【手続補正書】
【提出日】平成27年8月3日(2015.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子であって、
バルク結晶ＡｌＮ基板と、
前記バルク結晶ＡｌＮ基板上に成長させた前記発光素子の第１のヘテロ構造であって、前記第１のヘテロ構造は、第１の表面と、エッチング低減層と、第２の表面とを有しており、前記第１の表面は前記発光素子及び前記第２の表面のヘテロエピタキシャル成長の初期表面であり、前記第１のヘテロ構造は、ＡｌＧａＮエッチング低減層を有し、前記エッチング低減層は、前記ヘテロエピタキシャル成長の初期表面を含む、第１のヘテロ構造と、
前記第１のヘテロ構造の前記第２の表面の真上にエピタキシャル成長させた発光層と、
前記発光層の真上にエピタキシャル成長させた第２のヘテロ構造と、
を含み、
前記バルク結晶ＡｌＮ基板は前記ヘテロエピタキシャル成長の初期表面の大部分に渡って前記発光素子から実質的に除去され、エッチングされた表面を有する薄膜化されたＡｌＮ層を残し、
前記第１のヘテロ構造における、前記ヘテロエピタキシャル成長の初期表面の約１００ｎｍ以内の部分に渡って欠陥密度は１０８ｃｍ−３未満である、
発光素子。
【請求項２】
前記第１のヘテロ構造はｎ型へテロ構造であり、前記第２のヘテロ構造はｐ型ヘテロ構造である、請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記第１のヘテロ構造は約８０％未満のアルミニウムモル分率を有するＡｌＧａＮを含む、請求項１に記載の発光素子。
【請求項４】
前記エッチング低減層は約７０％〜約８０％の範囲のアルミニウムモル分率を有するＡｌＧａＮを含む、請求項１に記載の発光素子。
【請求項５】
前記第１のヘテロ構造、前記第２のヘテロ構造、および前記発光層は、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＮ、ＧａＮ、およびＩｎＡｌＧａＮの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の発光素子。
【請求項６】
前記発光素子は約２００ｎｍ〜約３６５ｎｍの波長範囲の光を放つように構成されている、請求項１に記載の発光素子。
【請求項７】
前記第１のヘテロ構造は前記バルク結晶ＡｌＮ基板上に成長させた、次に除去されるＡｌＧａＮ遷移領域を含む、請求項１に記載の発光素子。
【請求項８】
前記発光素子から放たれた光は前記第１のヘテロ構造を介して移動する、請求項１に記載の発光素子。
【請求項９】
前記発光素子から放たれた光は前記第２のヘテロ構造を介して移動する、請求項１に記載の発光素子。
【請求項１０】
光はウェハ面に平行な方向に放たれる、請求項１に記載の発光素子。
【請求項１１】
前記ヘテロエピタキシャル成長の初期表面はテクスチャリングされている、請求項１に記載の発光素子。
【請求項１２】
前記発光素子が垂直方向の電気的注入ＬＥＤを備える、請求項１に記載の発光素子。
【請求項１３】
前記発光素子がレーザを備える、請求項１に記載の発光素子。
【請求項１４】
前記ヘテロエピタキシャル成長の初期表面に電極が形成されている、請求項１３に記載の発光素子。
【請求項１５】
前記第２のヘテロ構造の近傍に配置するヒートシンクを更に備える、請求項１３に記載の発光素子。
【請求項１６】
発光素子であって、
バルクＡｌＮ基板と、
前記バルクＡｌＮ基板上にエピタキシャル成長させた第１のヘテロ構造であって、前記発光素子のヘテロエピタキシャル成長の初期表面、及び第２の表面を備え、前記第１のヘテロ構造は、前記ヘテロエピタキシャル成長の初期表面を含むＡｌＧａＮエッチング停止層を有する、第１のヘテロ構造と、
前記第１のヘテロ構造の前記第２の表面の真上にエピタキシャル成長させた発光層と、
前記発光層の真上にエピタキシャル成長させた第２のヘテロ構造と、
を含み、
前記発光素子は、前記発光層により生成された約３６５ｎｍ未満の波長範囲の光が前記第１のヘテロ構造の第１の表面を通過して前記発光素子から射出可能であるように構成されており、
前記第１のヘテロ構造における、エピタキシャル成長の初期表面の約１００ｎｍ以内の部分に渡って欠陥密度は１０８ｃｍ−３未満である、
発光素子。
【請求項１７】
発光素子であって、
バルク結晶ＡｌＮ基板と、
前記バルク結晶ＡｌＮ基板上にエピタキシャル成長させた前記発光素子の第１のヘテロ構造であって、前記第１のヘテロ構造は、ヘテロエピタキシャル成長の初期表面と、前記ヘテロエピタキシャル成長の初期表面を含むＡｌＧａＮエッチング低減層とを含む、第１のヘテロ構造と、
前記第１のヘテロ構造の真上にエピタキシャル成長させた発光層と、
前記発光層の真上にエピタキシャル成長させた第２のヘテロ構造であって、前記バルク結晶ＡｌＮ基板は約５０μｍ未満の化学的にエッチングされた厚さを有している、第２のヘテロ構造と、
を含み、
前記第１のヘテロ構造における、前記ヘテロエピタキシャル成長の初期表面の約１００ｎｍ以内の部分に渡って欠陥密度は１０８ｃｍ−３未満である、
発光素子。
【請求項１８】
前記第１のヘテロ構造はｎ型へテロ構造であり、前記第２のヘテロ構造はｐ型ヘテロ構造である、請求項１７に記載の発光素子。
【請求項１９】
前記第１のヘテロ構造、前記第２のヘテロ構造、および前記発光層は、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＮ、ＧａＮ、およびＩｎＡｌＧａＮの少なくとも１つを含む、請求項１７に記載の発光素子。
【請求項２０】
前記発光素子が約２００ｎｍ〜約３６５ｎｍの波長範囲の光を放つように構成されている、請求項１７に記載の発光素子。
【請求項２１】
前記第１のヘテロ構造は前記バルク結晶ＡｌＮ基板上に成長させたＡｌＧａＮ遷移領域を含む、請求項１７に記載の発光素子。
【請求項２２】
前記ヘテロエピタキシャル成長の初期表面はテクスチャリングされている、請求項１７に記載の発光素子。
【請求項２３】
前記発光素子が垂直方向の電気的注入ＬＥＤを備える、請求項１７に記載の発光素子。
【請求項２４】
前記発光素子がレーザを備える、請求項１７に記載の発光素子。
【請求項２５】
前記第２のヘテロ構造の近傍に配置するヒートシンクを更に備える、請求項２３に記載の発光素子。
【請求項２６】
発光素子の形成方法であって、
前記発光素子の第１のヘテロ構造をバルク結晶ＡｌＮ基板上にエピタキシャル成長させる工程であって、前記第１のヘテロ構造は、第１の表面と、エッチング低減層と、第２の表面とを有しており、前記第１の表面は前記発光素子及び前記第２の表面のヘテロエピタキシャル成長の初期表面であり、前記第１のヘテロ構造は、格子不整合ＡｌＧａＮエッチング低減層を有し、前記エッチング低減層は、前記ヘテロエピタキシャル成長の初期表面を含む、工程と、
前記第１のヘテロ構造の前記第２の表面の真上に発光層をエピタキシャル成長させる工程と、
前記発光層の真上に第２のヘテロ構造をエピタキシャル成長させる工程と、
前記バルク結晶ＡｌＮ基板を、前記ヘテロエピタキシャル成長の初期表面の大部分に渡って前記発光素子から実質的に除去する工程であって、前記バルク結晶ＡｌＮ基板を実質的に除去し格子不整合を緩和してエッチングされた表面を有する薄膜化されたＡｌＮ層を残す、工程と、
を含み、
前記第１のヘテロ構造における、前記ヘテロエピタキシャル成長の初期表面の約１００ｎｍ以内の部分に渡って欠陥密度は１０８ｃｍ−３未満である、
方法。
【請求項２７】
前記第１のヘテロ構造は、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＮ、ＧａＮ、およびＩｎＡｌＧａＮの少なくとも１つを含む、請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
前記バルク結晶ＡｌＮ基板を実質的に除去する工程は、エピタキシャル成長の初期表面の大部分に渡って前記バルク結晶ＡｌＮ基板を除去することを含む、請求項２６に記載の方法。
【請求項２９】
前記バルク結晶ＡｌＮ基板を実質的に除去する工程は、ヘテロエピタキシャル成長の初期表面の大部分に渡って前記バルク結晶ＡＩＮ基板を約５０μｍ未満の厚さまで化学的にエッチングすることを含む、請求項２６に記載の方法。
【請求項３０】
前記バルク結晶ＡｌＮ基板を実質的に除去する工程は、リン酸を用いて前記バルク結晶ＡＩＮ基板の窒素極性面を化学的にエッチングすることを含む、請求項２６に記載の方法。
【請求項３１】
第１のヘテロ構造をバルク結晶ＡｌＮ基板上に成長させる工程は、有機金属気相成長法、ハイドライド気相成長法、またはこれらの組み合わせにより前記第１のヘテロ構造を成長させることを含む、請求項２６に記載の方法。