Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月19日(2015.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置の製造方法であって、前記製造方法は、
半導体基板の主面に溝を形成する工程と、
前記溝内にシリコンを熱酸化して第１の酸化シリコン膜を形成する工程と、
前記半導体基板主面上に、第２の酸化シリコン膜を成膜する工程と、
前記半導体基板の厚さ方向に見て前記主面の反対側に位置する裏面から前記半導体基板の厚みを減じることで前記溝の底部を露出させる工程と、
を有し、
前記第１の酸化シリコン膜は、前記半導体基板に深さ方向に対し圧縮応力を与え、
前記第２の酸化シリコン膜は、前記半導体基板に前記深さ方向に対し引張応力を与え、
前記第２の酸化シリコン膜は、前記引張応力が前記第１の酸化シリコン膜の前記圧縮応力によって実質的に釣り合うように膜厚を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記溝は前記半導体基板主面上において環状形状を有し、前記半導体基板の前記環状の溝に囲まれた領域と前記環状の溝の外側の領域とを電気的に絶縁する絶縁分離部を形成し、前記半導体基板の前記環状の溝に囲まれた領域の半導体基板を貫通する貫通電極を形成する工程を有する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第２の酸化シリコン膜の成膜工程は、酸化シリコン膜の成膜工程とそれに続く熱処理工程のサイクルを少なくとも２回繰り返す、請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第２の酸化シリコン膜の基板面に平行な方向の膜厚は、前記第１の酸化シリコン膜の同方向の膜厚の１〜５倍である請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第２の酸化シリコン膜の基板面に平行な方向の膜厚は、前記第１の酸化シリコン膜の同方向の膜厚の２〜４倍である請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記第２の酸化シリコン膜は、ＣＶＤ法によって形成する請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記第２の酸化シリコン膜は、ＴＥＯＳを原料とする低圧ＣＶＤ法によって形成するＮＳＧ膜である請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記第２の酸化シリコン膜を成膜した後に前記半導体基板に対し熱処理を施す請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記熱処理は、非酸化雰囲気中、９００〜１１００℃の範囲で実施する請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記方法はさらに、前記第２の酸化シリコン膜を堆積する前にシリコン窒化膜を形成する工程を有する、
請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第２の酸化シリコン膜は、複数のシリコン酸化層の積層膜である、
請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
半導体装置の製造方法であって、前記製造方法は、
半導体基板の主面に開孔を形成する工程であって、前記半導体基板はシリコンを含む工程と、
前記開孔の側壁にシリコンを熱酸化して前記開孔の前記側壁に第１の酸化シリコン膜を形成する工程と、
前記開孔の前記側壁上に、第２の酸化シリコン膜を成膜する工程と、
前記半導体基板の厚さ方向に見て前記主面の反対側に位置する裏面から前記半導体基板の厚みを減じることで前記開孔の底部を露出させる工程と、
を備え、
前記第１の酸化シリコン膜は深さ方向に前記半導体基板に圧縮応力を与え、
前記第２の酸化シリコン膜は深さ方向に前記半導体基板に引張応力を与え、
前記第１及び第２の酸化シリコン膜は前記圧縮応力と前記引張応力とがほぼ釣り合うようにそれぞれの膜厚を調整して形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記製造方法はさらに、前記半導体基板の環状の前記開孔に囲まれた領域と前記環状の開孔の外側の領域とを電気的に絶縁する絶縁分離部を形成する工程を有し、前記電極は、前記半導体基板の前記厚みを減じた後で前記半導体基板を貫通するように形成される、請求項１２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記第２の酸化シリコン膜の成膜工程は、酸化シリコン膜の成膜工程とそれに続く熱処理工程のサイクルを少なくとも２回繰り返す、
請求項１２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記第２の酸化シリコン膜の基板面に平行な方向の膜厚は、前記第１の酸化シリコン膜の同方向の膜厚の１〜５倍である、
請求項１２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記第２の酸化シリコン膜の基板面に平行な方向の膜厚は、前記第１の酸化シリコン膜の同方向の膜厚の２〜４倍である、
請求項１２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
前記第２の酸化シリコン膜を成膜した後に前記半導体基板に対し熱処理を施す、
請求項１４乃至１６のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１８】
前記第２の酸化シリコン膜は、複数のシリコン酸化層の積層膜である、
請求項１２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
半導体装置であって、
半導体基板と、
前記半導体基板を貫通する溝と、
前記溝の側壁上に２層以上積層した側壁膜と、
前記側壁膜の内側の孔に設けられた貫通電極部と、
を備え、
前記側壁膜は、少なくとも
前記半導体基板に深さ方向に圧縮応力を与える第１の膜と、
前記半導体基板に深さ方向に引張応力を与える第２の膜と、
を含み、
第２の膜は、前記引張応力が前記第１の膜の前記圧縮応力によって実質的に釣り合うように膜厚を有する半導体装置。
【請求項２０】
半導体装置であって、
半導体基板と、
前記半導体基板を貫通する開孔と、
前記開孔の側壁上に２層以上積層した側壁膜と、
前記側壁膜の内側の孔に設けられた貫通電極部と、
を備え、
前記側壁膜は、少なくとも
前記半導体基板に深さ方向に圧縮応力を与える第１の膜と、
前記半導体基板に深さ方向に引張応力を与える第２の膜と、
を含み、
前記第２の膜は、前記引張応力が前記第１の膜の前記圧縮応力によって実質的に釣り合うように膜厚を有する半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月9日(2015.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極と、
負極と、
前記正極及び前記負極の間に設けられる電解質と、を有し、
前記正極は、正極活物質層が設けられた正極集電体を有し、
前記正極活物質層において、グラフェンと、リチウム含有複合酸化物とが交互に積層し、
前記リチウム含有複合酸化物は、扁平形状を有する単結晶粒であり、
前記扁平形状を有する単結晶粒は、ｂ軸方向の長さがａ軸方向及びｃ軸方向の長さより短く、
前記リチウム含有複合酸化物は、前記単結晶粒のｂ軸方向が前記正極集電体の表面と交差するように、前記正極集電体上に設けられていることを特徴とするリチウムイオン二次電池。
【請求項２】
正極と、
負極と、
前記正極及び前記負極の間に設けられる電解質と、を有し、
前記正極は、正極活物質層が設けられた正極集電体を有し、
前記正極活物質層において、異なるグラフェンの間に複数のリチウム含有複合酸化物を有し、
前記リチウム含有複合酸化物は、扁平形状を有する単結晶粒であり、
前記扁平形状を有する単結晶粒は、ｂ軸方向の長さがａ軸方向及びｃ軸方向の長さより短く、
前記リチウム含有複合酸化物は、前記単結晶粒のｂ軸方向が前記正極集電体の表面と交差するように、前記正極集電体上に設けられていることを特徴とするリチウムイオン二次電池。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記単結晶粒のｂ軸方向の長さは、５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることを特徴とするリチウムイオン二次電池。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記単結晶粒のｂ軸は、前記正極集電体の表面に対し６０度以上９０度以下で交差することを特徴とするリチウムイオン二次電池。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記リチウム含有複合酸化物は異なるグラフェンの間で積層していることを特徴とするリチウムイオン二次電池。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記リチウム含有複合酸化物は、オリビン型であることを特徴とするリチウムイオン二次電池。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記リチウム含有複合酸化物は、一般式ＬｉＭＰＯ４（Ｍは、Ｆｅ（ＩＩ），Ｍｎ（ＩＩ），Ｃｏ（ＩＩ），Ｎｉ（ＩＩ）の一以上）で表されることを特徴とするリチウムイオン二次電池。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月17日(2015.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と、前記第１の基板と対向する第２の基板と、を有し
前記第１の基板は、第１の電極と、有機化合物を含む層と、第２の電極と、を有し、
前記第２の基板は、配線を有し、
前記第２の電極は、前記配線と電気的に接続されていることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
第１の基板と、前記第１の基板と対向する第２の基板と、接続体と、を有し、
前記第１の基板は、第１の電極と、有機化合物を含む層と、第２の電極と、を有し、
前記第２の基板は、配線を有し、
前記第２の電極は、前記第１の電極と重ならない領域を有し、
前記第２の電極は、前記第１の電極と重ならない領域においては、前記接続体を介して前記配線と電気的に接続されていることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
第１の基板と、前記第１の基板と対向する第２の基板とを有し
前記第１の基板は、第１の電極と、有機化合物を含む層と、第２の電極とを有する発光素子を有し、
前記第２の基板は、配線と、構造物と、を有し、
前記第２の電極は、前記配線と電気的に接続されており、
前記構造物は、前記発光素子からの光を拡散する機能を有し、
前記光に対する前記構造物の焦点面は、前記発光素子と交差しないことを特徴とする発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月18日(2015.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１５】
導電体で形成され、複数のガス穴と、該複数のガス穴と分離した位置に電磁波を通す複数のスロットとを有するシャワーヘッドを備え、前記複数のスロットは、前記シャワーヘッドの径方向と垂直な方向に貫通することを特徴とするプラズマ発生用アンテナ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、導電体で形成され、複数のガス穴と、該複数のガス穴と分離した位置に電磁波を通す複数のスロットとを有するシャワーヘッドを備え、前記複数のスロットは、前記シャワーヘッドの径方向と垂直な方向に貫通することを特徴とするプラズマ発生用アンテナが提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月23日(2015.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極層と、発光性の有機化合物を含む層と、第２の電極層と、凹凸形状を有する導電層と、構造物と、を有し、
前記第２の電極層は、前記導電層と前記構造物とに挟持されており、
前記第２の電極層は、前記導電層と電気的に接続されていることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
第１の電極層と、発光性の有機化合物を含む層と、第２の電極層と、凹凸形状を有する導電層と、構造物と、絶縁層と、を有し、
前記第２の電極層は、前記導電層と前記構造物とに挟持されており、
前記第２の電極層は、前記導電層と電気的に接続されており、
前記導電層は、前記第１の電極層上に前記絶縁層を介して設けられていることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
第１の電極層と、発光性の有機化合物を含む層と、第２の電極層と、凹凸形状を有する導電層と、構造物と、配線と、を有し、
前記第２の電極層は、前記導電層と前記構造物とに挟持されており、
前記導電層は、前記配線上に設けられており、
前記第２の電極層は、前記導電層を介して前記配線と電気的に接続されていることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記構造物は、絶縁性を有する部分と、導電性を有する部分とを有し、
前記第２の電極層は、前記導電性を有する部分と電気的に接続されていることを特徴とする発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月18日(2014.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】周波数特徴を選択する方法およびシステム
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の実施の形態は、サポートベクターマシンを用いて元の領域の代わりに周波数領域においてデータを分類する方法およびシステムを提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
線形分類器を用いたデータの二項分類に用いられる周波数特徴を選択する方法であって、
ｄ次元のラベル付けされたトレーニングデータを用いて、ｄ次元空間において仮説のセットを求めるステップであって、前記仮説のそれぞれはベクトルであり、各仮説ベクトルの大きさは、空間合成周波数である、ｄ次元空間において仮説のセットを求めるステップと、
前記仮説ごとにマッピング関数を構築するステップと、
周波数特徴を生成するために、前記マッピング関数を前記トレーニングデータに適用するステップと、
前記周波数特徴のサブセットを反復的に選択するステップと、
前記周波数特徴のサブセットおよび前記トレーニングデータのラベルを用いて前記線形分類器をトレーニングするステップと、
を含み、前記ステップのそれぞれは、プロセッサにおいて実行される
線形分類器を用いたデータの二項分類に用いられる周波数特徴を選択する方法。
【請求項２】
前記トレーニングデータは、正のラベルを有する正のトレーニングデータの第１のサブセットと、負のラベルを有する負のトレーニングデータの第２のサブセットとを含み、基底ベクトルが、前記トレーニングデータの前記第１のサブセットと前記第２のサブセットとの間の分離境界を規定する
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記各仮説は、前記トレーニングデータのベクトルωである
請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記トレーニングデータから別個の確率分布関数Ｐ＋およびＰ−を抽出するステップであって、Ｐ＋は、正のラベル付けされたデータの前記確率分布関数であり、Ｐ−は、負のトレーニングデータ点のサブセットの前記確率分布関数である、抽出するステップと、
前記分布のそれぞれについてＭ個のデータ点をサンプリングするステップであって、点対
【数１】
2012216191.tif 000001
を構築し、ここでｘ−は前記分布ｐ−からのデータ点であり、ここでｘ＋は前記分布ｐ＋からのデータ点である、サンプリングするステップと、
前記仮説ωを、前記点対を連結する前記ベクトルとして割り当てるステップと
をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記確率密度関数ｐ＋およびｐ−を抽出する間、加重判別制約を適用する
請求項４に記載の方法。
【請求項６】
マッピング関数が
【数２】
2012216191.tif 000002
によって規定され、ここで、Ｔは、ベクトル転置演算子であり、ｂは、位相シフトパラメーターである
請求項４に記載の方法。
【請求項７】
Ｒｄ→Ｒ２からの前記マッピング関数は、
【数３】
2012216191.tif 000003
によって規定され、ここで、Ｔは、ベクトル転置演算子である
請求項４に記載の方法。
【請求項８】
前記位相シフトは、ｂ＝−ωＴｘ＋である
請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記周波数特徴のサブセットをブースティング法によって選択する
請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記選択を、前記線形分類器の所望の性能レベルに達するまで繰り返す
請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記選択を、計算負荷の上限に達するまで反復する
請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記線形分類器は、線形カーネルを有するサポートベクターマシンである
請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記仮説のセットをランダムサンプリングによって選択する
請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記トレーニングデータは、複数のクラスを有する
請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
テストデータの前記周波数特徴を求めるステップと、
前記テストデータを分類する最終ラベルを得るために、前記周波数特徴に前記線形分類器を適用するステップと
をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
線形分類器を用いたデータの二項分類に用いられる周波数特徴を選択するシステムであって、
ｄ次元のラベル付けされたトレーニングデータを用いて、ｄ次元空間において仮説のセットを求めることであって、前記仮説のそれぞれはベクトルであり、各仮説ベクトルの大きさは、空間合成周波数である、ｄ次元空間において仮説のセットを求めることと、
前記仮説ごとにマッピング関数を構築することと、
周波数特徴を生成するために、前記マッピング関数を前記トレーニングデータに適用することと、
前記周波数特徴のサブセットを反復的に選択することと、
前記周波数特徴のサブセットおよび前記トレーニングデータのラベルを用いて前記線形分類器をトレーニングすることと、
を実行するためのプロセッサを備えた、線形分類器を用いたデータの二項分類に用いられる周波数特徴を選択するシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月9日(2015.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上のチャネル保護膜と、
前記チャネル保護膜上のソース電極およびドレイン電極と、
前記チャネル保護膜と前記ソース電極とに挟まれた第１の水素捕縛膜と、
前記チャネル保護膜と前記ドレイン電極とに挟まれた第２の水素捕縛膜と、を有し、
前記チャネル保護膜は、水素を透過する機能を有し、
前記第１及び前記第２の水素捕縛膜は、インジウムを含む酸窒化物膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上のチャネル保護膜と、
前記チャネル保護膜上のソース電極およびドレイン電極と、
前記チャネル保護膜と前記ソース電極とに挟まれた第１の水素捕縛膜と、
前記チャネル保護膜と前記ドレイン電極とに挟まれた第２の水素捕縛膜と、を有し、
前記チャネル保護膜は、水素を透過する機能を有し、
前記第１及び前記第２の水素捕縛膜は、インジウムを含む酸窒化物膜であり、
前記酸化物半導体膜の水素濃度は、１×１０１９ｃｍ−３未満であり、
前記第１及び前記第２の水素捕縛膜の水素濃度は、１×１０１９ｃｍ−３以上５×１０２０ｃｍ−３以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上の、インジウムを含む第１の酸窒化物膜と、
前記第１の酸窒化物膜上の酸化シリコン膜と、
前記酸化シリコン上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上のチャネル保護膜と、
前記チャネル保護膜上のソース電極およびドレイン電極と、
前記チャネル保護膜と前記ソース電極とに挟まれた第１の水素捕縛膜と、
前記チャネル保護膜と前記ドレイン電極とに挟まれた第２の水素捕縛膜と、を有し、
前記チャネル保護膜は、水素を透過する機能を有し、
前記第１及び前記第２の水素捕縛膜は、インジウムを含む第２の酸窒化物膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上の、インジウムを含む第１の酸窒化物膜と、
前記第１の酸窒化物膜上の酸化シリコン膜と、
前記酸化シリコン上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上のチャネル保護膜と、
前記チャネル保護膜上のソース電極およびドレイン電極と、
前記チャネル保護膜と前記ソース電極とに挟まれた第１の水素捕縛膜と、
前記チャネル保護膜と前記ドレイン電極とに挟まれた第２の水素捕縛膜と、を有し、
前記チャネル保護膜は、水素を透過する機能を有し、
前記第１及び前記第２の水素捕縛膜は、インジウムを含む第２の酸窒化物膜であり、
前記酸化物半導体膜の水素濃度は、１×１０１９ｃｍ−３未満であり、
前記第１及び前記第２の水素捕縛膜の水素濃度は、１×１０１９ｃｍ−３以上５×１０２０ｃｍ−３以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１または請求項２において、
前記酸化物半導体膜は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎと、を有し、
前記酸窒化物膜は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎと、を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月4日(2015.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化インジウム亜鉛でなる酸化物半導体膜において、
前記酸化物半導体膜は、
ａ−ｂ面が前記酸化物半導体膜表面に概略平行である六方晶の結晶構造と、
ａ−ｂ面が前記酸化物半導体膜表面に概略平行である菱面体晶の結晶構造と、
を有する酸化物半導体膜。
【請求項２】
酸化インジウム亜鉛でなる酸化物半導体膜において、
前記酸化物半導体膜は、
ａ−ｂ面が前記酸化物半導体膜表面に概略平行である六方晶の結晶構造と、
ａ−ｂ面が前記酸化物半導体膜表面に概略平行である菱面体晶の結晶構造と、
を有し、
前記六方晶の結晶構造は、Ｉｎ：Ｚｎ＝１：１の組成比を有する酸化物半導体であり、
前記菱面体晶の結晶構造は、Ｉｎ：Ｚｎ＝２：１の組成比を有する酸化物半導体である酸化物半導体膜。
【請求項３】
ゲート電極と、
ゲート絶縁膜と、
酸化インジウム亜鉛でなる酸化物半導体膜と、
ソース電極およびドレイン電極と、
を有し、
前記酸化物半導体膜は、
ａ−ｂ面が前記酸化物半導体膜表面に概略平行である六方晶の結晶構造と、
ａ−ｂ面が前記酸化物半導体膜表面に概略平行である菱面体晶の結晶構造と、
を有する半導体装置。
【請求項４】
ゲート電極と、
ゲート絶縁膜と、
酸化インジウム亜鉛でなる酸化物半導体膜と、
ソース電極およびドレイン電極と、
を有し、
前記酸化物半導体膜は、
ａ−ｂ面が前記酸化物半導体膜表面に概略平行である六方晶の結晶構造と、
ａ−ｂ面が前記酸化物半導体膜表面に概略平行である菱面体晶の結晶構造と、
を有し、
前記六方晶の結晶構造は、Ｉｎ：Ｚｎ＝１：１の組成比を有する酸化物半導体であり、
前記菱面体晶の結晶構造は、Ｉｎ：Ｚｎ＝２：１の組成比を有する酸化物半導体である半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月4日(2015.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に酸素を含む第１の下地膜を形成し、
前記第１の下地膜上に第２の下地膜を形成し、
前記基板に第１の加熱処理を行って、前記第１の下地膜及び前記第２の下地膜の水及び水素を除去し、
前記第１の加熱処理後、前記第２の下地膜上に酸化物半導体膜を形成し、
前記基板に第２の加熱処理を行って、前記第１の下地膜から前記第２の下地膜を介して前記酸化物半導体膜に酸素を供給し、
前記酸化物半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記酸化物半導体膜に電気的に接続されたソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記第２の下地膜における酸素の拡散係数が、前記第１の下地膜における酸素の拡散係数よりも小さいことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に酸素を含む第１の下地膜を形成し、
前記第１の下地膜上に第２の下地膜を形成し、
前記基板に２５０℃以上３５０℃以下で第１の加熱処理を行い、
前記第１の加熱処理後、前記第２の下地膜上に酸化物半導体膜を形成し、
前記基板に前記第１の加熱処理よりも高温且つ４５０℃以下の温度で第２の加熱処理を行い、
前記酸化物半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記酸化物半導体膜に電気的に接続されたソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記第２の下地膜における酸素の拡散係数が、前記第１の下地膜における酸素の拡散係数よりも小さいことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第２の下地膜の厚さが、１ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１の下地膜が、酸化シリコン膜を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第２の下地膜が、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化アルミニウム膜、酸化イットリウムが添加された酸化ジルコニウム膜のいずれか一を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月9日(2015.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】酸化物半導体膜の形成方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜上に接して水素透過膜を形成し、
前記水素透過膜上に接して水素捕縛膜を形成し、
加熱処理を行うことで、前記酸化物半導体膜から水素を脱離させることを特徴とする酸化物半導体膜の形成方法。
【請求項２】
酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜上に接して酸化物を有する水素透過膜を形成し、
前記水素透過膜上に接して水素捕縛膜を形成し、
加熱処理を行うことで、前記酸化物半導体膜から水素を脱離させつつ、前記水素透過膜から前記酸化物半導体膜に酸素を供給することを特徴とする酸化物半導体膜の形成方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記加熱処理後に、前記水素透過膜および前記水素捕縛膜を除去することを特徴とする酸化物半導体膜の形成方法。
【請求項４】
酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜上に接して酸化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜を形成し、
前記酸化シリコン膜または前記酸化窒化シリコン膜上に接してインジウムを含む酸窒化物膜を形成し、
加熱処理を行うことで、前記酸化物半導体膜から水素を脱離させることを特徴とする酸化物半導体膜の形成方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記酸化物半導体膜は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎと、を有し、
前記酸窒化物膜は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎと、を有することを特徴とする酸化物半導体膜の形成方法。
【請求項６】
請求項４又は請求項５において、
前記加熱処理後に、前記酸化シリコン膜または前記酸化窒化シリコン膜と、前記酸窒化物膜とを除去することを特徴とする酸化物半導体膜の形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月12日(2014.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と、
ゲート絶縁膜と、
酸化物半導体膜と、
ソース電極と、
ドレイン電極と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、前記ゲート絶縁膜を介して、前記ゲート電極と重なる領域を有し、
前記ソース電極は、前記酸化物半導体膜と電気的に接続され、
前記ドレイン電極は、前記酸化物半導体膜と電気的に接続され、
前記ゲート絶縁膜は、第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上の第２の絶縁膜とを有し、
前記第１の絶縁膜は、水素を捕縛する機能を有し、
前記第２の絶縁膜は、水素を透過する機能を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ゲート電極と、
ゲート絶縁膜と、
酸化物半導体膜と、
ソース電極と、
ドレイン電極と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、前記ゲート絶縁膜を介して、前記ゲート電極と重なる領域を有し、
前記ソース電極は、前記酸化物半導体膜と電気的に接続され、
前記ドレイン電極は、前記酸化物半導体膜と電気的に接続され、
前記ゲート絶縁膜は、第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上の第２の絶縁膜とを有し、
前記第１の絶縁膜は、窒素と、インジウムとを有し、
前記第２の絶縁膜は、酸素と、シリコンとを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
ゲート電極と、
ゲート絶縁膜と、
酸化物半導体膜と、
ソース電極と、
ドレイン電極と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、前記ゲート絶縁膜を介して、前記ゲート電極と重なる領域を有し、
前記ソース電極は、前記酸化物半導体膜と電気的に接続され、
前記ドレイン電極は、前記酸化物半導体膜と電気的に接続され、
前記ゲート絶縁膜は、第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上の第２の絶縁膜とを有し、
前記第１の絶縁膜は、窒素と、インジウムとを有し、
前記第２の絶縁膜は、酸素と、シリコンとを有し、
前記第１の絶縁膜は、７ａｔｏｍｉｃ％以上２０ａｔｏｍｉｃ％以下の窒素濃度を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１の絶縁膜は、水素と結合すると導電性を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月10日(2014.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁膜と、
酸化物半導体膜と、を有し、
前記絶縁膜の表面は、０．１ｎｍ以上０．５ｎｍ未満の平均面粗さを有し、
前記酸化物半導体膜は、前記絶縁膜の表面に接する第１の領域を有し、
前記第１の領域は、結晶を有し、
前記結晶は、前記絶縁膜の表面に垂直な方向に沿うようなｃ軸を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
絶縁膜と、
酸化物半導体膜と、を有し、
前記絶縁膜の表面は、凹部と、凸部と、を有し、
前記凹部と、前記凸部との差が１ｎｍ以下を有し、
前記酸化物半導体膜は、前記絶縁膜の表面に接する第１の領域を有し、
前記第１の領域は、結晶を有し、
前記結晶は、前記絶縁膜の表面に垂直な方向に沿うようなｃ軸を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
絶縁膜と、
酸化物半導体膜と、を有し、
前記絶縁膜は、斜面を有し、
前記酸化物半導体膜は、前記絶縁膜の斜面に接する第１の領域を有し、
前記第１の領域は、結晶を有し、
前記結晶は、前記絶縁膜の斜面に垂直な方向に沿うようなｃ軸を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記絶縁膜は、スパッタリング法又はＣＶＤ法によって作製されたものであることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月12日(2014.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上の、下地膜と、
前記下地膜上の、酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続された、ソース電極と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続された、ドレイン電極と、
前記酸化物半導体膜と、ゲート絶縁膜を介して、重なるゲート電極と、を有し、
前記下地膜は、第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上の第２の絶縁膜とを有し、
前記第１の絶縁膜は、水素を捕縛する機能を有し、
前記第２の絶縁膜は、水素を透過する機能を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
基板と、
前記基板上の、下地膜と、
前記下地膜上の、酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続された、ソース電極と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続された、ドレイン電極と、
前記酸化物半導体膜と、ゲート絶縁膜を介して、重なるゲート電極と、を有し、
前記下地膜は、第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上の第２の絶縁膜とを有し、
前記第１の絶縁膜は、窒素と、インジウムとを有する酸窒化物を有し、
前記第２の絶縁膜は、酸素と、珪素とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第１の絶縁膜は、１×１０１９ｃｍ−３以上５×１０２０ｃｍ−３以下の水素濃度を有し、
前記酸化物半導体膜は、１×１０１９ｃｍ−３未満の水素濃度を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第２の絶縁膜は、加熱により酸素を放出する機能を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月15日(2014.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＣｎＨｘ（ｎは４≦ｎ≦６の整数、ｘは１≦ｘ≦２ｎ+２の整数）で表されるイオン生成用原料を使用し、ＣｍＨｙ+イオン（ｍは４≦ｍ≦６の整数、ｙは１≦ｙ≦２ｍ+２の整数）を生成し、質量分析の後、質量スペクトルにおける相対存在量比のピークが２０％以上であるＣ４Ｈｕ（ｕは１≦ｕ≦１０の整数）、Ｃ５Ｈｖ（ｖは１≦ｖ≦１０の整数）またはＣ６Ｈｗ（ｗは１≦ｗ≦１０の整数）のいずれかの正イオンをウエハに注入するイオン注入方法。
【請求項２】
前記イオン生成用原料が、Ｃ６Ｈ１２（シクロヘキサン）である請求項１記載のイオン注入方法。
【請求項３】
前記イオン生成用原料が、Ｃ５Ｈ８（シクロペンテン）である請求項１記載のイオン注入方法。
【請求項４】
前記イオン生成用原料が、Ｃ４Ｈ６（ブタジエン）である請求項１記載のイオン注入方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月2日(2014.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハー載置面を有するセラミックス基体と、
該セラミックス基体の内部に埋設された電極と、
前記電極の一部であって前記セラミックス基体の前記ウエハー載置面とは反対側の面に露出する電極露出部と、
前記電極に給電するための給電部材と、
前記セラミックス基体と前記給電部材との間に介在し、前記給電部材と前記セラミックス基体とを接合すると同時に前記給電部材と前記電極露出部とを電気的に接続する接合層と、
を備え、
前記接合層は、接合材であるＡｕＧｅ系合金、ＡｕＳｎ系合金、又はＡｕＳｉ系合金を用いて形成され、
前記セラミックス基体と前記給電部材とは、前記給電部材の熱膨張係数から前記セラミックス基体の熱膨張係数を引いた熱膨張係数差Ｄが−２．２≦Ｄ≦６（単位：ｐｐｍ／Ｋ）となるように選択され、
２００℃における接合強度が３．５ＭＰａ以上である、
半導体製造装置用部材。
【請求項２】
前記セラミックス基体と前記給電部材とは、前記熱膨張係数差Ｄが−１．５≦Ｄ≦６（単位：ｐｐｍ／Ｋ）となるように選択されている、
請求項１に記載の半導体製造装置用部材。
【請求項３】
前記接合層は、接合前に前記電極露出部を含む所定領域を被覆していたメタライズ層に含まれていた金属と前記接合材中のＡｕ以外の元素とが反応して生成した金属間化合物相を含有する、
請求項１又は２に記載の半導体製造装置用部材。
【請求項４】
前記接合層は、接合前に前記電極露出部を含む所定領域を被覆していたメタライズ層に含まれていた金属と前記接合材中のＡｕ以外の元素とを含む金属間化合物相を含有する、
請求項１又は２に記載の半導体製造装置用部材。
【請求項５】
前記接合層は、前記接合材中のＡｕ以外の元素が前記メタライズ層に含まれていた金属と反応して消費されることにより生成したＡｕリッチ相を含有する、
請求項３又は４に記載の半導体製造装置用部材。
【請求項６】
前記接合層は、Ａｕ濃度が９５ｗｔ％以上のＡｕリッチ相を含有する、
請求項３又は４に記載の半導体製造装置用部材。
【請求項７】
前記接合層には、前記セラミックス基体側から順に、前記メタライズ層、前記金属間化合物相を主体とする層及び前記Ａｕリッチ相を主体とする層が積層されている、
請求項５又は６に記載の半導体製造装置用部材。
【請求項８】
前記接合層では、前記金属間化合物相を主体とする層が前記メタライズ層または前記セラミックス基体に接している、
請求項３〜７のいずれか１項に記載の半導体製造装置用部材。
【請求項９】
前記セラミックス基体は、Ａｌ2Ｏ3，ＡｌＮ，ＭｇＯ，Ｙ2Ｏ3及びＳｉＣからなる群より選ばれた１種を主成分とするものであり、
前記給電部材は、Ｔｉ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｍｏ，ＣｕＷ，Ｗ及びこれらの合金並びにＦｅＮｉＣｏ系合金からなる群より選ばれたものである、
請求項１〜８のいずれか１項に記載の半導体製造装置用部材。
【請求項１０】
前記セラミックス基体の穴の直径から前記給電部材の直径を差し引いた値であるクリアランスＣと、前記セラミックス基体の穴径Ｒとの比率Ｃ／Ｒは、Ｃ／Ｒ≦０．１５を満たす、
請求項１〜９のいずれか１項に記載の半導体製造装置用部材。
【請求項１１】
前記比率Ｃ／Ｒは、Ｃ／Ｒ≦０．０９を満たす、
請求項１０に記載の半導体製造装置用部材。
【請求項１２】
前記給電部材は、前記セラミックス基体と接合される面とは反対側の面に連結部材が接合され、該連結部材の熱膨張係数から前記セラミックス基体の熱膨張係数を引いた熱膨張係数差Ｄ’が６ｐｐｍ／Ｋを超える、
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の半導体製造装置用部材。
【請求項１３】
前記連結部材は、Ｃｕ及びその合金からなる金属である、
請求項１２に記載の半導体製造装置用部材。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月24日(2014.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インジウムを含む酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層の下表面と接する領域を有する第１の絶縁層と、
前記酸化物半導体層の上表面と接する領域を有する第２の絶縁層と、
前記第１の絶縁層を介して、前記酸化物半導体層と重なる領域を有するゲート電極と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極およびドレイン電極と、を有し、
前記酸化物半導体層は、第１の領域と、第２の領域と、を有し、
前記第１の領域は、前記第２の絶縁層と接する領域を有し、
前記第２の領域は、前記第１の絶縁層と接する領域を有し、
前記第１の領域におけるインジウムの濃度よりも、前記第２の領域におけるインジウムの濃度は高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記酸化物半導体層は、Ｇａ、ＳｎおよびＺｎから選ばれた一種以上の元素を含むことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月14日(2015.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一のＥＬ層と、前記ＥＬ層を間に挟む陽極及び陰極とを有し、
前記ＥＬ層が有する層の少なくとも１つは、正孔輸送性が高い有機化合物及び電子受容体を有する複合材料を含み、
前記複合材料は、ＥＳＲ法により測定されるスピン濃度が１×１０１９ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３以下である発光素子。
【請求項２】
少なくとも一の電荷発生層と、前記少なくとも一の電荷発生層を間に挟むように積層された複数のＥＬ層と、前記電荷発生層及び前記複数のＥＬ層を間に挟む陽極及び陰極とを有し、
前記電荷発生層は、正孔輸送性が高い有機化合物及び電子受容体を有する複合材料を含み、
前記複合材料は、ＥＳＲ法により測定されるスピン濃度が１×１０１９ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３以下である発光素子。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の発光素子を有する発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月9日(2015.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に接続電極層を形成し、
前記接続電極層上に発光性の有機化合物を含む層を形成し、
前記発光性の有機化合物を含む層上に第２の電極層を形成する工程と、
前記接続電極層と前記第２の電極層とを電気的に接続する工程と、を有する発光装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面上に第１の電極層を形成し、
前記絶縁表面上に前記第１の電極層と電気的に絶縁する接続電極層を形成し、
前記第１の電極層及び前記接続電極層上に発光性の有機化合物を含む層を形成し、
前記発光性の有機化合物を含む層上に第２の電極層を形成する工程と、
前記接続電極層と前記第２の電極層とを電気的に接続する工程と、を有する発光装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の発光装置の作製方法において、
前記第２の電極層と前記接続電極層とが重なる領域にレーザ光を照射して、前記接続電極層と前記第２の電極層とを電気的に接続する、発光装置の作製方法。
【請求項４】
請求項３に記載の発光装置の作製方法において、
前記レーザ光は、前記絶縁表面と対向して設けられる透光性の基板を介して照射する、発光装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１又は請求項２に記載の発光装置の作製方法において、
前記第２の電極層と前記接続電極層とが重なる領域に、熱及び超音波を印加するプローブを押し当てることで、前記接続電極層と前記第２の電極層とを電気的に接続する、発光装置の作製方法。
【請求項６】
請求項２乃至請求項５のいずれか一に記載の発光装置の作製方法において、
前記接続電極層と前記第２の電極層とを電気的に接続した後に、
前記第１の電極層と前記第２の電極層との間に電圧を印加して、発光不良箇所を特定し、
前記発光不良箇所にレーザ光を照射して、前記発光不良箇所を絶縁化する工程、を有する発光装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月9日(2015.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】二次電池の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極及び負極の間に、イオン伝導性高分子化合物、無機酸化物、及びリチウム電解質塩を有する電解質を設け、
前記正極及び前記負極の間で、室温にて、第１の電流値で充電し、
前記第１の電流値での充電により第１の電圧値に達した後は、前記第１の電圧値で充電を行い、
前記第１の電圧値で充電をした後、第２の電流値で放電を行うことを特徴とする二次電池の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記イオン伝導性高分子化合物は、ポリアルキレンオキサイドであることを特徴とする二次電池の作製方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記ポリアルキレンオキサイドは、ポリエチレンオキサイド及びポリプロピレンオキサイドの一以上であることを特徴とする二次電池の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記無機酸化物は、酸化シリコン、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化鉄、酸化セリウム、酸化マグネシウム、酸化アンチモン、酸化ゲルマニウム、酸化リチウム、酸化グラファイト、チタン酸バリウム、及びメタ珪素酸リチウムの一以上であることを特徴とする二次電池の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記リチウム電解質塩は、ＬｉＮ（ＳＯ２ＣＦ３）２、ＬｉＮ（ＳＯ２Ｃ２Ｆ５）２、ＬｉＣＦ３ＳＯ３、ＬｉＰＦ６、ＬｉＢＦ４、及びＬｉＣｌＯ４、ＬｉＳＣＮの一以上であることを特徴とする二次電池の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記無機酸化物の粒径は、５０ｎｍ以上１０μｍ以下であることを特徴とする二次電池の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月24日(2015.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
検知装置であって、
複数のパターンを備えるプリント回路板と、
前記プリント回路板に電気的かつ機械的に取り付けられた特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）チップと、
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）のダイ上に形成された微細機械加工されたセンサであって、前記プリント回路板の前記複数のパターンの一部分のみと直接的に電気通信し、前記ＡＳＩＣチップに対して機械的かつ熱的に直接取り付けられる、センサと、
前記ＡＳＩＣチップ及び前記プリント回路板に結合される非導電性エポキシ樹脂と、
１つまたは複数のはんだボールであって、前記ＡＳＩＣチップが前記１つまたは複数のはんだボールを使用して前記プリント回路板に電気的に取り付けられ、前記非導電性エポキシ樹脂が囲む前記１つまたは複数のはんだボールと、
前記ＭＥＭＳのダイを前記プリント回路板の１又は複数のパッドまたはパターンに電気的に取り付けるように構成された１又は複数のはんだリードまたはワイヤボンディングと、
を備える、
検知装置。
【請求項２】
請求項１に記載の検知装置において、前記ＭＥＭＳのダイが、無鉛のチップキャリア（ＬＣＣ）パッケージまたはウェーハレベルのチップスケールパッケージ（ＷＬＣＳＰ）を備え、前記検知装置がさらに、
前記ＭＥＭＳのダイと前記ＡＳＩＣチップの間に配置された熱伝導化合物を備える検知装置。
【請求項３】
非導電性エポキシ樹脂によって囲まれるはんだボールを使用して、プリント回路板に特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）チップを電気的かつ機械的に直接取り付けるステップと、
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）のダイ上に形成された微細機械加工されたセンサを、前記ＡＳＩＣチップに対して機械的かつ熱的にのみ取り付けるステップと、
前記ＭＥＭＳのダイの前記ＡＳＩＣに最も近い側と前記プリント回路板とから延びる１または複数のはんだリードまたはワイヤボンディングを使用して、前記センサを、前記プリント回路板上に配置された電気的パターンまたはパッドの一部分にのみ電気的に直接取り付けるステップと
を含み、前記ＡＳＩＣチップを取り付けるステップは、前記ＡＳＩＣチップが前記プリント回路板に取り付けられた後、非導電性エポキシ樹脂を注入することを含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月18日(2015.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の電極が記憶ノードに、他方の電極が接地電位線に、それぞれ電気的に接続された容量素子と、
ゲート電極が書き込み端子に、ソース電極またはドレイン電極の一方が前記記憶ノードに、他方が電源電位線に、それぞれ電気的に接続された第１のトランジスタと、
ゲート電極が消去端子に、ソース電極またはドレイン電極の一方が前記記憶ノードに、他方が接地電位線に、それぞれ電気的に接続された第２のトランジスタと、
ゲート電極が前記記憶ノードに電気的に接続された第３のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタと、前記第２のトランジスタは、バンドギャップが２．５ｅＶ以上の半導体材料をチャネル形成領域に備え、
前記第３のトランジスタのソース電極およびドレイン電極が抵抗素子に並列に電気的に接続されたことを特徴とするトリミング回路。
【請求項２】
一方の電極が記憶ノードに、他方の電極が接地電位線に、それぞれ電気的に接続された容量素子と、
ゲート電極が書き込み端子に、ソース電極またはドレイン電極の一方が前記記憶ノードに、他方が電源電位線に、それぞれ電気的に接続された第１のトランジスタと、
ゲート電極が消去端子に、ソース電極またはドレイン電極の一方が前記記憶ノードに、他方が接地電位線に、それぞれ電気的に接続された第２のトランジスタと、
ゲート電極が前記記憶ノードに電気的に接続された第３のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタと、前記第２のトランジスタのオフリーク電流がチャネル幅１μｍあたり１×１０−１７Ａ以下であって、
前記第３のトランジスタのソース電極およびドレイン電極が抵抗素子に並列に電気的に接続されたことを特徴とするトリミング回路。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１のトランジスタと、前記第２のトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体層を備えることを特徴とするトリミング回路。
【請求項４】
一方の電極が記憶ノードに、他方の電極が接地電位線に、それぞれ電気的に接続された容量素子と、
ゲート電極が書き込み端子に、ソース電極またはドレイン電極の一方が前記記憶ノードに、他方が電源電位線に、それぞれ電気的に接続された第１のトランジスタと、
ゲート電極が消去端子に、ソース電極またはドレイン電極の一方が前記記憶ノードに、他方が接地電位線に、それぞれ電気的に接続された第２のトランジスタと、
ゲート電極が前記記憶ノードに電気的に接続された第３のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタと、前記第２のトランジスタのオフリーク電流がチャネル幅１μｍあたり１×１０−１７Ａ以下であって、
前記第３のトランジスタのソース電極およびドレイン電極が抵抗素子に並列に電気的に接続された、前記抵抗素子のトリミング回路において、
前記書き込み端子に前記第１のトランジスタがオン状態となる信号を、前記消去端子に前記第２のトランジスタがオフ状態となる信号を入力して、前記記憶ノードの電位を前記第３のトランジスタがオン状態となる電位とする第１のステップと、
前記書き込み端子および前記消去端子のそれぞれに、前記第１のトランジスタおよび前記第２のトランジスタがオフ状態となる信号を入力する第２のステップとを含む、前記抵抗素子をトリミングされた状態とすることを特徴とするトリミング回路の駆動方法。
【請求項５】
一方の電極が記憶ノードに、他方の電極が接地電位線に、それぞれ電気的に接続された容量素子と、
ゲート電極が書き込み端子に、ソース電極またはドレイン電極の一方が前記記憶ノードに、他方が電源電位線に、それぞれ電気的に接続された第１のトランジスタと、
ゲート電極が消去端子に、ソース電極またはドレイン電極の一方が前記記憶ノードに、他方が接地電位線に、それぞれ電気的に接続された第２のトランジスタと、
ゲート電極が前記記憶ノードに電気的に接続された第３のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタと、前記第２のトランジスタのオフリーク電流がチャネル幅１μｍあたり１×１０−１７Ａ以下であって、
前記第３のトランジスタのソース電極およびドレイン電極が抵抗素子に並列に電気的に接続された、前記抵抗素子のトリミング回路において、
前記書き込み端子に前記第１のトランジスタをオフ状態となる信号を、前記消去端子に前記第２のトランジスタがオン状態となる信号を入力して、前記記憶ノードの電位を前記第３のトランジスタがオフ状態となる電位とする第１のステップと、
前記書き込み端子および前記消去端子のそれぞれに、前記第１のトランジスタおよび前記第２のトランジスタがオフ状態となる信号を入力する第２のステップとを含む、前記抵抗素子を利用可能な状態とすることを特徴とするトリミング回路の駆動方法。
【請求項６】
請求項４または請求項５記載の前記第２のステップに続いて、
前記書き込み端子に前記第１のトランジスタをオン状態となる信号を、前記消去端子に前記第２のトランジスタがオフ状態となる信号を入力して、前記記憶ノードの電位を前記第３のトランジスタがオン状態となる電位とするか、
前記書き込み端子に前記第１のトランジスタがオフ状態となる信号を、前記消去端子に前記第２のトランジスタがオン状態となる信号を入力して、前記記憶ノードの電位を前記第３のトランジスタがオフ状態となる電位として、前記記憶ノードの電位を前記第２のステップと異なる電位とする、第３のステップと、
前記書き込み端子および前記消去端子のそれぞれに、前記第１のトランジスタおよび前記第２のトランジスタがオフ状態となる信号を入力する第４のステップと、を含む、
前記抵抗素子のトリミング状態を変更することを特徴とするトリミング回路の駆動方法。