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【手続補正書】
【提出日】平成27年3月25日(2015.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の窒化物半導体層上に形成されたゲート電極並びに前記ゲート電極を挟むソース電極およびドレイン電極と、
前記ゲート電極および前記窒化物半導体層を覆ってなる窒素に対するシリコンの組成比が０．７５より大きく、前記基板を圧縮させる応力を有する第１窒化シリコン膜と、
前記第１窒化シリコン膜上に形成された窒素に対するシリコンの組成比が０．７５より大きく、前記基板を引っ張らせる応力を有する第２窒化シリコン膜と、を有し、
前記第１窒化シリコン膜および前記第２窒化シリコン膜の積層構造全体では前記基板を引っ張らせる応力を有してなることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記ゲート電極は、ニッケルを含む部分を備え、前記ニッケルを含む部分が前記第１窒化シリコン膜によって覆われてなることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第２窒化シリコン膜上に形成された金属層を有することを特徴とする請求項２記載の半導体装置
【請求項４】
前記第１窒化シリコン膜および前記第２窒化シリコン膜の窒素に対するシリコンの組成比は、０．８以上であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１窒化シリコン膜および前記第２窒化シリコン膜はプラズマ成長によって形成されたものであり、前記第１窒化シリコン膜の成長ガスの総流量に対するＨｅの流量は、前記第２窒化シリコン膜の成長ガスの総流量に対するＨｅの流量に比べて大きいことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月18日(2015.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮影者の動きを検出する第１のモーションセンサーを含むセンサーユニットと、
撮像装置を取り付ける雲台に設けられ、前記雲台の動きを検出する第２のモーションセンサーを含み、前記第１のモーションセンサーが検出した前記撮影者の動きに基づいて、前記第２のモーションセンサーにより前記雲台の動きを制御して前記撮像装置を被写体に追従させる被写体追従装置と、を含む、撮影システム。
【請求項２】
請求項１に記載の撮影システムにおいて、
前記センサーユニットは前記撮影者の頭部に装着される、撮影システム。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の撮影システムにおいて、
前記第１のモーションセンサーおよび前記第２のモーションセンサーは、加速度センサー、角速度センサーおよび磁気センサーの少なくとも１つを含む、撮影システム。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の撮影システムにおいて、
前記被写体追従装置は、
前記撮影者の視線と前記撮像装置の撮影方向とを同じ基準点に合わせ、前記第１のモーションセンサーと前記第２のモーションセンサーの検出軸を合わせる第１のキャリブレーションと、
前記撮影者が前記撮像装置から離れて、前記撮影者の視線と前記撮像装置の撮影方向とが成す角度を求めて、撮影角度を補正する第２のキャリブレーションと、を行う、撮影システム。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の撮影システムにおいて、
前記センサーユニットは、
前記撮影者の頭部に装着される表示部を備えた部材に装着され、
前記表示部に、前記撮像装置の撮影方向および撮影範囲の少なくとも一方を表示させる表示制御信号を生成する、撮影システム。
【請求項６】
請求項５に記載の撮影システムにおいて、
前記センサーユニットは、
前記撮影者の眼鏡に装着される、撮影システム。
【請求項７】
撮影者の動きを検出する第１のモーションセンサーを含むセンサーユニットと、前記雲台の動きを検出する第２のモーションセンサーを含み、且つ撮像装置を取り付ける雲台に設けられ前記第１のモーションセンサーが検出した前記撮影者の動きに基づいて、前記第２のモーションセンサーにより前記雲台の動きを制御して前記撮像装置を被写体に追従させる被写体追従装置と、を利用して、前記撮影者の視線と前記撮像装置の撮影方向とを同じ基準点に合わせ、前記第１のモーションセンサーと前記第２のモーションセンサーの検出軸を合わせるステップと、
前記撮影者が前記撮像装置から離れてて、前記撮影者の視線と前記撮像装置の撮影方向とが成す角度を求めて、撮影角度を補正するステップと、を含む、撮影方法。
【請求項８】
撮影者の動きを検出するモーションセンサーと、
前記モーションセンサーの出力に基づき、外部の撮像装置の撮影を制御する撮影制御信号を生成する通信制御部と、
前記撮像装置の撮影状態および稼働状態の少なくとも一方を表示部に表示するための表示制御信号を生成する表示制御部と、を含む、センサーユニット。
【請求項９】
請求項８に記載のセンサーユニットにおいて、
前記撮像装置の撮影状態とは、撮影方向および撮影範囲の少なくとも一方である、センサーユニット。
【請求項１０】
請求項８に記載のセンサーユニットにおいて、
前記撮像装置の稼働状態とは、前記撮像装置に異常が発生したか否かである、センサーユニット。
【請求項１１】
撮像装置を取り付ける雲台に設けられる被写体追従装置であって、
前記雲台の動きを検出するモーションセンサーと、
撮影者の動きに基づいて、前記モーションセンサーにより前記雲台の動きを制御して前記撮像装置を被写体に追従させる、被写体追従装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の被写体追従装置において、
前記撮影者の視線と前記撮像装置の撮影方向とを同じ基準点に合わせ、前記撮影者に装着されたモーションセンサーと前記雲台に設けられたモーションセンサーの検出軸を合わせる第１のキャリブレーションと、
前記撮影者が前記撮像装置から離れて、前記撮影者の視線と前記撮像装置の撮影方向とが成す角度を求めて、撮影角度を補正する第２のキャリブレーションと、を行う、被写体追従装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】撮影システム、撮影方法、センサーユニット、および被写体追従装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
（４）この撮影システムにおいて、前記被写体追従装置は、前記撮影者の視線と前記撮像装置の撮影方向とを同じ基準点に合わせ、前記第１のモーションセンサーと前記第２のモーションセンサーの検出軸を合わせる第１のキャリブレーションと、前記撮影者が前記撮像装置から離れて、前記撮影者の視線と前記撮像装置の撮影方向とが成す角度を求めて、撮影角度を補正する第２のキャリブレーションと、を行ってもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
（７）本発明は、撮影方法であって、撮影者の動きを検出する第１のモーションセンサーを含むセンサーユニットと、前記雲台の動きを検出する第２のモーションセンサーを含み、且つ撮像装置を取り付ける雲台に設けられ前記第１のモーションセンサーが検出した前記撮影者の動きに基づいて、前記第２のモーションセンサーにより前記雲台の動きを制御して前記撮像装置を被写体に追従させる被写体追従装置と、を利用して、前記撮影者の視線と前記撮像装置の撮影方向とを同じ基準点に合わせ、前記第１のモーションセンサーと前記第２のモーションセンサーの検出軸を合わせるステップと、前記撮影者が前記撮像装置から離れてて、前記撮影者の視線と前記撮像装置の撮影方向とが成す角度を求めて、撮影角度を補正するステップと、を含む。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月3日(2014.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
膜が形成されたウェハを研磨する研磨装置において、
研磨パッドを支持する研磨テーブルと、
前記研磨テーブルを回転させるテーブルモータと、
ウェハを前記研磨パッドに押し付けるトップリングと、
前記ウェハに光を当て、前記ウェハからの反射光の強度を計測する光学式センサと、
前記反射光の強度から、前記膜の厚さに従って変化する研磨指標値を生成する処理部とを備え、
前記処理部は、前記テーブルモータのトルク電流値および前記研磨指標値を監視し、前記トルク電流値が所定のしきい値に達した時点および前記研磨指標値の所定の特徴点が現れた時点のうち、いずれか早い方に基づいて研磨終点を決定することを特徴とする研磨装置。
【請求項２】
前記処理部は、前記研磨指標値の所定の特徴点が現れた時点での膜厚と所定の目標膜厚との差から求められた第１の検出誤差範囲と、前記トルク電流値が所定のしきい値に達した時点での膜厚と前記所定の目標膜厚との差から求められた第２の検出誤差範囲とを記憶しており、
前記第１の検出誤差範囲および前記第２の検出誤差範囲は、前記ウェハと同種のウェハの過去の研磨テータから予め取得された検出誤差範囲であり、
前記第２の検出誤差範囲が前記第１の検出誤差範囲に重なるように前記所定のしきい値が設定されることを特徴とする請求項１に記載の研磨装置。
【請求項３】
前記トルク電流値が所定のしきい値に達した時点および前記研磨指標値の所定の特徴点が現れた時点のうち、いずれか早い方が前記研磨終点と決定されることを特徴とする請求項１または２に記載の研磨装置。
【請求項４】
前記トルク電流値が所定のしきい値に達した時点および前記研磨指標値の所定の特徴点が現れた時点のうち、いずれか早い方の時点から所定の時間が経過した時点が前記研磨終点と決定されることを特徴とする請求項１または２に記載の研磨装置。
【請求項５】
膜が形成されたウェハを研磨する研磨方法において、
研磨パッドを支持する研磨テーブルをテーブルモータにより回転させ、
トップリングによりウェハを前記研磨パッドに押し付け、
前記ウェハに光を当て、前記ウェハからの反射光の強度を計測し、
前記反射光の強度から、前記膜の厚さに従って変化する研磨指標値を生成し、
前記テーブルモータのトルク電流値および前記研磨指標値を監視し、
前記トルク電流値が所定のしきい値に達した時点および前記研磨指標値の所定の特徴点が現れた時点のうち、いずれか早い方に基づいて研磨終点を決定することを特徴とする研磨方法。
【請求項６】
前記トルク電流値が所定のしきい値に達した時点での膜厚と所定の目標膜厚との差から求められた第２の検出誤差範囲が、前記研磨指標値の所定の特徴点が現れた時点での膜厚と前記所定の目標膜厚との差から求められた第１の検出誤差範囲に重なるように前記所定のしきい値が設定され、
前記第１の検出誤差範囲および前記第２の検出誤差範囲は、前記ウェハと同種のウェハの過去の研磨テータから予め取得された検出誤差範囲であることを特徴とする請求項５に記載の研磨方法。
【請求項７】
前記トルク電流値が所定のしきい値に達した時点および前記研磨指標値の所定の特徴点が現れた時点のうち、いずれか早い方が前記研磨終点と決定されることを特徴とする請求項５または６に記載の研磨方法。
【請求項８】
前記トルク電流値が所定のしきい値に達した時点および前記研磨指標値の所定の特徴点が現れた時点のうち、いずれか早い方の時点から所定の時間が経過した時点が前記研磨終点と決定されることを特徴とする請求項５または６に記載の研磨方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の好ましい態様は、前記処理部は、前記研磨指標値の所定の特徴点が現れた時点での膜厚と所定の目標膜厚との差から求められた第１の検出誤差範囲と、前記トルク電流値が所定のしきい値に達した時点での膜厚と前記所定の目標膜厚との差から求められた第２の検出誤差範囲とを記憶しており、前記第１の検出誤差範囲および前記第２の検出誤差範囲は、前記ウェハと同種のウェハの過去の研磨テータから予め取得された検出誤差範囲であり、前記第２の検出誤差範囲が前記第１の検出誤差範囲に重なるように前記所定のしきい値が設定されることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月4日(2015.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の面と、前記第１の面に対向する第２の面と、前記第１の面および前記第２の面に挟まれた縁周部とを備え、
前記縁周部の表面には複数の研削痕が形成されており、
前記第１の面と平行な方向における、前記縁周部の最外周端部から前記複数の研削痕のうち前記縁周部の最内周側に位置する前記研削痕までの距離である面取り幅が５０μｍ以上４００μｍ以下である、炭化珪素単結晶基板。
【請求項２】
前記縁周部の前記表面の算術平均粗さは０．０７μｍ以上３μｍ以下である、請求項１に記載の炭化珪素単結晶基板。
【請求項３】
前記縁周部は結晶格子が乱れた層である加工変質層を含み、
前記加工変質層の最大厚さは０．５μｍ以上１０μｍ以下である、請求項１または２に記載の炭化珪素単結晶基板。
【請求項４】
第１の面と、前記第１の面に対向する第２の面と、前記第１の面および前記第２の面に挟まれた縁周部とを有する炭化珪素単結晶を準備する工程と、
ダイヤモンド砥粒が結合剤に埋め込まれた砥石を準備する工程とを備え、
前記ダイヤモンド砥粒と前記結合剤との日本工業規格における結合度がＬ〜Ｎであって、前記ダイヤモンド砥粒の集中度が８０以上１５０以下であり、さらに、
前記砥石を用いて前記縁周部を研磨する工程を備えた、炭化珪素単結晶基板の製造方法。
【請求項５】
前記ダイヤモンド砥粒の日本工業規格における粒度が４００番〜２５００番である、請求項４に記載の炭化珪素単結晶基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上記の炭化珪素単結晶基板において好ましくは、縁周部は結晶格子が乱れた層である加工変質層を含む。加工変質層の最大厚さは０．５μｍ以上１０μｍ以下である。加工変質層が厚いとエピタキシャル層との格子整合が取りづらいためクラックが発生しやすくなる。加工変質層の最大厚さを０．５μｍ以上１０μｍ以下とすることによりクラックの発生を抑制可能な炭化珪素単結晶基板が得られる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
炭化珪素単結晶基板１の縁周部９の表面３の算術平均粗さ（Ｒａ）は０．０７μｍ以上３μｍ以下であることが好ましい。また、縁周部９の加工変質層６の最大厚み（Ｔ）は０．５μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。さらに、炭化珪素単結晶基板１の縁周部９の表面３の算術平均粗さをＲａとし、加工変質層６の最大厚みをＴとし、面取り幅をＬとしたときの、Ｒａ×Ｔ／Ｌで表される値は、０．００００８７５以上０．６以下であることが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
さらに、本実施の形態に係る炭化珪素単結晶基板１の加工変質層の最大厚さは０．５μｍ以上１０μｍ以下である。これにより、よりクラックの発生を抑制可能な炭化珪素単結晶基板が得られる。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月6日(2015.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品と、
一方の面側に前記電子部品が配置されているベース基板と、
前記電子部品を覆うように前記ベース基板に接合されている蓋部と、
前記ベース基板の前記電子部品側の面に配置され、前記電子部品と電気的に接続されている接続端子と、
前記ベース基板をその厚さ方向に貫通して配置され、前記接続端子と電気的に接続されている貫通電極と、
前記ベース基板の平面視にて、前記貫通電極を内包するように前記接続端子上に配置されている被覆部材と、を備えていることを特徴とする電子デバイス。
【請求項２】
前記被覆部材は、さらに、前記接続端子の側面の少なくとも一部を覆っている請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項３】
前記被覆部材は、少なくとも、前記接続端子の側面と前記貫通電極との離間距離が最も近い前記側面を覆っている請求項２に記載の電子デバイス。
【請求項４】
前記電子部品は、前記被覆部材を介して前記ベース基板に固定されている請求項１ないし３のいずれか一項に記載の電子デバイス。
【請求項５】
導電性を有している前記被覆部材を介して前記接続端子と前記電子部品とが電気的に接続されている請求項４に記載の電子デバイス。
【請求項６】
前記接続端子と前記電子部品とを電気的に接続しているワイヤーを備えている請求項４に記載の電子デバイス。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれか一項に記載の電子デバイスを備えていることを特徴とする電子機器。
【請求項８】
接続端子と、厚さ方向に貫通していて前記接続端子と電気的に接続される貫通電極とが配置されているベース基板を用意する工程と、
前記接続端子上に被覆部材を配置する工程と、
電子部品を、前記被覆部材を介して前記ベース基板上に固定する工程と、
前記電子部品を覆うように、蓋部を前記ベース基板に接合する工程と、を含み、
前記電子部品を前記ベース基板上に固定する工程では、前記ベース基板の平面視にて、前記被覆部材が前記貫通電極の前記接続端子側の端部を内包することを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
［適用例１］
本発明の電子デバイスは、電子部品と、
一方の面側に前記電子部品が配置されているベース基板と、
前記電子部品を覆うように前記ベース基板に接合されている蓋部と、
前記ベース基板の前記電子部品側の面に配置され、前記電子部品と電気的に接続されている接続端子と、
前記ベース基板をその厚さ方向に貫通して配置され、前記接続端子と電気的に接続されている貫通電極と、
前記ベース基板の平面視にて、前記貫通電極を内包するように前記接続端子上に配置されている被覆部材と、を備えていることを特徴とする。
これにより、小型化を図りつつ、収納空間の気密性を向上させることのできる電子デバイスが得られる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
［適用例８］
本発明の電子デバイスの製造方法は、接続端子と、厚さ方向に貫通していて前記接続端子と電気的に接続される貫通電極とが配置されているベース基板を用意する工程と、
前記接続端子上に被覆部材を配置する工程と、
電子部品を、前記被覆部材を介して前記ベース基板上に固定する工程と、
前記電子部品を覆うように、蓋部を前記ベース基板に接合する工程と、を含み、
前記電子部品を前記ベース基板上に固定する工程では、前記ベース基板の平面視にて、前記被覆部材が前記貫通電極の前記接続端子側の端部を内包することを特徴とする。
これにより、小型化を図りつつ、収納空間の気密性を向上させることのできる電子デバイスが得られる。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月13日(2015.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
送信側機器の状態を取得して送信側監視データとし、当該送信側監視データをＴＳ信号からなる映像データに多重化して受信側に伝送し、送信側の異常監視を受信側で行うようにした無線伝送システムにおいて、
前記伝送システムの伝送系における障害の発生を前記送信側において検知する検知手段と、
前記送信側監視データを記憶する記憶手段と、
前記検知手段により前記障害の発生が検知されたとき、前記送信側監視データを前記記憶手段に記憶させ、前記障害が復旧したとき、前記記憶手段に記憶した前記送信側監視データを前記ＴＳ信号からなる映像データに多重化して受信側に伝送させる演算手段とが備えられていることを特徴とする無線伝送システム。
【請求項２】
送信側機器の状態を取得して送信側監視データとし、当該送信側監視データをＴＳ信号からなる映像データに多重化して受信側に伝送し、送信側の異常監視を受信側で行うようにした無線伝送システムの送信機において、
伝送系における障害の発生を検知する検知手段と、前記送信側監視データを記憶する記憶手段と、を備え、
伝送系における障害の発生を前記検知手段により検出すると、当該検知した際に取得されている装置状態を前記記憶手段に記憶し、
前記検出した障害が復帰した後に前記記憶手段に記憶された障害発生時の装置状態の送信未了を判別し、送信未了のデータが前記記憶手段に存在する場合には、前記送信側監視データに前記障害発生時の装置状態を付加して、前記送信側監視データと映像データを多重して送信することを特徴とする無線伝送システムの送信機。
【請求項３】
送信側機器の状態を取得して送信側監視データとし、当該送信側監視データをＴＳ信号からなる映像データに多重化して受信側に伝送し、送信側の異常監視を受信側で行うようにした無線伝送システムの受信機において、
送信側機器の監視を行う監視装置と、情報を表示するディスプレイと、を備え、
データが受信されたか否かを判断し、データが受信されなかった場合には送信側機器に障害が発生したことを前記ディスプレイに表示し、データが受信された場合には前記送信側監視データと前記映像データを分離し、前記分離した送信側監視データに送信側機器に障害が発生した際に記憶した前記送信側機器の装置状態のデータが含まれているか否かを判断し、前記送信側機器に障害が発生した際に記憶した前記送信側機器の装置状態のデータが含まれていない場合にはリアルタイムの送信側監視データを前記ディスプレイに表示し、前記送信側機器に障害が発生した際に記憶した前記送信側機器の装置状態のデータが含まれている場合には前記送信側機器に障害が発生した際に記憶した前記送信側機器の装置状態のデータを前記ディスプレイに表示し、更にリアルタイムの送信側監視データを前記ディスプレイに表示することを特徴とする無線伝送システムの受信機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】無線伝送システム、無線伝送システムの送信機又は受信機
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月23日(2015.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体を撮像した画像と、
前記画像に対応する視差情報と、に基づいて、
前記被写体の長さを表示する画像撮像装置であって、
前記画像から被比較被写体を抽出する被写体抽出部と、
前記被比較被写体と比較するための比較データの画像と比較データの長さとを保持する比較データ保持部と、
前記被比較被写体の長さと前記比較データの長さと、を比較する被写体比較部と、
前記画像に前記被写体比較部で比較した結果を合成して出力する画像合成部と、を備え、
前記比較データ保持部は前記被比較被写体の画像と前記被比較被写体の長さとを保持することを特徴とする画像撮像装置。
【請求項２】
撮像する状態を表示可能な表示部を備え、
前記画像を撮像するときに、前記表示部に前記被比較被写体を算出するための目安となるガイドを表示することを特徴とする請求項１に記載の画像撮像装置。
【請求項３】
前記被写体抽出部は、前記被比較被写体を抽出する画像内の領域のおける視差情報のヒストグラムにより、前記被比較被写体の長さを抽出する範囲を決定することを特徴とする請求項１または２のいずれか１項に記載の画像撮像装置。
【請求項４】
被写体を撮像した画像と、
前記画像に対応する視差情報と、に基づいて
前記被写体の長さを表示する画像撮像装置であって、
前記画像から被比較被写体を抽出する被写体抽出ステップと、
前記被比較被写体と比較するための比較データの画像と比較データの長さとを保持する比較データ保持ステップと、
前記比較被写体の長さと前記比較データとの長さとを比較する被写体比較ステップと、
前記画像に前記被写体比較ステップで比較した結果を合成して出力する画像合成ステップと、を備え、
前記比較データ保持ステップは前記被比較被写体の画像と前記被比較被写体の長さとを保持することを特徴とする画像表示方法。
【請求項５】
請求項４に記載の画像表示方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月5日(2015.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子メールを受信して所与の処理を行うメールサーバのためのプログラムであって、
差出元から送信された電子メールを受け付ける電子メール受信部と、
受信した電子メールについて、当該電子メールのメッセージデータに含まれる所定の情報に基づき同報メールを特定するための識別情報を生成する識別情報生成部と、
所与の電子メールと他の電子メールが同じ識別情報を有する場合には、前記所与の電子メールのエンベロープ宛先と前記他の電子メールのエンベロープ宛先を含むエンベロープと、前記所与の電子メール又は前記他の電子メールのメッセージデータを含む電子メールを作成するメール一元化処理を行うメール一元化処理部と、してコンピュータを機能させるプログラム。
【請求項２】
請求項１において、
前記メール一元化処理部は、
所与の電子メール受信時に受信待ち期限を設定し、前記所与の電子メール受信時に設定した前記受信待ち期限内に、前記所与の電子メールと同じ識別情報を有する前記他の電子メールを受信した場合には、前記所与の電子メールと前記他の電子メールのメール一元化処理を行うプログラム。
【請求項３】
請求項１又は２において、
電子メールの添付ファイルの暗号化処理を行い、暗号化ファイルとパスワードを生成する暗号化処理部と、してさらにコンピュータを機能させ、
前記暗号化処理部は、
所与の電子メールと同じ識別情報を有する他の電子メールに添付ファイルの暗号化処理済みのものがある場合には、前記他の電子メールの暗号化処理で生成したパスワードを用いて前記所与の電子メールの添付ファイルの暗号化処理を行うプログラム。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかにおいて、
電子メールの添付ファイルのウイルスチェック処理を行うウイルスチェック処理部と、してさらにコンピュータを機能させ、
前記ウイルスチェック処理部は、
所与の電子メールと同じ識別情報を有する他の電子メールに添付ファイルのウイルスチェック済みのものがある場合には、前記所与の電子メールのウイルスチェック処理を省略するプログラム。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかにおいて、
電子メールを保留し、所定の条件にしたがって保留した電子メールの配送または削除を行う保留処理部と、してさらにコンピュータを機能させ、
前記保留処理部は、
所与の電子メールと同じ識別情報を有する他の電子メールに配送処理または削除処理を行ったものがある場合には、前記所与の電子メールに、前記他の電子メールと同じ処理を行うプログラム。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかにおいて、
電子メールのアーカイブ処理を行うアーカイブ処理部と、してさらにコンピュータを機能させ、
前記アーカイブ処理部は、
所与の電子メールと同じ識別情報を有する他の電子メールにアーカイブ処理済みのものがある場合には、前記所与の電子メールのコピーは行わず、前記所与の電子メールのエンベロープ宛先をアーカイブ領域に格納した前記他の電子メールのエンベロープ宛先に追加するプログラム。
【請求項７】
電子メールを受信して所与の処理を行うメールシステムであって、
差出元から送信された電子メールを受け付ける電子メール受信部と、
受信した電子メールについて、当該電子メールのメッセージデータに含まれる所定の情報に基づき同報メールを特定するための識別情報を生成する識別情報生成部と、
所与の電子メールと他の電子メールが同じ識別情報を有する場合には、前記所与の電子メールのエンベロープ宛先と前記他の電子メールのエンベロープ宛先を含むエンベロープと、前記所与の電子メール又は前記他の電子メールのメッセージデータを含む電子メールを作成するメール一元化処理を行うメール一元化処理部と、を含むメールシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月6日(2015.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線を電荷に変換する変換素子と、前記電荷に基づく電気信号を転送するスイッチ素子と、を含む画素が行列状に複数配置された画素アレイと、
前記画素アレイに配置された複数の配線と、
前記画素アレイへの放射線の照射を検知する検知部と、
を含む放射線撮像装置であって、
前記検知部が、前記複数の配線毎に検出された前記複数の配線を流れる複数の電流に基づいて前記画素アレイへの放射線の照射を検知する検知回路と、を含むことを特徴とする放射線撮像装置。
【請求項２】
前記検知部が、前記複数の配線を流れる複数の電流を前記複数の配線毎に検出する電流検出回路を更に含むことを特徴とする請求項１に放射線撮像装置。
【請求項３】
前記複数の配線は、前記スイッチ素子の導通状態と非導通状態とを制御する信号を前記スイッチ素子に供給する駆動配線と、前記変換素子が放射線を電荷に変換するための電圧を前記変換素子に供給するバイアス配線と、前記電気信号を前記読出回路に伝送する信号配線と、を含むことを特徴とする請求項２に記載の放射線撮像装置。
【請求項４】
前記電流検出回路は、前記バイアス配線を流れる電流及び前記信号配線を流れる電流を検出し、
前記検知回路は、前記電流検出回路によって検出された電流の値に基づいて前記変換素子への放射線の照射を検知することを特徴とする請求項３に記載の放射線撮像装置。
【請求項５】
前記電流検出回路は、前記駆動配線を流れる電流及び前記信号配線を流れる電流を検出し、
前記検知回路は、前記電流検出回路によって検出された電流の値に基づいて前記変換素子への放射線の照射を検知することを特徴とする請求項３に記載の放射線撮像装置。
【請求項６】
前記電流検出回路は、前記駆動配線を流れる電流及び前記バイアス配線を流れる電流を検出し、
前記検知回路は、前記電流検出回路によって検出された電流の値に基づいて前記変換素子への放射線の照射を検知することを特徴とする請求項３に記載の放射線撮像装置。
【請求項７】
前記電流検出回路は、前記駆動配線を流れる電流、前記バイアス配線を流れる電流、及び、前記信号配線を流れる電流を検出し、
前記検知回路は、前記電流検出回路によって検出された電流の値に基づいて前記変換素子への放射線の照射を検知することを特徴とする請求項３に記載の放射線撮像装置。
【請求項８】
前記バイアス配線とは別に前記駆動配線と容量結合された結合配線を更に含み、
前記電流検出回路は、前記結合配線を流れる電流を検出し、
前記検知回路は、前記電流検出回路によって検出された電流の値に基づいて前記変換素子への放射線の照射を検知することを特徴とする請求項３から７のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項９】
前記検知回路は、前記複数の電流の値を演算する演算回路と、前記演算回路の出力と閾値とを比較して比較結果を出力する比較回路と、を有することを特徴とする請求項３から８のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項１０】
前記駆動配線に前記信号を供給する駆動回路と、
前記電気信号に基づく画像信号を読み出す読出回路と、
前記バイアス配線に前記電圧を、前記駆動回路に前記導通電圧と前記非導通電圧を、前記読出回路に前記電圧とは異なる基準電圧を、それぞれ供給する電源部と、
を更に含む請求項３から９のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項１１】
前記変換素子は、第１電極と、第２電極と、前記第１電極と第２電極との間に設けられた半導体層と、を含み、
前記スイッチ素子は、前記第１電極の電位に応じた前記電気信号を転送し、
前記バイアス配線は、前記第２電極に接続されていることを特徴とする請求項１０に記載の放射線撮像装置。
【請求項１２】
前記画素は、前記スイッチ素子とは別に前記電圧とは異なる第２電圧を前記第１電極に供給する第２スイッチ素子を更に含み、
前記電源部は、前記第２電圧を前記第２スイッチ素子に供給することを特徴とする請求項１１に記載の放射線撮像装置。
【請求項１３】
前記結合配線は、前記電源部から前記第２スイッチ素子に前記第２電圧を供給する配線であることを特徴とする請求項１２に記載の放射線撮像装置。
【請求項１４】
前記画素は、前記電荷を増幅した前記電気信号を前記スイッチ素子に出力する増幅素子を更に含み、
前記電源部は、前記増幅素子が動作するための動作電圧を前記増幅素子に供給し、
前記結合配線は、前記電源部から前記増幅素子に前記動作電圧を供給する配線であることを特徴とする請求項１２に記載の放射線撮像装置。
【請求項１５】
請求項１から１４のいずれか１項に記載の放射線撮像装置と、
前記放射線を出射する放射線発生装置と、
を含む放射線撮像システム。
【請求項１６】
放射線を電荷に変換する変換素子と、前記電荷に基づく電気信号を転送するスイッチ素子と、を含む画素が行列状に複数配置された画素アレイと、前記画素アレイに配置された複数の配線と、を含む放射線撮像装置の制御方法であって、
前記複数の配線を流れる複数の電流を前記複数の配線毎に検出し、
検出された前記複数の電流に基づいて前記画素アレイへの放射線の照射を検知し、
検知された放射線の照射に応じて前記画素アレイの動作を制御することを特徴とする放射線撮像装置の制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月19日(2014.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の一般式（Ｉ）で表される化合物を含有することを特徴とする乳化重合用乳化剤。
【化１】
2014237823.tif 000001
但し、一般式（Ｉ）中、
Ｒ1は水素原子を表し、
Ｘは上記の水素原子または構造式で表されるアニオン性親水基から選択された基を表し、これらの構造式中、ａ、ｂは、それぞれ０〜４の数を表し、Ｂは一般式（Ｉ）からＸを除いた残基を表し、Ｍはそれぞれ、水素原子、アルカリ金属原子、アルカリ土類金属原子、アンモニウム基、又はアルカノールアミン残基を表し、
Ｙは上記の構造式で表される置換基から選択された基を表し、その置換数は１〜３のいずれかであり、これらの置換基を表す構造式中、Ｒ2は水素原子またはメチル基を表し、
Ｚは上記の構造式で表される重合性の不飽和基を表し、この不飽和基を表す構造式中、Ｒ3は水素原子またはメチル基を表し、
Ａ1、Ａ2は、それぞれ炭素数２〜４のアルキレン基または置換アルキレン基、或いは炭素数４〜２２のアルキルグリシジルエーテル又はアルケニルグリシジルエーテルに由来する残基を表し、
ｌは０〜５の範囲にある平均付加モル数を表し、ｍは１．２〜１．５の範囲にある平均付加モル数を表し、ｎはＡ2Ｏの１〜５０の範囲にある平均付加モル数を表す。
【請求項２】
前記一般式（Ｉ）において、Ｘが−ＳＯ3Ｍであり、ｍは１〜２の範囲にある数を表し、の範囲にある数を表し、ｌが０であり、Ａ2はエチレン基である化合物を含有することを特徴とする、請求項１に記載の乳化重合用乳化剤。
【請求項３】
スチレンを含む重合性不飽和モノマーを、請求項１又は２に記載の乳化重合用乳化剤を用いて重合することを特徴とする乳化重合方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
但し、一般式（Ｉ）中、Ｒ1は水素原子を表し、Ｘは上記の水素原子または構造式で表されるアニオン性親水基から選択された基を表し、これらの構造式中、ａ、ｂは、それぞれ０〜４の数を表し、Ｂは一般式（Ｉ）からＸを除いた残基を表し、Ｍはそれぞれ、水素原子、アルカリ金属原子、アルカリ土類金属原子、アンモニウム基、又はアルカノールアミン残基を表し、Ｙは上記の構造式で表される置換基から選択された基を表し、その置換数は１〜３のいずれかであり、これらの置換基を表す構造式中、Ｒ2は水素原子またはメチル基を表し、Ｚは上記の構造式で表される重合性の不飽和基を表し、この不飽和基を表す構造式中、Ｒ3は水素原子またはメチル基を表し、Ａ1、Ａ2は、それぞれ炭素数２〜４のアルキレン基または置換アルキレン基、或いは炭素数４〜２２のアルキルグリシジルエーテル又はアルケニルグリシジルエーテルに由来する残基を表し、ｌは０〜５の範囲にある平均付加モル数を表し、ｍは１．２〜１．５の範囲にある平均付加モル数を表し、ｎはＡ2Ｏの１〜５０の範囲にある平均付加モル数を表す。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
（参考製造例Ａ８）
アリルグリシジルエーテルの導入量を３４２ｇ（３．０モル相当）から２２８ｇ（２．０モル相当）に変更した以外は製造例Ａ２に記載した製造条件に従って、次式で表される化合物［Ａ９］を得た。
【化１４】
2014237823.tif 000002
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
また、以下の実験で使用した比較品の構造は次の通りである。
【化２３】
2014237823.tif 000003
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８６】
【表１】
2014237823.tif 000004
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
【表２】
2014237823.tif 000005
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月8日(2015.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記フッ化水素酸溶液に対する浸漬後の前記受光面の粗さ曲線をフーリエ変換して得られるパワースペクトラムの解析において，波長５００〜１３３３nmのパワースペクトルが０．１μm2以上であることを特徴とする請求項４記載の透光性ガラス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
この透光性ガラスは，前記フッ化水素酸溶液に対する浸漬後の前記受光面の粗さ曲線をフーリエ変換して得られるパワースペクトラムの解析において，波長５００〜１３３３nmのパワースペクトルが０．１μm2以上であることを特徴とする（請求項５）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
このブラスト処理で使用する砥粒としては，処理対象である透光性ガラスに対して切削性を発揮するものであることが必要で，処理対象とするガラスの硬度（新モース硬度で４．５〜６．５程度）よりも高硬度のものを使用する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
このような砥粒としては，一例としてアルミナ（新モース硬度：１２），炭化珪素（新モース硬度：１３），ジルコン（新モース硬度：９）等のセラミック系の砥粒を使用することができ，粒径が♯８００〜３０００（平均粒子径１４〜４μm）の範囲のグリッド状のものを使用する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
使用するブラスト加工装置としては，加圧タンク内に投入された砥粒を圧縮気体と共に加圧して噴射する直圧式，圧縮気体流に砥粒を合流させて噴射するサクション式等があるが，いずれの方式のものを使用しても良い。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
【表２】
2014237558.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月18日(2015.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基端においてハンドルに抜け止め固定された支持軸と、
前記支持軸の先端側に回転可能に支持された回転体とを備え、その回転体により身体に対して美容的作用を付与するようにした美容器において、
前記回転体は基端側にのみ穴を有し、回転体は、その内部に前記支持軸の先端が位置する非貫通状態で前記支持軸に軸受け部材を介して支持されており、
軸受け部材は、前記回転体の穴とは反対側となる先端で支持軸に抜け止めされ、
前記軸受け部材からは弾性変形可能な係止爪が突き出ており、同係止爪は軸受け部材の先端側に向かうほど軸受け部材における回転体の回転中心との距離が短くなる斜面を有し、
前記回転体は内周に前記係止爪に係合可能な段差部を有し、前記段差部は前記係止爪の基端側に係止されていることを特徴とする美容器。
【請求項２】
前記軸受け部材は合成樹脂製であることを特徴とする請求項１に記載の美容器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
この発明は、回転体を身体上で転動させることにより、使用者に対して美肌効果等の美容的作用を付与するようにした美容器に関するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
前記特許文献１においては、回転体を支持するための軸等の支持構造は開示されていない。
この発明の目的は、回転体を支持軸に対して回転可能に支持することができる美容器を提供することにある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上記の目的を達成するために、この発明は、基端において抜け止め固定された支持軸と、前記支持軸の先端側に回転可能に支持された回転体とを備え、その回転体により身体に対して美容的作用を付与するようにした美容器である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
また、前記回転体は基端側にのみ穴を有し、回転体は、その内部に前記支持軸の先端が位置する非貫通状態で前記支持軸に軸受け部材を介して支持されており、軸受け部材は、前記回転体の穴とは反対側となる先端で支持軸に抜け止めされ、前記軸受け部材からは弾性変形可能な係止爪が突き出ており、同係止爪は軸受け部材の先端側に向かうほど軸受け部材における回転体の回転中心との距離が短くなる斜面を有し、前記回転体は内周に前記係止爪に係合可能な段差部を有し、前記段差部は前記係止爪の基端側に係止されている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
前記の構成において、前記軸受け部材は合成樹脂製である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
以上のように、この発明によれば、回転体を支持軸に対して回転可能に支持することができることができるという効果を発揮する。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月15日(2015.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
血管画像の管腔境界を自動的に識別するための方法であって、
血管の画像データであって、スキャンラインのセットとしての画像データを取得するステップと、
コンピュータを使用して前記スキャンラインのセットから前記血管画像を生成するステップと、
前記コンピュータを使用して前記血管画像のバイナリマスクを強度閾値を用いて生成するステップと、
前記バイナリマスクに複数のスキャンラインを画定するステップと、
前記複数のスキャンラインの各スキャンライン上の管腔境界組織としての領域を識別するステップと、
前記複数のスキャンラインおよび前記複数のスキャンラインの各スキャンライン上の管腔境界組織としての領域に対応して、輪郭セグメントを画定するステップと、
有効な隣接輪郭セグメントを識別するステップと、
有効な隣接輪郭セグメント間の不足輪郭データを補間するステップであって、前記有効な隣接輪郭セグメントと補間された前記不足輪郭データが前記管腔境界を画定する、ステップと、
を含む、方法。
【請求項２】
ガイドワイヤー陰影アーチファクトを検出および除去するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
領域を識別する前記ステップが、
前記複数のスキャンラインの各スキャンライン上の複数の開始／停止のサンプルの対を見つけるステップであり、各開始のサンプルが組織領域の開始を示し、各停止のサンプルが組織領域の終了を示す、ステップと、
各開始／停止のサンプルの対の組織領域の厚さおよびギャップを計算するステップと、
前記厚さおよび前記ギャップに基づいてスキャンライン上の各組織領域の重みを計算するステップと、
前記計算された組織領域の重みに基づいて前記管腔境界の一部である組織領域を画定するステップと、
を含む、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
輪郭セグメントを画定する前記ステップが、
最大の重みの前記スキャンラインを見つけるステップと、
有効なセグメントを画定するために、前記スキャンラインから両方向に不連続点を探すステップと、
前記有効セグメントの最長のものとして前記輪郭の根を識別するステップと、
を含む、請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
有効な隣接輪郭セグメントを識別する前記ステップが、
角度、半径、およびユークリッド距離閾値に合格する前記輪郭セグメントのそれぞれに最も近い時計回りおよび反時計回りの隣接セグメントを見つけるステップ、
を含む、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
ガイドワイヤー陰影アーチファクトを検出および除去する前記ステップが、
前記輪郭のライン間の傾斜を計算するステップと、
ラインからラインに移動して、予想平滑輪郭傾斜を計算するステップと、
前記予想平滑傾斜および前記ライン間傾斜の差を計算するステップと、
前記予想平滑傾斜および前記ライン間傾斜の差に対応する輪郭点を削除するステップと、
を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項７】
不足輪郭データを補間する前記ステップが、
前記不足輪郭セグメントの両端の有効な輪郭データで、補間制御点を識別するステップと、
前記制御点を使用して前記不足輪郭セグメントデータを補間するステップと、
を含む、請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
補間を必要とするすべての不足輪郭セグメントで前記ステップが実行される、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
不連続点を探す前記ステップが、
スキャンライン間オフセット変化ヒストグラムを計算するステップと、
前記ヒストグラムを平滑化するステップと、
前記ヒストグラムからゼロカウントの最小変化を識別するステップと、
前記最小変化を連続性尺度として使用するステップと、
を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項１０】
血管の管腔境界を自動的に識別するための方法であって、
前記血管の画像データであって、複数のスキャンラインとしての画像データを取得するステップと、
プロセッサと通信するメモリに、取得した前記画像データを記憶するステップと、
前記プロセッサを使用して前記血管の断面画像を生成するステップと、
前記プロセッサを使用して前記断面画像のバイナリマスクを強度閾値を用いて生成するステップと、
前記プロセッサを使用して前記バイナリマスクにスキャンラインのセットを画定するステップと、
前記プロセッサを使用して前記スキャンラインのセットの各スキャンラインの１つ以上の組織領域及び１つ以上のギャップ領域を識別するステップと、
前記プロセッサを使用して前記スキャンラインのセットおよび各スキャンラインの組織領域に対応して、輪郭セグメントを画定するステップと、
前記プロセッサを使用して有効な隣接輪郭セグメントを識別するステップと、
前記プロセッサを使用して有効な隣接輪郭間の不足輪郭データに輪郭を適合させることにより前記管腔境界を画定するステップと、
を含む、方法。
【請求項１１】
不足輪郭データに輪郭を適合させる前記ステップが、
前記不足輪郭セグメントの両端の有効な輪郭データで、必要な補間制御点を識別するステップと、
前記制御点を使用して前記不足輪郭セグメントデータを補間するステップと、
を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
血管画像の管腔境界を自動的に識別するための方法であって、
光干渉断層撮影プローブを使用して前記管腔境界に関して取得された複数の画像データであって、複数のスキャンラインとしての画像データを記憶するステップと、
前記複数のスキャンラインを使用して血管の断面画像である血管画像を生成するステップと、
前記血管画像のバイナリマスクを強度閾値を用いて生成するステップと、
前記バイナリマスクにスキャンラインのセットを画定するステップと、
前記スキャンラインのセットの各スキャンラインの組織としての領域を識別するステップと、
前記スキャンラインのセットおよび各スキャンラインの組織としての領域に対応して、輪郭セグメントを画定するステップと、
有効な隣接輪郭セグメントを識別するステップと、
不足輪郭データに輪郭を適合させることにより前記管腔境界を画定するステップと、
を含む、方法。
【請求項１３】
前記管腔境界を表示するステップ、
を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記管腔境界を前記血管画像に重畳させて表示するステップ、
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記不足輪郭データに適合する輪郭を前記管腔境界として表示するステップ、
を含む、請求項１０に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月2日(2015.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ファイバであって、該光ファイバは、該光ファイバの遠位端部分の長手軸に垂直でない表面を含み、該表面は、界面の一部を画定し、該界面の一部は、該光ファイバ内から伝搬され、該長手軸からオフセットされた方向に該界面上に入射する電磁放射を再配向するように構成される、光ファイバと、
シリカキャップであって、該シリカキャップが、該光ファイバに結合されることにより、該光ファイバの該表面が、該シリカキャップによって画定される空洞内に配置される、シリカキャップと、
前記シリカキャップに結合される外側カバーをさらに含み、該外側カバーは、開口部を含み、該開口部は、前記電磁放射が、該開口部を通して伝達されるような方向と整列させられる、外側カバーと、を備え、
前記外側カバーは、前記方向以外の前記光ファイバから伝達された電磁放射に対して実質的に不透明である、装置。
【請求項２】
前記シリカキャップは、ドープされたシリカキャップである、
請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記ドープされたシリカキャップのドーピング濃度は、前記ドープされたシリカキャップを通して実質的に均一である、
請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記ドープされたシリカキャップのドーピング濃度は、前記ドープされたシリカキャップの厚さに沿って変化する、
請求項２に記載の装置。
【請求項５】
前記ドープされた光ファイバの半径方向内面におけるドーピング濃度は、前記ドープされた光ファイバの半径方向外面におけるドーピング濃度よりも小さい、
請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記ドープされた光ファイバの半径方向内面におけるドーピング濃度は、前記ドープされた光ファイバの半径方向外面におけるドーピング濃度よりも大きい、
請求項４に記載の装置。
【請求項７】
前記ドープされたシリカキャップのドーパントはフッ素である、
請求項２に記載の装置。
【請求項８】
前記外側カバーは、内側表面を含み、該内側表面は、前記外側カバーの前記内側表面上に入射する電磁放射を前記シリカキャップによって画定される前記空洞の中に再配向するように構成される、
請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記空洞は、中に流体を含む、
請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記表面は、前記シリカキャップの遠位端部分内に配置され、前記シリカキャップの近位端部分は、前記光ファイバに融合される、
請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
前記光ファイバは、少なくとも１つのクラッド層を含み、前記シリカキャップは、前記少なくとも１つのクラッド層と関連した屈折率よりも小さい屈折率を有する、
請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
前記少なくとも１つのクラッド層は、ドーパントを含む、
請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記電磁放射は、前記少なくとも１つのクラッド層内で実質的に内部反射される、
請求項１１に記載の装置。
【請求項１４】
前記少なくとも１つのクラッド層及び前記シリカキャップは、フッ素のドーパントを各々含み、前記シリカキャップは、前記少なくとも１つのクラッド層よりも大きいフッ素の濃度を有する、
請求項１１に記載の装置。
【請求項１５】
前記少なくとも１つのクラッド層は、約５μｍから１２０μｍの厚さを有する、
請求項１１に記載の装置。