【事件の表示】
　平成　８年特許願第２７０３５３号「洗浄方法及び洗浄システム」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年５月６日出願公開、特開平１０−１１６８０９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は平成８年１０月１１日の出願であって、平成１８年６月６日付け（発送：６月１４日）で拒絶査定がなされ、これに対して、平成１８年７月１４日に拒絶査定不服審判が請求され、同年８月４日付けで手続補正がなされたものである。
　
第２．平成１８年８月４日付け手続補正についての補正却下の決定
［結論］
  平成１８年８月４日付け手続補正を却下する。
［理由］
　平成１８年８月４日付け手続補正（以下、「本件補正」という。）は、特許請求の範囲を、
「【請求項１】　水溶性有機溶媒又はその希釈液からなる槽内中の洗浄水に超音波を照射しながら基体を浸漬することにより基体に付着する有機被膜を除去する洗浄方法において、前記超音波の周波数は、０．１〜１０ＭＨｚであることを特徴とする洗浄方法。
 【請求項２】　前記水溶性有機溶媒はイソプロピルアルコール（以下ＩＰＡ）、エタノールのいずれか１種であることを特徴とする請求項１記載の洗浄方法。
 【請求項３】　洗浄中に、前記基体を前記洗浄液内外に引き上げ及び引き下げを行うことを特徴とする請求項１又は２に記載の洗浄方法。
 【請求項４】　洗浄中に、前記基体を洗浄液中で揺動させ、及び／又は前記洗浄液に液中噴流シャワーを供給することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項記載の洗浄方法。
 【請求項５】　前記洗浄液の入った槽を液体の入った外槽に置き、該外槽に配設した超音波振動子により、前記洗浄液に超音波を間接照射することを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の洗浄方法。
 【請求項６】　前記洗浄液への超音波の照射は間欠的に行うことを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の洗浄方法。
 【請求項７】　水溶性有機溶媒又はその希釈溶液からなる洗浄液に超音波を照射しながら、該洗浄液を基体に供給して基体に付着する有機被膜を除去する洗浄方法において、前記超音波の周波数は、０．１〜１０ＭＨｚであることを特徴とする洗浄方法。
 【請求項８】　前記基体を回転させることを特徴とする請求項６に記載の洗浄方法。
 【請求項９】　前記洗浄液をノズルを介して噴射させて基体に供給することを特徴とする請求項７又は８に記載の洗浄方法。
 【請求項１０】　ノズルの吹き出し口は、細い円形で基板の半径方向に往復させる、または、基板の半径方向には線状で円周方向にはきわめてせまい吹き出し口を有するライン状ノズルであり、その吹き出し口の大ききは該洗浄液中の超音波の波長より大きいことを特徴とする請求項９記載の洗浄方法。
 【請求項１１】　前記有機被膜は、フォトレジストであることを特徴とする請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の洗浄方法。
 【請求項１２】　有機被膜を除去した後の洗浄液はフィルタで循環ろ過して再利用することを特徴とする請求項の１ないし１１のいずれか１項に記載の洗浄方法。
 【請求項１３】　前記フィルタは除去可能粒子粒径が異なり、その除去粒子径が次第に小さくなるフィルタを多段に設けることを特徴とする請求項１２記載の洗浄方法。
 【請求項１４】　前記フィルタを少なくとも２系統以上設けることを、特徴とする請求項１２又は１３記載の洗浄方法。
 【請求項１５】　イオン注入装置あるいはリアクティブエッチング装置に隣接して、水溶性有機溶媒又はその希釈液からなる洗浄水を収納する槽と、当該槽中の洗浄水に超音波を照射するための手段とを有する洗浄装置、又は、水溶性有機溶媒又はその希釈溶液からなる洗浄液に超音波を照射しながら該洗浄液を基体に供給する洗浄装置を設けた洗浄装置システムにおいて、
前記超音波の周波数は、０．１〜１０ＭＨｚであることを特徴とする洗浄装置システム。
 【請求項１６】　前記洗浄装置とイオン注入装置あるいはリアクティブエッチング装置との間にフォトレジストのアッシング装置及び／又はケミカルメカニカルポリッシヤー（以下ＣＭＰ）を設けたことを特徴とする請求項１５記載の洗浄システム。
 【請求項１７】　前記ＩＰＡ濃度は６０％以上であることを特徴とする請求項２に記載の洗浄方法。」
から、
「【請求項１】　イソプロピルアルコール（以下ＩＰＡ）又はその希釈液からなる槽内中の洗浄水に周波数が０．１〜１０ＭＨｚである超音波を照射しながら基体を浸漬することにより基体に付着する有機被膜を除去する洗浄方法であることを特徴とする洗浄方法。
 【請求項２】　洗浄中に、前記基体を前記洗浄液内外に引き上げ及び引き下げを行うことを特徴とする請求項１に記載の洗浄方法。
 【請求項３】　洗浄中に、前記基体を洗浄液中で揺動させ、及び／又は前記洗浄液に液中噴流シャワーを供給することを特徴とする請求項１又は２に記載の洗浄方法。
 【請求項４】　前記洗浄液の入った槽を液体の入った外槽に置き、該外槽に配設した超音波振動子により、前記洗浄液に超音波を間接照射することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の洗浄方法。
 【請求項５】　前記洗浄液への超音波の照射は間欠的に行うことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の洗浄方法。
 【請求項６】　イソプロピルアルコール（以下ＩＰＡ）又はその希釈溶液からなる洗浄液に周波数が０．１〜１０ＭＨｚである超音波を照射しながら、該洗浄液を基体に供給して基体に付着する有機被膜を除去する洗浄方法であることを特徴とする洗浄方法。
 【請求項７】　前記基体を回転させることを特徴とする請求項５に記載の洗浄方法。
 【請求項８】　前記洗浄液をノズルを介して噴射させて基体に供給することを特徴とする請求項６又は７に記載の洗浄方法。
 【請求項９】　ノズルの吹き出し口は、細い円形で基板の半径方向に往復させる、または、基板の半径方向には線状で円周方向にはきわめてせまい吹き出し口を有するライン状ノズルであり、その吹き出し口の大ききは該洗浄液中の超音波の波長より大きいことを特徴とする請求項８記載の洗浄方法。
 【請求項１０】　前記有機被膜は、フォトレジストであることを特徴とする請求項１ないし９のいずれか１項に記載の洗浄方法。
 【請求項１１】　有機被膜を除去した後の洗浄液はフィルタで循環ろ過して再利用することを特徴とする請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の洗浄方法。
 【請求項１２】　前記フィルタは除去可能粒子粒径が異なり、その除去粒子径が次第に小さくなるフィルタを多段に設けることを特徴とする請求項１１記載の洗浄方法。
 【請求項１３】　前記フィルタを少なくとも２系統以上設けることを、特徴とする請求項１１又は１２記載の洗浄方法。
 【請求項１４】　イオン注入装置あるいはリアクティブエッチング装置に隣接して、イソプロピルアルコール（以下ＩＰＡ）又はその希釈液からなる洗浄水を収納する槽と、当該槽中の洗浄水に周波数が０．１〜１０ＭＨｚである超音波を照射するための手段とを有する洗浄装置、又は、イソプロピルアルコール又はその希釈溶液からなる洗浄液に周波数が０．１〜１０ＭＨｚである超音波を照射しながら該洗浄液を基体に供給する洗浄装置を設けたことを特徴とする洗浄装置システム。
 【請求項１５】　前記洗浄装置とイオン注入装置あるいはリアクティブエッチング装置との間にフォトレジストのアッシング装置及び／又はケミカルメカニカルポリッシヤー（以下ＣＭＰ）を設けたことを特徴とする請求項１４記載の洗浄システム。
 【請求項１６】　前記ＩＰＡ濃度は６０％以上であることを特徴とする請求項１ないし１３のいずれか１項に記載の洗浄方法。
 【請求項１７】　前記ＩＰＡ濃度は６０％以上であることを特徴とする請求項１４又は１５に記載の洗浄システム」
に補正するものである。
　
  本件補正につき検討するに、洗浄システムに関する発明に着目すると、
　補正前の請求項１５、１６における「水溶性有機溶媒」を「イソプロピルアルコール（以下ＩＰＡ）」と限定し、新たな請求項１４、１５とするとともに、新たな請求項１４、１５を引用し、さらに「ＩＰＡ濃度は６０％以上」との限定を付した新たな請求項１７を追加する補正（所謂、増項補正）となっている。
　
  これに対し、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項第２号は、「特許請求の範囲の減縮」について、括弧書きで「第３６条第５項の規定により請求項に記載した発明を特定するために必要な事項を限定するものであって、その補正前の当該請求項に記載された発明とその補正後の当該請求項に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるものに限る。」と規定しているから，同号にいう「特許請求の範囲の減縮」は、補正前の請求項と補正後の請求項との対応関係が明白であって、かつ、補正後の請求項が補正前の請求項を限定した関係になっていることが明確であることが要請されるものであり、補正前の請求項と補正後の請求項とは、一対一又はこれに準ずるような対応関係に立つものでなければならない。
　そうであってみれば、本件補正のような増項補正は、補正後の各請求項の記載により特定される各発明が、全体として、補正前の請求項の記載により特定される発明よりも限定されたものとなっているとしても、上述したような一対一又はこれに準ずるような対応関係がない限り、同号にいう「特許請求の範囲の減縮」には該当しない（東京高裁平成１６年４月１４日判決、平成１５年（行ケ）第２３０号参照）。 
　そして、本件補正は、補正前の請求項と補正後の請求項とが上述したような一対一又はこれに準ずるような対応関係に立つものでないため、「特許請求の範囲の減縮」を目的としたものとは言えず、また、誤記の訂正、明りょうでない記載の釈明を目的とするものでないことも明らかである。
　
　したがって、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３．本願発明について
１．本願発明
　本件補正は、前記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜１７に係る発明は、平成１８年３月２７日付けの手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１〜１７に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、そのうち本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
　
「【請求項１】　水溶性有機溶媒又はその希釈液からなる槽内中の洗浄水に超音波を照射しながら基体を浸漬することにより基体に付着する有機被膜を除去する洗浄方法において、前記超音波の周波数は、０．１〜１０ＭＨｚであることを特徴とする洗浄方法。」
　
２．引用刊行物及び周知刊行物とその記載事項
（１）原査定の拒絶理由において引用された本願出願前に頒布された刊行物である特開平５−２１７９９８号公報（以下、「引用刊行物」という。）には、図面とともに、次の記載がある。
　
ア．「【従来の技術】従来から、ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴなどのような半導体素子の製造に際しては、半導体基板上に予め形成されたレジストパターンを基として電極や絶縁膜などのパターンを形成することが行われており、このようなパターン形成方法のうちにはリフトオフといわれる方法がある。すなわち、このリフトオフ法では、レジストパターンが形成された半導体基板の表面上を電極形成用の金属などの蒸着によって全面的に覆った後、この半導体基板をレジスト剥離溶液中に浸漬してレジストを溶解させることにより、不要部分に付着した金属のみを剥離するようになっている。
　そして、リフトオフ法によって電極パターンなどを形成するにあたっては、図２で示すように、アセトンなどのようなレジスト剥離溶液Ｌを貯溜してなるレジスト剥離溶液槽１を備えたリフトオフ装置を使用するのが一般的であり、半導体基板Ｗはレジスト剥離溶液Ｌの表面上から投入することによって浸漬されるようになっている。なお、図２における符号Ｒは半導体基板Ｗ上に塗布されたレジストを示す一方、Ｍは付着した金属を示している。また、このとき、半導体基板Ｗをレジスト剥離溶液Ｌ中に浸漬しただけではレジストＲの溶解、すなわち、金属Ｍの剥離速度を上げることが難しいため、超音波発生装置（図示していない）を利用してレジスト剥離溶液Ｌに超音波を加えることも行われている。」（段落【０００２】、【０００３】）
　上記記載及び図２の記載から、引用刊行物には、次の発明（以下、「引用刊行物記載の発明」という。）が記載されているものと認められる。
「アセトンからなるレジスト剥離溶液槽１内の剥離溶液Ｌに超音波を加えながら半導体基板Ｗを浸漬することにより半導体基板Ｗ上に塗布されたレジストＲを溶解させる剥離方法。」
　
（２）本願出願前に頒布された刊行物である特開平７−３２１０１３号公報（以下、「周知刊行物１」という。）には、次の記載がある。
　
イ．「【発明の構成・作用】本発明のレジスト膜画像の除去方法においては、レジスト膜画像と物品との結合力を超音波にて弱める工程として、レジスト膜画像の上面に接着シート類を貼り付ける前又は後に、物品上のレジスト膜画像を液体中に浸漬させた状態で超音波を発振、照射させることができる。  ここで用いる液体は、基板を破損しない限り特に限定されず、例えば、水、純水等が挙げられる。  本発明においては、特にレジスト膜画像と親和性のよいアルコール類（イソプロピルアルコール、メチルアルコール、エチルアルコール等）等、あるいはこれらと水との混合液等を用いるのが好ましい。
　上記液体中で発振、照射する超音波とは、振動数が１６００ｃ／ｓｅｃ以上で定義されるものであり、その周波数は超音波領域であれば特に限定はされないが、通常２０KHz 〜１MHz 程度である。」（段落【０００９】、【００１０】）
　
ウ．「この衝撃力が半導体基板とレジスト膜画像との結合力を弱め、場合によっては、レジスト膜画像の一部は半導体基板上から離脱すると同時に離脱したレジスト膜画像の一部は粉砕される。  このキャビテーションの効果を利用する場合、キャビテーションの強度は周波数が低いほど大きいため、半導体基板を損傷する恐れがある場合には、周波数を高くすることができる。」（段落【００１１】第９行〜第１６行）
　
エ．「シリコンウエハ（半導体基板）の表面に、クレゾールノボラック樹脂とポリヒドロキシ化合物のナフトキノンジアジドスルホン酸エステルと乳酸エチルからなるポジ型フォトレジストを塗布し、加熱、露光、現像を行い、レジストパターン（膜画像）を全表面に形成した」（段落【００１８】第２行〜第６行）
　
（３）本願出願前に頒布された刊行物である特開昭６２−２５３７９５号公報（以下、「周知刊行物２」という。）には、次の記載がある。
　
オ．「上記導体路を少なくとも有機溶剤中で超音説照射を加えて剥離することにより達成される。
　溶剤を加熱・・・中略・・・ことである。
　照射する超音波は、通常超音波と言われている周波数範囲なら特に制限はないが、例えば１０ｋＨｚ〜１ＭＨｚの範囲であり、・・・中略・・・ある。使用する有機溶剤は特に制限はないが、不燃性有機溶剤が好ましく、」（第２頁左上欄第９行〜同頁右上欄第１行）
　
カ．「上記サンプルをクロロセン中に浸漬しながら、超音波照射した。この手法により、めっきレジスト、銀ペーストは確実に剥離した。」（第４頁左上欄第１行〜第３行）
　
（４）本願出願前に頒布された刊行物である特開平４−３１８９９３号公報（以下、「周知刊行物３」という。）には、次の記載がある。
　
キ．「このめっきレジスト用フィルム材料としては、紫外線によって硬化するエポキシ樹脂，エポキシアクリレート樹脂，ウレタンアクリレート樹脂のような紫外線感光樹脂、または熱硬化するタイプのエポキシ樹脂，ポリイミド樹脂，エポキシ変成ポリイミド樹脂のような熱硬化性樹脂、あるいはレーザー露光や電子線照射によって硬化する樹脂などを用いる。」（段落【００２２】第４行〜第１０行）
　
ク．「（Ｆ）永久レジスト１２形成後の上記プリント配線板を、高レベルの現象、例えば塩化メチレンの如き溶媒中にて超音波振動（１５ＫＨｚ〜１ＭＨｚ）をかけながら、現像することにより、高硬化率の露光部（リード部品搭載部Ｐｒ）以外の、いわゆるライン域（ｌ）およびリードレス部品（チップ部品）搭載部Ｐｌの前記めっきレジスト９を溶解除去する。」（段落【００２６】）
　
３．発明の対比
　本願発明と引用刊行物記載の発明を対比するに、引用刊行物記載の発明の「アセトン」は本願発明の「水溶性有機溶媒」に相当し、同様に、「レジスト剥離溶液槽１」は「槽」に、「剥離溶液Ｌ」は「洗浄水」に、「半導体基板Ｗ」は「基体」に、「剥離方法」は「洗浄方法」に、各々相当する。
　また、引用刊行物記載の発明の「加えながら」は本願発明の「照射しながら」と同義であり、同様に「塗布された」は「付着する」と、「溶解させる」は「除去する」と、各々同義である。
　さらに、引用刊行物記載の発明の「レジストＲ」も本願発明の「有機被膜」も、ともに「（基体に付着する）被膜 」ということができる。
   したがって、両者の一致点及び相違点は、次のとおりである。
　
（一致点）
  水溶性有機溶媒からなる槽内中の洗浄水に超音波を照射しながら基体を浸漬することにより基体に付着する被膜を除去する洗浄方法 。
　
（相違点１）
  基体に付着する被膜が、本願発明では「有機被膜」と特定されているのに対し、引用刊行物記載の発明においては、「レジスト」とあるのみで、有機材質のものか否かが不明な点。
　
（相違点２）
  照射する超音波の周波数が、本願発明では「０．１〜１０ＭＨｚ」と特定されているのに対し、引用刊行物記載の発明においては不明な点。
　
 ４．当審の判断
　そこで、上記各相違点につき検討する。
（相違点１について）
  印刷基板製造の技術分野において基板に塗布されるレジストの材質として有機材料を用いることは、例えば、周知刊行物１、３記載（摘記事項エ．、キ．参照）のように従来より周知の技術手段であり、引用刊行物記載の発明においてレジストを有機被膜とすることは、当業者が適宜なしうる事項である。
　
（相違点２について）
　基板洗浄の技術分野において、有機溶媒中で基板を洗浄するために照射される超音波の周波数として、０．０１（０．０１５、０．０２）〜１ＭＨｚを採用することは、例えば、周知刊行物１〜３記載（摘記事項イ．、オ．、ク．参照）のように従来より周知の技術手段であり、また、キャビテーションによる損傷を回避するためには、周波数を高めればよいことも周知刊行物１記載（摘記事項ウ．参照）のように従来より周知の技術手段である。
　よって、引用刊行物記載の発明において照射される超音波の周波数として、０．１〜１ＭＨｚを採用することは、前記周知の技術手段に倣って、当業者が容易に想到し得た事項である。
　
  そして、本願発明により得られる効果も、引用刊行物記載の発明及び周知の技術手段から、当業者であれば、予測できる程度のものであって、格別なものとはいえない。
　
５．むすび
  以上のとおりであるから、本願発明は、引用刊行物記載の発明及び周知の技術手段に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。