【事件の表示】
　特願２００２−　８７８８６「半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年１０月　３日出願公開、特開２００３−２８２５０８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯及び本件発明
　本願は、平成１４年３月２７日の出願であって、平成１６年９月６日付、平成１９年２月１９日付及び平成１９年４月２４日付の手続補正を経て平成１９年６月８日付で拒絶査定がなされ、平成１９年７月１２日に拒絶査定を不服とする審判の請求がなされるとともに、同年８月１日付で請求の理由を補充する手続補正（方式）がなされ、平成２０年７月１６日に審判合議体に対して面接による技術説明が行われたものである。
　本願の特許請求の範囲の請求項１ないし３に係る発明は、平成１９年４月２４日付手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）は次のとおりである。
　
「半導体基板上に配線パターンを形成する工程と、前記配線パターンの上に絶縁するための酸化膜を形成する工程と、前記酸化膜上の凹凸を平坦にするための研磨工程を有し、
　前記研磨工程においては、パッドが貼られたプラテンと、前記半導体基板を固定するキャリアと、２０μｍ以下の平坦性を有する台金に、前記パッド表面を切削するダイヤモンドの粒子を電着したドレスと、研磨剤を前記プラテン上で保持する機構を有する化学的機械的研磨を用いており、
　ドレス方法は、前記凹凸のある半導体基板の研磨と同時に前記ドレスを用いて実施し、ドレス時に間欠動作を入れることを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
２．刊行物記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願の日前に国内で頒布された次の刊行物には、以下の事項が記載されていると認められる。
　
　刊行物：　国際公開ＷＯ００／２７５８５号パンフレット
　
ａ．（第１ページ第４〜７行）
「The present invention relates to a method and apparatus for conditioning a polishing pad. More particularly, the present invention relates to a method and apparatus for conditioning a polishing pad used in the chemical mechanical planarization of semiconductor wafers.」
ｂ．（第１ページ第２３行〜第２ページ第３行）
「Chemical mechanical planarization (CMP) techniques are used to planarize the raw wafer and each layer of material added thereafter. Available CMP systems, commonly called wafer polishers, often use a rotating wafer holder that brings the wafer into contact with a polishing pad moving in the plane of the wafer surface to be planarized. A polishing fluid, such as a chemical polishing agent or slurry containing microabrasives, is applied to the polishing pad to polish the wafer. The wafer holder then presses the wafer against the rotating polishing pad and is rotated to polish and planarize the wafer.」
ｃ．（第２ページ第１０〜１４行）
「One present method for conditioning a polishing pad uses a rotary disk embedded with diamond parcicles to roughen the surface of the polishing pad. Typically, the disk is brought against the polisihing pad and rotated about an axis perpendicular to the polisihing pad while the polishing pad is rotated. The diamond coated disks produce predetermined microgrooves on the surace of the polishing pad.」
ｄ．（第１３ページ第１１〜１４行）
「The pad conditioner may be adjusted to continuously contact and condition the polishing pad, to contact the polishing pad only after a semiconductor wafer is polished on the wafer polisher, or to intermittently polish the polishing pad during a wafer polishing process.」
　
　上記の摘記事項の内容を、上記刊行物の和訳文に相当する特表２００２−５２９９２４号公報の記載を参照しつつ、本件発明の記載に沿って整理すると、刊行物には次の発明（以下、「刊行物記載の発明」という。）が記載されていると認められる。
「半導体ウェーハ上に材料層を追加する工程と、前記追加された材料層を平坦化するための化学機械研磨工程を有し、
　前記化学機械研磨工程においては、研磨パッドと、前記半導体ウェーハを固定する回転ウェーハホルダと、回転ディスクに、前記研磨パッド表面を切削するダイヤモンド粒子を埋め込んだパッドコンディショナと、スラリを研磨パッドに適用する機構を有する化学的機械的研磨を用いており、
　研磨パッドのコンディショニング方法は、前記半導体ウェーハの研磨と同時に前記パッドコンディショナを用いて実施し、コンディショニング時に間欠動作を入れる半導体装置の製造方法。」
　
３．対比
　本件発明と刊行物記載の発明とを対比すると、後者の「半導体ウェーハ」、「研磨パッド」、「回転ウェーハホルダ」、「回転ディスク」、「パッドコンディショナ」、「スラリ」、「研磨パッドのコンディショニング方法」及び「コンディショニング時」が、前者の「半導体基板」、「パッド」、「キャリア」、「台金」、「ドレス」、「研磨剤」、「ドレス方法」及び「ドレス時」にそれぞれ相当することは明白である。
　刊行物には明記されていないが、半導体ウェーハ上に材料層を追加する工程には、配線パターンを形成する工程と、配線パターン上に絶縁するための酸化膜を形成する工程とが含まれ、酸化膜上面には凹凸が発生することは、半導体装置の製造上、当業者間の常識であり、刊行物記載の発明がこのような凹凸を平坦にする化学機械研磨工程に用いられることは容易に理解されるところである。また、刊行物記載の発明において研磨パッドがプラテンに貼り付けられていることは当業者間の常識である。
　また、前者の「研磨工程」が「化学機械研磨工程」を意味することは、本件発明の記載から自明である。
　さらに、後者のダイヤモンド粒子を「埋め込んだ」パッドコンディショナは、前者の「電着した」ドレスと、ダイヤモンド粒子を固着したものである限りにおいて共通し、後者においてスラリを「研磨パッドに適用する」ことは、パッドと半導体基板との間に研磨剤を供給することを意味することは明らかであり、前者において「プラテン上で保持する」こととは単なる表現上の違いに過ぎないものということができる。
　以上をまとめると、本件発明と刊行物記載の発明とは、次の各点において一致及び相違すると認められる。
【一致点】
「半導体基板上に配線パターンを形成する工程と、前記配線パターンの上に絶縁するための酸化膜を形成する工程と、前記酸化膜上の凹凸を平坦にするための研磨工程を有し、
　前記研磨工程においては、パッドが貼られたプラテンと、前記半導体基板を固定するキャリアと、台金に、前記パッド表面を切削するダイヤモンドの粒子を固着したドレスと、研磨剤を前記プラテン上で保持する機構を有する化学的機械的研磨を用いており、
　ドレス方法は、前記凹凸のある半導体基板の研磨と同時に前記ドレスを用いて実施し、ドレス時に間欠動作を入れる半導体装置の製造方法。」である点。
【相違点１】
　ダイヤモンド粒子の台金への固着は、前者では電着によるのに対し、後者では埋め込んでいる点。
【相違点２】
　ドレスの台金は、前者では２０μｍ以下の平坦性を有するのに対し、後者ではこのような特定がない点。
　
４．当審の判断
　以下に、上記各相違点について検討する。
　
4.1　【相違点１】について
　半導体基板の化学機械研磨に使用される研磨パッドを切削するドレスにおいて、ダイヤモンド粒子を台金に対して電着によって固着することは例示するまでもなく従来より周知かつ慣用の技術である。
　したがって、刊行物記載の発明においても台金へのダイヤモンド粒子の固着を電着によって行うことは、当業者が容易に想到し得る。
　
4.2　【相違点２】について
　ドレスの台金の平坦性を２０μｍ以下とすることの効果について、本願の発明の詳細な説明では図３に示される実験結果に基づいて、研磨レートの維持又は安定性、及びマクロスクラッチの防止を挙げているものと理解される。（本願明細書段落【００２３〜２６】参照。）
　半導体基板の表面を平坦化するためにはパッドの表面が平坦であることが必要であることは当業者にとって明らかであり、そのためにはパッドをドレッシングするドレスの表面も平坦であることが求められることも自明であるから、ドレスを行うダイヤモンド粒子を支持する台金の平坦性を所定値以下とすることは、当業者が容易に想到し得るものということができる。
　本件発明は台金の平坦性を２０μｍ以下と特定したものであるが、パッドの研磨面をドレスするのに実際に関与するのは台金に電着されたダイヤモンド粒子の先端であり、台金の平坦性がダイヤモンド粒子先端部の状態やダイヤモンド粒子の保持力に直接関与するとは認めることはできないため、ドレスの台金に２０μｍ以下の平坦性をもたせることに格別の技術的な意義を見出すことはできず、ドレス台金の平坦性を２０μｍ以下とすることは設計事項に過ぎないものというべきである。
　
　なお、4.2項の判断では「平坦性」とは台金のダイヤモンドが電着される面の「うねり」を意味するものとして取り扱ったが、平成１９年８月１日付の手続補正（方式）において請求人は、
「このことから当業者が間欠ドレス工程において短時間で効率的なパッドの切削を行うために、仮にドレッサ台金の平坦性を調整することを想起したとしても、当業者の一般的認識に従えばより大きい凹凸となるように台金の平坦性を選択するのが通常であり、そのようにするのであれば容易になし得たことといえるかもしれません。
　しかしながら本願発明は上記当業者の技術常識に反して、ドレッサの台金を２０μｍ以下の平坦性とすれば時間的に安定な研磨レートが得られる、という知見によりなされたものであること、本願発明者らが研磨レートの時間的安定性確保の一手段として台金の平坦性に着目し実験により得たものであること、そもそも研磨レートの時間的安定性を確保するという課題を解決するための手段として台金の平坦性に着目すること自体当業者の技術常識とはいえないこと、からこの点について本願発明は当業者が容易になし得たものではありません。なお２０μｍ以下の平坦性と、数値を示していう時、この平坦性はドレス台金表面に形成される微小な凹凸を意味するのであり、台金表面上での長距離にわたる平均的に緩やかな平坦性ではないことは、本願明細書の記載内容、特に台金の平坦性がパッドの平坦性やウェハの平坦性に関係するのではなく、研磨レートの時間的安定性（時間的変化の割合、図３参照）に関係していることから当業者には明らかです。」（第２ページ第２１〜３１行）と述べ、「平坦性」とは「うねり」ではなく、「ドレス台金表面に形成される微小な凹凸」、すなわち「表面粗さ」を意味すると主張している。そして、平成２０年７月１６日の面接においては、台金の表面粗さとダイヤモンド粒子の径のばらつきとが協働して、より多くのダイヤモンド粒子がパッドの研磨に関与すると同時にダイヤモンド粒子の脱落が生じにくくなる効果を生じるとの説明がなされた。
　しかしながら、半導体基板の研磨による半導体装置の製造においては「平坦性」なる語は通常、基板表面の緩やかなうねりの程度を示すものとして、表面の微小な凹凸の程度を示す「表面粗さ」とは厳密に区別して使用されていると認められる。
　一方、台金の表面粗さとダイヤモンド粒子の径のばらつきとが協働して効果を発揮するのであれば、台金に電着されるダイヤモンド粒子の平均直径や直径の分布といった特性が直接的に影響するはずであるが、本願の明細書及び図面にはこのような特性の記載は全く見当たらないため、「平坦性」が「表面粗さ」を意味することが示唆されていたということはできない。また、台金の表面粗さとダイヤモンド粒子のばらつきとがどのようにして効果を生じるように協働するのか説明もないため、作用効果の裏付けにも欠けるというべきである。
　したがって、「平坦性」が「表面粗さ」を意味するとの主張を採用することはできず、また、本願は「平坦性」が主張するような作用効果を発揮するために必要な技術的裏付けにも欠けるため、上記のとおり判断した。
　
4.3　まとめ
　本件発明には、刊行物記載の発明及び従来周知の技術に基いて普通に予測される範囲を超える格別の効果も見出すことはできない。
　よって、本件発明は刊行物記載の発明及び従来周知の技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものというべきである。
　
５．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、請求項２及び３に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。