(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
蛍光スペクトルを測定したとき、基準物質に対する４６５ｎｍにおける相対蛍光強度が４×１０−３以下であるポリカーボネート樹脂からなる光学用ディスク基板。
【請求項２】
粘度平均分子量が、１０，０００〜２２，０００のポリカーボネート樹脂からなる請求項１記載の光学用ディスク基板。
【請求項３】
溶融重縮合法により製造されたポリカーボネート樹脂からなる請求項１記載の光学用ディスク基板。
【請求項４】
前記光学用ディスク基板がＤＶＤである請求項１記載の光学用ディスク基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、長期間にわたって高い信頼性を維持できる光学用ディスク基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
オ−ディオディスク、レ−ザ−ディスク、光ディスクメモリあるいは光磁気ディスク等のレ−ザ光を利用して情報の記録および／または再生をおこなう記録媒体たる光学用情報記録媒体の透明基板、すなわち光ディスク基板には、一般に、成形性、機械的強度、透明度等の点で他樹脂より優れているポリカーボネート樹脂が素材として利用されている。しかしながら、このように優れた性質を有するポリカーボネート樹脂も、高温、高湿下において加水分解しやすく、分子量の低下、衝撃強度の低下等をきたしやすいという欠点がある。また、長期間にわたり高温、高湿下に放置すると基板中に白点が発生し、長期信頼性が損なわれるという欠点があった。また現在、デジタルバーサタイルディスク（ＤＶＤ）として例えばＤＶＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−Ｖｉｄｅｏ、ＤＶＤ−Ａｕｄｉｏ、ＤＶＤ−Ｒ、ＤＶＤ−ＲＡＭ等で代表される高密度光ディスク用の基板材料においては、さらに高度の長期信頼性が要求されつつある。
【０００３】
ポリカーボネート樹脂の製造法としては、ジヒドロキシ化合物とホスゲンを直接反応させる界面重縮合法、あるいはジヒドロキシ化合物と炭酸ジエステルとを加熱減圧下エステル交換反応させる溶融重縮合法などが知られている。このうち後者の溶融重縮合法は前者の界面重縮合法と比較して、安価にポリカーボネート樹脂を製造できる等の利点を有する。しかし、溶融重縮合法によるポリカーボネート樹脂を使用した光ディスク基板の場合、長期間の高温、高湿条件下において上記の白点がより多く発生しやすい傾向にあった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、該問題点について鋭意検討を重ねた結果、相対蛍光強度を４×１０−３以下とすることで、ポリカーボネート樹脂の劣化を極めて有効に制御し、長期にわたって高い信頼性を維持できる光学用ディスクが得られることを発見した。ここで相対蛍光強度とは、下記測定条件により測定したポリカーボネート樹脂の４６５ｎｍにおける蛍光強度と基準物質の蛍光強度（励起波長３２０ｎｍ）を測定し、その比（相対蛍光強度＝ポリカーボネート樹脂の蛍光強度／基準物質の蛍光強度）を計算したものである。
0003550033.tif 000002
【０００５】
【課題を解決するための手段】
ポリカーボネート樹脂中には、蛍光スペクトル測定においてピークが検出される場合がある。この蛍光ピークは、ポリマー中に存在する特定の分岐構造に起因するものである。特に、高温高圧状態下で触媒を用いて重縮合するような方法にて製造されたポリカーボネート樹脂を使用して、成形された光ディスク基板中には、この蛍光ピークが高くなる傾向にあり、相対蛍光強度も高くなる。しかし、この相対蛍光強度と長期間にわたる信頼性との関係は、従来全く知られていなかった。
【０００６】
本発明は、ポリカーボネート樹脂を用いた光学用ディスク基板に発生する白点の個数が、相対蛍光強度に関連することを見出した。そして、光学用ディスク基板を構成するポリカーボネート樹脂中における相対蛍光強度を、ある基準値以下にすると、基板に発生する白点を最小限に制御できることを知見し、本発明に至った。
すなわち、本発明によれば、蛍光スペクトルを測定したとき、基準物質に対する４６５ｍｍにおける相対蛍光強度が４×１０−３以下であるポリカーボネート樹脂からなる、光学用ディスク基板が提供される。
【０００７】
ディスクの長期信頼性は、ディスクを温度８０℃、相対湿度８５％に制御した恒温恒湿槽に１０００時間保持した後の白点発生数を調べることにより確認される。本発明によるポリカーボネート樹脂からなるディスク基板白点発生数は直径１２０ｍｍの基板１枚あたり２個以下であり、より好ましくは１個以下である。
【０００８】
本発明の光学用ディスク基板において相対蛍光強度が４×１０−３を超えると、そのディスク基板を含む情報記録媒体では、確実にエラーを引き起こし易くなり、光ディスク基板としての長期信頼性を低下させる。
【０００９】
この相対蛍光強度を３×１０−３以下にするとより好ましく、さらには、相対蛍光強度を２．５×１０−３以下にすると一層確実なる信頼性を得ることもでき、特に好ましい。
ここでポリカーボネート樹脂としては、特に制限はない。例えば粘度平均分子量が１０，０００〜２２，０００、好ましくは１２，０００〜２０，０００のものである。
【００１０】
本発明で使用されるポリカーボネート樹脂は、二価フェノールとカーボネート前駆体とを溶融重縮合法で反応させて得られるものである。ここで使用される二価フェノールの代表的な例としては、ハイドロキノン、レゾルシノール、４，４’−ジヒドロキシジフェニル、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス｛（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチル）フェニル｝メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（通称ビスフェノールＡ）、２，２−ビス｛（４−ヒドロキシ−３−メチル）フェニル｝プロパン、２，２−ビス｛（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチル）フェニル｝プロパン、２，２−ビス｛（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシ）フェニル｝プロパン、２，２−ビス｛（３−イソプロピル−４−ヒドロキシ）フェニル｝プロパン、２，２−ビス｛（４−ヒドロキシ−３−フェニル）フェニル｝プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３−メチルブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３−ジメチルブタン、２，４−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−２−メチルブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ペンタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−メチルペンタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−イソプロピルシクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン、９，９−ビス｛（４−ヒドロキシ−３−メチル）フェニル｝フルオレン、α，α’−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−ｏ−ジイソプロピルベンゼン、α，α’−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−ｍ−ジイソプロピルベンゼン、α，α’−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−ｐ−ジイソプロピルベンゼン、１，３−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−５，７−ジメチルアダマンタン、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホキシド、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、４，４’−ジヒドロキシジフェニルケトン、４，４’−ジヒドロキシジフェニルエーテルおよび４，４’−ジヒドロキシジフェニルエステル等があげられ、これらは単独または２種以上を混合して使用できる。
【００１１】
なかでもビスフェノールＡ、２，２−ビス｛（４−ヒドロキシ−３−メチル）フェニル｝プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３−メチルブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３−ジメチルブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−メチルペンタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサンおよびα，α’−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−ｍ−ジイソプロピルベンゼンからなる群より選ばれた少なくとも１種のビスフェノールより得られる単独重合体または共重合体が好ましく、特に、ビスフェノールＡの単独重合体および１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサンとビスフェノールＡ、またはα，α’−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−ｍ−ジイソプロピルベンゼンとの共重合体が好ましく使用される。
【００１２】
溶融重縮合法によって反応させてポリカーボネート樹脂を製造するに当っては、必要に応じて触媒、末端停止剤、二価フェノールの酸化防止剤等を使用してもよい。またポリカーボネート樹脂は三官能以上の多官能性芳香族化合物を溶融成形に支障のない割合で共重合した分岐ポリカーボネート樹脂であっても、芳香族または脂肪族の二官能性カルボン酸を共重合したポリエステルカーボネート樹脂であってもよく、また、得られたポリカーボネート樹脂の２種以上を混合した混合物であってもよい。
【００１３】
溶融重縮合法による反応は、通常二価フェノールとカーボネートエステルとのエステル交換反応であり、不活性ガスの存在下に二価フェノールとカーボネートエステルとを加熱しながら混合して、生成するアルコ−ルまたはフェノールを留出させる方法により行われる。反応温度は生成するアルコ−ルまたはフェノールの沸点等により異なるが、通常１２０〜３５０℃の範囲である。反応後期には系を１０〜０．１Ｔｏｒｒ程度に減圧して生成するアルコ−ルまたはフェノールの留出を容易にさせる。反応時間は通常１〜４時間程度である。
【００１４】
カーボネートエステルとしては、置換されていてもよい炭素数６〜１０のアリ−ル基、アラルキル基あるいは炭素数１〜４のアルキル基などのエステルが挙げられる。具体的にはジフェニルカーボネート、ジトリルカーボネート、ビス（クロロフェニル）カーボネート、ｍ−クレジルカーボネート、ジナフチルカーボネート、ビス（ジフェニル）カーボネート、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、ジブチルカーボネートなどが挙げられ、なかでもジフェニルカーボネートが好ましい。
【００１５】
また、重合速度を速めるために重合触媒を用いることができ、かかる重合触媒としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、二価フェノールのナトリウム塩、カリウム塩等のアルカリ金属化合物、水酸化カルシウム、水酸化バリウム、水酸化マグネシウム等のアルカリ土類金属化合物、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルアミン、トリエチルアミン等の含窒素塩基性化合物、アルカリ金属やアルカリ土類金属のアルコキシド類、アルカリ金属やアルカリ土類金属の有機酸塩類、亜鉛化合物類、ホウ素化合物類、アルミニウム化合物類、珪素化合物類、ゲルマニウム化合物類、有機スズ化合物類、鉛化合物類、オスミウム化合物類、アンチモン化合物類マンガン化合物類、チタン化合物類、ジルコニウム化合物類などの通常エステル化反応、エステル交換反応に使用される触媒を用いることができる。触媒は単独で使用してもよいし、２種以上組み合わせ使用してもよい。これらの重合触媒の使用量は、原料の二価フェノール１モルに対し、好ましくは１×１０−９〜１×１０−３当量、より好ましくは１×１０−８〜５×１０−４当量、最も好ましくは１×１０−７〜１×１０−６当量の範囲で選ばれる。
【００１６】
本発明においてはポリカーボネート樹脂では、その相対蛍光強度を４×１０−３以下に抑えることが肝要である。この相対蛍光強度が４×１０−３を越えると、ポリカーボネート樹脂によるディスク基板では、白点発生による信頼性の低下等の新たな問題が発生する。この相対蛍光強度は３×１０−３以下が好ましく、最も好ましくは２．５×１０−３以下である。
【００１７】
このような信頼性低下が少ない相対蛍光強度が特定値以下の芳香族ポリカーボネート樹脂を得る為には、下記のようにエステル交換触媒とその量を規定すること、該エステル交換触媒をスルホン酸系化合物により失活すること、ポリカーボネート樹脂の分子末端についてヒドロキシ基の全分子末端にしめる割合を規定すること、および芳香族ポリカーボネートの分子末端を封止することが好ましい。
【００１８】
また溶融重縮合反応におけるポリカーボネート樹脂温度を常に２５５℃以下に保つことが、熱分解、および機械的分解が少なく相対蛍光強度が特定値以下の芳香族ポリカーボネート樹脂を得るために好ましい。
【００１９】
また重合槽撹拌翼の撹拌について、下記式
撹拌剪断速度＝撹拌翼の周速／反応槽と撹拌翼の隙間の長さ
［ここで撹拌剪断速度の単位は１／ｓｅｃ、撹拌翼の周速の単位はｃｍ／ｓｅｃ、反応槽と撹拌翼の隙間の長さの単位はｃｍである］
で表される重合槽撹拌翼の撹拌剪断速度（単位：１／ｓｅｃ）を撹拌翼半径（単位：ｃｍ）の２乗で割った数値を０．１〜０．００１（１／ｓｅｃ×ｃｍ２）とすることが、熱分解、および機械的分解が少ない蛍光強度が特定値以下のポリカーボネート樹脂を得るために好ましい。
【００２０】
これらのポリカーボネートの製造における触媒については、塩基性窒素化合物と、アルカリ金属化合物を併用し、アルカリ金属化合物の使用量をビスフェノールＡ１モル当たり５．０×１０−６モル以下に抑えることによりエステル交換反応も、工業的に有利に進み、流動性、色調良好なポリカーボネート樹脂を得ることができる。
【００２１】
ポリカーボネート樹脂の分子量は、粘度平均分子量（Ｍ）で１０，０００〜２２，０００が好ましく、１２，０００〜２０，０００がより好ましく、１３，０００〜１８，０００が特に好ましい。かかる粘度平均分子量を有するポリカーボネート樹脂は、光学用材料として十分な強度が得られ、また、成形時の溶融流動性も良好であり成形歪みが発生せず好ましい。本発明でいう粘度平均分子量は塩化メチレン１００ｍｌにポリカーボネート樹脂０．７ｇを２０℃で溶解した溶液から求めた比粘度（ηｓｐ）を次式に挿入して求めたものである。
ηｓｐ／ｃ＝［η］＋０．４５×［η］２ｃ（但し［η］は極限粘度）
［η］＝１．２３×１０−４Ｍ０．８３
ｃ＝０．７
【００２２】
ポリカーボネート樹脂は、前記の溶融重縮合法により製造した後、射出成形に供するためのペレット状ポリカーボネート樹脂を得る押出工程（ペレット化工程）では溶融状態の時に濾過精度１０μｍの焼結金属フィルターを通すなどして異物を除去することが好ましい。必要により、例えばリン系等の酸化防止剤などの添加剤を加えることも好ましい。いずれにしても射出成形前の原料樹脂は異物、不純物、溶媒などの含有量を極力低くしておくことが必要である。
上記ポリカーボネート樹脂より光ディスク基板を製造する場合には射出成形機（射出圧縮成形機を含む）を用いる。この射出成形機としては一般的に使用されているものでよいが、炭化物の発生を抑制しディスク基板の信頼性を高める観点からシリンダーやスクリューとして樹脂との付着性が低く、かつ耐食性、耐摩耗性を示す材料を使用してなるものを用いるのが好ましい。射出成形の条件としてはシリンダー温度３００〜４００℃、金型温度５０〜１４０℃が好ましく、これらにより光学的に優れた光ディスク基板を得ることができる。成形工程での環境は、本発明の目的から考えて、可能な限りクリーンであることが好ましい。また、成形に供する材料を十分乾燥して水分を除去することや、溶融樹脂の分解を招くような滞留を起こさないように配慮することも重要となる。
【００２３】
【実施例】
以下、実施例を挙げて詳細に説明するが、本発明は何らこれに限定されるものではない。
湿熱処理後の白点数の評価は下記の方法に従った。
過酷な雰囲気下に長時間放置した時の白点の増加を再現する為に、ディスクを温度８０℃、相対湿度８５％に制御した恒温恒湿槽に１０００時間保持し、その後偏光顕微鏡を用いて２０μｍ以上の白点の数を数えた。これを２５枚の光学用ディスク基板（直径１２０ｍｍ）について行い、その平均値を求め、これを白点個数とした。
【００２４】
実施例１
基板成形に用いたポリカーボネート樹脂は以下の方法で製造した。
ビスフェノールＡ、２２８重量部、ジフェニルカーボネート２２０重量部およびエステル交換触媒；ビスフェノールＡのＮａ２塩（１．３６×１０−５重量部；Ｎａとして０．１μｍｏｌ／１ｍｏｌビスフェノールＡ）およびテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（９．１×１０−３重量部；１００μｍｏｌ／１ｍｏｌビスフェノールＡ）を攪拌装置、蒸留塔および減圧装置を備えた反応槽に仕込み窒素置換した後、１４０℃で溶解した。３０分間攪拌後、内温を１８０℃に昇温し、内圧１００ｍｍＨｇ３０分間反応させ、生成するフェノールを溜去した。ついで内温を２００℃に昇温しつつ徐々に減圧し５０ｍｍＨｇで３０分間フェノールを溜去しつつ反応させた。更に２２０℃、３０ｍｍＨｇまで徐々に昇温、減圧し、同温度、同圧下で３０分間、更に、２４０℃、１０ｍｍＨｇ、２５０℃、１ｍｍＨｇまで上記と同じ手順で昇温、減圧を繰り返し反応を続行した。
【００２５】
最終的に２５０〜２５５℃で（常に２５５℃以下に保つよう留意した）、また重合釜攪拌翼の攪拌剪断速度（単位：１／ｓｅｃ）を攪拌翼半径（単位；ｃｍ）の２乗で割った数値を０．００１（１／ｓｅｃ×ｃｍ２）に保ちつつポリカーボネートの重縮合を継続した。
【００２６】
重縮合終了後末端停止剤として２−メトキシカルボニルフェニルフェニルカーボネート３．１部を添加した。その後２５５℃、１Ｔｏｒｒ以下で１０分間末端封鎖反応を行った。次に溶融状態のままで、触媒失活剤としてドデシルベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩を０．０００２９部（５×１０−７モル／ビスフェノール１モル）添加して２５５℃、１０Ｔｏｒｒ以下で反応を継続し、粘度平均分子量１５０００、末端水酸基濃度６モル％、相対蛍光強度２．３×１０−３の芳香族ポリカーボネート樹脂を得た。この芳香族ポリカーボネート樹脂をギアポンプでエクストルーダーに送った。エクストルーダー途中で、トリス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスファイトを０．０１０重量％、ステアリン酸モノグリセリドを０．０８０重量％加え、ポリカーボネートペレットを得た。
【００２７】
実施例２
エステル交換触媒量をビスフェノールＡのＮａ２塩２．７２×１０−４重量部（Ｎａとして２．０μｍｏｌ／１ｍｏｌビスフェノールＡ）とした以外は、実施例１と同様な条件で芳香族ポリカーボネートペレットを製造した。
【００２８】
実施例３
エステル交換触媒量をビスフェノールＡのＮａ２塩６．８×１０−４重量部（Ｎａとして５．０μｍｏｌ／１ｍｏｌビスフェノールＡ）とした以外は、実施例１と同様な条件で芳香族ポリカーボネートペレットを製造した。
【００２９】
実施例４
エステル交換触媒量をビスフェノールＡのＮａ２塩６．８×１０−５重量部（Ｎａとして０．５μｍｏｌ／１ｍｏｌビスフェノールＡ）とした以外は、実施例１と同様な条件で芳香族ポリカーボネートペレットを製造した。
実施例１〜４における、ディスク基板成形は以下の方法でおこなった。すなわち、住友重機械工業（株）製射出成形機ＤＩＳＫ３Ｍ３と情報信号に対応した凸凹形状を持つスタンパーが設置された厚さ１．２ｍｍ、直径１２０ｍｍのキャビティを持つ金型を用いてバレル温度３４０℃にておこなった。得られたディスク基板にアルミニウム反射膜をスパッタリングにより形成し、光学式情報記録媒体を得た。
【００３０】
実施例５
上記実施例１と同じポリカーボネートペレットを使用して、以下の方法でＤＶＤ用ディスク基板成形をおこなった。
すなわち、住友重機械工業（株）製射出成形機ＤＩＳＫ３Ｍ３と情報信号に対応した凸凹形状を持つスタンパーが設置された厚さ０．６ｍｍ、直径１２０ｍｍのキャビティを持つ金型を用いてバレル温度３８０℃にておこなった。
得られたディスク基板にアルミニウム反射膜をスパッタリングにより形成し、光学式情報記録媒体を得た。
実施例１〜５の基板における、相対蛍光強度と白点発生数を表１に示す。
【００３１】
比較例１
ビスフェノールＡ、２２８重量部、ジフェニルカーボネート２２０重量部およびエステル交換触媒；ビスフェノールＡのＮａ２塩（１．３６×１０−３重量部；Ｎａとして１０μｍｏｌ／１ｍｏｌビスフェノールＡ）およびテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（９．１×１０−３重量部；１００μｍｏｌ／１ｍｏｌビスフェノールＡ）を攪拌装置、蒸留塔および減圧装置を備えた反応槽に仕込み窒素置換した後、１４０℃で溶解した．３０分間攪拌後、内温を１８０℃に昇温し、内圧１００ｍｍＨｇ３０分間反応させ、生成するフェノールを溜去した。ついで内温を２００℃に昇温しつつ徐々に減圧し５０ｍｍＨｇで３０分間フェノールを溜去しつつ反応させた。更に２２０℃、３０ｍｍＨｇまで徐々に昇温、減圧し、同温度、同圧下で３０分間、更に、２４０℃、１０ｍｍＨｇ、２５０℃、１ｍｍＨｇまで上記と同じ手順で昇温、減圧を繰り返し反応を続行した。
【００３２】
最終的に２８０℃〜２８５℃でポリカーボネートの重縮合を継続しつつポリマーを得た。このポリマーの重縮合終了後末端停止剤として２−メトキシカルボニルフェニルフェニルカーボネート２．３部を添加した。その後２７０℃、１Ｔｏｒｒ以下で５分間末端封鎖反応を行った。次に溶融状態のままで、触媒失活剤としてドデシルベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩を０．０２９部（５×１０−５モル／ビスフェノール１モル）添加して２７０℃、１０Ｔｏｒｒ以下で反応を継続し、粘度平均分子量１６，０００、相対蛍光強度５．１×１０−３の芳香族ポリカーボネート樹脂を得た。この芳香族ポリカーボネート樹脂をギアポンプでエクストルーダーに送った。エクストルーダー途中で、トリス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスファイトを０．０１０重量％、ステアリン酸モノグリセリドを０．０８０重量％加え、ポリカーボネートペレットを得た。このペレットを用い、実施例４と同様の方法で、光学式情報記録媒体を得た。実施例と同様に、この時の基板における、相対蛍光強度と白点発生数を表１に示す。
【００３３】
【表１】
0003550033.tif 000003
【００３４】
【発明の効果】
以上説明してきたように、本発明によれば相対蛍光強度が４×１０−３以下と低く、ポリカーボネート樹脂の劣化を有効に制御し極めて信頼性の高い光ディスク基板を得ることができる。さらにデジタルヴァ−サタイルディスク（ＤＶＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−Ｖｉｄｅｏ、ＤＶＤ−Ａｕｄｉｏ、ＤＶＤ−Ｒ、ＤＶＤ−ＲＡＭ）等の高密度光ディスクにおいても、その奏する効果は格別のものである。