【事件の表示】
　平成　７年特許願第２５８０３１号「二重層を有する半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成　８年　７月１２日出願公開、特開平　８−１８１２０６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成７年１０月４日の出願（パリ条約優先権　１９９４年１０月５日、ドイツ連邦共和国）であって、平成１９年４月２３日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年８月６日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、同年９月５日付けで手続補正がなされたものである。
　
第２　平成１９年９月５日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）について
　［補正却下の決定の結論］
　平成１９年９月５日付けの手続補正を却下する。
　［理由］
　１．本件補正の内容
　本件補正は、補正前の請求項１及び２を補正後の請求項１及び２と補正するものであって、補正後の請求項１及び２は、以下のとおりである。
　「【請求項１】　半導体材料の第１の層(2) と、
　前記半導体材料の第１の層を覆っている誘電体絶縁層(11)と、
　前記誘電体絶縁層(11)を覆っている半導体材料の第２の層(1) と、
　前記半導体材料の第２の層(1) と前記誘電体絶縁層(11)とを貫通して形成されてその下の前記半導体材料の第１の層(2) の上面の選択された領域を露出させている少なくとも１つのコンタクト開口(5) と、
　この少なくとも１つのコンタクト開口(5) により露出された前記半導体材料の第１の層(2) の表面の選択された領域に形成されている少なくとも１つのコンタクト(3) とを具備している二重層を有する半導体装置において、
　前記半導体材料の第２の層(1) と前記誘電体絶縁層(11)とは前記コンタクト開口(5) を除く前記半導体材料の第１の層の上面全体を完全に覆っており、
　前記半導体材料の第２の層(1) と前記誘電体絶縁層(11)の前記コンタクト開口(5) における端部は前記半導体材料の第１の層(2) の表面に沿った方向で同じ位置に配置され、前記コンタクト(3) は、前記コンタクト開口(5) の側面壁を構成している前記半導体材料の第２の層(1) および前記誘電体絶縁層(11)の端部から前記半導体材料の第１の層(2) の表面に沿った方向で同じ距離を隔てて形成されている半導体装置。
　　【請求項２】　前記第１の層(2) と前記第２の層(1) はポリシリコンから形成されている請求項１記載の半導体装置。」
　
　２．補正内容の整理
　補正事項１
　補正前の請求項１の「具備し、」を、補正後の請求項１の「具備している二重層を有する半導体装置において」と補正するとともに、補正前の請求項１の「二重層を有する半導体装置。」を補正後の請求項１の「半導体装置。」と補正すること。　
　補正事項２　
　補正前の請求項１の「前記コンタクトは前記第１の層の表面に沿った方向で前記第２の層から距離を隔てて形成されている」を、補正後の請求項１の「前記コンタクト(3) は、前記コンタクト開口(5) の側面壁を構成している前記半導体材料の第２の層(1) および前記誘電体絶縁層(11)の端部から前記半導体材料の第１の層(2) の表面に沿った方向で同じ距離を隔てて形成されている」と補正すること。
　
　補正事項３　　
　補正後の請求項１の「前記コンタクト(3) は、前記コンタクト開口(5) の側面壁を構成している前記半導体材料の第２の層(1) および前記誘電体絶縁層(11)の端部から前記半導体材料の第１の層(2) の表面に沿った方向で同じ距離を隔てて形成されている」の前に、補正後の請求項１の「前記半導体材料の第２の層(1) と前記誘電体絶縁層(11)とは前記コンタクト開口(5) を除く前記半導体材料の第１の層の上面全体を完全に覆っており、　前記半導体材料の第２の層(1) と前記誘電体絶縁層(11)の前記コンタクト開口(5) における端部は前記半導体材料の第１の層(2) の表面に沿った方向で同じ位置に配置され、」を追加すること。
　
　補正事項４　
　補正前の請求項１の「半導体材料の第１の層」、「誘電体絶縁層」、「半導体材料の第２の層」、「コンタクト開口」、「コンタクト」、及び補正前の請求項２の「前記第１の層」、「前記第２の層」を、それぞれ、補正後の請求項１の「半導体材料の第１の層(2)」、「誘電体絶縁層(11)」、「半導体材料の第２の層(1)」、「コンタクト開口(5)」、「コンタクト(3)」、及び補正後の請求項２の「前記第１の層(2)」、「前記第２の層(1)」と補正すること。
　
　３．本件補正についての検討（その１）（特許法第１７条の２第３項及び第４項）
（１）補正の目的の適否及び新規事項の追加について　
　補正事項１について
　補正事項１についての補正は、本件補正の前後において、「二重層を有する半導体装置」の「二重層を有する」の記載位置を変更したものであり、その技術的意義は変更されておらず、補正事項１についての補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第４号に掲げる明りょうでない記載の釈明に該当する。
　また、補正事項１についての補正は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、補正事項１についての補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項の規定を満たす。　　
　
　補正事項２について
　補正事項２についての補正は、補正前の請求項１の「前記コンタクトは前記第１の層の表面に沿った方向で前記第２の層から距離を隔てて形成されている」を、補正後の請求項１の「前記コンタクト(3) は、前記コンタクト開口(5) の側面壁を構成している前記半導体材料の第２の層(1) および前記誘電体絶縁層(11)の端部から前記半導体材料の第１の層(2) の表面に沿った方向で同じ距離を隔てて形成されている」と発明特定事項を限定するものである。
　しかしながら、補正後の請求項１の「前記コンタクト(3) は、前記コンタクト開口(5) の側面壁を構成している前記半導体材料の第２の層(1) および前記誘電体絶縁層(11)の端部から前記半導体材料の第１の層(2) の表面に沿った方向で同じ距離を隔てて形成されている」の内、「コンタクト(3)」が「前記半導体材料の第２の層(1) および前記誘電体絶縁層(11)の端部から」「同じ距離を隔てて形成されている」点に関しては、本願の図４、図５にコンタクト３がコンタクト開口５のほぼ中央に形成されているように記載され、また、本願の明細書に「【０００８】図４は、本発明による相互接続構造の平面図を示す。ここにおいて、従来技術とは異り、下部層２は上部層１によって完全にカバーされる。下部層２に対してコンタクト３を形成することができるように、開口５が例えばエッチングによって上部層１に形成される。この場合前記従来の場合と異なって単一の層の厚さしかエッチングされないため、前記のようなスペーサが残ることはない。
【０００９】図５は、図４のラインＣ−Ｃに沿った断面を示す。図４と関連して既に説明された特徴に加えて、絶縁層（誘電体11）が認められる。
【００１０】以上、本発明による構造は、上部層がエッチングされなければならない領域においてエッチングされるべき層の厚さが単一の層の厚さであるため、スペーサの形成が避けられるという利点を有する。」及び、【図面の簡単な説明】に「【図４】　本発明による相互接続構造の平面図。　【図５】　図４のＣ−Ｃにおける断面図」と記載されているのみである。
　したがって、本願の図面（図４及び図５）のみを根拠として、「コンタクト(3)」が「前記半導体材料の第２の層(1) および前記誘電体絶縁層(11)の端部から」「同じ距離を隔てて形成されている」ことが記載されているとは言えないから、補正事項２についての補正は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものではない。
　よって、補正事項２についての補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項の規定に違反する。
　
　補正事項３　
　補正事項３についての補正は、補正前の請求項１に、補正後の請求項１の「前記半導体材料の第２の層(1) と前記誘電体絶縁層(11)とは前記コンタクト開口(5) を除く前記半導体材料の第１の層の上面全体を完全に覆って」いること（補正事項３−１）、及び、「前記半導体材料の第２の層(1) と前記誘電体絶縁層(11)の前記コンタクト開口(5) における端部は前記半導体材料の第１の層(2) の表面に沿った方向で同じ位置に配置され」ること（補正事項３−２）とに区分して検討する。
　補正事項３−１についての補正は、半導体材料の第１の層の上面が、半導体材料の第２の層(1) と誘電体絶縁層(11)とによりどの程度覆われているかについて限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また、補正事項３−２についての補正は、「半導体材料の第２の層(1)」 と「誘電体絶縁層(11)」との前記コンタクト開口(5) における端部の位置関係について限定するものであるが、「半導体材料の第２の層(1)」と「誘電体絶縁層(11)とを貫通して」「コンタクト開口(5)」が形成されるときに、「半導体材料の第２の層(1)」及び「誘電体絶縁層(11)」との端面は同じ平面として形成されるものであって、「半導体材料の第２の層(1)」と「誘電体絶縁層(11)」との前記コンタクト開口(5) における端部について、「前記半導体材料の第１の層(2) の表面に沿った方向で同じ位置に配置され」ると限定するものであるから、補正事項３−２についての補正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　したがって、補正事項３についての補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
　よって、補正事項２についての補正を含む本件補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　４．本件補正についての検討（その２）（特許法第１７条の２第５項）
　仮に、本件補正が、平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項の規定に違反せず、かつ、本件補正が、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定を満たし、同条同項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるとして、更に、本件補正が、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するものであるか否かについて検討する。
　
　４−１．補正後の請求項１は、上記「第２　１．」に記載したとおりである。
　
　４−２．刊行物に記載される発明
　刊行物１．特開平５−２１１２８７号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された特開平５−２１１２８７号公報には、図１及び図２とともに以下の事項が記載されている。
「【特許請求の範囲】
【請求項１】　下層導体層と、その表面に接して設けられ、下層電極取り出し用の開口を有する容量絶縁膜と、前記容量絶縁膜の表面に接して設けられ、前記開口の上部に開口を有する上層導体層と、前記開口に露出した表面において前記下層導体層に接し、前記上層導体層とは絶縁して、前記上層導体層上にとり出された下層電極とを有することを特徴とする容量素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路における容量素子の構造に関し、特に導体と絶縁膜で構成される容量素子の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の導体と絶縁膜で構成される容量素子の構造を、図３（Ａ），（Ｂ）に示す。同図（Ａ）は断面図、同図（Ｂ）は平面図である。半導体基板１上のフィールド絶縁膜８上に下層導電膜２が形成され、その上に容量絶縁膜４が形成されている。容量絶縁膜４上に上層導電膜３を、下層導電膜２より小さな面積で形成した後、全面に絶縁膜５を成長させる。上層導電膜３上の絶縁膜５を選択的に開口して上層電極７をとり出し、下層導電膜２上の容量絶縁膜４，絶縁膜５を選択的に開口して下層電極６がとり出された構造となっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この従来の導体と絶縁膜で構成される容量素子では、下層導体の電極を設けるために、下層導体の面積を上層導体より大きくしなければならないため、素子の占有面積が必要以上に大きくなるという問題があった。
【０００４】また、下層導体より小さくなるように上層導体をエッチングする際に、下層導体上の容量絶縁膜もエッチングにさらすために、下層導体と上層導体との間の容量絶縁膜までエッチングされることとなり、短絡の恐れ、及び容量低減等の素子機能の低下の恐れがある、という問題点があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、下層導体層と、その表面に接して設けられ、下層電極取り出し用の開口を有する容量絶縁膜と、容量絶縁膜の表面に接して設けられ、前記開口の上部に開口を有する上層導体層と、前記開口に露出した表面において下層導体層に接し、前記上層導体層とは絶縁して、上層導体層上にとり出された下層電極とを有する容量素子を得る。
【０００６】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明する。
【０００７】図１（Ａ），（Ｂ）は本発明の第１の実施例を示す、容量素子の断面図と平面図である。半導体基板１をフィールド絶縁膜８で分離し、その上に約２０００オングストロームの厚さで下層導電膜２を形成する。下層導電膜２は例えば不純物が添加された多結晶シリコンなどが適している。
【０００８】次に下層導電膜２上に約３００オングストロームの厚さで容量絶縁膜４を気相成長，熱酸化，熱窒化等によって成長させる。この容量絶縁膜４は例えばシリコン窒化膜などが適している。下層導電膜２および容量絶縁膜４上に、不純物が添加された多結晶シリコン等で上層導電膜３を約１０００オングストロームの厚さで成長させ、下層導電膜２より大きくなるように加工する。
【０００９】次に上層導電膜３および容量絶縁膜４を選択的にエッチングして開口し、下層導電膜２の一部表面を露出させる。次にシリコン窒化膜，シリコン酸化膜などの絶縁膜５を全面に約１０００オングストロームの厚さで成長させた後、前記エッチング開口部の下層導電膜２上の絶縁膜５および、上層導電膜３上の絶縁膜５をフォトレジストを用いてパターニングした後にエッチングし、エッチングされた部分にそれぞれ下層電極６，上層電極７を設ける。
【００１０】図２は本発明の第２の実施例を示す断面図である。
【００１１】半導体基板１をフィールド絶縁膜８で分離し、その上に第１の実施例と同様の下層導電膜２を、横に並べて複数個形成した後、第１の実施例と同様の容量絶縁膜４をすべての下層導電膜２を覆うように成長させ、さらに、第１の実施例と同様の上層絶縁膜３をすべての下層絶縁膜２および容量絶縁膜４を覆うように形成する。
【００１２】次に、上層導電膜３および容量絶縁膜４を選択的にエッチングして開口し、すべての下層導電膜２につき、その一部表面を露出させた後、シリコン窒化膜，シリコン酸化膜などの絶縁膜５を全面に約１０００オングストロームの厚さで成長させる。
【００１３】次に、前記エッチング開口部のすべてにつき、下層導電膜２上の絶縁膜５を、フォトレジストを用いてパターニングし、さらに、すべての下層導電膜２につき、その上部に位置する上層導電膜３の部分について、その上部の絶縁膜５をフォトレジストを用いてパターニングし、エッチングして、エッチングされた部分のそれぞれにつき、下層電極６，または上層電極７を設ける。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、上層導体と容量絶縁膜の一部を選択的にエッチングして下層導体の表面を露出させることにより、下層電極をとり出す構造としたので、下層電極を設ける為に下層導体を上層導体より大きく形成する必要がなくなり、従来の容量素子に比べて素子面積を縮小することができるという効果を有する。例えば容量シリコン窒化膜厚約４００オングストロームで約１００ｆＦの容量素子では、従来では約１００μｍ２の素子面積であったのに対して本発明の構造を用いると約６０μｍ２となり、約４０％縮小することができる。
【００１５】また、上層導体をエッチングする際、下層導体の表面の一部を露出させて下層電極を設ける目的で、その部分のみエッチングを行うので、目的以外の容量絶縁膜の部分をエッチングにさらして損傷することがなく、容量変動等を防ぐことができるという効果を有する。」
　
　・図１及び「次に下層導電膜２上に約３００オングストロームの厚さで容量絶縁膜４を気相成長，熱酸化，熱窒化等によって成長させる。この容量絶縁膜４は例えばシリコン窒化膜などが適している。」（【０００８】段落）との記載より、容量絶縁膜４が下層導電膜２を覆って形成されることは明らかである。
　・図１、「下層導電膜２および容量絶縁膜４上に、不純物が添加された多結晶シリコン等で上層導電膜３を約１０００オングストロームの厚さで成長させ、下層導電膜２より大きくなるように加工する。」（【０００８】段落）及び「次に上層導電膜３および容量絶縁膜４を選択的にエッチングして開口し、下層導電膜２の一部表面を露出させる。次にシリコン窒化膜，シリコン酸化膜などの絶縁膜５を全面に約１０００オングストロームの厚さで成長させた後、前記エッチング開口部の下層導電膜２上の絶縁膜５および、上層導電膜３上の絶縁膜５をフォトレジストを用いてパターニングした後にエッチングし、エッチングされた部分にそれぞれ下層電極６，上層電極７を設ける。」（【０００９】段落）との記載より、多結晶シリコンの上層導電膜３が容量絶縁膜４を覆って形成されること、エッチング開口部が上層導電膜３及び容量絶縁膜４を貫通して形成されていること、及び、エッチング開口部の下層導電膜２上に下層電極６が接続されていること、は明らかである。
　・図１及び【０００９】段落の記載より、エッチング開口部において、上層導電膜３の側面と容量絶縁膜４の側面は、同じエッチング工程により形成されているから、ほぼ同じ位置に形成されていることは、明らかである。　　・図１及び【０００９】段落の記載より、下層電極６は、絶縁膜５により、上層導電膜３及び容量絶縁膜４から前記下層導電膜２の表面において隔てられていることは明らかである。
　
　したがって、刊行物１には、以下の発明が記載されている。　
「多結晶シリコンの下層導電膜２と、
　前記下層導電膜２を覆う容量絶縁膜４と、
　前記容量絶縁膜４を覆う多結晶シリコンの上層導電膜３と、
　前記上層導電膜３と前記容量絶縁膜４とを貫通して形成されたエッチング開口部と、
　前記エッチング開口部において前記下層導電膜２と接続された下層電極６とを備え、
　前記上層導電膜３と前記容量絶縁膜４は、前記エッチング開口部以外の前記下層導電膜２のほぼ全面を覆っており、
　前記上層導電膜３の内側の側面と前記容量絶縁膜４の内側の側面とは、ほぼ同じ位置に形成され、
　前記下層電極６は、前記上層導電膜３及び前記容量絶縁膜４から前記下層導電膜２の表面において隔てられて形成されている容量素子。」
　
　４−３．対比　
　補正後の請求項１に係る発明（以下、「補正発明」という。）と刊行物１に記載された発明（以下、「刊行物発明」という。）とを対比検討する。
（ａ）刊行物発明の「多結晶シリコンの下層導電膜２」及び「多結晶シリコンの上層導電膜３」が半導体材料から形成されていることは明らかであるから、刊行物発明の「多結晶シリコンの下層導電膜２」及び「多結晶シリコンの上層導電膜３」は、補正発明の「半導体材料の第１の層(2)」及び「半導体材料の第２の層(1)」に相当する。
（ｂ）刊行物発明の容量絶縁膜４は、誘電体絶縁層であることは明らかであるから、上記（ａ）での検討をも考慮すると、刊行物発明の「前記下層導電膜２を覆う容量絶縁膜４」は、補正発明の「前記半導体材料の第１の層を覆っている誘電体絶縁層(11)」に相当する。
（ｃ）上記（ａ）及び（ｂ）での検討をも考慮すると、刊行物発明の「前記容量絶縁膜４を覆う多結晶シリコンの上層導電膜３」は、補正発明の「前記誘電体絶縁層(11)を覆っている半導体材料の第２の層(1)」に相当する。
（ｄ）刊行物発明において、「エッチング開口部」により、「多結晶シリコンの下層導電膜２」の上面の一部の領域が露出されていることは明らかであるから、刊行物発明の「前記上層導電膜３と前記容量絶縁膜４とを貫通して形成されたエッチング開口部」は、補正発明の「前記半導体材料の第２の層(1) と前記誘電体絶縁層(11)とを貫通して形成されてその下の前記半導体材料の第１の層(2) の上面の選択された領域を露出させている少なくとも１つのコンタクト開口(5) 」に相当する。
（ｅ）刊行物発明の「下層電極６」が「エッチング開口部」により露出された「下層導電膜２の表面に形成され」ており、「エッチング開口部」により露出された「下層導電膜２の表面」が「下層導電膜２」の選択された領域であることも明らかであって、刊行物発明の「下層電極６」と、補正発明の「コンタクト(3)」とは、いずれも、刊行物発明の「多結晶シリコンの下層導電膜２」または補正発明の「半導体材料の第１の層(2)」と他の導体部分を接続するための導電性接続部材である点において共通し、刊行物発明の「前記エッチング開口部において前記下層導電膜２の表面に形成された下層電極６」は、補正発明の「この少なくとも１つのコンタクト開口(5) により露出された前記半導体材料の第１の層(2) の表面の選択された領域に形成されている少なくとも１つのコンタクト(3)」に対応する。
（ｆ）刊行物発明の「下層導電膜２」と「上層導電膜３」が２重の層構造であることは明らかであるから、刊行物発明も、補正発明と同様に「二重層」を実質的に備えていることは明らかである。
（ｇ）刊行物１の図１及び【０００９】段落の記載より、「エッチング開口部」は、絶縁膜５を形成する前の開口部であるから、刊行物発明の「前記上層導電膜３と前記容量絶縁膜４」は、「前記エッチング開口部以外の前記下層導電膜２」の上面全面を覆っていることは明らかであるから、刊行物発明の「前記上層導電膜３と前記容量絶縁膜４は、前記エッチング開口部以外の前記下層導電膜２のほぼ全面を覆って」いることは、補正発明の「前記半導体材料の第２の層(1) と前記誘電体絶縁層(11)とは前記コンタクト開口(5) を除く前記半導体材料の第１の層の上面全体を完全に覆って」いることに相当する。
（ｈ）刊行物発明の「前記上層導電膜３の内側の側面と前記容量絶縁膜４の内側の側面」が、補正発明の「前記半導体材料の第２の層(1) と前記誘電体絶縁層(11)の前記コンタクト開口(5) における端部」に相当するから、刊行物発明の「前記上層導電膜３の内側の側面と前記容量絶縁膜４の内側の側面とは、ほぼ同じ位置に形成され」ることは、補正発明の「前記半導体材料の第２の層(1) と前記誘電体絶縁層(11)の前記コンタクト開口(5) における端部は前記半導体材料の第１の層(2) の表面に沿った方向で同じ位置に配置され」ることに相当する。
（ｉ）上記（ｇ）においても検討したとおり、「エッチング開口部」は、絶縁膜５を形成する前の開口部であり、刊行物発明の「前記上層導電膜３の内側の側面と前記容量絶縁膜４の内側の側面」は、「エッチング開口部」の側面となっていることは明らかであるから、刊行物発明の「前記下層電極６は、前記上層導電膜３及び前記容量絶縁膜４から前記下層導電膜２の表面において隔てられて形成されている」ことは、補正発明の「前記コンタクト(3) は、前記コンタクト開口(5) の側面壁を構成している前記半導体材料の第２の層(1) および前記誘電体絶縁層(11)の端部から前記半導体材料の第１の層(2) の表面に沿った方向で」「隔てて形成されている」ことに相当する。
（ｊ）刊行物１の図２には、複数の「容量素子」を形成した構造が記載されており、また、「容量素子」が半導体装置の一部を構成することは明らかであるから、刊行物発明の「容量素子」は、補正発明の「半導体装置」に相当する。
　
　したがって、補正発明と刊行物発明とは、
「半導体材料の第１の層(2) と、
　前記半導体材料の第１の層を覆っている誘電体絶縁層(11)と、
　前記誘電体絶縁層(11)を覆っている半導体材料の第２の層(1) と、
　前記半導体材料の第２の層(1) と前記誘電体絶縁層(11)とを貫通して形成されてその下の前記半導体材料の第１の層(2) の上面の選択された領域を露出させている少なくとも１つのコンタクト開口(5) と、
　この少なくとも１つのコンタクト開口(5) により露出された前記半導体材料の第１の層(2) の表面の選択された領域に形成されている少なくとも１つの導電性接続部材とを具備している二重層を有する半導体装置において、
　前記半導体材料の第２の層(1) と前記誘電体絶縁層(11)とは前記コンタクト開口(5) を除く前記半導体材料の第１の層の上面全体を完全に覆っており、
　前記半導体材料の第２の層(1) と前記誘電体絶縁層(11)の前記コンタクト開口(5) における端部は前記半導体材料の第１の層(2) の表面に沿った方向で同じ位置に配置され、前記導電性接続部材は、前記コンタクト開口(5) の側面壁を構成している前記半導体材料の第２の層(1) および前記誘電体絶縁層(11)の端部から前記半導体材料の第１の層(2) の表面に沿った方向で隔てて形成されている半導体装置。」である点で一致し、以下の点で相違する。　
　
　相違点１
　「このコンタクト開口(5) により露出された前記半導体材料の第１の層(2) の表面に形成されている「導電性接続部材」」の「導電性接続部材」として、補正発明が、「コンタクト(3)」を備えるのに対して、刊行物発明が、「下層電極６」を備えている点。
　相違点２
　補正発明が、「前記コンタクト(3) は、前記コンタクト開口(5) の側面壁を構成している前記半導体材料の第２の層(1) および前記誘電体絶縁層(11)の端部から前記半導体材料の第１の層(2) の表面に沿った方向で同じ距離を隔てて形成されている」との構成を備えているのに対して、刊行物発明が「前記下層電極６は、前記上層導電膜３及び前記容量絶縁膜４から前記下層導電膜２の表面において隔てられて形成されている」との構成を備えている点。
　
　４−４．相違点についての検討
　以下において、各相違点について検討する。
　相違点１について
（ａ）本願明細書の【０００８】段落ないし【００１０】段落、図４及び図５には、「コンタクト３」について、「図４は、本発明による相互接続構造の平面図を示す。ここにおいて、従来技術とは異り、下部層２は上部層１によって完全にカバーされる。下部層２に対してコンタクト３を形成することができるように、開口５が例えばエッチングによって上部層１に形成される。」（【０００８】段落）と記載され、図４には、開口５のほぼ中央部に「コンタクト３」が記載され、図５に示された図４の断面図には、下部層２の表面のほぼ中央部に「コンタクト３」が記載されている。
　しかしながら、下部層２に形成された「コンタクト３」と他の導電部材とどのように接続するか、「コンタクト３」が、どの段階で、どのように形成されるか、どの程度の大きさであるかについて何ら記載されていない。
（ｂ）また、補正発明において、「半導体材料の第１の層(2)」は誘電体絶縁層(11)に覆われており、さらに、誘電体絶縁層(11)は「半導体材料の第２の層(1)」に覆われているから、「半導体材料の第１の層(2)」を外部の導電部材と導電接続するためには、コンタクト(3)を介して接続することが必要であることは明らかである。
（ｃ）刊行物発明においては、下層導電膜２と外部と導電接続を図るために、下層電極６が形成されていることは明らかであって、単に、下層導電膜２と外部と導電接続するための導体（コンタクトための部材）としての機能を果たすためであれば、下層電極６は、エッチング開口部の形成により露出された下部導電膜２の表面の一部に形成されれば十分であること、言い換えると、下層導電膜２の大きさを必要に応じて適宜変更できることは、当業者にとって明らかである。
（ｄ）上記（ａ）ないし（ｃ）を考慮すると、相違点１については、補正発明と刊行物発明とは、実質的に相違しない。
（ｅ）仮に、相違するとしても、刊行物発明において、「下層電極６」として、下部導電膜２の露出された表面の一部に形成する導体に、導体である「下層電極６」の形状を適宜変更して、刊行物発明が、補正発明の如く、「コンタクト開口(5)により露出された前記半導体材料の第１の層(2)の表面の選択された領域に形成されている」「コンタクト(3)」を備えたものとすることは、当業者が必要に応じて適宜なし得たものである。
　　
　相違点２について
（ａ）刊行物１の図１においては、下層電極６は、容量絶縁膜４と上層導電膜３との側面から、下層導電膜２の表面において、絶縁膜５の厚さだけ隔てられていることは明らかである。
（ｂ）上記「相違点１について」において検討したとおり、刊行物発明において、下部導電膜２と外部と導電接続を図るために、下層電極６が形成されていることは明らかであって、単に、下層導電膜２と外部との導電接続するための導体（コンタクトための部材）としての機能を果たすためであれば、下層電極６は、エッチング開口部の形成により露出された下層導電膜２の表面の一部に導体が形成されていれば十分であることは当業者にとって明らかである。　
（ｃ）また、刊行物１の図１に記載される絶縁膜５は、下層導電膜２と導電接続された下層電極６と、上層導電膜３とが接触することを防止するために設けられたことは明らかである。さらに、上記（ｂ）において検討したとおり、下層導電膜２と外部と導電接続するためであれば、下層導電膜２に形成する導電接続部（コンタクト）は下層導電膜２の一部の上に形成すれば良く、そのような導電接続部（コンタクト）と外部とを導電接続するための導電部材は、単に、導電的に接続できればよいことは当業者にとって明らかである。
（ｄ）しかしながら、仮に、下層導電膜２の導電接続部（コンタクト）が小さく、導電接続部と導電的に接続する導電部材が小さく、細いものであったとしても、装置または素子の集積化を考慮すると、下層導電膜２から外部への導電接続のための導電部材と上層導電膜３との接触を防止するためには、導電接続のための導電部材と上層導電膜３との間に絶縁層（膜）を備えたものとするのが常套手段である。
（ｅ）ここで、上記（ｄ）において検討した、導電接続のための導電部材と上層導電膜３との間の絶縁防止の必要性がなければ、刊行物１の図１に記載される絶縁膜５も不要であることは明らかである。
（ｆ）また、エッチング開口部により露出された、下層導電膜２の表面の一部に、外部と導電接続するための導電接続部（コンタクト）を形成する際には、設計上、導電接続部（コンタクト）とエッチング開口部の側面となる、容量絶縁膜４と上層導電膜３からの距離は、耐電圧等を考慮して等しい距離とすることは、技術常識である。
（ｇ）上記（ａ）を考慮すると、刊行物発明において、「前記下層電極６は、前記上層導電膜３及び前記容量絶縁膜４から前記下層導電膜２の表面において」実質的に同じ距離を「隔てられて形成され」ており、仮に、「同じ距離」隔てていないとしても、刊行物発明において、「前記下層電極６は、前記上層導電膜３及び前記容量絶縁膜４から前記下層導電膜２の表面において」実質的に同じ距離を「隔てられて形成され」たものとすることは、当業者が容易になし得たものである。
（ｈ）したがって、相違点２については、補正発明と刊行物発明とは、実質的に相違しておらず、仮に、相違しているとしても、当業者が容易になし得たものである。
　
　よって、補正発明は、刊行物１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、仮に、補正発明が刊行物１に記載された発明でないとしても、補正発明は、刊行物１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　
　４−５．独立特許要件についてのむすび
　したがって、補正発明は、刊行物１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、また、補正発明は、刊行物１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項に規定する要件を満たさず、特許出願の際独立して特許を受けることができないから、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項により準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しない。　
　                　
　５．むすび
　以上のとおりであるから、本件補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項の規定に違反し、仮に、本件補正が、平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項の規定に違反せず、かつ、本件補正が、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるとしても、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しない。
　よって、本件補正は、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明
　平成１９年９月５日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１及び９に係る発明は、平成１８年１０月２５日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された事項により特定されるものであり、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、その請求項１に記載されている事項により特定される以下のとおりのものである。　
　
　「【請求項１】　半導体材料の第１の層と、
　前記半導体材料の第１の層を覆っている誘電体絶縁層と、
　前記誘電体絶縁層を覆っている半導体材料の第２の層と、
　前記前記半導体材料の第２の層と前記誘電体絶縁層とを貫通して形成されてその下の前記半導体材料の第１の層の上面の選択された領域を露出させている少なくとも１つのコンタクト開口と、
　この少なくとも１つのコンタクト開口により露出された前記半導体材料の第１の層の表面の選択された領域に形成されている少なくとも１つのコンタクトとを具備し、
　前記コンタクトは前記第１の層の表面に沿った方向で前記第２の層から距離を隔てて形成されている二重層を有する半導体装置。」
　
第４　刊行物に記載された発明
　刊行物１には、上記「第２　４−２．」に記載されたとおりの事項が記載され、以下の発明（以下、「刊行物発明２」という。）が記載されている。　　
「多結晶シリコンの下層導電膜２と、
　前記下層導電膜２を覆う容量絶縁膜４と、
　前記容量絶縁膜４を覆う多結晶シリコンの上層導電膜３と、
　前記上層導電膜３と前記容量絶縁膜４とを貫通して形成されたエッチング開口部と、
　前記エッチング開口部において前記下部導電膜２の表面に形成された下層電極６とを備え、
　前記下層電極６は、前記上層導電膜３及び前記容量絶縁膜４から前記下層導電膜２の表面において隔てられて形成されている容量素子。」　　
　
第５　対比
（ａ）刊行物発明２の「多結晶シリコンの下層導電膜２」及び「多結晶シリコンの上層導電膜３」が半導体材料から形成されていることは明らかであるから、刊行物発明２の「多結晶シリコンの下層導電膜２」及び「多結晶シリコンの上層導電膜３」は、本願発明の「半導体材料の第１の層」及び「半導体材料の第２の層」に相当する。
（ｂ）刊行物発明２の容量絶縁膜４は、誘電体絶縁層であることは明らかであるから、上記（ａ）での検討をも考慮すると、刊行物発明２の「前記下層導電膜２を覆う容量絶縁膜４」は、本願発明の「前記半導体材料の第１の層を覆っている誘電体絶縁層」に相当する。
（ｃ）上記（ａ）及び（ｂ）における検討をも考慮すると、刊行物発明２の「前記容量絶縁膜４を覆う多結晶シリコンの上層導電膜３」は、本願発明の「前記誘電体絶縁層を覆っている半導体材料の第２の層」に相当する。
（ｄ）刊行物発明２の「エッチング開口部」により、刊行物発明２の「多結晶シリコンの下層導電膜２」の上面の一部の領域が露出されていることは明らかであるから、刊行物発明２の「前記上層導電膜３と前記容量絶縁膜４とを貫通して形成されたエッチング開口部」は、本願発明の「前記半導体材料の第２の層と前記誘電体絶縁層とを貫通して形成されてその下の前記半導体材料の第１の層の上面の選択された領域を露出させている少なくとも１つのコンタクト開口」に相当する。
（ｅ）刊行物発明２の「下層電極６」が「エッチング開口部」により露出された「下層導電膜２の表面に形成され」ており、「エッチング開口部」により露出された「下層導電膜２の表面」が「下層導電膜２」の選択された領域であることも明らかであって、刊行物発明２の「下層電極６」と、本願発明の「コンタクト」とは、いずれも、刊行物発明２の「多結晶シリコンの下層導電膜２」または本願発明の「半導体材料の第１の層」と他の導体部分を接続するための導電性接続部材である点において共通し、刊行物発明２の「前記エッチング開口部において前記下層導電膜２の表面に形成された下層電極６」は、本願発明の「この少なくとも１つのコンタクト開口により露出された前記半導体材料の第１の層 の表面の選択された領域に形成されている少なくとも１つのコンタクト」に対応する。
（ｆ）刊行物発明２の「下層導電膜２」と「上層導電膜３」が２重の層構造であることは明らかであるから、刊行物発明２も、本願発明の「二重層」を実質的に備えていることは明らかである。
（ｇ）刊行物発明２の「エッチング開口部」は、絶縁膜５を形成する前の開口部であり、刊行物発明２の「前記上層導電膜３の内側の側面と前記容量絶縁膜４の内側の側面」は、「エッチング開口部」の側面となっていることは明らかであるから、刊行物発明２の「前記下層電極６は、前記上層導電膜３及び前記容量絶縁膜４から前記下層導電膜２の表面において隔てられて形成されている」ことは、本願発明の「前記コンタクトは、前記コンタクト開口の側面壁を構成している前記半導体材料の第２の層および前記誘電体絶縁層の端部から前記半導体材料の第１の層の表面に沿った方向で距離を隔てて形成されている」ことに相当する。
（ｈ）刊行物１の図２には、複数の「容量素子」を形成した構造が記載されており、また、「容量素子」が半導体装置の一部を構成することは明らかであるから、刊行物発明２の「容量素子」は、本願発明の「半導体装置」に相当する。
　
　したがって、本願発明と刊行物発明２とは、
「半導体材料の第１の層と、
　前記半導体材料の第１の層を覆っている誘電体絶縁層と、
　前記誘電体絶縁層を覆っている半導体材料の第２の層と、
　前記半導体材料の第２の層と前記誘電体絶縁層とを貫通して形成されてその下の前記半導体材料の第１の層の上面の選択された領域を露出させている少なくとも１つのコンタクト開口と、
　この少なくとも１つのコンタクト開口により露出された前記半導体材料の第１の層の表面の選択された領域に形成されている少なくとも１つの導電性接続部材とを具備し、
　前記導電性接続部材は、前記半導体材料の第１の層の表面に沿った方向で前記第２の層から距離を隔てて形成されている二重層を有する半導体装置。」である点で一致し、以下の点で相違する。　　
　
　相違点１
　「この少なくとも１つのコンタクト開口により露出された前記半導体材料の第１の層の表面の選択された領域に形成されている少なくとも１つの導電性接続部材」の「導電接続部材」として、本願発明が、「コンタクト」を備えているのに対して、刊行物発明２が「エッチング開口部」を備えている点。
　
第６　当審の判断　
　相違点１について
（ａ）本願明細書の【０００８】段落ないし【００１０】段落、図４及び図５には、「コンタクト３」について、「図４は、本発明による相互接続構造の平面図を示す。ここにおいて、従来技術とは異り、下部層２は上部層１によって完全にカバーされる。下部層２に対してコンタクト３を形成することができるように、開口５が例えばエッチングによって上部層１に形成される。」（【０００８】段落）と記載され、図４には、開口５のほぼ中央部に「コンタクト３」が記載され、図５に示された図４の断面図には、下部層２の表面のほぼ中央部に「コンタクト３」が記載されている。
　しかしながら、下部層２に形成された「コンタクト３」と他の導電部材とどのように接続するか、「コンタクト３」が、どの段階で、どのように形成されるか、どの程度の大きさであるかについて何ら記載されていない。
（ｂ）また、本願発明において、「半導体材料の第１の層」は誘電体絶縁層に覆われており、さらに、誘電体絶縁層は「半導体材料の第２の層に覆われているから、「半導体材料の第１の層」を外部の導電部材と導電接続するためには、コンタクトを介して接続することが必要であることは明らかである。
（ｃ）刊行物発明２においては、下層導電膜２と外部と導電接続を図るために、下層電極６が形成されていることは明らかであって、単に、下層導電膜２と外部と導電接続するための導体（コンタクトための部材）としての機能を果たすためであれば、下層電極６は、エッチング開口部の形成により露出された下部導電膜２の表面の一部に形成されれば十分であること、言い換えると、下層導電膜２の大きさを必要に応じて適宜変更できることは、当業者にとって明らかである。
（ｄ）上記（ａ）ないし（ｃ）を考慮すると、相違点１については、本願発明と刊行物発明とは、実質的に相違しない。
（ｅ）仮に、相違するとしても、刊行物発明２において、「下層電極６」として、下部導電膜２の露出された表面の一部に形成する導体に、導体である「下層電極６」の形状を適宜変更して、刊行物発明２が、本願発明の如く、「コンタクト開口により露出された前記半導体材料の第１の層 の表面の選択された領域に形成されている」「コンタクト」を備えたものとすることは、当業者が必要に応じて適宜なし得たものである。
　　　
　よって、本願発明は、刊行物１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、仮に、本願発明が刊行物１に記載された発明でないとしても、本願発明は、刊行物１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。　
　
第７　むすび　
　以上のとおりであるから、本願は、請求項２に係る発明については検討するまでもなく、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。