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　平成　９年特許願第　７９４２０号「パッケ−ジ」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年１０月１３日出願公開、特開平１０−２７５８２５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成９年３月３１日の出願であって、平成１７年１月１９日付け拒絶理由通知に対して、平成１７年３月２８日付けで手続補正がされ、さらに平成１７年４月１９日付け拒絶理由通知（最後）に対して、平成１７年６月１６日付けで手続補正がされたものの、平成１８年１月１３日付けで前記平成１７年６月１６日付けの手続補正が却下されるとともに、平成１８年１月１３日付けで拒絶査定され、これに対し、平成１８年３月６日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同日付けで手続補正がされたものである。
　
第２　平成１８年３月６日付けの手続補正についての補正却下の決定
〔補正却下の決定の結論〕
　平成１８年３月６日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　
〔理由〕
１．本件補正前及び本件補正後の本願発明
　本件補正は、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である、接続電極とマザーボードとの間に介装される「接着剤」に、「粒径が１μｍ〜１０μｍの導電粒子を分散した」との限定を付すとともに、同じく補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「マザーボード」が、「ポリイミド、エポキシ、シアネートエステル系樹脂から選ばれる１種とガラスクロスから作成される」ものであって、しかも「リジッド」なものであるとの限定を付すものであるから、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる事項を目的とするものである。
　そこで、本件補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定する要件を満たすか）否かを、請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）について以下に検討する。
　本願補正発明は、次のとおりのものである。
　
「【請求項１】半導体が接着剤を介してフリップチップ接続された、ポリイミド、エポキシ、シアネートエステル系樹脂から選ばれる１種とガラスクロスから作成されるリジット基材表面の導体回路と導通しかつ前記基材の他方の表面から突出した接続電極を、粒径が１μｍ〜１０μｍの導電粒子を分散した接着剤を介して、ポリイミド、エポキシ、シアネートエステル系樹脂から選ばれる１種とガラスクロスから作成されるリジットマザーボードと電気的に導通させたことを特徴とするパッケージ。」
　
２．引用例及びその記載事項
（１）これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開平５−８２５８６号公報（以下、「引用例１」という。）には、図１、図２及び図５とともに、以下の事項が記載されている。
　
〔１ａ〕「【請求項１】複数の第１のバンプ電極が形成された半導体チップと、前記半導体チップを搭載するための絶縁基板と、前記絶縁基板の第１の面に形成されると共にそれぞれ対応する前記半導体チップの第１のバンプ電極に接合される複数の接点と、前記絶縁基板の第２の面に形成されると共にそれぞれ対応する前記接点に電気的に接続された複数の第２のバンプ電極と、前記半導体チップと前記絶縁基板の第１の面とを樹脂封止するパッケージ本体とを備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】それぞれ半導体チップの複数の第１のバンプ電極に対応させて絶縁基板の第１の面に複数の接点を形成すると共にそれぞれ対応する接点に電気的に接続される複数の第２のバンプ電極を絶縁基板の第２の面に形成し、半導体チップの第１のバンプ電極がそれぞれ対応する絶縁基板の接点に接触するように半導体チップと絶縁基板とを位置合わせし、半導体チップの第１のバンプ電極と絶縁基板の接点との接触部を加熱してこれらを拡散接合させ、半導体チップと絶縁基板の第１の面とを樹脂封止することを特徴とする半導体装置の製造方法。」（【特許請求の範囲】）
　
〔１ｂ〕「この発明は、樹脂封止型の半導体装置及びその製造方法に関する。」（【０００１】）
　
〔１ｃ〕「この発明は・・・小型で且つ半導体チップの電気的特性を十分に引き出すことのできる半導体装置を提供することを目的とする。また、この発明はこのような半導体装置を得ることのできる半導体装置の製造方法を提供することも目的としている。」（【０００４】）
　
〔１ｄ〕「【実施例】
　以下、この発明の実施例を添付図面に基づいて説明する。図１はこの発明の第１実施例に係る半導体装置を示す断面図である。半導体チップ２１の第１の面２１ａ上に複数の第１のバンプ電極２２が形成されている。これらのバンプ電極２２は、半導体チップ２１の内部回路の構成に即した適当な位置に配されており、第１の面２１ａの周縁部及び中央部を問わず自由に配置されている。一方、セラミックからなる絶縁基板２３の第１の面２３ａ上にはそれぞれ半導体チップ２１の第１のバンプ電極２２に対応する位置に複数の接点２４が形成されており、互いに対応する半導体チップ２１の第１のバンプ電極２２と絶縁基板２３の接点２４とが接合され電気的に接続されている。また、絶縁基板２３の第２の面２３ｂ上にはそれぞれ接点２４に対応する位置に複数の第２のバンプ電極２６が形成されている。互いに対応する接点２４と第２のバンプ電極２６とは絶縁基板２３を貫通して設けられたスルーホール２５により電気的に接続されており、第２のバンプ電極２６がこの半導体装置の実装用の電極となる。・・・半導体チップ２１と絶縁基板２３の第１の面２３ａとがモールド樹脂からなるパッケージ本体２７により封止されている。」（【０００７】）
　
〔１ｅ〕「このような半導体装置は次のようにして製造することができる。まず、半導体チップ２１の第１のバンプ電極２２に対応させて絶縁基板２３に接点２４、スルーホール２５及び第２のバンプ電極２６を形成する。
　次に、図２に示されるように、接点２４が形成されている第１の面２３ａが上方を向くように絶縁基板２３を加熱治具３０の上に載置する。この絶縁基板２３の接点２４上に対応する半導体チップ２１の第１のバンプ電極２２が接触するように半導体チップ２１を絶縁基板２３に位置合わせする。この状態で加熱治具３０を昇温させることにより半導体チップ２１の第１のバンプ電極２２と絶縁基板２３の接点２４との接合部を加熱し、これらを拡散接合させる。」（【００１０】）
　
〔１ｆ〕「図５に示される第３実施例のように、ガラスエポキシからなる絶縁基板４３の上に半導体チップ４１を搭載し、半導体チップ４１と絶縁基板４３の第１の面４３ａをパッケージ本体４７で樹脂封止することもできる。」（【００１１】）
　
〔１ｇ〕図５には、絶縁基板の第２の面上に形成される第２のバンプ電極が、前記第２の面の表面から突出した構造となっていることが図示されている。
　
（２）また、同じく原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開平４−３６３８１１号公報（以下、「引用例２」という。）には、図１、図３及び図４とともに、以下の事項が記載されている。
　
〔２ａ〕「本発明は異方導電性接着フィルム、およびこれを用いてなる実装構造に関するものである。」（【０００１】）
　
〔２ｂ〕「本発明者らは従来の異方導電性フィルムが有する上記課題を解決し、確実に異方導電化できて接続信頼性が高く、さらに、接着性を有して接続部の封止も確実に行える異方導電性接着フィルムを提供すべく鋭意検討を重ね、本発明を完成するに至った。」（【０００７】）
　
〔２ｃ〕「図３および図４は本発明の異方導電性接着フィルムを用いて半導体素子を外部基板上に実装する前および実装後の実装構造を示す断面図である。・・・図３および図４にて用いる異方導電性接着フィルムは図１（Ａ）タイプのものであり、ポリイミド樹脂などからなる絶縁性フィルム１に設けられた微細貫通孔２には金メッキなどによって金属物質３およびバンプ状の金属突出物４が形成されており、さらに両面に接着性樹脂層５が形成されている。接着性樹脂層５のうち半導体素子７側の接着性樹脂層は、接続部（電極８）の封止および接着機能を発揮するようにエポキシ樹脂を用いることが好ましく、外部基板９側の接着性樹脂層はＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）基板の場合、Ｂステージ状態の熱硬化性エポキシ樹脂を用いることが好ましい。・・・図３の状態のものを加熱、圧着することによって、図４に示すようにバンプ状の金属突出物４によって半導体素子７上の電極８と外部基板９上の電極８とが接続され導通する。そして接続と同時に接続部分が樹脂封止、保護されて電気的接続信頼性が向上するのである。」（【００３１】〜【００３３】）
　
（３）引用例１の摘記事項〔１ａ〕〜〔１ｇ〕及び図１、図２、図５を総合勘案すると、引用例１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「複数の第１のバンプ電極が形成された半導体チップと、前記半導体チップを搭載するためのガラスエポキシからなる絶縁基板と、前記絶縁基板の第１の面に形成されると共にそれぞれ対応する前記半導体チップの第１のバンプ電極に接合される複数の接点と、前記絶縁基板の第２の面に形成されると共にそれぞれ対応する前記接点に電気的に接続された複数の第２のバンプ電極とを備えた半導体装置において、前記複数の第２のバンプ電極は、前記絶縁基板の第２の面の表面から突出した構造となっている半導体装置。」
　
３．対比・判断
　そこで、本願補正発明と引用発明とを対比する。
（ア）引用発明の「半導体チップ」は、本願補正発明の「半導体」に相当する。
（イ）引用発明の「ガラスエポキシからなる絶縁基板」は、本願補正発明の「ポリイミド、エポキシ、シアネートエステル系樹脂から選ばれる１種とガラスクロスから作成されるリジット基材」の内、エポキシ樹脂を選択した「エポキシ樹脂とガラスクロスから作成されるリジット基材」に相当する。
（ウ）引用発明の「絶縁基板の第１の面に形成されると共にそれぞれ対応する前記半導体チップの第１のバンプ電極に接合される複数の接点」は、本願補正発明の「リジット基材表面の導体回路」に相当する。
（エ）引用発明の「半導体チップの第１のバンプ電極」が前記「複数の接点」に接合されている点は、本願補正発明において、半導体がリジット基材表面の導体回路と接続されている点に対応する。
（オ）引用発明の「複数の第２のバンプ電極」は、リジット基材表面の導体回路に電気的に接続され、かつ前記リジット基材の第２の面の表面から突出した構造となっているので、本願補正発明の「接続電極」に相当する。
（カ）引用発明の「半導体装置」は、本願補正発明の「パッケージ」に相当する。
　
　以上の（ア）〜（カ）を勘案すると、本願補正発明と引用発明とは、次の点で一致する。
　
＜一致点＞
　「半導体が接続された、ポリイミド、エポキシ、シアネートエステル系樹脂から選ばれる１種とガラスクロスから作成されるリジット基材表面の導体回路と導通しかつ前記基材の他方の表面から突出した接続電極を備えたパッケージ。」
　
　一方で、両者は次の点で相違する。
　
＜相違点１＞
　半導体とリジット基材表面の導体回路との接続の形態について、本願補正発明では、「接着剤を介してフリップチップ接続された」とされているのに対して、引用発明では、そのような形態に特定されていない点。
　
＜相違点２＞
　本願補正発明は、その接続電極を「粒径が１μｍ〜１０μｍの導電粒子を分散した接着剤を介して、ポリイミド、エポキシ、シアネートエステル系樹脂から選ばれる１種とガラスクロスから作成されるリジットマザーボードと電気的に導通させた」のに対して、引用発明の接続電極への外部からの電気的な導通がどのように成されるのかが不明な点。
　
　以下、これらの相違点について検討する。
　
＜相違点１について＞
　引用例２の摘記事項〔２ｃ〕の「ポリイミド樹脂などからなる絶縁性フィルム１に設けられた微細貫通孔２には金メッキなどによって金属物質３およびバンプ状の金属突出物４が形成されており、さらに両面に接着性樹脂層５が形成されている。」との記載、「接着性樹脂層５のうち半導体素子７側の接着性樹脂層は、接続部（電極８）の封止および接着機能を発揮するようにエポキシ樹脂を用いることが好ましく」との記載、及び「図３の状態のものを加熱、圧着することによって、図４に示すようにバンプ状の金属突出物４によって半導体素子７上の電極８と外部基板９上の電極８とが接続され導通する。」との記載からすると、引用例２には、半導体素子（本願補正発明の「半導体」に相当）と基材表面のバンプ状の金属突出物（本願補正発明の「導体回路」に相当）とを「接着剤を介してフリップチップ接続」することが開示されていると認められる。なお、引用例２記載の「接着剤を介してフリップチップ接続」した形態は、半導体素子と絶縁性フィルム表面のバンプ状金属突起物との間のものであるが、このような接続形態は、前記バンプ状金属突起物がフィルム状基板表面のものか、ガラスエポキシ製のように「リジット」な基板表面のものかによらず採用できることはいうまでもない。
　してみると、引用発明における半導体とリジット基材表面の導体回路との接続の形態として、引用例２記載の「接着剤を介してフリップチップ接続」した形態を採用することは、半導体と基板表面の導体回路との接続形態として公知のものの転用にすぎず、当業者が容易になし得たことである。
　
＜相違点２について＞
　引用発明の「第２のバンプ電極」は、引用例１の「第２のバンプ電極２６がこの半導体装置の実装用の電極となる。」（引用例１の摘記事項〔１ｄ〕参照）との記載からすると、実装対象の他の部材（例えば、プリント基板）と電気的に導通させる必要があるものであることは明らかである。
　一方、半導体装置であるパッケージの接続電極と該パッケージの実装対象の部材との電気的な導通を図るための形態として、「粒径が１μｍ〜１０μｍの導電粒子を分散した接着剤を介して、ポリイミド、エポキシ、シアネートエステル系樹脂から選ばれる１種とガラスクロスから作成されるリジットマザーボードと電気的に導通させ」ることは、例えば以下の周知例１、２に記載されるように、本願出願時既に周知の技術である。
　してみると、引用発明における接続電極と実装対象の他の部材との電気的な導通を図るための形態として、前記周知技術を採用することは、当業者が容易になし得たことである。
　
周知例１：特開平９−５１０１８号公報
〔周１ａ〕「半導体素子とほぼ同じ面積で実装する方法として、半導体素子を裏かえして、基板電極に直接接続するフリップチップ接続方法が開発された。その方法として、（１）導電性接着剤を用いて接続する方法（例えば、日刊工業新聞社発行、表面実装技術、９月号１９９４年、４８ページ）と（２）はんだを用いて接続する方法（例えば、工業調査会、１９８６年６月１日発行、サーフェイス・マウント・テクノロジー、１７２ページ）がある。」（【０００２】）
　
〔周１ｂ〕「実施の形態１．
　図１（ａ）は本発明の実施の形態の一つを示す断面図である。図において、１は半導体素子、２は半導体素子上に形成された突起電極、３はプリント基板、４はプリント基板上に形成された電極、５は導電性粒子、６は導電性粒子５を含む異方性導電接着剤、１９は突起電極を押し付けることによって生じた基板の凹部を示す。・・・半導体素子１上の突起電極２の材料は、金、銅、ニッケル、はんだ等、金属であればよい。その形成方法は、めっきまたは蒸着を用いて行う方法またはボールボンダで形成する方法がある。導電性粒子５は直径５μｍのエポキシ等のプラスチック粒子にめっきでニッケルと金の金属膜を形成したものを用いた。他に、ニケルまたは金粒子を用いてもよい。異方性導電接着剤６は主剤として熱硬化型のエポキシ接着剤を用いた。他に、熱可塑性のものでもよい。プリント基板はガラスエポキシ基板を用いた。電極４の幅は突起電極２の幅１００μｍよりも小さく８０μｍを用いた。・・・基板３の表面に凹凸があると、接続箇所によって突起電極２と電極４との距離が異なるので、良好な接続が得られなくなる可能性がある。それに対しては、突起電極２を電極４に押し付ける時に、基板３に凹部１９を生ずるまで押し込むことにより対処でき、良好な導通を得ることが出来る。基板３の表面に凹凸があっても、凹部が生ずるように押し込むことにより、突起電極２と基板電極４との間に働く力の接続箇所によるばらつきは少なくなり、接続抵抗は均一化できる。１５０μｍのピッチの突起電極２を持つ半導体素子１を接続したところ、基板３に凹部１９が生じ、突起電極２と電極４は不良なく接続ができた。・・・プリント基板３の芯はガラス繊維であるが、表面付近は柔軟性のある樹脂なので凹部１９を形成できる。半導体素子１と基板３は異方性導電接着剤６で強固に面接着されるので凹部１９はそのまま維持される。また、面接着されるので、半導体素子１と基板３との熱膨張係数の違いにより生ずる応力が接続点に集中することはなく、剥離しにくくなる。異方性導電接着剤は導電性粒子により電気的導通を得るものであるので、導電性粒子をつぶした箇所しか導通しないので、微細ピッチの電極の接続が可能になる。」（【００２４】〜【００２７】）
　
周知例２：特開平９−４５７３１号公報
〔周２ａ〕「【請求項１】周縁部に多数の電極を有する半導体チップと、これに相対する電極を有する配線基板の接続構造であって、前記半導体チップおよび／または配線基板の電極が絶縁面より突起してなり、少なくとも接続後の半導体チップの周縁部電極に囲まれた領域内に前記突起電極と略同等高さのダミー電極が設けられ、前記ダミー電極は接続面を投影した時、円状および／または多角形状で接続領域内に複数以上が存在し、厚みが０．３ｍｍ以下の前記半導体チップと配線基板とが接着剤で接続されてなる半導体チップの接続構造。」（【特許請求の範囲】）
　
〔周２ｂ〕「図１〜４は本発明の一実施例を説明する半導体チップの接続構造の断面模式図である。・・・図３及び４はバンプつき（突起電極７）の場合を示す。」（【０００７】）
　
〔周２ｃ〕「基板４としては、ポリイミドやポリエステルなどのプラスチックフィルム、ガラス・エポキシなどの複合体、シリコンなどの半導体、ガラスやセラミックスなどの無機物があり、必要により接着剤（図略）を介して回路５を有する。」（【０００９】）
　
〔周２ｄ〕「本発明に用いる接着剤１１は図８のように、絶縁性の接着剤（図８ａ）を用いて両電極の直接接触により導電性を得ること（図２〜４で可能、突起電極７あり）や、加圧により厚み方向のみに導電性の得られる程度の導電粒子１２を含有してなる異方導電性の接着剤（図８ｂ）を用いて、両電極間に導電粒子を介在させる方法（図１〜４で可能）のどちらも採用できる。」（【００１５】）
　
〔周２ｅ〕「導電粒子１２としては、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｗ、Ｓｂ、Ｓｎ、はんだ等の金属粒子やカーボン等があり、またこれら導電粒子を核材とするか、あるいは非導電性のガラス、セラミックス、プラスチック等の高分子などからなる核材に、前記したような材質からなる導電層を被覆形成したものでも良い。さらに導電粒子１２を絶縁層で被覆してなる絶縁被覆粒子や、導電粒子と絶縁粒子の併用なども適用可能である。・・・粒径の上限は、微小な電極上に１個以上、好ましくは５個以上と多くの粒子数を確保するには小粒径粒子が好適であり、５０μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以下である。粒径の下限は絶縁層３の厚みより大きなことや電極面の凹凸に対応可能とし、粒子の過度の凝集性を防止するために０．５μｍ以上、好ましくは１μｍ以上とすべきである。」（【００１７】〜【００１８】）
　
　そして、本願補正発明の効果は、引用発明、引用例２記載の発明及び前記周知技術から予測可能な範囲のものであって、格別顕著なものではない。
　したがって、本願補正発明は、引用発明、引用例２記載の発明及び前記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　なお、審判請求人は、平成２０年４月２８日付け審尋に対する平成２０年７月８日付け回答書において、「しかしながら、追加引例１、追加引例２及び引用文献１は、何れも、半導体素子とこれが搭載される基板（本願の「基板３」に相当。）との接続に異方導電接着剤を用いるものです。一方、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、半導体素子が搭載された基板（半導体装置）とマザーボードとの接続に異方導電接着剤を用いるという構成を有する点で、追加引例１、追加引例２及び引用文献１とは異なります。したがって、追加引例１、追加引例２及び引用文献１を組み合わせても、半導体素子を搭載した基板とマザーボードとの接続に異方導電接着剤を用いるという本願発明の構成には到りません。」と主張している（前記主張における「追加引例１」及び「追加引例２」は、それぞれ前記周知例１及び周知例２である。）。
　しかしながら、半導体装置であるパッケージの接続電極と該パッケージの実装対象の部材との電気的な導通を図るための手段として、導電性粒子を含む異方導電接着剤を用いることが、前述のように本願出願時既に周知の技術であるから、この技術を引用発明における実装用と接続電極（及び該接続電極を介して実装対象の部材に接続されるリジット基材）とその実装対象の部材の電気的な導通を図るための手段として用いることに何ら困難性はないというべきである。
　よって、前記主張は、採用しない。
　
４．本件補正についての結び
　以上のとおり、本願補正発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項に規定する要件を満たさないものであり、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１．本願発明
　平成１８年３月６日付けの手続補正は前記のとおり却下され、また、平成１７年６月１６日付けの手続補正も既に却下されているので、本願の請求項１〜４に係る発明は、平成１７年３月２８日付け手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項１に記載された事項により特定される発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりものである。
　
「【請求項１】半導体が接着剤を介してフリップチップ接続された、ポリイミド、エポキシ、シアネートエステル系樹脂から選ばれる１種とガラスクロスから作成されるリジット基材表面の導体回路と導通しかつ前記基材の他方の表面から突出した接続電極を、接着剤を介してマザーボードと電気的に導通させたことを特徴とするパッケージ。」
　
２．引用例及びその記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例１、２及びその記載事項は、前記「第２〔理由〕２．」に記載したとおりである。
　
３．対比・判断
　本願発明は、前記「第２〔理由〕」で検討した本願補正発明の「粒径が１μｍ〜１０μｍの導電粒子を分散した接着剤」から、「粒径が１μｍ〜１０μｍの導電粒子を分散した」との限定を解除し、さらに、同じく本願補正発明の「ポリイミド、エポキシ、シアネートエステル系樹脂から選ばれる１種とガラスクロスから作成されるリジット」マザーボードが、「ポリイミド、エポキシ、シアネートエステル系樹脂から選ばれる１種とガラスクロスから作成される」ものであって、しかも「リジット」なものであるとの限定を解除したものに相当する。
　そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含み、さらに他の要件を付加したものに相当する本願補正発明が、前記「第２〔理由〕３．」に記載したとおり、引用発明、引用例２記載の発明及び前記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用発明、引用例２記載の発明及び前記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　したがって、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。