(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に、被加工対象膜を形成する被加工対象膜形成工程と、
前記被加工対象膜の表面に、多結晶シリコン膜を形成する多結晶シリコン膜形成工程と、
前記多結晶シリコン膜の表面に酸化膜を形成する酸化膜形成工程と、
前記酸化膜の表面に、マスク用の絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
前記マスク用の絶縁膜の表面に、レジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、
前記レジスト膜に、ホールを形成するホール形成工程と、
前記ホール形成工程においてホールの形成された前記レジスト膜をマスクとして、前記マスク用の絶縁膜を、側壁部に斜度を設けたホールが形成されるようにエッチングする絶縁膜エッチング工程と、
前記絶縁膜エッチング工程においてエッチングされた前記マスク用の絶縁膜をマスクとして、前記酸化膜のエッチングを行う酸化膜エッチング工程と、
少なくとも前記酸化膜エッチング工程においてエッチングされた前記酸化膜をマスクとして、前記多結晶シリコン膜をエッチングする多結晶シリコン膜エッチング工程と、
前記多結晶シリコン膜エッチング工程において、エッチングされた前記多結晶シリコン膜をマスクとして、前記被加工対象膜にコンタクトホールを形成するコンタクトホール形成工程と、
を備えることを特徴とするホール形成方法。
【請求項２】
前記被加工膜形成工程の前に、前記基板に保護用の絶縁膜を形成する保護用絶縁膜形成工程と、
前記コンタクトホール形成工程の後、前記コンタクトホールの底部に露出する前記保護用の絶縁膜をエッチングにより除去する保護用絶縁膜除去工程と、
を備えることを特徴とする請求項１に記載のホール形成方法。
【請求項３】
前記マスク用の絶縁膜は、窒化膜であることを特徴とする請求項１または２に記載のホール形成方法。
【請求項４】
前記被加工対象膜は、酸化膜であることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のホール形成方法。
【請求項５】
前記保護用の絶縁膜は、窒化膜であることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載のホール形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、ホール形成方法に関する。さらに具体的には、基板に形成された絶縁膜にエッチングにより、微細なコンタクトホールを形成する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体装置の高集積化、微細化に伴い、半導体装置の製造工程において形成されるコンタクトホール等のホールについても微細化が要求されている。
【０００３】
図９（ａ）〜（ｃ）は、従来のコンタクトホール形成方法の各工程を説明するための断面模式図であり、図１０は、従来のコンタクトホール形成方法を説明するためのフロー図である。
以下、図９及び図１０を用いて、従来のコンタクトホールの形成方法について説明する。
【０００４】
まず、図９（ａ）に示すように、拡散層４を有する基板２に形成された酸化膜８の表面に、レジスト膜１４を形成する（ステップＳ４０）。その後、図９（ｂ）に示すように、レジスト膜１４に、露光、現像処理を行い、ホール１６を形成する（ステップＳ４２）。
【０００５】
次に、図９（ｃ）に示すように、ホール１６の形成されたレジスト膜１４をマスクとして、酸化膜８にエッチングを施す（ステップＳ４４）。その後、レジスト膜１４を除去する（ステップＳ４６）。このようにして、酸化膜８にコンタクトホール３０を形成することができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上述のように、コンタクトホール３０は、エッチングにより形成されるが、ここで、マスクとして用いられるのは、ホール１６の形成されたレジスト膜１４である。従って、コンタクトホール３０の大きさは、レジスト膜１４に形成されるホール１６の大きさによって左右されるため、コンタクトホール３０は、ホール１６より小さくすることができない。このため、上述のような方法により、微細なコンタクトホール２６を形成するためには、要求されるコンタクトホールより微細なホールをレジスト膜に形成しなければならない。
【０００７】
また、ホール１６の寸法の制限は、レジスト膜１４にレジストパターン１６を形成する際に用いる露光装置の解像度Ｒによって決定される。従って、微細なレジストパターンを形成するためには、露光装置の解像度Ｒを高くする必要がある。
【０００８】
また、露光装置の解像度Ｒは、一般に、Ｒ＝ｋ・λ／ＮＡと表され、使用されるレジストや、光源、レンズの開口数により決定される。なお、ここで、ｋは、レジストにより決定される係数、λは、光源の波長、ＮＡはレンズの開口数を示す。従って、解像度Ｒを高くするには、レジストや、光源、レンズの開口数を変化させる必要がある。しかし、レジストや光源の波長やレンズの開口数の変化により解像度Ｒを高くするには限界があるため、必ずしも、微細化するコンタクトホールの形成に対応できる微細なホールをレジスト膜に形成できない場合がある。
【０００９】
従って、この発明は、露光装置の解像度の制限による、コンタクトホールの微細化の制限を越えて、より微細なコンタクトホールを形成することを目的として、改良したコンタクトホールの形成方法を提案するものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
この発明におけるホール形成方法は、基板に、被加工対象膜を形成する被加工対象膜形成工程と、
前記被加工対象膜の表面に、多結晶シリコン膜を形成する多結晶シリコン膜形成工程と、
前記多結晶シリコン膜の表面に酸化膜を形成する酸化膜形成工程と、
前記酸化膜の表面に、マスク用の絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
前記マスク用の絶縁膜の表面に、レジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、
前記レジスト膜に、ホールを形成するホール形成工程と、
前記ホール形成工程においてホールの形成された前記レジスト膜をマスクとして、前記マスク用の絶縁膜を、側壁部に斜度を設けたホールが形成されるようにエッチングする絶縁膜エッチング工程と、
前記絶縁膜エッチング工程においてエッチングされた前記マスク用の絶縁膜をマスクとして、前記酸化膜のエッチングを行う酸化膜エッチング工程と、
少なくとも前記酸化膜エッチング工程においてエッチングされた前記酸化膜をマスクとして、前記多結晶シリコン膜をエッチングする多結晶シリコン膜エッチング工程と、
前記多結晶シリコン膜エッチング工程において、エッチングされた前記多結晶シリコン膜をマスクとして、前記被加工対象膜にコンタクトホールを形成するコンタクトホール形成工程と、
を備えるものである。
【００１１】
また、この発明におけるホール形成方法は、前記被加工膜形成工程の前に、前記基板に保護用の絶縁膜を形成する保護用絶縁膜形成工程と、
前記コンタクトホール形成工程の後、前記コンタクトホールの底部に露出する前記保護用の絶縁膜をエッチングにより除去する保護用絶縁膜除去工程と、
を備えるものである。
【００１２】
また、この発明におけるホール形成方法は、前記マスク用の絶縁膜が、窒化膜であるものである。
【００１４】
また、この発明におけるホール形成方法は、前記被加工対象膜が、酸化膜であるものである。
【００１５】
また、この発明におけるホール形成方法は、前記保護用の絶縁膜が、窒化膜であるものである。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下図面を参照して、この発明の実施の形態について説明する。なお、各図において、同一または相当する部分には同一符号を付してその説明を省略ないし簡略化する。
【００１７】
実施の形態１．
図１は、この発明の実施の形態１におけるホール形成前の積層状態を示す断面模式図である。
【００１８】
図１において、拡散層４が形成されたＳｉ基板２の表面には、窒化膜６が形成されている。窒化膜６は、後に説明する多結晶シリコン膜１０の除去の際、Ｓｉ基板２に形成された拡散層４を保護するための保護膜である。また、窒化膜６の表面には、酸化膜８が形成されている。酸化膜８は、実施の形態１において、コンタクトホールを形成する対象となる被加工膜である。
【００１９】
酸化膜８の表面には、多結晶シリコン膜１０が形成されている。多結晶シリコン膜１０の厚さは約３００ｎｍである。また、多結晶シリコン膜１０の表面には、窒化膜１２が形成されている。窒化膜１２の厚さは、約１００ｎｍ〜２００ｎｍである。さらに、窒化膜１２の表面には、レジスト膜１４が形成されている。
【００２０】
このようにして、被加工膜である酸化膜８の表面に形成された、多結晶シリコン膜１０、窒化膜１２及びレジスト膜１４が、実施の形態１において、酸化膜８にコンタクトホールを形成する際のマスクとしての役割を果たす。
【００２１】
図２は、この発明の実施の形態１における酸化膜８にコンタクトホール２２が形成された状態を示す断面模式図である。但し、図２においては、コンタクトホール２２を形成する際、マスクとして用いられ、コンタクトホール２２の形成後は、実際には除去されている膜をも表している。さらに、図２においては、各膜のエッチングの際、マスクとして用いられる膜のホール部分が、左右方向にもエッチングされて後退することによる、ホールの大きさの広がりについては、無視して表されている。
【００２２】
図２において、レジスト膜１４には、ホール１６が形成されている。ホール１６は、実際に要求されるコンタクトホール２２よりも大きく形成されている。なお、ホール１６の形成されたレジスト膜１４は、その下層の窒化膜１２をエッチングする際に、マスクとして用いられた後、除去される膜である。
【００２３】
窒化膜１２には、ホール１６の形成されたレジスト膜１４をマスクとして形成されたホール１８が設けられている。ホール１８は、側壁に斜度を設けたテーパー形状のホールである。即ち、ホール１８は、窒化膜１２がレジスト膜１４に接する部分においては、コンタクトホール２２よりも大きなレジスト膜１４のホール１６と同じ大きさに開口している。一方、多結晶シリコン膜１０に接する部分においては、実際に酸化膜に形成されるコンタクトホール２２の大きさと、後に続くエッチングの際、ホール部分が左右方向にエッチングされる量とを考慮して、要求されるコンタクトホール２２より小さく開口している。
なお、窒化膜１２は、多結晶シリコン膜１０のエッチングの際、マスクとして用いられた後、除去される膜である。
【００２４】
多結晶シリコン膜１０には、窒化膜１２をマスクとして形成されたホール２０が形成されている。ホール２０は、エッチングの際に左右方向にエッチングされる量を考慮して、実際のコンタクトホール２２の大きさより小さく開口されている。また、ホール２０は、Ｓｉ基板２表面に対して、側壁の垂直な通常のホール形状を有する。なお、多結晶シリコン膜１０は、酸化膜８のエッチングの際、マスクとして用いられた後、除去される膜である。
【００２５】
酸化膜８及び窒化膜６には、レジスト膜１４に形成されたホール２４より微細なコンタクトホール２２及び２４が形成されている。
【００２６】
図３（ａ）〜（ｅ）、図４（ａ）〜（ｄ）は、この発明の実施の形態１におけるパターン形成の各工程を示す断面模式図であり、図３（ａ）〜（ｅ）は、ホール形成のため、各膜を積層する工程を示し、図４（ａ）〜（ｄ）は、各膜に、パターニングを行う工程を示す。また、図５は、実施の形態１により、コンタクトホール２２の形成された酸化膜８を含む基板を示す断面模式図であり、図６は、コンタクトホール形成方法を説明するためのフロー図である。
以下、図３〜図６を用いて、この発明の実施の形態１におけるホール形成方法について説明する。
【００２７】
まず、図３（ａ）に示すように、拡散層４の形成されたＳｉ基板２の表面に、ＣＶＤ法により、窒化膜６を形成する（ステップＳ２）。この窒化膜６は、多結晶シリコン膜１０の除去の際、拡散層４を保護する保護膜となる。
【００２８】
次に、図３（ｂ）に示すように、窒化膜６の表面に、ＣＶＤ法により、酸化膜８を形成する（ステップＳ４）。この酸化膜８は、コンタクトホールを形成する被加工膜となる。
【００２９】
次に、図３（ｃ）に示すように、酸化膜８の表面に、多結晶シリコン膜１０を形成する（ステップＳ６）。多結晶シリコン膜１０は、３００ｎｍ厚さに、ＣＶＤ法を用いて形成される。
【００３０】
次に、図３（ｄ）に示すように、多結晶ポリシリコン膜１０の表面に、窒化膜１２を形成する（ステップＳ８）。窒化膜１２は、約１００ｎｍ〜２００ｎｍの厚さに、ＣＶＤ法を用いて形成される。
【００３１】
次に、図３（ｅ）に示すように、窒化膜１２の表面に、レジスト膜１４を形成する（ステップＳ１０）。レジスト膜１４は、塗布機（コーター）により窒化膜１２の表面に塗布される。
【００３２】
続いて、図４（ａ）に示すように、ホール１６を形成する（ステップＳ１２）。ここでは、縮小投影露光装置を用いてレジスト膜１４を露光し、これを現像処理することにより、レジスト膜１４にマスクパターンを転写し、ホール１６を形成する。ここで形成するホール１６の径は、実際に要求されるコンタクトホール２２の径より大きくなっている。
【００３３】
次に、図４（ｂ）に示すように、ホール１６の形成されたレジスト膜１４をマスクとして、窒化膜１２のエッチングを行う（ステップＳ１４）。これにより、側壁に斜度の設けられたテーパー形状のホール１８が形成される。即ち、窒化膜１２は、レジスト膜１４と接する上側部分においては、ホール１６と同じ大きさに開口され、一方、多結晶シリコン膜１０と接する下側部分においては、実際に要求されるコンタクトホール２２より小さく開口される。ホール１８の下側部分を、実際に形成するコンタクトホール２２の大きさより小さく開口するのは、続くエッチングにより、窒化膜１２が、ホール１８部分から、左右方向にエッチングされ、ホールが広がる量を考慮したためである。なお、ここでは、エッチングガスとして、ＣＨＦ３、ＣＦ４を用いる。また、レジスト膜１４のホール１６の大きさと、コンタクトホール２２の大きさ等を考慮して、エッチング中の電力や気圧等のエッチング条件を調整する。
【００３４】
次に、図４（ｃ）に示すように、窒化膜１２にホール１８を形成した後、レジスト膜１４を除去する（ステップＳ１６）。
その後、テーパー形状のホール１８の形成された窒化膜１２をマスクとして、多結晶シリコン膜１０のエッチングを行う（ステップ１８）。これにより、多結晶シリコン膜１０には、窒化膜１２に形成されたテーパー形状のホール２０の、先端の細くなっている部分と同じ大きさのホール２０が形成される。なお、ここでは、エッチングガスとして、ＨＢｒ、Ｃｌ２を用いる。また、窒化膜２０とのエッチング選択比は、１０である。
【００３５】
次に、図４（ｄ）に示すように、多結晶シリコン膜１０にホール２０を形成した後、窒化膜１２を除去する（ステップＳ２０）。ここでは、エッチングガスとして、高温のリン酸液あるいはＣＦ４、Ｎ２、Ｏ２ガスを用いたケミカルドライエッチング装置により、窒化膜１２のみを選択的に除去する。
その後、酸化膜８のエッチングを行う（ステップ２２）。これにより、酸化膜８にコンタクトホール２２が形成される。ここでは、ホール２０の形成された多結晶シリコン膜１０をマスクとして、酸化膜８のエッチングを行う。エッチングガスとしては、Ｃ５Ｆ８、Ｏ２ガスを用いる。また、多結晶シリコンとの選択比は、１５〜２０である。
【００３６】
次に、図５に示すように、多結晶シリコン膜１０を除去する（ステップＳ２４）。ここでは、ＨＢｒ、Ｃｌ２をエッチングガスとして、コンタクトホール２２の底の窒化膜６とのエッチング選択比を１０として、エッチングを行って、多結晶シリコン膜を除去する。なお、多結晶シリコン膜１０の除去の際、窒化膜６により、拡散層４を傷つけるのを防ぐことができる。
続いて、酸化膜８に形成されたパターン１２の開口部の底にある窒化膜６をエッチングする（ステップ２６）。これによって、窒化膜６に、ホール２４が形成される。
【００３７】
以上のようにして、コンタクトホール２２を形成することができる。このように、酸化膜８とレジスト膜１４との間に形成された窒化膜１２を、テーパー形状にパターニングすれば、露光装置の解像度Ｒによって決まるホールの寸法の限界よりも、さらに微細なコンタクトホールを形成することができる。
【００３８】
また、多結晶シリコン膜１０を直接テーパー形状にパターニングして、これをマスクとして酸化膜８をエッチングすると、テーパー形状の下側部分である酸化膜８と接する部分の厚さは薄くなっているため、エッチングの際、後退してしまう。このため、多結晶シリコン膜１０を直接マスクとして、酸化膜８をエッチングすると、酸化膜８に形成されるコンタクトホール２２の大きさが大きくなってしまうことが考えられる。
しかし、上述した方法によれば、多結晶シリコン膜１０の上に、さらに、窒化膜１２を設けて、窒化膜１２をテーパー形状にパターニングし、これをマスクに多結晶シリコン膜１０に、側壁が基板に対して垂直な、通常の形状のホール２０を形成する。さらに、この多結晶シリコン膜１０をマスクとして、酸化膜８にコンタクトホール２２を形成する。従って、多結晶シリコン膜１０のホール２０部分からの左右方向への大きな後退を抑え、微細なコンタクトホールを形成することができる。
【００３９】
なお、実施の形態１においては、窒化膜１２のエッチング後、レジスト膜を除去し、多結晶シリコン膜１０のエッチング後、窒化膜１２を除去する場合について説明した。しかし、例えば、多結晶シリコン膜１０のエッチングの後、レジスト膜１４及び窒化膜１２を除去する等、マスクとして用いた膜の除去のタイミングは、実施の形態１において説明したものに限るものではない。
【００４０】
また、実施の形態１において、拡散層４を保護するための保護膜として、窒化膜６を用いたが、多結晶シリコン１０との選択比を考慮し、多結晶シリコン膜１０の除去の際拡散層４を保護できるものであれば、窒化膜に限るものではない。また、窒化膜６を形成しないものであってもよい。
【００４１】
また、コンタクトホール２２を形成する被加工対象膜として、酸化膜８を用いて説明したが、被加工対象膜は、酸化膜に限るものではない。また、テーパー形状のホール１８を形成するマスク用の膜として、窒化膜を用いて説明したが、この膜は、窒化膜に限らず、他の絶縁膜であってもよい。
【００４２】
また、ここでは、窒化膜１２は、約１００〜２００ｎｍ、多結晶シリコン膜１０は、３００ｎｍの厚さを備える。窒化膜１２の厚さＸは、多結晶シリコン膜の厚さＹと以下の式（１）の関係にあることが望ましいと考えられる。
Ｘ＞Ｙ／Ｓ            ・・・・（１）
なお、ここで、Ｓは、選択比、即ち、多結晶シリコンのエッチレートを窒化膜のエッチレートで割った値である。
しかし、必ずしもこの数値にかぎるものではなく、レジスト膜１４のホール１６の大きさや、窒化膜１２に形成すべきテーパー形状等を考慮して厚さを決定するものであればよい。
【００４３】
また、実施の形態１においては、窒化膜６、１２、酸化膜８、多結晶シリコン膜１０を全てＣＶＤ法により形成した。しかし、これらの形成方法に限るものでなく、正確に各膜を形成するものであれば、例えば多結晶シリコン膜を、スパッタ法で形成するなど、他の方法により形成するものであってもよい。
【００４４】
また、実施の形態１において、各エッチングの条件について説明したが、ホールを形成できるものであれば、エッチングの条件は、実施の形態１において説明したものに限るものではない。
【００４５】
実施の形態２．
図７は、この発明の実施の形態２における酸化膜８にコンタクトホール２２が形成された状態を示す断面模式図である。但し、図７においては、コンタクトホール２２を形成する際、マスクとして用いられ、コンタクトホール２２の形成後は、実際には除去されている膜をも表している。さらに、図７においては、各膜のエッチングの際、マスクとして用いられる膜がホール部分から、左右方向にエッチングされて後退することによる、ホールの大きさの広がりについては、無視して表されている。
【００４６】
実施の形態２における、コンタクトホール２２の形成方法は、実施の形態１において説明したものと類似している。ただし、図７に示すように、この実施の形態においては、多結晶シリコン膜１０と窒化膜１４との間に、酸化膜２６を形成する。この酸化膜２６も、被加工膜である酸化膜８にコンタクトホール２２を形成するためのマスクとして用いられる。
【００４７】
図８は、この発明の実施の形態２におけるコンタクトホール２２の形成方法を説明するためのフロー図である。
以下、図８を用いて、実施の形態２におけるコンタクトホールの形成方法を説明する。
【００４８】
まず、実施の形態１と同様に、Ｓｉ基板２に形成された拡散層４の上に、窒化膜６、酸化膜８、多結晶シリコン膜１０を形成する（ステップＳ２〜Ｓ６）。
【００４９】
次に、実施の形態２においては、多結晶シリコン膜１０の表面に、まず、酸化膜２６を形成する（ステップＳ２８）。酸化膜２６は、約５０ｎｍの厚さに、ＣＶＤ法により形成される。
【００５０】
次に、酸化膜２６の上に、実施の形態１と同様に、窒化膜１２、レジスト膜１４を形成する（ステップＳ８〜Ｓ１０）。続けて、レジスト膜１４にホール１６を形成し（ステップＳ１２）、レジスト膜１４をマスクに窒化膜１２をエッチングして、テーパー形状のホール１８を形成する（ステップ１４）。
【００５１】
次に、実施の形態２においては、窒化膜１２をマスクとして、酸化膜２６のエッチングを行う（ステップＳ３０）。これによって、酸化膜２６には、コンタクトホール２２の大きさと、エッチングの際左右方向にエッチングされる量とを考慮して、実際に形成するコンタクトホール２２より小さなホール２８が形成される。なお、ここでは、Ｃ５Ｆ８とＯ２の雰囲気中、選択比１０〜２０の条件下でエッチングを行う。
【００５２】
次に、実施の形態１と同様に、レジスト膜１４を除去し（ステップＳ１６）、窒化膜１２及び酸化膜２６をマスクとして、多結晶シリコン膜１０のエッチングを行う（ステップＳ１８）。その後、窒化膜１２を除去する（ステップＳ２０）。
【００５３】
次に、実施の形態２においては、酸化膜２６の除去を行う（ステップＳ３２）。
【００５４】
さらに、実施の形態１と同様に、多結晶シリコン膜１０をマスクとして、酸化膜８のエッチング（ステップＳ２２）、多結晶シリコン膜１０の除去（ステップＳ２４）、窒化膜６のエッチング（ステップＳ２６）を行い、実施の形態２におけるコンタクトホール形成方法によるコンタクトホール２２が形成される。
【００５５】
以上のように、酸化膜８とレジスト膜１４との間に形成された窒化膜１２を、テーパー形状にパターニングすれば、露光装置の解像度Ｒによって決まるホールの寸法の限界よりも、さらに微細なコンタクトホール２２を形成することができる。
【００５６】
また、実施の形態２によれば、窒化膜１２と多結晶シリコン膜１０との間に酸化膜２６を設ける。これにより、多結晶シリコン膜１０をエッチングする際、酸化膜２６はほとんどエッチングされないため、エッチングのプラズマ方式や条件によっては、多結晶シリコン膜１０のエッチングの際、１００以上の選択比をとることができる。
【００５７】
なお、酸化膜２６の形成方法や、エッチング条件は、実施の形態２において説明したものに限るものではない。例えば、エッチングは、Ｃ４Ｆ８とＯ２ガスの雰囲気中や、ＣＨＦ３とＣＦ４とＯ２ガスの雰囲気中で行うもの等であってもよい。
【００５８】
なお、この発明において、基板には、例えば、実施の形態１、２におけるＳｉ基板２が該当し、被加工対象膜には、例えば、酸化膜８が該当し、保護用の絶縁膜には、例えば、窒化膜６が該当する。また、この発明において、マスク用の絶縁膜には、例えば、実施の形態１、２における窒化膜１２が該当する。
【００５９】
また、例えば、実施の形態１、２においてステップＳ４を実施することにより、この発明における被加工対象膜形成工程が実施され、例えば、ステップＳ６を実施することにより、多結晶シリコン膜形成工程が実施される。また、例えば、実施の形態１においてステップＳ８、あるいは、実施の形態２においてステップＳ２８及びステップＳ８を実施することにより、この発明における絶縁膜形成工程が実施される。また、例えば、実施の形態１、２においてステップＳ１０を実施することにより、この発明におけるレジスト膜形成工程が実施される。
【００６０】
また、例えば、実施の形態１、２において、ステップＳ１２を実施することにより、この発明におけるホール形成工程が実施され、例えば、ステップＳ１４を実施することにより、絶縁膜エッチング工程が実施され、例えば、ステップＳ１８を実施することにより、多結晶シリコン膜エッチング工程が実施される。また、例えば実施の形態１、２においてステップＳ２２を実施することにより、この発明におけるコンタクトホール形成工程が実施される。
【００６１】
また、例えば、この実施の形態１、２においてステップＳ２を実施することにより、この発明における保護用絶縁膜形成工程が実施され、例えば、ステップＳ２６を実施することにより、保護用絶縁膜除去工程が実施される。
【００６２】
また、例えば、この実施の形態２においてステップＳ２８を実施することにより、この発明における酸化膜形成工程が実施され、例えば、ステップＳ３０を実施することにより、酸化膜エッチング工程が実施される。
【００６３】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明によれば、レジスト膜と被加工対象膜との間にマスク用の絶縁膜を形成し、この絶縁膜に、側壁部に斜度を設けたホールを形成し、これを基に、被加工対象膜にコンタクトホールを形成する。従って、露光装置の解像度によって決定される、ホールの微細化の限界を超えて、さらに微小なコンタクトホールを形成することができる。
【００６４】
また、この発明によれば、多結晶シリコン膜の上に、さらに、マスク用の絶縁膜を設けて、絶縁膜に、側壁部に斜度を設けたホールを形成するようにエッチングし、この絶縁膜をマスクとして多結晶シリコン膜に、側壁が基板に対して垂直な、通常の形状のホールを形成する。さらに、この多結晶シリコン膜をマスクとして、被加工対象膜にコンタクトホールを形成する。従って、多結晶シリコン膜のホール部分からの左右方向への大きな後退を抑え、より微細なコンタクトホールを形成することができる。
【００６５】
また、この発明において、マスク用の絶縁膜としての窒化膜と、多結晶シリコン膜との間に酸化膜を設けるものについては、多結晶シリコン膜のエッチングの際、１００以上の選択比を取ることができる。従って、より微細なコンタクトホールを形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施の形態１におけるホール形成前の積層状態を示す断面模式図である。
【図２】この発明の実施の形態１において、酸化膜にコンタクトホールが形成された状態を示す断面模式図である。
【図３】この発明の実施の形態１におけるホール形成の各工程を示す断面模式図である。
【図４】この発明の実施の形態１におけるホール形成の各工程を示す断面模式図である。
【図５】この発明の実施の形態１において、コンタクトホールの形成された酸化膜を含む基板を示す断面模式図である。
【図６】この発明の実施の形態１におけるコンタクトホールの形成方法を説明するためのフロー図である。
【図７】この発明の実施の形態２において、酸化膜にコンタクトホールが形成された状態を示す断面模式図である。
【図８】この発明の実施の形態２におけるコンタクトホールの形成方法を説明するためのフロー図である。
【図９】従来のコンタクトホール形成方法の各工程を説明するための断面模式図である。
【図１０】従来のコンタクトホール形成方法を説明するためのフロー図である。
【符号の説明】
２  基板
４  拡散層
６  保護用の窒化膜
８  酸化膜
１０  多結晶シリコン膜
１２  窒化膜
１４  レジスト膜
１６〜２０  ホール
２２  コンタクトホール
２４  ホール
２６  酸化膜
２８  ホール
３０  コンタクトホール
【図１】
0003585039.tif 000002
【図２】
0003585039.tif 000003
【図３】
0003585039.tif 000004
【図４】
0003585039.tif 000005
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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