【事件の表示】
　特願２００４−１５９３７９「表示装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年１２月　８日出願公開、特開２００５−３３８５９２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、出願日が平成１６年５月２８日である特願２００４−１５９３７９号であって、平成１９年１０月２６日付けで拒絶理由通知がなされ、同年１２月２８日付けで手続補正がなされ、平成２０年２月２５日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年４月３日付けで拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、同年５月２日付けで手続補正がなされたものである。
　その後、平成２０年１０月９日付けで審尋を行い、同年１２月１５日付けで回答書が提出された。
　
　
第２　平成２０年５月２日付け手続補正の補正の適否について
［結論］
　平成２０年５月２日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由１］　新規事項の追加違反
　
１　本件補正について
（１）補正の内容
ア　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、平成１９年１２月２８日付け手続補正書の請求項１の
「少なくとも輝度情報に応じたデータ信号が供給される信号線に接続された画素回路がマトリクス状に複数配列された表示装置であって、
　上記信号線の配線方向に平行な列方向の軸を挟んで隣接する奇数列と偶数列の画素回路が、当該列方向の軸に対称なミラー型回路配置を有し、
　隣接する画素回路の信号線間に、信号線と異なる配線があり、隣接する前記信号線間が前記信号線と異なる配線によりシールドされる
　表示装置。」
　
とあったものを、
　
「少なくとも輝度情報に応じたデータ信号が供給される信号線に接続された画素回路がマトリクス状に複数配列された表示装置であって、
　上記信号線の配線方向に平行な列方向の軸を挟んで隣接する奇数列と偶数列の画素回路が、当該列方向の軸に対称なミラー型回路配置を有し、
　隣接する画素回路の信号線間であって信号線が形成された層と同層に、信号線と異なる配線があり、隣接する前記信号線間が前記信号線と異なる配線によりシールドされ、
　前記隣接する画素回路の信号線へのデータ信号の書き込みを時分割で行う
　表示装置。」
　
と補正された。
　
イ　また、本件補正により、明細書の【００４７】段落は、平成１９年１２月２８日付け手続補正書の
「【００４７】
　上記目的を達成するため、本発明の第１の観点は、少なくとも輝度情報に応じたデータ信号が供給される信号線に接続された画素回路がマトリクス状に複数配列された表示装置であって、上記信号線の配線方向に平行な列方向の軸を挟んで隣接する奇数列と偶数列の画素回路が、当該列方向の軸に対称なミラー型回路配置を有し、隣接する画素回路の信号線間に、信号線と異なる配線があり、隣接する前記信号線間が前記信号線と異なる配線によりシールドされる。」
　
とあったものを、
　
「【００４７】
　上記目的を達成するため、本発明の第１の観点は、少なくとも輝度情報に応じたデータ信号が供給される信号線に接続された画素回路がマトリクス状に複数配列された表示装置であって、上記信号線の配線方向に平行な列方向の軸を挟んで隣接する奇数列と偶数列の画素回路が、当該列方向の軸に対称なミラー型回路配置を有し、隣接する画素回路の信号線間であって信号線が形成された層と同層に、信号線と異なる配線があり、隣接する前記信号線間が前記信号線と異なる配線によりシールドされ、前記隣接する画素回路の信号線へのデータ信号の書き込みを時分割で行う。」
　
と補正された。
　
　
（２）本件補正
　本件補正は、
ア　隣接する画素回路の信号線間であって信号線と異なる配線が「信号線が形成された層と同層に」あるとする補正
　
イ　「前記隣接する画素回路の信号線へのデータ信号の書き込みを時分割で行う」とする補正
　
からなるものである。
　
　上記補正事項アは、信号線と異なる配線の位置を、「信号線が形成された層と同層」に限定したものであり、上記補正事項イは、「データ信号の書き込みを時分割で行う」ものに限定したものである。
　
　
２　補正の適否について
（１）願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面の記載事項
　本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下、「当初明細書等」という。）には、上記補正事項と関連して以下の記載がなされている。
　
記載事項ａ．【００３７】〜【００４０】；
「【００３７】
（１）信号線ＧＧＬ（ｎ） (n=Ｎ〜N+2)から画素回路Pixel(M,n)へのデータ信号の書き込みを制御する信号Scan(M)は１Ｈ期間オンされている。すなわち、信号線から画素回路へのデータ信号の書き込みが１Ｈ期間行われる。
（２）一方で、信号線へのデータの書き込みを制御するスイッチ２−Ｎ、２−（Ｎ＋１）、２−（Ｎ＋２）は１Ｈの一部のみオンすることで、複数の信号線への書き込みを時分割で行う。
　【００３８】
　この場合、画素回路１０を図８に示めすようなミラー型回路配置にすると、隣接する画素同士で信号線ＳＧＬ（Ｎ＋１）とＳＧＬ（Ｎ＋２）が隣接してしまう状況が必然的に生じるので、以下のような問題が生じる。
　【００３９】
　すなわち、信号線ＳＧＬ（Ｎ＋１）と信号線ＳＧＬ（Ｎ＋２）が隣接している場合、セレクトスイッチ２−（Ｎ＋１）がオンして信号線ＳＧＬ（Ｎ＋１）にデータが書き込まれ、次にセレクトスイッチ２−（Ｎ＋１）がオフし、セレクトスイッチ２−（Ｎ＋２）がオンして信号線ＳＧＬ（Ｎ＋２）にデータが書き込まれる。
　このとき、信号線ＳＧＬ（Ｎ＋１）と信号線ＳＧＬ（Ｎ＋２）は隣接しているため寄生容量Cp(N+1,N+2)が形成されている。
　したがって、信号線ＳＧＬ（Ｎ＋２）のデータが書き込まれるときに、信号線ＳＧＬ（Ｎ＋１）の信号線電位が変動する、すなわちデータの書き換えが行われる。
　また、この信号線ＳＧＬ（Ｎ＋１）の書き換えが行われたとき、信号Scan(M)はオンしているため、そのデータの書き換えは、画素回路Pixel(M,N+1)に反映される。
　【００４０】
　その結果、このような画素間の信号線が隣接する配置では、信号線間のデータの書き換え（＝クロストーク）が生じるため、正確な輝度データの書き込みが行えない。
　また、以上の例は、有機ＥＬ表示装置の典型的な画素回路を用いて説明したが、信号線から輝度データの書き込みを行うほかの画素回路を用いた有機ＥＬ表示装置でも同様のことが言える。
　また、ＬＣＤなどの信号線から輝度データの書き込みを行うほかの画素回路を用いた液晶表示装置でも同様のことが言える。」
　
記載事項ｂ．【００４６】〜【００４７】；
「【００４６】
　本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、比較的簡単な配線構成で画素間のクロストークが防止でき、また、表示画像に輝度ムラが発生することを防止でき、また、画素内部の能動素子のしきい値のばらつきによらず、安定かつ正確に各画素の発光素子に所望の値の電流を供給でき、結果として高品位な画像を表示することが可能な表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
　【００４７】
　上記目的を達成するため、本発明の第１の観点は、少なくとも輝度情報に応じたデータ信号が供給される信号線に接続された画素回路がマトリクス状に複数配列された表示装置であって、上記信号線の配線方向に平行な列方向の軸を挟んで隣接する奇数列と偶数列の画素回路が、当該列方向の軸に対称なミラー型回路配置を有し、隣接する画素回路の信号線間に、信号線と異なる配線がある。」
　
記載事項ｃ．【００６０】；
「【００６０】
　本発明によれば、たとえば固定電位線が信号線間にと並行するように同一方向に配線されている。
　これにより、隣接する信号線間が固定電位線によりシールドされることにない、隣接する信号線における互いの電磁的結合が遮蔽されて、クロストークが生じない。
　その結果、正確な輝度データの書き込みが行われる。」
　
記載事項ｄ．【００７９】；
「【００７９】
　そして、たとえば、データドライバのセレクトスイッチ１０３２がオンして信号線ＳＧＬ１０２にデータが転送され、次にセレクトスイッチ１０３２がオフして、セレクトスイッチ１０３３がオンして信号線ＳＧＬ１０３にデータが転送される。
　このように輝度データの書き込みが隣接する画素回路で時分割して行われる場合、信号線ＳＧＬ１０２と信号線ＳＧＬ１０３との間には固定電位のプリチャージ電位線ＶＰＣＬ１０２が存在することから、互いの電磁的結合が遮蔽され、クロストークが生じない。
　そのため、正確な輝度データの書き込みが可能となる。」
　
　
（２）当審の判断
ア　補正事項アについて
　当初明細書等には、信号線についても信号線と異なる配線についても、その積層関係については一切記載されておらず、図面にもその積層関係を把握できるような断面図が存在しない。
　また、この点、平成２０年１２月１５日付けで提出された回答書には次のように記載されており、審判請求人も自認している。
「３　「前置報告書」について 
 ３．１　前置報告書の内容 
 　　「前置報告書」には、 
　この補正は、以下に示すとおり、（１）特許法第１７条の２第３項の規定に違反するものであり、（２）同法第１７条の２第４項の規定に違反するものであるから、同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。 
  
 （１）特許法第１７条の２第３項 
　審判請求時に補正された請求項１及び［００４７］段落に記載された事項である「信号線が形成された層と同層に」なる事項は、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面の記載から自明な事項ではない。 
　出願人は審判請求書の請求の理由において、［００６０］段落における「少なくとも固定電位線が信号線間に並行するように同一方向に配線されている」との記載は、２本の信号線を想定すると「少なくとも２本の信号線の間であって、信号線と並んで配線されている」という意味を含んでおり、上記記載は「信号線と異なる配線と異なる配線」が信号線と同一層であることを指していると主張している。 
　しかしながら、「少なくとも２本の信号線の間であって、信号線と並んで配線されている」ことは、必ずしも信号線と同一層にあることを意味せず、信号線と異なる層にあったとしても、本願の図９などのように平面図として見れば、「少なくとも２本信号線の間であって、信号線と並んで配線されている」ものと解釈しうるものである。 
　よって、上記補正は、“層”に関する記載がない当初明細書等から、「信号線が形成された層と同層」になる当初明細書等の記載から自明でない事項を追加するものである。 
　したがって、この補正は、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものでなく、特許法第１７条の２第３項の規定に違反するものであるから、同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。 
　
（２）特許法第１７条の２第４項
　・・・・（中略）・・・・　
　
３．２　前置報告書に対する意見 
　出願人は、上記前置報告書の内容を検討した結果、上記（１）に指摘された補正「信号線と異なる配線と異なる配線」は一部認めざるを得ないと考えますが、（２）に指摘された補正・・・・（後略）・・・・」
　
　したがって、上記補正事項アにおいて、信号線と異なる配線を「信号線が形成された層と同層」とすることは、当初明細書等に記載された事項ではなく、且つ当業者にとって自明な事項であるとも認められない。
　
　
イ　補正事項イについて
（ア）新規事項の追加について
　上記記載事項ａ及びｄから、「データ信号の書き込みを時分割で行う」ことは当初明細書等に記載された事項である。
　
（イ）限定的減縮について
　本願は、
　複数の信号線への書き込みを時分割で行う場合、画素回路１０を図８のようなミラー型回路配置にすると、隣接する画素同士で信号線ＳＧＬ（Ｎ＋１）とＳＧＬ（Ｎ＋２）が隣接してしまう状況が必然的に生じるので、その信号線の間に寄生容量が形成されてしまい、それゆえ、信号線ＳＧＬ（Ｎ＋２）のデータが書き込まれるときに、信号線ＳＧＬ（Ｎ＋１）の信号線電位が変動する（すなわち、データの書き換えが行われる）という課題が生じており（上記記載事項ａを参照。）、
　この課題を解決するために、隣接する画素回路の信号線の間に、信号線と異なる配線を設けている（上記記載事項ｂ〜ｄを参照。）
　ものである。
　
　よって、「データ信号の書き込みを時分割で行う」と限定する補正は、その補正の前後で発明の解決しようとする課題を変更するものではない。
　また、産業上の利用分野も同一である。
　そして、補正事項イは、補正前の請求項１に記載された発明の発明特定事項、すなわち課題解決手段の１つである「少なくとも輝度情報に応じたデータ信号が供給される信号線」における、信号線へのデータ信号の供給を概念的に下位のものに補正するものである。
　
　してみれば、補正事項イは、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２（以下、単に「特許法第１７条の２」という。）第４項第２号（特許請求の範囲の限定的減縮）を目的とするものである。
　
　
ウ　むすび
　したがって、上記補正事項アにより追加された事項を含む本件補正は、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものではないから、特許法第１７条の２第３項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定によって却下されるべきものである。
　
　
　
［理由２］　独立特許要件違反
　
　本件補正は、上記のように新規事項の追加で却下されるべきものであるが、仮に、全体として新たな技術事項を追加するものでもなく、特許法第１７条の２第４項第２号（特許請求の範囲の限定的減縮）に該当するものであるとした場合、本件補正後の前記請求項１に記載されている事項により特定される発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について、以下に検討する。
　
１　引用例
（１）引用例１
　原査定の拒絶の理由に引用された本願の出願前に頒布された刊行物である特開平１１−２４６０６号公報（以下、「引用例１」という。）には、次の事項が記載されている。
　
記載事項ア．【請求項１】；
「【請求項１】　基板上に、複数の走査線と、該走査線の延設方向に対して交差する方向に延設された複数のデータ線と、該データ線に並列する複数の共通給電線と、前記データ線と前記走査線によりマトリクス状に形成された画素とを有し、該画素の各々には、前記走査線を介して走査信号が第１のゲート電極に供給される第１の薄膜トランジスタと、該第１の薄膜トランジスタを介して前記データ線から供給される画像信号を保持する保持容量と、該保持容量によって保持された前記画像信号が第２のゲート電極に供給される第２の薄膜トランジスタと、前記画素毎に形成された画素電極と該画素電極に対向する対向電極との層間において前記画素電極が前記第２の薄膜トラジスタを介して前記共通給電線に電気的に接続したときに前記画素電極と前記対向電極との間に流れる駆動電流によって発光する有機半導体膜を具備する発光素子とを備える表示装置において、
　前記共通給電線の両側には、該共通給電線との間で前記駆動電流の通電が行われる画素が配置され、該画素に対して前記共通給電線とは反対側を前記データ線が通っていることを特徴とする表示装置。」
　
記載事項イ．【請求項２】；
「【請求項２】　請求項１において、前記共通給電線を挟むように配置された２つの画素の間で、前記第１の薄膜トランジスタ、前記第２の薄膜トランジスタ、および前記発光素子は、当該共通給電線を中心に線対称に配置されていることを特徴とする表示装置。」
　
記載事項ウ．【請求項６】；
「【請求項６】　請求項１ないし５のいずれかにおいて、前記画素に対して前記共通給電線とは反対側を通る２本のデータ線の間に相当する位置には、配線層が形成されていることを特徴とする表示装置。」
　
記載事項エ．【請求項７】；
「【請求項７】　請求項６において、前記複数のデータ線のうち、隣接する２本のデータ線の間では、画像信号のサンプリングが同一のタイミングで行われるように構成されていることを特徴とする表示装置。」
　
記載事項オ．【００２２】〜【００２３】；
「　　【００２２】
（共通給電線と画素の配置）
　表示装置１では、液晶表示装置のアクティブマトリクス基板と同様、透明基板１０上に、複数の走査線ｇａｔｅと、該走査線ｇａｔｅの延設方向に対して交差する方向に延設された複数のデータ線ｓｉｇとが構成され、図２に示すように、これらのデータ線ｓｉｇと走査線ｇａｔｅとによりマトリクス状に形成された画素７が構成されている。
　　　【００２３】
　これらの画素７のいずれにも、走査線ｇａｔｅを介して走査信号がゲート電極２１（第１のゲート電極）に供給される第１のＴＦＴ２０が構成されている。このＴＦＴ２０のソース・ドレイン領域の一方は、データ線ｓｉｇに電気的に接続し、他方は電位保持電極ｓｔに電気的に接続している。走査線ｇａｔｅに対しては容量線ｃｌｉｎｅが並列配置され、この容量線ｃｌｉｎｅと電位保持電極ｓｔとの間には保持容量ｃａｐが形成されている。従って、走査信号によって選択されて第１のＴＦＴ２０がオン状態になると、データ線ｓｉｇから画像信号が第１のＴＦＴ２０を介して保持容量ｃａｐに書き込まれる。」
　
記載事項カ．【００２５】】；
「　　【００２５】
　本形態では、共通給電線ｃｏｍの両側に、該共通給電線ｃｏｍとの間で駆動電流の供給が行われる複数の画素７が配置され、これらの画素７に対して共通給電線ｃｏｍとは反対側を２本のデータ線ｓｉｇが通っている。すなわち、データ線ｓｉｇ、それに接続する画素群、１本の共通給電線ｃｏｍ、それに接続する画素群、および該画素群に画素信号を供給するデータ線ｓｉｇを１つの単位としてそれを走査線ｇａｔｅの延設方向に繰り返してあり、共通給電線ｃｏｍは、１本で２列分の画素７に対して駆動電流を供給する。そこで、本形態では、共通給電線ｃｏｍを挟むように配置された２つの画素７の間では、第１のＴＦＴ２０、第２のＴＦＴ３０、および発光素子４０が当該共通給電線ｃｏｍを中心に線対称に配置され、これらの素子と各配線層との電気的な接続を容易なものにしてある。」
　
記載事項キ．【００３５】〜【００３６】；
「　　【００３５】
　このように構成された発光素子４０では、対向電極ｏｐおよび画素電極４１をそれぞれ正極および負極として電圧が印加され、図７に示すように、印加電圧がしきい値電圧を越えた領域で有機半導体膜４３に流れる電流（駆動電流）が急激に増大する。その結果、発光素子４０は、エレクトロルミネッセンス素子あるいはＬＥＤ素子として発光し、発光素子４０の光は、対向電極ｏｐに反射され、透明な画素電極４１および透明基板１０を透過して出射される。
　　　【００３６】
　このような発光を行うための駆動電流は、対向電極ｏｐ、有機半導体膜４３、正孔注入層４２、画素電極４１、第２のＴＦＴ３０、および共通給電線ｃｏｍから構成される電流経路を流れるため、第２のＴＦＴ３０がオフ状態になると、流れなくなる。本形態の表示装置１では、走査信号によって選択されて第１のＴＦＴ２０がオン状態になると、データ線ｓｉｇから画像信号が第１のＴＦＴ２０を介して保持容量ｃａｐに書き込まれる。従って、第２のＴＦＴ３０のゲート電極は、第１のＴＦＴ２０がオフ状態になっても、保持容量ｃａｐによって画像信号に相当する電位に保持されるので、第２のＴＦＴ３０はオン状態のままである。それ故、発光素子４０には駆動電流が流れ続け、この画素は点灯状態のままである。この状態は、新たな画像データが保持容量ｃａｐに書き込まれて、第２のＴＦＴ３０はオフ状態になるまで維持される。」
　
記載事項ク．【００５７】〜【００５９】；
「　　【００５７】
［上記形態の改良例］
　上記形態では、共通給電線ｃｏｍの両側のそれぞれに、該共通給電線ｃｏｍとの間で駆動電流が流れる画素７が配置され、該画素７に対して前記共通給電線ｃｏｍとは反対側を２本のデータ線ｓｉｇが並列して通っている。従って、２本のデータ線ｓｉｇの間でクロストークが発生するおそれがある。そこで、本形態では、図９、図１０（Ａ）、（Ｂ）に示すように、２本のデータ線ｓｉｇの間に相当する位置にダミーの配線層ＤＡを形成してある。このダミーの配線層ＤＡとしては、たとえば、画素電極４１と同時形成されたＩＴＯ膜ＤＡ１を利用することができる。また、ダミーの配線層ＤＡとしては、２本のデータ線ｓｉｇの間に容量線ｃｌｉｎｅからの延設部分ＤＡ２を構成してもよい。これらの双方をダミーの配線層ＤＡとして用いてもよい。
　　　【００５８】
　このように構成すると、並列する２本のデータ線ｓｉｇの間にはそれらとは別の配線層ＤＡが通っているので、このような配線層ＤＡ（ＤＡ１、ＤＡ２）を画像の少なくとも１水平走査期間内で固定電位としておくだけで、上記のクロストークを防止できる。すなわち、第１の層間絶縁膜５１および第２の層間絶縁膜５２は、膜厚が凡そ１μｍであるのに対して、２本のデータ線ｓｉｇ２本の間隔は約２μｍ以上であるため、各データ線ｓｉｇとダミーの配線層ＤＡ（ＤＡ１、ＤＡ２）との間に構成される容量に比較して、２本のデータ線ｓｉｇに間に構成される容量は十分に無視できるほど小さい。それ故、データ線ｓｉｇから漏れた高周波数の信号はダミーの配線層ＤＡ及びＤＡ２で吸収されるので、２本のデータ線ｓｉｇの間でのクロストークを防止できる。
　　　【００５９】
　また、複数のデータ線ｓｉｇのうち、隣接する２本のデータ線ｓｉｇの間では、画像信号のサンプリングを同一のタイミングで行うことが好ましい。このように構成すると、２本のデータ線ｓｉｇの間でサンプリング時の電位変化が同時に起きるので、これら２本のデータ線ｓｉｇの間におけるクロストークをより確実に防止できる。」
　
記載事項ケ．【図面の簡単な説明】から図９〜図１０
「　　【図９】
　図１に示す表示装置の改良例を示すブロック図である。
　　【図１０】
　（Ａ）は、図９に示す表示装置に形成したダミーの配線層を示す断面図、（Ｂ）はその平面図である。」
　
　
（２）引用発明の認定
　上記記載事項から、引用例１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「画像信号が供給されるデータ線ｓｉｇに接続された画素７がマトリクス状に形成された表示装置であって、
　前記画素７の各々には、走査線を介して走査信号が第１のゲート電極に供給される第１の薄膜トランジスタと、該第１の薄膜トランジスタを介して前記データ線ｓｉｇから供給される画像信号を保持する保持容量と、該保持容量によって保持された前記画像信号が第２のゲート電極に供給される第２の薄膜トランジスタと、前記画素７毎に形成された画素電極と該画素電極に対向する対向電極との層間において前記画素電極が前記第２の薄膜トランジスタを介して共通給電線ｃｏｍに電気的に接続したときに前記画素電極と前記対向電極との間に流れる駆動電流によって発光する有機半導体膜を具備する発光素子とを備え、
　前記データ線ｓｉｇに並列する複数の前記共通給電線ｃｏｍの両側には、前記画素７が当該共通給電線ｃｏｍを中心に線対称に配置され、
　前記画素７に対して前記共通給電線ｃｏｍとは反対側を通る２本のデータ線ｓｉｇの間に相当する位置には、それらとは別の配線層ＤＡがあり、それ故、データ線ｓｉｇから漏れた高周波数の信号は配線層ＤＡで吸収される
　表示装置。」
　
　
（３）周知例１
　本願の出願前に頒布された刊行物である特開平３−７９１４号公報（以下、「周知例１」という。）には、次の事項が記載されている。
　
記載事項コ．
「〔作　　　用〕
　上記構成において、シールド電極を画素電極の周囲に設けることにより、画素電極と、この画素電極とスイッチング素子を介して接続された走査電極および隣接走査電極、隣接信号電極との間を直接に結ぶ電気力線の密度が大幅に減少する。すなわち、画素電極と、上記した走査電極、隣接走査電極、隣接信号電極との間のそれぞれの寄生容量が大幅に減少する。これにより、クロストークが少なくなり、コントラストの劣化や、中間調表示の狂いのような画質上の問題はほぼ解決できる。」（第３ページ右上欄下から第２行〜左下欄第９行）
　
記載事項サ．
「第１図、第２図において、下板１は無アルカリガラスからなり、その表面に、ＩＴＯ膜を０．１２μｍの厚さで堆積させてなる導電性の透明な画素電極２が形成されている。また、その画素電極２の形成と同時に同じ表面に形成されたＩＴＯ配線電極上にさらにＣｒ膜を０．１μｍの厚さで堆積した後、ホトエッチングして、走査電極９と、本発明の特徴とする第４の電極であるシールド電極１２が形成され、さらに、画素電極２と走査電極９にまたがって、二端子型素子８が形成されている。上記シールド電極１２は、二端子型素子８の近傍を除いて、画素電極２の周囲を囲むように設けられている。なお、上記第４の電極は、独立した電位に設定することも可能であるが、本実施例では、下板１の端部で接地電位部に接続して、シールド電極１２として用いている。」（第３ページ左下欄最終行〜右下欄第１５行）
　
記載事項シ．
「また、走査電極７と画素電極２との間および画素電極２同士の間の間隔３０μｍの部分には、その中間に幅１０μｍのシールド電極１２が配置されている。」（第４ページ左下欄第２行〜第５行）
　
記載事項ス．
「〔発明の効果〕
　本発明によれば、第４の電極（シールド電極）を設けたことにより、画素電極と走査電極、隣接走査電極、隣接信号電極との間の寄生容量を従来の１０％近くに減少させることができ、また、隣接信号電極、隣接走査電極の電位変化の影響を受けないように画素電極をシールドすることができる。従ってクロストークが少なくなるため、コントラストの劣化や中間調表示での狂いもなくなり、高精細な液晶ディスプレイパネルを実現することができる。」（第９ページ第６行〜第１６行）
　
記載事項セ．
「第２図は第１図における画素の一つを拡大して示した平面図およびその各断面図」（第９ページ第８行〜第１０行）
　
　
（４）周知例２
　本願の出願前に頒布された刊行物である特開昭６０−２５４６５４号公報（以下、「周知例２」という。）には、次の事項が記載されている。
　
記載事項ソ．
「差動増巾回路を含む半導体集積回路において、差動信号線の２本の配線を平行に隣接して形成し、その外側に定電位に印加された２本の配線を配置することを特徴とする半導体集積回路。」（特許請求の範囲）
　
記載事項タ．
「こうした半導体集積回路は、大規模化が進むにつれて、パターンの微細化が行われるが、各層の厚さ方向の変化は、金属配線層のエレクトロマイグレーション等の信頼性確保のためにほとんど変化しない。従って、電気力線の影響で隣接配線間の容量が増大する。例えば、２５６Ｋメモリー程度のパターンでは、パシベーションが１〜２μｍ，金属配線層の幅が３〜４μｍ，その間隔が２μｍ，厚さが１μｍ，金属配線層と基板との距離が１μｍくらいであり、隣接配線間容量は、全配線容量の約２０％位になる。従って、隣接する配線で一方の信号線の電位が変化すると他方の信号線に雑音を生じる。」この雑音は、例えば、差動信号線の一方に生じると差動増巾回路の誤作動を引き起こす場合がある。」（第１ページ右下欄下から第４行〜第２ページ左上欄第１１行）
　
記載事項チ．
「第３図(a)，(b)は本発明の一実施例の要部平面図及びＢ−Ｂ’面の断面図である。第３図(a)，(b)に示すように本実施例では、シリコン基板８上に形成されたシリコン酸化膜６上には、差動信号線を形成する２本の金属配線層Ｄ，Ｄ（当審注；後半のＤはアッパーライン付き）が平行に隣接して形成され、その配線の外側の両側には金属配線層３が形成され、この２本の配線には定電位が印加される。そしてその外側に信号線を形成する金属配線層１，２が配置され構成されている。なお７はパッシベーションである。
　この実施例において、仮に信号線１又は２の電位を急激に変化させた場合、その内側にある金属配線層３は定電位に保持されているため外側の配線からの雑音をしゃへいし雑音を生じない。従ってその内側の差動信号線Ｄ，Ｄ（当審注；後半のＤはアッパーライン付き）には雑音を生じることはない。従って、差動信号値は変らない。」（第２ページ右上欄第９行〜左下欄第４行）
　
記載事項ツ．
「第３図(a)，(b)は、本発明の一実施例の要部平面図及びそのＢ−Ｂ’面断面図である。」（第２ページ左下欄最終行〜右下欄第２行）
　
　
（５）周知例３
　本願の出願前に頒布された刊行物である特開平９−３０５１３９号公報（以下、「周知例３」という。）には、次の事項が記載されている。
　
記載事項テ．【００１２】；
「【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の第１の実施の形態としての表示装置の概要を図１を参照して説明する。図１において、表示部１０はマトリクス状に配列されたｍ×ｎのピクセルＰ１１〜Ｐｍｎから構成されている。これらのピクセルＰ１１〜Ｐｍｎには、アナログのビデオ信号Ｓｖがビデオアンンプ２により増幅され、さらにＶ／Ｉ補正回路３によりビデオ信号の特性が補正されて供給されている。この場合、ピクセルＰ１１〜Ｐｍｎには、走査制御回路４により順次時分割されて、個々のピクセルＰ１１〜Ｐｍｎにビデオ信号Ｓｖが間欠的に供給されている。なお、走査制御回路４には同期信号Ｓｙｎｃが供給され、走査制御回路４はこの同期信号Ｓｙｎｃのタイミングにより走査制御を行っている。」
　
記載事項ト．【００３４】；
「【００３４】次に本発明の表示装置の第２の実施の形態としての有機ＥＬ表示装置を図７〜図９を参照して説明するが、表示装置の概略は図１に示す表示装置と同じであり、有機ＥＬ表示装置とされた場合の図１に示す表示部１０の４つのピクセルＰ１１，１２，Ｐ２１，Ｐ２２の詳細な構成が図７に示されている。有機ＥＬ表示装置においても図１に示すように、表示部１０はマトリクス状に配列されたｍ×ｎのピクセルＰ１１〜Ｐｍｎから構成されている。この表示装置の動作は、表示素子がＦＥＣから有機ＥＬ表示素子とされた点を除いて前述した通りであるので省略するが、表示部１０はアクティブマトリクス方式とされており、各ピクセルＰ１１〜Ｐｍｎは供給された定電流に応じて発光するようにされて、ビデオ信号に応じた無段階とされた階調制御を行えるようにしている。なお、電源回路５は、表示部１０に駆動用のアノード電源等を供給している。」
　
記載事項ナ．【００４３】〜【００４５】；
「【００４３】次に各ピクセルＰ１１〜Ｐｍｎを駆動する駆動制御方法について説明する。ここで、図１に示す走査制御回路４からは、ビデオクロック信号Ｖｃｋ、ビデオ同期信号Ｖｓｙ、ライン同期信号Ｌｓｙ、ラインクロック信号Ｌｃｋが表示部１０に与えられている。また、電源回路５から供給されたアノード電源Ｖａは、すべてのピクセルＰ１１〜ＰｍｎのＩＴＯ電極（アノード電極）に常時印加されている。表示部１０の水平方向には１ピクセル毎に設けられたシフトレジスタＳＲ−Ｈ１〜ＳＲ−Ｈｎが縦続接続されており、このシフトレジスタＳＲ−Ｈ１〜ＳＲ−Ｈｎには、ビデオ同期信号Ｖｓｙが入力されており、ビデオクロック信号Ｖｃｋによりビデオ同期信号Ｖｓｙがシフトされている。また、表示部１０の垂直方向には、１ピクセル毎に設けられたシフトレジスタＳＲ−Ｖ１〜ＳＲ−Ｖｍが縦続接続されており、このシフトレジスタＳＲ−Ｖ１〜ＳＲ−Ｖｍには、ライン同期信号Ｌｓｙが入力されており、ラインクロック信号Ｌｃｋによりライン同期信号Ｌｓｙがシフトされている。
【００４４】例えば、シフトレジスタＳＲ−Ｖ１の出力により一水平ラインのピクセルＰ１１ないしＰ１ｎのスイッチＳ−１−１〜Ｓ−１−ｎの一方にアクティブレベルの信号が供給されている時に、シフトレジスタＳＲ−Ｈ１の出力がアクティブレベルとなった時は、スイッチＳ−１−１にのみ２つのアクティブレベルの信号が供給されるので、スイッチＳ−１−１のみオンとなり、ピクセルＰ１１内のＦＥＴ１１〜ＦＥＴｊ１がオンとなる。すなわち、この時はオンとなったＦＥＴ１１〜ＦＥＴｊ１を介してピクセル１１にビデオ信号Ｖｓが取り込まれるようになる。次のタイミングではビデオクロックＶｃｋにより、ビデオ同期信号ＶｓｙがシフトされてシフトレジスタＳＲ−Ｈ２の出力がアクティブレベルとなり、スイッチＳ−１−２のみオンとなって、ピクセルＰ１２内のＦＥＴ１１〜ＦＥＴｊ１がオンとなる。すなわち、この時はオンとなったＦＥＴ１１〜ＦＥＴｊ１を介してピクセル１２にビデオ信号Ｖｓが取り込まれるようになる。
【００４５】シフトレジスタＳＲーＨ１〜ＳＲ−Ｈｎを同期信号Ｖｓｙは順次シフトされていき、これに伴い同様にして、水平方向のピクセルＰ１３〜Ｐ１ｎにビデオ信号Ｖｓが順次取り込まれる。次いで、一水平ラインのピクセルにそれぞれビデオ信号が取り込まれると、ライン同期信号によりライン同期信号Ｌｓｙがシフトされて、シフトレジスタＳＲ−Ｖ２の出力がアクティブレベルとなり、今度は２ライン目のピクセルＰ２１〜Ｐ２ｎが、前述と同様にして順次ビデオ信号Ｖｓを取り込むようになる。このような動作が引き続いて行われることにより、最終ラインのピクセルＰｍ１〜Ｐｍｎが順次ビデオ信号Ｖｓを取り込む。これにより、１フレームのビデオ信号が表示部１０に供給されたことになり、各ピクセルＰ１１〜Ｐｍｎでは保持しているビデオ信号に応じたカソード電流を各有機ＥＬ表示素子に供給して、入力されたビデオ信号Ｖｓの画像信号に応じた発光が行われるようになる。」
　
　
（６）周知例４
　本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００２−２８７６５３号公報（以下、「周知例４」という。）には、次の事項が記載されている。
　
記載事項ニ．【０００１】；
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表示装置およびこれを用いた携帯端末、さらにはこれらの製造方法に関し、特に液晶ディスプレイ（ＬＣＤ；liquid crystal display）やエレクトロルミネセンス（ＥＬ；electroluminescence）ディスプレイなどの表示装置およびこれを表示部として用いた携帯端末、さらにその製造方法に関する。」
　
記載事項ヌ．【００７６】；
「【００７６】図１３は、本発明が適用された時分割駆動方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置の構成例を示す概略構成図である。」
　
記載事項ネ．【００７９】；
「【００７９】ここで、時分割駆動法について説明する。時分割駆動法とは、画素部７２の互いに隣り合う複数本の信号ラインを１単位（ブロック）として分割し、この１分割ブロック内の複数本の信号ラインに与える信号電圧を時系列で水平ドライバ７４の各出力端子から出力する一方、複数本の信号ラインを１単位として時分割スイッチ部７５を設け、この時分割スイッチ部７５によって水平ドライバ７４から出力される時系列の信号電圧を時分割でサンプリングして複数本の信号ラインに順次与える駆動方法である。」
　
　
 ２　対比
（１）対比
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
　
　引用発明の「画像信号が供給されるデータ線ｓｉｇ」と、本願補正発明の「少なくとも輝度情報に応じたデータ信号が供給される信号線」とは、「データ信号が供給される信号線」という点で一致する。
　
　引用発明の「画素７がマトリクス状に形成された表示装置であって、該画素の各々には、前記走査線を介して走査信号が第１のゲート電極に供給される第１の薄膜トランジスタと、該第１の薄膜トランジスタを介して前記データ線から供給される画像信号を保持する保持容量と、該保持容量によって保持された前記画像信号が第２のゲート電極に供給される第２の薄膜トランジスタと、前記画素毎に形成された画素電極と該画素電極に対向する対向電極との層間において前記画素電極が前記第２の薄膜トランジスタを介して共通給電線ｃｏｍに電気的に接続したときに前記画素電極と前記対向電極との間に流れる駆動電流によって発光する有機半導体膜を具備する発光素子とを備え」る点については、当該記載から引用発明の画素が各々「画素回路」を形成していることは明らかであるから、本願補正発明の「画素回路がマトリクス状に複数配列された表示装置」という点と一致する。
　
　引用発明の「前記データ線ｓｉｇに並列する複数の前記共通給電線ｃｏｍの両側には、前記画素７が当該共通給電線ｃｏｍを中心に線対称に配置され」る点は、本願補正発明の「上記信号線の配線方向に平行な列方向の軸を挟んで隣接する奇数列と偶数列の画素回路が、当該列方向の軸に対称なミラー型回路配置を有」する点と一致する。
　
　引用発明の「前記画素７に対して前記共通給電線ｃｏｍとは反対側を通る２本のデータ線ｓｉｇの間に相当する位置には、それらとは別の配線層ＤＡがあり、それ故、データ線ｓｉｇから漏れた高周波数の信号は配線層ＤＡで吸収される」点については、データ線ｓｉｇから漏れた高周波数の信号が配線層ＤＡで吸収されるということは、結果的に２本のデータ線ｓｉｇの間が配線層ＤＡによって「シールド」されていることになるから、本願補正発明の「隣接する画素回路の信号線間であって、信号線と異なる配線があり、隣接する前記信号線間が前記信号線と異なる配線によりシールドされ」る点と一致する。
　
（２）一致点
　したがって、本願補正発明と引用発明とは、
「データ信号が供給される信号線に接続された画素回路がマトリクス状に複数配列された表示装置であって、
　上記信号線の配線方向に平行な列方向の軸を挟んで隣接する奇数列と偶数列の画素回路が、当該列方向の軸に対称なミラー型回路配置を有し、
　隣接する画素回路の信号線間であって、信号線と異なる配線があり、隣接する前記信号線間が前記信号線と異なる配線によりシールドされた表示装置。」
の発明である点で一致する。
　
（３）相違点
ア　相違点１；
　データ信号が、本願補正発明では「少なくとも輝度情報に応じた」信号であるのに対し、引用発明では単に「画像信号」と記載されているのみである点。
　
イ　相違点２；
　隣接する信号線と異なる配線が、本願補正発明では「信号線が形成された層と同層に」形成されているのに対し、引用発明ではそのようになっていない点。
　
ウ　相違点３；
　本願補正発明では「前記隣接する画素回路の信号線へのデータ信号の書き込みを時分割で行う」のに対し、引用発明では時分割で行うことの明記がない点。
　
　
３　当審の判断
（１）上記の相違点について検討する。
　
ア　相違点１について；
　引用発明の画素回路が発光素子を有していることを考慮すると、引用発明の、発光素子を有する画素回路がマトリクス状に複数配列された表示装置で画像を表示させる際、各々の画素回路に供給する画像信号が、発光素子の「輝度」を調節する信号を含む、すなわち「少なくとも輝度情報に応じた」信号であることは、当業者にとって自明の事項にすぎない。
　
イ　相違点２について；
　電気回路内で隣接する配線の間にこれらとは異なる配線を設け、隣接する配線間で形成される寄生容量を遮蔽（シールド）して寄生容量に起因する電気的雑音を排除する技術において、前記異なる配線を、前記隣接する配線が形成された層と「同層」に配置する技術は、当業者にとって周知技術（上記周知例１〜２を参照。）である。
  
　よって、当該周知技術の配置構造を、引用発明の配線層ＤＡに適用して、上記相違点２に係る発明特定事項を得ることは、当業者が容易になし得たことである。
　
ウ　相違点３について；
　まず、「信号線に接続された画素回路がマトリクス状に複数配列された表示装置」において、「画素回路の信号線へのデータ信号の書き込みを時分割で行う」技術は、当業者にとって周知技術（上記周知例３〜４を参照。）にすぎない。
　
　そして、引用発明について、上記記載事項ウ、エ及びクを参照すると、隣接する２本のデータ線ｓｉｇの間では、画像信号のサンプリングを同一のタイミングで行うことが好ましいこと、そうすれば、これら２本のデータ線ｓｉｇの間におけるクロストークをより確実に防止できること、が記載されているが、これはより好ましい態様を記載したものであり、記載事項エが記載事項ウの下位の請求項にすぎないことからしても、引用発明は信号の書き込みを同一のタイミングで行うものに限定したものではなく、時分割での書き込みを阻害するものではない。
　
　してみれば、引用発明において、信号線へのデータ信号の書き込みを周知技術の「時分割で行う」ようにして、上記相違点３に係る発明特定事項を得ることは、当業者が容易になし得たことである。
　
（２）本願補正発明の効果について
　そして、本願補正発明によってもたらされる効果は、引用発明及び周知例１〜４から、当業者が予測し得る程度のものである。
　
（３）判断
　したがって、本願補正発明は、引用発明及び周知例１〜４に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（４）むすび
　以上のとおり、本願補正発明は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、同法１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
　
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２０年５月２日付け手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１９年１２月２８日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるものである。（上記、「第２　１（１）補正の内容　ア」を参照。）
　
　
２　引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例１の記載事項は、前記「第３　１（１）引用例１」に記載したとおりである。
　
　
３　対比・判断
　本願発明は、本願補正発明から、上記「第２　１（２）本件補正」で述べた構成の限定を省いたものである。
　そうすると、本願発明の発明特定事項をすべて含み、且つその発明特定事項を限定したものに相当する本願補正発明が、前記「第３　３　当審の判断」に記載したとおり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、本願発明も、同様の理由により、特許を受けることができないものである。
　
４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　よって、結論のとおり審決する。