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　特願２００１−３８９４９４「エピタキシャルウエーハ製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　７月　４日出願公開、特開２００３−１８８１０２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１３年１２月２１日の出願であって、平成１７年２月１７日付け拒絶理由通知に対して、平成１７年５月２日付けで手続補正がなされたが、平成１８年１１月２０日付けで拒絶査定され、これに対し、平成１９年１月１８日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、平成１９年２月１９日付けで手続補正がなされたものである。
　
第２　平成１９年２月１９日付け手続補正についての補正却下の決定
〔補正却下の決定の結論〕
　平成１９年２月１９日付け手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　
〔理由〕
１．本件補正の内容及び本件補正後の本願発明
　本件補正は、（ａ）補正前の請求項１及び請求項６を削除する点、及び（ｂ）補正前の請求項２に係る発明の発明特定事項である「半導体基板」を「シリコン単結晶基板」に限定し、さらに、同じく補正前の請求項２に係る発明の発明特定事項である「第２のエピタキシャル工程における処理温度」が「１１００℃未満」であったところを、「１０７５℃以上で１１００℃未満」に限定して新たな請求項１に係る発明とする点を含むものであり、上記（ｂ）の点は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後における特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定する要件を満たすか）否かを、その請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）について、以下検討する。
　本願補正発明は、本件補正後の明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
　
「【請求項１】シリコン単結晶基板の表面に第１エピタキシャル膜を形成する第１のエピタキシャル工程と、
少なくとも第１エピタキシャル膜の下層部が残るように第１エピタキシャル膜を除去するエッチング工程と、
第１エピタキシャル膜の残存層上に第２エピタキシャル膜を形成する第２のエピタキシャル工程とを包含し、
第１のエピタキシャル工程における処理温度が１１００℃以上であり、第２のエピタキシャル工程における処理温度が１０７５℃以上で１１００℃未満であることを特徴とするエピタキシャルウエーハ製造方法。」
　
２．引用例及びその記載事項並びに引用発明
（１）これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開平１０−５０６１６号公報（以下、「引用例１」という。）には、図４及び図５とともに、以下の事項が記載されている。
　
〔１ａ〕「【請求項１】　反応容器内に載置したシリコン単結晶上に所望のシリコン単結晶層を気相成長させる方法であって、シリコン単結晶上にシリコン単結晶薄膜からなる保護層を気相成長させた後に、該保護層を気相成長させたシリコン単結晶を反応容器内に収容したままで該反応容器内をドライエッチする工程と、該反応容器内をパージする工程と、前記所望のシリコン単結晶層を気相成長させる工程とを有することを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。
　　【請求項２】　前記保護層は、すくなくともドライエッチ後に該保護層が残存するだけの厚さを有することを特徴とする請求項１に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
　　【請求項３】　ドライエッチ後に前記保護層が残存する厚さは、１μｍ以上５μｍ以下であることを特徴とする請求項２に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。」（【特許請求の範囲】の【請求項１】〜【請求項３】）
　
〔１ｂ〕「本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、遷移幅が狭く急峻で安定した抵抗率プロファイルが得られると共に、生産性の高い製造方法を得ることを目的とする。」（【０００５】）
　
〔１ｃ〕「請求項２記載のエピタキシャルウェーハの製造方法は、請求項１に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法において、前記保護層は、すくなくともドライエッチ後に該保護層が残存するだけの厚さを有することを特徴とする。
　この製造方法によれば、ドライエッチ中に保護層がエッチングされても、その下のシリコン単結晶は露出することがないので、ドライエッチ時に、シリコン単結晶中のドーパントが反応雰囲気中に飛び出して高濃度のドーパント雰囲気を形成し、それが再び成長層中に取り込まれるオートドーピング現象が効果的に防止される。また、ドライエッチ後も保護層が残存するので、その保護層によってオートドーピングが防止されることになる。
・・・
　請求項３記載のエピタキシャルウェーハの製造方法は、請求項２に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法において、ドライエッチ後に前記保護層が残存する厚さは、１μｍ以上５μｍ以下であることを特徴とする。
　ここで、「１μｍ以上」としたのは、１μｍ未満だとオートドープが十分防止できなくなることを考慮したからであり、また、「５μｍ以下」としたのは、５μｍを越えると、抵抗率プロファイル形状に支障をきたし、特性劣化が招来されることを考慮したからである。」（【０００７】〜【０００８】）
　
〔１ｄ〕「［実施例２］
　図４は本発明の他の実施例であるＡｓ（砒素）ドープシリコン単結晶基板１１へのシリコンエピタキシャル層の成長工程を示す断面図である。
　まず、裏面からのオートドープを防止するために酸化膜珪素よりなるＣＶＤ酸化膜１２を裏面に形成したＡｓドープｎ+シリコン単結晶基板１１（図４（Ａ））を縦型炉の反応容器５６（図９参照）内に載置する。このｎ+シリコン単結晶基板１１にはＡｓを高濃度に添加することにより抵抗率が０．００３Ω・ｃｍに調整されている。次に反応容器５６内をＮ2ガスとＨ2ガスで順次パージ後、続いて１１５０℃に昇温し、結晶方位（１１１）のＡｓドープｎ+シリコン単結晶基板１１の主表面上に、ドーパントガスの供給を停止した状態で、保護層１４としてノンドープシリコン単結晶薄膜を５μｍ、気相成長させる（図４（Ｂ））。そして、保護層１４を成長したＡｓドープｎ+シリコン単結晶基板１１を反応容器５６内に収容したままで該反応容器５６内をドライエッチする。この際、保護層１４はＨＣｌガスにより１μｍ／minの速度で４μｍエッチオフされる。したがって、保護層１４の残りの厚さは１μｍである。このエッチオフ後のＡｓドープｎ+シリコン単結晶基板１１が図４（Ｃ）に示されている。
　次いで、Ｈ2ガスで反応容器５６内をパージした後、厚さ１２μｍ、抵抗率５Ω・ｃｍのｎ-シリコン単結晶層１５を気相成長させた（図４（Ｄ））。気相成長後降温してエピタキシャル層を形成したＡｓドープｎ+シリコン単結晶基板１１を取り出し、希フッ酸でＣＶＤ酸化膜１２を除去する（図４（Ｅ））。
・・・
　このようにして完成したシリコンエピタキシャルウェーハの抵抗率プロファイルを図５に示し、比較例として、保護層１４の成長と、ＨＣｌガスエッチとを行わずに低抵抗率のＡｓドープｎ+シリコン単結晶基板１１上にｎ型のシリコン単結晶層１５を気相成長させた場合の抵抗率プロファイルを図６に示す。
　図５における基板とエピタキシャル層との界面の遷移幅ＴＷは１μｍであり、図６のそれの３μｍに比べて狭く、急峻な形状をしており、Ａｓドープｎ+シリコン単結晶基板１１からのオートドープを抑止するとともに、反応容器５６内壁等に付着していたドーパントを十分に除去しメモリー効果の発生を防止できたことをよく表している。」（【００１５】〜【００１６】）
　
（２）上記引用例１の摘記事項〔１ａ〕〜〔１ｄ〕、図４及び図５の記載を総合勘案すると、引用例１には、次の発明（以下、「引用例１発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「反応容器内をＮ2ガスとＨ2ガスで順次パージ後、続いて１１５０℃に昇温し、結晶方位（１１１）のＡｓドープｎ+シリコン単結晶基板の主表面上に、ドーパントガスの供給を停止した状態で、保護層としてノンドープシリコン単結晶薄膜を５μｍ、気相成長させる工程と、
　保護層を成長したＡｓドープｎ+シリコン単結晶基板を反応容器内に収容したままで該反応容器内をドライエッチして上記保護層を４μｍエッチオフすることにより、上記保護層の残りの厚さを１μｍとする工程と、
　次いで、Ｈ2ガスで反応容器内をパージした後、厚さ１２μｍ、抵抗率５Ω・ｃｍのｎ-シリコン単結晶層を気相成長させる工程と、
　を有するシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。」
　
３．対比・判断
　そこで、本願補正発明と引用例１発明とを対比する。
（ア）引用例１発明における「Ａｓドープｎ+シリコン単結晶基板」、「主表面」、保護層としての「ノンドープシリコン単結晶薄膜」、「ｎ-シリコン単結晶層」及び「シリコンエピタキシャルウェーハ」は、それぞれ本願補正発明における「シリコン単結晶基板」、「表面」、「第１エピタキシャル膜」、「第２エピタキシャル膜」及び「エピタキシャルウエーハ」に相当する。
（イ）引用例１発明における「反応容器内をＮ2ガスとＨ2ガスで順次パージ後、続いて１１５０℃に昇温し、結晶方位（１１１）のＡｓドープｎ+シリコン単結晶基板の主表面上に、ドーパントガスの供給を停止した状態で、保護層としてノンドープシリコン単結晶薄膜を５μｍ、気相成長させる工程」は、本願補正発明における「１１００℃以上」の処理温度で行われる「第１のエピタキシャル工程」に相当する。
（ウ）引用例１発明における「保護層を成長したＡｓドープｎ+シリコン単結晶基板を反応容器内に収容したままで該反応容器内をドライエッチして上記保護層を４μｍエッチオフすることにより、上記保護層の残りの厚さを１μｍとする工程」は、保護層としてのノンドープシリコン単結晶薄膜、即ち「第１エピタキシャル膜」を、１μｍの厚さの「下層部」又は「残存層」が残るように、その上層部をドライエッチにより除去する工程であるから、本願補正発明における「少なくとも第１エピタキシャル膜の下層部が残るように第１エピタキシャル膜を除去するエッチング工程」に相当する。
（エ）引用例１発明において、保護層をエッチオフして残りの厚さを１μｍとした後で実施される「Ｈ2ガスで反応容器内をパージした後、厚さ１２μｍ、抵抗率５Ω・ｃｍのｎ-シリコン単結晶層を気相成長させる工程」は、本願補正発明における「第２のエピタキシャル工程」に相当する。
　
　そうすると、本願補正発明と引用例１発明とは、次の点で一致する。
　
＜一致点＞
「シリコン単結晶基板の表面に第１エピタキシャル膜を形成する第１のエピタキシャル工程と、
　少なくとも第１エピタキシャル膜の下層部が残るように第１エピタキシャル膜を除去するエッチング工程と、
　第１エピタキシャル膜の残存層上に第２エピタキシャル膜を形成する第２のエピタキシャル工程とを包含し、
　第１のエピタキシャル工程における処理温度が１１００℃以上であるエピタキシャルウエーハ製造方法。」
　
　一方で、本願補正発明と引用例１発明とは、次の点で相違する。
　
＜相違点＞
　第２のエピタキシャル工程における処理温度が、本願補正発明では、「１０７５℃以上で１１００℃未満」であるのに対して、引用例１発明では、不明である点。
　
　そこで、上記相違点について以下に検討する。
　
　一般に、シリコン等の半導体材料からなり導電性を得るための不純物を含む基板上にエピタキシャル成長層を形成する際には、該エピタキシャル成長中に基板内の不純物が該エピタキシャル成長層中に再分布する現象、即ち「オートドーピング」を防止するために低温下でエピタキシャル成長を行う方法が有効である一方で、低温でエピタキシャル成長を行って形成したエピタキシャル成長層中には結晶欠陥が発生しやすいことは、以下の周知例１、２に記載されるように、本願出願前既に周知の事項（以下、「周知事項Ａ」という。）である。
　
周知例１：特開平５−１６６７２１号公報
〔周１ａ〕「【従来の技術】
　シリコンウェーハの上にエピタキシャル層を成長させる方法は、各種提案されている。このエピタキシャル成長法では、エピタキシャル成長中にウェーハ内の不純物が該エピタキシャル成長層内で再分布するオートドーピングおよびアウトディフュージョンを防止する必要がある。このオートドーピング防止の技術としては、低温下でエピタキシャル成長を行う等の方法が知られている。・・・
　　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、このような従来の低温によるエピタキシャル層の成長方法にあっては、エピタキシャル層中に結晶欠陥が発生し易いという課題があった。」（【０００２】〜【０００３】）
　
周知例２：特開平２−１０２５２０号公報
〔周２ａ〕「半導体単結晶基体ウエハ（ウエハ）表面に気相化学反応によって半導体薄層を形成する気相エピタキシャル（エピ）成長法はバイポーラＬＳＩの重要な製造プロセスである。・・・１０００℃以上のプロセス温度で行うエピ成長法では、基体ウエハの埋込み層不純物が熱拡散やオートドープによってエピ層中に再分布するため、所望の電気特性を得る不純物分布を持つ前述のような極めて薄いエピ層の形成は困難である。・・・しかしながら、プロセス温度を低温化すると、主として基体ウエハ表面に存在する自然酸化膜を除去することが困難となる点から形成する、エピ層の結晶性が極端に低下する問題が発生する。」（第１頁右欄第８行〜第２頁左上欄第１７行）
　
　また、「１０７５℃以上１１００℃未満」の温度範囲でシリコン単結晶ウエハ上にシリコンのエピタキシャル成長を行うことも、以下の周知例３、４に記載されるように、本願出願前既に周知の事項である（以下、「周知事項Ｂ」という。）。
　
周知例３：特開２０００−４４３８９号公報
〔周３ａ〕「エピタキシャル成長装置を用いてこれらのシリコン単結晶ウエーハの表面に、１１３０℃で１分間の水素ベークに続き、１０９０℃で１５μｍ厚さのシリコンエピタキシャル成長を行なった。」（【００５８】）
　
周知例４：日本学術振興会薄膜第１３１委員会編，「薄膜ハンドブック」，第１版，株式会社オーム社，昭和５８年１２月１０日，ｐ．２０５
〔周４ａ〕「表４・６　ＣＶＤ膜形成温度範囲の区分」には、「成長温度領域」として「高温成長、〜１２００℃」、「反応系」として「ＳｉＨ４−Ｈ２、ＳｉＣｌ４−Ｈ２、ＳｉＨ２Ｃｌ２−Ｈ２」、「薄膜」として「Ｓｉ」、及び「応用例」として「エピタキシャル成長」との記載がある。
〔周４ｂ〕「高温領域はシリコン上でエピタキシャル成長が可能な温度であり，１０００℃以上の範囲である．」（左欄下から４〜３行）
　
　上記周知事項Ａによれば、引用例１発明において、第２のエピタキシャル成長工程において第２エピタキシャル膜を形成する際にも、「Ａｓドープｎ+シリコン単結晶基板１１からのオートドープを抑止する」ことが求められる（上記摘記事項〔１ｄ〕参照）一方で、エピタキシャル成長により形成した層の結晶欠陥を防止する必要があることも明らかであるから、引用例１発明において、許容されるオートドープや結晶欠陥の程度を加味した上でこれらの条件を検討して、第２エピタキシャル膜の形成に適したエピタキシャル成長温度を設定しようとすることは、当業者にとって格別困難なことではないし、その際のエピタキシャル成長の設定温度として、上記周知事項Ｂのように「１０７５℃以上１１００℃未満」の範囲の温度を選択することも、本願補正発明がそのような温度の選択によって、オートドープ防止及び結晶欠陥の発生防止の観点からして格別顕著な効果を奏するとは認められないことからすると、当業者が適宜なし得たことといえる。
　
　したがって、本願補正発明は、引用例１発明及び上記周知事項Ａ、Ｂに基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．本件補正についてのむすび
　以上のとおりであるから、本願補正発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１．本願発明
　平成１９年２月１９日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜６に係る発明は、平成１７年５月２日付けの手続補正により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜６に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
　
「【請求項１】半導体基板の表面に第１エピタキシャル膜を形成する第１のエピタキシャル工程と、少なくとも第１エピタキシャル膜の下層部が残るように第１エピタキシャル膜を除去するエッチング工程と、第１エピタキシャル膜の残存層上に第２エピタキシャル膜を形成する第２のエピタキシャル工程とを包含し、
　第１のエピタキシャル工程における処理温度が、第２のエピタキシャル工程における処理温度より高いことを特徴とするエピタキシャルウエーハ製造方法。」
　
２．引用例及びその記載事項並びに引用発明
　原査定の拒絶の理由で引用された引用例１及びその記載事項並びに引用発明は、前記「第２　〔理由〕２．」に記載したとおりである。
　
３．対比・判断
　本願発明は、上記「第２　〔理由〕」で検討した本願補正発明における「シリコン単結晶基板」が「半導体基板」と上位概念化され、さらに、同本願補正発明における「第１のエピタキシャル工程における処理温度が１１００℃以上であり、第２のエピタキシャル工程における処理温度が１０７５℃以上１１００℃未満である」ところが「第１のエピタキシャル工程における処理温度が、第２のエピタキシャル工程における処理温度より高い」と拡張されたものに相当する。
　そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含み、それらの一部をより具体的に限定したものに相当する本願補正発明が、上記「第２　〔理由〕３．」に記載したとおり、引用例１発明及び上記周知事項Ａ、Ｂに基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、引用例１発明及び上記周知事項Ａ、Ｂに基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明（請求項１に係る発明）は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　したがって、その余の請求項について検討するまでもなく、本願は、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。