(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成する薄膜に応じたターゲット上に、マグネトロン放電を発生させるための、電界発生手段および磁界発生手段を備え、
磁界発生手段は、磁界発生のための複数の磁石ユニットを連結すると共に、各磁石ユニットの相互の位置関係を回動によって変更するリンク機構と、リンク機構を作動させるためのネジ機構とを有していることを特徴とするマグネトロンスパッタ装置。
【請求項２】
リンク機構は、Ｘリンク機構であることを特徴とする請求項１に記載のマグネトロンスパッタ装置。
【請求項３】
リンク機構は、平行リンク機構であることを特徴とする請求項１に記載のマグネトロンスパッタ装置。
【請求項４】
基板上に形成する薄膜に応じたターゲット上に、マグネトロン放電を発生させるための、電界発生手段および磁界発生手段と、
ターゲット上におけるマグネトロン放電の発生位置を移動させるための駆動手段とを備え、
磁界発生手段は、磁界発生のための複数の磁石ユニットを連結すると共に、駆動手段によって各磁石ユニットの相互の位置関係を回動により変更するリンク機構を有していることを特徴とするマグネトロンスパッタ装置。
【請求項５】
リンク機構は、隣合う各磁石ユニットをそれぞれ連結する第１リンク部および第２リンク部とを備え、
第１リンク部のリンク長さと、第２リンク部のリンク長さとが互いに異なっていることを特徴とする請求項４に記載のマグネトロンスパッタ装置。
【請求項６】
リンク機構を動作させる速度を、各磁石ユニットの移動位置に応じて切り換える切換手段が設けられていることを特徴とする請求項４または５に記載のマグネトロンスパッタ装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示素子のＴＦＴ（Ｔｈｉｎ−Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を有する基板のように大面積基板の表面上に、ターゲット全体を有効に消費しながら、より均一の膜厚でかつ、より均質な薄膜を作成できる磁界発生手段の調整機構を有するマグネトロンスパッタ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、液晶表示装置製造用として大面積基板上に膜厚分布がより均一でかつより均質な成膜装置が要求されている。その成膜装置としてマグネトロンスパッタ装置が多く使用されている。マグネトロンスパッタ装置は、ターゲットの近傍に高密度プラズマを形成し、大きなイオン電流を流すようにして大電力化が図られたものである。このため、上記マグネトロンスパッタ装置では、電界（電場）と磁界（磁場）とが直交する、いわゆるマグネトロン放電を利用し、かつ運動する電子がターゲットの近傍を連続した軌跡に沿って運動できるように設定されている。
【０００３】
このようなマグネトロンスパッタ装置では、図２１に示すように、プロセスチャンバ２０１内にて、トレイ２０７に保持された基板２０８に対して薄膜を形成するためのターゲット２０９が設置されており、また、上記ターゲット２０９上においてマグネトロン放電を形成するためのマグネトロンカソード電極部２０３が設けられている。上記マグネトロンカソード電極部２０３は、ターゲット２０９を表面に保持するバッキングプレート２１０を有している。
【０００４】
バッキングプレート２１０の裏面には、図２２に示すように、磁石ユニット保持部材２２２とそれによって保持された複数の磁石ユニット２２１からなる磁石組立体２２３が設置されている。磁石組立体２２３に対しては、かさ歯車２２５、ボールネジ２２９、ボールナット２２６を介してモータ２２４の動力が伝達され、図中の矢印の方向に往復運動を行うようになっている。
【０００５】
磁石組立体２２３が往復運動を行うことによって、ターゲット２０９表面に発生する環状のプラズマの発生位置が磁石組立体２２３の往復運動に従って移動する。これにより、ターゲット２０９が薄膜形成時により均一に全面にわたって消費されるので、基板２０８全面に薄膜がより均一に形成される。
【０００６】
このようなマグネトロンスパッタ装置は、特開平５−１１７８５１号公報、特開平７−１９７２５４号公報や、特開平１０−８８３３９号公報に開示されている。これらは、相互の位置関係が固定された複数の磁石ユニットを隣接させて構成した磁石組立体を、ターゲットに対して平行に往復運動させ、一度に成膜できる範囲を広げ、成膜時間を短縮できるようにしたものである。
【０００７】
それぞれの公報に開示されている磁石組立体について以下に説明する。特開平５−１１７８５１号公報に開示されている磁石組立体を図２３に示し、図２３（ａ）は平面図、図２３（ｂ）は中央部の断面図である。図に示すように磁石組立体１１０は、各磁石ユニット１１２、１１３、１１４を有している。各磁石ユニット１１２、１１３、１１４は、それぞれ中央磁石１１６と外周磁石１１７とヨーク１１８から構成されている。
【０００８】
そして、各磁石ユニット１１２、１１３、１１４は、磁石組立体１１０の揺動方向１１１に沿って、それぞれ長辺方向の長さが互いに異なると共に、各磁石ユニット１１２、１１３、１１４を互いに隣接させて並べて固定板１１５上に固定されている。
【０００９】
次に、特開平７−１９７２５４号公報に開示されている磁石組立体を図２４に示す。図２４（ａ）は上記磁石組立体の平面図、図２４（ｂ）は上記磁石組立体における中央部の断面図である。磁石組立体１２０は、中心磁石１２１と外周磁石１２７とヨーク１２８からなる各磁石ユニット１２２、１２３、１２４をその揺動方向１２６に沿って互いに隣接させるように並べて固定板１２５上に固定した構成になっている。各磁石ユニット１２２、１２３、１２４の中心磁石１２１は、その長辺方向端部１２１ａがＴ字状になっている。
【００１０】
続いて、特開平１０−８８３３９号公報に開示されている磁石組立体を図２５に示す。図２５（ａ）は上記磁石組立体の平面図、図２５（ｂ）は上記磁石組立体における中心部の断面図である。磁石組立体１３０は、内側磁石１３１、外側磁石１３２とヨーク１３３から構成され、その長辺方向端部は端部を頂点とする三角形となっている。この磁石組立体１３０を図中矢印１３５の方向に揺動させる。
【００１１】
最後に、特開平１０−２５５７２号公報に開示されているのは、複数の磁石ユニットをそれぞれ独立に揺動させるものである。図２６にその構成を示す。各磁石ユニット１４０、１４１は、それぞれ各磁石駆動部１４２、１４３に取付けられている。
【００１２】
各磁石駆動部１４２、１４３は、それぞれ独立に、バッキングプレート１４５の表面に設けられたターゲット１４４に対して平行に図中矢印Ａ、Ｂの方向に往復運動をバッキングプレート１４５の裏面にて行う。各磁石駆動部１４２、１４３には、各磁石ユニット１４０、１４１の位置検出手段が設けられており、各磁石ユニット１４０、１４１の揺動速度、位置を制御できるようになっている。
【００１３】
このように、それぞれの磁石ユニット１４０、１４１に相互干渉がないように独立に往復運動させることにより、大型基板に対して、均一な膜厚分布の成膜を行おうとするものである。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の従来の構成では、以下のような問題点がある。前述した磁石組立体は複数の磁石ユニットを隣接させて並べ、固定されている。磁石組立体が発生する磁界は、ターゲット表面で数百から１０００ガウスを越える強力なものである。特に強力な磁界を発生させる場合には磁石ユニットを構成する磁石にネオジ系の強力なものを使用する。さらに、大面積基板用のため、使用する磁石の寸法も大変大きなものとなり、各磁石ユニット間には、巨大な反発力または吸引力が作用する。例えば、長さ１ｍ、幅１ｃｍ、奥行き１．５ｃｍのネオジ系の磁石を、１ｃｍの間隔で対向して保持すると、それぞれの磁石には約５０ｋｇｆ程の力が作用する。
【００１５】
したがって、特開平５−１１７８５１号公報、特開平７−１９７２５４号公報や、特開平１０−８８３３９号公報等に開示されている磁石組立体を組み立てるに当たっては、強力な吸引力または反発力に抗して作業を行わなければならないが、強力な吸引力または反発力が作用した状態で、磁石ユニットを所定の位置に高い精度で配設することは難しく、組立ては困難を極める。
【００１６】
その上、成膜した薄膜の膜厚に関するバラツキを許容値以下にするためには、磁石ユニット相互の位置関係の微調整が欠かせない。しかし従来構造においては、微調整時に磁石ユニット相互間に強力な吸引力または反発力が作用するため、微調整は極めて困難な作業になる。
【００１７】
特開平１０−２５５７２号公報では複数の磁石ユニットのそれぞれに駆動部を設けているが、磁石ユニットが増えるにしたがってその配置、制御が困難となる。特に大面積基板の場合は、多数の磁石ユニットを揺動させる方がプロセス時間を短縮できる。しかし、この方法では磁石ユニットが増えると磁石ユニットの駆動部、位置検出手段等の構成、配置が複雑で困難になり、コストアップにつながる。
【００１８】
以上のような課題に鑑み、本発明は、大型基板に対して、より均一な膜厚、より均質な膜を、効率よく成膜できるマグネトロンスパッタ装置を提供することを目的としている。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
本発明のマグネトロンスパッタ装置は、上記課題を解決するために、基板上に形成する薄膜に応じたターゲット上に、マグネトロン放電を発生させるための、電界発生手段および磁界発生手段を備え、磁界発生手段は、磁界発生のための複数の磁石ユニットを連結すると共に、各磁石ユニットの相互の位置関係を回動によって変更するリンク機構と、リンク機構を作動させるためのネジ機構とを有していることを特徴としている。
【００２０】
上記構成によれば、磁界発生手段が、磁界発生のための複数の磁石ユニットを連結すると共に、各磁石ユニットの相互の位置関係を回動によって変更するリンク機構を有することにより、各磁石ユニット間の距離を大きく、つまり広げた状態にて、各磁石ユニットをそれぞれ磁界発生手段に取り付けることができる。この結果、上記構成では、各磁石ユニット間に作用する吸引力や反発力を考慮せずとも、各磁石ユニットを確実に磁界発生手段に取り付けることができる。
【００２１】
さらに、上記構成では、リンク機構を作動させるためのネジ機構とを有していることから、取り付けられた各磁石ユニットにおける相互間の位置調整を、テコの原理により動作が規制されているリンク機構の容易な作動をネジ機構によってさらに規制しながら、各磁石ユニット間に発生する吸引力や反発力に抗して確実に行うことができる。
【００２２】
したがって、上記構成では、各磁石ユニットの相互間の位置を精度よく調整できるので、そのような各磁石ユニットを有する磁界発生手段と電界発生手段によるマグネトロン放電をより良好な状態にて発生させることが可能となる。
【００２３】
これにより、上記構成では、良好なマグネトロン放電によって、ターゲットに基づく薄膜を、基板上に、より均一に、かつ均質に形成できると共に、磁界発生手段における、各磁石ユニットの取付け、つまり組立てを簡素化できる。
【００２４】
上記マグネトロンスパッタ装置においては、リンク機構はＸリンク機構または平行リンク機構であってもよい。上記構成によれば、Ｘリンク機構または平行リンク機構のように、複数のリンクにより各磁石ユニットを連結するため、各磁石ユニットを、例えば互いに平行を維持しながら、相互の位置関係を調整できるので、各磁石ユニットの相互間の位置をより一層精度よく調整できる。
【００２５】
本発明の他のマグネトロンスパッタ装置は、基板上に形成する薄膜に応じたターゲット上に、マグネトロン放電を発生させるための、電界発生手段および磁界発生手段と、ターゲット上におけるマグネトロン放電の発生位置を移動させるための駆動手段とを備え、磁界発生手段は、磁界発生のための複数の磁石ユニットを連結すると共に、駆動手段によって各磁石ユニットの相互の位置関係を回動により変更するリンク機構を有していることを特徴としている。
【００２６】
上記構成によれば、磁界発生手段がリンク機構を有することによって、単一の駆動手段によるリンク機構により、複数の各磁石ユニットにおける相互間の位置関係をターゲットに対し変更できるので、電界発生手段および磁界発生手段によって発生されるマグネトロン放電のターゲット上での発生位置を、より均一化できる。
【００２７】
この結果、上記構成では、マグネトロン放電のターゲット上での発生位置のより均一化によって、ターゲットに基づく基板上での薄膜形成を、より一層均一化および均質化できると共に、単一の駆動手段により複数の各磁石ユニットを駆動できるので、各磁石ユニットの駆動機構を従来より簡素化できる。
【００２８】
上記マグネトロンスパッタ装置では、リンク機構は、隣合う各磁石ユニットをそれぞれ連結する第１リンク部および第２リンク部とを備え、第１リンク部のリンク長さと、第２リンク部のリンク長さとが互いに異なっていてもよい。
【００２９】
上記構成によれば、第１リンク部のリンク長さと、第２リンク部のリンク長さとが互いに異なるように設定することによって、各磁石ユニットの移動速度をそれぞれ制御できるので、ターゲット上でのマグネトロン放電をより均一化できるように制御でき、よって、ターゲットに基づく基板上での薄膜形成を、より一層均一化および均質化できる制御をより簡素化できる。
【００３０】
上記マグネトロンスパッタ装置では、リンク機構を動作させる速度を、各磁石ユニットの移動位置に応じて切り換える切換手段が設けられていてもよい。上記構成によれば、各磁石ユニットの移動速度をそれぞれ制御できるので、ターゲット上でのマグネトロン放電をより均一化できるように制御でき、よって、ターゲットに基づく基板上での薄膜形成を、より一層均一化および均質化できる。
【００３１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の第１の実施の形態について、図面を参照して説明する。
（第１の実施の形態）
図１ないし図７を用いて本発明に係るマグネトロンスパッタ装置の第１の実施の形態を説明する。まず、マグネトロンスパッタ装置では、図２に示すように、基板トレイ７の装置への出し入れを行うロードロック２、および、基板８に薄膜を成膜するためのプロセスチャンバ１が、それぞれ独立に排気されて、真空状態に維持できるように設けられている。
【００３２】
プロセスチャンバ１における下部の開口部１ｂには、マグネトロンカソード電極部３が取付られている。大気圧となる外部とロードロック２の間、およびロードロック２とプロセスチャンバ１の間には、プロセスチャンバ１およびロードロック２のそれぞれの気密性を維持するために、それぞれゲートバルブ４、ゲートバルブ５が設けられている。また、プロセスチャンバ１にはリークバルブ１２が、ロードロック２にはリークバルブ１３がそれぞれ設けられており、プロセスチャンバ１内およびロードロック２内を大気圧にそれぞれ開放することができるようになっている。
【００３３】
ロードロック２とプロセスチャンバ１とは、それらの内部が、排気パイプ１４、排気パイプ１５から排気ポンプ（図示せず）によって、それぞれ排気できるようになっている。バッキングプレート１０の表面には、基板８に対し薄膜を形成するための所定材質の平板状のターゲット９がインジウム等の低融点ろう材により接合されている。
【００３４】
基板８は、ターゲット９に対し、ほぼ平行となるように対面して基板トレイ７によって保持されるようになっている。基板８とターゲット９の間には基板８の端部を覆うようにマスク１１が、スパッタリング現象によって飛散した粒子が基板トレイ７に付着するのを防止するように設置されている。
【００３５】
さらに、アースシールド２９がターゲット９との隙間を保ちながら、ターゲット９の周囲を取り囲むようにプロセスチャンバ１内に設けられている。このようなアースシールド２９によって、発生させたプラズマによってターゲット９以外の部分がエッチング（浸食）されるのが防止される。
【００３６】
次に、図３を用いてマグネトロンカソード電極部３を説明する。プロセスチャンバ１に形成された下部の壁部１ａの開口部１ｂに絶縁体２７およびＯリング２８を介してカソード本体２０が取り付けられる。カソード本体２０にはバッキングプレート１０が取り付けられ、カソード本体２０とバッキングプレート１０によりプロセスチャンバ１の壁部の一部が形成されている。
【００３７】
このようなカソード本体２０内において、バッキングプレート１０の裏面側には、ターゲット９の表面上に磁界を発生する手段としての複数の磁石ユニット２１と磁石ユニット保持機構２２とからなる磁石組立体２３が設けられている。上記磁石組立体２３は、モータ２４から、かさ歯車２５、ボールネジ２９、ボールナット２６を介して動力が伝達され、ターゲット９と平行な水平面内を往復駆動できるようになっている。
【００３８】
次に、図４を用いて、磁石ユニット２１について説明する。図４（ａ）は磁石ユニット２１の斜視図、図４（ｂ）は磁石ユニット２１の平面図、図４（ｃ）は磁石ユニット２１における中央部の断面図および磁力線分布の例を示す。
【００３９】
磁石ユニット２１は、矩形の板状であるヨーク３０の上に矩形の板状の中心磁石３２とその周囲に配置された矩形リング状の周辺磁石３１とから構成されている。中心磁石３２のヨーク３０と反対側の磁極をＳ極、周辺磁石３１のヨーク３０と反対側の磁極をＮ極として、ヨーク３０に固定される。この磁極配置によって図４（ｃ）に示すように周辺磁石３１から中心磁石３２に向かって磁力線３４が形成される。このような磁力線３４の形成によって、ターゲット９上において、ターゲット９の表面方向に沿った磁界を形成することができる。
【００４０】
この装置の動作を以下に説明する。大気中で基板８が基板トレイ７に装着される。続いて、基板トレイ７が基板８とともにゲートバルブ４を通ってロードロック２内へ搬入された後、ゲートバルブ４が閉じられロードロック２内が排気される。ロードロック２内が所定の真空度に達するとゲートバルブ５が開かれ、基板トレイ７はプロセスチャンバ１内に搬入される。
【００４１】
プロセスチャンバ１内は常に真空が保たれており、その環境下でヒータ６により基板８を加熱する。そして、電源１６により、ターゲット９に電界を印加すると磁界のトンネル内に高密度のプラズマがマグネトロン放電により発生する。よって、ターゲット９の表面には環状の高密度プラズマが形成されていることになる。
【００４２】
プラズマ中のイオンは、印加されている電界によりターゲット９に衝突し、ターゲット９を構成する物質を飛散させる。発生したプラズマによりターゲット９からターゲット９の材質の粒子は飛散し、基板８上に付着、堆積し薄膜を形成する。成膜完了後、搬入時の逆の手順で、基板トレイ７が基板８とともにプロセスチャンバ１からロードロック２へ、続いて大気環境下の外部へ搬出される。
【００４３】
次に、図１、図５ないし図７に示すように、このようなマグネトロンカソード電極部３に設けられた、磁石組立体２３について、さらに詳しく説明すると、図１および図５に示すように、各磁石ユニット２１を相互の位置関係を変更できるように保持する磁石ユニット保持機構（リンク機構）２２が設けられている。このような各磁石ユニット２１と磁石ユニット保持機構２２とにより、磁石組立体２３が形成されている。
【００４４】
磁石ユニット保持機構２２は、磁石ユニット２１を固定する矩形板状の各磁石取付板５０ａ、５０ｂ、５０ｃと、各磁石取付板５０ａ、５０ｂ、５０ｃをそれらの短手方向に互いに平行に移動させるように案内する一対の平行案内部４６と、かつ２本の各リンク４３、４４をＸ字状に交差させたＸリンク機構部４５とを備えている。
【００４５】
平行案内部４６はガイド軸４０、軸固定部材４１、および各リニアブッシュ４２を有している。ガイド軸４０は中央の磁石取付板５０ａに軸固定部材４１により固定され、両側の各磁石取付板５０ｂ、５０ｃにそれぞれ固定された各リニアブッシュ４２内をガイド軸４０の軸方向に摺動可能に取付けられている。ガイド軸４０に対し軸方向に移動可能な各リニアブッシュ４２により、中央以外の各磁石取付板５０ｂ、５０ｃは中央の磁石取付板５０ａに対し平行を維持して、相互の位置関係つまり距離を変更できるように移動可能となっている。
【００４６】
Ｘリンク機構部４５は２本のアーム状の各リンク４３、４４を有し、各リンク４３、４４の中央部が磁石取付板５０ａ上に設けられた連結軸４８で回動自在に連結されることによって、各磁石取付板５０ａ、５０ｂ、５０ｃを相互の位置関係を変更可能に連結している。
【００４７】
各リンク４３、４４の各端部は図６に示すように、リンク支持部材４７の軸部４７ａに回動自在に係合している。リンク支持部材４７はレール部４７ｂが磁石取付板５０ｂ、５０ｃの溝部５０ｄに沿ってスライドし、図中ａの方向に摺動可能となっている。
【００４８】
一方のリンク支持部材４７にはネジ部４７ｃが設けられており、調整ネジ４９を絞めたり緩めたり、すなわち回動させることで、各磁石取付板５０ｂ、５０ｃの長手方向両端部にそれぞれ設けられている２つのリンク支持部材４７間の距離が変化すると、２本の各リンク４３、４４が連結軸４８を中心に回動することにより、各磁石取付板５０ａ、５０ｂ、５０ｃ間のピッチ（相互の位置関係）が変化するようになっている。
【００４９】
調整ネジ４９には、調整ネジ４９の必要以上の軸方向の移動をリンク支持部材４７との当接によって拘束するために、外向きのフランジ形状のカラー５６が設けられている。また、調整ネジ４９の一端は、回動自在に他方のリンク支持部材４７に固定されている。
【００５０】
図７を用いて磁石組立体２３の組立手順を説明する。まず、調整ネジ４９を絞める、すなわち調整ネジ４９をカラー５６から他端側に向かって右回りに回転させると、２つのリンク支持部材４７間の距離が狭まり、２本の各リンク４３、４４は連結軸４８を中心に回転し、各磁石取付板５０ｂ、５０ｃが平行案内部４６に案内されて平行に移動し、各磁石取付板５０ａ、５０ｂ、５０ｃの間のピッチが広がり、図７に示す状態になる。
【００５１】
この状態で磁石ユニット２１を各磁石取付板５０ａ、５０ｂ、５０ｃに取付け固定する。このとき、各磁石取付板５０ａ、５０ｂ、５０ｃのピッチを十分に広げてあるため、隣り合う各磁石ユニット２１間に働く反発力または吸引力は小さく、複数の各磁石ユニット２１を各磁石取付板５０ａ、５０ｂ、５０ｃにそれぞれ容易に取付け固定することができる。
【００５２】
次に、調整ネジ４９を緩め、２つのリンク支持部材４７間の距離を広げると、各磁石ユニット２１間のピッチが狭くなる。各磁石ユニット２１間のピッチが狭まくなると、各磁石ユニット２１間に働く反発力又は吸引力が大きくなるが、各磁石取付板５０ａ、５０ｂ、５０ｃの相互位置関係は、Ｘリンク機構部４５および調整ネジ４９によって規制されている。よって調整ネジ４９を回すだけで、各磁石ユニット２１間のピッチを容易に変更することができる。
【００５３】
この結果、本発明では、各磁石ユニット２１間に作用する吸引力または反発力の影響を受けずに、各磁石ユニット２１を各磁石取付板５０ａ、５０ｂ、５０ｃにそれぞれ固定することが行えるため、組み立てが容易である。また、磁石組立体２３を組み立てた後でも、調整ネジ４９の調整のみで各磁石ユニット２１間のピッチを所望の値に設定変更できる。
【００５４】
すなわち、上記構成では、磁石ユニット２１相互の位置関係の調整を容易にすることを目的に、平面内で移動して相互の距離を変更するよう、Ｘリンク機構部４５により各磁石ユニット２１相互を連結している。各磁石ユニット２１は、Ｘリンク機構部４５の中央締結部分に１個と左右のリンク端部に各１個づつ配設されている。Ｘリンク機構部４５のリンク各端部は、一方が一方のリンク支持部材４７であるナット部（雌ネジ部）４７ｃによって調整ネジ４９の棒（雄ネジ部）と螺合し、他方が他方のリンク支持部材４７により、調整ネジ４９の棒端部と回動自在に係合している。更に両端の各磁石ユニット２１の磁石取付板５０ｂ、５０ｃは、中央の磁石取付板５０ａに固定されたリニアガイドである平行案内部４６にに規制されて移動することにより、移動に伴う整列の精度を高く維持している。
【００５５】
なお、上記第１の実施の形態では、調整ネジ４９に対して二つ設けられた各リンク支持部材４７については、カラー５６側のリンク支持部材４７は、調整ネジ４９に対して回転自在で、軸方向には移動しないものである一方、カラー５６側から遠い方のリンク支持部材４７は調整ネジ４９に対して回転自在に螺合している構成となっているが、特にそれらの構成に限定されることはなく、例えば、調整ネジ４９における軸方向の中央を境にして、調整ネジ４９の外周上に形成された雄ねじが左右逆方向に設けられ、二つの各リンク支持部材４７が調整ネジ４９に対してそれぞれ螺合している構成であってもよい。
【００５６】
（第２の実施の形態）
図８および図９を用いて本発明の第２の実施の形態を説明する。図８にピッチを狭めた状態、図９にピッチを広げた状態を示す。４本の各リンク５１の一方の端部は回転軸５２により、磁石取付板５０ａにそれぞれ回転自在に固定されている。また、各リンク５１の他方の端部は回転軸５３により、磁石取付板５０ｂまたは磁石取付板５０ｃにそれぞれ回動自在に固定されている。各回転軸５３上には、雌ねじ部であるねじ部５４がそれぞれ設けられている。各ねじ部５４には雄ねじ部である調整ネジ５５が螺合している。
【００５７】
調整ネジ５５の一端は、カラー５６により軸方向の移動が拘束されている。また、調整ネジ５５は、回転自在となるよう各回転軸上のねじ部５４に保持されている。調整ネジ５５によりねじ部５４とカラー５６間の距離を広げることで、各磁石取付板５０ａ、５０ｂ、５０ｃ間のピッチは広がる。逆に、調整ネジ５５によりねじ部５４とカラー５６間の距離を狭めることで、各磁石取付板５０ａ、５０ｂ、５０ｃ間のピッチは狭まる。
【００５８】
ピッチを広げた状態で各磁石ユニット２１を各磁石取付板５０ａ、５０ｂ、５０ｃに固定し、その後ピッチが所定の値になるまでピッチを狭める。よって、各磁石ユニット２１間に作用する吸引力または反発力の影響を受けずに、各磁石ユニット２１を各磁石取付板５０ａ、５０ｂ、５０ｃに固定することができる。このため、組み立てが容易で、組み立て後も各磁石ユニット２１間のピッチが調整可能である。
【００５９】
（第３の実施の形態）
図１０および図１１を用いて本発明の第３の実施の形態を説明する。図１０にピッチを狭めた状態、図１１にピッチを広げた状態を示す。図１０に示すように、４本の各リンク６０の端部の一方が、各磁石取付板５０ｂ、５０ｃ上の固定部６３の連結軸６４にそれぞれ回動自在に係合されている。また、各リンク６０の他方の端部は、磁石取付板５０ａ上のスライド溝５０ｍに沿って長手方向にスライド可能な各スライド部材６１の連結軸６２にそれぞれ回転自在に取付けられている。
【００６０】
２つのスライド部材６１には、それぞれねじ部が設けられており、１本の調整ネジ６５により各スライド部材６１間の距離を調整できる。調整ネジ６５により、各スライド部６１間の距離が狭まると、各リンク６０が各連結軸６２、６４を中心に回転し、磁石取付板５０ｂ、５０ｃが磁石取付板５０ａから離れる方向に移動し、各磁石取付板５０ａ、５０ｂ、５０ｃ間のピッチが広がる。逆に、調整ネジ６５により、各スライド部６１間のピッチを広げると、磁石取付板５０ｂ、５０ｃが磁石取付板５０ａから近づく方向に移動し、各磁石取付板５０ａ、５０ｂ、５０ｃ間のピッチが狭まる。
【００６１】
ピッチを広げた状態で各磁石ユニット２１を各磁石取付板５０ａ、５０ｂ、５０ｃに固定し、その後ピッチが所定の値になるまでピッチを狭める。よって、各磁石ユニット２１間に吸引力または反発力の影響を受けずに各磁石ユニット２１の各磁石取付板５０ａ、５０ｂ、５０ｃへの固定が行えるため、組み立が容易で、組み立後も各磁石ユニット２１間のピッチが調整可能である。
【００６２】
つまり、上記の第２および第３の実施の形態に記載の構成では、前述のＸリンク機構部４５に代わる手段として、平行リンク機構が用いられている。平行リンク機構は、ロッド状の各リンク５１が平行を維持して、各磁石ユニット２１を互いに平行に移動する方式と、ロッド状の各リンク６０の配置がひし形状であって、各磁石ユニット２１を平行に移動する方式が開示されている。
【００６３】
各リンク５１が平行を維持する方式においては、中央の磁石取付板５０ａと左右の両側の磁石取付板５０ｂ、５０ｃは、それぞれ同じ大きさの各２枚の平行な連絡ロッドである各リンク５１で連結されてある。両端の磁石取付板５０ｂ、５０ｃと各リンク５１を固定する回転軸５２、５３の片方にはナットであるねじ部５４が取付けられている。このねじ部５４はネジ棒である調整ネジ５５と螺合し、ねじ部５４の一端にはカラー５６が取付けられてネジ棒と係合可能となっている。ねじ部５４と螺合する調整ネジ５５によって、左右両端の磁石取付板５０ｂ、５０ｃの距離は規制されている。
【００６４】
各リンク６０の配置がひし形状である方式においては、中央の磁石取付板５０ａと左右の両側の磁石取付板５０ｂ、５０ｃは、それぞれ同じ大きさの各２枚のひし形に配設した連絡ロッドである各リンク６０で連結されている。
【００６５】
中央の磁石取付板５０ａには、左右両側の磁石取付板５０ｂ、５０ｃと連結する４本の各リンク６０を回動自在に保持する各連結軸６２および各連結軸６２を取りつける２組の固定部材である各スライド部材６１が取付けられ、各スライド部材６１では、それぞれ設けられたナットである各ねじ部がネジ棒である調整ネジ６５と螺合している。調整ネジ６５の一端部においては、調整ネジ６５の軸方向における必要以上の移動を規制するためのカラー６７が設けられている。各ねじ部と螺合している調整ネジ６５によって、左右両端の磁石取付板５０ｂ、５０ｃの距離は規制されている。
【００６６】
（第４の実施の形態）
図１２ないし図１４を用いて本発明の第４の実施の形態を説明する。図１から図１１と略同一のものには同一符号を付し説明を省略する。図１２に本発明のマグネトロンスパッタ装置のマグネトロンカソード電極部３の概略構成の断面図を示す。また、図１３に磁石組立体２３の磁石ユニット間のピッチを狭めた状態、図１４にピッチを広げた状態を示す。
【００６７】
図１２において、２組の磁石組立体２３と駆動部９６がカソード本体２０に設置される。磁石組立体２３は磁石ユニット２１と磁石取付板５０とリンク部９７を有している。複数の磁石ユニット２１は各磁石取付板５０ａ、５０ｂ、５０ｃを介してリンク部９７により保持されている。
【００６８】
リンク部９７の端部は駆動部９６に接続されている。駆動部９６がリンク部９７を駆動することによって複数の磁石ユニット２１がバッキングプレート１０の裏面（つまり、ターゲット９を有するバッキングプレート１０の表面に対し反対面）において、ターゲット９と平行に往復運動する。
【００６９】
次にリンク部９７の構成を図１３および図１４に基づいて説明する。このようなリンク部９７では、連結部９３で中央部が回転自在に連結された２本のリンク９０を複数組並べて、つまり、各磁石取付板５０ａ、５０ｂ、５０ｃにおいて、隣り合う各磁石取付板５０ａ、５０ｂ、５０ｃをそれぞれ順次連結するように設けられている。
【００７０】
このようなリンク部９７では、複数組の各リンク９０は、各リンク９０の一方の端部を回転軸９１により各磁石取付板５０ａ、５０ｂ、５０ｃにそれぞれ回動自在となるように連結されている。また、各リンク９０の他方の端部は、回転軸９２にそれぞれ回動自在に連結されている。各回転軸９２は、磁石取付板５０上の溝５０ｄに沿って長手方向に摺動可能となっている。
【００７１】
駆動部９６に接続されるリンク９０の端部は、プロセスチャンバ１のチャンバ壁９８に設けられた支持軸９４と駆動部９６の動力出力部９９の出力軸９５にそれぞれ回動自在に支持されている。動力出力部９９の出力軸９５は、図中矢印Ａの方向（各磁石取付板５０ａ、５０ｂ、５０ｃの長手方向）に沿って往復運動する。
【００７２】
出力軸９５が矢印Ａの方向に往復運動することにより、リンク９０は各回転軸９１、支持軸９４の回りにて回動し、磁石取付板５０ａ、５０ｂ、５０ｃが互いに平行を維持して往復運動を行う。つまり、図１３の状態から出力軸９５が図面の上方向（支持軸９４に近づく方向）に動くと、徐々に各磁石ユニット２１間のピッチが広がり、やがて、図１４の状態となる。そして、出力軸９５が逆方向である図面の下方向に動くと、各磁石ユニット２１間のピッチが狭まり、図１３の状態に戻る。この動作を繰り返す。出力軸９５の往復速度に比例して各磁石ユニット２１が往復運動を行う。
【００７３】
以上の動作により、ターゲット９に発生するエロージョンについて図１５を用いて説明する。図１５（ａ）、図１５（ｂ）に示すように、各磁石ユニット２１のピッチを、一例として、最も狭い場合を距離ｄ、最も広い場合を距離２ｄとすると、駆動部９６側の磁石ユニット２１ａの揺動幅は距離ｄ、中央の磁石ユニット２１ｂの揺動幅は距離２ｄ、駆動部９６から最も遠い磁石ユニット２１ｃの揺動幅は距離３ｄとなる。
【００７４】
駆動部９６から遠いほど磁石ユニット２１の揺動幅は、隣り合う各磁石取付板５０ａ、５０ｂ、５０ｃを連結する各リンク９０による揺動幅の合計となることから広くなる。このとき、各磁石ユニット２１の揺動周期は同じであるため、駆動部９６から遠いほど磁石ユニット２１の揺動速度が速い。各磁石ユニット２１が図１５（ａ）の状態で静止していた場合、ターゲット９に発生するエロージョンは図１５（ｃ）に示すように各磁石ユニット２１が発生する磁界強度分布に従ったものとなる。
【００７５】
次に、各磁石ユニット２１ａ、２１ｂ、２１ｃをそれぞれ単独で揺動させた場合に発生するエロージョンを図１５（ｄ）、図１５（ｅ）、図１５（ｆ）に示す。駆動部９６側の磁石ユニット２１ａは移送速度が遅く揺動幅が狭いので、磁石ユニット２１ａによって発生するエロージョンは幅が狭く深いものとなる。次に、中央の磁石ユニット２１ｂは磁石ユニット２１ａの２倍の速度で２倍の揺動幅なので、磁石ユニット２１ｂによって発生するエロージョンは磁石ユニット２１ａのものの２倍の幅で深さが半分となる。
【００７６】
そして、駆動部９６から最も遠い磁石ユニット２１ｃは磁石ユニット２１ａの３倍の速度で３倍の揺動幅なので、磁石ユニット２１ｃによって発生するエロージョンは磁石ユニット２１ａのものの３倍の幅で深さが１／３となる。これらから、磁石ユニット２１ａ、２１ｂ、２１ｃを同時に揺動させるとターゲット９に発生するエロージョンは、図１５（ｄ）、図１５（ｅ）、図１５（ｆ）を足し合わせたものとなるため、図１５（ｇ）に示すようになる。
【００７７】
以上は、１組の磁石組立体と駆動部により発生するエロージョンについて説明したが、図１２に示すように、対向してもう１組の磁石組立体と駆動部を設けているため、ターゲット９に発生するエロージョンは図１５（ｇ）とその線対称形とを足し合わせたものとなり、図１５（ｈ）に示すようになる。よって、ターゲット９に発生するエロージョンはほぼフラットであり、ほぼ均等に効率よく消費できる。
【００７８】
以上の実施の形態では、すべて同じ磁界強度分布をもつ磁石ユニット２１を用いた場合について説明したが、各磁石ユニット２１の磁界強度を調整すること、磁石ユニット２１の揺動速度を磁石ユニット２１の位置によって調整することなどで、さらにフラットなエロージョンとなることはいうまでもない。逆に、基板上に形成される薄膜の膜厚を部分的に厚くするなどの調整を行うため、意図的にエロージョン深さに分布を持たせることが可能である。
【００７９】
次に、磁石ユニット２１毎に磁界強度を変えた場合、また、磁石ユニット２１の揺動速度を磁石ユニット２１の位置によって変えた場合について説明する、まず、磁石ユニット２１毎に磁界強度を変えた場合について図１６を用いて説明する。各磁石ユニット２１ａ、２１ｂ、２１ｃの磁界強度の設定のみが図１５と異なり、それら磁界強度の比が、例えば１：２：３となっている。各磁石ユニット２１が図１６（ａ）の状態で静止していた場合、ターゲット９に発生するエロージョンの深さは図１６（ｃ）に示すように各磁石ユニット２１の磁界強度の比に従ったものとなる。
【００８０】
各磁石ユニット２１ａ、２１ｂ、２１ｃをそれぞれ単独で揺動させた場合に発生するエロージョンを図１６（ｄ）、図１６（ｅ）、図１６（ｆ）に示す。各磁石ユニット２１ａ、２１ｂ、２１ｃの移動速度、および磁界強度の比はともに１：２：３であるので、各磁石ユニット２１によって発生するエロージョンの深さは等しくなる。
【００８１】
これらから、各磁石ユニット２１ａ、２１ｂ、２１ｃを同時に揺動させることによって発生するエロージョンは、図１６（ｇ）に示ような中央部が深いエロージョンとなる。このように、各磁石ユニット２１の磁界強度分布を調整することで、ターゲット９の中央部で意図的にエロージョン深さを深くなるように設定することが可能である。
【００８２】
次に、図１７と図１８を用いて磁石ユニットの揺動速度を変える場合について説明する。各磁石ユニット２１ａ、２１ｂ、２１ｃの磁界強度の比は１：２：３となっており、磁石ユニット２１が図１７（ａ）の状態で静止していた場合、ターゲット９に発生するエロージョンは図１７（ｃ）に示すようになる。
【００８３】
次に、動力出力部９９により磁石ユニット２１を揺動させる。動力出力部９９では、リンク部９７を、図１８に示すように、揺動開始時から時刻ｔ１  まで速度Ｖ１  、時刻ｔ１  から時刻ｔ２  まで速度Ｖ２  、時刻ｔ２  から時刻ｔ３  まで速度−Ｖ２  、時刻ｔ３  から時刻ｔ４  まで速度−Ｖ１  で駆動し、一連の手続きによって各磁石ユニット２１が１往復する。
【００８４】
このとき、Ｖ１  ，Ｖ２  ，ｔ１  ，ｔ２  ，ｔ３  ，ｔ４  の間に、
Ｖ２  ＝２Ｖ１  
ｔ１  ：（ｔ２  −ｔ１  ）＝２：１
（ｔ３  −ｔ２  ）：（ｔ４  −ｔ３  ）＝１：２
の関係が成立するように設定すると、各磁石ユニット２１がそれぞれの揺動幅の１／２の位置にきたとき、揺動速度が２倍または１／２となる。よって、各磁石ユニット２１ａ、２１ｂ、２１ｃをそれぞれ単独で揺動させた場合に発生するエロージョンは、図１７（ｄ）、図１７（ｅ）、図１７（ｆ）に示すように揺動幅の中央でエロージョンの深さが変化する。
【００８５】
これらの結果から、磁石ユニット２１ａ、２１ｂ、２１ｃを同時に揺動させることによって発生するエロージョンは、図１７（ｇ）のように中央部が深く、右側が浅いエロージョンとなる。このように、各磁石ユニット２１の揺動速度を切り換えることで、意図的にエロージョンの深さに変化を持たせることが可能である。
【００８６】
すなわち、上記構成では、大面積を走査する際に課題となるエロージョンの深さを部分的に変更する設定手法として、上記Ｘリンク連綴体である各リンク９０の動作速度を制御している。このため、上記各リンク９０を駆動する駆動装置は、各リンク９０の原点を検出するセンサと計時機能部と所定の速度でリンク端部を移動させる駆動部と、センサおよび計時機能部からの信号に基づいて駆動部を制御する制御部とを有している。
【００８７】
（第５の実施の形態）
図１９および図２０を用いて本発明の第５の実施の形態を説明する。図１９に磁石ユニット２１間のピッチを狭めた状態を、図２０にピッチを広げた状態を示す。磁石取付板５０ｂと磁石取付板５０ｃを連結する、Ｘリンク機構となる一対のリンク１００の長さを他のリンク９０の長さより短く構成してある。各リンク１００は、中央を連結軸１０３により回動自在に連結され、一方の端部を回転軸１０１で隣り合う各磁石取付板５０ｂ、５０ｃにそれぞれ回動自在に固定してある。
【００８８】
また、各リンク１００の他方の端部は、回転軸１０２にてそれぞれ回転自在に固定してある。回転軸１０２は、磁石取付板５０ｂ、５０ｃ上の溝もしくは長穴５０ｅ、５０ｆに沿って、長手方向に摺動可能である。
【００８９】
出力軸９５が矢印Ａの方向に往復運動することにより、各リンク９０は各回転軸９１、支持軸９４の回りにて回動する。このような各リンク９０の回動動作は各リンク１００に伝達される。各リンク１００は回転軸１０１の回りにて回動する。よって、磁石取付板５０ａ、５０ｂ、５０ｃが互いに平行を維持しながら往復運動を行う。
【００９０】
このとき、各リンク１００の長さが各リンク９０に比べ短いため、磁石取付板５０ｃの揺動幅は、磁石取付板５０ａ、５０ｂの揺動幅より狭くなる。また、このような各リンク９０および各リンク１００の長さを変える設定によって、磁石取付板５０ｃの揺動速度も制御することが可能となる。
【００９１】
これにより、上記構成では、個々の磁石取付板５０ａ、５０ｂ、５０ｃの揺動速度を揺動距離をそれぞれ制御できるので、それらに設けられた各磁石ユニット２１によるターゲット９からのスパッタリング粒子の放出を、より均一、かつより均質化できるので、基板８上への薄膜形成を、より均一、かつより均質化できると共に、そのような機構を簡素化できる。
【００９２】
【発明の効果】
本発明のマグネトロンスパッタ装置は、基板上に形成する薄膜に応じたターゲット上に、マグネトロン放電を発生させるための磁界発生手段は、磁界発生のための複数の磁石ユニットを連結すると共に、各磁石ユニットの相互の位置関係を回動によって変更するリンク機構を有している構成である。
【００９３】
それゆえ、上記構成では、各磁石ユニットは、Ｘリンク機構もしくは平行リンク機構等のリンク機構により、磁石ユニット間の反発力または吸引力の作用を受けずに、各磁石ユニットを磁界発生手段において組み立てることができて、各磁石ユニットの取り付け、および、各磁石ユニット間のピッチ調整を容易化できるという効果を奏する。
【００９４】
本発明の他のマグネトロンスパッタ装置は、基板上に形成する薄膜に応じたターゲット上に、マグネトロン放電を発生させるための、電界発生手段および磁界発生手段と、ターゲット上におけるマグネトロン放電の発生位置を移動させるための駆動手段とを備え、磁界発生手段は、磁界発生のための複数の磁石ユニットを連結すると共に、各磁石ユニットの相互の位置関係を駆動手段による回動によって変更するリンク機構を有している構成である。
【００９５】
それゆえ、上記構成では、各磁石ユニットを組み立てたＸリンク等のリンク機構に固定し、複数の各磁石ユニットを１つの駆動手段で、それぞれ移動させることにより、構造や配置が単純になる。また、多数の各磁石ユニットの相互の位置関係を考慮した制御を必要としないため、制御が容易になる。
【００９６】
したがって、上記構成では、各磁石ユニットの構造や配置や制御を単純にできることから、製造コストを低減できるという効果を奏する。
【００９７】
上記マグネトロンスパッタ装置では、リンク機構における、リンクの長さを互いに異なるように設定することにより、複数の磁石ユニットを１つの駆動手段にて移動させたときに、ターゲットにおけるエロージョンの深さを部分的に制御して設定することができる。
【００９８】
よって、上記構成では、ターゲットにおけるエロージョンの深さを部分的に制御することにより、ターゲットにおけるスパッタリンク粒子の発生を、より均一化できて、上記ターゲットに基づく薄膜を基板上に、より均一に、かつ均質に生成することが可能となると共に、ターゲットの消費効率を向上できて、薄膜形成のコストダウンを図れるという効果を奏する。
【００９９】
上記マグネトロンスパッタ装置では、各磁石ユニットを１つの駆動手段にて移動させる際に、各磁石ユニットの移動速度を制御する切換手段を設けたことにより、ターゲットにおけるエロージョンの深さを部分的に制御して設定することができる。
【０１００】
以上のように、上記構成では、各磁石ユニットを所望のピッチで容易に組立ることができ、大型基板に対して、より均一な膜厚分布、より均質な膜、より効率のよい成膜が行えるマグネトロンスパッタ装置を提供することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のマグネトロンスパッタ装置における第１の実施の形態の磁石組立体の構造を示す説明図であり、（ａ）は背面図、（ｂ）は正面図である。
【図２】上記マグネトロンスパッタ装置の構成を示す概略構成図である。
【図３】上記マグネトロンスパッタ装置におけるマグネトロンカソード電極部の構成を示す概略構成図である。
【図４】上記磁石組立体における磁石ユニットの説明図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は平面図、（ｃ）は磁石ユニットによる磁界形成の説明図である。
【図５】上記磁石組立体の構造を示す説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は正面図である。
【図６】上記磁石組立体の要部斜視図である。
【図７】上記磁石組立体の動作例を示す背面図である。
【図８】本発明の第２の実施の形態の磁石組立体の構造を示す背面図である。
【図９】上記磁石組立体の動作例を示す背面図である。
【図１０】本発明の第３の実施の形態の磁石組立体の構造を示す背面図である。
【図１１】上記磁石組立体の動作例を示す背面図である。
【図１２】本発明の第４の実施の形態のマグネトロンスパッタ装置におけるマグネトロンカソード電極部の構成を示す概略構成図である。
【図１３】上記マグネトロンスパッタ装置の磁石組立体の構造を示す背面図である。
【図１４】上記磁石組立体の動作例を示す背面図である。
【図１５】上記磁石組立体の動作例、およびその動作に伴うターゲットに発生するエロージョンの説明図であり、（ａ）は各磁石ユニットの間隔が最も小さくなったときの側面図であり、（ｂ）は各磁石ユニットの間隔が最も大きくなったときの側面図であり、（ｃ）は（ａ）の状態でのターゲットにおける、エロージョンを示す断面図であり、（ｄ）は動力出力部側の磁石ユニットの揺動によるターゲットにおける、エロージョンを示す断面図であり、（ｅ）は次の磁石ユニットの揺動によるターゲットにおける、エロージョンを示す断面図であり、（ｆ）はさらに次の磁石ユニットの揺動によるターゲットにおける、エロージョンを示す断面図であり、（ｇ）は（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）の各磁石ユニットの揺動を組み合わせたときのターゲットにおけるエロージョンを示す断面図であり、（ｈ）は（ｇ）の各磁石ユニットを、さらに一対組み合わせたときのターゲットにおけるエロージョンを示す断面図である。
【図１６】上記磁石組立体の動作例、およびその動作に伴うターゲットに発生するエロージョンの、他の説明図であり、（ａ）は各磁石ユニットの間隔が最も小さくなったときの側面図であり、（ｂ）は各磁石ユニットの間隔が最も大きくなったときの側面図であり、（ｃ）は（ａ）の状態でのターゲットにおける、エロージョンを示す断面図であり、（ｄ）は動力出力部側の磁石ユニットの揺動によるターゲットにおける、エロージョンを示す断面図であり、（ｅ）は次の磁石ユニットの揺動によるターゲットにおける、エロージョンを示す断面図であり、（ｆ）はさらに次の磁石ユニットの揺動によるターゲットにおける、エロージョンを示す断面図であり、（ｇ）は（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）の各磁石ユニットの揺動を組み合わせたときのターゲットにおけるエロージョンを示す断面図である。
【図１７】上記磁石組立体の動作例、およびその動作に伴うターゲットに発生するエロージョンの、さらに他の説明図であり、（ａ）は各磁石ユニットの間隔が最も小さくなったときの側面図であり、（ｂ）は各磁石ユニットの間隔が最も大きくなったときの側面図であり、（ｃ）は（ａ）の状態でのターゲットにおける、エロージョンを示す断面図であり、（ｄ）は動力出力部側の磁石ユニットの揺動によるターゲットにおける、エロージョンを示す断面図であり、（ｅ）は次の磁石ユニットの揺動によるターゲットにおける、エロージョンを示す断面図であり、（ｆ）はさらに次の磁石ユニットの揺動によるターゲットにおける、エロージョンを示す断面図であり、（ｇ）は（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）の各磁石ユニットの揺動を組み合わせたときのターゲットにおけるエロージョンを示す断面図である。
【図１８】上記磁石組立体の揺動速度切り換えの様子を示すグラフである。
【図１９】本発明の第５の実施の形態の磁石組立体の背面図である。
【図２０】上記磁石組立体の動作例を示す背面図である。
【図２１】従来のマグネトロンスパッタ装置の概略構成図である。
【図２２】上記マグネトロンスパッタ装置のマグネトロンカソード電極の構造を示す説明図である。
【図２３】従来の磁石組立体の構造を示す説明図であり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は断面図である。
【図２４】他の従来の磁石組立体の構造を示す説明図であり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は断面図である。
【図２５】さらに他の従来の磁石組立体における磁石ユニットの構造を示す説明図であり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は断面図である。
【図２６】従来の他のマグネトロンカソード電極部の構造を示す概略断面図である。
【符号の説明】
３    マグネトロンカソード電極部（電界発生手段）
７    基板トレイ
８    基板
９    ターゲット
２１    磁石ユニット（磁界発生手段）
２２    磁石ユニット保持機構（リンク機構）
４７ｃ  ネジ部（ネジ機構）
４９    調整ネジ（ネジ機構）
９６    駆動部（駆動手段）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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