【事件の表示】
　平成１０年特許願第２９２１６４号「半導体装置および半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　８月１０日出願公開、特開平１１−２２００７７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１０年１０月１４日（優先権主張平成９年１０月１５日）の出願であって、平成１８年９月７日付けで拒絶理由が通知され、平成１８年１１月１３日付けで手続補正がなされ、平成１９年１月１６日付けで拒絶査定がなされ、平成１９年２月２２日付けで審判請求がなされ、平成１９年３月２６日付けで手続補正がなされたものである。
　
２．平成１９年３月２６日付け手続補正について
　結論
　平成１９年３月２６日付けの手続補正を却下する。
　
　理由
（１）本件補正の内容
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、次のとおりに補正された。
「第１の接続パッドが配設された第１の領域とその周囲の第２の領域を有す
る第１の面と第２の面とを有する、樹脂ポリマーからなる配線基板と、
　接続端子が配設された第１の面と第２の面とを有し、前記配線基板の前記第１の面の前記第１の領域にフェースダウン型に搭載された半導体素子と、
　前記配線基板の前記第１の接続パッドと前記半導体素子の接続端子とを接続する導電性バンプと、
　前記半導体素子の前記第２の面が露出するとともに、前記配線基板の第２の面が露出し、前記半導体素子の側面の全体を覆うとともに、前記配線基板の、前記第２の領域を含む前記第１の面の露出した部分の全体を覆い、前記半導体素子と前記配線基板との間隙とを充填するように配設された封止樹脂層と、
を具備し、
　断面形状が、前記配線基板を下にして、前記半導体素子が搭載される第１の領域では上に凸の弧、前記封止樹脂層が配設される第２の領域では下に凸の弧とされていることを特徴とする半導体装置。」
　
（２）補正の適否についての判断
　請求項１に係る補正は、補正前の請求項１に、「断面形状が、前記配線基板を下にして、前記半導体素子が搭載される第１の領域では上に凸の弧、前記封止樹脂層が配設される第２の領域では下に凸の弧とされている」点を追加するものである。しかし、本願の願書に最初に添付した明細書及び図面（以下、「当初明細書」という。）、第８８段落〜第１０２段落、及び、図１６、図１７には、半導体素子の第２の面が封止樹脂によって被覆され、配線基板の、第２の領域には、前記封止樹脂層によって覆われていない第１の面を有する配線基板を具備する半導体装置について、半導体素子が搭載される第１の領域では上に凸の弧、前記封止樹脂層が配設される第２の領域では下に凸の弧とすることは記載されているが、半導体素子の第２の面が封止樹脂によって被覆されず露出したものについて、半導体素子が搭載される第１の領域では上に凸の弧、前記封止樹脂層が配設される第２の領域では下に凸の弧となるように構成することは、当初明細書には記載が無く、かつ、当初明細書等の記載から自明のこととも認められないから、この補正は、願書に最初に添付した明細書または図面に記載された事項の範囲内に於いてなされたものとは言えない。
　
（３）本件補正についてのむすび
　したがって、本件補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項の規定に違反するので同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
（１）本願発明
　平成１９年３月２６日付けの手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜１２に係る発明は、平成１８年１１月１３日付けの手続補正により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜１２に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、つぎのとおりのものである。
　
「第１の接続パッドが配設された第１の領域とその周囲の第２の領域を有する第１の面と第２の面とを有する、樹脂ポリマーからなる配線基板と、
　接続端子が配設された第１の面と第２の面とを有し、前記配線基板の前記第１の面の前記第１の領域にフェースダウン型に搭載された半導体素子と、前記配線基板の前記第１の接続パッドと前記半導体素子の接続端子とを接続する導電性バンプと、
　前記半導体素子の前記第２の面が露出するとともに、前記配線基板の第２の面が露出し、前記半導体素子の側面の全体を覆うとともに、前記配線基板の、前記第２の領域を含む前記第１の面の露出した部分の全体を覆い、前記半導体素子（「前記前記半導体素子」は「前記半導体素子」の誤記と認め、このように認定した。）と前記配線基板との間隙とを充填するように配設された封止樹脂層と、
を具備したことを特徴とする半導体装置。」
　
（２）引用文献及びその記載事項並びに引用発明
　原査定の拒絶の理由に引用された特開昭６１−１５９７５２号公報（以下、「引用例」という。）には、図面と共に以下の事項が記載されている。
ａ：「特許請求の範囲
１、複数個の半導体チップと、該半導体チツプの載置される基板と、該基板と前記半導体チップとの対向する電極端子間に形成されたはんだバンプと、該はんだバンプ周囲の空隙部を充填し、且つ前記多数個の半導体チップを個々に独立して包囲して形成された樹脂被覆と、を有するマルチチップ搭載の半導体装置において、該チップ上面は被覆せず、チップ周囲の樹脂の高さを、チップ上面に等しく平坦化した構造、もしくはチップ上面以下にした構造、あるいはチップ上面にチップより大きな寸法の高熱伝導性板を、熱抵抗を上昇させない程度に接着、あるいははんだ付けし、該高熱伝導板の上面は被覆せずチップ周囲の樹脂の高さを該高熱伝導板上面の高さに等しいかそれ以下にした構造で、チップ上面もしくは該高熱伝導板上面を熱伝導体に接触させて冷却したこと、もしくは金属、高熱伝導樹脂を介して冷却したことを特徴とする半導体樹脂パッケージ。」（特許請求の範囲）
ｂ：「〔発明の実施例〕
　以下、本発明を実施例に基づいて説明する。まず、本発明の被覆樹脂材料について説明する。エポキシ樹脂の熱膨張係数αは約１００×１０−６／℃であり、半導体チップ、例えばＳｉチップの熱膨張係数αｓｉ＝３×１０−６／℃や、有機多層板、例えばガラスエポキシ基板の繊維方向の熱膨張係数αＰＥ＝１２．５×１０−６／℃に比べて大きい。一般に、耐熱疲労性を常上させるには、熱膨張係数が半導体チップや基板のそれに近い被覆樹脂を適用することが望ましい。」（第２頁右下欄第１５行〜第３頁左上欄第５行）
ｃ：「まず、多層基板上の端子にＳｉチップ端子を位置決めして、リフロソルダリングする。この多層基板９を傾けて固定し、第４図（Ａ）に示す円柱状の、配合された樹脂１２を置き、１２５℃で１０分間放置すると、チップと多層基板間は樹脂で埋められる。・・・隣接チップ間同志は樹脂で拘束してはならない。樹脂の被覆方法として、第５図に示すようにチップ上面以外の全面を樹脂被覆し、その後、各チップ間を機械的もしくはレーザ等の熱源を用いて切断させることも可能である。」（第５頁左下欄第６行〜右下欄第１行）
ｄ：第５図は、多層基板のＳｉチップが搭載される側の面において、前記Ｓｉチップの周囲が樹脂で被覆され、前記多層基板の前記Ｓｉチップの載置される側の面と反対の面が樹脂で被覆されることなく露出した構成が示されている。
　
　よって、引用例には次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
「複数個の半導体チップと、該半導体チップの載置されるガラスエポキシ基板からなる基板と、該基板と前記半導体チップとの対向する電極端子間に形成されたはんだバンプと、該はんだバンプ周囲の空隙部を充填し、且つ前記複数個の半導体チップを個々に独立して包囲して形成されたエポキシ樹脂からなる樹脂被覆と、を有するマルチチップ搭載の半導体装置において、該チップ上面は被覆せず、チップ周囲の樹脂の高さを、チップ上面に等しく平坦化した構造、を有し、前記基板の前記半導体チップが載置される側の面と反対の面が露出した半導体樹脂パッケージ。」
　
（３）対比・判断
　本願発明と引用発明とを対比する。
　本願発明では、樹脂基板に、ガラスエポキシ基板を用いているから、引用発明の「ガラスエポキシ基板からなる基板」は、本願発明の「樹脂ポリマーからなる配線基板」に相当する。
　引用発明の「半導体チップ」は、本願発明の「半導体素子」に相当する。そして、引用発明では、基板と半導体チップとの対向する電極端子間に形成されたはんだバンプを有しており、当該「はんだバンプ」は、本願発明の「導電性バンプ」に相当し、「基板と半導体チップとの対向する電極端子」は、それぞれ本願発明の「第１の接続パッド」と「接続端子」とに相当し、第１の接続パッドが配設された領域が第１の領域であるから、引用発明の半導体チップは、第１の面の前記第１の領域にフェースダウン型に搭載されている。
　また、引用発明の「基板」は、周囲に樹脂封止が形成されており、チップが搭載された第１の領域と、その周囲の第２の領域とを有している。
　引用発明の「樹脂被覆」は、本願発明の「封止樹脂層」に相当する。引用発明では、封止樹脂層は、チップ周囲の樹脂の高さを、チップ上面に等しく平坦化しているので、半導体素子の側面の全体を覆っている。
　引用発明では、はんだバンプ周囲の空隙部を樹脂被覆で充填しているので、半導体素子と前記配線基板との間隙とを充填するように配設された封止樹脂層を有している。
　配線基板において、引用発明の「半導体チップが載置される側の面と反対の面」は、本願発明の「配線基板の第２の面」に相当し、引用発明においても配線基板の第２の面が露出している。
　引用発明の「半導体樹脂パッケージ」は、本願発明の「半導体装置」に相当する。
　
　よって、本願発明と引用発明とは、次の点で一致する。
「第１の接続パッドが配設された第１の領域とその周囲の第２の領域を有する第１の面と第２の面とを有する、樹脂ポリマーからなる配線基板と、
　接続端子が配設された第１の面と第２の面とを有し、前記配線基板の前記第１の面の前記第１の領域にフェースダウン型に搭載された半導体素子と、　前記配線基板の前記第１の接続パッドと前記半導体素子の接続端子とを接続する導電性バンプと、
　前記半導体素子の前記第２の面が露出するとともに、前記配線基板の第２の面が露出し、前記半導体素子の側面の全体を覆うとともに、前記配線基板の、前記第２の領域を含む前記第１の面の露出した部分を覆い、前記半導体素子と前記配線基板との間隙とを充填するように配設された封止樹脂層と、
を具備したことを特徴とする半導体装置。」
　
　一方、本願発明と引用発明とは、次の点で相違する。
　相違点
　本願発明では、封止樹脂層が、前記配線基板の、前記第２の領域を含む前記第１の面の露出した部分の「全体」を覆っているのに対し、引用発明では、全体を覆っている点の記載がない点。
　
　上記相違点について検討する。
　半導体素子の前記第２の面が露出するとともに、配線基板の第２の面が露出し、封止樹脂層が、前記半導体素子の側面の全体を覆う構成において、封止樹脂層が、前記配線基板の、前記第２の領域を含む前記第１の面の露出した部分の「全体」を覆う構成は、下記の周知例１、２に記載されているように周知である。
　
　周知例１
　特開平７−１１１２７８号公報
　図１には、封止樹脂層が、前記配線基板の、前記第２の領域を含む前記第１の面の露出した部分の「全体」を覆う構成が示されている。
　
　周知例２
　特開昭６２−１３６８６５号公報
　第５図には、封止樹脂層が、前記配線基板の、前記第２の領域を含む前記第１の面の露出した部分の「全体」を覆う構成が示されている。
　
　封止樹脂層が、前記配線基板の、前記第２の領域を含む前記第１の面の露出した部分の「全体」を覆う構成は、周知例１、２に記載されているように周知であり、引用発明に、周知の、前記第２の領域を含む前記第１の面の露出した部分の「全体」を覆う構成を適用することは容易に成しうることである。
　本願発明の効果は、引用発明及び上記周知例から予測可能な範囲のものである。
　したがって、本願発明は、引用発明及び周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　したがって、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって結論のとおり審決する。