【事件の表示】
　平成　８年特許願第１３３２０８号「半導体ダイヤモンドの合成方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　９年１２月　９日出願公開、特開平　９−３１５８９０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯・本願発明
　本願は平成８年５月２８日の出願であって、平成１７年８月９日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年９月１４日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、当審から平成２０年６月１７日付けで拒絶理由が通知され、同年８月２２日付けで意見書が提出されたものである。
　そして、本願の請求項１に係る発明は、平成１７年１月１２日付けで提出された手続補正書により補正された本願明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである（以下、「本願発明１」という。）。
「【請求項１】気相法により半導体ダイヤモンドを合成する方法において、ダイヤモンド析出槽内に供給した原料ガスを励起させると同時に、原料ガスとは別にダイヤモンド析出槽内にセットした不純物源にレーザーを照射して不純物源を蒸発、気化させ、不純物がドーピングされたダイヤモンド膜を合成することを特徴とする半導体ダイヤモンドの合成方法。」
　 
２．引用文献の記載事項 
　これに対して、当審における、平成２０年６月１７日付けの拒絶の理由に引用した、本願の出願の日前に頒布された特開平６−２３４５９４号公報（以下、「引用文献Ａ」という。）には次の事項が記載されている。
（ア）「光ＣＶＤ法を用いるダイヤモンド薄膜の形成方法であって、
グラファイトからなるターゲットを用いて、スパッタリングまたはレーザアブレーションにより、粒子化炭素を供給するステップと、
水素ガスを導入するステップと、
基板に光を照射し、光化学反応によって前記基板上にダイヤモンド薄膜を形成するステップとを備える、ダイヤモンド薄膜の形成方法。」（【特許請求の範囲】【請求項３】）、
（イ）「前記水素ガスに少量の窒素ガスを混ぜることにより、Ｐ型半導体性ダイヤモンド薄膜を形成することを特徴とする、ダイヤモンド薄膜の形成方法。」（【特許請求の範囲】【請求項４】）、
（ウ）「前記グラファイトからなるターゲットにホウ素を混ぜることにより、Ｐ型半導体性ダイヤモンド薄膜を形成することを特徴とする、ダイヤモンド薄膜の形成方法。」（【特許請求の範囲】【請求項５】）、
（エ）「また、この発明によれば、雰囲気ガスを高強度で最も効率よく解離することができる波長の光を用いることにより、ダイヤモンド薄膜の成長に寄与する分子（ラジカル）種を、高効率で生成することができる。そのため、気相をあまり高温にする必要がなくなる。」（段落【００１３】）、
（オ）「さらに、この光を基板に照射することにより、上述の分子（ラジカル）種の基板表面での化学反応を、促進することができる。そのため、基板の温度が低温でも、ダイヤモンド薄膜を効率よく成長させることができる。」（段落【００１４】）、
（カ）「なお、このような波長の光としては、真空紫外領域の波長の光が考えられ、水銀ランプ、Ｄ２ランプまたはシンクロトロン放射光を光源とすることにより、発生することができる。」（段落【００１５】）、
（キ）「まず、反応チャンバ２内が、真空排気口７，８を介して真空に排気される。次に、基板４を含む部分に、雰囲気ガス導入管９を介して、雰囲気ガスが所定の圧力となるまで導入される。一方、ターゲット５を含む部分では、レーザ光１２が、光透過窓１１を介してターゲット５に照射される。すると、ターゲット５から炭素が粒子化して飛散し、差圧用壁３に設けられたスリット６を通って、基板４に蒸着する。このとき、ヒータ１０によって加熱された基板４には、光源１より光１３が照射され、導入された雰囲気ガスを解離するとともに、基板４上での化学反応を促進する。」（段落【００１９】）。
　
３．引用発明
　引用文献Ａには、記載事項（ア）に「光ＣＶＤ法を用いるダイヤモンド薄膜の形成方法であって、グラファイトからなるターゲットを用いて、スパッタリングまたはレーザアブレーションにより、粒子化炭素を供給するステップと、水素ガスを導入するステップと、基板に光を照射し、光化学反応によって前記基板上にダイヤモンド薄膜を形成するステップとを備える、ダイヤモンド薄膜の形成方法。」が記載されている。そして、記載事項（ウ）には、「ターゲットにホウ素を混ぜることにより、Ｐ型半導体性ダイヤモンド薄膜を形成することを特徴とする、ダイヤモンド薄膜の形成方法。」が記載され、記載事項（キ）には、「反応チャンバ２内」に「光源１より光１３が照射され、導入された雰囲気ガスを解離するとともに、基板４上での化学反応を促進する。」ことが記載されている。
　これらの記載を本願発明１の記載振りに則して整理すると、引用文献Ａには、「光ＣＶＤ法を用いるＰ型半導体性ダイヤモンド薄膜の形成方法であって、反応チャンバ内で、ホウ素を混ぜたグラファイトからなるターゲットを用いて、レーザアブレーションにより、粒子化炭素を供給するステップと、水素ガスを導入するステップと、基板に光を照射し、導入された雰囲気ガスを解離するとともに、基板上での化学反応を促進する光化学反応によって前記基板上にダイヤモンド薄膜を形成するステップとを備える、Ｐ型半導体性ダイヤモンド薄膜の形成方法。」の発明（以下、「引用１発明」という。）が記載されているといえる。
　
４．対比・判断 
　本願発明１と引用１発明を対比すると、引用１発明における「光ＣＶＤ法」、「反応チャンバ内」及び「ホウ素」がそれぞれ、本願発明１の「気相法」、「ダイヤモンド析出槽内」及び「不純物」に相当することは明らかである。引用１発明の「水素ガス」は、「導入された雰囲気ガス」であって「解離するとともに、基板上での化学反応を促進する」とあり、本願の明細書の段落【０００８】に「原料ガスには、炭素化合物および／または水素、更には必要に応じてその他のガス、例えば酸素等を含む混合ガスを用いる。」とあるから、本願発明１における「原料ガス」に相当するということができる。そして、本願の明細書の段落【００１７】に「本発明によれば、気相法により半導体ダイヤモンドを合成する場合に、生成されるダイヤモンド薄膜にレーザーアブレーションにより不純物を安定し、簡易な方法で制御よくドーピングすることが可能になり」とあり、引用１発明において「ホウ素を混ぜたグラファイトからなるターゲットを用いて、レーザアブレーション」することはホウ素がＰ型半導体となるための不純物であることが周知であって、レーザーアブレーションが蒸発による研磨であることも周知であるから、本願発明１の「レーザーを照射して不純物源を蒸発、気化させ」ることに相当するということができる。さらに、引用１発明における「光ＣＶＤ法を用いるＰ型半導体性ダイヤモンド薄膜の形成方法」及び「水素ガスを導入するステップと、基板に光を照射し、光化学反応によって前記基板上にダイヤモンド薄膜を形成するステップ」が、それぞれ、本願発明１における「気相法により半導体ダイヤモンドを合成する方法」及び「ダイヤモンド析出槽内に供給した原料ガスを励起させ」「不純物がドーピングされたダイヤモンド膜を合成すること」に相当するから、両者は、「気相法により半導体ダイヤモンドを合成する方法において、ダイヤモンド析出槽内に供給した原料ガスを励起させると同時に、ダイヤモンド析出槽内にセットした不純物源にレーザーを照射して不純物源を蒸発、気化させ、不純物がドーピングされたダイヤモンド膜を合成する半導体ダイヤモンドの合成方法。」である点で一致し、次の点で相違する。
相違点ａ：本願発明１は「原料ガスとは別にダイヤモンド析出槽内にセットした不純物源」を特定事項とするのに対して、引用１発明は「反応チャンバ内で、ホウ素を混ぜたグラファイトからなるターゲットを用い」る点
　そこで、上記相違点ａについて検討すると、上記したように、引用１発明の「水素ガス」は、「導入された雰囲気ガス」であって「解離するとともに、基板上での化学反応を促進する」とあるから、本願発明１における「原料ガス」に相当し、引用発明においても水素ガスは、ターゲットとは別に反応チャンバ内に導入されているといえるから、実質的に相違はなく、相違点ａのように特定することは当業者であれば適宜なし得る。
　したがって、本願発明１は、引用１発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　そして、審判請求書における主張のように、たとえ、本願発明１における「原料ガス」が「原料ガス（炭素源）」であると解釈しても、引用文献Ａは、記載事項（エ）及び（オ）にあるように、「雰囲気ガスを高強度で最も効率よく解離することができる波長の光を用いることにより、ダイヤモンド薄膜の成長に寄与する分子（ラジカル）種を、高効率で生成することができ」「ダイヤモンド薄膜を効率よく成長させること」を本来の目的としており、「ターゲット」は、記載事項（イ）にあるように「水素ガス」と並んでドーピングの手段として用いられるものと認められる。一方、半導体ダイヤモンドの気相成長法において反応ガスとしてダイヤモンド源となる有機化合物を用いることは周知であり（例えば、原査定の拒絶の理由に引用文献２として引用された特開昭６２−２１２２９７号公報〔以下、「引用文献Ｂ」という。〕参照）、しかも、引用文献Ｂの第３頁左上欄第２０行〜同右上欄第２行に記載されるように、「例えばＢは融点が２２２５℃と高いので、電子ビーム加熱又はスパッタ法のように蒸発させて用いる。」とあるように、高エネルギービームである電子ビームが不純物源の加熱に用いられることが記載され、同じ高エネルギービームであるレーザーアブレーションの採用が示唆されているから、この周知技術の気相成長法におけるドーピングの手段として、粒子状炭素を供給する手段を兼ねることのない「原料ガスとは別にダイヤモンド析出槽内にセットした不純物源」を採用することは、当業者であれば容易に想到し得ることということができる。
　そして、本願発明１の構成を採ることにより奏される「レーザーアブレーションにより不純物を安定し、簡易な方法で制御よくドーピングすることが可能になり」という効果も当業者であれば予測し得る範囲内のものである。
　したがって、本願発明１は、引用１発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
５．平成２０年８月２２日付け意見書の主張について
　請求人は、平成２０年８月２２日付けの意見書において「しかしながら、出願人は「２−２．対比・判断」の第２頁第３２行から第４頁第５行までは認めますが、第４頁第６行〜第４頁第３５行までは認めることができません。以下にその理由を申し述べます。
　本願発明１と引用１発明との相違点は審判官のご指摘のように、本願発明１は「原料ガスとは別にダイヤモンド析出槽内にセットした不純物源」を特定事項とするのに対して、引用１発明は「反応チャンバ内で、ホウ素を混ぜたグラファイトからなるターゲットを用い」る点にあります。ここで本願発明１に記載された「原料ガスとは別にダイヤモンド析出槽内にセットした不純物源」とは、ダイヤモンド析出槽内に不純物源のみがセットされていることを示し、ダイヤモンド析出槽内にセットされた不純物源には原料（炭素源、水素ガス等）が含まれないことを示します。このことは、本願明細書の段落０００４の「・・・従来の技術では、ダイヤモンド薄膜に所定の不純物濃度のドーピングには多くの困難を伴う。本発明の目的は、半導体ダイヤモンド薄膜に制御よく安定して、ドーピングする簡便な手法を開発することにある。」の記載、段落０００７の「ダイヤモンド膜へのドーパントの添加量はレーザー照射条件より一義的に制御される。」の記載、段落００１５の「・・・不純物源のホウ素ターゲットに対して垂直に３００Ｗの出力（連続発振）で照射してホウ素源を供給した。・・・」の記載、図１の符号１０からも明らかです。
　これに対し、審判官は「２−２．対比・判断」の第４頁第１１行から第４頁第１３行において、『「ターゲット」は、記載事項（イ）にあるように「水素ガス」と並んでドーピングの手段として用いられているものと認められる。』と述べ、本願発明の本質である、不純物源として原料に不純物を添加した「ターゲット」や、不純物源を含んだ「水素ガス」を用いない点を看過されております。
　また審判官は、「２−２．対比・判断」の第４頁第１７行から第４頁第２１行において、『「例えばＢは融点が２２２５℃と高いので、電子ビーム加熱又はスパッタ法のように蒸発させて用いる。」とあるように、高エネルギービームである電子ビームが不純物源の加熱に用いられることが記載され、同じ高エネルギービームであるレーザーアブレーションの採用が示唆されている』と述べています。
　しかしながら、本願発明の効果である「レーザーアブレーションにより不純物を安定し、簡易な方法で制御よくドーピングすること」が達成されるのは、単に高エネルギーで不-純物源を加熱できるためではなく、第１には、本願明細書の段落０００７にあるように原料とドープ源とを別々に供給することによりドープ源の添加量をレーザー照射条件より一義的に制御すること、第２には、明細書には記載がありませんが、レーザーアブレーションの場合は電子ビーム法等では達成できない急速加熱が可能であるため、蒸発物はプルーム（ｐｌｕｍｅ）と呼ばれるプラズマ状となって放出され活性化率の高いドーピングが可能であるためと考えております。」と主張している。
　しかしながら、本願発明１は、請求項において「不純物源として原料に不純物を添加した「ターゲット」や、不純物源を含んだ「水素ガス」を用いない点」を限定したものでなく、「本願発明１に記載された「原料ガスとは別にダイヤモンド析出槽内にセットした不純物源」は、引用１発明における「反応チャンバ内で、ホウ素を混ぜたグラファイトからなるターゲット」をも含むことは明らかであるから、請求人の「ダイヤモンド析出槽内に不純物源のみがセットされていることを示し、ダイヤモンド析出槽内にセットされた不純物源には原料（炭素源、水素ガス等）が含まれないことを示します。」という主張は、請求項の記載に基づかないものであり、本願発明の効果の主張についても第１の効果の主張については、本願発明が「原料とドープ源とを別々に供給すること」以外の態様も含むものであり、本願発明全体の効果とすることはできず、第２の効果の主張も当初明細書には記載されていない事項に基づき、しかも、電子ビーム法等との定量的な比較の上でなされたものとはいえないので、前提を欠くものである。
　したがって、これらの意見書の主張は、当を欠くもので採用することができない。
　
６．むすび 
　以上のとおり、本願発明１は、引用文献Ａに記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。