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　特願２０００−３２０６４２「パーティクル発生の少ない高純度銅スパッタリングターゲット」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　５月　９日出願公開、特開２００２−１２９３１３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は平成１２年１０月２０日の出願であって、平成１７年１２月１３日付けで拒絶理由が通知され（発送日は平成１７年１２月２０日）、平成１８年１月３０日付けで意見書・手続補正書が提出され、平成１８年３月２３日付けで拒絶査定され（発送日は平成１８年４月４日）、平成１８年５月８日付けで審判請求がなされ、その後、平成２０年５月１６日付けで当審から拒絶理由が通知され、平成２０年７月２３日付けで意見書・手続補正書が提出されたものであって、その請求項１に係る発明（以下、「本願第１発明」という。）は、平成２０年７月２３日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲第１項に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
　
【請求項１】 
 　純度が５Ｎ（ガス成分を除く）以上、平均結晶粒径が２５０μｍを超え５０００μｍ以下の焼鈍組織を備えていることを特徴とするパーティクル発生の少ない高純度銅スパッタリングターゲット。 
２．引用文献
　原査定の拒絶の理由に引用された本願出願日前に頒布された刊行物である特開平１０−８２４４号公報（以下、「引用文献１」という。）には、（１）「純度９９．９９９９ｗｔ％以上の単結晶銅からなるスパッタリングターゲット」（請求項１）に関し、次の記載がある。 
 （２）「【発明が解決しようとする課題】・・・・・・超ＬＳＩ配線に使用される銅配線材料には・・・・・・高純度銅を原料とするスパッタリングターゲットが製造され、成膜材料として検討されてきた。しかし、加工工程における汚染を完全に排除することができないばかりでなく、加工組織である結晶粒界に酸化物、硫化物、不純物が濃縮蓄積される問題が残されていた。・・・・・・こうした不純物は、・・・・・・腐食の原因となる。・・・・・・また、粒界を起点として、発生する異常放電により、パーティクルが発生し配線間を短絡させる原因となっていた。」（【０００６】、【０００７】） 
 （３）「【実施例１】・・・・・・出発原料として銀と硫黄の合計含有量が０．１ppm 以下である純度９９．９９９９ｗｔ％以上の高純度銅１０ｋｇを・・・・・・原料を溶解し・・・・・・単結晶体１０ｋｇを得た。次いで得られた単結晶体を・・・・・・切断した後・・・・・・ターゲットを作製した。このターゲットの不純物分析をグロー放電質量分析法により行ったところ、不純物金属成分は原料の分析値と同一であるが、ガス不純物の分析値は表に示す通りであった。」（【００１２】） 
（４）【表１】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（単位ｐｐｍ）
（５）「【比較例】実施例１で得た６Ｎ高純度銅単結晶体を原料として、・・・・・・微細な多結晶とした。・・・・・・実施例１に比較して異常放電回数やパーティクル発生枚数が多いことが明白である。」（【００２４】〜【００２６】）
　
（あ）上記（１）から単結晶銅からなるパッタリングターゲットの純度は、「９９．９９９９ｗｔ％以上」であるから「６Ｎ以上」であり、「高純度銅」といえ、また、上記（３）及び（４）の表１の記載からみて、この「６Ｎ」の純度において、「ガス成分は除かれている」ことは明らかである。
（い）上記（３）及び（５）から上記（１）のスパッタリングターゲットは、「パーティクル発生が少ない」といえる。
　
　そこで、上記（１）〜（５）の記載事項を、上記（あ）〜（い）の検討を踏まえ、本願第１発明の記載ぶりに則して記載すると、引用文献１には、
「純度が６Ｎ（ガス成分を除く）以上の単結晶のパーティクル発生の少ない高純度銅パッタリングターゲット」（以下、「引用発明」という）が記載されていると認める。
　
３．対比・判断
　本願第１発明と引用発明とを対比すると、
　引用発明の「純度が６Ｎ（ガス成分を除く）以上」は、本願第１発明の「純度が５Ｎ（ガス成分を除く）以上」と「純度が５Ｎ（ガス成分を除く）以上」で重複しているから、
　両者は、共に、「純度が５Ｎ（ガス成分を除く）以上のパーティクル発生の少ない高純度銅スパッタリングターゲット」である点で一致し、本願第１発明が平均結晶粒径が２５０μｍを超え５０００μｍ以下の焼鈍組織であるのに対し、引用発明は単結晶である点で相違している。 
 　この相違点について検討すると、上記（２）に摘示するように引用文献１には、結晶粒界に蓄積される不純物により腐食が起きたり、粒界を起点とする異常放電によりパーティクルが発生するために結晶粒界の存在が望ましくない旨が記載され、そのために結晶粒界を少なくする、すなわち、その究極として結晶粒界ゼロである単結晶にして結晶粒界が与える悪影響を排除するものが引用発明であるといえる。ここで、存在することが望ましくない結晶粒界を完全になくすこと（すなわち、単結晶とすること）が、生産性（工業的に生産できるか否かも含む）等の工業的理由により困難であれば、「目標とする性能を多少犠牲にしても工業的生産に見合うものにより置き換えるという」常套手段ともいえる着想は当然に起こるものである。
　そうすると、結晶粒界をパーティクル発生が許容できる範囲で存在させるようにすること、すなわち、焼鈍組織、換言すれば、焼鈍により結晶粒を成長させた組織とし、その組織における平均結晶粒径の下限値を求めることはこの常套手段ともいえる着想により容易になしえたことである。また、平均結晶粒径の上限値についても、結晶を成長させるに当たっての上記工業的理由より適宜決定しうるものである。 
 　よって、単結晶に替え焼鈍組織とし、その平均結晶粒径につき、２５０μｍを超え５０００μｍとすることは当業者ならば困難なくなしえたことである。
　そして、この焼鈍組織とし、その平均結晶粒径につき、２５０μｍを超え５０００μｍとすることによってもたらされる作用・効果は当業者であれば予想できる程度のものである。
　
　審判請求人は、平成２０年７月２３日付け意見書において、
（か）「平均結晶粒径の上限値について、本願明細書の【００１５】でいう『５００μｍ以上の均一な組織の高純度銅ターゲットを工業的に作ることは困難である』とは、工業的に生産できないという意味ではなく、均一な組織を得るために決めたものである。」、
（き）「単結晶銅ターゲットが記載されている文献が引用されることは予想できないから、平成１８年５月２６日付け手続補正書によって補正された審判請求書のユニフォーミティへの影響とスパッタレートに関する主張は正当なものである。」
との主張を行っているので、以下に検討する。
・主張（か）について
　審判請求人の主張は、本願第１発明に係る製造方法の持つ工業的理由により平均結晶粒の上限値が決められると単に主張するのみであり、平均結晶粒の上限値は均一な組織が製造さえできれば５０００μｍを超えてもよいと解され、工業的理由により上限値が決定されるという上記判断に何等影響を与えるものではない。
・主張（き）について
　審判請求人のユニフォーミティへの影響とスパッタレートに関する主張は当業者であれば当然に予想される程度のものであって、「単結晶に替え焼鈍組織とし、その平均結晶粒径につき、２５０μｍを超え５０００μｍとすることは当業者ならば困難なくなしえたことである」との判断を左右させるものではない。
　よって、審判請求人の上記主張は採用できない。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願第１発明は、引用文献１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることはできない。
　したがって、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。