【事件の表示】
　特願２０００−９７０３４号「容器の処理方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年１０月１２日出願公開、特開２００１−２８４３０９号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成１２年３月３１日の出願であって、平成１８年９月７日付けで拒絶査定がなされ（発送：９月１９日）、これに対し、同年１０月１８日に拒絶査定不服審判の請求がなされたものであり、さらに、平成２０年１１月２７日付け（発送：１２月２日）で当審において拒絶理由（以下「当審拒絶理由」という。）が通知され、これに対して、平成２１年１月２０日に意見書が提出されるとともに手続補正がなされたものである。
　
第２．本願発明
　本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２１年１月２０日付け手続補正書で補正された、明細書及び図面の記載からみて、次のとおりのものである。
　
「【請求項１】　半導体ウエーハ製造工程の中の、アルカリ系水溶液を用いてウエーハの表面に形成された欠陥の評価を行なう検査工程での前記アルカリ系水溶液への浸漬に用いられる容器の前処理方法において、該容器の前記アルカリ系水溶液の使用前に酸溶液による該容器の洗浄を行なう事を特徴とする容器の前処理方法。」
　
第３．引用刊行物とその記載事項
１．当審拒絶理由において引用した、本願の出願前に頒布された刊行物は以下のとおりである。
　
　・特開平３−２３３９５５号公報（以下「引用刊行物１」という）
　・特開平８−１０２４５７号公報（以下「引用刊行物２」という）
　・特開平８−７８３７６号公報（以下「周知刊行物」という）
　
（１）引用刊行物１には、図面とともに、以下の記載がある。
ア．「〈産業上の利用分野〉
　本発明はシリコンウエーハの結晶品質の測定等に利用されるシリコンウエーハの微小ピットの検出方法に関する。」（第１頁右下欄第６行〜第９行）
　
イ．「〈従来の技術〉
　一般に、単結晶シリコンウエーハの製造方法としては以下に示すプロセスによっている。すなわち、例えば引き上げ法（ＣＺ法）により引き上げた単結晶シリコンをスライサーでスライスし、そのウエーハ表面を研磨し、さらにその表面を洗浄するものである。
　そして、従来はこのシリコンウエーハの洗浄後にバーティクルカウンタによりそのウエーハ表面に付着したゴミ等を測定し、そのウエーハ表面の清浄度等を調査していた。
　この場合、従来のパーティクルカウンタは０．２μｍ以上のパーティクルを測定することができるものである。」（第１頁右下欄第１０行〜第２頁左上欄第５行）
　
ウ．「そこで、本発明は、引き上げ法によるシリコンウエーハの表面にはアンモニア系洗浄液（ＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２０）による洗浄により微小ピットが形成されることから、このシリコンウエーハの微小ピットを検出することができる方法を提供することを、その目的としている。」（第２頁左上欄第１５行〜同頁右上欄第１行）
　
エ．「アンモニア系洗浄液を用いて一定条件の下で該シリコンウエーハの表面を複数回洗浄するとともに、この洗浄後のシリコンウエーハ表面のピットの数をこのパーティクルカウンタを用いて測定し、さらに同一条件でこのシリコンウエーハの表面を洗浄して、洗浄後のシリコンウエーハ表面のピットの数をパーティクルカウンタを用いて測定し、これらの測定値の差および測定可能になるまでの上記洗浄回数に基づいて、１回洗浄後のシリコンウエーハ表面の微小ピットの大きさとその数とを検出するシリコンウエーハの微小ピットの検出方法を提供するものである。」（第２頁右上欄第８行〜同頁左下欄第１行）
　
　以上の記載を総合すると、引用刊行物１には、次の発明（以下「引用刊行物記載の発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「半導体ウエーハ製造方法であって、アンモニア系洗浄液を用いて洗浄（エッチング処理）を行った後、ウエーハ表面に形成された微小ピットの大きさとその数とを検出する工程を有する、半導体ウエーハ製造方法。」
　
（２）引用刊行物２には、図面とともに、以下の記載がある。
オ．「【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハなどの被処理体を洗浄処理するための洗浄処理装置およびその制御方法に関する。」（段落【０００１】）
　
カ．「洗浄処理部は、ＳＣ１洗浄、ＳＣ２洗浄、ＨＦ洗浄、ＳＰＭ洗浄などの各種薬液洗浄を行うための１または２以上の洗浄ユニットが順次配列されて成り、それぞれの洗浄ユニットは、薬液洗浄を行う薬液槽と純水洗浄を行う水洗槽とから構成されている。前記搬送装置により、ある洗浄ユニットに移送された被処理体は、まず薬液槽において薬液洗浄された後、その薬液槽の下流に配された水洗槽に移送される。そして、その水洗槽において、半導体ウェハの表面に付着した薬液を純水により洗い流してから、別種の薬液による洗浄ユニットに搬送される。このようにして、一連の洗浄処理が終了した半導体ウェハは、さらに純水により最終洗浄され、乾燥処理され、アンローダ部を介して処理装置外に搬出される。」（段落【０００４】）
　
キ．「ところで、上記のような洗浄処理装置の薬液槽において使用される薬液は、随時循環され、フィルタにより濾過され、常に清浄な状態で槽内に供給されている。しかしながら、多くのロットを処理するうちに、フィルタによる濾過のみによっては清浄化が困難なほど汚染が進展した場合には、薬液全体を新しいものと交換する必要が生じる。」（段落【０００５】）
　
ク．「従来のこの薬液交換作業は、新しい薬液を交換した時点から、時間または処理回数を計数し、所定の時間または処理回数に到達すると、古くなった薬液を廃液し、必要に応じて槽内の洗浄を行った後、新しい薬液を導入し、洗浄処理を再開するようにシステムを構成していた。」（段落【０００６】）
　
（３）周知刊行物には、以下の記載がある。
ケ．「これらの半導体プロセスにおいては、熱酸化処理等、種々の熱処理工程が採用されているが、この種の熱処理を行う際に用いられる容器や半導体基板を保持するウエハボート等の半導体用治工具が高純度でない場合には、これら半導体用治工具に起因した半導体基板の汚染が発生し、この汚染が半導体素子の誤動作の原因になる等の問題を生じる。」（段落【０００３】）
　
コ．「従来、このような高純度を要求される半導体製造用耐熱治具としては、主として石英ガラス製のものが用いられていた。石英ガラス製治具は、極めて高純度なものを比較的容易に製造することができ、また透明であることから治具の内部を容易に観察することができる等の利点を有している。しかしこの石英ガラス製治具は、耐熱性に問題があり、１０００℃を超える温度から粘性流動による変形が生じ始めるため、１１５０℃以上の熱処理にはほとんど使用されていない。また、長時間の使用によりガラス構造からα−クリストバライトへの結晶化が進行して失透したり、破壊され易くなり、そのために寿命が短くなるという問題点もあった。
　そこで、このような問題点を解決し得る材料として、炭化珪素粉末を成形した後、焼成することにより形成された多孔質炭化珪素成形体に金属シリコンを充填させた炭化珪素−シリコン複合体（以下、炭化珪素質材料と記す）が開発され使用されてきている。」（段落【０００５】〜【０００６】）
　
サ．「これらの炭化珪素質材料からなる半導体用治具は、通常、十分高純度なものであるが、加工処理等の段階で汚染されたり、治具として使用することにより汚染されたりするので、使用前に洗浄処理を行うことにより、これらの汚染物質を除去して高純度化を図る必要がある。
　酸洗浄を行う際の前記ＨＦ含有水溶液の濃度としては３重量％以上２０重量％未満であるのが好ましい。前記ＨＦ含有水溶液の濃度が３重量％未満では酸としての洗浄効果が低く、炭化珪素質材料表面の不純物を効果的に溶解することができず、他方前記ＨＦ含有水溶液の濃度が２０重量％以上であると金属シリコンが酸に溶解する速度が速くなり炭化珪素質材料の表面にボイドが生じる。
　また、酸洗浄の際には超音波振動を加える必要がある。単に酸に浸漬しただけでは化学作用による洗浄効果は得られるが、炭化珪素質材料の表面に付着したパーティクルや表面ボイド内に存在する不純物を除去できず、洗浄も不均一なものとなる。」（段落【００１３】第１３行〜【００１５】）
　
シ．「本発明に係る半導体用治工具の洗浄方法によれば、炭化珪素及び金属シリコンからなる炭化珪素質材料により構成されガス不透過性を有する半導体用治工具を、その濃度が３重量％以上２０重量％未満のＨＦ、ＨＦ−ＨＣｌ又はＨＦ−ＨＮＯ3 水溶液中に５分〜１時間浸漬して超音波洗浄を行い、その後に上記酸洗浄を行った前記半導体用治工具を半導体用超純水中に１０分間以上浸漬して超音波洗浄を行うので、前記ＨＦ含有水溶液による洗浄では炭化珪素質材料表面のＳｉが適度に溶解し、前記Ｓｉと炭化珪素からなる炭化珪素質材料表面近傍に存在する金属等の不純物の除去が効率的に行われ、また超音波振動を併用することにより炭化珪素質材料の表面に付着したパーティクルや表面ボイド内に存在する不純物も効率的に除去される。」（【００２２】）
　
第４．発明の対比・判断
　本願発明と引用刊行物１記載の発明を対比すると、引用刊行物１記載の発明における「アンモニア系洗浄液を用いて洗浄（エッチング処理）を行った後、ウエーハ表面に形成された微小ピットの大きさとその数とを検出する工程」は本願発明における「アルカリ系水溶液を用いてウエーハの表面に形成された欠陥の評価を行なう検査工程」に相当する。
　
よって、両者の一致点、相違点は、次のとおりである。
　
［一致点］
  半導体ウエーハ製造方法であって、アルカリ系水溶液を用いてウエーハの表面に形成された欠陥の評価を行なう検査工程を有する、半導体ウエーハ製造方法。
　
［相違点１］
  半導体ウエーハの表面にアルカリ系水溶液を用いて欠陥を形成する（または／及び）欠陥の大きさを拡大させる（洗浄：エッチング）工程が、本願発明では 、「アルカリ系水溶液で満たされた容器内へ浸漬より行われる」と特定されているのに対し、引用刊行物１記載の発明では、どの様な形態で行われるのか（容器を用いた浸漬なのかスプレーなのか）必ずしも明確でない点。
　
［相違点２］
　本願発明では、容器を使用して行う半導体ウエーハの表面にアルカリ系水溶液を用いて欠陥を形成する（または／及び）欠陥の大きさを拡大させる（洗浄：エッチング）工程の前処理工程として、付着汚染物除去のために「容器の前記アルカリ系水溶液の使用前に酸溶液による該容器の洗浄を行なう」工程を具備しているのに対し、引用刊行物１記載の発明では、かかる工程を具備していない点。
　
　そこで、各相違点につき検討する。
　
［相違点１について］
　引用刊行物１には、前記摘記事項ア．〜エ．以外に、次の事項が記載されている。
　
ス．「このＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ（１：１：５）
洗浄液による１回の洗浄（８０℃、２０分程度）
　この場合に同一条件で繰り返し洗浄を行うと、このピットは大きく成長する。」（第３頁右上欄第１７行〜同頁左下欄第５行：下線は当審により付記したものであり、以下においても同様である。）
　
　半導体ウエーハ製造における技術常識を踏まえた上で、前記記載、特に「
洗浄液による１回の洗浄（８０℃、２０分程度）
　また、仮に、引用刊行物１記載の発明における、半導体ウエーハのアルカリ系水溶液による洗浄の形態が特定できないとしても、半導体ウエーハのアルカリ系水溶液による洗浄を「（アルカリ系水溶液で満たされた）容器内で行う」ことは、半導体ウエーハ製造の技術分野における周知・慣用の技術手段である。
［例えば、前記摘記事項カ．、キ．、や、特開平４−１２５９４６号公報「このように構成された本発明の評価方法によれば、アルカリ処理（例えばアルカリ性の溶液に浸漬すること、又はアルカリ性の雰囲気中に置くこと）によって基板の表面を所定の深さだけエツチングする工程と、」（第２頁右上欄第８行〜第１０行）参照のこと。］
　よって、引用刊行物１記載の発明における、半導体ウエーハの表面にアルカリ系水溶液を用いて欠陥を形成する（または／及び）欠陥の大きさを拡大させる（洗浄：エッチング）工程を「（アルカリ系水溶液で満たされた）容器内で行う」ことに格別な困難性は認められない。
［なお、この点は、当審からの電話にての問い合わせ（平成２１年２月２６日１７：３０〜１８：１０）で、代理人も認めたところでもある。］
　
［相違点２について］
　洗浄容器に満たされたアルカリ系水溶液が、使用時間長期化や処理回数の増加に伴って汚染されること。また、そのことに起因する半導体ウエーハの欠陥増加を回避するために、汚染されたアルカリ系水溶液を排出し、次いで次回の使用前に洗浄を行い、その後汚染されていないアルカリ系水溶液を導入することは、引用刊行物２記載（前記摘記事項キ．、ク．参照）のように、公知の技術手段（以下「引用刊行物２記載の発明」という。）である。
　
　さらに、半導体ウエーハ製造工程で用いられる容器等の各種治具の汚染を洗浄するための薬液として酸溶液を用いることは、周知の技術手段でもある。
［周知例としては、例えば、
当審拒絶理由で指摘した周知刊行物：（前記摘記事項ケ．〜シ．）、
及び、
特開平１１−１０２８８４号公報：
・「そこで、本発明の目的は、上述の技術的課題を解決し、基板保持手段の周辺に設けられた周辺部材の洗浄を良好に行える構成を備えた基板処理装置を提供することである。また、本発明の他の目的は、基板保持手段の周辺に設けられた周辺部材の洗浄を良好に行うことができる洗浄方法を提供することである。」（段落【０００６】）、
・「なお、周辺部材は、たとえば、基板を保持して回転させるスピンチャックの周辺に設けられた部材であってもよいし、基板が浸漬または収容される処理槽やその処理槽を閉塞する蓋部材であってもよい。また、洗浄補助液は、汚染物質を洗浄液に可溶な物質に変化させるものであってもよいし、洗浄液により洗い流すことができる流動性の物質に変化させるものであってもよい。」（段落【０００９】）
・「そこで、この実施形態においては、スピンチャック１にウエハＷが保持されていない期間に、上記の金属汚染物質を周辺部材から除去するための周辺部材洗浄処理が行われる。すなわち、洗浄補助液として、処理液ノズルＮＵ，ＮＬから、塩酸が供給される。その他の動作は、第１の実施形態における周辺部材洗浄処理と同様である。したがって、遮蔽板１５、スピンベース１２、把持ピン１３、スプラッシュガード８および処理カップ２などの周辺部材に、塩酸が供給され、これらの表面の金属汚染物質が溶解させられる。」（段落【００４２】）
特開平９−２０２６３０号公報：
・「ただし、この場合は、表面除去時の極微細なマイクロクラックであるので、製作時や使用時の異物やマイクロクラックを完全に除去するための強酸による無理な長時間のエッチング処理（例えば、５０％フッ化水素酸にて、３〜４時間）は必要がなく、２０％以下程度のフッ化水素酸またはフッ化アンモニウムを含む酸で２０℃で３０分程度の処理で良い。」（段落【００１３】）
・「本発明の石英ガラス製治具の表面処理方法が適用できる処理治具としては、ウエハー積載ボート（以下、ウエハーボートという。）、ボート受台、プロセスチューブ、ハンドリング治具、カンチレバー、断熱キャップ、バブラー、洗浄用液槽が挙げられる。また、本発明の処理方法は、上記異物の他、処理治具の製造時やウエハー熱処理時に表面に生ずる失透、白濁、及びいわゆる点状の着色異物の除去にも適用できる。」（段落【００１６】）
等を参照されたい。］
　
　よって、引用刊行物１記載の発明において、（アルカリ半導体ウエーハの欠陥増加（発生変動）を回避するために、）付着汚染物除去のために「容器の前記アルカリ系水溶液の使用前に酸溶液による該容器の洗浄を行なう」工程を付加することは、引用刊行物２記載の発明及び周知の技術手段に倣って、当業者が容易に想到しえた事項である。
　
　また、本願発明により得られる効果も、引用刊行物１、２記載の発明及び周知の技術手段から、当業者であれば、予測できる程度のものであって、格別なものとはいえない。
　
第５．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、引用刊行物１、２記載の発明及び周知の技術手段に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。