【事件の表示】
　特願２００３−５８１２７４「有機光電子及び電子装置の製造方法並びにこれによって得られた装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年１０月　９日国際公開、ＷＯ０３／８３９６０、平成１７年　７月２１日国内公表、特表２００５−５２２０００〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　
１．手続の経緯
　本願は、２００３年３月２１日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００２年３月２７日、英国）を国際出願日とする出願であって、平成１９年２月２８日付け拒絶理由通知に対して、同年９月７日付けで手続補正がされたが、同年１１月３０日付けで拒絶査定され、これに対して、平成２０年２月２８日に拒絶査定不服審判の請求がなされたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項１に係る発明は、平成１９年９月７日付け手続補正書で補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのもの（以下、「本願発明」という。）と認める。
「【請求項１】
基板上にフッ素化フォトレジスト層を積層し、窪地を有するリリーフパターンを形成するために前記フッ素化フォトレジスト層をパターニングし、前記基板上の前記窪地に有機半導体又は導電性材料をインクジェットプリントにより積層することを含む有機半導体又は光電子装置の製造方法において、前記基板上に有機半導体又は導電性材料を積層する前に、前記基板及びフッ素化フォトレジストの前記パターン層をアルゴンプラズマ、大気プラズマ、紫外線及びオゾン、酸素プラズマ、王水又は過酸化物にさらすことにより、前記基板及びフッ素化フォトレジスト層の表面エネルギーを改変することを特徴とする有機半導体又は光電子装置の製造方法。」
　
３．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張日前に頒布された刊行物である国際公開０１／５８２２１号（以下、「引用例１」という。）には、以下の技術事項が記載されている。
（なお、以下、下線は当審により付加したもの。また、引用例の記載中、丸数字は半角括弧()数字に変換。）
　
記載事項ア（頁番号８第１行目乃至第２９行目）
「〔第１の実施形態〕
　第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置１８は、図３にその断面を示すように、支持基板１と、蛍光媒体９（またはカラーフィルタ１１）と、平坦化層１０と、
層間絶縁膜３
有機発光媒体４
（１）有機発光媒体
（１）―１　構成
　・・・かかる有機発光媒体は、例えば、陽極上に、以下の各層を積層して構成することができる。
・・・
(4)正孔注入層／有機発光層／電子注入層」
　
記載事項イ（頁番号１５第１６行目乃至第２０行目）
「（１）−５　形成方法
　
有機発光媒体の形成方法については
インクジェット法、
等の一般的に公知の方法を採ることができる。
　
記載事項ウ（頁番号１８第２行目乃至第１９頁第２行目）
「（４）層間絶縁膜
（４）−１  機能
　本発明の有機ＥＬ表示装置における層間絶縁膜（電気絶縁膜）は有機ＥＬ素子の周縁または周辺に存在し、有機ＥＬ表示装置の高精細化、有機ＥＬ素子の下部電極と上部電極との短絡防止、またはＴＦＴ（薄膜トランジスタ）にて有機ＥＬ表示装置を駆動する場合において、ＴＦＴを保護したり、有機ＥＬ素子の下部電極を平坦化するため等に用いられる。
したがって、
層間絶縁膜は、
隔壁
等の名称で呼ぶ場合があり、本発明では、それらを包含するものである。
（４）−２  構成および材料
　
層間絶縁膜の構成としては、
第１の層間絶縁膜１５、およびその上に重ねて設けられた第２の層間絶縁膜（隔壁と称する場合がある。）１６から構成してあることが好ましい。
　また、
層間絶縁膜に用いられる材料としては、通常、
フッ素化ポリイミド樹脂、
等が挙げられる。
　
特に、
フッ素化ポリイミド、
が好ましい。
　それらの絶縁膜は、感光性基を導入してフォトリソグラフィ法で所望のパターンに加工される
　以下、層間絶縁膜を構成する第１の層間絶縁膜および第２の層間絶縁膜に分けて、それぞれの構成について説明する。」
　
記載事項エ（頁番号３９第６行目乃至第４０頁第１９行目）
「実施例
［実施例１］
（１）有機ＥＬ素子の作製
(1)　陽極（下部電極）の形成
  
縦１１２ｍｍ、横１４３ｍｍ、厚さ１．１ｍｍのガラス基板（ＯＡ２ガラス、日本電気硝子（株）製）上に、膜厚１３０ｎｍのＩＴＯ膜をスパッタリング法により全面的に成膜した
　次いで、ストライプ状パターン（ライン幅９０μｍ，ギャップ幅２０μｍ）を有するフォトマスクを介して、露光量が１００ｍＪ／ｃｍ２となるように、高圧水銀灯を光源としたコンタクト露光を行った。現像液としてＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド）を用いて現像した。
　
次いで、オーブンを用いて、温度１３０℃の条件でポストベーク処理した後、臭化水素酸水溶液（濃度４７重量％）をエッチャントとして用いて、ＩＴＯ膜をエッチングした。その後、剥離液Ｎ３０３（長瀬産業（株）製）を用いてポジ型レジストを除去し、陽極（下部電極）としてのストライプ状のＩＴＯパターン（ライン数９６０本）を形成した。
(2)第１の層間絶縁膜の形成
  
次いで、ＩＴＯパターン上に、アクリル酸系のネガ型レジストＶ２５９ＰＡ（新日鉄化学（株）製）をスピンコートし
  次いで、現像液としてＴＭＡＨを用いて現像し、さらに、オーブンを用いて、温度１６０℃の条件でポストベーク処理して、
第１の層間絶縁膜とした。
(3)　第２の層間絶縁膜の形成
　
次いで、第１の層間絶縁膜の上から、ノボラック樹脂系のネガ型レジストＺＰＮ１１００（日本ゼオン（株）製）をスピンコートした。
  次いで、現像液としてＴＭＡＨを用いて現像し、
隔壁としての第２の層間絶縁膜（ライン幅２０μｍ，ギャップ幅３１０μｍ、膜厚５μｍ）とした。
  
次いで、ＩＴＯパターン等が形成されたガラス基板（以下、単にガラス基板と称する場合がある。）に対して、イソプロピルアルコール洗浄および紫外線洗浄を施した後、
　上記の記載から、「(4)脱水工程」で「紫外線洗浄」が行われる「ＩＴＯパターン等が形成されたガラス基板」は、上記工程(1)〜(3)を経た「第１」及び「第２」の「層間絶縁膜」が形成された後の「ガラス基板」全体を意味することは、当業者にとって自明である。
　
記載事項オ（頁番号５３第２５行目乃至第５４頁第８行目）
「［実施例８］
（１）有機ＥＬ表示装置の作製
(1)陽極および層間絶縁膜の形成
  
実施例１と同様に、ガラス基板ＯＡ２ガラス上に、陽極（下部電極）、第１の層間絶縁膜および第２の層間絶縁膜（隔壁）を形成した。
(2)有機発光媒体の湿式成膜
 
 次いで、湿式成膜として、インクジェット法にて、以下のインキから有機ＥＬ素子の有機発光媒体を形成した。すなわち、以下のインキをインクジェットプリント用装置のヘッドから、第１の層間絶縁膜の開口部に向けて噴出させて塗布した
ＰＰＶ前駆体を高分子量
赤色の有機発光媒体とした。
ポリｐ−フェニレンビニレン（ＰＰＶ）前駆体：
グリセリン                                ：  ５．００００重量％
ジエチレングリコール                      ：１０．００００重量％
水                                        ：  １．２２３５重量％
メタノール                                ：２３．３９４０重量％
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド              ：６０．００００重量％
ローダミンＢ                              ：  ０．００７５重量％」
　
　以上、記載事項ア〜オ及び図面から、引用例１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「ガラス基板上に、感光性基を導入した樹脂層をスピンコートし、第１の層間絶縁膜および第２の層間絶縁膜（隔壁）を形成するために、前記樹脂層をパターン加工し、前記基板上の前記第１の層間絶縁膜の開口部に向けて、ＰＰＶ前駆体を含むインキをインクジェットプリンタ用装置のヘッドから、噴出させて塗布する有機ＥＬ表示装置の作製方法において、前記基板上に前記インクを塗布する前に、前記基板及び前記基板上に形成された前記第１の層間絶縁膜および第２の層間絶縁膜（隔壁）を紫外線洗浄した有機ＥＬ表示装置の製造方法。」
　
　次に、原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張日前に頒布された刊行物である国際公開第９７／３１５０８号（以下、「引用例２」という。）には、次の事項が記載されている。
　
記載事項カ（頁番号１第４行目乃至第７行目）
「
本発明は有機エレクトロルミネッセンス素子に関し
　
記載事項キ（頁番号９第８行目乃至第１０頁第３行目）
「
本発明で用いられる層間絶縁膜の材質は、高精細パターンニングが可能な材質である必要がある。
フッ素化ポリイミド
フッ素系ポリマー
　
層間絶縁膜は、感光性の機能を特に必要としないが、この機能を保有していると、フォトレジストを用いることなく、フォトリソグラフが可能となり便利な場合がある。感光性を付与したものは、ポリマー，無機酸化物を問わずに市販されている。
　
記載事項ク（頁番号１６第６行目乃至第１７頁第３行目）
「実施例１〔
層間絶縁膜の作製
  ３００μｍピッチでストライプ加工されたＩＴＯを保有（ＩＴＯは下部電極）するガラス基板２（０.５ｍｍ厚）上に日本ゼオン社製ＺＣＯＡＴ−１４１０をスピンコートにて製膜した。・・・尚、ＺＣＯＡＴ−１４１０は、感光性ポリオレフィン系のネガタイプレジストである。・・・
　さらに現像後、２５０℃２時間の条件でクリーンオーブン中でキュアーを行い、
層間絶縁膜を作製した
実施例２　・・・
実施例３〔有機ＥＬ素子作製及び精細度の評価〕
　
実施例１で作製した試料を
ＵＶとオゾンの併用の洗浄装置にて３０分間、洗浄を行った。
　
　さらに、原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張日前に頒布された刊行物である特開２００１−３２６０６９号公報（以下、「引用例３」という。）には、次の事項が記載されている。
　
記載事項ケ
「【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」と略記する。）に関し、更に詳しくは、高精細で、均一発光性が高く、封止性能に優れることから、特にディスプレイ用として有用性の高い有機ＥＬ素子に関する。」
　
記載事項コ
「【００１１】また、
層間絶縁膜の材質については、
フッ素系ポリマー
などを挙げることができる。
【００１３】
さらに、本発明の層間絶縁膜の材質については、感光性の機能を有するものであってもよい。この機能を保有している材料を用いると、フォトレジストを用いることなくフォトリソグラフが可能になり、素子のパターンニング工程が簡素化される効果がある。この感光性を付与した材料としては、この種のものとして市販されているものを使用することができる。
　
３．対比
　
　本願発明と引用発明とを対比する。
　
（１）引用発明の「ガラス基板上に、感光性基を導入した樹脂層をスピンコートし、第１の層間絶縁膜および第２の層間絶縁膜（隔壁）を形成するために、前記樹脂層をパターン加工し、」と、本願発明の「基板上にフッ素化フォトレジスト層を積層し、窪地を有するリリーフパターンを形成するために前記フッ素化フォトレジスト層をパターニングし、」とを対比すると、
　
ア　引用発明の「ガラス基板」、「スピンコート」及び「パターン加工」は、本願発明の「基板」、「積層」及び「パターニング」に相当する。
　
イ　引用発明の「感光性基を導入した樹脂層」は、「フォトリソグラフィ法で所望のパターンに加工される」（記載事項エ）ことから、光重合性を有することは明らかであるので、本願発明の「フッ素化フォトレジスト層」とは、共に「フォトレジスト層」である点で一致する。
　
ウ　本願発明の「窪地を有するリリーフパターン」は、「有機材料が不必要な領域に広がるのを防ぐ」（本願の明細書段落【０００３】）ものであり、かつ、本願の図面【図１（ｉ）】の形態から、有機ＥＬ装置の技術分野において従来周知の「
隔壁（バンク）
隔壁（バンク）１０５を形成
コントラストの向上、発光材料の混色の防止、画素と画素との間からの光洩れ等を防止することができる。
　したがって、引用発明の「（第１の層間絶縁膜および）第２の層間絶縁膜（隔壁）」は、上記本願発明の「窪地を有するリリーフパターン」に相当する。
　
　以上ア〜ウから、両者は「基板上にフォトレジスト層を積層し、窪地を有するリリーフパターンを形成するために前記フォトレジスト層をパターニングし、」の点で一致する。
　
（２）引用発明の「前記基板上の前記第１の層間絶縁膜の開口部に向けて、ＰＰＶ前駆体を含むインキをインクジェットプリンタ用装置のヘッドから、噴出させて塗布する有機ＥＬ表示装置の作製方法において、」と、本願発明の「前記基板上の前記窪地に有機半導体又は導電性材料をインクジェットプリントにより積層することを含む有機半導体又は光電子装置の製造方法において、」とを対比すると、
　
ア　引用発明の「前記基板上の前記第１の層間絶縁膜の開口部」は、該「第１の層間絶縁膜」と「第２の層間絶縁膜」との配置関係から、「第２の層間絶縁膜」（隔壁）の開口部であるとも言え（記載事項ウ参照）、また、引用例１の【図５】及び【図６】等からみて、該「開口部」は窪地形状であると言える。
　したがって、引用発明の「前記基板上の前記第１の層間絶縁膜の開口部に向けて」とは、本願発明の「前記基板上の前記窪地に」に相当する。
　
イ　引用発明の「ＰＰＶ前駆体を含むインク」とは有機半導体材料である（例えば、記載事項オや、本願の優先権主張日前に頒布された刊行物である特開２０００−３５３５９４号公報の記載（「【００９７】
各々の画素７は
ポリ（パラーフェニレンビニレン）（ＰＰＶ）前駆体溶液などの有機半導体材料溶液
　したがって、引用発明の「ＰＰＶ前駆体を含むインキをインクジェットプリンタ用装置のヘッドから、噴出させて塗布する」は、本願発明の「有機半導体又は導電性材料をインクジェットプリントにより積層する」に相当する。
　
ウ　引用発明の「有機ＥＬ表示装置の作製方法」は、有機ＥＬが有機半導体であるので、本願発明の「有機半導体又は光電子装置の製造方法」に相当する。
　
　以上ア〜ウから、両者は相当関係にある。
　
（３）引用発明の「前記基板上に前記インクを塗布する前に、前記基板及び前記基板上に形成された前記第１の層間絶縁膜および第２の層間絶縁膜（隔壁）を紫外線洗浄した有機ＥＬ表示装置の製造方法。」と、本願発明の「前記基板上に有機半導体又は導電性材料を積層する前に、前記基板及びフッ素化フォトレジストの前記パターン層をアルゴンプラズマ、大気プラズマ、紫外線及びオゾン、酸素プラズマ、王水又は過酸化物にさらすことにより、前記基板及びフッ素化フォトレジスト層の表面エネルギーを改変することを特徴とする有機半導体又は光電子装置の製造方法。」とを対比すると、
　
ア　上記３．（２）イの考察から、引用発明の「基板」及び「インク」「塗布」は、本願発明の「基板」、「有機半導体又は導電性材料」及び「積層」に相当する。
　したがって、引用発明の「前記基板上に前記インクを塗布する前に、」は、本願発明の「前記基板上に有機半導体又は導電性材料を積層する前に、」に相当する。
　
イ　上記３．（１）及び（２）の考察から、引用発明の「前記基板及び基板上に形成された前記第１の層間絶縁膜および第２の層間絶縁膜（隔壁）」と本願発明の「前記基板及びフッ素化フォトレジストの前記パターン層」とは、「前記基板及びフォトレジストの前記パターン層」の点で一致する。
　
ウ　引用発明の「層間絶縁膜（隔壁）を紫外線洗浄し」と本願発明の「前記パターン層をアルゴンプラズマ、大気プラズマ、紫外線及びオゾン、酸素プラズマ、王水又は過酸化物にさらすことにより、前記基板及びフッ素化フォトレジスト層の表面エネルギーを改変する」とは、共にパターン層（隔壁）に、後処理を加える点で、一致する。
　
エ　引用発明の「有機ＥＬ表示装置の製造方法」は、本願発明の「有機半導体又は光電子装置の製造方法」に相当する。
　
　以上ア〜エから、両者は、「前記基板上に有機半導体又は導電性材料を積層する前に、前記基板及びフォトレジストの前記パターン層に後処理を加える、有機半導体又は光電子装置の製造方法」である点で一致する。
　
　したがって、上記（１）〜（３）の対比考察から、本願発明と引用発明とは、
「基板上にフォトレジスト層を積層し、窪地を有するリリーフパターンを形成するために前記フォトレジスト層をパターニングし、前記基板上の前記窪地に有機半導体又は導電性材料をインクジェットプリントにより積層することを含む有機半導体又は光電子装置の製造方法において、前記基板上に有機半導体又は導電性材料を積層する前に、前記基板及びフォトレジストの前記パターン層に後処理を加える、有機半導体又は光電子装置の製造方法。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
相違点１
　
「フォトレジスト」として、本願発明は「フッ素化」されたものであると、特定しているのに対して、引用発明では、そのような特定がなされていない点。
　
相違点２
　
「パターン層」への「後処理」が、本願発明は、「アルゴンプラズマ、大気プラズマ、紫外線及びオゾン、酸素プラズマ、王水又は過酸化物にさらすことにより、前記基板及びフッ素化フォトレジスト層の表面エネルギーを改変する」ものであるのに対して、引用発明では「紫外線洗浄」である点。
　
４．当審の判断
　
　前記相違点１，２について、検討する。
　
　相違点１について
　
　引用例１には、層間絶縁膜の材料として、「
フッ素化ポリイミド樹脂
　また、引用例２，３にも同様に、層間絶縁膜の材料として、感光性を有する「フッ素化ポリイミド」や「フッ素化ポリマー」を用いるという技術思想がそれぞれ開示されていることからみて、有機ＥＬ装置の分野における層間絶縁膜（隔壁）の材料として、フッ素化フォトレジストを用いることは従来周知の事項であると言える。
　したがって、引用発明において、層間絶縁膜の材料として、引用例１に記載された選択肢の中から、感光性を有する「フッ素化ポリイミド樹脂」（フッ素化フォトレジスト）を選択することは、当業者にとって格別の困難性はない。
　
　相違点２について
　
　本願発明の「・・・紫外線及びオゾン、・・・にさらすことにより、前記基板及びフッ素化フォトレジスト層の表面エネルギーを改変する」とは、
　結局のところ、紫外線及び酸素に紫外線を照射して発生したオゾン及び酸素ラジカルなどの活性物質が、フッ素化フォトレジストを載せた基板の表面に同時に照射されることによってなされるものである。
（本願の明細書の記載「【００３０】・・・
本件の場合、この処理は
基板は、
特に、基板に紫外線及びオゾンを照射する処理が有効であることがわかった。
【００３１】
  ＵＶ／オゾン処理を実行するための便利な方法は、基板を酸素雰囲気中でＵＶ光源にさらすことである。理論に拘束されないで言うならば、ＵＶ光源が大気中の酸素を攻撃してオゾンを及び酸素ラジカルを発生させ、基板の表面にＵＶ光及びオゾンを同時に照射させ、オゾンはさらに酸素ラジカルを発生して分解する。これらの活性物質が基板の表面特性を変えると考えられている。」を参照のこと。）、
　
　一方、引用発明の「紫外線洗浄」とは、洗浄する対象物表面を、紫外線及び該紫外線に酸素を照射することよって生ずるオゾン及び活性酸素にさらすことによってなされるものであることは、従来周知の事項である。
（例えば、本願の優先権主張日前に頒布された刊行物である特開平１１−８０３７０号公報の記載（「【０００２】【従来の技術】一般にプラスチック、ガラス、金属、セラミック等の被処理物の表面に付着する有機物の汚れを紫外線とオゾンとにより分解除去する（洗浄）ことが行われている。・・・
【０００３】こ
こで、紫外線洗浄とは、被処理物に紫外線を照射して表面に付着している有機物を直接分解し、同時に紫外線の作用で発生したオゾン（Ｏ
2
 →Ｏ
3
 ）から分離する活性酸素（Ｏ
*
 ）の作用により、有機汚染物質を揮発性の物質（Ｈ
2
Ｏ，ＣＯ，ＣＯ
2
等）に分解して除去することである。
　すなわち、引用発明における「紫外線洗浄」とは、「紫外線」及び該紫外線によって生成したオゾン及び活性酸素が、引用発明の層間絶縁膜（隔壁）が形成された基板表面に照射することであると言える（記載事項エの製造手順(4)を参照のこと）。
　　
　以上の考察から、引用発明の「紫外線洗浄」とは、本願発明の「・・・紫外線及びオゾン、・・・にさらすことにより、前記基板及びフッ素化フォトレジスト層の表面エネルギーを改変する」に相当すると言えるので、上記相違点２の観点は、実質的な相違点ではない。
　　
　また、本願発明によってもたらされる効果は引用例１の記載及び周知の事項から当業者が予測し得る範囲内のものである。　
　
まとめ
　
　よって、本願発明は、引用例１に記載された発明及び周知の事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。　
　
４．むすび
　
　以上のとおり、本願発明は、原査定の拒絶の理由に引用された引用例１に記載された発明、及び周知の事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条２項の規定により特許を受けることができないものである。
　したがって、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は、拒絶すべきものである。
　
　よって結論のとおり審決する。