【事件の表示】
　上記当事者間の特許第３５０２５０２号「回路形成用基板および回路基板」の特許無効審判事件についてされた平成１９年１２月５日付け審決に対し、知的財産高等裁判所において審決取消の判決（平成２０年（行ケ）第１００１６号　平成２０年５月２７日判決言渡）があったので、さらに審理のうえ、次のとおり審決する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３５０２５０２号の請求項１〜８に係る発明についての特許を無効とする。
　審判費用は、被請求人の負担とする。
【理　由】
１．手続の経緯
平成７年４月１７日　国内優先出願（特願平7-90658号、同7-90659号）
平成７年８月１日　国内優先出願（特願平7-196437号、同7-196438号）
平成８年４月１０日　本件出願
平成１５年１２月１２日　本件特許権の設定登録
平成１８年１２月２７日　本件特許無効審判請求
平成１９年３月２６日　被請求人：訂正請求書、答弁書
平成１９年５月１１日　請求人：弁駁書
平成１９年７月２日付　訂正拒絶理由通知
平成１９年８月９日　被請求人：意見書
平成１９年１２月５日　無効審決（訂正を認めず。全部無効）
平成２０年１月１６日　被請求人：知的財産高等裁判所出訴
　　　　　　　　　　　　　　　　　(平成20年(行ケ)第10016号)
平成２０年４月１４日　訂正審判請求（訂正2008-390041号）
平成２０年５月９日　請求人：訂正2008-390041号審判事件に上申書
平成２０年５月２７日　差戻し決定（無効審判審決取消）
平成２０年６月４日付　訂正請求のための期間指定通知
　
　なお、被請求人は平成２０年６月４日付期間指定通知(指定期間：１０日)に対して訂正請求をしなかったので、被請求人が行った平成２０年４月１４日付の訂正審判請求（訂正2008-390041号）は、特許法第１３４条の３第５項の規定により、その訂正審判の請求書に添付された訂正した明細書又は図面を援用した、指定期間の末日である平成２０年６月１４日付訂正請求とみなされた。
　また、特許法第１３４条の２第４項により、この平成２０年６月１４日付訂正請求によって、平成１９年３月２６日付訂正請求は取り下げられたものとみなされた。
　
２．平成２０年６月１４日付訂正請求の可否について
２−１．訂正請求の要旨
　当該訂正請求の要旨は、本件特許の明細書（以下、「本件特許明細書」という。）を訂正請求書に添付した訂正明細書のとおりに訂正しようとするものであり、訂正事項は、下記のとおりである。
　
２−１−１．訂正事項ａ 
　請求項１に記載された「回路形成用基板であって、長尺ステンレス箔が」を「回路形成用基板であって、ポリイミド樹脂が一般式〔化１〕から選ばれる構造単位を分子内に有し
　
かつ、長尺ステンレス箔が」と訂正する。
　
２−１−２．訂正事項ｂ
　請求項３〜５及び、請求項１１〜１３を削除する。
　
２−１−３．訂正事項ｃ
　訂正前請求項６、９（訂正後請求項３、６に対応）に記載された、「クロム層またはチタン層を介して、もしくは介さずに銅層を積層してなる」を、訂正後請求項３、６において、「クロム層を介して銅層を積層してなる」と訂正する。
　
２−１−４．訂正事項ｄ〜ｉ
　訂正前の請求項６〜１０、１４の項番号を繰り上げて訂正後の請求項３〜８とするとともに、訂正後の請求項４〜８における引用項の項番号を整合させる。
　
２−２．訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
２−２−１．訂正事項ａについて
　訂正事項ａは、ポリイミド樹脂層を全面もしくは部分的に形成してなる回路形成用基板に関し、ポリイミド樹脂を、一般式〔化１〕から選ばれる構造単位を分子内に有するものに限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正に該当する。
　そして、ポリイミド樹脂が、一般式〔化１〕から選ばれる構造単位を分子内に有する点は、願書に添付した明細書の段落【００７９】〜【００８０】の実施例９の記載に裏付けられているから、上記訂正は、願書に添付した明細書に記載された事項の範囲内のものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
２−２−２．訂正事項ｂ、ｄ〜ｉについて
　訂正事項ｂは、請求項の削除であるから、特許請求の範囲の減縮に該当し、また、訂正事項ｄ〜ｉは、訂正事項ｂにおける請求項の削除に伴って、請求項の項番号を繰り上げるとともに、引用項の項番号を整合させるものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。これらの訂正は、願書に添付した明細書に記載された事項の範囲内のものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
２−２−３．訂正事項ｃについて
　訂正事項ｃは、「クロム層またはチタン層を介して、もしくは介さずに銅層を積層してなる」という、積層される層の種類について、いくつかの選択肢を規定した記載の中から、「チタン層を介して、もしくは介さずに銅層を積層してなる」という選択肢を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正に該当する。
　そして、クロム層を介して銅層を積層してなる点は、願書に添付した明細書の段落【００８２】の「クロム、銅を連続的に同一バッチ内でメタライジング処理した。」という記載に裏付けられているから、上記訂正は、願書に添付した明細書に記載された事項の範囲内のものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　　
２−３．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１３４条の２第１項ただし書き、及び、同条第５項において準用する同法第１２６条第３項、第４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。 
　
　３．本件発明
　本件特許明細書の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１、６における「サスペンジョンあり、かつ、」は、「サスペンジョンであり、かつ、」の誤記であると認めるので、本件請求項１乃至８に係る発明は、次のとおりのものと認める。
　
　「【請求項１】　長尺ステンレス箔の片面もしくは両面に、ポリイミド樹脂層を全面もしくは部分的に形成してなる回路形成用基板であって、ポリイミド樹脂が一般式〔化１〕
から選ばれる構造単位を分子内に有し
かつ、長尺ステンレス箔がハードディスク用サスペンジョンであり、かつ、
　長尺ステンレス箔の厚みが１０〜３０μｍであり、さらに、
　５〜２００℃におけるポリイミド樹脂層の平均線膨張係数（α１）と長尺ステンレス箔の平均線膨張係数（α２）との差（ｎ）が、−５ｐｐｍから５ｐｐｍの間にあることを特徴とする回路形成用基板。
　【請求項２】　ポリイミド樹脂層の厚みが３〜２５μｍである請求項１記載の回路形成用基板。
　【請求項３】　長尺ステンレス箔およびポリイミド樹脂層上、またはポリイミド樹脂層上に、さらにクロム層を介して銅層を積層してなる導体層が形成されている請求項１記載の回路形成用基板。
　【請求項４】　ポリイミド樹脂層が感光剤を含有する感光性ポリイミド樹脂から形成されている請求項１または３記載の回路形成用基板。
　【請求項５】　５〜２００℃におけるポリイミド樹脂層の平均線膨張係数（α１）と導体層の平均線膨張係数（α３）の差（ｍ）が、−５ｐｐｍから５ｐｐｍの間にあることを特徴とする請求項３記載の回路形成用基板。
　【請求項６】　長尺ステンレス箔の片面もしくは両面に、ポリイミド樹脂層を全面もしくは部分的に形成してなる回路形成用基板の長尺ステンレス箔およびポリイミド樹脂層上、またはポリイミド樹脂層上に、さらにクロム層を介して銅層を積層してなる導体層が形成されてなる請求項３記載の回路形成用基板において、導体層が微細パターン化されており、
　長尺ステンレス箔がハードディスク用サスペンジョンであり、かつ、
　長尺ステンレス箔の厚みが１０〜３０μｍであり、さらに、
　５〜２００℃におけるポリイミド樹脂層の平均線膨張係数（α１）と長尺ステンレス箔の平均線膨張係数（α２）との差（ｎ）が、−５ｐｐｍから５ｐｐｍの間にあることを特徴とする回路基板。
　【請求項７】　５〜２００℃におけるポリイミド樹脂層の平均線膨張係数（α１）と導体層の平均線膨張係数（α３）の差（ｍ）が、−５ｐｐｍから５ｐｐｍの間にあることを特徴とする請求項６記載の回路基板。
　【請求項８】　ポリイミド樹脂層が感光剤を含有する感光性ポリイミド樹脂から形成されている請求項６記載の回路基板。」
（以下、請求項１ないし８に係る発明を、「本件発明１」ないし「本件発明８」といい、これらをまとめて「本件発明」という。）
　
４．請求人の主張
　請求人は、本件発明についての特許を無効とする、審判費用は被請求人の負担とする、との審決を求め、証拠方法として甲第１号証乃至甲第１３号証を提出し、以下の無効理由１〜３を主張している。
無効理由１：特許法第２９条第２項違反
　本件発明は、本件優先日前に日本国内又は外国において頒布された刊行物である甲第１〜９号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものであるから、本件発明についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
　
無効理由２：特許法第３６条第４項違反
　本件特許明細書の発明の詳細な説明は、その発明の属する分野における通常の知識を有するものがその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されていないから、本件特許は、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。
　
無効理由３：特許法第３６条第６項第１号違反
　本件発明は、発明の詳細な説明に記載したものではないから、本件特許は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。
　
５．証拠方法
甲第１号証：特開昭６０−２４６０１５号公報
甲第２号証：特開平２−１７２１０９号公報
甲第３号証：特公平７−１９９４５号公報（平成７年３月６日公告）
甲第４号証：特開平５−３４７４６１号公報
甲第５号証：特開昭６１−１１１１８１号公報
甲第６号証：特開平５−３２０３７９号公報
甲第７号証：特開平５−５９９５号公報
甲第８号証：特開平３−１８８４４９号公報
甲第９号証：特開平１−１１８５２７号公報
甲第１０号証：特願平７−９０６５８号の願書及び願書に添付した明細書
甲第１１号証：特願平７−９０６５９号の願書及び願書に添付した明細書
甲第１２号証：特願平７−１９６４３７号の願書及び願書に添付した明細書
甲第１３号証：特願平７−１９６４３８号の願書及び願書に添付した明細書
（甲第１０〜１３号証は、本件特許の優先権主張基礎明細書）
　
６．被請求人の主張
一方、被請求人は、本件審判の請求は成り立たない、審判費用は請求人の負担とする、との審決を求め、平成１９年３月２６日付答弁書及び、平成２０年４月１４日付審判請求書（訂正2008-390041号）において、上記無効理由１ないし３はいずれも理由がない旨主張した。
　
７．甲各号証の記載事項
７−１．甲第１号証
（１−ア）「２．特許請求の範囲
(1)磁気ヘッドを保持するジンバルばねにおいて、ばね片の表面に絶縁層を形成すると共に、この絶縁層上に前記磁気ヘッドのリード線を構成する導電膜を形成したことを特徴とする磁気ヘッド用ジンバルばね」（特許請求の範囲の請求項１）
（１−イ）「本発明は電子計算機の記憶装置などに用いられる磁気ヘッド用ジンバルばねに関するものである。
［従来技術］
　一般に高密度記録のためには磁気ヘッドと記憶媒体との間隙は小さいほど有利である。一方、記憶媒体として用いられている磁気円板などにおいては面振れや熱膨張があり、磁気ヘッドを単に機械的に固定したのでは前記間隙を一定に保つことは困難となる。このため、近年磁気ヘッドをジンバルばねに保持し流体力学的に浮動させ、前記面振れに追従しながら常に一定の微小間隙を保つ浮動ヘッド機構が開発されている。」（１頁左下欄１５行〜右下欄６行）
（１−ウ）「１０はこの絶縁層９上に周知の蒸着手段およびフォトリソグラフィ技術によって形成されたアルミニウムあるいはクロムと金の合金などの導電材からなる導電膜である。この導電膜１０は前記絶縁層９に沿った一様な厚さおよび幅を有する薄膜状に形成され、薄膜ヘッド３の電極６に近接する位置にまで延設されている。このため、この導電膜１０は薄膜ヘッドとばね片２の基端部とを電気的に接続するリード線を構成している。」（２頁左下欄１０〜１９行）
（１−エ）「本実施例においては、前記ばね片２にジンバルばね材として広く使用されている厚さ２０〜６０μｍのステンレス板を用い、先ずこのステンレス板を基板としてこの表面上にポリイミド樹脂を所定の厚さ例えば厚さ１０μｍ程度に塗布した後、このポリイミド樹脂を周知のポリイミド樹脂のエッチング法により、ばね片２の基端部から縁部に沿って保持部２ａに至る連続した所定の形状にエッチングして絶縁層９を形成している。・・・次いで、この絶縁層９上にアルミニウムあるいはクロムと金の合金などを周知の蒸着手段によって蒸着し、蒸着された膜を周知のフォトリソグラフィ技術により所定の形状に形成している。そして、最後にステンレス板をジンバル形状、すなわちばね片２の形状にエッチングすることにより、ジンバルばね８を形成している。」（２頁右下欄４行〜３頁左上欄５行）
　
７−２．甲第２号証
（２−ア）「本発明は処理装置に使用される磁気ヘッドとディスク駆動機構との間に電気的接続をもたらすケーブルに関する。・・・」（２頁左上欄９行〜１１行）
（２−イ）「Ｅ．実施例
本発明によれば、ステンレス・スチール・フォイルが可撓性支持ケーブルの基板として用いられる。ステンレス・スチール・フォイルは必要な可撓性とバネ作用をもたらす・・・通常、ステンレス・スチール・フォイルの厚さは約１　１／２ないし２ミルである。ポリマー材料の層をステンレス・スチール・フォイルの主要面の１つの頂部に設ける。ポリマー材料はポリイミドであることが好ましい。・・・所定の箇所にあるポリマー材料の層の頂面には、導電性回路パッドがある。本発明の好ましい態様において導電性回路パッドはクロムの層、銅の層を含んでおり、・・・クロムはポリマー層と銅の間の接着を行うために設けられたのであり・・・」（３頁右上欄２行〜左下欄２行）
　
７−３．甲第４号証
（４−ア）「【請求項１】  イミド化後の線膨張係数がプリント回路用金属箔より１×10-6(1/K)以上大となる半硬化状態のポリアミック酸層と１×10-6(1/K)以上小となる半硬化状態ポリアミック酸層とから形成され、しかもイミド化後は層全体と金属箔との線膨張係数の差が 5×10-6(1/K)以下であるポリアミック酸フィルム。」（【請求項１】）
（４−イ）「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、接着剤層を持たない２層フレキシブルプリント回路用基板として利用可能なポリアミック酸フィルムに関するものである。」（【０００１】）
（４−ウ）「【００１１】該フィルムの線膨張係数が小のポリアミック酸層面を導体箔板に熱圧着することにより、カールのない２層フレキシブルプリント回路用基板を得ることが出来る。本発明のポリアミック酸フィルムは全体としてイミド化後の線膨張係数が金属箔と近いため、加熱硬化後の冷却による金属箔付の基板としてのカールが殆どない。金属箔との線膨張係数の差が 5×10-6(1/K)より大きいとカールを生じてしまう。・・・」（【００１１】）
（４−エ）「【００１８】本発明において、所定の線膨張係数のポリアミック酸は、それぞれ酸無水物とジアミンの種類を１種又は２種以上を適宜組み合わせて共重合させるとか、あるいは２種以上のポリアミック酸溶液をブレンドして得ることができる。」（【００１８】）
（４−オ）「【００２０】導体層として用いることのできる材料としては、銅、アルミニウム、ニッケル等の単体の金属箔に加え、Ｆｅ-Ｎｉ合金、Ｆｅ-Ｃｒ-Ａｌ合金等の金属箔が挙げられる。」（【００２０】）
（４−カ）「【００２２】
【実施例】（合成例１）・・・、精製した無水の4,4'-ジアミノジフェニルエーテル200ｇをとり、・・・溶解した。・・・次いで、精製した無水のピロメリット酸二無水物218ｇを撹拌しながら少量ずつ・・・添加後、・・・、反応を終了してポリアミック酸溶液Ａを得た。
【００２３】（合成例２）・・・、精製した無水のパラフェニレンジアミン108ｇをとり、・・・溶解した。・・・次いで、精製した無水の3,3',4,
4'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物294ｇを撹拌しながら少量ずつ・・・添加後、・・・、反応を終了してポリアミック酸溶液Ｂを得た。
【００２４】（実施例１）ポリアミック酸溶液ＡおよびＢを、・・・
・・・
【００２９】（実施例３）実施例１のポリアミック酸溶液ＡおよびＢを、固形分比がＡ／Ｂ＝20／80になるように混合撹拌してＥを得た。このポリアミック酸溶液Ｅを用いて銅箔光沢面上にイミド化後の厚みが25μｍとなるように直接塗布し、・・・加熱乾燥し、イミド化した後、銅箔を全面エッチングすることによりＥのポリイミドフィルムを得た。得られたフィルムの線膨張係数をＴＭＡを用いて50〜150℃の範囲で測定したところ、15×10-6(1/K)であった。」（【００２２】〜【００２９】）
　
７−４．甲第８号証
（８−ア）「一般に、ポリイミド系樹脂膜のエッチング或いはパターン形成には、フォトレジスト膜がマスク材として用いられ、アルカリ性水溶液又はヒドラジン系溶液をエッチング液に用いて穴開け（パターン化）し、その後不要となったフォトレジスト膜は剥離液で処理され、剥離除去される。
　しかし、最近はポリイミド前駆体にパターン形成能を付与し、フォトレジスト膜の形成、剥離除去を不要とした感光性のポリイミド前駆体とし、プロセスの短縮化が試みられている。」（１頁右下欄１７行〜２頁左上欄７行）
　
８．当審の判断
８−１．無効理由１について
８−１−１．本件発明１に対する無効理由１について
８−１−１−１．甲第１発明の認定
　甲第１号証には、摘示（１−ア）によれば、「ばね片の表面に絶縁層を形成すると共に、この絶縁層上に前記磁気ヘッドのリード線を構成する導電膜を形成した磁気ヘッド用ジンバルばね。」が記載されている。
　また、摘示（１−イ）によれば、磁気ヘッド用ジンバルばねは、「電子計算機の記憶装置に用いられる」ものであって、「記憶媒体として用いられている磁気円板」を持つことおよび、「高密度記録のために」「磁気ヘッドと記憶媒体との」「間隙を一定に保つため、磁気ヘッドをジンバルばねに保持」するものであること、が記載されている。
　また、摘示（１−ウ）によれば、導電膜は「蒸着手段およびフォトリソグラフィ技術によって形成された」「導電材からなる」ものであって、「薄膜ヘッドとばね片２の基端部とを電気的に接続するリード線を構成している。」ことが記載されている。
　また、摘示（１−エ）によれば、「ばね片２にジンバルばね材として広く使用されている厚さ２０〜６０μｍのステンレス板を用い」ることが記載されている。
　また、摘示（１−エ）によれば、絶縁層を形成することとは、「ポリイミド樹脂を所定の厚さ例えば厚さ１０μｍ程度に塗布した後、このポリイミド樹脂を周知のポリイミド樹脂のエッチング法により、ばね片２の基端部から縁部に沿って保持部２ａに至る連続した所定の形状にエッチングして絶縁層９を形成」することである、と記載されている。
　また、摘示（１−エ）によれば、「ステンレス板を・・・エッチングすることにより、ジンバルばね８を形成している。」と記載されており、ステンレス板は、ジンバルばねの形成用ステンレス板であるといえる。
　ジンバルばねの形成用ステンレス板を中心として、以上の記載をまとめると、甲第１号証には、
　「高密度記録のために、電子計算機の記憶装置の記憶媒体として用いた磁気円板との間隙を一定に保つため、磁気ヘッドを保持するジンバルばねの形成用ステンレス板、であって、
厚さ２０〜６０μｍのステンレス板からなる、ばね片の表面に、ポリイミド樹脂を厚さ１０μｍ程度に塗布した後、このポリイミド樹脂を所定の形状にエッチングして絶縁層を形成すると共に、この絶縁層上に前記磁気ヘッドのリード線を構成する、蒸着手段およびフォトリソグラフィ技術によって導電材からなる導電膜を所定の形状に形成した、ジンバルばねの形成用ステンレス板。」の発明が記載されているといえる（以下、この発明を「甲第１発明」という。）。
　
８−１−１−２．本件発明１と甲第１発明との対比、判断
　甲第１発明の「厚さ２０〜６０μｍ」と、本件発明１の「厚みが１０〜３０μｍ」とは、板形状のステンレスの厚さが２０〜３０μｍである点で共通しており、また、一般に、板と箔との区別は、厚さに基づいて行われるから、箔と重複する厚さである甲第１発明のステンレス板は、本件発明１の「ステンレス箔の厚みが２０〜３０μｍ」であるともいえる。
　
　また、板の表面とは、表面又は裏面の片方あるいは、表裏の両面のいずれかであるから、甲第１発明の「板からなる、ばね片の表面」は、本件発明１の「片面もしくは両面」に相当する。
　また、甲第１発明の「ポリイミド樹脂を厚さ１０μｍ程度に塗布した後、このポリイミド樹脂を所定の形状にエッチングして絶縁層を形成する」こととは、本件発明１の「ポリイミド樹脂層を全面もしくは部分的に形成してなる」ことといえる。
　また、甲第１発明の「高密度記録のために、電子計算機の記憶装置の記憶媒体として用いた磁気円板との間隙を一定に保つため」のものは、本件発明１の「ハードディスク用」といえる。
　また、本件特許明細書【０００６】の「ヘッドを実装するサスペンジョン」との記載からみて、甲第１発明の「磁気ヘッドを保持するジンバルばね」は、本件発明１の「サスペンジョン」に相当する。
　また、磁気ヘッドのリード線を構成する導電膜を形成することは、回路形成であるから、導電膜を形成した、甲第１発明の「ジンバルばねの形成用ステンレス板」は、本件発明１の「回路形成用基板」といえる。
　　
　以上のことから、本件発明１と甲第１発明とは、「ステンレス箔の片面もしくは両面に、ポリイミド樹脂層を全面もしくは部分的に形成してなる回路形成用基板であって、
　ステンレス箔がハードディスク用サスペンジョンであり、かつ、
　ステンレス箔の厚みが１０〜３０μｍである回路形成用基板。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
　相違点Ａ：ステンレス箔について、本件発明１は、「長尺」であるのに対し、甲第１発明においてはこの点について明らかでない点
　相違点Ｂ：ポリイミドについて、本件発明１は、「ポリイミド樹脂が一般式〔化１〕から選ばれる構造単位を分子内に有し
かつ、５〜２００℃におけるポリイミド樹脂層の平均線膨張係数（α１）とステンレス箔の平均線膨張係数（α２）との差（ｎ）が、−５ｐｐｍから５ｐｐｍの間にある」のに対して、甲第１発明は、この点について明らかでない点
で、相違する。
　
　相違点Ａ、Ｂについて検討する。
　相違点Ａについて：板や箔をコイル状などの長尺材として供給することは一般的であるから、甲第１発明のステンレス板は、長尺材であるともいえるので、相違点Ａは実質的な相違でないか、かりに実質的な相違であるとしても、当業者が容易に想到しうる程度のものである。
　なお、上記「長尺」との点につき、被請求人は、訂正2008-390041号の審判請求書の７、８頁において、「回路基板の生産において、長尺材をそのまま使用することは本件発明の優先日当時に現実的でなかった」ことを根拠に、「本件発明と甲第１号証発明が長尺ステンレス箔を用いる点で一致する」とはいえない旨主張しているが、ポリイミド樹脂層を形成した長尺材の回路形成用基板は、例えば、特開昭５８−１０８１３２号公報の２頁左上欄３、４行、特開平６−１９０９６７号公報の【００３５】、特公平１−１５１５４号公報の４欄４３、４４行等に記載されているように多数存在しており、上記被請求人の主張は根拠のないものである。
　
　相違点Ｂについて：本件発明において、ｎを規定する理由は、本件特許明細書の「基板を構成する各材料の熱膨張係数（線膨張係数）が異なっていると、発熱によって基板に反りが生じる。」（段落【０００７】）、「（ｎ）を、−５ｐｐｍから５ｐｐｍの間に調整することが、反りの防止の点から好ましい。」（段落【００１３】）という記載からみて、「各材料の熱膨張係数（線膨張係数）が異なっていることによる反りの防止」のためと認められる。
　
　これに対し、甲４号証には、摘示（４−ウ）に、「該フィルムの線膨張係数が小のポリアミック酸層面を導体箔板に熱圧着することにより、カールのない２層フレキシブルプリント回路用基板を得ることが出来る。本発明のポリアミック酸フィルムは全体としてイミド化後の線膨張係数が金属箔と近いため、加熱硬化後の冷却による金属箔付の基板としてのカールが殆どない。金属箔との線膨張係数の差が 5×10-6(1/K)より大きいとカールを生じてしまう。」と記載され、摘示（４−ア）に、「イミド化後は層全体と金属箔との線膨張係数の差が 5×10-6(1/K)以下であるポリアミック酸フィルム。」と記載されている。ここで、甲第４号証にいう、ポリアミック酸フィルムについて検討すると、甲第４号証の摘示（４−カ）に「4,4'-ジアミノジフェニルエーテル、ピロメリット酸二無水物」を有する、「ポリアミック酸溶液Ａ」と「パラフェニレンジアミン、3,3',4,4'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物」を有する「ポリアミック酸溶液Ｂ」とを混合攪拌して得たＥを用いて加熱乾燥し、イミド化した後、エッチングすることにより、Ｅのポリイミドフィルムを得たことが記載されているから、甲４号証にいう、イミド化後のポリアミック酸フィルムは、「ポリイミド（樹脂）層」といえる。
　
　次に、ポリイミドの構造単位について検討する。
　摘示（４−カ）にいう「Ｅのポリイミドフィルム」は、ポリアミック酸溶液をブレンドすることによって得たものであるけれども、摘示（４−エ）には、「本発明において、所定の線膨張係数のポリアミック酸は、それぞれ酸無水物とジアミンの種類を１種又は２種以上を適宜組み合わせて共重合させるとか、あるいは２種以上のポリアミック酸溶液をブレンドして得ることができる。」と、ポリアミック酸溶液のブレンドの手段と、共重合の手段とを併記しているから、甲第４号証には、ポリアミック酸溶液Ａ、Ｂの両成分である、「4,4'-ジアミノジフェニルエーテル、ピロメリット酸二無水物、パラフェニレンジアミン、3,3',4,4'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物」の組み合わせを共重合して、ポリイミドを得ることについても、実質的に記載されているといえる。
　そして、上記「4,4'-ジアミノジフェニルエーテル、ピロメリット酸二無水物、パラフェニレンジアミン、3,3',4,4'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物」の組み合わせを共重合してポリイミドを得た場合、酸成分R1がピロメリット酸二無水物に対応した構造単位も形成される一方、酸成分R1が
（3,3',4,4'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物に対応）、ジアミン成分R2が
（パラフェニレンジアミンに対応）と
（4,4'-ジアミノジフェニルエーテルに対応）、という組み合わせの構造単位も形成され、後者の構造単位は、一般式〔化１〕にあたるので、甲第４号証に実質的に記載されたポリイミドは、後者の構造単位を含むから、本件発明１〜８にいう、「ポリイミド樹脂が一般式〔化１〕から選ばれる構造単位を分子内に有し」ているポリイミドである、といえる。
　
　次に、平均熱膨張係数を測定する温度範囲について検討する。
　甲第４号証の摘示（４−カ）において、「線膨張係数をＴＭＡを用いて５０〜150℃の範囲で測定したところ、」と記載されており、該温度範囲を上下に約５０℃づつ拡げた範囲である「５〜２００℃」とは、平均熱膨張率の測定温度範囲について、おおむね重複しているから、測定温度範囲に基づく格別な差異はないといえる。
　
　甲第４号証の摘示（４−ウ）に記載された事項を中心に、甲４号証に記載された事項を纏めると、回路基板を得るにあたり、金属層とポリイミド樹脂層との積層体において、各材料の熱膨張係数（線膨張係数）が異なっていることによる反りの防止を目的として、ポリイミド樹脂が一般式〔化１〕から選ばれる構造単位を分子内に有し、かつ、５〜２００℃における金属箔の熱膨張率とポリイミド樹脂層の熱膨張率との差を、−５ｐｐｍから５ｐｐｍの間に調整する発明が記載されているといえる。
　
　それゆえ、甲第４号証に記載された発明に基づき、甲第１発明において、ポリイミド樹脂が一般式〔化１〕から選ばれる構造単位を分子内に有するものを選定し、５〜２００℃における金属箔であるステンレス箔の平均熱膨張率とポリイミド樹脂層の平均熱膨張率との差を、−５ｐｐｍから５ｐｐｍの間に調整することは、当業者が容易に想到しうるものである。
　
　したがって、本件発明１は、甲第１、４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
８−１−２．本件発明２に対する無効理由１について
　本件発明２は、本件発明１の構成を全て含み、かつ、ポリイミド樹脂層の厚みが３〜２５μｍであることを更に限定した発明である。
　甲第１発明も、「ポリイミド樹脂を厚さ１０μｍ程度に塗布した」ものであるから、ポリイミド樹脂層の厚みが３〜２５μｍである、といえる。
　したがって、本件発明２は、甲第１、４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
８−１−３．本件発明３に対する無効理由１について
　本件発明３は、本件発明１の構成を全て含み、かつ、 長尺ステンレス箔およびポリイミド樹脂層上、またはポリイミド樹脂層上に、さらにクロム層を介して銅層を積層してなる導体層が形成されていることを更に限定した発明である。
　甲第１発明は、「絶縁層上に前記磁気ヘッドのリード線を構成する、蒸着手段およびフォトリソグラフィ技術によって形成されたアルミニウムあるいはクロムと金の合金などの導電材からなる導電膜を形成した」ものであるから、甲第１発明における「蒸着」「導電膜」は、本件発明３における「積層」「導体層」に、それぞれ相当しており、甲第１発明は「ステンレス箔およびポリイミド樹脂層上、またはポリイミド樹脂層上に、導体層が形成されている」といえる。
　
　よって、本件発明３と、甲第１発明とを対比すると、両者は、上記８−１−１−２．の項において述べた相違点Ａ、Ｂに加え、
　相違点Ｃ：導体層が、本件発明３は、クロム層を介した銅層であるのに対し、甲第１発明はこのことについて明らかでない点
で、相違する。
　相違点Ｃについて検討すると、甲第２号証の摘示（８−イ）には、ステンレス・スチール・フォイル上のポリイミド上に形成する導電性回路パッドにおいて、ポリイミド層と銅層の間の接着を行うためにクロム層を設けることが記載されており、ポリイミド樹脂層上に導体層を形成する甲第１発明において、相違点Ｃにあたる、導体層としてクロム層を介した銅層を選定することは、当業者が容易に想到しうるものである。
　
　そして、相違点Ａ、Ｂについては先に検討したとおりである。
　したがって、本件発明３は、甲第１、２、４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
８−１−４．本件発明４に対する無効理由１について
　本件発明４は、本件発明１または３の構成を全て含み、かつ、ポリイミド樹脂層が感光剤を含有する感光性ポリイミド樹脂から形成されていることを更に限定した発明である。
　そして、本件発明１を引用する本件発明４と、甲第１発明とを対比すると、両者は、上記８−１−１−２．の項において述べた相違点Ａ、Ｂに加え、
　相違点Ｄ：本件発明４においては、ポリイミド樹脂層が、感光剤を含有する感光性ポリイミド樹脂から形成されているのに対し、甲第１発明はこの点について明らかでない点
で、相違する。
　
　相違点Ａ、Ｂについては先に検討したとおりである。
　相違点Ｄについて検討する。
　甲第８号証の摘示（８−ア）には、ポリイミド系樹脂膜のエツチングにおいて、プロセスの短縮化を目的として、感光性のポリイミドを用いることが、記載されている。
、甲第１発明は「ポリイミド樹脂を所定の形状にエッチングして絶縁層を形成する」ものであり、かつプロセスの短縮化は、自明の課題であるから、甲８号証の記載に基づき、甲第１発明において、相違点Ｄにあたる、感光性ポリイミドを用いることは、当業者が容易に想到しうるものである。
　したがって、本件発明４は、甲第１、４、８号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
８−１−５．本件発明５に対する無効理由１について
　本件発明５は、本件発明３の構成を全て含み、かつ、５〜２００℃におけるポリイミド樹脂層の平均線膨張係数（α１）と導体層の平均線膨張係数（α３）の差（ｍ）が、−５ｐｐｍから５ｐｐｍの間にあることを更に限定した発明である。
　
　本件発明５と、甲第１発明とを対比すると、両者は、上記８−１−３．の項において述べた相違点Ａ、Ｂ、Ｃに加え、
　相違点Ｅ：本件発明５においては、５〜２００℃におけるポリイミド樹脂層の平均線膨張係数（α１）と導体層の平均線膨張係数（α３）の差（ｍ）が、−５ｐｐｍから５ｐｐｍの間にあるのに対し、甲第１発明はこの点について明らかでない点で、相違する。
　相違点Ａ、Ｂ、Ｃについては先に検討したとおりである。
　相違点Ｅについて検討する。
　甲第１発明は、ステンレス板からなる、ばね片の表面に、ポリイミド樹脂からなる絶縁層を形成し、この絶縁層上に導電材からなる導電膜、が形成された３層構造のものであるが、これをポリイミド樹脂からみる絶縁層を主体としてみると、絶縁層の一方の面に、ステンレス板からなるばね片が、絶縁層の他方の面に、導電材からなる導電膜、が形成されているものと、いえる。
　絶縁層の一方の面に関して、ステンレス板からなるばね片と、ポリイミド樹脂からなる絶縁層との間に、各材料の熱膨張係数（線膨張係数）が異なっていることによる反りの問題があるのと同様に、絶縁層の他方の面に関して、ポリイミド樹脂からなる絶縁層と、導電材からなる導電膜との間にも、各材料の熱膨張係数（線膨張係数）が異なっていることによる反りの問題が生じることは、明らかである。
　よって、相違点Ｂについてと同様の理由により、ポリイミド樹脂からなる絶縁層と、導電材からなる導電膜との間にも、反りの問題を解消すべく、甲第４号証に記載された発明に基づき、甲第１発明において、相違点Ｅにあたる、５〜２００℃におけるポリイミド樹脂層の平均線膨張係数（α１）と導体層の平均線膨張係数（α３）の差（ｍ）が、−５ｐｐｍから５ｐｐｍの間にあるようにすることは、当業者が容易に想到しうるものである。
　
　したがって、本件発明５は、甲第１、２、４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
８−１−６．本件発明６に対する無効理由１について
　本件発明６は、本件発明３の構成を全て含む回路形成用基板において、
導体層が微細パターン化されており、
長尺ステンレス箔がハードディスク用サスペンジョンであり、かつ、
長尺ステンレス箔の厚みが１０〜３０μｍであり、さらに、
５〜２００℃におけるポリイミド樹脂層の平均線膨張係数（α１）と長尺ステンレス箔の平均線膨張係数（α２）との差（ｎ）が、−５ｐｐｍから５ｐｐｍの間にある「回路基板。」の発明である。
　
　本件発明６と、甲第１発明とを対比する。
　磁気ヘッドのリード線を構成する導電膜を形成することは、回路形成であるから、導電膜を形成した、甲第１発明の「ジンバルばねの形成用ステンレス板」は、本件発明６の「回路形成用基板」に相当するとともに「回路基板」に相当するともいえる。
　よって、上記８−１−１−２．における「回路形成用基板」についてと同様の理由により、回路基板についても、甲第１発明は「ステンレス箔がハードディスク用サスペンジョンであり、かつ、ステンレス箔の厚みが１０〜３０μｍで」あるといえる。
　また、甲第１発明は、「蒸着手段およびフォトリソグラフィ技術によって所定の形状に導電材からなる導電膜を所定の形状に形成した、」ものであり、フォトリソグラフィは、微細パターンの形成に適した技術であることは明らかであるので、「導体層が微細パターン化されて」いるといえる。
　
　以上の事項を考慮すると、両者は、上記８−１−３．の項において述べた相違点Ａ、Ｂ、Ｃに加え、
相違点Ｆ：本件発明６においては、回路基板において、「５〜２００℃におけるポリイミド樹脂層の平均線膨張係数（α１）とステンレス箔の平均線膨張係数（α２）との差（ｎ）が、−５ｐｐｍから５ｐｐｍの間にある」のに対し、甲第１発明はこの点について明らかでない点
で、相違する。
　相違点Ａ、Ｂ、Ｃについては先に検討したとおりである。
　相違点Ｆについて検討する。
　甲第１発明の「ジンバルばね」は、「回路形成用基板」であるとともに「回路基板」である以上、回路形成用基板に関する、相違点Ｂについてと同様のことが、回路基板についてもいえる。
　よって、相違点Ｆにあたる、回路基板において、「５〜２００℃におけるポリイミド樹脂層の平均線膨張係数（α１）とステンレス箔の平均線膨張係数（α２）との差（ｎ）が、−５ｐｐｍから５ｐｐｍの間にある」ことは、当業者が容易に想到しうるものである。
　したがって、本件発明６は、甲第１、２、４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
８−１−７．本件発明７に対する無効理由１について
　本件発明７は、本件発明６の構成を全て含む回路基板において、５〜２００℃におけるポリイミド樹脂層の平均線膨張係数（α１）と導体層の平均線膨張係数（α３）の差（ｍ）が、−５ｐｐｍから５ｐｐｍの間にあることを更に限定した発明である。
　本件発明７と甲第１発明とを対比すると、両者は、上記８−１−６．の項において述べた相違点Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｆに加え、相違点Ｅの点で、相違する。
　そして、相違点Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｆ、Ｅについては先に検討したとおりである。
　したがって、本件発明７は、甲第１、２、４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
８−１−８．本件発明８に対する無効理由１について
　本件発明８は、本件発明６の構成を全て含む回路基板において、ポリイミド樹脂層が感光剤を含有する感光性ポリイミド樹脂から形成されていることを更に限定した発明である。
　本件発明８と、甲第１発明とを対比すると、両者は、上記８−１−６．の項において述べた相違点Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｆに加え、相違点Ｄの点で、相違する。
　そして、相違点Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｆ、Ｄについては先に検討したとおりである。
　したがって、本件発明８は、甲第１、２、４、８号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
８−１−９．無効理由１についてのまとめ
　上記８−１−１．〜８−１−８．における検討から、本件発明１〜８は、甲１、２、４、８号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明１〜８についての特許は、特許法第２９条２項の規定に違反してされたものである。
　
８−２．無効理由２について
８−２−１．実施例９、１０以外に、線膨張係数の規定を満たすポリイミドが不明な点に基づく実施可能要件違反について
　請求人は、訂正前の本件特許の特許請求の範囲に記載された発明は、実施例９、１０の線膨張率の規定を満たすポリイミドについての記載から拡張乃至一般化できない程に広範なポリイミドを含有しているから、実施例９、１０で用いたポリイミド以外のポリイミドを用いるものについて、当業者が実施できるように記載されていない旨主張する（審判請求書第６２頁〜第６３頁参照）。
　しかしながら、訂正後の本件発明１〜８は、形成するポリイミドが「一般式〔化１〕
　
から選ばれる構造単位を分子内に有」するものに限定されており、実施例９、１０にいう「３，３’、４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物」は、［化１］における
に対応するものであり、また、実施例９、１０にいう「４，４’−ジアミノジフェニルエーテル」、「パラミン」は、それぞれ、［化１］における
、
に対応するから、訂正後の本件発明１〜８におけるポリイミドと、実施例９、１０のポリイミドとは、構造単位において共通するものとなったため、本件発明１〜８について、実施例９、１０の記載から拡張乃至一般化できるといえるので、本件発明１〜８は、その実施をすることができる程度に明確かつ十分に発明の詳細な説明に記載されていないとはいえない。
　
８−２−２．吸水率、伸び率と線膨張係数との規定を共に満たすポリイミドの実施例がない点に基づく実施可能要件違反について
　請求人は、吸水率、伸び率と線膨張率との規定を共に満たすポリイミドについての実施例が無いから、これらに関する訂正前の本件特許の特許請求の範囲３、４、１１、１２に記載された発明は、発明の詳細な説明に当業者が実施できるように記載されていない旨主張する（審判請求書第６３〜６５頁参照）。
　しかしながら、訂正後の本件発明１〜８は、吸水率、伸び率と線膨張率との規定を共に満たすポリイミドに関するものではないから、当業者が実施をすることができる程度に明確かつ十分に発明の詳細な説明に記載されていないとはいえない。
　
８−２−３．無効理由２についてのまとめ
　以上の検討のとおり、本件発明１〜８は、その発明の属する分野における通常の知識を有するものが、その実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されていないとはいえない。
　したがって、本件発明１〜８についての特許は、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものとすることはできない。
　
８−３．無効理由３について
８−３−１．実施例と比較例のポリイミドとが重複する点に基づく、サポート要件違反について
　請求人は、訂正前の本件特許の特許請求の範囲に記載された発明は、実施例２等のポリイミドを用いる態様を含むが、上記態様が発明の課題を解決できないことは実施例２のポリイミドと重複するポリイミドを用いた比較例１の記載からみて明らかであるから、上記態様を含む訂正前の本件特許の特許請求の範囲に記載された発明は、発明の詳細な説明に記載された発明でない旨主張する（審判請求書第６５〜６７頁参照）。
　しかしながら、実施例２等は、酸成分がピロメリット酸二無水物に対応するポリイミドを用いているところ、訂正後の本件発明１〜８は、酸成分として、上記実施例２等とは異なる、
（３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物に対応するもの）としたポリイミドに関するものに限定しており、実施例２等のポリイミドを用いる態様は含まれないから、訂正後の本件発明１〜８は、発明の詳細な説明に記載された発明でないとはいえない。
　
８−３−２．吸水率、伸び率と線膨張率との規定を共に満たすポリイミドの実施例がない点に基づくサポート要件違反について
　請求人は、吸水率、伸び率と線膨張率との規定を共に満たすポリイミドについての実施例が無いから、これらに関する訂正前の本件特許の特許請求の範囲３、４、１１、１２に記載された発明は、発明の詳細な説明に記載された発明でない旨主張する（審判請求書第６７〜６９頁参照）。
　しかしながら、訂正後の本件発明１〜８は、吸水率、伸び率と線膨張率との規定を共に満たすポリイミドに関するものではないから、発明の詳細な説明に記載された発明でないとはいえない。
　
８−３−３．ステンレス箔の厚さが２５μｍ未満の実施例がない点に基づくサポート要件違反について
　請求人は、実施例におけるステンレス箔の厚さは２５μｍまたは３０μｍであるから、ステンレス箔の厚さについて、１０〜３０μｍと規定され、実施例の開示がない１０μｍ以上２５μｍ未満の場合を含む本件特許の特許請求の範囲に記載された発明は、発明の詳細な説明に記載された発明でない旨主張する（審判請求書第６９〜７０頁参照）。
　しかしながら、実施例により、１０〜３０μｍの厚さの範囲のステンレス箔を例示しているのであり、本件発明において規定する全ての数値範囲において、実施例が記載されていないからといって、ただちに本件発明が、発明の詳細な説明に記載された発明でないとはいえない。
　
８−３−４．無効理由３についてのまとめ
　以上の検討のとおり、本件発明１〜８は、発明の詳細な説明に記載したものでないとはいえない。
　したがって、本件発明１〜８についての特許は、特許法第３６条６項第１号の規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたということはできない。
　
９．むすび
　以上のとおり、本件発明１〜８についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるから、特許法第１２３条第１項第２号の規定に該当し、無効とすべきものである。
　審判に関する費用については、特許法第１６９条第２項で準用する民事訴訟法第６１条の規定により、被請求人が負担すべきものとする。
　よって、結論のとおり審決する。