(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性フィルムの少なくとも一面に接着剤層を積層した半導体装置用接着テープであって、該接着テープの水蒸気透湿係数が０．３［ｇ・ｍｍ／ｍ2／２４時間］以上であり、前記接着剤層が、下記式（V）で示される構造単位及び下記式（VI）で示される構造単位が不規則に配列されたポリイミド樹脂か、又は下記式（V）で示される構造単位と下記式（VI）で示される構造単位および下記式（VII）で示される構造単位が不規則に配列されたポリイミド樹脂を含有することを特徴とする半導体装置用接着テープ。
【化１】
0003550543.tif 000013
［式中、Ｗは、直接結合、炭素数１〜４のアルキレン基、−Ｏ−、−ＳＯ2−または−ＣＯ−を表し、Ａｒ1は下記式（１）または（２）で示される２価の芳香族基を表し、
【化２】
0003550543.tif 000014
（式中、Ｘは、直接結合、炭素数１〜４のアルキレン基、−Ｏ−、−ＳＯ2−または−ＣＯ−を表し、Ｙは、炭素数１〜４のアルキレン基を表し、Ｚ1及びＺ2は、それぞれ水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜４のアルキル基または炭素数１〜４のアルコキシ基を表す。）、Ａｒ2は、１個または２個の水酸基またはカルボキシル基を有する２価の芳香族基を表し、Ｒ1及びＲ6は、炭素数１〜４のアルキレン基または下記式（３）で示される基を表し、
【化３】
0003550543.tif 000015
（式中、Ａｌｋはケイ素原子に結合する炭素数１〜４のアルキレン基を表す。）、Ｒ2〜Ｒ5は炭素数１〜４のアルキル基を表し、ｎは０〜３１の整数である。］
【請求項２】
絶縁性フィルムの水蒸気透湿係数が０．３［ｇ・ｍｍ／ｍ2／２４時間］以上であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置用接着テープ。
【請求項３】
接着剤層の水蒸気透湿係数が０．３［ｇ・ｍｍ／ｍ2／２４時間］以上であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置用接着テープ。
【請求項４】
接着剤層がトリヒドロキシフェニルメタン型フェノール樹脂を含有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置用接着テープ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体デバイスの組立工程において、デバイスの多ピン化、小型化、高密度実装に適した例えばＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）技術を用いて製造されるＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）やＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｃａｌｅ／Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）に好適な半導体装置用接着テープに関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年普及が目覚ましい携帯型パソコンや携帯電話等の電子機器には、さらなる小型化、薄型化および多機能化が要求されており、これを実現するには、電子部品の小型化および高集積化、ならびにそれらの高密度実装技術が必要となってくる。
電子部品の中核を構成しているＩＣパッケージは、その形態がＱＦＰ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇｅ）やＳＯＰ（Ｓｍａｌｌ  Ｏｕｔｌｉｎｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）といった周辺実装型が主流であったが、近年ではＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ：以下ＢＧＡと称する）や、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｃａｌｅ／Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）といった面実装型が、超高密度実装を達成できるＩＣパッケージとして脚光を浴びている。ＣＳＰはＢＧＡを更に小型化、高密度化したパッケージであり、マイクロＢＧＡ、ファインピッチＢＧＡとも呼ばれている。このようなＢＧＡは、その構造から低インピーダンス、周波数応答の高速性等に優れた電気特性も有している。
【０００３】
上記ＢＧＡは、ＩＣパッケージの裏面に、面格子状に配列されたハンダボールを外部端子として設けた構造となっており、ＩＣチップの電極配列をプリント基板の電極配列とするために、通常はパターン変換基板（以後インターポーザーと称す）が必要になる。そのインターポーザーの種類により、プラスチックＢＧＡ（以下Ｐ−ＢＧＡと称する）、セラミックＢＧＡ（以下Ｃ−ＢＧＡと称する）、テープＢＧＡ（以下Ｔ−ＢＧＡと称する）が開発され、商品化されている。現在では、ＱＦＰでのワイヤーボンディング技術を適用することができるＰ−ＢＧＡが主流となっているが、ＴＡＢ技術を適用したＴ−ＢＧＡがＰ−ＢＧＡに比べ高密度化（多ピン化）が可能であることに加え放熱特性が優れているため、ノート型パソコンや携帯端末等の小型・薄型の電子機器に使用されている。
上記Ｔ−ＢＧＡに使用されるインターポーザーとしては、絶縁性フィルムに接着剤層を積層した半導体装置用接着テープ（ＴＡＢ用テープ）が用いられ、該半導体装置用接着テープにハンダボール用の孔及びＩＣ用のデバイスホールを打ち抜いた後に銅箔などの導電性金属箔をラミネートし、回路形成されたものが使用される。
上記半導体装置用接着テープとしては、ポリイミド、ポリエステル、ガラスエポキシ複合材およびガラスＢＴレジン材等からなる絶縁性フィルムの表面に、ポリアミド樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂をイミダゾール系、ジシアンジアミド系等の硬化剤の存在下で含有させ、また必要に応じて各種フィラーを配合した接着剤層を設けたものが提案され実用化されていた。
【０００４】
ところで、上記のＩＣパッケージは前記のように、電子機器の小型化、高密度化に伴い、半導体接続用基板のパターンピッチが非常に狭くなってきているため、ＩＣパッケージに用いられる半導体装置用接着テープには、高い絶縁信頼性と十分な銅箔への接着力が要求されている。
特にＩＣパッケージのプリント基板への部品実装の際には、半田浴浸漬、ベーパーフェイズ法または赤外線リフロー法などによって、ＩＣパッケージの裏面に形成されたハンダボールとプリント基板とのハンダリフロー工程が行われるためにＩＣパッケージ全体が２５０℃程度の高温に加熱され、その結果ＩＣパッケージ内の半導体装置用接着テープには上記ハンダリフロー工程に耐えうる耐熱性が要求されている。
しかしながら、前記のような従来の半導体装置用接着テープでは、上記ハンダリフロー工程時に絶縁性フィルムおよび接着剤層が吸湿している水分の急激な膨張で水蒸気爆発（以下ポップコーン現象と称する）と呼ばれる発泡が生じ、パッケージの破壊、平坦性の喪失、歪みなどをまねきハンダボールどうしの接触不良やプリント基板との接触不良が発生していた。
従来、この問題を解決するために、ＩＣパッケージを吸湿させないため、ハンダリフロー工程前の半製品を防湿状態にして管理していた。しかし、防湿状態での管理には多大な作業とコストがかかるため、このような管理をすることなくポップコーン現象のおきない半導体装置用接着テープが求められていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、従来の半導体装置用接着テープにおける上記のような問題を解決することを目的とするものであって、耐熱性や耐湿信頼性などの信頼性に優れ、ポップコーン現象のおきない半導体装置用接着テープを提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、絶縁性フィルムの少なくとも一面に接着剤層を積層した半導体装置用接着テープであって、該接着テープの水蒸気透湿係数が０．３［ｇ・ｍｍ／ｍ2／２４時間］以上であり、前記接着剤層が、下記式（V）で示される構造単位及び下記式（VI）で示される構造単位が不規則に配列されたポリイミド樹脂か、又は下記式（V）で示される構造単位と下記式（VI）で示される構造単位および下記式（VII）で示される構造単位が不規則に配列されたポリイミド樹脂を含有することを特徴とする半導体装置用接着テープである。
【化４】
0003550543.tif 000002
［式中、Ｗは、直接結合、炭素数１〜４のアルキレン基、−Ｏ−、−ＳＯ2−または−ＣＯ−を表し、Ａｒ1は下記式（１）または（２）で示される２価の芳香族基を表し、
【化５】
0003550543.tif 000003
（式中、Ｘは、直接結合、炭素数１〜４のアルキレン基、−Ｏ−、−ＳＯ2−または−ＣＯ−を表し、Ｙは、炭素数１〜４のアルキレン基を表し、Ｚ1及びＺ2は、それぞれ水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜４のアルキル基または炭素数１〜４のアルコキシ基を表す。）、Ａｒ2は、１個または２個の水酸基またはカルボキシル基を有する２価の芳香族基を表し、Ｒ1及びＲ6は、炭素数１〜４のアルキレン基または下記式（３）で示される基を表し、
【化６】
0003550543.tif 000004
（式中、Ａｌｋはケイ素原子に結合する炭素数１〜４のアルキレン基を表す。）、Ｒ2〜Ｒ5は炭素数１〜４のアルキル基を表し、ｎは０〜３１の整数である。］
【０００７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の半導体装置用接着テープの水蒸気透湿係数は０．３［ｇ・ｍｍ／ｍ２／２４時間］以上であることが必要であり、好ましくは０．３〜５［ｇ・ｍｍ／ｍ２／２４時間］である。半導体装置用接着テープの水蒸気透湿係数が０．３［ｇ・ｍｍ／ｍ２／２４時間］より小さい場合は、半田浴に半導体装置用接着テープを含んだＩＣパッケージを浸漬した場合に、半導体装置用接着テープの接着剤層から拡散した水分が、接着剤層もしくは接着剤層と絶縁フィルムの界面でポップコーン現象となって発泡し、ＩＣパッケージの破壊、平坦性の喪失、歪みなどによりハンダボールどうしの接触不良やプリント基板との接触不良を発生させる。
【０００８】
また、半導体装置用接着テープの水蒸気透湿係数を０．３［ｇ・ｍｍ／ｍ２／２４時間］以上にするために絶縁性フィルムの水蒸気透湿係数は０．３［ｇ・ｍｍ／ｍ２／２４時間］以上で、接着剤層の水蒸気透湿係数が０．３［ｇ・ｍｍ／ｍ２／２４時間］以上であることが好ましく、更に絶縁性フィルムの水蒸気透湿係数が０．３〜５［ｇ・ｍｍ／ｍ２／２４時間］で、接着剤層の水蒸気透湿係数が０．３〜５［ｇ・ｍｍ／ｍ２／２４時間］であることがより好ましい。
絶縁性フィルムの水蒸気透湿係数が０．３［ｇ・ｍｍ／ｍ２／２４時間］より小さい場合、または接着剤の水蒸気透湿係数が０．３［ｇ・ｍｍ／ｍ２／２４時間］より小さい場合は、前記半導体装置用接着テープの場合と同様にポップコーン現象となって発泡しやすくなる。
本発明の半導体装置用接着テープでは、水蒸気透湿係数が上記特定値を有するため、絶縁性フィルムまたは接着剤層に含まれた水分が水蒸気となって絶縁性フィルムに透過して拡散するためにポップコーン現象の問題が解決される。
【０００９】
本発明の半導体装置用接着テープ、およびそれを構成する絶縁性フィルム又は接着剤層の水蒸気透湿係数を０．３［ｇ・ｍｍ／ｍ２／２４時間］以上にするためには、下記で述べるような特定の材料を選択することにより達成することができる。
本発明でいう水蒸気透湿係数は次のように求めることができる。
すなわち、半導体装置用接着テープをＪＩＳ  Ｋ７１２９に基づく水蒸気透過度試験方法によって該テープの水蒸気透過度を求める。次にこの水蒸気透過度に測定したテープの厚さ（ｍｍ）を乗算することによって本発明でいう水蒸気透湿係数が求められる。ＪＩＳ  Ｋ７１２９に基づく水蒸気透過度試験は、例えばＭＯＣＯＮ社製のＰＥＲＭＡＴＲＡＮ−Ｗ６００などの試験装置で測定することができる。
また、絶縁性フィルム及び接着剤層の水蒸気透湿係数も上記と同様にして得ることができる。接着剤層については、ポリエチレンテレフタレートなどの剥離性樹脂フィルムに接着剤を塗工した後硬化させ、硬化した接着剤を剥離性樹脂フィルムから剥離することによって水蒸気透湿係数を測定するための試料とする。
【００１０】
本発明で用いる絶縁性フィルムとしては、ポリイミド、ポリエステル、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、アラミド、ポリカーボネート、ポリアリレート等のプラスチックあるいはエポキシ樹脂含浸ガラスクロス等複合材料からなる厚さ１２．５〜１２５μｍのフィルムであり、これから選ばれる複数のフィルムを積層して用いてもよい。中でも、可撓性を有するポリイミドフィルムが好ましく用いられる。また、必要に応じて、加水分解、コロナ放電、低温プラズマ、物理的粗面化、易接着コーティング処理等の表面処理をその片面または両面に施したものが使用ができる。
【００１１】
本発明の接着剤層は、絶縁および接着信頼性に優れているものであれば、熱可塑性接着剤や熱硬化性接着剤を問わず特に限定されず用いることができるが、
トリヒドロキシフェニルメタン型フェノール樹脂またはポリイミド樹脂を含有するものが接着テープの水蒸気透湿係数を０．３［ｇ・ｍｍ／ｍ２／２４時間］以上にすることができるので好ましい。
【００１２】
本発明で用いられるトリヒドロキシフェニルメタン型フェノール樹脂は、一般に下記一般式（Ｉ）から（ＩＶ）で示されるものをいう。
【００１３】
【化７】
0003550543.tif 000005
【００１４】
【化８】
0003550543.tif 000006
【００１５】
【化９】
0003550543.tif 000007
【００１６】
【化１０】
0003550543.tif 000008
［式中、Ｒ1はｔ−Ｃ4Ｈ9、Ｒ2はＣＨ3を表す。］
【００１７】
上記トリヒドロキシフェニルメタン型フェノール樹脂の接着剤層中での含有率は、接着剤層の低熱収縮、絶縁信頼性の点を考慮して５〜１５重量％であることが望ましい。
【００１８】
また、ポリイミド樹脂は、下記式（Ｖ）で示される構造単位及び下記式（ＶＩ）で示される構造単位が不規則に配列されたポリイミド樹脂が挙げられる。また、下記式（Ｖ）で示される構造単位、下記式（ＶＩ）で示される構造単位および下記式（ＶＩＩ  ）で示される構造単位が不規則に配列されたポリイミド樹脂を挙げることができる。
【００１９】
【化１１】
0003550543.tif 000009
【００２０】
［式中、Ｗは、直接結合、炭素数１〜４のアルキレン基、−Ｏ−、−ＳＯ2−または−ＣＯ−を表し、Ａｒ1は下記式（１）または（２）で示される２価の芳香族基を表し、
【化１２】
0003550543.tif 000010
（式中、Ｘは、直接結合、炭素数１〜４のアルキレン基、−Ｏ−、−ＳＯ2−または−ＣＯ−を表し、Ｙは、炭素数１〜４のアルキレン基を表し、Ｚ1及びＺ2は、それぞれ水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜４のアルキル基または炭素数１〜４のアルコキシ基を表す。）、Ａｒ2は、１個または２個の水酸基またはカルボキシル基を有する２価の芳香族基を表し、Ｒ1及びＲ6は、炭素数１〜４のアルキレン基または下記式（３）で示される基を表し、
【化１３】
0003550543.tif 000011
（式中、Ａｌｋはケイ素原子に結合する炭素数１〜４のアルキレン基を表す。）、Ｒ2〜Ｒ5は炭素数１〜４のアルキル基を表し、ｎは０〜３１の整数である。］
【００２１】
上記ポリイミド樹脂の接着剤層中での含有率は、接着剤層の絶縁性フィルムへの接着性を考慮して３０〜６０重量％であることが望ましい。
【００２２】
本発明における接着剤層の構成成分には、前記トリヒドロキシフェニルメタン型フェノール樹脂、ポリイミド樹脂の他に、その他の樹脂を含有させることもできる。その他の樹脂としては、例えばエポキシ樹脂、上記以外のフェノール樹脂、マレイミド樹脂などを挙げることができる。
【００２３】
エポキシ樹脂としては、１分子中に２個以上のエポキシ基を含有することが必要である。具体的にはアリルグリシジルエーテル、ブチルグリシジルエーテル、グリシジルメタクリレート、３、４−エポキシ−６−メチルシクロヘキシルメチル−３、４−エポキシ−６−メチルシクロヘキセンカルボキシレート、ビニルシクロヘキセンカルボキシレート、ビニルシクロヘキセンジオキサイド、ジペンテンジオキサイド、ジシクロペンタジエンジオキサイド、ビス（３、４−エポキシ−６−メチルシクロヘキシルメチル）アジペート、テトラヒドロフタル酸ジグリシジルエステル、フェノールノボラックエポキシ樹脂、トリグリシジルイソシアネートビスフェノールＡとエピクロルヒドリンから得られるビスフェノールＡジグリシジルエーテルなどのビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、エポキシ化クレゾールノボラック樹脂、トリヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂に代表される多官能型エポキシ樹脂、上記エポキシ化合物を脂肪酸で部分変性したエポキシ化合物などが例示される。さらにその他の構造のエポキシ化合物例えば、シリコン、ＮＢＲ、ＳＢＲ、ダイマー酸等の各種エラストマー変性エポキシ樹脂等を併用することもできる。
【００２４】
フェノール樹脂としては、アルキルフェノール樹脂、パラフェニルフェノール樹脂、ビスフェノールＡ型フェノール樹脂等のノボラックフェノール樹脂およびアルキルフェノール樹脂、クレゾール型フェノール樹脂、ビスフェノールＡ型フェノール等のレゾールフェノール樹脂、ポリフェニルパラフェノール樹脂等、公知のフェノール樹脂が挙げられる。
【００２５】
マレイミド樹脂としては、基本骨格中に官能基としてマレイミド基を少なくとも１個以上有するものであって、一般にはビスマレイミド類が挙げられる。具体的には、Ｎ，Ｎ’−ｍ−フェニレンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−ｍ−トルイレンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−４，４−ビフェニレンビスマレイミド、Ｎ，  Ｎ’−４，４’−〔３，３’−ジメチルビフェニレン〕ビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−〔３，３−ジメチルジフェニルメタン〕ビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−４，４’−〔３，３−ジエチルジフェニルメタン〕ビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−４，４’−ジフェニルメタンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−４，４’−ジフェニルプロパンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−４，４’−ジフェニルエーテルビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−３，３’ージフェニルスルフォンビスマレイミド、Ｎ，  Ｎ’−４，４’−ジフェニルスルフォンビスマレイミド等を挙げることができる。
【００２６】
本発明における接着剤層には、所望により硬化剤および硬化促進剤を含有させることができる。例えば、イミダゾール類、第３アミン類、フェノール類、ジシアンジアミド類、芳香族ジアミン類、有機過酸化物等をあげることができる。また、有機および／または無機充填材を含有させてもよい。有機および／または無機充填材については、例えば、アルミナ、窒化ケイ素、窒素化ホウ素等は、絶縁性および熱伝導性の付与の目的で、銀、銅、ニッケル等の金属粉末は、熱伝導性の付与の目的で、また、酸化チタン、炭酸カルシウム、シリカ、酸化亜鉛、酸化マグネシウム等は、誘電特性、熱膨張率、粘弾性、タック性の調整の目的で含有させることができる。
【００２７】
接着剤層の形成は、上記の樹脂を絶縁性フィルム表面に塗工する方法、射出成形してフィルム状にした後、絶縁性フィルムと貼り合わせる方法等が採用できる。塗工により接着剤層を形成する場合は、樹脂成分を、例えばトルエン、キシレン、クロロベンゼン等の芳香族系、メタノール、エタノール、プロパノール等のアルコール系等の溶媒に溶解した接着剤溶液を用い、公知の塗布方法で塗布後加熱してＢステージの半硬化状の接着剤層を形成する。接着剤層の好ましい厚さは５〜１００μｍ、さらに好ましくは１０〜５０μｍの範囲である。
【００２８】
本発明の半導体装置用接着テープは、接着剤層の表面に、必要に応じて保護フィルムを貼着してもよい。保護フィルムとしては、剥離処理を施した紙、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート等の合成樹脂フィルムが使用される。また、絶縁性フィルムが剥離性フィルムまたは表面に離型処理を施した紙などの場合には、使用に際してそれら絶縁性フィルムを剥離して接着剤層のみを接着テープとして使用すればよい。
【００２９】
【実施例】
次に実施例を示して本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらによって限定されるものではない。なお、「部」は「重量部」を示す。
実施例１
厚さ３８μｍのポリエチレンテレフタレートからなる保護フィルムに、下記組成の接着剤層形成用塗料Ａを厚さ約１２μｍになるように塗布し、１６０℃で２分間乾燥し、膜厚２０μｍの接着剤層を形成した。
（接着剤層形成用塗料Ａ）
まず、前記式（V）で示される構造単位及び前記式（VI）で示される構造単位が不規則に配列されたポリイミド樹脂Ａを次のように合成した。
〔ポリイミド樹脂Ａ〕
撹拌機を備えたフラスコに、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン１６．１０ｇ（３９ミリモル）、３，３’−ジカルボキシ−４，４’−ジアミノジフェニルメタン１．２５ｇ（５ミリモル）、１，３−ビス（３−アミノフェノキシメチル）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン２１．２５ｇ（５６ミリモル）、３，４，３’，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物３２．２２ｇ（１００ミリモル）およびＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）３００ｍｌを氷温下導入し、１時間撹拌を続けた。次いで、得られた溶液を窒素雰囲気下、室温で３時間反応させてポリアミック酸を合成した。得られたポリアミック酸溶液に、トルエン５０ｍｌおよびｐ−トルエンスルホン酸１．０ｇを加え、１６０℃に加熱した。トルエンと共沸してきた水を分離しながら３時間イミド化反応を行った。トルエンを留去し、得られたポリイミドワニスをメタノール中に注ぎ、得られた沈殿を分離し、粉砕、洗浄、乾燥させる工程を経ることにより、ポリイミド樹脂Ａを得た。
また、前記式（V）で示される構造単位、前記式（VI）で示される構造単位および前記式（VII）で示される構造単位が不規則に配列されたポリイミド樹脂Ｂを次のように合成した。
〔ポリイミド樹脂Ｂ〕
３，４’−ジアミノジフェニルエーテル１０．３３ｇ（５２ミリモル）、１，３−ビス（３−アミノフェノキシメチル）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン１８．２３ｇ（４８ミリモル）、３，４，３’，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物３２．２２ｇ（１００ミリモル）およびＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）３００ｍｌを用いて、上記ポリイミド樹脂Ａと同様の方法でポリイミド樹脂Ｂを得た。
次に、前記ポリイミド樹脂Ａ及びポリイミド樹脂Ｂを使用して下記のとおり、所定の混合比で混合して接着剤層形成用塗料Ａを作製した。
・上記ポリイミド樹脂Ａの２０％テトラヒドロフラン溶液  ２５部
・上記ポリイミド樹脂Ｂの２０％テトラヒドロフラン溶液  ２５部
・ビスマレイミド樹脂の２０％テトラヒドロフラン溶液  １０部
・トリヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂の５０％メチルエチルケトン溶液  ２０部
・ｐ−ｔ−ブチル型フェノール樹脂の５０％メチルエチルケトン溶液  ２０部
・２−エチル−４−メチルイミダゾールの１％メチルエチルケトン溶液  ０．１部
【００３０】
次に、厚さ７５μｍ、幅３５ｍｍのポリイミドフィルムＡ（原料：ピロメリット酸二無水物及び芳香族ジアミン）からなる絶縁性フィルムに上記保護フィルム上の接着剤層を重ね合せ、１３０℃、１ｋｇ／ｃｍ２の条件で加熱圧着して本発明の半導体装置用接着テープを得た。なお、この保護フィルムを剥離した後の半導体装置用接着テープ、絶縁性フィルムおよび接着剤層の水蒸気透湿係数については下記表１に示した。
【００３５】
比較例１
実施例１において、接着剤層形成用塗料Ａを下記の接着剤層形成用塗料Ｂに代えた以外は同様にして比較用の半導体装置用接着テープを得た。なお、この半導体装置用接着テープ、絶縁性フィルムおよび接着剤層の水蒸気透湿係数については下記表１に示した。
（接着剤層形成用塗料Ｂ）
・ポリアミド樹脂（ヘンケルジャパン社製  商品名：マイクロメルト６２３９）の２５％イソプロピルアルコール／トルエン混合溶液  ５３部
・エポキシ樹脂  ７部
・レゾール型フェノール樹脂の５０％メチルエチルケトン溶液  ８部
・ノボラック型フェノール樹脂の５０％メチルエチルケトン溶液  ５部
・２−エチル−４−メチルイミダゾールの１％メチルエチルケトン溶液  ２７部
【００３６】
比較例２
実施例１において、接着剤層形成用塗料Ａを下記の接着剤層形成用塗料Ｃに代えた以外は同様にして比較用の半導体装置用接着テープを得た。なお、この半導体装置用接着テープ、絶縁性フィルムおよび接着剤層の水蒸気透湿係数については下記表１に示した。
（接着剤層形成用塗料Ｃ）
・前記ポリイミド樹脂Ｂの２０％テトラヒドロフラン溶液  ２５部
・エポキシ樹脂  ７部
・レゾール型フェノール樹脂の５０％メチルエチルケトン溶液  ８部
・ノボラック型フェノール樹脂の５０％メチルエチルケトン溶液  ５部
・２−エチル−４−メチルイミダゾールの１％メチルエチルケトン溶液  ２７部
【００３７】
次に実施例１及び比較例１〜２で得られた半導体装置用接着テープについて下記の特性を評価した。
＜水蒸気透湿係数＞
前記測定方法に準ずる。
＜電気特性＞
前記各半導体装置用接着テープの保護フィルムを剥離し、１オンスの電解銅箔（厚さ３５μｍ）を貼り合せ、１３０℃、１ｋｇ／ｃｍ2の条件で加熱加圧処理を行った。その後６０℃で６時間、８０℃で６時間、１２０℃で３時間、及び１５０℃で５時間、順次加熱を行い接着剤層の硬化を行った。更に、銅箔上にフォトレジスト膜を形成して処理し、銅箔をエッチングし、櫛形回路を形成し評価サンプルとした。この評価サンプルに、恒温恒湿槽にて温度１３０℃、湿度８５％ＲＨの条件下で、直流電圧５Ｖを３００時間連続的に印加して恒温恒湿前後の絶縁抵抗値を測定し、櫛形回路の銅箔のマイグレーションの発生の有無について観察した。その結果を表１に示した。
【００３８】
＜リフロー性＞
上記電気特性評価をおこなっていない櫛形回路に、表面をアルミニウムで蒸着したダミー用のＩＣ素子を銀ペーストによりに搭載後、封止樹脂で封止して模擬パッケージを作製した。
次にこの模擬パッケージ２０個を温度８５℃、湿度８５％ＲＨに７２時間放置した後、ハンダリフロー装置（アサヒエレクトロニクス社製、商品名：Ｂａ−３００Ｎ２ＩＩＩ型、温度条件：最高２４０℃、２２０℃以上１０秒）にかけ、放冷後に超音波探傷によって模擬パッケージ内の半導体装置用接着テープのポップコーン現象の発生有無を確認した。その結果を表１に示した。
【００３９】
【表１】
0003550543.tif 000012
【００４０】
表１から明らかなように本発明の半導体装置用接着テープを用いた櫛形回路では、高温高湿環境下において回路が短絡せずに、且つマイグレーションが発生しないで電気的信頼性が高く、耐リフロー性にも優れていることが確認された。
これに対して比較例の半導体装置用接着テープでは、回路が短絡してマイグレーションが発生しポップコーン現象が生じるものであった。
【００４１】
【発明の効果】
本発明は、耐熱性や耐湿信頼性などの信頼性に優れ、ポップコーン現象のおきない半導体装置用接着テープを提供することができる。