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　平成　８年特許願第１３６１０１号「半導体結晶の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　９年１２月　９日出願公開、特開平　９−３１５８８１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明 
　本願は平成８年５月３０日の出願であって、平成１８年１月４日付けで拒絶理由が通知され（発送日は平成１８年１月1７日）、その指定期間内である平成１８年３月１７日に意見書及び手続補正書が提出され、平成１８年４月１８日付けで拒絶査定され（発送日は平成１８年４月２５日）、平成１８年５月２４日に拒絶査定不服審判請求されたものである。 
　本願請求項１〜１０に係る発明は、平成１８年３月１７日付けで補正された明細書の特許請求の範囲第１〜１０項に記載された事項に特定されるとおりであるものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。 
　
【請求項１】
　種結晶及び多結晶原料を収納し、種結晶部から胴部にかけて傾斜して拡がる断面形状の肩部を有するルツボと、該ルツボを支えるステージと、ステージを支える下軸と、縦型温度勾配炉とにより形成される縦型ブリッジマン法において、ルツボ上部からの熱流を種結晶部に流れ込むように下軸の温度上昇を抑制することを特徴とする半導体結晶の製造方法。
　
２．引用文献
　原査定の拒絶の理由に引用文献２として引用された本願出願前に頒布された刊行物である特開平５−１９４０７３号公報（以下、「引用例」という。）には、以下の記載がある。
（１）「本発明は、化合物半導体の単結晶を成長させる方法に関する。」（【０００１】）
（２）「縦型の単結晶成長方法のうち、ルツボを用いる成長方法としては、縦型ブリッジマン法（ＶＢ法）と縦型温度勾配凝固法（ＶＧＦ法）が知られている。」（【０００２】）
（３）「【実施例】・・・・・・この実施例においては、化合物半導体としてＩｎＰを用いた温度勾配凝固法による単結晶成長について説明する。図１は本発明の方法に使用される装置を示す概略図である。図中１０は一端が開口している略円筒形状であるルツボを示す。このルツボ１０の底面は、図２に示すように、水平方向に対する角度θが−１０°≦θ≦１０°を満足することが好ましい。このルツボ１０の直径は目的とする単結晶の直径である２インチ程度に設定されている。ルツボ１０の外側には、多分割ヒータ１１が載置されている。また、ルツボ１０内には、原料として約１．２ｋｇの多結晶ＩｎＰ１２が装填されている。ルツボ１０の底面の中央部には、結晶方位が（１００）であるＩｎＰシード１３が設置されている。ＩｎＰシード１３の下端部は、ヒートシンク１４の上部に挿入されている。このヒートシンク１４は、高い熱伝導率を有するカーボンからなり、内部には冷却媒体用配管１５を巻き付けたカーボン製の治具１６が内挿されている。これにより、ＩｎＰシード１３からの放熱を促進している。なお、冷却媒体用配管１５に流す冷却媒体としては、Ｎ2 ガス、Ａｒガス等の不活性ガス、および水等が用いられる。・・・・・・ルツボ１０とヒートシンク１４との間であってＩｎＰシード１３を除く領域には、・・・・・・熱伝導率の低い断熱材からなる熱遮蔽板１７が設置されている。これにより、ＩｎＰシード１３からヒートシンク１４に熱を効率的に逃がすようになっている。」（【０００７】〜【０００９】）
（４）「ルツボ１０内の融液が一定の温度勾配（５〜１５℃／cm）を保持しつつ、順次ルツボ１０の下部から冷却されるように多分割ヒータ１１を制御して行われる。・・・・・・一定の温度勾配を保持しつつ冷却させる（温度勾配がルツボ下部から上部に向かって移動する）ためには、多分割ヒータ１１の制御だけでは不充分である。」（【００１１】）
（５）「本実施例においては、温度勾配凝固法による単結晶成長について説明したが、本発明は縦型ブリッジマン法による単結晶成長にも適用できる。」（【００１３】）
（６）「本発明の方法に使用される装置に用いられるルツボの他の例を示す概略図」と説明されている図２を参照すると、番号１３で示される「ＩｎＰシード」を中心にしてルツボの底面が角度θでルツボの側壁にかけて上方に傾斜していることが見取れる。
　
  上記記載事項及び視認事項について検討する。
（あ）上記記載事項（３）の「ルツボ１０内には、原料として約１．２ｋｇの多結晶ＩｎＰ１２が装填されている。ルツボ１０の底面の中央部には、結晶方位が（１００）であるＩｎＰシード１３が設置されている。」との記載から、ルツボはシード及び多結晶原料を収納しているといえる。
（い）上記記載事項（３）の「ルツボ１０の底面は、図２に示すように、水平方向に対する角度θが−１０°≦θ≦１０°を満足することが好ましい。」及び「ルツボ１０の底面の中央部には、結晶方位が（１００）であるＩｎＰシード１３が設置されている。」との記載から、及び上記（６）の視認事項から、ルツボ底面は中央にあるＩｎＰシード設置されている部分を中心にルツボの側壁にかけて上方に傾斜しているといえる。
（う）上記記載事項（３）の「ルツボ１０とヒートシンク１４との間であってＩｎＰシード１３を除く領域には、・・・・・・熱伝導率の低い断熱材からなる熱遮蔽板１７が設置されている。」との記載から、ルツボは熱遮蔽板を介してヒートシンク上に置かれているといえ、ルツボは熱遮蔽板に、熱遮蔽板はヒートシンクにそれぞれ支えられているとみることができる。
（え）上記記載事項（３）及び（４）から、「多分割ヒータ」は温度勾配を有しているといえる。
（お）上記（う）で検討したように、ルツボは熱遮蔽板を介してヒートシンク上に置かれており、上記記載事項（３）の「ＩｎＰシード１３からヒートシンク１４に熱を効率的に逃がすようになっている。」との記載から、ルツボ底面ではシードのみが大きな温度勾配を有するものと認められ、熱はシードに流れ込んでいるといえる。
（か）上記記載事項（３）の「ヒートシンク１４は、高い熱伝導率を有するカーボンからなり、内部には冷却媒体用配管１５を巻き付けたカーボン製の治具１６が内挿されている。これにより、ＩｎＰシード１３からの放熱を促進している。」との記載からみて、ヒートシンクが冷却されることにより、熱がシードを経由してヒートシンクへ流れ込んでいることが促進されるといえる。
　
　上記記載事項（１）、（３）、（４）及び視認事項（６）を上記（あ）〜（か）の検討を踏まえ、本願発明の記載ぶりに則して記載すると、引用例には、
「シード及び多結晶原料を収納し、シードが設置されている部分からルツボ側壁にかけて傾斜している底面を有するルツボと、該ルツボを支える熱遮蔽板と、熱遮蔽板を支えるステージと、温度勾配を有する多分割ヒータとにより形成される縦型温度勾配凝固法において、熱がシードに流れ込み、この流れ込みを促進するためにヒートシンクは冷却されている化合物半導体の単結晶の成長方法」（以下、「引用発明」という。）が記載されているといえる。
　
３．対比・判断
（さ）引用発明の「シード」は本願発明の「種結晶」に相当することは明らかである。
（し）本願発明は、縦型ブリッジマン法による「半導体結晶の製造方法」に係るものであって、本願明細書【００１５】などの記載を参照すると、「化合物半導体の単結晶の製造」を行っているといえる。一方、引用発明の「化合物半導体の単結晶の成長方法」は化合物半導体の単結晶を成長させることであり、化合物半導体の単結晶を製造することに他ならないから、引用発明の「化合物半導体の単結晶の成長方法」は本願発明の「半導体結晶の製造方法」に相当する。
　また、引用発明の「縦型温度勾配凝固法」も本願発明の「縦型ブリッジマン法」と同様に「単結晶の製造方法」であることは明らかである。
（す）引用発明において、「ルツボ側壁」は「ルツボ胴部」であるから、ルツボ底面が「シードが設置されている部分からルツボ側壁にかけて上方に傾斜している」ことは、本願発明の「種結晶部から胴部にかけて傾斜して拡がる」ことに相当する。そして、「種結晶部から胴部にかけて傾斜して拡がる」ことから、引用発明も「種結晶部から胴部にかけて傾斜して拡がる断面形状の肩部」を有しているといえる。
（せ）引用発明のルツボは「熱遮蔽板」により支えられているから、引用発明の「熱遮蔽板」は本願発明の「ステージ」に相当する。
（そ）本願明細書の【０００２】には、「ルツボ４に多結晶原料と種結晶１５を入れ、それを収納したアンプル５内に・・・・・・真空封入する。このアンプルを・・・・・・低温度帯（・・・・・・）と高温度帯（・・・・・・）を有する縦型温度勾配炉（以下単に炉１３と称す。）で囲い、多結晶原料を融解し」との記載があり、縦型温度勾配炉は加熱源とみることができる。
　そうすると、引用発明の「温度勾配を有する多分割ヒータ」は「縦型温度勾配炉」に相当する。
（た）引用発明の「シードに流れ込」む熱は、ルツボ内部、すなわち、シードよりも上方部分の熱であるから、「ルツボ上部」からの熱であり、この熱はシードに流れ込んでいるから「熱流」といえる。
　また、この熱流の流れ込みを促進するためにヒートシンクは冷却されており、この冷却により温度上昇を抑制されているともいえる。
　そうすると、引用発明においても、「ルツボ上部からの熱流をシードに流れ込むようにヒートシンクは温度上昇を抑制」しているといえる。
　
　本願発明と引用発明を対比すると、両者は、共に、
「種結晶及び多結晶原料を収納し、種結晶部から胴部にかけて傾斜して拡がる断面形状の肩部を有するルツボと、該ルツボを支えるステージと、ステージを支える部材と、縦型温度勾配炉とにより形成される単結晶の製造方法において、ルツボ上部からの熱流を種結晶部に流れ込むように部材の温度上昇を抑制する半導体結晶の製造方法。」である点で一致し、
（ａ）単結晶の製造方法につき、本願発明が「縦型ブリッジマン法」であるのに対し、引用発明は「縦型温度勾配凝固法」である点
（ｂ）ステージを支える部材につき、本願発明が「下軸」であるのに対し、引用発明は「ヒートシンク」である点
で相違している。
　そこでこれら相違点について検討する。
・相違点（ａ）について
　上記記載事項（５）によれば、引用発明は、縦型温度勾配凝固法のみならず縦型ブリッジマン法にも適用できるのであるから、引用発明を縦型温度勾配凝固法に代えて縦型ブリッジマン法に適用することは当業者であれば困難とはいえない。
・相違点（ｂ）について
　縦型ブリッジマン法は「Ｖｅｒｔｉｃａｌ　Ｂｒｉｄｇｍａｎ」法と英字表記され、また「ＶＢ法」と略記され（例えば、特開平７−３０９６９１号公報、上記記載事項（２）、特開平７−２３７９９０号公報、特開平１−２６４９８９号公報参照）、同じく「Ｖｅｒｔｉｃａｌ　Ｂｒｉｄｇｍａｎ」法と英字表記され、また「ＶＢ法」と略記される「垂直ブリッジマン法」（例えば、特開平７−３００３８５号公報、特開平７−９９３４９号公報、特開平３−２４７５８１号公報参照）と同じものといえる。
　この縦型ブリッジマン法、垂直ブリッジマン法は、温度勾配を有する加熱源の中に、種結晶及び多結晶原料を収納したルツボを支える下軸を含む装置を用い、下軸を下降させて単結晶を成長させる周知技術（例えば、特開平７−３００３８６号公報、特開平７−１６５４８６号公報、特開平５−１２４８８７号公報、特開平４−１２０８１号公報、特開平４−６１９４号公報（以下、「周知文献」という。）参照）であるから、引用発明において、縦型温度勾配凝固法に代えて縦型ブリッジマン法に適用するに当たりヒートシンクに下降機能を持たせ下軸とすることは当業者であれば適宜なしえたことである。
　なお、本願発明は、縦型温度勾配炉を上方に移動させることを特定事項として有していないが、仮に特定事項として有していているとしても、上記周知技術である縦型ブリッジマン法、垂直ブリッジマン法において、ルツボが下降することは、ルツボと温度勾配炉の相対的位置を変更させることからみると温度勾配炉を上方に移動させることと同じであるから、ルツボの下降に代えて、温度勾配炉を上方に移動させることは当業者が適宜なしえることである（例えば、特開平４−６１９４号公報参照）。
　そして、上記相違点（ａ）及び（ｂ）がもたらす効果は、当業者が予想できる程度のものである。
　
４．審判請求書の主張について
　審判請求人は、平成１８年６月２１日付けで補正された審判請求書において引用文献２（本審決でいう「引用例」）に関し、
（ｃ）引用文献２に記載の装置は本願発明の下軸を具備していないこと
（ｄ）仮にヒートシンク１４が下軸に相当するとしても、ヒートシンク１４の周囲にヒーターが配置されていることは全く示唆していないこと
（ｅ）引用文献２は、縦型ルツボとして底面がほぼフラットであるルツボを使用しており、本願発明とは構成要件が違うこと
を主張しているから、これらの点について以下に検討する。
・（ｃ）について
　下軸を設けることは、上記相違点（ｂ）の検討のところで述べたとおりである。
・（ｄ）について
　ヒータの配置については、本願発明の特定事項として明確に記載されていないが、請求人の主張どおりの特定がなされているとして検討してみる。縦型ブリッジマン法、垂直ブリッジマン法においては、下軸の周囲にヒータを配置することは縦型ブリッジマン法、垂直ブリッジマン法においては周知技術（上記周知文献を参照）であるから、上記のとおり引用発明に縦型ブリッジマン法を適用することは困難なくなしえたことであるから、ヒートシンクの周囲にヒーターを配置することは当業者であれば適宜なしえたことである。
・（ｅ）について
　上記（い）、（す）で検討したように、引用発明は本願発明と同じ形状のルツボを使用している。
　また、審判請求人の主張が、引用発明においてルツボの底面が胴部にかけて傾斜している角度は本願発明にのものに比して小さいということであると解しても、本願発明にはこの角度についての特定はなされていないし、仮に特定されていたとしても縦型ブリッジマン法、垂直ブリッジマン法において、ルツボ底面を胴部にかけて傾斜させることは周知技術（上記周知文献を参照）であるから、この傾斜角度は当業者であれば適宜決定しうるものである。
　よって、審判請求人の主張は失当であり、採用することはできない。
　
５．むすび 
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることはできない。 
　したがって、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。