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　平成　７年特許願第　８２０３５号「半導体装置を形成する方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　７年１０月２７日出願公開、特開平　７−２８３３２０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成７年３月１５日（パリ条約による優先権主張１９９４年３月２８日、米国）の出願であって、平成１８年１月４日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年４月７日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。
　
第２　本願発明　
　本願の請求項１ないし４に係る発明は、願書に最初に添付した明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、このうち、本願の請求項３に係る発明は、以下のとおりのものである。
「【請求項３】　半導体装置を形成する方法であって：
　高点（１０８１）を含む第１絶縁層（１０８）を、半導体基板（１００）の上に形成する段階；
　第１絶縁層（１０８）の上に有機層（１０９）を形成する段階；
　有機層（１０９）および高点（１０８１）を同時にエッチングする段階；
　第１絶縁層（１０８）の一部をフッ化物含有溶液でエッチングする段階であって、この段階は：
　　　第１絶縁層（１２８）の少なくとも１００オングストロームをエッチングし；
　　　前記同時にエッチングする段階の後で、かつ：
　　　　　第１絶縁層（１２８）の上に層を形成すること；および
　　　　　第１絶縁層（１２８）を含む基板をアニールすること；
　からなるグループから選ばれる段階の前に行われる段階；
　によって構成されることを特徴とする方法。」
　
第３　刊行物に記載された発明
　刊行物１．特開平４−２６６０２８号公報　
　原審の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物１（特開平４−２６６０２８号公報）には、図１、図４とともに、
「半導体集積回路の製造方法」（発明の名称）に関して、
「【０００３】
【発明が解決しようとする課題】半導体産業では、流動性イオンによる汚染がしばしば問題となる。アルカリ金属イオン、特にナトリウムイオンのような流動性イオンが製造中に何らかの理由で、ランナーを分離する絶縁層にしばしば侵入するのである。ＭＯＳＦＥＴデバイスでは、これらのイオンは最終的に基板に移動し、デバイス間の絶縁またはデバイスのスレッシホールド電圧に悪影響を及ぼす。
【０００４】流動性イオン（特にナトリウム）による汚染の考え得る原因は多数存在し、その全てが完全にわかっているわけではない。可能性のある汚染の一つの原因は、レベル間の絶縁体を平らにするための平坦化もしくはエッチバックのプロセスである。すぐ上のレベルの金属層または絶縁層の形成に伴う問題を緩和するために、レベル間絶縁層は平坦化されるか少なくとも平滑化される。」、
「【０００９】
【実施例】図１において、絶縁層１１は、電界効果トランジスタのゲート、ソース、ドレインをカバーするものであり、レベル１の絶縁層と呼ばれる。その下にあるデバイスの詳細な構成は、説明を簡単にするために省略している。１３、１５、１７は、絶縁層１１の上に設けられた導電性のランナーである。ランナー１３、１５、１７は例えばアルミニウムのような金属や、ポリシリコンのような導電物質から出来ている。ランナー１３、１５、１７の下側には能動トランジスタ領域または他のランナーがあり、これらとランナー１３、１５、１７とを接続するウィンドウまたはバイアスが設けられているが、図を簡単にするために省略している。
【００１０】絶縁層２１はランナー１３、１５、１７をカバーし、かつそれらの間のスペースを埋めている。絶縁層２１には二酸化ケイ素を使用することができる。二酸化ケイ素は絶縁体２１のようなレベル間絶縁体として使用するために堆積されるが、この堆積は種々のガス源による化学蒸着（ＣＶＤ）プロセスで行われる。堆積は大気圧下または低圧下で行うことができるが、プラズマで強化するようにしても良い。絶縁層２１は、シランにより形成するようにしても良い。また、略語「ＴＥＯＳ」の四価エトキシシリコン化合物（Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４）・・・のような先端的有機シリコン化合物で絶縁層２１を作ってもよい。他の先端的物質や他のプロセスを色々な組合せで使ってもよい。前述したように、絶縁層２１は三価のリンを含んでいてもよい。
【００１１】例えば「ＴＥＯＳ層の堆積」という表現は、当業者間では、リアクタ内でＴＥＯＳを分解することにより絶縁層を堆積するという意味に理解されている。このプロセスは、必要に応じてプラズマにより強化して行われ、その結果出来るものは「ＰＥＴＥＯＳ」と呼ばれる。・・・多段階堆積及びエッチバックを行う堆積プロセスもある。
【００１２】絶縁層２１の上表面２２は一般に平坦ではない。なぜなら、付着した絶縁体は下にある凹凸形状を写し取ったような表面２２を形成する傾向にあるからである。よって、表面２２はランナー１３、１５、１７の上の部分ではやや高く、ランナーのすき間の上部分ではやや低くなっている。
【００１３】金属や絶縁体などの堆積を引き続いて比較的平らな表面の上に行えるように絶縁層２１の上表面２２を平滑化、平坦化することがしばしば望ましい。そうやって、堆積を平滑でない表面や波うった表面に行おうとする時に起きるステップカバリッジの問題を避ける。表面２２の平坦化はこの技術分野において良く知られた種々の方法により行われる。
【００１４】多くの平坦化技術は流動性イオン汚染の恐れを伴う。ある平坦化方法ではレジストを使用する。レジストが表面２２上に付着され、スピニングによって平坦化される。それから、レジストとその下の絶縁体両方をほぼ同じ割合で削り取るプロセスによってその両方がエッチングされる。不運なことに、多くのレジストはナトリウムの豊富な源である。結果として、レジストーエッチバック平坦化プロセスは流動性イオン汚染につながる。」、
「【００１６】結果として、最も良いと思うなんらかのプロセスで絶縁層２１を平坦化またはエッチバックした後に、絶縁層２１の上表面２２からナトリウムを取り除くのにウェットクリーニングを行う。例えば、あるウェットクリーニングでは、もしランナー１３、１５、１７が金属で絶縁体平坦化後に表面に出ているのなら８対１の割合のエチレングリコールと緩衝フッ化水素を使い、ランナーが表面に出ていないのなら１００対１の水とフッ化水素を使う。
【００１７】ウェットクリーニングは、いたるところに存在するナトリウムを取り除くには望ましい一方で、ある危険を伴う。絶縁層２１を形成するために使われたＣＶＤプロセスの多くは、ランナーの隙間の部分を完全に埋めはしない。ランナー１３と１５のように二つのランナーが接近して配置されている場合、色々な不完全部２３、２５が、ランナー対１３ー１５、１５ー１７の隙間部分の絶縁層２１内に現れる。これら不完全部はボイドであり、軟酸化物領域と呼ばれる。軟酸化物領域は明らかに固体酸化物領域であり、例えば前述したウェットクリーニングの間に、特にエッチングによる傷を受け易い。そのため、もし軟酸化物領域２３がランナー１３と１５の隙間部分にあるときは、ウェットクリーニングはその軟酸化物領域２３を特に狙って攻撃し、その結果絶縁層２１内に溝が出来る。さらにウェットクリーニングを続けると、ランナー１３と１５の隙間部分で下へ向けて溝が延びていくことになる。溝は、結果として出来る上表面の滑らかな形状を損ねることになり、引続き行われる絶縁体または金属の堆積が困難となるため望ましくない。」、
「【００２３】前述した平坦化ステップの後に面３２の付近からナトリウムイオン汚染を取り除くためのウェットクリーニング工程は必要ない。絶縁層２７の存在のおかげで、絶縁層２１へのナトリウム侵入の恐れもなくウェットクリーニングステップを省くことができる。ウェットクリーニングによって作られる酸化物内の溝の問題もこれで避けられる。さらに、絶縁層２１、３１にサンドウィッチされている絶縁層２７の位置は、下にあるシリコン基板でイメージチャージが誘導されるのを防ぐことにおいても重要である。
【００２４】すなわち、絶縁層２１、３１の相対的厚さが重要であることがわかった。絶縁層２１、２７、２９の厚さ合計を１．２マイクロメートルに固定しながら、絶縁層２１の厚さを０．２マイクロメートル、０．５マイクロメートル、０．８マイクロメートルと変えていく一方で、絶縁層２９の厚さを０．８マイクロメートル、０．５マイクロメートル、０．２マイクロメートルと変えることにより、個々のウェハーを使って一連の実験を行った。絶縁層２７は厚さ０．２マイクロメートルの窒化ケイ素である。エッチバックを実行しなかったが、フォトレジストの堆積とオゾン中でのフォトレジストのアッシングによって絶縁層２９の上面にナトリウムが侵入した。ＴＶＳ（「三角波電圧スウィープ」）テストが、絶縁層２１内の流動性イオン汚染を検出するために行われた。ＴＶＳテストは、米国特許第４，９５０，９７７号明細書に開示されている。最小量のイオン流が、絶縁層２１の厚さが０．８マイクロメートルのサンプルで見つかった。絶縁層２７の上表面やその付近にナトリウムイオンが存在すると、シリコン基板内と絶縁層３１の上面に配置される金属ランナー内にイメージチャージが誘導されるという説がある。シリコン基板内に見られるイメージチャージの量は、絶縁層３１の厚さを絶縁層の上にある金属ランナーとシリコン基板のとの間にある絶縁体の厚さの合計で割った値にほぼ比例する。基板内に誘導されたイメージチャージは、前述したデバイス間の絶縁性の問題及びスレッシホールド電圧のシフトの問題に関与する。レベル１の絶縁層１１が三価のリンでドープしたガラスであったとしても、イメージチャージ現象は前述した問題を引き起こす。
【００２５】下部のシリコン基板と上部の金属ランナーの間の（ナトリウムがたまる場所である絶縁層２７の内部や上面のような）インターフェイスの相対位置が重要なパラメータであることがさらなる研究からわかった。所定レベルの汚染に対しては、そのインターフェイス部はシリコン基板から十分遠く、上部金属ランナーに近くなくてはならない。そうすると、ほとんどのイメージチャージはランナー内に現れ、回路の性能を落とすシリコン基板内のイメージチャージはわずかである。」、
「【００３２】図４において、１１１は、シリコン、ドープされたシリコン、エピタキシャルシリコンなどの基板である。」、
が、記載されている。
　また、例えば、【０００９】段落に記載の「絶縁層１１」は、図１には、「基板１１」と記載されている。
　また、【００１７】段落には、「ウェットクリーニング」に「引続き行われる絶縁体または金属の堆積」について、記載されている。
　
　以上の記載から、刊行物１には、以下の発明が記載されている。
「その上表面２２がランナー１３、１５、１７の上の部分ではやや高くなっている絶縁層２１を基板１１の上に形成する段階、レジストが前記絶縁層２１の前記上表面２２に付着されスピニングによって平坦化される段階、前記レジストとその下の前記絶縁層２１の両方をほぼ同じ割合で削り取るプロセスによってその両方がエッチングされるレジスト−エッチバック平坦化プロセスの段階、前記レジスト−エッチバック平坦化プロセスの段階の後に前記絶縁層２１の前記上表面２２からナトリウムを取り除くのに８対１の割合のエチレングリコールと緩衝フッ化水素、又は１００対１の水とフッ化水素を使ってウェットクリーニングを行う段階、前記ウェットクリーニングに引続き絶縁体または金属の堆積が行われる段階によって構成されることを特徴とする半導体集積回路の製造方法。」
　
　刊行物２．特開平２−２１９２３１号公報
　原審の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物２（特開平２−２１９２３１号公報）には、図面とともに、
「半導体集積回路内の移動性イオン汚染を低減するための方法」（発明の名称）に関して、
「
発明の要約
　好ましい実施態様においては、表面上に複数の第一のレベルの金属部分を持つ第一の誘電体層の上に堆積された第二の誘電体層の表面から４０ｎｍ以下が除去される。ここで、これら金属部分は、二つの層の間の界面の所に置かれる。この除去は、例えば、第二の誘電体層を移動性イオン汚染源に晒す処理ステップ、例えば、反応性イオン　エッチングの後に、湿式エッチングによって達成される。典型的には、本発明の方法によって除去される移動性イオン汚染物質は主にナトリウム　イオンである。」（第３頁右上欄第７行〜同頁左下欄第４行）、
「第二の誘電層７は、典型的には、ＰＥＴＥＯＳと慣習的に呼ばれる層を製造するためにプラズマ促進ＴＥＯＳプロセスによって形成される。ＰＥＴＥＯＳ層７は、典型的には、かなり厚く、例えば、２５００ｎｍに形成され、次に、比較的平坦で滑らかな最終層７を得るために“エッチ　バック（ｅｔｃｈｅｄ　ｂａｃｋ）”されるが、これは約６００ｎｍより厚い、典型的には、公称８００ｎｍの最終的な厚さを持つ。図示されるごとく、第二の誘電層７が次にウンイドウ２３を開けるようにパターン化されるが、これは、第一の金属及び第一の誘電体の選択された部分を露出する。このパターン化は、典型的には、反応性イオン　エッチングあるいは別の形式のプラズマ　エッチングのような異方性エッチングによって達成される。上に述べたエッチバックを含むこれらタイプのエッチング、並びに従来のフォトレジスト及びこれらプロセスを遂行するために典型的に装置内に含まれる物質は、誘電層内にかなりの量の移動イオン汚染を導入することが知られている。
　周知の如く、図面１に示される基板ｌのようなシリコン基板を覆う誘電層内の移動イオンは、電圧及び温度の上昇によって、例えば、ＢＰＳＧ誘電層３とＰＥＴＥＯＳ誘電層７の間の界面に簡単に移動し、また、フィールド酸化物隔離領域１５の下側に電流漏れ経路（図示無し）を誘引する。この漏れ経路は、しばしば、デバイス間電気絶縁に致命的な影響を与え、結果として、隣接するデバイス間の完全な短絡が簡単に起こる。
　但し、今日に至るまで、上に説明の処理では、説明の処理ステップの結果として避けることができないかなりの量の追加の移動イオンの汚染が起こり、この追加の汚染は、この汚染を生成した処理ステップの直後においては、層７の最も上の表面部分に集中するといこうとまでは知られていなかった。
　第一に、二次イオン質量顕微鏡分析及びオーガースペクトル分析の両方を通じて、上に説明のように形成された最終的な８００ｎｍのＰＥＴＥＯＳ層に対しては、移動イオン汚染の実質的に全て、つまり、約９５％以上が、この汚染を生成した処理ステップの直後においては、これまで当分野における研究者によって考えられていたようにこの層の８００ｎｍの全厚さを通じて比較的均一に分散しているのではなく、この層の上側１０−１００ｎｍ、典型的には、上側１０−１５ｎｍ内に集中することが発見された。
　除去されなければならない汚染物質が実質的に誘電層７の上側表面部分に集中していることが認識された結果、更に、この汚染は、実質的にこれら表面部分のみを除去するという簡単な方法にて除去できるという追加の認識に達した。但し、又、これら部分をこの高い移動性イオンのこの層全体への再分散を起こすのに十分な熱或はエネルギーを伴うその後の処理ステップが遂行される前に除去しなくてはならないことも確認された。単に、ウエーハを室温に放置しただけでは、大きな再分散は起こりそうもないが、但し、高温で行なわれる処理ステップ、或はウエーハを高電圧或は他のエネルギーに晒すようなステップ、例えば、イオン移入、反応性イオン　エッチング、プラズマ　ストリッピング或は様々なタイプのフォトレジスト展開ステップは、急速な再分散の原因となり得る。
　汚染された誘電層、例えば、反応性イオン　エッチングされた誘電層７の最も上側表面部分を除去するためには、当業者において明白なように、様々な方法の任意の一つを使用することができる。これら方法の簡単な一つの方法は、この汚染を生成したステップの直後に湿式エッチングを行なう方法である。適当と考えられるエッチングは、約１００部の水及び１部のフッ化水素酸（ＨＦ）から成る従来の溶液を使用して室温にて約３分間エッチングする方法である。このエッチングは、約３０−４５ｎｍのＰＥＴＥＯＳ誘電層７のみを除去し、移動インオ汚染の検出できる効果を回避するのに完全に有効であることが発見された。移動イオン汚染は、典型的には、層の上側１０−１５ｎｍ内にのみ集中するが、プロセス変動を考慮に入れ、これによってより完全な除去を保証するために、約４０ｎｍ除去するのが好ましい。
　別の方法として、誘電層の最も上側表面部分は、約８部のエチレン　グリコールと１部の緩衝されたフッ化水素酸（ＢＨＦ）を含む溶液内において、約１分間、約４０ｎｍを除去するために湿式エッチングすることによっても除去することができる。」（第４頁右上欄第５行〜第５頁右上欄第７行）、
が、記載されている。
　　
第４　対比
　本願の請求項３に係る発明（以下、「本願発明３」という。）と刊行物１に記載された発明（以下、「刊行物１発明」という。）とを対比する。
ア　刊行物１発明の「その上表面２２がランナー１３、１５、１７の上の部分ではやや高くなっている絶縁層２１」の、「その上表面２２がランナー１３、１５、１７の上の部分ではやや高くなっている」部分、「絶縁層２１」は、それぞれ、本願発明３の「高点（１０８１）」、「第１絶縁層（１０８）」に相当するので、刊行物１発明の「その上表面２２がランナー１３、１５、１７の上の部分ではやや高くなっている絶縁層２１を基板１１の上に形成する段階」は、本願発明３の「高点（１０８１）を含む第１絶縁層（１０８）を、」「基板（１００）の上に形成する段階」に相当する。
イ　刊行物１発明の「レジスト」は、本願発明３の「有機層（１０９）」に相当するので、刊行物１発明の「レジストが前記絶縁層２１の前記上表面２２に付着されスピニングによって平坦化される段階」は、本願発明３の「第１絶縁層（１０８）の上に有機層（１０９）を形成する段階」に相当する。
ウ　刊行物１発明の「前記レジストとその下の前記絶縁層２１の両方をほぼ同じ割合で削り取るプロセスによってその両方がエッチングされるレジスト−エッチバック平坦化プロセスの段階」は、本願発明３の「有機層（１０９）および高点（１０８１）を同時にエッチングする段階」に相当する。
エ　刊行物１発明の「フッ化水素」は、本願発明３の「フッ化物」に相当し、刊行物１発明の「８対１の割合のエチレングリコールと緩衝フッ化水素、又は１００対１の水とフッ化水素」は、本願発明３の「フッ化物含有溶液」に相当し、刊行物１発明の「前記絶縁層２１の前記上表面２２からナトリウムを取り除くのに８対１の割合のエチレングリコールと緩衝フッ化水素、又は１００対１の水とフッ化水素を使ってウェットクリーニングを行う」ことは、「前記絶縁層２１の前記上表面２２」の一部を「ウェットクリーニング」によりエッチングすることに他ならないから、刊行物１発明の「前記レジスト−エッチバック平坦化プロセスの段階の後に前記絶縁層２１の前記上表面２２からナトリウムを取り除くのに８対１の割合のエチレングリコールと緩衝フッ化水素、又は１００対１の水とフッ化水素を使ってウェットクリーニングを行う段階」は、本願発明３の「第１絶縁層（１０８）の一部をフッ化物含有溶液でエッチングする段階であって、この段階は：」「前記同時にエッチングする段階の後」「に行われる段階」に相当する。
オ　刊行物１発明の「前記ウェットクリーニングに引続き絶縁体または金属の堆積が行われる段階」は、本願発明３の「第１絶縁層（１２８）の上に層を形成すること」に相当する。
カ　刊行物１発明の「前記絶縁層２１の前記上表面２２からナトリウムを取り除くのに８対１の割合のエチレングリコールと緩衝フッ化水素、又は１００対１の水とフッ化水素を使ってウェットクリーニングを行う段階」と、「前記ウェットクリーニングに引続き絶縁体または金属の堆積が行われる段階」とは、本願発明３の「第１絶縁層（１０８）の一部をフッ化物含有溶液でエッチングする段階であって、この段階は：」「第１絶縁層（１２８）の上に層を形成すること；および第１絶縁層（１２８）を含む基板をアニールすること；からなるグループから選ばれる段階の前に行われる段階」のうちの、「第１絶縁層（１２８）の上に層を形成すること；および第１絶縁層（１２８）を含む基板をアニールすること；からなるグループから選ばれ」た、本願発明３の「第１絶縁層（１０８）の一部をフッ化物含有溶液でエッチングする段階であって、この段階は：」「第１絶縁層（１２８）の上に層を形成すること」「の前に行われる段階」に相当するので、刊行物１発明の「前記絶縁層２１の前記上表面２２からナトリウムを取り除くのに８対１の割合のエチレングリコールと緩衝フッ化水素、又は１００対１の水とフッ化水素を使ってウェットクリーニングを行う段階」と、「前記ウェットクリーニングに引続き絶縁体または金属の堆積が行われる段階」とは、本願発明３の「第１絶縁層（１０８）の一部をフッ化物含有溶液でエッチングする段階であって、この段階は：」「第１絶縁層（１２８）の上に層を形成すること；および第１絶縁層（１２８）を含む基板をアニールすること；からなるグループから選ばれる段階の前に行われる段階」に相当するが、ちなみに、本願発明３の「第１絶縁層（１０８）の一部をフッ化物含有溶液でエッチングする段階であって、この段階は：」「第１絶縁層（１２８）の上に層を形成すること；および第１絶縁層（１２８）を含む基板をアニールすること；からなるグループから選ばれる段階の前に行われる段階」について、本願明細書の【００３５】段落には、「ＲＥＢの例の洗浄工程は、ＲＥＢ工程の後で、第１絶縁層１０８の上に他の層を形成する前，第１絶縁層１０８を含む基板をアニールする前あるいはその両方の前に一般に行われる。」と記載されている。
キ　刊行物１発明の「半導体集積回路の製造方法」は、本願発明３の「半導体装置を形成する方法」に相当する。
　
　すると、本願発明３と刊行物１発明とは、
「半導体装置を形成する方法であって：　
　高点（１０８１）を含む第１絶縁層（１０８）を、基板の上に形成する段階；
　第１絶縁層（１０８）の上に有機層（１０９）を形成する段階；　
　有機層（１０９）および高点（１０８１）を同時にエッチングする段階；
　第１絶縁層（１０８）の一部をフッ化物含有溶液でエッチングする段階であって、この段階は：　
　前記同時にエッチングする段階の後で、かつ：
　第１絶縁層（１２８）の上に層を形成すること；および　
　第１絶縁層（１２８）を含む基板をアニールすること；　
　からなるグループから選ばれる段階の前に行われる段階；　
　によって構成されることを特徴とする方法。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　相違点１
　本願発明３は、「半導体基板（１００）」を有するのに対して、刊行物１発明は、「基板１１」を有するものの、「基板１１」が、「半導体基板」であるか否か不明である点（以下、「相違点１」という。）。　
　相違点２
　本願発明３は、「第１絶縁層（１０８）の一部をフッ化物含有溶液でエッチングする段階」において「第１絶縁層（１２８）の少なくとも１００オングストロームをエッチング」するのに対して、刊行物１発明は、「前記絶縁層２１の前記上表面２２からナトリウムを取り除くのに８対１の割合のエチレングリコールと緩衝フッ化水素、又は１００対１の水とフッ化水素を使ってウェットクリーニングを行う」が、「ウェットクリーニング」によりどの程度「前記絶縁層２１の前記上表面２２」をエッチングするのか不明である点（以下、「相違点２」という。）。　
　相違点３　
　本願発明３は、「第１絶縁層（１０８）の一部をフッ化物含有溶液でエッチングする段階であって、この段階は：」「第１絶縁層（１２８）の上に層を形成すること；および第１絶縁層（１２８）を含む基板をアニールすること；からなるグループから選ばれる段階の前に行われる段階」を有するのに対して、刊行物１発明は、「前記絶縁層２１の前記上表面２２からナトリウムを取り除くのに８対１の割合のエチレングリコールと緩衝フッ化水素、又は１００対１の水とフッ化水素を使ってウェットクリーニングを行う段階」と、「前記ウェットクリーニングに引続き絶縁体または金属の堆積が行われる段階」とを有しているので、刊行物１発明は、本願発明３の「第１絶縁層（１０８）の一部をフッ化物含有溶液でエッチングする段階であって、この段階は：」「第１絶縁層（１２８）の上に層を形成すること；および第１絶縁層（１２８）を含む基板をアニールすること；からなるグループから選ばれる段階の前に行われる段階」のうちの、「第１絶縁層（１２８）の上に層を形成すること；および第１絶縁層（１２８）を含む基板をアニールすること；からなるグループから選ばれ」た、本願発明３の「第１絶縁層（１０８）の一部をフッ化物含有溶液でエッチングする段階であって、この段階は：」「第１絶縁層（１２８）の上に層を形成すること」「の前に行われる段階」に相当する点で、一致しているので、特に相違はしないが、刊行物１発明は、本願発明３の「第１絶縁層（１０８）の一部をフッ化物含有溶液でエッチングする段階であって、この段階は：」「第１絶縁層（１２８）の上に層を形成すること；および第１絶縁層（１２８）を含む基板をアニールすること；からなるグループから選ばれる段階の前に行われる段階」のうちの、「第１絶縁層（１２８）の上に層を形成すること；および第１絶縁層（１２８）を含む基板をアニールすること；からなるグループから選ばれ」た、本願発明３の「第１絶縁層（１０８）の一部をフッ化物含有溶液でエッチングする段階であって、この段階は：」「第１絶縁層（１２８）を含む基板をアニールすること」「の前に行われる段階」を有していない点（以下、「相違点３」という。）では、一応、相違している。
　
第５　当審の判断
　以下で、上記相違点１ないし３について検討する。
　
　相違点１について
　例えば、刊行物１の【００２３】〜【００２５】段落には、「シリコン基板」について記載されており、また、【００３２】段落には、「図４において、１１１は、シリコン、ドープされたシリコン、エピタキシャルシリコンなどの基板である」と記載されており、また、刊行物２には、「図面１に示される基板ｌのようなシリコン基板」（第４頁左下欄第４〜５行）と記載されているように、半導体装置を製造する技術分野において、基板として、シリコン基板に代表される半導体基板を用いることは、慣用技術である。
　したがって、刊行物１発明においても、基板１１として、当該技術分野の慣用技術である半導体基板を用いることは、当業者が適宜なし得た程度のことと認められる。
　
　相違点２について
　刊行物２には、「比較的平坦で滑らかな最終層７を得るために“エッチ　バック（ｅｔｃｈｅｄ　ｂａｃｋ）”されるが、」「上に述べたエッチバックを含むこれらタイプのエッチング、並びに従来のフォトレジスト及びこれらプロセスを遂行するために典型的に装置内に含まれる物質は、誘電層内にかなりの量の移動イオン汚染を導入することが知られている。」（第４頁右上欄第９行〜同頁左下欄第３行）こと、「上に説明のように形成された最終的な８００ｎｍのＰＥＴＥＯＳ層に対しては、移動イオン汚染の実質的に全て、つまり、約９５％以上が、この汚染を生成した処理ステップの直後においては、これまで当分野における研究者によって考えられていたようにこの層の８００ｎｍの全厚さを通じて比較的均一に分散しているのではなく、この層の上側１０−１００ｎｍ、典型的には、上側１０−１５ｎｍ内に集中することが発見された。」（第４頁左下欄第２０行〜同頁右下欄第９行）こと、「汚染された誘電層、例えば、反応性イオン　エッチングされた誘電層７の最も上側表面部分を除去するためには、」「この汚染を生成したステップの直後に湿式エッチングを行なう方法である。適当と考えられるエッチングは、約１００部の水及び１部のフッ化水素酸（ＨＦ）から成る従来の溶液を使用して室温にて約３分間エッチングする方法である。このエッチングは、約３０−４５ｎｍのＰＥＴＥＯＳ誘電層７のみを除去し、移動インオ汚染の検出できる効果を回避するのに完全に有効であることが発見された。移動イオン汚染は、典型的には、層の上側１０−１５ｎｍ内にのみ集中するが、プロセス変動を考慮に入れ、これによってより完全な除去を保証するために、約４０ｎｍ除去するのが好ましい。　別の方法として、誘電層の最も上側表面部分は、約８部のエチレン　グリコールと１部の緩衝されたフッ化水素酸（ＢＨＦ）を含む溶液内において、約１分間、約４０ｎｍを除去するために湿式エッチングすることによっても除去することができる。」（第５頁左上欄第６行〜同頁右上欄第７行）ことが、記載されている。
　そして、刊行物２の上記の記載をまとめると、「汚染された誘電層」である「誘電層７の最も上側表面部分を除去するためには、」「この汚染を生成したステップの直後に」「約１００部の水及び１部のフッ化水素酸（ＨＦ）から成る従来の溶液を使用」するか、「約８部のエチレン　グリコールと１部の緩衝されたフッ化水素酸（ＢＨＦ）を含む溶液」を使用して「湿式エッチングを行な」い、「移動イオン汚染は、典型的には、層の上側１０−１５ｎｍ内にのみ集中するが、プロセス変動を考慮に入れ、これによってより完全な除去を保証するために、約４０ｎｍ除去する」ことが、示されており、「約４０ｎｍ除去する」ことは、「約４００オングストローム除去する」ことであり、１００オングストロームよりも大きいから、刊行物２の上記の記載は、本願発明３の「第１絶縁層（１０８）の一部をフッ化物含有溶液でエッチングする段階」において「第１絶縁層（１２８）の少なくとも１００オングストロームをエッチング」することに相当する。
　したがって、刊行物１発明において、刊行物２に記載の上記の技術思想を適用して、本願発明３のごとく、「第１絶縁層（１０８）の一部をフッ化物含有溶液でエッチングする段階」において「第１絶縁層（１２８）の少なくとも１００オングストロームをエッチング」するようになすことは、当業者が適宜設定できた程度のことと認められる。
　
　相違点３について
　刊行物２には、「除去されなければならない汚染物質が実質的に誘電層７の上側表面部分に集中していることが認識された結果、更に、この汚染は、実質的にこれら表面部分のみを除去するという簡単な方法にて除去できるという追加の認識に達した。但し、又、これら部分をこの高い移動性イオンのこの層全体への再分散を起こすのに十分な熱或はエネルギーを伴うその後の処理ステップが遂行される前に除去しなくてはならないことも確認された。」（第４頁右下欄第１０〜１８行）ことが、記載されており、この記載によると、汚染物質の除去として、上記「相違点２について」において記載した、刊行物２に示されている、『「汚染された誘電層」である「誘電層７の最も上側表面部分を除去するためには、」「この汚染を生成したステップの直後に」「約１００部の水及び１部のフッ化水素酸（ＨＦ）から成る従来の溶液を使用」するか、「約８部のエチレン　グリコールと１部の緩衝されたフッ化水素酸（ＢＨＦ）を含む溶液」を使用して「湿式エッチングを行な」い、「移動イオン汚染は、典型的には、層の上側１０−１５ｎｍ内にのみ集中するが、プロセス変動を考慮に入れ、これによってより完全な除去を保証するために、約４０ｎｍ除去する」』ことを、「これら部分をこの高い移動性イオンのこの層全体への再分散を起こすのに十分な熱或はエネルギーを伴うその後の処理ステップが遂行される前に」「しなくてはならない」ということである。
　そして、刊行物２に記載の「十分な熱或はエネルギーを伴うその後の処理ステップ」には、半導体装置を製造する技術分野における常套手段である、基板のアニールが含まれることは明らかであるので、刊行物２には、本願発明３の「第１絶縁層（１０８）の一部をフッ化物含有溶液でエッチングする段階であって、この段階は：」「第１絶縁層（１２８）を含む基板をアニールすること」「の前に行われる段階」に相当することが記載されていることになる。
　したがって、刊行物１発明において、「前記絶縁層２１の前記上表面２２からナトリウムを取り除くのに８対１の割合のエチレングリコールと緩衝フッ化水素、又は１００対１の水とフッ化水素を使ってウェットクリーニングを行う段階」と、「前記ウェットクリーニングに引続き絶縁体または金属の堆積が行われる段階」に、刊行物２に記載の「これら部分をこの高い移動性イオンのこの層全体への再分散を起こすのに十分な熱或はエネルギーを伴うその後の処理ステップが遂行される前に」汚染物質を除去「しなくてはならない」という段階を加えて、本願発明３のごとく、「第１絶縁層（１０８）の一部をフッ化物含有溶液でエッチングする段階であって、この段階は：」「第１絶縁層（１２８）の上に層を形成すること；および第１絶縁層（１２８）を含む基板をアニールすること；からなるグループから選ばれる段階の前に行われる段階」となすことは、当業者が適宜設計できた程度のことと認められる。
　
　よって、本願の請求項３に係る発明は、刊行物１及び２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第６　むすび
　以上のとおり、本願の請求項３に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるので、本願の他の請求項に係る発明についての検討をするまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。