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　平成１１年特許願第１７０９６４号「薄膜光電変換装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　１月１２日出願公開、特開２００１−　　７３６１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯・本願発明 
　本願は、平成１１年６月１７日に特許出願したものであって、その請求項に係る発明は、平成２０年１月１８日付けで補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし８に記載された事項により特定されるものであると認められるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は次のものである。
　「第１と第２の主表面を有するガラス基板と、
　前記ガラス基板の第１の主表面の上に形成された透明導電性酸化物層と、
　前記透明導電性酸化物層の上に形成された光電変換ユニットと、
　前記光電変換ユニットの上に形成された電極層とを備え、
　前記光電変換ユニットは、
　前記透明導電性酸化物層の上に形成されたｐ型シリコン層と、
　前記ｐ型シリコン層の上に形成された実質的に多結晶シリコンからなるｉ型の光電変換層と、
　前記光電変換層の上に形成されたｎ型シリコン層とを含み、
　前記ガラス基板の第２の主表面から光が入射されるタイプの薄膜光電変換装置において、
　前記透明導電性酸化物層と前記ｐ型シリコン層との界面は、前記透明導電性酸化物層が１０００ｎｍの波長の光に関して８０％以下の透過率を有する場合に０．１μｍ以上０．２μｍ以下の範囲内に設定された高低差を有する凹凸面を含み、前記透明導電性酸化物層が１０００ｎｍの波長の光に関して８０％以上の透過率を有する場合に０．２μｍ以上０．５μｍ以下の範囲内に設定された高低差を有する凹凸面を含む、薄膜光電変換装置。」
　
２　引用例 
（１）原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である、特開昭５８−１４５８１号公報（以下「引用例１」という。）には、図とともに以下の事項が記載されている。
　
　ａ．「第２図は本発明の一実施例としての薄膜半導体太陽電池の概略断面図である。
　図において、２１は透明ガラス基板、２２はＩＴＯあるいは極めて薄い半導体金属膜、２３は水素を含み高い濃度にドープされた非晶質Ｓｉ（例えばｐ型）、２４は同じ導電型（例えばｐ型）を有する多結晶Ｓｉ薄膜、２５は意図的にドープしないで形成されたｉ型（ｎ−あるいはｐ−型）多結晶Ｓｉ薄膜、２６はドープされた多結晶Ｓｉ薄膜（例えばｎ型）である。ガラス基板側から入射した太陽光は主として２５のｉ層で吸収され電子と正孔対を数多く創る。極性がここに示された例の場合、正孔は電極２２へ、電子は電極２７へ向つて拡散し、電圧を発生する。」（２頁右上欄１５行〜左下欄８行）
　
　ｂ．「・・・・基板を５００℃に暖めた状態で非晶質Ｓｉ薄膜を５０ｎｍ被着する。この場合、Ｂ２Ｈ６をガス中に流入することにより、水素を含む非晶質薄膜２３をｐ型に形成する。次いで、ほぼ同様のドーピング条件で引続いて膜厚３０ｎｍのｐ型多結晶Ｓｉ薄膜２４を被着する。・・・・次いで、・・・・ｉ型多結晶Ｓｉ薄膜２５を１μｍの厚さに形成する。引続いて、・・・・膜厚０．５μｍのｎ型多結晶Ｓｉ薄膜２６を得る。」（２頁右下欄３〜１６行）
　
　ｃ．上記ａ．及びｂ．に照らして第２図をみると、ＩＴＯあるいは極めて薄い半導体金属膜２２は、透明ガラス基板２１の上側の表面に形成され、水素を含み高い濃度にドープされた非晶質Ｓｉ（例えばｐ型）２３及び同じ導電型（例えばｐ型）を有する多結晶Ｓｉ薄膜２４は、前記ＩＴＯあるいは極めて薄い半導体金属膜２２の上に形成され、ｉ型（ｎ−あるいはｐ−型）多結晶Ｓｉ薄膜２５は、前記非晶質Ｓｉ２３及び多結晶Ｓｉ薄膜２４の上に形成され、ドープされた多結晶Ｓｉ薄膜（例えばｎ型）２６は、前記多結晶Ｓｉ薄膜２５上に形成され、電極２７は、前記多結晶Ｓｉ薄膜２６上に形成されていることが、みてとれる。
　
　上記ａ．ないしｃ．によれば、引用例１には、次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
　
　「透明ガラス基板２１と、
　前記透明ガラス基板２１の上側の表面に形成されたＩＴＯと、
　前記ＩＴＯの上に形成された水素を含み高い濃度にドープされた非晶質Ｓｉ薄膜（ｐ型）２３及び同じ導電型（ｐ型）を有する多結晶Ｓｉ薄膜２４と、
　前記非晶質Ｓｉ薄膜２３及び多結晶Ｓｉ薄膜２４の上に形成されたｉ型多結晶Ｓｉ薄膜２５と、
　前記ｉ型多結晶Ｓｉ薄膜２５の上に形成されたドープされた多結晶Ｓｉ薄膜（例えばｎ型）２６と、
　前記多結晶Ｓｉ薄膜２６の上に形成された電極２７を備え、
　ガラス基板側から入射した太陽光は主としてｉ型多結晶Ｓｉ薄膜２５のｉ層で吸収され電子と正孔対を数多く創り、正孔は電極２２へ、電子は電極２７へ向かつて拡散し、電圧を発生する、薄膜半導体太陽電池。」
　
（２）同じく、特開平１０−１１７００６号公報（以下「引用例２」という。）には、図とともに以下の事項が記載されている。
　
　ａ．「【００１２】
【発明の実施の形態】図１において、本発明の１つの実施の形態による薄膜光電変換装置が模式的な断面図で概略的に図解されている。この薄膜光電変換装置は、ガラス基板１上に順次積層された下地導電層２，金属反射層３，多結晶光電変換層４，および透明導電層５を含んでいる。
【００１３】・・・・
【００１４】・・・・
【００１５】実質的に多結晶の光電変換層４は、プラズマＣＶＤ法によって形成され得る。ここで、「実質的に多結晶」とは、完全な多結晶体を意味するのみならず、少量のアモルファスを含む多結晶体をも含むことを意味している。たとえば、光電変換層４は、体積結晶化分率８０％以上の多結晶シリコンで形成され得る。多結晶光電変換層４として、ｎ型層４ｎ，ｉ型層４ｉ，およびｐ型層４ｐが順次堆積される。プラズマＣＶＤ条件としては、たとえば、０．０１〜５Ｔｏｒｒの圧力と５０〜５５０℃の温度の範囲を利用することができる。また、ｎ型層４ｎは、たとえばホスフィン，シラン，および水素を含む混合ガスを用いたプラズマＣＶＤ法によって形成され得る。次に、実質的に真性の半導体であるｉ型層４ｉは、導電型不純物を含まないシランガスと水素との混合ガスを用いたプラズマＣＶＤ法によって堆積される。さらにｐ型半導体層４ｐは、ジボラン，シラン，および水素を含む混合ガスを用いるプラズマＣＶＤ法によって堆積される。
【００１６】・・・・
【００１７】多結晶光電変換層４は約０．５〜２０μｍの範囲内の平均厚さに成長させられ、その自由表面４Ｓは微細な凹凸を含む表面テクスチャ構造を有している。これらの凹凸４Ｓは、Ｖ字状の溝または角錐を含み、光電変換層４の平均厚さの１／２より小さな範囲内で約０．０５〜３μｍの高低差を有している。
【００１８】多結晶光電変換層４上には、さらに、たとえばＩＴＯ（インジウム錫酸化物）のような透明導電性酸化物（ＴＣＯ）層５が透明電極として形成される。
【００１９】図１に示されているような多結晶光電変換層４においては、光が凹凸表面４Ｓで屈折して斜め入射し、さらに界面３Ｓと凹凸表面４Ｓとの間で多重反射を起こすので、実効光学長が増大し、薄膜でありながら大きな光吸収量が得られる。界面４Ｓにおける凹凸の密度や高低差は多結晶光電変換層４のプラズマＣＶＤ条件（温度，圧力，ガス流量，高周波電力等）の調節によって制御することができ、これにより、光電変換層４内で優先的に散乱される光の波長を選択することも可能である。すなわち、長波長の光を多結晶光電変換層４内で優先的に散乱させることにより、特に長波長の光に関する光吸収量を増大させることができる。
【００２０】ここで、光が空気側から固体媒質に入射する場合、光はその波長に近いサイズの表面凹凸構造との強い相互作用によって大きな散乱効果を生じる。シリコンのように高い屈折率ｎを有する媒質内では伝播する光の波長が１／ｎとなるので、光電変換層４の内部から界面３Ｓまたは凹凸表面４Ｓに到達した光がそこで強く散乱されて再び光電変換層４内に閉じ込められるための凹凸のサイズとして、空気中での光の波長を１／ｎ倍したものに相当する範囲が好ましい。したがって、界面３Ｓおよび凹凸表面４Ｓにおける高低差は０．０８〜１μｍの範囲内にあることがより好ましい。
【００２１】また、多結晶シリコン薄膜の厚さがたとえば２μｍの場合、入射光のうちで、そのシリコン薄膜の裏面まで到達してその裏面と表面との間の多重反射で閉じ込められる光は約５００ｎｍ以上の波長を有するものである。他方、シリコンに吸収されて光電変換に実質的な寄与し得る光の波長は長波長側で約１０００ｎｍまでである。ここで、５００〜１０００ｎｍの波長域ではシリコン膜の屈折率ｎは約３．５であるので、光散乱が強くなるための表面テクスチャのさらに好ましい凹凸サイズは、その波長を１／ｎ倍したものの約７５〜１７５％の範囲であって、すなわち０．１〜０．５μｍの範囲が最も好ましい。」
　
　ｂ．「【００３５】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、光吸収係数、特に長波長領域における光吸収係数が改善された薄膜光電変換装置を提供することができ、その薄膜光電変換装置においては大きな短絡電流および高い開放電圧が得られるとともに、高い光電変換効率を得ることができる。」
　
　上記ａ．及びｂ．によれば、引用例２には、次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
　
　「ガラス基板１上に順次積層された下地導電層２、金属反射層３、多結晶光電変換層４、および透明導電層５を含んだ薄膜光電変換装置であって、
　体積結晶化分率８０％以上の多結晶シリコンで形成される多結晶光電変換層４として、ｎ型層４ｎ，ｉ型層４ｉ，およびｐ型層４ｐが順次堆積され、
　多結晶光電変換層４は約０．５〜２０μｍの範囲内の平均厚さに成長させられ、その自由表面４Ｓは微細な凹凸を含む表面テクスチャ構造を有し、これらの凹凸４Ｓは、Ｖ字状の溝または角錐を含み、光電変換層４の平均厚さの１／２より小さな範囲内で約０．０５〜３μｍの高低差を有し、光が凹凸表面４Ｓで屈折して斜め入射し、さらに界面３Ｓと凹凸表面４Ｓとの間で多重反射を起こすので、実効光学長が増大し、薄膜でありながら大きな光吸収量が得られ、
　多結晶シリコン薄膜の厚さがたとえば２μｍの場合、入射光のうちで、そのシリコン薄膜の裏面まで到達してその裏面と表面との間の多重反射で閉じ込められる光は約５００ｎｍ以上の波長を有するものであり、シリコンに吸収されて光電変換に実質的な寄与し得る光の波長は長波長側で約１０００ｎｍまでであり、ここで、５００〜１０００ｎｍの波長域ではシリコン膜の屈折率ｎは約３．５であるので、光散乱が強くなるための表面テクスチャのさらに好ましい凹凸サイズは、その波長を１／ｎ倍したものの約７５〜１７５％の範囲であって、すなわち０．１〜０．５μｍの範囲が最も好ましい、光吸収係数、特に長波長領域における光吸収係数が改善された薄膜光電変換装置。」
　
３　対比
　本願発明と引用発明１とを対比する。
　
　ア　引用発明１の「透明ガラス基板２１」、「透明ガラス基板２１の上側の表面」、「ＩＴＯ」、「電極２７」及び「薄膜半導体太陽電池」は、それぞれ、本願発明の「ガラス基板」、「ガラス基板の第１の主表面」、「透明導電性酸化物層」、「電極層」及び「薄膜光電変換装置」に相当する。
　
　イ　引用発明１における 「透明ガラス基板２１」は、下側にも表面を有することは明らかであり、該下側の表面は、本願発明の「（ガラス基板の）第２の主表面」に相当する。
　
　ウ　引用発明１における「水素を含み高い濃度にドープされた非晶質Ｓｉ薄膜（ｐ型）２３及び同じ導電型（ｐ型）を有する多結晶Ｓｉ薄膜２４」、「ｉ型多結晶Ｓｉ薄膜２５」及び「ドープされた多結晶Ｓｉ薄膜（例えばｎ型）２６」は、それぞれ、本願発明における「ｐ型シリコン層」、「実質的に多結晶シリコンからなるｉ型の光電変換層」及び「ｎ型シリコン層」に相当する。
　
　エ　上記ウから、引用発明１の「ＩＴＯの上に形成された水素を含み高い濃度にドープされた非晶質Ｓｉ薄膜（ｐ型）２３及び同じ導電型（ｐ型）を有する多結晶Ｓｉ薄膜２４と、前記非晶質Ｓｉ薄膜２３及び多結晶Ｓｉ薄膜２４の上に形成されたｉ型多結晶Ｓｉ薄膜２５と、前記ｉ型多結晶Ｓｉ薄膜２５の上に形成されたドープされた多結晶Ｓｉ薄膜（例えばｎ型）２６と」からなる部分が、本願発明の「『透明導電性酸化物層の上に形成されたｐ型シリコン層と、前記ｐ型シリコン層の上に形成された実質的に多結晶シリコンからなるｉ型の光電変換層と、前記光電変換層の上に形成されたｎ型シリコン層とを含』む、『前記透明導電性酸化物層の上に形成された光電変換ユニット』」に相当する。
　
　オ　引用発明１は、「ガラス基板側から入射した太陽光は主としてｉ型多結晶Ｓｉ薄膜２５のｉ層で吸収され電子と正孔対を数多く創り、正孔は電極２２へ、電子は電極２７へ向かつて拡散し、電圧を発生する、薄膜半導体太陽電池」であり、「（ガラス基板の）第２の主表面」（上記イ参照。）から太陽光が入射するのは明らかだから、引用発明１は、「ガラス基板の第２の主表面から光が入射されるタイプの薄膜光電変換装置」であるといえる。
　
　カ　以上アないしオより、本願発明と引用発明１とは、
　「第１と第２の主表面を有するガラス基板と、
　前記ガラス基板の第１の主表面の上に形成された透明導電性酸化物層と、
　前記透明導電性酸化物層の上に形成された光電変換ユニットと、
　前記光電変換ユニットの上に形成された電極層とを備え、
　前記光電変換ユニットは、
　前記透明導電性酸化物層の上に形成されたｐ型シリコン層と、
　前記ｐ型シリコン層の上に形成された実質的に多結晶シリコンからなるｉ型の光電変換層と、
　前記光電変換層の上に形成されたｎ型シリコン層とを含み、
　前記ガラス基板の第２の主表面から光が入射されるタイプの薄膜光電変換装置」
で一致し、以下の点で相違する。
　
＜相違点＞
　透明導電性酸化物層とｐ型シリコン層との界面につき、本願発明は「前記透明導電性酸化物層が１０００ｎｍの波長の光に関して８０％以下の透過率を有する場合に０．１μｍ以上０．２μｍ以下の範囲内に設定された高低差を有する凹凸面を含み、前記透明導電性酸化物層が１０００ｎｍの波長の光に関して８０％以上の透過率を有する場合に０．２μｍ以上０．５μｍ以下の範囲内に設定された高低差を有する凹凸面を含む」ものであるのに対し、引用発明１はそのようなものではない点。
　
４　判断
（１）上記相違点について検討する。
　
　ア　引用発明１は、太陽光を「ｉ型多結晶Ｓｉ薄膜２５のｉ層で吸収」し、「電子と正孔対を数多く創り、正孔は電極２２へ、電子は電極２７へ向かつて拡散し、電圧を発生する、薄膜半導体太陽電池」であるから、前記ｉ層すなわち「ｉ型の光電変換層」を含む「光電変換ユニット」（上記３エ参照。）を、太陽光の吸収をより大きくする構成とすべきことは、当業者には自明の技術的課題である。
　
　イ　しかるところ、引用発明２は、上記２（２）に記載のとおりのものであり、「『ｎ型層４ｎ，ｉ型層４ｉ，およびｐ型層４ｐが順次堆積され』『体積結晶化分率８０％以上の多結晶シリコンで形成される多結晶光電変換層４』」は、本願発明における「『ｐ型シリコン層と、前記ｐ型シリコン層の上に形成された実質的に多結晶シリコンからなるｉ型の光電変換層と、前記光電変換層の上に形成されたｎ型シリコン層とを含』む『光電変換ユニット』」に相当する。
　
　ウ　そして、引用発明２は、「光電変換ユニット」の表面を「微細な凹凸を含む表面テクスチャ構造を有」するものとし、入射光を「『光電変換ユニット』をなすシリコン薄膜の裏面（界面３Ｓ）と表面（凹凸表面４Ｓ）との間の多重反射で閉じ込め」、それにより実効光学長を増大し、薄膜でありながら大きな光吸収量を得るものであると理解できる。
　
　エ　そうすると、引用発明１において、太陽光の吸収をより大きくするために、引用発明２の「光電変換ユニット」の「微細な凹凸を含む表面テクスチャ構造」を適用し、「（光電変換ユニットの太陽光の入射する面、すなわち、表面をなす）透明導電性酸化物層とｐ型シリコン層との界面」を凹凸面となすことは、当業者が容易になし得ることである。
　
　オ　その際、凹凸面の高低差を具体的にどのような大きさにするかは、光吸収量が大きくなるように当業者が適宜設定すべき設計的事項であり、引用発明２における「光散乱が強くなるための表面テクスチャのさらに好ましい凹凸サイズ」は、「５００〜１０００ｎｍの波長域ではシリコン膜の屈折率ｎは約３．５であるので、は、その波長を１／ｎ倍したものの約７５〜１７５％の範囲であって、すなわち０．１〜０．５μｍの範囲」であるから、シリコン膜を用いた引用発明１においても、これと同程度の凹凸サイズすなわち凹凸面の高低差を０．１〜０．５μｍの範囲とすることに、格別の困難があるものとは認められない。
　
　カ　他方、上記凹凸面の高低差につき、本願発明が「透明導電性酸化物層が１０００ｎｍの波長の光に関して８０％以下の透過率を有する場合に０．１μｍ以上０．２μｍ以下の範囲内に設定」及び「透明導電性酸化物層が１０００ｎｍの波長の光に関して８０％以上の透過率を有する場合に０．２μｍ以上０．５μｍ以下の範囲内に設定」することの技術的意義について、本願明細書には以下の記載がある。
　（ア）「【０００９】
　この発明の薄膜光電変換装置において、透明導電性酸化物層とｐ型シリコン層との界面は、０．２μｍ以下の範囲内の高低差を有する凹凸面を含むのが好ましい。
【００１０】
　特に、透過スペクトルから調べた、透明導電性酸化物層における光の吸収が顕著な場合、たとえば、長波長（１０００ｎｍの波長）における光の透過率が８０％以下の場合、透明導電性酸化物層とｐ型シリコン層との界面での凹凸面の高低差を０．２μｍ以下の範囲内に限定することにより、光電変換に寄与しない光の吸収、すなわち寄生的な光の吸収を抑制することができる。このようにして、透明導電性酸化物層における光吸収が顕著な場合にも、表面テクスチャ構造として凹凸面の高低差を最適化することにより、光閉じ込め効果を増加させることができ、光電変換効率を改善することができる。
【００１１】
　なお、透明導電性酸化物層における光吸収が逆に小さい場合、たとえば、長波長（１０００ｎｍの波長）における光の透過率が８０％を超える場合、透明導電性酸化物層とｐ型シリコン層との界面における凹凸面の高低差は０．５μｍ以下であれば、光電変換効率の改善に寄与する光閉じ込め効果を得ることができる。」
　（イ）「【００３０】
　図２は、透明導電性酸化物層２の形成温度を変更することにより、光の透過率を適宜調整した３種類の透明導電性酸化物層ａ、ｂ、ｃの透過特性を示すグラフである。このグラフにおいて、透明導電性酸化物層ａは長波長（１０００ｎｍの波長）において８０％以下の透過率を示し、それ以外の透明導電性酸化物層ｂとｃは８０％以上の透過率を長波長（１０００ｎｍの波長）において示す。
【００３１】
　図３は、図２に示される透明導電性酸化物層ａを用いて、透明導電性酸化物層２とｐ型のシリコン層３ｐ（図１を参照）との間の界面２Ｓにおける凹凸面の高低差（深さ）を種々変更することによって得られた光電変換装置の外部量子効率（単位なし）を示すグラフである。図３から明らかなように、凹凸面の高低差が０．５μｍの透明導電性酸化物層ａ１では、６００ｎｍを超える長波長領域で分光感度が悪くなっているのに対し、凹凸面の高低差が０．２μｍの透明導電性酸化物層ａ２、０．１μｍの透明導電性酸化物層ａ３では、６００ｎｍを超えた長波長領域での分光感度は良好であることがわかる。この結果、透明導電性酸化物層における光吸収が顕著な場合、たとえば光の透過率が８０％以下の場合（図２における曲線ａ）、透明導電性酸化物層２とｐ型シリコン層３ｐの界面２Ｓでは、凹凸面の高低差が０．２μｍ以下であれば、良好な分光感度を得ることができることがわかる。
【００３２】
　図４は、図１において透明導電性酸化物層の光吸収が小さい場合、たとえば長波長（１０００ｎｍの波長）での光透過率が８０％以上の場合（図２の曲線ｂとｃ）について透明導電性酸化物層２とｐ型シリコン層３ｐとの界面２Ｓにおける凹凸面の高低差を変更することによって薄膜光電変換装置の外部量子効率を調べた結果を示している。図４から明らかなように、凹凸面の高低差が０．８μｍの透明導電性酸化物層ｃのとき、曲線ｃ２で示すように分光感度が悪くなっているのに対し、凹凸面の高低差が０．５μｍの場合には、曲線ｃ１で示すように分光感度が良好である。また、凹凸面の高低差が０．２μｍの透明導電性酸化物層ｂの場合には、曲線ｂで示すように良好な分光感度が得られている。このことから、透明導電性酸化物層の吸収が小さい場合、凹凸面の高低差が０．５μｍ以下であれば、良好な分光感度を得ることができることがわかる。」
　
　キ　上記カから、本願明細書には以下の事項が記載されていると認められる。
　（ア）透明導電性酸化物層が１０００ｎｍの波長の光に関して８０％以下の透過率である図２の曲線ａで示される透過特性を有し、凹凸面の高低差が０．５μｍの場合、６００ｎｍを超える長波長領域で分光感度が悪いこと。
　（イ）透明導電性酸化物層が１０００ｎｍの波長の光に関して８０％以下の透過率である図２の曲線ａで示される透過特性を有し、凹凸面の高低差が０．２μｍ、０．１μｍの場合、６００ｎｍを超えた長波長領域での分光感度は良好であること。
　（ウ）透明導電性酸化物層が１０００ｎｍの波長の光に関して８０％以上の透過率である図２の曲線ｃで示される透過特性を有し、凹凸面の高低差が０．８μｍの場合、分光感度が悪くなること。
　（エ）透明導電性酸化物層が１０００ｎｍの波長の光に関して８０％以上の透過率である図２の曲線ｃで示される透過特性を有し、凹凸面の高低差が０．５μｍの場合、分光感度が良好であること。
　（オ）透明導電性酸化物層が１０００ｎｍの波長の光に関して８０％以上の透過率である図２の曲線ｂで示される透過特性を有し、凹凸面の高低差が０．２μｍの場合、分光感度が良好であること。
　
　ク　上記キ（ア）ないし（オ）によれば、凹凸面の高低差が０．１μｍ、０．２μｍ、０．５μｍ及び０．８μｍのとき、分光感度が良好なものと悪いものがあって、これらのうち、該高低差が０．１μｍで透明導電性酸化物層の分光特性が図２の曲線ａで表されるもの、該高低差が０．２μｍで透明導電性酸化物層の分光特性が曲線ａまたはｂで表されるもの、及び、該高低差が０．５μｍで透明導電性酸化物層の分光特性が曲線ｃで表されるものが、分光感度が良好であったことを示すものと理解される。
　
　ケ　しかし、本願明細書には、分光感度に対する「透明導電性酸化物層の１０００ｎｍの波長の光に関する透過率」及び「凹凸面の高低差」の一般的な相関関係が理解できるほどの実験例が記載されているとは認められない。まして、「透明導電性酸化物層が１０００ｎｍの波長の光に関して８０％以下の透過率を有する場合に０．１μｍ以上０．２μｍ以下の範囲内に設定」及び「透明導電性酸化物層が１０００ｎｍの波長の光に関して８０％以上の透過率を有する場合に０．２μｍ以上０．５μｍ以下の範囲内に設定」することに格別の臨界的意義を認める記載があるものとは認められない。
　
　コ　してみると、本願発明における上記凹凸面の高低差を「透明導電性酸化物層が１０００ｎｍの波長の光に関して８０％以下の透過率を有する場合に０．１μｍ以上０．２μｍ以下の範囲内に設定」及び「透明導電性酸化物層が１０００ｎｍの波長の光に関して８０％以上の透過率を有する場合に０．２μｍ以上０．５μｍ以下の範囲内に設定」することは、透明導電性酸化物層の光吸収量（ないし分光感度）が大きくなるように、透明導電性酸化物層の凹凸面の高低差を適宜設定し、その結果分光感度が良好になったものにおいて、そこに用いられた透明導電性酸化物層の分光特性が上記曲線ａ〜ｃのいずれのものであったかを調べて、分類した結果を示すにとどまるものであって、設計的事項以上の技術的意義を生じるものということはできない。
　
　サ　以上の検討によれば、引用発明１に引用発明２を適用し、上記相違点に係る本願発明の構成となすことは、当業者が容易になし得ることというべきである。
　
 ５　むすび 
　以上の検討によれば、本願発明は、引用例１及び引用例２に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　
　よって、結論のとおり審決する。