(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にこの基板と所定間隔を隔てて形成される梁構造の可動電極、および該可動電極と対向配置された固定電極を有し、前記可動電極の変位による前記可動電極と前記固定電極との間の電気容量変化を検出する多結晶シリコン薄膜構造体素子の製造方法であって、
前記基板上に酸化シリコン膜を形成し、
前記酸化シリコン膜上に非晶質シリコン薄膜を形成すると共に、前記非晶質シリコン薄膜中の前記酸化シリコン膜との界面の反対側に位置する該非晶質シリコン薄膜の膜厚方向における上半分の領域に選択的に酸素を導入し、
前記上半分の領域の酸素濃度が高い前記非晶質シリコン薄膜を形成後、該非晶質シリコン薄膜を多結晶化して膜厚方向における上半分の領域の酸素濃度が下半分の領域の酸素濃度よりも高い多結晶シリコン薄膜を形成し、
前記多結晶シリコン薄膜をパターニングして前記可動電極及び固定電極を形成し、
前記酸化シリコン膜を前記可動電極の下部領域の一部を含む領域で除去し、前記可動電極を梁構造とすることを特徴とする多結晶シリコン構造体素子の製造方法。
【請求項２】
基板上にこの基板と所定間隔を隔てて形成される梁構造の可動電極、および該可動電極と対向配置された固定電極を有し、前記可動電極の変位による前記可動電極と前記固定電極との間の電気容量変化を検出する多結晶シリコン薄膜構造体素子の製造方法であって、
前記基板上に酸化シリコン膜を形成し、
前記酸化シリコン膜上に非晶質シリコン薄膜を形成すると共に、前記非晶質シリコン薄膜中の前記酸化シリコン膜との界面側に位置する該非晶質シリコン薄膜の膜厚方向における下半分の領域に選択的に酸素を導入し、
前記下半分の領域の酸素濃度が高い前記非晶質シリコン薄膜を形成後、該非晶質シリコン薄膜を多結晶化して膜厚方向における下半分の領域の酸素濃度が上半分の領域の酸素濃度よりも高い多結晶シリコン薄膜を形成し、
前記多結晶シリコン薄膜をパターニングして前記可動電極及び固定電極を形成し、
前記酸化シリコン膜を前記可動電極の下部領域の一部を含む領域で除去し、前記可動電極を梁構造とすることを特徴とする多結晶シリコン構造体素子の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２のいずれかに記載の多結晶シリコン構造体素子の製造方法において、
前記多結晶シリコン薄膜の選択的に酸素が導入される領域において、その酸素原子濃度が０．０１％となるように、前記非晶質シリコン薄膜の膜厚方向の所定領域に酸素が導入されることを特徴とする多結晶シリコン構造体素子の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜請求項３のいずれか一つに記載の多結晶シリコン構造体素子の製造方法において、
前記非晶質シリコン薄膜への酸素の導入は、該非晶質シリコン薄膜の前記酸化シリコン薄膜との界面の反対側の表面側から酸素原子をイオン注入法によって導入することを特徴とする多結晶シリコン構造体素子の製造方法。
【請求項５】
請求項１〜請求項３のいずれか一つに記載の多結晶シリコン構造体素子の製造方法において、
前記非晶質シリコン薄膜への酸素の導入は、該非晶質シリコン薄膜の成膜中に、成膜室内に酸素原子を含むガスを導入することで行うことを特徴とする多結晶シリコン構造体素子の製造方法。
【請求項６】
基板上にこの基板と所定間隔を隔てて形成される梁構造の可動電極、および該可動電極と対向配置された固定電極を有し、前記可動電極の変位による前記可動電極と前記固定電極との間の電気容量変化を検出する多結晶シリコン薄膜構造体素子であって、
前記梁構造の可動電極は、前記基板上に所定間隔隔てて形成された非晶質シリコン薄膜を多結晶化して得た多結晶シリコン薄膜であって、該多結晶シリコン薄膜の前記基板と反対側の表面側に０．０１％以上の酸素原子濃度を有する酸素導入領域を有することを特徴とする多結晶シリコン薄膜構造体素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に多結晶シリコン薄膜を用いた素子、例えば加速度センサ等に用いられる半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
多結晶シリコン薄膜は、各種半導体装置において電極、配線材料、抵抗体、光電変換素子、物理量センサの検知素子等として用いられている。これらの半導体装置において、多結晶シリコン薄膜の応力、さらにその応力分布については、ほとんどの場合考慮されることがなかった。ところが、近年、物理量センサのひとつである容量変化型加速度センサをサーフェスマイクロマシン技術を利用して形成しようとする傾向が高まるにつれ、この膜内での応力が大きな問題となっている。
【０００３】
サーフェスマイクロマシン技術を利用して形成する容量変化型加速度センサとは、例えば、半導体基板と、前記半導体基板上に形成されたアンカー部により両端および片端を固定し、基板に対して所定間隔を隔てて配置された両持梁構造の櫛形可動電極部および片持梁構造の櫛形固定電極部とを備えた半導体加速度センサである。この加速度センサは、加速度の作用に伴って可動電極部が変位し、これにより可動電極部と固定電極部との間で生じる電気容量変化に基づいて加速度を検出している。
【０００４】
この梁構造の可動電極部および固定電極部を多結晶シリコン薄膜により形成する方法が実現すると、従来の単結晶シリコン基板を異方性エッチングにより加工してメンブレン構造とする方法では不可能な「ＬＳＩプロセス中での一貫素子作製」が可能となり、格段に安価なコストによる加速度センサ素子製造を可能とする。
【０００５】
しかし、この加速度センサの梁構造の電極、特に両持梁構造の可動電極部を構成する多結晶シリコン薄膜内部に圧縮応力が存在すると梁が座屈してしまい、センサとしての機能に障害が発生する。このため加速度センサ等の可動部を多結晶シリコン薄膜から形成する場合には、用いる多結晶シリコン薄膜が引張応力を有することが望ましい。
【０００６】
このような加速度センサ素子において、多結晶シリコン薄膜は、低圧ＣＶＤ法（ＬＰＣＶＤ）、あるいはプラズマを利用したＣＶＤ法（ＰＥＣＶＤ）により酸化シリコン薄膜等、基板に形成された非晶質材料の上に作製される場合が多い。これらの方法により堆積した直後におけるシリコン薄膜の結晶状態は、作製条件によって非晶質、あるいは多結晶となるが、これらの方法で得られるシリコン薄膜の内部応力は結晶状態に関わらず圧縮応力である場合がほとんどである。また、堆積した直後にすでに多結晶化したシリコン薄膜は、その後に熱処理を如何に施したとしても引張応力へと変化させることはできないのが通例である。
【０００７】
これに対して、堆積直後には非晶質であるＣＶＤシリコン薄膜を堆積後の熱処理により多結晶化した場合には、膜応力を引張応力とすることが可能である。従って、多結晶シリコン薄膜が引張応力を有する状態とするために、可動電極部および固定電極部の製造方法として、非晶質状態で成膜したものを成膜後の熱処理により多結晶化する方法が採用されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、非晶質状態で成膜してその後の熱処理で多結晶化した場合でも、多結晶シリコン薄膜の膜全体の平均としては引張応力となるが、膜内で応力の分布が発生してしまう。この応力分布は、例えば、シリコン薄膜を堆積するための基板の処理条件、シリコン薄膜の堆積条件、および非晶質膜を熱処理により結晶化する場合には多結晶化のための熱処理条件に依存して発生する。
【０００９】
従って、この応力分布を有する多結晶シリコン薄膜を梁の一端のみを固定した片持梁構造とすると、その梁内部の膜厚方向の応力分布を反映した形で梁が反る。膜厚方向において、シリコン薄膜表面側に界面側よりも強い引張応力が存在する場合、梁は上方に反る。逆にシリコン薄膜界面側に表面側よりも強い引張応力が存在する場合、梁は下方に反る。
【００１０】
このように多結晶シリコン薄膜内部に応力分布が生じ、梁に著しい反りが生ずると、可動電極部と固定電極部とで、互いの対向面である各櫛形の櫛歯部分での基板平面方向における重なりが噛み合わず、可動電極の変位による容量変化が現れずセンサとして機能しない。
【００１１】
さらに、シリコン薄膜の片持梁先端部が下に反った場合、反りの程度が著しいと該先端部が基板表面と接触し、基板が導電性の場合は短絡状態となるだけでなく、可動電極の基板との接触摩擦により変位への制限がもたらされ、加速度に応じた変位を発生できなくなる。この場合も可動電極部としての機能に障害を生じる。
【００１２】
本発明は、このような課題に鑑みてなされたものであり、多結晶シリコン薄膜内における引張応力分布を制御して著しい反りのない多結晶シリコン薄膜を得ることを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明では、以下のような特徴を有する。
【００１４】
本発明に係る多結晶シリコン薄膜構造体素子の製造方法においては、非晶質シリコン薄膜内に酸素を導入して不均一な酸素濃度分布を持たせた後に、この非晶質シリコン薄膜を多結晶化して多結晶シリコン薄膜を得る。
【００１５】
シリコン薄膜内の応力は、酸素濃度に依存して変化することから、不均一な酸素濃度分布を多結晶シリコン薄膜内に持たせることにより、具体的には、シリコン薄膜の膜厚方向における上半分や、下半分などに選択的に酸素を導入することで、多結晶シリコン薄膜内における応力分布を制御することができる。
【００１６】
このようにして得られる多結晶シリコン薄膜を用いて、膜における物理量の変化（例えば電気容量変化）を検知する薄膜構造体素子を形成することで、多結晶シリコン薄膜構造体の任意部分の応力を調整することにより、膜全体の応力分布を変化させて、多結晶シリコン薄膜構造体の形状を多結晶シリコン薄膜のヤング率に基づいて制御することが可能となる。よって、物理量検出素子の信頼性を向上することが可能となる。例えば、加速度センサなどにおいて利用される両持梁構造や片持梁構造を有する可動電極や固定電極として本発明の多結晶シリコン薄膜構造体を適用した場合、構造体の反りや歪み抑制することが可能となり、加速度を正確に検出することが容易となる。
【００１７】
非晶質シリコン薄膜への酸素の導入は、例えば、非晶質シリコン薄膜成膜後に、イオン注入法などによって非晶質シリコン薄膜へ酸素イオン（Ｏ＋  ）を注入して行うか、あるいはＣＶＤ法により非晶質シリコン薄膜を堆積する際に、原料として用いるシラン系ガスのシラン（ＳｉＨ４  ）あるいはジシラン（Ｓｉ２  Ｈ６  ）に加え、酸素原子を含むＯ２  、Ｎ２  Ｏ等のガスを同時に供給することによって行うことが可能である。
【００１８】
また、本発明の形成方法において、多結晶シリコン薄膜応力の酸素濃度への依存性を鑑みると、応力制御のためには、酸素導入領域における酸素濃度を０．０１％以上とすることが望ましい。酸素濃度は、例えばイオン注入法で膜内に導入する場合には注入エネルギーおよび注入量などを制御することによって調整でき、またＣＶＤなどにより非晶質シリコン薄膜を形成する際に成膜雰囲気に酸素を導入する方法であれば、雰囲気中への酸素導入タイミングや導入量などを制御することによって酸素導入領域の位置及びその酸素濃度を所望の値とすることが可能である。
【００１９】
さらに、本発明において、基板上にこの基板と所定間隔を隔てて形成される梁構造の可動電極、および該可動電極と対向配置された固定電極を有し、可動電極の変位による前記可動電極と前記固定電極との間の電気容量変化を検出する多結晶シリコン薄膜構造体素子において、可動電極として、基板上に所定間隔隔てて形成された非晶質シリコン薄膜を多結晶化して得た多結晶シリコン薄膜を用いる。さらに、この多結晶シリコン薄膜は、その基板と反対側の表面側には０．０１％以上の酸素原子濃度を有する酸素導入領域を有する。このような酸素導入領域を多結晶シリコン薄膜に設けることで、一般的な多結晶シリコン薄膜の本来的応力分布を打ち消すことが容易となり、反りが少なく信頼性の高い物理量検出素子を実現できる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、この発明を具体化した実施の形態（以下、実施形態という）を図面に従って説明する。
【００２１】
［加速度センサの概略］
図１は、加速度センサ素子を本実施形態の方法によって作製した場合における平面図であり、図２は、図１の素子のＡ‐Ａ線に沿った断面図、また図３は図１の素子をＸで示す方向に眺めた場合の側面図である。
【００２２】
図示されるように、シリコンなどの半導体材料よりなる基板１１の表面（上面および下面）には、窒化シリコン膜１２が形成されている。この窒化シリコン膜１２は、その上方に形成される梁が上下に振れた場合などに、基板１１と梁とが短絡することを防ぎ、また、基板１１の梁形成領域の直下付近にＭＯＳトランジスタ回路を形成する場合には回路の保護膜として機能する。
【００２３】
基板１１の片面側の窒化シリコン膜１２上には、酸化シリコン膜からなるアンカー部２１ａ，２１ｂが形成してある。さらに、この上方には、両持梁構造の多結晶シリコン薄膜構造体５１ａよりなる可動電極６０ａ、片持梁構造の多結晶シリコン薄膜構造体５１ｂよりなる固定電極６０ｂが形成されている。これらの梁構造の可動電極６０ａおよび固定電極６０ｂの多結晶シリコン薄膜構造体５１ａ，５１ｂは、アンカー部２１ａ，２１ｂ上に非晶質シリコン薄膜を形成した後、この非晶質シリコン薄膜内の表面側にＯ＋  イオンを導入し、その後非晶質シリコン薄膜を熱処理によって多結晶化することによって得られている。このため、各電極６０ａ，６０ｂにおいて、多結晶シリコン薄膜構造体５１ａ，５１ｂの上側にはＯ＋  イオン注入後多結晶化して得られた多結晶の酸素導入領域６１ａ，６１ｂが形成されている。また、電極６０ａ，６０ｂは、互いの電極の対向部が櫛形にパターニングされており、２つの電極は、その対向部で各櫛歯部６２ａ，６２ｂが互いにかみ合うように配置されている。
【００２４】
半導体加速度センサは以上のような概略構成を有しており、このセンサは、図１の紙面と平行でＹに示す方向の成分の加速度が与えられると、加速度の作用に伴って可動電極６０ａの櫛歯部６２ａの位置がＹ方向に変位し、これによって可動電極６０ａと固定電極６０ｂの各櫛歯部６２ａ，６２ｂとの間で生じる電気容量変化に基づいて加速度を検出する。
【００２５】
ここで、本実施形態においては、可動電極６０ａの断面を示した図２から明らかなように、可動電極６０ａを構成する多結晶シリコン薄膜構造体５１ａに加え、構造体５１ａの上部を構成する酸素導入領域６ｌａがこの領域における引張応力を増加させているため、座屈のない直線的な両持梁構造の可動電極６０ａが得られている。
【００２６】
また、この可動電極６０ａの櫛歯部６２ａにおいても、多結晶シリコン薄膜構造体５０ｌａの上部に形成された酸素導入領域６１ａが可動電極６０ａの上部での引張応力を増加させており、さらに固定電極６０ｂの櫛歯部６２ｂにおいても多結晶シリコン薄膜構造体５１ｂの上部に形成された酸素導入領域６１ｂが固定電極６０ｂの上部での引張応力を増加させている。従って、いずれの電極６０ａ，６０ｂの櫛歯部６２ａ，６２ｂにおいても、各々図３に示されているように、基板１１に対して反りのない櫛歯部６２ａ，６２ｂが得られている。
【００２７】
［加速度センサの製造方法］
次に、図１〜３に示す加速度センサの本実施形態に係る製造方法の一例について図４を用いて説明する。ここで、図４（ａ）〜（ｆ）は、本実施形態の加速度センサについて図１中のＢ−Ｂ線に沿った断面を例にとり製造過程を追って示したものである。なお、図１のＢ−Ｂ線に沿った断面図は、固定電極６１ｂの断面図に相当しているが、可動電極６０ａも図４に示される固定電極６１ｂと同一工程で同時に形成されるものである。
【００２８】
まず、図４（ａ）に示すように、基板１１の表面にＬＰＣＶＤ法により窒化シリコン膜１２を０．１５μｍの厚みで形成し、基板１１表面の一方の窒化シリコン膜１２の面上にＰＥＣＶＤ法により犠牲層および図１のアンカー部２１ａ，２１ｂを成す酸化シリコン膜２１を２μｍの厚みで形成する。
【００２９】
この後、図４（ｂ）に示すように、酸化シリコン膜２１上に非晶質シリコン膜３１をＬＰＣＶＤ法により１μｍの厚みで形成する。このとき、非晶質シリコン薄膜３１内に意図せず不純物として含まれる酸素濃度は０．００４ａｔ％であった。
【００３０】
次に、図４（ｃ）に示すようにＯ＋  イオンを非晶質シリコン薄膜３１の表面側から、例えば５０ｋＶのエネルギーでドーズ量５．７×１０１５ｃｍ−２および３０ｋＶのエネルギーでドーズ量４．１×１０１５ｃｍ−２注入した。この結果、非晶質シリコン膜の表面側から約０．１５μｍの深さまでの領域に酸素を最大値で０．１６ａｔ％含む非晶質酸素導入領域４１が形成される。
【００３１】
この後に、窒素気流中で１０００℃、１時間の熱処理を行い、図４（ｄ）に示すように非晶質シリコン薄膜３１およびこの非晶質シリコン薄膜３１の一部分でその上半分内に形成されたＯ＋  イオン注入領域、つまり非晶質酸素導入領域４１を多結晶化し、多結晶シリコン薄膜５１およびこの多結晶シリコン薄膜５１の一部分であって上記非晶質酸素導入領域４１を多結晶化して得られた多結晶の酸素導入領域６１を得る。
【００３２】
さらに、多結晶シリコン薄膜５１を固定電極および可動電極の形状にパターニングし、ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）により図４（ｅ）に示すように多結晶シリコン薄膜５１の不要な部分を除去する。この工程により、各電極のパターンを有する多結晶シリコン薄膜構造体５１ａ，５１ｂが得られ、図４（ｅ）においては、固定電極の多結晶シリコン薄膜構造体５１ｂが形成されている。
【００３３】
そして、最後に、再び構造体５１ａ，５１ｂの表面をパターニングして図４（ｆ）に示すように、酸化シリコン膜２１のうちアンカー部２１ｂのみを残して他の犠牲層酸化膜部分をウエットエッチングにより除去し、固定電極６０ｂをなす片持梁構造の多結晶シリコン薄膜梁構造体５１ｂを形成した。なお、上述のように、片持梁構造の固定電極６０ｂの形成と同時に、可動電極６０ａについてもその下層の酸化シリコン膜２１が図１などに示すアンカー部２１ａを除いて除去されて両持梁構造が得られ、また、固定電極６０ｂの櫛歯部６２ｂと対向する領域に櫛歯部６２ａが形成される。
【００３４】
次に、本実施形態に対する比較例として作成した従来の製造方法およびこれによって得られる加速度センサについて図５および図６を用いて説明する。
【００３５】
図５は、従来法に従って作製を実施した加速度センサ素子の側面図を示しており、本実施形態に係る図３に対応する。また、図６（ａ）〜（ｅ）は従来の製造方法による加速度センサの製造工程を順に示した断面図であり、この断面は、実施形態を示した図１中のＢ−Ｂ線に沿った断面に対応する。
【００３６】
従来の製造工程では、まず、図６（ａ）に示すように、基板１１の表面にＬＰＣＶＤ法により窒化シリコン膜１２を０．１５μｍの厚みで形成し、さらに該窒化シリコン膜１２片面上にＰＥＣＶＤ法により犠牲層およびアンカー部２１ｂとなる酸化シリコン膜２１を２μｍの厚みで形成する。
【００３７】
この後、図６（ｂ）に示すように非晶質シリコン膜３１をＬＰＣＶＤ法により１μｍの厚みで形成し、その後、窒索気流中で１０００℃、１時間の熱処理を行って、図６（ｃ）に示すように非晶質シリコン薄膜３１を多結晶化して、多結晶シリコン薄膜５１を得る。
【００３８】
さらにこの多結晶シリコン薄膜５１をパターニングし、ＲＩＥによりこの薄膜５１を所望の電極形状にエッチングして図６（ｄ）に示すように多結晶シリコン薄膜構造体５１ｂ’得る。
【００３９】
そして、最後に再び表面をパターニングして図６（ｅ）に示すようにアンカ一部２ｌｂのみを残して他の犠牲層酸化膜部分をウェットエッチングにより除去して片持梁構造の多結晶シリコン薄膜梁構造体を形成した。
【００４０】
以上説明したように、従来方法による加速度センサの製造方法では、本実施形態における特徴である図４（ｃ）の不均一酸素濃度分布を形成する（酸素導入領域形成）工程がなく、図５，６に示されているように、従来の加速度センサの梁構造体を成す多結晶シリコン薄膜梁構造体には、酸素導入領域がない。
【００４１】
従って、多結晶シリコン薄膜構造体５１ａ’，５１ｂ’はその膜内で、応力分布が制御されることなく、可動電極６０ａ’および固定電極６０ｂ’の各櫛歯部６２ａ’，６２ｂ’は、図５，６のように、多結晶シリコン薄膜内部の膜厚方向の応力分布によって反りを生じ、いずれも基板と接触してしまっている。
【００４２】
このように従来の製造方法による加速度センサでは、可動電極が加速度を受けても基板との接触摩擦のために変位を生じない。また、例え電極の反りの程度が多少減少して可動電極と基板との接触がなく可動電極が加速度に応じて変位したとしても、可動電極および固定電極の各櫛歯部において、２つの電極の側面方向から見た重なり面積が、可動電極が変位してもあまり大きな差を生じない。従って、従来の製造方法によって得られた素子は加速度センサとして機能しない可能性もあり、信頼性に乏しかった。
【００４３】
［多結晶シリコン薄膜内の応力特性］
次に、上述のような従来方法によって作製した多結晶シリコン薄膜内部の応力分布について、その測定結果を図７を用いて説明する。
【００４４】
この応力分布は図５，６に示された固定電極の櫛歯梁部の多結晶シリコン薄膜の膜厚をその表面からＲＩＥにより数回にわたって減じ、その時々の固定電極の櫛歯梁部の反りを測定して求めたものである。梁が基板１１側に向かって反り、梁先端が基板表面と接触して正確な変位量が測定できない場合には、梁先端部下方の基板を除去してから梁先端部の反り量を求めた。
【００４５】
また、この測定とは別に、該多結晶シリコン薄膜全体の平均応力は、図６（ｃ）に示す過程まで作製した試料を抜き取り、該試料を短冊状に切り出して反りを測定し、さらにこの試料の多結晶シリコン薄膜をウエットエッチングにより除去した後に再び反り測定を行い多結晶シリコン薄膜の有無による反り変化量から求めている。
【００４６】
上記、２つの測定の結果、従来法によって作製した多結晶シリコン薄膜内部には全体の平均としては約７５ＭＰａの引張応力を持っていることが明らかになった。ところが、図７に示されるように、多結晶シリコン薄膜内部では、表面側よりも界面側の応力の方が大きくなる応力分布を有していることが判った。そして、この応力分布の偏りによって、図５、６に示されているように、アンカー部２１ｂから梁の先端までの長さ５００μｍの間において、梁先端は基板側へ向かって１４μｍ変位している。
【００４７】
従って、図７に示すような多結晶シリコン薄膜の本来的な応力分布の偏り対し、この偏りを打ち消すのに必要な応力制御領域、つまり、本実施形態における酸素導入領域を多結晶シリコン薄膜の適正な位置に形成することにより、加速度センサの可動電極および固定電極を成す多結晶シリコン薄膜構造体の反りを防止することが可能となる。
【００４８】
［酸素導入濃度と応力との関係］
次に、多結晶シリコン薄膜梁構造体の反りを制御するための酸素導入量の決定法について述べる。
【００４９】
まず、多結晶シリコン薄膜中の酸素濃度と応力について図８を用いて説明する。ここで、図８は、非晶質シリコン薄膜にＯ＋  イオンを注入後、１０００℃、１時間のアニールにより得た膜厚１μｍの多結晶シリコン薄膜のＯ＋  イオン注入量と応力との相関を示している。
【００５０】
Ｏ＋  イオンのイオン注入は、５段階のマルチ注入で実行し、例えば、多結晶シリコン薄膜全体の平均注入Ｏ＋  イオン濃度を１ａｔ％とする場合には、
（ｉ  ）３８０ｋＶのエネルギーでドーズ量２．１×１０１６ｃｍ−２
（ｉｉ）２４０ｋＶのエネルギーでドーズ量１．６×１０１６ｃｍ−２
（ｉｉｉ  ）１４０ｋＶのエネルギーでドーズ量１．１×１０１６ｃｍ−２
（ｉｖ）８０ｋＶのエネルギ一でドーズ量７．６×１０１５ｃｍ−２
（ｖ）３０ｋＶのエネルギーでドーズ量３．９×１０１５ｃｍ−２
という条件でＯ＋  イオンのイオン注入を行った。
【００５１】
また、多結晶シリコン薄膜中の平均注入Ｏ＋  イオン濃度を０．１ａｔ％あるいは０．０１ａｔ％とする場合には、１ａｔ％での各エネルギーにおける上記ドーズ量を各々１桁あるいは２桁低い値で注入した。
【００５２】
以上のような注入条件において、所望した各平均注入Ｏ＋  イオン濃度からのばらつきは、自然酸化膜の形成されているシリコン薄膜最表面から約０．１μｍの深さまでの範囲を除いて２６％以内である。
【００５３】
この図８に示される結果から多結晶シリコン薄膜内部で所望の応力を得るのに必要となる注入Ｏ＋  イオン量は、本実施形態の場合、多結晶シリコン薄膜中における注入Ｏ＋  イオン濃度が０．０１ａｔ％以上必要とすることが好ましいことが明らかになった。
【００５４】
次に、本実施形態で示す梁が基板面と平行な多結晶シリコン薄膜構造体を得るために必要なＯ＋  イオン注入エネルギーおよび注入量は、以下の方法で決定される。
【００５５】
梁の反り：δと、曲げモーメント：Ｍとの関係は、次式（１）で示される。
【００５６】
【数１】
0003566809.tif 000002
ここで、Ｅ：ヤング率、ｈ：梁厚み、ｗ：梁幅、Ｌ：梁長さである。
【００５７】
また、面内応力の膜厚方向分布：σｘ  （Ｚ）と、曲げモーメント：Ｍとの関係は、梁の膜厚方向の中央を原点として、膜厚方向をｚ軸とすると、次式（２）のようになる。
【００５８】
【数２】
0003566809.tif 000003
（１）式と（２）式を等しいとおくことで、反り量と応力分布との対応を得る。初めに、図７に示される多結晶シリコン薄膜の酸素未注入状態における応力分布がほぼ直線であるとして、その膜厚に対する傾き：αを求めると、この傾きαは、−２０（ＭＰａ／μｍ）となる。
【００５９】
図７に示されたような応力特性の多結晶シリコン薄膜からなる片持梁構造体の下向きの反りを矯正するためには、表面側に引張応力の強い層を加えればよい。そこで、このような応力分布の上に、図９において斜線部で示したようにＯ＋  イオン注入によって表面引張応力制御層を形成し、この引張応力制御層によって、引張応力をσ１  −σ。だけ増加させることとする。なお、図９において、縦軸はｚ軸、つまり多結晶シリコン薄膜の膜厚方向を示し、横軸は引張応力を示している。また、図９において、ｚ軸上におけるこの引張応力制御層の下端の位置をｄｉ  、上端の位置をｄｓ  とすると、−ｈ／２≦ｄｉ  ＜ｄｓ  ≦ｈ／２である。
【００６０】
応力分布は（３）式で表される。
【００６１】
【数３】
0003566809.tif 000004
これを（２）式に代入した結果を（１）式と等しいとして整理すると、
【数４】
0003566809.tif 000005
となる。
【００６２】
ここで、梁のヤング率Ｅは１６０ＧＰａであることが分かっている。また、実施形態においては、梁の厚さｈが１μｍ、梁の長さＬが５００μｍである。よって、梁の反りδを０μｍとするためには、これらの値を（４）式に代入して、残った変数のσ１  −σ０  、ｄｓ  、ｄｉ  が満たすべき条件に従い引張応力層を形成すればよい。
【００６３】
梁の上半分の領域内で引張応力を増加させた層を形成するとして、本実施形態では、ｄｉ  が０．３５μｍ、ｄｓ  が０．４５μｍである０．１μｍの幅領域にＯ＋  イオン注入層を作るとして計算すると、σ１  −σ０  ＝４２ＭＰａが必要となることがわかる。そこで、この場合には、上記条件［σ１  −σ０  ＝４２ＭＰａ］を満たすようにＯ＋  イオン注入条件を決定すればよい。
【００６４】
以上のように、応力増加層の位置に応じて注入エネルギーを決定し（なお、本実施形態では３０ｋＶおよび５０ｋＶ）、一方、応力増加量については、図８に示されるように応力の酸素濃度依存性を考慮して必要な注入Ｏ＋  イオン濃度を決定すればよい（本実施形態では約０．１５％と見積もられる）。
【００６５】
図１０は、本実施形態において、上述の方法により決まった条件に従って非晶質シリコン薄膜中に酸素を注入した場合における膜中での酸素濃度分布を示している。図１０に示されているように、非晶質シリコン薄膜の厚さ１μｍにおいてその表面から深さ０〜０．２μｍの付近、つまり図９で示すｄｉ  ：０．３５μｍ〜ｄｓ  ：０．４５μｍの付近に平均で酸素イオン濃度０．１５ａｔ％の酸素導入領域が形成されている。つまり、非晶質シリコン薄膜に形成する酸素導入領域の酸素濃度および領域の位置を目標通りに制御することができることが可能であることがわかる。
【００６６】
図１１は、多結晶シリコン薄膜片持梁構造体の長さ５００μｍあたりに対し、図１０に示すごとき条件で作成した本実施形態に係る構造体の反りと、図５，６に示すごとき従来の方法による比較例の構造体の反りを示している。図１１に示されるように、本実施形態では梁の反り量が上向き０．４μｍとなっており、比較例における下向き１４．０μｍの反り量に対して格段にその反り量が低減されている。従って、各種加速度センサの構造体として利用できる反り量範囲に制御された多結晶シリコン薄膜が得られることが分かる。
【００６７】
以上説明したように、非晶質シリコン薄膜に酸素をイオン注入して不均一な酸素濃度分布を形成した後に熱処理を施して多結晶化することで、得られる多結晶シリコン薄膜内の膜厚方向の応力分布を所望のものに制御できる。
【００６８】
すなわち、多結晶シリコン薄膜の下側の引張応力を増加せしめようとする場合には、高エネルギーでの酸素イオン注入により非晶質シリコン薄膜の下側に酸素を多く分布させればよい。逆に、多結晶シリコン薄膜の上側の引張応力を増加せしめようとする場合には、低エネルギーでの酸素イオン注入により非晶質シリコン薄膜の上側に酸素を多く分布させればよい。さらに、反り量を所望の値に制御するためには、イオン注入エネルギーおよびドーズ量の両方を制御すればよい。
【００６９】
なお、酸素を非晶質シリコン薄膜に導入する方法はイオン注入に限られるものではない。単に膜厚方向の応力分布制御を必要とするのであれば、非晶質シリコン薄膜の成膜原料（ＳｉＨ４  あるいはＳｉ２  Ｈ６  ）に加え、酸素原子を含有する０２  、Ｎ２  ０等の気体をこれら原料に加える方法も採りうる。すなわち、多結晶シリコン薄膜の下側の引張応力を増加せしめようとする場合には、非晶質シリコン薄膜の成膜の初期のみにこれらの酸素を含有するガスを成膜室内に流せばよく、逆に多結晶シリコン薄膜の上側の引張応力を増加せしめようとする場合には、非晶質シリコン薄膜の成膜の終期のみにこれらの酸素を含有するガスを流せばよい。さらに、反り量を所望の値に制御するためには、これらの酸素を含有するガスを加えるタイミングおよび流すガスの量を制御すればよい。
【００７０】
なお、以上の説明においては、多結晶シリコン薄膜構造体は、加速度センサの梁構造の電極として用いた場合を例に挙げているが、シリコン薄膜構造体としては梁構造に限定されるものではなく、アンカー部を形成しない状態、すなわちシリコン薄膜の下側面全面が基板と密着した状態にて用いられる各種半導体装置においても、本実施形態を適用することが可能である。すなわち、膜内における応力分布の制御を必要とする素子、例えば各種物理量の変位を検知する素子に適用でき、上述のようにして酸素濃度および酸素導入領域の位置を制御してシリコン膜全体としての応力分布の偏りを調整することによって、信頼性の高い半導体素子を提供することが可能となる。
【００７１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る多結晶シリコン薄膜構造体素子の製造方法においては、非晶質シリコン薄膜内に酸素を導入して不均一な酸素濃度分布を持たせた後に、この非晶質シリコン薄膜を多結晶化して多結晶シリコン薄膜を得る。シリコン薄膜内の応力が酸素濃度に依存して変化することから、膜内に不均一な酸素濃度分布を与えることにより、非晶質シリコンを堆積後に熱処理することで得られる多結晶シリコン薄膜内における応力分布を所望の分布に制御することができる。
【００７２】
従って、このようにして得られる多結晶シリコン薄膜を各種物理量検知素子などに適用することで、多結晶シリコン薄膜構造体の任意部分の応力を変化させて膜全体の応力分布を調整することにより多結晶シリコン薄膜構造体の形状を多結晶シリコン薄膜のヤング率に基づいて制御することが可能となる。
【００７３】
また、例えば、０．０１％以上の酸素濃度を有する非晶質酸素導入領域を形成した後にこれを多結晶化すれば、膜中に導入された酸素濃度や導入領域の位置などに応じた任意の応力分布を確実に多結晶シリコン薄膜内に与えることができる。
【００７４】
さらに、本発明において、基板の上に形成された多結晶シリコン薄膜を梁構造の可動電極として採用した多結晶シリコン構造体素子において、上記多結晶シリコン薄膜が、基板と反対側の表面側に０．０１％以上の酸素原子濃度を有する酸素導入領域を有することにより、多結晶シリコン薄膜で発生しやすい応力分布を打ち消すことが容易となり、梁構造の可動電極の反りやゆがみなどの変位を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係る加速度センサの平面図である。
【図２】図１の加速度センサのＡ‐Ａ線に沿った断面図である。
【図３】図１の加速度センサを図１のＸ方向に向かって眺めた場合の側面図である。
【図４】本発明の実施形態に係る加速度センサの梁構造を有する多結晶シリコン薄膜構造体の製造工程を示す図である。
【図５】比較例として従来の製造方法により形成した場合の加速度センサの側面図である。
【図６】図５の加速度センサの梁構造を有する多結晶シリコン薄膜構造体の製造工程を示す図である。
【図７】図６の製造方法により形成された多結晶シリコン薄膜内部の応力分布を示す図である。
【図８】非晶質シリコン薄膜を熱処理して多結晶化して得られた多結晶シリコン薄膜における結晶化前の酸素イオン注入量と多結晶シリコン薄膜内での応力との関係を表す図である。
【図９】Ｏ＋  イオン注入による多結晶シリコン薄膜の梁構造体の反り矯正の概念を説明するための図である。
【図１０】本実施形態による多結晶シリコン薄膜の片持梁構造体の製造工程でＯ＋  イオン注入により非晶質シリコン薄膜中に形成された酸素濃度分布を示すグラフである。
【図１１】本実施形態および従来例に係わる多結晶シリコン薄膜梁構造体の反り量の比較を示す表である。
【符号の説明】
１１  基板、１２  窒化シリコン膜、２１  酸化シリコン膜、２１ａ，２１ｂアンカー部、３１  非晶質シリコン薄膜、４１  非晶質酸素導入領域、５１  多結晶シリコン薄膜、５１ａ，５１ｂ  多結晶シリコン薄膜構造体、６０ａ  可動電極、６０ｂ  固定電極、６１，６１ａ，６１ｂ  多結晶酸素導入領域。
【図１】
0003566809.tif 000006
【図２】
0003566809.tif 000007
【図３】
0003566809.tif 000008
【図４】
0003566809.tif 000009
【図５】
0003566809.tif 000010
【図６】
0003566809.tif 000011
【図７】
0003566809.tif 000012
【図８】
0003566809.tif 000013
【図９】
0003566809.tif 000014
【図１０】
0003566809.tif 000015
【図１１】
0003566809.tif 000016