(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電層を成長させるプロセスであって、
（Ａ）酸素から成る第一の化学元素と窒素から成る第二の化学元素とを有する少なくとも１つのガスを、約９５０℃から１０００℃内の第一の所定温度まで加熱して、ガスから反応性前駆物質を生成し、
（Ｂ）  反応チャンバと少なくとも１つのウェハが、約７００℃から８５０℃内の第二の所定温度に維持される、前記少なくとも１つのウェハを収容している反応チャンバ内へ前記反応性前駆物質を導入し、
（Ｃ）  前記少なくとも１つのウェハと一緒に反応性前駆物質を反応させることにより、第二の所定温度で前記反応チャンバ内の前記ウェハ上に誘電層を成長させ、ここで前記反応チャンバが垂直又は水平拡散チャンバであり、そして前記誘電層が実質的に大気圧で成長させられる、
という各ステップからなる誘電層成長プロセス。
【請求項２】
前記第一の所定温度が、前記ガスについて化学反応が生ずる約１０００℃である、請求項１に記載のプロセス。
【請求項３】
前記反応チャンバが急速熱処理器である、請求項１に記載のプロセス。
【請求項４】
前記ステップ（Ａ）が
（Ｉ）  前記ガスを前置反応チャンバ中に導入し、
（ＩＩ）前記前置反応チャンバを前記第一の所定温度まで加熱して反応性前駆物質を生成する、
という各ステップを更に含む、請求項１に記載のプロセス。
【請求項５】
前記ステップ（Ａ）に先立ちウェハ上に酸化層を形成し、その酸化層を前記反応性前駆物質で処理することにより前記ステップ（Ｃ）でウェハ上に誘電層が形成されるようにする、というステップを更に含む、請求項１に記載のプロセス。
【請求項６】
誘電層を成長させるプロセスであって、
（Ａ）酸素から成る第一の化学元素と窒素から成る第二の化学元素とを有する少なくとも１つのガスを約１０００℃の温度まで加熱して上昇させ、ガスに対して化学反応を起こさせ、前記ガスから反応性前駆物質を生成し、
（Ｂ）  反応チャンバと少なくとも１つのウェハが、約７００℃から８５０℃内の所定温度に維持される、前記少なくとも１つのウェハを収容している反応チャンバ内へ前記反応性前駆物質を導入し、
（Ｃ）  前記少なくとも１つのウェハと一緒に反応性前駆物質を反応させることにより、所定温度で前記反応チャンバ内の前記ウェハ上に誘電層を成長させ、ここで前記反応チャンバが垂直又は水平拡散チャンバであり、そして前記誘電層が実質的に大気圧で成長させられる、
という各ステップからなる誘電層成長プロセス。
【請求項７】
前記ステップ（Ａ）が
（Ｉ）  前記ガスを前置反応チャンバ中に導入し、
（ＩＩ）前記前置反応チャンバを、反応性前駆物質を生成するための温度まで加熱して上昇させる、
という各ステップを更に含む、請求項６に記載のプロセス。
【請求項８】
前記ステップ（Ａ）に先立ちウェハ上に酸化層を形成し、その酸化層を前記反応性前駆物質で処理することにより前記ステップ（Ｃ）でウェハ上に誘電層が形成されるようにする、というステップを更に含む、請求項６に記載のプロセス。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本願発明は、集積回路の製造に関し、特に、高信頼性と、ホウ素浸透に対する高い抵抗性と、ホットキャリア及び／又はプラズマ損傷に対する高い免疫性と、優れた膜厚制御性とを有する薄い誘電層を低温で成長させるための構成に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ウェハ酸化プロセスに窒素を導入することによりウェハ上にシリコン窒化酸化誘電層を成長させることができる、ということは以前より知られている。この窒化酸化層を成長させるプロセスは、一般に、窒化酸化プロセスと呼ばれている。窒化酸化層は、比較的薄くすることが可能であり、且つ誘電破壊に関して比較的高い信頼性を有するものである。加えて、窒化酸化層は、ホウ素浸透に対する高い抵抗性、並びにホットキャリア及び／又はプラズマ損傷に対する高い免疫性を提供することができるものである。さらに、窒化酸化プロセスは、一般に、誘電層の膜厚制御性を向上させるものとなる。
【０００３】
窒化酸化プロセスを行って半導体ウェハ上に窒化酸化誘電層を成長させる従来技術の１つとして、図１に示す在来型の単チャンバ（又はチューブ）式の炉を使用するものがある。同図から分かるように、反応システム１０には、窒素及び酸素の化学元素を含有する反応性ガス種（例えば、Ｎ２Ｏ、ＮＯ、ＮＯ２、及びＮＯ３）をパイプ１３〜１５を通して受容するマニホルド１１を備えている。このマニホルド１１は、反応性ガスを混合し、次いで、その混合ガスをパイプ１６を経由して反応システム１０の反応チャンバ１２へ供給する。反応チャンバ１２は、窒化酸化を行うための少なくとも１枚のウェハ（図１には示さず）を収容する。反応チャンバ１２は、一般には、真空チャンバ又はチューブである。真空は、排気パイプ１７を介してポンプ（図１には示さず）により生成される。反応チャンバ１２は、炉（図示せず）によりほぼ１０００℃に加熱され、その反応チャンバ１２内の熱によってガスが反応もしくは分解する。次いで、分解したガスがウェハ表面上に堆積して窒化酸化層を形成する。このプロセスは典型的には、大気圧の反応チャンバ１２内で行われる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、この従来技術の窒化酸化技術にはいくつかの欠点がある。その１つの欠点は、反応チャンバ１２の反応温度が一般に比較的高いことにある（例えば、約１０００℃）。ガスを反応もしくは分解させるために比較的高い温度が必要である。しかし、この比較的高い温度は一般にウェハ上に望ましくないドーパント拡散を引き起こすものとなる。これは、ドーパントの拡散は、典型的には、ウェハの温度（即ち、ウェハ温度又は基板温度）が約８００℃を越えた際に発生する、という事実に起因するものである。この望ましくないドーパントの拡散は、ウェハの電気的特性を変えるものであり、従って、許容できず且つ不必要なものである。しかし、反応チャンバ１２の反応温度が８５０℃以下の場合に窒化酸化層を成長させることも同様に許容することができない。反応チャンバ１２の反応温度が８５０℃未満の場合には、窒素及び酸素の化学元素を含有するガス種が、相互に反応せず、または分解せず、従って窒化酸化プロセスは起こり得ない。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本願発明の１つの特徴は、半導体上に、最小限の厚さ、最大限の信頼性、ホウ素浸透に対する最大限の抵抗性、ホットキャリア及び／又はプラズマ損傷に対する最大限の免疫性、及び優れた厚さ制御性を有する誘電層を成長させることにある。
【０００６】
本願発明の別の特徴は、窒素又はその他の化学元素を誘電層中に取り込むことにより上述の誘電層を成長させることにある。
【０００７】
本願発明のさらに別の特徴は、窒素又はその他の化学元素の誘電層中への取り込みを比較的低い温度で可能にすることにある。
【０００８】
本願発明のさらに別の特徴は、比較的低いしきい値電圧及び漏洩電流レベルを有する改善されたトランジスタの製造を可能にすることにある。
【０００９】
以下に、誘電層を成長させるプロセス及び装置について説明する。前置反応（ｐｒｅ−ｒｅａｃｔｉｏｎ）チャンバを使って酸素の化学元素と酸素以外の化学元素とを含有する反応性ガス混合物を加熱して高温にする。この前置反応チャンバは、ウェハは全く収容していない。高温において、反応性ガス混合物は、反応もしくは熱分解して反応性前駆物質を生ずる。次いで、その反応性前駆物質を反応チャンバに送り込み、その反応チャンバ内のウェハ上に、前記の高温よりも実質的に低い反応温度で、誘電層を成長させる。ガス反応と誘電層成長とを別々のチャンバで行わせることにより、誘電層成長プロセス（例えば、窒化酸化プロセス）が比較的低温で起こり得るのである。
【００１０】
【発明の実施の形態】
図２は、本願発明に従って、低いウェハ温度又は基板温度で半導体ウェハ上に窒化酸化層又はその他の誘電層を形成もしくは成長させるための反応システム２０を示すものである。同図から分かるように、反応システム２０は、前置反応チャンバ２２と反応チャンバ２３とを備えている。反応チャンバ２３は、ウェハホルダ２４を備えており、これにより、窒化酸化層又はその他の誘電層を堆積させる多数の半導体ウェハ２５（即ち、少なくとも１枚のウェハ）が保持される。
【００１１】
簡単に言えば、反応システム２０によって、窒素又はその他の化学元素を、所望の最高ウェハ温度又は基板温度（例えば、ほぼ８５０℃）に等しいか又はそれよりも低い温度で、酸化（又はその他の誘電）層中に導入することが可能となる。ここで、前記の所望の最高ウェハ温度とは、望ましくないドーパントの拡散を大して伴うことなくウェハを適当に処理できる最高温度を意味するものである。反応システム２０は、酸素及び窒素の化学元素（又はその他の化学元素）を含有する反応性ガス種を最初に前置反応チャンバ２２に導入することにより、これを達成する。この前置反応チャンバ２２は、所望の最高ウェハ温度よりも実質的に高い高温（例えば、ほぼ９５０℃−１０００℃）に加熱される。該高温において、反応性ガスが反応もしくは熱分解して反応性ガスの反応性前駆物質が生成される。次いで、その反応性前駆物質を反応チャンバ２３に送り込み、所望の最高ウェハ温度で又はそれ以下の温度で各ウェハ２５上に窒化酸化層又はその他の誘電層を成長させる。代替的には、反応性前駆物質を反応チャンバ２３に送り込み、既に成長させた酸化層を窒化酸化層が形成されるよう処理することができる。ガス反応及び誘電層成長を別々のチャンバで行わせることにより、誘電層成長プロセス（例えば、窒化酸化プロセス）を、反応性ガス混合物が反応する温度よりも低い温度で生じさせることが可能となる。この低温誘電層成長プロセスにより、低いしきい値電圧と低い漏洩レベルとを有する改善されたトランジスタの設計及び製造が可能となる。
【００１２】
本発明の一実施例では、所望の最高ウェハ温度は約８５０℃である。別の実施例では、所望の最高ウェハ温度は約８００℃である。代替的には、所望の最高ウェハ温度は、ウェハ材料、反応チャンバ２３内の圧力、又はウェハ２５の処理時間に依存して、８５０℃又は８００℃よりも高く又は低くなり得る。
【００１３】
図２及び本発明の一実施例から分かるように、ウェハホルダ２４は、反応チャンバ２３内でウェハ２５を水平に保持する。別の実施例では、ウェハホルダ２４は、反応チャンバ２３内でウェハ２５を垂直に保持する垂直ウェハホルダとすることも可能なものである。代替的には、ウェハホルダ２４は、他の任意の既知のウェハホルダとすることが可能である。
【００１４】
一実施例では、各ウェハ２５はシリコンウェハである。別の実施例では、各ウェハ２５はガリウム砒素（ＧａＡｓ）ウェハである。代替的には、各ウェハ２５は、ＩＩＩ−Ｖ族の半導体ウェハ又はＩＶ族の半導体（例えば、ポリシリコン又はタングステンケイ化物）ウェハとすることができる。反応チャンバ２３は、排気パイプ３５を介して真空ポンプ（図２に図示せず）により排気される真空チャンバである。反応チャンバ２３は、各ウェハ２５上に窒化酸化物又はその他の誘電層を低いウェハ温度で成長させるために使用される。上述のように、反応チャンバ２３は、反応性ガスを直接に受容するのではなく前置反応チャンバ２２から反応性前駆物質を受容することにより、これを達成するものである。
【００１５】
一実施例では、反応チャンバ２３内で各ウェハ２５上に窒化酸化層が直接成長される。別の実施例では、先ず酸化層を各ウェハ２５上に形成し、次いでその酸化層を反応性前駆物質で処理して窒化酸化層を形成し又は成長させることにより、各ウェハ２５上に窒化酸化層が形成される。
【００１６】
反応チャンバ２３は、既知の任意の反応チャンバ又はチューブで実施することが可能なものである。一実施例では、反応チャンバ２３は、炉式反応チャンバ又はチューブである。別の実施例では、反応チャンバ２３は、急速熱処理（ｒａｐｉｄ  ｔｈｅｒｍａｌｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ）チャンバ又はチューブである。
【００１７】
反応チャンバ２３が急速熱処理チャンバである場合、その反応チャンバ２３は、１回の処理用として１枚のウェハを収容する。この場合には、ウェハホルダ２４は、反応チャンバ２３内にウェハを１枚だけ保持する。また、反応チャンバ２３が炉式反応チャンバである場合には、その反応チャンバ２３は、１回の処理用として２枚以上のウェハを収容する。
【００１８】
一実施例では、反応チャンバ２３の反応圧力は、ほぼ１気圧である。代替的には、反応チャンバ２３の反応圧力は、１気圧より高く又は低くなる。
【００１９】
前置反応チャンバ２２は、パイプ３４を介して反応チャンバ２３に接続される。反応性前駆物質は、前置反応チャンバ２２から反応チャンバ２３へと導入される。反応性前駆物質は、前置反応チャンバ２２内の反応性ガスを高温に加熱することによりその前置反応チャンバ２２内で発生又は生成される。前置反応チャンバ２２は、マニホールド２１から反応性ガスを受容する。図２から分かるように、前置反応チャンバ２２はウェハを収容しないものである。
【００２０】
一実施例では、前置反応チャンバ２２の上昇温度は約９５０℃である。別の実施例では、前置反応チャンバ２２の上昇温度は約１０００℃である。代替的には、その上昇温度は８５０℃〜１２００℃の範囲内とすることが可能である。さらに、その上昇温度は、反応温度よりも高い任意温度とすることが可能である。
【００２１】
一実施例では、反応チャンバ２３の反応温度は、７００℃〜８５０℃の範囲内である。別の実施例では、その反応温度はほぼ７００℃である。更に別の実施例では、その反応温度はほぼ８００℃である。代替的には、その反応温度は７００℃よりも低く又は８５０℃よりも高くすることが可能である。しかしながら、その反応温度は常に、前置反応チャンバ２２の上昇温度よりも低いものである。
【００２２】
前置反応チャンバ２２は、任意の既知手段で実施可能である。一実施例では、前置反応チャンバ２２は炉式チャンバ又はチューブである。別の実施例では、前置反応チャンバ２２は、ガス加熱用の内部ホットフィラメントを有する単なるチューブ又はパイプとすることができる。更に別の実施例では、前置反応チャンバ２２は、プラズマを包含する反応チャンバである。加えて、前置反応チャンバ２２内の圧力は、１気圧又は１気圧よりも高く若しくは低くすることができる。
【００２３】
マニホールド２１は、パイプ３０〜３２から供給される反応性ガスを混合するために使用される。マニホールド２１は次いでその混合ガスを前置反応チャンバ２２に送る。代替的には、反応システム２０がマニホールド２１を有さなくてもよい。その場合、反応性ガスは前置反応チャンバ２２へ直接供給される。更に、前置反応チャンバ２２が１つの反応性ガスしか受容しない場合には、反応システム２０はマニホールド２１を有さない。加えて、図２は、３つのガス入力パイプ３０〜３２を示しているが、本発明は３本のガスパイプに限定されるものではなく、それ以上又は以下のガスパイプを採用することが可能である。
【００２４】
図２において、マニホールド２１に供給される反応性ガスは、乾燥ガスとして又は蒸気形態で導入することができる。反応性ガスは、酸素の化学元素及びその他の化学元素を含有している。一実施例では前記の他の化学元素は窒素となっている。この場合、反応チャンバ２３内で各ウェハ上に成長又は発現される誘電層は窒化酸化層である。他の実施例では、利用される前記他の化学元素は、フッ素、塩素、水素、又は炭素とすることができる。代替的に、その他の化学元素を使用することも可能である。一例として窒素を使用して本願発明について以下で更に詳述することにする。
【００２５】
上述のように、窒化酸化層をウェハ上に成長させるために、酸素及び窒素から成る成分を含有するガス種をマニホールド２１に導入する。これらのガス種には、例えば、Ｎ２Ｏ、ＮＯ、ＮＯ２、及びＮＯ３ガスが含まれる。次いで、それらのガスがマニホールド２１内で混合され、パイプ３３を介して前置反応チャンバ２２へ供給される。
【００２６】
前置反応チャンバ２２内に導入されると、ガスは、それらが反応もしくは分解して反応性前駆物質を生成するように高温（即ち、前置反応温度）に加熱される。酸素及び窒素から成る成分を含有する反応性前駆物質は、次いで、前置反応温度よりも実質的に低い反応温度で各ウェハ２５上に堆積させるべく反応チャンバ２３に導かれる。こうすることにより、薄い窒化酸化層が低いウェハ温度でウェハ上に形成される。上述のように、高いウェハ温度（即ち、約８５０℃より上）は、ウェハ上に好ましくないドーパントの拡散を生じさせるものとなり、これは、一般には、ウェハの電気特性を変え、またウェハを損傷させることにもなる。
【００２７】
上述のように、窒化酸化層は、比較的低温で反応性前駆物質を使って反応チャンバ２３内の各ウェハ２５上に直接成長させ、または予め各ウェハ２５上に成長させた酸化層を窒素の化学元素を含有する反応性前駆物質で処理することによって反応チャンバ２３内の各ウェハ２５上に成長させることができる。換言すれば、窒化酸化プロセスは、窒化酸化層を形成するための独立したプロセスとすること、又は、誘電層成長プロセスのうちの一処理ステップとすることが可能である。
【００２８】
図３は、本願発明の一実施例に従って窒化酸化層を低温で成長させるために図２の反応システム２０により行われるプロセスをその一例としてフローチャートで示したものである。図３から分かるように、プロセスはステップ４０で始まる。ステップ４１で、酸素及び窒素の化学元素を含有するガスが混合されて、図２の前置反応チャンバ２２内に導入される。ステップ４２では、その前置反応チャンバ２２内の混合ガスが８５０℃を越える高温に加熱されて反応性前駆物質が生成される。上述のように、その上昇温度は、反応性前駆物質を生成するためにほぼ９５０〜１０００℃の範囲内である。次いで、その反応性前駆物質は、ステップ４３で反応チャンバ２３（図２）に導かれる。図２から分かるように、ウェハ２５は反応チャンバ２３内に収容されている。ステップ４４で、反応チャンバ２３を上昇した前置反応温度未満（即ち、８５０℃未満）の反応温度まで加熱し、前記反応性前駆物質を使って窒化酸化層を直接成長させ、または、既に形成されている酸化層を前記反応性前駆物質で処理して窒化酸化層を成長させる。上述のように、反応温度は、ほぼ、７００〜８５０℃の範囲内である。その後、ステップ４５でプロセスが終了する。
【００２９】
以上、本発明をその特定の実施例を参照して説明してきた。しかしながら、本発明の一層広範な精神及び範囲から逸脱することなく、当該実施例に対して種々の修正と変更をなし得ることは、当業者には明らかであろう。従って、上記発明の実施の形態の説明及び各図面は、本発明の範囲の制限を意図するものではなく例証と見なされるべきである。
【００３０】
以下においては、本発明の種々の構成要件の組み合わせからなる例示的な実施態様を示す。
【００３１】
１．誘電層を成長させるプロセスであって、
（Ａ）酸素から成る第一の化学元素と酸素以外の第二の化学元素とを有する少なくとも１つのガスからなるガス混合体を第一の所定温度まで加熱して前記ガス混合体の反応性前駆物質を生成し、
（Ｂ）少なくとも１つのウェハを収容している反応チャンバ内へ前記反応性前駆物質を導入し、
（Ｃ）前記第一の所定温度よりも低い第二の所定温度で前記反応チャンバ内の前記ウェハ上に誘電層を成長させる、
という各ステップからなることを特徴とする、誘電層成長プロセス。
【００３２】
２．前記反応チャンバが垂直又は水平拡散チャンバであり、前記誘電層が実質的に大気圧で成長させられる、前項１に記載の誘電層成長プロセス。
【００３３】
３．前記第一の所定温度が実質的に８５０℃を超える温度であり、前記第二の所定温度がほぼ７００〜８５０℃の範囲内である、前項２に記載の誘電層成長プロセス。
【００３４】
４．前記第一の所定温度が、前記ガス混合体について化学反応が生ずる約１０００℃である、前項３に記載の誘電層成長プロセス。
【００３５】
５．前記反応チャンバが急速熱処理器（ｒａｐｉｄ  ｔｈｅｍａｌ  ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ）である、前項１に記載の誘電層成長プロセス。
【００３６】
６．前記ステップ（Ａ）が、
（Ｉ）  前記ガス混合体を前置反応チャンバ中に導入し、
（ＩＩ）前記前置反応チャンバを前記第一の所定温度まで加熱して反応性前駆物質を生成する、
という各ステップを包含する、前項１に記載の誘電層成長プロセス。
【００３７】
７．前記第二の化学元素が、窒素、フッ素、塩素、水素、及び炭素から成る群から選択される、前項１に記載の誘電層成長プロセス。
【００３８】
８．前記ステップ（Ａ）に先立ちウェハ上に酸化層を形成し、その酸化層を前記反応性前駆物質で処理することにより前記ステップ（Ｃ）でウェハ上に誘電層が形成されるようにする、というステップを更に含む、前項１に記載の誘電層成長プロセス。
【００３９】
９．誘電層を成長させるプロセスであって、
（Ａ）酸素から成る第一の化学元素と酸素以外の第二の化学元素とを有する少なくとも１つのガスからなるガス混合体を実質的に８５０℃を越える上昇温度まで加熱して前記ガス混合体の反応性前駆物質を生成し、
（Ｂ）少なくとも１つのウェハを収容している反応チャンバ中へ前記反応性前駆物質を導入し、
（Ｃ）８５０℃と等しいか又はそれ以下の所定温度で前記反応チャンバ内で前記ウェハ上に誘電層を成長させる、
という各ステップから成ることを特徴とする、誘電層成長プロセス。
【００４０】
１０．前記反応チャンバが垂直又は水平拡散チャンバであり、前記誘電層が実質的に大気圧で成長させられる、前項９に記載の誘電層成長プロセス。
【００４１】
１１．前記上昇温度が、前記ガス混合体について化学反応が生ずる約１０００℃であり、前記所定温度が実質的に７００〜８５０℃の範囲内である、前項９に記載の誘電層成長プロセス。
【００４２】
１２．前記ステップ（Ａ）が、
（Ｉ）  前記ガス混合体を前置反応チャンバ中に導入し、
（ＩＩ）前記前置反応チャンバを前記上昇温度まで加熱して反応性前駆物質を生成する、
という各ステップを包含する、前項９に記載の誘電層成長プロセス。
【００４３】
１３．前記の第二の化学元素が、窒素、フッ素、塩素、水素、及び炭素から成る群から選択される、前項９に記載の誘電層成長プロセス。
【００４４】
１４．前記ステップ（Ａ）に先立ちウェハ上に酸化層を形成し、その酸化層を前記反応性前駆物質で処理することによりウェハ上に誘電層が形成されるようにする、というステップを更に含む、前項９に記載の誘電層成長プロセス。
【００４５】
１５．半導体製造装置であって、
（Ａ）酸素から成る第一の化学元素と酸素以外の第二の化学元素とを有する少なくとも１つのガスからなるガス混合体を受容する前置反応チャンバであって、前記ガス混合体が前記前置反応チャンバに導入される際に第一の所定温度まで加熱されて前記ガス混合体の反応性前駆物質を生成する、前置反応チャンバと、
（Ｂ）少なくとも１つのウェハを収容すると共に、前記反応性前駆物質を受容するよう前記前置反応チャンバに連結された反応チャンバであって、前記第一の所定温度よりも低い第二の所定温度まで加熱されて前記反応性前駆物質により前記ウェハ上に誘電層を成長させる、反応チャンバと
を備えていることを特徴とする、半導体製造装置。
【００４６】
１６．前記第一の所定温度が約１０００℃であり、前記第二の所定温度がほぼ７００〜８５０℃の間である、前項１５に記載の半導体製造装置。
【００４７】
１７．前記反応チャンバが垂直又は水平拡散チャンバであり、前記誘電層を実質的に大気圧で成長させることを特徴とする、前項１５に記載の半導体製造装置。
【００４８】
１８．前記反応チャンバが急速熱処理器である、前項１５に記載の半導体製造装置。
【００４９】
１９．前記第二の化学元素が、窒素、フッ素、塩素、水素、及び炭素から成る群から選択される、前項１５に記載の半導体製造装置。
【００５０】
２０．前記前置反応チャンバが、炉式チャンバまたは第一及び第二のガスのガス流に沿ったホットフィラメントである、前項１５に記載の半導体製造装置。
【００５１】
２１．前記前置反応チャンバがプラズマを収容する反応チャンバである、前項１５に記載の半導体製造装置。
【００５２】
２２．ウェハ上に成長させた誘電層であって、
（Ａ）酸素から成る第一の化学元素と酸素以外の第二の化学元素とを有する少なくとも１つのガスのガス混合体を第一の所定温度まで加熱して前記ガス混合体の反応性前駆物質を生成し、
（Ｂ）ウェハを収容している反応チャンバ中へ前記反応性前駆物質を導入し、
（Ｃ）前記第一の所定温度よりも低い第二の所定温度で反応チャンバ内でウェハ上に誘電層を成長させる、
という各ステップから成るプロセスによりウェハ上に成長させた誘電層。
【図面の簡単な説明】
【図１】窒化酸化誘電層を成長させるための従来の構成を示すブロック図である。
【図２】本願発明の一実施例によって誘電層を成長させるための構成を示すブロック図である。
【図３】本願発明の一実施例による誘電層成長プロセスを示すフローチャートである。
【符号の説明】
２０              反応システム
２１              マニホールド
２２              前置反応チャンバ
２３              反応チャンバ
２４              ウェハホルダ
２５              半導体ウェハ
３０〜３４      パイプ
【図１】
0003561388.tif 000002
【図２】
0003561388.tif 000003
【図３】
0003561388.tif 000004