【事件の表示】
　平成８年特許願第２８９９６６号「紫外線照射装置及び光洗浄方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年５月２２日出願公開、特開平１０−１３５１６８号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成８年１０月３１日の出願であって、平成１８年１０月２０日付けで拒絶査定がなされ、平成１８年１１月２４日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、平成１８年１２月２５日付けで手続補正がされたものである。
　
第２　平成１８年１２月２５日付けの手続補正についての補正却下
［結論］
　平成１８年１２月２５日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
１．補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項２について、
「基板の搬入口及び搬出口を有するとともに搬入された基板に対して紫外線を照射させるための開口部を有する筐体内部に前記基板を搬入する工程と、
　前記基板が前記筐体内部に搬入されたことを検出する工程と、
　前記基板の検出に基づいて前記基板を前記開口部に接近する方向へ上昇させると同時に、前記搬入口及び搬出口を閉塞して紫外線が漏れ出るのを防止する工程と、
　上記基板の検出に基づいて前記筐体内部に搬入された前記基板に対し前記紫外線を所定時間照射して前記基板を光洗浄する工程と、
　紫外線が所定時間照射された後、前記基板を下降させると同時に前記搬出口を開放して前記基板を搬出する工程と
　を有することを特徴とする光洗浄方法。」とある記載を、
「基板の搬入口及び搬出口を有するとともに搬入された基板に対して紫外線を照射させるための開口部を有する筐体内部に前記基板を搬入する工程と、
　前記基板が前記筐体内部に搬入されたことを検出する工程と、
　前記基板の検出に基づいて前記基板を前記開口部に接近する方向へ上昇させると同時に、前記搬入口及び搬出口を閉塞して紫外線が漏れ出るのを防止する工程と、
　上記基板の
上昇の
　紫外線が所定時間照射された後、前記基板を下降させると同時に前記搬出口を開放して前記基板を搬出する工程と
　を有することを特徴とする光洗浄方法。」と補正すると共に（下線部は補正個所を示す。）、
明細書の段落【００１０】を補正後の請求項１に整合させるように補正することを含むものである。
　
２．当審の判断
（１）補正の目的について
　上記補正は、基板を光洗浄する工程における、「筐体内部に搬入された前記基板に対し前記紫外線を所定時間照射」することに関し、「上記基板の検出に基づいて」としていたものを、「上記基板の
上昇の
ア．上記補正事項に関し、明細書及び図面には、段落【００１２】に「上記紫外線照射装置には上記搬入口付近に、基板の筐体内部への搬入を検出する検出手段が設けられ、さらに上記検出手段で上記基板の搬入を検出した場合に上記紫外線照射手段を所定のタイミングで点灯させ」、段落【００２５】に「上記搬入口４の外方側には、図１、図２に示すように、上記基板３が上記筐体２内部に搬入されたかどうかを検出する検出手段としての第１のセンサ２１が設けられ、」「これら第１のセンサ２１、第２のセンサ２２には、例えば投光部２１ａ，２２ａおよび受光部２１ｂ，２２ｂがそれぞれ設けられ、これら投光部２１ａ，２２ａと受光部２１ｂ，２２ｂとの間で光線を投受光することによって基板３を検出するようになっている。」、段落【００２６】に「これら第１のセンサ２１、第２のセンサ２２は、図２に示す制御手段２３に電気的に接続されており、この制御手段２３はこれらのセンサ２０、２１が検出した検出信号を受信可能としている。」、段落【００２７】に「この制御手段２３は上記紫外線ランプ８に例えばオン、オフスイッチを介して接続されており、上記検出信号が受信された場合所定タイミングでこのオン、オフスイッチを作動させて上記紫外線ランプ８を点灯、消灯させるようになっている。」、及び段落【００２９】に「なお上記第１のセンサ２１、第２のセンサ２２は、基板３の大きさによっては上記筐体２の内部側に設ける構成としても構わない。
　このような構成の紫外線照射装置１によると、上記搬入口４の外方側に第１のセンサ２１が設けられ、また上記搬出口５の外方側には第２のセンサ２２が同様に設けられているため、この基板３の搬入および搬出を確実に検出可能となっている。また、この第１のセンサ２１と駆動手段１１は、それぞれ制御手段２３に電気的に接続されているため、この基板３に対する上記紫外線ランプ８の最適照射時間が制御可能となっている。」と記載され、図１及び図２には、センサとして、第１のセンサ２１と第２のセンサ２２のみが記載されている。
　上記記載事項及び図示内容からみると、紫外線を所定時間照射することについて、基板を検出するものは、搬入口４の外方側の第１のセンサ２１のみであり、当該第１のセンサ２１の検出結果から、紫外線照射手段を所定のタイミングで点灯させるものと解される。
　段落【００３０】に「なお本実施の形態では、上記基板３を駆動源１１で上昇させてから、上記紫外線ランプ８が基板３を３０秒程度照射するように設けられている。」と記載されているが、検出手段については記載されておらず、いわゆる時間等で制御されるものが含まれることが明らかであるから、基板３が上昇したことを検出することまで記載されているとはいえない。
イ．一方、段落【００２８】には、「また本実施の形態では、上記制御手段２３は上記シリンダ１２とも電気的に接続された構成となっており、上記センサ２１で基板３の搬入を検出して上記シリンダ１２を上昇させ、シリンダ１２の上昇を検出したタイミングで紫外線ランプ８を点灯させ、上記シリンダ１２を下降させると同時に、又は下降を検出して紫外線ランプ８を消灯させるようになっている。」と記載されている。
　上記記載によると、「シリンダ１２の上昇を検出したタイミング」と記載されているから、「シリンダ１２の上昇を検出」する『検出手段』を別途有していると解し得る。
　しかしながら、当該段落【００２８】が図１及び２に示されるような、検出手段として、第１のセンサ２１と第２のセンサ２２のみを有する実施の形態の説明であり、また、ア．で検討したことからみると、「シリンダ１２の上昇を検出」する『検出手段』を別途有するとすると、その説明が明確であるとはいえない。
ウ．上記補正事項について、補正前における「上記基板の検出に基づいて」とは、上記ア．で述べたように、「基板が前記筐体内部に搬入されたことを検出する工程」での検出であって、「前記基板の検出に基づいて前記基板を前記開口部に接近する方向へ上昇させる」工程における基板の搬入されたことの検出と同じ検出であったところ、補正後は「上記基板の
上昇の
　したがって、補正後の「上記基板の
上昇の
　また、誤記の訂正を目的とするものとも、拒絶の理由に示す事項についての明りょうでない記載の釈明を目的とするものともいえない。
　よって、上記補正事項を含む本件補正は、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正及び拒絶の理由に示す事項についての明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当せず、かつ請求項の削除を目的とするものにも該当しないので、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定に違反する。
　
（２）独立特許要件について
　さらに進めて、本件補正後の前記請求項２に記載された発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）についても、以下に検討する。
　
ア．引用刊行物
（ア）引用刊行物１
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された特開昭６３−３３８２４号公報（以下「引用刊行物１」という。）には、第１〜３図とともに以下の事項が記載されている。
ａ．「本発明は半導体基板、液晶基板等の薄板状基板（以下ウェハと称す）に所定の表面処理を施した後、洗浄する方法に関し、とくにウェハ表面に残留する汚染物質を光照射により分解、除去する表面洗浄方法に関する。」（１頁左欄下から５行〜末行）
ｂ．「第２図は本発明に係る表面処理方法を実施するための装置例を示す概要図であり、表面処理室２内にはウェハ搬送用無端ベルトＯ２が一対走行自在に配置されている。
　また、表面処理室２内中央には、高低２種のピン１０および１１が植立されたウェハチャック１が水平回転自在で且つ、昇降自在に配設され、無端ベルトＯ２によって水平搬送されてきたウェハＷは一点鎖線で示す如く無端ベルトＯ２面上に突出するピン１０に当接して停止し、位置決めされ、この状態でチャック１を第２図一点鎖線で示す第１の位置から、実線で示す第２の位置へ上昇させることにより、ピン１０および１１間にウェハＷを保持し、無端ベルＯ２上で水平回転できる状態となる。・・・中略・・・。又、このチャック１は同図二点鎖線のように表面処理室２の上方に設けられた窓部６に近接、対向する第３の位置まで上昇させることができるように構成されている。これは、窓部６の上方に吊設した紫外線照射ランプ８との距離をできるだけ短くし、且つランプ８と窓部６との間に配設したコンデンサーレンズ７にて紫外光線をウェハ表面に集光し、紫外線エネルギを有効にウェハ表面に照射し得るようにするためである。
　また、表面処理室２のウェハ搬入口およびウェハ搬出口には、それぞれシャッタ４およびシャッタ５が適宜開閉自在に配設されており、搬入口および搬出口の外側にはそれぞれ搬入用無端ベルトＯ１、および搬出用無端ベルトＯ３が各一対水平走行可能に配設されている。」（２頁右下欄６行〜３頁右上欄１行）
ｃ．「所要のパターンが焼付けられたウェハＷは、無端ベルトＯ１から搬入口のシャッタ４を通過し、無端ベルトＯ２上に移載され、ピン１０に当接することにより、表面処理室２内のチャック１の上に位置決め保持され、チャック１を第２図に一点鎖線で示すチャック１の第１の位置から実線で示す第２の位置まで上昇させた後、その表面にノズルＮより弗酸と弗化アンモニウムとの混合エッチング液が供給され、ウェハＷを回転させながら、エッチング処理を行う（第１図、ステップＳ１）。
　次にエッチングされたウェハＷは予備洗浄され（第１図、ステップＳ２）、第２図に二点鎖線で示すチャック１の第３の位置へ上昇される。
　しかる後、ウェハＷの表面に紫外線照射ランプ８よりコンデンサレンズ７を介して主に１８４．９mmの波長の波長の紫外線を照射し、ウェハＷの表面に付着した弗素イオン等の無機物を活性化する。・・・中略・・・、又、供給口３より不活性ガスを、表面処理室２内に供給し、ウェハＷ表面を不活性ガス、例えば窒素ガスでパージし、紫外線で活性化された窒素イオンと、ウェハ表面で活性化された無機質汚染物等とを結合させ、排気口Ｄ２へ排出させるようにすることが好ましい。
　この第１図ステップＳ３の紫外線照射工程終了後、チャック１を第２図に実線で示す第２の位置へ下降し、ノズルＮより純水等の洗浄液をウェハＷに供給し、その表面を洗浄する（第２図、ステップＳ４）。・・・中略・・・。
　次にチャック１を高速回転させ、ウェハ表面を乾燥させる（第１図、ステップＳ５）。」（３頁右上欄１２行〜右下欄１９行）
ｄ．上記ｂ．で摘示した「表面処理室２のウェハ搬入口およびウェハ搬出口には、それぞれシャッタ４およびシャッタ５が適宜開閉自在に配設されており、搬入口および搬出口の外側にはそれぞれ搬入用無端ベルトＯ１、および搬出用無端ベルトＯ３が各一対水平走行可能に配設されている。」との記載事項、及びｃ．で摘示した「所要のパターンが焼き付けられたウェハＷは、無端ベルトＯ１から搬入口のシャッタ４を通過し、無端ベルトＯ２上に移載され、ピン１０に当接することにより、表面処理室２内のチャック１の上に位置決め保持され、」と、「この第１図ステップＳ３の紫外線照射工程終了後、チャック１を第２図に実線で示す第２の位置へ下降し、ノズルNより純水等の洗浄液をウェハＷに供給し、その表面を洗浄する（第２図、ステップＳ４）。・・・中略・・・。
　なお、この洗浄行程中も紫外線も、紫外線を照射し続けると、・・・中略・・・ウェハＷの表面から除去する効果を高めることができる。
　次にチャック１を高速回転させ、ウェハ表面を乾燥させる（第１図、ステップＳ５）。」との記載事項、そして、処理終了後はウェハＷを表面処理室２から取り出さなければならないことが自明であって、表面処理室２にウェハ搬出口や搬出用無端ベルトＯ３があることからみると、乾燥処理した後に、搬出用無端ベルトＯ３によりウェハ搬出口を介して薄板状基板であるウェハＷを、表面処理室２から搬送する工程が存在するといえる。
　これらの記載事項ａ．〜ｃ．、検討した事項ｄ．及び第１及び２図の図示内容を総合すると、上記引用刊行物１には、次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
「所要のパターンが焼き付けられた薄板状基板であるウェハＷが無端ベルトＯ１からウェハ搬入口のシャッタ４を通過し、無端ベルトＯ２上に移載され、ピン１０に当接することにより、ウェハ搬入口及びウェハ搬出口を有する表面処理室２内のチャック１の上に位置決め保持される工程と、
　チャック１を第２の位置まで上昇させた後、ウェハＷをエッチング処理、予備洗浄する工程と、
チャック１を表面処理室２の上方に設けられた窓部６に近接、対向する第３の位置まで上昇させる工程と、
　しかる後、ウェハＷの表面に窓部６の上方に吊設した紫外線照射ランプ８より紫外線を照射し、ウェハＷ表面に残留する汚染物質を光照射により分解する工程と、
　紫外線照射工程終了後、チャック１を第２の位置へ下降し、ウェハＷの表面を洗浄し、ウェハ表面を乾燥させる工程と、
　乾燥処理した後に、搬出用無端ベルトＯ３によりウェハ搬出口を介してウェハＷを表面処理室２から搬送する工程と
　を有し、
　表面処理室２のウェハ搬入口およびウェハ搬出口のシャッタ４およびシャッタ５は適宜開閉自在に配設されている、
ウェハＷ表面に残留する汚染物質を光照射により分解、除去する表面洗浄方法。」
　
（イ）引用刊行物２
　同じく引用され、本願の出願前に頒布された特開平８−６４５６５号公報（以下「引用刊行物２」という。）には、図１〜１４とともに以下の事項が記載されている。
ａ．「基板の表面に紫外線を照射して所定の処理を行う紫外線照射装置において、
　基板を支持する基板支持手段と、
　前記基板支持手段に支持された基板の表面に向けて紫外線を照射する紫外線ランプと、
　前記基板支持手段に支持された基板の表面に向けて酸素を供給する酸素供給手段と、
　前記基板支持手段に支持された基板を収容可能であるとともに、基板の出し入れのための開口を有する処理室と、
　前記処理室の開口に設けられ、この開口を開閉可能なシャッタと、
　前記処理室及び前記シャッタによって形成される閉空間内の気体を外部に排出する排気手段と、
　前記酸素供給手段の供給動作を停止させるとともに前記紫外線ランプを消灯させた状態で、前記排気手段を排気動作させつつ前記シャッタを開状態にさせる制御手段と、
を有することを特徴とする紫外線照射装置。」（特許請求の範囲の請求項１）
ｂ．「本発明は、半導体製造装置や液晶製造装置などにおいて、半導体ウエハ、液晶用ガラス角型基板、カラーフィルタ用基板、サーマルヘッド用基板、フォトマスク用基板など各種基板の表面に酸素を供給しつつ紫外線を照射することによってオゾンを発生させ、基板表面に付着している有機物を分解したり基板表面を親水化したりする紫外線照射装置に関する。」（段落【０００１】）
ｃ．「図１〜図３に示すように、この紫外線照射装置１０は、紫外線照射下で角形の基板２０に表面処理を施すため内部が気密に保たれるとともに外装カバーとしても機能するチャンバ１１と、チャンバ１１の開口２１の部分に取り付けられて基板２０をチャンバ１１外内に出し入れする際に開放されるシャッタ１８と、表面処理工程前および処理工程中にチャンバ１１内下方の基板搬出位置に基板２０を水平に支持する支持ピン１２と、表面処理工程後にチャンバ１１内上方の搬出待機位置に基板２０を一時的に支持する横動ピン１３と、基板２０の上面に紫外線を照射する紫外線ランプ１４と、チャンバ１１内に処理用の酸素含有ガス（以下、Ｏ2含有ガス）を供給する第１ノズル１５と、チャンバ１１内にパージ用の窒素ガス（以下、Ｎ2ガス）を供給する第２ノズル１６と、チャンバ１１のＯ2含有ガスやＮ2ガスを吸引してチャンバ１１外に排出する排気口１７とを備える。なお、この紫外線照射装置１０は、紫外線処理用ユニットとして、洗浄装置等他の表面処理用ユニットとともに表面処理システム内に組み込まれる。」（段落【００１２】）
ｄ．「紫外線ランプ１４は紫外線照射ユニット内に収納されており、紫外線ランプ１４の上方および側方を囲う反射板２４によって、基板２０の反対側に出射した紫外線を基板２０側に反射して効率的な紫外線照射を可能するとともにより均質な紫外線照射を可能にする。」（段落【００１６】）
ｅ．「シャッタ１８は、基板２０を出し入れするための開口２１を開閉する。その開状態において、搬送装置３０のハンド３０ａ上に吸着されて搬送されてきた基板２０をチャンバ１１内に搬入したり、チャンバ１１内の基板２０をハンド３０ａ側に搬出することを可能にする。また、閉状態においては、チャンバ１１を気密状態に保ってオゾンなどの気体及び紫外線などの光の出入りを防止する。」（段落【００２０】）
ｆ．「シャッタ制御機構５９は、ＣＰＵ１９からの信号に基づいてシャッタ１８を開閉動作させ、その開状態では、チャンバ１１内と搬送装置３０との間で基板２０の受け渡しを可能にし、その閉状態では、チャンバ１１内の気密性を保ってチャンバ１１内のオゾンや紫外線が外部に漏れることを防止するとともに外気や処理液のミストがチャンバ１１内に侵入することを防止する。」（段落【００２５】）
ｇ．「図６〜図８は、実施例の紫外線照射装置１０の動作を模式的に説明したものである。
　図６（ａ）に示すように、基板２０は支持ピン１２上に載置されて基板処理位置にある。まずシャッタ１８を閉じて紫外線ランプ１４を点灯した状態で、適量のオゾンの発生に必要なＯ2含有ガスを第１ノズル１５からチャンバ１１内に吐出させ、支持ピン１２上の基板２０の表面側に供給する。・・・中略・・・。」（段落【００２９】〜【００３０】）
ｈ．「図８（ｂ）に示すように、横動ピン１３が互いに離れるよう外側方向に移動させる。これと同時に、シャッタ１８を閉動作させる。以上により、処理済みの基板２０と未処理の基板１２０の交換が終了し、未処理の基板１２０の処理が可能な状態となる。・・・中略・・・。
　図８（ｃ）に示すように、シャッタ１８を閉じた状態で紫外線ランプ１４の点灯を開始する。以後、図６（ａ）の工程に戻って上記の手順を繰返す。」（段落【００３７】〜【００３８】）
　したがって、記載事項ａ．〜ｈ．及び図１〜図１２の図示内容を総合すると、上記引用刊行物２には、次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
「紫外線処理用ユニットとして、洗浄装置等他の表面処理用ユニットとともに表面処理システム内に組み込まれる紫外線照射装置１０であって、
基板の表面に酸素を供給しつつ紫外線を照射することによってオゾンを発生させ、基板表面に付着している有機物を分解したり基板表面を親水化したりする紫外線照射装置１０において、
チャンバ１１内のオゾンや紫外線が外部に漏れることを防止するとともに外気や処理液のミストがチャンバ１１内に侵入することを防止するように、
基板２０をチャンバ１１内に搬入したり、搬出する開口２１を有するとともに開口２１を開閉するシャッタ１８を有し、
開状態において、基板２０を出し入れするとともに、
シャッタ１８を閉じた状態で気密状態に保って紫外線ランプ１４の点灯を開始する工程と、
紫外線ランプを消灯させた状態で、シャッタ１８を開状態にさせる工程とを
有する紫外線照射装置１０。」
　
イ．対比・判断
　本願補正発明と引用発明１とを対比すると、
後者の「薄板状基板であるウェハＷ」は前者の「基板」に相当し、また、後者の「ウェハ搬入口」はその機能・構成からみて、前者の「基板の搬入口」に相当し、以下同様に、後者の「ウェハ搬出口」は前者の「基板の」「搬出口」に、後者の「表面処理室２」は前者の「筐体」に、後者の「ウェハＷ表面に残留する汚染物質を光照射により分解する」は前者の「基板を光洗浄する」に、後者の「ウェハＷ表面に残留する汚染物質を光照射により分解、除去する表面洗浄方法」は前者の「光洗浄方法」に、後者の「所要のパターンが焼き付けられた薄板状基板であるウェハＷが無端ベルトＯ１からウェハ搬入口のシャッタ４を通過し、無端ベルトＯ２上に移載され、ピン１０に当接することにより、」「表面処理室２内のチャック１の上に位置決め保持される」作動は前者の「筐体内部に基板を搬入する」作動に、後者の「搬出用無端ベルトＯ３によりウェハ搬出口を介してウェハＷを表面処理室２から搬送する」ことは前者の「基板を搬出する」ことに、それぞれ相当する。
　また、後者の「窓部６」について、「ウェハＷの表面に窓部６の上方に吊設した紫外線照射ランプ８より紫外線を照射し、ウェハＷ表面に残留する汚染物質を光照射により分解する」ものであるから、前者の「基板に対して紫外線を照射させるための開口部」に相当し、後者の当該ウェハＷは、「所要のパターンが焼き付けられた薄板状基板であるウェハＷが無端ベルトＯ１からウェハ搬入口のシャッタ４を通過し、無端ベルトＯ２上に移載され、ピン１０に当接することにより、」「表面処理室２内のチャック１の上に位置決め保持され」たものであるから、前者の「搬入された基板」に相当する。そして、後者は「紫外線照射工程終了後、チャック１を第２の位置へ下降」するものであるから、紫外線は所定時間、照射するものいえるので、後者の「ウェハＷの表面に窓部６の上方に吊設した紫外線照射ランプ８より紫外線を照射し」とは前者の「筐体内部に搬入された前記基板に対し前記紫外線を所定時間照射して」に相当し、後者の「紫外線照射工程終了後、チャック１を第２の位置へ下降し」は前者の「紫外線が所定時間照射された後、前記基板を下降させる」ことに相当する。
　さらに、後者の「チャック１を表面処理室２の上方に設けられた窓部６に近接、対向する第３の位置まで上昇させる」ことは前者の「基板を開口部に接近する方向へ上昇させる」ことに相当し、後者は「表面処理室２のウェハ搬入口およびウェハ搬出口のシャッタ４およびシャッタ５は適宜開閉自在に配設されている」のであるから、前者の「基板の搬入口及び搬出口」について「搬入口及び搬出口を閉塞」したり、「搬出口を開放」する手段を有するといえる。
　後者が「紫外線照射工程終了後、チャック１を第２の位置へ下降し、ウェハＷの表面を洗浄し、ウェハ表面を乾燥させる工程と、
　乾燥処理した後に、搬出用無端ベルトＯ３によりウェハ搬出口を介してウェハＷを表面処理室２から搬送する工程」を有することと、前者が「紫外線が所定時間照射された後、前記基板を下降させると同時に前記搬出口を開放して前記基板を搬出する工程」を有することとは、「紫外線が所定時間照射された後、前記基板を下降させ」、「前記基板を搬出する」工程である点で共通する。
　そうすると、両者は、「基板の搬入口及び搬出口を有するとともに搬入された基板に対して紫外線を照射させるための開口部を有する筐体内部に前記基板を搬入する工程と、
　前記基板を前記開口部に接近する方向へ上昇させる工程と、
　前記筐体内部に搬入された前記基板に対し前記紫外線を所定時間照射して前記基板を光洗浄する工程と、
　紫外線が所定時間照射された後、前記基板を下降させ、前記基板を搬出する工程と
　を有する光洗浄方法。」である点で一致し、以下の点で相違すると認められる。
相違点Ａ：基板を開口部に接近する方向へ上昇させるタイミングに関し、本願補正発明が「前記基板が前記筐体内部に搬入されたことを検出する工程」を有し、「前記基板の検出に基づいて」行うのに対して、引用発明１は「チャック１の上に位置決め保持される工程」に続く、「チャック１を第２の位置まで上昇させた後、ウェハＷをエッチング処理、予備洗浄する工程」の後に行われるるとともに、基板の検出をするものか否かも不明である点。
相違点Ｂ：紫外線を所定時間照射するタイミングに関し、本願補正発明は、「基板の上昇の検出に基づいて」照射するのに対し、引用発明１は「チャック１を表面処理室２の上方に設けられた窓部６に近接、対向する第３の位置まで上昇させる工程」の「しかる後」に照射するものの、基板の上昇の検出に基づくものか否か不明である点。
相違点Ｃ：本願補正発明が「基板を前記開口部に接近する方向へ上昇させると同時に、前記搬入口及び搬出口を閉塞して紫外線が漏れ出るのを防止する」ものであり、かつ「基板を下降させると同時に前記搬出口を開放して前記基板を搬出する」のに対して引用発明１は「表面処理室２のウェハ搬入口およびウェハ搬出口のシャッタ４およびシャッタ５」を有するものの「適宜開閉自在に配設されている」のみである点。
　
　そこで、上記相違点について検討する。
（ア）相違点Ａについて
　引用発明１は、「紫外線を照射し、ウェハＷ表面に残留する汚染物質を光照射により分解する工程」だけでなく、その前に「チャック１を第２の位置まで上昇させた後、ウェハＷをエッチング処理、予備洗浄する工程」及びその後に「ウェハＷの表面を洗浄し、ウェハ表面を乾燥させる工程」をも有するものである。
　しかしながら、引用発明１において、紫外線を照射する以外の、これら前処理及び後処理といえる工程を、同じ表面処理室２で行うのではなく、別途行うことは、例えば、引用発明２においても、紫外線照射装置１０が、紫外線処理用ユニットとして、洗浄装置等他の表面処理用ユニットとともに表面処理システム内に組み込まれるものであるように、当業者がそのシステムを設計するにあたり、適宜なし得たことといえる。
　また、被処理物の位置を検出し、これに続く制御を行うことは、例えば、特開平２−６１００号公報（特に第３頁左下欄参照）、実願昭６２−７７７６５号（実開昭６３−１８８４３３号）のマイクロフイルム（例えば明細書第４〜５頁第８〜９頁等参照）、特開平４−３２９８７７号公報等に示されるように、従来周知の技術である。
　そうすると、引用発明１において、「チャック１を第２の位置まで上昇させた後、ウェハＷをエッチング処理、予備洗浄する工程」を無くし、その際、「チャック１の上に位置決め保持される工程」が終了したことを、従来周知の技術に倣って、被処理物であるウェハＷの位置を検出し、その検出に基づいてその後の工程を行うようなすことは、当業者が格別の困難性を要することなくなし得たことといえる。
　そしてそのことによる格別の効果も認められない。
　
（イ）相違点Ｂについて
　引用発明１における「チャック１を表面処理室２の上方に設けられた窓部６に近接、対向する第３の位置まで上昇させる工程」の「しかる後」のタイミングについて、上記（ア）で述べたように被処理物の位置を検出し、これに続く制御を行うこという従来周知の技術に倣って、上昇の検出に基づいて行うことは、当業者が容易になし得たことといわざるを得ない。
　そしてそのことによる格別の効果も認められない。
　
（ウ）相違点Ｃについて
　引用発明２は、引用発明１と同様の紫外線を照射する工程を有するものであり、この装置において、「チャンバ１１内のオゾンや紫外線が外部に漏れることを防止するとともに外気や処理液のミストがチャンバ１１内に侵入することを防止するように」なすものである。
　そうすると、引用発明１に引用発明２を適用し、引用発明１における、本願補正発明の基板を搬入する工程に相当する、「表面処理室２内のチャック１の上に位置決め保持される工程」に続く工程において、表面処理室２のシャッタを閉じた状態で気密状態に保って紫外線ランプ１４の点灯を開始するすべく、表面処理室２のウェハ搬入口およびウェハ搬出口のシャッタ４およびシャッタ５を閉じて閉塞することは当業者が必要に応じて適宜なし得たことといえる。
　そして、上記（ア）で述べたように、引用発明１を紫外線を照射するのみとすると、上記基板を搬入する工程に続く工程は、本願補正発明の「基板を前記開口部に接近する方向へ上昇させる」工程に相当する「チャック１を表面処理室２の上方に設けられた窓部６に近接、対向する第３の位置まで上昇させる工程」であるから、この工程における基板の上昇と同時に、表面処理室２のウェハ搬入口およびウェハ搬出口のシャッタ４およびシャッタ５を閉じて閉塞することも、当業者が格別の困難性を要することなくなし得たものである。より短時間で作業が終了するように、並行できる作業を同時に行うことは、当業者が通常なす程度の設計事項にすぎない。
　また、紫外線を照射した後についても、同様に、紫外線ランプを消灯させた状態でシャッタを開状態にさせるべく、紫外線照射工程終了後の「チャック１を第２の位置へ下降」すると同時に、ウェハ搬出口のシャッタ５を開放することは当業者が適宜なし得たことといえる。
　そうすると、相違点Ｃに係る本願補正発明の発明特定事項とすることは、引用発明１、引用発明２及び上記周知の事項に基づいて当業者が容易になし得たことといわざるを得ない。
　そしてそのことによる格別の効果も認められない。
　
　また、上記相違点Ａ〜Ｃを合わせ考えても、その効果が格別であるともいえない。
　よって、本願補正発明は、引用発明１、引用発明２及び上記周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
ウ．特許請求の範囲の記載について
　上記（１）ア．及びイ．で述べたように、補正後の請求項２には「上記基板の
上昇の
　すると、上記段落【００２８】の記載は、基板の上昇を検出する手段を有するとも、検知手段を有するのではなく、単にそのタイミングを指すものとも、解しうる。
　とすると、当該記載と同じ記載の特許請求の範囲の請求項２は、発明が明確でないとともに、記載どおり、基板の上昇を検出する手段を有すると解すると、発明の詳細な説明及び図面に充分説明されておらず、発明の詳細な説明に記載したものであるともいえないから、特許法第３６条第６項第１号又は２号に該当せず、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
エ．まとめ
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反する。
　
３．むすび
　以上述べたとおりであるから、本件補正は、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項２に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成１８年３月２０日付けで手続補正された明細書の特許請求の範囲の請求項２に記載された事項により特定されるとおりのものである。（第２の１．参照）
　
１．引用刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物の記載事項は、前記「第２の２．（２）ア．（ア）及び（イ）」に記載したとおりである。
　
２．対比・判断
　本願発明は、前記「第２の（２）」で検討した本願補正発明の発明を特定するための事項である、基板を光洗浄する工程における「筐体内部に搬入された前記基板に対し前記紫外線を所定時間照射」することに関し、「上記基板の
上昇の
　そうすると、本願発明と引用発明１とは、
「基板の搬入口及び搬出口を有するとともに搬入された基板に対して紫外線を照射させるための開口部を有する筐体内部に前記基板を搬入する工程と、
　前記基板を前記開口部に接近する方向へ上昇させる工程と、
　前記筐体内部に搬入された前記基板に対し前記紫外線を所定時間照射して前記基板を光洗浄する工程と、
　紫外線が所定時間照射された後、前記基板を下降させ、前記基板を搬出する工程と
　を有する光洗浄方法。」である点で一致し、以下の点で相違すると認められる。
相違点Ａ：基板を開口部に接近する方向へ上昇させるタイミングに関し、本願発明が「前記基板が前記筐体内部に搬入されたことを検出する工程」を有し、「前記基板の検出に基づいて」行うのに対して、引用発明１は「チャック１の上に位置決め保持される工程」に続く、「チャック１を第２の位置まで上昇させた後、ウェハＷをエッチング処理、予備洗浄する工程」の後に行われるるとともに、基板の検出をするものか否かも不明である点。
相違点Ｂ：紫外線を所定時間照射するタイミングに関し、本願発明は、「基板の検出に基づいて」照射するのに対し、引用発明１は「チャック１を表面処理室２の上方に設けられた窓部６に近接、対向する第３の位置まで上昇させる工程」の「しかる後」に照射するものの、基板の検出に基づくものか否か不明である点。
相違点Ｃ：本願発明が「基板を前記開口部に接近する方向へ上昇させると同時に、前記搬入口及び搬出口を閉塞して紫外線が漏れ出るのを防止する」ものであり、かつ「基板を下降させると同時に前記搬出口を開放して前記基板を搬出する」のに対して引用発明１は「表面処理室２のウェハ搬入口およびウェハ搬出口のシャッタ４およびシャッタ５」を有するものの「適宜開閉自在に配設されている」のみである点。
　
　そこで、上記相違点について検討する。
（１）相違点Ａについて
　上記第２の２．（２）イ．（ア）で述べたように、当業者が格別の困難性を要することなくなし得たことである。
　
（２）相違点Ｂについて
　上記第２の２．（２）イ．（ア）で述べたように、被処理物の位置を検出し、これに続く制御を行うこという従来周知の技術である。
　そして、引用発明１における「チャック１を表面処理室２の上方に設けられた窓部６に近接、対向する第３の位置まで上昇させる工程」の「しかる後」のタイミングについて、上記周知の技術に倣って、基板の検出に基づいて行うことは、当業者が容易になし得たことといわざるを得ない。どの時点での検出に基づくかは当業者が適宜選択し得たことである。
　そしてそのことによる格別の効果も認められない。
　
（ウ）相違点Ｃについて
　上記第２の２．（２）イ．（ウ）で述べたように、相違点Ｃに係る本願発明の発明特定事項とすることは、引用発明１、引用発明２及び上記周知の事項に基づいて当業者が容易になし得たことである。
　
　また、上記相違点Ａ〜Ｃを合わせ考えても、その効果が格別であるともいえない。
　よって、本願発明は、引用発明１、引用発明２及び上記周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
３．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明１、引用発明２及び上記周知の事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。そうすると、本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。