【事件の表示】
特願２００１−２２６９０３「集積回路パッケージ」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年２月２２日出願公開、特開２００２−５７２３８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
【１】手続の経緯
　本願は、平成１３年７月２７日(パリ条約による優先権主張２０００年７月２８日、ＵＳ)の出願であって、平成１５年８月１１日に自発的に手続補正書が提出され、その後、平成１７年８月１日付けで拒絶理由が通知されたところ、その延長された指定期間内の平成１８年２月３日に意見書及び手続補正書が提出されたが、平成１８年４月５日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成１８年７月７日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、その後、法定期間内の平成１８年８月７日に、その明細書の特許請求の範囲について手続補正がなされたものである。
　　　
【２】補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１８年８月７日の手続補正を却下する。
［理由］
　本件手続補正前後の特許請求の範囲の記載同士を比べると、両者は何ら相違しない。
　ということは、本件手続補正は、結果として、請求項の削除、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正、または明りようでない記載の釈明のいずれをもその目的としたものと認められない。
　したがって、審判請求人が、平成１８年８月７日にした手続補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定に違反するものである。
　よって、本件手続補正は、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　　　
【３】この出願の発明
　平成１８年８月７日の手続補正は上記のとおり却下されたので、この出願の請求項１〜１０に係る発明は、平成１８年２月３日の手続補正書により補正された明細書の、特許請求の範囲の請求項１〜１０に記載された事項により特定されるとおりのものである。
　そして、その請求項１に係る発明(以下、「本願発明」という)は、
　「【請求項１】導電性スラグ；前記導電性スラグの外部表面上に形成された層であって、前記層が第１の材料を含む第１のセグメント及び前記第１の材料と異なる第２の材料を含む第２のセグメントを有し；前記第１の材料上にフットプリントを有する集積回路チップ；及び前記集積回路チップから前記導電性スラグへ延び、前記第２の材料に接触して前記集積回路チップを接地する導電性要素を含むことを特徴とする集積回路パッケージ。」である。
　　　
【４】引用例１，２の記載事項
［１］引用例１(特開平１１−１４５３２２号公報；原審の拒絶理由通知書で提示された引用文献２)の記載事項
　段落【0001】の【発明の属する技術分野】に、
(引1a)「・・・ボールグリッドアレイを有する半導体装置に関するものである」と記載され、
　段落【0009】の【課題を解決するための手段】に、
(引1b)「本発明は、・・・凹状に形成された半導体素子の搭載部と、前記ベース基板に前記接着層を介して接着された接着部を一面に有した放熱用および接地用の金属板と、前記ベース基板の前記他面に所定のパターンで配置され、前記リードと接続された球状電極群と、前記金属板の前記搭載部に接着され、前記リードおよび前記金属板とボンディングワイヤーによって接続された半導体素子と、前記半導体素子と前記ボンディングワイヤーを封止するモールド樹脂とを備え」と記載され、
　段落【0011】の【発明の実施の形態】に、
(引1c)「・・・半導体装置１００は、ＢＧＡ型半導体装置であり、半導体素子１０１が、アップセットされた放熱用、接地用の銅板１０２に搭載され」と記載され、
　段落【0012】に、
(引1d)「銅板１０２は、例えばニッケルめっきが施されており、中央部分がアップセットされ、そのアップセット内部に金めっきあるいは銀めっきによりリング状の接地電極１０６が形成されている」と記載され、
　段落【0013】に、
(引1e)「・・・厚さ０．２ｍｍの銅板１０２の全面に厚さ２．０μｍのニッケルめっきを施し、さらに半導体素子１０１から接地信号を取る為の幅１．０ｍｍのリング状の接地電極１０６を形成する為に、銅板１０２の一面の中央部分に厚さ４．０μｍの金めっきを施す」と記載され、
　段落【0015】に、
(引1f)「・・・銅板１０２のアップセット部分の接地電極１０６内に半導体素子１０１を銀ペーストを介して搭載し、半導体素子１０１の接地バンプと接地電極１０６を金のワイヤー１０８で接続する」と記載されている。
　　　
［２］引用例２(特開平１０−３２１７６１号公報；原審の拒絶理由通知書で提示された引用文献１)の記載事項
　段落【0001】の【産業上の利用分野】に、
(引2a)「本発明は、金属板をパッケージの基板に使用した半導体パッケージ及びその製造方法に関する」と記載され、
　段落【0005】の【作用】に、
(引2b)「本発明によれば、・・・金属基板の有する高い熱放散性、電気特性を確保して、絶縁の信頼性および接続の信頼性に優れた半導体パッケージを低コストにて提供する」と記載され、
　段落【0006】の【実施例】に、
(引2c)「・・・本実施例は通常のパターン形成方法を適用し、銅箔３０をエッチングして配線パターン４０を形成した。配線パターンの所要の部位に穴明してスルーホールメッキを施しスルーホール３５を形成して金属板１０に導通させて、金属板１０をグランド層とすることもできる。・・・プレス加工機を用いて金属板１０に絞り加工を施し、半導体素子を搭載する収容凹部１０ａ、外部接続端子を取り付ける実装面１０ｃを成形した」と記載されている。
　　　
【５】当審の判断
［１］引用発明
　上記(引1c)，(引1b)の、「半導体素子１０１が、アップセットされた放熱用、接地用の銅板１０２に搭載され」，「凹状に形成された半導体素子の搭載部と、ベース基板に接着層を介して接着された接着部を一面に有した放熱用および接地用の金属板」という記載から、
　(１)「銅板の金属板」の開示がある。
　　　
　上記(引1e)の、「厚さ０．２ｍｍの銅板１０２の全面に厚さ２．０μｍのニッケルめっきを施し、さらに半導体素子１０１から接地信号を取る為の幅１．０ｍｍのリング状の接地電極１０６を形成する為に、銅板１０２の一面の中央部分に厚さ４．０μｍの金めっきを施す」という記載から、
　(２)「銅板に施されためっきであって、前記めっきがニッケルを銅板の全面に施すこと及び前記ニッケルと異なる金を前記銅板の中央部分にめっきすること」の開示がある。
　　　
　上記(引1e)，(引1f)の、「厚さ０．２ｍｍの銅板１０２の全面に厚さ２．０μｍのニッケルめっきを施し」，「銅板１０２のアップセット部分の接地電極１０６内に半導体素子１０１を銀ペーストを介して搭載し」という記載から、
　（３）「ニッケルめっき上に銀ペーストを介して搭載された半導体素子」の開示がある。
　　　
　上記(引1e)，(引1f)，(引1a)の、「半導体素子１０１から接地信号を取る為の幅１．０ｍｍのリング状の接地電極１０６を形成する為に、銅板１０２の一面の中央部分に厚さ４．０μｍの金めっきを施す」，「半導体素子１０１の接地バンプと接地電極１０６を金のワイヤー１０８で接続する」，「ボールグリッドアレイを有する半導体装置」という記載から、
　（４）「半導体素子から銅板の中央部分に接続するように、金めっきに接続して前記半導体素子を接地する金のワイヤーを含む半導体装置」の開示がある。
　　　
　以上の(１)〜(４)の開示から、引用例１には、
　「銅板の金属板、前記金属板に施されためっきであって、前記めっきがニッケルを金属板の全面に施すこと及び前記ニッケルと異なる金を前記金属板の中央部分にめっきすること、ニッケルめっき上に銀ペーストを介して搭載された半導体素子、前記半導体素子から前記金属板の中央部分に接続するように、金めっきに接続して前記半導体素子を接地する金のワイヤーを含む半導体装置」の発明(以下、「引用発明」という)が開示されていると認められる。
　　　
［２］引用例２の開示内容
　上記(引2c)の、「配線パターンの所要の部位に穴明してスルーホールメッキを施しスルーホール３５を形成して金属板１０に導通させて、金属板１０をグランド層とする」という記載から、
　（１）「グランド層の金属板に対して直接にスルーホールメッキを形成する」ことの開示がある。
　　　
　また、同じく上記(引2c)の、「金属板１０に絞り加工を施し、半導体素子を搭載する収容凹部１０ａ・・・を成形した」という記載から、
　（２）「金属板に半導体素子が搭載されていること」の開示がある。
　　　
　そして、上記(引2a)，(引2b)の、「本発明は、金属板をパッケージの基板に使用した半導体パッケージ」，「金属基板の有する高い熱放散性、電気特性を確保して、絶縁の信頼性および接続の信頼性に優れた半導体パッケージ」という記載から、
　（３）「金属板をパッケージの基板に使用した高熱放散性半導体パッケージ」の開示がある。
　　　
　以上の(１)〜(３)の開示から、引用例２には、
(引2z)「グランド層の金属板に対して直接にスルーホールメッキを形成したものにおいて、該金属板に半導体素子が搭載されている、金属板をパッケージ基板とした高熱放散性半導体パッケージ」が開示されていると認められる。
　　　
［３］本願発明と引用発明との対比
　本願発明と引用発明とを対比するに、
　まず、引用発明の「半導体素子」，「金のワイヤー」，「半導体装置」は、
　本願発明の「集積回路チップ」，「導電性要素」，「集積回路パッケージ」にそれぞれ相当する。
　そして、引用発明において、
　(ａ)「銅板」は導電材であるから、その金属板は「導電性スラグ」である。
　(ｂ)「金属板に施されためっき」は、上記(引1e)に記載の如く、数ミクロンの薄層を形成している。
　(ｃ)「金属板に施されためっきであって、前記めっきがニッケルを金属板の全面に施すこと及び前記ニッケルと異なる金を前記金属板の中央部分にめっきすること」は、めっきが薄層を形成しているので、「金属板に形成されためっき層であって、前記めっき層が第１の材料としてのニッケルからなる第１のセグメント及び前記第１の材料としてのニッケルと異なる第２の材料としての金からなる前記金属板の中央部分に形成された第２のセグメント」を有する。
　(ｄ)「ニッケルめっき上に銀ペーストを介して搭載された」ということは、ニッケル層上にフットプリントを有するようにダイボンディングされたことを意味する。
　なお、本願発明において、「導電性要素」は第２の材料に「接触」してと表現しているが、「導電性要素」は集積回路チップと接触領域間でワイヤボンド(本願明細書の段落【0013】)されているので、事実上はワイヤで接続されている。したがって、引用発明の、
　(ｅ)「半導体素子から金属板の中央部分に接続するように、金めっきに接続して」ということは、「半導体素子から金属板へ延び、第２の材料に接触して」ということと同義である。
　以上の点を踏まえれば、本願発明と引用発明とは、
　「導電性スラグ；前記導電性スラグに形成された層であって、前記層が第１の材料を含む第１のセグメント及び前記第１の材料と異なる第２の材料を含む第２のセグメントを有し；前記第１の材料上にフットプリントを有する集積回路チップ；及び前記集積回路チップから前記導電性スラグへ延び、前記第２の材料に接触して前記集積回路チップを接地する導電性要素を含む集積回路パッケージ」であることで一致している。
　一方、両者は次の点で相違している。
　すなわち、「第１の材料を含む第１のセグメント及び前記第１の材料と異なる第２の材料を含む第２のセグメントを有する層」が、本願発明では「導電性スラグの外部表面上に形成された層」であるのに対して、引用発明では「導電性スラグに形成された層」である点(相違点)で相違する。
　　　
［４］相違点の検討
　上記(引2z)に示したように、「グランド層(接地電位を有する)の金属板に対して直接にスルーホールメッキを形成したもの」が、本願発明と同じタイプの、金属板をパッケージ基板とした高熱放散性半導体パッケージとして開示されている。
　したがって、接地電位に接続される「メッキ(めっき)」層が、金属板(導電性スラグ)の「外部表面上に」直接に形成されることも、引用例２に開示されているといえる。
　よって、この相違点は、引用例２の開示内容に基づいて当業者が容易に想到できたものと認められる。
　また、熱放散性導電性スラグ(金属板)に接地電位機能を併有させたという、本願発明の効果も、引用発明の効果に比べ格別顕著なものとは認められない。
　　　
【６】むすび
　以上のとおりであるから、本願発明(請求項１に係る発明)は、上記の引用例１，２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願のその余の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。