【事件の表示】
　特願２００４−　７７６８９「半導体レーザ素子およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　９月２９日出願公開、特開２００５−２６８４７５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１６年３月１８日の出願であって、平成１９年１０月２６日に手続補正がなされたところ、平成２０年１月４日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年２月５日に拒絶査定不服審判請求がなされたものである。
　
　そして、その請求項に係る発明は、平成１９年１０月２６日付け手続補正書で補正された特許請求の範囲の請求項１〜５に記載された事項により特定されるものであると認められるところ、請求項１に係る発明は次のものである。
　
「リッジを保護する一対の第１サポートの内側に、前記リッジが複数並設された半導体レーザ素子であって、前記複数のリッジの間に、前記リッジを保護する第２サポートが設けられ、前記リッジと第１、第２のサポートを除く部位の幅もしくは面積が素子幅もしくは素子面積の４０％以上に設定されていることを特徴とする半導体レーザ素子。」（以下「本願発明」という。）
　
　
２　刊行物の記載事項
　本願の出願前に頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である特表２００１−５１７８６６号公報（以下「引用刊行物」という。）には、図とともに下記の事項が記載されている。
　
ア　「【０００３】
　（発明の背景）
　本願は概して、光通信に関し、具体的には、多波長分布帰還型（ＤＦＢ）半導体レーザ（レーザダイオード）アレイを製造および実装する技術に関する。」
　
イ　「【００１６】
　（特定の実施形態の説明）
　１．０  分布帰還型（ＤＦＢ）レーザ構造の概要
  図１Ａは、本発明の実施形態による多波長分布帰還型（ＤＦＢ）リッジレーザダイオードアレイ１０の概略図である。レーザアレイ１０は、レーザチップと呼ばれることもある。レーザチップ１０は、単一の基板上に複数のリッジレーザダイオード素子を含み、示された特定の実施形態では、１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、および１０ｄとして示される４つのリッジレーザダイオード素子を含む。各リッジレーザダイオード素子は、単にレーザと呼ばれることもあり、異なる波長の光を放出するように構成される。この波長は、λ１、λ２、λ３、およびλ４として示される。」
　
ウ　「【００１７】
  レーザチップ１０は、頂部および底部と呼ばれるものを規定する特定の向きで示されているが、以下に説明されるように、レーザチップは、好ましくは、熱伝達を向上するために、逆さにしてからモジュールの基板上に取り付けられる。」
　
エ　「【００１９】
  同じチップ上に異なるピッチのグレーティングを製造する本発明の能力は、言い換えると、重要な利点、即ち、多波長ＤＦＢレーザチップを提供する能力である。このチップは、応用によって、所与の時間に任意の１つの波長を選択して動作させてもよく、すべての波長を同時に伝送させて動作させてもよい。単一のチップから多数の波長を同時に伝送する能力は、ＷＤＭシステムのコスト削減を可能にすることに注目されたい。
　・・・（略）・・・。
【００２１】
  レーザの間での望ましくない光学的、熱的および電気的クロストークは、レーザアレイチップ上でレーザを約５００ミクロンずつ物理的に分離し、そして、隣接するレーザ間に分離トレンチ１７を形成することにより、ある程度まで最小限に抑えられる。」
　
オ　「【００２２】
　図１Ｃは、レーザのうちの１つ、例えば、レーザ１０ａを示す拡大図である。レーザの活性領域２０は、半導体材料のボディ内に形成される。このレーザは、リッジレーザと呼ばれる。なぜなら、ボディが、活性領域２０の両側にトレンチ２２および２３を備えて形成され、グレーティング１５ａの上にあるリッジ２５を規定するからである。トレンチ２２および２３の外側には、金属ショルダ対２７ａおよび２７ｂが形成される。上側コンタクト金属層３０（ｐ＋コンタクト）は、リッジの上にあり、下側（裏側）コンタクト金属層３２（ｎ＋コンタクト）は、チップの底面上に配置される。コンタクト金属３０は、下向きに続き、トレンチ２２を通ってトレンチ２２の外側に延び、ショルダ２７ａの上に延びて、ボンドパッド３５を提供する。この図はまた、レーザの様々な層と、レーザの活性領域とを概略的に示している。様々な層とは、ｎ＋基板４２、下側クラッド層４５、活性（量子井戸）層４７、グレーティング層５０、上側クラッド層５２、およびｐ＋コンタクト層５５、などである。」
　
カ　「【００６６】
　４．０  レーザチップ製造
　４．１  パターニングおよびエッチングプロセス
　・・・（略）・・・。市販で入手可能なレーザダイオードウエハは、例えば、上から順に以下の層を含む。
【００６７】
　ｐ＋ドープト頂部金属コンタクト（ＩｎＧａＡｓ）
　ｐドープト上側クラッド（ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ）
　グレーティング層（ＩｎＧａＡｓＰ）
　多層活性層（交互の量子井戸層およびバリア層）
　ｎドープト下側クラッド（ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ）
　ｎ＋ドープト基板（ＩｎＰ）
　図６Ａ〜図６Ｈは、リッジレーザアレイを製造する製造工程を示す。」
　
キ　「【００７１】
　図６Ｃは、１つのレーザチップの幅よりもわずかに大きい幅に対応するレーザウエハ２５０の部分を示す概略断面図である。ウエハは、個々のチップに分離されていないため、これからその構成を説明する構造は、チップの一方のエッジから他方のエッジまで延びている（グレーティングストライプに位置が合わされている）。グレーティングストライプは、再成長された材料２５７の真下に示されている。
【００７２】
　図６Ｄは、リッジ導波管を規定するためにトレンチ２２および２３（図１Ｃ）をエッチングし、そして、分離トレンチ１７（図１Ａ）を規定するためにレーザの活性領域間をより深くエッチングした後のウエハの部分を示す。・・・（略）・・・。
【００７３】
　図６Ｅは、コンフォーマル絶縁層２７０を堆積させ、そしてその後に、アニールを行って高密度化し、絶縁材料の応力を軽減した後のウエハのさらに局所的な部分を示す。この絶縁層２７０は、窒化ケイ素、二酸化ケイ素、またはシクロテン、などの材料からなっていてもよい。
【００７４】
　図６Ｆは、絶縁層２７０をパターニングし、そしてエッチングして、リッジ２５の上にある絶縁層の部分を除去し、下にある半導体材料の領域２７５を露出させた後のウエハのさらに局所的な部分を示す。・・・（略）・・・。
　・・・（略）・・・。
【００７７】
　図６Ｇは、ショルダ２７ａおよび２７ｂ（図１Ｃも参照）を規定するためにトレンチ２２および２３の外側エッジに沿ってメタライゼーションを行った後のウエハのさらに局所的な部分を示す。
【００７８】
　図６Ｈは、領域２７５（リッジの頂部）と、トレンチ２２の内面と、ショルダ２７ａとを覆うコンタクト金属３０を堆積させた後のウエハのさらに局所的な部分を示す。この選択的メタライゼーションは、周知のプロセスに従って、フォトリソグラフィおよび金属エッチングまたは金属リフトオフにより行われる。処理のこの時点で、ボンディング金属３５まで延びるコンタクト金属３０だけがリッジの頂上で半導体材料に接するが、コンタクト金属３０は、絶縁層２７０（図６Ｅ）によりトレンチ２２の内面から絶縁されており、ショルダ２７ａおよび２７ｂが絶縁層２７０の上に載っていることが認識されるはずである。上記のように、コンタクト金属３０を、ショルダ２７ｂを覆うように延ばすことも可能である。」
　
ク　上記オ、カの記載を踏まえて、図１Ａ、図１Ｃ、図６Ｄ〜図６Ｈをみると、以下の（ア）、（イ）の事項が見て取れる。
（ア）レーザチップ１０には、複数のレーザ１０ａ〜１０ｄがアレイ状に配置されること。
（イ）複数のレーザ１０ａ〜１０ｄには、それぞれ、リッジ２５が設けられるとともに、前記複数のレーザ１０ａ〜１０ｄのアレイ方向に該リッジ２５を挟むように、上側クラッド層５２、ｐ＋コンタクト層５５、絶縁層２７０、金属ショルダ２７ａが形成された部分、及び、上側クラッド層５２、ｐ＋コンタクト層５５、絶縁層２７０、金属ショルダ２７ｂが形成された部分が設けられること。
　
ケ　図１Ｃから、上側クラッド層５２、ｐ＋コンタクト層５５、絶縁層２７０、金属ショルダ２７ａが形成された部分、及び、上側クラッド層５２、ｐ＋コンタクト層５５、絶縁層２７０、金属ショルダ２７ｂが形成された部分の高さは、リッジ２５の高さよりも高いこと、が見て取れる。
　
　よって、これらの記載を総合すると、引用刊行物には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「熱伝達を向上するために逆さにしてモジュールの基板上に取り付けられるレーザチップ１０であって、
　異なる波長の光を放出する複数のレーザ１０ａ〜１０ｄがアレイ状に配置され、
　前記複数のレーザ１０ａ〜１０ｄには、それぞれ、リッジ２５が設けられるとともに、前記複数のレーザ１０ａ〜１０ｄのアレイ方向に該リッジ２５を挟むように、上側クラッド層５２、ｐ＋コンタクト層５５、絶縁層２７０、金属ショルダ２７ａが形成された部分、及び、上側クラッド層５２、ｐ＋コンタクト層５５、絶縁層２７０、金属ショルダ２７ｂが形成された部分が設けられ、
　前記上側クラッド層５２、ｐ＋コンタクト層５５、絶縁層２７０、金属ショルダ２７ａが形成された部分、及び、上側クラッド層５２、ｐ＋コンタクト層５５、絶縁層２７０、金属ショルダ２７ｂが形成された部分の高さは、リッジ２５の高さよりも高い、レーザチップ１０。」
　
　
３　対比、判断
　本願発明と引用発明を対比する。
　
ア　引用発明の「レーザチップ１０」は、本願発明の「半導体レーザ素子」に相当する。
　
イ（ア）引用発明の「レーザチップ１０」は、「複数のレーザ１０ａ〜１０ｄがアレイ状に配置され、前記複数のレーザ１０ａ〜１０ｄには、それぞれ、リッジ２５が設けられるとともに、前記複数のレーザ１０ａ〜１０ｄのアレイ方向に該リッジ２５を挟むように、上側クラッド層５２、ｐ＋コンタクト層５５、絶縁層２７０、金属ショルダ２７ａが形成された部分、及び、上側クラッド層５２、ｐ＋コンタクト層５５、絶縁層２７０、金属ショルダ２７ｂが形成された部分が設けられ」るものであり、しかも、「熱伝達を向上するために逆さにしてモジュールの基板上に取り付けられ」、「前記上側クラッド層５２、ｐ＋コンタクト層５５、絶縁層２７０、金属ショルダ２７ａが形成された部分、及び、上側クラッド層５２、ｐ＋コンタクト層５５、絶縁層２７０、金属ショルダ２７ｂが形成された部分の高さは、リッジ２５の高さよりも高い」ものである。
（イ）よって、レーザ１０ａ〜レーザ１０ｄに設けられたリッジ２５は、レーザチップ１０に複数並設されたリッジであるといえるとともに、レーザ１０ａの上側クラッド層５２、ｐ＋コンタクト層５５、絶縁層２７０、金属ショルダ２７ａが設けられた部分と、レーザ１０ｄの上側クラッド層５２、ｐ＋コンタクト層５５、絶縁層２７０、金属ショルダ２７ｂが設けられた部分とは、一対でその内側に複数並設されたリッジを保護するものであるといえる。したがって、引用発明の「レーザ１０ａ〜レーザ１０ｄ」に設けられた「リッジ２５」は、本願発明の「（複数並設された）リッジ」に相当し、引用発明の「レーザ１０ａの上側クラッド層５２、ｐ＋コンタクト層５５、絶縁層２７０、金属ショルダ２７ａが設けられた部分」と「レーザ１０ｄの上側クラッド層５２、ｐ＋コンタクト層５５、絶縁層２７０、金属ショルダ２７ｂが設けられた部分」とは、本願発明の「リッジを保護する一対の第１サポート」に相当する。また、引用発明は、本願発明の「リッジを保護する一対の第１サポートの内側に、前記リッジが複数並設された」との事項を備える。
（ウ）また、レーザ１０ａの上側クラッド層５２、ｐ＋コンタクト層５５、絶縁層２７０、金属ショルダ２７ｂが設けられた部分、レーザ１０ｂの上側クラッド層５２、ｐ＋コンタクト層５５、絶縁層２７０、金属ショルダ２７ａが設けられた部分、レーザ１０ｂの上側クラッド層５２、ｐ＋コンタクト層５５、絶縁層２７０、金属ショルダ２７ｂが設けられた部分、レーザ１０ｃの上側クラッド層５２、ｐ＋コンタクト層５５、絶縁層２７０、金属ショルダ２７ａが設けられた部分、レーザ１０ｃの上側クラッド層５２、ｐ＋コンタクト層５５、絶縁層２７０、金属ショルダ２７ｂが設けられた部分、レーザ１０ｄの上側クラッド層５２、ｐ＋コンタクト層５５、絶縁層２７０、金属ショルダ２７ａが設けられた部分は、レーザ１０ａのリッジ２５、レーザ１０ｂのリッジ２５、レーザ１０ｃのリッジ２５及びレーザ１０ｄのリッジ２５の間に設けられるものであり、かつ、各リッジ２５を保護するものであるといえるから、引用発明の「レーザ１０ａの上側クラッド層５２、ｐ＋コンタクト層５５、絶縁層２７０、金属ショルダ２７ｂが設けられた部分」、「レーザ１０ｂの上側クラッド層５２、ｐ＋コンタクト層５５、絶縁層２７０、金属ショルダ２７ａが設けられた部分」、「レーザ１０ｂの上側クラッド層５２、ｐ＋コンタクト層５５、絶縁層２７０、金属ショルダ２７ｂが設けられた部分」、「レーザ１０ｃの上側クラッド層５２、ｐ＋コンタクト層５５、絶縁層２７０、金属ショルダ２７ａが設けられた部分」、「レーザ１０ｃの上側クラッド層５２、ｐ＋コンタクト層５５、絶縁層２７０、金属ショルダ２７ｂが設けられた部分」及び「レーザ１０ｄの上側クラッド層５２、ｐ＋コンタクト層５５、絶縁層２７０、金属ショルダ２７ａが設けられた部分」は、本願発明の「前記リッジを保護する第２サポート」に相当するとともに、引用発明は、本願発明の「前記複数のリッジの間に、前記リッジを保護する第２サポートが設けられ」との事項を備える。
　
　したがって、両者は、　  
「リッジを保護する一対の第１サポートの内側に、前記リッジが複数並設された半導体レーザ素子であって、前記複数のリッジの間に、前記リッジを保護する第２サポートが設けられている半導体レーザ素子。」
である点で一致し、次の点で相違する。　  
 　  
相違点
　リッジと第１、第２のサポートを除く部位の幅もしくは面積が、本願発明では、素子幅もしくは素子面積の４０％以上に設定されているのに対し、引用発明では、そのように設定されているかどうか明らかではない点。
　
　上記相違点につき検討する。
　引用発明において、リッジ並びに第１サポート及び第２サポートの幅ないし面積は、設計上適宜定められるべきものであるところ、該幅ないし面積を素子幅もしくは素子面積の６０％以下程度とすること、すなわち、リッジと第１、第２のサポートを除く部位の幅もしくは面積が素子幅もしくは素子面積の４０％以上に設定することに格別の困難性があるものとは認められない。
　そして、本願明細書の記載をみても、本願発明において、リッジと第１、第２のサポートを除く部位の幅もしくは面積を素子幅もしくは素子面積の４０％以上に設定した点に設計的事項の域を超えるほどの格別の技術的意義があるものとは認められず、本願発明の奏する効果が、引用発明から当業者が予測困難な程の格別顕著なものということはできない。
　
　したがって、本願発明は、引用刊行物に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。