【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年5月11日(2015.5.11)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
研磨もしくは平坦化のプロセスが行なわれる基板表面上の圧力または力を測定するプロセス条件測定機器であって、
基板の特性と実質的に同じ特性を有する部材であり、互いに接合されて単一ユニットを形成するベースとカバーとを備え、前記ベースまたは前記カバーの互いの反対の表面は、特殊な形状を備えない平面であり、前記部材は、前記ベースとカバーとの間に全体が囲われた少なくとも一つの空洞を備え、前記カバーは圧力を受けて撓むダイヤフラムを備え、
前記少なくとも一つの空洞に配置され、物理的にダイヤフラムに接続されたセンサー手段を備え、前記プロセスが用いられる表面に対して、前記カバーが接触し、押し付けられる場合に、該センサー手段がダイヤフラムの撓みを測定するためのものであり、該センサー手段は容量的に結合された電極の対を少なくとも一つ備え、該対の少なくとも一つの容量は、ダイヤフラムの撓みの関数として変化する
プロセス条件測定機器。
【請求項２】
少なくとも一つの前記空洞が、前記カバーに対向する前記ベースの表面上、または前記ベースに対向する前記カバーの表面上に形成される請求項１に記載の機器。
【請求項３】
前記部材が更に前記ベースと前記カバーの間に分離層を有し、該分離層内に少なくとも一つの前記空洞が形成される請求項１に記載の機器。
【請求項４】
前記部材が、少なくとも一つの空洞内の圧力によるダイヤフラムの撓みの影響を低減するタンクであって、少なくとも一つの空洞と連通する少なくとも一つのタンクを該部材内部に備える請求項１に記載の機器。
【請求項５】
少なくとも一つの前記タンクが外部環境と連通する開口部と、かかる連通を制御するバルブを更に備える請求項４に記載の機器。
【請求項６】
電子回路を更に備え、該電子回路は少なくとも一つの前記空洞内に少なくとも一部が存在し、前記電子回路はメモリまたは無線送信要素を備え、前記電子回路は前記センサー手段からのデータを受信し、前記メモリ内にデータを保管するか、前記無線送信要素を用い、データを送信する請求項１に記載の機器。
【請求項７】
前記部材が、少なくとも一つの空洞内の圧力によるダイヤフラムの撓みの影響を低減するタンクであって、少なくとも一つの該空洞と連通する少なくとも一つのタンクを該部材内部に備え、そして前記電子回路の少なくとも一部が少なくとも一つの該タンク内に存在する請求項６に記載の機器。
【請求項８】
前記部材が、寸法と厚さが生産向け半導体ウエハーのそれと実質的に同じである半導体ウエハーを備える請求項１に記載の機器。
【請求項９】
前記研磨または平坦化のプロセスに亘って、前記表面に対して前記ダイヤフラムが接触し、押し付けられる場合に、該ダイヤフラムの撓みが１０μｍを超えない柔軟性を有するダイヤフラムである請求項１に記載の機器。
【請求項１０】
前記部材がプレートを備え、前記特性が、プレートの柔軟性、面積、硬さ、そして物理的寸法の一つまたは複数を含む請求項１に記載の機器。
【請求項１１】
前記ダイヤフラムは、前記研磨または平坦化プロセスによる侵食を低減する耐摩耗性皮膜、あるいは、該プロセスにより侵食された材料を置換する追加の成膜材料を備える請求項１に記載の機器。
【請求項１２】
前記部材がプレートを備え、前記センサー手段が、該プレートに亘る領域に配置された容量的に結合された電極の複数の対を備え、該機器が更に複数の温度センサーを備え、該容量的に結合された電極の対の温度を測定するため、容量的に結合された前記電極の対の近傍に個々の前記温度センサーが配置され、該温度センサーが出力を提供する請求項１に記載の機器。
【請求項１３】
前記センサー手段に対応し、そして容量的に結合された前記電極の対の個々に対応して近傍に位置する前記温度センサーの出力を用い、容量的に結合された前記電極の対に対応する個々の測定を調節するための前記温度センサーの出力に対応する電子回路を更に備える請求項１２に記載の機器。
【請求項１４】
前記部材内の寄生容量を検知するため、前記ダイヤフラムに接続されていない容量的に結合された電極の参照対の少なくとも一つを更に備える請求項１に記載の機器。
【請求項１５】
かかる測定に於ける寄生容量の影響を低減するよう、前記センサー手段による前記測定を調節するために、容量的に結合された前記電極の該参照対の出力に対応する電子回路を更に備える請求項１４に記載の機器。
【請求項１６】
前記部材内の寄生容量を検知するため、前記ダイヤフラムに接続されていない容量的に結合された電極の複数の参照対を更に備え、複数の前記参照対の個々は、測定の寄生容量の影響を低減するために、容量的に結合された測定電極の対に対応する近傍位置に設置される請求項１４に記載の機器。
【請求項１７】
前記部材が、前記プロセス中の前記基板の振る舞いをシミュレートする前記プロセスに亘る使用に適した請求項１に記載の機器。
【請求項１８】
前記部材が、前記研磨または平坦化のヘッドの最適化に適した請求項１に記載の機器。
【請求項１９】
研磨または平坦化のプロセスが行なわれる基板表面上の圧力または力を測定する方法であって、
基板の特性と実質的に同じ特性を有するプレートを備える機器を設定し、該プレートは互いに接合されて単一のユニットを形成するペースとカバーとを備え、前記ベースまたは前記カバーの互いの反対の表面は、特殊な形状を備えない平面であり、前記プレートは、前記ベースとカバーとの間に全体が囲われた少なくとも一つの空洞を備え、前記カバーは圧力を受けて撓むダイヤフラムを備え、前記機器は、容量的に結合された電極の対を前記少なくとも一つの空洞の内部に少なくとも一つを備え、少なくとも一つの該電極対は容量を有し、
前記カバーが研磨または平坦化表面に対して接触し、押し付けられる場合に前記ダイヤフラムの撓みを検知し、該検知が、容量的に結合された電極の対の少なくとも一つの容量の変化を検知することにより行なわれる、
基板表面上の圧力または力を測定する方法。
【請求項２０】
前記特性が、プレートの柔軟性、面積、硬さ、そして物理的寸法の一つまたは複数を含み、機器はメモリまたは無線送信要素を備え、更に、該方法は、
容量的に結合された電極の少なくとも一つの対の容量の変化に関連するデータを前記メモリに保管するか、または前記無線送信要素を用い、データを送信する請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記プレート内の寄生容量を測定し、該検知に於ける寄生容量の影響を低減することを更に含む請求項１９に記載の方法。
【請求項２２】
膨らませることができる部材を予め設定された圧力まで膨らませ、部材の膨らみによる前記ダイヤフラムの撓みを検知し、膨らませることと検知することの最中に予め設定された温度まで前記プレートを加熱する加熱素子を用いることを更に含む請求項１９に記載の方法。
【請求項２３】
前記プレートが、前記プロセス中の前記基板の振る舞いをシミュレートする前記プロセスに亘る使用に適した請求項１９に記載の方法。
【請求項２４】
前記プレートが研磨または平坦化のヘッドの最適化に適した請求項１９に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４８】
ベースとカバーは互いに電気的に独立したものとするか、米国特許出願１１／３８１，９９２号に記載される如く電気的に接続されたものとすることができる。ベースとカバーは、ドープされた、或いはドープされていない材料により形成可能であり、要件に応じ異なる導電率を設定できる。ベースとカバー材料の抵抗率が高いようにベースとカバーがドープされていないか、ほとんどドープされていない場合、ベースまたはカバーの表面上に電極を（絶縁材または絶縁層無しに）直接設置可能である。ベースまたはカバーが導電性である場合、導電性のベース（またはカバー）と絶縁材によりカバーから分離されている電極の間に寄生キャパシタが形成され得る。寄生キャパシタなどの影響を削減するために、容量センサーの容量が寄生キャパシタの容量よりも大きくなるように寸法が設定される。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５４】
ダイヤフラムが空洞内に撓みこむより生じる圧力変化を低減する一つの方法は、空洞と連通する追加の空間を提供することである。この追加の体積は、圧力下でダイヤフラムがセンサー空洞内に撓みこむことに起因する体積変化の影響を低減する。追加の体積はタンクとみなすことができる。外部の圧力によって体積が変化しないように、このようなタンクは一般に形成される。例えば、顕著な撓みがタンク内で生じないように支持構造を使用可能である。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６２】
図８Ｂは、本発明の他の実施態様を示すために、プレート内の寄生容量を検知するためにカバーには取り付けられていない、容量的に結合した電極８２６ａと８２６ｂの対８２６を収納する空洞を包含するベース８２４とカバー８２２を有するプレートなどの部材の側面図を示す。電極８２６ａと８２６ｂは誘電層８２８により分離されている。図８Ｃは、互いに近接し容量的に結合された電極８２６と８３６の二つの対の上面図を示す。一つの対（８２６）はプレート内の寄生容量を検知するためにカバーには取り付けられておらず、他の対（８３６）はカバーの撓みを検知するためにカバーに取り付けられている（図８には示されていない）。対８２６の容量は、対８３６により経験される寄生容量の指標となる。従って、測定時の対８３６により経験される寄生容量の影響を低減するために、対８２６の容量を、対８３６によるカバー８２２の撓みの測定の最適化に使用可能である。このことは、図８Ａのフレキシブル回路を経た対８２６と８３６の容量と、カバー８２２の撓みにより生じた対８３６の容量の変化に関するデータを図８Ａのマイクロプロセッサ８１４が受け取った後に、マイクロプロセッサ８１４により実施可能である。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６３】
ベースとカバー上に電極が形成される箇所に於いて、いかなる容量の変化をもフレキシブル回路内の電子回路が検出可能なように、これら電極はフレキシブル回路に接続されている。同様に、フレキシブル回路とは統合的に形成されていない温度センサーまたは他のセンサーは、フレキシブル回路に接続される。図９は、カバー９２２上の電極９２０が、フレキシブル回路９２６上のパッド９２４に接続された例を示す。電極９２０は、（図５Ｂに示す如く）センサー空洞９３０の外部にある相互接続９２８に接続されている。相互接続９２８は、カバー９２２上の絶縁層９３２ａによりカバー９２２から分離されている。フレキシブル回路９２６上のパッド９２４は、相互接続９２８の上に横たわり、このパッドは、フレキシブル回路９２６内の一つまたは複数の集積回路に電気的に接続される。相互接続９２８は、導電性のエポキシ９３４により、パッド９２４へ取り付けられる。同様の結線（ここには示されていない）が、ベース電極９３６に関して形成される。同様の結線が、温度センサーに関して形成される。この例では、トレンチ９３８内にフレキシブル回路９２６は横たわっている。従って、電子機器は、一部空洞内（電極９２０と９３６）にあり、一部トレンチ内（フレキシブル回路９２６）にある。このトレンチは、圧力測定時のカバーの撓みの影響を低減するタンクとしても作用する。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７３】
図１４は、上に記載された圧力検知ＰＣＭＤの較正に使用可能な圧力較正装置を示す。圧力センサーが上を向くように、ＰＣＭＤ１４９０が第一表面１４９２の上に設置される。第二表面１４９４が第一表面１４９２の上に一定の距離を経て設置され、膨らませることができる袋１４９６がＰＣＭＤ１４９０と第二表面１４９４の間に設置される。膨らませることができる袋１４９６は、圧力制御器１４９８を経て予め設定された圧力（または予め設定された圧力の系列）まで膨らまされる。個々の予め設定された圧力で、個々のセンサーに関するセンサー値が記録され、これらデータをセンサー値の較正に使用可能である。このようにしてＰＣＭＤは定期的に較正可能であり、除去された材料または他の影響に関して補正可能である。圧力センサーは、温度制御機器１４５０により予め設定された温度へ加熱または冷却されることが好ましい。