【事件の表示】
　平成　６年特許願第２８０７０１号「異物検出装置」拒絶査定不服審判事件〔平成　８年　６月　７日出願公開、特開平　８−１４５８９８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件は、平成６年１１月１５日にされた特許出願（特願平６−２８０７０１号。以下、「本件出願」という。）につき、拒絶査定が平成１４年１１月１５日付けでされ、同月２５日に発送されたところ、この拒絶査定に対する審判が同年１２月２５日に請求されるとともに平成１５年１月２３日付けで手続補正書が提出されたが、当審において平成１５年１月２３日付けの手続補正が平成１７年９月５日付け補正の却下の決定により却下され、同年９月２１日付けで通知した拒絶の理由に対して、意見書及び手続補正書が同年１１月２５日に提出され、再度、同年１２月２０日付けで通知した最後の拒絶の理由に対して、平成１８年３月６日に意見書及び手続補正書が提出されたものである。
　その後、同年４月２１日付けで、「本件審判の請求は、成り立たない。」との審決がなされたところ、この審決に対し、知的財産高等裁判所第３部において審決の取消の判決（平成１８年（行ケ）第１０２６０号、平成１９年５月３０日判決言渡）があったので、本件について更に審理し、当審において平成１９年７月１７日付けで通知した拒絶の理由に対して、手続補正書が同年９月２１日に提出され、意見書が同月２５日に提出されたものである。
　　　　　　　　　　
第２　本願発明  
　平成１５年１月２３日付け手続補正書による補正は却下され、その補正はないものとなったので、本件出願の請求項１〜４に係る発明は、平成１４年１０月２５日提出の手続補正書、平成１７年１１月２５日提出の手続補正書、平成１８年３月６日提出の手続補正書及び平成１９年９月２１日提出の手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１〜４に記載されたとおりのものであって、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりのものである。
 　　 
【請求項１】「異物が存在するかもしれない回転する検査対象物であるウエハを照明するための照明光学系と、回転する検査対象物であるウエハからの散乱反射光を受光し、
電流信号を出力するための電流源たる受光部と、
　該電流源たる受光部からの電流信号が入力され、該電流信号中の直流電流成分を除去して出力するために、電流源たる受光部からの電流信号をアースに導く抵抗部と、電流源と抵抗部の間から分岐し増幅部との間に配置されるコンデンサ部とから形成されているハイパスフィルターと、
　該ハイパスフィルターのコンデンサ部からの出力を電流電圧変換し増幅するための増幅部と、
　該増幅部からの出力から異物を検出する異物検出部と、を有することを特徴とする異物検出装置。」
 　  
第３　当審の拒絶理由 
　一方、当審において平成１９年７月１７日付けで通知した拒絶の理由の概要は、本件出願の請求項１〜４に係る発明は、本件出願前の平成６年９月９日に頒布された特開平６−２４９７９１号公報（以下、「引用刊行物Ａ」という。）に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることできたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、というものである。  
  　　　　　　 
第４　引用刊行物に記載された発明  
　上記引用刊行物Ａには、 
（Ａ−１）「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、欠陥検査装置、特に、半導体ＬＳＩウエハ、ガラスマスク等のウエハ面上の微小異物を高感度で検出する技術に関し、例えば、半導体集積回路装置の製造方法に利用して有効な技術に関する。」こと、
（Ａ−２）「【００１４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体集積回路装置の開発に際して、当該開発製品が現有の薄膜形成装置によって製造可能か否かを実証するために、実際の生産開始の前に、所謂ダミーウエハに現有の薄膜形成装置によって薄膜を形成する実験を実施することが、考えられる。そして、この実験の診断ないしは評価をするために、ダミーウエハに形成された薄膜に付着した異物に対する異物検査が必要になる。
【００１５】しかしながら、従来の検査光が使用された欠陥検査装置においては、ダミーウエハに形成された薄膜（以下、成膜ということがある。）の種類や膜厚の相違によって、散乱光検出器におけるオフセット値が高くなり、成膜の表面上に付着した異物がオフセット値と増幅器のダイナミックレンジとにおいて飽和状態になるため、異物を検出することができなくなるという問題点があることが本発明者によって明らかにされた。
【００１６】本発明の目的は、被検査物の表面の性状にかかわらず、欠陥の検出感度を常に一定に維持することができる欠陥検査技術を提供することにある。」こと、
（Ａ−３）「【００２５】
【実施例】図１は本発明の一実施例であるウエハの異物検査装置を示すブロック図である。図２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はその作用を説明するための各線図である。
【００２６】本実施例において、本発明に係る欠陥検査装置は、ウエハ１上の異物２を検査するウエハの異物検査装置１０として構成されている。このウエハの異物検査装置１０はステージ装置１１を備えており、このステージ装置１１は被検査物としてのウエハ１を走査させるためのＸステージおよびＹステージと、θ方向に回転させるθステージ（図示せず）と、自動焦点合わせ機構（図示せず）と、これらを制御するコントローラ１２とを備えている。そして、ウエハ１の表面全体を検査するために、ステージ装置１１によってウエハ１のＸ・Ｙ走査が実行される。この走査中、コントローラ１２からは被検査物としてのウエハ１についての座標位置情報が後記する異物判定装置へ逐次入力されるようになっている。
【００２７】ステージ装置１１の上方には検査光照射装置２０が設備されている。この検査光照射装置２０はウエハ１に検査光としてのレーザー光２１を照射するレーザー光照射装置２２と、レーザー光２１を集光する集光レンズ２３と、ガルバノミラー２４とを備えており、集光したレーザー光２１をステージ装置１１上に保持された被検査物としてのウエハ１に照射するようになっている。
【００２８】本実施例において、検査光照射装置２０はレーザー光２１をウエハ１に垂直に照射する落射照明系２５と、レーザー光２１をウエハ１に斜めから照射する斜方照明系２６との２系統を備えており、ウエハ１の表面の状況に応じて２系統のうち適当な照明系が使用されるようになっている。
・・・
【００３０】ステージ装置１１の斜め上方には散乱光検出装置３０が設備されている。この散乱光検出装置３０は、ウエハ１の表面に照射されるのに伴ってウエハ１の表面において乱反射された散乱光３１を集光する対物レンズ３２と、対物レンズ３２で集光された散乱光３１を散乱光検出器３４の受光面に結像させるリレーレンズ３３と、散乱光３１を検出する散乱光検出器３４とを備えている。散乱光検出器としては、例えば、ホトマル・・・を使用することができる。
【００３１】散乱光検出器３４には増幅器３５が接続されており、増幅器３５にはＡ／Ｄ変換器３６が接続されている。また、散乱光検出器３４と増幅器３５との間にはモニター３７が接続されており、このモニター３７は散乱光検出器３４の出力信号波形をモニタリングし得るように構成されている。
【００３２】本実施例において、散乱光検出器３４と増幅器３５との間にはオフセット処理回路３８がモニター３７の電気的な後方に配されて介設されており、オフセット処理回路３８は操作装置３９によって直流成分のオフセット値を低減させることができるように構成されている。すなわち、作業者はモニター３７の出力信号波形を監視しながら操作装置３９を操作して、散乱光検出器３４の出力信号のうち直流成分のオフセット値を低減することにより、増幅器３５のダイナミックレンジで飽和されてその成分中に埋もれていた異物信号を顕在化させることができるようになっている。
【００３３】散乱光検出装置３０におけるＡ／Ｄ変換器３６の出力端には異物判定装置４０が接続されており、この異物判定装置４０はＡ／Ｄ変換器３６からの送信データに基づいてウエハ１の異物の有無および大きさ等を判定するとともに、この判定したデータと、ステージ装置１１のコントローラ１２からの座標位置データと照合することにより、異物の座標位置を特定するように構成されている。」こと、
（Ａ−４）「【００４１】例えば、被検査物であるダミーウエハに形成された薄膜の反射率が大きい場合には、検査光照射装置２０としては落射照明系２５が使用され、その時の散乱光検出器３４の出力信号波形５０は図２（ａ）に示されている状態になる。
【００４２】すなわち、この出力信号波形５０はそのオフセット値５２が少し高くなる。また、この出力信号波形５０における異物２を示す散乱光信号波形５１は増幅器３５におけるダイナミックレンジの上限レベル５３に対して飽和状態になってしまう。このため、散乱光信号波形５１がその上限レベル５３によって押し潰された状態になってしまう。
【００４３】そして、異物２の大きさは散乱光信号波形５１の大きさに比例するため、散乱光信号波形５１が押し潰された状態になると、真の散乱光信号波形５１の大きさが判明しない。つまり、散乱光信号波形５１によって検出された異物２の大きさを特定することができない。
・・・
【００４５】また、被検査物であるダミーウエハに形成された薄膜のグレンサイズ（レーザー光被照射面の凹凸のサイズ）が大きい場合には、検査光照射装置２０としては斜方照明系２５が使用され、その時の散乱光検出器３４の出力信号波形６０は図２（ｂ）に示されている状態になる。
【００４６】すなわち、この出力信号波形６０はそのオフセット値６２が非常に高くなる。また、この出力信号波形６０における異物を示す散乱光信号波形６１は増幅器３５におけるダイナミックレンジの上限レベル６３に対して飽和状態になってしまう。このため、散乱光信号波形６１がその上限レベル６３によって押し潰された状態になってしまう。
【００４７】そして、異物２の大きさは散乱光信号波形６１の大きさに比例するため、散乱光信号波形６１が押し潰された状態になると、真の散乱光信号波形６１の大きさが判明しない。つまり、散乱光信号波形６１によって検出された異物２の大きさを特定することができない。
・・・
【００４９】本実施例においては、散乱光検出器３４の出力信号波形が図２（ａ）や（ｂ）に示されている状態の場合には、オフセット処理回路３８によって直流成分がカットされて、例えば、図２（ｃ）に示されている状態に制御される。すなわち、作業者はモニター３７の出力信号波形が図２（ａ）または（ｂ）に示されている状態になった場合には、モニター３７を監視しながら操作装置３９を操作して、散乱光検出器３４の出力信号のうち直流成分のオフセット値を低減することにより、モニター３７にモニタリングされる出力信号波形が図２（ｃ）に示されている状態になるように制御する。
【００５０】図２（ｃ）に示されている出力信号波形７０は、そのオフセット値７２が低くなる。また、この出力信号波形７０における異物を示す散乱光信号波形７１は増幅器３５におけるダイナミックレンジの上限レベル７３に対してきわめて離れて完全に不飽和状態になる。したがって、増幅器３５のダイナミックレンジで飽和されてその成分中に埋もれていた散乱光信号波形７１は適正に顕在化されることになる。。
【００５１】この出力信号波形７０はそのオフセット値７２が低くなり、また、この出力信号波形７０における異物を示す散乱光信号波形７１は増幅器３５におけるダイナミックレンジの上限レベル７３に対してきわめて離れた状態になっているため、例えば、大中小の閾値７４、７５、７６を適当の差値をもってそれぞれ選定することができる。そして、この大中小の閾値７４、７５、７６によって、大中小の異物がそれぞれ適正に特定されることになる。
【００５２】以上説明した前記実施例によれば次の効果が得られる。
（１）　散乱光検出器の信号処理系に介設されているオフセット処理回路によって直流成分のオフセット値を低減させることにより、散乱光検出器の出力信号波形のオフセット値が高く、また、その出力信号波形が増幅器のダイナミックレンジで飽和されてその成分中に埋もれていた異物信号に相当する散乱光信号波形を顕在化させることができるため、被検査物の表面の性状にかかわらず、異物を検出することができる。
【００５３】（２）　前記（１）により、散乱光検出器による検出感度を常に一定に維持することができるため、欠陥検査装置における検査精度を常に一定に維持することができ、欠陥検査装置の品質および信頼性を高めることができる。
【００５４】（３）　散乱光検出器３４の出力信号波形がグランドレベルに対して常に一定にになるように自動的に制御することにより、検査光照射装置２０および散乱光検出器３４の能力を変更しなくとも、異物検査装置１０としての検出感度を常に一定に維持することができる。」ことが記載されている。
　上記（Ａ−１）〜（Ａ−４）を総合的に参照すると、上記引用刊行物Ａには、
「被検査物のウエハ１上の異物２を検査するために、被検査物のウエハ１上にそれぞれレーザー光２１を照射するレーザー照射装置２２、ガルバノミラー２４、集光レンズからなる落射照明系２５、及び斜方照明系２６と、
　被検査物のウエハ１上からの散乱光３１を対物レンズ３２、リレーレンズ３３を介して検出するホトマルからなる散乱光検出器３４と、
　散乱光検出器３４からの出力信号を受け、散乱光検出器３４からの出力の直流成分をカットするオフセット処理回路３８と、
　オフセット処理回路３８からの出力信号を増幅する増幅器３５と、
　増幅器３５からの出力信号により異物の有無及び大きさ等を検出する異物判定装置４０とを有する欠陥検査装置。」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認める。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
第５　本願発明と引用発明の対比 
　本願発明と引用発明とを対比する。 
（i）引用発明の「集光レンズからなる落射照明系２５、及び斜方照明系２６」は本願発明の「照明光学系」に相当する。
　そして、引用発明の「集光レンズからなる落射照明系２５、及び斜方照明系２６」は、被検査物のウエハ１上に異物２の有無を検出するために用いられるレーザー光２１を照射するための照明光学系であり、さらに、被検査物のウエハ１上に異物２の有無を検出することは、被検査物のウエハ１上に異物２が存在するかもしれないから検出しようすることであるから、引用発明の「落射照明系２５、及び斜方照明系２６」と本願発明の「照明光学系」とは、「異物が存在するかもしれない検査対象物であるウエハを照明するための照明光学系」である点で共通するものである。
（ii）引用発明の「ホトマルからなる散乱光検出器３４」は本願発明の「受光部」に相当する。
　そして、ホトマル（＝光電子増倍管）が光を電流に変換する電流源であることは、例えば、実願昭６２−１９７１５３号（実開平１−１００５２０号）のマイクロフィルムの明細書第２頁４〜７行、又は特開平５−１８０７５５号公報の１７欄３１〜３８行に記載されているように自明な事項であるから、引用発明の被検査物のウエハ１上からの散乱光３１を対物レンズ３２、リレーレンズ３３を介して検出する「ホトマルからなる散乱光検出器３４」と本願発明の「受光部」とは、「検査対象物であるウエハからの散乱反射光を受光し、電流信号を出力するための電流源たる受光部」である点で共通するものである。
（iii）引用発明の「オフセット処理回路３８」は、ホトマルからなる散乱光検出器３４からの出力信号を受けているから、本願発明の「ハイパスフィルター」と同様に「電流源たる受光部からの電流信号が入力され」るものであることは明らかである。
　また、本件出願の当初明細書の特許請求の範囲の請求項２には「【請求項２】　上記直流成分除去部が、ハイパスフィルターであることを特徴とする請求項１記載の異物検出装置。」と記載されていることから、本願発明の「ハイパスフィルター」は直流成分除去部を意味することは明らかである。
　他方、上記引用刊行物Ａの段落番号【００４９】には「本実施例においては、散乱光検出器３４の出力信号波形が図２（ａ）や（ｂ）に示されている状態の場合には、オフセット処理回路３８によって直流成分がカットされて、例えば、図２（ｃ）に示されている状態に制御される。」と記載されていることから、引用発明の「オフセット処理回路３８」は、ホトマルからなる散乱光検出器３４からの出力信号を受け、直流成分をカットし、増幅器３５に出力するものであって、引用発明の「オフセット処理回路３８」と本願発明の「ハイパスフィルター」とは、「電流源たる受光部からの電流信号が入力され、直流成分を除去して出力する直流成分除去部」である点で共通するものである。
（iv）引用発明の「増幅器３５」はオフセット処理回路３８からの出力信号を増幅するものであるから、引用発明の「増幅器３５」と本願発明の「増幅部」とは、「直流成分除去部からの出力を増幅するための増幅部」である点で共通するものである。
（v）引用発明の（ａ）「増幅器３５からの出力信号により異物の有無及び大きさ等を検出する異物判定装置４０」及び（ｂ）「欠陥検査装置」は、それぞれ本願発明の（ａ’）「増幅部からの出力から異物を検出する異物検出部」及び（ｂ）「異物検出装置」に相当する。
　そうすると、本願発明と引用発明とは、
「異物が存在するかもしれない検査対象物であるウエハを照明するための照明光学系と、
　検査対象物であるウエハからの散乱反射光を受光し、電流信号を出力するための電流源たる受光部と、
　該電流源たる受光部からの電流信号が入力され、直流成分を除去する直流成分除去部と、
　該直流成分除去部からの出力を増幅するための増幅部と、
　該増幅部からの出力から異物を検出する異物検出部と、を有することを特徴とする異物検出装置。」である点で一致し、次の相違点（ア）及び相違点（イ）で相違している。
　　
・相違点（ア）                              
　検査対象物であるウエハが、本願発明では「回転する検査対象物であるウエハ」であるのに対して、引用発明ではそのような構成を備えていない点。
　　
・相違点（イ）
　電流源たる受光部からの電流信号が入力され、直流成分を除去する直流成分除去部と、該直流成分除去部からの出力を増幅するための増幅部とを、それぞれ本願発明では「電流源たる受光部からの電流信号が入力され、該電流信号中の直流電流成分を除去して出力するために、電流源たる受光部からの電流信号をアースに導く抵抗部と、電流源と抵抗部の間から分岐し増幅部との間に配置されるコンデンサ部とから形成されているハイパスフィルター」と、「該ハイパスフィルターのコンデンサ部からの出力を電流電圧変換し増幅するための増幅部」とで構成されているのに対して、引用発明ではそのような構成を備えていない点。
　　　　　
第６　当審の判断
　そこで、上記相違点（ア）及び相違点（イ）について判断する。
・相違点（ア）について
　被検査物のウエハ上の異物を検査するために、被検査物のウエハ上にそれぞれレーザー光を照射し、被検査物のウエハ上からの散乱光をホトマルで検出する装置において、被検査物のウエハを回転させて被検査物のウエハ上の異物を検査することは周知（例えば、特開昭６２−１９８７３８号公報の１頁右下欄１１行〜２頁左上欄１３行及び第３図、特開平２−８０９４２号公報の３頁右上欄１３〜１６行、４頁左下欄７行〜右下欄１０行及び第４図参照）であるから、引用発明においても必要に応じて被検査物のウエハ１を回転させること、すなわち、検査対象物であるウエハを「回転する検査対象物であるウエハ」とすることは当業者が容易になし得るものである。
　　　　　　　　　
・相違点（イ）について、
　上記「第５　本願発明と引用発明の対比」中の（ii）に記載したように、引用発明のホトマルからなる散乱光検出器３４は光を電流に変換する電流源であり、このホトマルからなる散乱光検出器３４の電流源から電流信号が出力され、その出力はオフセット処理回路３８に入力するものである。そして、ホトマルからなる散乱光検出器３４の出力である電流信号には、例えば、特開昭６２−１０８３８６号公報の２頁左上欄１８行〜右上欄３行、特開昭６２−２１７７３８号公報の２頁左下欄１０〜１７行、４頁右下欄１７〜１９行、あるいは特開平３−１８１８２５号公報の第５頁２〜１２行及び第２図（ａ）に記載されているように、直流成分、すなわち直流電流成分が含まれており、引用発明のオフセット処理回路３８では、ホトマルからなる散乱光検出器３４からの出力される電流信号を入力し、入力した電流信号の直流成分をカットし、増幅器３５に出力するものであるから、引用発明のオフセット処理回路３８が本願発明の「ハイパスフィルター」と同様に「電流源たる受光部からの電流信号が入力され、該電流信号中の直流電流成分を除去して出力するため」のものであることは当業者であれば当然に予想できるものである。
　ところで、一般に、光を電流に変換するフォトダイオードに含まれる直流成分を除去するために、フォトダイオードからの電流信号をアースに導く抵抗部と、フォトダイオードと抵抗部の間から分岐し増幅器との間に配置されるコンデンサ部を設けるとともに、コンデンサ部からの出力を増幅器で電流電圧変換し増幅することは周知（例えば、特開平３−１２８３２号公報の１頁右下欄１〜１７行及び第８図、実願平１−６７６７０号（実開平３−１０３１９号）のマイクロフィルムの明細書１頁１５行〜３頁２行及び第３図（ａ）参照）であり、さらにこのフォトダイオードが電流源であることは自明な事項（例えば、上記「第５　本願発明と引用発明の対比」の（ii）に記載した、実願昭６２−１９７１５３号（実開平１−１００５２０号）のマイクロフィルムの明細書２頁４〜７行参照）である。そして、引用発明の欠陥検査装置のオフセット処理回路３８も、周知例のフォトダイオードからの電流信号をアースに導く抵抗部、及びフォトダイオードと抵抗部の間から分岐し増幅器との間に配置されるコンデンサ部もともに電流源からの出力信号となる電流信号に含まれる直流成分を除去する回路で共通するものであり、さらに、直流成分を除去する回路の出力を増幅器で増幅されている点でも共通するものであって、しかも、上記周知例のフォトダイオードからの電流信号をアースに導く抵抗部と、フォトダイオードと抵抗部の間から分岐し増幅器との間に配置されるコンデンサ部が本願発明と同様に、電流源からの電流信号をアースに導く抵抗部と、フォトダイオードと抵抗部の間から分岐し増幅器との間に配置されるコンデンサ部から構成されていることからみて、周知例の抵抗部とコンデンサ部が本願発明と同様にハイパスフィルターを形成することは当然予想されるものであるから、引用発明においても、電流源としてのホトマルからなる散乱光検出器３４の出力信号の直流成分をカットするための処理回路及び増幅器として、ホトマルからなる散乱光検出器３４の電流信号をアースに導く抵抗部と、ホトマルと抵抗部の間から分岐し増幅器との間に配置されるコンデンサ部を設けてハイパスフィルターを形成するとともに、コンデンサ部からの出力を電流電圧変換し増幅する増幅器を用いること、すなわち、電流源たる受光部からの電流信号が入力され、直流成分を除去する直流成分除去部と、該直流成分除去部からの出力を増幅するための増幅部とを、それぞれ本願発明のごとく「電流源たる受光部からの電流信号が入力され、該電流信号中の直流電流成分を除去して出力するために、電流源たる受光部からの電流信号をアースに導く抵抗部と、電流源と抵抗部の間から分岐し増幅部との間に配置されるコンデンサ部とから形成されているハイパスフィルター」と、「該ハイパスフィルターのコンデンサ部からの出力を電流電圧変換し増幅するための増幅部」とで構成することは当業者が容易になし得るものである。
　そして、本願発明によってもたらされる効果は、引用発明及び周知の技術事項から予測される範囲内のものであり、格別のものではない。
　したがって、本願発明は、引用発明及び周知の技術事項に基づき当業者が容易に発明をすることができたものである。。
　　　　　　　　　　　　
　なお、請求人は平成１９年９月２５日提出の意見書において「対比・判断（３−１）（３ａ−１）当審の判断」中、相違点（イ）に対して、審判官の指摘のように引用例には、受光素子からの電流信号をアースに導く抵抗部とフォトダイオードと抵抗部の間から分岐し、増幅器との間に配置されるコンデンサ部を設け、コンデンサ部からの出力を増幅器で電流電圧変換し、増幅することは、記載されているが、電流源たる受光部からの電流信号をアースに導く抵抗部と、電流源と抵抗部の間から分岐し増幅部との間に配置されるコンデンサ部とから形成されているハイパスフィルターについての記載はない。」旨の主張をしている。
　しかしながら、上記「相違点（イ）について」中に記載したように、周知例には、フォトダイオードからの電流信号をアースに導く抵抗部と、フォトダイオードと抵抗部の間から分岐し、増幅器との間に配置されるコンデンサ部が設けられており、さらに、フォトダイオードは電流源であることから、周知例の「抵抗部及びコンデンサ部」と本願発明の「ハイパスフィルター」とは、「電流源たる受光部からの電流信号をアースに導く抵抗部と、電流源と抵抗部の間から分岐し増幅部との間に配置されるコンデンサ部とから形成されている」点で全く同一の構成である。したがって、当然、周知例の「抵抗部及びコンデンサ部」が本願発明と同様にハイパスフィルターであることは明らかである。
　また、光を電流に変換するフォトダイオードに含まれる直流成分を除去するために、フォトダイオードからの電流信号をアースに導く抵抗部と、フォトダイオードと抵抗部の間から分岐し、増幅器との間に配置されるコンデンサ部が設けられた周知例の構成において、この周知例のコンデンサ部は、例えば特開平６−１３７８６０号公報の段落番号【００１４】に記載されているようにハイパスフィルター用のコンデンサであることは明らかであり、さらに周知例ではフォトダイオードからの電流信号が、アースに導く抵抗部とコンデンサ部から形成される回路部に入力されて後、フォトダイオードの電流信号の直流成分が除去された信号が回路部から増幅器に出力されているものと見なすことができるから、電気回路的にみて、周知例においてもフォトダイオードからの電流信号をアースに導く抵抗部と、フォトダイオードと抵抗部の間から分岐し、増幅器との間に配置されるコンデンサ部から形成された回路部によりハイパスフィルターが形成されると見なすことができることは明らかである。
　したがって、上記請求人の主張はとうてい採用することができないものである。
　　　　　　　　　　　
第７　むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、その余の請求項に係る発明を審理するまでもなく、本件出願は、当審で通知した上記拒絶の理由によって拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。