(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性セラミック基板と、該基板表面に形成され、高周波素子と接続され、高周波信号が伝送可能なＡｕからなる薄膜配線層を具備するマイクロストリップ線路、コプレーナ線路又はグランド付きコプレーナ線路と、前記セラミック基板表面に前記配線層と交差する位置にガラスによって接合され、内部に前記高周波素子を気密に封着するための絶縁性蓋体とを備えたパッケージであって、前記接合用ガラスの比誘電率および前記絶縁性蓋体の比誘電率が１５以下であり、且つ前記セラミック基板と前記ガラス、前記絶縁性蓋体と前記ガラスとの熱膨張差がいずれも１．２×１０−６／℃以下であることを特徴とする高周波素子収納用パッケージ。
【請求項２】
前記絶縁性セラミック基板が、アルミナ含有量が９８％以上のアルミナ質セラミックスからなることを特徴とする請求項１記載の高周波素子収納用パッケージ。
【請求項３】
前記絶縁性セラミック基板が、前記高周波素子への電力を供給するための電源層を具備する多層配線基板からなることを特徴とする請求項１または請求項２記載の高周波素子収納用パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばＧａＡｓ素子等に代表される高周波で動作させる高周波素子を搭載することのできる高周波素子収納用パッケージに関するものである。
【０００２】
【従来技術】
従来、高周波用の各種半導体素子や光通信用素子等の各種高周波素子を収納するための高周波素子収納用パッケージの構造は、図６の概略斜視図に示される通り、絶縁基板２１の表面に蒸着やスパッタリング法などの薄膜法により高周波信号が伝送可能な線路２２を形成した配線基板２３を作製し、この配線基板２３を金属製の枠体２４内に形成されたキャビティ２５に実装することが行われている。また、このパッケージにおいては、金属枠体２４の一部に気密性を損なうことなく枠体２４内を貫通するように設けられ、高周波信号が伝送可能な入出力用線路２６を備えた端子接続部２７を形成し、配線基板２３表面に形成された高周波素子２８と接続された線路２２と、入出力用線路２６とをリボン２９によって接続し、そして、枠体２４に蓋部（図示せず）を接合することにより、キャビティ２５内部に高周波素子２８が気密に封止される。
【０００３】
しかし、かかる構造のパッケージでは、配線基板２３に高周波素子２８を実装する工程、配線基板２３を枠体２４内に実装する工程、さらに、入出力用線路２６と、配線基板２３表面の線路２２とを電気的に接続する工程など、組み立て工程が非常に煩雑であり、コスト高につながるものであった。また、パッケージの端子接続部２７は、一般にアルミナセラミック未焼成体にメタライズを施し積層後、同時に焼成して作製するものであり、これを枠体２４内に接合して形成されるものであり、その製造工程も非常に煩雑であり、しかもセラミックスとの同時焼結性の点でメタライズの金属を高抵抗のＷやＭｏなどの高融点金属によって形成する必要があるために、この部分では高周波信号の伝送損失が大きいものであった。
【０００４】
そこで、最近では、図７の概略斜視図に示すように、絶縁性セラミック基板３１と、セラミック枠体３２と、入出力用線路３３とを、同時焼成して形成し、その内部のキャビティ３４内にて高周波素子３５を実装したパッケージが特開平２−２９１１５２号などにて提案されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする問題点】
しかしながら、入出力用線路３３を絶縁性セラミック基板３１やセラミック枠体３２と同時焼成によって作製する場合においても、前述した通り、入出力用線路３３は、Ｗ、Ｍｏなどの高融点金属を含むペーストを未焼成体表面に印刷して積層し、同時焼成して形成されるものであるために、入出力用線路３３の抵抗自体が高くなり、特に高周波信号の周波数がＧＨｚ帯のマイクロ波やミリ波に対しては、伝送損失が大きくなるという欠点を有していた。
【０００６】
マイクロ波やミリ波などの高周波信号の伝送損失を低減するには、入出力用線路を蒸着やスパッタリング、メッキなどの薄膜法によって、Ａｕ、Ｃｕなどの低抵抗金属によって形成することが望ましい。
【０００７】
しかし、基板３１表面に枠体３２などが形成された複雑な表面形状を有する基板表面に薄膜配線層を形成することは不可能であり、また仮に薄膜配線層を形成することができても、枠体３２内の配線層を薄膜形成法によって形成することができず、同時焼成によらざる得ないものであった。
【０００８】
このような問題に対して、特開平６−１６９０２８号によれば、図８の概略断面図に示すように、金属ベース４１をキャビティ４２を有する絶縁性セラミック基板４３に接合し、金属ベース４１上に高周波素子４４を搭載させ、絶縁性セラミック基板４３表面に、金薄膜配線層４４を形成し、その表面にセラミック枠体４５をガラス４６により接合し、さらに、その枠体４５の上に金属からなる蓋体４７を接合したマイクロ波半導体素子用パッケージが提案されている。
【０００９】
このパッケージは、タングステンなどの低抵抗金属を使用することなく、薄膜法によって低抵抗金属からなる配線層４４を形成できることから、高周波伝送特性は程度改善される。
【００１０】
しかしながら、ガラスによって接合されたセラミック枠体４５上に金属からなる蓋体４７を接合してキャビティ４２内を封止した場合、高周波信号が伝送される薄膜配線層４４の上に電磁気的に完全に浮いた導体が形成されることになる結果、薄膜配線層４４における高周波伝送特性に影響を与え、伝送損失を増大してしまうという問題がある。
【００１１】
しかも、セラミック基板４３−ガラス４６−セラミック枠体４５との接合、金属ベース４１−セラミック基板４３との接合構造において、高周波素子の駆動停止に伴う加熱−冷却の熱サイクルに対するキャビティ４２内の封止性については何ら検討されていない。
【００１２】
さらに、このパッケージによれば、高周波素子４４は、金属ベース４１表面に搭載されるために、高周波素子４４の駆動に不可欠の電源層などを配置することが困難であり、パッケージを含む高周波回路の小型化に十分に対応することができないものであった。
【００１３】
従って、本発明は前記課題を解消せんとしてなされたもので、その目的は、高周波半導体素子や光通信素子等の各種高周波素子を収納するためのパッケージとして、信号伝送損失を低減し、しかも気密封止性に優れ、且つ小型化が可能な高周波素子収納用パッケージを提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、前述のような課題について鋭意研究した結果、絶縁性セラミック基板の高周波用配線層を薄膜法によって形成されたＡｕ薄膜配線層を具備するマイクロストリップ線路、コプレーナ線路又はグランド付きコプレーナ線路によって形成するとともに、その表面に低誘電率の絶縁性蓋体を低誘電率のガラスによって接合するとともに、セラミック基板、ガラスおよび絶縁性蓋体の熱膨張特性を近似させることにより、上記目的が達成されることを知見した。
【００１５】
即ち、本発明の高周波素子収納用パッケージは、高周波素子が搭載される絶縁性セラミック基板と、該基板表面に形成され、前記高周波素子と接続され、高周波信号が伝送可能なＡｕからなる薄膜配線層を具備するマイクロストリップ線路、コプレーナ線路又はグランド付きコプレーナ線路と、前記セラミック基板表面に前記配線層と交差する位置にガラスによって接合され、内部に前記高周波素子を気密に封着するための絶縁性蓋体とを備えたパッケージであって、前記接合用ガラスの比誘電率が１５以下、前記絶縁性蓋体の比誘電率が１０以下であり、且つ前記セラミック基板と前記ガラス、前記絶縁性蓋体と前記ガラスとの熱膨張差がいずれも１．２×１０−６／℃以下であることを特徴とするものである。また、望ましくは、前記絶縁性セラミック基板が、アルミナ含有量が９８％以上のアルミナ質セラミックスからなること、さらには前記絶縁性セラミック基板が、前記高周波素子への電力を供給するための電源層を具備する多層配線基板からなることを特徴とするものである。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の高周波素子収納用パッケージを図面をもとに説明する。
図１は、本発明の高周波素子収納用パッケージの一実施態様を説明するための分解斜視図、図２は、その断面図である。
【００１７】
図１のパッケージによれば、絶縁性セラミック基板１の表面には、蒸着法、スパッタリング法、メッキ法などの薄膜形成法によって、Ａｕ（金）からなる薄膜配線層２が被着形成されている。この薄膜配線層２は、高周波信号の入出力が可能な信号線であり、周知のマイクロストリップ線路、コプレーナ線路又はグランド付きコプレーナ線路から選ばれる高周波線路によって構成される。図１においては、マイクロストリップ線路が形成されるものであり、絶縁性セラミック基板１の薄膜配線層２の背面にグランド層３が設けられている。このグランド層３は、薄膜形成法、絶縁性セラミック基板１との同時焼成による形成、さらには、金属箔を接着することによっても形成できる。
【００１８】
セラミック基板１表面のＡｕ薄膜配線層２は、その厚みは０．５〜４．０μｍであることが望ましい。これは、０．５μｍよりも薄いと、導体抵抗が高く電装損失が増大するためであり、また４．０μｍよりも厚いとコスト高を招くためである。また、このＡｕ薄膜配線層２の下地には、絶縁性セラミック基板１との接着性を高めたり、金属元素の拡散等を防止するために、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｐｄ、Ｗ、Ｍｏ、あるいはそれらの化合物からなる金属下地層を形成することもできる。なお、Ａｕ薄膜配線層２は、配線層の最表面に上記の膜厚で形成されていればよい。
【００１９】
このようなＡｕからなる薄膜配線層２は、従来の例えば、同時焼成により形成されたＷ（タングステン）によるメタライズ配線層では電気抵抗率は１５μΩ・ｃｍであるのに対して、Ａｕ薄膜配線層は、純Ａｕに近い３μΩ・ｃｍ程度と優れた低抵抗体であるため、この配線層を伝送する信号の伝送損失を低減することができる。
【００２０】
また、Ａｕ薄膜配線層２を形成する絶縁性セラミック基板１は、アルミナを９８重量％以上、特に９９重量％以上含有する高純度アルミナ質セラミックスにより形成することにより、従来の低純度アルミナ質セラミックスより誘電損失（ｔａｎδ）を低減でき、伝送信号の誘電体損を低下させ、伝送特性を向上させることが可能となる。
【００２１】
具体的には、例えばアルミナ９０重量％含有するアルミナ質セラミックスの場合、誘電損失が１０ＧＨｚでおよそ１０×１０−４であるのに対し、アルミナを９８重量％含有するセラミックスでは、５×１０−４となることから伝送特性上好ましい。アルミナ含有量９９．０重量％以上のセラミックスでは、１０ＧＨｚでの誘電損失は３．０×１０−４以下となりさらに望ましい。なお、このようなアルミナ質セラミックスにおいて、アルミナ以外の成分は、焼結助剤として添加したＳｉＯ２  、ＣａＯ、ＭｇＯなどの焼結助剤成分から構成されるものである。
【００２２】
本発明によれば、Ａｕ薄膜配線層２が形成されたセラミック基板１の表面にガラス４を用いて絶縁性蓋体５を接合する。絶縁性蓋体５は、基板１への接合によって形成されるキャビティ６内に高周波素子７が収納され、気密に封止されることになる。絶縁性蓋体５は、絶縁性枠体５ａと、絶縁性蓋部５ｂにより構成され、絶縁性枠体５ａと蓋部５ｂとは別体として、後にガラス等により接合してもよいが、工程の簡略化を図る上では、一体物であるのが望ましい。また、この絶縁性蓋体５は、Ａｕ薄膜配線層２と交差する箇所に接合される。つまり、Ａｕ薄膜配線層２の一端は、キャビティ６内にて高周波素子７と接続され、そのキャビティ６から絶縁性蓋体５の接合部を経由してキャビティ６外に引き出され、Ａｕ薄膜配線層２の他端は外部電気回路（図示せず）と接続される。
【００２３】
本発明によれば、絶縁性蓋体５の接合に用いられるガラスの比誘電率が１５以下、特に１０以下、さらには８以下であることが重要である。このガラスの比誘電率が１５よりも大きいと、Ａｕ薄膜配線層２を伝送される高周波信号の損失、即ち誘電体損が大きくなり、具体的には、伝送信号が１０ＧＨｚ以上のミリ波では、蓋体５の接合部で信号の反射が生じやすくなり、伝送損失が増大してしまう。また、ガラスの誘電損失は、１ＭＨｚの測定周波数で１００×１０−４以下、さらに望ましくは、Ａｕ薄膜配線層２を伝送する高周波信号の周波数においても、１００×１０−４以下であることが望ましい。これも、前記比誘電率と同様に、誘電損失が大きいと信号の伝送損失が大きくなるためである。
【００２４】
また、ガラス４は、Ａｕ薄膜配線層２に対して交差して絶縁性蓋体５を接合するために、用いるガラスの封着温度は４００℃以下であることが望ましい。これは、封着温度が４００℃よりも高いと、Ａｕ薄膜配線層２に対して熱的ダメージを与えてしまい、配線層２がセラミック基板１から剥離してしまう恐れがあるためである。
【００２５】
また、ガラスの比誘電率、誘電損失が低いことに加え、上記と同様な理由から、Ａｕ薄膜配線層２とガラス４を介して対峙する絶縁性蓋体５、具体的には絶縁性枠体５ａの比誘電率が１５以下、特に１０以下、さらには８以下、誘電損失が１ＭＨｚの測定周波数で１００×１０−４以下、特にＡｕ薄膜配線層２を伝送する高周波信号の周波数において、１００×１０−４以下であることが望ましい。このような絶縁性蓋体５は、強度および気密の信頼性の点でセラミックス、特に、アルミナ、ムライト、ＡｌＮなどのセラミックスから形成されるのが望ましい。
【００２６】
また、Ａｕ薄膜配線層の線幅については特に限定するものではないが、一般には、５０〜５００μｍが適当である。但し、Ａｕ薄膜配線層２のガラス４とセラミック基板１によって挟持される蓋体５の接合部では、線幅が同一の場合、特性インピーダンスが変化するために、この接合部における線幅を他の領域よりも細くして特性インピーダンスを整合させることが必要である。
【００２７】
さらに、本発明によれば、前記セラミック基板１とガラス４、またガラス４と絶縁性蓋体５との熱膨張係数の差が室温から２００℃までの温度領域内で１．２×１０−６／℃以下、特に１．０×１０−６／℃以下であることがキャビティ６内の気密封止性の信頼性を高める上で重要である。即ち、この熱膨張係数の差が１．２×１０−６／℃よりも大きいと、高周波素子７の駆動、停止に伴う加熱−冷却の温度サイクルによる応力の発生によってガラスにクラックが発生し、気密性が損なわれてしまうためである。より具体的には、セラミック基板１−ガラス４−絶縁性蓋体５の順で熱膨張係数が大きくなるか、あるいは小さくなる関係にあることが望ましい。これにより、セラミック基板１から絶縁性蓋体５にかけての熱サイクルによる応力を分散し、気密封止性の信頼性の高めることができる。
【００２８】
図１のパッケージにおいては、高周波素子７は、絶縁性セラミック基板１の表面に直接実装したものであるが、高周波素子７の実装は、図３の断面図に示すように、金属板８を高周波素子７を収納するキャビティ９を形成した絶縁性セラミック基板１の背面に接合し、キャビティ９内の金属板８の表面に高周波素子７を実装してもよい。この場合、金属板８は、グランド層として機能させることもできる。しかしこの場合には、絶縁性セラミック基板１と金属板８とは熱膨張係数が大きく異なるために、キャビティ９内の気密性を損ねることがあるため、図１の構造のパッケージの方が気密封止性の点で信頼性が高い。
【００２９】
図１乃至図３のパッケージにおいては、基本的に絶縁性セラミック基板１は、単一層の基板として説明したが、パッケージにおいては、高周波素子７に対して電力を供給するための電源層を形成する必要があるが、その場合、基板１が単一層の場合には、電源層の回路設計が制約される。
【００３０】
そこで、本発明によれば、絶縁性セラミック基板１を、図４の概略断面図に示すように、絶縁層１ａと内部配線層２ａとが多層に積層されたビアホール導体２ｂで配線層間が接続された多層配線基板１’によって形成することにより、電源層の回路設計の自由度を高められる。また、この多層配線基板１’には、高周波素子７と接続された他の高周波伝送線路が設けられていてもよく、さらには、グランド（接地）層や、バイアス層、外部電気回路との接続を担う接続端子１０などを形成することも可能となり、パッケージとしての高機能性とともに回路全体の小型化を図ることができる。
【００３１】
また、このような多層配線基板１’は、例えば、前述したアルミナ粉末に、ＳｉＯ２  、ＣａＯ、ＭｇＯなどの焼結助剤を添加した混合粉末に有機バインダー、溶剤等を加えてスラリーを調製し、これをドクターブレード法などのシート成形法によりグリーンシートを作製し、そのグリーンシートにスクリーン印刷法によって、Ｗ（タングステン）やＭｏ（モリブデン）などの高融点金属を含む導体ペーストによって導体パターンを印刷して、積層した後、１４００〜１７００℃の加湿された還元雰囲気中で焼成することにより作製することができる。このような同時焼成によって作製されるアルミナ質セラミックスから多層配線基板１’を形成する場合には、導体がＷ，Ｍｏなどの金属となるために、できるだけこれらのＷ、Ｍｏ等の高融点金属によって形成される配線層は、いずれも７０ＧＨｚ以下の低周波信号を伝達する電源層などの低周波回路として用いられることが望ましい。
【００３２】
また、多層配線基板は、その表面に高周波信号を伝送するためのＡｕ薄膜配線層を具備することから、伝送損失を低減する上で、前述したように、アルミナを９８重量％以上、特に９９．０重量％以上含有する高純度アルミナ質セラミックスを絶縁層とすることが望ましい。
【００３３】
さらに、本発明の高周波素子収納用パッケージにおいては、収納される高周波素子の外部の電磁波からの影響を防止するために、例えば、前記蓋体５の内面や外面に周知の電磁波シールド材を塗布または貼付したり、パッケージの少なくとも上面の絶縁性蓋体５の外側に、電磁波シールド材からなる筐体を接合することもできる。
【００３４】
【実施例】
（実施例）
次に、本発明の高周波素子収納用パッケージを評価するための図５の概略斜視図に示すような伝送特性測定用パッケージを以下の手順で作製した。
まず、原料粉末として、平均粒径２μｍのＡｌ２  Ｏ３  粉末に対して、焼結助剤として    ＳｉＯ２  、ＣａＯ、ＭｇＯが、重量比で５：２：１となるように秤量した焼結助剤粉末を表３のアルミナ含有量、残部を焼結助剤粉末となるように秤量し、溶媒としてトルエンを加え混合した。さらにその混合液に有機バインダーを添加し、ボールミルにより混合、分散させスラリー化する。そこで得られたスラリーをスリップキャスティング法によりシート状に成形した。
【００３５】
次に、シートを所定の大きさにカットし、次いで水素を含む還元雰囲気中、１６００℃の温度で焼成して絶縁性セラミック基板１１および絶縁性枠体１２を作製した。なお、各アルミナ含有量のセラミックスの３０ＧＨｚにおける誘電率および誘電損失は表１に示す通りである。
【００３６】
その後、得られた枠体１２の底部に表２に示す種々の特性からなる封止用ガラスペーストを塗布し３００〜５００℃の温度で熱処理してガラスの脱バインダー処理を行った。
【００３７】
また、絶縁性セラミック基板１１の表面には、スパッタ法によりレジスト、マスクを用い、厚み２μｍからなるＡｕ薄膜配線層１３と、絶縁性セラミック基板の背面にＡｕからなる厚み２μｍのグランド層１４を形成してマイクロストリップ線路を形成した。このとき配線層はインピーダンス５０Ωとなるように線幅、厚みを決定し、絶縁性蓋体がガラスにより接合される箇所でもインピーダンス５０Ωとなるように、線幅を小さくした。
【００３８】
こうして得られたガラス封止剤の付着した絶縁性枠体１２と、Ａｕ薄膜配線層１３を施した絶縁性セラミック基板１１とを位置決めして、表２の封着温度で熱処理して、絶縁性枠体１２を絶縁性セラミック基板１１に接合して伝送特性測定用評価用パッケージを作製した。
【００３９】
また、従来の高周波素子収納用パッケージとして図９、図１０の構造の伝送特性測定用評価用パッケージを作製した。
【００４０】
（比較例１）
図９の高周波素子収納用パッケージ５１によれば、Ｃｕ−Ｗ合金からなる金属基体５２とその一部に凹部状の切り欠き部５３を設けたＣｕ−Ｗ合金からなる金属枠体５４とで端子接続部５５を切り欠き部５３に装着して銀ろう付けしたものである。端子接続部５５は、９２重量％アルミナ含有のアルミナ基板５６に対して同時焼成によってＷからなるインピ−ダンス５０Ωの入出力用線路５７を内装、形成したものであり、端子接続部５５の側面には、Ｍｏ−Ｍｎからなるメタライズ５８を施した。なお５９は、９９重量％Ａｌ２  Ｏ３  含有セラミック基板６０の表面にスパッタリングによってインピーダンス５０Ωとなる厚み２μｍの薄膜配線層６１を形成した配線基板であり、この薄膜配線層６１は、端子接続部５５の入出力用線路５７とそれぞれリボン６２にて接続した。
【００４１】
（比較例２）
図１０の高周波素子収納用パッケージ６３は、実施例１と同様にして作製した高純度アルミナからなるグリーンシート６４にタングステン（Ｗ）を主成分とするメタライズペーストを用いて、インピーダンスが５０Ωとなるように信号線である配線層６５とグランド層６６を印刷形成し、前記配線層６５を挟持する形で所定の大きさにカットしたグリーンシートと同様な材質からなるシート枠体６７を積層し、水素を含む還元雰囲気中、１６００℃で同時焼成して作製したものである。
【００４２】
なお、比較例１、比較例２の各高周波素子収納用パッケージの表面に露出した配線層に対しては、電解メッキを行い、配線層の表面にＡｕメッキ層を形成した。このＡｕメッキ層の厚みは実施例１のパッケージの薄膜配線層と同じ厚みの２μｍとした。
【００４３】
そして、図５、９、１０のパッケージの枠体上部にコバールをＡｕ−Ｓｉによって接合、またはＡｌ２  Ｏ３  セラミックス（Ａｌ２  Ｏ３  含有量９０〜９９重量％）の蓋部をガラスによって接合した。
【００４４】
（伝送特性測定）
かくして得られた伝送特性評価用パッケージを用いて、ネットワークアナライザーにより信号周波数が３０ＧＨｚにおける、入力端子Ａから信号を入射して出力端子Ｂに透過してきた伝送信号を計測し、電力比のＳ２１パラメーター（ｄＢ）を計算して伝送損失を評価した。
【００４５】
（熱サイクル試験リークテスト）
−４０℃〜１２５℃の熱サイクル試験を最大３０００サイクル行い、リークチェックを行った。表３に記載した数字はリークが発生したサイクル数を記述した。リーク無とは３０００サイクル後もリークしなかった試料である。ＨｅリークテストはパッケージをＨｅ４．２気圧中に２時間放置し、圧力解放後、パッケージを真空チャンバー中に入れたときに検出されるＨｅ量で評価した。ここでＨｅ量が２×１０−７ａｔｍ・ｃｃ／ｓｅｃ以上の時にリーク発生と判断した。
【００４６】
【表１】
0003566508.tif 000002
【００４７】
【表２】
0003566508.tif 000003
【００４８】
【表３】
0003566508.tif 000004
【００４９】
表３の結果から明らかなように、図９および図１０の従来の構造のパッケージ（試料Ｎｏ．２２、２３）は、本発明品のパッケージに比較して、３０ＧＨｚ帯域の信号の伝送損失が−５ｄＢ以下と大きいものであった。
【００５０】
また、図５の構造のパッケージにおいて、試料Ｎｏ．１〜６の比較からガラス封止剤の誘電率が大きいほど伝送特性が悪化していることが分かり、ガラスの誘電率が１５以下で伝送損失が−５ｄＢ以上の優れた伝送特性を示した。
【００５１】
また、試料Ｎｏ．１、７〜９、１２からセラミック基板のアルミナ含有量が高いほど、伝送特性が向上し、９８％以上、特に９９％以上さらに望ましいことが分かる。また、試料Ｎｏ．６、１４、１７から、セラミック基板とガラス、ガラスと枠体との熱膨張差が１．２×１０−６／℃より大きくなると、熱サイクルにより封止の信頼性が低下することがわかる。なお、熱膨張差が１．２×１０−６／℃以内で封止性は熱サイクル２０００回まで保障され、１．０×１０−６／℃以内では、３０００回以上まで封止の信頼性の保障されるものであった。
【００５２】
【発明の効果】
以上、詳述したように、本発明の高周波素子収納用パッケージは、絶縁性セラミックス基板上の配線層をＡｕ薄膜配線層で形成するとともに、低誘電率の絶縁性蓋体を低誘電率のガラスによって接合するとともに、セラミック基板、ガラス、蓋体の熱膨張率を特定の条件を満足するように選択することにより、高周波信号の伝送損失を低減し、且つ熱サイクルに対しても優れた気密封止性を有する高性能の高周波素子収納用パッケージを提供できる。しかも、このパッケージは、簡易な構造を有することから工程の簡略化とともに低コスト化を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の高周波素子収納用パッケージの一実施態様を説明するための分解斜視図である。
【図２】図１のパッケージのＸ−Ｘ断面図である。
【図３】本発明の高周波素子収納用パッケージの他の実施態様を説明するための概略断面部である。
【図４】本発明の高周波素子収納用パッケージのさらに他の実施態様を説明するための概略断面部である。
【図５】本発明の実施例における特性評価用のパッケージ構造を説明するための概略斜視図である。
【図６】従来の高周波素子収納用パッケージの構造を説明するための概略斜視図である。
【図７】他の従来の高周波素子収納用パッケージの構造を説明するための概略斜視図である。
【図８】さらに他の従来の高周波素子収納用パッケージの構造を説明するための概略斜視図である。
【図９】図６の従来のパッケージの特性評価用のパッケージ構造を説明するための概略斜視図である。
【図１０】図７の従来のパッケージの特性評価用のパッケージ構造を説明するための概略斜視図である。
【符号の説明】
１  絶縁性セラミック基板
２  薄膜配線層
３  グランド層
４  ガラス
５  絶縁性蓋体
６  キャビティ
７  高周波素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
0003566508.tif 000009
【図６】
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【図７】
0003566508.tif 000011
【図８】
0003566508.tif 000012
【図９】
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【図１０】
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