(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報をマークとして記録する記録層と、記録層に積層され、高温時に記録層の磁化が転写される再生層とが設けられた光磁気記録媒体であって、
記録層の、再生層が設けられていない側の面に、軟磁性体である裏打ち層が設けられており、かつ、記録層と再生層との間に第１非磁性層が、記録層と裏打ち層との間に第２の非磁性層が設けられていることを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項２】
上記第１非磁性層が、上記再生層に面した透明誘電体層と、記録層に面した非磁性金属膜層とを有することを特徴とする請求項１に記載の光磁気記録媒体。
【請求項３】
上記第１非磁性層の膜厚が１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下であり、
上記第２非磁性層の膜厚が５ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の光磁気記録媒体。
【請求項４】
請求項１から３の何れか１項に記載の光磁気記録媒体を使用し、
上記光磁気記録媒体に光ビームを照射して、上記記録層における小さな記録ビットを上記再生層中の大きな領域に転写することを特徴とする光磁気記録媒体の再生方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光磁気記録再生装置に適用される、光磁気ディスク等の光磁気記録媒体及びその再生方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
光磁気記録媒体のひとつである光磁気ディスクは、既にコンピューター用の外部メモリとして実用化がなされている。このように、光磁気記録媒体では、光を利用して再生を行うため、磁気ヘッドを用いたフロッピーディスクあるいはハードディスクに比べて、大記録容量を実現できる。
【０００３】
光磁気ディスクの記録密度は、光磁気ディスク上の光ビームスポットの大きさに制約を受ける。つまり、記録ビット径および記録ビット間隔が光ビームスポットの大きさに比べて小さくなると、光ビームスポットの中に複数のビットが入るため、各記録ビットを分離して再生することができなくなる。記録密度を向上させるために光ビームスポットの大きさを小さくするには、レーザー光の波長を短くすることが有効であるが、現在市販されている半導体レーザーは６８０ｎｍの波長のものが最短であり、より短波長を有する半導体レーザーは、いまだ開発途上にある。したがって、現在市販されている長い波長のレーザーを用いて光磁気ディスクの記録密度をさらに大きくすることは困難である。
【０００４】
これに対して、例えば、Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｔｈｅ  Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ  Ｓｏｃｉｅｔｙ  ｏｆ  Ｊａｐａｎ，  Ｖｏｌ．１９，  Ｓｕｐｐｌｅｍｅｎｔ，  Ｎｏ．Ｓ１（１９９５），  ｐ．４２１−４２４  には、静磁結合した２つの磁性膜より構成された光磁気記録媒体と光ビームスポット中の温度分布を利用して再生分解能を向上させて、記録密度を向上させる方法、すなわち静磁結合を利用した磁気的超解像技術が示されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の静磁結合を利用した磁気的超解像技術で検出された信号は、磁気的超解像を用いない方法に比べて小さなマーク長で良好な信号品質（ＣＮＲ）を持ち、高密度化を可能としているが、この方法では、０．５μｍマーク長が可能な最短マーク長である。つまり、例えば０．２５μｍマーク長のように、さらなる高密度化を図った場合に、十分なＣＮＲが得られないという問題がある。
【０００６】
本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、短いマークを再生したときでも、良好なＣＮＲを得ることができ、記録密度を高めることができる光磁気記録媒体及びその再生方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため、請求項１記載の光磁気記録媒体は、情報をマークとして記録する記録層と、記録層に積層され、高温時に記録層の磁化が転写される再生層とが設けられた光磁気記録媒体であって、記録層の、再生層が設けられていない側の面に、軟磁性体である裏打ち層が設けられており、かつ、記録層と再生層との間に第１非磁性層が、記録層と裏打ち層との間に第２の非磁性層が設けられていることを特徴としている。
【０００８】
上記の構成により、再生時、記録層の磁化を再生層に転写するために、光ビームが外部から照射されて再生層が昇温する。このとき、裏打ち層が軟磁性体であるので、記録層の磁力線が裏打ち層にほぼ垂直に入射する。このため、記録層の磁力線が遠くまで到達する。
【０００９】
したがって、記録層の磁気モーメントが再生層の位置に作る磁界が大きくなるので、記録層の磁気モーメントの向きと同一の向きを向いた再生層の磁気モーメントを持った部分の面積が大きくなる。
【００１０】
それによって、例えば０．２５μｍのような短いマークを再生したときでも、良好なＣＮＲを得ることができ、記録密度を高めることができる。
【００１１】
請求項２記載の光磁気記録媒体は、情報をマークとして記録する記録層と、記録層に積層され、高温時に記録層の磁化が転写される再生層とが設けられた光磁気記録媒体であって、記録層の、再生層が設けられていない側の面に、軟磁性体である裏打ち層が設けられており、かつ、再生層と記録層との間に、上記再生層に面した透明誘電体層と、記録層に面した非磁性金属膜層とを有する、第１非磁性層が設けられていることを特徴としている。
【００１２】
上記の構成により、再生用の光ビームが照射されたとき、上記非磁性層において、この光ビームを再生層側へ反射する。
【００１３】
したがって、再生用の光ビームの強度が大きくなるので、再生出力を大きくすることができる。それによって、さらに良好なＣＮＲを得ることができ、記録密度を高めることができる。
【００１４】
請求項３記載の光磁気記録媒体は、請求項１記載の構成に加えて、上記第１非磁性層の膜厚が１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下であり、上記第２非磁性層の膜厚が５ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることを特徴としている。
【００１５】
すなわち、請求項３記載の光磁気記録媒体は、請求項１または２に記載の光磁気記録媒体の再生層、記録層、および裏打ち層の間に挟まれる非磁性層の好ましい膜厚を示したものである。これら非磁性層の膜厚を上記の構成のような範囲に設定することで、非常に良好なＣＮＲを得ることができ、記録密度を最も高めることが可能となる。請求項４記載の光磁気記録媒体の再生方法は、請求項１から３の何れか１項に記載の光磁気記録媒体を使用し、上記光磁気記録媒体に光ビームを照射して、上記記録層における小さな記録ビットを上記再生層中の大きな領域に転写することを特徴とする。本再生方法によればＣＮＲを大きくすることができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
〔実施の形態１〕
本発明の実施の一形態について図１ないし図１１に基づいて説明すれば、以下の通りである。
まず、比較用の、従来の静磁結合を用いた磁気的超解像ディスクについて説明する。この比較用の光磁気ディスクは、図２に示すように、基板１、透明誘電体層２、再生層３、非磁性層（第１非磁性層）４、記録層５、保護層８、およびオーバーコート層９がこの順に積層された構成を有している。光ビーム１０が対物レンズ１１により透明誘電体層２から保護層８までの層に絞り込まれ、外部磁界１２の下、記録再生が行われるようになっている。このとき、温度分布１３が生じるとともに、記録層５のマーク（記録ビット）から漏洩磁界の磁束１４が漏れる。
【００１７】
再生層３および記録層５は希土類遷移金属アモルファス合金で構成されている。図２中、白抜きの矢印は飽和磁化を表し、実線のの矢印は遷移金属の磁化を表す。
【００１８】
この比較用の光磁気ディスクでは、再生層３の磁化方向を、集光された光ビーム１０により発生する温度分布１３に基づき制御している。これによって、光ビーム１０が照射されている部分のうち高温になっている部分の再生層３の磁化を、記録層５に形成されたマークから発生する漏洩磁界の方向に向けている。そして、低温になっている部分の再生層３の磁化を外部磁界１２の方向に向ける。これにより、集光された光ビーム１０のビーム径よりも小さなピッチで記録された記録層５の情報の再生を可能にしている。
【００１９】
基板１にはポリカーボネート基板を用いている。透明誘電体層２は膜厚７０ｎｍのＡｌＮを用いた。再生層３は、膜厚３０ｎｍのＧｄＦｅＣｏである。非磁性層４は、膜厚１５ｎｍのＡｌＮである。記録層５は膜厚４０ｎｍのＤｙＦｅＣｏである。保護層８は膜厚３０ｎｍのＡｌＮである。オーバーコート層９として、５μｍの紫外線硬化樹脂を形成した。
【００２０】
図３を用いて再生方法について詳しく説明する。
図３は、再生層３および記録層５の飽和磁化（Ｍｓとする）の温度依存性を表したものである。各層は、希土類遷移金属アモルファス合金により作製されており、フェリ磁性体である。希土類金属の磁化と遷移金属の磁化とは反平行に結合している。磁化の大きさが互いに等しいとき、各磁化の和、すなわち飽和磁化は０となる。この状態を実現する温度を補償温度、この状態を実現する組成を補償組成と呼ぶ。
【００２１】
希土類遷移金属合金では、補償温度より低い温度では、希土類金属の磁化が遷移金属の磁化よりも大きくなるため、飽和磁化は希土類金属の磁化の方向を向く。一方、補償温度よりも高い温度では、希土類金属の磁化が遷移金属の磁化よりも小さくなるため、飽和磁化は遷移金属の磁化の方向を向くことになる。以降、希土類金属の磁化が遷移金属の磁化よりも大きい場合をＲａｒｅ−Ｅａｒｔｈ−ｒｉｃｈ（ＲＥ−ｒｉｃｈ）と呼び、逆の場合をＴｒａｎｓｉｔｉｏｎ−Ｍｅｔａｌ−ｒｉｃｈ（ＴＭ−ｒｉｃｈ）と呼ぶ。
【００２２】
図３では、ＲＥ−ｒｉｃｈ  のときの飽和磁化を負で表し、ＴＭ−ｒｉｃｈ  のときの飽和磁化を正で表している。再生層３は室温でＴＭ−ｒｉｃｈ  の特性を持ち、飽和磁化は１００（ｅｍｕ／ｃｃ）  で、キュリー温度は３４０℃である。記録層５は室温が補償温度であり、１４０℃ではＴＭ−ｒｉｃｈ  で、１００（ｅｍｕ／ｃｃ）  の飽和磁化を持ち、キュリー温度は２３０℃である。
【００２３】
図２において、記録層５のマークのうち、レーザー光照射により高温になったマークは、図３から分かるように、飽和磁化を持つことになる。この高温部に位置する記録層５の飽和磁化からは、図２に示した磁束１４ａ・１４ｂが発生する。一方、記録層５の低温部に位置するマークは、温度が室温付近にあるため、飽和磁化はほぼ０である。したがって、低温部に位置するマークからは磁束は発生しない。
【００２４】
高温部に位置する記録層５のマークから発生する磁束のうち、磁束１４ａは、再生層３の飽和磁化の方向を、高温部に位置する記録層５のマークの飽和磁化の方向に向ける働きをする。したがって、再生層３の高温部に位置する部分の飽和磁化は、記録層５の高温部に位置するマークの飽和磁化の方向に一致する。
【００２５】
これに対して、再生層３の低温部に位置する部分の飽和磁化は、同じく低温部に位置する記録層５のマークから発生する磁束がないため、外部磁界１２の方向を向くことになる。
【００２６】
図４は、この比較用の光磁気ディスクを上から見た図である。光ビームスポット４０１は、ディスク基板上に形成されたトラック４００に沿って矢印４０３の方向に移動する。光ビームスポット４０１の移動に伴い、その移動速度に対応して、光磁気ディスクには温度分布すなわち等温線４０２が発生する。
【００２７】
光ビームスポット４０１が移動することにより、光磁気ディスクにおいて温度が高くなる部分は、光ビームスポット４０１の後方に位置することになる。ここで、等温線４０２のうち、等温線４０２ａは１２０℃を示す。また、最も温度の高い部位は１４０℃になっている。
【００２８】
次に、図５は、図４のようにトラック４００に光ビームを照射して読み出し動作を行っているときの、トラック４００の断面である。図中、基板１、保護層８、およびオーバーコート層９の図示は省略している。
【００２９】
図５中、矢印は各層の遷移金属の磁化を示しており、記録層５には情報が記録されているため、上下方向の矢印が交互に描かれている。再生層３では、光ビーム４２０の照射で生じた等温線４０２ａより温度の高い領域で遷移金属の磁化４２１がその真下の記録層５の遷移金属の磁化４２２に従って上を向き、温度の低い領域では外部磁界１２に従って下を向く。
【００３０】
このとき、図４において光ビームスポット４０１の中の等温線４０２ａの内側の領域のみから記録層５の情報が磁化の形で読みだされ、他の領域は常に外部磁界１２に応じて一方向を向いている。この結果、記録層５の情報が読みだされる領域が光ビームスポット４０１の面積よりも小さくなるため、光ビームの回折限界を越えた分解能で情報を読みだすことができるようになる。したがって、通常の、基板上に形成される磁性層が１層だけの光磁気記録媒体よりも高分解能で読みだせることとなり、記録密度を高めることが可能になる。
【００３１】
図６は、この比較用の光磁気ディスクを５ｍ／ｓの線速で波長６８０ｎｍのレーザー光を用い、１００（Ｏｅ）の外部磁界の下、再生レーザーパワー２．３ｍＷで再生したときの信号品質ＣＮＲとマーク長との関係を表すものである。
【００３２】
図７は、この比較用の光磁気ディスクの非磁性層４の膜厚を変えて０．３μｍ長のマークを再生したときのＣＮＲの変化を表している。測定条件は図６での測定条件と同じである。非磁性層４の膜厚が２０ｎｍ以上の厚さのときは、記録層５が再生層３の位置に作る磁界が小さくなるため、ＣＮＲは低下する。非磁性層４の膜厚が５ｎｍ以下のときにＣＮＲが低下している理由は明らかでないが、おそらく、膜厚が薄すぎることによって均一で平滑な膜が出来ていないためと考えられる。図７から、この比較用の光磁気ディスクの場合、非磁性層４の膜厚としては１５ｎｍ程度が適当であることが分かる。
【００３３】
次に、本発明に係る光磁気記録媒体の例について説明する。
図１に示すように、基板１、透明誘電体層２、再生層３、非磁性層（第１非磁性層）４、記録層５、非磁性層（第２非磁性層）６、裏打ち層７、保護層８、およびオーバーコート層９がこの順に積層された構成を有する光磁気ディスク（光磁気記録媒体）を作製した。
【００３４】
非磁性層６は膜厚１０ｎｍのＡｌＮであり、裏打ち層７は強磁性材料からなる軟磁性体である膜厚２０ｎｍのパーマロイから成っており、記録層５と静磁結合している。他の層および基板は、上記比較用の光磁気ディスクと同じ材料、同じ膜厚からなっている。
【００３５】
記録層５は、情報をマーク（記録ビット）として記録するものである。再生層３は、記録層５に積層され、記録層５と静磁結合しているが、交換結合はしていない。そして再生層３は、再生時に光ビームにより作られた温度分布を利用して記録層５の磁化が転写され、記録層５に記録された情報がここから読み出されるようになっている。
【００３６】
図８は、本光磁気ディスクを５ｍ／ｓの線速で波長６８０ｎｍのレーザー光を用い、かつ、外部磁界を印加しないで、再生レーザーパワー２．５ｍＷで再生したときのＣＮＲとマーク長との関係を表すものである。図６と図８とを比較すると、本光磁気ディスクでは、短いマーク長で、より大きなＣＮＲが得られていることが分かる。
【００３７】
通常、再生信号を処理して誤りなく情報を再生するためには、４５ｄＢ以上のＣＮＲが必要である。図６に示した従来の光磁気ディスクでは、マーク長０．５μｍ以上で４５ｄＢ以上のＣＮＲが得られているが、本光磁気ディスクでは、図８から分かるように、０．２５μｍ以上のマーク長で４５ｄＢ以上のＣＮＲが得られ、高記録密度化が可能になった。
【００３８】
このように短いマーク長でのＣＮＲが向上する理由を説明する。
図９は、図２に示した比較用の光磁気ディスクの、再生層３、非磁性層４、および記録層５の部位を拡大して図示したものである。記録層５では温度の高い部分にあるマークのみが飽和磁化を持つこととなり、この部分にのみ磁気モーメント８１が発生する。この磁気モーメント８１からは磁力線８３が生じる。この磁力線８３の密度、すなわち磁界によって、再生層３の磁気モーメント８２は記録層５の磁気モーメント８１と同じ方向を向くこととなる。
【００３９】
磁気モーメント８２が磁気モーメント８１と同じ方向を向く際の向きやすさは、磁気モーメント８１が磁気モーメント８２の位置に作る磁界の大きさに依存する。この磁界が大きいほど、磁気モーメント８２は磁気モーメント８１に従いやすくなる。このことは、再生層３の位置に作られる記録層５からの磁界が大きいほど、再生層３の磁気モーメント８２のうちで記録層５の磁気モーメント８１に従うものが多くなること、すなわち、再生層３では記録層５の磁気モーメント８１と同じ方向の磁気モーメントを持った部分の面積が大きくなることを意味する。
【００４０】
一般に、マークが小さくなれば、そこから発生する磁束は少なくなり、作られる磁界も小さくなる。このことが図６において短いマーク長でＣＮＲが小さくなる原因である。逆に言うと、小さいマーク長においても、記録層５が再生層３の位置に作る磁界を大きくすれば、ＣＮＲを大きくすることができる。
【００４１】
図１０は、図１に示した本実施の形態に係る光磁気ディスクの、再生層３、非磁性層４、記録層５、非磁性層６、および裏打ち層７の部位を拡大して図示したものである。記録層５に出来る磁気モーメント９１により、磁力線９３が生じている。また、再生層３は磁気モーメント９２を持つ。図９と図１０とを比較すると分かるように、記録層５の磁気モーメント９１から生じる磁力線９３の様子が、裏打ち層７の有無により大きく異なっている。
【００４２】
すなわち、図１０において、裏打ち層７は軟磁性体であるパーマロイから成っているため、磁力線９３は裏打ち層７にほぼ垂直に入射する。このことは、図９の場合と比べ、図１０の場合では、磁力線９３がより遠くまで達していることを意味する。つまり、記録層５の磁気モーメント９１が再生層３の位置に作る磁界は、図９に比べ、図１０のほうが大きくなっていることになる。このため、再生時の記録層５と再生層３との間の静磁結合が図９の場合よりも強くなる。
【００４３】
よって、裏打ち層７を設けると、上述した理由から、再生層３では、記録層５の磁気モーメント９１と同じ方向の磁気モーメントを持った部分の面積が大きくなる。言い換えれば、再生層３において、記録層５から記録ビット（マーク）が転写される領域が大きくなる。したがって、記録層５中の小さな記録ビットが再生層３中の大きな領域に転写されるため、記録層５中の小さな記録ビットすなわち短いマークを再生したときでもＣＮＲが劣化しにくくなり、良好な信号品質が得られる。
【００４４】
以上が、本実施の形態に係る光磁気ディスクで短いマーク長でのＣＮＲが向上する理由である。
【００４５】
図１１は、本光磁気ディスクの非磁性層４の膜厚を変えて、０．３μｍ長のマークを再生したときのＣＮＲの変化を表している。測定条件は、図８での測定条件と同じである。非磁性層４の膜厚とＣＮＲとの関係は図７で示したものと同様であるが、膜厚を厚くしたときのＣＮＲの低下が、図７の場合に比べて小さいことが分かる。これは、本実施の形態に係る光磁気ディスクでは、記録層５から発生する磁力線が比較用の光磁気ディスクに比べて、より遠くまで達しているためである。
【００４６】
〔実施の形態２〕
本発明の他の実施の形態について、図１、図２、図８、図１２、図１３および図１５に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜上、前記の実施の形態の図面に示した部材と同一の機能を有する部材には、同一の符号を付記してその説明を省略する。
【００４７】
図１２に示すように、基板１、透明誘電体層２、再生層３、非磁性層（第１非磁性層）２４、記録層５、非磁性層（第２非磁性層）６、裏打ち層７、保護層８、オーバーコート層９がこの順に積層された構成を有する光磁気ディスク（光磁気記録媒体）を作製した。
【００４８】
ここで、非磁性層２４は、再生層３に近い順に、透明誘電体層２４ａと非磁性金属膜層２４ｂとから成っている。
【００４９】
再生層３は膜厚２０ｎｍのＧｄＦｅＣｏである。透明誘電体層２４ａは膜厚３０ｎｍのＡｌＮであり、非磁性金属膜層２４ｂは膜厚１０ｎｍのＡｌから形成されている。これら以外の層は実施の形態１で述べた構成と同じである。
【００５０】
図１３は、本光磁気ディスクを５ｍ／ｓの線速で波長６８０ｎｍのレーザー光を用い、外部磁界を印加しないで、再生レーザーパワー２．５ｍＷで再生したときのＣＮＲとマーク長との関係を表すものである。図１３から明らかなように、マーク長が０．２μｍといった短さのときでも、４５ｄＢ以上の良好なＣＮＲを達成している。すなわち、図８に示す実施の形態１の場合と比較すると、本実施の形態２の場合は、短いマーク長で、実施の形態１よりもさらに大きなＣＮＲが得られ、さらなる高記録密度化が可能になる。このように、実施の形態１と比べて実施の形態２のほうがＣＮＲが大きくなるのは、以下の理由による。
【００５１】
図１５は、現在市販されている光磁気ディスクの断面図である。基板１３１上に、透明誘電体層１３２、記録層１３３、透明誘電体層１３４、反射膜層１３５、およびオーバーコート層１３６が積層された構成になっている。透明誘電体層１３２および透明誘電体層１３４にはＡｌＮやＳｉＮが用いられる。記録層１３３にはＴｂＦｅＣｏやＤｙＦｅＣｏといった希土類遷移金属アモルファス合金が用いられ、反射膜層１３５にはＡｌ等が用いられる。基板１３１から反射膜層１３５までの構造は、反射膜構造と呼ばれ、反射膜層１３５が無い場合と比べて良好な信号品質が得られる。
【００５２】
図１２に示すように、本実施の形態に係る光磁気ディスクにおいて、基板１、透明誘電体層２、再生層３、透明誘電体層２４ａ、および非磁性金属膜層２４ｂからなる構造は、まさにこの反射膜構造となっている。一方、図１に示すように、実施の形態１に係る光磁気ディスクにおける基板１から記録層５までの構成は、記録層５が情報を持っている層であるため、反射膜構造にはなっていない。このため、本実施の形態に係る光磁気ディスクでは、実施の形態１の場合よりもさらに大きなＣＮＲが得られる。
【００５３】
なお、図１２に示す本実施の形態に係る光磁気ディスクの構成から、裏打ち層７を取り除いた構成の光磁気ディスクにおいては、本質的に、図２に比較用に示した従来の静磁結合・磁気的超解像ディスクと同様になり、十分なＣＮＲが得られなくなる。すなわち、裏打ち層７があるがゆえに、反射膜構造を取ることが可能となる。
【００５４】
〔実施の形態３〕
本発明の他の実施の形態について、図１、図１１および図１４に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜上、前記の実施の形態の図面に示した部材と同一の機能を有する部材には、同一の符号を付記してその説明を省略する。
【００５５】
図１に示す構成の光磁気ディスク（光磁気記録媒体）において、非磁性層（第１非磁性層）４は膜厚１５ｎｍのＡｌＮとし、非磁性層６の膜厚を種々変化させ、他の層および基板は実施の形態１における本発明に係る光磁気ディスク（光磁気記録媒体）と同じ材料、膜厚からなる光磁気ディスクを作製した。
【００５６】
図１４は、０．３μｍ長のマークを再生したときのＣＮＲと非磁性層６の膜厚との関係を表している。測定条件は図８の測定条件と同じである。図１１の場合と同様に、非磁性層６の膜厚もＣＮＲに大きく影響する。
【００５７】
図１１より、４５ｄＢ以上の良好なＣＮＲを得るには、磁性層４の膜厚（Ｄ４  とする）としては
１０ｎｍ≦Ｄ４  ≦２０ｎｍ
とすることで大きな効果が得られることが分かる。
【００５８】
また、図１４より、同様に、非磁性層６の膜厚（Ｄ６  とする）としては
５ｎｍ≦Ｄ６  ≦２０ｎｍ
とすることで、同様に大きな効果が得られることが分かる。
【００５９】
【発明の効果】
以上のように、請求項１記載の光磁気記録媒体は、情報をマークとして記録する記録層と、記録層に積層され、高温時に記録層の磁化が転写される再生層とが設けられた光磁気記録媒体であって、記録層の、再生層が設けられていない側の面に、軟磁性体である裏打ち層が設けられており、かつ、記録層と再生層との間に第１非磁性層が、記録層と裏打ち層との間に第２の非磁性層が設けられている構成である。
【００６０】
それゆえ、例えば０．２５μｍのような短いマークを再生したときでも、良好なＣＮＲを得ることができ、記録密度を高めることができるという効果を奏する。
【００６１】
請求項２記載の光磁気記録媒体は、情報をマークとして記録する記録層と、記録層に積層され、高温時に記録層の磁化が転写される再生層とが設けられた光磁気記録媒体であって、記録層の、再生層が設けられていない側の面に、軟磁性体である裏打ち層が設けられており、かつ、再生層と記録層との間に、上記再生層に面した透明誘電体層と、記録層に面した非磁性金属膜層とを有する、第１非磁性層が設けられている構成である。
【００６２】
それゆえ、さらに良好なＣＮＲを得ることができ、記録密度を高めることができるという効果を奏する。
【００６３】
請求項３記載の光磁気記録媒体は、請求項１記載の構成に加えて、上記第１非磁性層が、膜厚が１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下であり、上記第２非磁性層の膜厚が５ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることを特徴としている。
【００６４】
すなわち、請求項３記載の光磁気記録媒体は、請求項１に記載の光磁気記録媒体の再生層、記録層、および裏打ち層の間に挟まれる非磁性層として最も効果的な膜厚の非磁性層を持った構成となっている。したがって、層の膜厚を上記の構成のような範囲に設定することで、最も良好なＣＮＲを得ることができ、記録密度を高めることができるという効果を奏する。また、請求項４記載の光磁気記録媒体の再生方法は、請求項１から３の何れか１項に記載の光磁気記録媒体を使用し、上記光磁気記録媒体に光ビームを照射して、上記記録層における小さな記録ビットを上記再生層中の大きな領域に転写することを特徴とする。本再生方法によればＣＮＲを大きくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る光磁気ディスクの一構成例を示す説明図である。
【図２】比較用の光磁気ディスクの一構成例を示す説明図である。
【図３】再生層と記録層との飽和磁化の温度依存性を示すグラフである。
【図４】光磁気ディスクを再生する様子を示す説明図である。
【図５】光磁気ディスクを再生する様子を示す説明図である。
【図６】比較用の光磁気ディスクの記録マーク長と再生信号品質ＣＮＲとの関係を示すグラフである。
【図７】比較用の光磁気ディスクの非磁性層の膜厚が再生信号品質ＣＮＲに及ぼす影響を示すグラフである。
【図８】本発明に係る光磁気ディスクの記録マーク長と再生信号品質ＣＮＲとの関係を示すグラフである。
【図９】比較用の光磁気ディスクを再生する際の再生層と記録層との磁気モーメントおよび磁力線の様子を示す説明図である。
【図１０】本発明に係る光磁気ディスクを再生する際の再生層と記録層との磁気モーメントおよび磁力線の様子を示す説明図である。
【図１１】本発明に係る光磁気ディスクの非磁性層の膜厚が再生信号品質ＣＮＲに及ぼす影響を示すグラフである。
【図１２】本発明に係る光磁気ディスクの他の構成例を示す説明図である。
【図１３】本発明に係る光磁気ディスクの記録マーク長と再生信号品質ＣＮＲとの関係を示すグラフである。
【図１４】本発明に係る光磁気ディスクの非磁性層の膜厚が再生信号品質ＣＮＲに及ぼす影響を示すグラフである。
【図１５】従来の光磁気ディスクの構成例を示す説明図である。
【符号の説明】
１    基板
２    透明誘電体層
３    再生層
４    非磁性層
５    記録層
６    非磁性層
７    裏打ち層
８    保護層
９    オーバーコート層
１４ａ  磁束
１４ｂ  磁束
２４    非磁性層
２４ａ  透明誘電体層
２４ｂ  非磁性金属膜層
９１    磁気モーメント
９２    磁気モーメント
９３    磁力線
４００  トラック
４０１  光ビームスポット
４０２  等温線
４０２ａ  等温線
４２１  磁化
４２２  磁化
【図１】
0003585671.tif 000002
【図２】
0003585671.tif 000003
【図３】
0003585671.tif 000004
【図４】
0003585671.tif 000005
【図５】
0003585671.tif 000006
【図６】
0003585671.tif 000007
【図７】
0003585671.tif 000008
【図８】
0003585671.tif 000009
【図９】
0003585671.tif 000010
【図１０】
0003585671.tif 000011
【図１１】
0003585671.tif 000012
【図１２】
0003585671.tif 000013
【図１３】
0003585671.tif 000014
【図１４】
0003585671.tif 000015
【図１５】
0003585671.tif 000016