【事件の表示】
　特願２００１−５６９５５６「スピンコーティングの際に臨界サイズを二次元適応プロセス制御する方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　９月２７日国際公開、ＷＯ０１／７１４２５、平成１５年　９月２４日国内公表、特表２００３−５２８４５４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　
第１　手続の経緯
　本願は２００１年３月２日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０００年３月２０日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成１８年１１月２１日付けで拒絶の理由が通知され、平成１９年５月７日付けで意見書及び手続補正書が提出されたが、平成１９年６月１４日付けで拒絶の査定がされたため、これを不服として平成１９年９月１３日付けで本件審判請求がされるとともに、平成１９年１０月１１日付けで手続補正（以下、「本件補正」という。）がなされたものである。
　
　
第２　補正の却下の決定
　
［補正の却下の決定の結論］
　平成１９年１０月１１日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正は、平成１９年５月７日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲についての
　
「【請求項１】　基材上にある高分子材料を乾燥する方法であって、
　高分子材料の温度及び基材付近の周囲温度を測定し、該周囲温度は、基材プロセス位置中で基材にできる限り近く、基材プロセス位置から垂直方向に離れて測定され、
　基材温度を決定し、
　測定した周囲温度の変動を検出し、
　測定した周囲温度の検出した変動に応じて基材温度、高分子材料の温度及び基材乾燥スピン速度の少なくとも１つを調整する
ことを含む、方法。
　　【請求項２】　与えられた高分子材料について、高分子材料の温度が周囲温度の一次関数である、請求項１に記載の方法。
　　【請求項３】　与えられた高分子材料について、高分子材料の温度が第一定数×周囲温度の一次関数＋第二定数である、請求項１に記載の方法。
　　【請求項４】　与えられた高分子材料について、基材乾燥スピン速度が周囲温度の二次関数である、請求項１に記載の方法。
　　【請求項５】　与えられた高分子材料について、基材乾燥スピン速度が第一定数×周囲温度の二次関数＋第二定数×周囲温度＋第三定数である、請求項１に記載の方法。
　　【請求項６】　前記高分子材料がレジスト材料である、請求項１に記載の方法。
　　【請求項７】　基材と熱的に接合した基材支持体の温度を測定することによって基材温度を検出する、請求項１に記載の方法。
　　【請求項８】　IRセンサー、音響センサー、光学センサー、熱電対及び抵抗温度装置の1つによって基材温度を検出する、請求項１に記載の方法。
　　【請求項９】　高分子材料の温度を直接測定することによって、又は高分子材料の温度を制御するために使用される流体媒体の温度を測定することによって、高分子材料の温度を検出する、請求項１に記載の方法。
　　【請求項１０】　高分子材料を基材表面に施す前に目的の値からの周囲温度の変動を測定する、請求項１に記載の方法。
　　【請求項１１】　さらに、測定した周囲温度の検出した変動に応じて基材温度、高分子材料の温度、周囲温度及び基材乾燥スピン速度の少なくとも1つを調整した後に高分子材料を基材表面に供給することを含む請求項１に記載の方法。
　　【請求項１２】　周囲温度を測定するときの基材プロセス位置からの垂直方向の距離が０．１インチ〜５０インチである、請求項１に記載の方法。
　　【請求項１３】　基材が半導体ウエハである、請求項１に記載の方法。
　　【請求項１４】　高分子材料を基材に供給する前に基材温度を検出し、高分子材料の温度及び周囲温度を測定する、請求項１に記載の方法。
　　【請求項１５】　基材上に存在する高分子材料を乾燥する方法であって、
　高分子材料の温度及び基材付近の周囲温度を測定し、該周囲温度は、基材プロセス位置から垂直方向に離れたそのプロセス位置中、できる限り基材に近く測定され、
　基材温度を決定し、
　測定した周囲温度の変動を検出し、
　測定した周囲温度の検出した変動に応じて基材温度、高分子材料の温度及び基材乾燥スピン速度の少なくとも２つを調整する
ことを含む、方法。
　　【請求項１６】　さらに、測定した周囲温度の検出した変動に応じて基材温度、高分子材料の温度、及び基材乾燥スピン速度の少なくとも２つを調整した後に高分子材料を基材表面に供給することを含む請求項１５に記載の方法。
　　【請求項１７】　基材表面に存在する高分子材料を乾燥する方法であって、
　高分子材料の温度及び基材付近の周囲温度を測定し、該周囲温度は、基材プロセス位置中で基材にできる限り近く、基材プロセス位置から垂直方向に離れて測定され、
　基材温度を決定し、
　決定した基材温度の変動を検出し、
　決定した基材温度の検出した変動に応じて高分子材料の温度、周囲温度及び基材乾燥スピン速度の少なくとも１つを調整する
ことを含む、方法。
　　【請求項１８】　与えられた高分子材料について、高分子材料の温度が周囲温度の一次関数である、請求項１７に記載の方法。
　　【請求項１９】　与えられた高分子材料について、高分子材料の温度が、第一定数×周囲温度の一次関数＋第二定数である、請求項１７に記載の方法。
　　【請求項２０】　与えられた高分子材料について、基材乾燥スピン温度が周囲温度の二次関数である、請求項１７に記載の方法。
　　【請求項２１】　与えられた高分子材料について、前記基材の乾燥スピン温度が、第一定数×周囲温度の二次関数＋第二定数×周囲温度＋第三定数である、請求項１７に記載の方法。
　　【請求項２２】　前記高分子材料がレジスト材料である、請求項１７に記載の方法。
　　【請求項２３】　基材と熱的に接合した基材支持体の温度を測定することによって基材温度を検出する、請求項１７に記載の方法。
　　【請求項２４】　IRセンサー、音響センサー、光学センサー、熱電対及び抵抗温度装置の１つによって基材温度を検出する、請求項１７に記載の方法。
　　【請求項２５】　高分子材料の温度の一つを直接測定することによって、又は高分子材料の温度を制御するために使用される流体媒体の温度を測定することによって、高分子材の料温度を検出する、請求項１７に記載の方法。
　　【請求項２６】　さらに、決定した基材温度の検出した変動に応じて周囲温度、高分子材料の温度及び基材乾燥スピン速度の少なくとも１つを調整した後に高分子材料を基材表面に供給することを含む請求項１７に記載の方法。
　　【請求項２７】　基材表面に高分子材料を施す前に基材温度の変動を決定する、請求項１７に記載の方法。
　　【請求項２８】　周囲温度を測定するときの基材プロセス位置からの垂直方向の距離が０．１インチ〜５０インチである、請求項１７に記載の方法。
　　【請求項２９】　基材が半導体ウエハである、請求項１７に記載の方法。
　　【請求項３０】　高分子材料を基材に供給する前に基材温度を検出し、高分子材料の温度及び周囲温度を測定する、請求項１７に記載の方法。
　　【請求項３１】　基材表面上に存在する高分子材料を乾燥する方法であって、
　高分子材料の温度及び基材付近の周囲温度を測定し、該周囲温度は、基材プロセス位置中で基材にできる限り近く、基材プロセス位置から垂直方向に離れて測定され、
　基材温度を決定し、
　決定した基材温度の変動を検出し、
　決定した基材温度の検出した前記変動に応じて高分子材料の温度、周囲温度及び基材乾燥スピン速度の少なくとも２つを調整することを含む前記方法。
　　【請求項３２】　さらに、決定した基材温度の検出した変動に応じて周囲温度、高分子材料の温度及び基材乾燥スピン速度の少なくとも２つを調整した後に高分子材料を基材表面に供給することを含む請求項３１に記載の方法。
　　【請求項３３】　基材表面上に存在する高分子材料を乾燥する方法であって、
　高分子材料の温度及び基材付近の周囲温度を測定し、該周囲温度は、基材プロセス位置中で基材にできる限り近く、基材プロセス位置から垂直方向に離れて測定され、
　基材温度を決定し、
　測定した高分子材料の温度の変動を検出し、
　測定した高分子材料の温度の検出した変動に応じて基材温度、周囲温度及び基材乾燥スピン速度の少なくとも１つを調整することを含む前記方法。
　　【請求項３４】　与えられた高分子材料について、高分子材料の温度が周囲温度の一次関数である、請求項３３に記載の方法。
　　【請求項３５】　与えられた高分子材料について、高分子材料の温度が第一定数×周囲温度の一次関数＋第二定数である、請求項３３に記載の方法。
　　【請求項３６】　与えられた高分子材料について、基材乾燥スピン速度が周囲温度の二次関数である、請求項３３に記載の方法。
　　【請求項３７】　与えられた高分子材料について、基材乾燥スピン速度が第一定数×周囲温度の二次関数＋第二定数×周囲温度＋第三定数である、請求項３３に記載の方法。
　　【請求項３８】　高分子材料がレジスト材料である、請求項３３に記載の方法。
　　【請求項３９】　基材と熱的に接合した基材支持体の温度を測定することによって基材温度を検出する、請求項３３に記載の方法。
　　【請求項４０】　IRセンサー、音響センサー、光学センサー、熱電対及び抵抗温度装置の１つによって基材温度を検出する、請求項３３に記載の方法。
　　【請求項４１】　高分子材料の温度の１つを直接測定することによって、又は高分子材料の温度を制御するために使用される流体媒体の温度を測定することによって、高分子材料の温度を検出する、請求項３３に記載の方法。
　　【請求項４２】　高分子材料を基材表面に施す前に高分子材料の温度の変動を測定する、請求項３３に記載の方法。
　　【請求項４３】　さらに、測定した高分子材料の温度の検出した変動に応じて基材温度、高分子材料の温度、周囲温度及び基材乾燥スピン速度の少なくとも１つを調整した後に高分子材料を基材表面に供給することを含む請求項３３に記載の方法。
　　【請求項４４】　周囲温度を測定するときの基材プロセス位置からの垂直方向の距離が０．１インチ〜５０インチである、請求項３３に記載の方法。
　　【請求項４５】　基材が半導体ウエハである、請求項３３に記載の方法。
　　【請求項４６】　高分子材料を基材に供給する前に基材温度を検出し、高分子材料の温度及び周囲温度を測定する、請求項３３に記載の方法。
　　【請求項４７】　基材表面上に存在する高分子材料を乾燥する方法であって、
　高分子材料の温度及び基材付近の周囲温度を測定し、該周囲温度は、基材プロセス位置中で基材にできる限り近く、基材プロセス位置から垂直方向に離れて測定され、
　基材温度を決定し、
　測定した高分子材料の温度の変動を検出し、
　測定した高分子材料の温度の検出した変動に応じて基材温度、周囲温度及び基材乾燥スピン速度の少なくとも２つを調整することを含む前記方法。
　　【請求項４８】　さらに、測定した高分子材料の温度の検出した変動に応じて基材温度、周囲温度及び基材乾燥スピン速度の少なくとも２つを調整した後に高分子材料を基材表面に供給することを含む請求項４７に記載の方法。」
　
の記載を、
　
「【請求項１】　基材上にある高分子材料を乾燥する方法であって、
　高分子材料の温度及び基材付近の周囲温度を測定し、該周囲温度は、基材プロセス位置中で基材にできる限り近く、基材プロセス位置から垂直方向に離れて測定され、
　基材温度を決定し、
　測定した周囲温度の変動を検出し、
　測定した周囲温度の検出した変動に応じて基材温度、高分子材料の温度及び基材乾燥スピン速度の少なくとも１つを調整して、第１の制御限界内で高分子材料の二次元プロファイルの均一性を制御し且つ第２の制御限界内で高分子材料の平均膜厚を制御する
ことを含む、方法。
　　【請求項２】　与えられた高分子材料について、高分子材料の温度が周囲温度の一次関数である、請求項１に記載の方法。
　　【請求項３】　与えられた高分子材料について、高分子材料の温度が第一定数×周囲温度の一次関数＋第二定数である、請求項１に記載の方法。
　　【請求項４】　与えられた高分子材料について、基材乾燥スピン速度が周囲温度の二次関数である、請求項１に記載の方法。
　　【請求項５】　与えられた高分子材料について、基材乾燥スピン速度が第一定数×周囲温度の二次関数＋第二定数×周囲温度＋第三定数である、請求項１に記載の方法。
　　【請求項６】　前記高分子材料がレジスト材料である、請求項１に記載の方法。
　　【請求項７】　基材と熱的に接合した基材支持体の温度を測定することによって基材温度を検出する、請求項１に記載の方法。
　　【請求項８】　IRセンサー、音響センサー、光学センサー、熱電対及び抵抗温度装置の1つによって基材温度を検出する、請求項１に記載の方法。
　　【請求項９】　高分子材料の温度を直接測定することによって、又は高分子材料の温度を制御するために使用される流体媒体の温度を測定することによって、高分子材料の温度を検出する、請求項１に記載の方法。
　　【請求項１０】　高分子材料を基材表面に施す前に目的の値からの周囲温度の変動を測定する、請求項１に記載の方法。
　　【請求項１１】　さらに、測定した周囲温度の検出した変動に応じて基材温度、高分子材料の温度、周囲温度及び基材乾燥スピン速度の少なくとも１つを調整した後に高分子材料を基材表面に供給することを含む請求項１に記載の方法。
　　【請求項１２】　周囲温度を測定するときの基材プロセス位置からの垂直方向の距離が０．１インチ〜５０インチである、請求項１に記載の方法。
　　【請求項１３】　基材が半導体ウエハである、請求項１に記載の方法。
　　【請求項１４】　高分子材料を基材に供給する前に基材温度を検出し、高分子材料の温度及び周囲温度を測定する、請求項１に記載の方法。
　　【請求項１５】　基材上に存在する高分子材料を乾燥する方法であって、
　高分子材料の温度及び基材付近の周囲温度を測定し、該周囲温度は、基材プロセス位置から垂直方向に離れたそのプロセス位置中、できる限り基材に近く測定され、
　基材温度を決定し、
　測定した周囲温度の変動を検出し、
　測定した周囲温度の検出した変動に応じて基材温度、高分子材料の温度及び基材乾燥スピン速度の少なくとも２つを調整して、第１の制御限界内で高分子材料の二次元プロファイルの均一性を制御し且つ第２の制御限界内で高分子材料の平均膜厚を制御する
ことを含む、方法。
　　【請求項１６】　さらに、測定した周囲温度の検出した変動に応じて基材温度、高分子材料の温度、及び基材乾燥スピン速度の少なくとも２つを調整した後に高分子材料を基材表面に供給することを含む請求項１５に記載の方法。
　　【請求項１７】　基材表面に存在する高分子材料を乾燥する方法であって、
　高分子材料の温度及び基材付近の周囲温度を測定し、該周囲温度は、基材プロセス位置中で基材にできる限り近く、基材プロセス位置から垂直方向に離れて測定され、
　基材温度を決定し、
　決定した基材温度の変動を検出し、
　決定した基材温度の検出した変動に応じて高分子材料の温度、周囲温度及び基材乾燥スピン速度の少なくとも１つを調整して、第１の制御限界内で高分子材料の二次元プロファイルの均一性を制御し且つ第２の制御限界内で高分子材料の平均膜厚を制御する
ことを含む、方法。
　　【請求項１８】　与えられた高分子材料について、高分子材料の温度が周囲温度の一次関数である、請求項１７に記載の方法。
　　【請求項１９】　与えられた高分子材料について、高分子材料の温度が、第一定数×周囲温度の一次関数＋第二定数である、請求項１７に記載の方法。
　　【請求項２０】　与えられた高分子材料について、基材乾燥スピン温度が周囲温度の二次関数である、請求項１７に記載の方法。
　　【請求項２１】　与えられた高分子材料について、前記基材の乾燥スピン温度が、第一定数×周囲温度の二次関数＋第二定数×周囲温度＋第三定数である、請求項１７に記載の方法。
　　【請求項２２】　前記高分子材料がレジスト材料である、請求項１７に記載の方法。
　　【請求項２３】　基材と熱的に接合した基材支持体の温度を測定することによって基材温度を検出する、請求項１７に記載の方法。
　　【請求項２４】　IRセンサー、音響センサー、光学センサー、熱電対及び抵抗温度装置の１つによって基材温度を検出する、請求項１７に記載の方法。
　　【請求項２５】　高分子材料の温度の一つを直接測定することによって、又は高分子材料の温度を制御するために使用される流体媒体の温度を測定することによって、高分子材の料温度を検出する、請求項１７に記載の方法。
　　【請求項２６】　さらに、決定した基材温度の検出した変動に応じて周囲温度、高分子材料の温度及び基材乾燥スピン速度の少なくとも１つを調整した後に高分子材料を基材表面に供給することを含む請求項１７に記載の方法。
　　【請求項２７】　基材表面に高分子材料を施す前に基材温度の変動を決定する、請求項１７に記載の方法。
　　【請求項２８】　周囲温度を測定するときの基材プロセス位置からの垂直方向の距離が０．１インチ〜５０インチである、請求項１７に記載の方法。
　　【請求項２９】　基材が半導体ウエハである、請求項１７に記載の方法。
　　【請求項３０】　高分子材料を基材に供給する前に基材温度を検出し、高分子材料の温度及び周囲温度を測定する、請求項１７に記載の方法。
　　【請求項３１】　基材表面上に存在する高分子材料を乾燥する方法であって、
　高分子材料の温度及び基材付近の周囲温度を測定し、該周囲温度は、基材プロセス位置中で基材にできる限り近く、基材プロセス位置から垂直方向に離れて測定され、
　基材温度を決定し、
　決定した基材温度の変動を検出し、
　決定した基材温度の検出した前記変動に応じて高分子材料の温度、周囲温度及び基材乾燥スピン速度の少なくとも２つを調整して、第１の制御限界内で高分子材料の二次元プロファイルの均一性を制御し且つ第２の制御限界内で高分子材料の平均膜厚を制御する
ことを含む、方法。
　　【請求項３２】　さらに、決定した基材温度の検出した変動に応じて周囲温度、高分子材料の温度及び基材乾燥スピン速度の少なくとも２つを調整した後に高分子材料を基材表面に供給することを含む請求項３１に記載の方法。
　　【請求項３３】　基材表面上に存在する高分子材料を乾燥する方法であって、
　高分子材料の温度及び基材付近の周囲温度を測定し、該周囲温度は、基材プロセス位置中で基材にできる限り近く、基材プロセス位置から垂直方向に離れて測定され、
　基材温度を決定し、
　測定した高分子材料の温度の変動を検出し、
　測定した高分子材料の温度の検出した変動に応じて基材温度、周囲温度及び基材乾燥スピン速度の少なくとも１つを調整して、第１の制御限界内で高分子材料の二次元プロファイルの均一性を制御し且つ第２の制御限界内で高分子材料の平均膜厚を制御する
ことを含む、方法。
　　【請求項３４】　与えられた高分子材料について、高分子材料の温度が周囲温度の一次関数である、請求項３３に記載の方法。
　　【請求項３５】　与えられた高分子材料について、高分子材料の温度が第一定数×周囲温度の一次関数＋第二定数である、請求項３３に記載の方法。
　　【請求項３６】　与えられた高分子材料について、基材乾燥スピン速度が周囲温度の二次関数である、請求項３３に記載の方法。
　　【請求項３７】　与えられた高分子材料について、基材乾燥スピン速度が第一定数×周囲温度の二次関数＋第二定数×周囲温度＋第三定数である、請求項３３に記載の方法。
　　【請求項３８】　高分子材料がレジスト材料である、請求項３３に記載の方法。
　　【請求項３９】　基材と熱的に接合した基材支持体の温度を測定することによって基材温度を検出する、請求項３３に記載の方法。
　　【請求項４０】　IRセンサー、音響センサー、光学センサー、熱電対及び抵抗温度装置の１つによって基材温度を検出する、請求項３３に記載の方法。
　　【請求項４１】　高分子材料の温度の１つを直接測定することによって、又は高分子材料の温度を制御するために使用される流体媒体の温度を測定することによって、高分子材料の温度を検出する、請求項３３に記載の方法。
　　【請求項４２】　高分子材料を基材表面に施す前に高分子材料の温度の変動を測定する、請求項３３に記載の方法。
　　【請求項４３】　さらに、測定した高分子材料の温度の検出した変動に応じて基材温度、高分子材料の温度、周囲温度及び基材乾燥スピン速度の少なくとも１つを調整した後に高分子材料を基材表面に供給することを含む請求項３３に記載の方法。
　　【請求項４４】　周囲温度を測定するときの基材プロセス位置からの垂直方向の距離が０．１インチ〜５０インチである、請求項３３に記載の方法。
　　【請求項４５】　基材が半導体ウエハである、請求項３３に記載の方法。
　　【請求項４６】　高分子材料を基材に供給する前に基材温度を検出し、高分子材料の温度及び周囲温度を測定する、請求項３３に記載の方法。
　　【請求項４７】　基材表面上に存在する高分子材料を乾燥する方法であって、
　高分子材料の温度及び基材付近の周囲温度を測定し、該周囲温度は、基材プロセス位置中で基材にできる限り近く、基材プロセス位置から垂直方向に離れて測定され、
　基材温度を決定し、
　測定した高分子材料の温度の変動を検出し、
　測定した高分子材料の温度の検出した変動に応じて基材温度、周囲温度及び基材乾燥スピン速度の少なくとも２つを調整して、第１の制御限界内で高分子材料の二次元プロファイルの均一性を制御し且つ第２の制御限界内で高分子材料の平均膜厚を制御する
ことを含む、方法。
　　【請求項４８】　さらに、測定した高分子材料の温度の検出した変動に応じて基材温度、周囲温度及び基材乾燥スピン速度の少なくとも２つを調整した後に高分子材料を基材表面に供給することを含む請求項４７に記載の方法。」
　
と補正することを含むものである。
　
２　本件補正の適否の検討
（１）目的要件（平成１８年改正前の特許法第１７条の２第４項）についての検討
　本件補正における請求項１乃至４８についての補正のうち、本件補正前の旧請求項１における「測定した周囲温度の検出した変動に応じて基材温度、高分子材料の温度及び基材乾燥スピン速度の少なくとも１つを調整する」ことを「測定した周囲温度の検出した変動に応じて基材温度、高分子材料の温度及び基材乾燥スピン速度の少なくとも１つを調整して、第１の制御限界内で高分子材料の二次元プロファイルの均一性を制御し且つ第２の制御限界内で高分子材料の平均膜厚を制御する」こととする補正は、「測定した周囲温度の検出した変動に応じて」行う「基材温度、高分子材料の温度及び基材乾燥スピン速度の少なくとも１つ」の「調整」を、「第１の制御限界内で高分子材料の二次元プロファイルの均一性を制御し且つ第２の制御限界内で高分子材料の平均膜厚を制御する」との態様で行うという前記「調整」
の態様を限定するものであるから、平成１８年改正前の特許法第１７条の２第４項第２号における「特許請求の範囲の減縮」を目的とする補正に当たる。
　また、本件補正における請求項１５，１７，３１，３３，４７についての補正も、同様に、「調整」の態様を限定する補正であるから、平成１８年改正前の特許法第１７条の２第４項第２号における「特許請求の範囲の減縮」を目的とする補正に当たる。
　したがって、本件補正は、同法第１７条の２第４項の規定に適合する。
　
（２）独立特許要件についての検討
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下、「補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるかどうか、すなわち、平成１８年改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定する要件を満たすか否かについて、検討する。
　
ア　補正発明の認定
　補正発明は、本件補正により補正された明細書の特許請求の範囲【請求項１】に記載された事項によって特定される次のとおりのものと認める。
　
「基材上にある高分子材料を乾燥する方法であって、
　高分子材料の温度及び基材付近の周囲温度を測定し、該周囲温度は、基材プロセス位置中で基材にできる限り近く、基材プロセス位置から垂直方向に離れて測定され、
　基材温度を決定し、
　測定した周囲温度の変動を検出し、
　測定した周囲温度の検出した変動に応じて基材温度、高分子材料の温度及び基材乾燥スピン速度の少なくとも１つを調整して、第１の制御限界内で高分子材料の二次元プロファイルの均一性を制御し且つ第２の制御限界内で高分子材料の平均膜厚を制御する
ことを含む、方法。」　
　
イ　引用刊行物の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平５−２７７７号公報（以下、「引用例１」という。）には、以下の（ア）〜（オ）の記載が図示とともにある。
　
（ア）「【請求項１】ガラス原盤上へのレジストコート方法においてコート中のチャンバー内の温湿度、ガラス原盤の温度、レジストの温度、シンナーの蒸発量の変動をセンサーで感知してコーター回転数を膜厚が一定になるように自動制御してコートすることを特徴とするレジストコート方法。」
　
（イ）「【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光メモリー用として使用される光ディスク用スタンパの製作工程のレジストコート方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の光メモリー製造用レジストコート方法は、スピンコーターの周辺、およびチャンバー内の温度、湿度を管理してコートする方法であった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前述の従来技術のように温度および湿度を高い精度で管理することは非常に困難であり、同一回転数、同一回転時間でコートしても膜厚にばらつきがでてしまう。さらに、このような高精度な温度、湿度管理システムは非常に高価であるという問題点を有している。そこで、本発明はこのような問題点を解決するもので、その目的とするところは、コート中のチャンバー内の温湿度、ガラス原盤の温度、レジストの温度、シンナーの蒸発量の変動をセンサーで感知してコーターの回転数を膜厚が一定になるように自動制御してレジストコートする方法を提供することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明のレジストコート方法はガラス原盤上へのレジストコート方法において、チャンバー内の温度湿度、ガラス原盤とレジストの温度および、シンナーの蒸発量の変動をセンサーで感知してスピンコーターの回転数を変化させて膜厚を一定にコントロールすることを特徴とする。」
　
（ウ）「【０００５】
【実施例】
（実施例１）図１は本発明の実施例１における光メモリー用レジストコート方法の概略図である。
【０００６】以下に、本発明の実施例１を図面にもとづいて説明する。
【０００７】図１において環境温度の管理されていない雰囲気で１１４０Åの膜厚のコートを行なった。（湿度、シンナーの蒸発量は一定とする）ガラス原盤、チャンバー内、およびレジストの温度を温度（審決注：「湿度」は明らかな誤記である。）センサー（５〜７）でモニターし、それぞれの温度から１１４０Åの膜厚をうるための最適なコーターの回転数をコンピューターではじき出し、その回転数で回転するように、信号をコーターのモータに送る。上記３ヶ所の温度と、１１４０Åをうるためのコーターの回転数は表１のとうりであった。このように、コート中のガラス原盤、チャンバー内、レジストの温度を常にモニターし、温度の変動に対し、スピンコーターの回転数を自動制御することにより、今まで±５％程度の膜厚のばらつきがあったものが、±１％程度のばらつきに抑えることができた。この結果、歩留りが８０％から９８％まで上がった。」
　
（エ）【表１】には、回転数の単位がｒｐｍであることが記載されている。
（オ）「【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光メモリー用レジストコート方法のチャンバー内概略図。
【符号の説明】
１  チャンバー
２  ターンテーブル
３  ガラス原盤
４  ノズル
５  チャンバー内温度センサー
６  レジスト液温センサー
７  ガラス原盤温度センサー
８  チャンバー内湿度センサー
９  シンナー蒸発度センサー」
　
　また、原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平２−３０７５６６号公報（以下、「引用例２」という。）には、以下の（カ）〜（コ）の記載が図示とともにある。
　
（カ）「回転塗布する装置において、回転塗布雰囲気の温度及び湿度の少なくとも一方の条件により塗布液の温度を制御する手段を設けたことを特徴とする塗布装置。」（第１頁左欄第５〜８行）
　
（キ）「［産業上の利用分野］
　本発明は塗布装置に関する。
［従来の技術及び発明が解決すべき課題］
　塗布装置には次のようなものがある。
　半導体集積回路製造のウェハ処理工程の中で薄膜の所望のパターンを得るため、ウェハ上に形成された薄膜上に所望のパターンに作成した金属薄膜等でマスクを作成し、その上に感光性のレジストを塗布した後露光し現像を行っている。このレジストを塗布する塗布工程は高品質な半導体を形成するために均一な塗布膜を形成することが必要条件である。そのため、一定量のレジスト液を供給する機構によりウェハ上に設置されたノズルよりレジストを滴下させ、ウェハを吸着等で固定したチャックをチャックを包囲するカップ内で高速回転させて塗布を行うスピンコータがある。
　ここでレジスト塗布膜の膜厚は、レジスト液の粘度及び温度、ウェハの温度、あるいはウェハの回転数、周囲の温度・湿度等の環境により相互に影響を受けるものであることが判明してきた。そのため、現況はこれらの各パラメータをウェハチャックを包囲するカップ内の条理条件を一定条件にコントロールして膜厚の精度を確保している。しかし、一定条件にコントロールするための温度・湿度調整設備はコストが高くなり、又、各パラメータは相互に関連性があり、最適条件設定が困難であった。
　本発明は以上のような欠点を解消するためになされたもので、非常に均一な膜を塗布できる塗布装置を提供することを目的とする。」（第１頁左欄第１０行〜第１頁右欄第１９行）
　
（ク）「［課題を解決するための手段］
　上記の目的を達成するため本発明のレジスト塗布装置は、回転塗布する装置において、回転塗布雰囲気の温度及び湿度の少なくとも一方の条件により塗布液の温度を制御する。
［作用］
　本発明の塗布装置は、回転塗布中の環境温度、湿度に応じて塗布液の温度例えばノズルから供給されるノズルの温度を制御することにより膜厚を均一化するものである。環境温度が高いと塗布膜たとえばレジスト膜厚はたとえばウェハ周辺部で厚く、中央部で薄くなり、環境温度が低い場合レジストは逆に延伸され難く、中央部が厚く周辺部が薄くなる。」（第１頁右欄第２０行〜第２頁左上欄第１３行）
　
（ケ）「［実施例］
　本発明の塗布装置をレジスト塗布装置に適用した一実施例を図面を参照して説明する。
　第１図に図示のレジスト塗布装置は、真空吸着等によってウェハＷを載置固定し、モータ（回転駆動機構）１の回転軸に固定される上面円板状チャック２の円板中心部の上方に吐出ノズル（ノズル）３が設けられる。吐出ノズル３はロットの切れ目等で吐出ノズル３からのディスペンスが所定時間実行されない場合、吐出ノズル３先端でレジスト液が長時間空気と接触されることにより固まってしまうことがあるのでダミーディスペンスを実行する必要があり、吐出ノズル３をチャック２上方から外側位置に退避させるため、スキャナー４により移動自在となっている。この吐出ノズル３が接続されるレジストの供給装置であるレジスト供給系５はレジスト収納容器６に収納されたレジスト７を所望の一定量供給するポンプ８例えばベローズポンプ等、フィルタ容器９及びポンプ８を連動して開閉されるバルブＶ１、レジスト６を吐出ノズル３から吐出後レジストを吐出ノズル３内に引き戻し、レジストの液だれあるいは固化を防止するためのサックバックバルブ１０から構成される。
　また、レジスト塗布時にレジストが装置外部へ飛散するのを防止するため処理容器としてカップ１１がチャック２を包囲して設けられる。カップ１１は上下動可能であってウェハＷの搬出入時には図示の位置より下降しチャック８が露出して搬入出を容易にする。さらにカップ１１にはカップ１１内の環境を測定する温度センサ１２及び湿度センサ１３が設けられ、カップ１１の下部にはドレイン管、排気管等（図示せず）が接続される。
　さらに、本発明のレジスト塗布装置には、吐出ノズル３に温度調整手段であるヒータ１５が設けられる。ＣＰＵに入力される温度センサ１２及び湿度センサ１３からの入力信号によりＣＰＵから発信される信号に従ってヒータ１５を動作させ塗布液の温度を制御する温度調整コントローラ１４が備えられる。温度調整手段はヒータに限らず吐出ノズル３を二重管にし、レジスト通過路の周囲に温度調整水の循環流路を設けたものであってもよい。温度調整手段（ヒータ１５）の加熱によリレジスト温度を調整することによりレジスト粘度が変えられる。」（第２頁左上欄第１８行〜第２頁右下欄第２行）
　
（コ）「以上のような構成のレジスト塗布装置を用いて均一な厚さを有するレジスト膜の形成方法を説明する。
　ウェハＷが図示しない搬送機構によりチャック２上に吸着されて支持されるとカップ１１は第１図に図示のように上昇し、モータ１の回転に伴いチャック２に吸着されたウェハＷは予め定められた期間例えば１０００回転／ｓｅｃで塗布し、その後さらに例えば４０００回転／ｓｅｃで所定期間回転する。このような高速回転するウェハＷ上にレジスト供給系５より配管を通ってレジスト６が吐出ノズル３より一定量滴下される。滴下されたレジスト６は、この時のカップ１１内の温度がレジスト膜形成の最適温度より低い場合は第２図の断面図に示すようにウェハＷの中央部１８の膜厚が厚いレジスト膜１７が形成されるが、温度センサ１２の出力によりＣＰＵからの信号で予め入力されているカップ１１内温度と湿度の少なくとも一条件とレジスト粘度（温度）の関係より温度調整コントローラ１４がヒータ１５を動作させレジスト温度を上昇させて、中央部が薄く周辺部が厚い膜厚を形成するよう調整することにより中央部と周辺部に生じる膜厚の不均一性を相殺し、第４図に示すような均一な膜厚のレジスト膜１７を得ることができる。また、カップ内１１内の温度がレジスト膜形成の最適温度より高い場合は第３図に示すようにウェハＷの周辺部１９の膜厚が厚いレジスト膜１７が形成されるが、同様に温度調整コントローラ１４により、ヒータ１５を停止させレジスト温度を低下させ、中央部の厚い周辺部の薄い膜厚を形成するようにして不均一性の相殺により第４図のような均一な膜厚のレジスト膜１７を得る。」（第２頁右下欄第３行〜第３頁左上欄第１４行）
　
ウ　引用例１，２記載の発明の認定
（ア）引用例１の上記記載事項（ア）乃至（オ）から、引用例１には次のような発明が記載されていると認めることができる。
　
「スピンコーターによるガラス原盤上へのレジストコート方法において、チャンバー内の湿度、シンナーの蒸発量が一定の下で、コート中のチャンバー内の温度、ガラス原盤の温度、レジスト液の温度の変動をセンサーで感知して、レジストの膜厚のばらつきを±１％程度に抑えるようにスピンコーターの回転数（ｒｐｍ）を自動制御してスピンコートするレジストコート方法。」（以下、「引用発明１」という。）
　
（イ）また、引用例２の上記記載事項（カ）乃至（コ）から、引用例２には、ウェハを吸着等で固定したチャックを前記チャックを包囲するカップ内で高速回転させてウェハ上へのレジスト液の塗布を行うスピンコータによるレジスト膜の形成方法において、ウェハ中央部と周辺部とでレジスト膜厚が均一になるように、温度センサにより測定された前記カップ内の温度に応じてレジスト液の温度を制御することが記載されていると認められる。
　
エ　補正発明と引用発明１の一致点及び相違点の認定
（ア）引用発明１の「ガラス原盤」は、補正発明の「基材」に相当する。
　また、引用発明１の「スピンコーター」の「チャンバー」内の「シンナー」は、技術常識に照らすと、「レジスト液」に含まれる溶媒であり、シンナーが溶媒として用いられるレジストの材料は、通常、高分子材料である（例えば、特開平６−４９１０号公報（段落【００２６】〜【００３４】）を参照。）。したがって、引用発明１の「レジスト」は補正発明の「高分子材料」に相当する。
　さらに、引用発明１における「スピンコーターによる」「レジストコート方法」では、通常、スピンコーターによる被処理基板の回転の際に前記被処理基板にコートされる溶液や溶媒の乾燥を伴うものである（例えば、特開昭６２−２２５２６９号公報（第２頁左下欄第２〜７行）を参照。）。
　したがって、引用発明１の「スピンコーターによるガラス原盤上へのレジストコート方法」は、補正発明の「基材上にある高分子材料を乾燥する方法」に相当する。
　
（イ）引用発明１の「レジスト液の温度」、「コート中のチャンバー内の温度」は、それぞれ、補正発明の「高分子材料の温度」、「基材」の「周囲温度」に相当する。
　
（ウ）補正発明の「基材温度を決定」するという意味は不明瞭であるから、発明の詳細な説明の欄の記載を参照して、補正発明における前記「基材温度を決定」するという意味を検討する。
　発明の詳細な説明の欄の段落【０００８】には、補正発明の「基材温度を決定」することについて、「基材の温度は、基材と熱的に接合される基材支持体の温度を測定することによって決定してもよい。」と記載されている。他方、同段落には、「高分子材料の温度は、高分子材料の温度を直接測定する」とも記載されている。この両者の記載から、補正発明の「基材温度を決定」することとは、「基材」の「温度」を直接測定するのではなく、前記「基材」と熱的に接合される基材支持体の温度を測定する等して、間接的に前記「基材」の温度を検知するという意味であると解するのが妥当である。
　すると、補正発明の「基材温度を決定」することと引用発明１の「ガラス原盤の温度」「の変動をセンサーで感知」することとは、基材温度を検知する点で一致する。
　
（エ）引用発明１の「コート中のチャンバー内の温度」「の変動をセンサーで感知」することは、補正発明の「測定した周囲温度の変動を検出」することに相当する。
　
（オ）引用発明１の「スピンコーターの回転数」の単位は「ｒｐｍ」であり、「ｒｐｍ」は１分間当たりの回転数を表す単位である。また、上記（ア）で述べたとおり、引用発明１における「スピンコーターによる」「レジストコート方法」では、通常、スピンコーターによる被処理基板の回転の際に前記被処理基板にコートされる溶液や溶媒の乾燥を伴うものである。したがって、引用発明１の「スピンコーターの回転数（ｒｐｍ）」は、補正発明の「基材乾燥スピン速度」に相当する。
　また、引用発明１の「ばらつきを±１％程度に抑える」ことは、補正発明の「第２の制御限界内」に相当する。
　したがって、引用発明１の「コート中のチャンバー内の温度」「の変動をセンサーで感知して、レジストの膜厚のばらつきを±１％程度に抑えるようにスピンコーターの回転数（ｒｐｍ）を自動制御」することは、補正発明の「測定した周囲温度の検出した変動に応じて基材温度、高分子材料の温度及び基材乾燥スピン速度の少なくとも１つを調整して、第２の制御限界内で高分子材料の膜厚を制御する」ことに相当する。
　
（カ）すると、補正発明と引用発明１とは、
　
「基材上にある高分子材料を乾燥する方法であって、
　高分子材料の温度及び基材の周囲温度を測定し、
　基材温度を検知し、
　測定した周囲温度の変動を検出し、
　測定した周囲温度の検出した変動に応じて基材温度、高分子材料の温度及び基材乾燥スピン速度の少なくとも１つを調整して、第２の制御限界内で高分子材料の膜厚を制御する
ことを含む、方法。」
　
である点で一致し、以下の点で相違する。
　
〈相違点１〉
　補正発明の「周囲温度」は「基材付近の周囲温度」であって、前記「周囲温度」は、「基材プロセス位置中で基材にできる限り近く、基材プロセス位置から垂直方向に離れて測定され」るものであるのに対し、引用発明１には「ガラス原盤」の周囲温度である「コート中のチャンバー内の温度」についてかかる限定がなされていない点。
　
〈相違点２〉
　基材温度を検知する際、補正発明では、「基材温度」を「決定」する、すなわち、前記「基材」と熱的に接合される基材支持体の温度を測定する等して、前記「基材」の温度を間接的に検知しているのに対し、引用発明１では「ガラス原盤」の「温度」を「センサー」で直接測定している点。
　
〈相違点３〉
　補正発明の「基材上にある高分子材料を乾燥する方法」では「測定した周囲温度の検出した変動に応じて基材温度、高分子材料の温度及び基材乾燥スピン速度の少なくとも１つを調整して、第１の制御限界内で高分子材料の二次元プロファイルの均一性を制御」するのに対し、引用発明１の「スピンコーターによるガラス原盤上へのレジストコート方法」ではかかる制御を行っていない点。
　
〈相違点４〉
　補正発明では「測定した周囲温度の検出した変動に応じて基材温度、高分子材料の温度及び基材乾燥スピン速度の少なくとも１つを調整して」、「第２の制御限界内」とされる対象が高分子材料の「平均膜厚」であるのに対し、引用発明１では「コート中のチャンバー内の温度」「の変動をセンサーで感知して」、「ばらつきを±１％程度に抑える」ようにされる対象がレジストの「膜厚」である点。
　
オ　相違点についての判断
（ア）相違点１について
　引用発明１において、「コート中のチャンバー内の温度」「の変動をセンサーで感知して」、「レジストの膜厚のばらつきを±１％程度に抑えるようにスピンコーターの回転数を自動制御」するのは、「チャンバー内の温度」「の変動」がスピンコーターによりガラス原盤上に形成されるレジストの膜厚に変動をもたらすからである。そして、レジストにより近い位置におけるチャンバー内の温度の変動が、スピンコーターによりガラス原盤上に形成されるレジストの膜厚により大きな変動をもたらすことは、当業者にとって自明である。
　また、スピンコーターによりレジストを基材上に塗布する装置において、レジストが形成される基材から垂直方向に離れた位置においてチャンバー内の温度を検出することは、本願の優先日前において当業者に周知の事項である（例えば、特開平８−１８６０７２号公報（段落【０１１４】〜【０１１８】、図２０）、特開平４−３６８１１７号公報（段落【００３５】〜【００４３】、図１，２）、特開平３−２６８４１８号公報（第６頁右下欄第２行〜第７頁右上欄第１７行、第１図）を参照。）。
　すると、引用発明１の「スピンコーターによるガラス原盤上へのレジストのコート方法」において、前記「コート中のチャンバー内の温度」「の変動」を感知する「センサー」を、レジストが形成されるガラス原盤にできるだけ近い位置であって且つレジストが形成されるガラス原盤から垂直方向に離れた位置に配置することは、当業者にとって容易に想到し得る。
　したがって、相違点１に係る補正発明の発明特定事項を採用することは、当業者にとって想到容易である。
　
（イ）相違点２について
　スピンコーターによりレジストを基材上に塗布する装置において、前記「基材」と熱的に接合される基材支持体の温度を測定する等して、間接的に前記「基材」の温度を検知することは、本願の優先日前において当業者に周知の事項である（例えば、特開平１１−１２１３６７号公報（段落【００７１】、【００７７】、図６）を参照。）。
　すると、引用発明１の「スピンコーターによるガラス原盤上へのレジストのコート方法」において前記「ガラス原盤の温度」を感知する際、上記周知技術のように、前記「基材」と熱的に接合される基材支持体の温度を測定する等して、前記「基材」の温度を間接的に検知することは、当業者にとって容易に想到し得る。
　したがって、相違点２に係る補正発明の発明特定事項を採用することは、当業者にとって想到容易である。
　
（ウ）相違点３について
　引用例２に記載された発明における「ウェハ中央部と周辺部とでレジスト膜厚が均一になるように、温度センサにより測定された前記カップ内の温度に応じてレジスト液の温度を制御する」ことは、補正発明の「測定した周囲温度の検出した変動に応じて基材温度、高分子材料の温度及び基材乾燥スピン速度の少なくとも１つを調整して」、「高分子材料の二次元プロファイルの均一性を制御」することに相当する。
　そして、引用発明１と引用例２に記載された発明とは、スピンコート法によるレジスト膜の形成方法である点で一致するから、引用発明１に引用例２に記載された発明を適用して、引用発明１において「ガラス原盤」の中央部と周辺部とでレジストの膜厚が均一になるように、チャンバー内の温度に応じてレジスト液の温度を制御することは、当業者にとって想到容易である。
　その際、レジストの膜厚の均一性についてある一定の限界（補正発明の「第１の制御限界」に相当する。）を定めることは、レジストの膜厚、レジストに形成されるパターンの大きさ等の製造条件に応じて当業者が適宜設定し得る事項である。
　したがって、相違点３に係る補正発明の発明特定事項を採用することは、当業者にとって想到容易である。
　
（エ）相違点４について
　スピンコート法においてスピンコートされる膜の膜厚が所定範囲内に収まるようにスピンコートを行う際の諸条件を制御する際、前記膜の平均膜厚が所定範囲内に収まるように前記諸条件を制御することは、本願の優先日前において当業者に周知の技術的事項である（一例として、特開昭６３−３２９２１号公報（第１頁右欄第１３行〜第２頁右上欄第１５行、第４頁右上欄第１５行〜同頁左下欄第３行）を参照。）。
　すると、引用発明１において「コート中のチャンバー内の温度」「の変動をセンサーで感知して」、「ばらつきを±１％程度に抑える」ようにされる対象を「レジスト」の「平均膜厚」とすることは、当業者にとって容易に想到し得る。
　したがって、相違点４に係る補正発明の発明特定事項を採用することは、当業者にとって想到容易である。
　
カ　補正発明の独立特許要件の判断
　以上のとおり、上記相違点１〜４に係る補正発明の発明特定事項を採用することは、当業者にとって想到容易である。
　また、補正発明の効果は、引用例１，２に記載された発明及び周知技術から当業者が予測し得る程度のものに過ぎない。
　したがって、補正発明は引用例１，２に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
３　むすび
　以上のとおり、本件補正は平成１８年改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するから、本件補正は同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３　本件審判請求についての判断
１　本願発明の認定
　本件補正が却下されたから、平成１９年５月７日付けの手続補正により補正された明細書及び図面に基づいて審理すると、本願の請求項１に係る発明は、平成１９年５月７日付けで補正された明細書の特許請求の範囲に記載された事項によって特定される次のとおりのものと認める。
　
「基材上にある高分子材料を乾燥する方法であって、
　高分子材料の温度及び基材付近の周囲温度を測定し、該周囲温度は、基材プロセス位置中で基材にできる限り近く、基材プロセス位置から垂直方向に離れて測定され、
　基材温度を決定し、
　測定した周囲温度の変動を検出し、
　測定した周囲温度の検出した変動に応じて基材温度、高分子材料の温度及び基材乾燥スピン速度の少なくとも１つを調整する
ことを含む、方法。」（以下、「本願発明」という。）
　
２　引用刊行物の記載事項及び引用例１，２記載の発明の認定
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例１，２には、前記「第２　補正の却下の決定」の「２　本件補正の適否の検討」の「（２）独立特許要件についての検討」の「イ　引用刊行物の記載事項」の欄に摘記したとおりの事項が記載されており、引用例１に記載された発明（引用発明１）及び引用例２に記載された発明は、前記「第２　補正の却下の決定」の「２　本件補正の適否の検討」の「（２）独立特許要件についての検討」の「ウ　引用例１，２記載の発明の認定」の欄に記載したとおりである。
　
３　判断
　本願発明は、補正発明の発明特定事項から、前記「第２　補正の却下の決定」の「２　本件補正の適否の検討」の「（１）目的要件（平成１８年改正前の特許法第１７条の２第４項）についての検討」の欄で述べた限定事項を省いたものである。
　そして、本願発明の発明特定事項をすべて含み、他の発明特定事項を付加したものに相当する補正発明が、前記「第２　補正の却下の決定」の「２　本件補正の適否の検討」の「（２）独立特許要件についての検討」の欄に記載したとおり、引用例１，２に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、前記「第２　補正の却下の決定」の「２　本件補正の適否の検討」の「（２）独立特許要件についての検討」の欄で示した理由と同様の理由により、引用例１，２に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　以上のとおり、本願発明は引用例１，２に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。そして、本願発明が特許を受けることができない以上、本願のその余の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は、拒絶されるべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。