【事件の表示】
　特願２００４−１０２０１８「光学干渉型ディスプレイセルの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年１２月１６日出願公開、特開２００４−３５４９７７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、平成１６年３月３１日（パリ条約の例による優先権主張２００３年５月２６日、台湾）の出願であって、平成１９年３月２８日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年７月２日付けで拒絶査定不服審判請求がなされ、当審において、平成２０年１２月２日付けで拒絶理由が通知され、平成２１年３月９日付けで手続補正がなされたものである。
　
２　本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２１年３月９日付けの手続補正書で補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「　光学干渉型ディスプレイセルを基板上に製造する方法であって、該方法が：
　第一電極を前記基板上に形成すること；
　犠牲層を第一電極上に形成すること；
　少なくとも２個の開口部を前記犠牲層および第一電極中に形成して、光学干渉型ディスプレイセルの位置を定めること；
　耐熱絶縁無機材料を各開口部中に充填し、耐熱絶縁無機支持体を前記各開口部中に形成すること；
　第二電極を前記犠牲層および各開口部の耐熱絶縁無機支持体の上に形成すること；そして
　前記犠牲層をリモートプラズマエッチング法により除去すること；
を含む、前記方法。」
　
３　引用例
（１）原査定の拒絶の理由に引用された特表平１０−５００２２４号公報（以下「引用例１」という。）には、図面と共に、以下の事項が記載されている。
　
ア　「　本発明は可視スペクトル（紫外線及び赤外線を含む）の変調装置すなわちモジュレーターアレイに関する。
　背面照射LCDコンピュータスクリーンのような可視スペクトルモジュレーターアレイは画素に対応する電気光学素子アレイを有する。各素子は素子を通過するために向けられる光を変えるために電子的に制御されている。アレイの素子すべてを制御することによって、黒白、あるいは、適切な素子を使って、カラー画像が示される。非背面照射LCDアレイは反射光上で働く以外、類似の特性を有する。上記タイプの可視スペクトルモジュレーターアレイは多種多様な他の使用に供されている。」（第８頁第７〜１５行）
　
イ　「図20aにおいて、この種類のより大きいアレイの隣接した素子の２つの例は透明な基板５００の上に形成された２つの共振器４９８、４９９を含む。層５０２、１次鏡／導体、はその上に誘電体又は金属の鏡が形成された透明な電導性被覆材で構成されている。絶縁サポート５０４は第２の透明導電薄膜５０６上に支持されている。各アレイ素子は薄膜５０６上に形成したアンテナアレイ５０８を有する。２つの構造、５０６と５０８、は一緒に２次鏡／導体を含む。逆に、アンテナアレイは１次鏡／導体の一部として形成される。２次鏡／導体５０６／５０８は、それが非駆動状態において引張応力下で基板に平行となるように、形成された柔軟な薄膜を形成する。
　層５０６と５０２が平行であるから、アレイの上下からでも共振器に入るどんな放射線は、共振器の中のくりかえし反射を受けるので光学干渉をもたらす。上に説明されたように、アンテナアレイの寸法に応じて、干渉はその実効インピーダンスそして反射及び／又は透過性特性曲線を決定する。この場合、その寸法の１つを変えることで、共振器高さ（すなわち、層５０２、５０６の内壁間のスペース）は、光学特性曲線を変更するであろう。高さの変更は共振器において２つの層に渡る電圧を印加することによって達せられ、それは、静電力のために、層５０６を潰すようになされる。共振器４９８が潰されているように示され（７ボルト印加）、他方共振器４９９が潰されていないように示されている（０ボルト印加）。
　もう１つの実施例、図20bにおいては、各共振器は２つの層の上に誘電体又は金属の鏡の結合によって形成され、そしていずれかの層上にアンテナ無しで形成される。この場合、鏡のスペクトルの特性はそれを含んでいる材料の性質と厚さによって決定される。」（第２９頁第３行〜２５行）
　
ウ　「図21A及び21Bにおいて、入射放射上の変調効果は示される。二進変調方式は図21Aに示される。非駆動状態（左手に示される）において、入射光５１２（デルタラムダは広範囲の入射周波数、例えば、可視光の範囲を表す）は非駆動状態での装置の共振周波数にあるスペクトル成分を含んでいる。従ってこの成分（デルタラムダｎ）５１４は透過され、、残っている成分（非共振周波数、デルタラムダマイナスデルタラムダｎ）５１６は反射される。この動作はフェブリーペロー干渉共振器の動作の性質である。
　装置が駆動され幾何学的形状が崩壊（図の右側）に変わった時、装置の共振周波数も変化する。正しい共振器寸法で、入射光（デルタラムダ）のすべてが反射される。
　図21Aは二進の動作モードを示し、一方図21Bはアナログモードを示し、これにおいて、連続的変化電圧は２次鏡／導体５０６の移動の連続的変化程度を起こすために使われる。これは、共振器の共振周波数が連続的に変化し得るから、動作範囲中で連続周波数選択の機構を提供する。図21Aの左の側面において、透過波長はデルタラムダｎゼロであし、一方右の側面ではそれらがデルタラムダｎ１である。
　共振器の性能を説明する式は図21Bの下に記載される。等式１はフェブリーペロー共振器を通して透過Ｔを画定する。Ta、Ｔｂ、Ra、Rbは１次鏡（ａ）と２次鏡（ｂ）の透過率T及び反射率Rである。ψａ及びψｂはそれぞれ１次鏡及び２次鏡での反射率上の相転移である。Γは位相層厚である。等式２は位相層厚を画定し、共振器スペースがds、スペーサーの屈折率がns、入射角がθｓである。等式３は、１次鏡の透過が０に接近する時、透過Ｔが２次鏡の透過になることを示す。」（第３１頁第５〜２７行）
　
エ　「図23Aにおいて、図22DのＮ−Ｎ（狭周波数帯域-狭周波数帯域）構成を使った共振器装置に基づいた赤色３Ｘ３画素（すなわち、９つの共振器）減算モードディスプレイアレイが示される。共振器画素は１次鏡／導体６０２及び２次鏡／導体６０４の交差点において形成される。ディスプレイは基板６０８の上に形成され、各導体／鏡６０４に接続した接点パッド６０６を介して駆動される。
　フル９画素ディスプレイは、互いの頂上に配置された図23Aのアレイの３つの複製を有し、図23Bに示されるように、別の基板又はカラー平面６１０、６１２、６１４上に形成される。個別カラー平面のそれぞれは、１つの色だけに相互作用し、すべての他の色を通過させる間に、１つの色（例えば、赤、緑、あるいは青色）を反射する。これは各カラー平面での鏡スペクトルの特性と共振器スペースを適切に選択することによってなされる。カラー平面は物理的に整列され、そしてフルカラー像を作り出すために接点パッドを通して電気的に駆動される。像は図23Bの下にから目視されるであろう。
　図23C及び23Dにおいて、単一層複合物の方法が示される。このような装置は（鏡設計が単純であるけれども）製造することがいっそう複雑であり、劣った解像度を蒙るかもしれない。この場合、すべての３つの色は同じアレイ６１６の上に位置する。Ｂ-Ｂ(BB)、Ｂ-Ｎ(BN)、Ｎ-Ｎ(NN)、Ｂ-Ｈ(BH)、あるいはＮ-Ｈ（Ｂ＝広帯域、Ｎ＝狭周波数帯域、Ｈ＝混成フィルター）構成を使っている装置はこの表示装置のために使われる。
・・・（略）・・・
　３平面、２平面、あるいは単一平面方法がいずれかの透過及び反射方式で使われる。画素の大きさ及び全体的なディスプレイの大きさは、多くの異なったディスプレイと空間の光変調器応用において有用なディスプレイを形成するために変化させることができる。３つは直視及び投写型ディスプレー、光学計算、ホログラフィックメモリー並びに光の１又は２次元のモジュレーターが使われる他のいかなる事態でも含む。」（第３５頁第１０行〜第３６頁第１４行）
　
オ　「アレイを製造する２つの方法は説明されるが、他のものも可能である。
　図25Aにおいて、基板７００は標準手続を使って最初に清浄される。基板はケイ素、プラスチック、マイラー、あるいは石英を含めて多くの異なった材料から形成される。主要な要求事項は光学的平滑さを支持できる材料であるが、必ずしも平らでなくともよい。望ましい材料は多分ガラスであり、そしてそれは可視域で共に透過性及び反射性の動作を許容する。
　基板は１次導体／鏡層７０２で覆われる。これはスパッタリングあるいは電子ビーム蒸着のような物理蒸着法（PVD）方法を使って達せられる。他の可能な方法は化学蒸気成長と分子線エピタキシーを含む。層の寸法と性質は所望の特定の構成に依存する。詳細な例を下に説明する。
・・・（略）・・・
　図25Dにおいて、サポートレール材料７０６は上述の方法の１つを使って堆積させられる。この材料は絶縁体、例えば二酸化ケイ素あるいは窒化ケイ素であるべきである。材料は一様に、そして後で堆積されるスペーサー層の厚さと等しい層厚に堆積させられる。この層厚は一般に少なくとも所望の光の波長の倍数であるべきである。
・・・（略）・・・
　図25Jにおいて、スペーサー層７１２はPVD技術を使って堆積させられる。この材料は、この技術を使って堆積させられる異なる化合物のどんな数でもよい。このような材料のために２つの重要要求事項がある。第一は、材料は水に溶解性がある、あるいはアセトン又はメタノールのような溶剤以外の液体エッチング液によって化学的に取り除かれるものであること、これは剥離ステンシルを除去するために要求されるであろう。このようなエッチング液の例は水であり、そして適切な材料がフッ化リチウム、アルミニウムフッ化物及び塩化ナトリウムを含む。第２は、それが極限の均質性と層厚制御で堆積させられるということである。
・・・（略）・・・
　スペーサーも、ハードベイクされたフォトレジストあるいはポリイミドのような重合体材料で構成されている。必要とされる層厚均質性に達するために、スピンコート以外の技術はポリマーを堆積するために使われなくてはならない。このような２つの技術は押出し毛細管コーティング（extrusion and capillary coating）を含む。このようなスペーサーを使う結果はすべての次の工程段階がこの層のガス放出と収縮を妨げるために性質上低温度でなければならないということである。この場合、スペーサーは究極的に酸素プラズマを使って取り去られる。
　また、真空中の昇華あるいは蒸着を介した物理蒸着法を使って堆積できるいくつかの有機材料があり、このような材料の１つの例はジアミンである。この場合必要とされる均質性は得られ、そしてスペーサー層は酸素ベースのプラズマを使って再び取り去られる。異なるプラズマ化学の使用は同様に無機のスペーサーのエッチングを可能とする。塩素処理プラズマは例えばアルミニウムスペーサーを除去するために使われ得る。
・・・（略）・・・
　図25Kにおいて、２次導体／鏡層及びサポート薄膜（７１４）が堆積させられる。導体／鏡の性質は応用に依存している。サポート薄膜は引張り残留応力を持っていなくてはならない。引張応力が２つの理由のために必要とされる。第１に、結果の薄膜が平らで、それ故に無活動状態での基板に平行するであるようにする。第２に、このような構造は、薄膜が基板に接触する時、はり付く傾向を有する。十分な引張応力は、駆動電圧が減らされる時、薄膜を引き離すのに必要とされる。
　薄膜は同様に適切な光学特性曲線を有していなくてはならない。可視光のためにこれは可視領域での透明性を意味する。ケイ素窒化物は、プラズマ強化化学蒸気成長（plasma enhanced chemical vapor deposition(PECVD)）を使って制御された応力で堆積できる役割のための１つの候補である。他の候補は二酸化チタン、フッ化マグネシウム及びフッ化カルシウムを含み、これらすべては電子ビーム蒸着を使って結果の引張応力で堆積させられることができる。
　図25Lでは、フォトレジスト層７１６は上記の方法でスピンコートされパラーンが形成される。
　図25Mでは、RIEあるいはイオンミリングを使って、層７１４がレジスト層７１６のパターンによりエッチングされる。
　図25Nでは、最終エッチングは一定の時間、水中に装置を置くことによって達成されている。水は撹拌され、装置が完全にエッチングされた時、それらは乾燥される。
　この工程の１つの変形例は、エッチング完了時に水と置き換えてｔ-ブチルアルコールを使用する事である。装置はアルコールを凍らせるためにセ氏約３２度C程度にてチャンバーに置かれる。この工程の後に装置は真空室に置かれそして空気が排出される。これはアルコールを昇華させて、そして乾燥段階中に張り付く薄膜を減らすことができる。」（第３８頁第２７行〜第４３頁第９行）
　
カ　図２０Ａ，図２０Ｂから、基板５００上に、平行に並べられた帯状の複数の透明な電導性被覆材５０２が形成され、複数の透明な電導性被覆材５０２の間隙のそれぞれに、絶縁サポート５０４が形成され、複数の絶縁サポート５０４の上を跨ぎ、複数の透明な電導性被覆材５０２の長手方向と直交するように帯状の複数の第２の透明導電薄膜５０６が形成されたアレイが見てとれる。
　
キ　上記エの記載から、上記イのアレイはディスプレイに使用されるものであり、複数の透明な電導性被覆材５０２と第２の透明導電薄膜５０６との交差点において、画素が形成されることは明らかである。
　
ク　上記オの記載から、絶縁サポート５０４は、二酸化ケイ素あるいは窒化ケイ素で形成されることは明らかである。
　
ケ　上記オの記載を踏まえ、図２５Ｋ〜図２５Ｍをみると、エッチングにより２次導体／鏡層及びサポート薄膜７１４がパターン形成され、該パターン形成された２次導体／鏡層及びサポート薄膜７１４の間には開口が形成されており、その開口を通じて、エッチングより、スペーサー層７１２が取り除かれることがみてとれる。
　
コ　以上の記載事項からみて、引用例１には、以下の発明が記載されていると認められる。
「基板と、
　基板上に形成された帯状の複数の透明な電導性被覆材と、
　前記複数の透明な電導性被覆材の間隙のそれぞれに形成された、二酸化ケイ素又は窒化ケイ素から成る絶縁サポートと、
　前記絶縁サポートの上を跨ぎ、前記複数の透明な電導性被覆材の長手方向と直交するように形成された複数の第２の透明導電薄膜とからなり、
　前記透明な電導性被覆材と前記第２の透明導電薄膜の交差点に画素を形成し、
　前記透明な電導性被覆材と前記第２の透明導電薄膜の間に電圧を印加させて、前記第２の透明導電薄膜を前記透明な電導性被覆材の方に潰すことにより、光学干渉による透過性特性を変化させる、
　ディスプレイに使用される可視スペクトルモジュレーターアレイの製造方法であって、
　基板上に、前記帯状の複数の透明な電導性被覆材と、前記絶縁サポートと、前記絶縁サポートの間に形成されたスペーサー層を形成した後、
　前記絶縁サポートと前記スペーサー層上に、前記第２の透明導電薄膜を形成し、
　前記第２の透明導電膜をエッチングによりパターン形成し、
　該パターン形成により形成される開口を通じて、プラズマ化学を使用したエッチングにより、前記スペーサー層を除去する、
可視スペクトルモジュレーターアレイの製造方法」（以下「引用発明１」という。）
　
（２）原査定の備考の欄に記載された特開２００２−２４３９３７号公報（以下「引用例２」という。）には、図面と共に、以下の事項が記載されている。
　
ア　「【請求項１】　第1の工程で、透明基板上に第1の反射膜を成膜すること、第2の工程で、透過、または、反射させる波長λに対し、位相整合条件（間隔を往復した時の光の位相変化が２πの整数倍であること）を満たす厚さ相当の犠牲層を成膜すること、第3の工程で、前記犠牲層膜にアンカー穴を形成すること、第4の工程で、前記アンカー穴を持つ犠牲層膜上に膜をアンカー穴に沿って成膜を行い、第5の工程で、第4の工程で成膜した膜の、光を透過、または、反射させる部分をパターンニングによって除去すること、第6の工程で、第2の反射膜を成膜すること、第7の工程で、前記犠牲層を除去すること、を特徴とする干渉フィルタ製造手段。
・・・（略）・・・
【請求項１１】 第1の工程で、透明基板上に導電性を有する第1の反射膜を成膜すること、第2の工程で、配線ラインをパターンニングすること、第3の工程で、犠牲層を成膜すること、第4の工程で、前記犠牲層膜にアンカー穴を形成すること、第5の工程で、前記アンカー穴を持つ犠牲層膜上に導電性とばね性を有する膜をアンカー穴に沿って成膜すること、第6の工程で、第5の工程で成膜した導電性とばね性を有する膜をパターンニングし、支柱及びばね部を作成すること、第7の工程で、導電性を有する第2の反射膜を成膜すること、第8の工程で、前記犠牲層を除去すること、を特徴とする波長可変干渉フィルタ製造手段。
・・・（略）・・・
【請求項１６】 請求項11、請求項１３、請求項1４、及び、請求項１５記載の犠牲層にシリコン膜を用いること、及び、犠牲層除去の工程では、弗化キセノンガスによる犠牲層除去を用いることを特徴とする波長可変干渉フィルタ製造手段。」
　
イ　「【０００２】
【従来の技術】従来この種のファブリペロ型共振器を応用した干渉フィルタは、反射率を高くすることで、非常に半値幅の少ない波長選択性を示すことから、分光器から光通信にいたるまで広く使用されてきた。この干渉フィルタは反射膜の間を多重反射させ、位相整合条件（往復した時の光の位相差が２πの整数倍であること）を満たす波長だけ透過させるものである。・・・（略）・・・
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記課題を解決するためのものであり、安価で、場所により反射、透過波長のずれが無く、精度の良い干渉フィルタを実現すること、非常に早い速度で選択波長を切り替えることができる、波長可変干渉フィルタを実現すること、小型で選択波長切替えを高速で行うことができるカラーシーケンシャル用波長可変干渉フィルタを実現することを主な目的とする。」
　
ウ　「【００１１】
【発明の実施の形態】（実施例１）本発明の実施例１における干渉フィルタ製造手段を説明する概略図を図１に示す。ここでは、波長５００ｎｍの光を選択透過させる干渉フィルタ例で説明する。透明基板１０１上に第1反射膜１０２を蒸着する。次に、犠牲層１０３をＣＶＤにより２５０ｎｍの厚さに成膜する。犠牲層１０３をパターンニングし、アンカー穴１０４を形成する。パターンニングされた犠牲層１０３上に、金属膜１０５を、アンカー穴に沿うように成膜する。ここで、金属膜を用いたが、膜の材質は環境変化に対し劣化しない物であればどのような材質でも良い。また、樹脂をスピンコートなどで塗布し硬化させる方法でも良い。次に、この金属膜をパターンニングし、光の透過する部分を除去する。パターンニングされた金属膜の上面に第2反射膜１０６を蒸着した後、犠牲層１０３をエッチングにより除去する事で１０７に示す、間隔２５０ｎｍの空気層が得られる。この様な製造手段によると、透明基板１０１の表面に多少のうねりが存在しても、犠牲層１０３がそのうねりに沿い堆積していくため、うねりにより間隔の誤差を生じず、場所によらず一様な間隔を持つ干渉フィルタが製造できる。」
　
エ　「【００２３】（実施例１１）実施例１１における波長可変干渉フィルタの製造手段を図１１により説明する。透明基板１１０１上に、導電性の反射膜を着け、反射膜を１１０２に示す形状にパターンニングする。その後、アンカーの土台及び、配線となる導電膜を着けパターンニングし１１０３に示す形状とする。ここで、反射膜となる１１０２、配線パターン、又はアンカーの土台となる１１０３ができあがる。次に、犠牲層１１０４を着けアンカー穴をパターンニングする。犠牲層の上部に導電性の膜を着け、支柱１１０５、及び、ばね構造となる１１０６をパターンニングする。次に導電性の反射膜１１０７を着ける。これにより反射膜１１０７とばね部１１０６、支柱１１０５が導通する。犠牲層１１０４をエッチングにより除去し、ばね部及び、反射膜１１０２，１１０７の間に空間１１０８を作る。この製造工程により、反射膜１００２，１１０７を上下電極とし、１１０６のばね構造を持つ静電アクチュエータが製作できると同時に、反射膜１１０２，１１０７は干渉フィルタの反射膜としても機能する。反射膜１１０２と反射膜１１０７間に電圧を印可する事により、反射膜膜１１０２と反射膜１１０７の間隔を制御でき、透過波長を変化できる波長可変干渉フィルタが作成できる。本実施例によれば、反射膜を電極にする為、静電アクチュエータ駆動の為の新たな電極を必要としない波長可変干渉フィルタの製造手段が実現できる。」
　
オ　図１から、アンカー穴１０４が左右に２つ設けられ、その中に金属膜１０５が形成されていることが見てとれる。
　
４　引用発明との対比・判断
（１）対比
　本願発明と引用発明１とを対比する。
ア　引用発明１の「基板」、「透明な電導性被覆材」及び「第２の透明導電薄膜」は、本願発明の「基板」、「第一電極」及び「第二電極」にそれぞれ相当する。
　
イ　引用発明１の「可視スペクトルモジュレーターアレイ」は、「前記透明な電導性被覆材と前記第２の透明導電薄膜の交差点に画素を形成し、前記透明な電導性被覆材と前記第２の透明導電薄膜の間に電圧を印加させて、前記第２の透明導電薄膜を前記透明な電導性被覆材の方に潰すことにより、光学干渉による透過性特性を変化させる」ものであって、「ディスプレイに使用される」ものであるから、引用発明１の「画素」は、本願発明の「光学干渉型ディスプレイセル」に相当する。
　また、引用発明１の「複数の透明な電導性被覆材の間隙」は本願発明の「開口部」に相当するとともに、引用発明１の「複数の透明な電導性被覆材の間隙」は、各「画素」間に形成されているものであるから、本願発明の「開口部」と、「光学干渉型ディスプレイセルの位置を定める」点で一致する。
　
ウ　本願発明の「耐熱絶縁無機支持体」は、本願の特許請求の範囲の請求項７〜９の記載によれば、酸化ケイ素または窒化ケイ素からなるものを含むことは明らかであるから、引用発明１の「二酸化ケイ素又は窒化ケイ素から成る絶縁サポート」は、本願発明の「耐熱絶縁無機支持体」に相当する。
　
エ　引用発明１の「可視スペクトルモジュレーターアレイ」の各「画素」は、基板に形成されるものであるので、引用発明１は、本願発明の「光学干渉型ディスプレイセルを基板上に製造する」との事項を備える。
　
オ　引用発明１の「透明な電導性被覆材」は基板上に形成されるので、引用発明１は、本願発明の「第一電極を前記基板上に形成する」との事項を備える。
　
カ　引用発明１の「スペーサー層」は、「透明な電導性被覆材」上に形成されることは明らかであるから、引用発明１の「スペーサー層」は本願発明の「犠牲層」に相当するとともに、引用発明１は、本願発明の「犠牲層を第一電極上に形成する」との事項を備える。
　
キ　上記ウのとおり、引用発明１の「二酸化ケイ素又は窒化ケイ素から成る絶縁サポート」は、本願発明の「耐熱絶縁無機支持体」に相当するから、引用発明１と本願発明とは、「耐熱絶縁無機支持体を形成する」点で一致する。
　
ク　引用発明１の「第２の透明導電薄膜」は、前記絶縁サポートの上を跨いで形成されているので、引用発明１と本願発明とは、「第二電極を耐熱絶縁無機支持体の上に形成する」点で一致する。
　
ケ　引用発明１は、「パターン形成により形成される開口を通じて、プラズマ化学を使用したエッチングにより、前記スペーサー層を除去する」ものであるから、引用発明１と本願発明とは、「犠牲層をプラズマエッチング法により除去する」点で一致する。
　
コ　したがって、本願発明と引用発明１とは、
「光学干渉型ディスプレイセルを基板上に製造する方法であって、該方法が：
　第一電極を前記基板上に形成すること；
　犠牲層を第一電極上に形成すること；
　少なくとも２個の開口部を第一電極中に形成して、光学干渉型ディスプレイセルの位置を定めること；
　耐熱絶縁無機支持体を前記各開口部中に形成すること；
　第二電極を各開口部の耐熱絶縁無機支持体の上に形成すること；を含む、前記方法。」
である点で一致し、次の点で相違する。
　
　本願発明では、「耐熱絶縁無機支持体」は、少なくとも２個の開口部を犠牲層および第一電極中に形成し、耐熱絶縁無機支持体を前記各開口部中に充填し、第二電極を前記犠牲層および各開口部の支持体の上に形成した後、前記犠牲層をリモートプラズマエッチング法により除去することを含む方法であるのに対し、引用発明１では、「耐熱絶縁無機支持体」を形成した後、犠牲層を形成し、第二電極を前記犠牲層および各開口部の支持体の上に形成した後、前記犠牲層をプラズマ化学を使用したエッチングにより除去することを含む方法である点。（以下「相違点」という。）
　
（２）判断
　上記相違点について検討する。
ア　上記３（２）のア〜オの記載事項からみて、引用例２には、以下の発明が記載されていると認められる。
「第1の工程で、透明基板上に第1の反射膜を成膜すること、第2の工程で、透過、または、反射させる波長λに対し、位相整合条件（間隔を往復した時の光の位相変化が２πの整数倍であること）を満たす厚さ相当の犠牲層を成膜すること、第3の工程で、前記犠牲層膜にアンカー穴を形成すること、第4の工程で、前記アンカー穴を持つ犠牲層膜上に膜をアンカー穴に沿って成膜を行い、第5の工程で、第4の工程で成膜した膜の、光を透過、または、反射させる部分をパターンニングによって除去すること、第6の工程で、第2の反射膜を成膜すること、第7の工程で、前記犠牲層を除去すること、を含む干渉フィルタ製造手段」（以下「引用発明２」という。）
　
イ　引用例２には、「金属膜１０５を、アンカー穴に沿うように成膜する。ここで、金属膜を用いたが、膜の材質は環境変化に対し劣化しない物であればどのような材質でも良い。」との記載（上記３（２）ウを参照。）があり、引用発明２のアンカー穴に沿って成膜される「膜」（本願発明の「支持体」に相当。）が、金属に限られないことは明らかである。
　
ウ　そして、引用発明１により製造される「可視スペクトルモジュレーターアレイ」も、第一電極及び第二電極間の光学干渉を利用したフィルタであって、第二電極を犠牲層および各開口部の支持体の上に形成した後、前記犠牲層を除去する技術である点で一致するものであるから、引用発明１に引用発明２を適用して、少なくとも２個の開口部を犠牲層および第一電極中に形成し、耐熱絶縁無機支持体を前記各開口部中に充填し、第二電極を前記犠牲層および各開口部の支持体の上に形成した後、前記犠牲層を除去するように構成することは、当業者であれば容易になし得ることである。
　
エ　そして、その際、引用発明１の「耐熱絶縁無機支持体」は、第一電極中の各開口部中に形成されるものであるから、犠牲層に開口部を形成する際に、第一電極にも同時に開口部を形成することは、当業者であれば適宜なし得る程度の事項にすぎない。
　
オ　また、積層された層の除去手段として、リモートプラズマエッチング法は、例えば、特開２００２−２７０５７５号公報（【０００４】、【００１３】−【００２８】、図１、図３を参照。）、特開平７−１０６３０３号公報（【０００２】、【０００６】、図１、図２）に見られるように、本願の優先日前に周知の技術（以下「周知技術」という。）であるから、引用発明１における「耐熱絶縁無機支持体」の形成方法として、引用発明２を採用するに当たって、「前記犠牲層を除去」する方法として、上記周知技術１の「リモートプラズマエッチング法」を採用することは、当業者であれば適宜なし得る程度の事項にすぎない。
　
カ　上記ア〜オによれば、引用発明１に、引用発明２及び上記周知技術を適用し、本願発明の上記相違点に係る構成とすることは、当業者が容易になし得たものである。
　
キ　そして、本願補正発明の作用効果も、引用発明１、引用発明２及び上記周知技術から当業者が予測できる範囲のものである。
　なお、引用発明１の「二酸化ケイ素又は窒化ケイ素から成る絶縁サポート」は、上記（１）ウのとおり本願発明の「耐熱絶縁無機支持体」に相当するから、本願発明の「構造物リリースエッチング法は２５０℃より高い温度で、または５００℃までの温度で行うことができる」との作用効果も、引用発明１、引用発明２及び上記周知技術から当業者が容易に予測できるものである。
　
５　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１に記載された発明、引用例２に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。