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　特願２００５−２６３１４８「薄膜トランジスターの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　１月２６日出願公開、特開２００６−　２４９５８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成５年８月１９日（パリ条約による優先権主張１９９２年８月１９日、米国）に出願した特願平５−２０４３７５号の一部を平成１７年９月１２日に新たな特許出願としたものであって、平成２０年１月３１日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年５月２日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年６月２日付けで手続補正がなされたものである。
　
第２　本願発明について（その１）　
　１．本願発明について（その１）　
　本願の請求項１ないし３に係る発明は、平成２０年６月２日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、このうち、本願の請求項１に係る発明は、
「【請求項１】
　薄膜トランジスターであって、前記トランジスターが、
　絶縁基板（１）、
　前記基板（１）上に堆積され、ソース及びドレイン領域有する再結晶化シリコン層（３）、ここで、前記再結晶化シリコン層（3）は、層化構造を有するシリコン層から形成されたものであり、
　前記再結晶化シリコン層（３）に接触し、ソース及びドレイン領域（５）の間に位置するゲート構造（９）を含み、前記ゲート構造が、
　前記再結晶化シリコン層（３）上に形成された１００Å以下の厚さを有する第１の酸化物層（１１３）、
　前記第１の酸化物層（１１３）に接触する、ＴＥＯＳの低圧分解により形成されたＳｉＯ２よりなる１００Å乃至１５０Åの厚さを有する圧縮された第２の酸化物層（１１５）、
　前記第２の酸化物層（１１５）に接触する伝導領域（１３）、及び
　前記第１の酸化物層（１１３）と前記再結晶化されたシリコン層（３）の間に５乃至１０気圧、８００乃至８２５℃の温度の条件下で成長された第３の酸化物層（１１１）を含み、
　前記第１の酸化物層（１１３）、前記第２の酸化物層（１１５）及び前記第３の酸化物層（１１１）は、前記伝導領域（１３）と前記再結晶化されたシリコン層（３）の間に配置される
ことを特徴とする薄膜トランジスター。」である。
　また、本願の請求項１に係る発明は、末尾の記載が、「薄膜トランジスター」という物の発明であり、方法的に記載してある部分は、物の発明の特徴とは認められないので、方法的に記載してある部分を省いて発明を認定すると、本願の請求項１に係る発明は、
「薄膜トランジスターであって、前記トランジスターが、
　絶縁基板（１）、
　前記基板（１）上に堆積され、ソース及びドレイン領域有する再結晶化シリコン層（３）、ここで、前記再結晶化シリコン層（3）は、層化構造を有するシリコン層から形成されたものであり、
　前記再結晶化シリコン層（３）に接触し、ソース及びドレイン領域（５）の間に位置するゲート構造（９）を含み、前記ゲート構造が、
　前記再結晶化シリコン層（３）上に形成された１００Å以下の厚さを有する第１の酸化物層（１１３）、
　前記第１の酸化物層（１１３）に接触するＳｉＯ２よりなる１００Å乃至１５０Åの厚さを有する第２の酸化物層（１１５）、
　前記第２の酸化物層（１１５）に接触する伝導領域（１３）、及び
　前記第１の酸化物層（１１３）と前記再結晶化されたシリコン層（３）の間に形成された第３の酸化物層（１１１）を含み、
　前記第１の酸化物層（１１３）、前記第２の酸化物層（１１５）及び前記第３の酸化物層（１１１）は、前記伝導領域（１３）と前記再結晶化されたシリコン層（３）の間に配置される
ことを特徴とする薄膜トランジスター。」となる。
　
　２．引用刊行物に記載された発明　
　刊行物１．特開平４−４３６４２号公報
　原審の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物１（特開平４−４３６４２号公報）には、第４図ないし第８図とともに、ゲート絶縁膜の形成方法」（発明の名称）に関して、以下の事項が記載されている。
　ア　「２．特許請求の範囲
　・・・
（３）半導体の材料としてシリコンを用いたＭＯＳ型電界トランジスタのゲート絶縁膜を形成するに際し、
（イ）シリコン表面をプラズマのエネルギーを用いて酸化して酸化膜を形成し、
（ロ）この酸化膜上にプラズマのエネルギーを用いたＣＶＤ法によりシリコン酸化膜を堆積させ、
（ハ）次いでこのシリコン酸化膜を酸素プラズマを用いてアニールすることを特徴とするゲート絶縁膜の形成方法。
（４）請求項（３）において、（ロ）および（ハ）の工程を２回以上繰返すことを特徴とするゲート絶縁膜の形成方法。」（第１頁左上欄第４行ないし右下欄第１４行）　
　イ　「〔産業上の利用分野〕
　本発明は、シリコンを半導体としたＭＯＳ型電界効果トランジスタのゲート絶縁膜を低温で形成する方法に関する。
〔従来の技術〕
　シリコンを半導体として用いたＭＯＳ型電界効果トランジスタ（以下ＭＯＳＦＥＴという）は半導体集積回路や、アクティブマトリックス方式液晶ディスプレイ用の薄膜トランジスタ（以下ＴＦＴという）アレイ等に用いられる主要回路素子である。
　上記ＭＯＳＦＥＴの構造は、例えば第７図に示すように、単結晶シリコン基板、或いは絶縁膜上の厚い多結晶シリコン膜１を半導体として用い、上面にゲート絶縁膜２を形成し、これを介してＭＯＳゲート電極３を設けたもの、或いは、第８図に示すように、石英ガラス等の透明絶縁基板４上に多結晶シリコン薄膜５を半導体として設け、上面にゲート絶縁膜２を形成し、これを介してＭＯＳゲート電極３を接続したもの等がある。なお図中１３はキャリヤを供給、或いは引出すゾーン、ドレイン領域である。
　上記ゲート絶縁膜２は、半導体領域となるシリコン膜ｌ或いは５と共にこの素子の特性を決定する最も重要な部分である。」（第２頁左上欄第３行ないし同頁右上欄第７行）　
　ウ　「次に、ゲート絶縁膜を形成する工程について説明する。
　多結晶シリコンＴＦＴの場合も、単結晶シリコンによるＭＯＳＦＥＴの場合も、ゲート絶縁膜の形成工程は同一であり、プラズマＣＶＤ装置を用いた多結晶シリコンＴＦＴの工程を代表例として説明する。
　第４図（ａ）（ｂ）（ｃ）は工程の一例を示す図で、絶縁基板４１上に島状にパターニングした膜厚１０ｎｍ〜数１００ｎｍの多結晶シリコン膜４２の表面を充分にクリーニングした後、プラズマＣＶＤ装置内にセットし、絶縁基板４１の温度を４００〜７００℃にして酸素含有ガスによりプラズマ酸化を行ない、シリコン膜４２の表面に数ｎｍ〜数１０ｎｍの酸化シリコン膜４３を形成する。次いで同じ温度範囲で酸素含有ガスと共にシリコン含有ガスを導入し、膜厚数１０ｎｍ〜数１００ｎｍのシリコン酸化膜４４を堆積し、全体として数１０ｎｍ〜数１００ｎｍのゲート絶縁膜４５を形成する。
　なお、上記酸化シリコン膜４３は、多結晶シリコン膜４２の面に形成され、シリコン酸化膜４４は絶縁基板４１の面にも形成される。
　上記２つの工程によってゲート絶縁膜４５を形成すると、シリコン酸化膜４３を形成する場合と比較して、ゲート絶縁膜４５と多結晶シリコン膜４２の間の界面特性が向上しゲート絶縁膜４５としてのシリコン酸化膜４４が高品質化する。
　なお、プラズマ酸化法で酸化シリコン膜４３を形成すると、膜形成速度が非常に遅くこれ単独で全膜厚を形成するには時間を要し、実用性を失なう。」（第４頁右上欄第１０行ないし同頁右下欄第１行）
　エ　「また、第５図（ａ）（ｂ）（ｃ）に示すように、絶縁基板４１上の多結晶シリコン膜４２の表面に、絶縁基板４１の温度を４００〜７００℃として数１０ｎｍ〜数１００ｎｍのシリコン酸化膜４４を堆積した後、同じ温度範囲下、酸素プラズマ中でアニールすることによりゲート絶縁膜４５を形成する。
　この場合、酸素プラズマアニール中に酸素原子、或いはイオンが、堆積したシリコン酸化膜４４中に拡散し、シリコン酸化膜中の欠陥およびシリコン酸化膜４４と多結晶シリコン膜４２間の界面の欠陥のアニールが行われゲート絶縁膜４５としてのシリコン酸化膜４４がアニールされたシリコン酸化膜４６となり高品質化される。」（第４頁右下欄第２行ないし同欄第１５行）
　オ　「また第６図（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）（ｅ）は、上記２つの方法を組合わせたもので表面クリーニングした多結晶シリコン膜４２に数ｎｍ〜数１０ｎｍの酸化シリコン膜４３を形成し、さらに数１０ｎｍ以下のシリコン酸化膜４４の堆積を行ないこれを酸素プラズマアニールして、アニールされたシリコン酸化膜４６とする工程を最低行ない、第６図（ｄ）に示すものをつくる。その後、シリコン酸化膜４４の堆積、酸素プラズマアニールをしてアニールされたシリコン酸化膜４６とする工程を繰返えす。この場合繰返し回数が多い程、高品質のゲート絶縁膜４５が得られる。
　上記工程は、ＥＣＲプラズマＣＶＤ装置、マイクロ波プラズマＣＶＤ装置、光ＣＶＤ装置等いずれを用いても実施可能である。
　なお、上記装置ではヒータによる加熱を行なわなくとも比較的高品質のシリコン酸化膜４４の堆積が可能であり、シリコン酸化膜の堆積温度としては室温から７００℃程度までが使用出来る。」（第４頁右下欄第１６行ないし第５頁左上欄第１４行）
　
　ここで、上記摘記事項ウないしオより、第６図（ｂ）の酸化シリコン膜４３は、多結晶シリコン膜の表面に酸素含有ガスによるプラズマ酸化により形成された酸化シリコン膜であり、第６図（ｅ）のシリコン酸化膜４６，４６は、いずれも、シリコン酸化膜を堆積後、酸素プラズマ中でのアニールによりアニールされたシリコン酸化膜であることは明らかである。
　
　よって、刊行物１には、以下の発明が記載されている。
「絶縁基板と、前記絶縁基板上に島状にパターニングした多結晶シリコン膜と、前記多結晶シリコン膜の上に形成したゲート絶縁膜とを含み、
　前記ゲート絶縁膜が、前記多結晶シリコン膜の表面に酸素含有ガスによるプラズマ酸化により形成した酸化シリコン膜と、前記酸素含有ガスによるプラズマ酸化により形成した酸化シリコン膜の上に設けられた膜厚数１０ｎｍ以下のシリコン酸化膜を堆積後酸素プラズマアニールしたシリコン酸化膜と、前記シリコン酸化膜を堆積後酸素プラズマアニールしたシリコン酸化膜の上に設けられた膜厚数１０ｎｍ以下のシリコン酸化膜を堆積後酸素プラズマアニールしたシリコン酸化膜からなることを特徴とする薄膜トランジスタ。」
　
　刊行物２．特開平３−２９２７１８号公報
　原審の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物２（特開平３−２９２７１８号公報）には、第１図とともに、「結晶性半導体薄膜の製造方法」（発明の名称）に関して、以下の事項が記載されている。
「［実　施　例］
　以下本発明に係る結晶性半導体薄膜の製造方法をＳＯＩ構造の形成に適用した実施例につき図面を参照しながら説明する。
　第１図（ａ）に示すように、絶縁性基体１上に多結晶Ｓｉ膜２と非晶性Ｓｉ膜３を積層する。多結晶Ｓｉ膜２はたとえば５６０℃でＣＶＤ法により形成し、非晶性Ｓｉ膜３を２５０℃でプラズマＣＶＤ法により膜厚３００Å程度に形成する。
　次に、第１図（ｂ）に示すように、絶縁膜４を形成した後、レーザービーム５を照射する。レーザービーム５の強度は絶縁膜４と非晶性Ｓｉ膜３の膜厚と膜質によって異なる。絶縁膜４を膜厚１０００Å程度のＳｉＯ２膜としすると、例えばキセノンレーザーによるレーザービーム５照射を行なえば、レーザービームによる最適照射強度は３００ｍＪ／ｃｍ２である。このレーザービーム５の照射により非晶性Ｓｉ膜３を融解した後冷却固化して、第１図（ｃ）に示す再結晶Ｓｉ膜６になる。
　第１図（ｃ）に示した再結晶Ｓｉ膜６と多結晶Ｓｉ膜２の界面は少し融解するが、再結晶Ｓｉ膜６と多結晶Ｓｉ膜２との熱膨張率はほとんど等しく、再結晶Ｓｉ膜６がレーザービーム５の照射によって融解した後固化して形成される際も剥離することはない。また、多結晶Ｓｉ膜２が存在することにより、再結晶Ｓｉ膜６の核発生密度数は小さく制限される効果を有し、再結晶Ｓｉ膜６の平均結晶粒径は、多結晶Ｓｉ膜２の平均結晶粒径より大きくなる。」（第２頁左上欄第１５行ないし同頁左下欄第４行）　
　
　３．対比
　上記１．において方法的な記載が物の発明の特徴ではないとして認定した本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明１２」という。）と刊行物１に記載された発明（以下、「刊行物１発明」という。）とを対比する。
（ａ）刊行物１発明の「絶縁基板」は、本願発明１２の「絶縁基板（１）」に相当する。
（ｂ）刊行物１発明の「多結晶シリコン膜」は、本願発明１２の「結晶化シリコン層」に相当する。
（ｃ）刊行物１発明の「前記酸素含有ガスによるプラズマ酸化により形成した酸化シリコン膜の上に設けられた」「シリコン酸化膜を堆積後酸素プラズマアニールしたシリコン酸化膜」は、本願発明１２の「第１の酸化物層（１１３）」に相当する。
（ｄ）刊行物１発明の「前記シリコン酸化膜を堆積後酸素プラズマアニールしたシリコン酸化膜の上に設けられた」「シリコン酸化膜を堆積後酸素プラズマアニールしたシリコン酸化膜」は、本願発明１２の「前記第１の酸化物層（１１３）に接触するＳｉＯ２よりなる」「第２の酸化物層（１１５）」に相当する。
（ｅ）刊行物１発明の「前記多結晶シリコン膜の表面に酸素含有ガスによるプラズマ酸化により形成した酸化シリコン膜」は、本願発明１２の「前記第１の酸化物層（１１３）と前記」「結晶化されたシリコン層（３）の間に形成された第３の酸化物層（１１１）」に相当する。
（ｆ）刊行物１発明の「薄膜トランジスタ」は、本願発明１２の「薄膜トランジスター」に相当する。
　
　すると、本願発明１２と刊行物１発明とは、
「薄膜トランジスターであって、前記トランジスターが、
　絶縁基板、
　前記基板上に堆積された結晶化シリコン層、
　前記結晶化シリコン層上に形成された第１の酸化物層、
　前記第１の酸化物層に接触するＳｉＯ２よりなる第２の酸化物層、及び
　前記第１の酸化物層と前記結晶化されたシリコン層の間に形成された第３の酸化物層を含む
　ことを特徴とする薄膜トランジスター。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
　相違点１
　本願発明１２は、「ソース及びドレイン領域」を「有する再結晶化シリコン層（３）」を有し、「前記再結晶化シリコン層（３）は、層化構造を有するシリコン層から形成されたものであ」るのに対して、刊行物１発明は、「多結晶シリコン膜」を有する点。
　相違点２
　本願発明１２は、「前記再結晶化シリコン層（３）に接触し、ソース及びドレイン領域（５）の間に位置するゲート構造（９）」を有するのに対して、刊行物１発明は、上記構成を備えているか否か明らかでない点。
　相違点３
　本願発明１２は、「前記再結晶化シリコン層（３）上に形成された」「第１の酸化物層（１１３）」が「１００Å以下の厚さを有する」のに対して、刊行物１発明は、「前記酸素含有ガスによるプラズマ酸化により形成した酸化シリコン膜の上に設けられた膜厚数１０ｎｍ以下のシリコン酸化膜を堆積後酸素プラズマアニールしたシリコン酸化膜」を有しており、「酸素プラズマアニールしたシリコン酸化膜」の膜厚が「酸素プラズマアニール」する前に「膜厚数１０ｎｍ以下」である点。
　相違点４
　本願発明１２は、「前記第１の酸化物層（１１３）に接触するＳｉＯ２よりなる」「第２の酸化物層（１１５）」が「１００Å乃至１５０Åの厚さを有する」のに対して、刊行物１発明は、「前記シリコン酸化膜を堆積後酸素プラズマアニールしたシリコン酸化膜の上に設けられた膜厚数１０ｎｍ以下のシリコン酸化膜を堆積後酸素プラズマアニールしたシリコン酸化膜」を有しており、「酸素プラズマアニールしたシリコン酸化膜」の膜厚が「酸素プラズマアニール」する前に「膜厚数１０ｎｍ以下」である点。
　相違点５
　本願発明１２は、「前記第２の酸化物層（１１５）に接触する伝導領域（１３）」を有するのに対して、刊行物１発明は、このような記載がない点。
　相違点６
　本願発明１２は、「前記第１の酸化物層（１１３）と前記再結晶化されたシリコン層（３）の間に形成された第３の酸化物層（１１１）」を有するのに対して、刊行物１発明は、「前記多結晶シリコン膜の表面に酸素含有ガスによるプラズマ酸化により形成した酸化シリコン膜」を有する点。
　相違点７
　本願発明１２は、「前記第１の酸化物層（１１３）、前記第２の酸化物層（１１５）及び前記第３の酸化物層（１１１）は、前記伝導領域（１３）と前記再結晶化されたシリコン層（３）の間に配置される」のに対して、刊行物１発明は、上記構成を備えているか否か明らかでない点。
　
　４．当審の判断（その１）
　以下において、相違点１ないし７について検討する。
　相違点１について
（ａ）刊行物１の第８図及び適記事項イには、「石英ガラス等の透明絶縁基板４上に多結晶シリコン薄膜５を半導体として設け、上面にゲート絶縁膜２を形成し、これを介してＭＯＳゲート電極３を接続したもの」（第２頁左上欄第１９行ないし同頁右上欄第２行）が記載され、また、２つの「ドレイン領域」「１３」（第２頁右上欄第３行及び第４行）も記載されている。そして、刊行物１の第８図の２つの「ドレイン領域」「１３」のうちの一方は、通常、ソース領域と呼ばれている。
（ｂ）すると、刊行物１発明の「多結晶シリコン膜」も、刊行物１の第８図の「多結晶シリコン薄膜５」と同様に、ソース領域とドレイン領域を有することは明らかであるから、相違点１のうち、本願発明１２が、「ソース及びドレイン領域」を「有する」「結晶化シリコン層（３）」を有する点については、本願発明１２と刊行物１発明とは、実質的に相違しない。
（ｃ）刊行物２の第１図（ｃ）には、「再結晶Ｓｉ膜６」が示されている。　そして、刊行物２には、「第１図（ａ）に示すように、絶縁性基体１上に多結晶Ｓｉ膜２と非晶性Ｓｉ膜３を積層する。」、「次に、第１図（ｂ）に示すように、絶縁膜４を形成した後、レーザービーム５を照射する。」、「このレーザービーム５の照射により非晶性Ｓｉ膜３を融解した後冷却固化して、第１図（ｃ）に示す再結晶Ｓｉ膜６になる。」（第２頁左上欄第１９行ないし同頁右上欄第１４行）ことが記載されているから、刊行物２の第１図（ｃ）に示される、絶縁性基体１と絶縁膜４との間のシリコン膜は、「再結晶Ｓｉ膜６」と「多結晶Ｓｉ膜２」から構成される「積層」されたシリコン膜であって、本願発明１２の「前記再結晶化シリコン層（3）は、層化構造を有するシリコン層から形成されたものであ」ることに相当するので、刊行物２に記載の「再結晶Ｓｉ膜６」と「多結晶Ｓｉ膜２」から構成される「積層」されたシリコン膜は、本願発明１２の「再結晶化シリコン層（３）」に相当するとともに、「前記再結晶化シリコン層（3）は、層化構造を有するシリコン層から形成されたものであ」ることに相当する。
（ｄ）ここで、半導体装置の構成要素を形成するための半導体層を単層で構成するか複数の層（積層）で構成するかは、いずれも慣用手段にすぎないから、刊行物１発明の「多結晶シリコン膜」に代えて、刊行物２に記載の「再結晶Ｓｉ膜６」と「多結晶Ｓｉ膜２」から構成される「積層」されたシリコン膜を採用して、刊行物１発明が、本願発明１２のごとく、「ソース及びドレイン領域有する再結晶化シリコン層（３）、ここで、前記再結晶化シリコン層（3）は、層化構造を有するシリコン層から形成されたものであ」るとの構成を備えるようにすることは、当業者が容易になし得たことである。　　
　相違点２について
（ａ）上記「相違点１について」の（ａ）及び（ｂ）での検討を考慮すると、刊行物１には、実質的に、「ソース領域」、「ドレイン領域」、「ソース領域」と「ドレイン領域」の間に「ゲート絶縁膜２」と「ＭＯＳゲート電極３」を備えた「薄膜トランジスタ」が記載されている。
（ｂ）刊行物１発明が実質的に備えている、「ゲート絶縁膜２」と「ＭＯＳゲート電極３」とを併せたものを、慣用的な表現として、「ゲート構造」と呼ぶことにより、刊行物１発明は、実質的に、本願発明１２のごとく、「前記」「結晶化シリコン層（３）に接触し、ソース及びドレイン領域（５）の間に位置するゲート構造（９）を含」むようなものとなることは明らかであり、「ゲート構造」を備えることについては、本願発明１２と刊行物１発明とは、実質的に相違しない。
（ｃ）上記（ａ）、（ｂ）及び上記「相違点１について」の（ｃ）及び（ｄ）における検討を考慮すると、刊行物１発明の「多結晶シリコン膜」に代えて、刊行物２に記載の「再結晶Ｓｉ膜６」と「多結晶Ｓｉ膜２」から構成される「積層」されたシリコン膜を採用して、刊行物１発明が、本願発明１２の「再結晶化シリコン層（3）」を備えたものとすること、更には、刊行物１発明が、本願発明１２のごとく、「前記再結晶化シリコン層（３）に接触し、ソース及びドレイン領域（５）の間に位置するゲート構造（９）」を備えるようにすることは、当業者が容易になし得たことである。
　　
　相違点３について
（ａ）本願発明１２の「第１の酸化物層（１１３）」は、「前記再結晶化シリコン層（３）上に形成された」と記載されているが、実際には、本願発明１２は、「前記第１の酸化物層（１１３）と前記再結晶化されたシリコン層（３）の間に形成された第３の酸化物層（１１１）」を備えているから、本願発明１２の「第１の酸化物層（１１３）」と「再結晶化シリコン層（３）」との間には、「第３の酸化物層（１１１）」が存在していることは明らかである。
　したがって、本願発明１２の「前記再結晶化シリコン層（３）上に形成された」「第１の酸化物層（１１３）」とは、「前記再結晶化シリコン層（３）」の上方「に形成された」「第１の酸化物層（１１３）」という意味であり、「薄膜トランジスター」の構成要素としての、「再結晶化シリコン層（３）」と「第１の酸化物層（１１３）」は、直接には接触していない。
（ｂ）一方、刊行物１発明の「前記酸素含有ガスによるプラズマ酸化により形成した酸化シリコン膜の上に設けられた膜厚数１０ｎｍ以下のシリコン酸化膜を堆積後酸素プラズマアニールしたシリコン酸化膜」も、「多結晶シリコン膜」の上方にある。
　したがって、相違点３については、実質的には、本願発明１２が「再結晶化シリコン層（３）」を有するのに対して、刊行物１発明が「多結晶シリコン膜」を有する点で、相違している。
（ｃ）しかしながら、上記「相違点１について」の（ｃ）及び（ｄ）において検討したとおり、刊行物１発明の「多結晶シリコン膜」に代えて、刊行物２に記載の「再結晶Ｓｉ膜６」と「多結晶Ｓｉ膜２」から構成される「積層」されたシリコン膜を採用して、刊行物１発明が、本願発明１２の「再結晶化シリコン層（3）」を備えたものとすることは、当業者が容易になし得たものである。
（ｄ）また、刊行物１発明の「膜厚数１０ｎｍ以下」は、「膜厚数１００Å以下」のことであるから、本願発明１２の「１００Å以下の厚さを有する」ことの「１００Å以下」と、数値範囲が重なっており、絶縁膜の厚さをどの程度とするかは、求められる特性に応じて適宜設定し得るものである。
（ｅ）さらに、刊行物１発明では、「シリコン酸化膜」が「酸素プラズマアニール」する前に「膜厚数１０ｎｍ以下」であるが、「酸素プラズマアニール」した後であっても、「シリコン酸化膜」の膜厚は、それほど変わるものではない。
　したがって、刊行物１発明の「酸素プラズマアニールしたシリコン酸化膜」の厚さを、本願発明１２のように、「１００Å以下」とすることは、当業者が適宜設定し得た程度のことである。　
　
　相違点４について
（ａ）刊行物１発明の「膜厚数１０ｎｍ以下」は、「膜厚数１００Å以下」のことであるから、本願発明１２の「１００Å乃至１５０Åの厚さを有する」ことの「１００Å乃至１５０Å」と、数値範囲が重なっており、絶縁膜の厚さをどの程度とするかは、求められる特性に応じて適宜設定し得るものである。
（ｂ）また、刊行物１発明では、「シリコン酸化膜」が「酸素プラズマアニール」する前に「膜厚数１０ｎｍ以下」であるが、「酸素プラズマアニール」した後であっても、「シリコン酸化膜」の膜厚は、それほど変わるものではないので、刊行物１発明の「シリコン酸化膜」の厚さを、本願発明１２のように、「１００Å乃至１５０Å」とすることは、当業者が適宜設定し得た程度のことである。　
　
　相違点５について
（ａ）刊行物１の第８図及び摘記事項イには、「石英ガラス等の透明絶縁基板４上に多結晶シリコン薄膜５を半導体として設け、上面にゲート絶縁膜２を形成し、これを介してＭＯＳゲート電極３を接続したもの」（第２頁左上欄第１９行ないし同頁右上欄第２行）が記載されている。
　そして、「ＭＯＳゲート電極３」は、本願発明１２の「伝導領域（１３）」に相当する。
（ｂ）すると、刊行物１発明の「ゲート絶縁膜」のうちの一番上の膜である、「前記シリコン酸化膜を堆積後酸素プラズマアニールしたシリコン酸化膜の上に設けられた膜厚数１０ｎｍ以下のシリコン酸化膜を堆積後酸素プラズマアニールしたシリコン酸化膜」の上に、刊行物１の第８図に記載の「ＭＯＳゲート電極３」を設け、刊行物１発明が、本願発明１２のごとく、「前記第２の酸化物層（１１５）に接触する伝導領域（１３）」を有するようになすことは、当業者が適宜なし得たものである。　
　
　相違点６について
（ａ）刊行物１発明の「前記多結晶シリコン膜の表面に酸素含有ガスによるプラズマ酸化により形成した酸化シリコン膜」は、その上の「前記酸素含有ガスによるプラズマ酸化により形成した酸化シリコン膜の上に設けられた膜厚数１０ｎｍ以下のシリコン酸化膜を堆積後酸素プラズマアニールしたシリコン酸化膜」と、その下の「多結晶シリコン膜」との間にあるので、刊行物１発明の「前記多結晶シリコン膜の表面に酸素含有ガスによるプラズマ酸化により形成した酸化シリコン膜」と、本願発明１２の「前記第１の酸化物層（１１３）と前記再結晶化されたシリコン層（３）の間に形成された第３の酸化物層（１１１）」とは、その配置関係に違いはないが、刊行物１発明の「前記多結晶シリコン膜の表面に酸素含有ガスによるプラズマ酸化により形成した酸化シリコン膜」は、「多結晶シリコン膜」の上に設けられており、本願発明１２の「第３の酸化物層（１１１）」は、「再結晶化されたシリコン層（３）」の上に設けられているから、刊行物１発明と本願発明１２とにおいて、刊行物１発明の「多結晶シリコン膜」と、本願発明１２の「再結晶化されたシリコン層（３）」とは、「層」が相違している。
（ｂ）しかしながら、上記「相違点１について」の（ｃ）及び（ｄ）において検討したとおり、刊行物１発明の「多結晶シリコン膜」に代えて、刊行物２に記載の「再結晶Ｓｉ膜６」と「多結晶Ｓｉ膜２」から構成される「積層」されたシリコン膜を採用して、刊行物１発明が、本願発明１２の「再結晶化シリコン層（3）」を備えたものとすることは、当業者が容易になし得たものである。　
　
　相違点７について
（ａ）刊行物１の第８図及び摘記事項イには、「石英ガラス等の透明絶縁基板４上に多結晶シリコン薄膜５を半導体として設け、上面にゲート絶縁膜２を形成し、これを介してＭＯＳゲート電極３を接続したもの」（第２頁左上欄第１９行ないし同頁右上欄第２行）が記載されている。
　すると、「ゲート絶縁膜２」は、「ＭＯＳゲート電極３」と「多結晶シリコン薄膜５」の間に配置されることになるから、刊行物１発明の「ゲート絶縁膜」である、「前記多結晶シリコン膜の表面に酸素含有ガスによるプラズマ酸化により形成した酸化シリコン膜」、「前記酸素含有ガスによるプラズマ酸化により形成した酸化シリコン膜の上に設けられた膜厚数１０ｎｍ以下のシリコン酸化膜を堆積後酸素プラズマアニールしたシリコン酸化膜」及び「前記シリコン酸化膜を堆積後酸素プラズマアニールしたシリコン酸化膜の上に設けられた膜厚数１０ｎｍ以下のシリコン酸化膜を堆積後酸素プラズマアニールしたシリコン酸化膜」も、通常は、「ＭＯＳゲート電極」と「多結晶シリコン膜」の間に配置されることになる。
（ｂ）したがって、相違点７については、本願発明１２が「再結晶化されたシリコン層（３）」を有し、刊行物１発明が「多結晶シリコン膜」を有する以外は、相違しないものである。
　そして、上記「相違点１について」の（ｃ）及び（ｄ）において検討したとおり、刊行物１発明の「多結晶シリコン膜」に代えて、刊行物２に記載の「再結晶Ｓｉ膜６」と「多結晶Ｓｉ膜２」から構成される「積層」されたシリコン膜を採用して、刊行物１発明が、本願発明１２の「再結晶化シリコン層（3）」を備えたものとすることは、当業者が容易になし得たものである。
　
第２の２　本願発明について（その２）
　１．本願発明について（その２）
　本願の請求項１に係る発明において、仮に、方法的に記載してある部分にも特徴があるとして、上記「第２　１．」に記載した、本願の「請求項１」に係る発明（以下、「本願発明１」という。）と刊行物１発明とを対比する。
　
　２．引用刊行物に記載された発明
　刊行物１及び２に記載された事項及び刊行物１に記載された発明は、上記「第２　２．」に記載されたとおりである。
　
　３．対比
（ａ）刊行物１発明の「絶縁基板」は、本願発明１の「絶縁基板（１）」に相当する。
（ｂ）刊行物１発明の「多結晶シリコン膜」は、本願発明１の「結晶化シリコン層」に相当する。
（ｃ）刊行物１発明の「前記酸素含有ガスによるプラズマ酸化により形成した酸化シリコン膜の上に設けられた」「シリコン酸化膜を堆積後酸素プラズマアニールしたシリコン酸化膜」は、本願発明１の「第１の酸化物層（１１３）」に相当する。
（ｄ）刊行物１発明の「前記シリコン酸化膜を堆積後酸素プラズマアニールしたシリコン酸化膜の上に設けられた」「シリコン酸化膜を堆積後酸素プラズマアニールしたシリコン酸化膜」は、本願発明１の「前記第１の酸化物層（１１３）に接触するＳｉＯ２よりなる」「第２の酸化物層（１１５）」に相当する。
（ｅ）刊行物１発明の「前記多結晶シリコン膜の表面に酸素含有ガスによるプラズマ酸化により形成した酸化シリコン膜」は、本願発明１の「前記第１の酸化物層（１１３）と前記」「結晶化されたシリコン層（３）の間に」形成「された第３の酸化物層（１１１）」に相当する。
（ｆ）刊行物１発明の「薄膜トランジスタ」は、本願発明１の「薄膜トランジスター」に相当する。
　すると、本願発明１と刊行物１発明とは、
「薄膜トランジスターであって、前記トランジスターが、
　絶縁基板、
　前記基板上に堆積された結晶化シリコン層、
　前記結晶化シリコン層上に形成された第１の酸化物層、
　前記第１の酸化物層に接触するＳｉＯ２よりなる第２の酸化物層、及び
　前記第１の酸化物層と前記結晶化されたシリコン層の間に形成された第３の酸化物層を含む
ことを特徴とする薄膜トランジスター。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
　相違点８
　本願発明１は、「ソース及びドレイン領域」を「有する再結晶化シリコン層（３）」を有し、「前記再結晶化シリコン層（3）は、層化構造を有するシリコン層から形成されたものであ」るのに対して、刊行物１発明は、「多結晶シリコン膜」を有する点。
　相違点９
　本願発明１は、「前記再結晶化シリコン層（３）に接触し、ソース及びドレイン領域（５）の間に位置するゲート構造（９）」を有するのに対して、刊行物１発明は、上記構成を備えているか否か明らかでない点。
　相違点１０
　本願発明１は、「前記再結晶化シリコン層（３）上に形成された」「第１の酸化物層（１１３）」が「１００Å以下の厚さを有する」のに対して、刊行物１発明は、「前記酸素含有ガスによるプラズマ酸化により形成した酸化シリコン膜の上に設けられた膜厚数１０ｎｍ以下のシリコン酸化膜を堆積後酸素プラズマアニールしたシリコン酸化膜」を有しており、「酸素プラズマアニールしたシリコン酸化膜」の膜厚が「酸素プラズマアニール」する前に「膜厚数１０ｎｍ以下」である点。
　相違点１１
　本願発明１は、「前記第１の酸化物層（１１３）に接触するＳｉＯ２よりなる第２の酸化物層（１１５）」が「ＴＥＯＳの低圧分解により形成されたＳｉＯ２よりなる１００Å乃至１５０Åの厚さを有する圧縮された」ものであるのに対して、刊行物１発明は、「前記シリコン酸化膜を堆積後酸素プラズマアニールしたシリコン酸化膜の上に設けられた膜厚数１０ｎｍ以下のシリコン酸化膜を堆積後酸素プラズマアニールしたシリコン酸化膜」を有しており、「酸素プラズマアニールしたシリコン酸化膜」の膜厚が「酸素プラズマアニール」する前に「膜厚数１０ｎｍ以下」である点。
　相違点１２
　本願発明１は、「前記第２の酸化物層（１１５）に接触する伝導領域（１３）」を有するのに対して、刊行物１発明は、このような記載がない点。
　相違点１３
　本願発明１は、「前記第１の酸化物層（１１３）と前記再結晶化されたシリコン層（３）の間に５乃至１０気圧、８００乃至８２５℃の温度の条件下で成長された第３の酸化物層（１１１）」を有するのに対して、刊行物１発明は、「前記多結晶シリコン膜の表面に酸素含有ガスによるプラズマ酸化により形成した酸化シリコン膜」を有する点。
　相違点１４
　本願発明１は、「前記第１の酸化物層（１１３）、前記第２の酸化物層（１１５）及び前記第３の酸化物層（１１１）は、前記伝導領域（１３）と前記再結晶化されたシリコン層（３）の間に配置される」のに対して、刊行物１発明は、上記構成を備えているか否か明らかでない点。
　　
　４．当審の判断（その２）
　以下において、相違点８ないし１４について検討する。
　相違点８について
（ａ）刊行物１の第８図及び摘記事項イには、「石英ガラス等の透明絶縁基板４上に多結晶シリコン薄膜５を半導体として設け、上面にゲート絶縁膜２を形成し、これを介してＭＯＳゲート電極３を接続したもの」（第２頁左上欄第１９行ないし同頁右上欄第２行）が記載され、また、２つの「ドレイン領域」「１３」（第２頁右上欄第３行及び第４行）も記載されている。そして、刊行物１の第８図の２つの「ドレイン領域」「１３」のうちの一方は、通常、ソース領域と呼ばれている。
（ｂ）すると、刊行物１発明の「多結晶シリコン膜」も、刊行物１の第８図の「多結晶シリコン薄膜５」と同様に、ソース領域とドレイン領域を有することは明らかであるから、相違点８のうち、本願発明１が、「ソース及びドレイン領域」を「有する」「結晶化シリコン層（３）」を有する点については、本願発明１と刊行物１発明とは、実質的に相違しない。
（ｃ）刊行物２の第１図（ｃ）には、「再結晶Ｓｉ膜６」が示されている。
　そして、刊行物２には、「第１図（ａ）に示すように、絶縁性基体１上に多結晶Ｓｉ膜２と非晶性Ｓｉ膜３を積層する。」、「次に、第１図（ｂ）に示すように、絶縁膜４を形成した後、レーザービーム５を照射する。」、「このレーザービーム５の照射により非晶性Ｓｉ膜３を融解した後冷却固化して、第１図（ｃ）に示す再結晶Ｓｉ膜６になる。」（第２頁左上欄第１９行ないし同頁右上欄第１４行）ことが記載されているから、刊行物２の第１図（ｃ）に示される、絶縁性基体１と絶縁膜４との間のシリコン膜は、「再結晶Ｓｉ膜６」と「多結晶Ｓｉ膜２」から構成される「積層」されたシリコン膜であって、本願発明１の「前記再結晶化シリコン層（3）は、層化構造を有するシリコン層から形成されたものであ」ることに相当するので、刊行物２に記載の「再結晶Ｓｉ膜６」と「多結晶Ｓｉ膜２」から構成される「積層」されたシリコン膜は、本願発明１の「再結晶化シリコン層（３）」に相当するとともに、「前記再結晶化シリコン層（3）は、層化構造を有するシリコン層から形成されたものであ」ることに相当する。
（ｄ）ここで、半導体装置の構成要素を形成するための半導体層を単層で構成するか複数の層（積層）で構成するかは、いずれも慣用手段にすぎないから、刊行物１発明の「多結晶シリコン膜」に代えて、刊行物２に記載の「再結晶Ｓｉ膜６」と「多結晶Ｓｉ膜２」から構成される「積層」されたシリコン膜を採用して、刊行物１発明が、本願発明１のごとく、「ソース及びドレイン領域有する再結晶化シリコン層（３）、ここで、前記再結晶化シリコン層（3）は、層化構造を有するシリコン層から形成されたものであ」るとの構成を備えるようにすることは、当業者が容易になし得たことである。
　
　相違点９について
（ａ）上記「相違点８について」の（ａ）及び（ｂ）での検討を考慮すると、刊行物１には、実質的に、「ソース領域」、「ドレイン領域」、「ソース領域」と「ドレイン領域」の間に「ゲート絶縁膜２」と「ＭＯＳゲート電極３」を備えた「薄膜トランジスタ」が記載されている。
（ｂ）刊行物１発明が実質的に備えている、「ゲート絶縁膜２」と「ＭＯＳゲート電極３」とを併せたものを、慣用的な表現として、「ゲート構造」と呼ぶことにより、刊行物１発明は、実質的に、本願発明１のごとく、「前記」「結晶化シリコン層（３）に接触し、ソース及びドレイン領域（５）の間に位置するゲート構造（９）を含」むようなものとなることは明らかであり、「ゲート構造」を備えることについては、本願発明１と刊行物１発明とは、実質的に相違しない。
（ｃ）上記（ａ）、（ｂ）及び上記「相違点８について」の（ｃ）及び（ｄ）における検討を考慮すると、刊行物１発明の「多結晶シリコン膜」に代えて、刊行物２に記載の「再結晶Ｓｉ膜６」と「多結晶Ｓｉ膜２」から構成される「積層」されたシリコン膜を採用して、刊行物１発明が、本願発明１の「再結晶化シリコン層（3）」を備えたものとすること、更には、刊行物１発明が、本願発明１のごとく、「前記再結晶化シリコン層（３）に接触し、ソース及びドレイン領域（５）の間に位置するゲート構造（９）」を備えるようにすることは、当業者が容易になし得たことである。
　
　相違点１０について
（ａ）本願発明１の「第１の酸化物層（１１３）」は、「前記再結晶化シリコン層（３）上に形成された」と記載されているが、実際には、本願発明１は、「前記第１の酸化物層（１１３）と前記再結晶化されたシリコン層（３）の間に形成された第３の酸化物層（１１１）」を備えているから、本願発明１の「第１の酸化物層（１１３）」と「再結晶化シリコン層（３）」との間には、「第３の酸化物層（１１１）」が存在していることは明らかである。
　したがって、本願発明１の「前記再結晶化シリコン層（３）上に形成された」「第１の酸化物層（１１３）」とは、「前記再結晶化シリコン層（３）」の上方「に形成された」「第１の酸化物層（１１３）」という意味であり、「薄膜トランジスター」の構成要素としての、「再結晶化シリコン層（３）」と「第１の酸化物層（１１３）」は、直接には接触していない。
（ｂ）一方、刊行物１発明の「前記酸素含有ガスによるプラズマ酸化により形成した酸化シリコン膜の上に設けられた膜厚数１０ｎｍ以下のシリコン酸化膜を堆積後酸素プラズマアニールしたシリコン酸化膜」も、「多結晶シリコン膜」の上方にある。
　したがって、相違点１０については、実質的には、本願発明１が「再結晶化シリコン層（３）」を有するのに対して、刊行物１発明が「多結晶シリコン膜」を有する点で、相違している。
（ｃ）しかしながら、上記「相違点８について」の（ｃ）及び（ｄ）において検討したとおり、刊行物１発明の「多結晶シリコン膜」に代えて、刊行物２に記載の「再結晶Ｓｉ膜６」と「多結晶Ｓｉ膜２」から構成される「積層」されたシリコン膜を採用して、刊行物１発明が、本願発明１の「再結晶化シリコン層（3）」を備えたものとすることは、当業者が容易になし得たものである。
（ｄ）また、刊行物１発明の「膜厚数１０ｎｍ以下」は、「膜厚数１００Å以下」のことであるから、本願発明１の「１００Å以下の厚さを有する」ことの「１００Å以下」と、数値範囲が重なっており、絶縁膜の厚さをどの程度とするかは、求められる特性に応じて適宜設定し得るものである。
（ｅ）さらに、刊行物１発明では、「シリコン酸化膜」が「酸素プラズマアニール」する前に「膜厚数１０ｎｍ以下」であるが、「酸素プラズマアニール」した後であっても、「シリコン酸化膜」の膜厚は、それほど変わるものではない。
　したがって、刊行物１発明の「酸素プラズマアニールしたシリコン酸化膜」の厚さを、本願発明１のように、「１００Å以下」とすることは、当業者が適宜設定し得た程度のことである。　
　
　相違点１１について
（ａ）種々な方法で、酸化物層が形成できることは、周知のことであり、本願発明１のように、「ＴＥＯＳの低圧分解により」「ＳｉＯ２」を形成することも、周知技術である。
（ｂ）また、刊行物１発明の「膜厚数１０ｎｍ以下」は、「膜厚数１００Å以下」のことであるから、本願発明１の「１００Å乃至１５０Åの厚さを有する」ことの「１００Å乃至１５０Å」と、数値範囲が重なっており、絶縁膜の厚さをどの程度とするかは、求められる特性に応じて適宜設定し得るものである。
（ｃ）刊行物１発明では、「シリコン酸化膜」が「酸素プラズマアニール」する前に「膜厚数１０ｎｍ以下」であるが、「酸素プラズマアニール」した後であっても、「シリコン酸化膜」の膜厚は、それほど変わるものではないので、刊行物１発明の「シリコン酸化膜」の厚さを、本願発明１のように、「１００Å乃至１５０Å」とすることは、当業者が適宜設定し得た程度のことである。
（ｄ）さらに、本願発明１の「第２の酸化物層（１１５）」は「圧縮され」ているが、刊行物１発明では、「シリコン酸化膜」が「酸素プラズマアニール」されており、刊行物１の上記摘記事項エの「酸素プラズマアニール中に酸素原子、或いはイオンが、堆積したシリコン酸化膜４４中に拡散し、シリコン酸化膜中の欠陥およびシリコン酸化膜４４と多結晶シリコン膜４２間の界面の欠陥のアニールが行われゲート絶縁膜４５としてのシリコン酸化膜４４がアニールされたシリコン酸化膜４６となり高品質化される。」（第４頁右下欄第９ないし１５行）という記載によれば、「酸素プラズマアニール」により「シリコン酸化膜」が「高品質化される」から、本願発明１の「第２の酸化物層（１１５）」が「圧縮され」ていることと類似の作用・効果を奏するものと認められ、刊行物１発明が、本願発明１のごとく、「第２の酸化物層（１１５）」が「圧縮され」ているとの構成を備えるようにすることは、格別なことではなく、当業者が適宜なし得たものである。　
　
　相違点１２について
（ａ）刊行物１の第８図及び摘記事項イには、「石英ガラス等の透明絶縁基板４上に多結晶シリコン薄膜５を半導体として設け、上面にゲート絶縁膜２を形成し、これを介してＭＯＳゲート電極３を接続したもの」（第２頁左上欄第１９行ないし同頁右上欄第２行）が記載されている。
　そして、「ＭＯＳゲート電極３」は、本願発明１の「伝導領域（１３）」に相当する。
（ｂ）すると、刊行物１発明の「ゲート絶縁膜」のうちの一番上の膜である、「前記シリコン酸化膜を堆積後酸素プラズマアニールしたシリコン酸化膜の上に設けられた膜厚数１０ｎｍ以下のシリコン酸化膜を堆積後酸素プラズマアニールしたシリコン酸化膜」の上に、刊行物１の第８図に記載の「ＭＯＳゲート電極３」を設け、刊行物１発明が、本願発明１のごとく、「前記第２の酸化物層（１１５）に接触する伝導領域（１３）」を有するようになすことは、当業者が適宜なし得たものである。
　
　相違点１３について
（ａ）本願発明１の「５乃至１０気圧、８００乃至８２５℃の温度の条件下で成長」することは、本願の明細書の発明の詳細な説明に記載の「高圧酸化」の条件の一部と認められる。
　そして、例えば、以下の周知文献１ないし４に記載されるように、薄膜トランジスタにおいて、ゲート絶縁膜を高圧酸化により形成することは、従来周知である。
周知文献１．特開昭６４−３５９５９号公報（第１図、及び、第２頁左上欄第１２行ないし同頁左下欄第１行参照）には、「従来のＴＦＴの一例を第１図に示す。このＴＦＴは、絶縁基板１上に活性層５、ゲート絶縁膜４、ゲート電極６、ソース２、ドレイン３を形成した後、層間絶縁膜７を堆積し、そして層間絶縁膜７にコンタクトホール１６を開けた後、金属電極配線８を作製してなるものである。ここでゲート絶縁膜４は次のａ）またはｂ）に示す様なプロセスにより作製している。
ａ）１１００℃、３％ＨＣｌ／９７％Ｏ２によるドライ酸化
ｂ）９５０℃、Ｈ２／Ｏ２によるパイロジェニック酸化
　ゲート絶縁膜として熱酸化膜を用いた場合、Ｓｉ−ＳｉＯ２の界面準位密度が低く、現在のところ最も優れた特性を持っている。しかしながら、熱酸化膜作製の温度は９５０℃以上と高いので、使用できる絶縁基板の種類が限られ、基板もしくは雰囲気中に存在する不純物が活性層中にオートドーピングする問題がある。
　こうした欠点を改善する方法としては以下の様なものがある。
（１）高圧酸化
　高圧容器の中で酸素雰囲気中で低温で酸化膜を作製する。
・・・（１），（２）の方法は活性層の酸化反応を低温で行っており」と、記載されている。
周知文献２．特開平２−８４７７２号公報（第１図、及び、第２頁左下欄第１３行ないし第４頁左下欄第１７行参照）には、「半導体装置として薄膜トランジスタに本発明を応用した場合を例にとって実施例を説明する。」（第２頁左下欄第１３行及び第１４行）、「続いて前記不純物未添加シリコン薄膜１−６を固相成長させ第１図（ｄ）に示すよう再結晶化未添加シリコン薄膜１−７（以後、ｉ−シリコン薄膜と略す）を形成する。」（第３頁右下欄第５ないし８行）、「次に第１図（ｆ）に示されているように、ゲート酸化膜１−９を形成する。該ゲート酸化膜の形成方法としてはＬＰＣＶＤ法、あるいは光励起ＣＶＤ法、あるいはプラズマＣＶＤ法、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法、あるいは高真空蒸着法、あるいはプラズマ酸化法、あるいは高圧酸化法などのような５００℃以下の低温方法がある。該低温方法で成膜されたゲート酸化膜は、熱処理することによってより緻密で界面準位の少ない優れた膜となる。」（第４頁左上欄第８ないし１６行）ことが、記載されている。
周知文献３．特開平４−２０６７７５号公報（第１頁右下欄第２行ないし第２頁左上欄第１行参照）には、「例えばコプラナ型薄膜トランジスタの場合には、セラミックやガラス等からなる基板上にポリシリコン層（半導体層）をパターン形成し、このポリシリコン層を酸化シリコン等からなるゲート絶縁膜で覆い、ポリシリコン層のチャンネル領域に対応する部分のゲート絶縁膜上にゲート電極を形成した構造となっている。
　ところで、このような構造の薄膜トランジスタでは、基板の材質がガラスであると、ガラスが軟化しないようにするために、プロセス温度を６００℃以下に抑える必要がある。このため、酸化シリコン等からなるゲート絶縁膜の形成方法に制約を受けることになる。
　すなわち、熱処理による酸化法は、ポリシリコン層を酸化雰囲気中で加熱するだけで酸化シリコンからなるゲート絶縁膜を形成することができ、最も簡単な方法であるが、この場合、１０気圧程度の雰囲気中で加熱する高圧酸化法を採用してもプロセス温度が６００℃以上となるので、この方法を採用することはできない。」（第１頁右下欄第２行ないし第２頁左上欄第１行）ことが、記載されている。
周知文献４．欧州特許出願公開第４７４２８９号明細書には、「次いで、このポリシリコン層の選定部分を腐食により除去してこのポリシリコン層に所望とする島を形成し、酸化珪素層の選定区域を露出する。次いで薄いゲート酸化物層をこれらの島に、この島を高圧下　６５０℃以下の温度で酸化することによって形成する。５５０　〜６５０　℃の温度範囲および５〜５０気圧の圧力を用いるのが好ましい。」（第３頁第１８行ないし第２１行の訳文）、「【請求項６】　　（ａ）　最初の比較的に厚い酸化珪素層を半導体基板に形成し；　（ｂ）　比較的に薄いポリシリコン層を前記最初の酸化珪素層に　６５０℃以下の温度で堆積し；　（ｃ）　前記比較的に薄いポリシリコン層を窒素雰囲気中で焼もどしし；　（ｄ）　前記比較的に薄いポリシリコン層の選定部分を腐食により除去して前記最初の酸化珪素層の選定部分を露出し、および島を前記比較的に薄いポシリコン層に形成し；　（ｅ）　少なくとも１つの前記島を高圧下約　６５０℃以下の温度で酸化して薄いゲート酸化物層を前記比較的に薄いポリシリコン層の前記島に形成し；　（ｆ）　第２の比較的に厚いポリシリコン層を前記ゲート酸化物層に堆積し；　（ｇ）　前記第２ポリシリコン層を多くドープし、反応性イオン腐食によって形成するドープされた第２ポリシリコン層の部分を腐食除去してゲートを形成し；　（ｈ）　前記ゲートに横方に隣接する前記ポシリコン層の前記島の形成する露出区域を比較的に少なくドープして少なくドープされたソースおよびドレイン区域を形成し；　（ｉ）　比較的に薄い酸化珪素層を前記ゲートに、および前記隣接する少なくドープされたソースおよびドレイン区域に設け；　（ｊ）　前記少なくドープされたソースおよびドレイン区域に隣接する前記ポリシリコン層の前記島の露出区域を比較的に多くドープして比較的に多くドープされたソースおよびドレイン区域を形成し；　（ｋ）　前記ソースおよびドレイン区域を　６００〜７５０　℃の温度で焼もどしし；および　（ｌ）　形成したデバイスを水素プラズマによって約　４００℃以下の温度で水素化する各段階からなることを特徴とする減少した逆漏れ電流を示す薄膜トランジスタの製造方法。【請求項７】　　前記島の前記高圧酸化を５〜５０気圧下　５５０〜６５０　℃の温度で行う請求項６記載の方法。」（請求項６及び７の訳文）が記載されている。
（ｂ）また、刊行物１発明の「前記多結晶シリコン膜の表面に酸素含有ガスによるプラズマ酸化により形成した酸化シリコン膜」は、その上の「前記酸素含有ガスによるプラズマ酸化により形成した酸化シリコン膜の上に設けられた膜厚数１０ｎｍ以下のシリコン酸化膜を堆積後酸素プラズマアニールしたシリコン酸化膜」と、その下の「多結晶シリコン膜」との間にあるので、刊行物１発明の「前記多結晶シリコン膜の表面に酸素含有ガスによるプラズマ酸化により形成した酸化シリコン膜」と、本願発明１の「前記第１の酸化物層（１１３）と前記再結晶化されたシリコン層（３）の間に」「成長された第３の酸化物層（１１１）」とは、その配置関係に違いはないが、刊行物１発明の「前記多結晶シリコン膜の表面に酸素含有ガスによるプラズマ酸化により形成した酸化シリコン膜」は、「多結晶シリコン膜」の上に設けられており、本願発明１の「第３の酸化物層（１１１）」は、「再結晶化されたシリコン層（３）」の上に設けられているから、刊行物１発明と本願発明１とにおいて、刊行物１発明の「多結晶シリコン膜」と、本願発明１の「再結晶化されたシリコン層（３）」とは、「層」が相違している。
（ｃ）しかしながら、上記「相違点８について」の（ｃ）及び（ｄ）において検討したとおり、刊行物１発明の「多結晶シリコン膜」に代えて、刊行物２に記載の「再結晶Ｓｉ膜６」と「多結晶Ｓｉ膜２」から構成される「積層」されたシリコン膜を採用して、刊行物１発明が、本願発明１の「再結晶化シリコン層（3）」を備えたものとすることは、当業者が容易になし得たものである。
（ｄ）上記（ａ）で検討したように、従来周知の高圧酸化について、上記周知文献には、「高圧容器の中で酸素雰囲気中で低温で酸化膜を作製する。」（周知文献１）、「高圧酸化法などのような５００℃以下の低温方法がある。」（周知文献２）、「１０気圧程度の雰囲気中で加熱する高圧酸化法を採用してもプロセス温度が６００℃以上となる」（周知文献３）、「高圧酸化を５〜５０気圧下　５５０〜６５０　℃の温度で行う」（周知文献４）と記載されており、これらの記載は、高圧酸化時において、基板の耐熱温度を考慮して、「５００℃以下」（周知文献２）、「５５０〜６５０　℃の温度」（周知文献４）等の温度に設定しているのであって、それ以上の温度においても、基板が耐熱性を備えるのであれば、より高い温度、例えば、８００℃ないし８２５℃において、高圧酸化処理を行う方が、形成されたシリコン酸化膜の膜質が高品質であることは、当業者に取って周知の技術事項である。
　したがって、基板の耐熱性が高いのであれば、高圧酸化の処理温度として、８００℃ないし８２５℃を選択することは、当業者が必要に応じて適宜なし得ることである。
（ｅ）すると、刊行物１発明の「前記多結晶シリコン膜の表面に酸素含有ガスによるプラズマ酸化により形成した酸化シリコン膜」の代わりに、周知技術である「高圧酸化」を採用するに当たり、基板の耐熱性を考慮して、刊行物１発明が、本願発明１のごとく、「前記第１の酸化物層（１１３）と前記再結晶化されたシリコン層（３）の間に５乃至１０気圧、８００乃至８２５℃の温度の条件下で成長された第３の酸化物層（１１１）」を設けたものとなすことは、当業者が容易になし得た程度のことと認める。　
　
　相違点１４について
（ａ）刊行物１の第８図及び摘記事項イには、「石英ガラス等の透明絶縁基板４上に多結晶シリコン薄膜５を半導体として設け、上面にゲート絶縁膜２を形成し、これを介してＭＯＳゲート電極３を接続したもの」（第２頁左上欄第１９行ないし同頁右上欄第２行）が記載されている。
　すると、「ゲート絶縁膜２」は、「ＭＯＳゲート電極３」と「多結晶シリコン薄膜５」の間に配置されることになるから、刊行物１発明の「ゲート絶縁膜」である、「前記多結晶シリコン膜の表面に酸素含有ガスによるプラズマ酸化により形成した酸化シリコン膜」、「前記酸素含有ガスによるプラズマ酸化により形成した酸化シリコン膜の上に設けられた膜厚数１０ｎｍ以下のシリコン酸化膜を堆積後酸素プラズマアニールしたシリコン酸化膜」及び「前記シリコン酸化膜を堆積後酸素プラズマアニールしたシリコン酸化膜の上に設けられた膜厚数１０ｎｍ以下のシリコン酸化膜を堆積後酸素プラズマアニールしたシリコン酸化膜」も、通常は、「ＭＯＳゲート電極」と「多結晶シリコン膜」の間に配置されることになる。
（ｂ）したがって、相違点１４については、本願発明１が「再結晶化されたシリコン層（３）」を有し、刊行物１発明が「多結晶シリコン膜」を有する以外は、相違しないものである。
　そして、上記「相違点８について」の（ｃ）及び（ｄ）において検討したとおり、刊行物１発明の「多結晶シリコン膜」に代えて、刊行物２に記載の「再結晶Ｓｉ膜６」と「多結晶Ｓｉ膜２」から構成される「積層」されたシリコン膜を採用して、刊行物１発明が、本願発明１の「再結晶化シリコン層（3）」を備えたものとすることは、当業者が容易になし得たものである。
　
　なお、審判請求人は、平成２０年７月１１日付けの審判請求書の請求の理由を補正する手続補正書において、「補正後の本件発明の構造においては、顕著な効果をもたらす。即ち、本件発明の構成により、漏れ路（低Ｄｏ）の減少、及びＴＦＴの絶縁破壊及び電荷フルエンス特性を減少させる。更に、ＴＦＴゲート誘電体厚の更なるスケールダウンを可能とし、高ＯＮ状態電流を得ることを可能とする。」と主張しているが、これらの効果について、本願の発明の詳細な説明に、詳しい説明や実験結果等の記載が一切なく、さらに、これらの効果の比較対象がどのようなゲート絶縁膜であるのかの記載もないため、効果の説明が不十分であり、どの程度特性が向上するのか理解することができないため、これらの効果は、確認することができない。
　また、本願発明１の「第１の酸化物層（１１３）」、「第２の酸化物層（１１５）」及び「第３の酸化物層（１１１）」からなる３層のゲート絶縁膜について、「第３の酸化物層（１１１）」は、膜厚が記載されておらず、また、「第１の酸化物層（１１３）」は、「１００Å以下の厚さ」と、膜厚の上限は記載されているものの、膜厚の下限が記載されていないので、これらの「第３の酸化物層（１１１）」と「第１の酸化物層（１１３）」が、それぞれ、極薄の膜厚の場合に、所期の効果を奏するかどうかは、疑問である。　さらに、本願の発明の詳細な説明及び図面の記載のみでは、刊行物１発明の「前記多結晶シリコン膜の表面に酸素含有ガスによるプラズマ酸化により形成した酸化シリコン膜」、「前記酸素含有ガスによるプラズマ酸化により形成した酸化シリコン膜の上に設けられた膜厚数１０ｎｍ以下のシリコン酸化膜を堆積後酸素プラズマアニールしたシリコン酸化膜」及び「前記シリコン酸化膜を堆積後酸素プラズマアニールしたシリコン酸化膜の上に設けられた膜厚数１０ｎｍ以下のシリコン酸化膜を堆積後酸素プラズマアニールしたシリコン酸化膜」からなる３層のゲート絶縁膜と比較した効果の差についても確認できないことは明らかである。
　よって、上記の審判請求人の主張は、採用できない。
　
第２の３　まとめ
　したがって、本願の請求項１に係る発明（本願発明１）と、物の発明においては方法的な記載が物の発明の特徴ではないとして認定した本願の請求項１に係る発明（本願発明１２）とは、いずれも、刊行物１、２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。　
　
第３　むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるので、本願の他の請求項に係る発明についての検討をするまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。