【事件の表示】
　特願２００２−１９８７８３「半導体デバイスの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　２月　５日出願公開、特開２００４−　４００５１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１４年７月８日の出願であって、平成１９年８月６日付けで手続補正がなされたが、同年９月２８日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１１月１日付けで拒絶査定不服審判請求がなされるとともに、同年１２月３日付けで手続補正（以下「本件補正」という。）がなされたものである。
　
第２　本件補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１について、補正前（平成１９年８月６日付けの手続補正により補正された明細書）の
「　レーザチップおよびこのレーザチップを搭載した支持体を含む半導体デバイスの製造方法であって、
　前記レーザチップとして、窒化物半導体層を有するレーザチップを用い、前記レーザチップのレーザ光出射端面の反射率の変動を抑制するために、前記レーザチップを搭載した支持体全体に、前記レーザチップの発振波長よりも短波長のエネルギービームを照射する工程を含む
　ことを特徴とする半導体デバイスの製造方法。」
を
「　レーザチップおよびこのレーザチップを搭載した支持体を含む半導体デバイスの製造方法であって、
　前記レーザチップとして、窒化物半導体層を有するレーザチップを用い、前記レーザチップの動作時におけるレーザ光出射端面の反射率の変動を抑制するために、前記レーザチップを搭載した支持体全体に、前記レーザチップの発振波長よりも短波長のエネルギービームを照射する工程を含む
　ことを特徴とする半導体デバイスの製造方法。」（以下「本願補正発明」いう。）
に補正する内容を含むものである、
　
　上記補正は、本件補正前の請求項１に係る発明を特定するために必要な事項である「レーザチップのレーザ光出射端面の反射率の変動」について、レーザチップの「動作時における」ものであるとの限定を付加するものであるから、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　
　そこで、本願補正発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
２　引用例
（１）原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２０００−１３３７３６号公報（以下「引用例」という。）には、図面と共に、以下の事項が記載されている。
　
ア　「【請求項１】　気密封止装置のチャンバ内に酸素を導入し該チャンバ内で半導体レーザ素子をマウントしたパッケージに紫外線を照射する第一の工程と、該チャンバを不活性ガスでパージしパッケージを外気に曝すことなく該不活性ガス雰囲気で気密封止する第二の工程からなることを特徴とする半導体レーザ素子の気密封止方法。」
　
イ　「【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、高出力の半導体レーザモジュールの劣化には、ＰＩＦ（Ｐａｃｋａｇｉｎｇ　Ｉｎｄｕｃｅｄ　Ｆａｉｌｕｒｅ）とよばれるものがある。これは、モジュール内部の微量の炭化水素が光化学反応により重合反応を起こして半導体レーザ素子の発光端面に固体の有機物質として付着し、さらにこの付着した物質がレーザ光を吸収することで半導体レーザ素子端面の温度が上昇し、これにより半導体レーザ素子端面のレーザ光の吸収が多くなって結晶の温度が上昇することにより、半導体レーザ素子端面が溶融破壊するものである。ここで、炭化水素としては、半導体レーザモジュールの製造工程において清浄のために用いる有機溶剤や、半田付けに用いるフラックス等であって、気密パッケージ内にｐｐｍオーダーの極微量残留しているものであっても、このような劣化の原因となりうる。」
　
ウ　「【００１９】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。図２は、本発明に係る半導体レーザ素子の気密封止方法に使用される気密封止装置を表したものである。図２に示す装置により、半導体レーザ素子の気密封止を行うには、まず、図３（ａ）に示すサーモモジュール１４、基板１５、半導体レーザ素子１１、及び光ファイバ１２を固定した未封止のモジュール１０ａを準備する。このようにして準備された未封止のモジュール１０ａは、気密封止装置のチャンバ２１内にプレチャンバ２１ａを通して移送される。
【００２０】ここで、チャンバ２１は、不活性ガス導入配管２２と酸素導入配管２３を有し、それぞれ流量調整手段２２ａ、２３ａによりチャンバ２１内に流入されるガスの流量が調整される。これらを所定の流量に調整することにより、チャンバ２１内の雰囲気ガスの酸素の割合や、全圧力が調整される。チャンバ２１内には、さらに紫外線発生用のランプ２４が設けられている。このランプとしては、波長１８５ｎｍ、２５４ｎｍの紫外線を放射する合成石英製の低圧水銀ランプを使用することができる。なお、チャンバ２１は、その排気側にオゾン分解装置４１を有し、チャンバ２１内での処理後のガスは、このオゾン分解装置４１を介して外気に放出される。
【００２１】チャンバ２１内に、未封止のパッケージ１０ａを移送後、不活性ガス導入配管２２及び酸素導入配管２３から流量調整手段２２ａ、２３ａを介してそれぞれ窒素、酸素を導入しつつ、紫外線ランプ２４を照射する。紫外線ランプ２４から放射される波長１８５ｎｍ、２５４ｎｍの光のエネルギーは、ほとんどの有機化合物の結合を切断することができ、これにより有機化合物のフリーラジカルや励起状態の分子を生成する。したがって、未封止のパッケージ１０ａにこのような紫外線が照射されることで、これに付着している有機物の化学結合が切断される。
【００２２】さらに、紫外線ランプ２４から照射される波長１８５ｎｍの紫外線が酸素に吸収されると、オゾンが発生する。さらにオゾンに波長２５４ｎｍの紫外線が吸収されると、励起酸素原子が生成される。この強力な酸化力をもったオゾンや励起酸素原子が、紫外線照射によって生成した有機化合物のフリーラジカルや励起状態の分子と反応して、Ｃ０2 やＨ2 Ｏのような揮発性物質を生成する。かくして、未封止のパッケージ１０ａに付着した有機物が、ほぼ完全に分解除去されるのである。
【００２３】このような有機物の分解除去に要する処理時間は、未封止のパッケージ１０ａに付着している有機物の量に依存して決められるものであるが、未封止のパッケージ１０ａをチャンバ２１内に移送する前に予めイソプロピルアルコール等の有機溶媒によって洗浄し、アセトン、メタノール、純水によって順次置換の上乾燥させた後、上記した紫外線による有機物の処理を行うことで、パッケージ１０ａに大気中で付着した有機物や、組立工程で用いた半田フラックス等の有機物の量を予め低くしておくことができるので、この後の処理の時間を短縮できる等、効率的な処理が可能になる。
【００２４】このようにして、有機物の分解除去を行った後、チャンバ２１内のガスがオゾン分解装置４１を介して外気に排出され、引き続いてチャンバ２１内が窒素、ヘリウム等の不活性ガスによりパージされる。そして、図３（ｂ）に示すようにパッケージ１３に蓋１３ｃが被せられ、この周縁部をチャンバ２１内に載置された抵抗溶接機３０により溶接する。このようにして、紫外線による有機物処理後、大気に曝すことなく気密封止がなされるため、非常に清浄な状態を保たれた、残留有機物量のほとんどない半導体レーザモジュール１０が作製される。
【００２５】なお、チャンバ２１内に導入される不活性ガスは、通常ガスボンベや工場外部のタンクから供給されるが、この中にも、極微量の炭化水素が含まれていることが多く、このような極微量の炭化水素によってもＰＩＦが発現しうる。このため、チャンバ２１内に酸素と不活性ガスを導入し、チャンバ２１内の未封止のパッケージ１０ａに紫外線を照射し、しかる後に該チャンバ内で外気に曝すことなく当該雰囲気で気密封止することにより、導入される不活性ガスに含まれる極微量の有機物が紫外線によって分解除去されるため、さらに清浄な雰囲気で気密封止をすることができる。」
　
エ　「【００３４】
【発明の効果】以上、詳述したとおり、本発明に係る半導体レーザ素子の気密封止方法及び気密封止装置によれば、残留有機物がほとんどない、非常に清浄な雰囲気で半導体レーザ素子の気密封止を行うことが可能となり、これによってＰＩＦの発生を防ぎ、信頼性の高い半導体レーザモジュールを作製することが可能となる。」
　
オ　図１から、半導体レーザ素子１１が基板１５上に搭載された半導体レーザモジュール１０が見てとれる。
　
カ　上記アの「半導体レーザ素子の気密封止方法」は、半導体レーザモジュールを作製する際に含まれる工程であって、また上記イ、エの記載によれば、上記アの「半導体レーザ素子の気密封止方法」は、半導体レーザモジュール内部の有機物が光化学反応により重合反応を起こして半導体レーザ素子の発光端面に付着し、さらにこの付着した物質がレーザ光を吸収することで半導体レーザ素子端面の温度が上昇する、ＰＩＦの発生を防ぐものである。
　
キ　以上の記載事項からみて、引用例には、次の発明が記載されていると認められる。
「半導体レーザ素子の気密封止方法を含む、半導体レーザモジュールの作製方法であって、
　前記半導体レーザモジュールは、基板１５、基板１５に搭載された半導体レーザ素子１１を有し、
　前記半導体レーザ素子の気密封止方法は、
　基板１５、基板１５に搭載された半導体レーザ素子１１を固定した未封止のモジュール１０ａを準備し、
　未封止のパッケージ１０ａに、紫外線を照射して、未封止のパッケージ１０ａに付着した有機物を分解除去することにより、
　前記半導体レーザモジュール内部の有機物が光化学反応により重合反応を起こして半導体レーザ素子の発光端面に付着し、さらにこの付着した物質がレーザ光を吸収することで半導体レーザ素子端面の温度が上昇する、ＰＩＦの発生を防ぐものである、
　半導体レーザモジュールの作製方法」（以下「引用発明」という。）
　
３　対比
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
（１）引用発明の「基板１５」、「半導体レーザ素子１１」、「半導体レーザモジュール」及び「作製方法」は、本願補正発明の「支持体」、「レーザチップ」、「半導体デバイス」及び「製造方法」に、それぞれ相当する。
　
（２）引用発明の「半導体レーザ素子１１」は、基板１５に搭載されるので、引用発明の「半導体レーザモジュール」と本願補正発明の「半導体デバイス」とは、「レーザチップおよびこのレーザチップを搭載した支持体を含む」点で一致する。
　
（３）引用発明は、「未封止のパッケージ１０ａに、紫外線を照射」するものであるので、引用発明と本願補正発明とは、「レーザチップを搭載した支持体全体に、エネルギービームを照射する工程」を備える点で一致する。
　
（４）引用発明は、半導体レーザモジュール内部の有機物を分解除去することにより、該有機物が光化学反応により重合反応を起こして半導体レーザ素子の発光端面に付着することを防ぎ、ＰＩＦの発生を防ぐものである。
　そして、半導体レーザ素子の発光端面に有機物質が堆積することにより、反射率が変動することは、技術常識である（特開平７−１４７４５７号公報（【０００３】を参照。）、特開平７−１９３３４１号公報（【０００２】を参照。）から、引用発明により作製された半導体レーザモジュールは、半導体レーザ素子の発光端面への有機物質の堆積が防止され、それによって半導体レーザ素子の動作時の該発光端面における反射率の変動が抑制されることは、技術的にみて明らかである。
　したがって、引用発明と本願補正発明におけるエネルギービームの照射は、「レーザチップの動作時におけるレーザ光出射端面の反射率の変動を抑制するために」行われる点で一致する。
　
（５）したがって、引用発明と本願補正発明とは、
「　レーザチップおよびこのレーザチップを搭載した支持体を含む半導体デバイスの製造方法であって、
　前記レーザチップの動作時におけるレーザ光出射端面の反射率の変動を抑制するために、前記レーザチップを搭載した支持体全体に、エネルギービームを照射する工程を含む半導体デバイスの製造方法。」
である点で一致し、次の点で相違するものと認められる。
　
　「本願補正発明では、レーザチップが『窒化物半導体層を有するレーザチップ』であって、エネルギービームは『レーザチップの発振波長よりも短波長』であるのに対し、引用発明では、レーザーチップがどのようなものであるか不明であり、またエネルギービーム（紫外線）が『レーザチップの発振波長よりも短波長』であるか否か不明である点。」（以下「相違点」という。）
　
４　判断
　上記相違点について検討する。
（１）可視光領域の発振波長で発光する窒化物半導体層を有するレーザチップは、例えば、特開２０００−５８９７２号公報（【００３６】〜【００５５】を参照。）、特開平１１−１２６９２５号公報（【００１１】、【００２０】を参照。）にみられるように、本願の出願前に周知である。
　そして、引用発明のレーザチップとして、上記周知の可視光領域の発振波長で発光する窒化物半導体層を有するレーザチップを採用し、本願補正発明の上記相違点に係る構成となすことは、当業者であれば容易になし得ることである。
　
（２）そして、本願補正発明の作用効果も、引用発明、上記周知技術から当業者が予測できる範囲のものである。
　なお、複数のレーザチップが形成されたウェハを粘着シートに貼着し、劈開を行う場合、粘着シートの粘着材がレーザチップに付着することがあることは、例えば、上記特開２０００−５８９７２号公報（【０００９】を参照。）、特開平１１−２５１２６６号公報（【００１２】を参照。）にみられるように、本願の出願前に周知であることを踏まえれば、本願補正発明の「レーザチップの基板、電極または端面などに付着した粘着物が、光分解および酸化によって除去または変質させられる。」との作用効果も、当業者が容易に予測できる程度のものである。
　
（５）したがって、本願補正発明は、引用発明、上記周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
５　むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成１９年８月６日付けの手続補正により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、前記「第２[理由]１」において、本件補正前のものとして示したとおりのものである。
　
２　引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例及びその記載事項は、上記「第２[理由]２」に記載したとおりである。
　
３　対比・判断
　本願発明は、上記第２で検討した本願補正発明から、発明を特定するために必要な事項である「レーザチップのレーザ光出射端面の反射率の変動」について、レーザチップの「動作時における」ものであるとの限定を削除するものである。
　そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、上記「第２[理由]４」で検討したとおり、引用発明、上記周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、引用発明、上記周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。