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　平成　９年特許願第２１６８５６号「半導体レーザの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　３月　９日出願公開、特開平１１−　６８２２２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成９年８月１１日に特許出願したものであって、平成１９年３月９日に手続補正がなされ、同年５月２１日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年６月２８日に拒絶査定不服審判請求がなされるとともに同年７月１９日に手続補正がなされたものである。
　そして、その請求項に係る発明は、同年７月１９日付け手続補正書で補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、次のとおりのものであると認められる。
　
「【請求項１】　レーザ部形成予定領域及び変調器部形成予定領域を有する基板上の全面に、レーザ光の発振波長を決定するグレーティングを形成するグレーティング形成工程と、
　前記グレーティング上に、前記レーザ光を伝導する導波路層、電流を流すことによって該レーザ光を発生する活性層、及び該活性層を保護する第１の保護層を順次成長させ、該グレーティングを埋め込む導波路層／活性層／保護層成長工程と、
　前記第１の保護層上の前記レーザ部形成予定領域に所望の大きさの島状エッチング用マスクを形成し、該島状エッチング用マスク以外の領域における異方性エッチングにより、前記第１の保護層、前記活性層、及び前記導波路層を除去すると共に、前記グレーティングをエッチングして該島状エッチング用マスク以外の領域を平坦にするエッチング工程と、
　前記基板上の前記島状エッチング用マスクの周囲の領域に、外部から供給される変調信号に基づいて前記レーザ光を吸収して変調する吸収層、及び該吸収層を保護する第２の保護層を順次成長させ、該島状エッチング用マスクを埋め込んで平坦面を形成する吸収層埋め込み成長工程と、
　前記平坦面上の所望の領域にストライプマスクを形成した後、前記第２の保護層及び前記吸収層に対してエッチングを施して該ストライプマスクの下部にメサストライプを形成するメサエッチング工程と、
　前記基板上の前記メサストライプの両側の領域に、前記活性層のみに電流を流す第１の導電型の電流ブロック層及び第２の導電型の電流ブロック層を順次成長させる電流ブロック層埋め込み成長工程と、
　前記ストライプマスクを除去した後、前記メサストライプ及び前記第２の導電型の電流ブロック層上に前記レーザ光を遮蔽する第１の導電型のクラッド層と、レーザ部電極とオーミック接続を形成する第１の導電型のコンタクト層とを順次成長させ、前記変調器部形成予定領域中の前記メサストライプからリッジ導波路を形成するためのリッジ導波路構造用マスクを該コンタクト層上のリッジ導波路形成予定領域及び前記レーザ部形成予定領域に形成する該リッジ導波路構造用マスク形成工程と、
　前記リッジ導波路構造用マスク以外の領域の前記コンタクト層、前記クラッド層、及び前記第１、第２の導電型の電流ブロック層をエッチングすることにより、前記変調器部形成予定領域に前記リッジ導波路を形成するリッジ導波路構造形成工程と、
　前記リッジ導波路構造形成工程でエッチングした領域に絶縁層を埋め込む絶縁層埋め込み工程と、
　前記リッジ導波路の上面に前記活性層に電源電圧を供給する前記レーザ部電極を形成し且つ前記変調器部形成予定領域の上面に前記変調信号を供給する変調器部電極を形成すると共に、前記基板の厚みを所望の厚みに調整し、該基板の下面にアース用電極を形成する電極形成工程とを、
　行うことを特徴とする半導体レーザの製造方法。」（以下「本願発明」という。）
　
　
２．刊行物の記載事項
　本願の出願前に頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である特開平８−１６２７０６号公報（以下「引用刊行物１」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
ア　「【０００５】図４の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）〜図６の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、分布帰還形（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ  Ｆｅｅｄｂａｃｋ：略称ＤＦＢ）レーザと光変調器とを基板上に集積化した変調器付きＤＦＢレーザの製造方法を説明するための工程図である。
【０００６】まず、基板５０として、ｎ−ＩｎＰ基板を用いている。この基板５０上にｎ−ＩｎＰ下側クラッド層５２、ＩｎＧａＡｓＰ活性層５４及びｐ−ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層５６を順次形成する。
【０００７】その後、二光束干渉法を用いてグレーテイング５８を形成し、更に、グレーティング５８上にｐ−ＩｎＰ上側クラッド層６０を形成する（図４の（Ａ））。
【０００８】次に、上側クラッド層６０上にマスク（図示せず）を形成した後、上側クラッド層６０の表面から基板５０の深さ方向に向かって選択エッチングを行い、上側クラッド層６０から活性層５４までをエッチング除去して下側クラッド層５２の面を露出させる。このときエッチングにより残存した上側クラッド層６０ａ、クレーティング（審決注：「グレーティング」の誤記と認める。）５８ａ、光ガイド層５６ａ及び活性層５４ａにより第１光導波路予備層６１が形成される。
【０００９】続いて、下側クラッド層５２が露出している面にＩｎＧａＡａＰ光吸収層６２及びｐ−ＩｎＰ上側クラッド層６４を順次形成して第１光導波路予備層６１の周辺（ここでは３つの周辺部分）を埋め込み第２光導波路予備層６５を形成する（図４の（Ｃ））。
【００１０】次に、上側クラッド層６０ａ及び６４の表面にまたがって第１マスク６６を形成した後、メサエッチングを行う（図５の（Ａ））。このときのメサエッチングにより第１及び第２光導波路層を含むリッジ６７が形成される。このとき、第１光導波路層側のリッジを６７ａとし、第２光導波路層側のリッジを６７ｂとする。
【００１１】次に、第１及び第２光導波路層側のリッジ６７（６７ａ，６７ｂ）の両側面の領域であって露出している下側クラッド層５２ａ上に２つの電流ブロック層、すなわちｐ−ＩｎＰ下側電流ブロック層６８とｎ−ＩｎＰ上側電流ブロック層７０とをそれぞれ形成する（図５の（Ｂ））。
【００１２】次に、所定の溶液を用いて第１マスク６６を除去した後、露出したリッジの上面及び上側電流ブロック層７０上にｐ−ＩｎＰ上側クラッド層７２及びコンタクト層７４を順次形成する。その後、コンタクト層７４上に第２マスク７６を形成する（図５の（Ｃ））。
【００１３】続いて、第２光導波路層側に露出している部分をメサエッチングしてリッジ７７を形成する（図６の（Ａ））。このときのリッジ７７の部分が第２光導波路層となる。
【００１４】次に、リッジ７７の両側面に接した領域であって露出している下側クラッド層上にポリイミド層７８を形成する（図６の（Ｂ））。
【００１５】その後、第１光導波路層側の上側に第１電極７９を形成し、第２第１光導波路層側の上側に第２電極８０を形成し、更に、基板５０の裏面に第３電極８１を形成する。なお、第１及び第２電極７９、８０を形成するとき、第１光導波路層側と第２光導波路層側との間で電気的絶縁性を得るため、オーミック電極用コンタクト層を分離してある。従来は、上述した方法により変調器付きＤＦＢレーザを製造していた。」 
　
イ　エッチングにより残存した上側クラッド層６０a、クレーティング５８a、光ガイド層５６a及び活性層５４aによりなる第１光導波路予備層６１が島状であること、が図４（Ｂ）から見て取れる。
　
　よって、これらの記載を総合すると、引用刊行物１には、次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。 
 　 
「基板５０上に下側クラッド層５２、活性層５４及び光ガイド層５６を順次形成し、その後、二光束干渉法を用いてグレーテイング５８を形成し、更に、該グレーティング５８上に上側クラッド層６０を形成し、次に、該上側クラッド層６０上にマスクを形成した後、上側クラッド層６０の表面から基板の深さ方向に向かって選択エッチングを行って前記上側クラッド層６０から前記活性層５４までをエッチング除去して、エッチングにより残存した上側クラッド層６０a、グレーティング５８a、光ガイド層５６a及び活性層５４aにより島状の第１光導波路予備層６１を形成し、
　続いて、下側クラッド層５２が露出している面に光吸収層６２及び上側クラッド層６４を順次形成して島状の第１光導波路予備層６１の周辺を埋め込み第２光導波路予備層６５を形成し、
　次に、上側クラッド層６０ａ及び６４の表面にまたがって第１マスク６６を形成した後、メサエッチングを行って第１及び第２光導波路層を含むリッジ６７を形成し、
　次に、第１及び第２光導波路層側のリッジ６７の両側面の領域であって露出している下側クラッド層５２ａ上にｐ−ＩｎＰ下側電流ブロック層６８とｎ−ＩｎＰ上側電流ブロック層７０とを形成し、
　次に、前記第１マスク６６を除去した後、露出したリッジ６７の上面及びｎ−ＩｎＰ上側電流ブロック層７０上にｐ−ＩｎＰ上側クラッド層７２及びコンタクト層７４を順次形成し、その後、コンタクト層７４上に第２マスク７６を形成し、
　続いて、第２光導波路層側に露出している部分をメサエッチングしてリッジ７７を形成し、
　次に、リッジ７７の両側面に接した領域であって露出している下側クラッド層５２上にポリイミド層７８を形成し、
　その後、第１光導波路層側の上側に第１電極７９を形成し、第２光導波路層側の上側に第２電極８０を形成し、更に、基板５０の裏面に第３電極８１を形成する、
　変調器付きＤＦＢレーザの製造方法。」 
　
　
　同じく、本願の出願前に頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である特開平１−２３１３８９号公報（以下「引用刊行物２」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
ウ　「第５図は本発明の製造方法を説明するための光半導体素子の断面模式図であり、発光素子として発光導波路が周期的な凹凸構造を存するレーザ（以下「ＤＦＢレーザ」と略す）と光変調素子とが同一の基板に集積化にされた光半導体素子である。
　・・・（中略）・・・。
　第６図（ａ）〜（ｇ）は本発明による第２の実施例であり、レーザ領域と変調領域とが同一基板上に集積化された光半導体素子の製造方法を示した工程図である。
（ａ）λ／４シフト部１０２を設けたグレーティングｎ型ＩｎＰ３１基板上にＩｎＧａＡｓＰ導波路層３２、ＩｎＧａＡｓＰ発光層３３およびｐ型ＩｎＰ層３４を気相成長法や液相成長法によって順次結晶成長させる。
（ｂ）光変調素子を形成する変調領域をエッチングによって除去する。
（ｃ）ＩｎＧａＡｓＰ変調導波路層３５及びｐ型ＩｎＰ層３６の結晶成長を全面に渡って行なう。
（ｄ）ＤＦＢレーザ領域と変調領域との結合部近傍で変調導波路３５が発光導波路層３３上部に残るようにして発光導波路層３３上部の成長層を除去し、ＤＦＢレーザ領域と変調領域との全体に亘ってメサ状にエッチングする。・・・（略）・・・。
（ｅ）・・・（略）・・・気相成長法を用いて、本発明ではＤＦＢレーザ領域と変調領域のウエーハ全体に低キャリア濃度ｎ型ＩｎＰ層３７を結晶成長し、次に高キャリア濃度半導体として亜鉛ドープのｐ型ＩｎＰ層３８を成長させる。さらに電極コンタクト層としての亜鉛ドープのｐ型ＩｎＧａＡｓＰ層３９の結晶成長を行なう。・・・（略）・・・。
（ｆ）・・・（略）・・・。
（ｇ）ＤＦＢレーザ領域のｐ側電極４３、変調領域のｐ側電極４４、ｎ側電極４５を形成する。」（第４頁右上欄第１４行〜第５頁右上欄第１８行）
　 
　よって、これらの記載を総合すると、引用刊行物２には、次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。 
 　 
「ＤＦＢレーザと光変調素子とが同一の基板に集積化にされた光半導体素子の製造方法として、λ／４シフト部を設けたグレーティングｎ型ＩｎＰ基板上にＩｎＧａＡｓＰ導波路層、ＩｎＧａＡｓＰ発光層およびｐ型ＩｎＰ層を順次結晶成長させ、光変調素子を形成する変調領域をエッチングによって除去し、ＩｎＧａＡｓＰ変調導波路層及びｐ型ＩｎＰ層の結晶成長を全面に渡って行ない、その後、ＤＦＢレーザ領域と変調領域との結合部近傍で前記変調導波路が前記導波路層上部に残るようにして該導波路層上部の成長層を除去し、ＤＦＢレーザ領域と変調領域との全体に亘ってメサ状にエッチングし、ＤＦＢレーザ領域と変調領域のウエーハ全体に低キャリア濃度ｎ型ＩｎＰ層を結晶成長し、次に高キャリア濃度半導体として亜鉛ドープのｐ型ＩｎＰ層を成長させ、さらに電極コンタクト層としての亜鉛ドープのｐ型ＩｎＧａＡｓＰ層の結晶成長を行ない、ＤＦＢレーザ領域のｐ側電極、変調領域のｐ側電極、ｎ側電極を形成するもの。」 
　
　
　同じく、本願の出願前に頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である特開平８−６９９５３号公報（以下「引用刊行物３」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
エ　「【００３１】（実施例３）図１２より図１７を用いて本発明に係る半導体装置およびその製造方法の第３の実施例を説明する。
【００３２】まず、図１２(a)に示すように、（１００）ｎ−ＩｎＰ基板１ｂ表面にＳｉＯ２ストライプ状被覆膜１０２（厚さ０．３μｍ）を蒸着する。ＳｉＯ２ストライプ状被覆膜１０２は、幅１０００μｍで［０−１１］方向に平行に２０００μｍ間隔に形成する。このｎ−ＩｎＰ基板１ｂのＳｉＯ２ストライプ状被覆膜１０２に被覆されていない部分に分布帰還型レーザのための回折格子を［０−１１］方向に平行に形成する。・・・（略）・・・。
【００３３】次に、図１３(a)に示すように、（１００）ｐ−ＩｎＰ基板１ａ上に分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法により、ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層４１（厚さ０．２μｍ）、ｐ−ＩｎＡｌＡｓクラッド層４２（厚さ１．５μｍ）、アンドープ超格子上ガイド層４３１、アンドープ量子井戸（ＭＱＷ）電界吸収層４４、アンドープ超格子下ガイド層４３２、ｎ−ＩｎＡｌＡｓクラッド層４５（厚さ０．５μｍ）を成長する。・・・（略）・・・。
【００３４】・・・（略）・・・。
【００３５】・・・（略）・・・。
【００３６】・・・（略）・・・。
【００３７】更に、ｎ−ＩｎＰ基板１ｂを裏面から研磨して約１００μｍの厚さにし、この裏面全面にｎ型電極８１（Ｔｉ　１０００Å／Ｐｔ　２０００Å／Ｔｉ　１０００Å）を蒸着する。・・・（略）・・・。このようにして、ＩｎＰ基板上にマッハツェンダ型光変調器と長波長帯の分布帰還型ＭＱＷ半導体レーザが一括作製・集積される。」 
 　 
　よって、これらの記載を総合すると、引用刊行物３には、次の発明（以下「引用発明３」という。）が記載されていると認められる。 
 　 
「ＩｎＰ基板上にマッハツェンダ型光変調器と長波長帯の分布帰還型ＭＱＷ半導体レーザを一括作製・集積する際に、該ＩｎＰ基板を裏面から研磨し、この裏面全面にｎ型電極を蒸着するもの。」 
　
　
３．対比、判断
　本願発明と引用発明１を対比する。
　
ア　引用発明１の「基板５０」、「光吸収層６２」、「第１マスク６６」、「第１及び第２光導波路層を含むリッジ６７」、「第１及び第２光導波路層側のリッジ６７の両側面の領域」、「ｐ−ＩｎＰ下側電流ブロック層６８とｎ−ＩｎＰ上側電流ブロック層７０」、「ｎ−ＩｎＰ上側電流ブロック層７０」、「ｐ−ＩｎＰ上側クラッド層７２」、「コンタクト層７４」、「第２マスク７６」、「リッジ７７」、「ポリイミド層７８」、「第１光導波路層側の上側」、「第１電極７９」、「第２光導波路層側の上側」、「第２電極８０」、「基板５０の裏面」、「第３電極８１」及び「変調器付きＤＦＢレーザの製造方法」は、それぞれ、本願発明の「基板」、「外部から供給される変調信号に基づいて（前記）レーザ光を吸収して変調する吸収層」、「ストライプマスク」、「メサストライプ」、「メサストライプの両側の領域」、「活性層のみに電流を流す第１の導電型の電流ブロック層及び第２の導電型の電流ブロック層」、「第２の導電型の電流ブロック層」、「レーザ光を遮蔽する第１の導電型のクラッド層」、「第１の導電型のコンタクト層」、「リッジ導波路構造用マスク」、「リッジ導波路」、「絶縁層」、「リッジ導波路の上面」、「活性層に電源電圧を供給する（前記）レーザ部電極」、「変調器部形成予定領域の上面」、「変調信号を供給する変調器部電極」、「基板の下面」、「アース用電極」及び「半導体レーザの製造方法」に相当する。
　
イ　引用発明１の「上側クラッド層６４」は、光吸収層６２を保護する作用を有することは当業者にとって自明であるから、本願発明の「吸収層を保護する第２の保護層」に相当する。
　
ウ　引用発明１の、上側クラッド層６０上に形成する「マスク」は、「上側クラッド層６０の表面から基板の深さ方向に向かって選択エッチングを行って・・・島状の第１光導波路予備層６１を形成」するものであるから、上記「マスク」は、本願発明の「島状エッチングマスク」に相当する。
　
エ　引用発明１の「リッジ７７の両側面に接した領域」は、メサエッチングして形成されたものであるから、本願発明の「リッジ導波路構造形成工程でエッチングした領域」に相当する。
　
オ　引用発明１の「基板５０」上の、「第１光導波路予備層６１」が形成された端面側及び該「第１光導波路予備層６１」が形成されていない他端面側が、それぞれ、本願発明の「基板」上の、「レーザ部形成予定領域」及び「変調部形成予定領域」に相当する。
　
カ　引用発明１の「基板５０上に下側クラッド層５２、活性層５４及び光ガイド層５６を順次形成し、その後、二光束干渉法を用いてグレーテイング５８を形成し、更に、該グレーティング５８上に上側クラッド層６０を形成し、次に、該上側クラッド層６０上にマスクを形成した後、上側クラッド層６０の表面から基板の深さ方向に向かって選択エッチングを行って前記上側クラッド層６０から前記活性層５４までをエッチング除去して、エッチングにより残存した上側クラッド層６０a、クレーティング５８a、光ガイド層５６a及び活性層５４aにより島状の第１光導波路予備層６１を形成し」なる事項と、本願発明の「レーザ部形成予定領域及び変調器部形成予定領域を有する基板上の全面に、レーザ光の発振波長を決定するグレーティングを形成するグレーティング形成工程と、前記グレーティング上に、前記レーザ光を伝導する導波路層、電流を流すことによって該レーザ光を発生する活性層、及び該活性層を保護する第１の保護層を順次成長させ、該グレーティングを埋め込む導波路層／活性層／保護層成長工程と、前記第１の保護層上の前記レーザ部形成予定領域に所望の大きさの島状エッチング用マスクを形成し、該島状エッチング用マスク以外の領域における異方性エッチングにより、前記第１の保護層、前記活性層、及び前記導波路層を除去すると共に、前記グレーティングをエッチングして該島状エッチング用マスク以外の領域を平坦にするエッチング工程」なる事項とは、「レーザ部形成予定領域及び変調器部形成予定領域を有する基板上に活性層、グレーティングを形成し、前記レーザ部形成予定領域に所望の大きさの島状エッチング用マスクを形成し、該島状エッチング用マスク以外の領域の前記活性層及び前記グレーティングをエッチング除去する」点で一致する。
　
キ　引用発明１の「下側クラッド層５２が露出している面に光吸収層６２及び上側クラッド層６４を順次形成して島状の第１光導波路予備層６１の周辺を埋め込み第２光導波路予備層６５を形成し」なる事項と、本願発明の「前記基板上の前記島状エッチング用マスクの周囲の領域に、外部から供給される変調信号に基づいて前記レーザ光を吸収して変調する吸収層、及び該吸収層を保護する第２の保護層を順次成長させ、該島状エッチング用マスクを埋め込んで平坦面を形成する吸収層埋め込み成長工程」とは、引用発明１の「下側クラッド層５２が露出している面」が、島状のマスクにより上側クラッド層６０から活性層５４までがエッチング除去された島状の第１光導波路予備層６１の周囲の領域に対応するから、両者は「島状エッチング用マスクの周囲の領域に、外部から供給される変調信号に基づいて前記レーザ光を吸収して変調する吸収層、及び該吸収層を保護する第２の保護層を順次成長させる吸収層埋め込み成長工程」である点で一致する。
　
ク　引用発明１の「上側クラッド層６０ａ及び６４の表面にまたがって第１マスク６６を形成した後、メサエッチングを行って第１及び第２光導波路層を含むリッジ６７を形成し」なる事項と、本願発明の「前記平坦面上の所望の領域にストライプマスクを形成した後、前記第２の保護層及び前記吸収層に対してエッチングを施して該ストライプマスクの下部にメサストライプを形成するメサエッチング工程」とは、「所望の領域にストライプマスクを形成した後、前記第２の保護層及び前記吸収層に対してエッチングを施して該ストライプマスクの下部にメサストライプを形成するメサエッチング工程」である点で一致する。
　
ケ　引用発明１の「第１及び第２光導波路層側のリッジ６７の両側面の領域であって露出している下側クラッド層５２ａ上にｐ−ＩｎＰ下側電流ブロック層６８とｎ−ＩｎＰ上側電流ブロック層７０とを形成し」なる事項と、本願発明の「前記基板上の前記メサストライプの両側の領域に、前記活性層のみに電流を流す第１の導電型の電流ブロック層及び第２の導電型の電流ブロック層を順次成長させる電流ブロック層埋め込み成長工程」とは、「前記メサストライプの両側の領域に、前記活性層のみに電流を流す第１の導電型の電流ブロック層及び第２の導電型の電流ブロック層を順次成長させる電流ブロック層埋め込み成長工程」である点で一致する。
　
コ　引用発明１の「前記第１マスク６６を除去した後、露出したリッジ６７の上面及びｎ−ＩｎＰ上側電流ブロック層７０上にｐ−ＩｎＰ上側クラッド層７２及びコンタクト層７４を順次形成し、その後、コンタクト層７４上に第２マスク７６を形成し」なる事項は、上記「コンタクト層７４」が、本願発明の「レーザ部電極」に相当する「第１電極７９」とオーミック接続を形成するものであるといえ、また、上記「第２マスク７６」が、変調器部形成予定領域中のリッジ６７からリッジ７７を形成するためのものであり、かつ、該「第２マスク７６」が、コンタクト層７４上のリッジ導波路７７形成予定領域及びレーザ部形成予定領域に形成されることが図５（Ｃ)及び図６（Ａ）から見て取れるから、本願発明の「前記ストライプマスクを除去した後、前記メサストライプ及び前記第２の導電型の電流ブロック層上に前記レーザ光を遮蔽する第１の導電型のクラッド層と、レーザ部電極とオーミック接続を形成する第１の導電型のコンタクト層とを順次成長させ、前記変調器部形成予定領域中の前記メサストライプからリッジ導波路を形成するためのリッジ導波路構造用マスクを該コンタクト層上のリッジ導波路形成予定領域及び前記レーザ部形成予定領域に形成する該リッジ導波路構造用マスク形成工程」に相当する。
　
サ　引用発明１の「第２光導波路層側に露出している部分をメサエッチングしてリッジ７７を形成し」なる事項は、本願発明の「前記リッジ導波路構造用マスク以外の領域の前記コンタクト層、前記クラッド層、及び前記第１、第２の導電型の電流ブロック層をエッチングすることにより、前記変調器部形成予定領域に前記リッジ導波路を形成するリッジ導波路構造形成工程」に相当する。
　
シ　引用発明１の「リッジ７７の両側面に接した領域であって露出している下側クラッド層上にポリイミド層７８を形成し」なる事項は、本願発明の「前記リッジ導波路構造形成工程でエッチングした領域に絶縁層を埋め込む絶縁層埋め込み工程」に相当する。
　
ス　引用発明１の「第１光導波路層側の上側に第１電極７９を形成し、第２光導波路層側の上側に第２電極８０を形成し、更に、基板５０の裏面に第３電極８１を形成する」なる事項と、本願発明の「前記リッジ導波路の上面に前記活性層に電源電圧を供給する前記レーザ部電極を形成し且つ前記変調器部形成予定領域の上面に前記変調信号を供給する変調器部電極を形成すると共に、前記基板の厚みを所望の厚みに調整し、該基板の下面にアース用電極を形成する電極形成工程」とは、「前記リッジ導波路の上面に前記活性層に電源電圧を供給する前記レーザ部電極を形成し且つ前記変調器部形成予定領域の上面に前記変調信号を供給する変調器部電極を形成すると共に、該基板の下面にアース用電極を形成する電極形成工程」である点で一致する。
 　  
　したがって、両者は、　  
「レーザ部形成予定領域及び変調器部形成予定領域を有する基板上に活性層、グレーティングを形成し、前記レーザ部形成予定領域に所望の大きさの島状エッチング用マスクを形成し、該島状エッチング用マスク以外の領域の前記活性層及び前記グレーティングをエッチング除去し、
　前記島状エッチング用マスクの周囲の領域に、外部から供給される変調信号に基づいて前記レーザ光を吸収して変調する吸収層、及び該吸収層を保護する第２の保護層を順次成長させ、該島状エッチング用マスクを埋め込む吸収層埋め込み成長工程と、
　所望の領域にストライプマスクを形成した後、前記第２の保護層及び前記吸収層に対してエッチングを施して該ストライプマスクの下部にメサストライプを形成するメサエッチング工程と、
　前記メサストライプの両側の領域に、前記活性層のみに電流を流す第１の導電型の電流ブロック層及び第２の導電型の電流ブロック層を順次成長させる電流ブロック層埋め込み成長工程と、
　前記ストライプマスクを除去した後、前記メサストライプ及び前記第２の導電型の電流ブロック層上に前記レーザ光を遮蔽する第１の導電型のクラッド層と、レーザ部電極とオーミック接続を形成する第１の導電型のコンタクト層とを順次成長させ、前記変調器部形成予定領域中の前記メサストライプからリッジ導波路を形成するためのリッジ導波路構造用マスクを該コンタクト層上のリッジ導波路形成予定領域及び前記レーザ部形成予定領域に形成する該リッジ導波路構造用マスク形成工程と、
　前記リッジ導波路構造用マスク以外の領域の前記コンタクト層、前記クラッド層、及び前記第１、第２の導電型の電流ブロック層をエッチングすることにより、前記変調器部形成予定領域に前記リッジ導波路を形成するリッジ導波路構造形成工程と、
　前記リッジ導波路構造形成工程でエッチングした領域に絶縁層を埋め込む絶縁層埋め込み工程と、
　前記リッジ導波路の上面に前記活性層に電源電圧を供給する前記レーザ部電極を形成し且つ前記変調器部形成予定領域の上面に前記変調信号を供給する変調器部電極を形成すると共に、該基板の下面にアース用電極を形成する電極形成工程とを、
　行う半導体レーザの製造方法。」　  
である点で一致し、次の各点で相違する。　  
 　  
相違点
［相違点１］
　レーザ部形成予定領域及び変調器部形成予定領域を有する基板上に活性層、グレーティングを形成し、前記レーザ部形成予定領域に所望の大きさの島状エッチング用マスクを形成し、該島状エッチング用マスク以外の領域の前記活性層及び前記グレーティングをエッチング除去するに際し、本願発明は、「レーザ部形成予定領域及び変調器部形成予定領域を有する基板上の全面に、レーザ光の発振波長を決定するグレーティングを形成するグレーティング形成工程と、前記グレーティング上に、前記レーザ光を伝導する導波路層、電流を流すことによって該レーザ光を発生する活性層、及び該活性層を保護する第１の保護層を順次成長させ、該グレーティングを埋め込む導波路層／活性層／保護層成長工程と、前記第１の保護層上の前記レーザ部形成予定領域に所望の大きさの島状エッチング用マスクを形成し、該島状エッチング用マスク以外の領域における異方性エッチングにより、前記第１の保護層、前記活性層、及び前記導波路層を除去すると共に、前記グレーティングをエッチングして該島状エッチング用マスク以外の領域を平坦にするエッチング工程とを行」うとともに、その後の工程において、吸収層及び第２の保護層を島状エッチング用マスクの周囲の領域に順次形成する際にこれを「基板上」に形成し、また、電流ブロック層をメサストライプの両側の領域に順次成長させる際にこれを「基板上」に成長させるのに対し、引用発明１は、基板５０上に下側クラッド層５２、活性層５４及び光ガイド層５６を順次形成し、その後、二光束干渉法を用いてグレーテイング５８を形成し、更に、該グレーティング５８上に上側クラッド層６０を形成し、次に、該上側クラッド層６０上に島状のマスクを形成した後、上側クラッド層６０の表面から基板の深さ方向に向かって選択エッチングを行って前記上側クラッド層６０から前記活性層５４までをエッチング除去して、エッチングにより残存した上側クラッド層６０a、クレーティング５８a、光ガイド層５６a及び活性層５４aにより島状の第１光導波路予備層６１を形成する点。
［相違点２］
　吸収層埋め込み成長工程において、島状エッチング用マスクの周囲の領域に吸収層及び第２の保護層を順次成長させて該島状エッチング用マスクを埋め込むに際して、本願発明は、平坦面を形成し、その後のメサエッチング工程において、該平坦面上の所望の領域にストライプマスクを形成するのに対し、引用発明１は、平坦面を形成するか否か不明な点。
［相違点３］
　電極形成工程において、基板の下面にアース用電極を形成する前に、本願発明では、該基板の厚みを所望の厚みに調整するのに対し、引用発明１では、基板の厚みを調整するのか否か不明な点。
　
　上記相違点につき検討する。
［相違点１］について
　引用発明１は、「上側クラッド層６０の表面から基板５０の深さ方向に向かって選択エッチングを行って、上側クラッド層６０から活性層５４までをエッチング除去」するものであるところ、ＩｎＧａＡｓＰ活性層やＩｎＰクラッド層の積層体を異方性エッチングにより厚さ方向に除去することは本願出願前に周知である（例えば、特開平９−１６２４９２号公報（【００２３】〜【００２６】、図３）、特開平９−１８０７９号公報（【０１１３】〜【０１１５】、図１）参照。）。一方、「ＤＦＢレーザと光変調素子とが同一の基板に集積化にされた光半導体素子の製造方法として、λ／４シフト部を設けたグレーティングｎ型ＩｎＰ基板上にＩｎＧａＡｓＰ導波路層、ＩｎＧａＡｓＰ発光層およびｐ型ＩｎＰ層を順次結晶成長させ、光変調素子を形成する変調領域をエッチングによって除去・・・するもの」の発明（引用発明２）は引用刊行物２に記載されており、この引用発明２を引用発明１の半導体レーザの製造方法に適用し、「レーザ部形成予定領域及び変調器部形成予定領域を有する基板上の全面に、レーザ光の発振波長を決定するグレーティングを形成」し、「前記グレーティング上に、前記レーザ光を伝導する導波路層、電流を流すことによって該レーザ光を発生する活性層、及び該活性層を保護する第１の保護層を順次成長させ」ることは、当業者が必要に応じて適宜なし得ることであって、その際に上記周知技術を採用し、島状エッチング用マスク以外の領域のエッチングを異方性エッチングで行い、上記［相違点１］に係る本願発明の技術的事項とすることは当業者が容易になし得ることである。
［相違点２］について
　その後のメサエッチング工程において、その上にストライプマスクを形成するのであるから、島状エッチング用マスクの周囲の領域を第２の保護層等で埋め込む際にその面を平坦面となし、上記［相違点２］に係る本願発明の技術的事項とすることは、当業者が容易になし得ることである。
［相違点３］について
　「ＩｎＰ基板上にマッハツェンダ型光変調器と長波長帯の分布帰還型ＭＱＷ半導体レーザを一括作製・集積する際に、該ＩｎＰ基板を裏面から研磨し、この裏面全面にｎ型電極を蒸着するもの」の発明（引用発明３）は引用刊行物３に記載されており、この引用発明３を引用発明１の半導体レーザの製造方法に適用して、上記［相違点３］に係る本願発明の技術的事項とすることは当業者が容易になし得ることである。
　
　そして、本願発明によってもたらされる効果は、引用発明１〜３及び上記周知技術から当業者が予測し得る程度のものである。
　
　
４．むすび
　したがって、本願発明は、引用発明１〜３及び周知技術から当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。