【手続補正書】
【提出日】平成27年8月3日(2015.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の上面を有する非磁性誘電体層に埋設された下部磁界コイルを設ける工程と、
前記第１の上面に、その第１の上面に対して約３０°で傾斜する壁面を含むキャビティを形成する工程と、
前記壁面を覆うようにライトギャップを形成する工程と、
前記ライトギャップの、前記壁面の上部を覆う部分を除く全体を覆うようにマスクを形成する工程と、
前記壁面の上部に、２０ｋＯｅ以上２４.５ｋＯｅ以下の飽和磁化を有すると共に０．０５以上０．５以下の磁気減衰定数を有する磁極チップ層の電着を開始する工程と、
前記磁極チップ層の厚さが０．１μｍ以上０．５μｍ以下となったときに前記電着を終了し、前記マスクを除去する工程と、
磁気減衰定数が０．０５以上０．５以下であると共に飽和磁化が１９ｋＯｅ以上２４．５ｋＯｅ以下の材料を用いて前記キャビティを埋めることにより、主磁極を形成する工程と、
前記主磁極の第３の上面と共通の平面に含まれる前記磁極チップ層の第２の上面が現れるまで平坦化処理を行い、前記ライトギャップの上方へ伸びるように０．１μｍ以上１μｍ以下の厚さを有するスティッチトポールチップを形成する工程と、
前記第２の上面の上に、トップヨーク、ライトヨーク、上部磁界コイルを形成する工程と
を含む磁気記録装置の製造方法。
【請求項２】
１０9ビット／秒以上の速度での磁気データ書き込みが可能である
請求項１記載の磁気記録装置の製造方法。
【請求項３】
前記磁極チップ層を、１９ｋＧ（ガウス）以上２４ｋＧ以下の飽和磁化を有し、Ｆｅ，ＣｏおよびＮｉを含む合金に１以上の希土類元素が１０原子％以下の濃度で添加された材料によって形成する
請求項１記載の磁気記録装置の製造方法。
【請求項４】
前記主磁極を、０．１以上０．５以下の磁気減衰定数を有し、Ｆｅ，ＣｏおよびＮｉを含む合金に１以上の希土類元素が１０原子％以下の濃度で添加された材料によって形成する
請求項１記載の磁気記録装置の製造方法。
【請求項５】
前記トップヨークを、０．１以上０．５以下の磁気減衰定数を有するものとする
請求項１記載の磁気記録装置の製造方法。
【請求項６】
前記ライトヨークを、０．１以上０．５以下の磁気減衰定数を有するものとする
請求項１記載の磁気記録装置の製造方法。
【請求項７】
第１の上面を有する非磁性誘電体層に埋設された下部磁界コイルを設ける工程と、
前記第１の上面に、その第１の上面に対して約４５°の角度で傾斜する壁面を含むキャビティを形成する工程と、
前記壁面を覆うようにライトギャップを形成する工程と、
前記ライトギャップの、前記壁面の上部に対応する部分を除く全体を覆うようにマスクを形成する工程と、
前記壁面の上部に、２３ｋＧ（ガウス）以上２４．５ｋＧ以下の飽和磁化を有すると共に０．００２以上０．１以下の磁気減衰定数を有する磁極チップ層の電着を開始する工程と、
前記磁極チップ層の厚さが０．０５μｍ以上０．５μｍ以下となったときに前記電着を終了し、前記マスクを除去する工程と、
磁気減衰定数が０．０５以上０．５以下であると共に飽和磁化が１９ｋＧ（ガウス）以上２４ｋＧ以下である主磁極に適した材料を用いて前記キャビティを埋めることにより、主磁極を形成する工程と、
前記主磁極の第３の上面と共通の平面に含まれる前記磁極チップ層の第２の上面が現れるまで平坦化処理を行い、前記ライトギャップの上方へ伸びるように０．１μｍ以上１μｍ以下の厚さを有するスティッチトポールチップを形成する工程と、
前記第２の上面の上に、トップヨーク、ライトヨーク、上部磁界コイルを形成する工程と
を含む磁気記録装置の製造方法。
【請求項８】
１０9ビット／秒以上の速度での磁気データ書き込みが可能である
請求項７記載の磁気記録装置の製造方法。
【請求項９】
前記磁極チップ層を、０．１以上０．５以下の磁気減衰定数を有し、Ｆｅ，ＣｏおよびＮｉを含む合金によって形成する
請求項７記載の磁気記録装置の製造方法。
【請求項１０】
前記主磁極を、Ｆｅ，ＣｏおよびＮｉを含む合金に１以上の希土類元素が１０原子％以下の濃度で添加された材料によって形成する
請求項７記載の磁気記録装置の製造方法。
【請求項１１】
前記トップヨークを、０．１以上０．５以下の磁気減衰定数を有するものとする
請求項７記載の磁気記録装置の製造方法。
【請求項１２】
前記ライトヨークを、０．１以上０．５以下の磁気減衰定数を有するものとする
請求項７記載の磁気記録装置の製造方法。
【請求項１３】
第１の上面を有する非磁性誘電体層に埋設された下部磁界コイルと、
前記非磁性誘電体層に埋設され、前記第１の上面から下方へ広がり、かつ、前記第１の上面に対して約３０°の角度で傾斜する壁面を有し、０．００２以上０．１以下の磁気減衰定数を有すると共に２３ｋＧ（ガウス）以上２４.５ｋＧ以下の飽和磁化を有する主磁極と、
前記主磁極と前記非磁性誘電体層との間に位置するライトギャップと、
前記主磁極とＡＢＳとの間に位置し、前記主磁極の壁面と共通の傾斜面を含み、かつ、前記ライトギャップから前記第１の上面に至るまで上方へ延在するスティッチトポールとなる磁極チップ層と、
トップヨークと、
前記トップヨークを覆う書き込みヨークおよび上部磁界コイルと
を備え、
前記磁極チップ層は、１９ｋＧ以上２４ｋＧ以下の飽和磁化と、０．０５以上０．５以下の磁気減衰定数とを有する
磁気記録装置。
【請求項１４】
前記主磁極と前記ＡＢＳとの距離は０．１μｍ以上０．５μｍ以下である
請求項１３記載の磁気記録装置。
【請求項１５】
１０9ビット／秒以上の速度での磁気データ書き込みが可能である
請求項１３記載の磁気記録装置。
【請求項１６】
前記磁極チップ層は、Ｆｅ，ＣｏおよびＮｉを含む合金に１以上の希土類元素が１０原子％以下の濃度で添加された材料からなる
請求項１３記載の磁気記録装置。
【請求項１７】
第１の上面を有する非磁性誘電体層に埋設された下部磁界コイルと、
前記非磁性誘電体層に埋設され、前記第１の上面から下方へ広がり、かつ、前記第１の上面に対して約３０°の角度で傾斜する壁面を有し、０．０５以上０．５以下の磁気減衰定数を有すると共に１９ｋＯｅ以上２４ｋＯｅ以下の飽和磁化を有する主磁極と、
前記主磁極と前記非磁性誘電体層との間に位置するライトギャップ層と、
前記壁面の上部を覆い、かつ、前記主磁極の内部において前記ライトギャップ層から前記第１の上面に至るまで上方へ延在し、前記主磁極とＡＢＳとの間の距離に相当するスティッチトポールとなる磁極チップ層と、
トップヨークと、
前記トップヨークを覆う書き込みヨークおよび上部磁界コイルと
を備え、
前記磁極チップ層は、２３ｋＧ以上２４．５ｋＧ以下の飽和磁化と、０．００２以上０．１以下の磁気減衰定数とを有する
磁気記録装置。
【請求項１８】
前記主磁極と前記ＡＢＳとの距離は０．１μｍ以上０．５μｍ以下である
請求項１７記載の磁気記録装置。
【請求項１９】
１０9ビット／秒以上の速度での磁気データ書き込みが可能である
請求項１７記載の磁気記録装置。
【請求項２０】
前記磁極チップ層は、１９ｋＧ（ガウス）以上２４ｋＧ以下の飽和磁化を有し、Ｆｅ，ＣｏおよびＮｉを含む合金に１以上の希土類元素が１０原子％以下の濃度で添加された材料からなる
請求項１７記載の磁気記録装置。
【請求項２１】
前記主磁極は、１９ｋＧ（ガウス）以上２４ｋＧ以下の飽和磁化を有し、Ｆｅ，ＣｏおよびＮｉを含む合金に１以上の希土類元素が１０原子％以下の濃度で添加された材料からなる
請求項１７記載の磁気記録装置。
【請求項２２】
前記トップヨークは、０．１以上０．５以下の磁気減衰定数を有する
請求項１７記載の磁気記録装置。
【請求項２３】
前記ライトヨークは、０．１以上０．５以下の磁気減衰定数を有する
請求項１７記載の磁気記録装置。