【事件の表示】
　平成　７年特許願第３５３９１５号「集積回路ダイ及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　８年１０月１１日出願公開、特開平　８−２６４７８５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成７年１２月２８日（パリ条約による優先権主張１９９４年１２月３０日、アメリカ合衆国）の出願であって、平成１９年１１月１３日付けで拒絶査定がなされ、これに対して平成２０年２月１４日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、手続補正がなされたものである。
　
第２　平成２０年２月１４日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）について
［補正却下の決定の結論］
　平成２０年２月１４日付けの手続補正を却下する。
［理由］
１．本件補正の内容
　本件補正は、補正前の請求項１ないし３５を、補正後の請求項１ないし２９と補正するものであって、補正前の請求項１、５、６、１０ないし１３、１６、２１、３０ないし３３と、補正後の請求項１、２、９、１７及び１８は以下のとおりである。
（補正前の請求項１、５、６、１０ないし１３、１６、２１、３０ないし３３）
「【請求項１】集積回路ダイであって、
　半導体物質よりなる、上面を有する基板と、
　前記上面上に、前記上面と実質的に平行に、所定の長さを有して延在する導電経路と、
　前記導電経路の表面上に形成され、前記導電経路をその全長に渡って覆うように、前記基板の前記上面と実質的に平行に、所定の長さを有して延在する金属ストラップと、
　当該ダイの上面の一部を形成するパッシベーション層とを含み、
　前記導電経路と前記金属ストラップは、前記基板の前記上面と実質的に平行して電流を流すためのものであり、
　前記パッシベーション層が前記金属ストラップの前記上面に重ならないように、前記金属ストラップの前記上面は、前記パッシベーション層の上面よりも上の所定の高さに配置されることを特徴とする集積回路ダイ。」
「【請求項５】前記金属ストラップが前記導電経路と接触する接着層を含んでいることを特徴とする請求項１に記載の集積回路ダイ。」
「【請求項６】前記接着層がチタンを含んでいることを特徴とする請求項５に記載の集積回路ダイ。」
「【請求項１０】前記第２金属層が更に第３導電経路を含んでおり、
　前記第１金属層が更に、
　前記第２導電経路と概ね平行な第４導電経路と、
　前記第３導電経路と前記第４導電経路との間に延在して前記第３導電経路と前記第４導電経路との間に導電経路を形成する第２バイアとを含んでいることを特徴とする請求項９に記載の集積回路ダイ。」
「【請求項１１】前記第１金属層が更に第５導電経路と、
　前記第５導電経路と前記導電経路との間に延在する第３バイアとを含んでいることを特徴とする請求項９に記載の集積回路ダイ。」
「【請求項１２】前記第２導電経路及び前記第５導電経路間の所定のピッチが、前記導電経路及び前記第３導電経路間の所定のピッチよりも小さくなるようにすることを特徴とする請求項１１に記載の集積回路ダイ。」
「【請求項１３】前記第１金属層が前記第２導電経路及び前記第５導電経路の間に第６導電経路を含んでおり、
　前記第６導電経路は前記第２導電経路及び前記第５導電経路のいずれにも導通していないことを特徴とする請求項１１に記載の集積回路ダイ。」
「【請求項１６】前記接着層が亜鉛を含んでいることを特徴とする請求項５に記載の集積回路ダイ。」
「【請求項２１】集積回路ダイの製造方法であって、
　半導体基板内に半導体デバイスを形成する過程と、
　前記基板上に絶縁層を形成する過程と、
　前記絶縁層を通過するバイアを形成する過程と、
　前記絶縁層上に導電経路を形成し、前記バイアを介して前記半導体デバイスとの電気的コンタクトを形成する過程と、
　前記絶縁層及び前記導電経路上にパッシベーション層を形成する過程と、
　前記パッシベーション層をエッチングして前記導電経路の上に縦方向溝を形成し、前記導電経路の露出面を生成する過程と、
　無電解めっきによる比較的厚い金属層の形成を含み、前記導電経路の全長を覆って、前記パッシベーション層の上面よりも上の所定の高さに配置される上面を有するように、前記露出面上に金属ストラップを形成する過程とを含むことを特徴とする集積回路ダイの製造方法。」
「【請求項３０】前記金属ストラップの形成過程が、前記パッシベーション層のエッジにオーバラップする接着層の形成を含んでいることを特徴とする請求項２１に記載の方法。」
「【請求項３１】前記接着層の形成過程が、前記露出面と前記パッシベーション層の上に金属層を形成する過程と、
　前記金属層をエッチングして前記縦方向溝より大きいサイズになるように形成する過程を含むことを特徴とする請求項３０に記載の方法。」
「【請求項３２】前記接着層がチタンを含んでいることを特徴とする請求項３１に記載の方法。」
「【請求項３３】前記接着層が亜鉛を含んでいることを特徴とする請求項３１に記載の方法。」
（補正後の請求項１、２、９、１７及び１８）
「【請求項１】
　集積回路ダイであって、
　半導体物質よりなる、上面を有する基板と、
　前記上面上に、前記上面と平行に、所定の長さを有して延在する導電経路と、
　前記導電経路の表面上に形成され、前記導電経路をその全長に渡って覆うように、前記基板の前記上面と平行に、所定の長さを有して延在する金属ストラップと、
　当該ダイの上面の一部を形成するパッシベーション層とを含み、
　前記導電経路と前記金属ストラップは、前記基板の前記上面と平行して電流を流すためのものであり、
　前記パッシベーション層が前記金属ストラップの前記上面に重ならないように、前記金属ストラップの前記上面は、前記パッシベーション層の上面よりも上の所定の高さに配置され、
　前記金属ストラップが前記導電経路と接触する接着層を含んでいることを特徴とする集積回路ダイ。」
「【請求項２】
　前記導電経路の側縁が前記金属ストラップの側縁を越えて横方向に延在しており、前記パッシベーション層が前記導電経路の前記表面の一部を覆っていることを特徴とする請求項１に記載の集積回路ダイ。」
「【請求項９】
　前記第２金属層が更に第３導電経路を含んでおり、
　前記第１金属層が更に、
　前記第２導電経路と平行な第４導電経路と、第５導電経路と、第６導電経路と、第２バイアと、第３バイアとを含み、
　前記第１金属層において、
　前記第２バイアが、前記第３導電経路と前記第４導電経路との間に延在して前記第３導電経路と前記第４導電経路との間に導電経路を形成するようにし、
　前記第３バイアが、前記導電経路と前記第５導電経路との間に延在し、
　前記第６導電経路が、前記第２導電経路及び前記第５導電経路のいずれにも導通しないようにして、前記第２導電経路及び前記第５導電経路の間に配置され、
　前記第１金属層の前記第２導電経路及び前記第５導電経路間のピッチが、前記第２金属層の前記導電経路及び前記第３導電経路間のピッチよりも小さいことを特徴とする請求項８に記載の集積回路ダイ。」
「【請求項１７】
　集積回路ダイの製造方法であって、
　半導体基板内に半導体デバイスを形成する過程と、
　前記基板上に絶縁層を形成する過程と、
　前記絶縁層を通過するバイアを形成する過程と、
　前記絶縁層上に導電経路を形成し、前記バイアを介して前記半導体デバイスとの電気的コンタクトを形成する過程と、
　前記絶縁層及び前記導電経路上にパッシベーション層を形成する過程と、
　前記パッシベーション層をエッチングして前記導電経路の上に縦方向溝を形成し、前記導電経路の露出面を生成する過程と、
　無電解めっきによる厚い金属層の形成を含み、前記導電経路の全長を覆って、前記パッシベーション層の上面よりも上の所定の高さに配置される上面を有するように、前記露出面上に金属ストラップを形成する過程とを含み、
　前記金属ストラップの形成過程が、前記パッシベーション層のエッジにオーバラップする接着層の形成を含み、
　前記接着層の形成過程が、前記露出面と前記パッシベーション層の上に金属層を形成する過程と、前記金属層をエッチングして前記縦方向溝より大きいサイズになるように形成する過程とを含み、
　前記接着層が形成される領域が、前記金属ストラップが形成される領域を確定するようにすることを特徴とする集積回路ダイの製造方法。」
「【請求項１８】
　前記パッシベーション層のエッチング過程がウェットエッチングによって行われることを特徴とする請求項１７に記載の方法。」
　
２．本件補正についての検討
（１）補正前の請求項１ないし２０、３４及び３５について
（ア）補正前の請求項１ないし２０、３４及び３５と補正後の請求項１ないし１６、２８及び２９とは、１対１に対応しているとは言えないが、補正前の請求項１が補正後の請求項１に対応するものとみて検討する。補正前の請求項１についてなされた補正は、補正前の請求項１の「実質的に平行」を、補正後の請求項１の「平行」とし、同じく、補正前の請求項１の「前記金属ストラップの前記上面は、前記パッシベーション層の上面よりも上の所定の高さに配置されることを特徴とする集積回路ダイ。」を、補正後の請求項１の「前記金属ストラップの前記上面は、前記パッシベーション層の上面よりも上の所定の高さに配置され、　前記金属ストラップが前記導電経路と接触する接着層を含んでいることを特徴とする集積回路ダイ。」とするものであり、実質的に、補正前の請求項１に記載された発明を特定する事項に、「接着層」という発明を特定する事項を新たに追加する補正を含むものであり、特許法第３６条第５項の規定により請求項に記載した発明を特定するために必要な事項を限定する補正ではない。また、補正前の請求項１に記載された発明が解決しようとする課題は、「導電経路」の抵抗を小さくすることであったのに対し、補正前の請求項１に記載された発明を特定する事項に「接着層」を追加する補正により、補正後の請求項１に係る発明が解決しようとする課題は、「導電経路」の抵抗を小さくすること、及び、「導電経路」と「金属ストラップ」との接着を強めることとなり、補正前の請求項１に記載された発明とその補正後の請求項１に記載される発明とが解決しようとする課題は同一のものではなくなった。よって、補正前の請求項１についてなされた補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当しない。さらに、補正前の請求項１についてなされた上記補正が、特許法第１７条の２第４項第１号、第３号及び第４号に掲げる請求項の削除、誤記の訂正及び明りょうでない記載の釈明のいずれの事項を目的とするものにも該当しないことは明らかである。
　次に、補正前の請求項２ないし２０、３４及び３５のうち実質的にみて、補正前の請求項１を引用する補正前の請求項５が、補正後の請求項１に対応するものとみて検討すると、補正前の請求項５についてなされた補正は、実質的に、補正前の請求項５が引用する補正前の請求項１の「実質的に平行」を「平行」とするとともに、補正前の請求項１を削除するものであり、特許法第１７条の２第４項第１号及び第４号に掲げる請求項の削除及び明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。しかし、この場合、補正前の請求項５に係る発明の発明特定事項をすべて含む発明は補正前の請求項６及び１６に係る発明のみであるのに対し、補正後の請求項１に係る発明の発明特定事項をすべて含む発明は、請求項２ないし１６、２８及び２９に係る発明になっており、そのうち請求項２ないし４、６ないし１１、１３ないし１６、２８及び２９に係る発明は、補正前の請求項に対応するものがなく、新たに追加されたものである。よって、請求項を新たに追加する補正を含む上記補正は、特許法第１７条の２第４項各号に掲げるいずれの事項を目的とするものにも該当しない。
　したがって、補正後の請求項１が、補正前の請求項１または５のいずれに対応するものとみても、補正後の請求項１とする補正は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たさない補正を含むものである。
（イ）さらに、補正後の請求項９は、補正前の請求項１０ないし１３に記載された発明を特定する事項を全て含むものであるが、補正前の請求項１０ないし１３に記載された発明を特定する事項をすべて含む補正前の請求項はないから、補正後の請求項９は、補正前の請求項に対応するものがない。よって、補正後の請求項９は新たに追加されたものであり、請求項を新たに追加する補正を含む上記補正は、特許法第１７条の２第４項各号に掲げるいずれの事項を目的とするものにも該当しない。
　仮に、補正前の請求項１０ないし１３のうち実質的にみて、補正前の請求項１０が補正後の請求項９に対応するものとみても、補正前の請求項１０を補正後の請求項９とする補正は、補正前の請求項１０に記載された発明を特定する事項に、「第５導電経路」、「第６導電経路」、及び「第３バイア」という発明を特定する事項を新たに追加するものであり、特許法第３６条第５項の規定により請求項に記載した発明を特定するために必要な事項を限定するものではないから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当しない。また、補正前の請求項１０ないし１３のうち実質的にみて、補正前の請求項１２が補正後の請求項９に対応するものとみても、補正前の請求項１２を補正後の請求項９とする補正は、補正前の請求項１２に記載された発明を特定する事項に、「第６導電経路」という発明を特定する事項を新たに追加するものであり、特許法第３６条第５項の規定により請求項に記載した発明を特定するために必要な事項を限定するものではないから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当しない。さらに、補正前の請求項１０ないし１３のうち実質的にみて、補正前の請求項１３が補正後の請求項９に対応するものとみても、補正前の請求項１３を補正後の請求項９とする補正は、補正前の請求項１３に記載された発明を特定する事項に、「第３導電経路」、「第４導電経路」及び「第２バイア」という発明を特定する事項を新たに追加するものであり、特許法第３６条第５項の規定により請求項に記載した発明を特定するために必要な事項を限定するものではないから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当しない。さらに、補正後の請求項９が、補正前のいずれの請求項に対応するものとみても、補正後の請求項９についてなされた補正が、特許法第１７条の２第４項第１号、第３号及び第４号に掲げる請求項の削除、誤記の訂正及び明りょうでない記載の釈明のいずれの事項を目的とするものにも該当しないことは明らかである。
　したがって、補正後の請求項９が、補正前の請求項１０、１２または１３のいずれに対応するものとみても、補正後の請求項９とする補正は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たさないものである。
（ウ）したがって、上記（ア）及び（イ）において検討したとおり、補正後の請求項１及び９が、補正前のいずれの請求項に対応するものとみても、補正後の請求項１及び９とする補正を含む、補正前の請求項１ないし２０、３４及び３５を補正後の請求項１ないし１６、２８及び２９とする補正は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たさないものである。
（２）補正前の請求項２１ないし３３について
　補正前の請求項２１ないし３３と補正後の請求項１７ないし２７とは、１対１に対応しているとは言えないが、補正前の請求項２１が補正後の請求項１７に対応するものとみて検討する。補正前の請求項２１についてなされた補正は、補正前の請求項２１の「比較的厚い」を補正後の請求項１７の「厚い」とし、同じく補正前の請求項２１の「前記露出面上に金属ストラップを形成する過程とを含むことを特徴とする集積回路ダイの製造方法。」を、補正後の請求項１７の「前記露出面上に金属ストラップを形成する過程とを含み、　前記金属ストラップの形成過程が、前記パッシベーション層のエッジにオーバラップする接着層の形成を含み、　前記接着層の形成過程が、前記露出面と前記パッシベーション層の上に金属層を形成する過程と、前記金属層をエッチングして前記縦方向溝より大きいサイズになるように形成する過程とを含み、　前記接着層が形成される領域が、前記金属ストラップが形成される領域を確定するようにすることを特徴とする集積回路ダイの製造方法。」とするものであり、補正前の請求項２１に記載された発明を特定する事項に、「前記露出面と前記パッシベーション層の上に金属層を形成する」工程及び「前記金属層をエッチングして前記縦方向溝より大きいサイズになるように形成する」工程という発明を特定する事項を新たに追加する補正を含むものであり、特許法３６条第５項の規定により請求項に記載した発明を特定するために必要な事項を限定するものではないから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当しない。また、補正前の請求項２１についてなされた上記補正が、特許法第１７条の２第４項第１号、第３号及び第４号に掲げる請求項の削除、誤記の訂正及び明りょうでない記載の釈明のいずれの事項を目的とするものにも該当しないことは明らかである。
　次に、補正前の請求項２２ないし３３のうち実質的にみて、補正前の請求項２１を引用する補正前の請求項３０を引用する補正前の請求項３１が、補正後の請求項１７に対応するものとみて検討する。補正前の請求項３１についてなされた補正は、補正前の請求項３１が引用する補正前の請求項３０が引用する補正前の請求項２１の「比較的厚い」を、補正後の請求項１７の「厚い」とし、補正前の請求項２１、３０及び３１に記載された発明を特定する事項である「接着層」について、「前記接着層が形成される領域が、前記金属ストラップが形成される領域を確定するようにする」ことを特定し、請求項２１及び請求項３０を削除するものであり、特許法第１７条の２第４項第１号、第２号及び第４号に掲げる請求項の削除、特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。しかし、この場合、補正前の請求項３１に記載された発明を特定する事項をすべて含む発明は補正前の請求項３２及び３３に係る発明のみであるのに対し、補正後の請求項１７に記載された発明を特定する事項をすべて含む発明は、請求項１８ないし２７に係る発明になっており、そのうち請求項１８ないし２５に係る発明については、補正前の請求項に対応するものがなく、新たに追加されたものである。よって、請求項を新たに追加する補正を含む、補正前の請求項２１ないし３３についてなされた補正は、特許法第１７条の２第４項各号に掲げるいずれの事項を目的とするものにも該当しない。
　したがって、補正後の請求項１７が、補正前の請求項２１または３１のいずれに対応するものとみても、補正後の請求項１７とする補正を含む、補正前の請求項２１ないし３３を補正後の請求項１７ないし２７とする補正は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たさないものである。
　
３．小むすび
　したがって、上記「第２　２．（１）補正前の請求項１ないし２０、３４及び３５について」及び「第２　２．（２）補正前の請求項２１ないし３３について」において検討したとおり、補正前の請求項１ないし２０、３４及び３５を補正後の請求項１ないし１６、２８及び２９とし、補正前の請求項２１ないし３３を補正後の請求項１７ないし２７とする本件補正は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たさないものであるから、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
第３　本願発明
　平成２０年２月１４日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし３３に係る発明は、平成１８年１２月６日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし３３に記載された事項により特定されるものであり、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、その請求項１に記載されている事項により特定される以下のとおりのものである。
「【請求項１】集積回路ダイであって、
　半導体物質よりなる、上面を有する基板と、
　前記上面上に、前記上面と実質的に平行に、所定の長さを有して延在する導電経路と、
　前記導電経路の表面上に形成され、前記導電経路をその全長に渡って覆うように、前記基板の前記上面と実質的に平行に、所定の長さを有して延在する金属ストラップと、
　当該ダイの上面の一部を形成するパッシベーション層とを含み、
　前記導電経路と前記金属ストラップは、前記基板の前記上面と実質的に平行して電流を流すためのものであり、
　前記パッシベーション層が前記金属ストラップの前記上面に重ならないように、前記金属ストラップの前記上面は、前記パッシベーション層の上面よりも上の所定の高さに配置されることを特徴とする集積回路ダイ。」
　
第４　刊行物に記載された発明
（１）刊行物１．特開昭６０−２２５４６７号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物である特開昭６０−２２５４６７号公報（以下、「刊行物１」という。）には、第１図及び第２図とともに以下の事項が記載されている。
「２．特許請求の範囲
　（１）１つの伝導型の半導体基板と、該基板の１つの表面から広がっている反対の伝導型を有する第１の領域と、該第１の領域内に反対の伝導型を有する第２の領域と、前記第１及び第２の領域が形成するＰＮ接合と、前記第１の領域と基板とが形成するＰＮ接合の両者を被覆する第１の絶縁層と、該絶縁層上に形成される導電性物質と、その導電性物質を取り囲むように積層された第２の絶縁層で構成され、前記導電物質の一部分を電気的に接続したゲート電極と該第１及び第２の領域が電気的に接続されたソース電極が２層配線によって該基板の一方の表面に配置され、他方の表面で半導体基板と電気的に接続したドレイン電極を有する縦型ＭＯＳゲート入力半導体装置において、上記ソース電極の一部にさらに厚い膜厚を有する第２の導電体物質を積層し、該導電体物質はソース拡散領域の上から第２の絶縁層を超えて、電流取り出し方向に対して直交するように配置し、ソースのボンディングパッドへ延長したことを特徴とする縦型ＭＯＳゲート入力半導体装置。」（第１頁左下欄第４行ないし同頁右下欄第４行）
「このため大面積のＭＯＳゲート入力半導体装置に電流を流すと、ソースボンディングパッドに遠いソース電極からの電流が、ソースボンディングパッドに近い場所の膜厚が薄い部分に全部流れ込む。この時その部分の抵抗が大きいため、電流密度が高くなるにつれて発熱し、電極が溶融して複数に分割されたソース拡散領域の全域からの電流を取り出せなくなり、順電圧降下ＶＦが異常に高くなって、ＭＯＳゲート入力半導体装置の電気的特性が劣化する。」（第２頁左上欄第１０行ないし第１９行）
「［発明の目的］
　この発明は上記の点に鑑み、ソース電極の一部領域に導電体物質を積層して抵抗を下げ、大電流を高速にスイッチング動作させる事を可能にした縦型ＭＯＳゲート入力半導体装置を提供するものである。
［発明の概要］
　この発明の基本的な構成の平面図を第１図に、そのＡ−Ａ’断面図を第２図に示す。図中１はｎ＋型Ｓｉ基板であり、その上にドレイン領域となるｎ−層２が設けられ、このｎ−層２に二重拡散によってｐ型ベース領域３とｎ＋型ソース領域４が自己整合的に形成されている。・・・この埋込みゲート電極６にはソース領域４からの電極取出しのための孔があけられており、埋込みゲート電極６上に更にシリコン酸化膜７を介して、各ソース領域４にコンタクトするソース金属電極８及び埋込みゲート電極６にコンタクトするゲート金属電極９が配設されている。図から明らかなように、この構造はソース金属電極８の下に複数のソース領域が設けられ、かつゲート金属電極９へコンタクトする埋込みゲート電極６がソース金属電極８下に配設されている。さらにソース金属電極８の上にさらに膜厚の厚い第２の導電体物質１１を第１図に示すように電流取り出し方向に対して直交するように積層配置してある。」（第２頁右上欄第２行ないし同頁左下欄第９行）
「［発明の実施例］
　第１図のような構造を得るための製造方法の一実施例を説明する。・・・次に全面にＣＶＤ法によりシリコン酸化膜７を約２μｍ堆積し、ゲート電極を埋込み、後につけるソース金属電極とソース領域とのコンタクトをとるべき部分及びゲート金属電極と多結晶シリコン膜とのコンタクトをとるべき一部分をＰＥＰ技術によて選択的にエッチングする。その後Ａｌ膜を５μｍ蒸着し、パターニングの工程を経てソース領域４にコンタクトするソース金属電極８と埋込みゲート電極６にコンタクトするゲート電極９に分割する。さらに全面にＣＶＤ法によりシリコン酸化膜１０を堆積しソース金属電極とゲート金属電極間の絶縁膜とし不要な部分を選択的に除去した後、最後に第１図に示すように、たとえばメタルマスクを使って第２の導電体物質としてＡｌ膜１１を１０〜１５μｍの厚さに形成して完成する。
　又、第２図に示した１２はソース電極のボンディングパッドと外部電極端子へ接続されたボンディング線，１３はゲート電極のボンディングパッドと外部電極端子へ接続されたボンディング線を示してある。」（第２頁左下欄第１１行ないし同頁右下欄第２０行）
「［発明の効果］
　このような構成とすれば、ソース金属電極中で電流を取り出す際に電流が集中する場所の抵抗を下げる事ができるから大電流を流すことが容易になる。」（第３頁左上欄第１行ないし第５行）
　
（ア）刊行物１の第２図より、「ｎ＋型Ｓｉ基板１」が「上面」を有し、当該「上面」に「ソース金属電極８」及び「第２の導電体物質１１」が形成されることは明らかである。
（イ）刊行物１の「このため大面積のＭＯＳゲート入力半導体装置に電流を流すと、ソースボンディングパッドに遠いソース電極からの電流が、ソースボンディングパッドに近い場所の膜厚が薄い部分に全部流れ込む。」（第２頁左上欄第１０行ないし１４行）との記載、「ソース金属電極８の下に複数のソース領域が設けられ」（第２頁左下欄第３行及び第４行）との記載、「又、第２図に示した１２はソース電極のボンディングパッドと外部電極端子へ接続されたボンディング線」（第２頁右下欄第１６行ないし第１７行）との記載、及び第２図より、刊行物１に記載の「ソース金属電極８」が「ｎ＋型Ｓｉ基板１」の上面上に形成され、複数の「ソース領域４」の上から「ボンディングパッド」が形成される領域まで延長することは明らかである。また、「ソース金属電極８」及び「第２の導電体物質１１」が、「ソース領域４」と「ボンディングパッド」との間に電流を流すものであることも明らかである。
（ウ）刊行物１の「該導電体物質はソース拡散領域の上から第２の絶縁層を超えて、電流取り出し方向に対して直交するように配置し、ソースのボンディングパッドへ延長した」（第１頁左下欄第２０行ないし同頁右下欄第３行）との記載より、「第２の導電体物質１１」が「複数のソース領域４」の上から「ボンディングパッド」が形成される領域まで延長することは明らかである。
（エ）刊行物１の第２図より、「シリコン酸化膜１０」が「第２の導電体物質１１」の上面に重ならず、「第２の導電体物質１１」の上面は、「シリコン酸化膜１０」の上面よりも上の高さに配置されることは明らかである。
　
　したがって、刊行物１には、以下の発明（以下、「刊行物発明」という。）が記載されている。
「縦型ＭＯＳゲート入力半導体装置であって、
　上面を有するｎ＋型Ｓｉ基板１と、
　前記上面上に、前記上面に形成された複数のソース領域４の上からボンディングパッドが形成される領域まで延長するソース金属電極８と、
　前記ソース金属電極８の上に積層配置され、前記複数のソース領域４の上から前記ボンディングパッドが形成される領域まで延長する第２の導電体物質１１と、
　前記縦型ＭＯＳゲート入力半導体装置の上面に形成され、前記ソース金属電極８とゲート電極間の絶縁膜となるシリコン酸化膜１０とを含み、
　前記ソース金属電極８と前記第２の導電体物質１１は、前記ソース領域４とボンディングパッドとの間に電流を流すためのものであり、
　前記シリコン酸化膜１０が前記第２の導電体物質１１の上面に重ならず、前記第２の導電体物質１１の上面は、前記シリコン酸化膜１０の上面よりも上の高さに配置されることを特徴とする縦型ＭＯＳゲート入力半導体装置。」
　
第５　当審の判断
　１．対比
　本願発明と刊行物発明とを対比する。
（ア）刊行物発明の「縦型ＭＯＳゲート入力半導体装置」は、共通のチップを構成する「ｎ＋型Ｓｉ基板１」に設けられた複数の「ソース領域４」から「ソース金属電極８」を介して電流を取出すものであるから、本願発明の「集積回路ダイ」に相当する。
（イ）刊行物発明の「上面を有するｎ＋型Ｓｉ基板１」は、本願発明の「半導体物質よりなる、上面を有する基板」に相当する。
（ウ）刊行物発明の「ソース領域４」及び「ボンディングパッド」は、「ｎ＋型Ｓｉ基板１」の「上面」に沿って離れて配置されるものであるから、「前記上面に形成された複数のソース領域４の上からボンディングパッドが形成される領域まで延長するソース金属電極８」が、「ｎ＋型Ｓｉ基板１」の「上面」と実質的に平行に延在することは明らかである。また、「ソース金属電極８」が所定の長さを有することも明らかである。よって、刊行物発明の「前記上面に形成された複数のソース領域４の上からボンディングパッドが形成される領域まで延長するソース金属電極８」は、本願発明の「前記上面と実質的に平行に、所定の長さを有して延在する導電経路」に相当する。
（エ）刊行物発明の「ソース領域４」及び「ボンディングパッド」は、「ｎ＋型Ｓｉ基板１」の「上面」に沿って離れて配置されるものであるから、「前記複数のソース領域４の上から前記ボンディングパッドが形成される領域まで延長する第２の導電体物質１１」が、「ｎ＋型Ｓｉ基板１」の「上面」と実質的に平行に延在することは明らかである。また、刊行物発明の「第２の導電体物質１１」が、所定の長さを有することは明らかである。よって、刊行物発明の「前記ソース金属電極８の上に積層配置され、前記複数のソース領域４の上から前記ボンディングパッドが形成される領域まで延長する第２の導電体物質１１」は、本願発明の「前記導電経路の表面上に形成され、前記基板の前記上面と実質的に平行に、所定の長さを有して延在する金属ストラップ」に相当する。
（オ）刊行物発明の「ソース領域４」及び「ボンディングパッド」は、「ｎ＋型Ｓｉ基板１」の「上面」に沿って離れて配置されるものであり、また、「前記ソース金属電極８と前記第２の導電体物質１１」は、共に、「ソース領域４とボンディングパッドとの間に電流を流すためのもの」であるから、「前記ソース金属電極８と前記第２の導電体物質１１」が「ｎ＋型Ｓｉ基板１」の「上面」と実質的に平行して電流を流すことは明らかである。よって、刊行物発明の「前記ソース金属電極８と前記第２の導電体物質１１は、前記ソース領域４とボンディングパッドとの間に電流を流すためのもの」である構造は、本願発明の「前記導電経路と前記金属ストラップは、前記基板の前記上面と実質的に平行して電流を流すためのもの」である構造に相当する。
（カ）刊行物発明の「シリコン酸化膜１０」は、その開口部に「第２の導電性物質１１」及び「ボンディングパッド」が積層されるから、「ｎ＋型Ｓｉ基板１」上に形成される絶縁膜の最上層であることは明らかであり、本願発明の「パッシベーション層」に相当する。そして、刊行物発明の「前記シリコン酸化膜１０が前記第２の導電体物質１１の上面に重ならず、前記第２の導電体物質１１の上面は、前記シリコン酸化膜１０の上面よりも上の高さに配置される」構造は、本願発明の「前記パッシベーション層が前記金属ストラップの前記上面に重ならないように、前記金属ストラップの前記上面は、前記パッシベーション層の上面よりも上の所定の高さに配置される」構造に相当する。
　
　よって、本願発明と刊行物発明とは、
「集積回路ダイであって、
　半導体物質よりなる、上面を有する基板と、
　前記上面上に、前記上面と実質的に平行に、所定の長さを有して延在する導電経路と、
　前記導電経路の表面上に形成され、前記基板の前記上面と実質的に平行に、所定の長さを有して延在する金属ストラップと、
　当該ダイの上面の一部を形成するパッシベーション層とを含み、
　前記導電経路と前記金属ストラップは、前記基板の前記上面と実質的に平行して電流を流すためのものであり、
　前記パッシベーション層が前記金属ストラップの前記上面に重ならないように、前記金属ストラップの前記上面は、前記パッシベーション層の上面よりも上の所定の高さに配置されることを特徴とする集積回路ダイ。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
〈相違点１〉
　本願発明は、「金属ストラップ」が「前記導電経路をその全長に渡って覆うように、前記基板の前記上面と実質的に平行に、所定の長さを有して延在する」のに対して、刊行物発明は、「第２の導電体物質１１」は、「前記複数のソース領域４の上から前記ボンディングパッドが形成される領域まで延長する」ものの、「ソース金属電極８」をその全長に渡って覆うことが特定されていない点。
　
２．相違点の検討
　以下、相違点について検討する。
〈相違点１について〉
　一般に、集積回路の電極における電流が流れる経路の抵抗を小さくすることは、周知の技術課題であり、刊行物発明においても、「ソース領域４」から大きな電流を取出すことを目的としているから、「ソース領域４」から取り出した電流が流れる経路全域の抵抗を小さくすることは、当業者ならば当然考慮すべきことである。そして、刊行物発明において、「第２の導電物質１１」は、「ソース領域４」から取り出した電流が流れる場所の抵抗を下げるためのものであるから、「ソース領域４」から取出した電流が流れる領域の全域に「前記複数のソース領域４の上から前記ボンディングパッドが形成される領域まで延長する第２の導電体物質１１」を形成し、本願発明の如く、「前記導電経路をその全長に渡って覆うように前記基板の前記上面と実質的に平行に、所定の長さを有して延在する」構造とすることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　
　したがって、本願発明は、刊行物１に記載された発明に基づき当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項に該当し、特許を受けることができないものである。
　
第６　むすび
　以上のとおりであるから、本願は、請求項２ないし３５に係る発明について検討するまでもなく拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。