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【手続補正書】
【提出日】平成27年3月20日(2015.3.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インターネットを利用して情報を収集する情報収集装置であって、
前記情報収集装置は、インターネットに接続した複数のサーバであってその内部に使用許可記憶領域を有する複数のサーバを用いて情報を収集し、インターネットにアクセス可能であり一つ以上の情報収集対象者と各情報収集対象者の電子メールアドレスとがそれぞれ対応付けられた対象者リストから情報収集対象者ごとに特定データおよび電子メールを生成する生成処理を実行可能であり、
前記情報収集装置は、前記複数のサーバを記載したサーバリストを記憶し、前記サーバリストから所定規則にしたがって一つの前記サーバを選択する選択処理を実行し、前記サーバリストには各サーバのアドレスが記載されており、
前記特定データは、情報収集内容を書き込み可能なパラメータファイルと、前記パラメータファイルを書き込み可能状態とし所定条件成立時に前記パラメータファイルを所定の電子メールアドレスへと送信する処理を前記サーバ上で実行可能なプログラムファイルと、を含み、
前記情報収集装置は、前記特定データが前記選択処理で選択した一つのサーバに到達し前記パラメータファイルおよび前記プログラムファイルが前記サーバの前記使用許可記憶領域内に格納されるように、前記インターネットを介して、前記選択処理で選択した一つのサーバ宛に前記特定データを送信する送信処理を実行可能であり、
前記電子メールは、インターネット上における前記選択処理で選択した前記一つのサーバのアドレスを含み、
前記情報収集装置は、前記情報収集対象者の電子メールアドレス宛に前記電子メールを送信する送信処理を実行可能であることを特徴とする情報収集装置。
【請求項２】
前記プログラムファイルは、前記所定条件成立時に前記パラメータファイルを前記所定の電子メールアドレスへと送信したら、前記サーバ上から少なくとも前記パラメータファイルの消去又は前記パラメータファイルの内容の消去を行う処理を実行するものであることを特徴とする請求項１に記載の情報収集装置。
【請求項３】
前記特定データが、前記パラメータファイルと前記プログラムファイルとが添付された電子メールであることを特徴とする請求項１または２に記載の情報収集装置。
【請求項４】
前記プログラムファイルは、所定の認証条件が満たされるまで前記パラメータファイルの書き込みを禁止する認証プログラムを含み、
前記情報収集対象者への電子メールには、前記所定の認証条件を満たすための内容が記載されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の情報収集装置。
【請求項５】
前記所定規則として乱数又は疑似乱数を用いて前記サーバリストからサーバを選択することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の情報収集装置。
【請求項６】
複数の前記特定データを１つの前記サーバに対して送信し、複数の前記情報収集対象者の電子メールアドレス宛に送信する前記電子メールには、前記１つの前記サーバのアドレスが記載されることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の情報収集装置。
【請求項７】
インターネットを介してアクセス可能な複数のサーバであってその内部に使用許可記憶領域を有する複数のサーバと、
インターネットにアクセス可能であり一つ以上の情報収集対象者と各情報収集対象者の電子メールアドレスとがそれぞれ対応付けられた対象者リストから情報収集対象者ごとに特定データおよび電子メールを生成する生成処理を実行可能な端末装置と、
を備え、
前記端末装置は、前記複数のサーバを記載したサーバリストを記憶し、前記サーバリストから所定規則にしたがって一つの前記サーバを選択する選択処理を実行し、前記サーバリストには各サーバのアドレスが記載されており、
前記特定データは、情報収集内容を書き込み可能なパラメータファイルと、前記パラメータファイルを書き込み可能状態とし所定条件成立時に前記パラメータファイルを所定の電子メールアドレスへと送信する処理を前記サーバ上で実行可能なプログラムファイルと、を含み、
前記端末装置は、前記特定データが前記選択処理で選択した一つのサーバに到達し前記パラメータファイルおよび前記プログラムファイルが前記サーバの前記使用許可記憶領域内に格納されるように、前記インターネットを介して、前記選択処理で選択した一つのサーバ宛に前記特定データを送信する送信処理を実行可能であり、
前記電子メールは、インターネット上における前記選択処理で選択した前記一つのサーバのアドレスを含み、
前記端末装置は、前記情報収集対象者の電子メールアドレス宛に前記電子メールを送信する送信処理を実行可能であることを特徴とする情報収集システム。
【請求項８】
インターネットを介してアクセス可能な情報収集サーバであって、
演算処理部と、
記憶領域を有する記憶部と、
前記記憶領域内に格納され、インターネットを介してサーバにアクセスしたユーザから情報が書き込まれるパラメータファイルと、
前記記憶領域内に格納され、所定条件成立時に前記パラメータファイルを電子メール形態で所定電子メールアドレス宛に送信するプログラムを前記演算処理部に実行させる送信手段と、
を備え、
前記所定電子メールアドレスへの電子メール形態での前記パラメータファイルの送信に応じて、前記記憶領域内の前記パラメータファイルの消去又は前記パラメータファイルの内容の消去を行うプログラムを前記演算処理部に実行させることを特徴とする情報収集サーバ。
【請求項９】
インターネットを利用して情報を収集する情報収集方法であって、
インターネットを介してアクセス可能な複数のサーバであってその内部に使用許可記憶領域を有する複数のサーバを記載したサーバリストを取得し、前記サーバリストから所定規則にしたがって一つの前記サーバを選択する選択処理を実行し、前記サーバリストには各サーバのアドレスが記載されており、
一つ以上の情報収集対象者と各情報収集対象者の電子メールアドレスとがそれぞれ対応付けられた対象者リストを取得し、前記対象者リストから情報収集対象者ごとに特定データおよび電子メールを生成し、
前記特定データは、情報収集内容を書き込み可能なパラメータファイルと、前記パラメータファイルを書き込み可能状態とし所定条件成立時に前記パラメータファイルを所定の電子メールアドレスへと送信する処理を前記サーバ上で実行可能なプログラムファイルと、を含み、
前記特定データが前記選択処理で選択した一つのサーバに到達し前記パラメータファイルおよび前記プログラムファイルが前記サーバの前記使用許可記憶領域内に格納されるように、前記インターネットを介して、前記選択処理で選択した一つのサーバ宛に前記特定データを送信し、
前記電子メールは、インターネット上における前記選択処理で選択した前記一つのサーバのアドレスを含み、
前記情報収集対象者の電子メールアドレス宛に前記電子メールを送信することを特徴とする情報収集方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月15日(2015.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
ベゼル１３３は、外側カバー１３１の内部に内側カバー１３２を配置した状態で、基台部１２のベゼル取付部１２４に対して内側カバー１３２および外側カバー１３１を基台部１２に装着するものである。ベゼル１３３は、その平面形状がリング状（または縁状）であって、側面形状が傾斜面を有するように形成される。ベゼル１３３の内周面には、取付溝１２５と係合するための突起部１３６が複数個所（例えば３か所）に形成される。
ベゼル１３３（またはカバーユニット１３）の外周面の一部には、後述の係合部１７がレバー１４に対向する位置にあることを示すために、マーク１３７が付される。マーク１３７は、ベゼル１３３の外周面に刻印または切欠きによって形成するか、塗料を塗ったり、印刷したシールを張り付ける等によって付してもよい。
なお、実施例では、外側カバー１３１とベゼル１３３を分離可能に構成した場合を示すが、両者を一体的に構成してもよいことは勿論である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
前記カバーユニットは、ドーム型の外側カバーと、外側カバーの内側に配置される内側カバーとを含んで構成され、
前記内側カバーは、その周縁部であって、前記レバーと対向する第１の面に凹凸状部が形成され、
前記係合部は、前記内側カバーに対向する第２の面が当該凹凸状部に嵌り合う形状に形成され、
前記レバーが固定位置にあるとき、前記内側カバーの第１の面の凹凸状部の一部と前記係合部の第２の面が嵌り合うことによって、前記内側カバーが円周方向に移動するのを制限することを特徴とする、請求項１ないし請求項６のいずれかに記載のドーム型カメラ。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月24日(2015.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明に係る電子機器は、撮像素子と、前記撮像素子が位置決め固定される固定部材とを備える撮像装置であって、前記固定部材には、前記撮像素子が固定されるときに前記撮像素子と当接する当接面と、前記撮像素子が固定されるときに前記撮像素子の撮像面を露出させる開口部と、前記撮像素子が固定されるときに前記撮像素子の側面と対向するように前記当接面から立設される立壁部と、が形成され、前記固定部材に前記撮像素子を固定するときに形成される前記撮像素子の側面と前記立壁部との間の空間に接着剤が充填されることで、前記撮像素子が前記固定部材に固定されることを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
撮像素子１０は、その内部に光電変換部（不図示）を有しており、撮像装置が備える光学系部材（不図示）を通して得た光学像を電気信号へ変換する。撮像素子１０の外観を成す筺体であるパッケージ１０１は、撮像素子１０の内部の光電変換部等の構成要素を保持しており、パッケージ１０１の正面側の表面はカバーガラス１０２によって覆われている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
カバーガラス１０２はパッケージ１０１の表面に重ねた状態でパッケージ１０１に対して接着固定され、図１（ｂ）に示すように、カバーガラス１０２は、パッケージ１０１の表面から正面側に突出している。図１（ｃ）に示すように、基板１１においてパッケージ１０１が取り付けられる部分では、パッケージ側面１０５ａ，１０５ｂと略平行な基板端１１１ａ，１１１ｂ間の幅寸法は、パッケージ側面１０５ａ，１０５ｂ間の幅寸法以下となっている。そのため、撮像素子ユニット１を背面側からみると、パッケージ側面１０５ａ，１０５ｂが露出した状態となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
＜プレート２に対する撮像素子ユニット１の位置決め固定＞
図３は、プレート２に対する撮像素子ユニット１の位置決め固定方法を示す側面図であり、図１（ｂ）と同様に撮像素子ユニット１の右側面図として示している。図３に示すように、撮像素子ユニット１は、プレート２の背面側からプレート２に対して矢印Ａ方向、立壁部２３ａ，２３ｂによって挟まれた領域に撮像素子１０が収容されるように、配置される。そのため、撮像素子１０において立壁部２３ａ，２３ｂと対向する二辺であるパッケージ側面１０５ａ，１０５ｂ間の幅寸法は、立壁部２３ａ，２３ｂの間の幅寸法より狭くなっている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
［寸法α，β，γの設定］
前述の通り、カバーガラス１０２の端面と開口部２２の側面との間には、プレート２の幅方向において寸法βのクリアランスが形成される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像素子と、前記撮像素子が位置決め固定される固定部材とを備える撮像装置であって、
前記固定部材には、
前記撮像素子が固定されるときに前記撮像素子と当接する当接面と、
前記撮像素子が固定されるときに前記撮像素子の撮像面を露出させる開口部と、
前記撮像素子が固定されるときに前記撮像素子の側面と対向するように前記当接面から立設される立壁部と、が形成され、
前記固定部材に前記撮像素子を固定するときに形成される前記撮像素子の側面と前記立壁部との間の空間に接着剤が充填されることで、前記撮像素子が前記固定部材に固定されることを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記撮像素子が実装される配線基板を更に備え、
前記配線基板は、前記空間を覆わないように形成されることを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記配線基板は、前記立壁部から前記配線基板の前記立壁部に対向する端までの距離が前記立壁部から前記撮像素子の側面までの距離よりも小さくなるように形成されることを特徴とする請求項２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記撮像装置は、熱伝導シートを備え、
前記撮像素子と前記配線基板との間には、空隙部が形成され、
前記立壁部は、前記開口部を挟んで対向する第１の立壁部と第２の立壁部とが形成されるものであって、
前記第１の立壁部の端部には凸部が形成されるとともに、前記第２の立壁部の端部には凹部が形成され、
前記熱伝導シートは、前記凹部より挿入され前記凸部に当接することで、前記空隙部に配置されることを特徴とする請求項２又は３に記載の撮像装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月24日(2015.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発振手段と、
前記発振手段からの出力信号に基づいて動画信号を処理するとともに、前記発振手段からの出力信号に基づいて、前記発振手段からの出力信号に同期したクロックと、前記動画信号における画面の切り替えタイミングを示す第１の切り替え信号とを生成する画像処理手段と、
前記クロックをカウントし、カウント値が所定値に達した場合に水平タイミング信号を出力するタイミング信号生成手段と、
外部からの基準信号を入力し、基準の切り替え信号と、基準の水平同期信号とを出力する基準信号入力手段と、
前記水平タイミング信号の位相を変更する位相シフト手段と、
前記水平タイミング信号と前記基準の水平同期信号との位相差に基づいて前記発振手段からの出力信号の周波数を制御する手段と、
前記第１の切り替え信号と前記基準の切り替え信号との位相差に基づいて前記位相シフト手段による位相の変更量を制御する制御手段とを備える信号処理装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記第１の切り替え信号と前記基準の切り替え信号との位相差が所定範囲内でない場合は、前記位相の変更量を所定量に設定することを特徴とする請求項１に記載の信号処理装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記第１の切り替え信号と前記基準の切り替え信号との位相差が所定範囲内である場合は、前記位相の変更量を前記位相差に設定することを特徴とする請求項１に記載の信号処理装置。
【請求項４】
前記水平タイミング信号と前記基準の水平同期信号との位相差に基づいて前記発振手段からの出力信号の周波数を制御する処理を行いながら、前記第１の切り替え信号と前記基準の切り替え信号との位相差が所定範囲内でない場合に、前記制御手段が、前記位相差が前記所定範囲内となるまで前記位相を所定量ずつ変更し、その後、前記位相差が前記所定範囲内となった場合に、前記位相の変更量を前記位相差に設定することを特徴とする請求項１に記載の信号処理装置。
【請求項５】
動画信号を取得して前記画像処理手段に出力する取得手段を備え、
前記制御手段は、前記位相差に基づいて、前記取得手段から出力される動画信号の出力タイミングを水平ライン単位で変更した後、前記第１の切り替え信号と前記基準の切り替え信号との位相差に基づいて前記位相シフト手段による位相の変更量を制御することを特徴とする請求項１に記載の信号処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明においては、発振手段と、前記発振手段からの出力信号に基づいて動画信号を処理するとともに、前記発振手段からの出力信号に基づいて、前記発振手段からの出力信号に同期したクロックと、前記動画信号における画面の切り替えタイミングを示す第１の切り替え信号とを生成する画像処理手段と、前記クロックをカウントし、カウント値が所定値に達した場合に水平タイミング信号を出力するタイミング信号生成手段と、外部からの基準信号を入力し、基準の切り替え信号と、基準の水平同期信号とを出力する基準信号入力手段と、前記水平タイミング信号の位相を変更する位相シフト手段と、前記水平タイミング信号と前記基準の水平同期信号との位相差に基づいて前記発振手段からの出力信号の周波数を制御する手段と、前記第１の切り替え信号と前記基準の切り替え信号との位相差に基づいて前記位相シフト手段による位相の変更量を制御する制御手段とを備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
タイミング信号生成部１０５は画像処理部１０２からのＣＬＫ２をカウントし、カウント値が所定値に達した場合に水平タイミング信号Ｓ１０１を出力する。タイミング信号生成部１０５が水平タイミング信号Ｓ１０１を出力するための所定値は、ＣＰＵ１１１により設定される。ＣＰＵ１１１は、タイミング信号生成部１０５からの水平タイミング信号Ｓ１０１の周波数が、後述の基準水平同期信号Ｓ１０３の周波数と等しくなるように、タイミング信号生成部１０５に出力する所定値を決定する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
そこで、ＣＰＵ１１１は、タイミング信号生成部１０５に対し、（１）４７１４→（２）４７１４→（３）４７１４→（４）４７１５→（５）４７１４→（６）４７１４→（７）４７１５の順に分周比（所定値）を設定し、以下、これを繰り返す。ＣＰＵ１１１は、これにより、平均的にタイミング信号生成部１０５によるＣＬＫ２の分周比が４７１４と２／７となるように制御する。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月22日(2015.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素が配された画素領域及び前記画素領域の周辺に配された周辺領域を有するイメージセンサチップと、
前記イメージセンサチップを支持する基板を含む固定部と、を備え、
前記イメージセンサチップは、前記固定部により基材に固定されており、
前記周辺領域は、第１部分と、前記第１部分よりも発熱量が小さい第２部分とを有し、
前記基板は第１辺と第２辺とを有し、
前記第１部分は、前記第１辺と前記第２辺のうち前記第１辺の近くに配されており、
前記第２部分は、前記第１辺と前記第２辺のうち前記第２辺の近くに配されており、
前記固定部は、前記基板の前記第１辺に配され且つ前記基板と前記基材とを連結する連結部を有し、且つ、前記基板の前記第２辺には前記基板と前記基材とを連結する他の連結部を有しない、
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
複数の画素が配された画素領域及び前記画素領域の周辺に配された周辺領域を有するイメージセンサチップと、
前記イメージセンサチップを支持する基板及び前記基板を外部の基材に連結する連結部を含む固定部と、
前記イメージセンサチップに入射する光を通過させる透明部材と、を備え、
前記周辺領域は、第１部分と、前記第１部分よりも発熱量が小さい第２部分とを有し、
前記基板は第１辺と第２辺とを有し、
前記第１部分は、前記第１辺と前記第２辺のうち前記第１辺の近くに配され、
前記第２部分は、前記第１辺と前記第２辺のうち前記第２辺の近くに配され、
前記連結部は、前記基板の前記第１辺に配され、
前記固定部は、前記透明部材を支持するための支持部であって前記透明部材と前記基板との間に設けられた支持部をさらに含み、
前記支持部と前記連結部とは、一体に形成されており且つ前記基板とは異なる材料で構成されている、
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項３】
前記固定部は、前記基板と前記イメージセンサチップとの間に第１領域と第２領域とをさらに含み、
前記第１領域は、前記第２領域よりも熱伝導率が大きく、
前記第１領域は、前記第１部分及び前記第２部分のうち少なくとも前記第１部分に近接するように配されており、
前記第２領域は、前記第１部分及び前記第２部分のうち少なくとも前記第２部分に近接するように配されている、
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記イメージセンサチップの上面に対して垂直な方向において、前記第１部分は前記第１領域と重なっている
ことを特徴とする請求項３に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記第２領域は、空洞となっている領域を含む、
ことを特徴とする請求項３または請求項４に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記連結部は、前記第１部分よりも前記第１辺に平行な方向の長さが大きく、
前記第１辺において前記連結部が配されている部分は、前記第１部分及び前記第２部分のうち前記第１部分が近くに配されている部分を含んでいる、
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記連結部は、前記基材と接触している、
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項８】
前記連結部は、前記連結部と前記外部の基材とをネジにより互いに固定するための穴を有する
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項９】
前記第１部分は、前記複数の画素から画素信号をそれぞれ読み出す読出部、前記画素信号を増幅する増幅部、及び前記画素信号をアナログ信号からデジタル信号に変換する変換部のうち少なくとも一つを含む、
ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１０】
複数の画素が配された画素領域及び前記画素領域の周辺に配された周辺領域を有するイメージセンサチップと、
前記イメージセンサチップを支持する基板を含む固定部と、を備え、
前記イメージセンサチップは、前記固定部により基材に固定されており、
前記周辺領域は、信号処理部および演算部の少なくとも一方を有する回路部を有し、
前記基板は第１辺と第２辺とを有し、
前記回路部は、前記第２辺よりも前記第１辺の近くに配されており、
前記固定部は、前記基板の前記第１辺に配され且つ前記基板と前記基材とを連結する連結部を有し、且つ、前記基板の前記第２辺には前記基板と前記基材とを連結する連結部を有しない、
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項１１】
前記信号処理部および前記演算部の前記少なくとも一方は、前記複数の画素から画素信号をそれぞれ読み出す読出部、前記画素信号を増幅する増幅部および前記画素信号をアナログ信号からデジタル信号に変換する変換部のうち少なくとも一つを含む、
ことを特徴とする請求項１０に記載の固体撮像装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の固体撮像装置を備え、
前記固体撮像装置は前記固定部によって固定されている、
ことを特徴とするカメラ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の一つの側面は固体撮像装置にかかり、前記固体撮像装置は、複数の画素が配された画素領域及び前記画素領域の周辺に配された周辺領域を有するイメージセンサチップと、前記イメージセンサチップを支持する基板を含む固定部と、を備え、前記イメージセンサチップは、前記固定部により基材に固定されており、前記周辺領域は、第１部分と、前記第１部分よりも発熱量が小さい第２部分とを有し、前記基板は第１辺と第２辺とを有し、前記第１部分は、前記第１辺と前記第２辺のうち前記第１辺の近くに配されており、前記第２部分は、前記第１辺と前記第２辺のうち前記第２辺の近くに配されており、前記固定部は、前記基板の前記第１辺に配され且つ前記基板と前記基材とを連結する連結部を有し、且つ、前記基板の前記第２辺には前記基板と前記基材とを連結する他の連結部を有しないことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月23日(2015.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
本技術の他の側面においては、被写体を撮像した撮像部の画素から読み出される電荷に応じた信号の信号値が保持され、A/D変換期間において、その信号の供給が停止され、保持されている信号値がA/D変換され、生成された画像データが画像処理される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０７】
図８は、撮像装置１００の各信号の様子の例を示すタイミングチャートである。以下においては、図７の構成例を用いて説明する。制御信号供給部１４１が供給する制御信号は、Highでスイッチオン（サンプリング）を指示し、Lowでスイッチオフ（ホールド）を指示するものとする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月26日(2015.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
本体装置との間でのデータ転送を行うためのインターフェースを有する外部記憶装置において、
前記外部記憶装置は複数の信号用インターフェースを備え、
前記外部記憶装置は直方体の筐体を備え、
前記複数の信号用インターフェースは、前記筐体の同一側面に設けられており、前記信号用インターフェースは同一種類の信号用インターフェースである
ことを特徴とする外部記憶装置。
【請求項２】
前記外部記憶装置は２つの前記信号用インターフェースを備え、２つの前記信号用インターフェースは前記筐体の同一側面の横方向に隣接して配置される
ことを特徴とする請求項１記載の外部記憶装置。
【請求項３】
２つの前記信号用インターフェースはＳＡＴＡ規格に準拠した信号用インターフェースである
ことを特徴とする請求項２記載の外部記憶装置。
【請求項４】
前記外部記憶装置は１つの電源用インターフェースをさらに備え、
この電源用インターフェースは２つの前記信号用インターフェースに続いて配置される
ことを特徴とする請求項３記載の外部記憶装置。
【請求項５】
前記外部記憶装置はＳＦＦ  Ｃｏｍｍｉｔｔｅｅに準拠した２．５インチフォームファクタを有する
ことを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれかに記載の外部記憶装置。
【請求項６】
前記外部記憶装置はＳＦＦ  Ｃｏｍｍｉｔｔｅｅに準拠した２．５インチフォームファクタを有し、
２つの前記信号用インターフェースのうち１つの前記信号用インターフェースは、ＳＡＴＡ規格に準拠した前記電源用インターフェース及び前記信号用インターフェースが設けられていない位置に配置される
ことを特徴とする請求項４記載の外部記憶装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
また、本実施形態の外部記憶装置２０では、ＳＦＦ−８２０１規格に定められた２．５インチのディスクドライブのフォームファクターにおいて、ＳＡＴＡ規格に準拠するコネクタ１１と筐体１０の長辺側側面との間に存在する、コネクタ等が設けられていない領域Ａに増設信号線コネクタ１２を設けている。従って、通常のＳＳＤ装置用の取付構造を殆ど変更することなく、外部記憶装置２０をＰＣ等のホスト装置に取り付けることが可能であり、大幅な変更作業を行うことなく通常のＳＳＤ装置を本実施形態の外部記憶装置２０に容易に置換することが可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月23日(2015.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
接続可能である周辺機器が単体で動作するために必要な基本部分と、当該基本部分以外であるアプリケーション部分とを含む周辺機器用のファームウエアを取得する取得手段と、
前記取得手段により取得された前記周辺機器用のファームウエアの基本部分を抽出する抽出手段と、
前記周辺機器用のファームウエアのアプリケーション部分を送信するよりも前に、前記抽出手段により抽出された前記周辺機器用のファームウエアの基本部分を前記周辺機器へ送信する送信手段と、
を備えることを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記送信手段は、前記周辺機器用のファームウエアの基本部分を送信した後、前記周辺機器用のファームウエアのアプリケーション部分を送信することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記取得手段により取得された前記周辺機器用のファームウエアを記憶する第１記憶手段、をさらに備え、
前記送信手段により送信された前記周辺機器用のファームウエアの基本部分は、前記周辺機器が備える第２記憶手段に記憶される、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記第１記憶手段はさらに、情報処理装置用のファームウエアを、前記情報処理装置が単体で動作するための基本部分と、当該基本部分以外であるアプリケーション部分とに区別して記憶することを特徴とする請求項３に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記第１記憶手段は、前記周辺機器用のファームウエアを、前記周辺機器が単体で動作するために必要な基本部分と、当該基本部分以外であるアプリケーション部分とに区別して記憶することを特徴とする請求項３又は４に記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記送信手段は、情報処理装置用のファームウエアの基本部分が更新された後且つ前記情報処理装置用ファームウエアのアプリケーション部分が更新される前に、前記周辺機器用のファームウエアの基本部分を前記周辺機器に送信する、ことを特徴とする請求項３乃至５のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項７】
前記第１記憶手段に記憶された前記周辺機器用のファームウエアの基本部分と前記第２記憶手段に記憶されている周辺機器用のファームウエアの基本部分とが整合していない場合、前記第１記憶手段に記憶された前記周辺機器用のファームウエアの強制更新フラグを設定する設定手段、をさらに備え、
前記設定手段により前記強制更新フラグが設定された場合、前記周辺機器の前記第２記憶手段に記憶されている前記周辺機器用のファームウエアの基本部分が前記第１記憶手段に記憶されている前記周辺機器用のファームウエアの基本部分で更新される、
ことを特徴とする請求項３乃至６のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項８】
前記第１記憶手段に記憶された前記周辺機器用のファームウエアの基本部分と前記第２記憶手段に記憶されている周辺機器用のファームウエアの基本部分との比較に基づき、前記周辺機器の前記第２記憶手段に記憶されている前記周辺機器用のファームウエアの基本部分が前記第１記憶手段に記憶されている前記周辺機器用のファームウエアの基本部分で更新されることを特徴とする請求項３乃至７のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項９】
前記第１記憶手段に記憶された前記周辺機器用のファームウエアの基本部分のバージョンと前記第２記憶手段に記憶されている前記周辺機器用のファームウエアの基本部分のバージョンとが一致していない場合に、前記周辺機器の前記第２記憶手段に記憶されている前記周辺機器用のファームウエアの基本部分が更新されることを特徴とする請求項８に記載の情報処理装置。
【請求項１０】
前記第２記憶手段に記憶されている周辺機器用のファームウエアの基本部分が更新された後、前記周辺機器が周辺機器用のファームウエアのアプリケーション部分の更新を行うように前記周辺機器を制御する制御手段、をさらに備えることを特徴とする請求項３乃至９のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項１１】
前記抽出手段は、前記取得手段により取得された前記周辺機器用のファームウエアのヘッダを参照して、前記取得手段により取得された前記周辺機器用のファームウエアの基本部分と、前記取得手段により取得された前記周辺機器用のファームウエアのアプリケーション部分とを抽出する、ことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項１２】
前記周辺機器は、周辺機器用のファームウエアの基本部分を更新した後、周辺機器用のファームウエアのアプリケーション部分を更新するように、前記情報処理装置により制御される、ことを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項１３】
前記周辺機器が単体で動作するために必要な基本部分は、ブートプログラムとカーネルとを含むことを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項１４】
前記送信手段は、前記情報処理装置の再起動後に、前記周辺機器用のファームウエアの基本部分を送信することを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項１５】
情報処理装置において実行されるファームウエアの更新方法であって、
接続可能である周辺機器が単体で動作するために必要な基本部分と、当該基本部分以外であるアプリケーション部分とを含む周辺機器用のファームウエアを取得する取得工程と、
前記取得工程において取得された前記周辺機器用のファームウエアの基本部分を抽出する抽出工程と、
前記周辺機器用のファームウエアのアプリケーション部分を送信するよりも前に、前記抽出工程において抽出された前記周辺機器用のファームウエアの基本部分を前記周辺機器へ送信する送信工程と、
を有することを特徴とするファームウエアの更新方法。
【請求項１６】
請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の情報処理装置の各手段としてコンピュータを機能させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を解決するため、本発明に係る情報処理装置は、接続可能である周辺機器が単体で動作するために必要な基本部分と、当該基本部分以外であるアプリケーション部分とを含む周辺機器用のファームウエアを取得する取得手段と、前記取得手段により取得された前記周辺機器用のファームウエアの基本部分を抽出する抽出手段と、前記周辺機器用のファームウエアのアプリケーション部分を送信するよりも前に、前記抽出手段により抽出された前記周辺機器用のファームウエアの基本部分を前記周辺機器へ送信する送信手段と、を備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月17日(2015.4.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
画像入力部２１は、撮像装置１から出力される画像（画像信号）を入力する。たとえば、撮像装置１がＲＧＢベイヤ配列の色フィルタを備えたＣＣＤイメージセンサを用いる撮像装置である場合、画像入力部２１には、例えば、Ｒ成分信号、Ｇ成分信号およびＢ成分信号を含む画素信号列が入力される。画像入力部２１は、入力された画像信号を、必要に応じて、所定の形式に変換し、変換した画像信号（変換されない場合は、無変換の画像信号）を物体検出部２２に出力する。また、画像入力部２１は、入力された画像信号を、合成部２３に出力する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記対称性評価部は、
前記特徴量抽出画像上の画素値が０または正の値をとり、前記画像特徴量が大きい程、大きな値をとるものとし、前記特徴量抽出画像上の画素値の取り得る最大値以上の所定の値をＰｍａｘとし、
前記特徴量抽出画像上の座標（ｉ，ｊ）の注目画素の画素値をＰｉとし、前記注目画素から前記第１方向の一方向である第１探索方向にｋ画素（ｋは自然数）離れた画素の画素値をＰｉ−ｋとし、前記注目画素から前記第１方向の前記第１探索方向と逆方向である第２検索方向にｋ画素離れた画素の画素値をＰｉ＋ｋとし、
前記対称性評価領域の第１方向の幅を２ｗ＋１とし、
所定の閾値をＴｈとし、前記注目画素からの距離ｋについての重み付け関数をｃ（ｋ）とするとき、
前記対称性評価領域の第１方向の幅２ｗ＋１（ｗは自然数）を変化させながら、
2013232023.tif 000001
に基づいて、前記注目画素の前記対称性評価値を算出する、
請求項１に記載の物体検出装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月18日(2015.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の第１主面側に設けられた窒化物半導体層上に、Ａｕ、Ｖ、及びＴａの何れかからなる第１の層とＮｉからなる第２の層、又は、Ｔｉ、ＴｉＷ、Ａｌ、Ｗ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｐｔ、Ｔａ、及びＶの何れかからなる第１の層とＡｕからなる第２の層をこの順に形成する工程と、
前記基板の第２主面側に開口を有する選択エッチングのためのマスクを形成する工程と、
前記基板の第２主面側から、前記マスクの開口内に露出した前記基板および前記窒化物半導体層をエッチングする工程と、
前記マスクの開口内における前記第２の層の露出を確認することにより、エッチングの完了を判定する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１の層の膜厚は、２ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記エッチングの完了を判定する工程は、可視光によってなすことを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第２の層は、前記第１の層をシード層としためっき法によって形成されることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月27日(2015.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換素子を有する画素と、前記画素に対応して設けられた列回路とを有する単位セルが第１の方向に沿って複数配列された複数の単位セルと、
前記第１の方向に沿って配された第１の配線と、
前記第１の方向に直交する第２の方向に沿って配され、前記第１の配線よりもヤング率が高い第２の配線と、を有する光電変換装置であって、
前記第２の配線は、前記光電変換装置の前記第１の方向における端部と、前記複数の単位セルのうち前記光電変換装置の前記第１の方向における端部に最も近接して設けられた前記単位セルの前記第１の方向における端部との間に設けられていることを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
前記第２の配線は、前記第１の配線よりも融点が高いことを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項３】
前記第２の配線は、前記複数の単位セルに対して共通に電気的に接続されることを特徴とする請求項１または２に記載の光電変換装置。
【請求項４】
前記第１の配線は、アルミニウムもしくは銅、または、アルミニウムおよび銅の合金を主材料とすることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の光電変換装置。
【請求項５】
前記第２の配線は、ポリシリコンまたはシリサイド化されたポリシリコンを主材料とすることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の光電変換装置。
【請求項６】
前記第２の配線の断面積は、前記第１の配線の断面積よりも大きいことを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の光電変換装置。
【請求項７】
前記第１の方向における前記光電変換装置の長さは、前記第２の方向における前記光電変換装置の長さよりも長いことを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の光電変換装置。
【請求項８】
前記第２の配線とは異なる層に、前記第２の配線よりも断面積が大きい配線を有することを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載の光電変換装置。
【請求項９】
請求項１から８のいずれかに記載の光電変換装置が、前記第１の方向に沿って複数配列されたことを特徴とするイメージセンサユニット。
【請求項１０】
請求項９に記載のイメージセンサユニットを含むことを特徴とする画像読み取り装置。
【請求項１１】
光電変換素子を有する画素と、前記画素に対応して設けられた列回路とを有する単位セルが第１の方向に沿って複数配列された複数の単位セルと、
前記第１の方向に沿って配された第１の配線と、
前記第１の方向に直交する第２の方向に沿って配された第２の配線と、を有する光電変換装置であって、
前記第２の配線は、前記光電変換装置の前記第１の方向における端部と、前記複数の単位セルのうち前記光電変換装置の前記第１の方向における端部に最も近接して設けられた前記単位セルの前記第１の方向における端部との間に設けられており、
前記第１の配線は、アルミニウムもしくは銅、または、アルミニウムおよび銅の合金を主材料とし、
前記第２の配線は、ポリシリコンまたはシリサイド化されたポリシリコンを主材料とすることを特徴とする光電変換装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2013232525.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2013232525.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月2日(2015.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
化学量論的組成比を超える量の酸素が存在する第１の絶縁膜上に、第１の酸化物半導体層を形成し、
前記第１の酸化物半導体層に第１の熱処理を行うことにより、前記第１の絶縁膜から前記第１の酸化物半導体層に酸素を供給し、
前記第１の熱処理が行われた前記第１の酸化物半導体層に接して第１の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜の一部を除去し、第１のソース電極及び第１のドレイン電極を形成し、
前記第１の酸化物半導体層、前記第１のソース電極、及び前記第１のドレイン電極を覆って、第１のゲート絶縁膜を形成し、
前記第１の酸化物半導体層及び前記第１のゲート絶縁膜上に、第１のゲート電極を形成して、第１のトランジスタを形成し、
前記第１のゲート絶縁膜及び前記第１のゲート電極を覆って、層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜上に、化学量論的組成比を超える量の酸素が存在する第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜上に、第２の酸化物半導体層を形成し、
前記第１の酸化物半導体層及び前記第２の酸化物半導体層に第２の熱処理を行うことにより、前記第１の絶縁膜から前記第１の酸化物半導体層に、及び、前記第２の絶縁膜から前記第２の酸化物半導体層に酸素を供給し、
前記第２の熱処理が行われた前記第２の酸化物半導体層に接して第２の導電膜を形成し、
前記第２の導電膜の一部を除去し、第２のソース電極及び第２のドレイン電極を形成し、
前記第２の酸化物半導体層、前記第２のソース電極、及び前記第２のドレイン電極を覆って、第２のゲート絶縁膜を形成し、
前記第２の酸化物半導体層及び前記第２のゲート絶縁膜上に、第２のゲート電極を形成して、第２のトランジスタを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜は、それぞれ、
酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、又は、酸化ガリウムを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第１のトランジスタのチャネル長は、前記第２のトランジスタのチャネル長よりも短いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月27日(2015.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、
前記描画を制御するための描画データを補正する補正部と、
前記補正部によって補正されたデータに基づいて荷電粒子線によって描画を行う描画部と、
を含み、
前記補正部は、前記基板上の目標領域に対する描画領域の重ね合わせのための幾何学的補正を前記描画データに対して行った後に、当該補正された描画データに対して近接効果補正を行うことを特徴とする描画装置。
【請求項２】
前記描画部は、複数の荷電粒子線で基板に描画を行い、
前記補正部は、前記基板上のショット領域から切り出された複数の領域における各領域に対して近接効果補正を行い、
前記各領域は、１つの荷電粒子線によって描画が行われる描画領域と、それを取り囲む周辺領域とを含むことを特徴とする請求項１に記載の描画装置。
【請求項３】
前記描画部は、前記補正部によって近接効果補正が行われた前記各領域における前記描画領域の描画データに基づいて描画を行うことを特徴とする請求項２に記載の描画装置。
【請求項４】
前記周辺領域の幅は、前記荷電粒子線の前方散乱によるエネルギー分布の半値半幅であることを特徴とする請求項２又は３に記載の描画装置。
【請求項５】
前記周辺領域の幅は、前記荷電粒子線の前方散乱によるエネルギー分布においてエネルギーが閾値以上となる全幅の半分であることを特徴とする請求項２又は３に記載の描画装置。
【請求項６】
前記描画部は、前記荷電粒子線のブランキングを行うブランキング部を含み、
前記描画データは、前記ブランキング部を制御するためのデータであることを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載の描画装置を用いて基板に描画を行う工程と、
前記工程で描画を行われた前記基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月17日(2015.4.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表裏関係にある２つの主面間を貫通している貫通孔を有する基板と、
前記貫通孔内に配置されている貫通電極と、
前記貫通孔の内面と前記貫通電極との間にあり、前記内面よりも凹凸の高さが小さい面を前記貫通電極側に有する中間層と、
を備えていることを特徴とするベース基板。
【請求項２】
前記２つの主面のうちの少なくとも一方の主面側に、前記貫通電極と電気的に接続していて、前記貫通孔の開口を覆っている主面側電極を備えている請求項１に記載のベース基板。
【請求項３】
前記中間層が、前記主面側電極と前記一方の主面との間まで伸びている請求項２に記載のベース基板。
【請求項４】
前記基板は、ガラス材料を含んでいる請求項１ないし３のいずれか一項に記載のベース基板。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか一項に記載のベース基板と、
前記ベース基板に搭載されている電子部品と、
を備えていることを特徴とする電子デバイス。
【請求項６】
基板を準備する工程と、
前記基板の表裏関係にある２つの主面間を貫通する貫通孔、前記貫通孔の貫通状態を維持したまま前記貫通孔の内面に接合して前記内面よりも凹凸が小さい面を表面に有する中間層を形成する工程と、
金属材料を前記中間層に堆積させることで前記貫通孔内に貫通電極を形成する工程と、
を含むことを特徴とするベース基板の製造方法。
【請求項７】
前記基板はセラミックス材料であり、
前記貫通孔と中間層を形成する工程では、前記基板の一部を溶融して硬化させることを含む請求項６に記載のベース基板の製造方法。
【請求項８】
前記貫通孔と中間層とを形成する工程では、前記基板にレーザーを照射することにより、前記貫通孔と前記中間層とを形成する請求項６または７に記載のベース基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
［適用例１］
本発明のベース基板は、表裏関係にある２つの主面間を貫通している貫通孔を有する基板と、
前記貫通孔内に配置されている貫通電極と、
前記貫通孔の内面と前記貫通電極との間にあり、前記内面よりも凹凸の高さが小さい面を前記貫通電極側に有する中間層と、
を備えていることを特徴とする。
中間層によって貫通孔の内面の凹凸が埋められているため、貫通電極を貫通孔内により確実に形成することができる。したがって、貫通電極の断線や、貫通電極と貫通孔の内面との間での隙間の発生を防止することができ、優れた気密性および電気的特性を発揮することのできるベース基板を提供することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
［適用例３］
本発明のベース基板では、前記中間層が、前記主面側電極と前記一方の主面との間まで伸びていることが好ましい。
これにより、例えば、主面側電極と基板との間にも中間層を介在させることができ、主面側電極と基板との密着性を高めることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
［適用例４］
本発明のベース基板では、前記基板は、ガラス材料を含んでいることが好ましい。
これにより、中間層をより簡単に形成することができるとともに、中間層の表面をより平滑にすることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
［適用例６］
本発明のベース基板の製造方法は、基板を準備する工程と、
前記基板の表裏関係にある２つの主面間を貫通する貫通孔、前記貫通孔の貫通状態を維持したまま前記貫通孔の内面に接合して前記内面よりも凹凸が小さい面を表面に有する中間層を形成する工程と、
金属材料を前記中間層に堆積させることで前記貫通孔内に貫通電極を形成する工程と、
を含むことを特徴とする。
これにより、貫通電極の断線や、貫通電極と貫通孔の内面との間での隙間の発生を防止することができ、優れた気密性および電気的特性を発揮することのできるベース基板を簡単に製造することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
［適用例７］
本発明のベース基板の製造方法では、前記基板はセラミックス材料であり、
前記貫通孔と中間層を形成する工程では、前記基板の一部を溶融して硬化させることを含むことが好ましい。
これにより、中間層を簡単に形成することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
［適用例８］
本発明のベース基板の製造方法では、前記貫通孔と中間層とを形成する工程では、前記基板にレーザーを照射することにより、前記貫通孔と前記中間層とを形成することが好ましい。
これにより、貫通孔と中間層とを同じ工程にて形成することができるため、製造工程の削減を図ることができる。また、中間層を簡単に形成することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
また、リッド２３０の構成材料としては、特に限定されないが、ベース基板２１０（絶縁体基板２１１）の構成材料と線膨張係数が近似する部材であると良い。例えば、絶縁体基板２１１を後述するようなセラミックス基板とした場合には、コバール等の合金とするのが好ましい。
図４は、ベース基板２１０の拡大断面図である。同図に示すように、ベース基板２１０は、２つの貫通孔２１３、２１５が形成された板状の絶縁体基板（基板）２１１と、各貫通孔２１３、２１５の内面に形成された中間層２８０、２９０と、絶縁体基板２１１に形成された一対の電極２５０、２７０とを有している。