【事件の表示】
　特願２００２−７５０５２「光記録媒体」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年９月２６日出願公開、特開２００３−２７２２３２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成１４年３月１８日の出願であって、平成１８年１０月２６日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年１１月２７日付けで手続補正がされたものである。
　
第２．平成１８年１１月２７日付けの手続補正についての補正却下の決定
　
　［補正却下の決定の結論］
　　平成１８年１１月２７付けの手続補正を却下する。
　
　［理　由］
　
１．補正の内容
　平成１８年１１月２７付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）のうち、特許請求の範囲についての補正は次のとおりである。
　
［補正前］
「【請求項１】基板上に少なくとも、Ａｇを９５ｗｔ％以上含む光反射層とこれを覆う環境保護層とを有する光記録媒体であって、環境保護層のガラス転移温度が、９０℃以上１８０℃以下であることを特徴とする光記録媒体。
【請求項２】基板上に少なくとも、Ａｇを９５ｗｔ％以上含む光反射層、接着層、及びもう一つの基板を有する貼り合わせ型光記録媒体であって、接着層のガラス転移温度が、９０℃以上１８０℃以下であることを特徴とする光記録媒体。
【請求項３】基板上に少なくとも、Ａｇを９５ｗｔ％以上含む光反射層とこれを覆う環境保護層、接着層、及びもう一つの基板を有する貼り合わせ型光記録媒体であって、環境保護層と接着層のガラス転移温度が、９０℃以上１８０℃以下であることを特徴とする光記録媒体。
【請求項４】更に、環境保護層と接着層のガラス転移温度差が５０℃以下であることを特徴とする請求項３記載の光記録媒体。
【請求項５】Ａｇを９５ｗｔ％以上含む光反射層が、０．１ｗｔ％以上５ｗｔ％以下のＣｕを含有することを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載の光記録媒体。
【請求項６】相変化光記録材料の組成式を、（Ａｇ及び／又はＧｅ）α（Ｉｎ及び／又はＧａ及び／又はＢｉ）βＳｂγＴｅδＭε（Ｍは添加元素、α、β、γ、δ、εは原子％）として、次の要件を満足するものを用いた相変化型記録層を有することを特徴とする請求項１〜５の何れかに記載の光記録媒体。
　　　　　　　０．１≦α≦１０
　　　　　　　　　１≦β≦１５
　　　　　　　　６０≦γ≦９０
　　　　　　　　１５≦δ≦３０
　　　　　　　　　０≦ε≦５
　　　　　　　　α＋β＋γ＋δ＋ε＝１００」
　
［補正後］
「【請求項１】基板上に少なくとも、
光吸収層、
光吸収層が相変化型記録層であり、
あり、かつ、１５ｍ／ｓ以上の高速記録、高速再生が可能で
【請求項２】基板上に少なくとも、
光吸収層、
光吸収層が相変化型記録層であり、
あり、かつ、１５ｍ／ｓ以上の高速記録、高速再生が可能で
【請求項３】基板上に少なくとも、
光吸収層、
光吸収層が相変化型記録層であり、
あり、かつ、１５ｍ／ｓ以上の高速記録、高速再生が可能で
【請求項４】更に、環境保護層と接着層のガラス転移温度差が５０℃以下であることを特徴とする請求項３記載の光記録媒体。
【請求項５】Ａｇを９５ｗｔ％以上含む光反射層が、０．１ｗｔ％以上５ｗｔ％以下のＣｕを含有することを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載の光記録媒体。
【請求項６】相変化光記録材料の組成式を、（Ａｇ及び／又はＧｅ）α（Ｉｎ及び／又はＧａ及び／又はＢｉ）βＳｂγＴｅδＭε（Ｍは添加元素、α、β、γ、δ、εは原子％）として、次の要件を満足するものを用いた相変化型記録層を有することを特徴とする請求項１〜５の何れかに記載の光記録媒体。
　　　　　　　０．１≦α≦１０
　　　　　　　　　１≦β≦１５
　　　　　　　　６０≦γ≦９０
　　　　　　　　１５≦δ≦３０
　　　　　　　　　０≦ε≦５
　　　　　　　　α＋β＋γ＋δ＋ε＝１００」
　
２．補正の目的について
　本件補正における特許請求の範囲の補正は、補正前の請求項１〜３について、次の事項（下線部）を追加している。
　（ア）光記録媒体が光吸収層（相変化型記録層）を有するものであること、
　（イ）光記録媒体が１５ｍ／ｓ以上の高速記録、高速再生が可能であること、
　
　上記補正事項のうち、補正事項（イ）について、検討する。
　記録、再生の際の線速度については、補正前の請求項１〜６において、発明を特定するために必要な事項として記載されていないから、補正事項（イ）は、特許法第３６条第５項の規定により請求項に記載した発明を特定するために必要な事項を限定することによる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正であるということができない。
　また、誤記の訂正、明りょうでない記載の釈明を目的とする補正ということもできない。
　
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる同法改正前の特許法第１７条の２第４項各号に規定する事項を目的とする補正に該当しないから、特許法第１５９条第１項の規定により読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．独立特許要件について
　なお、本件補正が特許請求の範囲の減縮を目的としたものであると仮定した場合、補正後の請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか)について以下に検討する。
　
(1)引用例
　本願の拒絶の理由に引用された、本願出願日前に頒布された刊行物である特開２００２−４６３５６号公報（平成１４年(2002年)２月１２日公開。以下、「引用例１」という。）には、「光記録媒体及び光記録媒体用スパッタリングターゲット」に関して、以下の事項が記載されている。
　（以下、
下線
　ア．「【請求項１】記録を担う物質の相変化により記録消去を行なう光記録媒体の記録層の構成元素が、主にＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅであり、それぞれの組成比ａ、ｂ、ｃ、ｄ（原子％）が下記の関係を満たすものであることを特徴とする光記録媒体。
【数１】
　　０．１≦ａ≦５
　　５≦ｂ≦１３
　　６２≦ｃ≦７３
　　２２≦ｄ≦２６
　　ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ≧９７
　【請求項２】記録を担う物質の相変化により記録消去を行なう光記録媒体の記録層の構成元素が、主にＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｇｅであり、それぞれの組成比ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ（原子％）が下記の関係を満たすものであることを特徴とする光記録媒体。
【数２】
　　０．１≦ａ≦５
　　５≦ｂ≦１３
　　６２≦ｃ≦７３
　　２２≦ｄ≦２６
　　０．３≦ｅ≦３
　　ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ≧９７」
　イ．「【0039】
反射放熱層（５）
Ａｇ単体及びＡｇ合金
　ウ．「【0040】
反射放熱層の上には、その酸化防止のためにオーバーコート層が形成される。
　エ．「【0042】
【実施例】以下、本発明を実施例によって具体的に説明する。但しこれらの実施例は本発明をなんら制限するものではない。
＜実施例１〜１０＞、＜比較例１〜７＞表１にスパッタリングターゲットの組成、及びそれらを用いて光記録媒体を作製した場合のオーバーライト繰り返し回数（Ｏ／Ｗ回数）を示す。光記録媒体は幅０．６μｍ、深さ４０ｎｍでトラックピッチ１．６μｍのグルーブが形成されているポリカーボネートディスク基板（厚さ１．２ｍｍ）に、ＺｎＳ・ＳｉＯ2からなる第１誘電体層（厚さ８０ｎｍ）、記録層（厚さ１８ｎｍ）、ＺｎＳ・ＳｉＯ2からなる第２誘電体層（厚さ３２ｎｍ）、１．５ｗｔ％Ｔｉを含むＡｌ合金からなる反射放熱層（厚さ１６０ｎｍ）、ＵＶ樹脂コート層（厚さ１０μｍ）を設け光記録媒体を作製した。なお記録層のスパッタリングは１０ｓｃｃｍ（Ｓｔａｎｄａｒｄ Ｃｕｂｉｃ Ｃｅｎｔｉｍｅｔｅｒ ｐｅｒ Ｍｉｎｕｔｅｓ）のＡｒガスを流し、スパッタリング圧力３×１０-3ｔｏｒｒにしてＲＦパワー５００Ｗで行なった。
【0043】
ディスクの回転線速度は４ｍ／ｓｅｃ以上２０ｍ／ｓｅｃ以下で各々のディスクに最適な線速度で記録した。
　オ．「【0045】表１より、
Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｇｅそれぞれの組成比ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅが０．１≦ａ≦５、５≦ｂ≦１３、６２≦ｃ≦７３、２２≦ｄ≦２６、０．３≦ｅ≦３であるとき良好なディスク特性が得られていることがわかる。
　カ．「【0048】
＜実施例１２〜２９＞実施例１のターゲットを用い、実施例１〜１０、比較例１〜７と同様にポリカーボネートディスク基板（厚さ１．２ｍｍ）にＺｎＳ・ＳｉＯ2からなる第１誘電体層（厚さ８０ｎｍ）、記録層（厚さ１８ｎｍ）、ＺｎＳ・ＳｉＯ2からなる第２誘電体層（厚さ３２ｎｍ）、反射放熱層（厚さ１６０ｎｍ）に用いる金属あるいは合金層を表３に記載の材料を用いて光記録媒体を作製した。
　キ．「【0050】表３より、Ａｌ合金を用いた反射放熱層としてはＴａ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｓｉのうち少なくとも１種類の元素を０．３〜２．５ｗｔ％の範囲でを含むものが良く、また、
金属又は合金層が０〜４ｗｔ％の添加物を含むＡｇであり、該添加物がＡｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｔｉ、Ｃｕのうち少なくとも１種類の元素を含むものがオーバーライト特性及び保存性が良いことがわかる。
　ク．「【0051】
【発明の効果】以上、詳細且つ具体的な説明より明らかなように、本発明によれば、記録を担う物質の相変化により記録消去を行なう光記録媒体の記録層の構成元素の組成比を調整することにより、オーバーライト特性の優れた光記録媒体を提供することができる。また、各層の膜厚を最適に調整することにより、反射率が適正な範囲内にあり、オーバーライト特性及び、ドライブマッチングに優れた光記録媒体を提供することができる。更に、
４ｍ／ｓｅｃ以上２０ｍ／ｓｅｃ以下で書き換え可能である
　
　上記によれば、引用例1には、次の発明（以下、「引用例発明」という。）が記載されている。
　「記録を担う物質の相変化により記録消去を行なう光記録媒体であって、基板上の記録層の構成元素が、主にＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｇｅであり、それぞれの組成比ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ（原子％）が０．１≦ａ≦５、５≦ｂ≦１３、６２≦ｃ≦７３、２２≦ｄ≦２６、０．３≦ｅ≦３であり、反射放熱層として０〜４ｗｔ％の添加物を含むＡｇを用い、反射放熱層の上に酸化防止のためにオーバーコート層が形成され、４ｍ／ｓｅｃ以上２０ｍ／ｓｅｃ以下で書き換え可能である光記録媒体」
　
　同じく、本願の拒絶の理由に引用された、本願出願日前に頒布された刊行物である特開平１０−２６９６２６号公報（以下、「引用例２」という。）には、「相変化型光ディスク」に関して、次の事項が記載されている。
　
　ケ．「【請求項１】  直径が１２０ｍｍ以上である円板状のプラスチック製透明基板上に、薄膜層として、結晶状態と非晶質状態との間の相変化が可逆的になされる材料からなる記録層を少なくとも備えるとともに、当該薄膜層の上に紫外線硬化型の液状樹脂を塗布して硬化させることにより透明な樹脂製の保護膜が形成されている相変化型光ディスクにおいて、
前記
保護膜は、ガラス転移温度が９５℃以上１２０℃未満
【請求項２】  直径が１２０ｍｍ以上である円板状のプラスチック製透明基板上に、薄膜層として、結晶状態と非晶質状態との間の相変化が可逆的になされる材料からなる記録層を少なくとも備えるとともに、当該薄膜層の上に紫外線硬化型の液状樹脂を塗布して硬化させることにより透明な樹脂製の保護膜が形成されている相変化型光ディスクにおいて、
前記
保護膜は、ガラス転移温度が１２０℃以上であり
　コ．「【0026】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を、具体的な実施例により説明する。
（実施例１）外径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍのポリカーボネート製透明基板を射出成型法により作製した。成形歪みをとるために９０℃で２時間アニール処理した後、大日本インキ化学工業（株）製の紫外線硬化樹脂ＳＤ−１７００、ＳＤ−１０１、ＳＤ−３０１、ＳＤ−３１８を用いてスピンコーティング法により５μｍの厚さの保護膜を形成し高圧水銀灯で７００ｍＪ／ｃｍ2 の光を照射して硬化させて透明基板と保護膜のみの試料を作成した。
【0027】加速試験による反りの発生量を、８０℃８０％ＲＨ１５０時間の加速環境下で試験した結果を表１に示す。」
　サ．表1によれば、紫外線硬化樹脂ＳＤ−１７００、ＳＤ−１０１、ＳＤ−３０１、ＳＤ−３１８のガラス転移温度は、それぞれ、８０℃、９５℃、１２０℃、１５０℃である。
　シ．「【0029】この結果から、８０℃加速環境下では、発生する反りの大きさは常温に近い３０℃のヤング率では判定できず、ガラス転移温度が８０℃と低いＳＤ−１７００の反りが大きいことがわかる。
（実施例２）
【0030】続いて、三菱レーヨン（株）製の紫外線硬化樹脂ＵＲ−４５１１を用いて、スピンコーティング法により基板３０１の記録膜形成面と逆側にコート膜３０３を形成し、高圧水銀灯で１０００ｍＪ／ｃｍ2 の光を照射して硬化させた。続いて、
ＺｎＳ−ＳｉＯ
2 
からなる誘電体層３０４ａ、ＧｅＳｂＴｅからなる記録層３０４ｂ、ＺｎＳ−ＳｉＯ
2
 からなる誘電体層３０４ｃ、およびＡｌＣｒからなる反射層３０４ｄの４層の薄膜層をスパッタリング法により形成した。
大日本インキ化学工業（株）製の紫外線硬化樹脂ＳＤ−１０１、ＳＤ−３０１、及びＳＤ−３１８を用いてスピンコーティング法により保護膜３０２を形成し、高圧水銀灯で５００ｍＪ／ｃｍ2 の光を照射して硬化させた。
【0032】
腐食の発生度合については、１１０℃９０％ＲＨ６７時間の加速環境下で試験した結果を図７に示す。腐食は、ピンホールとして光学顕微鏡で１０μｍ以上の大きさとなっているものの一定面積あたりの個数を数えることで定量化した。
【0033】反りの発生量については、
９０℃８０％ＲＨ９００時間の加速環境下で試験した
　ス．「【0035】この結果から、同一の厚さでもガラス転移温度が９５℃と低いＳＤ−１０１のそりが大きいことが分かる。反り量の許容量は７ミリラジアン（ｍｒａｄ）であるので、ガラス転移温度が９５℃であるＳＤ−１０１の場合は６μｍが厚さの上限であることが分かる。それに対して、ガラス転移温度が１２０℃であるＳＤ−３０１の場合は、厚さが６μｍでは反り量が５ミリラジアンとより少なく、厚さと反りがおおよそ比例すると考えると、厚さが８μｍになると反り量が７ミリラジアンになると推測される。
【0036】したがって、外径１２０ｍｍ以上の基板を用いた場合には、保護膜の樹脂を、硬化後のガラス転移温度が９５℃以上１２０℃未満である場合は厚さ４〜６μｍで、１２０℃以上である場合は厚さ４〜８μｍで形成することにより、
９０℃８０％ＲＨ加速環境下
　
(2)対比
　
　引用例発明：
　「記録を担う物質の相変化により記録消去を行なう光記録媒体であって、基板上の記録層の構成元素が、主にＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｇｅであり、それぞれの組成比ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ（原子％）が０．１≦ａ≦５、５≦ｂ≦１３、６２≦ｃ≦７３、２２≦ｄ≦２６、０．３≦ｅ≦３であり、反射放熱層として０〜４ｗｔ％の添加物を含むＡｇを用い、反射放熱層の上に酸化防止のためにオーバーコート層が形成され、４ｍ／ｓｅｃ以上２０ｍ／ｓｅｃ以下で書き換え可能である光記録媒体」
　
　引用例発明における「基板」「記録層」「オーバーコート層」は、それぞれ、本願補正発明の「基板」「光吸収層」「環境保護層」に相当する。
　引用例発明における「反射放熱層として０〜４ｗｔ％の添加物を含むＡｇを用い」は、本願補正発明の「Ａｇを９５ｗｔ％以上含む光反射層」に相当する。
　引用例発明において、記録を担う物質の相変化によって記録消去を行うから、引用例発明の「記録層」は、本願補正発明の「光吸収層が相変化型記録層である」に相当する。
　
　したがって、本願補正発明と引用例発明とを対比すると、一致点及び相違点は、次のとおりである。
　
　［一致点］
　「基板上に少なくとも、光吸収層、Ａｇを９５ｗｔ％以上含む光反射層、及びこれを覆う環境保護層を有する光記録媒体であって、光吸収層が相変化型記録層である光記録媒体。」である点。
　
　［相違点］
　［相違点１］
　本願補正発明では「環境保護層のガラス転移温度が９０℃以上１８０℃以下である」のに対し、引用例発明では、オーバーコート層（環境保護層）のガラス転移温度が特定されていない点。
　
　［相違点２］
　本願補正発明では「１５ｍ／ｓ以上の高速記録、高速再生が可能である」と特定されているのに対し、引用例発明では「４ｍ／ｓｅｃ以上２０ｍ／ｓｅｃ以下で書き換え可能である」と特定されているが、１５ｍ／ｓ以上の高速記録、高速再生が可能であるか、明記されていない点。
　
(3)相違点についての判断
　
　ア．相違点１について
　引用例２には、相変化型光ディスクにおける紫外線硬化型の液状樹脂を塗布して硬化させることにより透明な樹脂製の保護膜（引用例発明のオーバーコート層に相当する）について、
ガラス転移温度が９５℃以上１２０℃未満
ガラス転移温度が１２０℃以上
９０℃８０％ＲＨ加速環境下
　光記録媒体において、反り量を小さくすべきことは周知の課題であるから、引用例２の記載事項に基づいて、引用例発明のオーバーコート層のガラス転移温度を９０℃以上とすることは当業者が容易に推考しうる事項であって、上限を特定することは単なる設計事項にすぎない。
　
　イ．相違点２について
　引用例１には、実際に測定した線速度について明記されていない。
　ところで、本願明細書には、次のとおり記載されている。（なお、
下線
　「【0016】相変化型光吸収層としては、単に記録・消去できるだけでなく、高密度、高線速度領域で記録したときの信号の再生安定性や信号の寿命（信頼性）も同時に要求される。これらを総合的に満足できる相変化型光吸収層として、ＳｂＴｅを主成分とする材料が挙げられ、既に、ＧｅＳｂＴｅ、ＡｇＩｎＳｂＴｅ、ＧｅＩｎＳｂＴｅ等が商品化されている。しかし、１０ｍ／ｓ以上、
特に１５ｍ／ｓ以上の高速で記録するには、相変化光記録材料の組成式を、（Ａｇ及び／又はＧｅ）α（Ｉｎ及び／又はＧａ及び／又はＢｉ）βＳｂγＴｅδＭε（Ｍは添加元素、α、β、γ、δ、εは原子％）として、次の要件を満足するものが優れている。
　　　　　　　　　１≦β≦１５
　　　　　　　　６０≦γ≦９０
　　　　　　　　１５≦δ≦３０
　　　　　　　　　０≦ε≦５
　　　　　　　　α＋β＋γ＋δ＋ε＝１００
【0017】
上記要件を満足する組成領域では、１５ｍ／ｓ以上の高速記録・消去が可能となり
　＜以下、省略＞」
　
　一方、引用例発明では、記録層を構成する元素Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｇｅの組成比ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ（原子％）は、０．１≦ａ≦５、５≦ｂ≦１３、６２≦ｃ≦７３、２２≦ｄ≦２６、０．３≦ｅ≦３である。
　本願補正発明において、１５ｍ／ｓ以上の高速記録・消去が可能となる条件と比較すると、
　Ａｇは、０．１≦ａ≦５であるから、０．１≦α≦１０の条件に含まれる。
　Ｉｎは、５≦ｂ≦１３であるから、１≦β≦１５の条件に含まれる。
　Ｓｂは、６２≦ｃ≦７３であるから、６０≦γ≦９の条件に含まれる。
　Ｔｅは、２２≦ｄ≦２６であるから、１５≦δ≦３０の条件に含まれる。
　Ｇｅは、０．３≦ｅ≦３であるから、０．１≦α≦１０の条件に含まれ、ε＝０に相当する。
　引用例発明は、上記の元素から構成されるから、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００％であることは明らかで、α＋β＋γ＋δ＋ε＝１００の条件も満たしている。
　
　そうすると、引用例発明の記録層を構成する元素の組成比は、本願発明において１５ｍ／ｓ以上の高速記録・消去が可能となる条件を満たしているから、引用例１には15m/s以上の高速記録・消去が可能であることは明記されていないが、引用例発明も１５ｍ／ｓ以上の高速記録・消去が可能であるというべきであって、相違点２は、実質的な相違点ではない。
　
　そして、上記各相違点によって奏される効果も当業者が予測しうる程度のものである。
　
　したがって、本願補正発明は、その出願前に頒布された刊行物である引用例１及び引用例２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　(4) 独立特許要件についてのむすび
　上記のとおり、本願補正発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　したがって、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないから、特許法第１５９条第１項の規定により読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３．本願発明について
　
　平成１８年１１月２７日付け手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜６に係る発明は、願書に最初に添付された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜６に記載された事項により特定されるとおりのものであって、上記第２の１．補正事項の［補正前］のとおりである。
　
　原査定の拒絶の理由として、平成１８年６月２９日付け拒絶理由通知において、請求項６に係る発明は、その出願前に頒布された刊行物である引用文献等：１及び５に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定より、特許を受けることができないことが指摘されている。
　請求項６は、請求項１ないし５を引用しているから、そのうちの請求項１を引用する発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりである。
　
「基板上に少なくとも、Ａｇを９５ｗｔ％以上含む光反射層とこれを覆う環境保護層とを有する光記録媒体であって、環境保護層のガラス転移温度が、９０℃以上１８０℃以下であり、相変化光記録材料の組成式を、（Ａｇ及び／又はＧｅ）α（Ｉｎ及び／又はＧａ及び／又はＢｉ）βＳｂγＴｅδＭε（Ｍは添加元素、α、β、γ、δ、εは原子％）として、次の要件を満足するものを用いた相変化型記録層を有することを特徴とする光記録媒体。
　　　　　　　０．１≦α≦１０
　　　　　　　　　１≦β≦１５
　　　　　　　　６０≦γ≦９０
　　　　　　　　１５≦δ≦３０
　　　　　　　　　０≦ε≦５
　　　　　　　　α＋β＋γ＋δ＋ε＝１００」
　
　(1) 引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１は特開平１０−２６９６２６号公報（引用例２）であり、引用文献５は特開２００２−４６３５６号公報（引用例１）であるから、引用文献及びその記載事項は、前記「第２の１．(1)」に記載したとおりである。
　
　(2) 対比
　引用例発明における「基板」「記録層」「オーバーコート層」は、それぞれ、本願補正発明の「基板」「光吸収層」「環境保護層」に相当する。
　引用例発明における「反射放熱層として０〜４ｗｔ％の添加物を含むＡｇを用い」は、本願補正発明の「Ａｇを９５ｗｔ％以上含む光反射層」に相当する。
　引用例発明において、記録を担う物質の相変化によって記録消去を行うから、引用例発明の「記録層」は、本願補正発明の「光吸収層が相変化型記録層である」に相当する。
　
　引用例発明において、記録層を構成する元素Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｇｅの組成比ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ（原子％）は、０．１≦ａ≦５、５≦ｂ≦１３、６２≦ｃ≦７３、２２≦ｄ≦２６、０．３≦ｅ≦３であるから、本願発明の条件である（Ａｇ及び／又はＧｅ）α（Ｉｎ及び／又はＧａ及び／又はＢｉ）βＳｂγＴｅδＭεと比較すると、
　Ａｇは、０．１≦ａ≦５であるから、０．１≦α≦１０の条件に含まれる。
　Ｉｎは、５≦ｂ≦１３であるから、１≦β≦１５の条件に含まれる。
　Ｓｂは、６２≦ｃ≦７３であるから、６０≦γ≦９の条件に含まれる。
　Ｔｅは、２２≦ｄ≦２６であるから、１５≦δ≦３０の条件に含まれる。
　Ｇｅは、０．３≦ｅ≦３であるから、０．１≦α≦１０の条件に含まれ、
　他の元素は含まれないから、ε＝０に相当する。
　引用例発明は、上記の元素から構成されるから、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００％である。
　
　そうすると、引用例発明の「基板上の記録層の構成元素が、主にＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｇｅであり、それぞれの組成比ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ（原子％）が０．１≦ａ≦５、５≦ｂ≦１３、６２≦ｃ≦７３、２２≦ｄ≦２６、０．３≦ｅ≦３であり」は、本願発明の「相変化光記録材料の組成式を、（Ａｇ及び／又はＧｅ）α（Ｉｎ及び／又はＧａ及び／又はＢｉ）βＳｂγＴｅδＭε（Ｍは添加元素、α、β、γ、δ、εは原子％）として、次の要件を満足するもの
　　　　　　　０．１≦α≦１０
　　　　　　　　　１≦β≦１５
　　　　　　　　６０≦γ≦９０
　　　　　　　　１５≦δ≦３０
　　　　　　　　　０≦ε≦５
　　　　　　　　α＋β＋γ＋δ＋ε＝１００」に相当する。
　
　したがって、本願補正発明と引用例発明とを対比すると、一致点及び相違点は、次のとおりである。
　
　［一致点］
　「基板上に少なくとも、Ａｇを９５ｗｔ％以上含む光反射層とこれを覆う環境保護層とを有する光記録媒体であって、相変化光記録材料の組成式を、（Ａｇ及び／又はＧｅ）α（Ｉｎ及び／又はＧａ及び／又はＢｉ）βＳｂγＴｅδＭε（Ｍは添加元素、α、β、γ、δ、εは原子％）として、次の要件を満足するものを用いた相変化型記録層を有する光記録媒体。
　　　　　　　０．１≦α≦１０
　　　　　　　　　１≦β≦１５
　　　　　　　　６０≦γ≦９０
　　　　　　　　１５≦δ≦３０
　　　　　　　　　０≦ε≦５
　　　　　　　　α＋β＋γ＋δ＋ε＝１００」である点。
　
　［相違点］
　本願発明では「環境保護層のガラス転移温度が９０℃以上１８０℃以下である」のに対し、引用例発明では、オーバーコート層（環境保護層）のガラス転移温度が特定されていない点。
　
　(3)相違点についての判断
　上記相違点は、前記第２の３．(3)で検討した本願補正発明と引用例発明との相違点１に他ならないから、前記第２の３．(3)ア．で述べた理由と同様の理由により、本願発明は、その出願前に頒布された刊行物である引用例１及び引用例２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　(4)むすび
　以上のとおり、本願の請求項６に係る発明は、引用例１及び引用例２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶されるべきである。
　よって、結論のとおり審決する。