(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
屈曲可能なベース基板の一方の面に基材を貼り付け、
所定の工程を、前記ベース基板を前記基材で補強した状態で行い、
前記基材の一部を取り除き、前記一方の面に、前記基材が貼り付けられていない第１の部分と、前記基材が貼り付けられた第２の部分と、を形成する工程を含み、
前記所定の工程は、前記ベース基板に、他の部材との接合部を有する配線パターンを形成することを含み、
前記第１及び第２の部分の形成工程で、前記第２の部分を、前記ベース基板における前記配線パターンの前記接合部が形成された部分を含むように形成する配線基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の配線基板の製造方法において、
前記ベース基板は、長尺状をなし、
前記ベース基板を、前記基材を貼り付けた状態で一対のリールに掛け渡し、前記ベース基板を一方のリールから引き出して他方のリールに巻き取らせる間に前記所定の工程を行う配線基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２記載の配線基板の製造方法によって製造された配線基板。
【請求項４】
屈曲可能なベース基板と、
前記ベース基板の一方の面に形成されるとともに、他の部材との接合部を有する配線パターンと、
前記ベース基板の他方の面に部分的に貼り付けられた基材と、
を含み、
前記ベース基板は、前記基材が貼り付けられていない第１の部分と、前記基材が貼り付けられ前記第１の部分よりも屈曲しにくい第２の部分と、を有し、
前記第２の部分は、前記ベース基板における前記配線パターンの前記接合部が形成された部分を含む配線基板。
【請求項５】
請求項４記載の配線基板において、
前記第２の部分は、半導体チップの搭載領域に対応して形成された配線基板。
【請求項６】
請求項４又は請求項５記載の配線基板と、前記配線基板に搭載された半導体チップと、を含む半導体装置。
【請求項７】
請求項６記載の半導体装置が電気的に接続された回路基板。
【請求項８】
請求項６記載の半導体装置を有する電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線基板及びその製造方法、半導体装置、回路基板並びに電子機器に関する。
【０００２】
【発明の背景】
極めて薄い長尺状のベース基板をリール・トゥ・リールの工程で製造するときに、ベース基板の裏面に別の裏打ちテープを貼り付けることで剛性を確保し、ベース基板を円滑に搬送している。その後、裏打ちテープは剥がされ、極めて薄いベース基板を有する半導体装置が完成する。
【０００３】
ところで、極めて薄いベース基板は、屈曲が容易である点で、実装するときの自由度が広がるという長所を有する。しかし、その反面で例えば、コネクタによって挟む部分が薄すぎて挟めない場合や、配線パターンの接合部の領域が屈曲して半導体チップとの電気的接続が図れない場合があり、半導体装置の信頼性を損なう場合があった。
【０００４】
本発明はこの問題点を解決するためのものであり、その目的は、ベース基板の屈曲性を確保しつつ、製品の信頼性を高めることができる配線基板及びその製造方法、半導体装置、回路基板並びに電子機器を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
（１）本発明に係る配線基板の製造方法は、
屈曲可能なベース基板の一方の面に基材を貼り付け、
所定の工程を、前記ベース基板を前記基材で補強した状態で行い、
前記基材の一部を取り除き、前記一方の面に、前記基材が貼り付けられていない第１の部分と、前記基材が貼り付けられた第２の部分と、を形成する工程を含み、
前記所定の工程は、前記ベース基板に、他の部材との接合部を有する配線パターンを形成することを含み、
前記第１及び第２の部分の形成工程で、前記第２の部分を、前記ベース基板における前記配線パターンの前記接合部が形成された部分を含むように形成する。
【０００６】
本発明によれば、所定の工程を行うためにベース基板に基材を貼り付け、その基材の一部を取り除くことによって、第１及び第２の部分を形成する。これにより、ベース基板を、第１の部分において屈曲しやすくし、第２の部分において第１の部分よりも屈曲しにくくすることができる。そして、第２の部分は、ベース基板における配線パターンの接合部が形成された部分を含むように形成するので、配線パターンの接合部を屈曲しにくいようにすることができる。すなわち、配線基板の接合部を補強して平坦にすることで、配線基板と例えば半導体チップとの電気的接続の信頼性を高めることができる。また、例えば、ベース基板に基材を貼り付け、その後に剥がすという工程で、容易に第１及び第２の部分を形成できる。
【０００７】
（２）この配線基板の製造方法において、前記ベース基板は、長尺状をなし、
前記ベース基板を、前記基材を貼り付けた状態で一対のリールに掛け渡し、前記ベース基板を一方のリールから引き出して他方のリールに巻き取らせる間に前記所定の工程を行ってもよい。
【０００８】
これにより、リールによってベース基板を搬送させるために補強した基材を使用して、ベース基板に第１及び第２の部分を形成できる。
【０００９】
（３）本発明にかかる配線基板の製造方法は、前記所定の工程は、前記ベース基板に配線パターンを形成する工程を含む。
【００１０】
これにより、ベース基板に配線パターンを形成し、かつ、部分的にベース基板を補強した配線基板を製造できる。
【００１１】
（４）本発明に係る配線基板は、上記配線基板の製造方法によって製造されてなる。
【００１２】
（５）本発明に係る配線基板は、
屈曲可能なベース基板と、
前記ベース基板の一方の面に形成された配線パターンと、
前記ベース基板の他方の面に部分的に貼り付けられた基材と、
を含み、
前記ベース基板は、前記基材が貼り付けられていない第１の部分と、前記基材が貼り付けられ前記第１の部分よりも屈曲しにくい第２の部分と、を有する。
【００１３】
本発明によれば、ベース基板を、第１の部分において屈曲しやすくし、第２の部分において第１の部分よりも屈曲しにくくすることができる。すなわち、部分的にベース基板を補強することができる。これにより、補強した第２の部分において半導体チップ等の他の部材を接続して、配線基板と半導体チップ等との接続信頼性を高めることができる。したがって、屈曲させたい部分では容易に屈曲可能であり、かつ、半導体チップ等の他の部材との接続信頼性を高めた配線基板を提供することができる。
【００１４】
（６）本発明に係る配線基板は、前記配線パターンは他の部材との接合部を有し、
前記第２の部分は、前記ベース基板における前記配線パターンの前記接合部が形成された部分を含む。
【００１５】
これにより、配線基板における配線パターンの接合部を屈曲しにくいようにすることができる。すなわち、配線基板の接合部を補強して平坦にすることで、配線基板と、例えば半導体チップとの電気的接続の信頼性を高めることができる。
【００１６】
また、配線パターンの接合部が形成された領域を含んで基材が形成されることで、その領域を厚く形成できる。これにより、極めて薄いベース基板を使用した場合でも、例えばコネクタなどによって配線基板の接合部を容易に挟むことができる。
【００１７】
（７）この配線基板において、前記第２の部分は、半導体チップの搭載領域に対応して形成されてもよい。
【００１８】
これにより、ベース基板の半導体チップの搭載領域を、補強して平坦にすることができる。したがって、半導体チップとの接続信頼性を高めた配線基板を提供することができる。
【００１９】
（８）本発明に係る半導体装置は、上記配線基板と、前記配線基板に搭載された半導体チップと、を含む。
【００２０】
（９）本発明に係る回路基板は、上記半導体装置が電気的に接続されている。
【００２１】
（１０）本発明に係る電子機器は、上記半導体装置を有する。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施の形態について図面を参照して説明する。ただし、本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではない。
【００２３】
図１は、本実施の形態に係る配線基板の平面図を示す図である。また、図２（Ａ）及び図２（Ｂ）は本実施の形態に係る配線基板の製造方法を示す図であり、図２（Ｂ）は図１におけるＩＩＢ−ＩＩＢ線断面図である。なお、図３は、本実施の形態に係る半導体装置を説明するための図である。本実施の形態における配線基板は、ベース基板１０と、配線パターン２０と、基材３０と、を含む。
【００２４】
ベース基板１０は、屈曲できるものである。ベース基板１０は、有機系の材料から形成されたものであってもよい。有機系の材料から形成された基板１０として、例えばポリイミド樹脂などからなるフレキシブル基板が挙げられる。フレキシブル基板として、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）と呼ばれる基板を使用してもよい。フレキシブル基板は、極めて薄く（例えば２５〜４０μｍ程度）形成されているものが多く、これによりベース基板１０を容易に屈曲させて、実装形態の自由度を高めることができるという利点がある。本発明は、このような極めて薄いベース基板１０を使用する場合に、特に効果的である。なお、ベース基板１０は、上述とは別に、無機系の材料を含むものであってもよい。
【００２５】
図１に示すように、ベース基板１０は、長尺状をなすものであってもよい。長尺状のベース基板１０は、いわゆるリール・トゥ・リールの工程に使用されるものであってもよい。すなわち、本実施の形態に係る配線基板は、完成品として長尺状をなしていてもよい。この場合に、長尺状のベース基板１０には、幅方向の両側端部であって、長さ方向に並ぶ複数のスプロケットホール１２が形成されてもよい。スプロケットホール１２に、スプロケット（図示しない）を噛み合わせることで、ベース基板１０は長手方向に搬送することが可能となる。
【００２６】
あるいは、本実施の形態に係る配線基板は、ベース基板１０が既に個片切断されたものであってもよく、その形状は限定されない。ベース基板１０の個片切断されたものとして、上述の長尺状をなすベース基板１０の一部が打ち抜かれたものであってもよい。
【００２７】
配線パターン２０は、基板１０の一方の面に形成されている。配線パターン２０は、直線又は曲線形状をなして形成されてもよく、一部が屈曲して形成されてもよい。また、図１に示す例では、配線パターン２０は、ベース基板１０の長手方向に沿って延びて形成されているが、これに限定されず、幅方向又はあらゆる方向に延びて形成されても構わない。
【００２８】
配線パターン２０は、一層又は複数層から形成される。配線パターン２０は、例えば、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタンタングステン（ＴｉＷ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケルバナジウム（ＮｉＶ）、タングステン（Ｗ）のいずれか一つ又は複数の材料によって形成されてもよい。配線パターン２０は、金属箔状に設けられたものをエッチングして形成されてもよい。あるいは、配線パターン２０は、スパッタリング又はメッキ処理（電解メッキ又は無電解メッキ）等で形成されてもよい。また、配線パターン２０は、接着剤を介してベース基板１０に貼り付けられてもよく、あるいは接着剤なしで形成されてもよい。ベース基板１０に配線パターン２０が形成されることで、それらを配線基板と称することができる。
【００２９】
配線パターン２０は、他の部材との接合部２２を有する。接合部２２は複数形成される。詳しくは、接合部２２は、後述する半導体チップ５０又はその他の電子部品に電気的に接続するためのものである。図１に示す例では、配線パターン２０は、各接合部２２につながる配線を有する。接合部２２は、図示するように接合部２２につながる配線とほぼ同じ幅を有して形成されてもよく、あるいは各配線の幅よりも大きい幅を有する、いわゆるランド部となって形成されてもよい。後者の場合は、接合部２２の面積を広くして電気的接続を確実に図ることができる。なお、接合部２２は、図示するように配線パターン２２の端部に形成されてもよく、あるいは端部以外に形成されてもよい。
【００３０】
配線パターン２０は、その表面にスズメッキなどのメッキ処理が施されていてもよい。また、配線パターン２０は、少なくとも接合部２２を除いて、図示しないレジスト等の保護膜によって覆われていてもよい。これにより、意図しない箇所での配線パターン２０のショートを防止することができる。
【００３１】
図１において破線で示すように基材３０は、ベース基板１０における配線パターン２０が形成された側とは反対側の面に、部分的に貼り付けられている。基材３０の材料は特に限定されないが、例えばベース基板１０と同じ材料からなるものであってもよい。また、基材３０は、ベース基板１０よりも厚く形成されていてもよい（図２（Ｂ）参照）。この場合に、基材３０は、ベース基板１０の数倍厚く形成されていてもよい。こうすることで、基材３０が、ベース基板１０と同じ屈曲可能なものであっても、ベース基板１０を一部において屈曲しにくくすることができる。基材３０は、ベース基板１０に接着剤４０（図２（Ｂ）参照）によって貼り付けられてもよい。なお、基材３０は、その形成部分においてベース基板１０を屈曲しにくくすることができれば、材料、形状及びその他の形態は限定されない。
【００３２】
ベース基板１０に基材３０が部分的に貼り付けられることによって、ベース基板１０には、第１及び第２の部分１４、１６が形成される。詳しくは、第１の部分１４は基材３０から露出しており、第２の部分１６には基材３０が貼り付けられている。言い換えると、第１の部分１４は基材が貼り付けられていない部分であり、第２の部分１６は基材が貼り付けられた部分である。第２の部分１６ではベース基板１０と基材３０とを合わせた厚さを有するので、ベース基板１０自体が屈曲可能であっても、第２の部分１６では屈曲しにくくすることができる。これにより、ベース基板１０を、第１の部分１４において屈曲しやすくし、第２の部分１６において第１の部分１４よりも屈曲しにくくすることができる。
【００３３】
図１に示すように、基材３０が貼り付けられた第２の部分１６は、ベース基板１０の平面視において、ベース基板１０における配線パターン２０の接合部２２が形成された領域を含んでもよい。この場合に、第２の部分１６は、複数の接合部２２を囲む範囲で形成されてもよい。例えば、ベース基板１０の一部に形成された１つの基材３０によって、一群の接合部２２を囲む範囲においてベース基板１０を屈曲しにくくしてもよい。この場合に、ベース基板１０の屈曲性を確保しておきたい部分を除いて、基材３０がベース基板１０に形成されることが好ましい。なお、部分的に形成する基材３０の形状は、図１に示すように矩形であってもよく、その形状は限定されない。
【００３４】
基材３０が接合部２２の領域に形成されることで、配線基板における配線パターン２０の接合部２２を屈曲しにくくすることができる。すなわち、配線基板の接合部２２を補強して平坦にすることで、配線基板と、例えば半導体チップ５０との電気的接続の信頼性を高めることができる。
【００３５】
また、配線パターン２０の接合部２２が形成された領域を含んで基材３０が形成されることで、その領域を厚く形成できる。これにより、極めて薄いベース基板１０を使用した場合でも、例えばコネクタ６０（図３参照）などによって配線基板の接合部２２を容易に挟んで電気的接続を図ることができる。
【００３６】
図１に示すように、第２の部分１６は、ベース基板１０の平面視において、ベース基板１０における半導体チップ５０の搭載領域に対応して形成されてもよい。詳しくは、配線パターン２０の複数の接合部２２のうち、半導体チップ５０と電気的に接続するためのいくつかを囲む範囲で基材３０が形成されてもよい。この場合の基材３０の形状は、例えば半導体チップ５０の外形の相似形であってもよい。また、基材３０は、半導体チップ５０の外形より大きく形成されてもよく、あるいは半導体チップ５０の外形とほぼ同じ大きさで形成されてもよい。基材３０が半導体チップ５０の搭載領域に形成されることで、配線基板の半導体チップ５０の搭載領域を補強して平坦にすることができる。したがって、半導体チップ５０との接続信頼性を高めることができる。
【００３７】
なお、第２の部分１６が形成される部分は、上述に限定されず、ベース基板１０を補強するためのその他の部分に形成されても構わない。例えば、配線基板を液晶パネルに電気的に接続する場合に、ベース基板１０の液晶パネルの端部の領域に基材３０が形成されてもよい。
【００３８】
本実施の形態における配線基板によれば、ベース基板１０を、第１の部分１４において屈曲しやすくし、第２の部分１６において第１の部分よりも屈曲しにくくすることができる。すなわち、部分的にベース基板１０を補強することができる。これにより、補強した第２の部分１６において半導体チップ５０等の他の部材を接続して、配線基板と半導体チップ５０等との接続信頼性を高めることができる。したがって、屈曲させたい部分では容易に屈曲可能であり、かつ、半導体チップ５０等の他の部材との接続信頼性を高めた配線基板を提供することができる。
【００３９】
なお、本実施の形態における配線基板は、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｆｉｌｍ）用基板であってもよく、あるいは、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｃａｌｅ／Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）に使用するインターポーザとなるものであってもよい。また、配線基板は、半導体チップ５０を搭載するためのものであってもよく、あるいはその他の電子部品を搭載するためのものであってもよい。
【００４０】
次に、本実施の形態に係る配線基板の製造方法について説明する。なお、上述の配線基板の説明において記載した事項と重複する部分は省略する。本実施の形態では、屈曲可能なベース基板１０と、基材３０と、を使用する。
【００４１】
図２（Ａ）に示す例では、ベース基板１０として、長尺状をなすものを使用する。長尺状のベース基板１０としてリール・トゥ・リールの工程で使用するものであってもよい。リール・トゥ・リールの工程による製造では、まず、図示しない一対のリールにベース基板１０を掛け渡すことで、長さ方向の一端を一方のリールに巻き取らせ、他端を他方のリールに巻き取らせる。この状態から一方のリールからベース基板１０の一部を引き出し、その一部を他方のリールに巻き取らせるまでの間に所定の工程を行う。所定の工程が複数ある場合は、複数の工程の全部を一つのリール・トゥ・リールの工程で行ってもよく、各工程ごとに一つずつのリール・トゥ・リールの工程で行ってもよい。リール・トゥ・リールの工程では、大量生産に適した、効率良い製造方法を行うことができる。
【００４２】
なお、本発明を適用した配線基板の製造方法は、リール・トゥ・リールの工程で行う製造方法に限定されず、例えば既に個片切断してなるベース基板１０を使用してもよい。
【００４３】
屈曲可能なベース基板１０は極めて薄く形成されているものが多く、このようなベース基板１０ではリールを使用することが困難な場合がある。詳しくは、ベース基板１０があまりに薄すぎてリールによる巻き取りがうまくいかず、これによってベース基板１０をリールで搬送できない場合がある。これを改善するために、ベース基板１０の一方の面に、基材３０を形成する。詳しくは、長尺状のベース基板１０の形状に合わせて基材３０を貼り付け、リールによって搬送する対象物に剛性をもたせて、ベース基板１０のリールによる搬送を可能とする。この場合に、基材３０は、ベース基板１０の裏面に形成する裏打ちテープと称してもよい。本発明は、このように基材３０を使用してリール・トゥ・リールの工程を行う場合に特に効果的である。
【００４４】
図２（Ａ）に示すように、基材３０は、接着剤４０によって貼り付けてもよい。接着剤４０は、リールによる搬送途中において剥がれてしまわないように両者を接着し、かつ、後の工程で部分的に剥がすことのできる性質のものが好ましい。接着剤４０は、熱硬化性、熱可塑性又は紫外線硬化性などのいずれの特徴を有するものであってもよいが、これらに限定されない。接着剤４０は、例えばエポキシ系樹脂を含むものであってもよい。なお、基材３０は、その他の形態によってベース基板１０の一方の面に取り付けられてもよい。
【００４５】
こうしてリールによってベース基板１０を搬送可能とし、ベース基板１０の一部を一方のリールから引き出して他方のリールに巻き取らせる間に、所定の工程を行う。所定の工程は、ベース基板１０を補強した状態で行う工程を示す。すなわち、リール・トゥ・リールの工程では、リールでベース基板１０を搬送させて行う工程を示す。所定の工程は、ベース基板１０に配線パターン２０を形成する工程を含み、その他の工程をさらに含んでもよい。配線パターン２０を形成する工程は、配線パターン２０を形成するステージにベース基板１０の一部を搬送して、そのステージにおいて配線パターン２０をベース基板１０に次々に形成してもよい。なお、配線パターン２０の形成方法は上述の通りである。
【００４６】
所定の工程を終えた後、ベース基板１０に配線パターン２０が形成されてなる配線基板は、長尺状をなす状態のままで半導体チップ５０を搭載する工程を含む半導体装置の製造方法に移ってもよく、あるいは配線基板の一部を打ち抜いて個片切断してから半導体装置の製造方法に移ってもよい。
【００４７】
図２（Ｂ）に示すように、配線パターン２０を形成した後に、基材３０の一部を取り除くことによって、ベース基板１０に第１及び第２の部分１４、１６を形成する。例えば、基材３０の一部を剥がして第１の部分１４を形成し、基材３０の他の部分を残して第２の部分１６を形成する。この工程は、リール・トゥ・リールの工程において行ってもよく、あるいはベース基板１０をリールから取り外した後に行ってもよい。また、基材３０の一部を剥がす工程は、半導体チップ５０を搭載する前に行ってもよく、半導体チップ５０を搭載した後に行ってもよい。なお、基材３０をベース基板１０から剥がす手段は、特に限定されない。
【００４８】
本実施の形態に係る配線基板の製造方法によれば、所定の工程を行うためにベース基板１０に基材３０を貼り付け、その基材３０の一部を取り除くことによって、第１及び第２の部分１４、１６を形成する。これにより、ベース基板１０を、第１の部分１４において屈曲しやすくし、第２の部分１６において第１の部分よりも屈曲しにくくすることができる。すなわち、部分的にベース基板１０を補強することができる。
【００４９】
また、第１及び第２の部分１４、１６は、既存の工程で使用する基材３０を使用すればコストを削減できる。さらに、ベース基板１０に基材３０を貼り付け、その後に剥がすという既存の工程で、容易に第１及び第２の部分１４、１６を形成できる。
【００５０】
また、リール・トゥ・リールの工程を使用する場合は、リールによってベース基板１０を搬送させるために補強した基材３０を使用して、ベース基板１０に第１及び第２の部分１４、１６を形成できる。
【００５１】
次に、本実施の形態に係る配線基板を使用した半導体装置について説明する。図３は、本実施の形態に係る半導体装置を説明するための図である。また、図４は、本実施の形態に係る半導体装置が電気的に接続された回路基板を示す図である。
【００５２】
本実施の形態に係る半導体装置は、上述の配線基板と、半導体チップ５０とを含む。半導体チップ５０は、既に周知のものであってもよい。半導体チップ５０は、複数の電極５２を有する。電極５２は、半導体チップ５０の内部に形成された集積回路の端子である。半導体チップ５０の電極５２の形成された側の面には、各電極５２の少なくとも一部を避けて、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ポリイミド樹脂などからなるパッシベーション膜（図示しない）が形成されていることが多い。
【００５３】
また、電極５２上にはバンプ（図示しない）が形成されていてもよい。バンプは、メッキ処理又はワイヤーによる処理で形成されてもよい。バンプは、金を含むものが多いが、ニッケル又はハンダなどを材料としてもよい。なお、電極５２上のバンプの有無に関わらず、配線パターン２０の接合部２２にバンプを形成してもよい。
【００５４】
半導体チップ５０は、配線基板にフェースダウンボンディングされてもよい。この場合には、配線パターン２０の接合部２２と、電極５２上のバンプとが電気的に接続される。電気的接続は、バンプと、配線パターン２０の接合部２２と、で共晶合金を形成することで接続してもよい。例えば、両者に熱及び圧力を加えて、配線パターン２０の接合部２２上のスズメッキを溶かして、金からなるバンプと接合させてもよい。また、電気的接続は上述に限定されず、ハンダによる接合、異方性導電材料又は絶縁樹脂の収縮力などを利用して、バンプと配線パターン２０の接合部２２とを電気的に接続されてもよい。
【００５５】
図３に示す例では、配線基板には、半導体チップ５０の搭載領域に対応して基材３０が形成されている。すなわち、第２の部分１６が半導体チップ５０の搭載領域に対応して形成されている。これによって、配線基板に搭載された半導体チップ５０を補強することができる。すなわち、配線基板は、半導体チップ５０の搭載領域において屈曲しにくくなっているので、半導体チップ５０と配線パターン２０とを確実に電気的に接続することができる。
【００５６】
さらに、配線基板において、基材３０は、ベース基板１０の接合部２２が形成された領域を含んで形成されている。これにより、配線基板の接合部２２を補強して平坦にすることができるので、例えば回路基板７０（図４参照）などの他の部材との接続信頼性を高めることができる。
【００５７】
また、配線パターン２０の接合部２２が形成された領域を含んで基材３０が形成されることで、その領域を厚く形成できる。すなわち、接合部２２を含む領域に基材３０が形成されることで、配線基板がその一部において周囲よりも厚く形成され、例えば両側から挟む形態を有するコネクタ６０によって挟んで電気的接続を容易に図ることができる。
【００５８】
したがって、屈曲させたい部分では容易に屈曲可能であり、かつ、半導体チップ５０等の他の部材との接続信頼性を高めた半導体装置を提供することができる。
【００５９】
図４に示すように、回路基板７０には、上述の配線基板１を有する半導体装置が電気的に接続されている。回路基板７０は、例えば液晶パネルであってもよい。
【００６０】
なお、図４に示すように、半導体装置は、屈曲させて設けてもよい。詳しくは、配線基板１において基材３０が形成されていない部分で、半導体装置を屈曲させてもよい。この場合に、例えば、回路基板７０の端部の回りに半導体装置を屈曲させてもよい。
【００６１】
本発明を適用した半導体装置を有する電子機器として、図５には、本発明を適用した半導体装置（図示せず）を有するノート型パーソナルコンピュータ８０が示されている。図６には、携帯電話９０が示されている。この携帯電話９０は、本発明を適用した回路基板７０（液晶パネル）も有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明の実施の形態に係る配線基板を示す図である。
【図２】図２（Ａ）及び図２（Ｂ）は、本発明の実施の形態に係る配線基板の製造方法を示す図である。
【図３】図３は、本発明の実施の形態に係る半導体装置を説明するための図である。
【図４】図４は、本発明の実施の形態に係る半導体装置が電気的に接続された回路基板を示す図である。
【図５】図５は、本発明の実施の形態に係る半導体装置を有する電子機器を示す図である。
【図６】図６は、本発明の実施の形態に係る半導体装置を有する電子機器を示す図である。
【符号の説明】
１０  ベース基板
１４  第１の部分
１６  第２の部分
２０  配線パターン
２２  接合部
３０  基材
５０  半導体チップ
【図１】
0003565142.tif 000002
【図２】
0003565142.tif 000003
【図３】
0003565142.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
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