(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
各々、コイルと、磁性膜と、記録再生のためのギャップ部分とを有する複数の薄膜素子部を、２つの該薄膜素子部のギャップ部分を対向させてウエハ上に直線上に配列して形成する工程と、
前記磁性膜上に保護膜を形成する工程と、
前記ギャップ部分に、前記配列方向に沿って所定形状の溝を形成する工程と、
前記ウエハの厚さ方向に各前記薄膜素子部ごとに切断する工程と、
を含むことを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記薄膜素子部は、両端に導電部材が接続された磁気抵抗効果素子を含んで形成されることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記溝は、エッチング又は所定切断面形状の切断部材により形成されることを特徴とする請求項１又は２記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４】
記録媒体に対して浮上するスライダの空気流出端に、情報の記録再生を行うための薄膜素子部が形成され、前記薄膜素子部上に保護膜が形成された磁気ヘッドにおいて、
前記スライダの浮上面における前記薄膜素子部の側端部の近傍でかつ該側端部に接触しない位置より前記保護膜の前記空気流出方向にかけて空気流出側で幅が広いＶ字状の切欠部が形成されてなることを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項５】
前記切欠部は空気流出端に向かうにつれて深さが深くなることを特徴とする請求項４記載の磁気ヘッド。
【請求項６】
前記薄膜素子部は、電磁誘導性型による、又は磁気抵抗効果型と電磁誘導性型との組合わせによる構成で形成されることを特徴とする請求項４または５記載の磁気ヘッド。
【請求項７】
記録媒体に対して浮上して情報の記録再生を行う請求項４〜６のうちいずれか一項記載の磁気ヘッドを搭載するヘッド支持部と、
前記ヘッド支持部が取り付けられるアーム部と、
前記アーム部を前記記録媒体上で移動させる駆動部と、
を備えることを特徴とする磁気ディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、記録媒体に対して情報の記録再生を行う磁気ディスク装置に使用される磁気ヘッドに関する。
近年、磁気ディスク装置の小型化、大容量化に伴って記録媒体が高密度化してきており、磁気ヘッドの低浮上化が要求されているが、磁気ヘッドの耐衝撃性や記録媒体への接触を少なくするのに限界を生じている。そのため、磁気ヘッドの記録媒体への接触を少なくする構造にする必要がある。
【０００２】
【従来の技術】
図２０に、従来の磁気ヘッドの構成図を示す。図２０（Ａ）において、磁気ヘッド１１はコアスライダ１２の記録媒体としての磁気ディスクに対して浮上する浮上面に、空気流方向に２つのレール面１３ａ，１３ｂが形成され、空気流入側に浮上を導くためのテーパ面１４ａ，１４ｂが形成される。
【０００３】
レール面１３ａの空気流出側の端面には記録再生を行うための薄膜素子１５が形成される。薄膜素子１５は、図２０（Ｂ）に示すように、コアスライダ１２（レール面１３ａ）の端面に絶縁膜（アルミナ）１６が形成され、絶縁膜１６上に磁性膜１７が形成される。この磁性膜１７上に絶縁膜１８が形成され、この絶縁膜１８内にコイル１９が巻回状に形成される。そして、絶縁膜１８上に磁性膜２０が形成される。磁性膜１７，２０で形成されるギャップ２２で記録再生が行われる。また、薄膜素子１５における磁性膜２０上に保護膜（絶縁膜）２１が形成される。
【０００４】
一方、レール面１３ａ，１３ｂには、図２０（Ｃ）の破線で示すように空気の流れの円滑化を図るなどのために面取り加工（ラッピング加工）が施されている。面取りの幅と高さはそれぞれ０  〜１０μｍ  程度である。この場合、コアスライダ１２の端面から保護膜２１の端部までの距離をＬとすると、Ｌ≧０．０２５  ｍｍで設定され、磁性膜２０から保護膜２１の端部までの距離（保護膜の膜厚）をＳとすると、Ｓ≒０．０１５  〜０．０２ｍｍに設定される。
【０００５】
このような磁気ヘッド１１は、回転する磁気ディスクで生じる空気流を取り込み磁気ディスク上に浮上する。この場合、磁気ヘッド１１と磁気ディスクとが接触してもダメージが少なくなるように、レール面１３ａ，１３ｂ（テーパ面１４ａ，１４ｂを含む）及び磁気ディスク表面にＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）などの薄い膜を形成したり、また上述のレール面１３ａ，１３ｂの面取り加工によりバリを除去している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ここで、図２１に、従来の磁気ヘッドにおける保護膜の熱膨脹の説明図を示す。図２１において、磁気ヘッド１１を動作（記録）させる場合、コイル１９に電流を流すため薄膜素子１５の温度が上昇し、保護膜２１の端部２１’のように熱膨脹により隆起する。例えば、保護膜２１がアルミナで形成される場合には１０℃上昇当たりの隆起量が６ｎｍとなった。
【０００７】
このため、磁気ヘッド１１の磁気ディスクへの最少浮上量がこの保護膜２１の隆起量及びスペーシングに依存することとなり、接触が頻繁に起こりやすくなり、その際発生する磨耗粉により、薄膜素子１５やディスクを損傷してしまうため低浮上化を図ることが困難であるという問題がある。
【０００８】
また、コアスライダ１２のレール面１３ａ，１３ｂの面取り加工は、薄膜素子１５を形成したウエハを切断し、レール面１３ａ，１３ｂを形成した後に施されるもので、薄膜素子１５の近傍まで加工すると加工圧力等により当該薄膜素子１５を加工することになって電磁変換特性の悪化などのばらつきが大きくなるという問題がある。
【０００９】
そこで、本発明は上記課題に鑑みなされたもので、第１の目的は記録媒体に対して低浮上化を図り、第２の目的は素子の均一化を図る磁気ヘッドを提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、請求項１は、各々、コイルと、磁性膜と、記録再生のためのギャップ部分とを有する複数の薄膜素子部を、２つの該薄膜素子部のギャップ部分を対向させてウエハ上に直線上に配列して形成する工程と、前記磁性膜上に保護膜を形成する工程と、前記ギャップ部分に、前記配列方向に沿って所定形状の溝を形成する工程と、前記ウエハの厚さ方向に各前記薄膜素子部ごとに切断する工程と、を含む磁気ヘッドの製造方法とする。
【００１２】
請求項２は、前記薄膜素子部は、両端に導電部材が接続された磁気抵抗効果素子を含んで形成される。
請求項３は、前記溝は、エッチング又は所定切断面形状の切断部材により形成される。
【００１３】
請求項４は、記録媒体に対して浮上するスライダの空気流出端に、情報の記録再生を行うための薄膜素子部が形成され、前記薄膜素子部上に保護膜が形成された磁気ヘッドにおいて、前記スライダの浮上面における前記薄膜素子部の側端部の近傍でかつ該側端部に接触しない位置より前記保護膜の前記空気流出方向にかけて空気流出側で幅が広いＶ字状の切欠部が形成されてなる。
請求項５は、前記切欠部は空気流出端に向かうにつれて深さが深くなる。
【００１４】
請求項６は、前記薄膜素子部が、電磁誘導性型による、又は磁気抵抗効果型と電磁誘導性型との組合わせによる構成で形成される。
請求項７は、記録媒体に対して浮上して情報の記録再生を行う上記いずれかの磁気ヘッドを搭載するヘッド支持部と、前記ヘッド支持部が取り付けられるアーム部と、前記アーム部を前記記録媒体上で移動させる駆動部と、を備える磁気ディスク装置を構成する。
【００１５】
【作用】
上述のように、本発明では、スライダの浮上面における保護膜に切欠部が形成される。これにより、温度上昇によって保護膜が浮上面上に隆起される部分が減少することから、磁気ヘッドの記録媒体に対する低浮上化を図ることが可能となる。
【００１６】
請求項１〜３の発明では、薄膜素子の２つの磁極のギャップ部分をエッチング又は切断部材により保護膜の切欠部となる溝を形成し切断、加工する。これにより、保護膜の切欠部を高度な面取り加工を行なうことなく容易に形成することが可能になると共に、磁極のギャップ又は端面より保護膜の端部までの距離を十分縮小でき、かつ薄膜素子のばらつきが減少して電磁変換特性の均一化を図ることが可能となる。
【００１７】
請求項４及び５の発明では、スライダの浮上面の薄膜素子の両側端の近傍から保護膜の空気流出方向にかけて空気流出側で広いＶ字状の切欠部が形成される。これにより、薄膜素子周辺の表面積が増大して冷却が促進され温度上昇による保護膜の隆起が抑制され、磁気ヘッドの記録媒体に対する低浮上化を図ることが可能になる。
【００１８】
請求項６の発明では、スライダに形成される薄膜素子が電磁誘導性型による、又は磁気抵抗効果型と電磁誘導性型との組合わせによる構成で形成される。これにより、何れの型のものであっても低浮上化を実現でき記録再生に対する電磁変換特性の向上を図ることが可能である。
【００１９】
請求項７の発明では、磁気ディスク装置に上述の磁気ヘッドを搭載する。これにより、磁気ヘッドの記録媒体へのヘッドタッチが減少され、低浮上化を図ることが可能となる。
【００２０】
【実施例】
図１に、本発明の第１実施例における磁気ヘッドの構成図を示す。図１（Ａ）において、磁気ヘッド３１は、コアスライダ３２の記録媒体としての磁気ディスクに対して浮上する浮上面に、空気流方向に２つのレール面３３ａ，３３ｂが形成され、該レール面３３ａ，３３ｂの空気流入側に浮上を導くためのテーパ面３４ａ，３４ｂが形成される。
【００２１】
レール面３３ａ，３３ｂのそれぞれの空気流出側の端面には記録再生を行うための薄膜素子３５及び保護膜３６が形成される。薄膜素子３５は、図１（Ｂ）に示すように、コアスライダ３２（レール面３３ａ，３３ｂ）の端面に絶縁膜３７が形成され、絶縁膜３７上に磁極となる磁性膜３８が形成される。この磁性膜３８上に絶縁膜３９が形成され、この絶縁膜３９内にコイル４０が所定層巻回状に形成される。
【００２２】
そして、絶縁膜３９上に磁極となる磁性膜４１が形成される。磁性膜３８，４１で形成されるギャップ４２で記録再生が行われる。また、薄膜素子３５における磁性膜４１上に保護膜（絶縁膜）３６が形成される。
保護膜３６は、レール面３３ａ，３３ｂにおける薄膜素子３５の近傍より空気流出方向に段差面の切り欠き形状の切欠部４３ａが形成される。この場合、磁性膜４１から保護膜３６の端部までの距離Ｓ（図１（Ｂ））は、例えば可能な限り零に近い値より０．０１５  ｍｍ未満で形成される。
【００２３】
また、レール面３３ａ，３３ｂは、図１（Ａ）の破線で示すように、空気の流れを円滑にすると共に磁気ディスクの接触時の磨耗粉の発生を軽減させるための面取り加工（ラッピング加工）が施される。
なお、薄膜素子３５は、レール面３３ａ，３３ｂの両方の端面に形成されているが、通常使用時は何れか一方が駆動される。これは、磁気ディスクの両面に当該磁気ヘッド３１の薄膜素子３５の位置を対向させて配置するためである。尚、コアスライダ先端中央部に一つの素子を設けてもよい。
【００２４】
図１（Ａ）に示すように、第１実施例における磁気ヘッドの各部の寸法は、ａ≧０．０３μｍ  、ｂ＝０．０４５  ｍｍ、ｃ＝２５μｍ  、ｄ＝４０μｍ  、ｅ＝２  ｍｍ、ｆ＝１．６  ｍｍ、ｇ＝０．３８５  ｍｍ、ｈ＝０．０５４  ｍｍ、ｉ＝０．２５５  ｍｍと設定されている。尚、０．０１ｍｍ≦ｃ≦０．２５ｍｍ、Ｌ≧０．０２ｍｍで形成してもよい。
【００２５】
ここで、切り欠きを設けた保護膜における面取りについて検討する。
図２（Ａ）は本発明の第１実施例における磁気ヘッドと記録媒体との位置関係を模式的に示した簡略図である。図２（Ｂ）は磁気ヘッドの流出端を拡大して示した図である。図１（Ａ）において、ａで示された寸法を図２（Ａ）ではＲＥで示す。ＲＥの値としては、０．０３μｍ  以上が望ましい。
【００２６】
図２（Ａ）において、ＦＨＴは記録媒体と磁気ヘッドの間の距離を示し、ＦＨＬはコアスライダの平坦部分の流入端と記録媒体との距離を表す。さらに、ＳＬはコアスライダの流入端に形成されたテーパ部を除く長手方向におけるレール面３３ａ、３３ｂの長さを表し、ＡＨは保護膜の厚さを表す。
【００２７】
図２（Ａ）と図２（Ｂ）を参照するに、ｘは保護膜先端と記録媒体との距離を表し、θは磁気ヘッドの傾きを表す。ｘおよびθの値はそれぞれ以下の式で与えられる。
θ＝ｓｉｎ−１｛（ＦＨＬ−ＦＨＴ）／ＳＬ｝
ｘ＝ＲＥｃｏｓθ−ＡＨｓｉｎθ＋ＦＨＴ
（ＥＪ＝ＲＥｃｏｓθ，  Ｅｊ＝ＡＨｓｉｎθ）
仮にＲＥの値が０．０３μｍ  未満の場合、保護膜の先端を面取りした方が良い。言い換えれば保護膜の先端にテーパを形成するのが良い。
【００２８】
今、ＲＥ＝０．０２μｍ  、ＦＨＴ＝０．１  μｍ  、ＦＨＬ＝０．３５μｍ  、ＳＬ＝１．８５×１０３  μｍ  、ＡＨ＝４５μｍ  の磁気ヘッドを持つ磁気ディスク装置を装置１とすると、装置１におけるｘおよびθの値はそれぞれ次のようになる。
0003585563.tif 000002
さらに、ＲＥ＝０．０１μｍ  、ＦＨＴ＝０．０７μｍ  、ＦＨＬ＝０．２４５  μｍ  、ＳＬ＝１．８５×１０３  μｍ  、ＡＨ＝４５μｍ  の磁気ヘッドを持つ磁気ディスク装置を装置２とすると、装置２におけるｘおよびθの値はそれぞれ次のようになる。
【００２９】
0003585563.tif 000003
このような装置において素子に電流を流すと、コイルの温度が上昇し、それにともなって保護膜は媒体に近づく方向に盛り上がる。図３は温度の上昇に伴うｘとＦＨＴの差（以下リセス量という）の変化を表し、リセス量の負の値は、保護膜の先端の方がＦＨＴギャップよりも媒体に近いことを示している。１０℃の温度上昇ごとにリセス量が約６  ｎｍ減少することを図３は示している。温度が５０℃上昇した時保護膜先端がＦＨＴギャップよりも２５ｎｍ分媒体に近いことがわかるが、このことから図２（Ｂ）中のＧＤの長さを約３０ｎｍ短くすれば保護膜の突き出しはなくなることがわかる。
【００３０】
保護膜の突き出しを抑えるためには、保護膜の先端にテーパを形成すればよい。図４（Ａ）および４（Ｂ）は、本発明の第１実施例の変形例における磁気ヘッドの構成およびヘッドと記録媒体の位置関係を模式的に示す簡略図であり、図４（Ａ）における破線はテーパを示している。図４（Ｂ）における点Ｄ’は突き出した保護膜の端を示している。ＤＥを１とした時、ＡＥが０．８  、０．６  、０．４  、０．２  となるようにテーパを形成した４種類の場合を考える。
【００３１】
理論的に言えば、三角形Ａ’ＦＤと三角形Ａ’Ｄ’Ｄとの相似関係から、保護膜の盛り上がりの程度はＡ’ＥのＤＥに対する比率と反比例する。すなわち、Ａ’Ｅが短いほど保護膜の盛り上がりも少ない。
図５は各温度条件における非テーパ部の長さ（Ａ’Ｅ）とリセス量との関係を示す図である。１０℃の温度上昇ごとにリセス量が約６  ｎｍ減少することを図は示している。図５において陰影を施した範囲は、保護膜の浮上量がＦＨＴギャップの浮上量より大きな範囲である。
【００３２】
通電による素子部の温度上昇が３０℃までとすると、Ａ’Ｅを２５μｍ  にすればよい。またこの時の浮上面からの位置関係は図６のようになる。
ここで、図７に薄膜素子形成のウエハプロセスの説明図を示すと共に、図８に薄膜素子の部分説明図を示す。図７及び図８において、厚さがコアスライダ３２の長さ方向となるウエハ４４の表面上に下地膜としてアルミナスパッタにより絶縁膜３７が形成され（ステップ（ＳＴ）１）、絶縁膜３７上にクロム等のめっき、エッチングにより下部の磁性膜３８が形成される（ＳＴ２）。
【００３３】
この磁性膜３８は、ウエハ４４に形成される薄膜素子３５の個数に応じて形成されるもので、磁性膜３８で形成されるギャップ４２部分が規則的に配列されて形成される。すなわち、ギャップ４２部分が直線的になるように配列されて形成される。
【００３４】
続いて、磁性膜３８上にアルミナスパッタ、ミリングによりギャップ膜３９ａを形成され（ＳＴ３）、このギャップ膜３９ａ上にアルミナのフォトエッチングにより下部絶縁膜３９ｂが形成される（ＳＴ４）。この下部絶縁膜３９ｂ上にクロムスパッタ、フォトエッチングによりコイル膜４０ａが形成される（ＳＴ５）。コイル４０を２層とする場合にはＳＴ４及びＳＴ５を行い絶縁膜３９ｃを挟んで上部コイル膜４０ｂが形成され、上部コイル膜４０ｂ上にアルミナのフォトエッチングにより上部絶縁膜３９ｄが形成される（ＳＴ６）。
【００３５】
この上部絶縁膜３９ｄ上にクロム等のめっき、エッチングにより上部絶縁膜４１が形成される（ＳＴ７）。この上部磁性膜４１と下部絶縁膜３８によりギャップ膜３９ａが形成されたギャップ４２を形成する。
一方、磁性膜３８，４１及びコイル膜４０ａ，４０ｂのリード線取出し部としてのバンプがクロムスパッタ等により形成されて薄膜素子３５が形成される。この薄膜素子３５の全体上にアルミナスパッタにより保護膜３６が形成される（ＳＴ９）。
【００３６】
そして、保護膜３６をエッチング（又は砥石などのブレード）により切欠部４３ａ（図８（Ａ）の破線部分）が形成される（ＳＴ１０，図８（Ｂ））。
そこで、図９に磁気ヘッドの加工プロセス、アセンブリ組立ての説明図を示し、図１０に薄膜素子が形成されたウエハの部分図を示す。
【００３７】
図９において、薄膜素子３５及び保護膜３６（切欠部４３）が形成されたウエハ４４は、薄膜素子３５におけるギャップ４２部分の突き合わされた部分で切断されて切断ウエハ片４４ａとされる（図９（Ａ））。この切断ウエハ片４４ａにおいて、レール面３３ａ，３３ｂが研削により形成される（図９（Ｂ））。
【００３８】
この状態が図１０に示される。図１０（Ａ）はレール面３３ａ，３３ｂからの平面図であり、図１０（Ｂ）は空気流出側の端面からの平面図である。図１０（Ａ），（Ｂ）に示すように切断ウエハ片４４ａが長さ方向に切欠部４３ａを有する所定数のコアスライダ３２が配列された状態でレール面３３ａ，３３ｂが所定高さで形成される。
【００３９】
図９に戻って、レール面３３ａ，３３ｂが形成された切断ウエハ片４４ａを、個々の磁気ヘッド３１（コアスライダ３２）ごとに切断され、レール面３３ａ，３３ｂの空気流入側にテーパ面３４ａ，３４ｂが形成されると共に、前述のようにレール面３３ａ，３３ｂの面取り加工が行われる（図９（Ｃ））。
【００４０】
このようにして形成された磁気ヘッド３１がヘッド支持部であるジンバル５２の先端に搭載されて、ヘッドアセンブリ５１が組立てられる（図９（Ｄ））。磁気ヘッド３１における薄膜素子３５の上記バンプよりリード線５３により接続端子５４に導かれる。なお、５５は後述するキャリッジアームに取り付けるための取着部である。
【００４１】
続いて、図１１に、図１の磁気ヘッドが使用される磁気ディスク装置の平面構成図を示す。図１１に示す磁気ディスク装置６１において、アクチュエータ６２のアーム６３にヘッドアセンブリ５１が取り付けられており、アーム６３の基部がピボット６４に回転自在に軸支される。
【００４２】
また、アーム６３のピボット６４の反対側には回動支持部６５が形成され、該回動支持部６５に巻回されたコイル６６が設けられる。そして、コイル６６の下方には２つのマグネット６７ａ，６７ｂが固定配置される。このコイル６６及びマグネット６７ａ，６７ｂにより駆動部としてＶＣＭ（ボイスコイルモータ）を構成する。
【００４３】
この様なアクチュエータ６２は、センサレスタイプのスピンドルモータ（図に表われず）のスピンドル６８に固定されて回転される磁気ディスク６９に対し、コイル６６に配線基板７０よりフレキシブルプリント板７１を介して通電することにより磁気ヘッド３１を磁気ディスク６９の半径方向に移動させるようにアーム６３が回動されるものである。
【００４４】
このような磁気ディスク装置６１において、アクチュエータ６２により磁気ヘッド３１を磁気ディスク６９の所定トラック上に位置決めして記録（又は再生）を行う場合に薄膜素子３５におけるコイル４０（４０ａ，４０ｂ）に電流が供給される。このとき、薄膜素子３５が温度上昇して保護膜３６が熱膨脹して隆起を生じるが、図１（Ｂ）の破線のように、切欠部４３ａにおいて生じることから、ギャップ４２面での隆起が微小となる。具体的には図１（Ｂ）における幅Ｓを基準として考えると保護膜３６の１０℃あたりの隆起量が２ｎｍ（従来は６ｎｍ）となった。
【００４５】
従って、磁気ディスク６９面での磁気ヘッド３１の接触を減少させることができ、これによって磨耗粉などの磁気ヘッド３１（薄膜素子３５）への付着による損傷が軽減され、信頼性を向上させることができる。また、これに伴って磁気ディスク６９面に対して磁気ヘッド３１の浮上量を低減させることができる。さらに、磁気ヘッド３１の製造時、ウエハ段階で容易に切欠部４３ａが形成することができると共に、切欠部４３によりギャップ４２より保護膜３６の端部までの距離が縮小されて、レール面３３ａ，３３ｂの従来の面取り加工法で切欠部を形成するよりも薄膜素子３５への影響が少なくなり、ばらつきが減少して均一化を図ることができる。
【００４６】
また、切欠部４３ａにより、磁気ヘッド３１のロールによるエッジ部分が磁気ディスク６９に接触することを減少させることができる。
次に、図１２に、本発明の第２実施例における磁気ヘッドの構成図を示す。図１２（Ａ），（Ｂ）に示す磁気ヘッド３１は、切欠部４３ｂを、コアスライダ３２におけるレール面３３ａ，３３ｂ（浮上面）の薄膜素子３５の近傍より空気流出方向に、テーパ面の切り欠き形状で形成したもので、他の構成は図１の第１実施例と同様であり、同様の作用効果を有するものである。そして、図１１に示す磁気ディスク装置６１に搭載される。図中、ｘの寸法はおよそ０．０２０  ｍｍ、ｙの寸法は０．０４５  ｍｍと設定されるのが望ましい。
【００４７】
ここで、図１３に、第２実施例の製造説明図を示す。図１３（Ａ），（Ｂ）において、図７と同様にウエハ４４上に所定数の薄膜素子３５が形成され、薄膜素子３５上に保護膜３６が形成される。そして、各薄膜素子３５ごとのギャップ４２の近傍に断面Ｖ形状のブレード（砥石等）７２によりＶ溝７３ａが形成される。例えば、ステージ上にウエハを搭載して固定し、ロボットハンドで固定された砥石がセンサによる印の判別でＸ方向に各ブロック位置の素子形成部に位置合わせされ、Ｙ方向に駆動して切削するものである。
【００４８】
このＶ溝７３ａの部分を切断すると、図１２に示すように薄膜素子３５近傍より保護膜３６にテーパ面の切欠部４３ｂが形成されるものである。
このように、ブレード７２によりウエハ段階で容易にテーパ面形状の切欠部４３ｂが形成されるものである。
【００４９】
そして、前述のように磁気ヘッド３１の駆動時にコイル電流が流れて温度上昇して保護膜３６が熱膨脹しても、図１２（Ｂ）の破線で示すように、レール面３３ａ，３３ｂ（ギャップ４２面）上での隆起を軽減させることができ、磁気ヘッド３１の低浮上化を図ることができるものである。
【００５０】
次に、図１４に本発明の第３実施例における磁気ヘッドの構成図を示し、図１５に第３実施例の溝形状の説明図を示す。図１４（Ａ），（Ｂ）に示す磁気ヘッド３１は、切欠部４３ｃを、コアスライダ３２におけるレール面３３ａ，３３ｂ（浮上面）の薄膜素子３５の近傍より空気流出方向に、曲面の切り欠き形状で形成したもので、他の構成は図１の第１実施例と同様であり、同様の作用効果を有するものである。そして、図１１に示す磁気ディスク装置６１に搭載される。
【００５１】
この場合、図１５に示すように、各薄膜素子３５ごとのギャップ４２の近傍で、断面形状が曲面のブレードにより逆Ｒ溝７３ｂが形成され、この中心部分を切断することにより保護膜３６に逆Ｒの曲面の切欠部４３ｃが形成されるものである。
【００５２】
このような形状の切欠部４３ｃを形成することによっても、図１４（Ｂ）の破線に示すように保護膜３６の熱膨脹によるレール面３３ａ，３３ｂ（浮上面）からの隆起を軽減させることができ、磁気ヘッド３１の低浮上化を図ることができるものである。
【００５３】
次に、図１６に、第１〜第３実施例の他の溝形状の説明図を示す。図１６（Ａ）は、ウエハ段階での薄膜素子３５におけるギャップ４２の近傍で、断面形状が逆台形状のブレードにより逆台形溝７３ｃが形成される場合を示している。そして、逆台形溝７３ｃの中心部分を切断することにより、保護膜３６にテーパ面状の切欠部が形成されるものである。
【００５４】
また、図１６（Ｂ）は、ウエハ段階でギャップ４２の近傍で、ブーレドにより底面を備える逆Ｒ溝７３ｄが形成される場合を示している。そして、この中心部を切断することにより、保護膜３６に逆Ｒ状の切欠部が形成されるものである。続いて、図１７に、磁気ヘッドを薄膜ＭＲ素子を用いて構成した場合の構成図を示す。図１７（Ａ）は部分構成図、図１７（Ｂ）は部分断面図である。図１７（Ａ），（Ｂ）に示す磁気ヘッド８１は、コアスライダ３２上に下地層としてアルミナ等の絶縁膜３７が形成され、絶縁膜３７上にＦｅＭｎ（マンガン鉄）等のシールド膜（磁性膜）８２が形成されて、さらにアルミナ等の絶縁膜８３ａが形成される。
【００５５】
この絶縁膜８３ａ上にＭＲ素子（磁気抵抗効果素子）８４及びその両端に接続される導電部材８５ａ，８５ｂ（８５ｂは図に表われず）が形成され、これらに絶縁膜８３ｂが形成される。
そして、絶縁膜８３ｂ上にシールド膜を兼ねる下部磁性膜３８が形成され、この磁性膜３８上に図１と同様に絶縁膜３９，コイル４０，上部磁性膜４１が形成されて薄膜素子３５ａを構成し、この上に保護膜３６が形成される。同様に、この保護膜３６には段差面（テーパ面、曲面であってもよい）の切り欠き状の切欠部４３ａが形成される。
【００５６】
このような磁気ヘッド８１は、薄膜素子３５ａにおけるギャップ４２が記録専用素子となり、ＭＲ素子８４が再生専用素子となる。
このようにＭＲ素子８４を用いる場合であっても、保護膜３６に形成された切欠部４３ａにより、温度上昇時における磁気ヘッド８１と磁気ディスク６９との接触が軽減され、磁気ヘッド８１の低浮上化を図ることができる。
【００５７】
なお、ＭＲ素子８４を用いるものとして、後述する第４実施例においても同様に適用することができるものである。
次に、図１８に、本発明の第４実施例の部分構成図を示す。図１８（Ａ）は薄膜部分の平面図、図１８（Ｂ）は保護膜の端面の背面図、図１８（Ｃ）は薄膜素子部分の側面図である。図１８（Ａ）〜（Ｃ）に示す磁気ヘッド９１ａは、前述の図２０（Ａ）に示す構成と同様であって、薄膜素子３５に保護膜３６が形成されており、浮上面の薄膜素子３５周辺より保護膜３６の空気流出端にかけて凹凸部として２つのＶ溝９２ａ，９２ｂが徐々に深くなるように形成される。また、図１８（Ｃ）に示すように、空気流出方向の両側面に凹凸部としてそれぞれＶ溝９３ａ，９３ｂ（９３ｂは図に表われず）が徐々に深くなるように形成されたものである。この磁気ヘッド９１ａは、図６に示す磁気ディスク装置６１に搭載される。
【００５８】
この浮上面と両側面に形成されたＶ溝９２ａ，９２ｂ，９３ａ，９３ｂとが形成されることで、薄膜素子３５の周辺での表面積が増大されることになり、冷却効果が向上して温度上昇による保護膜３６の浮上面への隆起が抑制される。これによって、磁気ヘッド９１ａの磁気ディスクに対する低浮上化を図ることができる。
【００５９】
続いて、図１９に、第４実施例の他の形状の構成図を示す。図１９（Ａ）は薄膜素子部分の平面図、図１９（Ｂ）は保護膜の端面の背面図、図１９（Ｃ）は薄膜素子部分の側面図である。
図１９（Ａ）〜（Ｃ）に示す磁気ヘッド９１ｂは、薄膜素子３５の周辺であって両側より空気流出方向にかけて切欠部として凹形状で段差９４ａ，９４ｂが例えばマスクイオンミルにより形成される。また、図１９（Ｃ）に示すように空気流出方向の両側に切欠部としてそれぞれＶ溝９５ａ，９５ｂ（９５ｂは図に表われず）が徐々に深くなるように例えば切削により形成されたものである。
【００６０】
この段差９４ａ，９４ｂと両側面のＶ溝９５ａ，９５ｂにより薄膜素子３５の周辺での表面積が増大されて冷却効果が向上され、温度上昇による保護膜３６の浮上面への隆起が抑制されて磁気ヘッド９２ｂの磁気ディスクに対する低浮上化を図ることができる。
【００６１】
なお、第４実施例では薄膜素子３５より保護膜３６にかけて凹凸部としてＶ溝９２ａ，９２ｂ，９３ａ，９３ｂ，９５ａ，９５ｂや段差９４ａ，９４ｂを形成した場合を示したが、表面積を増大させる形状であれば、何れの形状であってもよい。
【００６２】
また、図１８及び図１９に示す第４実施例と、第１〜第３実施例を適宜組み合わせることにより、さらなる磁気ヘッドの低浮上化を図ることができるものである。
【００６３】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、スライダの浮上面における保護膜に切欠部が形成されることにより、温度上昇によって保護膜が浮上面方向に隆起しても浮上面上に突出する部分が減少することから、磁気ヘッドの記録媒体に対する低浮上化を図ることができる。
【００６４】
請求項１〜３の発明によれば、薄膜素子の２つの磁極のギャップ部分をエッチング又は切断部材により保護膜の切欠部となる溝を形成し切断、加工することにより、保護膜の切欠部を容易に形成することができると共に、ギャップ又は端面より保護膜の端部までの距離が縮小でき、薄膜素子のばらつきが減少して均一化を図ることができる。
【００６５】
請求項４及び５の発明によれば、スライダの浮上面の薄膜素子の両側端の近傍から保護膜の空気流出方向にかけてＶ溝形状の切欠部が形成されることにより、薄膜素子周辺の表面積が増大し、冷却が促進されて温度上昇による保護膜の隆起が抑制され、磁気ヘッドの記録媒体に対する低浮上化を図ることができる。
【００６６】
請求項６の発明によれば、スライダに形成される薄膜素子が電磁誘導性型による、又は磁気抵抗効果型と電磁誘導性型との組み合わせによる構成で形成されることにより、何れの型のものであっても記録媒体に対して低浮上化を図ることができる。
【００６７】
請求項７の発明によれば、磁気ディスク装置に上述の磁気ヘッドを搭載することにより、磁気ヘッドの記録媒体へのヘッドタッチが減少され、低浮上化を図ることができる。また、磁気ヘッドと記録媒体との浮上ギャップを小さく設定でき、より効率的に再生出力を得ることができると共に、ヘッド媒体間をより小さくして小型化することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例における磁気ヘッドの構成図である。
【図２】本発明の第１実施例における磁気ヘッドと記録媒体との位置関係を示す図である。
【図３】本発明の第１実施例おける磁気ヘッドにおける温度上昇とリセス量減少の関係を示した図。
【図４】本発明の第１実施例の変形例における磁気ヘッドの構成およびヘッドと記録媒体の位置関係を示す図。
【図５】各温度条件における非テーパ部の長さとリセス量の関係を示す図。
【図６】浮上面から見た素子まわりを示す図。
【図７】薄膜素子部分の形成のウエハプロセスの説明図である。
【図８】薄膜素子の部分説明図である。
【図９】薄膜素子が形成されたウエハの部分図である。
【図１０】磁気ヘッドの加工プロセス、アセンブリ組立ての説明図である。
【図１１】図１の磁気ヘッドが使用される磁気ディスク装置の平面構成図である。
【図１２】本発明の第２実施例における磁気ヘッドの構成図である。
【図１３】第２実施例の製造説明図である。
【図１４】本発明の第３実施例における磁気ヘッドの構成図である。
【図１５】第３実施例の溝形状の説明図である。
【図１６】第１〜第３実施例の他の溝形状の説明図である。
【図１７】磁気ヘッドを薄膜ＭＲ素子を用いて構成した場合の構成図である。
【図１８】本発明の第４実施例の部分構成図である。
【図１９】第４実施例の他の形状の構成図である。
【図２０】従来の磁気ヘッドの構成図である。
【図２１】従来の磁気ヘッドにおける保護膜の熱膨脹を示した説明図である。
【符号の説明】
３１，８１，９１ａ，９１ｂ  磁気ヘッド
３２  コアスライダ
３３ａ，３３ｂ  レール面
３４ａ，３４ｂ  テーパ面
３５，３５ａ  薄膜素子
３６  保護膜
４２  ギャップ
４３ａ〜４３ｃ  切欠部
４４  ウエハ
５１  ヘッドアセンブリ
６１  磁気ディスク装置
６２  アクチュエータ
６３  アーム
６９  磁気ディスク
７２  ブレード
７３ａ  Ｖ溝
８４  ＭＲ素子
【図１】
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【図２】
0003585563.tif 000005
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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