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　特願２００２−５５６５８１「ボロメータアレイ用の高吸収広帯域ピクセル」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　７月１８日国際公開，ＷＯ０２／５５９７３，平成１６年　９月　９日国内公表，特表２００４−５２７７３１〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は，平成１３年１２月２０日（パリ条約による優先権主張，平成１２年１２月２９日，米国）を国際出願日とする特許出願であって，平成１９年７月３１日付けで拒絶査定がなされ，これに対し，平成１９年１０月３１日に拒絶査定不服審判の請求がなされたものである。
　そして，本願の請求項１〜４に係る発明は，平成１９年３月２９日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ，そのうち請求項１に係る発明（以下，「本願発明」という。）は，次のとおりのものである。
　
「
基板と、
　約０．５ｕｍ以下の厚さを有し、
入射赤外放射の
プラットフォームボディと、
　
前記プラットフォームボディに一対の対向する側を備えた実質的に方形の温度感応抵抗器層と、
　
基板とボディとの間にギャップを形成するように基板上にボディを懸架する一対のアームと、
　
前記一対の対向する側の長さの実質的に全ての長さに沿って延びた一対の低抵抗電気的接点と
を備えたことを特徴とする
　
２．引用刊行物の記載事項
　これに対して，原審の拒絶の理由に引用され，本願特許出願前に頒布された刊行物である，特開平５−２０６５２６号公報（以下，「引用例」という。）には，図面の図示と共に次の事項が記載されている（なお，下線部は当審が付与したもの）。
　
（ア）「【特許請求の範囲】
【請求項１】　或るスペクトル範囲内の放射を検出するボロメータに於て、集積回路基板と、該基板から少なくとも１つのピラーだけ隔たる画素本体とを有し、該画素本体は、前記スペクトル範囲内の放射を吸収し、吸収した放射に比例して前記画素本体を或る温度に加熱する吸収材料、該吸収材料の上に形成された絶縁材料、及び前記画素本体の温度に対応する電気抵抗を持つ可変抵抗材料で構成されており、前記可変抵抗材料には前記集積回路基板と略平行に電流が流れ、前記可変抵抗材料が前記絶縁層の上に形成されているボロメータ。」
　
（イ）「【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は全般的に半導体装置の製造、特に、無冷却赤外線検出器及びその製法に関する。」
　
（ウ）「【０００２】
【従来の技術及び課題】温かい物体から放出される赤外線放射の検出は、夜間に見る（可視光を用いずに知覚する）為の重要な方法である。…
【０００３】…極低温検出器の一層高い検出能力を必要としない様な携帯式の低エネルギの用途では、無冷却熱検出器を選ぶのが好ましい。この時、赤外線の光子を吸収し、その結果起こる吸収素子の加熱を検出する。熱検出器は（１）パイロ電気検出器、（２）熱電対又は（３）ボロメータという３種類の内の１つであるのが普通である。
……
【０００７】ボロメータは、典形的には熱的に隔離された薄い金属被膜又は半導体被膜の抵抗値の温度変化に頼る。薄膜は、シリコン基板内の懸架した誘電体被膜の上に作ることができ、シリコン基板上のモノリシック検出回路に隣接して配置することができる。誘電体被膜が懸架される様に、誘電体被膜の下からシリコンをエッチングによって除くことにより、誘電体被膜がシリコン基板の他の部分から熱的に隔離される。…」
　
（エ）「【００１０】
【課題を解決する為の手段及び作用】この他の目的及び利点は明白であろうし、一部分は以下の説明から明らかになるが、無冷却赤外線検出器に対する方法と装置を提供するこの発明によって達成される。
【００１１】ここでは、或るスペクトル範囲内の放射を検出するボロメータを説明する。ボロメータが集積回路基板と、この基板から少なくとも１つのピラーだけ隔たった画素本体とを含む。画素本体は、例えば７乃至１２ミクロンというスペクトル範囲を含む広い範囲に亘って放射を吸収する、例えばチタンの様な吸収材料で構成される。吸収材料が画素本体を、吸収された放射に比例する温度に加熱する。吸収材料の上に絶縁材料を形成する。更に、絶縁層の上に、画素本体の温度に対応する電気抵抗を持つ可変抵抗材料、考えられるものとしては、例えば不定形シリコンが形成される。電流が可変抵抗材料の中を集積回路基板と略平行に流れて検出される。」
　
（オ）「【００１３】この発明の利点は、この他の現在利用し得る方式に比べて、妥当なコストで製造することのできる生産性のある赤外線検出セルが得られることである。
【００１４】更に、この発明のセルは室温に近い温度で動作させることができ、この為極低温装置の必要が無い。その結果、極低温装置に普通伴なうコスト及び寸法の制約が避けられる。
【００１５】更に、温度感知抵抗の中の電流通路が、抵抗の中を垂直にと云うのでは無く、基板に対して平行であるから、比較的長い導電通路ができる。その為、抵抗の一層妥当な電圧係数を達成することができ、従って、一層直線的な装置を作ることができる。」
　
（カ）「【００１９】ミクロボロメータ画像センサの設計の要点は、ＩＲ束を電気信号に変換することに通ずる一連の事象の中での各々の素子を考えることによって確認することができる。最初の工程は、ＩＲ束を検出器の画素に貯蔵される熱エネルギに変換することである。この過程をできる限り大きくしようとすれば、画素の吸収効率は関心のあるＩＲ帯に亘って１００％にすべきである。画素の温度上昇が大きくなる様にする為には、画素の熱容量を最小限にし、周囲の構造からの画素の熱的な隔離を最大にしなければならない。画素の所定の温度変化に対する信号出力を最大にする為には、ボロメータ抵抗の温度に対する抵抗係数ができるだけ大きくあるべきである。画素の抵抗値は、読出し回路と両立性を持つ様なものでなければならないと共に、読出し回路によって要求される、読出し状態にある画素の電力散逸を制御するものでなければならない。最後に、画素の抵抗及び読出し用前置増幅器の両方によって発生される電気雑音は、必要な作像性能が得られる位に小さくなければならない。
【００２０】工学的な構造では屡々そうであるが、こう云う多くの条件は互いに矛盾しており、全てのパラメータを個別に最適にすることはできない。例えば、検出器を薄くすることによって、画素の熱容量を最小限にしようとすると、恐らく構造の吸収が受入れることのできないものになり、その逆のことも受入れることができなくなり、熱容量を犠牲にして吸収を最大にすることになろう。」
　
（キ）「【００２１】図２は、相反する条件の間の工学的に受入れることができる兼合いとなる構造の第１の好ましい実施例の断面図を湿す。この構造では、画素本体１２０がシリン基板１２２の上方にピラー１２４によって隔てられており、基板は特定の画素に関連する画素前置増幅器（図面に示してない）を持っている。ピラー１２４は、アルミニウム、又は他の金属の様に構造及び導電条件を満たすその他の材料で作ることができる。ピラー１２４が、画素１２０と、基板１２２にデポジットした赤外線反射被膜によって形成された基板鏡１２６との間の隔たりを制御する。反射被膜はアルミニウム又はその他の適当な金属であってよい。鏡１２６が、画素を最初に通過した時に吸収されなかったＩＲ放射を反射して画素に戻し、更によく吸収される様に作用する。…
……
【００２３】
画素本体１２０は、検出に必要な種々の機能を果たす被膜の逐次的な層で構成される。
　
（ク）「【００２４】
理想的なボロメータは４つの特性、即ち、
２）１００％のＩＲの吸収、３）熱容量が極く小さいこと
を有する
吸収層１３２は、最大量のＩＲエネルギが熱に変換される様に選ばれる。実際の場合、チタンの様な材料を用いると、８０乃至９０％の吸収が達成された
【００２５】可変抵抗を適当な半導体で形成する場合、スペクトル範囲は可視光を含むことができる。可視光が半導体によって吸収され、ボロメータ抵抗内に担体が発生される。これが検出器の抵抗値を変える。
【００２６】一旦ＩＲエネルギが熱に変換されたら、温度感知抵抗材料１３６が抵抗値を変えて、熱、従ってＩＲ放射が、その下の回路で検出できる様にならなければならない。更に、抵抗内で発生される電気雑音を最小限に抑えなければならない。典形的には雑音は１／Ｆ雑音である。１／Ｆ雑音は、被膜の欠陥に担体ガトラップされたことによって発生されるのが典形的である。雑音の小さい被膜を調製することは、現在では経験的な技術である。従って、熱抵抗依存性を最大にするが、電気雑音を最小限にする材料が選ばれる。その例を幾つか挙げると、不定形シリコン、ゲルマニウム及び金属酸化物がある。然し、この判断基準を満たすこの他の材料を使ってもよい。
【００２７】
３番目の特性、即ち熱容量が小さいことは、各々の被膜を非常に薄く作ることができる様に、適当な物理的な強度を持つ被膜を選ぶことによって最適にされる
【００２８】４番目の特性、即ち熱の隔離がよいことは、画素をセルの他の部分から熱的に隔離することによって最適にされる。この目標は、画素本体１２０を基板１２２から隔てることによって達成される。この他の熱隔離方式は、後で図３について説明する。」
　
（ケ）「【００３０】図３は画素構造の平面図を示す。図２と共に図３について説明すると、画素１２０の中心部分は、ＩＲ放射の吸収をすると共に画素抵抗の本体となる。画素の２辺に沿った支持アーム１４２が、抵抗本体１２０と、熱抵抗１４２の基板側の端にあるその下のスペーサ・ミラー１２４との間に長くて薄い、幅の狭い熱隔離抵抗を作る。支持アームは空隙１４６によって、抵抗本体から隔てられている。こうして、画素本体１４０が基板１２２から熱的に隔離されている。
【００３１】図３に示す様に、画素の熱隔離と画素本体の構造的な支持との間には兼合いをとらなければならない。図示の場合、すき間１４６（これは空隙であってよい）が、４辺の内の３辺で、支持アーム１４２を画素本体１２０から隔てている。すき間１４６は、更に熱隔離を希望する場合、画素本体の残る２辺に沿って伸ばすことができる。支持アーム１４２の機械的な強度が、この変更によって実質的に弱められる。各々の個別の設計に対し、こう云う兼合いも考慮しなければならない。
【００３２】
支持アーム１４２の上面に沿って、導電材料の非常に薄い被膜を適用して、画素の中心にある抵抗本体１２０に電気接点を設けることができる
【００３３】図３に示す金属片１４４が、支持アーム１４２の端とスペーサ・ミラー１２４の頂部の間の機械的な支持及び電気接点となる。図示の接点領域は、製造方法の工夫であって、この構造に直接的な寄与をするものでは無い。
【００３４】完成された画素のＳＥＭ（２次電子顕微鏡）写真が図４ａに示されている。図４ｂは、密な詰込みのアレイに対する製造過程を実証する為の機械的な画素のアレイを示す。」
　
（コ）「【００３６】こう云う画素の設計を現在実行するには、プラズマＣＶＤ（化学反応気相成長）によって
約２５０Åの厚さにデポジットしたＳｉＯ
2
（二酸化シリコン）の吸収材不活性化層１３０
吸収材層１３２は、不活性化層１３０の上にデポジットした１４０ÅのＴｉ（チタン）
絶縁体層１３４もＳｉＯ
2
のプラズマ・デポジッションで形成され、厚さは１，０００乃至２，０００Åの間で変化
抵抗層１３６は、プラズマＣＶＤによってデポジットされたａ−Ｓｉ（不定形シリコン）で構成
【００３７】画素構造にこの様な被膜を選んだのは、１つには、プロセスの便宜の為であり、もう１つには、重要な電気的及び機械的な考慮の為である。例えば、絶縁体被膜は、二酸化シリコンではなく、窒化シリコン、硫化亜鉛又は不定形シリコンにすることができる。表１には、こう云う電気的及び機械的な性質の内の若干の重要なものをまとめて示してある。
【００３８】次に１個の画素の動作を簡単に説明する。
赤外線放射が、画素本体１２０の上面に入射し、吸収層１３２に吸収され
【００３９】図２に示した実施例では、電流が相互接続部１３８ａから抵抗層１３６の中を、基板１２２と平行に通り、相互接続部１３８ｂから下へ出て行く。電流が、垂直に画素に入って、それから出ていくのとは対照的に、横方向に画素を横切って流れるので、導電通路は、或る従来の使い方よりもかなり長い。この違いは、恐らく３，０００Åから３０μまで（２桁）であるが、抵抗値の電圧係数にかなりの改良をもたらし、従って非常に直線性のよい抵抗になる。」
　
（サ）「【００４５】次に、
抵抗本体の電気的な境界を図３に示す様にデポジットしてパターンぎめした導体の薄い（１００Å又はそれ未満）被膜によって限定する。この被膜は、画素の中心にある抵抗本体に対する抵抗値の小さい接点として作用する
　
　上記（ア）〜（サ）の記載事項と図面を総合すると，引用例には，以下の発明が記載されていると認められる。
　
「基板１２２と，画素本体１２０とを有し，
　該画素本体１２０が，約２５０Åの厚さのＳｉＯ2（二酸化シリコン）の吸収材不活性化層１３０と，１４０Åの厚さのＴｉ（チタン）の赤外線放射を吸収する吸収材層１３２と，１，０００乃至２，０００Åの間の厚さのＳｉＯ2の絶縁体層１３４と，ａ−Ｓｉ（不定形シリコン）の温度感知抵抗層１３６とから構成され，
　該画素本体１２０が，該画素本体１２０の２辺に沿った支持アーム１４２と前記基板の端に形成されたピラー１２４とによって前記基板１２２から隔たりをもって機械的に支持され，
　前記支持アーム１４２の上面に沿って形成された導電材料の薄い被膜からなる抵抗値の小さい電気接点が形成されたボロメータ・セル。」（以下「引用発明」という。）
　
３．対比
　本願発明と引用発明とを対比すると，その構造および機能からみて，引用発明の「ボロメータ・セル」，「画素本体１２０」及び「画素本体１２０の２辺に沿った支持アーム１４２」は，それぞれ，本願発明の「マイクロボロメータピクセル」，「プラットフォームボディ」及び「基板とボディとの間にギャップを形成するように基板上にボディを懸架する一対のアーム」に相当し，引用発明の「温度感知抵抗層１３６」は，図３及び図４などからみて，略方形状に形成されるものであることが明らかであるから，本願発明の「一対の対向する側を備えた実質的に方形の温度感応抵抗器層」に相当する。
　また，引用発明の「支持アーム１４２の上面に沿って形成された導電材料の薄い被膜からなる抵抗値の小さい電気接点」は，引用例の上記記載事項（ケ）及び（サ）並びに図３などからみて，画素本体１２０の各辺のほぼ全長にわたって延びたものであることは明らかであるから，本願発明の「前記一対の対向する側の長さの実質的に全ての長さに沿って延びた一対の低抵抗電気的接点」に相当するといえる。
　
　そうすると，両者は，　
［一致点］
「基板と，
　入射赤外放射の吸収を向上させる金属層を含むプラットフォームボディと，
　前記プラットフォームボディに一対の対向する側を備えた実質的に方形の温度感応抵抗器層と，
　基板とボディとの間にギャップを形成するように基板上にボディを懸架する一対のアームと，
　前記一対の対向する側の長さの実質的に全ての長さに沿って延びた一対の低抵抗電気的接点と
を備えたことを特徴とするマイクロボロメータピクセル」
である点で一致し，以下の点で相違するといえる。
　
［相違点］
　プラットフォームボディ（画素本体１２０）に関し，本願発明においては，プラットフォームボディの厚さが「約０．５ｕｍ以下」であるのに対して，引用発明の画素本体１２０は厚さ約０．１３９〜０．２３９μｍ（約１３９０〜２３９０Å）の薄層（吸収材不活性化層１３０，吸収材層１３２，絶縁体層１３４）の上に形成された温度感知抵抗層１３６からなるものであるところ，引用例には温度感知抵抗層１３６の厚さが明記されておらず，その結果，画素本体１２０の厚さが明らかではない点。
　
４．判断
　以下，上記相違点について検討する。
　
　引用例には，上記記載事項（ク）において指摘したとおり，理想的なボロメータの特性として「熱容量が極く小さい」ことが望ましく，そしてこの特性は，「各々の被膜を非常に薄く作る」ことによって達成される旨が記載されている。
　そうしてみると，引用発明の温度感知抵抗層１３６についても，他の画素本体１２０を構成する薄層（１３０〜１３４）と同程度の厚さとすべきものであることは自明であって，実際，引用発明と同様のボロメータにおける温度感知抵抗層として，０．０５〜０．２μｍ程度の厚さとすることが従前周知の事項である（例えば，原審の拒絶査定において引用された，特開平１０−２７４５６１号公報（【００１３】〜【００１４】，【００２３】），国際公開第９９／０５７２３号（２頁２７〜２９行，４頁１６行）等参照。）ことからみて，引用発明において，温度感知抵抗層１３６の厚さを０．０５〜０．２μｍ程度とし，その結果，画素本体１２０の厚さを約０．５μｍ以下の厚さとすること，すなわち，上記相違点に係る本願発明の構成とすることは，当業者にとって格別の技術的困難性がなく，容易になし得る事項であるといえる。
　
　そして，本願明細書に記載された本願発明の効果も，当業者であれば予測し得る範囲内のものであり，格別顕著なものとはいえない。
　
５．結び
　以上のとおり，本願発明は，引用発明及び従来周知の事項に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであり，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから，本願は，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，拒絶されるべきものである。
　
　よって，結論のとおり審決する。