【事件の表示】
　平成１０年特許願第１１０４８１号「半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年１１月　５日出願公開、特開平１１−３０７９８０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１０年４月２１日の出願であって、平成１８年２月１５日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年３月２３日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。
　
　
第２　本願発明について
　本願の請求項１ないし４に係る発明は、平成１７年７月７日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、このうち、本願の請求項１ないし３に係る発明は、
「【請求項１】複数の半導体素子が半導体基板上に形成され、隣接する前記半導体素子の間に前記半導体基板の表面から裏面に達する複数の貫通孔が配置され、隣接する前記貫通孔間の距離が前記半導体基板の厚さより小さいことを特徴とする半導体装置。
　【請求項２】前記貫通孔の内壁が導電性材料で被覆されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
　【請求項３】前記貫通孔の内壁を被覆する導電性材料が半導体基板の裏面あるいは表面において接地配線層と電気的に接続されていることを特徴とする請求項２記載の半導体装置。」であり、
さらに、本願の請求項３に係る発明を独立請求項の形式で記載すると、本願の請求項３に係る発明は、
「複数の半導体素子が半導体基板上に形成され、隣接する前記半導体素子の間に前記半導体基板の表面から裏面に達する複数の貫通孔が配置され、隣接する前記貫通孔間の距離が前記半導体基板の厚さより小さく、前記貫通孔の内壁が導電性材料で被覆されており、前記貫通孔の内壁を被覆する導電性材料が半導体基板の裏面あるいは表面において接地配線層と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。」である。
　
１　引用刊行物及び該引用刊行物記載の発明
刊行物１．特開平３−２８６５５９号公報
　
　原審の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に日本国内において頒布された特開平３−２８６５５９号公報（以下、「刊行物１」という。）には、第１図、第２図とともに、
「高周波集積回路」（発明の名称）に関して、
「(1)表面に複数の高周波回路素子が形成された基板中に互いにアイソレーシヨンの必要な高周波回路素子相互間、あるいはアイソレーションの必要な高周波回路素子を囲んで動作周波数における信号波長λより短い間隔で複数のバイアホールを列をなして設け、各バイアホールを上記基板の裏面に設けられた共通電極に接続して上記各バイアホールを高周波的に接地したとを特徴とする高周波集積回路。
(2)表面に複数の高周波回路素子が形成された基板中に互いにアイソレーシヨンの必要な高周波回路素子相互間、あるいはアイソレーシヨンの必要な高周波回路素子を囲んでバイアホール壁を設け、該バイアホール壁を上記基板の裏面に設けられた共通電極に接続して上記バイアホール壁を高周波的に接地したことを特徴とする高周波集積回路。」（第１頁左下欄第５行〜同頁右下欄第１行）、
「第１図はこの発明の第１の実施例を示す。同図において、ｌはGaAs等の半導体の基板で、該基板ｌ上には増幅器２、３その他の高周波回路素子が形成されている。４は上記増幅器２、３相互間、あるいはこれらの増幅器とその他の回路素子とを接続する配線部で、この配線部をマイクロ波信号が伝播する。増幅器２、３相互間の基板中にはバイアホール51、52、・・・5nからなるバイアホール列５が形成されている。バイアホール列５のバイアホール相互間の間隔は動作周波数での信号波長λより短くなるように設定されている。基板ｌの裏面には共通電極７が設けられており、上記各バイアホール51、52、・・・5nは共通電極７に接続されている。共通電極７は接地あるいは電源電圧Ｖddに接続されており、高周波的に接地されている。周知のように、電磁波はその信号波長λに比して小さいメッシュ状の接地電極パターンを殆ど通過することができない。このため、共通電極７により高周波的に接地された上記バイアホール列５はマイクロ波的に接地導体壁として作用し、増幅器２と３とをマイクロ波的にアイソレーションして、これらの増幅器が相互に干渉しあうのが防止される。
　第１図の実施例では、バイアホール列５は増幅器２と３との間に設けられており、これらの増幅器相互間をアイソレーションしているが、基板ｌ上に形成された特定の回路素子を囲むようにバイアホール列を設けて、この特定の回路素子を他の回路素子あるいは回路からマイクロ波的にアイソレーションすることもできる。
　第２図はこの発明の高周波集積回路の他の実施例で、第１図の実施例と異なる点はバイアホール列の代りに増幅器２、３間にバイアホール壁６を設け、該バイアホール壁６の下端を基板ｌの裏面に設けられた共通電極７に接続したものである。バイアホール壁６はマイクロ波的に接地導体壁として作用し、第１図の実施例と同様に増幅器２と３とをマイクロ波的にアイソレーションすることができる。
　第２図の実施例で、バイアホール壁により基板ｌ上の特定の回路素子のみを、その結線部分を除いて囲むように設けてもよい。このようにすると、上記特定の回路素子を他の回路素子あるいは回路から効果的にアイソレーションすることができる。
　上記の各実施例で、高周波回路素子としては、増幅器２、３の他に発振回路その他任意の回路素子を使用することができ、また、基板ｌとしてGaAsのような半導体基板を使用したが、アルミナやサファイア等の誘電体基板を用いてもよい。」（第２頁右上欄第１４行〜第３頁左上欄第３行）、
が、記載されている。
　また、第１図には、各バイアホール51、52、・・・5nが、それぞれ「基板１」の内部に形成されていることが示されており、「基板ｌの裏面には共通電極７が設けられており、上記各バイアホール51、52、・・・5nは共通電極７に接続されている。」（第２頁左下欄第４〜７行）構成とあわせると、第１図には、各バイアホールが半導体の基板の表面から裏面に達することが、実質的に示されている。
　
　以上の記載から、刊行物１には、第１図の実施例に基づいて、以下の発明が記載されている。
「半導体の基板の表面に複数の高周波回路素子が形成され、前記半導体の基板中に互いにアイソレーシヨンの必要な前記高周波回路素子相互間に動作周波数における信号波長λより短い間隔で前記半導体の基板の表面から裏面に達する複数のバイアホールが列をなして設けられ、前記各バイアホールが前記半導体の基板の裏面に設けられた共通電極に接続されて前記各バイアホールが高周波的に接地されたことを特徴とする高周波集積回路。」
　
２　対比・判断
　本願の請求項３に係る発明（以下、「本願発明３」という。）と刊行物１に記載された発明（以下、「刊行物１発明」という。）とを対比すると、刊行物１発明の「半導体の基板」、「高周波回路素子」は、それぞれ、本願発明３の「半導体基板」、「素子」に相当するので、刊行物１発明の「半導体の基板の表面に複数の高周波回路素子が形成され」ることは、本願発明３の「複数の」「素子が半導体基板上に形成され」ることに相当する。
　また、刊行物１発明の「バイアホール」は、本願発明３の「貫通孔」に相当するので、刊行物１発明の「互いにアイソレーシヨンの必要な前記高周波回路素子相互間に」「前記半導体の基板の表面から裏面に達する複数のバイアホールが列をなして設けられ」ることは、本願発明３の「隣接する前記」「素子の間に前記半導体基板の表面から裏面に達する複数の貫通孔が配置され」ることに相当する。
　また、刊行物１発明の「共通電極」は、本願発明３の「接地配線層」に相当し、また、刊行物１発明の「前記各バイアホールが前記半導体の基板の裏面に設けられた共通電極に接続されて前記各バイアホールが高周波的に接地された」ことにおいて、「各バイアホールが高周波的に接地され」るためには、「各バイアホール」の内部に導体を有することは明らかであり、「導体」は「導電性材料」と同義語であるから、刊行物１発明の「前記各バイアホールが前記半導体の基板の裏面に設けられた共通電極に接続されて前記各バイアホールが高周波的に接地された」ことは、本願発明３の「前記貫通孔」「が導電性材料」を有して「おり、前記貫通孔の」「導電性材料が半導体基板の裏面」「において接地配線層と電気的に接続されていること」に相当する。
　また、刊行物１発明の「高周波集積回路」は、本願発明３の「半導体装置」に相当する。
　すると、本願発明３と刊行物１発明とは、
「複数の素子が半導体基板上に形成され、隣接する前記素子の間に前記半導体基板の表面から裏面に達する複数の貫通孔が配置され、前記貫通孔が導電性材料を有しており、前記貫通孔の導電性材料が半導体基板の裏面あるいは表面において接地配線層と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。」
の点で一致し、
　半導体基板上に形成された素子として、本願発明３は、「半導体素子」を有するのに対して、刊行物１発明は、「高周波回路素子」を有する点（以下、「相違点１」という。）、
　本願発明３は、「隣接する前記貫通孔間の距離が前記半導体基板の厚さより小さ」いのに対して、刊行物１発明は、「動作周波数における信号波長λより短い間隔で前記半導体の基板の表面から裏面に達する複数のバイアホールが列をなして設けられ」る点（以下、「相違点２」という。）、
　本願発明３は、「前記貫通孔の内壁が導電性材料で被覆されている」のに対して、刊行物１発明は、「各バイアホール」の内部に導体を有するものの、「各バイアホール」の内壁が導電性材料で被覆されているかどうか不明である点（以下、「相違点３」という。）、
で相違している。
　
　そこで、上記相違点１ないし３についてそれぞれ検討する。
ａ．相違点１について
　刊行物１には、「高周波回路素子としては、増幅器２、３の他に発振回路その他任意の回路素子を使用することができ」（第２頁右下欄第１９行〜第３頁左上欄第１行）ることが記載されている。
　そして、刊行物１に記載のような「任意の回路素子」として、能動素子や受動素子である半導体素子を用いることができることは、当業者にとって自明である。
　したがって、相違点１については、本願発明３と刊行物１発明とは、実質的に相違せず、また、仮に相違するとしても、刊行物１発明の「高周波回路素子」として、能動素子や受動素子である半導体素子を採用し、本願発明３のごとく、「半導体素子」が「形成され」るようになすことは、当業者が適宜選択できた程度のことである。
ｂ．相違点２について
　審判請求人は、平成１８年４月１８日付けの審判請求書の請求の理由を補正する手続補正書において、
「【本願発明が特許されるべき理由】
（１）本願の請求項１および請求項４に記載された発明は、以下に示す格別の作用効果を奏します。
　すなわち、通常半導体基板の厚さが半導体基板内を伝搬する高周波信号の波長よりも小さいが、その場合に複数の貫通孔を設けた半導体基板について、半導体基板の厚さｄに対し隣接する貫通孔の間隔ｇを小さくする（ｇ／ｄ＜１）ことにより、２つの半導体素子間の電気的干渉を極力抑制させることができ、結果として２つの半導体素子間のアイソレーションを急激に向上させることができるという格別の作用効果を奏します。ここで、ｇ／ｄ＜１とすることで隣接する２つの半導体素子間の電気的干渉を急激に抑制させることができるのは、本願第２図より明らかであります。すなわち、隣接する貫通孔間の距離が半導体基板の厚さより小さいことは、２つの半導体素子間の電気的干渉を抑制するという点では臨界的意義を有します。」、
「（５）本願の請求項２、請求項３はいずれも請求項１の従属請求項であり、本願の請求項１記載の発明が当業者にとって容易に発明できたものでありませんので、請求項２、請求項３に記載された発明もまた当業者にとって容易に発明できたものでないと思料いたします。」、
と主張しているが、本願の図２は、本願の「第１の実施の形態において、隣接する貫通孔９間の距離ｇと半導体基板１の厚さｄの比と、第１の能動素子２の高周波入力電力が第２の能動素子３へ漏洩する割合の関係の図面」（【００２４】段落）であり、図１に記載の本発明の第１の実施の形態に対応する図である。
　そして、図１に記載の本発明の第１の実施の形態では、「複数の貫通孔」は、「貫通孔の内壁が導電性材料で被覆されて」いないものである。
　ところが、本願発明３に対応する、図４に記載の本発明の第３の実施の形態では、図１に記載の本発明の第１の実施の形態とは違い、本願発明３の「前記貫通孔の内壁が導電性材料で被覆されており、前記貫通孔の内壁を被覆する導電性材料が半導体基板の裏面あるいは表面において接地配線層と電気的に接続されている」ことにより、「貫通孔９の内壁が例えば厚さ２μｍの金めっきにより被覆されているとともに、ダイパッド１２を通して接地電位に保持されるので、この貫通孔９の金めっきは高周波信号の漏洩に対してより理想的な電気的遮蔽効果を有し、隣接する第１と第２の能動素子２、３相互間の電気的干渉が抑制され、良好な高周波特性を実現することができる。」（【００３４】段落）ものであるため、図１に記載の本発明の第１の実施の形態にはない、「より理想的な電気的遮蔽効果を有」するものである。
　すると、図２は、「貫通孔の内壁を被覆する導電性材料」を備えておらず「電気的遮蔽効果」がない、図１に記載の本発明の第１の実施の形態についての「隣接する貫通孔９間の距離ｇと半導体基板１の厚さｄの比と、第１の能動素子２の高周波入力電力が第２の能動素子３へ漏洩する割合の関係の図面」であって、本願発明３に対応し、「貫通孔の内壁を被覆する導電性材料」による「電気的遮蔽効果」を有する図４に記載の本発明の第３の実施の形態についての「隣接する貫通孔９間の距離ｇと半導体基板１の厚さｄの比と、第１の能動素子２の高周波入力電力が第２の能動素子３へ漏洩する割合の関係の図面」は、本願明細書及び図面には示されていないので、本願発明３では、「隣接貫通孔間距離ｇと半導体基板厚さｄの比が、１」「の場合」が、臨界的意義を有するのかどうかが不明である。しかも、本願発明３に対応し、「貫通孔の内壁を被覆する導電性材料」による「電気的遮蔽効果」を有する図４に記載の本発明の第３の実施の形態の「隣接する貫通孔９間の距離ｇと半導体基板１の厚さｄの比と、第１の能動素子２の高周波入力電力が第２の能動素子３へ漏洩する割合の関係の図面」は、「より理想的な電気的遮蔽効果」によって、図２の場合よりも隣接素子間アイソレーション（ｄＢ）が良好となるために、少なくとも、グラフの曲線は、図２のものよりも右方向にシフトすることが予想されるから、本願発明３では、「隣接貫通孔間距離ｇと半導体基板厚さｄの比が、１」「の場合」が、臨界的意義を有していない蓋然性が高い。よって、審判請求人の上記の主張は採用できない。
　また、刊行物１の第２図に記載の実施例では、刊行物１発明の「複数のバイアホール」の「列」の代わりに、「バイアホール壁６」が設けられている。
　そして、この「バイアホール壁６」は、刊行物１発明の「バイアホール」の「間隔」を、ゼロにした場合に相当し、「半導体の基板」の厚さよりも、当然、「バイアホール」の「間隔」が小さく、「前記半導体の基板中に互いにアイソレーシヨンの必要な前記高周波回路素子相互間に動作周波数における信号波長λより短い間隔で前記半導体の基板の表面から裏面に達する複数のバイアホールが列をなして設けられ」ることは、本願発明３の「隣接する前記貫通孔間の距離が前記半導体基板の厚さより小さ」いことを実質的に含んでいる。
　すると、刊行物１には、刊行物１発明の「動作周波数における信号波長λより短い間隔で前記半導体の基板の表面から裏面に達する複数のバイアホールが列をなして設けられ」るものから、第２図に記載の、刊行物１発明の「バイアホール」の「間隔」を、ゼロにした場合に相当するものまで、記載されているので、刊行物１発明の「動作周波数における信号波長λより短い間隔で前記半導体の基板の表面から裏面に達する複数のバイアホールが列をなして設けられ」るものに代えて、刊行物１発明が、本願発明３のごとく、「隣接する前記貫通孔間の距離が前記半導体基板の厚さより小さく」なすとの構成を備えたものとすることは、当業者が、適宜なし得た程度のことである。
ｃ．相違点３について
　刊行物１の第１図の「バイアホール列」部分を参照すると、各バイアホールには、「上記バイアホール列５はマイクロ波的に接地導体壁として作用し」（第２頁左下欄第１２〜１３行）の「マイクロ波的に接地導体壁」を構成する導体が充填されていることが見てとれる。
　そして、バイアホールに導体が充填されていると、当然ながら、バイアホールの内壁部分にも、導体が存在することになり、バイアホールの内壁部分は、導体で覆われていることになる。
　すると、刊行物１発明の「バイアホール」は、本願発明３の「貫通孔」に相当し、かつ、本願発明３の「貫通孔の内壁が導電性材料で被覆されて」いるというのみでは、被覆される導電性材料の厚さと貫通孔の内径について特定されておらず、貫通孔が導電性材料で充填される場合も含まれるものであるから、刊行物１に示されている、バイアホールの内壁部分が、導体で覆われていることは、本願発明３の「貫通孔の内壁が導電性材料で被覆されて」いることに相当する。よって、相違点３については、本願発明３と刊行物１発明とは、実質的に相違しない。
　また、仮に「被覆」が薄い膜で覆われることを意味し、本願発明３の「貫通孔の内壁が導電性材料で被覆されて」いるとは、「貫通孔」が充填されているのではなく、貫通孔の内部に筒状の孔が空いているものであって、刊行物１に記載の、「バイアホール」の内部が導体で充填されているものと相違するとしても、貫通孔の内部に筒状の孔が空いているものと、「バイアホール」の内部が、導体で充填されているものとで、奏する作用・効果に変わりはないから、貫通孔の内部に筒状の孔が空いているものと、刊行物１に記載のように、「バイアホール」の内部が導体で充填されているものとのいずれを選択するかは、当業者が適宜選択できた程度のことである。
　
　したがって、本願の請求項３に係る発明は、刊行物１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　
　
第３　むすび
　以上のとおり、本願の請求項３に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるので、本願の他の請求項に係る発明についての検討をするまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。