(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板上に第一の界面制御層、照射する光の出力に応じて非晶質又は結晶質に相変化する記録層、第二の界面制御層及び反射層が順次積層され、前記記録層はカルコゲン化物から成り、前記第一の界面制御層はＡｌ，Ｓｉ，Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｃｒ，Ｇｅ，Ｙ，Ｚｒ，Ｍｏ，Ｂａ，Ｓｂ，Ｔｅから成る元素群Ａのうち１種以上を含む窒化物、元素群Ａのうち１種以上を含む酸化物、又は元素群Ａのうち１種以上を含む炭化物にて成し、前記第二の界面制御層はＡｌ，Ｓｉ，Ｃｒ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｓ，Ｇｅ，Ｇａ，Ｙ，Ｓｂ，Ｗ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｉｎから成る元素群Ｂのうち１種以上を含む窒化物、元素群Ｂのうち１種以上を含む酸化物、又は元素群Ｂのうち１種以上を含む炭化物にて成し、前記記録層の結晶化時における記録層の第一の界面制御層側界面での結晶化面積を、前記記録層の第二の界面制御層側界面での結晶化面積で割って求められる結晶化速度比を１．５以上にしたことを特徴とする光記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、照射するレーザ光等の光線の出力に応じて非晶質−結晶質の２状態に相変化する記録層を有し、前記２状態における記録ビットの光の反射率差を利用してデジタル情報を記録、再生するものであって、書き換え可能な光記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の相転移を利用した書き換え可能な光記録媒体Ｍ（以下、媒体Ｍという）の部分断面図を図２に示す。同図において、１はポリカーボネート等の樹脂、ガラス等から成るディスク状の基板、２はＺｎＳ−ＳｉＯ２  等から成る第１透明誘電体層、３はＧｅＴｅ等から成り非晶質−結晶質の２状態に相変化可能な記録層、４はＺｎＳ−ＳｉＯ２  等から成る第２透明誘電体層、５はＡｌ等の高反射率材料から成る反射層である。
【０００３】
このような書き換え可能な媒体Ｍにおいて、記録層３は結晶質状態と非結晶質状態とで光の反射率が異なっており、一般的には結晶質状態の方が反射率が高い。そして、媒体Ｍの動作原理は以下のようなものである。まず、記録層３の全ての記録ビットを結晶化しておく。即ち、反射率が高い状態とし初期化しておく。情報の書込には、媒体Ｍを回転させながら２種のレーザパワーにパルス変調されたレーザビームを照射し、高出力（１０数〜２０ｍＷ程度）のレーザビームが照射された記録ビットでは記録層３材料の融点よりも高温になり、溶融して急冷され非晶質化する。一方、中出力（５〜１０ｍＷ程度）のレーザビームが照射された記録ビットでは、前記融点以下の結晶化可能温度範囲まで昇温された後、冷却され結晶質状態になる。
【０００４】
上記の書込動作は、古い情報が残留している上から直接行うことができ、各記録ビットは新しい情報に対応した状態に変化する。つまり、重ね書きによるオーバーライト（Ｏｖｅｒ  Ｗｒｉｔｅで、以下、ＯＷと略す）が可能である。再生は、読取用の低出力（１〜２ｍＷ程度）のレーザビームを照射して、高反射率の結晶質相か低反射率の非晶質相かを判読し、０，１のデジタル情報として読み取る。
【０００５】
上記記録層３の材料としては、Ｔｅ，Ｓｅ，Ｓのうちの１元素を含む材料のカルコゲン化物が適しており、カルコゲン化物は非晶質になりやすいという特徴がある。具体的には、ＧｅＴｅ系材料、ＧｅＳｂＴｅ系材料、ＩｎＳｅＴｌＣｏ系材料、ＩｎＳｂＴｅ系材料等がある。
【０００６】
そして、従来、このような相変化型の媒体Ｍにおいて、相変化型の記録層に接して両側或いは片側に形成した界面制御層を備え、界面制御層が、１０００℃での標準生成自由エネルギーが−４００ｋＪ／ｍｏｌＯ２  から−８００ｋＪ／ｍｏｌＯ２  の範囲にある酸化物からなり、具体的にはＣｒ２  Ｏ３  ，ＳｉＯ２  ，Ｔａ２  Ｏ５  ，ＴｉＯ２  ，Ｖ２  Ｏ３  のうちのいずれか一種或いはこれらの組み合わせとすることにより、界面制御層を熱的に安定な酸化物とすることで、記録、消去の繰り返しによる記録層の破壊が生じ難いものが提案されている（従来例１：特開平５−１４４０８３号公報参照）。
【０００７】
また、従来例２として、相変化型の記録層に接して両側或いは片側に形成した界面制御層を備え、界面制御層の主成分がイオン半径１．０Å以上の陽イオンとＯ２−イオンの化合した酸化物、即ちＹ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｔｈのうちのいずれか一種或いはこれらの組み合わせとすることにより、界面制御層を熱的に安定な酸化物とすることで、記録、消去の繰り返しによる記録層の破壊が生じ難いものが公知である（従来例２：特開平５−３４２６３２号公報参照）。
【０００８】
更に、従来例３として、基板上に形成された相変化型の記録層と、記録層上及び／又は基板と記録層との間に形成された誘電体保護層とを具備する情報記録媒体であって、誘電体保護層と記録層との間に、記録層材料よりも融点が高く記録層材料と固溶しない金属、合金又は金属間化合物からなる境界層を有し、該境界層がＷ，Ｔａ，Ｒｅ，Ｉｒ，Ｏｓ，Ｈｆ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｒｕ，Ｔｃ，Ｒｈ，Ｚｒ、これら金属の２種以上の合金、Ｔａ−Ｗ，Ｗ−Ｓｉ，Ｍｏ−Ｓｉ及びＮｂ−Ａｌからなる群から選択されたものからなることにより、誘電体保護層と記録層との付着性が向上し、優れた繰り返し特性を有する情報記録媒体が知られている（従来例３：特開平７−２６２６１４号公報参照）。
【０００９】
従来例４として、相変化型の記録層に隣接して、金属粒子を誘電体中に分散させた混合膜からなり、記録層の結晶粒子サイズを制御する作用を有するシード層を設けることにより、微小記録マークを形成した場合にマークエッジの乱れが小さくジッター特性が良好なものが公知である（従来例４：特開平１０−１０６０２７号公報参照）。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来、上記の相変化型の記録層においては、結晶質相と非晶質相のいずれも再現性良く安定に形成されると共に、両相間を高速に転移可能であるという特性が必要であるのに対し、結晶質相と非晶質相の一方が安定に形成されても他方が不安定になり易いという問題点があった。
【００１１】
また、上記従来例１〜４は、相変化型の記録層に接して両側或いは片側に界面制御層を形成することで、記録、消去の繰り返しによる記録層の破壊を生じ難くくしたもの、及びジッター特性を良好にしたものに関し、記録層の上下に隣接する界面制御層間でその種類は同一である。即ち、記録層の上側及び下側での熱的条件は同じである。更に、上述した結晶質相と非晶質相の一方の形成が不安定になり易いという点については、従来例１〜４では全く言及していない。
【００１２】
従って、本発明は上記事情に鑑みて完成されたものであり、その目的は、相変化型の記録層が結晶質相と非晶質相の２状態に相変化する際に、前記２状態のいずれも再現性良く安定に形成されるようにすることにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明の光記録媒体は、透明基板上に第一の界面制御層、照射する光の出力に応じて非晶質又は結晶質に相変化する記録層、第二の界面制御層及び反射層が順次積層され、前記記録層はカルコゲン化物から成り、前記第一の界面制御層はＡｌ，Ｓｉ，Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｃｒ，Ｇｅ，Ｙ，Ｚｒ，Ｍｏ，Ｂａ，Ｓｂ，Ｔｅから成る元素群Ａのうち１種以上を含む窒化物、元素群Ａのうち１種以上を含む酸化物、又は元素群Ａのうち１種以上を含む炭化物にて成し、前記第二の界面制御層はＡｌ，Ｓｉ，Ｃｒ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ,Ａｇ，Ｚｎ，Ｓ，Ｇｅ，Ｇａ，Ｙ，Ｓｂ，Ｗ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｉｎから成る元素群Ｂのうち１種以上を含む窒化物、元素群Ｂのうち１種以上を含む酸化物、又は元素群Ｂのうち１種以上を含む炭化物にて成し、前記記録層の結晶化時における前記記録層の第一の界面制御層側界面での結晶化面積を、前記第二の界面制御層側界面での結晶化面積で割って求められる結晶化速度比を１．５以上にしたことを特徴とする。
【００１４】
本発明は、上記構成により、記録層の光入射側に位置し加熱され易い第一の界面制御層側界面での相変化速度を大きくすることで、記録層全体での結晶成長速度を向上させ得る。その結果、結晶質の場合と同様非晶質に変化する際にも速やかに相変化し、記録ビット端部のジッター特性、高速記録及び高速消去特性が改善される。また、結晶質相と非晶質相の２状態がそれぞれ安定に形成され易くなり、繰り返し記録消去特性が向上する。
【００１６】
本発明は上記構成により、第一の界面制御層の昇温特性及び冷却速度が第二の界面制御層よりも優れ、その結果記録層の第一の界面制御層側界面での相変化速度が向上する。
【００１７】
上記相変化速度の違いは、第一及び第二の界面制御層の熱伝導率と応力に依存すると推察でき、熱伝導率が小さい方が相変化速度が大きくなり、また応力について、圧縮応力が大きいと相変化速度が小さく、圧縮応力から引っ張り応力になるにつれて相変化速度が大きくなる。従って、更に好ましくは、第一の界面制御層に残存する応力を引っ張り応力とし、第二の界面制御層に残存する応力を引っ張り応力よりも圧縮応力化すると、第一の界面制御層側界面での相変化速度が更に増大する。
【００１８】
【発明の実施の形態】
本発明の媒体Ｍ１の基本的な層構成を図１に示す。同図において、１１はポリカーボネート、ポリオレフィン、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ガラス、樹脂層を表面に形成した強化ガラス、透光性セラミックス等から成るディスク状の透明基板、１２はＺｎＳ−ＳｉＯ２  等から成る第一透明誘電体層、１３は第一の界面制御層、１４は相変化型の記録層、１５は第二の界面制御層、１６はＺｎＳ−ＳｉＯ２  等から成る第二透明誘電体層、１６はＡｌ等から成る反射層である。
【００１９】
本発明において、記録層１４はＧｅＴｅ、ＧｅＳｂＴｅ、ＩｎＳｅＴｌＣｏ、ＩｎＳｂＴｅ等のカルコゲン化物から成る材料がよく、なかでもＧｅＴｅ、ＧｅＳｂＴｅが書き換え可能回数が大きく、結晶化する際に短時間の結晶化が可能であり、非晶質状態の安定性も高いという点で好ましい。
【００２０】
また、Ｇｅａ  Ｓｂｂ  Ｔｅｃ  とした場合、５ａｔ（原子）％≦ａ≦７０ａｔ％がよく、ａ＜５ａｔ％では相変化速度が遅く、７０ａｔ％＜ａでは非晶質状態が不安定になる。０ａｔ％≦ｂ≦５０ａｔ％がよく、５０ａｔ％＜ｂでは非晶質状態が不安定になる。４０ａｔ％≦ｃ≦７０ａｔ％がよく、ｃ＜４０ａｔ％では結晶化温度が高くなりすぎ、７０ａｔ％＜ｃのときも結晶化温度が高くなりすぎる。また、記録層１４の厚さは、５〜５０ｎｍがよく、５ｎｍ未満では結晶質状態と非晶質状態間の反射率差が小さくなり、５０ｎｍを超えると繰り返し記録再生によるＢＥＲ（Ｂｉｔ  Ｅｒｒｏｒ  Ｒａｔｅ）等の特性劣化が大きくなる。より好ましくは、１０〜４０ｎｍである。
【００２１】
上記第一，第二透明誘電体層１２，１６は、記録層１４及び第一，第二の界面制御層１３，１５の保護層として機能するものであり、その材質は、ＺｎＳ−ＳｉＯ２  ，ＳｉＮ系材料，ＳｉＯＮ系材料，ＳｉＯ２  ，ＳｉＯ，ＴｉＯ２  ，Ａｌ２  Ｏ３  ，Ｙ２  Ｏ３  ，ＴａＮ，ＡｌＮ，ＺｎＳ，Ｓｂ２  Ｓ３  ，ＳｎＳｅ２  ，Ｓｂ２  Ｓｅ３  ，ＣｅＦ３  ，アモルァスＳｉ（以下、ａ−Ｓｉと表記する），ＴｉＢ２  ，Ｂ４  Ｃ，Ｂ，Ｃ等が好ましい。
【００２２】
特に、ＺｎＳ−ＳｉＯ２  がよく、この材料は高温での特性変化が少ない。（ＺｎＳ）ｘ  （ＳｉＯ２  ）１００−ｘ  とした場合、６０ａｔ％≦ｘ≦９５ａｔ％が好適であり、ｘ＜６０ａｔ％では耐熱性が悪く、ｘ＞９５ａｔ％ではＺｎＳの粒径が大きくなりジッターを劣化させる。
【００２３】
また、反射層１６は反射率が高いＡｌ，ＡｌＣｒ合金，ＡｌＣｕ合金，ＡｌＴｉ合金，Ａｕ，Ａｇ，ＡｕＣｕ合金，Ｐｔ，ＡｕＰｔ合金等が好ましく用いられる。
【００２４】
本発明の第一の界面制御層１３はＡｌ，Ｓｉ，Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｃｒ，Ｇｅ，Ｙ，Ｚｒ，Ｍｏ，Ｂａ，Ｓｂ，Ｔｅから成る元素群Ａのうち１種以上を含む窒化物、元素群Ａのうち１種以上を含む酸化物、又は元素群Ａのうち１種以上を含む炭化物から成るのが良く、これらの材料は第二の界面制御層１５の材料と比較して、熱伝導率が小さい、圧縮応力が小さい、又は引っ張り応力を有するという特性がある。より好ましくは、第一の界面制御層１３はＡｌ，Ｓｉ，Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｇａ，Ｙ，Ｚｒ，Ｍｏ，Ｂａ，Ｔｅから成る元素群Ａａ  のうち１種以上を含む窒化物、元素群Ａａ  のうち１種以上を含む酸化物、又は元素群Ａａ  のうち１種以上を含む炭化物から成るのが良い。
【００２５】
第一の界面制御層１３として、具体的には、ＣｒＮ，ＳｉＣ，ＳｉＯ，ＣｏＮ，ＣｒＯ・ＢａＣ，ＺｒＣ・ＴｅＣ，ＡｌＯ・ＳｉＮ，ＺｎＣ・ＹＯ，ＧａＯ，ＡｌＯ・ＳｉＮ・Ｃｒ，ＳｉＣ・ＡｌＯ，ＶＯ・Ｍｏ，ＭｎＣ，ＦｅＮ，ＺｎＣ，ＧａＯ等がある。
【００２６】
第二の界面制御層１５はＡｌ，Ｓｉ，Ｃｒ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｓ，Ｇｅ，Ｇａ，Ｙ，Ｓｂ，Ｗ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｉｎから成る元素群Ｂのうち１種以上を含む窒化物、元素群Ｂのうち１種以上を含む酸化物、又は元素群Ｂのうち１種以上を含む炭化物から成るのが良く、これらの材料は第一の界面制御層１３と比較して、熱伝導率が大きい、圧縮応力が大きいという特性がある。より好ましくは、第二の界面制御層１５はＣｒ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｓ，Ｇｅ，Ｇａ，Ｓｂ，Ｗ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｉｎから成る元素群Ｂｂ  のうち１種以上を含む窒化物、元素群Ｂｂ  のうち１種以上を含む酸化物、又は元素群Ｂｂ  のうち１種以上を含む炭化物から成るのが良い。
【００２７】
第二の界面制御層１５として、具体的には、ＳｉＮ，ＡｌＮ，ＡｌＮ・Ｃｒ，Ｙ・ＳｉＮ，ＧｅＮ・ＧａＮ，ＧｅＮ，ＳｉＮ・ＷＣ，ＣｒＮ・ＣｕＮ，ＴｉＮ・ＴａＯ，ＳｉＮ・ＡｌＯ，ＧｅＮ・ＳｉＮ，ＳｂＮ，ＣｏＮ，ＮｉＯＮ，ＡｇＮ・Ｉｎ，ＺｎＳＯ等がある。
【００２８】
このような第一の界面制御層１３及び第二の界面制御層１５は、１種のターゲット又は複合ターゲットを用いたスパッタリング法により成膜され、その際雰囲気ガスを不活性ガスに窒素，酸素等を混合させて反応性スパッタリングを行うことによっても成膜することができる。
【００２９】
そして、第一の界面制御層１３の熱伝導率は第二の界面制御層１５の熱伝導率よりも小さいことが好ましい。即ち、（第一の界面制御層１３の熱伝導率）／（第二の界面制御層１５の熱伝導率）の比が０．７以下が良く、この場合相変化速度が下記の好ましい範囲となる。つまり、本発明において、記録層１４の第一の界面制御層１３側界面での相変化速度が、第二の界面制御層１５側界面での相変化速度よりも１．５倍以上大きいことが好適であり、これにより記録層１４の光入射側に位置し加熱され易い第一の界面制御層１３側界面での相変化速度をより大きくすることで、記録層１４全体での結晶成長速度がきわめて向上し、速やかに結晶化が達成される。非晶質化する場合も同様である。より好ましくは、記録層１４の第一の界面制御層１３側界面での相変化速度が、第二の界面制御層１５側界面での相変化速度よりも２．０倍以上大きいことである。
【００３０】
また、相変化速度及び相変化速度比は以下のように測定可能である。記録層１４全体を非晶質化しておき、レーザ光を照射して５〜５０ｎｓｅｃの間結晶化温度以上融点以下に昇温する。その後冷却された記録層の断面を透過型電子顕微鏡（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：ＴＥＭ）で撮影し、その映像から結晶相と非晶質相の面積を導出しそれらを各々の相変化速度とし、結晶相と非晶質相の面積比を相変化速度比（この場合結晶化速度比）とする。また、非晶質化速度比も同様にして、５〜５０ｎｓｅｃの間融点以上に昇温することで測定できる。
【００３１】
かくして、本発明の光記録媒体は、記録層全体での相変化速度が向上し、結晶質相又は非晶質相に変化する際に速やかに相変化し、記録ビット端部のジッター特性、高速記録及び高速消去特性が改善され、また結晶質相と非晶質相の２状態がそれぞれ安定に形成され易くなり、繰り返し記録消去特性が向上するという作用効果を有する。
【００３２】
本発明において、上記各層を透明基板１１の両面に各々積層するか、片面に上記各層を積層した２枚の透明基板１１を貼り付けることにより、２倍の記録容量としてもよい。また、本発明は、レーザビームをパルス変調する光強度変調方式によるものに限らず、電子ビーム、電磁波等のエネルギー線による加熱方式も応用可能である。本発明の媒体Ｍ１は書き換え可能な光ディスクであり、ＤＶＤ（デジタルビデオディスク）、ＣＤ（コンパクトディスク）、ＣＤ−ＲＯＭ等の光ディスクに適用できる。
【００３３】
尚、本発明は上記の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更は何等差し支えない。
【００３４】
【実施例】
本発明の実施例を以下に説明する。
【００３５】
（実施例１）
図１の媒体Ｍ１（光ディスク）を以下のようにして構成した。ポリカーボネートから成る３．５インチ径のディスク状の透明基板１１の主面上に、以下の各層をマグネトロンスパッタリング法により順次成膜した。
【００３６】
膜厚約１５００Å，（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２  ）２０から成る第一透明誘電体層１２、膜厚約１００Åの各種材料（表１）からなる第一の界面制御層１３、膜厚約２００Å，Ｇｅ２  Ｓｂ２  Ｔｅ５  から成る記録層１４、膜厚約１００Åの各種材料（表１）からなる第二の界面制御層１５、膜厚約２００Å，（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２  ）２０から成る第二透明誘電体層１６、膜厚約１０００Å，Ａｌ−Ｃｒ合金から成る反射層１７である。
【００３７】
また、比較例１として、第一の界面制御層１３及び第二の界面制御層１５の双方ともないものを作製した。比較例２として、第一の界面制御層１３がなく、第二の界面制御層１５が膜厚約１００ÅのＳｉＮから成る以外は本実施例１と同様に構成したものを作製した。比較例３として、第一の界面制御層１３が膜厚約１００ÅのＳｉＮから成り、第二の界面制御層１５がない以外は本実施例１と同様に構成したものを作製した。比較例４として、第一の界面制御層１３が膜厚約１００ÅのＳｉＮから成り、第二の界面制御層１５が膜厚約１００ÅのＳｉＮから成る以外は本実施例１と同様に構成したものを作製した。
【００３８】
そして、これらについて、結晶化速度比｛（断面のＴＥＭ像における第一の界面制御層１３側界面での単位面積当たりの結晶化面積）／（断面のＴＥＭ像における第二の界面制御層１５側界面での単位面積当たりの結晶化面積）｝、光ディスクのトラックの線速度が６ｍ／ｓｅｃで再生した場合の記録ビット端部のジッター特性（％）、線速度６ｍ／ｓｅｃで記録再生した場合のＯＷ消去率（ｄＢ）、線速度１５ｍ／ｓｅｃで記録再生した場合の高速ＯＷ消去率（ｄＢ）を測定した結果を表１に示す。
【００３９】
【表１】
0003550317.tif 000002
【００４０】
尚、上記ＯＷ消去率の測定は以下のようにして行った。まず、光ディスクのトラックの線速度を６ｍ／ｓｅｃ又は１５ｍ／ｓｅｃとし、光波長８３０ｎｍで１３ｍＷ（非晶質状態に対応）と５ｍＷ（結晶質状態に対応）にパルス変調されたレーザビームを照射し、４．９１ＭＨｚ、パルス幅３０ｎｓで記録を行い、次いで１．８４ＭＨｚ、パルス幅３０ｎｓでＯＷし、ＯＷ前の４．９１ＭＨｚでのキャリアレベルとＯＷ後の４．９１ＭＨｚでのキャリアレベルの差をＯＷ消去率とした。
【００４１】
表１に示すように、本発明品はジッター特性が７．７％以下、ＯＷ消去率が−２９．５ｄＢ以下と小さく、また高速ＯＷ消去率も−２３．３ｄＢ以下と小さかった。一方、比較例１〜３では、ジッター特性が１０．４％以上、ＯＷ消去率が−２７．７ｄＢ以上、高速ＯＷ消去率が−１２．４ｄＢ以上と劣化した。また比較例４は、ジッター特性は８．１％、ＯＷ消去率が−３１．２ｄＢと比較的良好であったが、高速ＯＷ消去率が−１５．３ｄＢとなり本発明品に比べて劣化した。
【００４２】
【発明の効果】
本発明は、記録層の第一の界面制御層側界面での相変化速度が、第二の界面制御層側界面での相変化速度よりも大きいことにより、記録層全体での結晶成長速度が向上し、結晶質相及び非晶質相に変化する際に速やかに相変化し、記録ビット端部のジッター特性、高速記録及び高速消去特性が改善され、また結晶質相と非晶質相の双方共安定に形成され易くなり、繰り返し記録消去特性が向上するという作用効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光記録媒体Ｍ１の部分断面図である。
【図２】従来の光記録媒体Ｍの部分断面図である。
【符号の説明】
１：透明基板
２：第一透明誘電体層
３：記録層
４：第二透明誘電体層
５：反射層
１１：透明基板
１２：第一透明誘電体層
１３：第一の界面制御層
１４：記録層
１５：第二の界面制御層
１６：第二透明誘電体層
１７：反射層
【図１】
0003550317.tif 000003
【図２】
0003550317.tif 000004