(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
位相シフト型発振回路の帰還回路に、導体層、誘電体層、および、磁性体層からなり、前記磁性体層の上下にそれぞれ前記誘電体層を介して前記導体層が積層された積層構造を有する４端子伝送線路素子を挿入したことを特徴とする磁界センサ。
【請求項２】
前記位相シフト型発振回路は増幅器を有し、該増幅器が、開ループ演算増幅器を用いて構成されることを特徴とする請求項１に記載の磁界センサ。
【請求項３】
前記位相シフト型発振回路は増幅器を有し、該増幅器が、演算増幅器による反転増幅器を用いて構成されることを特徴とする請求項１に記載の磁界センサ。
【請求項４】
前記位相シフト型発振回路は、バイポーラ型トランジスタを用いて構成されることを特徴とする請求項１に記載の磁界センサ。
【請求項５】
前記位相シフト型発振回路は、電界効果型トランジスタを用いて構成されることを特徴とする請求項１に記載の磁界センサ。
【請求項６】
前記磁性体層は軟磁性薄帯あるいは軟磁性薄膜からなる略長方形状を有し、かつ、その長手方向に一軸性の磁気異方性が付与されてなることを特徴とする請求項１に記載の磁界センサ。
【請求項７】
前記磁性体層は、その磁化容易軸が、前記導体層に対して略平行とされることを特徴とする請求項１に記載の磁界センサ。
【請求項８】
前記磁性体層は金属材料を用いて構成され、かつ、接地電位とされることを特徴とする請求項１に記載の磁界センサ。
【請求項９】
前記導体層は、発振周波数に一致する周波数の交流磁界が略長方形状を有する前記磁性体層の短手方向に加えられるように配置されることを特徴とする請求項１に記載の磁界センサ。
【請求項１０】
前記導体層は、平面パターンを有して構成されることを特徴とする請求項１に記載の磁界センサ。
【請求項１１】
前記導体層は、渦巻き状の平面パターンを有することを特徴とする請求項１０に記載の磁界センサ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、磁性体を利用した磁界センサに関するもので、特に、周波数変調（変化）型に分類される磁界センサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、地磁気異常にもとづいた資源探査、自動車用ナビゲーションシステム（たとえば、方位センサ型）、および、生体磁気計測などのさまざまな分野で磁界センサが使用されている。
【０００３】
磁界センサとしては、古くは、磁性体の非線形磁気特性を利用したフラックスゲート型や磁気マルチバイブレータ型が多く用いられていた。また、最近では、磁性体を用いた磁気センサとして、磁性体の、表皮効果による高周波抵抗が外部磁界によって変化することを利用した磁気インピーダンス効果型、あるいは、外部磁界による高周波透磁率の変化を検知する高周波キャリア型が開発されている。
【０００４】
一方、半導体を用いた磁界センサの代表的な例としてはホール素子がある。また、医療診断の最先端技術として、ＳＱＵＩＤ（Ｓｕｐｅｒ  ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ  ＱＵａｎｔｕｎ  Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ  Ｄｅｖｉｃｅ）磁束計を脳磁図診断装置に用いる試みも実用化されつつある。
【０００５】
これら最新の磁界センサについては、日本応用磁気学会、電気学会、日本生体磁気学会などにおいて、活発に研究・発表されている。
【０００６】
上述した多様な磁界センサは、磁界の検出限界、コスト、あるいは、具体的な応用技術との整合性を鑑みて、適宜、利用されている。特に、民生用途の場合には、低コスト化、小型化、高感度化を併せて満足させる必要がある。
【０００７】
磁性体を利用した磁界センサのうち、非線形磁気特性を利用する方式は、磁性体それ自身を高周波大振幅で励磁する必要があり、鉄損や銅損の問題のため、高周波化には限界があった。また、センサとしての消費電力も大きいという重大な欠点があった。
【０００８】
磁気インピーダンス効果型や高周波キャリア型の磁界センサは、それ自身に通電された高周波電流による小振幅励磁が利用されるので、高周波化による小型化と高感度化の両立が可能であり、同時に、消費電力も小さくできる。
【０００９】
しかしながら、従来の磁性体を利用した磁界センサは、いずれの場合も外部磁界を電圧に変換する方式が主流であり、たとえ、磁気インピーダンス効果型や高周波キャリア型の磁界センサであっても、センサ部以外の、周辺のアナログ電子回路の規模が大きくなる欠点があり、また、磁界検出限界を決めるノイズの影響を受けやすい。
【００１０】
図１２は、従来の、磁気インピーダンス効果型の磁界センサ（センサ回路）の一構成例を示すものである。
【００１１】
すなわち、この磁界センサは、たとえば、発振部１０１、フィルタ部１０２、バッファ部１０３、センサ部１０４、検出部１０５、アンプ部１０６、および、負帰還抵抗１０７により構成されている。
【００１２】
発振部１０１は、ＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ  Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）インバータと水晶振動子とを有して構成される、パルス発振回路である。
【００１３】
フィルタ部１０２は、上記発振部１０１からのパルス繰り返し波形の中から基本周波数成分を取り出すための、ＬＣフィルタである。
【００１４】
バッファ部１０３は、上記センサ部１０４の磁界素子ＭＩに、上記フィルタ部１０２からの基本周波数成分に応じた正弦波高周波電流を供給するためのドライバアンプからなっている。
【００１５】
センサ部１０４は、上記磁界素子ＭＩのインピーダンスよりも十分に大きい抵抗（この場合、３０Ω）を有し、上記ドライバアンプによって該磁界素子ＭＩが定電流駆動されるように構成されている。磁界素子ＭＩは、その両端部に、外部磁界の印加によるインピーダンスの変化に比例した電圧を発生するようになっている。
【００１６】
なお、磁界素子ＭＩには、磁性体として、アモルファス磁性線が用いられている。
【００１７】
検出部１０５は、上記センサ部１０４のコンデンサにより直流分がカットされた、上記磁界素子ＭＩによる発生電圧の、正の半周期と負の半周期とを、それぞれ、ダイオードによる検波および平滑化により直流電圧に変換するものである。
【００１８】
アンプ部１０６は、直流差動増幅器からなり、一方の入力端には、上記磁界素子ＭＩによる発生電圧の、正の半周期の振幅に比例する直流電圧が、他方の入力端には、負の半周期の振幅に比例する直流電圧が、それぞれ供給されるようになっている。
【００１９】
このアンプ部１０６では、外部磁界が零のとき、差動増幅器の出力が零になるように調整しておくことにより、外部磁界が印加されると片方の入力電圧のみが変化し、その変化に応じた電圧出力（ＯＵＴ  ）を発生するようになっている。
【００２０】
負帰還抵抗１０７は、上記磁界素子ＭＩに巻回されたコイルに直流電流（コイル電流）を流すための電流値調整用の素子である。この場合、コイル電流によって発生する直流磁界は外部磁界と同じ方向であり、磁界と電圧出力との線形性や感度を増大させるためのバイアスとして使用されるようになっている。
【００２１】
このように、上記した磁界センサはアナログ出力を発生するものであるため、センサ部１０４以外の、周辺のアナログ電子回路の規模が大きい。また、実際の装置では、磁界センサはマイクロプロセッサなどと組み合わされてシステム化される場合が多く、たとえば、磁界に比例した電圧出力（ＯＵＴ  ）をＡ／Ｄ変換器によりディジタル量に変換した後、マイクロプロセッサによる演算処理（ディジタル処理）を行って、処理の結果を表示したり、各種の制御などに利用されることになる。
【００２２】
磁界センサの周辺回路として、ノイズの影響を受け難いアナログ電子回路を実現するための最良の方法は、周波数帯域幅を狭くすれば良い。しかし、この方法では、高速に変化する磁界を検出することは困難である。
【００２３】
また、最終的にディジタル処理されることを考えると、磁界センサのアナログ出力（電圧出力（ＯＵＴ  ））には周辺のアナログ電子回路のノイズに加えて、量子化ノイズまでもが含まれることになる。
【００２４】
以上のように、磁性体を利用した磁界センサの多くはアナログ出力であるため、ノイズの影響を受けやすく、また、周辺のアナログ電子回路の規模が大きいため、システム化した際には、システム全体としての小型化、低コスト化が困難であるなど、解決すべき課題が多いのが実状であった。
【００２５】
【発明が解決しようとする課題】
上記したように、従来においては、磁性体を利用した磁界センサはノイズの影響を受けやすく、システム化した際には、システム全体としての小型化、低コスト化が困難であるなどの問題があった。
【００２６】
そこで、この発明は、最小限のアナログ電子回路で周辺回路を構成でき、小型化・低コスト化とともに、ノイズの影響をも極めて小さくすることが可能な磁界センサを提供することを目的としている。
【００２７】
【課題を解決するための手段】
本願発明の一態様によれば、位相シフト型発振回路の帰還回路に、導体層、誘電体層、および、磁性体層からなり、前記磁性体層の上下にそれぞれ前記誘電体層を介して前記導体層が積層された積層構造を有する４端子伝送線路素子を挿入したことを特徴とする磁界センサが提供される。
【００２８】
上記の構成により、センサ出力を、外部磁界の強さに比例した周波数の変化として検出できるようになる。これにより、周辺回路を含めた、全体構成を極めて単純化することが可能となるものである。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
（第一の実施形態）
図１は、本発明の第一の実施形態にかかる磁界センサ（センサ回路）の概略構成を示すものである。なお、同図（ａ）は回路構成図であり、同図（ｂ）は特性図である。
【００３０】
この磁界センサは、たとえば図１（ａ）に示すように、開ループオペアンプ（演算増幅器）ＯＰを増幅器とする位相シフト型発振回路の、その帰還回路に、伝送線路素子（詳細については後述する）１１を挿入してなる構成とされている。
【００３１】
すなわち、オペアンプＯＰの非反転（＋）入力端は接地電位に接続されている。また、オペアンプＯＰの反転（−）入力端は抵抗Ｒｆを介して接地電位に接続されるとともに、該オペアンプＯＰの出力端が上記伝送線路素子１１を介してフィードバック接続されて、位相シフト型発振回路が構成されている。
【００３２】
このような構成により、この磁界センサでは、たとえば図１（ｂ）に示すように、外部磁界Ｈｅｘｔ．の強さに依存する発振周波数ｆｃの変化・変調を、センサ出力（ＯＵＴ  ）として検出するようになっている。
【００３３】
図２は、上記した磁界センサで用いられる伝送線路素子１１の概略構成を示すものである。なお、同図（ａ）は平面図であり、同図（ｂ）はＩＩｂ−ＩＩｂ線に沿う断面の拡大図である。
【００３４】
この伝送線路素子１１は、たとえば、略長方形状を有する２つの軟磁性金属層（磁性体層）１１ａの上下に、それぞれ、誘電体層１１ｂ，１１ｂを介して、渦巻き状の平面パターンを有する導体層としての導体ライン（スパイラルコイル）１１ｃ，１１ｃが共通に配設された積層構造を有して構成されている。
【００３５】
上下の導体ライン１１ｃ，１１ｃは、コンタクト部（点ｃ）１２にて相互に接続されるとともに、上下の導体ライン１１ｃ，１１ｃの一端は交流電源１３を介して接地され、他端は抵抗ＲＬ  を介して接地されている。
【００３６】
この場合、上記軟磁性金属層１１ａは、約３μｍ厚のＣｏ系アモルファス膜（金属材料を用いた、軟磁性薄帯あるいは軟磁性薄膜）により構成されるとともに、接地電位とされている。
【００３７】
また、軟磁性金属層１１ａは、その長手方向に一軸性の磁気異方性が付与されている。そして、その磁化容易軸１４が、上記導体ライン１１ｃ，１１ｃの長手方向に対して略平行とされている。
【００３８】
誘電体層１１ｂ，１１ｂとしては、たとえば、約３μｍ厚のポリイミド膜が用いられている。
【００３９】
上下の導体ライン１１ｃ，１１ｃは、たとえば、略長方形状を有する約１０μｍ厚のＣｕにより構成され、発振周波数ｆｃに一致する周波数の交流磁界が、上記軟磁性金属層１１ａの短手方向（図示矢印１５）に加えられるように配置されている。
【００４０】
なお、この伝送線路素子１１の素子サイズは、約３．６５×１０．１０ｍｍである。また、この伝送線路素子１１の、外部磁界Ｈｅｘｔ．が零のときの、線路長Ｌｃが定在波波長の１／４になる周波数（無磁界時の１／４波長同調周波数）ｆｃｏは略５０ＭＨｚであった。
【００４１】
このように、上記した構成の伝送線路素子１１を、位相シフト型発振回路の帰還回路に用いた場合、磁界センサのセンサ出力として、外部磁界Ｈｅｘｔ．による軟磁性金属層１１ａの透磁率の変化にともなう、伝送線路素子１１の伝送特性（利得，位相）の変化に応じた、位相シフト型発振回路の発振周波数ｆｃを取り出すことが可能となる（図１（ｂ）参照）。
【００４２】
ここで、上記した伝送線路素子１１を構成するための基礎となる、伝送線路素子の基本構造について説明する。
【００４３】
図３は、磁界センサにおける、位相シフト型発振回路の帰還回路に用いられる伝送線路素子の基本構造を示すものである。
【００４４】
たとえば、同図（ａ），（ｂ）において、伝送線路素子１１Ａ，１１Ｂは、磁性体層１１ａ’と誘電体層１１ｂ’とを交互に積み重ねた積層構造を有し、その上下端の各誘電体層１１ｂ’，１１ｂ’の表面に、導体層１１ｃ’，１１ｃ’がそれぞれ設けられてなる構成とされている。
【００４５】
上記磁性体層１１ａ’は、略長方形状を有する軟磁性薄帯あるいは軟磁性薄膜からなり、かつ、その長手方向に一軸性の磁気異方性が付与されている。また、上記磁性体層１１ａ’は、その磁化容易軸が、上記導体層１１ｃ’の長手方向に対して略平行とされている。
【００４６】
上記導体層１１ｃ’は、たとえば、略長方形状の平面パターンを有して形成され、位相シフト型発振回路の発振周波数に一致する周波数の交流磁界が、上記磁性体層１１ａ’の短手方向に加えられるように配置されている。
【００４７】
伝送線路素子１１Ａの場合、たとえば同図（ａ）に示すように、上下の導体層１１ｃ’，１１ｃ’の一端は交流電源１３を介して、また、他端は抵抗ＲＬ  を介して、それぞれ接続されている。
【００４８】
また、上記磁性体層１１ａ’に金属材料を用いた場合には、その金属からなる磁性体層１１ａ’が浮遊電位となるようにしているため、１層当たりの誘電体層１１ｂ’による静電容量が直列に接続された形で、伝送線路素子１１Ａの分布容量が決まる。
【００４９】
一方、伝送線路素子１１Ｂの場合は、たとえば同図（ｂ）に示すように、上下の導体層１１ｃ’，１１ｃ’の相互が接続され、その一端は交流電源１３を介して、また、他端は抵抗ＲＬ  を介して、それぞれ接地されている。
【００５０】
また、上記磁性体層１１ａ’に金属材料を用いた場合には、上下の導体層１１ｃ’，１１ｃ’に最も近い磁性体層１１ａ’，１１ａ’のそれぞれが接地電位となるようにしているため、上下の導体層１１ｃ’，１１ｃ’に最も近い磁性体層１１ａ’，１１ａ’による静電容量によって、伝送線路素子１１Ｂの分布容量が決まる。
【００５１】
伝送線路素子１１Ｂの場合、分布容量が伝送線路素子１１Ａに比べて非常に大きくなるため、たとえば、伝送線路素子１１Ａ，１１Ｂの分布インダクタンスが同程度の場合には、磁性体層１１ａ’を接地した方が、線路の定在波波長の短縮効果が期待でき、素子を小型化する上では都合が良い。
【００５２】
因みに、前述した図２の伝送線路素子１１は、この伝送線路素子１１Ｂの基本構造にもとづいて作製されたものである。
【００５３】
図４は、磁界センサにおける、位相シフト型発振回路の帰還回路に用いられる伝送線路素子の他の基本構造を示すものである。
【００５４】
この伝送線路素子２１は、たとえば、導体層２１ａの周囲を誘電体層２１ｂによって覆うような構造を有し、その誘電体層２１ｂの上面および下面には磁性体層２１ｃがそれぞれ設けられている。
【００５５】
また、上記誘電体層２１ｂは電気的に接地されるとともに、上記導体層２１ａの一端は交流電源２３を介して、また、他端は抵抗ＺＬ  を介して、それぞれ接地されている。
【００５６】
この伝送線路素子２１の分布容量は、導電体２１ａの、上下の誘電体層２１ｂによる静電容量が並列に接続された形となっている。
【００５７】
なお、位相シフト型発振回路の帰還回路に用いられる伝送線路素子１１の基本構造としては、上記した伝送線路素子１１Ａ，１１Ｂ，２１以外にも多様な素子構造が考えられ、作製の容易さ、コスト、性能などを鑑みて、適宜、適当なものを選択するのが良い。
【００５８】
たとえば、上記導体層１１ｃ’，２１ａとしては、長方形状の平面パターンに限らず、たとえば、正方形状、長円形状などの平面パターン、あるいは、渦巻き状の平面パターン、または、つづら折れ状の平面パターンを有して形成するようにしても良い。
【００５９】
次に、本発明の磁界センサの原理について説明する。
図５は、磁界センサの基本原理を説明するために示す、帰還増幅回路（位相シフト型発振回路）の概略構成図である。
【００６０】
この帰還増幅回路は、増幅器３１と帰還回路３２とを有し、増幅器３１の出力Ｖｏｕｔ  を、帰還回路３２を介して、増幅器３１の入力Ｖｉｎにフィードバックするように構成されている。
【００６１】
この帰還増幅回路の入出力伝達関数Ｇは、後掲する数１の式（１）のように表される。
【００６２】
【数１】
0003559459.tif 000002
【００６３】
この場合、増幅器３１の利得Ａおよび帰還回路３２の帰還率Ｂを、それぞれ、後掲する数２の式（２），（３）のように置けば、後掲する数３の式（４），（５）のとき、この帰還増幅回路は発振する。
【００６４】
【数２】
0003559459.tif 000003
【００６５】
【数３】
0003559459.tif 000004
【００６６】
位相シフト型発振回路とは、帰還回路３２で増幅器３１の出力Ｖｏｕｔ  の位相をシフトし、上記式（４）の位相条件と上記式（５）の利得条件とを満足させることによって発振を持続させるものであり、帰還回路３２にはＣＲ回路を用いるのが一般的となっている。
【００６７】
なお、上記式（５）の左辺Ａｏ・Ｂｏをループ利得と呼んでいる。
【００６８】
本発明では、位相シフト型発振回路の帰還回路に磁性体を含んだ伝送線路素子を用い、外部磁界によって磁性体の透磁率が変化すると、伝送線路素子の伝送特性（利得、位相）が変わり、それに応じて、位相シフト型発振回路の発振周波数が変化することを利用して、外部磁界の強さに依存した発振周波数の変化をセンサ出力として取り出すようにしている。よって、磁界の強さに比例した電圧をアナログ出力する従来型の磁界センサに比べ、耐ノイズ性に優れるのは言うまでもない。
【００６９】
また、周辺回路は伝送線路素子を帰還回路に持つ位相シフト型発振回路のみであるので、部品点数が少なく、センサシステムとしての小型化、低コスト化、および、信頼性の向上が期待できる。
【００７０】
図６は、位相シフト型発振回路の帰還回路に用いられる伝送線路素子（たとえば、図３参照）を、線路長Ｌｃの分布定数線路として表現したものである。
【００７１】
この場合、伝搬定数γ、特性インピーダンスＺｃ、および、抵抗ＲＬ  で終端させた場合の電圧利得Ｇｖと入力インピーダンスＺｉｎは、それぞれ、後掲する数４の式（６），（７），（８），（９）のように表される。
【００７２】
【数４】
0003559459.tif 000005
【００７３】
ただし、Ｒｏは分布抵抗、Ｌｏは分布インダクタンス、Ｇｏは分布コンダクタンス、Ｃｏは分布容量である。また、上記式（６）におけるαは減衰定数、βは位相定数である。
【００７４】
特に、分布抵抗Ｒｏおよび分布コンダクタンスＧｏが小さく、線路損出が無視できる場合、線路長Ｌｃが定在波波長の１／４になる周波数（１／４波長同調周波数）ｆｃにおける電圧利得Ｇｖ，１／４  および入力インピーダンスＺｉｎ，１／４  は、それぞれ、後掲する数５の式（１０），（１１）のように表される。
【００７５】
【数５】
0003559459.tif 000006
【００７６】
したがって、このときの出力電圧は、入力電圧に対してπ／２（ｒａｄ）だけ遅れることになる（θＢ  ＝−π／２）。
【００７７】
また、このときの周波数ｆｃは、後掲する数６の式（１２）のように表される。
【００７８】
【数６】
0003559459.tif 000007
【００７９】
一方、線路長Ｌｃが定在波波長の１／２になる周波数（１／２波長同調周波数）２ｆｃにおける電圧利得Ｇｖ，１／２  および入力インピーダンスＺｉｎ，１／２  は、後掲する数７の式（１３），（１４）のように表される。
【００８０】
【数７】
0003559459.tif 000008
【００８１】
したがって、このときの出力電圧は、入力電圧に対してπ（ｒａｄ）だけ遅れることになる（θＢ  ＝π／２）。
【００８２】
後掲する表１は、上述した伝送線路素子を、位相シフト型発振回路の帰還回路に用いた場合の、発振のための位相条件を示したものである。
【００８３】
【表１】
0003559459.tif 000009
【００８４】
発振周波数を、１／４波長同調周波数ｆｃにするためには、増幅器３１の位相遅れθＡ  をπ／２（ｒａｄ）にすれば良い。また、発振周波数を、１／２波長同調周波数２ｆｃにするためには、増幅器３１の位相遅れθＡ  を零にすれば良い。
【００８５】
図７は、伝送線路素子の電圧利得Ｇｖと位相φの、周波数特性の典型的な場合を示すものである。
【００８６】
この図からも明らかなように、１／４波長同調時の周波数ｆｃの近傍では位相の変化が急峻であるのに対し、１／２波長同調時の周波数２ｆｃの近傍では位相の変化は緩やかである。したがって、位相シフト型発振回路の発振周波数の安定性という観点からは、発振周波数として、１／４波長同調周波数ｆｃを選択した方が良いといえる。
【００８７】
本発明における磁界センサは、外部磁界Ｈｅｘｔ．による磁性体層の透磁率の変化によって分布インダクタンスＬｏが変化し、発振周波数（１／４波長同調周波数ｆｃ）が外部磁界Ｈｅｘｔ．に応じて変化することにもとづいている。
【００８８】
以下、外部磁界Ｈｅｘｔ．と位相シフト型発振回路の発振周波数との関係について詳細に説明する。
【００８９】
伝送線路素子に用いられる磁性体層（たとえば、図２に示した軟磁性金属層１１ａ）としては、反磁界効果を小さくすることと、高周波損失の抑制の利点から、専ら、軟磁性合金薄帯あるいは軟磁性合金薄膜が用いられている。これらは、既に確立された製造方法によって容易に作製することができる。たとえば、軟磁性アモルファス合金薄帯の作製には溶湯急冷法が、また、軟磁性合金薄膜の作製には真空蒸着法やスパッタ法などが用いられる。
【００９０】
さらに、伝送線路素子に用いられる磁性体層は、正方形状あるいは長方形状に加工される場合が多い。
【００９１】
図８は、伝送線路素子に用いられる磁性体層の構成を概略的に示すものである。
【００９２】
たとえば、厚さｔＭ  、幅Ｗ、長さＤの略長方形状を有する磁性体層３３において、一軸磁気異方性が長手（長さ）方向に誘導され、その実質的な異方性磁界をＨｋｉとする。また、磁性体層３３の短手（幅）方向に交流磁界Ｈａｃが加えられると仮定する。
【００９３】
交流磁界Ｈａｃは、伝送線路素子の導体層（たとえば、図２の導体ライン１１ｃ）を流れる交流電流Ｉによって発生するもので、所望の交流磁界Ｈａｃを得るためには、磁性体層３３の長手方向と導体ラインとが略平行になるように、素子を構成すれば良い。
【００９４】
このような磁性体層３３に対して、その長手方向に外部磁界Ｈｅｘｔ．を加えたとすると、短手方向の透磁率μｗは、後掲する数８の式（１５），（１６）のように近似できる。
【００９５】
【数８】
0003559459.tif 000010
【００９６】
ただし、ＮｗおよびＮＤ  は磁性体層３３の短手方向および長手方向の反磁界係数、Ｉｓは飽和磁化、Ｈｏは磁性体層３３の長手方向に加わる有効磁界、μｏは磁性材料の透磁率、ＩＤ  は有効磁界Ｈｏのときの長手方向の磁化の大きさであり、有効磁界Ｈｏが増大すると長手方向の磁化の大きさＩＤ  は飽和して飽和磁化Ｉｓとなる。
【００９７】
このように、長方形状を有する磁性体層３３の長手方向に外部磁界Ｈｅｘｔ．が加わると、短手方向の透磁率μｗが低下していく。
【００９８】
位相シフト型発振回路（磁界センサ）の発振周波数を、伝送線路素子の１／４波長同調周波数ｆｃに一致させるような構成の場合、該１／４波長同調周波数ｆｃは、後掲する数９の式（１７）のようになる。
【００９９】
【数９】
0003559459.tif 000011
【０１００】
ただし、Ｋは分布インダクタンスＬｏと磁性体層３３の短手方向の透磁率μｗとの間の比例定数（導体層の形状や磁性体層の寸法などに依存する）、ｆｃｏは外部磁界Ｈｅｘｔ．が零の場合の発振周波数、Ｌｃは線路長であり、Ｘは、後掲する数１０の式（１８）によって与えられる。
【０１０１】
【数１０】
0003559459.tif 000012
【０１０２】
図９は、外部磁界Ｈｅｘｔ．と位相シフト型発振回路の発振周波数との関係を示すものである。
【０１０３】
同図において、低磁界側で不感帯に見える領域は、磁性体層３３の長手方向の反磁界が外部磁界Ｈｅｘｔ．によって増大（ＩＤ  →Ｉｓ）するために、有効磁界Ｈｏが小さいことによる。
【０１０４】
長手方向の磁化の大きさＩＤ  が飽和磁化Ｉｓに飽和すれば、外部磁界Ｈｅｘｔ．の増分はそのまま有効磁界Ｈｏの増分として寄与するので、発振周波数ｆｃは大きく変化する。
【０１０５】
不感帯の領域を小さくするには、長手方向の反磁界を小さくするための磁性体層３３の薄層化、アスペクト比（Ｄ／Ｗ）の増大が有効である。
【０１０６】
図１０は、上述した構成の磁界センサを用いて、センサシステムを構築した場合の例を示すものである。
【０１０７】
このセンサシステムは、たとえば、磁界センサの正弦波出力をコンパレータ（場合によっては、ヒステリシス・コンパレータを用いる）４４によって繰り返しパルスに変換し、そのパルスを周波数カウンタ（２進カウンタ）４５によって計数したデータをＣＰＵ４６に取り込むように構成されている。
【０１０８】
ここで、増幅器として、開ループオペアンプＯＰを用いた磁界センサ（図１（ａ）参照）の場合、開ループゲインの遮断周波数よりも十分に高い周波数では、該オペアンプＯＰの位相遅れθＢ  は略π／２であるため、発振周波数ｆｃは伝送線路素子１１の１／４波長同調周波数ｆｃに略一致することになる。
【０１０９】
このとき、オペアンプＯＰの入力インピーダンスが抵抗Ｒｆよりも十分に大きく、かつ、出力インピーダンスが伝送線路素子１１の入力インピーダンスＺｉｎよりも十分に小さければ、帰還ゲインＢｏは、後掲する数１１の式（１９）によって与えられる。
【０１１０】
【数１１】
0003559459.tif 000013
【０１１１】
Ｒｆ＞Ｚｃに選べば、Ｂｏ＞１となるので、持続発振条件を満足するためのアンプゲインＡｏは高い必要はない。
【０１１２】
しかしながら、Ｒｆ＞Ｚｃとすると、伝送線路素子１１の入力インピーダンスＺｉｎが特性インピーダンスＺｃよりも低くなるので、オペアンプＯＰのドライブ能力が限界に至る場合があるため、適宜、適正値を選択する。
【０１１３】
ところで、上記式（１７）によれば、後掲する数１２の式（２０）の関係が成り立つ。
【０１１４】
【数１２】
0003559459.tif 000014
【０１１５】
これは、無磁界時の発振周波数をｆｃｏ、外部磁界Ｈｅｘｔ．を加えたときの発振周波数をｆｃとすれば、ｆｃ２  −ｆｃｏ２  は外部磁界Ｈｅｘｔ．に直に比例するということであり、この式（２０）による演算を行うことによって、演算結果と測定磁界との線形化が可能であることを意味する。
【０１１６】
したがって、ＣＰＵ４６によって、周波数カウンタ４５で計数したデータをもとに、上記式（２０）による演算を行うことにより、外部磁界の正確な検出が容易に可能となる。
【０１１７】
このように、外部磁界の強さに比例した発振周波数の変化にもとづいた、いわゆる周波数変調方式により外部磁界を検出するようにしている。このため、外来ノイズなどの影響を受け難く、しかも、伝送線路素子を用いた位相シフト型発振回路のみにより構成できるので、周辺のアナログ電子回路の規模が小さくて済み、システム化する際にも、極めて単純な構成により実現でき、小型化、低コスト化が容易であるとともに、信頼性の大幅な向上が期待できるものである。
【０１１８】
すなわち、従来型の磁界センサは、いわゆる振幅変調方式によって外部磁界を検出するものであったため、周辺のアナログ電子回路の規模が大きくて、ノイズにも弱いという弱点があった。これに対し、本発明の磁界センサによれば、周辺回路を最小限のアナログ電子回路で構成でき、外来ノイズによる影響も極めて小さくできる。
【０１１９】
上記したように、センサ出力を、外部磁界の強さに比例した周波数の変化として検出できるようにしている。
【０１２０】
すなわち、開ループオペアンプを増幅器とする位相シフト型発振回路の、その帰還回路に伝送線路素子を挿入し、外部磁界の強さに依存した周波数の変化をセンサ出力として取り出すようにしている。これにより、最小限のアナログ回路で周辺回路を構成でき、外来ノイズに対しても、その影響の少ない、周波数変調型の磁界センサを構成できる。したがって、周辺回路を含めた、全体構成を極めて単純化することが可能となり、センサシステムとしてのコストの大幅な削減などが期待できるものである。
【０１２１】
特に、発振周波数の自乗演算による結果（ｆｃ２  −ｆｃｏ２  ）と外部磁界との関係は線形であり、その比例定数は無磁界時の発振周波数ｆｃｏの自乗に関係するので、伝送線路素子の小型化による１／４波長同調周波数の高周波化はセンサ感度の劇的な向上につながる。
【０１２２】
なお、上記した本発明の第一の実施形態においては、開ループオペアンプを増幅器とする位相シフト型発振回路に適用した場合を例に説明したが、これに限らず、たとえばＦＥＴ（演算増幅器）による反転増幅器を用いた位相シフト型発振回路にも同様に適用できる。
（第二の実施形態）
図１１は、本発明の第二の実施形態にかかる磁界センサ（センサ回路）として、位相シフト型発振回路の増幅器に、ＦＥＴからなる反転増幅器を用いた場合の例を示すものである。
【０１２３】
この磁界センサは、たとえば、伝送線路素子１１’の１／２波長同調周波数２ｆｃ付近で発振するように構成されている。
【０１２４】
この磁界センサの場合、発振周波数はやや不安定であるものの、前述の図１に示した磁界センサ（第一の実施形態）の場合と同様に、外部磁界は周波数によって変調される。
【０１２５】
また、センサ回路を構成する位相シフト型発振回路としては、上述の開ループオペアンプや反転増幅器（ＦＥＴ）を用いる場合に限らず、たとえば、バイポーラトランジスタを用いる方法、あるいは、オペアンプにマイナーループ（負帰還）を有して増幅器ゲインと位相遅れとを調整する方法など、各種の方法を用いて構成することができる。
【０１２６】
さらには、図１０に示したように、磁界センサをシステム化する際において、周波数カウンタで発振周波数を計測するようにした場合、カウンタのサンプリング時間が磁界検出の精度を決めることになるため、直流から低周波（発振周波数よりも十分に低い周波数）までの磁界検出を精度良く行うことができる。
【０１２７】
したがって、高い周波数の磁界を検出する場合には、たとえば、復調回路によって、周波数変調された高周波磁界信号を振幅変調することにより、精度良く検出できるようになる。
【０１２８】
その他、この発明の要旨を変えない範囲において、種々変形実施可能なことは勿論である。
【０１２９】
【発明の効果】
以上、詳述したようにこの発明によれば、最小限のアナログ電子回路で周辺回路を構成でき、小型化・低コスト化とともに、ノイズの影響をも極めて小さくすることが可能な磁界センサを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第一の実施形態にかかる、磁界センサの一構成例を示す概略図。
【図２】同じく、磁界センサで用いられる伝送線路素子の概略を示す構成図。
【図３】伝送線路素子の基本構造を説明するために示す斜視図。
【図４】伝送線路素子の他の基本構造を説明するために示す斜視図。
【図５】磁界センサの基本原理を説明するために示す、帰還増幅回路の概略構成図。
【図６】伝送線路素子を、等価的な分布定数線路として示す回路構成図。
【図７】周波数特性の典型的な場合における、伝送線路素子の電圧利得Ｇｖと位相φとの関係を説明するために示す特性図。
【図８】伝送線路素子に用いられる磁性体層の概略を説明するために示す斜視図。
【図９】外部磁界と位相シフト型発振回路の発振周波数との関係を説明するために示す特性図。
【図１０】センサシステムの構成例を示す概略図。
【図１１】本発明の第二の実施形態にかかる、磁界センサの他の構成例を示す概略図。
【図１２】従来技術とその問題点を説明するために示す、磁界センサの概略構成図。
【符号の説明】
１１，１１’，１１Ａ，１１Ｂ…伝送線路素子
１１ａ…軟磁性金属層
１１ａ’…磁性体層
１１ｂ，１１ｂ’…誘電体層
１１ｃ…導体ライン
１１ｃ’…導体層
１２…コンタクト部
１３…交流電源
１４…磁化容易軸
１５…短手方向
２１…伝送線路素子
２１ａ…導体層
２１ｂ…誘電体層
２１ｃ…磁性体層
２３…交流電源
３１…増幅器
３２…帰還回路
３３…磁性体層
４４…コンパレータ
４５…周波数カウンタ
４６…ＣＰＵ
Ｈａｃ…交流磁界
Ｈｅｘｔ．…外部磁界
Ｌｃ…線路長
ＯＰ…オペアンプ
Ｒｆ，ＲＬ  ，ＺＬ  …抵抗
【図１】
0003559459.tif 000015
【図２】
0003559459.tif 000016
【図３】
0003559459.tif 000017
【図４】
0003559459.tif 000018
【図５】
0003559459.tif 000019
【図６】
0003559459.tif 000020
【図７】
0003559459.tif 000021
【図８】
0003559459.tif 000022
【図９】
0003559459.tif 000023
【図１０】
0003559459.tif 000024
【図１１】
0003559459.tif 000025
【図１２】
0003559459.tif 000026