【事件の表示】
　特願２００２−　７４９９１「光記録媒体」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　９月２６日出願公開、特開２００３−２７２２２７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本件審判の請求に係る特許願（以下「本願」という。）は、平成１４年３月１８日に出願されたものであって、原審において、平成１８年５月１５日付けで、請求項１〜５，８の各項に係る各発明は、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けられない旨、及び、請求項１〜８の各項に係る各発明は、特許法第２９条第２項に規定により特許を受けられない旨の拒絶理由通知がされ、平成１８年８月７日付けで、拒絶すべきものである旨の査定がされ、これに対して、平成１８年９月１４日付けで、拒絶査定不服審判が請求され、平成１８年１０月１３日付けで、手続補正がされた。
　その後、平成２０年７月２５日付けで前置報告書を利用した審尋をしたところ、回答がなかったものである。
　
　
II．平成１８年１０月１３日付け手続補正について
　平成１８年１０月１３日付け手続補正についての却下の決定
　
　〔補正却下の決定の結論〕
　平成１８年１０月１３日付け手続補正を却下する。
　
　〔理由〕
　１．平成１８年１０月１３日付け手続補正（以下「本件補正」という。）の内容
　
　本件補正のうち特許請求の範囲についてするものは、
　(1)本件補正前
「【請求項１】　透明基板上に相変化材料を主成分とする少なくとも１層の記録層と
金属または
において
【数１】
　　　（Ｒ０−Ｒ１）／Ｒ０　
（式中、Ｒ０は記録層の結晶化直後の反射率すなわち初期反射率であり、
　Ｒ１は記録層の結晶化状態が安定したときの反射率すなわち安定反射率
　である）
が０．０８〜０．１２の間になるように
した
【請求項２】　
透明基板上に相変化材料を主成分とする少なくとも１層の記録層と金属または合金よりなる少なくとも１層の反射層を有し、光照射により記録層に結晶層と非晶質層との可逆的相変化を起こす光記録媒体であって、該光記録媒体（該記録層）の結晶化状態における反射率の変動を初期反射率と安定反射率で規格化した値
【数２】
　　　
（Ｒ
０
−Ｒ
１
）／Ｒ
０
（式中、Ｒ
０
は記録層の結晶化直後の反射率すなわち初期反射率であり、
　
Ｒ
１
は記録層の結晶化状態が安定したときの反射率すなわち安定反射率
　
である）
が０．０８〜０．１２の間になるように、前記相変化材料の下記元素組成式【化１】
　　　
Ｍ
１α
Ｍ
２β
（Ｓｂ
γ
Ｔｅ
１−γ
）
１−α−β
（式中、Ｍ
１
はＡｇ、Ｇｅ、Ｓｎ、ＭｎおよびＳｅよりなる群から選ば
　
れた少なくとも１種の元素であり、Ｍ
２
はＩｎ、ＧａおよびＤｙより
　
なる群から選ばれた元素である）
におけるα、β、γを設定したものであることを特徴とする光記録媒体
【請求項３】　該記録層の結晶化温度Ｔｃが
【数３】
　　　１５０℃≦Ｔｃ≦２００℃
である請求項１または２記載の光記録媒体。
【請求項４】　該記録層の膜厚が１０〜３０ｎｍである請求項１〜３いずれか記載の光記録媒体。
【請求項５】　該反射層の膜厚が５０〜３００ｎｍである請求項１〜４いずれか記載の光記録媒体。
【請求項６】　該記録層の膜厚をｗ１、該反射層の膜厚をｗ２とするとき、
【数４】
　　　１０ｎｍ≦ｗ１≦２０ｎｍ
　　　１２０ｎｍ≦ｗ２≦１８０ｎｍ
の関係を満足するものである請求項１〜３いずれか記載の光記録媒体。
【請求項７】　
該反射層がＡｇまたはＡｇを９０原子％以上含有する合金である
【請求項８】　該記録時の走査線速度が１２ｍ／ｓ以上であることを特徴とする請求項１〜７いずれか記載の光記録媒体への情報記録方法。
　
　とあったところ、
　
　(2)本件補正後
「【請求項１】　透明基板上に相変化材料を主成分とする少なくとも１層の記録層と
ＡｇまたはＡｇを９０原子％以上含有する
であって
【数１】
　　　（Ｒ０−Ｒ１）／Ｒ０　
（式中、Ｒ０は記録層の結晶化直後の反射率すなわち初期反射率であり、
　Ｒ１は記録層の結晶化状態が安定したときの反射率すなわち安定反射率
　である）
が０．０８〜０．１２の間になるように
、前記相変化材料の下記元素組成式
【化１】
　　　
Ｍ
１α
Ｍ
２β
Ｓｂ
γ
Ｔｅ
１−γ
)
１−α−β
（式中、Ｍ
１
はＧｅ、Ｍ
２
はＩｎである）
におけるα、β、γを設定したものである
【請求項２】
　
０．０３≦α≦０．０５、０．０２≦β≦０．０４、０．７８≦γ≦０．８２である
【請求項３】　該記録層の結晶化温度Ｔｃが
【数２】
　　　１５０℃≦Ｔｃ≦２００℃
である請求項１又は２記載の光記録媒体。
【請求項４】　該記録層の膜厚が１０〜３０ｎｍである請求項１〜３いずれか記載の光記録媒体。
【請求項５】　該反射層の膜厚が５０〜３００ｎｍである請求項１〜４いずれか記載の光記録媒体。
【請求項６】　該記録層の膜厚をｗ１、該反射層の膜厚をｗ２とするとき、
【数３】
　　　１０ｎｍ≦ｗ１≦２０ｎｍ
　　　１２０ｎｍ≦ｗ２≦１８０ｎｍ
の関係を満足するものである請求項１〜３いずれか記載の光記録媒体。
【請求項
７
項１〜６いずれか記載の光記録媒体への情報記録方法。」
と、（注：下線は補正箇所を明示するために当審での付与。）するものである。
　
　２．本件補正の目的
　本件補正のうち上記特許請求の範囲についてするものは、
　請求項１に係る発明に対しては、本件補正前の請求項１に係る発明を特定するために必要な事項である、
　反射層を構成する「金属または合金」を、
「
ＡｇまたはＡｇを９０原子％以上含有する
　
　記録層の相変化材料について、
「
前記相変化材料の下記元素組成式
　
【化１】
　　　
Ｍ
１α
Ｍ
２β
（Ｓｂ
γ
Ｔｅ
１−γ
）
１−α−β
（式中、Ｍ
１
はＧｅ、Ｍ
２
はＩｎである）
におけるα、β、γを設定したものである
　発明特定事項について限定を付加するものである。
　
また、請求項２に係る発明に対しては、請求項１の引用形式で記載して、本件補正前の請求項２と比較して、本件補正前の請求項２における発明特定事項である元素組成式【化１】について、Ｍ１をＧｅ、Ｍ２をＩｎと限定すると共に、相変化材料の元素組成式のα、β、γについて、「
０．０３≦α≦０．０５、０．０２≦β≦０．０４、０．７８≦γ≦０．８２である
　
　上記、請求項１，２に係る発明の補正は、いずれも、請求項に係る各発明に対して、その発明特定事項を限定するものである。また、本件補正前の請求項７については削除して、削除にともない特許請求の範囲の項番を整理するものである。
　
　したがって、上記の特許請求の範囲についての補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第１号の請求項の削除と同項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するものである。
　
　３．補正の適否
　そこで、本件補正後の請求項１〜７に係る発明のうち、上記請求項２に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について、以下に検討する。
　
　(1)本件補正後の請求項２に係る発明（以下「補正後発明」という。）は、上記１．(2)の【請求項２】に係る発明に記載されたとおりのものであって、本件補正後の請求項１の記載事項を含めて示すと次のとおりである。
　即ち、
　「透明基板上に相変化材料を主成分とする少なくとも１層の記録層とＡｇまたはＡｇを９０原子％以上含有する合金よりなる少なくとも１層の反射層を有し、光照射により記録層に結晶層と非晶質層との可逆的相変化を起こす光記録媒体であって、該光記録媒体（該記録層）の結晶化状態における反射率の変動を初期反射率と安定反射率で規格化した値
【数１】
　　　（Ｒ０−Ｒ１）／Ｒ０　
（式中、Ｒ０は記録層の結晶化直後の反射率すなわち初期反射率であり、
　Ｒ１は記録層の結晶化状態が安定したときの反射率すなわち安定反射率
　である）
が０．０８〜０．１２の間になるように、前記相変化材料の下記元素組成式    　
【化１】   　
　　　Ｍ１αＭ２β（ＳｂγＴｅ１−γ)１−α−β 
　（式中、Ｍ１はＧｅ、Ｍ２はＩｎである）    　
におけるα、β、γを
　０．０３≦α≦０．０５、０．０２≦β≦０．０４、０．７８≦γ≦０．８２に設定したことを特徴とする光記録媒体。」
　というものである。
　
　(2)刊行物及びその記載
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である特開２００１−２２９５３７号公報（平成１３年８月２４日公開、以下「刊行物」という。）は、「書換え型光記録媒体及びその記載方法並びに光ディスク記録再生装置」について以下の記載がある。（なお、下線は、(ii)(iii)のタイトルを除いて当審での付与。）
　
　 (i)「【特許請求の範囲】
【請求項１】〜【請求項６】・・・（省略）・・・。
【請求項７】　ウォブル溝が形成された基板と相変型記録層とを有してなり、該相変化記録層の結晶状態の部分を未記録・消去状態に対応させ、該相変化記録層の非晶質状態の部分を記録状態に対応させて、記録光を照射することにより該記録状態に対応する非晶質マークを形成させる書き換え型光記録媒体であって、線速１．２ｍ／ｓ〜１．４ｍ／ｓを基準速度（１倍速）Ｖ１としたとき、基準速度の８〜１０倍速のいずれかの線速で記録される書き換え型光記録媒体において、
基板上に、下部保護層、相変化型記録層、上部保護層及び反射層を設けてなり、該相変化型記録層が、Ｍ
ｚ
Ｇｅ
ｙ
（Ｓｂ
ｘ
Ｔｅ
１−ｘ
）
１−ｙ−ｚ
（ただし、０≦ｚ≦０．１、０＜ｙ≦０．１、０．７２≦ｘ≦０．８であり、ＭはＩｎ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ａｕ、Ａｇ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｂｉ、Ｏ、Ｎ、Ｓ及び希土類金属元素からなる群から選ばれる少なくとも一種の元素を表す）で表される組成から選択されたものであること
【請求項８】〜【請求項１５】・・・（省略）・・・。
【請求項１６】　
反射層がＡｌ合金又はＡｇ合金
【請求項１７】〜【請求項４８】・・・（省略）・・・。」
　
　 (ii)「【００３１】
２．媒体の記録層について
本発明の書換え型光記録媒体においては、非晶質マークの高速結晶化による短時間の消去と、非晶質マークの経時安定性を両立させることが肝要である。なおかつ、再生専用ＣＤ−ＲＯＭドライブと再生互換をとるために、基準となる光学系において、高変調度を満足すると共に、反射率をその他のサーボ信号特性等を満足させるのが好ましい。高速結晶化と経時安定性には基板上に設けられる相変化型記録層の材料の選択が最も重要である。本発明では該記録層の結晶化速度を速めることが重要であり、これは記録層の組成を微妙に調整することにより達成される。
記録層材料の組成としては
Ｍ
ｚ
Ｇｅ
ｙ
（Ｓｂ
ｘ
Ｔｅ
１−ｘ
）
１−ｙ−ｚ
組成（ただし、０≦ｚ≦０．１、０＜ｙ≦０．１、０．７２≦ｘ≦０．８であり、ＭはＩｎ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ａｕ、Ａｇ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｂｉ、Ｏ、Ｎ、Ｓ及び希土類金属からなる群から選ばれる少なくとも一種）なる組成から選択するのが好ましい。
【００３２】上記好ましい組成は、ＳｂＴｅ共晶点組成より過剰のＳｂを含む２元合金に経時安定性及びジッタの改善のためにＧｅを添加した３元合金をベースとするものと考えることができる。この際、Ｇｅは過剰Ｓｂによる高速結晶化機能を損ねることなく、非晶質マークの経時安定性を高める機能を有していると考えられる。また、結晶化温度を高めるとともに、結晶化の活性化エネルギーを高めるのに最も有効な元素であると考えられる。Ｇｅ量は上記式におけるｙの値として０．０３以上、特に、０．０４以上であることが好ましい。一方Ｇｅ量が多すぎると、おそらくＧｅＴｅやＧｅＳｂＴｅ系の金属間化合物が析出するために、光学定数の異なる結晶粒が混在し記録層のノイズが上昇しジッタが増加することがあり、また、あまりに多く添加してもそれ以上経時安定性は改善されないので、通常Ｇｅ量は上記式におけるｙの値として０．１以下、好ましくは０．０８以下である。
【００３３】また、過剰Ｓｂが少なすぎると、再結晶化速度が低すぎて８倍速以上といった高線速で良好なオーバーライトができない場合があるので、上記式におけるｘは０．７２以上、好ましくは０．７３以上、さらに好ましくは０．７４以上とする。一方、Ｓｂ量が過剰すぎると、再結晶化速度が速すぎ、４倍速においてはＣＤ−ＲＷ規格のパルス分割方法では良好な非晶質マークの形成が困難となりジッタが非常に高くなってしまい、また、非晶質マークの経時安定性も悪化してしまう傾向にあるため、上記ｘは０．８０以下、好ましくは０．７９以下、さらに好ましくは０．７８以下とする。最適な組成範囲は開口数ＮＡによっても若干異なる。ＮＡが大きく集束光ビームがより絞られている場合は、ビーム照射後の記録層冷却速度が若干高い傾向があるためである。従って、ＮＡ＝０．５に対してはｘは０．７３〜０．７８の範囲が好適であり、ＮＡ＝０．５５に対してはｘは０．７５〜０．８０の範囲が好適である。この中間のＮＡに対しては、これらの中間の組成領域を用いることが好ましい。
【００３４】前記組成式において、上記Ｍで示される一群の元素のうち少なくとも１種を添加することによりさらに特性が改善される。Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｉ及びＳｎはさらなるジッタの低減に効果がある。Ｎ、Ｏ及びＳは繰返しオーバーライトにおける偏析の防止や光学特性の微調整ができるという効果がある。Ｂｉ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ及び希土類金属は成膜直後の非晶質膜の全面結晶化が容易になるという効果がある。Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｃｏ及びＰｂはさらなる経時安定性の改善に効果がある。ただし、元素Ｍの量が多すぎると特定の物質の経時的偏析や繰返しオーバーライトによる偏析が起こりやすくなるため、元素Ｍの添加量は上記式におけるｚのｘ＋ｙ＋ｚに対する量として０．１以下、特に０．０９以下とするのが好ましい。偏析が生じると、記録層が初期に有する非晶質の安定性や再結晶化速度等が変化して当初のオーバーライト特性が得られなくなるので好ましくない。特に、Ｏ、Ｓ及びＮはその合計量がこれらとＳｂ、Ｔｅ及びＧｅの合計量に対して５原子％以下であることがより好ましい。」
　
　 (iii)「【００５２】
３．媒体の層構成について
次に、本発明に用いられる媒体の層構成及び記録層以外の層について説明する。層構成及び記録層以外の層の組成は、記録層の高速結晶化及び経時安定性を両立させつつ、媒体の光学特性を特定範囲としＣＤとの再生互換性を保つために重要である。本発明の
媒体の基板には、ポリカーボネート、アクリル、ポリオレフィンなどの透明樹脂、あるいは透明ガラスを用いることができる。
記録層は、記録時の高温による変形を防止するためその上下を保護層で被覆されていることが望ましい（説明の便宜上、記録層に対して入射される光の側にある保護層を下部保護層、反対側にある保護層を上部保護層と称することがある。）。
　
　 (iv)「【００６３】なお、曲線ｃは、曲線ｂの媒体に、後述する好ましいパルス分割方法を併せ用いた場合に容易に達成できる。上記のような観点から、反射層の材料としては、
熱伝導率が高く放熱効果が大きいＡｌあるいはＡｇを主成分とする合金を用いるのが好ましい。
　
　 (v)「【００６７】
反射層の材料としてはＡｌ合金やＡｇ合金を挙げることができる。
ＡｌにＴａ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｓｃ、Ｈｆ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｍｏ及びＭｎからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素を含むＡｌ合金を挙げることができる。
上記元素の含有量は、通常０．１〜２原子％、好ましくは０．２〜１原子％である。
　
　 (vi)「【００６９】また、
反射層材料の他の好ましい例としては、ＡｇにＴｉ、Ｖ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｗ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｃ、Ｈｆ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｍｏ及びＭｎからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素を含むＡｇ合金を挙げることができる。
上記元素の含有量は、通常０．２〜５原子％である。
　
　 (vii)「【０２３３】（実施例１１）上記基本例において、下記のようにディスクを製造し、記録を行なった。同様の基板上に（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０からなる下部保護層を９７ｎｍ、Ｉｎ３Ｇｅ５Ｓｂ７２Ｔｅ２０からなる記録層を１５ｎｍ、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０からなる上部保護層を３８ｎｍ、Ａｌ９９．５Ｔａ０．５からなる反射層を２５０ｎｍ、紫外線硬化樹脂層を約４μｍとしてこの順に設け、書換え型コンパクトディスクを作製した。このＡｌ９９．５Ｔａ０．５反射層の体積抵抗率ρｖは１００ｎΩ・ｍ、面積抵抗率ρｓは０．４Ω／□であった。長軸約１００μｍ（半径方向）、短軸約１．３μｍ（円周方向）に集束した波長約８３０ｎｍのレーザー光を記録層に照射し、初期結晶化を行った。該集束光ビームがディスクに対して２．５ｍ／ｓで走査されるようディスクを回転させ、かつ、ディスク一回転につき約５０μｍを半径方向に移動させながら、７００〜９００ｍＷのパワーを連続的に照射した。同一個所に２回繰り返し照射したことになる。該初期結晶化操作により、未記録状態の反射率は、後述のオーバーライト記録時の消去状態の反射率とほとんど同じになった。本実施例の以下の評価は、ＮＡ＝０．５の光学系を有するテスター２を用いて評価を行った。」
　
　以上の摘示記載事項を記録層及び反射層の各組成について整理すると、
　
　上記(i)【請求項７】の記載から、記録層について、
　相変化型記録層が、ＭｚＧｅｙ（ＳｂｘＴｅ１−ｘ）１−ｙ−ｚ（ただし、０≦ｚ≦０．１、０＜ｙ≦０．１、０．７２≦ｘ≦０．８であり、ＭはＩｎ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ａｕ、Ａｇ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｂｉ、Ｏ、Ｎ、Ｓ及び希土類金属元素からなる群から選ばれる少なくとも一種の元素を表す）で表される組成から選択されたものであること、
　
　上記(i)【請求項７】の記載、【請求項１６】の記載から、反射層について、
　請求項１乃至１５のいずれか１つ（請求項７が含まれることは自明である）に記載の書き換え型記録媒体に対して、Ａｌ合金又はＡｇ合金から選択されたものであること、
　
　上記(ii)【００３１】の
２．媒体の記録層について
　記録層が、ＭｚＧｅｙ（ＳｂｘＴｅ１−ｘ）１−ｙ−ｚ（ただし、０≦ｚ≦０．１、０＜ｙ≦０．１、０．７２≦ｘ≦０．８であり、ＭはＩｎ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ａｕ、Ａｇ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｂｉ、Ｏ、Ｎ、Ｓ及び希土類金属からなる群から選ばれる少なくとも一種）なる組成から選択するのが好ましいこと、
　
　上記(iii)【００５２】〜(vi)【００６９】までの
３．媒体の層構成について
　反射層の材料としては、熱伝導率が高く放熱効果が大きいＡｌあるいは／やＡｇを主成分とする合金を用いるのが好ましいこと、特に、(v)【００６９】で、Ａｇについては、添加成分としての元素の含有量が、通常０．２〜５原子％であること、
　
　等の記載がされている。
　
　上記(vii)【０２３３】の（実施例１１）に記載の記録層の組成を請求項７の表記方法にすると、
　Ｉｎ０．０３Ｇｅ０．０５（Ｓｂ０．７８３Ｔｅ０．２１７）０．９２ となり、０≦ｚ＝０．０３≦０．１、０＜ｙ＝０．０５≦０．１、０．７２≦ｘ＝０．７８３≦０．８で、請求項７に記載された組成範囲を満たすものである。また、この実施例では、
　記録層　Ｉｎ３Ｇｅ５Ｓｂ７２Ｔｅ２０　に対して、
　反射層　Ａｌ９９．５Ｔａ０．５　を用いている。
　
　結局、刊行物には、特に、【０２３３】の（実施例１１）に基づき整理すると、以下のとおりの発明が記載されていると認める。
　
「ポリカーボネート、アクリル、ポリオレフィンなどの透明樹脂、あるいは透明ガラスを用いる基板上に、上下を保護層で被覆されている相変型記録層と、Ａｌ合金からなる反射層とを有し、
　相変化型記録層は、
　ＩｎｚＧｅｙ（ＳｂｘＴｅ１−ｘ）１−ｙ−ｚ　
　（ただし、ｚ＝０．０３、ｙ＝０．０５、ｘ＝０．７８３）であり、
　反射層は、Ａｌ合金からなり
　Ａｌ合金からなる反射層は、
　ＡｌにＴａ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｓｃ、Ｈｆ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｍｏ及びＭｎからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素を含むＡｌ合金であって、他の元素の含有量は、通常０．１〜２原子％である
　光記録媒体。」
　
　(3)対比・判断
　〔対比〕
　補正後発明と刊行物記載の発明とを対比する。
　 a．両発明とも、光照射により記録層に結晶相と非晶質層との可逆的相変化を起こす光記録媒体に関することで共通する。
　
　 b．刊行物記載の発明における「ポリカーボネート、アクリル、ポリオレフィンなどの透明樹脂、あるいは透明ガラスを用いる基板」は、補正後発明の「透明基板」に相当する。　
　
　 c．記録層の相変化材料について、
　補正後発明における相変化材料の元素組成式は、結局、
　　　ＧｅαＩｎβ（ＳｂγＴｅ１−γ）１−α−βであって、α、β、γは、それぞれ、０．０３≦α≦０．０５、０．０２≦β≦０．０４、０．７８≦γ≦０．８２というものである。
　
　一方、刊行物記載の発明における相変化材料の元素組成式は、
『ＩｎｚＧｅｙ（ＳｂｘＴｅ１−ｘ）１−ｙ−ｚ（ただし、ｚ＝０．０３、ｙ＝０．０５、ｘ＝０．７８３）』というもので、上記元素組成式で、Ｇｅに対するｙ、Ｉｎに対するｚ、Ｓｂに対するｘが、それぞれ、補正後発明の元素組成式のα、β、γに相当することは明らかである。
　
　刊行物記載の発明における相変化材料の元素組成式をα、β、γを用いて表現すると、
『ＧｅαＩｎβ（ＳｂγＴｅ１−γ）１−β−α（ただし、α＝０．０５、β＝０．０３、γ＝０．７８３）』
となり、刊行物記載の発明における相変化材料の元素式のα、β、γについての数値は、補正後発明の元素組成式の数値範囲を満たすものである。
　
　結局、補正後発明と刊行物記載の発明との［一致点］［一応の相違点］は、以下のとおりとなる。
　
　［一致点］
　「透明基板上に相変化材料を主成分とする少なくとも１層の記録層と反射層金属を９０原子％以上含有する合金よりなる少なくとも１層の反射層を有し、光照射により記録層に結晶層と非晶質層との可逆的相変化を起こす光記録媒体であって、
前記相変化材料の下記元素組成式
【化１】   　
　　　Ｍ１αＭ２β（ＳｂγＴｅ１−γ）１−α−β    　
（式中、Ｍ１はＧｅ、Ｍ２はＩｎである）    　
におけるα、β、γを
　α＝０．０５、β＝０．０３、γ＝０．７８
　に設定した光記録媒体。」
　
　［一応の相違点］
　Ａ．補正後発明のものが、「前記相変化材料の下記元素組成式」とする元素式のα、β、γを設定するのに、
「該光記録媒体（該記録層）の結晶化状態における反射率の変動を初期反射率と安定反射率で規格化した値
【数１】
　　　（Ｒ０−Ｒ１）／Ｒ０（式中、Ｒ０は記録層の結晶化直後の反射率すなわち初期反射率であり、
　Ｒ１は記録層の結晶化状態が安定したときの反射率すなわち安定反射率
　である）
が０．０８〜０．１２の間になるように」
　と規格化して、所定の数値範囲に入るようにしているのに対し、刊行物記載の発明は「（Ｒ０−Ｒ１）／Ｒ０」なる式の設定、及び、式より導かれる値が「０．０８〜０．１２の間になるように」とする数値範囲の記載がない点。
　
　Ｂ．補正後発明のものが、反射層について、「ＡｇまたはＡｇを９０原子％以上含有する合金」としているのに対して、刊行物記載の発明の反射層金属は具体的には「Ａｌ合金」である点。　
　
で、一応の相違が認められる。
　
　〔判断〕
　上記『一応の相違点』について検討する。
　−Ａ．について−
　本願明細書及び図面の記載で、記録層の結晶化直後の初期反射率と結晶状態が安定したときの反射率すなわち安定反射率との関係について、補正後発明における数値範囲を、如何に実現するのか、又、元素組成式のα、β、γの数値範囲についての記載を検討すると、
　イ．【００３０】に、「前記α、β、γのうち（Ｒ０−Ｒ１）／Ｒ０に多大な影響を及ぼすのはγである。γが高い、すなわちＳｂ含有量が多いほど結晶化エネルギーが低くなる傾向になる。すなわち高い走査速度での結晶化が可能となる。また、γが高いほど、記録層の緩和現象が発生しやすくなる。
緩和現象のパラメータである（Ｒ
０
−Ｒ
１
）／Ｒ
０
が、請求項１に記載の範囲を満たすには、０．７８〜０．８２の範囲にあることが好ましい。
　
　ロ．【００３１】で、「さらに、元素Ｍ２（即ち、Ｉｎ）は記録層元素の結晶化温度を上昇させる効果があり、結晶中に形成されるアモルファス状態の安定度を上げる効果がある。その組成比βが高いほど結晶化温度が上がりアモルファスマークは安定化するため、結晶化が困難になり、均一な結晶が形成されにくくなる。その結果１００ｎｍ程度の微小な分域構造を形成するため、再生光を走査したときに反射率の微小なノイズとして観察される。これは、記録後の再生振動にノイズが載ることに相当し、アモルファスマークおよびマーク間の時間的なばらつきであるジッタを上昇させることになる。また、βが低い場合はアモルファスマークの安定性が低下し、多数回の再生（同一個所を多数回走査すること）を行うと、マーク内に結晶核が発生するため、再生信頼性が劣化する傾向にある。そのため
βの適切な範囲としては０．０２〜０．０５が好ましい。この範囲であればジッタ（結晶化温度による影響）と再生安定性を最適化できる
　
　ハ．【００３２】で、「
Ｍ
１
（審決注：即ち、Ｇｅ）の原子を添加することで保存信頼性を向上する
保存寿命を向上することができる。しかし、αが高すぎるとマーク界面に結晶粒が発生する傾向にあり、ジッタを悪化させる。αの適切な組成範囲としては０．０２〜０．１０が好ましい
　
　ニ．更に、【００４１】以下の【実施例】の記載範囲で、【００５０】に、「
反射率の緩和量は記録層の主成分であるＳｂとＴｅによるところもあるが、第３成分の割合である前記γに大きく依存する
反射率の緩和量が上記規定の範囲を達成するには少なくとも
【数１０】０．７８０≦γ≦０．８１６
であることが必要である
　
　ホ．【００５１】〜【００５２】に、「記録層の組成による結晶化状態の違いとして、反射率の微小変動がある。この現象は記録層の結晶の組織構造によることが大きい。
　　　　　　　　　　　・・・（中略）・・・
結晶化温度が１５０℃〜２００℃の範囲にあることが好ましい。この結晶化温度はβによるところが大きく、βが高いほど結晶化温度が高くなり、結果としてノイズが大きくなり、記録媒体の再生特性を著しく悪化させることになる。これらのノイズはオーバーライト特性の関与しない。βは、初期化後１回目の記録でのジッタに大きく影響する。この初期記録後のジッタとβの関係を図６に示す。
オレンジブックの要求であるジッタ３５ｎｓ以下を満足するには、βは０．０５以下、好ましくは０．０４以下である。したがって好ましいβの範囲は
【数１１】０．０２≦β≦０．０４
  である。
　さらに、これらのディスクについて、保存寿命試験を行った。前述のＤＯＷ１ジッタを測定したディスクのうち、組成２、組成３、組成１０、組成１１、組成１５、組成１６について、保存信頼性試験を行った。上記のディスクを８０℃、８５％ＲＨの環境下で３００時間放置後に室温に戻し、ジッタの測定を行った。
　その結果、組成３を除く全ての組成でのジッタが大きく上昇し、規格３５ｎｓを超える結果となった。
この組成依存を検討したところ、αに依存していることがわかる。αと保存試験後のジッタの関係を図７に示す。この結果から【数１２】０．０３≦α≦０．０５となる
　
　反射率の変動を初期反射率で規格化した値、いいかえれば
緩和現象値
（Ｒ
０
−Ｒ
１
）／Ｒ
０
　上記イ．【００３０】から、元素組成式で、γを０．７８〜０．８２に、
　上記ニ．【００５０】から、
０．７８０≦γ≦０．８１６
　
　本願明細書等には、他に、補正後発明のように、
「
（Ｒ
０
−Ｒ
１
）／Ｒ
０
（式中、Ｒ０は記録層の結晶化直後の反射率すなわち初期反射率であり、
　Ｒ１は記録層の結晶化状態が安定したときの反射率すなわち安定反射率
　である）
が０．０８〜０．１２の間になるように
するための、更なる相変化材料の元素組成式、又、特別の記録膜形成方法、加工・製造方法等を示す記載はない。
　
　結局、本願明細書等の記載からは、    　
　ＧｅαＩｎβ（ＳｂγＴｅ１−γ）１−α−β   　
なる元素組成式におけるα、β、γのうち、少なくともγについて、０．７８≦γ≦０．８２であれば、
「
（Ｒ
０
−Ｒ
１
）／Ｒ
０
（式中、Ｒ０は記録層の結晶化直後の反射率すなわち初期反射率であり、
　Ｒ１は記録層の結晶化状態が安定したときの反射率すなわち安定反射率
　である）
なる関係が０．０８〜０．１２の間になるように」
なっていることは明らかである。
　要するに、補正後発明において、（Ｒ０−Ｒ１）／Ｒ０が所定の数値範囲にあるための条件は、α、β、γの値が補正後発明の範囲であればよいとするところ、刊行物記載の発明におけるｚ、ｙ、ｘの数値は全て、補正後発明のα、β、γの条件を満たしている。そうすると、刊行物記載の発明も（Ｒ０−Ｒ１）／Ｒ０が０．０８〜０．１２の間にあるといえるもので実質的に相違するものではない。
　
　−Ｂ．について−
　反射層としてのＡｇ合金であるが、相変化型光記録媒体において、反射層としてＡｌ合金、Ａｇ合金の採用は周知である。そして、刊行物記載の発明の反射層としては実施形態でＡｌ９９．５Ｔａ０．５を用いていることに加えて、「反射層の材料としては、熱伝導率が高く放熱効果が大きいＡｌあるいはＡｇを主成分とする合金を用いるのが好ましい」（上記(2)(iv)）、「反射層材料の他の好ましい例としては、ＡｇにＴｉ、Ｖ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｗ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｃ、Ｈｆ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｍｏ及びＭｎからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素を含むＡｇ合金を挙げることができる。・・・。上記元素の含有量は、通常０．２〜５原子％である。」（上記(2)(vi)）、及び請求項１６の記載においては、請求項７を引用し、反射層として、「Ａｌ合金又はＡｇ合金から選択されたもの」としていることから、請求項７記載の記録層組成範囲を満たす記録層について、Ａｇ合金が、反射層として対等に用いられるものであることは明らかである。
　したがって、記録層が、Ｉｎ３ Ｇｅ５ Ｓｂ７２Ｔｅ２０である場合においても、反射層金属としてＡｇ合金、しかも、添加成分としての元素の含有量が、通常０．２〜５原子％のものを用いることでの「Ａｇを９０原子％以上含有する合金」よりなる少なくとも１層の反射層とすることは単なる周知技術の変更ににすぎない。
　また、反射層の合金であるが、本願発明の記載からみて反射層がＡｌ合金かＡｇ合金かによって、（Ｒ０−Ｒ１）／Ｒ０の値にどのような影響があるかについて本願明細書に記載されていない。【００３３】には「反射層の材料としてはＣｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｓｉを主成分とし、微量の添加物を加えても良く、添加物としてはＴｉ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｃ、Ｐｄ、Ｔａ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌが例として挙げられ、熱伝導度と高い反射率をもつという点からＡｇまたはＡｇを主成分（とくに９０原子％以上が好ましい）とする合金を用いることが好ましい。」と記載されているだけで、Ａｇ⇔Ａｌとした場合、（Ｒ０−Ｒ１）／Ｒ０について如何なる影響があるかは明らかでない。そうすると、上記周知技術に基づく反射層にＡｇ合金を用いる構成が（Ｒ０−Ｒ１）／Ｒ０についての判断に実質的な相違点とはならない。  　
　
　以上、『一応の相違点』とした補正後発明における初期反射率と安定反射率との関係及びその数値範囲は、請求項２記載の元素組成式で、α、β、γの少なくとも、γについて、０．７８≦γ≦０．８２の数値範囲内である相変化材料であり、αとβについても０．０３≦α≦０．０５、０．０２≦β≦０．０４、の数値範囲に含まれるものであるから、このような数値範囲にある相変化材料を用いた光記録媒体が元々、本来的に有する反射特性を測定、検出し、規格化形式で表現したものということができ、この表現の有無で、補正後発明の記録層自体が異なるとは考えられない。また、（Ｒ０−Ｒ１）／Ｒ０を所定の範囲にするのは、ジッターを抑えるため、記録層の組成を特定の範囲としているものであったとしても、刊行物記載の発明の実施例の記録層の組成は、補正後発明で（Ｒ０−Ｒ１）／Ｒ０が所定の範囲である為の要件を満たしているものであるから同様の作用効果が得られるものである。
　また、反射層としてのＡｇ合金については、反射層としてＡｇ合金の使用は周知であり、Ａｇ合金を用いたところで（Ｒ０−Ｒ１）／Ｒ０に如何なる影響を与えるかについて明確な記載がなく把握できないことは上記したとおりである。　
　
　結局、補正後発明と刊行物記載の発明の光記録媒体自体に実質的な差異があるとは、認められない。
　
　したがって、補正後発明と刊行物記載の発明とは同一であって、補正後発明は、特許法第２９条第１項第３項に規定された発明に該当し、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
　４．補正についてのむすび
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　
　
III．本願について
　１．本願発明
　平成１８年１０月１３日付けの手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願請求項１乃至８に係る各発明は、出願当初の明細書及び図面からみて、その請求項１乃至８に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項２に係る発明は、上記「II．〔理由〕１．(1)本件補正前」の【請求項２】に記載されたとおりのもの（以下「本願発明」という。）と認める。
　
　２．刊行物及びその記載
　上記「II．〔理由〕３．(2)刊行物及びその記載」に記載したとおりである。
　
　３．対比・判断
　本願発明は、上記II.で判断した補正後発明から、記録層の相変化材料については、
「
前記相変化材料の下記元素組成式
【化１】
　　　
Ｍ
１α
Ｍ
２β
（Ｓｂ
γ
Ｔｅ
１−γ
)
１−α−β
（式中、Ｍ
１
はＧｅ、Ｍ
２
はＩｎである）
におけるα、β、γを設定したものである
なる構成要件は含み、及び、α、β、γについては、
「
０．０３≦α≦０．０５、０．０２≦β≦０．０４、０．７８≦γ≦０．８２である
「
前記相変化材料の下記元素組成式
【化１】
　　　
Ｍ
１α
Ｍ
２β
（Ｓｂ
γ
Ｔｅ
１−γ
）
１−α−β
（式中、Ｍ
１ 
はＡｇ、Ｇｅ、Ｓｎ、ＭｎおよびＳｅよりなる群から選ば
　
れた少なくとも１種の元素であり、Ｍ
２
はＩｎ、ＧａおよびＤｙより
　
なる群から選ばれた元素である）
におけるα、β、γを設定したものである
とするとともに、
　
　同じく反射層については、
「
ＡｇまたはＡｇを９０原子％以上含有する
なる構成要件から金属名及び原子％表現の含有量の要件を除いた、
「
金属または
として、その記載形式を独立請求項形式としたものである。
　
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、更に他の構成要件を付加したものに相当する補正後発明が、上記「II．〔理由〕３．(3)対比・判断の〔判断〕」で示したとおり、刊行物記載の発明とは同一であるから、本願発明も同じ理由により、刊行物記載の発明と同一と認める。
　
　−補足−
　請求人は、却下された平成１８年１０月１３日付け手続補正に基づくものではあるが、審判請求書の【請求理由】で、〔本願発明が特許されるべき理由〕を以下のように主張しているので付言する。
　主張１：「本願発明は、・・・結晶化直後からの記録層を形成する材料の構造における緩和現象を結晶相の反射率の緩和により特定し、これに基づいて構成元素と原子組成を最適化すれば、高速記録に対応でき高い保存信頼性をもつ光記録媒体が得られることを見出したことにより完成されたものである。
　具体的には、請求項１に記載したように、反射率に関する式（Ｒ０−Ｒ１）／Ｒ０の値が０．０８〜０．１２の間になるように、相変化材料の組成を設定した点に特徴を有する。
　これに対し、引用文献１には、・・・、本願発明の上記反射率に関する式、及びこのような式を導き出すのに示唆を与えるような記載は全く見当たらない。
　従って、引用文献には本願発明の技術思想について全く開示されていないと見るべきである。」との点について、
　『
反射率に関する式（Ｒ
０
−Ｒ
１
）／Ｒ
０
の値が０．０８〜０．１２の間になる
　又、記録層形成時の諸工程等に関して特別のものがみいだせない以上、記録層を構成する相変化材料の元素組成式が同じものであれば、同じ特性を有すると考えることは当然のことであり、相変化材料の組成の数値範囲が、同じものであることから、両発明に差異があるとはいえず、請求人の主張は採用できない。
　
　主張２：「請求項１において、反射層材料をＡｇまたはＡｇを９０原子％以上含有する合金に限定したことにより、本願発明は、反射層材料としてＡｌ９９．５Ｔａ０．５を用いている実施例１１と同一ではなくなる。なお、実施例１１以外の他の実施例も全て反射層材料としてＡｌＴａ合金を用いており、Ａｇ又はＡｇ合金のみを用いた実施例は全く示されていない。」との点について、
　刊行物記載の発明が、反射層材料として、Ａｇを９０原子％以上含有する合金を用いていることは単なる周知技術に基づく変更にすぎないことは、上記「II．〔理由〕３．(3)の〔判断〕−Ｂ．について−」したとおりであり、請求人の主張は採用できない。
　
　なお、当審において、前置報告を利用した審尋を通知したところ、請求人から回答はなされなかったことは上記「Ｉ．手続の経緯」で記載したとおりであるが、因みに、前置報告の趣旨は、刊行物には反射層材料として、Ａｇを９０原子％以上含有するＡｇ合金を用いる旨の記載があることを含めて指摘しているものである。
　
　４．むすび
　以上のとおりであるから、本願請求項２に係る発明は、特許法第２９条第１項第３号に規定された発明に該当し、特許を受けることができない。
　したがって、本願は、その余の請求項について論及するまでもなく、拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。