【事件の表示】
　特願２００４−　１６１３１「研磨された半導体ウェハ、該半導体ウェハの製造法及び該半導体ウェハを含む装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　８月１２日出願公開、特開２００４−２２８５８６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯 
　本件出願は、平成１６年１月２３日（優先権主張、平成１５年１月２３日、ドイツ連邦共和国）の特許出願であって、同１９年２月９日付けで拒絶の理由が通知され、同年６月１日に手続補正がなされ、同年７月３日付けで拒絶をすべき旨の査定がされ、同年１０月３日に本件審判の請求がなされ、当審において同２０年９月１２日付けで拒絶理由が通知され、同年１２月１６日に意見書が提出されたものである。 
 　 
２．本願発明
　本願の請求項１ないし６に係る発明は、平成１９年６月１日に補正された特許請求の範囲の請求項１ないし６に記載された事項により特定されるとおりのものと認められる。
　請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、以下のとおりである。
　
「液体エッチング剤を用いた半導体ウェハの少なくとも１つの処理と、半導体ウェハの少なくとも１つの表側の面の少なくとも１回の研磨とを含む研磨された半導体ウェハの製造法であって、処理の間に、半導体ウェハの縁部の前にシールドを配置し、該シールドにより、縁部に流入する液体エッチング剤に対して半導体ウェハの縁部を少なくとも部分的にカバーし、エッチング剤を半導体ウェハの表側の面及び裏側の面の周縁領域に流入させてこのエッチング剤が縁部に直接流入するのを防止する、研磨された半導体ウェハの製造法において、該シールドは、半導体ウェハの厚さｄの方向に延びかつ少なくともｄ＋１００μｍの長さである距離に亘って半導体ウェハの縁部をカバーすることを特徴とする、研磨された半導体ウェハの製造法。」
　
３．刊行物記載の発明
（１）特開２００１−２５０８０８号公報
　これに対し、本願優先日前に頒布された刊行物であって、当審で通知した拒絶理由に引用された特開２００１−２５０８０８号公報（以下「刊行物１」という。）には、次のように記載されている。 
　
ア．段落０００４
「【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の実施態様では、前記課題は、半導体ウェハをエッチングすることにより半導体ウェハを製造する際に、エッチング媒体を流動方向に沿って層流で半導体ウェハの縁部方向に向かって流す半導体ウェハの製造方法において、半導体ウェハの縁部の前に保護シールドを配置することで、エッチング媒体が保護シールドに対して流れ、半導体ウェハの縁部に対しては流れないようにすることを特徴とする半導体ウェハの製造方法により解決される。」
　
イ．段落０００７〜０００９
「【０００７】発明者の研究により、今まで通常の方法によりエッチング媒体を半導体ウェハの縁部３に向かって正面から層流２の形で流した場合、半導体ウェハ１の縁部の背後でエッチング媒体は乱流を生じることが判明した。このような状態を図４に示した。この乱流４により半導体ウェハの両側の周縁領域においてエッチング除去能が強化される。それにより、半導体ウェハの一方の面を鏡面研磨した後、半導体ウェハの研磨側の周縁領域に前記した隆起部が生じる。
【０００８】本発明の第１の実施態様により半導体ウェハの縁部の前に保護シールドを配置した場合、生じるエッチング媒体の乱流境界層は半導体ウェハの側面から遠ざかる。
【０００９】図２においては、エッチング媒体を層流で流す半導体ウェハの縁部が保護シールドによりカバーされることが記載されている。保護シールド５は図示した実施態様においてペアのガイド６を備えており、このガイド間に半導体ウェハ１は保持され、かつ場合により回転させられる。有利に半導体ウェハの厚さに相当する厚さの保護シールドの作用は、図５に明らかにされている。エッチング媒体の層流２は保護シールド５の端面７にぶつかる。この端面の直後に保護シールドの両側で乱流４を有する境界層が生じる。このことは図５において示唆されたように端面が丸められた形を有する場合にも生じる。エッチング媒体が半導体ウェハ１に達するまでに、この流れは層流になるため均質なエッチング除去が保障される。保護シールドを使用せず、エッチング媒体が半導体ウェハの縁部に向かって正面から流れる場合、均質なエッチング除去は不可能である。」
　
ウ．図２、図５
　保護シールド５により、エッチング媒体（層流２）が、半導体ウェハ１の縁部３に直接流入するのを防止していることが看取できる。
　
　上記記載を、図面を参照しつつ、技術常識を踏まえ、本願発明に照らして整理すると、上記刊行物１には、次の発明（以下「刊行物１発明」という。）が記載されているものと認められる。
 
「エッチング媒体を用いた半導体ウェハ１のエッチングと、半導体ウェハの一方の面の鏡面研磨とを含む研磨された半導体ウェハ１の製造法であって、エッチングの間に、半導体ウェハ１の縁部３の前に保護シールド５を配置し、該保護シールド５により、縁部３に流入するエッチング媒体に対して半導体ウェハ１の縁部３をカバーし、エッチング媒体を半導体ウェハ１の両側の面の周縁領域に流入させてこのエッチング媒体が縁部３に直接流入するのを防止する、研磨された半導体ウェハの製造方法において、該保護シールド５は、半導体ウェハの厚さに相当する厚さである距離に亘って半導体ウェハの縁部をカバーする、研磨された半導体ウェハの製造法。」 
 　 
（２）特開平７−４５５８３号公報
　同じく、拒絶理由に引用された特開平７−４５５８３号公報（以下「刊行物２」という。）には、次のように記載されている。 
　
ア．請求項２
「【請求項２】全体または、中心部を除く部分を平坦に形成した２枚の円盤を適宜間隔をあけて上下に平行またはほぼ平行かつ水平に、同軸上に対向させ、一方の円盤の中心部にエッチング用薬液の供給部を設け、これら円盤の外周端部間の間隙を薬液排出口として、これら円盤の対向面間の間隙により薬液流路を形成し、更に少なくとも一方の円盤における中心部を除く適所に開口部を設けてなるエッチング槽と、ウエーハを吸着して自転させる吸着・回転装置とを備えてなり、該吸着・回転装置は吸着部のウエーハ吸着面を前記円盤の開口部を介して前記薬液流路に、該円盤と平行にして臨ましめうるようしたことを特徴とするウエーハの高平坦度エッチング装置。」
　
イ．請求項５
「【請求項５】前記吸着・回転装置の吸着部の外周側に、該吸着部と同心状に円環状のテンプレートを設け、前記吸着・回転装置と開口部との当接によりテンプレートの表面をウエーハ吸着時のウエーハのエッチング処理面よりも前記薬液流路側に突出させうるように、または前記テンプレートの表面がウエーハ吸着時のウエーハのエッチング処理面と同一平面内にあるようにしたことを特徴とする請求項２，３または４に記載の高平坦度エッチング装置。」
　
ウ．段落００１７
「【００１７】請求項５に記載のエッチング装置においては、ウエーハ近傍の薬液流がテンプレートにより整流され、その結果ウエーハエッジ部における形状異常の発生を抑制することができる。」
　
エ．段落００２５
「【００２５】また、吸着盤７４の外周側には、これと同心状にリング状のテンプレート７８を固着する。この場合、テンプレート７８は回転軸支持部材８３の下端面に固定し、テンプレート７８の内周面とウエーハＷの外周面との間に間隙δを形成すると共に、テンプレート７８の下面はウエーハＷのエッチング処理面と、ほぼ同一の面位置とする。・・・。また、本発明では、テンプレート７８の下面がウエーハＷのエッチング処理面よりも薬液流路側に突出するようにしてもよい。・・・。」
　
オ．段落００２７
「【００２７】つぎに、このエッチング装置の作用について説明する。まず、真空ポンプ７７の作動および、開閉弁７５の開放によりウエーハＷを吸着盤７４に吸着固定し、吸着・回転装置７１を不図示の昇降装置により降下させてシール部材８８をトッププレート１１の開口部１３上面に圧接させることにより図１，３の状態とし、該開口部１３を液シールする（薬液流路２４内の薬液が開口部１３からトッププレート１１上面側に漏れないようにする）と共に、図３に示すようにウエーハＷ表面（エッチング処理面）およびテンプレート７８の面位置をトッププレート１１の下面とほぼ一致させる。次いで、モータ８４の作動によりウエーハＷを自転させ、循環ポンプ３４により薬液Ｅをエッチング槽１へ供給してエッチングを行う。」
　
　上記記載を、図面を参照しつつ、技術常識を踏まえ整理すると、刊行物２には、以下の事項（以下「刊行物２事項」という。）が記載されていると認める。
　 
「ウェーハの外周側に円環状のテンプレート７８を配置し、該テンプレート７８により、ウェーハに流入するエッチング用薬液に対してウェーハの縁部をカバーし、エッチング用薬液をウェーハのエッチング処理面に流入させてこのエッチング用薬液がウェーハの縁部に直接流入するのを防止するものであり、該テンプレート７８は、ウェーハのエッチング処理面よりも薬液流路側に突出するようにしたウェーハのエッチング装置。」
　
　そして、刊行物２事項は、「ウエーハ近傍の薬液流がテンプレートにより整流され、その結果ウエーハエッジ部における形状異常の発生を抑制することができる」という効果を生じるものである。 
 　 
４．対比・判断 
　刊行物１発明の「エッチング媒体」、「エッチング」、「鏡面研磨」、「保護シールド５」、「両側の面」は、それぞれ本願発明の「液体エッチング剤」、「少なくとも１つの処理」、「少なくとも１つの表側の面の少なくとも１回の研磨」、「シールド」、「表側の面及び裏側の面」に相当する。
　
　そうすると、本願発明と刊行物１発明とは、以下の点で一致する。 
「液体エッチング剤を用いた半導体ウェハの少なくとも１つの処理と、半導体ウェハの少なくとも１つの表側の面の少なくとも１回の研磨とを含む研磨された半導体ウェハの製造法であって、処理の間に、半導体ウェハの縁部の前にシールドを配置し、該シールドにより、縁部に流入する液体エッチング剤に対して半導体ウェハの縁部を少なくとも部分的にカバーし、エッチング剤を半導体ウェハの表側の面及び裏側の面の周縁領域に流入させてこのエッチング剤が縁部に直接流入するのを防止する、研磨された半導体ウェハの製造法。」 
 　 
　そして、以下の点で相違する。
　シールドの厚さについて、本願発明は、「半導体ウェハの厚さｄの方向に延びかつ少なくともｄ＋１００μｍの長さ」であるが、刊行物１発明は、「半導体ウェハの厚さに相当する厚さ」である点。
　
　相違点について、検討する。
　刊行物１発明と同様、ウェハのエッチングに関するものである刊行物２事項は、上記３．（２）のとおりである。
　ここで、刊行物２事項の「ウェーハ」、「エッチング用薬液」は、本願発明の「半導体ウェハ」、「液体エッチング剤」に、それぞれ相当する。
　刊行物２事項の「テンプレート７８」は、「半導体ウェハ縁部に流入する液体エッチング剤に対して半導体ウェハの縁部をカバーし、エッチング剤を半導体ウェハの処理面の周縁領域に流入させてこのエッチング剤が縁部に直接流入するのを防止する」機能を有する点で、本願発明の「シールド」と共通するものである。
　
　そこで、刊行物２事項を書き改めると、以下のとおりである。
「半導体ウェハの外周側にシールドを配置し、該シールドにより、半導体ウェハに流入する液体エッチング剤に対して半導体ウェハの縁部をカバーし、液体エッチング剤を半導体ウェハのエッチング処理面に流入させてこの液体エッチング剤が半導体ウェハの縁部に直接流入するのを防止するものであり、該シールドは、半導体ウェハのエッチング処理面よりも液体エッチング剤流路側に突出する半導体ウェハのエッチング装置。」
　
　刊行物２事項は、上記３．（２）のとおり、「ウエーハ近傍の薬液流がテンプレートにより整流され、その結果ウエーハエッジ部における形状異常の発生を抑制することができる」という効果を生じる。
　そして、シールドを「半導体ウェハのエッチング処理面よりも液体エッチング剤流路側に突出する」こと、すなわち本願発明に照らすと、「シールドは、半導体ウェハの厚さｄの方向に延びかつｄ＋αの長さ」とすることで、液体エッチング剤の流れが変わり、エッチング効果に差違が生じることが予測される。
　よって、刊行物１発明に、刊行物２事項の「シールドは、半導体ウェハの厚さｄの方向に延びかつｄ＋αの長さ」という技術事項を適用し、実際に実行する際に適切な数値である「少なくともｄ＋１００μｍの長さ」を選択し、相違点に係る事項とすることに困難性は認められない。
　
　請求人は、平成２０年１２月１６日の意見書において、以下の点を主張する。
「確かに、「テンプレートの表面をウェーハ吸着時のウェーハのエッチング処理面よりも前記薬液流路側に突出させる」（請求項５および段落［００１０］）構成も開示されていますが、択一的な構成として「前記テンプレートの表面がウェーハ吸着時のウェーハエッチング処理面と同一平面内にあるように」する構成も開示されており、いずれかの構成を採用したことによって奏される効果、換言すれば、いずれの構成を採用しても奏される同一の効果は、「ウェーハ近傍の薬液流がテンプレートにより整流され、その結果ウェーハエッジ部における形状異常の発生を抑制することができる」（段落［００１７］）ことであることが明記されています。」
「引用例２には、テンプレート（シールド）が、少なくともｄ＋１００μｍの長さである距離に亘って半導体ウェハの縁部をカバーするという構成についての具体例の記載は一切なく、またこのような構成を採用することによって、表側の面および裏側の面が周縁領域内までも殊に平坦である半導体ウェハを製造することができ、その後の研磨によって少なくとも表側の面の平坦性が最適化され、かつ理想的な平坦面からの裏側の面の平坦性の最大のずれが、０．７μｍ以下である研磨された半導体ウェハが得られること、ひいては０．１μｍ以下の線幅を有する電子構造を得るためのテクノロジーに適合させることができるという優れた効果についての教示も示唆も一切ありません。」
「引用文献１および２のいずれにも、引用例１に記載されている発明において、上記の本願発明による効果を期待して、当業者が引用例２に記載されている「テンプレート７８の下面がウェーハＷのエッチング処理面よりも薬液流路側に突出するようにしてもよい」という構成を採用することを動機付ける記載は一切なく、また、本願発明によりシールドがカバーする距離を少なくともｄ＋１００μｍとするという構成を採用することは、単なる設計的事項を越えるものであり、このような構成を採用したことによって奏される上記の優れた効果は、これらの引用例の記載から当業者が予測できる範囲をはるかに超えております。」
　請求人が主張するように、シールドの厚さを「ｄ＋α」とすることによる特有の効果は、必ずしも明らかでない。
　しかし、シールドの厚さを「ｄ＋α」とすることにより、液体エッチング剤の流れが変化し、エッチングに影響を与えることは、技術常識として、予測されるところである。
　したがって、刊行物１発明において、シールドの厚さを「ｄ＋α」とすることがありえないとまでは言えない。
　「少なくともｄ＋１００μｍの長さ」とすることによる「優れた効果」の主張については、前記のとおり、シールドの厚さを変えることで、液体エッチング剤の流れが変化し、エッチングに影響を与える、すなわち「効果」に差違が生じる可能性があることは、予測されるところにすぎない。
　本願明細書の段落００２２には、シールドの厚さ「ｄ＋α」の「α」に相当する「ｔｍａｘ−ｄ」欄があり、比較例として「０」、実施例１〜３として「１００」以上のものが記載され、段落００２５、図４には、その効果が示されている。
　しかし、比較例として、「９０」、「８０」等のものは記載されておらず、「少なくともｄ＋１００μｍの長さ」と特定することによる臨界的意義又は格別顕著な効果があるとは認められない。
　よって、請求人の主張は採用できない。
　
５．むすび 
　本願発明は、刊行物１発明、刊行物２事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものであるから、結論のとおり審決する。