【事件の表示】
　特願２００４−２３６５００「アクティブマトリックス型有機電界発光素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　６月　９日出願公開、特開２００５−１４８７１４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１６年（２００４年）８月１６日（パリ条約による優先権主張、平成１５年１１月１２日、大韓民国）に出願した特願２００４−２３６５００号であって、平成１９年３月５日付で拒絶査定がなされ、これに対して、平成１９年６月１１日付で拒絶査定不服審判の請求がなされ、同日付で手続補正がなされたものである。
　
第２　平成１９年６月１１日付の手続補正についての補正の却下の決定について
　
［補正の却下の決定の結論］
　平成１９年６月１１日付の手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　
１　本件補正について
　平成１９年６月１１日付手続補正により、特許請求の範囲の請求項１に係る発明は、平成１９年２月７日付手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載の、
「基板上に複数のサブピクセルが配置されたアクティブマトリックス型有機電界発光素子において、
　各サブピクセルは、駆動回路によって駆動される第１薄膜トランジスタ、前記第１薄膜トランジスタによって駆動される第２薄膜トランジスタ、及び前記第２薄膜トランジスタによって駆動される表示部を備え、
　前記表示部は、前記第２薄膜トランジスタから電荷を供給される第１電極、前記サブピクセルに隣接して位置する第２電極連結端子から電荷を供給される第２電極、第１電極と第２電極間に介在された発光層、及び前記第１電極と第２電極のうち少なくとも一電極と発光層間に介在された電荷輸送層を備え、
　前記電荷輸送層と第２電極とは隣接したサブピクセルによって共有され、
　前記第２電極は、第２電極連結端子と直接電気的に連結され、
　前記第２電極と第２電極連結端子の上には保護層が形成されたことを特徴とするアクティブマトリックス型有機電界発光素子。」が、
　
「基板上に複数のサブピクセルが配置されたアクティブマトリックス型有機電界発光素子において、
　各サブピクセルは、駆動回路によって駆動される第１薄膜トランジスタ、前記第１薄膜トランジスタによって駆動される第２薄膜トランジスタ、及び前記第２薄膜トランジスタによって駆動される表示部を備え、
　前記表示部は、前記第２薄膜トランジスタから電荷を供給される第１電極、前記サブピクセルに隣接して位置する第２電極連結端子から電荷を供給される第２電極、第１電極と第２電極間に介在された発光層、及び前記第１電極と第２電極のうち少なくとも一電極と発光層間に介在された電荷輸送層を備え、
　前記電荷輸送層と第２電極とは隣接したサブピクセルによって共有され、
　前記サブピクセルに隣接して位置する第２電極連結端子が、前記基板上に形成された絶縁層上に形成されており、
　前記第２電極は、第２電極連結端子と直接電気的に連結され、
　前記第２電極と第２電極連結端子の上には保護層が形成されたことを特徴とするアクティブマトリックス型有機電界発光素子。」（以下、「本願補正発明」という。）と補正された。
　
２　補正目的の違反についての検討
　この本件補正は、「前記サブピクセルに隣接して位置する第２電極連結端子が、前記基板上に形成された絶縁層上に形成されて」いる点を追加して限定する補正からなる。　
　 そして、上記の補正により、本件補正前の技術課題に加え、第２電極連結端子を「絶縁膜」上に形成することに関連する技術課題も、本願の発明が解決しようとする技術課題となり、そして、この技術課題は、本件補正前の請求項１の記載からは想定され得ない技術課題である。したがって、発明が解決しようとする課題は、本件補正の前後で変更されたということができ、本件補正は、請求項のいわゆる限定的減縮を目的とするものではなく、すなわち、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる事項を目的とするものではなく、また、同法第１７条の２第４項第１，３，４号に掲げるいずれの事項をも目的とするものでもないから、同法第１７条の２第４項に違反するものである。
　したがって、本件補正は、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３　独立特許要件違反についての検討
　念のため、仮に、上記の本件補正が、全体として平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる事項を目的とする補正であって、同法第１７条の２第４項の規定に違反する補正ではないとした場合に、本件補正発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて検討する。
　
（１）本件補正発明について
　本願補正発明は、平成１９年６月１１日付手続補正書でなされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるものである。（上記「１　本件補正について」の記載参照。）
　
（２）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２０００−１７３７７９号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面の記載とともに以下の事項が記載されている。
　
「【請求項３】　陽極と陰極間に発光層を有するＥＬ素子、及び該ＥＬ素子を駆動する薄膜トランジスタを備えたＥＬパネルと、該ＥＬパネルに接続され前記陰極へ信号を供給するための接続端子を備えた信号入力部材とを有するアクティブ型ＥＬ表示装置において、前記陰極から前記接続端子までの配線を、前記薄膜トランジスタの形成工程で使用する導電材料で構成したことを特徴とするアクティブ型ＥＬ表示装置。
　　【請求項４】　前記薄膜トランジスタの形成工程で使用する導電材料は、前記薄膜トランジスタのゲート電極又はドレイン電極として使用する金属材料であることを特徴とする請求項３記載のアクティブ型ＥＬ表示装置。」
　
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜トランジスタ（TFT）を用いて有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子を駆動するアクティブ型のＥＬ表示装置に関する。」
　
「【０００６】
　ところで、陽極に所定の正電圧を入力し、陰極に接地電位又は負電圧を入力するために、通常、TABやFPC等の信号入力基板１０を有機ＥＬパネル１に接続するようにしている。図７に示すように、信号入力基板１０の裏面には、陰極へ所定の電圧を供給するため銅等でなる接続端子１１が形成されており、この接続端子１１と陰極４とを接続する方法として、従来は、陰極材料をそのまま接続端子まで延ばしていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】パッシブ型の場合、上述したように陰極には、同一列における全画素のＥＬ素子から電流が流れ込むが、ＴＦＴを用いたアクティブ型の場合には、陰極に表示領域内における全画素のＥＬ素子から電流が流れ込むので、その電流値は極めて大きなものとなる。また、Ｍｇ合金等の陰極材料はその抵抗値が比較的大きい。従って、アクティブ型において、従来のパッシブ型と同様に、陰極材料をそのまま延ばして、信号入力基板の接続端子と接続するようにすると、接続部での大きな抵抗によって電圧がドロップし、ＥＬ素子の発行輝度が低下してしまう。このような問題は、表示画面が大きくなればなるほど更に深刻な問題となる。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、陽極と陰極間に発光層を有するＥＬ素子、及び該ＥＬ素子を駆動する薄膜トランジスタを備えたＥＬパネルと、該ＥＬパネルに接続され前記陰極へ信号を供給するための接続端子を備えた信号入力部材とを有するアクティブ型ＥＬ表示装置において、前記陰極から前記接続端子までの配線を、陰極材料と前記薄膜トランジスタの形成工程で使用する導電材料との多層構造としたことを特徴とする。
【０００９】また、本発明は、陽極と陰極間に発光層を有するＥＬ素子、及び該ＥＬ素子を駆動する薄膜トランジスタを備えたＥＬパネルと、該ＥＬパネルに接続され前記陰極へ信号を供給するための接続端子を備えた信号入力部材とを有するアクティブ型ＥＬ表示装置において、前記陰極から前記接続端子までの配線を、前記薄膜トランジスタの形成工程で使用する導電材料で構成したことを特徴とする。
【００１０】特に、前記薄膜トランジスタの形成工程で使用する導電材料は、前記薄膜トランジスタのゲート電極又はドレイン電極として使用する金属材料であることを特徴とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明によるＥＬ表示装置はTFTを用いたアクティブ型であって、各画素の構成は図６に示す通りである。
【００１２】即ち、有機ＥＬ素子２０と、ドレインに表示信号Dataが印加され、選択信号Scanによりオンオフするスイッチング用の第１のTFT２１と、TFT２１のオン時に供給される表示信号Dataにより充電され、TFT２１のオフ時には充電電圧Vhを保持するコンデンサ２２と、ドレインが駆動電源電圧COMに接続され、ソースが有機ＥＬ素子２０の陽極に接続されると共に、ゲートにコンデンサ２２からの保持電圧Vhが供給されることにより有機ＥＬ素子２０を駆動する第２のTFT２３とによって構成されている。
【００１３】ここで、選択信号Scanは、選択された１水平走査期間（１Ｈ）中Ｈレベルになり、これによってTFT２１がオンすると、表示信号Dataがコンデンサ２２の一端に供給され、表示信号Dataに応じた電圧Vhがコンデンサ２２に充電される。この電圧Vhは、ScanがＬレベルになってTFT２１がオフになっても、１垂直走査（１Ｖ）期間コンデンサ２２に保持され続ける。そして、この電圧VhがTFT２３のゲートに供給されているので、電圧Vhに応じた輝度でＥＬ素子が発光するように制御される。
【００１４】図５は、図６における有機ＥＬ素子２０及びTFT２３の構造を示す図である。
【００１５】有機ＥＬ素子２０は、透明なITOから成る陽極５１とMgIn合金から成る陰極５５との間に、MTDATAから成るホール輸送層５２，TPDとRubreneから成る発光層５３，Alq3から成る電子輸送層５４を順に積層して形成されている。そして、陽極５１から注入されたホールと陰極５５から注入された電子とが発光層５３の内部で再結合することにより光が放たれ、図中の矢印で示すように光は透明な陽極側から外部へ放射される。
【００１６】また、駆動用のTFT２３は、ガラス基板６０上に、クロムCrより成るゲート電極６１，ゲート絶縁膜６２，ドレイン領域６３及びソース領域６４を有するポリシリコン薄膜６５，層間絶縁膜６６，平坦化絶縁膜６７を順に積層して形成されており、ドレイン領域６３はアルミニウムAlより成るドレイン電極６８に、そして、ソース領域６４は有機ＥＬ素子１０３の陽極であってTFT２３のソース電極を構成するITO５１に接続されている。
【００１７】本発明の実施形態においては、以上説明した各画素がマトリクス状に配置されて、アクティブ型のＥＬパネル３０が構成されており、このパネル３０と信号入力基板（TABやFPC等）３５との接続状態が、図１の断面図及び図３の平面図に示されている。
【００１８】図１において、ＥＬパネル３０には、上述したように、ITOから成る陽極５１上に、ホール輸送層５２，発光層５３，電子輸送層５４及び陰極５５が順に積層されており、基板６０上に示す３１は、ゲート絶縁膜６２，層間絶縁膜６６，平坦化絶縁膜６７等の絶縁膜層を簡略化して示している。同様に、基板６０上に示す３２は、ゲート電極としてクロムCr，ドレイン電極としてのアルミニウムAl等の金属層を簡略化して示している。また、信号入力基板３５には、陰極５５へ所定の電圧を供給するための接続端子３６が裏面に形成されている。
【００１９】図３に示すように、陰極５５は、表示領域全面に広がる全画素に共通な電極であって、信号入力基板３５の接続端子３６との配線は、図１，３に示すように陰極材料層５５と導電材料層３３との多層構造となっている。そして、この導電材料層３３としては、ＴＦＴ２１または２３の形成工程で使用する導電材料を使用している。より具体的には、ＴＦＴのソース電極であってＥＬ素子２０の陽極５１となるITO、ゲート電極としてクロムCr，ドレイン電極としてのアルミニウムAlのいずれかもしくはその組み合わせを用いればよい。
【００２０】このようなＴＦＴの形成工程で使用する導電材料は、陰極材料に比べ抵抗値が大幅に低いので表示領域外における配線抵抗を低く抑えることが可能となり、従って、表示輝度の低下を低減することができる。特に、クロムCr，アルミニウムAl等の金属材料は、ITOに比べても抵抗値がかなり低いのでより大きな効果を得ることができる。勿論、ＴＦＴの形成工程で使用する材料であるので、工程数を増加させることなく対応できる効果もある。
【００２１】以上説明した実施形態は、陰極材料とTFT形成工程で使用する導電材料との多層構造を、陰極５５と接続端子３６を接続する配線として用いた例であるが、他実施形態としては次のような構造を用いてもよい。
【００２２】即ち、図２及び図４に示すように、陰極５５を導電材料層３４にコンタクトさせ、この導電材料層３４のみを基板６０上に延ばして接続端子３６との配線とするのである。そして、導電材料層３４としては、導電材料３３と同様、ＴＦＴ２１または２３の形成工程で使用するITO、クロムCr，アルミニウムAlのいずれかもしくはその組み合わせを用いればよい。このようにすれば、第１の実施形態同様、表示領域外における配線抵抗を低く抑えることが可能となり、従って、表示輝度の低下を低減することができる。特に、クロムCr，アルミニウムAl等の金属材料を用いれば、より効果は大きい。」
　
　上記記載事項から、引用例１には、アクティブ型ＥＬ表示装置に関して、
・「各画素がマトリクス状に配置されて、アクティブ型のＥＬパネル３０が構成されて」いること、（【００１７】欄）
・上記各画素が、「ドレインに表示信号Dataが印加され、選択信号Scanによりオンオフするスイッチング用の第１のTFT２１」、「TFT２１のオン時に供給される表示信号Dataにより充電され、TFT２１のオフ時には・・・ソースが有機ＥＬ素子２０の陽極に接続されると共に、ゲートにコンデンサ２２からの保持電圧Vhが供給される・・・第２のTFT２３」、「（第２のTFT２３が駆動する）有機ＥＬ素子」を備えること、（【００１２】欄）
・「有機ＥＬ素子２０は、透明なITOから成る陽極５１とMgIn合金から成る陰極５５との間に、MTDATAから成るホール輸送層５２，TPDとRubreneから成る発光層５３，Alq3から成る電子輸送層５４を順に積層して形成されている。そして、陽極５１から注入されたホールと陰極５５から注入された電子とが発光層５３の内部で再結合することにより光が放たれ図中の矢印で示すように光は透明な陽極側から外部へ放射される」こと、（【００１５】欄）
・「陰極５５は、表示領域全面に広がる全画素に共通な電極」であること、（【００１９】欄）
・「陰極５５を導電材料層３４にコンタクトさせ、この導電材料層３４のみを基板６０上に延ばして接続端子３６との配線とする」こと、（【００２２】欄）
が記載されている。
　
　また、図２，図４から、陰極で覆われた画素領域及び導電材料層３４が、隣接してガラス基板６０上に配置されていることが見て取れる。
　さらに、図５から、陽極５１はＴＦＴ２３のソース領域６４と接続されていることが見て取れる。
　
　したがって、引用例１には、
「ガラス基板６０上に各画素がマトリクス状に配置されたアクティブ型ＥＬ表示素子において、
　各画素は、ドレインに表示信号Dataが印加され、選択信号Scanによりオンオフするスイッチング用の第１のTFT２１、TFT２１のオン時に供給される表示信号Dataにより充電され、TFT２１のオフ時にはゲートにコンデンサ２２からの保持電圧Vhが供給される第２のTFT２３、第２のTFT２３が駆動する有機ＥＬ素子を備え、
　前記有機ＥＬ素子は、前記第２のＴＦＴ２３のソース領域６４と接続された透明なITOから成る陽極５１とMgIn合金から成る陰極５５との間に、MTDATAから成るホール輸送層５２，TPDとRubreneから成る発光層５３，Alq3から成る電子輸送層５４を順に積層して備え、前記陽極５１から注入されたホールと前記陰極５５から注入された電子とが、前記発光層５３の内部で再結合することにより、光は前記透明な陽極５１側から外部へ放射され、
　前記陰極５５は、表示領域全面に広がる全画素に共通な電極であり、
　前記陰極５５で覆われた画素領域に隣接して位置し、前記陰極５５へ信号を供給する導電材料層３４が、前記ガラス基板６０上に形成されており、
　前記陰極５５を前記導電性材料層３４にコンタクトさせたアクティブ型有機ＥＬ表示素子。」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
　また、原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００３−３１６２９６号公報（以下、「引用例２」という。）には、図面の記載とともに以下の事項が記載されている。
　
「【００４１】図３は図２のＡ−Ａ線に沿う断面図である。この図において、電気光学装置１は、基板２と、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ：Indium Tin Oxide）等の透明電極材料からな画素電極２３と、画素電極２３上に配置された有機ＥＬ素子３と、画素電極２３との間で有機ＥＬ素子３を挟み込むように配置されている陰極２２２と、基板２上に形成され、画素電極２３に対する通電を制御する通電制御部としてのカレントＴＦＴ２４とを有している。更に、陰極２２２の上層には封止層２０（第２の保護層）が設けられている。陰極２２２は、アルミニウム（Ａｌ）やマグネシウム（Ｍｇ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、カルシウム（Ｃａ）から選ばれる少なくとも１つの金属から構成されている。陰極２２２は上述した各材料の合金や積層したものをも含む。カレントＴＦＴ２４は、走査線駆動回路８０及びデータ線駆動回路９０からの作動指令信号に基づいて作動し、画素電極２３への通電制御を行う。」
　
（３）対比
　ここで、引用発明と本願補正発明とを対比する。
　引用発明の「ガラス基板」が本願補正発明の「基板」に相当し、引用発明の「各画素がマトリクス状に配置されたアクティブ型有機ＥＬ表示素子」が本願補正発明「複数のサブピクセルが配置されたアクティブマトリックス型有機電界発光素子」に相当する。
　また、引用発明の「画素」が本願補正発明の「サブピクセル」に相当し、引用発明の「ドレインに表示信号Dataが印加され、選択信号Scanによりオンオフするスイッチング用の第１のTFT２１」、「TFT２１のオン時に供給される表示信号Dataにより充電され、TFT２１のオフ時にはゲートにコンデンサ２２からの保持電圧Vhが供給される第２のTFT２３」及び「第２のTFT２３が駆動する有機ＥＬ素子」は、それぞれ、本願補正発明の「駆動回路によって駆動される第１薄膜トランジスタ」、「前記第１薄膜トランジスタによって駆動される第２薄膜トランジスタ」及び「及び前記第２薄膜トランジスタによって駆動される表示部」に相当する。
　引用発明では「陽極５１」は「第２のＴＦＴ２３のソース領域６４と接続され」、かかる「陽極５１」から「ホール」が注入されるから、引用発明の前記「陽極５１」は、本願補正発明の「第２薄膜トランジスタから電荷を供給される第１電極」に相当する。
　引用発明の「導電性材料層３４」が本願補正発明の「第２電極連結端子」に相当する。
　引用発明では「陰極５５」は、「画素電極」に隣接して位置する「導電性材料層３４」から「信号」が「供給」され、かかる「陰極５５」から電子が注入されるから、引用発明の前記「陰極５５」は本願補正発明の「サブピクセルに隣接して位置する第２電極連結端子から電荷を供給される第２電極」に相当する。
　引用発明の「陽極５１」と「陰極５５」との間に備えられた「発光層５３」は、本願補正発明の「第１電極と第２電極に介在された発光層」に相当する。
　引用発明の、「陽極５１」と「発光層５３」との間に備えられた「ホール輸送層５２」及び／又は「発光層５３」と「陰極５５」との間に備えられた「電子輸送層５４」は、本願補正発明の「第１電極と第２電極のうち少なくとも一電極と発光層間に介在された電荷輸送層」に相当する。
　また、引用発明において「前記陰極５５は、表示領域全面に広がる全画素に共通な電極」であることと、本願補正発明において「前記電荷輸送層と第２電極とは隣接したサブピクセルによって共有され」ることとは、「第２電極（陰極）は隣接したサブピクセル（画素）によって共有され」る点で一致している。
　また、引用発明の「陰極で覆われた画素領域に隣接して位置する導電材料層３４が、前記ガラス基板６０上に形成されて」いることと、本願補正発明の「前記サブピクセルに隣接して位置する第２電極連結端子が、前記基板上に形成された絶縁層上に形成されて」いることとは、「サブピクセル（画素）に隣接して位置する第２電極連結端子（導電材料層）が、基板上に形成されて」いる点で一致している。
　また、引用発明の「前記陰極５５を前記導電性材料層３４にコンタクトさせ」たことが、本願補正発明の「前記第２電極は、第２電極連結端子と直接電気的に連結され」ていることに相当する。
　
　したがって、本願補正発明と引用発明とは、
「 基板上に複数のサブピクセルが配置されたアクティブマトリックス型有機電界発光素子において、
　各サブピクセルは、駆動回路によって駆動される第１薄膜トランジスタ、前記第１薄膜トランジスタによって駆動される第２薄膜トランジスタ、及び前記第２薄膜トランジスタによって駆動される表示部を備え、
　前記表示部は、前記第２薄膜トランジスタから電荷を供給される第１電極、前記サブピクセルに隣接して位置する第２電極連結端子から電荷を供給される第２電極、第１電極と第２電極間に介在された発光層、及び前記第１電極と第２電極のうち少なくとも一電極と発光層間に介在された電荷輸送層を備え、
　第２電極は隣接したサブピクセルによって共有され、
　前記サブピクセルに隣接して位置する第２電極連結端子が、前記基板上に形成されており、
　前記第２電極は、第２電極連結端子と直接電気的に連結されたアクティブマトリックス型有機電界発光素子」の点で一致し、以下の各点で相違する。
　
ア　相違点１；
　第２電極が隣接したサブピクセルによって共有された構造において、本願補正発明が、第２電極にとともに「電荷輸送層」も隣接したサブピクセルによって共有されているのに対し、引用発明においてはそのような限定がなされていない点。
　
イ　相違点２；
　サブピクセルに隣接して位置する第２電極連結端子が基板上に形成されている構造において、本願補正発明が、サブピクセルに隣接して位置する第２電極連結端子が基板上に形成された「絶縁層上」に形成されているのに対し、引用発明においてはそのような限定がなされていない点。
　
ウ　相違点３；
　本願補正発明においては、「第２電極と第２電極連結端子の上には保護層が形成され」ているのに対し、引用発明においてはそのような限定がなされていない点。
　
（４）当審の判断
　以下において、上記各相違点について検討する。
　
ア　相違点１について
　有機ＥＬ表示装置において、陰極（第２電極）と電荷輸送層を各画素（サブピクセル）によって共有することは、例えば、
・特開２００３−１００４６５号公報（【図５】）
・特開２００２−１８４５７６号公報（【００６３】【図２】）
にも記載されているように周知技術である。
　したがって、引用発明においても、上記周知技術を採用し、陰極５５だけでなく、電子輸送層５４やホール輸送層５２も各画素において共有する構造にして、上記相違点１に係る発明特定事項を得ることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　
イ　相違点２について
　アクティブマトリクス表示装置において、画素領域に隣接して位置する接続配線部が、基板上に絶縁層を介して設けられる点は、例えば、
・特開２００１−９３５９８号公報（【００９６】【図１１】）
・特開２００３−１７４１７３号公報（【図１６】【図１７】）
にも記載されているように周知技術である。
　したがって、引用発明においても、上記周知技術を採用し、ガラス基板６０上に絶縁層を介して導電材料層３４を設ける構造にして、上記相違点２に係る発明特定事項を得ることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　
ウ　相違点３について
　上記引用例２の記載事項の「陰極２２２の上層には封止層２０（第２の保護層）が設けられている。」の記載から、有機ＥＬ表示装置において、陰極（第２電極）の上に封止層（保護層）を形成することは、引用例２に記載されている構成であるといえる。そして、引用発明においても、密封性向上のため、引用例２に記載の上記の構成を適用することに格別の困難性は認められない。そして、上記適用において、さらに密封性を向上させることを目的として、引用発明の陰極５５だけでなく引用発明の導電性材料層３４の上にも封止層を延在させて、本願補正発明のように「陰極と連結端子の上には保護層が形成され」る構造とすることは当業者が容易に想到し得た事項である。
　
　また、有機ＥＬ表示装置において、本願補正発明のように「陰極と連結端子の上に保護層が形成され」る点については、例えば、
・特開２００２−１７５８７７号公報（【００１０】【図２】）
・特開２００１−３１８６２８号公報（【０１０９】〜【０１１４】【図６】）
にも記載されているように周知の技術である。
　そして、引用発明においても、封止性能を向上させるために、上記周知技術を採用して、本願補正発明のように「陰極と連結端子の上には保護層が形成され」る構造とし、上記相違点３に係る発明特定事項を得ることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　
　そして、本願補正発明によってもたらされる効果は、引用発明、引用例２に記載された発明及び上記の周知技術から当業者が予測し得る程度のものである。
　
エ　まとめ
　したがって、本願補正発明は、引用例１に記載された発明、引用例２に記載された発明及び上記の周知技術に基づいて当業者が容易に発明することができたものである。 
　
（５）むすび
　以上のとおり、本願補正発明は、引用例１に記載された発明、引用例２に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。したがって、本願補正発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができるものではないから、仮に、本件補正が、全体として平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる事項を目的とする補正であって、同法第１７条の２第４項の規定に違反する補正ではないとした場合であっても、同法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、本件補正は、同法第５３条第１項の規定によって却下されるべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成１９年６月１１日付の手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１９年２月７日付手続補正書でなされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものである。（上記「第２　平成１９年６月１１日付の手続補正についての補正の却下の決定について」の「１　本件補正について」の記載参照。）
　
２　引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物の記載事項は、上記「第２　平成１９年６月１１日付の手続補正についての補正の却下の決定について」の「３　独立特許要件違反についての検討」の「（２）引用例」に記載したとおりである。
　
３　対比
　ここで、引用発明と本願発明とを対比すると、上記「第２　平成１９年６月１１日付の手続補正についての補正の却下の決定について」の「３　独立特許要件違反についての検討」の「（３）対比」での対比と同様の対比により、本願発明と引用発明は
「 基板上に複数のサブピクセルが配置されたアクティブマトリックス型有機電界発光素子において、
　各サブピクセルは、駆動回路によって駆動される第１薄膜トランジスタ、前記第１薄膜トランジスタによって駆動される第２薄膜トランジスタ、及び前記第２薄膜トランジスタによって駆動される表示部を備え、
　前記表示部は、前記第２薄膜トランジスタから電荷を供給される第１電極、前記サブピクセルに隣接して位置する第２電極連結端子から電荷を供給される第２電極、第１電極と第２電極間に介在された発光層、及び前記第１電極と第２電極のうち少なくとも一電極と発光層間に介在された電荷輸送層を備え、
　第２電極は隣接したサブピクセルによって共有され、
　前記第２電極は、第２電極連結端子と直接電気的に連結されたアクティブマトリックス型有機電界発光素子」の点で一致し、次の各点で相違する。
（１）相違点１；
　第２電極が隣接したサブピクセルによって共有された構造において、本願発明が、第２電極にとともに「電荷輸送層」も隣接したサブピクセルによって共有されているのに対し、引用発明においてはそのような限定がなされていない点。
　
（２）相違点２
　本願発明においては、「第２電極と第２電極連結端子の上には保護層が形成され」ているのに対し、引用発明においてはそのような限定がなされていない点。
　
４　当審の判断
　上記の本願発明と引用発明の相違点１については、上記「第２　平成１９年６月１１日付の手続補正についての補正の却下の決定について」の「３　独立特許要件違反についての検討」の「（４）当審の判断」の項における、本願補正発明と引用発明の相違点１と同じ相違点であるから、上記項の「ア　相違点１について」における考察と同様の考察により、引用発明に上記周知技術を採用して、上記本願発明と引用発明の相違点１に係る発明特定事項を得ることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　また、上記の本願発明と引用発明の相違点２については、上記「第２　平成１９年６月１１日付の手続補正についての補正の却下の決定について」の「３　独立特許要件違反についての検討」の「（４）当審の判断」の項における、本願補正発明と引用発明の相違点３と同じ相違点であるから、上記項の「ウ　相違点３について」における考察と同様の考察により、引用発明に引用例２に記載された発明または上記周知技術を適用して、上記の本願発明と引用発明の相違点２に係る発明特定事項を得ることは、引用例２に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に想到し得たことであるといえる。
　
　そして、本願発明によってもたらされる効果は、引用発明、引用例２に記載された発明及び上記の周知技術から当業者が予測し得る程度のものである。
　
　したがって、本願発明は、引用例１に記載された発明、引用例２に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明することができたものである。 
　　
５　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１に記載された発明、引用例２に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。