【事件の表示】
　特願２００７−５０６６０２「表示装置とその製造法」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　１月３１日国際公開、ＷＯ２００８／０１２９３４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　
１　手続の経緯
　本願は、２００７年１月３０日（優先権主張２００６年７月２４日、２００６年７月３１日、日本国）を国際出願日とする出願であって、平成２０年４月９日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年５月２３日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに同日に手続補正がなされ、当審において、平成２０年５月２３日付け手続補正は同年９月２２日付けで却下されるとともに同日付けで拒絶理由が通知され、同年１２月１１日に手続補正がなされたものである。
　
２　本願発明
　
　本願の請求項に係る発明は、平成２０年１２月１１日付けの手続補正により補正された、明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし１５に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は次のとおりである。
　
「少なくとも１方は透明な基板間に、帯電した微粒子が透明な液体またはガス媒体中に分散された分散系が挟まれてセルを構成しており、該セル中の微粒子分散状態を該基板に垂直方向のセルの光学的遮蔽状態とし、該基板間に設けられた駆動電極と共通電極間に電圧を印加して該微粒子を該基板に水平方向に移動させて該駆動電極に堆積させて、分散状態の微粒子量を変調させることによって該セルの光学的遮蔽状態を変調する横電界粒子移動型表示装置において、
　該駆動電極と共通電極の電極間ピッチＰが５〜１００μｍ、セルギャップｄがピッチＰの０．２〜１．５倍に、また該駆動電極の面積率が２０％以下に設定されており、微粒子量は微粒子分散状態において該セルの光学的透過率が１０％以下になるように調整されており、
　該駆動電極と共通電極は、１）該セルの光学的透過率を向上するために該微粒子を該基板の両方側に、該表示装置の表示面から見て重なるように堆積させるべく構成されているか、２）櫛型、渦型ないしこれと類似形状の細線からなり、共に同一基板側に設けられているかのいずれかであることを特徴とした表示装置。」
　
３　引用例
　
（１）平成２０年９月２２日付けで通知された拒絶の理由で引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である国際公開第２００６／０２１９００号（以下「引用例１」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
　
ア　「CLAIMS:
　
1.　　　
An active matrix device, comprising an array of rows and columns of pixels disposed over a substrate, each pixel comprising, over a common substrate
　　　　
a portion of a row conductor (12), the row conductor extending past all the pixels of a row
　　　　
a first electrode pattern (32) including a first in-plane electrode terminal (36), associated with the row conductor portion (12)
　　　　
a portion of a column conductor (10), the column conductor extending past all the pixels of a column
　　　　
a second electrode pattern including a second in-plane electrode terminal (40), associated with the column conductor portion (10)
　　　　
a first insulator portion (30) disposed between the row conductor portion (12) and the first electrode pattern (32) or between the column conductor portion (10) and the second electrode pattern (40), the insulator portion (30) and the surrounding electrode pattern (32 or 40) and conductor portion (12 or 10) defining a Metal- Insulator-Metal diode devic
・・・・（略）・・・・
4.　　　A device as claimed in any preceding claim, wherein the first in-plane pixel electrode terminal (36) 
comprises a comb pattern
　
5.　　　A device as claimed in claim 4, wherein the second in-plane pixel electrode terminal (40) 
comprises a comb pattern
　
6.　　　A device as claimed in any preceding claim, wherein 
the first in-plane electrode terminals (36) and the second in-plane electrode terminals (40) are formed from the same metal layer
　
7.　　　A device as claimed in any preceding claim, wherein
 the column conductor portions (10) and the second in-plane electrode terminals (40) are formed from the same metal layer
　
8.　　　A device as claimed in claim 7, wherein
 the common metal layer is disposed over the substrate
　・・・（略）・・・
28.　　　A device as claimed in any preceding claim, comprising an 
electrophoretic active matrix 
a display device
　
（日本語訳）
「請求の範囲
　
１．
基板上に配置された画素の行及び列から成るアレイを有するアクティブマトリックス型装置であって、各画素が共通基板上に
　
行の全画素を超えて延在する行導体の一部である行導体部分（１２）
　
前記行導体部分（１２）に関連付けられた第１のインプレーン電極端子（３６）を含む第１の電極パターン（３２）
　
列の全画素を超えて延在する列導体の一部である列導体部分（１０）
　
前記列導体部分（１０）に関連付けられた第２のインプレーン電極端子（４０）を含む第２の電極パターン
　
前記行導体部分（１２）と前記第１の電極パターン（３２）との間又は前記列導体部分（１０）と前記第２の電極パターン（４０）との間に配置された第１の絶縁部（３０）であり、当該絶縁部と、周囲の前記電極パターン（３２又は４０）及び導体部分（１２又は１０）とが金属−絶縁体−金属ダイオードデバイスを規定する第１の絶縁部（３０）
　
を有する
・・・・（略）・・・・
４．前記第１のインプレーン画素電極端子（３６）が
櫛形パターンを有する
　
５．前記第２のインプレーン画素電極端子（４０）が
櫛形パターンを有する
　
６．
前記第１のインプレーン電極端子（３６）及び前記第２のインプレーン電極端子（４０）が同一の金属層から形成されている
　
７．
前記列導体部分（１０）及び前記第２のインプレーン電極端子（４０）が同一の金属層から形成されている
　
８．前記
共通の金属層が前記基板上に配置され
・・・・（略）・・・・
２８．
電気泳動アクティブマトリックス型
表示装置
　
イ　「Active matrix devices
　
　　　　This invention relates to active matrix devices, in particular electrophoretic active matrix display devices.
　
　　　　Electrophoretic display devices use the movement of particles within an electric field 
to provide a selective light transmission or light blocking function
 the particles may then block the passage of light to the underlying colour or else permit this passage of light
The particles are then typically black 
　　　　It has been recognised that electrophoretic display devices enable low power consumption and thin display devices to be formed. They may also be made from plastics materials, and there is also the possibility of low cost reel-to reel processing in the manufacture of such displays.
　　　　An electrophoretic display typically comprises a lower electrode layer, a display medium layer, and an upper electrode layer. Biasing voltages are applied selectively to electrodes in the upper and/or lower electrode layers to control the state of the portion(s) of the display medium associated with the electrodes being biased.
・・・・（略）・・・・
　　　　In an active matrix display, switching elements such as diodes or transistors are used, either alone or in conjunction with other elements, to control pixel electrodes associated with
 the display cell or cells associated with an individual pixel
　　　　In one typical active matrix display configuration, for example, a common potential (e.g., ground potential) may be applied to a common electrode in the top layer and pixel electrodes located in the bottom layer are controlled by associated switching elements to either apply a biasing voltage to the pixel electrode or to isolate the pixel electrode to prevent an electric field from being generated that would cause the associated display cell(s) to change state.
　　　　Electrophoretic display devices can use the movement of particles in a number of ways. In a system generating transverse electric fields, as shown in Figure 1, the particles are controlled to move selectively up and down the display material layer. When the particles are at the top, they are visible, and when they are at the bottom, then they are not visible, and the medium supporting the particles is then visible. The particles may be white, and the supporting medium may be red, green or blue.
　　　　Another type of electrophoretic display device uses so-called 
in plane switching. This type of device uses movement of the particles selectively laterally in the display material layer. When the particles are moved towards lateral electrodes, an opening appears between the particles, through which an underlying surface can be seen. When the particles are randomly dispersed, they block the passage of light to the underlying surface and the particle colour is seen
the particles can be black 
　　　　An advantage of in-plane switching is that the device can be adapted for transmissive operation, or transflective operation. In particular, the movement of the particles creates a passageway for light, 
so that both reflective and transmissive operation can be implemented through the material
　　　　This invention relates specifically to the use of in-plane switching in active matrix electrophoretic displays.
　　　　A problem with the known in-plane switching active matrix devices is the complexity of the manufacturing process, and the incompatibility of such processes with roll to roll fabrication techniques. An object of the invention is to provide an active matrix device which can be made by a simplified process, and to provide the process itself.」（１頁１行〜３頁１５行）
（日本語訳）
「アクティブマトリックス型装置
　
　本発明はアクティブマトリックス型装置に関し、具体的には電気泳動アクティブマトリックス型表示装置に関する。
　電気泳動表示装置は、
選択的な光透過又は光遮断の機能を提供する
地の色への光の通過を粒子が遮断したり許可したりして
粒子は典型的には黒色
　電気泳動表示装置は低消費電力の薄型表示装置の形成を可能にすると認識されている。また、電気泳動表示装置はプラスチック材料から作成されてもよく、このようなディスプレーの製造で低コストのリールツーリール式のプロセスを実現する可能性を有している。
　電気泳動ディスプレーは一般的に下部電極層、表示媒体層、及び上部電極層を有している。上部電極層及び／又は下部電極層の電極に選択的にバイアス電圧が印加され、バイアスされた電極に付随する表示媒体部分の状態が制御される。
・・・・（略）・・・・
  アクティブマトリックス型ディスプレーにおいては、
個々の画素に付随する表示セル
　典型的な１つのアクティブマトリックス型ディスプレー構成においては、例えば、頂部層の共通電極に共通ポテンシャル（例えば、接地電位）が与えられ、且つ底部層に位置する画素電極が付随するスイッチング素子によって制御されることにより、画素電極にバイアス電圧が印加されたり、付随する表示セルに状態を変化させる電界が生成されるのを防止するように画素電極が分離されたりしてもよい。
　電気泳動表示装置は粒子の動作を色々な方法で利用することができる。図１に示されるような横断する方向の電界を生成するシステムにおいては、粒子は表示材料層を選択的に上下に移動するように制御される。粒子は頂部にあるとき可視的になる。また、粒子は底部にあるとき可視的ではなくなり、粒子を支持する媒体が可視的になる。粒子は白色でもよく、支持媒体は赤色、緑色又は青色でもよい。
　他の一形式の電気泳動表示装置は、所謂
“インプレーンスイッチング”を利用している
表示材料層内で粒子を選択的に横方向に移動させることを利用するものである。粒子が横方向電極の方に移動されると、粒子間に開口が現れ、その開口を通して下地表面が見えることになる。粒子がランダムに分散されているときには、粒子が下地表面への光の通路を妨げ、粒子の色が見えることになる。
粒子は黒色
　インプレーンスイッチングの利点は、装置が透過型動作又は半透過型動作に適応され得ることである。特に、この粒子動作は光の通路を作り出すためのものであるため、
反射型及び透過型の動作の双方がこの材料によって実現され得る
　本発明は、特に、アクティブマトリックス型電気泳動ディスプレーにおけるインプレーンスイッチングの使用に関する。
　既知のインプレーンスイッチング式のアクティブマトリックス型装置に伴う問題は、製造プロセスの複雑さと、このプロセスがロールツーロール製造技術との適合性を有さないことである。本発明は、簡易化されたプロセスによって製造可能なアクティブマトリックス型装置、及びそのプロセスそれ自体を提供することを目的とする。」
　
ウ　「According to the invention, there is provided an active matrix device, comprising an array of rows and columns of pixels disposed over a substrate, each pixel comprising, over a common substrate:
　　　　a portion of a row conductor, the row conductor extending past all the pixels of a row;
　　　　a first electrode pattern including a first in-plane electrode terminal, associated with the row conductor portion,
　　　　a portion of a column conductor, the column conductor extending past all the pixels of a column;
　　　　a second electrode pattern including a second in-plane electrode terminal, associated with the column conductor portion;
　　　　a first insulator portion disposed between the row conductor portion and the first electrode pattern or between the column conductor portion and the second electrode pattern, the insulator portion and the surrounding electrode pattern and conductor portion defining a Metal-Insulator-Metal diode device.
　　　　The invention provides a MIM-diode based active matrix in-plane switching active matrix device in which the pixel layout is defined on a single substrate. The device of the invention is compatible with low cost manufacturing processes, such as roll-to-roll manufacturing.
　　　　The first electrode pattern can include a portion which crosses the row conductor portion, the first insulator portion being provided between the portion of the first electrode pattern and the row conductor portion. This defines the MIM diode between the row conductor and an in-plane terminal. Each pixel may then further comprise a second insulator portion between the overlap of the row conductor portion and the column conductor portion.
　　　　The first in-plane pixel electrode terminal may comprise a comb pattern and the second in-plane pixel electrode terminal then also comprises a comb pattern interleaved with the comb pattern of the first in-plane pixel electrode terminal.
　　　　The first in-plane pixel electrode terminal may instead comprise an electrode block which extends parallel to the row conductor portion and the second in-plane pixel electrode terminal then comprises an electrode block which is spaced from the first in-plane pixel electrode block terminal in the column direction.
　　　　Each pixel preferably further comprises a second insulator portion between the cross over of the row and column conductors. The first electrode patterns, the column conductors and the second electrode patterns may all be formed from a common metal layer. 
　　　　If the effective insulator provided between electrodes consists only of the second insulator then the second insulator will have different electrical properties, specifically a higher breakdown voltage, achieved by using a different insulator material or a thicker layer of the same material. In some cases the effective insulation provided between electrodes will comprise a combined layer of the first and second insulator layers in which the composition and thickness of the second layer are adjusted to give the required electrical properties, specifically a higher breakdown voltage, for the combination of the two layers.
　　　　This common metal layer may be disposed over the substrate, the first and second insulator portions may be disposed over the common metal layer and the row conductor may be disposed over the first and second insulator portions. In this arrangement, a single patterned layer defines both of the electrode patterns, so that there is only one patterning step involving high resolution details.
　　　　In another arrangement, the first in-plane pixel electrode terminals, the row conductors and the second in-plane pixel electrode terminals are all formed from a common metal layer. The end terminals of the first electrode patterns and the column electrodes are formed from a different layer, with the end terminals connecting to the first in-plane pixel electrode terminals and the column electrodes connecting to the second-in plane electrode terminals. The common metal layer is then disposed over the substrate, the first and second insulator portions are disposed over the common metal layer, and the column conductors and the end terminals of the first electrode patterns are disposed over the first and second insulator portions.
・・・（略）・・・
　　　　In another embodiment the first in-plane pixel electrode terminals, the row conductors and the second in-plane pixel electrode terminals are all formed from a common metal layer. In a variation on the embodiment the first in-plane electrode terminals are defined as substantially parallel comb lines, and wherein the first electrode pattern further comprises substantially perpendicular connecting portions connecting the parallel comb lines, and deposited in a separate step. In a further variation the second in-plane electrode terminals comprise comb lines substantially parallel to the comb lines of the first in-plane electrode terminals, and wherein the column conductors connect the parallel comb lines of the second in-plane electrode terminal and are formed from the same layer as the connecting portions of the first electrode pattern. In a yet further variation the common metal layer is disposed over the substrate, the first insulator layer is disposed over at least a portion of the common metal layer, and the connecting portions and column conductors are disposed over the first insulator layer.
　　　　In another embodiment the common metal layer is formed from an array of substantially parallel lines. In a variation on the embodiment the column conductors and the connecting portions are formed from a further metal layer comprising an array of parallel lines. In a further variation the lines of the further metal layer are formed substantially perpendicular to the parallel lines of the common metal layer.
・・・（略）・・・
　　　　In another embodiment the method comprises a roll to roll manufacturing process. Furthermore, each patterned conductor layer can be arranged as an array of parallel lines, and this simplifies manufacture in such a roll to roll process.」（３頁１８行〜７頁１４行）
　
（日本語訳）
「　本発明に従って提供される、基板上に配置された画素の行及び列から成るアレイを有するアクティブマトリックス型装置においては、各画素が共通基板上に：
　行の全画素を超えて延在する行導体の一部である行導体部分；
　行導体部分に関連付けられた第１のインプレーン電極端子を含む第１の電極パターン；
　列の全画素を超えて延在する列導体の一部である列導体部分；
　列導体部分に関連付けられた第２のインプレーン電極端子を含む第２の電極パターン；及び
　行導体部分と第１の電極パターンとの間又は列導体部分と第２の電極パターンとの間に配置された第１の絶縁部であり、当該絶縁部と、周囲の電極パターン及び導体部分とが金属−絶縁体−金属ダイオードデバイスを規定する第１の絶縁部；
　を有する。
　本発明は、画素レイアウトが単一の基板上に規定された、ＭＩＭダイオードに基づくアクティブマトリックスのインプレーンスイッチング式のアクティブマトリックス型装置を提供するものである。本発明に係る装置は、例えばロールツーロール製造法などの、低コストの製造プロセスと相性がよいものである。
　第１の電極パターンは行導体部分と交差する部分を含むことができ、第１の絶縁部は第１の電極パターンの前記部分と行導体部分との間に設けられている。これにより、行導体とインプレーン端子との間にＭＩＭダイオードが形作られる。そして、各画素は更に、行導体部分と列導体部分の重なり間に第２の絶縁部を有してもよい。
　第１のインプレーン画素電極端子は櫛形パターンを有してもよく、このとき、第２のインプレーン画素電極端子もまた、第１のインプレーン画素電極端子の櫛形パターンと交互に配置された櫛形パターンを有する。
　第１のインプレーン画素電極端子は、代わりに、行導体部分に平行に延在する電極ブロックを有してもよく、このとき、第２のインプレーン画素電極端子は第１のインプレーン画素電極のブロック端子から列方向に隔てられた電極ブロックを有する。
　各画素は、好ましくは、行導体と列導体との重なり間に第２の絶縁部を更に有する。第１の電極パターン、列導体、及び第２の電極パターンは全て、共通の金属層から形成されてもよい。
　電極間に設けられる実効的な絶縁体が第２の絶縁体のみから成る場合、第２の絶縁体は、異なる絶縁体材料を用いること又は同一材料のより厚い層を用いることによって達成される異なる電気特性、具体的には、より高い絶縁破壊電圧を有する。ある一部の場合には、電極間にもたらされる実効的な絶縁は、第１及び第２の絶縁体層から成る結合層を有し、第２の層の組成及び厚さは２つの層の組み合わせに所望の電気特性、具体的には高い絶縁破壊電圧をもたらすように調整される。
　この共通の金属層は基板上に配置されてもよく、第１及び第２の絶縁部は共通の金属層上に配置されてもよく、そして行導体は第１及び第２の絶縁部上に配置されてもよい。この構成においては、パターン化された単一の層が双方の電極パターンを規定するので、高解像度の詳細部を含むパターン形成工程はただ１つとなる。
　他の一構成においては、第１のインプレーン画素電極端子、行導体、及び第２のインプレーン電極端子は全て共通の金属層から形成されている。第１の電極パターンの端部端子及び列電極は、端部端子を第１のインプレーン画素電極端子に接続し、且つ列電極を第２のインプレーン電極端子に接続するように、別の層から形成されている。このとき、共通の金属層は基板上に配置され、第１及び第２の絶縁部は共通の金属層上に配置され、そして列導体及び第１の電極パターンの端部端子は第１及び第２の絶縁部上に配置されている。
・・・・（略）・・・・
　他の一実施形態において、第１のインプレーン画素電極端子、行導体、及び第２のインプレーン画素電極端子は全て、共通の金属層から形成される。この実施形態の変形例においては、第１のインプレーン電極端子は実質的に平行な櫛歯状のラインとして規定され、第１の電極パターンは更に、平行な櫛歯状ラインを接続する実質的に垂直な接続部を有する。この接続部は別個の工程にて配置される。更なる変形例においては、第２のインプレーン電極端子は、第１のインプレーン電極端子の櫛歯状ラインに実質的に平行な櫛歯状ラインを有し、列導体がこの平行な第２のインプレーン電極端子の櫛歯状ラインを接続する。列導体は第１の電極パターンの接続部と同一の層から形成される。更なる変形例においては、共通の金属層は基板上に配置され、第１の絶縁体層は共通の金属層の少なくとも一部上に配置され、そして接続部及び列導体は第１の絶縁体層上に配置される。
　他の一実施形態において、共通の金属層は実質的に平行なラインのアレイから形成される。この実施形態の変形例においては、列導体及び接続部は、平行ラインのアレイを有する更なる金属層から形成される。更なる変形例においては、更なる金属層のラインは共通の金属層の平行ラインに実質的に垂直に形成される。
・・・・（略）・・・・
　他の一実施形態において、当該方法はロールツーロール製造プロセスを有する。さらに、パターン化された導体層の各々は平行ラインのアレイとして構成されることができ、これによって上記ロールツーロールプロセスでの製造が簡易化される。」
　
エ　「　Figure 4A shows the second electrode defined on a separate top substrate as one possible example, and shows the top electrode having a portion of the column conductor 10 which extends across all the pixels of a column, and a second in-plane electrode terminal 40 which is connected to the column conductor 10. The second in-plane electrode terminal 40 is laterally spaced from the first in-plane pixel electrode terminal. In this example, the second in-plane pixel electrode terminal 40 also comprises a comb pattern, which is interleaved with the first in-plane electrode terminal 36.
　　　　Figure 4B shows the second electrode defined on the same substrate in accordance with the invention, again having a portion of the column conductor 10 and the second in-plane electrode terminal 40. A second insulator 42 is provided at the cross over of the row and column conductors 12,10.
　　　　Figures 5A and 5B show an alternative arrangement, in which the first in- plane pixel electrode terminal 36 comprises an electrode block which extends parallel to the row conductor 12 and the second in-plane pixel electrode terminal 40 comprises an electrode block which is spaced from the first in-plane pixel electrode block terminal 36 in the column direction.
　　　　As in Figures 4A and 4B, Figure 5A shows the second electrode defined on a separate top substrate as one possible example, and Figure 5B shows the second electrode defined on the same substrate in accordance with the invention.
　　　　The layouts described above all use three metal layers to realise the active matrix structure. Whilst this is necessary in the case where the second pixel electrode 40 is situated on a second substrate, it is possible to use the same metal layer for both pixel electrodes when both layers are situated on the same substrate.
　　　　Figure 6 is a first example of pixel layout in which the in-pixel electrode patterns are defined by a common metal layer.
　　　　In the example of Figure 6, the first electrode patterns (including the end terminals 34 and the in-plane pixel electrodes 36), the column conductors 10 and the second in-plane electrode terminals 40 are all formed from a common metal layer. This is the first layer disposed over the substrate. The first 30 and second 42 insulator portions are disposed over the common metal layer, and the row conductor 12 is disposed over the first and second insulator portion 30,42.
　　　　This saves a mask step, but also has the additional advantage that it avoids certain limitations associated with roll-to-roll manufacturing (or other low cost manufacturing, such as printing based manufacturing methods).
　　　　Firstly, it is difficult to accurately align two structured layers relative to each other. For example, in the case of Figure 4A or 4B, it may be difficult to arrange the in-plane electrode terminal 40 to be positioned precisely between the in-plane electrode terminal 36.
　　　　In the embodiment of Figure 6, the alignment sensitive layers have been structured in the same processing step, as both sets of in-plane electrode terminals are created in the same patterning step.
　　　　In the embodiment of Figure 6, a single complex pattern is used (i.e. a 2- dimensional structured pattern). This pattern is the first structured layer in the process. In this case, all further layers can be patterned in the form of simple one- dimensional lines, or blocks (such as the cross over and MIM insulator, which can be considered as a short line). The row conductor pattern is a simple ID pattern, which form the MIM device together with the structured in-plane pixel electrodes terminals. A block of insulating material 42 again forms the cross over, whilst a thinner insulating layer 30 forms the MIM diode insulator.
　　　　A second limitation is that it is easier to create simple lines than complex patterns. It is preferred to use layouts that are exclusively patterned in any one patterning step in the form of simple one- dimensional lines or blocks. A further embodiment, shown in Figure 7, addresses this issue.
　　　　In Figure 7, portions of the first in-plane pixel electrode terminals 36, the row conductors 12 and portions of the second in-plane pixel electrode terminals 40 are all formed from a common metal layer. These portions all run parallel to the rows, so that the pattern of the common metal layer, as shown in Figure 7B, is simply a pattern of horizontal lines.
　　　　These horizontal lines form the comb lines of the comb patterns. The comb lines of the first in-plane pixel electrode terminal 36 are connected by the end terminal 34, which is extended to reach to all of the comb lines within the pixel, and the comb lines of the second in-plane pixel electrode terminal 40 are connected by the column conductors 10. The end terminal 34 and the column conductors 10 are formed from a different metal layer. These lines are oriented exclusively in the vertical direction.
　　　　The common metal layer is disposed first over the substrate, and the first and second insulator portions 30,42 are disposed over the common metal layer. The column conductors 10 and the (extended) end terminals 34 of the first electrode pattern are disposed over the first and second insulator portions.
　　　　In Figure 7, alignment tolerance is realised by extending the pixel electrodes beyond the switching area of the pixel. In particular, the comb lines are longer than in Figure 6, so that a cross-over contact is realised between the comb lines and the column conductor 10 and end terminal 34.
　　　　
This embodiment has an improved roll-to-roll compatible layout with only 1- dimensional patterned structures which for each metal layer are oriented in only a single direction
　
（日本語訳）
「図４Ａは、取り得る一例として、別個の頂部基板に定められた第２の電極を示しており、１つの列の全画素を超えて延在する列導体10の一部と列導体10に接続された第２のインプレーン電極端子40とを有する頂部電極を示している。第２のインプレーン電極端子40は第１のインプレーン画素電極端子から横方向に隔てられている。この例では、第２のインプレーン電極端子40もまた櫛形パターンを有し、第１のインプレーン電極端子36と交互に配置されている。
　図４Ｂは、本発明に従って同一基板上に設けられた、やはり列導体10の一部と第２のインプレーン電極端子40とを有する第２の電極を示している。行導体12と列導体10との交差部に第２の絶縁体42が設けられている。
　図５Ａ及び５Ｂは代わりの構成を示しており、第１のインプレーン画素電極端子36は行導体12と平行に延在する電極ブロックを有し、且つ第２のインプレーン画素電極端子40は第１のインプレーン画素電極ブロック端子36から列方向に隔てられた電極ブロックを有している。
　図４Ａ及び４Ｂでのように、図５Ａは取り得る一例として別個の頂部基板に定められた第２の電極を示しており、図５Ｂは本発明に従って同一基板上に定められた第２の電極を示している。
　上述のレイアウトは全て、アクティブマトリックス構造を実現するために３つの金属層を用いている。これは第２の画素電極40が第２の基板に位置付けられる場合には不可欠であるが、２つの画素電極用の双方の層が同一基板に位置付けられる場合には双方の画素電極に同一の金属層を使用することも可能である。
　図６は、画素内の電極パターンが共通の金属層によって定められている第１の画素レイアウト例である。図６の例では、第１の電極パターン（端部端子34及びインプレーン画素電極36を含む）、列導体10、及び第２のインプレーン電極端子40は全て、共通の金属層から形成される。これは基板に配置された第１層である。第１の絶縁部30及び第２の絶縁部42が共通の金属層の上方に配置され、行導体12が第１及び第２の絶縁部30、42の上方に配置される。
　これはマスク工程を削減するが、ロールツーロール製造法（又は、例えば印刷法に基づく製造法などの、その他の低コスト製造法）に関連する一定の制約を回避できるという更なる利点をも有している。
　第１に、２つの構造層を互いに対して正確に位置合わせすることは困難である。例えば、図４Ａ又は４Ｂの場合、インプレーン電極端子36の間に正確に位置付けられるようにインプレーン電極端子40を配置することは困難であり得る。
　図６の実施形態においては、双方のインプレーン電極端子セットが同一のパターン形成工程で作り出されるように、同一の処理工程にて位置整合感知層が構造化されている。
　図６の実施形態においては、単一の複合パターン（すなわち、２次元の構造化パターン）が用いられている。このパターンはプロセスにおける第１の構造層である。この場合、更なる層の全ては単純な１次元の直線状又はブロック状（例えば、短いラインと見なされ得る、交差部及びＭＩＭ絶縁体など）にパターン化されることができる。行導体のパターンは単純な１次元パターンであり、このパターンは、構造化されたインプレーン画素電極端子とともにＭＩＭデバイスを形成している。絶縁体ブロック42は、この場合も交差部を形成しているが、より薄い絶縁層30はＭＩＭダイオードの絶縁体を形成している。
　第２の制約は、複雑なパターンより単純な直線の方が作り出すのが容易なことである。何れか１つのパターン形成工程で専ら単純な１次元の直線状又はブロック状にパターン化されたレイアウトを用いることが好ましい。図７に示される更なる実施形態はこの問題を解決するものである。
　図７においては、第１のインプレーン画素電極端子36の部分、行導体12、及び第２のインプレーン画素電極端子40の全てが共通の金属層から形成されている。これらの部分は全て行に平行に走っており、そのため、共通金属層のパターンは図７Ｂに示されるように単純に横線パターンとなる。
　これらの横線は櫛形パターンの櫛歯状ラインを形成している。第１のインプレーン画素電極端子36の櫛歯状ラインは、この画素内の全ての櫛歯状ラインに届くように延在された端部端子34によって接続されており、第２のインプレーン画素電極端子40の櫛歯状ラインは、列導体10によって接続されている。端部端子34及び列導体10は別の１つの金属層から形成されており、これらのラインは専ら縦方向に向けられている。
　先ず、共通金属層が基板上に配置され、この共通金属層上に第１及び第２の絶縁部30、42が配置される。そして、この第1及び第２の絶縁部上に、列導体10、及び第１の電極パターンの（延在された）端部端子34が配置される。
　図７においては、画素電極を画素のスイッチング領域を超えて延在させることによって位置合わせに対する耐性が実現されている。具体的には、櫛歯状ラインが図６の場合より長く、そのため、櫛歯状ラインと列導体10及び端部端子34との間に交差接触が実現されている。
　この実施形態は、各金属層に対して
単一の方向のみに向けられた１次元のパターン化構造のみを備えた、ロールツーロールと相性の良い
　
オ　「Electrophoretic display systems can form the basis of a variety of applications where information may be displayed, for example in the form of information signs, public transport signs, advertising posters, pricing labels, billboards etc. In addition, they may be used where a changing non- information surface is required, such as wallpaper with a changing pattern or colour, especially if the surface requires a paper like appearance.」（１５頁８〜１２行）
　
（日本語訳）
「電気泳動表示システムは、情報が例えば案内標識、公共交通信号、広告用ポスター、価格表示、広告掲示板などの形態で表示される様々な用途の基礎を為すことが可能である。電気泳動表示システムは、さらに、例えば模様又は色彩が変化する壁紙などの、非情報的な表面を変化させる必要がある場合、特に表面が紙のような外観を必要とする場合に使用されてもよい。」
　
カ　上記アないしオの記載によれば、引用例１には、次の発明が記載されているものと認められる。
「共通基板と、頂部基板と、個々の画素に付随する表示セルとを有し、
　電界により前記表示セルの表示材料層内を移動する黒色の粒子を含み、該粒子が横方向電極の方に移動されると、粒子間に開口が現れ、その開口を通して下地表面が見え、該粒子がランダムに分散されているときには、粒子が白色の下地表面への光の通路を妨げ、粒子の色が見え、このように前記表示材料層内で粒子をセル毎に選択的に横方向に移動させることを利用した、下地の色への光の通過を粒子が遮断したり許可したりして選択的な光透過又は光遮断の機能を提供するインプレーンスイッチングを利用して反射型及び透過型の動作の双方が実現され得る、電気泳動アクティブマトリックス型表示装置において、
　前記共通基板上に、画素の行及び列から成るアレイを有し、
　各画素が、行の全画素を超えて延在する行導体の一部である行導体部分、前記行導体部分に関連付けられた櫛形パターンを有する第１のインプレーン電極端子を含む第１の電極パターン、列の全画素を超えて延在する列導体の一部である列導体部分、前記列導体部分に関連付けられた櫛形パターンを有する第２のインプレーン電極端子を含む第２の電極パターン、及び、金属−絶縁体−金属ダイオードデバイスを有し、
　前記第１のインプレーン電極端子、前記列導体部分及び前記第２のインプレーン電極端子が、前記共通基板上に配置された同一の金属層から形成され、単一の方向のみに向けられた１次元のパターン化構造のみを備えたロールツーロール製造技術との相性を良くした電気泳動アクティブマトリックス型表示装置。」（以下「引用発明」という。）
　
（２）同じく、平成２０年９月２２日付けで通知された拒絶の理由で引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である実公平６−４１２２２号公報（以下「引用例２」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
　
「電気泳動粒子８０が分散媒７０中にほぼ均一に分散された状態を保持している。このため視認側より電気泳動粒子８０の赤色が視認でき、かつこの場合の光透過率は約０．５％と極めて少ないものとなっている。」（３頁右欄２２〜２６行）
　
（３）同じく、平成２０年９月２２日付けで通知された拒絶の理由で引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００６−１７７５１号公報（以下「引用例３」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
　
ア　「【００４２】
（実施例１）
図１、図２、図３、図４、図５および図６に示すような第１の実施形態に関する実施例１の電気泳動表示装置について説明する。なお、１画素毎の周りを隔壁で囲むものとし、１画素のサイズは縦１２５μｍ、横１２５μｍとした。
【００４３】
図１及び図２に示すように、厚さ約０．７ｍｍの無アルカリガラス基板からなる第１基板１上にＴＦＴ素子１１、信号線９、ゲート線１０、補助容量線（図示せず）を常法により形成した。次に、ＩＴＯからなる第１電極３を、外周が画素の内側となるようにして幅が５μｍの枠状に形成した。なお、第１電極３とＴＦＴ素子１１のドレイン電極１６、信号線９とＴＦＴ素子１１のソース電極１５、ゲート線１０とＴＦＴ素子１１のゲート電極１２は夫々電気的に接続されている。
【００４４】
図３に示すように、厚さ約０．７ｍｍの無アルカリガラス基板からなる第２基板２上にＩＴＯからなる導電層２０を全面にスパッタ法で製膜した。厚さは１２０ｎｍとした。
【００４５】
このＩＴＯ２０上に、化学増幅型感光性エポキシ樹脂（ネガ型）を、スピンナーを用いて３０μｍの厚さに塗布した。９５℃のホットプレートでプリベークした後、フォトマスクを介して露光した。これを９５℃のホットプレートでベークした後、有機溶媒中に浸漬することで現像し、その後、１８０℃のホットプレート上でポストベークし、図４に示すように、高さ３０μｍ、幅５μｍの隔壁４を形成した。
【００４６】
隔壁４を形成した後、これを塩酸と硝酸の混合水溶液中に７分間浸し、隔壁４以外の部分のＩＴＯ２０を除去した。最後に純水をかけて、塩酸と硝酸を洗い流した。これにより、図５に示すように、隔壁４と第２基板２の間に、隔壁４と形状と位置が同じ第２電極５を作製することができた。
【００４７】
  図６に示すように、第２基板２の周辺部（図示せず）に、直径３０μｍの円筒形のガラスロッドを混ぜた室温硬化型２液性エポキシ接着剤を、ディスペンサーを用いて塗り、隔壁４内に分散液８を充填した後、第１基板１を貼り合わせ、位置合わせを行いながら固定し、室温硬化型２液性エポキシ接着剤を硬化させた。これに電圧印加回路（駆動手段、不図示）を接続して電気泳動表示装置とした。分散液８は、絶縁性液体６としてシリコーンオイルを、帯電粒子７として表面にポリスチレンをコートした平均粒径が０．５μｍのカーボン粒子を使用した。このとき、絶縁性液体６は透明であり、帯電粒子７は黒色であった。なお、この帯電粒子７は正に帯電している。また、第１基板１の画素電極３を形成した面とは反対の面には、光沢紙（不図示）を貼り付け、白色を呈する反射板とした。
【００４８】
  この電気泳動表示装置を以下の方法で駆動した。ゲート線１０にゲートパルス（低電圧値−９Ｖ、高電圧値＋２０Ｖ、パルス幅４２マイクロ秒、周波数６０Ｈｚ）を入れた。対向電極５は＋６Ｖの一定の電圧に保った。白表示を行う場合は、このゲートパルスと同期して、信号線９に＋１Ｖの直流を印加したところ、ゲートがオフとなる保持時間の間も電荷がほぼ保持されて＋１Ｖの直流を保った。黒表示を行う場合は、このゲートパルスと同期して、信号線９に周波数２０Ｈｚで高電圧値＋１１Ｖ、低電圧値＋１Ｖの矩形波を印加したところ、ゲートがオフとなる保持時間の間も電荷がほぼ保持されて周波数２０Ｈｚで高電圧値＋１１Ｖ、低電圧値＋１Ｖの交流（矩形波）を保った。その結果、コントラスト８：１で、白表示時に反射率５０％という優れた表示特性が得られた。」
　
イ　「【００４９】
（実施例２）
　図７に示すような、第２の実施形態に関する実施例２について説明する。本実施例では、実施例１と同様な部分については説明を省略する。
【００５０】
　本実施例では、第１電極３を画素の中央に設けた以外は、実施例１と同様にして電気泳動表示装置を作製した。画素のサイズが１２５μｍ角である中、第１電極３の大きさは、縦３０μｍ、横３０μｍとした。
【００５１】
  この電気泳動表示装置を実施例１と同様にして駆動したところ、のコントラストは８：１で、白表示時の反射率は５０％と優れた表示特性が得られた。」
　
４　対比
　
（１）引用発明と本願発明とを対比すると、引用発明の「共通基板と、頂部基板」、「表示材料層」、「表示セル」、「黒色の粒子」、「該粒子がランダムに分散されているときには、粒子が白色の下地表面への光の通路を妨げ、粒子の色が見え」、「該粒子が横方向電極の方に移動されると、粒子間に開口が現れ、その開口を通して下地表面が見え」、「前記表示材料層内で粒子をセル毎に選択的に横方向に移動させることを利用した、下地の色への光の通過を粒子が遮断したり許可したりして選択的な光透過又は光遮断の機能を提供するインプレーンスイッチングを利用して反射型及び透過型の動作の双方が実現され得る、電気泳動アクティブマトリックス型表示装置」、「櫛形パターンを有する第１のインプレーン電極端子を含む第１の電極パターン」及び「櫛形パターンを有する第２のインプレーン電極端子を含む第２の電極パターン」は、それぞれ、本願発明の「基板」、「分散系」、「セル」、「微粒子」、「セル中の微粒子分散状態を該基板に垂直方向のセルの光学的遮蔽状態とし」、「該微粒子を該基板に水平方向に移動させて該駆動電極に堆積させて、分散状態の微粒子量を変調させる」、「該セルの光学的遮蔽状態を変調する横電界粒子移動型表示装置」、「駆動電極」及び「共通電極」に相当する。
　
（２）引用発明は、「該粒子が横方向電極の方に移動されると、粒子間に開口が現れ、その開口を通して下地表面が見え、該粒子がランダムに分散されているときには、粒子が白色の下地表面への光の通路を妨げ、粒子の色が見え」るものであるから、引用発明の「基板（共通基板と頂部基板）」の少なくとも１方は透明であることが当業者に自明であり、このことと、引用発明の電気泳動アクティブマトリックス型表示装置において「微粒子（黒色の粒子）」は電界により移動するものであり、かつ、移動する箇所が「分散系（表示材料層）」内であることから、引用発明において、「微粒子」は「帯電し」ており、「分散系」の媒体は、微粒子が泳動する「液体」であり、かつ、「透明」であることが当業者に自明である。
　よって、引用発明の「共通基板と、頂部基板と、個々の画素に付随する表示セルとを有し、電界により前記表示セルの表示材料層内を移動する黒色の粒子を含む・・・電気泳動アクティブマトリックス型表示装置」と、本願発明の「少なくとも１方は透明な基板間に、帯電した微粒子が透明な液体またはガス媒体中に分散された分散系が挟まれてセルを構成している・・横電界粒子移動型表示装置」とは、「少なくとも１方は透明な基板間に、帯電した微粒子が透明な液体中に分散された分散系が挟まれてセルを構成している・・横電界粒子移動型表示装置」の点で一致している。
　
（３）引用発明において、インプレーンスイッチングを利用している電気泳動アクティブマトリックス型表示装置の表示材料層内を黒色の粒子が移動するように「電界」を印加するのは、第１の電極パターン及び第２の電極パターンの間であることは当業者に自明であるから、引用発明は、本願発明の「駆動電極と共通電極間に電圧を印加して」との事項を備えている。
　
（４）引用発明において、「第１のインプレーン電極端子、前記列導体部分及び前記第２のインプレーン電極端子が、前記共通基板上に配置された同一の金属層から形成され」ることから、引用発明の「駆動電極」と「共通電極」は、本願発明の「基板間に設けられ」かつ「共に同一基板側に設けられている」との事項を備えていることが明らかである。
　
（５）引用発明の「駆動電極」と「共通電極」は、共に「櫛形パターンを有する」から、本願発明の「櫛型、渦型ないしこれと類似形状の細線からなり」と、「櫛型の細線からなり」との点で一致する。
　
（６）以上から、本願発明と引用発明とは、「少なくとも１方は透明な基板間に、帯電した微粒子が透明な液体中に分散された分散系が挟まれてセルを構成しており、該セル中の微粒子分散状態を該基板に垂直方向のセルの光学的遮蔽状態とし、該基板間に設けられた駆動電極と共通電極間に電圧を印加して該微粒子を該基板に水平方向に移動させて該駆動電極に堆積させて、分散状態の微粒子量を変調させることによって該セルの光学的遮蔽状態を変調する横電界粒子移動型表示装置において、
　該駆動電極と共通電極は、櫛型の細線からなり、共に同一基板側に設けられている表示装置。」の点で一致し、次の点で相違している。
　
相違点：
　本願発明においては、「駆動電極と共通電極の電極間ピッチＰが５〜１００μｍ、セルギャップｄがピッチＰの０．２〜１．５倍に、また該駆動電極の面積率が２０％以下に設定されており、微粒子量は微粒子分散状態において該セルの光学的透過率が１０％以下になるように調整されて」いるものであるのに対して、引用発明においては、それらの設定値が不明である点。
　
５　判断
　
　上記相違点について検討する。
（１）本願明細書には「【００１３】本願の如き受動型表示装置では表示性能を決するものは、透過率（反射率）、コントラスト、色純度、応答速度、解像度、視野角などであり、装置としては駆動電圧、消費電力も重要な要素となる。図３の如き表示装置で透過コントラストは粒子分散状態（暗）の透過率と粒子集積状態（明）の透過率で決定される。特に十分な暗状態を作り出すことがコントラスト向上には必須用件となる。コントラスト１０００：１、１００：１、１０：１以上を実現するにはセルの粒子分散状態での透過率は各々０．１％（光学濃度３以上）、１％（光学濃度２以上）、１０％未満（光学濃度１以上）である必要がある。本願のセル構成では分散系の粒子濃度を増せば分散状態の透過率を上記値にすることは極めて容易である。しかし粒子濃度を増すと一般に粒子の移動速度が遅くなる、明状態の透過率が悪化しやすいなどの障害が発生するから不必要に粒子濃度を上げるのは得策ではない。」との記載がある。
（２）上記（１）からみて、本願発明において「微粒子量は微粒子分散状態においてセルの光学的透過率が１０％以下になるように調整されて」いる理由は、本願の如き受動型表示装置の表示性能を決する透過率（反射率）、コントラスト、色純度、応答速度、解像度、視野角などのうち、コントラストについて１０：１以上を実現するためには、セルの粒子分散状態での透過率は１０％未満（光学濃度１以上）である必要があるためであるものと解される。そうすると、本願発明の「セルの光学的透過率」とは、微粒子分散状態において１０％以下になるように微粒子量を調整して、コントラスト１０：１以上を実現するものであり、受動型表示装置の表示性能を決するものである上記「透過率（反射率）」を意味しているものと解される。
（３）上記（２）のとおり「光学的透過率」の意味を解すると、「微粒子量は微粒子分散状態においてセルの光学的透過率が１０％以下になるように調整されている電気泳動表示素子」は本願の優先日前に周知である（例．引用例２（上記３（２）の「光透過率は約０．５％」の記載参照。）、引用例３（上記３（３）ウの「コントラストは８：１で、白表示時の反射率は５０％と優れた表示特性が得られた。」の記載参照。実施例２も実施例１と同様に、帯電粒子７は黒色であり、第１基板１の画素電極３を形成した面とは反対の面には光沢紙を貼り付け白色を呈する反射板としたものであるから、黒表示時の反射率、すなわち本願発明でいう「微粒子分散状態においてセルの光学的透過率」は、５０％の８分の１の「６．２５％」であることが明らかである。））。
（４）引用発明は「粒子がランダムに分散されているときには、粒子が白色の下地表面への光の通路を妨げ、粒子の色が見え」るようにするものであり、その状態におけるセルの光学的透過率をどれほどにするかは設計上の事項であるところ、そのような形式の電気泳動表示装置において、微粒子量を微粒子分散状態においてセルの光学的透過率が１０％以下にすることは、上記（３）の周知技術に照らせば、当業者が適宜なし得た設計上の事項である。
（４）なお、上記（２）のとおり解するのではなく、本願発明の表示装置が透過型のものであり、コントラストは透過コントラストのことであると解するとしても、引用発明は、「反射型及び透過型の動作の双方が実現され得る」ものであって、引用発明を透過型にした際に、粒子がランダムに分散されているときには、粒子がバックライトからの光の通路を妨げ、粒子の色が見えるようにすることは当業者に自明であって、かつ、その状態におけるセルの光学的透過率をどれほどにするかは設計上の事項であるところ、引用例２に「光透過率は約０．５％」（上記３（２）参照。）と記載されているように、微粒子分散状態においてセルの光学的透過率を１０％以下にすることは本願の優先日前になされていたことである。よって、引用発明における「微粒子量」を「微粒子分散状態においてセルの光学的透過率が１０％以下になるように調整」することは、当業者が適宜なし得た設計上の事項にすぎない。
（５）引用発明は、「駆動電極と共通電極間に電圧を印加して該微粒子を該基板に水平方向に移動させて該駆動電極に堆積させて、分散状態の微粒子量を変調させることによって該セルの光学的遮蔽状態を変調する横電界粒子移動型表示装置」であるから、その電極間距離（ピッチＰ）、駆動電極の面積率、基板間の距離（セルギャップ）を具体的にどのようなものとするかは、当業者が設計上当然定めるべき事項であるところ、そのような横電界粒子移動型表示装置において、「駆動電極と共通電極の電極間ピッチＰが５〜１００μｍ、セルギャップｄがピッチＰの０．２〜１．５倍に、また該駆動電極の面積率が２０％以下」のものは、引用例３（上記３（３）参照。実施例２において、第１電極３（駆動電極）と第２電極５（共通電極）との電極間隔ピッチＰは６２．５μｍないし６９．３μｍ（１２５μｍ角の画素の中央の第１電極３と水平方向で６２．５μｍ上下方向で３０μｍだけ離れている第２電極３との距離は、√62.5２×30２＝69.33μｍである。）、壁４の高さ（セルギャップｄ）は実施例１と同じ３０μｍであるから、セルギャップｄはピッチＰの０．４３倍ないし０．４８倍であり、１２５μｍ角の画素の画素面積は125μｍ×125μｍ＝15625μｍ２で、第１電極３の面積は30μｍ×30μｍ＝900μｍ２であるから、第１画素の面積率は約６％である。）にみられるように本願の優先日前に知られていたものであるから、引用発明における「駆動電極」、「共通電極」及び「セルギャップ（基板間の距離）」について、「駆動電極と共通電極の電極間ピッチＰが５〜１００μｍ、セルギャップｄがピッチＰの０．２〜１．５倍に、また該駆動電極の面積率が２０％以下」に該当する値に設定することは、当業者が適宜なし得た設計上の事項にすぎない。
　
（６）そして、本願発明が奏する効果は、引用発明の奏する効果、引用例２に記載された事項及び引用例３に記載された事項に基づいて当業者が予測できた程度のことである。
　
（７）したがって、本願発明は、引用例１に記載の発明、引用例２に記載の事項及び引用例３に記載の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
６　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１に記載の発明、引用例２に記載の事項及び引用例３に記載の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。