(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を水平に保持する保持台と、
一端部から処理液が供給され、該処理液を他端部から前記基板に対し供給する供給管と、
内部に温調水が流通され、前記供給管の他端部付近を温度調整する第１温調部と、
内部に前記第１温調部から排出された前記温調水が流通され、前記供給管の一端部付近を温度調整する第２温調部と
を具備することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
内部をダミー用液が循環するダミー配管と、
内部に温調水が流通され、前記ダミー配管の一部を温度調整する第３温調部とを更に具備し、
前記第３温調部から排出された前記温調水は、前記第２温調部に供給され、前記第２温調部は、前記ダミー配管の他の一部を温度調整することを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記第１温調部に対して供給する温調水の温度制御を行う温度制御手段を更に具備し、
前記第２温調部から排出された温調水は、前記温調制御手段へ再供給されることを特徴とする請求項１または請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】
基板にレジストを塗布またはレジストが塗布された基板を現像する基板処理装置であって、
基板を水平に保持する保持台と、
この保持台に保持された基板に対しレジスト液または現像液を供給する複数のノズルと、
これら複数のノズルに供給されるレジスト液または現像液を、温調水を用いてまとめて温調するマニホールドと、
このマニホールドに対し温調された前記温調水を供給する手段と、
前記マニホールドと前記温調水を供給する手段との間を循環する温調水を用いてレジスト液または現像液を予備に温調する予備温調部と
を具備することを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
前記温調水を供給する手段は、前記温調水を循環させるためのポンプと、
前記循環させる温調水を所定の温度に温調する温調部とを具備することを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記マニホールドの温度を検出するセンサと、
前記センサにより検出された温度に応じて、前記温調水を供給する手段における前記ポンプおよび前記温調部のうちの少なくとも―方を制御する制御部と
を具備することを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記温調部は、温調水を所定の温度に温調するための温調素子および冷却水供給機構を具備することを特徴とする請求項５または６に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記マニホールドと前記温調水を供給する手段とが隣接して配置されていることを特徴とする請求項４から請求項７のいずれか1項に記載の基板処理装置。
【請求項９】
基板を水平に保持する保持台と、
一端部から処理液が供給され、他端部に設けられたノズルから処理液を前記基板に対し供給する供給管と、
前記処理液に近い温度変化を示す液体が循環するダミー配管と、
内部に温調水が流通され、前記供給管の他端部付近および前記ダミー配管の一部を覆う、長さが同一な各々の温調部と、
前記ダミー配管の温調部内に設けられ、温調水の温度を測定する温度センサと、
この温度センサの検知結果に基づいて温調水の温度を調整し、かつ温調された温調水を前記各々の温調部に対して供給する温調水調整部と、
この温調水調整部における温調水の温度を制御する制御部と
を有し、
前記温度センサが配置される位置は、前記供給管のノズルの位置に相当していることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１０】
内部に温調水が流通され、前記供給管の一端部付近および前記ダミー配管の他の一部を予備に温度調整する予備温調部を有し、
前記各々の温調部から排出された温調水は、前記予備温調部に供給されることを特徴とする請求項９に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハ等の被処理基板にレジスト液や現像液等の液剤を塗布する塗布装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィ工程においては、半導体ウエハ（以下、「ウエハ」という）の表面にレジスト膜を形成するレジスト塗布処理と、レジスト塗布後のウエハに対し露光処理を挟んで現像処理が行われる。
【０００３】
レジスト塗布処理について注目すると、ウエハ表面にレジスト液を均一に塗布するための方法としてスピンコーティング法などが多用されている。このスピンコーティング法によるレジスト塗布は、ウエハをスピンチャックにて真空吸着した状態で回転させ、その回転中心の真上からウエハ表面にレジスト液をノズルから滴下、供給し、遠心力によってウエハ中心からその周囲全域にレジスト液を広げることによって行われる。この種のレジスト塗布装置では、レジスト膜の膜質などを考慮して、所望の温度に調整したレジスト液をウエハ上に供給する。このようなレジスト液の温度調整は、例えば、レジスト液が吐出するノズル先端付近に設けられた温調配管により行っている。ノズル先端付近では、レジスト液が通るレジスト液配管を囲むように温調配管が配置され、温調配管に温度調整された例えば純水を通すことにより、間接的にレジスト液に対し温度調整が施される。温調配管内の純水は、温度調整に用いられた後、温度調整部に送液され、温度調整部にて再度温度調整されて、温調配管内に再度供給される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このようなレジスト塗布装置においては、温調前のレジスト液の温度とレジスト液塗布時の所望塗布温度とに大幅に差があると、温調配管に流す純水の温度を高く設定する必要があり、多大なエネルギーが必要であった。
【０００５】
本発明はこのような課題を解決するためのもので、効率良く、被処理基板に塗布するレジスト液等の処理液を所望の温度にて供給することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明の基板処理装置は、基板を水平に保持する保持台と、一端部から処理液が供給され、該処理液を他端部から前記基板に対し供給する供給管と、内部に温調水が流通され、前記供給管の他端部付近を温度調整する第１温調部と、内部に前記第１温調部から排出された前記温調水が流通され、前記供給管の一端部付近を温度調整する第２温調部とを具備することを特徴とする。
【０００７】
本発明のこのような構成によれば、基板に供給される直前の処理液の温度調整に対して用いられた温調水を、供給管に供給された直後の処理液の温度調整に再利用することにより、効率良く処理液を温度調整することができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。
【０００９】
図１〜図３は本発明の実施形態である基板処理装置としてのレジスト塗布装置が採用された半導体ウエハ（以下、「ウエハ」という）の塗布現像処理システム１の全体構成の図であって、図１は平面、図２は正面、図３は背面を夫々示している。
【００１０】
この塗布現像処理システム１は、被処理基板としてウエハＷをウエハカセットＣＲで複数枚、例えば２５枚単位で外部からシステムに搬入したり、あるいはシステムから搬出したり、ウエハカセットＣＲに対してウエハＷを搬入・搬出したりするためのカセットステーション１０と、塗布現像工程の中で１枚ずつウエハＷに所定の処理を施す枚葉式の各種処理ユニットを所定位置に多段配置してなる処理ステーション１１と、この処理ステーション１１に隣接して設けられる露光装置（図示せず）との間でウエハＷを受け渡しするためのインターフェース部１２とを一体に接続した構成を有している。
【００１１】
前記カセットステーション１０では、図１に示すように、カセット載置台２０上の位置決め突起２０ａの位置に、複数個例えば４個までのウエハカセットＣＲが、夫々のウエハ出入口を処理ステーション１１側に向けてＸ方向（図１中の上下方向）一列に載置され、このカセット配列方向（Ｘ方向）およびウエハカセッ卜ＣＲ内に収納されたウエハのウエハ配列方向（Ｚ方向；垂直方向）に移動可能なウエハ搬送体２１が各ウエハカセットＣＲに選択的にアクセスするようになっている。
【００１２】
さらにこのウエハ搬送体２１は、θ方向に回転自在に構成されており、後述するように処理ステーション１１側の第３の処理ユニット群Ｇ３  の多段ユニット部に属するアライメントユニット（ＡＬＩＭ）およびイクステンションユニット（ＥＸＴ）にもアクセスできるようになっている。
【００１３】
前記処理ステーション１１には、図１に示すように、ウエハ搬送装置を備えた垂直搬送型の主ウエハ搬送機構２２が設けられ、その周りに全ての処理ユニットが１組または複数の組に亙って多段に配置されている。
【００１４】
主ウエハ搬送機構２２は、図３に示すように、筒状支持体４９の内側に、ウエハ搬送装置４６を上下方向（Ｚ方向）に昇降自在に装備している。筒状支持体４９はモータ（図示せず）の回転軸に接続されており、このモータの回転駆動力によって、前記回転軸を中心としてウエハ搬送装置４６と一体に回転し、それによりこのウエハ搬送装置４６は、θ方向に回転自在となっている。なお筒状支持体４９は前記モータによって回転される別の回転軸（図示せず）に接続するように構成してもよい。
【００１５】
ウエハ搬送装置４６は、搬送基台４７の前後方向に移動自在な複数本の保持部材４８を備え、これらの保持部材４８によって各処理ユニット間でのウエハＷの受け渡しを実現している。
【００１６】
また、この例では、５つの処理ユニット群Ｇ１  、Ｇ２  、Ｇ３  、Ｇ４  、Ｇ５  が配置可能な構成であり、第１および第２の処理ユニット群Ｇ１  、Ｇ２  の多段ユニットは、システム正面（図１において手前）側に配置され、第３の処理ユニット群Ｇ３  の多段ユニットはカセットステーション１０に隣接して配置され、第４の処理ユニット群Ｇ４  の多段ユニットはインターフェース部１２に隣接して配置され、第５の処理ユニット群Ｇ５  の多段ユニットは背面側に配置されることが可能である。
【００１７】
図２に示すように、第１の処理ユニット群Ｇ１  では、カップＣＰ内でウエハＷをスピンチャックに載せて所定の処理を行う２台のスピンナ型処理ユニット、例えばレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）および現像ユニット（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ねられている。第２の処理ユニット群Ｇ２  でも、２台のスピンナ型処理ユニット、例えばレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）および現像ユニット（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ねられている。これらレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）は、レジスト液の排液が機構的にもメンテナンスの上でも面倒であることから、このように下段に配置するのが好ましい。しかし、必要に応じて適宜上段に配置することももちろん可能である。更に、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）の下部には、処理液としてのレジスト液などが設置されたケミカルエリア１３が設けられている。
【００１８】
図３に示すように、第３の処理ユニット群Ｇ３  では、ウエハＷを載置台ＳＰに載せて所定の処理を行うオーブン型の処理ユニット、例えば冷却処理を行うクーリングユニット（ＣＯＬ）、レジストの定着性を高めるためのいわゆる疏水化処理を行うアドヒージョンユニット（ＡＤ）、位置合わせを行うアライメントユニット（ＡＬＩＭ）、イクステンションユニット（ＥＸＴ）、露光処理前の加熱処理を行うプリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）および露光処理後の加熱処理を行うポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が、下から順に例えば８段に重ねられている。第４の処理ユニット群Ｇ４  でも、オーブン型の処理ユニット、例えばクーリングユニット（ＣＯＬ）、イクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）、イクステンションユニット（ＥＸＴ）、クーリングユニッ卜（ＣＯＬ）、プリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）およびポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が下から順に、例えば８段に重ねられている。
【００１９】
このように処理温度の低いクーリングユニット（ＣＯＬ）、イクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）を下段に配置し、処理温度の高いベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）、ポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）およびアドヒージョンユニット（ＡＤ）を上段に配置することで、ユニット間の熱的な相互干渉を少なくすることができる。もちろん、ランダムな多段配置としてもよい。
【００２０】
前記インターフェース部１２は、奥行方向（Ｘ方向）については、前記処理ステーション１１と同じ寸法を有するが、幅方向についてはより小さなサイズに設定されている。そしてこのインターフェース部１２の正面部には、可搬性のピックアップカセットＣＲと、定置型のバッファカセットＢＲが２段に配置され、他方背面部には周辺露光装置２３が配設され、さらにまた中央部にはウエハ搬送体２４が設けられている。このウエハ搬送体２４は、Ｘ方向、Ｚ方向に移動して両カセットＣＲ、ＢＲおよび周辺露光装置２３にアクセスするようになつている。前記ウエハ搬送体２４は、θ方向にも回転自在となるように構成されており、前記処理ステーション１１側の第４の処理ユニット群Ｇ４  の多段ユニットに属するイクステンションユニット（ＥＸＴ）や、さらには隣接する露光装置側のウエハ受渡し台（図示せず）にもアクセスできるようになっている。
【００２１】
また前記塗布現像処理システム１では、既述の如く主ウエハ搬送機構２２の背面側にも破線で示した第５の処理ユニット群Ｇ５  の多段ユニットが配置できるようになっているが、この第５の処理ユニット群Ｇ５  の多段ユニットは、案内レール２５に沿って主ウエハ搬送機構２２からみて、側方へシフトできるように構成されている。従って、この第５の処理ユニット群Ｇ５  の多段ユニットを図示の如く設けた場合でも、前記案内レール２５に沿ってスライドすることにより、空間部が確保されるので、主ウエハ搬送機構２２に対して背後からメンテナンス作業が容易に行えるようになっている。なお第５の処理ユニット群Ｇ５  の多段ユニッ卜は、そのように案内レール２５に沿った直線状のスライドシフトに限らず、図１中の一点鎖線の往復回動矢印で示したように、システム外方へと回動シフトさせるように構成しても、主ウエハ搬送機構２２に対するメンテナンス作業のスペース確保が容易である。
【００２２】
次に、本実施形態に関わるレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）及びケミカルエリア１３の構造について、図４〜図７を用いて説明する。図４は、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）の構成を示す概略断面図、図５は、その平面図である。ここでは、２つのレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）の一方を例にあげて説明するが、もう一方のレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）も同じ構造を有する。図６は、処理ステーション１１の概略斜視図である。図７は、ケミカルエリア１３内のレジスト液の供給構造を説明するための図である。
【００２３】
図４、図５に示すように、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）の中央部には環状のカップＣΡが配設され、カップＣΡの内側には、基板を水平に保持する保持台としてのスピンチャック５２が配置されている。スピンチャック５２は真空吸着によって半導体ウエハＷを固定保持した状態で駆動モータ５４によって回転駆動される。駆動モータ５４は、ユニット底板５０に設けられた開口５０ａに昇降移動可能に配置され、たとえばアルミニウムからなるキャップ状のフランジ部材５８を介してたとえばエアシリンダからなる昇降駆動手段６０および昇降ガイド手段６２と結合されている。
【００２４】
半導体ウエハＷの表面に、レジスト液を供給するための吐出手段としてのノズル３６ａは、ノズルスキャンアーム９２の先端部にノズル保持体１００を介して着脱可能に取り付けられている。このノズルスキャンアーム９２は、ユニット底板５０の上に一方向（Ｙ方向）に敷設されたガイドレール９４上で水平移動可能な垂直支持部材９６の上端部に取り付けられており、図示しないＹ方向駆動機構によって垂直支持部材９６と一体にＹ方向に移動するようになっている。
【００２５】
また、ノズルスキャンアーム９２は、ノズル待機部９０で複数のノズルからノズル３６ａを選択的に取り付けるためにＹ方向と直角なΧ方向にも移動可能であり、図示しないΧ方向駆動機構によってΧ方向にも移動するようになっている。また、複数本のノズル、ここでは３本のノズル３６ａ、後述するノズル３７ａ、３８ａが設けられ、レジスト液の種類、粘度に応じてそれらのノズルが使い分けられるようになっている。
【００２６】
各ノズル３６ａ、３７ａ、３８ａは、チューブ８３ａ、後述するチューブ８４ａ、８５ａを介して、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）の下方室内に配設されたケミカルエリア内のレジスト液タンク３３ａ〜３５ａに接続されている。
【００２７】
次に、図６及び図７を用いてケミカルエリア内の構造について説明する。図７は、図６にて図示した２つのレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）のうち左側に図示したレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）に供給されるレジスト液の供給構造を説明するための図である。
【００２８】
図６に示すように、処理ステーション１１内のケミカルエリア１３には、各レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）毎に、ウエハ上に供給するレジスト液を供給するためのチューブ８３ａ〜８５ａまたは８３ｂ〜８５ｂと、マニホールド３２ａまたは３２ｂと、循環ユニット３１ａまたは３１ｂと、処理液としてのレジスト液が貯留されているレジスト液タンク３３ａ〜３５ａまたは３３ｂ〜３５ｂが設けられている。チューブ８３ａ〜８５ａは、それぞれ一端部が対応するレジスト液タンク３３ａ〜３５ａに接続され、他端部の先端部にはノズルが設けられている。チューブ８３ｂ〜８５ｂも同様に、それぞれ一端部がレジスト液タンク３３ｂ〜３５ｂに接続され、他端部の先端部にはノズルが設けられている。そして、ノズルからは処理液タンクに貯留されているレジスト液がチューブを介して吐出される。各チューブ８３ａ〜８５ａ、８３ｂ〜８５ｂは、後述するように、レジスト液が流通する供給管と、チューブ先端部付近に供給管を囲うように設けられた第１温調部としての温調配管とを有する。各温調配管の内部には所望の温度に調整された温調水が流通し、この温調水によって、間接的に供給管内のレジスト液の温度調整が行われる。温調水は、循環ユニット３１ａまたは３１ｂ内で所望の温度に調整され、マニホールド３２ａまたはマニホールド３２ｂにて、複数のチューブ８３ａ〜８５ａまたは８３ｂ〜８５ｂのそれぞれに対応する温調配管に分配される。温調配管に分配され、温調に用いられた温調水は、循環ユニット３１ａまたは３１ｂに戻り、再度温度調整されて、温調配管に分配され、このような動作が繰り返し行われる。温調水としては、例えば純水が用いられる。
【００２９】
図７に示すように、各チューブ８３ａ〜８５ａは、レジスト液を供給するための供給管１２２〜１２４と、チューブ先端部付近に供給管を囲うように設けられた第１温調部としての温調配管１１７ａ〜１１７ｃとを有する。更に、温調配管１１７ａ〜１１７ｃとノズル３６ａ〜３８ａの先端部付近で連通し、温調配管１１７ａ〜１１７ｃにて温調に用いられた温調水を排出する温調配管１１７ａ〜１１７ｃを囲うように設けられた排出管１１８ａ〜１１８ｃが設けられている。排出管１１８ａ〜１１８ｃは、マニホールド３２ａと連通しており、排出管１１８ａ〜１１８ｃを通って排出された温調水は、マニホールド３２ａを介して配管１１９へ流れ込み、更に、第２温調部としての予備温調部１２０へ供給される。この予備温調部１２０は、供給管１２２〜１２４の一端部側に、これら供給管１２２〜１２４を覆うように配置されている。予備温調部１２０に供給される温調水は、後述する温調水調整部１１１にて調整されてから時間が経過しているため、所望の温度と値が多少ずれているものの所望の温度に近い水温となっている。このため、レジスト液タンク３３ａ〜３５ａから供給管内に供給されたレジスト液を、予備温調部１２０内を通過させることにより、予め所望温度に近い温度に温度調整することができる。このように本実施形態においては、温調配管による温調より前に、既に使用された温調水を用いて予備に温調が行われるため、レジスト液の温度調整に用いられるエネルギーを低くすることができる。すなわち、スペースの関係などで、温調配管の長さが制限されてしまう場合においても、予備温調構造を取ることにより、効率良く、レジスト液の温度調整を行うことができる。
【００３０】
循環ユニット３１ａは、温度制御手段としての温調水調整部１１１と、マニホールド３２ａにて複数の温調配管１１７ａ〜１１７ｃに分配される前に、レジスト液が流通する供給管１２２〜１２４を温度調整する分配前温調部１１０とからなる。温調水調整部１１１には、温調素子としてのペルチェ素子１１４と、予備温調部１２０内の温調水をくみ上げるポンプ１１３と、予備温調部１２０からポンプ１１３及びペルチェ素子１１４を介して分配前温調部１１０へ温調水が流通する配管１２１とが配置されている。更に、分配前温調部１１０には、温調水の温度を測定する温度センサ１１６が設けられ、温度センサ１１６を用いて温調水の温度管理が行われている。循環ユニット３１ａの分配前温調部１１０とマニホールド３２ａとは隣接して配置されている。
【００３１】
また、ペルチェ素子１１４に対しては、冷却水タンク１１５から冷却水が循環するように構成されている。これにより、処理液の設定温度を低くする場合に、冷却水を循環させることにより温調水の温度を低くし、これにより処理液の設定温度を低くすることができる。また、冷却水タンク１１５内の冷却水は、ペルチェ素子１１４の冷却用水としても併用できる。このように処理液の設定温度を低くする場合、設定温度よりも低い温調水を流して温度調整を行うが、処理液の温度が設定温度に到達した際に、その温度で停止せずにさらに温度が下降するオーバーシュート現象が生じる場合がある。これを防止するには、処理液の温度が設定温度に到達する直前あたりで、温調水の温度をあげれば良い。一方、処理液の設定温度を高くする場合には、ペルチェ素子１１４に流す電流を大きくすることにより行う。これらの温度制御にはＰＩＤ制御が用いられ、予め設定された加熱時におけるＰＩＤ値、安定時におけるＰＩＤ値、冷却時におけるＰＩＤ値に基づいて制御が行われる。本実施形態においては、温調水は装置内のケミカルエリア内で流通するため、装置外に循環ユニットを配置する場合と比較して、用いる温調水は少なくてすむので、このような温調水の温度制御が容易に行える。また、ポンプ１１３の吐出力を制御して温調水の流量を調整し、温調水の温度を変化させても良い。
【００３２】
また、上述の実施形態においては、温度センサ１１６は循環ユニット３１ａの分配前温調部１１０に設置されているが、図８に示すように、処理液の温調をする擬似配管であるダミー配管としてのダミーチューブ８６を更に設け、このダミーチューブ８６内の一部に温度センサ１２６を設けても良い。尚、図８において、図７と同様の構造については同じ符号を付し、同一の構造については一部説明を省略する。
【００３３】
図８に示すように、ダミーチューブ８６は、例えばレジスト擬似液体であるシリコンオイルが内部を流通する循環配管１２７と、循環配管１２７の一部を覆うように配置された第３温調部としての温調配管１３０とを有する。温調配管１３０内には、他の温調配管１１７ａ〜１１７ｃと同様に、マニホールド３２ａにて分配された温調水が流通する。この温調水は、温調配管１３０の端部付近と連通し、この温調配管を囲うように設けられた排出管１２８を通り、マニホールド３２ａを介して、供給管１１９に流れ込む構造となっている。ダミーチューブ８６は、他のチューブ８３ａ〜８３ｃと同様に、一部が予備温調部１２０により温調され、更に分配前温調部１１０にて温調されている。図面では、チューブ８３ａ〜８３ｃは異なる長さを有しているが、実際には同じ長さを有しており、温調配管１１７ａ〜１１７ｃの長さもそれぞれ同一となっている。また、ダミーチューブ８６の温調配管１３０の長さも、温調配管１１７ａ〜１１７ｃの長さと同一となっており、温調配管１３０内を流通する温調水の温調配管及び予備温調部などによる温調条件は、チューブ８３ａ〜８３ｃと同じとなっている。また、ダミーチューブ８６の温調配管１３０内には、温度センサ１２６が設けられており、この温度センサ１２６が配置される位置は、他のチューブ８３ａ〜８３ｃのノズル３６ａ〜３８ａの位置に相当している。従って、温度センサ１２６にて測定される温調水またはレジスト液相当の温度は、他のチューブ８３ａ〜８３ｃの各々のノズル３６ａ〜３８ａから吐出されるレジスト液の温度とほぼ等しいとみなすことができ、上述の実施形態と比較して、より一層、正確なレジスト液の温度調整を行うことができる。そして、温度センサ１２６により、所望の数値でない温度が測定された場合には、図示しない制御部へこの情報が伝送されて、ペルチェ素子１１４の制御が行われ、温調水の温度調整が行われる。ダミーチューブ８６内を流通する液体は、他のチューブに流通するレジスト液に近い温度変化を示す液体を用いれば良く、ここではシリコンオイルを用いている。
【００３４】
上記実施形態では、本発明を半導体ウエハにレジスト液を塗布する装置に適用したものについて説明したが、半導体ウエハ以外の基板、例えばＬＣＤ基板にレジスト液を塗布する装置にも本発明は適用できる。また、上述の実施形態では、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）を例にあげて、レジスト液の供給構造について説明したが、例えば現像ユニット（ＤＥＶ）に適用することもできる。すなわち、基板上に何らかの処理液を供給する場合であって、この処理液に対し温度調整を行う際に、本発明を適用することができる。
【００３５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、エネルギー効率良く、処理液の温度調整を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態である半導体ウエハの塗布現像処理システムの全体構成を示す平面図である。
【図２】図１の塗布現像処理システムの構成を示す正面図である。
【図３】図１の塗布現像処理システムの構成を示す背面図である。
【図４】図１の塗布現像処理システムにおけるレジスト塗布ユニットの概略断面図である。
【図５】図４のレジスト塗布ユニットの平面図である。
【図６】図１のレジスト塗布ユニットの部分概略斜視図である。
【図７】ケミカルエリア内のレジスト液の供給構造を説明するための図である。
【図８】他のケミカルエリア内のレジスト液の供給構造を説明するための図である。
【符号の説明】
Ｗ…半導体ウエハ
５２…スピンチャック
８３ａ〜８５ａ、８３ｂ〜８５ｂ…チューブ
１１７ａ〜１１７ｃ…温調配管
１１１…温調水調整部
１２０…予備温調部
１３０…温調配管
【図１】
0003585217.tif 000002
【図２】
0003585217.tif 000003
【図３】
0003585217.tif 000004
【図４】
0003585217.tif 000005
【図５】
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【図６】
0003585217.tif 000007
【図７】
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【図８】
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