【事件の表示】
　特願２００１−３０８２３２「液晶表示装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　６月　７日出願公開、特開２００２−１６２６２７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１３年１０月４日（パリ条約による優先権主張２０００年１０月４日、韓国）の出願であって、平成１９年１月１７日に手続補正がなされ、同年４月２日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年７月９日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年８月８日に手続補正がなされたが、当審において、この平成１９年８月８日付け手続補正は、平成２０年１１月１４日付けの補正却下の決定により却下され、同日付けで最後の拒絶理由が通知され、平成２１年２月１８日に手続補正がなされたものである。
　
第２　平成２０年１１月１４日付けで通知した拒絶の理由
　平成２０年１１月１４日付けで通知した拒絶の理由の概要は次のとおりである。
　
１．この出願の請求項１７〜２４に係る発明は、その出願の日前の特許出願であって、その出願後に特許掲載公報の発行又は出願公開がされた特願２０００−７１７６号の願書に最初に添付された明細書、特許請求の範囲又は図面に記載された発明と同一であり、しかも、この出願の発明者がその出願前の特許出願に係る上記の発明をした者と同一ではなく、またこの出願の時において、その出願人が上記特許出願の出願人と同一でもないので、特許法第２９条の２の規定により、特許を受けることができない。
　
２．この出願の請求項１７〜２４に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された刊行物である特開平１１−２５８６０５号公報、特開平９−２５８１９２号公報及び特開平１１−２４８９２１号公報に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
３．…（略）…
　
４．平成１９年１月１７日付けでした手続補正は、下記の点で願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものでないから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
（１）本願の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下「当初明細書等」という。）に「第２突起パターンによって第１基板と第２基板の間隔が一定に維持され、液晶層の液晶分子の傾きを規制する第１突起パターンは第１厚さを有し、前記第２突起パターンは前記第１突起パターンより厚い第２厚さを有する液晶表示装置」（請求項１で特定されている事項）に関して、「【０００６】一方、このような突起をスペーサとして用いることができ、ドメインを分割することに使用する突起の高さは１．２μｍであればいいが、スペーサとして用いる突起の高さは約４．０μｍでなければならない。従って、ドメイン分割用突起をそのままスペーサとして用いるために４．０μｍで形成すれば突起が形成する壁のため液晶を注入することが難しくなる。」と、第１及び第２突起パターンの高さが記載されているが、この記載において第１突起パターンの高さは１．２μｍであって、「３．０μｍ乃至４．５μｍ」の範囲外の値である。
　また、上述の「第２突起パターンによって第１基板と第２基板の間隔が一定に維持され、液晶層の液晶分子の傾きを規制する第１突起パターンは第１厚さを有し、前記第２突起パターンは前記第１突起パターンより厚い第２厚さを有する液晶表示装置」（請求項１で特定されている事項）に関して、請求項５に係る発明の「第１及び第２突起パターンは上面及び下面が円形、四角形または角部が丸い四角形である柱で形成されている」事項、及び、請求項６に係る発明の、更に「前記第１及び第２突起パターンの高さは３．０μｍ乃至４．５μｍである」事項は、本願の当初明細書等に記載されていないうえ、本願の当初明細書等の記載から自明でもないから、本願の当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものでない。
　よって、当該補正がなされた明細書又は図面における請求項５及び請求項６に記載した事項は、当初明細書等に記載した事項の範囲内にないから、当該補正は当初明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものでない。
（２）請求項１ないし１６に係る発明における、第１厚さを有する第１突起パターンと、前記第１突起パターンより厚い第２厚さを有する第２突起パターンとを含む液晶表示装置において、第２突起パターンが「液晶層の液晶分子の傾きを規制する」ものであるとの事項は、本願の当初明細書等に記載されておらず、本願の当初明細書等の記載から自明でもないから、本願の当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものでない。
　よって、当該補正がなされた明細書又は図面における請求項１ないし請求項１６に記載した事項は、当初明細書等に記載した事項の範囲内にないから、当該補正は当初明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものでない。
　
第３　平成２１年２月１８日付けの手続補正についての補正却下の決定
　
〔補正却下の決定の結論〕
　平成２１年２月１８日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
〔理　由〕
１．本件補正後の特許請求の範囲の記載
　本件補正後の特許請求の範囲の記載は次のとおりのものである。
　
「【請求項１】
　第１絶縁基板と、
　前記第１基板上に形成されており、
多数の
切除パターンによって多数の領域に分割される画素電極
　前記第１基板に対応する第２絶縁基板と、
　
前記第２基板上に形成されている共通電極
　前記第１基板と前記第２基板との間に注入されている液晶層と、
　
前記共通電極上に形成されており、前記画素電極の多数の領域に位置して前記液晶層の液晶分子の傾きを規制する多数の
第２突起パターン
　前記第１基板及び前記第２基板の外側に各々付着されている第１及び第２偏光板と、
　前記第１基板と前記第１偏光板との間に位置する第１二軸性フィルム及び前記第２基板と前記第２偏光板との間に位置する第２二軸性フィルムと、
を含み、
　
前記第２突起パターンによって前記第１基板と前記第２基板の間隔が一定に維持され
前記第１突起パターンは第１厚さを有し、前記第２突起パターンは前記第１突起パターンより厚い第２厚さを有する
…（略）…
【請求項５】
　
前記第１及び第２突起パターンは上面及び下面が円形、四角形または角部が丸い四角形である柱で形成されている請求項１に記載
【請求項６】
　
前記第１及び第２突起パターンの高さは３．０μｍ乃至４．５μｍである請求項５に記載
…（略）…。」（下線は審決で付した。以下同じ。なお、下線を付した上記の記載は本件補正の前後で変更されていない。）
　
２．本願の願書に最初に添付した明細書及び図面（以下「当初明細書」という。）の記載事項
　当初明細書の記載から本件補正後請求項１、５、６に関連する記載を摘記すると次のとおりである。
　ア　「【請求項１】第１絶縁基板と、
前記第１基板上に形成されており、多数の切除パターンを有し前記切除パターンによって多数の領域に分割される画素電極
前記第１基板に対応する第２絶縁基板と、
前記第２基板上に形成されている共通電極と、
前記第１基板と前記第２基板との間に注入されている液晶層と、
前記共通電極上に形成されており、前記画素電極の多数の領域に位置して前記液晶層の液晶分子の傾きを規制する多数の突起パターン
前記突起パターンによって前記第１基板と前記第２基板の間隔が一定に維持される
【請求項２】前記第１基板上に形成されており前記画素電極と電気的に連結されている薄膜トランジスタをさらに含む請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】前記第２基板と前記共通電極との間にパターニングされて形成されているブラックマトリックスをさらに含む請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】前記画素電極に対応し前記第２基板と前記共通電極との間に形成されている色フィルターをさらに含む請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記突起パターンは上面及び下面が円形、四角形または角部が丸い四角形である柱で形成されている請求項１に記載
【請求項６】
前記突起パターンの高さは３．０μｍ乃至４．５μｍである請求項５に記載
　
　イ　「【請求項１７】第１絶縁基板と、
前記第１基板上に形成されており切除パターンを有する画素電極と、
前記第１基板に対応する第２絶縁基板と、
前記第２基板上に形成されている共通電極と、
前記
共通電極上に形成されており第１厚さを有する第１突起及び第１厚さより厚い第２厚さを有する第２突起
前記第１基板と前記第２基板との間に注入されている液晶層とを含む液晶表示装置。
…（略）…
【請求項２３】前記
第２突起は上面及び下面が多角形または円形の柱で形成
請求項１７
【請求項２４】前記
第２突起の上面及び下面の幅が５μｍ乃至４０μｍ
請求項２３
【請求項２５】前記第１突起は前記ブラックマトリックスと重畳している請求項１９に記載の液晶表示装置。
【請求項２６】前記
画素電極は切除パターンによって数個の小部分に分割
第２突起は前記画素電極の各小部分の中央部に位置する請求項１７
　
　ウ　「【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置は現在最も広く使用されている平板表示装置の一つであって、電場を生成する多数の電極が形成されている二枚の基板、二枚の基板の間の液晶層、それぞれの基板の外面に付着されて光を偏光させる二枚の偏光板からなり、電極に電圧を印加して液晶層の液晶分子を再配列させることによって透過する光の量を調節する表示装置である。
【０００３】液晶表示装置の一つの基板には電極に印加される電圧をスイッチングする薄膜トランジスタと多数の配線、つまり、多数のゲート線及びデータ線が各々行及び列方向に形成されている。ゲート線とデータ線との交差で定義される画素領域には画素電極が形成されており、薄膜トランジスタはゲート線を通じて伝達される走査信号によってデータ線を通じて伝達される画像信号を制御して画素電極に出力する。これと対向する他の一つの基板には画素電極に対応する部分に色フィルターが形成されており全面に共通電極が形成されている。
【０００４】このような液晶表示装置のうち、垂直配向方式（VA；Vertically aligned）の液晶表示装置は電場が印加されていない状態で液晶分子の長軸が基板に垂直に配列され、電圧が印加されると基板と平行になる方向に傾く。基板に対して垂直に配列された液晶分子は光の偏光方向を回転させる機能を遂行できないが、基板に対して平行に横になっている液晶分子は光の偏光方向を回転させることができる。この時、液晶層の両側に配置された二つの偏光板の偏光軸を互いに垂直になるように配列すると液晶分子が垂直配列された場合には光が二つの偏光板を通過せず暗い状態になり、電圧を印加して液晶分子が傾いた場合には一定量の光が二つの偏光板を通過して出ることによって明るい状態となる。
【０００５】このような
垂直配向方式の液晶表示装置において広視野角を確保するために電極に切除パターンを形成したり有機物質を用いて突起を形成することによって液晶が横になる方向を四方向に均一に分配して多重領域（multi domain）を形成する
【０００６】一方、
このような突起をスペーサとして用いることができ、ドメインを分割することに使用する突起の高さは１．２μｍであればいいが、スペーサとして用いる突起の高さは約４．０μｍでなければならない。従って、ドメイン分割用突起をそのままスペーサとして用いるために４．０μｍで形成すれば突起が形成する壁のため液晶を注入することが難しくなる
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明が目的とする技術的課題はドメイン分割及びスペーサの役割を兼ねる突起パターンを形成すること
【０００８】本発明の他の技術的課題は輝度を高めることである。
【０００９】
【解決を解決するための手段】このような課題を達成するために本発明では
ドメイン分割及びスペーサの役割を果たす突起パターンが共に形成
【００１０】本発明によると、第１絶縁基板上に
多数の切除パターンを有し切除パターンによって多数の領域に分割される画素電極
共通電極上には画素電極の多数の領域に位置し液晶層の液晶分子の傾きを規制する多数の突起パターン
このような突起パターンによって第１基板と第２基板との間隔が一定に維持される
【００１１】ここで、第１基板上には画素電極と電気的に連結されている薄膜トランジスタがさらに形成されており、第２基板と共通電極との間にはブラックマトリックスがパターニングされて形成されており画素電極に対応して第２基板と共通電極との間に色フィルターがさらに形成される構成とすることができる。
【００１２】
突起パターンは上面及び下面が円形、四角形または角部が丸い四角形である柱で形成されており、突起パターンの高さは３．０μｍ乃至４．５μｍ
【００１３】液晶層のリタデーションは０．２５μｍ乃至０．４μｍであるのが好ましい。
【００１４】一方、液晶層に入射される光は円偏光であり、この時、第１基板及び第２基板の外側に各々第１及び第２偏光板がさらに付着されており、第１基板と第１偏光板との間及び第２基板と第２偏光板との間に各々第１及び第２二軸性フィルムがさらに付着された構成とすることができる。
【００１５】この時、第１偏光板と第１二軸性フィルムとの間または第２偏光板と第２二軸性フィルムとの間のうちのいずれかの１ケ所に一軸性フィルムがさらに付着された構成とすることができる。
【００１６】第１二軸性フィルムの最長軸と第２二軸性フィルムの最長軸が互いに垂直をなし、第１及び第２偏光板の偏光軸と第１及び第２二軸性フィルムの最長軸は互いに４５度をなすのが好ましい。
【００１７】また、第１基板と第１二軸性フィルムとの間及び第２基板と第２二軸性フィルムとの間に各々第１及び第２λ／４プレートがさらに付着された構成とすることができ、第１及び第２λ／４プレートの遅い軸が互いに垂直をなし、第１及び第２偏光板の偏光軸と第１及び第２λ／４プレートの遅い軸は互いに４５度をなすのが好ましい。
【００１８】第１偏光板の偏光軸と第１二軸性フィルムの最長軸及び第２偏光板の偏光軸と第２二軸性フィルムの最長軸は互いに平行なのが好ましい。」
　
　エ　「【００１９】本発明の
他の実施例によると、
共通電極上に第１厚さを有する第１突起及び第１厚さより厚い第２厚さを有する第２突起が形成されている
【００２０】ここで、第１基板上に画素電極と電気的に連結されている薄膜トランジスタがさらに形成されており、第２基板と共通電極との間にブラックマトリックスがパターニングされて形成されており、画素電極に対応し第２基板と共通電極との間に色フィルターがさらに形成された構成とすることができる。
【００２１】この時、第１及び第２突起は感光性有機絶縁膜、感光膜及びケイ素を含む絶縁膜のうちのいずれかの一つを含み、第１突起の幅が３μｍ乃至１５μｍであるのが好ましい。
【００２２】また、
第２突起は上面及び下面が多角形または円形である柱で形成
【００２３】このように本発明では
突起パターンを柱形態で形成してドメインを分割すると同時にスペーサとして用いることができる
位置によって厚さが異なる突起パターンを一度の写真工程で形成して厚さの薄い突起をドメイン分割用として使用し厚さの厚い突起をスペーサとする
　
　オ　「【００２４】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明の実施例による液晶表示装置及びその製造方法について本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施することができる程度に詳細に説明する。
【００２５】まず、図１乃至図３を参照して本発明の
第１実施例
【００２６】図１は本発明の第１実施例による液晶表示装置の薄膜トランジスタ基板の画素電極及び色フィルター基板の突起パターンを共に示したものであり、図２ａは本発明の第１実施例による液晶表示装置の断面図であり、図２ｂは本発明の第１実施例による液晶表示装置に電圧を印加した場合を示した断面図であり、図３は本発明の第１実施例による液晶表示装置に電圧を印加した場合の液晶の配列を平面的に示した図面である。
【００２７】図１及び図２ａに示されているように、第１基板１には薄膜トランジスタ（図示せず）、薄膜トランジスタに電気的に連結されており切除部６、７を有する画素電極４が形成されており、これを薄膜トランジスタ基板という。また、第１基板１と対向する第２基板１１にはブラックマトリックス１２、色フィルター１３、共通電極１４が形成されており、これを色フィルター基板という。基板１、１１の外側には透過軸が互いに直交する偏光板（図示せず）が付着されている。
【００２８】以下、まず、薄膜トランジスタ基板について簡略に説明する。
【００２９】
第１基板１上
画素電極４が形成され
【００３０】ここで、
画素電極４は図１のように、切除部６、７を中心に三領域に分かれている
【００３１】このような薄膜トランジスタ基板で、外部から印加されたゲート信号がゲート線に伝達され外部から印加されたデータ信号がデータ線に伝達されると、半導体層にチャンネルが形成されドレーン電極を通じて画素電極にデータ信号が印加されて画像が表示される。
【００３２】次に、色フィルター基板について説明する。
【００３３】
第２基板１１上
共通電極１４が全面に形成され
共通電極１４上には感光性有機絶縁膜からなる突起パターン１６が形成されている。この時、突起パターン１６は円形、四角形または角部が丸い四角形のような上面及び下面を有する柱形態で３．０μｍ乃至４．５μｍの高さで形成されており、２枚の基板１、１１を整列した時に画素領域の三領域の中心に各々一つずつ位置している
【００３４】薄膜トランジスタ基板及び色フィルター基板上には垂直配向膜（図示せず）が形成されている。
【００３５】このような２枚の基板１、１１を整列しその間に負の誘電率異方性を有する液晶１７を注入してリタデーション値（Δｎｄ）が０．２５μｍ乃至０．４μｍである液晶層を形成している。電圧を印加していない場合、液晶分子１７は２枚の基板１、１１に垂直に配向されている。共通電極１４及び画素電極４に電圧を印加すると液晶分子１７は図２ｂのように、画素電極４と共通電極１４との間に形成されるフリンジフィールド（ｆ）に垂直に配列される。
この時、液晶分子１７は図２ｂのIII方向から見た時、図３のように突起パターン１６を中心に四方向に配向され第２基板１１の共通電極１４をパターニングしなくても所望の多重領域を形成することができる
突起パターン１６は円柱形態で形成されているので液晶注入が円滑で、２枚の基板１、１１を整列した時にスペーサとしての役割を果たすので液晶表示装置のセルギャップ（cell gap）を均一に維持
　
　カ　「【００３６】一方、画素電極４は本発明の第１実施例によって切除パターンを有する形態で形成することもでき、他の形態で形成することもできる。これについて図４を参照して本発明の
第２実施例
【００３７】図４は本発明の第２実施例による液晶表示装置の薄膜トランジスタ基板の画素電極及び突起パターンを共に示した図面である。
【００３８】図４に示されているように、
画素電極４
各四角形の中心に突起パターンが位置している
即ち、画素電極４は切除パターンによって数個の小部分に分割
各小部分の中心に突起パターンが位置している
【００３９】一方、第１及び第２実施例では画素電極４の形態のみが異なり他の部分の構造は同一である。」
　
　キ　「【００５４】一方、
突起パターンの厚さを位置によって異なるように形成して厚さの厚い突起パターンをスペーサ用突起とし厚さの薄い突起パターンをドメイン分割用突起とする
スペーサ用突起
ドメイン分割用突起
第６及び第７実施例
【００５５】まず、
厚さが異なる突起パターン
【００５６】
図１１
共通電極１１４
突起パターン１１６、１１７
突起パターン１１６、１１７は位置によって異なる厚さで形成されており
突起パターン１１７の厚さが
厚くなっている
【００５７】この時、突起パターン１１６、１１７の形態について薄膜トランジスタ基板の画素電極１０４と共に図１２ａ乃至図１２ｃを参照して本発明の
第６実施例
【００５８】ここで、
図１２ｂでの突起パターン１１６は画素領域ごとに模様が異なる多数の突起部１３１、１４１、１５１からなる
多様な模様の切除部を有する画素電極１０４
【００５９】まず、図１２ａを参照して画素電極１０４について説明する。
【００６０】図１２ａに示されているように、長方形の画素電極１０４中間部の右側から左に細く掘れた
第１切除部１２１
画素電極１０４を上部と下部に区分する
第２及び第３切除部１２２、１２３
【００６１】次に、図１２ｂを参照して共通電極１１４上に形成されている
突起パターン
【００６２】図１２ｂに示されているように、
共通電極１１４上には横方向に形成されている幹部１３２、幹部１３２から各々斜線方向に上下に伸びている第１及び第２枝部１３３、１３４、第１及び第２枝部１３３、１３４から各々縦方向に上下に伸びている第１及び第２枝端部１３５、１３６を含む第１突起部１３１
第１乃至第３突起部１３１、１４１、１５１の幅は３μｍ乃至１５μｍである
突起部１３１、１４１、１５１より厚い厚さを有するスペーサ用突起１１７は、図１２ｂに図示していないが、ブラックマトリックス１１２と重なるように形成
突起１１７は上面及び下面の幅が５μｍ乃至４０μｍである多角形または円形の形状を有する柱形態
【００６３】図１２ａ及び図１２ｂに示した画素電極１０４及び共通電極１１４上に形成されている
突起パターン１３１、１４１、１５１を共に図示すれば図１２ｃと同一
【００６４】図１２ｃに示されているように、画素電極１０４の第１乃至第３切除部１２１、１２２、１２３と共通電極１１４上部の第１乃至第３突起部１３１、１４１、１５１とが重畳して画素電極１０４を多数の領域に分割している。この時、画素電極１０４の切除部１２１、１２２、１２３及び共通電極上部の突起部１３１、１４１、１５１は交互に配置されている。第１乃至第３切除部１２１、１２２、１２３及び
第１乃至第３突起部１３１、１４１、１５１は
大部分の領域で互いに平行に形成され
【００６５】この時、
電場が印加された時の液晶１７の配列は一つの画素領域内で四つの方向に分類され、四方向全てで広い視野角を得ることができる
【００６６】このような構造を有する
突起パターン１１７はスペーサとして用いられ、突起パターン１１６は多重領域を形成するのに用いられる
　
　ク　「【００７９】このように、スリットパターンまたは半透過膜を含むマスク１００、１１０を用いて
厚さの異なる突起パターン１１６、１１７を形成し、薄い突起パターン１１６でフリンジフィールドを形成して広視野角を確保することができ、厚い突起パターン１１７をスペーサとする
位置によって厚さの異なる突起パターン１１６、１１７
　
　ケ　「【００８５】一方、画素電極１０４及び突起パターンを多様な形態で形成することができる。そのうちで一例を挙げて図１８ａ乃至図１８ｃを参照して本発明の
第７実施例
突起パターン１１６は画素領域ごとに形態が異なる多数の突起部１７１、１８１、１９１からなる
【００８６】まず、図１８ａを参照して画素電極１０４について説明する。
【００８７】図１８ａに示されているように、画素電極１０４の上部領域を左右に半分する長方形の
第１切除部１６１
第２切除部１６２及び第３切除部１６３
【００８８】次に、図１８ｂを参照して共通電極１１４上に形成されている
突起パターン
第１突起部１７１
第２及び第３突起部１８１、１９１
【００８９】図１８ａ及び図１８ｂに示した画素電極１０４及び共通電極１１４上に形成されている
突起パターン１７１、１８１、１９１
【００９０】図１８ｃに示されているように、
画素電極１０４の第１切除部１６１と共通電極１１４の第１及び第２幹部１７２、１７３が画素電極１０４の上面を縦に４等分しており、第２及び第３切除部１６２、１６３と第２及び第３突起部１８１、１９１が画素電極１０４の下面を横に５等分している
【００９１】このように
位置によって厚さが異なる突起パターンを形成し、厚さの薄い突起をドメイン分割用として使用し、厚さの厚い突起をスペーサと使用し、これをスリットパターンまたは半透過膜を含むマスクを用いて一度の写真工程で形成することによって工程の数を減らすことができる
　
　コ「【００９２】
【発明の効果】このように、本発明では
突起パターンを柱形態に形成してドメインを分割すると同時にスペーサとして使用する
位置によって厚さの異なる突起パターンを一度の写真工程で形成して厚さの薄い突起をドメイン分割用として使用し厚さの厚い突起をスペーサとする
　
３．当初明細書の記載から把握される事項
　上記２．の記載から、次の技術事項が把握される。
（１）「第２基板の共通電極上に形成され、第１基板上に形成されている画素電極が多数の切除パターンによって分割された多数の領域に位置して液晶層の液晶分子の傾きを規制する多数の突起パターンであって、円形、四角形または角部が丸い四角形である柱で形成され、高さは３．０μｍ乃至４．５μｍで、前記第１基板と前記第２基板の間隔を一定に維持する突起パターン。」（上記２．ア参照。）
（２）「第２基板の共通電極上に多角形または円形の柱で形成され、該共通電極上に形成されている第１突起の厚さより厚い第２突起。」（上記２．イ参照。）
（３）「第２基板の共通電極上に形成され、該共通電極上に形成されている第１突起の厚さより厚く、第２基板の切除パターンによって数個の小部分に分割されている画素電極の各小部分の中央部に位置する第２突起。」（上記２．イ参照。）
（４）「垂直配向方式の液晶表示装置において広視野角を確保するために、突起を形成することによって液晶が横になる方向を四方向に均一に分配して多重領域を形成する方法において、ドメインを分割することに使用する突起の高さは１．２μｍであればいいが、スペーサとして用いる突起の高さは約４．０μｍでなければならないから、ドメイン分割用突起をそのままスペーサとして用いるために４．０μｍで形成すれば突起が形成する壁のため液晶を注入することが難しくなること。」（上記２．ウ参照。）
（５）「ドメイン分割及びスペーサの役割を兼ねる突起パターン。」（上記２．ウ参照。）
（６）「ドメイン分割及びスペーサの役割を果たす突起パターンを共に形成すること。」（上記２．ウ参照。）
（７）「共通電極上に円形、四角形または角部が丸い四角形である柱で３．０μｍ乃至４．５μｍの高さに形成され、第１基板と第２基板との間隔を一定に維持し、画素電極の多数の領域に位置し液晶層の液晶分子の傾きを規制する多数の突起パターン。」（上記２．ウ参照。）
（８）「第２絶縁基板の共通電極上の厚さの薄いドメイン分割用の第１突起の厚さより厚い第２突起において、突起パターンをドメインを分割すると同時にスペーサとして用いることができるようにするため、第２絶縁基板の共通電極上に多角形または円形である柱で形成した第２突起。」（上記２．エ参照。）
（９）「第２基板１１上に全面に形成されている共通電極１４上に円形、四角形または角部が丸い四角形のような柱形態で３．０μｍ乃至４．５μｍの高さで形成されている突起パターン１６であって、第１基板１上に形成された画素電極４を切除部６、７を中心に分かれている三領域の中心に各々一つずつ位置しており、液晶分子１７を四方向に配向させ、共通電極１４をパターニングしなくても所望の多重領域を形成することができ、液晶注入が円滑で、２枚の基板１、１１を整列した時にスペーサとしての役割を果たす突起パターン１６」（上記２．オ参照。）
（１０）「四角形が数個で連結されている形態、即ち、切除パターンによって画素電極４が数個に分割されたの各小部分の中心に位置している突起パターン。」（上記２．カ参照。）
（１１）「共通電極１１４上に位置によって厚さを異なるように形成された、幅が５μｍ乃至４０μｍである多角形または円形の形状を有する柱形態で厚さの厚いスペーサ用突起パターン１１７（図示されていない。）及び多様な模様の切除部を有する画素電極１０４の画素領域ごとに模様が異なり、幅が３μｍ乃至１５μｍである多数の突起部１３１、１４１、１５１からなり、電場が印加された時の液晶１７の配列を一つの画素領域内で四つの方向に分類し、四方向全てで広い視野角を得ることができるようにする厚さの薄いドメイン分割用突起パターン１１６。」（上記２．キ参照。）
（１２）「フリンジフィールドを形成して広視野角を確保することができる薄い突起パターン１１６及びスペーサとする厚い突起パターン１１７。」（上記２．ク参照。）
（１３）「厚さの薄いドメイン分割用として使用する突起及び厚さの厚いスペーサとして使用する突起。」（上記２．ケ参照。）
（１４）「柱形態に形成してドメインを分割すると同時にスペーサとして使用する突起パターン。」（上記２．コ参照。）
（１５）「一度の写真工程で形成した位置によって厚さの異なる突起パターンであって、厚さの薄いドメイン分割用突起及び厚さの厚いスペーサとする突起。」（上記２．コ参照。）
　
４．本件補正後の請求項１、５、６に係る発明の発明特定事項
（１）上記１からみて、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明１」という。）は、
　ア　第２基板上の共通電極上に形成され、第１厚さを有し、第１基板上の画素電極を多数の切除パターンによって分割した多数の領域に位置して液晶層の液晶分子の傾きを規制する第１突起パターン
　及び
　イ　第２基板上の共通電極上に形成され、前記第１突起パターンより厚い第２厚さを有し、第１基板上の画素電極を多数の切除パターンによって分割した多数の領域に位置して液晶層の液晶分子の傾きを規制するとともに前記第１基板と前記第２基板の間隔を一定に維持する第２突起パターン
　をともに有するものであることが認められる。
　
（２）同じく、本件補正後の請求項５に係る発明（以下「本願補正発明５」という。）は、
　ア　第２基板上の共通電極上に上面及び下面が円形、四角形または角部が丸い四角形である柱で形成され、第１厚さを有し、第１基板上の画素電極を多数の切除パターンによって分割した多数の領域に位置して液晶層の液晶分子の傾きを規制する第１突起パターン
　及び
　イ　第２基板上の共通電極上に上面及び下面が円形、四角形または角部が丸い四角形である柱で形成され、前記第１突起パターンより厚い第２厚さを有し、第１基板上の画素電極を多数の切除パターンによって分割した多数の領域に位置して液晶層の液晶分子の傾きを規制するとともに前記第１基板と前記第２基板の間隔を一定に維持する第２突起パターン
　をともに有するものであることが認められる。
　
（３）同じく、本件補正後の請求項６に係る発明（以下「本願補正発明６」という。）は、
　ア　第２基板上の共通電極上に上面及び下面が円形、四角形または角部が丸い四角形である柱で形成され、第１厚さを有し、高さが３．０μｍ乃至４．５μｍであり、第１基板上の画素電極を多数の切除パターンによって分割した多数の領域に位置して液晶層の液晶分子の傾きを規制する第１突起パターン
　及び
　イ　第２基板上の共通電極上に上面及び下面が円形、四角形または角部が丸い四角形である柱で形成され、前記第１突起パターンより厚い第２厚さを有し、高さが３．０μｍ乃至４．５μｍであり、第１基板上の画素電極を多数の切除パターンによって分割した多数の領域に位置して液晶層の液晶分子の傾きを規制するとともに前記第１基板と前記第２基板の間隔を一定に維持する第２突起パターン
　をともに有するものであることが認められる。
　
５．本件補正が当初明細書に記載の事項の範囲内かどうかについての判断
　上記４で述べた本願補正発明１、５、６それぞれの発明特定事項が当初明細書に記載された事項の範囲内かどうかを、上記３の技術事項と対比して検討する。
　
（１）本願補正発明１について
　ア　上記３（１）（４）〜（７）（９）（１０）（１４）の技術事項は、「第１突起パターンが第１厚さを有し、第２突起パターンが前記第１突起パターンより厚い第２厚さを有する」との事項を有するものではない。
　イ　上記３（２）の技術事項は、「第１基板上の画素電極を多数の切除パターンによって分割した多数の領域に位置して液晶層の液晶分子の傾きを規制する」との事項を有するものではない。
　ウ　上記３（３）の技術事項は、第２突起パターンが「前記第１基板と前記第２基板の間隔を一定に維持する」との事項を有するものではない。
　エ　上記３（８）（１１）〜（１３）（１５）の技術事項は、第２突起パターンが「第１基板上の画素電極を多数の切除パターンによって分割した多数の領域に位置して液晶層の液晶分子の傾きを規制する」との事項を有するものではない。
　オ　本願補正発明１は、上記４（１）で述べた発明特定事項ア及びイをともに有するものであるところ、上記アないしエのとおり、当初明細書には該発明特定事項ア及びイをともに有する技術事項が記載されているとはいえない。
　よって、本件補正は、当初明細書のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものとはいえない。
　
（２）本願補正発明５について
　ア　本願補正発明５は本願補正発明１の発明特定事項を有するから、上記（１）で述べたとおりである。
　イ　また、上記３の（３）〜（６）（８）（１０）（１２）〜（１５）の技術事項は、「突起パターンを円形、四角形または角部が丸い四角形である柱で形成する」との事項を有するものではない。
　ウ　上記３の（１）（２）（７）（９）（１１）の技術事項は、（第２厚さより薄い）第１厚さを有する第１突起パターンが「円形、四角形または角部が丸い四角形である柱で形成され」るとの事項を有するものではない。
　エ　本願補正発明５は、上記４（２）で述べた発明特定事項ア及びイをともに有するものであるところ、上記アないしウのとおり、当初明細書には該発明特定事項ア及びイをともに有する技術事項が記載されているとはいえない。
　よって、本件補正は、当初明細書のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものとはいえない。
　
（３）本願補正発明６について
　ア　本願補正発明６は本願補正発明５の発明特定事項を有するから、上記（２）で述べたとおりである。
　イ　また、上記３の（２）（３）（５）（６）（８）（１０）〜（１５）の技術事項は、「突起パターンの高さは３．０μｍ乃至４．５μｍである」との事項を有するものではない。
　ウ　上記３の（１）（４）（７）（９）の技術事項は、（第２厚さより薄い）第１厚さを有する第１突起パターンが「高さが３．０μｍ乃至４．５μｍである」との事項を有するものではない。
　エ　本願補正発明５は、上記４（３）で述べた発明特定事項ア及びイをともに有するものであるところ、上記アないしウのとおり、当初明細書には該発明特定事項ア及びイをともに有する技術事項が記載されているとはいえない。
　よって、本件補正は、当初明細書のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものとはいえない。
　
（４）小括
　以上のとおりであるから、本件補正は、当初明細書のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものとはいえない。
　したがって、本件補正は、当初明細書に記載された事項の範囲内でなされたものではないから、平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第４　本願発明について
　
１．本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし２６に係る発明は、平成１９年１月１７日付け手続補正書によって補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし２６に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、請求項１、５、６、１７に係る発明は次のとおりである。
　
「【請求項１】 
　第１絶縁基板と、
　前記第１基板上に形成されており、多数の切除パターンを有し前記切除パターンによって多数の領域に分割される画素電極と、
　前記第１基板に対応する第２絶縁基板と、
　前記第２基板上に形成されている共通電極と、
　前記第１基板と前記第２基板との間に注入されている液晶層と、
　前記共通電極上に形成されており、前記画素電極の多数の領域に位置して前記液晶層の液晶分子の傾きを規制する多数の第１及び第２突起パターンと、
を含み、
　前記第２突起パターンによって前記第１基板と前記第２基板の間隔が一定に維持され、
前記第１突起パターンは第１厚さを有し、前記第２突起パターンは前記第１突起パターンより厚い第２厚さを有する液晶表示装置。」（以下「本願発明１」という。）
　
「【請求項５】
　前記第１及び第２突起パターンは上面及び下面が円形、四角形または角部が丸い四角形である柱で形成されている請求項１に記載の液晶表示装置。」（以下「本願発明５」という。）
　
「【請求項６】
　前記第１及び第２突起パターンの高さは３．０μｍ乃至４．５μｍである請求項５に記載の液晶表示装置。」（以下「本願発明６」という。）
　
「【請求項１７】
　第１絶縁基板と、
　前記第１基板上に形成されており切除パターンを有する画素電極と、
　前記第１基板に対応する第２絶縁基板と、
　前記第２基板上に形成されている共通電極と、
　前記共通電極上に形成されており第１厚さを有する第１突起パターン及び第１厚さより厚い第２厚さを有する第２突起パターンと、
　前記第１基板と前記第２基板との間に注入されている液晶層と、
を含む液晶表示装置。」（以下「本願発明１７」という。）
　
２．引用例
　
（１）平成２０年１１月１４日付けで通知した拒絶の理由で引用した、本願の優先日前の特許出願であって、本願の優先日後に出願公開がされた特願２０００−７１７６号（以下「先願」という。特開２００１−２０１７５０号公報参照。）の願書に最初に添付された明細書又は図面（以下「先願明細書」という。）には、次の事項が図面とともに記載されている。
　
　ア　「【請求項１】  一対の基板間に垂直配向型液晶を封入した垂直配向型液晶表示装置において、
前記一対の基板の少なくとも一方に形成されてセルギャップを一定に維持するセルギャップ調整用スペーサと、
前記スペーサが形成された基板側に、前記スペーサと同一材料により同一工程で形成された、前記スペーサよりも高さが低いドメイン規制用突起部とを有することを特徴とする液晶表示装置。
・・・・（略）・・・・
【請求項３】  基板と、
前記基板上に形成された複数色のカラーフィルタと、
前記カラーフィルタの上に形成されたコモン電極と、
前記コモン電極の上に形成されたセルギャップ調整用スペーサと、
前記コモン電極の上に前記セルギャップ調整用スペーサと同一材料により同一工程で形成された、前記セルギャップ調整用スペーサよりも高さが低いドメイン規制用突起部とを有することを特徴とする液晶表示装置用カラーフィルタ基板。」
　
　イ　「【００３５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態について、添付の図面を参照して説明する。
（第１の実施の形態）図１は本発明の第１の実施の形態の液晶表示装置の断面図、図２は同じくその液晶表示装置のスペーサ形成部を拡大して示す図、図３は同じくその液晶表示装置のＴＦＴ基板を示す平面図、図４は同じくその液晶表示装置のＣＦ基板を示す平面図である。なお、図１，図２は、図４の矢印Ａで示す線の位置における断面である。
【００３６】本実施の形態の液晶表示装置は、ＴＦＴ基板１０とＣＦ基板２０との間に垂直配向型液晶（ネガ型液晶）２９を封入した構造を有している。また、ＴＦＴ基板１０の下側及びＣＦ基板２０の上側にはそれぞれ偏光板（図示せず）が配置されている。これらの偏光板は、偏光軸が相互に直交するように配置されている。ＴＦＴ基板１０は、ガラス又はプラスチック等の透明材料からなる基板（以下、単に「ガラス基板」という）１１と、このガラス基板１１の上面側に形成された画素電極１６ａ、絶縁膜１３，１５及び配向膜１７等により構成される。すなわち、ガラス基板１１の下面側には、図３に示すように、複数本のゲートバスライン１２ａが相互に平行に形成されている。また、各ゲートバスライン１２ａの間には、それぞれ補助容量バスライン１２ｂが形成されている。これらのゲートバスライン１２ａ及び補助容量バスライン１２ｂは、ガラス基板１１の上面側に形成された絶縁膜（ゲート絶縁膜）１３に被覆されている（図２参照）。この絶縁膜１３の上には、ＴＦＴ１８の活性層となるシリコン膜１８ａが選択的に形成されている。このシリコン膜１８ａは、アモルファスシリコン又はポリシリコンからなる。
【００３７】シリコン膜１８ａは図示しない絶縁膜により覆われており、その絶縁膜の上には複数本のデータバスライン１４ａ、ＴＦＴ１８のソース電極１８ｂ及びドレイン電極１８ｃが形成されている。データバスライン１４ａは、ゲートバスライン１２ａと直角に交差するように配置されている。また、ゲートバスライン１２ａとデータバスライン１４ａとにより区画された矩形の領域がそれぞれ画素となる領域である。
【００３８】これらのデータバスライン１４ａ、ソース電極１８ｂ及びドレイン電極１８ｃは、絶縁膜（最終保護膜）１５により覆われている。そして、この絶縁膜１５の上には、ＩＴＯからなる画素電極１６ａが、画素毎に１つずつ形成されている。この画素電極１６ａは、絶縁膜１５に形成されたコンタクトホールを介してソース電極１８ｂと電気的に接続されている。
【００３９】
画素電極１６ａには、図３に示すジグザグ状の一点鎖線に沿ってスリット１６ｂが形成されている
【００４０】また、ガラス基板２１の下面側には、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）及び青（Ｂ）のカラーフィルタ２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂが形成されている。これらのカラーフィルタ２３Ｒ，２３Ｇ，２３ＢはＴＦＴ基板１０の画素電極１６ａに対向する位置に配置され、１つの画素電極１６ａに赤、緑又は青のカラーフィルタ２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂのうちのいずれか１つが対応している。
【００４１】ブラックマトリクス２２及びカラーフィルタ２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂの下側には、ＩＴＯからなるコモン電極２４が形成されている。また、このコモン電極２４の下側には、セルギャップ調整用のスペーサ２５ａとドメイン規制用の突起部２５ｂとが形成されている。突起部２５ｂは、図４に示すようにジグザグ形状に形成されており、スペーサ２５ａはゲートバスライン１２ａとデータバスライン１４ａとが交差する位置の近傍に配置されている。スペーサ２５ａの高さ（コモン電極表面からの高さ）は約４．０μｍであり、絶縁性樹脂により形成されている。また、突起部２５ｂの高さ（コモン電極表面からの高さ）は約１．５μｍであり、後述するように、スペーサ２５ａと同一材料により同時に形成される。なお、図４において、一点鎖線はＴＦＴ基板１０の画素電極１６ａに設けられたスリット１６ｂの位置を示している。コモン電極２４の下には垂直配向膜２６が形成されており、スペーサ２５ａ及び突起部２５ｂの表面はこの垂直配向膜２６に覆われている。
【００４２】本実施の形態においては、ＣＦ基板２０側の突起部２５ｂは約１．５μｍの高さに形成されており、スペーサ２５ａは約４．０μｍの高さに形成されている。そして、図１に示すように、スペーサ２５ａの先端部分がＴＦＴ基板１０に接触し、セルギャップを一定に維持している。このため、本実施の形態では、従来必要とされていた球形又は棒状のスペーサが不要であり、スペーサを散布する工程を削減できる。また、所定の位置に形成されたスペーサ２５ａによりＴＦＴ基板１０側の画素電極１６ａとＣＦ基板２０側のコモン電極２４との間隔を一定に維持できるので、 画素電極１６ａとコモン電極２４との短絡を確実に回避することができる。更に、従来の液晶表示装置のように球形又は棒状のスペーサを使用した場合は、スペーサの近傍では液晶分子がスペーサの表面に沿って配向してしまうため、配向が乱れて表示不良の原因となることがあるが、本実施の形態では、球形又は円柱形のスペーサを使用しないので、良好な表示品質が得られる。
【００４３】更にまた、本実施の形態においては、ＴＦＴ基板１０側の画素電極１６ａに設けられたスリット１６ｂとＣＦ基板２０側に設けられた突起部２５ｂとにより配向分割が達成されるので、良好な視角特性及びコントラスト特性が得られる。また、本実施の形態においては、ＣＦ基板２０側に設けられたスペーサ２５ａによりセルギャップを一定に維持する。このスペーサ２５ａはコモン電極２４上に固定されており、振動や衝撃によりセルギャップが変化することがない。従って、スペーサの移動に起因する表示品質の劣化が回避される。
【００４４】以下、第１の実施の形態の液晶表示装置の製造方法について説明する。図５〜図９は本実施の形態の液晶表示装置のＣＦ基板の製造方法を工程順に示す図である。まず、図５（ａ）に示すように、透明基板２１の一方の面（図では上面）に低反射Ｃｒ（クロム）膜を形成し、その上にノボラック系のポジ型フォトレジストを塗布する。そして、このフォトレジストを所定のマスクを用いて選択的に露光した後、現像処理を施して所定の領域にのみＣｒ膜を残す。これにより、Ｃｒ膜からなるブラックマトリクス２２が形成される。
【００４５】次に、基板２１の上側全面に感光性の顔料分散タイプの赤色レジストを塗布し、露光及び現像処理を施して、図５（ｂ）に示すように、赤色画素部に厚さが約１．５μｍの赤色カラーフィルタ２３Ｒを形成する。次に、基板２１の上側全面に感光性の顔料分散タイプの緑色レジストを塗布し、露光及び現像処理を施して、図５（ｃ）に示すように、緑色画素部に厚さが約１．５μｍの緑色カラーフィルタ２３Ｇを形成する。
【００４６】次に、基板２１の上側全面に感光性の顔料分散タイプの青色レジストを塗布し、露光及び現像処理を施して、図６（ａ）に示すように、青色画素部に厚さが約１．５μｍの青色カラーフィルタ２３Ｂを形成する。次に、図６（ｂ）に示すように、基板２１の上側全面にＩＴＯを約０．１５μｍの厚さに成膜して、コモン電極２４を形成する。
【００４７】次に、図６（ｃ）に示すように、スピンコート法により、コモン電極２４の上にポジ型感光性ノボラック系レジスト２５を約４．０μｍの厚さに塗布した後、プリベークする。次に、図７（ａ）の模式図に示すように、スペーサ形成部及び突起形成部を遮光する大型マスク２７を使用して、レジスト２５をプロキシミティー露光する。このときの露光量は、レジスト２５の露光部分が、現像処理後に残らない程度とすることが必要である。なお、図７（ａ）において、レジスト２５中の網掛けは露光された部分を示す。また、図７（ａ）においては、ブラックマトリクス２２及びカラーフィルタ２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂの図示を省略している。
【００４８】次に、図７（ｂ）の模式図で示すように、スペーサ形成部を遮光する大型マスク２８を使用して、レジスト２５をプロキシミティー露光する。このときの露光量は、レジスト２５の露光部分（突起形成部）が、現像処理後に１．５μｍの厚さに残る程度とする。次いで、濃度が２．２％のＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）アルカリ現像液を使用してレジスト２５をシャワー現像する。これにより、図８（ａ）に示すように、レジスト２５から、高さが異なるスペーサ２５ａ及び突起部２５ｂが同時に形成される。その後、基板２１をクリーンオーブンに入れて、２００℃の温度で１時間程度ポストベークする。これにより、レジスト樹脂が軟化して、図８（ｂ）に示すように、スペーサ２５ａ及び突起部２５ｂの形状が若干変化する。ポストベーク後のＣＦ基板２０の断面を図９に示す。
【００４９】その後、基板２１の上側全面に配向膜２６（図２参照）を形成し、この配向膜２６によりコモン電極２４、スペーサ２５ａ及び突起部２５ｂの表面を覆う。これにより、ＣＦ基板が完成する。一方、ＴＦＴ基板１０は、公知の方法により形成する。すなわち、ガラス基板１１上にゲートバスライン１２ａ及び蓄積容量バスライン１２ｂを形成し、その上に絶縁膜（ゲート絶縁膜）１３を形成する。その後、絶縁膜１３上に、ＴＦＴ１８の活性層となるシリコン膜１８ａを形成し、更にデータバスライン１４ａ、ＴＦＴ１８のソース電極１８ｂ及びドレイン電極１８ｃを形成する（図２，図３参照）。
【００５０】次いで、ガラス基板１１の上側全面に絶縁膜（最終保護膜）１５を形成し、その上にＩＴＯからなる画素電極１６ａを形成する。このとき、画素電極１６ａには、図３に示すようにジグザグ状の線に沿ってスリット１６ｂを形成する。その後、基板１１の上側全面に配向膜１７を形成し、この配向膜１７により画素電極１６ａの表面を覆う。これにより、ＴＦＴ基板１０が完成する。
【００５１】このようにして形成したＴＦＴ基板１０及びＣＦ基板２０を、図１，図２に示すように、配向膜１７，２６が形成された面を相互に対向させ、スペーサ２５ａの先端部が画素間の領域（ゲートバスラインとデータバスラインとが交差する部分）に接触するように配置する。そして、ＴＦＴ基板１０又はＣＦ基板２０の少なくとも一方の基板の表示領域の外側にシール材を塗布し、このシール材によりＴＦＴ基板１０とＣＦ基板２０とを接合する。その後、ＴＦＴ基板１０とＣＦ基板２０との間の空間内に液晶を注入し、液晶注入口を樹脂で封止する。これにより、液晶表示装置が完成する。
【００５２】本実施の形態では、図７に示すように、フォトレジスト２５を露光及び現像処理してスペーサ２５ａを形成するので、スペーサ２５ａの高さが均一であり、かつ所定の位置に配置することができる。従って、本実施の形態では、球形又は棒状のスペーサを散布する従来の方法に比べて、ドメイン規制用突起部２５ｂを有するにもかかわらず、表示領域の全体にわたってセルギャップを一定に維持することができるという利点がある。このため、従来に比べて表示品質が向上する。また、本実施の形態においては、コモン電極２４がスペーサ２５ａよりも基板２１側に形成されているので、コモン電極２４と画素電極１６ａとの間隔が大きく、短絡不良のおそれが少ない。
【００５３】更に、本実施の形態においては、２種類のマスク２７，２８を使用し、レジスト２５を２回露光することにより、高さが異なるスペーサ２５ａと突起部２５ｂとを同時に形成するので、製造工程数の増加が回避される。これにより、視角特性が優れた液晶表示装置を容易に製造することができる。なお、上記のように、スペーサ２５ａ及び突起部２５ｂの形成にポジ型レジストを用いる場合は、露光エネルギー（露光時間）に対するレジスト現像時の膜減りを緩やかにするために、露光時間（必要露光量）や分子量の大きいポジレジストを用いることが好ましい。また、プリベーク温度を上げたり、現像液の濃度を下げることも、現像時の膜減り（単位時間当りのレジスト膜厚の減少率）を緩やかにするために効果的である。
【００５４】更に、上記の例ではスペーサ２５ａ及び突起部２５ｂを形成するための材料としてノボラック系レジストを使用したが、これに限定されるものではなく、スペーサ２５ａ及び突起部２５ｂの材料として、アクリル系樹脂レジスト又はエポキシ系樹脂レジストを使用してもよい。また、ポジ型ではなく、ネガ型感光性レジストを使用してもよい。
【００５５】更にまた、上記の例ではＣＦ基板２０側にスペーサ２５ａ及び突起部２５ｂを形成する場合について説明したが、ＴＦＴ基板側にスペーサ及び突起部を形成してもよい。この場合は、ＣＦ基板２０側のコモン電極２４にスリット又は突起を形成する。」
　
　ウ　「【００７７】（第５の実施の形態）以下、本発明の第５の実施の形態について説明する。なお、第５の実施の形態が第１の実施の形態と異なる点は、ＣＦ基板のスペーサ２５ａ及び突起部２５ｂの形成方法が異なることに有り、
その他の構成は基本的に第１の実施の形態と同様である
【００７８】図２２は第５の実施の形態の液晶表示装置の断面図である。本実施の形態においては、スペーサ形成部に、３色のカラーフィルタ２３Ｂ，２３Ｒ，２３Ｇを３層に積層し、その上（図２２では下側）にセルギャップ調整用のスペーサ４１ａを形成している。また、本実施の形態においては、青色カラーフィルタ２３Ｂと赤色カラーフィルタ２３Ｒとを積層してブラックマトリクスとしている。また、このように、カラーフィルタ２３Ｂ，２３Ｒを積層してブラックマトリクスを形成することにより、Ｃｒ膜の成膜工程及びエッチング工程が不要となり、製造時間を短縮することができる。また、スペーサ形成部には、カラーフィルタ２３Ｂ，２３Ｒ，２３Ｇを３層に積層しているので、スペーサ４１の高さを低くしても、所定のセルギャップを維持することができる。
【００７９】なお、カラーフィルタ２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂの積層体と、その上を通るドメイン規制用突起部とによりスペーサを構成することも考えられる。しかし、スペーサ形成部の面積は小さく、またカラーフィルタとして一般的に使用されているノボラック樹脂やアクリル樹脂では、平坦性がよいため、例えばカラーフィルタ２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂの厚さをそれぞれ１．５μｍとし、突起部の高さを１．５μｍとしても、セルギャップは４．０μｍよりも小さくなってしまう。
【００８０】通常、スペーサ形成部にカラーフィルタを積層する際には、樹脂が乾燥するまでの間に、上に重なった２層目、 ３層目の樹脂部分ではレベリングが発生し、２層目のカラーフィルタの厚さは１層目の約７０％、３層目のカラーフィルタの厚さは１層目の約５０％と薄くなってしまう。仮に、スペーサ４１ａがないとすると、セルギャップはカラーフィルタの積層厚さにより決まるので、カラーフィルタの積層部分における各カラーフィルタの厚さを厚くする必要がある。２層目及び３層目のカラーフィルタの厚さを厚くするためには、例えば真空乾燥により乾燥を早めてレベリングを少なくする方法や、樹脂の塗布膜厚を厚くする方法が考えられる。しかし、これらの方法では、塗布むらや乾燥むらが発生し、製造歩留まりが低下してしまう。
【００８１】図２３は横軸に画素領域におけるカラーフィルタの厚さをとり、縦軸にスペーサ（カラーフィルタの重なり）の高さをとって、両者の関係を示した図である。但し、▲印は各カラーフィルタの厚さと突起部の高さが同じ場合、□は突起部の高さが２．０μｍの場合を示している。この図からわかるように、セルギャップを４μｍとするためには、各カラーフィルタの画素領域における厚さ及び突起部の高さをいずれも３μｍとする必要がある。ただし、突起部の高さがセルギャップの３０％以下又は５０％以上となると、透過率の低下やコントラストの低下を招く。このため、突起部の高さは、１．２〜２．０μｍとすることが好ましく、そうするとカラーフィルタの厚さを更に厚くする必要がある。
【００８２】一般に、カラーフィルタの材料となる顔料分散型レジストは、厚さが３μｍを超えると微細なパターニングが困難になる。また、塗布後の乾燥速度が遅くなり、生産性が低下するという問題も発生する。従って、カラーフィルタの厚さを３μｍ以上とすることは現実的ではない。カラーフィルタの材料として、ポリイミドのように平坦性が悪い材料を使用することも考えられる。しかし、ポリイミドは非感光性であるので、パターニングにはエッチング工程が必要になり、工程数の増加によって製造コストが上昇するという難点がある。また、仮にカラーフィルタを厚く形成したとしても、スペーサ部のコモン電極とＴＦＴ基板側の画素電極とが極めて接近することとなり、短絡不良が発生しやすくなる。
【００８３】本実施の形態では、前述の如く、カラーフィルタ２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂの積層部分の上にスペーサ４１ａを形成し、このスペーサ４１ａでセルギャップを調整できるので、カラーフィルタ２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂの厚さを３μｍ以下としても、十分なセルギャップを確保することができる。以下、図２４，図２５を参照して、本実施の形態のＣＦ基板４０の製造方法について説明する。
【００８４】まず、図２４（ａ）に示すように、ガラス基板２１の上に感光性顔料分散タイプの青色レジストを塗布し、このレジストを露光及び現像処理して、青色画素領域、ブラックマトリクス形成領域、スペーサ形成領域（ＴＦＴ基板側のゲートバスラインとデータバスラインとが交差する部分に対応する領域）及び各マーク（位置合わせマーク等）の形成領域の上に、 厚さが約１．５μｍの青色カラーフィルタ２３Ｂ（青色レジスト）を形成する。
【００８５】次に、図２４（ｂ）に示すように、ガラス基板２１の上に感光性顔料分散タイプの赤色レジストを塗布し、このレジストを露光及び現像処理して、赤色画素領域、ブラックマトリクス形成領域及びスペーサ形成領域の上に、 厚さが約１．５μｍの赤色カラーフィルタ２３Ｒ（赤色レジスト）を形成する。次に、図２４（ｃ）に示すように、ガラス基板２１の上に感光性顔料分散タイプの緑色レジストを塗布し、このレジストを露光及び現像処理して、緑色画素領域及びスペーサ形成領域の上に、 厚さが約１．５μｍの緑色カラーフィルタ２３Ｇ（緑色レジスト）を形成する。
【００８６】次に、図２４（ｄ）に示すように、ガラス基板２１の上側全面に、ＩＴＯを約０．１５μｍの厚さに形成して、コモン電極２６とする。本実施の形態では、ブラックマトリクス形成領域では２色のカラーフィルタを重ね、スペーサ形成領域では３色のカラーフィルタを重ねている。この場合、画素部（カラーフィルタが一層の部分）ではカラーフィルタの厚さは１．５μｍであるが、２層目、３層目のカラーフィルタの厚さはこれよりも薄くなる。ここまでの工程で、スペーサ形成部での３層のカラーフィルタの積層体の高さ（画素部のカラーフィルタ表面からの高さ）は、約１．８μｍであり、ブラックマトリクス形成領域での２層のカラーフィルタの積層体の高さ（画素部のカラーフィルタ表面からの高さ）は、約１．１μｍである。
【００８７】次に、ガラス基板２１の上側全面に、ポジ型ノボラック系レジストを２．５μｍの膜厚でスピンコート法等で塗布する。その後、スペーサ形成用パターンの幅が３０μｍ、突起部形成用パターンの幅が６μｍのレチクルを用いてレジストを所定の露光量でステッパー露光した後、現像を行う。これにより、図２５に示すように、セルギャップ調整用スペーサ４１ａ及びドメイン規制用突起部４１ｂが形成される。現像後のレジスト膜厚はスペーサ形成領域で約２．０μｍ、突起部形成領域で約２．３μｍとなる。
【００８８】次に、オーブンを用いて２２０℃で１時間程度ポストベークする。
スペーサ形成部では、ベーク後の膜厚が約２．０μｍ、線幅が約３０μｍとなる。一方、突起部形成領域では、ポストベーク時の熱によりレジストがリフローして、膜厚が約１．５μｍ、線幅が約１０μｍとなり、所望のプロファイルが得られる。
【００８９】なお、上記の例ではステッパ露光によりスペーサ４１ａ及び突起部４１ｂを形成しているが、所望の解像度を得ることが可能であれば、プロキシミティー露光やミラープロジェクション法等で露光することも可能である。また、上記の例では、スペーサ形成部に３色のカラーフィルタを重ねて形成したが、これに限定するものではなく、スペーサ形成部のカラーフィルタの層数は、１層又は２層でもよい。」
　
　エ　「【０１７５】・・・・（略）・・・・
（第１３の実施の形態）以下、本発明の第１３の実施の形態について説明する。本実施の形態では、スペーサの分布密度がｎ（個／ｃｍ２）、前記スペーサ１つあたりに９．８／ｎ（Ｎ）の力を加えたときの変位量をｘとし、前記一対の基板間の平均間隔をｄとし、６０℃における前記液晶の密度をｑ６０（ｇ／ｃｍ３）、−２０℃における前記液晶の密度をｑ−２０（ｇ／ｃｍ３）としたときに、荷重に対する変位量が下記式（１）で示す不等式を満たすように、スペーサを形成する。
【０１７６】
  ｘ／ｄ＞（１／ｑ６０−１／ｑ−２０）／（１／ｑ６０）  …（１）
また、−２０℃における液晶の密度が確定できず、２０℃における液晶の密度が確定できるときは、下記式（２）で示す不等式を満たすように、スペーサを形成してもよい。
  ｘ／ｄ＞２×（１／ｑ６０−１／ｑ２０）／（１／ｑ６０）  …（２）
以下、その理由について説明する。
【０１７７】従来の球形又は棒状のスペーサを散布する方式では、画素領域内に存在するスペーサにより液晶分子の配向が乱れるのに対し、
第１の実施の形態のように
柱状のスペーサ
【０１７８】これらの高温だぶつき及び低温発泡を防止するために、柱状のスペーサには、液晶の熱膨張及び熱収縮に追従できるある程度の弾力性が要求される。スペーサをフォトレジスト樹脂で形成した場合は、スペーサ自体が弾力性を有する。図５５は、横軸に押し込み変位量（圧縮変位）をとり、縦軸に押し込み荷重（圧縮荷重）をとって、フォトレジスト樹脂から形成したスペーサ１つ当りの変位量と荷重との関係を調べた結果の一例を示す図である。図５５に示すように、フォトレジスト樹脂から形成したスペーサに場合は荷重に応じて変形するが、スペーサの分布密度を調整することによって、スペーサ１つあたりに印加される荷重と変位量を調整することができる。
【０１７９】本願発明者らは、ＸＧＡ（１０２４×７６８ピクセル）の１５型液晶表示装置について、スペーサの分布密度を変えて高温だぶつき及び低温発泡の有無を調べた。図５６にその結果を示す。なお、セルギャップの間隔の平均値ｄは４μｍである。また、密度１４１個／ｃｍ２が２４画素に１つの割合でスペーサを形成した場合に相当し、密度２８３個／ｃｍ２が１２画素に１つの割合でスペーサを形成した場合に相当し、密度５６７個／ｃｍ２が６画素に１つの割合でスペーサを形成した場合に相当し、密度１１３３個／ｃｍ２が３画素に１つの割合でスペーサを形成した場合に相当し、密度３４００個／ｃｍ２が１画素に１つの割合でスペーサを形成した場合に相当する。
【０１８０】液晶の６０℃における密度ｑ６０は約０．９７ｇ／ｃｍ３、−２０℃における密度ｑ−２０は１．０３ｇ／ｃｍ３である。従って、前記式（１）のおける右辺は０．０５８となる。図５６に示すように、ｘ／ｄの値が０．０５８よりも大きい場合（Ｎｏ１，Ｎｏ２，Ｎｏ３）は、高温だぶつき及び低温発泡のいずれも発生しないが、それよりも小さい場合（Ｎｏ４，Ｎｏ５）は高温だぶつき及び低温発泡が発生している。
【０１８１】従って、本実施の形態においては、式（１）又は式（２）を満たすように、スペーサの材質及び密度を設定する。例えば、図５７（ａ）に示すように、ＴＦＴ基板１０及びＣＦ基板２０のいずれか一方（図５７（ａ）ではＣＦ基板２０側）に柱状のスペーサ２５ａを形成した液晶表示装置、又は図５７（ｂ）に示すように、ＴＦＴ基板１０及びＣＦ基板２０の両方にそれぞれ柱状のスペーサ２５ｃ，２５ｄを形成した液晶表示装置の場合、スペーサ２５ａ，２５ｃ，２５ｄの材質及び密度を、式（１）又は式（２）を満たすように設定する。
【０１８２】なお、図５７（ａ），（ｂ）において、ＴＦＴ基板１０は、ガラス基板１１とその上に形成された画素電極１６ａ、ＴＦＴ（図示せず）、ゲートバスライン（図示せず）及びデータバスライン（図示せず）等からなり、ＣＦ基板２０は、ガラス基板２１とその下面側に形成されたブラックマトリクス２２、カラーフィルタ２３及びコモン電極２４等からなる。また、ＴＦＴ基板１０とＣＦ基板２０との間には液晶２９が封入されている。
【０１８３】本実施の形態においては、スペーサの材質は特に限定されるものではないが、例えばポリイミド樹脂、フェノール系樹脂、ノボラック系樹脂及びアクリル系樹脂等を使用することができる。」
　
　オ　図３から、画素電極１６ａは、ジグザグ状の一点鎖線に沿って形成されたスリット１６ｂによって３ないし５個の小部分に分割されていることが見てとれる。
　
　カ　上記アないしオの記載によれば、先願明細書には、次の発明が記載されているものと認められる。
「ＴＦＴ基板１０とＣＦ基板２０との間に垂直配向型液晶（ネガ型液晶）２９を封入した構造を有し、
　前記ＴＦＴ基板１０は、ガラス基板１１と、ガラス基板１１の上面側に形成された画素電極１６ａ、第１絶縁膜１３，最終保護膜である第２絶縁膜１５及び配向膜１７等により構成されていて、前記ガラス基板１１の上にゲートバスライン１２ａ及び補助容量バスライン１２ｂが形成され、その上を第１絶縁膜１３に被覆され、第１絶縁膜１３の上には、ＴＦＴ１８の活性層となるシリコン膜１８ａが選択的に形成され、シリコン膜１８ａを覆う第３絶縁膜の上にデータバスライン１４ａ、ＴＦＴ１８のソース電極１８ｂ及びドレイン電極１８ｃが形成されており、その上を第２絶縁膜１５により覆われ、第２絶縁膜１５の上には、ソース電極１８ｂと電気的に接続されている画素電極１６ａが、画素毎に１つずつ形成され、該画素電極１６ａは、ジグザグ状のスリット１６ｂが形成され該スリットによって３ないし５個の小部分に分割されており、
　前記ＣＦ基板２０は、ガラス基板２１と、該ガラス基板２１の下面側に形成されたブラックマトリクス２２、カラーフィルタ２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂ、コモン電極２４、柱状のスペーサ２５ａ、突起部２５ｂ及び垂直配向膜２６等により構成されていて、ブラックマトリクス２２及びカラーフィルタ２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂの下側には、ＩＴＯからなるコモン電極２４が形成され、該コモン電極２４の下側には、セルギャップ調整用のスペーサ２５ａと前記セルギャップ調整用のスペーサ２５ａよりも高さが低いドメイン規制用の突起部２５ｂとが形成されている液晶表示装置において、
　前記スペーサ２５ａ及び前記突起部２５ｂは、ポジ型ノボラック系レジストを塗布し、露光した後、現像を行い、ポストベークしたものであって、スペーサ形成部では、ベーク後の膜厚が約２．０μｍ、線幅が約３０μｍとなり、突起部形成領域では、ポストベーク時の熱によりレジストがリフローして、膜厚が約１．５μｍ、線幅が約１０μｍとなり、所望のプロファイルが得られた液晶表示装置。」（以下「先願発明」という。）
　
（２）平成２０年１１月１４日付けで通知した拒絶の理由で引用した、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平１１−２５８６０５号公報（以下「引用刊行物」という。）には、図とともに次の事項が記載されている。
　
　ア　「【００３７】…（略）…図１８は、第１実施例の液晶パネル１００における液晶の注入口の位置を示す図である。後述するように、
液晶パネルの組み立て工程で、ＣＦ基板とＴＦＴ基板を貼り合わせた後、液晶を注入する
　
　イ　「【００５１】…（略）…。
第５実施例
図１２の（３）
一方の基板の表面に形成した電極１２には
突起２０Ａを図示のように形成し
他方の基板の電極１３にはスリット２１
画素電極１３
スリット２１としたもの
画素電極１３は図３９に示すようなパターンを有する
【００５２】液晶表示装置の商業的な成功を決定する重要な要件にコストの問題がある。上記のように、ＶＡ方式の液晶表示装置にドメイン規制手段を設けることにより表示品質が向上するが、ドメイン規制手段を設ける分コストが高くなるという問題があり、低コストでドメイン規制手段を実現することが必要である。そこで、第５実施例では、
能動素子を有するＴＦＴ基板１７側のドメイン規制手段を画素電極１３のスリットとし、対向するカラーフィルタ基板１６側のドメイン規制手段を突起とする
【００５３】
電極上に突起を設ける
画素電極１３はパターンニングして形成する必要があり、スリット２１を有する画素電極を形成しても工程が増加することはない
一方、カラーフィルタ基板（ＣＦ基板）の対向電極
対向電極上に突起を形成する
ＴＦＴ基板側のドメイン規制手段を画素電極のスリットとし、カラーフィルタ基板側のドメイン規制手段を突起とする
【００５４】画素電極にスリットを設けて複数の部分電極に分けた場合、各部分電極には同じ信号電圧を印加する必要があり、部分電極間を接続する電気的接続部分を設ける必要がある。この電気的接続部分を画素電極と同じ層に設けた場合には、後述するように、電気的接続部分では液晶の配向が乱れるので、視角特性が低下する上パネルの表示輝度や応答速度が低下するという問題が生じる。
【００５５】そこで、第５実施例では、図３９に示すように、電気的接続部分をＢＭ３４で遮光することにより両方に突起を設けた場合と同等の輝度、応答速度を得ている。本実施例では、画素の中央部にＣＳ電極３５が設けられており、ＣＳ電極３５は遮光性であるため、画素が上下２つの部分に分割される。参照番号３４ＡはＢＭによる上側の開口を示し、３４ＢはＢＭによる下側の開口を示し、開口の内側が光を通過させる。
【００５６】ゲートバスライン３１やデータバスライン３２などのバスラインは金属材料で作られるため遮光性を有する。安定した表示を行うためには、画素電極はバスラインと重ならないように形成する必要があり、画素電極とバスラインの間を遮光する必要がある。また、ＴＦＴ３３は、特に動作半導体としてアモルファスシリコンを用いている場合には、光の入射により素子特性が変化し、該動作が起きることがあるため、ＴＦＴの部分も遮光する必要がある。そのため、従来からこれらの部分を遮光するためのＢＭ３４が設けられており、本実施例では電気的接続部分が画素の周辺部に設けられるため、ＢＭ３４で遮光することができる。また、電気的接続部分を遮光するためのＢＭを新たに設ける必要はなく、従来のＢＭ又は若干ＢＭを広げるだけでよいため、開口率の低下も問題にならない程度である。
【００５７】第５実施例のパネルは２分割方式であるため、各種の特性は基本的には第１実施例とまったく同じであり、視角特性もＴＮ方式に比べて大幅に改善された。更に、位相差フィルムを使用することで第１実施例のパネルと同じ視角特性になる。応答速度は片側にスリットによる斜め電界を使用しているため第１実施例より若干遅いが、それでもオン速度τｏｎが８ｍｓで、オフ速度τｏｆｆが９ｍｓで、スイッチング速度τは１７ｍｓでであり、従来方式に比べればはるかに高速である。製造プロセスは第１実施例に比べて簡単である。
【００５８】ここで、参考として画素電極にスリットを設け、対向電極はベタ電極とした液晶表示装置を試作した時の結果について説明する。画素電極には、２方向のスリットが複数設けられ、画素内に４方向のドメイン領域が多数形成されるため、ほぼ３６０°全方位に配向した安定した配向が得られた。従って、視角特性は非常に良好であり、３６０°全方位で均等な画像が得られた。しかし、応答速度は改善されず、オン速度τｏｎが４２ｍｓで、オフ速度τｏｆｆが１５ｍｓで、それらを合計したスイッチング速度は５７ｍｓで、あまり改善されなかった。スリットの個数を減らせば、応答速度は更に低下する。これはスリットの個数を減らせばその分ドメイン領域が大きくなり、ドメイン領域内のすべての液晶分子が同じ方向に配向するまでに時間がかかるためと思われる。
【００５９】従って、ドメイン規制手段としてスリットのみを使用する構成は、工程が簡略にできるという利点があり、静止画を主とする表示には問題ないが、ＩＰＳ方式同様、動画表示には十分とはいえない。第５実施例では、電圧を印加した時に所々に配向が安定しない部分が存在していることが分かった。その理由を図４０と図４１を参照して説明する。図４０は、電気的接続部分における液晶の配向分布を説明する図であり、突起２０Ａとスリット２１が平行に設けられている部分では、上から見ると突起及びスリットの延びる方向に垂直な方向に液晶が配向するが、電気的接続部分では異なる方向に配向される液晶分子１４ａが存在し、配向異常が生じる。そのため、図４１に示すように、突起２０Ａと電極スリット２１との間隙部分では液晶分子は突起２０Ａ及びスリット２１に対して垂直方向（図の上下方向）に配向するが、突起の頂上及びスリットの中央付近では液晶分子は垂直方向でなく、水平方向に配向する。突起の傾斜及びスリットによる斜め電界は液晶を図中の上下方向に制御することはできるが、左右方向には制御できないため、突起の頂上及びスリットの中央付近では横方向にランダムなドメイン４７が発生することが顕微鏡による観察で確認された。突起の頂上のドメインは判別できないほど小さいので問題にならないが、このような配向異常が生じる部分では、輝度が低下する上、黒から白への変化時に白が一旦より明るくなって残像として見える場合がある。次の
第６実施例
【００６０】第６実施例のパネルは、第５実施例のパネルにおける突起２０Ａと
セル電極１３のスリット２１
【００６１】図４４は第６実施例の画素部の実際の様子を示す平面図であり、図４５は第６実施例の画素電極のパターンを示す図であり、図４６は図４４のＡ−Ｂで示す部分の断面図である。図４４及び図４６に示すように、第６実施例のＬＣＤでは、
一方のガラス基板１６には、
色分解フィルタ（カラーフィルタ）３９が形成され
コモン電極１２が形成され
他方のガラス基板１７には
ＴＦＴ３３及び画素電極１３が設けられている
ガラス基板１７はＴＦＴ基板と呼ばれる
【００６２】図示のように、
ＣＦ基板の突起列２０Ａ
ＴＦＴ基板のスリット２１
画素電極１３
スリットの部分を除くようにパターンニング
【００６３】第６実施例では、図４５に示すように、画素電極１３の周辺部１３１、１３２及び１３３の部分は電極を残して電気的接続部分としている。前述のように、電気的接続部分では液晶の配向が乱れるので、第６実施例では、図４５に示すように、電気的接続部分を画素電極１３の周辺部に設け、上側開口３４Ａと下側開口３４Ｂを有するＢＭを使用して、ＢＭとＣＳ電極３５で電気的接続部分を遮光することにより両方に突起を設けた場合と同等の輝度、応答速度を得ている。
【００６４】図４７と図４８は第６実施例における視角特性を示す図である。このように、視角特性は非常に良好であり、配向異常部もほとんど認められなかった。また、応答速度はスイッチング速度τが１７．７ｍｓで、超高速スイッチングが可能である。図４９は画素電極のパターンの変形例であり、図４９の（１）のような画素電極１３に対して、（２）のようなＢＭ３４を形成する。なお、画素電極のパターンは各種の変形例が考えられ、例えば、スリットの両側の周辺部に電気的接続部分を設けて、各部分電極間の抵抗を小さくするようにしてもよい。
【００６５】なお、第５及び第６実施例において、ＣＦ基板１６の対向電極１２の上に設けた突起の替わりにスリットを設けて、両方のドメイン規制手段をスリットとすることも可能であるが、その場合には前述のように応答速度が低下する。第６実施例では、電気的接続部分は部分電極と同じ層であったが、別の層に形成することもできる。
第７実施例
【００６６】図５０は、第７実施例における画素電極のパターン及び構造を示す図である。第７実施例は、データバスライン３２形成時に同時に接続電極１３２を形成し、絶縁層１３５に分割された画素電極１３と接続電極１３４を接続するコンタクトホールを形成する以外は、第６実施例と同じである。なお、本実施例では、接続電極１３４をデータバスライン３２と同時に形成したが、ゲートバスライン３１あるいはＣＳ電極３５と同時に形成してもよい。なお、バスラインの形成とは別個に接続電極を形成してもよいが、この場合は接続電極形成用の工程を新たに設ける必要があり、その分新しい工程が増加することになる。工程の簡略化のためには、接続電極はバスラインやＣＳ電極の形成時に同時に形成することが望ましい。
【００６７】第７実施例では、第６実施例に比べて、配向異常の原因となる接続電極を液晶層から遠ざけることができるので、配向異常を更に低減できる。なお、接続電極を遮光性の材料で形成すれば、その部分は遮光されるので、表示品質は更に向上する。…（略）…。」
　
　ウ　図３８、図４０及び図４６から、スリット２１を有する画素電極１３を内面側に備えたＴＦＴ基板１７と突起２０Ａを有するＣＦ側電極１２を内面側に備えたカラーフィルタ基板１６とが対向し、両基板の間に液晶層１４が挟持されていることが見てとれる。
　
　エ　上記アないしウから、引用刊行物には、
「ＴＦＴ基板と、前記ＴＦＴ基板上に形成されておりＴＦＴ基板側のドメイン規制手段としてのスリットを有する画素電極（セル電極）と、前記ＴＦＴ基板に対向するカラーフィルタ基板（ＣＦ基板）と、前記カラーフィルタ基板上に形成されているコモン電極（対向電極）と、前記コモン電極上に形成されておりカラーフィルタ基板側のドメイン規制手段としての突起と、前記ＴＦＴ基板と前記カラーフィルタ基板との間に注入されている液晶層とを含む液晶表示装置。」の発明が記載されているものと認められる。
　
　オ　また、引用刊行物には、図１６７（１）とともに、次の事項が記載されている。
「【０２０１】図１６７は第４３実施例のパネル構造を示す図であり、（１）が第４３実施例のパネル構造を、（２）はその変形例を示す。図１６７の（１）に示すように、第４３実施例のパネルでは、画素の周辺部に設けられる突起７９をセル厚まで厚くし、突起７９によりセル厚を規定する。なお、この図では、突起７９はＴＦＴ基板１７側に形成しているが、ＣＦ基板１６側に形成してもよい。このように構成することにより、スペーサを設ける必要がなくなる。なお、この突起７９の部分には液晶が存在しないため、垂直配向型のような場合は、突起部分（セル保持部分）は印加電圧に関係なく、常に黒表示となる。従って、ブラックマトリクスは必要なく、突起７９は遮光性を有する材料で形成する必要はなく、透明な材料で作っても良い。」
　
　カ　上記オから、引用刊行物には、
「画素の周辺部に、セル厚まで厚くした突起を設けセル厚を規定する事項と、この突起はＣＦ基板側に形成しても良い」との技術事項が記載されている。
　
　キ　上記エ及びカからみて、引用刊行物には、
「ＴＦＴ基板と、前記ＴＦＴ基板上に形成されておりＴＦＴ基板側のドメイン規制手段としてのスリットを有する画素電極（セル電極）と、前記ＴＦＴ基板に対向するカラーフィルタ基板（ＣＦ基板）と、前記カラーフィルタ基板上に形成されているコモン電極（対向電極）と、前記コモン電極上に形成されておりカラーフィルタ基板側のドメイン規制手段としての突起と、前記ＴＦＴ基板と前記カラーフィルタ基板との間に注入されている液晶層とを含む液晶表示装置において、
　前記カラーフィルタ基板側にセル厚まで厚くしてセル厚を規定する突起を形成した液晶表示装置。」の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
３．本願発明１７と先願発明との対比・判断
　本願発明１７と先願発明とを対比する。
　
（１）先願発明の「液晶表示装置」、「ガラス基板１１」、「スリット１６ｂ」、「画素電極１６ａ」、「ガラス基板２１」、「ガラス基板２１の下面側に」、「コモン電極２４」、「ドメイン規制用の突起部２５ｂ」、「セルギャップ調整用のスペーサ２５ａ」、「垂直配向型液晶（ネガ型液晶）２９」及び「ＴＦＴ基板１０とＣＦ基板２０との間に垂直配向型液晶（ネガ型液晶）２９を封入した構造」は、それぞれ、本願発明１７の「液晶表示装置」、「第１絶縁基板」、「切除パターン」、「画素電極」、「第２絶縁基板」、「第２基板上に」、「共通電極」、「第１突起パターン」、「第２突起パターン」、「液晶層」及び「前記第１基板と前記第２基板との間に注入されている液晶層」に相当する。
　
（２）先願発明の「前記スペーサ２５ａ及び前記突起部２５ｂは、…略…スペーサ形成部では、ベーク後の…略…線幅が約３０μｍとなり、突起部形成領域では、…略…線幅が約１０μｍとなり」との事項と、本願発明１７の「第１厚さを有する第１突起パターン及び第１厚さより厚い第２厚さを有する第２突起パターン」との事項とを対比すると、上記（１）に照らせば、先願発明の「『約３０μｍ』である『スペーサ形成部』の『線幅』」は、本願発明１７の「第２突起パターン」の厚さである「第２厚さ」に相当し、先願発明の「『約１０μｍ』である『突起部形成領域』の『線幅』」は、本願発明１７の「第１突起パターン」の厚さである「第１厚さ」に相当する。
　そうすると、先願発明において「第２厚さ」は約３０μｍで、「第１厚さ」は約１０μｍとなるから、先願発明は本願発明１７の「第１厚さを有する第１突起パターン及び第１厚さより厚い第２厚さを有する第２突起パターン」との事項を備えている。
　
（３）上記（１）及び（２）から、先願発明と本願発明１７とは、
「第１絶縁基板と、
　前記第１基板上に形成されており切除パターンを有する画素電極と、
　前記第１基板に対応する第２絶縁基板と、
　前記第２基板上に形成されている共通電極と、
　前記共通電極上に形成されており第１厚さを有する第１突起パターン及び第１厚さより厚い第２厚さを有する第２突起パターンと、
　前記第１基板と前記第２基板との間に注入されている液晶層と、
を含む液晶表示装置。」の点で一致し、相違するところはないから、両発明は同一である。
　したがって、本願発明１７は、先願明細書に記載された発明と同一である。
　
（４）まとめ
　本願発明１７は、先願明細書に記載された発明と同一であり、しかも、本願発明１７の発明者が上記先願明細書に記載された発明の発明者と同一であるとも、また、本願の出願時に、その出願人が先願の出願人と同一であるとも認められないので、特許法２９条の２の規定により特許を受けることができない。
　
４．本願発明１７と引用発明との対比・判断
　本願発明１７と引用発明とを対比する。
（１）引用発明の「ＴＦＴ基板」、「ＴＦＴ基板側のドメイン規制手段としてのスリット」、「画素電極（セル電極）」、「前記ＴＦＴ基板に対向するカラーフィルタ基板（ＣＦ基板）」、「コモン電極（対向電極）」、「カラーフィルタ基板側のドメイン規制手段としての突起」、「前記ＴＦＴ基板と前記カラーフィルタ基板との間に注入されている液晶層」、「セル厚まで厚くしてセル厚を規定する突起」及び「液晶表示装置」は、それぞれ、本願発明１７の「第１絶縁基板」、「切除パターン」、「画素電極」、「前記第１基板に対応する第２絶縁基板」、「共通電極」、「第１厚さを有する第１突起パターン」、「前記第１基板と前記第２基板との間に注入されている液晶層」、「第２厚さを有する第２突起パターン」及び「液晶表示装置」に相当する。
（２）したがって、本願発明１７と引用発明とは、
「第１絶縁基板と、
　前記第１基板上に形成されており切除パターンを有する画素電極と、
　前記第１基板に対応する第２絶縁基板と、
　前記第２基板上に形成されている共通電極と、
　前記共通電極上に形成されており第１厚さを有する第１突起パターン及び第２厚さを有する第２突起パターンと、
　前記第１基板と前記第２基板との間に注入されている液晶層と、
を含む液晶表示装置。」の点で一致し、次の点で相違する。
　
相違点１：
　第２突起パターンの厚さである「第２厚さ」が、本願発明１７においては「第１厚さより厚い」のに対して、引用発明においては、そうであるか否か明らかでない点。
　
（２）上記相違点１について検討するに、配向制御用突起の有する厚さよりもスペーサ用突起の厚さの方が厚いものは本願の優先日前に周知であるから（例．特開平９−２５８１９２号公報（実施例２の壁２１の幅は２０μｍ、突起２２の幅（直径）は１．２μｍである点参照。）、特開平１１−２４８９２１号公報（スペーサの１段目のサイズは２０μｍ（段落【００９１】）、ストライプ状の突起の下辺が１５μｍ（段落【００９７】）である点参照。））、引用発明において、上記相違点１に係る本願発明１７の構成となすことは、この周知技術に基づき当業者が適宜なし得た程度のことである。
　
（３）まとめ
　以上のとおり、本願発明１７は、引用刊行物に記載の発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
５．平成１９年１月１７日付けでした手続補正について
　
　本願発明１、５、６は、それぞれ、前記「第３〔理由〕４」の（１）、（２）、（３）の発明特定事項ア及びイをともに有するものであるところ、前記「第３〔理由〕５」」の（１）、（２）、（３）で述べたとおり、当初明細書には前記「第３〔理由〕４」の（１）、（２）、（３）の発明特定事項ア及びイをともに有する技術事項が記載されているとはいえない。
　よって、平成１９年１月１７日付けでした手続補正は、当初明細書のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものとはいえない。
　したがって、平成１９年１月１７日付けでした手続補正は、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものでないから、平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。
　
６．むすび
　上記３のとおり、本願発明１７は特許法２９条の２の規定により特許を受けることができないものであり、上記４のとおり、本願発明１７は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、上記５のとおり、平成１９年１月１７日付けでした手続補正は平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていないものである。
　よって、結論のとおり審決する。