【事件の表示】
　特願２００２−３０３０９３「パッケージ型半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　５月１３日出願公開、特開２００４−１４０１６９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本願は、平成１４年１０月１７日の出願であって、平成１７年１０月２８日付で拒絶理由通知がなされ、平成１８年１月５日付で手続補正がなされたが、平成１８年１月２６日付で拒絶査定がなされ、これを不服として、平成１８年３月１日付で審判請求がなされるとともに、同日付で手続補正がなされたものである。
　
ＩＩ．平成１８年３月１日付の手続補正についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　平成１８年３月１日付の手続補正を却下する。
　
［理　由］
　
［１］本件手続補正の内容
　本件手続補正により、特許請求の範囲の請求項１、２は次のとおり補正された。
　
　「【請求項１】装置機能を実現する集積回路と、所定間隔で形成された第１のバンプ接続用パッドと、を有する少なくとも１つの集積化チップと、
　第１のバンプ接続用パッドと相対するように形成された第２のバンプ接続用パッドと、前記所定間隔よりも広い間隔で形成されたリード接続用パッドと、各パッド間を電気的に接続する配線と、を有する非集積化チップと、
　を有して成り、両チップを互いにバンプで接続した上で樹脂封止して成ることを特徴とするパッケージ型半導体装置であって、
　前記バンプは、第１のバンプ接続用パッドとの接合に際して、その端部がその中央部よりも高くなっており、
　第２のバンプ接続用パッドは、これを平面視した場合に２段目パッドが１段目パッドよりも小さい面積を有するように、中央部が２段形成されて成り、かつ、
　前記バンプの中央部と第２のバンプ接続用パッドの２段目パッドとが直接接続され、前記バンプの端部と第２のバンプ接続用パッドの１段目パッドとが直接接続されて成ることを特徴とするパッケージ型半導体装置。
　【請求項２】第２のバンプ接続用パッドと前記リード接続用パッドのうち、少なくとも一方は前記配線と一体形成されて成ることを特徴とする請求項１に記載のパッケージ型半導体装置。」
　
［２］補正の適否について
　上記補正事項は、（１）補正前の請求項１に記載の「両チップを互いにバンプ接続」を「両チップを互いにバンプで接続」と訂正し、（２）同じく請求項１に記載の「パッケージ型半導体装置であって、」の後に、「前記バンプは、第１のバンプ接続用パッドとの接合に際して、その端部がその中央部よりも高くなっており、」を付加し、さらに、（３）同じく請求項１に記載の「２段形成されて成る」を、「２段形成されて成り、」と訂正するとともに、続けて、「かつ、前記バンプの中央部と第２のバンプ接続用パッドの２段目パッドとが直接接続され、前記バンプの端部と第２のバンプ接続用パッドの１段目パッドとが直接接続されて成る」を付加したものである。
　
　上記補正事項（１）の訂正は、明りょうでない記載の釈明に該当する。
　
　上記補正事項（２）を付加した点については、第１のバンプ接続用パッドに接合された「バンプ」の端部が、中央部より高くなっている点を限定したものであって、特許請求の範囲の限定的減縮を目的としたものに該当する。
　上記補正事項（３）を付加した点については、「バンプの中央部」が、第２のバンプ接続用パッドの２段目パッドとが接合し、「バンプの端部」が、第２のバンプ接続用パッドの１段目パッドとが接合する点を限定したものであって、特許請求の範囲の限定的減縮を目的としたものに該当する。
　
　そして、上記補正事項（２）、（３）の付加した点については、出願当初の明細書の段落【００２２】に、「第１バンプパッド１２を取り囲む保護膜１５の盛り上がりによって、第１バンプパッド１２に接合されたバンプ１６の端部が中央部より高くなっていた場合」、及び「図２及び図３に示すように、第２バンプパッド２１の中央部を２段形成して成る構成（１段目パッド２１ａ、２段目パッド２１ｂ）とされている。・・・該バンプ１６と第２バンプパッド２１が端部だけでなく中央部でも接合されるようになる」が記載され、段落【００２５】に、「第２のバンプ接続用パッドは、中央部が２段形成されて成る構成にするとよい。・・・第１のバンプ接続用パッドに接合されたバンプの端部が中央部より高くなっていた場合でも、該バンプと第２のバンプ接続用パッドが端部だけでなく中央部でも接合されるようになる」が記載されているから、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内である。
　
　したがって、請求項１に係る上記補正事項（１）〜（３）は、特許請求の範囲の限定的減縮、又は明りょうでない記載の釈明を目的としたものに該当する。
　
　次に、上記補正による補正後の請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明１」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるのか否か（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するものであるのか否か）について検討する。
　
１．引用刊行物及び周知例並びにその摘記事項
　平成１７年１０月２８日付の最後の拒絶理由通知に引用された本願出願前に頒布された下記の刊行物１、及び周知例１、２には、図面とともに、次の事項が記載されている。
　
　刊行物１：特開平５−２２６４２０号公報（上記拒絶理由通知の引用文献　　　　　　１）
　
　周知例１：特開平６−７７２３３号公報（新たな周知例）
　周知例２：特開平６−１３０４０８号公報（同上）
　　
（１）刊行物１の摘記事項
ａ）「【００２０】
　　【実施例】・・・
　　【００２１】図１は本発明による半導体装置の構成例を示す断面図、図２は同半導体装置の構成例を示す平面図である。
　　【００２２】すなわち、本実施例の半導体装置は、図１および図２に示すように、中心部に形成されたアイランド１、およびこのアイランド１の周囲に形成されたインナーリード２から成るリードフレームのアイランド１上に、導電性ペーストを印刷することによるリード状の配線回路（以下、導電性ペーストの印刷層と称する）３、およびこの導電性ペーストの印刷層３上に形成された金属膜４を有するガラス基板５を介して、ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体集積回路（チップ）６を実装し、さらに金属膜４と半導体集積回路６とを、バンプ７により接続すると共に、金属膜４とインナーリード２とを、ワイヤーボンディング８により接続する構成としている。
　　【００２３】次に、本実施例の半導体装置の具体的な作製法について説明する。
　　【００２４】すなわち、まず、・・・石英ガラス基板上に、・・・銀（Ａｇ）ペーストをリード状に印刷する。
　　【００２５】次に、このこのリード状の銀ペーストの印刷層を有するガラス基板を、・・・金属膜であるニッケルならびに金めっき膜を形成する。
　　【００２６】次に、このニッケルならびに金めっき膜とＩＣチップとを、半田バンプにより接続すると共に、同ニッケル（Ｎｉ）ならびに金（Ａｕ）めっき膜とリードフレームのインナーリードとを、ワイヤーボンディングにより接続する。
　　【００２７】その後、これを樹脂封止することによって、信頼性の高いＩＣパッケージを作製する。」
　
ｂ）「【００２８】以上のように構成した半導体装置においては、リードフレームのアイランド１上に、導電性ペーストを印刷することによるリード状の配線回路３を有するガラス基板５を備えることにより、半導体集積回路６と導電性ペーストの印刷層（リード）３との接続にバンプ７による接続が使用できるため、高密度化され、多ピンのリードフレームを必要とする半導体集積回路の実装を容易にできる。
　　【００２９】また、導電性ペーストの印刷層（リード）３を有する基板は、ガラス基板であることにより、半導体集積回路（シリコン等）６との熱膨張率が同じであり、半導体集積回路６への余分な応力を緩和して、半導体集積回路６のクラックの発生を防止できる。
　　【００３０】さらに、半導体集積回路６の実装は、リードフレーム上で行なわなくとも、導電性ペーストの印刷層（リード）３を有するガラス基板５上で行なえるため、実装時の信頼性の向上を図れる。
　　【００３１】さらにまた、リードフレームのアイランド１上に、ガラス基板５を介して半導体集積回路６を実装することにより、放熱性能を著しく向上できる。
　　【００３２】上述したように、本実施例の半導体装置は、中心部に形成されたアイランド１、およびこのアイランド１の周囲に形成されたインナーリード２から成るリードフレームのアイランド１上に、導電性ペーストを印刷することによるリード状の配線回路３、およびこの導電性ペーストの印刷層３上に形成された金属膜４を有するガラス基板５を介して、ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体集積回路６を実装し、さらに金属膜４と半導体集積回路６とを、バンプ７により接続すると共に、金属膜４とインナーリード２とを、ワイヤーボンディング８により接続する構成としたものである。」
　
　さらに、図２において、アイランド上のガラス基板に導電性ペーストを印刷した印刷層が、この印刷層上に形成した金属膜とともに、アイランドの中心方向から周囲方向に向かって放射状に形成されていることが示されている。
　
（２）周知例１の摘記事項
　「【０００５】
　 【課題を解決するための手段】・・・本発明の凹型バンプは、先端面に凹部が設けられていることを特徴とするものである。またその凹型バンプを形成する本発明の方法は、ウェハー上の半導体素子の電極パッドの上面外周部まで厚いパッシベーション膜を施し、次にウェハーの全面にバリアーメタル層を形成し、次いで電極パッド部のみ開口するように厚いレジストをパターニングし、次に開口部にメッキを施して先端面に前記電極パッドの上面及びその外周部の厚いパッシベーション膜の上面に沿う凹部を有するバンプを形成し、然る後レジストの剥離、バリアーメタル層のエッチングを行うことを特徴とするものである。
　 【０００６】
　 【作用】上記のように本発明の凹型バンプは、先端面に凹部が設けられているので、回路基板側の端子部の接合材凸部と合わせることができて、位置合わせが容易である。また一度位置が合うと、凹凸嵌合により振動等があっても横ずれすることがない。
　 【０００７】然して上記工程の本発明の凹型バンプの形成方法によると、最初に電極パッドの上面外周部まで厚いパッシベーション膜を施すことで、後のメッキ工程１回で先端面に凹部を有するバンプが形成されるので生産性が良い。
　・・・
　 【０００９】このようにして形成した凹型バンプ１１は、先端面に凹部１２が設けられているので、図８に示すように半導体素子２と回路基板１３を接続する際、凹部１２に回路基板１３の端子部１４の接合材凸部１５を合わせることができて、位置合わせが容易であった。また、一度位置が合うと、凹凸嵌合により振動等があっても横ずれすることがなく、精度良く接続された。」
　
　
（３）周知例２の摘記事項
　「【００２３】・・・２３は駆動用入力配線パターン、２４は駆動用出力配線パターン、６は下部透明ガラス基板３の面上に設けた電極、７は下部透明ガラス基板３の面上に実装される液晶駆動用の半導体チップ、８は半導体チップ７の下面（下部透明ガラス基板３と対向する面）に設けた電極（突起電極：バンプ）・・・である。
・・・
【００３４】実施例５
図５（ａ）は、本発明の液晶表示装置の第５の実施例の要部断面図、・・・である。
　 【００３５】本実施例では、下部透明ガラス基板３の電極６は凸状に形成され、半導体チップ７の電極８は凸状の電極６に適合する凹状に形成され、電極６と８とが凹凸面で嵌合している。・・・
　 【００３６】半導体チップ７を実装するには、半導体チップ７を下部透明ガラス基板３上の導電性接着剤１０の樹脂が塗布された所定の部分に位置決めして置いた後、圧着ヘッドを半導体チップ７の上面に接触させ、半導体チップ７を下方に押して、電極８と６とを凹凸面で嵌合させる。すなわち、半導体チップ７の凹状の電極８が導電性接着剤１０の樹脂とともに下部透明ガラス基板３の凸状の電極６を取り囲むようにして入り込む。電極８と６とが嵌合し、電極８により電極６が押さえ込められるので、樹脂の流れによる半導体チップ７の位置ずれは起きず、また、電極８と６間に導電性接着剤１０が確実に残るので、実施例３、４と同様に、接続信頼性を向上できる。」
　
２．当審の判断
（１）刊行物１記載の発明
　上記摘記事項ａ）によれば、金属膜と半導体集積回路とをバンプにより接続することから、半導体集積回路には、バンプ接続するための電極パッド（ｐ）を有することは自明のことである。また、一般に、バンプ接続やワイヤボンディング接続する配線には、接続のためのパッドを設けることが常套手段であるから、金属膜には、上記電極パッド（ｐ）と相対するように形成された、半導体集積回路とバンプ接続するためのバンプ接続用パッド（ｑ）と、アイランドの周囲に形成されたインナーリードとワイヤーボンディング接続するためのワイヤボンディング接続用パッド（ｒ）とを有しているものである。
　そして、図２の記載からみて、インナーリードとワイヤーボンディング接続するワイヤーボンディング接続用パッド（ｒ）の間隔は、半導体集積回路のバンプ接続用パッド（ｐ）の間隔より広くなっている。
　
　そうすると、上記摘記事項ａ）の半導体装置の構成と作製法に関する記載に、上記推認事項、及び上記図２の記載に関する事項を加味すると、上記刊行物１には、「リードフレームのアイランド上に、リード状の配線回路（導電性ペーストの印刷層）、およびこの導電性ペーストの印刷層上に形成された金属膜を有するガラス基板を介して、半導体集積回路を実装し、さらに、金属膜と半導体集積回路とをバンプ接続するとともに、金属膜とアイランドの周囲に形成されたインナーリードとをワイヤーボンディング接続し、ワイヤーボンディング接続用パッド（ｒ）の間隔が、半導体集積回路の有する電極パッド（ｐ）の間隔より広くなっている、樹脂封止された半導体装置」に関する発明（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されている。
　
（２）対比・判断
　本願補正発明１と刊行物１発明とを対比する。
　
　刊行物１発明の「電極パッド（ｐ）」、「バンプ接続用パッド（ｑ）」は、本願補正発明１の「第１のバンプ接続用パッド」、「第２のバンプ接続用パッド」に相当する。
　刊行物１発明の「ワイヤーボンディング接続用パッド（ｒ）」、「導電ペーストの印刷層と金属膜」は、本願補正発明１の「リード接続用パッド」、「配線」に相当する。
　刊行物１発明の「ガラス基板」は、本願補正発明１の「非集積化チップ」に相当する。
　刊行物１発明の「樹脂封止した半導体装置」は、本願補正発明１の「パッケージ型半導体装置」に相当する。
　また、集積回路には、所定の機能を実現するための回路が形成されているものであるから装置機能を実現する集積回路に相当し、刊行物１発明の「半導体集積回路」は、本願補正発明１の「集積化チップ」に相当する。
　
　そうすると、両者は、「装置機能を実現する集積回路と、所定間隔で形成された第１のバンプ接続用パッドと、を有する少なくとも１つの集積化チップと、第１のバンプ接続用パッドと相対するように形成された第２のバンプ接続用パッドと、前記所定間隔よりも広い間隔で形成されたリード接続用パッドと、各パッド間を電気的に接続する配線と、を有する非集積化チップと、を有して成り、両チップを互いにバンプで接続した上で樹脂封止して成るパッケージ型半導体装置」の点で一致するものの、次の点で相違する。
　
　相違点１：バンプについて、本願補正発明１は、バンプの第１のバンプ接続用パッドとの接合に際して、その端部がその中央部よりも高くなっているのに対し、刊行物１発明は、このようなバンプを備えているかいないか不明な点、および、第２のバンプ接続用パッドとバンプの接続について、本願補正発明１は、第２のバンプ接続用パッドは、これを平面視した場合に２段目パッドが１段目パッドよりも小さい面積を有するように、中央部が２段形成されて成り、かつバンプの中央部と第２のバンプ接続用パッドの２段目パッドとが直接接続され、バンプの端部と第２のバンプ接続用パッドの１段目パッドとが直接接続されて成るのに対し、刊行物１発明は、このようなバンプとバンプ接続用パッドの接続が不明な点。
　
　そこで、上記相違点について次に検討する。
　
（２−１）相違点１について
　上記周知例１の摘記事項（【０００５】）からみて、半導体素子上のパッドにバンプを接合する場合、そのパッド上に開口部を形成するようにして半導体素子上にパッシべーション膜を形成し、その開口部と開口部の周囲に形成されたパッシべーション膜上に、その端部が中央部よりも高くなったバンプを形成するようなことは周知の技術である。
　そうすると、刊行物１発明において、半導体集積回路のバンプ接続用パッド（ｐ）にバンプを接合する場合に、通常、半導体素子上に有するパッシべーション膜とともに、上記周知の技術を適用して、その端部が中央部よりも高くなったバンプを形成する程度のことは容易に想到することができるものである。
　さらに、上記周知例１の図８には、半導体素子の電極パッド上に凹型バンプを形成し、このバンプの先端に設けられた凹部に、回路基板の端子部にある接合材凸部を合わせて、凹凸嵌合により接続することが記載されている。
　さらに、上記周知例２の図５には、半導体チップの凹状の電極が、下部透明ガラス基板の凸状の電極を取り囲むようにして入り込むことにより、両方の電極が嵌合し、半導体チップの凹状の電極により下部透明ガラス基板の凸状の電極が押さえ込まれて、凹凸面で嵌合することが記載されている。
　そして、周知例１、２の上記記載のように、接合材凸部（周知例１）、凸状の電極（周知例２）に対して、端部が中央部よりも高くなっている凹型バンプ（周知例１）、凹状の電極（周知例２）を接続することは周知の技術であり、接続の結果、それぞれが凹凸面で嵌合することで直接接続するようになることは明らかである。
　そうすると、刊行物１発明において、金属膜と半導体集積回路とをバンプ接続する場合に、バンプとパッドの接合強度を向上させるために、上記周知の技術を適用して、金属膜のバンプ接続用パッド（ｑ）に対して、２段目パッドが１段目パッドよりも小さい面積を有するように、中央部を２段形成することにより、バンプの中央部と２段目パッドとが直接接続し、バンプの端部と１段目パッドとが直接接続するように形成する程度のことは容易に想到することができるものである。
　
　そして、本願補正発明１の上記相違点１のバンプの形状、及びバンプとパッドの接続構造には、格別顕著な作用効果は認められない。
　
　したがって、本願補正発明１は、刊行物１に記載された発明及び周知の技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 
　
　よって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
ＩＩＩ．本願発明について　
１．本願発明
　平成１８年３月１日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１、２のうち、請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、平成１８年１月５日付の手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
　
　「【請求項１】装置機能を実現する集積回路と、所定間隔で形成された第１のバンプ接続用パッドと、を有する少なくとも１つの集積化チップと、
　第１のバンプ接続用パッドと相対するように形成された第２のバンプ接続用パッドと、前記所定間隔よりも広い間隔で形成されたリード接続用パッドと、各パッド間を電気的に接続する配線と、を有する非集積化チップと、
　を有して成り、両チップを互いにバンプ接続した上で樹脂封止して成ることを特徴とするパッケージ型半導体装置であって、
　第２のバンプ接続用パッドは、これを平面視した場合に２段目パッドが１段目パッドよりも小さい面積を有するように、中央部が２段形成されて成ることを特徴とするパッケージ型半導体装置。」
　
２．引用刊行物及び周知例とその摘記事項
　平成１７年１０月２８日付の拒絶理由通知の拒絶の理由に引用した本願の出願前に頒布された引用刊行物及び周知例並びにその摘記事項は、上記「ＩＩ．［１］１．引用刊行物及び周知例並びにその摘記事項」に記載されたとおりである。
　
３．対比・判断
　本願発明１は、上記本願補正発明１の発明を特定するために必要と認める事項（以下、「発明特定事項」という。）である「両チップを互いにバンプで接続」を、「両チップを互いにバンプ接続」とし、「パッケージ型半導体装置であって、」の後の、「前記バンプは、第１のバンプ接続用パッドとの接合に際して、その端部がその中央部よりも高くなっており、」の限定事項を省き、発明特定事項である、「２段形成されて成り、」を「２段形成されて成る」とし、さらに「かつ、前記バンプの中央部と第２のバンプ接続用パッドの２段目パッドとが直接接続され、前記バンプの端部と第２のバンプ接続用パッドの１段目パッドとが直接接続されて成る」の限定事項を省いたものである。
　
　そうすると、本願発明１の特定発明事項を全て含み、さらに他の特定発明事項である上記限定事項を付加したものに相当する本願補正発明１が、前記「ＩＩ．［１］２．（２）対比・判断」に記載したとおり、刊行物１に記載された発明及び周知の技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明１についても、同様の理由により、刊行物１に記載された発明及び周知の技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび 
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、刊行物１に記載された発明及び周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、本願の請求項２に係る発明については検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。