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　特願２００３−１２６６８９「位相シフトマスクブランク及び位相シフトフォトマスク」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年１１月２５日出願公開、特開２００４−３３３６５３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１５年５月１日に特願２００３−１２６６８９号として出願されたものであって、平成１９年９月１８日付けで拒絶理由通知がなされ、平成２０年４月２２日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年５月２９日付けで拒絶査定不服審判の請求がなされたものである。
　
第２　本願発明について
１．本願発明
　本願の請求項１ないし７に係る発明は、「位相シフトマスクブランク及び位相シフトフォトマスク」に関するものであり、特許請求の範囲の請求項１ないし７に記載されたとおりのものと認められるところ、その請求項１に記載された発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりである。
　
「【請求項１】　位相シフトマスクブランクであって、少なくとも、基板上に、金属シリサイド化合物を主成分とする１層以上の位相シフト膜と、１層以上のメタル含有膜を具備し、前記位相シフト膜とメタル含有膜との界面にＳｉＯｘ層を具備し、前記位相シフト膜と前記ＳｉＯｘ層の界面に、膜の組成が連続的に変化した層を有するものであることを特徴とする位相シフトマスクブランク。」
　
２．引用例
（ア）原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平９−２８８３４６号公報（以下、「引用例１」という。）には、以下の事項が図面とともに記載されている。
　
（ａ）「【請求項１】  透明基板上に遮光膜でパターンが形成されるフォトマスクにおいて、投影露光で半導体基板の表面に転写される主パターンが透過率４０％未満の材料膜で形成され、且つ露光用の照射光に対して遮光性を有する遮光膜で形成される補助用パターンが前記主パターンの周辺部分に配設されていることを特徴とするフォトマスク。
・・・
【請求項３】  前記透明基板でパターンの形成されていない領域を透過する露光用の照射光と前記主パターンを透過する露光用の照射光との位相差が１８０度となることを特徴とする請求項１記載のフォトマスク。」
　
（ｂ）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置製造用の投影露光装置で使用する露光用のフォトマスクに関し、特に、主パターンの近傍に補助的パターンを配置した露光用のフォトマスクに関するものである。」
　
（ｃ）「【００２９】［第４の実施形態］次に第４の実施形態４によるフォトマスクの作成方法について図面を用いて説明する。図５は本実施形態によるフォトマスクの作成フローの断面図であり、第１の実施形態のフォトマスクに対応している。図５（ａ）のように、ガラス基板４１上にＭｏＳｉ系の半透明膜４２、ＳｉＯ2 ４３、クロム４４、レジスト４５を堆積したものを用意する。ここでＭｏＳｉ系の半透明膜４２は適当な透過率を持つ膜厚に調整しておく。またクロム４４は完全に遮光する膜厚にする。またＳｉＯ2 ４３はフォトマスクを使用する際の露光光に対して透明なものである。図５（ｂ）のようにレジストパターンを形成し、それをマスクとしてＭｏＳｉ系の半透明膜４２までエッチングしレジストを剥離すると図５（ｃ）のようになる。その上にもう一度レジストを塗布し、図５（ｄ）のように補助パターンのみにレジスト４６が残るようにレジストパターンを形成する。レジスト４６をマスクとしてクロム４４のみをエッチングすると本実施形態によるフォトマスクが完成する。ここでＳｉＯ2 ４３はエッチングのストッパーとして機能する。本実施形態では遮光膜をクロム、半透明膜をＭｏＳｉ系の遮光膜で構成したが、これに限らず適当な遮光性と透過率を持つ膜であればクロムの代わりに使用できる。」
　
（ｄ）図５の記載から、上記（ｃ）の記載を参酌すれば、ガラス基板４１上にＭｏＳｉ系の半透明膜４２、ＳｉＯ2 ４３、クロム４４、レジスト４５を堆積して、レジストパターンを形成し、それをマスクとしてＭｏＳｉ系の半透明膜４２までエッチングしレジストを剥離し、その上にもう一度レジストを塗布してレジスト４６が残るようにレジストパターンを形成し、レジスト４６をマスクとしてクロム４４のみをエッチングしてフォトマスクを作成することが見て取れ、図５（ａ）からは、ガラス基板４１上にＭｏＳｉ系の半透明膜４２、ＳｉＯ2 ４３、クロム４４、レジスト４５を堆積したもの、すなわち、ガラス基板４１上にＭｏＳｉ系の半透明膜４２、ＳｉＯ2 ４３、クロム４４を堆積した一般にマスクブランクと呼ばれるマスク原版に、レジスト４５を堆積したものが見て取れる。
　
　上記記載を総合勘案すると、引用例１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「ガラス基板４１上にＭｏＳｉ系の半透明膜４２、ＳｉＯ2 ４３、クロム４４を堆積したマスクブランクであって、パターンの形成されていない領域を透過する露光用の照射光と前記主パターンを透過する露光用の照射光との位相差が１８０度となるフォトマスクを作成するためのマスクブランク。」
　　　　
（イ）原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である特開昭６３−２１２９３７号公報（以下、「引用例２」という。）には、以下の事項が図面とともに記載されている。
　
（ａ）「２．特許請求の範囲
（１）透光性基板と遮光性膜とを有するフォトマスクブランクにおいて、前記透光性基板と前記遮光性膜との間に、酸素を含有したモリブデンシリサイド膜からなる中間層を形成し、かつ前記中間層が前記透光性基板上に被着していることを特徴とするフォトマスクブランク。」（公報第１頁左下欄第４〜１０行参照）
　
（ｂ）「〔産業上の利用分野〕
　本発明は、ＩＣ、ＬＳＩ及び超ＬＳＩ等の半導体素子の製造に使用される、透光性基板と遮光性膜とを有するフォトマスクブランクに関し、特に透光性基板と遮光性膜との付着性を改良したフォトマスクブランクと、このフォトマスクブランクから製造したフォトマスクである。」（公報第１頁右下欄第１２〜１８行参照）
　
（ｃ）「〔従来の技術〕
　従来、フォトマスクブランクとしては、石英ガラスからなる透光性基板の一主表面に、モリブデンと珪素とからなるターゲットを用いて、アルゴン雰囲気中でスパッタリング法により、モリブデンシリサイド膜からなる遮光性膜（膜厚は約１０００Åで、波長４５０ｎｍに対する光学濃度は３．０である。なお、以下「光学濃度」は波長４５０ｎｍのものである。）を被着したものがあった。次に、このフォトマスクブランクの遮光性膜上にレジスト膜を塗布し、次に所望のパターンを有するマスクを通して紫外線によりレジスト膜を露光し、次に専用現像液によりレジスト膜を現像してレジスト膜パターンを形成し、次にレジスト膜パターンをマスクとして遮光性膜をドライエッチングして遮光性膜パターンを形成し、次にレジスト膜パターンを剥離し、透光性基板上に遮光性膜パターンを被着したフォトマスクを製造する。」（公報第１頁右下欄第１９行〜公報第２頁左上欄第１６行参照）
　
（ｄ）「〔作　用〕
　透光性基板上に被着している中間層が、酸素を含有しているモリブデンシリサイド膜からなるものであることから、透光性基板と遮光性膜との付着性を向上させる。」（公報第２頁左下欄第１５〜１９行参照）
　
（ｅ）「〔実施例２〕
　本例のフォトマスクブランク３を第３図に基づいて説明する。このフォトマスクブランク３は、前記実施例と同様の透光性基板３１上に、前記実施例と同様のターゲットを用いて、アルゴンと酸素との混合ガス雰囲気中（酸素含有率３体積％、圧力３×１０−３Ｔｏｒｒ）で直流マグネトロンスパッタリングで、約１１００Åの膜厚を有する、実質的に均一に酸素を含有したモリブデンシリサイド膜（酸素含有率１０原子％）からなる遮光性膜３３（光学濃度３．０）を被着した。したがって、本例においては、前記実施例のように明確な中間層１２はないが、透光性基板３１に当接して被着しているところの膜も、酸素を含有したモリブデンシリサイド膜であることから、本例の遮光性膜３３は、その一部３３ａ’（図において透光性基板主表面と一点鎖線との間の領域）が中間層の作用をするものであり、遮光性膜と中間層とを一体にしたものである。」（公報第３頁左下欄第１６〜右下欄第１３行参照）
　
（ｆ）「なお、本例における遮光性膜３３の酸素含有率は１０原子％に限らず１５原子％以下であれば、充分に遮光性を有する。また、本例においては、遮光性膜３３の酸素が実質的に均一に分布しているが、例えばアルゴンと酸素との混合ガス雰囲気中の酸素含有率を増減させるように調整すると、透光性基板側のモリブデンシリサイド膜中の酸素含有率２０原子％として中間層を形成し、次に遮光性膜となる、酸素含有率が１５原子％以下のモリブデンシリサイド膜を形成し、次に酸素原子を多量に含んだモリブデンシリサイドの酸化膜（酸素含有率約５０原子％）からなる反射防止膜を、連続して一体に形成することができる。すなわち、酸素を含有したモリブデンシリサイド膜の膜中の酸素含有率をその膜の膜厚方向に変化させてもよい。
　以上本発明は前記実施例に限らず次のものであってもよい。先ず、モリブデンシリサイド膜に酸素を含有させる雰囲気としてはアルゴンと酸素との混合ガスに限らず、不活性ガスと、ＣＯ２、ＣＯ、ＮＯ、ＮＯ２、ＳＯ２等の酸化性ガスとの混合ガス雰囲気であればよい。また、前記実施例１の中間層をモリブデンシリサイドの酸化膜としてもよく、また前記実施例２の遮光性膜と透光性基板との間にモリブデンシリサイドの酸化膜を設けてもよい。すなわち、このモリブデンシリサイドの酸化膜は、遮光性膜と透光性基板との付着性を向上させるのみならず、反射防止膜ともなる。また、透光性基板としては、石英ガラスのみならず、アルミノシリケートガラス等の他のガラスや、セラミックや、結晶性物質であってもよい。」（公報第４頁左上欄第７〜右上欄第１６行参照）
　　
３．対比
　本願発明と引用発明とを対比する。　
　引用発明の「マスクブランク」は、「パターンの形成されていない領域を透過する露光用の照射光と前記主パターンを透過する露光用の照射光との位相差が１８０度となるフォトマスクを作成するためのマスクブランク」であるから、本願発明の「位相シフトマスクブランク」に相当する。
　引用発明の「ガラス基板４１」は、本願発明の「基板」に相当する。
　引用発明の「ＭｏＳｉ系の半透明膜４２」は、本願発明の「金属シリサイド化合物を主成分とする１層以上の位相シフト膜」に相当する。
　引用発明の「クロム４４」は、本願発明の「１層以上のメタル含有膜」に相当する。
　引用発明の「ＳｉＯ2 ４３」は、「ＭｏＳｉ系の半透明膜４２」と「クロム４４」の間に形成されているので、本願発明の「ＳｉＯｘ層」に相当する。
　
　よって、本願発明と引用発明とは、
「位相シフトマスクブランクであって、基板上に、金属シリサイド化合物を主成分とする１層以上の位相シフト膜と、１層以上のメタル含有膜を具備し、前記位相シフト膜とメタル含有膜との界面にＳｉＯｘ層を具備するものである位相シフトマスクブランク。」の点で一致し、次の点で相違する。
　
（相違点）
　本願発明では、「位相シフト膜とＳｉＯｘ層の界面に膜の組成が連続的に変化した層」を有するのに対して、引用発明では、「位相シフト膜とＳｉＯｘ層の界面に膜の組成が連続的に変化した層」を有しない点。
　　　　
４．判断
　上記相違点について検討する。
　本願発明において、「位相シフト膜とＳｉＯｘ層の界面に膜の組成が連続的に変化した層」を形成する目的は、段落【００１４】の「本発明はこのような問題点に鑑みてなされたもので、基板上に、少なくとも位相シフターとして機能する位相シフト膜と、遮光膜、反射防止膜等として機能するメタル含有膜を有する位相シフトマスクブランクであって、前記位相シフト膜と前記メタル含有膜の密着性を向上した位相シフトマスクブランクを提供することを目的とする。」という記載、および、段落【００３０】の「このように、位相シフト膜１２とメタル含有膜１５との界面にＳｉＯｘ層１４を具備することで、位相シフト膜とメタル含有膜を直接密着させた場合と比較して、膜同士の密着性が向上し、その界面で位相シフト膜からメタル含有膜が剥離するのを抑制することができる。さらに、位相シフト膜１２とＳｉＯｘ層１４の界面に、連続変化層１３を有するものであることで、位相シフト膜１２とＳｉＯｘ層１４の密着性も向上するため、位相シフト膜からＳｉＯｘ層が剥離する可能性も減じられる。そして、このようなＳｉＯｘ層、連続変化層を介して、位相シフト膜とメタル含有膜が積層されていることで密着性がさらに向上する。したがって、この位相シフトマスクブランクに微細なパターンを形成しても、位相シフト膜からメタル含有膜が剥離する可能性がさらに低くなり、剥離した場合に生じるパーティクルの発生やピンホール等の欠陥の発生を防ぐことができる。」という記載からみて、位相シフト膜とＳｉＯｘ層の密着性を向上するためである。ここで、引用例２には、石英ガラスからなる透光性基板すなわちＳｉＯ２からなる基板とモリブデンシリサイド膜すなわち金属シリサイド化合物からなる遮光性膜との付着性を向上させるために、ＳｉＯ２からなる基板とモリブデンシリサイド膜との間に、酸素を含有したモリブデンシリサイド膜からなる中間層を形成し、前記中間層が酸素を含有したモリブデンシリサイド膜の膜中の酸素含有率をその膜の膜厚方向に変化させて形成したものであることが記載されている。してみると、引用発明において、上記引用例２に記載された発明を適用して、金属シリサイド化合物を主成分とする１層以上の位相シフト膜とＳｉＯｘ層との密着性を向上させるために、前記位相シフト膜と前記ＳｉＯｘ層の界面に、膜の組成が連続的に変化した層を形成することは当業者が容易に想到しうることである。
　
　そして、本願発明の作用効果は引用発明および引用例２に記載された発明から当業者が予期できたものである。
　
　したがって、本願発明は、引用発明および引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明および引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。