【事件の表示】
　特願２００２−３７１８４０「プラズマ質量フィルタ」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年１０月１７日出願公開、特開２００３−２９７２８１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１４年１２月２４日（パリ条約による優先権主張２００２年４月２日、米国）の出願である、特願２００２−３７１８４０号であって、平成１７年９月５日付けで拒絶理由通知がなされ、平成１８年３月９日付けで手続補正がなされ、平成１９年２月１３日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年５月１７日付けで拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに同年６月１８日付けで手続補正がなされたものである。
　
第２　本件補正について
１．補正の内容
　
　本件補正は、特許請求の範囲について、補正前（平成１８年３月９日付け手続補正書参照）に
　
「【請求項１】　第１の質量／電荷比（m1）が予め定められたカットオフ質量（Mc）よりも小さいとしたときに、前記第１の質量／電荷比m1のイオンを選択的に通過させるプラズマフィルタにおいて、
　前記イオン（m1）を含むプラズマを実質的に円筒形状のチャンバの中空に導入するための装置を有し、前記チャンバは軸を有し、かつ壁で囲まれ、
　実質的に均一な磁界（B）を設定するための磁石装置を有し、前記磁界は前記チャンバ内の軸に沿って方向付けされ、
　電界（E）を生成するための装置を有し、前記電界は前記軸に関して実質的に放射方向に方向付けされて前記磁界（E x B）と直角に交わり、かつ前記電界は直流電圧成分（∇Φ0）および交流電圧成分（∇Φ1）、即ち（E=∇（Φ0+Φ1））を有し、
　前記交流電圧成分（∇Φ1）が実質的にゼロのとき、前記イオン（m1）が前記チャンバを通過し、次いでそこから出ることを制限するように前記直流電圧成分（∇Φ0）を設定するための装置を有し、
　前記イオン（m1）が前記チャンバから離れ、かつその前記壁に衝突するように前記交流電圧成分（∇Φ1）を調整して前記イオン（m1）の前記チャンバの通過を妨げる装置を有する、プラズマフィルタ。
【請求項２】　前記カットオフ質量Mcは次式により決定される、
　　　　　　　　Mc=zea2（B）2/8Vctr　
　ここで、eは基本電荷、zは電荷数、aは前記軸とチャンバの壁間の距離、前記軸に沿った電圧は正の値（Vctr）を有し放物線状に減少して前記チャンバの壁でゼロとなる、請求項１に記載のプラズマフィルタ。
【請求項３】　前記調整装置はαおよびβの値に従って前記交流電圧成分（∇Φ1）の高周波の周波数ωを選択し、
　　　　　　　α=[Ω2/4-λ0]/ω2　
　　　　　　　β=λ1/[4ω2]
かつ
　　　　　　　λ=2eV（t）/ma2　
　ここで、λ=λ0+λ1cosωtであり、eは基本電荷、V（t）は印加電圧、Φ0+Φ1は時間の関数、aは前記軸とチャンバ壁間の距離、およびΩはイオン（m1）のサイクロトロン周波数である、請求項１に記載のプラズマフィルタ。
【請求項４】　軸に関して第１の質量／電荷比（m1）のイオンを予め定められた軌道に選択的に設定する方法において、
　電界（E）を実質的に均一の磁界（B）と交差させ、前記磁界は前記軸に沿って方向付けられ、かつ前記電界は前記軸に関して実質的に放射方向に方向付けられ、さらに、前記電界は直流電圧成分（∇Φ0）および交流電圧成分（∇Φ1）、即ち（E=∇（Φ0+Φ1））を有し、
　前記交差磁界及び電界に前記イオン（m1）を導入し、
　前記交流電圧成分（∇Φ1）が実質的にゼロのとき、前記軸の周囲の限定軌道に前記イオン（m1）を位置づけるように、前記直流電圧成分（∇Φ0）を設定し、
　前記交流電圧要素（∇Φ1）が予め定められた値を有するとき、前記軸から離れて前記イオン（m1）を放出するために非限定軌道を定めるように前記交流電圧成分（∇Φ1）を選択的に調整すること、を備えた方法。」
　
とあったものを、
　
「【請求項１】　第１の質量／電荷比（m1）が予め定められたカットオフ質量（Mc）よりも小さいとしたときに、前記第１の質量／電荷比m1のイオンを選択的に通過させるプラズマフィルタにおいて、
　前記イオン（m1）を含むプラズマを実質的に円筒形状のチャンバの中空に導入するための装置を有し、前記チャンバは軸を有し、かつ壁で囲まれ、
　実質的に均一な磁界（B）を設定するための磁石装置を有し、前記磁界は前記チャンバ内の軸に沿って方向付けされ、
　電界（E）を生成するための装置を有し、前記電界は前記軸に関して実質的に放射方向に方向付けされて前記磁界（E x B）と直角に交わり、かつ前記電界は直流電圧成分（∇Φ0）および交流電圧成分（∇Φ1）、即ち（E=∇（Φ0+Φ1））を有し、
　前記交流電圧成分（∇Φ1）が実質的にゼロのとき、前記チャンバを通過させ、前記チャンバから出させるために前記イオン（m1）を閉じ込めるように前記直流電圧成分（∇Φ0）を設定するための装置を有し、
　前記イオン（m1）が前記チャンバから除外され、かつその前記壁に衝突するように前記交流電圧成分（∇Φ1）を調整して前記イオン（m1）の前記チャンバの通過を妨げる装置を有する、プラズマフィルタ。
【請求項２】　前記カットオフ質量Mcは次式により決定される、
　　　　　　　　Mc=zea2（B）2/8Vctr　
　ここで、eは基本電荷、zは電荷数、aは前記軸とチャンバの壁間の距離、前記軸に沿った電圧は正の値（Vctr）を有し放物線状に減少して前記チャンバの壁でゼロとなる、請求項１に記載のプラズマフィルタ。
【請求項３】　前記調整装置はαおよびβの値に従って前記交流電圧成分（∇Φ1）の高周波の周波数ωを選択し、
　　　　　　　α=[Ω2/4-λ0]/ω2　
　　　　　　　β=λ1/[4ω2]
かつ
　　　　　　　λ=2eV（t）/ma2　
　ここで、λ=λ0+λ1cosωtであり、eは基本電荷、V（t）は印加電圧、Φ0+Φ1は時間の関数、aは前記軸とチャンバ壁間の距離、およびΩはイオン（m1）のサイクロトロン周波数である、請求項１に記載のプラズマフィルタ。
【請求項４】　軸に関して第１の質量／電荷比（m1）のイオンを予め定められた軌道に選択的に設定する方法において、
　電界（E）を実質的に均一の磁界（B）と交差させ、前記磁界は前記軸に沿って方向付けられ、かつ前記電界は前記軸に関して実質的に放射方向に方向付けられ、さらに、前記電界は直流電圧成分（∇Φ0）および交流電圧成分（∇Φ1）、即ち（E=∇（Φ0+Φ1））を有し、
　前記交差磁界及び電界に前記イオン（m1）を導入し、
　前記交流電圧成分（∇Φ1）が実質的にゼロのとき、前記軸の周囲の限定軌道に前記イオン（m1）を位置づけるように、前記直流電圧成分（∇Φ0）を設定し、
　前記交流電圧要素（∇Φ1）が予め定められた値を有するとき、前記軸から離して前記イオン（m1）を除外するために非限定軌道を定めるように前記交流電圧成分（∇Φ1）を選択的に調整すること、を備えた方法。 」
　
　と補正するものであるところ、その内容は、次の補正事項１および２のとおりである。
　
（１）補正事項１
　請求項１において「前記交流電圧成分（∇Φ1）が実質的にゼロのとき、前記イオン（m1）が前記チャンバを通過し、次いでそこから出ることを制限するように前記直流電圧成分（∇Φ0）を設定するための装置を有し」を「前記交流電圧成分（∇Φ1）が実質的にゼロのとき、前記チャンバを通過させ、前記チャンバから出させるために前記イオン（m1）を閉じ込めるように前記直流電圧成分（∇Φ0）を設定するための装置を有し」とし、「前記イオン（m1）が前記チャンバから離れ、かつその前記壁に衝突するように前記交流電圧成分（∇Φ1）を調整して前記イオン（m1）の前記チャンバの通過を妨げる装置を有する」を「前記イオン（m1）が前記チャンバから除外され、かつその前記壁に衝突するように前記交流電圧成分（∇Φ1）を調整して前記イオン（m1）の前記チャンバの通過を妨げる装置を有する」とする補正。
　
（２）補正事項２
　請求項４において「前記交流電圧要素（∇Φ1）が予め定められた値を有するとき、前記軸から離れて前記イオン（m1）を放出するために非限定軌道を定めるように前記交流電圧成分（∇Φ1）を選択的に調整すること」を「記交流電圧要素（∇Φ1）が予め定められた値を有するとき、前記軸から離して前記イオン（m1）を除外するために非限定軌道を定めるように前記交流電圧成分（∇Φ1）を選択的に調整すること」とする補正。
　　
２．補正の要件について
　上記各補正事項について、次に検討する。
　
　前記補正事項１は、「前記チャンバを通過させ、前記チャンバから出させるために前記イオン（m1）を閉じ込めるように」という記載の意味が不明りょうであるから、平成１８年改正前特許法（以下、「特許法」という。）第１７条の２第４項第４号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とするものにも該当しない。また、特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものにも、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の限定的減縮を目的するものにも、特許法第１７条の２第４項第３号に掲げる誤記の訂正を目的とするものにも該当しない。
　
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第４項の各号に掲げるいずれの事項を目的とするものにも該当せず、特許法第１７条の２第４項の規定に違反するものであるから、同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。 　
　
第３　本願発明について
１．本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし４に係る発明は、「第２［理由］１．」に示す本件補正前の請求項１ないし４に記載された事項により特定されるものであるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、上記「第２　本件補正について　１．補正の内容」に記載のとおりである。 
　
２．引用例
（１）原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である特開２００１−１８５０７４号公報（以下、「引用例１」という。）には、以下の事項が図面とともに記載されている。
　
（ａ）「【請求項１９】  荷電粒子をそれらの質量に従って分離するための装置（１０）であって：軸（１６）を定める室（１４）内に、比較的低質量粒子（Ｍ1）および比較的高質量粒子（Ｍ2）を含む多種プラズマを用意するための手段；上記粒子Ｍ1およびＭ2を上記軸（１６）周りの、上記粒子の質量に特有な、それぞれの軌道で回転するために、および上記室（１４）内の各上記粒子に対してそれぞれのサイクロトロン周波数（Ω）を発生するために上記室（１４）に交差電磁場（ＥｘＢ）を創るための手段；上記多種プラズマを上記室（１４）内で、上記粒子が他の上記粒子と衝突周波数（ｖ）を有し、上記サイクロトロン周波数（Ω）の上記衝突周波数（ｖ）に対する比が約１より大きい（Ω／ｖ≧１）密度に維持するための手段；並びに上記比較的高質量粒子（Ｍ2）を上記比較的低質量粒子（Ｍ1）から分離するために上記比較的高質量粒子（Ｍ2）を捕えるためそれらの軌道に配置した収集器を含む装置。
【請求項２０】  請求項１９に記載する装置（１０）に於いて、上記室（１４）が実質的に円筒形形状をし、上記軸が上記室（１４）によって形成される縦軸（１６）である装置。」
　
（ｂ）「【０００２】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般的にはプラズマ中の荷電粒子をそれらそれぞれの質量に従って分離できる装置および器具に関する。更に詳しくは、本発明は、多種プラズマから特定の質量範囲の粒子を抽出するフィルタ装置に関する。本発明は、高質量粒子から低質量粒子を分離するためのフィルタとして特に有用であるが、それだけではない。」
　
（ｃ）「【０００６】上に式１に関連して示したように、イオンを閉込めるように電場Ｅを選択し、イオンが限定された軌道を示すとき、力平衡を達成できる。本発明のプラズマフィルタでは、遠心分離機と違って、イオンを抽出するために電場を反対符号に選択する。その結果、カットオフ値Ｍcより大きい質量のイオンは、非限定軌道上にある。カットオフ質量Ｍcは、電磁場の強さを調整することによって選択できる。このプラズマフィルタの基本的特徴をハミルトニアン・フォーマリズムを使って説明できる。」
　
（ｄ）「【００１７】
【課題を解決するための手段】多種プラズマ中の低質量粒子を高質量粒子から分離するためのプラズマ質量フィルタが中空室を囲み、縦軸を形成する円筒形型壁を含む。この室の外側の周りに磁場ＢZを発生する磁気コイルがある。この磁場は、この室内に確立され、この縦軸とほぼ平行に整列されている。また、この室の一端に、半径方向に外方を向き、この磁場と実質的に垂直に向いた電場Ｅrを発生する一連の電圧制御リングがある。これらそれぞれの配向で、ＢZおよびＥrは、交差電磁場を作る。重要なことは、この電場が縦軸上に正電位Ｖctrをおよび室の壁でほぼゼロ電位を有することである。」
　
（ｅ）「【００２２】
【発明の実施の形態】この発明それ自体は勿論、この発明の新規な特徴が、そこ構造およびその作用の両方に関して、添付の図面を添付の説明と共に検討すれば最も良く理解できよう。それらの図面で、類似の参照文字は類似の部品を指す。図１を参照すると、本発明によるプラズマ質量フィルタを示し、全体を１０で指す。図示のように、フィルタ１０は、室１４を囲み、および縦軸１６を形成する、ほぼ円筒形の形状の壁１２を含む。室１４の実際の寸法は、完全にではないが、幾分設計選択の問題である。重要なことは、縦軸１６と壁１２の間の半径方向距離“ａ”がフィルタ１０の動作に影響し、および、ここの他のところではっきり示すように、考慮しなければならないパラメータであることである。図１に、フィルタ１０が、室１４を囲むように壁１２の外面に取付けた複数の磁気コイル１８を含むことも示す。関連技術で良く知られる方法で、コイル１８は、活性化され、この室内に実質的に縦軸１６に沿って向けられた成分ＢZを有する磁場を作ることができる。更に、フィルタ１０は、複数の電圧制御リング２０を含み、電圧リング２０ａ〜２０ｃがその代表である。図示のように、これらの電圧制御リング２０ａ〜２０ｃは、円筒形壁１２の一端に位置し、且つ一般に縦軸１６に実質的に垂直な平面内にある。この組合せで、半径方向に向いた電場Ｅrを発生することができる。電圧制御のための代替構成は、図２に示す螺旋状電極２０ｄである。
【００２３】本発明のプラズマ質量フィルタ１０用に、磁場ＢZおよび電場Ｅrは、特別に交差電磁場を作るように向けられている。当業者に良く知られているように、交差電磁場は、荷電粒子（即ち、イオン）を、図１に示す経路２２のような、螺旋状経路上を動かさせる。実際、交差電磁場がプラズマ遠心分離機用に広く使われていることが良く知られている。しかし、プラズマ遠心分離機とは全く違って、本発明のプラズマ質量フィルタ１０は、縦軸１６に沿う電圧Ｖctrが、通常ゼロ電圧である、壁１２での電圧に比べて、正電圧であることを要する。
【００２４】本発明のプラズマ質量フィルタ１０の動作では、回転する多種プラズマ２４を室１４の中へ噴射する。交差電磁場の影響の下で、プラズマ２４に閉込められた荷電粒子が縦軸１６の周りを一般的に、経路２２に類似する、螺旋状経路に沿って移動する。更に詳しくは、図１に示すように、多種プラズマ２４は、質量が互いに異なる荷電粒子を含む。開示目的で、プラズマ２４は、少なくとも二つの異なる種類の荷電粒子、即ち、高質量粒子２６と低質量粒子２８を含む。しかし、本発明のために意図するように、低質量粒子２８しか実際に室１４を通過できないことが起るかも知れない。
【００２５】上に示した数学的計算によれば、低質量粒子２８と高質量粒子２６の間の境界がカットオフ質量Ｍcで、次の式によって確立できる：
Ｍc＝ｅａ2（Ｂz）2／８Ｖctr　
　上の式で、ｅは電子の電荷、ａは室１４の半径、Ｂzは磁場の大きさ、およびＶctrは縦軸１６に沿う正電圧である。この式のこれらの変数の中で、ｅは既知定数である。他方、“ａ”、ＢzおよびＶctrは、全てプラズマ質量フィルタ１０の動作のために特別に設計または確立することができる。
【００２６】この交差電磁場の構成および、重要なことに、縦軸１６に沿う正電圧Ｖctrのために、このプラズマ質量フィルタ１０は、多種プラズマ２４の荷電粒子をそれらが室１４を通過するときに違う行動をするようにする。特に、荷電高質量粒子２６（即ち、Ｍ＞Ｍc）は、室１４を通過できず、その代りに壁１２へ放出される。他方荷電低質量粒子２８（即ち、Ｍ＜Ｍc）は、それらが室１４を通過する間、室１４に閉込められる。それで、低質量粒子２８は、室１４を出て、それによって高質量粒子２６から効果的に分離される。」
　
　上記記載を総合勘案すると、引用例１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「荷電高質量粒子２６と荷電低質量粒子２８の間の境界が、カットオフ質量Ｍcで、
荷電高質量粒子２６（即ち、Ｍ＞Ｍc）は、室１４を通過できず、その代りに壁１２へ放出され、他方荷電低質量粒子２８（即ち、Ｍ＜Ｍc）は、それらが室１４を通過する間、室１４に閉込められる、プラズマ質量フィルタにおいて、
室１４を囲み、および縦軸１６を形成する、ほぼ円筒形の形状の壁１２を含み、
前記室１４内に、荷電高質量粒子２６および荷電低質量粒子２８を含む多種プラズマを用意するための手段を有し、
実質的に縦軸１６に沿って向けられた成分ＢZを有する磁場を作るコイル１８と、
半径方向に向いた電場Ｅrを発生する複数の電圧制御リング２０と、を有し、
前記電場は前記磁場と実質的に垂直に向いており、前記電界は縦軸上に正電位Ｖctrをおよび室の壁でほぼゼロ電位を有し、
電場の強さを調整することによってカットオフ質量Ｍcを選択する、プラズマ質量フィルタ。」
　　
（２）原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である特開２００２−５８９６５号公報（以下「引用例２」という。）には、以下の技術事項が記載されている。
　
（ａ）「【請求項１】  多種のプラズマを提供し、前記プラズマは、あらかじめ定められた質量／荷電比を有する粒子を含むプラズマ源と、
前記多種のプラズマを中に受け入れ、軸を形成する実質的に円柱状の容器と、
前記容器の中に実質的に均一な磁界（Ｂ）を生成する手段であって、前記磁界は、前記容器の中の前記軸に対し実質的に平行な方向に配向される前記手段と、
複数の信号を生成する手段であって、前記信号は、前記容器の中に電界（Ｅ）を生じさせるために第１の周波数（ω1）と第２の周波数（ω2）の間の周波数区間内の周波数成分を有し、前記電界は、前記軸に対して実質的に垂直な方向に配向し、前記容器の中に交差した電界および磁界（Ｅ×Ｂ）を生じさせる前記手段と、
前記プラズマの中から質量（Ｍ）の前記粒子を選択的に収集する手段であって、前記収集された質量（Ｍ）の粒子は、前記周波数区間（ω1＜Ω＜ω2）内のサイクロトロン周波数を有する前記手段と、を含む質量に従ってイオンを分離する確率的イオンフィルタ。」
　
（ｂ）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、多種のプラズマ中の他の荷電粒子の中からあらかじめ定められた質量をもつ粒子（イオン）を分離するために有用な装置に一般的に関するものである。特に、本発明は、プラズマの中から特定のイオンを隔離および分離するための共振電界を用いて、選択された粒子（イオン）を加速する装置に関するものである。本発明は、特に、しかしこれに限られることなく、あらかじめ定められた周波数領域をもち、周波数領域の中の各サイクロトロン周波数をもつ特定の粒子に共振する確率的に生成された電界を用い、以って、プラズマ中の他の荷電粒子から特定の粒子を分離するために有用なものである。」
　
（ｃ）「【００１３】
【発明を解決するための手段】本発明によれば、確率的サイクロトロンイオンフィルタは、交差した電界と磁界（Ｅ×Ｂ）を必要とし、その電界は、確率的入力を用いることにより得られる高周波電磁力をもっている。特に、確率的入力は、白色雑音源と、雑音源に接続された帯域通過フィルタとによって生成される。本発明で意図するように、帯域通過フィルタは、あらかじめ定められた周波数区間、すなわち、第１の周波数（ω1）と第２の周波数（ω2）の間の帯域幅にある全ての周波数に含まれ、雑音中のこれらの周波数成分のみを通過させる。増幅器もまた提供され、帯域通過フィルタに接続され、この周波数区間の周波数を補強する。
【００１４】確率的入力と組み合わせ、本発明は、プラズマ源からの多種のプラズマを受け入れるために提供される実質的に円柱状の容器を含んでいる。この容器は、長さ方向の軸をもっており、容器のまわりに配置された複数の磁気コイルを持っている。特に、容器の中に軸方向に向いた均一な磁界（Ｂ）を作り出すために、これらの磁気コイルは、実質的にこの軸に垂直な平面に沿わせたものになっている。また、振動電界（Ｅ）が生成され、容器に交差した電磁界（Ｅ×Ｂ）を生み出すために、実質的に磁界に垂直な向きに配置されている。本発明のために選ばれた特定の実施例に応じて、いくつかの方法のいずれかを用いて、容器内に確率的な高周波電界を生成できる
【００１５】本発明の一実施例では、電極（例えば、同心円状の複数の電極）が、円柱状の容器の一端に取り付けられ、確率的入力の増幅器に接続されている。この接続により、高周波電界の周波数は、帯域通過フィルタによって通された、この周波数区間の全ての周波数を含んでいる。本実施例の変形では、静電界は、この分野の技術に通じた者には既知の他の手段によっても得ることができる。」
　
（ｄ）「【００１９】図１は、本発明による確率的サイクロトロンイオンフィルタ（ＳＣＩＦ）を示すものであり、全体的に要素１０で示す。図示したように、フィルタ１０は、全体的に長さ方向軸１４をもつ実質的に円柱状の容器１２を含んでいる。また、容器１２は、壁２０をもつ端部１６と端部１８をもっており、該壁は端部１６と端部１８の間に長さ方向に伸びている。本発明では、容器１２は、端部１６および１８に、容器１２内に部分的な真空状態を生じさせるための構造（図示なし）もまた含んでいる
【００２０】また、図１は、フィルタ１０が複数の磁気コイル２２を含んでいることを示しており、磁気コイル２２ａ、２２ｂ、２２ｃがその例である。図示したように、これらの磁気コイル２２ａ〜２２ｃは、壁２０の外側で、長さ方向軸１４に実質的に垂直な平面内に位置するように、各々配置されている。この構成により、磁気コイル２２ａ〜２２ｃの励起により、長さ方向軸１４に実質的に水平な方向に、実質的に均一な磁界（Ｂ）が容器内に発生する。本発明で意図したところによれば、磁気コイル２２ａ〜２２ｃは、この分野の技術に通じた者には既知の他の手段によって励起することができる。さらに、実質的に均一な磁界（Ｂ）を容器内に発生させることが可能なものであれば、磁気コイル２２ａ〜２２ｃの代わりに、既知の任意の構造を本発明に適用することができる。
【００２１】図１に示すように、フィルタ１０で使用される確率的入力は、いくつかの構成要素を必要とする。これらの構成要素は、雑音源２４、帯域通過フィルタ２６および増幅器２８である。特に、雑音源２４は、白色雑音を生成できるものであれば、既知の任意の種類のものであってよい。帯域通過フィルタ２６は、雑音源２４に接続され、雑音源２４からの白色雑音の中で、あらかじめ定められた周波数区間（帯域幅）の外側に存在する全ての周波数成分を遮断するものである。これとは異なり、帯域通過フィルタ２６は、（ω1）と（ω2）の間の周波数区間にある全ての周波数成分を通過させる。さらに、増幅器２８は、周波数区間にあるこれらの周波数成分を増幅あるいは強化するために用いられる。
【００２２】図１で示した本発明の一実施例では、増幅器２８は、線（接続）３０を介して、容器１２の端部１６に位置する電極３２に接続されている。容器１２の端部１８に、同様の電極（図示なし）に同様の接続を行うことが可能である。さらに、電極３２は、この分野の技術に通じた者には既知となっている任意の種類のものであってよい。例えば、図１に示すように、電極３２は、複数の同心円状のリング３４（図示例では、リング３４ａとリング３４ｂ）を含んでいる。電極３２のリング３４は、ともに動作することで、容器１２の内部に電界（Ｅ）を生成することになる。電極３２を増幅器２８に接続することにより、本発明に必要とされる結果として、周波数（ω1）と（ω2）の間の周波数区間内の全ての周波数成分を含む高周波電界（Ｅ）が得られる。」
　
（ｅ）「【００２５】本発明が意図するところによれば、多種のプラズマ４０中の粒子４２のサイクロトロン周波数（Ω）は、増幅器２８から入力される確率的入力の周波数区間（ω1とω2の間）内にある。従って、粒子４２は、電界（Ｅ）と共振し、より小さい質量数をもつ粒子４２の軌道より大きな螺旋軌道を描いて加速される。この共振条件によって、粒子４２は、プラズマ４０から壁２０に引き出され、そこで実質的に収集される。」
　　
３．対比
　
　本願発明と引用発明とを対比する。
　
　引用発明の「荷電高質量粒子２６と荷電低質量粒子２８の間の境界が、カットオフ質量Ｍcで、荷電高質量粒子２６（即ち、Ｍ＞Ｍc）は、室１４を通過できず、その代りに壁１２へ放出され、他方荷電低質量粒子２８（即ち、Ｍ＜Ｍc）は、それらが室１４を通過する間、室１４に閉込められる、プラズマ質量フィルタ」は、本願発明の「第１の質量／電荷比（m1）が予め定められたカットオフ質量（Mc）よりも小さいとしたときに、前記第１の質量／電荷比m1のイオンを選択的に通過させるプラズマフィルタ」に相当する。
　引用発明の「ほぼ円筒形の形状の壁１２を含」む「室１４」は、本願発明の「壁で囲まれ」た「実質的に円筒形状のチャンバ」に相当する。
　引用発明の「室１４」が「縦軸１６を形成する」ことは、本願発明の「チャンバは軸を有し」ていることに相当する。
　引用発明の「室１４内に、荷電低質量粒子２６および荷電高質量粒子２８を含む多種プラズマを用意するための手段」は、本願発明の「イオン（m1）を含むプラズマを」「チャンバの中空に導入するための装置」に相当する。
　引用発明の「磁場を作るコイル１８」は、本願発明の「磁界（B）を設定するための磁石装置」に相当する。
　引用発明の「実質的に縦軸１６に沿って向けられた成分ＢZを有する磁場」は、本願発明の「チャンバ内の軸に沿って方向付けされ」た「磁界」に相当する。
　引用発明の「電場Ｅrを発生する複数の電圧制御リング２０」は、本願発明の「電界（E）を生成するための装置」に相当する。
　引用発明の「電界は前記軸に関して実質的に放射方向に方向付けされて」いることは、本願発明の「電場」が「半径方向に向い」ていることに相当する。
　引用発明の「前記電場は前記磁場と実質的に垂直に向いて」いることは、本願発明の「電界」は「電界」は「磁界（E x B）と直角に交わ」っていることに相当する。
　引用発明の「電界」が「縦軸上に正電位Ｖctrをおよび室の壁でほぼゼロ電位を有し」ていることは、前記「電界」は直流成分を有しているので、引用発明の「電界」と本願発明の「電場」とは、「直流電圧成分」を有しているという点で一致する。
　引用発明の「電場の強さを調整することによってカットオフ質量Ｍcを選択する」ことは、本願発明の「イオン（m1）が前記チャンバを通過し、次いでそこから出ることを制限するように前記直流電圧成分（∇Φ0）を設定する」ことに相当する。
　
　よって、本願発明と引用発明とは、
「第１の質量／電荷比（m1）が予め定められたカットオフ質量（Mc）よりも小さいとしたときに、前記第１の質量／電荷比m1のイオンを選択的に通過させるプラズマフィルタにおいて、
　前記イオン（m1）を含むプラズマを実質的に円筒形状のチャンバの中空に導入するための装置を有し、前記チャンバは軸を有し、かつ壁で囲まれ、
　磁界（B）を設定するための磁石装置を有し、前記磁界は前記チャンバ内の軸に沿って方向付けされ、
　電界（E）を生成するための装置を有し、前記電界は前記軸に関して実質的に放射方向に方向付けされて前記磁界（E x B）と直角に交わり、かつ前記電界は直流電圧成分を有し、
　前記イオン（m1）が前記チャンバを通過し、次いでそこから出ることを制限するように前記直流電圧成分を設定するための装置を有する、プラズマフィルタ。 」の点で一致し、次の点で相違する。
　
（相違点１）
　磁界が、本願発明では「実質的に均一」であるのに対して、引用発明ではこの点が明らかでない点。
　
（相違点２）
　プラズマフィルタが、本願発明では、「直流電圧成分」および「交流電圧成分」を有する電界を生成し、「イオン（m1）が前記チャンバから離れ、かつその前記壁に衝突するように前記交流電圧成分（∇Φ1）を調整して前記イオン（m1）の前記チャンバの通過を妨げる装置」を有するのに対して、引用発明ではこの点が明らかでない点。
　　
４．判断
　上記相違点１について検討する。
　磁界を設定するための磁石装置を有し、前記磁界がチャンバ内の軸に沿って方向付けされ、電界を生成するための装置を有し、前記電界が前記軸に関して実質的に放射方向に方向付けされて前記磁界と直角に交わるプラズマフィルタにおいて、前記磁界として、実質的に均一な磁界を設定することは例えば引用例２に記載されるように周知であるから、引用発明において、実質的に均一な磁界を設定することは当業者が容易に想到しうることである。
　
　上記相違点２について検討する。
　引用例２には、周波数（ω1）と（ω2）の間の周波数区間内の全ての周波数成分を含む高周波電界、すなわち、交流電圧成分を有する電界を印加すること、および、周波数（ω1）と（ω2）の間の周波数区間内の全ての周波数成分を含む高周波電界を印加することにより、周波数区間ω1とω2の間にあるサイクロトロン周波数を有する粒子をプラズマから容器の壁に引き出すこと、すなわち、イオンがチャンバの壁に衝突するように交流電圧成分を調整してチャンバの通過を妨げることが記載されており、さらに引用例２には、静電界、すなわち、直流電圧成分を有する電界を印加することも記載されており（上記摘記事項（２）（ｃ）参照。）、交流電圧成分とともに直流電圧成分を有する電界を印加することが示唆されているので、引用発明において、「直流電圧成分」および「交流電圧成分」を有する電界を印加して、イオンがチャンバの壁に衝突するように交流電圧成分を調整してチャンバの通過を妨げる装置を設けることは当業者が容易に想到しうることである。
　　
　そして、本願発明の作用効果は引用発明及び引用例２に記載された発明から当業者が予期できたものである。
　
　したがって、本願発明は、引用発明及び引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。