(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ生成機構と、前記プラズマ生成機構により生成されたプラズマを拡散させる真空容器と、前記真空容器の温度を調整する第１の温度調整機構と、前記真空容器の内側壁面に沿って磁場を発生する磁場形成機構と、前記真空容器の内部を減圧状態に保持する排気機構と、前記真空容器の内部にガスを導入するガス導入機構と、前記真空容器内に設置される基板保持機構とを備えたプラズマ処理装置において、
前記磁場形成機構は永久磁石および磁路部を含みかつ前記永久磁石と前記真空容器との間に断熱部が設けられると共に、前記永久磁石の温度を調整する第２の温度調整機構を設け、前記第１の温度調整機構による前記真空容器の温度調整と前記第２の温度調整機構による前記永久磁石の温度調整を独立に行うようにしたことを特徴としたプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記永久磁石の温度は、前記真空容器の温度よりも低い温度に保持されることを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記磁場形成機構を固定する機構と前記真空容器との間に他の断熱部が設けられることを特徴とする請求項１または２記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記磁場形成機構は、前記真空容器の周囲に設けられた熱拡散防止容器内に密封され、前記真空容器と直接に接触することなく固定されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記熱拡散防止容器の内部を真空としたことを特徴とする請求項４記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記磁場形成機構に含まれる前記永久磁石は赤外線を反射する被膜を施されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明はプラズマ処理装置に関し、特に、プラズマ発生機構から拡散するプラズマをプラズマＣＶＤやプラズマエッチングなどに利用するプラズマ処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のプラズマ処理装置の例として、図９および図１０を参照して誘導結合型プラズマ処理装置を説明する。誘導結合型プラズマ処理装置は、誘電体製の放電容器５１およびアンテナ５２からなるプラズマ生成機構を備える。
【０００３】
図９において、環状の高周波電力導入用アンテナ５２によって高周波電力が誘電体製の放電容器５１内に導入される。プラズマ拡散容器５３は金属材で作られる。放電容器５１の内部に反応ガス導入機構によって反応ガスを供給しかつ当該内部を１００Ｐａ以下の所定の放電圧力に維持した状態で、アンテナ５２から高周波電力を導入すると、放電が生じ、これによりプラズマが発生する。反応ガス導入機構は周知なものを使用し、図示を省略している。発生したプラズマ内に存在する活性種は、プラズマ拡散容器５３内に拡散し、プラズマ拡散容器５３内の基板保持機構５４に配置された被処理基板５５の表面を処理する。
【０００４】
図１０は、図９におけるＤ−Ｄ線断面図を示す。プラズマ拡散容器５３には外周に複数個の磁気回路部５６がほぼ等間隔で配置されている。磁気回路部５６は、磁路を形成するヨーク５７とこのヨーク５７に固定された棒状の永久磁石５８とからなる。棒状磁石５８等はプラズマ拡散容器５３の中心軸に対して平行となるように設けられ、かつ隣り合う磁石５８が互いに異極となるように、プラズマ拡散容器５３の外側壁面に接触するように等間隔で配置されている。磁気回路部５６によって形状的にラインカスプ状磁場と呼ばれる磁場形状が生成される。磁気回路部５６によりプラズマ拡散容器５３内に内側壁面に沿う磁束線５９が形成される。プラズマ拡散容器５３の内部の磁束線５９によってプラズマ中の荷電粒子が捕らわれることにより、プラズマ中の荷電粒子について、プラズマ拡散容器５３の内側壁面での衝突による消滅が抑制される。このため、効率的なプラズマの維持が可能である。通常、プラズマ拡散容器５３内に形成された上記磁束線５９をバケット磁場という。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
図９と図１０で示した従来のプラズマ処理装置では、プラズマ拡散容器５３の内側壁面に堆積する堆積膜がパーティクルの発生原因となることが問題となっている。また堆積膜の発生により、プラズマ生成機構により生成されるプラズマの再現性も問題となり、プラズマ処理の再現性にも影響する。これを解決するためには、プラズマ処理の際にプラズマ拡散容器５３を加熱し、プラズマ拡散容器５３の内側壁面に堆積膜が発生しないようにしている。またプラズマ拡散容器５３の内側壁面の温度を上昇させることにより、プラズマ中に存在する粒子の内プラズマ処理に必要とされる活性種の相対的な割合が増加することも報告されている（例えば菅井他、第４１回応用物理学関連連合講演会予稿集  第二分冊  ｐ５３６  ）。このことから、プラズマ拡散容器５３の温度を制御することは、プラズマ処理の最適化を行う重要な因子であると考えられる。
【０００６】
しかし、従来例で示したように、プラズマを効率的に維持するための磁気回路部５６をプラズマ拡散容器５３に直接に接触するように装着しているため、プラズマ拡散容器５３の温度を上昇させた場合、磁気回路部５６の磁石５８の温度もプラズマ拡散容器５３と同様に上昇する。磁石５８は、その温度が上昇すると、室温での状態と比較して減磁される。従って、温度の上昇したプラズマ拡散容器５３に装着された磁気回路部５６のプラズマ閉じ込めの効果は減少する。これを解決するためにプラズマ拡散容器５３に装着された磁石５８を冷却すると、冷却された磁石５８の周囲のみプラズマ拡散容器５３の温度が低下するために、プラズマ拡散容器の内面の温度が均一になるように制御できず、それによって容器壁面に局所的に堆積膜が発生し、パーティクルの発生源となる。
【０００７】
本発明の目的は、上記問題を解決することにあり、プラズマ拡散容器の温度を均一に調整し、パーティクルの発生原因であるプラズマ拡散容器の壁面の堆積膜を抑制できるプラズマ処理装置を提供することにある。
【０００８】
本発明の他の目的は、プラズマ処理の再現性を向上させるプラズマ拡散容器の温度制御と、磁気回路部の磁石の温度制御とを独立に行えるようにし、磁石の熱による劣化を抑制したプラズマ処理装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
第１の本発明（請求項１）に係るプラズマ処理装置は、上記各目的を達成するため、放電容器とアンテナからなるプラズマ生成機構と、プラズマ生成機構により生成されたプラズマを拡散させ、これにより基板処理を行わせる真空容器（プラズマ拡散容器）と、このプラズマ拡散容器の温度を調整する第１の温度調整機構と、プラズマ拡散容器の外側に配置され、プラズマ拡散容器の内側壁面に沿ってその近傍に磁場を発生する磁場形成機構と、プラズマ拡散容器の内部を減圧状態に保持する排気機構と、少なくとも放電容器の内部にガスを導入するガス導入機構と、プラズマ生成機構に対し間隔をあけてプラズマ拡散容器内に設置され、上記基板を載置する基板保持機構とを備え、前記磁場形成機構は永久磁石と磁路部（ヨーク）を含み、かつ少なくとも永久磁石とプラズマ拡散容器との間に断熱部（断熱作用を生じる部分）が設けられると共に、少なくとも永久磁石の温度を調整する第２の温度調整機構を設け、かかる構成において、第１の温度調整機構によるプラズマ拡散容器の温度調整と第２の温度調整機構による少なくとも永久磁石の温度調整を独立に行うように構成される。永久磁石とプラズマ拡散容器との間に設けられる断熱部の構成としては、例えば、永久磁石とプラズマ拡散容器を非接触の状態に保つ構成、またはプラズマ拡散容器から永久磁石までの熱伝導路の距離を長くする構成等が採用される。
【００１０】
第２の本発明（請求項２）に係るプラズマ処理装置は、第１の発明において、好ましくは、永久磁石の温度をプラズマ拡散容器の温度よりも低い温度に保持されるように構成される。
【００１１】
第３の本発明（請求項３）に係るプラズマ処理装置は、第１または第２の発明において、磁場形成機構を固定する機構とプラズマ拡散容器との間に、テフロンスペーサ等の他の断熱部が設けられる。
【００１２】
第４の本発明（請求項４）に係るプラズマ処理装置は、上記の各発明において、磁場形成機構が、プラズマ拡散容器の周囲に設けられた熱拡散防止容器内に密封され、かつプラズマ拡散容器に対して直接に接触することなく固定される。
【００１３】
第５の本発明（請求項５）に係るプラズマ処理装置は、第４の発明において、熱拡散防止容器の内部空間が真空となるように構成される。
【００１４】
第６の本発明（請求項６）に係るプラズマ処理装置は、第１〜第５の各発明において、好ましくは磁場形成機構に含まれる永久磁石に赤外線を反射する被膜を施すようにした。
【００１５】
【作用】
本発明では、まず、プラズマ生成機構の放電容器の内部を排気機構によって所定の減圧状態にし、反応ガス導入機構によって放電容器内に反応ガスを導入し、アンテナに高周波電力を供給すると、反応ガスが活性化され、放電容器内でプラズマが生成される。放電容器内で生成されたプラズマは、プラズマ拡散容器内に拡散され、プラズマ拡散容器内に配置された基板保持機構上の基板に対して与えられる。こうして基板の表面はプラズマによって処理される。上記のプラズマによる基板の表面処理において、処理の効果を高めるためプラズマ拡散容器の温度を第１温度調整機構により最適な温度に調整・制御すると共に、磁場形成機構の永久磁石によってプラズマ拡散容器の内側壁面に沿ってバケット磁場を形成し、これによりプラズマ中の荷電粒子を捕らえ、容器壁での衝突による消滅を抑制する。また磁場形成機構の永久磁石は、プラズマ拡散容器との間で互いに温度の影響を与えないように断熱部を介して設けられ、かつ永久磁石の温度は、プラズマ拡散容器の第１温度調整機構とは別個であってこれに対して独立に動作する第２の温度調整機構によって調整・制御されるようにした。こうして、プラズマ拡散容器の温度を所望温度に調整してプラズマ処理に必要な活性種の制御を行う一方、磁場形成機構の永久磁石において減磁状態が生じないように永久磁石を適切な温度状態に保持する。
【００１６】
【実施例】
以下に、本発明の実施例を添付図面に基づいて説明する。
【００１７】
図１〜図３は本発明に係るプラズマ処理装置の第１実施例を示し、図１は一部を切り欠いて示した外観斜視図、図２は図１中のＡ−Ａ線断面図、図３は図２中のＢ−Ｂ線断面図である。
【００１８】
本実施例のプラズマ処理装置は、一例として誘導結合型プラズマ処理装置である。１１は誘電体製の放電容器、１２はプラズマ拡散容器である。放電容器１１の下端部は開放され、プラズマ拡散容器１２に通じている。本実施例では放電容器１１の側壁が石英製であり、上側の管端部１３が金属製エンドプレートとなっている。なお放電容器１１の全体が石英製であっても良い。プラズマ拡散容器１２の内部には基板保持機構１４が設けられ、その上に被処理基板１５が配置される。１６はプラズマ拡散容器１２を取り囲んで設置される熱拡散防止容器である。熱拡散防止容器１６は、その下部が、例えばプラズマ拡散容器１２の外面下部に固定され、かつその上部はプラズマ拡散容器１２の外面から隙間を介して離れた状態であり、接触しない状態で配置される。プラズマ拡散容器１２の外面の周囲には、外面に対して非接触状態で例えば２本の棒状の永久磁石（以下「磁石」という）１７を取り付けたヨーク１８が配置される。ヨーク１８は、磁石１７で発生する磁力線の磁路となる。棒状の磁石１７およびヨーク１８は、プラズマ拡散容器１２の中心軸に平行に配置される。ヨーク１８は、熱拡散防止容器５の上壁部から懸架された状態で設けられ、これによって磁石１７に関するプラズマ拡散容器１２に対する上記非接触状態を実現する。放電容器１１の下部周囲には円環状のアンテナ１９が配置される。アンテナ１９には電力供給系２０から必要な電力が供給される。プラズマ拡散容器１２には真空排気機構２１に接続されるパイプ部材２１ａが設けられる。パイプ部材２１ａを通して排気が行われると、プラズマ拡散容器１２および放電容器１１の内部空間は所望の真空状態に減圧される。
【００１９】
上記プラズマ処理装置を動作するには、油回転ポンプや油拡散ポンプ等を含む真空排気機構２１によってプラズマ拡散容器１２および放電容器１１を所定の真空状態にした後、図示しない周知の反応ガス導入機構により反応ガスを放電容器１１の部分から導入しながら、同時に真空排気を行って１００Ｐａ以下の所定の減圧状態を保つ。そして放電容器１１を取り巻くアンテナ１９に電力供給系２０により高周波電力を印加して放電容器１１内で高周波放電によりプラズマを生成し、反応ガスの粒子を活性化させる。
【００２０】
プラズマ拡散容器１２の内部に放電容器１１に対向する形で設置された基板保持機構１４の上に保持された基板１５の表面は、放電容器１１内で生成されたプラズマ中の活性種により処理される。この際に、内部に熱媒経路２２を備えたプラズマ拡散容器１２は、当該熱媒経路２２に対して熱媒を供給する温度調整機構２３により例えば７０℃以上の所定の温度に保たれており、プラズマ処理に必要な活性種の制御が行われている。例えば液体流路のような熱媒経路２２は入り口部と出口部（図示省略）を有し、温度調整機構２３から適切な温度に設定された液体等の熱媒が供給される。温度調整機構２３に含まれるサーキュレータを介して供給される熱媒は、プラズマ拡散容器１２の温度条件に応じて熱媒経路２２に対し出し入れされる。またプラズマ拡散容器１２の周囲には熱拡散防止容器１６を設けることによって、熱媒経路２２を流れる熱媒によって加熱されているプラズマ拡散容器１２の熱が、対流によって外部に逃げることを抑制している。
【００２１】
図２および図３に示すように、棒状の磁石１７にはヨーク１８の裏面に配置された液冷管２４により液冷却が施されている。熱拡散防止容器１６の上壁部には冷却液を流す冷却通路２５が形成されている。液冷管２４に対して冷却液を供給するための装置の図示は省略される。各ヨーク１８の冷却管２４、冷却通路２５、冷却液供給装置によって、磁石１７の温度を適切に調整するための温度調整機構が構成される。
【００２２】
図２に示すように、棒状の磁石１７はプラズマ拡散容器１２の中心軸に対して平行となる状態で、プラズマ拡散容器１２の外側壁に一周にわたり互いに隣り合う磁石１７の磁極が異なるように複数個配置される。複数の磁石１７によっていわゆるラインカスプ状磁場と呼ばれる磁場２６がプラズマ拡散容器１２の内側壁面に沿って形成される。
【００２３】
また図３に示すように、磁石１７とヨーク１８を含んでなる磁気回路部２７は、前述したように熱拡散防止容器１６の上壁部より懸架された状態で設けられ、かつ、前述した通りプラズマ拡散容器１２の外側壁面とバケット磁場用磁石１７を直接に接触させない構造としている。かかる構造によれば、プラズマ拡散容器１２から熱拡散防止容器１６を経由し棒状の磁石１７に至る熱の伝導経路を長くとることが可能である。材質としては、プラズマ拡散容器１２の温度の良好な均一性を得るために、プラズマ拡散容器１２には熱伝導率の大きいアルミニウムを用い、プラズマ拡散容器１２の熱がヨーク１８に伝導されにくくするために、プラズマ拡散容器１２からヨーク１８に至る熱伝導経路である熱拡散防止容器１６には熱伝導率の小さいステンレスを用いる。従って、プラズマ拡散容器１２から棒状の磁石１７への温度の伝達は、実質的に空気の対流と熱輻射による熱伝達となるため、ヨーク１８の液冷却の影響がプラズマ拡散容器１２に伝達されにくくなると同時に、プラズマ拡散容器１２の加熱の影響が磁石１７に対して伝達されにくくなる。
【００２４】
本実施例では、プラズマ処理の条件としてプラズマ拡散容器１２の温度を上昇させる必要がある場合に、従来例のごとく棒状の磁石１７を直接に装着したプラズマ拡散容器１２を加熱する場合と異なり、プラズマ拡散容器１２を温度を高めても磁石１７の効果を低下させることはない。また本実施例では、従来例のようにプラズマ拡散容器１２の棒状磁石が直接装着されている部分の温度が局所的に低下することはなく、プラズマ拡散容器１２の均一な加熱が可能となり、これによってプラズマ拡散容器１２の温度制御と磁石１７の温度制御を実質的に独立に行うことができる。また磁石１７の温度は、プラズマ拡散容器１２の温度よりも低い温度に保持されることが好ましい。
【００２５】
また棒状磁石１７の表面に赤外線を反射する被膜を付けることによって、熱輻射による磁石１７の温度上昇をさらに抑制することができる。
【００２６】
また上記実施例で、熱拡散防止容器１６をプラズマ拡散容器１２に固定したが、熱拡散防止容器１６をプラズマ拡散容器１２以外の部分に固定することによっても実質的な断熱層（断熱部）を形成することが可能である。
【００２７】
本発明の第２実施例を図４を参照して説明する。この実施例は、第１実施例の熱拡散防止容器１６の一部に熱伝導率のより小さい材質であるテフロンのスペーサ２８を挟み込んだ例を示す。本実施例では、第１実施例と比較して、加熱されたプラズマ拡散容器１２の熱がヨーク１８にさらに伝導されにくい構造を持つことを特徴とし、その他の構成は第１実施例の構成と同じである。このため、プラズマ拡散容器１６の温度の影響がヨーク１８にさらに影響しにくく、プラズマ拡散容器１２の温度制御と磁石１７の温度制御を実質的に独立に行うことをさらに効率的に行うことが可能である。また第２実施例でも、第１実施例と同様に、棒状の磁石１７に赤外線を反射する被膜を付けることで、熱輻射による棒状磁石１７の温度上昇をさらに抑制することが可能である。
【００２８】
なお本実施例では、熱拡散防止容器１６に挟み込んだスペーサ２８の材質をテフロンとしたが、熱拡散防止容器１６より熱伝導率の小さい材質であれば他の材質を用いることできる。
【００２９】
図５は、本発明の第３実施例を示す。第３の実施例では、板状のヨーク２９の裏面に支持板３０を設け、これを熱拡散防止容器１６の側壁部を通して、プラズマ拡散容器１２の半径方向に移動が可能なように挿入して取り付け、プラズマ拡散容器１２の外側面と棒状磁石１７を直接に接触させない構造としている。磁気回路部２７は、上記実施例とは異なり、熱拡散防止容器１６の上壁部から懸架させない構造としている。この構造によれば、プラズマ拡散容器１２から熱拡散防止容器１６を経由してヨーク２９に至る熱の伝導経路は、第１実施例と比較して短くなるが、ヨーク２９の移動が可能であるため、任意の磁場強度のバケット磁場２６（図２に示す）をプラズマ拡散容器１２内に形成することが可能である。従って本実施例では、プラズマ拡散容器１２と磁石１７を独立に温度制御できると共に、磁石１７により形成されるバケット磁場２６の強度を任意に設定することが可能である。本実施例によれば、第１および第２の実施例と同様に、プラズマ拡散容器１２と磁石１７の各温度制御に関し実質的に独立な温度制御が可能であり、また棒状磁石１７に赤外線を反射する被膜を付けることで熱輻射による磁石１７の温度上昇をさらに抑制できる。
【００３０】
図６は、本発明の第４の実施例を示す。本実施例は、プラズマ拡散容器１２と熱拡散防止容器１６の間の隙間を完全になくし、熱拡散防止容器１６の内部空間を完全に密封状態とし、空気の対流により熱が熱拡散防止容器１６より完全に外に逃げない構造を有する。これによりプラズマ拡散容器１２の加熱を行うための熱損失を抑制し、さらに効率的なプラズマ拡散容器１２の加熱が可能である。また熱拡散防止容器１６の内部空間を１０−３Ｔｏｒｒ以下の真空とすることにより、空気の対流によるプラズマ拡散容器１２からの熱損失を抑制し、効率的なプラズマ拡散容器１２の加熱が可能である。従って本実施例の構成では、プラズマ拡散容器１２から棒状の磁石１７への熱伝達は実質的に熱輻射のみとなる。
【００３１】
本実施例によれば、第１〜第３の実施例と同様にプラズマ拡散容器１２と磁石１７の独立な温度制御がさらに可能となる。また棒状の磁石１７に赤外線を反射する被膜を付けることで、熱輻射による棒状の磁石１７の温度上昇をさらに抑制することが可能である。
【００３２】
図７および図８は、本発明の第５の実施例を示す。本実施例は、プラズマ拡散容器１２内にリングカスプ状磁場を形成する構成を有する。図７は図１と同様な外観斜視図、図８は図７におけるＣ−Ｃ線断面図である。図７および図８において、前記各実施例で説明した要素と実質的に同一の要素には同一の符号を付している。本実施例では、上記実施例と同様に、アルミニウム製のプラズマ拡散容器１２にはステンレス製の熱拡散防止容器１６を設けることによって、加熱されているプラズマ拡散容器１２の熱が対流により外部に逃げることを抑制している。環状の磁石３１には、環状のヨーク３２の裏面に配置された液冷管２４により液冷却が施されている。
【００３３】
本実施例では、環形状を有する磁石３１が、各々の中心軸がプラズマ拡散容器１２の中心軸と一致するように配置され、プラズマ拡散容器１２の中心軸方向に複数個配置されている。図８に示すように、環状のヨーク３２に取り付けられた２本の環状磁石３１によって磁気回路部２７が構成され、各磁気回路部２７は熱拡散防止容器１６の下壁部に設けられた支持部材３３より支持され、前記各実施例と同様にプラズマ拡散容器１６の外側面と磁石３１とを直接に接触させない構造としている。磁石３１によって、リングカスプ状磁場と呼ばれる磁場３４がプラズマ拡散容器１２の内側壁面に沿って形成される。
【００３４】
上記実施例によれば、前述の各実施例と同様に、プラズマ拡散容器１２と磁石３１の独立の温度制御が実質的に可能である。また第２実施例による構成を適用することにより、プラズマ拡散容器１２の温度制御と磁石３１の温度制御をさらに効率的に独立して行うことが可能である。また、磁石３１に赤外線を反射する被膜を付けることで、熱輻射による磁石３１の温度上昇をさらに抑制することが可能である。なお本実施例では、リングカスプ状磁場の例を挙げたが、チェッカーボード状磁場等の他のバケット磁場形状に本発明の構成を適用できることは勿論である。
【００３５】
上記の各実施例では、プラズマ拡散容器１２の材質として内側壁面の温度の均一性を得るために熱伝達係数の高いアルミニウム、熱拡散防止容器１６の材質として熱伝達係数の低いステンレスを用いた例を示したが、適当な他の材質でも可能であることはいうまでもない。また上記実施例では、プラズマ拡散容器１２の効率的な加熱を行うため熱拡散防止容器１６のみを設けたが、さらに効率的な加熱のために外側の壁部の数を増やすことが可能である。また上記実施例では、プラズマ拡散容器１２の形状が円筒形の実施例であったが、本実施例の効果は、加熱されたプラズマ拡散容器１２の形状によらないことは勿論である。
【００３６】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように本発明によれば、プラズマ処理を行うための真空容器とこの真空容器の内部にバケット磁場を作る磁場形成機構との間に断熱部を設けて相互の温度影響を可能な限り少なくし、かつ真空容器の温度制御を行う第１温度調整機構と磁場形成機構の温度制御を行う第２温度調整機構を設け、プラズマ拡散用真空容器の温度制御と磁場形成機構の温度制御を独立に行うようにしたため、磁石の減磁を少なくすると共に、プラズマ拡散用真空容器を任意な温度で均一に温度制御できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るプラズマ処理装置の第１実施例を示す一部を切り欠いた外観斜視図である。
【図２】図１中のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】図２中のＢ−Ｂ線断面図である。
【図４】本発明の第２実施例を示し、図３に類似する要部縦断面図である。
【図５】本発明の第３実施例を示し、図３に類似する要部縦断面図である。
【図６】本発明の第４実施例を示し、図３に類似する要部縦断面図である。
【図７】本発明の第５実施例を示す一部を切り欠いた外観斜視図である。
【図８】第５実施例における図３と同様な図である。
【図９】従来のプラズマ処理装置を示す一部を切り欠いた外観斜視図である。
【図１０】図９におけるＤ−Ｄ線断面図である。
【符号の説明】
１１                                    放電容器
１２                                    プラズマ拡散容器
１４                                    基板保持機構
１５                                    被処理基板
１６                                    熱拡散防止容器
１７                                    バケット磁場用永久磁石
１８                                    ヨーク
１９                                    アンテナ
２０                                    電力供給系
２１                                    真空排気機構
２２                                    熱媒経路
２３                                    温度調整機構
２４                                    液冷管
２６                                    磁力線
２７                                    磁気回路部
２８                                    テフロンスペーサ
【図１】
0003585578.tif 000002
【図２】
0003585578.tif 000003
【図３】
0003585578.tif 000004
【図４】
0003585578.tif 000005
【図５】
0003585578.tif 000006
【図６】
0003585578.tif 000007
【図７】
0003585578.tif 000008
【図８】
0003585578.tif 000009
【図９】
0003585578.tif 000010
【図１０】
0003585578.tif 000011