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　平成　７年特許願第２７４７７６号「半導体製造装置及びウェーハ処理方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　９年　４月　８日出願公開、特開平　９−　９７７６７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成７年９月２８日の出願であって、平成１８年２月２０日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年３月２７日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年４月５日付けで手続補正がなされ、その後当審において、平成２０年１月１５日付けで審尋がなされ、平成２１年１月１３日付けで拒絶の理由が通知され、これに対して、同年２月２３日に意見書が提出されるとともに、同日付けで手続補正がなされたものである。
　
　
第２．本願請求項１発明
　本願の請求項１及び２に係る発明は、平成２１年２月２３日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された事項により特定されるとおりのものであり、その請求項１に係る発明（以下、「本願請求項１発明」という。）は、その請求項１に記載されている事項により特定される以下のとおりのものである。
　
「【請求項１】　石英製のフランジアダプタに立設した炭化珪素製の反応管と、ヒータユニットが立設されるヒータベースとを有し、前記反応管の下端にフランジを形成し、該フランジの下端を前記ヒータベース上端に一致若しくは前記ヒータベースより上側に設けたことを特徴とする半導体製造装置。」
　
　
第３．本願請求項１発明が対応する補正前請求項発明の検討
１．補正前請求項発明
　平成２１年２月２３日付けの手続補正による補正がなされる前の請求項１ないし８に係る発明は、平成１８年４月５日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし８に記載された事項により特定されるとおりのものであり、その請求項１ないし３に係る発明（以下、「補正前請求項１発明」ないし「補正前請求項３発明」という。）は、その請求項１ないし３に記載されている事項により特定される以下のとおりのものである。
　
「【請求項１】　石英製のフランジアダプタに立設した炭化珪素製の反応管の下端を、該反応管を囲繞するヒータユニット加熱域の下端に一致させたことを特徴とする半導体製造装置。
【請求項２】　石英製のフランジアダプタに立設した炭化珪素製の反応管と、ヒータベースに断熱材を介して立設されたヒータユニットとを有し、前記反応管の下端を前記断熱材の上端に一致させたことを特徴とする半導体製造装置。
【請求項３】　ウェーハを収容し処理する炭化珪素製の反応管と、ヒータユニットが立設されるヒータベースとを有し、前記反応管の下端を前記ヒータベースよりも上側に設けることを特徴とする半導体製造装置。」
　
２．本願請求項１発明と対応する補正前請求項発明の検討
　本願請求項１発明が、補正前の独立請求項として記載された物（「半導体製造装置」）の発明である補正前請求項１発明ないし補正前請求項３発明のいずれに対応するものであるかについて検討する。
　
２−１．補正前請求項１発明との対応関係の検討
　補正前請求項１発明は、「反応管の下端を、該反応管を囲繞するヒータユニット加熱域の下端に一致させた」という発明特定事項を有しており、「反応管の下端」と「ヒータユニット加熱域の下端」との位置関係を特定する点に技術的特徴を有している。
　これに対して、本願請求項１発明は、「前記反応管の下端にフランジを形成し、該フランジの下端を前記ヒータベース上端に一致若しくは前記ヒータベースより上側に設けた」という発明特定事項を有しており、「フランジ」は「前記反応管の下端に」「形成」されたものであるから、実質的に、「反応管の下端」と「ヒータベース（上端）」との位置関係を特定する点に技術的特徴を有している。
　ここで、補正前請求項１発明と本願請求項１発明とを比較すると、補正前請求項１発明は、本願請求項１発明の技術的特徴である「反応管の下端」と「ヒータベース（上端）」との位置関係について何も特定しておらず、逆に、本願請求項１発明は、補正前請求項１発明の技術的特徴である「反応管の下端」と「ヒータユニット加熱域の下端」との位置関係について何も特定していない。また、「ヒータベース（上端）」と「ヒータユニット加熱域下端」との間隔は、例えば本願の図１及び２に記載された「断熱材２」の寸法によっても変化するものであるから、「反応管の下端」と「ヒータユニット加熱域下端」との位置関係及び「反応管の下端」と「ヒータベース（上端）」との位置関係のうち、一方のみを特定しても、他方が自動的に特定されるものではない。
　よって、補正前請求項１発明と本願請求項１発明とは、互いに全く異なる技術的特徴を発明特定事項として有しているから、本願請求項１発明は、補正前請求項１発明に対応するものではない。
　
２−２．補正前請求項２発明との対応関係の検討
　補正前請求項２発明は、「前記反応管の下端を前記断熱材の上端に一致させた」という発明特定事項を有しており、「反応管の下端」と「断熱材の上端」との位置関係を特定する点に技術的特徴を有している。
　これに対して、本願請求項１発明は、「前記反応管の下端にフランジを形成し、該フランジの下端を前記ヒータベース上端に一致若しくは前記ヒータベースより上側に設けた」という発明特定事項を有しており、「フランジ」は「前記反応管の下端に」「形成」されたものであるから、実質的に、「反応管の下端」と「ヒータベース（上端）」との位置関係を特定する点に技術的特徴を有している。
　ここで、補正前請求項２発明と本願請求項１発明とを比較すると、補正前請求項２発明は、本願請求項１発明の技術的特徴である「反応管の下端」と「ヒータベース（上端）」との位置関係について何も特定しておらず、逆に、本願請求項１発明は、補正前請求項２発明の技術的特徴である「反応管の下端」と「断熱材の上端」との位置関係について何も特定していない。また、「ヒータベース下端」と「断熱材の上端」との間隔は、「断熱材」の寸法によっても変化するものであるから、「反応管の下端」と「断熱材の上端」との位置関係及び「反応管の下端」と「ヒータベース（上端）」との位置関係のうち、一方のみを特定しても、他方が自動的に特定されるものではない。
　よって、補正前請求項２発明と本願請求項１発明とは、互いに全く異なる技術的特徴を発明特定事項として有しているから、本願請求項１発明は、補正前請求項２発明に対応するものではない。
　
２−３．補正前請求項３発明との対応関係の検討
　補正前請求項３発明は、「前記反応管の下端を前記ヒータベースよりも上側に設ける」という発明特定事項を有しており、「反応管の下端」と「ヒータベース」との位置関係を特定する点に技術的特徴を有している。
　これに対して、本願請求項１発明は、「前記反応管の下端にフランジを形成し、該フランジの下端を前記ヒータベース上端に一致若しくは前記ヒータベースより上側に設けた」という発明特定事項を有しており、「フランジ」は「前記反応管の下端に」「形成」されたものであるから、実質的に、「反応管の下端」と「ヒータベース（上端）」との位置関係を特定する点に技術的特徴を有している。
　よって、補正前請求項３発明と本願請求項１発明とは、「反応管の下端」と「ヒータベース」との位置関係を特定する点に技術的特徴を有する点で共通している。
　
　また、他の発明特定事項について検討すると、補正前請求項３発明は「ウェーハを収容し処理する炭化珪素製の反応管と、ヒータユニットが立設されるヒータベースとを有し」であるのに対して、本願請求項１発明は「石英製のフランジアダプタに立設した炭化珪素製の反応管と、ヒータユニットが立設されるヒータベースとを有し」であり、「炭化珪素製の反応管」である点で共通する。そして、補正前請求項３発明における「炭化珪素製の反応管」が「ウェーハを収容し処理する」ものである点は、当業者における技術常識であり、本願請求項１発明における「炭化珪素製の反応管」が「石英製のフランジアダプタに立設した」ものである点は、本願の明細書の０００５段落に【従来の技術】としても記載されているものであるから、いずれも技術的特徴とはなり得ない。
　
　よって、補正前請求項３発明と本願請求項１発明とは、互いに共通する技術的特徴を発明特定事項として有しているから、本願請求項１発明は、補正前請求項３発明に対応するものである。
　
２−４．請求人の意見書による主張の検討
　請求人は、平成２１年２月２３日に提出された意見書（以下、「意見書」という。）の「１．補正の説明」の「１．１．補正の内容」において、「現請求項２、
現請求項３
を削除し
現請求項３
を削除致しました
　しかしながら、上記２−１．ないし２−３．で検討したとおり、本願請求項１発明と技術的特徴が最も共通しているのは補正前請求項３発明であるから、請求人が意見書において主張する「現請求項３」は、実質的に削除されておらず、平成２１年２月２３日付け手続補正による、補正前後の請求項の対応関係についての請求人の主張は妥当でない。
　
３．まとめ
　以上検討したとおりであるから、本願請求項１発明は、補正前請求項３発明に対応するものであると認められる。
　
　
第４．本願明細書に開示された発明の検討
　本願の願書に最初に添付した明細書または図面（以下、「当初明細書等」という。）には、以下の事項が記載されている。
　
「【特許請求の範囲】
【請求項１】  石英製のフランジアダプタに立設した炭化硅素製の反応管の下端を該反応管を囲繞するヒータユニット加熱域の下端に合わせたことを特徴とする半導体製造装置の縦型炉。
【請求項２】  反応管の下端にフランジを形成し、フランジアダプタの上フランジと前記フランジ間にシール溝を形成し、前記フランジと上フランジとを重合させ、前記シール溝にシールガスを供給した請求項１の半導体製造装置の縦型炉。」
「【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は縦型炉を有する半導体製造装置の、特に高温酸化処理等高温処理を行う炉口部の改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４に於いて従来の半導体製造装置の高温酸化処理用縦型炉を説明する。尚、図４は縦型炉の炉口部分を示している。
【０００３】上端が閉塞された筒状の
ヒータユニット１はヒータベース３に断熱材２を介して立設され
【０００４】前記断熱材２と前記反応管７の下端近傍との間隙を閉塞する様に炉口断熱材１０が設けられ、更に前記反応管７の下端部には断熱クロス１１が巻設され、炉口部の温度低下を抑制している。
【０００５】
高温、１２００℃以上では石英は耐熱性に問題があるので炭化硅素（Ｓi Ｃ）が用いられる。従来の半導体製造装置の縦型炉に於いても、反応管７は炭化硅素で製作され、フランジアダプタ６は石英製で製作されている
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記した様に、
反応管７の下端部はヒータユニット１に囲繞される加熱域から下方に突出している為、下端部と加熱域にある部分とは大きな温度差が生じる。反応管７の下端にフランジを設けた場合、前記温度差に起因する熱応力がフランジ部に集中する。又、反応管７の材料である炭化硅素は脆い材料であるので、大きな熱応力が生じると破損してしまう。この為前記反応管７の下端にはフランジを設けることができず
【０００７】その為、クリーニングガスとして塩化水素（ＨＣｌ）ガスを反応管７内に流すと、前記反応管７とフランジアダプタ６との接触面からＨＣｌガスが漏出し、装置の金属部を腐食させてしまうという問題があった。
【０００８】本発明は斯かる実情に鑑み、高温処理用縦型炉に於いてクリーニングガスが反応炉より漏出することを防止し、クリーニングガスとしてＨＣｌガスの使用を可能としたものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、石英製のフランジアダプタに立設した炭化硅素製の反応管の下端を反応管を囲繞するヒータユニット加熱域の下端に合わせたことを特徴とする半導体製造装置の縦型炉
【００１０】
反応管全体が加熱域内に設けられているので温度差が生じることがなく、温度差による熱応力も発生することがない
「【００１１】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態を説明する。
【００１２】
図１〜図３中、図４中で示したものと同様の構成要素には同符号を付してある。
【００１３】上下に上フランジ１３ａ，下フランジ１３ｂを有する
石英製のフランジアダプタ１３
該フランジアダプタ１３の上フランジ１３ａの上端はヒータユニット１の加熱域の下端と一致、又は略一致しており、前記上フランジ１３ａに炭化硅素製の反応管７のフランジ７ａが重合され、反応管７が立設される
「【００１６】前記反応ガス導入ポート１４、排気ポート１６と干渉しない位置にシールガス導入ポート２１を固着する。該シールガス導入ポート２１と図示しないシールガス源とは配管２２により接続する。又、前記上フランジ１３ａの上面にシール溝２３が刻設され該シール溝２３と前記シールガス導入ポート２１とは給気連絡管２４により連通され、前記シール溝２３と前記排気ポート１６とは排気連絡管２５により連通されている。」
「【００１９】以下、作用を説明する。
【００２０】ヒータユニット１により加熱した状態で、図示しないボートにウェーハを装填し、ボートを反応管７内に装入し、前記給気配管１７、反応ガス導入ポート１４、反応ガス導入ノズル１５を介して反応管７内に反応ガスを導入し、ウェーハに所要の処理、例えば酸化処理を行う。処理後のガスは前記排気ポート１６、排気配管２０を介して排出される。処理が完了したウェーハは図示しないボートと共に引出される。
【００２１】次に、反応管７内をＨＣｌガスによるクリーニングを行う場合、ウェーハが装填されていないボートを反応管７内に装入し、前記給気配管１７、反応ガス導入ポート１４、反応ガス導入ノズル１５を介して反応管７内にＨＣｌガスを導入し、更にＨＣｌガスを前記排気ポート１６、排気配管２０を介して排出する。
【００２２】前記配管２２、給気連絡管２４を介して前記シール溝２３にシールガス、例えば窒素ガスを供給する。シール溝２３内の圧力は反応管７内外の圧力よりも高くしておき、該反応管７内のＨＣｌガスが上フランジ１３ａと反応管７のフランジ間より外部へリークするのをシールする。前記シール溝２３内のガスは前記排気連絡管２５を介して排気ポート１６に排気される為、反応管内部からシール溝２３へのＨＣｌガスのリークがあったとしても窒素ガスにより希釈された状態で排気ポート１６に排出される。」
「【００２４】前記した様に、
酸化炉或は拡散炉では高温（１２００℃）処理となり、炉口部の温度も又高温となる。前記反応管７の下端はヒータユニット１の下端と一致、或は略一致しており、本実施の形態の様に炭化硅素製の反応管７下端にフランジ７ａを形成したとしてもフランジ近傍で大きな温度差が生じることがない。従って、反応管７のフランジ７ａが熱応力により破損することがない。更に、石英製のフランジアダプタ１３はヒータユニット１内の加熱域に含まれる部分がないので、耐熱性が問題となることはない。
「又、シール溝２３は反応管７のフランジ７ａに設けてもよく、或は上フランジ１３ａ、フランジ７ａの両方に形成してもよい。
【００２７】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、高温処理の縦型炉でガスクリーニングのリークを防止し、高温炉、例えば拡散炉でのＨＣｌガスクリーニングが可能となるので、分解してからの洗浄が大幅に減少し、更に定期的にＨＣｌガスクリーニングを行うことでウェーハへの重金属汚染がなくなり、処理品質、歩留まりが向上する。
【００２８】又、反応管とフランジアダプタとの高温部でのシールに於いて、接合部に溝を形成し、該溝に不活性ガスを供給し陽圧とすることで、確実にＨＣｌガス等の腐食性ガスのリークが防止でき、更にシール部にパージガスを供給する様にしているので万一腐食性ガスのリークがあっても希釈され、装置の金属部の腐食を防止できる。
【００２９】更に又、
炭化硅素製の反応管が加熱域、加熱域外とに掛渡って設けられない為、反応管にフランジを形成することができ
　
　上記下線部の記載より、本願の当初明細書等には、以下の事項が記載されているものと認められる。
・「高温、１２００℃以上」での耐熱性を考慮して、「反応管７は炭化硅素で製作され、フランジアダプタ６は石英製で製作され」ることが前提になっている。
・「反応管７の下端にはフランジを設ける」要請があるが、「反応管７の材料である炭化硅素は脆い材料である」ため、「反応管７の下端部はヒータユニット１に囲繞される加熱域から下方に突出している」状態で「反応管７の下端にフランジを設けた場合」、「下端部と加熱域にある部分とは大きな温度差」「に起因する熱応力がフランジ部に集中」し、「大きな熱応力が生じると破損してしまう。」という問題がある。
・「本発明は、石英製のフランジアダプタに立設した炭化硅素製の反応管の下端を反応管を囲繞するヒータユニット加熱域の下端に合わせたことを特徴とする半導体製造装置の縦型炉」であり、具体的には、「該フランジアダプタ１３の上フランジ１３ａの上端はヒータユニット１の加熱域の下端と一致、又は略一致しており、前記上フランジ１３ａに炭化硅素製の反応管７のフランジ７ａが重合され、反応管７が立設される。」
・「ヒータユニット１はヒータベース３に断熱材２を介して立設され」ている。
・「前記反応管７の下端はヒータユニット１の下端と一致、或は略一致し」た構成により、「反応管全体が加熱域内に設けられているので」、「炭化硅素製の反応管７下端にフランジ７ａを形成したとしてもフランジ近傍で大きな温度差が生じることがな」く、「温度差による熱応力も発生することがない。」換言すれば、「炭化硅素製の反応管が加熱域、加熱域外とに掛渡って設けられない為、反応管にフランジを形成することができ」る。
・一方、「前記反応管７の下端はヒータユニット１の下端と一致、或は略一致して」いるから、「石英製のフランジアダプタ１３はヒータユニット１内の加熱域に含まれる部分がないので、耐熱性が問題となることはない。」
　
　よって、本願の当初明細書等に開示された発明は、「反応管の下端を、該反応管を囲繞するヒータユニット加熱域の下端に一致させた」構成によって、本願発明の課題を解決できるものであるから、補正前請求項３発明の発明特定事項のみからなる構成が単独で開示されているのではなく、少なくとも補正前請求項１発明または補正前請求項２発明の発明特定事項を兼ね備えた構成が、本願発明として開示されていることは明らかである。
　
　
第５．本願請求項１発明の検討
　本願の請求項１の記載によれば、「前記反応管の下端にフランジを形成し、該フランジの下端を前記ヒータベース上端に一致若しくは前記ヒータベースより上側に設けた」点は本願請求項１発明の発明特定事項であるが、「反応管の下端を、該反応管を囲繞するヒータユニット加熱域の下端に一致させた」点については本願請求項１発明の発明特定事項となっていない。
　よって、本願請求項１発明は、「反応管の下端」に形成された「フランジの下端」を、「前記ヒータベースより上側」ではあるが「該反応管を囲繞するヒータユニット加熱域の下端」よりは下側に設けた場合、換言すれば、「反応管の下端」に形成された「フランジの下端」が「ヒータベース」と「該反応管を囲繞するヒータユニット加熱域の下端」の間（本願の図面を例にとれば、「ヒータベース３」と「ヒータユニット１」加熱域の下端との間の「断熱材２」が存在する高さ）に位置する場合も含むことになる。この場合は、「炭化珪素製の」「フランジの下端」が「加熱域内に設けられてい」ないことになるため、「反応管７の下端部はヒータユニット１に囲繞される加熱域から下方に突出している為、下端部と加熱域にある部分とは大きな温度差が生じる。反応管７の下端にフランジを設けた場合、前記温度差に起因する熱応力がフランジ部に集中する。又、反応管７の材料である炭化硅素は脆い材料であるので、大きな熱応力が生じると破損してしまう。」（０００６段落）との場合に該当することになり、本願発明の課題を解決することができない。
　また、本願請求項１発明は、「反応管の下端」に形成された「フランジの下端」を、「前記ヒータベース上端に一致」させた場合も含むことになるが、この場合は、「ヒータベース」上に直に「ヒータユニット加熱域」を設ける（本願の図面を例にとれば、「ヒータベース３」と「ヒータユニット１」加熱域の下端との間の「断熱材２」の厚みをほぼ０にする）ような特殊な場合を除けば、「反応管の下端を、該反応管を囲繞するヒータユニット加熱域の下端に一致させた」との条件を満たすことはないから、実質的には「フランジの下端」が「ヒータユニット加熱域の下端」よりも下側に位置するものと認められる。よって、この場合も同様に、「炭化珪素製の」「フランジの下端」が「加熱域内に設けられてい」ないことになるため、「反応管７の下端部はヒータユニット１に囲繞される加熱域から下方に突出している為、下端部と加熱域にある部分とは大きな温度差が生じる。反応管７の下端にフランジを設けた場合、前記温度差に起因する熱応力がフランジ部に集中する。又、反応管７の材料である炭化硅素は脆い材料であるので、大きな熱応力が生じると破損してしまう。」（０００６段落）との場合に該当することになり、本願発明の課題を解決することができない。
　よって、本願請求項１発明は、本願発明の課題を解決することができない場合を含むものである。
　
　
第６．拒絶理由通知及び意見書の概要
１．当審の拒絶理由通知
　当審における平成２１年１月１３日付けの拒絶理由通知（以下、「拒絶理由通知」という。）のうち、理由３の概要は、本願明細書の記載が不備であるから特許法第３６条第６項第１号及び第２号に規定する要件を満たしていないというものであり、記載されている具体的内容は以下のとおりである。
　
「３．この出願は、明細書の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第６項第１号及び第２号に規定する要件を満たしていない。
　
　　　　　　　　記　　（引用刊行物については刊行物一覧参照）
　　（略）
 ・請求項３
 ・理由３
 　請求項３には、「前記反応管の下端を前記ヒータベースよりも上側に設けること」が記載されているが、この記載のみでは、「反応管７の下端部はヒータユニット１に囲繞される加熱域から下方に突出している為、下端部と加熱域にある部分とは大きな温度差が生じる。」（【０００６】段落）という【発明が解決しようとする課題】が解決できないから、本願の請求項３に係る発明は、発明の詳細な説明に記載されたものではなく、また、記載が明確ではない。
　　（略）　」
　
２．請求人の意見書における主張
　これに対する、請求人の意見書における主張は、以下のとおりである。
　
　「２．２．理由３（特許法第３６条第６項第１号及び第２号）
　　　　補正により、現請求項３及び現請求項８を削除致しましたので、理由３は解消されたと思料致します。」
　
　
第７．当審の判断
　意見書における「現請求項３・・・を削除致しましたので、理由３は解消されたと思料致します。」との主張は、上記「第３．」で検討したとおり、本願請求項１発明が補正前請求項３発明（意見書中での「現請求項３」に係る発明）に対応しており、上記「現請求項３」は実質的には削除されていないものであるから、採用することができない。
　そこで、上記「第６．」の「１．」で引用した拒絶理由通知の、補正前請求項３発明に対する「請求項３には、「前記反応管の下端を前記ヒータベースよりも上側に設けること」が記載されているが、この記載のみでは、「反応管７の下端部はヒータユニット１に囲繞される加熱域から下方に突出している為、下端部と加熱域にある部分とは大きな温度差が生じる。」（【０００６】段落）という【発明が解決しようとする課題】が解決できないから、本願の請求項３に係る発明は、発明の詳細な説明に記載されたものではなく、また、記載が明確ではない。」との拒絶の理由が、本願請求項１発明において解消しているか否かについて検討する。ここで、上記「第５．」での検討によると、本願請求項１発明は、「炭化珪素製の」「フランジの下端」が「加熱域内に設けられてい」ない場合を含んでいるため、「反応管７の下端部はヒータユニット１に囲繞される加熱域から下方に突出している為、下端部と加熱域にある部分とは大きな温度差が生じる。反応管７の下端にフランジを設けた場合、前記温度差に起因する熱応力がフランジ部に集中する。又、反応管７の材料である炭化硅素は脆い材料であるので、大きな熱応力が生じると破損してしまう。」（０００６段落）との場合に該当することになり、本願発明の課題を解決することができないのであるから、上記拒絶の理由を依然として解消していないことは明らかである。
　よって、本願の請求項１に係る発明は、発明の詳細な説明に記載されたものではなく、また、記載が明確ではないから、明細書の記載が、特許法第３６条第６項第１号及び第２号に規定する要件を満たしていない。
　
　
第８．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項について検討するまでもなく、特許法第３６条第６項第１号及び第２号に規定する要件を満たしていないので、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。