【事件の表示】
　平成１０年特許願第３０６７０１号「半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　５月１２日出願公開、特開２０００−１３３７３３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本願は、平成１０年１０月２８日の出願であって、平成１８年１月２３日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年３月２日付で拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年３月２８日付の手続補正書により、特許請求の範囲の請求項は１〜５に補正されたものである。
　
ＩＩ．平成１８年３月２８日付の手続補正についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　平成１８年３月２８日付の手続補正を却下する。
　
［理　由］
　
１．補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１〜５は次のとおり補正された。
　
　「【請求項１】　回路素子およびこれと導通する複数の第１端子部が一面側に形成された半導体チップと、上記各第１端子部に対応して複数の第２端子部が一面側に形成され、各第２端子部が上記半導体チップの第１端子部と導通接続された基板と、この基板の他面側に設けられ、かつ各々が対応する第２端子部と導通する複数の外部端子部と、を有する半導体装置であって、
　上記基板の一面側には、上記各第２端子部における上記第１端子部と導通接続される領域を除く領域の全部にα線遮断性絶縁膜が形成されており、かつ、
　上記α線遮断性絶縁膜は、その平面視寸法が上記半導体チップの平面視寸法よりも大とされていることを特徴する、半導体装置。
　 【請求項２】　上記α線遮断性絶縁膜は、ポリイミド樹脂によって形成されている、請求項１に記載の半導体装置。
　 【請求項３】　上記半導体チップは、メモリセル領域を有するメモリチップである、請求項１または２に記載の半導体装置。
　 【請求項４】　上記複数の第１端子部および上記複数の第２端子部のうちの少なくともいずれか一方はバンプ状とされており、かつ、
　上記半導体チップと上記基板とは、樹脂成分内に導電成分を分散させた形態を有する異方性導電接着剤の当該樹脂成分によって一面どうしが機械的に接続されているとともに、上記各第１端子部とこれに対応する第２端子部との間に介在する上記導電成分によって電気的に接続されている、請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体装置。
　 【請求項５】　上記複数の外部端子部は、格子状に配列形成されている、請求項１ないし４のいずれかに記載の半導体装置。」
　
　補正後の請求項１において、新たに追加された、発明を特定するために必要な事項（以下、「発明特定事項」という。）である、「かつ、上記α線遮断性絶縁膜は、その平面視寸法が上記半導体チップの平面視寸法よりも大とされている」点は、補正前の請求項１の発明特定事項である「α線遮断性絶縁膜」の平面視寸法を限定したものであるから、上記補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的としたものに該当する。
　そして、上記補正については、出願当初の図面の図１及び図３に、半導体チップの寸法より大きいα線遮断性絶縁膜が基板２の一面側に形成されているものが記載されているから、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内である。
　
　つぎに、補正後の請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明１」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるのか否か（同法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するものであるのか否か）について検討する。
　
２．引用刊行物及び参考文献とその摘記事項
　平成１７年１０月２７日付の拒絶理由通知の拒絶の理由に引用した本願の出願前に頒布された下記の刊行物１、及び新たな参考文献１、２には次の事項が記載されている。
　
　刊行物１：特開平１０−８４０１４号公報（上記拒絶理由通知の引用文献１）
　
　参考文献１：特開昭６３−２２９７２６号公報
　参考文献２：特開平３−５３５４９号公報
　
（１）刊行物１の摘記事項
ａ）「【００１０】２０は異方導電性接着剤（ＡＣＦ）であり、回路基板１０上に貼着されている。これにより、前記帯状基板１１に、少なくともその帯状基板１１の各回路基板１０・・・の半導体チップ搭載領域に対応して、異方導電性接着剤層が形成された状態となっている。異方導電性接着剤２０は、熱硬化性（エポキシ樹脂等）または熱可塑性（ポレオレシン樹脂、ポリイミド樹脂等）の接着剤２１の中に導電粒子２２が分散されて薄膜状に形成されている。・・・異方導電性接着剤２０の厚さは、数１０μｍ、例えば５０μｍ程度が一般的である。・・・なお、異方導電性接着剤はペースト状のものを基板の各チップ搭載領域にそれぞれ塗布してもよい。
【００１１】半導体チップ３０には、回路基板１０へ異方導電性接着剤２０を介して接着される面に、配線パターン１２に形成された電極端子接合部１２ａに対応して電極端子３２が設けられている。電極端子３２は、半導体チップ３０のパット部に形成されており、例えば金バンプによって形成されている。この半導体チップ３０は、回路基板１０上の半導体チップ搭載領域に貼着された異方導電性接着剤２０上に位置されて搭載される。そして、異方導電性接着剤２０の接着剤２１を軟化させるべく加熱すると共に、半導体チップ３０を回路基板１０に近接させる方向へ加圧する。なお、この工程としては異方導電性接着剤を軟化させておいてからチップを搭載し、加熱加圧してもよい。これにより、電極端子３２が、接着剤２１の層を突っ切って導電粒子２２に接触する共に、その導電粒子２２を電極端子接合部１２ａとの間に挟む状態になり、電極端子３２が電極端子接合部１２ａに導電粒子２２を介在して電気的に接続される。その後冷却することによって接着剤２１を硬化させて、回路基板１０に半導体チップ３０を容易且つ確実に接合することができる。」
　
ｂ）「 【００１３】・・・外部接続端子としては、はんだボール４０を利用できる。３９はソルダーレジストである。そして、最後に、個片に切り離し（（図３（ｆ））、半導体装置が完成する。」
　
ｃ）図３（ｆ）には、個片に切り離した回路基板のほぼ全部に、半導体チップ搭載領域の寸法よりも大きく、異方導電性接着剤が形成されている半導体装置の断面が図示されている。
　
（２）参考文献１の摘記事項
ｄ）「〔問題点を解決するための手段〕
　本発明によれば混成集積回路装置は、配線導体を有するセラミック基板と、前記配線導体のバンブ電極との接触面を除く領域を埋める・・・ポリミイド樹脂層と、半田バンプを介し前記配線導体と電気接続される半導体チップとを含む。
　すなわち、本発明によればα線の遮へいに有効なポリイミド樹脂層は・・・セラミック基板側に形成される。このことによりセラミック基板中に存在する放射性不純物が放射するα線はセラミック基板上で阻止されるので対向配置されたＭＯＳメモリ素子を侵かすことはない。
　　〔実施例〕
　以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。
　第１図は本発明の一実施例を示す断面図である。本実施例によれば、混成集積回路装置は、積層セラミック基板１と、この積層セラミック基板とにパターニング形成された・・・３層蒸着膜からなる導体薄膜配線２と、・・・上記薄膜配線導体のバンプ電極との接触面を除く領域を埋めるように塗布され、・・・形成された・・・ポリイミド樹脂層３と、鉛（Ｐｂ）−錫（Ｓｎ）合金からなる半田バンプ４を介し導体薄膜配線２と積層セラミック基板１上で・・・接続されるＭＯＳメモリ素子５とを含む。本実施例によれば、積層セラミック基板１に含まれたウラニウム・・・などが放射するα線はＭＯＳメモリ素子５に到達する前にポリミイド樹脂層３で大きく阻止されるのでＭＯＳメモリ素子５にソフト・エラーを生じせしめることはない。」（２頁左上欄９行〜左下欄５行）
　
（３）参考文献２の摘記事項
ｅ）「７は基板１ａから放射されるα線がＩＣ５に入射されるのを防ぐためのα線遮蔽板で、このα線遮蔽板７は基板１ａにおけるＩＣ５と対向する部位に接着剤８によって接着されている。また、このα線遮蔽板７は例えば、不純物としてのウラン・・・等の放射性元素の少ないポリイミド樹脂のフィルム・・・等が使用される．基板１ａが発生するα線量を遮断するのに必要なα線遮蔽板７の厚みは、ポリイミド樹脂のフィルムで５０μｍ以上必要であり、しかも、その面積はＩＣ５の回路形成面よりも広く設定する必要がある。・・・
　・・・
　したがって、上述したように構成されたチップキャリア型半導体装置においては、基板１ａにおけるＩＣ５の回路形成面と対向する部分にα線遮蔽仮７が配置されているため、基板１ａが発するα線はこのα線遮蔽板７によって遮断されるから、ＩＣ５がソフトエラーを生じるのを確実に防止することができる。」（２頁左下欄１８行〜３頁左上欄８行）
　
３．当審の判断
（１）刊行物１記載の発明
　上記摘記事項ｃ）の図３（ｆ）には、個片に切り離した回路基板のほぼ全部に、半導体チップ搭載領域の寸法よりも大きく、異方導電性接着剤が形成されている半導体装置の断面が図示されている。
　さらに、摘記事項ａ）によれば、異方導電性接着剤として、熱可塑性のポリイミド樹脂を接着剤として使用している。
　
　そこで、上記摘記事項ａ）〜ｃ）をまとめると、刊行物１には、以下の発明が記載されている。
「回路基板の半導体チップ搭載領域に対応して、異方導電性接着剤層が形成され、
　異方導電性接着剤は、ポリイミド樹脂の接着剤の中に導電粒子が分散されて薄膜状に形成され、
　半導体チップは、回路基板へ異方導電性接着剤を介して接着される面に、配線パターンに形成された電極端子接合部に対応して電極端子が設けられ、電極端子は、半導体チップのパット部に形成されており、
　この半導体チップは、回路基板上の半導体チップ搭載領域に貼着された異方導電性接着剤上に位置されて搭載され、電極端子が、接着剤の層を突っ切って導電粒子に接触すると共に、その導電粒子を電極端子接合部との間に挟む状態で、電極端子接合部に導電粒子を介在して電気的に接続され、
　外部接続端子として、はんだボールを利用し、
　回路基板のほぼ全領域に半導体チップ搭載領域の寸法よりも大きく、異方導電性接着剤が形成されている個片に切り離した半導体装置。」（以下、「刊行物１発明」という。）
　
（２）対比・判断
　本願補正発明１と刊行物１発明とを対比する。
　
　刊行物１発明の「回路基板」、「電極端子」及び「電極端子接合部」、「外部接続端子」は、本願補正発明１の「基板」、「第１端子部」及び「第２端子部」、「外部端子部」に相当する。
　刊行物１発明の「（薄膜上に形成された導電性接着剤中の）ポリイミド樹脂」は、本願発明の「絶縁膜」に相当する。
　また、刊行物１発明の半導体チップが回路素子を有することは当然である。
　
　そうすると、両者は、「回路素子およびこれと導通する複数の第１端子部が一面側に形成された半導体チップと、上記各第１端子部に対応して複数の第２端子部が一面側に形成され、各第２端子部が上記半導体チップの第１端子部と導通接続された基板と、この基板の他面側に設けられ、かつ各々が対応する第２端子部と導通する複数の外部端子部と、を有する半導体装置であって、
　上記基板の一面側には、上記各第２端子部における上記第１端子部と導通接続される領域を除く領域の全部に絶縁膜が形成されており、かつ、
　上記絶縁膜は、その平面視寸法が上記半導体チップの平面視寸法よりも大とされている半導体装置。」の点で一致するものの、次の点で相違する。
　
　相違点：本願補正発明１は、基板の一面側には、各第２端子部における第１端子部と導通接続される領域を除く領域の全部にα線遮断性絶縁膜が形成されており、かつ、α線遮断性絶縁膜は、その平面視寸法が半導体チップの平面視寸法よりも大とされているのに対し、刊行物１発明に設けられたポリイミド樹脂からなる絶縁膜がα線遮断性を有するか否かが不明な点。
　
　そこで、上記相違点について次に検討する。
　
　刊行物１発明において、異方導電性接着剤としてポリイミド樹脂からなる接着剤を使用することが記載されている。そして、参考文献１の上記摘記事項ｄ）には、積層セラミック基板に塗布されたポリイミド樹脂層により、α線をセラミック基板上で阻止する旨が記載され、参考文献２の上記摘記事項ｅ）には、基板に接着されたポリイミド樹脂のフィルムからなるα線遮蔽板により、基板から放射されるα線がＩＣに入射されるのを防ぐ旨が記載されているように、一般に、ポリイミド樹脂がα線遮断性を有することは周知である。よって、刊行物１発明のポリイミド樹脂からなる絶縁膜に、例えば十分な厚みを持たせてα線遮断性を有する絶縁性のポリイミド樹脂とすることは、当業者が容易になし得ることである。
　
　また、本願補正発明１において、各第２端子部における第１端子部と導通接続される領域を除く領域の全部にα線遮断性絶縁膜が形成されている点についても、刊行物１発明において、「電極端子が、接着剤の層を突っ切って導電粒子に接触」しているから、電極端子と電気的に接続する領域を除く領域に異方導電性接着剤が形成されることは明らかである。
　　
　したがって、本願補正発明１は、刊行物１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 
　
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
ＩＩＩ．本願発明について　
１．本願発明
　平成１８年３月２８日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜５のうち、請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、平成１７年１２月２７日付の手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
　
　「【請求項１】　回路素子およびこれと導通する複数の第１端子部が一面側に形成された半導体チップと、上記各第１端子部に対応して複数の第２端子部が一面側に形成され、各第２端子部が上記半導体チップの第１端子部と導通接続された基板と、この基板の他面側に設けられ、かつ各々が対応する第２端子部と導通する複数の外部端子部と、を有する半導体装置であって、
　上記基板の一面側には、上記各第２端子部における上記第１端子部と導通接続される領域を除く領域の全部にα線遮断性絶縁膜が形成されていることを特徴する、半導体装置。」
　
２．引用刊行物及び周知例とその摘記事項
　平成１７年１０月２７日付の拒絶理由通知の拒絶の理由に引用した本願の
出願前に頒布された引用文献１、及び、参考文献１、２とその摘記事項は、上記「ＩＩ．２．引用刊行物及び参考文献とその摘記事項」に記載されたとおりである。
　
３．対比・判断
　本願発明１は、上記本願補正発明１の限定事項である、「かつ、上記α線遮断性絶縁膜は、その平面視寸法が上記半導体チップの平面視寸法よりも大とされている」点を削除したものである。
　
　そうすると、本願発明１の特定発明事項を全て含み、さらに他の特定発明事項である上記限定事項を付加したものに相当する本願補正発明１が、前記「ＩＩ．３．（２）対比・判断」に記載したとおり、刊行物１に記載された発明、及び、参考文献１、２に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明１も、同様の理由により、刊行物１、及び、参考文献１、２に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび 
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、刊行物１に記載された発明、及び、参考文献１、２に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、本願の請求項２〜請求項５に係る発明については検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。