(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のシリコン層と、第１のＳｉＯ２層と、第２のシリコン層とが順次積層されてなるＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板の上記第２のシリコン層側の主面上に、第１の領域に開口が形成されるように第１のマスクを形成する第１のマスク形成工程と、
上記第１のマスク側から上記第２のシリコン層をエッチングして、上記第１の領域に第１の穴部を形成する第１のエッチング工程と、
上記第１のマスクを除去する第１のマスク除去工程と、
上記第２のシリコン層を酸化し、第２のＳｉＯ２層を形成する酸化工程と、
上記第１の穴部上に金属層を形成する金属層形成工程と、
上記第１の穴部以外の領域に形成された第２のＳｉＯ２層を除去し、第２のシリコン層を表面に露出させるＳｉＯ２層除去工程と、
上記第１のシリコン層を除去するシリコン層除去工程と、
上記第１のＳｉＯ２層をエッチングすることにより、第２の領域の中心部に第２のマスクを形成する第２のマスク形成工程と、
上記第２のマスクが形成された側から、上記第２のシリコン層をエッチングし、上記第２の領域に突起部を形成する第２のエッチング工程と、
上記第２のマスクを除去するマスク除去工程と、
上記金属層を除去し、上記第２のＳｉＯ２層の先端部に、上記第１の穴部と貫通する第２の穴部を穿設する第２の穴部穿設工程と、
上記第２のＳｉＯ２層上に、遮光膜を形成する遮光膜形成工程とを有し、
上記第１の領域に開口型探針を形成するとともに、上記第２の領域に突起型探針を形成すること
を特徴とする走査型プローブの製造方法。
【請求項２】
上記第１のマスク形成工程において、上記第１の領域とともに、最終的に支持基板が形成されない領域に開口が形成されるように一方の主面上に上記第１のマスクを形成し、
上記第１のエッチング工程において、上記第１の領域とともに、最終的に支持基板が形成されない領域をエッチングすること
を特徴とする請求項１記載のプローブの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、走査型プローブ顕微鏡などに使用される走査型プローブ及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
通常の光学顕微鏡によって試料を観察するときには、回折限界という波の伝播に由来する分解能の限界があるため、光の半波長以下の２点を区別することはできない。すなわち、光の回折限界を越えて試料を観察することはできない。
【０００３】
これに対して、先端径がナノメートルサイズであるプローブを備えた走査型プローブ顕微鏡を用いれば、光の回折限界を越えて試料を観察することが可能となる。この走査型プローブ顕微鏡は、鋭い針状の探針を試料の表面に沿って走査しながら、例えば観察する試料表面と探針との原子間力などの物理量を測定して、通常の光学顕微鏡と比較して分解能が高い画像を得る顕微鏡である。
【０００４】
この走査型プローブ顕微鏡としては、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）や、走査型トンネル電子顕微鏡（ＳＴＭ）、近接場光学顕微鏡などが挙げられる。
【０００５】
ここで、ＡＦＭは、微小な可動部の先端に設けられた探針を試料表面に近接させたときに生じる原子間力を利用している。そして、ＡＦＭは、探針先端の原子と試料表面の原子との間に生じる原子間力が一定になるように高さを変化させながら探針を走査し、この探針の位置の変位を検出することによって、高い分解能で試料の表面形状を観察する。
【０００６】
また、ＳＴＭは、微小な可動部の先端に設けられた探針と導電性を有する試料との間に電圧を加えて距離を１ｎｍ程度にまで近接させると、探針と試料との間にトンネル電流が流れることを利用している。そして、ＳＴＭは、このトンネル電流が一定となるように探針を走査し、この探針の位置の変位を検出することによって、高い分解能で試料の表面形状を観察する。
【０００７】
また、近接場光学顕微鏡は、探針の先端に形成された微小開口から染み出す近接場光（エバネッセント光）を使用することによって、光の波長を超えた光学画像を得る。この近接場光学顕微鏡によって、光の回折限界を越えて試料を空気中や水中で観察することや、分光測定すること、また、試料表面下の構造を観察することなどが可能となる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、ＡＦＭやＳＴＭでは、試料表面の分解能を向上させるために、先端が尖鋭で開口が形成されていない突起型探針を使用することが望ましい。しかしながら、この突起型探針の先端から光を出射すると光のスポット径が大きくなる。したがって、この突起型探針を近接場光を使用した観察に使用すると、分解能が低下することとなる。すなわち、この突起型探針を、近接場光を使用した試料の分析のために使用することは望ましくない。
【０００９】
また、近接場光学顕微鏡では、先端から出射される光のスポット径を小さくするために、先端に開口が形成されている開口型探針を使用している。この開口型探針は、開口の周囲が遮光性を有する膜で被覆されており、開口周辺から光が漏れにくい構造とされている。しかしながら、この開口型探針は、開口の周囲が遮光性を有する膜で被覆されているために、先端径が大きくなっている。したがって、この開口型探針をＡＦＭやＳＴＭなどによる観察に使用すると、試料表面の形状を観察したときの分解能が低下することとなる。すなわち、この開口型探針をＡＦＭやＳＴＭなどに使用することは望ましくない。
【００１０】
以上説明した理由により、一つの探針によって近接場光を利用した試料の分析とＡＦＭ及びＳＴＭなどによる試料表面の観察との両方を行うときには、どちらかの分解能が低下することになる。すなわち、近接場光を利用した試料の分析とＡＦＭ及びＳＴＭなどによる試料表面の観察との両方を高い分解能で行うときには、開口型探針及び突起型探針の両方を使用することが望ましい。
【００１１】
しかしながら、観察対象となる試料は例えば１００ｎｍ以下と微小である。このように微小な試料を複数の異なる探針によって観察するときには、それぞれの探針について十分な位置再現性を得ることが困難となる。すなわち、複数の異なる探針で微小な試料の同一な場所を観察することは困難となる。
【００１２】
本発明は、以上のような従来の実情に鑑みて考案されたものであり、一つの微小な試料を異なる探針で観察できる走査型プローブ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る走査型プローブの製造方法は、第１のシリコン層と、第１のＳｉＯ２層と、第２のシリコン層とが順次積層されてなるＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板の上記第２のシリコン層側の主面上に、第１の領域に開口が形成されるように第１のマスクを形成する第１のマスク形成工程と、上記第１のマスク側から上記第２のシリコン層をエッチングして、上記第１の領域に第１の穴部を形成する第１のエッチング工程と、上記第１のマスクを除去する第１のマスク除去工程と、上記第２のシリコン層を酸化し、第２のＳｉＯ２層を形成する酸化工程と、上記第１の穴部上に金属層を形成する金属層形成工程と、上記第１の穴部以外の領域に形成された第２のＳｉＯ２層を除去し、第２のシリコン層を表面に露出させるＳｉＯ２層除去工程と、上記第１のシリコン層を除去するシリコン層除去工程と、上記第１のＳｉＯ２層をエッチングすることにより、第２の領域の中心部に第２のマスクを形成する第２のマスク形成工程と、上記第２のマスクが形成された側から、上記第２のシリコン層をエッチングし、上記第２の領域に突起部を形成する第２のエッチング工程と、上記第２のマスクを除去するマスク除去工程と、上記金属層を除去し、上記第２のＳｉＯ２層の先端部に、上記第１の穴部と貫通する第２の穴部を穿設する第２の穴部穿設工程と、上記第２のＳｉＯ２層上に、遮光膜を形成する遮光膜形成工程とを有し、上記第１の領域に開口型探針を形成するとともに、上記第２の領域に突起型探針を形成することを特徴とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を適用した走査型プローブ及びその製造方法について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１７】
この走査型プローブは、走査型プローブ顕微鏡などに使用される。走査型プローブ顕微鏡では、走査型プローブは試料との対向面に取り付けられる。そして、この走査型プローブを使用することによって、高い分解能で試料を分析することが可能となる。例えば、試料との間に生じる原子間力が一定となるように走査型プローブを走査することによって、高い分解能で表面形状の分析を行うことができる。また、走査型プローブと導電性の試料との間に電圧を加えて、間に生じるトンネル電流を測定することによっても、高い分解能で表面形状の分析を行うことができる。また、走査型プローブの先端から近接場光を発生させて試料に対して照射することで、光の波長を超えた分解能で分光測定などを行う。
【００１８】
図１乃至図３に示すように、本発明を適用した走査型プローブ１は、支持部２と第１及び第２の可動部３，４とからなる支持基板５を備えており、第１の可動部３上には開口型探針６が形成され、第２の可動部４上には突起型探針７が形成された構造を有している。
【００１９】
支持基板５は、第１の可動部３と第２の可動部４とが、それぞれ略平行となるように支持部２から突きだした構造を有している。すなわち、第１の可動部３及び第２の可動部４におけるそれぞれの一方の端部（以下、固定端部とする。）３ａ，４ａが支持部２によって支持された構造を有している。この支持基板５は、例えばＳｉによって形成される。
【００２０】
第１及び第２の可動部３，４はカンチレバー構造を有している。すなわち、第１及び第２の可動部３，４は可撓性を有しており、他方の端部（以下、第１及び第２の自由端部とする。）３ｂ，４ｂは、矢印Ｘ及び矢印Ｙに示すように弾性変位可能とされている。そして、第１の自由端部３ｂには開口型探針６が形成されており、第２の自由端部４ｂには突起型探針７が形成されている。
【００２１】
開口型探針６は、図２に示すように錐体であり、その内部に略錐状の空洞が形成された構造を有している。そして、この錐体の先端には例えば８０ｎｍの微小開口が形成されており、この微小開口が光出射開口部６ａとされている。また、錐体の底辺にも開口が形成されており、この開口が光入射開口部６ｂとされている。開口型探針６は、光出射開口部６ａから近接場光を発生する近接場光発生用探針である。
【００２２】
この開口型探針６は、走査型プローブ顕微鏡に適用されるときには、光出射開口部６ａと試料との距離が光の波長以下となる位置に配設される。そして、この開口型探針６は、光入射開口部６ｂで光を入射し、入射した光を内壁６ｃで散乱させて光出射開口部６ａでの光強度が大きくなるように集光し、光出射開口部６ａと試料との間に近接場光（エバネッセント光）を発生させる。すなわち、光出射開口部６ａが近接場光の発生部となる。そして、この近接場光により、光の回折限界を越えて、試料を空気中や水中で観察することや、分光測定すること、試料表面下の構造を観察することなどが可能となる。
【００２３】
本実施の形態では、開口型探針６の内層８がＳｉＯ２によって形成されており、外層９がＡｇ，Ａｕ，Ａｌなどの金属によって形成されている。外層９は遮光性を有しており、開口型探針６の光出射開口６ａから出射する近接場光のスポットを小さくする。
【００２４】
突起型探針７も錐体であるが、図３に示すように内部が空洞とされることはなく、先端部７ａや底辺７ｂに開口が形成されることもない。なお、突起型探針７と開口型探針６とは、先端部７ａと光出射開口部６ａとが同じ位置となるように、第１及び第２の自由端部３ｂ，４ｂ上に形成される。
【００２５】
この突起型探針７は、先端部７ａを試料表面に近づけて走査することによって試料表面の形状を観察する。例えば、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）と同様に、先端部７ａの原子と試料表面の原子との原子間力が一定となるように、高さを変化させながら突起型探針７を走査し、この突起型探針７の位置の変位を検出することで、高い分解能で試料表面の形状を観察できる。また、走査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）と同様に、電圧をかけた先端部７ａを試料表面に接近させ、トンネル電流の量が一定となるように突起型探針７を走査し、この突起型探針７の位置の変位を検出することで、光の回折限界を越えて試料表面の形状を観察できる。
【００２６】
以上説明したように、本発明を適用した走査型プローブ１は、開口型探針６と突起型探針７とが一体化しており、隣接して形成された構造を有している。したがって、本発明を適用した走査型プローブ１によれば、圧電素子などを使用して開口型探針６と突起型探針７とを僅かに移動させることで、一つの微小な試料における同一な場所を、２つの探針で観察することが容易になる。例えばミリメートル単位の距離をナノメートル単位の位置再現性をもって制御することが可能となり、１００ｎｍ以下の微小な試料を、開口型探針６及び突起型探針７の両方の探針で観察することが可能となる。したがって、一つの微小な試料に対して、近接場光を利用した観察と、ＳＴＭ及びＡＦＭ等の原理を利用した観察とを、高精度に行うことが可能となる。すなわち、一つの微小な試料に対して、表面形状の観察と共に、表面下の構造の観察や、空気中及び水中での観察、分光測定などを高精度に行うことが可能となる。また、走査型プローブ１は、第１及び第２の可動部３，４がカンチレバー構造であるために、オングストロームオーダーの高い分解能を有する。
【００２７】
つぎに、走査型プローブ１の製造方法について、図４乃至図１５を用いて説明する。
【００２８】
先ず、図４に示すようなＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板１０を用意する。このＳＯＩ基板１０は、第１のＳｉ層１１上に、第１のＳｉＯ２層１２と、第２のＳｉ層１３とが順次積層された構造を有している。本実施の形態では、第１のＳｉ層１１の厚さが６００μｍ、第１のＳｉＯ２層１２の厚さが１μｍ、第２のＳｉ層１３の厚さが１０μｍとされている。
【００２９】
次に、図５に示すように、第２のＳｉ層１３を酸化し、第２のＳｉ層１３上に第２のＳｉＯ２層１４を形成する。そして、この第２のＳｉＯ２層１４に対して、例えばリソグラフィーによるパターニングを行い、第１のマスク１４ａを形成する。このとき、図６に示すように、最終的に開口型探針６が形成される開口型探針領域Ｃ、及び最終的に支持基板５が形成される部位を除いた周辺領域Ｄ〜Ｆに開口が形成されるように、第１のマスク１４ａを形成する。ここで、リソグラフィー技術としては、例えばフォトリソグラフィー技術や電子ビーム描画装置を使用した技術などを用いることができる。
【００３０】
次に、ＳＯＩ基板１０に対して、第１のマスク１４ａ側から異方性エッチングを施す。このときのエッチャントとしては、例えばＫＯＨ水溶液、ＮａＯＨ水溶液、ヒドラジン一水和物、エティレンジアミン−パイロカテコール−水の混合液（ＥＰＷ）、テトラメティルアンモニュウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）などを使用する。これにより、図７及び図８に示すように、開口型探針領域Ｃ、周辺領域Ｄ〜Ｆにそれぞれ凹部が形成される。
【００３１】
ここで、開口型探針領域Ｃは、一辺の長さｌと第２のＳｉ層１３の厚さｔとの関係がｌ≦（ｔ−１）×２−２となるように形成する。一辺の長さがｌのときにＳｉがエッチングされる深さｄはｌ／２−２×ｌとなる。したがって、開口型探針領域Ｃをｌ≦（ｔ−１）×２−２となるように形成することによって、開口型探針領域Ｃに錐状の穴部が形成され、この穴部の先端が第１のＳｉＯ２層に到達することを防止できる。また、周辺領域Ｄ〜Ｆでは、第１のＳｉＯ２層１２が形成されていることによってエッチングが停止する。
【００３２】
次に、第２のＳｉＯ２層１４を、例えばフッ酸緩衝液によって除去する。
【００３３】
次に、９５０℃、９時間の加熱を行って第２のＳｉ層１３を酸化し、図９に示すように、第２のＳｉ層１３上に第３のＳｉＯ２層１５を形成する。なお、このとき第３のＳｉＯ２層１５を、開口型探針領域Ｃ、周辺領域Ｄ〜Ｆに形成された凹部上にも形成する。
【００３４】
次に、図１０に示すように、開口型探針領域Ｃ上に、例えばＣｒを蒸着することで第１の金属層１６を形成する。
【００３５】
次に、図１１に示すように、開口型探針領域Ｃ以外の領域に形成された第３のＳｉＯ２層１５を除去し、第２のＳｉ層１３を表面に露出させる。すなわち、上に第１の金属層１６が形成された領域にのみ第３のＳｉＯ２層１５を残存させる。このとき、例えばフッ酸緩衝液を用いることによって、第３のＳｉＯ２層１５を除去する。
【００３６】
次に、図１２に示すように、第２のＳｉ層１３上に補強部材１７を接合する。この補強部材１７の形状は、第１及び第２の自由端部３ｂ，４ｂが弾性変位可能となるように、最終的に第１及び第２の可動部３，４が形成される領域上に空間を有する必要がある。すなわち、補強部材１７は、最終的に第１及び第２の可動部３，４が形成される領域との対向面が切り欠かれた形状とされている。本実施の形態では、補強部材１７をガラスによって形成し、最終的に支持部２となる領域上に陽極接合した。なお、補強部材１７を接合した位置は、図１３中斜線部に示す位置である。
【００３７】
この補強部材１７を第２のＳｉ層１３上に接合することによって、走査型プローブ１の強度が向上する。また、本実施の形態では、補強部材１７としてガラスを使用している。ガラスは光伝搬損失が少ない。したがって、ガラスによって形成された補強部材１７を接合することで、走査型プローブ１の強度を向上させるとともに、開口型探針６へ入射する光量を十分な量とし、先端部６ａで発生する近接場光を十分な強度とすることが可能となる。
【００３８】
ここで、補強部材１７を形成しているガラスと第２のＳｉ層１３との陽極接合について説明する。ガラスはＮａ＋を含有している。このガラスと第２のＳｉ層１３とを接触させ、真空中又はＮ２、Ａｒ２などの不活性ガス中で３５０℃〜４５０℃に加熱したまま、第１のＳｉ層１１を陽極として２００Ｖ〜１０００Ｖの電位差を与える。このとき、Ｎａ＋は、ガラスの融点以下の温度でもガラス中で動き易くなり、負電界に引かれてガラス表面に到達する。そして、ガラス中に残った多量の負イオンが第２のＳｉ層１３との間に空間電荷層を形成してＳｉ−ガラス間に吸着力が生じ、第２のＳｉ層１３とガラスとが化学接合する。
【００３９】
次に、図１４に示すように、第１のＳｉ層１１を除去する。第１のＳｉ層１１を除去する方法としては、例えばＫＯＨ水溶液、ＴＭＡＨ、フッ酸・硝酸混合液などによるエッチングや、機械的研磨、或いは化学機械研磨（ＣＭＰ）などが挙げられる。これにより、第１のＳｉＯ２層１２表面が露出することとなる。
【００４０】
次に、図１５に示すように、第１のＳｉＯ２層１２に対してリソグラフィによりパターニングを行い第２のマスク１２ａを形成する。このとき、図１６に示すように、最終的に突起型探針７が形成される突起型探針領域Ｈの中心部Ｉに、第２のマスク１２ａを形成する。この第２のマスク１２ａを形成して異方性エッチングを施すことで、後述するように最終的に突起型探針７となる錐体が形成され、この錐体の頂点が中心部Ｉに形成される。
【００４１】
次に、第２のＳｉ層１３に対して、第２のマスク１２ａ側から異方性エッチングを施す。このとき、エッチャントとしては、例えばＫＯＨ水溶液、ヒドラジン一水和物、ＥＰＷ、ＴＭＡＨなどを使用する。この異方性エッチングにより、図１７に示すように、最終的に開口型探針６となる第１の錐体１８及び最終的に突起型探針７となる第２の錐体１９が形成される。
【００４２】
ここで、形成される第２のマスク１２ａを適切な大きさとすることによって、突起型探針領域Ｈに第２の錐体１９が形成される。例えば、第２のマスク１２ａを１０μｍ角の正方形状とし、エッチャントとして、ＫＯＨ（４０ｇ、８５％）、水（６０ｇ）、イソプロピルアルコール（４０ｃｃ）を混合した溶液を使用し、８０℃でエッチングを行うことで、四角錐形状を有する第２の錐体１９が形成される。
【００４３】
次に、図１８に示すように、第２の錐体１９の先端部１９ａ上に残存した第２のマスク１２ａを、例えばフッ酸緩衝液によって除去する。また、第１の錐体１８の先端部１８ａに対してもフッ酸緩衝液によって開口を形成する。
【００４４】
次に、図１９に示すように、第１の金属層１６を例えばエッチングにより除去する。このとき、例えばエッチャントとして、硫酸二アンモニュウムセリウム（１６５ｇ）、硝酸（９０ｍｌ）、超純水（１ｌ）を混合した溶液を使用し、室温でエッチングを行う。
【００４５】
次に、図２０に示すように、第２の錐体１９をレジスト膜２０などで保護し、第１の錐体１８の外周に、例えばＡｕ、Ａｇ、Ａｌなどによって第２の金属層２１を形成する。この第２の金属層２０は最終的に外層９となる。
【００４６】
そして、図２１に示すように、補強部材１７が接合された走査型プローブ１が完成する。
【００４７】
以上説明したように、本発明を適用した走査型プローブ１の製造方法によれば、開口型探針６と突起型探針７とが一体化しており、隣接して形成された構造を有している走査型プローブ１を製造することが可能となる。
【００４９】
また、本発明に係る走査型プローブの製造方法によれば、近接場光発生用探針と突起型探針とが一体化しており、隣接して形成された構造を有している走査型プローブを製造することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を適用した走査型プローブを示す平面図である。
【図２】同走査型プローブに形成された開口型探針を示す図であり、図１中Ａ−Ａ’線における断面図である。
【図３】同走査型プローブに形成された突起型探針を示す図であり、図１中Ｂ−Ｂ’線における断面図である。
【図４】ＳＯＩ基板の断面図である。
【図５】第２のＳｉ層上に第２のＳｉＯ２層が形成されたＳＯＩ基板の断面図である。
【図６】第２のＳｉＯ２層において、実際に異方性エッチングを施す位置を示した模式図である。
【図７】第１のマスク側を異方性エッチングしたＳＯＩ基板を示す断面斜視図である。
【図８】同ＳＯＩ基板を示す断面図である。
【図９】同ＳＯＩ基板上に第３のＳｉＯ２層を形成した状態を示す断面図である。
【図１０】第３のＳｉＯ２層上に、第１の金属層を形成したＳＯＩ基板を示す断面図である。
【図１１】第１の金属層が形成された凹部以外の位置に形成された第３のＳｉＯ２層を除去したＳＯＩ基板を示す断面図である。
【図１２】同ＳＯＩ基板に補強部材を接合した状態を示す断面図である。
【図１３】第２のＳｉ層を示す平面図であり、補強部材を接合する位置を示した模式図である。
【図１４】第１のＳｉ層を除去した状態を示す断面図である。
【図１５】第１のＳｉＯ２層をパターニングして第２のマスクを形成した状態を示す断面図である。
【図１６】第１のＳｉＯ２層をパターニングして第２のマスクを形成する位置を示す平面図である。
【図１７】第２のマスク側を異方性エッチングしたＳＯＩ基板を示す断面図である。
【図１８】第２の錐体上に残存した第２のマスクを除去し、第１の錐体の先端に開口を形成した状態を示す断面図である。
【図１９】第２の錐体上に残存した第２のマスクを除去するとともに、第１の金属層を除去した状態を示す断面図である。
【図２０】第２の錐体の外周をレジスト膜でマスクし、第１の錐体上に第２の金属層を形成した状態を示す断面図である。
【図２１】第２の錐体上に形成されたレジスト膜を除去した状態を示す断面図である。
【符号の説明】
１  走査型プローブ、２  支持部、３  第１の可動部、４  第２の可動部、５支持基板、６  開口型探針、７  突起型探針、８  内層、９  外層、１０  ＳＯＩ基板、１１  第１のＳｉ層、１２  第１のＳｉＯ２層、１３  第２のＳｉ層、１４  第２のＳｉＯ２層、１５  第３のＳｉＯ２層、１６  第１の金属層、１７  補強部材、１８  第１の錐体、１９  第２の錐体、２０  レジスト膜、２１第２の金属層
【図１】
0003577291.tif 000002
【図２】
0003577291.tif 000003
【図３】
0003577291.tif 000004
【図４】
0003577291.tif 000005
【図５】
0003577291.tif 000006
【図６】
0003577291.tif 000007
【図７】
0003577291.tif 000008
【図８】
0003577291.tif 000009
【図９】
0003577291.tif 000010
【図１０】
0003577291.tif 000011
【図１１】
0003577291.tif 000012
【図１２】
0003577291.tif 000013
【図１３】
0003577291.tif 000014
【図１４】
0003577291.tif 000015
【図１５】
0003577291.tif 000016
【図１６】
0003577291.tif 000017
【図１７】
0003577291.tif 000018
【図１８】
0003577291.tif 000019
【図１９】
0003577291.tif 000020
【図２０】
0003577291.tif 000021
【図２１】
0003577291.tif 000022