【事件の表示】
　平成　８年特許願第３３０５８３号「アモルファスＳｉＣからなるＸ線リソグラフィー用マスクメンブレン及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　６月２６日出願公開、特開平１０−１７２８８４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成８年１２月１１日の出願であって、平成１４年７月２６日付け及び平成１６年７月５日付けで手続補正がなされた後、平成１８年１２月２８日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、平成１９年２月８日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年３月７日付けで手続補正がなされたものである。
　
第２　平成１９年３月７日付けの手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成１９年３月７日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
　前記手続補正の内容は、補正前（平成１６年７月５日付け手続補正によって補正。以下、同じ。）の請求項１を削除するとともに、補正前の請求項２に記載されていたアモルファスＳｉＣからなるＸ線リソグラフィー用マスクメンブレンについて、「請求項１に記載の製造方法により作製された」という製造方法に関する限定を省いた前記マスクメンブレン、と補正しようとするものである。
　しかしながら、請求項２についてする前記補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものではない。
　また、請求項２についてする前記補正が、同条第４項第１号に規定する請求項の削除、同条第４項第３号に規定する誤記の訂正、及び同条第４項第４号に規定する明りょうでない記載の釈明を目的とするものでもないことは明らかである。
　
　以上のとおり、前記補正は、前記特許法第１７条の２第４項各号の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
　平成１９年３月７日付けの手続補正は前記のとおり却下されたので、本願の請求項１及び２に係る発明は、平成１６年７月５日付けの手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１及び２に記載されたとおりのものと認められるところ、その請求項１に記載された発明は次のとおりのものである。（以下、同項記載の発明を「本願発明」という。）
　
「ターゲットにＳｉＣを用いたスパッタリング法で製膜するに際し、成膜条件が、入射電力を１００〜５，０００Ｗ、スパッタリング圧力を１．０×１０−３〜２．０×１０−１Ｔｏｒｒ、ＳｉＣ膜の成長速度を１００〜５，０００Å／ｍｉｎとすることを特徴とするアモルファスＳｉＣからなるＸ線リソグラフィー用マスクメンブレンの製造方法。」
　
１　引用例
　原査定の拒絶理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開平３−１９６１４８号公報（以下、「引用例」という。）には、Ｘ線リソグラフィー用ＳｉＣ膜の成膜方法に関して、以下の技術事項ならびに図表が記載されている。
　
記載事項ア．「２．特許請求の範囲」の項
「１．ＳｉＣよりなるターゲットを用い、スパッター法にて基板上に圧縮応力の状態でＳｉＣ膜を形成し、次いでこれをアニールして引張応力の状態とすることを特徴とするＸ線リソグラフィー用ＳｉＣ膜の成膜方法。
２．・・・・・・・・・・・・
３．引張応力が０．１〜８．０×１０９ｄｙｎｅ／ｃｍ２である請求項１に記載のＸ線リソグラフィー用ＳｉＣ膜の成膜方法。
４．スパッター圧力が０．２〜５０×１０−３Ｔｏｒｒである請求項１に記載のＸ線リソグラフィー用ＳｉＣ膜の成膜方法。」
　
記載事項イ．第１頁右下欄第１０〜１４行
「（産業上の利用分野）
　高エネルギー電子線やシンクロトロン放射光の様な高エネルギービームを照射しても応力の変化が少ないＸ線リソグラフィー用ＳｉＣ膜の成膜方法に関する。」
　
記載事項ウ．（課題を解決するための手段）の項中、第３頁左下欄第１１〜１８行
「アニール処理条件は、アモルファスな状態で仕上げたＳｉＣ膜に結晶性を付与する為に、アニール温度が５００℃以上であることが必要であり、好ましくは７００℃以上である。又、アニール時間は充分にアニール処理するために２時間以上必要であり、好ましくは４〜８時間である。アニール処理後の、ＳｉＣの結晶性の増加の目安としては、前述したＸ線回折ピークの波形から評価する。」
　
記載事項エ．同項中、第４頁左上欄第１２行〜左下欄第１０行
「（実施例１〜６、比較例１〜３）
　高周波マグネトロンスパッター装置ＳＰＦ−３３２Ｈ型（日電アネルバ社製商品名）を用いて、カソード側に直径３インチで厚さが５ｍｍの円盤状ＳｉＣターゲット（純度９９．９％）をセットした。基板として、直径３インチで厚みが６００μｍの両面研磨シリコンウェハを用いて２５０℃に加熱した状態でアルゴンガスを７ｃｃ／分の流量で流した。排気系に通じるバルブでチャンバー内を所定の圧力に調整した後、パワー密度を１０Ｗ／ｃｍ２として１５分間スパッターを行ない、膜厚１．０μｍのＳｉＣ膜を作製した。
　次に得られたＳｉＣ膜を設けたシリコン基板を以下の方法でアニール処理をした。先ず、合成石英製のウェハー治具にセットし、高温用炉内に静置した。炉内の圧力を２０ｍｍＴｏｒｒとし、１０℃／分の速度で昇温し、所定の温度に到達後、その温度下に一定時間保持し、次いで１０℃／分の速度で冷却した。アニール後の内部応力を測定し、メンブレン化に必要な応力である０．１〜８．０×１０９ｄｙｎｅ／ｃｍ２の引張応力のものを得た。アニール処理を行なうことにより、全て内部応力が引張応力の方向に変動した。その結果を第１表に示した。
　次に第１表の実施例１〜６のアニール後の試料について、Ｘ線回折の測定、及び耐高エネルギービーム性、メンブレン化適正、更に得られたメンブレンの可視光透過率について測定し、その結果を第２表に示した。メンブレン化適性及びメンブレンの可視光透過率の測定に使用した試料は高エネルギー照射処理をしていないものである。
　Ｘ線回折の波形を第１図に示した。この波形より、２θ＝３０゜と２θ＝４０゜の波形を結ぶ線を基線として２θ＝３５．５゜における基線からのピーク高さＬ１と２θ＝３３゜における基線からのピーク高さＬ２の比Ｌ１／Ｌ２を求め、その結果を第２表に示した。又、比較例としてアニール処理を行なわない場合、及びアニール温度が５００℃未満についても同様の測定を行ない、その結果を第２表に併記した。」
　
記載事項オ．第１表
　第１表には、実施例１〜６、比較例１〜３について、スパッタ圧力、成膜後の内部応力、アニール温度、アニール後の内部応力について記載されていて、比較例１はアニール処理がなされていないことがわかる。
　
記載事項カ．第２表
　第２表には、実施例１〜６、比較例１〜３について、Ｘ線回折のＬ１／Ｌ２比等について記載されている。
　
記載事項キ．第１図
　第１図には、実施例１〜６、比較例１〜３について、ＳｉＣ膜の結晶性を規定するためのＸ線回折波形が図示されている。
　
　記載事項ア．〜キ．の記載ならびに図示内容のうち、実施例１〜６ならびに比較例２，３に関する記載ならびに図示内容からして、引用例には、
「ＳｉＣよりなるターゲットを用い、スパッター法にて基板上に圧縮応力の状態で、且つアモルファスな状態で仕上げたＳｉＣ膜を形成し、次いでこれをアニールして引張応力の状態とするＸ線リソグラフィー用ＳｉＣ膜メンブレンの成膜方法において、
　スパッター圧力を１．０×１０−３〜３５×１０−３Ｔｏｒｒとして１５分間スパッターを行ない、膜厚１．０μｍのＳｉＣ膜を作製するＸ線リソグラフィー用ＳｉＣ膜メンブレンの成膜方法。」の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されているといえる。
　また、同じく記載事項ア．〜キ．の記載ならびに図示内容のうち、比較例１に関する記載ならびに図示内容からして、引用例には、
「ＳｉＣよりなるターゲットを用い、スパッター法にて基板上に引張応力の状態のＳｉＣ膜を、アニールすることなく形成するＸ線リソグラフィー用ＳｉＣ膜メンブレンの成膜方法において、
　スパッター圧力を４５×１０−３Ｔｏｒｒとして１５分間スパッターを行ない、膜厚１．０μｍのＳｉＣ膜を作製するＸ線リソグラフィー用ＳｉＣ膜メンブレンの成膜方法。」の発明（以下、「引用発明２」という。）が記載されているといえる。
　
２　対比
　本願発明と引用発明１とを対比する。
（ａ）引用発明１の対象である「Ｘ線リソグラフィー用ＳｉＣ膜メンブレンの成膜方法」は、本願発明の対象である「ＳｉＣからなるＸ線リソグラフィー用マスクメンブレンの製造方法」に相当する。
（ｂ）引用発明１の「スパッター法」、「スパッター圧力」は、それぞれ、本願発明の「スパッタリング法」、「スパッタリング圧力」に相当する。
（ｃ）引用発明１は、１５分間スパッターを行ない、膜厚１．０μｍのＳｉＣ膜を作製しているから、本願発明にいう「ＳｉＣ膜の成長速度」は、約６６７Å／ｍｉｎであるといえる。
（ｄ）本願発明は、「ＳｉＣからなるＸ線リソグラフィー用マスクメンブレン」の「ＳｉＣ」は、「アモルファスＳｉＣ」であることを発明特定事項としている。
　ここで、本願発明における「アモルファスＳｉＣからなるＸ線リソグラフィー用マスクメンブレン」が、実施例１〜４の場合に、「（アニール前の）アモルファスＳｉＣ」を指すのか、或いは、アニール後の「アニールＳｉＣ」を指すのかと指摘した平成２１年１月２９日付けの審尋に対し、本件審判請求人は、平成２１年３月３０日付けの回答書において、「アニールＳｉＣ」を指すとしている。
　その根拠として、回答書の（１）において、アニール処理によって一部「結晶化」が進んでいるものと考えられるが、「Ｘ線回折法」で評価した範囲では明確なピークは確認できなかったことから、結晶化（多結晶）状態とまでは言えず、一般的に言われている「アモルファス」状態が維持されていると判断したとしている。
　そこで、本件審判請求人が云うように、本願発明の「アモルファスＳｉＣからなるＸ線リソグラフィー用マスクメンブレン」の「アモルファスＳｉＣ」が、前記「アニールＳｉＣ」であるとした場合について、本願発明と引用発明１と対比すると、引用例の実施例１〜３及び比較例２，３については、第１図に示されたＸ線回折波形ならびに第２表の「Ｘ線回折のＬ１／Ｌ２比」の数値からして、Ｘ線回折法で評価した範囲では明確なピークは確認できず、アニール処理によって一部「結晶化」が進んでいるものの、一般的に言われている「アモルファス」状態が維持されているとするのが相当である。
　してみると、引用発明１の「次いでこれをアニールして引張応力の状態」とした「Ｘ線リソグラフィー用ＳｉＣ膜メンブレン」が、本願発明における「アモルファスＳｉＣからなるＸ線リソグラフィー用マスクメンブレン」を含んでいることは明らかである。
　
　上記（ａ）〜（ｄ）に記載したことからして、本願発明と引用発明１との両者は次の一致点、
「ターゲットにＳｉＣを用いたスパッタリング法で製膜する、アモルファスＳｉＣからなるＸ線リソグラフィー用マスクメンブレンの製造方法。」で一致し、次の点で相違する。
　
〈相違点１〉；
　スパッタリング圧力に関する成膜条件が、
本願発明は、１．０×１０−３〜２．０×１０−１Ｔｏｒｒであるのに対して、引用発明１は、１．０×１０−３〜３５×１０−３Ｔｏｒｒである点。
〈相違点２〉；
　入射電力に関する成膜条件が、
本願発明は、１００〜５，０００Ｗであるのに対して、引用発明１には具体的な記載がない点。
〈相違点３〉；
　ＳｉＣ膜の成長速度が、
本願発明は、１００〜５，０００Å／ｍｉｎであるのに対して、引用発明１は、例えば約６６７Å／ｍｉｎである点。
　
　なお、仮に、本願発明の「アモルファスＳｉＣからなるＸ線リソグラフィー用マスクメンブレン」の「アモルファスＳｉＣ」が、前記「（アニール前の）アモルファスＳｉＣ」であるとしても、本願発明と引用発明２とを対比すると、引用例の比較例１のＳｉＣ膜をＸ線回折法で評価した第１図に示されたＸ線回折波形（明確なピークは確認できない）、ならびに、第２表の「Ｘ線回折のＬ１／Ｌ２比」の数値からして、前記比較例１のＳｉＣ膜は、一般的に言われている「アモルファス」状態にあるということができる。したがって、引用発明２の「引張応力の状態のＳｉＣ膜を、アニールすることなく形成するＸ線リソグラフィー用ＳｉＣ膜メンブレン」は、本願発明の「アモルファスＳｉＣからなるＸ線リソグラフィー用マスクメンブレン」に相当するということができる。
　そうすると、仮に本願発明の「アモルファスＳｉＣ」を上記のように解したとしても、本願発明と引用発明２とは、上記一致点ならびに相違点２，３と同じ点で一致ならびに相違し、さらに、
〈相違点１’〉；
　スパッタリング圧力に関する成膜条件が、
本願発明は、１．０×１０−３〜２．０×１０−１Ｔｏｒｒであるのに対して、引用発明２は、４５×１０−３Ｔｏｒｒである点、で相違する。
　
３　当審の判断
〈相違点１〉ならびに〈相違点１’〉について；
　スパッタリング圧力に関する成膜条件は、引用発明１と本願発明とは１．０×１０−３〜３５×１０−３Ｔｏｒｒの圧力範囲において、また、引用発明２と本願発明とは４５×１０−３Ｔｏｒｒの圧力を含む点において、明らかに一致するものであるから、 スパッタリング圧力について両者を別異のものとすることはできない。
　
〈相違点２〉について；
　入射電力は、スパッタリング処理を行うチャンバーの大きさ、設定するＳｉＣ膜の成長速度等に応じて当業者が適宜設定し得る値であり、１００〜５，０００Ｗとすることに格別の困難性は見いだせない。
　
〈相違点３〉について；
　引用発明１、２のＳｉＣ膜の成長速度である約６６７Å／ｍｉｎが、本願発明のＳｉＣ膜の成長速度に含まれることは明らかであり、〈相違点３〉に関して、本願発明と引用発明１、２とに実質的な差異はない。
　そして、いかなるＳｉＣ膜の成長速度とするかは、当業者が適宜設定し得る事項であり、１００〜５，０００Å／ｍｉｎとすることに格別の困難性は見いだせない。
　
　そして、本願発明の作用・効果も、引用発明１、２から予測される範囲内のもので、格別のものとも認められない。
　
　したがって、本願発明の「アモルファスＳｉＣからなるＸ線リソグラフィー用マスクメンブレン」の「アモルファスＳｉＣ」が「アニールＳｉＣ」を指すとしても、或いは、「（アニール前の）アモルファスＳｉＣ」を指すとしても、いずれにせよ、本願発明は、引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。