【事件の表示】
　特願２００３−１８７４８４「積層フィルタ」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　１月２７日出願公開、特開２００５−　２６７９９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件出願は、平成１５年６月３０日の出願であって、平成１８年４月１８日付で拒絶理由が通知され、同年６月２６日付けで手続補正がされ、同年７月２５日付けで拒絶査定され、同年８月３０日に審判請求がなされ、同年９月２７日付けで手続補正がされたものである。
　
第２　平成１８年９月２７日付け手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１８年９月２７日付け手続補正を却下する。
　
［理由］
（１）本件補正
　平成１８年９月２７日付け手続補正（以下、「本件補正」という。）による特許請求の範囲は、以下のとおりである。
　
（補正後）
　「【請求項１】　第１の誘電体層上に配置された第１、第２および第３の共振素子であるストリップラインパターンと、
　第２の誘電体層上で、かつ、前記第１、第２のストリップラインパターンとの間に配置された容量性結合（Ｃ結）パターンと、
　前記第１の誘電体層上で、かつ、前記第２、第３のストリップラインパターンとの間に配置された誘導性結合（Ｍ結）パターンと、
　前記容量性結合（Ｃ結）パターンに前記第３のストリップラインパターン側に突出する突出部と、
　を具備することを特徴とする積層フィルタ。
　　【請求項２】　第１の誘電体層上に配置された第１〜第４の共振素子であるストリップラインパターンと、
　第２の誘電体層上で、かつ、前記第１、第２のストリップラインパターンとの間に配置された第１の容量性結合（Ｃ結）パターンと、
　前記第２の誘電体上で、かつ、前記第３、第４のストリップラインパターンとの間に配置された第２の容量性結合（Ｃ結）パターンと、
　前記第１の誘電体層上で、かつ、前記第２、第３のストリップラインパターンとの間に配置された誘導性結合（Ｍ結）パターンと、
　を具備することを特徴とする積層フィルタ。
　　【請求項３】　第１の誘電体層上に配置された第１〜第４の共振素子であるストリップラインパターンと、
　第２の誘電体層上で、かつ、前記第２、第３のストリップラインパターンとの間に配置された容量性結合（Ｃ結）パターンと、
　第１の誘電体層上で、かつ、前記第１、第２のストリップラインパターンとの間を接続する状態で配置された第１の誘導性結合（Ｍ結）パターンと、
　第１の誘電体層上で、かつ、前記第３、第４のストリップラインパターンとの間に配置された第２の誘導性結合（Ｍ結）パターンと、
　を具備することを特徴とする積層フィルタ。
　　【請求項４】　第１の誘電体層上に配置された第１〜第４の共振素子であるストリップラインパターンと、
　第２の誘電体層上で、かつ、前記第２、第３のストリップラインパターンとの間に配置された容量性結合（Ｃ結）パターンと、
　第１の誘電体層上で、かつ、前記第１、第２のストリップラインパターンとの間を接続する状態で配置された第１の誘導性結合（Ｍ結）パターンと、
　第１の誘電体層上で、かつ、前記第３、第４のストリップラインパターンとの間に配置された第２の誘導性結合（Ｍ結）パターンと、
　前記第１の容量性結合（Ｃ結）パターンに形成された前記第１ストリップラインパターン側および前記第４ストリップラインパターン側に突出する突出部と、
　を具備することを特徴とする積層フィルタ。
　　【請求項５】　第１の誘電体層上に形成された第１〜第３の共振素子であるストリップラインパターンと、
　第２の誘電体層上に形成された第４〜第６の共振素子であるストリップラインパターンと、
　前記第１の誘電体層における第２、第３のストリップラインパターンとの間に配置された誘電性結合（Ｍ結）パターンと、
　前記第２の誘電体層における第５、第６のストリップラインパターンとの間に配置された誘電性結合（Ｍ結）パターンと、
　前記第１、第２の誘電体層に挟まれる第３の誘電体層に前記第１、第２と第４、第５のストリップラインパターンとの間に配置される容量性結合（Ｃ結）パターンと、
　を具備することを特徴とする積層フィルタ。
　　【請求項６】　第１の誘電体層上に形成された第１〜第３の共振素子であるストリップラインパターンと、
　第２の誘電体層上に形成された第４〜第６の共振素子であるストリップラインパターンと、
　第３の誘電体層上に形成された第７〜第９の共振素子であるストリップラインパターンと、
　前記第１の誘電体層における第２、第３のストリップラインパターンとの間に配置された誘電性結合（Ｍ結）パターンと、
　前記第２の誘電体層における第５、第６のストリップラインパターンとの間に配置された誘電性結合（Ｍ結）パターンと、
　前記第３の誘電体層における第８、第９のストリップラインパターンとの間に配置された誘電性結合（Ｍ結）パターンと、
　前記第１、第２の誘電体層に挟まれる第４の誘電体層に前記第１、第２と第４、第５のストリップラインパターンとの間に配置される容量性結合（Ｃ結）パターンと、
　前記第２、第３の誘電体層に挟まれる第５の誘電体層に前記第４、第５と第７、第８のストリップラインパターンとの間に配置される容量性結合（Ｃ結）パターンと、
　を具備することを特徴とする積層フィルタ。」
　
　一方、本件補正前の特許請求の範囲は、平成１８年６月２６日付け手続補正による、以下のとおりである。
　
（補正前）　
　「【請求項１】　第１の誘電体層上に配置された第１、第２および第３の共振素子であるストリップラインパターンと、
　第２の誘電体層上で、かつ、前記第１、第２のストリップラインパターンとの間に配置された容量性結合（Ｃ結）パターンと、
　前記第１の誘電体層上で、かつ、前記第２、第３のストリップラインパターンとの間に配置された誘導性結合（Ｍ結）パターンと、
　を具備することを特徴とする積層フィルタ。
　　【請求項２】　前記容量性結合パターンに前記第３のストリップラインパターン側に突出する突出部を形成したことを特徴とする請求項１に記載の積層フィルタ。
　　【請求項３】　第１の誘電体層上に配置された第１〜第４の共振素子であるストリップラインパターンと、
　第２の誘電体層上で、かつ、前記第１、第２のストリップラインパターンとの間に配置された第１の容量性結合（Ｃ結）パターンと、
　前記第２の誘電体上で、かつ、前記第３、第４のストリップラインパターンとの間に配置された第２の容量性結合（Ｃ結）パターンと、
　前記第１の誘電体層上で、かつ、前記第２、第３のストリップラインパターンとの間に配置された誘導性結合（Ｍ結）パターンと、
　を具備することを特徴とする積層フィルタ。
　　【請求項４】　前記第２、第３のストリップラインパターンとの間に配置された容量性結合（Ｃ結）パターンと、
　前記第１、第２のストリップラインパターンとの間を接続する状態で配置された第１の誘導性結合（Ｍ結）パターンと、
　前記第３、第４のストリップラインパターンとの間に配置された第２の誘導性結合（Ｍ結）パターンと、
　を具備することを特徴とする請求項３に記載の積層フィルタ。
　　【請求項５】　前記容量性結合（Ｃ結）パターンに前記第１のストリップラインパターン側および第４のストリップラインパターン側に突出する突出部を形成したことを特徴とする請求項４に記載の積層フィルタ。
　　【請求項６】　第１の誘電体層上に形成された第１〜第３の共振素子となるストリップラインパターンと、第２の誘電体層上に形成された第４〜第６の共振素子となるストリップラインパターンとを具備し、該各ストリップラインパターンが前記第１または第２の誘電体層を挟んで対向配置された積層フィルタにおいて、
　前記各ストリップラインパターンの間に配置された第３の誘電体層上に、前記第１、第２、第４、第５の共振素子に対向して形成された容量性結合（Ｃ結）パターンと、
　前記第１の誘電体層上で、かつ、前記第２と第３の共振素子との間に配置された第１の誘導性結合（Ｍ結）パターンと、
　前記第２の誘電体層上で、かつ、前記害５と第６の共振素子との間に配置された第２の誘導性結合（Ｍ結）パターンと、
　を具備することを特徴とする積層フィルタ。
　　【請求項７】　前記第１〜第３のストリップラインパターンと第２の容量性結合（Ｃ結）パターンを挟むように配置された第７〜第９の共振素子であるストリップラインパターンとをさらに有し、かつ、該第８と第９との間に配置された第３の誘導性結合（Ｍ結）パターンとを具備したことを特徴とする請求項６に記載の積層フィルタ。
　　【請求項８】　第１の誘電体層上に配置された第１、第２および第３の共振素子であるマイクロストリップラインパターンと、
　第２の誘電体層上で、かつ、前記第１、第２のマイクロストリップラインパターンとの間に配置された容量径結合（Ｃ結）パターンと、
　前記第１の誘電体層上で、かつ、前記第２、第３のマイクロストリップラインパターンとの間に配置された誘導性結合（Ｍ結）パターンと、
　とを具備することを特徴とする積層フィルタ。」
　
　すると、補正の前後の請求項に記載した発明特定事項からみて、補正後の新請求項１〜５は、補正前の旧請求項２〜７に、一応対応している。
　
　したがって、本件補正は、以下の補正事項（ａ）〜（ｅ）を含むものである。
　
［補正後の新請求項３に関して］
（ａ）旧請求項４が引用する旧請求項３に記載した発明特定事項から、「第２の誘電体層上で、かつ、前記第１、第２のストリップラインパターンとの間に配置された第１の容量性結合（Ｃ結）パターンと、前記第２の誘電体上で、かつ、前記第３、第４のストリップラインパターンとの間に配置された第２の容量性結合（Ｃ結）パターンと、前記第１の誘電体層上で、かつ、前記第２、第３のストリップラインパターンとの間に配置された誘導性結合（Ｍ結）パターンと」を削除する補正。
　
［補正後の新請求項４に関して］
（ｂ）旧請求項５が引用する旧請求項４が、さらに引用する旧請求項３に記載した発明特定事項から、「第２の誘電体層上で、かつ、前記第１、第２のストリップラインパターンとの間に配置された第１の容量性結合（Ｃ結）パターンと、前記第２の誘電体上で、かつ、前記第３、第４のストリップラインパターンとの間に配置された第２の容量性結合（Ｃ結）パターンと、前記第１の誘電体層上で、かつ、前記第２、第３のストリップラインパターンとの間に配置された誘導性結合（Ｍ結）パターンと」を削除する補正。
　
［補正後の新請求項５に関して］
（ｃ）旧請求項６に記載した発明特定事項から、「該各ストリップラインパターンが前記第１または第２の誘電体層を挟んで対向配置された」を削除する補正。
　
［補正後の新請求項６に関して］
（ｄ）旧請求項７に記載した発明特定事項から、「前記第１〜第３のストリップラインパターンと第２の容量性結合（Ｃ結）パターンを挟むように配置された」を削除する補正。
（ｅ）旧請求項７が引用する旧請求項６に記載した発明特定事項から、「該各ストリップラインパターンが前記第１または第２の誘電体層を挟んで対向配置された」を削除する補正。
　
（２）特許法第１７条の２第４項に適合するかについての検討
　上記補正事項（ａ）〜（ｅ）は、発明特定事項の一部を削除し、特許請求の範囲を拡張するものであり、補正前の旧請求項に記載した発明特定事項を限定するものであるということはできないから、特許請求の範囲の限定的減縮に該当しない。
　また、上記補正事項（ａ）〜（ｅ）は、明らかに、請求項の削除に該当しない。さらに、誤った記載をその本来の意味内容に正すのもでもなく、不明りょうな記載についてその本来の意味内容を明らかにするものであるとも認められないから、誤記の訂正にも明りょうでない記載の釈明にも該当しない。
　したがって、上記補正事項（ａ）〜（ｅ）は、特許法第１７条の２第４項各号に掲げられた事項を目的とするものでないから、本件補正は、特許法第１７条の２第４項の規定を満たすものではない。
　
（３）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第４項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
（１）本願発明
　平成１８年９月２７日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１８年６月２６日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載されたものと認める。（上記「第２　（１）（補正前）」参照。）
　
（２）引用発明
　原審の拒絶理由に引用された特開平９−２４６８０６号公報（以下、「引用例」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
イ．「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は携帯電話機の高周波回路部に使用される積層フィルタに関するものである。」（３頁３欄、段落１）
　
ロ．「【００３５】（実施の形態２）図１１は本発明の第２の実施形態における積層フィルタの分解斜視図を示している。すなわち５層の誘電体層９〜１３を積層したものであって、誘電体層１０と１３の上面にはシールドパターン１０Ａと１３Ａが設けられている。また誘電体層１１の上面には結合部１１Ａ、連続部１１Ｂ、取出部１１Ｃを有する入出力パターンが設けられ、誘電体層１２の上面にはストリップライン１２Ａ〜１２Ｆが設けられている。このうちストリップライン１２Ａとストリップライン１２Ｂで共振器Ａを構成し、ストリップライン１２Ｃとストリップライン１２Ｄで共振器Ｂを構成し、ストリップライン１２Ｅとストリップライン１２Ｆで共振器Ｃを構成している。また、入出力パターンの結合部１１Ａ、入出力パターンの連続部１１Ｂ、入出力パターンの取出部１１Ｃとシールドパターン１０Ａおよび１３Ａ、入出力電極７Ａおよび７Ｂ、アース電極６Ａおよび６Ｂは実施の形態１と同様な構成としてある。ストリップライン１２Ａ〜１２Ｆにおいて、ストリップライン１２Ａとストリップライン１２Ｃの間隔とストリップライン１２Ｃとストリップライン１２Ｅとの間隔を異なるように、またストリップライン１２Ｂとストリップライン１２Ｄの間隔とストリップライン１２Ｄとストリップライン１２Ｆとの間隔を異なるように構成している。
【００３６】すなわち、ストリップライン１２Ａとストリップライン１２Ｂから構成される共振器Ａと、ストリップライン１２Ｃとストリップライン１２Ｄから構成される共振器Ｂとの結合度と、ストリップライン１２Ｃとストリップライン１２Ｄから構成される共振器Ｂと、ストリップライン１２Ｅとストリップライン１２Ｆから構成される共振器Ｃとの結合度は異なり、図１３のようにフィルタの通過帯域の高低域両側の減衰量を制御できる。
【００３７】さらに図１２に示すように誘電体１１に段間容量パターンを追加し、共振器Ａと共振器Ｂを容量結合する結合部１１Ｅを有する段間容量パターンの形状と、共振器Ｂと共振器Ｃを容量結合する結合部１１Ｆを有する段間容量パターンの形状とを異なるようにすると、図１３のように通過帯域幅とともに通過帯域の高低域の減衰量を制御することができる。
【００３８】また、図１４に示すような共振器Ａと共振器Ｃを容量結合する結合部１４Ａを有する飛び越し結合パターンを形成した誘電体１４を追加することにより、図１７のように通過帯域の高低域両側に減衰極を形成し、減衰極位置を自在に制御することができる。
【００３９】そして、この結果により、共振器Ａと共振器Ｂの線路間結合や共振器Ａと共振器Ｂを容量結合する結合部１１Ｅを有する段間容量パターンにより、図１６のコンデンサＣ７とインダクタンスＬ７を形成し、共振器Ｂと共振器Ｃの線路間結合や共振器Ｂと共振器Ｃを容量結合する結合部１１Ｆを有する段間容量パターンにより、図１６のコンデンサＣ８とインダクタンスＬ８を形成している。また、図１４の飛び越し結合パターンにより図１６のコンデンサＣ９を形成している。
【００４０】また、図１５に示すように誘電体１４の上面に結合部１４Ｃ、連続部１４Ｄを有する飛び越し結合パターンを設け、このうち飛び越し結合パターンの結合部１４Ｃは共振器Ａおよび共振器Ｃに対向させている。これにより、図１６に示すように入出力間を直接容量結合するコンデンサＣ９とインダクタンスＬ９を実現し、フィルタ通過帯域の高域側および低域側の両側に減衰極を形成し、図１７のようにフィルタ特性を向上させることができる。」（６頁９〜１０欄、段落３５〜４０）
　
　上記引用例の記載及び図面ならびにこの分野における技術常識を考慮すると、上記摘記事項ロ．の【００３５】、【００３７】、【００３９】の記載、図１１及び図１２によれば、積層フィルタは、誘電体層（１２）上に配置された共振素子であるストリップライン（１２Ａ，１２Ｂ），（１２Ｃ，１２Ｄ），（１２Ｅ，１２Ｆ）と、誘電体層（１１）上で、かつ、ストリップライン（１２Ａ，１２Ｂ）及びストリップライン（１２Ｃ，１２Ｄ）との間に配置された段間容量パターン（１１Ｄ，１１Ｅ）と、誘電体層（１１）上で、かつ、ストリップライン（１２Ｃ，１２Ｄ）及びストリップライン（１２Ｅ，１２Ｆ）との間に配置された段間容量パターン（１１Ｇ，１１Ｆ）と、を具備している。
　
　したがって、引用例には、以下の発明（以下、「引用発明」という）が記載されている。
　
　「誘電体層（１２）上に配置された共振素子であるストリップライン（１２Ａ，１２Ｂ），（１２Ｃ，１２Ｄ），（１２Ｅ，１２Ｆ）と、
　誘電体層（１１）上で、かつ、ストリップライン（１２Ａ，１２Ｂ）及びストリップライン（１２Ｃ，１２Ｄ）との間に配置された段間容量パターン（１１Ｄ，１１Ｅ）と、
　誘電体層（１１）上で、かつ、ストリップライン（１２Ｃ，１２Ｄ）及びストリップライン（１２Ｅ，１２Ｆ）との間に配置された段間容量パターン（１１Ｇ，１１Ｆ）と、
　を具備する積層フィルタ。」
　
（３）対比
　そこで、本願発明と引用発明とを対比すると、
　引用発明の「誘電体層（１２）」、「共振素子であるストリップライン（１２Ａ，１２Ｂ），（１２Ｃ，１２Ｄ），（１２Ｅ，１２Ｆ）」、「誘電体層（１１）」、「ストリップライン（１２Ａ，１２Ｂ）及びストリップライン（１２Ｃ，１２Ｄ）」及び「段間容量パターン（１１Ｄ，１１Ｅ）」は、本願発明の「第１の誘電体層」、「第１、第２および第３の共振素子であるストリップパターン」、「第２の誘電体層」、「第１、第２のストリップラインパターン」及び「容量性結合（Ｃ結）パターン」に対応する構成であり、それぞれの間に実質的な差異はない。
　したがって、本願発明と引用発明は、以下の点で一致ないし相違している。
　
＜一致点＞
　
　「第１の誘電体層上に配置された第１、第２および第３の共振素子であるストリップラインパターンと、
　第２の誘電体層上で、かつ、前記第１、第２のストリップラインパターンとの間に配置された容量性結合（Ｃ結）パターンと、
　を具備する積層フィルタ。」
　
＜相違点＞
　
　「第１の誘電体層上に配置された第２および第３の共振素子であるストリップラインパターン」に関し、本願発明は、「前記第１の誘電体層上で、かつ、前記第２、第３のストリップラインパターンとの間に配置された誘導性結合（Ｍ結）パターン」を備えるのに対し、引用発明は、「誘電体層（１１）上で、かつ、ストリップライン（１２Ｃ，１２Ｄ）及びストリップライン（１２Ｅ，１２Ｆ）との間に配置された段間容量パターン（１１Ｇ，１１Ｆ）」を備える点。
　
（４）判断
　そこで、上記相違点について検討する。
　積層フィルタの技術分野において、誘電体層上で、かつ、ストリップラインパターンの間に誘導性結合パターンを設けることは、例えば、特開平６−９７７０２号公報、特開平１０−６５４０１号公報、特開平４−７２８０４号公報、特開２００２−２６６０７号公報に開示されるように周知技術であり、引用発明の「誘電体層（１１）上で、かつ、ストリップライン（１２Ｃ，１２Ｄ）及びストリップライン（１２Ｅ，１２Ｆ）との間に配置された段間容量パターン（１１Ｇ，１１Ｆ）」は、容量性結合（Ｃ結）パターンであるものの、積層フィルタの減衰域の特性を決定する結合パターンの一種であるから、引用発明に周知技術を付加し、その際、最適の減衰域の特性が得られるように、本願発明のように「第１の誘電体層上で、かつ、第２、第３のストリップラインパターンとの間に配置された誘導性結合（Ｍ結）パターン」を設けることは当業者が容易に成し得ることである。
　
　そして，本願発明の作用効果も，引用発明及び周知技術から当業者が容易に予測できる範囲のものである。
　
第４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認められるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。