【事件の表示】
　特願２００４−　６５３４５「ノッチホイール」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　９月２２日出願公開、特開２００５−２５４３４３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件出願は、平成１６年３月９日の特許出願であって、同１８年１１月２４日付けで拒絶の理由が通知され、その指定期間内の同１９年１月１６日に意見書の提出とともに特許請求の範囲について手続補正がされたが、同１９年２月２１日付けで拒絶をすべき旨の査定がされ、同１９年３月２８日に本件審判の請求がされ、その後、同１９年４月２０日付けで特許請求の範囲について再度手続補正（以下「本件補正」という。）がされたものである。
　
第２　本件補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１　補正の内容の概要
　本件補正は、特許請求の範囲について補正をするものであって、補正前後の請求項１の記載を補正箇所に下線を付して示すと以下のとおりである。
　
（１）補正前の請求項１
「シリコンウェハに形成されるノッチを加工するために用いられるノッチホイールにおいて、ダイヤモンド砥粒を樹脂で結合した砥粒層を有し、前記砥粒層の曲げ強度が６０ＭＰａ以上１５０ＭＰａ以下であり、前記砥粒層の縦弾性率が１０ＧＰａ以上４０ＧＰａ以下であることを特徴とするノッチホイール。」
　
（２）補正後の請求項１
「シリコンウェハに形成されるノッチを加工するために用いられるノッチホイールにおいて、
平均粒径が２〜１２μｍの
　
２　補正の適否　　　
　上記特許請求の範囲についての補正は、ダイヤモンド砥粒について「平均粒径が２〜１２μｍ」であることを限定するものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とすることが明らかである。
　そこで、補正後の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本件補正発明」という。）が特許出願の際に独立して特許を受けることができるものであるか否かについて検討する。
　
（１）本件補正発明
　本件補正発明は、本件補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、前記１（２）に示す特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められる。
　
（２）引用刊行物
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された本件出願前に日本国内において頒布された刊行物である特表２００３−５２１８１６号公報（以下「刊行物１」という。）、特開２００１−３８６３５号公報（以下「刊行物２」という。）、特開平１１−１７９６６４号公報（以下「刊行物３」という。）、特開昭６３−１４４９６６号公報（以下「刊行物４」という。）には、以下の技術的事項が記載されている。
　
ア　刊行物１
（ア）特許請求の範囲
「【請求項１】  ピンスピンドルと円筒領域とを有する、ノッチ研削用研削ピンであって、円筒領域は、形取られた少なくとも２つのノッチ研削グルーブが、円筒領域の軸方向に間をあけて配置された部分にそれぞれ形成されるよう十分に長く、前記ピンスピンドルから軸方向により離れた部分は、ワークピースのノッチを粗研削するための粗いグリットからなるレジンボンド部分であり、前記ピンスピンドルに軸方向により近い部分は、前記ノッチを仕上げ研削するための細かいグリットからなるレジンボンド部分である、ノッチ研削用研削ピン。」
　
（イ）段落【０００１】
「【発明の属する技術分野】
　この発明は、半導体素子の構成に用いられる、シリコンのウェハ等のディスクの端にあるノッチを研削するための機械等で用いられる、研削盤および研削砥石に関し、さらに、ディスク等の端領域を研削してノッチを形成する方法に関する。ウェハの大きさに対してノッチは比較的小さな寸法であるために、このようなノッチを形成するために用いる研削盤を、一般には研削ピンと称する。」
　
（ウ）段落【００１２】
「形成ホイールは、ワークピースと同じスピンドル上に装着されてよい。
　研削材料は、粗研削部分の場合、粗いグリットのレジンボンドＣＢＮまたはダイヤモンドであってよく、仕上げ研削部分の場合、細かいグリットのレジンボンドダイヤモンドであってよい。」
　
　これらの記載事項を、技術常識を勘案しつつ本件補正発明に照らして整理すると、刊行物１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「シリコンのウェハ等のディスクの端にあるノッチを研削するためのノッチ研削用研削ピンにおいて、ダイヤモンド砥粒をレジンボンドにより結合したノッチ研削用研削ピン。」
　
イ　刊行物２
（ア）段落【０００１】
「【発明の属する技術分野】本発明は、例えば鏡面研削などに用いられるレジンボンド砥石に関する。」
　
（イ）段落【００１５】〜【００１６】　
「次に、実施の形態によるレジンボンド砥石１０について行った研削試験について説明する。まず、図２に示すカップ型砥石１２のレジンボンド砥石１０について、砥粒層１１の樹脂結合相１４としてフェノール樹脂を用いて全体で７５ｖｏｌ％とし、超砥粒１５として平均粒子直径が５．７〜５．８μｍのダイヤモンド砥粒を２５ｖｏｌ％分散配置した。そして、樹脂結合相１４の組成について、フェノール樹脂を６５ｖｏｌ％、第一のフィラーとしてＳｉＯ2１７を１５ｖｏｌ％、第二のフィラーのＣａＦ2１８を２０ｖｏｌ％とした。樹脂結合相１４中のＳｉＯ2１７の粒子直径については、以下の研削試験で示すように実施例１として０．２μｍ、実施例２として０．５μｍ、実施例３として１．０μｍとした。また、比較例は、樹脂結合相１４の組成として、フェノール樹脂を６５ｖｏｌ％、第二のフィラーのＣａＦ2１８を３５ｖｏｌ％とした。
　研削試験では、実施例１，２，３について、レジンボンド砥石１０の抗折強度（ｋｇ／ｍｍ2）、表面硬度（ＨＲｆ）、更に主軸モータの主軸電流値（Ａ）、研削比をそれぞれ測定した。ここで、主軸モーターの電流値とは、カップ型砥石１２を一定速度３０００ｒ
ｐｍで回転させつつ被削材のシリコンウェーハーを研削したときの主軸モータを、所定速度で回転させるために必要な電流値（Ａ）であり、この主軸モータに供給する電流値を測定してこれを切削抵抗とした。・・・・」
　
（ウ）【表１】
　レジンボンド砥石の研削特性の測定結果として、抗折強度（ｋｇ／ｍｍ2）が１２．０〜１３．８のものが記載されている。
　
　これらの記載事項からみて、刊行物２には、次の発明が記載されていると認められる。
「シリコンウェーハーの研削に用いられるレジンボンド砥石において、ダイヤモンド砥粒の平均粒子直径が５．７〜５．８μｍであり、砥石の抗折強度が１２．０〜１３．８ｋｇ／ｍｍ2（１１８〜１３５ＭＰａ）であるレジンボンド砥石。」
　
ウ　刊行物３
（ア）段落【０００１】
「【発明の属する技術分野】本発明は、砥粒をボンド剤により固定した砥石を備え、研削装置に搭載されて半導体ウェーハ等の被研削物を研削する研削ホイールに関するものであり、詳しくは、砥石のヤング率、砥粒径等を所定の範囲の値とすることにより被研削物の厚さ精度及び面粗度を向上させるようにした研削ホイールに関するものである。」
　
（イ）段落【０００６】〜【０００７】
「【課題を解決するための手段】上記課題を解決するための具体的手段として本発明は、被加工物を研削する研削ホイールであって、ホイールベースと、該ホイールベースに固着された研削部とから構成され、該研削部は、砥粒がボンド剤によって固定された砥石であってヤング率が２０００ｋｇｆ／ｍｍ2乃至４２００ｋｇｆ／ｍｍ2である研削ホイールを提供するものである。
　そして、砥粒にはダイヤモンド砥粒を含むこと、砥粒の粒径は、０．３μｍ乃至２０μｍであること、ボンド剤は、レジンボンドであること、ダイヤモンド砥粒が占める割合は、砥石との体積比で２．５％乃至１２．５％であることを付加的要件とするものである。」
　
（ウ）段落【００２４】　
「なお、ヤング率を２０００ｋｇｆ／ｍｍ2から４２００ｋｇｆ／ｍｍ2の範囲とするために、ボンド剤としては、レジンボンドを使用することが好ましい。」
　
　これらの記載事項からみて、刊行物３には、次の発明が記載されていると認められる。
「半導体ウェーハの研削に用いられるレジンボンド砥石において、ダイヤモンド砥粒の粒径が０．３〜２０μｍであり、研削部のヤング率が２０００〜４２００ｋｇｆ／ｍｍ2（１９．６〜４１．２ＧＰａ）であるレジンボンド砥石。」
　
エ　刊行物４
（ア）特許請求の範囲
「(1)ウエハプロセスにより表面に電子光デバイス又はデバイスが形成されたIII−V族化合物半導体ウエハの裏面を研削し放熱性を向上させるため、ウエハ厚みを減じかつ裏面を鏡面にするためのレジンボンドダイヤモンドホイールであって、ダイヤモンド砥粒と充填材と、樹脂である結合剤とからなり、曲げ弾性率が１０〜１５×１０4kgf／cm２である事を特徴とするIII−V族化合物半導体ウエハ研削用ホイール。
　・・・
(4)ダイヤモンド砥粒の大きさが＃２０００〜＃４０００である事を特徴とする特許請求の範囲第(3)項記載のIII−V族化合物半導体ウエハ研削用ホイール。」
　
（イ）第１頁右下欄第１２〜１５行
「(ア)技術分野
　この発明は、III−V族化合物半導体単結晶ウエハのデバイスの作製完了後の、ウエハの裏面研削を行なう研削用ホイールに関する。」
　
（ウ）第５頁左下欄第１２〜１６行
「ここで曲げ弾性率の定義を述べる。
　引張り荷重又は圧縮荷重を材料に加え、これによつて生じた歪みで、単位面積あたりの荷重を割つた値が曲げ弾性率である。これはヤング(Young)率と同じものである。」
　
　これらの記載事項からみて、刊行物４には、次の発明が記載されていると認められる。
「半導体単結晶ウエハの研削に用いられるレジンボンドダイヤモンドホイールにおいて、ダイヤモンド砥粒の大きさが＃２０００〜＃４０００であり、ヤング率が１０〜１５×１０4kgf／cm２（９．８〜１４．７ＧＰａ）であるレジンボンドダイヤモンドホイール。」
　
（３）対比
　本件補正発明と引用発明とを対比すると、引用発明における「シリコンのウェハ等のディスクの端にあるノッチを研削するためのノッチ研削用研削ピン」は、本件補正発明における「シリコンウェハに形成されるノッチを加工するために用いられるノッチホイール」に相当する。そして、引用発明は「ダイヤモンド砥粒をレジンボンドにより結合した」ものであるから、ダイヤモンド砥粒を樹脂で結合した砥粒層を有するということができる。
　したがって、両者の一致点及び相違点は、次のとおりと認められる。
［一致点］
「シリコンウェハに形成されるノッチを加工するために用いられるノッチホイールにおいて、ダイヤモンド砥粒を樹脂で結合した砥粒層を有するノッチホイール。」である点。
［相違点］
　本件補正発明では、ダイヤモンド砥粒の平均粒径が２〜１２μｍであり、前記砥粒層の曲げ強度が６０ＭＰａ以上１５０ＭＰａ以下であり、前記砥粒層の縦弾性率が１０ＧＰａ以上４０ＧＰａ以下であるのに対して、引用発明では、そのようなものであるか否か明らかでない点。
　
（４）相違点についての検討
　上記（２）イ〜エに示したように、半導体ウエハの研削に用いるレジンボンド砥石において、ダイヤモンド砥粒の平均粒径が５．７〜５．８μｍであるものが刊行物２に、ダイヤモンド砥粒の粒径が０．３〜２０μｍであるものが刊行物３に、ダイヤモンド砥粒の大きさが＃２０００〜＃４０００であるものが刊行物４に、それぞれ記載されている。なお、本件明細書の段落【００２１】によれば、平均粒径２〜１２μｍは、「粒度＃１５００〜＃４０００」とされている。
　また、刊行物２には、半導体ウエハの研削に用いるレジンボンド砥石において、砥石の抗折強度が１２．０〜１３．８ｋｇ／ｍｍ2（１１８〜１３５ＭＰａ）であるものが記載されている。そして、抗折強度は、曲げ強度と同じ意味で用いられることも当業者に知られている。
　さらに、刊行物３には、半導体ウエハの研削に用いるレジンボンド砥石において、研削部のヤング率（縦弾性率）が２０００〜４２００ｋｇｆ／ｍｍ2（１９．６〜４１．２ＧＰａ）であるレジンボンド砥石が記載されており、刊行物４には、半導体ウエハの研削に用いるレジンボンド砥石において、ヤング率（縦弾性率）が１０〜１５×１０4kgf／cm２（９．８〜１４．７ＧＰａ）であるものが記載されている。
　そうしてみると、ダイヤモンド砥粒の平均粒径が２〜１２μｍ、砥粒層の曲げ強度が６０ＭＰａ以上１５０ＭＰａ以下、及び砥粒層の縦弾性率が１０ＧＰａ以上４０ＧＰａ以下であるものは、それぞれ、半導体ウエハの研削に用いるレジンボンド砥石において通常採用される数値範囲にすぎないものと認められる。
　刊行物２〜４に記載の発明はウエハに形成されるノッチを加工するものではないが、半導体ウエハの研削に用いるレジンボンド砥石として引用発明と共通の技術分野に属するものであり、引用発明に刊行物２〜４に記載の発明を採用し、ダイヤモンド砥粒の平均粒径、砥粒層の曲げ強度及び砥粒層の縦弾性率が本件補正発明に特定される数値範囲となるようにすることは当業者が容易になし得たことである。
　
　そして、本件補正発明によってもたらされる効果も、引用発明及び刊行物２〜４に記載の発明から当業者であれば十分予測できる範囲内のものであって格別顕著なものとはいえない。
　
　したがって、本件補正発明は、引用発明及び刊行物２〜４に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
３　むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成１９年４月２０日付けの補正は、上記のとおり却下されたので、本件出願の請求項に係る発明は、平成１９年１月１６日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１乃至３に記載されたとおりのものであると認められるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、前記第２の１（１）に示す特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められる。
　
２　引用刊行物
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物及びその記載内容は、前記第２の２（２）に示したとおりである。
　
３　対比・検討
　本願発明は、前記第２の２で検討した本件補正発明から「平均粒径が２〜１２μｍの」という事項を削除したものである。
　そうすると、本願発明を構成する事項の全てを含み、さらに他の事項を付加したものに相当する本件補正発明が前記第２の２（４）で示したとおり、引用発明及び刊行物２〜４に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び刊行物２〜４に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　したがって、本件出願のその余の請求項に係る発明について検討するまでもなく本件出願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。