【事件の表示】
　平成１１年特許願第３０７０９６号「光波長変換素子および光波長変換モジュール」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　５月１１日出願公開、特開２００１−１２５１５８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１１年１０月２８日の出願であって、平成１８年１２月２０日に手続補正がなされたところ、平成２０年１月１１日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年２月２１日に拒絶査定不服審判請求がなされるとともに、同年３月２４日付けで手続補正がなされたものである。
　
　
第２　平成２０年３月２４日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２０年３月２４日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１　補正の内容  
　平成２０年３月２４日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の請求項１を、以下のように補正することを含むものである。
　
「非線形光学効果を有する基板に光導波路が形成されてなり、この光導波路の一端面側から入射した基本波を波長変換して、波長変換波を前記光導波路の他端面側から出射させる光波長変換素子と、この光波長変換素子に基本波を入射させる半導体レーザーとからなる光波長変換モジュールにおいて、
　前記光波長変換素子の素子長が８ｍｍ以下とされ、
　前記光導波路の他端面が、該光導波路の延びる方向に垂直な面に対して、基板表面にほぼ平行な面内で３°以上傾いており、
　前記半導体レーザーが、前記光導波路の延びる方向に対して垂直に形成された前記一端面に、光学素子を介さずに直接結合されていることを特徴とする光波長変換モジュール。」
　
２　当審の判断
（１）本件補正事項
　本件補正は、補正前の請求項１の「光波長変換素子」について、その「素子長が８ｍｍ以下とされ」ること（以下「本件補正事項」という。）を含むものである。
　
　この点について検討する。
　
（２）当初明細書等の記載事項
　上記本件補正事項に関して、願書に最初に添付した明細書または図面（以下「当初明細書等」という。）には、以下の記載がある。
　
ア　「【特許請求の範囲】
　【請求項１】　非線形光学効果を有する基板に光導波路が形成されてなり、
　この光導波路の一端面側から入射した基本波を波長変換して、波長変換波を前記光導波路の他端面側から出射させる光波長変換素子において、
　前記光導波路の他端面が、該光導波路の延びる方向に垂直な面に対して、基板表面にほぼ平行な面内で３°以上傾いていることを特徴とする光波長変換素子。
　・・・
　【請求項５】　非線形光学効果を有する基板に光導波路が形成されてなり、
　この光導波路の一端面側から入射した基本波を波長変換して、波長変換波を前記光導波路の他端面側から出射させる光波長変換素子において、
　前記光導波路の他端面に、この光導波路の実効屈折率とほぼ等しい屈折率の材料のブロックが接合されていることを特徴とする光波長変換素子。
　【請求項６】　非線形光学効果を有する基板に光導波路が形成されてなり、
　この光導波路の一端面側から入射した基本波を波長変換して、波長変換波を前記光導波路の他端面側から出射させる光波長変換素子において、
　前記光導波路を導波する基本波の位相を変調させる位相変調部が設けられていることを特徴とする光波長変換素子。
　・・・
　【請求項８】　請求項１から７いずれか１項記載の光波長変換素子と、この光波長変換素子の前記一端面側から基本波としてのレーザービームを入射させる外部共振器型半導体レーザーとが光学素子を介さずに結合されてなる光波長変換モジュール。
　・・・」
　
イ　「【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は光波長変換素子に関し、特に詳細には、非線形光学効果を有する基板に光導波路が形成されてなる導波路型の光波長変換素子に関するものである。」
　
ウ　「【００１３】
　本発明は上記の事情に鑑み、半導体レーザーへの戻り光量を低減することができて、しかも、他の光学素子との光軸合わせも簡単になされ得る光波長変換モジュール、およびその光波長変換モジュールに用いられる光波長変換素子を提供することを目的とする。」
　
エ　「【００１４】
　【課題を解決するための手段】
　本発明による第１の光波長変換素子は、前述したように非線形光学効果を有する基板に光導波路が形成されてなり、
　この光導波路の一端面側から入射した基本波を波長変換して、波長変換波を前記光導波路の他端面側から出射させる光波長変換素子において、
　前記光導波路の他端面が、該光導波路の延びる方向に垂直な面に対して、基板表面にほぼ平行な面内で３°以上傾いていることを特徴とするものである。
　・・・
　【００１６】
　本発明による第２の光波長変換素子は、
　非線形光学効果を有する基板に光導波路が形成されてなり、
　この光導波路の一端面側から入射した基本波を波長変換して、波長変換波を前記光導波路の他端面側から出射させる光波長変換素子において、
　前記光導波路の他端面に、この光導波路の実効屈折率とほぼ等しい屈折率の材料のブロックが接合されていることを特徴とするものである。
　【００１７】
　さらに本発明による第３の光波長変換素子は、
　非線形光学効果を有する基板に光導波路が形成されてなり、
　この光導波路の一端面側から入射した基本波を波長変換して、波長変換波を前記光導波路の他端面側から出射させる光波長変換素子において、
　前記光導波路を導波する基本波の位相を変調させる位相変調部が設けられていることを特徴とするものである。」
　
オ　「【００２１】
　【発明の効果】
　本発明による第１の光波長変換素子においては、波長変換波が出射する光導波路の他端面が横方向に（つまり、該光導波路の延びる方向に垂直な面に対して、基板表面にほぼ平行な面内で）３°以上傾いていることにより、光導波路を導波してこの他端面に入射した基本波は、該他端面で、光導波路の延びる方向とは角度をなして側外方に反射する。そこで、この基本波は光導波路に再入射することがなくなり、よって、基本波光源である半導体レーザーに戻り光となって入射することもなくなる。
　【００２２】
　しかもこの第１の光波長変換素子は、前述した特開平６−１６０９３０号公報に記載された光波長変換素子のように、光導波路の他端面を縦方向に傾けて形成したものと比較すると、図６に示す通り、戻り光量を共通にするのであれば、光導波路他端面の傾きをより小さくできるものである。したがってこの光波長変換素子は、光導波路の他端面から出射する波長変換波の曲がりを比較的小さく抑えて、他の光学素子との光軸合わせを容易に行なえるものとなる。
　【００２３】
　また、本発明による第２の光波長変換素子においては、光導波路の他端面にこの光導波路の実効屈折率とほぼ等しい屈折率の材料のブロックが接合されていることにより、光導波路の他端面から発散光状態で出射した基本波は、この他端面とブロックとの界面では反射せずにブロックの外端面（光導波路とは反対側の端面）まで達し、そこで反射する。ここで反射した発散光状態の基本波は、光導波路側に向かうにつれて該光導波路から離れるように進行するので、光導波路に再入射することがなくなり、よって、基本波光源である半導体レーザーに戻り光となって入射することがなくなる。
　【００２４】
　また、本発明による第３の光波長変換素子においては、上記第１〜３の光波長変換素子と異なって戻り光が光導波路に入射し得るので、この戻り光と光導波路他端面側に進行する基本波とが干渉する。しかしこの場合、光導波路を導波する基本波の位相を変調させる位相変調部が設けられていることにより、光導波路の一端面における戻り光と光導波路他端面側に進行する基本波との光路差が高速に変化するので、波長が変化したとしても、実際使用する周波数領域よりも高い周波数領域で戻り光量を変化させることができ、結果的に半導体レーザーが安定して動作するようになる。
　【００２５】
　また、本発明による光波長変換モジュールは、光波長変換素子と外部共振器型半導体レーザーとが光学素子を介さずに結合されて、光学素子を介して結合する場合と比べて近端面からの戻り光の影響を受け難い構成になっているので、単色性が強くて戻り光による問題が発生しやすい外部共振器型半導体レーザーを用いていても、この問題を確実に防止することができる。
　・・・
　【００２８】
　ここで、光波長変換素子と外部共振器型半導体レーザーとを光学素子を介さずに結合するとは、後述する発明の実施の形態の図１のような結合状態のことをいい、光波長変換素子と半導体レーザーとの間のすき間を、実際に使用する領域で半導体レーザーのＩＬカーブ（光強度対電流特性）にうねりが生じない程度に狭くすることをいう。例えば導波路型の光波長変換素子が１０ｍｍの場合、１０μｍ程度以下のすき間ならうねりは生じない。」
　
カ　「【００２９】
　【発明の実施の形態】
　以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。図１は、本発明の一つの実施形態による光波長変換モジュールを示すものである。図示されるようにこの光波長変換モジュールは、半導体レーザー１０と、この半導体レーザー１０から発散光状態で出射したレーザービーム（後方出射光）１１Ｒを平行光化するコリメーターレンズ１２と、平行光化されたレーザービーム１１Ｒを収束させる集光レンズ１３と、これらのレンズ１２および１３の間に配された波長選択素子としての狭帯域バンドパスフィルター１４と、上記集光レンズ１３によるレーザービーム１１Ｒの収束位置に配されたミラー２０とを有している。
　【００３０】
　そして半導体レーザー１０の前方端面（図中の左端面）は、導波路型光波長変換素子１５の端面に直接結合されている。この半導体レーザー１０は、後述する半導体レーザー駆動回路４０によって駆動される。なお半導体レーザー１０の両端面（劈開面）には、その発振波長の光に対するＬＲ（低反射率）コート３２が施されている。
　【００３１】
　光波長変換素子１５は、非線形光学効果を有する強誘電体であるＬｉＮｂＯ３にＭｇＯが例えば５ｍｏｌ％ドープされたもの（以下、ＭｇＯ−ＬＮと称する）の結晶からなる基板１６に、そのＺ軸と平行な自発分極の向きを反転させたドメイン反転部１７が周期的に形成されてなる周期ドメイン反転構造と、この周期ドメイン反転構造に沿って延びるチャンネル光導波路１８が形成されてなるものである。
　【００３２】
　以下図２〜４を参照して、この光波長変換素子１５の作製方法について説明する。図２は、この光波長変換素子１５を作製する一工程を示すものである。図中のＭｇＯ−ＬＮ基板１６は、図３に示すようにＭｇＯ−ＬＮのインゴット１６’をＺ軸方向に対して角度δ＝３°をなす方向にカット、研磨して得られたものであり、単分極化処理がなされて例えば厚さ０．３ｍｍに形成されている。なお、この研磨角度δ＝３°の精度は±０．１ °である。
　【００３３】
　以上のように形成されたＭｇＯ−ＬＮ基板１６の表面１６ａ、１６ｂと平行でＸ軸と直交する方向、および基板表面１６ａ、１６ｂに対して垂直な方向はそれぞれ、Ｚ軸方向およびＹ軸方向に対して角度δ＝３°をなす方向となるので、これらの方向を便宜的にそれぞれＺ’方向、Ｙ’方向と称する（以下、同様）。
　【００３４】
　上記ＭｇＯ−ＬＮ基板１６の表面１６ａに、図２に示すように櫛形電極５および平板電極６を取り付け、＋Ｚ側に位置する櫛形電極５の方が正電位、−Ｚ側に位置する平板電極６の方が負電位となるようにして、これらの電極５、６間にパルス電圧を印加すると、図４に概略図示するように、＋Ｚ方向を向いていた基板１６の自発分極の向きが電圧印加部分において反転して、ドメイン反転部１７が形成される。なお上記自発分極の向きは、基板表面１６ａに対してδ＝３°傾いており、したがってドメイン反転部１７の分極の向きも基板表面１６ａに対して同様に傾くことになる。
　【００３５】
　本例では、櫛形電極５および平板電極６をＣｒから形成したが、ＭｇＯ−ＬＮ基板１６よりも電気伝導度が十分低い材料ならば何でも電極材料として用いることができる。櫛形電極５および平板電極６は周知のフォトリソグラフィーによって形成することができ、厚さは例えば２０〜１００ｎｍ、長さＬ１は例えば８ｍｍ、両電極５、６間のギャップＧは例えば１００〜５００μｍとすればよい。また櫛形電極５の周期Λは４．７５μｍ、電極指の長さおよび幅はそれぞれ２００μｍ、０．５ μｍとした。そして平板電極６の幅、すなわちＺ’方向の寸法は１００μｍとした。
　・・・
　【００３８】
　次に上記ＭｇＯ−ＬＮ基板１６に、以下のようにしてチャンネル光導波路１８を形成した。まず、ドメイン反転が最も深くなっている櫛形電極５の先端近傍に、周知のフォトリソグラフィーにより、Ｚ’方向の幅が３〜１２μｍ程度の金属（本例ではＴａ）のマスクを形成する。その後このＭｇＯ−ＬＮ基板１６に対して、ピロリン酸中で１２０〜２００ ℃で３０〜９０分間プロトン交換処理を行ない、Ｔａマスクをエッチング液で除去した後、大気中において３００〜４１０℃で３０〜１２０分間アニールする。以上の処理により、図１に示すように、ドメイン反転部１７の並び方向に沿って延びるチャンネル光導波路１８が形成される。
　【００３９】
　なお上記プロトン交換処理およぴアニール処理の条件は、上記の各範囲から、導波光のビーム径と伝搬損が最適になる条件を選択すればよい。また上記マスクの幅は、目的とする波長（基本波９００〜１１００ｎｍ）の範囲でシングルモード条件となるように選択する。
　【００４０】
　その後このチャンネル光導波路１８の両端面１８ａ、１８ｂを含む素子端面を光学研磨し、端面１８ａを含む素子端面に基本波であるレーザービーム１１に対するＡＲ（無反射）コート３０を施し、端面１８ｂを含む素子端面に後述する第２高調波１９およびレーザービーム１１に対するＡＲコート３１を施すと、図１に示した光波長変換素子１５が完成する。なお一方の光導波路端面１８ｂは、第２高調波１９が取り出される端面であり、この光導波路端面１８ｂを含む素子端面１５ａは、光導波路１８の延びる方向に垂直な面に対して、基板表面１６ａ（図２および４参照）にほぼ平行な面内で角度θ（３°≦θ）以上傾けて研磨される。」
　
キ　「【００４１】
　次に、この第１実施形態の光波長変換モジュールの作用について説明する。半導体レーザー１０から前方側（図中左方に）発せられた中心波長９５０ｎｍのレーザービーム１１は、チャンネル光導波路１８内に入射する。このレーザービーム１１はチャンネル光導波路１８をＴＥモードで導波して、波長が１／２つまり４７５ｎｍの第２高調波１９に波長変換される。その際、周期ドメイン反転領域で位相整合（いわゆる疑似位相整合）が取られ、この第２高調波１９もチャンネル光導波路１８を導波モードで伝搬して、光導波路端面１８ｂから出射する。
　【００４２】
　光導波路端面１８ｂからは、波長変換されなかったレーザービーム１１も発散光状態で出射する。第２高調波１９は、図示しないバンドパスフィルターやダイクロイックミラー等によってレーザービーム１１と分離され、所定の用途に供される。」
　
ク　「【００４５】
　ここで、先に説明した通り、光導波路端面１８ｂにＡＲコート３１が施されていても、基本波であるレーザービーム１１の反射を完全に防止することは不可能であるる（審決注：「である。」の誤りと認める。」）。しかし本実施形態において、この光導波路端面１８ｂを含む素子端面１５ａは、チャンネル光導波路１８の延びる方向に垂直な面に対して、基板表面１６ａにほぼ平行な面内で角度θ（３°≦θ）以上傾けて研磨されているので、反射したレーザービーム１１Ｓはチャンネル光導波路１８の延びる方向とは角度をなして側外方に反射する。そこで、この反射したレーザービーム１１Ｓはチャンネル光導波路１８に再入射することがなくなり、よって、基本波光源である半導体レーザー１０に戻り光となって入射することもなくなる。」
　
ケ　「【００５３】
　次に、図１０を参照して本発明の第２の実施形態による光波長変換モジュールについて説明する。なおこの図１０において、図１中の要素と同等の要素には同番号を付してあり、それらについての重複した説明は省略する（以下、同様）。
　【００５４】
　この第２の実施形態においては、光波長変換素子１５の光導波路端面１８ｂを含む素子端面１５ａに、基板１６と同じ材料であってチャンネル光導波路１８の実効屈折率と等しい屈折率のＭｇＯ−ＬＮ結晶のブロック４０が、オプチカルコンタクトによって接合されている。そしてこのＭｇＯ−ＬＮ結晶ブロック４０の外端面４０ａつまり、光導波路１８と反対側の端面にＡＲコート３１が施されている。
　【００５５】
　上記の構成において、光導波路端面１８ｂから発散光状態で出射したレーザービーム１１（基本波）は、この端面１８ｂとＭｇＯ−ＬＮ結晶ブロック４０との界面では反射せずに、ＭｇＯ−ＬＮ結晶ブロック４０の外端面４０ａまで達し、そこで反射する。ここで反射したレーザービーム１１Ｓは、チャンネル光導波路１８側（図中の右側）に向かうにつれて該光導波路１８から離れるように進行するので、チャンネル光導波路１８に再入射することがなくなる。そこで、この反射したレーザービーム１１Ｓが半導体レーザー１０に戻り光となって入射することがなくなる。
　【００５６】
　以上の説明から明かな通り、レーザービーム１１がＭｇＯ−ＬＮ結晶ブロック４０の外端面４０ａに少しでも斜め入射すれば、反射したレーザービーム１１Ｓが半導体レーザー１０に戻り光となって入射することがなくなる。光導波路端面１８ｂから出射するレーザービーム１１の拡がり角は一般に１０〜２０°程度であるので、この場合も第１実施形態と同様に、第２高調波１９について図７に示すように滑らかな光強度対電流特性を得ることができる。」
　
コ　「【００５７】
　次に、図１１を参照して本発明の第３実施形態による光波長変換モジュールについて説明する。この第３実施形態において、光波長変換素子１５のチャンネル光導波路１８の波長変換部（ドメイン反転部１７が形成されている部分）と光導波路端面１８ｂとの間には、該光導波路１８を導波するレーザービーム１１の位相を変調させる位相変調部５０が設けられている。この位相変調部５０は、チャンネル光導波路１８の両側に配された１対の電極５１、５２と、これらの電極５１、５２間に交流電圧を印加する交流電源５３とから構成されたものである。
　【００５８】
　このチャンネル光導波路１８を形成する際のプロトン交換処理およびアニール処理の条件も、基本的に第１実施形態におけるのと同様であり、導波光のビーム径と伝搬損が最適になる条件を選択すればよい。そしてチャンネル光導波路１８およびドメイン反転部１７を形成した後、通常のフォトリソグラフィーおよび金属蒸着により電極５１、５２を形成する。
　【００５９】
　この第３実施形態においては、第１〜２実施形態の光波長変換素子と異なって、光導波路端面１８ｂで反射したレーザービーム１１Ｓ（戻り光）がチャンネル光導波路１８に入射し得るので、この戻り光１１Ｓと光導波路端面１８ｂ側に進行するレーザービーム１１とが干渉する。しかしこの場合、電極５１、５２間に交流電圧を印加すると、光導波路端面１８ａにおける戻り光１１Ｓと光導波路端面１８ｂ側に進行するレーザービーム１１との光路差が高速に変化するので、波長が変化したとしても、実際使用する周波数領域よりも高い周波数領域で戻り光量を変化させることができ、結果的に半導体レーザー１０が安定して動作するようになる。」
　
　以上によれば、当初明細書等には、
ａ　非線形光学効果を有する基板に光導波路が形成されてなり、この光導波路の一端面側から入射した基本波を波長変換して、波長変換波を前記光導波路の他端面側から出射させる光波長変換素子と、この光波長変換素子の前記一端面側から基本波としてのレーザービームを入射させる外部共振器型半導体レーザーとが光学素子を介さずに結合されてなる光波長変換モジュールにおいて、
　半導体レーザーへの戻り光量を低減することができ、しかも、他の光学素子との光軸合わせも簡単になされ得る光波長変換モジュールを提供することを目的として、
（ａ）前記光導波路の他端面が、該光導波路の延びる方向に垂直な面に対して、基板表面にほぼ平行な面内で３°以上傾いているようになし、あるいは、
（ｂ）前記光導波路の他端面に、この光導波路の実効屈折率とほぼ等しい屈折率の材料のブロックが接合されているようになし、あるいは、
（ｃ）前記光導波路を導波する基本波の位相を変調させる位相変調部が設けられているようになすこと、
ｂ　上記ａにおいて、「光波長変換素子」と「外部共振器型半導体レーザーと」を「光学素子を介さずに結合」するとは、光波長変換素子と半導体レーザーとの間のすき間を、実際に使用する領域で半導体レーザーのＩＬカーブ（光強度対電流特性）にうねりが生じない程度に狭くすることをいい、例えば導波路型の光波長変換素子が１０ｍｍの場合、１０μｍ程度以下のすき間ならうねりは生じないこと、
ｃ　光波長変換素子の作製時に、ＭｇＯ−ＬＮ基板１６の表面１６ａに取り付けられる櫛形電極５および平板電極６は、厚さが例えば２０〜１００ｎｍ、長さＬ１が例えば８ｍｍであり、両電極５、６間のギャップＧは例えば１００〜５００μｍであること、
が記載されているものと認められる。
　しかしながら、上記本件補正事項（光波長変換素子の素子長が８ｍｍ以下とされること、すなわち８ｍｍを上限とすること）については記載されてはおらず、また、該本件補正事項が当初明細書等の記載から自明な事項である、ということもできないから、本件補正事項が、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである、ということはできない。
　よって、本件補正は、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものではない。
　
（３）むすび  
　以上の検討によれば、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　本件補正は、上記第２のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１８年１２月２０日付け手続補正後の特許請求の範囲の請求項１〜９に記載された事項によって特定されるものと認められるところ、その請求項１に係る発明は次のとおりのものである。
　
「非線形光学効果を有する基板に光導波路が形成されてなり、この光導波路の一端面側から入射した基本波を波長変換して、波長変換波を前記光導波路の他端面側から出射させる光波長変換素子と、この光波長変換素子に基本波を入射させる半導体レーザーとからなる光波長変換モジュールにおいて、
　前記光導波路の他端面が、該光導波路の延びる方向に垂直な面に対して、基板表面にほぼ平行な面内で３°以上傾いており、
　前記半導体レーザーが、前記光導波路の延びる方向に対して垂直に形成された前記一端面に、光学素子を介さずに直接結合されていることを特徴とする光波長変換モジュール。」（以下「本願発明」という。）
　
２　刊行物記載の発明
（１）引用刊行物１
　本願の出願前に頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である特開平６−１６０９３０号公報（以下「引用刊行物１」という。）には、図とともに以下の事項が記載されている。
　
ア　「【特許請求の範囲】
【請求項１】基本波を発生するための半導体レーザの光軸に対して、導波路型の第２次高調波発生素子の入出射端面のいずれか一方もしくは両方を傾けたことを特徴とする第２次高調波発生装置。
　・・・
【請求項７】基本波を発生させるための半導体レーザの光軸に対して、導波路型の第２次高調波発生素子の光軸は一致させ、第２次高調波発生素子の端面を半導体レーザの光軸に対して傾けた第２次高調波発生素子。
　・・・」
　
イ　「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光記録、光計測等の光源として用いる第２次高調波発生素子および第２次高調波発生装置およびそれらの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、導波路型の第２次高調波発生素子においては導波路内を導波する基本波とその基本波によって生じる第２次高調波波への変換効率を高めるための工夫が数多くなされてきた。しかし基本波として半導体レーザからの出射光を用いたとき、半導体レーザからの出射光が第２次高調波発生素子である導波路の入出射端面で反射して半導体レーザへ戻り、その反射戻り光が誘引となって半導体レーザの雑音が著しく増加するという事実がある・・・」
　
ウ　「【０００４】本発明の目的は非線形材料よりなる導波路型の第２次高調波発生素子の入出射端面での基本波の反射光が基本波の光源である半導体レーザへ戻ることを防ぎ、半導体レーザの出射光の反射戻り光誘起やモードホッピングを低減し、その結果として出力がきわめて安定で、低雑音な第２次高調波の発生が得られる第２次高調波発生素子、第２次高調発生装置を提供することである。」
　
エ　「【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するために、本発明は以下の様な構成をしている。
【０００６】導波路型の第２次高調波発生素子の入射端からの反射戻り光を防ぐために、・・・（４）第２次高調波発生素子である導波路と基本波の発振源である半導体レーザを、導波路に対して出射端面が垂直にならないよう斜めにカットし、導波路と半導体レーザの光軸は平行になるように配置した装置・・・より構成される。好ましくは導波路型の第２次高調波発生素子として、ＬｉＴａＯ３の分極反転プロトン交換導波路を用いるとよい。
【０００７】
【作用】上記構成により、基本波の発生源として半導体レーザを用い導波路型の第２次高調波発生素子を用いた場合に、基本波を第２次高調波発生素子に入射する際に・・・出射端面が半導体レーザの光軸に対して傾いている・・・ことによって出射端からの反射光はほとんど半導体レーザに戻ることなく第２次高調波が安定に低雑音で出射する。基本波の発生源である半導体レーザへの反射戻り光がきわめて抑制されているため、反射戻り光誘起雑音やモードホッピングが生じず低雑音であり、低雑音の基本波から発生した第２次高調波も低雑音できわめて安定に動作する。」
　
オ　「【０００８】
【実施例】本発明の第１から第９の実施例において、分極反転層を有する誘電体導波路を下記のようにして作製した。ＬｉＴａＯ３基板上に通常のフォトプロセスとドライエッチングを用いてＴａを周期状にパターンニングした後、Ｔａパターンが形成されたＬｉＴａＯ３基板上に２６０℃、３０分間のプロトン交換を行い、Ｔａで覆われていない部分にプロトン交換層を形成し、５５０℃で１分間熱処理を行い分極反転層を形成した。そして、ＨＦ：ＨＦＮ３ ＝１：１の溶液で２分間ウエットエッチングによりＴａを除去し、分極反転層中にピロリン酸によりプロトン交換を行い導波層を形成した。得られた分極反転層を有する誘電体導波路１は、プロトン交換による幅４μｍ、深さ２μｍ、導波路長１０ｍｍの導波層２を有し、分極反転層は周期３．６μｍ、幅２．１μｍ、深さ１．６μｍで周期的に形成された。・・・」
　
カ　「【００１２】本発明の第３の実施例の構成を横から見た図を図４に示す。波長８６０ｎｍ帯の半導体レーザ３を第２次高調波発生のための基本波の光源として用い、半導体レーザ３からの出射光はＮＡが０．５のＡＶ用のレンズ４を用いて集光され、一旦平行光にされて、２分の波長板５を透過されて位相を９０ｄｅｇ変換されＴＭモードとして、ＮＡが０．５のＡＶ用のレンズ４を用いて誘電体導波路１に、導波層２と光軸６が平行になるように結合された。第２次高調波発生素子としての誘電体導波路１は上述の作製過程の後、誘電体導波路の近端面７および遠端面９を導波層２に対して約６ｄｅｇの角度に研磨を行った。・・・本第３の実施例の構成をもちいても、導波層２内を伝搬する基本波が導波路の遠端面９で反射する様子は第１の実施例で第２図を用いて説明したように反射の法則に従って反射し、反射光１０は入射光８と異なった軌跡を通って、導波路の近端面７から半導体レーザ３とは異なった方向に出射され反射戻り光とはならない。従って本第３の実施例により、半導体レーザ３を２０℃一定に温度制御を行い、第２次高調波発生素子である誘電体導波路への入力光パワーが１３５ｍＷのとき、第２次高調波であるブルー光の出力光パワーが２２ｍＷの連続出力光として得られた。
【００１３】本発明の第４の実施例として、誘電体導波路１の側面図を図５に示す。第４の実施例は構成としては第３の実施例の構成と同様であり、誘電体導波路１の入出射端面である導波路の近端面７および導波路の遠端面９の研磨角度が異なっている。第３の実施例で示したように導波路の近端面７および導波路の遠端面９の研磨角度が等しいのではなく、研磨方向も角度も反射光が半導体レーザに戻らなければ、いずれの角度であってもよい。図５に示した誘電体導波路１を用いても、安定した連続の第２次高調波出力が得られた。」
　
キ　「【図面の簡単な説明】
・・・
【図４】本発明の第３の実施例の構成を横から見た図
【図５】本発明の第４の実施例の誘電体導波路を横から見た図」
　
ク　引用刊行物１の「第２次高調波発生装置」が、「（基本波を発生させるための）半導体レーザ」と「（この基本波によって第２次高調波を生じる）導波路型の第２次高調波発生素子」とからなることは明らかである。
　
ケ　上記オから、引用刊行物１の「第２次高調波発生素子」は、ＬｉＴａＯ３基板上に分極反転層を形成し、該分極反転層中に導波層を形成したものといえる。
　
コ　上記キに照らして図４、図５をみると、「導波層２」の「近端面７」と「遠端面９」とは、導波層２の延びる方向に垂直な面に対して、基板表面に垂直な面内で傾いていること、が見て取れる。
　
サ　上記カに照らして図４をみると、半導体レーザ３と導波層２とは、レンズ４及び２分の波長板５とにより結合されること、が見て取れる。
　
　したがって、上記記載事項ア〜ケを総合すると、引用刊行物１には次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されているものと認められる。 
 　 
「基本波を発生させるための半導体レーザと、この基本波によって第２次高調波を生じる導波路型の第２次高調波発生素子とからなる第２次高調波発生装置であって、
　前記第２次高調波発生素子は、ＬｉＴａＯ３基板上に分極反転層を形成し、該分極反転層中に導波層を形成したものであり、
　該第２次高調波発生素子の入出射端面での基本波の反射光が基本波の光源である半導体レーザへ戻ることを防ぐために、半導体レーザの光軸に対して第２次高調波発生素子の光軸は一致させるとともに、該第２次高調波発生素子の入出射端面のいずれか一方もしくは両方を傾けた第２次高調波発生装置。」 
 　 
（２）引用刊行物２
　本願の出願前に頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である特開平５−３２３４０４号公報（以下「引用刊行物２」という。）には、図とともに以下の事項が記載されている。
　
ア　「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基本波を第２高調波等に波長変換する光波長変換装置、特に詳細には、基本波光源としての半導体レーザーと光導波路型の光波長変換素子とからなる光波長変換装置に関するものである。」
　
イ　「【０００２】
【従来の技術】従来より、非線形光学材料を利用して、レーザー光を第２高調波等に波長変換（短波長化）する試みが種々なされている。このようにして波長変換を行なう光波長変換素子として具体的には、バルク結晶型のものや、光導波路型のもの等が知られている。またこの種の光波長変換素子は、半導体レーザーと組み合わせて用いられることが多い。
　・・・
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述のようにして基本波であるレーザービームを光導波路型光波長変換素子に入力する場合は、光導波路端面で反射したレーザービームが半導体レーザーに戻り光となって入射するために、ノイズが生じるといった問題や、発振波長変動による波長変換効率低下のために波長変換波出力が大きく変化するといった問題が認められている。
　・・・
【０００６】本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、基本波光源として単一縦モードの半導体レーザーを、そして光波長変換素子として光導波路型のものを用いた上で、半導体レーザーへの戻り光を抑えて、出力が安定した高強度の波長変換波を得ることができる光波長変換素子を提供することを目的とするものである。」
　
ウ　「【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明による光波長変換装置は、前述したように非線形光学材料からなる光導波路を有し、該光導波路を導波する基本波を波長変換する光波長変換素子と、基本波としてのレーザービームを発する単一縦モードの半導体レーザーと、上記レーザービームを光導波路端面上で収束させて該光導波路に入射させる光学系とからなる光波長変換装置において、光導波路の端面が、基本波としてのレーザービームが斜め入射する向きに形成されるとともに、この光導波路の端面で反射して半導体レーザー側に進行するレーザービームを遮る遮光板が設けられたことを特徴とするものである。
【０００８】
【作用および発明の効果】上述のように光導波路の端面を、基本波としてのレーザービームが斜め入射する向きに形成しておくと、この端面で反射したレーザービームは半導体レーザーから光波長変換素子に向かうレーザービームとは異なる光路を辿るようになる。そこで上述のような遮光板を、半導体レーザーから光波長変換素子に向かうレーザービームは全くあるいはほとんど遮らない位置に配して、半導体レーザー側に戻るレーザービームを一部あるいは全部遮ることが可能となる。」
　
エ　「【００１０】
【実施例】以下、図面に示す実施例に基づいて本発明を詳細に説明する。図１と図２はそれぞれ、本発明の第１実施例による光波長変換装置の平面形状、側面形状を示すものであり、また図３はその斜視図である。図示されるようにこの光波長変換装置は、基本波光源としての半導体レーザー１０と、コリメーターレンズ１２、λ／２板１３および集光レンズ１４からなる入射光学系と、光導波路型の光波長変換素子２０とを有している。
【００１１】光波長変換素子２０は、ガラスやプラスチックからなる基板２１内に、非線形光学材料からなる３次元光導波路２２が埋め込まれてなる。・・・
【００１３】半導体レーザー１０から出射したレーザービーム１１は、コリメーターレンズ１２で平行光化され、その収束スポット形状および偏光方向を光導波路２２の形状に合わせるためのλ／２板１３を通過した後、集光レンズ１４により集光されて、光導波路２２の端面２２ａ上で収束する。それによりレーザービーム１１はこの端面２２ａから光導波路２２内に入射し、そこを導波モードで図中右方向に進行する。光導波路２２を導波するレーザービーム１１は、光導波路２２を構成するＤＭＮＰにより、波長が１／２（＝４３５ｎｍ）の第２高調波１６に変換される。・・・
【００１４】次に、半導体レーザー１０への戻り光を無くすための構成について説明する。コリメーターレンズ１２とλ／２板１３との間には、光波長変換素子２０に向かうレーザービーム１１の光路から外れた位置において、遮光板１５が配設されている。この遮光板１５は、レーザービーム１１を遮らない範囲でできるだけ該レーザービーム１１に近接するように配置されている。そして光波長変換素子２０の後方端面２０ａは、光導波路端面２２ａも含んで全体的に斜めにカットされている。この光導波路端面２２ａの斜めカットの向きは、そこで反射したレーザービーム１１Ｒの光路が光波長変換素子２０に向かうレーザービーム１１から完全に分離して遮光板１５側にずれる向きとされている。
　・・・
【００１７】また本実施例において、半導体レーザー１０は水平面内でレーザービーム１１の拡がり角が最小となるように配されており、光導波路端面２２ａはこの水平面内でレーザービーム入射方向に対して斜めとなるようにカットされている。それに対応して遮光板１５も、光波長変換素子２０に向かうレーザービーム１１の光路に対して水平方向にずれるように配されている。
【００１８】このようにしておくと、互いに光路をずらすべきレーザービーム１１とレーザービーム１１Ｒ（反射光）とは、光路をずらす面内でのビーム径が最小となる。そこで、光導波路端面２２ａの斜めカット角度を比較的小さくしても、レーザービーム１１の遮光板１５によるケラレを防止した上でレーザービーム11Ｒを確実に遮光することができる。・・・」
　
　したがって、上記記載事項を総合すると、引用刊行物２には次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されているものと認められる。 
 　 
「非線形光学材料からなる光導波路を有し、該光導波路を導波する基本波を波長変換する光波長変換素子と、基本波としてのレーザービームを発する単一縦モードの半導体レーザーと、上記レーザービームを光導波路端面上で収束させて該光導波路に入射させる光学系とからなる光波長変換装置において、
　前記半導体レーザーは水平面内でレーザービームの拡がり角が最小となるように配され、前記光導波路の端面はこの水平面内でレーザービーム入射方向に対して斜めとなるようにカットされ、それに対応して遮光板が前記光波長変換素子に向かうレーザービームの光路に対して水平方向にずれるように配されており、これにより、互いに光路をずらすべきレーザービームとレーザービーム（反射光）とは、光路をずらす面内でのビーム径が最小となり、光導波路端面の斜めカット角度を比較的小さくしてもレーザービームの遮光板によるケラレを防止した上でレーザービーム（反射光）を確実に遮光でき、半導体レーザーへの戻り光を抑えることができる光波長変換装置。」 
　
３　対比・判断
  本願発明と引用発明１とを対比する。
　
ア　引用発明１の「第２次高調波発生装置」は、「基本波を発生させるための半導体レーザと、この基本波によって第２次高調波を生じる導波路型の第２次高調波発生素子とからな」るものであり、「前記第２次高調波発生素子は、ＬｉＴａＯ３基板上に分極反転層を形成し、該分極反転層中に導波層を形成したものであ」り、また、基本波は第２次高調波発生素子の入射端面から入射し、該基本波により生じる第２高調波は第２次高調波発生素子の出射端面から出射されることは明らかであるから、
（ア）引用発明１の「基本波」、「第２次高調波」、「（導波路型の）第２次高調波発生素子」、「第２次高調波発生装置」及び「導波層」は、それぞれ、本願発明の「基本波」、「波長変換波」、「光波長変換素子」、「光波長変換モジュール」及び「光導波路」に相当し、
（イ）第２次高調波発生素子内には導波層が形成されているから、引用発明１の「第２次高調波発生素子の入射端面」及び「第２次高調波発生素子の出射端面」は、それぞれ、本願発明の「光導波路の一端面」及び「光導波路の他端面」に相当する、といえ、
（ウ）引用発明１の「第２次高調波発生素子」は、本願発明の「非線形光学効果を有する基板に光導波路が形成されてなり、この光導波路の一端面側から入射した基本波を波長変換して、波長変換波を前記光導波路の他端面側から出射させる」との事項を備える。
　また、
（エ）引用発明１の「基本波を発生させるための半導体レーザ」は、本願発明の「この光波長変換素子に基本波を入射させる半導体レーザー」に相当するとともに、
（オ）引用発明１の「第２次高調波発生装置」は、本願発明の「非線形光学効果を有する基板に光導波路が形成されてなり、この光導波路の一端面側から入射した基本波を波長変換して、波長変換波を前記光導波路の他端面側から出射させる光波長変換素子と、この光波長変換素子に基本波を入射させる半導体レーザーとからなる」との事項を備える。
　
イ　引用発明１の「第２次高調波発生装置」は、「該第２次高調波発生素子の入出射端面での基本波の反射光が基本波の光源である半導体レーザへ戻ることを防ぐために、半導体レーザの光軸に対して第２次高調波発生素子の光軸は一致させるとともに、該第２次高調波発生素子の入出射端面のいずれか一方・・・を傾け」るものであり、第２次高調波発生素子の出射端面を、導波層の延びる方向（第２次高調波発生素子の光軸方向）に垂直な面に対して傾け、第２次高調波発生素子の入射端面を、導波層の延びる方向に対して垂直に形成することを含むものであるから、引用発明１の「半導体レーザの光軸に対して第２次高調波発生素子の光軸は一致させるとともに、該第２次高調波発生素子の入出射端面のいずれか一方・・・を傾け」との事項と、本願発明の「前記光導波路の他端面が、該光導波路の延びる方向に垂直な面に対して、基板表面にほぼ平行な面内で３°以上傾いており」との事項とは、「前記光導波路の他端面が、該光導波路の延びる方向に垂直な面に対して、所定角度傾いており」との点で一致する。
　
ウ　引用発明１の「第２次高調波発生装置」は、半導体レーザからの基本波が第２次高調波発生素子の入射端面に入射し、半導体レーザは前記入射端面に光学的に結合しているといえるから、引用発明１は、本願発明の「前記半導体レーザーが、前記光導波路の延びる方向に対して垂直に形成された前記一端面に、光学素子を介さずに直接結合されている」との事項と、「前記半導体レーザーが、前記光導波路の延びる方向に対して垂直に形成された前記一端面に、結合されている」との点で一致する。
　
　したがって、両者は、　  
「非線形光学効果を有する基板に光導波路が形成されてなり、この光導波路の一端面側から入射した基本波を波長変換して、波長変換波を前記光導波路の他端面側から出射させる光波長変換素子と、この光波長変換素子に基本波を入射させる半導体レーザーとからなる光波長変換モジュールにおいて、
　前記光導波路の他端面が、該光導波路の延びる方向に垂直な面に対して、所定角度傾いており、
　前記半導体レーザーが、前記光導波路の延びる方向に対して垂直に形成された前記一端面に結合されている光波長変換モジュール。」
である点で一致し、以下の各点で相違する。  
 　  
相違点
［相違点１］
　光導波路の延びる方向に垂直な面に対して所定角度傾いている光導波路の他端面が、本願発明では、基板表面にほぼ平行な面内で３°以上傾いているのに対し、引用発明１では、基板表面にほぼ平行な面内で傾いているの否か明らかでなく、その実施例によると（上記２（１）コ参照。）、基板表面に垂直な面内で傾いており、また、その傾き角度が３°以上であるか否か明らかでない点。
［相違点２］
　半導体レーザーが、光導波路の延びる方向に対して垂直に形成された一端面に結合される際、本願発明では、光学素子を介さずに直接結合されるのに対し、引用発明１では、直接結合されているか否か明らかでなく、その実施例によると（上記２（１）サ参照。）、半導体レーザ３と導波層２とは、レンズ４及び２分の波長板５とにより結合されている点。
　
　上記相違点につき検討する。
［相違点１］について
　引用刊行物２には、上記２（２）のとおり、「非線形光学材料からなる光導波路を有し、該光導波路を導波する基本波を波長変換する光波長変換素子と、基本波としてのレーザービームを発する単一縦モードの半導体レーザーと、上記レーザービームを光導波路端面上で収束させて該光導波路に入射させる光学系とからなる光波長変換装置において、前記半導体レーザーは水平面内でレーザービームの拡がり角が最小となるように配され、前記光導波路の端面はこの水平面内でレーザービーム入射方向に対して斜めとなるようにカットされ、それに対応して遮光板が前記光波長変換素子に向かうレーザービームの光路に対して水平方向にずれるように配されており、これにより、互いに光路をずらすべきレーザービームとレーザービーム（反射光）とは、光路をずらす面内でのビーム径が最小となり、光導波路端面の斜めカット角度を比較的小さくしてもレーザービームの遮光板によるケラレを防止した上でレーザービーム（反射光）を確実に遮光でき、半導体レーザーへの戻り光を抑えることができる光波長変換装置。」の引用発明２が記載され、半導体レーザーを水平面内（基板面と平行な面内）でレーザービームの拡がり角が最小となるように配し、光導波路の端面をこの水平面内でレーザービーム入射方向に対して斜めとなるようにカットして、互いに光路をずらすべきレーザービームとレーザービーム（反射光）とが、光路をずらす面内でのビーム径が最小となり、光導波路端面の斜めカット角度を比較的小さくしてもレーザービーム（反射光）を確実に遮光する光波長変換装置が示されているところ、引用発明１にこの引用発明２を適用し、基本波の反射光が半導体レーザへ戻らないようにするための第２次高調波発生素子の出射端面の傾きを基板面と平行な面内となすことは当業者が容易になし得ることである。そしてその際、その傾き角を基本波の反射光が半導体レーザに戻らない程度の角度となして、上記［相違点１］に係る本願発明の構成となすことは、当業者が適宜になし得ることである。
［相違点２］について
　光導波路が形成され、非線形光学効果を有する基板からなる光波長変換素子と、半導体レーザとからなる短波長レーザ光源において、前記半導体レーザと前記光波長変換素子とをレンズを用いないで直接結合するものは本願出願前に周知である（例えば、特開平２−１０１４３８号公報（第４頁左上欄第９〜１８行、第５図）、特開平１１−９５２７０号公報（【００４１】、図９）、前記特開平６−１６０９３０号公報（引用刊行物１）（【００２３】、図１５）参照。）から、引用発明１にこの周知技術を適用して本願発明の上記［相違点２］の構成となすことは、当業者が容易に行うことができることである。
　
　そして、本願発明によってもたらされる効果は、引用発明１、２及び上記周知技術から予測し得る程度のものである。  
 　  
　したがって、本願発明は、引用発明１、２及び周知技術から当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである。
　
４　まとめ
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物１、２記載の発明及び周知技術から当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。