【事件の表示】
　平成１１年特許願第１９３３２２号「ドライエッチング方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　１月２６日出願公開、特開２００１−　２３９６４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１１年７月７日の出願であって、その請求項１、２に係る発明は、平成１９年３月２９日付手続補正書の特許請求の範囲の請求項１、２に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その内、請求項２に係る発明（以下、「本願発明２」という。）は、次のとおりのものである。
　
　「【請求項２】Ｃ４Ｆ８ガス、ＣＨＦ３ガス、ＣＦ４ガスおよび希ガスの混合ガスを用い、シリコン酸化膜をシリコンに対して選択的にエッチングするドライエッチング方法であって、
　前記Ｃ４Ｆ８ガスと前記ＣＨＦ３ガスと前記ＣＦ４ガスを１〜１０：２〜２０：１の割合とし、かつ前記希ガスの流量が総ガス流量の６０〜８０％となるような混合ガスを用いることを特徴とするドライエッチング方法。」
　
２．引用刊行物及びその摘記事項
　原査定の拒絶の理由に引用した本願出願前に国内において頒布された下記の刊行物１には、次の事項が記載されている。
　
　刊行物１：特開平１０−１７７９９２号公報（平成１９年２月９日付拒絶　　　　　　理由通知書の引用文献２）
　
＜刊行物１の摘記事項＞
ａ）「【００１３】本発明は・・・、多層配線構造の層間絶縁膜に対して微細、高アスペクト比のテーパ形状のコンタクトホールを形成することができる微細コンタクトホールのテーパエッチング方法を提供することを目的とする。」
　
ｂ）「【００１６】エッチングは・・・、炭素が環状結合した構造のガスと、ＣＨＦ３，ＣＨ２Ｆ２，ＣＨ３Ｆなどのフロロカーボンガスの水素置換体を体積混合比１：５〜１：１０の割合で用い、且つＡｒ流量が総ガス量の６０〜８５％となるような混合ガスを用いることができる。フロロカーボンガスは１種類のものであっても、複数種類のものを混合して用いてもよい。
　　【００１７】・・・Ｃ４Ｆ８などのように炭素の環状結合を有し、分子量が大きなガスを・・・用いると、・・・Ｃ４Ｆ８の分解が進みにくく、Ｃ−Ｃの結合を複数個持つ大きな分子量のまま基板へ堆積するので、Ｃ−Ｆ系の重合膜の堆積速度が大きくなる。特に水素を含むＣＨＸＦＹガスの存在下（混合比、例えばＣ４Ｆ８／ＣＨＦ３＝０．１〜０．２）において堆積速度が大きくなる・・・。」
　
ｃ）「【００２０】
　　【発明の実施の形態】・・・本発明は、図１（ａ）に示すようにシリコン基板１上に層間絶縁膜２と下層配線層３を形成した後に、コンタクトホールＨを形成するためのフォトレジスト４をパターニングする工程と、図１（ｂ）に示すようにドライエッチングにより層間絶縁膜２内にテーパ状のコンタクトホールＨを形成する工程と、・・・を有する。
　　【００２１】層間絶縁膜２をエッチングしてテーパ状のコンタクトホールＨを形成する場合、・・・コンタクトホールＨの側壁にフッ素／炭素比（Ｆ／Ｃ比）が１〜２の組成を有するフロロカーボン（Ｃ−Ｆ）系の重合膜６を堆積させながらエッチングを行う。・・・
　　【００２２】更に、・・・Ｃ−Ｆ系重合膜６を形成するための原料ガスとして、Ｃ４Ｆ８などの炭素が環状結合した構造のガスと、ＣＨＦ３、ＣＨ２Ｆ２、ＣＨ３Ｆなどのフロロカーボン（Ｃ−Ｆ）ガスの水素置換体を体積混合比（流量比）１：５〜１：１０の割合で用い、且つＡｒガス流量が総ガス量の６０〜８５％となるような混合ガスを用いる。」
　
ｄ）「【００２８】・・・図７にはＦ−Ｃ系の重合膜６が厚く堆積して示されているが、その理由は、炭素の環状結合を有するＣ４Ｆ８等を親分子とするラジカルが、Ｃ−Ｃ結合を複数個持つ大きな分子量のままで堆積するために単位時間当たりの堆積分子量が多くなるからである。
　　【００２９】側壁は・・・エッチングの進行に伴い、コンタクトホール径が順次小さくなり、テーパ形状が形成される。一方、ホール底部では、ラジカルの堆積自体は等方性であるので側壁同様に発生するが、重合膜６が図７に示すようにイオン衝撃を受けるのでスパッタ除去されたり、ＳｉＯ２をエッチングして発生する酸素により分解される。また、重合膜６がＦリッチな膜であるので、分解されて発生したＦラジカルが酸化膜のエッチング種として働くため、側壁におけるような保護効果が小さくエッチングが進行する。
　　・・・
　　【００３１】ここでエッチングの具体例を示すと、例えばＳｉ基板１からの高さ・・・の位置に下層配線層３が存在し、・・・層間絶縁膜２（ＴＥＯＳ−ＮＳＧ）上に対してフォトレジスト４により・・・ホールパターンを形成し、下層配線層３の・・・間に・・・テーパ加工を行う場合、エッチング条件を以下にように設定する。
　　【００３２】
圧力　　　　　：２００〜４００ｍＴｏｒｒ
高周波電力密度：３．５〜４．５ｗ／ｃｍ２　　
ＣＦ４　　　　 ：１０〜３０ｓｃｃｍ
ＣＨＦ３　　　 ：２０〜５０ｓｃｃｍ
Ｃ４Ｆ８　　　　：３〜１０ｓｃｃｍ
Ａｒ　　　　　：１００〜４５０ｓｃｃｍ
温度　　　　　：下部電極の設定０℃
【００３３】そして、テーパ角度８２°を得るために、図５、図６からトータルガス流量に対するＡｒガス流量の割合を７３％に設定する。このような条件でエッチングを行った後、断面形状をＳＥＭ観察したところ、上径がφ＝０．５μｍ、下径がφ＝０．２μｍ、テーパ角度８２°のテーパ状コンタクトホールを得ることができた。　」　
　
３．当審の判断
（１）刊行物１に記載の発明
ア）上記摘記事項ｃ）には、シリコン基板上１上に層間絶縁膜２を形成した後に、ドライエッチングにより層間絶縁膜２内にテーパ状のコンタクトホールＨを形成する場合、このコンタクトホールＨの側壁にフロロカーボン（Ｃ−Ｆ）系の重合膜６を堆積させながらエッチングを行うことが記載されている。
　また、上記摘記事項ｄ）には、層間絶縁膜２（ＴＥＯＳ−ＮＳＧ）内に形成するテーパ状のコンタクトホールＨのエッチング条件の具体例として、原料ガスが、ＣＦ４：１０〜３０ｓｃｃｍ、ＣＨＦ３：２０〜５０ｓｃｃｍ、Ｃ４Ｆ８：３〜１０ｓｃｃｍ、Ａｒ：１００〜４５０ｓｃｃｍの流量の範囲のものが記載されている。
　
イ）上記層間絶縁膜２に対するエッチングについて図示した図１、従来の技術を図示した図８〜図１２に示されるように、コンタクトホールＨでは、エッチングがシリコン基板１に達すると、シリコン基板１のエッチングは進行せず、側壁の堆積と重合膜に対するエッチングが進行することで、シリコン基板１に対する層間絶縁膜２の選択エッチングが行われるものである。
　
　そこで、上記ア）、イ）の事項を考慮し、上記摘記事項ａ）〜ｄ）を整理すると、刊行物１には、「シリコン基板上にＴＥＯＳ−ＮＳＧからなる層間絶縁膜を形成した後に、ドライエッチングにより層間絶縁膜内にテーパ状のコンタクトホールを形成する場合、このコンタクトホールの側壁に重合膜を堆積させながらエッチングを行うととともに、層間絶縁膜をシリコン基板に対して選択的にエッチングを行う方法であって、このコンタクトホールのエッチングに用いるガスの流量を、以下の（ａ）〜（ｃ）の条件を満たすように設定するエッチング方法。
（ａ）ＣＦ４：１０〜３０ｓｃｃｍ、ＣＨＦ３：２０〜５０ｓｃｃｍ、Ｃ４Ｆ８：３〜１０ｓｃｃｍ、Ａｒ：１００〜４５０ｓｃｃｍ、且つ
（ｂ）炭素が環状結合した構造のガスと、ＣＨＦ３、ＣＨ２Ｆ２、ＣＨ３Ｆなどのフロロカーボン（Ｃ−Ｆ）ガスの水素置換体を体積混合比（流量比）１：５〜１：１０の割合で用い、且つ
（ｃ）Ａｒガス流量を総ガス量の７３％に設定する。」に関する発明（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されていることになる。
　
（２）対比・判断
　本願発明２と刊行物１発明とを対比すると、刊行物１発明の「ＴＥＯＳ−ＮＳＧからなる層間絶縁膜」、「Ａｒガス」は、本願発明２の「シリコン酸化膜」、「希ガス」に相当する。
　また、刊行物１発明において、（ａ）〜（ｃ）の３条件をすべて充足するガス流量としては、例えば、ＣＦ４：１０ｓｃｃｍ、ＣＨＦ３：５０ｓｃｃｍ、Ｃ４Ｆ８：１０ｓｃｃｍ、Ａｒ：１９０ｓｃｃｍ（トータルガス流量の７３％）のように、各ガス流量が設定される場合が想定されるが、このような混合ガスは、本願発明２の「Ｃ４Ｆ８ガスと前記ＣＨＦ３ガスと前記ＣＦ４ガスを１〜１０：２〜２０：１の割合とし、かつ前記希ガスの流量が総ガス流量の６０〜８０％となるような混合ガス」に含まれるものである。
　そうすると、本願発明２と刊行物１発明とは、エッチングに用いるガスのガス流量が、「ＣＦ４：１０ｓｃｃｍ、ＣＨＦ３：５０ｓｃｃｍ、Ｃ４Ｆ８：１０ｓｃｃｍ、Ａｒ：１９０ｓｃｃｍ（トータルガス流量の７３％）」の態様を含む点で一部重複するものである。
　さらに、本願発明２が、「Ｃ４Ｆ８ガスと前記ＣＨＦ３ガスと前記ＣＦ４ガスを１〜１０：２〜２０：１の割合とし、かつ前記希ガスの流量が総ガス流量の６０〜８０％」と数値限定していることが、エッチングの選択比や制御性の面で格別顕著な効果を奏するか否かについても検討するに、本願の明細書または図面の記載や、本願出願当時の技術常識に照らしても、そのような格別な効果を見いだせない。
　よって、両者は、「Ｃ４Ｆ８ガス、ＣＨＦ３ガス、ＣＦ４ガスおよび希ガスの混合ガスを用い、シリコン酸化膜をシリコンに対して選択的にエッチングするドライエッチング方法であって、前記Ｃ４Ｆ８ガスと前記ＣＨＦ３ガスと前記ＣＦ４ガスを、１０（ｓｃｃｍ）：５０（ｓｃｃｍ）：１０（ｓｃｃｍ）の割合とし、かつ前記希ガスの流量が総ガス流量の約７３％となるような混合ガスを用いるドライエッチング方法」の態様を含む点で一致する。
　
　したがって、本願発明２と刊行物１に記載された発明との間に相違は認められない。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明２は、刊行物１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項の規定により特許を受けることができないものであり、他の請求項１に係る発明については検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。