【事件の表示】
　特願２００８−２０５１７０「試料作製装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年１１月１３日出願公開、特開２００８−２７７３１２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯・本願発明
　本願は，平成１２年１１月６日に出願した特願２０００−３４２３７２号の一部を，平成２０年８月８日に新たな特許出願としたものであって，平成２０年１２月１７日付けで拒絶査定がされ，これに対し，平成２１年１月２３日に拒絶査定不服審判の請求がされたものである。
　そして，本願の請求項１乃至１２に係る発明は，平成２０年１１月２５日付けの手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１乃至１２に記載された事項により特定されるとおりのものであって，その請求項１に係る発明は次のとおりのものと認める（以下「本願発明」という）。
　
　「【請求項１】
　試料を載置する試料ステージと、
　該試料にイオンビームを照射するイオンビーム光学系と、
　該試料に電子ビームを照射する電子ビーム光学系と、
　微小試料として該試料の一部を摘出するためのプローブと、
　前記プローブにより摘出された該微小試料を固定する試料ホルダと、
　前記試料ステージの試料載置面に垂直な線分を回転軸として前記試料ステージの回転を制御するステージ制御装置と、
　前記試料ステージを水平面に対し傾斜させる手段と、
　電子ビームの照射によって該試料から発生する二次電子を検出する二次電子検出器と、
　前記二次電子検出器により検出される二次電子によって形成される二次電子像を表示する画像表示装置と、を備え、
　水平面に対し、前記イオンビーム光学系から照射されるイオンビームの照射軸が傾斜するよう前記イオンビーム光学系が配置され、
　前記イオンビーム光学系は、水平の該試料載置面に載置された該試料に該イオンビームを照射することで、深さ方向に対し傾斜した第１の溝を該試料に形成し、
　前記ステージ制御装置は、前記第１の溝の形成後に、前記試料ステージを回転させ、
　前記イオンビーム光学系は、水平の該試料載置面に載置された該試料に該イオンビームを照射することで、前記第１の溝とで該微小試料の底を作成する、深さ方向に対し傾斜した第２の溝を該試料に形成し、
　該電子ビームによる二次電子像によって該試料の形状が前記画像表示装置に表示されることを特徴とする試料作製装置。」
　
２　引用例
（１）引用例１
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願出願日前に頒布された刊行物である，国際公開第９９／０５５０６号（以下，「引用例１」という。）には，図面とともに次の事項が記載されている。（下線は当審にて付加した。）
　
（ア）「技術分野
　
本発明は、試料作製方法及び装置、さらに詳しくは、半導体ウエハや半導体デバイスチップ等からそれらの特定微小領域を含む微小試料片をイオンビームを用いて分離摘出し、上記特定微小領域の観察，分析，計測を行なうための試料を作製する方法及びそのための装置に関する
　
（イ）「発明を実施するための最良の形態
　以下、本発明の実施の形態について、実施例を挙げ、図面を参照して詳細に説明する。
＜実施例１＞
　図１に、本発明による試料作製方法を実施するために用いられる試料作製装置の一実施例の基本構成を示す。
　本実施例になる
試料作製装置は、試料（観察対象）である半導体ウエハや半導体チップ等の基板２にイオンビーム13を照射するイオンビーム照射光学系1,基板２を載置して移動させる試料台3,基板２の観察しようとする箇所（観察領域）を特定するために試料台３の位置を制御する試料台位置制御装置3',プローブ11を保持して移動させるプローブ駆動装置4
基板２表面に電子ビーム16を照射するための電子ビーム照射光学系9,および、基板２表面から放出される２次電子を検出する２次電子検出器12を含んで構成されている
　試料台３は、基板２を載置するための試料カセット17とこの試料カセットを固定保持するためのカセットホルダ18とから構成されている。また、試料台３上には
基板２から分離された試料片を保持してTEM等の観察／分析装置（図示せず）内に導入するための試料片ホルダ（以下TEMホルダと云う）19
試料台３は、試料台位置制御装置3'によって駆動制御され、基板２の３次元方向位置および基板２表面のイオンビーム軸に対する傾き角並びに回転方向角度を任意に設定できる。これによって、基板２表面上でのイオンビーム照射位置（加工位置）および基板２表面に対するイオンビームの照射角度並びに回転方向角度を任意に設定できる
　
イオンビーム照射光学系１は、基板２の上記観察領域の周囲にイオンビーム13を照射して、イオンビームスパッタ加工法によって上記観察領域を含む試料片を分離する（切り出す）ために用いられる
　プローブ駆動装置４は、プローブ11先端部を基板２の観察領域近傍に接触させたり、
基板２から分離された試料片をプローブ11先端部に固定接続してTEMホルダ19まで搬送
・・・
　
電子ビーム照射光学系９及び２次電子検出器12は、基板２表面を走査２次電子顕微法により観察するための観察装置を構成しており、該観察装置は、電子ビーム源14からの電子ビーム16を偏向レンズ15により走査しながら基板２表面に照射して、基板２表面から放出される２次電子を２次電子検出器12で検出し、表示装置（CRT）５に基板表面の走査２次電子像（SEM像）を表示させる
　なお、基板２から摘出される試料片の大きさは、10μｍ角〜100μｍ角程度であるので、光学顕微鏡を表面観察手段として用いるようにしてもよい。
　なお、試料台位置制御装置3',プローブ駆動制御装置4',イオンビーム駆動装置7,デポガス供給制御装置8',電子ビーム駆動装置10,および表示装置５は、中央処理装置（CPU）６によって統括制御される。
　以下、上記試料作製装置の各部の具体的な構成、並びに、本装置を用いての試料作製方法の各工程について詳述する。
［イオンビーム照射光学系］
・・・
　
図5Cは、基板加工に集束イオンビームを用いる集束イオンビーム（FIB）照射光学系１の要部構成を示す。イオン源41から放出されたイオンビームを
イオンビームを基板２上に集束させる対物レンズ50を通すことで集束イオンビーム52を形成する
　上述したように、試料加工用イオンビームとして、PJIBを用いると高速加工が実現でき、FIBを用いると精密加工の実現及び観察手段としての兼用ができるという利点がある。
・・・
［TEMホルダ］
・・・
　
試料片40を基板２から分離するためには、試料片40の底面と基板２との分離（以下底浚いと呼ぶ）が必要であるが、イオンビームによる底浚いでは、基板表面に対してイオンビームを斜め方向から入射させて加工を行なう
・・・
［イオンビーム加工による試料片の摘出］
　
試料片40を基板２から分離するためには、前述した底浚い加工の技術が必要である
　第１の方法は、図１で示したように、加工用ビームとして１つのPJIB光学系からのイオンビーム（PJIB）のみを用いる方法であり、試料台３を傾斜させて基板２表面に対し斜め方向からPJIBを照射することにより、所望の底浚い加工を行なう。この方法は、先に図４で説明した方法、または、後ほど図17において説明する方法と同じである。
　第２の方法は、
図5Cで示したように、加工用のイオンビームとして集束イオンビーム（FIB）を用いる方法であり
試料台３を傾斜させて、FIBを斜め方向から照射（走査）することにより、試料片摘出のための底浚い加工を行なう
　第３の方法は、図15に示すように、
試料基板２表面に所要深さの垂直溝を形成するための第１のPJIB光学系（カラムＩ）１の他に、上記した底浚い加工専用の斜方向に設置した第２のPJIB光学系（カラムII）97を設けて、該カラムIIを用いて所望の底浚い加工を行なう。斜方向のカラムIIとして、PJIB光学系の代わりにFIB光学系を用いてもよい
・・・
　上記した底浚い加工を行なうことで、基板２の上部の浅い領域だけの微小試料片を形成することができるため、加工時間が短くなる。特に、底浚い加工に上記した応力印加による剪断分離法を用いることにより、高速に試料片を分離摘出することができる。」（明細書第１２頁第１行目から第２６頁第５行目。）
　
（ウ）「＜実施例５＞
　
試料基板から微小試料片を摘出するためには、摘出する試料片の底面を基板から分離する工程（以下、底浚い工程と呼ぶ）が必須である
従来法では、底浚いする（分離用の溝34を形成する）ために、試料基板を大きく（約70゜）傾斜させている。FIBの集束性から要求される対物レンズと試料基板との間隔を考慮すると、このような大傾斜はFIB性能を劣化させてしまい、満足な加工ができないと推察される
直径300mmにも及ぶ大口径ウエハ用の試料ステージを70゜も大きく傾斜させることは、機構的にも非常に困難である
　このような状況から、
本実施例では、試料台を極端に大きく傾斜させることなくして、底浚い加工法により微小試料を摘出できる方法
　
以下に本実施例による試料作製方法の具体的手順について説明する
（１）マーキング工程：
　本試料作製方法では、試料基板からTEM観察すべき領域を含んだ微小試料片を分離摘出することを前提としている。このため、試料基板から分離摘出後の試料片にTEM観察すべき領域の薄片化加工（ウォール形成）を施す際に、上記のTEM観察すべき領域の位置が特定できなくなってしまうおそれがある。このため、観察領域の位置を特定するためのマーキングが必要となる。試料基板がウエハやチップそのままの状態では、CADデータ等からの位置割り出しや、光学顕微鏡像，走査イオン顕微鏡像（SIM像）等による位置確認が可能であるため、最初に試料基板上の観察領域（ウォール形成領域）にマーキングを施しておく。このマーキングは例えばウォール形成領域の両端にFIB加工やレーザ加工等でマークを施すことにより行なう。本実施例では、観察領域を挟んで10μｍ間隔で２個の十字状マーク134,134'を施した。上記２個のマーク間を結ぶ直線が試料台傾斜軸と平行になるように事前に試料台を回転調整しておく。また、このマーキング工程の際、ウオール146の保護の目的で、予めマーク134,134'間にデポジション膜（図示せず）を形成しておいてもよい。（図27の（ａ））
（２）矩形穴加工工程：
　上記２個のマーク134,134'を結ぶ直線の延長上で、上記２個のマークの両外側にFIB135の照射により２個の矩形穴136,136'を設ける。この矩形穴の開口寸法は、例えば面積10μｍ×７μm,深さ15μｍ程度で、両矩形穴間の間隔は30μｍとした。なお、短時間に穴加工ができるようにするために、ビーム径0.15μｍ程度，ビーム電流約10nAの大電流FIBで穴加工した。所要加工時間はおよそ７分であった。（図27の（ａ））
（３）
垂直溝加工工程
　次に、上記
マーク134,134'間を結ぶ直線より約２μｍを隔てそれと平行に
FIB走査によって幅約２μm,長さ約28μm,深さ約15μｍの細長い垂直溝137を形成する
（４）
傾斜溝加工工程
　上記（２），
（３）の工程で水平に保たれていた試料基板面を小さく傾斜（本例では20゜）させてから
134,134'間を結ぶ直線から約２μｍを隔てそれと平行に、かつ、先に形成した垂直溝137とは反対の側に、FIB照射によって傾斜溝139を形成する
傾斜溝139はその底部で先に形成した垂直溝137底部と交わり、その結果
底部頂角が20゜の直角三角形断面のクサビ型試料片140が
試料基板２から分離され
（５）プローブ固定用デポ工程：
　次に、試料基板面を水平に戻してから、試料片140の支持部138とは反対側端部に試料移送装置のプローブ141の先端部を接触させる。この接触状態は試料片140とプローブ141との間の導通や両者間の容量変化によって感知することができる。また、不注意なプローブ141の試料面への押付けにより試料片140やプローブ141が破損されるのを避けるために、プローブ141が試料片140に接触した時点で直ちにプローブ141の垂直方向駆動（押し下げ）を停止させる機能を設けておく。次いで、試料片140にプローブ141先端部を固定接続するために、プローブ141先端部を含む約２μｍ角の領域に、デポジション用ガスを供給しながら、FIB135を照射（走査）して、該FIB照射領域にデポ膜142を形成する。このデポ膜142を介してプローブ141先端部と試料片140とが固定接続される。（図27の（ｄ），（ｅ））
（６）試料片摘出工程：
　試料片140を試料基板２から摘出するために、試料片140を仮保持している支持部138にFIB135を照射して、スパッタ加工により支持部138を除去して、試料片140を仮保持状態から開放させる。支持部134は、試料基板面上で２μｍ平方，深さ約15μｍであるので、約２〜３分のFIB照射（走査）で除去できる。これにより、試料片140は、試料基板２から完全に分離摘出された状態となる。（図27の（ｅ），（ｆ））
（７）
摘出試料片移送（試料ステージ移動）工程
　次いで、
試料基板２から分離摘出された試料片140をプローブ141先端部に固定接続した状態で試料ホルダ143上に移動させる
　
（エ）また，図面第１図及び第５Ｃ図には，イオンビーム照射光学系１から照射されるイオンビームの照射軸は，ステージが傾斜されていない，水平状態である試料に対し，垂直に配置されていることが示されている。
　
　これらの記載から，引用例１には「試料を載置して移動させる試料台３と，
試料にイオンビーム１３を照射するイオンビーム照射光学系１と，
試料表面に電子ビーム１６を照射するための電子ビーム照射光学系９と，
試料から分離された試料片を保持してTEM等の観察／分析装置内に導入するためのTEMホルダ１９と，
試料から分離された試料片を固定接続してTEMホルダ１９まで搬送するプローブ１１と，
試料台３を駆動制御し，試料の３次元方向位置および試料表面のイオンビーム軸に対する傾き角並びに回転方向角度を任意に設定し，基板２の観察しようとする箇所（観察領域）を特定する試料台位置制御装置３’と，
試料表面から放出される２次電子を検出する２次電子検出器１２と，
検出した試料表面の走査２次電子像（SEM像）を表示する表示装置（CRT）５と，を備え，
水平状態である試料に対し，イオンビーム照射光学系１から照射されるイオンビームの照射軸が垂直に配置され，
イオンビーム照射光学系１は，水平に保たれている試料に垂直溝を形成し，試料面を小さく傾斜させて傾斜溝を形成し，傾斜溝はその底部で垂直溝底部と交わることでクサビ型試料片が試料から分離され，
電子ビーム１６による走査２次電子像（SEM像）が表示装置（CRT）５に表示される，試料作製装置。」の発明（以下，「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
（２）引用例５
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願出願日前に頒布された刊行物である，国際公開第９９／４１７６５号（以下，「引用例５」という。）には，図面とともに次の事項が記載されている。（日本語訳は，引用例５に対応する公表特許公報である特表２００２−５０３８７０号公報の記載による。下線は当審にて付加した。）
　
（オ）「【０００１】
  発明の背景
  
本発明は、ワークを加工処理する（例えば、ワークの断面をエッチング及び結像する）ための集束粒子線システム及び方法に関わる
  【０００２】
  現在の集束粒子線（ＦＩＢ）システムは、ワークに対して垂直に配向されたイオンビームコラムと、傾動式ワークステージとを一般に含む。こうしたシステムは、ワークに対する直角線からオフセットした電子コラムを含むこともできる。イオンコラムを用いてワークの断面を結像するには、現在のシステムでは、ワークにキャビティをエッチングして、更に、イオンビームがこのキャビティの側壁に衝突できるようにワークステージを傾動する。
  【０００３】
  
傾動式ステージを具備した既存のＦＩＢシステムには幾つかの問題点がある。傾動式ワークステージは、ＦＩＢシステムのその他の多くの構成要素に比べるて大きく、システム全体が比較的嵩張るものになってしまう。このように嵩張ることは、クリーンルーム製作空間が高価なことから不利である。更に、傾動式ワークステージによりＦＩＢシステムが不安定になるが、その理由は、傾動式ワークステージにより、ＦＩＢシステムが
低周波振動及び重力たるみを被りやすくなるからである
　
（カ）「【００２５】
  
本発明の一様態によれば、ワークと相互作用する第一粒子線源は、第一位置から第二位置へ傾動可能であって、この第一位置では、第一粒子線軸は第三軸に実質的に平行であって、第二位置では、第一粒子線軸は第三軸と角度をなす。この構成によれば、この粒子線システムは、ワークステージ軸を第三軸からオフセットすることなく、ワークの垂直断面をエッチング及び結像できる
　
（キ）「【００３８】
  図示した実施例の詳細な説明
 
 図１に示された、傾斜ビームコラム１２を備えたシステム１０は、サンプルにキャビティをエッチングして、ワークステージアッセンブリ２５を傾動することなく垂直方向の断面を形成し、且つその垂直方向の断面を結像できる。図１は、ワーク３０と相互作用を行うための本発明による集束粒子線システム１０の一実施例を示す。図１のシステム１０は、傾斜イオンコラム１２と、真空室２２と、ワークステージアッセンブリ２５とを含む。システム１０は、サンプルつまりワーク３０（例えば、半導体デバイスを含んだウェーハ）の断面を正確にエッチング及び結像することが可能な集束粒子線システムである。サンプルは
傾斜イオンコラム１２が発生した、断面像を形成するための粒子ビームによって加工される
  【００３９】
  イオンコラム１２の一部は、真空室２２の上方に位置し、この真空室はワークステージアッセンブリ２５と、サンプルつまりワーク３０と、二次粒子検出器２８とを収容する。このシステムは、プロセッサ５２と電子銃３１とを具備したユーザ制御ステーション５０を更に含む。
・・・
  【００４１】
  
図示したワークステージアッセンブリは、支持要素２６と、支持要素回動アッセンブリ２４とを含む
回動アッセンブリ２４は、第一軸１３及び第二軸１５に対して垂直な第三軸１７を中心として支持アッセンブリを回動させることができる
  【００４２】
  
図示したイオンコラム１２は、その軸１１が第三軸１７からオフセットされるように垂直状態から傾斜している。言い換えれば、イオンコラム軸１１は、第三軸１７（この場合は、垂直軸）に対して鋭角３５をなす。図示した実施例では、この角度３５は４５度である
  【００４３】
  例えば半導体デバイスを含んだウェーハなどのワーク又はサンプルは、１５：１のアスペクト比を備えてたフィーチャーを含むことができる。図７を参照すると、構造体又はフィーチャーの少なくとも一部７１が、ワーク３０の垂直断面７２に含まれている。構造体の露出部分７１の高さ７３は、その構造体の深さ又は幅の１５倍であって良い。もしこの断面が十分に垂直（即ち、ワークが規定する平面に垂直）でなければ、問題の構造体は断面上に正確に反映されないことがある。よって、構造体の寸法を正確に推定するには、個々の構造体のアスペクト比が断面に正確に反映されるように、断面は十分に垂直であるべきである。ワークステージを傾動することなくワークの断面をエッチングし、且つその断面を結像する能力を以下に説明する。
  【００４４】
  上述したように、
図１に示した、傾斜ビームコラム１２を備えたシステム１０は、ワークステージアッセンブリ２５を傾動することなくサンプルにキャビティをエッチングして、垂直方向の断面を形成し、且つその垂直方向の断面を結像できる。ワークステージを傾動することなく断面をエッチングし且つ結像するには、図１に示したシステムを用いて、図３Ａ乃至３Ｅに示すと共に以下に説明するようにワーク３０を第三軸１７を中心に回動させる。傾斜ビームコラム１２を備えた集束イオンビームシステムは、図３Ａ乃至３Ｂに示すように、傾斜壁７４及び垂直壁７２を備えたキャビティ７０をエッチングする。垂直壁とは、第三軸１７に実質的に平行な壁である
  【００４５】
  
キャビティ７０のエッチングに続いて、ワークステージアッセンブリ２５は、ワーク３０を第三軸１７を中心に回動させる。仮にワークステージアッセンブリ２５が、ワーク３０を１８０度回動させると、集束イオンビームは、実質的に垂直の入射角で傾斜壁７４に衝突する。即ち、図３Ｃ及び３Ｄに示したように、ビーム２０は傾斜壁７４に対して垂直である。しかし、図３Ｅ及び３Ｆに示したように、ワークステージアッセンブリ２５が、ワーク３０を第三軸１７を中心に９０度回動させると、イオンビーム２０は垂直壁７２（即ち、ワーク３０の垂直断面）に衝突する。よって、ワークステージアッセンブリの軸は第三軸１７から傾斜しており、傾斜集束イオンビーム２０は、ワークステージアッセンブリ２５を傾動することなくワークの垂直方向の断面をエッチングし且つ結像できる
本発明のシステム及び方法には、以下に説明するように、多くの利点がある
  【００４６】
  
ワークステージアッセンブリは、傾動アッセンブリを含まない場合は、非常に小型となる
  【００４７】
  
ＦＩＢ作動距離が向上する
  【００４８】
  更に、図４に示したように、集束イオンビーム１２は傾斜可能であり、即ち、イオン集束光学素子７９を第三軸１７からオフセットできる。
  【００４９】
  
本発明による粒子線システムは、システムが傾動ステージを備える必要がないため、安定度が増す
　
３　対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
　
（１）引用発明の「試料を載置して移動させる試料台３」，「試料にイオンビーム１３を照射するイオンビーム照射光学系１」，「試料表面に電子ビーム１６を照射するための電子ビーム照射光学系９」，「試料表面から放出される２次電子を検出する２次電子検出器１２」及び「検出した試料表面の走査２次電子像（SEM像）を表示する表示装置（CRT）５」は，それぞれ本願発明の「試料を載置する試料ステージ」，「該試料にイオンビームを照射するイオンビーム光学系」，「該試料に電子ビームを照射する電子ビーム光学系」，「電子ビームの照射によって該試料から発生する二次電子を検出する二次電子検出器」及び「前記二次電子検出器により検出される二次電子によって形成される二次電子像を表示する画像表示装置」に相当する。
（２）引用発明の「試料から分離された試料片を保持してTEM等の観察／分析装置内に導入するためのTEMホルダ１９」及び「試料から分離された試料片を固定接続してTEMホルダ１９まで搬送するプローブ１１」は，それらの有する機能からして，それぞれ本願発明の「プローブにより摘出された該微小試料を固定する試料ホルダ」及び「微小試料として該試料の一部を摘出するためのプローブ」に相当することは明らかである。
（３）引用発明の「試料台位置制御装置３’」は，「試料台３を駆動制御し・・・試料表面のイオンビーム軸に対する傾き角並びに回転方向角度を任意に設定」するのであるから，本願発明の「前記試料ステージの試料載置面に垂直な線分を回転軸として前記試料ステージの回転を制御するステージ制御装置」に相当すると共に，「前記ステージ制御装置は、前記試料ステージを回転させ」る点でも相当するものである。また，引用発明の「試料台位置制御装置３’」は「傾き角」を設定しうるのであるから，本願発明の「前記試料ステージを水平面に対し傾斜させる手段」に相当する構成を備えていることは明らかである。
（４）引用発明の「水平状態である試料に対し，イオンビーム照射光学系１から照射されるイオンビームの照射軸が垂直に配置され」ることは，本願発明の「水平面に対し、前記イオンビーム光学系から照射されるイオンビームの照射軸が傾斜するよう前記イオンビーム光学系が配置され」ることと，「水平面に対し、前記イオンビーム光学系から照射されるイオンビームの照射軸が特定の方向となるよう前記イオンビーム光学系が配置され」る点で共通する。
（５）引用発明の「イオンビーム照射光学系１は，水平に保たれている試料に垂直溝を形成し，試料面を小さく傾斜させて傾斜溝を形成し，傾斜溝はその底部で垂直溝底部と交わることでクサビ型試料片が試料から分離される」ことは，本願発明の「前記イオンビーム光学系は、水平の該試料載置面に載置された該試料に該イオンビームを照射することで、深さ方向に対し傾斜した第１の溝を該試料に形成し、　前記ステージ制御装置は、前記第１の溝の形成後に、前記試料ステージを回転させ、　前記イオンビーム光学系は、水平の該試料載置面に載置された該試料に該イオンビームを照射することで、前記第１の溝とで該微小試料の底を作成する、深さ方向に対し傾斜した第２の溝を該試料に形成」することと，「前記イオンビーム光学系は、水平の該試料載置面に載置された該試料に該イオンビームを照射することで、第１の溝を該試料に形成し、　試料とイオンビーム光学系を相対的に変位させ、　前記イオンビーム光学系は、該試料に該イオンビームを照射することで、前記第１の溝とで該微小試料の底を作成する、深さ方向に対し傾斜した第２の溝を該試料に形成」することで共通する。
（６）引用発明の「電子ビーム１６による走査２次電子像（SEM像）が表示装置（CRT）５に表示される」ことは，走査２次電子像（SEM像）で試料表面の形状がわかることは明らかであるから，本願発明の「該電子ビームによる二次電子像によって該試料の形状が前記画像表示装置に表示されること」に相当する。
　
　そうすると，本願発明と引用発明とは，「試料を載置する試料ステージと、
　該試料にイオンビームを照射するイオンビーム光学系と、
　該試料に電子ビームを照射する電子ビーム光学系と、
　微小試料として該試料の一部を摘出するためのプローブと、
　前記プローブにより摘出された該微小試料を固定する試料ホルダと、
　前記試料ステージの試料載置面に垂直な線分を回転軸として前記試料ステージの回転を制御するステージ制御装置と、
　前記試料ステージを水平面に対し傾斜させる手段と、
　電子ビームの照射によって該試料から発生する二次電子を検出する二次電子検出器と、
　前記二次電子検出器により検出される二次電子によって形成される二次電子像を表示する画像表示装置と、を備え、
　水平面に対し、前記イオンビーム光学系から照射されるイオンビームの照射軸が特定の方向となるよう前記イオンビーム光学系が配置され、
　前記イオンビーム光学系は、水平の該試料載置面に載置された該試料に該イオンビームを照射することで、第１の溝を該試料に形成し、
　試料とイオンビーム光学系を相対的に変位させ、
　前記イオンビーム光学系は、該試料に該イオンビームを照射することで、前記第１の溝とで該微小試料の底を作成する、深さ方向に対し傾斜した第２の溝を該試料に形成
　該電子ビームによる二次電子像によって該試料の形状が前記画像表示装置に表示されることを特徴とする試料作製装置。」である点で一致し，次の点で相違する。
　
（相違点１）イオンビーム光学系の配置に関して，イオンビーム光学系から照射されるイオンビームの照射軸が，水平面に対し，本願発明では「傾斜するよう」にされているのに対し，引用発明では「垂直」にされている点。
　
（相違点２）第１及び第２の溝を試料に形成することを，本願発明では，上記相違点１に示す構成を有することで，深さ方向に対し傾斜した第１の溝を試料に形成し，第１の溝の形成後に，試料ステージを回転させ，水平の試料載置面に載置された試料に第２の溝を形成しているのに対し，引用発明では，垂直溝を形成し，試料面を小さく傾斜させて傾斜溝を形成している点。
　
４　判断
　上記相違点１及び２についてあわせて判断する。
　引用例５には，ＦＩＢシステムにおいて，傾動式ステージを具備した従来のＦＩＢシステムにおける問題を解決するために，傾斜イオンコラムを備え，ワークに対して垂直な第三軸を中心としてワークを回動させることにより，次のような動作を行うことが示されている。すなわち，ワークステージを傾動することなく断面をエッチングし且つ結像するために，傾斜ビームコラムを備えた集束イオンビームシステムにより，まず傾斜壁及び垂直壁を備えたキャビティをエッチングし，次にワークを１８０度回動させ，そして集束イオンビームが実質的に垂直の入射角で傾斜壁に衝突するようにし，結像を行う。
　ここで，引用例５では，傾斜ビームコラムからの集束イオンビームによって，エッチング及び結像の双方を行っているが，集束イオンビームの照射を大電流で行えばエッチングを行うことができ，小電流では走査イオン顕微鏡として試料の観察が行えることができることは，例えば特開平１１−２１３９３４号公報（「【０００９】・・・
粗い穴あけは高電流ビーム
仕上げ加工は中電流ビーム
断面３７を比較的低電流ビーム（例えば１ｐＡ以下）で走査イオン顕微鏡により観察する
　ところで，引用例１には，試料片を試料から分離するための底浚い加工を行う方法として，引用発明として認定したような試料台を傾斜させてイオンビームを斜め方向から照射することの他に，試料に垂直溝を形成するための第１のイオンビーム光学系に加え，底浚い加工専用の斜方向に設置した第２のイオンビーム光学系を設けることで，底浚い加工を行うことも記載されている（摘記事項（イ）「［イオンビーム加工による試料片の摘出］」）。このことを，摘記事項（ウ）に示されるような底浚い工程を有する試料作製方法の手順に敷衍してみると，第１のイオンビーム光学系からのイオンビームにより垂直溝を加工し，第２のイオンビーム光学系により傾斜溝を加工することで，試料片を試料から分離しようとするものといえる。してみると，試料片を試料から分離するためには，試料に対し，異なる方向からのビームをそれぞれ照射することで，試料片を分離しうるような試料の底を作成すればよいことは，当業者であれば容易に理解し得たものであり，上記引用例５に示されるようなワークを１８０度回動させる前後にワークに照射される集束イオンビームがそのような異なる方向からのビームであることも，当業者であれば当然に理解し得たものである。
　そして，引用例５に示されたＦＩＢシステムは，傾動式ステージを具備することによってシステム全体が比較的嵩張ること，ＦＩＢシステムが不安定になることを課題としたものであり（摘記事項（オ）【０００３】），引用例１における従来のＦＩＢで試料を大きく傾斜させて底浚いする時の，ＦＩＢ性能の劣化，機構的に困難との課題（摘記事項（ウ））と同様の課題を有するものである。
　そうすると，引用発明において，試料片を試料から分離させるために，イオンビーム照射光学系の対物レンズの中心軸を垂直に配置し，試料面を小さく傾斜させることで，垂直溝及び傾斜溝を形成することに代えて，引用例５に示された傾斜イオンコラムを採用し，イオンビームを試料に対して傾斜して照射し，第１の傾斜溝を形成した後に，試料を１８０°回転させ，引き続きエッチングが行えるような電流量のイオンビームを試料に対して傾斜して照射することで，第２の傾斜溝を形成することによって，第１の傾斜溝及び第２の傾斜溝が底となるような試料片を試料から分離させようとすることは，当業者であれば容易に為し得たものである。
　
　そして，本願発明の作用効果は，引用発明，引用例５に示された技術的事項及び周知の技術から，当業者であれば予測できる範囲のものである。
　　
　請求人は，平成２１年４月１５日付けの上申書にて，従来技術のステージ傾斜による方式に比べ，本願発明に関する技術であるステージ回転による方式は，一例として約２０％の時間短縮効果が得られると主張している。しかし，この時間短縮効果は，請求人自ら，「その理由は、ステージ傾斜とステージ回転との違いによる時間短縮効果に加え、従来技術では、ステージ傾斜とステージ傾斜戻しで２回の動作が必要であるのに対し、本願発明では、ステージ回転のステージの動作が１回となることにより、このような時間短縮効果が得られます。」と記載しているように，加工をする際に，ステージを傾斜させずに，ステージを回転させることによって達成されているものである。一方，上記４　判断で示したように，試料片を試料から分離させるために，試料面を傾斜させるのではなく，試料を回転させる構成を採用することは，引用発明，引用例５に示された技術的事項及び周知の技術から当業者であれば容易に為し得たものであり，上記のような時間短縮効果はそのような構成であれば当然に奏されるものである。してみると，請求人の主張する本願発明の効果が特段のものであるとすることはできない。
　
５　むすび
　以上の通り，本願発明は，引用発明，引用例５に示された技術的事項及び周知の技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　したがって，その余の請求項に係る発明について審理するまでもなく，本件出願は拒絶されるべきものである。
　
　よって，結論のとおり審決する。