Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月7日(2015.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液状のターゲット材を蓄えるタンクと、前記タンク内の前記ターゲット材を出力するノズルと、前記タンク内へガスを供給するガス供給源と、を備え、前記タンク内のガス圧を、圧力調整器が備えつけられたガス供給源から供給されるガスの圧力で制御するターゲット供給装置と、
前記ノズルから前記ターゲット材が出力され、出力された前記ターゲットにレーザ光が照射されることで極端紫外光の生成が行われるチャンバと、
前記チャンバ内に配置され、生成された前記極端紫外光を集光する集光ミラーと、
前記タンクに接続され、前記タンク内から排気されるガスが流れる第１ガス流路と、
前記第１ガス流路上に設けられた第１バルブと、
前記タンクと前記第１バルブとの間の前記第１ガス流路に接続された第２ガス流路と、
前記第２ガス流路上に設けられた第２バルブと、
前記タンク内から前記第１流路を流れて排気されるガスが前記第２ガス流路を流れて排気されるよう、前記第１バルブを閉に前記第２バルブを開に制御するコントローラと、
を含む極端紫外光光源装置。
【請求項２】
前記第１ガス流路及び前記第２ガス流路とは独立して設けられ、前記ガス供給源と前記タンクとを接続するガス供給流路を更に含む
請求項１に記載の極端紫外光光源装置。
【請求項３】
前記ターゲット材を前記ノズルから出力する際から前記タンク内のガス圧を減圧する場合に、前記コントローラは、
前記第１ガス流路内のガス圧が所定ガス圧に達するまでは、前記タンク内から排気されるガスが前記第１ガス流路を流れて排気されるよう、前記第１バルブを開に前記第２バルブを閉に制御し、
前記第１ガス流路内のガス圧が前記所定ガス圧に達すると、前記タンク内から排気されるガスが前記第２ガス流路を流れて排気されるよう、前記第１バルブを閉に前記第２バルブを開に制御する
請求項１に記載の極端紫外光光源装置。
【請求項４】
前記ターゲット材を前記ノズルから出力する際から前記所定ガス圧までの前記第１ガス流路内のガス圧の範囲を第１範囲とし、
前記所定ガス圧から前記ターゲット材の前記ノズルからの出力が停止する際までの前記第１ガス流路内のガス圧の範囲を第２範囲とすると、
前記第１範囲に含まれる前記第１ガス流路内のガス圧は前記所定ガス圧よりも大きく、前記第２範囲に含まれる前記第１ガス流路内のガス圧は前記所定ガス圧よりも小さい
請求項３に記載の極端紫外光光源装置。
【請求項５】
前記第１範囲は、前記第２範囲よりも広い
請求項４に記載の極端紫外光光源装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】極端紫外光光源装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
この発明は、ターゲットにレーザ光を照射してプラズマを生成し該プラズマから極端紫外（ＥＵＶ：extreme ultra violet）光を発生する極端紫外光光源装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明による極端紫外光光源装置は、液状のターゲット材を蓄えるタンクと、前記タンク内の前記ターゲット材を出力するノズルと、前記タンク内へガスを供給するガス供給源と、を備え、前記タンク内のガス圧を、圧力調整器が備えつけられたガス供給源から供給されるガスの圧力で制御するターゲット供給装置と、前記ノズルから前記ターゲット材が出力され、出力された前記ターゲットにレーザ光が照射されることで極端紫外光の生成が行われるチャンバと、前記チャンバ内に配置され、生成された前記極端紫外光を集光する集光ミラーと、前記タンクに接続され、前記タンク内から排気されるガスが流れる第１ガス流路と、前記第１ガス流路上に設けられた第１バルブと、前記タンクと前記第１バルブとの間の前記第１ガス流路に接続された第２ガス流路と、前記第２ガス流路上に設けられた第２バルブと、前記タンク内から前記第１流路を流れて排気されるガスが前記第２ガス流路を流れて排気されるよう、前記第１バルブを閉に前記第２バルブを開に制御するコントローラと、を含む。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月23日(2015.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
組成式：Li1+x(Mn1-m-nFemTin)1-xO2(0<x<1/3, 0≦m≦0.53, 0≦n≦0.53, 0＜m+n≦0.53)で表され、Li2MnO3型単斜晶層状岩塩型構造の結晶相を含み、マンガン元素の平均価数が３．９価以下であるリチウムマンガン系複合酸化物の製造方法であって、
チタン化合物及び鉄化合物からなる群から選ばれた少なくとも一種の化合物と、マンガン化合物を含む混合水溶液をアルカリ性として沈殿物を形成し、得られた反応溶液に空気を吹き込んで沈殿物の酸化及び熟成処理を行って得られた沈殿物を水溶性リチウム化合物と共に、アルカリ性条件下で水熱処理することを特徴とする、製造方法。
【請求項２】
水熱処理に用いる水溶液が、更に、還元剤を含有するものである、請求項１に記載のリチウムマンガン系複合酸化物の製造方法。
【請求項３】
前記水熱処理を行った後、水熱処理後の生成物をリチウム化合物と共に、還元性雰囲気下において焼成することを特徴とする、請求項１又は２に記載のリチウムマンガン系酸化物の製造方法。
【請求項４】
前記水熱処理を行った後、水熱処理後の生成物をリチウム化合物と共に焼成し、次いで、還元性雰囲気下において焼成することを特徴とする、請求項１又は２に記載のリチウムマンガン系酸化物の製造方法。
【請求項５】
組成式：Li1+x(Mn1-m-nFemTin)1-xO2(0<x<1/3, 0≦m≦0.53, 0≦n≦0.53, 0＜m+n≦0.53)で表され、Li2MnO3型単斜晶層状岩塩型構造の結晶相を含み、マンガン元素の平均価数が３．９価以下であるリチウムマンガン系複合酸化物の製造方法であって、
マンガン化合物、チタン化合物及び鉄化合物を含む混合水溶液をアルカリ性として沈殿物を形成し、得られた反応溶液に空気を吹き込んで沈殿物の酸化及び熟成処理を行って得られた沈殿物を水溶性リチウム化合物及び酸化剤と共に、アルカリ性条件下で水熱処理し、水熱処理後の生成物をリチウム化合物と共に、還元性雰囲気下において焼成することを特徴とする、製造方法。
【請求項６】
組成式：Li1+x(Mn1-m-nFemTin)1-xO2(0<x<1/3, 0≦m≦0.53, 0≦n≦0.53, 0＜m+n≦0.53)で表され、Li2MnO3型単斜晶層状岩塩型構造の結晶相を含み、マンガン元素の平均価数が３．９価以下であるリチウムマンガン系複合酸化物の製造方法であって、
マンガン化合物、チタン化合物及び鉄化合物を含む混合水溶液をアルカリ性として沈殿物を形成し、得られた反応溶液に空気を吹き込んで沈殿物の酸化及び熟成処理を行って得られた沈殿物を水溶性リチウム化合物及び酸化剤と共に、アルカリ性条件下で水熱処理し、水熱処理後の生成物をリチウム化合物と共に焼成し、次いで、還元性雰囲気下において焼成することを特徴とする、製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
項１．  組成式：Li1+x(Mn1-m-nFemTin)1-xO2(0<x<1/3, 0≦m≦0.53, 0≦n≦0.53, 0＜m+n≦0.53)で表され、Li2MnO3型単斜晶層状岩塩型構造の結晶相を含み、マンガン元素の平均価数が３．９価以下であるリチウムマンガン系複合酸化物の製造方法であって、
チタン化合物及び鉄化合物からなる群から選ばれた少なくとも一種の化合物と、マンガン化合物を含む混合水溶液をアルカリ性として沈殿物を形成し、得られた反応溶液に空気を吹き込んで沈殿物の酸化及び熟成処理を行って得られた沈殿物を水溶性リチウム化合物と共に、アルカリ性条件下で水熱処理することを特徴とする、製造方法。
項２．水熱処理に用いる水溶液が、更に、還元剤を含有するものである、上記項１に記載のリチウムマンガン系複合酸化物の製造方法。
項３．前記水熱処理を行った後、水熱処理後の生成物をリチウム化合物と共に、還元性雰囲気下において焼成することを特徴とする、上記項１又は２に記載のリチウムマンガン系酸化物の製造方法。
項４．前記水熱処理を行った後、水熱処理後の生成物をリチウム化合物と共に焼成し、次いで、還元性雰囲気下において焼成することを特徴とする、上記項１又は２に記載のリチウムマンガン系酸化物の製造方法。
項５．組成式：Li1+x(Mn1-m-nFemTin)1-xO2(0<x<1/3, 0≦m≦0.53, 0≦n≦0.53, 0＜m+n≦0.53)で表され、Li2MnO3型単斜晶層状岩塩型構造の結晶相を含み、マンガン元素の平均価数が３．９価以下であるリチウムマンガン系複合酸化物の製造方法であって、
マンガン化合物、チタン化合物及び鉄化合物を含む混合水溶液をアルカリ性として沈殿物を形成し、得られた反応溶液に空気を吹き込んで沈殿物の酸化及び熟成処理を行って得られた沈殿物を水溶性リチウム化合物及び酸化剤と共に、アルカリ性条件下で水熱処理し、水熱処理後の生成物をリチウム化合物と共に、還元性雰囲気下において焼成することを特徴とする、製造方法。
項６．組成式：Li1+x(Mn1-m-nFemTin)1-xO2(0<x<1/3, 0≦m≦0.53, 0≦n≦0.53, 0＜m+n≦0.53)で表され、Li2MnO3型単斜晶層状岩塩型構造の結晶相を含み、マンガン元素の平均価数が３．９価以下であるリチウムマンガン系複合酸化物の製造方法であって、
マンガン化合物、チタン化合物及び鉄化合物を含む混合水溶液をアルカリ性として沈殿物を形成し、得られた反応溶液に空気を吹き込んで沈殿物の酸化及び熟成処理を行って得られた沈殿物を水溶性リチウム化合物及び酸化剤と共に、アルカリ性条件下で水熱処理し、水熱処理後の生成物をリチウム化合物と共に焼成し、次いで、還元性雰囲気下において焼成することを特徴とする、製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月24日(2015.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
演出表示を行う演出表示手段を備える遊技機であって、
特定表示を前記演出表示手段に表示させる特定表示手段と、
前記特定表示の表示態様を変化させる特定演出を実行する特定演出実行手段と、
前記特定演出を実行する際に、前記演出表示手段とは異なる位置に設けられた報知手段を用いて該特定演出に対応する報知演出を実行する報知演出実行手段とを備えた
ことを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、演出表示を行う演出表示手段を備える遊技機に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
（手段１）本発明による遊技機は、演出表示を行う演出表示手段（例えば、演出表示装置９）を備える遊技機であって、特定表示（例えば、アクティブ保留表示部１８ｅに表示されるアクティブ保留表示や、第１保留記憶表示部１８ｃまたは第２保留記憶表示部１８ｄに表示される保留記憶表示）を演出表示手段に表示させる特定表示手段（例えば、演出制御用マイクロコンピュータ１００がステップＳ６５３，Ｓ６５６，Ｓ６５９，Ｓ６６２を実行する部分）と、特定表示の表示態様を変化させる特定演出（例えば、表示変化演出）を実行する特定演出実行手段（例えば、演出制御用マイクロコンピュータ１００がステップＳ８００９，Ｓ８１０６を実行する部分）と、特定演出を実行する際に、演出表示手段とは異なる位置（例えば、配列釘２２付近）に設けられた報知手段（例えば、報知用ＬＥＤ１９）を用いて該特定演出に対応する報知演出（例えば、表示変化報知演出）を実行する報知演出実行手段（例えば、演出制御用マイクロコンピュータ１００がステップＳ８２０１〜Ｓ８２０６を実行する部分）とを備えたことを特徴とする。
そのような構成により、遊技者が特定演出を見逃してしまうことを抑止することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月10日(2015.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
変動表示の開始条件が成立したことにもとづいて識別情報の変動表示を行って表示結果を導出表示する遊技機であって、
画像を表示可能な表示手段と、
前記表示手段の表示制御を行う表示制御手段と、
操作を受け付け可能な操作手段と、
を備え、
前記表示制御手段は、
前記操作の受け付けが可能であることを示す操作可能画像を前記表示手段に表示する制御として、
前記変動表示の表示結果が導出表示された後に第１期間が経過した場合に前記表示手段に前記操作可能画像を表示する第１表示制御と、
前記操作を受け付けたことに応じて前記表示手段に特定画像を表示し、該特定画像の表示を終了した後は、前記第１期間よりも短い期間である第２期間が経過した場合に前記表示手段に前記操作可能画像を表示する第２表示制御と、
を実行可能である
ことを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
前記課題を解決するために、本発明の請求項１に記載の遊技機は、
変動表示の開始条件が成立したことにもとづいて識別情報（例えば、特別図柄や演出図柄）の変動表示を行って表示結果を導出表示する遊技機（例えば、パチンコ遊技機１）であって、
画像（例えば、図２９に示す各表示画面）を表示可能な表示手段（例えば、演出制御用ＣＰＵ１２０が演出表示装置５に画面を表示する部分）と、
前記表示手段の表示制御を行う表示制御手段（例えば、演出制御用ＣＰＵ１２０が図２１〜図２７に示す非変動中画面表示処理を実行する部分）と、
操作を受け付け可能な操作手段（例えば、プッシュボタン３１Ｂの押下動作を検出する部分）と、
を備え、
前記表示制御手段は、
前記操作の受け付けが可能であることを示す操作可能画像を前記表示手段に表示する制御として、
前記変動表示の表示結果が導出表示された後に第１期間（例えば、第１待ち期間（ｔ２））が経過した場合に前記表示手段に前記操作可能画像を表示する第１表示制御（例えば、演出制御用ＣＰＵ１２０が、図２３に示す非変動中画面表示処理のＳ４３４において第１待ち期間（ｔ２）がセットされた第２タイマがタイマアップしたときに進むＳ４３７においてメニュー案内表示を開始する部分）と、
前記操作を受け付けたことに応じて前記表示手段に特定画像を表示し、該特定画像の表示を終了した後は、前記第１期間よりも短い期間である第２期間（例えば、第２待ち期間（ｔ２’））が経過した場合に前記表示手段に前記操作可能画像を表示する第２表示制御（例えば、演出制御用ＣＰＵ１２０が、図２３に示す非変動中画面表示処理のＳ４３４において第２待ち期間（ｔ２’）がセットされた第２タイマがタイマアップしたときに進むＳ４３７においてメニュー案内表示を開始する部分）と、
を実行可能である
ことを特徴としている。
この特徴によれば、変動表示の表示結果が導出表示された後には、第１期間が経過するまで操作可能画像が表示されないので、遊技興趣が低下せず、かつ特定画像の表示を終了した後には、第１期間よりも短い第２期間の経過で操作可能画像の表示が行われるので、遊技者が再び特定画像を表示させたい場合に、操作手段による操作が可能であることを遊技者に迅速に促すことができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の手段１の遊技機は、請求項１に記載の遊技機であって、
前記表示手段（例えば、演出制御用ＣＰＵ１２０が演出表示装置５に画面を表示する部分）には、変動表示の表示結果が導出表示された後に表示され、前記操作可能画像（例えば、図２９（Ｃ）に示すメニュー案内表示）を含まない変動後画像（例えば、図２９（Ｂ）に示す表示結果演出の画面）を表示可能であって、
前記表示制御手段（例えば、演出制御用ＣＰＵ１２０が図２１〜図２７に示す非変動中画面表示処理を実行する部分）は、電力供給が開始されたときには、前記変動後画像を表示することなく前記操作可能画像を表示する第３表示制御を行う（例えば、演出制御用ＣＰＵ１２０が、図２１の非変動中画面表示処理のＳ４１１において初期化完了フラグがセットされているときに進む図２５に示すＳ４５５においてメニュー案内表示を開始する部分）
ことを特徴としている。
この特徴によれば、電力供給が開始されたときは、変動表示の表示結果が導出表示された後に表示される変動後画像を省いて、迅速に特定画像に移行できることを遊技者に把握させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月11日(2015.8.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技球の入球が可能な始動口と、
所定の表示領域にて表示演出が行われる演出表示手段と、
前記始動口への遊技球の入球に基づいて、大当たりであるか否かの大当たり判定処理を行いうる大当たり判定手段と、
前記大当たり判定処理の結果が大当たりであることに基づいて、遊技者が賞を獲得可能とされる大当たり遊技処理を実行する大当たり遊技処理実行手段と、
前記大当たり判定処理の結果が大当たりとなる大当たり期待度を該大当たり判定処理の実行条件が成立するよりも前に示す先行演出を実行可能な演出表示制御手段と、を備え、
前記始動口として、第１の始動口、及び特定可動片が動作するときに受け入れ容易とされる第２の始動口が設けられてなり、
前記先行演出として、特定条件下でのみ演出実行条件が成立しうる特定先行演出が用意されており、
前記大当たり判定手段は、
前記遊技球の入球された始動口が前記第１の始動口であるときに、大当たり判定処理を行いうる第１の大当たり判定手段と、
前記遊技球の入球された始動口が前記第２の始動口であるときに、大当たり判定処理を行いうる第２の大当たり判定手段と、
前記第１の大当たり判定手段による大当たり判定処理と前記第２の大当たり判定手段による大当たり判定処理との同時消化を回避してそれらが択一的に消化されるように制御する消化順序制御手段と
を有するものであり、
前記演出表示制御手段は、
前記第１の大当たり判定手段による大当たり判定処理の結果に応じた第１演出表示と前記第２の大当たり判定手段による大当たり判定処理の結果に応じた第２演出表示とのいずれもが共通の表示部にて出現しうる特定表示手段と、
前記消化順序制御手段による制御の結果に基づいて前記第１演出表示と前記第２演出表示との同時出現を回避してそれらが前記共通の表示部において択一的に出現しうるように制御する択一演出制御手段と、
前記第２の始動口への遊技球の入球に基づいて第２側特定表示を出現させる制御を実行可能な第２側特定表示制御手段と、
前記第１の始動口への遊技球の入球情報と前記第２の始動口への遊技球の入球情報との両方が取得可能とされて前記第１演出表示と前記第２演出表示とが前記共通の表示部にお
いて択一的に出現しうるようにされているにもかかわらず、前記第２の始動口側への遊技球の入球に応じた前記第２側特定表示の出現数が所定値以上である場合に、前記特定先行演出にかかる前記演出実行条件が成立しうるように制御する特定先行演出実行制御手段と
を有しており、
前記演出実行条件の成立によって実行される前記特定先行演出は、前記大当たり期待度の異なる複数パターンの表示態様のいずれかによって表示されうるとともに、
前記特定条件下でのみ成立しうる前記演出実行条件は、前記第２側特定表示の出現数が所定値以上である場合に、前記大当たり判定処理の結果として得られる大当たりが特定の種別であることを条件に成立しうるものである
ことを特徴とする遊技機。
【請求項２】
請求項１に記載の遊技機において、
音の出力にかかる制御を行う音出力制御手段
をさらに備えることを特徴とする遊技機。
【請求項３】
請求項１または２に記載の遊技機において、
発光にかかる制御を行う発光制御手段
をさらに備えることを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明は、上記従来の課題を解決するために、以下の構成を採用する。
［構成１］
遊技球の入球が可能な始動口と、所定の表示領域にて表示演出が行われる演出表示手段と、前記始動口への遊技球の入球に基づいて、大当たりであるか否かの大当たり判定処理を行いうる大当たり判定手段と、前記大当たり判定処理の結果が大当たりであることに基づいて、遊技者が賞を獲得可能とされる大当たり遊技処理を実行する大当たり遊技処理実行手段と、前記大当たり判定処理の結果が大当たりとなる大当たり期待度を該大当たり判定処理の実行条件が成立するよりも前に示す先行演出を実行可能な演出表示制御手段と、を備え、前記始動口として、第１の始動口、及び特定可動片が動作するときに受け入れ容易とされる第２の始動口が設けられてなり、前記先行演出として、特定条件下でのみ演出実行条件が成立しうる特定先行演出が用意されており、前記大当たり判定手段は、前記遊技球の入球された始動口が前記第１の始動口であるときに、大当たり判定処理を行いうる第１の大当たり判定手段と、前記遊技球の入球された始動口が前記第２の始動口であるときに、大当たり判定処理を行いうる第２の大当たり判定手段と、前記第１の大当たり判定手段による大当たり判定処理と前記第２の大当たり判定手段による大当たり判定処理との同時消化を回避してそれらが択一的に消化されるように制御する消化順序制御手段とを有するものであり、前記演出表示制御手段は、前記第１の大当たり判定手段による大当たり判定処理の結果に応じた第１演出表示と前記第２の大当たり判定手段による大当たり判定処理の結果に応じた第２演出表示とのいずれもが共通の表示部にて出現しうる特定表示手段と、前記消化順序制御手段による制御の結果に基づいて前記第１演出表示と前記第２演出表示との同時出現を回避してそれらが前記共通の表示部において択一的に出現しうるように制御する択一演出制御手段と、前記第２の始動口への遊技球の入球に基づいて第２側特定表示を出現させる制御を実行可能な第２側特定表示制御手段と、前記第１の始動口への遊技球の入球情報と前記第２の始動口への遊技球の入球情報との両方が取得可能とされて前記第１演出表示と前記第２演出表示とが前記共通の表示部において択一的に出現しうるようにされているにもかかわらず、前記第２の始動口側への遊技球の入球に応じた前記第２側特定表示の出現数が所定値以上である場合に、前記特定先行演出にかかる前記演出実行条件が成立しうるように制御する特定先行演出実行制御手段とを有しており、前記演出実行条件の成立によって実行される前記特定先行演出は、前記大当たり期待度の異なる複数パターンの表示態様のいずれかによって表示されうるとともに、前記特定条件下でのみ成立しうる前記演出実行条件は、前記第２側特定表示の出現数が所定値以上である場合に、前記大当たり判定処理の結果として得られる大当たりが特定の種別であることを条件に成立しうるものであることを特徴とする遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月10日(2015.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
送信者のコンピュータと受信者のコンピュータとの間で通信を行う方法であって、
前記送信者のコンピュータ及び前記受信者のコンピュータはそれぞれ、プロセッサと、情報記憶手段とを有し、
前記方法は、
前記送信者のコンピュータのプロセッサに、受信者の識別情報を取得させる工程と、
前記送信者のコンピュータのプロセッサに、前記受信者が解読鍵を取得するために必要な、受信確認返信要求情報を指定させる工程であって、前記受信確認返信要求情報は、返信アドレスと、前記受信者に送信されるメッセージに対応するメッセージ識別子とを含む、該工程と、
前記送信者のコンピュータのプロセッサに、前記受信者の識別情報および前記受信確認返信要求情報から暗号鍵を導かせる工程と、
前記送信者のコンピュータのプロセッサに、前記受信者の識別情報および前記受信確認返信要求情報から導かれた前記暗号鍵および双線形写像を使用してメッセージを暗号化させる工程であって、前記メッセージを暗号化させる工程は、前記送信者のコンピュータが、代数群の要素Ｐを得て、秘密乱数ｒを選択し、かつｒＰの値を計算する工程を含む、該工程と、
前記送信者のコンピュータのプロセッサに、暗号化されたメッセージおよび計算された値ｒＰを前記送信者のコンピュータから前記受信者のコンピュータに送信させる工程と、
前記受信者のコンピュータに、前記暗号化されたメッセージ及び計算された前記値ｒＰを受信させる工程と、
個人鍵作成器に、前記暗号化されたメッセージの前記受信者からの解読鍵の要求を受信させる工程であって、前記解読鍵の要求は、前記受信確認返信要求情報及び前記受信者の識別情報を含む、該工程と、
前記解読鍵の要求を受け取った後、前記個人鍵作成器に、前記メッセージの受信確認返信を前記送信者のコンピュータに与えさせる工程と、
前記個人鍵作成器に、前記暗号鍵に前記代数群の持つ群作用を適用することによって解読鍵を作成させ、作成された前記解読鍵を受信者に送信させる工程と、
前記受信者のコンピュータのプロセッサに、前記解読鍵を受け取った後、前記解読鍵および前記双線形写像を使用して前記暗号化されたメッセージを解読させる工程とを含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記個人鍵作成器に、前記解読鍵の要求を受け取った後、受信結果をログの一部として記憶媒体上に格納させる工程を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月10日(2015.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】可変周波数弾性表面波変換器とこれを用いた電子装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電・電歪物質基板１の表面或いは圧電薄膜基板にすだれ状電極を配置して弾性表面波を励振或いは伝搬してきた弾性表面波を受信する弾性表面波変換器において、基本動作周波数での波長をλとして、基板１の表面に、正電極５と負電極６との電極間距離がほぼλ/2でその幅がほぼλ/4の電極、正電極５と負電極６が、導体薄膜3、2に結線され, 取り出し電極3、2は、入出力端子に接続され、一方の電極幅がλ/4、その電極間距離がλ/2の正電極７と負電極６が取り出し電極４、２に接続され、この取り出し電極4、2は、可変インピーダンス素子に接続されたすだれ状電極弾性表面波変換器、及びすだれ状電極弾性表面波共振器とこれらの変換器及び共振器を用いた電子装置。
【請求項２】
圧電・電歪物質基板１の表面或いは圧電薄膜基板にすだれ状電極を配置して弾性表面波を励振或いは伝搬してきた弾性表面波を受信する弾性表面波変換器において、基本動作周波数での波長をλとして、基板１の表面に、電極幅がλ/4、その電極間距離がλ/2の正電極１２と負電極６が、取り出し導体薄膜１１、２に結線され, 取り出し電極１１，２は、入出力端子に接続され、一方、この電極の両側に、反射電極として、その電極幅がλ/4、その電極間距離がλ/2の負電極２−１と正電極１４が電極間距離がほぼλ/2で配置され、負電極６と正電極１４が取り出し電極２−１、１３に接続され、取り出し電極２−１，１３は、可変インピーダンス素子に接続されたすだれ状電極弾性表面波共振器及び取り出し電極２−１が可変容量を通して負電極に接続された弾性表面波共振器とこれらの共振器を用いた電子装置。
【請求項３】
圧電・電歪物質基板１の表面或いは圧電薄膜基板にすだれ状電極を配置して弾性表面波を励振或いは伝搬してきた弾性表面波を受信する弾性表面波変換器において、基本動作周波数での波長をλとして、基板１の表面に、その電極幅がλ/4、その電極間距離がλ/2の正電極１２と負電極６が、取り出し導体薄膜１１、２に結線され, 取り出し電極１１，２は、入出力端子に接続され、一方、この電極の両側に反射電極を配置した構造であり、反射電極は、その電極幅がλ/4、その電極間距離がλ/2の短絡電極６に接続されたすだれ状電極とその電極幅がλ/4、その電極間距離がλ/2の負電極６と正電極１４の電極間距離が取り出し電極２、１３に接続され、取り出し電極２，１３は、可変インピーダンス素子１０に接続された電極とが交互に配置されたすだれ状電極弾性表面波共振器及び取り出し電極２が可変容量を通して負電極に接続された弾性表面波共振器とこれらの変換器を用いた電子装置。
【請求項４】
圧電・電歪物質基板１の表面或いは圧電薄膜基板にすだれ状電極を配置して弾性表面波を励振或いは伝搬してきた弾性表面波を受信する弾性表面波変換器において、基本動作周波数での波長をλとして、基板１の表面に、その電極幅がλ/4、その電極間距離がλ/2の正電極５と負電極６が、取り出し導体薄膜３と２に結線され, 取り出し電極２と３は、入出力端子に接続され、一方、その電極幅がλ/4、その電極間距離がλ/2の負電極６と浮き電極１５が配置され、浮き電極１５と負電極６の表面に、ギャップGをもつ電極１６を配置し、このギャップを変化させた構造のすだれ状変換器と共振器及びこれらの変換器を用いた電子装置。
【請求項５】
圧電・電歪物質基板１の表面或いは圧電薄膜基板にすだれ状電極を配置して弾性表面波を励振或いは伝搬してきた弾性表面波を受信する弾性表面波変換器において、基本動作周波数での波長をλとして、基板１の表面に、その電極幅がλ/4、その電極間距離がλ/2の正電極５と負電極６が、取り出し導体薄膜３と２に結線され, 取り出し電極３、２は、入出力端子に接続され、一方、この電極の両側に、反射電極として、その電極幅がλ/4、その電極間距離がλ/2の負電極２２と正電極２１が配置され、この反射電極の表面に、ギャップGをもつ電極１８を配置し、このギャップを変化させた構造の弾性表面波共振器及びこれらの共振器を用いた電子装置。
【請求項６】
圧電板、圧電薄膜中を伝搬するラム波、SH波を用いた変換器において、基板の上下面に、その電極幅がλ/4、その電極間距離がλ/2の正電極５と負電極６が送受電極に接続され、一方その電極幅がλ/4、その電極間距離がλ/２の正電極と負電極６が可変インピーダンス素子（可変容量など）に接続した構造の弾性波変換器と共振器、及びこれらの変換器を用いた電子装置。
【請求項７】
特許請求の範囲、第1項、第2項、第3項、第4項、第5項において、上記の電極及び金属膜としてAl,  Cu,  Mo、 Au, Ag, W, Ti、、或いはこれらの合金、また上記の電極上に誘電体膜を付着させた基板として、SiO2, SiO, ZnO, LiNbO３, Ta2O5, PZT, ガラスの薄膜を付着させた構造のすだれ状電極弾性表面波変換器と共振器及びこれを用いた電子装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月29日(2015.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の第１セグメントを生成するため、第１データユニットをセグメント化し、前記複数の第１セグメントの各セグメントに第１フィールドと第２フィールドとを有する情報を付加し、ここで、前記第１フィールドは、対応するセグメントが制御情報又はトラフィックデータを含むか示すのに利用され、前記第２フィールドは、対応する第１データユニットを特定するのに利用され、前記複数の第１セグメントの１以上から第２データユニットを構成するプロセッサと、
前記第２データユニットを送信する送信機と、
前記複数の第１セグメントの１以上に対する再送リクエストを受信する受信機と、
複数の第２セグメントを構成するため、前記複数の第１セグメントの少なくとも１つを再セグメント化する前記プロセッサと、
を有するポータブルデバイス。
【請求項２】
前記プロセッサは、下位レイヤから受信したサイズ情報に従って前記第１データユニットをセグメント化する、請求項１記載のポータブルデバイス。
【請求項３】
前記再送リクエストは、前記第２データユニットが欠落していることを示す、請求項１記載のポータブルデバイス。
【請求項４】
前記再送リクエストは、１以上の新たなセグメントを構成するため、欠落したセグメントを示す、請求項１記載のポータブルデバイス。
【請求項５】
１以上の新たなセグメントを構成するため、前記欠落したセグメントを再セグメント化する、請求項４記載のポータブルデバイス。
【請求項６】
前記再送リクエストは、前記欠落したセグメントの位置を特定する、請求項４記載のポータブルデバイス。
【請求項７】
前記再セグメント化は、下位レイヤにより示されるサイズ情報に従って実行される、請求項６記載のポータブルデバイス。
【請求項８】
前記第１データユニットを格納するバッファを更に有する、請求項２記載のポータブルデバイス。
【請求項９】
アンテナを更に有する、請求項３記載のポータブルデバイス。
【請求項１０】
前記第２データユニットは、前記再送リクエストに応答して再セグメント化される、請求項１記載のポータブルデバイス。
【請求項１１】
バッファからデータユニットを受信し、
複数の第１セグメントを生成するため、前記データユニットをセグメント化し、ここで、前記データユニットは下位レイヤから受信したサイズ情報に従ってセグメント化され、
前記複数の第１セグメントの各セグメントに第１フィールドと第２フィールドとを有する情報を付加し、ここで、前記第１フィールドは、対応するセグメントが制御情報又はトラフィックデータを含むか示すのに利用され、前記第２フィールドは、対応する第１データユニットを特定するのに利用され、
ブロックを構成するため、前記複数のセグメントの１以上のセグメントを合成し、
無線通信システムにおける送信のため、前記ブロックを下位レイヤに送信し、
前記複数のセグメントのセグメントが欠落しているという指示を前記下位レイヤから受信するプロセッサ。
【請求項１２】
複数の第２セグメントを構成するため、前記複数のセグメントから少なくとも１つのセグメントを再セグメント化することを更に有する、請求項１１記載のプロセッサ。
【請求項１３】
前記欠落したセグメントの位置を決定することを更に有する、請求項１２記載のプロセッサ。
【請求項１４】
前記再セグメント化されたセグメントを有する他のブロックを構成することを更に有する、請求項１３記載のプロセッサ。
【請求項１５】
前記第２データユニットは、前記再送リクエストに応答して再セグメント化される、請求項１１記載のプロセッサ。
【請求項１６】
ポータブルデバイスを利用して無線通信システムにおいて通信する方法であって、
バッファからデータユニットを受信するステップと、
複数の第１セグメントを生成するため、前記データユニットをセグメント化するステップであって、前記データユニットは、下位レイヤから受信したサイズ情報に従ってセグメント化される、セグメント化するステップと、
前記複数のセグメントのそれぞれに情報を付加するステップであって、前記情報は、対応するセグメントがトラフィックデータを有することを示すための第１フィールドと、前記複数のセグメント内の前記対応するセグメントの位置を示すための第２フィールドとを有する、付加するステップと、
ブロックを構成するため、前記複数のセグメントの２以上のセグメントを合成するステップと、
前記ポータブルデバイスから前記ブロックを送信するステップと、
を有する方法。
【請求項１７】
下位レイヤから受信したサイズ情報に従って前記第１データユニットをセグメント化するステップを更に有する、請求項１６記載の方法。
【請求項１８】
前記複数のセグメントの少なくとも１つのセグメントを更にセグメント化するステップを更に有する、請求項１７記載の方法。
【請求項１９】
前記第２データユニットは、前記再送リクエストに応答して再セグメント化される、請求項１６記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月2日(2015.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子デバイスを用いて画像を処理する方法であって、
取得された第１の画像を前記第１の画像の画像幅を収納できる大きさのラインバッファを用いて処理することと、
前記ラインバッファを用いて、第２の画像の第１の縦縞及び第２の縦縞を含む縦縞を処理することとを備え、
前記第２の画像は、前記第１の画像の画像幅よりも大きい画像幅を有し、前記第２の画像の前記縦縞は、前記ラインバッファ内に収まる幅を定め、
前記ラインバッファの幅は、前記電子デバイスのビューファインダ画像の画像幅にしたがってサイズされ、前記ラインバッファの幅のおのおのは、前記第１の画像の画像幅に対応するラインバッファ幅を定義し、前記ラインバッファ幅と前記第１の画像の画像幅との両方が、前記ビューファインダによって表示される画像の画像幅に対応する、
方法。
【請求項２】
前記第２の画像の縦縞を処理することは、
前記第１の縦縞の連続するラインをロードすることと、
第１の連続する処理された結果を前記ラインバッファに書き戻すことと、
前記第１の連続する処理された結果をロードすることと、
第２の連続する処理された結果を複数の処理されたラインバッファに書き戻すことと
を備える請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第２の画像の縦縞を処理することは、
前記第２の縦縞の連続するラインをロードすることと、
第３の連続する処理された結果を前記複数の処理されたラインバッファに書き戻すことと、
前記第３の連続する処理された結果をロードすることと、
第４の連続する処理された結果を前記複数の処理されたラインバッファに書き戻すことと
を備える請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記第１の画像を処理することは、
前記第１の画像の連続するラインをロードすることと、
第５の連続する処理された結果を前記複数の処理されたラインバッファに書き戻すことと、
前記第５の連続する処理された結果をロードすることと、
第６の連続する処理された結果を前記複数の処理されたラインバッファに書き戻すことと
を備える請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記第１の画像は、画像取得装置から直接処理される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
複数の生ラインバッファ及び複数の処理されたラインバッファを含むメモリを有するデバイスの画像を処理する方法において、前記方法は、
第１の画像処理モジュール及び第２の画像処理モジュールを備えるフロントエンド処理ユニットを提供することを備え、前記フロントエンド処理ユニットを提供することは、
前記ラインバッファを用いて、ビューファインダ画像を処理することと、ここで、前記ラインバッファの幅は、前記ビューファインダ画像を収納できる大きさであり、
前記デバイスを用いて、第１の画像の幅より大きい幅を有する第２の画像を取得することと、
前記ラインバッファを用いて、前記第２の画像の第１の縦縞及び第２の縦縞を含む縦縞を処理することとを備え、
前記第２の画像の前記縦縞は、前記ラインバッファ内に収める幅を定め、
前記ラインバッファの幅は、前記デバイスのビューファインダ画像の画像幅にしたがってサイズされ、前記ラインバッファの幅のおのおのは、前記第１の画像の幅に対応するラインバッファ幅を定義し、前記ラインバッファ幅と前記第１の画像の幅との両方が、前記ビューファインダによって表示される画像の画像幅に対応する、
方法。
【請求項７】
前記第２の画像の縦縞を処理することは、前記第１の縦縞の連続するラインを前記第１の画像処理モジュールにロードすることを備える請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記第１の画像は、画像取得装置から直接処理される請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記第１の画像処理モジュール及び前記第２の画像処理モジュールは、２次元フィルタリングモジュール、デモザイクモジュール、レンズロールオフ補正モジュール、拡大縮小モジュール、１つ以上の色補正モジュール、１つ以上の色変換モジュール、ノイズ低減フィルタリングモジュール及び空間フィルタリングモジュールの各々１つである請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
画像処理デバイスであって、
複数の生のラインバッファ及び複数の処理されたラインバッファを含むメモリと、
第２の画像の縦縞を定めるメモリコントローラと、ここで、前記縦縞は、第１の縦縞及び第２の縦縞を含み、
第１の画像処理モジュール及び第２の画像処理モジュールを含む処理ユニットとを備え、
前記処理ユニットは、前記ラインバッファを用いて前記第２の画像の前記縦縞を処理するように構成され、前記ラインバッファは、前記第２の画像の幅より小さい幅を定め、
前記ラインバッファの幅は、前記画像処理デバイスのビューファインダ画像の画像幅にしたがってサイズされ、前記ラインバッファの幅のおのおのは、第１の画像の幅に対応するラインバッファ幅を定義し、前記ラインバッファ幅と前記第１の画像の幅との両方が、前記ビューファインダによって表示される画像の画像幅に対応する、
画像処理デバイス。
【請求項１１】
前記メモリコントローラは、前記第１の縦縞の連続するラインを前記第１の画像処理モジュールにロードするように構成された請求項１０に記載の画像処理デバイス。
【請求項１２】
前記メモリコントローラは、前記第１の連続する処理された結果を前記第２の画像処理モジュールにロードするようにさらに構成された請求項１１に記載の画像処理デバイス。
【請求項１３】
前記メモリコントローラは、前記第１の画像を処理しないようにさらに構成された請求項１０に記載の画像処理デバイス。
【請求項１４】
前記処理ユニットは、画像処理パイプラインを含み、前記処理ユニットは、画像取得装置から第１の画像を直接処理するように構成された請求項１０に記載の画像処理デバイス。
【請求項１５】
前記デバイスは、無線電話を備える請求項１０に記載の画像処理デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月7日(2015.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ＳＯＩ基板の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース基板を、上部支持台に設置し、
表面に絶縁層が形成され、且つ内部に微小気泡領域が形成されたボンド基板を、少なくともその一端がはみ出す状態に、下部支持台に設置し、
前記一端の一部が最初に前記ベース基板と接触するように、前記ボンド基板を前記ベース基板の設置面に対して傾斜角を持たせた状態で前記ボンド基板と前記ベース基板を近接させ、
前記一端の一部が前記ベース基板に接触し、接触箇所および前記接触箇所の近傍に押圧を加えることにより、前記下部支持台の端部を支点として前記ボンド基板の一部を前記下部支持台から浮かせて、前記ボンド基板と前記ベース基板を自発的に貼り合わせ、
前記ボンド基板に対して加熱処理を行い、
前記ボンド基板を前記ベース基板から分離して、前記ボンド基板の一部および前記ボンド基板表面に形成された前記絶縁層を前記ベース基板に転載することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記ベース基板は前記ボンド基板より大きく、
前記ベース基板に対して前記ボンド基板を複数枚貼り合わせ、
前記複数枚のボンド基板に対して加熱処理を行い、
前記複数枚のボンド基板を前記ベース基板から分離して、前記複数枚のボンド基板の一部および前記複数枚のボンド基板表面に形成された前記絶縁層を前記ベース基板に転載することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記下部支持台からの前記ボンド基板のはみ出し量が、前記ボンド基板面積の５％以上５０％以下となる状態に設置することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記ベース基板に対する前記ボンド基板の傾きを０度より大きく３度より小さくして、前記ベース基板と前記ボンド基板の一端の一部を接触させることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月30日(2015.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電型半導体層、活性層及び第２の導電型半導体層を含む発光構造物；
第１の電極層；
前記発光構造物と前記第１の電極層との間に配置された第２の電極層；及び
前記第２の導電型半導体層の下側で前記第２の電極層の縁部を取り囲み、前記第２の電極層と前記第１の電極層との間に配置された絶縁層；を含み、
前記第１の電極層は、前記第２の電極層、前記第２の導電型半導体層及び前記活性層を貫通して前記第１の導電型半導体層に接し、
前記第２の電極層は、前記第２の導電型半導体層と接し、互いに所定間隔だけ離隔して配置された複数の第１の反射層を有する発光素子。
【請求項２】
前記第１の反射層は無指向性反射層である、請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記第１の反射層は前記絶縁層と同一の物質で形成される、請求項１又は２に記載の発光素子。
【請求項４】
前記第１の反射層はＳｉＯ２、ＳｉＯｘ、ＳｉＯｘＮｙ、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３を含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項５】
前記無指向性反射層の屈折率は前記第２の導電型半導体層の屈折率より小さい、請求項２〜４のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項６】
前記無指向性反射層は真空、空気、水、ＳｉＯ２又はＳｉ３Ｎ４を含む、請求項２〜５のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項７】
前記第２の電極層は、前記第２の導電型半導体層と前記絶縁層との間に配置された伝導性透明層を含み、
前記無指向性反射層は前記伝導性透明層の間に配置された、請求項２〜６のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項８】
前記伝導性透明層はパターンを有する、請求項７に記載の発光素子。
【請求項９】
前記第２の電極層は、前記無指向性反射層の下部に配置された第２の反射層をさらに含む、請求項２〜８のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１０】
前記伝導性透明層は前記第２の導電型半導体層と接する、請求項７〜９のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１１】
前記第２の反射層は前記伝導性透明層の下部に配置された、請求項９又は１０に記載の発光素子。
【請求項１２】
前記無指向性反射層と前記伝導性透明層は、前記第２の反射層の上部の同一平面上に配置された、請求項９〜１１のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１３】
前記伝導性透明層の開放された一側領域の上部に配置された電極パッドをさらに含む、請求項７〜１２のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１４】
第１の導電型半導体層、活性層及び第２の導電型半導体層を含む発光構造物；
第１の電極層；
前記発光構造物と前記第１の電極層との間に配置され、前記第２の導電型半導体層と接する第２の電極層；及び
前記第２の導電型半導体層の下側で前記第２の電極層の縁部を取り囲み、前記第２の電極層と前記第１の電極層との間に配置された絶縁層；を含み、
前記第１の電極層は、前記第２の電極層、前記第２の導電型半導体層及び前記活性層を貫通して前記第１の導電型半導体層に接する発光素子。
【請求項１５】
前記第２の電極層は、前記第２の導電型半導体層と前記絶縁層との間に配置された伝導性透明層を含む、請求項１４に記載の発光素子。
【請求項１６】
前記第２の電極層は、前記伝導性透明層と前記絶縁層との間に配置された第１の反射層をさらに含む、請求項１５に記載の発光素子。
【請求項１７】
前記第２の電極層は前記第２の導電型半導体層とオーミック接触する物質を含む、請求項１〜１６のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１８】
前記伝導性透明層は、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＡＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ａｌｕｍｉｎｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｇａｌｌｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｇａｌｌｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＡＺＯ（ａｌｕｍｉｎｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＡＴＯ（ａｎｔｉｍｏｎｙ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）又はＧＺＯ（ｇａｌｌｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）のうち少なくとも一つを含む、請求項７〜１３及び請求項１５〜１７のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１９】
前記伝導性透明層の強度は前記第２の導電型半導体層の強度と同一である、請求項７〜１３及び請求項１５〜１８のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項２０】
前記発光構造物の側面と前記絶縁層の側壁を覆う保護層をさらに含む、請求項１〜１９のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項２１】
前記保護層は、前記第１の導電型半導体層の上面を覆うように配置された、請求項２０に記載の発光素子。
【請求項２２】
前記絶縁層は、
前記第２の導電型半導体層の下側の前記第２の電極層の縁部を取り囲むように配置された第１の部分；及び
前記第１の電極層と前記第２の電極層との間に配置され、前記第１の部分から延長される第２の部分；を含み、
前記保護層は、前記第２の部分のトップと前記絶縁層の前記第１の部分の側壁に配置される、請求項２０に記載の発光素子。
【請求項２３】
前記絶縁層の前記第１の部分は、前記保護層の側壁と、前記第２の導電型半導体層の下側の前記第２の電極層の縁部との間に配置される、請求項２２に記載の発光素子。
【請求項２４】
前記伝導性透明層の強度は前記絶縁層の強度と同一である、請求項７〜１３及び請求項１５〜２３のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項２５】
請求項１〜２４のいずれか１項に記載の発光素子を含む発光素子パッケージ。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月24日(2015.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上のシリコンを含むゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上において、少なくとも前記酸化物半導体膜と重畳するゲート電極と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、前記ゲート絶縁膜側の界面から前記酸化物半導体膜に向けてシリコンの濃度が１．１原子％以下の濃度で分布する第１の領域を有する半導体装置。
【請求項２】
酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上のシリコンを含むゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上において、少なくとも前記酸化物半導体膜と重畳するゲート電極と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、前記ゲート絶縁膜側の界面から前記酸化物半導体膜に向けてシリコンの濃度が１．１原子％以下の濃度で分布する第１の領域を有し、
前記酸化物半導体膜は、前記第１の領域とは異なる第２の領域を有し、
前記第２の領域に含まれるシリコンの濃度は、前記第１の領域に含まれるシリコンの濃度より小さい半導体装置。
【請求項３】
酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上のシリコンを含むゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上において、少なくとも前記酸化物半導体膜と重畳するゲート電極と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、第１の領域と、第２の領域とを有し、
前記第１の領域は、前記第２の領域よりも、前記ゲート絶縁膜側に位置し、
前記第１の領域に含まれるシリコンの濃度は、１．１原子％以下であり、
前記第２の領域に含まれるシリコンの濃度は、前記第１の領域に含まれるシリコンの濃度より小さい半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月16日(2015.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】化合物
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｇ１）で表される化合物。
【化１】
2013102146.tif 000001
（式中、Ａｒは、置換又は無置換の炭素数６〜１０のアリール基を表し、αは、置換又は無置換のフェニレン基を表し、Ｒ１〜Ｒ１２はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜４のアルキル基のいずれかを表す。また、Ｒ１３〜Ｒ２０は、それぞれ独立に水素原子、炭素数１〜６のアルキル基のいずれかを表す。また、ｎは、０または１である。）
【請求項２】
式（Ｇ２）で表される化合物。
【化２】
2013102146.tif 000002
（式中、Ａｒは、置換又は無置換の炭素数６〜１０のアリール基を表し、Ｒ１〜Ｒ１２はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜４のアルキル基のいずれかを表す。また、Ｒ１３〜Ｒ２０は、それぞれ独立に水素原子、炭素数１〜６のアルキル基のいずれかを表す。）
【請求項３】
式（Ｇ３）で表される化合物。
【化３】
2013102146.tif 000003
（式中、Ｒ１〜Ｒ１２およびＲ２１〜Ｒ２５は、それぞれ独立に水素原子、炭素数１〜４のアルキル基のいずれかを表す。）
【請求項４】
式（１００）または式（１０８）で表される化合物。
【化４】
2013102146.tif 000004
【化５】
2013102146.tif 000005