【事件の表示】
　特願２００２−　６９３９３「第二高調波発生装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　９月２６日出願公開、特開２００３−２７３４５７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．本願発明
　本願は、平成１４年３月１４日の出願であって、その請求項１及び２に係る発明は、本願明細書の特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された事項によりそれぞれ特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりである。
「量子井戸活性層を有する半導体レーザ素子と、該半導体レーザ素子の一端面から発せられた光の波長を制御する波長制御手段と、制御された光を前記半導体レーザ素子に戻す光学系と、前記半導体レーザ素子の前記端面の反対側の端面に直接結合され前記制御された光の波長を1/2に変換して出射する波長変換素子とを備えた第二高調波発生装置であって、
　前記半導体レーザ素子の、共振器長が900μｍ以上であり、且つミラー損失が16ｃｍ-1以上であることを特徴とする第二高調波発生装置。」
　
２．引用例
（１）引用例１
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された特開２００１−３０８４５４号公報（以下、「引用例１」という。）には、図と共に次の記載がある。
　
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザから発せられたレーザビームを、光導波路型の光波長変換素子を用いて第２高調波等に変換する光波長変換モジュールに関し、特に詳細には、基本波光源としての半導体レーザの発振波長を波長選択光学素子により選択して、ロックするようにした光波長変換モジュールに関するものである。」
　
「【０１３７】次に図３２を参照して、本発明の第２５の実施形態について説明する。この第２５の実施形態の光波長変換モジュールは、図３１に示した光波長変換モジュールと比べると基本的に、ファイバーグレーティング23に代えて導波路型の波長選択光学素子200が用いられた点が異なるものである。この波長選択光学素子200は、例えばＭｇＯがドープされたＬｉＮｂＯ３  の結晶からなる基板201にチャンネル光導波路202が形成され、そしてこのチャンネル光導波路202に沿ってＤＢＲグレーティング203が形成されてなるものである。
【０１３８】本例では、半導体レーザ100の光波長変換素子15側の端面100ｅに反射率30％程度のコートが形成され、導波路型の波長選択光学素子200の半導体レーザ100側の端面200ｂには、反射率0.1％以下程度の低反射コートが形成されている。また、半導体レーザ100の波長選択光学素子200側の端面100ｄにも、反射率0.1％以下程度の低反射コートが形成されている。
【０１３９】このような構成の場合、半導体レーザ100はファブリペロモードでは発振せず、波長選択光学素子200を外部共振器の片側の共振器ミラーとして発振するようになる。なお、波長選択光学素子200の端面200ａにはほとんど光が到達しないが、この端面200ａに反射率0.1〜１％程度以下の低反射コートを施しておけば、不要反射の影響を防止できる。
【０１４０】本実施形態の光波長変換モジュールにおいて、半導体レーザ100の後方端面（図３２中の左端面）100ｄから出射した後方出射光は、波長選択光学素子200のチャンネル光導波路202に入射してそこを導波モードで伝搬し、ＤＢＲグレーティング203で反射回折して半導体レーザ100に戻る。このとき、ＤＢＲグレーティング203の波長選択作用により、反射回折するレーザビームの波長が選択される。このように波長選択されたレーザビームが半導体レーザ100にフィードバックすることにより、該半導体レーザ100の発振波長が選択、ロックされるので、安定した出力の第２高調波19を得ることができる。
【０１４１】以上説明した第２３、２４および２５の実施形態においても、基本波光源として、MQW活性層125の３つの量子井戸層の厚みがそれぞれ互いに異なる半導体レーザ100が用いられていることにより、MQW活性層125の全体の利得スペクトルが拡大し、より広い波長範囲において発振波長の選択、ロックが可能となっている。」
　
　そして、図３２から、半導体レーザ100の端面100ｄに波長選択光学素子200が直接結合され、半導体レーザ100の端面100ｅに光波長変換素子15が直接結合され、光波長変換素子15から第２高調波19を出力する光波長変換モジュールを見てとることができる。
　ここで、上記段落【０１３８】の記載から、上記半導体レーザ100の端面100ｅには、反射率30％程度のコートが形成され、半導体レーザ100の端面100ｄには、反射率0.1％以下程度の低反射コートが形成されていることが理解される。
　また、上記段落【０１４０】の前半部の記載から、上記半導体レーザ100の端面100ｄから出射した後方出射光は、波長選択光学素子200のチャンネル光導波路202に入射してそこを導波モードで伝搬し、ＤＢＲグレーティング203で反射回折して半導体レーザ100に戻り、このとき、ＤＢＲグレーティング203の波長選択作用により、反射回折するレーザビームの波長が選択されることが理解される。
　また、上記段落【０１４０】の後半部の記載から、このように波長選択されたレーザビームが半導体レーザ100にフィードバックすることにより、該半導体レーザ100の発振波長が選択、ロックされるので、光波長変換素子15から安定した出力の第２高調波19を得ることができると理解される。
　さらに、上記段落【０１４１】の記載から、上記半導体レーザ100は、量子井戸活性層を有するものであることが理解される。
　
　以上のことから、引用例１には、
「半導体レーザ100の一方の端面100ｄに波長選択光学素子200が直接結合され、前記半導体レーザ100の他方の端面100ｅに光波長変換素子15が直接結合されている光波長変換モジュールであって、
　前記半導体レーザ100は、量子井戸活性層を有し、　
　前記半導体レーザ100の前記他方の端面100ｅに反射率30％程度のコートが形成され、前記半導体レーザ100の前記一方の端面100ｄに反射率0.1％以下程度の低反射コートが形成されており、
　前記半導体レーザ100の前記一方の端面100ｄから出射した後方出射光は、前記波長選択光学素子200のチャンネル光導波路202に入射してそこを導波モードで伝搬し、ＤＢＲグレーティング203で反射回折して前記半導体レーザ100に戻り、このとき、前記ＤＢＲグレーティング203の波長選択作用により、反射回折するレーザビームの波長が選択され、
　このように波長選択されたレーザビームが前記半導体レーザ100にフィードバックすることにより、前記半導体レーザ100の発振波長が選択、ロックされるので、前記光波長変換素子15から安定した出力の第２高調波19を得ることができる光波長変換モジュール。」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
（２）引用例２
　同じく、原査定の拒絶の理由に引用された特開平６−３７３８６号公報（以下、「引用例２」という。）には、図と共に次の記載がある。
 　
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高出力と長寿命を有する半導体レーザに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、高出力を有するダブルヘテロ接合構造の半導体レーザの改良が数多くなされている。その中で例えば特開平２−２２４２８８号公報で開示された半導体レーザを図７に示す。図７はその半導体レーザの斜視図である。この図に於て、半導体基板３１上に電流阻止層３２が形成され、その表面にストライプ溝３３が形成されている。」
　
「【０００４】更に従来、ストライプ溝３３の長手長さは６００μｍ位であるが、この位の長さの半導体レーザを高出力で発光させると寿命が短くなる。本発明者がこの原因を究明したところ、活性層の動作電流密度（半導体レーザを流れる電流値を活性層の面積で割った値）が比較的大きいため、発光に寄与しない電流が熱エネルギーに変わる割合が大きくなり端面破壊を起こす事が判った。以上の２つの欠点により、この半導体レーザを出力１５０ｍＷにて雰囲気温度５０°Ｃで連続運転すると、約４００時間後に著しく出力が低下する。故に本発明は上述の欠点に鑑みてなされたもので、端面近傍の活性層の温度上昇を抑えかつストライプ溝の長さを最適化することにより、高出力かつ長寿命の半導体レーザを提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上述の課題を解決するために、半導体基板上に電流阻止層を形成し、端面近傍で電流が流れず中央近傍で電流が流れる様にストライプ層を形成する。電流阻止層上にクラッド層と活性層と表面電極を形成する。表面電極として、活性層の巾全体に広がる中央部電極、およびストライプ溝の上方に位置しかつストライプ溝の巾より大きく中央部電極の巾より小さい巾を有する端部電極を形成する。本発明は更に望しくは、ストライプ溝の長手長さを９５０乃至１４００μｍとするものである。」
　
「【００１６】次に本実施例の半導体レーザに於ける最大光出力の特性を図５に従って説明する。横軸は共振器長、すなわちストライプ溝３の長さ（μｍ）である。縦軸は最大光出力（ｍｗ）である。実験の結果、この特性は端部電極１１の巾Ｄや長さＥには依存しない事が判った。この図より共振器長が９５０μｍ以上になると最大光出力はほとんど飽和する事が判った。
【００１７】更に本実施例の半導体レーザに於ける動作電流密度の特性を示す。横軸は共振器長（μｍ）で、縦軸は動作電流密度（ｋＡ／ｃｍ2）（半導体レーザを流れる電流値を電流が流れている活性層の面積で割った値）を示す。この図に於て、共振器長が９５０〜１４００μｍの場合、動作電流密度が６ｋＡ／ｃｍ2より小さい事が判かる。そして共振器長が９５０μｍ未満又は１４００μｍを越えると動作電流密度が大きくなり、発光に寄与しない電流が熱エネルギーに変わる。この熱エネルギーは端面近傍４のストライプ溝３の下の電流阻止層２の温度上昇を招き、端面破壊を起こし、寿命が短かくなる。これに対し、共振器長が９５０〜１４００μｍならば、出力１５０ｍｗ、雰囲気温度５０°Ｃで連続発振２０００時間を達成することができる。」
「【００１８】
【発明の効果】本発明は上述の様に、ストライプ溝の上方に位置しかつストライプ溝の巾より大きい端部電極を設ける。故に端面近傍で温度上昇した活性層はこの端部電極を通じて放熱し易いので端面破壊を防止できる。そして端部電極の巾を中央部電極の巾より小さく設けているので、端面の劈開が容易となるから端面に段差とか傷が発生しない。
【００１９】本発明は更に望しくは、ストライプ溝の長手長さを９５０乃至１４００μｍに設ける事により、活性層の動作電流密度が小さくなるので、発光に寄与しない電流が変換されて熱エネルギーになる割合が小さくなる。故に端面近傍のストライプ溝の下の電流阻止層の温度上昇が小さくなり、端面破壊を防止できるので寿命が長くなる。」
　
　以上の記載から、引用例２には、半導体レーザの寿命を長くするために、半導体レーザの共振器長を９５０〜１４００μｍとすることが記載されているものと認められる。
　
３．対比・判断
　本願発明と引用発明を対比する。
ａ．引用発明の「半導体レーザ100」は、量子井戸活性層を有しており、本願発明の「量子井戸活性層を有する半導体レーザ素子」に相当する。
ｂ．引用発明の「ＤＢＲグレーティング203」は、半導体レーザ100の一方の端面100ｄから出射した光を反射回折し、そのとき、波長選択作用により反射回折するレーザビームの波長を選択するものであるから、本願補正発明の「半導体レーザ素子の一端面から発せられた光の波長を制御する波長制御手段」に相当する。
ｃ．引用発明の「チャンネル光導波路202」は、ＤＢＲグレーティング203で反射回折して半導体レーザ100に戻る光を伝搬させるものであるから、本願発明の「制御された光を前記半導体レーザ素子に戻す光学系」に相当する。
ｄ．引用発明の「光波長変換素子15」は、半導体レーザ100の他方の端面100ｅに直接結合され、ＤＢＲグレーティング203により選択、ロックされた半導体レーザ100の発振波長の第２高調波19を出力するものであるから、本願発明の「前記半導体レーザ素子の前記端面の反対側の端面に直接結合され前記制御された光の波長を1/2に変換して出射する波長変換素子」に相当する。
ｅ．引用発明の「光波長変換モジュール」は、第２高調波19 を得るものであるから、本願発明と同様に「第二高調波発生装置」であるといえる。
　
　以上のことから、本願発明と引用発明は、ともに、
「量子井戸活性層を有する半導体レーザ素子と、該半導体レーザ素子の一端面から発せられた光の波長を制御する波長制御手段と、制御された光を前記半導体レーザ素子に戻す光学系と、前記半導体レーザ素子の前記端面の反対側の端面に直接結合され前記制御された光の波長を1/2に変換して出射する波長変換素子とを備えた第二高調波発生装置。」の発明である点で一致し、次の点で相違する。
　
　相違点；本願発明は、「前記半導体レーザ素子の、共振器長が900μｍ以上であり、且つミラー損失が16ｃｍ-1以上である」とされているのに対し、引用発明の共振器長及びミラー損失が不明である点。
　
　上記相違点について検討する。
　半導体レーザの寿命を長くするために、半導体レーザの共振器長を９５０〜１４００μｍとすることが上記引用例２に記載されているように知られているから、引用発明の半導体レーザの共振器長として900μｍ以上の長さである上記の長さを採用することは、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　ここで、共振器長として上記引用例２に記載の１４００μｍ、端面反射率として引用発明の30％及び0.1％をそれぞれ採用して、ミラー損失を計算するに、
　ミラー損失は、平成１８年１０月３０日提出の意見書において、次の式で得られるものであるとされているので、
　　αm＝1／（2・Lc）・ｌｎ（1／（R1・R2））
　（αm：ミラー損失、Lc：共振器長、R1,R2：端面反射率）
　この式に上記数値を代入すると、ミラー損失は、
　αm＝1／（2・0.14ｃｍ）・ｌｎ（1／（0.3・0.001））
　　　≒3.57・ｌｎ（3333）≒3.57・8.11≒29.0ｃｍ-1となり、本願発明が規定する16ｃｍ-1以上である。
　ミラー損失は、上記式から、共振器長が長いほど小さく、また、端面反射率が大きいほど小さいことが理解されるから、共振器長として１４００μｍより短い９５０〜１４００μｍを採用し、また、引用発明の低反射コートの反射率として0.1％より小さいものを採用した場合には、ミラー損失は、上記29.0ｃｍ-1よりさらに大きな値となり、明らかに16ｃｍ-1以上である。
　したがって、結局、本願発明は、引用発明において、半導体レーザ100の共振器長を引用例２に記載される９５０〜１４００μｍとしたものに外ならず、共振器長をそのようにすることは、上記のとおり当業者が容易に想到し得たものである。
　また、本願発明が奏するとする効果についても当業者が引用例１及び２に基づいて予測可能なものであって格別なものとはいえない。
　
４．むすび
　以上のとおりであって、本願発明は、引用例１に記載された発明に引用例２に記載された技術事項を適用することにより当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。