【事件の表示】
　特願２００３−３９０６５３「露光マスク」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年６月１６日出願公開、特開２００５−１５６５９０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯、手続補正及び本願発明
（１）手続の経緯
　本願は、平成１５年（２００３年）１１月２０日に出願された特願２００３−３９０６５３号の特許出願であって、原審における平成１７年１０月２４日付の１回目の拒絶理由通知に対し、平成１８年１月４日付の意見書とともに同日付の手続補正書が提出され、さらに、原審における平成１９年１月２２日付の最後の拒絶理由通知に対し、平成１９年３月２３日付の意見書と平成１９年３月２６日付の手続補正書とが提出されたところ、前記平成１７年１０月２４日付の１回目の拒絶理由により、平成１９年４月１１日付で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１９年５月１５日に拒絶査定不服審判の請求がなされたものである。
　
（２）手続補正
　しかして、平成１９年３月２６日付の手続補正は、第１７条の２第１項第２号に掲げる場合の、原審における平成１９年１月２２日付の最後の拒絶理由通知に係る特許法第５０条の規定により指定された期間内になされた補正であるところ、前記補正は、単に補正前の請求項１、請求項２及び請求項４に記載されていた「平面上にパターンを有し、」という誤記を、特許法第１７条の２第４項第３号に掲げる「誤記の訂正」を目的として、正しく「凸面上にパターンを有し、」のように、明らかな誤記を訂正するための補正であるから、前記平成１９年３月２６日付の手続補正は、特許法第１７条の２第３項から第５項までの規定に適合する手続補正であると認められるので、特許法第５３条第１項に規定する「第１７条の２第１項第２号に掲げる場合において、願書に添付した明細書又は図面についてした補正が同条第３項から第５項までの規定に違反しているものと特許をすべき旨の査定の謄本の送達前に認められたときは、審査官は、決定をもつてその補正を却下しなければならない。」の手続きを必要としない適法な補正であると認められる。
　
（３）本願発明
　したがって、当審の審理の対象とすべき本願発明は、平成１９年３月２６日付の手続補正により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし請求項５に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、特にその請求項１に係る発明は、次のとおりのものである。（以下、これを「本願発明１」という。）
「【請求項１】平面と凸面を有する凸型形状を有し、凸面上にパターンを有し、凸面部のＴＩＲが５ミクロン以下であるコンタクト露光用露光マスク。」
　
２　引用刊行物及びその記載事項
（１）引用刊行物１
　原審における拒絶査定の理由に引用された、本願の特許出願前に頒布された刊行物である実願昭４８−４９６９０号（実開昭４９−１４９００４号）の願書に添付した明細書及び図面の内容を撮影したマイクロフィルム（以下、「引用刊行物１」という。）には、「殖版機における原稿枠」に関し、図面の図示とともに次の事項が記載されている。
「殖版機における原稿枠の原稿貼付面において、該原稿貼付面をその中央部が突出した湾曲面に形成することにより、印刷原版等が前記貼付面に貼付けられた原稿にバキユーム操作等で完全密着しうるようにした殖版機における原稿枠。」（明細書１ページ５〜９行の実用新案登録請求の範囲）
「本考案は殖版機における原稿枠に関するものである。
　従来、殖版機における原稿枠の原稿貼付面はその水平型、竪型の如何にかかわらず平面ガラスで構成されている。
　一般に殖版作業は、まずこの平面ガラスからなる貼付面に原稿を粘着テープ等で貼着し、次いでこの原稿に感光材の塗布された印刷原版を接近させて両者間に介在する空気をバキユームポンプで排出することによつて両者を完全に密着させ、しかる後光を照射して原稿を印刷原版に焼付けることによって行なわれている。
　しかしながら、前記原稿と印刷原版とをバキユーム操作で密着させる作業において、空気の排出口は原稿枠の周辺に設けられていること、また原稿貼付面が平面であることから、印刷原版はその周辺部がまず密着し、中心部はその結果として完全な排気を行なえず、印刷原版と原稿との間に空気が存在したままとなつて、原稿の絵柄が歪んで焼付けられる等の焼付け不良が頻繁に発生している。
　本考案は上記従来技術の欠点を解消することを目的として完成されたものであつて、その特徴とするところは、殖版機における原稿枠の原稿貼付面において該原稿貼付面をその中央部が突出した湾曲面に形成することにより、印刷原版等が前記貼付面に貼付けられた原稿にバキユーム操作等で完全密着しうるようにした殖版機における原稿枠にある
　以下、図面を用いて本考案の実施例につき詳細な説明を行なう。
　第１図は本考案に係る原稿枠の垂直断面を示す。
　第１図において１は内方に開口２を有する通常の枠体である。
　この枠体の下部にはその開口２を遮蔽するように例えば、ガラス等で作製される透明体３が接着剤等４で密着され、かつ支持具５で強固に固定されている。
　ここに前記透明体３は、その下面における原稿６の貼付面７がその中央部が突出するように一方向に湾曲した湾曲面に形成されている。
　また前記透明体３の支持具５の外周における前記枠体１の下部には例えば、ゴム、合成樹脂等からなる弾性枠体８が固着されている。この枠体８は前記透明体３の中央突出部の先端よりも外方に出るような高さに形成されるのが好ましい。
　なお、第１図において９は前記弾性枠体８の下縁に緊密に接触して固定された可撓性を有する通常の印刷原版であるが、これは印刷原版のみに限られるものではなく、未露光フイルム等の感光性材料にも置換されうるものである。
　さて、上記の構成を有する原稿枠を用いて殖版作業を行なうには、従来一般に行なわれている手順でまず原稿６を前記透明体３の湾曲した貼付面７に粘着テープ等を用いて貼付け、次いで印刷原版９を弾性枠体８の下部周縁に密着させて気密室１０を形成し、この気密室の空気を弾性枠体８の所定箇所に設置された排気口（図示せず）からバキユームポンプ等（図示せず）によるバキユーム操作を行ない、大気圧によって印刷原版９を透明体３に貼付けられた原稿６に密着させる。
　ここに、前記透明体における原稿貼付面７は湾曲面となっているので、印刷原版９はまずその中央部が原稿に密着し、また弾性枠体８が縮むので順次その周囲が原稿に密着していく。
　なお、バキユーム操作を行なう以前にエアシリンダ（図示せず）で前記原稿枠を移動させることにより印刷原版に原稿を接触させる操作が行なわれることもある。この印刷原版を原稿に密着させる操作が完了した後に枠体の開口２上方にある光源（図示せず）を発光させて原稿の絵柄を印刷原版に焼付ける。
　本考案は上記の構成及び作用を具備したものであるから、従来におけるとは全く反対に印刷原版の中央部から密着作用が進行するので、中央部に空気が残留して印刷原版の原稿への密着不良を来すことがなく、従って完全な焼付けを行なことができる。
　また、このことから原稿の焼直し、版待ちなどに伴なう労力、時間等の浪費を極めて低減化することが可能であり、印刷産業の能率化に寄与するところ大なるものである。」（明細書１ページ１１行〜５ページ１０行）
　 
　そうしてみると、引用刊行物１の上記摘記事項及び図面の図示からみて、前記引用刊行物１には、次の発明（以下、「引用発明１」という。）の記載が認められる。
「密着露光方式原稿焼き付けに用いる原稿枠の透明体３において、
　前記透明体３は、印刷原版９側に面し原稿６が貼付けられる原稿貼付面７の湾曲面と、枠体１の開口２上方の光源側に面する平面とを有し、
　前記密着露光方式原稿焼き付けでは、
　まず原稿６を前記透明体３の湾曲した貼付面７に粘着テープ等を用いて貼付け、次いで印刷原版９を弾性枠体８の下部周縁に密着させて気密室１０を形成し、前記気密室の空気を弾性枠体８の所定箇所に設置された排気口からバキユームポンプ等によるバキユーム操作を行ない、大気圧によって印刷原版９を透明体３に貼付けられた原稿６に密着させると、前記透明体における原稿貼付面７が湾曲面となっているので、印刷原版９はまずその中央部が原稿に密着し、また弾性枠体８が撓むので順次その周囲が原稿に密着していき、前記印刷原版を原稿に密着させる操作が完了した後に枠体の開口２上方にある光源を発光させて原稿の絵柄を印刷原版に焼付けて、印刷原版の中央部から密着作用が進行することにより、中央部に空気が残留して印刷原版の原稿への密着不良を来すことがなく、完全な焼付けを行なことができるようにした密着露光方式原稿焼き付け方法に用いる原稿枠の透明体３」
　
（２）引用刊行物２
　原審における拒絶査定の理由に引用された、本願の特許出願前に頒布された刊行物である実願平４−３７４１９号（実開平５−９６８５６号）の願書に添付した明細書及び図面の内容を撮影したＣＤ−ＲＯＭ（以下、「引用刊行物２」という。）には、「画像転写基板」に関し、図面の図示とともに次の事項が記載されている。
「【実用新案登録請求の範囲】
　【請求項１】　被露光材料に画像を転写するために用いる画像転写基板であって、透光性を有する板状体からなり、かつ中央部が盛り上がるように湾曲しているとともに前記画像を形成する画像形成面を備えている、画像転写基板。」
「【０００１】【産業上の利用分野】　本考案は、画像転写基板、特に、被露光材料に画像を転写するために用いる画像転写基板に関する。
　【０００２】【従来の技術】　プリント配線基板やカラーＣＲＴ用シャドウマスクは、フォトエッチング法により製造されている。例えば、カラーＣＲＴ用シャドウマスクの製造では、まず、シャドウマスク材をアルカリ水溶液等を用いて脱脂処理し、水洗及び整面処理後に表裏両面に感光液を塗布して乾燥させ、フォトレジスト膜を形成する。次に、電子ビーム透過孔のパターン画像を有する画像転写基板をシャドウマスク材の両面にそれぞれ形成された各フォトレジスト膜の表面に真空密着させ、画像転写基板の背面から光を照射してフォトレジスト膜を露光処理する。これにより、画像転写基板のパターン画像がフォトレジスト膜に転写される。露光処理の後、現像、エッチング処理及びレジスト膜の剥離をこの順で行うとシャドウマスクが得られる。
　【０００３】　このようなフォトエッチング法では、画像転写基板としてガラス板が用いられている。このガラス板は、枠体により支持されており、フォトレジスト膜が形成されたシャドウマスク材に真空密着し得る。ところが、このような画像転写基板は、周辺部が中央部よりも先にシャドウマスク材に密着し易い。このため、画像転写基板の中央部とシャドウマスク材との間に空気溜まりが生じ、真空密着が完了するまでに長時間を有する。特に、３０インチ以上のテレビジョン用のＣＲＴやハイビジョン用のＣＲＴ等の大型ＣＲＴ用のシャドウマスクを製造する場合は、真空密着に要する時間がより長くなる。
　【０００４】　そこで、画像転写基板の真空密着に要する時間を短縮するために、種々の改良が検討されている。例えば、特開平１−２７６１４１号公報には、画像転写基板の中央部をシャドウマスク材に押し付ける治具を設けた構成が示されている。また、特開昭４９−６２１３０号公報には、画像転写基板の周辺部をサンドブラストやエッチング等の方法により削り取る構成が示されている。さらに、実開昭６１−１９６２４８号公報には、画像転写基板に形成した画像の回りにスペーサを配置した構成が示されている。これらの画像転写基板によれば、画像形成基板の中央部が周辺部よりも先にシャドウマスク材に密着し得るので、真空密着に要する時間を短縮できる。
　【０００５】【考案が解決しようとする課題】　しかしながら、前記特開平１−２７６１４１号公報の構成によれば、露光処理時に、露光の妨げとなる治具を移動させる必要がある。このため、治具の移動機構等を設ける必要があり、構成が複雑化する。また、特開昭４９−６２１３０号公報の構成によれば、小型のシャドウマスクを製造する場合は効果が期待できるが、大型のシャドウマスクを製造する場合は真空密着不良が起こり易い。さらに、実開昭６１−１９６２４８号公報の構成によれば、スペーサ等の別部材が必要であり、また、このスペーサを画像転写基板に貼着する等の手間がかかる。
　【０００６】　本考案の目的は、被露光材料に画像を転写するために用いる画像転写基板に関し、簡単な構成により真空密着時に要する時間を短縮することにある。
　【０００７】【課題を解決するための手段】　本考案の画像転写基板は、被露光材料に画像を転写するために用いるものである。この画像転写基板は、透光性を有する板状体からなり、かつ中央部が盛り上がるように湾曲しているとともに、画像を形成する画像形成面を備えている。
　【０００８】【作用】　本考案に係る画像転写基板の画像形成面を被露光材料に真空密着させ、画像形成面の背面から光を照射すると、画像形成面に形成された画像を被露光材料に転写できる。ここで、画像転写基板を被露光材料に真空密着する際には、画像形成面の中央部が最初に被露光材料に密着し、その後画像形成面の周縁部が除々に被露光材料に密着する。したがって、画像転写基板と被露光材料との真空密着時には、画像転写基板と被露光材料との間に空気溜まりが発生しにくく、画像転写基板は速やかに被露光材料に真空密着する。
　【０００９】【実施例】　図１及び図２に、本考案の画像転写基板を備えた両面焼付機１を示す。図において、両面焼付機１は、１対の画像転写装置１ａ，１ａから主に構成されている。各画像転写装置１ａは、支持枠２と、支持枠２に支持された画像転写基板３とから主に構成されている。
　【００１０】　支持枠２は、直方体の枠状部材であり、中央に窓部４を有している。また、支持枠２の片面は、図２に示すように、周縁部５が突出しており、中央部に凹部６を有している。この凹部６の深さは、画像転写基板３の厚みに比べて小さく設定されている。周縁部５には、一連のゴムパッキング７が取り付けられている。さらに、支持枠２は、窓部４の回りに複数の第１真空排気孔８を有している。第１真空排気孔８の外周には、複数の第２真空排気孔９が形成されている。第１真空排気孔８及び第２真空排気孔９は、それぞれ別々の真空排気経路（図示せず）に連結している。なお、図１では、第１真空排気孔８及び第２真空排気孔９を省略している。
　【００１１】　画像転写基板３は、板状の透明ガラス製である。画像転写基板３は一方の主面に画像形成面１０を有している。画像形成面１０は、図３に示すように、中央部が盛り上がる、球面形状に形成されている。この画像形成面１０は、画像転写基板３の中心Ｏにおける厚みが３〜８ｍｍの場合、中心Ｏと隅角部との高低差Ｘ１が０．０１〜０．３ｍｍに設定されている。なお、このような画像転写基板３は、溶融ガラスの成形、ガラス板の研磨加工又はサンドブラスト加工等の手法により製造し得る。画像転写基板３は、画像形成面１０の反対側の主面が支持枠２の凹部６に設けられているガスケット１１により保持されている。ここで、画像転写基板３は、周縁部が第１真空排気孔８と第２真空排気孔９との間に位置するよう凹部６に保持されている。
　【００１２】　次に、前記両面焼付機１による画像転写動作について説明する。ここでは、カラーＣＲＴ用のシャドウマスクを製造する場合を例に説明する。
　まず、各画像転写装置１ａの画像転写基板３に、シャドウマスクの電子ビーム通過孔に対応する画像を形成する。このような画像は、画像形成面１０に銀塩乳剤を塗布してから製版カメラを用いて、或いは画像形成面１０にクロム等の金属を蒸着させてからエッチング法により形成できる。なお、画像転写基板３は、ガスケット１１により凹部６に取り付けられているため、画像形成面１０に画像を形成する際に支持枠２から取り外すことができる。
　【００１３】　一方、シャドウマスク用のシャドウマスク材（被露光材料の一例）を用意する。シャドウマスク材としては、低炭素アルキド鋼やニッケルを３６重量％含有するインバー型合金等の厚みが通常０．１〜０．３ｍｍの板材が用いられる。また、大きさは、ＣＲＴの大きさに対応して設定される。このようなシャドウマスク材は、アルカリ水溶液により脱脂処理され、水洗後に両主面が整面処理される。そして、整面処理された両主面には、感光液が塗布され、これにより厚みが数μｍのフォトレジスト膜が形成される。
　【００１４】　次に、図１及び図２に示すように、両面にフォトレジスト膜が形成されたシャドウマスク材１２を１対の画像転写装置１ａ，１ａ間に挟む。ここでは、画像転写装置１ａの画像形成面１０をそれぞれシャドウマスク材１２と対向させ、ゴムパッキング７，７間にシャドウマスク材１２を挟む。これにより、１対の画像転写装置１ａ，１ａの当接部位が気密に維持される。
　【００１５】　次に、画像転写装置１ａ，１ａの第１真空排気孔８に連結された図示しない真空排気経路を作動させる。これにより、画像転写基板３が凹部６に吸着し、窓部４が気密に封止される。この状態で、画像転写装置１ａ，１ａの第２真空排気孔９に連結された図示しない真空排気経路を作動すると、各画像転写装置１の凹部６とシャドウマスク材１２とにより形成される空間Ｓが負圧に設定される。これにより、両画像転写装置１ａ，１ａは、大気圧により押されてゴムパッキング７が弾性変形し、互いに近づく。この結果、各画像転写基板３の画像形成面１０の中央部が、シャドウマスク材１２に密着する。
　【００１６】　さらに空間Ｓ内が負圧になると、図４に示すように画像転写装置１ａ，１ａ間の間隔Ｙが縮まり、これとともに画像転写基板３とシャドウマスク材１２との密着面積が除々に拡大する。さらに、画像転写基板３の周縁部がシャドウマスク材１２方向に反り、画像形成面１０全体がシャドウマスク材１２に密着する。
　このようにシャドウマスク材１２に画像形成面１０全体が密着すると、次に、各窓部４，４の外側から超高圧水銀ランプにより光を照射する。これにより、画像形成面１０に形成された画像がシャドウマスク材１２のフォトレジスト膜上に焼付けられる。
　【００１７】　その後、シャドウマスク材１２を両面焼付機１から取り外し、現像処理後にエッチング処理を施すと、所定パターンの電子ビーム通過孔が形成されたシャドウマスクが得られる。
実験例
　前記実施例において、９００ｍｍ×８００ｍｍでＸ１が０．２１ｍｍの画像転写基板を用い、両面にフォトレジスト膜が形成された６００ｍｍ×６００ｍｍ×０．１５ｍｍ（板厚）の鉄板製長尺シャドウマスク材に対して焼付処理を施した。この際、画像転写基板とシャドウマスク材との真空密着に要した時間は約２０秒であった。
　【００１８】　比較のため、Ｘ１が０．０１未満の画像転写基板を用いて同様の焼付処理を行ったところ、画像転写基板とシャドウマスク材との真空密着に要した時間は約８０秒であった。このことから、前記実施例によれば、画像転写基板とシャドウマスク材との真空密着に要する時間を大幅に短縮できたことになる。
　〔他の実施例〕
　前記実施例において、画像転写基板３の画像形成面１０は、図５に示すように、円筒面であっても良い。この場合も、画像形成面１０の中央部と端部との高低差Ｘ２は、０．０１〜０．３ｍｍに設定するのが好ましい。
　【００１９】　また、図６に示すように、画像転写基板３の画像形成面１０は、画像形成部１０ａのみが湾曲し、その周縁部が平坦に削り取られた形状であっても良い。この場合も、画像形成部１０ａとその周辺部との高低差Ｘ３は、０．０１〜０．３ｍｍに設定するのが好ましい。
　【００２０】【考案の効果】　本考案の画像転写基板は、被露光材料に画像を転写する画像形成面を上述のような湾曲形状に構成したため、簡単な構成で真空密着時に要する時間を短縮できる。」
　
（３）引用刊行物３
　原審における拒絶査定の理由に引用された、本願の特許出願前に頒布された刊行物である特開昭５９−１２３２２９号公報（以下、「引用刊行物３」という。）には、「半導体装置の製造方法」に関し、図面の図示とともに次の事項が記載されている。
「半導体基板表面に被着した感光性樹脂膜にマスクパターンを転写する工程において、半導体基板とマスクとの間の密着時の減圧および速度を制御し、さらに、半導体基板とマスクとの間の密着時の間隙の変位を制御することを特徴とする半導体装置の製造方法。」（１ページ５〜１０行の特許請求の範囲）
「本発明は、特にマスクのパターンを半導体基板表面上の感光性樹脂製膜に転写する方法の１つである密着露光方法に関するものである。
　従来の密着露光方法では、半導体基板−マスク間の密着時の減圧速度が固定であり、又、半導体基板一マスク間の密着時の間隙も固定である為、半導体基板とマスクが均一に密着せず、パターン転写の寸法精度及び位置精度が半導体基板内で不均一であり、又、密着露光装置の機械精度、半導体基板表面の平面性等のばらつきがパターン転写の寸法精度及び位置精度に大きく作用するという欠点を持っていた。
　本発明の目的は、半導体装置の縮少化に寄与する実用的な密着露光方法を提供するものである。
　本発明は、半導体基板表面に被着した感光性樹脂膜にマスクのパターンを転写する工程において、半導体基板一マスク間の密着時の減圧速度を制御し、さらに半導体基板一マスク間の密着時の間隙の変位を制御することを特徴とする密着露光方法である。
　即ち、半導体基板とマスクを密着させる為に、半導体基板とマスクの間の空間の気圧を下げる。つまり真空度を上げる訳であるが、その時減圧速度をコントロールしながらゆっくり上げる。さらに、半導体基板を固定しているステージを半導体基板、マスクに対して垂直方向に可変にし、半導体基板−マスクの間隙をコントロールしながら小さくしていくという方法である。
　本発明の方法による作用および効果について以下に詳細に説明する。
　一定の間隙をおいて半導体基板とマスク間の真空度を上げると、大気圧によりマスクは半導体基板側へ凹型に反り、半導体基板表面と密着する。この時、従来の方法では高い真空度へ急激に上がる為、半導体基板の中央部でマスクと密着しきらない状態で周辺部が密着してしまう。さらに、中央部での密着度を上げる為に半導体基板とマスクの間隙を大きくすると、逆にマスクの凹型の反りが大きくなって半導体基板内でのパターン転写の位置精度が悪くなってしまう。同時に半導体基板外周部での密着度が下がり、半導体基板内でのパターン転写の寸法精度も悪くなる。又、密着露光装置の機械精度、半導体基板表面の平面性のバラツキがこの密着の状態に大きく影響し、パターン転写の寸法精度及び位置精度が悪くなる。
　これに対し、この発明の減圧速度の制御によれば、真空度を徐々に上げるとマスクはゆっくりと凹型に反り半導体基板表面とマスクの密着は必ず中央部から始まり周辺部に向かって広がっていく。この為、半導体基板−マスクの間隙を大きくしなくとも、中央部に空隙が残らず、半導体基板全面で均一な密着が得られる。又、密着露光装置の機械精度、半導体基板表面の平面性のバラツキによる密着度への影響を小さくできる。さらにまた、この発明の密着時の半導体基板−マスク間の間隙の変位の制御によれば、半導体基板一マスク間の真空度を徐々に上げる時、中央部で密着が始まるまでは間隙を大きくしておき、密着が始まった後は徐々に間隙を小さくする。これにより、パターン転写の位置精度を悪くすることなく、半導体基板全面で均一な密着を得ることがさらに確実になる。
　以下本発明を実施例につき図面を参照して詳細に説明する。第１図乃至第４図は本発明の一実施例による密着露光方法を時系列順に説明する為の図である。
　まず、６インチ角マスク４をマスク固定板５に、表面に感光性樹脂２を被着した５インチ径半導体基板１をステージ３にそれぞれ設置し、マスク４と半導体基板１との間隙を初期値４０μｍに設定した（第１図）。
　続いてマスク４一半導体基板１間の真空度を徐々に上げていくとマスク４が半導体基板１側に反り、中央部が密着し始める（第２図）。
　さらに真空度を徐々に上げると共に、半導体基板ステージ３を上方へ徐々に移動させ、マスク４と半導体基板１との間隙を小さくしていく（第３図）。
　最後に真空度を４０ｃｍＨｇにしてマスク４と半導体基板１と間隙を約０μにし、この状態で露光する（第４図）。
　この実施例によるパターン転写の寸法精度は０．２μｍ、位置精度は０．３μｍであった。従来方式では各々０．６μｍ、１．０μｍであった。このように、本発明では従来より非常にパターン転写精度を良くすることができた。
　以上の様に、本発明は密着露光の密着時のマスク一半導体基板間の減圧、速度、間隙の変位を制御することにより、マスクと半導体基板表面を均−に密着させ、パターン転写時の寸法精度を従来の密着露光方法よりも数段良くすることができる密着露光方式である。又、半導体基板へのパターン転写以外に、マスク−マスクからワーキングマスクへのコピーへも応用が可能である。これは半導体集積回路の縮少化、高精度化を進める上で、半導体装置の製造上極めて有用な方法である。」（１ページ左欄１２行〜２ページ右下欄７行）
　
３　当審の判断 
（１）対比 
　本願発明１と上記引用発明１とを対比する。
ア　まず、引用発明１における「密着露光方式原稿焼き付けに用いる」における「密着露光方式」が、本願発明１の「コンタクト露光用露光」における「コンタクト露光」に対応し、また、引用発明１の「原稿焼き付けに用いる」が、本願発明１の「露光用」に対応することは、明らかであるから、引用発明１の「密着露光方式原稿焼き付けに用いる」が、本願発明１の「コンタクト露光用露光」に相当する。
　
イ　そして、引用発明１における「透明体３に貼付けられた原稿６」が、本願発明１の「パターン」に相当する。
　
ウ　また、引用発明１の透明体３における「印刷原版９側に面し原稿６が貼付けられる原稿貼付面７の湾曲面」が、本願発明１の「凸面上にパターンを有する」に対応し、また、引用発明１の透明体３における「枠体１の開口２上方の光源側に面する平面」が、本願発明１の「平面」に対応しているから、結局のところ、引用発明１の「印刷原版９側に面し原稿６が貼付けられる原稿貼付面７の湾曲面と、枠体１の開口２上方の光源側に面する平面とを有する」が、本願発明１の「平面と凸面を有する凸型形状を有し、凸面上にパターンを有する」に相当する。
　
エ　しかして、引用発明１の「原稿枠の透明体３」は、密着露光方式で印刷原版９に原稿６を焼き付ける時に用いられる、いわば「印刷原版への原稿焼き付け用原稿支持体」であるのに対して、本願発明１の「コンタクト露光用露光マスク」は、本願の出願明細書の発明の詳細な説明（段落【０００１】の記載を参照。）の記載によれば、「半導体製造等に使用されるフォトレジストのコンタクト露光において好適に使用される露光マスク」である点で、両者の用途が相違しているが、いずれにしても、引用発明１の「原稿枠の透明体３」と本願発明１の「コンタクト露光用露光マスク」の両者は、ともに「コンタクト露光用露光パターン支持透明体」である点で共通する。
　
オ　そうすると、本願発明１と引用発明１の両者は、
　「平面と凸面を有する凸型形状を有し、凸面上にパターンを有するコンタクト露光用露光パターン支持透明体」
である点で一致し、次の点で両者の構成が相違する。
　
相違点１
　
相違点２
　
（２）相違点についての検討 
ア　相違点１について
（ア）引用刊行物２に、「本考案の画像転写基板は、被露光材料に画像を転写するために用いるものである。この画像転写基板は、透光性を有する板状体からなり、かつ中央部が盛り上がるように湾曲しているとともに、画像を形成する画像形成面を備えている。」（段落【０００７】）及び「本考案に係る画像転写基板の画像形成面を被露光材料に真空密着させ、画像形成面の背面から光を照射すると、画像形成面に形成された画像を被露光材料に転写できる。」（段落【０００８】）が記載されている。
　また、引用刊行物３に、「本発明は、特にマスクのパターンを半導体基板表面上の感光性樹脂製膜に転写する方法の１つである密着露光方法に関するものである。」（１頁左欄１２〜１４行）が記載されている。
　このように、密着露光方法により、透光性を有する画像転写基板の画像形成面に形成された画像又はマスクのパターンを、被露光材料又は半導体基板表面上の感光性樹脂製膜に転写することは、本願特許出願時の周知技術である。
　そうすると、かかる周知技術の「密着露光方法」に用いられる「透光性を有する画像転写基板」あるいは「マスク」（以下、単に「マスク」という。）も、本願特許出願時の周知のものといえる。
　
（イ）そして、上記周知技術の密着露光方法に用いられる前記「マスク」は、本願発明１の「コンタクト露光用露光マスク」にほかならないから、コンタクト露光用露光パターン支持透明体として、引用発明１の「原稿枠の透明体３」に代えて、周知技術である密着露光方法に用いられる「マスク」を適用することにより、相違点１にかかる本願発明１の前記「コンタクト露光用露光マスク」の構成とすることは、当業者が容易に想到できることである。
　
イ　相違点２について
（ア）「ミクロン」が「μｍ（マイクロメートル）」と同じ意味の長さの単位であることに照らせば、本願発明１の相違点２の「凸面部のＴＩＲが５ミクロン以下である」の限定が、「０μｍ ≦ 「凸面部のＴＩＲ」 ≦ ５μｍ」の数値範囲の限定であることを意味していることは、その限定の文言から明らかである。
　そして、かかる「凸面部のＴＩＲ」の数値範囲の下限値が０（ゼロ）であるような限定は、「凸面部」が「凸面」ではなく、単に「平面」を意味することになるから、下限値に０（ゼロ）を含む前記限定が技術的意義を有していないことも明らかである。
　
（イ）しかして、本願の特許出願明細書の補正された発明の詳細な説明には、本願発明１の「凸面部のＴＩＲ」について、
　「【００１８】　なお、レーザ光が入射する側の面は当然に平面であり、ウエハ面と接触する側のみが凸面にされる。凸面の程度は任意であるが、ウエハとの密着時にウエハに過剰なひずみや応力が生じない程度のものであることが必要である。さらに、後述のようにマスクのＴＩＲは５ミクロン以下であることが好ましいので、このようなＴＩＲを与えることができる凸面であることが好ましい。」、
　「【００２０】　さらに本発明者は、露光マスクのＴＩＲが５ミクロン以下である場合に良好な結果が得られることを見いだした。すなわち、本発明は凸型形状を有し、ＴＩＲが５ミクロン以下である露光マスク、およびかかるマスクを使用し、露光マスクとウエハのギャップを０．２μｍ以下とするコンタクト露光方法に関する。
　本発明においてＴＩＲとは、トロペル社製の平坦度測定装置ＦＭ−２００により測定されたＴＩＲ値をいう。
　理想的には、ＴＩＲは小さいほど良好な結果が得られるが、ＴＩＲを小さくすることは技術的に困難なだけではなく、コスト増大の要因にもなるので、許容限界を見いだすことは工業的に非常に重要なことである。本発明はかかる現実的な許容上限を見いだした点において価値あるものである。」、
　「【００２３】　ＭｇＦ２基板を５インチ□、厚さ４．６ｍｍにカットし、平行度１／１０００ｍｍ以下に表面を研磨した後、基板の中心部が凸になるように更に研磨を行った。トロペル社製のＦＭ−２００を用いて平坦度を測定した。ＴＩＲで約４．０９μｍが得られた。
　得られたＭｇＦ２基板に上にＣｒパターンを製作した。Ｃｒの厚さは２００ｎｍとした。マスク内にはコンタクトホールパターン、ライン・アンド・スペースパターン（BrightパターンおよびDarkパターン）および孤立ラインパターンを配置した。パターンの配置とパターンサイズ（設計値）を図１４および表１に示す。また、パターンの設計図を図１５に示す。」
と記載されている。
　
（ウ）そして、特許出願人（審判請求人）は、上記「ＴＩＲ」についての資料として、平成１８年１月４日付の意見書において、「７．トロペル社資料」及び「８．Elma-Malachit　株式会社のホームページプリントアウト」を提出している。
　前記「７．トロペル社資料」の「Corning　Tropel社製平面度解析装置　FlatMaster200XR」のＰ８及びＰ９の図示によれば、ベスト・フィット平面（Best　Fit　Plane）についてのＴＩＲ（Total Indicated Reading）は、「平面度」の意義であり、ベスト・フィット平面（Best　Fit　Plane）を基準面とした場合の前記ベスト・フィット平面（Best　Fit　Plane）に対する測定検査面（Test specimen surface）における凸部の高さ｜Ａ｜と、凹部の深さ｜Ｂ｜の合計であるとして、
　　ＴＩＲ＝｜Ａ｜＋｜Ｂ｜　　　　・・・・・・（定義ａ）
と定義されている。
　そして、この定義ａの場合に、
　　ＴＩＲ＝｜Ａ｜＋｜Ｂ｜＝０（ゼロ）
の場合があり得ることは、その定義ａから明らかである。
　一方、前記「８．Elma-Malachit　株式会社のホームページプリントアウト」の資料によれば、
　「凸面部のＴＩＲ」は、「下部の平面部と、上部のなだらかな凸面部を有する凸型形状の物体の前記平面部を基準面とした場合において、前記凸面部の中心部における前記平面部からの最高の高さ（Max）から前記凸面部の肩部における前記平面部からの最低の高さ（Min）を差し引いた差分値」、すなわち、
　　ＴＩＲ＝Max−Min　　　　　　・・・・・・（定義ｂ）
であると定義されている。
　そして、この定義ｂの場合にも、
　　ＴＩＲ＝Max−Min＝０（ゼロ）
の場合があり得ることは、その定義ｂから明らかである。
　
（エ）そうすると、本願発明１の「ＴＩＲ」には、上記したとおり、お互いに相容れない相反する２つの定義である、定義ａ及び定義ｂが存在しているところ、本願発明１の「ＴＩＲ」は、いずれの定義のものとも判然としない。
　
（オ）そこで、本願発明１の「ＴＩＲ」が、上記定義ａの場合と定義ｂの場合とに分けて、次に検討する。
ａ　本願発明１の「ＴＩＲ」が上記定義ａである場合について
　本願発明１の「ＴＩＲ」の定義を、上記定義ａの、
　　ＴＩＲ＝｜Ａ｜＋｜Ｂ｜
とした場合には、本願発明１の「凸面部のＴＩＲが５ミクロン以下である」の限定は、「コンタクト露光用露光マスクの凸面部の中心部と周辺部とを分け隔てすることなく、凸面部の全面における平坦度（平面度）が、０（ゼロ）か、或いは限りなく０（ゼロ）に近い５ミクロン以下である」という意味になり、これは、「凸面部の中心部と周辺部とを合わせた全面にわたって、凹凸の差が０（ゼロ）か、或いは殆ど凹凸の差がなく、凸面部の中心部と周辺部とを合わせた全体形状が平面であるか、或いは殆ど平坦である凸面」であることを意味することになる。
　そうすると、本願発明１の「ＴＩＲ」の定義を、上記の定義ａとした場合には、本願発明１の凸面部は、その全体形状が平面であるか、或いは殆ど平坦である凸面でなければならないのに対して、本願の出願明細書の発明の詳細な説明の段落【００２３】には、「ＭｇＦ２基板を５インチ□、厚さ４．６ｍｍにカットし、平行度１／１０００ｍｍ以下に表面を研磨した後、基板の中心部が凸になるように更に研磨を行った。トロペル社製のＦＭ−２００を用いて平坦度を測定した。ＴＩＲで約４．０９μｍが得られた。」が記載されている。
　そうすると、前記本願発明１の前記限定が、「凸面部の中心部と周辺部とを合わせた全体形状が平面」であることを意味する場合は、その文言自体に形容矛盾があって、かかる「基板の中心部が凸になるように更に研磨を行った」の記載に反することになるのに対して、前記本願発明１の前記限定が、「凸面部の中心部と周辺部とを合わせた全体形状が殆ど平坦である凸面」であることを意味する場合には、前記「基板の中心部が凸になるように更に研磨を行った」の記載に一応合致していることになる。
　
ｂ　本願発明１の「ＴＩＲ」が上記定義ｂである場合について
　本願発明１の「ＴＩＲ」の定義を、上記定義ｂの、
　　ＴＩＲ＝Max−Min
とした場合には、本願発明１の「凸面部のＴＩＲが５ミクロン以下である」の限定は、「コンタクト露光用露光マスクの凸面部の中心部から肩部にかけての、なだらかな凸曲面における落差が、０（ゼロ）か、或いは限りなく０（ゼロ）に近い５ミクロン以下である」という意味になり、これは、「凸面部の中心部から肩部にかけての落差が０（ゼロ）か、或いは落差が殆どなく、凸面部の中心部から肩部にかけた全体形状が平面であるか、或いは殆ど平面に近い凸曲面」であることを意味することになる。
　そうすると、本願発明１の「ＴＩＲ」の定義を、上記の定義ｂとした場合には、本願発明１の凸面部は、全体形状が平面であるか、或いは殆ど平面に近い凸曲面でなければならないのに対して、本願の出願明細書の発明の詳細な説明の段落【００２３】には、「ＭｇＦ２基板を５インチ□、厚さ４．６ｍｍにカットし、平行度１／１０００ｍｍ以下に表面を研磨した後、基板の中心部が凸になるように更に研磨を行った。トロペル社製のＦＭ−２００を用いて平坦度を測定した。ＴＩＲで約４．０９μｍが得られた。」が記載されていて、前記本願発明１の凸面部は、かかる「基板の中心部が凸になるように更に研磨を行った」の記載に一応合致していることになる。
　しかしながら、「ＴＩＲ」についての上記定義ｂは、特許出願人（審判請求人）が、上記「ＴＩＲ」についての資料として、平成１８年１月４日付の意見書において提出した、「８．Elma-Malachit　株式会社のホームページプリントアウト」の定義に基づいているのであり、かかる「８．Elma-Malachit　株式会社のホームページプリントアウト」における「ＴＩＲ」についての定義自体が、本願の出願明細書の発明の詳細な説明の段落【００２０】において明記している「本発明においてＴＩＲとは、トロペル社製の平坦度測定装置ＦＭ−２００により測定されたＴＩＲ値をいう。」という、「ＴＩＲ」の定義に該当しないものであるから、「ＴＩＲ」についての前記定義ｂは、決して、前記「７．トロペル社資料」に基づく定義でないことが、明らかなことである。
　したがって、本願発明１の「ＴＩＲ」が上記定義ｂである場合は、あり得ないことになる。
　
（カ）そこで、上記「（オ）」のａにおいて言及した、前記本願発明１の「ＴＩＲ」の定義を定義ａとした場合における本願発明１の「凸面部のＴＩＲが５ミクロン以下である」の限定が、「凸面部の中心部と周辺部とを合わせた全体形状が殆ど平坦である凸面」であることを意味する場合について検討すると、引用発明１の透明体３における印刷原版９側に面し原稿６が貼付けられる原稿貼付面７の湾曲面の平坦度（平面度）を、好適な数値範囲に設定しておくことは、当業者が当然に考慮すべき技術事項であって、当業者の通常の創作能力の発揮にすぎないことであるから、前記相違点２に係る本願発明１の「凸面部のＴＩＲが５ミクロン以下である」の限定は、当業者が必要に応じて適宜に設定できる設計事項である。
　
（キ）また、前記相違点２に係る本願発明１の「凸面部のＴＩＲが５ミクロン以下である」の限定は、上記「イ　相違点２について」の「（ア）」に前述したとおり、その数値範囲に０（ゼロ）の下限値を含んでいて、その下限値の限定に臨界的な技術的な意義を認めることができないものであるところ、本願発明１の「ＴＩＲ」は、上記定義ａである場合及び上記定義ｂである場合のいずれの場合も、「本願発明１の凸面部は、その全体形状が平面である」ところのＴＩＲが０（ゼロ）である場合を含んでいるから、本願発明１の「凸面部のＴＩＲが５ミクロン以下である」の限定は、本願発明１の「凸面を有する凸型形状を有し」の構成とは相容れない矛盾する限定であるともいえるものである。
　
（ク）ところで、「本発明においてＴＩＲとは、トロペル社製の平坦度測定装置ＦＭ−２００により測定されたＴＩＲ値をいう。」のように、本願の出願明細書において定義している　前記「ＴＩＲ」の意義が、前記「７．トロペル社資料」に記載されているような、ベスト・フィット平面（Best　Fit　Plane）として「平面（plane）」が要求される場合の前記「平面（plane）」を「測定検査面（Test specimen surface）」とした場合の前記「平面（plane）」上のマクロな凹凸の大きさについての「平坦度」又は「平面度」の指標の意義であるとするのではなく、前記「ＴＩＲ」はミクロな凹凸の有無に関する「平滑度」の意義であると解釈して、前記「ＴＩＲ」が、本願発明１の「平面と凸面を有する凸型形状におけるパターンを有する凸面」を「測定検査面（Test specimen surface）」とした場合の前記「凸面」上のミクロな凹凸の大きさについての「凸面上における平滑度」の数値指標の意義であると仮定した場合であっても、研磨により凸面上における凹凸の大きさを限りなく小さくして、前記「ＴＩＲ」を、「凸面部のＴＩＲが５ミクロン以下である」ような平滑曲面になるように表面加工することは、要求される製品仕様に応じて当業者が適宜なし得る事項にすぎないから、本願発明１の前記「ＴＩＲ」を「平滑度」の意義であると解釈したとしても、前記相違点２に係る本願発明１の前記「凸面部のＴＩＲが５ミクロン以下である」の限定は、当業者が必要に応じて適宜に設定できる設計事項といえるものである。
（ケ）そうすると、前記相違点２に係る本願発明１の「凸面部のＴＩＲが５ミクロン以下である」の限定は、前記限定の数値範囲に臨界的な技術的意義を認めることができないものであることも参酌すれば、当業者が必要に応じて適宜設定できる設計事項というべきものである。
　
（コ）そこで、さらに前記「本願発明１の凸面部は、その全体形状が平面である」ところのＴＩＲが０（ゼロ）である場合について検討する。
　引用刊行物３に、「真空度を徐々に上げるとマスクはゆっくりと凹型に反り半導体基板表面とマスクの密着は必ず中央部から始まり周辺部に向かって広がっていく６インチ角マスク４」が記載されており、また引用刊行物３の第１図の図示からみて引用刊行物３に記載のマスク４はその全体形状が平面であることが明らかである。
　そうすると、引用発明１における透明体３に代えて、引用刊行物３に記載の前記「真空度を徐々に上げるとマスクはゆっくりと凹型に反り半導体基板表面とマスクの密着は必ず中央部から始まり周辺部に向かって広がっていく、全体形状が平面である６インチ角マスク４」を採用することにより、相違点２に係る本願発明１の「凸面部のＴＩＲが５ミクロン以下である」と限定することは、格別の技術力を要せずに当業者が容易になし得ることである。
　
　そして、本願発明１の奏する作用効果は、引用発明１、並びに、引用刊行物２及び引用刊行物３に記載された発明ないし周知技術から予測できる範囲内のものであって、格別のものということができない。
　
（３）まとめ 
　以上のとおりであるから、本願発明１は、本願特許出願前に当業者が上記引用発明１、並びに、引用刊行物２及び引用刊行物３に記載された発明ないし周知技術に基いて容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび 
　以上のとおり、請求項１に係る本願発明１は、本願特許出願前に当業者が上記引用発明１、並びに、引用刊行物２及び引用刊行物３に記載された発明ないし周知技術に基いて容易に発明をすることができたものであり、本願発明１は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は、拒絶されるべきである。
　よって、結論のとおり審決する。