【事件の表示】
　特願２００３−８６６０７「ＭｇＯ単結晶基板」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年１０月２１日出願公開，特開２００４−２９２２３７〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は平成１５年３月２６日の出願であって，平成１８年５月２６日付けで拒絶理由が通知され（発送日は同年６月６日），同年８月７日付けで意見書・手続補正書が提出され，同年１０月１６日付けで拒絶理由が通知され（発送日は同年同月２４日），同年１２月２５日付けで意見書・手続補正書が提出され，平成１９年３月９日付けで拒絶査定され（発送日は同年同月１３日），その後，同年４月１１日に拒絶査定不服審判の請求がなされ，平成２１年５月２０日付けで当審より拒絶理由が通知され（発送日は同年同月２６日），同年７月１５日付けで意見書が提出されたものであり，その請求項１に係る発明（以下，「本願発明１」という。）は，平成１８年８月７日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。 
　
 「【請求項１】　表面に，原子層として２〜１０層分の高さのステップが形成されてなるＭｇＯ単結晶基板。」 
　
２．当審による拒絶理由
　当審による平成２１年５月２０日付け拒絶理由通知の理由の概要は，本願発明１は，本願出願前に頒布された刊行物である，「石井幸恵他，「ＭｇＯ単結晶基板の表面処理」電子情報通信学会技術研究報告，Ｖｏｌ．１００，Ｎｏ．２７４，１〜５頁，２０００年８月２２日発行」（以下，「引用例」という。）に記載された発明であるか，引用例に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第１項第３号に該当し，または，同条第２項の規定により，特許を受けることができない，というものである。
 　 
３．引用例の記載事項 
　本願出願前に頒布された刊行物である引用例（「石井幸恵他，「ＭｇＯ単結晶基板の表面処理」電子情報通信学会技術研究報告，Ｖｏｌ．１００，Ｎｏ．２７４，１〜５頁，２０００年８月２２日発行」）には，次の事項が記載されている。 
（ア）「２．実験方法　試料として・・・ＭｇＯ単結晶・・・を用意した。そのような試料を・・・５００℃〜１０００℃で１２時間熱処理を行った。」（２頁左欄２２〜２７行） 
（イ）「３．結果及び考察　・・・このようなＭｇＯ基板に熱処理を施し表面観察を行った。・・・ＭｇＯは・・・０．５格子（０．２１ｎｍ）単位で反応していくと推察される。・・・熱処理温度を高温にすることでバンチングステップを形成していく様子も確認した。・・・１０００℃での熱処理では２格子高さのバンチングステップが生じた」（２頁左欄３４行〜４頁左欄３５行） 
 　 
４．対比・判断 
　引用例の記載事項（イ）には，「２格子高さのバンチングステップが生じた」ことが記載され，「ＭｇＯ基板」の「表面観察を行った」ところ「バンチングステップを形成していく様子も確認した」ことが記載されているといえるから，「２格子高さのバンチングステップ」は「ＭｇＯ基板」の表面に生じたことが自明といえる。 
　この引用例の記載事項（イ）を本願発明１の記載ぶりに則して整理すると，引用例には，「表面に，２格子高さのバンチングステップが生じたＭｇＯ基板」（以下「引用発明」という。）が記載されているといえる。 
　
　そこで，本願発明１と引用発明とを対比する。 
 
　まず，引用発明の「バンチングステップ」の技術的内容についてみると，結晶技術の分野では，一般的に「ステップが収束し大きなステップが形成された」ものを指すことが明らかであるから（要すれば，特開２０００−２９４７７７号公報の段落【０００５】参照），引用発明の「バンチングステップ」は，その形状についてみると，ステップであるといえる。そうすると，引用発明の「２格子高さのバンチングステップ」は，２格子高さのステップであるといえ，本願発明１の「原子層として２〜１０層分の高さのステップ」と，ステップの高さが特定されている点で共通している。 
　そして，引用発明の「ＭｇＯ基板」の技術的内容についてみると，引用例の記載事項（ア）には，「実験方法」として，試料として用意した「ＭｇＯ単結晶」を「熱処理」することが記載され，記載事項（イ）には，「結果及び考察」として，「ＭｇＯ基板」に「熱処理」を施し表面観察を行ったことが記載されている。ここで，記載事項（ア）の「実験方法」と，記載事項（イ）の「結果及び考察」は，一連の実験過程を示すことが明らかであるから，記載事項（ア）と（イ）における「熱処理」の対象物，すなわち，「ＭｇＯ単結晶」と「ＭｇＯ基板」は同じ物を指していると解され，「ＭｇＯ基板」は「ＭｇＯ単結晶基板」であるといえる。 
　
　以上のことから，本願発明１と引用発明は，「表面に，特定の高さのステップが形成されてなるＭｇＯ単結晶基板」である点で一致するが，以下の点において一応相違する。 
　
相違点：本願発明１のステップの高さは「原子層として２〜１０層分の高さ」であるのに対し，引用発明のバンチングステップの高さは「２格子高さ」である点。 
　
　そこで，この相違点について検討する。 
　
　まず，相違点の検討に先立って，本願発明１の特定事項である「原子層として２〜１０層分の高さ」の技術的内容についてみておくと，上記特定事項に関し，本願明細書には，実施例２として段落【００３０】に「各ステップの高さは・・・原子層１０個分に相当する約４ｎｍであった」ことが記載されている。原子層の数え方として，「〜個分」と「〜層分」が同義であることは明らかであるから，上記の記載からみると，原子層１層分の高さは，約０．４ｎｍ（約４ｎｍ÷１０）であるといえる。この点に関連し，本願明細書の段落【００２８】には「ステップの高さは・・・原子層２〜４層分にほぼ等しい約１．２ｎｍである」と記載されているが，上記のとおり原子層１層分の高さが約０．４ｎｍであるとした場合に，原子層２〜４層分の高さは約０．８〜１．６ｎｍ（約０．４ｎｍ×２〜約０．４ｎｍ×４）であり，「約１．２ｎｍ」は約０．８〜１．６ｎｍの中間値であることから，「原子層２〜４層分にほぼ等しい」として表現された「約１．２ｎｍ」は，中間値を代表して記載したものとみることが自然である。そうすると，原子層１層分の高さを約０．４ｎｍとみることは妥当であり，「原子層として２〜１０層分の高さ」とは，約０．８〜４ｎｍであるといえる。 
　次に，引用発明の「２格子高さ」についてみると，引用例の記載事項（イ）には「０．５格子（０．２１ｎｍ）」と記載され，０．５格子が０．２１ｎｍに等しいことが示されているから，２格子とは０．８４ｎｍ（０．２１ｎｍ×４）であるといえる。そうすると，引用発明の「２格子高さ」とは，その高さが「０．８４ｎｍ」であるといえることから，上記本願発明１の特定事項に関する検討に照らしてみると，引用発明の「２格子高さ」は，本願発明１の「原子層として２〜１０層分の高さ」との数値範囲に含まれるものである。 
　以上のことから，本願発明１と引用発明との相違点に係る特定事項に表現上の違いがあるとしても，ステップの高さについて０．８４ｎｍである点で重複一致していることから，本願発明１と引用発明とは，実質的な差異があるとはいえない。
　
　なお，請求人は平成２１年７月１５日付け意見書において，本願発明１と引用発明には（１）使用目的の差異，（２）本願発明１の効果と応用例，の２つの大きな差異があるとし，（１）については「本願発明によるＭｇＯ単結晶では，・・・，新たな効果を得ることを目的としており，例えば，・・・，良好な特性を持つ超伝導薄膜の作成があ」る旨，（２）については「微量の酸化物超伝導体Ｂｉ２Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏｘ(Ｂｉ２２１２)をＭｇＯ基板上にパルスレーザ蒸着法により低温蒸着した後，熱処理を施した薄膜」につき，「本願発明以外のＭｇＯ基板ではステップが小さいため，結晶がステップを飛び越えて成長してしまうため細線とはな」らない旨，主張している。
　しかしながら，「１．手続の経緯・本願発明」で述べたとおり，本願発明１は，平成１８年８月７日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるものであって，その特定事項として超伝導薄膜の作成を含むものではないから，請求人の上記主張は請求項の記載に基づかないものであるがゆえに採用することができない。
　そして，請求人の上記意見書における「たしかに，・・・，引用例での２格子高さのバンチングステップの場合のみ，本願と同様の構造のものが結果的に生成されます」との主張を勘案しても，本願発明１と引用発明とは，実質的な差異があるとはいえないとする上記判断は妥当であるといえる。
　
５．むすび　
　以上のとおり，本願発明１は，引用例に記載された発明であるから，特許法第２９条第１項第３号に該当し，特許を受けることができない。
　
　よって，結論のとおり審決する。