(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材表面の中央部に形成されたダミーパターンとなる中央銅パターンと、その周囲に形成されたボールパッド部及び配線パターンとを有し、前記中央銅パターンの一部をビアマーク部としてなるＴＡＢテープの上に、ソルダーレジストを形成し、その上にチップを搭載して樹脂モールドを施すためのＢＧＡ用配線テープにおいて、前記ビアマーク部と該ビアマーク部に隣接する中央銅パターンとの距離を、中央銅パターン同士の距離より大きくしてなることを特徴とするＢＧＡ用配線テープ。
【請求項２】
基材表面の中央部に形成されたダミーパターンとなる中央銅パターンと、その周囲に形成されたボールパッド部及び配線パターンとを有し、前記中央銅パターンの一部をビアマーク部としてなるＴＡＢテープの上に、ソルダーレジストを形成し、その上にチップを搭載して樹脂モールドを形成した半導体装置において、前記ビアマーク部と該ビアマーク部に隣接する中央銅パターンとの距離を、中央銅パターン同士の距離より大きくしたＢＧＡ用配線テープを用いてチップを搭載すると共に樹脂モールドを施したことを特徴とするＢＧＡ用配線テープを用いた半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ソルダーレジストを形成するＢＧＡ用配線テープに係り、特に、ボールパッドあるいはベントホールを有し、ソルダーレジストの密着性不良を低減させることができるＢＧＡ用配線テープ及びそれを用いた半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ＩＣまたはＬＳＩなどの半導体素子の実装方式としてＴＡＢテープやＢＧＡが広く用いられている。
【０００３】
図４〜図６は、従来のＴＡＢテープ４０の配線パターンの一例を示した図である。
【０００４】
図４〜図６に示すように、まず、ＴＡＢテープ４０は、基材４１に、ハンダボール４２を形成するための穴であるソルダーボールビア部４３が形成され、その基材４１上に配線パターンとなる銅パターン４４が形成されて、周囲にワイヤボンディング用のワイヤボンドパッド部４５、ハンダボール４２を受けるためのボールパッド４６及びそのハンダボール４２のランド部４７が形成されると共に、中央にチップ搭載の際のスペーサおよび基材４１の反り防止のためのダミーパターンとなる中央銅パターン４８が形成されて構成される。
【０００５】
次に、ソルダーボールビア部４３にハンダボール４２を形成し、ＴＡＢテープ４０のセンターに形成された中央銅パターン４８、ボールパッド４６上に銀ペースト４９が塗布されたＩＣまたはＬＳＩなどのチップ５０を搭載し、そのチップ５０とワイヤボンドパット部４５とを金線５１でワイヤボンディングして接続した後、モールドレジン５２を施してＦＢＧＡ（Ｆｉｎｅ−ｐｉｔｃｈ  ＢＧＡ）５３を形成する。
【０００６】
ところでＴＡＢテープ４０上には、チップ５０を搭載するための絶縁被膜であるソルダーレジスト５４が予め形成されている。このソルダーレジスト５４は、チップ５０が傾斜することなく搭載できるように、外周部５４ａと斜線状のパターン５４ｂが形成されて構成される。
【０００７】
また、各々のハンダボール４２とチップ５０は位置関係が決まっているのでＴＡＢテープ４０の方向は重要となる。
【０００８】
このＴＡＢテープ４０の方向付けをするために、中央銅パターン４８の一角をハンダボールを受けずにビアマーク部５５とする。このようにマーク部５５を形成する方法では、そのための特別な工程が不要であり、しかも、比較的大きなマークを形成することができるので、ＴＡＢテープ４０の方向の認識が容易になる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このビアマーク部５５としてのパッド部はハンダボール４２を受けないために他のボールパッド４６と比較し、吸湿性が強くなり、耐ＰＣＴ試験（例えば、温度１２１℃、湿度１００％、気圧２ａｔｍの条件下の耐久試験）を行うとこのビアマーク部５５のソルダーレジスト５４の密着性不良のため、そのビアマーク部５５と一体の銅パターン、或いはその周辺に形成された回路となる銅パターンごと剥がれると共に、それらの上面に形成されたソルダーレジスト５４も剥がれてしまうという問題がある。
【００１０】
本発明は上記事情を考慮してなされたもので、ＢＧＡにおけるソルダーレジストの密着性不良を低減させることができるＢＧＡ用配線テープ及びそれを用いた半導体装置の構造を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記目的を達成するために、請求項１の発明は、基材表面の中央部に形成されたダミーパターンとなる中央銅パターンと、その周囲に形成されたボールパッド部及び配線パターンとを有し、前記中央銅パターンの一部をビアマーク部としてなるＴＡＢテープの上にソルダーレジストを形成し、その上にチップを搭載して樹脂モールドを施すためのＢＧＡ用配線テープにおいて、前記ビアマーク部と該ビアマーク部に隣接する中央銅パターンとの距離を、中央銅パターン同士の距離より大きくしてなることを特徴とするＢＧＡ用配線テープである。
【００１２】
請求項２の発明は、基材表面の中央部に形成されたダミーパターンとなる中央銅パターンと、その周囲に形成されたボールパッド部及び配線パターンとを有し、前記中央銅パターンの一部をビアマーク部としてなるＴＡＢテープの上にソルダーレジストを形成し、その上にチップを搭載して樹脂モールドを形成した半導体装置において、前記ビアマーク部と該ビアマーク部に隣接する中央銅パターンとの距離を、中央銅パターン同士の距離より大きくしたＢＧＡ用配線テープを用いてチップを搭載すると共に樹脂モールドを施したことを特徴とするＢＧＡ用配線テープを用いた半導体装置である。
【００１５】
上記構成により、本発明のＢＧＡ用配線テープ及びそれを用いた半導体装置は、ソルダーレジストの密着性不良を低減させることができ、ソルダーレジストが剥がれることがないので、耐ＰＣＴ試験特性が高く、製品の信頼性が高い、ＢＧＡ用配線テープ及びそれを用いた半導体装置が実現できる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の好適一実施の形態を添付図面にしたがって説明する。
【００１７】
図１〜図３は、本発明の好適一実施の形態であるＢＧＡ用配線テープ及びそれを用いた半導体装置を示し、図１は、ＴＡＢテープの平面図、図２は、図１に示したＴＡＢテープのＡ−Ａ線断面図、図３は、図１に示したＴＡＢテープを用いてパッケージとした半導体装置の断面図を示したものである。
【００１８】
図１〜図３に示すように、まず、ＴＡＢテープ１は、基材２に、ハンダボール３を形成するための穴であるソルダーボールビア部４が形成され、その基材２の表面に配線パターンを接着する接着剤５が塗布され、この基材２上に配線パターンとなる銅パターン６が形成されて、周囲にワイヤボンディング用のワイヤボンドパッド部７、ハンダボール３を受けるためのボールパッド８及びそのハンダボール３のランド部９が形成されると共に、中央にチップ搭載の際のスペーサおよび基材２の反り防止のためのダミーパターンとなる中央銅パターン１０が形成されて構成される。
【００１９】
このＴＡＢテープ１の方向付けをするために、ボールを受けないパッド部をビアマーク部１１として一ヶ所形成する。これにより、ＴＡＢテープ１の方向の認識が容易になる。
【００２０】
本発明においては、このビアマーク部１１に隣接する中央銅パターンを省略し、ビアマーク部１１とこれに隣接する中央銅パターンとの距離を、中央銅パターン同士の距離より大きくしてビアマーク部１１の周囲に銅パターン未形成部１２を設けたものである。
【００２１】
次に、ソルダーボールビア部４にハンダボール３を形成し、ＴＡＢテープ１のセンターに形成された中央銅パターン１０、ボールパッド８上に銀ペースト１３が塗布されたＩＣまたはＬＳＩなどのチップ１４を搭載し、そのチップ１４とワイヤボンドパット部７とを金線１５でワイヤボンディングして接続した後、モールドレジン１６で樹脂モールドを施してＦＢＧＡ１７を形成する。
【００２２】
さてＴＡＢテープ１上には、チップ１４を搭載するための絶縁被膜であるソルダーレジスト１８が予め形成されている。このソルダーレジスト１８は、チップ１４が傾斜することなく搭載できるように、外周部１８ａと斜線状のパターン１８ｂが形成される。
【００２３】
次に、本実施の形態の作用を説明する。
【００２４】
ＦＢＧＡ１７の組み立て工程である樹脂モールドを施す際に、その樹脂成形圧力に対して、中央銅パターン１０、ボールパッド８等の銅パターンとソルダーレジスト１８の密着性が良好である必要がある。
【００２５】
しかし、ソルダーレジスト１８は、もともと銅パターン６、中央銅パターン１０との密着性が、基材２または基材２と銅パターンとの間の接着剤５との密着性と比較して劣るものであり、ソルダーレジスト１８の剥がれや密着性不良を起こしやすい。
【００２６】
よって、本発明においては、ビアマーク部１１に隣接する中央銅パターンを省略してビアマーク部１１の周囲に銅パターン未形成部１２を設け、ソルダーレジスト１８を基材２の表面に残存する接着剤５を介して広い面積で基材２に密着させているので、接着剤５とソルダーレジスト１８との比較的密着性のよい性質を利用することができ、これにより、ソルダーレジスト１８の密着性不良を低減させることができ、ソルダーレジスト１８が剥がれることがない。
【００２７】
このソルダーレジスト１８の密着性を検証するために、例えば、温度１２１℃、湿度１００％、気圧２ａｔｍの条件下の耐久試験である耐ＰＣＴ試験が行われるが、本発明はこの条件下でも良好な特性を示し、製品の信頼性が高い。
【００２８】
このソルダーレジスト１８の耐久試験においては、高温高湿度下において試験を行うため、全体が吸湿し、その吸湿された水分がボールパッド８やビアマーク部１１から抜けて行く。しかしハンダボール３が形成されたボールパッド８は水分が抜けにくいのに対して、ビアマーク部１１はハンダボール３が取り付けられていないので、そのマークとなる銅パターンと接着剤５の界面から水分が抜けて行く。
【００２９】
このため、この部分にソルダーレジスト１８を形成すると、ソルダーレジスト１８がもともと銅パターン６、中央銅パターン１０と比較的密着性がよくない材料で作られていることもあり、ハンダボール３が形成されたボールパッド８部と比較して、ソルダーレジスト１８の剥がれや密着性不良を起こしやすい。
【００３０】
本発明においては、ビアマーク部１１の周辺部に回路を形成する銅パターンを形成しないようにして、銅パターン未形成部１２を設けているので、このビアマーク部１１周辺部は、吸湿しやすいにもかかわらず、ソルダーレジスト１８が、接着剤５によって高い密着性で形成されているために、耐ＰＣＴ試験特性が低下したり、ソルダーレジスト１８の剥がれや密着性不良などの問題が生じない。
【００３２】
【発明の効果】
以上説明したことから明らかなように、本発明によれば次のごとき優れた効果を発揮する。
【００３３】
（１）ソルダーレジストの密着性不良を低減させることができ、ソルダーレジストが剥がれることがない。
【００３４】
（２）耐ＰＣＴ試験特性が高い。
【００３５】
（３）製品の信頼性が高い。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の好適一実施の形態を示す平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】図１のＴＡＢテープを用いた半導体装置の横断面図である。
【図４】従来のＴＡＢテープの平面図である。
【図５】図４のＢ−Ｂ線断面図である。
【図６】図４のＴＡＢテープを用いた半導体装置の横断面図である。
【符号の説明】
１  ＴＡＢテープ
２  基材
４  ソルダーボールビア部
６  銅パターン
７  ワイヤボンドパット部
８  ボールパッド
１０  中央銅パターン
１１  ビアマーク部
１２  銅パターン未形成部
１８  ソルダーレジスト
【図１】
0003543679.tif 000002
【図２】
0003543679.tif 000003
【図３】
0003543679.tif 000004
【図４】
0003543679.tif 000005
【図５】
0003543679.tif 000006
【図６】
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