(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップを搭載した第１の導体と、上記半導体チップとワイヤを介して導通接続された第２の導体と、上記半導体チップと上記ワイヤとを封入した樹脂パッケージとを具備しているとともに、上記第１の導体と第２の導体とのそれぞれの一部は、上記樹脂パッケージの外部に位置する面実装用の端子部とされている、半導体装置であって、
上記第１の導体と上記第２の導体との少なくとも一方は、上記樹脂パッケージの内部から底面部に向けて延びた延伸部と、この延伸部に屈曲して繋がった屈曲部とを有し、この屈曲部が上記樹脂パッケージの底面部からその外部に露出して面実装用の端子部とされており、
上記延伸部は、厚みよりも幅の方が大きい板状であり、この延伸部の幅方向は上記ワイヤが延びる方向と一致していることを特徴とする、半導体装置。
【請求項２】
上記第２の導体が、上記延伸部および上記屈曲部を備えた構成とされており、
上記第１の導体は、上記半導体チップの全体または一部を囲む凹面状の内壁面を有する略カップ状または略受け皿状の補助部を有しており、かつこの補助部の底部は、上記樹脂パッケージの底面部からその外部に露出した面実装用の端子部とされている、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
上記第１の導体と上記第２の導体とのそれぞれが、上記延伸部および上記屈曲部を備えた構成とされている、請求項１に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【技術分野】
本願発明は、回路基板などの所望部分にハンダリフロー法を用いて面実装できるように構成された半導体装置に関する。
【０００２】
【背景技術および発明が解決しようとする課題】
従来の半導体装置の一例としては、図１１に示すように、ＬＥＤチップ１ｆを用いた光源装置として構成されたものがある。この光源装置は、チップ状の基板９６の上面部にＬＥＤチップ１ｆおよびこれに導通するワイヤＷをボンディングし、それらをエポキシ樹脂などの透明樹脂９７によって被覆した構造である。
【０００３】
ところが、このような構成の光源装置は、チップ状の基板９６の外面に面実装用の端子部やそれに導通した導電配線部（図示略）を形成しなければならず、そのための作業が非常に煩雑である。したがって、上記構成の光源装置では、金属板を打ち抜きプレスした製造用フレームから製造されるいわゆるフレームタイプの半導体装置と比較すると、その生産性はかなり悪く、その製造コストが高価になるという難点がある。
【０００４】
そこで、本願発明者らは、ＬＥＤチップを用いた光源装置についても、図１０に示す半導体装置Ｂのように、いわゆるフレームタイプの半導体装置として構成することを、本願発明に先立って着想した。すなわち、この半導体装置Ｂは、ＬＥＤチップ１ｅを搭載した第１のリード９１ａ、上記ＬＥＤチップ１ｅとワイヤＷを介して接続された第２のリード９１ｂ、および上記ＬＥＤチップ１ｅおよびワイヤＷを封入した透明な樹脂パッケージ９２を具備している。上記第１のリード９１ａおよび第２のリード９１ｂのそれぞれには、樹脂パッケージ９２の側面部９２ａ，９２ｂからその外部に延出した外部リード部９３ａ，９３ｂが設けられており、これら外部リード部９３ａ，９３ｂの先端部分が面実装用の端子部９４ａ，９４ｂとされている。ただし、これらの端子部９４ａ，９４ｂの下向き面は、上記樹脂パッケージ９２の底面部９２ｃと同等高さ、またはそれよりも低い高さに設定する必要がある。このため、上記半導体装置Ｂでは、上記外部リード部９３ａ，９３ｂには、樹脂パッケージ９２の上下厚み方向に起立した起立部９５ａ，９５ｂが形成された構成となる。
【０００５】
このような構成の半導体装置Ｂは、第１のリード９１ａや第２のリード９１ｂの原型となる部分を備えた製造用フレームを利用して能率良く製造することができる。したがって、先の図１１に示したものと比較すると、その生産能率をかなり向上させて、その製造コストを安価にすることができる。
【０００６】
しかしながら、上記半導体装置Ｂでは、次に述べるように、ハンダリフロー法を用いた面実装作業を行う場合に、樹脂パッケージ９２の熱膨張や収縮作用に起因して、ワイヤＷに断線を生じる場合があり、その実用化が難しいものとなっていた。
【０００７】
すなわち、ハンダリフロー法では、まず基板８８の表面に設けられた導体パッド部８７，８７にクリームハンダを塗布した後に、そのクリームハンダ上に上記端子部９４ａ，９４ｂを重ね合わせるようにして上記基板８８上に半導体装置Ｂをセッティングする。次いで、その基板８８をリフロー炉に搬入させることによって、上記クリームハンダをたとえば２４０°Ｃ程度に加熱してからその後冷却させる。ただし、このような加熱工程および冷却工程時には樹脂パッケージ９２が膨張および収縮を行う。その一方、樹脂パッケージ９２としては、材料コストが比較的安価である点、ならびにトランスファ成形法による樹脂モールド作業が容易であるなどの観点から、エポキシ樹脂が多用されているが、フィラを含有しない透明エポキシ樹脂の線膨張係数は、フィラを含有する黒色樹脂の線膨張係数と比較するとかなり大きく、むろん銅製などの第１のリード９１ａや第２のリード９１ｂの線膨張係数よりも大きい。
【０００８】
このため、ハンダペーストの加熱時には、樹脂パッケージ９２の全体が符号Ｎａの仮想線に示すように大きく熱膨張する現象を生じる。ただし、この加熱時においては、端子部９４ａ，９４ｂは、未だ導体パッド部８７，８７には固定されておらず、フリーの状態にある。したがって、上記樹脂パッケージ９２の熱膨張時には、矢印Ｎｂ，Ｎｂに示すように、２本のリード９１ａ，９１ｂが互いに離反する方向へ移動する事態を生じる。上記樹脂パッケージ９２の熱膨張時の各所の変位量は、樹脂パッケージ９２の中央部ほど小さく、その端部になるほど大きくなるため、上記図１０に示す半導体装置Ｂの断面部分では、樹脂パッケージ２の側面部９２ａ，９２ｃの位置の変位量が最も大きくなる。
【０００９】
これに対し、上記半導体装置Ｂは、２本のリード９１ａ，９１ｂがいずれも樹脂パッケージ９２の幅方向に延びており、それらの一部は、樹脂パッケージ９２の幅方向最端部の２つの側面部９２ａ，９２ｂからその外部に延出している。したがって、上記半導体装置Ｂでは、２本のリード９１ａ，９１ｂが樹脂パッケージ９２の最も大きく変位する部分の影響を受け易く、これら２本のリード９１ａ，９１ｂを互いに離反する方向に大きく移動させようとする力が発生し易くなっていた。その結果、上記２本のリード９１ａ，９１ｂ間に接続されているワイヤＷに大きな引張力が生じ、このワイヤＷが断線する場合があった。とくに、上記半導体装置Ｂでは、２本のリード９１ａ，９１ｂに起立部９５ａ，９５ｂを設けているが、これらの起立部９５ａ，９５ｂに樹脂パッケージ９２の側面部９２ａ，９２ｂが広い面積で接触すると、２本のリード９１ａ，９１ｂは樹脂パッケージ９２から大きな力をより受け易くなり、その移動量が大きくなるために、上記ワイヤＷが一層断線し易くなっていたのである。
【００１０】
また、上記半導体装置Ｂでは、樹脂パッケージ９２の熱膨張時において仮にワイヤＷが断線しなくても、次に述べるように、ハンダの冷却工程においてワイヤＷに断線を生じる場合もあった。すなわち、溶融したハンダが固化する温度はたとえば１８３°Ｃであるのに対し、上記樹脂パッケージ９２のガラス転移温度はそれよりも低温であり、たとえばフィラを含有しない透明エポキシ樹脂のガラス転移温度は１２０°Ｃ程度である。このため、溶融ハンダの冷却工程では、２本のリード９１ａ，９１ｂが基板８８にハンダ付けされて固定された後においても、上記樹脂パッケージ９２はかなり収縮する。また、その際の樹脂パッケージ９２の各部の変位量は、やはりこの樹脂パッケージ９２の幅方向端部になるほど大きい。ところが、上記半導体装置Ｂでは、既述したとおり、樹脂パッケージ９２の熱膨張時において２本のリード９１ａ，９１ｂが互いに離反する方向へ大きく移動しているため、樹脂パッケージ９２の収縮時においてはそれら２本のリード９１ａ，９１ｂがその分だけ樹脂パッケージ９２の幅方向端部寄りに位置することとなる。したがって、２本のリード９１ａ，９１ｂにボンディングされているＬＥＤチップ１ｅやワイヤＷには、樹脂パッケージ９２が収縮する際に大きな応力が作用し易くなり、上記ワイヤＷが断線し易くなっていたのである。
【００１１】
このような実情のため、従来では、上記図１０に示した構造をもつ半導体装置Ｂの実用化が困難となっていた。
【００１２】
本願発明は、このような事情のもとで考え出されたものであって、いわゆるフレームタイプの半導体装置をハンダリフロー法を用いて基板などの所望箇所に面実装するときに、その樹脂パッケージに大きな熱膨張や収縮を生じる事態を生じてもそれに起因してワイヤが断線しないようにすることをその課題としている。
【００１３】
【発明の開示】
上記の課題を解決するため、本願発明では、次の技術的手段を講じている。
【００１４】
本願発明によって提供される半導体装置は、半導体チップを搭載した第１の導体と、上記半導体チップとワイヤを介して導通接続された第２の導体と、上記半導体チップと上記ワイヤとを封入した樹脂パッケージとを具備しているとともに、上記第１の導体と第２の導体とのそれぞれの一部は、上記樹脂パッケージの外部に位置する面実装用の端子部とされている、半導体装置であって、上記第１の導体と上記第２の導体との少なくとも一方は、上記樹脂パッケージの内部から底面部に向けて延びた延伸部と、この延伸部に屈曲して繋がった屈曲部とを有し、この屈曲部が上記樹脂パッケージの底面部からその外部に露出して面実装用の端子部とされており、上記延伸部は、厚みよりも幅の方が大きい板状であり、この延伸部の幅方向は上記ワイヤが延びる方向と一致していることに特徴づけられる。
【００１６】
本願発明では、第１の導体と第２の導体との少なくとも一方を樹脂パッケージの底面部から外部に一部露出させることにより、この露出部分を面実装用の端子部としている。このため、第１の導体と第２の導体との少なくとも一方については、樹脂パッケージの底面部と略同等高さの面実装用の端子部を形成する手段として、その導体の一部を樹脂パッケージの側面部からその外部に露出させた上でその露出部分に樹脂パッケージの厚み方向に起立した起立部を設けるような必要はなくなり、上記導体が樹脂パッケージの幅方向端部領域やその側方外部に大きなウエイトを占めて存在しないものとすることができる。したがって、本願発明では、ハンダリフロー法を用いてこの半導体装置の面実装作業を行う際の加熱工程において、上記樹脂パッケージが熱膨張しても、上記第１の導体と第２の導体との少なくとも一方については、その樹脂パッケージの幅方向端部領域の大きな変位の影響を受け難くすることができ、第１の導体と第２の導体とが互いに離反する方向へ大きく移動しないようにすることができる。その結果、それら第１の導体と第２の導体との間に繋がれているワイヤに大きな引張力が生じないようにでき、ワイヤの断線を防止することが可能となる。また、樹脂パッケージの熱膨張時における第１の導体と第２の導体との移動量を小さくできれば、その後の冷却工程において上記樹脂パッケージが収縮するときに、その収縮量が多い樹脂パッケージの幅方向端部の影響を受け難くすることができ、やはりワイヤの断線を防止することが可能となる。したがって、本願発明によれば、ワイヤ接続が適切になされている品質の良い半導体装置を提供することができる。むろん、本願発明によって提供される半導体装置は、薄肉金属板を打ち抜きプレスした製造用フレームを利用して製造することが可能ないわゆるフレームタイプの半導体装置であるから、その生産性も高いものにできる。
【００１７】
さらに、本願発明では、第１の導体と第２の導体との少なくとも一方については、樹脂パッケージの側面部からその側方に大きくはみ出した恰好に形成する必要はない。このため、半導体装置の横幅を小さくし、その小型化が図ることができるという効果も得られる。
【００１８】
本願発明の好ましい実施の形態では、上記第２の導体が、上記延伸部および上記屈曲部を備えた構成とされており、上記第１の導体は、上記半導体チップの全体または一部を囲む凹面状の内壁面を有する略カップ状または略受け皿状の補助部を有しており、かつこの補助部の底部は、上記樹脂パッケージの底面部からその外部に露出した面実装用の端子部とされている構成とすることができる。
【００１９】
このような構成によれば、第１の導体に設けられている所定形状の補助部の底部が樹脂パッケージの底面部からその外部に露出した面実装用の端子部とされているが、上記第１の導体に搭載されている半導体チップは、上記補助部の凹面状の内壁面によって囲まれているために、上記半導体チップの保護を上記補助部によって適切に図ることができるとともに、上記樹脂パッケージ内への上記半導体チップの封入状態も確実なものにしておくことができる。さらに、たとえば半導体チップとしてＬＥＤチップなどの発光機能を有するものを用いることによって、本願発明によって提供される半導体装置を光源装置として構成する場合には、その半導体チップから種々の方向に発せられる光の多くを上記補助部の凹面状の内壁面を利用して一定方向または略一定方向に反射させるようなことも可能となり、その発光効率を高めるのに有利となる。また、たとえばシリコーン樹脂などの被覆材によって上記半導体チップを被覆する処理を施すことにより、樹脂パッケージに対して外部から機械的な力が作用した場合にその力が半導体チップに直接作用することを防止できるように構成する場合には、流動性をもたせた被覆材を上記補助部の凹状部によって形成された凹部に充填させて、上記被覆材の垂れ流れなどを防止することも可能となり、上記半導体チップの被覆処理を能率良く行うことが可能となる。
【００２０】
本願発明のその他の特徴および利点は、次の発明の実施の形態の説明から、より明かになるであろう。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本願発明の好ましい実施の形態について、図面を参照しつつ具体的に説明する。
【００２２】
図１は、本願発明が適用された半導体装置の一例を示す斜視図である。図２は、図１のＩＩ−ＩＩ断面図である。図３（ａ）は、図１に示す半導体装置の製造に用いられる製造用フレームの一例を示す説明図であり、図３（ｂ）は、その製造用フレームの中間品を示す説明図である。図４および図５は、図１に示す半導体装置の製造工程の一例を示す説明図である。
【００２３】
図１および図２において、この半導体装置Ａは、面実装型の光源装置として構成されている。この半導体装置Ａは、発光機能を備えた光半導体チップとしてのＬＥＤチップ１、金線などのワイヤＷ、樹脂パッケージ２、第１の導体３ａ、および第２の導体３ｂを具備して構成されている。
【００２４】
上記樹脂パッケージ２は、全体の形状が略直方体状であり、ＬＥＤチップ１から発せられた光をこの樹脂パッケージ２の外部に出射可能なたとえばフィラを含有しない透明なエポキシ樹脂製である。
【００２５】
上記第１の導体３ａおよび第２の導体３ｂは、図３において後述する製造フレーム７から形成されたものである。上記第１の導体３ａは、平板状の小片部３０の一端に補助部４を一体的に連設した構成を有している。この補助部４は、上向き開口状の凹部４０を形成するようにその全体形状が略カップ状または略受け皿状に形成されており、平面視略円形状の底部４１の全周囲に起立状の周壁部４２が連設された構造を有している。上記補助部４は、その大部分が上記樹脂パッケージ２内に埋没しているが、その底部４１は上記樹脂パッケージ２の底面部２ｂからその外部に露出しており、この露出部分が面実装用の第１の端子部５ａとされている。この第１の端子部５ａの下向きの外表面は、上記樹脂パッケージ２の底面部２ｂと略同一高さに位置し、かつその底面２ｂと略平行である。上記小片部３０は、上記補助部４の周壁部４２から上記樹脂パッケージ２の側面部２ｃに向けて延びているが、この小片部３０は上記側面部２ｃからその外方には大きく突出しないように形成されている。
【００２６】
上記第２の導体３ｂは、図１によく表れているように、その断面形状は略コ字状であり、ワイヤＷの一端がボンディング（セカンドボンディング）された上片部３１、この上片部３１の一側縁から下方に垂下した延伸部３２、およびこの延伸部３２の下端部に屈曲して繋がった屈曲部３３のそれぞれが一体形成された構成を有している。上記第２の導体３ｂは、上記第１の導体３ａと適当な間隔を隔てるように配されて、その大部分が上記樹脂パッケージ２内に埋没しているが、上記屈曲部３３については上記樹脂パッケージ２の底面部２ｂからその外部に露出しており、この露出部分が面実装用の第２の端子部５ｂとされている。この第２の端子部５ｂも、上記第１の端子部５ａと同様に、その下向きの外表面は、上記樹脂パッケージ２の底面部２ｂと略同一高さに位置し、かつその底面２ｂと略平行である。なお、上記上片部３１の一端部は、樹脂パッケージ２の側面部２ｄに到達しているが、その外方には大きく突出しないよう形成されている。
【００２７】
上記ＬＥＤチップ１は、上記補助部４の凹部４０内に配置され、その底部４１の上面の略中央部に導電接着剤などを用いてボンディングされている。これにより、上記凹部４０の内壁面４３は、上記ＬＥＤチップ１の底面部分と周側面の全周とのそれぞれに対向しており、上記ＬＥＤチップ１から発せられた光を上方に向けて反射可能な凹面状の光反射面とされている。なお、上記内壁面４３の光の反射率を高めることを目的として、この内壁面４３に白色塗装を施したり、あるいは補助部４の外表面よりも光沢のある金属膜を形成するといった手段を採用してもかまわない。
【００２８】
上記ＬＥＤチップ１の上面の電極部にはワイヤＷの他端がボンディング（ファーストボンディング）が施されている。上記補助部４の凹部４０には、透明で軟質な被覆材６が充填されており、この被覆材６によってＬＥＤチップ１の全体およびこのＬＥＤチップ１とワイヤＷとのボンディング部分とが被覆されている。上記被覆材６は、たとえばシリコーン樹脂であり、流動性を有する状態で上記凹部４０内に充填された後に加熱などによってゴム状にされたものである。
【００２９】
上記半導体装置Ａは、図３（ａ）に示すような製造用フレーム７を用いることにより、以下のような工程を経て製造される。
【００３０】
上記製造用フレーム７は、銅板などの薄肉金属板を打ち抜きプレスして形成されたものであり、一定方向に延びる一対のサイドフレーム７１，７１、これら一対のサイドフレーム７１，７１からそれらの内方に延出して対をなすリード部７２ａ，７２ｂ、および上記サイドフレーム７１，７１どうしを繋ぐクロスフレーム７２を具備している。上記製造用フレーム７は、図３（ａ）の符号Ｌで示す区間の構成をその長手方向に連続して繰り返し有するものである。
【００３１】
上記リード部７２ａは、上記第１の導体３ａを形成するための部分であり、その先端部には上記補助部４が一体形成されている。この補助部４は、上記製造用フレーム７を成形するときのプレス加工によって形成することが可能である。また、上記リード７２ｂは、上記第２の導体３ｂを形成するための部分であり、その先端部には上記上片部３１、延伸部３２、および屈曲部３３に相当する部分が設けられている。延伸部３２や屈曲部３３を形成するためには、そのためのリード長さを確保する必要があるが、これはたとえば図３（ｂ）に示す製造用フレーム７’のように、リード７２ｂの先端部にそのリード７２ｂが延びる方向と直交する部分７３を形成しておき、この部分７３に折り曲げ加工を施すことによって上記延伸部３２や屈曲部３３を形成するようにすればよい。このような手段を採用すれば、補助部４を形成するためのリード部７２ａの寸法も充分に確保できる。むろん、これに代えて、リード部７２ａ，７２ｂのそれぞれが互いに干渉し合うことなくそれらの寸法を確保できるように、それらリード部７２ａ，７２ｂをそれらが延びる方向とは交差する方向に互いに位置ずれさせる手段を採用することもできる。
【００３２】
図４に示すように、上記製造用フレーム７の補助部４にはＬＥＤチップ１をボンディングした後に、このＬＥＤチップ１とリード部７２ｂとをワイヤＷを用いて結線するワイヤボンディング作業を行う。その後は、図５に示すように、上記ＬＥＤチップ１の上方から流動性をもたせた被覆材６を滴下し、この被覆材６によってＬＥＤチップ１の被覆作業を行う。その際、上記被覆材６は、補助部４の凹部４０内に充填することができる。したがって、この被覆材６がリード部７２ａの下方に不用意に垂れ落ちないようにすることができる。また、被覆材６を上記凹部４０内に充填させれば、ＬＥＤチップ１の全体または略全体をその被覆材６中に浸漬させた状態にすることができ、さほど多量の被覆材６を用いなくてもＬＥＤチップ１の被覆処理が効率良く行える。
【００３３】
次いで、上記被覆材６を硬化させた後には、図５の符号Ｎで示す仮想線の部分を透明樹脂でモールドし、樹脂パッケージ２を成形する。このモールド工程は、いわゆるトランスファモールド法によって好適に行うことができるが、リード７２ａの補助部４の底部４１とリード７２ｂの上記屈曲部３３に相当する部分とが樹脂パッケージ２の底部からその外部に露出するように行う。その後は、製造用フレーム７にいわゆるリードカット作業を施すが、このリードカット作業では、リード部７２ａ，７２ｂのうち樹脂パッケージ２の側面部２ｃ，２ｄから突出している部分を全て切除する。これにより、上記図１および図２に示した面実装型光源装置としての半導体装置Ａを得ることができる。
【００３４】
次に、上記半導体装置Ａの作用について説明する。
【００３５】
まず、図２において、上記半導体装置Ａをハンダリフロー法を用いて基板８に面実装する場合を説明する。この面実装作業では、基板８の導体パッド８０，８０にクリームハンダ８１を塗布した後に、上記導体パッド８０，８０と面実装用の端子部５ａ，５ｂとを対向させるようにして半導体装置Ａを基板８上に載置し、その状態で上記基板８をハンダリフロー炉内に搬入して加熱する。その加熱温度は、たとえば２００〜２５０°Ｃ程度であるが、その際の加熱によって樹脂パッケージ２が，同図の符号Ｎ１で示す仮想線のように熱膨張する。この熱膨張による樹脂パッケージ２の各部の変位量は、樹脂パッケージ２の周縁部（図２の断面では側面部２ｃ，２ｄ）に近いほど大きくなり、側面部２ｃ，２ｄの位置の変位量が最大となる。
【００３６】
ところが、上記半導体装置Ａでは、第１の導体３ａおよび第２の導体３ｂは、樹脂パッケージ２の側面部２ｃ，２ｄが外側方に広がるように変位するときに、これらの側面部２ｃ，２ｄと対面接触して押圧される部分を有しない。上記側面部２ｃ，２ｄには、第１の導体３ａと第２の導体３ｂとのそれぞれの端部が存在しているものの、これらの端部は樹脂パッケージ２が膨張する方向と同方向に延び、しかも上記側面部２ｃ，２ｄの外部には突出していないために、樹脂パッケージ２の膨張力をさほど有効には受けない。したがって、第１の導体３ａと第２の導体３ｂが樹脂パッケージ２の熱膨張に伴って互いに離反し合う方向に大きく移動しないようにして、ＬＥＤチップ１とワイヤＷとの移動量を少なくし、それらを樹脂パッケージ２の幅方向中央部寄りの位置に維持させておくことができる。このため、ワイヤＷに大きな引張力が生じないようにでき、ワイヤＷの断線を防止することができる。
【００３７】
次いで、上記基板８がハンダリフロー炉から取り出されて冷却される工程においては、上記樹脂パッケージ２は収縮を開始し、第１の端子部５ａおよび第２の端子部５ｂが固化したハンダによって基板８の導体パッド８０，８０に固定された後においても、上記樹脂パッケージ２の収縮はなおも継続して行われる。この樹脂パッケージ２の各部の収縮変位量は、やはり側面部２ｃ，２ｄに近いほど大きく、幅方向中央部に近いほど少ない。これに対し、上記半導体装置Ａでは、既述したとおり、樹脂パッケージ２の熱膨張時において第１の導体３ａと第２の導体３ｂとが互いに離反する方向に大きく移動しておらず、ＬＥＤチップ１やワイヤＷは、樹脂パッケージ２の幅方向中央部寄りに位置している。したがって、上記ＬＥＤチップ１やワイヤＷは、これらが樹脂パッケージ２の中央部寄りに位置している分だけ樹脂パッケージ２の収縮の影響を受け難くなり、やはりワイヤＷの断線が防止されることとなる。
【００３８】
また、上記半導体装置Ａでは、その使用に際してＬＥＤチップ１を発光させたときには、このＬＥＤチップ１の上面部から上方に向けて光が発せられることは勿論のこと、実際には、それ以外の部分からも種々の方向に光が発せられる。ところが、上記ＬＥＤチップ１の横方向や下方に向けて発せられた光は、補助部４の内壁面４３によって上方に向けて反射される。したがって、樹脂パッケージ２の上面２ａを通過してその外部に進行する光の量を多くすることができ、上面２ａの輝度を高めることが可能となる。上記内壁面４３を放物面とすれば、この内壁面４３による集光効果をより高めることが可能であるが、上記内壁面４３がそのような形状を有しない場合であっても、ＬＥＤチップ１からその横方向や下方向に進行する光がそのまま樹脂パッケージ２の周囲の側面などを通過して外部へ出射することを回避することができ、樹脂パッケージ２の上面２ａの輝度を高めることができる。このように、上記補助部４は、面実装用の端子部として役立つばかりか、発光効率を高めるための光反射部としても役立たせることができる。さらには、既述した半導体装置Ａの製造過程においてＬＥＤチップ１を被覆材６によって被覆処理するときの被覆材６の受け部としても役立たせることができ、非常に便利である。むろん、ＬＥＤチップ１は、樹脂パッケージ２よりも弾性率の小さい被覆材６によって被覆されているために、樹脂パッケージ２に対してその外部から機械的な力が作用しても、その力がＬＥＤチップ１に直接作用しないようにすることができ、ＬＥＤチップ１のより適切な保護も図れる。
【００３９】
図６は、本願発明に係る半導体装置の他の例を示す断面図である。図７〜図９は、半導体装置の他の参考例を示す断面図である。なお、先の実施形態と同一部分は、同一符号で示し、その説明は省略する。
【００４０】
図６に示す半導体装置Ａａは、ＬＥＤチップ１を搭載した第１の導体３ｃを、第２の導体３ｂと同様な構成としたものである。すなわち、第１の導体３ｃには、ＬＥＤチップ１の搭載部分の近傍から樹脂パッケージ２の底面部２ｂに向けて延びた延伸部３２ｃと、この延伸部３２ｃに屈曲して繋がった屈曲部３３ｃとが設けられており、上記屈曲部３３ｃが樹脂パッケージ２の底面部２ｂからその外部に露出した面実装用の第１の端子部５ｃとされている。このように、本願発明では、第１の導体に略カップ状または略受け皿状の補助部を設けない構成としてもかまわない。
【００４１】
図７に示す半導体装置Ａｂは、第１の導体３ｄおよび第２の導体３ｅのそれぞれを断面コ字状に形成したものであるが、それらの延伸部３２ｄ，３２ｅの位置や屈曲部３３ｄ，３３ｅの屈曲方向を、図６に示した半導体装置Ａａとは異なるものとしている。上記第１の導体３ｄや第２の導体３ｅをいわゆるリードフレームと称されるタイプの製造用フレームから形成する場合には、それら第１の導体３ｄや第２の導体３ｅとしてそれぞれ形成される一対のリード部分を互いに位置ずれさせて配置し、それら一対のリード部分どうしが互いに干渉し合わないようにすればよい。
【００４２】
図８および図９に示す半導体装置Ａｃ，Ａｄは、いずれも第１の導体３ａについては、先の図１および図２に示した半導体装置Ａの第１の導体３ａと同様な構成にしている一方、第２の導体３ｆ，３ｇについては、樹脂パッケージ２の側面部２ｄから外部に露出させており、その露出部分の一部を樹脂パッケージ２の底面部２ｂと略同等高さに位置する面実装用の第２の端子部５ｆ，５ｇとしている。半導体装置Ａｄの第２の端子部５ｇは樹脂パッケージ２の幅方向側方に延びたかたちに設けられているが、これに対して半導体装置Ａｃの第２の端子部５ｆは樹脂パッケージ２の底面部２ｂに重ねられている。したがって、半導体装置Ａｃの方が全体の横幅を小さくでき、小型化が図れる。ただし、半導体装置Ａｄは、第２の端子部５ｇが樹脂パッケージ２の側方にはみ出してはいるものの、その第１の導体３ａについては樹脂パッケージ２の側方にはみ出していないために、全体の横幅が大きくなることを回避できる。
【００４３】
上記半導体装置Ａｃ，Ａｄでは、第２の導体３ｆ，３ｇについてはハンダリフロー法を用いた面実装作業時の樹脂パッケージ２の熱膨張や収縮の影響を受け易くなるものの、それと対をなす第１の導体３ａについては、図１および図２において説明した半導体装置Ａと同様に、樹脂パッケージ２の熱膨張や収縮の影響を受け難くすることができる。したがって、ハンダリフロー法を用いた面実装作業時においてワイヤＷに大きな引張力などが生じ難いものにでき、やはりその断線を防止する効果が得られる。本願発明では、第１の導体と第２の導体との双方を樹脂パッケージの底面部から一部露出させるようにして、樹脂パッケージの側面部からはそれら導体の起立部などを備えた部分が一切外部に露出しないようにすることが好ましいが、上記半導体装置Ａｃ，Ａｄのように、第２の導体のみが樹脂パッケージの側面部から外部に露出した構造とされていてもかまわない。むろん、これとは反対に、第１の導体のみが樹脂パッケージの側面部から外部に露出した構造とされていてもかまわない。
【００４４】
本願発明に係る半導体装置の各部の具体的な構成は、上述した実施形態に限定されず、種々に設計変更自在である。
【００４５】
上述の実施形態では、半導体チップとしてＬＥＤチップが使用されているともに、樹脂パッケージの全体が透明とされた面実装型光源装置を構成した場合を具体例として説明しているが、本願発明はこれに限定されない。本願発明では、たとえば半導体チップとして、フォトダイオードまたはフォトトランジスタなどの半導体チップを用いることによって、可視光あるいは赤外光などの特定波長領域の光の感知を行うための受光センサとして構成することもできる。さらに、本願発明では、発光素子としての機能を発揮する半導体チップと、受光素子としての機能を発揮する半導体チップとを、互いに共通する１つの樹脂パッケージ内に埋設したフォトインタラプタとして構成することもできる。さらには、発光機能や受光機能とは異なる機能を発揮する半導体チップを用いた半導体装置として構成することもでき、この場合には必ずしも樹脂パッケージに透光性を具備させる必要もない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本願発明が適用された半導体装置の一例を示す斜視図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ断面図である。
【図３】（ａ）は、図１に示す半導体装置の製造に用いられる製造用フレームの一例を示す説明図であり、（ｂ）は、その製造用フレームの中間品を示す説明図である。
【図４】図１に示す半導体装置の製造工程の一例を示す説明図である。
【図５】図１に示す半導体装置の製造工程の一例を示す説明図である。
【図６】本願発明に係る半導体装置の他の例を示す断面図である。
【図７】半導体装置の他の例を示す断面図である。
【図８】半導体装置の他の例を示す断面図である。
【図９】半導体装置の他の例を示す断面図である。
【図１０】半導体装置の一例を示す断面図である。
【図１１】従来の半導体装置の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
１  ＬＥＤチップ（半導体チップ）
２  樹脂パッケージ
３ａ，３ｃ，３ｄ  第１の導体
３ｂ  ３ｅ，３ｆ，３ｇ  第２の導体
４  補助部
５ａ〜５ｇ  面実装用の端子部
４３  内壁面
Ａ，Ａａ〜Ａｄ  半導体装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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