(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイアフラムを固定するダイアフラム固定端部を形成し、ダイアフラムに発熱抵抗体を設けて、電気抵抗値を用いて空気流量を測定する熱式空気流量センサにおいて、
前記ダイアフラムを、前記発熱抵抗体に向って角度１５度以内のテーパ状に薄くされ、前記ダイアフラム固定端部のダイアフラム固定部に一体化された可撓性支持部で可撓支持したこと
を特徴とする熱式空気流量センサ。
【請求項２】
ダイアフラムを固定するダイアフラム固定端部を形成し、ダイアフラムに発熱抵抗体を設けて、電気抵抗値を用いて空気流量を測定する熱式空気流量センサにおいて、
前記ダイアフラムを、前記発熱抵抗体に向って角度５度以内のテーパ状に薄くされ、前記ダイアフラム固定端部のダイアフラム固定部に一体化された可撓性支持部で可撓支持したこと
を特徴とする熱式空気流量センサ。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記可撓性支持部のテーパ状根元部から先端までの長さは、テーパ根元部からダイアフラムの中心までの距離の１／２以内になること
を特徴とする熱式空気流量センサ。
【請求項４】
ダイアフラムを固定するダイアフラム固定端部を形成し、ダイアフラムに発熱抵抗体を設けて、電気抵抗値を用いて空気流量を測定する熱式空気流量センサにおいて、
前記ダイアフラムを、前記発熱抵抗体に向ってテーパ状に薄くされ、前記ダイアフラム固定端部のダイアフラム固定部に一体化され、樹脂で構成した可撓性支持部で可撓支持したこと
を特徴とする熱式空気流量センサ。
【請求項５】
ダイアフラムを固定するダイアフラム固定端部を形成し、ダイアフラムに発熱抵抗体を設けて、電気抵抗値を用いて空気流量を測定する熱式空気流量センサにおいて、
前記ダイアフラムを、前記発熱抵抗体に向ってテーパ状に薄くされた少なくとも外側テーパ部と内側テーパ部であって、テーパ角度が内側テーパ部が外側テーパ部よりも小さくされた２段階構成のテーパ部であって、前記ダイアフラム固定端部のダイアフラム固定部に一体化された可撓性支持部で可撓支持したこと
を特徴とする熱式空気流量センサ。
【請求項６】
請求項５において、
前記可撓性支持部は、前記内側テーパ部が角度１５度以内のテーパに形成されることを特徴とする熱式空気流量センサ。
【請求項７】
請求項５において、
前記可撓性支持部は、前記内側テーパ部が角度５度以内のテーパに形成されることを特徴とする熱式空気流量センサ。
【請求項８】
ダイアフラムを固定するダイアフラム固定端部を形成し、ダイアフラムに発熱抵抗体を設けて電気抵抗値を用いて空気流量を測定する空気流量センサにおいて、
前記ダイアフラム固定端部のダイアフラム固定部に可撓性支持部が設けられ、該可撓性支持部のテーパ根元部から形成されるテーパ形状を有し、
前記可撓性支持部は、内側に角度１５度以内のテーパ状形状部と外側にテーパ形状の角度１５度以上のテーパ部の二つのテーパ形状によって腰折れ形状が形成され、内側のテーパ形状部の可撓性を大きくしたこと
を特徴とする熱式空気流量センサ。
【請求項９】
ダイアフラムを固定するダイアフラム固定端部を有し、ダイアフラムに発熱抵抗体を設けて電気抵抗値を用いて空気流量を測定する空気流量センサにおいて、  前記ダイアフラム固定端部は、前記発熱抵抗体に向ってテーパ状に薄くされた角度１５度以内のテーパ形状の前記ダイアフラムを支持する樹脂で作られた部材を有すること
を特徴とする熱式空気流量センサ。
【請求項１０】
ダイアフラムを固定するダイアフラム固定端部を有し、ダイアフラムに発熱抵抗体を設けて電気抵抗値を用いて空気流量を測定する空気流量センサにおいて、  前記ダイアフラム固定端部は、テーパ根元部からテーパ先端までの長さがテーパ根元部からダイアフラムの中心までの距離の１／２以内になるテーパ形状を備えた樹脂で作られた支持部材を有すること
を特徴とする熱式空気流量センサ。
【請求項１１】
表面に薄膜を形成したＳｉ単結晶である基板の裏面に、開口部を有するマスクを形成し、エッチングを行うことにより、基板を部分的に除去し、薄膜ダイアフラムとこれを支持する固定部を形成した熱式空気流量センサの形成方法において、最終的な基板除去部分より小さな開口部を有するマスクを用いてエッチングを行った後に、マスクの開口部を広げてエッチングを行うことによりダイアフラムと一体化された可撓性支持部であって角度が１５度以内のテーパ状を有するダイアフラム固定部を形成したことを特徴とする熱式空気流量センサの形成方法。
【請求項１２】
請求項１１において、
多段エッチングにより２段以上のテーパがあり、最も内側のテーパの角度がその外側のテーパの角度よりも小さくしてダイアフラム固定部を形成したことを特徴とする熱式空気流量センサの形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、周囲を固定されたダイアフラムの中に形成された発熱抵抗体を用いて空気流量を測定する熱式空気流量センサに関するものであり、特に自動車用内燃機関の吸気通路圧力を測定するのに好適な構造を有する熱式空気流量センサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の熱式空気流量計においては、特表平３−５０２９６６号に示されているような構造が採用されていた。当該構造は、Ｐ型添加（ドーピング）されたシリコンリムは（１００）結晶方向のシリコン基板と薄い誘電ダイアフラムとの間に位置し、最上部のサンドイッチ構造と感知用素子の下に設けられ、シリコン基板にはシリコンリムに向けてテーパ（勾配）が形成されることを示す。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
熱式空気流量センサでは、測定対象である空気に含まれるダストが、ダイアフラムに衝突し、ダイアフラムを破壊することにより、熱式空気流量センサの特性を劣化させる場合があり、この解決が課題となっていた。
【０００４】
また、このようにして特性の劣化した熱式空気流量センサを用いた自動車エンジン制御装置を用いた場合、制御精度の低下により、大気汚染物質排出量と燃料消費量が増大する場合があり、この解決が課題となっていた。
【０００５】
本発明は、空気に含まれるダストによる特性劣化を防止し、以って自動車エンジンからの大気汚染物質排出量と燃料消費量を小さくすることのできる熱式空気流量センサを提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
ダイアフラム固定端部に２段階以上相当のテーパを形成し、最も内側のテーパの角度をその外側のテーパの角度より小さくすることにより、ダイアフラムの破壊を防止する。
【０００７】
また、固定部とダイアフラムを構成する材料に、それぞれＳｉ単結晶とＳｉ３Ｎ４膜を含ませ、１段目のテーパの角度が１５度以下、望ましくは５度以下とし、またその根元の厚さを１２μｍ以上とすることにより、ダイアフラムの破壊を防止する。
【０００８】
また、上に薄膜を形成したＳｉ単結晶基板の裏面に、開口部を有するマスクを形成し、エッチングを行うことにより、基板を部分的に除去し、薄膜ダイアフラムとこれを支持する固定部を形成した熱式空気流量センサの形成法において、最終的な基板除去部分より小さな開口部を有するマスクを用いてエッチングを行った後に、マスクの開口部を広げてエッチングを行うことによりダイアフラムと固定部を形成することにより、ダイアフラムの破壊を防止する。
【０００９】
また、内側のテーパ部分を樹脂により形成することにより、より以上に柔軟構造としてダイアフラムの破壊を防止する。
【００１０】
また、上記手段のいずれかを用いた熱式空気流を用いた自動車用内燃機関制御装置を用いることにより、流量計の特性劣化を防止し、制御精度を向上し、上記目的を解決する。
【００１１】
【発明の実施の形態】
本発明の一実施例について、図面を用いて説明する。図１は本発明の一実施例の熱式空気流量センサのセンサチップの正面断面図を示している。図２は上面図を示す。図１は図２のＡ−Ａ断面である。
【００１２】
図１において、センサチップである基板１の上に下側絶縁膜２が形成され、この下側絶縁膜２の上には、抵抗体３が部分的に形成され、この上にさらに上側絶縁膜４が形成され、これらを含めてセンサチップ５が構成される。抵抗体３は、図２に示すように、上から見て電極６を結ぶコの字パターンに形成される。基板１の裏には部分的に窪み７が形成され、この部分では下側絶縁膜２，抵抗体３及び上側絶縁膜４が残されることにより、薄い誘電体であるダイアフラム８が形成される。
【００１３】
ここでは、後述するテーパ３１と下側絶縁膜２との交点（左右にある）間をダイアフラム領域とするが、これに限定されず薄い誘電体部を指す。
【００１４】
このダイアフラム８はダイアフラム固定端部５０に固定される。ダイアフラム固定端部５０はダイアフラム固定部５１と可撓性支持部５２からなり、ダイアフラム固定部５１に形成したテーパ３１と可撓性支持部５２に形成したテーパ３２により２段階（２段階以上でもよい。また、図３に示すように２段階相当以上としてもよい。）のテーパを形成し、内側のテーパ３２の角度はその外側のテーパ３１の角度より小さくする。ダイアフラム８はダイアフラム固定部５１に固定されると共に、可撓性支持部５２によって支持される。可撓性支持部は、変形吸収部であり、衝突エネルギ吸収部でもあり、ダイアフラム固定部５１に比べてはるかに大きな柔軟性を有する。
【００１５】
図３は、図１に示す例の変形例を示す。図１の例ではダイアフラム固定端部に２段のテーパが設けられていたが、図３の例では腰折れ部９が丸みを帯びた腰折れ部１０とされている。他の構成は図１と同じであり、同等の性能となる。以下、図１を例に取って説明する。
【００１６】
次に、本実施例のパッケージ部について、図４と図５を用いて説明する。図３は、パッケージ部の側面断面図であり、図４は図３のＢ−Ｂ断面である。
【００１７】
このセンサチップ５は、図４と図５に示すように、パッケージ１１に組み込まれる。すなわち、センサチップ５はタブ１２の上に接着剤１３により接着され、リード１４とセンサチップ５の上の電極６との間はワイヤ１５により接続される。さらに、樹脂１６がモールドされる。ここで、センサチップ５は、図４に示すように、表面が外に露出し、側面が樹脂に埋まる形に組み込まれる。これによって、センサチップ５の表面を測定対象である空気が流れることを可能とするとともに、センサチップ５の樹脂１６からの剥がれを防止している。また、樹脂１６のモールド時にコネクタ部１７が同時に形成される。さらに、このパッケージ１１の先端部分に整流板１８が接着材１９で接着される。さらに、このパッケージ１１は、図６に示すようにエンジンの吸気通路２１に組み込まれる。
【００１８】
動作時には、図１の抵抗体３は、電流が流されることにより発熱し、温度が上昇する。図６の吸気通路２１に空気の流れ２２が生じると、図５のセンサチップ５の表面に向かって、空気の流れ２２が生じ、図１の抵抗体３の上への空気の流れ２２が生じることになる。これにより、抵抗体３が冷やされ、抵抗体３の温度が変化することにより、抵抗体３の材料の抵抗温度係数が依存して、抵抗体３の抵抗値が変化する。この変化を検出することにより、空気の流量を検出することができる。
【００１９】
図１において、基板にはＳｉ単結晶が、抵抗体３には、多結晶Ｓｉが、絶縁層２と４にはＣＶＤによるＳｉＯ２とＳｉ３Ｎ４の複合膜が用いられる。これによって、ダイアフラムの残留応力をわずかに引張り側として、膜の平面度を保つことができる。これにより、ダイアフラム上を流れる空気の流れ２２に乱れが生じることを防ぎ、測定の精度確保することを可能としている。
【００２０】
ダイアフラム８の厚さｔについては、これを厚くすると抵抗体３で生じた熱が、基板１に逃げてしまうため、空気の流れ２２による抵抗体３の温度変化が生じなくなり、流量の測定ができなくなってしまう。種々の厚さについて検討した結果、測定のためには、２μｍ以下の厚さとすることが、適当であることがわかった。本実施例では、１．５μｍ  とし、十分高い測定精度を確保している。
【００２１】
基板１の厚さＨについては、チップハンドリング性との関係について検討した結果、ハンドリング性を確保するためには１５０μｍ以上が適切であることがわかった。本実施例では、２００μｍを採用している。
【００２２】
以上説明したように、ダイアフラムを固定するダイアフラム固定端部を形成し、ダイアフラムに発熱抵抗体を設けて、電気抵抗値を用いて空気流量を測定する熱式空気流量センサにおいて、前記ダイアフラムを、前記発熱抵抗体に向ってテーパ状に薄くされ、前記ダイアフラム固定端部のダイアフラム固定部に一体化された可撓性支持部で支持した熱式空気流量センサが提供される。
【００２３】
図４において、タブ１２とリード１４には、Ｆｅ−Ｎｉ合金を用い、接着剤１３と１９、及び樹脂１６にはエポキシを用いている。これにより、タブ１２，リード１４と樹脂１６の界面の強度が確保され、剥がれが防止される。整流板１８にもエポキシを用いている。これにより、整流板１８の歪みを防止している。電極６とワイヤ１５には、Ａｌを用いている。これにより、高い接続強度を得ている。
【００２４】
図６において、流入する空気の流れ２２に含まれるダストの中の大きいものは、フィルタ２４により除去されるが、小さいものはフィルタ２４の隙間を通って吸気通路２１の中に入る。中に入ったダストは、図１のダイアフラム８に衝突する場合がある。このダスト衝突によるダイアフラム８の破壊を防止することが重要な課題となる。
【００２５】
本実施例では、図１に示すように、ダイアフラム８の固定部の基板１は、厚い外側のテーパ３１の内側に薄い内側のテーパ３２が形成された２段階のテーパ形状となっており、内側のテーパ３２の角度が外側のテーパ３１の角度より小さくなっている。この構造について、耐ダスト性の評価を行った結果、上記ダイアフラム破壊の防止効果があることがわかった。
【００２６】
これに対して、従来構造のセンサについて、耐ダスト性評価を行った結果、ダイアフラム破壊を生じることがわかった。まず、従来構造における破壊のメカニズムについて、図７と図９を用いて説明する。
【００２７】
従来の構造では、図７に示すようにダイアフラムの固定端部が１段の角度の大きなテーパ３３となっているか、または２段以上となっていても、図１０に示されているように内側のテーパ角度が外側より大きいため、図７に示すように、ダスト３４がダイアフラム８の固定端部のすぐ内側に衝突したときの変形吸収能力が小さい。すなわち、従来構造ではダイアフラムの支持方法はダストの衝突による破壊を意図しない剛構成とされていた。この結果、ダイアフラム８に加わる荷重Ｐ１は、図９の３５に示すように大きな値となる。なぜなら、ダスト３４が衝突前に持っていた運動エネルギは、衝突時にダイアフラム８の固定端部の変形にともなうひずみエネルギに変換される。ひずみエネルギは、荷重と変位の関係を表すＰ−δ曲線の下側の図９のハッチングを付けた部分によって示される従来の装置におけるひずみエネルギの例３６の面積となる。テーパの角度が大きければテーパ部分は変形しにくいから、従来の装置におけるＰ−δ曲線の例３５の傾きは大きくなる。Ｐ−δ曲線３５の下の部分３６の面積を一定にしておいて、Ｐ−δ曲線の傾きを大きくすれば、最大荷重Ｐ１の値は大きくなることになる。膜の破壊限界荷重は図９では３７のレべルであり、この場合、ダイアフラム８に発生する荷重にダイアフラム８は耐えきれず、破壊を生じてしまう。
【００２８】
これに対して、本実施例では図８に示すように、ダイアフラム８の固定端部に２段階のテーパ３１と３２があり、内側のテーパ３２の角度が外側のテーパ３１の角度より小さくなっているため、わずかな荷重で大きなたわみが生じ、図９の３８に示すようにＰ−δ曲線の傾きを小さくなるから、Ｐ−δ曲線の下の部分３９の面積を一定とした場合、発生荷重Ｐ２の値は小さくなる。したがって、図８に示すように、ダスト３４がダイアフラム８の端部付近に衝突した場合にも発生荷重Ｐ２を小さくできる。したがって、ダイアフラム８の破壊を防止することができる。
【００２９】
内側のテーパ３２の付け根にダストが衝突した場合は、たわみ性は小さくなるため、発生荷重は大きくなるが、この部分は、テーパの付け根部であり、厚さが確保されているため、破壊荷重が大きくなり、ダイアフラムの破壊を防止できる。ダイアフラム中央に衝突した場合は、ダイアフラム８自体が大きく変形し、衝突時の運動エネルギを吸収するため、発生荷重は小さくなり、破壊は生じない。
【００３０】
各種条件において、センサ部に到達するダストを調べたところ、ダストのサイズは通常１００μｍ以下となることがわかった。このダストサイズにおいて、ダイアフラム８の破壊を生じない条件を評価したところ、図１に示す内側のテーパ３２の角度θを１５度以下、望ましくは５度以下、このテーパの付け根の厚さｈを１２μｍ以上、望ましくは３０μｍ以上とする必要があることがわかった。
【００３１】
また、このような構成において、テーパ根元部からテーパ先端までの長さｌがテーパ根元部からダイアフラムの中心までの距離の１／２以内としてダイアフラムを支持することができる。
【００３２】
以上、説明したように、ダイアフラムを固定するダイアフラム固定端部を形成し、ダイアフラムに発熱抵抗体を設けて電気抵抗値を用いて空気流量を測定する空気流量センサにおいて、前記ダイアフラム固定端部のダイアフラム固定部に可撓性支持部が設けられ、該可撓性支持部のテーパ根元部から形成されるテーパ形状を有し、前記可撓性支持部は、角度１５度以内のテーパ状形状を有し、テーパ根元部は１２μｍ以上とされ、前記ダイアフラム固定部のテーパ形状の角度は１５度以上とされ、二つのテーパ形状によって腰折れ形状が形成される熱式空気流量センサが提供される。
【００３３】
また、前記ダイアフラム固定端部は、前記発熱抵抗体に向ってテーパ状に薄くされた角度１５度以内のテーパ形状の前記ダイアフラムを支持する部材を有する熱式空気流量センサを提供される。
【００３４】
また、前記ダイアフラム固定端部は、テーパ根元部から先端までの長さがテーパ根元部からダイアフラムの中心までの距離の１／２以内になるテーパ形状を備えた支持部材を有する熱式空気流量センサが提供される。
【００３５】
図７に示すような従来の構造では、無理にテーパ角度を小さくしようとすると、基板１が極端に薄くなってしまうため、チップのハンドリングができなくなり、製造が不可能となる。また、テーパ角度が大きい場合では、ダイアフラム８の厚さを極端に厚くすれば、破壊を防止できると考えられるが、ダイアフラム８を厚くしたとすると、ダイアフラム８の中にある抵抗体で生じた熱が、固定部の基板１に容易に逃げてしまうため、測定対象である空気の流れによる抵抗体の温度変化が生じなくなり、流量の測定ができなくなってしまうため、ダイアフラム８を厚くすることはできない。
【００３６】
本発明の実施例を自動車に適用した場合の構成は、図５に示すようになっている。自動車用内燃機関２６の吸気通路２１の空気流量が、これまでに説明したセンサ１１により測定され、この信号を基に、コントロールユニット２７が適切な燃料噴射時期と量が演算され、これに基づいて、信号が燃料噴射装置２８に伝えられ、燃料噴射装置２８で燃料噴射が行われる。本実施例では、精度が高く劣化のないセンサが使われているため、精度の高い燃料噴射の制御を長期間保つことが可能となり、燃料消費量の節約および大気汚染物質排出量の低減にも効果がある。
【００３７】
本実施例におけるテーパ形状の作成法を図１０を用いて説明する。基板１には、（１００）面のＳｉ単結晶をもちい、エッチングにはＫＯＨ水溶液を用いる。まず、図１０（ａ）に示すように、通常の異方性エッチング手法により、最終的に形成する窪みもより小さい窪み４１を形成する。次に、図１０（ｂ）に示すように、裏面のマスク４２の窪み４１の周辺の部分４３を除去する。さらに、この状態で、エッチングを適切な時間行うことによって、エッチング速度が結晶方位によって変化する性質を利用して、図１０（ｃ）に示すようにダイアフラム固定端部に２段階のテーパを形成し、内側のテーパ３２の角度を外側のテーパ３１の角度より小さくできることがわかった。この内側のテーパ３２の角度を測定した結果、５度以下にできることがわかった。なお、この外側にあるテーパ３１の角度は、５５度にすることができることがわかった。このようにすることにより、基板厚さを確保しながら、内側のテーパの角度を小さくでき、ダストの衝突によるダイアフラム破壊を防止できることがわかった。
【００３８】
本発明の別の実施例を図１１に示す。前述の実施例ではダイアフラム固定端部、特に可撓性支持部５２がＳｉ単結晶で形成されていたのに対して、本実施例では、可撓性支持部４４を樹脂で形成している。樹脂製の可撓性支持部４４は、通常の方法でダイアフラムを形成した後、ダイアフラムの裏面の端部に硬化前の樹脂を塗布後、加熱硬化させることにより形成できる。樹脂はＳｉ単結晶よりヤング率が小さいので、樹脂を用いることにより、テーパ角度を大きくしても変形吸収性を確保できる。したがって、テーパ角を小さくコントロールする必要のあるＳｉ単結晶の場合に比べ形状形成が容易である。樹脂材料としてはポリイミドを用いることが耐熱性の面で有効である。ポリイミドを用いた場合、テーパ角度を、例えば１１度以下とすることにより十分な耐ダスト性を確保できることがわかった。レジスト材を使用してもよい。ただし、樹脂製可撓性支持部４４の根元の厚さは４０μｍ以上とするのがよい。一方、前述の実施例のように内側テーパにＳｉ単結晶を用いた場合の利点としては、樹脂を塗布する必要がないため、材料を節約できる点がある。
【００３９】
以上のように、ダイアフラムを固定するダイアフラム固定端部を形成し、ダイアフラムに発熱抵抗体を設けて電気抵抗値を用いて空気流量を測定する空気流量センサにおいて、前記ダイアフラムを、前記発熱抵抗体に向ってテーパ状に薄くされ、前記ダイアフラム固定端部のダイアフラム固定部に一体化された可撓性支持部で支持し、前記可撓性支持部を樹脂により形成した熱式空気流量センサが提供される。
【００４０】
【発明の効果】
本発明の装置によれば、ダスト衝突によりセンサダイアフラム加わる力を低減することにより、ダイアフラムの破壊を防ぎ、センサ特性の劣化を防止できる。さらに、本発明の装置によれば、自動車用内燃機関の制御精度を確保できることにより、燃料消費量の節約および大気汚染物質排出量の低減にも効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例のセンサチップの横断面を示す図。
【図２】本発明の一実施例のセンサチップの上面図。
【図３】本発明の他の実施例のセンサチップの横断面を示す図。
【図４】本発明の一実施例のパッケージ部分の横断面を示す図。
【図５】本発明の一実施例のパッケージ部分の上面断面図。
【図６】本発明の一実施例の構成を示す図。
【図７】従来の装置のセンサチップにダストが衝突した状態を示す図。
【図８】本発明の一実施例の装置のセンサチップにダストが衝突した状態を示す図。
【図９】ダストが衝突したときの荷重と変位の関係を示す図。
【図１０】本発明の一実施例の基板を加工するプロセスを示す図。
【図１１】本発明の別の実施例のセンサチップの横断面を示す図。
【図１２】従来のセンサチップの構成図。
【符号の説明】
１，５…センサチップ、２…下側絶縁膜、３…抵抗体、４…上側絶縁膜、６…電極、７…窪み、８…ダイアフラム、９…腰折れ部、１０…丸みを持つ腰折れ部、１１…パッケージ、１２…タブ、１３…接着剤、１４…リード、１５…ワイヤ、１６…樹脂、１７…コネクタ部、１８…整流板、１９…接着剤、２１…吸気通路、２２…空気の流れ、２３…流入空気、２４…フィルタ、２６…内燃機関、２７…コントロールユニット、２８…燃料噴射装置、３１…外側テーパ、３２…内側テーパ、３３…テーパ、３４…ダスト、３５…従来の装置におけるＰ−δ曲線の例、３６…従来の装置におけるひずみエネルギの例、３７…ダイアフラムの破壊荷重レベル、３８…本発明の一実施例におけるＰ−δ曲線、３９…本発明の一実施例におけるひずみエネルギ、４１…第１段階での窪み、４２…マスク、４３…マスクの除去部分、４４…樹脂性の可撓性支持部、５０…ダイアフラム固定端部、５１…ダイアフラム固定部、５２…可撓性支持部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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