【手続補正書】
【提出日】平成27年1月30日(2015.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【図１】本開示の第１の実施の形態に係る固体撮像素子の概略構成を表す断面図である。
【図２】図１に示した固体撮像素子の機能ブロック図である。
【図３】図１に示した積層体の構成を表す断面図である。
【図４Ａ】図１に示した積層体の詳細構成例を表す断面図である。
【図４Ｂ】図１に示した積層体の詳細構成例を表す断面図である。
【図４Ｃ】図１に示した積層体の詳細構成例を表す断面図である。
【図５】図１に示した固体撮像素子の製造方法（積層体の形成工程）を説明するための断面図である。
【図６】図５に続く工程（湾曲形状形成工程）を表す断面図である。
【図７】図６に続く工程を表す断面図である。
【図８】変形例１に係る積層体の形成工程を説明するための断面図である。
【図９】図８に続く工程を表す断面図である。
【図１０Ａ】変形例１に係る積層体の形成工程のメリットを説明するための模式図である。
【図１０Ｂ】変形例１に係る積層体の形成工程のメリットを説明するための模式図である。
【図１１】変形例２に係る湾曲形状形成工程を説明するための断面図である。
【図１２】変形例３に係る湾曲形状形成工程を説明するための断面図である。
【図１３】変形例４に係る湾曲形状形成工程を説明するための断面図である。
【図１４】図１３に続く工程を表す断面図である。
【図１５】変形例５に係る固体撮像素子の製造方法（積層体の形成工程）を説明するための断面図である。
【図１６】図１５に続く工程を表す断面図である。
【図１７】図１６に続く工程（湾曲形状形成工程）を表す断面図である。
【図１８】図１６に示した湾曲形状形成工程の他の例を表す断面図である。
【図１９】図１６に示した湾曲形状形成工程の他の例を表す断面図である。
【図２０】本開示の第２の実施の形態に係る固体撮像素子の概略構成を表す断面図である。
【図２１】図２０に示した固体撮像素子の製造方法（積層体の形成工程）を説明するための断面図である。
【図２２】図２１に続く工程を表す断面図である。
【図２３】図１に示した固体撮像素子の駆動部の構成を含めた機能ブロック図である。
【図２４】適用例に係る電子機器の機能ブロック図である。
【図２５】他の変形例に係る積層体の構成を表す断面図である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
有機光電変換層１７は、例えば選択的な波長または全波長を吸収し、電子・正孔対を発生させるものである。この有機光電変換層１７を構成する有機半導体としては、例えば以下のようなｐ型またはｎ型の有機半導体が挙げられる。このような有機半導体としては、キナクリドン誘導体、ジケトピロロピロール誘導体、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、テトラセン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン誘導体、およびフルオランテン誘導体のうちのいずれか１種が好適に用いられる。あるいは、フェニレンビニレン、フルオレン、カルバゾール、インドール、ピレン、ピロール、ピコリン、チオフェン、アセチレン、ジアセチレン等の重合体やその誘導体が用いられていてもよい。加えて、金属錯体色素、ローダーミン系色素、シアニン系色素、メロシアニン系色素、インジゴ系色素、チオインジゴ系色素、フタロシアニン系色素、サブフタロシアニン系色素、ジピリン系色素、フェニルキサンテン系色素、トリフェニルメタン系色素、ロダシアニン系色素、キサンテン系色素、大環状アザアヌレン系色素、アズレン系色素、ナフトキノン、アントラキノン系色素、アントラセンおよびピレン等の縮合多環芳香族および芳香環ないし複素環化合物が縮合した鎖状化合物、または、スクアリリウム基およびクロコニツクメチン基を結合鎖として持つキノリン、ベンゾチアゾール、ベンゾオキサゾール等の含窒素複素環、または、スクアリリウム基およびクロコニツクメチン基により結合したシアニン系類似の色素等を好ましく用いることができる。尚、上記金属錯体色素としては、ジチオール金属錯体系色素、金属フタロシアニン色素、金属ポルフィリン色素、またはルテニウム錯体色素が好ましいが、これに限定されるものではない。有機光電変換層１７は、上記材料のうちの１または２種以上を含んで構成されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
また、図４Ｃに示したように、１画素内に、赤色光電変換層１７Ｒ，緑色光電変換層１７Ｇおよび青色光電変換層１７Ｂを縦方向（厚み方向）に積層した構造を有していてもよい。この場合、例えば、基板１１０上に、層間絶縁膜１５ａを介して、赤色の光電変換信号を得るための素子部１０ｒ（第１電極（Ｒ）１４ｒ、赤色光電変換層１７Ｒ、第２電極１８）が形成されている。この素子部１０ｒ上に、層間絶縁膜１５ａを介して、緑色の光電変換信号を得るための素子部１０ｇ（第１電極（Ｇ）１４ｇ、緑色光電変換層１７Ｇ、第２電極１８）が形成されている。更に、素子部１０ｇ上に、層間絶縁膜１５ａを介して、青色の光電変換信号を得るための素子部１０ｂ（第１電極（Ｂ）１４ｂ、青色光電変換層１７Ｂ、第２電極１８）が形成されている。素子部１０ｒにおいて発生した光電変換信号は、例えば第１電極（Ｒ）１４ｒから取り出され、この第１電極（Ｒ）１４ｒに接続されたコンタクトプラグ１１２ｒと配線層１１１ｒとを通じて、図示しない画素トランジスタへ送られるようになっている。同様に、素子部１０ｇにおいて発生した光電変換信号は、例えば第１電極（Ｇ）１４ｇから取り出され、第１電極（Ｇ）１４ｇに接続されたコンタクトプラグ１１２ｇと配線層１１１ｇとを通じて、図示しない画素トランジスタへ送られる。また、素子部１０ｂにおいて発生した光電変換信号は、例えば第１電極（Ｂ）１４ｂから取り出され、第１電極（Ｂ）１４ｂに接続されたコンタクトプラグ１１２ｂと配線層１１１ｂとを通じて、図示しない画素トランジスタへ送られる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
まず、積層体１０を支持部材２００上に形成する。この際、まず、図５（Ａ）に示したように、支持部材２００上に、凹部２００Ａに対向するように、上述した材料等よりなる基板１１０を貼り合わせる。具体的には、支持部材２００の上面のうち凹部２００Ａが形成されていない面２００ａ１に、積層体１０の端部（周辺部）を接着する。この後、図５（Ｂ）に示したように、この基板１１０上に、上述した材料よりなる第１電極１４および図示しない配線層を、例えば真空蒸着法、スパッタ法、フォトリソグラフィ法等を用いてパターン形成する。この後、各第１電極１４を画素間絶縁膜１５により電気的に分離する。続いて、図５（Ｃ）に示したように、有機光電変換層１７を例えばシャドウマスクを用いた真空蒸着法により形成する。具体的には、基板１１０を、支持部材２００上に配置した状態で、蒸着装置のチャンバー内に設置する。この後、チャンバー内を排気して所定の真空状態とし、例えば真空蒸着法により上述した有機光電変換材料を、第１電極１４上に蒸着（共蒸着）させる。その後、図５（Ｄ）に示したように、上述した材料よりなる第２電極１８を、例えば真空蒸着法、スパッタ法等により形成する。尚、支持部材２００と基板１１０とは、上記のように接着されていてもよいし、湾曲形状形成後に剥離できるように仮止め（固定）されていてもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
第１電極１４は、半導体層１１０Ａ内に埋設された導電性プラグ１２０ａ１に電気的に接続されている。第２電極１８は、例えば固体撮像素子の周縁部において、図示しないコンタクト部を介して配線層１１０Ｂ内の配線５１ａに接続されており、これにより電荷（ここではホール）が排出されるようになっている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
尚、上記第２の実施の形態では、有機光電変換層１７において、緑色光の光電変換を行い、無機光電変換層１１Ｂ，１１Ｒにおいて、青色光，赤色光の光電変換を行う場合について説明したが、各光電変換層における色の組み合わせ（Ｒ，Ｇ，Ｂの割り振り）はこれに限定されない。即ち、有機光電変換層１７に、青色光（または赤色光）の光電変換を行う有機光電変換層を設け、無機光電変換層に、緑色光および赤色光（または青色光および緑色光）の光電変換を行う２つの無機光電変換層を設けるようにしてもよい。また、有機光電変換層を２層、無機光電変換層を１層となるように構成してもよい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
＜固体撮像素子の全体構成＞
図２３は、上記実施の形態において説明した固体撮像素子の機能ブロック図である。この固体撮像素子は、ＣＭＯＳイメージセンサであり、撮像エリアとしての画素部（光電変換部）１ａを有すると共に、例えば行走査部１３１、水平選択部１３３、列走査部１３４およびシステム制御部１３２からなる回路部１３０を有している。回路部１３０は、画素部１ａの周辺領域に設けられていてもよいし、画素部１ａと積層されて（画素部１ａに対向する領域に）設けられていてもよい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
システム制御部１３２は、外部から与えられるクロックや、動作モードを指令するデータなどを受け取り、また、固体撮像素子１の内部情報などのデータを出力するものである。システム制御部１３２はさらに、各種のタイミング信号を生成するタイミングジェネレータを有し、当該タイミングジェネレータで生成された各種のタイミング信号を基に行走査部１３１、水平選択部１３３および列走査部１３４などの駆動制御を行う。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
＜適用例＞
上述の固体撮像素子は、例えばデジタルスチルカメラやビデオカメラ等のカメラシステムや、撮像機能を有する携帯電話など、撮像機能を備えたあらゆるタイプの電子機器に適用することができる。図２４に、その一例として、電子機器２（カメラ）の概略構成を示す。この電子機器２は、例えば静止画または動画を撮影可能なビデオカメラであり、固体撮像素子１と、光学系（光学レンズ）３１０と、シャッタ装置３１１と、固体撮像素子１およびシャッタ装置３１１を駆動する駆動部３１３と、信号処理部３１２とを有する。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
光学系３１０は、被写体からの像光（入射光）を固体撮像素子１の画素部１ａへ導くものである。この光学系３１０は、複数の光学レンズから構成されていてもよい。シャッタ装置３１１は、固体撮像素子１への光照射期間および遮光期間を制御するものである。駆動部３１３は、固体撮像素子１の転送動作およびシャッタ装置３１１のシャッタ動作を制御するものである。信号処理部３１２は、固体撮像素子１から出力された信号に対し、各種の信号処理を行うものである。信号処理後の映像信号Ｄoutは、メモリなどの記憶媒体に記憶されるか、あるいは、モニタ等に出力される。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性または可塑性を有する基板と、
前記基板の一面側に設けられ、それぞれが可撓性を有する第１電極および第２電極と、
前記第１電極および前記第２電極間に設けられた有機光電変換層と
を有する積層体を備え、
前記積層体の光入射側の面が凹曲面を有する
固体撮像素子。
【請求項２】
前記積層体は、前記凹曲面を含む湾曲形状を有する
請求項１に記載の固体撮像素子。
【請求項３】
前記積層体の前記湾曲形状を支持すると共に、前記積層体に対向して凹部または開口を有する支持部材を更に備えた
請求項２に記載の固体撮像素子。
【請求項４】
前記支持部材は、前記凹部を有すると共に、前記凹部の前記積層体との対向面に孔を有する
請求項３に記載の固体撮像素子。
【請求項５】
前記積層体と前記支持部材との間に接着層を更に備えた
請求項３または請求項４に記載の固体撮像素子。
【請求項６】
前記湾曲形状を変化させて前記凹曲面の曲率を調節するアクチュエータを更に備えた
請求項２ないし請求項５のいずれか１つに記載の固体撮像素子。
【請求項７】
前記基板内に、前記有機光電変換層とは異なる波長を光電変換する無機光電変換層を備え、
前記有機光電変換層と前記無機光電変換層とが前記基板の厚み方向に沿って設けられている
請求項１ないし請求項６のいずれか１つに記載の固体撮像素子。
【請求項８】
前記有機光電変換層は緑色光を光電変換し、
前記基板内には、前記無機光電変換層として、青色光の光電変換層と、赤色光の無機光電変換層とを有する
請求項７に記載の固体撮像素子。
【請求項９】
可撓性または可塑性を有する基板と、前記基板の一面側に設けられ、それぞれが可撓性を有する第１電極および第２電極と、前記第１電極および前記第２電極間に設けられた有機光電変換層とを有する積層体を形成する工程と、
前記積層体の光入射側の面に凹曲面を形成する工程と
を含む固体撮像素子の製造方法。
【請求項１０】
前記凹曲面を形成する工程では、前記積層体の形成後または形成過程において、前記積層体を湾曲させることにより、前記積層体に前記凹曲面を含む湾曲形状を形成する
請求項９に記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項１１】
前記積層体を、凹部または開口を有する支持部材上に前記凹部または前記開口に対向するように形成し、前記支持部材を利用して湾曲させる
請求項１０に記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項１２】
前記支持部材は前記凹部を有すると共に、前記凹部の前記積層体との対向面に孔を有し、
前記孔を通じて前記凹部内の圧力を調整することにより、前記積層体に前記湾曲形状を形成する
請求項１１に記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項１３】
前記支持部材は前記開口を有し、
前記開口を通じて前記積層体を押し出すことにより、前記積層体に前記湾曲形状を形成する
請求項１１に記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項１４】
前記基板が熱可塑性を有し、
前記支持部材上の前記積層体に対しアニール処理を施した後、前記積層体に前記湾曲形状を形成する
請求項１１ないし請求項１３のいずれか１つに記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項１５】
前記基板が磁性材料からなり、
前記積層体に、磁場を印加することにより前記湾曲形状を形成する
請求項１０に記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項１６】
前記積層体と前記支持部材との間に接着層を形成する
請求項１１ないし請求項１４のいずれか１つに記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項１７】
前記積層体を形成する工程において、前記支持部材上に前記基板を形成した後、前記第１電極、前記有機光電変換層および前記第２電極を、この順またはこれと逆の順に形成することにより、前記積層体を前記支持部材上に形成する
請求項１１ないし請求項１４のいずれか１つに記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項１８】
前記積層体を形成する工程において、前記積層体を仮支持板上に形成した後、
前記支持部材上に転写して前記仮支持板を前記積層体から剥離することにより、前記積層体を前記支持部材上に形成する
請求項１１ないし請求項１７のいずれか１つに記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項１９】
前記基板内に、前記有機光電変換層とは異なる波長を光電変換する無機光電変換層を含み、
前記積層体を形成後、
前記基板を薄膜化した後、前記積層体を前記支持部材上に転写する
請求項１１ないし請求項１８のいずれか１つに記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項２０】
可撓性または可塑性を有する基板と、
前記基板の一面側に設けられ、それぞれが可撓性を有する第１電極および第２電極と、
前記第１電極および前記第２電極間に設けられた有機光電変換層と
を有する積層体を備え、
前記積層体の光入射側の面が凹曲面を有する
固体撮像素子を備えた電子機器。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2014116380.tif 000001
【手続補正１３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２０】
2014116380.tif 000002