(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
２枚の半導体ウェーハを張り合わせて形成され、小径の活性層用ウェーハ部と、活性層用ウェーハ部より大径の支持基盤用のウェーハ部とを有する張り合わせ半導体ウェーハにおいて、
上記支持基盤用のウェーハ部の外周縁の一部にノッチを形成するとともに、活性層用ウェーハ部にはノッチを形成していない張り合わせ半導体ウェーハ。
【請求項２】
上記活性層用ウェーハ部と支持基盤用のウェーハ部との間に絶縁層を設けた請求項１に記載の張り合わせ半導体ウェーハ。
【請求項３】
２枚の半導体ウェーハを重ね合わせる工程と、
重ね合わせた半導体ウェーハに所定の張り合わせ熱処理を施す工程と、
張り合わせた半導体ウェーハの一方側の半導体ウェーハ部分の外周面に面取りを施す工程と、
張り合わせた半導体ウェーハの残りの他方側の半導体ウェーハ部分にノッチを形成する工程と、を備えた張り合わせ半導体ウェーハの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は張り合わせ半導体ウェーハおよびその製造方法、詳しくはノッチを形成した張り合わせ半導体ウェーハおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のノッチ付き張り合わせ半導体ウェーハの製造方法を以下説明する。図４に示すように、２枚の鏡面シリコンウェーハ（少なくとも一方には酸化膜あり）を準備し（Ａ）、これらの鏡面同士を室温で重ね合わせる。次いで、所定の張り合わせ熱処理を施すことにより、張り合わせウェーハを得る（Ｂ）。そして、一方のウェーハ（活性層を形成するウェーハ）を研磨してその厚さを所定の厚みに形成すると同時に、その外周面にも所定の面取りを施す。例えば外周縁から３ｍｍの範囲の面取りを行う。さらに、ノッチ部分の第２の面取りを外周面に施す。この場合のノッチ面取りは基盤側ウェーハのみならず活性層側のウェーハにも施される（Ｃ）。そして、この後、面取り部分の化学的鏡面処理であるＣＣＲ（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｃｏｒｎｅｒ  ｒｏｕｎｄｉｎｇ）が施され、面取り面がエッチングされる。なお、この後、活性層ウェーハにはさらに所定の研削・研磨が施される（Ｄ）。そして、このシリコン活性層に所望のデバイスが形成されることとなる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような従来の張り合わせシリコンウェーハにあっては、図３に示すように、ノッチＶＮが活性層ウェーハ部分にまで形成されていたため、デバイス形成のための有効面積が縮小されているという課題を有していた。
【０００４】
また、このような従来の張り合わせシリコンウェーハの製造方法にあっては、活性層側のウェーハにもノッチ面取りを施すため、支持基盤側のウェーハの面取り面でのエッチング（ＣＣＲ）工程を必要とするという課題を有していた。
【０００５】
【発明の目的】
そこで、この発明の目的は、活性層でのデバイス形成用の有効面積を増大させる張り合わせシリコンウェーハを提供することである。また、この発明の目的は、ＣＣＲ工程を不要とした張り合わせシリコンウェーハの製造方法を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、２枚の半導体ウェーハを張り合わせて形成され、小径の活性層用ウェーハ部と、活性層用ウェーハ部より大径の支持基盤用のウェーハ部とを有する張り合わせ半導体ウェーハにおいて、上記支持基盤用のウェーハ部の外周縁の一部にノッチを形成するとともに、活性層用ウェーハ部にはノッチを形成していない張り合わせ半導体ウェーハである。
【０００７】
請求項２に記載の発明は、上記活性層用ウェーハ部と支持基盤用のウェーハ部との間に絶縁層を設けた請求項１に記載の張り合わせ半導体ウェーハである。
【０００８】
請求項３に記載の発明は、２枚の半導体ウェーハを重ね合わせる工程と、重ね合わせた半導体ウェーハに所定の張り合わせ熱処理を施す工程と、張り合わせた半導体ウェーハの一方側の半導体ウェーハ部分の外周面に面取りを施す工程と、張り合わせた半導体ウェーハの残りの他方側の半導体ウェーハ部分にノッチを形成する工程と、を備えた張り合わせ半導体ウェーハの製造方法である。
【０００９】
【作用】
請求項１・２に記載の張り合わせ半導体ウェーハにあっては、ノッチが支持基盤用のウェーハ部に形成されているため、活性層用のウェーハ部は全面をデバイス形成領域として使用することができる。デバイス形成領域を従来に比較して拡大することができる。
【００１０】
請求項３に記載の発明によれば、まず、例えば鏡面研磨した２枚の半導体ウェーハの鏡面同士を重ね合わせる。この場合、一方の半導体ウェーハ表面には絶縁膜を形成しておいてもよい。次に、重ね合わせた半導体ウェーハを例えばアニールする。この結果、張り合わせ半導体ウェーハが作製される。次に、この張り合わせ半導体ウェーハの一方側の半導体ウェーハ部分の外周面に面取りを施す。さらに、その残りの他方側の半導体ウェーハ部分にノッチを形成する。この結果、ノッチ付きの張り合わせ半導体ウェーハを形成することができる。この場合、他方側の半導体ウェーハ部分にはノッチ面取りの必要がなく、ＣＣＲ工程を省略することができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の一実施例を図面を参照して説明する。図１および図２はこの発明に係る張り合わせ半導体ウェーハの製造方法を示すものである。図１において示すように、まず、２枚のシリコンウェーハ（ＰＷ）１１、１２を準備し、一方のシリコンウェーハ１１の鏡面には二酸化シリコン膜１１Ａを被着しておく（Ａ）。また、これらのウェーハ１１、１２においてはそれぞれ外周縁部にノッチ（Ｖ字ノッチ）１６が形成されている。これらのシリコンウェーハ１１、１２同士において、ノッチを基準としてその二酸化シリコン膜と鏡面とを室温で重ね合わせる（Ｂ）。その結果、これらのシリコンウェーハ１１、１２同士は張り合わされて一体となり、張り合わせウェーハ１３が形成される。さらに、この張り合わせウェーハ１３に対しては所定の張り合わせ熱処理が施される。
【００１２】
次に、この張り合わせウェーハ１３において、活性層側のウェーハ部１４を研磨し、かつ、その外周縁部を例えば３ｍｍの幅で面取りする（Ｃ）。この結果、活性層側のウェーハ部１４のノッチは除去されることとなる。そして、支持基盤側のウェーハ部１５のノッチ１６に対しても面取り（ノッチ面取り）を施す。次いで、活性層側のウェーハ部１４を研削してその厚さを所望の値に形成し（Ｄ）、さらにこの研削面をメカノケミカル研磨することにより鏡面とする（Ｅ）。この結果、所望の張り合わせウェーハ１３を得ることができる。この張り合わせウェーハ１３には大径の支持基盤部１５にのみノッチ１６を形成してあることとなる。なお、支持基盤部１５にのみノッチ１６を形成したため、ノッチ面取りによりその支持基盤部１５の外周縁部はなめらかな面取り面として形成され、ＣＣＲ（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｃｏｒｎｅｒ  ｒｏｕｎｄｉｎｇ）を施す必要はない。なお、上記ノッチ面取りは不要とすることもできる。
【００１３】
次に、この張り合わせウェーハ１３にあっては、活性層部１４の表面の研削処理（Ｄ）、メカノケミカル研磨処理（Ｅ）が順番に施される。この結果、所定厚さの活性層１４を有するノッチ付き張り合わせウェーハ１３を作製することができることとなる（Ｆ）。
【００１４】
図２（Ａ），（Ｂ）には、このようにして作製した張り合わせウェーハ１３を示している。この張り合わせウェーハ１３にあっては、活性層側１４にはノッチ１６を形成していないため、その全面をデバイス形成領域として有効に活用することができる。
【００１５】
【発明の効果】
この発明によれば、活性層でのデバイス形成用の有効面積を増大させることができる。また、張り合わせ半導体ウェーハの製造工程において、鏡面面取り工程（ＰＣＲ・ＣＣＲ）を不要とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施例に係る張り合わせ半導体ウェーハの製造方法を示すその工程の流れ図である。
【図２】この発明に一実施例に係る張り合わせ半導体ウェーハを示す図である。
【図３】従来の張り合わせ半導体ウェーハを示す平面図である。
【図４】従来の張り合わせ半導体ウェーハの製造方法を示すその工程の流れ図である。
【符号の説明】
１１、１２  シリコンウェーハ、
１１Ａ  絶縁膜（二酸化シリコン膜）、
１３  張り合わせウェーハ、
１４  活性層側ウェーハ部、
１５  支持基盤側ウェーハ部、
１６  ノッチ。
【図１】
0003573233.tif 000002
【図２】
0003573233.tif 000003
【図３】
0003573233.tif 000004
【図４】
0003573233.tif 000005