【事件の表示】
　特願２００４−７８２４３「半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年９月２９日出願公開、特開２００５−２６８４９６〕について、
　次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
【１】手続の経緯
　本願は、平成１６年３月１８日の出願であって、平成１８年５月２３日付けで拒絶理由が通知されたところ、その指定期間内の平成１８年７月２５日付けで意見書が提出されたが、平成１８年８月１４日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成１８年９月２１日付けで拒絶査定不服審判の請求がなされ、その後、法定期間内の平成１８年１０月１９日付けで、その特許請求の範囲について手続補正がなされたものである。
　　　
【２】この出願の発明
　平成１８年１０月１９日付けの手続補正は、補正前(出願当初)の特許請求の範囲の請求項１〜４を削除し、補正前の請求項５の内容を四つの独立請求項として記載したものであると認められるから、当該手続補正は、特許法第１７条の２第４項第１号の「請求項の削除」を目的としたものとして適法である。
　したがって、この出願の請求項１〜９に係る発明は、平成１８年１０月１９日付けの手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜９に記載された事項により特定されるとおりのものである。
　そして、その請求項２に係る発明(以下、「本願発明」という)は、
　「【請求項２】半導体素子の上下面に２枚の放熱板を半田接合するものであって、前記半導体素子の上面と上側の放熱板との間に外形形状が前記半導体素子よりも小さい放熱ブロックを介在させて半田接合するように構成された半導体装置において、信号線を接続する信号線接続用パッドを、前記半導体素子の上面における前記放熱ブロックの外側であってメインセルが設けられていない部位に配置したものであって、前記半導体素子の上面におけるメインセルのチャネル形成領域またはメインセルのチャネル電流が流れる領域が、前記放熱ブロックの下に配置されると共に、前記放熱ブロックに接合するための半田層の端部よりもほぼ１．０ｍｍ以上離れて形成されないように構成されていることを特徴とする半導体装置。」である。
　　　
【３】引用例の記載事項
［１］引用例１；特開２００１−１５６２２５号公報(原審の拒絶理由通知書で提示された引用文献１)
　段落【0001】の【発明の属する技術分野】に、
(引1a)「本発明は、半導体チップの両面に放熱部材を設け、両面から放熱を行うようになっている半導体装置に関する」と記載され、
　段落【0042】の【発明の実施の形態】に、
(引1b)「・・・図１（ａ）に示すように、平面的に配置された２つの半導体チップとしてのＳｉチップ１ａ、１ｂを挟む様にして、一対の放熱部材２、３が配置されており、Ｓｉチップ１ａ、１ｂの主電極と各々の放熱部材２、３とが、熱的かつ電気的に接続されるように接合部材４を介して接続されている。以下、特に記述が無い限り、接続とは、熱的かつ電気的な接続を示すものとする。また、Ｓｉチップ１ａの制御電極と、リードフレームに繋がっている制御用端子５とがワイヤボンドにより形成されたワイヤ８を介して電気的に接続されている」と記載され、
　段落【0043】に、
(引1c)「詳しくは、Ｓｉチップ１ａ、１ｂの上側の面、つまり、Ｓｉチップ１ａにおいてワイヤボンドされている側の面（以下、一面とする）６ａと対向する放熱部材（以下、一面側の放熱部材とする）２には、Ｓｉチップ１ａ、１ｂの主電極と対向する位置で段状に突出した突出部２ａが形成されており、その突出部２ａの先端が略平面になっており、この平面部と主電極とが接合部材４を介して接続されている」と記載され、
　段落【0046】に、
(引1d)「そのため、一面側の放熱部材２においてＳｉチップ１ａ、１ｂの主電極に対向する部分に突出部２ａが形成されている。換言すれば、一面側の放熱部材２は、この高耐圧化領域（絶縁領域）を避けるためにＳｉチップ１ａ、１ｂのガードリング７に対向する部分において凹んだ形状となっている」と記載され、
　段落【0048】に、
(引1e)「ここで、Ｓｉチップ１ａ、１ｂとしては、本例では、図１においてワイヤボンドされているＳｉチップがＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）１ａであり、もう一方のＳｉチップがＦＷＤ（フリーホイールダイオード）１ｂである。ＩＧＢＴ１ａにおいては、それぞれ、一面側の放熱部材２がエミッタ、他面側の放熱部材３がコレクタ、制御電極がゲートとなっている」と記載され、
　段落【0051】に、
(引1f)「また、接合部材４としては、熱応力に起因するせん断応力に勝るせん断強度を持ち、熱伝導および電気伝導に優れるものが望ましい。そのような接合部材４として、例えば、半田、ろう材あるいは導電性接着剤等を用いることができる」と記載され、
　段落【0070】に、
(引1g)「また、一面側の放熱部材２の突出部２ａは別体で形成しても良く、例えば、平板状の本体に半田付けや溶接等により突出部２ａを接合したものとすることができる」と記載され、
　図面の【図７】(a),(b)に、
(引1h)「制御用端子５を接続する制御電極パッドを、Ｓｉチップ１ａの上面における放熱部材２の突出部２ａの外側に配置した構造、および突出部２ａの外形形状がＳｉチップ１ａよりも小さい構造」が記載されている。
　　　
［２］引用例２；特開平１０−５６１３１号公報(原審の拒絶理由通知書で提示された引用文献２)
　段落【0009】の【課題を解決するための手段】に、
(引2a)「・・・半導体チップで発生する熱が半導体チップの２つの主面から２枚の高熱伝導性絶縁基板へスムーズに伝達されるようになり、速やかに放熱される。・・・しかも、接合（接続）部分の面積が大きくなり、電気抵抗及び熱抵抗を低減できる」と記載されている。
　　　
【４】当審の判断
［１］引用発明
　上記(引1a)，(引1b)，(引1f)の、「本発明は、半導体チップの両面に放熱部材を設け、両面から放熱を行うようになっている半導体装置に関する」，「２つの半導体チップとしてのＳｉチップ１ａ、１ｂを挟む様にして、一対の放熱部材２、３が配置されており、Ｓｉチップ１ａ、１ｂの主電極と各々の放熱部材２、３とが、熱的かつ電気的に接続されるように接合部材４を介して接続されている」，「接合部材４として、例えば、半田」という記載から、
　(１)「半導体チップの上下面に２枚の放熱部材を半田接合した半導体装置」の開示がある。
　　　
　上記(引1c)，(引1h)，(引1g)の、「Ｓｉチップ１ａ、１ｂの上側の面、つまり、Ｓｉチップ１ａにおいてワイヤボンドされている側の面（以下、一面とする）６ａと対向する放熱部材（以下、一面側の放熱部材とする）２には、Ｓｉチップ１ａ、１ｂの主電極と対向する位置で段状に突出した突出部２ａが形成されており」，「突出部２ａの外形形状が前記Ｓｉチップ１ａよりも小さい構造」，「一面側の放熱部材２の突出部２ａは別体で形成しても良く、例えば、平板状の本体に半田付けや溶接等により突出部２ａを接合したものとすることができる」という記載、ならびに、上記(引1d)の「一面側の放熱部材２は、この高耐圧化領域（絶縁領域）を避けるためにＳｉチップ１ａ、１ｂのガードリング７に対向する部分において凹んだ形状となっている」ので、突出部２ａはＳｉチップ１ａより小さいことが明らかであるから、
　(２)「半導体チップの上面と上側の放熱部材との間に外形形状が前記半導体チップよりも小さい突出部を介在させて半田接合するように構成され」ていることの開示がある。
　　　
　上記(引1a)，(引1h)の、「半導体チップの両面に放熱部材を設け、両面から放熱を行うようになっている」，「制御用端子５を接続する制御電極パッドを、Ｓｉチップ１ａの上面における放熱部材２の突出部２ａの外側に配置した構造」という記載から、
　（３）「制御用端子を接続する制御電極パッドを、半導体チップの上面における突出部の外側に配置した」ことの開示がある。
　　　
　また、上記(引1b)，(引1c)の、「Ｓｉチップ１ａ、１ｂの主電極と各々の放熱部材２、３とが、熱的かつ電気的に接続されるように接合部材４を介して接続されている」，「Ｓｉチップ１ａにおいてワイヤボンドされている側の面（以下、一面とする）６ａと対向する放熱部材（以下、一面側の放熱部材とする）２には、Ｓｉチップ１ａ、１ｂの主電極と対向する位置で段状に突出した突出部２ａが形成されており、その突出部２ａの先端が略平面になっており、この平面部と主電極とが接合部材４を介して接続されている」という記載から、
　「Ｓｉチップの上面における主電極が放熱部材の突出部の下に配置され」ているといえる。
　そして、上記(引1e)から、「ＩＧＢＴ１ａにおいては、それぞれ、一面側の放熱部材２がエミッタ、他面側の放熱部材３がコレクタ、制御電極がゲートとなっている」こと、およびＩＧＢＴの素子構造からして、主電極であるエミッタの下にはメインセルの出力電流が流れる領域があるから、
　上記(引1a)の、「半導体チップの両面に放熱部材を設け」という記載からして、
　（４）「半導体チップの上面におけるメインセルの出力電流が流れる領域が突出部の下に配置され」ていることの開示がある。
　　　
　以上の(１)〜(４)の開示から、引用例１には、
　「半導体チップの上下面に２枚の放熱部材を半田接合するものであって、前記半導体チップの上面と上側の放熱部材との間に外形形状が前記半導体チップよりも小さい突出部を介在させて半田接合するように構成された半導体装置において、制御用端子を接続する制御電極パッドを、前記半導体チップの上面における前記突出部の外側に配置したものであって、前記半導体チップの上面におけるメインセルの出力電流が流れる領域が前記突出部の下に配置された半導体装置」の発明(以下、「引用発明」という)が開示されていると認められる。
　　　
［２］本願発明と引用発明との対比
　本願発明と引用発明とを対比すると、
　引用発明の「半導体チップ」，「放熱部材」，「突出部」，「制御用端子」，「制御電極パッド」，「出力電流」は、
　本願発明の「半導体素子」，「放熱板」，「放熱ブロック」，「信号線」，「信号線接続用パッド」，「チャネル電流」にそれぞれ相当する。
　したがって、本願発明と引用発明とは、
　「半導体素子の上下面に２枚の放熱板を半田接合するものであって、前記半導体素子の上面と上側の放熱板との間に外形形状が前記半導体素子よりも小さい放熱ブロックを介在させて半田接合するように構成された半導体装置において、信号線を接続する信号線接続用パッドを、前記半導体素子の上面における前記放熱ブロックの外側に配置したものであって、前記半導体素子の上面におけるメインセルのチャネル電流が流れる領域が前記放熱ブロックの下に配置された半導体装置」である点で一致している。
　一方、両者は次の点で相違している。
　本願発明では、「信号線接続用パッドをメインセルが設けられていない部位に配置した」のに対して、引用発明では、単に「信号線接続用パッドを半導体素子の上面における放熱ブロックの外側に配置した」点(相違点１)と、
　半導体素子の上面におけるメインセルのチャネル形成領域またはメインセルのチャネル電流が流れる領域であって、放熱ブロックの下に配置される領域が、本願発明では、「放熱ブロックに接合するための半田層の端部よりもほぼ１．０ｍｍ以上離れて形成されないように構成され」ているのに対して、引用発明では、そのような配置に構成されているか否か不明である点(相違点２)とで相違する。
　　　
［３］相違点１，２の検討
（１）相違点１の検討
　ＩＧＢＴの素子構造において、信号線接続用パッド(ゲートパッド)をメインセルが設けられていない部位に配置することは周知事項である。
　周知例１；特開２００１−１３５６４４号公報の【図４】及び段落【0041】,【0042】における、「良品のセルブロック１２のゲート電極８に接続されているゲートパッド１６をチップ１の外部のゲート端子１７にワイヤボンディングすると共に、不良品のセルブロック１２のゲート電極８に接続されているゲートパッド１６（１６ｂ）をチップ１の外部のグランド端子１９にワイヤボンディングし、更に、全てのエミッタパッド１５をチップ１の外部のエミッタ端子にワイヤボンディングする」，「チップ１の半導体基板２の表面に複数のセルブロック１２を設け、これらセルブロック１２に互いに独立するゲート電極８をそれぞれ設け、そして、半導体基板２に各ゲート電極８にそれぞれ接続された複数のゲートパッド１６を設けるように構成した」という記載。
　周知例２；特開２００１−３５２０６６号公報の【図２】及び段落【0026】，【0030】における、「ＩＧＢＴのチップ１、即ち、半導体基板２の表面は、複数（即ち、２個以上）のＩＧＢＴ領域であるセルブロック１２（１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、・・・）に分割されるように構成されている（図２も参照）。即ち、ＩＧＢＴ１のチップの表面には、複数のセルブロック１２（１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、・・・）が設けられている」，「ＩＧＢＴ１のチップの表面における一辺部である図２中の上辺部には、ほぼ正方形状の複数のゲートパッド１８（１８ａ、１８ｂ、１８ｃ、・・・）が、上記エミッタパッド１７（１７ａ、１７ｂ、１７ｃ、・・・）に対応するように並んで設けられている」という記載。
　したがって、引用発明において、半導体素子の上面に配置された信号線接続用パッドを、メインセルが設けられていない部位に配置することは、前記周知事項に基づいて当業者が適宜設計できたものと認められる。
　　　
（２）相違点２の検討
　上記(引2a)の、「半導体チップで発生する熱が半導体チップの２つの主面から速やかに放熱される」ものにおいて、「接合（接続）部分の面積が大きくなり、電気抵抗及び熱抵抗を低減できる」ということから、引用発明における半導体素子の上面と放熱ブロックとの接合部分においても、接合部分の面積を大きくすれば熱抵抗を小さくできる、即ち放熱がよくなることは明らかである。
　そうすると、引用発明において、放熱性能の向上のために、半導体素子の上面と放熱ブロックとの接合面積をできる限り大きくすることは、当業者にとって格別困難なことではなく、しかも、熱を発生するメインセルのチャネル電流が流れる領域が上記半導体素子の上面の範囲内に収まるのは当然であるから、上記のように半導体素子の上面と放熱ブロックとの接合面積をできる限り大きくすることは、メインセルのチャネル電流が流れる領域と放熱ブロックとの接合面積をできる限り大きくすること、即ちメインセルのチャネル電流が流れる領域が、「放熱ブロックに接合するための半田層の端部」とできる限り近接して配置されるようにすることにほかならない。
　一方、本願発明は、メインセルのチャネル電流が流れる領域が「放熱ブロックに接合するための半田層の端部よりもほぼ１．０ｍｍ以上離れて形成されないように構成され」たものであるが、離間する距離の上限値としての「ほぼ１．０ｍｍ」に格別の臨界的な意義は認められない。
　したがって、引用発明における、放熱ブロックの下に配置されたメインセルのチャネル電流が流れる領域を「放熱ブロックに接合するための半田層の端部よりもほぼ１．０ｍｍ以上離れて形成されないように構成」することは、引用例２の記載事項に基づいて当業者が容易に想到し得たものである。
　　　
【５】むすび
　以上のとおりであるから、本願発明(請求項２に係る発明)は、上記の引用例１，２に記載された発明及び周知事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願のその余の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。