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【手続補正書】
【提出日】平成27年1月15日(2015.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、
前記絶縁基板の一方の面に形成される配線層と、
前記絶縁基板の一方の面と他方の面との間を貫通する第１貫通孔内に形成され、前記配線層に接続される第１ビアと、
前記配線層及び前記第１ビアから離間して前記絶縁基板の一方の面に形成されるバスラインと、
前記絶縁基板の一方の面と他方の面との間を貫通する第２貫通孔内に形成され、前記バスラインに接続される第２ビアと
を含む、配線基板。
【請求項２】
前記絶縁基板の他方の面側において前記第１ビア及び前記第２ビアを電気的に接続した状態で前記バスラインに給電を行うことによって前記配線層の表面に形成される、めっき層をさらに含む、請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
前記絶縁基板の一方の面には、前記配線基板を個片化した後の複数の配線基板片に対応し、それぞれに前記配線層が形成される配線形成領域が複数設けられており、
前記バスラインは、前記複数の配線形成領域の周囲を囲むように設けられている、請求項１又は２記載の配線基板。
【請求項４】
前記配線層及び前記第１ビアと、前記バスライン及び前記第２ビアとは、互いに電気的に分離されている、請求項１乃至３のいずれか一項記載の配線基板。
【請求項５】
一方の面に配線層が形成されるとともに、前記一方の面と他方の面との間を貫通する第１貫通孔内に前記配線層に接続する第１ビアが設けられた絶縁基板の、前記他方の面において、前記第１ビアに金属シートを当接させる工程と、
前記金属シートを介して前記第１ビア及び前記配線層に給電を行う電解めっきにより、前記配線層の表面にめっき層を形成する工程と
を含む、配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記絶縁基板は、前記配線層及び前記第１ビアから離間して前記一方の面に形成されるバスラインと、前記一方の面と前記他方の面との間を貫通する第２貫通孔内に形成され、前記バスラインに接続される第２ビアとをさらに含んでおり、
前記第１ビアに金属シートを当接させる工程では、前記金属シートは前記第２ビアにも当接されており、
前記めっき層を形成する工程は、前記バスラインに給電を行うことにより、前記第２ビアを介して前記金属シートに給電を行いながら、前記配線層の表面にめっき層を形成する工程である、請求項５記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記配線層の表面にめっき層を形成する工程は、前記金属シートに給電を行いながら、スパージャ方式で、前記配線層の表面にめっき層を形成する工程である、請求項５記載の配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記配線層の一部を端子として露出する絶縁層を前記配線層の上に形成する工程をさらに含む、請求項５乃至７のいずれか一項記載の配線基板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月19日(2015.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換素子を含む画素が複数配列された画素領域と、
前記画素領域上に均一な開口幅で並列して形成された転送配線と、
前記転送配線の上層の配線層に形成され、少なくとも一部が前記転送配線と平面位置で重なり合う位置に設けられた他の配線と、を備え、
前記転送配線と前記他の配線とにより前記画素領域に遮光構造が形成されている
固体撮像装置。
【請求項２】
基体の第１面側の表面に前記光電変換素子が設けられ、前記基体の第２面上に前記配線層が設けられている請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記基体の第２面側に前記配線層を介して貼り合わされた第２の基体を備え、前記第２の基体に周辺回路部を有し、前記画素領域と前記周辺回路部との間に前記遮光構造が形成されている請求項２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記光電変換素子の近距離に信号処理のための能動素子を備える請求項１から３のいずれかに記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記能動素子として、少なくとも電界効果型トランジスタ又はダイオードのいずれかを含む請求項４に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記他の配線としてパルス配線及びダミー配線を含む請求項１から５のいずれかに記載の固体撮像装置。
【請求項７】
基体の光入射側に形成され、光電変換素子を含む画素が複数配列された画素領域と、前記画素領域上に均一な開口幅で並列して形成された転送配線と、前記転送配線の上層の配線層に形成され、少なくとも一部が前記転送配線と平面位置で重なり合う位置に設けられた他の配線とを有し、前記転送配線と前記他の配線とにより前記画素領域に遮光構造が形成されている固体撮像装置と、
前記固体撮像装置の出力信号を処理する信号処理回路と、を備える
電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
〈２．固体撮像装置の第１実施形態〉
［固体撮像装置の概略構成］
図１に、本実施形態の固体撮像装置に適用されるＭＯＳ型固体撮像装置の概略構成を示す。このＭＯＳ型固体撮像装置は、各実施の形態の固体撮像装置に適用される。本例の固体撮像装置１は、図示しない半導体基体、例えばシリコン基体に複数の光電変換部を含む画素２が規則的に２次元アレイ状に配列された画素領域（いわゆる画素アレイ）３と、周辺回路部とを有して構成される。画素２は、光電変換部となる例えばフォトダイオードと、複数の画素トランジスタ（いわゆるＭＯＳトランジスタ）を有して成る。複数の画素トランジスタは、例えば転送トランジスタ、リセットトランジスタ及び増幅トランジスタの３つのトランジスタで構成することができる。その他、選択トランジスタを追加して４つのトランジスタで構成することもできる。単位画素の等価回路は通常と同様であるので、詳細説明は省略する。画素２は、１つの単位画素として構成することができる。また、画素２は、共有画素構造とすることもできる。この画素共有構造は、複数のフォトダイオードが、転送トランジスタを構成するフローティングディフュージョン、及び転送トランジスタ以外の他のトランジスタを共有する構造である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
フォトダイオードＰＤが形成されている領域の配線層に、上述の遮光構造を形成する。配線層による遮光領域は、フォトダイオードＰＤが形成された領域を全て覆うことが好ましい。
但し、フォトダイオードＰＤ領域を全て覆わなくても、遮光構造による効果を得ることができる。例えば、図５に示す遮光領域１００のように、フォトダイオードＰＤ１上において、少なくともフォトダイオードＰＤ１の短辺を１辺とする正方形の領域を遮光することが好ましい。同様に、フォトダイオードＰＤ２〜４においても、フォトダイオードＰＤ２〜４の短辺を１辺とする正方形の領域を遮光する。この遮光領域１００上に配線による遮光構造を形成することにより、充分な遮光効果を得ることができる。このように、フォトダイオードＰＤが形成された領域を全て覆わずに、フォトダイオードＰＤ領域の一部を覆う遮光層が設けられた場合にも、遮光構造による効果を得ることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
また、図６Ａ，Ｂに示すように、転送配線８４〜８７及びパルス配線８８〜９１と異なる配線層に、ダミー配線９２が形成されている。ダミー配線９２は、上述の図６Ａ，Ｂに示すように、転送配線８４〜８７及びパルス配線８８〜９１と、それぞれ一部が重なり合う位置に配置される。ダミー配線９２は、電気的にフローティングでもよく、また、電源電圧及びグランドに固定してもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９３】
また、上述の実施形態では、画素領域と制御回路及びロジック回路とを別々の基体に作製して、これらの基体を接合した場合について説明しているが、画素領域と制御回路、ロジック回路を同一の基体内に形成してもよい。また、画素領域と制御回路、ロジック回路は垂直方向にある必要はなく、同一面内にあってもよい。 いずれの場合も、画素領域と制御回路、ロジック回路が至近距離にあるような構造の場合に適用することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月15日(2015.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記一般式（Ｉ）で表される化合物が、下記一般式（Ｖ）で表される化合物であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の光電変換素子。
【化３】
2013187329.tif 000001
（式（Ｖ）中、
Ｘは第１６族元素から選ばれる原子を表し、
ｐは１以上の整数を表し、
Ｒ１、Ｒ２、及びＲ１１〜Ｒ１３は各々独立して任意の置換基を表し、Ｒ１、Ｒ２、及びＲ１１〜Ｒ１３のうちの２以上は互いに結合して環を形成していてもよく、ｐが２以上の場合に、複数のＲ１、Ｒ２、及びＲ１１〜Ｒ１３の組は各々異なっていてもよく、複数のＲ１、Ｒ２、及びＲ１１〜Ｒ１３のうちの２以上は互いに結合して環を形成していてもよく、
Ａ２は炭化水素環を表し、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ１１〜Ｒ１３、及びＡ２は置換基を有していてもよい。）
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月27日(2015.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
以上の実験結果を考慮して、次のように条件設定すれば、遮蔽物４の近接状態と密着状態を区別して検出できることが判明した。
（ａ）遮蔽物４が所定の距離内に存在しない場合において、反射光Ｂ１と反射光Ｂ２の各光量を合計した受光部１３の受光量（又は受光量の平均値）が通常状態の基準値とされる。受光量（又はその平均値）が通常状態の基準値に近い一定範囲内（多少の変動の範囲）である場合は、妨害行為のない通常状態とする。
（ｂ）遮蔽物４が所定の近接距離内に存在する場合において、反射光Ｂ１と反射光Ｂ２と反射光Ｂ３の３つの光量を合計した受光部１３の受光量（又はその平均値）が、通常状態の基準値と比較して、通常状態では起こりえない程度に増加したとき（すなわち、上限の閾値を超えたとき）、遮蔽物４の近接（布等による覆い隠し又はテープ類の貼付け等）を検出する。
（ｃ１）反射率の低い黒色スプレーの場合
反射率の低い遮蔽物４（黒色スプレー等）が前面パネル１１に密着している場合は、上記（ｂ）の場合に比べて、反射光Ｂ１の光量が略同じであるが、反射光Ｂ２の光量が大きく減少する。遮蔽物４が黒色等のように反射率の低いものの場合、反射光Ｂ３の光量の上昇よりも、反射光Ｂ２の光量の減少の方が大きく影響する。
そして、各反射光Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３の光量を合計した受光部１３の受光量(又はその平均値)が、上記（ａ）の場合の受光量に比べて通常状態では起こりえない程度に減少したとき（すなわち、下限の閾値を超えたとき）、遮蔽物４の密着状態（スプレー塗料の吹付け）を検出する。
（ｃ２）反射率の高い白色スプレーの場合
反射率の高い遮蔽物４（白色スプレー等）が前面パネル１１に密着している場合は、上記（ｂ）の場合に比べて、反射光Ｂ１の光量が略同じであるが、反射光Ｂ２の光量が大きく減少する。
しかし、遮蔽物４が白色等のように反射率の高いものの場合、上記（ｃ１）とは逆に、反射光Ｂ２の光量の減少よりも、反射光Ｂ３の光量の上昇の方が大きく影響する。
そして、各反射光Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３の光量を合計した受光部１３の受光量（又はその平均値）が、通常状態の基準値と比較して、通常状態では起こりえない程度に増加したとき（すなわち、上限の閾値を超えたとき）、遮蔽物４の近接として検出する。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月9日(2015.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の状態と第２の状態をサポートする端末装置であって、
共用チャネルおよび前記共用チャネルに対する参照信号を送信する送信部を備え、
前記送信部は、
第１の状態においては、
第１の下りリンク制御情報フォーマットに係るグラントによってリソースが割り当てられる共用チャネルに対する参照信号（第１の参照信号）に対しては、物理セルＩＤに基づいて、基準系列を生成し、
第２の状態においては、
第１の下りリンク制御情報フォーマットに係るグラントによってリソースが割り当てられる共用チャネルに対する参照信号（第１の参照信号）に対しては、前記物理セルＩＤに基づいて、基準系列を生成し、
第２の下りリンク制御情報フォーマットに係るグラントによってリソースが割り当てられる共用チャネルに対する参照信号（第２の参照信号）に対しては、前記物理セルＩＤとは異なるＩＤに基づいて、基準系列を生成する
端末装置。
【請求項２】
前記送信部は、
前記第１の参照信号に対する送信電力を、電力制御に関する第１のパラメータに基づいてセットし、
前記第２の参照信号に対する送信電力を、電力制御に関する第２のパラメータに基づいてセットする
請求項１記載の端末装置。
【請求項３】
前記第１のパラメータは、前記第１の下りリンク制御情報フォーマットに係るグラントによってリソースが割り当てられる共用チャネルの送信電力のセッティングに用いられ、
前記第２のパラメータは、前記第２の下りリンク制御情報フォーマットに係るグラントによってリソースが割り当てられる共用チャネルの送信電力のセッティングに用いられる
請求項２記載の端末装置。
【請求項４】
前記送信部は、
前記第２の下りリンク制御情報フォーマットに係るグラントによって示される情報の値に応じて、電力制御を切り替える
請求項３記載の端末装置。
【請求項５】
端末装置と通信する基地局装置であって、
前記端末装置が第１の状態および第２の状態をサポートしている場合には、
第１の下りリンク制御情報フォーマットに係るグラントおよび第２の下りリンク制御情報フォーマットに係るグラントを送信する送信部を備え、
前記送信部は、
前記第１の状態をサポートする端末装置に対して、物理セルＩＤを送信し、
前記第１の状態および前記第２の状態をサポートする端末装置に対して、前記物理セルＩＤおよび前記物理セルＩＤとは異なるＩＤを送信する
基地局装置。
【請求項６】
前記送信部は、
前記第１の状態および前記第２の状態をサポートする端末装置に対して、
前記第１の下りリンク制御情報フォーマットに係るグラントによってリソースが割り当てられる共用チャネルの送信電力のセッティングに用いられるパラメータおよび前記第２の下りリンク制御情報フォーマットに係るグラントによってリソースが割り当てられる共用チャネルの送信電力のセッティングに用いられるパラメータを送信する
請求項５記載の基地局装置。
【請求項７】
第１の状態と第２の状態をサポートする端末装置における方法であって、
共用チャネルおよび前記共用チャネルに対する参照信号を送信するステップと、
第１の状態において、第１の下りリンク制御情報フォーマットに係るグラントによってリソースが割り当てられる共用チャネルに対する参照信号（第１の参照信号）に対しては、物理セルＩＤに基づいて、基準系列を生成するステップと、
第２の状態において、第１の下りリンク制御情報フォーマットに係るグラントによってリソースが割り当てられる共用チャネルに対する参照信号（第１の参照信号）に対しては、前記物理セルＩＤに基づいて、基準系列を生成するステップと、
第２の下りリンク制御情報フォーマットに係るグラントによってリソースが割り当てられる共用チャネルに対する参照信号（第２の参照信号）に対して、前記物理セルＩＤとは異なるＩＤに基づいて、基準系列を生成するステップと、を有する
方法。
【請求項８】
前記第１の参照信号に対する送信電力を、電力制御に関する第１のパラメータに基づいてセットするステップと、
前記第２の参照信号に対する送信電力を、電力制御に関する第２のパラメータに基づいてセットするステップと、を有する
請求項７記載の方法。
【請求項９】
端末装置と通信する基地局装置における方法であって、
前記端末装置が第１の状態および第２の状態をサポートしている場合には、第１の下りリンク制御情報フォーマットに係るグラントおよび第２の下りリンク制御情報フォーマットに係るグラントを送信するステップと、
前記第１の状態をサポートする端末装置に対して、物理セルＩＤを送信ステップと、
前記第１の状態および前記第２の状態をサポートする端末装置に対して、前記物理セルＩＤおよび前記物理セルＩＤとは異なるＩＤを送信するステップと、を有する
方法。
【請求項１０】
前記第１の状態および前記第２の状態をサポートする端末装置に対して、前記第１の下りリンク制御情報フォーマットに係るグラントによってリソースが割り当てられる共用チャネルの送信電力のセッティングに用いられるパラメータおよび前記第２の下りリンク制御情報フォーマットに係るグラントによってリソースが割り当てられる共用チャネルの送信電力のセッティングに用いられるパラメータを送信するステップを有する
請求項９記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月4日(2015.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録装置に記録された動画を再生する再生装置であって、
前記記録装置に記録された動画に含まれるシーンの位置の変更の内容を示す履歴情報を記憶媒体に記憶する記憶手段と、
シーンの位置を変更する前の動画の基準位置を基準とした動画の再生開始位置を指定する開始情報を受信する受信手段と、
前記シーンの位置の変更によって変更された再生開始位置までの前記基準位置からの距離を、前記履歴情報と前記受信手段が受信した前記開始情報とに基づいて特定する特定手段とを有することを特徴とする再生装置。
【請求項２】
前記記憶手段は、前記動画に含まれる一又は複数のシーンの長さを前記記憶媒体に記憶し、
前記特定手段は、前記記憶媒体に記憶された前記一又は複数のシーンの長さの情報に基づいて、前記シーンの位置の変更によって変更された再生開始位置までの前記基準位置からの距離を特定することを特徴とする請求項１に記載の再生装置。
【請求項３】
前記履歴情報は、前記動画に含まれるシーンを削除したことを示す情報を含み、
前記特定手段は、前記受信した開始情報が、削除された第１のシーンにおける位置を示す場合、前記基準位置から前記シーンの位置を変更する前の動画において前記第１のシーンに連続する第２のシーンまでのシーンの位置を変更後の距離を特定することを特徴とする請求項１に記載の再生装置。
【請求項４】
前記履歴情報における動画を特定するための特定情報と、前記特定情報によって特定される前記動画において再生を開始する位置を示す開始情報とを出力する出力手段を有することを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の再生装置。
【請求項５】
前記履歴情報を識別する情報は、前記動画に含まれるシーンの位置の変更を行った日時であることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の再生装置。
【請求項６】
前記履歴情報を識別する情報は、前記動画が編集される度に変化する前記動画のバージョン番号であることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の再生装置。
【請求項７】
前記開始情報は、前記動画の再生を開始する位置のフレーム番号であることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の再生装置。
【請求項８】
前記開始情報は前記動画の再生を開始する位置の時間であることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の再生装置。
【請求項９】
記録装置に記録された動画を再生する再生方法であって、
前記記録装置に記録された動画に含まれるシーンの位置の変更の内容を示す履歴情報を記憶媒体に記憶する記憶工程と、
シーンの位置を変更する前の動画の基準位置を基準とした動画の再生開始位置を指定する開始情報を受信する受信工程と、
前記シーンの位置の変更によって変更された再生開始位置までの前記基準位置からの距離を、前記履歴情報と前記受信工程において受信した前記開始情報とに基づいて特定する特定工程とを有することを特徴とする再生方法。
【請求項１０】
請求項１〜４の何れか１項に記載の再生装置の各手段としてコンピュータを機能させることを特徴とするプログラム。
【請求項１１】
請求項１０に記載のプログラムを記憶したことを特徴とするコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の再生装置は、記録装置に記録された動画を再生する再生装置であって、前記記録装置に記録された動画に含まれるシーンの位置の変更の内容を示す履歴情報を記憶媒体に記憶する記憶手段と、シーンの位置を変更する前の動画の基準位置を基準とした動画の再生開始位置を指定する開始情報を受信する受信手段と、前記シーンの位置の変更によって変更された再生開始位置までの前記基準位置からの距離を、前記履歴情報と前記受信手段が受信した前記開始情報とに基づいて特定する特定手段とを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月7日(2015.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
逆バイアス電圧を印加する可飽和吸収体部、及び、ゲイン電流を注入するゲイン部を有する半導体レーザと、外部共振器部とを含み、所定の周波数のレーザ光を出射するモードロックレーザ部と、
前記モードロックレーザ部から出射されるレーザ光を増幅変調する半導体光増幅器と、
前記モードロックレーザ部におけるレーザ光の発振時に、該レーザ光と同期したレーザクロックを前記可飽和吸収体部から検出した信号から生成するレーザクロック生成部と、
前記レーザクロックに同期した駆動電流を作成し、前記駆動電流を半導体光増幅器に注入する変調部と
を備える光源。
【請求項２】
前記レーザクロック生成部は、前記可飽和吸収体部の前記逆バイアス電圧が印加される電極から出力された信号から高周波成分を抽出するフィルタと、前記高周波成分を増幅する増幅器とを含む
請求項１に記載の光源。
【請求項３】
逆バイアス電圧を印加する可飽和吸収体部及びゲイン電流を注入するゲイン部を有する半導体レーザと、外部共振器部とを含み、所定の周波数のレーザ光を出射するモードロックレーザ部と、
前記モードロックレーザ部から出射されるレーザ光を増幅変調する半導体光増幅器と、
前記モードロックレーザ部におけるレーザ光の発振時に、該レーザ光と同期したレーザクロックを前記可飽和吸収体部から検出した信号から生成するレーザクロック生成部と、
光記録媒体のドライブからの基準信号に基づいて、記録信号を生成する記録信号生成部と、
前記記録信号を、前記レーザクロックでラッチして、前記半導体光増幅器に注入する駆動電流を生成する変調部と
を備える記録装置。
【請求項４】
前記ドライブからの基準信号は、前記光記録媒体に形成されたウォブルから得られる信号である
請求項３に記載の記録装置。
【請求項５】
前記変調部に設けられ、前記ドライブからの基準信号と、前記レーザクロックとの差によるデータ転送速度の差を吸収するメモリバッファを更に含む
請求項３又は４に記載の記録装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月4日(2015.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被測定物に設けられたマークを検出する検出装置であって、
前記被測定物の表面側から前記被測定物の表面側に設けられたマークと前記被測定物の裏面側に設けられたマークとを照明し、該照明された前記被測定物の表面側に設けられたマークの像と前記被測定物の裏面側に設けられたマークの像とを検出する第１検出器と、
前記被測定物の表面位置を検出する第２検出器と、
前記第１検出器で前記裏面側に設けられたマークにフォーカスを合わせるための、前記第２検出器により検出された表面位置からのオフセット量を示す情報を求める処理部と、
を備え、
前記第１検出器は、前記オフセット量に基づいて、前記裏面側に設けられたマークにフォーカスを合わせることを特徴とする検出装置。
【請求項２】
前記処理部は、前記被測定物の厚さと前記被測定物の屈折率とに基づいて前記情報を求めることを特徴とする請求項１に記載の検出装置。
【請求項３】
前記第１検出器は、赤外光で前記裏面側に設けられたマークを照明することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の検出装置。
【請求項４】
前記第２検出器は、前記被測定物の表面に斜入射させ、前記被測定物の表面で反射された光を検出することによって前記被測定物の表面位置を検出することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の検出装置。
【請求項５】
前記第２検出器は、気体を前記被測定物の表面に向けて噴射し、前記被測定物の表面から跳ね返る気体の圧力を検出することによって前記被測定物の表面位置を検出することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の検出装置。
【請求項６】
前記第２検出器は、前記被測定物の表面に電圧を印加したときに生じる電荷量を検出することによって前記被測定物の表面位置を検出することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の検出装置。
【請求項７】
前記第２検出器は、前記裏面側に設けられたマークの像を検出することなく、前記被測定物の表面位置を検出することを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の検出装置。
【請求項８】
基板を露光する露光装置であって、
前記被測定物としての基板に設けられたマーク又は基板に塗布された前記被測定物としてのレジストに設けられたマークを検出する請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の検出装置と、
基板を保持する基板ステージと、
前記処理部により求められた前記情報に基づいて前記基板ステージを制御する制御部と、
を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項９】
前記処理部は、
前記第１検出器でロットの１枚目の基板の裏面側に設けられたマークにフォーカスを合わせるための、前記第２検出器により検出された前記１枚目の基板の表面位置からのオフセット量を示す情報を求め、
前記情報と前記第２検出器により検出された前記ロットの２枚目以降の基板の表面位置とに基づいて、前記第１検出器で前記２枚目以降の基板の裏面側に設けられたマークにフォーカスを合わせるための、前記第２検出器により検出された前記２枚目以降の基板の表面位置からのオフセット量を示す情報を求める、
ことを特徴とする請求項８に記載の露光装置。
【請求項１０】
デバイスを製造する方法であって、
請求項８又は請求項９に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
前記工程で露光された基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１１】
被測定物の裏面に設けられたマークを前記被測定物の表面側から照明し、該照明されたマークの像を検出する検出装置であって、
前記検出装置と前記マークとの間隔を第１ピッチで変更しながら第１検出精度で前記マークを検出する第１検出モードと、前記間隔を前記第１ピッチより小さい第２ピッチで変更しながら前記第１検出精度より高い第２検出精度で前記マークを検出する第２検出モードとで前記マークを検出するように制御する制御部と、
前記第１検出モードで前記マークを検出した結果に基づいて、前記検出装置の前記第２検出モードにおける前記マークの像のフォーカス状態を示す情報を求める処理部と、
を有することを特徴とする検出装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の１つの側面は、被測定物に設けられたマークを検出する検出装置であって、前記被測定物の表面側から前記被測定物の表面側に設けられたマークと前記被測定物の裏面側に設けられたマークとを照明し、該照明された前記被測定物の表面側に設けられたマークの像と前記被測定物の裏面側に設けられたマークの像とを検出する第１検出器と、前記被測定物の表面位置を検出する第２検出器と、前記第１検出器で前記裏面側に設けられたマークにフォーカスを合わせるための、前記第２検出器により検出された表面位置からのオフセット量を示す情報を求める処理部と、を備え、前記第１検出器は、前記オフセット量に基づいて、前記裏面側に設けられたマークにフォーカスを合わせることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月27日(2015.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の上に配されたＤＭＯＳトランジスタ、ＮＭＯＳトランジスタ、及びＰＭＯＳトランジスタを備える半導体装置の製造方法であって、
前記ＤＭＯＳトランジスタは、ドレイン領域と、ソース領域と、前記ドレイン領域と同じ導電型であって、かつ、前記ドレイン領域よりも不純物濃度が低い第１不純物領域と、前記第１不純物領域とは反対の導電型の第２不純物領域とを備え、
前記第１不純物領域は、前記ドレイン領域を取り囲み、
前記第２不純物領域は、前記ソース領域を取り囲み、
前記第１不純物領域と前記第２不純物領域とは互いに隣接し、
前記半導体装置の製造方法は、
前記第１不純物領域を、前記ＮＭＯＳトランジスタ及び前記ＰＭＯＳトランジスタのいずれか一方のウェルと同時に形成する第１工程と、
前記第２不純物領域を、前記ＮＭＯＳトランジスタ及び前記ＰＭＯＳトランジスタの他方のウェルと同時に形成する第２工程と、を含む、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記ＤＭＯＳトランジスタは、前記ソース領域と前記ドレイン領域の間の前記半導体基板の上に配された絶縁部と、前記絶縁部の上に配されたゲート電極をさらに備え、
前記第１不純物領域は、前記第２不純物領域と前記ドレイン領域との間に配された第１領域、及び前記第１領域と前記ドレイン領域との間に配された第２領域を有し、
前記絶縁部は、前記第１領域の上及び前記第２不純物領域の上に形成された第１絶縁部と、前記第２領域の上に形成されていて前記第１絶縁部より厚さが大きい第２絶縁部とを有し、
前記半導体装置の製造方法は、
前記第１絶縁部を、前記ＮＭＯＳトランジスタ及び前記ＰＭＯＳトランジスタのそれぞれのゲート絶縁膜と同時に形成する第３工程、をさらに含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
半導体基板の上に配されたＤＭＯＳトランジスタ、ＮＭＯＳトランジスタ、及びＰＭＯＳトランジスタを備える半導体装置であって、
前記ＤＭＯＳトランジスタは、ドレイン領域と、ソース領域と、前記ドレイン領域を取り囲む第１不純物領域と、前記ソース領域を取り囲む第２不純物領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間の前記半導体基板の上に配された絶縁部と、前記絶縁部の上に配されたゲート電極とを備え、
前記第１不純物領域及び前記第２不純物領域は互いに隣接し、
前記第１不純物領域は、前記第２不純物領域と前記ドレイン領域との間に配された第１領域、及び、前記第１領域と前記ドレイン領域との間に配された第２領域を有し、
前記絶縁部は、前記第１領域の上及び前記第２不純物領域の上に形成された第１絶縁部と、前記第２領域の上に形成されていて前記第１絶縁部より厚さが大きい第２絶縁部とを有し、
前記第１不純物領域は、前記ＮＭＯＳトランジスタ及び前記ＰＭＯＳトランジスタのいずれか一方のウェルの下端と同じ深さまで延在し、かつ、前記一方のウェルと同じ不純物濃度であり、
前記第２不純物領域は、前記ＮＭＯＳトランジスタ及び前記ＰＭＯＳトランジスタの他方のウェルの下端と同じ深さまで延在し、かつ、前記他方のウェルと同じ不純物濃度であり、
前記第１絶縁部は、前記ＮＭＯＳトランジスタ及び前記ＰＭＯＳトランジスタのそれぞれのゲート絶縁膜と同じ厚さである、
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
前記ソース領域及び前記ドレイン領域のいずれか一方は、前記ソース領域及び前記ドレイン領域の他方を挟む、
ことを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１不純物領域の不純物濃度は、８．０×１０１６［ｃｍ−３］以下である、
ことを特徴とする請求項３又は４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記ソース領域から前記第１不純物領域と前記第２不純物領域との境界までの距離は、０．５μｍ以上である、
ことを特徴とする請求項３乃至５のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第２絶縁部から前記第１不純物領域と前記第２不純物領域との境界までの距離は、０．５μｍ以上かつ２．０μｍ以下である、
ことを特徴とする請求項３乃至６のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項８】
請求項３乃至７のいずれか１項に記載の半導体装置を備える、
ことを特徴とする記録装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の一つの側面は半導体装置の製造方法にかかり、半導体基板の上に配されたＤＭＯＳトランジスタ、ＮＭＯＳトランジスタ、及びＰＭＯＳトランジスタを備える半導体装置の製造方法であって、前記ＤＭＯＳトランジスタは、ドレイン領域と、ソース領域と、前記ドレイン領域と同じ導電型であって、かつ、前記ドレイン領域よりも不純物濃度が低い第１不純物領域と、前記第１不純物領域とは反対の導電型の第２不純物領域とを備え、前記第１不純物領域は、前記ドレイン領域を取り囲み、前記第２不純物領域は、前記ソース領域を取り囲み、前記第１不純物領域と前記第２不純物領域とは互いに隣接し、前記半導体装置の製造方法は、前記第１不純物領域を、前記ＮＭＯＳトランジスタ及び前記ＰＭＯＳトランジスタのいずれか一方のウェルと同時に形成する第１工程と、前記第２不純物領域を、前記ＮＭＯＳトランジスタ及び前記ＰＭＯＳトランジスタの他方のウェルと同時に形成する第２工程と、を含む、ことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月9日(2015.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転軸方向に、第１の弾性体と、第２の弾性体と、前記第１及び第２の弾性体の間に設けられた電気−機械エネルギー変換素子と、が配置された振動子と、
前記電気−機械エネルギー変換素子に駆動信号を印加することにより前記第１の弾性体に励起される振動により回転運動を行うロータと、
前記ロータと同期回転する出力伝達部と、
前記回転軸方向に、前記振動子と前記ロータと前記出力伝達部とを貫通するシャフトと、を有する振動波駆動装置であって、
前記出力伝達部は、前記シャフト又は前記シャフトと固定されたフランジと嵌合する嵌合部を備え、
前記出力伝達部の前記嵌合部の領域の一部と、前記第１の弾性体の一部とが、前記回転軸方向に垂直な同一平面内で、かつ、前記第１の弾性部材の一部が、前記出力伝達部の内側に位置するように構成されていることを特徴とする振動波駆動装置。
【請求項２】
前記第１の弾性体には、該第１の弾性体の内径側と前記シャフトとの間に中空部が形成されており、
前記出力伝達部の前記嵌合部の領域の一部が、
前記第１の弾性体に形成された前記中空部内に位置していることを特徴とする請求項１に記載の振動波駆動装置。
【請求項３】
前記出力伝達部の前記嵌合部の領域の一部と前記シャフトとの間に、前記第１の弾性体の一部が位置していることを特徴とする請求項１に記載の振動波駆動装置。
【請求項４】
前記シャフトとの間で、前記振動子を狭持するナットを備え、
前記ナットの一部は、前記第２の弾性体の内径側に位置していることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の振動波駆動装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の振動波駆動装置は、回転軸方向に、第１の弾性体と、第２の弾性体と、前記第１及び第２の弾性体の間に設けられた電気−機械エネルギー変換素子と、が配置された振動子と、
前記電気−機械エネルギー変換素子に駆動信号を印加することにより前記第１の弾性体に励起される振動により回転運動を行うロータと、
前記ロータと同期回転する出力伝達部と、
前記回転軸方向に、前記振動子と前記ロータと前記出力伝達部とを貫通するシャフトと、を有する振動波駆動装置であって、
前記出力伝達部は、前記シャフト又は前記シャフトと固定されたフランジと嵌合する嵌合部を備え、
前記出力伝達部の前記嵌合部の領域の一部と、前記第１の弾性体の一部とが、前記回転軸方向に垂直な同一平面内で、かつ、前記第１の弾性部材の一部が、前記出力伝達部の内側に位置するように構成されていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月22日(2015.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
識別情報を有し、且つ、区画化された電力の配電異常を検出する配電異常検出装置であって、
電力配電中に検出した識別情報の間隔が、区画化された電力によって規定された間隔と異なる場合、配電異常が発生したと判断する配電異常検出装置。
【請求項２】
区画化された電力によって規定された間隔は、一定の時間間隔である請求項１に記載の配電異常検出装置。
【請求項３】
区画化された電力は一定である請求項１に記載の配電異常検出装置。
【請求項４】
識別情報と区画化された電力とは一体となって電力パケットを構成し、
識別情報は、電力パケットのヘッダ部に該当し、
区画化された電力は、電力パケットのペイロード部に該当する請求項１に記載の配電異常検出装置。
【請求項５】
区画化された電力によって規定された間隔は、電力パケット長である請求項４に記載の配電異常検出装置。
【請求項６】
配電異常が発生したと判断した場合、電力の配電あるいは受電を停止させる請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の配電異常検出装置。
【請求項７】
配電異常が発生したと判断した場合、識別情報に含まれる受電設備・機器情報に基づき受電設備・機器への電力の供給を停止させる請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の配電異常検出装置。
【請求項８】
識別情報に含まれる受電設備・機器情報には、電力供給の停止を禁止すべき受電設備・機器の情報が含まれる請求項７に記載の配電異常検出装置。
【請求項９】
記憶装置を備え、
配電異常が発生したと判断した場合、記憶装置に記憶された受電設備・機器情報に基づき受電設備・機器への電力の供給を停止させる請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の配電異常検出装置。
【請求項１０】
受電設備・機器情報には、電力供給の停止を禁止すべき受電設備・機器の情報が含まれる請求項９に記載の配電異常検出装置。
【請求項１１】
識別情報を有し、且つ、区画化された電力を送受可能な送受電制御装置であって、
電力配電中に識別情報を検出する配電異常検出装置を備えており、
配電異常検出装置によって検出された識別情報の間隔が、区画化された電力によって規定された間隔と異なるとき、電力の送受電を制御する送受電制御装置。
【請求項１２】
識別情報を有し、且つ、区画化された電力を供給する電力供給制御装置であって、
電力配電中に識別情報を検出する配電異常検出装置を備えており、
配電異常検出装置によって検出された識別情報の間隔が、区画化された電力によって規定された間隔と異なるとき、電力の供給を制御する電力供給制御装置。
【請求項１３】
（Ａ）物理量で規定されるペイロード、及び、
（Ｂ）ペイロードのペイロード長を含むヘッダ情報、
から構成されたパケット構造体の伝送を制御するパケット構造体伝送制御装置であって、
パケット構造体伝送制御装置によって得られたペイロードのペイロード長に基づくデータと、パケット構造体伝送制御装置によって得られたヘッダ情報におけるペイロード長に関するデータとが不一致である場合、パケット構造体の伝送に異常が発生したと判断するパケット構造体伝送制御装置。
【請求項１４】
パケット構造体の伝送に異常が発生したと判断したとき、パケット構造体の伝送を制御する請求項１３に記載のパケット構造体伝送制御装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月28日(2015.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パワー半導体を備えるパワーモジュールと、
前記パワーモジュールを冷却する冷却器を備える基部と、
前記パワーモジュールを制御する制御回路が実装される第２の基板と、
前記パワーモジュールに電力を供給する第１のバスバーと、
前記パワーモジュールからの電力を出力する第２のバスバーと、
前記第１のバスバーの電力を平滑化する平滑コンデンサと、
信号配線を備える第１の基板と、を備え、
前記基部の上面に前記パワーモジュールが載置されると共に、前記パワーモジュールの上方側に、前記第１のバスバーと、前記平滑コンデンサと、前記第１の基板と、が順に積層して備えられ、
前記第２の基板は、前記基部に対して立設方向に備えられ、前記パワーモジュールと前記第１の基板とにそれぞれ固定されることを特徴とする電力変換装置。
【請求項２】
前記第２のバスバーの電流を検出する電流検出部を備える第３の基板をさらに備え、
前記第１のバスバーは、上方側にピンが延設され、
前記第３の基板は、前記ピンに対応する位置が切り欠かれた切り欠き部を有することを特徴とする請求項１に記載の電力変換装置。
【請求項３】
前記平滑コンデンサは、前記第１のバスバーに実装される共に、前記パワーモジュールと前記第１の基板との間に配置されていることを特徴とする請求項１または２に記載の電力変換装置。
【請求項４】
前第１の基板又は前記第３の基板には、外部装置との信号を送受信する信号線が接続される接続部を備え、
前記接続部は、前記第１の基板又は前記第３の基板の、内周側又は外周側に備えられることを特徴とする請求項１から３のいずれか一つに記載の電力変換装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月3日(2015.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも太陽光発電装置を制御可能なリモートコントローラであって、
少なくとも、上記太陽光発電装置の運転状態と停止状態とを切り替える運転停止切替操作を受け付ける操作部と、
上記操作部を介した第１の特定操作を検出したときに、当該操作部による運転状態と停止状態とを切り替える運転停止切替操作を無効とする制御部とを備えたこと
を特徴とするリモートコントローラ。
【請求項２】
上記操作部による操作が無効とされている状態において、上記制御部が、上記操作部を介した第２の特定操作を検出したときに、上記無効とされている状態を解除すること
を特徴とする請求項１に記載のリモートコントローラ。
【請求項３】
少なくとも太陽光発電装置を制御可能なリモートコントローラであって、
少なくとも、上記太陽光発電装置の系統連系運転モードと自立運転モードとを切り替える運転モード切替操作を受け付ける操作部と、
上記操作部を介した第１の特定操作を検出したときに、当該操作部による系統連系運転モードと自立運転モードとを切り替える運転モード切替操作を無効とする制御部とを備えたこと
を特徴とするリモートコントローラ。
【請求項４】
上記太陽光発電装置の発電量を含む各種情報を表示可能な表示部をさらに備え、
上記操作部は、該表示部の表示内容を切り替える表示切替操作も受け付けること
を特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のリモートコントローラ。
【請求項５】
上記リモートコントローラは、給湯装置に接続され、該給湯装置の動作を制御する制御モードを備えていること
を特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載のリモートコントローラ。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか１項に記載のリモートコントローラと、
太陽光発電装置とを備えたこと
を特徴とする太陽光発電システム。
【請求項７】
少なくとも太陽光発電装置を制御可能なリモートコントローラの制御方法であって、
少なくとも、上記太陽光発電装置の運転状態と停止状態とを切り替える運転停止切替操作を受け付ける上記リモートコントローラの操作部を介した第１の特定操作を検出するステップと、
上記第１の特定操作を検出したときに、当該操作部による運転状態と停止状態とを切り替える運転停止切替操作を無効とするステップと
を含むこと
を特徴とするリモートコントローラの制御方法。
【請求項８】
少なくとも太陽光発電装置を制御可能なリモートコントローラの制御方法であって、
少なくとも、上記太陽光発電装置の系統連系運転モードと自立運転モードとを切り替える運転モード切替操作を受け付ける上記リモートコントローラの操作部を介した第１の特定操作を検出するステップと、
上記第１の特定操作を検出したときに、当該操作部による系統連系運転モードと自立運転モード切替操作を無効とするステップと
を含むこと
を特徴とするリモートコントローラの制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】リモートコントローラ、太陽光発電システム、リモートコントローラの制御方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明のリモートコントローラは、上記の課題を解決するために、
(1)少なくとも太陽光発電装置を制御可能なリモートコントローラであって、
(2)少なくとも、上記太陽光発電装置の運転状態と停止状態とを切り替える運転停止切替操作を受け付ける操作部と、
(3)上記操作部を介した第１の特定操作を検出したときに、当該操作部による運転状態と停止状態とを切り替える運転停止切替操作を無効とする制御部とを備えたことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
本発明のリモートコントローラは、上記の課題を解決するために、
(1)少なくとも太陽光発電装置を制御可能なリモートコントローラであって、
(2)少なくとも、上記太陽光発電装置の系統連系運転モードと自立運転モードとを切り替える運転モード切替操作を受け付ける操作部と、
(3)上記操作部を介した第１の特定操作を検出したときに、当該操作部による系統連系運転モードと自立運転モードとを切り替えるモード切替操作を無効とする制御部とを備えたことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
本発明に係るリモートコントローラの制御方法は、
(1)少なくとも太陽光発電装置を制御可能なリモートコントローラの制御方法であって、
(2)少なくとも、上記太陽光発電装置の運転状態と停止状態とを切り替える運転停止切替操作を受け付ける上記リモートコントローラの操作部を介した第１の特定操作を検出するステップと、
(3)上記第１の特定操作を検出したときに、当該操作部による運転状態と停止状態とを切り替える運転停止切替操作を無効とするステップ
とを含むことを特徴とする。
また、本発明に係るリモートコントローラの制御方法は、
(1)少なくとも太陽光発電装置を制御可能なリモートコントローラの制御方法であって、
(2)少なくとも、上記太陽光発電装置の系統連系運転モードと自立運転モードとを切り替える運転停止切替操作を受け付ける上記リモートコントローラの操作部を介した第１の特定操作を検出するステップと、
(3)上記第１の特定操作を検出したときに、当該操作部による系統連系運転モードと自立運転モードとを切り替えるモード切替操作を無効とするステップ
とを含むことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月5日(2015.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
複数回のエッチングは、内層回路パターン形成時と、層間接続部形成用の金属導体への表面孔形成時である請求項３に記載のフレキシブル配線板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月28日(2015.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
生分解性物質を含有する第１の材料からなる、先端が先鋭な第１の針と、
前記生分解性物質を含有する第２の材料からなる、先端が先鋭な第２の針と、
を備え、
前記第１の針の針先部が前記第２の針により被覆された、
皮膚用針。
【請求項２】
前記第１の針の根元が全周露出した、
請求項１に記載の皮膚用針。
【請求項３】
前記第２の針の針先部が、前記第１の針の針先部よりも先端側に位置する、
請求項１又は請求項２に記載の皮膚用針。
【請求項４】
前記第１及び前記第２の材料が、それぞれ前記生分解性物質を主成分とする、
請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の皮膚用針。
【請求項５】
前記第２の材料が、機能性物質を含有する、
請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の皮膚用針。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】皮膚用針
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、皮膚に刺すための皮膚用針に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、過大な手間やコストを要することなく、比較的容易に製造することができる皮膚用針を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
本発明は、過大な手間やコストを要することなく、比較的容易に製造することができる皮膚用針を提供するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月28日(2015.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
くびれ部分を有し、
前記くびれ部分よりも先端側の少なくとも一部が、機能性物質を含む、
皮膚用針。
【請求項２】
前記くびれ部分よりも先端側に、径方向に膨らんだ膨張部を有する、
請求項１に記載の皮膚用針。
【請求項３】
生分解性物質を含む材料から形成された、
請求項１又は請求項２に記載の皮膚用針。
【請求項４】
中実であり、且つ、先端が先鋭である、
請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の皮膚用針。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】皮膚用針
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、皮膚に刺すための皮膚用針に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、過大な手間やコストを要することなく、比較的容易に製造することができる皮膚用針を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
本発明は、過大な手間やコストを要することなく、比較的容易に製造することができる皮膚用針を提供するものである。