【事件の表示】
　平成１１年特許願第　６５７４２号「ドープされた金属酸化物誘電体材料を有する電子部品及びドープされた金属酸化物誘電体材料を有する電子部品の作製プロセス」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年１０月２９日出願公開、特開平１１−２９７８６７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯　 
　本願は平成１１年３月１２日（パリ条約による優先権主張　１９９８年３月１２日、米国）の出願であって、平成１６年８月２５日付けで拒絶査定がなされ、その後同年１１月２９日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年１２月２８日付けで手続補正がなされ、その後、当審において平成１７年１２月２１日付けで審尋がなされ、平成１８年６月２６日に回答書が提出され、平成１６年１２月２８日付けの手続補正が平成１９年１１月９日付けで却下され、同年１１月２６日付けで拒絶の理由が通知され、その指定期間内の平成２０年５月２８日に意見書とともに手続補正書が提出されたものである。
 　 
第２　当審において通知した拒絶の理由 
　当審において平成１９年１１月２６日付けで通知した拒絶の理由の概要は、以下の「理由２」、「理由３」及び「理由４」のとおりであって、その具体的内容は、以下のとおりである。
　
「第２．拒絶の理由 
理由１．［略］　 
理由２．この出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。 
理由３．この出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。 
理由４．この出願の請求項１ないし１０に係る発明は、その出願前日本国内又は外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
 　 
 　　　　　記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照） 
 　 
理由１．明細書及び図面の記載不備について ［略］
理由２．及び理由３．特許請求の範囲の記載不備について 
（ａ）［略］ 
（ｂ）［略］
（ｃ） 
　請求項１には、「１種類のＩＶ族元素をドープしたＩＩＩ族金属又はＶＢ族金属の金属酸化物」と記載され、また請求項２には、「金属酸化物はアルミニウム酸化物、イットリウム酸化物、五酸化タンタル、バナジウム酸化物から成る類から選択され、ドーパントはジルコニウム、シリコン、チタン及びハフニウムから成る類から選択される」と、金属酸化物とドーパントが記載されているが、発明の詳細な説明には、これらの任意の組み合わせについて十分な実施例が記載されておらず、発明の作用・効果が確認されていない。よって、請求項１，２（及びこれを引用する各請求項）に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものと認められない。 
（ｄ） 
　請求項１には、「０．１重量パーセントないし３０重量パーセントのドーパントを含み」と記載され、また請求項３には、「ドーパントの量は誘電体材料の０．１重量パーセントないし１０重量パーセントである」と、ドーパントの量が特定されているが、発明の詳細な説明には、【００１４】段落に一応対応する数値範囲は記載されているものの、これらの数値範囲の臨界的意義は何ら開示されておらず、また、上記数値範囲の任意のドーパント量において発明が実施でき、所定の作用・効果を奏するのかも不明りょうである。よって、請求項１及び３（及びこれを引用する各請求項）に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものではない。 
（ｅ） 
　請求項９には、「第１の酸化物形成エネルギーは、第２の酸化物形成エネルギーより大きい」ことが記載されているが、発明の詳細な説明には、【００１６】及び【００１７】段落に関連する記載があるものの、ドーパントに対する酸化物形成のエネルギーが、ドープされる金属酸化物に対する酸化物形成のエネルギーより大きい場合と小さい場合が、実験的に対比されて、作用・効果が確認されたものではない。よって、請求項９に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものではない。 
（ｆ）［略］
 　 
理由４．進歩性について 
・請求項　１−１０ 
・引用文献等　１−５ 
・備考　　　　 
 （各引用文献に記載された発明について） 
　引用文献１（特開平６−１９６６５４号公報）には、「【請求項１】　半導体基板上に形成されている第１電極と、　前記第１電極上に形成され、シリコンのドープされた五酸化タンタル膜からなる誘電体膜と、　前記誘電体膜上に形成された第２電極を具備することを特徴とするキャパシターを有する半導体メモリ装置。」及び「【請求項４】　前記シリコンは前記五酸化タンタル膜の中のタンタル原子と置き換えられたもので、その置き換えられた量は前記タンタル原子の全体の量の３〜３０ｗｔ％であることを特徴とする請求項１記載の半導体メモリ装置。」が記載されており、「シリコンがドープされることにより誘電体膜の漏洩電流が減少し破壊耐圧が増加する」こと（【００１３】段落）が記載されている。 
　また、引用文献１の【０００６】段落には、「五酸化タンタル薄膜にチタニウムＴｉ・・・をドーピングして電気的特性を改善」することも、開示されている。 
［中略］ 　 
 （請求項１ないし３について） 
　引用文献１ないし４には、五酸化タンタルに、シリコン又はチタニウムをドープすることが記載されているから、これを同族に一般化して、「少なくとも１種類のＩＶ族元素をドープしたＶＢ族金属の金属酸化物」を電子部品の誘電体材料とすることは、当業者が直ちに想到し得ることである。そして、引用文献１、２を参照すると、ＩＶ族元素の含有量もほぼ一致しており、また、各引用文献には、リーク電流特性の改善等が効果として記載されている。 
　また、引用文献２には、「添加物としてシリコンを含んでいることを特徴とする高誘電率酸化物薄膜。」（特許請求の範囲）と、発明が高誘電率酸化物に一般化できることも示唆されており、引用文献５には、「Ａｌ２Ｏ３膜中の不安定性の原因となる構造欠陥にＳｉＯ２分子を拡散せしめ、Ａｌ２Ｏ３中の不対結合を消滅する」と、アルミニウム酸化物で同様の現象が生じることが記載されているから、「ＩＶ族元素をドープしたＩＩＩ族金属の金属酸化物」を電子部品の誘電体材料とすることも、当業者が容易に想到し得ることである。 
（請求項４ないし８について）［略］
（請求項９について）　　　　［略］
（請求項１０について）　　　［略］
　 
　したがって、請求項１ないし１０に係る発明は、引用文献１ないし５に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
 　　　　　　　　　　　引　用　文　献　等　一　覧 
 １．特開平　６−１９６６５４号公報 
 ２．特開昭６４−　５０４２８号公報 
 ３．特開昭６３−　　２３６３号公報 
 ４．特開昭６２−　１７１７７号公報 
 ５．特開昭４９−　８５９６４号公報 
　なお、仮に、特許法第３６条（記載不備）についての拒絶理由（理由１ないし３）が解消されたとしても、特許法第２９条第２項についての拒絶理由（理由４）が解消されることにはならない点に、十分に注意されたい。」　
　
第３　本願発明
　本願の請求項１ないし１０に係る発明は、平成２０年５月２８日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１０に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
　
　　「【請求項１】 ０．１重量パーセントないし３０重量パーセントになるように少なくとも１種類のＩＶ族元素をドープしたＩＩＩ族金属又はＶ，Ｎｂ及びＴａの如きＶＢ族金属の金属酸化物である誘電体材料含む電子部品であって、前記ドーパントが存在することにより、金属酸化物のバルク中の欠陥及び、金属酸化物と隣接した半導体又は金属層間の界に形成される欠陥の発生を防止し、前記ＩＶ族元素は前記ドープした後に酸化されて酸化物として存在する、電子部品。　
　　【請求項２】　金属酸化物はアルミニウム酸化物、イットリウム酸化物、五酸化タンタル、バナジウム酸化物から成る類から選択され、ドーパントはジルコニウム、シリコン、チタン及びハフニウムから成る類から選択される請求項１記載の電子部品。
　　【請求項３】　ドーパントの量は誘電体材料の０．１重量パーセントないし１０重量パーセントである請求項１記載の電子部品。
　　【請求項４】　部品はＭＯＳデバイスで、誘電体材料はＭＯＳデバイスのゲート誘電体である請求項１記載の電子部品。
　　【請求項５】　部品はＭＩＳデバイスで、誘電体材料はＭＩＳデバイスのゲート誘電体である請求項１記載の電子部品。
　　【請求項６】　部品は不揮発性メモリデバイスで、誘電体材料は不揮発性メモリデバイスのポリ間誘電体層である請求項１記載の電子部品。
　　【請求項７】　部品がダイナミックランダムアクセスメモリデバイス用の容量である請求項１記載の電子部品。
　　【請求項８】　部品が線形容量で、誘電体材料は容量誘電体材料である請求項１記載の電子部品。
　　【請求項９】　ＩＩＩ族金属又はＶＢ族金属の酸化物は、第１の酸化物形成エネルギーをもち、ＩＶ族元素の酸化物は第２の酸化物形成エネルギーをもち、第１の酸化物形成エネルギーは、第２の酸化物形成エネルギーより大きい請求項１記載の電子部品。
　　【請求項１０】　誘電体材料は多層構造で、層の少くとも１つは、ドープされた金属酸化物層である請求項１記載の電子部品。」
　
第４　「理由２」について（特許法第３６条第６項第１号について）
　１．（ｃ）について
　請求項１には、「少なくとも１種類のＩＶ族元素をドープしたＩＩＩ族金属又はＶ，Ｎｂ及びＴａの如きＶＢ族金属の金属酸化物」と記載され、請求項２には、「金属酸化物はアルミニウム酸化物、イットリウム酸化物、五酸化タンタル、バナジウム酸化物から成る類から選択され、ドーパントはジルコニウム、シリコン、チタン及びハフニウムから成る類から選択される」と記載され、金属酸化物とドーパントそのものは記載されているが、発明の詳細な説明には、
これらの任意の組み合わせ
　したがって、請求項１及び２（及びこれを引用する各請求項）に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものとは認められず、依然として、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。　
　なお、請求人は、平成２０年５月２８日付けの意見書において、
　ア　「本件発明において、上記元素の性質の同質性については周期律表に従います。従って、周期律表のＩＩＩ族及びＶＢ族元素に属する金属の酸化物は、ＩＶ族に属する元素をドーピングすることにより、それら金属酸化物に隣接する層の界面における欠陥を安定化させる効果を発揮します。この点については、本件明細書段落【００１５】に記載されています。周期律表における各族に含まれる元素の同質性については当業者にとって周知です。従って、本件明細書段落【００１７】に記載されるように、酸化物形成エンタルピーがＩＩＩ族及びＶＢ族元素よりも小さいＩＶ族元素でドープすることにより、金属酸化物層との界面における未結合手、歪曲及び粒界の数を減少させる効果は、周期律表の同族に含まれる元素を用いることにより予期できるものです。一般に、周期律表における電子の陰性度は、各族の上から下へ向かって減少し、左から右にいくに従って増加します。反応性については、金属と非金属とでは異なります。金属元素の場合、その反応性は左から右へ行くに従って減少し、各族の上から下へ向かって減少します。非金属元素の場合は、その逆の傾向を示します。周期律表の傾向は広い範囲をサポートします。従って、（ＩＩＩ族又ＶＢ族金属に導入された後に）酸化されるＩＶ族元素でドープしたＩＩＩ族又はＶＢ族金属酸化物の場合に、上記のような優位な効果を発揮することは容易に理解できます。従って、本件実施例１は、アルミニウム酸化物膜（ＩＩＩ族）中のドーパントとしてのジルコニウム及びシリコン（ＩＶ族）を例示しますが、これら以外の例えば、本件明細書段落【００１４】に記載されるような酸化物及びドーパントも同様な効果を達成できることが可能となります。」（第１頁第２５行ないし第４３行）、
　イ　「上記したように、一の族に属する元素の同質性を考慮すれば、御指摘の任意の組み合わせについても同様の効果を発揮できることは、当業者にとっても容易に認識できるものと確信いたします。」（第２頁下から第５行ないし第２行）と主張している。
　しかしながら、上記アで主張する、周期律表の一般的傾向があることのみを根拠として、請求項１に記載される、
全ての元素の組み合わせ
　
　２．（ｄ）について
　請求項１には、「０．１重量パーセントないし３０重量パーセントになるように少なくとも１種類のＩＶ族元素をドープ」することが記載され、請求項３には、「ドーパントの量は誘電体材料の０．１重量パーセントないし１０重量パーセントである」と、ドーパントの量が特定されているが、発明の詳細な説明には、【００１４】段落に一応対応する数値範囲は記載されているものの、これらの数値範囲の臨界的意義は何ら開示されておらず、また、上記数値範囲の任意のドーパント量において発明が実施でき、所期の作用・効果を奏するのかも依然として不明りょうである。
　したがって、請求項１及び３（及びこれを引用する各請求項）に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものとは認められず、依然として、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。　
　なお、請求人は、平成２０年５月２８日付けの意見書において、　
　「当業者は、規定される数値範囲以下の濃度では望ましい効果を発揮できず、該数値範囲以上ではドーパントとしてのＩＶ族元素の特徴を発揮できないことを容易に認識できるものであり、規定される数値範囲には本件発明における効果を達成するための臨界的意義があると確信いたします。」（第３頁第１行ないし第４行）と主張している。
　しかしながら、請求項１に記載された
全ての元素の組み合わせ
　
　３．（ｅ）について
　請求項９には、「第１の酸化物形成エネルギーは、第２の酸化物形成エネルギーより大きい」ことが記載されているが、発明の詳細な説明には、【００１６】及び【００１７】段落に関連する記載があるものの、請求項９に記載される
全ての元素の組み合わせ
　したがって、請求項９に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものとは認められず、依然として、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。　
　なお、請求人は、平成２０年５月２８日付けの意見書において、　
　「上記のように、本件発明においては、金属酸化物とドーパントの酸化物形成エネルギーの相違により効果を発揮するものであり、ＩＩＩ族及びＶＢ族金属酸化物の酸化物形成エネルギーがドーパントとしてのＩＶ族金属酸化物形成エネルギーより大きいことによる効果については明細書においてその作用・効果が確認されております。」（第３頁第６行ないし第９行）と主張している。
　しかしながら、請求項１に記載された
全ての元素の組み合わせ
　
　４．むすび
　したがって、本願の請求項１ないし１０に記載される発明は、上記１．ないし３．において検討したとおり、発明の詳細な説明に記載したものとは認められず、依然として、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
 　　
第５　「理由４」について（特許法第２９条第２項について）
　仮に、請求項１ないし１０に記載される発明が、本願の発明の詳細な説明に記載したものであるとして、特許法第２９条第２項について検討する。
　
　１．本願発明
　本願の請求項１に係る発明は、上記「第３」に記載されたとおりのものである。
　
　２．刊行物１に記載された発明
　当審での拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物１（特開平６−１９６６５４号公報）には、図１及び図２とともに、「半導体メモリ装置及びその製造方法」に関して、以下の事項が記載されている。
「【請求項１】  半導体基板上に形成されている第１電極と、
前記第１電極上に形成され、シリコンのドープされた五酸化タンタル膜からなる誘電体膜と、
前記誘電体膜上に形成された第２電極を具備することを特徴とするキャパシターを有する半導体メモリ装置。」
「【請求項３】  前記シリコンはシリコン原子或いはシリコン酸化物状態で存在することを特徴とする請求項１記載の半導体メモリ装置。
【請求項４】  前記シリコンは前記五酸化タンタル膜の中のタンタル原子と置き換えられたもので、その置き換えられた量は前記タンタル原子の全体の量の３〜３０ｗｔ％であることを特徴とする請求項１記載の半導体メモリ装置。」
「【０００６】従って、前記のような問題点を解決するためにソニー社では米国特許第４，７３４，３４０号に一通りの技術を開示したが、前記五酸化タンタル薄膜にチタニウムＴｉ又は二酸化チタニウムＴｉＯ2 をドーピングして電気的特性を改善しようとした。即ち、前記特許ではタンタルＴａの原料とチタニウムＴｉの原料が同時に供給できる設備を製作し前記チタニウムとタンタルを同時に蒸着することによりチタニウムのドープされた五酸化タンタル膜を形成した。この際、前記タンタルの原料にタンタルペンタエトキシドＴａ（ＯＣ2 Ｈ5)5 を使用し、チタニウムの原料にチタニウムテトラアイソプロクサイドＴｉ（ｉｓｏ−ＯＣ3 Ｈ7)4 を使用した。前記特許では五酸化タンタル膜にチタニウムをドーピングさせることにより前記膜の電気的特性を改善したが、タンタルの量を基準として前記チタニウムが１．８ｗｔ％添加された時その改善効果が一番優れる。前記チタニウムをドーピングする場合漏洩電流は１ＭＶ／ｃｍの電界で約５×Ｅ−９Ａ／ｃｍ2 で非常に優れ、電極依存性なく常に優秀な特性を示した。」
「【００１３】　
【作用】前記キャパシターの誘電体膜に使用される五酸化タンタル膜内にドープされたシリコンはシリコン原子又はシリコン酸化物状態で存在し、前記シリコンがドーピングされることにより誘電体膜の漏洩電流が減少し破壊耐電圧が増加する。
【００１４】　
【実施例】以下、添付した図面に基づき本発明を詳細に説明する。図１及び図２は本発明によるシリコンのドープされた五酸化タンタル膜を具備したキャパシターの製造方法の一実施例を説明するための断面図である。
【００１５】図１は第１導電層１３の形成段階を示したもので、半導体基板１０上にキャパシターの第１電極として使用される第１導電層１３、例えば不純物のドープされた多結晶シリコン層を形成する。この際、前記第１導電層としては前記不純物のドープされた多結晶シリコン以外にシリコン系の導電層、即ちシリコンを含んだ導電層ならどんな物質でも可能である。
【００１６】図２は誘電体膜１５の形成段階を示したもので、前記シリコン系の第１導電層１３の上に五酸化タンタル膜を形成する。ここで、前記五酸化タンタル膜は４１０℃以下の低温で低圧化学気相蒸着ＬＰＣＶＤ法を利用して多孔質（porous）の膜に形成する。次いで、熱処理工程を実施し前記シリコン系第１導電層１３のシリコンを前記多孔質の五酸化タンタル膜内に拡散させることによりシリコンのドープされた五酸化タンタル膜１５即ち、誘電体膜を形成する。この際、前記シリコンが五酸化タンタル膜内にドープされるので些かの誘電率の減少はあるが、漏洩電流及び破壊耐電圧が著しく改善される効果が得られる。ここで、前記シリコンのドーピングは、シリコン原料とタンタル原料を同時に注入する方法、五酸化タンタルとシリコン酸化膜を薄膜状態に交代に蒸着した後、熱処理を通じて相互拡散させる方法により達成され得る。この際、前記シリコン酸化膜の１回の蒸着厚さは、続く熱処理工程でシリコン酸化膜内のシリコン原子が五酸化タンタル膜内に十分に拡散できるよう２０Å以下にするのが望ましい。上の二通りの方法以外に他の方法でも可能である。ここで、前記シリコン原料ではテオス（ＴＥＯＳ：テトラエチルオルトシリケート(Tetra-Ethyl-Ortho-Silicate), 分子式はＳｉ（ＯＣ2 Ｈ5)4 で表される）を、前記タンタル原料ではタンタルペンタエトキシドＴａ（ＯＣ2 Ｈ5)5 をそれぞれ使用する。又、前記多孔質の五酸化タンタル膜の形成の後実施する熱処理工程は、酸素雰囲気、窒素雰囲気、１００〜１，０００ｍＴｏｒｒの真空雰囲気、又は任意の順序でこれらを組合した雰囲気下で６５０℃〜１，０００℃の間の高温で実施することが望ましい。この際、前記シリコン原子は前記多孔質の五酸化タンタル膜内に拡散されながら前記五酸化タンタル膜の中のタンタル原子と置き換えられるが、その置き換えられる量は前記タンタル原子の全体量の３〜３０ｗｔ％になる。
【００１７】ここで、前記テオスは酸化膜ＳｉＯ2 を形成する時原料物質で一番広く使われる物質の中の一つであり、前記ＳｉＯ2 形成の際テオスからＳｉが取り外されるか、ＳｉＯ2+或いはＳｉＯ2 が取り外されるかは確かでないが、全て可能だということのみ知られている。又、前記五酸化タンタルの沈積の際に、前記タンタルペンタエトキシドＴａ（ＯＣ2Ｈ5)5 と酸素Ｏ2を流し沈積を助長するが、前記タンタルペンタエトキシドからタンタルＴａ、酸化タンタルＴａＯ、或いはＴａ2Ｏ等が出られるが、一般的に前記タンタルペンタエトキシドはタンタルのソース（source）で、酸素は酸化剤（oxidant ）であると知られている。従って、前記テオスをシリコンのソースであると名付ける。一般的に、五酸化タンタル膜の製造工程が酸素ガスを酸化剤で供給する工程であるのでテオスだけ供給すれば容易にＳｉＯ2 が得られる。ここで、前記五酸化タンタル膜内のシリコンは理論上ＳｉＯ2 の形態で存するが、先に述べたように前記テオスからシリコンも取り外され得ると知られているから前記五酸化タンタル膜内に存するシリコンはＳｉＯ2の状態、即ちシリコン酸化物状態のみならず、純粋なシリコン原子状態でも存在することができる。」
「【００３２】優れた電気的特性を示し低温蒸着の後熱処理を経た膜の場合が炭素の含量が一番低く、シリコンの含量は一番高かった。前記低温蒸着膜の電気的な特性が優秀なことは膜内の炭素の含量が減った原因もあろうが、原子価がタンタルより小さいシリコンが（タンタル：５価、シリコン：４価）膜内に多く混入されることにより、膜内の漏洩電流の伝達体の役割をする酸素空孔（結晶で酸素が占めるべき場が空いている格子点）の数が減ったためであるといえる。前記表１で見たように、熱処理前の炭素含量は各試片により大きい差がない。原子価の小さい原子の混入により漏洩電流が減少することがソニー社の特許で確認され（タンタルに比べチタニウムの原子価が小さくて前記チタニウムを五酸化タンタル膜にドーピングして漏洩電流を低めようとする）、本発明は前記タンタルの原子価より小さい原子価を有するシリコンを添加剤に用いることによりその効果を向上させようとする。
【００３３】
【発明の効果】本発明による五酸化タンタル膜は低温で形成した多孔質の膜であるため、酸素雰囲気で熱処理をする間、下部電極（キャパシターの第１電極）に使用されるシリコン系の導電物質のシリコン原子が前記多孔質の五酸化タンタル膜内に容易に拡散され、膜が自然に五酸化タンタルとシリコン酸化物の混合物となる。このような方法によりシリコンのドープされた五酸化タンタル膜は、従来の純粋な五酸化タンタル膜に比べ誘電率は些か減少するが、漏洩電流が減少し破壊耐電圧が増加するので、優れた電気的特性及び大幅向上された信頼性を持つ誘電体膜が提供できる。」
　
  したがって、刊行物１には、以下の発明が記載されている。
　「半導体基板上に形成されている第１電極と、
　前記第１電極上に形成され、シリコンのドープされた五酸化タンタル膜からなる誘電体膜と、
　前記誘電体膜上に形成された第２電極を具備し、
　前記シリコンは前記五酸化タンタル膜の中のタンタル原子と置き換えられたもので、その置き換えられた量は前記タンタル原子の全体の量の３〜３０ｗｔ％であることを特徴とするキャパシターを有する半導体メモリ装置。」
　
　３．対比
　本願発明と刊行物１に記載された発明（以下「刊行物発明」という。）とを対比する。
（ａ）刊行物発明の「誘電体膜」は、本願発明の「誘電体材料」に相当する。
（ｂ）「半導体基板上に形成されている第１電極」と、「前記第１電極上に形成され」た「誘電体膜」と、「前記誘電体膜上に形成された第２電極を具備」した「キャパシターを有する半導体メモリ装置」は、電子部品であることは明らかであるから、刊行物発明の「半導体基板上に形成されている第１電極」と、「前記第１電極上に形成され」た「誘電体膜」と、「前記誘電体膜上に形成された第２電極を具備」した「キャパシターを有する半導体メモリ装置」は、本願発明の「誘電体材料含む電子部品」に相当する。
（ｃ）刊行物発明の「五酸化タンタル膜」は、本願発明の「Ｔａ」の「金属酸化物である誘電体材料」に相当し、刊行物発明の「シリコン」が「ＩＶ族元素」であることは明らかであるから、刊行物発明の「シリコンのドープされた五酸化タンタル膜からなる誘電体膜」は、本願発明の「少なくとも１種類のＩＶ族元素をドープしたＩＩＩ族金属又はＶ，Ｎｂ及びＴａの如きＶＢ族金属の金属酸化物である誘電体材料」に相当する。
（ｄ）刊行物発明の「前記シリコンは前記五酸化タンタル膜の中のタンタル原子と置き換えられたもので、その置き換えられた量は前記タンタル原子の全体の量の３〜３０ｗｔ％」言い換えると、「シリコン」が「前記タンタル原子の全体の量の３〜３０ｗｔ％」であることは、本願発明の「０．１重量パーセントないし３０重量パーセントになるように少なくとも１種類のＩＶ族元素をドープした」「Ｔａの如きＶＢ族金属の金属酸化物である誘電体材料」であること、言い換えると、「１種類のＩＶ族元素」が「Ｔａ」の「０．１重量パーセントないし３０重量パーセント」であることに相当する。
　
　したがって、本願発明と刊行物発明とは、
「０．１重量パーセントないし３０重量パーセントになるように少なくとも１種類のＩＶ族元素をドープしたＩＩＩ族金属又はＶ，Ｎｂ及びＴａの如きＶＢ族金属の金属酸化物である誘電体材料含む電子部品。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　相違点１
　本願発明は、「前記ドーパントが存在することにより、金属酸化物のバルク中の欠陥及び、金属酸化物と隣接した半導体又は金属層間の界に形成される欠陥の発生を防止」するものであるのに対して、刊行物発明は、上記効果を奏するか否か明らかでない点。
　相違点２
　本願発明は、「前記ＩＶ族元素は前記ドープした後に酸化されて酸化物として存在する」ものであるのに対して、刊行物発明は、上記構成を備えるか否か明らかでない点。
　
　以下において、各相違点について検討する。
　相違点１について
（ａ）まず、本願発明の「金属酸化物と隣接した半導体又は金属層間の界」の「界」は、本願の発明の詳細な説明の「出願人は特定の理論を保持することを望まないが、ドーパントが存在することにより、金属酸化物のバルク中の欠陥及び金属酸化物と隣接した半導体又は金属層間の
界面
界面
（ｂ）一方、刊行物１において、「優れた電気的特性を示し低温蒸着の後熱処理を経た膜の場合が炭素の含量が一番低く、シリコンの含量は一番高かった。前記低温蒸着膜の電気的な特性が優秀なことは膜内の炭素の含量が減った原因もあろうが、原子価がタンタルより小さいシリコンが（タンタル：５価、シリコン：４価）膜内に多く混入されることにより、膜内の漏洩電流の伝達体の役割をする酸素空孔（結晶で酸素が占めるべき場が空いている格子点）の数が減ったためであるといえる。前記表１で見たように、熱処理前の炭素含量は各試片により大きい差がない。原子価の小さい原子の混入により漏洩電流が減少することが・・・確認され（タンタルに比べチタニウムの原子価が小さくて前記チタニウムを五酸化タンタル膜にドーピングして漏洩電流を低めようとする）、本発明は前記タンタルの原子価より小さい原子価を有するシリコンを添加剤に用いることによりその効果を向上させようとする。」（００３２段落）と記載されているように、刊行物発明においても、結晶欠陥の一種である「酸素空孔」が、シリコンを「五酸化タンタル膜」にドープすることにより、その数が減少することが記載されている。
　また、結晶欠陥の一種である「酸素空孔」の数が減少することは、結晶欠陥の数が減少することを意味することは明らかである。
（ｃ）刊行物１においては、「酸素空孔」は膜内にあると記載されているが、タンタル酸化膜が第１電極又は第２電極との界面においても、酸素が占めるべき格子位置に相当する部分があることは明らかであるから、「酸素空孔」は、タンタル酸化膜と第１電極又は第２電極との界面にも存在し、これらの「酸素空孔」も上記（ｂ）で検討したと同様に、その数が減少すると解しうる。
（ｄ）上記（ｂ）及び（ｃ）の検討を踏まえると、刊行物発明においても、実質的に、本願発明と同様に、「前記ドーパントが存在することにより、金属酸化物のバルク中の欠陥及び、金属酸化物と隣接した半導体又は金属層間の界（面）に形成される欠陥の発生を防止」できるとの効果を奏することは明らかである。
（ｅ）したがって、相違点１については、本願発明と刊行物発明とは、実質的に相違していない。
　
　相違点２について
（ａ）刊行物１には、以下の記載がある。
　ア　「【作用】前記キャパシターの誘電体膜に使用される五酸化タンタル膜内にドープされたシリコンはシリコン原子又はシリコン酸化物状態で存在し、前記シリコンがドーピングされることにより誘電体膜の漏洩電流が減少し破壊耐電圧が増加する。」（００１３段落）
　イ　「この際、前記シリコン原子は前記多孔質の五酸化タンタル膜内に拡散されながら前記五酸化タンタル膜の中のタンタル原子と置き換えられるが、その置き換えられる量は前記タンタル原子の全体量の３〜３０ｗｔ％になる。」（００１６段落）
　ウ　「本発明による五酸化タンタル膜は低温で形成した多孔質の膜であるため、酸素雰囲気で熱処理をする間、下部電極（キャパシターの第１電極）に使用されるシリコン系の導電物質のシリコン原子が前記多孔質の五酸化タンタル膜内に容易に拡散され、膜が自然に五酸化タンタルとシリコン酸化物の混合物となる。」（００３３段落）　
（ｂ）上記（ａ）の摘記事項アないしウから、刊行物１には、五酸化タンタル膜にシリコン原子が導入され、その後、酸素と結合してシリコン酸化物となることが記載されている。
（ｃ）一方、本願の発明の詳細な説明には、誘電体材料膜、ＩＰＤ膜、Ｓｉ又ＺｒドープしたＡｌ酸化物の膜の形成に関して、以下の記載がある。
　エ　「【０００８】スパッタリング、化学気相堆積（ＣＶＤ）、有機金属ＣＶＤ（ＭＯＣＶＤ）及び原子層堆積（ＡＬＤ）といった従来の堆積技術を用いて、所望のデバイス又は部品に適した基板の表面上に、誘電体材料層が形成される。基板上に層を形成する間に、ドーパントが金属酸化物に加えられる。」
　オ　「【００１２】本発明の不揮発性メモリデバイスは、従来の構造をもつが、デバイスのＩＰＤ層は本発明の誘電体材料である。ＩＰＤ層は先に述べた堆積技術を用いて堆積させる。」
　カ　「【００２８】実施例１
ドープ及びアンドープアルミニウム酸化物のいくつかの薄膜を形成した。用いたドーパントはジルコニウム及びシリコンである。薄膜は６インチシリコンウエハ上に形成した。金属酸化物薄膜を基板上に形成する前に、フッ化水素酸の水溶液（１５：１ＨＦ）を用いて、基板を清浄化した。清浄化後、それ以上自然の酸化物が成長しないように、シリコン基板をロードロック真空容器中に置いた。
【００２９】アルゴン／酸素雰囲気中での反応性スパッタリングを用いて、ドープ及びアンドープアルミニウム酸化物薄膜を基板上に形成した。重量で１パーセントのシリコンを一様に分布させたアルミニウムターゲットを、シリコンドープ薄膜を形成するために用いた。０．５重量パーセントのジルコニウムを一様に分布させたアルミニウムターゲットを、ジルコニウムドープ薄膜を形成するために用いた。高純度（９９．９重量パーセント）アルミニウムターゲットを、アンドープアルミニウム酸化物薄膜を形成するために用いた。
【００３０】薄膜は所望のターゲットをスパッタ室中に置くことにより形成した。次に、アルゴン及び酸素を容器中に導入した。約１ｋＷないし約２ｋＷの範囲で、交流（ＡＣ）パワーを陰極と陽極間に印加することにより、プラズマグローを成長させた。（用いる具体的な電流は、用いるシステムに依存する。）ターゲットの表面を酸化するために、堆積前にターゲットに焼き入れを行った。焼き入れが完了したことを確かめるために、電流及び電圧をモニターした。
【００３１】金属酸化物薄膜を上にスパッタ堆積する間、基板は３８０℃に保った。堆積速度は１．１Å／秒であった。得られる薄膜の厚さは、ウエハの表面上で２パーセント以内で変化した。酸素及びアルゴン流速は、マスフローコントローラを用いて薄膜堆積中制御した。
【００３２】各薄膜の厚さは、約１０ｎｍであった。薄膜の各型の１つは、続いて５５０℃に置いて窒素雰囲気中で３０分間アニールした。薄膜の各型の第２のものは、続いて５５０℃において酸素雰囲気中で３０分間アニールした。」
（ｄ）上記（ｃ）の摘記事項エないしカを参照しても、本願の明細書に、金属酸化物にドープされたＩＶ族元素が、ドープされた後に酸化されて酸化物となることが記載されているとは言えない。
（ｅ）仮に、上記（ｃ）の本願の発明の詳細な説明に、「前記ＩＶ族元素は前記ドープした後に酸化されて酸化物として存在する」との構成が記載されていると言えるとしても、上記（ａ）及び（ｂ）の検討から、刊行物発明においても、本願発明の如く、「前記ＩＶ族元素は前記ドープした後に酸化されて酸化物として存在する」との構成を備えるものとすることは、当業者が何ら困難性なくなし得たものである。
　
　したがって、仮に、本願の請求項１ないし１０に記載される発明が、本願の発明の詳細な説明に記載したものであるとしても、本願の請求項１に係る発明は、刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第６　むすび　
　以上のとおり、本願の請求項１ないし１０に係る発明は、特許法第３６条第６項第１号に規定される要件を満たさないので特許を受けることができず、また、本願の請求項１に係る発明は、同法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。