【手続補正書】
【提出日】平成27年6月4日(2015.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電荷蓄積領域と、前記第１電荷蓄積領域と隣り合って配置された第２電荷蓄積領域と、前記第１電荷蓄積領域の電荷を転送するための第１転送ゲートと、前記第１転送ゲートと隣り合って配置された、前記第２電荷蓄積領域の電荷を転送するための第２転送ゲートとを有し、前記第１電荷蓄積領域および前記第２電荷蓄積領域が前記第１転送ゲートの下の領域と前記第２転送ゲートの下の領域との間に配置された固体撮像装置の製造方法であって、
前記第１転送ゲートおよび前記第２転送ゲートが形成された半導体基板を準備する準備工程と、
前記半導体基板の上に、前記第１電荷蓄積領域を形成すべき第１領域にイオンを注入するための第１開口、前記第２電荷蓄積領域を形成すべき第２領域にイオンを注入するための第２開口、および、前記第１開口と前記第２開口との間に配置された壁部を有するレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、
前記第１開口および前記第２開口を通して前記半導体基板にイオンを注入して前記第１電荷蓄積領域および前記第２電荷蓄積領域を形成する電荷蓄積領域形成工程と、を含み、
前記第１領域は、前記第１転送ゲートの下方に配置された第１部分を含み、前記第２領域は、前記第２転送ゲートの下方に配置された第２部分を含み、
前記電荷蓄積領域形成工程は、
前記第１領域の一部であって前記第１部分を含む部分と、前記第２領域の一部分とにイオンが注入されるように前記半導体基板にイオンを注入する第１注入工程と、
前記第１領域の一部分と、前記第２領域の一部であって前記第２部分を含む部分とにイオンが注入されるように前記半導体基板にイオンを注入する第２注入工程と、を含む、
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項２】
前記電荷蓄積領域形成工程は、前記第１注入工程および前記第２注入工程でイオンが注入される領域よりも深い領域にイオンを注入する第３注入工程を更に含み、
前記第３注入工程におけるイオン注入方向の前記半導体基板の表面の法線に対する角度は、前記第１注入工程および前記第２注入工程におけるイオン注入方向の前記法線に対する角度より小さい、
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１電荷蓄積領域が形成される領域の上に前記第１電荷蓄積領域の導電型とは逆の導電型の第１表面層を形成し、前記第２電荷蓄積領域が形成される領域の上に前記第２電荷蓄積領域の導電型とは逆の導電型の第２表面層を形成する表面層形成工程を更に含む、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項４】
前記表面層形成工程では、前記第１表面層を形成する工程と前記第２表面層を形成する工程とを別々に実施する、
ことを特徴とする請求項３に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項５】
前記半導体基板の表面の法線方向から見た平面視において、前記第１表面層が前記第１転送ゲートの前記第１表面層の側の側面から離隔していて、前記第２表面層が前記第２転送ゲートの前記第２表面層の側の側面から離隔している、
ことを特徴とする請求項４に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項６】
前記表面層形成工程では、前記第１表面層と前記第２表面層とが相互に接続されるように前記第１表面層および前記第２表面層を形成する、
ことを特徴とする請求項３乃至５のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１表面層および前記第２表面層のうち前記第１表面層と前記第２表面層とが相互に接続された部分は、前記第１表面層および前記第２表面層のうち他の部分よりも不純物濃度が高い、
ことを特徴とする請求項６に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項８】
前記半導体基板の表面の法線方向から見た平面視において、前記第１電荷蓄積領域と前記第２電荷蓄積領域との間の領域を基準に、第１方向に前記第１電荷蓄積領域および前記第１転送ゲートが配置され、前記第１方向とは反対方向である第２方向に前記第２電荷蓄積領域および前記第２転送ゲートが配置されている、
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１電荷蓄積領域および前記第２電荷蓄積領域に対して共通のマイクロレンズを形成する工程を更に含む、
ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第１電荷蓄積領域と前記第２電荷蓄積領域との間隔が０．３μｍ〜０．６μｍの範囲内である、
ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１１】
第１電荷蓄積領域と、第２電荷蓄積領域と、前記第１電荷蓄積領域の電荷を転送するための第１転送ゲートと、前記第２電荷蓄積領域の電荷を転送するための第２転送ゲートとを有する固体撮像装置の製造方法であって、
半導体基板の上にゲート絶縁膜を介して前記第１転送ゲートおよび前記第２転送ゲートを形成する転送ゲート形成工程と、
前記第１転送ゲートおよび前記第２転送ゲートが形成された前記半導体基板の上に、前記第１電荷蓄積領域を形成すべき領域にイオンを注入するための第１開口および前記第２電荷蓄積領域を形成すべき領域にイオンを注入するための第２開口が壁部を挟んで配置されたレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、
前記第１開口および前記第２開口を通して前記半導体基板にイオンを注入して前記第１電荷蓄積領域および前記第２電荷蓄積領域を形成する電荷蓄積領域形成工程と、
前記第１電荷蓄積領域および前記第２電荷蓄積領域に対して共通のマイクロレンズを形成する工程と、を含み、
前記電荷蓄積領域形成工程は、前記第１転送ゲートの下方にイオンが注入されるように前記半導体基板にイオンを注入する第１注入工程と、前記第２転送ゲートの下方にイオンが注入されるように前記半導体基板にイオンを注入する第２注入工程と、を含む、
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項１２】
第１電荷蓄積領域と、第２電荷蓄積領域と、前記第１電荷蓄積領域の電荷を転送するための第１転送ゲートと、前記第２電荷蓄積領域の電荷を転送するための第２転送ゲートとを有する固体撮像装置であって、
前記第１電荷蓄積領域の上に配置され、前記第１電荷蓄積領域の導電型とは逆の導電型を有する第１表面層と、
前記第２電荷蓄積領域の上に配置され、前記第２電荷蓄積領域の導電型とは逆の導電型を有する第２表面層と、を備え、
前記第１表面層と前記第２表面層とが相互に接続されている、
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項１３】
前記第１表面層および前記第２表面層のうち前記第１表面層と前記第２表面層とが相互に接続された部分は、前記第１表面層および前記第２表面層のうち他の部分よりも不純物濃度が高い、
ことを特徴とする請求項１２に記載の固体撮像装置。
【請求項１４】
前記第１電荷蓄積領域および前記第２電荷蓄積領域に対して共通に設けられたマイクロレンズを更に備える、
ことを特徴とする請求項１２又は１３に記載の固体撮像装置。
【請求項１５】
前記第１電荷蓄積領域、前記第２電荷蓄積領域、前記第１表面層および前記第２表面層が配置された半導体基板の表面の法線方向から見た平面視において、前記第１電荷蓄積領域と前記第２電荷蓄積領域との間の領域を基準に、第１方向に前記第１電荷蓄積領域および前記第１転送ゲートが配置され、前記第１方向とは反対方向である第２方向に前記第２電荷蓄積領域および前記第２転送ゲートが配置されている、
ことを特徴とする請求項１２乃至１４のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１６】
前記第１電荷蓄積領域および前記第２電荷蓄積領域の各々が、上側電荷蓄積領域と、前記上側電荷蓄積領域の下方に配置された下側電荷蓄積領域とを含み、
前記上側電荷蓄積領域の幅が前記下側電荷蓄積領域の幅より広い、
ことを特徴とする請求項１２乃至１５のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１７】
前記第１電荷蓄積領域の前記上側電荷蓄積領域は、前記第１転送ゲートの下方に配置された部分を含み、前記第２電荷蓄積領域の前記上側電荷蓄積領域は、前記第２転送ゲートの下方に配置された部分を含む、
ことを特徴とする請求項１６に記載の固体撮像装置。
【請求項１８】
請求項１２乃至１７のいずれか１項に記載の固体撮像装置と、
前記固体撮像装置から出力される信号を処理する処理部と、
を備えることを特徴とするカメラ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の１つの側面は、第１電荷蓄積領域と、前記第１電荷蓄積領域と隣り合って配置された第２電荷蓄積領域と、前記第１電荷蓄積領域の電荷を転送するための第１転送ゲートと、前記第１転送ゲートと隣り合って配置された、前記第２電荷蓄積領域の電荷を転送するための第２転送ゲートとを有し、前記第１電荷蓄積領域および前記第２電荷蓄積領域が前記第１転送ゲートの下の領域と前記第２転送ゲートの下の領域との間に配置された固体撮像装置の製造方法に係り、前記製造方法は、前記第１転送ゲートおよび前記第２転送ゲートが形成された半導体基板を準備する準備工程と、前記半導体基板の上に、前記第１電荷蓄積領域を形成すべき第１領域にイオンを注入するための第１開口、前記第２電荷蓄積領域を形成すべき第２領域にイオンを注入するための第２開口、および、前記第１開口と前記第２開口との間に配置された壁部を有するレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、前記第１開口および前記第２開口を通して前記半導体基板にイオンを注入して前記第１電荷蓄積領域および前記第２電荷蓄積領域を形成する電荷蓄積領域形成工程と、を含み、前記第１領域は、前記第１転送ゲートの下方に配置された第１部分を含み、前記第２領域は、前記第２転送ゲートの下方に配置された第２部分を含み、前記電荷蓄積領域形成工程は、前記第１領域の一部であって前記第１部分を含む部分と、前記第２領域の一部分とにイオンが注入されるように前記半導体基板にイオンを注入する第１注入工程と、前記第１領域の一部分と、前記第２領域の一部であって前記第２部分を含む部分とにイオンが注入されるように前記半導体基板にイオンを注入する第２注入工程と、を含む。