【事件の表示】
　平成　７年特許願第５２５０１７号「超電導接合」拒絶査定不服審判事件〔平成　７年１０月　５日国際公開、ＷＯ９５／２６５７５、平成　９年１０月２８日国内公表、特表平　９−５１０８３３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、１９９５年３月１０日（パリ条約による優先権主張外国庁受理１９９４年３月２５日、英国）を国際出願日とする出願であって、平成２０年５月７日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年８月１１日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。　
　
第２　本願発明について
　本願の請求項１ないし２８に係る発明は、平成１８年１０月２７日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１ないし２８に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、このうち、本願の請求項１に係る発明は、以下のとおりのものである。
「基板（２０２）と第１のエピタキシャル超電導酸化物層（２１０）及び超電導マイクロブリッジによって第１の層に電気的に接続された第２のエピタキシャル超電導酸化物層（２２２）から成り、臨界温度以下に冷却される時ジョセフソン接合と同様の特性を有する超電導接合（１０、１００、２００、２５０）において、前記第２の層が、前記第１の層の領域上に延びる領域を含み、前記マイクロブリッジが前記両領域を接続しており、前記マイクロブリッジがエピタキシャル超電導酸化物からなり、前記マイクロブリッジが前記両領域を除く部分でエピタキシャル非超電導酸化物と隣接している超電導接合。」
　
第３　引用刊行物に記載された発明
　刊行物１．特開平１−１０１６７７号公報
　原審の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物１（特開平１−１０１６７７号公報）には、第１図、第２図とともに、「電子装置」（発明の名称）に関して、以下の事項が記載されている。
「（１）超伝導体膜間に絶縁体膜がはさまれてなる三層構造を有する電子装置において、
　希土類複合酸化物超伝導体結晶膜上にII族フッ化物絶縁体結晶膜をエピタキシャル成長して形成し、該絶縁体結晶膜上に希土類複合酸化物超伝導体結晶膜をエピタキシャル成長して形成してなることを特徴とする電子装置。」「（４）上記電子装置は、上記II族フッ化物絶縁体結晶膜に形成された微小な孔を介して両面の上記超伝導体結晶膜が接続されてなるブリッジ型ジョセフソン接合として機能するものであることを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第３項のいずれかに記載の電子装置。」　
「（６）上記電子装置は、上記II族フッ化物絶縁体結晶膜が、両側の上記超伝導体結晶を電気的に絶縁する層間絶縁膜として機能するものであることを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第３項のいずれかに記載の電子装置。」（特許請求の範囲の第１項、第４項、第６項）　
「〔問題点を解決するための手段〕
　この発明に係る電子装置は、希土類複合酸化物超伝導体結晶膜の間に絶縁膜がはさまれてなる構造を形成するのに、該絶縁膜として、II族フッ化物絶縁体結晶を用いたものである。
〔作用〕
　この発明においては、II族フッ化物絶縁体結晶は、希土類複合酸化物超伝導体結晶との間の実質的な格子不整合を小さくでき、かつその熱膨張係数も該超伝導体結晶の値に近い値にできるので、上記超伝導体結晶膜上に上記絶縁体結晶膜を、及び上記絶縁体結晶膜上に上記超伝導体結晶膜をそれぞれエピタキシャル成長して形成すると、各結晶膜は結晶方位のそろった、品質の良い結晶膜となり、上層、下層の上記超伝導体結晶膜はその結晶方位が所定の関係をもつこととなる。従って、上記超伝導体材料をその結晶方位を制御して有効利用でき、電子装置の性能向上を図ることができる。
〔実施例〕
　以下、この発明の実施例を図について説明する。
　第１図はこの発明の一実施例による電子装置を示す。図において、１は希土類複合酸化物エピタキシャル超伝導体を堆積するための単結晶基板で、ここではＳｒＴｉＯ３（１１０）基板を用いている。２はＳｒＴｉＯ３（１１０）基板１上にエピタキシャル成長された、斜方晶酸素欠損ペロブスカイト構造の希土類複合酸化物超伝導体の薄膜で、ここではＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−δ薄膜である。３は該薄膜２上にエピタキシャル成長された、螢石型構造のII族フッ化物絶縁体の薄膜で、ここではＢａ１−ｘ−ｙＳｒｘＣａｙＦｚ薄膜である。４は該薄膜３上にエピタキシャル成長されたＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−δ薄膜である。
　本実施例に示す構造は、下層、上層のエピタキシャル超伝導体薄膜２，４が、エピタキシャル絶縁体薄膜３に設けられた微小な孔を通して接続されており、いわゆるブリッジ型ジョセフソン接合としての機能を有する。」（第２頁右上欄第１６行ないし同頁右下欄第１４行）　
「そして、微小な孔のあけられたＢａ１−ｘ−ｙＳｒｘＣａｙＦｚ薄膜３上にＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−δ薄膜４をエピタキシャル成長する（第２図（ｅ））。こうして第１図に示す構造が形成される。」（第３頁左上欄第１４ないし１７行）
　
　以上の記載から、刊行物１には、以下の発明が記載されている。
「単結晶基板１と、前記単結晶基板１上に形成されたＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−δエピタキシャル超伝導体薄膜２と、前記ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−δエピタキシャル超伝導体薄膜２上に形成されたＢａ１−ｘ−ｙＳｒｘＣａｙＦｚエピタキシャル絶縁体薄膜３と、前記Ｂａ１−ｘ−ｙＳｒｘＣａｙＦｚ絶縁体薄膜３に設けられた微小な孔を通して前記ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−δエピタキシャル超伝導体薄膜２と接続する、前記Ｂａ１−ｘ−ｙＳｒｘＣａｙＦｚエピタキシャル絶縁体薄膜３上に形成されたＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−δエピタキシャル超伝導体薄膜４とからなり、前記ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−δエピタキシャル超伝導体薄膜２と前記ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−δエピタキシャル超伝導体薄膜４とが前記Ｂａ１−ｘ−ｙＳｒｘＣａｙＦｚエピタキシャル絶縁体薄膜３に設けられた微小な孔を通して接続されていることで、ブリッジ型ジョセフソン接合としての機能を有することを特徴とする電子装置。」
　
　刊行物２．特開昭６３−３１０１８５号公報　
　原審の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物２（特開昭６３−３１０１８５号公報）には、第１図〜第３図、第５図とともに、「ジョセフソン効果装置」（発明の名称）に関して、以下の事項が記載されている。
「第１図は、本発明の一実施例を示す構成説明図である。第１図において、１はサファイアＲ面やＺｒＯなどの基板であり、その表面には超伝導体層２１〜２５および絶縁体層３１〜３４が絶縁体層３１〜３４を超伝導体層２１〜２５で挟むようにして順次積層され、積層体４として一体形成されている。この積層体４の一端は所定の傾斜をもった積層端面５として形成されている。６は積層端面５上に帯状に形成された超伝導体層よりなる導体層であり、各絶縁体層３１〜３４を挟む超伝導体層２１〜２５相互はこの導体層６を介して弱結合されることになる。なお、第１図では、積層体４の積層構造を明確にするために、導体層６の寸法比率を圧縮している。
　ここで、超伝導体層２１〜２５の膜厚はそれぞれ１０００Å〜５０００Åにし、絶縁体層３１〜３４の膜厚は各絶縁体層を挟む超伝導体層間にトンネル結合を生じないようにそれぞれ１００Å〜１０００Åにし、導体層６の膜厚は１０００Å程度で幅は１μｍ程度とする。
　このように構成することにより、本実施例によれば、４個のジョセフソン素子が導体層６を介して直列に接続されることになる。ここで、最下部のジョセフソン素子と最上部のジョセフソン素子の距離は１μｍ以下と強い相互干渉を生じるのに充分な距離であり、最下層の超伝導体層２１と最上層の超伝導体層２５からそれぞれ電極を取り出すようにすることにより、４個のジョセフソン素子が一体となって同時に動作するジョセフソン効果装置が実現できる。そして、このように構成されるジョセフソン効果装置のギャップ電圧としては、単体ジョセフソン素子の４倍のギャップ電圧を得ることができる。
　なお、このような弱結合を行う帯状の導体層を２個並列に設けることにより、超伝導量子干渉素子（ＳＱＵＩＤ；ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ　ｑｕａｎｔｕｍ　ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ　ｄｅｖｉｃｅ）を構成することもできる。
　第２図は、第１図の装置の製造工程説明図である。まず、工程（ａ）において、基板１の表面に超伝導体層２１〜２５および絶縁体層３１〜３４を、絶縁体層３１〜３４を超伝導体層２１〜２５で挟むようにして順次積層し、積層体４として一体形成する。」（第２頁左上欄第１１行ないし同頁左下欄第１３行）
「基板１は、前述のように、基板加熱ステージ１４により例えば５００℃〜１２００℃の所定の温度に加熱されている。
　これにより、超伝導体層２１〜２５の形成時には基板１の表面で金属塩化物ＹＣｌ３，ＢａＣｌ２，ＣｕＣｌとＯ２＋Ｈ２Ｏの化学反応が発生し、基板１の表面には超伝導体として機能する金属元素Ｙ，Ｂａ，Ｃｕの酸化物が単結晶成長し、ＣｌはＨＣｌとして排出されることになる。また、絶縁体層３１〜３４の形成時には金属塩化物ＡｌＣｌ３とＯ２＋Ｈ２Ｏの化学反応が発生し、基板１の表面には絶縁体として機能する金属元素Ａｌの酸化物が単結晶成長し、ＣｌはＨＣｌとして排出されることになる。」（第３頁右上欄第１５行ないし同頁左下欄第８行）　
「基板１は、前述のように、基板加熱ステージ３６により例えば５００℃〜１２００℃の所定の温度に加熱されている。これにより、基板１の表面で金属塩化物ＹＣｌ３，ＢａＣｌ２，ＣｕＣｌ，ＡｌＣｌ３とＯ２＋Ｈ２Ｏの化学反応が発生し、基板１の表面には超伝導体として機能する金属元素Ｙ，Ｂａ，Ｃｕの酸化物および絶縁体として機能するＡｌの酸化物が単結晶成長し、ＣｌはＨＣｌとして排出されることになる。」（第４頁左下欄第１４行ないし同頁右下欄第３行）　
「工程（ｃ）に示すように、工程（ｂ）で切り出された積層体４の端面５に第１図に示すような所定の形状の導体層６を形成する。このような導体層６は、（ａ）に示した積層体４の積層と同様のプロセスで全面に形成した後、（ｂ）に示したプロセスと同様に塩素ビームを所定の形状に設けられたマスクパターンを介して選択的に照射することにより形成することができる。」（第５頁左上欄第９ないし１７行）　
　
第４　対比　
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）と刊行物１に記載された発明（以下、「刊行物１発明」という。）とを対比する。
（ａ）刊行物１発明の「超伝導」と本願発明１の「超電導」とは、同義語であり、刊行物１発明の「単結晶基板１」、「ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−δエピタキシャル超伝導体薄膜２」、「ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−δエピタキシャル超伝導体薄膜４」、「Ｂａ１−ｘ−ｙＳｒｘＣａｙＦｚエピタキシャル絶縁体薄膜３」は、それぞれ、本願発明１の「基板（２０２）」、「第１のエピタキシャル超電導酸化物層（２１０）」、「第２のエピタキシャル超電導酸化物層（２２２）」、「エピタキシャル非超電導」「物」に相当する。
（ｂ）刊行物１発明の「前記ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−δエピタキシャル超伝導体薄膜２と前記ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−δエピタキシャル超伝導体薄膜４とが前記Ｂａ１−ｘ−ｙＳｒｘＣａｙＦｚエピタキシャル絶縁体薄膜３に設けられた微小な孔を通して接続されていることで、ブリッジ型ジョセフソン接合としての機能を有すること」において、「前記ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−δエピタキシャル超伝導体薄膜２と前記ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−δエピタキシャル超伝導体薄膜４とが前記Ｂａ１−ｘ−ｙＳｒｘＣａｙＦｚエピタキシャル絶縁体薄膜３に設けられた微小な孔を通して接続されている」部分は、「ブリッジ型ジョセフソン接合としての機能を有する」ので、刊行物１発明の「前記ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−δエピタキシャル超伝導体薄膜２と前記ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−δエピタキシャル超伝導体薄膜４とが前記Ｂａ１−ｘ−ｙＳｒｘＣａｙＦｚエピタキシャル絶縁体薄膜３に設けられた微小な孔を通して接続されている」は、本願発明１の「超電導マイクロブリッジ」に相当する。
（ｃ）刊行物１発明の「前記ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−δエピタキシャル超伝導体薄膜２と前記ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−δエピタキシャル超伝導体薄膜４とが前記Ｂａ１−ｘ−ｙＳｒｘＣａｙＦｚエピタキシャル絶縁体薄膜３に設けられた微小な孔を通して接続されている」は、「前記ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−δエピタキシャル超伝導体薄膜４」により形成されているので、エピタキシャル超伝導体薄膜からなることは、明らかであり、刊行物１発明の「前記ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−δエピタキシャル超伝導体薄膜２と前記ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−δエピタキシャル超伝導体薄膜４とが前記Ｂａ１−ｘ−ｙＳｒｘＣａｙＦｚエピタキシャル絶縁体薄膜３に設けられた微小な孔を通して接続されていることで、ブリッジ型ジョセフソン接合としての機能を有すること」は、本願発明１の「前記マイクロブリッジがエピタキシャル超電導酸化物からな」ることに相当する。
（ｄ）刊行物１発明の「前記ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−δエピタキシャル超伝導体薄膜２と前記ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−δエピタキシャル超伝導体薄膜４とが前記Ｂａ１−ｘ−ｙＳｒｘＣａｙＦｚエピタキシャル絶縁体薄膜３に設けられた微小な孔を通して接続されている」において、「前記ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−δエピタキシャル超伝導体薄膜２と前記ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−δエピタキシャル超伝導体薄膜４とが」「前記Ｂａ１−ｘ−ｙＳｒｘＣａｙＦｚエピタキシャル絶縁体薄膜３」に接触していることは明らかであって、また、本願発明１の「両領域」が、「前記第１の層の領域」及び「前記第２の層が、前記第１の層の領域上に延びる領域」を意味することは明らかであるので、刊行物１発明の「前記ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−δエピタキシャル超伝導体薄膜２と前記ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−δエピタキシャル超伝導体薄膜４とが前記Ｂａ１−ｘ−ｙＳｒｘＣａｙＦｚエピタキシャル絶縁体薄膜３に設けられた微小な孔を通して接続されていることで、ブリッジ型ジョセフソン接合としての機能を有すること」は、本願発明１の「前記マイクロブリッジが前記両領域を除く部分でエピタキシャル非超電導」「物と隣接している」ことに相当する。
（ｅ）刊行物１発明の「ブリッジ型ジョセフソン接合としての機能を有することを特徴とする電子装置」は、「臨界温度以下に冷却される時ジョセフソン接合と同様の特性を有する」ことは明らかであるので、刊行物１発明の「ブリッジ型ジョセフソン接合としての機能を有することを特徴とする電子装置」は、本願発明１の「臨界温度以下に冷却される時ジョセフソン接合と同様の特性を有する超電導接合（１０、１００、２００、２５０）」に相当する。　
　したがって、本願発明１と刊行物１発明とは、
「基板と第１のエピタキシャル超電導酸化物層及び超電導マイクロブリッジによって第１の層に電気的に接続された第２のエピタキシャル超電導酸化物層から成り、臨界温度以下に冷却される時ジョセフソン接合と同様の特性を有する超電導接合において、前記第２の層が、前記第１の層の領域上に延びる領域を含み、前記マイクロブリッジが前記両領域を接続しており、前記マイクロブリッジがエピタキシャル超電導酸化物からなり、前記マイクロブリッジが前記両領域を除く部分でエピタキシャル非超電導物と隣接している超電導接合。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
　相違点１
「エピタキシャル非超電導物」として、本願発明１は、「エピタキシャル非超電導酸化物」を有するのに対して、刊行物１発明は、「Ｂａ１−ｘ−ｙＳｒｘＣａｙＦｚエピタキシャル絶縁体薄膜３」を有する点。
　
第５　当審の判断
　相違点１について以下で検討する。
　刊行物２には、「１はサファイアＲ面やＺｒＯなどの基板であり、その表面には超伝導体層２１〜２５および絶縁体層３１〜３４が絶縁体層３１〜３４を超伝導体層２１〜２５で挟むようにして順次積層され、積層体４として一体形成されている。この積層体４の一端は所定の傾斜をもった積層端面５として形成されている。６は積層端面５上に帯状に形成された超伝導体層よりなる導体層であり、各絶縁体層３１〜３４を挟む超伝導体層２１〜２５相互はこの導体層６を介して弱結合されることになる。」（第２頁左上欄第１２行ないし同頁右上欄第２行）こと、「超伝導体層２１〜２５の形成時には基板１の表面で金属塩化物ＹＣｌ３，ＢａＣｌ２，ＣｕＣｌとＯ２＋Ｈ２Ｏの化学反応が発生し、基板１の表面には超伝導体として機能する金属元素Ｙ，Ｂａ，Ｃｕの酸化物が単結晶成長し、ＣｌはＨＣｌとして排出されることになる。また、絶縁体層３１〜３４の形成時には金属塩化物ＡｌＣｌ３とＯ２＋Ｈ２Ｏの化学反応が発生し、基板１の表面には絶縁体として機能する金属元素Ａｌの酸化物が単結晶成長し、ＣｌはＨＣｌとして排出されることになる。」（第３頁右上欄第１８行ないし同頁左下欄第８行）」こと、「ジョセフソン素子」（例えば、第２頁右上欄第１２行）が、記載されている。
　そして、「ジョセフソン素子」として積層される、「超伝導体層２１〜２５」と「絶縁体層３１〜３４」は、それぞれ、「金属元素Ｙ，Ｂａ，Ｃｕの酸化物が単結晶成長し」たものと「金属元素Ａｌの酸化物が単結晶成長し」たものであって、「金属元素Ｙ，Ｂａ，Ｃｕの酸化物」２１は、「サファイアＲ面やＺｒＯなどの基板」１の上に「単結晶成長」させたものであるから、「金属元素Ｙ，Ｂａ，Ｃｕの酸化物」２１が、「サファイアＲ面やＺｒＯなどの基板」１と結晶軸を合わせて成長させたもの、即ち、エピタキシャル成長させたものであることは明らかであり、また、「金属元素Ａｌの酸化物」３１は、「金属元素Ｙ，Ｂａ，Ｃｕの酸化物」２１の上に「単結晶成長」させたものであるから、「金属元素Ａｌの酸化物」である「絶縁体層３１〜３４」は対応する、「金属元素Ｙ，Ｂａ，Ｃｕの酸化物」である「超伝導体層２１〜２４」と結晶軸を合わせて成長させたもの、即ち、エピタキシャル成長させたものであることは明らかである。
　したがって、刊行物２に記載の「超伝導体層２１〜２５」と「絶縁体層３１〜３４」は、それぞれ、エピタキシャル「超伝導体層２１〜２５」とエピタキシャル「絶縁体層３１〜３４」のことであると解される。
　すると、刊行物１発明の「Ｂａ１−ｘ−ｙＳｒｘＣａｙＦｚエピタキシャル絶縁体薄膜３」の代わりに、刊行物２に記載の「単結晶成長し」た、言い換えると、エピタキシャル成長した「金属元素Ａｌの酸化物」を採用して、刊行物１発明が、本願発明１のごとく、「エピタキシャル非超電導酸化物」を有するようになすことは、当業者が容易になし得たことと認められる。
　
　したがって、本願の請求項１に係る発明は、刊行物１、２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　
第６　むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるので、本願の他の請求項に係る発明についての検討をするまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。