【事件の表示】
　特願２００４−５２４６４「光記録媒体」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年７月１４日出願公開、特開２００５−１９０６４２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯、本願発明
　本願は、平成１６年２月２６日の出願（国内優先権主張　平成１５年１２月３日）であって、拒絶理由通知に対し平成１７年５月２３日付けで手続補正したが、拒絶査定がされ、同年１０月２０日に拒絶査定不服の審判が請求されるとともに、同年１１月２１日付けで手続補正がされたものであって、当審から拒絶理由を通知したところ、平成２０年６月４日付けで手続補正がされたものである。
　
　本願請求項１乃至５に係る発明は、平成２０年６月４日付け手続補正により補正された特許請求の範囲１乃至５に記載された事項により特定されるものであるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
　
「【請求項１】基板上に、少なくとも下部保護層、光記録層、Ａｇの腐食物質である硫黄と塩素の含有量が０．１重量％以下である上部保護層、該上部保護層に接しＡｇを９８重量％以上含む光反射層を有し、光記録層の膜厚が８〜１４ｎｍ、上部保護層の膜厚が４〜２４ｎｍであり、上部保護層が、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化錫、酸化ニオブ、窒化珪素、窒化アルミニウム、ＳｉＯｘ（１．６≦ｘ≦１．８）の少なくとも一つを主成分として含み、上部保護層が、記録又は書き換え後でも非晶質であることを特徴とする光記録媒体。」
　
２．引用例
　(1)当審が通知した拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開平８−２４９７２５号公報（以下、「引用例１」という。）には、次の事項が記載されている。（
下線
　ア．「【請求項１】記録材料の相変化を利用した相変化形記録媒体の構成材料の一つとして用いられるものであって、その構成成分としてバルク状態における熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・deg以上である化合物を１種類以上含むことを特徴とする耐熱性保護層用材料。
【請求項２】前記構成成分が酸化亜鉛、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化マグネシウム、酸化イットリウム、窒化ガリウム、
窒化シリコン
【請求項３】前記構成成分が酸化亜鉛、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化マグネシウム、酸化イットリウム、窒化ガリウム、
窒化シリコン
【請求項４】基板上に耐熱性保護層、記録層、反射放熱層を積層した光情報記録媒体において、該記録層がＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅを主成分として形成され、かつ、該耐熱性保護層が請求項１、２又は３の構成成分で形成されていることを特徴とする光情報記録媒体。」（特許請求の範囲）
　イ．「【0008】以下、本発明をさらに詳細に説明する。本発明の光情報記録媒体は、その耐熱性保護層としてバルク状態における熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・deg以上である材料を用いることで、高感度で多数回の安定した記録−消去の繰り返しが可能になる。これは次ぎのような理由によるものと考えられる。一般に相変化形光記録媒体の場合、記録は記録層にアモルファス部を形成することによって行われる。アモルファス相の形成には記録層の融点以上への昇温と、その後の十分な冷却速度が必要である。一方、記録部と未記録部の境界が不明確になったり、記録部が結晶化されて消去されたりすることを避けるため、記録を行いたい部分以外の記録層に対しては、熱の影響をなるべく押さえなければならない。このように記録すべき部分と常温に保つべき部分の昇温条件を明確に区別するためには、記録層で発生した余剰な熱を熱伝導率の高い保護層方向へ逃がし、記録層の膜内での熱の伝導を低く押さえることが有効である。こうすることで融点以上への昇温と十分な冷却速度を得ることが可能となる。
【0009】記録層の昇温及び冷却条件は、主に記録層自身の光−熱変換効率αと保護層の熱伝導率κとのバランスによって決定されるが（図１、数字の大きい方が高感度であることを示す）、αに対しκが大き過ぎる場合には融点以上に昇温するために高いレーザーパワーを必要とするため感度は悪い。同時に結晶化しにくくなるため消去比は低下し、安定な記録−消去の繰り返しが困難となる。一方、αに対しκが小さすぎる場合には過剰な熱が記録層内に蓄積されアモルファスの形成に必要な冷却速度が得にくくなる。そのため必要以上のパワーを与えることで見かけの冷却速度を高くしなければならず、やはり高いレーザーパワーを必要とすることになる。この場合、記録層や耐熱性保護層、反射放熱層や各層の界面に対する熱に因るダメージが大きくなり、安定な記録−消去の繰り返しが困難となる。このように良好な感度、Ｃ／Ｎ、消去比、繰り返し記録の安定性を得るためには、記録層の光−熱変換効率に合った熱伝導率を持つ保護層を形成することが重要であり、本発明の保護層はこれらの特性を満足しうるものである。」
　ウ．「【0010】こうした耐熱性保護層用材料に適したものは、前記（２）及び（３）に示したとおりであるが、特に前記（３）について付け加えれば下記のとおりである。
（イ）主に酸化シリコン及び酸化亜鉛からなるものでは、酸化亜鉛の含有モル比が３〜５０％であるのが望ましい。
（ロ）主に酸化シリコン及び酸化アルミニウムからなるものでは、酸化アルミニウムの含有モル比が５〜９５％であるのが望ましい。
（ハ）主に酸化シリコン及び酸化チタンからなるものでは、酸化チタンの含有モル比が１０〜９８％であるのが望ましい。
（ニ）主に酸化シリコン及び酸化マグネシウムからなるものでは、酸化マグネシウムの含有モル比が３〜４５％であるのが望ましい。
（ホ）主に酸化シリコン及び酸化イットリウムからなるものでは、酸化イットリウムの含有モル比が１０〜８０％であるのが望ましい。
（へ）主に酸化シリコン及び窒化ガリウムからなるものでは、窒化ガリウムの含有モル比が１〜３０％であるのが望ましい。
（ト）
主に酸化シリコンと窒化シリコンからなるものでは、窒化シリコンの含有モル比が１０〜８５％であるのが望ましい
（チ）主に酸化シリコンと窒化アルミニウムからなるものでは、窒化アルミニウムの含有モル比が１〜５０％であるのが望ましい。
（リ）主に酸化シリコンと炭化シリコンからなるものでは、炭化シリコンの含有モル比が５〜５０％であるのが望ましい。
（ヌ）主に酸化シリコンと炭化チタンからなるものでは、炭化チタンの含有モル比が１０〜８５％であるのが望ましい。」
　エ．「【0011】
図２は、本発明の光情報記録媒体の構成例を示すもので、基板１上に耐熱性保護層２、記録層３、耐熱性保護層４、反射放熱層５が設けられている
　オ．「【0012】本発明の耐熱性保護層は各種気相成長法、たとえば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成できる。
耐熱性保護層の膜厚としては１００〜５０００Å、好適には２００〜３０００Åとするのがよい。１００Åよりも薄くなると耐熱性保護層としての機能をはたさなくなり、逆に５０００Åよりも厚くなると感度の低下をきたしたり、界面剥離を生じやすくなる
　カ．「【0015】記録層は各種気相成長法、たとえば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成できる。気相成長法以外にゾルゲル法のような湿式プロセスも適用可能である。
記録層の膜厚としては１００〜１００００Å、好適には１５０〜３０００Åとするのがよい。１００Åより薄いと光吸収能が著しく低下し、記録層としての役割をはたさなくなる。また１００００Åよりも厚いと高速で均一な相変化がおこりにくくなる
　キ．「【0016】
反射放熱層としては、Ａｌ、Ａｕなどの金属材料、またはそれらの合金などを用いることができる
　ク．「【0020】実施例１〜２０及び比較例１〜２０
ポリカーボネート製ディスク基板上に下部耐熱性保護層を約２０００Å厚、記録層を約２００Å厚、上部耐熱性保護層を約２００Å厚、反射放熱層としてＡｌ合金を約１０００Å厚になるように、順次ｒｆマグネトロンスパッタ法により積層した
　ケ．表１には、SiO2を母材とし、Si3N4のモル比が0.47である場合、記録パワー13W、消去比29dBで、繰り返し安定性○（実施例10）、Si3N4のモル比が0.9の場合、記録パワー21W、消去比20dBで、繰り返し安定性△（比較例10）の各例が記載されている。
　
　上記摘示事項の特に下線部を参照すると、引用例１には次の発明（以下、「引用例１発明」という。）が記載されている。
　
　「基板上に下部耐熱性保護層、記録層、上部耐熱性保護層、反射放熱層が設けられた光情報記録媒体であって、反射放熱層として、Ａｌ、Ａｕなどの金属材料またはそれらの合金などを用い、記録層の膜厚は１００〜１００００Å、耐熱性保護層の膜厚は１００〜５０００Åであり、耐熱性保護層用材料として窒化シリコンをモル比で１０〜８５％含む光情報記録媒体。」
　
(2) 同じく、当審が通知した拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開２００２−２６０２８３号公報（以下、「引用例２」という。）には、「相変化記録媒体」について、図面とともに次の事項が記載されている。
　
　コ．「【0001】
　【発明の属する技術分野】本発明は、銀を主成分とする反射放熱層を有する相変化光記録媒体に関する。」
　サ．「【0007】一方、非晶質化（記録）は、レーザー光を照射して記録層を融点よりも高い温度まで加熱し、その記録層を急冷することによって記録ビットを形成することにより行われる。このため、記録層に隣接されて放熱層が設けられ、この放熱層は反射層と兼用されて一般には反射放熱層として設けられている。
【0008】ここで、
一般に光記録媒体の反射層としては金またはアルミニウム合金が古くから広く用いられ、近年、銀合金も用いられつつある
　シ．「【0010】
銀は金と同等の反射率を備え、金よりも高い熱伝導率を有するために再生専用型、記録型を問わず、銀反射層を用いた光記録媒体では優れた初期特性を得ることができ、あらゆるタイプの光記録媒体に有用と考えられ、また金に比べれば安価であるという利点を備えている。さらに、銀はスパッタリングでの成膜速度がアルミニウムの約３倍早く高速で成膜できるという利点も備えている
　ス．「【0041】この
相変化光記録媒体１０では、基板１の上に、下部誘電体保護層２（第１下部誘電体保護層２１、第２下部誘電体保護層２２）、相変化型記録層３、上部誘電体保護層４、反射放熱層５、樹脂保護層６、貼り合わせよう基板７が積層されている
　セ．「【0051】
この相変化型記録層３の膜厚は一般的には5nm〜100nm程度の範囲を用いるが、10nm〜30nm程度の範囲であるのが好ましい。膜厚が100nmよりも厚いと、記録時の熱干渉が大きくなり、小さなマークの大きさのばらつきが大きくなって、信号の時間軸揺らぎが大きくなり、結果としてエラー率が大きくなる場合がある
【0052】また、10nm程度より薄いと、再生光での弱い熱でも記録マークが熱揺らぎを引き起こして消去され易くなる場合がある。」
　ソ．「【0053】上部誘電体保護層４は、主に化学的安定性と熱遮断のために上述した誘電体保護層に用いられる酸化ジルコニウム系の材料が選択される。この
上部誘電体保護層４の膜厚は、熱遮断するため10nm〜100nm程度の範囲である。記録時の熱を相変化型記録層３から速やかに反射放熱層５へ流すためはこの膜厚を10nm〜30nm付近の厚さにするのが好ましい
【0054】
青色光を用い、かつ対物レンズの開口数(NA)が0.8以上になるような、極めて光が絞られているピックアップを備えたドライブにより書き込みが行われる光記録装置の場合は上部誘電体保護層４の膜厚はさらに薄く、5nm〜10nmの範囲でよい
　タ．「【0058】
反射率、放熱の面からは純銀が最良である
　チ．「【0061】これに対し、Cuを添加したAg-Cu合金では、銅の添加量を多くしても、ほとんど熱伝導率が下がらないことが確認された。従来の追記型CDである、CD-Rなどでも反射率などに着目してAgに対する、PdやCuの添加が検討されているが、熱伝導率の詳細な挙動に注目し、極力大きい熱伝導率である耐蝕性合金として考えられたものは皆無であった。
【0062】
銅の添加量は耐蝕性の面から 多すぎると逆に耐蝕性が劣化する。0.1at％〜10at％程度の範囲がよく、特に0.5at％〜3at％程度の範囲が最適量である
　
３．対比
　引用例１発明における「基板」「下部耐熱性保護層」「記録層」「上部耐熱性保護層」「反射放熱層」及び「光情報記録媒体」は、それぞれ、本願発明の「基板」「下部保護層」「光記録層」「上部保護層」「光反射層」及び「光記録媒体」に相当する。
　引用例１発明の光情報記録媒体は、「上部耐熱性保護層を約２００Å厚、反射放熱層としてＡｌ合金を約１０００Å厚になるように、順次ｒｆマグネトロンスパッタ法により積層した」（上記２．ク）のであるから、上部耐熱性保護層に接して反射放熱層を有している。
　そして、引用例１発明の「耐熱性保護層用材料として
窒化シリコン
窒化珪素
の少なくとも一つを含み
　したがって、本願発明と引用例１発明との一致点、相違点は次のとおりである。
［一致点］
「基板上に、少なくとも下部保護層、光記録層、上部保護層、上部保護層に接する光反射層を有し、上部保護層が窒化珪素を含（む）光記録媒体」である点。
　
［相違点］
　（相違点１）上部保護層について、本願発明が「Ａｇの腐食物質である硫黄と塩素の含有量が０．１重量％以下」であるのに対し、引用例１発明では硫黄及び塩素の含有量について特定されていない点。
　（相違点２）光反射層について、本願発明が「Ａｇを９８重量％以上含む」のに対し、引用例１発明ではＡｌ、Ａｕなどの金属材料またはそれらの合金などである点。
　（相違点３）光記録層の膜厚が、本願発明では８〜１４ｎｍであるのに対し、引用例１発明では１００〜１００００Å（１０〜１０００ｎｍ）である点。
　（相違点４）上部保護層の膜厚が、本願発明では４〜２４ｎｍであるのに対し、引用例１発明では１００〜５０００Å（１０〜５００ｎｍ）である点。
　（相違点５）上部保護層が、本願発明では窒化珪素を主成分として含むのに対し、引用例１発明ではモル比で１０〜８５％含む点。
　（相違点６）上部保護層が、本願発明では、記録又は書き換え後でも非晶質であるのに対し、引用例１発明では、非晶質であることが特定されていない点。
　
４．相違点についての判断
　(1)相違点１について
　原審の拒絶理由通知に応答した意見書の参考データとして、比較例１、比較例２及び参考実施例Ａの光記録媒体はいずれも、硫黄を含まないＳｎＯ（酸化錫）に対して硫黄を含むＺｎＳを添加することによって、所定量の硫黄を含む上部保護層を作成している。
　一方、本願明細書において、上部保護層に使用する材料について、その硫黄や塩素等の不純物の濃度について分析した結果、不純物濃度を所定量以下とするための精製方法等について何ら記載されていない。
　そうすると、光記録媒体の保護層に使用する材料として普通に入手できる材料である酸化亜鉛、酸化錫等のように化合物を構成する元素として硫黄や塩素を含まないものは、不純物として硫黄と塩素の含有量は０．１重量％以下であるというべきであり、引用例１発明の上部保護層における母材の酸化シリコン及び窒化シリコン（窒化珪素）は、いずれも硫黄と塩素の含有量が０．１重量％以下であると解される。
　したがって、相違点１によって、本願発明と引用例１発明とは実質的に異なるものではない。
　(2)相違点２について
　引用例２には、光記録媒体の反射層として従来は、金またはアルミニウム合金が古くから用いられ、近年、銀合金が用いられていること（上記２．サ）、「銀は金と同等の反射率を備え、金よりも高い熱伝導率を有するために再生専用型、記録型を問わず、銀反射層を用いた光記録媒体では優れた初期特性を得ることができ、あらゆるタイプの光記録媒体に有用と考えられ、また金に比べれば安価であるという利点を備えている。さらに、銀はスパッタリングでの成膜速度がアルミニウムの約３倍早く高速で成膜できるという利点も備えている。」（上記２．シ）と記載されており、また、反射率及び熱伝導度の点では純銀が最良であるが、耐食性を向上させるために耐食性向上には0.1〜10at％の銅を添加すること（上記２．タ、チ）も記載されている。
　しかも、引用例１発明は、保護層に銀の腐食物質である硫黄や塩素を含まない材料を用いているから、引用例１発明において銀合金を光反射層として用いることについて阻害事由はない。
　そうすると、引用例１発明における光反射層として、ＡｌやＡｕ合金に代えてＡｇを９８重量％以上含む合金を用いることは、当業者が容易に推考しうることである。
　(3)相違点３について
　本願発明における記録層の膜厚８〜１４ｎｍは、引用例１発明における（光）記録層の膜厚１００〜１００００Å（１０〜１０００ｎｍ）と重なっている。
　引用例２には、引用例１発明と同じ層構造を有する相変化型光記録媒体において、膜厚は一般的には５ｎｍ〜１００ｎｍ程度の範囲を用いることが記載されている。（上記２．セ）
　記録層の膜厚を最適化することは当業者が普通に行うことであるから、引用例１発明においても、記録層の膜厚を８〜１４ｎｍとすることは単なる設計事項にすぎない。
　(4)相違点４について
　本願発明における上部保護層の膜厚４〜２４ｎｍは、引用例１発明における上部耐熱性保護層の膜厚１００〜５０００Å（１０〜５００ｎｍ）と重なっており、引用例１発明の実施例における膜厚約２００Å（２０ｎｍ）を包含する。
　そして引用例２には、上部誘電体保護層（本願の上部保護層に相当する）の膜厚は、熱遮断のためには１０〜１００ｎｍ、記録時の熱を反射放熱層に流すには１０〜３０ｎｍが好ましく、青色光を用いる場合には５〜１０ｎｍでよいことが記載されている。（上記２．ソ）
　上部保護層の膜厚を最適化することも当業者が普通に行うことであって、引用例１発明においても、上部保護層の膜厚を４〜２４ｎｍとすることは単なる設計事項にすぎない。
　(5)相違点５について
　本願発明における「主成分」とは、その技術的意味が必ずしも明確であるとはいえないが、明細書の段落[0023]によれば５０モル％を超える成分を意味するものと解される。
　そうであれば、引用例１発明において、上部保護層（上部耐熱性保護層）の成分として窒化珪素をモル比で１０〜８５％含むのであるから、その範囲内で、５０モル％以上の範囲を選択することに特段の困難はなく、当業者が適宜なし得るものというべきである。
　(6)相違点６について
　本願発明において、「上部保護層が、記録又は書き換え後でも非晶質である」ための条件として明細書には「上部保護層を安定に非晶質にするためには、製膜速度は低下するものの、それら材料にＳｉＯ２、ＺｒＯ２を混合させることが効果的であった。製膜速度を大きく低下させずに非晶質の膜を安定に製造するためには、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２を１０〜４０モル％添加すること、即ち上記の上部保護層材料を６０〜９０モル％とすることが効果的であった。」と記載されている。（段落[0025]）
　そして、引用例１発明において、「窒化シリコンをモル比で１０〜８５％含む」とは、酸化シリコン（ＳｉＯ２）に対し窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）を１０〜８５％（モル比）で配合される（上記２．ウ）のであるから、Ｓｉ３Ｎ４に対してＳｉＯ２は１５〜９０モル％含むことになり、１５〜４０モル％の範囲で、本願発明と重なっている。
　そうすると、引用例１発明は上記範囲において、上部保護層は記録又は書き換え後でも非晶質であると解されるから、相違点６により、本願発明は引用例１発明と実質的に異なるものではない。
　
　上記のとおり本願発明は相違点１及び６において、引用例１発明と実質的に異なるものではなく、また、相違点２〜５について総合的に判断しても、本願発明の効果は引用例１及び２の記載事項に基づいて、当業者が予測しうる範囲のものである。
　
　したがって、本願発明は、その出願前に頒布された刊行物である引用例１及び引用例２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　なお、請求人は、意見書において「窒化アルミニウム（窒化シリコンの誤記）については、段落〔0010〕に１０〜８５モル％であるのが望ましいという記載があり、本願発明と一部重複するが、本願発明では排除している５０モル％以下の場合も望ましい範囲に含んでいることから分かるように、Ａｇ反射層を設ける場合について検討したものではない。したがって、本願発明の参考にはならない。」と主張している。
　しかしながら、引用例１がＡｇ反射層を設ける場合について検討したものではないとしても、上記のとおり、引用例１発明において、光反射層としてＡｇを光反射層とし、窒化シリコン（窒化珪素、Ｓｉ３Ｎ４）を５０モル％以上とすることは、引用例１及び引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易になし得ることであるから、請求人の上記主張を採用することはできない。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、本願請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本件出願は拒絶されるべきである。
　よって、結論のとおり審決する。