【事件の表示】
　特願２００２−１５８３８６「プラズマディスプレイパネルの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年１２月　５日出願公開、特開２００３−３４６６５７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１４年５月３１日の特許出願であって、平成１８年８月１７日付けで最初の拒絶理由が通知され、平成１８年１０月２３日付けで手続補正がされた後、平成１９年２月５日付けで最後の拒絶理由が通知され、平成１９年４月１６日付けで手続補正がされたが、平成１９年７月２７日付けで、平成１９年４月１６日付けの手続補正について補正の却下の決定がされるとともに、拒絶査定がされたものである。
　これに対して、平成１９年９月６日に拒絶査定不服審判の請求がされるとともに、平成１９年１０月９日付けで手続補正がされたものである。
　
第２　平成１９年１０月９日付け手続補正についての補正の却下の決定
　
［補正の却下の決定の結論］
　平成１９年１０月９日付け手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲を次のように補正する事項を含むものである。
　
（本件補正前、即ち、平成１８年１０月２３日付け手続補正により補正されたもの）
「【請求項１】
　複数本のローラーを基板の搬送方向に並べて配置することにより構成した搬送手段を有し、その搬送手段によって、セッター上に載せた基板を搬送するとともに、基板に設けたパネル構造物の焼成を行うに際し、
　セッター材料が主成分としてＳｉＯ2を６２．１ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3を２０．１ｗｔ％有する低膨張率結晶化ガラスであり、ローラー材料がＳｉ金属を２〜５０ｗｔ％、ＳｉＣを９８〜５０ｗｔ％含むＳｉ−ＳｉＣ材料であるプラズマディスプレイパネルの製造方法。」
　
（補正後）
「【請求項１】
　プラズマディスプレイパネルを構成する前面または背面の基板をセッターの上に載せ、前記セッターを搬送手段によって搬送しながら前記基板に設けたパネル構造物の焼成を行うに際し、
　ＳｉＣ材料の粉末とバインダーとを混合させたものをローラー形状に成型し、さらにＳｉ材料とともに加熱してバインダーを焼成・除去するとともにＳｉ材料を溶融させてＳｉ金属を２〜５０ｗｔ％、ＳｉＣを５０〜９８ｗｔ％含浸させて製造したＳｉ−ＳｉＣ材料の複数本のローラーを、前記セッターの搬送方向に並べて前記搬送手段を構成し、
　前記ローラーの上に、主成分としてＳｉＯ２を６２．１ｗｔ％、Ａｌ２Ｏ３を２０．１ｗｔ％の有する低膨張率結晶化ガラスを前記セッターとして載せて前記基板を搬送して、前記基板に設けたパネル構造物の焼成を行う
プラズマディスプレイパネルの製造方法。」
　
２　補正の適否
（１）補正の目的
　本件補正で特許請求の範囲についてする補正は、実質的に以下の事項からなるものである。
ア　本件補正前の請求項１に記載した発明特定事項である基板について、プラズマディスプレイパネルを構成する前面または背面の基板であることを限定する事項。
イ　本件補正前の請求項１に記載した発明特定事項であるＳｉ金属を２〜５０ｗｔ％、ＳｉＣを９８〜５０ｗｔ％含むＳｉ−ＳｉＣ材料であるローラー材料からなるローラーについて、ＳｉＣ材料の粉末とバインダーとを混合させたものをローラー形状に成型し、さらにＳｉ材料とともに加熱してバインダーを焼成・除去するとともにＳｉ材料を溶融させてＳｉ金属を２〜５０ｗｔ％、ＳｉＣを５０〜９８ｗｔ％含浸させて製造したＳｉ−ＳｉＣ材料のローラーと、その製造方法を限定する事項。
ウ　本件補正前の請求項１に記載した発明特定事項である複数本のローラーによるセッター上に載せた基板の搬送について、前記セッターを前記ローラーの上に載せて搬送することを限定する事項。
　
　上記アないしウの事項はいずれも、本件補正前の請求項１に記載した発明特定事項を限定するものであるから、本件補正で特許請求の範囲についてする補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて検討する。
　
（２）独立特許要件
（２）−１　特許法第３６条第６項第１号及び第２号
ア　本件補正後の請求項１には、「Ｓｉ材料を溶融させてＳｉ金属を２〜５０ｗｔ％、ＳｉＣを５０〜９８ｗｔ％含浸させて製造したＳｉ−ＳｉＣ材料の複数本のローラー」と記載されている。
　この記載は、Ｓｉ金属と、ＳｉＣを何に含浸させてＳｉ−ＳｉＣ材料の複数本のローラーを製造するのか、不明確である。
　よって、請求項１に係る発明は明確でない。
　
イ　アに記載したとおり、本件補正後の請求項１の上記の記載は、字句通り解釈すれば、ＳｉＣを何かに含浸させることを特定するものである。
　一方、発明の詳細な説明には、含浸について以下の記載がある。
「【００４５】ＳｉＣローラー７ａをさらに詳しく説明する。これは、ＳｉＣ材料の粉末とバインダーとを混合させた後、ローラー形状に成型し、その後、さらにＳｉ材料とともに加熱することにより、バインダーを焼成・除去するとともに、Ｓｉ材料を溶融させてローラーに含浸させたものであり、Ｓｉ金属を２〜５０ｗｔ％、ＳｉＣを９８〜５０ｗｔ％含むＳｉ−ＳｉＣ材料と定義されるものである。」
　上記のとおり、【００４５】には、Ｓｉ材料を溶融させて、ＳｉＣ材料粉末とバインダーとを混合、成型したローラーに含浸させることは記載されているものの、ＳｉＣ材料を何かに含浸させることは記載されていない。このことは、発明の詳細な説明の他の箇所にも記載も示唆もされていない。
　よって、請求項１に係る発明は発明の詳細な説明に記載したものではない。
　
　上記のとおり、本件補正後の請求項１に係る発明は発明の詳細な説明に記載したものではなく、また、本件補正後の請求項１に係る発明は不明確であるから、特許法第３６条第６項第１号及び第２号の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
（２）−２　特許法第２９条第２項
ア　本願補正発明
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）は、本件補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、次のとおりのものと認める。
　
「【請求項１】
　プラズマディスプレイパネルを構成する前面または背面の基板をセッターの上に載せ、前記セッターを搬送手段によって搬送しながら前記基板に設けたパネル構造物の焼成を行うに際し、
　ＳｉＣ材料の粉末とバインダーとを混合させたものをローラー形状に成型し、さらにＳｉ材料とともに加熱してバインダーを焼成・除去するとともにＳｉ材料を溶融させてローラーに含浸させて製造した、Ｓｉ金属を２〜５０ｗｔ％、ＳｉＣを５０〜９８ｗｔ％含むＳｉ−ＳｉＣ材料の複数本のローラーを、前記セッターの搬送方向に並べて前記搬送手段を構成し、
　前記ローラーの上に、主成分としてＳｉＯ２を６２．１ｗｔ％、Ａｌ２Ｏ３を２０．１ｗｔ％有する低膨張率結晶化ガラスを前記セッターとして載せて前記基板を搬送して、前記基板に設けたパネル構造物の焼成を行う
プラズマディスプレイパネルの製造方法。」
　
　なお、本件補正により補正された請求項１の記載中、「（２）−１　特許法第３６条第６項第１号及び第２号　ア、イ」に記載した点は、以下の理由により上記のとおり認定した。
　
　本件補正により補正された請求項１の記載の「Ｓｉ材料を溶融させてＳｉ金属を２〜５０ｗｔ％、ＳｉＣを５０〜９８ｗｔ％含浸させて製造したＳｉ−ＳｉＣ材料の複数本のローラー」という事項は、「（２）−１　特許法第３６条第６項第１号及び第２号　イ」で摘記した発明の詳細な説明【００４５】の記載を参酌すると、「Ｓｉ材料を溶融させてローラーに含浸させて製造した、Ｓｉ金属を２〜５０ｗｔ％、ＳｉＣを５０〜９８ｗｔ％含むＳｉ−ＳｉＣ材料の複数本のローラー」と解釈できることは、合理的であり、かつ明らかである。
　
　また、本件補正により補正された請求項１の「主成分としてＳｉＯ２を６２．１ｗｔ％、Ａｌ２Ｏ３を２０．１ｗｔ％の有する低膨張率結晶化ガラス」という記載は、「主成分としてＳｉＯ２を６２．１ｗｔ％、Ａｌ２Ｏ３を２０．１ｗｔ％有する低膨張率結晶化ガラス」の誤記であることは明らかであるから、この点についても上記のとおり認定した。
　
イ　引用文献に記載された発明
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００１−６６０６６号公報（以下、「引用文献１」という。）には、以下の事項が図面とともに記載されている。
　
＜記載事項１＞
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ガラス基板に形成した構成要素を焼き固めるのに使用する焼成炉に関し、特にプラズマディスプレイ用基板などの電子部品としてのガラス基板の焼成工程において好適に使用される焼成炉の技術分野に属するものである。」
　
＜記載事項２＞
「【０００２】
【従来の技術】従来より、この種のガラス基板上に形成された構成要素を焼き固める焼成炉としては図１に示すタイプのものが一般に使用されている。通常、ガラス基板の溶融温度は８００℃程度であるのに対し、電極やリブの焼成温度は５００〜６００℃であるため、焼成中にガラス基板は軟化する。このため、図１に示すように、焼成中でも軟化しない耐熱性のセッターＳの上にガラス基板Ｇを載せた状態で焼成を行うようになっている。プラズマディスプレイ用基板の焼成には、このセッターとして結晶化ガラス板（例えば、日本電気硝子製「ネオセラムＮ−Ｏ」）が用いられている。」
　
＜記載事項３＞
「【０００３】図１に示す焼成炉では、まず焼成炉本体１の外においてリフターコンベア２の上段位置にあるセッターＳの上にガラス基板Ｇが載せられる。そして、ガラス基板ＧはセッターＳと共に入口コンベア３により焼成炉本体１における上段通路の中に導入され、そのままセッターＳと共にローラコンベアで搬送されながら加熱部にて常温から５００〜６００℃程度のピーク温度まで加熱された後、徐冷部にて４００℃程度にまで冷却される。次いで、上段通路の端まで搬送されたところでガラス基板ＧはセッターＳと共にリフターコンベア４により下段通路に降下され、下段通路内をローラコンベアで逆方向に搬送されながら冷却部にて常温まで戻される。ガラス基板Ｇを載せたセッターＳが出口まで到達すると、出口コンベア５によりリフターコンベア２に移し替えられ、そこで焼成を終えたガラス基板Ｇが除去される。そして、空になったセッターＳはリフターコンベア２で上段位置に移動し、ここで次のガラス基板Ｇが載置されて焼成工程が繰り返される。」
　
＜記載事項４＞
　図１の記載は以下のとおりである。
「
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
（ア）記載事項１の記載のとおり、引用文献１には、プラズマディスプレイ用基板などの電子部品としてのガラス基板に形成した構成要素を焼き固める焼成工程に使用する焼成炉に関する発明が記載されている。
　
（イ）記載事項２の記載のとおり、引用文献１には、ガラス基板ＧをセッターＳの上に載せた状態でガラス基板上に形成された構成要素を焼き固める焼成を行うことが記載されている。
　
（ウ）記載事項２の記載のとおり、引用文献１には、プラズマディスプレイ用基板の焼成に、セッターＳとして日本電気硝子製「ネオセラムＮ−０」結晶化ガラス板を用いることが記載されている。また、日本電気硝子製「ネオセラムＮ−０」結晶化ガラス板が、ＳｉＯ２を第一成分、Ａｌ２Ｏ３を第二成分とするものであることは、本願出願時における技術常識である（この点については必要であれば、特開平４−２４５４４３号公報の【００１０】〜【００１２】、特開２０００−２３１００８号公報の【００１７】参照。）。
　
（エ）プラズマディスプレイはその構成部材としてプラズマディスプレイパネルを備えることは本願出願時の技術常識であり、前記（ア）、（ウ）のプラズマディスプレイ用基板がプラズマディスプレイパネルを構成する前面または背面の基板を指すことも、本願出願時の技術常識からみて自明のことである。
　
（オ）前記（ア）、（イ）、（ウ）、（エ）から、引用文献１には、プラズマディスプレイパネルを構成する前面または背面のガラス基板Ｇに形成した構成要素を焼き固める焼成を行うプラズマディスプレイパネルの製造方法が記載されているといえる。
　
（カ）記載事項３の記載のとおり、引用文献１には、セッターＳの上にガラス基板Ｇが載せられ、ガラス基板ＧはセッターＳと共にローラコンベアで搬送されながら加熱され、冷却され、常温まで戻されて焼成が行われることが記載されている。
　
（キ）記載事項３及び記載事項４の記載及び本願出願時の技術常識からみて、前記（カ）のローラコンベアが、複数本のローラをガラス基板Ｇ及びセッターＳの搬送方向に並べて構成されること、及び、前記（カ）の搬送について、ローラの上にセッターＳを載せてガラス基板Ｇを搬送することは、いずれも引用文献１に記載されているに等しい事項である。
　
　したがって、記載事項１〜記載事項４の記載に基づけば、引用文献１には次の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されている。
「プラズマディスプレイパネルを構成する前面または背面のガラス基板ＧをセッターＳの上に載せ、前記セッターＳをローラコンベアによって搬送しながら前記ガラス基板Ｇに形成した構成要素を焼き固める焼成を行うに際し、
複数本のローラを、前記セッターＳの搬送方向に並べて前記ローラコンベアを構成し、
前記ローラの上に、ＳｉＯ２を第一成分、Ａｌ２Ｏ３を第二成分とする日本電気硝子製「ネオセラムＮ−０」結晶化ガラス板を前記セッターＳとして載せて前記ガラス基板Ｇを搬送して、前記ガラス基板Ｇに形成した構成要素を焼き固める焼成を行う
プラズマディスプレイパネルの製造方法。」
　
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平１０−２５３２５９号公報（以下、「引用文献２」という。）には、以下の事項が図面とともに記載されている。
　
＜記載事項５＞
「【発明の属する技術分野】本発明は、セラミックス製品や電子部品等を急速加熱処理するローラハース炉のローラとして好適に用いることのできる、特に反りが少なく、耐クリープ性に優れたローラ材およびその製造方法に関する。」
　
＜記載事項６＞
「【０００２】
【従来の技術】近年、各種セラミックス製品や電子部品等の製造において急速加熱する必要性が増大するとともに、従来のプッシャー型炉に替わり連続的に搬送するローラハース炉への転換が図られてきた。一般にローラハース炉用ローラには耐熱性、高温強度、耐熱衝撃性、耐摩耗性、耐食性などの材質特性に優れていることが必要であり、従来からムライトが使用されている。ムライトは高温においても安定で耐熱性は優れているが、耐熱衝撃性や高温強度が低く、熱冷サイクルの繰り返しによりクラックや材質破損が生じ易い欠点がある。
【０００３】そこで、ムライトに比べて耐熱衝撃性や高温強度が高いＳｉＣ系のローラ材の検討が行われている。ＳｉＣ材は上記の耐熱性、高温強度、耐熱衝撃性、耐摩耗性、耐食性などの材質特性に優れており、ＳｉＣ粉粒を焼結する方法で製造される。例えば、再結晶焼結法はＳｉＣ粉末を成形したのち２０００℃以上の温度で熱処理してＳｉＣ粒子の再配列と粒成長作用によりＳｉＣ粒子相互を強固に結合焼結するものである。」
　
＜記載事項７＞
「【０００８】本発明者らは、再結晶焼結ＳｉＣ焼結体を対象にして、特定気孔径を有する再結晶質ＳｉＣ焼結体の気孔に所定量の金属Ｓｉを含浸充填した場合には、耐熱衝撃性や高温強度を損なうことなく、反り精度および耐クリープ性の向上を図ることができることを見い出した。
【０００９】本発明は上記の知見に基づいて開発されたものであり、その目的は高い耐熱衝撃性および高温強度を備えるとともに高温変形が少なく、反り精度ならびに耐クリープ性の優れたローラハース炉用ローラ材及びその製造方法を提供することにある。」
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するための本発明によるローラハース炉用ローラ材は、平均気孔径が１０μm 以上の再結晶質ＳｉＣ焼結体の気孔に金属Ｓｉが充填され、金属Ｓｉの含有率が１０〜３０重量％のＳｉＣ−Ｓｉ複合組成からなることを構成上の特徴とする。
【００１１】また、その製造方法は、ＳｉＣ粉に有機バインダー及び水を加えて混練、成形したのち加熱乾燥し、非酸化性雰囲気中１９００〜２３００℃の温度で熱処理して得られた平均気孔径１０μm 以上の再結晶質ＳｉＣ焼結体に、金属Ｓｉの融液を接触させて再結晶質ＳｉＣ焼結体の気孔中に金属Ｓｉを１０〜３０重量％の含有率で充填することを構成上の特徴とする。」
　
＜記載事項８＞
「【００１４】また、本発明のローラハース炉用ローラ材の製造方法は、先ず原料となるＳｉＣ粉にメチルセルロースやグリセリン等の有機バインダーおよび水を加えて充分に混練し、混練物を加圧成形や鋳込成形等の適宜な手段により所望形状に成形したのち加熱乾燥して水および有機バインダーを除去し、次いで窒素、アルゴン等の非酸化性雰囲気中で１９００〜２３００℃の温度で熱処理することによって、基材となる再結晶質ＳｉＣ焼結体を得る。この場合、ＳｉＣ粉の粒度調整、有機バインダーの混合比率等を変えることにより基材の気孔性状を調節することができるが、平均気孔径を１０μm 以上とするためには熱処理温度を１９００℃以上に設定してＳｉＣ粒子を充分に粒成長させることが必要である。熱処理温度が１９００℃未満では再結晶化が充分に進まず、平均気孔径を１０μm 以上とするこができない。一方、熱処理温度が２３００℃を越えると再結晶時の粒成長が著しくなって、平均気孔径は大きくなるが強度低下を招くこととなるため、熱処理温度は１９００〜２３００℃の範囲に設定される。
【００１５】このようにして得られた平均気孔径１０μm 以上の再結晶質ＳｉＣ焼結体に金属Ｓｉを接触させた状態で加熱し、金属Ｓｉを溶融させることにより金属Ｓｉの融液は毛細管現象により再結晶質ＳｉＣ焼結体の気孔中に含浸して充填される。この場合に、充填するＳｉ量はＳｉＣ焼結体に対して１０〜３０重量％の含有率の範囲に設定される。すなわち、金属Ｓｉを充填したＳｉＣ−Ｓｉ材はＳｉＣが９０〜７０重量％、Ｓｉが１０〜３０重量％の複合組成割合に制御される。」
　
＜記載事項９＞
「【００１６】
【実施例】以下、本発明の実施例を比較例と対比して具体的に説明する。
【００１７】実施例１〜４、比較例１〜４
平均粒子径の異なるＳｉＣ粉に、有機バインダーとしてメチルセルロース及び水を用い、これらの混合比を変えて充分に混練し、混練物を押し出し成形により外径３５mm、内径２５mm、長さ２０００mmのパイプ状に成形した。これらの成形体を乾燥後、アルゴンガス雰囲気中で加熱温度を変えて熱処理し、気孔性状の異なる再結晶質ＳｉＣ焼結体を作製した。次いで、これらの再結晶質ＳｉＣ焼結体の上に金属Ｓｉを敷き詰め、アルゴンガス雰囲気中で１８００℃の温度に加熱して金属Ｓｉを溶融させ、再結晶質ＳｉＣ焼結体の気孔中に金属Ｓｉ融液を異なる量比で含浸して、金属Ｓｉを充填した。このようにして得られたＳｉＣ−Ｓｉ複合材について、再結晶焼結時の熱処理温度、ＳｉＣ焼結体の気孔性状および充填した金属Ｓｉの含有率を表１に示した。」
　
（ク）記載事項５の記載のとおり、引用文献２には、セラミック製品や電子部品等を急速加熱処理するローラハース炉のローラとして用いることのできるローラ材に関する発明が記載されている。
　
（ケ）記載事項６の記載のとおり、引用文献２には、一般にローラハース炉用ローラには耐熱性、高温強度、耐熱衝撃性、耐摩耗性、耐食性などの材料特性に優れていることが必要であること、ＳｉＣ材は耐熱性、高温強度、耐熱衝撃性、耐摩耗性、耐食性などの材質特性に優れていることが記載されている。
　
（コ）記載事項７の記載のとおり、引用文献２には、再結晶質ＳｉＣ焼結体の気孔に金属Ｓｉが充填され、金属Ｓｉの含有率が１０〜３０重量％のＳｉＣ−Ｓｉ複合組成からなる、高い耐熱衝撃性および高温強度を備えるとともに高温変形が少なく、反り精度ならびに耐クリープ性の優れたローラハース炉用ローラ材が記載されている。
　
（サ）記載事項８の記載のとおり、引用文献２には前記（コ）のローラハース炉用ローラ材の製造方法として、ＳｉＣ粉に有機バインダー及び水を加えて混練し、混練物を所望形状に成形したのち加熱乾燥して水および有機バインダーを除去し、次いで熱処理することによって再結晶質ＳｉＣ焼結体を得て、再結晶質ＳｉＣ焼結体に金属Ｓｉを接触させた状態で加熱し、金属Ｓｉを溶融させることにより金属Ｓｉの融液を再結晶質Ｓｉ焼結体の気孔中に含浸して充填する製造方法が記載されている。
　また、上記の「所望形状」の具体例として、パイプ状とすることが記載事項９に記載されている。
　
（シ）前記（コ）の「ＳｉＣ−Ｓｉ複合組成」という記載及び前記（サ）の製造方法からみて、前記（コ）のＳｉＣ−Ｓｉ複合組成からなるローラ材は、１０〜３０重量％の金属Ｓｉの残部はＳｉＣであると認められる。そうすると、前記（コ）のＳｉＣ−Ｓｉ複合組成からなるローラ材は、金属Ｓｉの含有率が１０〜３０重量％であり、ＳｉＣの含有率が７０〜９０重量％のＳｉＣ−Ｓｉ複合組成からなるものであるといえる。
　
　したがって、記載事項５〜記載事項９の記載に基づけば、引用文献２には次の発明（以下、「引用発明２」という。）が記載されている。
「セラミック製品や電子部品等を急速加熱処理するローラハース炉のローラとして用いるローラ材であって、ＳｉＣ粉に有機バインダー及び水を加えて混練し、混練物をパイプ状に成形したのち加熱乾燥して水および有機バインダーを除去し、次いで熱処理することによって再結晶質ＳｉＣ焼結体を得て、再結晶質ＳｉＣ焼結体に金属Ｓｉを接触させた状態で加熱し、金属Ｓｉを溶融させることにより金属Ｓｉの融液を再結晶質Ｓｉ焼結体の気孔中に含浸して充填して製造した、再結晶質ＳｉＣ焼結体の気孔に金属Ｓｉが充填され、金属Ｓｉの含有率が１０〜３０重量％、ＳｉＣの含有率が７０〜９０重量％のＳｉＣ−Ｓｉ複合組成からなる、高い耐熱衝撃性および高温強度を備えるとともに高温変形が少なく、反り精度ならびに耐クリープ性の優れたローラハース炉用ローラ材。」
　
　本願の出願前に頒布された刊行物である特開平９−２２９５６４号公報（以下、「引用文献３」という。）には、以下の事項が図面とともに記載されている。
　
＜記載事項１０＞
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ローラーハースキルン用のロールに関する。
【０００２】
【従来の技術】陶磁器、タイル、電子材料等の焼成工程を経て製造される製品の製造において、近年、省エネルギー、生産性の向上等の観点から、迅速焼成可能なローラーハースキルンを使用した焼成が広く行われるようになってきている。
【０００３】このローラーハースキルンにおいて、被焼成物（製品）を搬送するために用いられるロールには、ムライト（３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2）材料、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）材料、炭化珪素（ＳｉＣ）質材料等からなるものが知られており、使用条件等に応じて使い分けられている。例えば、被焼成体が白色乃至黄色の場合には、製品汚損の可能性が低く、かつ安価なムライト材料やアルミナ材料からなるものが採用されやすい。しかし、これらの材料からなるロールは耐荷重性が低く、荷重変形しやすいため寿命は短い。一方、ＳｉＣ質材料は耐荷重性に優れ、長寿命が期待できるため使用したい素材ではあるが、被焼成体が白色乃至黄色の場合には、ＳｉＣ質材料からなるロールは製品汚損の可能性があるため採用されにくい。」
　
＜記載事項１１＞
「【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係るローラーハースキルン用ロールを図面を参照しながら説明する。図１は、本発明に係るローラーハースキルン用ロールの断面図である。このロールは、図に示すように、円筒状の外管１と、外管１の中空部に挿入された同じく円筒状の内管３とからなる二重管構造のロールである。内管３は外管１の内径よりも小さな外径を有し、両者の間には接着剤層５が形成されている。内管３と外管１とは、この接着剤層５を介して一体に接合されているため、内管３と外管１との間ですべり現象が生じることがなく、製品搬送の駆動力は外管に効率よく伝えられる。
（中略）
【００１２】一方、内管の構成材料には、ＳｉＣ質材料を用いる。ＳｉＣ質材料は強度や耐クリープ性に優れ、荷重による変形や破壊が生じにくいため、内管の構成材料として用いることによりロール全体としての耐荷重性や寿命を向上させることができる。前述のように、ＳｉＣ質材料は、単独でロール材に用いると、被焼成物が白色乃至黄色の場合に製品汚損の可能性があるが、被焼成物及び焼成雰囲気と直接接触を持たないロール内側の内管にのみ用いることによって、この問題は解消される。
【００１３】ＳｉＣ質材料としては、ＳｉＣ焼結体、再結晶ＳｉＣ焼結体及び金属Ｓｉ含有ＳｉＣ（Ｓｉ−ＳｉＣ）焼結体のうちのいずれかを用いることが好ましい。これらのうちのいずれの材料を用いるかは、通常、そのロールが使用されるローラーハースキルン内の温度により決められる。例えば、ローラーハースキルン内の温度が１４００℃程度までのときはＳｉ−ＳｉＣ焼結体が、１５００℃程度までのときはＳｉＣ焼結体がそれぞれ好適に使用できる。また、ローラーハースキルン内の温度が１６００℃程度にまで達するときは、上記ＳｉＣ質材料のうちで最も耐熱性が高い再結晶ＳｉＣ焼結体を用いるのが好ましい。なお、これらＳｉＣ質材料の熱膨張係数は４×１０-6／℃程度である。」
　
＜記載事項１２＞
「【００１４】ここで、再結晶ＳｉＣ焼結体及びＳｉ−ＳｉＣ焼結体からなる内管の作製方法の一例を説明する。まず、再結晶ＳｉＣ焼結体からなる内管の場合は、ＳｉＣ粒子に、有機質バインダー及び水分又は有機溶剤を加えて成形用原料とし、これを所定寸法の円筒状成形体に成形した後、得られた成形体を不活性ガス雰囲気中で中で焼成することにより作製することができる。Ｓｉ−ＳｉＣ焼結体からなる内管の場合は、ＳｉＣ粒子に、有機質バインダー及び水分又は有機溶剤を加え、要すれば、更に炭素質粉を添加して成形用原料とし、これを所定寸法の円筒状成形体に成形した後、得られた成形体をＳｉ雰囲気中で焼成することにより作製することができる。なお、Ｓｉ−ＳｉＣ焼結体の金属Ｓｉ含有量は、１５〜２５重量％程度とすることが好ましい。」
　
（ス）記載事項１０のとおり、引用文献３には、電子材料等の焼成工程に使用されるローラーハースキルン用のロールに関する発明が記載されている。
　
（セ）記載事項１１の記載のとおり、引用文献３には、円筒状の外管１と、外管１の中空部に挿入された同じく円筒状の内管３とからなる二重管構造のロールの、内管の構成材料に用いられるＳｉＣ質材料として金属Ｓｉ含有ＳｉＣ（Ｓｉ−ＳｉＣ）焼結体を用いることが記載されている。
　
（ソ）記載事項１２の記載のとおり、引用文献３には前記Ｓｉ−ＳｉＣ焼結体からなる内管の作成方法として、ＳｉＣ粒子に、有機質バインダー及び水分又は有機溶剤を加えて成形用原料とし、これを所定寸法の円筒状成形体に成形した後、得られた成形体をＳｉ雰囲気中で焼成することにより作製することが記載されている。
　
　したがって、記載事項１０〜記載事項１２の記載に基づけば、引用文献３には次の発明（以下、「引用発明３」という。）が記載されている。
「電子材料等の焼成工程に使用されるローラーハースキルン用のロールであって、ＳｉＣ粒子に、有機質バインダー及び水分又は有機溶剤を加えて成形用原料とし、これを所定寸法の円筒状成形体に成形した後、得られた成形体をＳｉ雰囲気中で焼成することにより作製したＳｉ−ＳｉＣ焼結体からなる内管と、外管とからなる二重管構造のロール。」
　
ウ　対比
　本願補正発明と引用発明１とを比較する。
　
（ア）引用発明１の「ガラス基板Ｇ」は、本願補正発明の「基板」に相当し、以下同様に、「ガラス基板Ｇに形成した構成要素」は「基板に設けたパネル構造物」に、「焼き固める焼成を行う」は「焼成を行う」に、「セッターＳ」は「セッター」に、「ローラコンベア」は「搬送手段」に、「ローラ」は「ローラー」に、それぞれ相当する。
　
（イ）本願補正発明の「低膨張率結晶化ガラス」の「低膨張率」は、膨張率の比較の基準、程度が不明である。そこで、本願の発明の詳細な説明の記載を参酌すると、発明の詳細な説明【００４４】には、次の記載がある。
「ここで、本実施の形態での特徴的なところは、（中略）また、セッター４として、低膨張率結晶化ガラス材料、例えば、日本電気硝子株式会社製のネオセラムＮ−０（商品名）を用いたことである（以下、ネオセラムセッターと記す）。」
　そうすると、本願補正発明の低膨張率結晶化ガラス材料は、引用発明１の日本電気硝子製「ネオセラムＮ−０」結晶化ガラス板を包含すると認められるから、引用発明１の「日本電気硝子製「ネオセラムＮ−０」結晶化ガラス板」は、本願補正発明の「低膨張率結晶化ガラス」に相当するといえる。
　
（ウ）引用発明１の結晶化ガラス板が「ＳｉＯ２を第一成分、Ａｌ２Ｏ３を第二成分とする」ことと、本願補正発明の結晶化ガラスが「主成分としてＳｉＯ２を６２．１ｗｔ％、Ａｌ２Ｏ３を２０．１ｗｔ％有する」こととは、結晶化ガラスが「ＳｉＯ２を第一成分、Ａｌ２Ｏ３を第二成分とする」点で共通する。
　
　よって、本願補正発明と引用発明１の両者は、
「プラズマディスプレイパネルを構成する前面または背面の基板をセッターの上に載せ、前記セッターを搬送手段によって搬送しながら前記基板に設けたパネル構造物の焼成を行うに際し、
複数本のローラーを、前記セッターの搬送方向に並べて前記搬送手段を構成し、
前記ローラーの上に、ＳｉＯ２を第一成分、Ａｌ２Ｏ３を第二成分とする低膨張率結晶化ガラスを前記セッターとして載せて前記基板を搬送して、前記基板に設けたパネル構造物の焼成を行う
プラズマディスプレイパネルの製造方法。」の点で一致し、以下の点で相違する。
　
［相違点１］
　ローラーの材料について、本願補正発明は、Ｓｉ金属を２〜５０ｗｔ％、ＳｉＣを５０〜９８ｗｔ％含むＳｉ−ＳｉＣ材料のローラーであるのに対して、引用発明１は、ローラの材料が不明である点。
　
［相違点２］
　ローラーの製造方法について、本願補正発明は、ＳｉＣ材料の粉末とバインダーとを混合させたものをローラー形状に成型し、さらにＳｉ材料とともに加熱してバインダーを焼成・除去するとともにＳｉ材料を溶融させてローラーに含浸させて製造したローラーであるのに対して、引用発明１は、ローラの製造方法が不明である点。
　
［相違点３］
　セッターとしての低膨張率結晶化ガラスが、本願補正発明は、主成分としてＳｉＯ２を６２．１ｗｔ％、Ａｌ２Ｏ３を２０．１ｗｔ％有するのに対して、引用発明１は、ＳｉＯ２を第一成分、Ａｌ２Ｏ３を第二成分とする日本電気硝子製「ネオセラムＮ−０」からなる点。
　
エ　相違点についての判断
　上記相違点について検討する。
　
（相違点１について）
　引用発明２を再掲する。
「セラミック製品や電子部品等を急速加熱処理するローラハース炉のローラとして用いるローラ材であって、ＳｉＣ粉に有機バインダー及び水を加えて混練し、混練物をパイプ状に成形したのち加熱乾燥して水および有機バインダーを除去し、次いで熱処理することによって再結晶質ＳｉＣ焼結体を得て、再結晶質ＳｉＣ焼結体に金属Ｓｉを接触させた状態で加熱し、金属Ｓｉを溶融させることにより金属Ｓｉの融液を再結晶質Ｓｉ焼結体の気孔中に含浸して充填して製造した、再結晶質ＳｉＣ焼結体の気孔に金属Ｓｉが充填され、金属Ｓｉの含有率が１０〜３０重量％、ＳｉＣの含有率が７０〜９０重量％のＳｉＣ−Ｓｉ複合組成からなる、高い耐熱衝撃性および高温強度を備えるとともに高温変形が少なく、反り精度ならびに耐クリープ性の優れたローラハース炉用ローラ材。」
　
　引用発明１と引用発明２とはいずれも、電子部品をローラを有する搬送手段により搬送して加熱処理を行うことに関する発明である。
　また、引用発明２は、上記のとおり、金属Ｓｉの含有率が１０〜３０重量％、ＳｉＣの含有率が７０〜９０重量％のＳｉＣ−Ｓｉ複合組成からなる、高い耐熱衝撃性および高温強度を備えるとともに高温変形が少なく、反り精度ならびに耐クリープ性の優れたローラ材の発明である。
　そして、引用発明１においても、ガラス基板Ｇを搬送するローラコンベアを構成するローラとして、高い耐熱衝撃性および高温強度を備えるとともに高温変形が少なく、反り精度ならびに耐クリープ性の優れたローラが好ましいことは当業者には明らかであるから、引用発明１のローラの材料として、引用発明２と同様の金属Ｓｉの含有率が１０〜３０重量％、ＳｉＣの含有率が７０〜９０重量％のＳｉＣ−Ｓｉ複合組成からなるローラ材を用いることは、電子部品を搬送しながら加熱処理を行う際に用いるローラ材として公知の材料から最適なものを選択したに過ぎず、当業者の通常能力の発揮の域を出るものではない。
　
　以上のとおり、相違点１に係る本願補正発明の発明特定事項は、引用発明１，２に基づいて、当業者が容易に想到し得る事項である。
　
（相違点２について）
　「（相違点１について）」に記載したとおり、引用発明１において引用発明２のローラ材を用いることは容易であるところ、引用発明２は、当該ローラ材がＳｉＣ粉に有機バインダー及び水を加えて混練し、混練物をパイプ状に成形したのち加熱乾燥して水および有機バインダーを除去し、次いで熱処理することによって再結晶質ＳｉＣ焼結体を得て、再結晶質ＳｉＣ焼結体に金属Ｓｉを接触させた状態で加熱し、金属Ｓｉを溶融させることにより金属Ｓｉの融液を再結晶質Ｓｉ焼結体の気孔中に含浸して充填して製造したものである。
　そうすると、相違点２に係る本願補正発明の発明特定事項と引用発明２のローラ材を得るための製造方法に関する事項とを比較すると、相違点２に係る本願補正発明の発明特定事項は、Ｓｉ材料とともに加熱してバインダーを焼成・除去するとともにＳｉ材料を溶融させてローラーに含浸させて製造したものであるのに対して、引用発明２は、成形体を加熱乾燥してバインダーを除去し、熱処理して再結晶質ＳｉＣ焼結体を得て、金属Ｓｉを接触させた状態で加熱して金属Ｓｉ融液を再結晶質Ｓｉ焼結体に含浸させて製造したものである点、即ち、バインダーを焼成・除去するとともにＳｉ材料を溶融させてローラーに含浸させるか否かで相違している。
　
　ここで、引用発明３を再掲する。
「電子材料等の焼成工程に使用されるローラーハースキルン用のロールであって、ＳｉＣ粒子に、有機質バインダー及び水分又は有機溶剤を加えて成形用原料とし、これを所定寸法の円筒状成形体に成形した後、得られた成形体をＳｉ雰囲気中で焼成することにより作製したＳｉ−ＳｉＣ焼結体からなる内管と、外管とからなる二重管構造のロール。」
　
　この引用発明３の電子材料等の焼成工程に使用されるローラーハースキルン用ロールを構成するＳｉ−ＳｉＣ焼結体は、成形体をＳｉ雰囲気中で焼成することにより、バインダーを焼成・除去するととともにＳｉ材料を溶融、含浸したものであることは明らかである（この点について必要であれば、特開２０００−１３０９５１号公報の【００１０】、【００１２】、特開２０００−３５６４７１号公報の【００１５】、【００１７】参照。）。
　
　つまり、引用発明３にみられるとおり、電子材料の焼成工程に使用されるＳｉ−ＳｉＣ焼結体のロールとして、バインダーを焼成・除去するとともにＳｉ材料を溶融、含浸して製造したものは公知である。
　
　したがって、引用発明１において引用発明２のＳｉＣ−Ｓｉ複合組成からなるローラ材を用いた際に、そのローラ材を引用発明３におけるＳｉ−ＳｉＣ焼結体のロールのようにバインダーを焼成・除去するとともにＳｉ材料を溶融、含浸して製造したものとすることは、単に公知のローラ材の製造方法からどの方法を採用するかという、当業者が適宜なし得る設計変更程度のことである。
　
　以上のとおり、相違点２に係る本願補正発明の発明特定事項は、引用発明１〜３に基づいて、当業者が容易に想到し得る事項である。
　
（相違点３について）
　本願補正発明と引用発明１とは、セッターとしての低膨張率結晶化ガラスがＳｉＯ２を第一成分、Ａｌ２Ｏ３を第二成分とする点で共通していることは先に記載したとおりである。そして、本願補正発明においてＳｉＯ２を６２．１ｗｔ％、Ａｌ２Ｏ３を２０．１ｗｔ％と含有量を特定する点には、発明の詳細な説明を参酌しても単に日本電気硝子株式会社製のネオセラムＮ−０を用いたネオセラムセッターの組成を特定したに過ぎず、同じネオセラムＮ−０を用いた引用発明１に対して格別の技術的意義を見い出すことはできない。
　よって、引用発明１においてセッターとしてのＳｉＯ２を第一成分、Ａｌ２Ｏ３を第二成分とする日本電気硝子製「ネオセラムＮ−０」結晶化ガラス板を、主成分としてＳｉＯ２を６２．１ｗｔ％、Ａｌ２Ｏ３を２０．１ｗｔ％有するものとすることは、当業者が適宜なし得る設計事項に過ぎない。
　
　以上のとおり、相違点３に係る本願補正発明の発明特定事項は、引用発明１に基づいて、当業者が容易に想到し得る事項である。
　
オ　本願補正発明の効果及び審判請求書における請求人の主張について
　本願補正発明の効果及び審判請求書における請求人の主張について検討する。
　
（ア）本願補正発明の効果について、発明の詳細な説明には以下の記載がある。
「【００１２】
　この製造方法によると、ローラーとセッターとの摩擦により発生する磨耗粉を削減することが可能となり、パネル構造物への異物の付着や混入が大幅に低減し、良好な表示特性のＰＤＰを実現できる。」
　
「【００４７】
【表１】（略）
　ＳｉＣ材料は滑り性が良いため、ＳｉＣローラー７ａとネオセラムセッター４ａとの摩擦は小さくなり、磨耗粉は発生しにくくなる。また、ＳｉＣ材料は高温域においても歪の発生が小さいため、ＳｉＣローラー７ａは常に安定してネオセラムセッター４ａと接触するようになり、点接触などによる異常磨耗の発生が低減されることになる。
【００４８】
　ここで、セッター４をネオセラムセッター４ａとし、ローラー７を、ムライトローラーとした場合とＳｉＣローラー７ａとした場合とで、磨耗粉の発生量の比較を行ったところ、ムライトローラーを用いた場合に比べてＳｉＣローラー７ａを用いた場合の方が、磨耗粉発生量を“１／３．５”と、大幅に減少させることが可能であることを確認した。
【００４９】
　そして、そのような構成の焼成装置を用いたプラズマディスプレイパネルの製造方法により、パネル構造物２への異物の付着や混入が低減されることも確認した。（表２）にその結果を示す。
【００５０】
【表２】
　ＰＤＰのパネル構造物２の品質へ大きく悪影響を与える異物の粒径は１μｍ以上であり、特に１０μｍ以上の異物は致命的なパネル不良となるが、本実施の形態であるＳｉＣローラー７ａとネオセラムセッター４ａとの組み合わせによれば、ネオセラムセッター４ａと従来のムライトローラーとの組み合わせに比べて異物の個数は大幅に低減されることが判る。
【００５１】
【発明の効果】
　以上の説明から明らかなように、本発明のプラズマディスプレイパネルの製造方法によれば、セッター材料が主成分としてＳｉＯ2を６２．１ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3を２０．１ｗｔ％有する低膨張率結晶化ガラスであり、ローラー材料がＳｉ金属を２〜５０ｗｔ％、ＳｉＣを９８〜５０ｗｔ％含むＳｉ−ＳｉＣ材料であるので、ローラーとセッターとの摩擦により発生する磨耗粉を大幅に低減することができ、これにより、パネル構造物への異物の付着や混入が低減でき、良好な表示特性のＰＤＰを実現できる。」
　
（イ）また、請求人は審判請求書（平成１９年１０月９日付け手続補正書（方式）参照。）において以下の旨を主張している。
「　すなわち特開平１０−２５３２５９号公報におきましては、ムライトに対するＳｉＣの利点は耐熱衝撃性および高温強度であり、耐摩耗性という観点では同等であると認識されているものと考えます。これは特開平１０−２５３２５９号公報における［実施例］での比較例の項目に「耐摩耗性」がないことからも明らかと考えます。
　このことにより、セッターとローラーとの間の摩擦により発生する磨耗粉を低減するという目的に対し、ムライト材料と同等の耐摩耗性と認識されるＳｉＣ系ローラーを用いるということには容易には想到し得ないものと考えます。」（以下、「主張１」という。）
　
「　さらには、ローラー材の耐摩耗性を高くすることがセッターとローラーとの間の摩擦により発生する磨耗粉の低減になるとは一概には言えないものと考えます。すなわち、ローラー材を耐摩耗性の高い材質とした場合、対照的に、擦れ合う相手、すなわちセッターの方がより磨耗してしまうということが考えられ、結果として、磨耗粉の発生がより増大してしまうという場合もあり得ると考えられるからであります。
　すなわち、セッターとローラーとの摩擦により発生する磨耗粉の削減は、一方の材質の耐摩耗性を上げるというだけで達成できるものではなく、セッターの材質とローラーとの材質との相対的な耐磨耗性により決定されるものであり、従いまして、セッターの材質とローラーとの材質との組み合わせの最適化が非常に重要であると考えます。
　ここで、引用文献１および特開平１０−２５３２５９号公報のいずれにも、セッター材料としては、主成分としてＳｉＯ2を６２．１ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3を２０．１ｗｔ％有する低膨張率結晶化ガラスとし、ローラー材料としては、ＳｉＣ材料の粉末とバインダーとを混合させた後、ローラー形状に成型し、さらにＳｉ材料とともに加熱することにより、バインダーを焼成・除去するとともに、Ｓｉ材料を溶融させてローラーに含浸させることで、Ｓｉ金属を２〜５０ｗｔ％、ＳｉＣを９８〜５０ｗｔ％含むＳｉ−ＳｉＣ材料とする、という組み合わせは開示されておらず、またこの組み合わせにより、ローラーとセッターとの摩擦により発生する磨耗粉を削減することができ、もって、パネル構造物への異物の付着や混入を低減することができ、良好な表示特性のＰＤＰを実現できる、という、引用発明と比較した有利な効果につきましてもなんら開示はなく、その示唆すらありません。　なおこの効果は、引用発明においては認識されていない課題を解決することで得られる効果であり、従いまして、当業者の予測しうる範囲を超える顕著な効果であると思料いたします。」（以下、「主張２」という。）
　
（ウ）まず、本願補正発明の効果について検討する。
　上記の発明の詳細な説明の記載によれば、本願補正発明によりパネル構造物への異物の付着や混入が低減できる理由は、ローラーとセッターとの摩擦により発生する磨耗粉を大幅に低減することができるためであり、これはＳｉＣ材料の滑り性が良いため、ＳｉＣローラーとネオセラムセッターとの摩擦は小さくなり、磨耗粉は発生しにくくなること、及び、ＳｉＣ材料は高温域においても歪の発生が小さいため、ＳｉＣローラーは常に安定してネオセラムセッターと接触するようになり、点接触などによる異常磨耗の発生が低減されることになることに起因する効果である。
　また、発明の詳細な説明における効果の確認についての上記【００４８】〜【００５０】の記載をみると、いずれもネオセラムセッターを用いた場合について、ＳｉＣローラーを用いた場合とムライトローラーを用いた場合とが比較されているのみである。
　要するに、発明の詳細な説明には、ＳｉＣ材料の特性に起因する効果がネオセラムセッターを用いた場合に奏されたことが記載されているにとどまるのであって、本願補正発明の効果が、「セッターの材質とローラーとの材質との組み合わせの最適化」を行った結果奏される効果であることが裏付けられているとは到底いえない。
　
　一方、引用発明２のローラ材は耐熱衝撃性や高温強度を損なうことなく、反り精度および耐クリープ性の向上を図ることができるものであることは上記のとおりであり、また、引用文献２には、ＳｉＣ材は耐熱性、高温強度、耐熱衝撃性、耐摩耗性、耐食性などの材質特性に優れていることが記載されていることも、「イ　引用文献に記載された発明　（ケ）」に記載したとおりである。
　
　そうすると、本願補正発明の効果は、引用発明２のローラ材の耐摩耗性、耐クリープ性等を公知のネオセラムセッターの搬送に利用したものに他ならないから、引用文献１，２に磨耗粉や異物についての記載がなくとも、引用発明１，２から、当業者が予測し得る範囲内のものである。
　
（エ）次に、主張１について検討する。
　引用発明２のローラ材は耐熱衝撃性や高温強度を損なうことなく、反り精度および耐クリープ性の向上を図ることができるものであることは上記のとおりであり、引用文献２には、ＳｉＣ材は耐摩耗性に優れていることが記載されていることも上記のとおりである。
　よって、これらの特性に着目して、公知のローラ材との比較実験を行って材料を選択することは、当業者の通常能力に発揮に過ぎず、磨耗粉を低減するためにＳｉＣ系ローラーを用いるということには容易には想到し得ない旨の主張１は採用することができない。
　
（オ）主張２について検討する。
　前記（ウ）に記載したとおり、本願の発明の詳細な説明には、ＳｉＣ材料の特性に起因する効果がネオセラムセッターを用いた場合に奏されたことが記載されているにとどまるのであって、「セッターの材質とローラーとの材質との組み合わせの最適化」を行った結果奏される効果であることが裏付けられているとは到底いえない。
　よって、セッターの材質とローラーとの材質の組み合わせの最適化を行ったことに基づく主張２は採用することができない。
　
カ　まとめ
　よって、本願補正発明は、引用発明１ないし３に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
３　補正の却下の決定についてのまとめ
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明
　平成１９年１０月９日付け手続補正は上記のとおり却下されることになり、平成１９年４月１６日付け手続補正は平成１９年７月２７日付け補正の却下の決定で却下されているので、本願の特許請求の範囲は、平成１８年１０月２３日付け手続補正により補正された明細書の特許請求の範囲に記載されたとおりのものと認められるところ、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、その請求項１に記載した事項から特定される次のとおりのものと認める。
　
「【請求項１】
　複数本のローラーを基板の搬送方向に並べて配置することにより構成した搬送手段を有し、その搬送手段によって、セッター上に載せた基板を搬送するとともに、基板に設けたパネル構造物の焼成を行うに際し、
　セッター材料が主成分としてＳｉＯ2を６２．１ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3を２０．１ｗｔ％有する低膨張率結晶化ガラスであり、ローラー材料がＳｉ金属を２〜５０ｗｔ％、ＳｉＣを９８〜５０ｗｔ％含むＳｉ−ＳｉＣ材料であるプラズマディスプレイパネルの製造方法。」
　
第４　原査定の拒絶の理由の概要
　本願の原査定の拒絶の理由である平成１９年２月５日付け拒絶理由の概要は、以下のとおりである。
　
　この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　　　　　記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照）
・請求項１
・引用文献等１−２
　
　　　　　　　　　　　引　用　文　献　等　一　覧
１．特開２００１−６６０６６号公報
２．特開平１０−２５３２５９号公報
　
第５　当審の判断
１　引用文献に記載された発明
　原査定の拒絶の理由に引用された特開２００１−６６０６６号公報、即ち引用文献１には、「第２　補正の適否　（２）独立特許要件　（２）−２　特許法第２９条第２項　イ　引用文献に記載された発明」に記載した記載事項１〜記載事項４が図面とともに記載されている。
　
　そして、「第２　補正の適否　（２）独立特許要件　（２）−２　特許法第２９条第２項　イ　引用文献に記載された発明　（ア）〜（キ）」に記載したとおり、記載事項１〜記載事項４の記載に基づけば、引用文献１には次の発明（以下、「引用発明１’」という。）が記載されている。
「複数本のローラをガラス基板Ｇの搬送方向に並べて配置することにより構成したローラコンベアを有し、そのローラコンベアによって、セッターＳの上に載せたガラス基板Ｇを搬送するとともに、ガラス基板Ｇに形成した構成要素を焼き固める焼成を行うに際し、
　セッターＳがＳｉＯ２を第一成分、Ａｌ２Ｏ３を第二成分とする日本電気硝子製「ネオセラムＮ−０」結晶化ガラス板であるプラズマディスプレイパネルの製造方法。」
　
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平１０−２５３２５９号公報、即ち引用文献２には、「第２　補正の適否　（２）独立特許要件　（２）−２　特許法第２９条第２項　イ　引用文献に記載された発明」に記載した記載事項５〜記載事項９が図面とともに記載されている。
　
　そして、「第２　補正の適否　（２）独立特許要件　（２）−２　特許法第２９条第２項　イ　引用文献に記載された発明　（ク）〜（シ）」に記載したとおり、記載事項５〜記載事項９の記載に基づけば、引用文献２には次の発明（以下、「引用発明２’」という。）が記載されている。
「セラミック製品や電子部品等を急速加熱処理するローラハース炉のローラとして用いるローラ材であって、金属Ｓｉの含有率が１０〜３０重量％、ＳｉＣの含有率が９０〜７０重量％のＳｉＣ−Ｓｉ複合組成からなる、高い耐熱衝撃性および高温強度を備えるとともに高温変形が少なく、反り精度ならびに耐クリープ性の優れたローラハース炉用ローラ材。」
　
２　対比
　本願発明と引用発明１’とを比較すると、「第２　補正の適否　（２）独立特許要件　（２）−２　特許法第２９条第２項　ウ　対比　（ア）〜（ウ）」の項に記載したのと同様の理由により、両者は、
「複数本のローラーを基板の搬送方向に並べて配置することにより構成した搬送手段を有し、その搬送手段によって、セッター上に載せた基板を搬送するとともに、基板に設けたパネル構造物の焼成を行うに際し、
　セッター材料がＳｉＯ２を第一成分、Ａｌ２Ｏ３を第二成分とする低膨張率結晶化ガラスであるプラズマディスプレイパネルの製造方法。」の点で一致し、以下の点で相違する。
　
［相違点１］
　本願発明は、ローラー材料がＳｉ金属を２〜５０ｗｔ％、ＳｉＣを９８〜５０ｗｔ％含むＳｉ−ＳｉＣ材料であるのに対して、引用発明１’は、ローラの材料が不明である点。
　
［相違点２］
　セッター材料としての低膨張率結晶化ガラスが、本願発明は、主成分としてＳｉＯ２を６２．１ｗｔ％、Ａｌ２Ｏ３を２０．１ｗｔ％有するのに対して、引用発明１’は、ＳｉＯ２を第一成分、Ａｌ２Ｏ３を第二成分とする日本電気硝子製「ネオセラムＮ−０」からなる点。
　
３　相違点についての判断
　上記相違点について検討する。
　
（相違点１について）
　相違点１は、「第２　補正の適否　（２）独立特許要件　（２）−２　特許法第２９条第２項　ウ　対比」の項に記載した、本願補正発明と引用発明１との相違点１と実質的に同内容である。
　そして、「第２　補正の適否　（２）独立特許要件　（２）−２　特許法第２９条第２項　エ　相違点についての判断」の項で、「（相違点１について）」で検討したのと同様の理由により、引用発明１’のローラの材料として、引用発明２’と同様の金属Ｓｉの含有率が１０〜３０重量％、ＳｉＣの含有率が７０〜９０重量％のＳｉＣ−Ｓｉ複合組成からなるローラ材を用いることは、電子部品の加熱処理を行う炉に用いるローラ材として公知の材料から最適なものを選択したに過ぎず、当業者の通常能力の発揮の域を出るものではない。
　
　以上のとおり、相違点１に係る本願発明の発明特定事項は、引用発明１’，２’に基づいて、当業者が容易に想到し得る事項である。
　
（相違点２について）
　相違点２は、「第２　補正の適否　（２）独立特許要件　（２）−２　特許法第２９条第２項　ウ　対比」の項に記載した、本願補正発明と引用発明１との相違点３と実質的に同内容である。
　
　そして、「第２　補正の適否　（２）独立特許要件　（２）−２　特許法第２９条第２項　エ　相違点についての判断」の項で、「（相違点３について）」で検討したのと同様の理由により、引用発明１’においてセッター材料としてのＳｉＯ２を第一成分、Ａｌ２Ｏ３を第二成分とする日本電気硝子製「ネオセラムＮ−０」結晶化ガラス板を、主成分としてＳｉＯ２を６２．１ｗｔ％、Ａｌ２Ｏ３を２０．１ｗｔ％有するものとすることは、当業者が適宜なし得る設計事項に過ぎない。
　
　以上のとおり、相違点２に係る本願発明の発明特定事項は、引用発明１’に基づいて、当業者が容易に想到し得る事項である。
　
　また、本願発明によってもたらされる効果についても、「第２　補正の適否　（２）独立特許要件　（２）−２　特許法第２９条第２項　オ　本願補正発明の効果及び審判請求書における請求人の主張について」の項に記載したのと同様の理由により、引用発明１’，２’から当業者が予測し得る範囲内のものである。
　
　したがって、本願発明は、引用発明１’，２’に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第６　むすび
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。