(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイオード型トランスデューサを備え、その作用電極、対向電極及び参照電極のうち少なくとも作用電極が、生体関連識別物質が固定された半導体ダイヤモンド膜で構成されており、前記半導体ダイヤモンド膜は、その表面が水素化、酸化若しくはハロゲン化されるか、又は水酸基、シアノ基、アミノ基、カルボキシル基、硫酸基及びニトロ基からなる群から選択された１若しくは２以上の置換基で置換されることにより、化学修飾された後、前記半導体ダイヤモンド膜の表面の一部又は全部に生体関連識別物質が固定されていることを特徴とするダイヤモンド薄膜バイオセンサ。
【請求項２】
マイクロアレイ型トランスデューサを備え、その作用電極と対向電極との間に、生体関連識別物質が固定されたアンドープダイヤモンド膜が配置されており、前記アンドープダイヤモンド膜は、その表面が水素化、酸化若しくはハロゲン化されるか、又は水酸基、シアノ基、アミノ基、カルボキシル基、硫酸基及びニトロ基からなる群から選択された１若しくは２以上の置換基で置換されることにより、化学修飾された後、前記アンドープダイヤモンド膜の表面の一部又は全部に生体関連識別物質が固定されていることを特徴とするダイヤモンド薄膜バイオセンサ。
【請求項３】
トランジスタ型トランスデューサを備え、そのトランジスタのソースドレイン間のゲート部が、生体関連識別物質が直接又はアンドープダイヤモンド膜を介して固定された半導体ダイヤモンド膜又はアンドープダイヤモンド膜により構成されており、前記半導体ダイヤモンド膜又はアンドープダイヤモンド膜は、その表面が水素化、酸化若しくはハロゲン化されているか、又は水酸基、シアノ基、アミノ基、カルボキシル基、硫酸基及びニトロ基からなる群から選択された１若しくは２以上の置換基で置換されることにより、化学修飾された後、前記半導体ダイヤモンド膜の表面の一部又は全部に生体関連識別物質が固定されていることを特徴とするダイヤモンド薄膜バイオセンサ。
【請求項４】
サーミスタ型トランスデューサを備え、その温度感応部の一部又は全部が半導体ダイヤモンド膜により構成されており、前記半導体ダイヤモンド膜は、その表面が水素化、酸化若しくはハロゲン化されているか、又は水酸基、シアノ基、アミノ基、カルボキシル基、硫酸基及びニトロ基からなる群から選択された１若しくは２以上の置換基で置換されることにより、化学修飾された後、前記半導体ダイヤモンド膜の表面の一部又は全部に生体関連識別物質が固定されていることを特徴とするダイヤモンド薄膜バイオセンサ。
【請求項５】
ホール効果型又は磁気抵抗型のトランスデューサを備え、その磁気感応部の一部又は全部が半導体ダイヤモンド膜により構成されており、前記半導体ダイヤモンド膜は、その表面が水素化、酸化若しくはハロゲン化されているか、又は水酸基、シアノ基、アミノ基、カルボキシル基、硫酸基及びニトロ基からなる群から選択された１若しくは２以上の置換基で置換されることにより、化学修飾された後、前記半導体ダイヤモンド膜の表面の一部又は全部に生体関連識別物質が固定されていることを特徴とするダイヤモンド薄膜バイオセンサ。
【請求項６】
光センサ型トランスデューサを備え、その発光部及び／又は受光部の一部又は全部が半導体ダイヤモンド膜により構成されており、前記半導体ダイヤモンド膜は、その表面が水素化、酸化若しくはハロゲン化されているか、又は水酸基、シアノ基、アミノ基、カルボキシル基、硫酸基及びニトロ基からなる群から選択された１若しくは２以上の置換基で置換されることにより、化学修飾された後、前記半導体ダイヤモンド膜の表面の一部又は全部に生体関連識別物質が固定されていることを特徴とするダイヤモンド薄膜バイオセンサ。
【請求項７】
周辺回路の構成膜がアンドープダイヤモンド膜又は半導体ダイヤモンド膜により構成されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のダイヤモンド薄膜バイオセンサ。
【請求項８】
前記バイオセンサが基板上に形成され、前記基板がアンドープ又は半導体のダイヤモンド膜又は自立性のダイヤモンド膜により構成されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のダイヤモンド薄膜バイオセンサ。
【請求項９】
更に、前記ダイヤモンド膜に機能性分子を化学結合させ、しかる後に前記生体関連識別物質が固定されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のダイヤモンド薄膜バイオセンサ。
【請求項１０】
前記機能性分子が水酸基、シアノ基、アミノ基、カルボキシル基、硫酸基及びニトロ基からなる群から選択された１又は２以上の置換基を含むことを特徴とする請求項９に記載のダイヤモンド薄膜バイオセンサ。
【請求項１１】
前記機能性分子がへキサメチレンジアミン又はへキサメチレンジアミンの誘導体であることを特徴とする請求項１０に記載のダイヤモンド薄膜バイオセンサ。
【請求項１２】
前記機能性分子がフェロセン、キノン又はこれらの誘導体であることを特徴とする請求項１０に記載のダイヤモンド薄膜バイオセンサ。
【請求項１３】
前記生体関連識別物質の表面にモノレイヤ−以上の生体膜がコーティングされていることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載のダイヤモンド薄膜バイオセンサ。
【請求項１４】
前記生体関連識別物質が固定されたダイヤモンド膜は、天然ダイヤモンド又は人工合成のダイヤモンド結晶を基板としてその上に気相合成により形成されたものであることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のダイヤモンド薄膜バイオセンサ。
【請求項１５】
前記生体関連識別物質が固定されたダイヤモンド膜は、一層又は多層に積層されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のダイヤモンド薄膜バイオセンサ。
【請求項１６】
前記生体関連識別物質が固定されたダイヤモンド膜は、多結晶膜、高配向膜又はヘテロエピタキシャル膜であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のダイヤモンド薄膜バイオセンサ。
【請求項１７】
前記生体関連識別物質が固定されたダイヤモンド膜は、その表面の一部又は全部が（１１１）結晶面又は（１００）結晶面から構成されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のダイヤモンド薄膜バイオセンサ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は医療、食品管理、工業プロセス又は環境モニタなどに利用されるバイオセンサ又は化学センサとして好適のダイヤモンド薄膜バイオセンサに関する。
【０００２】
【従来の技術及び解決すべき問題点】
ダイヤモンドは耐熱性が優れ、バンドギャップが大きい（５．５ｅＶ）ことが特徴である。このため、アンドープダイヤモンド膜は電気的に絶縁体であるが、ボロン（Ｂ）等の不純物をドーピングすることにより、半導体化することができる。また、ダイヤモンドは絶縁破壊電圧及び飽和ドリフト速度か大きく、更に誘電率が小さいという優れた電気的特性を有する。
【０００３】
このような性質を利用して、半導体ダイヤモンドを用いた温度センサ、整流ダイオード、電界効果トランジスタ等の電子デバイスの開発が進められている。また、ダイヤモンドのバンドギャップが大きいことを利用して、紫外線等の短波長領域に対応する光センサ又は発光素子への応用についての研究も行われている。
【０００４】
このような電気的特性に加え、ダイヤモンドは熱伝導率が大きい点、比熱が小さい点、化学試薬に対して安定である点、耐熱性が優れている点、放射線照射によるダメージが少ない点等で、他の物質を大きく凌ぐ特徴を有している。
【０００５】
ダイヤモンドがこのように優れた複合的な特性をもっているにも拘わらず、半導体分野では、従来、ダイヤモンドの耐熱性に注目した高温用デバイス（温度センサ、ダイオード、トランジスタ等）の研究以外の研究は希である。
【０００６】
さて、近年、特定の化学物質・生体物質と特異的に反応する酵素、抗原、抗体、オルガネラ、動植物細胞、結合性蛋白質、微生物なとの生体関連識別物質（以下これを単に「識別物質」と略称する）を電極に固定し、その反応による物理的・化学的変化を電気信号として検出するバイオセンサが研究されている。バイオセンサの概念を図２１に示す。
【０００７】
バイオセンサの中で広範に用いられているのはグルコース・センサである。これは酸素検出用電極又は過酸化水素検出用電極と、電極に固定されたグルコースオキシダ−ゼとから構成されている。試料中のグルコースがグルコースオキシダーゼと触媒反応してグルコノラクトンに変化するときに消費される酸素の減少量又は発生する過酸化水素の濃度を電極で検出してグルコース濃度を測定する。この場合には、グルコースオキシダーゼが識別物質である。
【０００８】
本願発明者はダイヤモンドが生体適合性に優れ、しかも半導体化及び微細加工が可能であることに注目し、広範なバイオセンサのトランスデューサ（信号変換回路）及びその周辺回路に応用できる点に着目した。ダイヤモンドは炭素原子が共有結合された物質であり、識別物質に対して無害であるばかりでなく、識別物質との親和性がよい。更に、ダイヤモンド表面は化学修飾により親水性から疎水性まで制御できるので、抗血栓性をもたせることもできる。
【０００９】
しかしながら、ダイヤモンドの生体適合性については、従来、人工臓器の部品のコーティング程度の応用しか考えられておらず、ダイヤモンドの半導体特性と生体適合性との双方の特徴を同時に利用した応用例は全くみられない。
【００１０】
例えば、文献「（１）Ｘ．Ｚｈａｎｇ  ｅｔ  ａｌ，  Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ  ｏｆ  ｔｈｅ  ２ｎｄ  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ  ｏｎ  ｔｈｅ  Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ  ｏｆ  Ｄｉａｍｏｎｄ  Ｆｉｌｍｓ  ａｎｄ  Ｒｅｌａｔｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，  ｅｄｉｔｅｄ  ｂｙ  Ｍ．  Ｙａｓｈｉｋａｗａ  ｅｔ  ａｌ  （ＭＹＵ，  Ｔｏｋｙｏ  １９９３），  ｐ．６５；（２）Ｘ．  Ｚｈａｎｇ  ｅｔ  ａｌ，  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，  Ｖｏｌ．１８，ｐｐ．３１８−３１９（１９４４）；（３）Ｊ．Ｚｈｕ  ｅｔ  ａｌ，  Ｂｉｏｓｅｎｓｏｒｓ  ＆  Ｂｉｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ，  Ｖｏｌ．９，  ｐｐ．２９５−３００（１９９４）」（以下、これを従来技術１という）では、非ダイヤモンド材料の上にダイヤモンド薄膜をコーティングし、これをグルコース・センサの基板として用いている。
【００１１】
しかし、従来技術１においては、ダイヤモンド薄膜はその上に密着性よく金属電極を形成するだけの目的に用いられており、ダイヤモンド以外の材料でも十分に代替できる。また、従米技術１ではダイヤモンド薄膜は試料と接触することはなく、ダイヤモンドのもつ生体適合性の特徴が全く利用されていない。
【００１２】
ダイヤモンドを化学電極として用いる試みは文献「（１）Ｋ．Ｐａｔｅｌ  ｅｔ  ａｌ，平成３年度、日本太陽エネルギー学会・日本風力エネルギ協会合同研究発表講演論文集（１９９１年９月２０日、２１日）ｐｐ．１０５−１０８；（２）Ｋ．Ｐａｔｅｌ  ｅｔ  ａｌ，  Ｊ．Ｐｈｏｔｏｈｅｍ．Ｐｈｏｔｏｂｉｌ．Ａ：Ｃｈｅｍ．，  Ｖｏｌ．  ６５，ｐｐ．４１９−４２９（１９９２）；（３）Ｒ．Ｔｅｎｎｅ  ｅｔ  ａｌ，Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏａｎａｌ．Ｃｈｅｍ．Ｖｏｌ．３４７，ｐｐ．４０９−４１５（１９９３）；（４）Ｓ．Ｙａｎｇ  ｅｔ  ａｌ，Ａｄｖａｎｃｅｓ  ｉｎ  Ｎｅｗ  Ｄｉａｍｏｎｄ  Ｓｃｉｅｎｃｅ  ａｎｄ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，  ｅｄｉｔｅｄ  ｂｙ  Ｙ．Ｓａｉｔｏ  ｅｔ  ａｌ  （ＭＹＵ，Ｔｏｋｙｏ  １９９４），ｐｐ．７４１−７４４］（以下、これを従来技術２という）に示されており、半導体ダイヤモンドを電極に用いることにより、還元反応を効率よく進めることができることが見出されている。
【００１３】
しかし、従来技術２においては、ダイヤモンド電極の化学工業分野への応用を目的としているので、バイオセンサへの応用及びセンサ製作に必要な微細加工などについては全く触れられていない。
【００１４】
特開昭６１−３３６４５（以下、これを従来技術３という）においては、図２２に示すように、ダイヤモンド膜又はダイヤモンド状非晶質炭素膜を、公知のシリコン半導体を用いて作製されたイオン感応電界効果型トランジスタ（Ｉｏｎ  Ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、以下、これをＩＳＦＥＴと略称する）のゲート部の絶縁膜として用いる方法が示されている。即ち、ｐ型シリコン基板６の表面に、ｎ型シリコン拡散層からなるソース４及びドレイン５が形成されており、この基板上には、第１の絶縁層１と、その上のダイヤモンド膜又はダイヤモンド状非晶質炭素膜２とが積層されていて、これによりゲート絶縁膜３が構成されている。
【００１５】
しかし、品質の良いダイヤモンド薄膜をコーティングする場合には、基板温度を約８００℃にする必要があるが、このような高温下ではシリコン半導体を用いたＩＳＦＥＴは熱破壊されてしまう。そこで、従来技術３は実際には適用不可能である。
【００１６】
バイオセンサの長寿命化には、繰り返し測定又は長時間測定に対して識別物質の流出を防ぐことが必要である。識別物質を固定する方法としては以下の技術が開示されている。即ち、特開昭６０−２９６５７号、特開昭６０−３９５４７号、特開昭６０−７９２５８号には、半導体微細加工用のフォトリソグラフィー・プロセスで用いられる感光樹脂（フォトレジスト）と識別物質を混合してＩＳＦＥＴのイオン感応面に塗布し、光硬化させる方法が開示されている。また、特開昭６０−２４７１５１号においては、識別物質に親和性がある有機膜をＩＳＦＥＴのゲート部表面に塗布し、識別物質を固定する方法が開示されている。更に、特開昭６３−２２９３５８号では、上記処理の後、更にその表面を不溶化する方法が開示されている。以下、これらの技術を従来技術４とする。
【００１７】
しかし、上述のような生体関連物質の固定方法においては、識別物質を感光樹脂と混合するので使用可能な感光樹脂の種類に制限があり、また混合により生体関連物質の活性を弱めてしまうという問題点がある。また、リソグラフィ−において、紫外光照射又は現像液若しくは剥離液等で処理される過程でも、識別物質の活性が低下する。更に、化学物質及び生体物質が感光樹脂膜の内部を拡散し、また反応により生成した副生成物質が感光樹脂膜の外部に拡散することも必要である。しかしながら、一般に化学物質及び生体物質の拡散速度は遅いので、このようなバイオセンサの応答速度は極めて遅く、バイオセンサからの電気信号の強度が安定するまでに長時間が必要であるという問題点がある。
【００１８】
一方、識別物質の流出を防止する技術として、以下の技術が開示されている。即ち、特開昭６０−１７３４５９では、識別物質を塗布した後、多孔体で被覆することが開示されている。また、特開昭６１−８８１３５、特開昭６１−２３４３４９では架橋反応により識別物質分子間を化学結合させて流出を防ぐ方法が開示されている。しかしながら、これらの場合にも上記と同じ問題点がある。
【００１９】
また、バイオセンサの構造としては、以下のものが公知である。
（１）図２３に示すように、平面基板７上に測定用の作用電極９及び対向電極８の２電極が形成されており、更に参照電極１０を備えている。そして、作用電極９の上には、生体関連識別物質１１がコーティングされ、中央部に、絶縁樹脂１２が被覆されている（特開昭６０−１７３４５９：以下、これをダイオード型という）。
（２）図２４に示すように、ダイオ−ド型で電極がマイクロアレイであるタイプ（従来技術４、例えば特開昭６０−２４７１５１：以下、これをマイクロアレイ型という）がある。シリコン基板１３上に、シリコン酸化膜１４が形成されており、このシリコン酸化膜１４の上に、素子分離用のシリコン酸化膜１５が局所的に形成されている。そして、このシリコン酸化膜１５に囲まれた領域に、クロロメチル化ポリスチレン膜１６を間に挟んで作用電極１７及び対向電極１８がアレイ状に形成され、クロロメチル化ポリスチレン膜の上に、酵素１９が固定されている。
（３）図２５に示すように、ＩＳＦＥＴのゲート部位に識別物質を固定し、イオン又はｐＨの変化に応答させるタイプがある（特開平５−２８１１８１：以下、これをトランジスタ型という）。即ち、サファイア基板２０の裏面に、金膜２１が形成され、サファイア基板２０の表面に、ｎｐｎ構造のＦＥＴ２６が設けられている。そして、これらのＦＥＴ２６を被覆するようにして、酸化シリコン膜２２、窒化シリコン膜２３が形成されており、その上に、アルブミン２４及びグルコースオキシダーゼ２５が固定されている。
（４）図２６はサーミスタ回路２７の上に、生体関連識別物質２８が固定されているものである。この図２６に示すものは、固定化した識別物質が反応するときの反応熱発生による温度上昇を感知するタイプである（特開６１−２１２７５０：以下、これをサーミス夕型という）。
（５）また、図２７に示すように、特開平５−２５６８１２には、図２３と同様のダイオード型のバイオセンサ基板７の上に、対向電極８、作用電極９及び参照電極１０を形成し、作用電極９に生体関連識別物質１１を固定し、これらの周囲に、更に温度調節用ヒータ２９を組み込んだバイオセンサが開示されている。
【００２０】
しかしながら、図２３〜図２７に開示されたバイオセンサでは電極として金属を用いているために識別物質の固定が困難であり、使用中に識別物質の流出が著しいために寿命が短いという問題がある。また図２５のＩＳＦＥＴではゲート部の絶縁膜が酸化シリコン（セラミックス）であり、上記と同じく識別物質の固定が困難であるという問題がある。
【００２１】
これに対しダイヤモンドは識別物質と同じく炭素を構成原子としているために、識別物質との適合性が良く、さらにダイヤモンド膜表面を化学修飾することにより、識別物質との親和性を向上できるため、その固定が容易であるという特徴がある。
【００２２】
ダイヤモンドの気相合成法としては、マイクロ波化学気相蒸着（ＣＶＤ）法（例えば特公昭５９−２７７５４、特公昭６１−３３２０）、高周波プラズマＣＶＤ法、熱フィラメントＣＶＤ法、直流プラズマＣＶＤ法、プラズマジェット法、燃焼法及び熱ＣＶＤ法等が知られている。
【００２３】
これらの方法でシリコンなどの非ダイヤモンド基板に気相合成されたダイヤモンド膜は、一般にダイヤモンド粒子がランダムに凝集した多結晶であり、粒界が高密度に存在する。しかし、最近では、特殊な基板表面処理によりダイヤモンド結晶粒子がほぼ一定方向に揃った高配向膜の合成も報告されている。
【００２４】
ダイヤモンド膜の表面を（１１１）結晶面又は（１００）結晶面のみから構成することは、多結晶ダイヤモンド膜でも高配向膜でも可能である。
【００２５】
バルクダイヤモンド上にダイヤモンド膜を形成する場合は、バルクダイヤモンドを特定の結晶面に沿って切断・研磨することにより、任意の結晶面をもったダイヤモンド膜を得ることができる。
【００２６】
ダイヤモンド合成原料に微量の不純物を添加することにより、ダイヤモンドを半導体化することができる。例えば高温高圧合成でも、気相合成でも、不純物としてホウ素（Ｂ）を添加すると導電性の良いｐ型の半導体ダイヤモンドが得られることが知られている。
【００２７】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、高感度・長寿命・高速応答性・再利用可能の全ての要望を満足することができるダイヤモンド薄膜バイオセンサを提供することを目的とする。
【００２８】
【課題を解決するための手段】
本発明に係るダイヤモンド薄膜バイオセンサは、トランスデューサの一部又は全部が半導体ダイヤモンド膜又はアンドープダイヤモンド膜から構成され、前記半導体ダイヤモンド膜又はアンドープダイヤモンド膜は、その表面が水素化、酸化若しくはハロゲン化されているか、又は水酸基、シアノ基、アミノ基、カルボキシル基、硫酸基及びニトロ基からなる群から選択された１若しくは２以上の置換基で置換されることにより、化学修飾された後、前記半導体ダイヤモンド膜又はアンドープダイヤモンド膜の表面の一部又は全部に生体関連識別物質が固定されていることを特徴とする。前記トランスデューサは、ダイオード型、マイクロアレイ型、トランジスタ型、サーミスタ型、ホール効果型若しくは磁気抵抗型、又は光センサ型である。
【００２９】
【作用】
本発明においては、半導体ダイヤモンド膜を用いてトランスデューサを作製し、これに識別物質を固定しているので、極めて高感度・長寿命・高速応答性であり、再利用可能なバイオセンサを得ることができる。
【００３０】
バイオセンサのトランスデューサの一部又は全部をダイヤモンド膜で製作することにより、ダイヤモンドのもつ生体適合性を有効に利用することができる。
【００３１】
なお、一旦、特性か劣化したダイヤモンド薄膜バイオセンサであっても、その生体関連識別物質又は生体関連識別物質及び機能性分子を化学処理により除去し、再び生体関連識別物質の固定又は機能性分子の結合と生体関連識別物質の固定により、再生することが可能である。
【００３２】
本発明においては、半導体ダイヤモンド膜又はアンドープダイヤモンド膜を用いてトランスデューサを作製し、これに識別物質を固定することにより、ダイヤモンドのもつ生体適合性、化学試薬に対する不活性性、無毒などの特徴を生かすことができる。
【００３３】
また、ダイヤモンドの表面処理により親水性から疎水性までを制御できるので、ダイヤモンド・センサに抗血栓性をもたせることもできる。
【００３４】
本発明においては、さらにバイオセンサを、ダイオード型、トランジスタ型、サーミスタ型、又は磁気センサ型に構成することができ、これらの複数のセンサを同一基板に形成することもできる。
【００３５】
また、トランスデューサ部に光照射することにより感度を増大させることができる。
【００３６】
【実施例】
以下、本発明について添付の図面を参照して詳細に説明する。図１はダイヤモンド薄膜を用いたダイオード型センサのトランスデューサ部の断面構造の例を示す。ダイヤモンド膜の微細加工は「選択成長」及びプラズマ・エッチング又は機械加工等の公知の技術により行うことができる。例えば、トランスデューサの作製に必要なダイヤモンドの微細加工技術又は選択成長技術は、文献Ｔ．Ｉｎｏｕｅ  ｅｔ  ａｌ．，Ｊ．Ａｐｐｌ  Ｐｈｙｓ．、Ｖｏｌ．６７，Ｎｏ．１２，ｐｐ．７３２９−７３３６（１９９０）に示されている。
【００３７】
トランスデューサを加熱するヒータ、試料の温度を測定する温度センサなどの周辺回路も半導体ダイヤモンド膜を用いて作製できる。このトランスデューサと周辺回路をモノリシックに作製した場合は、機能面及びコスト面からもメリットが大きい。
【００３８】
図１に示すように、基板３０の上に、下地膜としてアンドープダイヤモンド膜３１が形成されており、このアンドープダイヤモンド膜３１の上に、作用電極３４、対向電極３３及び参照電極３２が形成されており、作用電極３４は生体関連識別物質３５により被覆されており、更にこの生体関連識別物質３５は生体膜３６により被覆されている。
【００３９】
これらの作用電極３４、対向電極３３及び参照電極３２は、半導体ダイヤモンドヒータ３７により取り囲まれており、このヒータ３７はアンドープダイヤモンド膜３８により被覆されている。
【００４０】
図１では下地を電気絶縁性のアンドープダイヤモンド膜３１としたが、下地のない構造にすることも可能である。これは以下のいずれの場合にも同様である。
【００４１】
電極、下地膜及びヒータに半導体ダイヤモンド膜を用いる場合、そのサイズに特別の制限はなく、ドーピング濃度によって最適値を選ぶことができるが、特性及びコスト等を考慮すると、アンドープダイヤモンド下地層３１の厚さは１〜５０μｍ、電極３２〜３４の厚さは０．１〜５μｍ、電極３２〜３４のアクティブな領域の長さ及び幅は２０μｍ〜ｌｍｍ、ヒータ３７の厚さは０．１〜５０μｍ、電気絶縁のためのアンドープダイヤモンド膜３８の厚さは０．５〜１０μｍの範囲が最も望ましい。
【００４２】
図２乃至図５は夫々マイクロアレイ型センサのトランスデューサ部の断面構造を示す。図２に示すように、基板４０の上に、下地膜としてアンドープダイヤモンド膜４１が形成されており、この下地膜４１の上に、複数個の対向電極４３と作用電極４４とが、間にアンドープダイヤモンド膜４７を挟んで配列されている。また、最外側の対向電極４３の外側にもアンドープダイヤモンド膜４７が設けられている。そして、このアンドープダイヤモンド膜４７の上に、生体関連識別物質４５が固定されており、この生体関連識別物質４５は生体膜４６により被覆されている。更に、アンドープダイヤモンド膜４１の上には、参照電極４２が形成されている。
【００４３】
この図２のように、作用電極４４と対向電極４３の間をアンドープダイヤモンド膜４７とし、これに識別物質４５を固定する他、下地としてアンドープダイヤモンド膜４１を用いた場合には、図３に示すように、作用電極４４と対向電極４３との間のアンドープダイヤモンド膜４７は必ずしも必要ではなく、省略できる。この場合は、下地のアンドープダイヤモンド膜４１の表面に、直接、識別物質４５を固定すればよい。
【００４４】
また、ダイオード型と同じように作用電極、対向電極、参照電極のいずれか又は全てを半導体ダイヤモンド膜とすることができる。図４及び図５に示すように、ダイオード型と同様に、少なくとも作用電極４４として半導体ダイヤモンド膜を用い、この半導体ダイヤモンド膜４４の表面に識別物質４５を固定することもできる。
【００４５】
マイクロアレイ型センサについても、ダイオード型センサと同じく、電極、下地及びそのサイズに特別の制限はなく、ドーピング濃度も最適値を選ぶことができる。アクティブなダイヤモンド膜電極の幅は１〜２０μｍ、長さは２０μｍ〜ｌｍｍの範囲が最も望ましい。
【００４６】
トランスデューサがトランジスタ型の場合、そのトランジスタ部を半導体ダイヤモンド膜を用いて作製することができる。図６乃至図９はそのトランジスタ型のダイヤモンドセンサの例を示す。図６は、トランジスタがＭＥＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｏｒ  ＦＥＴ）の場合である。
【００４７】
基板５０の上に、アンドープダイヤモンド膜５２及びゲート電極５１が形成されており、このアンドープダイヤモンド膜５２の上に、半導体ダイヤモンド膜５３が形成されている。この半導体ダイヤモンド膜５３の表面には、２個のｐ＋ダイヤモンド層５４が形成されており、これらのｐ＋ダイヤモンド層５４の上には、ソース電極５５ａ及びドレイン電極５５ｂが形成されている。ｐ＋ダイヤモンド層５４（以下、これをｐ＋層と略称する）は、イオン注入又は気相合成によりＢを高濃度（１０１９〜１０２２／ｃｍ３）にドーピングしたものである。
【００４８】
そして、ソース電極５５ａ及びドレイン電極５５ｂは酸化シリコン、窒化シリコン、樹脂等の絶縁材料又はこれらを積層した電気絶縁膜５６で覆われている。ソース電極５５ａ及びドレイン電極５５ｂの直下のｐ＋層５４により、電極５５ａ、５５ｂと半導体ダイヤモンド層５３との間の接触抵抗を低減できる。
【００４９】
生体関連識別物質５７はソース・ドレイン電極の間（以下、これをゲート部と略称する）に固定され、安定化のためにその表面が生体膜５８で覆われている。
【００５０】
なお、ゲート電極５１に印加する電圧はソース電極５５ａに対して正でも負でも良いが、負電圧を印加する方がセンサの感度が高い。
【００５１】
本願発明者らの研究によると、基板５０が非ダイヤモンドの場合、アンドープダイヤモンド下地層５２の厚さは１〜２０μｍ、ｐ＋層５４の厚さは１００Å〜１μｍ、半導体ダイヤモンド層５３の厚さは１００Å〜２μｍ、ソース・ドレイン電極間距離（以下、これをゲート長と略称する）は０．５〜５０μｍの範囲が最も望ましい。ソース、ドレイン電極の横幅（以下、これをゲート幅と略称する）は大きいほど信号電流が大きいが、２μｍからｌｍｍが最も望ましい。基板５０がすべてダイヤモンド膜の場合には、その厚さは２０〜５００μｍが最も望ましい。
【００５２】
図７はトランジスタがＭｉＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ−ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  ＦＥＴ）の場合の例である。半導体ダイヤモンド層５３の表面には薄いアンドープダイヤモンド膜５９が積層されている。（以下、このアンドープダイヤモンド膜５９をゲート絶縁膜という。）各部分の最も望ましい長さは上記と同じである。ゲ−ト絶縁膜５９の厚さは１００Å〜１μｍが望ましい。
【００５３】
図８はトランジスタがｐｉｐ−ＦＥＴの場合である。このタイプは、半導体ダイヤモンド層５３を有しない。また、ドレイン電極５５ｂ側のｐ＋層５４は必ずしも必要ではない。各部分の最も望ましい長さは上記と同様であるが、アンドープダイヤモンド膜５２の厚さは１〜１０μｍ、ゲート長は０．５〜１μｍが最も望ましい。
【００５４】
図９はトランジスタがδ−ドープＦＥＴの場合の例である。この場合にはソースとドレイン側のｐ＋層５４が高濃度にＢドーピングされた薄い半導体ダイヤモンド層６０で結ばれている。各部分の最も望ましい長さはｐｉｐ−ＦＥＴの場合と同様であるが、薄い半導体ダイヤモンド層６０の厚さは５０〜５００Åが最も望ましい。
【００５５】
図６〜９においては、識別物質５７はゲート部に固定されている。しかし、識別物質５７をＦＥＴの周辺にのみ配置することも可能である。この場合は、試料中の化学物質・生体物質と識別物質との反応で生じる副生成物がゲート部の電位を変えるので、これによるＦＥＴの電流変化を測定することにより、試料中の化学物質・生体物質の濃度を知ることができる。
【００５６】
トランスデューサがサーミスタ型の場合、試料中の化学物質・生体物質と識別物質との反応で生じる熱による温度変化を感知することにより、その濃度を知ることができる。図１０、図１１はダイヤモンド膜を用いたサーミスタ型ダイヤモンド・センサの例である。
【００５７】
即ち、図１０に示すように、基板６１の上に、アンドープダイヤモンド下地層６２が形成されており、この下地層６２の上に、発熱測定用サーミスタ部と、参照用サーミスタ部とに分かれて、半導体ダイヤモンド膜６３が形成されている。
【００５８】
各半導体ダイヤモンド膜６３の縁部には、ｐ＋ダイヤモンド層６４が形成されており、各ｐ＋層６４の上には電極６５が形成され、これらの電極６５は電気絶縁膜６６で被覆されている。電極６５間にはアンドープダイヤモンド層６７が形成されており、一方の発熱測定用サーミスタ部のアンドープダイヤモンド層６７の上には、生体関連識別物質６８が固定され、この識別物質６８は生体膜６９により被覆されている。
【００５９】
温度が高いほどｐ型半導体ダイヤモンド膜６３の抵抗値は低くなるので、抵抗値から環境温度を求めることができる。図１０では参照用のサーミスタと発熱測定用のサーミスタが隣接して配置されており、これらの温度差から試料中の化学物質・生体物質の濃度を算定することができる。
【００６０】
図１１では参照用と発熱測定用のサーミスタが一体化されている。これにより作製プロセスを簡単化できる。
【００６１】
基板６１が非ダイヤモンドの場合、アンドープダイヤモンド下地層６２の厚さは１〜２０μｍ、ｐ＋層６４の厚さは１００Å〜１μｍ、半導体ダイヤモンド層６３の厚さは０．５〜１０μｍの範囲か最も望ましい。電極間距離には制限がないが約１μｍから数ｍｍが可能である。半導体ダイヤモンド膜６３が、Ｂをドープしたｐ型の場合、ドーピング濃度は１０１５〜１０２０原子／ｃｍ３が望ましい。
【００６２】
トランスデューサがホール効果型又は磁気抵抗型の場合、試料中の化学物質・生体物質と識別物質との反応で磁気的変化が起こる場合に、それを感知して濃度を知ることができる。
【００６３】
図１２にはホール効果型のセンサの断面図を示す。また、図１３及び図１４には電極の配置方法を示す。但し、電極の位置以外の詳細は省略してある。基板７１の上には、アンドープダイヤモンド層７２が形成され、アンドープダイヤモンド層７２の上には、半導体ダイヤモンド層７３が形成されている。そして、この半導体ダイヤモンド層７３の縁部の表面には、ｐ＋ダイヤモンド層７４が形成されており、このｐ＋ダイヤモンド層７４の上には電極７５が形成されている。各電極７５は電気絶縁膜７６により被覆されており、電極間にはアンドープダイヤモンド膜７７が形成され、その上に生体関連識別物質７８が固定されている。この識別物質７８が生体膜７９により被覆されている。
【００６４】
基板７１が非ダイヤモンドの場合、アンドープダイヤモンド下地層７２の厚さは１〜２０μｍ、ｐ＋層７４の厚さは１００Å〜１μｍ、半導体ダイヤモンド層７３の厚さは０．５〜５０μｍ、電極間距離は１〜５００μｍの範囲が最も望ましい。半導体ダイヤモンド膜７３がＢをドープしたｐ型の場合、ドーピング濃度は１０１４〜１０１８原子／ｃｍ３が最も望ましい。
【００６５】
ダイヤモンド膜にキャリア（電子、正孔）を注入すると短波長の発光か生じる。またダイヤモンド膜を用いた受光素子も作製できる。そこでダイヤモンド膜で発光部又は受光部、又はその両方をセンサのトランスデューサとすることができる。
【００６６】
例えば、試料中の化学物質・生体物質が識別物質と反応する際に、発光現象が起きれば、それをダイヤモンド受光素子で検出できる。また、検出しようとする化学物質・生体物質に最も感度が高い波長の光を外部から照射し、ダイヤモンド受光部で検出することもできる。さらにダイヤモンド発光部を基坂上に組み込み、全てをダイヤモンド膜でモノリシックに作製することも可能である。この光センサ型バイオセンサの一例を図１５、図１６に示す。
【００６７】
図１５に示すセンサにおいては、基板８１の上に、アンドープダイヤモンド下地膜８２が形成されており、この下地膜８２の上に、複数個の第１電極８３及び第２電極８４が適長間隔をおいて配置されている。各電極間は生体関連識別物質８５により充填されており、この識別物質８５は生体膜８６により被覆されている。
【００６８】
図１６においては、アンドープダイヤモンド層８２の上に、半導体ダイヤモンド層８７が形成されている。
【００６９】
図１５、１６においては、識別物質８５と生体物質、化学物質との反応で生じる発光をダイヤモンド膜８２又は半導体ダイヤモンド膜８７で感知し、これらのダイヤモンド膜中に発生するキャリア（電子、正孔）を電極８３及び８４で測定することにより、生体物質、化学物質の濃度を検出する。
【００７０】
基板８１が非ダイヤモンドの場合、アンドープダイヤモンド下地層８２の厚さは１〜５０μｍ、半導体ダイヤモンド層８７の厚さは０．５〜５０μｍ、電極間距離は１〜５０μｍの範囲が最も望ましい。半導体ダイヤモンド層８７がＢをドープしたｐ型の場合、ドーピング濃度は１０１４〜１０１９原子ｃｍ３が最も望ましい。
【００７１】
これらの各実施例のダイヤモンドバイオセンサは、いずれの場合にもトランスデューサ部に光照射してセンサ感度を増大させることができる。これは光照射によりダイヤモンド中のキャリア濃度が増加し、信号強度が増大するからである。
【００７２】
また、前述のごとく、アンドープの自立性ダイヤモンド膜をセンサの基板として用いることができる。この場合、アンドープダイヤモンド膜に成長させた半導体ダイヤモンド膜の方が、非ダイヤモンド基板に成長させた半導体ダイヤモンド膜よりも膜質が優れている。基板がすべてダイヤモンド膜の場合には、その厚さは２０〜５００μｍが望ましい。
【００７３】
前述のごとく、ダイヤモンドには識別物質の固定が容易である。固定にはダイヤモンド膜表面に識別物質を直接に塗布することも考えられるが、ダイヤモンド膜表面を化学修飾してから、識別物質を固定することがより望ましい。又は、ダイヤモンド膜表面を化学修飾し、さらに長鎖状分子又はメディエータとなる分子（これらを機能性分子と略称する）と反応させ、これに識別物質を固定することも可能である。
【００７４】
ダイヤモンド膜表面の化学修飾としては、水素化（−Ｈ）、酸化（＝Ｏ、−Ｏ＝Ｏ−、−ＯＨ−ＯＨ−等）、ハロゲン化（−Ｃｌ等）するか、又は水酸基（−ＯＨ）、シアノ基（−ＣＮ）、アミノ基（−ＮＨ２）、力ルボキシル基（−ＣＯＯＨ）、硫酸基（−ＳＯ３）、ニトロ基（−ＮＯ２）で終端化するか、又はこれらから選ばれた２種類以上の置換基で終端する方法等が可能である。
【００７５】
グルコースオキシダーゼのような巨大な識別物質を固定する場合には、化学修飾されたダイヤモンド表面に直接塗布するよりは、上記化学修飾の後、ヘキサメチレンジアミンなどの長鎖状分子をさらに化学結合し、しかる後に識別物質を固定する方が望ましい。これにより、ダイヤモンド表面と識別物質の立体障害を避けることかでき、また長鎖状分子と識別物質が化学結合してより強い固定が可能になる。長鏡状分子が識別物質と化学結合するためには、長鎖状分子が水酸基、シアノ基、アミノ基、カルボキシル基、硫酸基、ニトロ基のうちの少なくとも１つを含むことか望ましい。長鎖状分子としてはへキサメチレンジアミン又はその誘導体が考えられる。
【００７６】
識別物質とトランスデューサ部との間にメディエータ（電荷移動用分子）層を設ければ、化学物質・生体物質と識別物質との反応で生じた電子がトランスデューサ部へ容易に移動でき、センサの感度が向上し、また溶存酸素等により検出が妨げられることがない。メディエータとしてはフェロセン、キノン又はこれらの誘導体がある。
【００７７】
但し、通常の金属電極と違って、表面が化学修飾された半導体ダイヤモンドではこのようなメディエータがなくとも電子の移動は生じる。
【００７８】
ダイヤモンド自体は化学薬品に侵されにくいので、たとえセンサが劣化しても識別物質、又は識別物質及び機能性分子を化学処理により除去し、識別物質を固定するか、又は機能性分子の合成と識別物質の固定を行うことにより、センサの再利用が可能である。これにより、有害な廃棄物の処理による環境汚染を防止でき、また、コスト低減にも役立つ。
【００７９】
測定試料には識別物質を失活させるさまざまな妨害成分が含まれる場合かある。本発明では、識別物質の表面にモノレイヤー以上の生体膜物質をコーティングすることにより、識別物質の失活を回避できることを見い出した。
【００８０】
生体膜の機能を図１７に示す。初期状態では生体膜はセンサ表面を保護する。検出すべき生体物質がセンサ表面に吸着されると、生体膜は全体を覆い保護する。代表的な生体膜物質にはフォスファチジルコリン、フォスファチジルセリンなどがある。
【００８１】
識別物質とそれを検出できる化学物質及び生体物質を下記表１〜４に示す。表１は生体物質、化学物質検出用センサ、表２は脂質検出用センサ、表４は微生物を用いたセンサである。
【００８２】
【表１】
0003566377.tif 000002
0003566377.tif 000003
0003566377.tif 000004
【００８３】
【表２】
0003566377.tif 000005
【００８４】
【表３】
0003566377.tif 000006
0003566377.tif 000007
0003566377.tif 000008
【００８５】
ところで、通常のダイオード型のバイオセンサの電極間の電位差は±５Ｖ以内、多くは±１Ｖ以内に設定されている。シリコン半導体を用いたＩＳＦＥＴでは通常、±５Ｖ以上の電圧を印加するとＦＥＴが破壊される。しかし、ダイヤモンドは耐電圧性に優れており、ダイオード型でもトランジスタ型でも、±５Ｖ以上の電圧に十分耐えられる。特に、Ｓ／Ｎ比の高い高感度の測定には、センサの電圧を上げざるを得ないが、本発明によるダイヤモンド・バイオセンサは±１ＯＶ以上の電圧で問題なく駆動できる。本発明者らの研究ではダイヤモンドバイオセンサの駆動電圧は最大±５０Ｖ、望ましくは±５〜±２ＯＶである。
【００８６】
以上、単一の機能をもつトランスデューサがダイヤモンド薄膜で製作されている場合について説明した。しかし、本発明により、同一基坂上に同一又は異なる機能をもつ複数のセンサを配置することもできる。例えば、ダイオード型センサについていえば、同一基板上に同種類の識別物質が固定された複数のセンサを設けることにより、信頼性を高めることができる。
【００８７】
また、固定する識別物質を変えれば、１つのセンサで複数の化学物質・生体物質を同時に感知・定量できる。これは、においセンサ、味覚センサ及び鮮度センサのように、複数の成分を測定する場合には特に有効である。また、ダイオード型のセンサに温度センサ又はｐＨセンサを併置すれば、リアルタイムでセンサ感度の温度補正又はｐＨ補正ができる。
【００８８】
上記のダイヤモンド膜としては、天然又は人工合成のバルク・ダイヤモンド結晶を基板として、その表面にダイヤモンド膜を気相合成してもよいし、シリコン、窒化シリコン、炭化シリコン、高融点金属等の非ダイヤモンド基板に、通常の多結晶膜、粒子配向のそろった高配向膜又はヘテロエピタキシャル膜を形成してもよい。
【００８９】
ダイヤモンド膜の結晶面により、化学反応性及び表面構造が異なるので、化学装飾、機能性分子の結合には表面を選ぶ必要がある。本発明ではダイヤモンド膜の表面の一部又は全部が（１１１）結晶面又は（１００）結晶面から構成されている場合に、電流−電圧特性の直線性及びＳ／Ｎの優れたセンサができることを見出した。
【００９０】
次に、本発明の実施例に係るバイオセンサを実際に製造し、その特性を調べた結果について説明する。
［実施例１］ダイオード型センサ
（１Ａ）ダイヤモンド素子作製
ｌｃｍ角の窒化シリコン基板をダイヤモンド粉末でバフ研磨し、マイクロ波ＣＶＤ装置により、メタン１〜５％、酸素０．１〜２％を水素希釈したもの（全流量１００ｓｃｃｍ）を原料ガスとして２０時間合成を行い、膜厚１０μｍのアンドープダイヤモンド膜を形成した。ＣＶＤにおいては基板温度を８００〜８５０℃、ガス圧を３０〜６０Ｔｏｒｒの範囲で一定に保った。
【００９１】
次いで、作用電極として、選択成長技術を用いて、幅１０μｍ、長さ２ｍｍ、膜厚２μｍのＢドープしたｐ型半導体ダイヤモンド膜を２０μｍピッチで１０本、この基坂上に形成した。合成には同じくマイクロ波ＣＶＤを用い、メタン１〜５％、酸素０〜２％、ジボラン（Ｂ２Ｈ６）０．１〜２０ｐｐｍを水素希釈したもの（全流量１００ｓｃｃｍ）を原料ガスとした。合成時間は１０時間であった。
【００９２】
次いで、対向電極として、フォトリソグラフィ技術により幅２０μｍ、長さ２ｍｍ膜厚１０００Åの白金膜を形成した。
（１Ｂ）識別物質の固定化
この素子を高周波プラズマ装置に入れ、酸素ガス０．１Ｔｏｒｒで１０分間、表面処理を行い、ダイヤモンド表面を酸化した。更にこれをヘキサメチレンジアミンに浸し、５０℃〜９０℃で１０時間保持し、ダイヤモンド表面の長鎖分子を化学結合させた。
【００９３】
次いで、この素子をｐＨ７の１０％グルタルアルデヒド、０．１Ｍ燐酸バッファー溶液に浸し、室温で２時間保持してからバッファー溶液で洗浄した。
【００９４】
グルコースオキシダーゼを固定化するために、作用電極以外の電極をフォトレジスト膜でマスクし、１％グルコースオキシダーゼを懸濁させた燐酸バッファー溶液に素子を一昼夜放置した。最後に、バッファー溶液で素子を洗浄し、有機溶媒でフォトレジスト膜を除去した。
（１Ｃ）識別物質の保護
ｐＨ７の０．１Ｍ燐酸バッファー溶液と生体膜物質であるフォスファチジルコリンを混合し、超音波処理により懸濁させた。この溶液に、上記のグルコースオキシダーゼを固定化した素子を一昼夜浸した。
（１Ｄ）センサ特性の評価
上記のように作製したダイオード型のダイヤモンドセンサをグルコースを含む０．１Ｍの塩化ナトリウム溶液に浸し、作用電極と対向電極及び参照電極と対向電極間に１Ｖを印加し、グルース濃度を変えて電流測定を行った。得られたデータを、図１８において、曲線Ａにて示す。
【００９５】
ここでは、電流は、作用電極−対向電極及び参照電極−対向電極間の電流値の差である。グルコース濃度５０ｍｇ／リットルから６００ｍｇ／リットルで電流値はほぼ直線上にプロットされた。
（１Ｅ）光照射の効果
センサに水銀ランプを照射して、１Ｄと同様の測定を行った。この結果を図１８において、曲線Ｂに示す。グルコース濃度５０ｍｇ／リットルから６００ｍｇ／リットルで電流値は２〜３μＡ増大した。
（１Ｆ）再生したセンサの特性
センサをバッファ溶液中で超音波処理してグルコースオキシダーゼを除去し、上記１Ｂ以下の酸素プラズマ処理を除くプロセスで、センサを再生した。次いで、上記１Ｄと同様に、このセンサの特性評価を行った。この結果を図１８において曲線Ｃにて示した。電流値は再生前とほぼ同一であった。
（１Ｇ）生体膜の効果
図１９にはセンサに生体膜をコーティングした場合（曲線Ａ）と、しない場合（曲線Ｂ）を示した。生体膜をコーティングした場合（曲線Ａ）は１０００回の繰り返し使用で電流値は約１０％低下したのに対し、コーティングのない場合（曲線Ｂ）には約５００回で電流値が約１０％低下した。この結果、センサ表面に生体膜をコーティングすることにより、寿命が約２倍に増大することが分かった。
［実施例２］マイクロアレイ型センサ
実施例１と同様の方法で、マイクロアレイ型センサを作製した。作用電極の半導体ダイヤモンド膜のアクティブな領域の幅は１０μｍ、長さは３００μｍ、電極間のアンドープ・ダイヤモンド膜の幅は１０μｍとし、これを５０本、基坂上に並列させた。公知の方法を用いて、アンドープ・ダイヤモンド膜表面にのみグルコースオキシダーゼを固定化し、その表面に生体膜をコーティングした。
【００９６】
実施例１の工程１Ｄと同様に、特性を評価したところ、電流値はほぼ電極面積に比例することが分かった。
［実施例３］トランジスタ型センサ
文献Ｋ．Ｎｉｓｈｉｍｕｒａ  ｅｔ  ａｌ．，Ａｄｖａｎｃｅｓ  ｉｎ  Ｎｅｗ  Ｄｉａｍｏｎｄ  Ｓｃｉｅｎｃｅ  ａｎｄ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，  ｅｄｉｔｅｄ  ｂｙ  Ｓ．Ｓａｉｔｏ  ｅｔ  ａｌ  （ＭＹＵ，Ｔｏｋｙｏ  １９９４）ｐ．７２５に記載されたものと同様に、単結晶ダイヤモンド基板上にソース・ドレイン電極間距離１０μｍ、ゲート幅５００μｍのＭｉＳ型ＦＥＴを２素子、並列して作製した。
【００９７】
この一方の素子にのみ実施例１の工程１Ｂ及び１Ｃと同様の方法でグルコースオキシダーゼを固定化した。他方の素子は参照用として用いた。
【００９８】
測定用素子及び参照用素子の各ソース・ドレイン電極間に１０μＡ電流が流れる場合に、この２素子についてソース・ドレイン間電圧の差を出力電圧とする回路を作製し、グルコース濃度を変えて出力電圧を測定した。この結果を図２０に示す。
【００９９】
【発明の効果】
本発明によれば、ダイヤモンド膜に生体関連識別物質を固定したので、種々の化学物質及び生体物質に対し、高感度及び高速応答性で応答するバイオセンサを得ることができる。
【０１００】
また、トランスデューサ及び周辺回路を半導体ダイヤモンド膜を用いて作製することにより、化学センサ及びバイオセンサの実用化が容易となる。
【０１０１】
更に、本発明は、においセンサ、味覚センサ、鮮度センサなどとしても利用でき、医療、食品管理、工業プロセス、環境モニタ等の技術分野において、多大の貢献をなす。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例に係るダイオード型ダイヤモンドセンサを示す断面図である。
【図２】本発明の実施例に係るマイクロアレイ型ダイヤモンドセンサを示す断面図である。
【図３】本発明の実施例に係るマイクロアレイ型ダイヤモンドセンサを示す断面図である。
【図４】本発明の実施例に係るマイクロアレイ型ダイヤモンドセンサを示す断面図である。
【図５】本発明の実施例に係るマイクロアレイ型ダイヤモンドセンサを示す断面図である。
【図６】本発明の実施例に係るトランジスタ型ダイヤモンドセンサを示す断面図である。
【図７】本発明の実施例に係るトランジスタ型ダイヤモンドセンサを示す断面図である。
【図８】本発明の実施例に係るトランジスタ型ダイヤモンドセンサを示す断面図である。
【図９】本発明の実施例に係るトランジスタ型ダイヤモンドセンサを示す断面図である。
【図１０】本発明の実施例に係るサーミスタ型ダイヤモンドセンサを示す断面図である。
【図１１】本発明の実施例に係るサーミスタ型ダイヤモンドセンサを示す断面図である。
【図１２】本発明の実施例に係るホール効果型ダイヤモンドセンサを示す断面図である。
【図１３】同じくその電極配置を示す平面図である。
【図１４】同じくその電極配置を示す平面図である。
【図１５】本発明の実施例に係る光センサ型ダイヤモンドセンサを示す断面図である。
【図１６】本発明の実施例に係る光センサ型ダイヤモンドセンサを示す断面図である。
【図１７】生体膜の機能を示す模式図である。
【図１８】ダイオード型センサの特性を示すグラフ図である。
【図１９】生体膜の効果を示すグラフ図である。
【図２０】トランジスタ型センサの出力電圧を示すグラフ図である。
【図２１】生体関連識別物質とダイヤモンドバイオセンサとの関係を示す模式図である。
【図２２】従来のトランジスタ型センサを示す図である。
【図２３】従来のダイオード型センサを示す図である。
【図２４】従来のマイクロアレイ型センサを示す図である。
【図２５】従来のＩＳＦＥＴを使用したグルコースセンサを示す図である。
【図２６】従来のサーミスタ型センサを示す図である。
【図２７】従来のヒータ内蔵型バイオセンサを示す図である。
【符号の説明】
３０、４０、５０、６１、７１、８１：基板
３１、４１、５２、６２、７２、８２：アンドープダイヤモンド下地膜
３２、４２：参照電極
３３、４３：対向電極
３４、４４：作用電極
３５、４５、５７、６８、７８、８５：生体関連識別物質
３６、４６、５８、６９、７９、８６：生体膜
３７：半導体ダイヤモンドヒータ
３８、４７、５９、６７、７７：アンドープダイヤモンド膜
５１：ゲート電極
５３、６３、７３、８７：半導体ダイヤモンド膜
５４、６０、６４、７４：ｐ＋層
５５ａ、５５ｂ、６５、７５：電極
５６、６６、７６：電気絶縁膜
８３：第１電極
８４：第２電極
【図１】
0003566377.tif 000009
【図２】
0003566377.tif 000010
【図３】
0003566377.tif 000011
【図４】
0003566377.tif 000012
【図５】
0003566377.tif 000013
【図６】
0003566377.tif 000014
【図７】
0003566377.tif 000015
【図８】
0003566377.tif 000016
【図９】
0003566377.tif 000017
【図１０】
0003566377.tif 000018
【図１１】
0003566377.tif 000019
【図１２】
0003566377.tif 000020
【図１３】
0003566377.tif 000021
【図１４】
0003566377.tif 000022
【図１５】
0003566377.tif 000023
【図１６】
0003566377.tif 000024
【図１７】
0003566377.tif 000025
【図１８】
0003566377.tif 000026
【図１９】
0003566377.tif 000027
【図２０】
0003566377.tif 000028
【図２１】
0003566377.tif 000029
【図２２】
0003566377.tif 000030
【図２３】
0003566377.tif 000031
【図２４】
0003566377.tif 000032
【図２５】
0003566377.tif 000033
【図２６】
0003566377.tif 000034
【図２７】
0003566377.tif 000035