【事件の表示】
　平成１０年特許願第２６１９４３号「半導体レーザの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　６月　８日出願公開、特開平１１−１５４７７５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．　手続の経緯
　本願は、平成１０年９月１６日（優先権主張平成９年９月１８日）の出願であって、平成１８年１月３０日付けで手続補正がなされたが、同年１０月２５日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１１月３０日付けで拒絶査定不服審判請求がなされるとともに、同年１２月２９日付けで手続補正がなされた後、当審において、平成２０年７月８日付けで拒絶理由が通知され、同年９月１６日付けで手続補正がなされたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２０年９月１６日付けで手続補正された本願の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、次のとおりのものである。
「　　【請求項１】
　活性層の両面側に、該活性層の禁制帯幅以上の禁制帯幅を有する一対の光導波層を設け、
　活性層および光導波層を挟むように、該光導波層の禁制帯幅以上の禁制帯幅を有する一対のクラッド層を設け、
　活性層と光導波層との間に、該活性層および該光導波層の各禁制帯幅以上の禁制帯幅を有する一対のキャリアブロック層を設け、
　該光導波層の少なくとも一方にストライプ状の窓を有する電流ブロック層を埋め込んだ完全分離閉じ込め構造の自己整合型半導体レーザの製造方法において、
　前記光導波層をＧａＡｓで形成し、
　ＳｉＯ２から成り部分的に形成される選択成長用マスクを利用して、前記電流ブロック層を、Ａｌ組成ｘが０＜ｘ≦０．３５から成るＡｌｘＧａ１−ｘＡｓで、選択成長によって形成することを特徴とする半導体レーザの製造方法。」
　
３．引用例
（１）当審による、平成２０年７月８日付けの拒絶理由に引用した、本願の優先日前に頒布された国際公開９６／１２３２８号（以下「引用例」という。）には、図面と共に、以下の事項が記載されている。
　
ア．「図８（ａ）は吸収のない電流狭窄層を用いた前記低損失の屈折率導波型半導体レーザの一例を示す構造図であり、図８（ｂ）はその導波モードを示すグラフである。図８（ａ）において、ＧａＡｓから成るバッファ層８の上に、ＡｌＧａＡｓから成るクラッド層７、ＡｌＧａＡｓから成る導波層６、ＧａＡｓから成る活性層５、ＡｌＧａＡｓから成る導波層４、ＡｌＧａＡｓから成るクラッド層２、およびＧａＡｓから成るキャップ層１が順次形成されており、クラッド層２内部にクラッド層２よりＡｌ組成を上げて低屈折率とした電流狭窄層３がストライプ状の活性領域１０を挟むように形成される。これによって活性領域１０と電流狭窄層３が存在する埋込領域９との間に屈折率差を設けて、屈折率導波構造を形成している。
　この構造は、高出力半導体レーザに通常用いられているＳＣＨ（Separate Confinement Heterostructure)構造に対し、活性層５の近傍にクラッド層よりＡｌ組成を上げて低屈折率とした電流狭窄層３を埋込むことにより横方向の屈折率分布を形成したもので、埋込まれた電流狭窄層３はレーザ光を吸収しないため、内部損失は小さくなり、高い光出力まで基本横モード発振が実現されている。
　しかしながら、図８に示す屈折率導波型半導体レーザは、製造マージンがたいへん小さく、製造歩溜りが低いということが判明している。すなわち、比較的高い光出力まで安定なレーザ発振を行うために、屈折率導波構造に要求される活性領域と埋込領域との実効屈折率差ΔＮeff については、種々の文献において議論されており、例えば前記文献ではΔＮeff ≧５×１０-3、他の先行技術（特公平６−３６４５６号公報）ではΔＮeff ≧４×１０-3としている。このように一定以上の屈折率差を確保するためには、屈折率が充分低い電流狭窄層を活性層の充分近傍に作り込む必要がある。
　ところが、従来のＳＣＨ構造に対して低屈折率の電流狭窄層を用いて屈折率を制御することはたいへん困難である。その第１の理由として、電流狭窄層の作り込みによって導波路の非対称性があまり大きくなると、基本モードに対しても規格化周波数のカットオフが発生して導波構造が破綻する結果、内部損失が大きくなり、微分効率が低下する。第２の理由として、電流狭窄層の制御が困難であることが挙げられる。電流狭窄層は通常エッチングにより形成されるが、エッチングでは０．１μｍ以下の精度で加工を行なうことは大変困難であるため、電流狭窄層の位置、層厚には制限が生じる。第３の理由として、例えば電流狭窄層にＡｌＧａＡｓを用いた場合、プロセス中での電流狭窄層近傍の酸化劣化、結晶性の低下を防ぐために、電流狭窄層のＡｌ組成をなるべく低く抑える必要があり、従来の構造ではクラッド層、電流狭窄層間に充分な屈折率差（Ａｌ組成差）をつけることは困難であった。
　結局、電流狭窄層に関する幾つかの制約下では、従来のＳＣＨ構造に対し低屈折率の電流狭窄層を用いて屈折率導波構造を作り込むことはたいへん困難であり、製造マージンも小さい。」（明細書第１頁第２９行〜第３頁第６行）
　
イ．「　【発明の開示】
　本発明の目的は、高出力で製造容易な屈折率導波型の半導体レーザ素子を提供することにある。
　本発明は、活性層と、
　活性層の両側に設けられ、導波層より大きなエネルギーギャップを有するキャリアブロック層と、
　キャリアブロック層に対して活性層と反対側に設けられた導波層と、
　導波層に対して活性層と反対側に設けられ、導波層より低い屈折率を有するクラッド層とを備え、
　導波層より低い屈折率を有する電流狭窄層がストライプ状の活性領域を挟むように形成され、該活性領域と電流狭窄層が存在する埋込領域との間に屈折率差を設けて屈折率導波構造を形成したことを特徴とする半導体レーザ素子である。」（明細書第３頁第７〜１８行）
　
ウ．「（実施例２）
　本発明の第２実施例として、図１（ａ）に示した構造をＩｎＧａＡｓ歪量子井戸レーザに適用した例を説明する。第１実施例と同様に、図５（ａ）において、ｎ−ＧａＡｓ基板上にＧａＡｓからなるバッファ層３２（厚さ０．５μｍ）、Ａｌ0.12Ｇａ0.88Ａｓからなるｎ側クラッド層３１（厚さ０．９μｍ）、ＧａＡｓからなるｎ側導波層３０（厚さ０．６μｍ）、Ａｌ0.30Ｇａ0.70Ａｓからなるｎ側キャリアブロック層２９（厚さ０．０１３５μｍ）、ＧａＡｓからなるｎ側サイドバリア層２８（厚さ０．０５μｍ）、３本のＩｎ0.20Ｇａ0.80Ａｓ量子井戸（厚さ０．００７μｍ）とそれらを補間する２本のＧａＡｓからなるバリア層（厚さ０．００６μｍ）による活性層２７（厚さ０．０３３μｍ）、ＧａＡｓからなるｐ側サイドバリア層２６（厚さ０．０５μｍ）、Ａｌ0.30Ｇａ0.70Ａｓからなるｐ側キャリアブロック層２５（厚さ０．０１３５μｍ）、ＧａＡｓからなるｐ側導波層２３（厚さ０．２μｍ）、Ａｌ0.20Ｇａ0.80Ａｓからなる電流狭窄層２４（厚さ０．５μｍ）、ＧａＡｓからなるプロセスキャップ層３５（厚さ０．１μｍ）を順次成長させる。
　次に図５（ｂ）において、プロセスキャップ層３５上にフォトレジスト３６を塗布し、このフォトレジストに所望のストライプ幅の窓を形成し、これをマスクとして電流狭窄層２４にウェットエッチングを施して溝部３７を形成する。
　次にフォトレジスト３６を除去し、表面洗浄の過程でプロセスキャップ層３５を除去した後、第２回目の結晶成長においてＧａＡｓからなる上部のｐ側導波層２３（厚さ０．４μｍ）、Ａｌ0.12Ｇａ0.88Ａｓからなるｐ側クラッド層２２（厚さ０．９μｍ）、ｐ−ＧａＡｓからなるキャップ層２１（厚さ２μｍ）を順次形成すると、図５（ｃ）に示す本発明の半導体レーザ素子が得られる。その後、基板およびキャップ層２１に電極を形成して電流を流すと、キャリア注入によってレーザ発振が可能になる。特に本実施例では、再成長界面はＧａＡｓとなるので、Ａｌ酸化が回避できるため、したがって結晶性が良く信頼性の高い結晶成長が可能となる。
　このようにして得られた半導体レーザ素子は、閾値電流３０ｍＡ、スロープ効率１．０Ｗ／Ａとなった。また、出力１００ｍＷまでキンクのない線形性の良好な電流−光出力特性が得られ、レーザビームの遠視野像は単峰性のガウス型であり、良好な屈折率導波構造であることが確認できた。
　このように従来よりＡｌ組成が低く、しかも活性層より遠い位置で形成された電流狭窄層によって良好な屈折率導波構造を形成することが可能であり、製造マージンが大きく、信頼性の高い半導体レーザを得ることができる。
  なお、本発明は上述した実施例に限定されるものではなく、種々の構造、組成の半導体レーザについて適用可能である。」（明細書第１９頁第２行〜第２０頁第７行）
　
エ．上記ア〜ウの記載事項からみて、引用例には、以下の発明が記載されていると認められる。
「活性層と、
　活性層の両側に設けられ、導波層より大きなエネルギーギャップを有する、Ａｌ0.30Ｇａ0.70Ａｓからなる一対のキャリアブロック層と、
　前記キャリアブロック層に対して活性層と反対側に設けられた、ＧａＡｓからなる一対の導波層と、
　導波層に対して活性層と反対側に設けられ、導波層より低い屈折率を有する、Ａｌ0.12Ｇａ0.88Ａｓからなる一対のクラッド層とを備え、
　導波層より低い屈折率を有する、Ａｌ0.20Ｇａ0.80Ａｓからなる電流狭窄層がストライプ状の窓を有して形成され、該活性領域と電流狭窄層が存在する埋込領域との間に屈折率差を設けて屈折率導波構造を形成した半導体レーザ素子の製造方法であって、
　電流狭窄層は、ウェットエッチングにより形成する半導体レーザ素子の製造方法。」（以下「引用例発明」という。）
　
４．対比
　本願発明と引用例発明とを対比する。
（１）引用例発明の「活性層」、「導波層」、「エネルギーギャップ」、「キャリアブロック層」、「クラッド層」及び「電流狭窄層」は、本願発明の「活性層」、「光導波層」、「禁制帯幅」、「キャリアブロック層」、「クラッド層」及び「電流ブロック層」にそれぞれ相当する。
　
（２）半導体レーザ素子において、活性層の禁制帯幅を隣接する他の層の禁制帯幅よりも小さくすることは技術常識であって、また、ＧａＡｓからなる導波層、Ａｌ0.12Ｇａ0.88Ａｓからなるクラッド層及びＡｌ0.30Ｇａ0.70Ａｓからなるキャリアブロック層の禁制帯幅については、その混晶比からみて、Ａｌ0.12Ｇａ0.88Ａｓからなるクラッド層の禁制帯幅はＧａＡｓからなる導波層の禁制帯幅よりも大きく、Ａｌ0.30Ｇａ0.70Ａｓからなるキャリアブロック層の禁制帯幅はＡｌ0.12Ｇａ0.88Ａｓからなるクラッド層の禁制帯幅よりも大きいことが明らかである。
　なお、ＡｌＧａＡｓ系材料の混晶比と禁制帯幅の関係については、本願明細書の発明の詳細な説明にも「【００９０】ＡｌＧａＡｓ系材料では、Ａｌ組成が増加するにつれて禁制帯幅も増加する傾向にある。」と記載されているところである。
　したがって、引用例発明と本願発明とは、「活性層の禁制帯幅以上の禁制帯幅を有する一対の光導波層」、「光導波層の禁制帯幅以上の禁制帯幅を有する一対のクラッド層」及び「活性層および該光導波層の各禁制帯幅以上の禁制帯幅を有する一対のキャリアブロック層」を設ける点で一致する。
　
（３）引用例発明の「電流狭窄層」は、「Ａｌ0.20Ｇａ0.80Ａｓ」からなるので、本願発明の「電流ブロック層」の「Ａｌ組成ｘが０＜ｘ≦０．３５から成るＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ」なる事項を満たす。
　
（４）引用例発明の「半導体レーザ」は、「一対のキャリアブロック層」による閉じ込め構造を有しているから、本願明細書の段落【０００８】及び【０００９】の記載等からみて、「完全分離閉じ込め構造」を有するものであって、また、引用例発明の「半導体レーザ」は、「該活性領域と電流狭窄層が存在する埋込領域との間に屈折率差を設けて屈折率導波構造を形成した」ものであるので、本願明細書の段落【０００４】の記載等からみて、「自己整合型」である。
　したがって、引用例発明と本願発明の「半導体レーザ」は、「完全分離閉じ込め構造の自己整合型半導体レーザ」である点で一致する。
　
（５）したがって、引用例発明と本願発明とは、
「活性層の両面側に、該活性層の禁制帯幅以上の禁制帯幅を有する一対の光導波層を設け、
　活性層および光導波層を挟むように、該光導波層の禁制帯幅以上の禁制帯幅を有する一対のクラッド層を設け、
　活性層と光導波層との間に、該活性層および該光導波層の各禁制帯幅以上の禁制帯幅を有する一対のキャリアブロック層を設け、
　該光導波層の少なくとも一方にストライプ状の窓を有する電流ブロック層を埋め込んだ完全分離閉じ込め構造の自己整合型半導体レーザの製造方法において、
　前記光導波層をＧａＡｓで形成し、
　前記電流ブロック層を、Ａｌ組成ｘが０＜ｘ≦０．３５から成るＡｌｘＧａ１−ｘＡｓとする半導体レーザの製造方法。」
である点で一致し、次の点で相違する。
　
　本願発明が電流ブロック層を「ＳｉＯ２から成り部分的に形成される選択成長用マスクを利用」して、「選択成長によって形成」するのに対し、引用例発明では「ウェットエッチングにより形成する」点。（以下「相違点」という。）
　
５．判断
　上記相違点について検討する。
　電流ブロック層を、ＳｉＯ２から成り部分的に形成される選択成長用マスクを利用して、選択成長によって形成することは、例えば、特開平９−１４８６７２号公報（【０００４】〜【０００５】、【０００９】〜【００１０】、図１、図３を参照。）、特開平７−５０４４６号公報（【００１１】〜【００１２】、図１を参照。）、特開平７−３２１４０８号公報（【０００８】、【００１５】、図１、図３を参照。）に見られるように、本願の優先日前に周知であるから、引用例発明の「ウエットエッチング」に代えて、上記周知技術を採用して、本願発明の上記相違点に係る構成となすことは、当業者であれば容易になし得ることである。
　また、上記特開平７−５０４４６号公報には、ウエットエッチングに代えて選択成長により電流阻止層を形成したことによりメサ部を精度良く形成できることが記載（【００１６】を参照。）されており、本願発明の作用効果も引用例発明及び上記周知技術から当業者が予測できる範囲のものである。
　
６．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。