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　平成１１年特許願第３１３９７０号「基板処理方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　５月１５日出願公開、特開２００１−１２９４９８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１１年１１月　４日の出願であって、平成１７年１１月１４日付けで拒絶査定がなされ（平成１７年１１月２２日発送）、これに対し、同年１２月２２日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、平成１８年　１月１９日付けで手続補正がなされたものである。
　　　
２．平成１８年　１月１９日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１８年　１月１９日付けの手続補正を却下する。
　　　
［理由］
（１）本件補正
　平成１８年　１月１９日付けの補正（以下「本件補正」という。）は、特許請求の範囲を、
「【請求項１】第１のシャワーノズルから基板に前記基板上の不要物を除去する有機剥離液の再使用液を吐出供給して、基板に対して有機剥離液の再使用液による処理を行わせ、有機剥離液の再使用液の配管から有機剥離液の再使用液をケーシング内に設けられた処理槽へ供給して、基板に対して有機剥離液の再使用液による浸漬処理を行わせ、前記処理槽から有機剥離液の再使用液を排出させ、第２のシャワーノズルから基板に有機剥離液の未使用液を吐出供給して、基板に対して有機剥離液の未使用液による処理を行わせる有機剥離液処理工程と、
　前記処理槽にイソプロピルアルコール液を貯留させ、イソプロピルアルコール液に基板を浸漬させて基板に対してイソプロピルアルコール液による処理を行うイソプロピルアルコール液処理工程と、
　前記処理槽内のイソプロピルアルコール液から前記ケーシング内の乾燥ゾーン内へ基板を移動させ、前記乾燥ゾーン内に基板を所定時間留置することにより基板上のイソプロピルアルコール液を揮発除去させて基板を乾燥処理する乾燥処理工程と、
　を有することを特徴とする基板処理方法。
【請求項２】請求項１に記載の基板処理方法において、
　前記乾燥処理工程は、加熱装置による基板の加熱処理により基板を乾燥処理することを特徴とする基板処理方法。
【請求項３】請求項１または請求項２に記載の基板処理方法において、
　前記乾燥処理工程は、前記乾燥ゾーン内へ基板を移動させた後、前記処理槽と前記乾燥ゾーンとの間に配置された中間シャッターを閉じた状態で基板を乾燥処理することを特徴とする基板処理方法。
【請求項４】ケーシング内に設けられた処理槽に基板上の不要物を除去する有機剥離液を貯留させ、有機剥離液に基板を浸漬させて基板に対して有機剥離液による処理を行うとともに、前記処理槽から有機剥離液を排出させる有機剥離液処理工程と、
　前記処理槽にイソプロピルアルコール液を貯留させ、イソプロピルアルコール液に基板を浸漬させて基板に対してイソプロピルアルコール液による処理を行うイソプロピルアルコール液処理工程と、
　前記処理槽内のイソプロピルアルコール液から前記ケーシング内の乾燥ゾーン内へ基板を移動させた後、前記処理槽と前記乾燥ゾーンとの間に配置された中間シャッターを閉じた状態で、前記乾燥ゾーン内に基板を所定時間留置することにより基板上のイソプロピルアルコール液を揮発除去させて基板を乾燥処理する乾燥処理工程と、
　を有することを特徴とする基板処理方法。
【請求項５】ケーシング内に設けられた処理槽に基板上の不要物を除去する有機剥離液を貯留させ、有機剥離液に基板を浸漬させて基板に対して有機剥離液による処理を行うとともに、前記処理槽から有機剥離液を排出させる有機剥離液処理工程と、
　前記処理槽内にある基板にシャワーノズルからイソプロピルアルコール液を吐出供給して、基板に対してイソプロピルアルコール液による処理を行うイソプロピルアルコール液処理工程と、
　前記処理槽内に基板を所定時間留置させた状態で、前記処理槽に貯留されたイソプロピルアルコール液を排出させて基板上のイソプロピルアルコール液を揮発除去させて基板を乾燥処理する乾燥処理工程と、
　を有することを特徴とする基板処理方法。
【請求項６】請求項５に記載の基板処理方法において、
　前記乾燥処理工程は、排気管を通して前記ケーシング内のイソプロピルアルコール液の蒸気を排出して基板を乾燥処理することを特徴とする基板処理方法。
【請求項７】ケーシング内に設けられた処理槽に基板上の不要物を除去する有機剥離液を貯留させ、有機剥離液に基板を浸漬させて基板に対して有機剥離液による処理を行うとともに、前記処理槽から有機剥離液を排出させる有機剥離液処理工程と、
　前記処理槽にイソプロピルアルコール液を貯留させ、イソプロピルアルコール液に基板を浸漬させて基板に対してイソプロピルアルコール液による処理を行うイソプロピルアルコール液処理工程と、
　排気管を通して前記ケーシング内のイソプロピルアルコール液の蒸気を排出して基板を乾燥処理する乾燥処理工程と、
　を有することを特徴とする基板処理方法。」と補正することを含むものである。
　　
（２）補正の適否
　ここで、特に、請求項７に係る発明について検討する。
　　
１）審判請求人は、請求項７に係る発明は、補正前の請求項５に請求項７を加えるように限定したものである旨主張する（平成１８年　１月１９日付け手続補正書第２頁最下行〜第３頁第２行）ので、まず、検討する。
　　
　本件補正前の平成１７年　９月　７日付けの手続補正書特許請求の範囲の請求項５、請求項７に記載の発明特定事項と、本件補正後の請求項７に係る発明の発明特定事項とを対比すると、補正前の請求項５における「前記処理槽内に基板を所定時間留置させた状態で、前記処理槽に貯留されたイソプロピルアルコール液を排出させて基板上のイソプロピルアルコール液を揮発除去させて基板を乾燥処理する乾燥処理工程」という発明特定事項を欠くものとなっている。
　
　そうすると、本件補正後の請求項７に係る発明は、請求人が主張するような、補正前の請求項５に、請求項７を加えるようにしたもの、すなわち、特許請求の範囲を減縮したものとはいえない。したがって、請求人の前記主張は、採用できない。
　　
２）念のため、補正後の請求項７に係る発明が、補正前の他の請求項を限定したものであるか検討する。
　　
　補正後の請求項７に係る発明は、本件補正前の特許請求の範囲において、各請求項に記載された、「処理槽内のイソプロピルアルコール液から前記ケーシング内の乾燥ゾーン内へ基板を移動させ、前記乾燥ゾーン内に基板を所定時間留置することにより基板上のイソプロピルアルコール液を揮発除去させて基板を乾燥処理する乾燥処理工程」（請求項１ないし４）、または、「処理槽内に基板を所定時間留置させた状態で、前記処理槽に貯留されたイソプロピルアルコール液を揮発除去させて基板を乾燥処理する乾燥処理工程」（請求項６、７）との発明特定事項を欠くものとなっている。
　　
　そうすると、１）でみたのと同様、補正後の請求項７に係る発明は、補正前のいずれの請求項に係る発明を限定したものであるともいえない。
　　
３）そして、請求項７に係る発明についての補正が、明りょうでない記載の釈明を目的としたものでないことは明らかであるし、誤記の訂正、請求項の削除のいずれを目的としたものでないことも明らかである。
　　
４）してみると、本件補正における請求項７に係る発明についての補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定に違反するものである。
　　
（３）まとめ
　以上のとおりであるから、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　　
３．本願発明について
（１）本願発明
　平成１８年　１月１９日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、同項記載の発明を「本願発明」という。）は、本願の平成１７年　９月　７日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次の事項により特定されるものである。
　　　
「ケーシング内に設けられた処理槽に基板上の不要物を除去する有機剥離液を貯留させ、有機剥離液に基板を浸漬させて基板に対して有機剥離液による処理を行うとともに、前記処理槽から有機剥離液を排出させる有機剥離液処理工程と、
　前記処理槽にイソプロピルアルコール液を貯留させ、イソプロピルアルコール液に基板を浸漬させて基板に対してイソプロピルアルコール液による処理を行うイソプロピルアルコール液処理工程と、
　前記処理槽内のイソプロピルアルコール液から前記ケーシング内の乾燥ゾーン内へ基板を移動させ、前記乾燥ゾーン内に基板を所定時間留置することにより基板上のイソプロピルアルコール液を揮発除去させて基板を乾燥処理する乾燥処理工程と、
　を有することを特徴とする基板処理方法。」
　　
（２）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平９−２１９３８５号公報（以下「引用例１」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　　　
ア「【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハのウェット処理方法に関し、特に有機アルカリ系剥離液にてフォトレジストを剥離した後のウェット処理方法に関するものである。」（段落【０００１】）
　　　
イ「【発明が解決しようとする課題】しかしながら、実際には前記アルコール液への浸漬だけではウェハ表面上に付着した有機アルカリ溶液を完全に置換することは不可能であり、アルコール液浸漬後純水に浸漬する時には僅かにウェハ表面上に有機アルカリ溶液が残留している。・・・。そして、有機アルカリが残留している溝では純水に浸漬した時に、強アルカリ液が生成されこの溶液により金属膜などがエッチングされてしまう。・・・。」（段落【０００８】）
　　　
ウ「【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明する。
　［第１の実施例］
　図１は本発明の第１の実施例を説明するためのウェハのウェット処理装置の構成図である。
　図１を参照すると、ウェット処理装置内に設置された有機アルカリ溶液処理槽３にはウェハ表面からフォトレジストを除去するための有機アルカリ溶液が、イソプロピルアルコール処理槽４にはウェハ表面上に付着した有機アルカリ系の溶液を置換するためのイソプロピルアルコールが、さらに、リンス槽５には酸性溶液調合槽６でｐＨ調整された希釈酸性溶液（希塩酸）が充填されている。
　酸性溶液調合槽６にはｐＨメータ７ａと純水および塩酸を供給するための配管が設けられており、リンス槽５と酸性溶液調合槽との間には、希釈酸性溶液を供給するためのポンプ８ａ、バルブ９ｂを有する配管が設けられ、またリンス槽５にはリンス槽５内の希釈酸性溶液を純水に置換するためのバルブ９ａを有する配管が設けられている。なお、図示されてはいないが、有機アルカリ溶液処理槽３、イソプロピルアルコール処理槽４には、それぞれ有機アルカリ溶液、イソプロピルアルコールを供給するための配管が設けられており、さらに各処理槽３、４およびリンス槽５には廃液を除去するための配管が設けられている。」（段落【００１２】〜【００１３】）
　　　
エ「次に、図１の洗浄装置を用いた本発明の第１の実施例のウェハウェット処理方法について説明する。この実施例は、図８に示すような工程でのフォトレジストの除去方法に関するものである。すなわち、Ａｌ配線上に形成されたシリコン酸化膜にフォトレジスト膜を形成しこれをマスクとするエッチングを行ってビアホールを形成した後に、フォトレジストを除去するための本実施例によるウエット処理を行うものとする。
　表面にフォトレジストが成膜されているウェハ１をウェハキャリア２に収納し、有機アルカリ溶液処理槽３に浸漬する。この有機アルカリ溶液処理槽３中の有機アルカリ溶液によってウェハ１上のフォトレジストは除去される。所望の時間の有機アルカリ溶液による処理が終了し、ウェハ１上のフォトレジストが除去された後にウェハ１をイソプロピルアルコール処理槽４に浸漬する。この処理槽においてウェハ１表面上に付着した有機アルカリ溶液の大部分がイソプロピルアルコールに置換される。但し、微細な溝であるビアホール内は、有機アルカリ溶液からイソプロピルアルコールへの置換効率が悪く、処理槽４での処理後にも有機アルカリ溶液が残留している。
　所望の時間のイソプロピルアルコール処理槽４での処理が終了した後に、ウェハ１を酸性溶液調合槽６でｐＨが５に調整された希塩酸溶液が充填されているリンス槽５に浸漬する。希釈酸性溶液のｐＨ値は評価結果から、ｐＨ４〜６が本発明で使用するのに適した値であったため、実施例ではｐＨ５の希釈酸性溶液を適用した。この希釈酸性溶液処理によりウェハ１のコンタクトホール内に残留していた有機アルカリ溶液４が中和され、コンタクトホール内のアルミニウムを腐食することなくリンスが行える。
　但し、ｐＨが５に調整された希塩酸溶液にウェハを長時間浸漬する場合には希塩酸溶液によってアルミニウムが腐食されてしまうので、コンタクトホール内の有機アルカリを中和するのに必要な時間の条件出しを予め行い、希塩酸溶液での処理時間を決定しておく。また、希塩酸溶液を純水に置換するまでの時間は半導体素子形状、ビアホール径などに依存する為、半導体素子の種類ごとに、条件出しを行う必要がある。この条件出しによって決定された時間が経過した後、バルブ９ａ、９ｂを操作してリンス槽５内の希塩酸を純水に置換し、所望の時間ウェハ１をリンスする。その後、ウェハをリンス槽５から引き上げ、乾燥を行うことによって一連の作業が終了する。・・・。」（段落【００１４】〜【００１７】）
　　　
オ「次に、図６の洗浄装置を用いた第４の実施例のウェハウェット処理方法について説明する。ウェハ１をチャンバ１４内に搬入し、ウェハを回転しながら、バルブ９ｄ、９ｉを開き、有機アルカリ溶液の散布を行う。所定の時間処理を行ってフォトレジストが剥離されたら、バルブ９ｄ、９ｉを閉じ、バルブ９ｅ、９ｊを開きイソプロピルアルコールを散布する。所定の時間経過してイソプロピルアルコールによる置換処理が終了したら、バルブ９ｅ、９ｊを閉じ、バルブ９ｂ、９ｋを開いて炭酸水を散布する。このとき、制御回路１８はｐＨメータ７ｃの検出する廃液のｐＨ値に基づいてポンプ８ｃを操作して廃液のｐＨが４〜９に入るようにする。炭酸水による処理が終了したら炭酸水タンク１７からの炭酸水の供給を中止し、純水のみによる処理に切り替える。このとき、バルブ９ｈをあけて窒素ガスを噴射する。」（段落【００２８】）
　
　上記ア〜エの記載及び図面からみて、引用例１には、次の発明が記載されている。
　　
「有機アルカリ溶液処理槽３に、ウェハ１表面上のフォトレジスト（膜）を除去する有機アルカリ溶液を貯留させ、有機アルカリ溶液にウェハ１を浸漬させてウェハ１に対して有機アルカリ溶液による処理を行う工程と、イソプロピルアルコール処理槽４に、イソプロピルアルコール液を貯留させ、イソプロピルアルコール液にウェハ１を浸漬させてウェハ１に対してイソプロピルアルコール液による処理を行うイソプロピルアルコール液処理工程と、リンス槽５に希釈酸性溶液を貯留させ、ウェハ１を浸漬させて処理を行った後、ウェハ１をリンス槽５から引き上げ、乾燥を行う、ウェハ１処理方法。」（以下「引用発明１」という。）
　　
　同じく、原査定において、引用された特開平９−８５１９７号公報（以下「引用例２」という。）図面とともに以下の事項が記載されている。
　
カ「【発明の属する技術分野】本発明は、フロン系溶剤や塩素系溶剤等を用いた洗浄装置に代る各種工業部品等の洗浄装置に関する。
　【従来の技術】
　金属部品、メッキ部品、塗装部品、電子部品、半導体部品、プラスチック部品等の各種部品には、その製造工程や組立工程等において、加工油や塵等をはじめとして様々な汚れが付着する。このような汚れを有する各種部品の洗浄は、従来、ＣＦＣに代表されるフロン系溶剤（ハロゲン化炭化水素系溶剤）や、トリクロロエタン、テトラクロロエチレン、四塩化炭素等の塩素系溶剤により行うことが一般的であった。」（段落【０００１】、【０００２】）
　　
キ「図１は、本発明の一実施形態による洗浄装置の概略構成を示す図である。同図に示す洗浄装置は、大別して汚れ洗浄工程Ａとすすぎ洗浄工程Ｂと乾燥工程Ｃとから主要部が構成されており、これら各工程Ａ、Ｂ、Ｃに被洗浄物が収納された洗浄カゴ１を順に搬送する搬送機構Ｄを有している。
　汚れ洗浄工程Ａは第１の洗浄槽１１を有しており、この第１の洗浄槽１１には水系洗浄液１２が所定量収容されている。この水系洗浄液１２としては、各種公知の水を含む洗浄剤（洗剤）を用いることができ、具体的には無機酸、有機酸、アルカリ等の水溶液、界面活性剤を主成分とする洗剤およびその水溶液、さらにはこれらに各種添加剤を加えたもの等が例示される。また、水系洗浄液１２は、被洗浄物に付着する汚れの種類に応じて適宜選択して使用される。水系洗浄液１２を収容する洗浄槽１１は単槽に限らず、複数槽で構成することもできる。　」（段落【００１６】、【００１７】）
　　　
ク「このような従来法に対して、本発明では第１の洗浄槽１１から引上げられた被洗浄物は、溶剤系洗浄液を使用したすすぎ洗浄工程Ｂに送られる。すすぎ洗浄工程Ｂは第２の洗浄槽２１を有しており、この第２の洗浄槽２１には溶剤系洗浄液２２が所定量収容されている。この溶剤系洗浄液２２には、各種公知の溶剤系洗浄剤を用いることができ、特に環境等への影響を考慮して塩素を実質的に含まない溶剤系洗浄剤を使用することが望ましい。塩素を実質的に含まない溶剤系洗浄剤としては、例えば炭化水素系溶剤（石油系溶剤等を含む）、アルコール系溶剤等を用いることができる。上記炭化水素系溶剤の具体例としては、n-パラフィン系溶剤、イソパラフィン系溶剤、テルペン系溶剤、ナフテン系溶剤等が例示される。これらは単独で用いてもよいし、また 2種以上の混合溶剤として用いてもよい。さらに、これら溶剤にアルコール類や界面活性剤等の各種添加剤を加えて、溶剤系洗浄液２２として使用することも可能である。」（段落【００２１】）
　　　
ケ「図５に示す遠心脱液機を兼ねる回転ブロア式乾燥機６１は、乾燥室６２内に洗浄カゴ１の載置台としての回転体を兼ねる回転ブロア６３が設置されている。回転ブロア６３の周囲には吸気用の羽根６４が設置されおり、回転ブロア６３をモータ６５により回転させることによって、羽根６４により乾燥室６２内への吸気が行われる。この乾燥室６２内への吸気に伴う風によって、洗浄カゴ１に収納された被洗浄物の乾燥（風乾）が行われ、それと同時に回転ブロア６３の中心に載置された洗浄カゴ１が回転することによって遠心脱液が行われる。乾燥室６２の上部に設けられた吸気口にはフィルタ６６が設置されており、また乾燥室６２内に吸気された空気は、排気通路６７を通って排気口６８から排出される。なお、６９は遠心脱液により被洗浄物から除去された排液受けである。
　このように、被洗浄物の遠心脱液を行いつつ風乾を行うことによって、被洗浄物の乾燥をより効果的に実施することができる。また、被洗浄物表面に付着する溶剤系洗浄液２２は、水に比べて蒸発潜熱が水の約1/10程度と小さいため、被洗浄物を基本的に短時間で乾燥させることができる。さらに、従来水系洗浄後や水すすぎ後に問題となっていたシミ等は、乾燥工程Ｃの前工程で溶剤系洗浄液２２を使用することによって、その発生を大幅に抑制することが可能となる。」（段落【００４３】、【００４４】）
　　　
　上記カ〜ケの記載及び図面によれば、引用例２には、
「第１の洗浄槽１１に半導体部品の汚れを洗浄する有機酸、アルカリ等の水溶液１２を貯留させ、該水溶液に半導体部品を浸漬させて半導体部品に対して該液による処理を行う処理工程と、第２の洗浄槽２１にアルコール系溶剤を用いた溶剤系洗浄液２２を貯留させ、該液に半導体部品を浸漬させて半導体部品に対して該液による処理を行う工程の後、半導体部品を移動させ、溶剤系洗浄液の脱液を所定時間行うことにより、半導体部品を乾燥処理する乾燥処理工程と、を有する半導体部品処理方法。」（以下「引用発明２」という。）が記載されている。
　
（３）対比
　そこで、本願発明と引用発明１とを対比すると、引用発明１の「ウェハ１」は本願発明の「基板」に相当し、以下同様に、「フォトレジスト（膜）を除去する」は「不要物を除去する」に、「有機アルカリ溶液」は「有機剥離液」に、「引き上げ、乾燥を行う」は「移動させ、乾燥処理する」に、それぞれ相当する。
　　
　そして、引用発明１における「有機アルカリ溶液処理槽３」及び「イソプロピルアルコール処理槽４」は、基板の表面処理を行う槽である点では、本願発明の「処理槽」と共通するものである。
　　
　したがって、両者は、
「処理槽に基板上の不要物を除去する有機剥離液を貯留させ、有機剥離液に基板を浸漬させて基板に対して有機剥離液による処理を行う有機剥離液処理工程と、処理槽にイソプロピルアルコール液を貯留させ、イソプロピルアルコール液に基板を浸漬させて基板に対してイソプロピルアルコール液による処理を行うイソプロピルアルコール液処理工程と、前記処理槽内のイソプロピルアルコール液から基板を移動させ、乾燥処理する乾燥処理工程と、を有する基板処理方法。」
　の点で一致し、
　
　次の点で相違している。
　　　
［相違点１］
　本願発明では、処理槽がケーシング内に設けられるとともに、ケーシング内に乾燥ゾーンを有し、該乾燥ゾーンに基板を所定時間留置することにより基板上のイソプロピルアルコール液を揮発除去させて乾燥するものであるのに対し、引用発明１では、ケーシングを具備するか不明である点。
　　
［相違点２］
　本願発明では、有機剥離液処理工程で貯留した処理槽から有機剥離液を排出させ、該処理槽に、イソプロピルアルコール液を貯留するものであるのに対し、引用発明１では、有機剥離液処理工程における処理槽と、イソプロピルアルコール液処理工程における処理槽とは別異のものであって、有機剥離液を排出する点については、不明である点。
　　
［相違点３］
　本願発明では、有機剥離液処理工程、イソプロピルアルコール液処理工程に続いて乾燥処理工程を有するものであるのに対し、引用発明１では、有機剥離液処理工程、イソプロピルアルコール液処理工程と、乾燥処理工程との間に、リンス槽５に希釈酸性溶液を貯留させ、ウェハ１を浸漬させて処理を行う工程を介在させている点。
　　
（４）判断
　そこで、上記相違点１〜３について検討する。
　　
　まず、相違点１について検討する。
　半導体ウエハ等の基板を洗浄・乾燥処理する分野において、処理槽をケーシング内に設けるとともに、ケーシング内に乾燥ゾーンを設け、該乾燥ゾーンに基板を所定時間留置することにより基板上のイソプロピルアルコール液を揮発除去させて乾燥するようなことは、本願出願前周知の技術である（例えば、特開平１０−１５４６８９号公報、特開平１１−８２１７号公報、特開平３−１６９０１３号公報参照。）。
　　
　そうすると、引用発明１において、処理槽がケーシング内に設けられるとともに、ケーシング内に乾燥ゾーンを有し、該乾燥ゾーンに基板を所定時間留置することにより基板上のイソプロピルアルコール液を揮発除去させて乾燥するものとした点は、周知技術に基づいて、当業者であれば、容易に想到し得たことである。
　　
　次に相違点２について検討する。
　半導体ウエハ等の基板を洗浄・乾燥処理する分野において、洗浄、乾燥の複数の処理を同じ容器において行うことは、本願出願前周知の技術である（例えば、特開昭６４−８１２３０号公報、特開平３−１６９０１３号公報参照。）。そして、同じ容器で複数の処理を行う際、前処理に用いた液を排出するのは、技術常識といえる。
　
　そして、引用例１においても、複数の処理を同じ容器において行うことは、示唆されている（前記「（２）オ」参照。）。
　
　そうすると、引用例１において、有機剥離液処理工程で貯留した処理槽から有機剥離液を排出させ、該処理槽に、イソプロピルアルコール液を貯留するものとした点は、当業者であれば、周知技術に基づいて、容易に想到し得たことである。
　　
　さらに、相違点３について検討する。
　引用発明２は、前記のとおり、アルコール系溶剤を用いた溶剤系洗浄液に浸漬させ、該液による処理を行う工程（本願発明における「イソプロピルアルコール液処理工程」に相当。）の後、半導体部品（「基板」）を乾燥処理する乾燥処理工程に、移行するものである。
　
　そして、引用発明２も、引用発明１と同様、電子部品の洗浄方法に属する技術である。
　　　
　そうすると、引用発明１において、有機剥離液処理工程、イソプロピルアルコール液処理工程と、乾燥処理工程との間に、リンス槽５に希釈酸性溶液を貯留させ、ウェハ１を浸漬させて処理を行う工程を介在させたものに代えて、有機剥離液処理工程、イソプロピルアルコール液処理工程に続いて乾燥処理工程を有するものとした点は、当業者であれば、必要に応じ、引用発明２に基づいて、容易に想到し得たことである。
　
　また、本願発明の奏する作用効果をみても、引用発明１、引用発明２及び周知技術から当業者が予測できる範囲のものである。
　　　
　したがって、本願発明は、引用発明１及び引用例１記載事項、引用発明２並びに周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　
（５）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明１及び引用例１記載事項、引用発明２並びに周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　
　したがって、本願は、他の請求項に係る発明について検討までもなく拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。