【事件の表示】
　特願２００３−１２９１８５「シリコン酸化層の形成方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年１１月２５日出願公開、特開２００４−３３５７１５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１５年５月７日の出願であって、平成１８年６月１６日付けで拒絶査定がなされ、それに対して、同年９月１９日に拒絶査定に対する審判の請求がなされ、同年１０月１３日付けで手続補正がなされ、その後、平成２０年１１月１１日付けで審尋がなされ、平成２１年２月１８日付けで回答書が提出されたものである。
　
２．平成１８年１０月１３日付けの手続補正についての却下の決定
＜補正の却下の決定の結論＞
　平成１８年１０月１３日付けの手続補正を却下する。
　
＜理由＞
（１）補正の内容
　平成１８年１０月１３日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１ないし７を補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし６と補正するとともに、補正前の明細書の０００７段落を補正後の明細書の０００７段落と補正するものであって、補正前後の請求項１は以下のとおりである。
（補正前）
　「【請求項１】　プラズマ化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）システムを準備する段階、
　前記ＰＥＣＶＤシステム内に、ガラスおよびスペーサ層を有する絶縁基板を載置する段階、
　プラズマ化学蒸着によって、
　　前記絶縁基板上にアモルファスシリコン層を形成する段階、および
　　前記基板上に酸素元素含有ガスを用いた表面処理を施して、前記アモルファスシリコン層の一部を表面酸化層に変化させる段階、
　表面酸化層を有する前記基板にトランジスタを形成する段階、並びに
　残存アモルファスシリコン層にエキシマーレーザーアニーリングを施し、ポリシリコン層を形成する段階からなる、ポリシリコン薄膜トランジスタの製造に用いられるシリコン酸化物の形成方法。」
　
（補正後）
　「【請求項１】　プラズマ化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）システムを準備する段階、
　前記ＰＥＣＶＤシステム内に、ガラス基板およびスペーサ層を有する絶縁基板を載置する段階、
　プラズマ化学蒸着によって、
　　前記絶縁基板上にアモルファスシリコン層を形成する段階、および
　　前記基板上に酸素元素含有ガスを用いた表面処理を施して、前記アモルファスシリコン層の一部を表面酸化層に変化させる段階、
　表面酸化層を有する前記基板にトランジスタを形成する段階、並びに
　残存アモルファスシリコン層に最終的にエキシマーレーザーアニーリングを施し、ポリシリコン層を形成する段階からなる、ポリシリコン薄膜トランジスタの製造に用いられるシリコン酸化物の形成方法であって、
　前記酸素元素含有ガスが、前記アモルファスシリコン層を表面処理するためのプラズマを形成するよう励起されてなるシリコン酸化物の形成方法。」
　
（２）補正事項の整理
　本件補正のうち、特許請求の範囲に関するものを整理すると以下のとおりである。
（２−１）補正事項１
　補正前の請求項１の「ガラスおよびスペーサ層を有する絶縁基板を載置する段階」、「残存アモルファスシリコン層にエキシマーレーザーアニーリングを施し、ポリシリコン層を形成する段階」、及び「ポリシリコン薄膜トランジスタの製造に用いられるシリコン酸化物の形成方法。」を、各々補正後の請求項１の「ガラス基板およびスペーサ層を有する絶縁基板を載置する段階」、「残存アモルファスシリコン層に最終的にエキシマーレーザーアニーリングを施し、ポリシリコン層を形成する段階」、及び「ポリシリコン薄膜トランジスタの製造に用いられるシリコン酸化物の形成方法であって、　前記酸素元素含有ガスが、前記アモルファスシリコン層を表面処理するためのプラズマを形成するよう励起されてなるシリコン酸化物の形成方法。」と補正すること。
　
（２−２）補正事項２
　補正前の請求項２を削除すること。
　
（２−３）補正事項３
　補正前の請求項３ないし７を、文言を変更せず、補正後の請求項２ないし６とすること。
　
（３）補正の目的の適否及び新規事項の追加の有無についての検討
（３−１）補正事項１について
　補正事項１についての補正は、各々補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「絶縁基板を載置する段階」、「ポリシリコン層を形成する段階」、及び「前記アモルファスシリコン層の一部を表面酸化層に変化させる段階」に対して技術的限定を付加することにより、発明特定事項を下位概念化するものである。
　したがって、補正事項１についての補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項（以下、単に「特許法第１７条の２第４項」という。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また、補正事項１についての補正により補正された事項は、本願の願書に最初に添付した明細書の請求項２、００１２段落、及び００１３段落に記載されているから、当該補正は平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項の規定（以下、単に「特許法第１７条の２第３項」という。）に規定する要件を満たすものである。
　
（３−２）補正事項２について
　補正事項２についての補正は、特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものに該当する。
　また、当該補正が特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものであることは明らかである。
　
（３−３）補正事項３について
　補正前の請求項３ないし７と補正後の請求項の２ないし６とは文言が同一であり、これらの請求項はいずれも請求項１を引用するものであるから、補正事項３についての補正は、実質的にみて、補正事項１についての補正と同様に特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また、当該補正が特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものであることは明らかである。
　
（３−４）補正の目的の適否及び新規事項の追加の有無についてのまとめ
　以上検討したとおりであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定する要件を満たすものであり、かつ、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものである。
　したがって、本件補正による補正後の特許請求の範囲に記載された事項により特定される発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か、すなわち独立特許要件を満たすものであるか否かにつき、さらに検討を進める。
　
（４）独立特許要件についての検討
（４−１）補正後の発明
　本件補正による補正後の請求項１ないし６に係る発明は、本件補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし６に記載された事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下、「補正後の発明」という。）は、請求項１に記載された事項により特定される上記（１）の「補正後」の箇所に記載したとおりのものである。
　
（４−２）刊行物に記載された発明
（４−２−１）これに対して、原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に日本国内において頒布された特開平９−２４６１８３号公報（以下、「刊行物」という。）には、図６及び７とともに以下の事項が記載されている。
　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、アクティブマトリクス方式の液晶表示装置等に使用される薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）の製造に好適な多結晶半導体膜の製造方法に関する。」
　「【００２４】（第２の実施の形態）図６，７は本発明の第２の実施の形態に係る多結晶半導体膜の製造方法を薄膜トランジスタの製造に適用した例を工程順に示す断面図である。まず、図６（ａ）に示すように、プラズマＣＶＤ法を使用して、透明ガラス基板２４上に厚さが約１０００Åの第１の酸化シリコン膜（ＳｉＯ２）膜（図示せず）、厚さが約５００Åのアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）膜２３及び厚さが約５００Åの第２の酸化シリコン膜２６を連続的に形成する。この場合に、前記第１の酸化シリコン膜形成時の条件は、ＳｉＨ４ガスの流量が２０sccm、Ｎ２Ｏガスの流量が２０００sccm、圧力が１００Ｐａ、ＲＦ出力が３００Ｗである。また、アモルファスシリコン膜２６の形成時の条件は、ＳｉＨ４ガスの流量が２００sccm、Ｈ２ガスの流量が８００sccm、圧力が１００Ｐａ、ＲＦ出力が８０Ｗとする。更に、第２の酸化シリコン膜２３の形成時の条件は、ＳｉＨ４ガスの流量が２０sccm、Ｎ２Ｏガスの流量が２０００sccm、圧力が１００Ｐａ、ＲＦ出力が３００Ｗとする。
【００２５】次に、図６（ｂ）に示すように、窒素雰囲気中で４５０℃の温度で１時間の熱処理を施すことによって、アモルファスシリコン膜２３中の水素出しを行った後、窒素雰囲気中で、ＸｅＣｌエキシマレーザを用いて、基板温度が室温の条件でアモルファスシリコン膜２３の表面にビーム中央部のエネルギー密度が３４０ｍＪ／ｃｍ２のレーザ光１を照射する。この場合に、レーザ光１のビームプロファイルは、第１の実施の形態と同様に台形状とする。また、本実施の形態においては、アモルファスシリコン膜２３上にアモルファスシリコン膜２３よりも屈折率が低い酸化シリコン膜２６を形成しているので、レーザ光１の反射を低減することができる。このため、第１の実施の形態に比べて、レーザ光１のエネルギーが低くてもアモルファスシリコンが多結晶化して多結晶シリコン膜２５が得られる。なお、酸化シリコン膜２６に替えて窒化シリコン膜を形成しても、同様の効果が得られる。
【００２６】次に、図６（ｃ）に示すように、酸化シリコン膜２６を除去する。その後、図７（ａ）に示すように、多結晶シリコン膜２５をアイランド状にパターニングする。すなわち、アモルファスシリコン及び微細なシリコン結晶部分を選択的に除去して、薄膜トランジスタ形成予定領域にのみ結晶粒径が比較的大きな多結晶シリコンからなる多結晶シリコン膜２５ａを残存させる。その後、プラズマＣＶＤ法により、全面にＳｉＯ２からなるゲート絶縁膜３０を１０００Åの厚さに形成する。そして、スパッタ法により、ゲート絶縁膜３０上にアルミニウムからなるゲート電極膜２９を３０００Åの厚さに形成する。
【００２７】次に、図７（ｂ）に示すように、ゲート電極膜２９及びゲート絶縁膜３０を所定の形状にパターニングして多結晶シリコン膜２５ａの両端部を露出させ、この露出させた部分にｎ型不純物を高濃度にイオンドーピングして、ソース・ドレイン領域となるｎ＋領域３１を形成する。次いで、プラズマＣＶＤ法により、全面にＳｉＮからなる層間絶縁膜２７を形成した後、この層間絶縁膜２７にｎ＋領域３１に到達するコンタクトホールを選択的に形成する。そして、このコンタクトホールをアルミニウム等により埋め込むとともに前記層間絶縁膜２７上を被覆する配線層を形成し、該配線層をパターニングして、ソース・ドレイン電極２８及び配線（図示せず）を形成する。これにより、薄膜トランジスタが完成する。」
　
（４−２−２）ここにおいて、００２４段落の「更に、第２の酸化シリコン膜
２３
２６
　したがって、刊行物には、以下の発明（以下、「刊行物発明」という。）が記載されているものと認められる。
　「プラズマＣＶＤ法を使用して、透明ガラス基板２４上に第１の酸化シリコン膜、アモルファスシリコン膜２３及び第２の酸化シリコン膜２６を連続的に形成する工程、
　前記アモルファスシリコン膜２３中の水素出しを行った後、窒素雰囲気中で、前記アモルファスシリコン膜２３の表面にＸｅＣｌエキシマレーザのレーザ光１を照射することにより、アモルファスシリコンを多結晶化して多結晶シリコン膜２５を得る工程、
　前記第２の酸化シリコン膜２６を除去した後、アモルファスシリコン及び微細なシリコン結晶部分を選択的に除去して、薄膜トランジスタ形成予定領域にのみ結晶粒径が比較的大きな多結晶シリコンからなる多結晶シリコン膜２５ａを残存させ、全面にＳｉＯ２からなるゲート絶縁膜３０を形成し、前記ゲート絶縁膜３０上にアルミニウムからなるゲート電極膜２９を形成する工程、
　前記ゲート電極膜２９及び前記ゲート絶縁膜３０を所定の形状にパターニングして前記多結晶シリコン膜２５ａの両端部を露出させ、この露出させた部分にｎ型不純物を高濃度にイオンドーピングして、ソース・ドレイン領域となるｎ＋領域３１を形成し、次いで、全面にＳｉＮからなる層間絶縁膜２７を形成した後、この層間絶縁膜２７に前記ｎ＋領域３１に到達するコンタクトホールを選択的に形成し、このコンタクトホールをアルミニウム等により埋め込むとともに前記層間絶縁膜２７上を被覆する配線層を形成し、該配線層をパターニングして、ソース・ドレイン電極２８及び配線を形成することにより、薄膜トランジスタを完成させる工程からなる、薄膜トランジスタの製造における前記第２の酸化シリコン膜２６の形成方法であって、ＳｉＨ４ガスの流量が２０sccm、Ｎ２Ｏガスの流量が２０００sccm、圧力が１００Ｐａ、ＲＦ出力が３００Ｗという条件で酸化シリコン膜を形成する前記第２の酸化シリコン膜２６の形成方法。」
　
（４−３）補正後の発明と刊行物発明との対比
（４−３−１）刊行物発明の「プラズマＣＶＤ」は、補正後の発明の「プラズマ化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）」に相当する。
　そして、刊行物発明において、「プラズマＣＶＤ法を使用」するに際して、「プラズマＣＶＤ」を実現するためのシステムを準備する必要があることは自明であるから、刊行物発明も、補正後の発明の「プラズマ化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）システムを準備する段階」に相当する段階を備えていることは明らかである。
　
（４−３−２）刊行物発明の「透明ガラス基板２４」は補正後の発明の「絶縁基板」に対応しており、両者は「ガラス基板」を有する「絶縁基板」である点で共通する。
　そして、刊行物発明において、「プラズマＣＶＤ法を使用して、透明ガラス基板２４上に第１の酸化シリコン膜、アモルファスシリコン膜２３及び第２の酸化シリコン膜２６を連続的に形成する工程」を実現するに際しては、「プラズマＣＶＤ」を実現するためのシステム内に「透明ガラス基板２４」を載置する必要があることは自明であるから、刊行物発明が、補正後の発明の「前記ＰＥＣＶＤシステム内に、ガラス基板」「を有する絶縁基板を載置する段階」に相当する段階を備えていることは明らかである。
　
（４−３−３）刊行物発明の「プラズマＣＶＤ法を使用して、透明ガラス基板２４上に第１の酸化シリコン膜、アモルファスシリコン膜２３及び第２の酸化シリコン膜２６を連続的に形成する工程」における「アモルファスシリコン膜２３」は、補正後の発明の「アモルファスシリコン層」に相当するものであるから、刊行物発明における「プラズマＣＶＤ法を使用して、」「アモルファスシリコン膜２３」を「形成する工程」は、補正後の発明の「プラズマ化学蒸着によって、　前記絶縁基板上にアモルファスシリコン層を形成する段階」に対応しており、両者は、「プラズマ化学蒸着によって、　前記絶縁基板」の上方に「アモルファスシリコン層を形成する段階」である点で共通する。
　
（４−３−４）補正後の発明の「前記基板上に酸素元素含有ガスを用いた表面処理を施して、前記アモルファスシリコン層の一部を表面酸化層に変化させる段階」における「前記基板」とは、「前記絶縁基板上にアモルファスシリコン層を形成」してなる基板を意味するものと解されるから、刊行物発明の「プラズマＣＶＤ法を使用して、透明ガラス基板２４上に第１の酸化シリコン膜、アモルファスシリコン膜２３及び第２の酸化シリコン膜２６を連続的に形成する工程」における「プラズマＣＶＤ法を使用して、」「第２の酸化シリコン膜２６を」「形成する工程」は、補正後の発明の「前記基板上に酸素元素含有ガスを用いた表面処理を施して、前記アモルファスシリコン層の一部を表面酸化層に変化させる段階」に対応しており、両者は「前記基板上に」「処理を施して」「前記アモルファスシリコン層」の表面に酸化層を形成する段階である点で共通する。
　
（４−３−５）刊行物発明の「前記第２の酸化シリコン膜２６を除去した後、アモルファスシリコン及び微細なシリコン結晶部分を選択的に除去して、薄膜トランジスタ形成予定領域にのみ結晶粒径が比較的大きな多結晶シリコンからなる多結晶シリコン膜２５ａを残存させ、全面にＳｉＯ２からなるゲート絶縁膜３０を形成し、前記ゲート絶縁膜３０上にアルミニウムからなるゲート電極膜２９を形成する工程、　前記ゲート電極膜２９及び前記ゲート絶縁膜３０を所定の形状にパターニングして前記多結晶シリコン膜２５ａの両端部を露出させ、この露出させた部分にｎ型不純物を高濃度にイオンドーピングして、ソース・ドレイン領域となるｎ＋領域３１を形成し、次いで、全面にＳｉＮからなる層間絶縁膜２７を形成した後、この層間絶縁膜２７に前記ｎ＋領域３１に到達するコンタクトホールを選択的に形成し、このコンタクトホールをアルミニウム等により埋め込むとともに前記層間絶縁膜２７上を被覆する配線層を形成し、該配線層をパターニングして、ソース・ドレイン電極２８及び配線を形成することにより、薄膜トランジスタを完成させる工程」は、補正後の発明の「表面酸化層を有する前記基板にトランジスタを形成する段階」に対応しており、両者は、「前記基板にトランジスタを形成する段階」である点で共通する。
　
（４−３−６）刊行物発明の「多結晶シリコン」が補正後の発明の「ポリシリコン」に相当することは自明であるから、刊行物発明の「前記アモルファスシリコン膜２３中の水素出しを行った後、窒素雰囲気中で、前記アモルファスシリコン膜２３の表面にＸｅＣｌエキシマレーザのレーザ光１を照射することにより、アモルファスシリコンを多結晶化して多結晶シリコン膜２５を得る工程」は、補正後の発明の「残存アモルファスシリコン層に最終的にエキシマーレーザーアニーリングを施し、ポリシリコン層を形成する段階」に対応しており、両者は、「アモルファスシリコン層に」「エキシマーレーザーアニーリングを施し、ポリシリコン層を形成する段階」である点で共通する。
　
（４−３−７）刊行物発明の「薄膜トランジスタ」が多結晶シリコン、すなわちポリシリコンの薄膜を備えるものであることは明らかであるから、刊行物発明の「薄膜トランジスタ」は、補正後の発明の「ポリシリコン薄膜トランジスタ」に相当する。
　
（４−３−８）したがって、補正後の発明と刊行物発明とは、
　「プラズマ化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）システムを準備する段階、
　前記ＰＥＣＶＤシステム内に、ガラス基板を有する絶縁基板を載置する段階、
　プラズマ化学蒸着によって、
　前記絶縁基板の上方にアモルファスシリコン層を形成する段階、および
　前記基板上に処理を施して前記アモルファスシリコン層の表面に酸化層を形成する段階、
　前記基板にトランジスタを形成する段階、並びに
　前記アモルファスシリコン層にエキシマーレーザーアニーリングを施し、ポリシリコン層を形成する段階を有するポリシリコン薄膜トランジスタの製造に用いられるシリコン酸化物の形成方法。」
　である点で共通し、以下の点で相違する。
　
（相違点１）
　補正後の発明は、「絶縁基板」が「ガラス基板およびスペーサ層を有する」ものであり、当該「ガラス基板およびスペーサ層を有する」「絶縁基板」を「前記ＰＥＣＶＤシステム内」に載置して、その上に「アモルファスシリコン層を形成」しているのに対して、刊行物発明は、「絶縁基板」が「透明ガラス基板２４」であり、当該「透明ガラス基板２４」を「プラズマＣＶＤ法」を実現するための装置に載置して、その上に「第１の酸化シリコン膜」及び「アモルファスシリコン膜２３」を「連続的に形成」している点。
　
（相違点２）
　アモルファスシリコン層の表面に酸化層を形成するに際して、補正後の発明は、「前記基板上に」「前記アモルファスシリコン層を表面処理するためのプラズマを形成するよう励起されてなる」「酸素元素含有ガスを用いた表面処理を施して、前記アモルファスシリコン層の一部を表面酸化層に変化させ」ているのに対して、刊行物発明は、「アモルファスシリコン膜２３」の上に「ＳｉＨ４ガスの流量が２０sccm、Ｎ２Ｏガスの流量が２０００sccm、圧力が１００Ｐａ、ＲＦ出力が３００Ｗという条件で酸化シリコン膜を形成」している点。
　
（相違点３）
　補正後の発明は、「表面酸化層を有する前記基板にトランジスタを形成する段階」の後に「残存アモルファスシリコン層に最終的にエキシマーレーザーアニーリングを施し、ポリシリコン層を形成する段階」を実施しているのに対して、刊行物発明は、「前記アモルファスシリコン膜２３の表面にＸｅＣｌエキシマレーザのレーザ光１を照射することにより、アモルファスシリコンを多結晶化して多結晶シリコン膜２５を得る工程」の後に「薄膜トランジスタを完成させる工程」を実施している点。
　
（相違点４）
　刊行物発明は「前記アモルファスシリコン膜２３中の水素出しを行」う工程を含むものであるのに対して、補正後の発明はそのような工程を含むことが特定されていない点。
　
（４−４）相違点についての当審の判断
（４−４−１）相違点１について
　刊行物発明においては、「透明ガラス基板２４」上に「アモルファスシリコン膜２３」を形成するに際して、「透明ガラス基板２４」に「第１の酸化シリコン膜」を形成した後、当該「第１の酸化シリコン膜」に「アモルファスシリコン膜２３」を形成しているから、当該「第１の酸化シリコン膜」が、補正後の発明の「スペーサ層」に相当していることは明らかである。
　そして、ガラス基板にスペーサ層を設けるに当たり、アモルファスシリコンを形成するための処理装置に載置する基板にあらかじめスペーサ層を設けておくか、当該処理装置内でガラス基板にスペーサ層を形成するかは当業者が適宜選択し得る設計的事項にすぎないから、相違点１は、当業者が適宜選択し得る設計的事項の範囲に含まれる程度のものである。
　
（４−４−２）相違点２について
　一般に、アモルファスシリコンの表面に酸化層を設けるに当たり、アモルファスシリコン層を表面処理するためのプラズマを形成するよう励起された酸素含有ガスを用いた表面処理を施して、アモルファスシリコン層の一部を表面酸化層に変化させるようにすることは、プラズマ酸化と称され、当業者における周知技術である。
　例えば、本願の出願前に日本国内において頒布された特開２０００−５８８４７号公報（以下、「周知文献１」という。）には、図１ないし４とともに、「本発明の半導体装置およびその作製方法の実施形態を示す簡略断面図である図１〜図４を用いて簡略に説明する。・・・次いで、基板上または下地膜上に、
初期半導体膜１０１と第１のゲート絶縁膜１０２ａを連続的に形成する。
初期半導体膜とは、半導体膜を総称しており、非晶質を有する半導体膜、代表的には、非晶質半導体膜（非晶質珪素等）
初期半導体膜１０１をプラズマ酸化
　
　また、本願の出願前に日本国内において頒布された特開２０００−５８８４８号公報（以下、「周知文献２」という。）には、図１ないし５とともに、「本発明の半導体装置およびその作製方法の実施形態を示す簡略断面図である図１〜図５を用いて簡略に説明する。・・・次いで、基板上または下地膜上に、
初期半導体膜１０１と第１のゲート絶縁膜１０２ａを連続的に形成する
初期半導体膜とは、半導体膜を総称しており、非晶質を有する半導体膜、代表的には、非晶質半導体膜（非晶質珪素等）
初期半導体膜１０１をプラズマ酸化、
　
　また、本願の出願前に日本国内において頒布された特開２０００−１０６４３９号公報（以下、「周知文献３」という。）には、「まず本発明は第一工程としてガラス基板や三次元半導体装置の層間絶縁膜等の縁性物質上に多結晶硅素（ｐ−Ｓｉ）に代表される半導体膜を形成する。この半導体膜は単結晶状態に有っても、多結晶状態に有っても、
或いは非晶質状態に有っても構わない
プラズマ化学気相堆積装置（ＰＥＣＶＤ装置）等を用いて絶縁膜を半導体膜上に形成する。・・・絶縁膜の形成は酸素等を含む酸化性気体のプラズマを半導体膜に照射して、半導体膜表層部に３ｎｍ程度から１０ｎｍ程度の極薄酸化硅素膜を成長させる。
　
　さらに、本願の出願前に日本国内において頒布された特開２００２−３７３９９０号公報（以下、「周知文献４」という。）には、図３ないし５とともに、「本実施の形態によるアクティブマトリクス型表示装置用基板の製造方法について・・・説明する。まず、図３乃至図５に示した第１の実施の形態と同様に、ガラス基板２上に例えば膜厚５０ｎｍ程度の下地ＳｉＮ膜３、膜厚２００ｎｍ程度の下地ＳｉＯ２膜４及び膜厚１０〜２００ｎｍ程度（例えば５０ｎｍ）の
ａ−Ｓｉ薄膜６をこの順に成膜する。続いて、プラズマＣＶＤ法、ＬＰＣＶＤ法、スパッタ法等を用いて、膜厚１〜２０ｎｍ程度（例えば５ｎｍ）の酸化膜（ＳｉＯ
２
膜）３６を成膜する。
酸素プラズマに浸したり、あるいは酸素を含む雰囲気中で紫外光を照射したりすることにより酸化膜３６を形成してもよい。
　
　したがって、刊行物発明において、「アモルファスシリコン膜２３」の上に「酸化シリコン膜を形成する」に際し、「ＳｉＨ４ガスの流量が２０sccm、Ｎ２Ｏガスの流量が２０００sccm、圧力が１００Ｐａ、ＲＦ出力が３００Ｗという条件で酸化シリコン膜を形成する」ことに換えてプラズマ酸化の手法を用いること、すなわち、補正後の発明のように、「前記基板上に」「前記アモルファスシリコン層を表面処理するためのプラズマを形成するよう励起されてなる」「酸素元素含有ガスを用いた表面処理を施して、前記アモルファスシリコン層の一部を表面酸化層に変化させ」ることは、当業者が容易に想到し得た事項である。
　
（４−４−３）相違点３について
　一般に、ポリシリコン薄膜トランジスタを製造するために、アモルファスシリコンを結晶化するためのレーザーアニールを行うに際し、トランジスタの形成後に残存アモルファスシリコン層に最終的にレーザーアニールを施してポリシリコン層を形成することは、当業者における周知技術である。
　例えば、本願の出願前に日本国内において頒布された特開昭６０−２４５１２４号公報（以下、「周知文献５」という。）には、第１図ないし第３図とともに、「本発明は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等の半導体装置の製法に関する。」（第１頁左下欄第８行ないし第９行）、「第２図は本発明の一実施例である。本例においては先づ第２図Ａに示すようにガラス基板（１）上にアルミニウム又はＩＴＯ等によるゲート電極（２）を形成して後、ＳｉＯ２膜（３）、ａ−Ｓｉ：Ｈ膜（４）及びｎ＋−ａ−Ｓｉ：Ｈ膜（５）を順次プラズマＣＶＤ法で全面に堆積する。
次でａ−Ｓｉ：Ｈ膜（４）及びｎ
＋
−ａ−Ｓｉ：Ｈ膜（５）をパターニングして薄膜トランジスタを作る部分を島領域化する。　次に、第２図Ｂに示すように、例えばモリブデン、チタン又はニクロム等によるソース電極（６）及びドレイン電極（７）を形成し、両電極（６）及び（７）をマスクにチャンネル部に対応する部分上のｎ
＋
−ａ−Ｓｉ：Ｈ膜（５）をプラズマエッチング法等によって選択除去する（第２図Ｃ）
表面側から短波長パルスレーザ光即ちＵＶ（紫外線）パルスレーザ光（１０）を照射してａ−Ｓｉ：Ｈ膜（４）のチャンネル部（４Ｃ）を多結晶化又は単結晶化し、目的の薄膜トランジスタを得る。
ガラス基板（１）上にａ−Ｓｉ：Ｈ膜（４）及びＳｉＯ
２
膜（３）を順次被着形成し、パターンニングして島領域化する。
その後、ガラス基板（１）側よりＵＶパルスレーザ光（１０）を照射する。これによってソース及びドレイン部（４Ｓ）及び（４Ｄ）は活性化し、チャンネル部（４Ｃ）は結晶化する。
ａ−Ｓｉ：Ｈ膜（４）は熱処理される。斯くして目的の薄膜トランジスタを得る。
この実施例ではソース、ドレイン部（４Ｓ）、（４Ｄ）のａ−Ｓｉ：Ｈ膜も水素を出さずに結晶化される
　
　また、本願の出願前に日本国内において頒布された特開２００３−２３１６２号公報（以下、「周知文献６」という。）には、図１ないし３とともに、「図３はＴＦＴの製造方法を模式的に説明する概略図である。この実施例では図１（ａ）の構造、すなわち逆スタガ型構造のＴＦＴを用いた。もちろん他の構造でも良い。図３（Ａ）において・・・ガラス１上にマグネトロンＲＦ（高周波）スパッタ法を用いて下地膜２としての酸化珪素（ＳｉＯ２）膜を・・・形成する。・・・この上に公知のスパッタ法によりゲート電極となるクロム（Ｃｒ）層３を成膜する。・・・この上にゲート絶縁膜４として窒化珪素膜（ＳｉＮＸ）をＰＣＶＤ法により作製する。・・・この上に真性ａ−Ｓｉ層５をＰＣＶＤ法により作製する。・・・この上に不純物ａ−Ｓｉ層、ここではｎ＋型のａ−Ｓｉ層６をＰＣＶＤ法により作製する。・・・
その後、第２のフォトマスクＰ２を用いてドライエッチングを行い図３（Ｄ）に示すようなＴＦＴアイランド領域を形成する。・
チャネル形成領域、ソース電極９、ドレイン電極１０、およびソース領域１１、ドレイン１２領域を形成し、図３（Ｆ）を得る。
チャネル形成領域或いはソース・ドレイン領域又はその両方にレーザーを照射することにより結晶化、活性化を行うことができ、
　
　したがって、刊行物発明において、「前記アモルファスシリコン膜２３の表面にＸｅＣｌエキシマレーザのレーザ光１を照射することにより、アモルファスシリコンを多結晶化して多結晶シリコン膜２５を得る工程」の後に「薄膜トランジスタを完成させる工程」を実施することに換えて、補正後の発明のように、「表面酸化層を有する前記基板にトランジスタを形成する段階」の後に「残存アモルファスシリコン層に最終的にエキシマーレーザーアニーリングを施し、ポリシリコン層を形成する段階」を実施することは、当業者が容易に想到し得た事項である。
　
（４−４−４）相違点４について
　刊行物発明において、アモルファスシリコンのレーザーアニールに先立ち、「前記アモルファスシリコン膜２３中の水素出しを行」う理由は、レーザーアニールの際に、酸化膜の損傷による薄膜トランジスタの特性劣化等、アモルファスシリコン中に存在する水素に起因する弊害を未然に防ぐためである。そして、そのような「水素出し」は、刊行物発明に限らず、ＳｉＨ４等の水素含有元素を用いた通常のプロセスでアモルファスシリコンを作成する際に、薄膜トランジスタの特性を担保するために、一般によく行われている事項である。
　ところで、補正後の発明においては、「アモルファスシリコン層」をどのように形成するのかについて特定されておらず、かつ、本願の発明の詳細な説明にも「アモルファスシリコン層」の具体的形成方法は記載されていないから、補正後の発明における「アモルファスシリコン層」は、当業者において通常行われている方法で形成されているものと解される。
　してみると、補正後の発明においても、請求項１には明示されていないものの、レーザーアニールの前のいずれかの工程において、薄膜トランジスタの特性を担保するための「水素出し」が行われていると解するのが妥当であるから、相違点４は実質的なものではない。
　
　なお、この点に関連して請求人は平成２１年２月１８日付けの回答書の２．（２）（ｄ）において、「以上のことからも、第１周知技術の四種類の上記文献に当たった当業者が、これら文献に記載の技術を第２引用文献に適用したとしましても、第２引用文献と同様に熱処理（４５０℃程度）して膜中の水素出しを行う必要があるとの認識（いわば、技術常識化されている事項）は変わらないのであり、基板を加熱しなくともよい本願発明とは異なり、処理工数が増大し、こうした熱処理に必要な設備やランニングコストによる生産コストの増加を招くほか、基板温度を高める必要上、基板の材料特性の劣化や基板からの汚染等の問題が生じるのであります。　よって、第１周知技術の四種類の上記文献及び第２引用文献に記載の発明に基づき、酸化膜の形成時や形成後に熱処理を必要としない本願発明の構成要件に関しても容易に想到することは困難であると思料致します。」と主張し、補正後の発明においては、「水素出し」のための熱処理（４５０℃程度）を含め、酸化膜の形成後に基板の加熱処理が不要であるかのような主張をしている。
　しかしながら、熱処理に関して本願の発明の詳細な説明に記載されている事項は、「また、プラズマを用いてアモルファスシリコン層の一部を表面酸化層に変化させる手法を用いれば、基板を加熱しなくてもよい。このため、基板の材料特性が、劣化しにくい。」（０００９段落）、及び「本発明のポリシリコン酸化物の製造方法は、・・・また、プラズマを用いてアモルファスシリコン層の一部を表面酸化層に変化させる手法を用いれば、基板を加熱しなくてもよい。このため、基板の材料特性が劣化しにくい。」（００１６段落）であり、いずれも酸化の段階で加熱処理が不要であるというプラズマ酸化が一般的に有する効果が記載されているのみであり、本願の発明の詳細な説明には、薄膜トランジスタの製造過程において通常必要とされる「水素出し」等の熱処理がなぜ不要となるのかについての理論的な説明も実験的裏付けも記載されていないことはもちろん、「表面酸化層を有する前記基板にトランジスタを形成する段階」等、酸化膜の形成後に実施される各段階がどのような温度条件で行われるのかについても具体的に記載されていないから、発明の詳細な説明を参酌しても、補正後の発明において「水素出し」等の熱処理が不要となることの合理的根拠は見いだせず、請求人の主張は採用できない。
　
　以上のように、相違点４は実質的なものではないが、仮に実質的なものであったとしても、アモルファスシリコンの水素含有量を抑制することにより、アモルファスシリコンの水素出しを行わなくてもよいようにすることは、当業者における周知技術である。
　例えば本願の出願前に日本国内において頒布された特開平１１−２９８００４号公報（以下、「周知文献７」という。には、「本発明はポリシリコンを用いた薄膜トランジスタ、及び、それをスイッチング素子とするアクティブマトリクス型の液晶表示装置の製造方法に関する。」（０００１段落）、「本実施形態は、所定の周期で間欠的にプラズマ放電を行う間欠放電プラズマＣＶＤ法により、ガラス基板上にアモルファスシリコン膜を形成することにより、
このアモルファスシリコン膜中の水素含有量を抑制して、このアモルファスシリコン膜にエキシマレーザ・アニールをする前に、別途、脱水素処理をすることを不要にしたものである
　
　また、本願の出願前に日本国内において頒布された特開２０００−１５０３８９号公報（以下、「周知文献８」という。）には、「本発明は、プラズマＣＶＤ装置および半導体装置の製造方法に関し、例えば、多結晶シリコン膜の成膜に用いて好適なプラズマＣＶＤ装置と、本装置により得られる多結晶シリコン膜を用いた半導体装置の製造方法に関するものである。」（０００１段落）、「これに対して、本発明で用いる２周波励起型プラズマ成膜室の場合、成膜時に発生する水素イオンや水素ラジカルが基板バイアス電位の作用により膜表面に衝突することで膜表面の水素をエッチングしながら成膜が進行する。つまり
、成膜当初から水素含有量が低いアモルファスシリコン（本明細書では、これを低水素化アモルファスシリコンという）が形成されるため、脱水素処理自体が不要となる。
　
　したがって、刊行物発明において、「アモルファスシリコン膜２３」を形成するに際して、水素含有量を抑制することにより、「前記アモルファスシリコン膜２３中の水素出し」を不要とする程度のことは、当業者であれば適宜なし得た事項である。
　
（４−４−５）判断についてのまとめ
　以上検討したとおりであるから、補正後の発明は、周知技術を勘案することにより、刊行物発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　したがって、補正後の発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
（５）独立特許要件についてのまとめ
　本件補正は、補正後の請求項１に記載された事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものである。
　
（６）補正の却下の決定についてのむすび
　以上検討したとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　
３．本願発明
　平成１８年１０月１３日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし７に係る発明は、平成１８年３月１３日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その請求項１ないし７に記載された事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、請求項１に記載された以下のとおりのものである。
　「【請求項１】　プラズマ化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）システムを準備する段階、
　前記ＰＥＣＶＤシステム内に、ガラスおよびスペーサ層を有する絶縁基板を載置する段階、
　プラズマ化学蒸着によって、
　　前記絶縁基板上にアモルファスシリコン層を形成する段階、および
　　前記基板上に酸素元素含有ガスを用いた表面処理を施して、前記アモルファスシリコン層の一部を表面酸化層に変化させる段階、
　表面酸化層を有する前記基板にトランジスタを形成する段階、並びに
　残存アモルファスシリコン層にエキシマーレーザーアニーリングを施し、ポリシリコン層を形成する段階からなる、ポリシリコン薄膜トランジスタの製造に用いられるシリコン酸化物の形成方法。」
　
４．刊行物に記載された発明
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物（特開平９−２４６１８３号公報）には、上記２．（４−２−１）に記載したとおりの事項、及び（４−２−２）に記載したとおりの発明（刊行物発明）が記載されているものと認められる。
　
５．本願発明と刊行物発明との対比
（１）刊行物発明の「プラズマＣＶＤ」は、本願発明の「プラズマ化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）」に相当する。
　そして、刊行物発明において、「プラズマＣＶＤ法を使用」するに際して、「プラズマＣＶＤ」を実現するためのシステムを準備する必要があることは自明であるから、刊行物発明も、本願発明の「プラズマ化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）システムを準備する段階」に相当する段階を備えていることは明らかである。
　
（２）刊行物発明の「透明ガラス基板２４」は本願発明の「絶縁基板」に対応しており、両者は「ガラス」を有する「絶縁基板」である点で共通する。
　そして、刊行物発明において、「プラズマＣＶＤ法を使用して、透明ガラス基板２４上に第１の酸化シリコン膜、アモルファスシリコン膜２３及び第２の酸化シリコン膜２６を連続的に形成する工程」を実現するに際しては、「プラズマＣＶＤ」を実現するためのシステム内に「透明ガラス基板２４」を載置する必要があることは自明であるから、刊行物発明が、本願発明の「前記ＰＥＣＶＤシステム内に、ガラス」「を有する絶縁基板を載置する段階」に相当する段階を備えていることは明らかである。
　
（３）刊行物発明の「プラズマＣＶＤ法を使用して、透明ガラス基板２４上に第１の酸化シリコン膜、アモルファスシリコン膜２３及び第２の酸化シリコン膜２６を連続的に形成する工程」における「アモルファスシリコン膜２３」は、本願発明の「アモルファスシリコン層」に相当するものであるから、刊行物発明における「プラズマＣＶＤ法を使用して、」「アモルファスシリコン膜２３」を「形成する工程」は、本願発明の「プラズマ化学蒸着によって、　前記絶縁基板上にアモルファスシリコン層を形成する段階」に対応しており、両者は、「プラズマ化学蒸着によって、　前記絶縁基板」の上方に「アモルファスシリコン層を形成する段階」である点で共通する。
　
（４）本願発明の「前記基板上に酸素元素含有ガスを用いた表面処理を施して、前記アモルファスシリコン層の一部を表面酸化層に変化させる段階」における「前記基板」とは、「前記絶縁基板上にアモルファスシリコン層を形成」してなる基板を意味するものと解されるから、刊行物発明の「プラズマＣＶＤ法を使用して、透明ガラス基板２４上に第１の酸化シリコン膜、アモルファスシリコン膜２３及び第２の酸化シリコン膜２６を連続的に形成する工程」における「プラズマＣＶＤ法を使用して、」「第２の酸化シリコン膜２６を」「形成する工程」は、本願発明の「前記基板上に酸素元素含有ガスを用いた表面処理を施して、前記アモルファスシリコン層の一部を表面酸化層に変化させる段階」に対応しており、両者は「前記基板上に」「処理を施して」「前記アモルファスシリコン層」の表面に酸化層を形成する段階である点で共通する。
　
（５）刊行物発明の「前記第２の酸化シリコン膜２６を除去した後、アモルファスシリコン及び微細なシリコン結晶部分を選択的に除去して、薄膜トランジスタ形成予定領域にのみ結晶粒径が比較的大きな多結晶シリコンからなる多結晶シリコン膜２５ａを残存させ、全面にＳｉＯ２からなるゲート絶縁膜３０を形成し、前記ゲート絶縁膜３０上にアルミニウムからなるゲート電極膜２９を形成する工程、　前記ゲート電極膜２９及び前記ゲート絶縁膜３０を所定の形状にパターニングして前記多結晶シリコン膜２５ａの両端部を露出させ、この露出させた部分にｎ型不純物を高濃度にイオンドーピングして、ソース・ドレイン領域となるｎ＋領域３１を形成し、次いで、全面にＳｉＮからなる層間絶縁膜２７を形成した後、この層間絶縁膜２７に前記ｎ＋領域３１に到達するコンタクトホールを選択的に形成し、このコンタクトホールをアルミニウム等により埋め込むとともに前記層間絶縁膜２７上を被覆する配線層を形成し、該配線層をパターニングして、ソース・ドレイン電極２８及び配線を形成することにより、薄膜トランジスタを完成させる工程」は、本願発明の「表面酸化層を有する前記基板にトランジスタを形成する段階」に対応しており、両者は、「前記基板にトランジスタを形成する段階」である点で共通する。
　
（６）刊行物発明の「多結晶シリコン」が本願発明の「ポリシリコン」に相当することは自明であるから、刊行物発明の「前記アモルファスシリコン膜２３中の水素出しを行った後、窒素雰囲気中で、前記アモルファスシリコン膜２３の表面にＸｅＣｌエキシマレーザのレーザ光１を照射することにより、アモルファスシリコンを多結晶化して多結晶シリコン膜２５を得る工程」は、本願発明の「残存アモルファスシリコン層にエキシマーレーザーアニーリングを施し、ポリシリコン層を形成する段階」に対応しており、両者は、「アモルファスシリコン層にエキシマーレーザーアニーリングを施し、ポリシリコン層を形成する段階」である点で共通する。
　
（７）刊行物発明の「薄膜トランジスタ」が多結晶シリコン、すなわちポリシリコンの薄膜を備えるものであることは明らかであるから、刊行物発明の「薄膜トランジスタ」は、本願発明の「ポリシリコン薄膜トランジスタ」に相当する。
　
（８）したがって、本願発明と刊行物発明とは、
　「プラズマ化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）システムを準備する段階、
　前記ＰＥＣＶＤシステム内に、ガラスを有する絶縁基板を載置する段階、
　プラズマ化学蒸着によって、
　前記絶縁基板の上方にアモルファスシリコン層を形成する段階、および
　前記基板上に処理を施して前記アモルファスシリコン層の表面に酸化層を形成する段階、
　前記基板にトランジスタを形成する段階、並びに
　前記アモルファスシリコン層にエキシマーレーザーアニーリングを施し、ポリシリコン層を形成する段階を有するポリシリコン薄膜トランジスタの製造に用いられるシリコン酸化物の形成方法。」
　である点で共通し、以下の点で相違する。
　
（相違点１）
　本願発明は、「絶縁基板」が「ガラスおよびスペーサ層を有する」ものであり、当該「ガラスおよびスペーサ層を有する」「絶縁基板」を「前記ＰＥＣＶＤシステム内」に載置して、その上に「アモルファスシリコン層を形成」しているのに対して、刊行物発明は、「絶縁基板」が「透明ガラス基板２４」であり、当該「透明ガラス基板２４」を「プラズマＣＶＤ法」を実現するための装置に載置して、その上に「第１の酸化シリコン膜」及び「アモルファスシリコン膜２３」を「連続的に形成」している点。
　
（相違点２）
　アモルファスシリコン層の表面に酸化層を形成するに際して、本願発明は、「前記基板上に酸素元素含有ガスを用いた表面処理を施して、前記アモルファスシリコン層の一部を表面酸化層に変化させ」ているのに対して、刊行物発明は、「アモルファスシリコン膜２３」の上に「ＳｉＨ４ガスの流量が２０sccm、Ｎ２Ｏガスの流量が２０００sccm、圧力が１００Ｐａ、ＲＦ出力が３００Ｗという条件で酸化シリコン膜を形成」している点。
　
（相違点３）
　本願発明は、「表面酸化層を有する前記基板にトランジスタを形成する段階」の後に「残存アモルファスシリコン層にエキシマーレーザーアニーリングを施し、ポリシリコン層を形成する段階」を実施しているのに対して、刊行物発明は、「前記アモルファスシリコン膜２３の表面にＸｅＣｌエキシマレーザのレーザ光１を照射することにより、アモルファスシリコンを多結晶化して多結晶シリコン膜２５を得る工程」の後に「薄膜トランジスタを完成させる工程」を実施している点。
　
（相違点４）
　刊行物発明は「前記アモルファスシリコン膜２３中の水素出しを行」う工程を含むものであるのに対して、本願発明はそのような工程を含むことが特定されていない点。
　
６．相違点についての当審の判断
（１）相違点１について
　刊行物発明においては、「透明ガラス基板２４」上に「アモルファスシリコン膜２３」を形成するに際して、「透明ガラス基板２４」に「第１の酸化シリコン膜」を形成した後、当該「第１の酸化シリコン膜」に「アモルファスシリコン膜２３」を形成しているから、当該「第１の酸化シリコン膜」が、本願発明の「スペーサ層」に相当していることは明らかである。
　そして、ガラスにスペーサ層を設けるに当たり、アモルファスシリコンを形成するための処理装置に載置する基板にあらかじめスペーサ層を設けておくか、当該処理装置内でガラスにスペーサ層を形成するかは当業者が適宜選択し得る設計的事項にすぎないから、相違点１は、当業者が適宜選択し得る設計的事項の範囲に含まれる程度のものである。
　
（２）相違点２について
　一般に、アモルファスシリコンの表面に酸化層を設けるに当たり、酸素含有ガスを用いた表面処理を施して、アモルファスシリコン層の一部を表面酸化層に変化させるようにすることは、プラズマ酸化と称され、当業者における周知技術である。
　例えば、周知文献１には、図１ないし４とともに、「本発明の半導体装置およびその作製方法の実施形態を示す簡略断面図である図１〜図４を用いて簡略に説明する。・・・次いで、基板上または下地膜上に、
初期半導体膜１０１と第１のゲート絶縁膜１０２ａを連続的に形成する。
初期半導体膜とは、半導体膜を総称しており、非晶質を有する半導体膜、代表的には、非晶質半導体膜（非晶質珪素等）
初期半導体膜１０１をプラズマ酸化
　
　また、周知文献２には、図１ないし５とともに、「本発明の半導体装置およびその作製方法の実施形態を示す簡略断面図である図１〜図５を用いて簡略に説明する。・・・次いで、基板上または下地膜上に、
初期半導体膜１０１と第１のゲート絶縁膜１０２ａを連続的に形成する
初期半導体膜とは、半導体膜を総称しており、非晶質を有する半導体膜、代表的には、非晶質半導体膜（非晶質珪素等）
初期半導体膜１０１をプラズマ酸化、
　
　また、周知文献３には、「まず本発明は第一工程としてガラス基板や三次元半導体装置の層間絶縁膜等の縁性物質上に多結晶硅素（ｐ−Ｓｉ）に代表される半導体膜を形成する。この半導体膜は単結晶状態に有っても、多結晶状態に有っても、
或いは非晶質状態に有っても構わない
プラズマ化学気相堆積装置（ＰＥＣＶＤ装置）等を用いて絶縁膜を半導体膜上に形成する。・・・絶縁膜の形成は酸素等を含む酸化性気体のプラズマを半導体膜に照射して、半導体膜表層部に３ｎｍ程度から１０ｎｍ程度の極薄酸化硅素膜を成長させる。
　
　さらに、周知文献４には、図３ないし５とともに、「本実施の形態によるアクティブマトリクス型表示装置用基板の製造方法について・・・説明する。まず、図３乃至図５に示した第１の実施の形態と同様に、ガラス基板２上に例えば膜厚５０ｎｍ程度の下地ＳｉＮ膜３、膜厚２００ｎｍ程度の下地ＳｉＯ２膜４及び膜厚１０〜２００ｎｍ程度（例えば５０ｎｍ）の
ａ−Ｓｉ薄膜６をこの順に成膜する。続いて、プラズマＣＶＤ法、ＬＰＣＶＤ法、スパッタ法等を用いて、膜厚１〜２０ｎｍ程度（例えば５ｎｍ）の酸化膜（ＳｉＯ
２
膜）３６を成膜する。
酸素プラズマに浸したり、あるいは酸素を含む雰囲気中で紫外光を照射したりすることにより酸化膜３６を形成してもよい。
　
　したがって、刊行物発明において、「アモルファスシリコン膜２３」の上に「酸化シリコン膜を形成する」に際し、「ＳｉＨ４ガスの流量が２０sccm、Ｎ２Ｏガスの流量が２０００sccm、圧力が１００Ｐａ、ＲＦ出力が３００Ｗという条件で酸化シリコン膜を形成する」ことに換えてプラズマ酸化の手法を用いること、すなわち、本願発明のように、「前記基板上に酸素元素含有ガスを用いた表面処理を施して、前記アモルファスシリコン層の一部を表面酸化層に変化させ」ることは、当業者が容易に想到し得た事項である。
　
（３）相違点３について
　一般に、ポリシリコン薄膜トランジスタを製造するために、アモルファスシリコンを結晶化するためのレーザーアニールを行うに際し、トランジスタの形成後に残存アモルファスシリコン層にレーザーアニールを施してポリシリコン層を形成することは、当業者における周知技術である。
　例えば、周知文献５には、第１図ないし第３図とともに、「本発明は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等の半導体装置の製法に関する。」（第１頁左下欄第８行ないし第９行）、「第２図は本発明の一実施例である。本例においては先づ第２図Ａに示すようにガラス基板（１）上にアルミニウム又はＩＴＯ等によるゲート電極（２）を形成して後、ＳｉＯ２膜（３）、ａ−Ｓｉ：Ｈ膜（４）及びｎ＋−ａ−Ｓｉ：Ｈ膜（５）を順次プラズマＣＶＤ法で全面に堆積する。
次でａ−Ｓｉ：Ｈ膜（４）及びｎ
＋
−ａ−Ｓｉ：Ｈ膜（５）をパターニングして薄膜トランジスタを作る部分を島領域化する。　次に、第２図Ｂに示すように、例えばモリブデン、チタン又はニクロム等によるソース電極（６）及びドレイン電極（７）を形成し、両電極（６）及び（７）をマスクにチャンネル部に対応する部分上のｎ
＋
−ａ−Ｓｉ：Ｈ膜（５）をプラズマエッチング法等によって選択除去する（第２図Ｃ）
表面側から短波長パルスレーザ光即ちＵＶ（紫外線）パルスレーザ光（１０）を照射してａ−Ｓｉ：Ｈ膜（４）のチャンネル部（４Ｃ）を多結晶化又は単結晶化し、目的の薄膜トランジスタを得る。
ガラス基板（１）上にａ−Ｓｉ：Ｈ膜（４）及びＳｉＯ
２
膜（３）を順次被着形成し、パターンニングして島領域化する。
その後、ガラス基板（１）側よりＵＶパルスレーザ光（１０）を照射する。これによってソース及びドレイン部（４Ｓ）及び（４Ｄ）は活性化し、チャンネル部（４Ｃ）は結晶化する。
ａ−Ｓｉ：Ｈ膜（４）は熱処理される。斯くして目的の薄膜トランジスタを得る。
この実施例ではソース、ドレイン部（４Ｓ）、（４Ｄ）のａ−Ｓｉ：Ｈ膜も水素を出さずに結晶化される
　
　また、周知文献６には、図１ないし３とともに、「図３はＴＦＴの製造方法を模式的に説明する概略図である。この実施例では図１（ａ）の構造、すなわち逆スタガ型構造のＴＦＴを用いた。もちろん他の構造でも良い。図３（Ａ）において・・・ガラス１上にマグネトロンＲＦ（高周波）スパッタ法を用いて下地膜２としての酸化珪素（ＳｉＯ２）膜を・・・形成する。・・・この上に公知のスパッタ法によりゲート電極となるクロム（Ｃｒ）層３を成膜する。・・・この上にゲート絶縁膜４として窒化珪素膜（ＳｉＮＸ）をＰＣＶＤ法により作製する。・・・この上に真性ａ−Ｓｉ層５をＰＣＶＤ法により作製する。・・・この上に不純物ａ−Ｓｉ層、ここではｎ＋型のａ−Ｓｉ層６をＰＣＶＤ法により作製する。・・・
その後、第２のフォトマスクＰ２を用いてドライエッチングを行い図３（Ｄ）に示すようなＴＦＴアイランド領域を形成する。・
チャネル形成領域、ソース電極９、ドレイン電極１０、およびソース領域１１、ドレイン１２領域を形成し、図３（Ｆ）を得る。
チャネル形成領域或いはソース・ドレイン領域又はその両方にレーザーを照射することにより結晶化、活性化を行うことができ、
　
　したがって、刊行物発明において、「前記アモルファスシリコン膜２３の表面にＸｅＣｌエキシマレーザのレーザ光１を照射することにより、アモルファスシリコンを多結晶化して多結晶シリコン膜２５を得る工程」の後に「薄膜トランジスタを完成させる工程」を実施することに換えて、本願発明のように、「表面酸化層を有する前記基板にトランジスタを形成する段階」の後に「残存アモルファスシリコン層にエキシマーレーザーアニーリングを施し、ポリシリコン層を形成する段階」を実施することは、当業者が容易に想到し得た事項である。
　
（４）相違点４について
　刊行物発明において、アモルファスシリコンのレーザーアニールに先立ち、「前記アモルファスシリコン膜２３中の水素出しを行」う理由は、レーザーアニールの際に、酸化膜の損傷による薄膜トランジスタの特性劣化等、アモルファスシリコン中に存在する水素に起因する弊害を未然に防ぐためである。そして、そのような「水素出し」は、刊行物発明に限らず、ＳｉＨ４等の水素含有元素を用いた通常のプロセスでアモルファスシリコンを作成する際に、薄膜トランジスタの特性を担保するために、一般によく行われている事項である。
　ところで、本願発明においては、「アモルファスシリコン層」をどのように形成するのかについて特定されておらず、かつ、本願の発明の詳細な説明にも「アモルファスシリコン層」の具体的形成方法は記載されていないから、本願発明における「アモルファスシリコン層」は、当業者において通常行われている方法で形成されているものと解される。
　してみると、本願発明においても、請求項１には明示されていないものの、レーザーアニールの前のいずれかの工程において、薄膜トランジスタの特性を担保するための「水素出し」が行われていると解するのが妥当であるから、相違点４は実質的なものではない。
　
　なお、この点に関連して請求人は平成２１年２月１８日付けの回答書の２．（２）（ｄ）において、「以上のことからも、第１周知技術の四種類の上記文献に当たった当業者が、これら文献に記載の技術を第２引用文献に適用したとしましても、第２引用文献と同様に熱処理（４５０℃程度）して膜中の水素出しを行う必要があるとの認識（いわば、技術常識化されている事項）は変わらないのであり、基板を加熱しなくともよい本願発明とは異なり、処理工数が増大し、こうした熱処理に必要な設備やランニングコストによる生産コストの増加を招くほか、基板温度を高める必要上、基板の材料特性の劣化や基板からの汚染等の問題が生じるのであります。　よって、第１周知技術の四種類の上記文献及び第２引用文献に記載の発明に基づき、酸化膜の形成時や形成後に熱処理を必要としない本願発明の構成要件に関しても容易に想到することは困難であると思料致します。」と主張し、本願発明においては、「水素出し」のための熱処理（４５０℃程度）を含め、酸化膜の形成後に基板の加熱処理が不要であるかのような主張をしている。
　しかしながら、熱処理に関して本願の発明の詳細な説明に記載されている事項は、「また、プラズマを用いてアモルファスシリコン層の一部を表面酸化層に変化させる手法を用いれば、基板を加熱しなくてもよい。このため、基板の材料特性が、劣化しにくい。」（０００９段落）、及び「本発明のポリシリコン酸化物の製造方法は、・・・また、プラズマを用いてアモルファスシリコン層の一部を表面酸化層に変化させる手法を用いれば、基板を加熱しなくてもよい。このため、基板の材料特性が劣化しにくい。」（００１６段落）であり、いずれも酸化の段階で加熱処理が不要であるというプラズマ酸化が一般的に有する効果が記載されているのみであり、本願の発明の詳細な説明には、薄膜トランジスタの製造過程において通常必要とされる「水素出し」等の熱処理がなぜ不要となるのかについての理論的な説明も実験的裏付けも記載されていないことはもちろん、「表面酸化層を有する前記基板にトランジスタを形成する段階」等、酸化膜の形成後に実施される各段階がどのような温度条件で行われるのかについても具体的に記載されていないから、発明の詳細な説明を参酌しても、本願発明において「水素出し」等の熱処理が不要となることの合理的根拠は見いだせず、請求人の主張は採用できない。
　
　以上のように、相違点４は実質的なものではないが、仮に実質的なものであったとしても、アモルファスシリコンの水素含有量を抑制することにより、アモルファスシリコンの水素出しを行わなくてもよいようにすることは、当業者における周知技術である。
　例えば、周知文献７には、「本発明はポリシリコンを用いた薄膜トランジスタ、及び、それをスイッチング素子とするアクティブマトリクス型の液晶表示装置の製造方法に関する。」（０００１段落）、「本実施形態は、所定の周期で間欠的にプラズマ放電を行う間欠放電プラズマＣＶＤ法により、ガラス基板上にアモルファスシリコン膜を形成することにより、
このアモルファスシリコン膜中の水素含有量を抑制して、このアモルファスシリコン膜にエキシマレーザ・アニールをする前に、別途、脱水素処理をすることを不要にしたものである
　
　また、周知文献８には、「本発明は、プラズマＣＶＤ装置および半導体装置の製造方法に関し、例えば、多結晶シリコン膜の成膜に用いて好適なプラズマＣＶＤ装置と、本装置により得られる多結晶シリコン膜を用いた半導体装置の製造方法に関するものである。」（０００１段落）、「これに対して、本発明で用いる２周波励起型プラズマ成膜室の場合、成膜時に発生する水素イオンや水素ラジカルが基板バイアス電位の作用により膜表面に衝突することで膜表面の水素をエッチングしながら成膜が進行する。つまり
、成膜当初から水素含有量が低いアモルファスシリコン（本明細書では、これを低水素化アモルファスシリコンという）が形成されるため、脱水素処理自体が不要となる。
　
　したがって、刊行物発明において、「アモルファスシリコン膜２３」を形成するに際して、水素含有量を抑制することにより、「前記アモルファスシリコン膜２３中の水素出し」を不要とする程度のことは、当業者であれば適宜なし得た事項である。
　
（５）判断についてのまとめ
　以上検討したとおりであるから、本願発明は、周知技術を勘案することにより、刊行物発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　したがって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
７．むすび
　本願は、請求項１に係る発明が特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、他の請求項について検討するまでもなく拒絶をすべきものである。
　したがって、上記結論のとおり審決する。