(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンウエーハの熱処理方法であって、シリコンウエーハにアルゴン雰囲気中において１０００℃以上シリコンの融点以下の温度で熱処理を施し、該熱処理の降温時に、雰囲気の水素の混合比を増加させ、雰囲気中の水素濃度を１〜６０容量％になるように制御し、該雰囲気中で降温することを特徴とするシリコンウエーハの熱処理方法。
【請求項２】
請求項１に記載した方法により熱処理されたシリコンウエーハ。
【請求項３】
シリコンウエーハであって、ウエーハバルク部の結晶欠陥密度が１．０×１０４ケ/cm3以上で、かつ表面から深さ０．５μｍまでウエーハ表層部のＣＯＰ密度が１．０×１０４ケ/cm3以下であり、ウエーハ表面のＣＯＰ密度が０．１５ケ/cm2以下で、表面粗さがＰ−Ｖ値で１．０ｎｍ以下であることを特徴とするシリコンウエーハ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、シリコンウエーハの熱処理方法に係り、特に安全性に優れ、高品質のシリコンウエーハを得ることができるシリコンウエーハの熱処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体集積回路等の半導体デバイスを製造するためのウエーハとしては、主にシリコンウエーハが用いられている。この半導体デバイス製造において、歩留りを低下させる要因の一つとしてＣＯＰ（Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｏｒｉｇｉｎａｔｅｄ  Ｐａｒｔｉｃｌｅ）等のウエーハ表層部に存在する結晶欠陥が挙げられる。このような結晶欠陥がウエーハ表層部に存在すると、例えばＭＯＳ構造のトランジスタにおいて、ウエーハ表面に形成されたゲート酸化膜等の熱酸化膜に高電圧が印加された場合に、酸化膜の絶縁破壊が発生する原因となる。
【０００３】
さらに半導体デバイス製造の歩留りを悪化させる要因としては、ウエーハ表面のマイクロラフネスが挙げられる。ウエーハ表面に存在するマイクロラフネスはゲート酸化膜直下のキャリアの移動度に悪影響を与えることが知られている（Ｓｈｉｎｙａ  Ｙａｍａｋａｗａ，  Ｈｉｒａｉ  Ｕｅｎｏ，  Ｋｅｎｊｉ  Ｔａｎｉｇｕｃｈｉ，  Ｃｈｉｈｉｒｏ  Ｈａｍａｇｕｃｈｉ，  Ｋａｚｕｏ  Ｍｉｙａｔｓｕｊｉ，  Ｕｍｂｅｒｔ  Ｒａｖａｉｏｌｉ，  Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．７９  ９１１．１９９５  参照）。半導体デバイスにおいては、その集積度が上がれば、それに対応してキャリアの移動度を向上させる必要がある。また近年、ＣＰＵの駆動周波数がますます高くなり、それに伴いメモリーの書き込み及び読み出しの速度も高速化が求められており、キャリア移動度を向上させるためにマイクロラフネスを小さくすることが、より重要視されてきている。
【０００４】
シリコンウエーハ表層部の結晶欠陥を低減する方法として、アニール熱処理等による欠陥の消滅が行われてきた。その代表的な例は、高温水素アニールである。この方法は、高温の水素雰囲気中でアニール熱処理を施すことにより、結晶欠陥を消滅させる方法である（特開平６−３４９８３９号公報参照）。
【０００５】
しかし、水素雰囲気中の熱処理は、ウエーハ表層部の結晶欠陥を低減することはできるものの、熱処理によりウエーハの表面がエッチングされてしまうという欠点がある。例えば、１２００℃で６０分の熱処理を施した場合、ウエーハ表層部の約０．５μｍのシリコンがエッチングされてしまう。このため、ウエーハ表層の結晶欠陥の少ない部分（無欠陥層）の厚さは薄いものとなっていた。
さらに、高濃度の水素ガスをこのような高温状態で長時間に渡って扱うことは、非常に危険であり、安全性の問題を解決しなければ実用化することができなかった。
【０００６】
そこで、雰囲気にアルゴン等の不活性ガスを用いて熱処理を行うことにより、ウエーハ表層部の結晶欠陥を除去する方法も考えられた。しかし、この方法では、ウエーハ表層部をエッチングすることなく結晶欠陥を除去することができるものの、ウエーハ表面のマイクロラフネスを熱処理前より悪化させてしまう欠点がある。
また、雰囲気中の微量酸素の影響で局所的なエッチングが起こり易くなり、ヘイズが発生する弊害もある。
【０００７】
水素ガスの危険性を回避するための他の方法として、水素雰囲気による熱処理と、アルゴン等の不活性ガス雰囲気による熱処理を併用する方法も考えられた。これは、まず不活性ガス雰囲気中でウエーハを熱処理する工程を行い、その後に水素を含む雰囲気中で熱処理を施す方法である（特開平４−１６７４３３号公報参照）。
しかし、不活性ガス雰囲気中の熱処理を施した後に、同温度で水素を含む雰囲気中で熱処理を施すことは、結局ウエーハ表面をエッチングしてしまうことになり、無欠陥層の厚さは薄いものとなってしまう。
【０００８】
一方、特開平７−２３５５０７号公報には、熱処理は不活性雰囲気中により行い、その熱処理の昇温または降温時において、雰囲気中に水素を導入する方法が開示されている。しかしながら、この方法は、昇温または降温時に、不活性ガスより熱伝導率の高い水素を導入することにより、ウエーハにスリップ転位が発生することを防止する目的でなされたものであって、ウエーハ表層部に存在する結晶欠陥の除去やウエーハ表面のマイクロラフネスの改善を行うものではない。
【０００９】
即ち、この方法は、昇降温時に毎分１リットルの水素を単に導入しつづけるものであって、昇降温時の最適な熱処理雰囲気の組成が不明であったため、この方法を用いてもウエーハ表面のエッチング量が大きくなったり、マイクロラフネスを悪化させることがあり、ウエーハの結晶欠陥密度と表面粗さを同時に改善することはできなかった。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
このように従来の熱処理方法では、ウエーハ表層部をエッチングすることなく、なおかつウエーハのマイクロラフネスを悪化させることなく、少ない水素使用量で、ウエーハ表層部の結晶欠陥を低減する方法はなく、有効な方法の開発が望まれていた。
【００１１】
本発明はこのような問題点に鑑みて為されたもので、ウエーハ表層部をエッチングすることなく、かつウエーハのマイクロラフネスを悪化させることなく、少ない水素使用量で、ウエーハ表層部の結晶欠陥を低減することができる熱処理方法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明は、シリコンウエーハの熱処理方法であって、シリコンウエーハに不活性ガス雰囲気中において１０００℃以上シリコンの融点以下の温度で熱処理を施し、該熱処理の降温時に１〜６０容量％の水素を含有する雰囲気中で降温することを特徴とするシリコンウエーハの熱処理方法である。
【００１３】
このように、シリコンウエーハに不活性ガス雰囲気中において１０００℃以上シリコンの融点以下の温度で熱処理を施すことにより、まずウエーハ表層部の結晶欠陥を除去し、さらに熱処理の降温時に１〜６０容量％の水素を含有する雰囲気中で降温することにより、ウエーハ表面のシリコン原子のマイグレーションによって、マイクロラフネスを改善することができる。この場合、水素ガスの使用量は少量で済むため、熱処理工程の安全性も向上させることが可能となる。
【００１４】
この場合、前記不活性ガス雰囲気は、アルゴン雰囲気あるいは３０容量％以下の水素を含むアルゴン雰囲気から成るものであることが好ましい。
アルゴンは取り扱いが容易であり、水素を含むものであっても、その濃度が３０容量％以下である場合は、雰囲気中の水素によるエッチングがほとんど起こらず、逆にウエーハ表面のマイクロラフネスを改善する効果は高いものとなるからである。
【００１５】
また、前記に記載した方法により熱処理されたシリコンウエーハは、例えば、シリコンウエーハであって、ウエーハバルク部の結晶欠陥密度が１．０×１０４ケ／ｃｍ３以上で、かつ表面から深さ０．５μｍまでのウエーハ表層部の結晶欠陥密度が１．０×１０４ケ／ｃｍ３以下であり、ウエーハ表面の結晶欠陥密度が０．１５ケ／ｃｍ２以下で、表面粗さがＰ−Ｖ値で１．０ｎｍ以下であるシリコンウエーハとなる。
尚、ここで言うウエーハバルク部とは、ウエーハ表面から０．５μｍを越える深さの領域のことである。
【００１６】
このように、本発明のシリコンウエーハは、シリコン単結晶育成時には結晶欠陥密度が高いシリコンウエーハであっても、表面から深さ０．５μｍまでの層に亙って、ウエーハ表層部の結晶欠陥密度が１．０×１０４ケ／ｃｍ３以下の低欠陥密度であり、表面粗さがＰ−Ｖ値で１．０ｎｍ以下のマイクロラフネスが少ないシリコンウエーハである。しかもバルク中には重金属等の不純物をゲッタリングするのに必要な結晶欠陥を有するため、本発明のシリコンウエーハを用いて半導体デバイスを作製すれば、酸化膜耐圧特性やキャリア移動度の優れたものとすることができ、デバイス作製の歩留りを向上させることができる。
【００１７】
以下、本発明についてさらに詳述する。
本発明は、発明者らがシリコンウエーハの熱処理条件、特に熱処理雰囲気の組成について種々定量的な研究を重ねた結果、最適な条件を見出すことができ、その結果に基づいて完成に至ったものである。
【００１８】
まず本発明者らは、熱処理の昇温時及び降温時の雰囲気条件がウエーハの表面状態に与える影響について実験調査を行った。まず、同一の仕様のシリコンウエーハを複数枚用意して、熱処理炉内に挿入し、昇温速度１０℃／ｍｉｎで１２００℃まで加熱して、１２００℃で６０分間保持した後、降温速度３℃／ｍｉｎで冷却する熱処理実験を行った。この昇温・降温時には、各々のウエーハについて雰囲気を変化させて熱処理を施し、熱処理後のウエーハのマイクロラフネスをＰ−Ｖ値（山と谷の最大差）を測定することで評価した。測定はＡＦＭ（原子間力顕微鏡）を用い、２μｍ角を測定した。測定結果を図１に示した。
【００１９】
図１より、従来から知られているように、アルゴン雰囲気のみで熱処理を行った場合のＰ−Ｖ値は、水素雰囲気のみで熱処理を施した場合に比べて約４倍に悪化していることが判る。また、この傾向は昇温時の雰囲気をそれぞれ他の気体に変化させたとしても全く影響されないことも判る。
【００２０】
一方、降温時の雰囲気を変化させた場合は異なり、水素雰囲気からアルゴン雰囲気に変えて降温した時は、水素雰囲気で熱処理をしたにもかかわらずＰ−Ｖ値は悪化しており、アルゴン雰囲気から水素雰囲気に変えて降温した時は、逆にアルゴン雰囲気で熱処理を施したにもかかわらずＰ−Ｖ値は水素雰囲気で熱処理を施した場合と同程度の値となっていることが判る。
【００２１】
この事からウエーハのマイクロラフネスは昇温時の雰囲気には全く影響されず、逆に降温時の雰囲気条件がウエーハのマイクロラフネスを決定することが判った。すなわち、アルゴン雰囲気中で熱処理を施しても、降温時に水素雰囲気に変更することにより、水素雰囲気で熱処理した場合と同等のウエーハ表面を得ることができるのである。
【００２２】
しかし、降温時の雰囲気中の水素濃度をあまり高くしてしまうとウエーハがエッチングされる量が増大し好ましくない。そこで本発明者らは、熱処理雰囲気条件についてさらに実験検討を行った。上記実験と同様に、複数枚のシリコンウエーハを用意して、昇温速度１０℃／ｍｉｎで加熱し、１２００℃で６０分間保持した後、降温速度３℃／ｍｉｎで冷却する実験を行った。昇温時と定温保持の際の雰囲気は１００％のアルゴンを使用した。降温時には、ウエーハ毎に、アルゴン雰囲気中に水素を１〜１００容量％の範囲で変化させて混入し、熱処理を行った。熱処理を施したウエーハのマイクロラフネスについて、ウエーハのＰ−Ｖ値を測定することにより評価した。その結果を図２に示す。
【００２３】
図２より、降温時における水素の混入量は、１容量％以上であればウエーハの面粗さを改善する効果があることが判る。この事から、アルゴン等の不活性雰囲気内で熱処理を施し、降温時に１容量％以上の水素を混入して降温を行えば、最小限の水素使用量でウエーハのマイクロラフネスを改善することができる。
反対に水素混入量が１容量％未満であると、ウエーハの面粗さを改善する効果は著しく減少するため、水素混入量は１容量％以上とすることが重要であることが判った。
【００２４】
さらに、本発明者らはウエーハのヘイズについても同様の測定を行った。結果を図３に示す。図３より、ウエーハのヘイズについてもマイクロラフネスと同様に、降温時に水素を１容量％以上導入して降温を行うことにより、ウエーハのヘイズを改善する効果があることが判る。
【００２５】
加えて、本発明者らは、降温時の雰囲気の水素濃度とウエーハのエッチング量との関係についても測定を行った。エッチング量の評価は、膜厚が１μｍのＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）ウエーハを用い、熱処理前と熱処理後のＳＯＩ膜厚を測定し、その差を求めることにより評価した。測定結果を図４に示す。図４の縦軸は、任意単位（Ａｒｂｉｔｒａｒｙ  Ｕｎｉｔ）を示しており、水素濃度１００％におけるエッチング量を基準としている。
【００２６】
図４に示すように降温時の雰囲気の水素濃度が３０容量％以下の時は、ウエーハ表面のエッチングはほとんど起こらない。しかし、水素濃度が３０容量％を超えるとエッチングが生じ始め、６０容量％を超えるとウエーハのエッチング量が急激に増大することが判った。
【００２７】
以上をまとめると、熱処理後のウエーハの表面状態は、熱処理の降温時の雰囲気に水素を導入することで改善することができ、その水素濃度は１容量％以上とすればウエーハのマイクロラフネス及びヘイズを改善する効果を十分に挙げることができる。また、水素の濃度としては、６０容量％以下とすれば、ウエーハのエッチング量を許容範囲内にすることができることが判った。
【００２８】
一方、本発明者らは熱処理における熱処理温度保持時の雰囲気組成についても検討を行った。ウエーハの面粗さについては、上記のように降温時の雰囲気に適量の水素を導入すれば改善することができることが判ったため、定温保持時はアルゴンを熱処理雰囲気としても問題はない。本発明者らはウエーハのエッチング量と熱処理温度保持時の雰囲気組成との関係について実験・検討を行った。
【００２９】
膜厚が１μｍのＳＯＩウエーハを複数枚用意して、熱処理炉内に挿入し、昇温速度１０℃／ｍｉｎで１２００℃まで加熱して、１２００℃で６０分間保持した後、降温速度３℃／ｍｉｎで冷却する熱処理実験を行った。この定温保持時には、各々のウエーハについてアルゴン雰囲気中への水素混入量を変化させて熱処理を施し、熱処理後のＳＯＩウエーハのエッチング量を測定した。尚、昇降温時はアルゴン雰囲気とした。測定結果を図５に示す。
【００３０】
図５より、定温保持時における熱処理雰囲気中の水素濃度については、水素濃度が３０容量％以下であれば、１２００℃で６０分間の熱処理を施した後も、ほとんどウエーハ表面のエッチングが起こらないことが判る。従って、この定温保持時の雰囲気に３０容量％以下の水素を導入することにより、エッチングを生じることなく定温保持時においてもウエーハの面粗さを改善することもできる。一方、水素導入量が３０容量％を超えるとウエーハ表面のエッチング量が大きくなってくるので、この値を超えないようにすることが好ましいことが判った。
【００３１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
図６は、本発明に係る熱処理を行うための熱処理装置の一例を示した概略図である。図６に示すように、熱処理装置１０は内部で熱処理を行うチャンバー１を有し、チャンバー１内には熱処理されるウエーハＷを載置するための支持台２が配置されている。
【００３２】
チャンバー１外には、チャンバー１の周囲を囲繞するヒータ３が配置されている。またチャンバー１の吸気口４には、混合器６を通してアルゴン供給源７及び水素供給源８が接続されており、チャンバー１内にいずれかのガスを単独あるいは所望の混合比の雰囲気ガスを導入することができるようにされている。さらにチャンバー１は排気口５を有しており、ここから排気されるようになっている。
【００３３】
次に、上記熱処理装置１０を用いてウエーハＷを熱処理する方法について説明する。まず支持台２にウエーハＷを載置し、チャンバー１内に配置する。次に、アルゴンをアルゴン供給源７から吸気口４を通してチャンバー１内に送り込む。この場合、水素を水素供給源８から混合器６を通して混入した混合ガス雰囲気としても良い。この場合、前述したように、ウエーハのエッチングを防ぐために、水素の混合比は３０容量％以下とすることが好ましい。
【００３４】
チャンバー１内の空気が所定の雰囲気ガスにより十分に置換されたなら、ヒータ３の供給電力を増加し、チャンバー１を所望温度に加熱する。そして所定時間この温度を保持する。ここで温度を保持するというのは、あくまでも熱処理温度域内で保持するという意味であり、熱処理中に必要に応じて温度を増減してもかまわない。
【００３５】
ウエーハＷの熱処理を終了する際には、ウエーハＷ表面のマイクロラフネスを低減するために、必要に応じ雰囲気の水素濃度を増加する。この場合、混合器６により水素供給源８からの水素の混合比を増加させ、雰囲気中の水素濃度を１〜６０容量％になるように制御する。この所望の水素濃度を有する混合ガスを吸気口４から送り込みつつ、ヒータ３に供給する電力を停止、あるいは低減して所定の降温速度で降温する。十分な温度まで降温したら、ウエーハＷ及び支持台２をチャンバー１から取り出す。
【００３６】
上記のようにしてシリコンウエーハに熱処理を施すことにより、ウエーハ表層部の無欠陥層厚が厚く、ウエーハ表面のマイクロラフネス及びヘイズが改善されたシリコンウエーハを得ることができる。さらに、この本発明の方法によれば、水素を熱処理の降温時に、ごく僅かな量だけ使用するものとしても良いため、熱処理工程の安全性を確保することもできる。
【００３７】
【実施例】
以下、本発明の実施例および比較例を挙げて具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
（実施例、比較例）
同一の仕様のシリコンウエーハを複数枚用意して、熱処理炉内に挿入し、昇温速度１０℃／ｍｉｎで１２００℃まで加熱して、１２００℃で６０分間保持した後、降温速度３℃／ｍｉｎで冷却する熱処理を行った。各々のウエーハについて、昇温・定温保持時の雰囲気と降温時の雰囲気条件を変化させて熱処理を行った。そして熱処理後の各々のウエーハについて、ウエーハ表面のＰ−Ｖ値、ヘイズ、ＣＯＰ（Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｏｒｉｇｉｎａｔｅｄ  Ｐａｒｔｉｃｌｅ）密度、及びウエーハ表面から０．５μｍの深さのＣＯＰ密度を測定し、熱処理の効果を評価した。
【００３８】
シリコンウエーハは、チョクラルスキー法により製造されたシリコンインゴットを、一般的に行われている方法でスライスして鏡面加工された、直径８インチ、結晶方位〈１００〉のものを用いた。
【００３９】
Ｐ−Ｖ値の測定は、ＡＦＭ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｆｏｒｃｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ，原子間力顕微鏡、ＮａｎｏＳｃｏｐｅ−ＩＩ／デジタル  インスツルメント社製商品名）で行い、２μｍ角の面積を測定範囲とした。ヘイズの測定は、ＫＬＡテンコール社製のＳＰ−１を用いて行った。
【００４０】
ウエーハ表面のＣＯＰの測定は、パーティクルカウンター（ＬＳ−６０３０  日立電子エンジニアリング社製商品名）の７００Ｖレンジで、ウエーハ表面に存在する大きさが０．１μｍ以上のＣＯＰについて、ＣＯＰ数をカウントすることによって測定した。
【００４１】
また、ウエーハ表面から０．５μｍの深さのＣＯＰ密度の測定は、ウエーハ表面に約１μｍの熱酸化膜を成長させ、その酸化膜の上から前記パーティクルカウンターで測定することにより行った。すなわち、酸化前後の測定値の増加分が元のシリコン表面から深さ約０．５μｍまでに含まれているＣＯＰの総数となるので、これからＣＯＰ密度が求められる。
こうして得られた測定結果を表１に示した。
【００４２】
【表１】
0003565068.tif 000002
【００４３】
表１より、本発明の熱処理方法により熱処理を施されたシリコンウエーハ（実施例）は、水素雰囲気のみで熱処理を行った場合（比較例２）のウエーハと同程度に良好なＰ−Ｖ値とヘイズを有しており、ウエーハ表面はマイクロラフネスが少なく平坦度に優れることが判る。
【００４４】
また、このウエーハはアルゴン雰囲気のみで熱処理を行った場合（比較例３）のウエーハと同程度に良好な表面ＣＯＰ密度を有しており、さらに表面から０．５μｍの深さのＣＯＰ密度についても、アルゴン雰囲気のみの場合と同程度の値を示している。すなわち、このウエーハは降温時の雰囲気に水素を含む雰囲気を用いたにもかかわらず厚い無欠陥層を有し、シリコンウエーハ表面のエッチングはほとんど起こっていないことが推定される。
【００４５】
以上から、本発明の熱処理を施したウエーハは、熱処理前のウエーハ（比較例１）に比べて、ウエーハ表面のマイクロラフネス等を悪化させることなく、ウエーハ表面及び表層部の結晶欠陥が除去された高品質のシリコンウエーハとなっていることが判る。
【００４６】
一方、アルゴン雰囲気で昇温・定温保持を行い、水素１００容量％で降温したウエーハ（比較例４）や、水素８０容量％、アルゴン２０容量％で降温したウエーハ（比較例５）は、Ｐ−Ｖ値やヘイズは良好なものの、ウエーハ表面から０．５μｍの深さのＣＯＰ密度は、本発明のウエーハに比べて悪化した値となっている。
これは、降温時の雰囲気の水素濃度が高いため、ウエーハ表面のエッチングが発生し、ウエーハ表層部の無欠陥層厚が０．５μｍ以下に減少してしまったためと考えられる。
【００４７】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【００４８】
例えば、上記実施形態では、熱処理を施される前にＣＯＰ等の結晶欠陥を多く含むシリコンウエーハを熱処理する場合を中心に説明したが、本発明の熱処理方法は、結晶欠陥の少ないシリコンウエーハに対しても、ウエーハ表面のマイクロラフネスを改善する目的で適用することができるものである。
【００４９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明はシリコンウエーハを熱処理する方法において、最適な熱処理雰囲気の組成を規定することにより、ウエーハ表面の結晶欠陥が少なく、ウエーハ表層部の無欠陥層厚が厚く、かつウエーハ表面のマイクロラフネスが少ないシリコンウエーハを得ることができる。したがって、デバイス製造の歩留りを向上させることができる。加えて、本発明の方法では水素の使用量を最小限に減少することが可能となるため、熱処理作業の安全性を確保できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】熱処理の昇温時及び降温時の雰囲気条件と、熱処理後のウエーハのＰ−Ｖ値との関係を示した図である。
【図２】熱処理の降温時における雰囲気の水素濃度と、熱処理後のウエーハのＰ−Ｖ値との関係を示した図である。
【図３】熱処理の降温時における雰囲気の水素濃度と、熱処理後のウエーハのヘイズとの関係を示した図である。
【図４】降温時の雰囲気の水素濃度と、熱処理後のウエーハのエッチング量との関係を示した図である。
【図５】熱処理の定温保持時における雰囲気組成と、熱処理後のウエーハのエッチング量との関係を示した図である。
【図６】本発明に係る熱処理を行うための熱処理装置の一例を示した概略図である。
【符号の説明】
１…チャンバー、  ２…支持台、  ３…ヒータ、  ４…吸気口、  ５…排気口、
６…混合器、  ７…アルゴン供給源、  ８…水素供給源、  １０…熱処理装置、
Ｗ…ウエーハ。
【図１】
0003565068.tif 000003
【図２】
0003565068.tif 000004
【図３】
0003565068.tif 000005
【図４】
0003565068.tif 000006
【図５】
0003565068.tif 000007
【図６】
0003565068.tif 000008