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【事件の表示】
　特願２００３−２９７５４２「バンド端近傍波長で動作する光非線形半導体装置およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　３月１７日出願公開、特開２００５−　７０２２１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１５年８月２１日の出願であって、その請求項に係る発明は、平成１９年８月３０日に補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１０に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりである。
「半導体単結晶基板上に分子線エピタキシー成長法を用いて製作した半導体量子井戸構造エピタキシャル単結晶膜において、格子不整により半導体量子井戸層に引っ張り歪みを内蔵する半導体薄膜を有することを特徴とするバンド端近傍波長で動作する光非線形半導体装置。」
　
２．引用例・引用発明
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された本願出願前に頒布された刊行物である「藤谷諭、吉野英生、吉成伸夫、板東弘之、岡本紘、奥野剛史、舛本泰章，ＩｎxＧａ1-xＡｓ／Ｉｎ0.52Ａｌ0.48Ａｓ歪量子井戸構造の吸収飽和過渡特性，応用物理学会関係連合講演会講演予稿集，２００３年３月２７日，Ｖｏｌ．５０ｔｈ，Ｎｏ．３，ｐ．１２８２」（以下「引用例」という。）には、次の記載がある。
「はじめに：ＩｎＰ基板上に低温ＭＢＥ成長したＢｅドープＩｎxＧａ1-xＡｓ／Ｉｎ0.52Ａｌ0.48Ａｓ量子井戸構造中の励起子吸収ピークの吸収飽和特性はサブピコ秒の応答速度を示し、全光非線形デバイスとして色々な応用が期待されている［１］。そこでは駆動光電力や飽和励起密度Ｉｓの低減化のために歪量子井戸構造が採用されている。しかしながら、歪量子井戸が無歪量子井戸に対してどの程度有効であるかについての具体的なデータは示されてはいない。又、別の材料系であるが歪量子井戸の有効性を示した文献[２]もあるが、その実験結果には疑問の余地が残されている。そこでＩｎＰ基板上に圧縮歪および引張り歪を持つ歪量子井戸を作製し、その吸収飽和の過渡応答特性を無歪量子井戸と比較し検討した。
実験と結果：ＩｎＰ（１００）基板上に固体ＭＢＥ法によりＩｎxＧａ1-xＡｓ／Ｉｎ0.52Ａｌ0.48Ａｓ量子井戸構造（井戸層１１ｎｍ、障壁層１１ｎｍ、周期１００、ノンドープ）を成長温度３８０℃で成長した。ＩｎxＧａ1-xＡｓ層のＩｎ組成xとして０．４６（引っ張り歪）、０．５３（格子整合）、０．６０（圧縮歪）の３つの膜を作製した。基板表面処理には「Ｐなしアニール法」を採用した。何れのエピの表面とも鏡面であり、格子歪緩和によるクロスハッチは見られなかった。吸収飽和の過渡特性はＴｉサファイヤレーザーと光パラメトリック増幅器（ＯＰＡ）を組み合わせて得たサブピコ秒光パルスを用いて測定した。今回の実験では、ポンプ光は８００ｎｍ、強度は１００μＪ／ｃｍ２、プローブ波長はそれぞれの試料に対してほぼバンド端である１４００、１５００、１６００ｎｍの波長を用いた。図１に過渡応答特性を、表１にそれらをまとめた結果を示す。どの試料も１５−２０ｐｓの時間応答を示し、ｔ＝０での応答の大きさΔＴ／Ｔも０．２１−０．３の値を示し、大きな差異は認められなかった。このことから歪導入によるＩｓの増減は大きくはないものと推定される。」
　
　上記「実験と結果：」には、ＩｎＰ基板上に固体ＭＢＥ法により成長したＩｎxＧａ1-xＡｓ／Ｉｎ0.52Ａｌ0.48Ａｓ量子井戸構造について、ＩｎxＧａ1-xＡｓ層のＩｎ組成xを０．４６としたものが記載されているから、引用例には、「ＩｎＰ基板上に固体ＭＢＥ法により成長したＩｎ0.46Ｇａ0.54Ａｓ／Ｉｎ0.52Ａｌ0.48Ａｓ量子井戸構造の膜」が記載されているものと認められる。
　そして、この「Ｉｎ0.46Ｇａ0.54Ａｓ／Ｉｎ0.52Ａｌ0.48Ａｓ量子井戸構造の膜」は、上記「はじめに：」に記載される「全光非線形デバイス」に用いられる「ＩｎxＧａ1-xＡｓ／Ｉｎ0.52Ａｌ0.48Ａｓ量子井戸構造」の一例として記載されているものと認められるから、結局、引用例には、
「ＩｎＰ基板上に固体ＭＢＥ法により成長したＩｎ0.46Ｇａ0.54Ａｓ／Ｉｎ0.52Ａｌ0.48Ａｓ量子井戸構造の膜を有する全光非線形デバイス。」の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
３．対比・判断
　本願発明と引用発明を対比する。
　引用発明の「ＩｎＰ基板」及び「全光非線形デバイス」は、それぞれ、本願発明の「半導体基板」及び「光非線形半導体装置」に相当する。
　また、引用発明の「ＭＢＥ法」は、本願明細書の段落【００３０】に「分子線エピタキシー成長（ＭＢＥ）法」と記載されているように、本願発明の「分子線エピタキシー成長法」に相当するものであり、引用発明の「ＭＢＥ法により成長したＩｎ0.46Ｇａ0.54Ａｓ／Ｉｎ0.52Ａｌ0.48Ａｓ量子井戸構造の膜」は、本願発明の「分子線エピタキシー成長法を用いて製作した半導体量子井戸構造エピタキシャル単結晶膜」に相当する。
　また、引用発明のＩｎ0.46Ｇａ0.54Ａｓ井戸層は、Ｉｎの組成が０．４６であるから、ＩｎＰ基板及びＩｎ0.52Ａｌ0.48Ａｓ障壁層に比べて格子定数が小さく、引用例にも「（引っ張り歪）」と記載されているように引っ張り歪みを受けており、引用発明は、本願発明と同様に「格子不整により半導体量子井戸層に引っ張り歪みを内蔵する半導体薄膜を有する」ものである。
　また、引用発明の「Ｉｎ0.46Ｇａ0.54Ａｓ／Ｉｎ0.52Ａｌ0.48Ａｓ量子井戸構造の膜」は、引用例の「実験と結果：」に記載されているように、ほぼバンド端である１４００ｎｍのプローブ波長を用いて図１に示される吸収飽和の過渡応答を示すものであるから、この膜を有する引用発明の全光非線形デバイスが本願発明と同様に「バンド端近傍波長で動作する」ものであることは明らかである。
　以上のとおり、引用発明と本願発明に格別の相違点を認めることができないから、本願発明は、引用発明と同一の発明である。　
　
４．むすび
　したがって、本願発明は、引用例に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当し、特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　特願２０００−３５１８２７「プレート状絶縁体」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　５月３１日出願公開、特開２００２−１５８０４７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１２年１１月１７日の出願であって、平成１８年８月２２日付で拒絶査定（発送日：平成１８年８月２９日）がなされ、これに対し、平成１８年９月２８日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、平成１８年１０月２７日付で手続補正がなされ、これに対し、当審において、平成２０年１１月１３日付で拒絶の理由を通知（発送日：平成２０年１１月１８日）し、期間を指定して意見書及び補正書を提出する機会を与えたが、平成２０年１２月２４日付で意見書のみが提出されたものであって、「プレート状絶縁体」に関するものと認められる。
　
　
２．当審の拒絶の理由
　当審で平成２０年１１月１３日付で通知した拒絶の理由の概要は以下のとおりである。
　
「本件出願は、明細書及び図面の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第４項及び第６項に規定する要件を満たしていない。 
 　 
 　　　　　　　　　　　　　　　　　記 
（１）この出願の発明の構成が不明である。例えば、【0010】には、「前記デッドスペースＲは、隣り合う電線収容溝１６１間に位置しかつ電線収容溝１６１に沿って、凹部１７１間に位置している。このため、前記プレート状絶縁体１６０自体が大型化するとともに、該プレート状絶縁体を積層して構成されるプレートコネクタも大型化する。」とあり、本願発明が解決しようとする課題は、このデッドスペースを無くし、プレート状絶縁体の小形化を図ることである。 
 　図６を参照すると、下から３段目の電線収容溝61（図面では半分のみが記載されている）に、圧接端子50を下から１段目の圧接端子と同じ向きに挿入すると、下から２段目の電線収容溝と下から３段目の電線収容溝の間の電気接触部用収容部64が全て無駄になり、デッドスペースを無くすという課題を解決できないこととなる（特に、電線収容溝の長さが長くなって、電線収容溝方向の収容部64の個数が増えたときに顕著である。）。又、下から３段目の電線収容溝61に、圧接端子50を下から２段目の圧接端子と同じ向きに挿入すると、下から２段目の電線収容溝と下から３段目の電線収容溝の間の電気接触部用収容部64の半分が無駄になって、図８の従来例と変わるところはなく、デッドスペースを無くすという課題を解決できないこととなる。これらの事象は、下から４段目以降の電線収容溝、収容部についても同様である。 
 　したがって、特許請求の範囲にも、発明の詳細な説明にも、上記課題を解決した発明が記載されておらず、発明の構成が特定できず不明である。 」
　
　
３．当審の判断
　本願発明が解決しようとする課題は、従来例として示される図８の、圧接端子及び電線を配置できないデッドスペースＲを抑制し、プレート状絶縁体の小形化を図ることである。（【0010】、【0011】、【0067】参照）
　しかし、本願発明の実施形態が示された図６において、下から３段目の電線収容溝に、圧接端子を下から１段目の圧接端子と同じ向きに挿入すると、下から２段目の電線収容溝と下から３段目の電線収容溝の間の電気接触部用収容部が全て無駄になり、デッドスペースを無くすという課題を解決できず、又、下から３段目の電線収容溝に、圧接端子を下から２段目の圧接端子と同じ向きに挿入すると、下から２段目の電線収容溝と下から３段目の電線収容溝の間の電気接触部用収容部の半分が無駄になって、図８の従来例と変わるところはなく、デッドスペースを無くすという課題を解決できないこととなる。これらは、下から４段目以降の電線収容溝、収容部についても同様に発生している。
　この点、審判請求人は、平成２０年１２月２４日付意見書で、
「このような本願発明が解決しようとする課題に対して、「電線収容溝を構成する隔壁の互いに相対する内壁面それぞれに圧接端子の電気接触部を収容する収容部を設けたもの」であります。かかる構成により、各電線収容溝には、本願発明の出願当初の明細書に添付された図面の図６の下から１段目と２段目とのいずれかの向きで圧接端子を取り付けることができ、従来デッドスペースであった一方の内壁面から凹の収容部間にも電気接触部を取り付けることができます。これにより、電気接触部即ち端子金具を取り付けることができる位置の制限を抑制でき、即ち、電気接触部即ち端子金具を取り付けることができる位置の自由度を拡大させることができます。このために、このような本願発明のプレート状絶縁体を積層して、所望の電気接触部同士を接続しても、各プレート状絶縁体では電気接触部すなわち端子金具の配置の自由度が増しているために、プレート状絶縁体を積層して所望の電気接触部同士を接続したプレートコネクタを構成するプレート状絶縁体の枚数を削減することができ、結果的にプレートコネクタの小形化を図ることができます。」
と主張するが、この主張は、本願の図８記載のものを図６記載のものに変えた結果、デッドスペースが有効活用できる旨の主張であり、当審の拒絶の理由に何ら答えるものではなく、したがって審判請求人の主張は採用できない。
　したがって、発明の詳細な説明には、本願発明が解決しようとする課題を解決できた発明が記載されておらず、発明が解決しようとする課題及びその解決手段その他のその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が発明の技術上の意義を理解するために必要な事項を発明の詳細な説明に記載したものとは認められず、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていない。
　
　
４．むすび
　したがって、本願は、依然として明細書及び図面の記載が、当審の拒絶の理由で指摘した点で不備のため、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていない。
　よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　特願２００２−３５０４７９号「子宮頸管内及び子宮口に装着し、逆流阻止弁機能を一体成型した避妊具」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年５月２７日出願公開、特開２００３−１５３９３４号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１４年１０月２８日の出願であって、平成１８年８月２４日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成１８年１０月４日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、同日付けで明細書についての手続補正がなされたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という）は、平成１８年１０月４日付けの手続補正により補正された明細書の、特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
　「ゴム状の素材で子宮頸管中頸部分内側構造に合わせた管状の中空内側に、漏斗状の下端を潰して唇状の弁機能を備えたものを一体成型した避妊具。」
　
３．引用例の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された、特開昭５１−５１１９１号公報（以下、「引用例」という）には、図面と共に次の事項が記載されている。
ア．「本発明の避妊具は、好ましくはそれが置かれる身体組織に適合するエラストイリツク材料から作られたコツプ状本体部分２２を有する子宮頸キヤツプ２０の形状である。コツプ状本体部分２２は子宮２６の頸管２４の周囲に嵌合し且つ子宮２６の入口である子宮口２８を、子宮２６の外部の膣領域から子宮への流入からしや断するように、子宮頸管２４に締付けられてるように設計されている。」（第４ページ左下欄第５〜１２行）
イ．「コツプ状本体部分２２には底部３２に通路４８が設けられている。通路４８は、管５０の外部と子宮口２８の内壁との間に密封を与えるように子宮口２８の入口内に嵌入する管状形成部５０内に含まれる。通路４８は内側開口５２およびダイアフラム弁機構５６によつて被覆された外側開口５４を有する。ダイアフラム弁機構５６は、医療品質のシリコーン等の如きエラストメリツク材料から作られた薄い膜であるダイアフラム５８を含んでいる。」（第５ページ左上欄第１０〜１９行）
ウ．「前述のダイアフラム弁手段５６は、したがつて子宮２６から通路４３を通り、開口５４から弁手段５６を通つて膣２７内に（子宮外に）液体を流出される１方向弁機構を提供する。弁手段５６は逆方向の流れを有効に防ぎ、したがつて精液が膣から子宮に入るのを防ぐ。」（第５ページ左下欄第５〜１０行）
　
　上記記載事項イから、外側開口５４は、管状形成部５０内の通路４８に繋がっており、ダイアフラム弁機構５６が設けられているといえ、上記記載事項ウから、ダイアフラム弁機構５６は、逆止弁であるといえる。
　
　これら記載事項を総合し、本願発明の記載ぶりに則って整理すると、引用例には、次の発明（以下、「引用発明」という）が記載されている。
　
　「シリコーン等から作られた、子宮口２８の内壁との間に密封を与えるように嵌入する管状形成部５０内の通路４８に繋がった外側開口５４に、逆止弁であるダイアフラム弁機構５６が被覆された避妊具。」
　
４．対比
　本願発明と引用発明とを対比すると、その構造または機能からみて、引用発明の「シリコーン等から作られた、」は、本願発明の「ゴム状の素材で」に相当し、以下同様に、「子宮口２８の内壁との間に密封を与えるように嵌入する」は「子宮頸管中頸部分内側構造に合わせた」に、「管状形成部５０」は「管状」に、「通路４８」は「中空」に、「避妊具」は「避妊具」に、それぞれ相当する。
　引用発明の「管状形成部５０内の通路４８に繋がった外側開口５４に」と本願発明の「管状の中空内側に」とは、「管状の中空に」という点で共通し、引用発明の「逆止弁であるダイアフラム弁機構５６」と本願発明の「弁機能を備えたもの」とは、「逆止弁」という点で共通し、引用発明の「被覆された」と本願発明の「一体成型した」とは、「設けられた」という点で共通している。
　
　そこで、本願発明の用語を用いて表現すると、両者は次の点で一致する。
（一致点）
　「ゴム状の素材で子宮頸管中頸部分内側構造に合わせた管状の中空に、逆止弁を設けられた避妊具」
　そして、両者は次の相違点で相違する。
（相違点）
　逆止弁について、本願発明は、漏斗状の下端を潰して唇状であり、管状の中空内側に、一体成型したものであるのに対し、引用発明は、そのような構成を有していない点。
　
５．相違点の判断
　上記相違点について検討する。
　逆止弁において、管状部材の中空内部に、漏斗状の先端をつぶして唇状にしたものは、例えば、国際公開００／７７４２９号（要約、図３、４等参照、訳文は、特表２００３−５０２５９４号公報参照）、特開昭６３−２９３２４２号公報（第３図等参照）、特開平３−１４９７９号公報（第１、２図等参照）、特開平９−５３７３６号公報（図６等参照）に示されるように、本願出願前の周知技術にすぎず、また、管状部材の中空内部に、逆止弁を一体成形することも、例えば、国際公開００／７７４２９号（要約、図３、４等参照、訳文は、特表２００３−５０２５９４号公報参照）、特開平１０−５０６５９６号公報（第１７ページ第１３〜２１行、図２等参照）、実願昭５６−１９４３２０号（実開昭５８−９９３９７号）のマイクロフィルム（第２図等参照）、実願昭５６−１９４３２１号（特開昭５８−９９３９８号）のマイクロフィルム（第２図等参照）に示されるように、本願出願前の周知技術にすぎない。
　したがって、引用発明において、これら周知技術を適用して、逆止弁であるダイアフラム弁機構５６（弁機能を備えたもの）を漏斗状の先端をつぶして唇状にしたものとし、管状形成部５０（管状）の通路４８（中空）内部に一体成形して、相違点に係る本願発明の発明特定事項とすることは当業者が容易に想到し得たことである。
　
　そして、本願発明による効果も、引用発明及び周知技術から当業者が予測し得た程度のものであって、格別のものとはいえない。
　
６．むすび
　したがって、本願発明は、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　特願２００２−２２３０８８「加湿器、および、その加湿器を備えた空気調和装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　２月２６日出願公開、特開２００４−　６１０５８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１４年　７月３１日の出願であって、平成１９年　４月１３日付けで拒絶査定がなされ（平成１９年　４月２４日発送）、平成１９年　５月２４日に審判請求がなされたものである。
　　
　そして、本願の請求項１に係る発明は、願書に最初に添付された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次の事項により特定されるものである（以下「本願発明」という。）。
　　　
「加湿フィルタへ注水管から加湿水を滴下させて、室内の加湿を行なう加湿器において、
　前記注水管の外周に保水材を設け、この保水材へ前記加湿水を一時保有させて、前記加湿フィルタへ滴下させたことを特徴とする加湿器。」
　　
２．引用例
　これに対し、原査定の拒絶の理由に引用された特開平３−９１６３７号公報（以下「引用例」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
　　　
ア「［産業上の利用分野］本発明は室内に適当な温度の冷暖房と同時に湿度を供給しようとする加湿器付きの冷暖房機において、熱交換コイルの還水時の温度作用を利用してより効率良好にて、而も経済的なる加湿効果を期待求め得ようとする所謂、冷暖房機における加湿装置に関するものである。」（第１頁右下欄第２〜８行）
　　
イ「特に近時多用されている蒸発式加湿器に至っては加熱板面に水滴を滴下させその蒸発によって加湿が行なわれている機構上、上記と同様により以上の温度上昇を求めることが不可能にて加湿発量が少なくて良好なる加湿効果が期待得られなかったのである。」（第１頁右下欄第１９行〜第２頁左上欄第５行）
　　
ウ「加湿器としては従来既存の噴霧式、蒸発式等如何なる機構のものでも可能であるが、図面ではコイル型の蒸発式加湿器を示めしている。即ち図面に記載された加湿器（１）は第２図示にて明示した如く数本の送水パイプ（８）、（８）、（８）に多数の導水板（９）、（９）、（９）を嵌装配列して全体型状をコイル状に形成してなるもので、上記送水パイプ（８）、（８）、（８）の夫々に多数孔設してなる噴水孔（１０）、（１０）、（１０）よりパイプ内を通流する水を上記各導水板（９）、（９）、（９）面に滴下させ該滴下水の自然蒸発にて適宜の加湿を室内に送供行なわしめんとするものである。」（第２頁左下欄第３〜１４行）
　　
エ「更に上記、送水パイプ（８）、（８）、（８）内にスポンジ状等の含水体（１１）、（１１）、（１１）を充填することによって水滴落下を保留しより有効なる蒸発効果を求めることができ得る。」（第２頁左下欄第１５〜１８行）
　　
　前記ウ、エ及び第２図の記載からみて、引用例記載のものは、加湿装置（１）内において、噴水孔（１０）を孔設した内側の送水パイプ（便宜上、「内側送水パイプ」という。）、噴水孔（１０）を孔設した外側の送水パイプ（便宜上、「外側送水パイプ」という。）、及び、両パイプの間であって、内側送水パイプの外周に、含水体（１１）を具備するものと理解できる。
　　
　以上の記載及び図面からみて、引用例には、
「導水板（９）へ内側送水パイプ（８）から水を滴下させて、室内の加湿を行なう加湿器（１）において、前記内側送水パイプ８の外周に含水体（１１）を備え、この含水体に前記水を保留して、外側送水パイプ（８）から、前記導水板（９）に水滴落下を行う加湿器（１）。」（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　　　
３．対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
　引用発明の「内側送水パイプ（８）」は、その機能からみて、本願発明の「注水管」に相当し、以下同様に、「水」は「加湿水」に、「含水体（１１）」は「保水材」に、「備え」は「設け」に、「保留し」は「一時保有させ」に、「水滴落下」は「滴下」にそれぞれ相当する。
　　　
　そして、引用発明の「導水板（９）」は、水（「加湿水」）を蒸発し、室内を加湿する部材、即ち「加湿部材」である点で、本願発明の「加湿フィルタ」と共通するものである。
　　
　そうすると、両者は、
「加湿部材へ注水管から加湿水を滴下させて、室内の加湿を行なう加湿器において、前記注水管の外周に保水材を設け、この保水材へ前記保水材へ前記加湿水を一時保有させて、前記加湿部材へ滴下させた加湿器。」の点で一致し、次の、ａ、ｂの点で相違している。
　　
相違点ａ
　加湿部材が、本願発明では、加湿フィルタであるのに対し、引用発明では、導水板である点。
　　
相違点ｂ
　一時保有させた加湿水を、本願発明では、（そのまま）滴下させているのに対し、引用発明では、外側送水パイプ（８）から滴下させている点。
　　　
４．判断
　そこで、前記相違点について検討する。
　まず、相違点ａについてみると、当該技術分野において、加湿水を蒸発し、室内を加湿する部材を、加湿フィルタとすることは、本願出願前、周知の技術事項である（例えば、前審において提示された特開平１１−３２５５２０号公報の他、特開２００２−６１９０１号公報参照。）。
　　　
　そうすると、引用発明において、加湿部材を、導水板に代えて、加湿フィルタとした点は、周知技術に基づいて、当業者が容易に想到し得たことである。
　　　
　次に、相違点ｂについて検討する。
　前記のとおり、引用発明は、保水材（含水体）で一時保有（保留）させた加湿水（水）を、外側送水パイプを通して加湿部材に滴下するものであるが、保水材で一時保有させている以上、保水材で、滴下（流下）は、制限され、内側送水パイプから直に流下する場合と比べて、既に、その流速、流量等は、平準化されるものと考えられる。
　　
　そして、当該技術分野において、加湿水を、他部材を介さず、そのまま、室内を加湿する加湿部材に滴下させ蒸発させることは、従来周知の技術である（例えば、前審において提示された特開平３−１７７７２８号公報の他、特開平２−２１７７３２号公報参照。）。
　
　そうすると、一時保有させた加湿水を、引用発明のように、外側送水パイプから滴下するものとするか、本願発明のように、（そのまま）滴下させるかは、当業者が適宜選択できる程度の事項と考えられる。
　　
　してみると、一時保有させた加湿水の滴下態様として、引用発明において、外側送水パイプを省くことは、必要に応じ、当業者が適宜選択できた、設計的事項といえる程度のことといえ、当業者が、容易に想到し得ることである。
　　
　さらに、本願発明の効果をみても、引用発明及び周知技術から、当業者が予測できるものである。
　　
　したがって、本願発明は、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　
　したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は、拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　特願２００７−　２４００９「高絶縁性単結晶窒化ガリウム薄膜を有する半導体デバイス」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　８月　９日出願公開、特開２００７−２０１４８０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、１９９２年３月１８日（パリ条約による優先権主張１９９１年３月１８日、米国）を国際出願日とする出願（特願平４−５０８３５７号）の一部を平成１２年４月４日に新たな特許出願（特願２０００−１０１９０３号）とし、特願２０００−１０１９０３号の一部を平成１４年８月１４日に新たな特許出願（特願２００２−２３６２７２号）とし、特願２００２−２３６２７２号の一部を平成１８年２月２日に新たな特許出願（特願２００６−２５６４２号）とし、特願２００６−２５６４２号の一部を平成１９年２月２日に新たな特許出願としたものであって、平成１９年１０月１１日付けで拒絶理由が通知され、平成２０年４月１５日付けで、手続補正書が出され、平成２０年５月２日付けで拒絶査定され、平成２０年８月６日付けで審判請求されたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項１から１５に係る発明は、特許請求の範囲の請求項１〜１５に記載されたとおりのものと認められるところ、その請求項７に係る発明（以下、「本願発明」という。）は以下のとおりである。
　「【請求項７】
　下記の要素を有する半導体デバイス：
　基板であって、この基板は、（１００）シリコン、（１１１）シリコン、（０００１）サファイア、（１１−２０）サファイア、（１−１０２）サファイア、（１１１）ヒ化ガリウム、（１００）ヒ化ガリウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、および炭化シリコンからなる群から選択される物質からなる；
　非単結晶バッファ層であって、このバッファ層は前記基板の上に成長した第一の物質を含み、この第一の物質は窒化ガリウムを含む；および
　前記バッファ層の上に成長した窒化ガリウム層。」
　
３．引用例及びその記載事項
　これに対し、原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張日前に頒布された、特開昭６０−１７３８２９号公報（以下、「刊行物」という。）には次の事項が記載されている。
ａ．「（実施例１）サファイアＣ面基板上へのＧａＮ膜の成長（第１図の構成）
　まず、光学研磨したサファイアＣ面基板１上に、直流バイアスを印加した高周波スパッタ法によりＧａＮバッファ層２を１，０００Å〜７，０００Åの厚さに形成した。」（第３頁左上欄第１５行〜第３頁左上欄第２０行）
ｂ．「本例では、スパッタガス圧を・・・とし、基板温度を３００〜４５０℃とし、直流バイアス電圧を０〜−１００Ｖとした。このような成長条件でＣ軸配向したＧａＮバッファ層をサファイアＣ面上に形成した。」（第３頁右上欄第７行〜第３頁右上欄第１３行）
ｃ．「次に、ＧａＮバッファ層２の上に、有機金属気相成長法により、ＧａＮエピタキシャル層３を１〜１０μｍの厚さに成長させて、第１図示の構造を得た。・・・
更に詳述すると、基板１を誘導加熱法により８００〜１０００℃に加熱し、・・・Ｃ軸配向ＧａＮエピタキシャル層３を成長させた。」（第３頁右上欄第１７行〜第３頁左下欄第９行）
ｄ．「［効果］
　以上説明したように、本発明では、窒素空格子点の少ない高品質のＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）またはＩｎＮエピタキシャル膜を成長させることができるので、従来の気相成長法に比べて、ＭＩＳ素子を作製する場合に、絶縁層作製のためのドープ量を少なくでき、また、高輝度の発光素子を作製できる利点がある。この利点は、特に、ＧａＮでの青色発光素子を製造する場合に有利である。」（第４頁右下欄第１２行〜第４頁右下欄第２０行）　
　
４．刊行物記載の発明および対比　
　刊行物には以下の事項（以下、「刊行物発明」という。）が記載されている。
「光学研磨したサファイアＣ面基板上に、直流バイアスを印加した高周波スパッタ法により、直流バイアス電圧を０〜−１００Ｖとし、基板温度を３００〜４５０℃とした成長条件でＣ軸配向したＧａＮバッファ層を１，０００Å〜７，０００Åの厚さに形成し、次に、基板を誘導加熱法により８００〜１０００℃に加熱し、ＧａＮバッファ層の上に、有機金属気相成長法により、Ｃ軸配向ＧａＮエピタキシャル層を１〜１０μｍの厚さに成長させたＧａＮ膜。」
　
　刊行物発明の「サファイアＣ面基板」、「ＧａＮバッファ層」、「ＧａＮ」、及び、「ＧａＮ膜」が、本願発明の「（０００１）サファイアからなる基板」、「バッファ層」、「窒化ガリウムを含む第一の物質」、及び、「窒化ガリウム層」に相当する。
　よって、本願発明と、刊行物発明とは、次の点で一致する。
「下記の要素を有するもの：
基板であって、この基板は（０００１）サファイアからなる：
バッファ層であって、このバッファ層は前記基板の上に成長した第一の物質を含み、この第一の物質は窒化ガリウムを含む；
および前記バッファ層上に成長した窒化ガリウム層。　」
　
　よって、本願発明と、刊行物発明とは、次の点で相違する。
　
相違点１
　本願発明のバッファ層が「非単結晶」であるのに対し、刊行物発明のバッファ層が、非単結晶であるか否か不明な点。
　
相違点２
　本願発明が「半導体デバイス」であるのに対し、刊行物発明のものが半導体デバイスを構成するか否か不明な点。　
　
５．判断
　相違点１について
　刊行物発明のバッファ層は高周波スパッタ法により形成されている。スパッタ法は、ターゲットから飛び出した微粒子が高速で基板に付着するものであり、付着した微粒子は、バラバラな状態で基板上に並ぶことになり、Ｃ軸配向であってもいわゆる単結晶層状態としては形成されていないと認められる（通常、柱状多結晶となることが多い）。単結晶でないものは非単結晶であるから、刊行物発明のバッファ層も非単結晶であり、この点に実質的な相違は認められない。
　
　相違点２について
　刊行物の効果の記載（摘記ｄ）において、窒化ガリウム層を有する半導体膜を用いて、ＭＩＳ素子や、高輝度の発光素子、ＧａＮでの青色発光素子製造することが示唆されており、これらは、半導体デバイスであるから、刊行物発明において、形成された窒化ガリウム層をデバイスとなす事は当業者が容易に成しうることである。
　
６．むすび
　したがって、本願の請求項７に係る発明は、上記刊行物に記載された発明に基づいて、当業者が容易に為し得たものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、その他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　特願２００４−３０００６６「昇降式収納装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　４月２７日出願公開、特開２００６−１１００５０、請求項の数（３）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
【１】手続の経緯  
　本願は、平成１６年１０月１４日の出願であって、平成１９年９月３日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１０月１１日に拒絶査定に対する審判の請求がなされるとともに、同年１１月１２日に手続補正がなされたものである。
 　　　　　　　　　　　 
 　　　　　  
【２】平成１９年１１月１２日付けの手続補正についての補正の却下の決定  
［補正の却下の決定の結論］  
　平成１９年１１月１２日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。  
 　　　　　　  
［理由］  
［１］補正後の本願発明 
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、下記のように補正された。
　「キッチン用フロアキャビネットのカウンターの一部に形成した昇降用開口内に配置される水切り棚と、この水切り棚をカウンター下の収納空間に下降させるとともに、カウンター上に上昇させる昇降機構とを備えた昇降式収納装置において、
　前記水切り棚の下部に水受けトレーを取付け、この水受けトレーの排水口に一端を連結したフレキシブルな排水パイプの他端を、水切り棚の最下降位置での排水パイプの一端よりも低い位置で、収納空間の内壁面に取付けた水受けマスの上部位置に連結するとともに、前記水受けマスを排水トラップを介して排水管に連結する一方、前記排水パイプの内径を排水管の内径より小さくしていることを特徴とする昇降式収納装置。」
　
［２］検討
　そこで、上記補正事項について検討すると、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下「当初明細書等」という。）の【００４０】及び図４には、排水パイプの他端を水受けマスの上部位置に連結することは記載されているものの、補正によって新たに追加された「排水パイプの他端を、水切り棚の最下降位置での排水パイプの一端よりも低い位置で、収納空間の内壁面に取付けた水受けマスの上部位置に連結する」という事項は、当初明細書等には記載されていない。また、当該事項が当初明細書等の記載から自明のこととも認められない。
　したがって本件補正は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものでない。
　よって、本件補正は、本願の当初明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものとはいえない。 
 　 
　以上のとおりであるから、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　よって、上記［補正の却下の決定の結論］のとおり、決定する。
　
　
【３】本願発明について  
　平成１９年１１月１２日付けの手続補正は上記のとおり却下され、平成１９年７月４日付けの手続補正も却下されているので、本願の請求項１ないし３に係る発明は、平成１９年２月１６日付けの手続補正により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された事項により特定されるとおりのものである。  
　そして、本願については、原査定の拒絶理由を検討してもその理由によって拒絶すべきものとすることはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　平成１０年特許願第１８１０７４号「半導体メモリ装置のピンアサインメント方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年７月２日出願公開、特開平１１−１７６１９６、請求項の数（５）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成１０年６月２６日（パリ条約に基づく優先権主張　１９９７年１２月８日、大韓民国）の出願であって、平成１８年３月２４日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年６月２９日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日付けで手続補正がなされ、その後、平成２０年１０月１５日付けで審尋がなされ、平成２１年２月２３日に回答書が提出されたものである。
　
第２．平成１８年６月２９日付けの手続補正の却下について
＜補正の却下の決定の結論＞
　平成１８年６月２９日付けの手続補正を却下する。
　
＜理由＞
１．平成１８年６月２９日付けの手続補正の内容
　平成１８年６月２９日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１ないし５を、補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし４と補正するものであって、補正前後の各請求項は以下のとおりである。
（補正前）
　「【請求項１】　第１ピン部と、第２ピン部と、メモリ部と、前記第１及び第２ピン部を通じてパケット単位の信号を入力して前記メモリ部を動作させるインターフェース部とからなる半導体メモリ装置のピンアサインメント方法において、
　前記インターフェース部を介して前記メモリ部にデータを読出し／書込みする通常モードでは、前記第１ピン部をデータを入出力するピンにアサインし、前記第２ピン部を前記データ以外のアドレスを入力とするピン、前記メモリ部の動作を制御する制御信号を入力とするピン、及びクロックを入力とするピンにアサインし、
　前記インターフェース部を介さずに前記メモリ部を直接テストする直接アクセスモードでは、前記第１ピン部をデータを入出力するピンにアサインし、前記第２ピン部を前記メモリ部の動作を制御する制御信号を入力とするピンまたはアドレスを入力とするピンにアサインすることを特徴とする半導体メモリ装置のピンアサインメント方法。
　【請求項２】　前記第２ピン部の中で、前記通常モードで前記アドレスを入力とするピン及び前記メモリ部の動作を制御する制御信号を入力とするピンは、前記直接アクセスモードではアドレスを入力とするピンにアサインすることを特徴とする請求項１に記載の半導体メモリ装置のピンアサインメント方法。
　【請求項３】　前記メモリ部の動作を制御する制御信号は、ローアドレスストローブ信号、コラムアドレスストローブ信号、及びデータ書込命令語を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体メモリ装置のピンアサインメント方法。
　【請求項４】　前記第２ピン部の中で、前記通常モードでクロックが入力されるピンは、前記直接アクセスモードでは前記メモリ部の動作を制御する制御信号を入力とするピンまたはアドレスを入力とするピンにアサインすることを特徴とする請求項１に記載の半導体メモリ装置のピンアサインメント方法。
　【請求項５】　前記メモリ部の動作を制御する制御信号は、ローアドレスストローブ信号、コラムアドレスストローブ信号、及びデータ書込命令語を含むことを特徴とする請求項４に記載の半導体メモリ装置のピンアサインメント方法。」
　
（補正後）
　「【請求項１】　第１ピン部と、第２ピン部と、メモリ部と、前記第１及び第２ピン部を通じてパケット単位の信号を入力して前記メモリ部を動作させるインターフェース部とからなり、前記インターフェース部を介して前記メモリ部にデータを読出し／書込みする通常モードと前記インターフェース部を介さずに前記メモリ部を直接テストする直接アクセスモードとを切り替え可能な半導体メモリ装置において、
　前記通常モードでは、前記第１ピン部から入出力する信号をデータとして使用して、前記第２ピン部から入力する信号を、前記データ以外のアドレス、前記メモリ部の動作を制御する制御信号、及びクロックとして使用し、
　前記直接アクセスモードでは、前記第１ピン部から入出力する信号をデータとして使用して、前記第２ピン部から入出力する信号を前記メモリ部の動作を制御する制御信号またはアドレスとして使用するよう構成されていることを特徴とする半導体メモリ装置。
　【請求項２】　前記第２ピン部の中で、前記通常モードで前記アドレスを入力とするピン及び前記メモリ部の動作を制御する制御信号を入力とするピンは、前記直接アクセスモードではアドレスを入力とするピンとして使用されるよう構成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体メモリ装置。
　【請求項３】　前記第２ピン部の中で、前記通常モードでクロックが入力されるピンは、前記直接アクセスモードでは前記メモリ部の動作を制御する制御信号を入力とするピンまたはアドレスを入力とするピンとして使用されるよう構成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体メモリ装置
　【請求項４】　前記メモリ部の動作を制御する制御信号は、ローアドレスストローブ信号、コラムアドレスストローブ信号、及びデータ書込命令語を含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１つに記載の半導体メモリ装置」
　
２．本件補正の目的についての検討
　本件補正による補正前の各請求項に係る発明は、いずれも「半導体メモリ装置のピンアサイン方法」という「方法」に関する発明であるのに対して、補正後の各請求項に係る発明は、いずれも「半導体メモリ装置」という「装置」に関する発明であり、本件補正により、発明のカテゴリが変更されているので、本件補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項に掲げる請求項の削除、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正、及び明りょうでない記載の釈明のいずれを目的とするものにも該当せず、同法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしていない。
　
３．補正の却下の決定のむすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしてないから、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３．むすび
　平成１８年６月２９日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし５に係る発明は、平成１７年１２月１６日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載された事項により特定されるとおりのものである。
　そして、本願については、原査定の拒絶の理由を検討してもその理由によって拒絶すべきものとすることはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　特願２００２−５５２０６６「キノンジイミンを含むシリカ充填されたゴム」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年６月２７日国際公開、ＷＯ２００２／０５０１８０、平成１６年８月１２日国内公表、特表２００４−５２４３８７、請求項の数（１１）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
Ａ．事件の経緯
　本件出願は、平成１３年１１月２６日（パリ条約に基づく優先権主張　２０００年１２月２０日（ＥＰ）欧州特許庁及び２００１年１月３０日（ＵＳ）アメリカ合衆国）を国際出願日とする特許出願であって、平成１６年１１月２５日付けで誤訳訂正書が提出され、平成１８年７月２６日付けで拒絶理由が通知され、同年１０月３０日付けで意見書とともに手続補正書が提出されたが、平成１９年１月１１日付けで拒絶をすべき旨の査定がなされた。これに対し、同年４月１３日に拒絶査定不服審判が請求され、同年５月１４日付けで手続補正書が提出され、同年６月２５日付けで手続補正書（方式）が提出され、同年１１月３０日付けで前置審査の結果について報告され、これに基づき当審において平成２１年１月１３日付けで審尋がなされ、同年４月８日付けで回答書が提出されたものである。
　
Ｂ．平成１９年５月１４日付け手続補正書による補正
［結論］
　平成１９年５月１４日付け手続補正書による明細書の補正を却下する。
［理由］
　平成１９年５月１４日付け手続補正書による明細書の補正は、当該補正前の特許請求の範囲の請求項１及び７の
「【請求項１】不飽和ゴム、20〜100phrのシリカ、1.6〜8phrのシリカカップリング剤、0.05〜5phrの劣化防止剤、0.1〜5phrの加硫促進剤、0.1〜10phrの硫黄、及び0.5〜5phrのキノンジイミンを含むところの、シリカ充填された、硫黄加硫可能なゴム組成物(但し、上記の劣化防止剤はキノンジイミンではない)。
【請求項７】1.6〜6phrのシリカカップリング剤を含むことを特徴とする請求項1〜6のいずれか一つに記載の組成物。」
を
「【請求項１】不飽和ゴム、20〜100phrのシリカ、
ならびに
と
と
と
と
との混合物
【請求項７】
上記混合物が
とする補正を含むものであり、これら以外の補正はない。
　しかし、これらの補正は、
（１）請求項を削除するものではなく、
（２）請求項１に係る発明は「ゴム組成物」の組成について特定するものであるところ、その組成は上記補正の前後で何ら変化していないから、特許請求の範囲を減縮するものではなく、
（３）誤記の訂正に該当するものではなく、
（４）当該補正前の請求項１に係る発明は明りょうでなかったわけではないから、明りょうでない記載の釈明にも該当せず、仮に明りょうでない記載の釈明に該当するとしても、平成１８年７月２６日付け拒絶理由通知書及び原査定に係る拒絶の理由では上記補正事項に関し何ら示していないから、拒絶の理由に示す事項についてするものでもない。
　そうすると、上記補正は、特許法の一部を改正する法律（平成１４年法律第２４号）附則第２条第１項によりなお従前の例とされる同法による改正前の特許法（以下、単に「特許法」と言う。）第１７条の２第４項第１号〜第４号に掲げる事項を目的とするものではない。
　したがって、上記補正は同項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
Ｃ．本件出願に係る発明について
　上記したとおり平成１９年５月１４日付け手続補正書による明細書の補正は却下されたことから、本件出願に係る発明は、平成１８年１０月３０日付け手続補正書により補正された明細書の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜１１に記載された事項により特定されるとおりのものであると認める。
　そして、本件出願については、原査定の拒絶の理由を検討してもその理由によって拒絶すべきものとすることはできない。
　また、他に本件出願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　平成１０年特許願第５３１４５３号「電源不足の場合の検出及び節約手段を含む時計」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　７月３０日国際公開、ＷＯ９８／３３０９８、平成１４年　４月２３日国内公表、特表２００２−５１２６８４、請求項の数（７）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
　本願は、平成１０年　１月２１日（パリ条約による優先権主張　１９９７年　１月２３日　（ＣＨ）スイス連邦）の出願であって、その請求項に係る発明は、特許請求の範囲の請求項に記載された事項により特定されるとおりのものであると認める。 
　そして、本願については、原査定の拒絶理由を検討してもその理由によって拒絶すべきものとすることはできない。  
　すなわち、原査定の拒絶理由に引用された下記刊行物１ないし刊行物７のいずれにも、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）を特定する事項である「検出手段(２２〜２６，２８，２９）は、電源不十分で前記モータの動作は保証できないが前記電子手段の少なくとも時間機能がまだ保証されていると言う状態に対応する信号を生じるよう構成され、前記検出手段(２２〜２６，２８，２９)からの前記信号が供給されるまでは、前記内部データ(9) が前記コンパレータ手段(17)へ１組の針による通常の表示のために供給され、当該信号が前記検出手段(２２〜２６，２８，２９）から供給されている時には、基準位置に対応する前記入力(19)が前記コンパレータ手段(17)へ供給されて１組の針を基準位置に移動させて保持」する点が記載されていない。 
　すなわち、引用文献１は、２ｂｉｔの電源電圧情報「０１」が電池電圧検出回路４（「検出手段(２２〜２６，２８，２９)」に相当）から供給されているとき、秒針を初期位置に移動・保持する構成が記載されているものの、「検出手段(２２〜２６，２８，２９）は、電源不十分で前記モータの動作は保証できないが前記電子手段の少なくとも時間機能がまだ保証されていると言う状態に対応する信号を生じる」点、「内部データ(9) が前記コンパレータ手段(17)へ１組の針による通常の表示のために供給され」る点、及び、「基準位置に対応する入力(19)がコンパレータ手段(17)へ供給され」る点が記載されていない。 
　引用文献２、３は、いずれも電源電圧が低下したとき、秒針の運針形態を変えるようにしたものを示すに過ぎない。 
　引用文献４は、電源電圧が低下すると運針を停止すると同時に停止時間を計数し、リユーズの操作により針を停止時間分早送りして使用者に正しい時刻を報知する構成を、引用文献５は、電池電源着脱検出手段が電池の取り外し操作が行われたことを検出すると指針駆動停止手段がＯＮになり、指針が駆動を停止する構成をそれぞれ示すに止まる。 
　一方、引用文献６，７は、いずれも電源電圧が低下すると秒モータを停止し、秒モータに入力されるパルス数を記憶し、電源復帰後、記憶したパルス数で秒モータの現在値を補正するものであって、本願発明における上記構成について記載されていない。 
　そして、上記構成により本願発明は、電源復旧時における針位相の設定操作の問題を解決できるという明細書に記載の効果を奏するものである。 
　なお、前置報告書において提示された文献 
参考文献１：特開平０８−２７８３８０号公報 
参考文献２：特願平７−２４７２１０号（特開平９−９００６６号） 
についても検討すると、 
　参考文献１には、ソーラーセル１の発電状態に対応する信号に応じて、秒針位置カウンタ１４と初期設定カウンタ１３とを比較する比較回路１５、または秒カウンタ１７と秒針位置カウンタ１４とを比較する比較回路１８のいずれかを動作させ、比較結果に応じて通常の運針動作、または秒針を初期位置に運針させて停止させる動作を行わせる電子時計が記載されている。 
　しかしながら、参考文献１における電子時計が備える比較回路は本願発明におけるものとは構成を異にし、かつ、参考文献１における電子時計は、本願発明における「検出手段(２２〜２６，２８，２９）は、電源不十分で前記モータの動作は保証できないが前記電子手段の少なくとも時間機能がまだ保証されていると言う状態に対応する信号を生じる」点、「１組の針を基準位置に移動させて保持」する点を備えていない。 
　したがって、参考文献１を検討に加えたところで、本願発明が容易に想到し得たものであるとすることはできない。 
　さらに、参考文献２における電子時計は、秒針を複数の異なる停止位置で停止させることにより電子時計の状態を表すものであるから、本願発明のように「１組の針」を基準位置に移動させて保持するものとは構成を異にする故、本願発明を参考文献２と同一であるとすることはできない。 
　したがって、本願発明は前記刊行物１ないし刊行物７に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。  
　また、請求項２ないし請求項７は、いずれも、請求項１を引用して記載した従属請求項であるから、請求項２ないし請求項７に係る発明についても、同様に、刊行物１ないし刊行物７に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。  
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。  
　よって、結論のとおり審決する。  
　 
　　　　　　　　　　　　　　　記 
引用文献１：実願平０２−１２０８６７号（実開平０４−０７８５９４号）のマイクロフィルム　 
引用文献２：実願昭６１−０８２４０３号（実開昭６２−０１６４９２号）のマイクロフィルム 
引用文献３：特開昭６２−１９４４８４号公報 
引用文献４：特開昭５６−１４５３８０号公報 
引用文献５：国際公開第９３／０２２７１２号 
引用文献６：特開昭６１−２０２１８６号公報 
引用文献７：特開昭６３−１４８１９３号公報
【事件の表示】
　特願２０００−３６７８６３「管材の段積み・結束方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　６月１８日出願公開、特開２００２−１７３１０８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成１２年１２月４日の出願であって、平成１９年７月１１日付け手続補正は平成１９年８月２１日付けで却下され、同日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成１９年１０月２日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに同年１０月９日付けで手続補正がなされたものである。
　
第２．補正却下の決定
［結論］
　　平成１９年１０月９日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１．補正の内容
　上記手続補正は、平成１９年４月１１日付けの手続補正により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された
「管材の段積み、および結束設備において、整形枠の上下移動と平行移動が同時に行える機構とすると共に、管材結束中でも段積みを可能としたことを特徴とする管材の段積み・結束設備。」
という発明（以下、「本願発明」という。）を、
「管材の段積み、および結束設備において、整形枠の上下移動と結束枠の平行移動が同時に行える機構とし、該管材は結束枠待機位置で結束枠に積載し、結束機に移送され、一方、整形枠は整形枠上昇位置まで移動し、次の管材を積載することで、管材結束中でも段積みを可能としたことを特徴とする管材の段積み・結束方法。」
という発明（以下、「補正後の発明」という。）に変更することを含むものである。
　
２．補正の適否
　上記補正のうち「整形枠の上下移動と平行移動が同時に行える機構とする」を「整形枠の上下移動と結束枠の平行移動が同時に行える機構とし、該管材は結束枠待機位置で結束枠に積載し、結束機に移送され、一方、整形枠は整形枠上昇位置まで移動し、次の管材を積載する」とする補正や、「管材の段積み・結束設備」を「管材の段積み・結束方法」とする補正は、請求項に記載した発明を特定するために必要な事項を限定するものではないから、特許請求の範囲の減縮にはあたらず、上記補正が誤記の訂正や明りょうでない記載の釈明でないことも明らかである。
　したがって、上記補正は、特許法第１７条の２第４項（補正の目的）のいずれの規定にも適合していない。
　
３．結語
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第４項（補正の目的）の規定のいずれにも適合していないから、特許法第１５９条第１項において準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３．本願発明について
１．本願発明
　本願発明は、上記「第２．補正却下の決定」の項中の「１．補正の内容」の項で認定したとおりである。
　
２．原審の拒絶理由
　原審における平成１９年５月２４日付けの拒絶理由の１は以下のとおりである。
　　　　
『１．平成１９年４月１１日付けでした手続補正は、下記の点で願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものでないから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。
　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　　　　
　請求項１には「整形枠の上下移動と平行移動が同時に行える機構とする」との記載があるが、出願当初の明細書或いは図面に当該事項は記載されておらず、新規事項の追加である。』
　　　
　　　
３．当審の判断
　そこで、上記拒絶理由について検討するに、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面には「整形枠の上下移動と平行移動が同時に行える機構とする」という構成は記載されていない。また、前記構成が当初明細書等の記載から一義的に導出される構成であるとも認められない。
　したがって、上記補正は、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものではないから、特許法第１７条の２第３項（新規事項）に規定する要件を満たしていない。
　　　　
　　　　
４．むすび
　以上のとおり、平成１９年４月１１日付けでした手続補正は、特許法第１７条の２第３項（新規事項）に規定する要件を満たしていないから、特許を受けることができない。
　　　
　よって、結論のとおり審決する。