Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月25日(2015.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定条件下において、容器本体に貯蔵された高圧の流体を減圧するために開弁する安全弁と、
前記安全弁に接触しないように配置され、周辺の物体との接触から前記安全弁を保護する保護部材と
を備える圧力容器。
【請求項２】
請求項１に記載の圧力容器であって、
前記容器本体の内部と外部とを繋ぐ流路を開閉するために、前記容器本体に取り付けられたバルブ本体を備え、
前記安全弁は、前記バルブ本体に取り付けられ、
前記保護部材は、前記バルブ本体に取り付けられると共に、前記安全弁の位置よりも前記容器本体から遠い場所に配置される
圧力容器。
【請求項３】
燃料電池自動車の床下に搭載される請求項１又は請求項２に記載の圧力容器であって、
前記保護部材は、前記安全弁の下方向端部よりも下向きに突き出ている
圧力容器。
【請求項４】
請求項１から請求項３の何れか１つに記載の圧力容器を搭載した輸送用機器。
【請求項５】
請求項４に記載の輸送用機器であって、
前記圧力容器の固定に、弾性部材による弾性力を用いる
輸送用機器。
【請求項６】
請求項５に記載の輸送用機器であって、
前記弾性力は、上下方向に作用する
輸送用機器。
【請求項７】
請求項１から請求項３の何れか１つに記載の圧力容器を輸送用機器に搭載した搭載構造であって、
前記圧力容器は、前記容器本体の軸方向が前記輸送用機器の左右方向と平行に設置される
搭載構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】圧力容器、輸送用機器および搭載構造
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
（３）燃料電池自動車の床下に搭載される上記形態の圧力容器において、前記保護部材は、前記安全弁の下方向端部よりも下向きに突き出ている。この形態によれば、床下付近に位置する物体（地面に存在する突起物など）の接触から安全弁を保護できる。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月16日(2015.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
刃数が多いほど切削工具１の１回転当たりの切削量が多いと言える。しかしながら、切刃２の形状によるが、複数の切刃２の各平坦面２Ｂの総面積が切削面１０Ａの全体の面積に対して占める割合が多くなると、それだけ摩擦熱が高温になるとともに放熱効果が急速に低下して摩擦量が増大する。実施の形態の切削工具１では、切刃２の平坦面２Ｂの面積が可能な限り小さくされるとともに、刃先２Ａの長い直線突起形状の切刃２が切削面１０Ａの外周１０Ｃの正多角形の頂点Ｐの数だけ設けられているので、十分な切削効率を有しながら、磨耗量がより小さくされている。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月25日(2015.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車載装置（１０）から電源供給を受けて動作し、所定のデータ処理を行う車両用データ処理装置（４０）であって、
前記データ処理にて使用されるデータのうち、前記車載装置からの電源供給停止時に保持すべきバックアップ用データ、を記憶するための不揮発性メモリ（４６）と、
運転者による車両操作若しくは車両周囲の状況に基づき、前記車載装置からの電源供給が遮断されることを予測する予測手段（６０、Ｓ２１０、Ｓ３１０、Ｓ４１０）と、
前記予測手段にて前記車載装置からの電源供給が遮断されることが予測されると、前記不揮発性メモリに前記バックアップ用データを格納する第１バックアップ手段（６０、Ｓ２２０−２４０、Ｓ３２０−３４０、Ｓ４２０−４４０）と、
車速が所定速度以上となる車両走行時、及び、車両停止時に、それぞれ、所定の待機時間が経過する度に、前記不揮発性メモリに前記バックアップ用データを格納する第２バックアップ手段（６０、Ｓ１１０−Ｓ１６０）と、
を備え、
前記第１バックアップ手段は、前記バックアップ用データの内、優先度の高い一部のデータを前記不揮発性メモリに格納し、
前記第２バックアップ手段は、前記バックアップ用データの全てを前記不揮発性メモリに格納すること、
を特徴とする車両用データ処理装置。
【請求項２】
前記第１バックアップ手段は、前記予測手段にて前記車載装置からの電源供給が遮断されることが予測されているとき、前記不揮発性メモリに所定時間間隔で前記バックアップ用データを格納することを特徴とする請求項１に記載の車両用データ処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月9日(2015.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
開口している上端と、密閉している下端とを有し、前記上端からの空洞が前記下端で終端し、前記上端から挿入された物品を前記下端において支持する筒状の収納部と、
前記収納部の前記下端の下方に設けられ、前記収納部の前記下端において支持された前記物品の底面を保護する緩衝部とを備えることを特徴とする包装材。
【請求項２】
前記緩衝部は、
上端を前記収納部の前記下端とし、下端が開口し、前記下端からの空洞が前記上端で終端している筒状体であることを特徴とする請求項１に記載の包装材。
【請求項３】
前記緩衝部は、
前記下端の両隅がそれぞれ前記下端の中央に向けて折られて、前記下端の両隅が接合されていることを特徴とする請求項２に記載の包装材。
【請求項４】
前記包装材は、
前記収納部及び前記緩衝部が、気泡緩衝材で構成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の包装材。
【請求項５】
前記包装材は、
１枚の気泡緩衝材の両側を接合して筒状体にし、前記筒状体の軸方向の所定の位置において前記筒状体の内側の面を接合して前記収納部の前記下端が形成されることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の包装材。
【請求項６】
前記緩衝部は、
前記収納部の前記下端に付加された、一方の側端から他方の側端までが空洞になっている筒状体であることを特徴とする請求項１に記載の包装材。
【請求項７】
前記包装材は、前記収納部及び前記緩衝部が、２枚の平滑な面の間に気泡面を挟み込んだ気泡緩衝材で構成されることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の包装材。
【請求項８】
前記包装材は、
帯電を防止する性質を有する気泡緩衝材で構成されていることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の包装材。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月26日(2014.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トルク要求を平滑化して平滑化トルク要求を生成する平滑化処理部と、
前記平滑化トルク要求を正の任意の係数値で重み付けし、前記トルク要求を正又は負の任意の係数値で重み付けして混合するトルク混合部と、
前記トルク混合部の混合結果に基づく目標トルクを用いてモータを駆動するための処理を実施する駆動処理部と、
を有するモータ駆動制御装置。
【請求項２】
トルク要求を平滑化して平滑化トルク要求を生成する平滑化処理部と、
前記平滑化トルク要求から前記トルク要求の値を減算して逆リップルトルクを算出し、前記逆リップルトルクに正又は負の任意の係数値を乗じた上で前記平滑化トルク要求又は前記平滑化トルク要求の所定数倍された値を加算するトルク混合部と、
前記トルク混合部の混合結果に基づく目標トルクを用いてモータを駆動するための処理を実施する駆動処理部と、
を有するモータ駆動制御装置。
【請求項３】
時間変化する車速の下側エンベロープを検出する検出部と、
前記検出部によって検出された前記下側エンベロープの値に応じて、前記任意の係数値を決定する決定部と、
をさらに有する請求項１又は２記載のモータ駆動制御装置。
【請求項４】
時間変化する車速の下側エンベロープ及び上側エンベロープを検出する検出部と、
前記検出部によって検出された前記下側エンベロープの値及び前記上側エンベロープの値に応じて、前記任意の係数値を決定する決定部と、
をさらに有する請求項１又は２記載のモータ駆動制御装置。
【請求項５】
前記トルク混合部が、
前記任意の係数値をアシスト比に応じて変化させる
請求項１又は２記載のモータ駆動制御装置。
【請求項６】
前記トルク混合部が、
前記トルク要求に対する係数値を、アシスト比が増加するのに連動して減少させる
請求項１記載のモータ駆動制御装置。
【請求項７】
前記平滑化処理部が、
可変周期の前記トルク要求の１周期に相当する期間に合せて当該期間の前記トルク要求の移動平均又は加重移動平均を算出する
請求項１乃至５のいずれか１つ記載のモータ駆動制御装置。
【請求項８】
前記平滑化処理部は、
前記移動平均又は加重移動平均の算出のためのＦＩＲ（Finite Impulse Response）フィルタを含み、
前記期間の両端部分に対応する、前記ＦＩＲフィルタのタップ係数の値が、前記期間の他の部分に対応するタップ係数の値へ滑らかに増加するように設定されている
請求項７記載のモータ駆動制御装置。
【請求項９】
前記平滑化処理部が、
車速に応じて前記トルク要求のサンプリングタイミングを変化させる
請求項７又は８記載のモータ駆動制御装置。
【請求項１０】
前記所定数が増加するのに連動して前記任意の係数値が増加するように設定される
請求項２記載のモータ駆動制御装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本モータ駆動制御装置は、トルク要求を平滑化して平滑化トルク要求を生成する平滑化処理部と、平滑化トルク要求を正の任意の係数値で重み付けし、トルク要求を正又は負の任意の係数値で重み付けして混合するトルク混合部と、トルク混合部の混合結果に基づく目標トルクを用いてモータを駆動するための処理を実施する駆動処理部とを有する。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月3日(2015.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガスタービンの負荷遮断を検出する負荷遮断検出部と、
前記負荷遮断の検出に基づいて、パイロットノズルの予混合燃料の供給量を増加させるパイロットノズル流量制御部と、
前記負荷遮断の検出に基づいて、第一メインノズルへの予混合燃料の供給量を減少させる第一メインノズル流量制御部と、
前記負荷遮断の検出に基づいて、第二メインノズルへの予混合燃料の供給量を所定量まで減少させた後、予め定めた時間の経過後に該供給量をさらに減少させる第二メインノズル流量制御部と
を備えるガスタービンの燃焼器制御装置。
【請求項２】
前記負荷遮断の検出に基づいて、前記第一メインノズルの流量を一時的に減少させる
請求項１に記載の燃焼器制御装置。
【請求項３】
火炎に必要なパラメータを指標として前記第二メインノズルへの予混合燃料の供給量を減少させる
請求項１に記載の燃焼器制御装置。
【請求項４】
前記負荷遮断の検出に基づいて、前記第二メインノズルへの予混合燃料の供給量を所定量まで減少させた後、予め定めた時間の経過後に該供給量をさらに減少させる際に、遅延時間を設定する
請求項１に記載の燃焼器制御装置。
【請求項５】
前記ガスタービンに有する入口案内翼の開度調整を含める
請求項１から４のいずれか一項に記載の燃焼器制御装置。
【請求項６】
予混合燃料を噴射するパイロットノズルと、
前記パイロットノズルの周囲に設けられて予混合燃料を噴射する第一メインノズル及び第二メインノズルと
を有する燃焼器を備えたガスタービンと、
請求項１から請求項５の何れか１項に記載の燃焼器制御装置と、
を備えるガスタービンシステム。
【請求項７】
ガスタービンの負荷遮断を検出する負荷遮断検出段階と、
前記負荷遮断の検出に基づいて、パイロットノズルの予混合燃料の供給量を増加させるパイロットノズル流量制御段階と、
前記負荷遮断の検出に基づいて、第一メインノズルへの予混合燃料の供給量を減少させる第一メインノズル流量制御段階と、
前記負荷遮断の検出に基づいて、第二メインノズルへの予混合燃料の供給量を所定量まで減少させた後、予め定めた時間の経過後に該供給量をさらに減少させる第二メインノズル流量制御段階と
を備えるガスタービンの燃焼器制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記課題を解決するために、本発明の第１の形態によると、ガスタービンの燃焼器制御装置であって、ガスタービンの負荷遮断を検出する負荷遮断検出部と、負荷遮断の検出に基づいて、パイロットノズルの予混合燃料の供給量を増加させるパイロットノズル流量制御部と、負荷遮断の検出に基づいて、第一メインノズルへの予混合燃料の供給量を減少させる第一メインノズル流量制御部と、負荷遮断の検出に基づいて、第二メインノズルへの予混合燃料の供給量を所定量まで減少させた後、予め定めた時間の経過後に該供給量をさらに減少させる第二メインノズル流量制御部とを備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の第２の形態によると、ガスタービンシステムであって、予混合燃料を噴射するパイロットノズルと、パイロットノズルの周囲に設けられて予混合燃料を噴射する第一メインノズル及び第二メインノズルとを有する燃焼器を備えたガスタービンと、上記の何れかの燃焼器制御装置とを備える。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月19日(2014.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
走行部、旋回部、伸縮動作機構を有する作業部を備え、該旋回部に備えられたエンジンの回転により発電機にて電力を発生させるとともに、旋回動作に制動をかける際に旋回回生用の発電機で回生電力を発生させるショベルの制御方法であって、
操作指令に基づいて処理プログラムによる演算を実行し、
該演算結果により前記旋回回生用の発電機を制御するショベルの制御方法。
【請求項２】
前記処理プログラムを実行する制御装置は、前記走行部に対して前記作業部及び前記旋回部とともに旋回され、且つ、前記走行部よりも上方の位置にある、請求項１に記載のショベルの制御方法。
【請求項３】
前記エンジンは運転室よりも後方で回転駆動され、
前記発電機も運転室よりも後方で回転駆動される、請求項１又は２に記載のショベルの制御方法。
【請求項４】
前記旋回回生用の発電機は、前記演算結果により速度制御される請求項１乃至３の何れか一項に記載のショベルの制御方法。
【請求項５】
前記ショベルには、負荷を検出する第１の検出センサが備えられ、
該第１の検出センサが検出したデータと前記操作指令と旋回角度検出センサの検出値とに基づいて前記処理プログラムによる演算を実行し、
該演算結果により前記旋回回生用の発電機を制御する請求項１乃至４の何れか一項に記載のショベルの制御方法。
【請求項６】
前記ショベルには、前記伸縮動作機構の伸縮状態を検出する第２の検出センサが備えられ、
該第２の検出センサが検出したデータと前記操作指令と旋回角度検出センサの検出値とに基づいて前記処理プログラムによる演算を実行し、
該演算結果により前記旋回回生用の発電機を制御する請求項１乃至５の何れか一項に記載のショベルの制御方法。
【請求項７】
前記旋回回生用の発電機は旋回用の電動発電機であって、
前記旋回部に備えられたエンジンの回転により発電機にて発生させた電力を用いて旋回動作を行うように前記旋回用の電動発電機へ給電を行い、
前記旋回用の電動発電機を速度制御するために、前記操作指令と旋回角度検出センサの検出値とに基づいて前記処理プログラムによる演算を実行する請求項１乃至６の何れか一項に記載のショベルの制御方法。
【請求項８】
前記ショベルには、前記エンジンの回転を検出する回転数検出センサが備えられ、
該回転数検出センサが検出した回転数検出値に基づいて、前記エンジンを回転数制御する請求項１乃至７の何れか一項に記載のショベルの制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月1日(2015.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭化水素系の燃料が流通する燃料流路と、
前記燃料流路の途中に設けられ、燃料をガス化する触媒部と、
前記燃料流路の途中に設けられ、前記ガス化された燃料で駆動されるタービンと、
前記タービンの駆動により前記燃料を前記燃料流路へ供給する第１ポンプと、
前記燃料流路から供給された前記ガス化された燃料と、酸化剤とを燃焼する燃焼室と、
前記燃焼室の燃焼ガスを送出し、前記燃料流路の一部と熱交換して冷却されるノズルと
を具備し、
前記触媒部は、前記燃料流路の途中での前記ノズルと熱交換する箇所における前記燃料流路の内部に設けられている
ロケットエンジン。
【請求項２】
請求項１に記載のロケットエンジンにおいて、
前記燃料流路は、
前記燃料を前記ノズルでの前記熱交換及び前記触媒層での前記ガス化後に前記燃焼室へ導く第１経路と、
前記燃料をそのまま前記燃焼室へ導く第２経路と
を備え、
前記燃焼室は、前記第１経路経由で供給された前記ガス化した燃料と、前記第２経路経由で供給された前記燃料との混合燃料を燃焼する
ロケットエンジン。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のロケットエンジンにおいて、
前記触媒部は、
前記燃料を触媒で熱化学分解して前記ガス化を行い、
前記熱化学分解の吸熱反応でも前記ノズルを冷却する
ロケットエンジン。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載のロケットエンジンにおいて、
前記触媒部は、前記燃料流路の内壁を覆うように層状に形成されている
ロケットエンジン。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載のロケットエンジンにおいて、
前記酸化剤が前記燃焼室まで流通する酸化剤流路と、
前記タービンの駆動により前記酸化剤を前記酸化剤流路へ供給する第２ポンプと
を更に具備し、
前記タービンと前記第１ポンプと前記第２ポンプとは、同じ回転軸に接続されている
ロケットエンジン。
【請求項６】
請求項１乃至５にいずれか一項に記載のロケットエンジンと、
前記ロケットエンジンの燃料流路に接続された燃料タンクと、
前記ロケットエンジンの酸化剤流路に接続された酸化剤タンクと
を具備する
ロケット。
【請求項７】
炭化水素系の燃料と酸化剤とを、圧力を用いて燃焼室へ供給し、燃焼させるステップと、
前記燃焼室が燃焼で加熱されたとき、前記燃料を、圧力を用いて、ノズルを熱交換で冷却しながら、触媒部へ供給し、ガス化するステップと、
前記ガス化された燃料でタービンを駆動するステップと、
前記タービンで第１ポンプを駆動して、前記燃料の一部を、前記ノズルを熱交換で冷却しながら、前記触媒部でガス化するステップと、
前記タービンで第１ポンプを駆動して、前記燃料の残りを、前記燃焼室へ供給するステップと、
前記タービンで第２ポンプを駆動して、前記酸化剤を、前記燃焼室へ供給するステップと、
前記ガス化された燃料と、前記供給された燃料と、前記供給された酸化剤とを前記燃焼室で燃焼させるステップと
を具備する
ロケットエンジンの始動方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月17日(2014.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化カルシウムの含有量が１０ｗｔ％以下である低カルシウムセメント材料組成物であって、３５℃以下の温度で低カルシウムセメント材料を製造するために処理される低カルシウムセメント材料組成物において、
酸化カルシウムの含有量が１０ｗｔ％以下であり、低カルシウムセメント材料組成物の全重量に対する重量％が３０ｗｔ％〜９５ｗｔ％である低カルシウムフライアッシュと、
低カルシウムセメント材料組成物の全重量に対する重量％が０．１ｗｔ％〜５５ｗｔ％である水酸化ナトリウムと、
低カルシウムセメント材料組成物の全重量に対する重量％が０．１ｗｔ％〜３０ｗｔ％である炭酸マグネシウムとを含む低カルシウムセメント材料組成物。
【請求項２】
前記低カルシウムフライアッシュに含まれる酸化カルシウムが５ｗｔ％以下である請求項１に記載の低カルシウムセメント材料組成物。
【請求項３】
前記低カルシウムフライアッシュの粉末度が２０００ｃｍ２／ｇｗ〜８０００ｃｍ２／ｇｗである請求項１に記載の低カルシウムセメント材料組成物。
【請求項４】
含有量が０．１ｗｔ％〜２０ｗｔ％のフッ化ケイ酸化合物をさらに含む請求項１に記載の低カルシウムセメント材料組成物。
【請求項５】
前記フッ化ケイ酸化合物はフッ化ケイ酸ナトリウムである請求項４に記載の低カルシウムセメント材料組成物。
【請求項６】
含有量が０．１ｗｔ％〜５ｗｔ％のトリエタノールアミンをさらに含む請求項１に記載の低カルシウムセメント材料組成物。
【請求項７】
含有量が０．０１ｗｔ％〜５ｗｔ％のリグノセルロースをさらに含む請求項１に記載の低カルシウムセメント材料組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】低カルシウムセメント材料組成物
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月10日(2015.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
貯蔵室を有する冷蔵庫本体と、
前記冷蔵庫本体に設けられ、前記貯蔵室内を冷却する冷気を生成する冷却器と、
前記冷却器によって生成した冷気を循環するための風を発生する送風手段と、
前記冷蔵庫本体に設けられた前記発生室と、
前記発生室内に設けられミストを発生するミスト発生手段と、を備え、
前記発生室は、前記送風手段の送風作用によって発生した風の一部を当該発生室内に取り込むための風供給口と、前記ミスト発生手段により発生したミストの一部を前記風供給口から取り込んだ風の一部とともに前記貯蔵室へ供給するミスト吹出口と、を有する冷蔵庫。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本実施形態の冷蔵庫は、貯蔵室を有する冷蔵庫本体と、前記冷蔵庫本体に設けられ、前記貯蔵室内を冷却する冷気を生成する冷却器と、前記冷却器によって生成した冷気を循環するための風を発生する送風手段と、前記冷蔵庫本体に設けられた前記発生室と、前記発生室内に設けられミストを発生するミスト発生手段と、を備えている。前記発生室は、前記送風手段の送風作用によって発生した風の一部を当該発生室内に取り込むための風供給口と、前記ミスト発生手段により発生したミストの一部を前記風供給口から取り込んだ風の一部とともに前記貯蔵室へ供給するミスト吹出口と、を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月16日(2015.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
缶水が流れる給水系統と、
前記缶水にアンモニア溶液を添加するアンモニア添加設備と、
前記缶水のｐＨを測定するｐＨ測定装置と、
制御装置とを備えるボイラであって、
前記ボイラの運転に当たり、前記制御装置は、
前記缶水が加熱されるように前記缶水が前記給水系統を流れるときに、前記ｐＨが運転用ｐＨ範囲に含まれるように、前記アンモニア添加設備を制御する通常制御回路と、
前記ボイラの停止に当たり、前記缶水が前記給水系統を流れることが停止される前に、前記ｐＨが保管用ｐＨ範囲に含まれるように、前記アンモニア添加設備を制御する保管用制御回路とを備え、
前記保管用ｐＨ範囲に含まれる任意のｐＨは、前記運転用ｐＨ範囲に含まれる任意のｐＨと等しい／または前記任意のｐＨより大きいボイラ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明によるボイラ運転方法は、その給水系統にその缶水が流れることが停止された後で、前記ｐＨが運転用ｐＨ範囲に含まれているときに、その缶水が加熱されるようにその給水系統にその缶水を流すことをさらに備えている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明によるガス冷却器は、炭素含有固体燃料を酸化剤によりガス化することにより生成される生成ガスが流れる流路と給水が流れる流路（缶水循環系統）を備えている。このとき、その給水系統は、その生成ガスの熱を用いてその缶水を加熱する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明による石炭ガス化複合発電設備は、本発明による排熱回収ボイラと、炭素含有固体燃料をガス化することにより生成ガスを生成するガス化炉と、その生成ガスを用いて動力を生成することにより排ガスを排気するガスタービンと、蒸気を用いて動力を生成する蒸気タービンとを備えている。このとき、その蒸気は、その給水系統がその生成ガスの熱とその排ガスの熱とを用いてその缶水を加熱することにより生成される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
図面を参照して、ボイラの実施の形態が以下に記載される。そのボイラの給水系統部分は、図１に示されているように、石炭ガス化複合発電設備１０に利用される。石炭ガス化複合発電設備１０は、ガス化炉１とガス冷却器２とガスタービン３と排熱回収ボイラ５と蒸気タービン６と発電機７と復水器８とを備えている。ガス化炉１は、外部の設備から供給される炭素含有固体燃料としての石炭を破砕した微粉炭と酸化剤としての空気（または酸素）とから、可燃性を有する高温の生成ガスを生成する。ガス冷却器２は、ガス化炉１により生成された高温の生成ガスから冷却後生成ガスを生成する。この高温の生成ガスを冷却する熱交換により、ガス冷却器２は、復水器８により生成された缶水から高温高圧の蒸気を生成する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
その通常運転では、ガス化炉１は、外部の設備から供給される空気（または酸素）を用いて、外部の設備から供給される炭素含有固体燃料としての石炭を破砕し燃焼させることにより、可燃性を有する高温の生成ガスを生成する。ガス冷却器２は、復水器８により生成された缶水を用いて、ガス化炉１により生成された高温の生成ガスを冷却するよう熱交換することにより、冷却後生成ガスを生成する。この際に、ガス冷却器２は、ガス化炉１により生成された高温の生成ガスの熱を用いて、缶水を加熱するよう熱交換することにより、高温高圧の蒸気を生成する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
ボイラの実施の他の形態は、既述の実施の形態における保管用制御回路２２が他の保管用制御回路に置換されている。保管用制御回路は、複数の保管期間に対応する複数の保管用ｐＨ範囲を予め記憶装置に記録している。複数の保管用ｐＨ範囲は、それぞれ、下限が運転用ｐＨ範囲の設定値と等しい、或いは設定値より大きい。たとえば、図５に示す試験結果によれば、２４時間以内の期間に対応する保管用ｐＨ範囲の下限は、９．５を示している。７２時間以内の期間に対応する保管用ｐＨ範囲の下限は、９．７を示している。４日間から７日間に含まれる期間に対応する保管用ｐＨ範囲の下限は、９．８を示している。７日間から１４日間に含まれる期間に対応する保管用ｐＨ範囲の下限は、９．９を示している。１５日間から３０日間に含まれる期間に対応する保管用ｐＨ範囲の下限は、１０を示している。保管期間が長くなるに従い対応する保管用ｐＨ範囲の下限は、大きくなる。
また、例えば、高温、強アルカリ性（ｐＨ１１以上）環境では、通常アルカリに強い鋼鉄でもアルカリ腐食となる可能性があるため、保管用ｐＨの上限はｐＨ１１未満が好ましい。しかし、これに限定するものではない。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月29日(2015.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ロケットエンジンの燃焼室の製造方法であって、
前記燃焼室は、同心円状に配置された内筒と外筒とを備え、
前記内筒と前記外筒との間には冷却流路が形成されており、
前記外筒は、
前記内筒側に形成された第１層と、
前記第１層の外側の表面に形成された第２層と
を備え、
前記製造方法は、
前記内筒の表面に複数の溝を形成する工程と、
前記複数の溝に充填材を充填する工程と、
前記充填材及び前記内筒の露出面に導電層を形成する工程と、
前記導電層上に、電鋳法により、第１層を形成する工程と、
前記第１層上に、第２層を形成する工程と
を備え、
前記第２層を形成する工程は、
前記第１層に形成される膜の厚さが所望の膜厚になるまで、単位成膜処理を繰り返し実行するステップを有し、
前記単位成膜処理は、
チャンバ内に前記円筒を設置するステップと、
前記チャンバ内の雰囲気を非酸化性ガス雰囲気あるいは真空雰囲気に設定するステップと、
前記雰囲気中でコールドスプレー法により前記内筒に対して成膜を行うステップと、
前記成膜後の前記内筒に対して熱処理を施すステップと
を含む
成膜方法。
【請求項２】
請求項１に記載の成膜方法であって、
前記コールドスプレー法により金属膜の成膜が行われる
成膜方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の成膜方法であって、
前記所望の膜厚は１ｍｍ以上である
成膜方法。
【請求項４】
請求項１又は２に記載の成膜方法であって、
前記所望の膜厚は１０ｍｍ以上である
成膜方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月5日(2015.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真核細胞のカロリー制限を模倣する際に使用する化合物又はその塩であって、前記化合物が、SIRT1に結合し、基質に対するSIRT1のKmを低下させることでSIRT1の脱アセチル化酵素活性を増し、そして前記化合物が非天然発生型の化合物である、化合物又はその塩。
【請求項２】
真核細胞のカロリー制限を模倣する方法で使用する化合物であって、前記化合物が、SIRT1に結合し、基質に対するSIRT1のKmを低下させることでSIRT1の脱アセチル化酵素活性を増し、そして前記化合物が非天然発生型の化合物である、化合物又はその塩。
【請求項３】
真核細胞のカロリー制限を模倣する方法で使用するための、真核細胞のSIRT1の脱アセチル化酵素活性を増す化合物であって、前記化合物が、SIRT1に結合し、基質に対するSIRT1のKmを低下させることでSIRT1の脱アセチル化酵素活性を増し、そして前記化合物が非天然発生型の化合物である、化合物又はその塩。
【請求項４】
真核細胞のカロリー制限を模倣するためのin vitro法であって、化合物又はその塩に前記細胞を接触させるステップを含み、前記化合物が、SIRT1に結合し、基質に対するSIRT1のKmを低下させることでSIRT1の脱アセチル化酵素活性を増し、そして前記化合物が非天然発生型の化合物である、in vitro法。
【請求項５】
前記化合物が有機分子である、請求項１乃至３のいずれか一つに記載の化合物。
【請求項６】
前記化合物が単離されている、請求項１乃至３のいずれか一つに記載の化合物。
【請求項７】
前記化合物が、シクロオキシゲナーゼの触媒活性を阻害しない、請求項１乃至３のいずれか一つに記載の化合物。
【請求項８】
前記化合物がPI3-キナーゼを阻害しない、請求項１乃至３のいずれか一つに記載の化合物。
【請求項９】
前記化合物がチロシンタンパク質キナーゼを阻害しない、請求項１乃至３のいずれか一つに記載の化合物。
【請求項１０】
前記化合物がNAD+又はその基質に対するSIRT1のKmを少なくとも２、又は少なくとも３の因数で低下させる、請求項１乃至３のいずれか一つに記載の化合物。
【請求項１１】
前記化合物がSIRT1の脱アセチル化酵素活性を少なくとも５の因数で活性化する、請求項１乃至３のいずれか一つに記載の化合物。
【請求項１２】
前記化合物がSIRT1の脱アセチル化酵素活性を少なくとも１０の因数で活性化する、請求項１１に記載の化合物。
【請求項１３】
前記化合物が、１００μM未満である、SIRT1を活性化するEC50を有する、請求項１乃至３のいずれか一つに記載の化合物。
【請求項１４】
前記化合物が、１０μM未満である、SIRT1を活性化するEC50を有する、請求項１３に記載の化合物。
【請求項１５】
前記化合物が、１μM未満である、SIRT1を活性化するEC50を有する、請求項１４に記載の化合物。
【請求項１６】
SIRT1の活性を判定するステップを更に含む、請求項４に記載の方法。
【請求項１７】
SIRT1の活性が、蛍光発生性ペプチド基質の脱アセチル化を測定することにより判定される、請求項１乃至３のいずれか一つに記載の化合物。
【請求項１８】
細胞の寿命が、前記化合物に接触させなかった細胞に比較して伸長されていることを判定するステップを更に含む、請求項４に記載の方法。
【請求項１９】
細胞の増殖能が、前記化合物に接触させなかった細胞に比較して伸長されていることを判定するステップを更に含む、請求項４に記載の方法。
【請求項２０】
前記細胞が哺乳動物細胞である、請求項１乃至３のいずれか一つに記載の化合物。
【請求項２１】
前記細胞が対象から得られる、請求項１乃至３のいずれか一つに記載の化合物。
【請求項２２】
前記細胞が酵母細胞である、請求項１乃至３のいずれか一つに記載の化合物。
【請求項２３】
前記細胞を、０．１乃至１００μMの濃度の化合物に接触させる、請求項４に記載の方法。
【請求項２４】
前記化合物がレスベラトロールの少なくとも２分の１未満の抗酸化活性を有する、請求項１乃至３のいずれか一つに記載の化合物。
【請求項２５】
前記化合物がレスベラトロールの少なくとも３分の１未満の抗酸化活性を有する、請求項１乃至３のいずれか一つに記載の化合物。
【請求項２６】
前記化合物がレスベラトロールの少なくとも５分の１又は少なくとも１０分の１未満の抗酸化活性を有する、請求項１乃至３のいずれか一つに記載の化合物。
【請求項２７】
前記化合物が抗酸化活性を有さない、請求項１乃至３のいずれか一つに記載の化合物。
【請求項２８】
前記化合物がレスベラトロール、フィセチン又はブテインの類似体ではない、請求項１乃至３のいずれか一つに記載の化合物。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月8日(2015.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
長尺状の基板と、前記基板の長手方向に沿って、間隔をあけて前記基板上に設置された複数の発光素子と、前記発光素子のそれぞれの一側および他側において、前記基板に形成された導電配線部とを備える発光装置であって、
前記導電配線部は、前記基板の長手方向に沿って断続的に形成され、且つ、前記導電配線部同士がワイヤによって接続されるとともに、前記発光素子１つあたりに、前記発光素子の一側および他側にそれぞれ２つ以上形成され、前記発光素子同士の電気的接続を中継することを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記発光素子の一対の電極が、前記発光素子の一側および他側に形成された前記導電配線部とそれぞれワイヤによって接続されるとともに、前記発光素子の一対の電極の一方または他方と接続された前記導電配線部が、前記基板の同じ側にある１つ以上の前記導電配線部を介して、隣接する前記発光素子の一対の電極の一方または他方と接続された前記導電配線部とワイヤによって接続されていることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記発光素子の一対の電極の一方または他方と接続された前記導電配線部が、前記基板の同じ側にある１つ以上の前記導電配線部を介して、隣接する前記発光素子の異なる極性の電極と接続された前記導電配線部とワイヤによって接続されることで、前記複数の発光素子はそれぞれ直列接続されていることを特徴とする請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記発光素子の一対の電極の一方または他方と接続された前記導電配線部が、前記基板の同じ側にある１つ以上の前記導電配線部を介して、隣接する前記発光素子の同じ極性の電極と接続された前記導電配線部とワイヤによって接続されることで、前記複数の発光素子はそれぞれ並列接続されていることを特徴とする請求項２に記載の発光装置。
【請求項５】
前記発光素子の一対の電極の一方または他方と接続された前記導電配線部の一部が、前記基板の同じ側にある１つ以上の前記導電配線部を介して、隣接する前記発光素子の同じ極性の電極と接続された前記導電配線部とワイヤによって接続されることで、前記複数の発光素子の一部はそれぞれ並列接続されており、
前記並列接続された発光素子からなる発光素子群は、１つ以上の前記導電配線部を介して、隣接する発光素子群と直列接続されていることを特徴とする請求項２に記載の発光装置。
【請求項６】
前記基板は、長手方向に溝部が形成された長尺状の第１基板と、前記第１基板の溝部内に設置された第２基板とからなり、
前記発光素子は、前記第１基板の溝部内に設置された前記第２基板の上面に複数設置されていることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項７】
前記第１基板は、ガラスエポキシまたはアルミニウムからなり、
前記第２基板は、ガラスエポキシまたはセラミックスからなることを特徴とする請求項６に記載の発光装置。
【請求項８】
前記第１基板の溝部は、底面が銅箔により構成されているとともに、側壁が前記銅箔の上面に取り付けられ、かつ、互いに離間して設けられた第１長尺部および第２長尺部の対向する側面により構成され、
前記第１長尺部および第２長尺部は、ガラスエポキシからなり、
前記第２基板は、セラミックスからなり、
前記導電配線部は、前記第１基板の両縁である前記第１長尺部および第２長尺部のそれぞれの上面の長手方向に沿って断続的に形成されていることを特徴とする請求項５に記載の発光装置。
【請求項９】
前記銅箔の上面と前記第２基板の下面とは、金属膜を介して接合されていることを特徴とする請求項８に記載の発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月4日(2015.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つのジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン環、１つの正孔輸送性骨格を有する環、およびベンゼン環を含み、前記ベンゼン環の数が２個以上８個以下である複素環化合物を含む発光素子。
【請求項２】
請求項１において、
前記複素環化合物の分子量が５６４以上１０００以下であることを特徴とする発光素子。
【請求項３】
１つのジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン環、１つの正孔輸送性骨格を有する環、およびベンゼン環を含み、前記ベンゼン環の数が４個以上８個以下である複素環化合物を含む発光素子。
【請求項４】
請求項３において、
前記複素環化合物の分子量が７１６以上１０００以下であることを特徴とする発光素子。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記正孔輸送性骨格を有する環が、カルバゾール環、ジベンゾチオフェン環、またはジベンゾフラン環のいずれかであることを特徴とする発光素子。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記正孔輸送性骨格を有する環が、ジベンゾチオフェン環であることを特徴とする発光素子。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記複素環化合物がビフェニル基またはビフェニルジイル基を有することを特徴とする発光素子。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の発光素子を用いた発光装置。
【請求項９】
請求項８に記載の発光装置を用いた電子機器。
【請求項１０】
請求項８に記載の発光装置を用いた照明装置。
【請求項１１】
一般式（Ｇ１）で表される構造を有する複素環化合物。
【化１】
2014029973.tif 000001
（式中、αは置換または無置換のフェニレン基を表し、Ａｒ１、Ａｒ２は置換または無置換のビフェニル基を表し、Ｒ１〜Ｒ１０は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、又は炭素数６〜１３の置換もしくは無置換のアリール基、のいずれかを表し、Ｚは酸素または硫黄を表す。）
【請求項１２】
請求項１１において、
前記フェニレン基は、ｍ−フェニレン基であることを特徴とする複素環化合物。
【請求項１３】
一般式（Ｇ２）で表される構造を有する複素環化合物。
【化２】
2014029973.tif 000002
（式中、αは置換または無置換のビフェニルジイル基を表し、Ａｒ１、Ａｒ２は置換または無置換のフェニル基、置換または無置換のビフェニル基、のいずれかを表し、Ｒ１〜Ｒ１０は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、又は炭素数６〜１３の置換もしくは無置換のアリール基、のいずれかを表し、Ｚは酸素または硫黄を表す。）
【請求項１４】
請求項１３において、
前記ビフェニルジイル基は、ビフェニル−３，３’−ジイル基であることを特徴とする複素環化合物。
【請求項１５】
構造式（４１８）で表される複素環化合物。
【化３】
2014029973.tif 000003
【請求項１６】
構造式（４００）で表される複素環化合物。
【化４】
2014029973.tif 000004
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月3日(2015.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導線上の複数の実装部に発光ダイオードが実装された発光装置を製造する発光装置の製造方法であって、
前記発光ダイオードはＬＥＤチップであり、
隣り合う実装部間の前記導線に沿った距離をＬ１としたとき、この実装部間の直線距離がＬ２（Ｌ２＜Ｌ１）となるように前記導線を保持し、
前記保持された導線上の各実装部に前記複数の発光ダイオードを実装し、
その後、前記発光ダイオードを封止することを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項２】
複数の棒部材に前記導線を交差させて前記直線距離をＬ２とすることを特徴とする請求項１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項３】
交互に配置された複数の棒部材と複数の凸部とに前記導線を交差させて前記直線距離をＬ２とすることを特徴とする請求項１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項４】
棒部材に前記導線を巻いて前記直線距離をＬ２とすることを特徴とする請求項１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項５】
棒部材に前記導線を巻いた後に前記棒部材を長手方向に沿って切断して前記直線距離をＬ２とすることを特徴とする請求項１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項６】
前記隣り合う実装部間の直線距離がＬ３（Ｌ２＜Ｌ３≦Ｌ１）となるように前記複数の発光ダイオードが実装された導線の保持を解除することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
【請求項７】
前記発光ダイオードを封止する工程は前記導線の保持を解除する工程の前に行うことを特徴とする請求項６に記載の発光装置の製造方法。
【請求項８】
前記隣り合う実装部間の直線距離を前記複数の発光ダイオードの封止後にＬ３＜Ｌ１となるよう調整することを特徴とする請求項６または７に記載の発光装置の製造方法。
【請求項９】
前記導線上に実装された複数の発光ダイオードを透光性の封止部材で封止することを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１０】
前記封止部材に蛍光体が含有されていることを特徴とする請求項９に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１１】
蛍光体を含有する第１封止部材により複数の発光ダイオードを個別に封止した後、個々の第１封止部材を第２封止部材により個別に封止することを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１２】
蛍光体を含有する第１封止部材により複数の発光ダイオードを個別に封止した後、複数の第１封止部材を一の第２封止部材により一括して封止することを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１３】
前記導線を基体に貼り付け、この基体に貼り付けられた導線について前記保持を行うことを特徴とする請求項１〜１２のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１４】
前記導線は金属線の周りが絶縁部材で被覆された被覆付導線であることを特徴とする請求項１〜１３のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１５】
前記実装部は前記被覆付導線の被覆を取り除いて形成されていることを特徴とする請求項１４に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１６】
前記実装部は平坦化されていることを特徴とする請求項１〜１５のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１７】
前記発光素子は前記実装部上にフリップチップ実装されることを特徴とする請求項１〜１６のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月10日(2015.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光透過性の基板と、該基板の一面に重ねて形成された蛍光体層と、該蛍光体層に重ねて
形成された波長選択膜と、
を少なくとも備えた蛍光体基板であって、
前記蛍光体層は励起光によって発光し、
前記蛍光体層は、多数の蛍光体粒子と、該蛍光体粒子どうしの間に保たれた空隙とから
なることを特徴とする蛍光体基板。
【請求項２】
前記励起光は、波長が４００ｎｍ以上、１５００ｎｍ以下の波長範囲であることを特徴
とする請求項１記載の蛍光体基板。
【請求項３】
前記空隙の平均寸法は前記蛍光体層で発した光の主波長以上であることを特徴とする請
求項１または２記載の蛍光体基板。
【請求項４】
前記空隙には、低屈折媒質が満たされていることを特徴とする請求項１ないし３いずれ
か１項記載の蛍光体基板。
【請求項５】
前記低屈折媒質は気体であることを特徴とする請求項４記載の蛍光体基板。
【請求項６】
前記気体は空気、窒素、アルゴン、またはこれらの混合ガスであることを特徴とする請
求項５記載の蛍光体基板。
【請求項７】
前記空隙には、前記蛍光体粒子とは異なる材質の部材が配されていることを特徴とする
請求項１ないし６いずれか１項記載の蛍光体基板。
【請求項８】
前記基板の一面から立ち上がり、前記蛍光体層の厚み方向に沿った側面を囲む隔壁が更
に形成され、該隔壁の少なくとも前記蛍光体層に臨む領域は、光散乱性または光反射性を
有することを特徴とする請求項１ないし７いずれか１項記載の蛍光体基板。
【請求項９】
前記隔壁は、前記蛍光体層を複数の領域に区画することを特徴とする請求項８記載の蛍
光体基板。
【請求項１０】
前記蛍光体粒子は、互いに異なる蛍光体材料からなる複数種類の蛍光体粒子から構成さ
れ、該複数種類の蛍光体粒子のうち、第一の蛍光体粒子の発光主波長は５００〜５６０ｎ
ｍであることを特徴とする請求項１ないし９いずれか１項記載の蛍光体基板。
【請求項１１】
前記第一の蛍光体粒子は、５００〜５６０ｎｍの範囲内で互いに発光主波長の異なる複
数種の蛍光体粒子からなることを特徴とする請求項１０記載の蛍光体基板。
【請求項１２】
前記蛍光体粒子は、互いに異なる蛍光体材料からなる複数種類の蛍光体粒子から構成さ
れ、該複数種類の蛍光体粒子のうち、第二の蛍光体粒子の発光主波長は６００〜６５０ｎｍであることを特徴とする請求項１ないし１１いずれか１項記載の蛍光体基板。
【請求項１３】
前記蛍光体粒子は、互いに異なる蛍光体材料からなる複数種類の蛍光体粒子から構成さ
れ、該複数種類の蛍光体粒子のうち、第三の蛍光体粒子の発光主波長は４３０〜４９０ｎ
ｍであることを特徴とする請求項１ないし１２いずれか１項記載の蛍光体基板。
【請求項１４】
前記蛍光体粒子は、互いに異なる蛍光体材料からなる複数種類の蛍光体粒子から構成さ
れ、該複数種類の蛍光体粒子のうち、第四の蛍光体粒子の発光主波長は５６０〜５９０ｎ
ｍであることを特徴とする請求項１ないし１３いずれか１項記載の蛍光体基板。
【請求項１５】
前記蛍光体層は前記基板と前記波長選択膜との間に形成され、前記波長選択膜は前記励
起光を透過させ、かつ、前記発光を反射させることを特徴とする請求項１ないし１４いずれか１項記載の蛍光体基板。
【請求項１６】
光透過性の基板と、該基板の一面に重ねて形成された蛍光体層と、該蛍光体層に重ねて
形成された波長選択膜と、
を少なくとも備えた蛍光体基板であって、
前記蛍光体層は励起光によって発光し、
前記波長選択膜は、前記励起光を透過させ、かつ、前記発光を反射させ、
前記蛍光体層からの発光が前記基板を透過し取り出される発光取出効率が５５％以上で
あることを特徴とする蛍光体基板。
前記蛍光体層は、多数の蛍光体粒子と、該蛍光体粒子どうしの間に保たれた空隙とから
なることを特徴とする蛍光体基板。
【請求項１７】
前記励起光は、波長が４００ｎｍ以上、１５００ｎｍ以下の波長範囲であることを特徴
とする請求項１６記載の蛍光体基板。
【請求項１８】
請求項１ないし１７いずれか１項記載の蛍光体基板と、前記励起光を発する光源と、を
備えたことを特徴とする発光デバイス。
【請求項１９】
前記光源はＬＥＤ素子であることを特徴とする請求項１８記載の発光デバイス。
【請求項２０】
前記光源は有機ＥＬ素子であることを特徴とする請求項１８記載の発光デバイス。
【請求項２１】
前記蛍光体基板と前記光源との間に、前記励起光の入射を制御する液晶層が更に配され
たことを特徴とする請求項１８ないし２０いずれか１項記載の発光デバイス。
【請求項２２】
請求項１８ないし２１いずれか１項記載の発光デバイスを備えたことを特徴とする表示
装置。
【請求項２３】
請求項１８ないし２１いずれか１項記載の発光デバイスを備えたことを特徴とする照明
装置。
【請求項２４】
請求項１ないし１７いずれか１項記載の蛍光体基板と、光電変換素子と、を備えたこと
を特徴とする太陽電池モジュール。
【請求項２５】
前記太陽電池モジュールは、前記蛍光体層の発光スペクトルのピーク波長が、前記光電
変換素子の光電変換効率が最大となる光の波長よりも短波長であることを特徴とする請求
項２４記載の太陽電池モジュール。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月29日(2015.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＡｌＧａＮ層を含むヘテロ接合半導体装置の製造方法であって、
（ａ）ＡｌＧａＮ層上のゲート電極が配置される領域に、ダミー電極を形成する工程と、
（ｂ）異方性のある装置を用いて、前記ダミー電極側面を露出させつつ、前記ＡｌＧａＮ層上に誘電膜を堆積させる工程と、
（ｃ）前記ダミー電極を除去することにより、前記誘電膜に開口を形成する工程と、
（ｄ）前記開口内からその周辺の前記誘電膜上に延在する前記ゲート電極を形成する工程とを備えることを特徴とする、
半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記工程（ｃ）が、ウェットエッチング処理によって前記ダミー電極を除去する工程であることを特徴とする、
請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記工程（ｃ）が、超音波洗浄処理によって前記ダミー電極を除去する工程であることを特徴とする、
請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記工程（ａ）が、前記ＡｌＧａＮ層上の前記ゲート電極が配置される領域に、前記誘電膜よりも前記ＡｌＧａＮ層との密着性が低い材料からなる前記ダミー電極を形成する工程であることを特徴とする、
請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記工程（ｂ）が、前記工程（ｃ）において前記ダミー電極よりも除去比率が低い前記誘電膜を堆積させる工程であることを特徴とする、
請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記工程（ｂ）が、Ｃａｔ−ＣＶＤ法によって前記誘電膜を堆積させる工程であることを特徴とする、
請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記工程（ｂ）が、ＥＣＲスパッタ法によって前記誘電膜を堆積させる工程であることを特徴とする、
請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記工程（ｂ）が、前記ＡｌＧａＮ層と接する前記ダミー電極の厚さよりも薄く前記誘電膜を堆積させる工程であることを特徴とする、
請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記工程（ａ）が、Ｔ型の形状である前記ダミー電極を形成する工程であることを特徴とする、
請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記工程（ａ）が、２層以上のダミー材料から前記ダミー電極を形成する工程であり、
前記ＡｌＧａＮ層に接する前記ダミー材料が、他の前記ダミー材料よりも酸またはアルカリ溶液に溶けやすいことを特徴とする、
請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
このような構成によれば、異方性のあるＣａｔ−ＣＶＤ法等で誘電膜８を堆積させることにより、ダミー電極７の露出した側面に堆積する誘電膜８を抑制することができ、後の工程でダミー電極７を除去しやすくすることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
このような構成によれば、異方性のあるＥＣＲスパッタ法等で誘電膜８を堆積させることにより、ダミー電極７の露出した側面に堆積する誘電膜８を抑制することができ、後の工程でダミー電極７を除去しやすくすることができる。