【事件の表示】
　特願２００１−３１６０４２「高周波複合部品」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　４月２５日出願公開、特開２００３−１２４７０２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件は、平成１３年１０月１２日の出願であって、平成１８年２月８日付け拒絶理由通知に対して、同年４月４日付けで手続補正がされたが、同年６月９日付けで拒絶査定され、これに対し、同年７月２０日に拒絶査定不服の審判が請求されるとともに、同年８月１７日に手続補正がされたものである。
　
第２　補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　　平成１８年８月１７日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１．補正後の本願発明
　上記手続補正（以下、「本件補正」という。）は補正前の特許請求の範囲の請求項１に記載された発明を、
　
　「複数の絶縁層を積み重ねて構成した多層回路基板と、
　前記多層回路基板の表面および内部の少なくともいずれか一方に配設した複数の電気回路素子とを備え、
　前記複数の電気回路素子は、少なくとも第１および第２のダイオードと、インダクタとを含み、
　前記第１のダイオードの一端と第２のダイオードの一端とが、伝送線路を介して電気的に接続され、
　前記第１のダイオードの他端は前記インダクタの一端と接続されており、
　前記第２のダイオードの他端は電圧制御用端子に接続されており、
　前記インダクタは、前記第１および第２のダイオードの動作時に１／４波長のショートスタブとして動作し、
　前記インダクタの他端が、前記多層回路基板の内部に設けたビアホールおよび前記多層回路基板の表面に設けた端子電極の少なくともいずれか一方にて構成された二つ以上の接続経路を介して接地される構造を有していること、
　を特徴とする高周波複合部品。」
　
という発明（以下、「補正後の発明」という。）に変更することを含むものである。
　
２．新規事項の有無、補正の目的要件について
　上記補正は、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内において、補正前の特許請求の範囲の請求項１に記載された「インダクタ」に関し、「前記第１および第２のダイオードの動作時に１／４波長のショートスタブとして動作し」と限定を付加して、特許請求の範囲を減縮するものであるから、特許法第１７条の２第３項（新規事項）及び第４項第２号（補正の目的）の規定に適合している。
　
３．独立特許要件について
　上記補正は特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるから、上記補正後の発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるのかどうかについて以下に検討する。
　
（１）補正後の発明
　上記「１．補正後の本願発明」の項で認定したとおりである。
　
（２）引用発明
Ａ　原審の拒絶査定に引用された特開２０００−２２３９０１号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
イ．「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波スイッチ、特に、移動体通信機器等に組み込まれて用いられる高周波スイッチに関する。」（２頁１欄、段落１）
　
ロ．「【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る高周波スイッチの実施形態について添付図面を参照して説明する。
【００１２】［第１実施形態、図１〜図３］図１は、本発明に係る高周波スイッチの一例を示す電気回路図である。送信端子Ｔｘには、スイッチング素子であるダイオードＤ１１のカソードが接続されている。ダイオードＤ１１のカソードは、伝送線路１２を介してグランドに接地している。伝送線路１２は、チョーク素子として機能する。さらに、ダイオードＤ１１のアノードは、アンテナ端子ＡＮＴに接続している。
【００１３】アンテナ端子ＡＮＴには、伝送線路１３を介して受信端子Ｒｘが接続している。さらに、受信端子Ｒｘには、ダイオードＤ１２のカソードが接続している。ダイオードＤ１２のアノードは、バイアスカット用コンデンサＣ１２を介してグランドに接地している。ダイオードＤ１２とコンデンサＣ１２との中間接続点には、抵抗Ｒ１１を介して電圧制御端子Ｖｃが接続している。この電圧制御端子Ｖｃには、高周波スイッチ２１の伝送路を切り換えるためのコントロール回路が接続される。
【００１４】ダイオードＤ１１の両端（アノード・カソード間）には、伝送線路１４及びコンデンサＣ１３の直列回路が接続している。伝送線路１４及びコンデンサＣ１３は、ダイオードＤ１１がＯＦＦ状態のときのアイソレーションを良くするためのものである。
【００１５】ここに、伝送線路１２，１３として、特性インピーダンスが４０Ω以上の分布定数線路、あるいは、高周波インダクタが使用される。分布定数線路の場合、伝送線路１２，１３の線路長は、λ／１２以上λ／４以下（λ：所望周波数の波長）の範囲に設定される。伝送線路１４も、分布定数線路や高周波インダクタが使用される。また、端子Ｔｘ，ＡＮＴ，Ｒｘとグランドとの間にそれぞれ発生する浮遊容量Ｃｆ１，Ｃｆ２，Ｃｆ３は、インピーダンス整合のためのバイパスコンデンサとして機能させることができる。
【００１６】次に、この高周波スイッチ２１を用いての送受信について説明する。電圧制御端子Ｖｃに正電位を印加した場合、この電圧は、ダイオードＤ１１，Ｄ１２に対して順方向のバイアス電圧として働く。従って、ダイオードＤ１１，Ｄ１２はＯＮ状態となる。このとき、コンデンサＣ１２によって直流分がカットされ、ダイオードＤ１１，Ｄ１２を含む回路に電圧制御端子Ｖｃに供給された電圧が印加される。
【００１７】この結果、送信端子Ｔｘに入った送信信号は、ダイオードＤ１１を経てアンテナ端子ＡＮＴに伝送される。このとき、送信信号は受信端子Ｒｘに殆ど伝送されない。ダイオードＤ１２がＯＮ状態のときの自身が有するインダクタンスとコンデンサＣ１２の容量が送信周波数で直列共振し、インピーダンスが０となるからである。つまり、伝送線路１２，１３はλ／４のショートスタブとして動作するため、送信端子Ｔｘとアンテナ端子ＡＮＴが接続され、受信端子Ｒｘはグランドに接地される。
【００１８】また、電圧制御端子Ｖｃを接地電位とした場合、ダイオードＤ１１，Ｄ１２はＯＦＦ状態となる。従って、送信端子Ｔｘとアンテナ端子ＡＮＴとの間が遮断されると共に、受信端子Ｒｘとグランドとの間も遮断される。この結果、アンテナ端子ＡＮＴに入った受信信号は、伝送線路１３を経て受信端子Ｒｘに伝送され、送信端子Ｔｘには殆ど伝送されない。このように、高周波スイッチ２１は、電圧制御端子Ｖｃに印加するバイアス電圧をコントロールすることにより、送受の信号の伝送路を切り換えることができる。
【００１９】さらに、高周波スイッチ２１は、ダイオードＤ１１，Ｄ１２のカソードとアノードを、図６に示した従来の高周波スイッチ１のダイオードＤ１，Ｄ２のカソードとアノードの向きと逆にして接続することにより、従来の高周波スイッチ１が有していた大容量で大型のバイアスカット用コンデンサＣ１や電圧制御端子Ｖｃ１や抵抗Ｒａを不要にすることができる。つまり、高周波スイッチ２１は、受信端子Ｒｘ側の、ダイオードＤ１２とグランドとの間に接続された小容量で小型のコンデンサＣ１２だけですむようになる。コンデンサＣ１２の容量は、例えば１ＧＨｚ付近で１０ｐＦ、２ＧＨｚ付近で３ｐＦである。従って、高周波スイッチ２１の小型化を図ることができる。
【００２０】また、コンデンサＣ１２の容量を調整することにより、送信端子Ｔｘとアンテナ端子ＡＮＴとが接続しているときの、アンテナ端子ＡＮＴと受信端子Ｒｘとの間のアイソレーションを従来の高周波スイッチより大きくすることができる。この結果、送信端子Ｔｘとアンテナ端子ＡＮＴとの間の挿入損失を低減することができる。
【００２１】さらに、電圧制御端子Ｖｃは、送信時（ダイオードＤ１２がＯＮ状態時）はグランドにショートし、受信時（ダイオードＤ１２がＯＦＦ状態時）はダイオードＤ１２の高インピーダンスで高周波信号から遮断されるため、電圧制御端子Ｖｃに接続されるコントロール回路と高周波信号とのアイソレーションを大きく確保できる。
【００２２】次に、図１に示した電気回路を有した、積層型高周波スイッチの一例について、図２及び図３を参照して説明する。図２に示すように、高周波スイッチ３１は、分布定数線路３２ａ，３２ｂ等を設けた誘電体シート４５と、広面積のグランド電極３５，３６を設けた誘電体シート４５と、分布定数線路３３ａ，３３ｂ，３４ａ，３４ｂを設けた誘電体シート４５と、ビアホール付きパッド５０ａ〜５４ｂを設けた誘電体シート４５等にて構成されている。
【００２３】分布定数線路３３ａ，３３ｂは例えば渦巻き形状をしており、シート４５の左側に設けられている。分布定数線路３３ａの引出し部４２ａはシート４５の奥側の辺の左側に露出し、分布定数線路３３ｂの引出し部４２ｂはシート４５の左辺に露出している。分布定数線路３３ａ，３３ｂは、シート４５に設けたビアホール５８を介して電気的に直列に接続され、伝送線路１２を形成する。
【００２４】分布定数線路３４ａ，３４ｂは大略ミアンダ形状をしており、シート４５の右側に設けられている。分布定数線路３４ａの引出し部４３ａはシート４５の手前側の辺の中央に露出し、分布定数線路３４ｂの引出し部４３ｂはシート４５の奥側の辺の右側に露出している。分布定数線路３４ａ，３４ｂは、シート４５に設けたビアホール５９を介して電気的に直列に接続され、伝送線路１３を形成する。
【００２５】分布定数線路３２ａ，３２ｂは渦巻き形状をしており、シート４５の右側に設けられている。分布定数線路３２ａ，３２ｂは、シート４５に設けたビアホール５７を介して電気的に直列に接続され、伝送線路１４を形成する。このように、一定の特性インピーダンスを有した伝送線路１２〜１４を、それぞれ分布定数線路３３ａ，３３ｂ、３４ａ，３４ｂ、３２ａ，３２ｂの２層で構成することにより、１層当りの伝送線路の長さは従来より短くてすむ。従って、シート４５のサイズを小さくでき、プリント基板等に対する占有面積が小さい高周波スイッチ３１が得られる。
【００２６】グランド電極３５，３６は、それぞれシート４５の表面に広面積に設けられている。グランド電極３５，３６の引出し部３５ａ，３６ａはシート４５の左辺に露出し、引出し部３５ｂ，３６ｂはシート４５の右辺に露出し、引出し部３５ｃ，３６ｃはシート４５の奥側の辺の中央に露出し、引出し部３５ｄ，３６ｄはシート４５の手前側の辺の右側に露出している。これら二つのグランド電極３５，３６の間に、伝送線路１２，１３が並設されている。
【００２７】さらに、分布定数線路３２ａが設けられているシート４５の表面には、引出し電極３７，３８，３９及び中継電極４０が設けられている。引出し電極３７，３８の一端はそれぞれシート４５の奥側の辺の左側及び右側に露出し、引出し電極３９の一端はシート４５の手前側の辺の左側に露出している。そして、分布定数線路３２ａはビアホール付きパッド５２ｂに電気的に接続され、引出し電極３７はビアホール付きパッド５０ａ，５２ａに電気的に接続され、引出し電極３８はビアホール付きパッド５１ａに電気的に接続され、中継電極４０はビアホール付きパッド５３ｂ，５４ｂ，５１ｂに電気的に接続される。
【００２８】分布定数線路３２ｂが設けられているシート４５の表面には、引出し電極４１が設けられている。引出し電極４１の一端はシート４５の手前側の辺の中央に露出している。そして、引出し電極４１は分布定数線路３２ｂに電気的に接続されると共に、ビアホール５５を介してビアホール付きパッド５０ｂに電気的に接続される。また、ビアホール付きパッド５３ａは、シート４５に設けたビアホール５６ａ，５６ｂを介してグランド電極３５に電気的に接続される。
【００２９】以上の構成からなる各シート４５は積み重ねられ、一体的に焼成されることにより、図３に示すように積層体６０とされる。積層体６０の奥側の側面部の左側、中央及び右側には、それぞれ送信端子Ｔｘ、グランド端子Ｇ３及び受信端子Ｒｘが形成される。積層体６０の手前側の側面部の左側、中央及び右側には、それぞれ電圧制御端子Ｖｃ、アンテナ端子ＡＮＴ及びグランド端子Ｇ４が形成される。積層体６０の左右の側面部には、それぞれグランド端子Ｇ１，Ｇ２が形成される。
【００３０】送信端子Ｔｘは、伝送線路１２の一方の端部（具体的には、分布定数線路３３ａの引出し部４２ａ）と、引出し電極３７とに電気的に接続している。受信端子Ｒｘは、伝送線路１３の一方の端部（具体的には、分布定数線路３４ｂの引出し部４３ｂ）と、引出し電極３８とに電気的に接続している。アンテナ端子ＡＮＴは、伝送線路１３の他方の端部（具体的には、分布定数線路３４ａの引出し部４３ａ）と、引出し電極４１とに電気的に接続している。電圧制御端子Ｖｃは、引出し電極３９に電気的に接続している。グランド端子Ｇ１は、伝送線路１２の他方の端部（具体的には、分布定数線路３３ｂの引出し部４２ｂ）と、グランド電極３５，３６の引出し部３５ａ，３６ａとに電気的に接続している。グランド端子Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４は、それぞれグランド電極３５，３６の引出し部３５ｂ，３６ｂ、３５ｃ，３６ｃ、３５ｄ，３６ｄに電気的に接続している。
【００３１】さらに、積層体６０の上面のパッド５０ａ，５０ｂにはそれぞれダイオードＤ１１のカソード電極及びアノード電極が半田付けされ、パッド５１ａ，５１ｂにはそれぞれダイオードＤ１２のカソード電極及びアノード電極が半田付けされ、パッド５２ａ，５２ｂにはそれぞれコンデンサＣ１３の端子電極が半田付けされ、パッド５３ａ，５３ｂにはそれぞれコンデンサＣ１２の端子電極が半田付けされ、パッド５４ａ，５４ｂにはそれぞれ抵抗Ｒ１１の端子電極が半田付けされる。
【００３２】こうして、図１に示した電気回路を有した、表面実装タイプの積層型高周波スイッチ３１が得られる。この積層型高周波スイッチ３１は、図６に示した従来の高周波スイッチ１が有していた大容量のバイアスカット用コンデンサＣ１を積層体６０に内蔵あるいは搭載する必要がないので、伝送線路１２〜１４を２層で構成しているにもかかわらず、積層体６０の層数を少なくすることができる。さらに、シート４５のサイズも小さくでき、高周波スイッチ３１のプリント基板等に占める面積を小さくできる。
【００３３】また、図６に示した従来の高周波スイッチ１は、伝送線路２とコンデンサＣ１との中間接続点に抵抗Ｒａ（実装部品）が電気的に接続されていたので、配線が複雑であった。これに対して、高周波スイッチ３１は、伝送線路１２の一端がグランド端子Ｇ１に接続しているので、配線が簡素になり、積層体６０の層数の削減や、不要結合の削減に伴う挿入損失の改善を図ることができる。」（２頁２欄〜５頁７欄、段落１１〜３３）
　
　上記引用例１の記載及び図面ならびにこの分野における技術常識を考慮すると、上記摘記事項ロ．の【００２２】〜【００２５】、【００２９】、【００３１】の記載、図１、図２及び図３によれば、積層型高周波スイッチは、複数の誘電体シート４５を積み重ねて構成した積層体６０からなること、及び、積層体６０の表面および内部にダイオードＤ１１、ダイオードＤ１２、伝送線路１２、伝送線路１３が配設されていることが読み取れる。
　また、ダイオードＤ１１、ダイオードＤ１２、伝送線路１３は、それぞれ電気回路素子であり、これらをまとめて、複数の電気回路素子に含まれるということができる。
　また、上記摘記事項ロ．の【００１２】〜【００１４】の記載及び図１によれば、ダイオードＤ１１の一端とダイオードＤ１２の一端とは、伝送線路１３を介して電気的に接続されていること、ダイオードＤ１１の他端は伝送線路１２の一端と接続されていること、及び、ダイオードＤ１２の他端は電圧制御端子Ｖｃに接続されていることが読み取れる。
　また、上記摘記事項ロ．の【００１７】の記載及び図１によれば、伝送線路１２は、ダイオードＤ１１及びダイオードＤ１２の動作時に１／４波長のショートスタブとして動作し、伝送線路１２の他端が接地される構造を有していることが読み取れる。
　
　したがって、上記引用例１には、以下の発明（以下、「引用発明１」という。）が開示されている。
　
　「複数の誘電体シート４５を積み重ねて構成した積層体６０と、
　前記積層体６０の表面および内部に配設した複数の電気回路素子とを備え、
　前記複数の電気回路素子は、少なくともダイオードＤ１１及びダイオードＤ１２と、伝送線路１３とを含み、
　前記ダイオードＤ１１の一端とダイオードＤ１２の一端とが、伝送線路１３を介して電気的に接続され、
　前記ダイオードＤ１１の他端は伝送線路１２の一端と接続されており、
　前記ダイオードＤ１２の他端は電圧制御端子Ｖｃに接続されており、
　前記伝送線路１２は、前記ダイオードＤ１１及びダイオードＤ１２の動作時に１／４波長のショートスタブとして動作し、
　前記伝送線路１２の他端が接地される構造を有している積層型高周波スイッチ。」
　
Ｂ　原審の拒絶理由に引用された特開平５−６３４５４号公報（以下、「引用例２」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
ハ．「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高周波・高出力トランジスタを搭載した半導体装置に関するものであり、特にトランジスタのエミッタ回路の寄生インダクタンスを減らした半導体装置に関するものである。」（２頁１欄、段落１）
　
ニ．「【００１０】
【実施例】以下、本発明の半導体装置の一実施例を図１の平面図と、図２の断面図を参照して説明する。熱伝導性のよい絶縁セラミック、例えばベリリア（ＢｅＯ）からなるチップ基板３０上にはメタライズ電極３１、３２、３３が図示のようなパターンで互いに一定の間隔を保って形成されている。メタライズ電極としては、従来と同様に、ＷまたはＭｏＭｏ／Ｎｉ／ＡｇまたはＡｕの３層構造のものが使用される。本発明の半導体装置では、基板３０にメタライズ電極３２を基板底面のメタライズ接地電極３４と電気的に接続するスルーホール３５が形成されている。
【００１１】メタライズ電極３１上にはベースリード３６が、メタライズ電極３３上にはコレクタリード３７がそれぞれＡｇ−Ｃｕろうでろう付けされている。これらベースリード３６およびコレクタリード３７は、従来の半導体装置と同様にコバール（２９％Ｎｉ−１７Ｐ％Ｃｃ−Ｆｅ）、４２アロイ（４２％Ｎｉ−Ｆｅ）等のＮｉ合金で形成されたフレーム材から形成される。メタライズ電極３２上には上記フレーム材と同様なＮｉ合金からなるフレーム材で形成された金属板３８がろう付けされている。
【００１２】メタライズ電極３３上には高周波・高出力トランジスタ３９が、そのコレクタＣを上記メタライズ電極３３に接触して搭載されており、またメタライズ電極３２上の金属板３８上にはＭＯＳコンデンサ４０が搭載されている。トランジスタ３９のエミッタＥは金属細線４１によって金属板３８に接続され、ベースＢは金属細線４２によってＭＯＳコンデンサ４０に接続され、該ＭＯＳコンデンサ４０は金属細線４３によってメタライズ電極３１に接続されている。ＭＯＳコンデンサ４０は図５と同様な構成である。
【００１３】上記の構造の半導体装置では、電気回路的にはトランジスタ３９のコレクタＣがコレクタリード３７に接続され、エミッタＥがスルーホール３５によってメタライズ接地電極３４に接続され、ベースＢがベースリード３６に接続されたエミッタ接地形の回路として動作する。トランジスタ３９のベースとメタライズ接地電極との間に接続されたＭＯＳコンデンサ４０は、金属細線４１、４２、４３等によって回路中に導入される寄生インダクタンスを打消するように動作する。
【００１４】スルーホール３５の上端にはＭＯＳコンデンサ４０を搭載するために前述のように金属板３８が設けられているが、スルーホール３５の下端は通常開放したままである。これは、基板３０の焼成時、リードフレーム金属板のろう付け時にスルーホール内で発生するガスを速やかに逃すためと、各メタライズ電極を形成するための金属メッキ処理時に、金属メッキがスルーホール内部に充分に浸透して、主としてインダクタンス成分と抵抗成分を含むリアクタンス成分を減少させるためである。
【００１５】
【発明の効果】以上のように、本発明の半導体装置では、絶縁基板にスルーホールを設け、該スルーホールによって基板上面のメタライズ電極と基板底面のメタライズ接地電極とを直接接続したので、基板上に搭載された高周波・高出力トランジスタの接地電極を側面メタライズを経由することなく最短距離で接地することができるので、図３に示すような従来の半導体装置に比して寄生インダクタンスが大幅に減少し、良好な高周波特性が得られる。また、本願発明では基板上面の金属ブリッジが不要になり、その分小型化あるいは高集積化が可能になる。なお、実施例ではチップ基板上に搭載されたトランジスタ３９のエミッタＥが接続される金属板３８の下にスルーホールを設けたが、トランジスタの使用形態によっては、他の電極が接続されるメタライズ電極を基板底面のメタライズ接地電極に接続するスルーホールを形成してもよい。」（３頁３〜４欄、段落１０〜１５）
　
　上記引用例２の記載及び図面ならびにこの分野における技術常識を考慮すると、上記摘記事項イ．の記載、ニ．の【００１０】、【００１２】〜【００１４】の記載、図１及び図２によれば、高周波・高出力トランジスタを搭載した半導体装置は、基板３０と、前記基板３０の表面に配設した複数の電気回路素子（トランジスタ３９、ＭＯＳコンデンサ４０）とを備え、トランジスタ３９のエミッタＥが、基板３０の内部に設けたスルーホール３５にて構成された接続経路を介して接地される構造を有していることが読み取れる。
　また、図１において、点線の円で描画されたスルーホール３５が、図面上下方向に３個（二つ以上）配置されているから、スルーホール３５にて構成された接続経路は、二つ以上であることが読み取れる。
　
　したがって、上記引用例２には、以下の発明（以下、「引用発明２」という。）が開示されている。
　
　「基板３０と、
　前記基板３０の表面に配設した複数の電気回路素子とを備え、
　トランジスタ３９のエミッタＥは、前記基板３０の内部に設けたスルーホール３５にて構成された二つ以上の接続経路を介して接地される構造を有している高周波・高出力トランジスタを搭載した半導体装置。」
　
（３）対比・判断
　補正後の発明と引用発明１とを対比する。
ａ．補正後の発明の「多層回路基板」は、積層体の一態様であることから、引用発明１の「積層体６０」と、補正後の発明の「多層回路基板」とは、いずれも、「積層体」という点で一致する。
ｂ．引用発明１の「誘電体シート４５」は、層状の構成であって絶縁性を有していることは自明であるから、補正後の発明の「絶縁層」に相当する。
ｃ．引用発明１の「ダイオードＤ１１」、「ダイオードＤ１２」及び「電圧制御端子Ｖｃ」は、補正後の発明の「第１のダイオード」、「第２のダイオード」及び「電圧制御用端子」に相当する。
ｄ．引用発明１の「伝送線路１２」は、上記摘記事項ロ．の【００１５】における「・・・伝送線路１２，１３として、・・・あるいは、高周波インダクタが使用される。・・・」との記載を考慮すれば、インダクタの使用を想定しているから、引用発明１の「伝送線路１２」と、補正後の発明の「インダクタ」との間に実質的な差異はない。
ｅ．引用発明１の「積層型高周波スイッチ」は、高周波複合部品の一種である。
　したがって、補正後の発明と引用発明１は、以下の点で一致ないし相違している。
　
（一致点）
　
　「複数の絶縁層を積み重ねて構成した積層体と、
　前記積層体の表面および内部の少なくともいずれか一方に配設した複数の電気回路素子とを備え、
　前記複数の電気回路素子は、少なくとも第１および第２のダイオードと、インダクタとを含み、
　前記第１のダイオードの一端と第２のダイオードの一端とが、伝送線路を介して電気的に接続され、
　前記第１のダイオードの他端は前記インダクタの一端と接続されており、
　前記第２のダイオードの他端は電圧制御用端子に接続されており、
　前記インダクタは、前記第１および第２のダイオードの動作時に１／４波長のショートスタブとして動作し、
　前記インダクタの他端が接地される構造を有している高周波複合部品。」
　
（相違点１）
　
　高周波複合部品における「積層体」の態様に関し、補正後の発明は、「多層回路基板」であるのに対し、引用発明１は、その態様が不明である点。
　
（相違点２）
　
　「インダクタの他端が接地される構造」に関し、補正後の発明は、「前記多層回路基板の内部に設けたビアホールおよび前記多層回路基板の表面に設けた端子電極の少なくともいずれか一方にて構成された二つ以上の接続経路を介して」いるのに対し、引用発明１は、その様な構成を備えていない点。
　
　そこで、まず、上記相違点１について検討する。
　
　高周波複合部品において、複数の絶縁層を積み重ねて構成した多層回路基板は周知であり、引用発明１に周知技術を適用して、補正後の発明のように「多層回路基板」とすることは当業者が容易に成し得ることである。
　
　次に、上記相違点２について検討する。
　
　引用発明２の「スルーホール３５」及び「高周波・高出力トランジスタを搭載した半導体装置」は、補正後の発明の「ビアホール」及び「高周波複合部品」に相当し、引用発明の「トランジスタのエミッタＥ」は、電気回路素子の端ということができる。
　よって、引用発明２は、
　「基板と、
　前記基板の表面に配設した複数の電気回路素子とを備え、
　電気回路素子の端は、前記基板の内部に設けたビアホールにて構成された二つ以上の接続経路を介して接地される構造を有している高周波複合部品。」
と表現することができる。
　そして、引用発明１の「インダクタ」（伝送線路１２）は、電気回路素子の一種であり、引用発明１に引用発明２を採用することに特段の阻害要因は見あたらないから、引用発明１の「インダクタ」（伝送線路１２）の他端と「接地」の間に、引用発明２を付加して、補正後の発明のように「インダクタの他端が、多層回路基板の内部に設けたビアホールおよび多層回路基板の表面に設けた端子電極の少なくともいずれか一方にて構成された二つ以上の接続経路を介して」接地される構造とすることは当業者が容易に成し得ることである。
　
　さらに、補正後の発明の作用効果も、引用発明１、２及び周知技術から当業者が容易に予測できる範囲のものである。
　
　以上のとおり、補正後の発明は引用発明１、２及び周知技術に基づいて容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
４．結語
　以上のとおり、本件補正は、補正後の発明が特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、特許法第１７条の２第５項の規定により準用する特許法第１２６条第５項の規定に適合していない。
　したがって、本件補正は、特許法第１５９条第１項において準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１．本願発明
　平成１８年８月１７日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１８年４月４日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された以下のとおりのものと認める。
　
　「複数の絶縁層を積み重ねて構成した多層回路基板と、
　前記多層回路基板の表面および内部の少なくともいずれか一方に配設した複数の電気回路素子とを備え、
　前記複数の電気回路素子は、少なくとも第１および第２のダイオードと、インダクタとを含み、
　前記第１のダイオードの一端と第２のダイオードの一端とが、伝送線路を介して電気的に接続され、
　前記第１のダイオードの他端は前記インダクタの一端と接続されており、
　前記第２のダイオードの他端は電圧制御用端子に接続されており、
　前記インダクタの他端が、前記多層回路基板の内部に設けたビアホールおよび前記多層回路基板の表面に設けた端子電極の少なくともいずれか一方にて構成された二つ以上の接続経路を介して接地される構造を有していること、
　を特徴とする高周波複合部品。」
　
２．引用発明
Ｃ　原審の拒絶理由に引用された特開平５−６３４５４号公報（上記引用例２）に開示された引用発明２は、上記「第２　補正却下の決定」の項中の「３．独立特許要件について」の項中の「（２）引用発明　Ｂ」の項で認定したとおりである。
　
３．対比・判断
　本願発明と引用発明２とを対比する。
ｆ．引用発明２の「基板３０」と、本願発明の「複数の絶縁層を積み重ねて構成した多層回路基板」とは、いずれも、「基板」という点で一致する。
ｇ．引用発明２の「トランジスタのエミッタＥ」は、電気回路素子の端ということができる。
ｈ．引用発明２の「スルーホール３５」は、本願発明の「ビアホール」に対応する構成であり、それぞれの間に実質的な差異はない。
ｉ．引用発明２の「高周波・高出力トランジスタを搭載した半導体装置」は、高周波複合部品の一種である。
　したがって、本願発明と引用発明２は、以下の点で一致ないし相違している。
　
（一致点）
　
　「基板と、
　前記基板の表面および内部の少なくともいずれか一方に配設した複数の電気回路素子とを備え、
　電気回路素子の端が、前記基板の内部に設けたビアホールおよび前記基板の表面に設けた端子電極の少なくともいずれか一方にて構成された二つ以上の接続経路を介して接地される構造を有している高周波複合部品。」
　
（相違点１）
　
　「基板」に関し、本願発明は、「複数の絶縁層を積み重ねて構成した多層回路基板」であるのに対し、引用発明２は、基板であるものの、複数の絶縁層を積み重ねて構成した多層回路基板でない点。
　
（相違点２）
　
　「複数の電気回路素子」に関し、本願発明は、「少なくとも第１および第２のダイオードと、インダクタとを含み、前記第１のダイオードの一端と第２のダイオードの一端とが、伝送線路を介して電気的に接続され、前記第１のダイオードの他端は前記インダクタの一端と接続されており、前記第２のダイオードの他端は電圧制御用端子に接続されており」、これに伴って、電気回路素子の端は、「前記インダクタの他端」であるのに対し、引用発明２は、その様な構成を備えていない点。
　
　そこで、まず、上記相違点１について検討する。
　
　高周波複号部品において、複数の絶縁層を積み重ねて構成した多層回路基板は周知であり、引用発明２に周知技術を適用して、本願発明のように構成することは当業者が容易に成し得ることである。
　
　次に、上記相違点２について検討する。
　
　高周波複号部品において、第１および第２のダイオードと、インダクタとを含み、前記第１のダイオードの一端と第２のダイオードの一端とが、伝送線路を介して電気的に接続され、前記第１のダイオードの他端が前記インダクタの一端と接続されており、前記第２のダイオードの他端が電圧制御用端子に接続された高周波複合部品は、例えば、特開２０００−２２３９０１号公報（上記引用例１）、特開２０００−１９６４９６号公報に、高周波スイッチとして開示されるように周知であり、引用発明２に周知技術を適用して、本願発明のように「少なくとも第１および第２のダイオードと、インダクタとを含み、前記第１のダイオードの一端と第２のダイオードの一端とが、伝送線路を介して電気的に接続され、前記第１のダイオードの他端は前記インダクタの一端と接続されており、前記第２のダイオードの他端は電圧制御用端子に接続されて」いる構成することは当業者が容易に成し得ることであり、その際、引用発明２の「電気回路素子の端」を「前記インダクタの他端」とすることは当然のことである。
　
　そして、本願発明の作用効果も、引用発明２及び周知技術から当業者が容易に予測できる範囲のものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明２及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認められるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。