【事件の表示】
　特願２０００−　　２９７６「表示装置用薄膜トランジスタアレイ基板及び表示装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　７月１９日出願公開、特開２００１−１９５０１１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は平成１２年１月１１日の出願であって、平成１８年９月２７日付けで拒絶の理由が通知され、平成１９年１月２４日付けで意見書及び手続補正書が提出され、平成１９年２月２６日付けで拒絶の理由（いわゆる「最後の拒絶理由通知」である。）が通知され、平成１９年６月１８日付けで意見書及び手続補正書が提出されたが、平成１９年６月１８日付けの手続補正が平成１９年７月１１日付けで却下されるとともに、平成１９年２月２６日付けの拒絶理由通知書に記載した理由により平成１９年７月１１日付けで拒絶の査定がされたため、これを不服として平成１９年１１月５日付けで本件審判請求がされるとともに、平成１９年１２月４日付けで手続補正（以下、「本件補正」という。）がなされたものである。
　
　
第２　補正の却下の決定
　
［補正の却下の決定の結論］
　平成１９年１２月４日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正は、平成１９年１月２４日付けの手続補正により補正された明細書の特許請求の範囲についての
　
「【請求項１】同一基板上に、
２周波励起によるスパッタ成膜法で低移動度多結晶シリコンを成膜する第１のステップ、
　　　　　及び画素に接続され画素への画像信号の書き込みを制御する画素駆動用薄膜トランジスタと、該画素駆動用薄膜トランジスタに前記画像信号を供給するソースドライバ用薄膜トランジスタと、前記画素駆動用薄膜トランジスタを駆動するゲートドライバ用薄膜トランジスタとを形成する第２のステップからなり、第２ステップにおいて前記画素駆動用薄膜トランジスタの半導体能動層部分の前記低移動度多結晶シリコンに熱処理をせず、前記ソースドライバ用薄膜トランジスタおよび前記ゲートドライバ用薄膜トランジスタのうちの少なくとも一方の半導体能動層部分の前記低移動度多結晶シリコンに熱処理を施して高移動度多結晶シリコンとするステップを有することを特徴とする表示装置用薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
　　　　　【請求項２】請求項１記載の表示装置用薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法を有することを特徴とする表示装置の製造方法。」
　
の記載を、
　
「【請求項１】
　同一基板上に、 
２周波励起によるスパッタ成膜法で低移動度多結晶シリコンを成膜する第１のステップ、
　及び画素に接続され画素への画像信号の書き込みを制御する画素駆動用薄膜トランジスタと、該画素駆動用薄膜トランジスタに前記画像信号を供給するソースドライバ用薄膜トランジスタと、前記画素駆動用薄膜トランジスタを駆動するゲートドライバ用薄膜トランジスタとを形成する第２のステップからなり、第２ステップにおいて前記画素駆動用薄膜トランジスタの半導体能動層部分の前記低移動度多結晶シリコンに熱処理をせず、前記ソースドライバ用薄膜トランジスタおよび前記ゲートドライバ用薄膜トランジスタのうちの少なくとも一方の半導体能動層部分の前記低移動度多結晶シリコンに１００ｍＪ／ｃｍ２以上２００ｍＪ／ｃｍ２未満のパワー密度を有するスポット状のレーザ光を利用した熱処理を施して高移動度多結晶シリコンとするステップを有することを特徴とする表示装置用薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
【請求項２】
　請求項１記載の表示装置用薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法を有することを特徴
とする表示装置の製造方法。」
　
と補正するものである。
　
２　本件補正の適否の検討
（１）目的要件（平成１８年改正前の特許法第１７条の２第４項）についての検討
　本件補正は、本件補正前の旧請求項１の「熱処理」を「１００ｍＪ／ｃｍ２以上２００ｍＪ／ｃｍ２未満のパワー密度を有するスポット状のレーザ光を利用した熱処理」とする補正であって、「熱処理」の態様を限定する補正であるから、平成１８年改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とする補正に当たる。
　したがって、本件補正は、同法第１７条の２第４項の規定に適合する。
　
（２）独立特許要件についての検討
　上記「２　本件補正の適否の検討」の「（１）目的要件」の欄で検討したとおり、本件補正は、平成１８年改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とする補正である。そこで、本件補正が、同法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定する要件を満たすか否か、すなわち、本件補正後の請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるか否かを検討する。
　
ア　本願補正発明の認定
　本願補正発明は、本件補正により補正された明細書の特許請求の範囲の【請求項１】に記載された事項によって特定される次のとおりのものと認める。
　
「同一基板上に、 
２周波励起によるスパッタ成膜法で低移動度多結晶シリコンを成膜する第１のステップ、
　及び画素に接続され画素への画像信号の書き込みを制御する画素駆動用薄膜トランジスタと、該画素駆動用薄膜トランジスタに前記画像信号を供給するソースドライバ用薄膜トランジスタと、前記画素駆動用薄膜トランジスタを駆動するゲートドライバ用薄膜トランジスタとを形成する第２のステップからなり、第２ステップにおいて前記画素駆動用薄膜トランジスタの半導体能動層部分の前記低移動度多結晶シリコンに熱処理をせず、前記ソースドライバ用薄膜トランジスタおよび前記ゲートドライバ用薄膜トランジスタのうちの少なくとも一方の半導体能動層部分の前記低移動度多結晶シリコンに１００ｍＪ／ｃｍ２以上２００ｍＪ／ｃｍ２未満のパワー密度を有するスポット状のレーザ光を利用した熱処理を施して高移動度多結晶シリコンとするステップを有することを特徴とする表示装置用薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。」　
　
イ　引用刊行物の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である特開昭６４−４５１６２号公報（以下、「引用例１」という。）には、以下の（ア）ないし（エ）の記載が図面とともにある。
　
（ア）「２．特許請求の範囲
１．絶縁基板上に、多結晶又は非晶質半導体膜を複数の領域に分離せしめて構成し、
　上記の、分離せしめて構成した半導体膜の少なくとも一部を、局所的な加熱手段によつて再結晶温度以上に加熱して、該半導体膜を再結晶せしめた後、
　前記複数の領域の半導体膜のそれぞれに薄膜トランジスタを形成することを特徴とする、半導体装置の製造方法。
２．前記の局所的な加熱手段はレーザ光を用いるものであることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の半導体装置の製造方法。」（公報第１頁左欄第４〜１６行）
　
（イ）「〔従来の技術〕
　近年、ガラスなどの絶縁基板上に低温で形成した半導体薄膜を用いて薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと略する）を形成し、このトランジスタにより回路を構成する半導体装置の開発が活発に行なわれている。その例として例えば液晶デイスプレイ駆動用のＴＦＴアクテイブマトリツクスや３次元ＩＣなどがある。しかしながら、一般に絶縁基板上に低温で形成されたＴＦＴは、単結晶上のトランジスタに比べて易動度が小さく従つて動作速度が遅いという欠点を有する。かかる欠点を解消する為にレーザ光や電子線などの照射により半導体膜を局所的に加熱し再結晶化させ大粒径の結晶粒を得る事により易動度を向上させる謂ゆるビームアニーリングの技術が広く用いられている。
　一方、装置に複合化に伴ない同一の基板内に異なる特性を有するＴＦＴを構成する事が必要となる場合がある。例えば、前出の液晶デイスプレイ駆動用ＴＦＴアクテイブマトリツクスの場合、画素のスイツチングだけでなく画像表示の為の走査回路等の周辺回路をもＴＦＴで構成する場合、この周辺回路部のＴＦＴのみを高速化する必要が生ずる。このような場合、局所的な加熱が可能なビームアニーリング技術は非常に有効である。」（公報第１頁右欄第１２行〜第２頁左上欄第１５行）
　
（ウ）「〔実施例〕
　以下、本発明の一実施例を第３図に従つて説明する。
　先づ、絶縁基板１の上に、（第３図（Ａ）参照）多結晶シリコン膜６を、減圧ＣＶＤ法により厚さ1000〜3000Å程度堆積し、次に、第３図（Ｂ）のように領域２と同３とに分割してパターニングする。
　第１図は上記パターニングを模式的に描いた平面図である。分離帯のギヤツプ寸法ｇ，ｇ’は５０μｍとした。
　続いて常圧ＣＶＤ法により、キヤツピングの為のＳｉＯ２膜７を１０００Å程度堆積し、しかる後に領域２のみにＸｅＣｌエキシマレーザ光８を２００〜５００ｍＪ／cm2強度で照射し溶融再結晶化させ大粒径の多結晶シリコン膜を得る。以後、再結晶化した領域２に周辺回路を構成し、再結晶化しない領域３に画素部のＴＦＴマトリツクスを構成する事により高性能の周辺回路を内蔵し、かつ、表示特性にバラツキの無いＴＦＴアクテイブマトリクス基板を得る。第３図（Ｂ）に示したＸ，Ｙ，Ｚの３点のＴＦＴ特性を第４図に示した。再結晶化領域内のＸ点のＴＦＴは非常に電流駆動能力が大きくなつており、かつ、再結晶化しない領域内のＹ，Ｚ点の間でのＴＦＴ特性のバラツキは殆ど無い事が明らかである。上記の実施例でXeCl工キシマレーザ４００ｍＪ／cm2をパターニング無しで照射した場合、ビーム端から５００μｍ以上外側まで再結晶化されてしまう為に周辺回路と画素ＴＦＴマトリツクス間に１mm以上の余裕をとる必要を生じるが、５０μｍのギヤツプを設けて分離する事により、横方向の溶融は完全に抑える事ができる。この事は回路がより高集積化するに伴つて大きな差となる。
　また、仮に基板全面にビーム走査して再結晶化させる場合を考えると、例えば３０cm×３０cmの大きさの基板を、ビーム径５mm程度で毎秒３０cm程度の速度で走査すると基板全面走査する為には約１時間かかるが、周辺回路のみの走査では２〜３分で完了する。この差は生産性の点で非常に大きい。」（公報第３頁左上欄第２行〜第３頁左下欄第２行）
　
（エ）第１図から、再結晶化させない半導体膜の左側部と上側部に再結晶化させる半導体膜が形成されていることが読み取れる。
　
ウ　引用例１記載の発明の認定
（ア）引用例１の上記記載事項（イ）から、引用例１の上記記載事項（ウ）の「ＴＦＴアクテイブマトリクス基板」は「液晶デイスプレイ」に用いることができるものであることは明らかである。
　また、引用例１の上記記載事項（イ）から、引用例１の上記記載事項（ウ）のレーザ光を照射することによって得られる「大粒径の多結晶シリコン膜」は、レーザ光を照射する前の「多結晶シリコン膜」よりも易動度が向上していることも明らかである。
　
（イ）引用例１の上記記載事項（ウ）及び（エ）から、引用例１には、画素部の左側部と上側部に周辺回路領域が配置されていることは明らかである。
　
（ウ）したがって、引用例１の上記記載事項（ア）ないし（エ）から、引用例１には次のような発明が記載されていると認めることができる。
　
「絶縁基板上に多結晶シリコン膜を減圧ＣＶＤ法により堆積し、
　前記多結晶シリコン膜を周辺回路領域と画素部領域に分離して、前記画素部領域の左側部と上側部に前記周辺回路領域を配置し、
　前記多結晶シリコン膜の前記周辺回路領域のみに２００〜５００ｍＪ／ｃｍ２の強度のレーザ光を走査しながら照射して前記多結晶シリコン膜を溶融再結晶化させて易動度が向上した大粒径の多結晶シリコン膜とし、
　前記周辺回路領域と前記画素部領域の多結晶シリコン膜のそれぞれに薄膜トランジスタを形成することを特徴とする、液晶ディスプレイ駆動用ＴＦＴアクティブマトリックス基板の製造方法。」（以下、「引用発明１」という。）
　
エ　本願補正発明と引用発明１の一致点及び相違点の認定
（ア）本願の明細書の発明の詳細な説明の欄の段落【０００６】等の記載に照らすと、本願補正発明の「同一基板」とは、画素駆動用の薄膜トランジスタとドライバ回路用の薄膜トランジスタとがともに作り込まれた基板を意味すると認められる。
　そして、引用発明１の「液晶ディスプレイ駆動用ＴＦＴアクティブマトリックス基板」では、「周辺回路」用の「薄膜トランジスタ」も「画素部」の「薄膜トランジスタ」もともに「絶縁基板」上に形成されている。
　したがって、引用発明１の「絶縁基板」は、本願補正発明の「同一基板」に相当する。
　
（イ）引用発明１における減圧ＣＶＤ法により堆積された直後の「多結晶シリコン膜」の易動度は、レーザ光を照射して得られた「大粒径の多結晶シリコン膜」の易動度よりも低いから、引用発明１の「減圧ＣＶＤ法により堆積」された「多結晶シリコン膜」は、本願補正発明の「低移動度多結晶シリコン」に相当する。
　したがって、引用発明１の「多結晶シリコン膜を減圧ＣＶＤ法により堆積」することと、本願補正発明の「２周波励起によるスパッタ成膜法で低移動度多結晶シリコンを成膜する第１のステップ」とは、「低移動度多結晶シリコンを成膜する第１のステップ」である点で一致する。
　
（ウ）引用発明１の「画素部領域の多結晶シリコン膜」に形成された「薄膜トランジスタ」が、画素に接続され画素への画像信号の書き込みを制御するものであることは、技術常識に照らし自明である。したがって、引用発明１の「画素部領域の多結晶シリコン膜」に形成された「薄膜トランジスタ」は、本願補正発明の「画素に接続され画素への画像信号の書き込みを制御する画素駆動用薄膜トランジスタ」に相当する。
　また、引用発明１の方法によって製造される基板は「液晶ディスプレイ駆動用ＴＦＴアクティブマトリックス基板」であり、かつ、「画素部領域の左側部と上側部」に「周辺回路」が配置されている。そして、液晶ディスプレイ用のアクティブマトリックス基板の分野では、画素領域の二辺に隣接する周辺部に配置される周辺回路が、画素部の薄膜トランジスタに画像信号を供給するソースドライバ用薄膜トランジスタと、前記画素部の薄膜トランジスタを駆動するゲートドライバ用薄膜トランジスタであることは、当業者にとって技術常識である。したがって、引用発明１の「画素部領域の左側部と上側部に」「配置」された「周辺回路領域」に形成された「薄膜トランジスタ」が本願補正発明の「画素部の薄膜トランジスタに画像信号を供給するソースドライバ用薄膜トランジスタと、前記画素部の薄膜トランジスタを駆動するゲートドライバ用薄膜トランジスタ」に相当する。
　すると、引用発明１の「前記多結晶シリコン膜の前記周辺回路領域のみに２００〜５００ｍＪ／ｃｍ２の強度のレーザ光を走査しながら照射して前記多結晶シリコン膜を溶融再結晶化させて易動度が向上した大粒径の多結晶シリコン膜とし」、「前記周辺回路領域と前記画素部の多結晶シリコン膜のそれぞれに薄膜トランジスタを形成すること」は、本願補正発明の「画素に接続され画素への画像信号の書き込みを制御する画素駆動用薄膜トランジスタと、該画素駆動用薄膜トランジスタに前記画像信号を供給するソースドライバ用薄膜トランジスタと、前記画素駆動用薄膜トランジスタを駆動するゲートドライバ用薄膜トランジスタとを形成する第２のステップ」に相当する。
　
（エ）引用発明１の「液晶ディスプレイ駆動用ＴＦＴアクティブマトリックス基板の製造方法」では、多結晶シリコン膜にレーザ光を「走査しながら照射」して大粒径の多結晶シリコン膜を得ているから、レーザ光のビームの形状が基板全面を一括照射するような形状ではなくスポット状であることは明らかである。
　したがって、引用発明１の「前記多結晶シリコン膜の前記周辺回路領域のみに２００〜５００ｍＪ／ｃｍ２の強度のレーザ光を走査しながら照射して前記多結晶シリコン膜を溶融再結晶化させて易動度が向上した大粒径の多結晶シリコン膜と」することと、本願補正発明の「第２ステップにおいて前記画素駆動用薄膜トランジスタの半導体能動層部分の前記低移動度多結晶シリコンに熱処理をせず、前記ソースドライバ用薄膜トランジスタおよび前記ゲートドライバ用薄膜トランジスタのうちの少なくとも一方の半導体能動層部分の前記低移動度多結晶シリコンに１００ｍＪ／ｃｍ２以上２００ｍＪ／ｃｍ２未満のパワー密度を有するスポット状のレーザ光を利用した熱処理を施して高移動度多結晶シリコンとするステップを有すること」とは、「第２ステップにおいて前記画素駆動用薄膜トランジスタの半導体能動層部分の前記低移動度多結晶シリコンに熱処理をせず、前記ソースドライバ用薄膜トランジスタおよび前記ゲートドライバ用薄膜トランジスタのうちの少なくとも一方の半導体能動層部分の前記低移動度多結晶シリコンにスポット状のレーザ光を利用した熱処理を施して高移動度多結晶シリコンとするステップを有すること」である点で一致する。
　
（オ）すると、本願補正発明と引用発明１とは、
　
「同一基板上に、 
低移動度多結晶シリコンを成膜する第１のステップ、
　及び画素に接続され画素への画像信号の書き込みを制御する画素駆動用薄膜トランジスタと、該画素駆動用薄膜トランジスタに前記画像信号を供給するソースドライバ用薄膜トランジスタと、前記画素駆動用薄膜トランジスタを駆動するゲートドライバ用薄膜トランジスタとを形成する第２のステップからなり、第２ステップにおいて前記画素駆動用薄膜トランジスタの半導体能動層部分の前記低移動度多結晶シリコンに熱処理をせず、前記ソースドライバ用薄膜トランジスタおよび前記ゲートドライバ用薄膜トランジスタのうちの少なくとも一方の半導体能動層部分の前記低移動度多結晶シリコンにスポット状のレーザ光を利用した熱処理を施して高移動度多結晶シリコンとするステップを有することを特徴とする表示装置用薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。」
　
である点で一致し、以下の点で相違する。
　
〈相違点１〉
　本願補正発明では、低移動度多結晶シリコンを「２周波励起によるスパッタ成膜法」で成膜しているのに対し、引用発明１では、「減圧ＣＶＤ法」で成膜している点。
　
〈相違点２〉
　本願補正発明では、ソースドライバ用薄膜トランジスタおよびゲートドライバ用薄膜トランジスタのうちの少なくとも一方の半導体能動層部分の低移動度多結晶シリコンを高移動度多結晶シリコンとする際に施される熱処理に利用されるレーザ光のパワー密度が「１００ｍＪ／ｃｍ２以上２００ｍＪ／ｃｍ２未満」であるのに対し、引用発明１では「２００〜５００ｍＪ／ｃｍ２」である点。
　
オ　相違点についての判断
（ア）相違点１について
　多結晶シリコン膜を２周波励起によるスパッタ成膜法により成膜することは、本願出願時において当業者に周知の技術的事項である（特開平８−３３０５９７号公報（段落【００１４】〜【００３１】、【００４２】〜【００４８】、図２，５〜８）、原査定で引用された特開平３−１８５７１３号公報、）。
　すると、引用発明１の「多結晶シリコン膜」の成膜方法として、上記周知技術の２周波励起によるスパッタ成膜法を採用することは、当業者にとって容易に想到し得る。
　したがって、上記相違点１に係る本願補正発明の発明特定事項を採用することは、当業者にとって想到容易である。
　
（イ）相違点２について
ａ　本願補正発明の「低移動度多結晶シリコン」に照射するレーザ光のパワー密度について、本願の明細書の発明の詳細な説明の欄には「レーザのパワー密度は１００〜３００mJ/cm2、好ましくは１５０〜２００mJ/cm2とする。」と記載されているに過ぎず（段落【００３７】を参照。）、特に前記パワー密度の上限を２００ｍＪ／ｃｍ２未満とすることの臨界的意義が何ら具体的に述べられていない。
　そして、引用例１にも照射するレーザ光の強度の下限を２００ｍＪ／cm2とすることの臨界的意義が何ら具体的に述べられていないから、引用発明１におけるレーザ光の照射強度が２００ｍＪ／ｃｍ２をごくわずか下回っても、レーザ光の照射強度が２００ｍＪ／ｃｍ２の場合と比べて、粒径の大きさや易動度があまり変わらない多結晶シリコン薄膜が得られることは当業者にとって明らかである。
　したがって、引用発明１のレーザ光として、パワー密度が１００ｍＪ／ｃｍ２以上２００ｍＪ／ｃｍ２未満のレーザ光を利用することは、当業者が適宜なし得る設計変更に過ぎない。
　
ｂ　また、多結晶シリコン膜にレーザ光を照射してより粒径が大きく易動度の高い多結晶シリコン膜を得る際、前記レーザ光としてパワー密度が１００ｍＪ／ｃｍ２以上２００ｍＪ／ｃｍ２未満のレーザ光を利用することは、本願出願時において当業者に周知の技術的事項である（特開平９−５７９１号公報（段落【０００７】〜【０００８】、【００１９】〜【００２０】、図１，３）を参照。）。
　すると、上記周知技術に基づいて、引用発明１のレーザ光として、パワー密度が１００ｍＪ／ｃｍ２以上２００ｍＪ／ｃｍ２未満のレーザ光を利用することは、当業者にとって容易に想到し得る。
　
ｃ　したがって、上記相違点２に係る本願補正発明の発明特定事項を採用することは、当業者にとって想到容易である。
　
カ　本願補正発明の独立特許要件の判断
　以上のとおり、上記相違点１ないし２に係る本願補正発明の発明特定事項を採用することは、当業者にとって想到容易である。
　また、本願補正発明の効果も、引用例１に記載された発明及び周知技術から当業者が予測し得る程度のものに過ぎない。
　したがって、本願補正発明は引用例１に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
３　むすび
　したがって、本件補正は平成１８年改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するから、本件補正は同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３　本件審判請求についての判断
１　本願発明の認定
　本件補正が却下され、平成１９年６月１８日付けの手続補正も平成１９年７月１１日付けで却下されたから、平成１９年１月２４日付けの手続補正により補正された明細書及び図面に基づいて審理すると、本願の請求項１に係る発明は、平成１９年１月２４日付けで補正された明細書の特許請求の範囲の【請求項１】に記載された事項によって特定される次のとおりのものと認める。
　
「同一基板上に、
２周波励起によるスパッタ成膜法で低移動度多結晶シリコンを成膜する第１のステップ、
　　　　　及び画素に接続され画素への画像信号の書き込みを制御する画素駆動用薄膜トランジスタと、該画素駆動用薄膜トランジスタに前記画像信号を供給するソースドライバ用薄膜トランジスタと、前記画素駆動用薄膜トランジスタを駆動するゲートドライバ用薄膜トランジスタとを形成する第２のステップからなり、第２ステップにおいて前記画素駆動用薄膜トランジスタの半導体能動層部分の前記低移動度多結晶シリコンに熱処理をせず、前記ソースドライバ用薄膜トランジスタおよび前記ゲートドライバ用薄膜トランジスタのうちの少なくとも一方の半導体能動層部分の前記低移動度多結晶シリコンに熱処理を施して高移動度多結晶シリコンとするステップを有することを特徴とする表示装置用薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。」（以下、「本願発明」という。）
　
２　引用刊行物の記載事項及び引用例１記載の発明の認定
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例１には、前記「第２　補正の却下の決定」の「２　本件補正の適否の検討」の「（２）独立特許要件についての検討」の「イ　引用刊行物の記載事項」の欄に摘記したとおりの事項が記載されており、引用例１に記載された発明は、前記「第２　補正の却下の決定」の「２　本件補正の適否の検討」の「（２）独立特許要件についての検討」の「ウ　引用例１記載の発明の認定」の欄に記載したとおりである。
　
３　対比・判断
　本願発明は、本願補正発明の発明特定事項から、前記「第２　補正の却下の決定」の「２　本件補正の適否の検討」の「（１）目的要件（平成１８年改正前の特許法第１７条の２第４項）についての検討」の欄で述べた限定事項を省いたものである。
　そして、本願発明の発明特定事項をすべて含み、他の発明特定事項を付加したものに相当する本願補正発明が、前記「第２　補正の却下の決定」の「２　本件補正の適否の検討」の「（２）独立特許要件についての検討」の欄に記載したとおり、引用例１に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、前記「第２　補正の却下の決定」の「２　本件補正の適否の検討」の「（２）独立特許要件についての検討」の欄で示した理由と同様の理由により、引用例１に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　以上のとおり、本願発明は引用例１に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。そして、本願発明が特許を受けることができない以上、本願のその余の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は、拒絶されるべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。