【手続補正書】
【提出日】平成27年1月20日(2015.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
太陽電池の製造のため、複数のシリコンウエハを分類する方法であって、
（ａ）前記複数のシリコンウエハのそれぞれのフォトルミネセンス画像を撮影し、
（ｂ）前記複数のシリコンウエハのそれぞれの中の欠陥に関する情報を取得するために、前記フォトルミネセンス画像を処理し、
（ｃ）前記複数のシリコンウエハのそれぞれの分類を行うために、前記情報を利用し、
（ｄ）前記分類を使用して、前記シリコンウエハから製造された太陽電池の予想される動作特性に基づいて前記シリコンウエハを異なる品質分類に区分する、ステップを含む  方法。
【請求項２】
太陽電池の製造のため、複数のシリコンウエハを分類する方法であって、
（ａ）前記複数のシリコンウエハのそれぞれの転移欠陥についての情報を取得し、
（ｂ）前記複数のシリコンウエハのそれぞれの分類を行うために、前記情報を利用し、
（ｃ）前記分類を使用して、前記シリコンウエハから製造された太陽電池の予想される動作特性に基づいて前記シリコンウエハを異なる品質分類に区分する、ステップを含む  方法。
【請求項３】
前記動作特性は、開放電圧、短絡電流密度、曲線因子、又は効率を含む、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記太陽電池の品質改善を目的として、光電池作製の一連のプロセスステップに係わるパラメータを変更するために、前記分類又は予測動作特性を利用するステップを更に含む、請求項１又は請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記パラメータは、シリコンウエハへの金属パターン焼成条件を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記パラメータは、シリコンウエハ中へ材料を拡散させる拡散条件、またはシリコンウエハ中に不純物添加領域を生成する他の任意のプロセスのパラメータを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
シリコンウエハのインゴット又はブロックの隣接又は近接するスライスから切り出された１つまたは複数のウエハ上で前記方法を実行し、前記インゴット又はブロックから切り出された１つまたは複数の隣接するウエハから製造される太陽電池の動作特性を予測し、又は前記隣接するウエハの分類を行うために、その結果を内挿又は外挿する、ステップを更に含む、請求項１又は請求項２に記載の方法。
【請求項８】
前記複数のシリコンウエハの分類は、前記シリコンウエハの排除、又は値付を含む、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項９】
前記情報は、前記複数のシリコンウエハのそれぞれの中の転位密度の面積合計又は面積平均、又は転位の相対分布である、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項１０】
前記転位密度の面積合計又は面積平均、又は前記転位の相対分布は、シリコンウエハから製造された太陽電池のグリッド線又は他の金属接点に対する、前記転位の相対位置によって重み付けされる、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記転位密度の面積合計又は面積平均、又は前記転位の相対分布は、前記転位の重大度に応じて重み付けされる、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記重大度は、フォトルミネセンス画像の相対強度変化に基づいて評価される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記情報は前記シリコンウエハからフォトルミネセンス、マイクロ波光伝導度減衰、光透過又は光反射の測定値を利用して取得される、請求項２に記載の方法。
【請求項１４】
前記光透過又は光反射測定は１４００ｎｍ〜１７００ｎｍのスペクトル範囲で実行される、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
太陽電池の製造のため、複数のシリコンウエハを分類するシステムであって、
光励起源及び前記複数のシリコンウエハのそれぞれのフォトルミネセンス画像を生成かつ撮影するための画像撮影装置と、
前記複数のシリコンウエハのそれぞれの中の欠陥に関する情報を取得するために前記フォトルミネセンス画像を処理する画像プロセッサと、
前記シリコンウエハのそれぞれの分類を行うために前記情報を利用する分類器と、
前記分類を使用して、前記シリコンウエハから製造された太陽電池の予想される動作特性に基づいて前記シリコンウエハを異なる品質分類に区分する
システム。
【請求項１６】
太陽電池の製造のため、複数のシリコンウエハを分類するシステムであって、
前記複数のシリコンウエハのそれぞれの転移欠陥についての情報を取得する取得デバイスと、
）前記複数のシリコンウエハのそれぞれの分類を行うために前記情報を利用し、前記分類を使用して、前記シリコンウエハから製造された太陽電池の予想される動作特性に基づいて前記シリコンウエハを異なる品質分類に区分する分類器と、を含む  システム。
【請求項１７】
前記動作特性は、開放電圧、短絡電流密度、曲線因子、又は効率を含む、請求項１５又は１６に記載のシステム。
【請求項１８】
前記複数のシリコンウエハの分類は、前記シリコンウエハの排除、又は値付を含む、請求項１５又は１６に記載のシステム。
【請求項１９】
前記情報は、前記複数のシリコンウエハのそれぞれの中の転位密度の面積合計又は面積平均、又は転位の相対分布である、請求項１５又は１６に記載のシステム。
【請求項２０】
前記転位密度の面積合計又は面積平均、又は前記転位の相対分布は、シリコンウエハから製造された太陽電池のグリッド線又は他の金属接点に対する、前記転位の相対位置によって重み付けされる、請求項１９に記載のシステム。
【請求項２１】
前記転位密度の面積合計又は面積平均、又は前記転位の相対分布は、前記転位の重大度に応じて重み付けされる、請求項１９に記載のシステム。
【請求項２２】
前記重大度は、フォトルミネセンス画像の相対強度変化に基づいて評価される、請求項２１に記載のシステム。
【請求項２３】
前記取得デバイスはフォトルミネセンス、マイクロ波光伝導度減衰、光透過又は光反射の測定値を取得するための装置を含む、請求項１６に記載のシステム。
【請求項２４】
前記光透過又は光反射測定は１４００ｎｍ〜１７００ｎｍのスペクトル範囲で実行される、請求項２３に記載のシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
別の好適な実施形態に含まれるステップは、シリコンのようなバンドギャップ材料からのフォトルミネセンス画像を撮影して処理することと、その処理結果を材料の分類に利用すること、とを含む。ステップ５を図１Ｂに示す。このステップは、フォトルミネセンス画像を撮影する第１のステップ２と、それに続いて、先ずサンプル中に存在し得る転位等の欠陥をハイライトするために画像を強調し、次いで、そのような欠陥の分布に関する情報を取得する、撮影画像の処理３を含む。この情報は、欠陥密度の絶対的又は相対的な面積平均を含み、或いは欠陥密度、又は欠陥分布、又はその両方に関連する測定基準を含む。そして、そのサンプルへの性能指数の割り当てに利用される。最後にステップ６で、この性能指数は、例えば区分や値付けの目的で、サンプルをクラス分けするのに利用される。後からできるデバイスの動作特性を、絶対的な精度で予測することは不可能であるが、そのバンドギャップ材料から作られる太陽電池において、転位密度の高い材料から作られるデバイスは、平均的に特性が劣ることがわかるだけで、区分や値付けの目的には十分であることが理解されるであろう。