガス雰囲気中、あるいは、不活性ガスと水分と水素の活性種と水素とからなる弱酸化性雰囲気中において、半導体基体を加熱することにより該基体表面に絶縁酸化膜を形成することを特徴とする絶縁酸化膜の形成方法。
【請求項２】  前記弱酸化性ガスは、不活性ガスと酸素と水素との混合ガスを、水素を活性化させる作用を有する触媒に接触させることにより生成せしめたものであることを特徴とする請求項１記載の絶縁酸化膜の形成方法。
・・・
【請求項４】  前記弱酸化性ガス中における水分濃度を１ｐｐｂ〜１０％としたことを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の絶縁酸化膜の形成方法。
【請求項５】  前記弱酸化性ガス中における水分濃度を１ｐｐｍ〜１％としたことを特徴とする請求項４に記載の酸化膜形成方法。
【請求項６】  絶縁酸化膜の形成を１０５０℃以下の温度で行うことを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の絶縁酸化膜の形成方法。
【請求項７】  絶縁酸化膜の形成を５００〜１０００℃の温度で行うことを特徴とする請求項６に記載の絶縁酸化膜の形成方法。
【請求項８】  前記混合ガスと前記触媒との接触は、２００〜６００℃で行うことを特徴とする請求項２ないし７のいずれか１項に記載の絶縁酸化膜の形成方法。
【請求項９】  請求項１ないし請求項８のいずれか１項記載の方法により形成された絶縁酸化膜を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】  前記絶縁酸化膜は、ＭＯＳ半導体のゲート酸化膜であることを特徴とする請求項９記載の半導体装置。」（【特許請求の範囲】）
　
〔１ｂ〕「本発明は以上の現状に鑑みなされたものであり、絶縁耐圧が高く、リーク電流が小さく、注入電荷量を大きくとることができる絶縁酸化膜を半導体上に形成することが可能な絶縁酸化膜の形成方法を提供することを特徴とする。」（【０００６】）
　
〔１ｃ〕「図１に水分発生装置のー構成例を示す。・・・
酸化膜形成装置１００は、酸化炉１０１（例えばステンレス製、しかし石英製でもよい）と、試料（ウエハ）１０９の加熱器１０２と、ガス供給システム１０３と、ロードロックシステム１０４で構成されている。ここでロードロックシステム１０４はなくてもかまわない。・・・
先ず、酸化炉１０１内への試料１０９の搬入方法を説明する。試料は、ロードロックシステム１０４の試料収納チャンバーに入れ、大気成分を極力低減するため真空引きを行う。その後超高純度アルゴンガスを導入して不活性ガス雰囲気にし、酸化炉に搬入する。よって、酸化炉１０１内ヘの不純物の混入は、極力低減され超清浄雰囲気を形成できる。・・・
次いで、水分及び水素の活性種の製造方法を説明する。ガス供給システム１０３には、アルゴン（窒素でもよい）、酸素、水素のガスが供給されており、それぞれＭＦＣ（マスフローコントローラ）で流量制御されている。水分及び水素の活性種は、任意の濃度の酸素ガスを含んだ不活性ガス雰囲気の反応管１０５（例えばステンレス製、低温で水素を分解できる触媒作用を有するものであれば他の材質でもかまわない）を、例えば、５００℃（２００℃〜６００℃の範囲が好ましく、３００℃〜５００℃がより好ましい。）に加熱器１０６で加熱し、任意の濃度の水素を添加して発生させる。水素は、反応管１０５の触媒効果で分解され、酸素濃度の２倍以上添加することにより、酸素濃度の２倍の水分と水素の活性種を発生できる。例えば、酸素濃度０．０５％に対して例えば水素濃度５％添加すると、０．１％の水分と水素の活性種が発生できる。・・・
なお、反応管１０５内には、例えば、繊維状のニッケルなどの触媒を充填しておいてもよい。・・・
（酸化膜形成手順）前記要領で発生させた水分及び水素の活性種は、例えばアルゴンとの混合ガスとしてガス導入口１０７から酸化炉１０１に供給される。・・・
試料１０９の温度は、加熱器１０２で制御され、例えば８００℃に制御すればよい。なお、前述した通り、１０５０℃以下が好ましく、５００℃〜１０００℃がより好ましい。ここで、酸化温度及び水分、酸素と水素の混合比は、所望の値に適宜選択可能であり、また、アルゴンの代わりに窒素ガスその他の不活性ガスを用いてもよい。」（【００２６】〜【００３２】）
　
〔１ｄ〕「試料（ここではＰ型（１００）シリコンウエハ）１０９を、ロードロックシステム１０４を用いて酸化炉１０１（本例では石英製）内に搬入した。また、シリコンウエハ１０９はＮ型でもよい。また、半導体は、シリコンに限ることなく、化合物半導体（例えば、ＧａＡｓ）を含む他の半導体にも適用可能であるが、シリコンの場合が特に有効である。」（【００３７】）
　
〔１ｅ〕図１には、ロードロックシステムを用いて酸化炉内に１枚ずつウエハを搬入することが示されている。
　
（２）同じく、原査定の拒絶の理由で引用された、本願優先権主張日前に頒布された刊行物である特開平７−２８３２１０号公報（以下、「引用例２」という。）には、図１、図２とともに、以下の事項が記載されている。
　
〔２ａ〕「本発明は、反応性ガスを用いて基体表面に絶縁膜を形成するための絶縁膜形成装置、及び絶縁膜形成方法に関する。」（【０００１】）
　
〔２ｂ〕「（実施例１）実施例１の絶縁膜形成装置の概要を図１に示す。絶縁膜形成装置は、反応性ガス源１０、絶縁膜形成室２０、及び反応性ガス源１０と絶縁膜形成室２０とを結ぶ反応性ガス導入管３０を備えている。反応性ガス源１０には、酸素ガス導入部１１及び水素ガス導入部１２が設けられている。反応性ガス源１０は、酸素と水素の燃焼によって水蒸気を生成させる燃焼装置から成る。絶縁膜形成室２０には、バルブ２４を介して窒素ガス等の不活性ガス源（図示せず）に結ばれた不活性ガス導入部２３、絶縁膜形成室内のガスを外部に排気するためのガス排気部２５が設けられている。絶縁膜形成室２０の内部には、例えばシリコン半導体基板から成る基体５０を収納・保持した基体保持具２１が配置される。また、絶縁膜形成室２０の周囲にはヒーター２２が配設されている。反応性ガス源１０と絶縁膜形成室２０とを結ぶ石英製の反応性ガス導入管３０には、バルブ３１が配置されている。」（【００２７】）
　
〔２ｃ〕「本発明の絶縁膜の形成方法の実施に際しては、先ず、バルブ２４，２５を開き、不活性ガス源から不活性ガス導入部２３を介して絶縁膜形成室２０内に不活性ガス（例えば、窒素ガス）を導入し、絶縁膜形成室２０内を不活性ガス雰囲気（窒素ガス雰囲気）としておく。・・・そして、基体保持具２１に収納・保持された基体５０を、絶縁膜形成室２０内に図示しない搬入出装置を用いて搬入する。絶縁膜形成室２０内は不活性ガスで充填されているので、基体５０の表面に絶縁膜が形成されることを抑制することができる。
・・・
一方、絶縁膜成膜のための反応性ガス（水蒸気＋Ｏ2）を、所謂外部燃焼装置である反応性ガス源１０で生成する。反応性ガスの生成に際しては、予め、バルブ３１を閉じ、バルブ４１を開いておく。そして、先ず、酸素ガス導入部１１を介して酸素ガス源（図示せず）から反応性ガス源１０に酸素ガスを導入し、反応性ガス源１０内を酸素ガスで充填する。酸素ガスの流量を、例えば５ＳＬＭとする。反応性ガス源１０から流出した酸素ガスは、バルブ４１を介して排気手段４０から外部に排気される。バルブ３１を閉じているので、酸素ガスが絶縁膜形成室２０内に流入することがない。従って、基体５０の表面に絶縁膜は形成されない。・・・
次に、酸素ガスで充填された反応性ガス源１０内に、水素ガス導入部１２を介して水素ガス源（図示せず）から水素ガスを導入する。水素ガスの流量を、当初、例えば１ＳＬＭとする。尚、酸素ガスを反応性ガス源１０内に導入し続ける。反応性ガス源１０内は、図示しないヒーターによって、例えば７５０゜Ｃに保たれており、この熱によりＯ2とＨ2が反応し、１ＳＬＭの水蒸気が生成され、４．５ＳＬＭのＯ2が残る。・・・
・・・
結果的に、５ＳＬＭの水蒸気を２．５ＳＬＭの酸素ガスで希釈した反応性ガスが、反応性ガス源１０で生成されたことになる。
・・・
所定の流量及び組成を有する反応性ガスが反応性ガス源１０で安定的に生成され始めた後、バルブ４１を閉じ、排気手段４０からの反応性ガスの系外への排気を中止する。同時に、あるいはバルブ４１の閉と前後して、反応性ガス導入管３０に配置されたバルブ３１を開き、所定の流量及び組成を有する反応性ガスを絶縁膜形成室２０内に導入する。同時に、あるいは反応性ガスの絶縁膜形成室２０への導入の前に、バルブ２４を閉じ、絶縁膜形成室２０への不活性ガスの導入を中止する。・・・
これにより、絶縁膜形成室２０は所定の流量及び組成の反応性ガスで満たされ、基体５０の表面に例えばＳｉＯ2から成る絶縁膜が成膜され始める。・・・
所定の膜厚の絶縁膜が基体５０の表面に成膜された時点で、反応性ガス導入管３０に配置されたバルブ３１を閉じ、同時にあるいは前後して排気手段４０に配置されたバルブ４１を開き、排気手段４０から反応性ガスを系外に排気する。同時に、バルブ２４を開いて、不活性ガスを絶縁膜形成室２０に導入し、絶縁膜形成室２０内を窒素ガス等の不活性ガスで満たす。以上で基体５０の表面における絶縁膜の形成が終了する。次いで、図示しない搬入出装置を用いて、基体５０を絶縁膜形成室２０から搬出する。」（【００２９】〜【００３８】）
　
（３）引用例１の上記摘記事項〔１ａ〕〜〔１ｅ〕及び図１の記載を総合勘案すると、引用例１には、次の発明（以下、「引用例１発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「ＭＯＳ半導体のゲート酸化膜である絶縁酸化膜の形成方法において、
　シリコンからなる試料（ウエハ）を、ロードロックシステムの試料収納チャンバーに入れ、大気成分を極力低減するため真空引きを行った後、超高純度のアルゴンガスを導入して不活性ガス雰囲気にし、１枚ずつ酸化炉に搬入する工程と、
　ガス供給システムにアルゴン又は窒素と、酸素、水素のガスを供給し、例えば、ステンレス製の、低温で水素を分解できる触媒作用を有する材質からなる反応管を任意の濃度の酸素ガスを含んだ不活性ガス雰囲気にして、例えば５００℃に加熱器で加熱し、上記水素を反応管の触媒作用で分解して、酸素濃度の２倍の水分と水素の活性種を発生させる工程と、
　上記水分と水素活性種を、例えばアルゴンとの混合ガスとしてガス導入口から酸化炉に供給する工程と、
　不活性ガスと水分と水素の活性種とからなる弱酸化性ガス雰囲気中において、試料である半導体基体の温度を加熱器で例えば８００℃に制御するように加熱することにより、該基体表面に絶縁酸化膜を形成する工程と、
　を含む絶縁酸化膜の形成方法。」
　
３．対比
　そこで、本願発明と引用例１発明とを対比する。
（ア）引用例１発明は、「ＭＯＳ半導体のゲート酸化膜である絶縁酸化膜の形成方法」に係るものであるが、ＭＯＳ半導体は、半導体基体（ウエハ）上に多数が集積して電子回路を構成するように配置されるのが通常であるから、上記形成方法は、本願発明における「半導体集積回路装置の製造方法」に相当するといえる。
（イ）引用例１発明における「シリコンからなる試料（ウエハ）」乃至「半導体基体」は、本願発明における「半導体ウエハ」に相当する。
（ウ）引用例１発明における「酸化炉」は、１枚ずつ搬入された試料（ウエハ）を加熱器で加熱しつつ酸化処理するものであるから、本願発明における、枚葉式酸化炉の「熱処理チャンバ」に相当する。
（エ）引用例１発明における「ガス供給システムにアルゴン又は窒素と、酸素、水素のガスを供給し、例えば、ステンレス製の、低温で水素を分解できる触媒作用を有する材質からなる反応管を任意の濃度の酸素ガスを含んだ不活性ガス雰囲気にして、例えば５００℃に加熱器で加熱し、上記水素を反応管の触媒作用で分解して、酸素濃度の２倍の水分と水素の活性種を発生させる工程」は、本願発明における「第１の温度で、触媒を用いて酸素と水素から水分を合成する工程」に相当する。
（オ）引用例１発明における「不活性ガスと水分と水素の活性種とからなる弱酸化性ガス雰囲気」は、水分を含み、かつ半導体気体の表面に絶縁酸化膜を形成する雰囲気であるから、本願発明における「水分を含んだ酸化性雰囲気」に相当する。
（カ）引用例１発明における「上記水分と水素活性種を、例えばアルゴンとの混合ガスとしてガス導入口から酸化炉に供給する工程」は、酸素濃度の２倍の水分と水素の活性種を発生させる工程により発生させた水分及び水素活性種を、アルゴンガスとの混合ガスとして、即ち、気体状態を維持したまま、酸化炉に供給する工程であり、当該酸化炉内を「不活性ガスと水分と水素の活性種とからなる弱酸化性ガス雰囲気」とする工程であるから、上記混合ガス供給前に該酸化炉内に搬入された試料（ウエハ）の表面上には、「不活性ガスと水分と水素の活性種とからなる弱酸化性ガス雰囲気」、即ち「水分を含んだ酸化性雰囲気」が形成されているといえる。
　よって、本願発明と引用例１発明とは、「合成した水分を気体状態を維持したまま、前記酸化炉の熱処理チャンバへ導入して、前記熱処理チャンバ内の半導体ウエハの第１主面上に水分を含んだ酸化性雰囲気を形成する工程」を含む点で一致する。
（キ）シリコンからなる半導体気体の表面がシリコン表面であることは明らかであるから、引用例１発明における「不活性ガスと水分と水素の活性種とからなる弱酸化性ガス雰囲気中において、試料である半導体基体の温度を加熱器で例えば８００℃に制御するように加熱することにより、該基体表面に絶縁酸化膜を形成する工程」は、本願発明における「前記熱処理チャンバ内の前記水分を含んだ酸化性雰囲気において、前記第１の温度より高い第２の温度まで前記半導体ウエハの主面を加熱して、前記半導体ウエハの第１主面上のシリコン表面を熱酸化処理して絶縁膜を形成する工程」に対応する。
　
　そうすると、本願発明と引用例１発明とは、次の点で一致する。
　
＜一致点＞
「以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法；
（ａ）半導体ウエハを枚葉式酸化炉の熱処理チャンバへ導入する工程、
（ｃ）第１の温度で、触媒を用いて酸素と水素から水分を合成する工程、
（ｄ）前記合成した水分を気体状態を維持したまま、前記酸化炉の熱処理チャンバへ導入して、前記熱処理チャンバ内の半導体ウエハの第１主面に水分を含んだ酸化性雰囲気を形成する工程、
（ｅ）前記熱処理チャンバ内の前記水分を含んだ酸化性雰囲気において、前記第１の温度より高い第２の温度まで前記半導体ウエハの主面を加熱して、前記半導体ウエハの第１主面上のシリコン表面を熱酸化処理して絶縁膜を形成する工程。」
　
　一方、本願発明と引用例１発明とは、次の点で相違する。
　
＜相違点１＞
　本願発明が、上記工程（ｄ）の前に「（ｂ）熱処理チャンバ内のガス雰囲気を窒素によって置換する工程」を含み、かつ上記工程（ｅ）の後に「熱処理チャンバ内の水分を含んだ酸化性雰囲気を窒素によって置換する工程」を含むのに対して、引用例１発明は、それらの工程を含まない点
　
＜相違点２＞
　上記工程（ｅ）における半導体ウエハ主面の加熱が、本願発明では「ランプ加熱」に限定されているのに対して、引用例１発明では、単に「加熱」とされ、ランプ加熱に限定されない点
　
４．判断
　そこで、上記各相違点について、以下に検討する。
　
＜相違点１について＞
　引用例２の摘記事項〔２ａ〕〜〔２ｃ〕の記載によれば、引用例２には、シリコン半導体基板からなる基体の表面にＳｉＯ２から成る絶縁膜を形成する際に、上記絶縁膜を形成するための絶縁膜形成室内に絶縁膜成膜のための反応性ガスを導入する前に、該絶縁膜形成室内を窒素ガス等の不活性ガス雰囲気とすること、及び所定の膜厚の絶縁膜が基体の表面に成膜された時点で、絶縁膜形成室内を窒素ガス等の不活性ガスで満たすことがそれぞれ記載されている。そして、これらの窒素ガス充填工程を設けることにより、実質的に目的の絶縁膜を成膜する工程以外の段階で基体表面に不要な絶縁膜を形成されることを抑制するという作用効果が奏されると認められる。
　一方、引用例１発明においても、実質的に目的の絶縁膜の形成する段階である工程（ｄ）及び（ｅ）に相当する工程の前後の段階で、半導体ウエハ上に不要な酸化膜が形成されることを抑制すべきことは当業者にとって当然の課題にすぎず、これを解決する手段として、引用例２記載の各窒素ガス充填工程を採用し、上記工程（ｄ）の前に「（ｂ）熱処理チャンバ内のガス雰囲気を窒素によって置換する工程」を含み、かつ上記工程（ｅ）の後に「熱処理チャンバ内の水分を含んだ酸化性雰囲気を窒素によって置換する工程」を含む、本願発明の構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　
　なお、審判請求人（出願人）は、平成１９年４月１６日付け意見書において、「（２）引用文献２、特開平７−２８３２１０号公報（吉越発明）：この発明はホットウォール(Hot wall)形式のバッチ炉ですから、常に高温ですので、パージは必須です。一方、本願発明はコールドウォール(Cold wall)形式の枚葉ランプ炉ですから、酸化時間だけ高温になります。従いまして、短時間処理を目指す、触媒水分合成ランプ方式のプロセスでは、短時間化の障害であるパージ手続きを単純に導入するとは考えられません。」と主張しているが、抵抗加熱等によるホットウォール型加熱方式であっても、ランプ加熱によるコールドウォール型の加熱方式であっても、実質的に目的とする絶縁膜（酸化膜）を形成する工程以外の段階で自然酸化膜等の余分な絶縁膜が形成されることを抑制すべきことは、工程の短時間化という一般的要請とともに、当業者が考慮すべき事項であるから、これらの要素を総合的に勘案した上で、引用例２記載の上記各窒素ガス充填工程を引用例１発明に適用することは十分可能であり、引用例２記載の技術がホットウォール型加熱方式に係るものであったとしても、そのことが当該技術を引用例１発明に適用するに際しての阻害事由になるとは認められない。
　よって、上記主張は採用することができない。
　
＜相違点２について＞
　枚葉式酸化炉のチャンバ内に試料（ウエハ）を載置し、その表面をウエット方式で熱酸化する際に、上記試料（ウエハ）をランプ加熱により加熱することは、以下の周知例１、２に記載されるように、本願優先権主張日当時既に周知の技術にすぎず、これを引用例１発明における半導体ウエハ主面の加熱手段に適用することは、当業者が容易になし得たことである。
　
周知例１：特開平７−２７３１０１号公報
　
〔周１ａ〕「載置部４に載置されたウエハＷ表面に、ウエット酸化によって酸化膜を形成する場合には、まずポンプ６５、加熱ヒータ６６を作動させて、伝熱媒体である不凍液を処理容器２内の流路６１内を循環させ、処理容器２内壁の温度を結露温度以上、例えば２００゜Ｃに加熱する。また同時に交流電源７４を作動させて、加熱板７１によってシャワーヘッド２１の支持板２２と拡散板２３も２００゜Ｃに加熱しておく。また処理容器２内は常圧にしておく。・・・
そして加熱ランプ１１を作動させてこのウエハＷを例えば１１００゜Ｃにまで加熱し、この状態で燃焼装置４２で発生した水蒸気を、シャワーヘッド２１を通じて処理容器２内に流出させると、ウエハＷ表面に、５０００オングストローム〜１００００オングストロームの比較的厚い酸化膜を形成させることができる。」（【００３８】〜【００３９】）
　
〔周１ｂ〕図１には、ウエハＷを１枚ずつ処理する、枚葉式の熱処理装置が示されている。
　
周知例２：特開平７−２９７１８１号公報
　
〔周２ａ〕「本実施例では、熱酸化処理は具体的には次のように行った。即ち、まず被処理基板２（ウェハ）は、従来の技術と同様、ゲートバブル１０により、インナーチューブ４内のホルダー３上に挿入され、ガス導入口１４より窒素ガスが導入され、インナーチューブ４内の空気と置換される。十分置換が行われた後、窒素ガスは、本実施例では酸素ガスと水蒸気との混合ガスに切り替わり、加熱機構１であるランプに通電され赤外線が放射され（符号５は反射板である）、被処理半導体基板２（ウェハ）が加熱されて、ウェハ表面が酸化される。」（【００３０】）
　
〔周２ｂ〕図１には、被処理半導体基板を１枚ずつ処理する、枚葉式の熱酸化処理装置が示されている。
　
＜本願発明の効果について＞
　審判請求人（出願人）は、平成１９年４月１６日付け意見書において、「（３）本願の発明者等は、枚葉方式で短時間のプロセスを可能とするために、ランプ加熱＋触媒水分合成を採用しましたが、意外なことに、薄膜化に伴い、それだけでは初期酸化膜等を十分に排除できないことを見出し、ホットウォール形式でバッチ処理の技術思想であるパージを導入したものです。」と主張しているが、本願の明細書、特許請求の範囲及び図面には、発明の実施の形態として、以下の事項が記載されてはいるものの、ランプ加熱方式の採用した場合にパージガスの導入を行った例やその場合の作用効果については直接記載されていないことから、これに本願優先権主張日当時の技術常識を加味して考慮したとしても、ランプ加熱と触媒水分合成を採用した酸化膜形成方法において、パージを導入することで初期酸化膜等を十分排除できるとの上記主張にいう効果が奏されるとは推認されない。
　よって、上記主張は採用することができない。
　そして、本願発明の効果は、引用例１発明、引用例２に記載された事項及び周知技術から当業者が予測可能な範囲のものであって、格別顕著でない。
　
本願の明細書、特許請求の範囲及び図面の記載事項：
　
〔本ａ〕「半導体ウエハ１Ａの加熱は、ヒータ１２１ａ、１２１ｂによる加熱方式の他、例えば図１２に示すようなランプ１３０による加熱方式を採用してもよい。」（【００７３】）
　
〔本ｂ〕「上記酸化膜形成装置１００を使ったゲート酸化膜形成のシーケンスの一例を図１５を参照しながら説明する。・・・
まず、酸化膜形成室１０７のチャンバ１２０を開放し、その内部にパージガス（窒素）を導入しながら半導体ウエハ１Ａをサセプタ１２３の上にロードする。半導体ウエハ１Ａをチャンバ１２０に搬入してからサセプタ１２３の上にロードするまでの時間は５５秒である。その後、チャンバ１２０を閉鎖し、引き続きパージガスを３０秒間導入してチャンバ１２０内のガス交換を十分に行う。サセプタ１２３は、半導体ウエハ１Ａが速やかに加熱されるよう、あらかじめヒータ１２１ａ、１２１ｂで加熱しておく。」（【００７９】〜【００８０】）
　
〔本ｃ〕「前記図１４に示すように、ゲート酸化膜１４の形成が完了した後、まず酸化膜形成室１０７のチャンバ１２０にパージガスを２分２０秒間導入し、チャンバ１２０内に残った酸化種を排気する。続いて半導体ウエハ１Ａをサセプタ１２３から５５秒でアンロードし、チャンバ１２０から搬出する。」（【００９１】）
　
　したがって、本願発明は、引用例１発明、引用例２に記載された事項及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明（本願の請求項１に係る発明）は、引用例１発明、引用例２に記載された事項及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　したがって、その他の請求項について検討するまでもなく、本願は、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。