(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイス製造における基板を処理するために雰囲気が制御されたクリーンルーム内で使用する電子・電気部品であって、樹脂基材と、この樹脂基材に添加される分子量350以上のノニオン系化合物からなる帯電防止剤と、分子量300以上のフェノール系化合物からなる酸化防止剤とを含み、前記帯電防止剤および酸化防止剤は、その使用条件下でガス状の有機物成分を前記樹脂基材から放出し難いことを特徴とするクリーンルーム内で使用する電子・電気部品。
【請求項２】
上記樹脂基材は滑剤を含み、炭素数20以上の脂肪族炭化水素および炭素数18以上の高級アルコールからなる群より選ばれる１種又は２種以上の化合物からなることを特徴とする請求項１に記載の電子・電気部品。
【請求項３】
上記滑剤は、マイクロクリスタリンワックス、天然パラフィン、合成パラフィン、ポリオレフィンワックス、炭素数18の合成分岐高級アルコール、炭素数20の合成分岐高級アルコール、炭素数24の合成分岐高級アルコール、およびオレイルアルコールからなる群より選ばれる１種又は２種以上の化合物からなることを特徴とする請求項２に記載の電子・電気部品。
【請求項４】
上記樹脂基材は可塑剤を含み、分子量400以上のカルボン酸エステル、分子量400以上のポリエステル、および分子量400以上のエポキシ系化合物からなる群より選ばれる１種又は２種以上の化合物からなることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１に記載の電子・電気部品。
【請求項５】
上記可塑剤は、フタル酸エステル系化合物、脂肪族二塩基酸エステル系化合物、トリメリット酸エステル系化合物、ポリエステル系化合物、およびエポキシ系化合物からなる群より選ばれる１種又は２種以上の化合物からなることを特徴とする請求項４に記載の電子・電気部品。
【請求項６】
上記酸化防止剤は、モノフェノール系化合物、ビスフェノール系化合物、および高分子フェノール系化合物からなる群より選ばれる１種又は２種以上の化合物からなることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１に記載の電子・電気部品。
【請求項７】
上記酸化防止剤は、ステアリル−β−（3,5−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、2,2′−メチレン−ビス（４−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、2,2′−メチレン−ビス（４−エチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、4,4′−チオビス（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、4,4′−ブチリデン−ビス（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、1,1,3−トリス−（２−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチルフェノールブタン）、1,3,5−トリメチル−2,4,6−トリス（3,5−ジ−ｔ−ブチル−４′−ヒドロキシベンジル）ベンゼン、テトラキス−［メチレン−３−（３′、５′−ジ−ｔ−ブチル−４′−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］メタン、ビス［3,3′−ビス（４′−ヒドロキシ−３′−ｔ−ブチルフェニル）ブチリックアッシド］グリコールエステルおよびトコフェノールからなる群より選ばれる１種又は２種以上の化合物からなることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１に記載の電子・電気部品。
【請求項８】
上記帯電防止剤は、ポリオキシエチレンアルキルアミン、ポリオキシエチレンアルキルアミド、およびN,N′−ビス−（ジエチレングリコール）ステアリルアミンからなる群より選ばれる１種又は２種以上の化合物からなることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１に記載の電子・電気部品。
【請求項９】
上記樹脂基材は難燃剤を含み、この難燃剤は、リン酸エステル類を除く分子量300以上の有機化合物からなることを特徴とする請求項１ないし８のいずれか１に記載の電子・電気部品。
【請求項１０】
上記樹脂基材は、ポリ塩化ビニル、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテル、ポリアリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリアセタール、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、フッ素樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂からなる群より選ばれる１種又は２種以上の化合物からなることを特徴とする請求項１ないし９のいずれか１に記載の電子・電気部品。
【請求項１１】
電子機器用ボックス、電子機器用カバー、シール部材のいずれかであることを特徴とする請求項１ないし10のいずれか１に記載の電子・電気部品。
【請求項１２】
表面温度が80℃以下となる温度域で使用されることを特徴とする請求項１記載の電子・電気部品。
【請求項１３】
雰囲気が制御されたクリーンルーム内で使用する半導体製造用の基板処理装置であって、請求項１ないし12のいずれか１に記載の電子・電気部品を装着していることを特徴とする基板処理装置
【発明の詳細な説明】
1.技術分野
本発明は、クリーンルーム内で使用する帯電防止性電子・電気部品および基板処理装置に関する。
2.背景技術
近年、半導体装置の高集積化に伴い、基板、特にシリコンウエハに対する塵埃の付着に加えて、有機物の吸着も問題されるようになってきている（例えば、藤井「ガス状汚染物とその除去対策の現状」、空気清浄Vol.32、No.3、P43（1994）、日本空気清浄学会）。
本発明者らが行った研究によれば、クリーンルームの内部雰囲気は高度に清浄化されているにもかかわらず、クリーンルーム内に放置されたシリコンウエハの表面から脂肪族炭化水素、有機カルボン酸、フェノール類およびその酸化物、並びにアミン類など多くの有機化合物が検出されている。これらの有機化合物は樹脂基材に添付された添加剤の成分とよく一致するため、本発明者らはその発生源は電気コード被覆やプリント配線基板のような電子・電気部品ではないかと推察している。
添加剤は、樹脂製品に種々の機能を付与するために添加されるものであり、比較的低分子量の有機物成分を含むため、その使用中に樹脂基材から揮発しやすい傾向にある。具体的には、脂肪族炭化水素は、成形性を高めるために加える滑剤から発生し、有機カルボン酸エステル類は、物性を維持するために加える可塑剤から発生する。また、フェノール類およびその酸化物は、成形加工時やその後の酸化劣化を防止するために加える酸化防止剤から発生し、アミン類は、帯電を防止するために加える帯電防止剤から発生する。これらの有機化合物がシリコンウエハの表面に吸着すると、例えばゲート酸化膜の膜質が劣化するなどの問題を生じて、歩留りが低下する。
なお、高集積化した半導体デバイスの製造工程では、ケミカルフィルタを用いてクリーンルームの内部雰囲気を浄化するようにしているが、基板表面への有機物の付着を十分に防止しきれてはいない。このため、基板表面への有機物の付着を有効に防止できる技術が需要家から要望されている。
3.発明の開示
本発明の目的は、クリーンルーム内での使用中において、有機化合物の放出（揮発）量が抑制又は低減された電子・電気部品および基板処理装置を提供することにある。本発明者らは、クリーンルーム内で使用される電子・電気部品を構成する樹脂材料に含有される添加剤の成分やその分子量に着目し、その使用温度において樹脂基材からアウトガスとして放出されない成分やその分子量の範囲を見出して本発明をするに至った。
具体的には、添加剤の成分として使用されている有機化合物は分子量が大きくなるほど揮発性（有機化合物がアウトガスとして樹脂基材から放出される性質）は小さくなるが、分子量が大きくなるほど基板表面に対する吸着性（有機化合物が基板表面に物理的及び又は化学的に吸着保持される性質）も大きくなる場合がある、ということを本発明者らは見出している。この結果、シリコンウエハへの有機物の吸着量は、有機化合物の分子量が小さい場合は分子量の増大とともに増大し、ある分子量のところで最大となる。本発明は、このような知見に基づいてなされたものである。
本発明は、半導体デバイス製造における基板を処理するために雰囲気が制御されたクリーンルーム内で使用する電子・電気部品であって、樹脂基材と、この樹脂基材に添加される添加剤とを含み、前記添加剤は、分子量350以上のノニオン系化合物からなる帯電防止剤と、分子量300以上のフェノール系化合物からなる酸化防止剤と、さらに滑剤、可塑剤・難燃剤からなる群より選ばれる１又は２以上と、を含み、前記添加剤は、その使用条件下でガス状の有機物成分を前記樹脂基材から放出し難いことを特徴とするクリーンルーム内で使用する電子・電気部品を提供する。本発明は、半導体デバイス製造における基板を処理するために雰囲気が制御されたクリーンルーム内に設置され、給電及び信号の授受に用いられる電子・電気部品を具備する基板処理装置であって、前記電子・電気部品は、樹脂基材と、この樹脂基材に添加される添加剤とを含み、前記添加剤は、分子量350以上のノニオン系化合物からなる帯電防止剤と、分子量300以上のフェノール系化合物からなる酸化防止剤と、さらに滑剤、可塑剤、難燃剤からなる群より選ばれる１又は２以上と、を含み、前記添加剤は、その使用条件下でガス状の有機物成分を前記樹脂基材から放出し難いことを特徴とする基板処理装置を提供する。
【図面の簡単な説明】
図1Aは半導体製造工程における雰囲気中の有機物の測定結果を示す図、図1Bは半導体製造工程においてウエハに付着した有機物の測定結果を示す図。
図２は、縦型熱処理装置を示す斜視図。
図３は、縦型熱処理装置の内部を示す透視側面図。
図４は、縦型熱処理装置の要部を示す分解斜視図。
図５は、各種の有機物成分につき雰囲気中濃度とウエハ表面付着量との関係につきそれぞれ調べた結果をプロットして示す特性図。
図６は、各種の有機物成分につき沸点（℃）と保持時間（分）との関係につきそれぞれ調べた結果をプロットして示す特性図。
図７は、各種の表面状態につき放置時間（時）と６インチ径ウエハ表面付着有機物の検出量（ng）との関係につき調べた結果をプロットして示す特性図。
図８は、各種樹脂材料から放出される主要な有機物（５成分）の検出量の合計につきそれぞれ調べた結果を示すグラフ図。図９は、各種樹脂材料から放出される有機物を合計した総有機物検出量（最大、最小、平均）につきそれぞれ調べた結果を示すグラフ図。
図10は、各種樹脂材料から放出されるブチルヒドロキシトルエン（BHT）の検出量（最大、最小、平均）につきそれぞれ調べた結果を示すグラフ図。
図11は、各種樹脂材料から放出されるアジピン酸エステルの検出量（最大、最小、平均）につきそれぞれ調べた結果を示すグラフ図。
図12は、各種樹脂材料から放出されるフタル酸エステルの検出量（最大、最小、平均）につきそれぞれ調べた結果を示すグラフ図。
図13は、各種樹脂材料から放出されるリン酸エステルの検出量（最大、最小、平均）につきそれぞれ調べた結果を示すグラフ図。
図14は、各種樹脂材料から放出されるシロキサンの検出量（最大、最小、平均）につきそれぞれ調べた結果を示すグラフ図。
図15は、樹脂部品サンプル１−１から放出される各種有機物成分の放出量につき各温度ごとにそれぞれ調べた結果を示すグラフ図。
図16は、樹脂部品サンプル１−３から放出される各種有機物成分の放出量につき各温度ごとにそれぞれ調べた結果を示すグラフ図。
図17は、樹脂部品サンプル９−３から放出される各種有機物成分の放出量につき各温度ごとにそれぞれ調べた結果を示すグラフ図。
図18は、樹脂部品サンプル14−15から放出される各種有機物成分の放出量につき各温度ごとにそれぞれ調べた結果を示すグラフ図。
5.発明を実施するための最良の形態
以下、添付の図面を参照しながら本発明の実施形態を具体的に説明する。
本発明者らは、半導体デバイス製造工程における雰囲気中の有機物を調べたところ、図1Aに示す結果を得た。また、半導体製造工程において基板（ウエハ）に付着した有機物を調べたところ、図1Bに示す結果を得た。また、図1Bにおいて検出されている有機物は、樹脂基材に含まれる通常の添加剤（滑剤、可塑剤、酸化防止剤、帯電防止剤、難燃剤）の成分であることが判明した。
分子量350以上のノニオン系化合物からなる帯電防止剤と分子量300以上のフェノール系化合物からなる酸化防止剤とはそれぞれが樹脂基材から放出され難いものであるばかりでなく、両者が共存するとノニオン系化合物のH+基とフェノール系化合物のOH-基とが引き付けあって互いに拘束し合うようになるので、さらに樹脂基材からアウトガスとして放出され難くなる。
これらの有機物よりも高い沸点（例えば、DOP（フタル酸ジオクチル）や2,6−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−クレゾールよりも高い沸点）を有する、すなわち揮発性の低い（アウトガスとしての発生が少ない）有機物を含む添加剤（滑剤・可塑剤、酸化防止剤、帯電防止剤、紫外線吸収剤、難燃剤）を用いて、有機物の発生をできるだけ少なくして、基板に吸着する有機物の量を著しく低減させた。具体的には、分子量が400以上のフタル酸ジエステルや分子量が300以上の酸化防止剤を含む添加剤を用いる。
このような有機物は、ガス状有機物として樹脂材料から外部に出にくいので、前記有機物を含む添加物を含有する樹脂材料で構成された電子・電気部品からは、ガス状有機物（アウトガス）の発生は著しく少なくなり、基板への影響がなくなる。なお、有機物が電子・電気部品から発揮して基板表面に吸着されるか否かの判定は後述するウエハナライザ等により行うことができる。
本発明における電子・電気部品とは、電源用の部品（給電装置の付属品を含む）、電子機器用ボックス、電子機器カバー、シール材（パッキン）等を含む。なお、本発明品の使用温度条件は、バーキングユニットの電源回路構成部材が輻射熱を受けた場合に有害成分ガス（ウエハ表面に付着しやすいガス状の有機化合物）を実質的に放出しにくい温度とする。この場合に、電子・電気部品が使用される環境は様々であり、加熱雰囲気下や冷却雰囲気下で使用されることもありうるので、その「使用温度」は室温のみに限らないので、80℃以下の温度条件下で有機成分ガスを実質的に放出しない材料を用いることが望ましい。
これらの電子・電気部品を構成する樹脂基材には添加剤として帯電防止剤および酸化防止剤が添加され、さらに滑剤、可塑剤、難燃剤、のうちの少なくとも１つが添加されている。なお、本発明品は添加剤として帯電防止剤および酸化防止剤は必ず含むものとする。帯電防止剤は部品に対するパーティクル付着防止のためであり、酸化防止剤は樹脂を射出成形する工程では必須の添加物となるからである。なお、電子・電気部品の用途に応じて滑剤、可塑剤、難燃剤の１種又は２種以上が樹脂基材に添加されることが望ましい。
本発明においては、滑剤が炭素数20以上の脂肪族炭素水素および炭素数18以上の高級アルコールのうち少なくとも一つであることが好ましい。また、滑剤の主成分がマイクロクリスタリンワックス、天然パラフィン、合成パラフィン、ポリオレフィンワックス等のパラフィン・ワックス類；炭素数18,20,24の合成分岐高級アルコール、天然物のオレイルアルコール等の高級アルコール類のうち少なくとも一つであることが特に好ましい。ここで、滑剤の主成分が炭素数19以下の脂肪族炭化水素、例えばオクタデカン（C18H38）であると、通常のクリーンルームの温度（23℃）下で電子・電気部品から揮発して基板に吸着されて基板表面を汚染するので好ましくない。
本発明において、可塑剤の主成分が分子量400以上のカルボン酸エステル（例えば、フタル酸エステル化合物、脂肪族二塩基酸エステル化合物、トリメリット酸エステル化合物）、分子量400以上のポリエステル、および分子量400以上のエポキシ系化合物のうちの一つであることが好ましい。また、可塑剤の主成分がフタル酸イソノニル（分子量418）、フタル酸オクチルデシル（分子量419）、フタル酸イソデシル（分子量447）、フタル酸ラウリル（分子量502）、フタル酸トリデシル（分子量530）等のフタル酸エステル系化合物；アゼライン酸−ジ−２−エチルヘキシル（分子量413）、セバチン酸−ジ−２−エチルヘキシル（分子量427）等の脂肪族二塩基酸エステル系化合物；トリメリット酸トリス−２−エチルヘキシル（分子量547）、トリメリット酸トリオクチル（分子量547）、トリメリット酸トリノニル（分子量589）、トリメリット酸トリデシル（分子量631）等のトリメリット酸エステル系化合物；アジピン酸、アゼライン酸、セバチン酸、もしくはフタル酸等の二塩基酸と、グリコールもしくはグリセリン類との間の反応により得られたポリマーであるポリエステル系化合物、特にアジピン酸プロピレングリコール系化合物もしくはアジピン酸ブチレングリコール類であって、分子量が2000〜8000のもの；エポキシ脂肪酸エステル系化合物（分子量400〜500）、エポキシ化油（分子量約1000）等のエポキシ系化合物のうちの少なくとも一つであることが特に好ましい。
ここで、可塑剤の主成分が分子量400未満のフタル酸ジブチル（分子量278）、フタル酸ジオクチル（分子量391）、アジピン酸ジ−２−エチルヘキシル（分子量371）であると、通常のクリーンルームの温度（23℃）下で電子・電気部品から揮発して基板に吸着されるので好ましくない。
なお、酸化防止剤は分子量300以上のフェノール系化合物からなることが好ましい。このような高分子量のフェノール系化合物からなる酸化防止剤は、ステアリル−β−（3,5−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート（分子量520.9）等のモノフェノール系化合物;2,2′−メチレンービス−（４−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）（分子量340.5）、2,2‘−メチレン−ビス−（４−エチル−６−ｔ−ブチルフェノール）（分子量368.8）、4,4′−チオビス−（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）（分子量358.5）、4,4′−ブチリデンビス−（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）（分子量382.6）等のビスフェノール系化合物;1,1,3−トリス−（２−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチルフェノール）ブタン（分子量544.8）、1,3,5−トリメチル−2,4,6−トリス（3,5−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン（分子量775.2）、テトラキス−［メチレン−３−（３′,5′−ジ−ｔ−ブチル−４′−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］メタン（分子量1177.7）、ビス−［3,3′−ビス−（４′−ヒドロキシ−３′−ｔ−ブチルフェニル）ブチリックアシッド］グリコールエステル（分子量794.4）の高分子フェノール系化合物のうち少なくとも一つであることが特に好ましい。
ここで、酸化防止剤の主成分が分子量300未満の2,3−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−クレゾール（分子量220.4）、2,6−ジ−ｔ−ブチル−４−エチルフェノール（分子量234.2）であると、通常のクリーンルームの温度（23℃）下で電子・電気部品から揮発して基板に吸着されるので好ましくない。
帯電防止剤は分子量350以上のノニオン系化合物からなることが必要である。ノニオン系化合物はポリオキシエチレンアルキルアミン、N,N′−ビス−（ジエチレングリコール）ステアリルアミンからなる群より選ばれる１又は２以上であることが特に好ましい。なお、帯電防止剤の主成分において、その分子量はアルキル基の炭素数および／またはポリオキシエチレンの結合数で算出する。ここで、帯電防止剤の主成分が分子量350未満のN,N′ビス−（２−ヒドロキシエチル）ラウリルアミド（分子量273）であると、通常のクリーンルームの温度（23℃）下で電子・電気部品から揮発して基板に吸着されるので好ましくない。
本発明において、難燃剤は主成分がリン酸エステル類を除く分子量300以上の化合物であることが好ましい。なお、難燃剤に関しては、ガス状有機物として発生しない三酸化アンチモン、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム等を使用してもよい。
上記添加剤の樹脂材料への添加量は、その種類に応じて適宜設定することができる。また、上記添加剤を複数種用いる場合には、少なくとも１種の添加剤が上記条件を満足していれば本発明の効果が得られる。本発明において、樹脂基材としては、ポリ塩化ビニル、ポリオレフィン（例えば、ポリプロピレン、ポリエチレン）、ポリメチルメタクリレート、ポリエステル（例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート）、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテル、ポリアリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリアセタール、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド、ポリエーテル、エーテルケトン、フッ素樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂等を用いることができる。
上記樹脂材料のうち熱可塑性樹脂の場合には、樹脂材料に前述した添加剤を加熱混練して、この混練物を押出成形機や射出成形機等で成形して電子・電気部品を得る。
本発明の電子・電気部品においては、低分子量の環状シロキサンがアウトガスとして放出されると、半導体デバイス製造工程で処理される基板が汚染されるために好ましくない。したがって、低分子量の環状シロキサンの発生を抑制するために、アウトガス（低分子量シロキサン）の発生が少ないシリコーン樹脂（シリコーンオイル）、例えば減圧加熱蒸留法によりケイ素数10以下の環状シロキサンを除去したシリコーンオイルを用いることが好ましい。このようなシリコーン樹脂に上述した添加剤を添加しても本発明の効果が得られる。
また、本発明は、電気系統に必要な電子・電気部品を有しており、被処理体に処理を施す処理装置であって、前記電子・電気部品は、樹脂材料と、滑剤、可塑剤、酸化防止剤、帯電防止剤、および難燃剤からなる群より選ばれた少なくとも一つの添加剤とを含む材料で構成され、前記添加剤がガス有機物を発生しないものであることを特徴とする処理装置を提供する。
次に、本発明の効果を明確にするために行った参考例並びに実施例について説明する。
（実施例１）
ポリプロピレン（三井東圧化学社製）100重量部に対して、滑剤（日本石油社製）５重量部、可塑剤（大八化学工業社製）３重量部、酸化防止剤（吉富製薬工業社製）１重量部、帯電防止剤（ライオン社製）２重量部・難燃剤（日本精鉱社製）８重量部を加えて加熱しながら混練した。この材料を用いて射出成形して電子機器用筐体を作製し、寸法100×100mm、厚さ2mmの平板を切り出した。
このとき、滑剤の主成分は炭素数20以上の脂肪族炭化水素とし、可塑剤の主成分はセバチン酸−２−エチルヘキシルとし、酸化防止剤の主成分はステアリル−β−（3,5−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネートとし、帯電防止剤の主成分はN,N′−ビス−（ジエチレングリコール）ステアリルアミンとし、難燃剤の主成分は三酸化アンチモン（３重量部）および塩化パラフィン（５重量部）とした。
このようにして得られた平板を一部切り出し、この試料を用いてシリコンウエハナライザ（ジーエルサイエンス社製・商品名）でウエハに吸着した添加剤中の有機物を上記参考例と同様にして調べた。
その結果、ウエハへの吸着量はヘキサデカン換算で18ngであった。また、TICの各ピークを定性分析したが、各ピークが微小なため（有機物の吸着が非常に少ないため）に定性分析が不可能であった。すなわち、シートからの添加剤の化合物の揮発が少なかった。
次に、上記シートから45×45mmの試験片を５枚切り出し、この試料を用いて静電気測定装置スタチックオネストメーター（シシド静電気社製、商品名）で帯電性を調べた。なお、帯電性は、帯電圧と半減期で評価した。
この静電気測定装置は、試験片を任意に帯電させる印加部と、コロナ放電をさせるためのターンテーブルと、試験片の電圧を検出する受電部および増幅器とから主に構成されている。
まず、半減期測定器とシンクロスコープまたは記録計を接続し、印加電圧を±10kVとして、印加部の針電極の先端からターンテーブル面までの距離を20mmとし、受電部の電極からターンテーブルまでの距離を15mmにそれぞれ調整した。なお、試験片が著しく厚い場合には、印加部の針先端および受電部の電極板から試験片面までの距離をそれぞれ20mmまたは15mmとし、その旨を結果に付記する。
次いで、除電装置を用いて試験片を除電した後、表面が上になるように試験片取り付け枠に取り付け、ターンテーブルを回転させながら、±10kVの電圧印加を30秒行なった後に電圧印加を停止し、ターンテーブルをそのまま回転させながら、帯電圧が初期帯電圧の1/2に減衰する時間を測定した。なお、初期帯電圧がマイナスに減衰するための時間が120秒以上を要する場合には、120秒で測定を中止した。残り４枚についても同様に測定を行った。その結果、帯電性はOVであり、したがって半減期は観測されなかった。
（実施例２）
滑剤の主成分として炭素数21以上の脂肪族炭化水素を用い、可塑剤の主成分としてフタル酸ジイソデシルを用い、酸化防止剤の主成分として2,2′−メチレン−ビス−（４−エチル−６−ｔ−ブチルフェノール）を用いること以外は実施例１と同様にして平板を作製した。
この平板について実施例１と同様にしてウエハにおける有機物吸着量を調べた。その結果、ウエハへの吸着量は17ngであり、非常に少なかった。また、TICの各ピークを定性分析したが、各ピークが微小なため（有機物の吸着が非常に少ないため）に定性分析が不可能であった。また、上記実施例と同様にして帯電性を調べたところ、帯電圧は0Vであり、したがって半減期は観測されなかった。
（比較例１）
市販の電子機器用筐体を切り出して20gの試料とし、上記と同様にしてウエハにおける有機物吸着量を調べた。その結果、ウエハへの吸着量は173ngであり、非常に多かった。また、吸着成分を調べたところ、可塑剤の成分であるDOP（ジオクチルフタレート）、酸化防止剤の成分である2,6−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−クレゾール、滑剤の成分である炭素数18以下の炭化水素であった。すなわち、電子・電気部品を構成する樹脂材料中の添加剤からのガス状有機物がウエハに吸着されていたことが分かった。
また、上記実施例と同様にして帯電性を調べたところ、帯電圧は50Vであり、半減期は３秒であった。
（具体例）
図２は電子・電気部品を含む縦型熱処理装置の全体構成を示す外観斜視図であり、図３はその内部を示す側面図である。この装置には、奥側に熱処理炉21が設けられており、この下方位置においては、ボートエレベータ22aの上にウエハボート22が載置されている。このウエハボート22の手前側には、ウエハの移載とキャリアの移載とを行う移載手段23および、例えば８個のキャリアＣが載置されるキャリア収納棚24が設けられており、移載手段23によりウエハボート22とキャリアＣとの間でウエハの受け渡しが行なわれる。
このキャリア収納棚24は図３中左右方向に移動自在に構成されており、このキャリア収納棚24の背面側には、フィルタユニット25が配設されている。また、キャリア収納棚24の手前側（図３中左側）には、キャリアＣの入出力ポート26が設けられており、前記移載手段23により入出力ポート26と当該キャリアＣ収納棚24との間でキャリアＣの受け渡しが行なわれる。
前記入出力ポート26はウエハＷが載置される空間を構成しており、この入出力ポート26からその少し奥側（図３中右側）に亘った領域の上方側には通風領域20が形成されている。この通風領域20は周囲が装置本体のプレートで囲まれると共に、上面は装置本体の天板の一部で覆われており、この領域20内には、フィルタユニット３およびダクト部材４と、電子・電気部品を含む電装品ユニット５とが設けられている。
次に、前記フィルタユニット３、ダクト部材４、および電装品ユニット５について図２〜図４に基づいて説明する。図中31は通風領域20の上面を構成する天板であり、この天板31には多数のスリット31aが形成されている。これらスリット31aが形成されているエリア33を便宜上図４に示す鎖線のように第１エリアA1、第２エリアA2および第３エリアA3に分割すると、第１エリアA1および第３エリアA2のスリット31aは、夫々電装品ユニットを冷却するための冷却用気体、例えばクリーンルーム内のクリーンエアを取り込む取り込み口およびエアを排気する排気口に相当するものであり、第２エリアA2はダクト部材内に清浄気体、例えばクリーンルーム内のクリーンエアを取り込むための取り込み口に相当するものである。
前記天板31の下部には、前記第２エリアA2のスリット31aから取り込まれたエアをフィルタユニット３へ通風させるための流路を形成するダクト部材４が接続されている。このダクト部材４は、例えば水平な箱状部材41（以下「上側箱状部材」という）の下端奥側に垂直な通風路を形成する垂直路部材42が接続され、この垂直路部材42の下端側に水平な箱状部材43（以下「下側箱状部材」という）の上面奥側が接続されており、全体形状がコ字状になるように構成されている。
前記上側箱状部材41の上面には、前記スリット31aに適合するスリット41aが形成されており、ダクト部材４は、上側箱状部材41の上面が天板31の第２エリアA2のスリット31aと重なるように配設されている。また、ダクト部材４の下端側には、スリット31aから取り込まれたエアから不純物を除去するフィルタユニット３が、例えば下側箱状部材43の下面の一部とフィルタユニット３の上面の一部とが重なるように接続されている。
下側箱状部材43およびフィルタユニット３の重なり合う領域32（斜線部）においては、下側箱状部材43の下面に図では見えないスリットが形成されていて、ダクト部材４内を通ってきたエアがフィルタユニット３内に吸い込まれるようになっている。なお、フィルタユニット３の上面における前記領域32以外の領域は、エアが吸い込まれないようにカバー33で覆われている。
前記フィルタユニット３は、フィルタ部34と吸い込みファン35とを組み合わせてなり、吸い込みファン35によりダクト部材４内のエアをフィルタ部34を介して吸い込むように構成されている。また、キャリア収納棚24の裏側のフィルタユニット25についても同様にフィルタ部と吸い込みファンとを組み合わせて構成されている。この例ではダクト部材４とフィルタユニット３とにより、入出力ポート26およびワーキングエリアへ向けて、不純物を除去した清浄気体を通流させるための清浄気体流路が形成されている。
また、コ字状のダクト部材４で囲まれた空間には、縦型熱処理装置の電気系統に必要な例えば電源ボックス、電子部品搭載基板やケーブル等の電子・電気部品を含む電装品の組み合わせからなる電装品ユニット５が配設されている。
図４に示すように、電装品ユニット５から天板31の第１エリアA1側へ寄った位置には、電装品ユニット５に対応した大きさの仕切り板51が電装品ユニット５の側部に対向して設けられている。この仕切り板51は、電装品ユニット５が配置されている領域の側方に、装置本体のプレートとの間に通風領域を形成するためのものであり、多数の通風孔をなす穴52が穿設されている。この仕切り板51は、天板31の第１エリアA1のスリット31aから吸い込んだエアが、電装品ユニット５の全体に流れるようにするためのものであり、例えば上部領域の穴52に比べて下部領域の穴52の方が大きくなっている。
また、前記天板31の第３エリアA3の下側１には、電装品ユニット５が配置されている雰囲気のエアを吸引して当該エリアA3のスリット31aから排気するための吸い込みファン36が設けられている。前記エリアA3の上側には、スリット31aから排気されたエアを工場排気路へ送るための排気ダクト37が接続されている。
上記電装品における電子機器用ボックス、電子機器カバー、シール材（パッキン）は、樹脂材料と、ガス状有機物を発生しない添加剤とを含む上述した実施例の材料で構成されている。このため、電子・電気部品からはガス状有機物（アウトガス）が発生しない。したがって、ウエハへの有機物の吸着が防止され、熱処理、例えばゲート酸化膜の成膜処理における歩留りが従来よりも大幅に向上した。
次に、図５〜図18を参照しながら種々の電子・電気部品からアウトガスとして放出されて基板の表面に吸着した有機物の量を検出測定した結果につきそれぞれ説明する。なお、以下に示す検出結果は比較例として主に従来品につき調べたものである。
図５は、横軸にTENAX（ポーラスビーズ状の捕集剤）通過したガスをガスクロマトグラフィーを用いて分析したときのピーク面積（A.U.）をとり、縦軸に基板表面への有機物の吸着量（ng）をとって、両者の関係につき調べた結果を示すグラフ図である。横軸の値が大きくなるほどその物質が雰囲気中に多く存在し、縦軸の値が大きくなるほどその物質がウエハ表面に多く吸着することになる。なお、有機物の吸着量は、ガスを12時間だけ通流させたときに捕集剤（TENAX）に吸着した有機物の量（ng）を６インチのシリコンウエハ１枚あたりの面積（cm2）で除算して求めたものである。「TENAX」は、ある極性を有する多数のポーラスビーズからなる集合体である。これらの結果はいずれも室温大気圧の条件下で測定したものである。
図５中にて黒丸はプロパン酸エステルを、黒逆三角はジブチルフタレート（DBP）を、黒三角はジオクチルフタレート（DOP）を、白丸はＮ一ブチルベンゼンサルフォニルアミンを、白三角はエタノール1,2一クロローフォスフェートを、白逆三角はヘキサネジオジック酸ジオクチルエステルを、白四角はケイ素数９の環状シロキサン（D9）を、白ひし形はケイ素数10の環状シロキサン（D10）を、白星はケイ素数11の環状シロキサン（D11）を、黒四角はベンゼンメチル、黒ひし形はベンゼン１−２一ジメチルをそれぞれ示す。これらの有機化合物はＡ群、Ｂ群、Ｃ群の３つのグループに分かれる結果が得られた。すなわち、Ａ群に属するプロパン酸エステル、DBP、DOPは雰囲気中の濃度にほぼ比例してウエハ表面への吸着量が増大するが、Ｂ群に属するＮ一ブチルベンゼンサルフォニルアミン、エタノール1,2一クロローフォスフェート、ヘキサネジオジック酸ジオクチルエステル、ケイ素数９〜11の環状シロキサン（D9,D10,D11）は雰囲気中ではほとんど検出されないにも拘らず吸着物としてウエハ表面から検出される。これはＢ群に属する有機化合物が高い吸着特性を有することを意味している。一方、Ｃ群に属するベンゼンメチル、ベンゼン１−２一ジメチルは雰囲気中の濃度が高いにも拘らずウエハ表面からまったく検出されていない。これはＣ群に属する有機化合物がウエハ表面にまったく吸着しないことを意味している。
以上から明らかなように、環状シロキサン類はシリコンウエハの表面（親水性）に非常に吸着しやすいものであるのに対して、炭化水素系のベンゼン化合物類はシリコンウエハの表面（親水性）にほとんど吸着しないものであることが判明した。
図６は、横軸に沸点（℃）をとり、縦軸にガスクロマトグラフィーのリテンションタイム（分）をとって、各種の有機化合物につき両者の関係を調べたグラフ図である。ここで、「リテンションタイム」とはガスクロマトグラフィーにおける分析対象成分が溶出する時間のことをいう。図中にて白四角はシロキサンを、黒三角はフタル酸エステルを、白三角はリン酸エステルを、黒四角は炭化水素をそれぞれ示す。図から明らかなように、100〜400℃の範囲で沸点とりテンションタイムとは比例関係にある。化学工学便覧によれば、有機化合物の「沸点」と「蒸発熱」と「吸着熱」の３者間には次式（１）及び（２）の関係が成り立つことが示されている。なお、これらの式（１），（２）は経験式である。
EQ＝一2950＋23.7BP十0.02（BP）２        …（１）
AQ＝1.6×EQ                             …（２）
ただし、BPは沸点（℃）を、EQは蒸発熱（ca1/mo1）を、AQは吸着熱（ca1/mo1）をそれぞれ示す。これらから、高沸点の有機化合物は吸着熱が大きく、低沸点の有機化合物は吸着熱が小さい、ということが導き出される。
図７は、横軸に放置時間（時）をとり、縦軸に６インチ径ウエハの表面に付着した有機物の検出量（ng）をとって、ウエハの表面状態を種々変えて両者の関係につき調べた結果を示すグラフ図である。ケミカルフィルタを備えたクリーンルーム内に各種表面を有するシリコンウエハを放置して測定した。フッ酸溶液で湿式洗浄されたシリコンウエハをサンプルＩとし、熱酸化方で成膜したシリコン酸化膜をもつシリコンウエハをサンプルIIとし、紫外線照射下のオゾンで乾式洗浄されたシリコンウエハをサンプルIIIとした。図中にて白丸はサンプルＩに吸着した有機物量の結果を、黒四角はサンプルIIに吸着した有機物量の結果を、白三角はサンプルIIIに吸着した有機物量の結果をそれぞれ示す。放置時間を１時間、３時間、12時間、69時間としたときに有機物の検出量は、サンプルＩが331ng,515ng,654ng,750ngとなり、サンプルIIが562ng,724ng,1012ng,1397ngとなり、サンプルIIIが665ng,1069ng,1531ng,1367ngであった。このようにケミカルフィルタを備えたクリーンルーム内であっても、いずれのサンプルI,II,IIIにも短時間の放置で多くの有機物が吸着することが判明した。また、熱酸化膜面（サンプルII）および乾式洗浄面（サンプルIII）は湿式洗浄面（サンプルＩ）よりも有機物の吸着量が多いことが判明した。また、放置時間が12時間以上になると有機物の吸着量がほぼ飽和してしまうことが判明した。
図８は、横軸に各種の樹脂材料をとり、縦軸に各々の樹脂材料から放出されるもののうち主要な有機物の検出量の合計値（ng/リットル）をとって、各樹脂材料からのアウトガス量についてそれぞれ調べたグラフ図である。アウトガスの検出条件は、密閉容器内でサンプル樹脂Ａ〜Ｅを120℃に加熱し、これに清浄空気を流し、ガスクロマトグラフにより空気１リットル中に含まれる有機物量を測定した。主要な有機物とはブチルヒドロキシトルエン（BHT）、アジピン酸エステル、フタル酸エステル、リン酸エステル、シロキサンの５成分である。主要有機物検出量の合計値は、樹脂Ａが45.67ng、樹脂Ｂが2.60ng、樹脂Ｃが259.10ng、樹脂Ｄが86.677ng、樹脂Ｅが59.493ngであった。これらのうちでは樹脂Ｃが最も多量のガス状有機物を放出した。そのアウトガスの大部分はシロキサンであった。一方、樹脂Ｂから放出されるガス状有機物の量は極く僅かであった。
図９は、横軸に各種の樹脂材料をとり、縦軸に各々の樹脂材料から放出される総有機物検出量（ng/6リットル）の最大、最小、平均値をそれぞれとって、各樹脂材料からのアウトガス総量につきそれぞれ調べたグラフ図である。アウトガスの検出条件は、密閉容器内でサンプル樹脂Ａ〜Ｅを120℃に加熱し、これに清浄空気を流し、ガスクロマトグラフにより空気６リットル中に含まれる有機物量を測定した。総有機物検出量の最大、最小、平均値は、樹脂Ａが14770ng,3029ng,8311ng、樹脂Ｂが293ng,30ng,141ng、樹脂Ｃが18680ng,3754ng,6742ng、樹脂Ｄが21500ng,201ng,7173ng、樹脂Ｅが18250ng,707ng,6419ngであった。
図10は、横軸に各種の樹脂材料をとり、縦軸に各々の樹脂材料から放出されるBHT検出量（ng/6リットル）の最大、最小、平均値をそれぞれとって、各樹脂材料からのBHT放出量につきそれぞれ調べたグラフ図である。BHTの検出条件は、密閉容器内でサンプル樹脂Ａ〜Ｅを120℃に加熱し、これに清浄空気を流し、ガスクロマトグラフにより空気６リットル中に含まれるBHTの量を測定した。BHT検出量の最大、最小、平均値は、樹脂Ａが220ng,160ng,190ng、樹脂Ｂが0.5ng,ゼロ（検出されず）,0.1ng、樹脂Ｃが129ng,0.8ng,51ng、樹脂Ｄが279ng,0.6ng,67ng、樹脂Ｅが640ng,0.2ng,215ngであった。
図11は、横軸に各種の樹脂材料をとり、縦軸に各々の樹脂材料から放出されるアジピン酸エステル
検出量（ng/6リットル）の最大、最小、平均値をそえぞれとって、各樹脂材料からのアジピン酸エステル放出量につきそれぞれ調べたグラフ図である。アジピン酸エステルの検出条件は、密閉容器内でサンプル樹脂Ａ〜Ｅを120℃に加熱し、これに清浄空気を流し、ガスクロマトグラフにより空気６リットル中に含まれるアジピン酸エステルの量を測定した。アジピン酸エステル検出量の最大、最小、平均値は、樹脂Ａが29ng,1ng,9ng、樹脂Ｂが0.8ng,ゼロ（検出されず）,0.2ng、樹脂Ｃが9ng,1ng,4ng、樹脂Ｄが393ng,0.1ng,85ng、樹脂Ｅが36ng,0.1ng,14ngであった。
図12は、横軸に各種の樹脂材料をとり、縦軸に各々の樹脂材料から放出されるフタル酸エステル検出量（ng/6リットル）の最大、最小、平均値をそれぞれとって、各樹脂材料からのフタル酸エステル放出量につきそれぞれ調べたグラフ図である。フタル酸エステルの検出条件は、密閉容器内でサンプル樹脂Ａ〜Ｅを120℃に加熱し、これに清浄空気を流し、ガスクロマトグラフにより空気６リットル中に含まれるフタル酸エステルの量を測定した。フタル酸エステル検出量の最大、最小、平均値は、樹脂Ａが40ng,3ng,28ng、樹脂Ｂが34ng,2ng,11ng、樹脂Ｃが126ng,21ng,55ng、樹脂Ｄが1706ng,3ng,310ng、樹脂Ｅが147ng,25ng,104ngであった。
図13は、横軸に各種の樹脂材料をとり、縦軸に各々の樹脂材料から放出されるリン酸エステル検出量（ng/6リットル）の最大、最小、平均値をそれぞれとって、各樹脂材料からのリン酸エステル放出量につきそれぞれ調べたグラフ図である。リン酸エステルの検出条件は、密閉容器内でサンプル樹脂Ａ〜Ｅを120℃に加熱し、これに清浄空気を流し、ガスクロマトグラフにより空気６リットル中に含まれるリン酸エステルの量を測定した。リン酸エステル検出量の最大、最小、平均値は、樹脂Ａが58ng,10ng,33ng、樹脂Ｂが1.2ng,ゼロ（検出されず）,0.3ng、樹脂Ｃが108ng,3ng,56ng、樹脂Ｄが104ng,ゼロ（検出されず）,27ng、樹脂Ｅが4ng,0.6ng,2ngであった。
図14は、横軸に各種の樹脂材料をとり、縦軸に各々の樹脂材料から放出されるシロキサン検出量（ng/6リットル）の最大、最小、平均値をそれぞれとって、各樹脂材料からのシロキサン放出量につきそれぞれ調べたグラフ図である。シロキサンの検出条件は、密閉容器内でサンプル樹脂Ａ〜Ｅを120℃に加熱し、これに清浄空気を流し、ガスクロマトグラフにより空気６リットル中に含まれるシロキサンの量を測定した。シロキサン検出量の最大、最小、平均値は、樹脂Ａが21ng,7ng,14ng、樹脂Ｂが9ng,0.3ng,4ng、樹脂Ｃが7459ng,743ng,1366ng、樹脂Ｄが151ng,8ng,31ng、樹脂Ｅが46ng,5ng,22ngであった。
図15は、横軸に各種の有機物成分をとり、縦軸に部品サンプル１−１から出てくるガス状有機物成分の放出量（ng/6リットル）をそれぞれとって、60℃,90℃,120℃の温度ごとにガス状有機物成分の放出量につきそれぞれ調べた結果を示す立体グラフ図である。調査対象とした有機物成分は、軽いほうから順にトリエチルフォスフェート（TEP），環状シロキサン（D6），ブチルヒドロキシトルエン（BHT），ジエチルフタレート′（DEP），トリブチルフォスフェート（TBP），アジピン酸（DBA），トリクロロェチルフォスフェート（TCEP），ジブチルフタレート（DBP），アジピン酸ジオクチル（DOA），トリプロピルフォスフェート（TPP），ジジオクチルフタレート（DOP），トリクレジルフォスフェート（TCP）である。これからBHTとDEPの両者は、ガス状有機物成分の放出量が強い温度依存性をもつことが判明した。すなわち、BHTの放出量（２サンプルの合計量）は60℃で66ng、90℃で14ng、120℃で574ngであり、DEPの放出量（２サンプルの合計量）は60℃で6ng、90℃で9ng、120℃で296ngであった。とくに、BHT及びDEPはともに120℃で高い検出値となった。
図16は、横軸に各種の有機物成分をとり、縦軸に部品サンプル１−３から出てくるガス状有機物成分の放出量（ng/6リットル）をそれぞれとって、60℃、90℃、120℃の温度ごとにガス状有機物成分の放出量につきそれぞれ調べた結果を示す立体グラフ図である。調査対象とした有機物成分は上記と同じである。これからBHTとDEPの両者は、ガス状有機物成分の放出量が強い温度依存性をもつことが判明した。すなわち、BHTの放出量（２サンプルの合計量）は60℃で38ng、90℃で33ng、120℃で183ngであり、DEPの放出量（２サンプルの合計量）は60℃で6ng、90℃で6ng、120℃で227ngであった。とくに、BHTは120℃で高い検出値となった。一方、DBAは各温度で高い検出値であった。すなわち、DBAの放出量（２サンプルの合計量）は、60℃で92ng、90℃で112ng、120℃で138ngであった。
図17は、横軸に各種の有機物成分をとり、縦軸に部品サンプル９−３から出てくるガス状有機物成分の放出量（ng/6リットル）をそれぞれとって、60℃,90℃,120℃の温度ごとにガス状有機物成分の放出量につきそれぞれ調べた結果を示す立体グラフ図である。調査対象とした有機物成分は上記と同じである。これからTBPとDBPの両者は、ガス状有機物成分の放出量が強い温度依存性を持つことが判明した。すなわち、TBPの放出量（２サンプルの合計量）は60℃で5ng,90で601ng、120℃で2463ngであり、DBPの放出量（２サンプルの合計量）は60℃で7ng、90℃で67ng、120℃で404ngであった。とくに、TBPは120℃で高い検出値となった。一方、環状シロキサン（D6）の放出量は逆の温度依存性を示した。すなわち、D6の放出量（２サンプルの合計量）は、60℃で415ng、90℃で454ng、120℃で27ngであった。
図18は、横軸に各種の有機物成分をとり、縦軸に部品サンプル14−15から出てくるガス状有機物成分の放出量（ng/6リットル）をそれぞれとって、60℃,90℃,120℃の温度ごとにガス状有機物成分の放出量につきそれぞれ調べた結果を示す立体グラフ図である。調査対象とした有機物成分は上記と同じである。これからTBPとTCEPとTPPの３者は、ガス状有機物成分の放出量が強い温度依存性をもつことが判明した。すなわち、TBPの放出量（２サンプルの合計量）は60℃で4328ng、90℃で9405ng、120℃で14104ngであり、TCEPの放出量（２サンプルの合計量）は60℃で1097ng、90℃で8032ng、120℃で17120ng、TPPの放出量（２サンプルの合計量）は60℃で11ng、90℃で2185ng、120℃で3714ngであった。とくに、TBP及びTCEPの２者はともに90℃以上の温度域で高い検出値となった。
各実施例において、帯電防止剤並びに／もしくは酸化防止剤としては、発明を実施するための最良の形態に記載した物質の任意のものが使用され得ることは容易に理解できるであろう。
上記実施例では、被処理基板が半導体ウエハである場合について説明したが、本発明はこれのみに限られず液晶表示装置用のガラス基板などの他の基板についても同様に適用することができる。
また、上記実施例においては、基板処理装置がバッチ方式の縦型熱処理装置である場合について説明したが、本発明はこれのみに限られず枚葉方式の熱処理装置、スパッタリング装置、イオン注入装置、湿式洗浄装置、乾式洗浄装置など他の装置についても同様に適用することができる。
6.産業上の利用可能性
本発明のクリーンルーム内で使用する電子・電気部品及び基板処理装置は、ガス状有機物の放出を抑制しているので、基板の表面に吸着する有機物の量を大幅に低減することができる。とくに、室温より高い温度環境下におかれる部品であってもガス状有機物の放出が抑制されているので、熱酸化炉やCVD炉の周辺部品や、ベ一キングユニットのホットプレートの周辺部品などに最適である。本発明によれば、半導体デバイスの製造において各種基板の有機物汚染を有効に防止でき、製品の歩留りが向上する。
【図１Ａ】
0003587532.tif 000002
【図１Ｂ】
0003587532.tif 000003
【図６】
0003587532.tif 000004
【図２】
0003587532.tif 000005
【図３】
0003587532.tif 000006
【図４】
0003587532.tif 000007
【図５】
0003587532.tif 000008
【図７】
0003587532.tif 000009
【図８】
0003587532.tif 000010
【図９】
0003587532.tif 000011
【図１４】
0003587532.tif 000012
【図１０】
0003587532.tif 000013
【図１５】
0003587532.tif 000014
【図１１】
0003587532.tif 000015
【図１６】
0003587532.tif 000016
【図１２】
0003587532.tif 000017
【図１３】
0003587532.tif 000018
【図１７】
0003587532.tif 000019
【図１８】
0003587532.tif 000020