(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
二次側にマグネトロンが接続されたパルストランスの一次側に高圧電源と共に接続された、直列接続されたインダクタンスと並列接続されたコンデンサからなるＬＣ回路を複数直列接続したＰＦＮの出力開放端となる最終段のＬＣ回路のインピーダンスを、マグネトロンへ印加するパルス電圧の立下り特性を急峻にして低周波発振する期間を短縮し発振信号の周波数スペクトラムの広がりを抑えるように、他のＬＣ回路より小さくしたことを特徴とする送信装置用高電圧パルス発生回路。
【請求項２】
上記最終段のＬＣ回路のコンデンサの容量を他のコンデンサに比べ１０〜３０％大きいものとしたことを特徴とする請求項１に記載の送信装置用高電圧パルス発生回路。
【請求項３】
上記最終段のＬＣ回路のインダクタンスを他のインダクタンスに比べ１０〜３０％小さいものとしたことを特徴とする請求項１に記載の送信装置用高電圧パルス発生回路。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明はパルスレーダ装置等の送信装置に使用される送信装置用高電圧パルス発生回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
図３は従来の送信装置の高電圧パルスを発生させる送信装置用高電圧パルス発生回路を示すものであり、図において、６はパルストランスであり、これの一次側には高圧電源１、チャージングチョーク２、ダイオード３、スイッチ４、ＰＦＮ（Ｐｕｌｓｅ  Ｆｏｒｍｉｎｇ  Ｎｅｔｗｏｒｋ）５ａおよびスイッチ４を駆動する制御回路１２が接続されている。また二次側には、マグネトロン８、ヒータ回路７および抵抗１１が接続されている。
【０００３】
また図４はＰＦＮ５ａの回路構成を示すもので、直列接続されたインダクタンス９と並列接続されたコンデンサ１０からなるＬＣ回路が複数直列接続されてなる。また、図５の（ａ）はマグネトロンに印加されるパルス電圧波形である。
【０００４】
次に動作について説明する。まずスイッチ４が閉じＰＦＮ５ａからの放電が完了すると、スイッチ４を開き、高圧電源１からチャージングチョーク２を通ってＰＦＮ５ａを約２倍の電圧に共振充電する。この状態でスイッチ４が閉じるとＰＦＮ５ａの電荷はスイッチ４を通って放電されパルストランス６を経てマグネトロン８に供給される。
【０００５】
この際マグネトロン８に印加されるパルス電圧波形をできるだけ忠実に伝送するためマグネトロンのインピーダンスにＰＦＮ５ａのインピーダンス（図４で示されるＰＦＮのインダクタンス９の総和をＬＮ、コンデンサ１０の総和をＣＮとするとＰＦＮ５ａのインピーダンスは√（ＬＮ／ＣＮ）となる）を合わせ整合をとっているが、マグネトロン８のインピーダンスは印加される電圧によってダイナミックに変動し、印加電圧が低い時はインピーダンスは高く、印加電圧が高くなるにつれ急速に低インピーダンスになる。このことはマグネトロン８への印加電圧に立ち上がりが速く、立ち下がりが遅くなる方向へ作用する。
【０００６】
マグネトロン８の発振周波数は一般的に印加電圧が低いと正常な発振周波数に比べ低くなるため、印加電圧の立ち下がりがなだらかであると正常な発振周波数よりも低い周波数での発振は長く続くことになり、発振信号の周波数スペクトラムの低域側でエネルギーが増大し、マグネトロンの占有帯域幅を広げる方向に作用してしまう。
【０００７】
そのため従来の送信装置用高電圧パルス発生回路ではマグネトロンの印加電圧に依存して変化するインピーダンス変化を軽減させるためマグネトロンに並列に抵抗１１を付加していた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
従来の送信装置用高電圧パルス発生回路は以上のように構成されているので、マグネトロンに並列に付加した抵抗に常時電力を供給するため、高圧電源の容量を大きくしなければならず、また抵抗の放熱の問題や絶縁距離確保など装置が大型化してしまうという問題があった。
【０００９】
この発明は上記のような問題点を解消するためになされたもので、従来よりも狭い占有帯域幅でマグネトロンを発振させることができかつ小型の送信装置用高電圧パルス発生回路を得ることを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記の目的に鑑み、この発明は、二次側にマグネトロンが接続されたパルストランスの一次側に高圧電源と共に接続された、直列接続されたインダクタンスと並列接続されたコンデンサからなるＬＣ回路を複数直列接続したＰＦＮの出力開放端となる最終段のＬＣ回路のインピーダンスを、マグネトロンへ印加するパルス電圧の立下り特性を急峻にして低周波発振する期間を短縮し発振信号の周波数スペクトラムの広がりを抑えるように、他のＬＣ回路より小さくしたことを特徴とする送信装置用高電圧パルス発生回路にある。
【００１１】
またこの発明では、特に上記最終段のＬＣ回路のコンデンサの容量を他のコンデンサに比べ１０〜３０％大きいものとした。
【００１２】
またこの発明では、特に上記最終段のＬＣ回路のインダクタンスを他のインダクタンスに比べ１０〜３０％小さいものとした。
【００１３】
すなわちこの発明は、ＰＦＮにおいてパルス電圧の立ち下がり部分に当たるＬＣ回路のインピーダンスをマグネトロンのインピーダンスと不整合になるようにしたものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】
図１はこの発明の一実施の形態による送信装置用高電圧パルス発生回路を示すものであり、図において、６はパルストランスであり、これの一次側には高圧電源１、チャージングチョーク２、ダイオード３、スイッチ４、ＰＦＮ（Ｐｕｌｓｅ  Ｆｏｒｍｉｎｇ  Ｎｅｔｗｏｒｋ）５およびスイッチ４を駆動する制御回路１２が接続されている。また二次側には、マグネトロン８およびヒータ回路７が接続されている。ＰＦＮ５はパルス電圧の立ち下がり部分に当たるＬＣ回路のインピーダンスがマグネトロン８のインピーダンスと不整合になるようにされたものである。
【００１５】
また図２はこの発明のＰＦＮ５の回路構成を示すもので、直列接続されたインダクタンス９と並列接続されたコンデンサ１０からなるＬＣ回路が複数直列接続されてなる。ＰＦＮの出力開放端（パルス電圧の立ち下がり部分に当たる部分）となる最終段のＬＣ回路はインダクタンス９ａとコンデンサ１０ａで示されている。また、図５の（ｂ）は図１に示すこの発明の回路においてマグネトロンに印加されるパルス電圧波形である。
【００１６】
次に動作について説明する。マグネトロン８への電力供給は従来技術の動作と同様のためここでは省略する。図２中のＰＦＮ５最終段のインダクタンス９ａとコンデンサ１０ａのＬＣ回路において、コンデンサ１０ａの容量を他のコンデンサ１０に比べ１０％〜３０％増やすか、またはインダクタンス９ａを他のインダクタンス９に比べ１０％〜３０％下げることにより図５の（ｂ）のようにパルス電圧の立ち下がり部分を急峻にできる。
【００１７】
この結果、正常な発振周波数よりも低い周波数での発振期間が短くなり、発振信号の周波数スペクトルの低域側でのエネルギーが減少し、マグネトロン８の占有帯域幅を狭める方向に作用する。
【００１８】
なお、上記実施の形態では、ラインタイプパルサーについて示したが、ＰＦＮを使用した磁気パルサーに上記ＰＦＮ５を使用してもよい。
【００１９】
【発明の効果】
以上のように、この発明による送信装置用高電圧パルス発生回路によれば、マグネトロン印加電圧の立ち下がりを急峻にしたことにより、マグネトロンの低周波での発振期間が短くなり、スペクトラムの広がりを抑えられ占有帯域幅を狭くできるとともにマグネトロンに並列に抵抗を付加する必要性がないため装置が小型化にできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施の形態による送信装置用高電圧パルス発生回路の構成を示す図である。
【図２】図１のＰＦＮの回路構成の一例を示す図である。
【図３】従来の送信装置用高電圧パルス発生回路の構成を示す図である。
【図４】図３のＰＦＮの回路構成の一例を示す図である。
【図５】従来ならびにこの発明による送信装置用高電圧パルス発生回路におけるマグネトロン印加電圧の波形を示す図である。
【符号の説明】
１  高圧電源、２  チャージングチョーク、３  ダイオード、４  スイッチ、５  ＰＦＮ、６  パルストランス、７  ヒータ回路、８  マグネトロン、９，９ａ  インダクタンス、１０，１０ａ  コンデンサ、１２  制御回路。
【図１】
0003561144.tif 000002
【図２】
0003561144.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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