【事件の表示】
　特願２００１−３７９１１９「鏡面面取りウェーハの品質評価方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　６月２７日出願公開，特開２００３−１７７１００〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯　
　本願は，平成１３年１２月１２日の特許出願であって，平成１９年６月１８日付けで拒絶査定がなされ，これに対し，同年７月２３日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに，同年８月２２日付けで手続補正（以下，「本件補正」という。）がなされたものである。　
　　
第２　本件補正についての補正却下の決定　
［補正却下の決定の結論］　
　　平成１９年８月２２日付けの手続補正を却下する。　
［理由］　
１　補正後の請求項１に記載された発明　
　本件補正により，補正前の特許請求の範囲（平成１８年１２月１２日付けで補正されたもの。以下，同様。）の請求項１は，次のとおりに補正された。（下線は補正箇所を示す。）　
「【請求項１】
半導体ウェーハの面取り面をＰＣＲ加工により鏡面面取りする工程と、
　
この
両
ことにより、この面取り面を露出させる工程と、
　
この後、この半導体ウェーハをアルカリ性エッチング液に浸漬してその鏡面面取りされた面取り面に
を増
　
この後、この半導体ウェーハの面取り面にレーザ光を照射しつつその面取り部の断面形状に合わせた曲線的な移動軌跡に沿って走査することにより、この面取り面の
　　
　上記補正は，請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である（ｉ）「鏡面面取り」について，「半導体ウェーハの面取り面をＰＣＲ加工により鏡面面取りする工程」を備える方法であると限定するとともに，　
（ii）「エッチング」についての「半導体ウェーハの表裏面を耐アルカリ性のレジスト膜で被覆する工程と，　
　被覆後の半導体ウェーハの鏡面面取りされた面取り面に、アルカリ性エッチング液を使ってエッチング量を１〜２μｍとしてエッチングを施し、この面取り面の凹み欠陥を１μｍ以上に増大させる工程と」という特定事項を，「この半導体ウェーハの表裏両面を耐アルカリ性のレジスト膜で被覆することにより、この面取り面を露出させる工程と、　
　この後、この半導体ウェーハをアルカリ性エッチング液に浸漬してその鏡面面取りされた面取り面にエッチング量を１〜２μｍとしてエッチングを施し、この面取り面の凹み欠陥を増大させる工程と」とアルカリ性エッチング液を使ってエッチングする際の具体的な形態を限定する補正をし，　
（iii）そして「増大した凹み欠陥を測定する工程」を，「この後、この半導体ウェーハの面取り面にレーザ光を照射しつつその面取り部の断面形状に合わせた曲線的な移動軌跡に沿って走査することにより、この面取り面の増大した凹み欠陥を測定する工程」と限定する補正であるから，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。　
　　
　そこで，補正後の請求項１に記載された発明（以下，「補正発明」という。）が特許出願の際に独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について，以下検討する。　
　　
２　引用刊行物の記載事項　
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である特開平１１−３３００４２公報（以下，「刊行物１」という。）には，「シリコンウエーハ鏡面面取り部の検査方法」に関して，次の事項が記載されている。　
　　
（１−ア）　
「【特許請求の範囲】　
【請求項１】  鏡面面取りしたシリコンウエーハをアルカリエッチングし、顕微鏡にて該鏡面面取り部を観察することを特徴とするシリコンウエーハ鏡面面取り部の検査方法。　
【請求項２】  前記アルカリエッチングをＮａＯＨ水溶液及び／又はＫＯＨ水溶液にて行なうことを特徴とする請求項１記載のシリコンウエーハ鏡面面取り部の検査方法。」　
　　
（１−イ）　
「【０００８】アルカリエッチングにおいては、エツチング速度がシリコン結晶表面の面方位の影響を敏感に受ける選択性を有する。従って、ウエーハの面取り部に微小なキズやカケ、ポリシリコン残留等の表面異常があっても、敏感にこれらの部分のエッチング量が異なってきて面粗れの程度が異なって現れてくる。即ち、アルカリエッチングによりシリコンウエーハ面取り部の表面上に存在するキズやポリシリコン残留等が強調され、光学顕微鏡や電子顕微鏡で簡単に且つ非常に高感度で観察、検出できるようになる。」　
　　
（１−ウ）　
「【００１０】　
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態について説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。本発明の検査方法に付されるシリコンウエーハは、鏡面面取りしたものであるが、いかなる鏡面面取り法により鏡面面取りしたシリコンウエーハでも、本発明の検査方法に付すことが出来る。例えば、従来より行なわれている研磨による方法、エッチングによる方法、あるいはこれらの両方により鏡面面取りしたシリコンウエーハでも本発明の検査方法により検査することが出来る。　
【００１１】又、鏡面面取りは、シリコンウエーハ製造工程中のいかなる段階で行なわれるものであってもよい。例えば、円柱状インゴットをスライス状に切断後に鏡面面取りし、その鏡面面取り部を本発明の検査方法で検査することができる。」　
　　
（１−エ）　
「【００１２】アルカリエッチングはアルカリ水溶液が好ましく、特にＮａＯＨ水溶液、ＫＯＨ水溶液、又はこれらの混合液が好ましい。エッチング速度は、０．０１〜５μｍ／ｍｉｎ、特に０．１５μｍ／ｍｉｎ以下とするのが好ましい。このようにエッチング速度を通常のエッチング速度より遙かに小さくすれば、キズ、カケ、ポリシリコン残留等の表面異常の程度に応じて敏感にエッチング速度に選択性を生じさせることが出来、敏感に面粗れの程度に差異が生じるようになり、顕微鏡で高感度で検出出来るようになる。」　
　　
（１−オ）　
「【００１５】アルカリエッチングは、シリコンウエーハをアルカリ水溶液中に浸漬して行なう。浸漬の方法は通常の方法で良い。即ち、シリコンウエーハをフッ素樹脂製のキャリアに入れてアルカリ水溶液中に漬ける。」　
　　
（１−カ）　
「【００１６】エッチングによる除去量としては、０．２〜５μｍ、特に０．５〜２μｍとするのが好ましい。エッチング量が０．２μｍより少ないと検出に十分な感度が得られない場合があり、逆に５μｍより多いとカケやポリシリコン残も無くなる。また、エッチング時間等を考慮すると実用的には０．５〜２μｍが好ましい。」　
　　
（１−キ）　
「【００２３】例えば、上記実施例では主にシリコンウエーハ全体をアルカリ水溶液中に浸漬する形でエッチングを行ったが、シリコンウエーハ周辺部、例えば面取り部のみ部分的にエッチングを行ってもよい。」　
　　
　これらの記載事項（１−イ）〜（１−キ）を参照すると，刊行物１には次の発明が記載されていると認められる。　
　　
「シリコンウエーハの面取り面を鏡面面取りする工程と，　
　このシリコンウエーハの鏡面面取りされた面取り部に，アルカリ性エッチング液を使ってエッチング量を０．５〜２μｍとして面取り部のみに部分的エッチングを施し，この面取り面のキズ，カケを強調させる工程と，　
　この後，顕微鏡にて該鏡面面取り部を観察する工程をとを備えたシリコンウエーハ鏡面面取り部の検査方法。」（以下，「刊行物１発明」という。）　
　
　本願出願前に頒布された刊行物である特開２００１−１５６０３０号公報（以下，「刊行物２」という。なお，前置報告書で引用文献２として引用されている。）には，「半導体ウェーハ用研磨ローラおよびこれを用いた半導体ウェーハの研磨方法」に関する従来技術として，次の事項が記載されている。　
　　
（２−ア）　
「【０００３】従来、この鏡面研磨工程は、研磨定盤上にウレタンパッドなどの研磨布が展張された研磨装置により行われていた。すなわち、ウェーハ表面の鏡面研磨時には、研磨砥粒を含むスラリーを供給しながら、回転中の研磨布の研磨作用面に、このシリコンウェーハの表面または裏面を押し当てることにより、微粒子である研磨砥粒の研削作用によって、このウェーハ表裏面を鏡面仕上げしている。また、従来のＰＣＲ工程は、ウェーハの表裏面が保持板に吸着・保持され、この状態でウェーハ外周部に周知のＰＣＲ加工が施される。ＰＣＲ加工とは、面取り面を鏡面仕上げする加工法である。すなわち、従来のＰＣＲ加工は、円筒状に付形された研磨布を回転させ、研磨砥粒を含むスラリーを供給しながら、この回転中の研磨布の研磨作用面に、保持板に吸着・保持されたシリコンウェーハの面取り面を押し当てることで、この面取り面を鏡面仕上げする。」　
　　
　同様に，本願出願前に頒布された刊行物である実願昭６１−４９７７９号（実開昭６２−１６２６５８号）のマイクロフィルム（以下，「刊行物３」という。なお，前置報告書で引用文献４として引用されている。）には，「表面欠陥検査装置」に関して，図面とともに次の事項が記載されている。　
　　
（３−ア）　
「〔従来の技術〕　
　上記のような被検査物の表面におけるキズ，突起，ブツ，汚れ等の欠陥の検査は、非能率で個人差のある作業員による目視検査から、例えば指向性の強いレーザ光を利用した自動検査に移行する傾向にある。　
　このようなレーザ光を利用した表面欠陥検査装置として、第６図に示すように、光源であるレーザスリット光発生器１から被検査物の表面である被検査面２にスリット光ＬＳＴを投射して、その反射光ＬＳＴ’を一旦拡散板によるスクリーン３に投影し、そのスクリーン３上の像をカメラ部の集光レンズ４によって集光してＣＣＤ等のラインセンサ５上に結像させて検出することによって、表面欠陥を検出するようにした表面欠陥検査装置を本出願人が先に提案している（・・・）。　
　この表面欠陥検査装置によれば、例えば第７図に示すように、被検査面２上のスリット光投射位置にキズやブツ等の欠陥ａがあると、レーザスリット光発生器１から投射されたスリット光ＬＳＴがそこで散乱するため、被検査面２からの正反射光ＬＳＴ’を受けるスクリーン３上には、図示のように欠陥ａに対応するところで切れたスリット像ＳＬが投影されることになる。　
　したがって、・・・・被検査面２上の欠陥（第７図のａ）を、この２値化信号のレベルが“Ｈ”になることによって検出することができ、その欠陥の大きさも、このパルスの幅Ｗによって知ることができる。」（２頁６行〜４頁３行）　
　　
（３−イ）
「このような表面欠陥検査装置によって車体パネル塗装面のような大面積の被検査面を検査するには、この装置を例えばロボットのハンドに取付けて、被検査面に対して常に一定の距離を保って所定幅のスリット光を所定角度で照射しながら走査する。」（４頁１２行〜１７行）　
　　
　同様に，本願出願前に頒布された刊行物である特開平４−２０４３１４号公報（以下，「刊行物４」という。なお，前置報告書で引用文献５として引用されている。）には，「表面欠陥検査装置」に関して，図面とともに次の事項が記載されている。
　　
（４−ア）　
「特許請求の範囲　
　光度もしくは波長の少なくとも一方が光射出面に沿って大から小に漸時変化する光を被検査面上に照射する光照射手段と、　
前記被検査面の光照射領域からの反射光を受光する受光面を有し、この受光面に受光された該光照射領域からの受光画像をビデオ信号に変換するビデオ信号変換手段とを備え、　
該ビデオ信号に基づいて前記被検査面上における表面欠陥を検出する表面欠陥検査装置において、該ビデオ信号を入力され、このビデオ信号から得られた、前記被検査面上の表面欠陥の大きさ情報およびこの表面欠陥における光度もしくは波長の変化情報に基づいて該表面欠陥の高さもしくは深さを算出する演算手段を備えてなることを特徴とする表面欠陥検査装置。」　
　　
（４−イ）　
「以上の塗装欠陥検査装置では、塗装検査ステーション２０に塗装済の車体２６が搬入されるに伴い、塗装欠陥検査作業か開始される。すなわち、ロボット装置２１がロボットコントローラ３２に制御されて、光照射手段２３とＣＣＤカメラ２４とを一体の関係を保って、かつ、車体２８の表面にこれら光照射手段２３とＣＣＤカメラ２４とが適切な距離を置く状態で車体２６の表面形状に沿ってなぞらせる。」（６頁右下欄１２行〜１９行）　
　　
３　補正発明について　
（１）対比　
　補正発明と刊行物１発明とを対比すると，刊行物１発明の「シリコンウエーハ」，「キズ，カケを強調」および「シリコンウエーハ鏡面面取り部の検査方法」は，それぞれ，補正発明の「半導体ウェーハ」，「凹み欠陥を増大」および「鏡面面取りウェーハの品質評価方法」に相当するといえるから，両者は，
（一致点）　
「半導体ウェーハの面取り面を鏡面面取りする工程と，　
　この後，アルカリ性エッチング液を使ってその鏡面面取りされた面取り面のみにエッチング量を所定厚さとしてエッチングを施し，この面取り面の凹み欠陥を増大させる工程と，　
　この後，この面取り面の増大した凹み欠陥を測定する工程とを備えた鏡面面取りウェーハの品質評価方法。」　
である点で一致し，次の点で相違する。　
　　
（相違点１）　
　半導体ウェーハの面取り面を鏡面面取りする工程が，補正発明では「ＰＣＲ加工により鏡面面取りする工程」であるのに対し，刊行物１発明では不明である点。　
　　
（相違点２）　
　エッチングについて，補正発明では「この半導体ウェーハの表裏両面を耐アルカリ性のレジスト膜で被覆することにより、この面取り面を露出させる工程と、この後、この半導体ウェーハをアルカリ性エッチング液に浸漬してその鏡面面取りされた面取り面にエッチング量を１〜２μｍとしてエッチングを施」すものであるのに対し、刊行物１発明ではそのような工程を備えていない点。　
　　
（相違点３）　
　面取り面の増大した凹み欠陥を測定する工程が、補正発明では「この半導体ウェーハの面取り面にレーザ光を照射しつつその面取り部の断面形状に合わせた曲線的な移動軌跡に沿って走査することにより、この面取り面の増大した凹み欠陥を測定する工程」であるのに対し，刊行物１発明では「顕微鏡にて該鏡面面取り部を観察する工程」である点。　
　　
（２）相違点の検討　
　まず，相違点１について検討するに，　
上記記載事項（２−ア）によれば，「ＰＣＲ加工」は本願出願前の周知の鏡面面取り法であるといえ，また，上記記載事項（１−ウ）によれば，刊行物１には「半導体ウェーハの面取り面の鏡面面取りは、いかなる鏡面面取り法でもかまわない」と記載されている。　
　してみると，刊行物１発明において，上記周知の事項を適用して，相違点１における補正発明の構成とすることは，当業者であれば適宜選択し得る設計的事項に過ぎない。　
　　
　次に，相違点２について検討するに，　
半導体ウェーハの所望の部分のみを部分的にエッチングしようとする際、非エッチング部分に予めエッチング液に耐性を有するレジスト膜を被覆して，エッチングされないように保護することは，半導体技術分野における本願出願前の慣用技術である。また，上記記載事項（１−オ）によれば，刊行物１発明においては「半導体ウェーハの面取り部のキズ等の凹部欠陥の増大（強調）のためにアルカリ性エッチング液によりエッチングを行う際に、半導体ウェーハをアルカリ水溶液中に浸漬して行なう」のであり，エッチング量の下限値を０．２ｍから１μｍとするようなことは，何ら技術的意義を有せず，当業者ならば適宜選択し得る事項に過ぎない。　
　してみると，刊行物１発明において，上記慣用技術を適用して，相違点２における補正発明の構成とすることは，当業者が容易に想到し得る事項であるといえる。　
　　
さらに，相違点３について検討するに，　
「半導体ウェーハの端面にレーザ光を照射することにより，該面の凹み欠陥を測定する」ことは，例えば，特開平３−２６４８５１号公報，特開平９−２６９２９８号公報，特開平１１−３５１８５０号公報に記載されているように，本願出願前周知の事項であるといえる。そして，被検査面に対して照射された光の反射，散乱光をある位置に受光手段で受光する場合，被検査面と投・受光手段との距離関係が異なれば，測定される光の強度は異なってしまうから，被検査面における凹凸欠陥の存在の有無をそのような散乱光強度の相違から検出，測定する表面欠陥検出装置の被検査面が曲面である場合，レーザ光のような指向性の強い光を照射しつつ欠陥測定を行う表面欠陥装置を被検査面に対して常に一定の距離を保って走査する，すなわち被検査面の断面形状に合わせた曲線的な移動軌跡に沿って走査することも，例えば，刊行物３，４に記載されているように本願出願前周の事項であるといえる。　
　してみると，刊行物１発明において，上記周知の事項を適用して，相違点３における補正発明の構成とすることは，当業者が容易に想到し得る事項であるといえる。　
　　
　そして，これらの相違点に係る構成を採用することによる効果も，当業者が予測し得る範囲内のものであり，格別顕著なものとはいえない。　
　　
　したがって，補正発明は，刊行物１発明および周知・慣用の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により，特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。　
　
４　まとめ　
　以上のとおりであるから，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので，特許法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により，却下すべきものである。　
　　
第３　本願発明について　
１　本願発明　
　平成１９年８月２２日付けの手続補正は上記のとおり却下されることとなったので，本願の請求項１に係る発明は，平成１８年１２月１２日付けの手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。（以下，「本願発明」という。）　
　　
「【請求項１】　半導体ウェーハの表裏面を耐アルカリ性のレジスト膜で被覆する工程と、　
　被覆後の半導体ウェーハの鏡面面取りされた面取り面に、アルカリ性エッチング液を使ってエッチング量を１〜２μｍとしてエッチングを施し、この面取り面の凹み欠陥を１μｍ以上に増大させる工程と、　
　この増大された面取り面の凹み欠陥を測定する工程とを備えた鏡面面取りウェーハの品質評価方法。」　
　　
２　引用刊行物の記載事項　
　原査定の拒絶の理由に引用した刊行物１及びその記載事項は，上記「第２　２（１）」に記載したとおりである。　
　　
３　本願発明について　
　本願発明は，上記「第２」において検討した補正発明の（ｉ）鏡面面取り工程についての「ＰＣＲ加工により鏡面面取りする」という限定と，（ii）エッチングについて，半導体ウェーハの表裏両面を耐アルカリ性のレジスト膜で被覆する工程でこの被覆により，「この面取り面を露出させる」こと，および「この後、この半導体ウェーハをアルカリ性エッチング液に浸漬して」エッチングを施すものであるとの限定，ならびに（iii）増大した凹み欠陥を測定する工程についての，「この後、この半導体ウェーハの面取り面にレーザ光を照射しつつその面取り部の断面形状に合わせた曲線的な移動軌跡に沿って走査することにより、この面取り面の増大した凹み欠陥を測定する工程」と限定する補正がないものである。　
　そして，本願発明の「面取り面」は，アルカリ性エッチング液を使ってエッチング量を１〜２μｍとしてエッチングを施されているので，当然，面取り面の凹み欠陥は１μｍ以上に増大されるものであるから，本願発明と刊行物１発明とを対比すると，両者は，　
（一致点）
「半導体ウェーハの鏡面面取りされた面取り面に、アルカリ性エッチング液を使ってエッチング量を所定厚さとしてエッチングを施し、この面取り面の凹み欠陥を１μｍ以上に増大させる工程と、
　この増大された面取り面の凹み欠陥を測定する工程とを備えた鏡面面取りウェーハの品質評価方法。」
である点で一致し，次の点で相違する。　
　　
（相違点）　
　エッチングについて，本願発明は、「半導体ウェーハの表裏面を耐アルカリ性のレジスト膜で被覆する工程」を有し，「被覆後の半導体ウェーハの鏡面面取りされた面取り面にエッチング量を１〜２μｍとしてエッチングを施」すものであるのに対し，刊行物１発明では不明である点。　
　
　相違点について検討するに，　
半導体ウェーハの所望の部分のみを部分的にエッチングしようとする際、非エッチング部分に予めエッチング液に耐性を有するレジスト膜を被覆して，エッチングされないように保護することは，半導体技術分野における本願出願前の慣用技術である。また，上記記載事項（１−オ）によれば，刊行物１発明においては「半導体ウェーハの面取り部のキズ等の凹部欠陥の増大（強調）のためにアルカリ性エッチング液によりエッチングを行う際に、半導体ウェーハをアルカリ水溶液中に浸漬して行なう」のであり，エッチング量の下限値を０．２ｍから１μｍとするようなことは，何ら技術的意義を有せず，当業者ならば適宜選択し得る事項に過ぎない。　
　してみると，刊行物１発明において，上記慣用技術を適用して，相違点における本願発明の構成とすることは，当業者が容易に想到し得る事項であるといえる。　
　　
　そして，相違点に係る構成を採用することによる効果も，当業者が予測し得る範囲内のものであり，格別顕著なものとはいえない。　
　　
　したがって，本願発明は，刊行物１発明および上記慣用技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。　
　　
４　むすび　
　以上のとおり，本願発明は，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから，本願は拒絶されるべきものである。　
　よって，結論のとおり審決する。