【事件の表示】
　平成　７年特許願第２４１５３８号「横方向共振トンネリング」拒絶査定不服審判事件〔平成　８年　７月１２日出願公開、特開平　８−１８１３３５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成７年９月２０日（パリ条約による優先権主張　１９９４年９月２０日、米国）の出願であって、平成１９年３月２０日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年６月２５日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年７月２５日付けで手続補正がなされたものである。
　
第２　平成１９年７月２５日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）の却下について
　［補正却下の決定の結論］
　平成１９年７月２５日付けの手続補正を却下する。
　［理由］
　１．本件補正の内容
　本件補正は、補正前の特許請求の範囲の請求項１ないし８を、補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし８と補正するものであって、補正前及び補正後の請求項１及び７は、以下のとおりである。
　
（補正前）
「【請求項１】　横方向共振トンネリング構造体を製造する方法において、
　半導体本体上に第１の材料から成る層状体を設けるステップであって、前記層状体が、前記半導体本体の表面の一部分を露出させる開口部を有してなるステップと、
　前記表面の前記一部分に垂直な方向とは異なる方向に、前記開口部に第２の材料を被着するステップと、
　前記表面の前記一部分に垂直な方向にて、前記開口部に第３の材料を被着し、前記半導体本体上に絶縁分離されたリッジを形成するステップと、
　前記第１の材料を覆う前記第３の材料の少なくとも一部を除去するステップと、
　前記絶縁分離されたリッジから離隔して、前記表面の前記一部分の前記半導体材料を溝切りするステップと、を具備したことを特徴とする方法。」
「【請求項７】　半導体本体と、
　前記半導体本体上の第１のクラッド層と、
　前記第１のクラッド層上の量子ウェルと、
　前記量子ウェル上の第２のクラッド層と、
　前記第１のクラッド層と前記量子ウェルとを通して少なくとも部分的には前記第２のクラッド層にまで垂直に延びている少なくとも２つのトンネリング障壁であって、前記第２のクラッド層は、前記量子ウェルを少なくとも３つの絶縁分離された部分に分割し、サブリソグラフィー厚さを有する前記少なくとも２つのトンネリング障壁と、
　前記少なくとも３つの絶縁分離された部分のうちの２つに対するコンタクトであって、前記２つの部分はおのおのが、前記トンネリング障壁の１つから離隔してなる前記コンタクトと、を具備したことを特徴とする横方向共振トンネリング構造体。」
　
（補正後）
「【請求項１】　横方向共振トンネリング構造体を製造する方法において、
　上部クラッド層と、底部クラッド層と、該上部クラッド層と該底部クラッド層との間のウェル層とを含む半導体本体を形成して、前記上部クラッド層に第１の材料を設けるステップであって、前記第１の材料は、前記上部クラッド層の表面の一部分を露出させる開口部を有してなるステップと、
　前記上部クラッド層の前記表面の前記一部分に垂直な方向とは異なる方向に、前記開口部に第２の材料を前記第１の材料上に被着し、前記第２の材料は前記開口部にオーバーハング状に形成されるステップと、
　前記上部クラッド層の前記表面の前記一部分に垂直な方向にて、前記開口部に第３の材料を被着し、前記第２の材料が前記開口部にオーバーハング状に形成することにより、前記上部クラッド層上に且つ前記開口部に絶縁分離されたリッジを形成するステップと、
　前記第１の材料を覆う前記第３の材料の少なくとも一部を除去するステップと、
　前記上部クラッド層を通り、前記ウェル層を通り、前記底部クラッド層へ入り込む一対の溝を前記絶縁分離されたリッジの両側に形成するステップと、
を具備したことを特徴とする方法。」
「【請求項７】　半導体本体と、
　前記半導体本体上の第１のクラッド層と、
　前記第１のクラッド層上の量子ウェルと、
　前記量子ウェル上の第２のクラッド層と、
　前記第２のクラッド層と前記量子ウェルとを通して少なくとも部分的には前記第１のクラッド層にまで垂直に延びている少なくとも２つのトンネリング障壁であって、前記量子ウェルを少なくとも３つの絶縁分離された部分に分割し、サブリソグラフィー厚さを有し、前記第１のクラッド層および前記第２のクラッド層と同じ材料を有する前記少なくとも２つのトンネリング障壁と、
　前記少なくとも３つの絶縁分離された部分のうちの２つに対するコンタクトであって、前記２つの部分はおのおのが、前記トンネリング障壁の１つから離隔してなる前記コンタクトと、を具備したことを特徴とする横方向共振トンネリング構造体。」
　
　２．補正事項の整理
　補正事項１
　補正前の請求項１の「半導体本体上に第１の材料から成る層状体を設けるステップであって、前記層状体が、前記半導体本体の表面の一部分を露出させる開口部を有してなるステップ」を、補正後の請求項１の「上部クラッド層と、底部クラッド層と、該上部クラッド層と該底部クラッド層との間のウェル層とを含む半導体本体を形成して、前記上部クラッド層に第１の材料を設けるステップであって、前記第１の材料は、前記上部クラッド層の表面の一部分を露出させる開口部を有してなるステップ」と補正すること。
　
　補正事項２
　補正前の請求項１の「前記表面の前記一部分に垂直な方向とは異なる方向に、前記開口部に第２の材料を被着するステップ」を、補正後の請求項１の「前記上部クラッド層の前記表面の前記一部分に垂直な方向とは異なる方向に、前記開口部に第２の材料を前記第１の材料上に被着し、前記第２の材料は前記開口部にオーバーハング状に形成されるステップ」と補正すること。
　
　補正事項３
　補正前の請求項１の「前記表面の前記一部分に垂直な方向にて、前記開口部に第３の材料を被着し、前記半導体本体上に絶縁分離されたリッジを形成するステップ」を、補正後の請求項１の「前記上部クラッド層の前記表面の前記一部分に垂直な方向にて、前記開口部に第３の材料を被着し、前記第２の材料が前記開口部にオーバーハング状に形成することにより、前記上部クラッド層上に且つ前記開口部に絶縁分離されたリッジを形成するステップ」と補正すること。
　
　補正事項４
　補正前の請求項１の「前記絶縁分離されたリッジから離隔して、前記表面の前記一部分の前記半導体材料を溝切りするステップ」を、補正後の請求項１の「前記上部クラッド層を通り、前記ウェル層を通り、前記底部クラッド層へ入り込む一対の溝を前記絶縁分離されたリッジの両側に形成するステップ」と補正すること。
　
　補正事項５
　補正前の請求項７の「前記第１のクラッド層と前記量子ウェルとを通して少なくとも部分的には前記第２のクラッド層にまで垂直に延びている少なくとも２つのトンネリング障壁であって、前記第２のクラッド層は、前記量子ウェルを少なくとも３つの絶縁分離された部分に分割し、サブリソグラフィー厚さを有する前記少なくとも２つのトンネリング障壁」を、補正後の請求項７の「前記第２のクラッド層と前記量子ウェルとを通して少なくとも部分的には前記第１のクラッド層にまで垂直に延びている少なくとも２つのトンネリング障壁であって、前記量子ウェルを少なくとも３つの絶縁分離された部分に分割し、サブリソグラフィー厚さを有し、前記第１のクラッド層および前記第２のクラッド層と同じ材料を有する前記少なくとも２つのトンネリング障壁」と補正すること。
　
　３．本件補正についての検討（その１）
　まず、本件補正に関し、補正の目的について以下に検討する。
　補正事項１について
　補正事項１を、補正前の請求項１の「半導体本体」を、補正後の請求項１の「上部クラッド層と、底部クラッド層と、該上部クラッド層と該底部クラッド層との間のウェル層とを含む半導体本体」であると補正すること（補正事項１−１）と、補正前の請求項１の「半導体本体上に第１の材料から成る層状体を設けるステップであって、前記層状体が、前記半導体本体の表面の一部分を露出させる開口部を有してなるステップ」を、補正後の請求項１の「半導体本体」の「前記上部クラッド層に第１の材料を設けるステップであって、前記第１の材料は、前記上部クラッド層の表面の一部分を露出させる開口部を有してなるステップ」と補正すること（補正事項１−２）に区分する。
　補正事項１−１について
　補正事項１−１についての補正は、補正前の請求項１の「横方向共振トンネリング構造体」の「半導体本体」がどのような半導体層で構成されるかについて限定するものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　補正事項１−２について
　補正事項１−２についての補正は、「第１の材料」について、補正前の請求項１の「半導体本体」上に形成するものを、補正後の請求項１の「半導体本体」を構成する「上部クラッド層」上に形成するものであると限定するとともに、「開口部」について、補正前の請求項１の「半導体本体の表面の一部分を露出させる開口部」を、補正後の請求項１の「前記上部クラッド層の表面の一部分を露出させる開口部」と限定するものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
　補正事項２について　
　補正事項２についての補正は、補正前の請求項１の「前記表面の前記一部分に垂直な方向とは異なる方向に、前記開口部」に「第２の材料」を形成することを、補正後の請求項１の「前記上部クラッド層の前記表面の前記一部分に垂直な方向とは異なる方向に、前記開口部」に「第２の材料」を形成することに限定するとともに、被着される「第２の材料」の形成される形状について、補正後の請求項１の「前記開口部にオーバーハング状に形成される」と限定するものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
　補正事項３について
　補正事項３についての補正は、「第３の材料」の被着について、補正前の請求項１の「前記表面の前記一部分に垂直な方向にて、前記開口部に」を、補正後の請求項１の「前記上部クラッド層の前記表面の前記一部分に垂直な方向にて、前記開口部に」と限定するとともに、「リッジ」を形成する部分について、補正前の請求項１の「前記半導体本体上に絶縁分離されたリッジを形成する」を、補正後の請求項１の「前記上部クラッド層上に且つ前記開口部に絶縁分離されたリッジを形成する」と限定するものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
　補正事項４について
　補正事項４についての補正は、溝を「リッジ」から絶縁分離して、「半導体本体」のどの部分に形成するかについて、補正前の請求項１の「前記絶縁分離されたリッジから離隔して、前記表面の前記一部分の前記半導体材料を溝切」るを、補正後の請求項１の「前記上部クラッド層を通り、前記ウェル層を通り、前記底部クラッド層へ入り込む一対の溝を前記絶縁分離されたリッジの両側に形成する」と限定するものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
　したがって、補正事項１ないし４についての補正からなる請求項１についての補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしている。
　
　補正事項５について
　補正事項５についての補正は、実質的には、補正前の請求項７の「前記少なくとも２つのトンネリング障壁」を、補正後の請求項７の「前記第１のクラッド層および前記第２のクラッド層と同じ材料を有する前記少なくとも２つのトンネリング障壁」と補正するものであって、補正前の請求項７の「トンネリング障壁」の材料を特定するものである。
　ここで、トンネリング障壁の材料を特定することは、補正前の請求項７の、トンネリング障壁の材料については言及せず、形成位置及び厚さについてのみ言及した「前記量子ウェルを少なくとも３つの絶縁分離された部分に分割し、サブリソグラフィー厚さを有する」なる課題解決手段を概念的に下位のものにしたとは言えず、補正前の請求項７に記載された発明の発明特定事項を限定的に減縮したものには該当しない。
　また、補正事項５についての補正は、請求項の削除、誤記の訂正又は明りょうでない記載の釈明にも該当しないことは明らかである。
　
　したがって、補正事項５についての補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　４．本件補正についての検討（その２）
　次に、本件補正に関し、独立特許要件について以下に検討する。
　上記３．において検討したとおり、補正前の請求項１についての補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するから、更に、補正後の請求項１に係る発明が特許出願の際に独立して特許を受けられるものであるか否かについて検討する。　
　
（１）本願の発明の詳細な説明及び図面に記載された発明について
　本願の明細書又は図面には、本願の図４、図６ないし図９及び、０００９段落ないし００２７段落を参照すると、「横方法共振トンネリング構造体」を製造する方法について、以下の発明（以下、「開示本願発明」という。）が記載されている。　
「横方向共振トンネリング構造体を製造する方法において、
（ア）上部クラッド層と、底部クラッド層と、該上部クラッド層と該底部クラッド層との間のウェル層とを含む半導体本体を形成して、前記上部クラッド層にＰＭＭＡを設けるステップであって、前記ＰＭＭＡは、前記上部クラッド層の表面の一部分を露出させる開口部を有してなるステップと、
（イ）前記ＰＭＭＡの垂直側壁上に、窒化膜を形成し、前記開口部より幅が狭く、前記上部クラッド層の表面の一部分を露出させる第２の開口部を形成するステップと、
（ウ）前記上部クラッド層の前記表面の前記一部分に垂直な方向とは異なる方向に、前記第２の開口部を含む前記ＰＭＭＡ上及び前記窒化膜上に第１の金属層であるアルミニウムを被着し、前記第１の金属層は前記第２の開口部にオーバーハング状に形成されるステップと、
（エ）前記上部クラッド層の前記表面の前記一部分に垂直な方向にて、前記第２の開口部に第２の金属層であるアルミニウムを被着し、前記第１の金属層が前記第２の開口部にオーバーハング状に形成されることにより、前記上部クラッド層上に且つ前記第２の開口部に絶縁分離されたリッジを形成するステップと、
（オ）前記第１の金属層を覆う前記第２の金属層の少なくとも一部を除去するステップと、
（カ）前記第２の開口部にオーバーハング状に形成された前記第１の金属層を除去するステップと、
（キ）前記上部クラッド層を通り、前記ウェル層を通り、前記底部クラッド層へ入り込む一対の溝を前記絶縁分離されたリッジの両側に形成するステップと、
（ク）前記一対の溝内に、トンネリング障壁半導体層をエピタキシャル成長するステップと、
　を具備したことを特徴とする方法。」
　
　なお、本願の図１０ないし図１５及び、００２８段落ないし００４３段落に記載される「多重横方向共振トンネリング構造体」の製造方法においても、上記（ア）ないし（ク）のステップが必須であることは明らかである。
　
（２）補正後の請求項１に係る発明
　補正後の請求項１に係る発明（以下、「補正発明」という。）は、以下のとおりである。（ここで、「（ａ）」ないし「（ｅ）」は当合議体において付加したものである。）　
「【請求項１】　横方向共振トンネリング構造体を製造する方法において、
（ａ）上部クラッド層と、底部クラッド層と、該上部クラッド層と該底部クラッド層との間のウェル層とを含む半導体本体を形成して、前記上部クラッド層に第１の材料を設けるステップであって、前記第１の材料は、前記上部クラッド層の表面の一部分を露出させる開口部を有してなるステップと、
（ｂ）前記上部クラッド層の前記表面の前記一部分に垂直な方向とは異なる方向に、前記開口部に第２の材料を前記第１の材料上に被着し、前記第２の材料は前記開口部にオーバーハング状に形成されるステップと、
（ｃ）前記上部クラッド層の前記表面の前記一部分に垂直な方向にて、前記開口部に第３の材料を被着し、前記第２の材料が前記開口部にオーバーハング状に形成することにより、前記上部クラッド層上に且つ前記開口部に絶縁分離されたリッジを形成するステップと、
（ｄ）前記第１の材料を覆う前記第３の材料の少なくとも一部を除去するステップと、
（ｅ）前記上部クラッド層を通り、前記ウェル層を通り、前記底部クラッド層へ入り込む一対の溝を前記絶縁分離されたリッジの両側に形成するステップと、
を具備したことを特徴とする方法。」
　
（３）補正発明の検討
　補正発明と開示本願発明とを対比検討する。
　補正発明と開示本願発明とを対比するに、補正後の請求項３及び４に「第１の材料が、ＰＭＭＡであ」ると記載されているので、補正発明の「第１の材料」が「ＰＭＭＡ」であるとすると、補正発明の「第１の材料」、「第２の材料」及び「第３の材料」が、それぞれ、開示本願発明の「ＰＭＭＡ」、「第１の金属層であるアルミニウム」及び「第２の金属層であるアルミニウム」にそれぞれ相当するから、補正発明のステップ（ａ）ないし（ｅ）は、それぞれ、開示本願発明のステップ（ア）、（ウ）、（エ）、（オ）及び（キ）にほぼ対応する。
　しかしながら、補正発明は、開示本願発明のステップ（イ）、（カ）及び（ク）を備えていないことは明らかである。
　
　ステップ（イ）について　
　ここで、開示本願発明のステップ（イ）を備えていない補正発明においては、ステップ（ａ）（図６（ａ）に相当）の後に、ステップ（ｂ）（図７（ａ）に相当）を実施しようとしているものの、図６（ｂ）、（ｃ）及びその説明から明らかなように、ＰＭＭＡの垂直側壁上に、窒化膜を形成するステップ（開示本願発明の（イ））を備えていないから、ステップ（ａ）（図６（ａ）に相当）の後に、ステップ（ｂ）（図７（ａ）に相当）を実施することができないことは明らかである。
　仮に、図６（ａ）において、補正発明のステップ（ｂ）を実施した場合には、図７（ｃ）、図８（ａ）ないし（ｃ）において、窒化物６２２を備えていないものとなり、図８（ｂ）に記載された金属６３０の周囲に形成されているレジストを除去する工程において、ＰＭＭＡの一部も除去されることとなるから不都合であることは明らかである。もっとも、補正発明は図７（ｃ）のレジストを形成する工程も、図８（ａ）及び図８（ｃ）のレジストを除去する工程も、備えていない。
　さらに、図６（ａ）において、ステップ（イ）を実施せずに、補正発明のステップ（ｂ）及び（ｃ）を実施した場合には、十分に幅の狭い金属リッジを形成することが極めて困難であることは明らかである。　
　
　ステップ（カ）について
　補正発明においては、ステップ（ｅ）（図９（ａ）に相当）において、「金属リッジ６３０」及び「ＰＭＭＡ及び窒化物６２２上に形成された金属」をマスクとしたエッチングにより、「一対の溝」を形成している。ここで、「金属リッジ６３０」は、図７（ｂ）（ステップ（ｃ）に対応）の工程において、「前記開口部にオーバーハング状に形成」された「第２の材料」をマスクとして、形成していることは明らかであり、また、「前記開口部にオーバーハング状に形成」された「第２の材料」をマスクとするからこそ、「金属リッジ６３０」と「窒化物６２２」の側壁とが空間的に分離されるのである。そして、この分離された空間（「金属リッジ６３０」と「窒化物６２２」との間）に、分離された幅に対応する「一対の溝」が「前記上部クラッド層の前記表面の前記一部分」に形成されるのである。
　してみれば、補正発明のステップ（ｂ）で形成された、「第２の材料」からなる「前記開口部にオーバーハング状に形成」されたものを除去しなければ、「一対の溝」が形成できないことは明らかである。
　しかるに、補正発明は、開示本願発明のステップ（カ）を備えていないから、ステップ（ｅ）を実施することができないことは明らかである。
　
　ステップ（キ）について
　補正発明の「横方向共振トンネリング構造体」が、横方向の共振トンネリング動作、言い換えると、「障壁」を介して電子の共鳴トンネリングという現象が起こるためには、補正発明の「横方向共振トンネリング構造体」が「障壁」を備えることが必要であることは明らかであり、そのためには、補正発明のステップ（ｅ）で形成される「一対の溝」に「障壁（層）」を形成することが必要であることは明らかである。
　しかるに、補正発明の「製造する方法」は、開示本願発明のステップ（キ）を備えていないから、上記「製造する方法」により、補正発明の「横方向共振トンネリング構造体」が製造できないことは明らかである。
　
　また、請求項の記載を転記した００５８段落ないし００６８段落を除いて、補正発明は、開示本願発明の上位概念の発明として、本願の発明の詳細な説明又は図面には記載されていない。
　
　したがって、補正発明は、本願の発明の詳細な説明に記載したものではなく、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていないから、特許出願の際に独立して特許を受けることができない。
　
　よって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　５．むすび
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定に違反し、また、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明
　平成１９年７月２５日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、平成１９年１月２２日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、本願の請求項１ないし７は、以下のとおりである。
       
「【請求項１】　横方向共振トンネリング構造体を製造する方法において、
　半導体本体上に第１の材料から成る層状体を設けるステップであって、前記層状体が、前記半導体本体の表面の一部分を露出させる開口部を有してなるステップと、
　前記表面の前記一部分に垂直な方向とは異なる方向に、前記開口部に第２の材料を被着するステップと、
　前記表面の前記一部分に垂直な方向にて、前記開口部に第３の材料を被着し、前記半導体本体上に絶縁分離されたリッジを形成するステップと、
　前記第１の材料を覆う前記第３の材料の少なくとも一部を除去するステップと、
　前記絶縁分離されたリッジから離隔して、前記表面の前記一部分の前記半導体材料を溝切りするステップと、を具備したことを特徴とする方法。」
　【請求項２】　請求項１記載の方法において、
　前記半導体本体が、ＩＩＩ−Ｖ族化合物であることを特徴とする方法。
　【請求項３】　請求項１記載の方法において、
　前記第１の材料が、ＰＭＭＡであり、
　前記第２の材料が、アルミニウムであり、
　前記第３の材料が、アルミニウムであることを特徴とする方法。
　【請求項４】　請求項１記載の方法において、
　前記第１の材料が、ＰＭＭＡであり、
　前記第２の材料が、アルミニウムであり、
　前記第３の材料が、チタンであることを特徴とする方法。
　【請求項５】　請求項１記載の方法において、
　前記溝切りは、イオンビーム・アシステッドエッチングによるものであることを特徴とする方法。
　【請求項６】　請求項１記載の方法において、
　前記半導体材料の前記溝切りによって形成した溝を再び埋めるステップを更に具備したことを特徴とする方法。
　【請求項７】　半導体本体と、
　前記半導体本体上の第１のクラッド層と、
　前記第１のクラッド層上の量子ウェルと、
　前記量子ウェル上の第２のクラッド層と、
　前記第１のクラッド層と前記量子ウェルとを通して少なくとも部分的には前記第２のクラッド層にまで垂直に延びている少なくとも２つのトンネリング障壁であって、前記第２のクラッド層は、前記量子ウェルを少なくとも３つの絶縁分離された部分に分割し、サブリソグラフィー厚さを有する前記少なくとも２つのトンネリング障壁と、
　前記少なくとも３つの絶縁分離された部分のうちの２つに対するコンタクトであって、前記２つの部分はおのおのが、前記トンネリング障壁の１つから離隔してなる前記コンタクトと、を具備したことを特徴とする横方向共振トンネリング構造体。」
　
第４　特許法第３６条第６項について
　１．原審において通知した拒絶の理由について 
　原審において平成１８年７月１２日付けで通知した、特許法第３６条第６項についての、拒絶の理由の概要は、「理由３」及び「理由４」のとおりであって、その具体的内容は、以下のとおりである。
　
「３．この出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
４．この出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
　
　　　　　記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照）
　
［略］　
　
（請求項）１
（理由）３
（備考）上記請求項に係る発明は、発明の課題を解決するための手段である以下の点が反映されておらず、その結果、発明の詳細な説明において発明の課題が解決できることを当業者が認識できるように記載された範囲を超えて特許を請求しており、したがって、上記請求項に係る発明は、明細書の発明の詳細な説明に記載したものではない。
１．半導体本体が２層のクラッド層に挟まれた量子ウェルを有している点。
２．第１材料が絶縁物である点。
３．ウェハ表面に対して±４５°の角度で金属を被着し、開口部の第一材料の側壁に、オーバーハング形状の金属膜を形成する点。
４．前記オーバーハング形状の金属膜をマスクとして、開口部に金属をウェハ表面に対して垂直方向に被着させ、金属リッジを形成する点。
５．金属リッジをマスクとして異方性エッチングを行い、金属リッジ両端部に量子ウェルを垂直に貫通する溝を形成する点。
６．溝部内にトンネリング障壁を再成長により形成する点。
　
（請求項）１
（理由）４
（備考）「第１の材料」、「第２の材料」、「第３の材料」がどのような材料なのかわからず不明瞭である。
　
（請求項）２
（理由）４
（備考）「サブリソグラフィー厚さ」とはどのような厚さなのかわからず不明瞭である。」
　
　２．平成１９年３月２０日付けの拒絶査定について
　前記拒絶査定の、特許法第３６条第６項についての「理由３」の判断の概要は、以下のとおりである。
　「理由３
〔請求項１−６（旧請求項１）について〕
　上記請求項に係る発明は、発明の課題を解決するための手段である以下の点が反映されておらず、その結果、発明の詳細な説明において発明の課題が解決できることを当業者が認識できるように記載された範囲を超えて特許を請求しており、したがって、上記請求項に係る発明は、明細書の発明の詳細な説明に記載したものではない。
１．半導体本体が２層のクラッド層に挟まれた量子ウェルを有している点。
２．第２の材料は第１の材料の開口部側壁に、オーバーハング形状に形成される点。
３．リッジが第１の材料及び第２の材料から分離されている点。
４．第１の材料及びリッジをマスクとして異方性エッチングを行い、リッジ両端部に量子ウェルを貫通する溝を形成する点。
　
　なお、審判請求時に補正を行う際には、以下の点に留意されたい。
・請求項７において「前記第１のクラッド層と前記量子ウェルとを通して少なくとも部分的には前記第２のクラッド層にまで垂直に延びている・・・トンネリング障壁」なる記載があるが、第２のクラッド層は最上層であり、上記記載は矛盾している。
・請求項７において「前記第２のクラッド層は、前記量子ウェルを少なくとも３つの絶縁分離された部分に分割し、サブリソグラフィー厚さを有する前記少なくとも２つのトンネリング障壁と」なる記載があるが主語がわからず不明瞭である。
（なお、新規性・進歩性の判断の際には「前記第２のクラッド層と、前記量子ウェルを少なくとも３つの絶縁分離された部分に分割し、サブリソグラフィー厚さを有する前記少なくとも２つのトンネリング障壁と」として認定した。）」
　
　３．当審の判断（その１）
　原審において平成１８年７月１２日付けで通知した、出願当初の特許請求の範囲の補正前の請求項１についての拒絶の理由の「理由３」の「１．」、「３．」ないし「５．」は、平成１９年３月２０日付けの拒絶査定の備考の「理由３」の「１．」ないし「４．」に対応しており、平成１９年１月２２日付けで補正された請求項１ないし６については、以下の点において、拒絶の理由は解消されていない。
「１．半導体本体が２層のクラッド層に挟まれた量子ウェルを有している点。
２．第２の材料は第１の材料の開口部側壁に、オーバーハング形状に形成される点。
３．リッジが第１の材料及び第２の材料から分離されている点。
４．第１の材料及びリッジをマスクとして異方性エッチングを行い、リッジ両端部に量子ウェルを貫通する溝を形成する点。」
　
　上記第２　４．（３）において検討したとおり、開示本願発明は、本来、ステップ（ア）ないし（ク）を備えたものであり、開示本願発明のステップ（イ）、（カ）及び（キ）を備えていないのみならず、上記１．ないし４．に記載される構成をも備えていない発明は、発明の課題を解決するための手段である、上記１．ないし４．を備えておらず、その結果、発明の詳細な説明において発明の課題が解決できることを当業者が認識できるように記載された範囲を超えて特許を請求しているから、請求項１に係る発明は、明細書の発明の詳細な説明に記載したものではない。
　
　したがって、本願の請求項１は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。　
　
　また、平成１９年１月２２日付けで補正された請求項２ないし６についても、上記１．ないし４．が記載されていないから、本願の請求項２ないし６も、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。　
　
第５　特許法第２９条第２項について
　１．刊行物に記載された発明
　刊行物１：特開平５−２５１７１３号公報
　原審の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された特開平５−２５１７１３号公報（以下、「刊行物１」という。）には、図１、図５とともに、以下の事項が記載されている。
　
「【請求項１】  半導体材料の表面に作製された横型共鳴トンネリングトランジスタであって：前記表面から下方へ延びる２つのヘテロ接合トンネル障壁の間に形成された量子化領域、
前記ヘテロ接合トンネル障壁の一方に隣接して、前記量子化領域に対向するように設けられたソース、
前記ヘテロ接合トンネル障壁の他方に隣接して、前記量子化領域に対向するように設けられたドレイン、
前記量子化領域と絶縁して隣接するように設けられたゲート構造であって、前記ゲート構造への少なくとも１つの予め定められた電位の印加時に、前記ソースと前記ドレインとの間の前記ヘテロ接合トンネル障壁を介して電子がトンネすることができるように前記量子化領域内の量子状態を調節するように動作できるゲート構造、
を含むトランジスタ。」
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は一般的に電子デバイス分野に関するものであり、更に詳細には横型共鳴トンネリングトランジスタに関する。」
「【０００７】
【発明の概要】本発明の教えるところに従えば、非水平ヘテロ接合トンネリング障壁間に少なくとも１つの量子化された領域を有する、ヘテロ接合障壁を備えた横型共鳴トンネリングトランジスタが提供される。各量子化領域と絶縁して設けられたゲート構造に電位を与えることによって生成された電界が、その量子化領域内の量子状態を調節する。その量子化領域内の量子状態を、ソースとドレインにおける電子の利用可能な電位状態と揃えることによって、電子がその量子化領域をトンネルすることができる。このように、動作時には、本発明はそのゲート本体に印加された特定の電圧に依存して、電流スイッチングデバイスとして働く。」
「【００１３】図１はヘテロ接合障壁を備えた横型共鳴トンネリングトランジスタの断面図の一例である。・・・一般的に８で示されたトランジスタは、本実施例では半絶縁性のインジウムリン基板１０上に成長されている。その他の、本発明に利用できる可能性のある基板としては、シリコン、ガリウムリン、ゲルマニウム、ガリウム砒素、インジウム砒素、アルミニウムアンチモン、そしてカドミウムテルルが含まれる。・・・
【００１４】基板１０の上には低伝導度で、高（広）バンドギャップの障壁層１２が成長される。基板１０がインジウムリンの場合は、障壁層１２は、格子整合的なインジウムアルミニウム砒素またはインジウムリンのエピタキシャル成長層を含み、また障壁層１２は欠陥密度を低減し、キャリアを二次元電子ガス領域１８（後述）に閉じこめるために使用される。基板１０がガリウム砒素の場合は、障壁層１２はガリウム砒素のエピタキシャル成長層を含む。
【００１５】障壁層１２上には、後に述べるエッチング時のエッチングストッパとして働くエッチストップ１４が約１０ｎｍの厚さに成長される。エッチストップ１４はアルミニウム砒素のエピタキシャル成長層を含む。エッチストップ１４を覆って、量子層１６がエピタキシャル成長される。量子層１６は３０ｎｍのインジウムガリウム砒素層を含むことができる。次に、量子層１６を覆ってエピタキシャル成長法により障壁層２０が形成される。障壁層２０は量子層１６よりも大きいバンドギャップを持つ格子整合した半導体層を含むべきである。更に、障壁層２０にはｎ形不純物、例えばシリコンがドープされ、例えばインジウムアルミニウム砒素の２０ｎｍの厚さの層として形成される。最後に、インジウムガリウム砒素のような格子整合した半導体が、障壁層２０を覆ってエピタキシャル成長され、コンタクト層２２を形成する。
【００１６】本実施例では、層１６と２２として、化合物Ｉｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓが使用される。トランジスタはリベール（Ｒｉｂｅｒ）２３００のような分子線エピタキシー成長炉中で、連続する層として成長される。後述のエッチングの後、パターニング、エッチング、そして再成長によって図１に示した形状のヘテロ接合障壁２４が形成される。ヘテロ接合障壁２４は分子線エピタキシープロセスによって再成長されたインジウムリンを含むことができる。次に、パターニングとエッチングの後に導電性材料が堆積されソース、ゲートおよびドレインのコンタクト２６、２８、３０、および３２が形成される。ソースコンタクト２６は、ヘテロ接合障壁２４の一方の側で、コンタクト層２２と障壁２０を介して量子層１６とオーミック接触する。反対側では、ドレインコンタクト２８が同様に、コンタクト層２２を介して量子層１６とオーミック接触している。ゲートコンタクト３０および３２はヘテロ接合障壁２４に対してショットキーコンタクトを形成し、図１に示されたようにゲート構造を構成する。コンタクト２６、２８、３０および３２はすべてアルミニウムまたはその他の導電性材料、例えばクロム／金、またはチタン／白金／金のような復号（コンポジット）金属でできている。
【００１７】図１の破線は、量子層１６の上側の層中に形成された二次元電子ガス（２ＤＥＧ）領域１８を示している。・・・２ＤＥＧ領域１８は、このデバイスのチャネルを構成し、それを介して主要な電流が流れる。
【００１８】ヘテロ接合障壁２４は、２ＤＥＧ領域１８を介して量子層１６中に２つの非水平な（実質的に垂直な成分を有する）電位障壁２５と２７とを含むように形成される。障壁２５と２７は上方へ延び、コンタクト層２２の上方で結合してヘテロ接合障壁２４を形成する。この構造によって、横方向に量子化された領域（volume）が障壁２５と２７との間に形成される。量子層１６および２ＤＥＧ領域１８中の、障壁２５と２７の幅は１０ｎｍのオーダである。量子層１６中の障壁２５と２７間の２ＤＥＧ領域１８の距離は、二次元的に制約された量子領域３３内で量子効果が許容されるように十分小さくなっており、１０−１５ｎｍのオーダである。・・・
【００１９】動作時には、１ボルトオーダの電位がソースコンタクト２６とドレインコンタクト２８との間に印加される。ゲートコンタクト３０および３２に０−１ボルトのオーダの適当な電位を印加することによって、量子領域３３の量子状態をソースおよびドレインにおいて利用可能なポテンシャルエネルギーと揃えるように調節できる。このようにして、ゲートコンタクト３０および３２へ適切な電位を供給することによって、量子領域３３と障壁２５および２７とを介して共鳴トンネリング電流を流すことができる。ソースとドレインとの間を流れ、量子領域を介してトンネリングする電子は２ＤＥＧ領域１８を介して流れる。明らかなように、スイッチングトランジスタが構成されることになる。１つまたは複数の適切な”オン”電圧がゲートコンタクト３０および３２に供給されると、ソースとドレインとの間に電流が流れる。ここで、各”オン”電圧は領域３３中の量子状態を、障壁２５と２７の外側の層１６中で利用可能なエネルギー状態と揃える。
【００２０】ここで、トランジスタ８の説明において特定の半導体材料を引用したことは、単に実施例を説明するための便宜上のことであることが当業者には理解されよう。本発明によって開示されるヘテロ接合を備えた横型共鳴トンネリングトランジスタを作製するために、その他の半導体材料を使用することも可能である。例えば、本発明の教えるところからはずれることなく、半絶縁性のガリウム砒素のような基板を使用することができる。同様に、量子層１６はエピタキシャル成長されたガリウム砒素層を含むことができる。障壁層１２および２０はインジウムアルミニウム砒素でなく、アルミニウムガリウム砒素で形成することができる。更に、エッチストップ層１４はデバイスの動作にとっては不要であり、単に製造の便宜のためのものであり、従って、まるっきり省略してもよい。
【００２１】ここに述べたことからはずれることなく、本発明のために如何に異なる半導体材料が利用可能であるかを示す別の例として、ヘテロ接合障壁２４はアルミニウムガリウム砒素のエピタキシャル再成長層を含むこともできる。」
「【００３５】図５ａ、図５ｂ、図５ｃ、図５ｄはトランジスタ８が作製される過程を示している。図５ａは、図１でトランジスタ８に関連して説明した各種の半導体層を示している。図５ａに示された半導体層の形成の後に、コンタクト層２２、障壁層２０、そして量子層１６を下方へエッチしてトレンチ５２および５４が形成される。エッチストップ層１４はトレンチ５２および５４の形成に際して優れたエッチストップとして機能する。トレンチ５２および５４は高分解能のリソグラフィを用いて形成されることができる。例えば、マスクを形成するために電子ビームリソグラフィを用い、次に反応性イオンエッチングまたは選択性エッチング・・・等のエッチングプロセスを使用したエッチングを用いることができる。
【００３６】次にトレンチ５２および５４中にヘテロ接合障壁層２４（障壁２５および２７を含む）が成長され、それはコンタクト層２２を覆う。既に述べたように、ヘテロ接合障壁２４は例えば、インジウムリンやアルミニウムガリウム砒素等の比較的大（高）バンドギャップの半導体材料で成長される。ヘテロ接合障壁２４は分子線エピタキシー等のプロセスによって成長され、その後パターニングされ、エッチされてそれの横方向寸法が定義される。
【００３７】パターニングの後、図５ｄに示されたように、ヘテロ接合障壁２４の対向する側の層２２とオーミックに接触するようにソースコンタクト２６とドレインコンタクト２８とが堆積される、ゲートコンタクト３０および３２も同様に、ヘテロ接合障壁２４の自然に形成された溝にコンタクトするように形成される。これらの溝は、ヘテロ接合障壁２４がトレンチ５２および５４の他にコンタクト層２２の一部にも再成長するために形成される。」
　
（ａ）図１及び「ヘテロ接合障壁２４は、２ＤＥＧ領域１８を介して量子層１６中に２つの非水平な（実質的に垂直な成分を有する）電位障壁２５と２７とを含むように形成される。障壁２５と２７は上方へ延び、コンタクト層２２の上方で結合してヘテロ接合障壁２４を形成する。この構造によって、横方向に量子化された領域（volume）が障壁２５と２７との間に形成される。」（００１８段落）との記載より、ヘテロ接合障壁２４の一部である電位障壁２５及び２７が量子層１６を３つの部分に分離していることは明らかである。    　
（ｂ）「ソースコンタクト２６は、ヘテロ接合障壁２４の一方の側で、コンタクト層２２と障壁２０を介して量子層１６とオーミック接触する。反対側では、ドレインコンタクト２８が同様に、コンタクト層２２を介して量子層１６とオーミック接触している。ゲートコンタクト３０および３２はヘテロ接合障壁２４に対してショットキーコンタクトを形成し、図１に示されたようにゲート構造を構成する。」（００１６段落）の記載より、ソースコンタクト２６及びドレインコンタクト２８が量子層１６とオーミック接触していることは明らかである。
　
　したがって、刊行物１には、以下の発明が記載されている。
「半導体基板上の障壁層１２と、
　前記障壁層１２上のエッチストップ１４と、
　前記エッチストップ上の量子層１６と、
　前記量子層１６上の障壁層２０と、
　前記障壁層２０，前記量子層１６に形成されたトレンチ５２，５４に形成され、電位障壁２５，２７を備えたヘテロ接合障壁２４とを備え、
　前記ヘテロ障壁２４により、前記量子層１６及び前記障壁層２０は３つの部分に分離されるとともに、
　前記量子層１６にオーミック接触するソースコンタクト２６及びドレインコンタクト２８とを備えていることを特徴とする横型共鳴トンネリングトランジスタ。」
　　
　２．本願発明
　本願の請求項７には、上記第３に記載されたとおり記載され、そして、請求項７には、「前記第１のクラッド層と前記量子ウェルとを通して少なくとも部分的には前記第２のクラッド層にまで垂直に延びている少なくとも２つのトンネリング障壁であって、前記第２のクラッド層は、前記量子ウェルを少なくとも３つの絶縁分離された部分に分割し、サブリソグラフィー厚さを有する前記少なくとも２つのトンネリング障壁」と記載されている。
　ここで、請求項７において、「横方向共振トンネリング構造体」は、「前記半導体本体上の第１のクラッド層と、　前記第１のクラッド層上の量子ウェルと、　前記量子ウェル上の第２のクラッド層と」の構成を備えており、トンネリング障壁は、少なくとも、「第２のクラッド層」と「量子ウェル」を貫通しており、「第１のクラッド層」には部分的に延びているから、「前記第１のクラッド層と前記量子ウェルとを通して少なくとも部分的には前記第２のクラッド層にまで垂直に延びている」トンネリング障壁は、「前記第２のクラッド層と前記量子ウェルとを通して少なくとも部分的には前記第１のクラッド層にまで垂直に延びている」トンネリング障壁の誤記であることは明らかである。
　また、「前記第２のクラッド層は、前記量子ウェルを少なくとも３つの絶縁分離された部分に分割し、サブリソグラフィー厚さを有する前記少なくとも２つのトンネリング障壁」では、「前記第２のクラッド層」が、「トンネリング障壁」ではないにもかかわらず、「前記第２のクラッド層は」、「トンネリング障壁」となり明らかに日本語として不自然であり、また、「２つのトンネリング障壁」により、「前記第２のクラッド層は」、「少なくとも３つの絶縁分離された部分に分割」されているから、「前記第２のクラッド層は、前記量子ウェルを少なくとも３つの絶縁分離された部分に分割し、サブリソグラフィー厚さを有する前記少なくとも２つのトンネリング障壁」は、「前記第２のクラッド層と、前記量子ウェルを少なくとも３つの絶縁分離された部分に分割し、サブリソグラフィー厚さを有する前記少なくとも２つのトンネリング障壁」であると解される。
　したがって、「前記第１のクラッド層と前記量子ウェルとを通して少なくとも部分的には前記第２のクラッド層にまで垂直に延びている少なくとも２つのトンネリング障壁であって、前記第２のクラッド層は、前記量子ウェルを少なくとも３つの絶縁分離された部分に分割し、サブリソグラフィー厚さを有する前記少なくとも２つのトンネリング障壁」は、「前記第２のクラッド層と前記量子ウェルとを通して少なくとも部分的には前記第１のクラッド層にまで垂直に延びている少なくとも２つのトンネリング障壁であって、前記第２のクラッド層と、前記量子ウェルを少なくとも３つの絶縁分離された部分に分割し、サブリソグラフィー厚さを有する前記少なくとも２つのトンネリング障壁」であると認定する。
　
　よって、請求項７に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、以下のとおりであると認定する。
「半導体本体と、
　前記半導体本体上の第１のクラッド層と、
　前記第１のクラッド層上の量子ウェルと、
　前記量子ウェル上の第２のクラッド層と、
　前記第２のクラッド層と前記量子ウェルとを通して少なくとも部分的には前記第１のクラッド層にまで垂直に延びている少なくとも２つのトンネリング障壁であって、前記第２のクラッド層と、前記量子ウェルを少なくとも３つの絶縁分離された部分に分割し、サブリソグラフィー厚さを有する前記少なくとも２つのトンネリング障壁と、
　前記少なくとも３つの絶縁分離された部分のうちの２つに対するコンタクトであって、前記２つの部分はおのおのが、前記トンネリング障壁の１つから離隔してなる前記コンタクトと、を具備したことを特徴とする横方向共振トンネリング構造体。」
　
　３．対比
　本願発明と、刊行物１に記載された発明（以下、「刊行物発明」という。）を対比する。　
（ａ）刊行物発明の「半導体基板」、「障壁層１２」、「量子層１６」、「障壁層２０」及び「横型共鳴トンネリングトランジスタ」は、それぞれ、本願発明の「半導体本体」、「第１のクラッド層」、「量子ウェル」、「第２のクラッド層」及び「横方向共振トンネリング構造体」に相当する。　
（ｂ）刊行物発明の「電位障壁２５，２７」が、本願発明の「トンネリング障壁」に相当し、刊行物発明の「電位障壁２５，２７」は、刊行物発明の「ヘテロ障壁２４」に含まれており、さらに、刊行物発明の「ヘテロ障壁２４」は、「前記障壁層２０，前記量子層１６に形成されたトレンチ５２，５４に形成され」るとともに、「前記ヘテロ障壁２４により、前記量子層１６及び前記障壁層２０は３つの部分に分離される」こと、及び刊行物発明の「量子層１６」は「ヘテロ障壁２４」により絶縁分離されていることは明らかであり、さらに、「２」、「３」がそれぞれ「少なくとも２つ」、「少なくとも３つ」に含まれることは明らかである。したがって、刊行物発明の「前記障壁層２０，前記量子層１６に形成されたトレンチ５２，５４に形成され、電位障壁２５，２７を備えたヘテロ接合障壁２４とを備え、前記ヘテロ障壁２４により、前記量子層１６及び前記障壁層２０は３つの部分に分離される」ことは、本願発明の「前記第２のクラッド層と前記量子ウェルとを通して」「延びている少なくとも２つのトンネリング障壁であって、前記第２のクラッド層と、前記量子ウェルを少なくとも３つの絶縁分離された部分に分割」「する前記少なくとも２つのトンネリング障壁」に相当する。
（ｃ）刊行物発明において、「ソースコンタクト２６」及び「ドレインコンタクト２８」は、電位障壁２５及び２７により絶縁分離された量子層１６の３つの部分の２つに導電接続することは明らかであり、また、「３」が「少なくとも３つ」に含まれることは明らかであるから、刊行物発明の「前記量子層１６にオーミック接触するソースコンタクト２６及びドレインコンタクト２８とを備えていること」は、本願発明の「前記少なくとも３つの絶縁分離された部分のうちの２つに対するコンタクトであって、前記２つの部分はおのおのが、前記トンネリング障壁の１つから離隔してなる前記コンタクト」であることに相当する。　
　
　したがって、本願発明と刊行物発明とは、
「半導体本体と、
　前記半導体本体上の第１のクラッド層と、
　前記第１のクラッド層上の量子ウェルと、
　前記量子ウェル上の第２のクラッド層と、
　前記第２のクラッド層と前記量子ウェルとを通して延びている少なくとも２つのトンネリング障壁であって、前記第２のクラッド層と、前記量子ウェルを少なくとも３つの絶縁分離された部分に分割する前記少なくとも２つのトンネリング障壁と、
　前記少なくとも３つの絶縁分離された部分のうちの２つに対するコンタクトであって、前記２つの部分はおのおのが、前記トンネリング障壁の１つから離隔してなる前記コンタクトと、を具備したことを特徴とする横方向共振トンネリング構造体。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
　相違点１
　刊行物発明は、「前記障壁層１２上のエッチストップ１４」を備えているのに対して、本願発明は、刊行物発明の「障壁層１２」に相当する本願発明の「第１のクラッド層」上に「エッチストップ」を備えていない点。
　
　相違点２
　本願発明は、「前記第２のクラッド層と前記量子ウェルとを通して少なくとも部分的には前記第１のクラッド層にまで垂直に延びている少なくとも２つのトンネリング障壁」を備えるのに対して、刊行物発明は、「前記障壁層２０，前記量子層１６に形成されたトレンチ５２，５４に形成された、電位障壁２５，２７を備えたヘテロ接合障壁２４」を備えているが、「電位障壁２５，２７」が、「障壁層１２」まで垂直に延びているか否か明らかでない点。
　
　相違点３
　本願発明は、「前記量子ウェルを少なくとも３つの絶縁分離された部分に分割し、サブリソグラフィー厚さを有する前記少なくとも２つのトンネリング障壁」を備えているのに対して、刊行物発明は、「前記障壁層２０，前記量子層１６に形成されたトレンチ５２，５４に形成された、電位障壁２５，２７を備えたヘテロ接合障壁２４」を備えているが、「電位障壁２５，２７」の厚さが「サブリソグラフィー厚さ」であるか否か明らかでない点。　
　
　４．当審の判断（その２）
　以下各相違点について検討する。
　相違点１について
　刊行物発明において、「トレンチ５２，５４」に形成された「電位障壁２５，２７」が、「量子層１６」を横方向において絶縁分離するためのものであることは明らかであるから、少なくとも「前記量子層１６」の「エッチストップ１４」に接する面まで絶縁すればよく、言い換えると、「前記量子層１６に形成されたトレンチ５２，５４」を「エッチストップ１４」に接する面まで形成すればよいことは明らかであるから、「トレンチ５２，５４」をどの程度の深さまで形成するかは、当業者が必要に応じて適宜設定し得たものである。
　ここで、刊行物発明が「エッチストップ１４」を備えている理由は、ウエットエッチングの選択エッチングによるトレンチ５２，５４の形成を「障壁層２０」及び「量子層１６」までにとどめるためであり、また、刊行物１には、「更に、エッチストップ層１４はデバイスの動作にとっては不要であり、単に製造の便宜のためのものであり、従って、まるっきり省略してもよい。」（００２０段落）と記載されており、さらに、刊行物１の「トレンチ５２および５４は高分解能のリソグラフィを用いて形成されることができる。例えば、マスクを形成するために電子ビームリソグラフィを用い、次に反応性イオンエッチングまたは選択性エッチング・・・等のエッチングプロセスを使用したエッチングを用いることができる。」（００３５段落）に記載される従来周知の「反応性イオンエッチング」によりトレンチ５２，５４を形成すれば、「エッチストップ１４」を形成することは必ずしも必要でなく、制御性よくトレンチ５２，５４を形成することができることは、当業者の技術常識である。
　したがって、刊行物発明の「エッチストップ１４」を形成せず、従来周知の「反応性イオンエッチング」を用いることにより、「電位障壁２５，２７」を形成する「トレンチ５２，５４」を「障壁層１２」の一部まで形成することは、当業者が、従来周知の技術を用いることにより、何ら困難性なくなし得たものである。　
　
　相違点２について
　上記「相違点１について」において検討したとおり、刊行物発明において、「トレンチ５２，５４」を形成する際、「反応性イオンエッチング」を用いることにより、「電位障壁２５，２７」を形成する「トレンチ５２，５４」を「障壁層１２」の一部まで形成することは、当業者が、従来周知の技術を用いることにより、何ら困難性なくなし得たものである。　
　さらに、「トレンチ５２，５４」の形成に反応性イオンエッチングを用いることにより、「トレンチ５２，５４」が「障壁層２０」及び「障壁層１２」に対して、通常は垂直となることは明らかであるから、従来周知の反応性イオンエッチングを用いることにより、刊行物発明が、本願発明の如く、「前記第２のクラッド層と前記量子ウェルとを通して少なくとも部分的には前記第１のクラッド層にまで垂直に延びている少なくとも２つのトンネリング障壁」を備えたものとすることは、当業者が容易になし得たものである。
　
　相違点３について
（ａ）「サブリソグラフィー厚さ」がどのような厚さを意味するか必ずしも明確ではなく、仮に、「サブリソグラフィー厚さ」が「リソグラフィー」で実現できる厚さより薄い厚さを意味するとしても、半導体技術分野の微細化技術は急激に改善されており、言い換えると、ある時点でのリソグラフィーで実現可能な厚さと何年か後に実現可能なリソグラフィー厚さは異なるものであるから、「サブリソグラフィー厚さ」がどの程度のものであるか明確ではない。
　また、半導体技術分野においては、より微細な加工が実現できれば、より集積度が改善できることは技術常識であるから、より薄く半導体等の領域を形成できれば、集積度が改善できることは明らかである。
（ｂ）ＧａＡｓ等の化合物半導体を用いたトランジスタの技術分野において、部材の側壁に絶縁膜の側壁を形成し、その後、絶縁膜の側壁の厚さに相当する幅の半導体層を形成することは、例えば、特開平５−２５９１９１号公報（図１及び「【００２２】図１は本発明の一実施例に係るＧａＡｓＭＥＳＦＥＴの製造プロセスを示す工程別素子断面図であ・・・る。　【００２３】・・・スパッタ法などにより、ゲート電極材料であるＷＮx 膜を３００〜５００ｎｍ堆積した後、ドライエッチングを行ってＷＮx ゲート電極３を形成する。・・・　【００２４】次に、プラズマＣＶＤなどによりＳｉＯ2 膜を〜３００ｎｍ堆積し、このＳｉＯ2 膜に対してドライエッチングを施すことにより、ＷＮx ゲート電極３の側壁部にＳｉＯ2 膜６，７を残し、このＳｉＯ2 膜６，７をマスクとして、Ｓｉイオンを・・・注入する（図１（ｂ））。・・・　【００２５】・・・再び、ＳｉＯ2 膜を堆積し、選択エッチングを行ってＷＮx ゲート電極３及びソース、ドレインオフセット領域１４，１５をのみを露出させるように酸化膜１７，１８を形成する。その後、ＷＮx ゲート電極３及びＳｉＯ2 膜１７，１８をマスクとして厚さ５０〜１００ｎｍ、・・・ＩｎＧａＰ層１９，２０を選択エピタキシャル成長させる（図１（ｃ））。」（００２２段落ないし００２５段落）参照）に示されるように従来周知であるから、刊行物発明においても、トンネリングの障壁となる電位障壁の幅、即ち、「電位障壁２５，２７」の厚さを、絶縁膜の側壁程度の厚さとすることにより、刊行物発明が、「前記量子ウェルを少なくとも３つの絶縁分離された部分に分割し、サブリソグラフィー厚さを有する前記少なくとも２つのトンネリング障壁」を備えたものとすることは、当業者が何ら困難性なくなし得たものである。
　
　したがって、本願発明は、刊行物１に記載された発明及び従来周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第６　むすび
　したがって、本願は、請求項８について検討するまでもなく、特許法第２９条第２項又は同法第３６条第６項第１号の規定により拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。