【事件の表示】
　平成１０年特許願第１９１６８８号「電圧監視回路及びそれを内蔵したメモリカード」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　１月２１日出願公開、特開２０００−　２０４１１、請求項の数（７）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明  
　本願は、平成１０年７月７日の出願であって、平成１５年６月１０日付けで手続補正がなされ、平成１７年１１月３０日に拒絶理由通知がなされ、平成１８年２月１日付けで手続補正がなされたが、同年４月２８日付けで拒絶の査定がなされ、これに対し、同年６月８日に拒絶の査定を不服として審判請求がなされたものである。
　そして、その請求項１から請求項７に係る発明は、平成１８年２月１日付けの手続補正書に記載された、以下のとおりのものと認められる。
　
「【請求項１】所望の電圧を監視する電圧監視回路において、
　前記所望の電圧として、電気的に書き込みあるいは消去が可能な不揮発性メモリへのデータの書き込みあるいは消去時に用いられる、電源電圧より高い高電圧を、前記不揮発性メモリとは独立して設けられるプログラム格納用の半導体記憶装置のプログラムを実行することで発生される活性化信号に基づいて前記分圧手段に供給するレベル変換手段と、
　前記レベル変換手段から供給される高電圧を分圧手段にて分圧し、分圧した電圧を出力する分圧手段と、
　前記分圧手段からの分圧した電圧と基準電圧とを比較し、出力信号として比較結果を出力する比較手段と、
　前記比較手段から出力された比較結果を保持し、該比較結果に応じた信号を、周辺回路の動作を制御する制御信号として出力する保持手段と、
　を有することを特徴とする電圧監視回路。
【請求項２】請求項１記載の電圧監視回路において、前記分圧手段はコンデンサを用いて、１対Ｎ（Ｎは正の整数）の容量比に基づき前記高電圧を分圧することを特徴とする電圧監視回路。
【請求項３】請求項１または請求項２記載の電圧監視回路において、前記保持手段は、トリガー信号に応じて、前記比較手段から出力された比較結果を保持することを特徴とする電圧監視回路。
【請求項４】請求項１〜３のいずれか１つに記載の電圧監視回路において、前記高電圧はチャージポンプ回路により生成されることを特徴とする電圧監視回路。
【請求項５】請求項１〜４のいずれか１つに記載の電圧監視回路を内蔵するメモリカードにおいて、前記不揮発性メモリの一部に書き込まれるあるいは消去されるデータは暗証番号の照合回数であり、該暗証番号の照合処理は、前記プログラム格納用の半導体記憶装置に格納された第１のプログラムにより行なわれ、前記活性化信号の発生は、該プログラム格納用の半導体記憶装置に格納された第２のプログラムにより行なわれることを特徴とするメモリカード。
【請求項６】請求項５記載のメモリカードにおいて、前記プログラム格納用の半導体記憶装置中にて、前記第１のプログラムと、前記第２のプログラムと、前記暗証番号の照合回数が書き込まれるあるいは消去される前記不揮発性メモリへのアクセス処理する第３のプログラムとが分散して格納され、該第２のプログラムの実行は該第１のプログラムにより指示され、該第３のプログラムの実行は該第２のプログラムにより指示されることを特徴とするメモリカード。
【請求項７】請求項１〜４のいずれか１つに記載の電圧監視回路を内蔵するメモリカードにおいて、前記不揮発性メモリの一部に書き込まれるあるいは消去されるデータは暗証番号の照合回数であることを特徴とするメモリカード。」
　
　
２．原査定の理由
　原審における拒絶の査定の要旨は、本願発明は拒絶の理由に引用された特開平０５−１２２１０８号公報（以下、「引用文献１」という。）、特開平０７−２１１０８７号公報（以下、「引用文献２」という。）、特開平０１−１９２０９９号公報（以下、「引用文献３」という。）、特開平０１−１１８９８０号公報（以下、「引用文献４」という。）、及び、特開平０６−２９０５９３号公報（以下、「引用文献５」という。）に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないというものである。
  
　
３．引用文献
　引用文献１には、データキャリアについて記載されており、その記載からして（特に、段落【００１６】〜【００２４】を参照）、以下の発明が記載されている。
　電気的に書き込みあるいは消去が可能な不揮発メモリであるＥＥＰＲＯＭ３２へのデータの書き込みあるいは消去時に用いられる、高電圧供給部２１が出力する電圧Ｖppを分圧回路３５にて分圧し、分圧した電圧と参照電圧とを比較し、その比較の結果、前記電圧Ｖppが必要な電圧に達すればプログラミングイネーブル信号を発生させて、高電圧スイッチング回路３１を動作させるとともにデータをＥＥＰＲＯＭ３２に書き込むこと、前記電圧Ｖppが必要な電圧より低下すると、ＥＥＰＲＯＭ３２へのデータ書込みが不完全なことを示す信号をレジスタ４０に登録すること、を特徴とするデータキャリア。
　
　引用文献２には、車載用電子制御装置について記載されており、その記載からして（特に、段落【００１８】〜【００２６】を参照）、以下の発明が記載されている。
　電気的に書き込みあるいは消去が可能な不揮発メモリであるＥ２ＰＲＯＭ８へのデータの書き込みあるいは消去時に用いられる、データ書き替え装置１６により印加される書き替え電圧をバッファ１４で抵抗分圧した後にＡ／Ｄ変換したものをＣＰＵ３に取り込むことで、前記ＣＰＵ３が前記書き替え電圧を監視し、前記書き替え電圧が正常なときは切替信号ＳＧ１をオンにして電圧切替スイッチ１５をオンに制御することで前記書き替え電圧をＥ２ＰＲＯＭ８に印加すること、前記書き替え電圧が異常なときは切替信号ＳＧ１をオフにして電圧切替スイッチをオフに制御することで、異常な書き替え電圧がＥ２ＰＲＯＭ８に印加されないようにすること、を特徴とする車載用電子制御装置。
　
　引用文献３には、不揮発性半導体記憶装置へのデータ書込み時に用いる高電圧の制御において、特に、高電圧発生回路２０の出力電圧を、キャパシタＣ１、Ｃ２によりなる分圧器２２によりＣ１／（Ｃ１＋Ｃ２）に分圧し、これをサンプル信号として接続線Ｌ１を介してコンパレータ２１の正入力部に入力することが記載されている（第２頁上右欄第１６行〜第２頁下左欄第１行）。
　
　引用文献４には、不揮発性の読み書き自在な記憶手段であるＥ２ＰＲＯＭ１６を備えたＩＣカードにおいて、前記Ｅ２ＰＲＯＭ１６とは独立して設けられたプログラム格納用のリードオンリメモリ１５に記憶された制御手順を実行することで、前記ＩＣカードの利用時に入力された暗証番号と当該ＩＣカードに保持された暗証番号とを照合して、一致しないときは前記暗証番号の照合回数を計数し、連続する照合回数が許容入力回数を超えたときは以後の前記Ｅ２ＰＲＯＭ１６へのアクセスを禁止することが記載されている（特に、第３頁上右欄第１２〜２０行、第３頁下左欄第５行〜第３頁下右欄第１行及び第４頁上右欄第１１行〜第４頁下左欄第６行を参照）。
　
　そして、引用文献５には、ＥＥＰＲＯＭにおいて、データの書き込み時には高電圧電源を、データの読み出し時には低電圧電源を、それぞれ使用するため電源切換回路であって、前記電源切換回路は、外部から与えられる前記低電圧電源レベル(Ｈレベル)の制御信号に基づいて前記高電圧電源を使用電源として出力し、外部から与えられる前記接地レベル(Ｌレベル)の制御信号に基づいて前記低電圧電源を使用電源として出力すること、が記載されている（特に、段落【０００２】〜【０００６】、【００１６】〜【００２６】を参照）。
　
　
４．対比・判断
　本願請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という）と、引用文献１ないし引用文献２に記載された発明とを比較する。
　
　本願発明は、「前記所望の電圧として、電気的に書き込みあるいは消去が可能な不揮発性メモリへのデータの書き込みあるいは消去時に用いられる、電源電圧より高い高電圧を、前記不揮発性メモリとは独立して設けられるプログラム格納用の半導体記憶装置のプログラムを実行することで発生される活性化信号に基づいて前記分圧手段に供給するレベル変換手段」を、その発明特定事項として備えるものである。
　
　これに対して、引用文献１に記載の発明においては、高電圧供給部２１が出力する電圧Ｖppは、直接、分圧回路３５に供給されるものである。
　また、引用文献２に記載の発明においても、データ書き替え装置１６が出力する書き替え電圧は、直接、バッファ１４に供給されて抵抗分圧されるものである。
　すなわち、引用文献１及び引用文献２には、電源電圧より高い高電圧を活性化信号に基づいて分圧手段に供給する前記「レベル変換手段」を備えることは記載されていない。
　そして、引用文献３及び引用文献４にも、前記「レベル変換手段」を備えることは記載されていない。
　
　一方、引用文献５に記載された電源切換回路は、外部から与えられる低電圧電源レベル(Ｈレベル)の制御信号に基づいて高電圧電源を使用電源として出力するものであるから、該制御信号に基づいて高電圧を供給する“レベル変換手段”とも解することができるものである。
　しかしながら、引用文献５に記載された電源切換回路は前記高電圧電源を「使用電源」として出力するものであり、その出力先はＥＥＰＲＯＭであることは明らかであるから、引用文献５にも、電源電圧より高い高電圧を活性化信号に基づいて分圧手段に供給する構成は記載されていない。
　したがって、仮に、引用文献１ないし引用文献２に記載された発明に、引用文献５に記載の技術を適用することができたと仮定しても、引用文献５に記載の“レベル変換手段”を、引用文献１における分圧回路３５の前段に、あるいは、引用文献２における抵抗分圧手段を有するバッファ１４の前段に設けることを、当業者が想到できるとは認められない。
　
　そして、本願発明は前記「レベル変換手段」を備えることで、電気的に書き込みあるいは消去が可能な不揮発性メモリへのデータの書き込みあるいは消去に必要な電圧が発生していないときに周辺回路の動作を制御できるという効果に加えて、活性化信号を発生する構成部分に故障等が生じて活性化信号の発生ができない場合には、高電圧が分圧手段に供給されないことに基づく比較結果に応じて、周辺回路の動作を制御できるという、引用文献１ないし引用文献５からは予期し得ない効果を奏するものである。
　
　よって、本願発明は、上記引用文献１から引用文献５に記載のものに基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　また、本願請求項２ないし請求項７はいずれも請求項１を引用しているから、本願発明が上記各引用文献に記載のものから当業者が容易に発明をすることができたものであると認めることができない以上、本願請求項２ないし請求項７に係る発明も、上記引用文献記載のものから当業者が容易に発明をすることができたものであるとも認めることはできない。
　
　
５．まとめ  
　以上のとおりであるから、本願発明が、特許法２９条第２項の規定により特許を受けることができないとした原査定の判断は妥当でない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。