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　特願２００３−１３７０５２「発光素子の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　４月２２日出願公開、特開２００４−１２８４５２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１５年５月１５日（優先権主張平成１４年７月３１日）の出願であって、平成１９年１２月２１日に手続補正がなされたところ、平成２０年３月２８日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年５月７日に拒絶査定不服審判請求がなされ、同年６月３日に手続補正がなされたものである。
　
　そして、その請求項に係る発明は、平成２０年６月３日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１〜１３に記載された事項により特定されるものであると認められるところ、請求項１に係る発明は次のものである。
　
「単結晶基板上に、それぞれＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる発光層部と電流拡散層とを形成し、前記発光層部に発光駆動電圧を印加するための電極を形成する発光素子の製造方法において、
　前記単結晶基板上に前記発光層部を有機金属気相成長法により形成する第一の気相成長工程と、
　該第一の気相成長工程の後に、前記有機金属気相成長法とは異なるハイドライド気相成長法により、前記電流拡散層をｎ型半導体層として形成する第二の気相成長工程とを有し、
　前記電流拡散層の前記電極を形成する側の主表面を含む表層部に、多数キャリアを生じさせるためのドーパントのキャリア濃度が前記電流拡散層内の残余の部分よりも高くされた、高濃度ドーピング層を形成するとともに、
　前記電流拡散層は、ドーパントをＳｉ、Ｓ、ＳｅおよびＴｅの１種または２種以上としたｎ型半導体層として形成され、前記ドーパントのキャリア濃度が、前記高濃度ドーピング層において１×１０１８／ｃｍ３以上５×１０１９／ｃｍ３以下、前記残余の部分において１×１０１７／ｃｍ３以上１×１０１８／ｃｍ３以下とされ、
　前記発光層部は、２種以上のＩＩＩ族元素を含む（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ（ただし、０≦ｘ≦１，０＜ｙ≦１）にて構成されるｎ型クラッド層、活性層及びｐ型クラッド層が前記電極側からこの順序にて積層されたダブルへテロ構造を有し、
　前記単結晶基板はオフアングルを有するものが使用されるとともに、該単結晶基板は、＜１００＞方向を基準方向として、前記オフアングルが１０°以上２０°以下の主軸を有するＧａＡｓ単結晶基板であることを特徴とする発光素子の製造方法。」（以下「本願発明」という。）
　
　
２　引用刊行物の記載事項
（１）引用刊行物
　本願の優先日前に頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である特開平９−１８６３６０号公報（以下「引用刊行物」という。）には、図とともに下記の事項が記載されている。
　
ア　「【特許請求の範囲】
　・・・
【請求項２】  ＧａＡｓ基板上に（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰからなるダブルヘテロ接合発光構造を備えた発光ダイオードであって、ＧａＡｓ基板上に多層膜の積層体から成る反射層を備え、該反射層の上に組成勾配層を介してダブルヘテロ接合発光構造を備え、該ダブルヘテロ接合を構成する各層がエピタキシャル成長温度においてＧａＡｓ基板に対して格子整合しており、該ダブルヘテロ接合発光構造の基板と反対側のクラッド層の上にＧａＰからなる電流拡散層を有し、ＧａＡｓ基板上及び電流拡散層上にオーミック電極を備えたことを特徴とするＡｌＧａＩｎＰ発光ダイオード。
【請求項３】  ＧａＡｓ基板上に（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰからなるダブルヘテロ接合発光構造を備えた発光ダイオードであって、ＧａＡｓ基板とダブルヘテロ接合発光構造との間に多層膜の積層体から成る反射層を備え、該ダブルヘテロ接合を構成する各層がエピタキシャル成長温度においてＧａＡｓ基板に対して格子整合しており、該ダブルヘテロ接合発光構造の基板と反対側のクラッド層の上に格子不整合緩和層を介してＧａＰからなる電流拡散層を有し、ＧａＡｓ基板上及び電流拡散層上にオーミック電極を備えたことを特徴とするＡｌＧａＩｎＰ発光ダイオード。」
　
イ　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は化合物半導体発光ダイオードにかかわり、特に発光効率の高い黄色ないし橙色の発光を呈する（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ４元混晶ダブルヘテロ構造を有する半導体発光ダイオードに関するものである。」
　
ウ　「【００２６】次に、本発明のＬＥＤに用いるエピタキシャルウエーハの他の構成要件を順を追って説明する。まず、基板としては発光層であるＡｌＧａＩｎＰと格子整合が得られ、良質の結晶が容易に入手可能な材料とし、ＧａＡｓを選択する。電気伝導型はｐ型を用いる。ｐ型基板を用いると基板と反対側は必然的にｎ型となる。・・・基板結晶の面方位は（１００）でも良く、または傾斜方位のものでも良い。
【００２７】基板の上には基板からの不純物の拡散を防止し、結晶欠陥の影響を排除するために、ＧａＡｓのバッファー層を載置する。・・・
【００２８】基板側向かった光を有効に取り出すためにバッファ層とＡｌＧａＩｎＰダブルヘテロ構造の間に、ＡｌＧａＡｓ多層構造からなるブラッグ反射層（ＤＢＲ）を使用する。
　・・・
【００３０】キャリア注入に対する抵抗を減少させるために、ＤＢＲと下部クラッド層の間にバンドギャップ勾配層を設ける事が効果的である。・・・
【００３１】さらに、上部クラッド層とＧａＰ電流拡散層の間にＡｌＧａＩｎＰからなる格子不整合緩和層を設ける事も輝度の増加や信頼性の向上にとって効果がある。・・・
【００３２】上部クラッド層の上にはＧａＰからなる電流拡散層を成長する。電流拡散層の材質としては本素子の発光層であるＡｌＧａＩｎＰのいかなる組成よりバンドギャップエネルギーの大きなＧａＰが光学的には適している。・・・
【００３３】ＧａＰ電流拡散層の厚さは、発光層全面にわたる注入電流の拡散が得られるようにある程度以上の厚さが必要であるが、実施例によれば有効な厚さは３０から３００μｍの範囲であり、これ以上の厚さによる大きな素子輝度の増加は得られない。伝導型は上部クラッド層と同一であり、従って基板とは反対の極性を有する。必要な極性を得る添加不純物種についての限定は無いが、３０から３００μｍの厚さを得るため有効な成長方法としては気相成長法（ＶＰＥ）があり、ｎ型ＧａＰを得るためにはＴｅのアルキル化合物または硫化水素を用いるのがよい。・・・キャリア濃度は上部クラッド層より高い事が必要であるが、電流拡散層の結晶性を保つためには、５×１０１７から５×１０１８ｃｍ−３が適当である。なお、電流拡散効果を高め、かつ上部クラッド層への不純物の拡散を防止するためキャリア濃度を上部クラッド層との界面から上部電極に向かって徐々に増加させる事も有効である。・・・
【００３４】以上のようにして載置したＧａＰ電流拡散層の上に（コンタクト層を介して）オーミック電極を形成する。また、ＧａＡｓ基板の表面にもオーミック電極を形成してＬＥＤ素子とする。・・・」
　
エ　「【００３６】
【実施例】次に本発明の実施例を示す。
（実施例１）ｎ型ＧａＡｓ基板上に６２０ｎｍの発光層を持つＡｌＧａＩｎＰダブルヘテロ接合構造を有するＬＥＤを作った。各層の構成を図１に示す。基板１としてはＳｉドープのｎ型ＧａＡｓ単結晶を使用した。・・・
【００３７】次に、（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰダブルヘテロ接合発光構造を形成した。発光波長を６２０ｎｍとするため、活性層６のバンドギャップエネルギーをＥｇ＝２．００ｅＶに設定した。また、下クラッド層５及び上クラッド層７ではキャリアの閉じ込め効果と発光に対する透明性を確保するためバンドギャップエネルギーは活性層６よりも０．２９ｅＶ大きなＥｇ＝２．２９ｅＶに設定した。この結果、各層のＡｌ混晶比ｘは活性層６ではｘ＝約０．１７、下クラッド層５及び上クラッド層７ではｘ＝約０．７となる。
【００３８】次に、ダブルヘテロ接合発光構造部のエピタキシャル成長を７８０℃で行なうこととし、この成長温度で格子定数がＧａＡｓ基板と完全に整合するようにした。・・・前述のバンドギャップエネルギーと上記格子定数の条件を満たすｘ、ｙを本発明の主旨に従って計算した結果、活性層６の組成は（Ａｌ０．１７００Ｇａ０．８３００)０．４９４６Ｉｎ０．５０５４Ｐ、下クラッド層５及び上クラッド層７の結晶組成は（Ａｌ０．７０００Ｇａ０．３０００）０．４９２０Ｉｎ０．５０８０Ｐとなった。上記組成の結晶が得られるようＭＯＣＶＤ工程の原料ガスの混合比を制御することにより、結晶の組成を変化させた。原料ガスとしては、ＴＭＡｌ、ＴＭＧａ、ＴＭＩｎ、ＤＥＺｎ、アルシン、ホスフィン、セレン化水素を用いた。各層の伝導型は下クラッド層５はＳｅドープのｎ型、活性層６はアンドープ、上クラッド層７はＺｎドープのｐ型とした。・・・」
　
オ　「【００４４】（実施例２）ｐ型ＧａＡｓ基板上に６２０ｎｍの発光層を持つＡｌＧａＩｎＰダブルヘテロ接合構造を有するＬＥＤを作った。基板１としてはＺｎドープのｐ型ＧａＡｓ単結晶を使用した。キャリア濃度は５．０×１０１８ｃｍ−３である。面方位は（１００）４度ｏｆｆとした。基板上にＭＯＣＶＤを利用してエピタキシャル層を成長させた。先ず、基板１上にＧａＡｓバッファー層２を成長させた。・・・バッファー層２の上にＤＢＲ反射層３を積載した。・・・
【００４５】次に、（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰダブルヘテロ接合発光構造を形成した。発光波長を６２０ｎｍとするためダブルヘテロ発光構造は、活性層６、下クラッド層５及び上クラッド層７の導電型を実施例１とは逆にした以外は実施例１と同一である。
【００４６】更に上記ダブルヘテロ発光構造部の上にＧａＰからなる電流拡散層を設けた。ＧａＰ電流拡散層はＳｅドープのｎ型で厚さは１００μｍ、キャリア濃度は５×１０１７ｃｍ−３、比抵抗は０．１Ω・ｃｍであった。最後に上クラッド層７の上にＳｅドープのｎ型ＧａＡｓコンタクト層９を厚さ０．３μｍ成長させた。・・・この上に（Ａｕ−Ｂｅ）／Ａｕを蒸着し、オーミック電極１０を形成した。また、基板裏面には（Ａｕ−Ｇｅ）／Ａｕでオーミック電極１１を形成してＬＥＤとした。」
　
カ　「【００４８】（実施例３）実施例２において、ＤＢＲ反射層とダブルヘテロ構造部との間にバンドギャップ勾配層挿入し、注入抵抗の低下を計った。・・・」
　
キ　「【００５０】（実施例４）実施例３において、さらにダブルヘテロの上クラッド層と電流拡散層との間に、格子不整合の悪影響を緩和するための不整合緩和層を設けた。・・・」
　
ク　「【００５８】（実施例９）実施例４において、ＧａＡｓ基板の角度を（１００）面４度ｏｆｆから１５度ｏｆｆへと大きくした。この結果、波長６２０ｎｍ、電流２０ｍＡでの発光出力は１７０ａ．ｕ．であり、ＶF ＝１．９０Ｖ、１０００時間通電後の劣化試験結果での発光強度の劣化は９８％であった。特性を表６に併記する。ＧａＡｓ基板の面方位を（１００）から大きく傾斜させた事により実施例４と同様の構造で光出力が約３倍となっている。」
　
ケ　「【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例１の断面構造を示す図である。
【図２】本発明の実施例３の断面構造を示す図である。
【図３】本発明の実施例４の断面構造を示す図である。
　・・・
【符号の説明】
　・・・
４  組成勾配層
　・・・
８  電流拡散層
　・・・
１２  不整合緩和層」
　
コ  上記ア〜クから、引用刊行物には、「ＡｌＧａＩｎＰ発光ダイオードの製造方法」が記載されている、といえる。
　
サ　上記エ、オ〜ケに照らして図３を見ると、「（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰダブルヘテロ接合発光構造」は、オーミック電極１０からみて、ｎ型上クラッド層７、活性層６及びｐ型下クラッド層５がこの順で積層されてなること、が見て取れる。
　
シ　上記カ〜クによると、「（実施例３）」は、「実施例２において、ＤＢＲ反射層とダブルヘテロ構造部との間にバンドギャップ勾配層」を「挿入」するものであり、「（実施例４）」は、「実施例３において、さらにダブルヘテロの上クラッド層と電流拡散層との間に、・・・不整合緩和層を設け」るものであり、「（実施例９）」は、「実施例４において、ＧａＡｓ基板の角度を（１００）面４度ｏｆｆから１５度ｏｆｆへと大きく」なすものであるから、引用刊行物には、
（ア）「ｐ型ＧａＡｓ単結晶基板」が、面方位を（１００）面１５度ｏｆｆとしたものであること、
（イ）「ＤＢＲ反射層３」積載後、「バンドギャップ勾配層」を挿入して「（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰダブルヘテロ接合発光構造」を形成すること、
（ウ）ダブルへテロの「上クラッド層７」上に「不整合緩和層１２」を設け、その上に「ＧａＰ電流拡散層８」を設けること、
が記載されているといえる。
　
　よって、これらの記載を総合すると、引用刊行物には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「面方位を（１００）面１５度ｏｆｆとしたｐ型ＧａＡｓ単結晶基板上に、ＭＯＣＶＤを利用してエピタキシャル層を成長させてＬＥＤを作るＡｌＧａＩｎＰ発光ダイオードの製造方法であって、
　先ずＧａＡｓバッファー層２を成長させ、
　該バッファー層２の上にＤＢＲ反射層３を積載し、
　次に、バンドギャップ勾配層を挿入して（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰダブルヘテロ接合発光構造を形成し、
　前記ダブルヘテロ発光構造は、前記オーミック電極１０からみて、ｎ型上クラッド層７、活性層６及びｐ型下クラッド層５がこの順で積層されてなり、
　前記ダブルへテロの上クラッド層７上に不整合緩和層１２を設け、
　その上にＧａＰ電流拡散層８を設け、
　最後にｎ型ＧａＡｓコンタクト層９を成長させ、この上にオーミック電極１０を形成し、また、基板裏面にはオーミック電極１１を形成してＬＥＤとし、
　ＧａＰ電流拡散層８はＳｅドープのｎ型で厚さは１００μｍ、キャリア濃度は５×１０１７ｃｍ−３である、ＡｌＧａＩｎＰ発光ダイオードの製造方法。」
　
　
３　対比、判断
　本願発明と引用発明１を対比する。
　
（１）引用発明１の「ＭＯＣＶＤ」、「ＡｌＧａＩｎＰ発光ダイオード」、「（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰダブルヘテロ接合発光構造」、「ＧａＰ電流拡散層８」及び「『オーミック電極１０』及び『オーミック電極１１』」は、それぞれ、本願発明の「有機金属気相成長法」、「発光素子」、「ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる発光層部」、「電流拡散層」及び「前記発光層部に発光駆動電圧を印加するための電極」に相当する。
　
（２）引用発明の「ｐ型ＧａＡｓ単結晶基板」は、「面方位を（１００）面１５度ｏｆｆとした」ものであるから、
ア　引用発明の「ｐ型ＧａＡｓ単結晶基板」は、本願発明の「ＧａＡｓ単結晶基板」に相当するとともに、
イ　引用発明の「ｐ型ＧａＡｓ単結晶基板」は、本願発明の「＜１００＞方向を基準方向として、前記オフアングルが１０°以上２０°以下の主軸を有する」との事項を備える。また、
ウ　引用発明は、本願発明の「前記単結晶基板はオフアングルを有するものが使用され」との事項を備える。
　
（３）引用発明は、「・・・ｐ型ＧａＡｓ単結晶基板上に、・・・エピタキシャル層を成長させてＬＥＤを作るＡｌＧａＩｎＰ発光ダイオードの製造方法であって、・・・（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰダブルヘテロ接合発光構造を形成し、・・・ＧａＰ電流拡散層８を設け、・・・オーミック電極１０を形成し、また、基板裏面にはオーミック電極１１を形成」するものであるから、
ア　引用発明の「ＡｌＧａＩｎＰ発光ダイオードの製造方法」は、本願発明の「発光素子の製造方法」に相当するとともに、
イ　引用発明の「ＡｌＧａＩｎＰ発光ダイオードの製造方法」は、本願発明の「単結晶基板上に、それぞれＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる発光層部と電流拡散層とを形成し、前記発光層部に発光駆動電圧を印加するための電極を形成する」との事項を備える。
　
（４）引用発明は、「ｐ型ＧａＡｓ単結晶基板上に、ＭＯＣＶＤを利用してエピタキシャル層を成長させてＬＥＤを作るＡｌＧａＩｎＰ発光ダイオードの製造方法であって、・・・（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰダブルヘテロ接合発光構造を形成」するものであるから、引用発明の「ＡｌＧａＩｎＰ発光ダイオードの製造方法」は、本願発明の「前記単結晶基板上に前記発光層部を有機金属気相成長法により形成する第一の気相成長工程」を有する、といえる。
　
（５）引用発明の「ダブルヘテロ発光構造」は、「オーミック電極１０からみて、ｎ型上クラッド層７、活性層６及びｐ型下クラッド層５がこの順で積層されてな」るものであるから、
ア　引用発明の「ｎ型上クラッド層７」、「活性層６」及び「ｐ型下クラッド層５」は、それぞれ、本願発明の「ｎ型クラッド層」、「活性層」及び「ｐ型クラッド層」に相当するとともに、
イ　引用発明は、本願発明の「前記発光層部は、２種以上のＩＩＩ族元素を含む（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ（ただし、０≦ｘ≦１，０＜ｙ≦１）にて構成されるｎ型クラッド層、活性層及びｐ型クラッド層が前記電極側からこの順序にて積層されたダブルへテロ構造を有し」との事項を備える。
　
（６）引用発明の「ＧａＰ電流拡散層８」は、「Ｓｅドープのｎ型で・・・キャリア濃度は５×１０１７ｃｍ−３である」から、引用発明は、本願発明の「前記電流拡散層は、ドーパントをＳｉ、Ｓ、ＳｅおよびＴｅの１種または２種以上としたｎ型半導体層として形成され」との事項を備える。
　
（７）引用発明の「ＡｌＧａＩｎＰ発光ダイオードの製造方法」は、「ｐ型ＧａＡｓ単結晶基板上に、ＭＯＣＶＤを利用してエピタキシャル層を成長させてＬＥＤを作る」ものであるから、引用発明の「（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰダブルヘテロ接合発光構造を形成し」、「ＧａＰ電流拡散層８を設け」との事項は、本願発明の「該第一の気相成長工程の後に、前記有機金属気相成長法とは異なるハイドライド気相成長法により、前記電流拡散層をｎ型半導体層として形成する第二の気相成長工程とを有し」との事項と、「該第一の気相成長工程の後に、前記電流拡散層をｎ型半導体層として形成する第二の気相成長工程とを有し」との点で一致する。
　
　したがって、本願発明と引用発明とは、　  
「単結晶基板上に、それぞれＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる発光層部と電流拡散層とを形成し、前記発光層部に発光駆動電圧を印加するための電極を形成する発光素子の製造方法において、
　前記単結晶基板上に前記発光層部を有機金属気相成長法により形成する第一の気相成長工程と、
　該第一の気相成長工程の後に、前記電流拡散層をｎ型半導体層として形成する第二の気相成長工程とを有し、
　前記電流拡散層は、ドーパントをＳｉ、Ｓ、ＳｅおよびＴｅの１種または２種以上としたｎ型半導体層として形成され、
　前記発光層部は、２種以上のＩＩＩ族元素を含む（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ（ただし、０≦ｘ≦１，０＜ｙ≦１）にて構成されるｎ型クラッド層、活性層及びｐ型クラッド層が前記電極側からこの順序にて積層されたダブルへテロ構造を有し、
　前記単結晶基板はオフアングルを有するものが使用されるとともに、該単結晶基板は、＜１００＞方向を基準方向として、前記オフアングルが１０°以上２０°以下の主軸を有するＧａＡｓ単結晶基板である発光素子の製造方法。」
である点で一致し、両者は次の点で相違する。　  
 　 
相違点
［相違点１］
　電流拡散層をｎ型半導体層として形成する第二の気相成長工程が、本願発明では、有機金属気相成長法とは異なるハイドライド気相成長法であるのに対し、引用発明では、ハイドライド気相成長法ではない点。
［相違点２］
　本願発明は、電流拡散層の電極を形成する側の主表面を含む表層部に、多数キャリアを生じさせるためのドーパントのキャリア濃度が前記電流拡散層内の残余の部分よりも高くされた高濃度ドーピング層を形成するとともに、電流拡散層のドーパントのキャリア濃度が、前記高濃度ドーピング層において１×１０１８／ｃｍ３以上５×１０１９／ｃｍ３以下、前記残余の部分において１×１０１７／ｃｍ３以上１×１０１８／ｃｍ３以下とされるのに対し、引用発明は、電流拡散層のキャリア濃度は５×１０１７ｃｍ−３であるものの、そのような高濃度ドーピング層が形成されてはいない点。
　
　上記相違点につき検討する。
［相違点１］について
　ｎ型の半導体層をハイドライド気相成長法を用いて形成することは本願の優先日前に周知であるところ（例えば、特開２０００−１０１１３９号公報（【００３２】）、特開平１−２２３７２０号公報（第４頁左上欄第１３〜１６行）、特開昭６２−２８２４８０号公報（第２頁右下欄第１６行〜第３頁左上欄第１行）参照。）、ｐ型ＧａＰからなる窓層（本願発明の「電流拡散層」に相当。）をハイドライド気相成長法を用いて形成することは本願の優先日前に周知であるから（例えば、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．６１（９），１９９２年，ｐ．１０４５−１０４７、特開２００１−１５８０３号公報（【０００３】）、特開２００１−１１１１０５号公報（【０００４】）参照。）、この周知技術を引用発明に適用し、「（ｎ型の）ＧａＰ電流拡散層８」の形成をＭＯＣＶＤとは異なるハイドライド気相成長法を用いるようになして、上記相違点１に係る本願発明の構成となすことは当業者が容易になし得ることである。
　
［相違点２］について
　引用発明の「ＧａＰ電流拡散層８」（電流拡散層）は、その「キャリア濃度」が「５×１０１７ｃｍ−３である」ところ、引用刊行物には、ＧａＰ電流拡散層に関して、「電流拡散効果を高め、かつ上部クラッド層への不純物の拡散を防止するためキャリア濃度を上部クラッド層との界面から上部電極に向かって徐々に増加させる事も有効である」と記載され（上記２（１）ウ（【００３３】）参照。）、ＧａＰ電流拡散層のキャリア濃度を上部電極に向かって徐々に増加させることが示されているから、引用発明において、ＧａＰ電流拡散層８のオーミック電極１０が形成される側に、キャリア濃度がＧａＰ電流拡散層８内の残余の部分よりも高い高濃度ドーピング層を形成し、その際、前記残余の部分のキャリア濃度を５×１０１７ｃｍ−３とするとともに、前記高濃度ドーピング層のキャリア濃度をそれより高い１〜５×１０１８ｃｍ−３程度のものとなして、本願発明の上記相違点２に係る構成となすことは当業者が容易になし得ることである。
　
　そして、本願発明によってもたされる効果は、引用発明、引用刊行物の上記記載事項及び上記各周知技術から当業者が予測し得る程度のものである。
　
　したがって、本願発明は、引用刊行物に記載された発明、引用刊行物の記載事項及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物に記載された発明、引用刊行物の記載事項及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。