【事件の表示】
　特願２０００−２４５４９７「相互接続を作製するための方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　４月２０日出願公開、特開２００１−１１０９００〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本願は、平成１２年８月１４日の出願（パリ条約による優先権主張１９９９年８月３０日、米国）であって、平成１７年８月１９日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１１月２２日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年１２月２２日付けで手続補正がなされたものであり、その後、当審において、平成２０年１月１５日付けで審尋がなされ、同年７月１６日に回答書が提出され、同年９月２６日付けで、平成１７年１２月２２日付けの手続補正が却下され、同年１０月１４日付けで拒絶の理由が通知され、その指定期間内である平成２１年２月１６日に手続補正書と意見書が提出されたものである。 
　 
第２　本願発明　 
　本願の請求項１ないし３に係る発明は、平成２１年２月１６日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された事項により特定されるとおりのものであって、このうち、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。　 
「【請求項１】 
 （ａ）パターン形成された第一の開口を有する第一のレジストマスク層を用いて、第一の誘電層、ストップ層および第二の誘電層をこの順に積み重ねた構成を含むスタック層を貫通するビアを形成するステップ
　（ｂ）パターン形成された第二の開口を有する第二のレジストマスク層を用いて、前記ビアを露出しつつ第二のレジストマスク層中に第二の開口を形成し、及び前記第一のレジストマスク層を完全に除去する前に、前記スタックの少なくとも一つまで延伸するが前記第１の誘電層を貫通しない凹部を形成するステップとを有し、ここで、前記凹部は前記ビアより大きく
　（ｃ）前記ビアと前記凹部に、相互接続を形成するために導電材料を形成するステップを有することを特徴とする相互接続の製造方法。」
　
第３　刊行物記載発明
　刊行物１．特開平１１−１８６３９１号公報
　当審の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された特開平１１−１８６３９１号公報（以下、「刊行物１」という。）には、図１、図２とともに、「半導体装置およびその製造方法」（発明の名称）に関して、以下の事項が記載されている。
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、配線構造、特にデュアルダマシンタイプの配線構造を有する半導体装置およびその製造方法に関する。」　
「【００４３】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明の実施の形態（以下、実施形態という）を説明する。
（第１の実施形態）図１、図２は、本発明の第１の実施形態に係るデュアルダマシン・プロセスを示す工程断面図である。
【００４４】まず、図１（ａ）に示すように、ＳｉＯ2 からなる第１の層間絶縁膜１1  に第１の金属配線２を埋込み形成する。層間絶縁膜１1 は図示しないシリコン基板上に形成されたものである。金属配線２自身も以下に述べる本実施形態のデュアルダマシン・プロセスにより形成したものである。
【００４５】次に図１（ｂ）に示すように、全面に第１のエッチングストッパ膜３1 を形成する。このエッチングストッパ膜３1 は、エッチング条件によって、層間絶縁膜１1よりも十分に遅いエッチング速度またはほぼ同じエッチング速度でエッチングできる絶縁膜である。本実施形態では、エッチングストッパ膜３1 として、窒化シリコン膜を用いる。また、その厚さは、例えば、１０〜５０ｎｍの範囲である。
【００４６】次に同図（ｂ）に示すように、エッチングストッパ膜３1 上にＳｉＯ2 からなる第２の層間絶縁膜１2 を形成する。層間絶縁膜１2 の膜厚は、その膜厚とエッチングストッパ膜３1 の膜厚との合計がヴィアホールの深さの設計値と等しくなるように選ばれている。
【００４７】次に図１（ｃ）に示すように、層間絶縁膜１2 上に第２のエッチングストッパ膜３2 を形成する。このエッチングストッパ膜３2 も、エッチングストッパ膜３1 と同様に、エッチング条件によって、層間絶縁膜１1 よりも十分に遅いエッチング速度またはほぼ同じエッチング速度でエッチングできる絶縁膜である。
【００４８】本実施形態では、エッチングストッパ膜３2 として、窒化シリコン膜を用い、その厚さは、例えば、１０〜５０ｎｍの範囲である。なお、エッチングストッパ膜３2 とエッチングストッパ膜３1 は同じ材料の絶縁膜である必要は無く、また同じ膜厚である必要もない。
【００４９】次に同図（ｃ）に示すように、エッチングストッパ膜３2 上に第３の層間絶縁膜１3 を形成する。この層間絶縁膜１3 の厚さは、後で形成する第２の金属配線の厚さと同じである。また、層間絶縁膜１3 は、層間絶縁膜１2 と同じ種類の絶縁膜であり、ここではＳｉＯ2 膜である。
【００５０】次に図１（ｄ）に示すように、ヴィアホール形成用のフォトレジストパターン４を層間絶縁膜１3 上に形成する。次に同図（ｄ）に示すように、エッチングストッパ膜３2 と層間絶縁膜１3 のエッチング速度がほぼ同じになるエッチング条件で、フォトレジストパターン４をマスクにして、エッチングストッパ膜３2 と層間絶縁膜１3 をＲＩＥ法にてエッチングする。上記エッチング条件は、例えばエッチングガスとしてＣＦ4 ガスとＯ2 ガスとの混合ガスを用いることにより実現できる。
【００５１】次に同図（ｄ）に示すように、エッチングが層間絶縁膜１2 に達したら、エッチングストッパ膜３1 のほうが層間絶縁膜１2 よりもエッチング速度が十分に遅くなるエッチング条件で、フォトレジストパターン４をマスクにして、層間絶縁膜１２をＲＩＥ法にてエッチングする。上記エッチング条件は、例えばエッチングガスとしてＣ4 Ｆ8 ガスとＣＯガスとの混合ガスを用いることにより実現できる。
【００５２】ここで、層間絶縁膜１2 のエッチングは、層間絶縁膜１2 のエッチング速度が面内でばらつきがあることから、オーバーエッチングとする。これにより、層間絶縁膜１2 に貫通孔を確実に形成できる。
【００５３】このとき、エッチング条件は、エッチングストッパ膜３1 のほうが層間絶縁膜１2 よりもエッチング速度が十分に遅くなるように選ばれているので、上記エッチングはエッチングストッパ膜３1 で止まる。
【００５４】したがって、フォトレジストパターン４に合わせずれが起きていても、層間絶縁膜１2 の貫通孔下の層間絶縁膜１1  がエッチングされ、このエッチングされた部分が後で形成する金属膜８で埋め込まれないことによって、ボイドが形成されることを防止できる。
【００５５】次に図２（ｅ）に示すように、エッチング条件を変えて、フォトレジストパターン４をマスクにして、層間絶縁膜１2 の貫通孔の底部のエッチングストッパ膜３1 をＲＩＥ法にてエッチングして除去する。この結果、金属配線２に達するヴィアホール５が形成される。この後、フォトレジストパターン４を剥離する。
【００５６】ここで、エッチングストッパ膜３1 は薄いので、短時間のエッチングで除去できる。したがって、層間絶縁膜１1  がエッチングされて、ボイドが形成されることはない。また、上記エッチング条件は、エッチングストッパ膜３1 のほうが層間絶縁膜１3 よりもエッチング速度が十分に速くなるように選んだほうが好ましいが、必ずしもその必要ない。
【００５７】次に図２（ｆ）に示すように、配線溝形成用のフォトレジストパターン６を層間絶縁膜１3 上に形成する。次に同図（ｆ）に示すように、エッチングストッパ膜３2 のほうが層間絶縁膜１3 よりもエッチング速度が十分に遅くなるエッチング条件で、フォトレジストパターン６をマスクにして、層間絶縁膜１3 をＲＩＥ法にてエッチングし、ヴィアホール５を介して配線層２に達する配線溝７を形成する。
【００５８】ここで、層間絶縁膜１3 のエッチングは、層間絶縁膜１3 のエッチング速度が面内でばらつきがあることから、オーバーエッチングとする。これにより、層間絶縁膜１3 に深さのばらつきのない配線溝７を確実に形成できる。
【００５９】このとき、エッチング条件は、エッチングストッパ膜３2 のほうが層間絶縁膜１3 よりもエッチング速度が十分に遅くなるように選ばれているので、上記エッチングはエッチングストッパ膜３2 で止まる。
【００６０】次に図２（ｇ）に示すように、ヴィアホール５および配線溝７の内部を完全に埋め込むように、全面に金属膜８を形成する。この金属膜８は、例えばＣＶＤ法またはＰＶＤ法を用いて堆積形成する。また、金属膜８の材料としては、例えばタングステン、アルミニウム、銅、アルミニウムと銅の合金などを用いることができる。
【００６１】ここで、金属膜８の堆積の促進や金属膜８の構成金属の層間絶縁膜１2 ，１3への拡散を防止するために、金属膜８を形成する前に、ヴィアホール５および配線溝７の表面に窒化チタン、タングステン窒化シリコン、ニオブ、タンタル等の金属や合金からなる薄膜や積層薄膜を形成しても良い。
【００６２】次に図２（ｈ）に示すように、ヴィアホール５および配線溝７の外の不要な金属膜８を例えばＣＭＰにより除去することにより、金属膜８からなる第２の金属配線および接続プラグ電極がそれぞれ配線溝８およびヴィアホール５内に同時に形成される。」
　　
　以上の記載から、刊行物１には、以下の発明（以下、「刊行物発明」いう。）が記載されている。
「窒化シリコン膜からなる第１のエッチングストッパ膜３1 を形成し、前記エッチングストッパ膜３1 上にＳｉＯ2 からなる第２の層間絶縁膜１2 、窒化シリコン膜からなる第２のエッチングストッパ膜３2 、及びＳｉＯ2 からなる第３の層間絶縁膜１3 を順次形成する工程と、
　前記層間絶縁膜１3 上に形成したヴィアホール形成用のフォトレジストパターン４をマスクにして、前記層間絶縁膜１3 、前記エッチングストッパ膜３2 及び前記層間絶縁膜１２をＲＩＥ法にてエッチングして、貫通孔を形成する工程と、
　前記フォトレジストパターン４をマスクにして、前記エッチングストッパ膜３1 をＲＩＥ法にてエッチング除去してヴィアホール５を形成する工程と、
　前記フォトレジストパターン４を剥離し、配線溝形成用のフォトレジストパターン６を層間絶縁膜１3 上に形成し、前記フォトレジストパターン６をマスクにして、前記層間絶縁膜１3 をＲＩＥ法にてエッチングして配線溝７を形成する工程と、
　前記ヴィアホール５および前記配線溝７の内部を金属膜８により完全に埋め込む工程を備えることを特徴とするデュアルダマシンタイプの配線構造を有する半導体装置の製造方法。」
　
　刊行物２．特開平９−６９５６１号公報
　当審の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された特開平９−６９５６１号公報（以下、「刊行物２」という。）には、図３、図４とともに、「半導体装置の製造方法」（発明の名称）に関して、以下の事項が記載されている。　
「【００２７】次に、本発明の実施の形態を第２の製造方法で説明する。図３および図４はこの実施形態の第２の製造方法を示す製造工程順の断面図である。
【００２８】図３（ａ）に示すように、第１の実施例と同様にシリコン基板１の表面に拡散層２が形成される。次に、膜厚が８００ｎｍ程度の第１層間絶縁膜３ａが形成される。この第１層間絶縁膜３ａは、ＣＶＤ法によるシリコン酸化膜の成膜とＣＭＰ法によるこのシリコン酸化膜の平坦化とを通して形成される。
【００２９】次に、膜厚が１００ｎｍ程度のエッチングストッパ膜１５が形成される。ここで、このエッチングストッパ膜１５はシリコン窒化膜で構成される。
【００３０】次に、このエッチングストッパ膜１５上に第２層間絶縁膜３ｂが形成される。ここで、この層間絶縁膜はＣＶＤ法で堆積されるシリコン酸化膜で構成される。そして、その膜厚は７００ｎｍ程度に設定される。
【００３１】次に、第１レジストマスク４がこの層間絶縁膜３上に設けられる。この第１レジストマスク４は、第１の製造方法の場合より膜厚は厚くなるように設定され、膜厚１００ｎｍのフォトレジストとなる。そして、コンタクト孔パターン５が形成されている。
【００３２】次に、図３（ｂ）に示すように、第２レジストマスク６が第１レジストマスク４上に設けられる。ここで、この第２レジストマスク６もフォトリソグラフィ技術で形成されその膜厚は１０００ｎｍである。そして、配線パターン７が形成されている。
【００３３】次に、この第１レジストマスク４と第２レジストマスク６をエッチングのマスクにして、第２層間絶縁膜３ｂがドライエッチングされる。ここで、このドライエッチングは異方性のエッチングであり、反応ガスにはＣＨ2 Ｆ2 とＣＦ4 の混合ガスが用いられる。この場合の第２層間絶縁膜３ｂとエッチングストッパ膜１５とのエッチング選択比は３０程度になる。すなわち、エッチングストッパ膜１５のドライエッチング速度が第２層間絶縁膜３ｂのドライエッチング速度の１／３０程度になる。このようにして、図３（ｃ）に示すように、第２層間絶縁膜３ｂにコンタクト孔用溝８が形成される。
【００３４】次に、ドライエッチングの反応ガスをＮＦ3 とＯ2 の混合ガスに変えてエッチングストッパ膜１５の露出した部分をエッチングする。その後、再びエッチングガスをＣＨ2 Ｆ2 とＣＦ4 の混合ガスにし第２層間絶縁膜３ｂと第１層間絶縁膜３ａをドライエッチングする。そして、図４（ａ）に示すように、第２レジストマスク６をエッチングマスクにして第２層間絶縁膜３ｂに配線用溝９が形成される。そして、拡散層２上にコンタクト孔１０が形成されるようになる。ここで、配線用溝９の深さは第２層間絶縁膜３ｂの膜厚分であり７００ｎｍである。また、コンタクト孔１０の深さは、ほぼ第１層間絶縁膜３ａの膜厚分となり８００ｎｍ程度になる。
【００３５】次に、第１レジストマスク４および第２レジストマスク６は公知の方法で除去される。そして、図４（ｂ）に示すように、第１層間絶縁膜３ａ、エッチングストッパ膜１５および第２層間絶縁膜３ｂを被覆するバリア膜１１が形成される。ここで、このバリア膜１１はチタン膜と窒化チタン膜との複合金属膜である。さらに、このバリア膜１１を被覆するアルミ合金膜１２が堆積される。ここで、これらの金属材料は公知のスパッタ法で堆積される。
【００３６】次に、バリア膜１１およびアルミ合金膜１２はＣＭＰ法で研磨される。このようにして、図４（ｃ）に示すように、シリコン基板１の表面の拡散層２に接続されるバリア層１３と溝配線１４が、第１層間絶縁膜３ａ、エッチングストッパ膜１５および第２層間絶縁膜３ｂに象眼されるようにして形成される。
【００３７】この実施例では、配線用溝およびコンタクト孔の深さが正確に制御できる。すなわち、第２層間絶縁膜の膜厚が配線用溝の深さに、第１層間絶縁膜とエッチングストッパ膜の膜厚がコンタクト孔の深さになるように設定される。
【００３８】以上、本発明の実施の形態では、シリコン基板表面の拡散層と接続する溝配線を形成する場合について説明された。しかし、本発明は、多層配線において下層の配線に接続する溝配線を形成する場合にも同様に適用されるものである。この場合は、シリコン基板の表面に形成した拡散層に代えてシリコン基板上の絶縁膜上に形成する下層の配線とすれば、先述した実施の形態と同様になる。」　　
　
第４　対比
　以下において、本願発明と刊行物発明とを対比する。
（ａ）刊行物発明の「ヴィアホール形成用のフォトレジストパターン４」、「ＳｉＯ2 からなる第２の層間絶縁膜１2 」、「窒化シリコン膜からなる第２のエッチングストッパ膜３2 」、「ＳｉＯ2 からなる第３の層間絶縁膜１3 」、「ヴィアホール５」、「配線溝形成用のフォトレジストパターン６」及び「金属膜８」は、それぞれ、本願発明の「第１のレジストマスク層」、「第一の誘電層」、「ストップ層」、「第二の誘電層」、「貫通するビア」、「第２のレジストマスク層」及び「導電材料」に相当する。
（ｂ）刊行物発明の「ヴィアホール形成用のフォトレジストパターン４」は、「ＳｉＯ2 からなる第２の層間絶縁膜１2 」、「窒化シリコン膜からなる第２のエッチングストッパ膜３2 」及び「ＳｉＯ2 からなる第３の層間絶縁膜１3 」をエッチングするための開口を備え、且つパターン形成されたことは明らかであるから、「前記層間絶縁膜１3上に形成したヴィアホール形成用のフォトレジストパターン４」は、本願発明の「パターン形成された第一の開口を有する第一のレジストマスク層」に相当する。
（ｃ）刊行物発明の「ＳｉＯ2 からなる第２の層間絶縁膜１2 、窒化シリコン膜からなる第２のエッチングストッパ膜３2 、及びＳｉＯ2 からなる第３の層間絶縁膜１3 を順次形成」した構成は、本願発明の「第一の誘電層、ストップ層および第二の誘電層をこの順に積み重ねた構成を含むスタック層」に相当するから、刊行物発明の「前記層間絶縁膜１3上に形成したヴィアホール形成用のフォトレジストパターン４をマスクにして、前記層間絶縁膜１3 、前記エッチングストッパ膜３2 及び前記層間絶縁膜１２をＲＩＥ法にてエッチングして、貫通孔を形成する工程と、　前記フォトレジストパターン４をマスクにして」、「ヴィアホール５を形成する工程と」は、本願発明の「パターン形成された第一の開口を有する第一のレジストマスク層を用いて、第一の誘電層、ストップ層および第二の誘電層をこの順に積み重ねた構成を含むスタック層を貫通するビアを形成するステップ」に相当する。
（ｄ）「前記フォトレジストパターン６をマスクにして、前記層間絶縁膜１3をＲＩＥ法にてエッチングして配線溝７を形成する」のであるから、刊行物発明の「配線溝形成用のフォトレジストパターン６」は、パターン形成され、且つ開口を備えていることは明らかであって、本願発明の「パターン形成された第二の開口を有する第二のレジストマスク層」に相当する。
（ｅ）刊行物発明において、「配線溝７」を形成するために、「ＳｉＯ2 からなる第２の層間絶縁膜１2 、窒化シリコン膜からなる第２のエッチングストッパ膜３2 、及びＳｉＯ2 からなる第３の層間絶縁膜１3 を順次形成」した構成の内の、「前記層間絶縁膜１3 」のみを「ＲＩＥ法にてエッチングして」除去しており、一方、本願発明においては、「前記スタックの少なくとも一つまで延伸するが」スタック層の一番下の層である「前記第１の誘電層」は「貫通しない」ように「凹部」を形成しているのであるから、刊行物発明の「前記層間絶縁膜１3 をＲＩＥ法にてエッチングして」形成した「配線溝７」は、本願発明の「前記スタックの少なくとも一つまで延伸するが前記第１の誘電層を貫通しない凹部」に相当する。
（ｆ）刊行物発明の「配線溝７」が、刊行物１発明の「ヴィアホール５」よりも幅が大きいことは、刊行物１の図２の記載から明らかであるので、刊行物発明の「配線溝形成用のフォトレジストパターン６を層間絶縁膜１3 上に形成し、前記フォトレジストパターン６をマスクにして、前記層間絶縁膜１3 をＲＩＥ法にてエッチングして配線溝７を形成する工程」は、本願発明の「（ｂ）パターン形成された第二の開口を有する第二のレジストマスク層を用いて」、「前記スタックの少なくとも一つまで延伸するが前記第１の誘電層を貫通しない凹部を形成するステップとを有し、ここで、前記凹部は前記ビアより大き」いことに相当する。
（ｇ）刊行物発明において、「前記ヴィアホール５および前記配線溝７の内部を金属膜８により完全に埋め込む」こと、言い換えると、ヴィアホール５及び配線溝７に埋め込まれた金属膜８により、その上下に配置された導電材料から形成された構成要素を相互に導電接続できることは明らかであるから、刊行物発明の「前記ヴィアホール５および前記配線溝７の内部を金属膜８により完全に埋め込む工程」は、本願発明の「（ｃ）前記ビアと前記凹部に、相互接続を形成するために導電材料を形成するステップ」に相当する。
（ｈ）刊行物発明の「デュアルダマシンタイプの配線構造を有する半導体装置の製造方法」は、本願発明の「相互接続の製造方法」に相当する。
　すると、本願発明１と刊行物１発明とは、
「（ａ）パターン形成された第一の開口を有する第一のレジストマスク層を用いて、第一の誘電層、ストップ層および第二の誘電層をこの順に積み重ねた構成を含むスタック層を貫通するビアを形成するステップ　
　（ｂ）パターン形成された第二の開口を有する第二のレジストマスク層を用いて、前記スタックの少なくとも一つまで延伸するが前記第１の誘電層を貫通しない凹部を形成するステップとを有し、ここで、前記凹部は前記ビアより大きく　
　（ｃ）前記ビアと前記凹部に、相互接続を形成するために導電材料を形成するステップを有することを特徴とする相互接続の製造方法。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
　相違点１
　本願発明は、「（ｂ）パターン形成された第二の開口を有する第二のレジストマスク層を用いて、前記ビアを露出しつつ第二のレジストマスク層中に第二の開口を形成し、及び前記第一のレジストマスク層を完全に除去する前に、前記スタックの少なくとも一つまで延伸するが前記第１の誘電層を貫通しない凹部を形成するステップ」を備えるのに対して、
　刊行物発明は、「前記フォトレジストパターン４をマスクにして、前記エッチングストッパ膜３1 をＲＩＥ法にてエッチング除去してヴィアホール５を形成する工程と、
　前記フォトレジストパターン４を剥離し、配線溝形成用のフォトレジストパターン６を層間絶縁膜１3 上に形成し、前記フォトレジストパターン６をマスクにして、前記層間絶縁膜１3をＲＩＥ法にてエッチングして配線溝７を形成する工程」を備え、「配線溝形成用のフォトレジストパターン６」の形成を、「前記フォトレジストパターン４を剥離」した後に行っている点。
　相違点２
　刊行物発明は、「窒化シリコン膜からなる第１のエッチングストッパ膜３1 を形成し、前記エッチングストッパ膜３1 上にＳｉＯ2 からなる第２の層間絶縁膜１2 、窒化シリコン膜からなる第２のエッチングストッパ膜３2 、及びＳｉＯ2 からなる第３の層間絶縁膜１3 を順次形成する工程」言い換えると、「ＳｉＯ2 からなる第２の層間絶縁膜１2 」を形成する前に「窒化シリコン膜からなる第１のエッチングストッパ膜３1 を形成」する工程、及び、「前記フォトレジストパターン４をマスクにして」、「ヴィアホール５を形成する工程」において、「前記エッチングストッパ膜３1 をＲＩＥ法にてエッチング除去」する工程を備えるのに対して、
　本願発明は、上記工程を備えていない点。
　
第５　当審の判断
　以下において、各相違点について検討する。
　相違点１について
（ａ）刊行物２には、本願発明及び刊行物発明と同様な、「二重ダマシン構造」に相当する構造の製造方法に係り、「次に、膜厚が８００ｎｍ程度の第１層間絶縁膜３ａが形成される。」こと（【００２８】段落）、「次に、膜厚が１００ｎｍ程度のエッチングストッパ膜１５が形成される。」こと（【００２９】段落）、「次に、このエッチングストッパ膜１５上に第２層間絶縁膜３ｂが形成される。」こと（【００３０】段落）、「第１レジストマスク４がこの層間絶縁膜３上に設けられる。」「そして、コンタクト孔パターン５が形成されている。」（【００３１】段落）こと、「次に、図３（ｂ）に示すように、第２レジストマスク６が第１レジストマスク４上に設けられる。」「そして、配線パターン７が形成されている。」（【００３２】段落）こと、「次に、この第１レジストマスク４と第２レジストマスク６をエッチングのマスクにして、第２層間絶縁膜３ｂがドライエッチングされる。」（【００３３】段落）こと、「そして、図４（ａ）に示すように、第２レジストマスク６をエッチングマスクにして第２層間絶縁膜３ｂに配線用溝９が形成される。そして、拡散層２上にコンタクト孔１０が形成されるようになる。」（【００３４】段落）ことが記載されている。
　また、刊行物２の図３及び図４から、配線用溝９がコンタクト孔パターン５（コンタクト孔）より幅が広いこと及び、「第２レジストマスク６」を用いて、積層体の内の第２層間絶縁膜３ｂに、コンタクト孔パターンより幅が広い配線用溝９を形成する前に、「第１のレジストマスク４」は、「配線パターン７」に露出する部分のみが除去されていることは明らかである。
　したがって、刊行物２には、「第１層間絶縁膜３ａ」、「エッチングストッパ膜１５」及び「第２層間絶縁膜３ｂ」からなる積層体の上に形成された「第１のレジストマスク４」にコンタクト孔を形成するための「コンタクト孔パターニン５」を形成し、その後、「第１のレジストマスク４」上に、「第１のレジストマスク４」を除去することなく、配線用溝９を形成するための「配線パターン７」を備えた「第２レジストマスク６」を形成し、「第１のレジストマスク４」の「配線パターン７」に露出する部分のみを除去し、「第２レジストマスク６」を用いて、積層体の内の第２層間絶縁膜３ｂに、コンタクト孔パターンより幅が広い配線用溝９を形成することが記載されている。
（ｂ）刊行物２に記載される「第１層間絶縁膜３ａ」、「エッチングストッパ膜１５」、「第２層間絶縁膜３ｂ」、「コンタクト孔パターニン５」を備えた「第１のレジストマスク４」、「配線パターン７」を備えた「第２レジストマスク６」、「コンタクト孔」及び「配線用溝９」は、それぞれ、刊行物発明の「ＳｉＯ2 からなる第２の層間絶縁膜１2 」、「窒化シリコン膜からなる第２のエッチングストッパ膜３2 」、「ＳｉＯ2 からなる第３の層間絶縁膜１3 」、「ヴィアホール形成用のフォトレジストパターン４」、「配線溝形成用のフォトレジストパターン６」、「ヴィアホール５」及び「配線用溝７」に相当し、また、それぞれ、本願発明の「第一の誘電層」、「ストップ層」、「第二の誘電層」、「パターン形成された第一の開口を有する第１のレジストマスク層」、「パターン形成された第二の開口を有する第２のレジストマスク層」、「貫通するビア」及び「凹部」に相当する。
（ｃ）刊行物発明においては、「配線溝形成用のフォトレジストパターン６を層間絶縁膜１3 上に形成」する前に、「前記フォトレジストパターン４を剥離し」ているが、その後の、「前記層間絶縁膜１3 をＲＩＥ法にてエッチングして配線溝７を形成する工程」において、「前記層間絶縁膜１3」上の「フォトレジストパターン４」が除去されているか否かにより、「前記層間絶縁膜１3」のエッチング条件等に、差異があるとは認められない。
　また、刊行物２に記載される、「第１のレジストマスク４」の「配線パターン７」に露出する部分のみを除去する際に、「配線パターン７」を備えた「第２レジストマスク６」の下に位置する「第１のレジストマスク４」が残存することは明らかであり、「第１のレジストマスク４」を「完全に除去する前」であることも明らかである。
　したがって、刊行物発明に、刊行物２に記載される、「第１層間絶縁膜３ａ」、「エッチングストッパ膜１５」及び「第２層間絶縁膜３ｂ」からなる積層体の上に形成された「第１のレジストマスク４」にコンタクト孔を形成するための「コンタクト孔パターニン５」を形成し、その後、「第１のレジストマスク４」上に、「第１のレジストマスク４」を除去することなく、配線用溝９を形成するための「配線パターン７」を備えた「第２レジストマスク６」を形成し、「第１のレジストマスク４」の「配線パターン７」に露出する部分のみを除去し、「第２レジストマスク６」を用いて、積層体の内の第２層間絶縁膜３ｂに、コンタクト孔パターンより幅が広い配線用溝９を形成する工程を適用することにより、刊行物発明において、「前記フォトレジストパターン４をマスクにして、前記エッチングストッパ膜３1 をＲＩＥ法にてエッチング除去してヴィアホール５を形成する工程」の後、「前記フォトレジストパターン４を剥離」することなく、「配線溝形成用のフォトレジストパターン６」を、「前記フォトレジストパターン４」上に「形成し、前記フォトレジストパターン６をマスクにして、前記層間絶縁膜１3 をＲＩＥ法にてエッチングして配線溝７を形成する工程」を備えたものとすること、言い換えると、刊行物発明が、本願発明の如く、「パターン形成された第二の開口を有する第二のレジストマスク層を用いて、前記ビアを露出しつつ第二のレジストマスク層中に第二の開口を形成し、及び前記第一のレジストマスク層を完全に除去する前に、前記スタックの少なくとも一つまで延伸するが前記第１の誘電層を貫通しない凹部を形成するステップ」を備えるようにすることは、当業者が容易になし得たものである。
　　
　相違点２について
　刊行物１の図１，図２及び【００４３】ないし【００６２】に記載される実施例においては、ヴィアホール５及び配線溝からなるデュアルダマシン構造が、金属配線を埋め込んだ第１の層間絶縁膜１１上に形成されるために、「ＳｉＯ2 からなる第２の層間絶縁膜１2 、窒化シリコン膜からなる第２のエッチングストッパ膜３2 、及びＳｉＯ2 からなる第３の層間絶縁膜１3」からなる積層体と、第１の層間絶縁膜１１との間に「窒化シリコン膜からなる第１のエッチングストッパ膜３1 」を備えているのであって、刊行物発明の上記「ＳｉＯ2 からなる第２の層間絶縁膜１2 、窒化シリコン膜からなる第２のエッチングストッパ膜３2 、及びＳｉＯ2 からなる第３の層間絶縁膜１3 」からなる積層体を、例えば、半導体基板上に形成するのであれば、「窒化シリコン膜からなる第１のエッチングストッパ膜３1 を形成」することが必要でないことは、当業者にとって明らかである。
　したがって、刊行物発明において、「窒化シリコン膜からなる第１のエッチングストッパ膜３1を形成し」ないようにすること、それに派生する工程である、「前記エッチングストッパ膜３1 をＲＩＥ法にてエッチング除去」する工程を備えないようにすることは、当業者が必要に応じて適宜なし得ることである。
　
　したがって、本願発明は、刊行物１及び２に記載に記載される発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第６　むすび 
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるので、本願の他の請求項に係る発明についての検討をするまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。