【事件の表示】
　特願２００３−１２５２７５「リッジ導波路型半導体レーザ」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年１１月２５日出願公開、特開２００４−３３５５３０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本願は、平成１５年４月３０日に特許出願したものであって、平成１９年９月２７日に手続補正がなされたところ、同年１１月１５日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１２月２０日に拒絶査定不服審判請求がなされるとともに平成２０年１月１７日付けで手続補正がなされたものである。
　
　
ＩＩ．平成２０年１月１７日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２０年１月１７日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１．補正の内容  
　平成２０年１月１７日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の請求項１を、以下のように補正することを含むものである。
「活性層と、
　コンタクト層と、
　前記活性層の上に形成されて前記コンタクト層を含むリッジ状の導波路を有する半導体層と、
　前記半導体層の上に形成された絶縁膜と、
　前記絶縁膜に設けられた開口部を介して前記半導体層に接する第１の電極層と、
　前記第１の電極層の上に、前記導波路の方向に沿って形成されたストライプ状の第２の電極層とを備え、
　前記活性層および前記コンタクト層が前記導波路方向に共振器の前端面から後端面まで一様に形成されており、
　前記共振器の端面から前記第２の電極層の端部までの距離が２０μｍ以内であることを特徴とするリッジ導波路型半導体レーザ。」
　
２．補正の目的
　上記請求項１に係る本件補正は、補正前の請求項１の、
（１）「絶縁膜」について、その「膜厚が２５０ｎｍ以下である」ことを削除するとともに、
（２）「半導体層」が「コンタクト層を含む」、との限定を付加し、
（３）「活性層および前記コンタクト層」が「導波路方向に共振器の前端面から後端面まで一様に形成されて」いる、との限定を付加するものである。
　上記（１）の補正内容は、平成１９年７月２４日付けで通知した拒絶の理由に示す「「２５０ｎｍ以下」あるいは「８００ｎｍ以上」という数値をどのように選択したのか」、「前記数値の技術上の意義、あるいは臨界的な意義を理解することができず」との事項について、これを明りようにするものではなく、「２５０μｍ以下である」との記載を削除するものであるから、上記（１）の補正内容は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項第４号の明りようでない記載の釈明を目的とするものではない。
　上記（２）及び（３）の補正内容は、本件補正前の請求項１に記載の発明特定事項を限定するものであるが、上記（１）の補正内容が、本件補正前の請求項１の発明特定事項を削除していることから、請求項１に係る本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的としているものではない。
　また、請求項１に係る本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項第１号あるいは第３号に掲げる事項を目的とするものでもない。
　
３．まとめ
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５条改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　
４．補正却下の決定についての付言
　本件補正後の請求項１に記載された発明（以下「本願補正発明」という。）が特許を受けることができるものであるかについて以下に検討して、付言する。
 　 
（１）引用例 
　本願の出願の日前の他の出願であって、その出願後に出願公開された特願２００２−５５８５２号（以下「先願」という。特開２００３−２５８３７０号公報参照。）の願書に最初に添付した明細書及び図面（以下「先願明細書」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
ア　「【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、信頼性の高いリッジ型半導体レーザ素子及び光モジュールを得ることである。」
　
イ　「【００１０】
【課題を解決するための手段】リッジ型半導体レーザ素子の、いわゆる上側電極は、半導体レーザ用の半導体積層体のコンタクト層上にオーミック電極を形成するが、このオーミック電極に次の特徴を加える。即ち、前記上側電極、即ち半導体積層体側の電極は、当該半導体レーザの共振器を構成する反射面の少なくとも一方の端面位置より内側に、その電極層の端面位置を有するように構成される。或いは、前記電極は、その端部に厚さの薄い部分を有し、且つこの端部に厚さの薄い部分に連なる電極の厚さの厚い領域の端部が、当該半導体レーザの共振器を構成する反射面の少なくとも一方の端面位置より内側に位置するように構成するのである。
【００１１】多くの場合、オーミック電極は通例複数の導体層の積層で構成する。以下、主に、複数層で構成された電極の例を用いて本発明を説明する。又、説明を容易となす為、当該上側電極の半導体積層体側の層領域を、第１の導体層領域、この上部の層領域を第２の導体層領域と称する。本発明の代表的形態は、前記第１の導体層領域上に形成された第２の導体層領域の少なくとも一方の端面を、前記第１の導体層領域の端面より内側となすのである。こうして、光共振器の反射面近傍の電極用導体層の厚さを薄くする。或いは、光共振器の反射面近傍より電極用導体層を後退させることも可能である。」
　
ウ　「【００３５】図１はこの第１の実施例である半導体レーザ素子の斜視図である。ｎ型ＩｎＰ基板１上に、有機金属気相成長法を用いて、通例のダブルヘテロ構造の化合物半導体の積層体を形成する。即ち、ｎ型ＩｎＡｌＡｓクラッド層２とＩｎＧａＡｌＡｓ  ＳＣＨ（Ｓｅｐａｒａｔｅ  Ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ  Ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）層（この層は付加的な層であるので図示されず）、ＩｎＧａＡｌＡｓ活性層３、ＩｎＧａＡｌＡｓ  ＳＣＨ層（この層は付加的な層であるので図示されず）、ｐ型ＩｎＡｌＡｓ第１クラッド層４、ｐ型ＩｎＰ第２クラッド層５、及びｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層６が、順次形成される。ここで、ＳＣＨ層とは、いわゆるキャリア閉じ込め領域と光閉じ込め領域を別々にする為の層で、これまで知られたのも（審決注：「もの」の誤りと認める。）である。
【００３６】ｐ型ＩｎＰ第２クラッド層５とｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層６とは、リッジ構造となるように、フォトリソグラフィー法により加工する。
【００３７】次いで、リッジ型領域を構成するｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層６の表面以外の領域は、パッシベーション膜として、プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により酸化シリコン膜７を形成する。
【００３８】その上に、オーミック電極を構成するｐ側電極８として、ｐ側電極の第１及び第２の導体層領域９−１、９−２を形成する。具体的には、連続して厚さ１００ｎｍのチタン、厚さ１００ｎｍの白金、厚さ６００ｎｍの金を順に蒸着する。そして、第１及び第２の導体層領域９−１、９−２を構成する導体層を、リッジ上面と配線用パッド１１の部分が残るように形状加工する。
【００３９】更に、フォトリソグラフィー法により、反射端面近傍の領域の電極を構成する、チタン、白金、金のうち、最表面金の一部のみを除去する。チタン、白金と金の一部は残しておく。チタン層及び白金層の積層が第１の導体層領域９−１である。金層が第２の導体層領域９−２である。反射端面近傍の金層の除去範囲は小さい方がよい。例えば、１０μｍとする。・・・（略）・・・。
【００４０】次に、ｎ型ＩｎＰ基板１の下面を研磨して１２０μｍに薄くした後、金−ゲルマニウム、ニッケル、金を蒸着してｎ側電極１０を形成する。こうして準備した半導体レーザウエハをへき開し、一対のレーザ共振器端面１２、１３を形成する。」
　
エ　以下の（ア）及び（イ）が、図１から見て取れる。
（ア）チタン、白金、金の各層９から構成されるｐ側電極８は、ｐ型ＩｎＰ第２クラッド層５とｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層６のリッジ構造の長手方向に沿ってストライプ状に形状加工されていること。
（イ）ＩｎＧａＡｌＡｓ活性層３、ｐ型ＩｎＰ第２クラッド層５及びｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層６は、ｐ型ＩｎＰ第２クラッド層５とｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層６のリッジ構造の長手方向において、共振器端面１３から共振器端面１４まで同じ構造であること。
　
　したがって、上記記載事項を総合すると、先願明細書には次の発明（以下「先願発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「ｎ型ＩｎＰ基板１上に、ｎ型ＩｎＡｌＡｓクラッド層２、ＩｎＧａＡｌＡｓ活性層３、ｐ型ＩｎＡｌＡｓ第１クラッド層４、ｐ型ＩｎＰ第２クラッド層５、及びｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層６を順次形成し、ｐ型ＩｎＰ第２クラッド層５とｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層６とをリッジ構造となるように加工し、次いで、リッジ型領域を構成するｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層６の表面以外の領域に、パッシベーション膜として酸化シリコン膜７を形成し、
　その上に、オーミック電極を構成するｐ側電極８を、チタン、白金、金を順に蒸着し、これを上記ｐ型ＩｎＰ第２クラッド層５とｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層６のリッジ構造の長手方向に沿ってストライプ状に形状加工し、さらに反射端面近傍の領域の電極を構成するチタン、白金、金のうち、最表面金の一部のみを除去して形成し、上記反射端面近傍の金層の除去範囲は１０μｍであり、
　次に、ｎ型ＩｎＰ基板１の下面を研磨してｎ側電極１０を形成し、
　こうして準備した半導体レーザウエハをへき開して一対のレーザ共振器端面１２、１３を形成し、
　前記ＩｎＧａＡｌＡｓ活性層３及びｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層６は、ｐ型ＩｎＰ第２クラッド層５とｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層６のリッジ構造の長手方向において、共振器端面１３から共振器端面１４まで同じ構造で形成される、リッジ型半導体レーザ素子。」
　
（２）対比、判断
　本願補正発明と先願発明とを対比する。
　
ア　先願発明の「ＩｎＧａＡｌＡｓ活性層３」、「ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層６」及び「リッジ型半導体レーザ素子」は、それぞれ本願補正発明の「活性層」、「コンタクト層」及び「リッジ導波路型半導体レーザ」に相当する。
　
イ　先願発明の「ｐ型ＩｎＰ第２クラッド層５とｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層６」は、ＩｎＧａＡｌＡｓ活性層３の上に形成され、リッジ構造となるように加工されるものであるから、本願補正発明の「前記活性層の上に形成されて前記コンタクト層を含むリッジ状の導波路を有する半導体層」に相当する。
　
ウ　先願発明の「酸化シリコン膜７」は、ｐ型ＩｎＰ第２クラッド層５とｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層６の上に形成されるものであるから、本願補正発明の「前記半導体層の上に形成された絶縁膜」に相当する。
　
エ　先願発明の「ｐ側電極」は、チタン、白金、金の各層を順に蒸着して形成され、リッジ型領域を構成するｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層６の表面以外の領域に形成された酸化シリコン膜７の上に蒸着され、しかもｐ型ＩｎＰ第２クラッド層５とｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層６のリッジ構造の長手方向に沿ってストライプ状に形状加工されるものであるから、該「ｐ側電極」を構成するチタン、白金、金の各層のうち、「チタン及び白金」の層は、本願補正発明の「前記絶縁膜に設けられた開口部を介して前記半導体層に接する第１の電極層」に相当するといえるとともに、反射端面近傍の領域が除去された「金」の層は、本願補正発明の「前記第１の電極層の上に、前記導波路の方向に沿って形成されたストライプ状の第２の電極層」に相当するといえる。
　また、先願発明の「反射端面近傍の金層の除去範囲」は「１０μｍであ」るから、先願発明は、本願補正発明の「前記共振器の端面から前記第２の電極層の端部までの距離が２０μｍ以内である」なる事項を備える。
　
オ　先願発明は、「ＩｎＧａＡｌＡｓ活性層３及びｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層６」が、「ｐ型ＩｎＰ第２クラッド層５とｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層６のリッジ構造の長手方向において、共振器端面１３から共振器端面１４まで同じ構造で形成される」から、本願補正発明の「前記活性層および前記コンタクト層が前記導波路方向に共振器の前端面から後端面まで一様に形成されており」なる事項を備える。
　
　したがって、両者は、　  
「活性層と、
　コンタクト層と、
　前記活性層の上に形成されて前記コンタクト層を含むリッジ状の導波路を有する半導体層と、
　前記半導体層の上に形成された絶縁膜と、
　前記絶縁膜に設けられた開口部を介して前記半導体層に接する第１の電極層と、
　前記第１の電極層の上に、前記導波路の方向に沿って形成されたストライプ状の第２の電極層とを備え、
　前記活性層および前記コンタクト層が前記導波路方向に共振器の前端面から後端面まで一様に形成されており、
　前記共振器の端面から前記第２の電極層の端部までの距離が２０μｍ以内であるリッジ導波路型半導体レーザ。」
である点で一致し、相違するところはない。
　
（３）付言のまとめ
　以上のとおり、本願補正発明は先願明細書に記載された発明と同一であり、しかも、本願補正発明の発明者が上記先願明細書に記載された先願発明の発明者と同一であるとも、また、本願の出願時に、その出願人が先願の出願人と同一であるとも認められないので、本願補正発明は、特許法第２９条の２の規定により、特許を受けることができないものである。 
　したがって、本件補正を受け入れたとしても、本願補正発明は特許を受けることができないのであるから、本件補正を受け入れる余地はない。
　
　
ＩＩＩ．本願発明について
１．本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１９年９月２７日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１〜１３に記載された事項によって特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明は次のとおりのものである。
　
「活性層と、
　前記活性層の上に形成されてリッジ状の導波路を有する半導体層と、
　前記半導体層の上に形成された膜厚が２５０ｎｍ以下である絶縁膜と、
　前記絶縁膜に設けられた開口部を介して前記半導体層に接する第１の電極層と、
　前記第１の電極層の上に、前記導波路の方向に沿って形成されたストライプ状の第２の電極層とを備え、
　共振器の端面から前記第２の電極層の端部までの距離が２０μｍ以内であることを特徴とするリッジ導波路型半導体レーザ。」（以下「本願発明」という。）
　
２．刊行物記載の発明
　本願の出願前に頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された特開２００２−２６１３７９号公報（以下「引用刊行物」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
ア　「【０００５】・・・（略）・・・メッキ層の端部と電流非注入領域に間の金属電極層で、局部的に電流密度が非常に増大する現象が見られることが確認された。この局部的な電流密度の増大は、局部的な発熱の原因となり、この局部的な発熱によって、デバイスが破壊されることが確認された。
【０００６】この発明は、このような局部的な電流密度の増大、局部的な発熱を改善し、それに伴うデバイスの破壊を少なくできる改善された半導体デバイスを提案するものである。」
　
イ　「【００２０】
【発明の実施の形態】実施の形態１．図１は、この発明による半導体デバイスの実施の形態１を示す一部切断斜視図、図２はその断面図である。この半導体デバイスは、リッジ導波路型窓構造付きレーザダイオード１０であり、図２はそのリッジ導波路に沿った断面図である。このレーザダイオード１０は、矩形状であり、平坦な下主面１０ａおよびそれと対向する上主面１０ｂを有し、またリッジ導波路の延長方向に互いに平行で相対向する一対の端面１０ｃ、１０ｄを有し、さらにリッジ導波路の延長方向と直交する方向に互いに平行で相対向する一対の端面１０ｅ、１０ｆを有する。これらの端面１０ｃ、１０ｄ、１０ｅ、１０ｆは、ウエハをへき開して形成される。
【００２１】このレーザダイオード１０は、下主面１０ａを画定するＧａＡｓ基板１２、その上面全面に形成されたｎ形のＡｌＧａＡｓ（アルミニウムガリウム砒素）クラッド層１４、その上面に形成された活性層１６、光非吸収領域１８を含んでいる。光非吸収領域１８は、図２に示すように、活性層１６と同じ層として形成され、レーザダイオード１０の端面１０ｃ、１０ｄに隣接した端部に形成されている。この光非吸収領域１８は、活性層１６に比べて、より広い禁制帯幅を持つように構成される。この光非吸収領域１８は、レーザダイオード１０の端面１０ｃ、１０ｄに隣接し、幅Ａをもってその端面１０ｅから端面１０ｆまで延びている。」
　
ウ　「【００２４】活性層１６と光非吸収領域１８の上には、それらを覆うように、ｐ形のＡｌＧａＡｓ（アルミニウムガリウム砒素）クラッド層２０が形成され、このクラッド層２０には、リッジ導波路２１が形成される。このリッジ導波路２１は、レーザダイオード１０の上主面１０ｂにストリップ状に盛り上がって形成され、このリッジ導波路２１においてはクラッド層２０が他の部分よりも厚く形成されている。このクラッド層２０のリッジ導波路２１の頂面２１ａには、ＧａＡｓ（ガリウム砒素）コンタクト層２２と、電流非注入領域２４が形成されている。リッジ導波路２１の頂面の周辺部とリッジ導波路２１の側面、およびクラッド層２０のリッジ導波路２１以外の上面は、すべて絶縁膜２６で覆われている。
【００２５】電流非注入領域２４は、図２に示すように、リッジ導波路２１の頂面２１ａにおいて、レーザダイオード１０の端面１０ｃ、１０ｄに隣接して、光非吸収領域１８に上に重なる位置に形成されている。この電流非注入領域２４は、レーザダイオード１０の端面１０ｃ、１０ｄから、幅Ａをもって、リッジ導波路２１の頂面をその内部に向かって拡がっている。リッジ導波路２１の頂面の、電流非注入領域２４を除く部分は、コンタクト層２２で覆われている。電流非注入領域２４とコンタクト層２２の境界Ｂは、レーザダイオード１０の端面１０ｃ、１０ｄから、距離Ａとほぼ同程度だけリッジ導波路２１の内部方向に位置している。
【００２６】絶縁膜２６の上面は、主にＡｕ（金）からなる金属電極層２８によって覆われており、リッジ導波路２１の頂面２１ａは、その周辺部が絶縁膜２６で覆われているが、その中央に形成されたコンタクト孔の中には、絶縁膜２６が形成されていないため、金属電極層２８がコンタクト孔を介して直接リッジ導波路２１の頂面２１ａに接合する構造となっている。このリッジ導波路２１の頂面２１ａにおいて、金属電極層２６は、コンタクト層２２と電流非注入領域２４を覆うように形成され、それらにともに接合されている。金属電極層２８の上には、Ａｕ（金）からなるメッキ層３０が形成され、このメッキ層３０は、リッジ導波路２１の上およびその両側の金属電極層２８に接合している。このメッキ層３０には、図示しないが、レーザダイオードに対する陽極ワイヤがボンデイングされ、金属電極層２８に陽極電圧を印加し、コンタクト層２２を介して、クラッド層２０と活性層１６に陽極電位を与える。」
　
エ　「【００３０】メッキ層３０は、その両端に端面３０ａ、３０ｂを有する。この端面３０ａ、３０ｂは、レーザダイオード１０の端面１０ｃ、１０ｄと平行であり、この端面１０ｃ、１０ｄから所定距離だけ、レーザダイオード１０の内部に寄ったところに位置している。このメッキ層３０の端面３０ａ、３０ｂの位置について、図３に示すように、リッジ導波路２１の延長方向、すなわちレーザダイオード１０の端面１０ｃ、１０ｄに直交する方向において、コンタクト層２２と電流非注入領域２４との境界Ｂに対応する位置を原点０とし、端面３０ａ、３０ｂのこの原点０からの距離ｄを、レーザダイオード１０の内部に向かう方向、すなわちコンタクト層２２に向かう方向を正方向、また逆に原点０からレーザダイオード１０の端面１０ｃ、１０ｄに向かう方向、すなわち電流非注入領域２４に向かう方向を負方向として、定義する。なお、図３はレーザダイオード１０のリッジ導波路２１の端部の断面を示し、レーザダイオード１０の端面１０ｃ、１０ｄを１つの平面に重ねて示し、またメッキ層３０の端面３０ａ、３０ｂも互いに重ねた１つの端面として示している。」
　
オ　「【００４１】図７（ａ）（ｂ）は、距離ｄ＝０、すなわちメッキ層３０の端面を原点０に一致させたレーザダイオードについて、図６と同様に、デバイス内部の電流密度分布をポアソンの方程式と電流連続の関係を用いて、より厳密に計算した結果を示す。図７（ａ）は図３の左右方向（ｘ方向）の電流密度（アンペア／平方センチメータ）を、また図７（ｂ）は上下方向（ｙ方向）の電流密度（アンペア／平方センチメータ）を示す。横軸は何れもレーザダイオード１０の端面１０ｃ、１０ｄから、メッキ層３０の端面３０ａ、３０ｂまでの距離を示している。・・・（略）・・・。なお、電流非注入領域２４の、端面１０ｃ、１０ｄからの距離Ａは２０マイクロメータとした。矢印Ｃで示す領域は、メッキ層３０の存在する領域である。」
　
カ　メッキ層３０は、リッジ導波路２１に沿って形成されたストライプ状のものであること、が図１から見て取れる。
　
　よって、これらの記載を総合すると、引用刊行物には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている、と認められる。
　
「互いに平行で相対向する一対の端面１０ｃ、１０ｄを有するレーザダイオード１０であって、
　ＧａＡｓ基板１２の上面にｎ形のＡｌＧａＡｓクラッド層１４が形成され、その上面に前記端面１０ｃ、１０ｄに隣接した幅Ａの端部を光非吸収領域１８とした活性層１６が形成され、その上にｐ形のＡｌＧａＡｓクラッド層２０が形成され、このクラッド層２０にはリッジ導波路２１が形成され、このクラッド層２０のリッジ導波路２１の頂面２１ａには、ＧａＡｓコンタクト層２２と電流非注入領域２４が形成され、該電流非注入領域２４は、リッジ導波路２１の頂面２１ａにおいて、レーザダイオード１０の端面１０ｃ、１０ｄに隣接し、光非吸収領域１８の上に重なる位置に形成されており、
　前記リッジ導波路２１の頂面の周辺部とリッジ導波路２１の側面、およびクラッド層２０のリッジ導波路２１以外の上面は、すべて絶縁膜２６で覆われ、該絶縁膜２６の上面は、金属電極層２８によって覆われており、リッジ導波路２１の頂面２１ａは、その周辺部は絶縁膜２６で覆われているが、その中央に形成されたコンタクト孔の中には、絶縁膜２６が形成されていないため、金属電極層２８がコンタクト孔を介して直接リッジ導波路２１の頂面２１ａに接合する構造となっており、該金属電極層２８の上には、Ａｕからなるメッキ層３０が形成され、このメッキ層３０は、リッジ導波路２１の上およびその両側の金属電極層２８に接合しており、該メッキ層３０の端面３０ａ、３０ｂは、前記端面１０ｃ、１０ｄから所定距離だけ、レーザダイオード１０の内部に寄ったところに位置しており、該メッキ層３０は、金属電極層２８の上に、リッジ導波路２１に沿って形成されたストライプ状のものであり、
　前記コンタクト層２２と電流非注入領域２４との境界Ｂに対応する位置を原点０とし、前記メッキ層３０の端面３０ａ、３０ｂのこの原点０からの距離をｄとするとき、前記電流非注入領域２４の、端面１０ｃ、１０ｄからの距離Ａを２０マイクロメータとするとともに、前記距離ｄをｄ＝０、すなわちメッキ層３０の端面を原点０に一致させたレーザダイオード。」
　
３．対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
ア　引用発明の「活性層１６」、「リッジ導波路２１」及び「レーザダイオード」は、それぞれ、本願発明における「活性層」、「リッジ状の導波路」及び「リッジ導波路型半導体レーザ」に相当する。
　
イ　引用発明の「ｐ形のＡｌＧａＡｓクラッド層２０」は、活性層１６の上に形成され、リッジ導波路２１が形成されたものであるから、本願発明の「前記活性層の上に形成されてリッジ状の導波路を有する半導体層」に相当する。
　
ウ　引用発明の「絶縁膜２６」は、ｐ形のＡｌＧａＡｓクラッド層２０の上に形成されたものであるから、本願発明の「前記半導体層の上に形成された絶縁膜」に相当する。
　
エ　引用発明の「レーザダイオード」は、リッジ導波路２１の頂面２１ａの周辺部は絶縁膜２６で覆われているが、その中央に形成されたコンタクト孔の中には、絶縁膜２６が形成されていないため、金属電極層２８がコンタクト孔を介して直接リッジ導波路２１の頂面２１ａに接合する構造となっているから、引用発明の「金属電極層２８」は、本願発明の「前記絶縁膜に設けられた開口部を介して前記半導体層に接する第１の電極層」に相当する。
　
オ　引用発明の「メッキ層３０」は、金属電極層２８の上に形成され、リッジ導波路２１に沿って形成されたストライプ状のものであるから、本願発明の「前記第１の電極層の上に、前記導波路の方向に沿って形成されたストライプ状の第２の電極層」に相当する。
　
カ　引用発明の「レーザダイオード」は、「コンタクト層２２と電流非注入領域２４との境界Ｂに対応する位置を原点０とし、前記メッキ層３０の端面３０ａ、３０ｂのこの原点０からの距離をｄとするとき」、「前記距離ｄをｄ＝０」とするとともに、「前記電流非注入領域２４の、端面１０ｃ、１０ｄからの距離Ａを２０マイクロメータとする」ものであるから、引用発明は、本願発明の「共振器の端面から前記第２の電極層の端部までの距離が２０μｍ以内である」なる事項を備えている。
　
　よって、本願発明と引用発明とは、
「活性層と、
　前記活性層の上に形成されてリッジ状の導波路を有する半導体層と、
　前記半導体層の上に形成された絶縁膜と、
　前記絶縁膜に設けられた開口部を介して前記半導体層に接する第１の電極層と、
　前記第１の電極層の上に、前記導波路の方向に沿って形成されたストライプ状の第２の電極層とを備え、
　共振器の端面から前記第２の電極層の端部までの距離が２０μｍ以内であるリッジ導波路型半導体レーザ。」
の点で一致し、次の点で相違する。  
 　
相違点
　半導体層の上に形成された絶縁膜の膜厚が、本願発明では、２５０ｎｍ以下であるのに対し、引用発明では、その具体的な値が不明である点。
　　
４．判断  
　上記相違点につき検討する。
　上記引用刊行物には、ウエハをへき開してレーザダイオード１０の各端面１０ｃ、１０ｄ、１０ｅ、１０ｆを形成することが記載されているところ（上記２．イ【００２０】参照。）、半導体レーザに形成される絶縁膜の膜厚を５０ｎｍ〜２００ｎｍ程度となし、へき開を行って該半導体レーザの端面を形成する技術は本願の出願前に周知であり（例えば、特開２００２−２４６３３３号公報（【００２２】、【００２６】、図１）、特開平１１−３４０５７３号公報（【００１６】、【００２８】、【００３６】、【００３７】、図１、図４）、特開２０００−１１４６６４号公報（【０００９】、【００１２】（「より好ましくは０．１μｍ程度の膜厚」の記載参照。」）、図１）参照。）、この周知技術を引用発明に適用し、半導体層の上に形成された絶縁膜の膜厚を２５０ｎｍ以下となして上記相違点に係る本願発明の構成となすことは当業者が容易になし得ることである。
　
　そして、本願発明によってもたらされる効果は、引用発明及び上記周知技術から予測し得る程度のものである。  
 　  
　したがって、本願発明は、引用刊行物記載の発明及び周知技術から当業者が容易に発明をすることができたものである。  
　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。