【事件の表示】
　特願２００１−２７５２８３「半導体装置の製造方法及び半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年３月２０日出願公開、特開２００３−８６７７８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１３年９月１１日の出願であって、平成１８年６月６日付けで拒絶査定がなされ、それに対して、同年７月１２日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、同年８月１０日付けで手続補正がなされ、その後、平成２０年１１月１１日付けで審尋がなされ、平成２１年１月１４日付けで回答書が提出されたものである。
　
２．平成１８年８月１０日付けの手続補正についての却下の決定
【補正の却下の決定の結論】
　平成１８年８月１０日付けの手続補正を却下する。
　
【理由】
（１）補正の内容
　平成１８年８月１０日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１ないし１３を、補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし１２と補正するとともに、補正前の明細書の００１１段落を補正後の明細書の００１１段落と補正するものであって、補正前後の請求項１は以下のとおりである。
　
（補正前）
　「【請求項１】　少なくとも光電変換部が形成された半導体基板上に、前記光電変換部の上方に凹部を有する層間膜を形成し、
　第１の高屈折率及び感光性を有するベース樹脂１重量部に対し、２０ｎｍ以下の大きさで前記第１の高屈折率よりも高い第２の高屈折率を有する無機酸化物微粒子が０．１〜１．５重量部混合された材料膜を、前記層間膜上に形成し、
　該材料膜を前記光電変換部の上方に残存するようにパターニングし、
　該材料膜を熱処理により変形させて、両面に凸部を有する層内レンズを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
（補正後）
　「【請求項１】　少なくとも光電変換部が形成された半導体基板上に、前記光電変換部の上方に凹部を有する層間膜を形成し、
　第１の高屈折率及び感光性を有するベース樹脂１重量部に対し、２０ｎｍ以下の大きさで前記第１の高屈折率よりも高い第２の高屈折率を有する無機酸化物微粒子が０．１〜１．５重量部混合された材料膜を、前記層間膜上に形成し、
　該材料膜を前記光電変換部の上方に残存するようにパターニングし、
　該材料膜を３００〜６００℃の熱処理により変形させて、両面に凸部を有する層内レンズを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
（２）補正事項の整理
　本件補正のうち、特許請求の範囲についての補正事項を整理すると、以下のとおりである。
（２−１）補正事項１
　補正前の請求項１の「該材料膜を熱処理により変形させて」を、補正後の請求項１の「該材料膜を３００〜６００℃の熱処理により変形させて」と補正すること。
　
（２−２）補正事項２
　補正前の請求項２の「少なくとも光電変換部、転送電極及び遮光膜が形成された半導体基板上に、前記光電変換部の上方に転送電極及び遮光膜に起因する凹部を有する層間膜を形成し、　第１の高屈折率及び感光性を有するベース樹脂１重量部に対し、２０ｎｍ以下の大きさで前記第１の高屈折率よりも高い第２の高屈折率を有する無機酸化物微粒子が０．１〜１．５重量部混合された材料膜を、前記層間膜上に形成し、　該材料膜を前記光電変換部の上方に残存するようにパターニングし、　該材料膜を熱処理により変形させて、両面に凸部を有する層内レンズを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。」を、補正後の請求項２の「前記半導体基板上に転送電極及び遮光膜をさらに有し、前記層間膜の凹部が、転送電極および遮光膜に起因して光電変換部の上方に形成される請求項１に記載の半導体装置の製造方法。」と補正すること。
　
（２−３）補正事項３
　補正前の請求項７の「請求項１、３〜６のいずれか１つに記載の方法により、少なくとも光電変換部及び層間膜が形成された半導体基板上であって、前記光電変換部の上方に、高屈折率材料によって両面に凸部を有する層内レンズが形成されてなり」を、補正後の請求項７の「請求項１〜６のいずれか１つに記載の方法により、少なくとも光電変換部及び層間膜が形成された半導体基板上であって、前記光電変換部の上方に、高屈折率材料によって両面に凸部を有する層内レンズが形成されてなり」と補正するとともに、補正前の請求項８を削除すること。
　さらに、それに伴って、補正前の請求項９ないし１３を、請求項の番号を繰り上げるとともに、引用する請求項の番号を修正して、補正後の請求項８ないし１２とすること。
　
（３）補正の目的の適否、及び新規事項の追加の有無についての検討
（３−１）補正事項１について
　補正事項１についての補正は、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「該材料膜を熱処理により変形させ」るという工程について、温度を「３００〜６００℃」に限定するものであるから、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項（以下、単に「特許法第１７条の２第４項」という。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また、補正事項１についての補正が願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、願書に最初に添付した明細書を「当初明細書」といい、願書に最初に添付した明細書又は図面を「当初明細書等」という。）に記載された事項の範囲内においてなされたものであることは、当初明細書の００１９段落の記載から明らかであるから、当該補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項（以下、単に「特許法第１７条の２第３項」という。）に規定する要件を満たすものである。
　
（３−２）補正事項２について
　補正事項２についての補正は、補正前の請求項２を、独立請求項形式から請求項１の従属請求項形式に変更するものであるから、補正事項１についての補正と同様、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また、補正事項２についての補正が当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであることは、当初明細書の００１９段落の記載から明らかであるから、当該補正は、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
　
（３−３）補正事項３について
　補正事項３についての補正は、実質的にみて、原審において不明りょうであるとされた補正前の請求項８について、不明りょうな部分を削除して、明りょうな部分を補正後の請求項７に含ませる形式としたものと認められるから、当該補正は特許法第１７条の２第４項第４号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　また、当該補正が特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものであることは明らかである。
　
（３−４）補正の目的の適否、及び新規事項の追加の有無についての纏め
　以上のとおりであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定する要件を満たすものであり、かつ、同法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものである。
　
（４）独立特許要件についての検討
（４−１）検討の前提
　上記（３）において検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるから、補正後の特許請求の範囲により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かにつき、さらに検討を進める。
　
（４−２）補正後の発明
　本件補正による補正後の請求項１ないし１２に係る発明は、平成１８年８月１０日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし１２に記載された事項により特定されるとおりのものであり、その内の請求項１に係る発明（以下、「補正後の発明」という。）は、平成１８年８月１０日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される上記（１）の（補正後）の欄に記載したとおりのものである。
　
（４−３）刊行物に記載された発明
（４−３−１）特開平７−１６１９５０号公報（刊行物１）
（４−３−１−１）これに対して、原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に日本国内において頒布された特開平７−１６１９５０号公報（以下、「刊行物１」という。）には、図１ないし３とともに、以下の事項が記載されている。
　「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板上に複数の受光部及びその電荷を転送する電荷転送路を形成し、かつ各受光部の上層にそれぞれマイクロレンズを形成した固体撮像装置及びこの装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は固体撮像装置の製造工程を示す図である。基板１には、同図（ａ）に示すように複数の受光部２がその凹部に形成され、これら受光部２の光電変換により得られる電荷を転送する電荷転送路３が各受光部２の配列に沿って形成されている。そして、これら受光部２及び電荷転送路３の上部に平坦化層４が形成されている。なお、各電荷転送路３上には、図示しないが遮光膜が形成されている。
【０００３】次の工程において、同図（ｂ）に示すように平坦化層４の上にマイクロレンズ用レジスト５が塗布され、この後にマスク６が配置されて露光、現像の各処理により同図（ｃ）に示すようにパターニングが行われ、マイクロレンズ用パターン５ａが形成される。
【０００４】次の工程において、同図（ｄ）に示すようにマイクロレンズ用パターン５ａに対して加熱処理が行われ、これによりマイクロレンズ用パターン５ａは球状に熱変形し、同図（ｅ）に示すように各受光部２の上層に各マイクロレンズ７が形成される。この結果、固体撮像装置が製造される。」
　「【００１７】
【実施例】以下、本発明の一実施例について図面を参照して説明する。図１は固体撮像装置の製造工程を示す図である。同図（ａ）に示すように基板２０の各凹部にはそれぞれ受光部２１が形成され、かつこれら受光部２１の配列に沿って電荷転送路２２が形成され、その上に遮光膜２３が形成されている。
【００１８】次の工程において、各受光部２１及び遮光膜２３上には、これら受光部２１及び遮光膜２３を覆う如くＳｉＮから成る保護膜２４（図２に示す）が形成され、この保護膜２４上における各遮光膜２３の上層にそれぞれ黒フィルタ層２５が形成される。
【００１９】この黒フィルタ層２５は、先ず、保護膜２４上にフィルタ層用膜を塗布して形成し、次に露光、現像処理を行ってパターニングを行い、次に黒色の染色液により染色して形成する。
【００２０】次の工程において、これら黒フィルタ層２５及び保護膜２４の上には、同図（ｂ）に示すように保護膜２６がこれら黒フィルタ層２５及び保護膜２４を覆う如く塗布される。この保護膜２６は、光透過性のもので、例えばアクリル系レジストにより形成される。そして、この保護膜２６の屈折率ｎ２は、１．５５である。
【００２１】次の工程において、保護膜２６の上には、同図（ｃ）に示すようにマイクロレンズ用レジスト２７が塗布される。このマイクロレンズ用レジスト２７は、ポジ型レジストで、例えばノボラック系、又はスチレン系のレジストである。
【００２２】次の工程において、図示しないがマスクが配置されて露光、現像の各処理により同図（ｄ）に示すようにパターニングが行われ、マイクロレンズ用パターン２７ａが形成される。
【００２３】この後、紫外線の照射により感光性樹脂を架橋し、脱色する。次の工程において、マイクロレンズ用パターン２７ａに対して加熱処理が行われ、これによりマイクロレンズ用パターン２７ａは熱変形し、同図（ｅ）に示すように各受光部２の上層に各マイクロレンズ２８が形成される。なお、これらマイクロレンズ２８の屈折率ｎ１は、１．６５である。
【００２４】この結果、図２に示すように、基板２０上に受光部２１、及び電荷転送路２２を形成し、かつこの電荷転送路２２上に遮光膜２３を形成し、さらにこの遮光膜２３上に黒フィルタ層２５を形成し、これら受光部２１及び黒フィルタ層２５上に保護膜２６を形成し、この保護膜２６上における受光部２１の上層に各マイクロレンズ２８を形成した固体撮像装置が製造される。
【００２５】かかる製造方法であれば、マイクロレンズ用パターン２７ａを形成する際の露光処理時に、紫外光は黒フィルタ層２５により吸収され、所定の露光量でパターニングできる。
【００２６】これにより、マイクロレンズ用パターン２７ａが所定寸法よりも細く形成されることはなく、かつ遮光膜２３からの反射光量が減少し、ばらつきが無く均一なマイクロレンズ用パターン２７ａが形成される。
【００２７】一方、図１（ｂ）に示すように保護膜２６を塗布した場合、各受光部２１の上部において保護膜２６は、凹形状となり、この上層に各マイクロレンズ２８が形成される。マイクロレンズ２８の屈折率ｎ１は、１．６５であり、保護膜２６の屈折率ｎ２は、１．５５であって、ｎ１＞ｎ２の関係となる。
【００２８】従って、光路は、図２に示すようにマイクロレンズ２８により受光部２１の中心部に屈折し、さらにマイクロレンズ２８と保護膜２６との境界面で受光部２１の中心部に屈折する。この結果、受光部２１に対する集光性は向上する。
【００２９】又、受光部２１とマイクロレンズ２８との距離が短いので、斜め光に対する焦点位置のずれが少なくなり、集光性の劣化の要因をなくし、集光性を向上させている。」
　
（４−３−１−２）ここにおいて、「次の工程において、これら黒フィルタ層２５及び保護膜２４の上には、同図（ｂ）に示すように保護膜２６がこれら黒フィルタ層２５及び保護膜２４を覆う如く塗布される。」（００２０段落）という記載についてみると、図１（ｂ）及び００２７段落の「一方、図１（ｂ）に示すように保護膜２６を塗布した場合、各受光部２１の上部において保護膜２６は、凹形状となり、この上層に各マイクロレンズ２８が形成される。」という記載から、「保護膜２６」は、受光部２１の上部において凹形状に塗布されていることが明らかである。
　また、「【００２１】次の工程において、保護膜２６の上には、同図（ｃ）に示すようにマイクロレンズ用レジスト２７が塗布される。このマイクロレンズ用レジスト２７は、ポジ型レジストで、例えばノボラック系、又はスチレン系のレジストである。　【００２２】次の工程において、図示しないがマスクが配置されて露光、現像の各処理により同図（ｄ）に示すようにパターニングが行われ、マイクロレンズ用パターン２７ａが形成される。」（００２１段落及び００２２段落）という記載についてみると、図１（ｄ）の記載から、「マイクロレンズ用レジスト２７」は、「受光部２１」の上部に残存するようにパターニングされ、「マイクロレンズ用パターン２７ａが形成され」ていることが明らかである。
　さらに、「次の工程において、マイクロレンズ用パターン２７ａに対して加熱処理が行われ、これによりマイクロレンズ用パターン２７ａは熱変形し、同図（ｅ）に示すように各受光部２の上層に各マイクロレンズ２８が形成される。」（００２３段落）という記載についてみると、図１（ｅ）の記載から、「加熱処理」により「マイクロレンズ用パターン２７ａ」が「熱変形し」て形成された「マイクロレンズ２８」は、両面に凸部を有していることが明らかである。
　
（４−３−１−３）以上を総合すると、刊行物１には、以下の発明（以下、「刊行物発明」という。）が記載されているものと認められる。
　「基板２０の各凹部にはそれぞれ受光部２１が形成され、かつこれら受光部２１の配列に沿って電荷転送路２２が形成され、その上に遮光膜２３が形成される工程、
　前記受光部２１の上部において凹形状に保護膜２６が塗布される工程、
　前記保護膜２６の上に、例えばノボラック系、又はスチレン系のポジ型レジストであるマイクロレンズ用レジスト２７が塗布される工程、
　前記マイクロレンズ用レジスト２７が前記受光部２１の上部に残存するようにパターニングされ、マイクロレンズ用パターン２７ａが形成される工程、
　前記マイクロレンズ用パターン２７ａに対して加熱処理が行われ、これにより前記マイクロレンズ用パターン２７ａは熱変形し、両面に凸部を有するマイクロレンズ２８が形成される工程、
　を備える、各受光部の上層にそれぞれマイクロレンズを形成した固体撮像装置の製造方法。」
　
（４−３−２）特開平３−２８０５７４号公報（刊行物２）
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に日本国内において頒布された特開平３−２８０５７４号公報（以下、「刊行物２」という。）には、第１図ないし第３図とともに、以下の事項が記載されている。
　なお、特許庁におけるシステムの都合上、丸付き数字を使用できないので、数字の前に「○」を付加することにより、丸付き数字の代用とする。
　
　「＜産業上の利用分野＞
　この発明は、受光面にマイクロレンズアレイが形成された固体撮像素子から成る固体撮像装置の改良に関する。」（第１頁左下欄第１７行ないし第２０行）
　「＜実施例＞
　以下、この発明を実施例により詳細に説明する。
　この発明は、ＣＣＤの受光面に形成されるマイクロレンズの光学的密度を上げることによってマイクロレンズの屈折率を上げて、上記マイクロレンズが形成されたＣＣＤをエポキシ等の透明樹脂のモールド体でモールドしてもマイクロレンズの集光効果が消失しないようにしたものである。
　本実施例においては、ポリスチレン，アクリル樹脂，ノボラック樹脂，ポリエチレン，メタクリル酸メチル等の高分子樹脂によってマイクロレンズを形成する際に、次のような方法によって形成してマイクロレンズの光学的密度を上げるのである。
　○１　金属酸化物を添加する。
　例えば、酸化チタン，酸化インジウム，酸化錫，酸化アルミニウム等の金属酸化物を添加する。
　○２　ベンゼン環やナフタレン環等の芳香族環を導入する。
　例えば、ポリジフェニルメチルメタクリレート，ポリビニルナフタレン等の高分子樹脂を得る。
　○３　ハロゲン化アルキル基を高率で導入する。
　例えば、ポリＰ−クロロメチルスチレン等の高分子樹脂を得る。
　上記○１、○２および○３の方法によって高分子樹脂から成るマイクロレンズを形成すると、上記マイクロレンズの光学的密度が上昇する。その結果、屈折率が１．５〜１．６から１．７〜１．８以上へと高まるのである。
　こうして、マイクロレンズの屈折率が上昇することによって、マイクロレンズの屈折率とこのマイクロレンズをモールドする透明樹脂のモールド体の屈折率とに差が生じるため、上述のような高分子樹脂のマイクロレンズが受光面に形成されたＣＣＤを透明な高分子樹脂でモールドしても、マイクロレンズの集光効果を消滅させることはないのである。
　したがって、本実施例によれば、コスト的に有利であり、かつ、感度の良い小型のＣＣＤを得ることができる。」（第２頁右下欄第５行ないし第３頁右上欄第５行）
　
（４−４）補正後の発明と刊行物発明との対比
（４−４−１）刊行物発明の「受光部２１」、「保護膜２６」、「上部」は、各々補正後の発明の「光電変換部」、「層間膜」、「上方」に相当する。
　したがって、刊行物発明の「基板２０の各凹部にはそれぞれ受光部２１が形成され、かつこれら受光部２１の配列に沿って電荷転送路２２が形成され、その上に遮光膜２３が形成される工程、　前記受光部２１の上部において凹形状に保護膜２６が塗布される工程」と補正後の発明の「少なくとも光電変換部が形成された半導体基板上に、前記光電変換部の上方に凹部を有する層間膜を形成」する工程とは、「少なくとも光電変換部が形成された」「基板上に、前記光電変換部の上方に凹部を有する層間膜を形成」である点で共通する。
　
（４−４−２）刊行物発明の「マイクロレンズ用レジスト２７」は、補正後の発明の「材料膜」に相当する。
　したがって、刊行物発明の「前記保護膜２６の上に、例えばノボラック系、又はスチレン系のポジ型レジストであるマイクロレンズ用レジスト２７が塗布される工程」と補正後の発明の「第１の高屈折率及び感光性を有するベース樹脂１重量部に対し、２０ｎｍ以下の大きさで前記第１の高屈折率よりも高い第２の高屈折率を有する無機酸化物微粒子が０．１〜１．５重量部混合された材料膜を、前記層間膜上に形成」する工程とは、「材料膜を、前記層間膜上に形成」するものである点で一致する。
　また、刊行物発明の「前記マイクロレンズ用レジスト２７が前記受光部２１の上部に残存するようにパターニングされ、マイクロレンズ用パターン２７ａが形成される工程」は、補正後の発明の「該材料膜を前記光電変換部の上方に残存するようにパターニング」する工程に相当する。
　
（４−４−３）刊行物発明の「マイクロレンズ２８」は、補正後の発明の「層内レンズ」に相当する。また、刊行物発明の「加熱処理が行われ、」「熱変形」させることが、補正後の発明の「熱処理により変形させ」ることに相当することは明らかである。
　したがって、刊行物発明の「前記マイクロレンズ用パターン２７ａに対して加熱処理が行われ、これにより前記マイクロレンズ用パターン２７ａは熱変形し、両面に凸部を有するマイクロレンズ２８が形成される工程」と、補正後の発明の「該材料膜を３００〜６００℃の熱処理により変形させて、両面に凸部を有する層内レンズを形成する」工程とは、「該材料膜を熱処理により変形させて、両面に凸部を有する層内レンズを形成する」ものである点で一致する。
　
（４−４−４）したがって、刊行物発明と補正後の発明とは、
　「少なくとも光電変換部が形成された基板上に、前記光電変換部の上方に凹部を有する層間膜を形成し、
　材料膜を、前記層間膜上に形成し、
　該材料膜を前記光電変換部の上方に残存するようにパターニングし、
　該材料膜を熱処理により変形させて、両面に凸部を有する層内レンズを形成することを特徴とする装置の製造方法。」
　
　である点で一致し、以下の点で相違する。
（相違点１）
　補正後の発明は、「基板」が「半導体基板」であるのに対して、刊行物発明は、「基板２０」が半導体基板であることが特定されていない点、及び、補正後の発明は「半導体装置の製造方法」であるのに対して、刊行物発明は「固体撮像装置の製造方法」である点。
　
（相違点２）
　補正後の発明は、「材料膜」が「第１の高屈折率及び感光性を有するベース樹脂１重量部に対し、２０ｎｍ以下の大きさで前記第１の高屈折率よりも高い第２の高屈折率を有する無機酸化物微粒子が０．１〜１．５重量部混合された」ものであるのに対して、刊行物発明は、補正後の発明の「材料膜」に相当する「マイクロレンズ用レジスト２７」が「例えばノボラック系、又はスチレン系のポジ型レジスト」である点。
　
（相違点３）
　補正後の発明は、「該材料膜を」「変形させ」るための「熱処理」の温度が「３００〜６００℃」であるのに対して、刊行物発明は、補正後の発明の「熱処理」に相当する「加熱処理」の温度が特定されていない点。
　
（４−５）相違点についての当審の判断
（４−５−１）相違点１について
　一般に、固体撮像装置の基板をＳｉ等の半導体で構成することは当業者における常套手段であるから、刊行物発明において、「基板２０」を半導体で構成することにより、刊行物発明である「固体撮像装置の製造方法」を半導体装置の製造方法に適用することは、当業者が適宜なし得た事項である。
　したがって、相違点１は、当業者が適宜なし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（４−５−２）相違点２について
（４−５−２−１）刊行物２には、「エポキシ等の透明樹脂のモールド体でモールドしてもマイクロレンズの集光効果が消失しないよう」、「マイクロレンズの屈折率を上げ」るために、「ポリスチレン，アクリル樹脂，ノボラック樹脂，ポリエチレン，メタクリル酸メチル等の高分子樹脂によってマイクロレンズを形成する際に」、「例えば、酸化チタン，酸化インジウム，酸化錫，酸化アルミニウム等の金属酸化物を添加する」発明が記載されている。
　そして、刊行物発明と刊行物２に記載された発明とは固体撮像素子という同一の技術分野に属するものであり、かつ、固体撮像素子をモールド体でモールドすることは、刊行物２にも記載されているように当業者において周知の技術であるから、刊行物発明において、モールド体でモールドしてもマイクロレンズの集光効果が消失しないよう、マイクロレンズの屈折率を上げるために、刊行物２に記載された発明を適用して、「マイクロレンズ用レジスト２７」として、「例えばノボラック系、又はスチレン系のポジ型レジスト」に替えて、刊行物２に記載された発明のように、「ポリスチレン，アクリル樹脂，ノボラック樹脂，ポリエチレン，メタクリル酸メチル等の高分子樹脂」に「例えば、酸化チタン，酸化インジウム，酸化錫，酸化アルミニウム等の金属酸化物を添加」したものとすることは、当業者が容易に想到し得た事項である。
　そして、本願の明細書の００１６段落の「高屈折率及び感光性を有する材料膜としては、例えば、可視光領域での屈折率が１．６程度以上のものが挙げられる。具体的には、ポリイミド、ポリアルキル（メタ）アクリレート（例えば、ポリメチル（メタ）アクリレート、ポリエチル（メタ）アクリレート、ポリプロピル（メタ）アクリレート等）、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリ塩化ビニル、ポリビニルナフタレン、ポリビニルカルバゾール等の１種又は２種以上の混合物等が挙げられる。また、さらに屈折率を向上させるために、これらの材料よりも高い屈折率を有する材料、例えば、屈折率が２．０程度以上の材料、具体的には、無機材料、さらには無機酸化物、より具体的には酸化亜鉛、酸化チタン、酸化錫等を添加してもよい。」という記載から、刊行物２に記載された発明の「ポリスチレン，アクリル樹脂，ノボラック樹脂，ポリエチレン，メタクリル酸メチル等の高分子樹脂」、「例えば、酸化チタン，酸化インジウム，酸化錫，酸化アルミニウム等の金属酸化物」が、各々補正後の発明の「第１の高屈折率及び感光性を有するベース樹脂」、「前記第１の高屈折率よりも高い第２の高屈折率を有する無機酸化物微粒子」に相当するものであることは明らかである。
　
（４−５−２−２）ここにおいて、刊行物２には、「例えば、酸化チタン，酸化インジウム，酸化錫，酸化アルミニウム等の金属酸化物」の粒子の大きさや、「ポリスチレン，アクリル樹脂，ノボラック樹脂，ポリエチレン，メタクリル酸メチル等の高分子樹脂」に対する「例えば、酸化チタン，酸化インジウム，酸化錫，酸化アルミニウム等の金属酸化物」の混合比率に関して具体的記載はないので、この点について検討する。
　まず、「例えば、酸化チタン，酸化インジウム，酸化錫，酸化アルミニウム等の金属酸化物」の大きさについて検討すると、「金属酸化物」が大きすぎると屈折率が不均一になったり、表面粗さが大きくなってしまうため、所期の目的を達成するためには、当該「金属酸化物」の大きさを十分小さくする必要があることは、当業者であれば直ちに察知可能な事項である。
　そして、「金属酸化物」の大きさを具体的にどの程度の値とするかは、当業者が、「金属酸化物」として用いる物質の組成や形状（球状、円盤状、針状等）等を考慮して、日々の研究・開発を通じて適宜決定し得る事項である。
　一方、本願の発明の詳細な説明の記載を参照しても、補正後の発明において、「無機酸化物微粒子」の大きさを「２０ｎｍ以下」とすることによる格別の効果は見出せないことに加え、「無機酸化物微粒子」の大きさを「２０ｎｍ以下」とすることにより、当該「無機酸化物微粒子」を構成する物質の組成や形状と無関係に格別の効果が現れるとは、常識的にみて考え難いことであるから、補正後の発明において、「無機酸化物微粒子」の大きさを「２０ｎｍ以下」とすることの臨界的意義は認められない。
　したがって、刊行物発明に対して刊行物２に記載された発明を適用するに際して、「例えば、酸化チタン，酸化インジウム，酸化錫，酸化アルミニウム等の金属酸化物」の粒子の大きさを補正後の発明の如く「２０ｎｍ以下」とすることは、当業者が適宜なし得た事項である。
　
（４−５−２−３）次に、「ポリスチレン，アクリル樹脂，ノボラック樹脂，ポリエチレン，メタクリル酸メチル等の高分子樹脂」に対する「例えば、酸化チタン，酸化インジウム，酸化錫，酸化アルミニウム等の金属酸化物」の混合比率について検討すると、「ポリスチレン，アクリル樹脂，ノボラック樹脂，ポリエチレン，メタクリル酸メチル等の高分子樹脂」に対して「例えば、酸化チタン，酸化インジウム，酸化錫，酸化アルミニウム等の金属酸化物」の比率が少なすぎれば、当該「金属酸化物」を添加することによる屈折率の向上という効果が十分に期待できず、また、多すぎれば、「ポリスチレン，アクリル樹脂，ノボラック樹脂，ポリエチレン，メタクリル酸メチル等の高分子樹脂」が有する樹脂としての本来の機能、すなわち、感光性や膜としての信頼性、加熱時の流動性等が失われることは当業者であれば直ちに察知可能な事項である。
　そして、「ポリスチレン，アクリル樹脂，ノボラック樹脂，ポリエチレン，メタクリル酸メチル等の高分子樹脂」に対する「例えば、酸化チタン，酸化インジウム，酸化錫，酸化アルミニウム等の金属酸化物」の混合比率を具体的にどの程度の値とするかは、当業者が、「高分子樹脂」及び「金属酸化物」としてどのような物質を用いるか等を考慮して、日々の研究・開発を通じて適宜決定し得る事項である。
　一方、本願の発明の詳細な説明の記載を参照しても、補正後の発明において、「第１の高屈折率及び感光性を有するベース樹脂１重量部に対」する「前記第１の高屈折率よりも高い第２の高屈折率を有する無機酸化物微粒子」の混合比率を「０．１〜１．５重量部」とすることによる格別の効果は見出せないことに加え、上記混合比率を「０．１〜１．５重量部」とすることにより、「ベース樹脂」や「無機酸化物微粒子」を構成する物質の組成と無関係に、格別の効果が現れるとは、常識的にみて考え難いことであるから、補正後の発明において、上記混合比率を「０．１〜１．５重量部」とすることの臨界的な意義は認められない。
　したがって、刊行物発明に対して刊行物２に記載された発明を適用するに際して、「ポリスチレン，アクリル樹脂，ノボラック樹脂，ポリエチレン，メタクリル酸メチル等の高分子樹脂」１重量部に対して、「例えば、酸化チタン，酸化インジウム，酸化錫，酸化アルミニウム等の金属酸化物」が０．１〜１．５重量部混合されたものとすることは、当業者が適宜なし得た事項である。
　
（４−５−２−４）以上のとおりであるから、刊行物発明に対して刊行物２に記載された発明を適用し、「マイクロレンズ用レジスト２７」を補正後の発明の如く、「第１の高屈折率及び感光性を有するベース樹脂１重量部に対し、２０ｎｍ以下の大きさで前記第１の高屈折率よりも高い第２の高屈折率を有する無機酸化物微粒子が０．１〜１．５重量部混合された」ものとすることは当業者が容易に想到し得た事項である。
　したがって、相違点２は当業者が容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものある。
　なお、相違点２に関連して、請求人は平成２１年１月１４日付けの回答書において、「無機酸化物微粒子」の大きさを「２０ｎｍ以下」とすることについて、「無機酸化物微粒子の大きさが２０ｎｍを越えると、層内レンズに入射する光の散乱確率が増加し、かつ粒径の粒度分布が必然的に拡大することにより、光が散乱により受光領域外へ漏れて各画素の入射光量にバラツキが発生し、その結果、「画質のザラ」が発生して画質を劣化させるため、このような問題を解消するためです。」と主張している。
　しかしながら、本願の発明の詳細な説明には、「画質のザラ」という語自体が記載されておらず、「無機酸化物微粒子」の大きさが「２０ｎｍ」を超える場合と超えない場合とで「画質のザラ」がどのように変化するのかについても具体的に記載されていないから、当該「画質のザラ」の改善を根拠として、「無機酸化物微粒子」の大きさを「２０ｎｍ以下」とすることの臨界的意義を認めることはできない。
　
（４−５−３）相違点３について
　一般に、樹脂に熱を加えて、変形を行う場合において、温度が低すぎれば樹脂の流動性が不充分のため変形が満足にできず、高すぎれば樹脂に損傷を与えてしまうことは、当業者であれば直ちに察知可能な事項である。
　そして、加熱処理の温度を具体的にどの程度の値とするかは、当業者が、樹脂としてどのような物質を用いるか等を考慮して、日々の研究・開発を通じて決定し得る事項である。
　一方、本願の発明の詳細な説明の記載を参照しても、補正後の発明において、「該材料膜を」「変形させ」るための「熱処理」の温度を「３００〜６００℃」とすることによる格別の効果は見出せないことに加え、上記「熱処理」の温度を「３００〜６００℃」とすることにより、「該材料膜」を構成する物質の組成と無関係に格別の効果が現れるとは、常識的にみて考え難いことであるから、補正後の発明において、「該材料膜を」「変形させ」るための「熱処理」の温度を「３００〜６００℃」とすることの臨界的な意義は認められない。
　したがって、刊行物発明において、「マイクロレンズ用パターン２７ａに対して加熱処理」を行うに際して、補正後の発明の如く、温度を「３００〜６００℃」とすることは、当業者が適宜なし得た事項である。
　よって、相違点３は、当業者が適宜なし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（４−５−４）判断についての纏め
　以上検討したとおり、相違点１ないし３は、いずれも当業者が容易に想到し得た範囲、又は当業者が適宜なし得た範囲に含まれる程度のものである。
　したがって、補正後の発明は、刊行物発明及び刊行物２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
（４−６）独立特許要件についての纏め
　本件補正は、補正後の請求項１に係る発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しない。
　
（５）補正の却下の決定についてのむすび
　以上検討したとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものであるから、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明
　以上のとおり、平成１８年８月１０日付けの手続補正は却下されたので、本願の請求項１ないし１３に係る発明は、平成１７年９月１６日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし１３に記載された事項により特定されるとおりのものであり、その内、請求項１に係る発明は、請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。
　「【請求項１】　少なくとも光電変換部が形成された半導体基板上に、前記光電変換部の上方に凹部を有する層間膜を形成し、
　第１の高屈折率及び感光性を有するベース樹脂１重量部に対し、２０ｎｍ以下の大きさで前記第１の高屈折率よりも高い第２の高屈折率を有する無機酸化物微粒子が０．１〜１．５重量部混合された材料膜を、前記層間膜上に形成し、
　該材料膜を前記光電変換部の上方に残存するようにパターニングし、
　該材料膜を熱処理により変形させて、両面に凸部を有する層内レンズを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
４．刊行物に記載された発明
（１）特開平７−１６１９５０号公報（刊行物１）
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に日本国内において頒布された特開平７−１６１９５０号公報（刊行物１）には、上記２．（４−３−１）に記載した事項、及び以下の刊行物発明が記載されている。
　「基板２０の各凹部にはそれぞれ受光部２１が形成され、かつこれら受光部２１の配列に沿って電荷転送路２２が形成され、その上に遮光膜２３が形成される工程、
　前記受光部２１の上部において凹形状に保護膜２６が塗布される工程、
　前記保護膜２６の上に、例えばノボラック系、又はスチレン系のポジ型レジストであるマイクロレンズ用レジスト２７が塗布される工程、
　前記マイクロレンズ用レジスト２７が前記受光部２１の上部に残存するようにパターニングされ、マイクロレンズ用パターン２７ａが形成される工程、
　前記マイクロレンズ用パターン２７ａに対して加熱処理が行われ、これにより前記マイクロレンズ用パターン２７ａは熱変形し、両面に凸部を有するマイクロレンズ２８が形成される工程、
　を備える、各受光部の上層にそれぞれマイクロレンズを形成した固体撮像装置の製造方法。」
　
（２）特開平３−２８０５７４号公報（刊行物２）
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に日本国内において頒布された特開平３−２８０５７４号公報（刊行物２）には、上記２．（４−３−２）に記載した事項が記載されている。
　
５．本願発明と刊行物発明との対比
（１）刊行物発明の「受光部２１」、「保護膜２６」、「上部」は、各々本願発明の「光電変換部」、「層間膜」、「上方」に相当する。
　したがって、刊行物発明の「基板２０の各凹部にはそれぞれ受光部２１が形成され、かつこれら受光部２１の配列に沿って電荷転送路２２が形成され、その上に遮光膜２３が形成される工程、　前記受光部２１の上部において凹形状に保護膜２６が塗布される工程」と本願発明の「少なくとも光電変換部が形成された半導体基板上に、前記光電変換部の上方に凹部を有する層間膜を形成」する工程とは、「少なくとも光電変換部が形成された」「基板上に、前記光電変換部の上方に凹部を有する層間膜を形成」である点で共通する。
　
（２）刊行物発明の「マイクロレンズ用レジスト２７」は、本願発明の「材料膜」に相当する。
　したがって、刊行物発明の「前記保護膜２６の上に、例えばノボラック系、又はスチレン系のポジ型レジストであるマイクロレンズ用レジスト２７が塗布される工程」と本願発明の「第１の高屈折率及び感光性を有するベース樹脂１重量部に対し、２０ｎｍ以下の大きさで前記第１の高屈折率よりも高い第２の高屈折率を有する無機酸化物微粒子が０．１〜１．５重量部混合された材料膜を、前記層間膜上に形成」する工程とは、「材料膜を、前記層間膜上に形成」するものである点で一致する。
　また、刊行物発明の「前記マイクロレンズ用レジスト２７が前記受光部２１の上部に残存するようにパターニングされ、マイクロレンズ用パターン２７ａが形成される工程」は、本願発明の「該材料膜を前記光電変換部の上方に残存するようにパターニング」する工程に相当する。
　
（３）刊行物発明の「マイクロレンズ２８」は、本願発明の「層内レンズ」に相当する。また、刊行物発明の「加熱処理が行われ、」「熱変形」させることが、本願発明の「熱処理により変形させ」ることに相当することは明らかである。
　したがって、刊行物発明の「前記マイクロレンズ用パターン２７ａに対して加熱処理が行われ、これにより前記マイクロレンズ用パターン２７ａは熱変形し、両面に凸部を有するマイクロレンズ２８が形成される工程」は、本願発明の「該材料膜を熱処理により変形させて、両面に凸部を有する層内レンズを形成する」工程に相当する。
　
（４）したがって、刊行物発明と本願発明とは、
　「少なくとも光電変換部が形成された基板上に、前記光電変換部の上方に凹部を有する層間膜を形成し、
　材料膜を、前記層間膜上に形成し、
　該材料膜を前記光電変換部の上方に残存するようにパターニングし、
　該材料膜を熱処理により変形させて、両面に凸部を有する層内レンズを形成することを特徴とする装置の製造方法。」
　
　である点で一致し、以下の点で相違する。
（相違点１）
　本願発明は、「基板」が「半導体基板」であるのに対して、刊行物発明は、「基板２０」が半導体基板であることが特定されていない点、及び、本願発明は「半導体装置の製造方法」であるのに対して、刊行物発明は「固体撮像装置の製造方法」である点。
　
（相違点２）
　本願発明は、「材料膜」が「第１の高屈折率及び感光性を有するベース樹脂１重量部に対し、２０ｎｍ以下の大きさで前記第１の高屈折率よりも高い第２の高屈折率を有する無機酸化物微粒子が０．１〜１．５重量部混合された」ものであるのに対して、刊行物発明は、本願発明の「材料膜」に相当する「マイクロレンズ用レジスト２７」が「例えばノボラック系、又はスチレン系のポジ型レジスト」である点。
　
６．相違点についての当審の判断
（１）相違点１について
　一般に、固体撮像装置の基板をＳｉ等の半導体で構成することは当業者における常套手段であるから、刊行物発明において、「基板２０」を半導体で構成することにより、刊行物発明である「固体撮像装置の製造方法」を半導体装置の製造方法に適用することは、当業者が適宜なし得た事項である。
　したがって、相違点１は、当業者が適宜なし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（２）相違点２について
（２−１）刊行物２には、「エポキシ等の透明樹脂のモールド体でモールドしてもマイクロレンズの集光効果が消失しないよう」、「マイクロレンズの屈折率を上げ」るために、「ポリスチレン，アクリル樹脂，ノボラック樹脂，ポリエチレン，メタクリル酸メチル等の高分子樹脂によってマイクロレンズを形成する際に」、「例えば、酸化チタン，酸化インジウム，酸化錫，酸化アルミニウム等の金属酸化物を添加する」発明が記載されている。
　そして、刊行物発明と刊行物２に記載された発明とは固体撮像素子という同一の技術分野に属するものであり、かつ、固体撮像素子をモールド体でモールドすることは、刊行物２にも記載されているように当業者において周知の技術であるから、刊行物発明において、モールド体でモールドしてもマイクロレンズの集光効果が消失しないよう、マイクロレンズの屈折率を上げるために、刊行物２に記載された発明を適用して、「マイクロレンズ用レジスト２７」として、「例えばノボラック系、又はスチレン系のポジ型レジスト」に替えて、刊行物２に記載された発明のように、「ポリスチレン，アクリル樹脂，ノボラック樹脂，ポリエチレン，メタクリル酸メチル等の高分子樹脂」に「例えば、酸化チタン，酸化インジウム，酸化錫，酸化アルミニウム等の金属酸化物を添加」したものとすることは、当業者が容易に想到し得た事項である。
　そして、本願の明細書の００１６段落の「高屈折率及び感光性を有する材料膜としては、例えば、可視光領域での屈折率が１．６程度以上のものが挙げられる。具体的には、ポリイミド、ポリアルキル（メタ）アクリレート（例えば、ポリメチル（メタ）アクリレート、ポリエチル（メタ）アクリレート、ポリプロピル（メタ）アクリレート等）、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリ塩化ビニル、ポリビニルナフタレン、ポリビニルカルバゾール等の１種又は２種以上の混合物等が挙げられる。また、さらに屈折率を向上させるために、これらの材料よりも高い屈折率を有する材料、例えば、屈折率が２．０程度以上の材料、具体的には、無機材料、さらには無機酸化物、より具体的には酸化亜鉛、酸化チタン、酸化錫等を添加してもよい。」という記載から、刊行物２に記載された発明の「ポリスチレン，アクリル樹脂，ノボラック樹脂，ポリエチレン，メタクリル酸メチル等の高分子樹脂」、「例えば、酸化チタン，酸化インジウム，酸化錫，酸化アルミニウム等の金属酸化物」が、各々本願発明の「第１の高屈折率及び感光性を有するベース樹脂」、「前記第１の高屈折率よりも高い第２の高屈折率を有する無機酸化物微粒子」に相当するものであることは明らかである。
　
（２−２）ここにおいて、刊行物２には、「例えば、酸化チタン，酸化インジウム，酸化錫，酸化アルミニウム等の金属酸化物」の粒子の大きさや、「ポリスチレン，アクリル樹脂，ノボラック樹脂，ポリエチレン，メタクリル酸メチル等の高分子樹脂」に対する「例えば、酸化チタン，酸化インジウム，酸化錫，酸化アルミニウム等の金属酸化物」の混合比率に関して具体的記載はないので、この点について検討する。
　まず、「例えば、酸化チタン，酸化インジウム，酸化錫，酸化アルミニウム等の金属酸化物」の大きさについて検討すると、「金属酸化物」が大きすぎると屈折率が不均一になったり、表面粗さが大きくなってしまうため、所期の目的を達成するためには、当該「金属酸化物」の大きさを十分小さくする必要があることは、当業者であれば直ちに察知可能な事項である。
　そして、「金属酸化物」の大きさを具体的にどの程度の値とするかは、当業者が、「金属酸化物」として用いる物質の組成や形状（球状、円盤状、針状等）等を考慮して、日々の研究・開発を通じて適宜決定し得る事項である。
　一方、本願の発明の詳細な説明の記載を参照しても、本願発明において、「無機酸化物微粒子」の大きさを「２０ｎｍ以下」とすることによる格別の効果は見出せないことに加え、「無機酸化物微粒子」の大きさを「２０ｎｍ以下」とすることにより、当該「無機酸化物微粒子」を構成する物質の組成や形状と無関係に格別の効果が現れるとは、常識的にみて考え難いことであるから、本願発明において、「無機酸化物微粒子」の大きさを「２０ｎｍ以下」とすることの臨界的意義は認められない。
　したがって、刊行物発明に対して刊行物２に記載された発明を適用するに際して、「例えば、酸化チタン，酸化インジウム，酸化錫，酸化アルミニウム等の金属酸化物」の粒子の大きさを本願発明の如く「２０ｎｍ以下」とすることは、当業者が適宜なし得た事項である。
　
（２−３）次に、「ポリスチレン，アクリル樹脂，ノボラック樹脂，ポリエチレン，メタクリル酸メチル等の高分子樹脂」に対する「例えば、酸化チタン，酸化インジウム，酸化錫，酸化アルミニウム等の金属酸化物」の混合比率について検討すると、「ポリスチレン，アクリル樹脂，ノボラック樹脂，ポリエチレン，メタクリル酸メチル等の高分子樹脂」に対して「例えば、酸化チタン，酸化インジウム，酸化錫，酸化アルミニウム等の金属酸化物」の比率が少なすぎれば、当該「金属酸化物」を添加することによる屈折率の向上という効果が十分に期待できず、また、多すぎれば、「ポリスチレン，アクリル樹脂，ノボラック樹脂，ポリエチレン，メタクリル酸メチル等の高分子樹脂」が有する樹脂としての本来の機能、すなわち、感光性や膜としての信頼性、加熱時の流動性等が失われることは当業者であれば直ちに察知可能な事項である。
　そして、「ポリスチレン，アクリル樹脂，ノボラック樹脂，ポリエチレン，メタクリル酸メチル等の高分子樹脂」に対する「例えば、酸化チタン，酸化インジウム，酸化錫，酸化アルミニウム等の金属酸化物」の混合比率を具体的にどの程度の値とするかは、当業者が、「高分子樹脂」及び「金属酸化物」としてどのような物質を用いるか等を考慮して、日々の研究・開発を通じて適宜決定し得る事項である。
　一方、本願の発明の詳細な説明の記載を参照しても、本願発明において、「第１の高屈折率及び感光性を有するベース樹脂１重量部に対」する「前記第１の高屈折率よりも高い第２の高屈折率を有する無機酸化物微粒子」の混合比率を「０．１〜１．５重量部」とすることによる格別の効果は見出せないことに加え、上記混合比率を「０．１〜１．５重量部」とすることにより、「ベース樹脂」や「無機酸化物微粒子」を構成する物質の組成と無関係に、格別の効果が現れるとは、常識的にみて考え難いことであるから、本願発明において、上記混合比率を「０．１〜１．５重量部」とすることの臨界的な意義は認められない。
　したがって、刊行物発明に対して刊行物２に記載された発明を適用するに際して、「ポリスチレン，アクリル樹脂，ノボラック樹脂，ポリエチレン，メタクリル酸メチル等の高分子樹脂」１重量部に対して、「例えば、酸化チタン，酸化インジウム，酸化錫，酸化アルミニウム等の金属酸化物」が０．１〜１．５重量部混合されたものとすることは、当業者が適宜なし得た事項である。
　
（２−４）以上のとおりであるから、刊行物発明に対して刊行物２に記載された発明を適用し、「マイクロレンズ用レジスト２７」を本願発明の如く、「第１の高屈折率及び感光性を有するベース樹脂１重量部に対し、２０ｎｍ以下の大きさで前記第１の高屈折率よりも高い第２の高屈折率を有する無機酸化物微粒子が０．１〜１．５重量部混合された」ものとすることは当業者が容易に想到し得た事項である。
　したがって、本願発明と刊行物発明との相違点２は当業者が容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものある。
　なお、当該相違点２に関連して、請求人は平成２１年１月１４日付けの回答書において、「無機酸化物微粒子」の大きさを「２０ｎｍ以下」とすることについて、「無機酸化物微粒子の大きさが２０ｎｍを越えると、層内レンズに入射する光の散乱確率が増加し、かつ粒径の粒度分布が必然的に拡大することにより、光が散乱により受光領域外へ漏れて各画素の入射光量にバラツキが発生し、その結果、「画質のザラ」が発生して画質を劣化させるため、このような問題を解消するためです。」と主張している。
　しかしながら、本願の発明の詳細な説明には、「画質のザラ」という語自体が記載されておらず、「無機酸化物微粒子」の大きさが「２０ｎｍ」を超える場合と超えない場合とで「画質のザラ」がどのように変化するのかについても具体的に記載されていないから、当該「画質のザラ」の改善を根拠として、「無機酸化物微粒子」の大きさを「２０ｎｍ以下」とすることの臨界的意義を認めることはできない。
　
（３）判断についての纏め
　以上検討したとおり、相違点１及び２は、いずれも当業者が容易に想到し得た範囲、又は当業者が適宜なし得た範囲に含まれる程度のものである。
　したがって、本願発明は、刊行物発明及び刊行物２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
７．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。