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　特願２００２−２３８５５７「非熱的結晶回復法および微細加工方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　３月１１日出願公開、特開２００４−　７９８１２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１４年８月１９日の出願であって、平成１８年２月２０日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年３月３０日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。
　
第２　本願発明について
　本願の請求項１ないし１４に係る発明は、願書に最初に添付した明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし１４に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、このうち、本願の請求項１に係る発明は、その請求項１に記載されている事項により特定される以下のとおりのものである。
「【請求項１】　結晶性材料の表面および内部に形成された損傷領域に、０．０１ｅＶ以上９０ｅＶ以下のビームエネルギーの電子線を照射して非熱的に結晶性を回復させることを特徴とする非熱的結晶回復法。」
　
第３　刊行物に記載された事項
刊行物１．Tetsuya, Narushima, et.al., Electron-stimulated surface stress relaxation of Si, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2001,米国,VOL.79, NO.5, PP.605-607
　
　原審の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物１（Tetsuya, Narushima, et.al., Electron-stimulated surface stress relaxation of Si, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2001,米国,VOL.79, NO.5, PP.605-607）には、図１ないし図３とともに、以下の事項が記載されている。
「Ｓｉの欠陥は、荷電の状態に従ってバンドギャップに様々なレベルを持っている。欠陥サイトでのキャリアの捕獲は、局所的なエネルギーの解放を生み出すかもしれない。したがって、不規則化により引き起こされた圧縮応力を緩和する可能な方法は、低エネルギーの電子線照射により、欠陥が電子を捕らえ、それ自身の荷電状態を変えることである。」（第６０５頁本文左欄第２１行ないし第２７行の訳文）、
「表面の原子の運動が精力的な電子によって導かれれば、表面の応力の変化は有限の値を持つだろう。この論文では、私たちは、非常に敏感なカンチレバー技術を使用して、低エネルギーの電子線照射は、表面の応力と欠陥不規則との相互関係により、欠陥構造の規律正しいＳｉ表面への回復を引き起こすのに大変有効であることを示す。」（第６０５頁本文右欄第６行ないし第１２行の訳文）、
「表面への不規則化を導入するために、試料へのＡｒイオン衝撃は、アルゴンプラズマを使用して、０〜３０００秒の間室温で行なわれた。」（第６０５頁本文右欄第２０超ないし第２２行の訳文）、
「Ａｒイオン衝撃のために、−６０Ｖの負の直流バイアス（Ｖｂ）が、イオンを引きつけるためにＳｉ試料に印加された。試料中の平均損傷深さは、ＴＲＩＭ計算によって、この場合、１ｎｍであることが得られた。Ａｒのオージェ電子信号のピークはイオン衝撃の後に表面上で観察されなかった。電子線照射は、＋８．７５から＋４５．０Ｖまでの正バイアスで、アルゴンプラズマを使用して、室温でその衝撃の後に行なわれた。このエネルギー範囲の電子浸透深さは、その損傷深さに匹敵する。」（第６０５頁本文右欄第２８行ないし第６０６頁本文左欄第２行の訳文）、
「図１は、２０００秒間の６５ｅＶのイオン衝撃と次の１０ｅＶの電子線照射の間の、表面の応力の展開の時間依存性を示す。イオン衝撃により、圧縮（つまり、負の）応力の値が急激に増加し、その後、徐々に、この圧縮応力は横ばいになった。反対に、圧縮応力は、電子線照射直後に急激に減少した。時間とともに、応力の変化は、徐々に減少し、応力は飽和した。ここで興味深いことは、圧縮応力は、イオン衝撃中に生成され、電子線照射の下で０まで戻ったということである。表面の層は、その衝撃によって、Ｓｉ基板格子と比較して拡張される。そして、次の電子線照射は、不規則化により引き起こされた応力の完全な緩和が生じる間に、この層を緩和するように作用する。」（第６０６頁本文左欄第２７行ないし第４１行の訳文）、
「プロセスについての私たちの理解は、以下のとおりである。最初に、注入されたアルゴンイオンの衝突は、表面の近くのＳｉ−Ｓｉ結合を壊す。」（第６０６頁本文右欄第１０行ないし第１２行の訳文）、
「次に、不規則化により引き起こされた応力の、電子線照射による緩和について、図３（ａ）は、２０００秒間の６５ｅＶの固定された衝撃条件によって不規則にされた表面上への、３．７５、１０又は２５ｅＶの、様々な電子線照射エネルギーによる電子線照射の間の表面応力の時間展開を示す。縦軸は、電子線照射により引き起こされる時間ｔにおける応力Δσｅ（ｔ）を、不規則化により引き起こされた応力Δσｉ（＝−０．３７Ｎ／ｍ＝ｃｏｎｓｔ．）により除算することにより規格化した、｜Δσｅ（ｔ）／Δσｉ｜である。完全な緩和は、緩和率｜Δσｅ（ｔ）／Δσｉ｜＝１に相当する。完全な緩和は、電子線のどんな照射エネルギーでも確認される。より高いエネルギーで、完全な緩和までの時間は、より短くなる。照射された電子の数の依存を調査するために、図３（ｂ）は、｜Δσｅ（ｔ）／Δσｉ｜の展開を、電子の数の関数として示す。ここで、電子の数は、電子電流の測定から評価された。意外なことに、緩和率の変化は電子の数のみに関係し、照射エネルギーには関係しなかった。」（第６０６頁本文右欄第２５行ないし第６０７頁本文左欄第７行の訳文）、
「私たちの実験条件で、電子の加熱によるアニールは、生じなかった。なぜなら、電子線照射中の温度の上昇は、約１０°よりも小さかった。温度変化は、背後をアルミニウムで被覆されたカンチレバーのバイメタル効果（熱膨張の違い）を使用して測定された。これらの結果を考えれば、緩和は、非熱のメカニズムによって明らかに促進される。
　妥当性のあるメカニズムは、後で応力緩和のために示唆される。バルクＳｉ中の欠陥の移動は、電子線照射に基づく連続するポテンシャルの変化を通じて荷電状態の遷移により、強く増強される。このメカニズムは、ブルゴアン−コルベットのイオン化により増強された拡散（ＩＥＤ）として、知られている。ＩＥＤメカニズムの詳細な拡散プロセスは、また、基本的原理計算によって調査された。そのような連続的な荷電状態の遷移は、非熱的に移動を助長する。言い換えれば、それは、生じるのに、温度の助けを必要としない。非熱的な移動は、また、Ｓｉ表面の電子線照射の下で生じるかもしれない。電子が欠陥によって捕らえられた後、空位と間隙は、移動し再結合する。そのような安定化の結果として、原子的に薄い不規則化された層は、規律正しいＳｉへ回復されるべきである。また、不規則化により引き起こされた応力は、取り除かれるべきである。」（第６０７頁本文左欄第１５行ないし同頁本文右欄第１１行の訳文）
　
　以上の記載から、刊行物１には、以下の発明が記載されている。
「アルゴンイオンの衝突により表面の近くのＳｉ−Ｓｉ結合が壊された不規則化により引き起こされた圧縮応力を有する平均損傷深さが１ｎｍであるＳｉの表面に、電子線照射エネルギーが３．７５、１０又は２５ｅＶである電子線照射を行い、非熱的に不規則化により引き起こされた圧縮応力が緩和されることを特徴とするＳｉの表面応力緩和法。」
　
第４　当審の判断
（１）対比
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）と刊行物１に記載された発明（以下、「刊行物１発明」という。）とを対比すると、刊行物１発明の「Ｓｉ」は、本願発明１の「結晶性材料」に相当し、刊行物１発明の「アルゴンイオンの衝突により表面の近くのＳｉ−Ｓｉ結合が壊された不規則化により引き起こされた圧縮応力を有する平均損傷深さが１ｎｍである」「表面」は、本願発明１の「表面および内部に形成された損傷領域」に相当するので、刊行物１発明の「アルゴンイオンの衝突により表面の近くのＳｉ−Ｓｉ結合が壊された不規則化により引き起こされた圧縮応力を有する平均損傷深さが１ｎｍであるＳｉの表面」は、本願発明１の「結晶性材料の表面および内部に形成された損傷領域」に相当する。
　また、刊行物１発明の「電子線照射エネルギー」、「電子線照射」は、それぞれ、本願発明１の「ビームエネルギー」、「電子線を照射」することに相当する。
　すると、本願発明１と刊行物１発明とは、「結晶性材料の表面および内部に形成された損傷領域に、所定のビームエネルギーの電子線を照射して非熱的に処理することを特徴とする非熱的法。」の点で一致し、本願発明１は、「０．０１ｅＶ以上９０ｅＶ以下のビームエネルギーの電子線を照射」するのに対して、刊行物１発明は、「電子線照射エネルギーが３．７５、１０又は２５ｅＶである電子線照射を行」う点（以下、「相違点１」という。）、本願発明１は、「結晶性を回復させる」のに対して、刊行物１発明は、「不規則化により引き起こされた圧縮応力が緩和される」点（以下、「相違点２」という。）、本願発明１は、「非熱的結晶回復法」であるのに対して、刊行物１発明は、「Ｓｉの表面応力緩和法」である点（以下、「相違点３」という。）で、一応相違している。
　
（２）相違点についての検討
ａ．相違点１について
　刊行物１発明の「電子線照射エネルギーが３．７５、１０又は２５ｅＶである」ことは、「電子線照射エネルギー」として、「３．７５、１０又は２５ｅＶ」のいずれかを使用することである。
　そして、刊行物１発明の「３．７５、１０又は２５ｅＶ」の３つの「電子線照射エネルギー」は、すべて、本願発明１の「０．０１ｅＶ以上９０ｅＶ以下のビームエネルギー」の範囲と重なり、一致している。
　したがって、刊行物１発明の「電子線照射エネルギーが３．７５、１０又は２５ｅＶである電子線照射を行」うことは、本願発明１の「０．０１ｅＶ以上９０ｅＶ以下のビームエネルギーの電子線を照射」することと実質的に一致しており、相違するものではない。
ｂ．相違点２について
　本願発明１の「結晶性を回復させる」ことは、「結晶性を回復させる」度合いの記載はないから、不完全な程度に「結晶性を回復させる」ことから、完全に「結晶性を回復させる」ことまでの、あらゆる場合を含むものである。
　そして、このことは、例えば、本願の請求項４に係る発明に「損傷領域の結晶回復を完全結晶回復状態から不完全回復状態まで連続的に制御する」と記載されていることからも、裏付けられる。
　すると、刊行物１の「低エネルギーの電子線照射は、表面の応力と欠陥不規則の相互関係を通じて規律正しいＳｉ表面への欠陥構造の回復を引き起こすのに大変有効であることを示す。」（第６０５頁本文右欄第９行ないし第１２行の訳文）、「そのような安定化の結果として、原子的に薄い不規則化された層は、規律正しいＳｉへ回復されるべきである。」（第６０７頁本文右欄第８行ないし第１１行の訳文）の記載によっても、示唆されているように、刊行物１発明の「不規則化により引き起こされた圧縮応力が緩和される」ことにより、少なくとも不完全な程度の範囲では、「規律正しいＳｉ」への「回復」、すなわち、Ｓｉの結晶性が回復されていると認められるので、刊行物１発明の「不規則化により引き起こされた圧縮応力が緩和される」ことと本願発明１の「結晶性を回復させる」こととは、実質的に相違するものではない。
ｃ．相違点３について
　上記の「ａ．相違点１について」と「ｂ．相違点２について」で検討したように、相違点１と相違点２には、いずれも、相違が認められないので、当然ながら、本願発明１と刊行物１発明とは、相違点３においても、実質的に相違しない。
　
　したがって、本願の請求項１に係る発明は、刊行物１に記載された発明と同一であり、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができないものである。　
　
第５　むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項について検討するまでもなく拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。