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　特願２００１−１４１８４５「薄膜音響共振器及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　９月　２日出願公開、特開２００５−２３６３３７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯 
　本件は、平成１３年５月１１日の特許出願であって、平成１８年７月３１日付けで拒絶理由通知がなされ、同年１０月２日付けで手続補正書が提出され、同年１０月２０日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年１１月２４日付けで拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、同日付けで手続補正書が提出されたものである。
　
　　　
２．平成１８年１１月２４日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１８年１１月２４日付けの手続補正を却下する。
［理由］　　　
（１）補正後の請求項５に係る発明 
　平成１８年１１月２４日付けの手続補正(以下,「本件補正」という)は、本件補正前の平成１８年１０月２日付け手続補正書により補正された請求項２７を請求項５に繰り上げると共に、その内容を、
「【請求項２７】厚さ０．１μｍ〜１０μｍの圧電体層と、該圧電体層の第１の表面に接合された第１の電極と、前記圧電体層の前記第１の表面と反対側の第２の表面に接合された第２の電極とを有する薄膜音響共振器を製造する方法であって、
　基板の表面に窪みを形成し、該窪み内に犠牲層を充填し、該犠牲層の表面を高さのＲＭＳ変動が５０ｎｍ以下となるように研磨し、前記犠牲層の表面の一部の領域と前記基板の表面の一部の領域とにわたってそれらの上に前記第１の電極を形成し、該第１の電極上に前記圧電体層を形成し、該圧電体層上に前記第２の電極を形成し、前記窪み内から前記犠牲層をエッチング除去することを特徴とする、薄膜音響共振器の製造方法。」
から、
「【請求項５】厚さ０．５μｍ〜２μｍの圧電体層と、該圧電体層の第１の表面に接合された第１の電極と、前記圧電体層の前記第１の表面と反対側の第２の表面に接合された第２の電極とを有する薄膜音響共振器を製造する方法であって、
　基板の表面に窪みを形成し、該窪み内に犠牲層を充填し、該犠牲層の表面を高さのＲＭＳ変動が２０ｎｍ以下となるように研磨し、前記犠牲層の表面の一部の領域と前記基板の表面の一部の領域とにわたってそれらの上に前記第１の電極を形成し、該第１の電極の上面を高さのＲＭＳ変動が２０ｎｍ以下となるようにし、該第１の電極上に前記圧電体層を形成し、該圧電体層上に前記第２の電極を形成し、前記窪み内から前記犠牲層をエッチング除去することを特徴とする、薄膜音響共振器の製造方法。」
に、変更する補正を含むものである。
　　
　本件補正は、補正前の請求項２７における、圧電体層について圧電体層の厚さを０．５μｍ〜２μｍに、犠牲層について犠牲層の表面を高さのＲＭＳ変動が２０ｎｍ以下に、第１の電極について第１の電極の上面を高さのＲＭＳ変動が２０ｎｍ以下に、それぞれ限定するものであって、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　　　
　そこで、本件補正後の上記請求項５に係る発明（以下、「本件補正発明」という）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について、以下に検討する。
　　
　　　　 　　　
（２）引用例 
　原査定において引用された特開２０００−６９５９４号公報（以下、「引用例」という）には、下記の事項が記載されている。
　　
（あ）「【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明は、音響共振器およびこれを作る方法である。本発明による共振器は、第１の電極と第２の電極との間に挟み込まれた圧電材料の層を備えている。第１の電極は、高さ変動のＲＭＳ（２乗平均平方根）が２μｍ未満の導電シートを備えている。共振器は、その上に共振器が構成されている基板の中の空洞を橋渡ししている。共振器は、基板内に空洞を作り、これに共振器を構成する色々な層を堆積した後短時間で空洞から除去し得る犠牲材料を詰めることにより構成される。詰まった空洞の表面を磨いて高さのＲＭＳ変動を0.5μｍ未満とする。磨いた表面に第１の電極を、金属層の高さのＲＭＳ変動を２μｍ未満に確保した厚さに堆積させる。圧電層を第１の電極上に堆積させ、次に第２の電極を圧電層上に堆積させる。次に空洞にバイア（穴）を開け、バイアを通して材料を除去し、犠牲材料を空洞から除去する。好適な犠牲材料は、燐石英ガラスである。」
　　
（い）「【００２０】ＦＢＡＲおよびＳＢＡＲが本発明に従って構成される方法は、その上にＦＢＡＲ110を本発明の方法により構成するウェーハ101の一部の断面図である図３−図７を参照して更に容易に理解できる。本発明は、犠牲層に基づく従来技術の方法で利用されている熱酸化物よりはるかに容易にエッチングされる材料から構成される犠牲層を利用している。本発明の好適実施形態では、犠牲層は、燐石英ガラス（ＰＳＧ）から構成されている。
【００２１】図３において、窪み102が、好適には集積回路製作に利用されているタイプの通常のシリコンウェーハである基板101にエッチングされている。窪みの深さは好適には30μｍ未満である。ＦＢＡＲの下の空洞の深さは圧電層により生ずる変位に適応するのに十分なだけにする必要があることに注目すべきである。したがって、数μｍの深さの窪みで十分である。」
　　
（う）「【００２３】図４で、ＰＳＧ層がウェーハ上に堆積されている。ＰＳＧは、シランおよびＰ2Ｏ5を使用して約450℃までの温度で堆積され、約８％燐である軟ガラス様物質を形成する。この低温プロセスは、当業者に周知であり、したがってここでは詳細に説明しない。ＰＳＧは、比較的低温で堆積させることができ且つ、希釈Ｈ2Ｏ：ＨＦ溶液で、非常に高いエッチング割合でエッチングされる非常にクリーンな不活性材料であるから、犠牲層に対して好適な選択である。10:1の希釈割合で毎分約３μｍのエッチング割合が得られる。
【００２４】残念なことに、本来のＰＳＧ犠牲層は、音響共振器の構成にとって不十分な基台である。原子レベルでこのような堆積膜の表面は、原子的にみると非常に粗い。ＦＢＡＲ/ＳＢＡＲ形式の音響共振器は、結晶が電極の平面に垂直な円柱を成して成長する圧電材料を必要とする。ＰＳＧ層の表面に十分に平行な圧電膜を成長させる試みが行なわれたが、最良でも、粗面上の多数の小面が多様な方向に結晶成長を始めるので圧電効果を殆どまたは全く示さない不十分な多結晶材料しか生じなかった。
【００２５】本発明は、ＰＳＧの表面を磨いて自動的に滑らかな表面を与えることによりこの困難を克服している。図５を参照すると、ＰＳＧ層105の表面を最初スラリで磨くことにより平面化して窪み102の外側のＰＳＧ層の部分を除去する。次に残っているＰＳＧを更に精製されたスラリを使用して磨くことができる。代替方法として、磨き時間を追加するのが好ましくなければ一つの更に精製したスラリを二つの磨きステップに使用することができる。目標は、「ミラー」状仕上げを生ずることである。」
　
（え）「【００２９】上の説明は特定の研磨およびクリーニングの様式を示してきたが、必要な滑らかさの表面を与えるどんな研磨およびクリーニングの様式をも利用することができる。本発明の好適実施形態では、最終表面は、原子力顕微鏡プローブで測って0.5μｍ未満の高さのＲＭＳ変動を有する。
【００３０】表面をきれいにしてから、ＦＢＡＲ110の下方電極111をを図６に示すように堆積する。好適な電極材料は、モリブデンである。しかし、他の材料が当業者には明らかであろう。たとえば、電極をＡl、Ｗ、Ａu、Ｐt、またはＴiから構成できる。その低い熱弾性損失のためモリブデンが好適である。たとえば、Ｍｏの熱弾性損失は、Ａlより約56倍少ない。
【００３１】下方電極の厚さも重要である。厚い層は、薄い層より粗い。上に記したように、圧電層の堆積のための滑らかな表面を維持することは、最終共振器の性能にとって非常に重要である。したがって、下方電極の厚さは、好適には1000Å未満である。Ｍｏは好適にはスパッタリングにより堆積される。これは、２μｍ未満の高さのＲＭＳ変動を有するＭo層を与える。
【００３２】下方電極を堆積し終わってから、電極層112を堆積する。圧電層用好適材料は、ＡlＮであり、これもスパッタリングにより堆積される。圧電層を形成するのにＡlＮを堆積することは当業者には周知であるから、この堆積プロセスをここでは詳細に説明しないことにする。本発明の好適実施形態では、圧電層の厚さは、0.1から10μｍの間にある。
【００３３】最後に、上方電極113を堆積させる。上方電極も好適にはＭoから構成される。しかし、この電極の厚さは、圧電層の堆積に影響しないので、あまり重大ではない。
【００３４】ＦＢＡＲ構造を堆積してから、バイアを下の犠牲層105に開け、図７に示すように、希釈Ｈ2Ｏ：ＨＦ溶液でエッチングすることによりＰＳＧを除去する。これにより元の窪み102の上に橋架けされたＦＢＡＲ110が残る。」
　
（お）図６には、圧電材料の層112の下面に下方電極111が接合され、圧電材料の層112の上面に上方電極113が接合された構造が記載されている。
　　　
　よって、上記（あ）乃至（お）及び関連図面の記載から、引用例には、実質的に下記の発明（以下、「引用発明」という）が記載されている。
「厚さ０．１μｍから１０μｍの圧電層と、該圧電層の下面に接合された下方電極と、前記圧電層の上面に接合された上方電極とを有するＦＢＡＲを製造する方法であって、
　基板の表面に窪みを形成し、基板の窪みが形成された側の面上に犠牲層を堆積後、窪みの外側の犠牲層の部分を除去し、犠牲層の表面の高さのＲＭＳ変動が０．５μｍ未満となるように研磨し、前記犠牲層の表面の領域と前記基板の表面の一部の領域とにわたってそれらの上に前記下方電極を形成し、該下方電極の上面を高さのＲＭＳ変動が２μｍ未満とし、該下方電極上に前記圧電層を形成し、該圧電層上に前記上方電極を形成し、前記犠牲層にバイアを開けて前記窪み内から前記犠牲層をエッチング除去することを特徴とする、ＦＢＡＲの製造方法。」
　　
（３）対比 
（３−１）本件補正発明と引用発明との対応関係について
（ア）引用発明の「圧電層」、「下方電極」、「上方電極」、「ＦＢＡＲ」は、本件補正発明の「圧電体層」、「第１の電極」、「第２の電極」、「薄膜音響共振器」に相当している。
（イ）引用発明の「圧電層の下面」は下方電極に接合され、「圧電層の上面」は上方電極に接合されているので、それぞれ本件補正発明の「圧電体層の第１の表面」、「圧電体層の前記第１の表面と反対側の第２の表面」に相当する。
（ウ）引用例の図５には、犠牲材料である犠牲層が堆積して窪みに犠牲層が充填されていることが記載されているので、引用発明の製造方法においても「窪み内に犠牲層を充填」していることは明らかである。
（エ）引用発明と本件補正発明は、圧電体層の厚さの値、犠牲層の表面における高さのＲＭＳ変動値、第１の電極の上面における高さのＲＭＳ変動値を特定の値に限定している点で共通している。
　　　　　
（３−２）本件補正発明と引用発明の一致点について
　上記の対応関係から、本件補正発明と引用発明は、下記の点で一致する。
「厚さが特定の値の圧電体層と、該圧電体層の第１の表面に接合された第１の電極と、前記圧電体層の前記第１の表面と反対側の第２の表面に接合された第２の電極とを有する薄膜音響共振器を製造する方法であって、
　基板の表面に窪みを形成し、該窪み内に犠牲層を充填し、該犠牲層の表面を高さのＲＭＳ変動が特定の値となるように研磨し、前記犠牲層の表面の領域と前記基板の表面の一部の領域とにわたってそれらの上に前記第１の電極を形成し、該第１の電極の上面を高さのＲＭＳ変動が特定の値となるようにし、該第１の電極上に前記圧電体層を形成し、該圧電体層上に前記第２の電極を形成し、前記窪み内から前記犠牲層をエッチング除去することを特徴とする、薄膜音響共振器の製造方法。」
　　　　　　　
（３−３）本件補正発明と引用発明の相違点について
　本件補正発明と引用発明は、下記の点で相違する。
　
（相違点Ａ）
　本件補正発明では、「犠牲層の表面の一部の領域」の上に「第１の電極」が形成されているのに対し、引用発明では、犠牲層のどの程度の領域上に下方電極が形成されているかが明らかでない点。
　
（相違点Ｂ）
　圧電層の厚さを、本件補正発明は「０．５μｍ〜２μｍ」としているのに対し、引用発明は「０．１μｍから１０μｍ」としている点。
　
（相違点Ｃ）
　犠牲層の表面における高さのＲＭＳ変動を、本件補正発明は「２０ｎｍ以下」としているのに対し、引用発明は「０．５μｍ未満」としている点。
　
（相違点Ｄ）
　第１の電極の上面における高さのＲＭＳ変動を、本件補正発明は「２０ｎｍ以下」としているのに対し、引用発明は「２μｍ未満」としている点。
　
　　　　
（４）当審の判断 
（４−１）相違点Ａについて
　薄膜音響共振器の分野では、犠牲層の一部の領域上に電極を形成し、電極が形成されていない他の領域において犠牲層を除去するエッチング処理を行うことは、例えば、特開平９−８３０２９号公報の実施例４に記載されているように周知技術である。
　そして、引用発明も「犠牲層にバイアを開けて」犠牲層のエッチング除去を行うものであるから、上記周知技術を採用し、犠牲層の一部の領域上に下方電極を形成して、下方電極が形成されていない他の領域において犠牲層にバイアを開けて犠牲層を除去することで、相違点Ａの「犠牲層の表面の一部の領域」の上に「第１の電極」が形成されるようにすることは、当業者ならば容易に想到し得たものである。
　　　
（４−２）相違点Ｂについて
　本件明細書では、圧電体層の厚さについて、段落４２に、
「圧電体層６２の厚さは、０．１μｍから１０μｍの間（好ましくは０．５μｍ〜２μｍ）にある。」
と記載されているが、圧電体層の厚さを０．５μｍ〜２μｍにすることが好ましい根拠は記載されていない。
　また、本件明細書の段落５８〜７２には、厚さが１．０μｍの圧電体層とした実施例１と比較例１との比較、及び、厚さが１．２μｍの圧電体層とした実施例２と比較例２との比較が記載されているが、厚さが０．５μｍ〜２μｍ以外とした圧電体層との比較は、記載されていない。
　そして、引用発明の圧電層は厚さ０．１μｍから１０μｍであるから、本件補正発明の圧電体層の厚さの範囲は、引用発明の範囲内となっている。
　してみると、本件補正発明において圧電体層の厚さを「０．５μｍ〜２μｍ」に限定したとしても、引用発明に対して、異質な効果を奏することも、同質であるが際だって優れた効果を奏することも認められず、かつ、本件補正発明において限定した範囲が引用発明の範囲内であることから、相違点Ｂにおける圧電体層の厚さの限定は、当業者が必要に応じて適宜設定すべき事項にすぎず格別なものではないから、この限定によって本件補正発明が進歩性を有するとは認められない。
　
（４−３）相違点Ｃについて
　本件明細書では、段落３５に、
「堆積したままのＰＳＧ犠牲層５５の表面は、原子レベルでみると非常に粗い。したがって、堆積したままのＰＳＧ犠牲層５５は、音響共振器を形成する基体としては不十分である。ＦＢＡＲ／ＳＢＡＲ形式の音響共振器は、結晶が電極面に垂直な円柱をなして成長する圧電材料を必要とする。微細な研磨粒子を含む研磨スラリーを用いてＰＳＧ犠牲層５５の表面を磨いて滑らかにすることにより、優れた結晶の圧電材料の薄膜を形成する。」
と記載され、段落３６に、
「ＰＳＧ層５５の表面を粗仕上げスラリーで磨くことにより全体的に平面化して、窪み５２の外側のＰＳＧ層の部分を除去する。次に、残っているＰＳＧ層５５を更に微細な研磨粒子を含むスラリーで磨く。代替方法として、磨き時間がかかってもよければ一つの更に微細なスラリーを用いて上記二つの磨きステップを実行してもよい。目標は、鏡面仕上げである。」
と記載され、段落３９に、
「本発明の好適な実施形態では、最終表面は、原子間力顕微鏡プローブで測った高さのＲＭＳ変動が５０ｎｍ以下（好ましくは２０ｎｍ以下）である。」
と記載されている。
　上記記載から、本件明細書には、犠牲層の表面における高さのＲＭＳ変動値を限定しなければならない必要性として、堆積したままのＰＳＧ犠牲層の表面は、原子レベルでみると非常に粗いため、結晶が電極面に垂直な円柱をなして成長する圧電材料を必要とするＦＢＡＲでは、鏡面仕上げを目標として犠牲層を磨く必要があり、その最終表面の高さのＲＭＳ変動を好ましくは２０ｎｍ以下とする、ことが開示されているが、最終表面の高さのＲＭＳ変動を数値として２０ｎｍ以下であることが好ましいとする根拠は記載されていない。
　また、本件明細書の段落５８〜７２には、犠牲層の表面の粗さを高さのＲＭＳ変動が１０ｎｍとした実施例１及び２と、犠牲層の表面の粗さを高さのＲＭＳ変動が７０ｎｍとした比較例１及び２とを比較することで、実施例１及び２の音響共振器の特性値である電気機械結合係数及び音響的品質係数が、比較例１及び２よりも良いことが記載されているが、実施例１及び２で限定された数値範囲と近傍の数値範囲、例えば、犠牲層の表面の粗さを高さのＲＭＳ変動が２１〜３０ｎｍのような数値のものとは比較していない。
　これに対して、引用例には、上記本件明細書に記載された犠牲層の表面における高さのＲＭＳ変動値を限定しなければならない必要性と同様のことが、段落２４に、
「本来のＰＳＧ犠牲層は、音響共振器の構成にとって不十分な基台である。原子レベルでこのような堆積膜の表面は、原子的にみると非常に粗い。ＦＢＡＲ/ＳＢＡＲ形式の音響共振器は、結晶が電極の平面に垂直な円柱を成して成長する圧電材料を必要とする。」
と記載され、段落２５に、
「本発明は、ＰＳＧの表面を磨いて自動的に滑らかな表面を与えることによりこの困難を克服している。・・・中略・・・目標は、「ミラー」状仕上げを生ずることである。」
と記載されている。
　そして、引用発明の犠牲層の表面における高さのＲＭＳ変動値は「０．５μｍ未満」であるから、本件補正発明の犠牲層の表面における高さのＲＭＳ変動値の限定範囲「２０ｎｍ以下」は、引用発明の範囲内となっている。
　してみると、本件補正発明において犠牲層の表面における高さのＲＭＳ変動値を「２０ｎｍ以下」に限定したことによる臨界的意義は認められない。また、引用例には、本件明細書と同様に、犠牲層の表面における高さのＲＭＳ変動値を限定しなければならない必要性、及び、犠牲層の表面を「ミラー」状仕上げを目標として研磨することが開示されているので、引用例には、犠牲層の表面における高さのＲＭＳ変動値が小さいほど良いことが記載されていると言える。そして、本件補正発明において限定した範囲が引用発明の範囲内であることを考慮すると、相違点Ｃにおける犠牲層の表面における高さのＲＭＳ変動値の限定は、当業者が必要に応じて適宜設定すべき事項にすぎず格別なものではないから、この限定によって本件補正発明が進歩性を有するとは認められない。
　　　
（４−４）相違点Ｄについて
　本件明細書では、本件発明の「第１の電極」に相当する「下方電極」の表面における高さのＲＭＳ変動値について、段落４１に、
「下方電極６１の厚さも重要である。厚い層は、薄い層より表面が粗くなる。圧電体層６２の堆積のための滑らかな表面を維持することは、得られる共振器の性能にとって非常に重要である。したがって、下方電極の厚さは、好適には１５０ｎｍ以下である。Ｍｏは好適にはスパッタリングにより堆積される。これにより、表面の高さのＲＭＳ変動が５０ｎｍ以下（好ましくは２０ｎｍ以下）のＭｏ層が得られる。」
と記載され、段落４５に、
「以上のようにして得られたＦＢＡＲにおいては、犠牲層５５の表面（高さのＲＭＳ変動が５０ｎｍ以下（好ましくは２０ｎｍ以下））に従って、その上に形成された下方電極６１の下面の高さのＲＭＳ変動が５０ｎｍ以下（好ましくは２０ｎｍ以下）であり、更に該下方電極６１は厚さが薄いので上面も高さのＲＭＳ変動が５０ｎｍ以下（好ましくは２０ｎｍ以下）である。」
と記載されている。
　上記記載から、本件明細書には、圧電体層の堆積のための滑らかな表面を維持するには下方電極の厚さも重要であり、下方電極の厚さが１５０ｎｍ以下と薄ければ、表面の高さのＲＭＳ変動を２０ｎｍ以下とした犠牲層の滑らかさが、その上の堆積する下方電極の表面においても同様に高さのＲＭＳ変動２０ｎｍ以下として維持されことが開示されているが、下方電極の下面の高さのＲＭＳ変動を数値として２０ｎｍ以下であることが好ましいとする根拠は記載されていない。
　また、本件明細書の段落５８〜７２には、下方電極の下面の高さのＲＭＳ変動が１５ｎｍとした実施例１及び２と、下方電極の下面の高さのＲＭＳ変動が８０ｎｍとした比較例１及び８０ｎｍとした比較例２とを比較することで、実施例１及び２の音響共振器の特性値である電気機械結合係数及び音響的品質係数が、比較例１及び２よりも良いことが記載されているが、実施例１及び２で限定された数値範囲と近傍の数値範囲、例えば、下方電極の下面の高さのＲＭＳ変動が２１〜３０ｎｍのような数値のものとは比較していない。
　これに対して、引用例には、上記本件明細書に記載された下方電極の表面における高さのＲＭＳ変動値を限定しなければならない必要性と同様のことが、段落３１に、
「下方電極の厚さも重要である。厚い層は、薄い層より粗い。上に記したように、圧電層の堆積のための滑らかな表面を維持することは、最終共振器の性能にとって非常に重要である。したがって、下方電極の厚さは、好適には1000Å未満である。Ｍoは好適にはスパッタリングにより堆積される。これは、２μｍ未満の高さのＲＭＳ変動を有するＭo層を与える。」
と記載されているので、引用例においても、圧電層の堆積のための滑らかな表面を維持するためには、下方電極の厚さは薄い方がよく、好適には１００ｎｍ（1000Å）未満とすることが開示されている。
　そして、引用発明の下方電極の表面における高さのＲＭＳ変動値は「２μｍ未満」であるから、本件補正発明の第１の電極の上面における高さのＲＭＳ変動値の限定範囲「２０ｎｍ以下」は、引用発明の範囲内となっている。
　してみると、本件補正発明において、第１の電極の上面における高さのＲＭＳ変動値の限定範囲を「２０ｎｍ以下」に限定したことによる臨界的意義は認められない。また、引用例には、本件明細書と同様に、下方電極の厚さを薄くすることで圧電層の堆積のための滑らかな表面を維持することが開示され、本件補正発明において限定した範囲は引用発明の範囲内であることを考慮すると、相違点Ｄにおける第１の電極の上面における高さのＲＭＳ変動値の限定は、当業者が必要に応じて適宜設定すべき事項にすぎず格別なものではないから、この限定によって本件補正発明が進歩性を有するとは認められない。
　　　
（５）本件補正発明の作用効果について　　　
　また、本件補正発明の作用効果も、引用発明及び周知技術から当業者が予測できる範囲のものである。　
　　　
（６）むすび 
　よって、本件補正発明は、引用発明及び上記周知技術から当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　　
　
３．補正却下の決定を踏まえた検討
（１）本件発明
　平成１８年１１月２４日付けの手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願に係る発明は、平成１８年１０月２日付け手続補正書の特許請求の範囲に記載されたとおりのものであるところ、その請求項２７に係る発明（以下、「本件発明」という）は、次のとおりのものである。
「【請求項２７】厚さ０．１μｍ〜１０μｍの圧電体層と、該圧電体層の第１の表面に接合された第１の電極と、前記圧電体層の前記第１の表面と反対側の第２の表面に接合された第２の電極とを有する薄膜音響共振器を製造する方法であって、
　基板の表面に窪みを形成し、該窪み内に犠牲層を充填し、該犠牲層の表面を高さのＲＭＳ変動が５０ｎｍ以下となるように研磨し、前記犠牲層の表面の一部の領域と前記基板の表面の一部の領域とにわたってそれらの上に前記第１の電極を形成し、該第１の電極上に前記圧電体層を形成し、該圧電体層上に前記第２の電極を形成し、前記窪み内から前記犠牲層をエッチング除去することを特徴とする、薄膜音響共振器の製造方法。」
　　　　
（２）引用例
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された引用例の記載事項は、上記２．（２）に記載したとおりである。
　　　
（３）対比・判断
　本件発明は、上記２．で検討した本件補正発明における、圧電体層について圧電体層の厚さを０．５μｍ〜２μｍに、犠牲層について犠牲層の表面を高さのＲＭＳ変動が２０ｎｍ以下に、第１の電極について第１の電極の上面を高さのＲＭＳ変動が２０ｎｍ以下に、それぞれ限定する点を省いたものである。
　そうすると、本件発明の構成要素を全て含み、さらに特定の点に限定を施したものに相当する本件補正発明が、上記２．（４）に記載したとおり、引用発明及び上記周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明も、同様の理由により、引用発明及び上記周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　　　
（４）むすび
　以上のとおり、本件発明は、当業者が引用発明及び上記周知技術に基いて容易に発明することができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　したがって、本件は、他の請求項について、検討するまでもなく拒絶されるべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。