【事件の表示】
　特願２０００−３８１８６５「誘電体磁器組成物及びこれを用いた積層セラミックコンデンサ」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　７月　５日出願公開、特開２００２−１８７７７０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本願は、平成１２年１２月１５日の出願であって、平成１８年１月３０日付けで拒絶理由が起案され、同年３月３１日に意見書及び明細書の記載に係る手続補正書の提出がなされ、平成１９年１月２６日付けで拒絶査定が起案され、同年２月２７日に拒絶査定不服審判が請求され、同年３月２７日に明細書の記載に係る手続補正書の提出がなされ、平成２１年６月１８日付けで特許法第１６４条第３項に基づく報告を引用した審尋が起案され、平成２１年８月１１日に回答書の提出がなされたものである。
　
ＩＩ．平成１９年３月２７日付け手続補正について
　平成１９年３月２７日付け手続補正は、補正前の請求項１乃至３を削除し、補正前の請求項４〜６をそれぞれ新たな請求項１〜３とするものであるから、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第１号の「特許法第３６条第５項に規定する請求項の削除」に該当するので、補正要件を充足する。
　
ＩＩＩ．本願発明
　本願の特許請求の範囲に記載された請求項１に係る発明は、平成１９年３月２７日に補正された明細書および図面の記載からみて、その明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された次の事項を発明特定事項とするものである（以下、「本願発明」という。）。
「【請求項１】　主成分としてチタン酸バリウムを含有し、副成分として酸化マグネシウム、酸化ディスプロシウム、酸化バリウム、酸化カルシウム、酸化ケイ素、酸化マンガン、酸化タンタル、酸化タングステン、酸化バナジウム及び酸化モリブデンを含有し、チタン酸バリウムをＢａＴｉＯ３換算で１００モルとした場合に、酸化マグネシウムをＭｇＯ換算で１〜３モル、酸化ディスプロシウムをＤｙ２Ｏ３換算で１〜５モル、酸化バリウムおよび酸化カルシウムをそれぞれＢａＯおよびＣａＯ換算で合計０．５〜５モル、酸化バナジウムをＶ２Ｏ５換算で０．０１〜０．１モル、酸化ケイ素をＳｉＯ２換算で１〜５モル、酸化マンガンをＭｎＯ換算で０．１〜１モル、酸化タンタル、酸化タングステン、酸化バナジウムおよび酸化モリブデンをＴａ２Ｏ５、ＷＯ３、Ｖ２Ｏ５およびＭｏＯ３に換算したときに、０．０１モル≦Ｔａ２Ｏ５＋ＷＯ３＋Ｖ２Ｏ５＋ＭｏＯ３≦１．０モルであることを特徴とする誘電体磁器組成物。」
　
ＩＶ．原査定の拒絶理由
　原査定の拒絶理由は、「この出願は、平成１８年１月３０日付け拒絶理由通知書に記載した理由２によって、拒絶すべきものである。」であり、平成１８年１月３０日付け拒絶理由通知書に記載の理由２は、この出願の請求項１−７に係る発明は、その出願前日本国内において頒布された刊行物１−２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、というものである。
　
Ｖ．引用刊行物の記載事項
（１）刊行物１（特開２０００−３１１８２８号公報（公開日平成１２年１１月７日）、以下、「引用例１」という。）：
（イ）「  組成式Ｂａｍ  ＴｉＯ２＋ｎ  で表され、前記組成式中のｍが０．９９５≦ｍ≦１．０１０であり、ｎが０．９９５≦ｎ≦１．０１０であり、ＢａとＴｉとの比が０．９９５≦Ｂａ／Ｔｉ≦１．０１０である主成分と、
酸化シリコンを主成分として含む焼結助剤である第２副成分と、
その他の副成分とを少なくとも有する誘電体磁器組成物を製造する方法であって、
前記第２副成分を除いて、前記主成分と、その他の副成分のうちの少なくとも一部とを混合し、仮焼前粉体を準備する工程と、
前記仮焼前粉体を仮焼きして仮焼済粉体を準備する工程と、
前記仮焼済粉体に、前記第２副成分を少なくとも混合し、前記主成分に対する各副成分の比率が所定モル比である誘電体磁器組成物を得る工程と、
を有する誘電体磁器組成物の製造方法。」（【請求項１】）、
（ロ）「前記第２副成分が（Ｂａ，Ｃａ）ｘ  ＳｉＯ２＋ｘ  （ただし、ｘ＝０．８〜１．２）で表される組成を有し、
前記その他の副成分が、
ＭｇＯ，ＣａＯ，ＢａＯ，ＳｒＯおよびＣｒ２Ｏ３ から選択される少なくとも１種を含む第１副成分と、
Ｖ２Ｏ５，ＭｏＯ３およびＷＯ３から選択される少なくとも１種を含む第３副成分と、
Ｒの酸化物（ただし、ＲはＹ、Ｄｙ、Ｔｂ、ＧｄおよびＨｏから選択される少なくとも一種）を含む第４副成分と、
ＭｎＯを含む第５副成分とを少なくとも有し、
前記仮焼済粉体に、前記第２副成分を少なくとも混合し、前記主成分１００モルに対する各副成分の比率が、
第１副成分：０．１〜３モル、
第２副成分：２〜１２モル、
第３副成分：０．１〜３モル、
第４副成分：０．１〜１０．０モル（ただし、第４副成分のモル数は、Ｒ単独での比率である）、
第５副成分：０．０５〜１．０モルである誘電体磁器組成物を得ることを特徴とする請求項１に記載の誘電体磁器組成物の製造方法。」（【請求項３】）、
（ハ）「第３副成分（Ｖ２Ｏ５，ＭｏＯ３およびＷＯ３ ）の含有量が少なすぎると、破壊電圧が低下し、容量の温度特性がＸ７Ｒ特性の規格を満足しにくくなる傾向にある。一方、含有量が多すぎると、初期の絶縁抵抗が低くなる傾向にある。なお、第３副成分中における各酸化物の構成比率は任意である。」（【００３８】）
（ニ）表１の資料番号Ｅ１について、仮焼時の組成（ｍｏｌ）として、主成分ＢａＴｉＯ３　１００、第１副成分ＭｇＯ　２．１ 、第３副成分Ｖ２Ｏ５　０．１、第４副成分Ｄｙ２Ｏ３　４．２、第５副成分ＭｎＯ　０．３７５が示されている。（【０１０８】）、
（ホ）表２の資料番号Ｅ１について、塗料化時に追加添加する成分の組成（ｍｏｌ）として第２副成分（ＢａＣａ）ＳｉＯ３　３、が示されている。（【０１０９】）
（ヘ）「
評価
　
（２）刊行物２（特開平５−１０９３１９号公報、以下、「引用例２」という。）：
（ト）「 ＢａＴｉＯ３　  ：  ９４.０〜９９.０モル％
Ｔａ２Ｏ５     ：    ０.５〜  ３.０モル％
ＺｎＯ        ：    ０.５〜  ３.０モル％
の範囲からなることを特徴とする高誘電率誘電体磁器組成物。」（【請求項１】 ）、
（チ）「またＢａＴｉＯ３が９９.０モル％を超えると誘電体素体が焼結せず、測定不能となる（試料Ｎo.１参照）。Ｔａ２Ｏ５ が０.５モル％未満であれば、これまた同様に誘電体素体が焼結せず、測定不能となったり（試料Ｎo.１参照）、静電容量温度変化率が大きい（試料Ｎo.７参照）。
　Ｔａ２Ｏ５ が３．０モル％を超えると、比誘電率が低くなったり（試料Ｎo.９参照）、静電容量の温度変化率が大きくなったりする（試料Ｎo.４参照）。ＺｎＯが０.５モル％未満であれば誘電体素体が焼結せず測定不能となったり（試料Ｎo.１参照）、静電容量温度変化率が大きくなったりする（試料Ｎo.４参照）。」（【００１５】〜【００１６】）、
（リ）「【発明の効果】本発明の誘電体磁器組成物では、比誘電率が約２０００〜４６００という高い値を有し、誘電体損失は１．２％以下という小さな値であり、静電容量の温度変化率はＥＩＡＪに規定するＸ７Ｒ特性のみならず、Ｘ８Ｒ特性をも満足し、さらに抗折強度の強い優れた特性の高誘電率誘電体磁器組成物を得ることができる。」（【００４７】）
　
ＶＩ．引用発明の認定
　引用例１の記載事項（イ）におけるｍ及びｎの値をそれぞれ範囲内の１として同（イ）を表示すると「組成式ＢａＴｉＯ３ で表される主成分と、
酸化シリコンを主成分として含む焼結助剤である第２副成分と、
その他の副成分とを少なくとも有する誘電体磁器組成物を製造する方法であって、
前記第２副成分を除いて、前記主成分と、その他の副成分のうちの少なくとも一部とを混合し、仮焼前粉体を準備する工程と、
前記仮焼前粉体を仮焼きして仮焼済粉体を準備する工程と、
前記仮焼済粉体に、前記第２副成分を少なくとも混合し、前記主成分に対する各副成分の比率が所定モル比である誘電体磁器組成物を得る工程と、
を有する誘電体磁器組成物の製造方法」が記載され、及び同（ロ）のｘの値を範囲内の１として表示すると「前記第２副成分が（Ｂａ，Ｃａ）ＳｉＯ３で表される組成を有し、
前記その他の副成分が、
ＭｇＯ，ＣａＯ，ＢａＯ，ＳｒＯおよびＣｒ２Ｏ３ から選択される少なくとも１種を含む第１副成分と、
Ｖ２Ｏ５，ＭｏＯ３およびＷＯ３から選択される少なくとも１種を含む第３副成分と、
Ｒの酸化物（ただし、ＲはＹ、Ｄｙ、Ｔｂ、ＧｄおよびＨｏから選択される少なくとも一種）を含む第４副成分と、
ＭｎＯを含む第５副成分とを少なくとも有し、
前記仮焼済粉体に、前記第２副成分を少なくとも混合し、前記主成分１００モルに対する各副成分の比率が、
第１副成分：０．１〜３モル、
第２副成分：２〜１２モル、
第３副成分：０．１〜３モル、
第４副成分：０．１〜１０．０モル（ただし、第４副成分のモル数は、Ｒ単独での比率である）、
第５副成分：０．０５〜１．０モルである誘電体磁器組成物を得ることを特徴とする請求項１に記載の誘電体磁器組成物の製造方法」が記載され、同（イ）は、同（ロ）において引用形式で記載されているからこれを併せて表示すると同（ロ）には「組成式ＢａＴｉＯ３ で表される主成分と、
酸化シリコンを主成分として含む焼結助剤である第２副成分と、
その他の副成分とを少なくとも有する誘電体磁器組成物を製造する方法であって、
前記第２副成分を除いて、前記主成分と、その他の副成分のうちの少なくとも一部とを混合し、仮焼前粉体を準備する工程と、
前記仮焼前粉体を仮焼きして仮焼済粉体を準備する工程と、
前記仮焼済粉体に、前記第２副成分を少なくとも混合し、前記主成分に対する各副成分の比率が所定モル比である誘電体磁器組成物を得る工程と、
を有する誘電体磁器組成物の製造方法であって、
前記第２副成分が（Ｂａ，Ｃａ）ＳｉＯ３ で表される組成を有し、
前記その他の副成分が、
ＭｇＯ，ＣａＯ，ＢａＯ，ＳｒＯおよびＣｒ２Ｏ３ から選択される少なくとも１種を含む第１副成分と、
Ｖ２Ｏ５，ＭｏＯ３およびＷＯ３から選択される少なくとも１種を含む第３副成分と、
Ｒの酸化物（ただし、ＲはＹ、Ｄｙ、Ｔｂ、ＧｄおよびＨｏから選択される少なくとも一種）を含む第４副成分と、
ＭｎＯを含む第５副成分とを少なくとも有し、
前記仮焼済粉体に、前記第２副成分を少なくとも混合し、前記主成分１００モルに対する各副成分の比率が、
第１副成分：０．１〜３モル、
第２副成分：２〜１２モル、
第３副成分：０．１〜３モル、
第４副成分：０．１〜１０．０モル（ただし、第４副成分のモル数は、Ｒ単独での比率である）、
第５副成分：０．０５〜１．０モルである誘電体磁器組成物を得る」ことが記載されている。
　したがって、引用例１には、組成物として
「組成式ＢａＴｉＯ３ で表される主成分１００モルに対する各副成分の比率が、
ＭｇＯ，ＣａＯ，ＢａＯ，ＳｒＯおよびＣｒ２Ｏ３ から選択される少なくとも１種を含む第１副成分：０．１〜３モル、
（Ｂａ，Ｃａ）ＳｉＯ３で表される第２副成分：２〜１２モル、
Ｖ２Ｏ５，ＭｏＯ３およびＷＯ３から選択される少なくとも１種を含む第３副成分：０．１〜３モル、
Ｒの酸化物（ただし、ＲはＹ、Ｄｙ、Ｔｂ、ＧｄおよびＨｏから選択される少なくとも一種）を含む第４副成分：０．１〜１０．０モル（ただし、第４副成分のモル数は、Ｒ単独での比率である）、
ＭｎＯを含む第５副成分：０．０５〜１．０モルである誘電体磁器組成物」の発明（以下、「引用例１発明」という。）が記載されていると認められる。
　
ＶＩＩ．対比・検討
　本願発明と引用例１発明とを対比すると、本願発明と引用例１発明は、ともに「誘電体磁器組成物」に関し、引用例１発明の「組成式ＢａＴｉＯ３ で表される主成分１００モルに対する各副成分の比率」、「ＭｇＯ，ＣａＯ，ＢａＯ，ＳｒＯおよびＣｒ２Ｏ３ から選択される少なくとも１種を含む第１副成分：０．１〜３モル」、「Ｖ２Ｏ５，ＭｏＯ３およびＷＯ３から選択される少なくとも１種を含む第３副成分：０．１〜３モル」、「Ｒの酸化物（ただし、ＲはＹ、Ｄｙ、Ｔｂ、ＧｄおよびＨｏから選択される少なくとも一種）を含む第４副成分：０．１〜１０．０モル（ただし、第４副成分のモル数は、Ｒ単独での比率である）」及び「ＭｎＯを含む第５副成分：０．０５〜１．０モル」は、それぞれ、本願発明の「主成分としてチタン酸バリウムを含有し、チタン酸バリウムをＢａＴｉＯ３換算で１００モルとした場合」、「酸化マグネシウムをＭｇＯ換算で１〜３モル」、「酸化タングステン、酸化バナジウムおよび酸化モリブデンをＷＯ３、Ｖ２Ｏ５およびＭｏＯ３に換算したときに、０．１モル≦ＷＯ３＋Ｖ２Ｏ５＋ＭｏＯ３≦１．０モル」、「酸化ディスプロシウムをＤｙ２Ｏ３換算で１〜５モル」及び「酸化マンガンをＭｎＯ換算で０．１〜１モル」に相当する。引用例１の記載事項（ニ）及び（ホ）に「第３副成分Ｖ２Ｏ５　０．１」の組成の資料が開示され、酸化バナジウムを必須成分として混合することも引用例１発明は含むので、引用例１発明の「Ｖ２Ｏ５，ＭｏＯ３およびＷＯ３から選択される少なくとも１種を含む第３副成分：０．１〜３モル」は、本願発明の「酸化バナジウムをＶ２Ｏ５換算で０．０１〜０．１モル」にも相当する。そして、引用例１発明の「（Ｂａ，Ｃａ）ＳｉＯ３で表される第２副成分：２〜１２モル」は、本願発明の「酸化バリウムおよび酸化カルシウムをそれぞれＢａＯおよびＣａＯ換算で合計２〜５モル」及び「酸化ケイ素をＳｉＯ２換算で２〜５モル」に相当することも明らかである。さらに、引用例１発明が副成分として「酸化マグネシウム、酸化ディスプロシウム、酸化バリウム、酸化カルシウム、酸化ケイ素、酸化マンガン、酸化タングステン、酸化バナジウム及び酸化モリブデンを含有」することも明らかである。
　したがって、本願発明と引用例１発明とは、「主成分としてチタン酸バリウムを含有し、副成分として酸化マグネシウム、酸化ディスプロシウム、酸化バリウム、酸化カルシウム、酸化ケイ素、酸化マンガン、酸化タングステン、酸化バナジウム及び酸化モリブデンを含有し、チタン酸バリウムをＢａＴｉＯ３換算で１００モルとした場合に、酸化マグネシウムをＭｇＯ換算で１〜３モル、酸化ディスプロシウムをＤｙ２Ｏ３換算で１〜５モル、酸化バリウムおよび酸化カルシウムをそれぞれＢａＯおよびＣａＯ換算で合計２〜５モル、酸化バナジウムをＶ２Ｏ５換算で０．０１〜０．１モル、酸化ケイ素をＳｉＯ２換算で２〜５モル、酸化マンガンをＭｎＯ換算で０．１〜１モル、酸化タングステン、酸化バナジウムおよび酸化モリブデンをＷＯ３、Ｖ２Ｏ５およびＭｏＯ３に換算したときに、０．１モル≦ＷＯ３＋Ｖ２Ｏ５＋ＭｏＯ３≦１．０モルである誘電体磁器組成物。」で一致し、次の点で相違する。
（Ａ）本願発明は、副成分として「酸化タンタルを含有する」のに対して、引用例１発明では、副成分として「酸化タンタルを含有していない」点、
（Ｂ）本願発明は、「酸化タンタル、酸化タングステン、酸化バナジウムおよび酸化モリブデンをＴａ２Ｏ５、ＷＯ３、Ｖ２Ｏ５およびＭｏＯ３に換算したときに、０．０１モル≦Ｔａ２Ｏ５＋ＷＯ３＋Ｖ２Ｏ５＋ＭｏＯ３≦１．０モルである」であるのに対して、引用例１発明では、「Ｖ２Ｏ５，ＭｏＯ３およびＷＯ３から選択される少なくとも１種を含む第３副成分：０．１〜３モル」とされている点、
　相違点（Ａ）及び相違点（Ｂ）は、いずれも酸化タンタルの含有に関するものであるから、以下で併せて検討する。
　本願発明が副成分として「酸化タンタル」を含有する技術的意義は、願書に最初に添付した明細書（以下、「当初明細書」という。）に「【００２５】酸化タンタル：Ｔａ２Ｏ５換算で０．０１〜１．０モル　酸化タンタルは酸化バナジウムと同様容量の経時変化を改善する。また誘電率を若干高める効果がある。酸化タンタルが０．０１モル未満ではそのような作用を得ることが困難となり、１．０モルを超えると初期絶縁抵抗の低下を招く。よって酸化タンタルの含有量はＴａ２Ｏ５換算で０．０１〜１．０モルとした。」と記載され、本願発明が「酸化タンタル、酸化タングステン、酸化バナジウムおよび酸化モリブデンをＴａ２Ｏ５、ＷＯ３、Ｖ２Ｏ５およびＭｏＯ３に換算したときに、０．０１モル≦Ｔａ２Ｏ５＋ＷＯ３＋Ｖ２Ｏ５＋ＭｏＯ３≦１．０モルである」であるとする技術的意義は、当初明細書に「【００２９】酸化タンタル、酸化タングステン、酸化バナジウムおよび酸化モリブデンの総量は、Ｔａ２Ｏ５、ＷＯ３、Ｖ２Ｏ５およびＭｏＯ３に換算したときに、０．０１モル≦Ｔａ２Ｏ５＋ＷＯ３＋Ｖ２Ｏ５＋ＭｏＯ３≦１．０モルを満たす必要がある。酸化モリブデンも酸化タンタル〜酸化バナジウムと同等の機能を有している。これらの酸化物を総量で０．０１モル以上含有することにより、直流電界下での容量の経時変化を改善するとともに、絶縁破壊電圧を向上させる。上記酸化物の総量が１．０モルを超えると初期絶縁抵抗の極端な低下を招く。」と記載され、いずれにおいても、酸化タンタルが酸化バナジウムと同等の機能を有し、効果を奏することが窺える。
　そして、引用例２にはＢａＴｉＯ３が９４.０〜９９.０モル％の範囲からなる高誘電率誘電体磁器組成物においてＴａ２Ｏ５ を０.５〜  ３.０モル％として比誘電率を高くするとともに静電容量の温度変化率を少なくし、ＥＩＡＪに規定するＸ７Ｒ特性を満足しようとするものであり、後述する本願明細書段落【００４８】に記載されている本願発明の効果と共通するということができる。
　例えば、本願の出願前に頒布されたことが明白な特開２０００−１０３６６８号公報（以下、「周知例１」という。）にはチタン酸バリウム系固溶体に関し、「表５、６から明らかなように、主成分中の添加成分として、さらにＤ（ただし、ＤはＶ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗ，ＹおよびＳｃから選ばれる少なくとも１種の金属元素の酸化物）を含有させることにより、積層セラミックコンデンサの内部電極としてＮｉなどの卑金属を用いることができ、誘電率が２００以上で３００ｋＨｚ、１００Ｖｐ−ｐの条件下でのｔａｎδが０．７％以下で、静電容量の温度特性がＪＩＳ規格で規定するＢ特性およびＥＩＡ規格で規定するＸ７Ｒ特性を満足するものが得られ、しかも、１０ｋＶ／ｍｍの高い電界強度で使用したときに、絶縁抵抗が静電容量との積（ＣＲ積）で表した場合に、室温で１１０００Ω・Ｆ以上と高い値を示す。さらに、１５０℃、ＤＣ２５ｋＶ／ｍｍの加速試験において、平均寿命時間が９００時間以上と長い。」（【００７２】）と記載されるように、チタン酸バリウム主成分に添加成分として「Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗ，ＹおよびＳｃから選ばれる少なくとも１種の金属元素の酸化物）を含有させることにより」積層セラミックコンデンサとして望ましい効果を奏することが知られている。さらに、誘電体磁器組成物において絶縁抵抗性や絶縁破壊強度を大きくするバナジウム酸化物に代えてタンタル酸化物を用いることについては、特開平４−１１２４１３号公報（以下、「周知例２」という。）の特許請求の範囲（３）及び発明の詳細な説明の関連箇所や特開平９−１２３６１号公報（以下、「周知例３」という。）の請求項７及び発明の詳細な説明の関連箇所に記載されている。
　したがって、チタン酸バリウム誘電体セラミック組成物の分野においてＴａ酸化物がＶ酸化物等と置換可能であることは、引用例２、周知例１乃至３に記載された技術事項によれば周知技術であるということができ、引用例１発明においてこの周知技術を適用することを妨げる特段の事情も存在しない。
　してみれば、引用例１発明において上記の相違点Ａ及び相違点Ｂにかかる特定事項を採用することは、当業者であれば容易に想到することができたものというべきである。
　本願発明の「【発明の効果】以上説明したように本発明の誘電体磁器組成物は、チタン酸バリウムを主成分として、副成分の希土類として酸化ディスプロシウムを含有させたことから、比誘電率が高く、還元雰囲気中での低温焼成が可能である。また、Ｘ７Ｒ特性を満足し、かつ温度に対する誘電損失が極めて少なく、金属ニッケルを内部電極として用いた積層セラミックコンデンサの誘電体材料に用いた際に、構造欠陥が少なく、しかもバイアス特性の優れ、高温負荷寿命が長い積層セラミックコンデンサを得ることができる。」（【００４８】）については、引用例１発明の効果（記載事項（ヘ）参照）と比較しても格別顕著なものとすることはできない。
　
ＶＩＩＩ．むすび
　以上のとおりであるから、本願の請求項１に記載された発明は、本願出願前に頒布された引用例１に記載された発明及び引用例２、周知例１乃至３に記載された技術事項に基づき当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　そして、本願は、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。