【事件の表示】
　特願２０００−５１９２８７「終点検出のために外部光源を使用する方法および装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　５月１４日国際公開、ＷＯ９９／２３４７２、平成１５年　６月１７日国内公表、特表２００３−５１９４３３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
【１】手続きの経緯
　本願は、平成１０年１０月３０日を国際出願日とする特願２０００−５１９２８７号（パリ条約による優先権主張；平成９年１１月４日、米国、出願番号：０８／９６３５０８号）であって、平成１５年１２月２２日付け拒絶理由通知に対して、平成１６年６月１１日付けで誤訳訂正をし、平成１６年７月６日付けで手続補正をし、これに対して平成１７年６月２８日付けで最後の拒絶理由が通知され、これに対して平成１８年１月５日付けで手続補正されたが、当該平成１８年１月５日付けの手続補正に対して平成１８年１１月１６日付けで補正の却下の決定がなされると共に、同日付けで拒絶査定され、これに対し、平成１９年２月１９日付けで拒絶査定不服の審判が請求されると共に、平成１９年３月２２日付けで手続補正がなされたものである。
　
　
【２】平成１９年３月２２日付けの手続補正についての補正却下の決定
１．補正の却下の決定の結論
　平成１９年３月２２日付けの手続補正（以下「本件補正」という）を却下する。
　
２．理由
（１）補正の概略
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１を、
　「エッチング・チャンバ内において表面にフォトレジスト材料を備える基板を可動ステージ上に配置する工程と、
　前記基板とほぼ同一の幅を有する、移動不能な光源からの光シート・ビームにより基板表面の一部を照射する工程と、
　照射された基板表面の一部から放射光を所定位置において集光する工程と、
　シート・ビームが基板表面全体を照射して、照射された基板表面全体から放射光を集光すべくシート・ビーム下で軸を中心として可動ステージを回動させる工程と、
　放射光の強度を示す信号を生成する工程と、
　前記放射光の強度を示す信号の少なくとも一部に応答してプラズマ生成を中止させる信号、基板を搬送することを命令する信号及び可動ステージを制御する信号のうちの少なくとも１つを出力する工程と
からなる基板表面のフォトレジスト材料の剥離終点を検出する方法。」
と補正しようとする事項を含むものであり、上記請求項１に係る補正は、平成１６年７月６日付けの手続補正によって補正された請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「表面にフォトレジスト材料を備える基板を可動ステージ上に配置する工程」及び「基板表面全体を照射して、照射された基板表面全体から放射光を集光すべくシート・ビーム下で可動ステージを移動させる工程」を、それぞれ「
エッチング・チャンバ内において
シート・ビームが
軸を中心として
回
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）否かについて以下に検討する。
　
（２）刊行物
　原査定の平成１７年６月２８日付けの最後の拒絶理由に引用された特開平３−１９４９１７号公報（以下、「刊行物１」という。）には、図面と共に以下の技術事項が記載されている。
（ａ）「半導体基板上の残存ホトレジストを、プラズマ方式により除去する剥離方法において、特定の波長域の励起光を半導体基板に照射して、反射光から前記ホトレジストを構成する有機物が励起されて発生する蛍光のみを、吸収フィルターを介して抽出し、この蛍光の強さを測定してレジスト除去の終点を定めることを特徴とするホトレジスト剥離方法」（特許請求の範囲）
（ｂ）「プラズマ方式では、等方性エッチング装置を使用して行なう」（１頁右下欄１，２行）
（ｃ）「受光器５によって蛍光を検出・測定する。・・・・ホトレジストが完全に除去されるまで、蛍光は続く。したがって、受光器５によって、除去状態を判断し、終点を判定できる。・・・・半導体基板３の全領域のホトレジストの除去状態が測定出来るように、第２図の実施例の装置では水銀ランプ１，励起フィルター２，吸収フィルター４、受光器５が一体となって可動しうるようにしている。」（２頁左上欄１９行−右上欄１５行）
（ｄ）「半導体基板に残存しているホトレジストおよび付着した有機物から発生する蛍光を直接に検出・測定するので、プラズマによる上記物質の除去が完全に除去できる効果がある。また、完全に除去された後まで、半導体基板をプラズマにさらすことがないので、プラズマダメージを低減する効果がある。」（２頁左下欄３−１０行）
（ｅ）第２図には、半導体基板３をステージ６に搭載し、少なくとも水銀ランプ１及び受光器５を一体として、半導体基板３の一部分に励起光を照射し、当該一部分からの反射光を受光しつつ、前記一体化した水銀ランプ１及び受光器５を、半導体基板３の端部から他端部まで移動させることが図示されている。
　
　上記刊行物１記載事項及び図面を総合勘案すると、刊行物１には、次の発明が記載されていると認められる。
　「等方性エッチング装置を使用して行うプラズマ方式により、半導体基板上の残存ホトレジストを除去するに際して、レジスト除去の終点を定める方法であって、上記半導体基板がステージに搭載され、水銀ランプから発生した励起光を上記半導体基板に照射し、ホトレジストを構成する有機物が励起されて発生する蛍光のみを反射光から抽出し、受光器によって、この蛍光の強さを検出・測定すると共に受光器によって、レジストの除去状態を判断し、終点を判定できるようにしたレジスト除去の終点を定める方法において、半導体基板の全領域のホトレジストの除去状態が測定できるように、水銀ランプ及び受光器が一体となって可動しうるようにし、半導体基板に残存しているホトレジストが完全に除去された後まで、半導体基板をプラズマにさらすことがない方法。」（以下、「刊行物１発明１」という。）
　
　原査定の平成１７年６月２８日付けの最後の拒絶理由に引用された特開昭６２−２７４７３８号公報（以下、「刊行物２」という。）には、図面と共に以下の技術事項が記載されている。
（ｆ）「１．エッチング等の処理による半導体基板表面上の部分のレベル変化をモニタ信号として検出する光学的モニタ装置において、定速回転する半導体基板の表面から回転の周期に同期してモニタ信号を検出する信号検出手段を備えたことを特徴とする光学的モニタ装置。
　２．信号検出手段が、半導体基板上の回転方向に対して角度をもった直線状領域に拡がったレーザ光を同時に当てる光学手段と、前記直線状領域からの幅広の反射光を該幅方向に走査してモニタ信号を検出する直線走査受光手段とを含むことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の光学的モニタ装置。
　３．直線状領域が回転の半径方向に向いている・・・。」（１頁左下欄５〜１８行）
（ｇ）「ウエハホルダーが回転する構造の装置が多くなって来ているが、このようにエッチング中に基板が回転することに対する対策は現在のところ考えられていない。
［発明が解決しようとする問題点］本発明は、先に述べた従来技術の欠点である２つの項目、すなわち、ウエハの回転に対する対応と、ウエハ上の多点計測を簡単な構造で実現しようとするものである。」（２頁右上欄５−１３行）
（ｈ）「この信号検出手段は、ひとつの実施態様においては、半導体基板上の回転方向に対して角度をもった直線状領域に拡がったレーザ光を同時に当てる光学手段と、前記直線状領域からの幅広の反射光を該幅方向に走査してモニタ信号を検出する直線走査受光手段とを含んでいる。好ましくは前記直線状領域は回転の半径方向に向いており、半径相当分または直径相当分の長さを有する。」（２頁左下欄１−８行）
（ｉ）「第３図のように、半径相当分ｆであった入射光の領域を、ｇのように直径相当分にわたって入射するようにし、１／２周期でラインセンサの信号を中心で左右反転してやれば、あまりかわらない光学系で２倍の分解能を得ることができる。」（３頁右上欄１９行−左下欄４行）
（ｊ）「入射光を基板の回転半径上に直線状に伸ばしたレーザ光とし、これをラインセンサで受光することにより、ウエハ上のすべての地点のモニタが可能となり、特に半径方向にはすべての点の情報が同時に得られるようになる。しかも、これらの特徴は、光学系を固定したままで行なえるので、簡単な装置構成で可能となる。」（３頁左下欄１９行−右下欄６行）
（ｋ）第３図には、基板の回転半径上に直線状に伸ばしたレーザ光の領域が、ｇとして、半導体基板の直径相当分の範囲とすることが図示されている。
　
（３）対比
　　刊行物１発明１を、工程順に整理してみると、
（ア）刊行物１発明１の「等方性エッチング装置を使用して行うプラズマ方式により、半導体基板上の残存ホトレジストを除去するに際して、レジスト除去の終点を定める方法であって、上記半導体基板がステージに搭載され」ることは、「等方性エッチング装置内において表面に残存ホトレジストを備える半導体基板をステージ上に搭載する工程」であり、
（イ）刊行物１の記載事項（ｅ）にもあるように、第２図には、水銀ランプから発生した励起光を半導体基板表面の一部に照射していることから、刊行物１発明１の「水銀ランプから発生した励起光を上記半導体基板に照射」することは、「前記水銀ランプからの励起光により半導体基板表面の一部を照射する工程」であり、
（ウ）刊行物１発明１が「水銀ランプ及び受光器が一体となって可動」しており、刊行物１の第２図をも参酌すると、刊行物１発明１の「ホトレジストを構成する有機物が励起されて発生する蛍光のみを反射光から抽出し、受光器によって、この蛍光の強さを検出・測定する」ことは、「照射された半導体基板表面の一部から反射光を所定位置において受光する工程」であり、
（エ）刊行物１発明１の「半導体基板の全領域のホトレジストの除去状態が測定できるように、水銀ランプ及び受光器が一体となって可動しうるように」することは、「励起光が半導体基板の全領域を照射して、照射された半導体基板の全領域から反射光を受光すべく水銀ランプ及び受光器を一体として、半導体基板上を移動させる工程」であり、
（オ）刊行物１発明１において、反射光からの「蛍光の強さを検出・測定」していることは、単に「蛍光」を検出しているのみならず、「強さ」を測定している以上、「蛍光の強さ」と関係する何らかの信号を生成していることは明かであるから、「蛍光の強さを示す信号を生成する工程」であり、
（カ）刊行物１発明１における「受光器によって、この蛍光の強さを検出・測定すると共に受光器によってレジストの除去状態を判断し、終点を判定出来るようにした」は、受光器で、蛍光の強さの検出・測定をすると共にレジスト除去状態を判断して終点を判定していることから、受光器で検出・測定した際の蛍光の強さを示す信号を用いて「レジスト除去状態を判断して終点を判定している」と見ることが相当であり、終点の判定は、通常レジストの除去剥離を終了させるためであることことから、刊行物１発明１において、「レジスト除去の終点を定める方法において、半導体基板に残存しているホトレジストが完全に除去された後まで、半導体基板をプラズマにさらすことがない」ことは、「蛍光の強さを示す信号を用いてレジストが完全に除去された後まで、半導体基板をプラズマにさらすことがない工程」に相当する。
　上記整理された各工程を総合すると、刊行物１発明１は、以下の工程からなる発明である。
「等方性エッチング装置内において表面に残存ホトレジストを備える半導体基板をステージ上に搭載する工程と、
前記水銀ランプからの励起光により半導体基板表面の一部を照射する工程と、
照射された半導体基板表面の一部から反射光を所定位置において受光する工程と、
励起光が半導体基板の全領域を照射して、照射された半導体基板の全領域から反射光を受光すべく水銀ランプ及び受光器を一体として、半導体基板上を移動させる工程と、
蛍光の強さを示す信号を生成する工程と、
蛍光の強さを示す信号を用いてレジストが完全に除去された後まで、半導体基板をプラズマにさらすことがない工程と
からなる半導体基板上の残存ホトレジストの除去の終点を定める方法」（以下、「刊行物１発明２」という。）
　そこで、本願補正発明と刊行物１発明２とを比較すると、刊行物１発明２の「等方性エッチング装置」は、本願補正発明の「エッチング・チャンバ」に相当し、以下同様に、「残存ホトレジスト」及び「レジスト」は、「フォトレジスト材料」に、「半導体基板」は「基板」に、「搭載］は「配置」に、「水銀ランプ」は「光源」に、「励起光」は「光」に、「反射光」及び「蛍光」は「放射光」に、「受光」は「集光」に、「半導体基板の全領域」は「基板表面全体」に、「除去の終点を定める」は、「剥離終点を検出する」に、それぞれ相当するから、両者は、
　「エッチング・チャンバ内において表面にフォトレジスト材料を備える基板をステージ上に配置する工程と、
　光源からの光により基板表面の一部を照射する工程と、
　照射された基板表面の一部から放射光を所定位置において集光する工程と、
　光が基板表面全体を照射して、照射された基板表面全体から放射光を集光させる工程と、
　放射光の強度を示す信号を生成する工程と、
を有する基板表面のフォトレジスト材料の剥離終点を検出する方法。」の点で一致し、以下の点で相違する。
　
＜相違点１＞　
　本願補正発明では、光源を、「基板とほぼ同一の幅を有する」「移動不能な光シート・ビーム」とし、ステージを「回動」する「可動ステージ」とすることで、基板表面全体への光の照射を「シート・ビーム下で軸を中心として可動ステージを回動させる工程」によって行っているのに対して、刊行物１発明２では、基板表面全体への光の照射が行われるものの、光源からの光の形状、基板の形状及び基板表面全体への光の照射方法が不明な点。
＜相違点２＞
　本願補正発明では、「放射光の強度を示す信号の少なくとも一部に応答してプラズマ生成を中止させる信号、基板を搬送することを命令する信号及び可動ステージを制御する信号のうちの少なくとも１つを出力する工程」を有しているのに対して、刊行物１発明２では、当該事項が不明な点。
　
（４）判断
＜相違点１について＞
　刊行物２の上記記載事項（ｇ）−（ｋ）及び第３図には、ウエハホルダーが回転する構造の装置において、ウエハ上の全ての地点の光学モニタを可能とすべく「光学系を固定したまま、半導体基板上の回転方向に対して角度をもった直線状領域に拡がったレーザ光を同時に当てる光学的手段と、前記直線状領域からの幅広の反射光を該幅方向に走査してモニタ信号を検出する直線走査受光手段とを有し、前記直線状領域は回転の半径方向に向いており、直径相当分の長さを有する。」ことが記載及び図示されている。
　ここで、刊行物２に記載された「直線状領域に拡がったレーザ光」、「ウエハホルダーが回転する構造」及び「光学系を固定したまま」で「直線状領域は回転の半径方向に向いており、直径相当分の長さを有する、直線状領域に拡がったレーザ光」が、本願補正発明における「シート・ビーム」、「回動する可動ステージ」及び「基板とほぼ同一の幅を有する移動不能な光シート・ビーム」に相当する。
　そして、刊行物２に記載された「光学系を固定したまま、半導体基板上の回転方向に対して角度をもった直線状領域に拡がったレーザ光を同時に当てる光学的手段と、前記直線状領域からの幅広の反射光を該幅方向に走査してモニタ信号を検出する直線走査受光手段とを有し、前記直線状領域は回転の半径方向に向いており、直径相当分の長さを有する。」との技術は、半導体基板表面のエッチング等の処理に用いるものであるが、その目的は、ウエハの回転に対する対応とウエハ上の多点計測を簡単な構造で実現させるためのものであることから、刊行物２に記載された前記技術は、回転する可動ステージを有し、可動ステージ上の「半導体基板表面上の部分のレベル変化をモニタ信号として検出する光学的モニタ装置」一般において適用しうるものである。
　一方、フォトレジストが残存している半導体基板として平面視略円形のもの、また、そのような平面視略円形の半導体基板において回転する可動ステージを用いて種々の処理を行うことも、周知であり、刊行物１発明２においても、半導体基板として、平面視略円形のものを対象物とすることを否定するものではない。
　そして、刊行物１発明２において、半導体基板を平面視略円形のものを採用した際には、刊行物１発明２が基板表面全体からの反射光を集光することを目的としていることからも、刊行物２に記載された上記技術手段を刊行物１発明２に適用することは、当業者ならば容易に想到し得たことであり、その作用効果も当業者が予測し得たものにすぎない。
　ところで、出願人は、平成１８年１月５日付けの意見書で、「引用文献２は、その第２図にも示されるように・・・同基板の半径と等しい幅を備えた光シート・ビームにより照射し、・・・」（２頁２６，２７行）と主張し、また、平成１９年３月２２日付けの手続補正書（方式）により補正された審判請求書の請求の理由においても「（Ｂ）引用文献２には、・・・シートビームの幅はウエファの直径の１／２であり、ウエファの中心からが外縁に照射が行われる。」（２頁２９−３１行）との主張を行っているが、刊行物２の記載事項（ｈ）の「・・・直線状領域は回転の半径方向に向いており、半径相当分または直径相当分の長さを有する。」、記載事項（ｉ）の「第３図のように、半径相当分ｆであった入射光の領域を、ｇのように直径相当分にわたって入射するようにし、１／２周期でラインセンサの信号を中心で左右反転してやれば、あまりかわらない光学系で２倍の分解能を得ることができる。」及び第３図から、刊行物２には、シート・ビームの幅を、「半径相当分の長さ」のみならず、「直径相当分の長さ」としても良いことが記載されていることは明かであるから、前記出願人の主張は失当である。
　
＜相違点２について＞
　刊行物１発明２においては、蛍光の強度から信号を生成していること及び当該信号からフォトレジストの剥離終点を検出していることは、上記「２．（３）対比（オ）、（カ）」で指摘したとおりであり、また、刊行物１の記載事項（ｄ）にあるように「レジストが完全に除去された後まで、半導体基板をプラズマにさらすことがない」こと、さらには、プラズマエッチング装置において、終点を検出した後、プラズマの生成を中止させることは終点検出の目的から周知な事項であることからも、刊行物１発明２においては、蛍光の強度を示す信号の何らかの信号処理によりプラズマの生成を中止させていることは明かである。
　してみると、刊行物１発明２において、蛍光の強度を示す信号の少なくとも一部に応答してプラズマ生成を中止させる信号を出力させることは、当業者ならば容易に想到し得るものである。
　そして、刊行物１発明２の「蛍光」は、本願補正発明の「放射光」に相当することから、本願補正発明の「放射光の強度を示す信号の少なくとも一部に応答してプラズマ生成を中止させる信号、基板を搬送することを命令する信号及び可動ステージを制御する信号のうちの少なくとも１つを出力する工程」は、刊行物１発明２から当業者が容易に想到し得た事項である。
　
　したがって、本願補正発明は、刊行物１に記載された発明、刊行物２に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（５）本件補正についてのむすび
　以上のとおり、本願補正発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
【３】本願発明及び当審の判断
１．本願発明について
 　平成１９年３月２２日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１−４３に係る発明は、平成１６年７月６日付けの手続補正書によって補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１−４３に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
　「表面にフォトレジスト材料を備える基板を可動ステージ上に配置する工程と、
　前記基板とほぼ同一の幅を有する、移動不能な光源からの光シート・ビームにより基板表面の一部を照射する工程と、
　照射された基板表面の一部から放射光を所定位置において集光する工程と、
　基板表面全体を照射して、照射された基板表面全体から放射光を集光すべくシート・ビーム下で可動ステージを移動させる工程と、
　放射光の強度を示す信号を生成する工程と、
　前記放射光の強度を示す信号の少なくとも一部に応答してプラズマ生成を中止させる信号、基板を搬送することを命令する信号及び可動ステージを制御する信号のうちの少なくとも１つを出力する工程と
からなる基板表面のフォトレジスト材料の剥離終点を検出する方法。」
　
２．刊行物
　原査定の最後の拒絶の理由に引用された刊行物１及び刊行物２の記載事項は、前記「【２】２．（２）」に記載したとおりである。
　
３．対比・判断
　本願発明は、いずれも前記「【２】２．」で検討した本願補正発明の「
エッチング・チャンバ内において
シート・ビームが
軸を中心として
回
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が前記「【２】２．（３）」、「【２】２．（４）」に記載したとおり、刊行物１に記載された発明、刊行物２に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により 刊行物１に記載された発明、刊行物２に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明は、刊行物１に記載された発明、刊行物２に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　したがって、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。