【事件の表示】
　平成１０年特許願第　　９７２０号「緻密質低熱膨張セラミックス及びその製造方法、並びに半導体製造装置用部材」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　８月　３日出願公開、特開平１１−２０９１７１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１０年１月２１日の出願であって、平成１７年８月２日付けで拒絶理由の通知がなされ、同年１０月１１日に意見書及び明細書の記載に係る手続補正書が提出されたが、平成１８年８月９日付けで拒絶査定がなされ、同年９月１４日に拒絶査定不服の審判請求がなされ、同年１０月６日に明細書の記載に係る手続補正書及び前記審判に係る請求書の手続補正書が提出され、平成２１年１月２１日付けで特許法第１６４条第３項に基づく報告を引用した審尋がなされ、平成２１年３月３０日に回答書が提出されたものである。
　
２．平成１８年１０月６日付けの明細書の記載に係る手続補正についての補正却下の決定
（１）補正却下の決定の結論
　平成１８年１０月６日付けの明細書の記載に係る手続補正を却下する。
（２）理由
　平成１８年１０月６日付けの明細書の記載に係る手続補正（以下、「本件補正」という。）のうち特許請求の範囲についてする補正は、本件補正前の
「【請求項１】　コージェライトを８０〜９９重量％含有し、気孔率が０．１％以下、最大ボイド径５μｍ以下、１０〜４０℃における熱膨張係数１×１０−６／℃以下であることを特徴とする緻密質低熱膨張セラミックス。
【請求項２】　希土類元素を酸化物換算で１〜２０重量％含有する請求項１記載の緻密質低熱膨張セラミックス。
【請求項３】　コージェライトを８０〜９９重量％含有する原料粉末を所定形状に成形後、相対密度９０％以上に焼結し、さらに９００℃〜１４００℃の温度で１００気圧以上の加圧雰囲気で熱処理することを特徴とする緻密質低熱膨張セラミックスの製造方法。
【請求項４】　前記原料粉末が、希土類元素を酸化物換算で１〜２０重量％含有する請求項３記載の緻密質低熱膨張セラミックスの製造方法。
【請求項５】　コージェライトを８０〜９９重量％含有し、気孔率が０．１％以下、１０〜４０℃における熱膨張係数１×１０−６／℃以下の緻密質低熱膨張セラミックスからなることを特徴とする半導体製造装置用部材。
【請求項６】　希土類元素を酸化物換算で１〜２０重量％含有する請求項５記載の半導体製造装置用部材。」
を、
「【請求項１】　コージェライトを８０〜９９重量％含有し、気孔率が０．１％以下、最大ボイド径５μｍ以下、１０〜４０℃における熱膨張係数１×１０−６／℃以下の緻密質低熱膨張セラミックスからなることを特徴とする半導体製造装置におけるステージ位置測定用ミラー。
【請求項２】　前記緻密質低熱膨張セラミックスが、希土類元素を酸化物換算で１〜２０重量％含有する請求項１記載のステージ位置測定用ミラー。
【請求項３】　前記緻密質低熱膨張セラミックスの表面にＴｉＮ、Ａｌ２Ｏ３、ダイヤモンド、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）から選ばれるコーティングが０．１〜１０μｍの膜厚で被覆されている請求項１または２に記載のステージ位置測定用ミラー。」
と補正するものである。
　そこで、本件補正によって補正された特許請求の範囲のうち、まず請求項３に記載されている事項により特定される発明について検討するに、補正前の特許請求の範囲の請求項１〜６の発明特定事項には「緻密質低熱膨張セラミックスの表面」に「コーティング」が被覆されることは含まれていないから、上記請求項３に係る補正が特許請求の範囲の減縮であって発明特定事項の限定をすることを目的とするものであるとは認められない。また、上記請求項３に係る補正が、誤記の訂正又は明りょうでない記載の釈明を目的とするものでないことも明らかである。
　してみれば、平成１８年１０月６日付けの明細書の記載に係る手続補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定に違反する補正を含むので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　よって、上記結論のとおり決定する。
　
３．本願発明
　平成１８年１０月６日付けの明細書の記載に係る手続補正は、上記のとおり、補正却下の決定がなされた。
　したがって、本願の特許請求の範囲に記載された発明は、平成１７年１０月１１日付けの明細書の記載に係る手続補正によって補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜６に記載されたとおりのものであり、そのうち請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、次の事項により特定されるものである。
「【請求項１】コージェライトを８０〜９９重量％含有し、気孔率が０．１％以下、最大ボイド径５μｍ以下、１０〜４０℃における熱膨張係数１×１０−６／℃以下であることを特徴とする緻密質低熱膨張セラミックス。」
　
４．引用文献
（１）引用文献１
　本願出願前に頒布された刊行物であり、原査定の拒絶理由で引用文献１として引用された特公昭６１−０３４２０５号公報には、次の事項が記載されている。
（ア）「特許請求の範囲
１　コージエライトを主成分とし、Ｙ２Ｏ３成分を重量％で0.3〜8％含有することを特徴とするコージエライト質電気材料。」（特許請求の範囲第１項）
（イ）「コージエライト質の電気材料は低膨脹のセラミツクス材料として有用されているものであるが焼成温度範囲が低いことや狭いことなどのため多孔質になりやすく、従つて実用的にも多孔質の電熱用熱板などその用途が限られてしまつており、種々の添加材を使用して焼成促進するなどの研究も種々行われてきたが満足した結果は得られておらず従つて他のセラミツクス材料と対比して電気的性質の優れたものは、ほとんど開発されていないのが実状であつた。
　本発明は、この程コージエライトの特質を生かした電気材料を開発すべく種々研究された結果として、コージエライトの特質を何ら損うことなく緻密化に成功しかつ優れた電気的特性を有する電気材料を見い出すことに成功したものである。
　・・・
　本発明電気材料は所定の配合原料を低温で焼成（即ち、焼成中の軟化、変形が生じない程度の低温で焼成）しても、気孔率、吸水率の少ない焼き締まりのよい緻密な焼成品として得ることができるものであり、以下その製造方法について説明する。」（第１頁第１欄第１１行〜第２欄第１０行）
（ウ）「これらのコージエライト及びイツトリア原料の配合割合は、焼成して得られた電気材料としての酸化物に換算して、Ｙ２Ｏ３が重量％で0.3〜8％となる如くであり、従つてコージエライト成分は残余として99.7〜92％である。」（第１頁第２欄第２５行〜第２頁第３欄第２行）
（エ）「Ｙ２Ｏ３成分の配合割合を0.3〜8％とした理由については、0.3％以下では上述した比較的低温で焼成した場合でも緻密質にしうるという効果が不充分となり目的とする優れた電気的特性が達成されないからであり、また8％以上では得られた焼結体の熱膨脹率が大きくなりすぎ低膨脹セラミツクスの特質を損なうことになつてしまうからである。」（第２頁３欄第１９〜２６行）
（オ）「物理的性質としては、・・・25〜1000℃における熱膨脹係数が30×10-7／℃以下であり、曲げ強度も通常300kg/cm2以上、多くは500kg/cm2以上のものとして容易に得られる。」（第２頁第３欄第３２行〜第４欄第２行）
（カ）「実施例
　第１表に示す各成分を充分混合し、第１表に示す所定の成形法により約２mm厚のシート状の成形品を得た。
　この成形品をついで、シリコニツト型の電気炉に入れ、第１表に示す所定温度に約４時間保持し、物理的及び電気的性質測定用の焼結体を得た。
　・・・
　得られた焼結体について測定した物理的及び電気的性質を第２表に示す。
　・・・Ｙ２Ｏ３成分含有量の多いもの（Ｓ４）にあつては、熱膨脹係数が32×10-7／℃と大きいのに対し、本発明例（Ｐ１〜Ｐ７）にあつては28×10-7／℃以下であつた。」（第２頁第４欄第２６行〜第４頁第８欄末行）
（キ）第１表（第３頁）及び第２表（第４頁）には、上記実施例で得られた焼結体の各試料の「配合（重量％）」、「気孔率（％）」及び「熱膨脹係数（×10-7／℃）」が記載されており、そのうち試料No.Ｐ２については各々「コージエライト９８．５、Ｙ２Ｏ３１．５」、「４．５」及び「１７」であり、試料No. Ｐ４については各々「コージエライト９５、Ｙ２Ｏ３５」、「０」及び「２４」であり、試料No. Ｐ５については各々「コージエライト９３、Ｙ２Ｏ３７」、「０」及び「２８」であることが記載されている。
（２）引用文献２
　本願出願前に頒布された刊行物であり、原査定の拒絶理由で引用文献２として引用された淡野正信 外２名「２Ｄ１７　透光性コーディエライト焼結体の作成」１９９０年年会講演予稿集、社団法人日本セラミックス協会、１９９０年５月２３日、２５２頁には、次の事項が記載されている。
（ク）「○はじめに　コーディエライトセラミックスの焼結性の向上及び耐熱（耐熱衝撃性）透光性材料の開発を目的として、透光性コーディエライト焼結体の作製を試みた。」（本文第１〜２行）
（ケ）「・・・（ｂ）焼結体の高密度化・・・について検討し、透光性を得るためのプロセスを調べた。
○実験方法及び結果
・・・（ｂ）として常圧焼結、雰囲気焼結（アルゴン、窒素、水素、真空中）及びＨＩＰ処理により焼結体の作製を行った。」（本文第１０〜１５行）
（コ）「（ｂ）で検討した焼結方法のうち、常圧焼結、雰囲気焼結では十分に空孔を除去することができず、常圧焼結の試料をＨＩＰ処理（1400℃1時間−2000気圧アルゴン中）したもので高い透光性が得られた（図１）。微細組織観察及び組成分析結果から、透光性の高い試料はムライト等の析出がほとんど無く、空孔もほとんど認められない結晶粒径１μｍ程度の緻密焼結体であることが分かった。」（本文第２０〜２４行）
（３）引用文献３
　本願出願前に頒布された刊行物であり、原査定の拒絶理由で引用文献３として引用された特開平０９−２９５８６３号公報には、次の事項が記載されている。
（サ）「【請求項１】ハロゲン系腐食ガスまたはそのプラズマに曝される部位が、少なくとも周期律表第２ａ族元素と、Ｓｉ、Ｐｂ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｔｉおよび周期律表第３ｂ族元素の群から選ばれる１種以上とを含む複合酸化物相を３体積％以上含む金属酸化物からなることを特徴とする耐食性部材。
　【請求項２】前記複合酸化物が、ＡＢ2 Ｏ4 （式中、Ａは周期律表第２ａ族元素、Ｂは周期律表第３ｂ族元素）型結晶またはコージェライト結晶を主体とするものである請求項１記載の耐食性部材。
　・・・
　【請求項４】相対密度９８％以上の緻密体からなる請求項１乃至３のいずれか記載の耐食性部材。」（【請求項１】〜【請求項４】）
（シ）「【発明の属する技術分野】本発明はハロゲン系腐食性ガスまたはそのプラズマに対する耐食性部材に関するものであり、プラズマ処理装置、半導体・液晶などの製造装置用部材、ハロゲンガスまたはプラズマを封止した容器壁等に使用される部材等に関するものである。」（段落【０００１】）
（ス）「また、焼結性をさらに促進させるために、ＮａＦ、ＬｉＦ、希土酸化物等を焼結助剤として添加することもできる。」（段落【００２７】）
　
５．対比・検討
　ここで、引用文献１の記載事項（ア）〜（キ）について検討すると、（イ）の記載より、（ア）の「コージエライト質電気材料」が緻密質で低膨脹なセラミツクスであることは明らかであり、（ウ）の記載から、（ア）の「コージエライト質電気材料」はコージエライト成分を重量％で99.7〜92％含有していることも明らかである。また、（カ）及び（キ）に記載されている熱膨脹係数はその温度範囲が明記されていないが、（オ）の記載を参酌するに、同じく「25〜1000℃における熱膨脹係数」であるものと解される。
　そうすると、上記（ア）〜（キ）の記載事項を本願発明１の記載ぶりに則して記載すると、引用文献１には、
「コージエライトを９９．７〜９２重量％含有し、気孔率が０、２５〜１０００℃における熱膨脹係数２８×１０−７／℃以下である緻密質低熱膨脹セラミックス。」
の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているといえる。
　そこで、本願発明１と引用発明とを対比すると、引用発明における気孔率「０」は、本願発明１の「気孔率が０．１％以下」の範囲に含まれるものであり、引用発明の「コージエライト」、「熱膨脹」及び「セラミツクス」が、それぞれ本願発明１の「コージェライト」、「熱膨張」及び「セラミックス」と同一のものを意味することは明らかである。
　なお、審判請求人は、平成１７年１０月１１日に提出の意見書において、引用文献１に記載の試料No. Ｓ４、Ｐ４及びＰ５における気孔率（％）「０」について、「このような製法で、気孔率が０のセラミックスが得られるなど原理上ありえず、気孔率が０は明らかな誤記である。」及び「おそらく、引用文献の第２表の他の試料では、もっとも低い気孔率が０．３％であることから考えて、０．３％よりも低い値のときは、ゼロと示したのではないかと思われる。」などと主張しているが、その根拠となる原理に基づいた説明は何らされていないし、仮に「０」と表示されている気孔率が近似値であるとしても、当該第２表の他の試料の気孔率（％）はすべて小数点以下第１位まで示されていることからみて、「０」と表示されるものは最大でも「０．１」に満たない気孔率であると解するのが相当であるから、引用文献１に記載の試料No. Ｓ４、Ｐ４及びＰ５における気孔率（％）「０」が本願発明１の「気孔率が０．１％以下」の範囲に含まれることは明らかである。
　そうすると、両発明は、
「コージェライトを９２〜９９重量％含有し、気孔率が０．１％以下である緻密質低熱膨張セラミックス。」
である点で一致し、
（ａ）本願発明１の緻密質低熱膨張セラミックスは「最大ボイド径５μｍ以下」であるのに対して、引用発明ではかかる最大ボイド径が明確でない点（以下、「相違点ａ」という。）、
（ｂ）本願発明１の緻密質低熱膨張セラミックスは「１０〜４０℃における熱膨張係数１×１０−６／℃以下」であるのに対して、引用発明は「２５〜１０００℃における熱膨脹係数２８×１０−７／℃以下」であって、「１０〜４０℃」における熱膨張係数が「１×１０−６／℃以下」の範囲にあるかどうかが不明である点（以下、「相違点ｂ」という。）、
で相違する。
　そこで、上記相違点ａ及びｂについて検討する。
（ｉ）相違点ａについて
　引用発明は、上記（イ）のとおり、コージェライトの焼成温度範囲が低いことや狭いことなどに起因して多孔質になりやすい技術課題に対し、コージェライトにＹ２Ｏ３を所定重量％添加することにより、気孔率、吸水率の少ない焼き締まりのよい緻密な焼成品として得るものであるから、気孔率の少ないという観点からみて、引用発明においても、気孔すなわちボイド自体の径が小さい緻密質低熱膨脹セラミックスが望まれていることは明らかである。
　また、上記（ク）〜（コ）より、引用文献２に接した当業者は、コージェライト焼結体の用途によっては、常圧焼結、雰囲気焼結では焼結体から十分に空孔を除去することができず、空孔のほとんど認められない緻密焼結体を得るために、常圧焼結した試料にＨＩＰ処理（１４００℃１時間−２００気圧アルゴン中）を施せばよいことが認識できるから、引用発明において、所望の用途に応じて常圧焼結した試料にＨＩＰ処理を施して空孔がほとんど認められない焼結体とする程度のことは、当業者が容易に想到し得たことである。
　さらに、上記（サ）〜（ス）のとおり、希土酸化物等を焼結助剤として添加することもできるコージェライト結晶を主体とする緻密質焼結体が半導体製造装置用部材に用いられることは本願出願前より公知であるから、引用発明において、緻密質低熱膨脹セラミックスにＨＩＰ処理を施すことにより、ボイド径を半導体製造装置用部材に適したサイズ、例えば５μｍ以下まで小さくする程度のことは、当業者が困難なく成し得たことである。
　なお、コージェライトを主成分とする緻密質低熱膨張セラミックスの最大ボイド径を５μｍ以下とすることについては、本願明細書中に「このようなコーティングが施される部材においては、気孔率が０．１％以下、最大ボイド径５μｍ以下であることが必要であり、気孔率が０．１％を越えたり、最大ボイド径が５μｍを越えると、均質がコーティングが形成されず、半導体製造装置用部材に適さないためである。」（段落【００２５】）との記載があり、「得られた焼結体にガス中、例えばＮ2 ，Ａｒ，Ａｉｒなどのガスにより１００気圧以上の加圧雰囲気で熱処理する。次に、この加圧熱処理は、９００〜１４００℃の温度範囲、好ましくは１１００〜１２００℃で１〜５時間程度行うことにより相対密度９９．９％以上、気孔率０．１％以下、最大ボイド径５μｍ以下に緻密化することができる。」（段落【００１９】）と記載されているから、引用発明において、上記のようにＨＩＰ処理を施して半導体製造装置用部材に適したボイド径とすれば、最大ボイド径が５μｍ以下のものが得られると解されるし、本願発明１において最大ボイド径を５μｍ以下に設定する点に、格別な技術的意義があるものとも認められない。
　してみれば、相違点ａに係る発明特定事項は、当業者が困難なく導出できたものである。
（ｉｉ）相違点ｂについて
　引用発明の緻密質低熱膨張セラミックスは「２５〜１０００℃における熱膨脹係数２８×１０−７／℃以下」であるから、本願発明１の熱膨張係数の範囲と形式的には重複するものの、１０〜４０℃における具体的な熱膨張係数の値が両者で一致しているのかどうか明確でない。
　しかしながら、１０〜４０℃における熱膨張係数が０．０５〜０．２８×１０−６／℃程度であるコージェライトは本願出願前より周知である（要すれば、マテリアル・データベース編集委員会編「マテリアル・データベース−無機材料−」、日刊工業新聞社、１９８９年１月２５日、初版、１７６頁の表参照。なお、表中の「ロテック・エム（ＬＯＴＥＣ−Ｍ）」の熱膨張係数は６００℃及び１２００℃の各値であるが、多くのコージエライトの熱膨張係数は、高温側より低温側のほうが小さい値であることが技術常識である（要すれば、素木洋一著、「焼結セラミック詳論４　ファインセラミックス」、株式会社技報堂、昭和５１年１月２５日、１版、３０３頁の表−３．１６等参照）から、「１０〜４０℃」における熱膨張係数は６００℃及び１２００℃におけるそれと同等以下の値であるものと認められる。）し、さらに本願明細書にも「半導体製造装置用として一般に用いられてきたアルミナ、窒化珪素などのセラミックスは・・・１０〜４０℃における熱膨張係数はそれぞれ５．２×１０−６／℃、１．５×１０−６／℃であり・・・」及び「これに対して、コージェライト系焼結体は、熱膨張率が０．２×１０−６／℃程度」（段落【０００６】及び【０００７】）と記載されているから、引用発明において、緻密質低熱膨張セラミックスの１０〜４０℃における熱膨張係数を１×１０−６／℃以下とする点に格別の困難性は認められない。
　また、本願明細書を参照しても、１０〜４０℃における熱膨張係数を１×１０−６／℃以下とする点に格別な技術的意義があるものとも認められない。
　してみれば、相違点ｂに係る発明特定事項についても、当業者が困難なく導出できたものである。
　したがって、本願発明１は、引用文献１〜３に記載された発明及び技術常識に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　なお、審判請求人は、平成２１年３月３０日に提出した回答書において、平成１８年１０月６日付けの明細書の記載に係る手続補正によって補正された明細書の特許請求の範囲のうち、補正の機会が得られれば請求項３を削除する用意がある旨回答している。
　しかしながら、仮に当該請求項３を削除したとしても、上記補正後の請求項１に係る発明は、本願発明１の緻密質低熱膨張セラミックスからなる「半導体製造装置におけるステージ位置測定用ミラー」にすぎず、特許法第１６４条第３項に基づく前置報告書においても指摘されているとおり、緻密質低熱膨張セラミックスを「半導体製造装置におけるステージ位置測定用ミラー」に用いることは本願出願前より当業者にとって周知（要すれば、特開平０９−２４３３１６号公報等参照）の用途であることを勘案すれば、補正後の請求項１に係る発明は、当業者が容易に発明をすることができた本願発明１を単に周知の用途に用いたものにすぎないから、上記本願発明１で検討したことと同様に、引用文献１〜３に記載されている発明並びに周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　よって、補正後の請求項３を単に削除したとしても、補正後の発明は特許を受けることができないものである。
　
６．むすび
　以上のとおり、本願請求項１に係る発明は、引用文献１〜３に記載された発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。