【事件の表示】
　特願２００４−　７９５４４「半導体レーザ素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　９月２９日出願公開、特開２００５−２６８５６３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１６年３月１９日の出願であって、平成１９年１０月２６日に手続補正がなされたところ、平成１９年１２月２８日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２０年２月５日に拒絶査定不服審判請求がなされたものである。
　
　そして、その請求項に係る発明は、平成１９年１０月２６日付け手続補正書で補正された特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された事項により特定されるものであると認められるところ、請求項３に係る発明は次のものである。
　
「活性層の上方に位置するリッジの側方にサポートを有する半導体レーザ素子であって、前記活性層から前記リッジの頂上部までの間隔が１０μｍ以下に設定され、ジャンクションダウン方式で取り付けされる半導体レーザ素子において、当該素子の面積に対する前記サポートの面積の割合が、３３％よりも大きく、５２％未満に設定されていることを特徴とする半導体レーザ素子。」（以下「本願発明」という。）
　
　
２　刊行物の記載事項
　本願の出願前に頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である特表２００１−５１７８６６号公報（以下「引用刊行物」という。）には、図とともに下記の事項が記載されている。
　
ア　「【０００３】
　（発明の背景）
　本願は概して、光通信に関し、具体的には、多波長分布帰還型（ＤＦＢ）半導体レーザ（レーザダイオード）アレイを製造および実装する技術に関する。」
　
イ　「【００１６】
　（特定の実施形態の説明）
　１．０  分布帰還型（ＤＦＢ）レーザ構造の概要
  図１Ａは、本発明の実施形態による多波長分布帰還型（ＤＦＢ）リッジレーザダイオードアレイ１０の概略図である。レーザアレイ１０は、レーザチップと呼ばれることもある。レーザチップ１０は、単一の基板上に複数のリッジレーザダイオード素子を含み、示された特定の実施形態では、１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、および１０ｄとして示される４つのリッジレーザダイオード素子を含む。」
　
ウ　「【００１７】
  レーザチップ１０は、頂部および底部と呼ばれるものを規定する特定の向きで示されているが、以下に説明されるように、レーザチップは、好ましくは、熱伝達を向上するために、逆さにしてからモジュールの基板上に取り付けられる。」
　
エ　「【００２２】
　図１Ｃは、レーザのうちの１つ、例えば、レーザ１０ａを示す拡大図である。レーザの活性領域２０は、半導体材料のボディ内に形成される。このレーザは、リッジレーザと呼ばれる。なぜなら、ボディが、活性領域２０の両側にトレンチ２２および２３を備えて形成され、グレーティング１５ａの上にあるリッジ２５を規定するからである。トレンチ２２および２３の外側には、金属ショルダ対２７ａおよび２７ｂが形成される。上側コンタクト金属層３０（ｐ＋コンタクト）は、リッジの上にあり、下側（裏側）コンタクト金属層３２（ｎ＋コンタクト）は、チップの底面上に配置される。コンタクト金属３０は、下向きに続き、トレンチ２２を通ってトレンチ２２の外側に延び、ショルダ２７ａの上に延びて、ボンドパッド３５を提供する。この図はまた、レーザの様々な層と、レーザの活性領域とを概略的に示している。様々な層とは、ｎ＋基板４２、下側クラッド層４５、活性（量子井戸）層４７、グレーティング層５０、上側クラッド層５２、およびｐ＋コンタクト層５５、などである。」
　
オ　「【００６６】
　４．０  レーザチップ製造
　４．１  パターニングおよびエッチングプロセス
　・・・（略）・・・。市販で入手可能なレーザダイオードウエハは、例えば、上から順に以下の層を含む。
　【００６７】
　ｐ＋ドープト頂部金属コンタクト（ＩｎＧａＡｓ）
　ｐドープト上側クラッド（ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ）
　グレーティング層（ＩｎＧａＡｓＰ）
　多層活性層（交互の量子井戸層およびバリア層）
　ｎドープト下側クラッド（ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ）
　ｎ＋ドープト基板（ＩｎＰ）」
　
カ　「【００８８】
　４．３  具体的なレーザ構造
　・・・（略）・・・。
　【００８９】
　多重量子井戸（ＭＱＷ）分離閉じ込めヘテロ構造（ＳＣＨ）レーザチップの特定の実現を、以下の表１〜表４に示す。
　【００９０】
【表１】
　
　・・・（略）・・・。
　【００９３】
　・・・（略）・・・グレーティング層（設計＃１では単一の層５であり、設計＃２では層６および７である）・・・。」
　
キ　上記エの記載を踏まえて、図１Ｃをみると、以下の（ア）及び（イ）の事項が見て取れる。
（ア）リッジレーザダイオード素子１０ａは、下から順に、ｎ＋基板４２、下側クラッド層４５、活性（量子井戸）層４７、グレーティング層５０、上側クラッド層５２およびｐ＋コンタクト層５５を積層してなること。
（イ）レーザの活性領域２０の両側の上側クラッド層５２およびｐ＋コンタクト層５５にはトレンチ２２、２３が形成され、各トレンチ２２、２３の前記活性領域２０側にはリッジ２５が形成され、各トレンチ２２、２３の外側には上側クラッド層５２、ｐ＋コンタクト層５５および金属ショルダ対２７ａ、２７ｂからなる凸部が形成されること。
　
ク　図１Ｃに示されたリッジレーザダイオード素子１０ａは、図１Ａに示された多波長分布帰還型（ＤＦＢ）リッジレーザダイオードアレイ１０の一部をなすものであり、かつ、該ダイオードアレイ１０は、熱伝達を向上するために逆さにしてからモジュールの基板上に取り付けられるものである（上記ウ参照。）から、前記リッジレーザダイオード素子１０ａも、熱伝達を向上するために逆さにしてからモジュールの基板上に取り付けられるものである、といえる。
　
ケ　上記カの【００９０】の【表１】には、多重量子井戸（ＭＱＷ）分離閉じ込めヘテロ構造（ＳＣＨ）レーザチップの具体的な層構成が示されており、上記カの【００９３】の記載に照らせば、上記【表１】から、以下の（ア）〜（エ）が把握できる。
（ア）層３×４ＱＷと層４×３Ｂは、活性（量子井戸）層であること。
（イ）層５は、厚さ０．１０μｍのグレーティング層であること。
（ウ）層６〜９は、厚さ１．５５μｍ（＝０．２５μｍ＋０．０５μｍ＋０．７５μｍ＋０．５０μｍ）の上側クラッド層であること。
（エ）層１０は、厚さ０．２０μｍのｐ＋コンタクト層であること。
　
　よって、これらの記載を総合すると、引用刊行物には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「下から順に、ｎ＋基板４２、下側クラッド層４５、活性（量子井戸）層４７、厚さ０．１０μｍのグレーティング層５０、厚さ１．５５μｍの上側クラッド層５２、および厚さ０．２０μｍのｐ＋コンタクト層５５を積層してなり、レーザの活性領域２０の両側の上側クラッド層５２およびｐ＋コンタクト層５５にはトレンチ２２、２３が形成され、各トレンチ２２、２３の前記活性領域２０側にはリッジ２５が形成され、各トレンチ２２、２３の外側には上側クラッド層５２、ｐ＋コンタクト層５５および金属ショルダ対２７ａ、２７ｂからなる凸部が形成されるリッジレーザダイオード素子１０ａであって、熱伝達を向上するために逆さにしてからモジュールの基板上に取り付けられるリッジレーザダイオード素子１０ａ。」
　
　
３　対比、判断
　本願発明と引用発明を対比する。
　
ア　引用発明の「活性（量子井戸）層４７」及び「リッジレーザダイオード素子１０ａ」は、それぞれ、本願発明の「活性層」及び「半導体レーザ素子」に相当する。
　
イ　引用発明の「リッジ２５」は、活性（量子井戸）層４７の上方に位置するものであることは明らかであるから、本願発明の「活性層の上方に位置するリッジ」に相当する。
　
ウ　引用発明の「上側クラッド層５２、ｐ＋コンタクト層５５および金属ショルダ対２７ａ、２７ｂからなる凸部」は、「各トレンチ２２、２３の外側」、すなわち、リッジ２５の側方に形成されるものであり、かつ、引用発明の「リッジレーザダイオード素子１０ａ」は、「逆さにしてからモジュールの基板上に取り付けられる」ものであるから、引用発明の上記「凸部」は、本願発明の「リッジの側方に」形成された「サポート」に相当するとともに、引用発明の「リッジレーザダイオード素子１０ａ」は、本願発明の「活性層の上方に位置するリッジの側方にサポートを有する半導体レーザ素子」であって、「ジャンクションダウン方式で取り付けされる半導体レーザ素子」に相当する、といえる。
　
エ　引用発明の「リッジレーザダイオード素子１０ａ」は、活性（量子井戸）層４７の上に積層されたグレーティング層５０、上側クラッド層５２およびｐ＋コンタクト層５５の合計膜厚が１．８５μｍ（＝０．１０μｍ＋１．５５μｍ＋０．２０μｍ）であるから、引用発明は、本願発明の「活性層から前記リッジの頂上部までの間隔が１０μｍ以下に設定され」なる事項を備える。
　
　したがって、両者は、　  
「活性層の上方に位置するリッジの側方にサポートを有する半導体レーザ素子であって、前記活性層から前記リッジの頂上部までの間隔が１０μｍ以下に設定され、ジャンクションダウン方式で取り付けされる半導体レーザ素子。」
である点で一致し、次の点で相違する。　  
 　  
相違点
　半導体レーザ素子の面積に対するサポートの面積の割合が、本願発明では、３３％よりも大きく、５２％未満に設定されているのに対し、引用発明では、そのようになっていない点。
　
　上記相違点につき検討する。
　半導体レーザ素子を放熱基板にジャンクションダウン方式で取り付ける際に、半導体レーザ素子の表面の面積に対してどの程度の面積部分を該放熱基板と接触させるようにするかは、半導体レーザ素子から放熱基板へ伝達すべき熱量等に応じて当業者が設計上適宜に決めるべきことであるから、引用発明において、「リッジレーザダイオード素子１０ａ」の面積に対する「凸部」の面積の割合を上記相違点の程度となすことは、当業者が必要に応じて適宜になし得ることである。
　
　そして、本願発明によってもたされる効果は、引用発明から当業者が予測し得る程度のものである。
　
　したがって、本願発明は、引用刊行物に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
４　むすび
　したがって、本願発明は、引用刊行物に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。