【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年7月14日(2015.7.14)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＥＵＶリソグラフィーに使用ための反射光学素子を製造する方法であって、
３〜１２質量％のチタニアおよび８８〜９７質量％のシリカからなるシリカ−チタニアガラスブランクを提供する工程、
前記ブランクを機械的および光学的仕様に研削ラップ仕上げおよび研磨して、シリカ−チタニアガラス光学素子を形成する工程、
前記光学素子の少なくとも１つの面を、該光学素子中の選択された深さまで該面の緻密化を行い、それによって、少なくとも１つの照射線硬化された面を有する光学素子を形成するために、該面を選択された時間に亘り２５０ｎｍ未満の波長の入射する高エネルギー照射線に曝露することによって、緻密化する工程、
照射後に前記光学素子を分析して、該光学素子の前記照射線硬化された面が前記仕様に適合していることを判定し、必要であれば、前記緻密化された層の全部は除去せずに、仕様を満たすように前記照射線硬化された面を再研磨する工程、および
前記照射線硬化された面上に多層反射コーティングを堆積させ、それによって、ＥＵＶリソグラフィーに適した反射面を形成する工程、
を有してなる方法。
【請求項２】
前記多層反射コーティングを堆積させる工程が、３０〜６０周期の金属／Ｓｉコーティングを堆積させることを意味し、各周期が、前記照射線硬化された面上に堆積された１つの金属層および１つのＳｉ層からなり、該金属層が、堆積された最初の層であり、前記金属層および前記Ｓｉ層の各々が、約２〜５ｎｍの範囲にある厚さで堆積されることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記金属がモリブデンであり、前記堆積された多層反射コーティングがＭｏ／Ｓｉコーティングであることを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記多層Ｍｏ／Ｓｉの堆積が、マグネトロン・スパッタリング、化学蒸着、イオンアシスト蒸着およびプラズマイオンアシスト蒸着からなる群より選択される堆積方法によるものであることを特徴とする請求項３記載の方法。
【請求項５】
照射線硬化されたシリカ−チタニアガラスを製造する方法であって、
火炎加水分解、ＯＶＤ、ＣＶＤおよびプラズマ法からなる群より選択される方法を使用してシリカ−チタニアガラスのブールを製造する工程であって、選択された方法が、酸素および燃料の存在下で、容器内または表面上に収集されるまたは堆積されるシリカ−チタニアスートに転化されるシリカ前駆体材料およびチタニア前駆体材料を使用する方法である工程、
前記シリカ−チタニアスートを固結温度で固結させる工程、
前記固結したシリカ−チタニアガラスを、選択されたアニールスケジュールにしがってアニールする工程、
前記ブールからシリカ−チタニアブランクを形成する工程、
前記ブランクを研削ラップ仕上げし、研磨して、シリカ−チタニア光学素子を形成する工程、
前記光学素子の少なくとも１つの面を、該光学素子中の選択された深さまで該面の圧密（緻密化）を行うために、該面を選択された時間に亘り２５０ｎｍ未満の波長の入射する高エネルギー照射線に曝露することによって、緻密化する工程、および
照射後に前記光学素子を分析して、該光学素子の照射線硬化された面が仕様に適合していることを判定し、必要であれば、前記緻密化された層の全部は除去せずに、仕様を満たすように前記照射線硬化された面を再研磨する工程、
を有してなり、
前記シリカ−チタニアガラスが、３〜１２質量％のチタニアおよび８８〜９７質量％のシリカからなることを特徴とする方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００２】
光リソグラフィーが、エレクトロニクス用物品の製造に長年に亘り使用されてきており、大量生産のために、一般的な白色（可視またはＶＩＳ）光投射システムの使用から、レーザ系ＤＵＶ（深紫外）ステッパシステム（〜１９３ｍで動作する）へと進歩してきた。光リソグラフィーは今では、ＤＵＶ範囲から、〜１３．４ｎｍ（軟Ｘ線）波長を使用して動作するＥＵＶ（極紫外線）範囲へと広がってきている。各代々の光リソグラフィーシステムについて、それらシステムが相互作用する光を反射、屈折、および一般に操作するのに使用される光学材料は、使用されている光の波長が小さくなるにつれて高まっている技術的要求を満たすために、著しく進展しなければならない。これらの要求には、より高い透過率、より良好な光学的均一性、低応力を提供する、および／または次第に高価になってきているのでこれらの材料を使用する器具の長寿命に亘り今以上のレーザ耐久性を提供する改良された材料が含まれる。リソグラフィーシステムを変える（ＶＩＳからＤＵＶからＥＵＶ）目的は、より高速およびより小さい寸法の半導体デバイスの高まっている要求を満たすのに必要な、マスタ・パターンの高精度かつずっと少ない数の複製物を製造することにある。現在、〜３２ｎｍほど小さいハーフピッチ線幅を達成できる〜１９３ｎｍのＤＵＶ波長を使用する生産システムが製造されている。速度の増加およびサイズの減少において著しい進歩を示す次世代のＥＵＶシステムが開発中である。これらのＥＵＶシステムは、１３．４ｎｍの高エネルギーＥＵＶ照射線を使用する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００５】
改良されたシリカ−チタニア基礎ガラスは、コーティング材料の堆積前に、＜２５０ｎｍの波長を有する照射線により選択された回数だけ意図的に照射されたガラスである。シリカ−チタニアガラスへの照射により、反射光学コーティングが施されるガラスの表面の少なくとも表面層の圧密または緻密化が誘発される。シリカ−チタニアガラスへのこの改良の結果は、短波長反射光学素子用途への使用を促進する改良された表面安定性と共に、基礎シリカ−チタニアガラスの有益なバルク特性（ＣＴＥ制御、有益な膨張性）を提供する、照射線硬化されたシリカ−チタニア基礎ガラス、およびそのようなガラスを使用して形成された物品である。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
別の実施の形態において、本開示は、照射線硬化された少なくとも１つの面を有するシリカ−チタニアガラスを製造する方法に関する。この方法は、
火炎加水分解、ＯＶＤ、ＣＶＤおよびプラズマ法からなる群より選択される方法であって、その全てが、酸素および燃料（例えば、水素、メタン、天然ガス、エタンなど）の存在下で、シリカ−チタニアガラスに固結される、容器内または表面上（心棒またはマンドレル）に収集されるまたは堆積されるシリカ−チタニアスートに転化されるシリカ前駆体材料およびチタニア前駆体材料を使用する方法を使用して、シリカ−チタニアガラスのブールを製造する工程、
スートを容器中または心棒上に固結温度で堆積させることにより、またはスートが収集された後にスートまたはスートから形成されたプリフォームを固結温度に加熱することより、シリカ−チタニアスートを固結させる工程、
固結したシリカ−チタニアガラスを、選択されたアニールスケジュールにしがってアニールする工程、
固結したシリカ−チタニアガラスをブランク（直径が０．２メートル未満で厚さが０．１５メートル未満のブールなどの小さなブールに一般に使用されている）に直接形成する工程、または固結されたガラスが大きなブール、例えば、直径が０．２〜２メートルである場合、水ジェット、ワイヤのこ引きおよび機械式切断技法を使用して、このブールからガラスブランクを抽出する工程、
このブランクを、機械的および光学的仕様に研削ラップ仕上げし、研磨して、光学素子を形成する工程であって、必要に応じて、機械的研磨、イオンビーム研磨または平削り、化学的研磨および磁気レオロジー仕上げを含む工程、
前記面を選択された深さまで圧密（緻密化）して光学素子を形成するために選択された時間に亘り２５０ｎｍ未満の波長の入射する高エネルギー照射線にこの面を曝露することによって、光学素子の少なくとも１つの面を緻密化する工程、および
照射後に光学素子を分析して、光学素子の照射線硬化された面が、仕様に適合していることを判定し、必要であれば、緻密化された層の全部は除去せずに、仕様を満たすように照射線硬化された面を再研磨する工程、
を有してなる。１つの工程または追加の数の工程において、多層反射コーティングが、放射線硬化された面上に堆積される。先の方法は、３〜１２質量％のチタニアおよび８８〜９７質量％のシリカから実質的になるシリカ−チタニアガラスを製造するのに適している。