【事件の表示】
　平成１０年特許願第１３３０３３号「透明導電性フィルムおよびタッチパネル」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年１１月２４日出願公開、特開平１１−３２０７４５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本件出願（以下「本願」という。）は平成１０年５月１５日の出願であって、以降の手続の経緯は以下のとおりである。 
 　 
　平成１６年１０月１８日付け　拒絶理由通知
　平成１６年１２月２７日　　　意見書・手続補正書
　平成１７年　５月１２日付け　拒絶査定
　平成１７年　６月１７日　　　本件審判請求
　平成１７年　８月１２日付け　方式指令（理由補充）
　平成１７年　９月２０日　　　手続補正書（審判請求理由補充書）
　平成２０年　６月　４日付け　拒絶理由通知
　平成２０年　８月　４日　　　意見書・手続補正書
　
第２　平成２０年６月４日付けで当審が通知した拒絶理由の概要
　しかるに、当審は、平成２０年６月４日付けで拒絶理由を通知したところ、その理由は以下の理由を含むものである。
　
「第３　拒絶の理由 
１　拒絶の理由 
（１）　理由１ 
　本願発明１〜３、６及び７は、その出願前に日本国内又は外国において頒布された下記の刊行物Ａ、Ｂに記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。 
（２）　理由２ 
　本願発明１〜７は、その出願前日本国内又は外国において頒布された下記の刊行物Ａ〜Ｍに記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
 　　 
２　刊行物 
刊行物Ａ：特開平９−２３４８１６号公報 
・・（中略）・・
刊行物Ｃ：特開平８−２０１７８５号公報 
刊行物Ｄ：麻蒔立男著「薄膜作製の基礎−第２版−」昭和６０年６月２５日
　　　　　日刊工業新聞社発行、９９〜１０９ページ 
刊行物Ｅ：Ｒ．Ｖ．Ｓｔｕａｒｔ著、毛利衛・数坂昭夫共訳 
　　　　　「入門　真空・薄膜・スパッタリング」１９８５年１０月１５日
　　　　　技報堂出版株式会社発行、８３〜８５、１２５〜１２７ページ
刊行物Ｆ：小林春洋著「スパッタ薄膜−基礎と応用−」１９９３年２月２５　　　　　日、日刊工業新聞社発行、１０２〜１０５ページ 
刊行物Ｇ：特開平４−１７６７３号公報 
刊行物Ｈ：塚田邦夫著「接着技術マニュアル」 
　　　　　昭和５３年２月７日特許庁資料館受入 
　　　　　株式会社テクノ発行　１００〜１０１ページ 
刊行物Ｉ：特開平７−１８１０２号公報 
・・（後略）」
　
第３　本願発明
　本願発明は、平成１６年１２月２７日付け及び平成２０年８月４日付けの各手続補正書により補正された本願明細書の特許請求の範囲における請求項１ないし６に記載された事項で特定されるとおりのものであり、その内、請求項１に係る発明は、以下のとおりの事項により特定されるものである。
「透明なポリエチレンテレフタレートフィルム（１１）の一方の表面を、アルカリ性水溶液への浸漬によるウエット工程による方法、または紫外線照射のドライ工程による方法のいずれかで洗浄し、該洗浄面に透明導電性薄膜（１２）を積層した透明導電性フィルム（１）であって、前記フィルム（１１）の洗浄面はシリコンおよびフッ素が原子比で０．３％以下であり、かつ透明なプラスチックフィルム（１１）と透明導電性薄膜（１２）との付着力が１０ｇ／１５ｍｍ以上であることを特徴とする透明導電性フィルム。」
（以下、請求項１に係る発明を「本願発明」という。）
　
第４　上記拒絶理由における刊行物の記載事項
　上記拒絶理由につき再度検討するにあたり、引用された刊行物に記載された事項を確認すると、以下のとおりである。
　
１．刊行物Ａ：特開平９−２３４８１６号公報
　
＜Ａ−１＞ 
 「【請求項１】　　ポリアリレート成形物上に、少なくとも主としてインジウムとスズからなる酸化物で構成される比抵抗１×１０−２Ω・ｃｍ以上かつ非晶質の透明導電層を設けた透明導電性積層体であって、該透明導電層は、処理により該層を比抵抗１×１０−２Ω・ｃｍ未満かつ非晶質となる透明導電層であることを特徴とする透明導電性積層体。」（【特許請求の範囲】の【請求項１】） 
＜Ａ−２＞ 
「【発明の実施の形態】本発明は、ポリアリレート成形物のように、熱処理、湿熱処理によって形成した透明導電層の電気抵抗値が変化してしまう高分子成形物を基体として用いた場合に特に効果がある。高分子成型物は軽く割れにくいため、透明導電性積層体の透明基体として好適に使用できる。透明な高分子成形物は、可視光において透明であれば使用できる。透明な高分子成形物の種類を具体的にいえば、ポリエチレンテレフタレート、・・・、ポリエチレンナフタレート、ポリアリレート、ポリエーテルエーテルケトン、ポリカーボネート、・・・などが挙げられる。これら透明な高分子成形物は透明導電層を形成する主面が平滑であれば板状であってもフィルム状であってもよい。・・・。また透明な高分子フィルムは可撓性を有しており透明導電層をロールツーロール法で連続的に形成することができるため、これを使用した場合には効率よく透明導電性積層体を生産できる故にこれもまた好適に使用できる。この場合フィルムの厚さは通常１０〜２５０μｍのものが用いられる。・・・。」（【００１３】） 
＜Ａ−３＞ 
「これらの基体はその表面に予めスパッタリング処理、コロナ処理、火炎処理、紫外線照射、電子線照射などのエッチング処理や、下塗り処理を施してこの上に形成される主としてインジウムとスズからなる酸化物で構成される非晶質の透明導電層の上記基体に対する密着性を向上させる処理を施してもよい。また、主としてインジウムとスズからなる酸化物で構成される非晶質の透明導電膜を成膜する前に、必要に応じて溶剤洗浄や超音波洗浄などの防塵処理を施してもよい。」（【００１４】） 
＜Ａ−４＞ 
「主としてインジウムとスズからなる酸化物で構成される安定な非晶質の透明導電膜（ＩＴＯ膜）の成膜方法としては真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法といった従来公知の物理的気相成長法のいずれも採用できる。なかでもスパッタリング法は、膜中の酸素含有量の制御が容易に行えるため好適に使用できる。」（【００２３】） 
＜Ａ−５＞ 
「また、機械的強度を向上させる目的で、基体のＩＴＯ膜を形成する面とは反対の面に透明性を有するハードコート層を設けたり、・・・。また基体とＩＴＯ膜との密着性の向上、あるいは透過率の向上、またはさらなる耐熱性向上を目的に、その性能を損なわない範囲で・・・有機高分子膜等の任意の中間層を１層以上設けてもよい。」（【００２５】） 
＜Ａ−６＞ 
「本発明の透明導電性積層体は、液晶ディスプレイ、透明タッチパネル、・・・等の透明電極や・・・に好適に使用できる。」（【００３４】）
　
２．刊行物Ｃ：特開平８−２０１７８５号公報
　
＜Ｃ−１＞ 
 「プラスチックフィルム上に透明導電層を設けた透明導電性フィルムにおいて、該プラスチックフィルムはその原料ポリマーを溶媒で溶解して得られる溶液を支持体上に流延することにより製膜する溶液流延法で製膜したプラスチックフィルムであり、該透明導電層をこのプラスチックフィルムの製造時支持体と接していた支持体面に直接又は厚さ１５μｍ以下の有機樹脂層を介して設けたことを特徴とする透明導電性フィルム。」（【特許請求の範囲】の【請求項１】） 
＜Ｃ−２＞ 
「【従来の技術】前記透明導電フィルムは軽薄化、大型化しやすく、かつ形状の自由性に優れるという利点を持つことから、　　従来の厚くて、重くて、割れ易いガラス基板に代わって、液晶表示素子、タッチパネル、太陽電池等の透明電極基板、あるいは帯電防止用フィルム、赤外線反射膜などに用いられている。 
　そして、液晶表示素子、太陽電池など透明電極基板への応用化が進められている中、その用途に適した特性の向上が要求されている。・・・。 
　中でも、加工時及び経時的にその品質に劣化を起こさない信頼性への要望は強い。ところが、プラスチックフィルムの熱膨張や収縮、また機械的影響などによりプラスチックフィルムと透明導電層との接着性が不十分となり、透明導電層にクラックが発生したり、その一部が剥離するなどの問題があった。」（【０００２】〜【０００４】） 
＜Ｃ−３＞ 
「なお、ここでいう接着性は、透明導電フィルムの透明導電層部分を切断するようにカッターナイフで透明導電層側の表層部を切断し、この切断部にセロハンテープを接着し、次いでテープを引き剥すという剥離検査、及びＪＩＳ−Ｋ−７１３３規格のＴ型剥離試験によって２５℃で測定した透明導電層とその下層との間の剥離強度で示す接着力により評価する。そして、剥離検査で全く剥離が観察されず、且つ剥離強度が長期信頼性でも問題のない１５０ｇ／ｃｍ以上の場合を接着性が良好とした。」（【００１２】） 
＜Ｃ−４＞ 
「透明導電層は、公知のもの、例えば錫、インジウム、チタン等の金属又はこれらの酸化物が適用される。そして、これらの透明導電層は、蒸着法、スパッタリング法などの公知の薄膜形成手段で設けることができる。 
　これらの透明導電層の中でも、主として非結晶のインジウム酸化物からなり、その組成分として錫を５〜１５重量％含有し、かつ、膜厚が２０〜２００ｎｍの範囲にある透明導電層が好ましい。 
　結晶性の高いインジウム酸化物は、非結晶体と比較すると、透明性、導電性が高く、透明電極材料として好ましいが、屈曲性の高いフィルム上に結晶性の膜を製膜し、このフィルムを屈曲したときには割れ易く、信頼性および組み立て時の取扱性等において問題がある。」（【００２０】〜【００２２】） 
　
３．刊行物Ｄ：麻蒔立男著「薄膜作製の基礎−第２版−」昭和６０年６月２　　　　　　　５日、日刊工業新聞社発行、９９〜１０９ページ
　
＜Ｄ−１＞ 
 「真空を利用した薄膜作成法（以下単に薄膜作成法）の代表的なものは，表５・１に示すごとく蒸着法，イオンプレーティング法，スパッタ法，気層反応法（表５・１略）といえよう．」（９９ページ下から２行〜１０１ページ１行） 
＜Ｄ−２＞ 
「５・３　付着強度−膜を強くつけるにはどうしたらよいか？ 
　薄膜を作る者にとって，一番悩むのはこの問題である．付着強度に影響する因子は，○１（審決注：○の中に数字の１が入った記号を意味する。以下，○の中に数字等が入った記号については同様に表記する。）基板と膜の組み合わせ，○２基板の前処理，○３基板の脱ガス，○４膜つけ中の温度，○５膜の構成（コンタクトメタルを入れるかどうか），などである．これらはだいたい決まっているといえばいえるが，細部に至っては実験的に定めていくのが普通である． 
　膜と基板との間の付着力は，前章で述べたように○ａイオン結合，○ｂ原子結合，○ｃ金属結合，○ｄファン・デル・ワールス結合，○ｅ双極子による結合などが考えられる．通常○ａ〜○ｅの化学結合の状態に至るようにいろいろな条件を考える．基板の表面をきれいにするのも温度を上げるのもこのためといえる．」（１０５ページ下から７行〜１０６ページ３行） 
＜Ｄ−３＞ 
「５・３・１　前処理 
　通常得られる基板は，表面にダストや油脂の類が付着している．ダストは付着力の低下のみならずピンホールの原因になりやすいので，どうしても除く必要がある．油脂の類は極めて付着力の弱いもので，しかも一様についてなく部分剥離の原因にもなる．したがってこれらを十分に除去する必要がある．さらに念を入れ，通常表面層（・・・）を取り除き（一皮むくともいう）きれいな表面を出してから真空装置に入れて膜をつける．ガラスやセラミックの場合，市水洗（ゴミ落し）→中性洗剤によるこすり洗い（ナイロン繊維などを用いて機械的に汚れを除去する）→水→純水（中性洗剤を洗い流す）→アルコール（水を除去）→アルコールやダイフロンによる蒸気洗浄（一様に瞬間的に乾燥する）といった工程がとられる，金属等の場合でも，前記水と純水洗の後，酸あるいはアルカリによる洗い→水洗いの工程を入れる場合が多い．多くの場合，水，純水，アルコール洗浄のときは超音波洗浄を行う．洗浄後の基板は金属性のピンセットで触れるのが良く，テフロンのピンセットで触れるとそこだけつきが悪いという例もあるといわれる． 
 ・・・． 
　通常，最もよく用いる洗浄法について，ラジオアイソトープを用いて調べた結果について述べる． 
（ｉｉ）　有機溶剤による洗浄効果 
　図５・７（当審注：図略）は，１４Ｃを含んだステアリン酸のついたステンレスを，沸点にあるトリクレンに浸して（１回３分），１４Ｃの減り方を調べたもので，３回程度で効果が飽和し，最終的には０．１分子層くらい残ってしまうことが分かる（このようにゼロにすることは難しく，膜をつける前に後述のようにイオンによるボンバードやエッチングなどをするとよい）． 
（ｉｉｉ）　超音波洗浄の効果 
　図５・８（当審注：図略）には，１４Ｃを含んだステアリン酸で汚染された部品に対する超音波洗浄の効果を示したもので，超音波洗浄の効果の大きさ，同時に洗剤の効果もしれよう．超音波振動を液体に加えると，液体が非圧縮性であるため，液体中の固体面を振動で衝撃し，また空洞を生じる，両者は，基板面を機械的に清浄化すると同程度の効果があると考えられている．図５・９（当審注：図略）は，同様にブラウン管のカソードキャップに対する超音波洗浄の効果を示すもので，超音波洗浄なしで洗剤中へ２時間浸漬しただけのものには，５分間程度浸漬後５分間の超音波洗浄したものの２倍もの汚れが残っている．洗剤につけておくだけでなく超音波洗浄することが大切である． 
（ｉｖ）　エッチングの効果 
　いわゆる一皮むくということで効果は極めて大きい．例えば表３．１に見るごとく，脱脂処理したものの１／１０以下になる． 
５・３・２　蒸着時の条件 
 ・・・ 
（ｉｉ）　ボンバードの効果 
　基板をプラズマ中に入れると基板の表面は電子やイオンによりボンバードされ表面がきれいになる．図５・１３（当審注：図略）には，ボンバード時間と付着強度との関係を示してある．一般にボンバードをわずかな時間でもすると付着強度は極めて大きくなる．」（１０６ページ１２行〜１０９ページ下から１行） 
　
４．刊行物Ｅ：Ｒ．Ｖ．Ｓｔｕａｒｔ著、毛利衛・数坂昭夫共訳 
　　　　「入門　真空・薄膜・スパッタリング」１９８５年１０月１５日、
　　　　　技報堂出版株式会社発行、８３〜８５、１２５〜１２７ページ
　
＜Ｅ−１＞ 
「３−７　基板の清浄化 
　基板の表面を清浄にすると，析出膜の密着性に著しい効果が見られます．薄膜の密着性を実際に測定するのは，一般的に難しいのです．定性的な密着強度の測定は，連邦規格Ｌ−Ｔ−９０で明記されているように・・・テープ試験です．・・・このテープ試験を合格したコーティング膜は，ある程度以上密着性を満たすわけですが，このように非常に定性的な試験でも，薄膜と基板の接合性を２つのクラスに分けることが可能です．良い密着性を得るためには，基板の清浄化が最も重要な因子となります． 
　基板の清浄度は，その取り扱い方に大きな影響を与えます．この取り扱いについては，顕微鏡のスライドガラス（・・・）を洗ってすすぎ，ぬれているスライドガラスを水から取り出して検査するときのことが参考になります（・・・）．もしこの時，ゴム手袋をはめていなければスライドガラスはきれいなままですが，手袋をはめていないと，すぐ汚れが目につきます．指からの汚れがスライドガラスを数秒間のうちに覆ってしまうのです．・・・．この汚染層は少なくとも１原子層の厚みがありますので，このように汚れた基板に析出した蒸着原子は，実際には基板表面で汚染層によって分離されていると考えます．このような条件下では，コーティング膜が基板と密着するとは考えられません．実際には，もっと少ない程度の汚染でも，薄膜の密着性がじゃまされてしまいます．たとえゴム手袋をはめていたとしても，汚染を完全に防止したという確証はありませんので，清浄化過程の最後の段階で基板や部品を扱う時には，セラミックやガラスあるいは金属製のピンセットなどを用いるのが最善の策でしょう． 
　真空コーティングを行う時，とにかく目に見えるような汚れは全くない状態を作るというのが，基板や部品の清浄化を議論する上での出発点になります．・・・． 
　基板をこのようにおおざっぱに清浄化することから，清浄化作業がささいなことだと誤解することのないようにしていただきたいと思います．清浄化作業は間違いなく最も時間がかかる作業ですが，すべての真空技術の中でも最も重要な部分です．部品，基板および取付け部分をきれいにすることに加えて，工具，取手，装置の表面，外部にある部品もきれいにする必要があります．・・・． 
　洗浄技術はたくさんあり，部品や基板の種類によって異なる技術が必要です．ここでは初歩から始めるに最も良い方法として，簡単な洗剤と水による洗浄，すすぎ，油を取る方法などを説明しました．これ以上の清浄を行うには，どこまでやれば良いかという判断と，目的に応じて試行錯誤的に技術を改良してゆくことです．文献には種々な方法が示唆されていますが，自分で工夫することが一番大切です．」（８３ページ１７行〜８５ページ１９行） 
 ＜Ｅ−２＞ 
「したがって，コーティングするために置いたどんな基板でも，２種類の表面汚染が考えられます．つまり，弱い結合力を持つ吸着気体と強い結合力を持つ化学結合元素です．吸着気体はプラズマにさらされると簡単に取り除かれますし，多くの場合はこれで十分です．しかし他の多くの場合には，化学結合した元素を取り除く必要があるわけですが，スパッタリングはこれらの元素を取り除く目的に非常に適しています．この場合私たちは，基板表面がスパッタされるだけ十分に高いエネルギーをイオンが持つように，基板に負の電圧をかけるだけでよいのです．この方法は，逆スパッタとかバック・スパッタとかあるいはスパッタ・クリーニングと呼ばれています．高周波出力はプラズマを発生させ，ターゲットをスパッタするためにターゲットに入力されますが，同時に直流出力を金属基板に入力して基板表面のスパッタ・クリーニングも行ないます．・・・．普通の表面にあまり良くくっつかない物質が，このような原子的に清浄化された表面には強く結合するようになります．・・・． 
　多くの場合，基板をスパッタ・クリーニングすることができない可能性がありますし，欲しいコーティング物質が原子的に清浄な表面以外にはあまり良く密着しない可能性もあります．これらの基板の場合には，結合層と呼ばれる中間コーティング層をつくってコーティングすることもあります．基板と密着性の良い材料をまず薄くコーティングする方法です．新しく析出した薄膜の表面は原子的清浄さを持ち，良い真空下ではしばらくの間原子的清浄さを保ちます．次に欲しいコーティング材料をこの原子的に清浄な表面の上に析出させると，それは非常に良く密着します．ここで大切なことは，２番目のコーティングを行なう前にはこの中間コーティング層を空気や良くない真空下にさらさないことです．同様に，たとえ良い真空下であっても，２番目のコーティング膜を析出する前では原子的清浄表面のままで長く放置してはいけません．普通実行可能な時間として，最初のコーティングが終了して１０秒以内に第２のコーティングを始めることです．確かに，この間隔が１０分ほどあっても密着強度になんら変化のない場合も私たちは経験していますが，とにかく２つのコーティングを行なう間の遅れを最小にした方がより良いわけです．
　１ｍＴｏｒｒの気体が，ある時には１個の表面原子に毎秒２６７回の衝突をすると前に計算したことを思い出してください．もしこれが活性気体ならば，１ｍＴｏｒｒ（１０−３Ｔｏｒｒ）において，清浄表面の寿命がわずか１／２６７秒あるいは３．７×１０−３秒になります．１秒間当りの衝突回数は圧力に直接比例しますので，清浄表面の寿命は圧力の逆数に比例します．したがって，不純物気体の圧力が１０−７Ｔｏｒｒである通常のチャンバーでは，原子的に清浄な表面の寿命は・・・あるいは３７秒になります．もしイオンゲージが残留気体レベルを正しく示し，さらに残留気体が不純物気体ですと，原子的清浄表面は，この本で扱ってきたような真空系ではわずか３７秒しか保持できないことがわかります．実際には，３７秒間に表面が１００％汚染されますから，原子的清浄表面の条件は１秒よりも短い間しか存在しないでしょう．それにもかかわらず，原子的清浄表面が，これらの系で１０分（６００秒）も維持できた経験がありますので，スパッタ装置内の不純物レベルが６×１０−９Ｔｏｒｒ以下になっているに違いありません．スパッタリング最中は不純物レベルがこれよりも著しく低く，１０−１２Ｔｏｒｒ程度にもなっていると考えられます．」（１２５ページ２０行〜１２７ページ１０行）
　
５．刊行物Ｆ：小林春洋著「スパッタ薄膜−基礎と応用−」１９９３年２月　　　　　　　２５日 、日刊工業新聞社発行、１０２〜１０５ページ
　
＜Ｆ−１＞ 
「５．６　付着力 
５．６．１　概要 
　わずかな機械的接触によって，薄膜が基板からはく離してしまうことがある。いままで述べてきた微細構造との因果関係が特に認められないが，薄膜として重要な性質である。
　その付着強度の評価にはテープ・テスト，引張り法，引っかき法などがある。引っかき法は加重をかけた針の先端を薄膜に押し付けて，基板を水平に押してはく離する加重を測定する法で図５．４４（審決注：図略）に示す。一例として，その引っかき法による各種薄膜の測定例を図５．４５（審決注：図略）に示す。図から明らかなように，一般に，スパッタで作った薄膜は，蒸着薄膜に対し１０倍以上強い。スパッタ薄膜が注目される理由の１つである。 
　薄膜と基板の間にゴミが介在したり，基板から放出したガスがたまると自然にはく離することもある。そこで，基板は成膜に先立って各種の化学洗浄と加熱ガス出しを行う。この前処理を十分行っても，例えば，室温における蒸着では，ある値以上の付着強度は望めない。 
　すなわち，基板の前処理は必要条件だが，十分条件ではない。付着強度が非常に強く，ある場合は，基板の破断強度以上の薄膜も得られ，その分析結果から次の事柄がわかった。
　
“付着力の特に強い薄膜断面をみると，基板と薄膜の境界が鮮明でなく，基板と薄膜の混在する中間層が生じている”。図５．４６（審決注：図略）は，その模式図である。
　
５．６．２　付着力を増す方法 
　付着力が強いときは図５．４６の中間層が生じていることがわかった。そこで付着力を増す手段を工程に従ってあげてみよう。 
　（ａ）　前処理を十分に行うこと 
　基板表面の脂肪や異物を除去し，成膜時にガス放出を起こさないように加熱ガス出しを行う。 
　（ｂ）　基板と薄膜の間に中間層を作る 
　前項で述べたように，基板材料と薄膜材料が混じり合って，次第に薄膜となる中間層を作ることが付着力増強のきめ手となる。その方法をあげてみる。 
　○１　高エネルギ粒子を照射しながら成膜する。 
・・・。 
　○２　基板温度を上げ，薄膜と基板の間で拡散を起こす。 
・・・。 
　○３　基板とよくなじみ，薄膜ともなじむ第３の材料を極めて薄く中間につけて，上記○１および○２によって成膜し，さらに好結果を得る場合がある。ガラス基板にはクロームＣｒ，プラスチック基板にチタニウムＴｉなどはよく知られている。 
　○４　成膜の直前に，基板を逆スパッタ，あるいはイオン照射する。基板のクリーニングのほかに，表面は微視的に凹凸となり付着力が増加する。特に，プラスチック基板に対しては，その表面を活性化し，薄膜との化学結合も得られるので重要な工程となっている。」（１０２ページ下から８行〜１０５ページ１１行） 
　
６．刊行物Ｇ：特開平４−１７６７３号公報
　
＜Ｇ−１＞ 
「【従来の技術】 
　基板への薄膜形成方法としてスパッタリンクによる方法がある。スパッタリングは、・・・、プラスチックフィルム等の種々の下地基板に、金属酸化物材料からなる薄膜を形成することができる上、形成される薄膜は非常に薄く、約１００〜５０００Å程度とすることかできる。しかしながら、膜密着力は基板の表面状態に大きく左右されるため、下地基板表面の状態が悪化すると膜密着力が低下し、薄膜性能に大きな影響を及ぼすことになる。下地の表面状態の悪化の主な原因は有機物による汚れであり、従来は、この汚れをとるために、第３図に示すように、スパッタリングを行う直前に基板に加熱処理を施していた。」（１ページ右欄３行〜１７行） 
＜Ｇ−２＞ 
「そこで、本発明の目的は、基板の温度を余り上昇させることなく、あらゆる材料の基板表面の汚れを単時間にかつ十分に除去できるスパッタ装置を提供することにある。 
【課題を解決するための手段】 
　上記目的を達成するに当たり、本発明者らは、紫外線放射とオゾンを利用したいわゆる光洗浄法を、スパッタ装置における基板表面の汚れ除去処理に応用できるのではないかと考えた。 
　光洗浄法とは、紫外線放射による有機物の化学結合の切断効果と、大気中における紫外線放射により発生したオゾンと励起酸素原子の強力な酸化効果の組み合わせにより、有機物を分解・気化して除去する方法である。」（２ページ右上欄８行〜左下欄１行） 
＜Ｇ−３＞ 
「また、紫外線照射による基板洗浄効果は非常に高いので、基板に対する薄膜の優れた密着性を得ることができる。」（４ページ右下５行〜７行） 
　
７．刊行物Ｈ：塚田邦夫著「接着技術マニュアル」 
　　　　　　　昭和５３年２月７日特許庁資料館受入 
　　　　　　　株式会社テクノ発行　１００〜１０１ページ
　
＜Ｈ−１＞ 
「プラスチックやゴムの成形時には、金型にシリコン、・・・などの離型剤が塗られている場合が多く、成形品の表面にその離型剤が付着していると考えられる。 
　離型剤は、接着剤と反対の性質を有し何者にも付きにくいもので、接着剤を塗布しても当然”ぬれ”が悪く接着不良の原因となる。幸い離型剤は、ベンジン、トルエン、メチルエチルケトンなどに比較的容易に溶けるため、あぶらの除去の項で述べたように溶剤を含ませた布で拭くことにより取り除ける。」（１００ページ下から３行〜１０１ページ下から２２行） 
　
８．刊行物Ｉ：特開平７−１８１０２号公報
　
＜Ｉ−１＞ 
 「【従来の技術】従来、高分子材料に離型性および低接着性を付与させるためには、シリコン系またはフッ素系の離型剤もしくはパラフィン等を付与して、高分子材料表面の処理が行われていた。・・・。」（【０００２】）
　
第５　当審の判断
　
１．刊行物Ａに記載された発明
　刊行物Ａには、「ポリアリレート成形物上に、少なくとも主としてインジウムとスズからなる酸化物で構成される比抵抗１×１０−２Ω・ｃｍ以上かつ非晶質の透明導電層を設けた透明導電性積層体であって、該透明導電層は、処理により該層を比抵抗１×１０−２Ω・ｃｍ未満かつ非晶質となる透明導電層であることを特徴とする透明導電性積層体。」（摘示Ａ−１）が記載されている。 
　そして、「ポリアリレート成形物」としては、透明のものであってフィルム状であること（摘示Ａ−２）及び「ポリアリレート」と同様に「ポリエチレンテレフタレート」の成形物も使用できること（摘示Ａ−２）、透明導電膜を成膜する前に、基体の表面を「紫外線照射などのエッチング処理」のような透明導電層の上記基体に対する密着性を向上させる処理を施してもよいこと（摘示Ａ−３）、透明導電層が一方の表面に設けられること（摘示Ａ−５）についても記載されている。 
　してみると、刊行物Ａには、 
「透明なフィルム状のポリエチレンテレフタレート成形物の一方の表面を、紫外線照射などのエッチング処理により処理し、該処理面に少なくとも主としてインジウムとスズからなる酸化物で構成される比抵抗１×１０−２Ω・ｃｍ以上かつ非晶質の透明導電層を設けた透明導電性積層体であって、該透明導電層は、処理により該層を比抵抗１×１０−２Ω・ｃｍ未満かつ非晶質となる透明導電層であることを特徴とする透明導電性積層体。」 
の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
２．検討
　そこで、上記拒絶理由につき以下再度検討する。
　
（１）対比
　上記本願発明と引用発明とを対比する。 
　引用発明における「透明なフィルム状のポリエチレンテレフタレート成形物」、「主としてインジウムとスズからなる酸化物で構成される比抵抗１×１０−２Ω・ｃｍ以上かつ非晶質の透明導電層」及び「透明導電性積層体」は、本願発明における「透明なポリエチレンテレフタレートフィルム（１１）」、「透明導電性薄膜（１２）」及び「透明導電性フィルム（１）」にそれぞれ相当する。
　してみると、本願発明と引用発明とは、 
 「透明なポリエチレンテレフタレートフィルムの一方の表面に、透明導電性薄膜を積層した透明導電性フィルム。」 
に係る点で一致し、以下の相違点１ないし３の点で相違する。 
　
相違点１：透明導電性薄膜を積層するフィルムの表面につき、本願発明は、「アルカリ性水溶液への浸漬によるウエット工程による方法、または紫外線照射のドライ工程による方法のいずれかで洗浄」するのに対し、引用発明は、「紫外線照射などのエッチング処理により処理」する点
相違点２：ポリエチレンテレフタレートフィルムの（洗浄）表面につき、本願発明では、「シリコンおよびフッ素が原子比で０．３％以下であ」るのに対し、引用発明では、透明導電性薄膜が積層されるフィルムの面（フィルムの洗浄面）にシリコン及びフッ素が原子比でどの程度存在するのか不明である点
相違点３：ポリエチレンテレフタレートフィルムと透明導電性薄膜との付着力につき、本願発明では、「１０ｇ／１５ｍｍ以上である」とされているのに対し、引用発明では、プラスチックフィルムと透明導電性薄膜との付着力がどの程度であるのか不明である点
　
（２）上記相違点に係る検討
　
ア．相違点１について 
　引用発明において、透明導電性薄膜（主としてインジウムとスズからなる酸化物で構成される安定な非晶質の透明導電膜（ＩＴＯ膜））の成膜方法は、「真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法といった従来公知の物理的気相成長法のいずれも採用できる。」（摘示Ａ−４）のであって、これは、本願発明における透明導電性薄膜の作成方法と同じ方法である（本願明細書【００１８】参照）。 
　そして、「真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法といった従来公知の物理的気相成長法」により薄膜を成膜する際に、薄膜の付着力を増すために基材の表面を洗浄・清浄化（原子的に清浄化（摘示Ｅ−２））することが非常に重要であることは、刊行物Ｄ〜Ｇ（摘示Ｄ−１、Ｄ−２、Ｄ−３、Ｅ−１、Ｅ−２、Ｆ−１及びＧ−１）に記載されているとおり、当業界周知の事項にすぎないというべきものである。さらに、刊行物Ｄ〜Ｇには、基材の洗浄・清浄化方法として、紫外線照射（摘示Ｇ−２及びＧ−３）、などのドライ工程による方法を用いることについても記載されているし、これらの方法により基材の表面の洗浄・清浄化を行うことも周知の事項にすぎないというべきものである。 
　してみると、引用発明における、「紫外線照射などのエッチング処理」は、周知技術を参酌すると、本願発明における「紫外線照射のドライ工程による方法・・・で洗浄」に相当するから、結局、相違点１は、実質的に相違点ということができないものである。
　仮に、引用発明におけるエッチング処理が、本願発明における「洗浄」に相当するとまでいえないとしても、上記のとおり、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法などの従来公知の物理的気相成長法により基材上に薄膜を成膜する際に、薄膜の付着力を増すために基材の表面を（原子的に）洗浄・清浄化することは、当業者が当然行う周知技術にすぎないものであるし、また、物理的気相成長法により基材上に薄膜を成膜する際の基材表面の洗浄・清浄化方法として、紫外線照射（摘示Ｇ−２及びＧ−３）のドライ工程による方法を用いることは、刊行物Ｇに記載されているし、当業界周知の技術にすぎないものであるから、引用発明において、このような方法により基材の表面を洗浄・清浄化することは、当業者が適宜なし得ることである。 
　したがって、相違点１は、実質的に相違点ということができないものであるか、当業者が適宜なし得るものである。 
　
イ．相違点２について
　上記ア．で説示したとおり、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法などの従来公知の物理的気相成長法により基材上に薄膜を成膜する際に、薄膜の付着力を増すために基材の表面を（原子的に）洗浄・清浄化することは、当業者が当然行う周知慣用技術にすぎないものであるし、また、物理的気相成長法により基材上に薄膜を成膜する際の基材表面の洗浄・清浄化方法として、紫外線照射（摘示Ｇ−２及びＧ−３）などのドライ工程による方法を用いることは、刊行物Ｄ〜Ｇに記載されているし、当業界周知の事項にすぎないものである。
　そして、刊行物Ｄ（摘示Ｄ−３）には、洗浄した後の基板をテフロン（審決注：下記「ポリテトラフルオロエチレン」と同等の当業界周知のフッ素樹脂である。）のピンセットで触れるとそこだけ薄膜の付きが悪くなる旨が記載されているし、また、刊行物Ｈ及びＩ（摘示Ｈ−１、Ｉ−１）にも記載されるとおり、シリコンやフッ素を含む化合物は、付着性を低下させるもの（基材の表面に剥離性を付与するもの）として当業界周知のものであるとともに、当業界において、ポリテトラフルオロエチレン及びポリジメチルシロキサン（シリコーン）等の物質は、（臨界）表面張力が低く接着が困難であることが周知の事項である（必要ならば下記参考文献参照。）から、それらの物質を構成する代表的元素であるＳｉ及びＦを含むものを、付着力の改善を意図し、基材表面から洗浄・清浄化により（原子レベルで）許容上限値以下まで除去することは、当業者が当然に想起することである。
　そして、このような洗浄・清浄化を行った後の表面については、シリコンやフッ素を含む物質と接触させて汚染させない限り、シリコンやフッ素は存在しないと解するのが自然である。
　また、そもそも「透明なプラスチックフィルム（１）は前述のような有機高分子からなるなるので、表面にシリコンやフッ素を含む物質が存在しないはずである。」（本願明細書【００２１】）し、ドライ工程による洗浄・清浄化方法により、表面は原子的に洗浄・清浄化されることとなり、さらに、本願明細書の【表１】中の比較例１によると、ハードコート層を積層した透明なプラスチックフィルムの表面であっても、シリコンが０．５ａｔ％、フッ素が０．４ａｔ％しか存在しないことからみて、ハードコート層の積層処理を行っていない（すなわち、汚染される機会が格段に少ない）プラスチックフィルム表面は、元々「シリコン及びフッ素が原子比で０．３％以下」であると推認し得るものであり、しかも、引用発明は、そのようなフィルムに対してさらに洗浄・清浄化を行うものであるから、洗浄・清浄化後の表面は「シリコン及びフッ素が原子比で０．３％以下」であると解するのが自然である。
　したがって、上記相違点２は、実質的に相違点ということができないものであるか、当業者が適宜なし得るものである。
　
ウ．相違点３について
　上記ア．及びイ．で説示したとおり、引用発明は、（ポリエチレンテレフタレート）フィルムを洗浄・清浄化した面に、透明導電性薄膜であるＩＴＯ薄膜をスパッタリングで積層したものであって、本願発明の透明導電性フィルムの製造方法と実質的に差異がないということができるから、フィルムと透明導電性薄膜（ＩＴＯ薄膜）の付着力は、本願発明で規定される範囲を満たすと解するのが自然である。 
　さらに、刊行物Ｃにも記載されているとおり、フィルムと透明導電層との接着性が不十分となることで、透明導電層にクラックが発生したり、その一部が剥離するなどの問題が生じること（摘示Ｃ−２）、フィルムと透明導電層との接着性については、剥離試験で全く剥離が観察されず、かつ、剥離強度の下限値を長期信頼性の点でも問題が発生しないように定めること（摘示Ｃ−３）はいずれも当業界周知の技術事項であり、このような観点に立って、引用発明において好適な付着力の下限値を実験的に確認して定めることは、当業者が通常発揮する創作能力にすぎないものである。 
　したがって、相違点３は、実質的に相違点ということができないものであるか、当業者が適宜なし得ることである。
　
参考文献：Ａ．Ｖ．Ｐｏｃｉｕｓ著、水町浩ら共訳「接着剤と接着技術入門」１９９９年７月３１日、日刊工業新聞社発行、第１２３〜１２４頁
　
エ．本願発明の効果について
　本願発明の効果につき、本願明細書の発明の詳細な説明の記載に基づいて検討すると、本願発明の解決すべき課題は、透明導電性フィルムをペン入力用タッチパネルに用いた場合、ペン入力による押圧により（導電性）薄膜にクラックや剥離が生じ、電気抵抗が増大したり断線を生じたりすることを防止し、ペン入力耐久性を改良することであり（本願明細書【０００６】及び【０００９】）、当該課題を解決する手段として、透明（ポリエチレンテレフタレート）フィルム（１１）と透明導電性薄膜（１２）との付着力を「１０ｇ／１５ｍｍ以上」なる十分なものとしている（本願明細書【００２１】）ものと解されるところ、上記ウ．で説示したとおり、フィルムと透明導電層との接着性（「付着性」と実質的に同義と解される。）が不十分であると透明導電層にクラックや一部剥離が生じること及び長期信頼性の点で問題が発生しないような剥離強度（すなわち接着性）とすべきことはいずれも当業界周知の事項であって、また、上記ア．及びイ．で説示したとおり、（ポリエチレンテレフタレート）フィルムと導電性薄膜との付着性（接着性）の改善にあたり、フィルムの表面を十分に洗浄・清浄化することを要することも当業界周知の技術であるから、引用発明において、上記各当業界周知の技術を参酌することにより、上記本願発明の解決すべき課題を解決できるような効果を奏するであろうことは、当業者が予期することができるものであるといえる。
　してみると、上記相違点１〜３に係る事項により、本願発明が、引用発明のもの及び刊行物ＣないしＩ又は上記参考文献に記載されたような当業界周知の技術に基づき、当業者が予期することができない格別顕著な効果を奏するものであるとはいえない。
　
オ．小括
　したがって、上記１〜３の各相違点に係る事項は、いずれも実質的な相違点でないか、引用発明及び刊行物ＣないしＩ又は上記参考文献に記載されたような当業界周知の技術に基づき、当業者が容易に想到し得るものであるから、本願発明は、上記引用発明と同一であるか、上記引用発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第６　審判請求人の主張について
　審判請求人は、上記平成２０年８月４日付け意見書において、「このように引用文献には本願の達成手段の一部であるアルカリ性水溶液への浸漬によるウエット工程による方法又は紫外線照射のドライ工程による方法によるフィルムの洗浄方法が記載されています。しかしながら、これらは一般的な記述や例示にしか過ぎません。
　そして、フィルムの表面をアルカリ性水溶液への浸漬によるウエット工程による方法または紫外線照射のドライ工程による方法のいずれかで洗浄したシリコンおよびフッ素が原子比で０．３％以下のフィルム表面を、透明導電性薄膜を形成するまで、金属ロールやゴムロールとの接触やハードコート面の転写など避け、フィルムの表面が再びシリコンおよびフッ素が原子比で０．３％を超えないようにした状態で透明導電性膜をスパッタリングする必要があることについては全く記載されておりません。
　したがって、本願請求項１に係る発明は、刊行物Ａ又はＢに記載された発明ではなく、また、引用発明Ａ又はＢいずれかを主たる引用発明として、刊行物Ａ〜Ｍに記載された発明に基づいて当業者が想到することは困難であると思料いたします。」と主張している（意見書２．（３）の欄）。
　しかしながら、上記第５の２．（２）のア．ないしウ．で説示したとおり、上記相違点１ないし３に係る事項は、当業界周知の技術に基づき当業者が適宜なし得ることといえるものであり、上記第５の２．（２）のエ．で説示したとおり、本願発明が引用発明及び当業界周知の技術から予期することができない格別顕著な効果を奏するものともいえないのであって、さらに、洗浄・清浄化が終了したフィルム表面につき、透明導電性薄膜を形成するまで、金属ロールやゴムロールとの接触やハードコート面の転写など避けた状態で透明導電性膜をスパッタリングすべきことも、当業者に自明であることは明らかであるから、審判請求人の上記意見書における主張は、当を得ないものであり、採用する余地がなく、当審の上記判断を左右するものではない。
　
第７　まとめ
　以上のとおり、本願発明は、上記刊行物Ａに記載された発明であるか、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第１項第３号に該当し特許を受けることができないものであるか、同法同条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、他の請求項に係る発明につき検討するまでもなく、本願は、特許法第４９条第２号の規定に該当し、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。