【事件の表示】
　特願２００４−　９７２５９「非マトリックスの遮蔽構造を備えたフラットパネルディスプレイ」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　２月　３日出願公開、特開２００５−　３１６３１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は平成１６年３月３０日（パリ条約による優先権主張　２００３年７月７日、米国）の出願であって、平成１９年３月２０日付けで拒絶理由が通知され、同年７月２５日付けで意見書及び手続補正書が提出されたが、同年８月１４日付けで拒絶の査定がされたため、これを不服として同年１１月１６日付けで本件審判請求がされるとともに、同年１２月１３日付けで手続補正（以下、「本件補正」という。）がなされたものである。
　
　
第２　補正の却下の決定
　
［補正の却下の決定の結論］
　平成１９年１２月１３日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正は、平成１９年７月２５日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲についての
　
「【請求項１】
　互いに交叉して複数の画素領域を定義し、第１基板に位置する複数のスキャンライン及び複数のシグナルラインと、
　前記画素領域に実質的に対応する複数のメインスペーサと複数のギャップとを有し、各ギャップは実質的に前記スキャンラインまたは前記シグナルラインのうちの１つに対応し、各メインスペーサは少なくとも１つの前記ギャップに接続され、各ギャップは二つの隣接したメインスペーサに接続されてなり、前記第1基板に対向する第２基板に位置するメインの遮蔽構造と、
　前記ギャップに対応し、前記第１基板に位置する複数の補助遮蔽構造とを含むことを特徴とするフラットパネルディスプレイ。
【請求項２】
　前記画素領域に配置される画素電極を更に含むものである請求項１に記載のフラットパネルディスプレイ。
【請求項３】
　複数のストライプ状遮蔽層が前記シグナルラインと前記画素電極の間に配置され、前記画素電極と前記メインの遮蔽構造を覆うようになっている請求項２に記載のフラットパネルディスプレイ。
【請求項４】
　前記シグナルラインに実質的に対応する第１部の前記ギャップに対応し、前記シグナルラインと前記メインの遮蔽構造に部分的に重なり、前記ストライプ状遮蔽層に接続する複数の第１補助遮蔽層を含む第１部の前記補助遮蔽構造と、
　前記スキャンラインに実質的に対応する第２部の前記ギャップに対応し、前記画素電極と前記メインの遮蔽構造に部分的に重なり、前記スキャンラインに接続する複数の第２補助遮蔽層を含む第２部の前記補助遮蔽構造とを備える請求項３に記載のフラットパネルディスプレイ。
【請求項５】
　前記スキャンラインに隣接し、前記第２部の前記ギャップに対応する複数のコンデンサを更に含む請求項４に記載のフラットパネルディスプレイ。
【請求項６】
　前記シグナルラインに実質的に対応する第１部の前記ギャップに対応し、前記ストライプ状遮蔽層と前記メインの遮蔽構造に部分的に重なり、前記シグナルラインに接続する複数の第３補助遮蔽層を含む第１部の前記補助遮蔽構造と、
　前記スキャンラインに実質的に対応する第２部の前記ギャップに対応し、前記画素電極と前記メインの遮蔽構造に部分的に重なり、前記スキャンラインに接続する複数の第２補助遮蔽層を含む第２部の前記補助遮蔽構造とを備える請求項３に記載のフラットパネルディスプレイ。
【請求項７】
　前記スキャンラインに隣接し、前記第２部の前記ギャップに対応する複数のコンデンサを更に含む請求項６に記載のフラットパネルディスプレイ。
【請求項８】
　前記シグナルラインに実質的に対応する第１部の前記ギャップに対応し、相互に重なる複数の第１と第３補助遮蔽層を含み、第１補助遮蔽層は、前記シグナルラインと前記メインの遮蔽構造に部分的に重なり、前記ストライプ状遮蔽層に接続し、第３補助遮蔽層は、前記ストライプ状遮蔽層と前記メインの遮蔽構造に部分的に重なり、前記シグナルラインに接続する第１部の前記補助遮蔽構造と、
　前記スキャンラインに実質的に対応する第２部の前記ギャップに対応し、前記画素電極と前記メインの遮蔽構造に部分的に重なる複数の第２補助遮蔽層を含み、前記スキャンラインに接続する第２部の前記補助遮蔽構造とを備える請求項３に記載のフラットパネルディスプレイ。
【請求項９】
　前記スキャンラインに隣接し、前記第２部の前記ギャップに対応する複数のコンデンサを更に含む請求項８に記載のフラットパネルディスプレイ。
【請求項１０】
　前記補助遮蔽構造は、前記シグナルラインに実質的に対応する前記ギャップに対応し、前記シグナルラインと前記メインの遮蔽構造に部分的に重なる複数の第１補助遮蔽層を含み、前記ストライプ状遮蔽層に接続するものである請求項３に記載のフラットパネルディスプレイ。
【請求項１１】
　前記補助遮蔽構造は、前記シグナルラインに実質的に対応する前記ギャップに対応し、前記ストライプ状遮蔽層と前記メインの遮蔽構造に部分的に重なる複数の第３補助遮蔽層を含み、前記シグナルラインに接続するものである請求項３に記載のフラットパネルディスプレイ。
【請求項１２】
　前記補助遮蔽構造は、前記シグナルラインに実質的に対応する前記ギャップに対応し、相互に重なる複数の第１と第３補助遮蔽層を含み、第１補助遮蔽層は、前記シグナルラインと前記メインの遮蔽構造に部分的に重なり、前記ストライプ状遮蔽層に接続し、
　第３補助遮蔽層は、前記ストライプ状遮蔽層と前記メインの遮蔽構造に部分的に重なり、前記シグナルラインに接続するものである請求項３に記載のフラットパネルディスプレイ。
【請求項１３】
　前記ギャップは前記スキャンラインに実質的に対応し、
　前記メインの遮蔽構造は、複数の魚の骨形スペーサによって物理的に互いに分離された、複数の魚の骨形遮蔽層を含み、且つ、前記シグナルラインと並列し、各魚の骨形スペーサは前記メインスペーサと前記ギャップより構成されるものである請求項１に記載のフラットパネルディスプレイ。
【請求項１４】
　前記ギャップは前記スキャンラインに実質的に対応し、
　前記メインの遮蔽構造は、複数の魚の骨形スペーサによって物理的に互いに分離された複数の魚の骨形遮蔽要素を含み、且つ、前記スキャンラインと並列し、各魚の骨形スペーサは前記メインスペーサと前記ギャップより構成される請求項１に記載のフラットパネルディスプレイ。
【請求項１５】
　複数のコモン電極と、
　前記コモン電極の間に配置される画素電極と、および
　前記コモン電極に接続され、不透明材料より構成されるコモン電極ラインとを更に含み、
　前記ギャップの下に位置する前記コモン電極ラインは前記補助遮蔽構造である請求項１に記載のフラットパネルディスプレイ。
【請求項１６】
　互いに交叉して複数の画素領域を定義する複数のスキャンラインと複数のシグナルライン、前記画素領域に配置される複数の画素電極、前記シグナルラインと前記画素電極の間に配置され、前記画素電極に重なる複数のストライプ状遮蔽層、および複数の補助遮蔽構造を含む第１基板と、
　前記画素領域と複数のギャップに実質的に対応する複数のメインスペーサを有し、各ギャップが前記スキャンラインまたは前記シグナルラインのうちの１つに実質的に対応し、各メインスペーサが少なくとも１つの前記ギャップに接続され、各ギャップは二つの隣接したメインスペーサに接続されてなるメインの遮蔽構造、および前記メインの遮蔽構造に配置されるカラーフィルターを含む第２基板と、
　前記第１と前記第２基板の間で密閉される液晶とからなり、
　前記補助遮蔽構造が前記ギャップに対応することを特徴とするフラットパネルディスプレイ。
【請求項１７】
　第１方向に相互に並列する第１と第２スキャンライン、
　第２方向に相互に並列し、前記第１及び第２スキャンラインとともに、画素領域を定義し、且つ、前記第１と第２スキャンラインとともに第１基板に位置する第１及び第２シグナルライン、
前記画素領域に実質的に対応するメインスペーサと前記メインスペーサに隣接するメインスペーサに接続されるギャップを有し、前記第１基板に対向する第２基板に位置するメインの遮蔽構造、および、前記メインの遮蔽構造を部分的に覆うために前記ギャップの下に配置される補助遮蔽構造を含み、前記複数のスキャンラインと前記複数のシグナルラインが第１基板に配置されることを特徴とするフラットパネルディスプレイ。
【請求項１８】
　前記ギャップは前記第１スキャンラインの上に配置され、第１画素電極は前記メインスペーサの下に配置され、第２画素電極は前記隣接するメインスペーサの下に配置され、前記第１と前記第２画素電極は前記第１シグナルラインによってコントロールされる請求項１７に記載のフラットパネルディスプレイ。
【請求項１９】
　前記第１スキャンラインに隣接し、前記ギャップに対応しているコンデンサを含む請求項１８に記載のフラットパネルディスプレイ。
【請求項２０】
　補助遮蔽構造が前記第１スキャンラインに隣接する請求項１８に記載のフラットパネルディスプレイ。
【請求項２１】
　前記ギャップは前記第１シグナルラインの上に配置され、第１画素電極は前記メインスペーサの下に配置され、第２画素電極は前記隣接するメインスペーサの下に配置され、前記第１及び第２画素電極は前記第１スキャンラインによってコントロールされる請求項１７に記載のフラットパネルディスプレイ。
【請求項２２】
　前記第１シグナルラインの両側にある第１と前記第２ストライプ状遮蔽層、および
　前記補助遮蔽構造を構成し、前記第１シグナルラインと前記メイン遮蔽構造に部分的に重なり、前記第１及び第２ストライプ状遮蔽層にそれぞれ接続する第１及び第２補助遮蔽層を更に含む請求項２１に記載のフラットパネルディスプレイ。
【請求項２３】
　前記第１シグナルラインの両側にある第１及び第２ストライプ状遮蔽層、および
　前記補助遮蔽構造を構成し、前記第１及び第２ストライプ状遮蔽層と前記メイン遮蔽構造に部分的に重なり、前記第１シグナルラインに接続する第１及び第２補助遮蔽層を更に含む請求項２１に記載のフラットパネルディスプレイ。
【請求項２４】
　前記第１シグナルラインの両側にある第１と前記第２ストライプ状遮蔽層、および
　前記補助遮蔽構造を構成する第１と第２、第３と第４補助遮蔽層を含み、
　前記第１と第２補助遮蔽層は前記メイン遮蔽構造に重なり、前記第１と前記第２ストライプ状遮蔽層にそれぞれ接続し、前記第３と前記第４補助遮蔽層は前記メイン遮蔽構造に重なり、前記第１シグナルラインに接続し、前記第１と第２補助遮蔽層は前記第３と第４補助遮蔽層に重なる請求項２１に記載のフラットパネルディスプレイ。」
　
の記載を、
　
「【請求項１】
　互いに交叉して複数の画素領域を定義し、第１基板に位置する複数のスキャンライン及び複数のシグナルラインと、
　前記画素領域に実質的に対応する複数のメインスペーサと複数のギャップとを有し、各ギャップは実質的に前記スキャンラインまたは前記シグナルラインのうちの１つに対応し、各メインスペーサは少なくとも１つの前記ギャップに接続され、各ギャップは二つの隣接したメインスペーサに接続されてなり、前記第1基板に対向する第２基板に位置するメインの遮蔽構造と、
　前記ギャップに対応し、前記第１基板に位置する複数の補助遮蔽構造とを含むことを特徴とするフラットパネルディスプレイ。
　　【請求項２】
　前記画素領域に配置される画素電極を更に含むものである請求項１に記載のフラットパネルディスプレイ。
　　【請求項３】
　複数のストライプ状遮蔽層が前記シグナルラインと前記画素電極の間に配置され、前記画素電極と前記メインの遮蔽構造を覆うようになっている請求項２に記載のフラットパネルディスプレイ。
　　【請求項４】
　前記シグナルラインに実質的に対応する第１部の前記ギャップに対応し、前記シグナルラインと前記メインの遮蔽構造に部分的に重なり、前記ストライプ状遮蔽層に接続する複数の第１補助遮蔽層を含む第１部の前記補助遮蔽構造と、
　前記スキャンラインに実質的に対応する第２部の前記ギャップに対応し、前記画素電極と前記メインの遮蔽構造に部分的に重なり、前記スキャンラインに接続する複数の第２補助遮蔽層を含む第２部の前記補助遮蔽構造とを備える請求項３に記載のフラットパネルディスプレイ。
　　【請求項５】
　前記スキャンラインに隣接し、前記第２部の前記ギャップに対応する複数のコンデンサを更に含む請求項４に記載のフラットパネルディスプレイ。
　　【請求項６】
　前記シグナルラインに実質的に対応する第１部の前記ギャップに対応し、前記ストライプ状遮蔽層と前記メインの遮蔽構造に部分的に重なり、前記シグナルラインに接続する複数の第３補助遮蔽層を含む第１部の前記補助遮蔽構造と、
　前記スキャンラインに実質的に対応する第２部の前記ギャップに対応し、前記画素電極と前記メインの遮蔽構造に部分的に重なり、前記スキャンラインに接続する複数の第２補助遮蔽層を含む第２部の前記補助遮蔽構造とを備える請求項３に記載のフラットパネルディスプレイ。
　　【請求項７】
　前記スキャンラインに隣接し、前記第２部の前記ギャップに対応する複数のコンデンサを更に含む請求項６に記載のフラットパネルディスプレイ。
　　【請求項８】
　前記シグナルラインに実質的に対応する第１部の前記ギャップに対応し、相互に重なる複数の第１と第３補助遮蔽層を含み、第１補助遮蔽層は、前記シグナルラインと前記メインの遮蔽構造に部分的に重なり、前記ストライプ状遮蔽層に接続し、第３補助遮蔽層は、前記ストライプ状遮蔽層と前記メインの遮蔽構造に部分的に重なり、前記シグナルラインに接続する第１部の前記補助遮蔽構造と、
　前記スキャンラインに実質的に対応する第２部の前記ギャップに対応し、前記画素電極と前記メインの遮蔽構造に部分的に重なる複数の第２補助遮蔽層を含み、前記スキャンラインに接続する第２部の前記補助遮蔽構造とを備える請求項３に記載のフラットパネルディスプレイ。
　　【請求項９】
　前記スキャンラインに隣接し、前記第２部の前記ギャップに対応する複数のコンデンサを更に含む請求項８に記載のフラットパネルディスプレイ。
　　【請求項１０】
　前記補助遮蔽構造は、前記シグナルラインに実質的に対応する前記ギャップに対応し、前記シグナルラインと前記メインの遮蔽構造に部分的に重なる複数の第１補助遮蔽層を含み、前記ストライプ状遮蔽層に接続するものである請求項３に記載のフラットパネルディスプレイ。
　　【請求項１１】
　前記補助遮蔽構造は、前記シグナルラインに実質的に対応する前記ギャップに対応し、前記ストライプ状遮蔽層と前記メインの遮蔽構造に部分的に重なる複数の第３補助遮蔽層を含み、前記シグナルラインに接続するものである請求項３に記載のフラットパネルディスプレイ。
　　【請求項１２】
　前記補助遮蔽構造は、前記シグナルラインに実質的に対応する前記ギャップに対応し、相互に重なる複数の第１と第３補助遮蔽層を含み、第１補助遮蔽層は、前記シグナルラインと前記メインの遮蔽構造に部分的に重なり、前記ストライプ状遮蔽層に接続し、
　第３補助遮蔽層は、前記ストライプ状遮蔽層と前記メインの遮蔽構造に部分的に重なり、前記シグナルラインに接続するものである請求項３に記載のフラットパネルディスプレイ。
　　【請求項１３】
　前記ギャップは前記スキャンラインに実質的に対応し、
　前記メインの遮蔽構造は、複数の魚の骨形スペーサによって物理的に互いに分離された、複数の魚の骨形遮蔽層を含み、且つ、前記シグナルラインと並列し、各魚の骨形スペーサは前記メインスペーサと前記ギャップより構成されるものである請求項１に記載のフラットパネルディスプレイ。
　　【請求項１４】
　前記ギャップは前記スキャンラインに実質的に対応し、
　前記メインの遮蔽構造は、複数の魚の骨形スペーサによって物理的に互いに分離された複数の魚の骨形遮蔽要素を含み、且つ、前記スキャンラインと並列し、各魚の骨形スペーサは前記メインスペーサと前記ギャップより構成される請求項１に記載のフラットパネルディスプレイ。
　　【請求項１５】
　複数のコモン電極と、
　前記コモン電極の間に配置される画素電極と、および
　前記コモン電極に接続され、不透明材料より構成されるコモン電極ラインとを更に含み、
　前記ギャップの下に位置する前記コモン電極ラインは前記補助遮蔽構造である請求項１に記載のフラットパネルディスプレイ。
　　【請求項１６】
　互いに交叉して複数の画素領域を定義する複数のスキャンラインと複数のシグナルライン、前記画素領域に配置される複数の画素電極、前記シグナルラインと前記画素電極の間に配置され、前記画素電極に重なる複数のストライプ状遮蔽層、および複数の補助遮蔽構造を含む第１基板と、
　前記画素領域と複数のギャップに実質的に対応する複数のメインスペーサを有し、各ギャップが前記スキャンラインまたは前記シグナルラインのうちの１つに実質的に対応し、各メインスペーサが少なくとも１つの前記ギャップに接続され、各ギャップは二つの隣接したメインスペーサに接続されてなるメインの遮蔽構造、および前記メインの遮蔽構造に配置されるカラーフィルターを含む第２基板と、
　前記第１と前記第２基板の間で密閉される液晶とからなり、
　前記補助遮蔽構造が前記ギャップに対応することを特徴とするフラットパネルディスプレイ。
　　【請求項１７】
　第１方向に相互に並列する第１と第２スキャンライン、
　第２方向に相互に並列し、前記第１及び第２スキャンラインとともに、画素領域を定義し、且つ、前記第１と第２スキャンラインとともに第１基板に位置する第１及び第２シグナルライン、
前記画素領域に実質的に対応するメインスペーサと前記メインスペーサに隣接するメインスペーサに接続されるギャップを有し、前記第１基板に対向する第２基板に位置するメインの遮蔽構造、および、前記メインの遮蔽構造を部分的に覆うために前記ギャップの下に配置される補助遮蔽構造を含み、前記複数のスキャンラインと前記複数のシグナルラインが第１基板に配置され、
　前記ギャップは前記第１シグナルラインの上に配置され、第１画素電極は前記メインスペーサの下に配置され、第２画素電極は前記隣接するメインスペーサの下に配置され、前記第１及び第２画素電極は前記第１スキャンラインによってコントロールされるものであり、
　第１シグナルラインの両側にある第１と前記第２ストライプ状遮蔽層、および前記補助遮蔽構造を構成し、前記第１シグナルラインと前記メイン遮蔽構造に部分的に重なり、前記第１及び第２ストライプ状遮蔽層にそれぞれ接続する第１及び第２補助遮蔽層を含むフラットパネルディスプレイ。
　　【請求項１８】
　第１方向に相互に並列する第１と第２スキャンライン、
　第２方向に相互に並列し、前記第１及び第２スキャンラインとともに、画素領域を定義し、且つ、前記第１と第２スキャンラインとともに第１基板に位置する第１及び第２シグナルライン、
前記画素領域に実質的に対応するメインスペーサと前記メインスペーサに隣接するメインスペーサに接続されるギャップを有し、前記第１基板に対向する第２基板に位置するメインの遮蔽構造、および、前記メインの遮蔽構造を部分的に覆うために前記ギャップの下に配置される補助遮蔽構造を含み、前記複数のスキャンラインと前記複数のシグナルラインが第１基板に配置され、
　前記ギャップは前記第１シグナルラインの上に配置され、第１画素電極は前記メインスペーサの下に配置され、第２画素電極は前記隣接するメインスペーサの下に配置され、前記第１及び第２画素電極は前記第１スキャンラインによってコントロールされるものであり、
　前記第１シグナルラインの両側にある第１及び第２ストライプ状遮蔽層、および前記補助遮蔽構造を構成し、前記第１及び第２ストライプ状遮蔽層と前記メイン遮蔽構造に部分的に重なり、前記第１シグナルラインに接続する第１及び第２補助遮蔽層を含むフラットパネルディスプレイ。
　　【請求項１９】
　第１方向に相互に並列する第１と第２スキャンライン、
　第２方向に相互に並列し、前記第１及び第２スキャンラインとともに、画素領域を定義し、且つ、前記第１と第２スキャンラインとともに第１基板に位置する第１及び第２シグナルライン、
前記画素領域に実質的に対応するメインスペーサと前記メインスペーサに隣接するメインスペーサに接続されるギャップを有し、前記第１基板に対向する第２基板に位置するメインの遮蔽構造、および、前記メインの遮蔽構造を部分的に覆うために前記ギャップの下に配置される補助遮蔽構造を含み、前記複数のスキャンラインと前記複数のシグナルラインが第１基板に配置され、
　前記ギャップは前記第１シグナルラインの上に配置され、第１画素電極は前記メインスペーサの下に配置され、第２画素電極は前記隣接するメインスペーサの下に配置され、前記第１及び第２画素電極は前記第１スキャンラインによってコントロールされるものであり、
　前記第１シグナルラインの両側にある第１と前記第２ストライプ状遮蔽層、および前記補助遮蔽構造を構成する第１と第２、第３と第４補助遮蔽層を含み、
　前記第１と第２補助遮蔽層は前記メイン遮蔽構造に重なり、前記第１と前記第２ストライプ状遮蔽層にそれぞれ接続し、前記第３と前記第４補助遮蔽層は前記メイン遮蔽構造に重なり、前記第１シグナルラインに接続し、前記第１と第２補助遮蔽層は前記第３と第４補助遮蔽層に重なるフラットパネルディスプレイ。
　　【請求項２０】
　前記ギャップは前記第１スキャンラインの上に配置され、第１画素電極は前記メインスペーサの下に配置され、第２画素電極は前記隣接するメインスペーサの下に配置され、前記第１と前記第２画素電極は前記第１シグナルラインによってコントロールされる請求項１７〜１９のいずれかに記載のフラットパネルディスプレイ。
　　【請求項２１】
　前記第１スキャンラインに隣接し、前記ギャップに対応しているコンデンサを含む請求項２０に記載のフラットパネルディスプレイ。
　　【請求項２２】
　補助遮蔽構造が前記第１スキャンラインに隣接する請求項２０に記載のフラットパネルディスプレイ。」
　
と補正するものである。
　
２　本件補正の適否の検討
（１）特許法１７条の２第４項１号（以下、単に「１号」という。）は、請求項の削除を行う補正は新たな審査を必要としないことから、これを認めることとし、また、同条項２号（以下、単に「２号」という。）は、特許請求の範囲の減縮を行う補正のうち、「請求項に記載した発明を特定するために必要な事項を限定するものであって、その補正前の当該請求項に記載された発明とその補正後の当該請求項に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるもの」（同号かっこ書き）についてのみ、これを認めることとしているものである。
　そして、上記かっこ書きの文言からすれば、２号の規定は、補正が認められる特許請求の範囲の減縮といえるためには、補正後の請求項が補正前の請求項に記載された発明を特定するために必要な事項を限定する関係にあること、及び、補正前の請求項と補正後の請求項との間において、発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であることを必要とするとしたものであり、ここで、上記の「限定する」ものであるかどうか、「同一である」かどうかは、いずれも特許請求の範囲に記載された当該請求項について、その補正の前後を比較して判断すべきものであり、補正前の請求項と補正後の請求項とが対応したものとなっていることを当然の前提としているものと解するのが相当である。また、一般に、特許請求の範囲の補正の態様としては、その量的な面（請求項の数）と内容的な面（技術的内容）とが考えられるが、１号は、そのうち量的な面（請求項の数）に着目して「請求項の削除」の場合のみを規定したものであり、２号の特許請求の範囲の減縮は、特許請求の範囲の内容的な面に着目して、その拡張等以外の「減縮」について定めたものということができる。このような１号と２号の関係や、２号かっこ書きにおいて、その補正前の「当該請求項」に記載された発明とその補正後の「当該請求項」に記載される発明とが対応する関係に立つことが前提とされていることからすると、２号の規定は、請求項の発明特定事項を限定して、これを減縮補正することによって、当該請求項がそのままその補正後の請求項として維持されるという態様による補正を定めたものとみるのが相当であって、当該一つの請求項を削除して新たな請求項をたてるとか、当該一つの請求項に係る発明を複数の請求項に分割して新たな請求項を追加するというような態様による補正を予定しているものではないというべきである。
　したがって、一つの請求項に記載された発明を複数の請求項に分割して、新たな請求項を追加する態様による補正は、たとえそれが全体として一つの請求項に記載された発明特定事項を限定する趣旨でされたものであるとしても、２号の定める「特許請求の範囲の減縮」には当たらないというべきであり、２号の定める「特許請求の範囲の減縮」は、補正前後の請求項に係る発明が一対一の対応関係にあることを必要とすると解するのが相当である。
　もっとも、多数項引用形式で記載された一つの請求項を、引用請求項を減少させて独立形式の請求項とする場合や、構成要件が択一的なものとして記載された一つの請求項について、その択一的な構成要件をそれぞれ限定して複数の請求項とする場合のように、補正前の請求項が実質的に複数の請求項を含むものであるときに、これを補正に際し独立の請求項とすることにより、請求項の数が増加することになるとしても、それは、実質的に新たな請求項を追加するものとはいえず、実質的には一対一の対応関係にあるということができるから、このような補正まで否定されるものではない（東京高裁平成１５年（行ケ）第２３０号、知財高裁平成１７年（行ケ）第１０１９２号、知財高裁平成１７年（行ケ）第１０１５６号参照）。
　
（２）以上を踏まえて、本件補正が、平成１８年法律第５５号改正附則３条１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法１７条の２第４項に規定する要件を満たすものであるか否かを検討する。
　
ア（ア）まず、本件補正後の請求項１７に係る本件補正の目的を検討する。
　本件補正後の請求項１７は、本件補正前の請求項１７の内容をそのまま含み、これに本件補正前の請求項２１及び２２の内容をそのまま含んだ内容となっている。
　すると、本件補正の目的は、（ａ）本件補正前の請求項１７を対象として、そこに含まれる内容を本件補正前の請求項２１及び２２の内容に限定して本件補正後の請求項１７とし、本件補正前の請求項２１及び２２を削除したもの、（ｂ）本件補正前の請求項１７を引用した本件補正前の請求項２１を対象にして本件補正前の請求項２２の内容に限定して本件補正後の請求項１７とし、本件補正前の請求項１７及び２２を削除したもの、あるいは、（ｃ）本件補正前の請求項１７と２１が引用されることになる本件補正前の請求項２２を維持して本件補正後の請求項１７とし、本件補正前の請求項１７及び２１を削除したものの、のいずれかであると理解することが一応可能である。
　そして、仮に、本件補正後の請求項１７に係る本件補正の目的を（ａ）または（ｂ）と解すると、本件補正は本件補正前の請求項１７または２１を本件補正前の請求項２２の内容に限定することを含む補正となるが、本件補正前の請求項１７または２１には本件補正前の請求項２２の「第１ストライプ状遮蔽層」及び「第２ストライプ状遮蔽層」が記載されていないから、本件補正後の請求項１７に係る本件補正の目的は「請求項に記載した発明を特定するために必要な事項を限定するもの」（特許法１７条の２第４項２号かっこ書き）でなく、特許法１７条の２第４項２号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」に該当しない。また、本件補正後の請求項１７に係る本件補正の目的を（ａ）または（ｂ）と解すると、本件補正の目的は同条項１号に掲げる「請求項の削除」、３号掲げる「誤記の訂正」、４号掲げる「明りようでない記載の釈明」のいずれにも該当しないことは明らかである。すると、本件補正後の請求項１７に係る本件補正の目的を（ａ）または（ｂ）と解すると、本件補正は同条項の規定に違反すると判断せざるを得ない。
　したがって、本件補正後の請求項１７に係る本件補正の目的は（ｃ）であり、同条項１号に掲げる「請求項の削除」に該当すると解するのが相当である。
　
（イ）同様に、（ａ）本件補正後の請求項１８に係る本件補正の目的は、本件補正前の請求項１７と２１が引用されることになる本件補正前の請求項２３を維持して本件補正後の請求項１８とし、本件補正前の請求項１７及び２１を削除したものであり、同条項１号に掲げる「請求項の削除」に該当し、（ｂ）本件補正後の請求項１９に係る本件補正の目的は、本件補正前の請求項１７と２１が引用されることになる本件補正前の請求項２４を維持して本件補正後の請求項１９とし、本件補正前の請求項１７及び２１を削除したものであり、同条項１号に掲げる「請求項の削除」に該当すると解するのが相当である。
　
イ　次に、本件補正後の請求項２０に係る本件補正の目的を検討する。
（ア）ａ　本件補正後の請求項２０は、本件補正前の請求項１８の内容をそのまま含み、これに本件補正前の請求項２２ないし２４の内容をそのまま含んだ内容となっている。
　そして、上記第２の２（２）アで検討したとおり、本件補正の目的には本件補正前の請求項１７及び２１を削除することが含まれるから、本件補正後の請求項２０に係る本件補正の目的は、（ａ）本件補正前の請求項２２ないし２４を対象にして、そこに含まれる内容を本件補正前の請求項１８の内容に限定して本件補正後の請求項２０としたもの、（ｂ）本件補正前の請求項１８を対象として、そこに含まれる内容を本件補正前の請求項２２ないし２４の内容に限定して本件補正後の請求項２０としたもの、のいずれかであると理解することが一応可能である。
　
ｂ　そして、上記審判請求書の請求の理由の欄において、請求人は、「請求項１８〜２０は、上記補正後の請求項１７〜１９に従属させるものとした。」と主張していることから、本件補正後の請求項２０に係る本件補正の目的は上記第２の２（２）イ（ア）ａの（ａ）であると解するのが相当である。
　しかし、本件補正前の請求項１８は、本件補正前の請求項１７を引用するだけであって、本件補正前の請求項２２ないし２４を引用していない。また、上記第２の２（２）アで検討したとおり、本件補正の目的には、本件補正前の請求項２２ないし２４を維持して、本件補正前の請求項１７及び２１を削除することが含まれるから、本件補正前の請求項２２ないし２４は既に本件補正後の請求項１７ないし１９として補正されている。すると、本件補正後の請求項２０に係る本件補正の目的は上記第２の２（２）イ（ア）ａの（ａ）であると解すると、本件補正後の請求項２０に係る本件補正の目的は、本件補正前の請求項２２ないし２４に記載された発明を複数の請求項に分割して新たな請求項を追加することであり、本件補正前後の請求項が一対一の対応関係にないことになる。
　さらに、本件補正後の請求項２０は、本件補正前の多数項引用形式の請求項を補正によって独立形式とした場合でないことはいうまでもないし、本件補正前の請求項に択一的に記載された発明特定事項を限定して複数の請求項としたものでないことも明らかである。
　したがって、本件補正後の請求項２０に係る本件補正の目的は上記第２の２（２）イ（ア）ａの（ａ）であると解すると、本件補正後の請求項２０に係る本件補正の目的は、特許法１７条の２第４項２号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」に該当しない。
　
ｃ　また、仮に、本件補正後の請求項２０に係る本件補正の目的は上記第２の２（２）イ（ア）ａの（ｂ）であると解すると、本件補正は本件補正前の請求項１８を本件補正前の請求項２２ないし２４の内容に限定することを含む補正となるが、本件補正前の請求項１８には本件補正前の請求項２２ないし２４の「第１ストライプ状遮蔽層」及び「第２ストライプ状遮蔽層」が記載されていないから、本件補正後の請求項２０に係る本件補正の目的は、「請求項に記載した発明を特定するために必要な事項を限定するもの」（特許法１７条の２第４項２号かっこ書き）に該当しない。
　したがって、本件補正後の請求項２０に係る本件補正の目的は上記第２の２（２）イ（ア）ａの（ｂ）であると解しても、本件補正後の請求項２０に係る本件補正の目的は、特許法１７条の２第４項２号に規定する「特許請求の範囲の減縮」に該当しない。
　
（イ）さらに、本件補正後の請求項２０に係る本件補正の目的は上記第２の２（２）イ（ア）ａの（ａ）ないし（ｂ）のいずれであると解しても、本件補正後の請求項２０に係る本件補正の目的は、同条項１号に掲げる「請求項の削除」、同条項３号に掲げる「誤記の訂正」、同条項４号に掲げる「明りようでない記載の釈明（拒絶理由通知に係る拒絶の理由に示す事項についてするものに限る。）」のいずれにも該当しないことは明らかである。
　
（ウ）したがって、本件補正は、同条項の規定に違反する。
　
ウ　さらに、本件補正後の請求項２１に係る本件補正の目的を検討する。
（ア）ａ　本件補正後の請求項２１は、本件補正前の請求項１９の内容をそのまま含み、これに本件補正前の請求項２２ないし２４の内容をそのまま含んだ内容となっている。
　そして、上記第２の２（２）アで検討したとおり、本件補正の目的には、本件補正前の請求項１７及び２１を削除することが含まれるから、本件補正後の請求項２１に係る本件補正の目的は、（ａ）本件補正前の請求項２２ないし２４を対象にして、そこに含まれる内容を本件補正前の請求項１９の内容に限定して本件補正後の請求項２１としたもの、（ｂ）本件補正前の請求項１９を対象として、そこに含まれる内容を本件補正前の請求項２２ないし２４の内容に限定して本件補正後の請求項２１としたもの、（ｃ）本件補正前の請求項１８を対象として、そこに含まれる内容を本件補正前の請求項１９及び２２ないし２４の内容に限定して本件補正後の請求項２１としたもの、のいずれかであると理解することが一応可能である。
　
ｂ　そして、上記審判請求書の請求の理由の欄において、請求人は、「請求項１８〜２０は、上記補正後の請求項１７〜１９に従属させるものとした。」と主張していることから、本件補正後の請求項２１に係る本件補正の目的は上記第２の２（２）ウ（ア）ａの（ａ）であると解するのが相当である。
　しかし、本件補正前の請求項２２ないし２４には本件補正前の請求項１９の「コンデンサ」が記載されていないから、本件補正後の請求項２１に係る本件補正の目的は、「請求項に記載した発明を特定するために必要な事項を限定するもの」（特許法１７条の２第４項２号括弧書き）に該当しない。
　また、本件補正前の請求項１９は、本件補正前の請求項１７を引用する本件補正前の請求項１８を引用するだけであって、本件補正前の請求項２２ないし２４を引用していない。また、上記第２の２（２）アで検討したとおり、本件補正の目的には、本件補正前の請求項２２ないし２４を維持して、本件補正前の請求項１７及び２１を削除することが含まれるから、本件補正前の請求項２２ないし２４は既に本件補正後の請求項１７ないし１９として補正されている。すると、本件補正後の請求項２１に係る本件補正の目的は上記第２の２（２）ウ（ア）ａの（ａ）であると解すると、本件補正後の請求項２１に係る本件補正の目的は、本件補正前の請求項２２ないし２４に記載された発明を複数の請求項に分割して新たな請求項を追加することであり、本件補正前後の請求項が一対一の対応関係にないことになる。
　さらに、本件補正後の請求項２１は、本件補正前の多数項引用形式の請求項を補正によって独立形式とした場合でないことはいうまでもないし、本件補正前の請求項に択一的に記載された発明特定事項を限定して複数の請求項としたものでないことも明らかである。
　したがって、本件補正後の請求項２１に係る本件補正の目的は上記第２の２（２）ウ（ア）ａの（ａ）であると解すると、本件補正後の請求項２１に係る本件補正の目的は、特許法１７条の２第４項２号に規定する「特許請求の範囲の減縮」に該当しない。
　
ｃ　また、仮に、本件補正後の請求項２１に係る本件補正の目的が上記第２の２（２）ウ（ア）の（ｂ）または（ｃ）であると解すると、本件補正は本件補正前の請求項１８または１９を本件補正前の請求項２２ないし２４の内容に限定することを含む補正となるが、本件補正前の請求項１８及び１９には本件補正前の請求項２２ないし２４の「第１ストライプ状遮蔽層」及び「第２ストライプ状遮蔽層」が記載されていないから、本件補正後の請求項２１に係る本件補正は「請求項に記載した発明を特定するために必要な事項を限定するもの」（特許法１７条の２第４項２号かっこ書き）に該当しない。
　したがって、本件補正後の請求項２１に係る本件補正の目的は上記第２の２（２）ウ（ア）ａの（ｂ）または（ｃ）であると解しても、本件補正後の請求項２１に係る本件補正の目的は、特許法１７条の２第４項２号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」に該当しない。
　
（イ）さらに、本件補正後の請求項２１に係る本件補正の目的は上記第２の２（２）ウ（ア）ａの（ａ）ないし（ｃ）のいずれであると解しても、本件補正後の請求項２１に係る本件補正の目的は、同条項１号に掲げる「請求項の削除」、同条項３号に掲げる「誤記の訂正」、同条項４号に掲げる「明りようでない記載の釈明（拒絶理由通知に係る拒絶の理由に示す事項についてするものに限る。）」のいずれにも該当しないことは明らかである。
　
（ウ）したがって、本件補正は、同条項の規定に違反する。
　
３　むすび
　以上のとおりであるから、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則３条１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法１７条の２第４項の規定に違反するので、同法１５９条１項において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下すべきものである。
　よって、上記［補正の却下の決定の結論］のとおり、決定する。
　
　
第３　本件審判請求についての判断
１　本願発明の認定
　本件補正が却下されたから、平成１９年７月２５日付けの手続補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面に基づいて審理すると、本願の請求項１７に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１９年７月２５日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の【請求項１７】に記載された事項によって特定される次のとおりのものと認める。
　
「第１方向に相互に並列する第１と第２スキャンライン、
　第２方向に相互に並列し、前記第１及び第２スキャンラインとともに、画素領域を定義し、且つ、前記第１と第２スキャンラインとともに第１基板に位置する第１及び第２シグナルライン、
前記画素領域に実質的に対応するメインスペーサと前記メインスペーサに隣接するメインスペーサに接続されるギャップを有し、前記第１基板に対向する第２基板に位置するメインの遮蔽構造、および、前記メインの遮蔽構造を部分的に覆うために前記ギャップの下に配置される補助遮蔽構造を含み、前記複数のスキャンラインと前記複数のシグナルラインが第１基板に配置されることを特徴とするフラットパネルディスプレイ。」
　
２　先願明細書に記載された発明の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前の他の出願であって、その出願後に出願公開された特願２００３−１１１５２９号（特開２００４−４６０９１号参照）の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、「先願明細書１」という。）には、以下の（ア）ないし（シ）の記載が図面とともにある。
　
（ア）「【請求項１】
一対の第１及び第２基板間に挟持された電気光学物質と、
前記第１基板上に、画素電極と、該画素電極をスイッチング制御する薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに画像信号を供給するデータ線と、前記薄膜トランジスタに走査信号を供給すると共に前記データ線と交差する走査線とを備えており、
前記第２基板上に、前記薄膜トランジスタを構成する半導体層の少なくともチャネル領域を上側から覆う第１遮光膜を備えており、
前記第１遮光膜は、平面的に見て前記データ線及び前記走査線が相交差する交差領域において、前記画素電極に対応する各画素の開口領域に隅切りを規定するように張り出した張り出し部を有し、
前記チャネル領域は、前記交差領域内に配置されていることを特徴とする電気光学装置。」
　
（イ）「【請求項５】
前記第１遮光膜は、前記交差領域を含む前記走査線又は前記データ線に沿って延びるストライプ状の領域に形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電気光学装置。」
　
（ウ）「【請求項１１】
前記第１基板上に、少なくとも前記チャネル領域を下側から覆う下側遮光膜を更に備えたことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１２】
前記下側遮光膜は、前記交差領域において、前記隅切りを規定するように張り出した張り出し部を有することを特徴とする請求項１１に記載の電気光学装置。」
　
（エ）「【０００９】
本発明は上述の問題点に鑑みなされたものであり、耐光性に優れており、明るく高品位の画像表示が可能な電気光学装置及びそのような電気光学装置を具備してなる電子機器を提供することを課題とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、一対の第１及び第２基板間に挟持された電気光学物質と、前記第１基板上に、画素電極と、該画素電極をスイッチング制御する薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに画像信号を供給するデータ線と、前記薄膜トランジスタに走査信号を供給すると共に前記データ線と交差する走査線と、を備えており、前記第２基板上に、前記薄膜トランジスタを構成する半導体層の少なくともチャネル領域を上側から覆う第１遮光膜を備えており、前記第１遮光膜は、平面的に見て前記データ線及び前記走査線が相交差する交差領域において、前記画素電極に対応する各画素の開口領域に隅切りを規定するように張り出した張り出し部を有し、前記チャネル領域は、前記交差領域内に配置されていることを特徴とする。
【００１１】
本発明の電気光学装置によれば、その動作時には、例えば薄膜トランジスタのソースに、データ線を介して画像信号が供給され、薄膜トランジスタのゲートに、走査線を介して走査信号が供給される。すると、例えば薄膜トランジスタのドレインに接続された画素電極を、薄膜トランジスタによりスイッチング制御することによって、アクティブマトリクス駆動方式による駆動を行なえる。尚、第２基板上には、例えば画素電極に対向配置された対向電極が設けられて、これと画素電極との間で電圧印加が行われる。或いは横電界駆動方式の場合には、このような対向電極は不要であり、相隣接する画素電極間で電圧印加が行われる。
【００１２】
そして、薄膜トランジスタを構成する半導体層の少なくともチャネル領域及びその隣接領域は、第２基板上に形成された第１遮光膜によって、その上側から覆われているので、基板面に対して上方からの入射光が、薄膜トランジスタのチャネル領域及びその隣接領域に入射するのを、基本的に阻止できる。
【００１３】
ここで特に、第１遮光膜は、データ線及び走査線が相交差する交差領域において、各画素の開口領域に隅切りを規定するように張り出した張り出し部を有する。例えば、四角形の開口領域を基準に考えれば、一から四つの隅切りがなされて、五角形から八角形の開口領域が、規定される。そして、チャネル領域は、このような隅切りを有する交差領域内に配置されている。従って、このような張り出し部が存在しない場合と比べて、基板面に対して上方から垂直に或いは斜めに進行する強力な入射光及びこれに基づく内面反射光及び多重反射光などが、薄膜トランジスタのチャネル領域及びその隣接領域に入射するのを、張り出し部を有する第１遮光膜によって有効に阻止できる。
【００１４】
これらの結果、各画素の開口率を高めつつ、薄膜トランジスタにおける光リーク電流の発生やばらつきに起因した表示ムラ或いはフリッカなどを、効率的に低減でき、最終的に明るく高品位の画像を表示できる。」
　
（オ）「【００２１】
或いは本発明の電気光学装置の他の態様では、前記第１遮光膜は、前記交差領域を含む前記走査線又は前記データ線に沿って延びるストライプ状の領域に形成されている。
【００２２】
この態様によれば、交差領域を含むストライプ状の領域に形成されていると共に張り出し部を有する第１遮光膜によって、チャネル領域及びその隣接領域に対する遮光性能を局所的に高められる。しかも、走査線又はデータ線に沿ったストライプ状の領域全般についての遮光も行うことができ、第１遮光膜により、各画素の格子状の非開口領域のうち走査線
又はデータ線に沿った領域を規定することも可能である。」
　
（カ）「【００３４】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記第１基板上に、前記チャネル領域及びその隣接領域を下側から覆う下側遮光膜を更に備える。
【００３５】
この態様によれば、薄膜トランジスタを構成する半導体層のチャネル領域及びその隣接領域は、下側遮光膜によって、その下側から覆われているので、基板面に対して下方からの戻り光及びそれに起因する内面反射光或いは多重反射光が、薄膜トランジスタのチャネル領域及びその隣接領域に入射するのを基本的に阻止できる。ここに「戻り光」とは例えば、基板の裏面反射や、当該電気光学装置をライトバルブとして複数用いた複板式プロジェクタにおける他のライトバルブから出射され合成光学系を突き抜けてくる光などの、入射光と反対方向に戻ってくる、表示に寄与しない光をいう。
【００３６】
加えて、このような下側遮光膜によって、第１基板上にて各画素の非開口領域の全部又は一部を規定することが可能となる。
【００３７】
この態様では、前記下側遮光膜は、前記交差領域において、前記隅切りを規定するように張り出した張り出し部を有してよい。
【００３８】
このように構成すれば、当該下側遮光膜に張り出し部が存在しない場合と比べて、基板面に対して下方から垂直に或いは斜めに進行する戻り光及びこれに基づく内面反射光及び多重反射光などが、薄膜トランジスタのチャネル領域及びその隣接領域に入射するのを、張り出し部を有する下側遮光膜によって有効に阻止できる。」
　
（キ）「【００４９】
本発明の電子機器は、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、明るく高品位の画像表示が可能な、投射型表示装置、液晶テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。」
　
（ク）「【００５４】
図２において、電気光学装置のＴＦＴアレイ基板上には、マトリクス状に複数の透明な画素電極９ａ（点線部９ａ’により輪郭が示されている）が設けられており、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ及び走査線３ａが設けられている。
【００５５】
また、半導体層１ａのうち図中右上がりの細かい斜線領域で示したチャネル領域１ａ’に対向するように走査線３ａが配置されており、走査線３ａはゲート電極として機能する。特に本実施形態では、走査線３ａは、当該ゲート電極となる部分において幅広に形成されている。このように、走査線３ａとデータ線６ａとの交差する個所には夫々、チャネル領域１ａ’に走査線３ａがゲート電極として対向配置された画素スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。
【００５６】
図２及び図３に示すように、容量線３００は、走査線３ａ上に形成されている。容量線３００は、平面的に見て走査線３ａに沿ってストライプ状に伸びる本線部と、走査線３ａ及びデータ線６ａの交点における該本線部からデータ線６ａに沿って図２中上下に突出した突出部とを含んでなる。尚、走査線３ａは突出部を含まず直線的に形成しても良い。
【００５７】
容量線３００は、例えば金属又は合金を含む導電性の遮光膜からなり上側遮光膜の一例を構成すると共に固定電位側容量電極としても機能する。容量線３００は、例えばＴｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる。容量線３００は、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅）等の他の金属を含んでもよい。或いは、容量線３００は、例えば導電性のポリシリコン膜等からなる第１膜と高融点金属を含む金属シリサイド膜等からなる第２膜とが積層された多層構造を持ってもよい。
【００５８】
他方、容量線３００に対して、誘電体膜７５を介して対向配置される中継層７１は、蓄積容量７０の画素電位側容量電極としての機能を持ち、更に、画素電極９ａとＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅとを中継接続する中間導電層としての機能を持つ。
【００５９】
このように本実施形態では、蓄積容量７０は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに接続された画素電位側容量電極としての中継層７１と、固定電位側容量電極としての容量線３００の一部とが、誘電体膜７５を介して対向配置されることにより構築されている。
【００６０】
そして、図２中縦方向に夫々伸びるデータ線６ａと図２中横方向に夫々伸びる容量線３００とが相交差して形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０上におけるＴＦＴ３０の上側に、平面的に見て格子状の上側遮光膜が構成されており、各画素の開口領域を概ね規定している。
【００６１】
他方、ＴＦＴアレイ基板１０上におけるＴＦＴ３０の下側には、下側遮光膜１１ａが格子状に設けられている。下側遮光膜１１ａについても、容量線３００と同様に各種金属膜等から形成される。」
　
（ケ）「【００６７】
図２及び図３において、電気光学装置は、透明なＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される透明な対向基板２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば石英基板、ガラス基板、シリコン基板からなり、対向基板２０は、例えばガラス基板や石英基板からなる。
【００６８】
図３に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０には、画素電極９ａが設けられており、その上
側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。画素電極９ａは例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）膜などの透明導電性膜からなる。また配向膜１６は例えば、ポリイミド膜などの有機膜からなる。
【００６９】
他方、対向基板２０には、その全面に渡って対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設けられている。対向電極２１は例えば、ＩＴＯ膜などの透明導電性膜からなる。また配向膜２２は、ポリイミド膜などの有機膜からなる。
【００７０】
このように構成された、画素電極９ａと対向電極２１とが対面するように配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、後述のシール材により囲まれた空間に電気光学物質の一例である液晶が封入され、液晶層５０が形成される。液晶層５０は、画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で配向膜１６及び２２により所定の配向状態をとる。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなる。シール材は、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０をそれらの周辺で貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のギャップ材が混入されている。」
　
（コ）「【００７６】
本実施形態では特に、対向基板２０には、各画素の開口領域以外の領域に、第１遮光膜の一例たる遮光膜２３が、島状に形成される。
【００７７】
図４に示すように、遮光膜２３は、格子状の遮光領域或いは非開口領域のうち、平面的に見てデータ線６ａ及び走査線３ａが相交差する交差領域において、容量線３００における張り出し部４０１或いは下側遮光膜１１ａにおける張り出し部４０３（図２参照）とほぼ同様に、画素電極９ａに対応する各画素の開口領域に隅切りを規定するように張り出した
張り出し部４２３を有する。そして、チャネル領域１’は、この交差領域内に配置されている。
【００７８】
このような構成を採ることで、上述の如く上側遮光膜を構成する容量線３００及びデータ線６ａと共に当該遮光膜２３により、対向基板２０側からの入射光がチャネル領域１ａ’及びその隣接領域に侵入するのを、確実に阻止できる。
【００７９】
遮光膜２３の材料については、容量線３００と同様に、例えばＴｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる。Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ等の他の金属を含んでもよい。例えば光吸収性のポリシリコン膜等と、光反射性の金属膜等とが積層された多層構造を持ってもよい。この場合、下側（内側）に光吸収性のポリシリコン膜等を配置した方が、内面反射光を低減する観点からは有利であり、同時に、上側（外側）に光反射性の金属膜等を配置した方が、電気光学装置の温度上昇を防ぐ観点からは有利である。或いは、このような遮光膜２３は、有色樹脂から形成されてもよい。
【００８０】
尚、遮光膜２３の平面パターンに係る各種変形形態については、図５から図１１を参照して後述する。
【００８１】
以上図１から図４を参照して説明したように本実施形態によれば、チャネル領域１ａ’及びその隣接領域（即ち、図２及び図３に示した低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ）は、上側から第１遮光膜の一例たる対向基板２０上に形成された遮光膜２３、並びにＴＦＴアレイ基板１０上に形成された上側遮光膜たる容量線３００及びデータ線６ａにより覆われている。従って、ＴＦＴアレイ基板１０に垂直な方向からの入射光に対する遮光は、遮光膜２３並びに上側遮光膜たる容量線３００及びデータ線６ａにより高めることができる。他方、チャネル領域１ａ’及びその隣接領域は、下側から下側遮光膜１１ａにより覆われている。従って、ＴＦＴアレイ基板１０の裏面反射光や、複数の電気光学装置をライトバルブとして用いた複板式のプロジェクタにおける他の電気光学装置から出射され合成光学系を突き抜けてくる光等の、戻り光に対する遮光は、下側遮光膜１１ａにより高めることができる。
【００８２】
ここで、入射光は、ＴＦＴアレイ基板１０に対して斜め方向から入射する斜め光を含んでいる。例えば、入射角が垂直から１０度〜１５度位までずれる成分を１０％程度含んでいる。更に、このような斜め光が、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成された下側遮光膜１１ａの上面で反射されて、当該電気光学装置内に、斜めの内面反射光が生成される。更にまた、このような斜めの内面反射光が当該電気光学装置内の他の界面で反射されて斜めの多重反射光が生成される。特に入射光は、戻り光に比べて遥かに強力であり、このような入射光に基づく斜めの内面反射光や多重反射光も強力である。加えて、戻り光についても、斜め方向から入射する光を含んでおり、これに基づく内面反射光や多重反射光も発生する。
【００８３】
しかるに、本実施形態では特に、遮光膜２３は、交差領域において、各画素の開口領域に隅切りを規定する張り出し部４２３を有する（図４参照）。更に、容量線３００は、張り出し部４０１を有し、下側遮光膜１１ａは、張り出し部４１１を有する（図２参照）。そして、チャネル領域１ａ’は、交差領域内の中央に配置されており、隅切りが存在する分だけ入射光が通過する或いは戻り光が入射する各画素の開口領域から離間している。このため、チャネル領域１ａ’及びその隣接領域に対する遮光性能は、張り出し部４２３、４０１及び４１１の存在によって、飛躍的に高められている。即ち、張り出し部４２３、４０１及び４１１が存在しない場合と比べて、斜めに進行する強力な入射光や戻り光、更にこれらに基づく内面反射光及び多重反射光などが、チャネル領域１ａ’及びその隣接領域に入射するのを有効に阻止できる。
【００８４】
これらの結果、ＴＦＴ３０における光リーク電流の発生やばらつきに起因した表示ムラ或いはフリッカなどを、効率的に低減できる。」
　
（サ）「【００９２】
（変形形態）
先ず、上述した実施形態で採用可能な対向基板２０上の遮光膜２３の平面パターンの各種変形形態について、図５から図１３を参照して説明する。図５から図１１は夫々、実施形態において採用可能な、対向基板２０側の遮光膜２３の平面パターンに係る変形形態を示す部分平面図である。また、図１２は、図４の実施形態及び図５から図７の変形形態に係る入射光等の経路と各種遮光膜との関係を図式的に示したものであり、図１３は、図８から図１１の変形形態に係る入射光等の経路と各種遮光膜との関係を図式的に示したものである。尚、図５から図１３においては、図１から図４に示したものと同様の構成要素には同様の参照符号を付し、その説明は省略する。
【００９３】
図４に示した上述の実施形態及び図５から図７の変形形態では、対向基板２０上の遮光膜２３及び２３ｂ〜２３ｄは、ＴＦＴアレイ基板１０上に構築される格子状の上側遮光膜（即ち、格子状の遮光領域を規定する容量線３００及びデータ線６ａ）よりも少なくとも部分的に一回り大きく形成されており、少なくとも部分的に各画素の非開口領域を規定するように構成されている。そして、これらいずれの変形形態においても、張り出し部４０１に対向する領域に張り出し部４２３として遮光膜が設けられている。
【００９４】
即ち図４の実施形態では、遮光膜２３は、上側遮光膜が存在する遮光領域のうち交差領域にのみ、島状に対向基板２０上に設けられている。このような遮光膜２３を用いれば、画素スイッチング用ＴＦＴ３０に対して、交差領域付近における遮光性能を格段に高められる。また、交差領域における各画素の非開口領域を規定できる。
【００９５】
図５の変形形態では、遮光膜２３ｂは、上側遮光膜が存在する遮光領域のうち交差領域及び走査線３ａに沿った帯状領域にのみ、概ね横ストライプ状に対向基板２０上に設けられている。このような遮光膜２３ｂを用いれば、画素スイッチング用ＴＦＴ３０に対して、交差領域付近及び走査線３ａに沿った領域における遮光性能を格段に高められる。また、交差領域及び走査線３ａに沿った帯状領域における各画素の非開口領域を規定できる。
【００９６】
図６の変形形態では、遮光膜２３ｃは、上側遮光膜が存在する遮光領域のうち交差領域及びデータ線６ａに沿った領域にのみ、概ね縦ストライプ状に対向基板２０上に設けられている。このような遮光膜２３ｃを用いれば、画素スイッチング用ＴＦＴ３０に対して、交差領域付近及びデータ線６ａに沿った領域における遮光性能を格段に高められる。また、交差領域及びデータ線６ａに沿った領域における各画素の非開口領域を規定できる。」
　
（シ）「【０１１６】
以上説明した実施形態における電気光学装置は、プロジェクタに適用されるため、３枚の電気光学装置がＲＧＢ用のライトバルブとして各々用いられ、各ライトバルブには各々ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになる。従って、各実施形態では、対向基板２０に、カラーフィルタは設けられていない。しかしながら、画素電極９ａに対向する所定領域にＲＧＢのカラーフィルタをその保護膜と共に、対向基板２０上に形成してもよい。このようにすれば、プロジェクタ以外の直視型や反射型のカラー電気光学装置について、各実施形態における電気光学装置を適用できる。（以下略）」
　
３　先願明細書１に記載された発明の認定
（１）先願明細書１の図２及び図３から、先願明細書１の下側遮光膜は、前記チャネル領域を含む前記交差領域及び前記走査線及び前記データ線を下側から覆っていると認められる。
　
（２）したがって、先願明細書１の上記記載事項（ア）ないし（シ）及び図面から、先願明細書１には次のような発明が記載されていると認めることができる。
　
「一対の第１及び第２基板間に挟持された液晶層と、
前記第１基板上に、マトリクス状に設けられた複数の画素電極と、該画素電極をスイッチング制御する薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに画像信号を供給するデータ線と、前記薄膜トランジスタに走査信号を供給すると共に前記データ線と交差する走査線とを備えており、
前記走査線及び前記データ線は、前記画素電極の縦横の境界に沿って設けられており、
前記第２基板上に、前記薄膜トランジスタを構成する半導体層の少なくともチャネル領域を上側から覆う第１遮光膜を備えており、
前記第１遮光膜は、平面的に見て前記データ線及び前記走査線が相交差する交差領域において、前記画素電極に対応する各画素の開口領域に隅切りを規定するように張り出した張り出し部を有し、
前記第１遮光膜は、各画素の開口領域以外の領域であって、前記交差領域を含む前記走査線に沿って延びるストライプ状の領域に形成され、
前記チャネル領域は、前記交差領域内に配置され、
前記第１基板上に、前記チャネル領域を含む前記交差領域及び前記走査線及び前記データ線を下側から覆う下側遮光膜を更に備え、
前記下側遮光膜は、前記交差領域において、前記隅切りを規定するように張り出した張り出し部を有する、液晶表示装置。」（以下、「先願発明１」という。）
　
４　対比
（１）先願発明１の「マトリクス状に設けられた複数の画素電極」「の縦横の境界に沿って設けられ」た「走査線」は、本願発明の「第１方向に相互に並列する第１と第２スキャンライン」に相当する。
　また、先願発明１の「マトリクス状に設けられた複数の画素電極」「の縦横の境界に沿って設けられ」た「データ線」は、本願発明の「第２方向に相互に並列」「する第１及び第２シグナルライン」に相当する。
　そして、先願発明１の「第１基板上に」、「データ線」と「信号線」「とを備え」たことは、本願発明の「第１及び第２シグナルライン」が「前記第１と第２スキャンラインとともに第１基板に位置する」ことに相当し、先願発明１の「第１基板上に」、「データ線」と「信号線」「とを備え」たことは、本願発明の「前記複数のスキャンラインと前記複数のシグナルラインが第１基板に配置される」ことに相当する。
　さらに、先願発明１の「前記走査線及び前記データ線は、前記画素電極の縦横の境界に沿って設けられて」いることは、本願発明の「第１及び第２シグナルライン」が「前記第１と第２スキャンラインとともに」「画素領域を定義」することに相当する。
　
（２）先願発明１の「各画素の開口領域以外の領域であって、前記交差領域を含む前記走査線に沿って延びるストライプ状の領域に形成され」る「第１遮光膜」の各画素に対応する開口領域は、本願発明の「前記画素領域に実質的に対応するメインスペーサ」に相当する。
　また、先願発明１の「各画素の開口領域以外の領域であって、前記交差領域を含む前記走査線に沿って延びるストライプ状の領域に形成され」る「第１遮光膜」の「データ線」上でかつ「張り出し部」の間に位置する開口領域は、先願発明１の「各画素の開口領域以外の領域であって、前記交差領域を含む前記走査線に沿って延びるストライプ状の領域に形成され」る「第１遮光膜」の各画素に対応する開口領域に隣接して「第１遮光膜」の各画素に対応する開口領域を接続するものであるから、先願発明１の「各画素の開口領域以外の領域であって、前記交差領域を含む前記走査線に沿って延びるストライプ状の領域に形成され」る「第１遮光膜」の「データ線」上でかつ「張り出し部」の間に位置する開口領域は、本願発明の「前記メインスペーサに隣接するメインスペーサに接続されるギャップ」に相当する。
　したがって、先願発明１の「前記第２基板上に、前記薄膜トランジスタを構成する半導体層の少なくともチャネル領域を上側から覆う第１遮光膜を備えており」、「前記第１遮光膜は、平面的に見て前記データ線及び前記走査線が相交差する交差領域において、前記画素電極に対応する各画素の開口領域に隅切りを規定するように張り出した張り出し部を有し」、「前記第１遮光膜は、各画素の開口領域以外の領域であって、前記交差領域を含む前記走査線に沿って延びるストライプ状の領域に形成され」いることは、本願発明の「前記画素領域に実質的に対応するメインスペーサと前記メインスペーサに隣接するメインスペーサに接続されるギャップを有し、前記第１基板に対向する第２基板に位置するメインの遮蔽構造」に相当する。
　
（３）先願発明１の「各画素の開口領域以外の領域であって、前記交差領域を含む前記走査線に沿って延びるストライプ状の領域に形成され」る「第１遮光膜」の「データ線」上でかつ「張り出し部」の間に位置する開口領域は、先願発明１の「前記チャネル領域を含む前記交差領域及び前記走査線及び前記データ線を下側から覆う下側遮光膜」によって、下側から覆われている。
　したがって、先願発明１の「各画素の開口領域以外の領域であって、前記交差領域を含む前記走査線に沿って延びるストライプ状の領域に形成され」る「第１遮光膜」の「データ線」上でかつ「張り出し部」の間に位置する開口領域を下側から覆う前記「下側遮光膜」は、本願発明の「前記メインの遮蔽構造を部分的に覆うために前記ギャップの下に配置される補助遮蔽構造」に相当する。
　
（４）以上のとおり、先願発明１は本願発明を特定する事項をすべて備えている。
　したがって、本願発明は、先願明細書１に記載された発明と同一である。
　
５　本願発明と先願発明１の発明者及び出願人の関係
　本願発明の発明者が先願明細書１に記載された発明の発明者と同一であるとも、また、本願の出願時に、その出願人が上記他の出願の出願人と同一であるとも認められない。　
　
６　むすび
　したがって、本願発明は、特許法２９条の２の規定により特許を受けることができない。
　そして、本願発明が特許を受けることができない以上、本願のその余の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。