【事件の表示】
　特願２００３−１４０６９８「プラズマ処理容器内部材およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年１１月１４日出願公開、特開２００３−３２１７６０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
［１］手続の経緯
　本願は、平成１１年１２月１０日に出願した特願平１１−３５１５４６号（以下、「本願の原出願」という。）の一部を平成１５年５月１９日に新たな特許出願としたものであって、平成１８月５月１１日付けで拒絶理由通知がなされ、同年７月２１日付けで意見書及び手続補正書が提出され、同年９月２９日付けで平成１８年５月１１日付け拒絶理由通知書に記載した理由によって拒絶査定がなされ、これに対し、同年１１月９日に拒絶査定に対する審判請求がなされるととともに、同日付けで手続補正書が提出され、平成２１年３月１１日付けで拒絶理由通知がなされ、同年５月１８日付けで意見書が提出されたものである。
　
［２］本願発明
　本願請求項１−８に係る発明は、平成１８年１１月９日付け手続補正書の請求項１−８に記載された事項により特定される以下のとおりのものと認める（以下、それぞれ、「本願発明１」…「本願発明８」という。）。
　
「【請求項１】基材の表面が、純度９５％以上のＹ２Ｏ３からなりかつ気孔率が０．２〜４％であるＹ２Ｏ３減圧プラズマ溶射皮膜によって被覆されていることを特徴とする、プラズマ処理容器内部材。
【請求項２】Ｙ２Ｏ３減圧プラズマ溶射皮膜を形成する溶射雰囲気の圧力を５０〜２００ｈPaとしたことを特徴とする、請求項１に記載のプラズマ処理容器内部材。
【請求項３】Ｙ２Ｏ３減圧プラズマ溶射雰囲気がＡｒガス雰囲気であることを特徴とする、請求項１または２に記載のプラズマ処理容器内部材。
【請求項４】基材とこの基材の表面に形成されるＹ２Ｏ３減圧プラズマ溶射皮膜との間に、アンダーコートとして、ニッケルまたはニッケル合金の溶射層を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかの項に記載のプラズマ処理容器内部材。
【請求項５】基材の表面に、Ｙ２Ｏ３を減圧プラズマ溶射法にて被覆することにより、純度９５％以上のＹ２Ｏ３からなりかつ気孔率が０．２〜４％であるＹ２Ｏ３減圧プラズマ溶射皮膜を形成することを特徴とする、プラズマ処理容器内部材の製造方法。
【請求項６】減圧プラズマ溶射雰囲気の圧力を５０〜２００ｈＰａとしたことを特徴とする、請求項５に記載のプラズマ処理容器内部材の製造方法。
【請求項７】減圧プラズマ溶射雰囲気が、Ａｒガス雰囲気であることを特徴とする、請求項５または６に記載のプラズマ処理容器内部材の製造方法。
【請求項８】前記Ｙ２Ｏ３減圧プラズマ溶射皮膜下の基材の表面に、溶射法でニッケルまたはニッケル合金の溶射層を形成することを特徴とする、請求項５〜７のいずれかの項に記載のプラズマ処理容器内部材の製造方法。」
　
［３］引用刊行物の記載事項
　当審において、平成２１年３月１１日付けで通知した拒絶の理由に引用された、本願が出願されたとみなされる、本願の原出願の日前に頒布された特開平１０−４０８３号公報（以下、「引用刊行物１」という。）、特開平１０−２２６８６９号公報（以下、「引用刊行物２」という。）、特開平３−７９７４９号公報、（以下、「引用刊行物３」という。）には、それぞれ、以下の事項が記載されている。
　
（１）引用刊行物１
（ａ）「【請求項１】フッ素系腐蝕ガスあるいはそのプラズマに曝される部位が、周期律表第３ａ族元素化合物からなることを特徴とする半導体製造用耐食性部材。」（【特許請求の範囲】）
　
（ｂ）「本発明は、フッ素系腐蝕性ガスまたはそのプラズマに対して高い耐食性が要求される、半導体素子を製造するのに用いられるプラズマ処理装置、成膜装置内の内壁材、Ｓｉ基板を支持する支持部材などの治具に適した耐食性部材に関するものである。」（【０００１】）
　　
（ｃ）「…しかしながら、従来より用いられているガラスや石英ではプラズマ中の耐食性が不充分で消耗が激しく、フッ素に接すると接触面がエッチングされ、…また、ステンレスなどの金属を使用した部材でも耐食性が不充分なため、腐食速度が速くまた不純物として製造物中に混入する不良品発生の原因となる。また、フッ素系ガスに対して耐食性に優れるとして利用の進んでいるアルミナ、ＡｌＮ焼結体も高温でプラズマと接すると腐食が進行して焼結体の表面からの結晶粒子の脱粒が生じ、やはりコンタミネーションの原因となる。」（【０００５】−【０００６】）
　
（ｄ）「周期律表第３ａ族元素化合物としては、…Ｙ２Ｏ３、 …などの酸化物、…が挙げられる。」（【００１３】）
　
（ｅ）「この耐食性部材は、所定の基体表面に前記周期律表第３ａ族元素化合物を周知の薄膜形成法によって被覆するのが緻密性の点で望ましい。…このような緻密な膜は、例えば、周知のゾルゲル法により液相を塗布し焼成した薄膜や、周知のＣＶＤ法やＰＶＤ法等の気相法により形成された薄膜であってもよい。」（【００１４】）
　
（２）引用刊行物２
（ｆ）「本発明はプラズマ溶射法に係り、特に、部材表面に、気孔率が低く、著しく緻密なプラズマ溶射皮膜を形成する方法に関する。…従来、部材の特性向上を目的として、その表面を母材と異なる材料でコーティングすることが行われている。例えば、アルミナは耐プラズマエッチング性に優れた材料として知られており、プラズマエッチャー部品にアルミナコーティングを施すことが行われている。…このようなコーティング皮膜の形成方法としては、各種の方法があるが、特に、ＣＶＤ、ＰＶＤ及び溶射法が耐摩耗性、耐食性、電気絶縁性、熱遮蔽性等、多くの特性の改善効果に優れたコーティング皮膜を形成可能であることから、あらゆる産業分野で広く利用されている。なお、溶射法としては、…プラズマ溶射法…がある」（【０００１】−【０００３】）
　
（ｇ）「ところで、耐摩耗性、耐食性、電気絶縁性、熱遮蔽性等の特性改善のためのコーティング皮膜については、皮膜に気孔が存在せず、著しく緻密であることが要求される。また、生産性の面から、その成膜速度が速いことも重要である。…従来のコーティング方法のうち、ＣＶＤまたはＰＶＤ法で得られるコーティング皮膜は、気孔が殆ど存在せず緻密であるが、反面、成膜速度が遅く、…プラズマ溶射法は、成膜速度が速く、比較的膜厚の厚いコーティング皮膜を容易に形成できる…しかしながら、プラズマ溶射法で形成されるコーティング皮膜には、通常２〜１０％程度の気孔が存在し、膜の緻密性に劣るため、多くの場合、そのままでは、耐食性等の耐環境性向上の要求特性を満たすことができないという欠点がある。…この問題を改善するために、減圧溶射法…が具体化されている」（【０００４】〜【０００９】）
　
（ｈ）「本発明のプラズマ溶射法は、特に、プラズマエッチャー部品等へのアルミナ等の酸化物皮膜の形成、…に有効である。」（【００１８】）
　
（ｉ）【００３３】〜【００４０】および表１には、Ａｒ減圧プラズマ溶射により、気孔率が０．３％〜３．２％の緻密な溶射皮膜が得られたことが記載されている。　
　
（３）引用刊行物３
（ｊ）第４頁左下欄第４−７行には、「下地コーティング層２としてのＴａ層、耐食コーティング層３としてのＹ２Ｏ３層は、ともに減圧プラズマ溶射法で形成することにより緻密化する」と記載されるとともに、第１表中には、Ａｒ中減圧プラズマ溶射法により気孔率３．８％のＹ２Ｏ３層が形成されたことが示されている。
　
［４］引用発明
　上記記載事項（ａ）〜（ｂ）、（ｄ）−（ｅ）によれば、引用刊行物１には、
「所定の基体の表面に、Ｙ２Ｏ３を薄膜形成法にて被覆することにより、Ｙ２Ｏ３からなりかつ緻密な皮膜を形成することを特徴とするプラズマ処理装置の内壁材の製造方法。」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているといえる。
　
［５］対比・判断
　本願発明５と引用発明とを対比すると、引用発明における「所定の基体」、「プラズマ処理装置」、「内壁材」は、それぞれ、本願発明５における「基材」、「プラズマ処理容器」、「内部材」に相当する。
　また、本願発明５における「気孔率が０．２〜４％」が、「気孔率が少ない」（本願明細書【００３７】）こと、すなわち「緻密な膜である」ことを意味し、「減圧プラズマ溶射法」が「薄膜形成法」であることは明らかであるから、両者は、
「基材の表面に、Ｙ２Ｏ３を薄膜形成法にて被覆することにより、Ｙ２Ｏ３からなりかつ緻密な皮膜を形成することを特徴とするプラズマ処理容器内部材の製造方法。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
（ア）Ｙ２Ｏ３皮膜の純度が、本願発明５では、９５％以上であるのに対し、引用発明では、不明な点、
（イ）Ｙ２Ｏ３皮膜が、本願発明５では、減圧プラズマ溶射法を用いた気孔率が０．２〜４％である減圧プラズマ溶射皮膜であるのに対し、引用発明では、気孔率、皮膜形成法の限定がない点。
　
　そこで、上記相違点について検討すると、
（ア）について
　上記記載事項（ａ）、（ｃ）にもあるように、引用発明では、ガラス、石英、ステンレスなどの金属、アルミナ、ＡｌＮ等では、プラズマとの接触により、腐食が進行し、コンタミネーションの原因になるため、少なくとも周期律表第３ａ族元素化合物を用いていることから、周期律表第３ａ族化合物以外の不純物をなるべく含まないようにすることは、当業者が当然考慮すべき事項である。そして、Ｙ２Ｏ３等に不純物が多量に含まれると、耐プラズマエロージョン性を低下させ、また、Ｆｅ等を含んでいれば、フッ素系ガスとの反応生成物が成長剥離した際、半導体素子を汚染する原因となることも明らかであるから、実施化にあたって、Ｙ２Ｏ３等特定の物質を選択した際、その純度を高めることはまず最初に試みることであり、「９５％以上」なる範囲に臨界的意義も認められない。
（イ）について
　上記記載事項（ｆ）によれば、耐プラズマエッチング皮膜をＣＶＤ、ＰＶＤ、あるいはプラズマ溶射等の溶射法で形成することは広く行われているこ
と、同（ｇ）、（ｉ）によれば、大気プラズマ溶射法は、ＣＶＤ、ＰＶＤ法に較べて、成膜速度では優れるものの、皮膜の緻密性で劣ること、しかしながら、減圧プラズマ溶射とすることにより、極めて緻密な皮膜を形成しうること、また、同（ｈ）によれば、これが、アルミナ等酸化物皮膜の形成に有効であることがわかる。
　そして、気孔率３．８％程度のＹ２Ｏ３皮膜ならば、減圧プラズマ溶射により形成できること（上記記載事項（ｊ））も勘案するならば、成膜性および緻密性の観点から、引用発明におけるＹ２Ｏ３皮膜の形成法として、減圧プラズマ溶射法を採用することに格別の困難性は認められず、気孔率を「０．２〜４％」とすることは、耐プラズマエロージョンのために必要とする皮膜の緻密性を最適化したものにすぎない。
　そして、純度と気孔率との両者による相乗的効果も見い出せず、本願発明５が、引用刊行物１乃至３に記載される事項から予想される範囲をこえる効果を奏するものとも認められない。
　なお、請求人は、引用刊行物３の記載（表１中の比較例２等）に基き、減圧プラズマ溶射であっても、常に気孔率が小さいとはいえず、多くの試行錯誤を伴いその好適範囲を決定するものである旨の主張をしているが、本願発明５における皮膜の気孔率は、耐食性、耐プラズマエロ−ジョン性の観点から特定されるものであって（本願明細書【００２９】【００３７】）、その緻密さを要する目的において、引用刊行物１、２記載のものと相違せず、また、本願発明５における製造方法としても、減圧プラズマ溶射であること（実施例においてＡｒ減圧プラズマ）が記載されるのみであって、この点においても引用刊行物２、３記載のものと相違するものでないことから、上記本願発明５の非容易想到性に係る主張は採用できない。
　
［６］むすび
　以上のとおり、本願請求項５に係る発明は、引用刊行物１乃至３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明することができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、請求項１−４、６−８に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。