【事件の表示】
　特願２００６−１７７８２９「液晶装置及び電子機器」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　９月　６日出願公開、特開２００７−２２６１７５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯  
　本願は、平成１８年６月２８日（優先権主張平成１８年１月２６日）を出願日とする特許出願であって、平成１９年９月７日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１０月２４日に拒絶査定不服審判請求がなされるとともに、同年１１月１９日に手続補正がなされたものである。 
　　
２．本願発明  
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成１９年１１月１９日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲、明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものと認められる。
 「液晶を保持する基板と、前記基板に設けられ互いに平面的に重なる第１の電極及び第２の電極と、を備えてなり、
　前記第２の電極の上側に生じる電界、及び前記第１の電極と前記第２の電極との間で生じる電界によって前記液晶の配向を制御する液晶装置において、
　前記第２の電極にはスリットが設けられ、前記第２の電極のスリット及びスリット間の領域の略全面に誘電膜を介して前記第１電極が配置され、
　前記液晶装置の精細度が２００ＰＰｉ以上であり、
　前記第１電極、前記誘電膜、及び前記第２電極により補助容量が形成され、
　前記誘電膜は、酸化シリコン又は窒化シリコンからなり、前記補助容量が１００ｆＦ〜８００ｆＦとなるように約５０〜４００ｎｍの厚みを有することを特徴とする液晶装置。」
　　
　なお、請求項１には、「前記第１電極、前記誘電体膜、及び前記第２電極により補助容量が形成され」及び「前記誘電膜は、前記誘電体膜は酸化シリコン又は窒化シリコンからなり」と記載されているが、請求項１には「前記誘電体膜」に対応する「誘電体膜」が記載されていない一方で「誘電膜」が記載されているから、両者の「前記誘電体膜」は「前記誘電膜」の誤記と認め、上記のように認定した。
　　
３．引用刊行物
　原査定の拒絶の理由において引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００１−８３５４０号公報（以下「引用刊行物」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。 
　  
（１）「【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶ディスプレイの電極構造の技術に関し、特にワイドビューアングル液晶ディスプレイの電極構造の製作方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶ディスプレイは、すでに電子工業産品に広く使用されている。また、近年、ワイドビューアングル液晶ディスプレイの技術は向上している。従来の液晶ディスプレイ装置のワイドビューアングル技術は、ＩＰＳ（in-plane switch）パターンを使用している。但し、そのクシ状画素電極と共電極は、金属により製造されている。このため、開口透光率を上げる事はできなかった。近来、新発展のＦＦＳ（fringe field switch）パターンにより、その画素電極と共電極を透明なインジウム錫酸化物（indium-tin-oxide, ITO）電極により製造し、液晶ディスプレイ装置の光度を大幅に増加させている。ＦＦＳパターンの電極構造設計は、その画素電極がクシ状の構造で、共電極は平板状の構造である。しかし、クシ状構造の画素電極は、平板状構造の共電極上方に設けられている。」
（２）「【００１２】図４〜図９は、本発明の第一実施例の各部分の製作ステップである。従来のＴＮパターンの液晶ディスプレイの製造方法により、薄膜トランジスタ基板が製作される。本実施例中では、図４に示すように、先にガラス基板４０３上にスキャン信号ライン金属層４０１と補助共電極線金属層４０２を形成し、金属層４０１と金属層４０２を同じ層に設け、同時に同一材料で製作する。そして、図４のステップの後、図５に示すように、絶縁層４０４をカバーして島状区域４０５を形成し、薄膜トランジスタの主動層を提供する。また、この薄膜トランジスタはゲート、ドレイン、ソースを含む。
・・・（中略）・・・
図１０は、本発明のワイドビューアングル液晶ディスプレイの第二実施例の単一画素の電極構造の平面図である。図１０に示すように、この第二実施例中で、平板状画素電極５０２は資料信号ライン区域５０４上を跨ぎ、柵状共電極層５０１は延びてスキャン信号ライン区域５０３上を跨ぐ。また平板状画素電極５０２は補助共電極線区域５０６の上を跨ぎ、柵状共電極層５０１は伸びて平板状画素電極５０２上に位置する。その他は第一実施例と同じである。
【００１４】図１１〜図１７は、本発明の第二実施例の製作流れ図である。図１０のＡ−Ａ’、Ｂ−Ｂ’、Ｃ−Ｃ’部分の断面図で第二実施例の製作の流れを説明する。図１１および図１２に示すステップと、図４および図５に示すステップは同じである。図１２のステップの後、島状区域４０５上方に、資料信号ライン金属層４０７を形成して図１３が示すような状態にする。図１３のステップの後、この基板上方を隔離絶縁層６４１でカバーし、並びにこの隔離絶縁層の上部表面を水平状にして、図１４に示すような状態にする。図１４のステップの後、インジウム錫酸化物を形成して平板状の画素電極６５１を製作し、並びに画素電極６５１を島状区域４０５の上方を跨がせ、図１５に示すような状態にする。図１５のステップの後、基板上方を絶縁層６６１でカバーして図１６の示すような状態にする。そして画素区域外に、複数個の接触孔を形成して電性導通を達成する。最後に、画素電極６５１と隔離絶縁層６６１の上方に、インジウム錫酸化物を形成して柵状共電極層６７１を製作し、図１７に示すようにする。この第二実施例の中では、画素電極と共電極は資料信号ライン上を跨ぎ、第一実施例と較べると開口透光率がより増加して、ディスプレイの透光区も更に増大する。」
（３）「【００１７】
【発明の効果】本発明によれば、その画素電極と共電極がお互いに交叉して自然に電気容量貯蔵区を形成する上下層排列の電極構造により、透光区を占める必要が無くなる。隔離絶縁層上に必要な接触孔を画素マトリックス区域外に形成して、外の透光区を占める必要が無いため開口透光率が高まる。従来の液晶ディスプレイの電極構造の製作方法パターンで基板を製作し、この基板上に各画素電極で平板電極をつくる。再び隔離絶縁層でカバーした後、柵状のインジウム錫酸化物で相連なる共電極の構造を作成することにより、断線及び電荷残留に対して許容度が大きくなる。」
（４）図１７からは、液晶ディスプレイの電極構造が、
　ガラス基板４０３と、該ガラス基板上方に設けられた隔離絶縁層６４１と、該隔離絶縁層６４１上に設けられた画素電極６５１と、該画素電極６５１上に設けられた絶縁層６６１と、前記画素電極６５１と前記絶縁層６６１の上方に設けられた柵状共電極層６７１と、を備えることが見てとれる。
　　
　よって、これらを総合すると、引用刊行物には、  
「ガラス基板と、該ガラス基板上方に設けられた上部表面が水平状の隔離絶縁層と、該隔離絶縁層上に設けられた画素電極と、該画素電極上に設けられた絶縁層と、前記画素電極と前記絶縁層の上方に設けられた柵状共電極層とを備えてなり、
　前記画素電極と前記柵状共電極層がお互いに交叉して自然に電気容量貯蔵区を形成する液晶ディスプレイ装置の電極構造。」
との発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。  
　　  
４．対比
　本願発明と引用発明とを以下に対比する。  
（１）引用発明の「ガラス基板」、「画素電極」、「柵状共電極層」、「絶縁層」及び「液晶ディスプレイ」は、それぞれ、本願発明の「基板」、「第１の電極」、「第２の電極」、「誘電膜」及び「液晶装置」に相当する。
（２）引用発明の「ガラス基板」は、画素電極、柵状共電極層等とともに「液晶ディスプレイの電極構造」を構成するから、「液晶を保持する」ことは当業者にとって明らかである。
（３）引用発明の、画素電極、絶縁層及び柵状共電極層が「ガラス基板上方に設けられた上部表面が水平状の隔離絶縁層と、該隔離絶縁層上に設けられた画素電極と、該画素電極上に設けられた絶縁層と、前記画素電極と前記絶縁層の上方に設けられた柵状共電極層とを備え」る構造は、本願発明の、第１の電極、誘電膜及び第２の電極が「基板に設けられ互いに平面的に重なる」とともに、「第２の電極にはスリットが設けられ、前記第２の電極のスリット及びスリット間の領域の略全面に誘電膜を介して前記第１電極が配置され」る構造といえる。
（４）引用発明の画素電極、絶縁層及び柵状共電極層は、上記（３）で述べた構造を有するから、該構造によって、本願発明でいう「第２の電極の上側に生じる電界、及び前記第１の電極と前記第２の電極との間で生じる電界によって前記液晶の配向を制御する」ことは当業者に明らかである。
（５）引用発明の画素電極、絶縁層及び柵状共電極層は、上記（３）で述べた構造を有し、かつ、「画素電極と前記柵状共電極層がお互いに交叉して自然に電気容量貯蔵区を形成する」から、本願発明の「補助容量」を形成するといえる。
　　
　したがって、両者は、 
「液晶を保持する基板と、前記基板に設けられ互いに平面的に重なる第１の電極及び第２の電極と、を備えてなり、
　前記第２の電極の上側に生じる電界、及び前記第１の電極と前記第２の電極との間で生じる電界によって前記液晶の配向を制御する液晶装置において、
　前記第２の電極にはスリットが設けられ、前記第２の電極のスリット及びスリット間の領域の略全面に誘電膜を介して前記第１電極が配置され、
　前記第１電極、前記誘電膜、及び前記第２電極により補助容量が形成される液晶装置。」
である点で一致し、次の点で相違する。
　　
相違点：
　本願発明では、「液晶装置の精細度が２００ＰＰｉ以上であり、前記誘電膜は、酸化シリコン又は窒化シリコンからなり、前記補助容量が１００ｆＦ〜８００ｆＦとなるように約５０〜４００ｎｍの厚みを有する」のに対し、引用発明では、液晶ディスプレイの精細度、補助容量の大きさ、絶縁層の材料及び厚さが明らかでない点。
　　
５．判断
　液晶装置の精細度及び補助容量の大きさをどの程度とするかは、当業者が設計上適宜決定すべき事項というべきところ、フリンジフィールドスィッチング方式の液晶装置において、第１の電極と第２の電極との間に設ける誘電膜を窒化シリコンからなるものとすることは本願優先日前に周知であり（例．特開２００１−２３５７６３号公報（【００１４】、【００１５】、【００３０】及び図４）、特開２００３−２１８４５号公報（【００３１】、【００３７】、【００３８】及び図１１）参照。）、本願発明が液晶装置の精細度、補助容量の大きさ、絶縁層の材料及び厚さを特定した点に設計事項の域を超える技術的意義があるものとも認められないから、引用発明において、上記相違点に係る本願発明の構成をなすことは、上記周知技術に基づいて当業者が適宜なし得ることである。
　なお、引用発明では、「上部表面が水平状の隔離絶縁層」上に画素電極、絶縁層及び柵状共電極層を設けて電気容量貯蔵区を形成するから、絶縁層（本願発明の「誘電膜」に相当。）の厚みが調整し易く、補助容量の大きさを調整し易いことは当業者にとって明らかである。
　　
　そして、本願発明が奏する効果は、引用発明及び上記周知技術から予想できた程度のものである。
　　  
６．むすび
　したがって、本願発明は、引用刊行物に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。  
　　
　よって、結論のとおり審決する。