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　特願２００３−３６５７１１「半導体レーザ装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　５月１９日出願公開、特開２００５−１２９８２４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１５年１０月２７日に特許出願されたものであって、平成１９年８月２４日付け及び同年１１月２２日付けで手続補正がなされたところ、同年１２月２５日付けで同年１１月２２日付け手続補正が却下されるとともに同日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２０年２月７日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年３月７日付けで手続補正がなされた後、当審において、平成２１年４月２２日付けで拒絶理由が通知され、同年６月２９日付けで手続補正がなされたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項に係る発明は、平成２１年６月２９日付けで補正された特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された事項により特定されるものであるところ、請求項１に係る発明は次のものである。
「【請求項１】
　半導体レーザ素子部と、
　前記半導体レーザ素子部の光導波路に対向して配置された半導体電界吸収型変調器部と、
　受光器部と、その受光器部の受光端に集積化して設けられた光吸収部材とを有する第１の光学部材と、を少なくとも有し、
　前記半導体レーザ素子部の、前記半導体電界吸収型変調器部に対向する出力端とは反対側の出力端に、前記第１の光学部材がその光吸収部材側を対向して配置され、
　前記半導体電界吸収型変調器部の出力端は無反射コーティング膜が形成されるとともに、前記第１の光学部材に対向する出力端は高反射コーティング膜が形成され、
　前記光吸収部材が有する光吸収の温度変化の特性が、前記半導体電界吸収型変調器部が有する光吸収の温度変化の特性に略等しく、
　前記半導体レーザ素子部、および前記半導体電界吸収型変調器部、前記受光部を温度制御する機構を有せず、且つ
　前記受光器部は、前記半導体レーザ素子部の前記光吸収部材側に出力する光出力を当該光吸収部材を介して受光し、当該受光器部は前記半導体レーザ素子部の駆動電流を制御するに供する電気出力を出力し、
　前記受光器部と前記光吸収部材とが、同一チップ上にモノリシックに集積化されて前記第１の光学部材を構成し、
　前記半導体レーザ素子部と前記半導体電界吸収型変調器とが、同一チップ上にモノリシックに集積化されて第２の光学部位材を構成する、ことを特徴とする半導体レーザ装置。」（以下、「本願発明」という。）
　
３．刊行物の記載事項 
　当審の拒絶理由に引用された特開平６−１５２０４３号公報（以下「引用例」という。）には、下記の事項が記載されている。
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザを用いた光送信機の光出力安定化装置に関する。半導体レーザを連続発振させて、外部光変調器により強度変調する構成に於いて、半導体レーザの光出力及び外部変調器の損失は、温度変動や経時変化等により変化するものであるから、これを安定化する為に既に各種の構成が提案されている。このような光送信機の出力光を更に安定化することが要望されている。
・・・
【０００３】図３は従来例の説明図であり、３１は半導体レーザ、３２は光変調器、３３は光ファイバ、３４は制御回路、３５は光検出器である。半導体レーザ３１は、制御回路３４からの駆動電流により連続発振し、前方出力光を光変調器３２に入力し、この光変調器３２に加えられる変調信号により強度変調して変調出力光を光ファイバ３３に入射し、この光ファイバ３３により受信側へ伝送する。又半導体レーザ３１の後方出力光をホトダイオード等からなる光検出器３５により検出して制御回路３４に入力する。
【０００４】制御回路３４は、光検出器３５の検出信号が所定レベルとなるように、即ち、半導体レーザ３１の後方出力光が所定レベルとなるように、半導体レーザ３１の駆動電流を制御する。それによって、後方出力光が安定化されるから、後方出力光に対応した前方出力光も安定化される。
【０００５】又図４は従来例の説明図であり、４１は半導体レーザ、４２は光変調器、４３は光ファイバ、４４は制御回路、４５は光検出器、４６は光分岐器である。この従来例に於いても、半導体レーザ４１は制御回路４４からの駆動電流により連続発振し、前方出力光を光変調器４２に入力し、光変調器４２に加えられる変調信号により強度変調する。この変調出力光を光分岐器４６により一部分岐して光検出器４５に入射し、この光検出器４５の検出信号を所定レベルとなるように、制御回路４４は半導体レーザ４１の駆動電流を制御し、光変調器４２の出力光を安定化するものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】光変調器３２，４２は、温度等により特性が変化するものであり、従って、図３に示す従来例は、構造的に簡単で小型化が容易であり、半導体レーザ３１の出力光を安定化できるが、光変調器３２の特性変化に対して補償するように制御できない欠点がある。又図４に示す従来例は、光変調器４２の出力光を検出して安定化制御を行うものであるから、光変調器４２の特性変化を補償するように制御できるが、光分岐器４６の挿入損失が生じると共に、変調出力光の一部を分岐するから、光ファイバ４３を介して受信側へ伝送すべき変調出力光の損失が大きい欠点があり、更に、光分岐器のスペースやコストの面でも不利である。本発明は、簡単な構成により、光変調器の特性変動を補償して安定化を図ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の光出力安定化装置は、図１を参照して説明すると、前方と後方とにレーザ光を出力する半導体レーザ１と、この半導体レーザ１の前方出力光を入射して変調信号によって変調する第１の光変調器２と、半導体レーザ１の後方出力光を入射して変調信号又は直流信号を加える第２の光変調器３と、この第２の光変調器３の出力光を検出し、その出力光が所定レベルとなるように半導体レーザ１の駆動電流を制御する制御回路４とを備えている。
【０００８】又第１，第２の光変調器２，３を電界吸収型変調として、半導体レーザ１と同一チップ上に形成し、光出力装置６を構成する。
【０００９】
【作用】半導体レーザ１の前方出力光は、変調信号が加えられる第１の光変調器２により変調されて送出される。又半導体レーザ１の後方出力光は第２の光変調器３に入射され、この第２の光変調器３には直流信号又は第１の光変調器２に加えられる変調信号が加えられ、その変調出力光が安定化されるように、制御回路４により半導体レーザ１の駆動電流が制御される。第１の光変調器２の温度変化等による特性変化が生じた時、第２の光変調器３も同様に特性変化が生じて変調出力光が変動するが、その変動を抑圧するように、半導体レーザ１が制御されるから、第１の光変調器２の変調出力光も安定化される。
【００１０】又半導体レーザ１と第１，第２の光変調器２，３とを同一の多元半導体チップ上に形成して光出力装置６を構成することにより、第１，第２の光変調器２，３の温度変化を同一とし、第２の光変調器３の出力光を安定化することにより、第１の光変調器２の出力光を安定化することができる。
【００１１】
【実施例】図２は本発明の実施例の説明図であり、１１は半導体レーザ、１２は第１の光変調器、１３は第２の光変調器、１４は制御回路、１５は光検出器、１６は光出力装置、１７は光ファイバ、１８は演算増幅器、１９は駆動回路、２０は基準電圧電源、２１〜２４は抵抗である。
【００１２】半導体レーザ１１は、例えば、分布帰還型レーザとし、第１，第２の光変調器１２，１３は、例えば、電界吸収型変調器とすることができる。又それらをＩｎＧａＡｓＡｌ等の多元半導体によって形成し、それぞれ別体として基板上に固定することもできるが、同一の多元半導体によって形成できるから、同一チップ上に形成して、光出力装置１６を構成することができる。それにより、半導体レーザ１１と第１，第２の光変調器１２，１３との光学的な位置を正確にし、且つ第１，第２の光変調器１２，１３の温度変化が同一となる構成を実現できる。又１チップ化により小型化を図ることもできる。
【００１３】半導体レーザ１１の前方出力光は第１の光変調器１２に入射され、後方出力光は第２の光変調器１３に入射される。そして、第１の光変調器１２に変調信号を加えて前方出力光を変調し、変調出力光を光ファイバ１７に入射して受信側へ伝送する。又第２の光変調器１３に直流信号を加え、直流変調状態として、その出力光を光検出器１５に入射する。
【００１４】光検出器１５の検出信号は抵抗２１を介して演算増幅器１８の−端子に入力され、＋端子に抵抗２２を介して基準電圧電源２０から基準電圧が入力され、それらの入力差が零となるように、駆動回路１９から半導体レーザ１１に供給される駆動電流が制御されて、第２の光変調器１３の変調出力光が安定化される。この第２の光変調器１３の温度変化と第１の光変調器１２とは同一の温度変化となるから、第１の光変調器１２の変調出力光も安定化されることになる。」
　
　よって、引用例には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「前方と後方とにレーザ光を出力する半導体レーザと、この半導体レーザの前方出力光を入射して変調信号によって変調する第１の光変調器と、半導体レーザの後方出力光を入射して変調信号又は直流信号を加える第２の光変調器と、この第２の光変調器の出力光を光検出器で検出し、その出力光が所定レベルとなるように半導体レーザの駆動電流を制御する制御回路とを備え、第１，第２の光変調器を電界吸収型変調器として半導体レーザと同一の多元半導体によって、半導体レーザと同一チップ上に形成して、温度変化を同一として光出力装置を構成した半導体レーザを用いた光送信機。」
　
　
４．対比 
　本願発明と引用発明とを対比する。
　引用発明の「半導体レーザ」は、本願発明の「半導体レーザ素子部」に相当している。
　引用発明の「第１の光変調器」は電界吸収型変調器であって半導体レーザの前方出力光を入射して変調信号によって変調するものであるので、本願発明の「半導体レーザ素子部の光導波路に対向して配置された半導体電界吸収型変調器部」に相当している。
　引用発明の「第２の光変調器」は、電界吸収型変調器で第１の光変調器と温度変化が同一で、半導体レーザの後方出力光を入射して、その出力光が光検出器で検出されるものであるので、本願発明の「半導体レーザ素子部の、前記半導体電界吸収型変調器部に対向する出力端とは反対側の出力端に対向して配置され、光吸収の温度変化の特性が、前記半導体電界吸収型変調器部が有する光吸収の温度変化の特性に略等しい光吸収部材」に相当している。
　引用発明の「光検出器」は、半導体レーザの後方出力光を入射して変調信号又は直流信号を加える第２の光変調器の出力光を検出するもので、この出力光のレベルが所定レベルとなるように半導体レーザの駆動電流が制御されるので、本願発明の「半導体レーザ素子部の前記光吸収部材側に出力する光出力を当該光吸収部材を介して受光し、前記半導体レーザ素子部の駆動電流を制御するに供する電気出力を出力する受光器部」に相当している。
　引用発明の「第１の光変調器」は「半導体レーザと同一の多元半導体によって、半導体レーザと同一チップ上に形成」されるので、引用発明は、本願発明と「半導体レーザ素子部と前記半導体電界吸収型変調器とが、同一チップ上にモノリシックに集積化されて光学部位材を構成する」点で一致する。
　また、引用発明は、半導体レーザと、第１の光変調器と、第２の光変調器と、光検出器を温度制御する機構を有していない。
　したがって、本願発明と引用発明とは、
「半導体レーザ素子部と、
　前記半導体レーザ素子部の光導波路に対向して配置された半導体電界吸収型変調器部と、
　受光器部と、光吸収部材とを有し、
　前記半導体レーザ素子部の、前記半導体電界吸収型変調器部に対向する出力端とは反対側の出力端に、前記光吸収部材が対向して配置され、
　前記光吸収部材が有する光吸収の温度変化の特性が、前記半導体電界吸収型変調器部が有する光吸収の温度変化の特性に略等しく、
　前記半導体レーザ素子部、および前記半導体電界吸収型変調器部、前記受光部を温度制御する機構を有せず、且つ
　前記受光器部は、前記半導体レーザ素子部の前記光吸収部材側に出力する光出力を当該光吸収部材を介して受光し、当該受光器部は前記半導体レーザ素子部の駆動電流を制御するに供する電気出力を出力し、
　前記半導体レーザ素子部と前記半導体電界吸収型変調器とが、同一チップ上にモノリシックに集積化されて光学部位材を構成する、半導体レーザ装置。」の点で一致し、下記の点で相違する。 
　
相違点１：
　本願発明は、前記受光器部と前記光吸収部材とが、同一チップ上にモノリシックに集積化され、第１の光学部材として構成されているのに対して、引用発明は、光検出器と第２の光変調器とは集積化して設けられていない点。
　
相違点２：
　本願発明は、半導体電界吸収型変調器部の出力端は無反射コーティング膜が形成されるとともに、前記第１の光学部材に対向する出力端は高反射コーティング膜が形成されるのに対して引用発明はそのようになっているか不明である点。
　
　
５．判断
　上記相違点について検討する。
相違点１：
　光検出器として、半導体レーザや半導体光変調器と同一チップ上にモノリシックに集積化できる導波路型フォトダイオードが、本願出願時において周知であるので、（例えば特開平１１−３０７８０５号公報、特開平９−２１９５０８号公報段落【００１６】のモニタＰＤ、特開昭６３−３００２１８号公報の第３頁左下欄下から５行〜右下欄４行参照）、引用発明の光検出器として、この周知の導波路型フォトダイオードを採用して、光検出器と第２の光変調器とを同一チップ上にモノリシックに集積化して、相違点１に係る本願発明の構成とすることは当業者が容易に想到することができたものである。
　
相違点２：
　前端面の反射率を後端面の反射率よりも小さい値として前端面からの取出し効率を高くした、いわゆる非対称端面反射率型のＤＦＢレーザは、本願出願時において周知であるので（例えば特開平４−２２５５８２号公報の段落【００１４】、特開平６−１２０６１６号公報の段落【０００４】参照）、引用発明の半導体レーザからの取り出し効率を高めるために半導体レーザと同一チップ上に形成した第１の光変調器の出力端に無反射コーティング膜を形成するとともに、半導体レーザの第２の変調器に対向する出力端には高反射コーティング膜を形成して、相違点２に係る本願発明の構成とすることは当業者が容易に想到することができたものである。
　
　そして、本願明細書の段落【００１１】乃至【００１８】に記載されるような本願発明の作用効果は、引用発明及び前記周知技術に基づいて当業者が予測し得るものである。
　
　よって、本願発明は、引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
６．むすび
　本願発明は、引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。