【事件の表示】
　平成１１年特許願第　７２９７９号「材料劣化度の評価方法及びその装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　９月２９日出願公開、特開２０００−２６６６９９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は，平成１１年３月１８日の出願であって，平成１９年１月１５日付けで拒絶査定がされ，これに対し，同年２月２２日に拒絶査定不服審判の請求がされるとともに，同年３月２３日付けで手続補正がされたものである。
　
２．平成１９年３月２３日付けの手続補正についての補正の却下の決定
　
　［補正却下の決定の結論］
　　平成１９年３月２３日付けの手続補正を却下する。
　
　［理由］
２−１．補正の内容
　平成１９年３月２３日付けの手続補正（以下，「本件補正」という。）は，補正の内容として，特許請求の範囲の請求項１について，補正前（平成１８年９月７日付け手続補正書）の
「【請求項１】　２種類以上の元素で構成された材料に陽電子源から陽電子を放射して劣化度を評価する材料劣化度の評価方法において、前記陽電子源から放射された陽電子により前記材料の母相元素から添加元素の原子集合体に陽電子が集積する時、元素またはサイズによって運動量分布が異なることを利用したドップラー広がりの原理を用いて、前記陽電子が電子と対消滅する時に発生するγ線を２個の半導体検出器で同時に測定することにより、前記添加元素の集合体の種類を決定することを特徴とする材料劣化度の評価方法。」を，
「【請求項１】　２種類以上の元素で構成された材料に陽電子源から陽電子を放射して劣化度を評価する材料劣化度の評価方法において、前記陽電子源から放射された陽電子により前記材料の母相元素から添加元素の原子集合体に陽電子が集積する時、元素またはサイズによって運動量分布が異なることを利用したドップラー広がりの原理を用いて、前記陽電子が電子と対消滅する時に発生するγ線を
前記材料に対して対角線の位置に配置された
　
　上記補正は，補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「２個の半導体検出器」について，「前記材料に対して対角線の位置に配置された」との限定を付すものであるから，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するものである。
　
　そこで，本願補正発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について検討する。
　
２−２．記載要件について
　まず，本願補正発明の記載についてみると，「前記材料に対して対角線の位置に配置された２個の半導体検出器」との記載により２個の半導体検出器の配置される位置を特定しようとしている。しかし，「対角線」とは，「多角形の隣り合っていない二つの頂点を結びつける直線。」[株式会社岩波書店 広辞苑第五版]という意味であり，「対角線」が明確であるためには，対角線をなす元となる「多角形」が明確である必要があるところ，本願補正発明の記載からはどのような多角形となるのか明確であるとは言えない。また，「対角線の位置」とあるが，対角線とは上記のような「直線」を意味するものであることからすると，「対角線の位置」となるような「直線の位置」とは，どのような位置であるのか明確でない。さらに「前記材料に対して対角線の位置」とあるが，「前記材料に対して」何が対角線となるのか，あるいは，「材料」の形状においての対角線なのか，どのような対角線であるのか明確でない。
　上記本願補正発明の記載に関して，発明の詳細な説明には，「第１の半導体検出器３と第２の半導体検出器４は対角線の位置に固定設置し、消滅γ線であるγ１とγ２の同時計数を行う。」（【００４８】）と記載されると共に，図面第１図には「測定用サンプル（被評価材料）２」の左横方向に「第１の半導体検出器３」が，右横方向よりθだけ斜め上方向に「第２の半導体検出器４」が，それぞれ配置されている図が記載されている。しかし，これらの記載を参照しても，上で示した「対角線」や「対角線の位置」，「前記材料に対して対角線の位置」が明確となるものではない。
　さらに，請求人は平成１９年３月２３日付け手続補正書により補正された審判請求書の請求の理由や，平成２０年１１月２７日付け回答書において，本願補正発明の「前記材料に対して対角線の位置に配置された２個の半導体検出器」について主張しているが，これらの主張は，各引用文献には「２個の半導体検出器を被評価材料に対して対角線に配置する」ことが記載されていないことを述べるまでであり，当該主張を参照しても本願補正発明における「前記材料に対して対角線の位置に配置された２個の半導体検出器」との記載が明確となるものではない。
　してみると，本願補正発明は明確でない。
　
２−３．進歩性について
　次に，仮に，本願補正発明が明確であるとして，以下に検討する。
　
２−４．引用例
２−４−１．引用例１
　原査定の拒絶の理由に引用した，本願出願日前に頒布された刊行物である，森和照，上殿明良，谷川庄一郎，中居克彦，“対向型陽電子消滅γ線ドップラー拡がり測定装置の製作”，ＲＡＤＩＯＩＳＯＴＯＰＥＳ，社団法人日本アイソトープ協会，第４７巻，第８号，ｐ．６２３−６２７（以下「引用例１」という。）には，図面とともに，次の事項が記載されている（下線は，当審にて付加した）。
　
（ア）「１．緒言
　
陽電子消滅法は，
物性研究へ応用が成されてきた
　
陽電子と電子が静止した状態で対消滅したとき511keVのγ線が放出される。しかし消滅時の陽電子および電子の運動量がゼロでない場合，放出されるγ線は消滅時の電子と陽電子の運動量を反映しエネルギー分布を示す。このエネルギーの拡がりをドップラー拡がりと呼ぶ
消滅γ線のドップラー拡がりは消滅した電子の運動量分布を反映する。陽電子は正の電荷を持つことから，完全結晶では核からのクーロン反発力により格子間位置で消滅する。原子空孔などの格子欠陥が存在する場合，陽電子は格子欠陥に捕獲され消滅する可能性がある。この場合，内殻電子との消滅割合が減少することから，ドップラー拡がりは尖鋭な分布となる
　
（イ）「２．対向型陽電子消滅γ線ドップラー拡がり測定装置
　
本実験では陽電子線源として
22
Naを用いた。
22
Naから放出される陽電子のエネルギー分布は白色で，最大エネルギーは約0.54MeVである。したがって，陽電子を物質中に入射した場合，その最大侵入深さは10-100μmとなりバルクの情報が得られることになる。Fig.1に装置のブロックダイヤグラムを示す
従来のドップラー拡がり測定ではGe検出器(SSD, ORTEC CFG-SH-GLI)から得られた出力をアンプ(ORTEC Shaping Amp., 572)で増幅した後，アナログデジタル変換器(ORTEC ADC, 800)でデジタル信号に変換しパーソナルコンピュータ(NEC PC98)に取り入れていた
SSDとNaIシンチレータをたがいに向かい合わせて消滅γ線の測定を行い，両者の信号のコインシデンスをとることでS/N比を向上させ，P/B比を約10
4
とすることができた
ファーストコインシデンス(ORTEC FAST COIN., 414A)を用いてNaIおよびSSDのタイミングパルスのコインシデンスをとり，出力をADC800のゲートへ入力する
　
（ウ）「３．対向型陽電子消滅γ線ドップラー拡がり測定の結果
．．．
またFz-Siについてもドップラー拡がり測定を行いCz-Siとの差を求めた。Cz-Siでは低運動量領域（＜1keV)でカウントが増大していることがわかる
低運動量領域で現れたドップラー拡がりの差は空孔型欠陥以外の原因であると考えられる。Si中に酸素が存在する場合，酸素は格子間位置に存在する。Siから格子間位置の酸素へ電荷移動が生じているため
４）
，陽電子の波動関数は酸素近傍で摂動を受け，Γ点における価電子との消滅確率が増大している可能性がある
５）
。したがって酸素含有量の多いCz-Siのドップラー拡がりは，酸素をほとんど含まないFz-Siのドップラー拡がりと比べて尖鋭な分布になったものと推測される
　
（エ）「４．結語
　本報では対向型陽電子消滅γ線ドップラー拡がり測定装置の作製とその応用例について紹介した。従来ドップラー拡がり測定では価電子や伝導電子についての議論が中心であったが，
対向型陽電子消滅γ線ドップラー拡がり測定装置を用いてP/B比を増大させるとにより，内殻電子についての議論が可能になった。本装置は金属，半導体の欠陥種の同定や構造相転移，アモルファス構造の研究などにも大きな力を発揮するものと期待される
　
　以上の記載を総合すると，引用例１には，「陽電子線源から放出される陽電子を物質中に入射させる陽電子消滅法を用いた物性研究方法において，
陽電子と電子が対消滅したときに放出されるγ線が示す，消滅時の電子と陽電子の運動量を反映し，格子欠陥が存在することにより異なるエネルギー分布となるドップラー拡がりに基づいて，
SSDとNaIシンチレータをたがいに向かい合わせて消滅γ線の測定を行い，両者の信号のコインシデンスをとりドップラー拡がりの測定を行うことで，金属，半導体の欠陥種の同定を行う方法。」（以下，「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
２−４−２．引用例２
　原査定の拒絶の理由に引用した，本願出願日前に頒布された刊行物である，特許第２５８９３９８号公報（以下「引用例２」という。）には，図面とともに，次の事項が記載されている（下線は，当審にて付加した）。
　
（オ）「以上に述べた消滅γ線（28）のエネルギースペクトル幅の広がりから欠陥濃度を求める方法の他に第２の検査方法として
陽電子（27）の寿命を測定する
  その原理を第２図に示す。
陽電子源（31）においてβ
＋
崩壊が起こると陽電子（27）と同時に崩壊γ線（30）が放出される。これが半導体検出器（29）によつて検出された時刻を基準として
後に放出される消滅γ線（28）が半導体検出器（29）によつて検出されるまでの時間を陽電子（27）の寿命と定義する
　
２−４−３．周知例１
　本願出願日前に頒布された刊行物である，特開平３−１７６６６０号公報（以下「周知例１」という。）には，図面とともに，次の事項が記載されている（下線は，当審にて付加した）。
　
（カ）「（発明が解決しようとする課題）
　たとえば発電プラントなどに使用される部材のように、その破損またはそれによる冷却材の漏洩がプラント停止等の大きな経済的損害につながる恐れのあるものについては、その徴候すなわち
亀裂の発生または寸法変化等のマクロな部材の劣化を上記の点検・検査または連続監視で検出する以前に、部材の劣化を原子・分子レベルのミクロな変化の段階で捕え、それらが亀裂等のマクロな部材の劣化に進展するか否かを診断し
　しかしながら、現在実施されている点検・検査では、上述の原子・分子レベルでの部材の劣化の検出は不可能であり、従って劣化進展の診断等の実施も不可能な課題があった。
　本発明は上記課題を解決するためになされたもので、部材に対して詳細な検査を始める時期を判断し、たとえば発電所の効率的な保全を行うとともにマクロな劣化への拡大の可能性を詳細に診断することによって劣化に対する対応を早期に確実に行い発電所をより安全に経済的に運営することができる部材の診断方法を提供することにある。
〔発明の構成〕
（課題を解決するための手段）
　本発明は応力下で使用される被診断部材と同一の材質であらかじめ原子空孔、格子欠陥などのミクロな初期から拡大したまでの欠陥の大きさおよび密度と、これらの欠陥の拡大進度との関係を示す寿命診断表を作成しておき、つぎに前記
被診断部材に内在する原子空孔、格子欠陥などのミクロな初期欠陥の大きさおよび密度ならびにそれらの変化を測定し
（作用）
　
陽電子消滅寿命測定法を使用してたとえば構造材料などの被診断部材の表面近傍のミクロな構造および組成の変化たとえば部材中の原子空孔の大きさや数を定量的に検出する
　
２−５．対比
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
　引用発明における「陽電子線源から放出される陽電子を物質中に入射させる陽電子消滅法を用いた物性研究方法」について，「物質」に関して，摘記事項（ウ）に「Si中に酸素が存在する場合」とあるように，該物質が「２種類以上の元素で構成された材料」を含むことは明らかである。また，「物性研究方法」に関して，摘記事項（ア）に「原子空孔などの格子欠陥が存在する場合」や，摘記事項（ウ）に「Si中に酸素が存在する場合，酸素は格子間位置に存在する。Siから格子間位置の酸素へ電荷移動が生じているため４），陽電子の波動関数は酸素近傍で摂動を受け」と記載されていることからすると，格子欠陥を見て物性を測定しているものではあるが，劣化度を評価していることまでは明らかでない。そうすると，引用発明の「陽電子線源から放出される陽電子を物質中に入射させる陽電子消滅法を用いた物性研究方法」は，本願補正発明の「２種類以上の元素で構成された材料に陽電子源から陽電子を放射して劣化度を評価する材料劣化度の評価方法」と，「２種類以上の元素で構成された材料に陽電子源から陽電子を放射して物性を測定する方法」である点で共通する。
　次に，引用発明の「陽電子と電子が対消滅したときに放出されるγ線が示す，消滅時の電子と陽電子の運動量を反映し，格子欠陥が存在することにより異なるエネルギー分布となるドップラー拡がりに基づいて」に関して，引用発明では，ドップラー拡がりが，格子欠陥が存在することにより異なるエネルギー分布となるものとしており，本願補正発明のように「前記材料の母相元素から添加元素の原子集合体に陽電子が集積する時、元素またはサイズによって運動量分布が異なること」については明らかでないが，引用発明及び本願補正発明のいずれも陽電子が入射される物質の物性によって，電子及び陽電子の対消滅時の運動量が分布を持つことでドップラー広がりがあることでは共通している。してみると，引用発明の「陽電子と電子が対消滅したときに放出されるγ線が示す，消滅時の電子と陽電子の運動量を反映し，格子欠陥が存在することにより異なるエネルギー分布となるドップラー拡がりに基づいて」は，本願補正発明の「前記陽電子源から放射された陽電子により前記材料の母相元素から添加元素の原子集合体に陽電子が集積する時、元素またはサイズによって運動量分布が異なることを利用したドップラー広がりの原理を用いて」と，「前記陽電子源から放射された陽電子により前記材料の物性によって運動量分布が異なることを利用したドップラー広がりの原理を用いて」との点で共通する。
　そして，引用発明の「SSDとNaIシンチレータをたがいに向かい合わせて消滅γ線の測定を行い，両者の信号のコインシデンスをとりドップラー拡がりの測定を行うこと」について，本願補正発明の「２個の半導体検出器」が「前記材料に対して対角線の位置に配置された」ことは，前述したように明確でないものの，少なくとも２個の半導体検出器が材料を挟んで向かい合って配置されていることを含むものであるとすると，引用発明の「SSDとNaIシンチレータをたがいに向かい合わせて消滅γ線の測定を行い，両者の信号のコインシデンスをとりドップラー拡がりの測定を行うこと」は，本願補正発明の「前記陽電子が電子と対消滅する時に発生するγ線を
前記材料
　さらに，引用発明の「金属，半導体の欠陥種の同定を行う」ことは，摘記事項（ウ）に「低運動量領域で現れたドップラー拡がりの差は空孔型欠陥以外の原因であると考えられる。Si中に酸素が存在する場合，酸素は格子間位置に存在する。Siから格子間位置の酸素へ電荷移動が生じているため４），陽電子の波動関数は酸素近傍で摂動を受け，Γ点における価電子との消滅確率が増大している可能性がある５）。したがって酸素含有量の多いCz-Siのドップラー拡がりは，酸素をほとんど含まないFz-Siのドップラー拡がりと比べて尖鋭な分布になったものと推測される」と記載されていることからすると，単に欠陥種の同定を行うのみならず，「２種類以上の元素で構成された材料」の元素の種類の同定も行っているものであるから，引用発明の「金属，半導体の欠陥種の同定を行う」ことは，本願補正発明の「前記添加元素の集合体の種類を決定すること」と，「材料の元素の種類を決定すること」で共通する。
　
　そうすると，本願補正発明と引用発明とは，
「２種類以上の元素で構成された材料に陽電子源から陽電子を放射して物性を測定する方法において、前記陽電子源から放射された陽電子により前記材料の物性によって運動量分布が異なることを利用したドップラー広がりの原理を用いて、前記陽電子が電子と対消滅する時に発生するγ線を前記材料に対して向かい合って配置された２個の検出器で同時に測定することにより、前記材料の元素の種類を決定する方法。」
である点で一致しており，次の点で相違する。
　
相違点１：
　本願補正発明は「劣化度を評価する材料劣化度の評価方法」であるのに対し，引用発明は「物性研究方法」である点。
　
相違点２：
　ドップラー広がりの原理について，本願補正発明は「母相元素から添加元素の原子集合体に陽電子が集積する時、元素またはサイズによって運動量分布が異なる」ことによるものとしているのに対し，引用発明では「消滅時の電子と陽電子の運動量を反映し，格子欠陥が存在することにより異なるエネルギー分布となる」としている点。
　
相違点３：
　本願補正発明では２個の検出器が「半導体検出器」であり，「対角線の位置に」配置されているのに対し，引用発明では２個の検出器はＳＳＤとＮａＩシンチレータであり，たがいに向かい合わせて配置されている点。
　
相違点４：
　材料の元素の種類を決定することに関し，本願補正発明では「添加元素の集合体」の種類を決定しているのに対し，引用発明では「金属，半導体の欠陥種の同定」を行っている点。
　
２−６．判断
　上記各相違点について判断する。
　相違点１について。
　上記対比においても示したように，引用発明の「物性研究方法」は，対象となる物質の格子欠陥を見ているものである。
　ここで，周知例１には，マクロな部材の劣化を検出する以前に，部材の劣化を原子・分子レベルのミクロな変化の段階で捕えること，マクロな欠陥へと成長しうるミクロな欠陥としては原子空孔や格子欠陥などがあること，被診断部材の表面近傍のミクロな構造及び組成の変化を捉えるために陽電子消滅寿命測定法を使用することが示される（摘記事項（カ）参照）ように，格子欠陥により結晶の強度が低下し，部材の劣化につながることは，当業者における一般的な知識である。
　すると，引用発明が「物性研究方法」であっても，格子欠陥に着目することで，対象物質の劣化を評価しうるものとなることは，当業者における通常の知識に基づいて理解し得たものであり，引用発明の物性研究方法を，そのような劣化の評価に応用することは，上記周知の事項を鑑み，当業者において特段困難なものであるとは認められない。
　してみると，引用発明を，劣化度を評価する材料劣化度の評価方法に応用することは，当業者において適宜に為し得たものである。
　
　相違点２について。
　引用発明では，ドップラー拡がりが，格子欠陥が存在することにより異なるエネルギー分布となるものとしており，特に摘記事項（ウ）には「Si中に酸素が存在する場合，酸素は格子間位置に存在する。Siから格子間位置の酸素へ電荷移動が生じているため４），陽電子の波動関数は酸素近傍で摂動を受け，Γ点における価電子との消滅確率が増大している可能性がある」と記載されると共に，摘記事項（エ）には「対向型陽電子消滅γ線ドップラー拡がり測定装置を用いてP/B比を増大させるとにより，内殻電子についての議論が可能になった」と記載されている。これらの記載から，引用発明においてドップラー拡がりを異ならせるものとする格子欠陥とは，摘記事項（ウ）に示されるようなＳｉ中に存在する単一の酸素原子によるもののみならず，陽電子に対してその電子との消滅確率を異ならせるような対象物質の（母相の）格子構造の変化を与えるものであればどのようなものでも良いことは，当業者であれば容易に理解し得たものであり，そのようなものとしては母相に添加された元素の単一原子ではなく，原子の集合体であってもよいこと，また，そのような元素の種類や大きさに応じて母相の格子構造も変化しうることは，当業者における通常の知識の範囲内のものである。
　してみると，引用発明が「母相元素から添加元素の原子集合体に陽電子が集積する時、元素またはサイズによって運動量分布が異なることを利用したドップラー広がりの原理」を用いたものであるとすることは，当業者において特段の困難なく為し得たものである。
　
　相違点３について。
　まず，本願補正発明の２個の検出器が「対角線の位置に」配置されていることについて，本願図面第１図には，「第２の半導体検出器４」が，右横方向よりθだけ斜め上方向に配置されていることが記載されているが，この角度θだけずらせることは，本願発明の詳細な説明の【００４６】段落から【００５３】段落を特に参照すると，核相関法の測定を行うために行っていることであり，ドップラー広がりの原理を用いる際にはこのような配置をとる必然性はない。また，ドップラー広がりの原理を用いて測定を行うためには，対消滅によって放出されるγ線のエネルギー分布が測定できれば十分であり，そのために同時計数を行うために２個の検出器を用いるのであれば，測定対象を挟んで向かい合って検出器を配置することは，対消滅によって放出されるγ線を測定するために必然のことである。してみると，本願補正発明において，２個の検出器が「対角線の位置に」配置されている点については，ドップラー広がりの原理を用いて同時計数を行うものである限り，引用発明と相違するものではない。
　次に，本願補正発明の「陽電子が電子と対消滅する時に発生するγ線を」「２個の半導体検出器で同時に測定すること」に関して，発明の詳細な説明を参照すると，次のような記載がある。
　「【００５３】この方法に基づく装置は、５ｍ以上の長さの設置空間と数100MBq以上の強い陽電子源を必要とする。これに対し、
どちらか一方のγ線を高エネルギー分解能の半導体検出器により検出し、そのドップラー広がりを求めることにより、ｚ方向の運動量成分スペクトルを求める方法がある
【００５４】
つぎに図１および図２により本発明の第２の実施の形態を説明する。図２は、ドップラー広がり測定
測定方法は図１における第２の半導体検出器４を除いたものである。すなわち同時測定を行いながら、第１の半導体検出器３のみのエネルギースペクトルを保存することで、図２のようなスペクトルを得ることができる
　これらの記載からすると，本願発明の詳細な説明に開示されたドップラー広がり測定は，対消滅で発生したγ線の一方を検出すること，２個の検出器のうちの１個のみのエネルギースペクトルを保存することで，測定できるとされるものである。また「２個の半導体検出器で同時に測定すること」とは，２個の検出器のうちのエネルギースペクトルの測定に用いないもう１個の検出器が，同時測定のために用いられることも，本願発明の詳細な説明から読み取れる。しかし，少なくとも，２個の検出器の両方の出力をエネルギースペクトルの測定に用いることは，本願発明の詳細な説明には開示されていない。
　ここで，摘記事項（イ）を参照すると，引用発明のＳＳＤはエネルギースペクトルを測定する半導体検出器であり，ＮａＩシンチレータは，同時計数のために，コインシデンスをとるためのタイミングパルスを与える検出器であることは明らかである。
　そうすると，上記相違点３については，タイミングパルスを与える検出器が，本願補正発明では「半導体検出器」であるのに対し，引用発明では「ＮａＩシンチレータ」である点のみで相違していると言える。
　この点について，引用例２には，陽電子の寿命を測定するために，陽電子と同時に放出された崩壊γ線を半導体検出器で検出し，その時刻を基準とし，後に放出される消滅γ線が別の半導体検出器で検出されるまでの時間を陽電子の寿命として測定することが記載されている（摘記事項（オ）参照）。このように，タイミングパルスを与える検出器に半導体検出器を用いることは，引用例２に記載されている。
　してみると，引用発明において，「ＮａＩシンチレータ」に代えて「半導体検出器」を用いて，エネルギースペクトルを測定するＳＳＤと，タイミングパルスを与える「半導体検出器」の両者の信号のコインシデンスをとりドップラー拡がりの測定を行うようにすることは，引用例２に示された技術的事項を鑑み，当業者であれば容易に為し得たものである。
　
　相違点４について。
　上記相違点２について示したように，引用発明において，母相に添加された元素の原子の集合体によってもドップラー拡がりの原理によって測定しうることは当業者において特段の困難なく為し得たものであり，引用発明が「金属，半導体の欠陥種の同定」をするものであることから，上記のような母相に添加された添加元素の集合体の種類を決定することも，当業者において特段の困難なく為し得たものである。
　
　そして，本願補正発明の作用効果は，引用発明，引用例２に示された技術的事項及び周知の技術から，当業者であれば予測できる範囲のものである。
　
　以上の通り，本願補正発明は，引用発明，引用例２に示された技術的事項及び周知の技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　
２−７．補正却下についてのむすび
　以上，２−２．にて示したように，本件補正後の特許請求の範囲の記載は特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たすものではなく，また２−３．乃至２−６．にて示したように，本願補正発明が明確であったとしても，本願補正発明は，引用発明，引用例２に示された技術的事項及び周知の技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
３−１．本願発明
　平成１９年３月２３日付けの手続補正は上記の通り却下されたので，本願の請求項１乃至９に係る発明は，平成１８年９月７日付けの手続補正書によって補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１乃至９に記載された事項によって特定されるとおりのものであって，その請求項１に係る発明は，上記２−１．に記載したとおりのものと認める（以下「本願発明」という）。
　
３−２．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例及びその記載事項は，上記２−４．に記載したとおりである。
　
３−３．対比・判断
　本願発明は，上記２−３．乃至２−６．で検討した本願補正発明において，「２個の半導体検出器」について，「前記材料に対して対角線の位置に配置された」との限定を省いたものである。
　そうすると，本願発明の構成要件をすべて含み，さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が，上記２−６．に述べたとおり，引用発明，引用例２に示された技術的事項及び周知の技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も同様の理由により，引用発明，引用例２に示された技術的事項及び周知の技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
３−４．むすび
　以上のとおり，本願発明は，引用発明，引用例２に示された技術的事項及び周知の技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　
　したがって、その余の請求項に係る発明について審理するまでもなく、本件出願は拒絶されるべきものである。
　
　よって，結論のとおり審決する。