(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属メッキが施された電極を有するフェライトコアであって、酸化物換算で４５〜５５モル％のＦｅ２Ｏ３と、２０〜３５モル％のＺｎＯと、１０〜３５モル％のＮｉＯからなる主成分１００モル％に対して、添加成分としてＣｕＯを２モル％以下、Ｂｉ２Ｏ３を０．５〜５モル％含有するメッキ用フェライト材料で形成されたことを特徴とするフェライトコア。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、メッキを施す製品に使用するためのメッキ用フェライト材料に関する。
【０００２】
【従来の技術】
フェライト材料はインダクター素子等として広く使用されている。特にマルチメディアの発展に伴い、高周波領域で使えるＱ値の高いフェライトを用いたチップインダクターの必要性は増すばかりである。
【０００３】
このチップインダクターを製造する場合は、図１に示すように、フェライトコア１の端面にＡｇペーストを印刷した後、Ｎｉ等のメッキを施して電極２を形成する。その後、フェライトコア１に巻き線を施した後、巻き線の端部を上記電極２に接続することによってチップインダクターを得ることができる。
【０００４】
上記フェライトコアを成すフェライト材料としては、Ｆｅ２  Ｏ３  、ＮｉＯ、ＺｎＯを主成分とするＮｉ−Ｚｎ系フェライト材料が用いられている。そして、このフェライト材料において、Ｑ値や透磁率を高くしたり、温度変化に伴う特性の変化率を小さくしたり、焼結性を向上すること等を目的として、さまざまな添加成分を加えることが行われている。
【０００５】
例えば、上記主成分に対し３〜１２モル％程度のＣｕＯを添加することによって、焼結性を向上させることが行われている（特開平１−１０３９５３号、１−２２８１０８号、３−２１８９６２号、４−３２３８０６号、４−３２５４５８号、５−３２６３４３号公報等参照）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のようなＮｉ−Ｚｎ系フェライト材料からなるフェライトコア１にＮｉ等のメッキを施すと、図１（Ｂ）に示すように、メッキが滲んでしまい、Ａｇペーストを塗布した所定の範囲以上にメッキが形成されてしまうという問題点があった。そのため、フェライトコアの端面に形成する複数の電極２が、メッキの滲みによって繋がってしまうという不都合があった。
【０００７】
また、上記フェライト材料は温度特性が悪く、温度変化に伴う特性の変化率が大きいという問題もあった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、金属メッキが施された電極を有するフェライトコアであって、酸化物換算で４５〜５５モル％のＦｅ２Ｏ３と、２０〜３５モル％のＺｎＯと、１０〜３５モル％のＮｉＯからなる主成分１００モル％に対して、添加成分としてＣｕＯを２モル％以下、Ｂｉ２Ｏ３を０．５〜５モル％含有するメッキ用フェライト材料で形成されたことを特徴とするフェライトコアである。
【０００９】
即ち、上述したメッキの滲み現象について種々実験を行った結果、フェライト材料中に添加するＣｕ成分が原因であることを見出した。つまり、一般にＮｉ等のメッキはＡｇペースト等の導電性のある部分に形成されるが、フェライト材料中にＣｕ成分が多く含まれていると導通の原因となり、メッキがフェライト材料の上にも形成されやすくなり、メッキ滲みが生じるのである。また、温度特性の変化についてもＣｕ成分を多く含むことが原因であることがわかった。
【００１０】
そこで、ＣｕＯを減らせば上記のメッキ滲みの問題を解消できるが、この場合は焼結性が低下するという問題が生じる。これに対し、本発明では、ＣｕＯを減らす代わりにＢｉ２  Ｏ３  を添加することによって、メッキ滲みを防止し、温度特性を向上するとともに焼結性を向上できることを見出した。
【００１１】
ここで、Ｂｉ２  Ｏ３  の添加量は０．５〜５モル％とするが、これは０．５モル％未満では焼結性が悪く、一方５モル％を超えるとＱ値が低下するためである。
【００１２】
また、ＣｕＯの含有量は主成分１００モル％に対して、２モル％以下とするが、これは２モル％を超えると、上述したようにメッキ滲みが発生し、温度特性が悪化するためである。
【００１３】
さらに、主成分の組成比を上記範囲とした理由は以下の通りである。まず、Ｆｅ２  Ｏ３  が４５モル％未満では高透磁率が得られなく、一方Ｆｅ２  Ｏ３  が５５モル％を超えると温度特性が悪化し、Ｑ値が低下する。また、ＺｎＯが２０モル％未満では高透磁率が得られず、３５モル％を超えるとＱ値が低下してしまう。さらに、ＮｉＯが１０モル％未満ではＱ値が低下し、３５モル％を超えると高透磁率が得られない。
【００１４】
また、上記主成分及び添加成分以外の成分としては、ＭｎＯを０．１５重量％以下、ＳｉＯ２  、Ａｌ２  Ｏ３  、ＭｇＯ、ＣａＯ、Ｋ２  Ｏ、Ｓ等をそれぞれ０．０５重量％以下の範囲で含んでいても良い。
【００１５】
以上のような本発明のフェライト材料の製造方法は、上記組成範囲となるように各原料を調合し、ボールミル等で粉砕混合した後、スプレードライヤー等で造粒し、得られた粉体をプレス成形によって所定形状に成形し、必要に応じて切削加工を施した後、９５０〜１１５０℃の範囲で焼成することによって得ることができる。
【００１６】
そして、上記本発明のフェライト材料を用いて、図１に示すようなボビン状のフェライトコア１を形成すれば、端面にＡｇペーストを印刷してＮｉ等のメッキを施して電極２を形成する際に、メッキの滲みがなく、電極２同士が繋がってしまうという不都合を防止できる。
【００１７】
また、本発明のフェライト材料は、図１に示すようなボビン状に限らず、トロイダルコアとすることもできる。
【００１８】
さらに、本発明においてメッキ用フェライト材料とは、Ｎｉ、Ｎｉ−Ｓｎ等の金属のメッキを施すような製品に用いるフェライト材料のことである。メッキを施すような製品としては、具体的に、表面実装用のインダクター、電源用トランス等があり、本発明のフェライト材料はこれらの用途に好適に用いることができる。
【００１９】
【実施例】
以下本発明の実施例を説明する。
【００２０】
Ｆｅ２  Ｏ３  、ＮｉＯ、ＺｎＯ、ＣｕＯの成分を表１に示す割合となるように秤量し、振動ミルにて混合した後８００〜９００℃で仮焼した。この仮焼粉末に、表１に示す割合でＢｉ２  Ｏ３  を添加し、ボールミルにて粉砕した後、バインダーを加えて造粒し、トロイダルコア及びボビン状コアの形状に成形し、９５０〜１１５０℃で焼成した。
【００２１】
トロイダルコアに直径０．２ｍｍの被膜銅線を７回巻いて、１００ｋＨｚでの透磁率μ、１ＭＨｚでのＱ値、相対温度係数αμを測定した。なお、相対温度係数αμは−２５〜８０℃の間の透磁率μを測定し、Δμ／（μ・ΔＴ）により求めた。また、ボビン状コアに対して、図１に示すように端面にＡｇペーストを印刷した後、Ｎｉのメッキを施し、メッキ滲みの有無を観察した。これらの結果は表２に示す通りである。
【００２２】
この結果より、ＣｕＯが３モル％を超えるもの（Ｎｏ．１〜３）では、メッキ滲みが発生した。またＢｉ２  Ｏ３  が０．５モル％未満のもの（Ｎｏ．４）では焼結性が悪く、焼成温度が１３００℃と高かった。また、主成分の組成が本発明の範囲外であるもの（Ｎｏ．８〜１３）では、透磁率が低いか、Ｑ値が低いか、相対温度係数が大きい等の不都合があった。
【００２３】
これらに対し、本発明実施例（Ｎｏ．６、７、１４〜１６）では、透磁率が５００以上、Ｑ値が１８以上と高く、相対温度係数が１４×１０−６／℃以下と小さく、しかもメッキ滲みは観察されず、優れた結果を示した。
【００２４】
【表１】
0003570825.tif 000002
【００２５】
【表２】
0003570825.tif 000003
【００26】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、酸化物換算で４５〜５５モル％のＦｅ２Ｏ３と、２０〜３５モル％のＺｎＯと、１０〜３５モル％のＮｉＯからなる主成分１００モル％に対して、０．５〜５モル％のＢｉ２Ｏ３を添加するとともに、ＣｕＯの含有量を２モル％以下としてメッキ用フェライト材料を構成したことによって、メッキ滲みがなく、温度特性の優れたフェライト材料を得ることができる。
【００２７】
したがって、このフェライト材料を用いて、フェライトコア等のメッキを施す用途に用いれば、メッキ滲みがないことから所定位置に良好にメッキを施すことができ、歩留りを向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（Ａ）は本発明のフェライト材料を用いたフェライトコアを示す斜視図、（Ｂ）はフェライトコアの端面図である。
【符号の説明】
１：フェライトコア
２：電極
【図１】
0003570825.tif 000004