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　特願２００２−３０９３８８「半導体製造装置用セラミックスヒーター」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　５月２０日出願公開、特開２００４−１４６５６９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯　
　本願は、平成１４年１０月２４日の出願であって、平成１８年３月１３日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年４月２１日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年５月２２日に手続補正（同年６月２９日に方式手続補正）がなされ、その後、当審において、平成２０年７月４日付けで審尋がなされ、同年８月２６日付けで回答書が提出されたものである。
　
２．平成１８年６月２９日に方式手続補正がなされた同年５月２２日付けの手続補正について　
［補正却下の決定の結論］　
　平成１８年６月２９日に方式手続補正がなされた同年５月２２日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。　
［理由］　
（１）本件補正の内容　
　本件補正は、特許請求の範囲及び発明の詳細な説明を補正するものであり、補正前の請求項１を補正後の請求項１と補正し、補正前の０００８段落を補正するものであり、補正前の請求項１及び補正後の請求項１は、それぞれ以下のとおりである。
（補正前の請求項１）
「【請求項１】　セラミックス基板の表面又は内部に抵抗発熱体を有する半導体製造装置用セラミックスヒーターであって、抵抗発熱体の断面において、該抵抗発熱体の底面と側面とがなす最小角度が５°以上であることを特徴とする半導体製造装置用セラミックスヒーター。」
（補正後の請求項１）
「【請求項１】　セラミックス基板の表面又は内部に抵抗発熱体を有する半導体製造装置用セラミックスヒーターであって、抵抗発熱体の配線間距離が０．５ｍｍ以上であり、且つ抵抗発熱体の断面において、該抵抗発熱体の底面と側面とがなす最小角度が５°以上であることを特徴とする半導体製造装置用セラミックスヒーター。」
　
（２）補正内容の整理
　本件補正のうち、請求項１についてなされた補正は、以下のとおりである。
〈補正事項１〉
　補正前の請求項１の「セラミックス基板の表面又は内部に抵抗発熱体を有する半導体製造装置用セラミックスヒーターであって、」と「抵抗発熱体の断面において、」との間に、補正後の請求項１の「抵抗発熱体の配線間距離が０．５ｍｍ以上であり、且つ」を追加すること。
　
（３）補正の目的の適否について
〈補正事項１について〉
　補正事項１についての補正は、実質的に、「抵抗発熱体の配線間距離」が「０．５ｍｍ以上」であることを特定するものであるが、補正前の請求項１には、「抵抗発熱体の配線間距離」について何ら記載されていない。よって、「抵抗発熱体の配線間距離」が「０．５ｍｍ以上」であることを特定することは、特許法第３６条第５項の規定により請求項に記載した発明を特定するために必要な事項を限定したものではなく、補正事項１についての補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当しない。また、補正事項１についての補正が、同法第１７条の２第４項第１号、第３号及び第４号に掲げる事項のいずれを目的とするものにも該当しないことは明らかである。
　したがって、補正事項１についての補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たさないものである。
　
　以上のとおり、他の補正事項について検討するまでもなく、補正事項１を含む本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。以下においては、仮に、補正事項１についての補正が、同法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するものとみなして、本件補正が、同法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定する要件（独立特許要件）を満たすか否かについて検討する。
　
（４）独立特許要件についての検討
（４−１）補正後の発明
　本件補正による補正後の請求項１に係る発明（以下、「補正発明」という。）は、上記「２．（１）本件補正の内容」の「（補正後の請求項１）」に記載されたとおりのものである。
　
（４−２）刊行物に記載された発明
（４−２−１）刊行物１：特開２００２−２５２２６９号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００２−２５２２６９号公報（以下、「刊行物１」という。）には、図１とともに以下の事項が記載されている。（なお、下線は、引用箇所のうち特に強調する部分に付加した。以下、同様。）
「【特許請求の範囲】
【請求項１】　金属電極を内蔵した部材であって、前記金属電極の断面のアスペクト比が２以上８以下であることを特徴とする窒化アルミニウムセラミックス製電極内蔵部材。」
「【００１２】また、本発明においては、前記金属電極の断面の長径軸が、セラミックス基板表面と平行であることが好ましい。金属電極が、セラミックス基板に対して扁平した状態で内蔵されることにより、
セラミックス基板表面に載置するウエハ等に対して、ヒータ加熱等を均一に作用させることができる。
「【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を添付図面に基づき、より詳細に説明する。
図１（ａ）（ｂ）は、本発明に係る窒化アルミニウムセラミックス製電極内蔵部材であるヒータの構造の一例を示したものである。
【００１７】
図１（ａ）（ｂ）に示す窒化アルミニウムセラミックス製ヒータは、窒化アルミニウムセラミックス基板１に、金属電極２が内蔵されている。
「【００１９】本発明に係る窒化アルミニウムセラミックス製ヒータは、通常のセラミックス製ヒータの製造方法を用いることにより得られるが、例えば、以下のような製造方法が好ましい。
図１に示した窒化アルミニウムセラミックス製ヒータの製造方法は、まず、ヒータカバーとなる窒化アルミニウムセラミックス基板１に、金属電極２を設けるための溝を、その電極パターン形状に合わせて加工する。そして、その溝に金属電極２を設けた後、このヒータカバーとヒータベースとなる窒化アルミニウムセラミックス基板とを接合剤により積層させる。
そして、この金属電極２が内蔵された窒化アルミニウムセラミックス基板１の積層体に接合熱処理を施すことにより、窒化アルミニウムセラミックス製ヒータが得られる。
「【００２４】
金属電極２の断面形状は、楕円、カプセル形、矩形等、特に限定されないが、上記のようにその断面のアスペクト比が２以上８以下であり、その長径軸が、窒化アルミニウムセラミックス基板１の表面と平行であることが好ましい。
窒化アルミニウムセラミックス基板１の表面に載置されるウエハ等を均一に加熱することができる。
「【００２９】次に、溝加工は、ヒータカバーとなる窒化アルミニウムセラミックス基板を表面研削した後、その面に、金属電極２のパターン形状に合わせた溝を、マシニング、サンドブラスト等により加工する。
溝の断面積は、金属電極２が、接合時の圧力により変形し、その部分に収まるようにする必要がある。すなわち、発熱体配線の断面積と同一、あるいは、若干小さくし、金属電極２が圧縮されて埋設されるようにすることが好ましい。
「【００３３
】また、ホットプレスは、接合と同時に、金属電極２を溝に空隙なく充填させるためにも、有効な手段である。
　
　したがって、刊行物１には、以下の発明（以下、「刊行物発明」という。）が記載されている。
（刊行物発明）
「窒化アルミニウムセラミックス基板１に金属電極２を内蔵し、ウエハに対してヒータ加熱を行う窒化アルミニウムセラミックス製ヒータであって、該金属電極２の断面が矩形であり、そのアスペクト比が２以上８以下であることを特徴とする窒化アルミニウムセラミックス製ヒータ。」
　
（４−２−２）刊行物２：特開２００１−３１３１５５号公報
　本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００１−３１３１５５号公報（以下、「刊行物２」という。）には、図１、図２及び図４とともに以下の事項が記載されている。
「【００２０】また、
本発明の円盤状ヒータでは、円盤状絶縁性基板の周辺部における発熱抵抗体間のパターンピッチが、中心部の発熱抵抗体間のパターンピッチよりも小さいことが望ましい。このような構成を採用することにより、円盤状絶縁性基板の周辺部の発熱密度を中心部よりも高く設定できる。
「【００４１】
【実施例】窒化アルミニウム質セラミックスの粉末を用いてドクターブレード法により焼成上がりの半径が１００ｍｍの円盤状の厚さ４．５ｍｍの成形体を作製した。そしてこの成形体の表面に、温度抵抗係数の大きい材料として、タングステンにＡｌ２Ｏ３およびレニウムを添加した温度抵抗係数４３００ｐｐｍ／Ｋ、体積抵抗率０．５４μΩ・ｍのタングステン系抵抗体（６ｂ）、温度抵抗係数の小さな材料としてタングステンにＡｌ２Ｏ３を添加した温度抵抗係数５００ｐｐｍ／Ｋ、体積抵抗率１．１０μΩ・ｍのタングステン系抵抗体（６ａ）を用いた。なお、上記抵抗体（６ｂ）、抵抗体（６ａ）の抵抗温度曲線を図４に示した。
【００４２】そして、上記の各抵抗体を含むペーストを用いて、図１および図２に示すようなパターン形状に印刷塗布した。
パターンは、線幅７ｍｍとし、発熱抵抗体の厚みが１０μｍとなるように塗布した。なお、中心部のパターンピッチは１６ｍｍ、最外部のパターンピッチを８ｍｍに設定した。
【００４３】その後、このペースト塗布面に、シート状成形体を積層圧着した後、１８００℃の窒素雰囲気中で２時間焼成して、直径２００ｍｍ、厚さ９ｍｍの窒化アルミニウムセラミックスを絶縁基板とする円盤状セラミックヒータを作製した。
【００４４】また、従来例として、温度抵抗係数４３００ｐｐｍ／Ｋ、体積抵抗率０．５４０μΩ・ｍの発熱抵抗体のみを用いて図１および図２のパターンの発熱抵抗体を具備する円盤状セラミックヒータを作製した。」
　
（４−３）対比
　補正発明と刊行物発明とを対比する。
（ア）刊行物発明の「窒化アルミニウムセラミックス基板１」及び「金属電極２」は、補正発明の「セラミックス基板」及び「抵抗発熱体」に相当し、刊行物発明の「窒化アルミニウムセラミックス基板１に金属電極２を内蔵」する構造は、補正発明の「セラミックス基板の」「内部に抵抗発熱体を有する」構造に相当する。
（イ）刊行物発明の「窒化アルミニウムセラミックス製ヒータ」は、「ウエハに対してヒータ加熱を行う」ものであるから、半導体製造装置用であることは明らかである。よって、刊行物発明の「ウエハに対してヒータ加熱を行う窒化アルミニウムセラミックス製ヒータ」は、補正発明の「半導体製造装置用セラミックスヒーター」に相当する。
　したがって、補正発明と刊行物発明とは、
「セラミックス基板の表面又は内部に抵抗発熱体を有する半導体製造装置用セラミックスヒーター。」
である点で一致し、以下の２点で相違する。
〈相違点１〉
　補正発明は、「抵抗発熱体の配線間距離が０．５ｍｍ以上」であるのに対して、刊行物発明は、そのような数値限定がなされていない点。
〈相違点２〉
　補正発明は、「抵抗発熱体の断面において、該抵抗発熱体の底面と側面とがなす最小角度が５°以上である」のに対し、刊行物発明は、「該金属電極２の断面が矩形であり、そのアスペクト比が２以上８以下で」あるが、「金属電極２」の底面と側面とがなす最小角度について数値限定がなされていない点。
　
（４−４）相違点の検討
　以下、各相違点について検討する。
〈相違点１について〉
（ア）刊行物２には、「【００２０】また、本発明の円盤状ヒータでは、円盤状絶縁性基板の周辺部における発熱抵抗体間のパターンピッチが、中心部の発熱抵抗体間のパターンピッチよりも小さいことが望ましい。このような構成を採用することにより、円盤状絶縁性基板の周辺部の発熱密度を中心部よりも高く設定できる。」及び「パターンは、線幅７ｍｍとし、発熱抵抗体の厚みが１０μｍとなるように塗布した。なお、中心部のパターンピッチは１６ｍｍ、最外部のパターンピッチを８ｍｍに設定した。」（００４２段落）と記載されており、円盤状ヒータの表面温度分布を均一にするために、発熱抵抗体を、中心部のパターンピッチが１６ｍｍ、最外部のパターンピッチが８ｍｍとなるように形成する技術が記載されている。刊行物２に記載された「発熱抵抗体」及び「パターンピッチ」は、補正発明の「抵抗発熱体」及び「配線間距離」に相当する。
（イ）そして、刊行物１に「図１（ｂ）に示したように、金属電極２が、窒化アルミニウムセラミックス基板１に対して扁平した状態で内蔵されることにより、窒化アルミニウムセラミックス基板１の表面に載置されるウエハ等を均一に加熱することができる。」（００２４段落）と記載されているように、刊行物発明においても、表面温度を均一にすることは、解決されることが求められる課題であるから、刊行物２に記載された技術を用いて、「金属電極２」を中心部のパターンピッチが１６ｍｍ、最外部のパターンピッチが８ｍｍとなるように配置し、補正発明の如く、「抵抗発熱体の配線間距離が０．５ｍｍ以上」となるようにすることは、当業者が容易になし得たことである。
　
〈相違点２について〉
（ア）刊行物発明は「金属電極２」の断面形状について、「矩形であり、そのアスペクト比が２以上８以下で」あることが特定されているものの、その微視的な形状において、底面と側面とがなす最小角度が５°以上であるか否かは不明である。
（イ）しかし、刊行物１には、「窒化アルミニウムセラミックス製ヒータ」の製造方法について、「図１に示した窒化アルミニウムセラミックス製ヒータの製造方法は、まず、ヒータカバーとなる窒化アルミニウムセラミックス基板１に、金属電極２を設けるための溝を、その電極パターン形状に合わせて加工する。そして、その溝に金属電極２を設けた後、このヒータカバーとヒータベースとなる窒化アルミニウムセラミックス基板とを接合剤により積層させる。次いで、ヒータベースに予め設けられた電極端子用の孔３に、外部から電流を供給するための電極端子を金属電極２に接続させる。そして、この金属電極２が内蔵された窒化アルミニウムセラミックス基板１の積層体に接合熱処理を施すことにより、窒化アルミニウムセラミックス製ヒータが得られる。」（００１９段落）、及び「溝の断面積は、金属電極２が、接合時の圧力により変形し、その部分に収まるようにする必要がある。すなわち、発熱体配線の断面積と同一、あるいは、若干小さくし、金属電極２が圧縮されて埋設されるようにすることが好ましい。」（００２９段落）、「【００３３】また、ホットプレスは、接合と同時に、金属電極２を溝に空隙なく充填させるためにも、有効な手段である。」と記載されており、ヒータカバーとなる窒化アルミニウムセラミックス基板に形成した、所望の形状を有する溝に、溝と同一の断面積を有する金属電極２を設け、ヒータベースとなる窒化アルミニウムセラミックス基板と積層し、圧力をかけて接合熱処理を施すことにより、金属電極２を溝内に空隙なく収まるように充填させることが記載されている。
（ウ）そして、刊行物発明を、前記（イ）に記載した製造方法により製造した場合、溝は断面形状が矩形となるように形成されるから、「金属電極２」の断面形状は溝の形状に等しくなり、ダレや滲みによって略台形状となることなく、その底面と側面とがなす最小角度が５°より大きいことは明らかである。よって、刊行物発明を、前記（イ）に記載された製造方法を用いて製造し、補正発明の如く、「抵抗発熱体の断面において、該抵抗発熱体の底面と側面とがなす最小角度が５°以上である」構造とすることは、当業者が容易になし得たことである。
（エ）さらに、本願の願書に添付された明細書及び図面（以下、「本願明細書等」という。）の発明の詳細な説明には、「本発明によれば、抵抗発熱体断面における底面と側面とがなす角度を最適化することにより、ウエハ表面の均熱性を保持しながら、加熱処理時に抵抗発熱体間での短絡による損傷のない半導体製造装置用セラミックスヒーターを提供することができる。」（００５５段落）と記載されているが、本願明細書等の発明の詳細な説明の表１ないし表３には、「断面最小角度θ（°）」及び「配線間距離Ｌ（ｍｍ）」が、４°及び２０ｍｍ、４°及び１０ｍｍ、２°及び２０ｍｍであるとき、「ヒータ割れ発生頻度」がいずれもゼロであることが示されており、また、同じく表４には、「断面最小角度θ（°）」及び「配線間距離Ｌ（ｍｍ）」が、４°及び１０ｍｍであるとき、「ヒータ割れ発生頻度」がゼロであることが示されている。よって、本願明細書等には、「断面最小角度θ（°）」及び「配線間距離Ｌ（ｍｍ）」が、４°及び２０ｍｍ、４°及び１０ｍｍ、２°及び２０ｍｍであるセラミックスヒーター、すなわち、補正発明の「該抵抗発熱体の底面と側面とがなす最小角度が５°以上である」構造を有さないセラミックスヒーターであっても、「ヒータ割れ発生頻度」がゼロ、すなわち、抵抗発熱体間での短絡による損傷がないことが示されており、補正発明の「該抵抗発熱体の底面と側面とがなす最小角度が５°以上」とする数値限定に臨界的意義を認めることもできない。
　
　したがって、補正発明は、刊行物１及び刊行物２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（５）まとめ
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定に違反するものであり、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。また、仮に、本件補正が、同法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するものとみなしても、同法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。　
　
３．本願発明
　平成１８年６月２９日に方式手続補正がなされた同年５月２２日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし７に係る発明は、本願の願書に最初に添付された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし７に記載された事項により特定されるものであり、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、前記「２．（１）本件補正の内容」の「（補正前の請求項１）」に記載されたとおりのものである。
　
４．刊行物に記載された発明
　刊行物１に記載される事項及び発明は、前記「２．（４）（４−２）（４−２−１）刊行物１：特開２００２−２５２２６９号公報」に記載したとおりのものである。
　
５．当審の判断
（１）対比
　本願発明と刊行物発明とを対比する。
（ア）刊行物発明の「窒化アルミニウムセラミックス基板１」及び「金属電極２」は、本願発明の「セラミックス基板」及び「抵抗発熱体」に相当し、刊行物発明の「窒化アルミニウムセラミックス基板１に金属電極２を内蔵」する構造は、本願発明の「セラミックス基板の」「内部に抵抗発熱体を有する」構造に相当する。
（イ）刊行物発明の「窒化アルミニウムセラミックス製ヒータ」は、「ウエハに対してヒータ加熱を行う」ものであるから、半導体製造装置用であることは明らかである。よって、刊行物発明の「ウエハに対してヒータ加熱を行う窒化アルミニウムセラミックス製ヒータ」は、本願発明の「半導体製造装置用セラミックスヒーター」に相当する。
　したがって、本願発明と刊行物発明とは、
「セラミックス基板の表面又は内部に抵抗発熱体を有する半導体製造装置用セラミックスヒーター。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
〈相違点１〉
　本願発明は、「抵抗発熱体の断面において、該抵抗発熱体の底面と側面とがなす最小角度が５°以上である」のに対し、刊行物発明は、「該金属電極２の断面が矩形であり、そのアスペクト比が２以上８以下で」あるが、「金属電極２」の底面と側面とがなす最小角度について数値限定がなされていない点。
　
（２）相違点の検討
　以下、相違点について検討する。
〈相違点１について〉
（ア）刊行物発明は「金属電極２」の断面形状について、「矩形であり、そのアスペクト比が２以上８以下で」あることが特定されているものの、その微視的な形状において、底面と側面とがなす最小角度が５°以上であるか否かは不明である。
（イ）しかし、刊行物１には、「窒化アルミニウムセラミックス製ヒータ」の製造方法について、「図１に示した窒化アルミニウムセラミックス製ヒータの製造方法は、まず、ヒータカバーとなる窒化アルミニウムセラミックス基板１に、金属電極２を設けるための溝を、その電極パターン形状に合わせて加工する。そして、その溝に金属電極２を設けた後、このヒータカバーとヒータベースとなる窒化アルミニウムセラミックス基板とを接合剤により積層させる。次いで、ヒータベースに予め設けられた電極端子用の孔３に、外部から電流を供給するための電極端子を金属電極２に接続させる。そして、この金属電極２が内蔵された窒化アルミニウムセラミックス基板１の積層体に接合熱処理を施すことにより、窒化アルミニウムセラミックス製ヒータが得られる。」（００１９段落）、及び「溝の断面積は、金属電極２が、接合時の圧力により変形し、その部分に収まるようにする必要がある。すなわち、発熱体配線の断面積と同一、あるいは、若干小さくし、金属電極２が圧縮されて埋設されるようにすることが好ましい。」（００２９段落）、「【００３３】また、ホットプレスは、接合と同時に、金属電極２を溝に空隙なく充填させるためにも、有効な手段である。」と記載されており、ヒータカバーとなる窒化アルミニウムセラミックス基板に形成した、所望の形状を有する溝に、溝と同一の断面積を有する金属電極２を設け、ヒータベースとなる窒化アルミニウムセラミックス基板と積層し、圧力をかけて接合熱処理を施すことにより、金属電極２を溝内に空隙なく収まるように充填させることが記載されている。
（ウ）そして、刊行物発明を、前記（イ）に記載した製造方法により製造した場合、溝は断面形状が矩形となるように形成されるから、「金属電極２」の断面形状は溝の形状に等しくなり、ダレや滲みによって略台形状となることなく、その底面と側面とがなす最小角度が５°より大きいことは明らかである。よって、刊行物発明を、前記（イ）に記載された製造方法を用いて製造し、本願発明の如く、「抵抗発熱体の断面において、該抵抗発熱体の底面と側面とがなす最小角度が５°以上である」構造とすることは、当業者が容易になし得たことである。
（エ）さらに、本願明細書等の発明の詳細な説明には、「本発明によれば、抵抗発熱体断面における底面と側面とがなす角度を最適化することにより、ウエハ表面の均熱性を保持しながら、加熱処理時に抵抗発熱体間での短絡による損傷のない半導体製造装置用セラミックスヒーターを提供することができる。」（００５５段落）と記載されているが、本願明細書等の発明の詳細な説明の表１ないし表３には、「断面最小角度θ（°）」及び「配線間距離Ｌ（ｍｍ）」が、４°及び２０ｍｍ、４°及び１０ｍｍ、２°及び２０ｍｍであるとき、「ヒータ割れ発生頻度」がいずれもゼロであることが示されており、また、同じく表４には、「断面最小角度θ（°）」及び「配線間距離Ｌ（ｍｍ）」が、４°及び１０ｍｍであるとき、「ヒータ割れ発生頻度」がゼロであることが示されている。よって、本願明細書等には、「断面最小角度θ（°）」及び「配線間距離Ｌ（ｍｍ）」が、４°及び２０ｍｍ、４°及び１０ｍｍ、２°及び２０ｍｍであるセラミックスヒーター、すなわち、本願発明の「該抵抗発熱体の底面と側面とがなす最小角度が５°以上である」構造を有さないセラミックスヒーターであっても、「ヒータ割れ発生頻度」がゼロ、すなわち、抵抗発熱体間での短絡による損傷がないことが示されており、本願発明の「該抵抗発熱体の底面と側面とがなす最小角度が５°以上」とする数値限定に臨界的意義を認めることもできない。
　
　したがって、本願発明は、刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項について検討するまでもなく拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。