【事件の表示】
　特願２００１−２５５９１５「面発光型半導体レーザ」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　７月２６日出願公開、特開２００２−２０８７５５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯 
　本願は、平成１３年８月２７日（優先権主張、平成１２年１１月１３日）の出願であって、平成１９年１０月１２日に手続補正がなされ、同年１１月１４日付けで拒絶査定がなされ、これに対し同年１２月２０日に拒絶査定不服審判請求がなされるとともに平成２０年１月２１日付けで手続補正がなされたものである。 
　  
ＩＩ．平成２０年１月２１日付けの手続補正についての補正却下の決定  
［補正却下の決定の結論］  
　平成２０年１月２１日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。  
　　  
［理由］  
１．補正の内容・本願補正発明  
　本件補正は、補正前の請求項１を以下のように補正し、補正後の請求項１とすることを含むものである。  
　　  
「下部多層膜反射鏡、活性層領域、及び前記下部多層膜反射鏡と共に共振器を構成する上部多層膜反射鏡が順次積層された半導体基板と、
　該上部多層膜反射鏡の上層に設けられ、且つ前記活性層領域で発生したレーザ光の出射領域を形成する開口部が穿設された上部電極と、
　前記上部電極と前記下部多層膜反射鏡との間に設けられ、電流流路の周縁部を絶縁化して形成された電流狭窄部と、を備え、
　前記出射領域に対応する領域の共振器の反射率及び前記上部電極に対応する領域の共振器の反射率に基づいて、レーザ光の高次横モードにおける共振器の光学損失からレーザ光の基本横モードにおける共振器の光学損失を減じた差が極大値近傍の値となるように、前記上部電極の開口部径を前記電流狭窄部の開口部径より約２μｍ以下の範囲で大きくすることを特徴とする面発光型半導体レーザ。」 
　　  
　本件補正は、補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「上部電極の開口部径及び電流狭窄部の開口部径」について、「上部電極の開口部径を前記電流狭窄部の開口部径より約２μｍ以下の範囲で大きくする」との事項を付加するものであるから、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下「平成１８年改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 
　　  
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。 
　　  
２．引用刊行物  
　原査定の拒絶の理由において引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２０００−２２２７１号公報（以下「引用刊行物」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。  
　  
（１）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、面発光レーザおよび面発光レーザアレイに関するものであり、特に、高輝度基本横モード光出力を有する垂直共振器型面発光レーザおよび面発光レーザアレイに関するものである。」
（２）「【００１９】そこで、本発明の目的は、位置バラツキが小さく、かつ、再現性よく、しかも、容易に作製することができる高輝度基本横モード光出力を有する面発光レーザおよび面発光レーザアレイを提供することにある。」
（３）「【００２０】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、鋭意検討した結果、下記の手段により上記課題が解決できることを見出し本発明を完成するに至った。すなわち、本発明の面発光レーザは、活性層とこの活性層の両側にそれぞれ積層したスペーサ層とからなる活性層領域と、この活性層領域の両側にそれぞれ積層した反射層とを備えてなる面発光レーザにおいて、活性層領域で発生したレーザ光の出射中心の周辺部であって、少なくともレーザ光の出射前にレーザ光を受ける位置に積層され、レーザ光を反射層の側に反射する第１調整層と、反射層と前記第１調整層とで反射されたレーザ光が入射される透光性の第２調整層とを設けたことを特徴とする。
【００２１】本発明の面発光レーザの一例は、活性層とこの活性層の両側にそれぞれ積層したスペーサ層とからなる活性層領域と、この活性層領域の両側にそれぞれ積層した反射層とを備えてなる面発光レーザにおいて、活性層領域で発生したレーザ光の出射中心の周辺部であって、少なくとも一方の反射層の外側に積層され、レーザ光を少なくとも一方の反射層の側に反射する第１調整層と、活性層領域で発生したレーザ光の出射中心の少なくとも周辺部であって、少なくとも一方の反射層と第１調整層との間に積層され、少なくとも一方の反射層と第１調整層とで反射されたレーザ光が入射されて、レーザ光の出射中心の周辺部におけるレーザ光の発振波長に対する反射率を低下させる透光性の第２調整層とを設けたことを特徴とする。
・・・（略）・・・
【００２６】以上のような構成の面発光レーザによれば、基本横モードのレーザ発振の特性を損なうことなく、副次的に発生する高次横モードのレーザ発振を選択的に抑制することができ、基本横モード光出力を高めることができる。さらには、レーザ共振器におけるレーザ光の出射中心の周辺部の実効屈折率が出射中心の実効屈折率よりも低くなるので、レーザ共振器に屈折率導波路構造を形成することができ、基本横モードのレーザ発振を効率的に生じさせることができる。構造的にも、再現性が高く、容易な工程により面発光レーザを作製することができ、高輝度基本横モード光出力が得られる面発光レーザを高い歩留まりで、かつ、安価に提供することができる。」
（４）「【００２７】
【発明の実施の形態】まず、本発明の原理を簡単に説明する。図１（ａ）は、本発明に係る垂直共振器型面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）の構造を簡略化して示した断面図である。このＶＣＳＥＬは、活性層とこの活性層の両側に積層した上部スペーサ層および下部スペーサ層とからなる活性層領域１１と、活性層領域１１の上部スペーサ層に積層した上部反射層１２と、活性層領域１１の下部スペーサ層に積層した下部反射層１３と、上部反射層１２におけるレーザ光の出射中心の周辺部に第１調整層１４と第２調整層１５とを設けて構成した副次的な共振器とにより構成されている。また、図１においては、第１調整層１４が透光性を有していないため、レーザ光の出射領域は第１調整層１４で囲まれた領域と一致している。なお、本明細書においては、説明の便宜上、レーザ光が出射する側を上部、その反対側を下部とする。ただし，上部および下部は相対的なものであり、これに限定されることはない。
【００２８】この副次的な共振器は、上部反射層１２と、第１調整層１４と、これらの間に挟まれた透光性の第２調整層１５とにより構成され、活性層領域で発生したレーザ光が第２調整層１５を通過して第１調整層１４で反射され、次に第１調整層１４に対向する上部反射層１２で再度反射されて第２調整層１５に入射するように構成される。このとき、上部反射層１２と第１調整層１４との間で多重反射が生じ、上部反射層１２と第１調整層１４との間で反射されたレーザ光は第２調整層１５に入射することで位相が変化し、位相変化後のレーザ光と入射したレーザ光とが互いに干渉して、その合成波を減衰させ、反射率が低下すると考えられる。また、位相の変化によりレーザ光の出射領域とその周辺部とで発振波長が変化する場合には、光閉じ込め効果が生じるものと考えられる。第２調整層１５の光学的膜厚（材料の誘電率で光速を補正したときの膜厚）を制御することにより副次的な共振器において共振する波長を基本横モードで発振するレーザ光の発振波長（例えば７８０ｎｍ）に等しくすると、レーザ光の発振波長付近における副次的な共振器の反射率が減少し、その結果、レーザ光の出射領域の周辺部におけるレーザ共振器の反射率が局所的に低下することとなる。
【００２９】このようにレーザ光の出射領域の周辺部におけるレーザ共振器の反射率が低下すると、図１（ｂ）において破線で示すように、基本横モードでレーザ発振する光の強度が周辺部において小さくなり、また、図１（ｃ）において破線で示すように、高次横モードでレーザ発振する光の強度が周辺部において小さくなる。その結果、基本横モードでレーザ発振する光は出射領域に集中するようになるのに対し、高次横モードでレーザ発振する光は周辺部に集中するようになるため、上部反射層１２で反射されるたびごとに、高次横モードでレーザ発振する光の強度は、基本横モードでレーザ発振する光の強度に比べて低くなる。
【００３０】このため、高次横モードでレーザ発振するために必要とされる光の強度を得るためには、副次的な共振器を設けていない従来のＶＣＳＥＬよりも、大きな電流を活性層に注入することが必要となる。このことは、高次横モードのレーザ発振のしきい値が従来よりも高くなったことを意味し、従来のＶＣＳＥＬよりも活性層への注入電流を大きくしても、高次横モードのレーザ発振を十分に抑制することができ、その結果、従来よりも注入電流を大きくしても、基本横モードのみでレーザ発振させることが可能となり、基本横モードのレーザ光の出力が高く、高輝度の面発光レーザを得ることができる。なお、図１（ｂ）および（ｃ）において、実線は、それぞれ副次的な共振器を設けない場合の基本横モードでレーザ発振する光の強度および高次横モードでレーザ発振する光の強度を表す。
【００３１】ただし、副次的な共振器において共振する波長はレーザ光の発振波長に必ずしも一致していることは必要ではなく、高次横モードでのレーザ発振を十分に抑制でき、かつ、基本横モードでのレーザ発振を過度に抑制しないような程度で、レーザ光の出射中心の周辺部におけるレーザ共振器の反射率が低下すればよい。」
（５）「【００５１】〔第２の実施の形態〕図６（ａ）および（ｂ）は、それぞれ本発明の第２の実施の形態に係る垂直共振器型面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）の断面図である。図６（ａ）は、図３に示したＶＣＳＥＬにおいて、上部反射層１２に積層した第２調整層１５のうちレーザ光の出射中心上に位置する部分を除去した形態としたほかは、同様の構成である。図６（ｂ）は、図３に示したＶＣＳＥＬにおいて、第２調整層１５におけるレーザ光の出射中心上に、さらに、レーザ光の発振波長（例えば、７８０ｎｍ）に対する反射率を高めるための反射特性補正層１６を積層したほかは、同様の構成である。反射特性補正層１６は、例えば、二酸化珪素などの誘電体などから構成することができる。図６（ａ）および（ｂ）に示した構成例は、いずれも、レーザ光の出射中心における反射率が高くなるように反射特性を改善するものである。
【００５２】図７は、上部反射層１２の強度反射スペクトルを示すグラフである。図７中の実線は、図６（ａ）および（ｂ）の構成例において第１調整層１４および第２調整層１５を設けなかった場合の上部反射層１２の強度反射スペクトルを示し、図７中の破線は、図６（ｂ）の構成例において第１調整層１４および反射特性補正層１６を設けなかった場合の上部反射層１２の強度反射スペクトルを示す、図５（ｂ）と同様のスペクトル図である。また、図７のグラフの内部には、レーザ光の発振波長が７８０ｎｍ付近における強度反射スペクトルを拡大して示してある。
【００５３】図７から分かるように、レーザ光の発振波長７８０ｎｍ付近における上部反射層１２の強度反射率は、第２調整層１５を積層しなかった場合の方が、第２調整層１５を積層した場合よりも高くなる。このことは、第２調整層１５が上部反射層１２の反射特性を低下させていることを意味している。
【００５４】したがって、図６（ａ）に示すように、第２調整層１５におけるレーザ光の出射中心上の部分を除去する構成とすれば、レーザ光の出射中心における上部反射層１２の反射率をより高くすることができる。また、図６（ｂ）に示すように、第２調整層１５におけるレーザ光の出射中心上の部分にさらに反射特性補正層１６を積層することにより、レーザ光の出射中心における上部反射層１２の反射率をより高くすることができる。
【００５５】また、第２調整層１５の光学的膜厚を制御して、副次的な共振器において共振する波長をレーザ光の発振波長（例えば、７８０ｎｍ）よりも短波長側にシフトさせるか、または、レーザ光の出射中心において共振する波長を長波長側にシフトさせることにより、レーザ光の出射中心における実効屈折率に対して、その周辺部における実効屈折率を小さくすることができ、これにより、屈折率導波構造を形成することが可能となる。
【００５６】さらには、屈折率導波路の基本横モードおよび高次横モードの光電場の分布条件、ならびに出射中心とその周辺部の反射率差も考慮して、第２調整層１５の光学的膜厚を選定することにより、基本横モードレーザ発振特性の良好な屈折率導波路構造を形成することができる。」
（６）「【００６５】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。
【００６６】〔実施例１〕この実施例１は、図３に示した第１の実施の形態に対応するものである。図９（ａ）に示すように、有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法により、ｎ型ＧａＡｓ基板９１上に、キャリア濃度が１×１０18ｃｍ-3で膜厚が０．２μｍ程度のｎ型ＧａＡｓバッファ層９２を積層する。
【００６７】このバッファ層９２上に、ＭＯＣＶＤ法により、Ａｌ0.9 Ｇａ0.1 ＡｓとＡｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓとをそれぞれの光学的膜厚が媒質内波長の１／４となるように交互に４０．５周期積層して、キャリア濃度が１×１０18ｃｍ-3で総膜厚が約４μｍの下部ｎ型ＤＢＲ層９３を設ける。
【００６８】この下部ｎ型ＤＢＲ層９３上に、ＭＯＣＶＤ法により、アンドープ下部Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓスぺーサー層と、アンドープ量子井戸活性層（膜厚９０ｎｍのＡｌ0.11Ｇａ0.89Ａｓ量子井戸層３層と、膜厚５０ｎｍのＡｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ障壁層４層とで構成されている）と、アンドープ上部Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓスぺーサー層とにより構成された光学的膜厚が媒質内波長となる活性層領域９４を設ける。
【００６９】この活性層領域９４上に、ＭＯＣＶＤ法により、Ａｌ0.9 Ｇａ0.1 ＡｓとＡｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓとをそれぞれの光学的膜厚が媒質内波長の１／４となるように交互に２０周期積層して、キャリア濃度が１×１０18ｃｍ-3で総膜厚が約２μｍの上部ｐ型ＤＢＲ層９５を設ける。
【００７０】この上部ｐ型ＤＢＲ層９５上に、ＭＯＣＶＤ法により、キャリア濃度が１×１０18ｃｍ-3で光学的膜厚が媒質内波長の１．５５／４〜１．６２／４倍、好ましくは１．６／４倍のｐ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ第２調整層９６を積層する。
【００７１】ここで、図示しないが、キャリア濃度が１×１０19ｃｍ-3で光学的膜厚が１０ｎｍ程度のｐ型ＧａＡｓコンタクト層を最上部に積層してもよい。また、詳しくは述べないが、ＤＢＲ層９３および９５の電気的抵抗を下げるために、Ａｌ0.9 Ｇａ0.1 ＡｓとＡｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓとの界面に、ＡｌＡｓ組成を９０％から３０％に段階的に変化させた光学的膜厚が９ｎｍ程度の領域を設けてもよい。
【００７２】ここで、ＭＯＣＶＤ法による成膜においては、原料ガスとしては、トリメチルガリウム、トリメチルアルミニウム、アルシンを用い、ドーパント材料としては、ｐ型用にシクロペンタジニウムマグネシウム、ｎ型用にシランを用い、膜成長時の基板温度は７５０℃とし、原料ガスを順次変化させ、連続して成膜を行った。
【００７３】続いて、図９（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィーにより結晶成長層上にレジストマスクＲを形成し、四塩化炭素をエッチングガスとして用いた反応性イオンエッチングにより、下部ｎ型ＤＢＲ層９３の途中までエッチングし、径が１０〜３０μｍ程度の円柱もしくは角柱からなるポストＳを形成し、これにより電流狭窄部を形成している。
【００７４】レジストＲを除去した後、図９（ｃ）に示すように、プラズマＣＶＤ装置を用いて、第２調整層９６上にＳｉＮ層９７を蒸着した後、通常のフォトリソグラフィー工程とバッファードふっ酸を用いたＳｉＮのエッチングにより、ポストＳの上部に位置するＳｉＮ層９７を剥離する。
【００７５】その後、図９（ｄ）に示すように、フォトリソグラフィー工程を用いて、ポストＳの上部中央部にレジストパターンＴを形成し、その上方からＥＢ蒸着機を用いて、ｐ側電極を兼用する第１調整層を構成することとなるＴｉとＡｕをそれぞれ１０ｎｍ、２００ｎｍの厚さで蒸着する。
【００７６】最後に、アセトンを用いて、レジストパターンＴをその上部に蒸着されたＴｉおよびＡｕとともに剥離して、図９（ｅ）に示すように、ｐ側電極を兼用する第１調整層９８が第２調整層９６におけるレーザ光の出射中心の周辺部に積層された構造のＶＣＳＥＬを得る。
【００７７】このＶＣＳＥＬにおいて、ｐ側電極を兼用する第１調整層９８（当審注：「第２調整層９６」は「第１調整層９８」の誤記と認める。）が存在しない領域、すなわち、レジストパターンＴが存在していた領域であるポストＳの中央部からレーザ光が出射されるが、この出射領域の口径は３〜２０μｍ程度が好ましい。なお、基板９１の裏面には、図示しないｎ側電極としてＡｕＧｅが蒸着されている。
【００７８】以上のようにして作製したＶＣＳＥＬのおいては、ポストＳの中央部のレーザ光の出射中心の直下における共振器反射率は約９９．５％と高く、また、ｐ側電極を兼用する第１調整層９８の直下における共振器反射率は、図４に示した結果と同様に低くなり、高次横モードのレーザ発振を適切に抑制することができた。その結果、従来の技術では基本横モードのレーザ発振を得るためにはレーザ光の出射領域の口径は５μｍ以下とすることが必要とされたが、本発明によれば、出射領域の口径を５μｍ以上としても、基本横モードのレーザ発振が可能となり、高輝度基本横モード光出力を得ることができる。
【００７９】この実施例１に係るＶＣＳＥＬの基本横モードのレーザ発振および高次横モードのレーザ発振と、図１７に示した従来のＶＣＳＥＬの基本横モードのレーザ発振および高次横モードのレーザ発振を調べたところ、図１０に示す結果が得られた。すなわち、活性層への注入電流を増加させた場合に、実施例１に係るＶＣＳＥＬおよび従来のＶＣＳＥＬともに、高次横モードのレーザ発振は抑制され、基本横モードだけが発振するが、実施例１のＶＣＳＥＬに比べて、従来のＶＣＳＥＬでは、基本横モードのレーザ発振を開始する電流のしきい値および効率がともに低下していることが分かる。
・・・（略）・・・
【００８４】〔実施例２〕この実施例２は、図６（ａ）に示した第２の実施の形態に対応するものである。図１１に示すように、ＭＯＣＶＤ法により、ｎ型ＧａＡｓ基板９１上に、キャリア濃度が１×１０18ｃｍ-3で膜厚が０．２μｍ程度のｎ型ＧａＡｓバッファ層９２を積層する。
【００８５】このバッファ層９２上に、ＭＯＣＶＤ法により、Ａｌ0.9 Ｇａ0.1 ＡｓとＡｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓとをそれぞれの光学的膜厚が媒質内波長の１／４となるように交互に４０．５周期積層して、キャリア濃度が１×１０18ｃｍ-3で総膜厚が約４μｍの下部ｎ型ＤＢＲ層９３を設ける。
【００８６】この下部ｎ型ＤＢＲ層９３上に、ＭＯＣＶＤ法により、アンドープ下部Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓスぺーサー層と、アンドープ量子井戸活性層（膜厚９０ｎｍのＡｌ0.11Ｇａ0.89Ａｓ量子井戸層３層と、膜厚５０ｎｍのＡｌ0.3 Ｇａ0.1 Ａｓ障壁層４層とで構成されている）と、アンドープ上部Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓスぺーサー層とで構成された光学的膜厚が媒質内波長となる活性層領域９４を設ける。
【００８７】この活性層領域９４上に、ＭＯＣＶＤ法により、キャリア濃度が１×１０18ｃｍ-3で光学的膜厚が媒質内波長の１／４となるｐ型ＡｌＡｓ層９９を設ける。このｐ型ＡｌＡｓ層９９上に、Ａｌ0.9 Ｇａ0.1 ＡｓとＡｌ0.3 Ｇａ0.7Ａｓとをそれぞれの光学的膜厚が媒質内波長の１／４となるように交互に１９．５周期積層して、キャリア濃度が１×１０18ｃｍ-3で総膜厚が約２μｍの上部ｐ型ＤＢＲ層９５を設ける。
【００８８】この上部ｐ型ＤＢＲ層９５上に、ＭＯＣＶＤ法により、キャリア濃度が１×１０18ｃｍ-3で光学的膜厚が媒質内波長の１．５５／４〜１．６２／４倍、好ましくは１．６／４倍のｐ型Ｉｎ0.5Ｇａ0.5Ｐ第２調整層９６を設ける。
【００８９】ここで、図示しないが、キャリア濃度が１×１０19ｃｍ-3で光学的膜厚が１０ｎｍ程度のｐ型ＧａＡｓコンタクト層を最上部に積層してもよい。また、詳しくは述べないが、ＤＢＲ層９３および９５の電気的抵抗を下げるために、Ａｌ0.9 Ｇａ0.1 ＡｓとＡｌ0.3 Ｇａ0.1 Ａｓとの界面に、ＡｌＡｓ組成を９０％から３０％に段階的に変化させた光学的膜厚が９ｎｍ程度の領域を設けてもよい。
【００９０】ここで、ＭＯＣＶＤ法による成膜においては、原料ガスとしては、トリメチルガリウム、トリメチルアルミニウム、トリメチルインジウム、アルシン、フォスフィンを用い、ドーパント材料としては、ｐ型用にシクロペンタジニウムマグネシウム、ｎ型用にシランを用い、膜成長時の基板温度は７５０℃とし、真空を破ることなく、原料ガスを順次変化させ、連続して成膜を行った。
【００９１】次に、実施例１と同様にして、径が約３０μｍの円柱状または角錐状のポストＳを形成する。その後、約４００℃の炉中で水蒸気によりＡｌＡｓ層９９だけを側方から酸化して高抵抗化させ、これにより電流狭窄部を形成している。この時、非酸化領域が活性層への電流注入領域となるが、その径は約３〜２０μｍである。
【００９２】次に、実施例１と同様にして、ＳｉＮ層（絶縁膜）９７、ｐ側電極を兼用する第１調整層９８を設ける。その後、通常のフォトリソグラフィー工程と、燐酸・塩酸・水で構成されたエッチャントによるウエットエッチングにより、Ｉｎ0.5Ｇａ0.5Ｐ第２調整層９６のうちポストＳの上部中央部に位置する部分を削除して、図１１に示したように、レーザ光の出射中心の周辺部においてｐ側電極を兼用する第１調整層９８および第２調整層９６が積層された構造のＶＣＳＥＬを得る。
【００９３】この実施例２に係るＶＣＳＥＬは、第２の実施の形態でも説明したように、高次横モードのレーザ発振を抑制し、高輝度基本横モードのレーザ発振を得ることができる。
・・・（略）・・・
【００９５】また、この実施例２では、第２調整層９６の材料として、選択エッチングが容易にできるＩｎ0.5 Ｇａ0.5 Ｐ層を用いたが、実施例１と同様に、レーザ光の出射中心の周辺部におけるレーザ共振器の反射率および／または実効屈折率を低下させることができるものであれば、他の材料を用いることもできる。」
（７）「【０１２３】以上の実施例においては、第１の実施の形態とポスト型ＶＣＳＥＬとを組み合わせたものを実施例１とし、第２の実施の形態と電流狭窄構造としてＡｌＡｓ選択酸化型ＶＣＳＥＬとを組み合わせたものを実施例２とし、第３の実施の形態と電流狭窄構造としてプロトンインプラ型ＶＣＳＥＬとを組み合わせたものを実施例３としたが、これらの組み合わせに限定されることはなく、組み合わせを適宜変更しても、本発明の目的を達成することができる。
【０１２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、高輝度基本横モード光出力を有するＶＣＳＥＬおよびＶＣＳＥＬアレイを再現性よく、高い歩留りで、かつ、安価に製造することができる。したがって、プリンタ装置、光磁気ディスク装置等、高輝度基本横モード光出力が要求される用途にも、本発明に係るＶＣＳＥＬおよびＶＣＳＥＬアレイを十分に利用することができる。」
（８）図１１から、ｎ型ＧａＡｓ基板９１上に、ｎ型ＧａＡｓバッファ層９２、下部ｎ型ＤＢＲ層９３、活性層領域９４、ｐ型ＡｌＡｓ層９９及び上部ｐ型ＤＢＲ層９５が順次積層されていることが見てとれる。
（９）上記（６）には、「【００９１】次に、実施例１と同様にして、径が約３０μｍの円柱状または角錐状のポストＳを形成する。その後、約４００℃の炉中で水蒸気によりＡｌＡｓ層９９だけを側方から酸化して高抵抗化させ、これにより電流狭窄部を形成している。この時、非酸化領域が活性層への電流注入領域となるが、その径は約３〜２０μｍである。」とあるから、当該記載に照らすと、図１１からは、ｐ型ＡｌＡｓ層９９は、側方から酸化して高抵抗化させて形成された電流狭窄部と、その内側にあり径が約３〜２０μｍである非酸化領域とからなり、電流狭窄部の内径（非酸化領域の径）が第１調整層９８の内径と略同径であることが見てとれる。
　　
　よって、これらを総合すると、引用刊行物には、  
「ｎ型ＧａＡｓバッファ層、下部ｎ型ＤＢＲ層、活性層領域、ｐ型ＡｌＡｓ層及び上部ｐ型ＤＢＲ層が順次積層されたｎ型ＧａＡｓ基板と、
　前記上部ｐ型ＤＢＲ層上のレーザ光の出射中心の周辺部において積層された、光学的膜厚が媒質内波長の１．５５／４〜１．６２／４倍のｐ型Ｉｎ0.5Ｇａ0.5Ｐ第２調整層及びｐ側電極を兼用する第１調整層と、を備え、
　前記下部ｎ型ＤＢＲ層、前記活性層領域、前記ｐ型ＡｌＡｓ層、前記上部ｐ型ＤＢＲ層及び前記第２調整層は、ポストを形成しており、
　前記ｐ型ＡｌＡｓ層は、側方から酸化して高抵抗化させて形成された電流狭窄部と、その内側にあり径が約３〜２０μｍである非酸化領域とからなり、該非酸化領域が前記活性層領域への電流注入領域であり、
　レーザ光の出射領域は前記第１調整層で囲まれた領域と一致し、
　前記第１調整層の内径と前記電流狭窄部の内径が略同径であり、
　前記レーザ光の出射中心における反射率は高く、
　前記第２調整層は、前記レーザ光の出射中心の周辺部におけるレーザ光の発振波長に対する反射率を低下させるものであり、
　前記レーザ光の出射領域の周辺部におけるレーザ共振器の反射率が低下すると、基本横モードでレーザ発振する光の強度及び高次横モードでレーザ発振する光の強度が前記周辺部において小さくなり、その結果、基本横モードでレーザ発振する光は前記出射領域に集中するようになるのに対し、高次横モードでレーザ発振する光は前記周辺部に集中するようになるため、上部ｐ型ＤＢＲ層で反射されるたびごとに、高次横モードでレーザ発振する光の強度は、基本横モードでレーザ発振する光の強度に比べて低くなり、
　基本横モードのレーザ発振の特性を損なうことなく、副次的に発生する高次横モードのレーザ発振を選択的に抑制することができ、基本横モード光出力を高めることができる、
垂直共振器型面発光レーザ。」の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　　 
３．対比 
　本願補正発明と引用発明とを以下に対比する。
（１）引用発明の「下部ｎ型ＤＢＲ層」、「活性層領域」、「上部ｐ型ＤＢＲ層」、「ｎ型ＧａＡｓ基板」、「レーザ光の出射領域」、「ｐ側電極を兼用する第１調整層」、「電流注入領域」、「電流狭窄部」、「第１調整層の内径」、「電流狭窄部の内径」及び「垂直共振器型面発光レーザ」は、それぞれ本願補正発明の「下部多層膜反射鏡」、「活性層領域」、「上部多層膜反射鏡」、「半導体基板」、「活性層領域で発生したレーザ光の出射領域」、「上部電極」、「電流流路」、「電流狭窄部」、「上部電極の開口部径」、「電流狭窄部の開口部径」及び「面発光型半導体レーザ」に相当する。
（２）引用発明の「下部ｎ型ＤＢＲ層」及び「上部ｐ型ＤＢＲ層」は、垂直共振器型面発光レーザを構成するものであるから、本願補正発明の「共振器」を構成するものである。
（３）ア．引用発明の「ｐ側電極を兼用する第１調整層」は、「上部ｐ型ＤＢＲ層上」に「積層された」ものであるから、本願補正発明の「上部多層膜反射鏡の上層に設けられ」なる構成を備える。
イ．引用発明において、「レーザ光の出射領域は前記第１調整層で囲まれた領域と一致」し、「ｐ側電極を兼用する第１調整層」は、「上部ｐ型ＤＢＲ層上のレーザ光の出射中心の周辺部において積層された」ものであるから、引用発明は、本願補正発明の「活性層領域で発生したレーザ光の出射領域を形成する開口部が穿設された」なる構成を備える。
（４）ア．引用発明において、「ポストを形成して」いる「ｐ型ＡｌＡｓ層」は、「側方から酸化して高抵抗化させて形成された電流狭窄部と、その内側にあり径が約３〜２０μｍである非酸化領域とからなり、該非酸化領域が前記活性層領域への電流注入領域」であるから、引用発明の「電流注入領域」（非酸化領域）の外側に形成されることとなる「電流狭窄部」は、本願補正発明の「電流狭窄部」と、「電流流路の周縁部を絶縁化して形成された」との点で一致する。
イ．引用発明では、ｎ型ＧａＡｓ基板に「下部ｎ型ＤＢＲ層、活性層領域、ｐ型ＡｌＡｓ層及び上部ｐ型ＤＢＲ層が順次積層」され、「ｐ側電極を兼用する第１調整層」は「前記上部ｐ型ＤＢＲ層上」に「積層」されているから、引用発明の「電流狭窄部」と本願補正発明の「電流狭窄部」とは、「上部電極と前記下部多層膜反射鏡との間に設けられ」との点で一致する。
（５）ア．引用発明においては、「レーザ光の出射領域は前記第１調整層で囲まれた領域と一致し」ているところ、ｐ型Ｉｎ0.5Ｇａ0.5Ｐ第２調整層及びｐ側電極を兼用する第１調整層が「前記上部ｐ型ＤＢＲ層上のレーザ光の出射中心の周辺部において積層され」ていることにより、「前記レーザ光の出射中心における反射率は高く、前記第２調整層は、前記レーザ光の出射中心の周辺部におけるレーザ光の発振波長に対する反射率を低下させる」から、引用発明は、「レーザ光の出射領域」に対応する領域の共振器の反射率に対して「ｐ側電極を兼用する第１調整層」に対応する領域の共振器の反射率が低いものである。
イ．そして、引用発明においては、「レーザ光の出射領域の周辺部におけるレーザ共振器の反射率が低下すると、基本横モードでレーザ発振する光の強度及び高次横モードでレーザ発振する光の強度が前記周辺部において小さくなり、その結果、基本横モードでレーザ発振する光は前記出射領域に集中するようになるのに対し、高次横モードでレーザ発振する光は前記周辺部に集中するようになるため、上部ｐ型ＤＢＲ層で反射されるたびごとに、高次横モードでレーザ発振する光の強度は、基本横モードでレーザ発振する光の強度に比べて低くな」るから、引用発明では、レーザ光の高次横モードにおける共振器の光学損失がレーザ光の基本横モードにおける共振器の光学損失に比べて大きくなる、といえる。
ウ．そうすると、引用発明の上記構成及び作用は、本願補正発明の「前記出射領域に対応する領域の共振器の反射率及び前記上部電極に対応する領域の共振器の反射率に基づいて、レーザ光の高次横モードにおける共振器の光学損失からレーザ光の基本横モードにおける共振器の光学損失を減じた差が極大値近傍の値となるように、前記上部電極の開口部径を前記電流狭窄部の開口部径より約２μｍ以下の範囲で大きくする」ことと、「前記出射領域に対応する領域の共振器の反射率及び前記上部電極に対応する領域の共振器の反射率に基づいて、レーザ光の高次横モードにおける共振器の光学損失からレーザ光の基本横モードにおける共振器の光学損失を減じた差」が大きくなるようにする点で一致する。
　　
　したがって、両者は、  
「下部多層膜反射鏡、活性層領域、及び前記下部多層膜反射鏡と共に共振器を構成する上部多層膜反射鏡が順次積層された半導体基板と、
　該上部多層膜反射鏡の上層に設けられ、且つ前記活性層領域で発生したレーザ光の出射領域を形成する開口部が穿設された上部電極と、
　前記上部電極と前記下部多層膜反射鏡との間に設けられ、電流流路の周縁部を絶縁化して形成された電流狭窄部と、を備え、
　前記出射領域に対応する領域の共振器の反射率及び前記上部電極に対応する領域の共振器の反射率に基づいて、レーザ光の高次横モードにおける共振器の光学損失からレーザ光の基本横モードにおける共振器の光学損失を減じた差が大きくなるようにする、面発光型半導体レーザ。」 
である点で一致し、以下の点で相違する。  
　　  
相違点：  
　本願補正発明では、「出射領域に対応する領域の共振器の反射率及び前記上部電極に対応する領域の共振器の反射率に基づいて、レーザ光の高次横モードにおける共振器の光学損失からレーザ光の基本横モードにおける共振器の光学損失を減じた差が極大値近傍の値となるように、前記上部電極の開口部径を前記電流狭窄部の開口部径より約２μｍ以下の範囲で大きくする」のに対し、引用発明では、前記差が大きくなるように設定するものであるが、前記差が極大値付近の値となるように設定されるのかどうかが明らかでなく、また、電流狭窄部の開口部径が「約３〜２０μｍ」であって、上部電極の開口部径と電流狭窄部の開口部径とが「略同径」である点。
　　 
４．判断
　上記相違点について検討する。
（１）面発光型半導体レーザにおいて、電流狭窄部の開口部径に応じてしきい値電流が変化するすることは、本願優先日前に周知である（例．特開平１０−１２５９９９号公報（【００５５】、図４）、Appl. Phys. Lett., Vol. 70, No. 7(1997), pp. 823-825(Fig. 2)参照。）。
（２）また、上部電極の開口部径に関し、引用刊行物には、「【００７８】以上のようにして作製したＶＣＳＥＬのおいては、ポストＳの中央部のレーザ光の出射中心の直下における共振器反射率は約９９．５％と高く、また、ｐ側電極を兼用する第１調整層９８の直下における共振器反射率は、図４に示した結果と同様に低くなり、高次横モードのレーザ発振を適切に抑制することができた。その結果、従来の技術では基本横モードのレーザ発振を得るためにはレーザ光の出射領域の口径は５μｍ以下とすることが必要とされたが、本発明によれば、出射領域の口径を５μｍ以上としても、基本横モードのレーザ発振が可能となり、高輝度基本横モード光出力を得ることができる。」（上記２．（６）参照。）とあるから、引用発明においても、「レーザ光の出射中心における反射率は高く、前記第２調整層は、前記レーザ光の出射中心の周辺部におけるレーザ光の発振波長に対する反射率を低下させる」ことにより、上部電極の開口部径は、５μｍ以上であっても、基本横モードのレーザ発振が得られる適宜の範囲で大きく設定され得ることは明らかである。
（３）しかるところ、上部電極の開口部径及び電流狭窄部の開口部径は、それぞれ基本横モードのレーザ発振の大きさ及びしきい値電流に応じて当業者が適宜設定すべきものであるから、引用発明において、レーザ光の高次横モードのレーザ発振に対して基本横モードのレーザ発振を最大とするために、上記相違点に係る本願補正発明の構成をなすことは、引用刊行物の記載事項及び周知技術に基づいて、当業者が容易になし得ることである。
　
（４）そして、本願補正発明が奏する効果は、引用発明、引用刊行物の記載事項及び周知技術から予想できた程度のものである。 
　　  
　したがって、本願補正発明は、引用刊行物に記載された発明、引用刊行物の記載事項及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。  
　　  
５．まとめ　　  
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　　  
ＩＩＩ．本願発明について
１．本願発明  
　平成２０年１月２１日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１９年１０月１２日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１５に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明は次のとおりのものである。
　　  
「下部多層膜反射鏡、活性層領域、及び前記下部多層膜反射鏡と共に共振器を構成する上部多層膜反射鏡が順次積層された半導体基板と、
　該上部多層膜反射鏡の上層に設けられ、且つ前記活性層領域で発生したレーザ光の出射領域を形成する開口部が穿設された上部電極と、
　前記上部電極と前記下部多層膜反射鏡との間に設けられ、電流流路の周縁部を絶縁化して形成された電流狭窄部と、を備え、
　前記出射領域に対応する領域の共振器の反射率及び前記上部電極に対応する領域の共振器の反射率に基づいて、レーザ光の高次横モードにおける共振器の光学損失からレーザ光の基本横モードにおける共振器の光学損失を減じた差が極大値近傍の値となるように、上部電極の開口部径及び電流狭窄部の開口部径を定めたことを特徴とする面発光型半導体レーザ。」（以下「本願発明」という。）  
　　  
２．引用刊行物  
　原査定の拒絶の理由において引用された、本願の優先日前に頒布された引用刊行物、その記載事項及び引用発明は、上記ＩＩ．２．に記載したとおりである。  
　　  
３．対比、判断  
　本願発明は、前記ＩＩで検討した本願補正発明から、「上部電極の開口部径及び電流狭窄部の開口部径」について、「上部電極の開口部径を前記電流狭窄部の開口部径より約２μｍ以下の範囲で大きくする」との限定事項を削除したものに相当する。  
　そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含み、かつ限定を付加した本願補正発明が、上記ＩＩ．［理由］３及び４で検討したとおり、引用刊行物に記載された発明、引用刊行物の記載事項及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、引用刊行物に記載された発明、引用刊行物の記載事項及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。  
　　  
４．むすび  
　したがって、本願発明は、引用刊行物に記載された発明、引用刊行物の記載事項及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。  
　　  
　よって、結論のとおり審決する。