【事件の表示】
　平成１０年特許願第３１４０１８号「水素イオン注入剥離法によってＳＯＩウエーハを製造する方法およびこの方法で製造されたＳＯＩウエーハ」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　４月２８日出願公開、特開２０００−１２４０９２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯　
　本願は、平成１０年１０月１６日の出願であって、平成１８年１月３０日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年５月８日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年５月１７日付けで手続補正がなされ、その後当審において平成２０年７月４日付けで審尋がなされ、同年１０月１日に回答書が提出されたものである。
　　
２．平成１８年５月１７日付けの手続補正について
［補正却下の決定の結論］　
　平成１８年５月１７日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する
［理由］　
（１）本件補正の内容　
　本件補正は、特許請求の範囲及び発明の詳細な説明を補正するものであり、補正前の請求項１及び２を補正後の請求項１及び２と補正し、補正前の００１３段落及び００１５段落を補正するものであり、補正前の請求項１及び２、ならびに補正後の請求項１及び２は、それぞれ以下のとおりである。
（補正前の請求項１及び２）
「【請求項１】　水素イオン注入剥離法によってＳＯＩウエーハを製造する方法において、結合熱処理後、酸化性雰囲気下の熱処理によりＳＯＩ層に酸化膜を形成した後に該酸化膜を除去し、次に還元性雰囲気下の熱処理を加えることを特徴とするＳＯＩウエーハを製造する方法。
【請求項２】　水素イオン注入剥離法によってＳＯＩウエーハを製造する方法において、剥離熱処理後、酸化性雰囲気下の熱処理によりＳＯＩ層に酸化膜を形成した後に該酸化膜を除去し、次に還元性雰囲気下の熱処理を加えることを特徴とするＳＯＩウエーハを製造する方法。」
（補正後の請求項１及び２）
「【請求項１】　少なくとも、二枚のシリコンウエーハの内、少なくとも一方に酸化膜を形成すると共に、一方のシリコンウエーハの上面から水素イオンまたは希ガスイオンを注入し、該ウエーハ内部に微小気泡層を形成させた後、該イオンを注入した方の面を酸化膜を介して他方のシリコンウエーハと密着させ、その後熱処理を加えて前記微小気泡層を劈開面として前記一方のウエーハを薄膜状に剥離する水素イオン注入剥離法によってＳＯＩウエーハを製造する方法において、結合熱処理後、酸化性雰囲気下の熱処理によりＳＯＩ層に酸化膜を形成した後に該酸化膜を除去し、次に還元性雰囲気下の熱処理を加えることを特徴とするＳＯＩウエーハを製造する方法。
【請求項２】　少なくとも、二枚のシリコンウエーハの内、少なくとも一方に酸化膜を形成すると共に、一方のシリコンウエーハの上面から水素イオンまたは希ガスイオンを注入し、該ウエーハ内部に微小気泡層を形成させた後、該イオンを注入した方の面を酸化膜を介して他方のシリコンウエーハと密着させ、その後熱処理を加えて前記微小気泡層を劈開面として前記一方のウエーハを薄膜状に剥離する水素イオン注入剥離法によってＳＯＩウエーハを製造する方法において、剥離熱処理後、酸化性雰囲気下の熱処理によりＳＯＩ層に酸化膜を形成した後に該酸化膜を除去し、次に還元性雰囲気下の熱処理を加えることを特徴とするＳＯＩウエーハを製造する方法。」
　　
（２）補正内容の整理
　本件補正のうち、特許請求の範囲についてなされた補正の内容を、以下に整理する。
〈補正事項１〉
　補正前の請求項１の「水素イオン注入剥離法によってＳＯＩウエーハを製造する方法において」を、補正後の請求項１の「二枚のシリコンウエーハの内、少なくとも一方に酸化膜を形成すると共に、一方のシリコンウエーハの上面から水素イオンまたは希ガスイオンを注入し、該ウエーハ内部に微小気泡層を形成させた後、該イオンを注入した方の面を酸化膜を介して他方のシリコンウエーハと密着させ、その後熱処理を加えて前記微小気泡層を劈開面として前記一方のウエーハを薄膜状に剥離する水素イオン注入剥離法によってＳＯＩウエーハを製造する方法において」と補正すること。
〈補正事項２〉
　補正前の請求項２の「水素イオン注入剥離法によってＳＯＩウエーハを製造する方法において」を、補正後の請求項２の「少なくとも、二枚のシリコンウエーハの内、少なくとも一方に酸化膜を形成すると共に、一方のシリコンウエーハの上面から水素イオンまたは希ガスイオンを注入し、該ウエーハ内部に微小気泡層を形成させた後、該イオンを注入した方の面を酸化膜を介して他方のシリコンウエーハと密着させ、その後熱処理を加えて前記微小気泡層を劈開面として前記一方のウエーハを薄膜状に剥離する水素イオン注入剥離法によってＳＯＩウエーハを製造する方法において」と補正すること。
　
（３）補正の目的の適否について
〈補正事項１について〉
（ア）補正事項１についての補正は、補正前の請求項１に記載された「水素イオン注入剥離法によってＳＯＩウエーハを製造する方法」が、「少なくとも、二枚のシリコンウエーハの内、少なくとも一方に酸化膜を形成すると共に、一方のシリコンウエーハの上面から水素イオンまたは希ガスイオンを注入し、該ウエーハ内部に微小気泡層を形成させた後、該イオンを注入した方の面を酸化膜を介して他方のシリコンウエーハと密着させ、その後熱処理を加えて前記微小気泡層を劈開面として前記一方のウエーハを薄膜状に剥離する」ものであることを特定するものであるが、補正前の請求項１に記載された発明は「ＳＯＩウエーハを製造する方法」であるから、補正前の請求項１に記載された「水素イオン注入剥離法によってＳＯＩウエーハを製造する方法」が、「少なくとも、二枚のシリコンウエーハの内、少なくとも一方に酸化膜を形成すると共に、一方のシリコンウエーハの上面から水素イオンまたは希ガスイオンを注入し、該ウエーハ内部に微小気泡層を形成させた後、該イオンを注入した方の面を酸化膜を介して他方のシリコンウエーハと密着させ、その後熱処理を加えて前記微小気泡層を劈開面として前記一方のウエーハを薄膜状に剥離する」ものであることを特定することは、補正前の請求項１に記載された発明である「ＳＯＩウエーハを製造する方法」が、「少なくとも、二枚のシリコンウエーハの内、少なくとも一方に酸化膜を形成すると共に、一方のシリコンウエーハの上面から水素イオンまたは希ガスイオンを注入し、該ウエーハ内部に微小気泡層を形成させた後、該イオンを注入した方の面を酸化膜を介して他方のシリコンウエーハと密着させ、その後熱処理を加えて前記微小気泡層を劈開面として前記一方のウエーハを薄膜状に剥離する」ものであることを特定することに他ならない。よって、補正事項１についての補正は、実質的に、補正前の請求項１に記載された発明が、「少なくとも、二枚のシリコンウエーハの内、少なくとも一方に酸化膜を形成すると共に、一方のシリコンウエーハの上面から水素イオンまたは希ガスイオンを注入し、該ウエーハ内部に微小気泡層を形成させた後、該イオンを注入した方の面を酸化膜を介して他方のシリコンウエーハと密着させ、その後熱処理を加えて前記微小気泡層を劈開面として前記一方のウエーハを薄膜状に剥離する」ものであることを特定する補正、すなわち、補正前の請求項１に、補正後の請求項１の「二枚のシリコンウエーハの内、少なくとも一方に酸化膜を形成する」工程、「一方のシリコンウエーハの上面から水素イオンまたは希ガスイオンを注入し、該ウエーハ内部に微小気泡層を形成させ」る工程、「該イオンを注入した方の面を酸化膜を介して他方のシリコンウエーハと密着させ」る工程、及び「その後熱処理を加えて前記微小気泡層を劈開面として前記一方のウエーハを薄膜状に剥離する」工程を追加する補正である。そして、補正前の請求項１には少なくとも、補正後の請求項１の「二枚のシリコンウエーハの内、少なくとも一方に酸化膜を形成する」工程に対応する事項、及び、「該イオンを注入した方の面を」「他方のシリコンウエーハと密着させ」る工程を「酸化膜を介して」行うことに対応する事項は、何ら記載されていないから、補正事項１についての補正は、特許法第３６条第５項第の規定により請求項に記載した発明を特定するために必要な事項を限定するものではなく、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当しないものである。
（イ）また、補正事項１についての補正は、拒絶理由通知に係る拒絶の理由に示す事項についてなされたものでもないから、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第４号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当しないものである。
（ウ）さらに、補正事項１についての補正が、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第１号及び第３号に掲げる請求項の削除及び誤記の訂正を目的とするものに該当しないものであることは明らかである。
　
〈補正事項２について〉
　補正事項２についての補正は、上記「〈補正事項１について〉」において検討したのと同様の理由により、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第１号ないし第４号に掲げる事項のいずれを目的とするものにも該当しないものである。
　
　以上のとおり、他の補正事項について検討するまでもなく、補正事項１及び２を含む本件補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
（４）独立特許要件についての検討
　上記「（３）」において検討したとおり、補正事項１及び２を含む本件補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものであるが、以下においては、仮に、補正事項１及び２についての補正が、同法同条同項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するとみなして、本件補正が、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定する要件（独立特許要件）を満たすか否かについて、一応検討する。
　
（４−１）補正後の発明
　本件補正後の請求項２に係る発明（以下、「補正発明」という。）は、上記「２．（１）」の「（補正後の請求項１及び２）」に、補正後の請求項２として記載したとおりのものである。
　
（４−２）刊行物に記載された発明
（４−２−１）刊行物１：特開平１０−２７５９０５号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平１０−２７５９０５号公報（以下、「刊行物１」という。）には、図１ないし図３及び図５とともに以下の事項が記載されている。
「【０００８】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図を参照して説明する。なお、図中、同一の符号は同一または相当の部分を示す。
実施の形態１．図１は、この発明の実施の形態１のＳＯＩウェーハの製造方法を説明する図であり、（ａ）〜（ｆ）は、各工程の断面図を示す。この製造方法について説明すると、先ず図１（ａ）に示すように、シリコンウェーハ材１を準備し、図２（ｂ）に示すように、シリコンウェーハ材１を熱酸化して表面にシリコン酸化膜２を形成する。次に、図１（ｃ）に示すように、シリコンウェーハ材１の一つの表面から、２×１０１６〜１×１０１７／ｃｍ２の水素イオン注入を行なって、水素注入層４を形成する。その後、図１（ｄ）に示すように、シリコンウェーハ材１の水素注入をした表面の側に、別のシリコンウェーハ材（ベースウェーハ）などの適当な基板材５を貼り合わせる。
【０００９】その後、このシリコンウェーハ材１を４００〜６００℃に加熱すると、図５（ｅ）に示すように、基板材５が張り合わされた側のシリコンウェーハ材１の表面部分を水素注入層４から剥がすことができる。こうして基板材５の上に薄いシリコン層６を形成したＳＯＩ構造のシリコンウェーハ７を得る。この時、薄いシリコン層６の剥がし面には２０ｎｍ程度の凸凹が形成される。そのため、必要に応じて、図５（ｆ）に示すように、シリコン層６の表面を化学的機械的に研磨し平滑化する。ここまでの工程は、いわゆるスマートカット法と称される方法と同様である。
【００１０】次に、シリコンウェーハ７を、水素雰囲気中でアニールする。図２は、アニールを行うためのアニール装置（炉）をしめす。図２において、７はアニールをするシリコンウェーハ、８はこのウェーハを保持する保持具、９は炉体である。炉体９の上部入り口から水素ガスが導入され、下部出口から排出される。このアニール炉により、図１（ｅ）の段階のシリコンウェーハ７を、摂氏１０５０度から１３５０度で水素雰囲気中で数１０秒から数１０分のアニールを行なう。これにより図１（ｆ）に示すような表面の平坦なシリコンウェーハ７が得られる。加熱温度が、摂氏１０５０度以下だと、アニールに長時間を要する。また、加熱温度が、摂氏１３５０度以上だと、シリコンが溶融するので適当でない。このように、加熱温度を、摂氏１０５０度〜１３５０度の範囲とすることにより、プロセスの安定化、スループットの向上、ウェーハ品質の向上が実現できる。
【００１１】上記のように水素雰囲気中でのアニールにより、シリコンウェーハの表面が平坦になるのは、表面のシリコン原子が再配列する等の効果による。シリコン原子の再配列の様子を図３に示す。図３（ａ）は、アニールする前のシリコン表面を拡大して模式的に示した断面図である。水素雰囲気中で加熱すると、図３（ｂ）に示すように、水素の効果によりシリコン表面が活性化され、シリコン原子が表面を動き回わりエネルギー安定点に移動する。この結果、図３（ｃ）に示すように、表面が平坦になる。
【００１２】アニールするシリコンウェーハは、図１（ｅ）の段階で表面が剥がれたままでアニールすると、化学的機械的研磨の影響のないシリコンウェーハが製造できる。また、図１（ｆ）の段階で、アニールするまえに、必要に応じて表面に影響を残さない程度に、適度に化学的機械的研磨を施しておくようにしてもよい。予め適度の化学的機械的研磨を施した場合には、水素によるアニールの簡略化、迅速化を図ることができ、またこの場合にも最終的に化学的機械的研磨の影響のないシリコンウェーハを得ることができる。」
　
（ア）刊行物１には、「シリコンウェーハ材１の一つの表面から、２×１０１６〜１×１０１７／ｃｍ２の水素イオン注入を行なって、水素注入層４を形成する。」（０００８段落）、及び「図５（ｅ）に示すように、基板材５が張り合わされた側のシリコンウェーハ材１の表面部分を水素注入層４から剥がすことができる。」（０００９段落）と記載されている。ここで、図番「（ｅ）」が付された図は「図１（ｅ）」のみであるから、上記刊行物１の記載中、「図５（ｅ）」は「図１（ｅ）」の誤記であることは明らかである。よって、「水素注入層４」が「シリコンウェーハ材１」の内部に形成されるものであることは明らかである。
（イ）刊行物１には、「図１（ｄ）に示すように、シリコンウェーハ材１の水素注入をした表面の側に、別のシリコンウェーハ材（ベースウェーハ）などの適当な基板材５を貼り合わせる。」（０００８段落）と記載されており、図１（ｄ）には、「シリコンウェーハ材１」の一つの表面に、「シリコン酸化膜２」を介して「基板材５」を貼り合わせる工程が図示されているから、刊行物１には、「シリコンウェーハ材１」に「シリコン酸化膜２」を介して「別のシリコンウェーハ材」を貼り合わせることが記載されている。
（ウ）刊行物１には、「アニールするシリコンウェーハは、図１（ｅ）の段階で表面が剥がれたままでアニールすると、化学的機械的研磨の影響のないシリコンウェーハが製造できる。」（００１２段落）と記載されているから、刊行物１には、「水素注入層４」から「シリコンウェーハ材１」の表面部分を剥がした後、水素雰囲気中でアニールすることが記載されている。
　
　したがって、刊行物１には、以下の発明（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されている。
（刊行物１発明）
「シリコンウェーハ材１の表面にシリコン酸化膜２を形成し、前記シリコンウェーハ材１の一つの表面から２×１０１６〜１×１０１７／ｃｍ２の水素イオン注入を行って、前記シリコンウェーハ材１の内部に水素注入層４を形成した後、前記シリコンウェーハ材１の前記水素イオン注入を行った表面に、前記シリコン酸化膜２を介して別のシリコンウェーハ材を貼り合わせ、その後４００〜６００℃に加熱して、前記別のシリコンウェーハ材が貼り合わされた側の前記シリコンウェーハ材１の表面部分を前記水素注入層４から剥がす方法によってＳＯＩウェーハを製造する方法において、４００〜６００℃に加熱して前記水素注入層４から前記シリコンウェーハ材１の表面部分を剥がした後、水素雰囲気中でアニールすることを特徴とするＳＯＩウエーハを製造する方法。」
　
（４−２−２）刊行物２：特開平４−１１５５１１号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平４−１１５５１１号公報（以下、「刊行物２」という。）には、第１図とともに以下の事項が記載されている。
「［従来の技術］
シリコン基板表面に単結晶層を残して埋込みシリコン酸化層を形成するＳＯＩ基板を製造する方法として、シリコン基板に高濃度の酸素イオンを高エネルギで打込んで、シリコン基板内部に埋込みシリコン酸化層を形成するＳＩＭＯＸ（Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ　ｂｙ　Ｉｍｐｌａｎｔｅｄ　Ｏｘｙｇｅｎ）技術が知られている。
　しかしながら、ＳＩＭＯＸ技術の場合、シリコン基板内部に形成される埋込みシリコン酸化層がイオン注入により形成されるため、埋込みシリコン酸化層と単結晶シリコン層との境界における遷移領域に欠陥が発生し、リーク電流が発生するという問題があった。
　支持基板とシリコン基板を貼合わせてシリコン基板を底面から除去して支持基板上に単結晶シリコン層を形成する方法として、不純物濃度によるエッチング率の違いを利用してシリコン基板のエッチングストッパとする技術がある。シリコン基板に不純物を添加して不純物濃度の異なる層を形成しておき、不純物濃度によりエッチング率が相違するエッチング液により、支持基板にはりあわせたシリコン基板を底面からエッチングし、不純物濃度の異なる層でエッチングをストップさせる。
　しかしながら、この方法では高濃度不純物層から低濃度不純物層への遷移領域でエッチングが停止してしまう。このためエッチングにより露出したＳＯＩ基板の表面の不純物濃度が定まらないという問題があった。
［発明が解決しようとする課題］
　このように従来は、ＳＩＭＯＸ技術の場合、埋込みシリコン酸化層と単結晶シリコンとの境界における遷移領域に欠陥が発生し、リーク電流が発生するという問題があった。また、貼合わせ技術の場合、ＳＯＩ基板表面の不純物濃度が定まらないという問題があった。
　本発明の目的は、表面の不純物濃度を正確に把握でき、リーク電流が発生することがない良好な特性のＳＯＩ基板を製造することができるＳＯＩ基板の製造方法を提供することにある。」（第２頁右上欄第１０行ないし同頁右下欄第１０行）
「［実施例］
　本発明の一実施例によるＳＯＩ基板の製造方法を第１図を用いて説明する。
　まず、シリコン基板１０に酸素イオンを、加速エネルギが約２００ｋｅＶで、ドーズ量が１０１８ｃｍ−２の条件でイオン注入し、その後、約１２００℃の高温熱処理を行う。すると、シリコン基板１０表面の単結晶が維持されたまま内部に埋込みシリコン酸化層１２が形成される。しかし、シリコン基板１０表面の単結晶シリコン層１４と埋込みシリコン酸化層１２の間には欠陥の多い遷移領域１８が存在している。続いて、単結晶シリコン層１４の表面を酸化して約１００ｎｍ厚のシリコン酸化層１６を形成する（第１図（ａ））。
　次に、支持用のシリコン基板２０を用意し、その表面にシリコン酸化層１６が接着されるようにシリコン基板１０を裏返して貼合わせる。続いて、フッ酸（ＨＦ）と硝酸（ＨＮＯ３）を主成分とするエッチング液により、シリコン基板１０の基板部分を底面からエッチングする（第１図（ｂ））。埋込みシリコン酸化層１２がエッチングストッパとなって、埋込みシリコン酸化層１２が露出するまでエッチングが進行する。
　次に、フッ酸（ＨＦ）を主成分とするエッチング液により埋込みシリコン酸化層１２をエッチング除去する（第１図（ｃ））。単結晶シリコン層１４がエッチングストッパとなり、単結晶シリコン層１４が露出するまでエッチングが進行し、単結晶シリコン層１４の欠陥の多い遷移領域１８が表面に露出している。
　次に、欠陥の多い遷移領域１８が全て酸化されるように所定時間ウェット酸化を行いシリコン酸化層１８′を形成する（第１図（ｄ））。続いて、そのシリコン酸化層１８′をフッ酸（ＨＦ）を主成分とするエッチング液により選択的にエッチング除去する（第１図（ｅ））。このようにして露出された単結晶シリコン層１４は、表面における欠陥の多い遷移領域１８が除去され、良好な単結晶シリコン層１４がシリコン酸化層１６上に形成されたＳＯＩ基板となる。また、単結晶シリコン層１４はシリコン基板１０の不純物濃度と同じ値であるので予め正確に把握できる。
　本発明は上記実施例に限らず種々の変形が可能である。」（第３頁左上欄第１４行ないし同頁左下欄第１９行）
　
（４−３）対比
　補正発明と刊行物１発明とを対比する。
（ア）刊行物１発明の「シリコンウェーハ材１」、「シリコン酸化膜２」、「前記シリコンウェーハ材１の一つの表面」及び「別のシリコンウェーハ材」は、補正発明の「二枚のシリコンウエーハの内、少なくとも一方」、「酸化膜」、「一方のシリコンウエーハの上面」及び「他方のシリコンウエーハ」に相当する。
（イ）本願の願書に添付した明細書及び図面（以下、「本願明細書等」という。）の発明の詳細な説明には、補正発明の実施例について、「【００５１】　まず、図１の（ａ）〜（ｅ）にしたがい、ボンドウエーハ２を剥離して、ＳＯＩウエーハ６を得た。この時、ＳＯＩ層７の厚さを４００ｎｍ、埋め込み酸化膜３の厚さは７００ｎｍとし、その他イオンの注入等の主な条件は次の通りとした。　１）水素注入条件：Ｈ＋　イオン、注入エネルギー　１２５ｋｅＶ　注入線量　８×１０１６／ｃｍ２　２）剥離熱処理条件：Ｎ２ガス雰囲気下、５００℃、３０分」と記載されているから、補正発明の「微小気泡層」は、水素イオンを注入線量が８×１０１６／ｃｍ２となるように注入して形成され、５００℃の熱処理により剥離される態様を含むものと認められる。そして、刊行物１発明の「水素注入層４」もまた、「２×１０１６〜１×１０１７／ｃｍ２の水素イオン注入を行」う工程によって形成され、「４００〜６００℃に加熱して」「前記シリコンウェーハ材１の表面部分」が剥がされるものであるから、本願明細書等の発明の詳細な説明に記載された「微小気泡層」の上記態様を含むものである。よって、刊行物１発明の「水素注入層４」は、補正発明の「微小気泡層」に相当し、また、刊行物１発明の「２×１０１６〜１×１０１７／ｃｍ２の水素イオン注入を行」う工程は、補正発明の「水素イオンまたは希ガスイオンを注入」する工程に相当する。
（ウ）上記「（ア）」及び「（イ）」において検討したとおりであるから、刊行物１発明の「シリコンウェーハ材１の表面にシリコン酸化膜２を形成し、前記シリコンウェーハ材１の一つの表面から２×１０１６〜１×１０１７／ｃｍ２の水素イオン注入を行って、前記シリコンウェーハ材１の内部に水素注入層４を形成した後、前記シリコンウェーハ材１の前記水素イオン注入を行った表面に、前記シリコン酸化膜２を介して別のシリコンウェーハ材を貼り合わせ、その後４００〜６００℃に加熱して、前記別のシリコンウェーハ材が貼り合わされた側の前記シリコンウェーハ材１の表面部分を前記水素注入層４から剥がす方法」は、補正発明の「少なくとも、二枚のシリコンウエーハの内、少なくとも一方に酸化膜を形成すると共に、一方のシリコンウエーハの上面から水素イオンまたは希ガスイオンを注入し、該ウエーハ内部に微小気泡層を形成させた後、該イオンを注入した方の面を酸化膜を介して他方のシリコンウエーハと密着させ、その後熱処理を加えて前記微小気泡層を劈開面として前記一方のウエーハを薄膜状に剥離する水素イオン注入剥離法」に相当する。
（エ）刊行物１発明の「４００〜６００℃に加熱して前記水素注入層４から前記シリコンウェーハ材１の表面部分を剥が」す工程は、補正発明の「剥離熱処理」を行う工程に相当し、刊行物１発明の「水素雰囲気中でアニールする」工程は、補正発明の「還元性雰囲気下の熱処理を加える」工程に相当する。
　
　よって、補正発明と刊行物１発明とは、
「少なくとも、二枚のシリコンウエーハの内、少なくとも一方に酸化膜を形成すると共に、一方のシリコンウエーハの上面から水素イオンまたは希ガスイオンを注入し、該ウエーハ内部に微小気泡層を形成させた後、該イオンを注入した方の面を酸化膜を介して他方のシリコンウエーハと密着させ、その後熱処理を加えて前記微小気泡層を劈開面として前記一方のウエーハを薄膜状に剥離する水素イオン注入剥離法によってＳＯＩウエーハを製造する方法において、剥離熱処理後、還元性雰囲気下の熱処理を加えることを特徴とするＳＯＩウエーハを製造する方法。」
　である点で一致し、以下の点で相違する。
〈相違点１〉
　補正発明は、「剥離熱処理後、酸化性雰囲気下の熱処理によりＳＯＩ層に酸化膜を形成した後に該酸化膜を除去し、次に還元性雰囲気下の熱処理を加える」ものであるのに対して、刊行物１発明は、「４００〜６００℃に加熱して前記水素注入層４から前記シリコンウェーハ材１の表面部分を剥がした後、水素雰囲気中でアニールする」ものであって、「４００〜６００℃に加熱して前記水素注入層４から前記シリコンウェーハ材１の表面部分を剥が」す工程の後であって、「水素雰囲気中でアニールする」工程の前に、酸化性雰囲気下の熱処理によりＳＯＩ層に酸化膜を形成した後に該酸化膜を除去する工程を行わない点。
　
（４−４）相違点についての検討
　以下、相違点について検討する。
〈相違点１について〉
（ア）刊行物２には、「しかしながら、ＳＩＭＯＸ技術の場合、シリコン基板内部に形成される埋込みシリコン酸化層がイオン注入により形成されるため、埋込みシリコン酸化層と単結晶シリコン層との境界における遷移領域に欠陥が発生し、リーク電流が発生するという問題があった。」（第２頁右上欄第１７行ないし同頁左下欄第３行）、「シリコン基板に不純物を添加して不純物濃度の異なる層を形成しておき、不純物濃度によりエッチング率が相違するエッチング液により、支持基板にはりあわせたシリコン基板を底面からエッチングし、不純物濃度の異なる層でエッチングをストップさせる。　しかしながら、この方法では高濃度不純物層から低濃度不純物層への遷移領域でエッチングが停止してしまう。このためエッチングにより露出したＳＯＩ基板の表面の不純物濃度が定まらないという問題があった。」（第２頁左下欄第８行ないし同頁同欄第１８行）及び「次に、欠陥の多い遷移領域１８が全て酸化されるように所定時間ウェット酸化を行いシリコン酸化層１８′を形成する（第１図（ｄ））。続いて、そのシリコン酸化層１８′をフッ酸（ＨＦ）を主成分とするエッチング液により選択的にエッチング除去する（第１図（ｅ））。このようにして露出された単結晶シリコン層１４は、表面における欠陥の多い遷移領域１８が除去され、良好な単結晶シリコン層１４がシリコン酸化層１６上に形成されたＳＯＩ基板となる。また、単結晶シリコン層１４はシリコン基板１０の不純物濃度と同じ値であるので予め正確に把握できる。」（第３頁左下欄第６行ないし同頁同欄第１７行）と記載されており、刊行物２には、イオン注入により形成された埋込みシリコン酸化層と隣接する単結晶シリコン層の表面は欠陥の多い遷移領域となることと、単結晶シリコン層の欠陥の多い遷移領域をウエット酸化することによりシリコン酸化層を形成し、続いて、当該シリコン酸化層をエッチング除去することによりＳＯＩ基板を形成する方法と、当該方法により、単結晶シリコン層の表面の欠陥の多い遷移領域を除去できること、及び単結晶シリコン層の不純物濃度を正確に把握しつつ、エッチングをストップする位置を制御できることとが記載されている。
　そして、刊行物２に記載された「ウエット酸化」及び「単結晶シリコン層」は、それぞれ補正発明の「酸化性雰囲気下の熱処理」及び「ＳＯＩ層」に相当し、刊行物２に記載された「シリコン酸化層」は、補正発明の「ＳＯＩ層」に形成された「酸化膜」に相当する。
（イ）刊行物１には、「このアニール炉により、図１（ｅ）の段階のシリコンウェーハ７を、摂氏１０５０度から１３５０度で水素雰囲気中で数１０秒から数１０分のアニールを行なう。これにより図１（ｆ）に示すような表面の平坦なシリコンウェーハ７が得られる。」（００１０段落）と記載されており、水素雰囲気中でアニールすることにより、「水素注入層４」から剥がされた「シリコンウェーハ材１の表面部分」の表面を平坦にできることが記載されている。
（ウ）そして、刊行物１発明及び刊行物２に記載された発明は、いずれもＳＯＩウエーハを製造する方法に関する技術分野に属するものであること、当該技術分野においてＳＯＩ層の欠陥を低減することは、ＳＯＩ層を平坦にすることと共に当然求められる周知の技術課題であること、さらに、刊行物１発明において、「水素注入層４」から剥がされた「シリコンウェーハ材１の表面部分」が、「水素注入層４」を形成するための「水素イオン注入」に伴い発生する欠陥を多く含む領域を、表面に有する層であることは明らかであることから、刊行物１発明において、刊行物２に記載された発明に基づき、「水素注入層４」から剥がされた「シリコンウェーハ材１の表面部分」の欠陥を低減し、かつ、その表面を平坦にするため、「４００〜６００℃に加熱して前記水素注入層４から前記シリコンウェーハ材１の表面部分を剥が」す工程の後であって、「水素雰囲気中でアニールする」工程の前に、「水素注入層４」から剥がされた「シリコンウェーハ材１の表面部分」の表面の欠陥の多い領域をウエット酸化することによりシリコン酸化層を形成し、続いて、当該シリコン酸化層をエッチング除去する工程を行い、補正発明の如く、「剥離熱処理後、酸化性雰囲気下の熱処理によりＳＯＩ層に酸化膜を形成した後に該酸化膜を除去し、次に還元性雰囲気下の熱処理を加える」ものとすることは、当業者が容易に想到し得たことである。
（エ）また、本願明細書等の発明の詳細な説明には、「【０００５】　そこで、剥離後のＳＯＩウエーハに酸化性雰囲気下の熱処理を行い、ＳＯＩ層に酸化膜を形成した後、該酸化膜を除去する、いわゆる犠牲酸化を行うことによりダメージ層を除去する方法が提案された。」、「【０００７】　そこで、水素イオン注入剥離法で得られたＳＯＩウエーハの表面を研磨することなく還元性雰囲気で熱処理することにより、ＳＯＩ層のダメージを回復させ、面粗さを改善する方法が提案された。」及び「【００６８】　【発明の効果】　以上説明したように、本発明では、水素イオン注入剥離法において、剥離後に、犠牲酸化と還元性雰囲気下の熱処理を組み合わせて行うことにより、ＳＯＩ層に残留するダメージ層、表面粗さを、ＳＯＩ層の膜厚均一性を維持しつつ、効率良く除去することができる。したがって、きわめて高品質のＳＯＩウエーハを高生産性で製造することができる。」と記載されているが、刊行物１には、上記「（イ）」において検討したとおり、水素雰囲気中でアニールすることにより、「水素注入層４」から剥がされた「シリコンウェーハ材１の表面部分」の表面を平坦にできることが記載されており、刊行物２には、上記「（ア）」において検討したとおり、単結晶シリコン層の欠陥の多い遷移領域をウエット酸化することによりシリコン酸化層を形成し、続いて、当該シリコン酸化層をエッチング除去することにより、欠陥の多い遷移領域を除去できることが記載されているのであるから、上記「（ウ）」において検討した如く、刊行物１発明に刊行物２に記載された発明を適用することにより、「水素注入層４」から剥がされた「シリコンウェーハ材１の表面部分」の表面の欠陥の多い領域を除去し、かつ、その表面を平坦にすることができること、すなわち、「ダメージ層」及び「表面粗さ」を除去できることは、当業者にとって予測できた範囲内のものである。よって、補正発明により、格別な効果を奏するとは認められない。
　
（４−５）独立特許要件についての検討のまとめ
　以上のとおりであるから、補正発明は、刊行物１及び刊行物２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができず、特許出願の際独立して特許を受けることができるものではない。
　したがって、請求項２についての補正を含む本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものであるから、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
（５）補正事項についての検討のまとめ
　上記「（３）」において検討したとおり、補正事項１及び２についての補正を含む本件補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定に違反するものであり、また、仮に、補正事項１及び２についての補正が、同法同条同項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するとみなしても、上記「（４）」において検討したとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものであるから、本件補正は、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明
　平成１８年５月１７日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし８に係る発明は、願書に最初に添付された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし８に記載された事項により特定されるものであり、その請求項２に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、上記「２．（１）」の「（補正前の請求項１及び２）」に請求項２として記載されている事項により特定されるとおりのものである。
　
４．刊行物に記載された発明
（１）刊行物２：特開平４−１１５５１１号公報
　刊行物２に記載される事項は、上記「２．（４）（４−２）（４−２−２）」の「刊行物２：特開平４−１１５５１１号公報」に記載したとおりである。
（２）刊行物３：特開平１０−２０００８０号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平１０−２０００８０号公報（以下、「刊行物３」という。）には、図２とともに以下の事項が記載されている。
「【００４５】シリコン基板上に非多孔質半導体層を形成するには、減圧ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、光ＣＶＤ、ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ−Ｏｒｇａｎｉｃ  ＣＶＤ）等のＣＶＤ法の他、スパッター法（バイアススパッター法を含む）、分子線エピタキシャル成長法、液相成長法等を採用することができる。」
「【００７１】［実施態様例２］図２は、本発明の実施態様例２の工程を示す模式断面図である。第１のＳｉ単結晶基板２１を用意して、第１基板の主表面から希ガス、水素、および、窒素のうち少なくとも１種の元素をイオン注入し、内部にイオン注入溜り２２を形成する（図２（ａ））。最表面層にＳｉＯ２２３を形成しておいた方が、イオン注入による表面荒れが防げる。ＳｉＯ２２３を除去した後、主表面上に少なくとも１層の非多孔質層２４を形成する（図２（ｂ））。
【００７２】次いで図２（ｃ）に示すように、第２の基板２６と第１の基板の表面とを例えば室温で密着させる。
【００７３】単結晶Ｓｉを堆積した場合には、単結晶Ｓｉの表面には熱酸化等の方法で酸化Ｓｉを形成したのち貼り合わせることが好ましい。図１は第２の基板と第１の基板とは絶縁層２５を介して貼り合わせた様子を示してあるが、非多孔質薄膜２４がＳｉでない場合、あるいは第２の基板がＳｉでない場合には絶縁層２５はなくてもよい。
【００７４】貼り合わせに際しては絶縁性の薄板を挟み、３枚重ねで貼り合わせることも可能である。
【００７５】次に、イオン注入溜り２２で基板を分離する（図２（ｄ））。
【００７６】次いで、イオン注入溜り２２を選択的に除去する。
【００７７】図２（ｅ）には、本発明で得られる半導体部材が示される。第２の基体２６上に非多孔質薄膜、例えば単結晶Ｓｉ薄膜２４が平坦に、しかも均一に薄層化されて、ウエハ全域に、大面積に形成される。第２の基体と第１の基体とを絶縁層２５を介して貼り合わせれば、こうして得られた半導体部材は、絶縁分離された電子素子作製という点から見ても好適に使用することができる。
【００７８】Ｓｉ単結晶基板２１は残留イオン注入溜り層２２を除去して、表面平坦性が許容できないほど荒れている場合には表面平坦化を行った後、再度第１のＳｉ単結晶基板２１、あるいは次の第２の基体２６として使用できる。」
「【０１８９】（実施例１４）第１の単結晶Ｓｉ基板上の主表面にＨ＋を１０ｋｅＶで５×１０１６ｃｍ−２イオン注入した。次いでＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により単結晶Ｓｉを０．３０μｍエピタキシャル成長した。成長条件は以下の通りである。
【０１９０】
ソースガス：ＳｉＨ２Ｃｌ２／Ｈ２ガス流量　：０．５／１８０ｌ／ｍｉｎ
ガス圧力　：８０Ｔｏｒｒ
温度　　　：９５０℃
成長速度　：０．３０μｍ／ｍｉｎ
さらに、このエピタキシャルＳｉ層表面に２００ｎｍのＳｉＯ２層を形成した。
【０１９１】該ＳｉＯ２層表面と、別に用意したＳｉ基板（第２の基板）の表面と、を重ね合わせ、接触させた後、６００℃でアニールしたところ、イオン注入の投影飛程付近で２枚に分離された。イオン注入層は多孔質状になっているため、分離した表面は荒れている。第２の基板側の表面は、４９％弗酸と３０％過酸化水素水との混合液で撹はんしながら選択エッチングした。単結晶Ｓｉはエッチングされずに残り、単結晶Ｓｉをエッチ・ストップの材料として、イオン注入層は選択エッチングされ、完全に除去された。
【０１９２】さらに、イオン注入深さに相当する第１の基板の残りをエッチングで除去した。
【０１９３】こうして、Ｓｉ酸化膜上に０．２μｍの厚みを持った単結晶Ｓｉ層が形成できた。形成された単結晶Ｓｉ層の膜厚を面内全面について１００点を測定したところ、膜厚の均一性は２０１ｎｍ±７ｎｍであった。
【０１９４】さらに水素中で１１００℃で熱処理を１時間施した。表面荒さを原子間力顕微鏡で評価したところ、５０μｍ角の領域での平均２乗粗さはおよそ０．２ｎｍで通常市販されているＳｉウエハと同等であった。
【０１９５】透過電子顕微鏡による断面観察の結果、Ｓｉ層には新たな結晶欠陥は導入されておらず、良好な結晶性が維持されていることが確認された。
【０１９６】また、第１の基体側に残ったイオン注入層もその後、４９％弗酸と３０％過酸化水素水との混合液で撹はんしながら選択エッチングした。その後、水素アニール、あるいは表面研磨等の表面処理を施して再び第１の基体としてあるいは第２の基体として投入することができた。」
　
（ア）刊行物３には、「イオン注入層は選択エッチングされ、完全に除去された。　【０１９２】さらに、イオン注入深さに相当する第１の基板の残りをエッチングで除去した。」（０１９１段落ないし０１９２段落）と記載されているから、イオン注入層が第１の単結晶半導体基板の表面よりもイオン注入深さだけ内部に位置すること、すなわち、第１の単結晶Ｓｉ基板上の主表面にＨ＋を１０ｋｅＶで５×１０１６ｃｍ−２イオン注入することにより形成されるイオン注入層が第１の単結晶Ｓｉ基板の表面ではなく内部に形成されることは明らかである。
　
　したがって、刊行物３には、以下の発明（以下、「刊行物３発明」という。）が記載されている。
「第１の単結晶Ｓｉ基板の主表面にＨ＋を５×１０１６ｃｍ−２イオン注入し、前記第１の単結晶Ｓｉ基板の内部にイオン注入層を形成する工程と、
　前記第１の単結晶Ｓｉ基板の主表面に単結晶Ｓｉをエピタキシャル成長する工程と、
　前記エピタキシャル成長された単結晶Ｓｉの表面にＳｉＯ２層を形成する工程と、
　前記第１の単結晶Ｓｉ基板に、エピタキシャル成長された前記単結晶Ｓｉ及び前記ＳｉＯ２層を介して、第２の単結晶Ｓｉ基板を重ね合わせ、接触させた後、６００℃でアニールすることにより前記第１の単結晶Ｓｉ基板を前記イオン注入層で分離する工程と、
　前記第２の単結晶Ｓｉ基板側の分離された前記イオン注入層を選択エッチングにより除去する工程と、
　イオン注入深さに相当する前記第１の単結晶Ｓｉ基板の残りである単結晶Ｓｉからなる層をエッチングで除去する工程と、
　水素中で１１００℃で熱処理を１時間施す工程とを順に行うことを特徴とする、ＳＯＩ基板を製造する方法。」
　
５．当審の判断
（１）対比
　本願発明と刊行物３発明とを対比する。
（ア）刊行物３発明の「６００℃でアニールすることにより前記第１の単結晶Ｓｉ基板を前記イオン注入層で分離する工程」は、本願発明の「剥離熱処理」に相当する。
（イ）本願発明の「酸化性雰囲気下の熱処理によりＳＯＩ層に酸化膜を形成した後に該酸化膜を除去」する工程により、「ＳＯＩ層」の表面が除去されることは明らかである。また、刊行物３発明の「前記第２の単結晶Ｓｉ基板側の分離された前記イオン注入層を選択エッチングにより除去する工程と、　イオン注入深さに相当する前記第１の単結晶Ｓｉ基板の残りである単結晶Ｓｉからなる層をエッチングで除去する工程」により、「第２の単結晶Ｓｉ基板」の上に「ＳｉＯ２層」を介して形成されたエピタキシャル成長された「単結晶Ｓｉ」、「第１の単結晶Ｓｉ基板」の残りである「単結晶Ｓｉ」、及び「イオン注入層」のうち、「第１の単結晶Ｓｉ基板」の残りである「単結晶Ｓｉ」、及び「イオン注入層」が除去されることも明らかであり、ここで、「第２の単結晶Ｓｉ基板」の上に「ＳｉＯ２層」を介して形成されたエピタキシャル成長された「単結晶Ｓｉ」、「第１の単結晶Ｓｉ基板」の残りである「単結晶Ｓｉ」、及び「イオン注入層」は、本願発明の「ＳＯＩ層」に相当する。
　よって、本願発明の「酸化性雰囲気下の熱処理によりＳＯＩ層に酸化膜を形成した後に該酸化膜を除去」する工程と、刊行物３発明の「前記第２の単結晶Ｓｉ基板側の分離された前記イオン注入層を選択エッチングにより除去する工程と、　イオン注入深さに相当する前記第１の単結晶Ｓｉ基板の残りである単結晶Ｓｉからなる層をエッチングで除去する工程」とは、ＳＯＩ層の表面を除去する工程である点で共通するものである。
（ウ）刊行物３発明の「水素中で１１００℃で熱処理を１時間施す工程」は、本願発明の「還元性雰囲気下の熱処理を加える」工程に相当する。
（エ）刊行物３発明の「ＳＯＩ基板」は、本願発明の「ＳＯＩウエーハ」に相当する。
　
　したがって、本願発明と刊行物３発明とは、
「剥離熱処理後、ＳＯＩ層の表面を除去し、次に還元性雰囲気下の熱処理を加えることを特徴とするＳＯＩウエーハを製造する方法。」
　である点で一致し、以下の点で相違する。
　
〈相違点１〉
　本願発明は、「水素イオン注入剥離法によってＳＯＩウエーハを製造する方法」であるのに対し、刊行物３発明は、「第１の単結晶Ｓｉ基板の主表面にＨ＋を５×１０１６ｃｍ−２イオン注入し、前記第１の単結晶Ｓｉ基板の内部にイオン注入層を形成する工程と、　前記第１の単結晶Ｓｉ基板の主表面に単結晶Ｓｉをエピタキシャル成長する工程と、　前記エピタキシャル成長された単結晶Ｓｉの表面にＳｉＯ２層を形成する工程と、　前記第１の単結晶Ｓｉ基板に、エピタキシャル成長された前記単結晶Ｓｉ及び前記ＳｉＯ２層を介して、第２の単結晶Ｓｉ基板を重ね合わせ、接触させた後、６００℃でアニールすることにより前記第１の単結晶Ｓｉ基板を前記イオン注入層で分離する工程と、　前記第２の単結晶Ｓｉ基板側の分離された前記イオン注入層を選択エッチングにより除去する工程と、　イオン注入深さに相当する前記第１の単結晶Ｓｉ基板の残りである単結晶Ｓｉからなる層をエッチングで除去する工程と、　水素中で１１００℃で熱処理を１時間施す工程とを順に行うことを特徴とする、ＳＯＩ基板を製造する方法。」であり、水素イオン注入剥離法によりＳＯＩ基板を製造する方法であることが明示されていない点。
　
〈相違点２〉
　本願発明は、「ＳＯＩ層の表面を除去」する工程が、「酸化性雰囲気下の熱処理によりＳＯＩ層に酸化膜を形成した後に該酸化膜を除去」する工程であるのに対し、刊行物３発明は、「前記第２の単結晶Ｓｉ基板側の分離された前記イオン注入層を選択エッチングにより除去する工程と、　イオン注入深さに相当する前記第１の単結晶Ｓｉ基板の残りである単結晶Ｓｉからなる層をエッチングで除去する工程」である点。
　
（２）相違点についての検討
　上記相違点について検討する。
〈相違点１について〉
（ア）本願明細書等の発明の詳細な説明には、「【０００２】　【従来の技術】　最近、ＳＯＩウエーハの製造方法として、イオン注入したウエーハを結合後に剥離してＳＯＩウエーハを製造する方法（水素イオン注入剥離法：スマートカット法と呼ばれる技術）が新たに注目され始めている。この方法は、二枚のシリコンウエーハの内、少なくとも一方に酸化膜を形成すると共に、一方のシリコンウエーハの上面から水素イオンまたは希ガスイオンを注入し、該ウエーハ内部に微小気泡層（封入層）を形成させた後、該イオンを注入した方の面を酸化膜を介して他方のシリコンウエーハと密着させ、その後熱処理（剥離熱処理）を加えて微小気泡層を劈開面として一方のウエーハを薄膜状に剥離し、さらに熱処理（結合熱処理）を加えて強固に結合してＳＯＩウエーハとする技術（特開平５−２１１１２８号参照）である。」と記載されているが、本願明細書等の発明の詳細な説明には、「【０００１】　【発明の属する技術分野】　本発明は、イオン注入したウエーハを結合後に剥離してＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ　Ｏｎ　Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）ウエーハを製造する、いわゆる水素イオン注入剥離法（スマートカット法とも呼ばれている）において、剥離後にＳＯＩ層上に残留するダメージ層、表面粗さを除去するとともに、工程の簡略化を図る方法に関する。」、及び「【００６６】　例えば、上記では２枚のシリコンウエーハを結合してＳＯＩウエーハを作製する場合を中心に説明したが、本発明は、この場合に限定されるものではなく、シリコンウエーハにイオン注入後に絶縁性ウエーハと結合し、シリコンウエーハを剥離してＳＯＩウエーハを製造する場合にも当然に適用可能である。　【００６７】　また、本発明のＳＯＩウエーハの製造工程も、図１に示したものに限定されるものではなく、この工程には、洗浄、熱処理等の他の工程が付加されることもあるし、あるいは一部工程順の入れ替え、省略等が目的に応じて適宜行うことができるものである。」と記載されているから、「水素イオン注入剥離法」とは、ＳＯＩウエーハを製造する方法において用いられる、イオン注入したウエーハを結合後に剥離する工程であり、「水素イオン注入剥離法によりＳＯＩウエーハを製造する方法」は、「二枚のシリコンウエーハの内」「少なくとも一方」「のシリコンウエーハの上面から水素イオンまたは希ガスイオンを注入し、該ウエーハ内部に微小気泡層（封入層）を形成させた後」「該イオンを注入した方の面を」「他方のウエーハと密着させ」「熱処理（剥離熱処理）を加えて微小気泡層を劈開面として一方のウエーハを薄膜状に剥離」する工程を含む「ＳＯＩウエーハを製造する方法」であることは明らかであり、本願明細書等の発明の詳細な説明の０００２段落に記載された上記「少なくとも一方に酸化膜を形成する」工程、「該イオンを注入した方の面を酸化膜を介して他方のシリコンウエーハと密着させ」る工程、及び「熱処理（結合熱処理）を加えて強固に結合」する工程は、上記「水素イオン注入剥離法によりＳＯＩウエーハを製造する方法」において適宜付加される工程であると認められる。
（イ）一方、刊行物３発明は、「第１の単結晶Ｓｉ基板の主表面にＨ＋を５×１０１６ｃｍ−２イオン注入し、前記第１の単結晶Ｓｉ基板の内部にイオン注入層を形成する工程」、「第１の単結晶Ｓｉ基板に」「第２の単結晶Ｓｉ基板を重ね合わせ、接触させ」る工程、及び「６００℃でアニールすることにより前記第１の単結晶Ｓｉ基板を前記イオン注入層で分離する工程」を含む「ＳＯＩ基板を製造する方法」である。
　ここで、本願明細書等の発明の詳細な説明には「【００５１】　まず、図１の（ａ）〜（ｅ）にしたがい、ボンドウエーハ２を剥離して、ＳＯＩウエーハ６を得た。この時、ＳＯＩ層７の厚さを４００ｎｍ、埋め込み酸化膜３の厚さは７００ｎｍとし、その他イオンの注入等の主な条件は次の通りとした。　１）水素注入条件：Ｈ＋　イオン、注入エネルギー　１２５ｋｅＶ　注入線量　８×１０１６／ｃｍ２　２）剥離熱処理条件：Ｎ２ガス雰囲気下、５００℃、３０分」と記載されており、本願発明の実施例において、８×１０１６／ｃｍ２の注入線量と、５００℃の熱処理温度を用いることが記載されている。
　そして、刊行物３発明における注入線量及び熱処理温度は、「５×１０１６ｃｍ−２」及び「６００℃」であるから、本願明細書等の発明の詳細な説明に記載された本願発明の実施例における上記値と同程度である。よって、刊行物３発明の「第１の単結晶Ｓｉ基板の主表面にＨ＋を５×１０１６ｃｍ−２イオン注入し、前記第１の単結晶Ｓｉ基板の内部にイオン注入層を形成する工程」、「前記第１の単結晶Ｓｉ基板に」「第２の単結晶Ｓｉ基板を重ね合わせ、接触させ」る工程、及び「６００℃でアニールすることにより前記第１の単結晶Ｓｉ基板を前記イオン注入層で分離する工程」は、本願明細書等の発明の詳細な説明に記載された「二枚のシリコンウエーハの内」「少なくとも一方」「のシリコンウエーハの上面から水素イオンまたは希ガスイオンを注入し、該ウエーハ内部に微小気泡層（封入層）を形成させた後」「該イオンを注入した方の面を」「他方のウエーハと密着させ」「熱処理（剥離熱処理）を加えて微小気泡層を劈開面として一方のウエーハを薄膜状に剥離」する工程に他ならない。
（ウ）したがって、刊行物３発明の「第１の単結晶Ｓｉ基板の主表面にＨ＋を５×１０１６ｃｍ−２イオン注入し、前記第１の単結晶Ｓｉ基板の内部にイオン注入層を形成する工程と、　前記第１の単結晶Ｓｉ基板の主表面に単結晶Ｓｉをエピタキシャル成長する工程と、　前記エピタキシャル成長された単結晶Ｓｉの表面にＳｉＯ２層を形成する工程と、　前記第１の単結晶Ｓｉ基板に、エピタキシャル成長された前記単結晶Ｓｉ及び前記ＳｉＯ２層を介して、第２の単結晶Ｓｉ基板を重ね合わせ、接触させた後、６００℃でアニールすることにより前記第１の単結晶Ｓｉ基板を前記イオン注入層で分離する工程と、　前記第２の単結晶Ｓｉ基板側の分離された前記イオン注入層を選択エッチングにより除去する工程と、　イオン注入深さに相当する前記第１の単結晶Ｓｉ基板の残りである単結晶Ｓｉからなる層をエッチングで除去する工程と、　水素中で１１００℃で熱処理を１時間施す工程とを順に行うことを特徴とする、ＳＯＩ基板を製造する方法。」は、「二枚のシリコンウエーハの内」「少なくとも一方」「のシリコンウエーハの上面から水素イオンまたは希ガスイオンを注入し、該ウエーハ内部に微小気泡層（封入層）を形成させた後」「該イオンを注入した方の面を」「他方のウエーハと密着させ」「熱処理（剥離熱処理）を加えて微小気泡層を劈開面として一方のウエーハを薄膜状に剥離」する工程を含むものであるから、本願発明の「水素イオン注入剥離法によってＳＯＩウエーハを製造する方法」であることは明らかであり、本願発明と刊行物３発明とは、相違点１において実質的に相違しない。
　
〈相違点２について〉
（ア）刊行物２には、「しかしながら、ＳＩＭＯＸ技術の場合、シリコン基板内部に形成される埋込みシリコン酸化層がイオン注入により形成されるため、埋込みシリコン酸化層と単結晶シリコン層との境界における遷移領域に欠陥が発生し、リーク電流が発生するという問題があった。」（第２頁右上欄第１７行ないし同頁左下欄第３行）、「シリコン基板に不純物を添加して不純物濃度の異なる層を形成しておき、不純物濃度によりエッチング率が相違するエッチング液により、支持基板にはりあわせたシリコン基板を底面からエッチングし、不純物濃度の異なる層でエッチングをストップさせる。　しかしながら、この方法では高濃度不純物層から低濃度不純物層への遷移領域でエッチングが停止してしまう。このためエツチングにより露出したＳＯＩ基板の表面の不純物濃度が定まらないという問題があった。」（第２頁左下欄第８行ないし同頁同欄第１８行）及び「次に、欠陥の多い遷移領域１８が全て酸化されるように所定時間ウェット酸化を行いシリコン酸化層１８′を形成する（第１図（ｄ））。続いて、そのシリコン酸化層１８′をフッ酸（ＨＦ）を主成分とするエッチング液により選択的にエッチング除去する（第１図（ｅ））。このようにして露出された単結晶シリコン層１４は、表面における欠陥の多い遷移領域１８が除去され、良好な単結晶シリコン層１４がシリコン酸化層１６上に形成されたＳＯＩ基板となる。また、単結晶シリコン層１４はシリコン基板１０の不純物濃度と同じ値であるので予め正確に把握できる。」（第３頁左下欄第６行ないし同頁同欄第１７行）と記載されており、刊行物２には、イオン注入により形成された埋込みシリコン酸化層と隣接する単結晶シリコン層の表面は欠陥の多い遷移領域となることと、単結晶シリコン層の欠陥の多い遷移領域をウエット酸化することによりシリコン酸化層を形成し、続いて、当該シリコン酸化層をエッチング除去することによりＳＯＩ基板を形成する方法と、当該方法により、単結晶シリコン層の表面の欠陥の多い遷移領域を除去できること、及び単結晶シリコン層の不純物濃度を正確に把握しつつ、エッチングをストップする位置を制御できることとが記載されている。
　そして、刊行物２に記載された「ウエット酸化」及び「単結晶シリコン層」は、それぞれ本願発明の「酸化性雰囲気下の熱処理」及び「ＳＯＩ層」に相当し、刊行物２に記載された「シリコン酸化層」は、本願発明の「ＳＯＩ層」に形成された「酸化膜」に相当する。
（イ）刊行物３には、「【０１９３】こうして、Ｓｉ酸化膜上に０．２μｍの厚みを持った単結晶Ｓｉ層が形成できた。形成された単結晶Ｓｉ層の膜厚を面内全面について１００点を測定したところ、膜厚の均一性は２０１ｎｍ±７ｎｍであった。　【０１９４】さらに水素中で１１００℃で熱処理を１時間施した。表面荒さを原子間力顕微鏡で評価したところ、５０μｍ角の領域での平均２乗粗さはおよそ０．２ｎｍで通常市販されているＳｉウエハと同等であった。」と記載されているように、水素中で熱処理をすることにより、単結晶Ｓｉ層の表面粗さを改善できることが記載されている。
（ウ）そして、刊行物３発明及び刊行物２に記載された発明は、いずれもＳＯＩウエーハを製造する方法に関する技術分野に属するものであること、当該技術分野においてＳＯＩ層の欠陥を低減することは、ＳＯＩ層を平坦にすることと共に当然求められる周知の技術課題であること、さらに、刊行物３発明において、「前記第２の単結晶Ｓｉ基板側の分離された前記イオン注入層」及び「イオン注入深さに相当する前記第１の単結晶Ｓｉ基板の残りである単結晶Ｓｉからなる層」は、いずれも「イオン注入層」を形成するためのイオン注入に伴い発生する欠陥の多い領域であることは明らかであること、さらに、刊行物３発明の「イオン注入深さに相当する前記第１の単結晶Ｓｉ基板の残りである単結晶Ｓｉからなる層をエッチングで除去する工程」においても、エッチングをストップする位置を容易に制御できることが望ましいことは明らかであることから、刊行物３発明において、刊行物２に記載された発明に基づき、「イオン注入」に伴い発生する欠陥の多い領域を除去し、かつ、そのエッチング工程を簡単に行い、さらに、エピタキシャル成長された「単結晶Ｓｉ」の表面を平坦にするため、「前記第２の単結晶Ｓｉ基板側の分離された前記イオン注入層を選択エッチングにより除去する工程と、　イオン注入深さに相当する前記第１の単結晶Ｓｉ基板の残りである単結晶Ｓｉからなる層をエッチングで除去する工程」に換えて、「前記第２の単結晶Ｓｉ基板側の分離された前記イオン注入層」及び「イオン注入深さに相当する前記第１の単結晶Ｓｉ基板の残りである単結晶Ｓｉからなる層」をウエット酸化することによりシリコン酸化層を形成し、続いて、当該シリコン酸化層をエッチング除去する工程を行い、本願発明の如く、「酸化性雰囲気下の熱処理によりＳＯＩ層に酸化膜を形成した後に該酸化膜を除去」するものとすることは、当業者が容易になし得たことである。
（エ）また、本願明細書等の発明の詳細な説明には、「【０００５】　そこで、剥離後のＳＯＩウエーハに酸化性雰囲気下の熱処理を行い、ＳＯＩ層に酸化膜を形成した後、該酸化膜を除去する、いわゆる犠牲酸化を行うことによりダメージ層を除去する方法が提案された。」、「【０００７】　そこで、水素イオン注入剥離法で得られたＳＯＩウエーハの表面を研磨することなく還元性雰囲気で熱処理することにより、ＳＯＩ層のダメージを回復させ、面粗さを改善する方法が提案された。」及び「【００６８】　【発明の効果】　以上説明したように、本発明では、水素イオン注入剥離法において、剥離後に、犠牲酸化と還元性雰囲気下の熱処理を組み合わせて行うことにより、ＳＯＩ層に残留するダメージ層、表面粗さを、ＳＯＩ層の膜厚均一性を維持しつつ、効率良く除去することができる。したがって、きわめて高品質のＳＯＩウエーハを高生産性で製造することができる。」と記載されているが、刊行物３には、上記「（イ）」において検討したとおり、水素中で熱処理をすることにより、単結晶Ｓｉ層の表面粗さを改善できることが記載されており、刊行物２には、上記「（ア）」において検討したとおり、単結晶シリコン層の欠陥の多い遷移領域をウエット酸化することによりシリコン酸化層を形成し、続いて、当該シリコン酸化層をエッチング除去することにより、欠陥の多い遷移領域を除去できることが記載されているのであるから、上記「（ウ）」において検討した如く、刊行物３発明に刊行物２に記載された発明を適用することにより、欠陥の多い領域である「前記第２の単結晶Ｓｉ基板側の分離された前記イオン注入層」及び「イオン注入深さに相当する前記第１の単結晶Ｓｉ基板の残りである単結晶Ｓｉからなる層」を除去でき、かつ、その表面を平坦にすることができること、すなわち、「ダメージ層」及び「表面粗さ」を除去できることは、当業者にとって予測できた範囲内のものである。よって、本願発明により、格別な効果を奏するとは認められない。
（オ）なお、請求人は、審判請求書において、「また、前述しましたように、上記単結晶Ｓｉのエピタキシャル成長を行うとしましても、多孔質層における分離工程（６００℃）を行うよりも前に、エピタキシャル成長工程（９５０℃）において基板が分離するはずですから、エピタキシャル成長工程以降の工程を実施することはできず、実施例１４の記載は事実に反しており、やはり実施例１４を実行することはできません。」と主張しているので、この点について付言しておく。
　刊行物３には、「【０１８９】（実施例１４）第１の単結晶Ｓｉ基板上の主表面にＨ＋を１０ｋｅＶで５×１０１６ｃｍ−２イオン注入した。次いでＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により単結晶Ｓｉを０．３０μｍエピタキシャル成長した。成長条件は以下の通りである。　【０１９０】　ソースガス：ＳｉＨ２Ｃｌ２／Ｈ２　ガス流量　：０．５／１８０ｌ／ｍｉｎ　ガス圧力　：８０Ｔｏｒｒ　温度　：９５０℃　成長速度　：０．３０μｍ／ｍｉｎ　さらに、このエピタキシャルＳｉ層表面に２００ｎｍのＳｉＯ２層を形成した。　【０１９１】該ＳｉＯ２層表面と、別に用意したＳｉ基板（第２の単結晶Ｓｉ基板）の表面と、を重ね合わせ、接触させた後、６００℃でアニールしたところ、イオン注入の投影飛程付近で２枚に分離された。」と記載されており、６００℃でアニールすることにより第１の単結晶Ｓｉ基板を分離する工程の前に、９５０℃の条件でＣＶＤ法により単結晶Ｓｉをエピタキシャル成長する工程を行う旨記載されているが、「単結晶Ｓｉ」をエピタキシャル成長する時間が、「第１の単結晶Ｓｉ基板」を「分離」するために必要な熱処理時間よりも十分短ければ、「第１の単結晶Ｓｉ基板」を「分離」することなく「単結晶Ｓｉ」をエピタキシャル成長することが可能であることは、当業者にとって明らかである。例えば、刊行物３に記載された実施例において、「単結晶Ｓｉ」は、成長速度が０．３０μｍ／ｍｉｎとなる条件で、０．３μｍの厚さでエピタキシャル成長され、成長時間は１分であるから、「第１の単結晶Ｓｉ基板」の面積が大きく「分離」するために必要な時間が１分よりも十分長い場合には、第１の単結晶Ｓｉ基板を分離することなく単結晶Ｓｉをエピタキシャル成長することが可能であることは、当業者にとって自明である。また、刊行物３には、「【００４５】シリコン基板上に非多孔質半導体層を形成するには、減圧ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、光ＣＶＤ、ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ−Ｏｒｇａｎｉｃ　ＣＶＤ）等のＣＶＤ法の他、スパッター法（バイアススパッター法を含む）、分子線エピタキシャル成長法、液相成長法等を採用することができる。」と記載されており、低温成長が可能な光ＣＶＤ等の方法により単結晶Ｓｉをエピタキシャル成長させることも示唆されているのであるから、刊行物３発明において、第１の単結晶基板を分離するために必要な時間が短い場合には、低温成長が可能な光ＣＶＤ等の方法を用い、第１の単結晶Ｓｉ基板を分離することなく単結晶Ｓｉをエピタキシャル成長できることも、当業者にとって明らかである。
　よって、刊行物３は、「前記第１の単結晶Ｓｉ基板の主表面に単結晶Ｓｉをエピタキシャル成長する工程」よりも後に、「６００℃でアニールすることにより前記第１の単結晶Ｓｉ基板を前記イオン注入層で分離する工程」を実施することを、当業者が容易になし得た程度に記載されているから、上記請求人の主張を採用することはできない。
　
　したがって、本願発明は、刊行物３及び刊行物２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項について検討するまでもなく拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。