【事件の表示】
　特願２００１−１５７１３９「レーザーダイオード励起固体レーザー」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年１２月　６日出願公開、特開２００２−３５３５４２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯・本願発明
（１）手続の経緯
　本願は、平成１３年５月２５日の出願であって、平成２０年２月４日に手続補正がなされ、同年３月２１日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年４月２４日に拒絶査定不服審判が請求され、同年５月２２日に手続補正がなされたものである。
　
（２）本願発明
　本願の請求項に係る発明は、平成２０年５月２２日付け手続補正によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明１」という。）は次のとおりのものである。
　
「　Ｈｏ３＋が添加された固体レーザー結晶を、ＩｎＧａＮ、ＩｎＧａＮＡｓあるいはＧａＮＡｓからなる活性層を有するＧａＮ系レーザーダイオードによって励起し、
　該固体レーザー結晶における　５Ｓ２　→　５Ｉ７　の遷移によって波長が７４０〜７６０ｎｍのレーザービームを発生させる構成を有することを特徴とするレーザーダイオード励起固体レーザー。」
　
　また、請求項２に係る発明（以下「本願発明２」という。）は次のとおりのものである。
　
「　Ｈｏ３＋が添加された固体レーザー結晶を、ＩｎＧａＮ、ＩｎＧａＮＡｓあるいはＧａＮＡｓからなる活性層を有するＧａＮ系レーザーダイオードによって励起し、
　該固体レーザー結晶における　５Ｓ２　→　５Ｉ８　の遷移によって波長が５４０〜５６０ｎｍのレーザービームを発生させる構成を有することを特徴とするレーザーダイオード励起固体レーザー。」
　
２　刊行物の記載
（１）原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である、E.P.CHICKLIS, et al., Deep Red Laser Emission in Ho:YLF, IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS, Vol.QE-13, No.11, 1977, p.893-895（以下「引用例１」という。）には、図とともに以下の事項が記載されている（当審による和訳を括弧内に付した。）。
　
ア　「Abstract - Laser operation of the 5S2→5I7 transition in 2 percent Ho:YLF at room remperature is reported. Oscillations at λ=750 nm were obtained in flashlamp and dye laser pumped experiments.」（８９３頁左欄１〜３行）
（要約　−　室温における２パーセントＨｏ：ＹＬＦの５Ｓ２→５Ｉ７遷移のレーザ動作が報告されている。λ＝７５０ｎｍにおける発振が、フラッシュランプと色素レーザでポンプした実験で得られた。）
　
イ　「We report laser operation of the 5S2→5I7 transition at room temperature in 2 percent Ho:YLF at λ=750 nm. Laser operation was obtained with a Xe flashlamp (threshold 4 J/cm) and with a 0.48-μm dye laser pump (threshold 0.3×10-3　J/cm).」（８９３頁左欄１５〜１９行）
（我々は、室温における２パーセントＨｏ：ＹＬＦのλ＝７５０ｎｍで、５Ｓ２→５Ｉ７遷移のレーザ動作を報告する。レーザ動作は、Ｘｅフラッシュランプ（閾値４Ｊ／ｃｍ）及び０．４８μｍ色素レーザポンプ（閾値０．３×１０−３Ｊ／ｃｍ）で得られた。）
　
ウ　「Fig.1 shows an unpolarized absorption spectrum at room temperature of 2 percent Ho:YLF crystal beginning with the upper laser level. In low concentrations most of the pump bands in the 0.2-0.55μm region are optically thin even through a 0.9-cm path. Higher absorption coefficients at higher Ho concentrations (material quality and ease of growth are essentially independent of Ho3+ concentration) would improve the pumping efficiency but probably reduce the fluorescence lifetime of the upper laser level.」（８９３頁左欄下から９行〜末行）
（図１は、室温における２パーセントＨｏ：ＹＬＦ結晶の、上位のレーザレベルから始まる無偏光の吸収スペクトルを示す。低い濃度では、０．２−０．５５μｍ領域のポンプバンドの大部分は、経路が０．９ｃｍであるにもかかわらず、光学的に薄いものである。より高いＨｏ濃度（材料の品質と成長のし易さは、本質的にＨｏ３＋濃度と独立のものである）におけるより高い吸収係数は、ポンピング効率を改善するであろうが、おそらく上位のレーザレベルの発光継続時間を短くする。）
　
エ　「Laser operation using the same rod was also obtained with a flash-pumped dye laser (modified Synergetics Model 1050), tuned at 1200 groove/mm grating. The dye laser output was set to pump the multiplet centered at 480 nm. The rod was pumped transversely by expanding the beam to 20 mm and then focusing with a cylindrical lens along the rod length. The pump beam cross section at the rod was 0.5×20 mm. The resonator consised of 1-m radius high-reflectivity mirror and a flat output mirror with 1 percent transmission.」（８９３頁右欄下から９行〜末行）
（同じロッドを用いたレーザ動作はまた、１２００溝／ｍｍのグレーティングで同調した、フラッシュ−ポンプによる色素レーザ（Synergetics Model 1050 を改造）で得られた。色素レーザの出力は、４８０ｎｍを中心とするマルチプレットをポンプするようにセットされた。ポンプビームのロッドにおける断面は、０．５×２０ｍｍであった。共振器は、半径１ｍの高反射鏡と１パーセント透過の平面鏡により構成された。）
　
オ　上記アないしエによれば、引用例１には、次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
　
「０．４８μｍ色素レーザポンプにより、室温においてλ＝７５０ｎｍで、５Ｓ２　→　５Ｉ７　遷移の動作をする、２パーセントＨｏ３＋：ＹＬＦ結晶のロッドを用いたレーザ。」
　
（２）原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である、M.C.BRIERLEY, et al., LASING AT 2.08μｍ AND 1.38 μｍ IN A HOLMIUM DOPED FLUORO-ZIRCONATE FIBRE LASER, ELECTRONICS LETTERS, Vol.24, No.9, 1988, p.539-540（以下「引用例２」という。）には、図とともに以下の事項が記載されている（当審による和訳を括弧内に付した。）。
　
ア　「2.08μｍ-wavelength laser operation: The fibre was a ZBLANP10 fibre with a core diameter of 40μｍ doped with 993 ppm of Ho3+ ions. A 0.5 m length of this fibre was set up in a Fabry-Perot cavity and longitudinally pumpued by 488 nm CW radiation from an argon ion laser exciting ground state electrons of the Ho3 ions into 5K3 energy level.  」（５３９頁右欄１５〜２１行）
（２．０２μｍ−波長レーザ動作：　ファイバは、コア径が４０μｍのＨｏ３＋イオンを９９３ｐｐｍドープしたＺＢＬＡＮＰ１０ファイバであった。０．５ｍ長のこのファイバは、ファブリ−ペローキャビティ内に設置され、Ｈｏ３＋イオンの基底状態の電子を５Ｋ３エネルギーレベルに励起する、アルゴンイオンレーザからの４８８ｎｍＣＷ放射により、長さ方向にポンプされた。）
　
イ　「1.38μｍ-wavelength laser operation: In addition to the 2μｍ fluorescence band holmium also exhibits strong fluorescence around 550 nm, 750 nm, 1.01μm, 1.19μm and 1.35μm in this fibre (Fig.2). Potentially the most useful of these bands for communications is that around 1.35μｍ. This radiation is obtained from a cascade transition between the 5S2 +5F4 and 5I5 enegy levels.11 Replacing the mirros in the experiment above by an input mirror with 99% reflectivity at 1.35μm and 95% transmission at 488 nm and an output mirror with 98% reflectivity at 1.35μｍ, and again pumping at 488 nm reveals that this transition will indeed support laser action in this host (Fig.3).・・・・The lasing wavelength was 1.38μｍ, longer than the peak of flourescence which occurs at 1.35μm. Emission at this wavelength was CW. 」（５３９頁右欄下から１６行〜末行）
（１．３８μｍ−波長レーザ動作：　２μｍ発光バンドに加え、ホルミウムはまた、このファイバの中で５５０ｎｍ、７５０ｎｍ、１．０１μｍ、１．１９μｍ及び１．３５μｍ付近に強い発光を示す（図２）。これらのバンドで潜在的に通信に最も有用なのは、１．３５μｍ付近のバンドである。この放射は、５Ｓ２＋５Ｆ４と５Ｉ５エネルギーレベル間の段階的な遷移から得られる。上述の実験における鏡を、１．３５μｍで＞９９％の反射率を有し４８８ｎｍで＞９５％の透過率を有する入射鏡と、１．３５μｍで９８％の反射率を有する出射鏡に置き換え、再度４８８ｎｍでポンプすることは、この遷移が、このホストにおけるレーザの動作を実際にサポートするであろうことを明らかにする（図３）。・・・・レイジング波長は１．３８μｍで、１．３５μｍで生じる発光のピークに比べて長い。この波長における放射は、ＣＷである。）
　
ウ　上記ア及びイによれば、引用例２には、次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
　
「コア径が４０μｍ、長さの０．５ｍのＨｏ３＋イオンを９９３ｐｐｍドープしたＺＢＬＡＮＰファイバをファブリ−ペローキャビティ内に設置し、アルゴンイオンレーザからの４８８ｎｍＣＷ放射により、長さ方向にポンプしたレーザにおいて、
　２μｍ発光バンドに加え、ホルミウムはまた、このファイバの中で５５０ｎｍ、７５０ｎｍ、１．０１μｍ、１．１９μｍ及び１．３５μｍ付近に強い発光を示す、レーザ。」
　
３　対比・判断
（１）本願発明１について
ア　本願発明１と引用発明１とを対比する。
（ア）引用発明１の「２パーセントＨｏ３＋：ＹＬＦ結晶」及び「５Ｓ２　→　５Ｉ７　遷移」は、それぞれ、本願発明１の「Ｈｏ３＋が添加された固体レーザー結晶」及び「５Ｓ２　→　５Ｉ７　遷移」に相当する。
　
（イ）引用発明１の「（５Ｓ２　→　５Ｉ７　遷移の動作をするときの）λ＝７５０ｎｍ」は、本願発明１の「（５Ｓ２→５Ｉ７の遷移によって発生する）波長が７４０〜７６０ｎｍ」を満たすものである。
　
（ウ）引用発明１の「２パーセントＨｏ３＋：ＹＬＦ結晶のロッドを用いたレーザ」は、０．４８μｍ色素レーザポンプにより励起されるものであるから、本願発明１の「レーザーダイオード励起固体レーザー」と、励起固体レーザーである点で一致する。
　
（エ）上記（イ）及び（ウ）から、引用発明１の「レーザ」が、本願発明１の「Ｈｏ３＋が添加された固体レーザー結晶における　５Ｓ２　→　５Ｉ７　の遷移によって波長が７４０〜７６０ｎｍのレーザービームを発生させる構成を有する」「励起固体レーザー」に相当することは明らかである。
　
（オ）引用発明１は、「０．４８μｍ色素レーザポンプ」における「０．４８μｍ色素レーザ」により生じた光で、「固体レーザー結晶」を「ポンプ」（すなわち励起）し、それによって　５Ｓ２　→　５Ｉ７　遷移の動作をするから、引用発明１の「０．４８μｍ色素レーザ」と、本願発明１の「レーザーダイオード」は、いずれも、「固体レーザー結晶における　５Ｓ２　→　５Ｉ７　の遷移によって波長が７４０〜７６０ｎｍの固体レーザービームを発生させる」励起光源である点で一致する。
　
（カ）以上（ア）ないし（オ）より、本願発明１と引用発明１とは、
「Ｈｏ３＋が添加された固体レーザー結晶を、励起光源によって励起し、
　該固体レーザー結晶における　５Ｓ２　→　５Ｉ７　の遷移によって波長が７４０〜７６０ｎｍのレーザービームを発生させる構成を有する励起固体レーザー。」
の点で一致し、以下の点で相違する。
　
相違点１
　励起光源が、本願発明１においては、「ＩｎＧａＮ、ＩｎＧａＮＡｓあるいはＧａＮＡｓからなる活性層を有するＧａＮ系レーザーダイオード」であるのに対し、引用発明１においては、０．４８μｍ色素レーザである点。
　
イ　判断
　上記相違点１について検討する。
（ア）引用発明１において、波長０．４８μｍの励起光を発生する光源として、具体的にどのようなものを用いるかは、当業者が適宜選択すべき設計上の事項である。
　
（イ）他方、波長４８０ｎｍのレーザを発生する「ＩｎＧａＮからなる活性層を有するレーザーダイオード」は、本願出願前に周知である（例．特開２０００−２３６１４２号公報（【００４６】〜【００４８】参照。）、特開２００１−５７４６１号公報（【００７３】〜【００８１】参照。）。
　
（ウ）そして、引用発明１における波長０．４８μｍ、すなわち、波長４８０ｎｍの励起光を発生する励起光源として、上記周知技術を適用し、ＩｎＧａＮからなる活性層を有するレーザーダイオードを用いて、上記相違点１に係る本願発明１の構成となすことは、当業者が容易になし得ることである。
　
（エ）本願発明１の奏する効果が、引用発明１及び周知技術から当業者が予測可能な域を超える程の格別顕著なものとは認められない。
　
（オ）まとめ
　以上の検討によれば、本願発明１は、引用発明１及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（２）本願発明２について
ア　本願発明２と引用発明２とを対比する。
（ア）引用発明２の「コア径が４０μｍ、長さの０．５ｍのＨｏ３＋イオンを９９３ｐｐｍドープしたＺＢＬＡＮＰファイバ」は、本願発明２の「Ｈｏ３＋が添加された固体レーザー結晶」に相当する。
　
（イ）引用発明２は、「アルゴンイオンレーザ」により、「ファブリ−ペローキャビティ内に設置し」た「コア径が４０μｍ、長さの０．５ｍのＨｏ３＋イオンを９９３ｐｐｍドープしたＺＢＬＡＮＰファイバ」を「ポンプ」（すなわち励起）し、このファイバの中で「５５０ｎｍ」付近に強い発光を示すものであるから、引用発明２の「アルゴンイオンレーザ」と、本願発明２の「ＧａＮ系レーザーダイオード」は、いずれも、「Ｈｏ３＋が添加された固体レーザー結晶」を「励起」し、「波長が５４０〜５６０ｎｍのレーザービームを発生させる」励起光源である点で一致する。
　
（ウ）上記（ア）及び（イ）より、引用発明２の「レーザ」が、本願発明２の「Ｈｏ３＋が添加された固体レーザー結晶」において「波長が５４０〜５６０ｎｍのレーザービームを発生させる構成を有する励起固体レーザー」に相当することは明らかである。
　
（エ）以上（ア）ないし（ウ）から、本願発明２と引用発明２とは、
「Ｈｏ３＋が添加された固体レーザー結晶を、励起光源によって励起し、
　該固体レーザー結晶において、波長が５４０〜５６０ｎｍのレーザービームを発生させる構成を有する励起固体レーザー。」
の点で一致し、以下の点で相違する。
　
相違点２
　励起光源が、本願発明２においては、「ＩｎＧａＮ、ＩｎＧａＮＡｓあるいはＧａＮＡｓからなる活性層を有するＧａＮ系レーザーダイオード」であるのに対し、引用発明２においては、励起光源が波長４８８ｎｍのアルゴンイオンレーザである点。
　
相違点３
　Ｈｏ３＋が添加された固体レーザー結晶における、波長が５４０〜５６０ｎｍのレーザービームを発生させる構成が、本願発明２においては、「５Ｓ２　→　５Ｉ８　の遷移」によるものであるのに対し、引用発明２においては、そのようなものであるか明らかでない点。
　
イ　判断
（ア）上記相違点２について検討する。
ａ　引用発明２において、波長４８８ｎｍの励起光を発生する光源として、具体的にどのようなものを用いるかは、当業者が適宜選択すべき設計上の事項である。
　　
ｂ　他方、波長４８８ｎｍのレーザを発生する「ＩｎＧａＮからなる活性層を有するレーザーダイオード」は、本願出願前に周知である（例．特開平８−３１６５２８号公報（【０００１】、【００３４】及び図２参照。同図の線βにおいて、井戸層膜厚が１２０Å程度で、発光ピーク波長は４８８ｎｍとなる。）、特開平６−２６０６８３号公報（【００３２】〜【００３４】参照。ＩｎｘＧａ１−ｘＮのＩｎのモル比ｘを０＜ｘ＜０．５とし、発光色を４３０ｎｍから５９０ｎｍまで変える間で、発光色は４８８ｎｍとなる。））。
　
ｃ　そして、引用発明２における波長４８８ｎｍの励起光を発生する励起光源として、上記周知技術を適用し、上記相違点２に係る本願発明２の構成となすことは、当業者が容易になし得ることである。
　
（イ）上記相違点３について検討する。
ａ　「５Ｓ２　→　５Ｉ８　の遷移」について、本願明細書には、「本発明による一つのレーザーダイオード励起固体レーザーは、Ｈｏ３＋が添加された固体レーザー結晶をＧａＮ系レーザーダイオードによって励起し、該固体レーザー結晶における・・・　５Ｓ２  →  ５Ｉ８の遷移によってレーザービームを発生させる構成を有するものである。このレーザーダイオード励起固体レーザーは、より具体的には、５Ｓ２　→　５Ｉ８の遷移によって波長が５４０〜５６０ｎｍのレーザービームを発生させる構成をとることができる。」（【００１４】）と記載されている。
　
ｂ　本願明細書の上記記載は、本願発明２における、Ｈｏ３＋が添加されたコアを持つファイバーにおける、波長が５４０〜５６０ｎｍのレーザービームを発生させる構成が「５Ｓ２　→　５Ｉ８　の遷移」によるものであることの技術的意味について、レーザーダイオードによって励起されたＨｏ３＋が添加されたコアを持つファイバーが、波長が５４０〜５６０ｎｍのレーザービームを発生し、該波長がＨｏの「５Ｓ２　→　５Ｉ８の遷移」に起因する大きさのものであることを示唆するにとどまる。
　
ｃ　しかるところ、引用発明２における発光も、ホルミウムの準位間の遷移によってなされるのは明らかであり、引用発明２における「ホルミウムは・・・５５０ｎｍ・・・付近に強い発光を示す」ときの遷移は、波長５５０ｎｍの大きさに対応する準位である「５Ｓ２　→　５Ｉ８の遷移」であるものといえる。
　
ｄ　したがって、引用発明２における「５５０ｎｍ付近に強い発光を示す」遷移は「５Ｓ２　→　５Ｉ８の遷移」であるものといえるから、引用発明２は上記相違点３を備えており、上記相違点３は実質的な相違点ではない。
　
（ウ）本願発明２の奏する効果が、引用発明２及び周知技術から当業者が予測可能な域を超える程の格別顕著なものとは認められない。
　
（エ）まとめ
　以上の検討によれば、本願発明２は、引用発明２及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび　
　したがって、本願発明１は、引用例１に記載の発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　また、本願発明２は、引用例２に記載の発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。