【事件の表示】
　特願２００３−１５７９３２「プラズマ処理方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年１１月　７日出願公開、特開２００３−３１８１５９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１３年４月５日に出願した特願２００１−１０６７５６号の一部を平成１５年６月３日に新たな特許出願としたものであって、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、平成１８年８月３１日付の手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、次のとおりのものである。
　
　「【請求項１】多数の半導体チップが作り込まれた回路形成面に保護テープが貼着され、且つ前工程において機械研磨によって薄化加工されたシリコンウェハの回路形成面の裏側を処理対象面としてエッチング処理を行うプラズマ処理方法であって、下部電極および上部電極が上下に対向して配設された処理室内に配置された載置部上に前記シリコンウェハを前記保護テープを前記載置部に接触させた姿勢で載置し、この処理室内にフッ素系ガスを含むプラズマ発生用ガスを供給した状態でプラズマ放電を発生させて前記機械研磨によって薄化加工面に生成されたストレス層をプラズマ処理によって除去する際に、前記プラズマ処理の定常状態において、前記プラズマ放電によって発生する熱と、前記載置部内を循環する冷媒によって除去される熱がバランスするように温度制御部の温度制御条件を設定し、前記載置部の温度を前記温度制御部によって所定温度条件に制御してシリコンウェハの温度を４０℃以上の温度に保持することにより、前記処理対象面に付着した前記フッ素系ガスの反応生成物の離脱を促進することを特徴とするプラズマ処理方法。」
　
２．引用刊行物及びその摘記事項
　原査定の拒絶の理由に引用した本願出願前に国内において頒布された下記の刊行物１及び刊行物２には、次の事項が記載されている。
　
　刊行物１：特開２０００−１７３９９５号公報（平成１８年７月３日付の　　　　　　拒絶理由通知の引用文献１）
　刊行物２：特開２０００−１３３６３９号公報（同拒絶理由通知の引用文　　　　　　献２）
　
＜刊行物１の摘記事項＞
１ａ）「【００３７】（実施の形態２）・・・本実施の形態２は、シリコン基板の表面に回路を形成した後に、このシリコン基板の回路形成面の裏面を研磨して薄化する工程において、実施の形態１に示すプラズマエッチングを行うものである。
　　【００３８】図５（ａ）において、４０はＳｉウェハであり、Ｓｉウェハ４０の表面には図５（ｂ）に示すように回路４１が形成される。次いで図５（ｃ）に示すように、回路４１を覆って保護樹脂が貼付けられ保護膜４２が形成される。この後Ｓｉウェハ４０は研磨工程に送られ、ここでＳｉウェハ４０は回路形成面の裏面が研磨加工され、薄化処理される。この研磨加工において、研磨加工面の表層には加工歪層４３が残留する。加工歪層４３は研磨加工時の機械的外力によりシリコン表面に発生した応力や微細なクラックが残留したものであり、半導体装置完成後の強度を損なうため除去する必要がある。
　　【００３９】この加工歪層除去は、実施の形態１に示すプラズマエッチングにより行われる。Ｓｉウェハ４０は図１に示すプラズマエッチング装置の処理室５内に載置され・・・る。これにより図５（ｅ）に示すように加工歪層４３が除去されると同時に、除去後のＳｉウェハ４０の下面はより平滑に仕上げられ、応力集中による形状的な強度低下のないＳｉウェハ４０を得ることができる。このとき、図１に示すように下部電極３は冷却装置１４によって冷却されているため、既にＳｉウェハ４０に形成された回路４１が過熱されて損傷することがない。
　　【００４０】この後、図５（ｆ）に示すようにＳｉウェハ４０の表面の保護膜４２が除去され、次いで図５（ｇ）に示すようにダイシング工程に送られて個片の半導体装置４４にカットされて半導体装置の製造工程を完了する。」
　
１ｂ）「【００２５】下部電極３の内部には、冷却用の管路３ｃが設けられ・・・、冷却装置１４と管路３ｃ内を・・・冷却媒体を循環させることにより、プラズマエッチング処理時に発生する熱を冷却媒体に吸収させて、処理対象基板７を冷却することができる。これにより、すでに片面に回路が形成された基板に対しても過熱による回路に対するダメージを生じることなくエッチング処理を行うことができる。
　　【００２６】・・・処理室５内を真空排気した後にガス供給部１０によって前述の混合ガスを処理室５内に供給し、・・・下部電極３に高周波電圧を印加することにより、下部電極３と上部電極６の間にはプラズマ放電が発生する。
　　【００２７】制御部２０は、・・・冷却装置１４・・・を制御することにより、プラズマエッチング装置全体の動作制御を行う。これにより、下部電極３上に載置された基板７を対象としてプラズマエッチング処理が行われる。」
　
１ｃ）「【００３０】・・・このように、酸素とフッ素系ガスの混合ガスのプラズマ中にＳｉを成分とする基板７を載置することにより、基板表面のＳｉを除去するエッチング処理を行うことができる。なお、ＣＦ４の替りにＳＦ６を使用しても同様のエッチング効果を得ることができる。」
　
＜刊行物２の摘記事項＞
２ａ）「【００１２】実施例１
図１は本発明によるプラズマエッチング装置の一実施例である。ガス供給装置１４でＳＦ６と水素ガスを混合し、・・・反応ガス供給管３に注入する。・・・ＳＦ６の代わりにＮＦ３，ＣＦ４，・・・ＣｌＦ３，ＢＦ３でもよい。これによってＳｉの裏面エッチングは従来より工程工数が簡略化でき、低コストで供給できるようになった。」
　
２ｂ）「【００１３】実施例２
図２は、本発明によるプラズマエッチング装置のウェーハ保持部まわりのものであり、半導体ウェーハの裏面５ｂだけをエッチングし半導体素子回路１７の表面５ａはエッチング中に保護される構造の実施例である。供給されたガスが半導体ウェーハの表面５ａに回り込みエッチングされるのを防ぐためにウェーハ保持部２０で、ウェーハの表と裏を仕切る構造とし、表面５ａの側は密閉状態にし、Ａｒなどの不活性ガスを吹き付けることにより裏面側からの活性種ガスの回り込みを防ぐような構造となっている。・・・これによって歩留りが向上した。これは、半導体ウェーハの冷却にも有効である。」
　
２ｃ）「【００１４】実施例３
本発明によるプラズマエッチング装置の別の実施例を図３、４、５、６で説明する。本発明によるエッチングでは半導体の温度によってエッチングレートは大きく影響されないが、エッチング後の表面粗さが変化する。表１に温度と表面観察状態の結果を示す。
　　【００１５】
　　【表１】
　
　　 評価：Ａ・・・全面に渡り白濁無し
 　　　　　Ｂ・・・白濁部面積が全面の１０％未満
 　　　　　Ｃ・・・白濁部面積が１０％以上
　
　　【００１６】この結果から、８０℃から３００℃の間が最適である。本発明では、基板温度をこの範囲で保持する機構を具備していることが特徴である。プラズマを発生させて局部に集めて作用させると反応部分の温度が上昇する傾向がある。これを効果的に冷却するため、・・・図５は、冷却用ステージ２１の上にウェーハ保持部２０があり、冷却用穴２２が複数個開いていて、活性種ガス供給管１１と、冷却用ガス管１８が対向して配置されている。半導体ウェーハは冷却用ステージ上に置かれ冷却用ガス管１８からの不活性ガスは、冷却用穴２２を通して、ウェーハの表面（おもてめん）に吹き付けられウェーハを冷却する。」
　
２ｄ）「【０００８】
　　【課題を解決するための手段】・・・本発明では、高周波の交流電磁場の特にマイクロ波によりプラズマ室でイオンやラジカルを発生させ、ラジカルの活性種ガスを供給管で導いてシリコン等のウェーハ構成材料と気相化学反応によってエッチングする方法を提案している。・・・
　　【０００９】反応部には活性種ガスとウェーハしか存在しないため不純物汚染が少ない。たとえばフッ素ラジカルとＳｉウェーハの反応での反応生成物であるＳｉＦ４は揮発性があり常温常圧では気体であるためウェーハを一切汚染せず、洗浄が不要となるかあるいは洗浄工程の負荷を軽減できる。」
　
３．当審の判断
（１）刊行物１発明
ア）上記摘記事項１ａ）段落００３８には、「回路４１を覆って保護樹脂が貼付けられ保護膜４２が形成される。」と記載されているから、回路を覆って貼り付けられている保護樹脂は、膜状あるいは薄いシート状をなし、したがって貼着する部分の形状によっては、いわゆるテープ状の形状をしているものと認められる。
イ）上記摘記事項１ａ）段落００４０には、「ダイシング工程に送られて個片の半導体装置４４にカットされて半導体装置の製造工程を完了する。」と記載されているから、シリコンウェハ表面に形成された回路には多数の半導体装置が作り込まれていることは明らかである。
ウ）上記摘記事項１ｂ）段落００２７には、「下部電極３上に載置された基板７を対象としてプラズマエッチング処理が行われる。」と記載されているから、下部電極上には基板、すなわち、シリコンウェハを載置する載置部を有することは当然である。
　
　そうすると、上記ア）〜ウ）の事項を考慮して、上記摘記事項１ａ）〜１ｃ）の記載を整理すると、上記刊行物１には、「下部電極と上部電極の間にはプラズマ放電が発生し、下部電極上の載置部に載置されたシリコンウェハを対象としてプラズマエッチング処理を行う方法において、シリコンウェハ表面に多数の半導体装置が作り込まれた回路を形成して回路形成面とし、次いで、回路を覆ってテープ状の保護樹脂を貼付けて保護膜とし、この後、シリコンウェハの回路形成面の裏面を研磨加工し、薄化処理を行う方法であって、この研磨加工において、研磨加工面の表層に残留する加工歪層をフッ素系ガスのプラズマエッチングにより除去すると同時に、除去後のシリコンウェハの回路形成面の裏面をより平滑に仕上げ、さらに、制御部により制御される冷却装置と下部電極の内部に設けられた管路内とを、冷却媒体を循環させることにより、シリコンウェハ表面に形成された回路が過熱して損傷することがないように下部電極を冷却するとともに、プラズマエッチング処理時に発生する熱を冷却媒体に吸収させて、シリコンウェハを冷却する方法」に関する発明（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されていることになる。
　
（２）対比・判断
　本願発明１と刊行物１発明とを対比すると、刊行物１発明の「保護樹脂」、「研磨加工」、「薄化処理」、「加工歪層」、及び「制御部」は、本願発明１の「保護テープ」、「機械研磨」、「薄化加工」、「ストレス層」、及び「温度制御部」に相当する。
　
　そうすると、両者は、「多数の半導体チップが作り込まれた回路形成面に保護テープが貼着され、且つ前工程において機械研磨によって薄化加工されたシリコンウェハの回路形成面の裏側を処理対象面としてエッチング処理を行うプラズマ処理方法であって、下部電極および上部電極が上下に対向して配設された処理室内に配置された載置部上に前記シリコンウェハを前記保護テープを前記載置部に接触させた姿勢で載置し、この処理室内にフッ素系ガスを含むプラズマ発生用ガスを供給した状態でプラズマ放電を発生させて前記機械研磨によって薄化加工面に生成されたストレス層をプラズマ処理によって除去するプラズマ処理方法」の点で一致するものの、次の点で相違する。
　
　相違点１：温度制御について、本願発明１は、プラズマ処理の定常状態において、プラズマ放電によって発生する熱と、載置部内を循環する冷媒によって除去される熱がバランスするように温度制御部の温度制御条件を設定しているのに対し、刊行物１発明の制御部では、そのような制御を行っているのか否か明確でない点。
　
　相違点２：シリコンウェハの温度について、本願発明１は、載置部の温度を温度制御部によって所定温度条件に制御してシリコンウエハの温度を４０℃以上の温度に保持することにより、処理対象面に付着した前記フッ素系ガスの反応生成物の離脱を促進するのに対し、刊行物１発明は、冷却装置と下部電極とを循環する冷却媒体により下部電極を冷却して、シリコンウェハ表面に形成された回路が過熱されて損傷することがないようにしている点。
　
　そこで、上記相違点１、２について、以下検討する。
　
＜相違点１について＞
　刊行物１発明は、制御部により制御される冷却装置と下部電極の内部に設けた管路内とを循環する冷却媒体により、シリコンウェハ表面の回路が過熱して損傷しないように下部電極を冷却するとともに、プラズマエッチング処理時に発生する熱を冷却媒体に吸収させて、シリコンウェハを冷却しているから、プラズマエッチング処理の定常状態に発生する熱と冷却媒体に吸収される熱とがバランスするようにしているものと認められる。
　
　そうすると、本願発明１と同様に、刊行物１発明においても、プラズマエッチング処理の定常状態に発生する熱と冷却媒体に吸収される熱とがバランスするように、制御部において温度制御条件を設定することになるから、上記相違点１に格別な相違はない。
　
＜相違点２について＞
　上記刊行物２の上記摘記事項２ｃ）段落００１５の表１には、半導体ウェーハの裏面をプラズマエッチングする際に、半導体の温度によってエッチング後の表面粗さが変化するとして、基板温度、すなわち半導体ウェーハの温度と表面観察状態の結果が示されており、この表１によれば、基板温度８０℃、１２０℃、２００℃、３００℃の場合は、評価Ａとして、全面に渡り白濁無しの評価が下されている。
　この白濁がどのようなものか不明であるが、反応ガスとして、刊行物２の摘記事項２ａ）段落００１２の実施例１には、本願発明１のプラズマ発生用ガスであるフッ素系ガスの具体例と同じＣＦ４やＳＦ６を使用することが記載されていることからみて、白濁は、プラズマエッチングによる反応生成物の再付着により生じたものと推察される。
　
　してみると、刊行物２の表１における、「全面に渡り白濁無し」という目視評価Ａは、反応生成物の再付着が生じていない状態、すなわち、プラズマエッチング対象面である半導体ウェーハの裏面に付着したフッ素系ガスの反応生成物の離脱を促進している状態を表しているものと認められる。
　
　一方、刊行物１発明においては、シリコンウェハ表面の回路が過熱して損傷しないように下部電極を冷却するとともに、プラズマエッチング処理時に発生する熱を冷却媒体に吸収させて、シリコンウェハを冷却しているものの、下部電極、すなわち載置部を冷却する温度を、制御部によって所定温度条件に制御することにより、シリコンウェハを所定温度に保持していることは前項＜相違点１について＞においても述べたとおりである。
　
　そして、刊行物２に記載された半導体ウェーハの裏面のプラズマエッチングは、刊行物１発明と同じく、機械研磨によって薄化加工されたシリコンウェハの回路形成面の裏側を処理対象面としてプラズマエッチング処理を行う技術であるから、刊行物１発明において、シリコンウェハを冷却する所定温度を、刊行物２に記載の半導体ウェーハの上記温度範囲である、８０℃〜３００℃の温度範囲の温度に保持することは容易に想到することができたものである。
　
　なお、請求人は、請求の理由において、刊行物２の段落０００９には、「フッ素ラジカルとＳｉウェーハの反応での反応生成物であるＳｉＦ４は揮発性があり常温常圧では気体であるためウェーハを一切汚染せず」との記載があり、本願と反対の教示をしている以上、刊行物２から本願発明に至る過程には阻害要因が存在していることが明らかであって、刊行物２のプラズマエッチングにおいては、フッ素系ガスによる反応生成物による付着、堆積によるウェーハの汚染を除去するという課題意識は皆無である旨主張している。
　
　しかしながら、上記のとおり、刊行物２に開示されたプラズマエッチング処理においても、適温以外の温度範囲においては、半導体ウェーハに白濁が生じているのであるから、刊行物２の上記記載は阻害要因とはならない。
　
　さらに、請求人は、請求の理由において、保護テープが貼着された状態のシリコンウェハの温度を高い温度に保持することは、一般的な技術常識からは、有り得ない旨主張しているが、合成樹脂からなる保護テープの高温による損傷を防ぐために、保護テープの種類に応じてシリコンウェハの温度を設定することは単なる設計的事項にすぎない。
　
　そして、本願発明１は、シリコンウェハの温度を４０℃以上の温度に保持することにより、処理対象面に付着した前記フッ素系ガスの反応生成物の離脱を促進した点に、格別顕著な作用効果は認められない。
　
　したがって、本願発明１は、刊行物１に記載された発明及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は特許を受けることができないものであり、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。