【事件の表示】
　特願２０００−１４４７８０「電解銅メッキ溶液」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　１月　９日出願公開、特開２００１−　　３１９１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１２年５月１７日（パリ条約による優先権主張１９９９年５月１７日、米国）の出願であって、平成１９年３月１５日付で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１９年６月１８日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、平成１９年７月１８日付で手続補正がなされたものである。
　
II．平成１９年７月１８日付の手続補正についての補正却下の決定
〔補正却下の決定の結論〕
　平成１９年７月１８日付の手続補正を却下する。
　
〔理由〕
１．補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、次のとおりとなった。
　「【請求項１】　半導体マイクロチップウエハー基板をメッキする方法であって、少なくとも１つの可溶性銅塩、電解質、および電気メッキ組成物１リットルあたり少なくとも２．４ｍｇの濃度で存在する、１０００以下の分子量を有する１以上の光沢剤化合物を含む電気メッキ組成物から、マイクロバイアまたはトレンチを有する半導体マイクロチップウエハー基板上に銅を電解的に堆積させることを含み、１以上の光沢剤化合物がビス−スルホノプロピル−ジスルフィドを含む、前記方法。」（以下、「本願補正発明１」という。）
　
　上記補正は、補正前の請求項１において、「少なくとも１．５ｍｇの濃度で存在する・・・１以上の光沢剤化合物」を「少なくとも２．４ｍｇの濃度で存在する・・・１以上の光沢剤化合物」に変更するとともに、「１以上の光沢剤化合物がビス−スルホノプロピル−ジスルフィドを含む」という事項を付加することにより、光沢剤化合物を、濃度、及び、材料の観点でさらに限定するものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的としたものに該当する。
　
　次に、本願補正発明１が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か、すなわち特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか否かについて、以下検討する。
　
２．引用例とその記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願優先権主張日前の他の出願であって、その優先日後に出願公開された特願平１０−２４９４５３号（特開２０００−８０４９４号公報参照）の願書に最初に添付した明細書及び図面（以下、「先願明細書」という。）には、次の事項が記載されている。
（１）先願明細書：特願平１０−２４９４５３号（特開２０００−８０４９４号公報参照）
（１ａ）「【請求項１】　硫酸銅濃度が４ｇ／ｌ〜２００ｇ／ｌ、硫酸濃度が１０〜２００ｇ／ｌおよび塩素イオン濃度が０〜１００ｍｇ／ｌであることを特徴とする銅ダマシン配線用銅めっき液。
【請求項２】　更にイオウ系化合物を含有し、イオウ系化合物の配合量が、硫酸／硫酸銅五水塩の比が１以下の場合は、０．１４〜７０μｍｏｌ／ｌであり、硫酸／硫酸銅五水塩の比が１以上の場合は、０．１４〜１５０μｍｏｌ／ｌである請求項第１項記載の銅ダマシン配線用銅めっき液。」（請求項１、２）
（１ｂ）「本発明は・・・半導体ウエハー面に形成される幅または径が１．０μｍ以下で、アスペクト比が０．１から５０程度である配線溝ないし配線孔に、電気めっきにより銅を埋め込むことのできる銅ダマシン配線用めっき液に関する。」（【０００１】）
（１ｃ）「銅または銅合金を半導体ウエハー上の微細な溝に埋め込む方法（以下、「銅ダマシン法」という）として、めっき法が注目されている。」（【０００７】）
（１ｄ）「また本発明は、更にイオウ系化合物を含有し、イオウ系化合物の配合量が、硫酸／硫酸銅五水塩の比が１以下の場合は、０．０５〜１０ｍｇ／ｌであり、硫酸／硫酸銅五水塩の比が１以上の場合は、０．１〜５０ｍｇ／ｌである上記の銅ダマシン配線用銅めっき液を提供するものである。」（【００１４】）
（１ｅ）「イオウ系化合物は、析出物を緻密化する作用を有するものであり、その具体例としては・・・ビス−（スルホプロピル）ジスルフィド等やそれらの塩を挙げることができる。」（【００１７】）
（１ｆ）「イオウ系化合物の銅ダマシンめっき液への添加量は、銅ダマシンめっき液の硫酸／硫酸銅の比に対応して定める必要がある。・・・イオウ系化合物添加量とＢ／Ａ比の特に好ましい範囲を図に示せば図１の通りである。すなわち、イオウ系化合物添加量（μｍｏｌ）を縦軸に、Ｂ／Ａ比を横軸に取った場合、次の９個の座標、（０．０５，０．１４）、（０．０５，１）、（０．１，１１）、（１，７０）、（３０，１００）、（５０，１５０）、（３０，１０）、（１０，１．４）および（１，０．１４）で囲まれる範囲が特に好ましい範囲である。」（【００１８】）
（１ｇ）「実施例１　・・・Ｃｕスパッタにより導電化した孔径０．２μｍ、深さ０．４μｍの微孔中を有するＳｉウエハー板（試料）をめっき処理した。」（【００２８】）
（１ｈ）「実施例３　下記組成の硫酸銅めっき浴を用い、下記めっき条件で、実施例１と全く同じ試料に銅めっきを行った。めっき後の外観は光沢があり、微孔部分の穴埋め性は良好であった。・・・
（めっき浴組成）
硫酸銅五水塩　　　　　　　　　　　１２０ｇ／ｌ
硫　　酸　　　　　　　　　　　　　１２０ｇ／ｌ
（Ｂ／Ａ比　　　　　　　　　　　　　　　１　　）
塩素イオン　　　　    　　         　　　　　４０ｍｇ／ｌ
イオウ系化合物２２）　　　　　　　　　２ｍｇ／ｌ
ポリエチレングリコール６０００　　 ０.１ｇ／ｌ
2) 次の式で表されるイオウ系化合物
【化８】　ＮａＯ３Ｓ−（ＣＨ２）３−Ｓ−Ｓ−（ＣＨ２）３−ＳＯ３Ｎａ
（めっき条件）
浴温　　　　　　　　　　　　２５℃
電流密度　　　　　　　　　２Ａ／ｄｍ２　
めっき時間　　　　　　　　２分間」（【００３６】〜【００３９】）
（１ｉ）図１には、イオウ化合物（μｍｏｌ）の縦軸と、Ｂ／Ａ比の横軸に対し、摘記事項（１ｅ）に記載される９個の点を結ぶ線で囲まれた、イオウ化合物の添加量とＢ／Ａ比の好ましい範囲が図示されており、Ｂ／Ａ比が０．０５〜１（１００）においては、イオウ化合物（μｍｏｌ）が０．１４〜７０であること、Ｂ／Ａ比が１（１００）〜６０においては、イオウ化合物（μ
ｍｏｌ）が０．１４〜１５０であること、Ｂ／Ａ比が１（１００）においては、イオウ化合物（μｍｏｌ）が０．１４〜７０であることが看取できる。
　
３．当審の判断
３−１．先願明細書記載の発明
　先願明細書の摘記事項（１ａ）によれば、硫酸銅、硫酸、及びイオウ系化合物を含む銅ダマシン配線用メッキ液が記載され、摘記事項（１ｂ）、（１ｃ）によれば、銅ダマシン配線用メッキ液は、半導体ウエハー上の微細配線溝ないし微細配線孔に、電気メッキにより銅を埋め込むために用いられること、摘記事項（１ｅ）によれば、イオウ系化合物の具体例は、ビス−（スルホプロピル）ジスルフィドやその塩であることが記載されている。すると、硫酸銅、硫酸、及び、ビス−（スルホプロピル）ジスルフィドやその塩を含む銅メッキ液は、微細配線孔又は微細配線溝を有する半導体ウエハー上に銅を電解的に堆積させる銅メッキ方法に用いられるものであることが理解できる。
　さらに、摘記事項（１ｇ）、（１ｈ）によれば、銅ダマシン配線用メッキ液を用いたメッキ方法として、硫酸銅五水塩、硫酸、及び、２ｍｇ／ｌの濃度で存在するＮａＯ３Ｓ−（ＣＨ２）３−Ｓ−Ｓ−（ＣＨ２）３−ＳＯ３Ｎａ（ビス−（スルホプロピル）ジスルフィドの塩に相当）を含む銅メッキ液を用い、Ｓｉウエーハ板に銅メッキを行った実施例３が記載され、ＮａＯ３Ｓ−（ＣＨ２）３−Ｓ−Ｓ−（ＣＨ２）３−ＳＯ３Ｎａの分子量を計算すると、３５４となる。
　そして、ビス−（スルホプロピル）ジスルフィドの塩（ＮａＯ３Ｓ−（ＣＨ２）３−Ｓ−Ｓ−（ＣＨ２）３−ＳＯ３Ｎａ）は、ビス−（スルホプロピル）ジスルフィドの範疇に含まれる化合物であるし、ビス−（スルホプロピル）ジスルフィドが、電気銅メッキ液の光沢剤化合物であることは、例えば、次のとおり周知である。
　
　周知例１：特開平７−６２５８７号公報
　「従来より、電気銅めっき浴に光沢剤を添加して光沢のある銅めっき皮膜を与えることが行われている。この場合、光沢剤としては、有機チオ化合物・・・が知られており、有機チオ化合物としては、ＮａＯ３ＳＣ３Ｈ６Ｓ−ＳＣ３Ｈ６ＳＯ３Ｎａなどのジスルファイド〔審決注：「ジスルファイド」は「ジスルフィド」と同義である。〕が汎用され・・・ている。」（【０００２】、【０００３】）と記載されている。
　
　そこで、先願明細書の摘記事項（１ａ）〜（１ｃ）、（１ｅ）、（１ｇ）、（１ｈ）の記載を、実施例３のメッキ方法の観点で総合すれば、先願明細書には、「半導体ウエハー基板をメッキする方法であって、硫酸銅五水塩、硫酸、及び電気メッキ液１リットルあたり２ｍｇの濃度で存在する、３５４の分子量を有する光沢剤化合物を含む電気メッキ液から、微細配線孔又は微細配線溝を有する半導体ウエハー基板上に銅を電解的に堆積させることを含み、光沢剤化合物がビス−（スルホプロピル）ジスルフィドである、前記方法。」（以下、「先願発明」という。）が記載されていることになる。
　
３−２．対比・判断
　本願補正発明１と先願発明とを対比すると、先願発明の「半導体ウエハー基板」、「硫酸銅五水塩」、「硫酸」、「電気メッキ液」、「微細配線孔」、「微細配線溝」、「ビス−（スルホプロピル）ジスルフィド」は、それぞれ本願補正発明１の「半導体マイクロチップウエハー基板」、「可溶性銅塩」、「電解質」、「電気メッキ組成物」、「マイクロバイア」、「トレンチ」、「ビス−スルホノプロピル−ジスルフィド」に相当するから、両者は、
　「半導体マイクロチップウエハー基板をメッキする方法であって、少なくとも１つの可溶性銅塩、電解質、及び１０００以下の分子量を有する１以上の光沢剤化合物を含む電気メッキ組成物から、マイクロバイア又はトレンチを有する半導体マイクロチップウエハー基板上に銅を電解的に堆積させることを含み、１以上の光沢剤化合物がビス−スルホノプロピル−ジスルフィドを含む、前記方法。」で一致し、以下の点で一応相違する。
　
相違点：本願補正発明１は、光沢剤化合物が、「電気メッキ組成物１リットルあたり少なくとも２．４ｍｇの濃度で存在する」のに対し、先願発明は、光沢剤化合物が、電気メッキ組成物１リットルあたり２ｍｇの濃度で存在する点
　
　上記一応の相違点について検討する。
　先願明細書の摘記事項（１ｈ）によれば、実施例３の電気メッキ組成物は、硫酸銅五水塩が１２０ｇ／ｌ、硫酸が１２０ｇ／ｌであって、硫酸／硫酸銅五水塩の比（Ｂ／Ａ比）が１であることが記載されているから、先願発明の電気メッキ組成物は、硫酸／硫酸銅五水塩の比（Ｂ／Ａ比）が１であることが理解できるところ、摘記事項（１ａ）には、「イオウ系化合物（光沢剤化合物）の配合量が、硫酸／硫酸銅五水塩の比が１以下の場合は、０．１４〜７０μｍｏｌ／ｌであり、硫酸／硫酸銅五水塩の比が１以上の場合は、０．１４〜１５０μｍｏｌ／ｌである」と記載され、摘記事項（１ｆ）、（１ｉ）によれば、このような硫酸／硫酸銅五水塩の比（Ｂ／Ａ比）と、光沢剤化合物（イオウ系化合物）の配合量の関係が図示された図１から、硫酸／硫酸銅五水塩の比（Ｂ／Ａ比）が１である場合には、光沢剤化合物の配合量は、０．１４〜７０μｍｏｌ／ｌであることが看取できる（０．１４〜７０μｍｏｌ／ｌは、０．１４〜７０μｍｏｌ／ｌ、及び、０．１４〜１５０μｍｏｌ／ｌの重複する範囲に相当）。
　そうであれば、分子量３５４の光沢剤化合物について０．１４〜７０μｍｏｌ／ｌを換算すると、０．０５〜２５ｍｇ／ｌとなるから、摘記事項（１ｄ）の「イオウ系化合物（光沢剤化合物）の配合量が、硫酸／硫酸銅五水塩の比が１以下の場合は、０．０５〜１０ｍｇ／ｌであり、硫酸／硫酸銅五水塩の比が１以上の場合は、０．１〜５０ｍｇ／ｌである」という記載を併せ勘案すると、先願明細書には、硫酸／硫酸銅五水塩の比（Ｂ／Ａ比）が１である場合には、分子量３５４の光沢剤化合物の配合量は、０．１〜１０ｍｇ／ｌ（０．０５〜２５ｍｇ／ｌ、０．０５〜１０ｍｇ／ｌ、及び、０．１〜５０ｍｇ／ｌの重複する範囲に相当）であることが開示されているといえる。
　すると、先願発明は、電気メッキ組成物１リットルあたり０．１〜１０ｍｇの濃度で存在する光沢剤化合物（分子量３５４）を含む場合を包含することが理解できるから、光沢剤化合物の濃度が、電気メッキ組成物１リットルあたり２．４〜１０ｍｇの範囲において、本願補正発明１と重複している。
　してみると、上記一応の相違点は、実質的な相違点ではないから、本願補正発明１は、先願発明と同一である。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願補正発明１は、先願明細書に記載された発明と同一であり、しかも、本願発明１の発明者が上記先願明細書に記載された発明の発明者と同一であるとも、また、本願の出願時に、その出願人が上記他の出願の出願人と同一であるとも認められないから、本願補正発明１は、特許法第２９条の２の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
III．本願発明について
１．本願発明
　平成１９年７月１８日付の手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜６に係る発明は、平成１８年７月２５日付の手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜６に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、次のとおりである。
　「【請求項１】　半導体マイクロチップウエハー基板をメッキする方法であって、少なくとも１つの可溶性銅塩、電解質、および電気メッキ組成物１リットルあたり少なくとも１．５ｍｇの濃度で存在する、１０００以下の分子量を有する１以上の光沢剤化合物を含む電気メッキ組成物から、マイクロバイアまたはトレンチを有する半導体マイクロチップウエハー基板上に銅を電解的に堆積させることを含む前記方法。」
　
２．引用刊行物とその記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された先願明細書とその主な記載事項は、前記「II．２．」に記載したとおりである。
　
３．当審の判断
　本願発明１を特定するに必要な事項を全て含み、さらに具体的に限定したものに相当する本願補正発明１が、前記「II．３．」に記載したとおり、先願発明と同一であるから、本願発明１も同様の理由で、先願発明と同一である。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明１は、先願明細書に記載された発明と同一であり、しかも、本願発明１の発明者が上記先願明細書に記載された発明の発明者と同一であるとも、また、本願の出願時に、その出願人が上記他の出願の出願人と同一であるとも認められず、本願発明１は、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができないものであるから、その余の発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、上記のとおり審決する。