(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程：
（ａ）第１金属層上にポリイミド前駆体層を形成する工程；
（ｂ）ポリイミド前駆体層上に第２金属層を形成する工程；
（ｃ）第２金属層をサブトラクティブ法によりパターニングして第２回路層を形成する工程、又は（ｃ’）第１金属層をサブトラクティブ法によりパターニングして第１回路層を形成する工程；
（ｄ）ポリイミド前駆体層をイミド化してポリイミド絶縁層を形成する工程；  及び
（ｅ）パターニングされていない第１金属層又は第２金属層を、サブトラクティブ法によりパターニングして第１回路層又は第２回路層を形成する工程
を含んでなることを特徴とする両面フレキシブルプリント基板の製造方法。
【請求項２】
工程（ｂ）と工程（ｃ）又は工程（ｃ′）との間に、
（ｍ）第１金属層と第２金属層との間の導通を確保するためのスルーホールを形成する工程
を含む請求項１記載の製造方法。
【請求項３】
工程（ｄ）の後に、
（ｍ′）第１金属層と第２回路層との間、又は第２金属層と第１回路層との間の導通を確保するためのスルーホールを形成する工程
を含む請求項１記載の製造方法。
【請求項４】
以下の工程：
（Ａ）金属層上にポリイミド前駆体層を形成する工程；
（Ｂ）ポリイミド前駆体層上にセミアディティブ法により上層回路層を形成する工程；
（Ｃ）ポリイミド前駆体層をイミド化してポリイミド絶縁層を形成する工程；  及び
（Ｄ）該金属層をサブトラクティブ法によりパターニングして下層回路層を形成する工程
を含んでなることを特徴とする両面フレキシブルプリント基板の製造方法。
【請求項５】
工程（Ｂ）と工程（Ｃ）との間、又は工程（Ｃ）の後に、
（Ｍ）金属層と上層回路層との間の導通を確保するためのスルーホールを形成する工程
を含む請求項４記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ポリイミド系絶縁層を使用した両面フレキシブルプリント基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のポリイミド系の両面フレキシブルプリント基板としては、高温プレス法や熱ラミネート法等で作製される（ｉ）銅箔／熱可塑性ポリイミド接着剤／非熱可塑性ポリイミドフィルム／熱可塑性ポリイミド接着剤／銅箔という層構成の基板や（ｉｉ）銅箔／熱可塑性ポリイミド接着剤層／銅箔という層構成の基板や、銅箔上に非熱可塑性ポリイミドをキャスト成膜し、更に銅層をスパッタ法と電解メッキ法とを組み合わせて形成された（ｉｉｉ）銅箔／非熱可塑性ポリイミドフィルム／銅スパッタ薄膜・電解銅メッキ膜という層構成の基板が一般に用いられている。
【０００３】
しかし、（ｉ）の両面フレキシブルプリント基板の場合には、接着剤が熱可塑性であるため、耐熱性が十分でないという問題がある。（ｉｉ）の両面フレキシブルプリント基板の場合には、接着剤層が熱可塑性であるために耐熱性が十分でなく、しかも加熱収縮し易いために寸法安定性が十分でないという問題もある。（ｉｉｉ）の両面フレキシブルプリント基板の場合には、非熱可塑性ポリイミドフィルム上の銅スパッタ薄膜を含む電解銅メッキ層の剥離強度が相対的に低く、また、加熱加湿条件下での長期エージング特性が十分でなく、信頼性に問題がある。
【０００４】
最近、これらの問題を解決するために、金属箔上にヌレ性の良好なポリアミック酸ワニスを塗布し乾燥してポリアミック酸層を形成した積層物を２枚用意し、金属箔をパターニングした後に、ポリアミック酸層同士を高圧高温条件下で貼り合わせつつイミド化してポリイミド絶縁層を形成することにより作製された両面フレキシブルプリント回路板（金属箔／ポリイミド／金属箔）が提案されている（特許第２７４６６４３号）。このような両面フレキシブルプリント回路板は、耐熱性及び寸法安定性に優れており、しかもポリイミド層とその両側の金属箔との間の密着性も十分であり、長期エージング特性も十分なものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、金属箔をパターニングした後にポリアミック酸層同士を高圧高温条件下で貼り合わせた場合には、イミド化時に生ずる水分がポリイミド層中から揮散せず、金属箔を腐食させることが懸念される。また、両面がパターニングされているために、取り扱い性が低下し、製造効率が低下するという問題もある。また、高い貼り合わせ位置精度が要求されるという問題もある。
【０００６】
本発明は、以上の従来の技術の課題を解決しようとするものであり、耐熱性及び寸法安定性に優れ、しかもポリイミド層とその両側の金属層との間の密着性並びに長期エージング特性も十分であり、更にイミド化時に生ずる水分による金属層の腐食の問題がなく、取り扱い性に優れているために製造し易く、しかも位置精度の問題がない両面フルキシブルプリント基板を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、ポリアミック酸層等のポリイミド前駆体層が一対の金属層で挟持された構造の積層体について、片面の金属層をパターニングした後にポリイミド前駆体層をイミド化した場合、（Ｉ）イミド化時に生ずる水分がパターニングされた金属層から外部に揮散するので、イミド化時に生ずる水分による金属層の腐食を防止することができること、（ＩＩ）しかもイミド化により得られたポリイミド絶縁層は、耐熱性及び寸法安定性に優れており、また、その両側の金属層との間の密着性にも優れており、従って長期エージング特性も十分であること、（ＩＩＩ）イミド化時に片面がパターニングされていないので、取り扱い性に優れており、従って製造し易く、また、過度に高い貼り合わせ位置精度が要求されないことを見出し、本発明を完成させるに至った。
【０００８】
即ち、本発明は、以下の工程：
（ａ）第１金属層上にポリイミド前駆体を形成する工程；
（ｂ）ポリイミド前駆体層上に第２金属層を形成する工程；
（ｃ）第２金属層をサブトラクティブ法によりパターニングして第２回路層を形成する工程、
又は（ｃ’）第１金属層をサブトラクティブ法によりパターニングして第１回路層を形成する工程；
（ｄ）ポリイミド前駆体層をイミド化してポリイミド絶縁層を形成する工程；  及び
（ｅ）パターニングされていない第１金属層又は第２金属層を、サブトラクティブ法によりパターニングして第１回路層又は第２回路層を形成する工程
を含んでなることを特徴とする両面フレキシブルプリント基板の製造方法を提供する。
【０００９】
また、本発明は、以下の工程：
（Ａ）金属層上にポリイミド前駆体層を形成する工程；
（Ｂ）ポリイミド前駆体層上にセミアディティブ法により上層回路層を形成する工程；
（Ｃ）ポリイミド前駆体層をイミド化してポリイミド絶縁層を形成する工程；  及び
（Ｄ）該金属層をサブトラクティブ法によりパターニングして下層回路層を形成する工程
を含んでなることを特徴とする両面フレキシブルプリント基板の製造方法を提供する。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図面を参照しながら工程毎に詳細に説明する。
【００１１】
なお、図１はイミド化前にサブトラクティブ法により上層回路層を形成する例であり、図２はイミド化前にセミアディティブ法により上層回路層を形成する例である。先ず、図１の態様から説明する。
【００１２】
工程（ａ）
第１金属層１上にポリイミド前駆体層２を形成する（図１（ａ））。
【００１３】
具体的には、銅箔等の第１金属層１の片面に、ポリアミック酸等のポリイミド前駆体をＮ−メチル−２−ピロリドン等に溶解したポリイミド前駆体ワニスを、コンマコーター、ナイフコーター、ロールコーター、リップコーター、ダイコーター等により塗工し、層間密着強度の低下や後工程での発泡の発生を防止するために残存揮発分（溶剤、縮合により生ずる水など）含有量（ポリイミド前駆体層中の全揮発成分の重量百分率（重量％））を３０〜５０重量％の範囲内に収まるように、通常１５０℃〜２００℃で加熱乾燥してポリイミド前駆体層２を作製する。
【００１４】
なお、この乾燥中に、ポリイミド前駆体の一部がイミド化するが、乾燥後のポリイミド前駆体層２のイミド化率が５０％を超えないようにする。５０％以下であれば、アルカリエッチング液を利用するフォトリソグラフ法でポリイミド前駆体層２を、微細、高精度且つ低コストでパターニングすることができる。
【００１５】
ポリイミド前駆体層２の厚みは、薄すぎると機械的強度が弱くなり、絶縁層としての信頼性が低下する。厚すぎると第１金属層と第２金属層との導通化が難しくなる。
【００１６】
また、ポリイミド前駆体層２を構成するポリイミド前駆体としては、両面フレキシブルプリント基板のカールを防止するために、イミド化後のポリイミドの熱線膨張係数が、イミド化条件下でアニールされる第１金属層１の熱線膨張係数と略同一となるようなものを使用することが好ましい。
【００１７】
ここで、ポリイミド前駆体としては、酸二無水物とジアミンとから得られるポリアミック酸類（特開昭６０−１５７２８６号公報、特開昭６０−２４３１２０号公報、特開昭６３−２３９９９８号公報、特開平１−２４５５８６号公報、特開平３−１２３０９３号公報、特開平５−１３９０２７号公報参照）、過剰な酸二無水物とジアミンとから合成した末端が酸二無水物であるポリアミック酸プレポリマーとジイソシアネート化合物とから得られる一部イミド化したポリアミック酸類（ポリアミド樹脂ハンドブック，日刊工業新聞社発行（５３６頁，１９８８年）；高分子討論集，４７（６），１９９０年参照）等を使用することができる。中でも、酸二無水物とジアミンとから得られるポリアミック酸類を好ましく使用することができる。
【００１８】
ここで、酸二無水物の例としては、ピロメリット酸二無水物（ＰＭＤＡ）、３，４，３′，４′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）、３，４，３′，４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物（ＢＴＤＡ）、３，４，３′，４′−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物（ＤＳＤＡ）が好ましく挙げられる。また、ジアミンの例としては、４，４′−ジアミノジフェニルエーテル（ＤＰＥ）、パラフェニレンジアミン（ＰＤＡ）、４，４′−ジアミノベンズアニリド（ＤＡＢＡ）、４，４′−ビス（ｐ−アミノフェノキシ）ジフェニルスルホン（ＢＡＰＳ）が好ましく挙げられる。
【００１９】
第１金属層１としては、従来のフレキシブルプリント基板で用いられているものと同様のものを使用することができる、例えば、電解銅箔、ＳＵＳ３０４箔、ＳＵＳ４３０箔、アルミニウム箔、ベリリウム箔、リン青銅箔等を挙げることができる。
【００２０】
なお、第１金属層１の厚みは、通常、８〜３５μｍである。
【００２１】
工程（ｂ）
次に、ポリイミド前駆体層２上に、第１金属層１と同様な第２金属層３を設ける（図１（ｂ））。
【００２２】
具体的には、ポリイミド前駆体層２上に、第２金属層３として電解銅箔等の金属箔を熱プレス法もしくはロールラミネーション法等により積層すればよい。あるいは、ポリイミド前駆体層２上にスパッタ法で銅等の金属の薄膜を積層させ、更にその上に電解銅等の金属メッキ層を積層して第２金属層３を形成することもできる。
【００２３】
工程（ｃ）
次に、第２金属層３を、微細で且つ良好な位置精度でパターニングが可能なフォトリソグラフ技術を利用するサブトラクティブ法によりパターニングして第２回路層３ａを形成する（図１（ｃ））。具体的には、第１金属層１の表面を保護フィルム（好ましくは軽剥離性の弱粘着テープ）で被覆した後、第２金属層３上に導体回路パターンレジスト層を形成し、塩化第２銅水溶液等のエッチング液で第２金属層３をエッチングして第２回路層３ａを形成し、その後、導体回路パターンレジスト層と保護フィルムとを剥離すればよい。
【００２４】
工程（ｃ′）
工程（ｃ）においては、第２金属層３をパターニングしたが、第１金属層１をパターニングしてもよい。即ち、第１金属層１を、フォトリソグラフ技術を利用するサブトラクティブ法によりパターニングして第１回路層１ａを形成する（図１（ｃ′））。具体的には、第２金属層３の表面を保護フィルム（好ましくは軽剥離性の弱粘着テープ）で被覆した後、第１金属層１上に導体回路パターンレジスト層を形成し、塩化第２銅水溶液等のエッチング液で第１金属層１をエッチングして第１回路層１ａを形成し、その後、導体回路パターンレジスト層と保護フィルムとを剥離すればよい。
【００２５】
工程（ｄ）
次に、ポリイミド前駆体層２をイミド化してポリイミド絶縁層２ａを形成する。これにより図１（ｄ）に示す両面フレキシブルプリント基板が得られる。ここで、イミド化の条件は、ポリイミド前駆体の種類等に応じて実験的に適宜決定することができる。例えば、大気圧下、窒素ガス雰囲気中で１６０℃−３０ｍｉｎ／１８０℃−３０ｍｉｎ／２５０℃−３０ｍｉｎ／３００℃−３０ｍｉｎというようにステップ加熱すればよい。
【００２６】
この工程（ｄ）のイミド化の際、ポリイミド絶縁層２ａには脱水反応により水分が生じるが、工程（ｃ）（又は工程（ｃ′））においてポリイミド絶縁層２ａを挟持する一対の金属層の片側がすでにパターニングされ、ポリイミド絶縁層２ａが一部露出しているので、生じた水分を外部へ揮散させることができる。
【００２７】
以上のようにして得られた図１（ｄ）に示す両面フレキシブルプリント基板に対しては、更に以下に示すような工程を施すことが好ましい。
【００２８】
工程（ｅ）
パターニングされていない第１金属層１又は第２金属層３を、サブトラクティブ法によりパターニングして第１回路層１ａ又は第２回路層３ａを形成する（図１（ｅ））。これにより、両面の金属層がパターニングされた両面フレキシブルプリント配線板が得られる。
【００２９】
工程（ｆ）
第１回路層１ａ及び第２回路層３ａを保護するために、それらの上に常法に従ってカバーコート層４を形成する（図１（ｆ））。
【００３０】
なお、工程（ｂ）と工程（ｃ）又は工程（ｃ′）との間において以下の工程（ｍ）、もしくは工程（ｄ）の後において以下の工程（ｍ′）を実施することによりポリイミド絶縁層２ａの表裏の回路同士を接続することができる。
【００３１】
工程（ｍ）
工程（ｂ）と工程（ｃ）又は工程（ｃ′）との間において、第１金属層１と第２金属層３との間の導通を確保するためのスルーホールＴｈを常法に従って形成する（図１（ｍ））。
【００３２】
工程（ｍ′）
工程（ｄ）の後において、第１金属層１と第２回路層３ａとの間、又は第２金属層３と第１回路層１ａとの間の導通を確保するためのスルーホールＴｈを常法に従って形成する（図１（ｍ′））。
【００３３】
次に、図２の態様について説明する。
【００３４】
工程（Ａ）
図１の態様の工程（ａ）と同様に、金属層２１上にポリイミド前駆体層２２を形成する（図２（Ａ））。
【００３５】
工程（Ｂ）
ポリイミド前駆体層２２上にセミアディティブ法により上層回路層２３を形成する（図２（Ｂ））。具体的には、金属層２１の表面に保護フィルムを貼った後に、ポリイミド前駆体層２２上にスパッタ法で銅等の薄膜を積層し、その薄膜上に導体回路パターンレジスト層を形成した後に、電解メッキ法により銅等の金属メッキ層を積層し、次いで導体回路パターンレジスト層を常法により剥離した後に、ソフトエッチングすることにより上層回路層２３を形成し、その後、保護フィルムを剥離すればよい。
【００３６】
工程（Ｃ）
図１の態様の工程（ｄ）と同様に、ポリイミド前駆体層２２をイミド化してポリイミド絶縁層２２ａを形成する。これにより図２（Ｃ）に示す両面フレキシブルプリント基板が得られる。
【００３７】
この工程（Ｃ）のイミド化の際、ポリイミド絶縁層２２ａには脱水反応により水分が生じるが、工程（Ｂ）においてポリイミド絶縁層２２ａ上にパターニングされた上層回路層２３が形成され、ポリイミド絶縁層２２ａが一部露出しているので、生じた水分を外部へ揮散させることができる。
【００３８】
以上のようにして得られた図２（Ｃ）に示す両面フレキシブルプリント基板に対しては、更に以下に示すような工程を施すことが好ましい。
【００３９】
工程（Ｄ）
図１の態様の工程（ｅ）と同様に、金属層２１をサブトラクティブ法によりパターニングして下層回路層２１ａを形成する。これにより、図２（Ｄ）に示す両面フレキシブルプリント配線板が得られる。
【００４０】
工程（Ｅ）
図１の態様の工程（ｆ）と同様に、上層回路層２３及び下層回路層２１ａのそれぞれの上にカバーコート層２４を形成する（図２（Ｅ））。
【００４１】
なお、工程（Ｂ）と工程（Ｃ）との間、又は工程（Ｃ）の後に、以下の工程（Ｍ）を実施することによりポリイミド絶縁層２２ａの表裏の回路同士を接続することができる。
【００４２】
工程（Ｍ）
工程（Ｂ）と工程（Ｃ）との間、又は工程（Ｃ）の後に、金属層２１と上層回路層２３との間の導通を確保するためのスルーホールＴｈを形成する（図２（Ｍ））。
【００４３】
このようにして得られた両面フレキシブルプリント基板は、腐食し難く、耐熱性及び寸法安定性に優れており、層間の密着性に優れ、長期エージング特性も十分なものであるので、種々の電子機器用の両面フレキシブルプリント基板として有用なものである。
【００４４】
【実施例】
以下、本発明を具体的に説明する。
【００４５】
参考例
温度コントローラーとジャケット付きの６０リットルの反応釜に、パラフェニレンジアミン（ＰＤＡ、三井化学社製）１．０５ｋｇ（１１．２モル）と、４，４′−ジアミノジフェニルエーテル（ＤＰＥ、和歌山精化社製）０．８６ｋｇ（４．８モル）とを、窒素ガス雰囲気下で溶剤Ｎ−メチル−ピロリドン（ＮＭＰ、三菱化学社製）約４５ｋｇに溶解した。その後、５０℃において、ピロメリット酸二無水物（ＰＭＤＡ、三菱瓦斯化学社製）３．５２３ｋｇ（１６．１４モル）を徐々に加えながら、３時間反応させた。これにより、固形分約１２％、粘度２５Ｐａ・Ｓ（２５℃）のポリアミック酸ワニスを調製した。
【００４６】
実施例１
１２μｍ厚の下層銅箔上に、参考例で得られたポリアミック酸ワニスを塗布し、８０〜１７０℃の連続炉で溶剤を揮散させてポリイミド前駆体層としてポリアミック酸層を形成した。
【００４７】
次に、ポリアミック酸層上に１２μｍ厚の上層銅箔を重ね、１４０℃の真空熱プレス機（面圧７０ｋｇ／ｃｍ２）で熱圧着した。
【００４８】
次に、下層銅箔の表面を保護フィルムで被覆した後、上層銅箔上に導体回路パターンレジスト層を形成し、塩化第２銅水溶液等のエッチング液で上層銅箔をエッチングして上層回路層を形成した。その後、導体回路パターンレジスト層と保護フィルムとを剥離した。
【００４９】
次に、下層銅箔／ポリアミック酸層／上層回路層からなる積層体を、加熱処理装置に投入し、その内部の雰囲気温度を２３０〜３５０℃まで昇温し、３５０℃で３０分間処理してイミド化処理を行い、ポリアミック酸層をポリイミド絶縁層とした。これにより、両面フレキシブルプリント基板が得られた。
【００５０】
得られた両面フレキシブルプリント基板の下層銅箔を、上層銅箔のパターニングと同様にパターニングして下層回路層を形成した。続いて、上層回路層と下層回路層上にポリイミドカバーコート層（ＵＲ−５４８０、東レ（株）製）を形成することにより両面フレキシブルプリント配線板が得られた。
【００５１】
得られた両面フレキシブルプリント配線板について、以下に説明するように耐熱性、寸法安定性、密着性、長期エージング特性を試験評価した。
【００５２】
耐熱性
実施例１の両面フレキシブルプリント配線板を所定の形状にカットし、３２０℃のはんだ浴に６０秒浸し、配線板への影響を観察した。実施例１の配線板は、膨れ、パターンの剥がれがなかった。この結果により、ポリイミド絶縁層中に存在する水分量が低減していることが伺える。
【００５３】
寸法安定性
実施例１の両面フレキシブルプリント配線板を１０ｃｍ角にカットして、水平な台の上に載置し、配線板の浮き具合を測定した。浮きは５ｍｍ以下であり、小さいものであった。
【００５４】
密着性
実施例１の両面フレキシブルプリント配線板のポリイミド絶縁層と銅箔との接着強度を９０°剥離強度試験により測定した。結果として、剥離強度は１．２ｋｇ／ｃｍと高いものであった。
【００５５】
長期エージング特性
（１）１５０℃のオーブンに２４０時間放置して、取り出した後、両面フレキシブルプリント配線板のポリイミド絶縁層と銅箔との接着強度を９０°剥離強度試験により測定した。結果として剥離強度は１．０ｋｇ／ｃｍと低下していないことがわかった。
【００５６】
（２）４０℃、湿度９０％の恒温槽に放置し、取り出した後、絶縁抵抗（ＪＩＳ  Ｃ６４７１に準ずる方法）を測定した。その結果、絶縁抵抗は１．０×１０Ｅ＋１２であり、配線板として十分な絶縁性を示した。
【００５７】
実施例２
１２μｍ厚の下層銅箔上に、参考例で得られたポリアミック酸ワニスを塗布し、８０〜１７０℃の連続炉で溶剤を揮散させてポリイミド前駆体層としてポリアミック酸層を形成した。
【００５８】
次に、ポリアミック酸層上にセミアディティブ法により上層回路層を形成した。即ち、下層銅箔の表面に保護フィルムを貼った後に、ポリアミック酸層上にスパッタ法でＮｉ層を２００Åの厚みほど堆積し、その上にＣｕ層を１０００Åの厚みほど堆積し、その薄膜上に導体回路パターンレジスト層を形成した。電解メッキ法により電解銅メッキ層を１８μｍ厚で堆積し、次いで導体回路パターンレジスト層を剥離した。更に、全面を過酸化水素及び硫酸の混合液でソフトエッチングすることにより上層回路層２３を形成し、その後、保護フィルムを剥離した。
【００５９】
次に、下層銅箔／ポリアミック酸層／上層回路層からなる積層体を、加熱処理装置に投入し、その内部の雰囲気温度を２３０〜３５０℃まで昇温し、３５０℃で３０分間処理してイミド化処理を行い、ポリアミック酸層をポリイミド絶縁層とした。これにより、両面フレキシブルプリント基板が得られた。
【００６０】
得られた両面フレキシブルプリント基板の下層銅箔を、上層銅箔のパターニングと同様にパターニングして下層回路層を形成した。続いて、上層回路層と下層回路層上にポリイミドカバーコート層（ＵＲ−５４８０、東レ（株）製）を形成することにより両面フレキシブルプリント配線板が得られた。
【００６１】
得られた両面フレキシブルプリント配線板について、実施例１の場合と同様に耐熱性、寸法安定性、密着性、長期エージング特性を試験評価した。
【００６２】
耐熱性
はんだ浴の温度を３００℃とする以外は、実施例１の場合と同様の方法で、配線板への影響を観察した。実施例２の配線板は、膨れ、パターンの剥がれがなかった。この結果により、ポリイミド絶縁層中に存在する水分量が低減していることが伺える。
【００６３】
寸法安定性
実施例１と同様の方法により、浮きは５ｍｍ以下と測定され、小さいものであった。
【００６４】
密着性
実施例１と同様の方法により、剥離強度は０．８ｋｇ／ｃｍと測定され、実用上十分なものであった。
【００６５】
長期エージング特性
実施例１と同様に測定したところ、同様の結果が得られた。
【００６６】
実施例３
１２μｍ厚の下層銅箔上に、参考例で得られたポリアミック酸ワニスを塗布し、８０〜１７０℃の連続炉で溶剤を揮散させてポリイミド前駆体層としてポリアミック酸層を形成した。
【００６７】
次に、ポリアミック酸層上に１２μｍ厚の上層銅箔を重ね、２００℃のプレスローラ（面圧６０ｋｇ／ｃｍ２）で熱圧着した。
【００６８】
得られた下層銅箔／ポリアミック酸層／上層銅箔からなる積層体に対し、ＮＣドリルによりスルーホール用の貫通孔を設け、常法により貫通孔の内壁に銅層を形成してスルーホールとし、上層銅箔と下層銅箔との間の導通を確保した。
【００６９】
次に、下層銅箔の表面を保護フィルムで被覆した後、上層銅箔上に導体回路パターンレジスト層を形成し、塩化第２銅水溶液等のエッチング液で上層銅箔をエッチングして上層回路層を形成した。その後、導体回路パターンレジスト層と保護フィルムとを剥離した。
【００７０】
次に、下層銅箔／ポリアミック酸層／上層回路層からなり、下層銅箔と上層回路層とがスルーホールで導通している積層体を、加熱処理装置に投入し、その内部の雰囲気温度を２３０〜３５０℃まで昇温し、３５０℃で３０分間処理してイミド化処理を行い、ポリアミック酸層をポリイミド絶縁層とした。これにより、両面フレキシブルプリント基板が得られた。
【００７１】
得られた両面フレキシブルプリント基板の下層銅箔を、上層銅箔のパターニングと同様にパターニングして下層回路層を形成した。続いて、上層回路層と下層回路層上にポリイミドカバーコート層（ＵＲ−５４８０、東レ（株）製）を形成することにより両面フレキシブルプリント配線板が得られた。以上の操作はすべてｒｏｌｌ−ｔｏ−ｒｏｌｌで行うことができた。
【００７２】
得られた両面フレキシブルプリント配線板について、実施例１の場合と同様に耐熱性、寸法安定性、密着性、長期エージング特性を試験評価した。
【００７３】
耐熱性
実施例１と同様の方法により配線板への影響を観察した。膨れ、パターンの剥がれがなく、この結果により、ポリイミド絶縁層中に存在する水分量が低減していることが伺える。
【００７４】
寸法安定性
実施例１と同様の方法により、浮きは５ｍｍ以下と測定され、小さいものであった。
【００７５】
密着性
実施例１と同様に行い、１．２ｋｇ／ｃｍと高い剥離強度を得た。
【００７６】
長期エージング性
（１）実施例１と同様の方法により、剥離強度は１．０ｋｇ／ｃｍと低下していないことがわかった。
【００７７】
（２）実施例１と同様の方法により、１．０×１０Ｅ＋１２と配線板として十分な絶縁性を示した。
【００７８】
【発明の効果】
本発明の製造方法によれば、片面の金属層をパターニングした後にポリイミド前駆体層をイミド化するので、イミド化時に生ずる水分がパターニングされた金属層から外部に揮散する。従って、イミド化時に生ずる水分による金属層の腐食を防止することができる。しかもイミド化により得られたポリイミド絶縁層は、耐熱性及び寸法安定性に優れており、また、その両側の金属層との間の密着性にも優れているので、両面フレキシブルプリント基板の長期エージング特性も十分なものとなる。更に、イミド化時に片面の金属層がパターニングされていないので、取り扱い性に優れている。また、特許第２７４６６４３号の場合に比べ、高い貼り合わせ位置精度が要求されない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の両面フレキシブルプリント基板の製造工程図である。
【図２】本発明の両面フレキシブルプリント基板の製造工程図である。
【符号の説明】
１  第１金属層、１ａ  第１回路層、２，２２  ポリイミド前駆体層、２ａ，２２ａ  ポリイミド絶縁層、３  第２金属層、３ａ  第２回路層、４，２４  カバーコート層、Ｔｈ  スルーホール、２１  金属層、２１ａ  下層回路層、２３  上層回路層
【図１】
0003565069.tif 000002
【図２】
0003565069.tif 000003