Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月22日(2014.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パーツデータをレイアウトすることで文書データの作成を行う情報処理システムであって、
前記文書データの作成に用いるパーツデータを記憶する記憶手段と、
前記記憶手段に記憶されているパーツデータを所定のテンプレートに配置することで文書データを作成する作成手段と、
前記作成手段で作成した文書データに含まれるパーツデータのレイアウト状態を表示する第１の表示制御手段と、
を備え、
前記記憶手段には、前記パーツデータの使用開始日及び使用開始日前における当該パーツデータの表示形式が記憶されており、
前記第１の表示制御手段は、前記文書データに使用開始日前のパーツデータが使用されている場合には、前記表示形式に従って、当該パーツデータの表示制御を行う
ことを特徴とする情報処理システム。
【請求項２】
前記文書データに新たに配置するパーツデータの指定を受け付ける第１の受付手段と、
前記第１の受付手段で受け付けたパーツデータが使用開始日前のパーツデータであるか否かを判定する判定手段と、
を更に備え、
前記記憶手段には、更に、前記パーツデータの使用終了日が記憶されており、
前記作成手段により、前記判定手段で使用開始日前のパーツデータであると判定されたパーツデータが前記文書データに配置された場合に、前記第１の表示制御手段は、前記文書データに配置されたパーツデータの内、新たに配置されたパーツデータの使用開始日前に使用終了日を迎えるパーツデータを認識可能に表示制御する
ことを特徴とする請求項１に記載の情報処理システム。
【請求項３】
前記パーツデータの検索条件を含む検索要求を受け付ける第２の受付手段と、
前記検索条件に合致するパーツデータを前記記憶手段から取得する取得手段と、
前記取得手段で取得したパーツデータを選択可能に表示制御する第２の表示制御手段と、
を更に備え、
前記第１の受付手段は、前記第２の表示制御手段により表示制御されるパーツデータから、前記文書データに新たに配置するパーツデータの指定を受け付け、
前記第２の表示制御手段は、前記使用開始日前のパーツデータを認識可能に表示制御する
ことを特徴とする請求項２に記載の情報処理システム。
【請求項４】
前記文書データに含まれるページデータの一覧を表示する第３の表示制御手段を更に備え、
前記第３の表示制御手段は、前記使用開始日前のパーツデータが使用されているページを認識可能に、前記ページデータの一覧を表示制御する
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の情報処理システム。
【請求項５】
前記作成手段で作成された文書データの公開要求を受け付ける第３の受付手段と、
前記第３の受付手段で受け付けた文書データの公開を承認するための承認処理を実行する承認手段と、
前記承認手段で公開が承認された文書データに、前記使用開始日前のパーツデータが含まれない場合に、当該文書データを公開する公開手段と、
を更に備えることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の情報処理システム。
【請求項６】
前記パーツデータを編集するための編集画面を表示する第４の表示制御手段と、
前記編集画面を介して、前記パーツデータの編集を受け付ける第４の受付手段を更に備え、
前記第４の受付手段では、前記パーツデータの編集として、該パーツデータの書誌情報の入力を受け付け、
前記書誌情報は、前記パーツデータの使用期限、前記パーツデータの公開予定日、前記パーツデータを公開予定日よりも前に前記文書データの作成担当者に公開するか否かの指定、前記パーツデータの公開予定日前の前記表示形式を含んでいる
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の情報処理システム。
【請求項７】
前記文書データのページデータのページ情報を表示する第５の表示制御手段を更に備え、
前記第５の表示制御手段は、前記ページデータに加えて、該ページデータで使用されているパーツデータの種別に応じて設定されている注意喚起情報を表示制御する
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の情報処理システム。
【請求項８】
前記表示形式は、「内容をマスクして表示する」、「公開予定日を付加して表示する」、「１つ前のバージョンを表示する」、「通常表示する」の少なくとも１つを含んでいる
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の情報処理システム。
【請求項９】
パーツデータをレイアウトすることで文書データの作成を行う情報処理システムの制御方法であって、
前記文書データの作成に用いるパーツデータを記憶媒体に記憶する記憶工程と、
前記記憶媒体に記憶されているパーツデータを所定のテンプレートに配置することで文書データを作成する作成工程と、
前記作成工程で作成した文書データに含まれるパーツデータのレイアウト状態を表示する表示制御工程と、
を備え、
前記記憶媒体には、前記パーツデータの使用開始日及び使用開始日前における当該パーツデータの表示形式が記憶されており、
前記表示制御工程は、前記文書データに使用開始日前のパーツデータが使用されている場合には、前記表示形式に従って、当該パーツデータの表示制御を行う
ことを特徴とする情報処理システムの制御方法。
【請求項１０】
パーツデータをレイアウトすることで文書データの作成を行う情報処理システムの制御をコンピュータに機能させるためのプログラムであって、
前記コンピュータを、
前記文書データの作成に用いるパーツデータを記憶する記憶手段と、
前記記憶手段に記憶されているパーツデータを所定のテンプレートに配置することで文書データを作成する作成手段と、
前記作成手段で作成した文書データに含まれるパーツデータのレイアウト状態を表示する表示制御手段と、
して機能させ、
前記記憶手段には、前記パーツデータの使用開始日及び使用開始日前における当該パーツデータの表示形式が記憶されており、
前記表示制御手段は、前記文書データに使用開始日前のパーツデータが使用されている場合には、前記表示形式に従って、当該パーツデータの表示制御を行う
ことを特徴とするプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】情報処理システム、その制御方法、及びプログラム
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月13日(2015.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各アイテムの所有者及びその関係者の所定の電子メールアドレスを所有者実電子メールアドレスとして前記各アイテムのアイテム識別情報と各々対応付けて記憶する記憶手段と、
拾得された前記アイテムのアイテム識別情報を含む第１の電子メールの受信に基づき、前記第１の電子メール内のものと同じアイテム識別情報を前記記憶手段内から探索するとともに、拾得者宛仮電子メールアドレス及び所有者宛仮電子メールアドレスを含む複数の仮電子メールアドレスを生成し、生成された前記複数の仮電子メールアドレスを前記第１の電子メールの送信元電子メールアドレス及び前記拾得されたアイテムに対応するアイテム識別情報と対応付けて記憶する登録手段と、
前記送信元電子メールアドレスを宛先とするとともに、前記所有者宛仮電子メールアドレスを送信元とし、前記拾得されたアイテムの所有者への返信案内を含むメッセージが本文に記載された第２の電子メールを生成して送信する第１の送信処理手段と、
前記拾得されたアイテムに対応する所有者実電子メールアドレスを宛先とするとともに、前記拾得者宛仮電子メールアドレスを送信元とし、前記第１の電子メールの送信者への返信案内を含むメッセージが本文に記載された第３の電子メールを生成して送信する第２の送信処理手段と、
前記第２の電子メールの返信である第４の電子メールを受信したときに、当該第４の電子メールの宛先を前記拾得されたアイテムに対応する所有者実電子メールアドレスに置き換えるとともに、前記第４の電子メールの送信元を前記拾得者宛仮電子メールアドレスに置き換え、前記第４の電子メール本文の内容を含む第５の電子メールを生成し送信する第３の送信処理手段と、
前記第３の電子メールの返信である第６の電子メールを受信した場合に、当該第６の電子メールの宛先を前記登録手段に登録された前記送信元電子メールアドレスに置き換えるとともに、前記第６の電子メールの送信元を前記所有者宛仮電子メールアドレスに置き換え、前記第６の電子メール本文の内容を含む第７の電子メールを生成し送信する第４の送信処理手段と、
を備えることを特徴とする、遺失物返還支援装置。
【請求項２】
請求項１に記載の遺失物返還支援装置であって、
前記所有者宛仮電子メールアドレス及び前記拾得者宛仮電子メールアドレスが、前記第２及び第３の電子メールの本文に記載されることを特徴とする、遺失物返還支援装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の遺失物返還支援装置であって、
前記第１の送信処理手段は、前記所有者宛仮電子メールアドレスとして拾得者確認用仮電子メールアドレスを前記第２の電子メールの送信元とし、
前記第２の電子メールの返信を受信した場合に、前記第２の送信処理手段が前記第３の電子メールを生成して送信することを特徴とする、遺失物返還支援装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一つに記載の遺失物返還支援装置であって、
前記記憶手段は、一つの前記アイテム識別情報に対応付けられる所有者実電子メールアドレスとして、複数の電子メールアドレスを記憶可能であることを特徴とする、遺失物返還支援装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一つに記載の遺失物返還支援装置であって、
前記登録手段は、謝礼金支払先指定仮電子メールアドレスを生成して、前記第１の電子メールの送信元電子メールアドレスと対応付けて記憶し、
前記第２の送信処理手段は、前記第３の電子メール本文に前記謝礼金支払先指定仮電子メールアドレスを記載し、
前記謝礼金支払先指定仮電子メールアドレスを宛先とする第８の電子メールを受信した場合に、前記謝礼金支払先指定仮電子メールアドレスと対応する前記送信元電子メールアドレスを宛先とし、前記謝礼金支払先指定仮電子メールアドレスを送信元とするとともに、本文に謝礼金の支払内容を含む第９の電子メールを生成して送信する第５の送信処理手段を備えることを特徴とする、遺失物返還支援装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか一つに記載の遺失物返還支援装置であって、
前記記憶手段は、アイテムに関連する写真データ及び当該写真データの添付設定情報を、前記アイテム識別情報と対応付けて記憶し、
前記第１及び第２の送信処理手段は、前記写真データの添付設定情報に基づいて、前記第２及び第３の電子メールに対する前記写真データの添付可否を判定することを特徴とする、遺失物返還支援装置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか一つに記載の遺失物返還支援装置であって、
前記登録手段は、管理者宛仮電子メールアドレスを生成して前記拾得されたアイテムと対応付けて記憶し、
前記第２から第９の電子メールの少なくとも一つの本文に前記管理者宛仮電子メールアドレスが記載されることを特徴とする、遺失物返還支援装置。
【請求項８】
コンピュータを、
請求項１から７のいずれか一つに記載された遺失物返還支援装置として機能させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月7日(2015.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
紫外線量を測定する第１のセンサと、
姿勢角を測定する第２のセンサと、
太陽高度を求め、前記第２のセンサにより測定した前記姿勢角と前記太陽高度とに基づいて、前記第１のセンサにより測定した前記紫外線量を補正した値を算出する算出部とを備え、
前記算出部は、前記第２のセンサにより測定した前記姿勢角が所定の条件を満たしたと判定した場合に、地表の種類に応じた反射率に基づいて、前記補正した値を算出することを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記算出部は、前記第２のセンサにより測定した前記姿勢角が前記所定の条件を満たしたと判定した場合に、前記反射率Ｒと、前記紫外線量Ｕと、前記太陽高度θと、前記第１のセンサを下方に向けた状態から太陽方向に上向く角度αとを用いて、
【数１】
2014109546.tif 000001
に従って、前記補正した値Ｕａを算出する
請求項１記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記算出部は、前記第２のセンサにより測定した前記姿勢角が前記所定の条件を満たしたと判定した場合に、前記反射率Ｒと、前記紫外線量Ｕと、前記太陽高度θと、前記第１のセンサを下方に向けた状態から太陽方向に上向く角度αとを用いて、
【数２】
2014109546.tif 000002
に従って前記補正した値Ｕａを算出する
請求項１記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記補正した値は、太陽方位に向かう垂直面において受ける紫外線量である
請求項１乃至３のいずれか１つ記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記算出部は、情報処理装置の所定の軸が太陽の方位と一致したときに、測定した姿勢角と紫外線量を用いる
請求項１乃至４のいずれか１つ記載の情報処理装置。
【請求項６】
紫外線量を測定する第１のセンサと姿勢角を測定する第２のセンサとを有する情報処理装置による計測方法であって、
前記第２のセンサに前記姿勢角を測定させる処理と、
前記第１のセンサに前記紫外線量を測定させる処理と、
太陽高度を算出する処理と、
前記姿勢角と前記太陽高度とに基づいて、前記紫外線量を補正した値を算出する処理と
を含み、
前記補正した値を算出する処理は、前記第２のセンサにより測定した前記姿勢角が所定の条件を満たしたと判定した場合に、地表の種類に応じた反射率に基づいて、前記補正した値を算出することを特徴とする計測方法。
【請求項７】
紫外線量を測定する第１のセンサと姿勢角を測定する第２のセンサとを有する情報処理装置に実行させるプログラムであって、
前記第２のセンサに前記姿勢角を測定させる処理と、
前記第１のセンサに前記紫外線量を測定させる処理と、
太陽高度を算出する処理と、
前記姿勢角と前記太陽高度とに基づいて、前記紫外線量を補正した値を算出する処理と
を含み、
前記補正した値を算出する処理は、前記第２のセンサにより測定した前記姿勢角が所定の条件を満たしたと判定した場合に、地表の種類に応じた反射率に基づいて、前記補正した値を算出することを特徴とするプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月29日(2015.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハウジングと、
前記ハウジング内に配置される複数の電流路と、
前記電流路から放射される磁気を検出する、前記電流路毎に配置された磁気検出素子と、
前記電流路を周回するよう配置されるコア部と、前記コア部の一部を切り欠くことで形成されて前記磁気検出素子が配置されるギャップ部と、を有する、前記電流路毎に配置された磁気シールドコアと、
を備え、
前記磁気シールドコアとして、第１の磁気シールドコアと、該第１の磁気シールドコアに隣り合うように配置される第２の磁気シールドコアと、を有し、
前記第１の磁気シールドコアと前記第２の磁気シールドコアの少なくとも一方は、前記電流路が位置する前記コア部の内側とは反対の外側に、且つ前記第１の磁気シールドコアの前記コア部が周回する第１の電流路と前記第２の磁気シールドコアの前記コア部が周回する第２の電流路との間に配置されたシールド部をさらに有する、
ことを特徴とする電流センサ。
【請求項２】
前記第１の磁気シールドコアと前記第２の磁気シールドコアの少なくとも一方は、前記シールド部として、前記ギャップ部が間に位置するように配置された一対のシールド部を有し、前記一対のシールド部のうちの一方が、前記第１の電流路と前記第２の電流路との間に配置される
ことを特徴とする請求項１に記載の電流センサ。
【請求項３】
前記磁気シールドコアは、前記ギャップ部を有しかつ前記電流路を周回する内側シールドと、前記内側シールドの外周に沿うように配置されて前記内側シールドとともに前記コア部を構成し、両端部分が前記シールド部とされたコ字状の外側シールドと、を備えることを特徴とする請求項２に記載の電流センサ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電流センサ
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、コア部の磁気飽和を抑制するためにコア部の大型化または磁界ノイズの引き込みを誘因することなく、高速応答性を実現する電流センサを提供することにある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
前述した目的を達成するために、本発明に係る電流センサは、下記（１）〜（３）を特
徴としている。
（１）  ハウジングと、
前記ハウジング内に配置される複数の電流路と、
前記電流路から放射される磁気を検出する、前記電流路毎に配置された磁気検出素子と、
前記電流路を周回するよう配置されるコア部と、前記コア部の一部を切り欠くことで形成されて前記磁気検出素子が配置されるギャップ部と、を有する、前記電流路毎に配置された磁気シールドコアと、
を備え、
前記磁気シールドコアとして、第１の磁気シールドコアと、該第１の磁気シールドコアに隣り合うように配置される第２の磁気シールドコアと、を有し、
前記第１の磁気シールドコアと前記第２の磁気シールドコアの少なくとも一方は、前記電流路が位置する前記コア部の内側とは反対の外側に、且つ前記第１の磁気シールドコアの前記コア部が周回する第１の電流路と前記第２の磁気シールドコアの前記コア部が周回する第２の電流路との間に配置されたシールド部をさらに有する、
こと。
（２）  上記（１）の構成の電流センサにおいて、
前記第１の磁気シールドコアと前記第２の磁気シールドコアの少なくとも一方は、前記シールド部として、前記ギャップ部が間に位置するように配置された一対のシールド部を有し、前記一対のシールド部のうちの一方が、前記第１の電流路と前記第２の電流路との間に配置される
こと。
（３）  上記（２）の構成の電流センサにおいて、
前記磁気シールドコアは、前記ギャップ部を有しかつ前記電流路を周回する内側シールドと、前記内側シールドの外周に沿うように配置されて前記内側シールドとともに前記コア部を構成し、両端部分が前記シールド部とされたコ字状の外側シールドと、を備えること。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記（１）または（２）の構成の電流センサでは、磁気シールドコアのコア部にシールド部を設けている。これにより、ギャップ部の間隔を拡大することによってコア部の磁気飽和の影響を抑制しても外部からの磁界ノイズの影響を受けにくく、また、電流路がコア部によって周回され、電流路を流れる電流が電流路の断面に均一に分布するため、応答性の低下を招くこともない。
つまり、コア部の磁気飽和を抑制するためにコア部の大型化または磁界ノイズの引き込みを誘因することなく、高速応答性を実現することができる。
上記（３）の構成の電流センサでは、別体の内側シールドと外側シールドとから磁気シールドコアを構成することで、それぞれの形状の簡略化を図り、プレス成形等によって安価に製造が可能となる。また、外側シールドは、主な機能が外部磁界遮蔽であるため、内側シールドに対して薄型化が可能であり、よって、磁気シールドコアの小型・軽量化及び低コスト化も実現できる。
しかも、磁気シールドコアは、内側シールドと外側シールドとが重ね合わされる部分が厚くなるため、コア部で収束する単位面積当たりの磁束である磁束密度を低下させることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明によれば、コア部の磁気飽和を抑制するためにコア部の大型化または磁界ノイズの引き込みを誘因することなく、高速応答性を実現する電流センサを提供できる。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月27日(2015.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体の存在を空間的に検出する物体検出手段と、  音を検出する音検出手段と、  前記検出された音の内容を認識する認識手段と、  前記検出された存在と、前記認識された内容と、の組み合わせに対応付けられた処理の内容を示す内容情報に基づいて、前記物体検出手段により検出された前記存在と、前記認識手段により認識された前記内容と、の組み合わせに対応した処理を実行する実行手段と、  を備えることを特徴とする処理装置。    
【請求項２】
請求項１に記載の処理装置において、  前記実行手段は、前記存在の検出タイミングと前記音の検出タイミングとの差が予め設定されている閾値時間以下であった場合に、前記対応した処理を実行することを特徴とする処理装置。    
【請求項３】
請求項２に記載の処理装置において、  前記閾値時間を変更する変更手段を更に備えることを特徴とする処理装置。    
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の処理装置において、  前記物体検出手段は、前記物体の移動状態を空間的に検出し、  前記内容情報は、前記検出された移動状態と、前記認識された内容と、の組み合わせに対応付けられた前記処理の内容を示しており、  前記実行手段は、当該内容情報に基づいて、検出された前記移動状態と、認識された前記内容と、の組み合わせに対応した前記処理を実行することを特徴とする処理装置。    
【請求項５】
請求項４に記載の処理装置において、  前記移動状態は、前記物体の空間的な移動速度であることを特徴とする処理装置。    
【請求項６】
請求項４に記載の処理装置において、  前記移動状態は、前記物体の空間的な移動方向であることを特徴とする処理装置。    
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の処理装置において、  前記音は使用者の音声であり、  前記認識手段は、前記音声の内容を認識することを特徴とする処理装置。    
【請求項８】
物体の存在を空間的に検出する物体検出工程と、  音を検出する音検出工程と、  前記検出された音の内容を認識する認識工程と、  前記検出された存在と、前記認識された内容と、の組み合わせに対応付けられた処理の内容を示す内容情報に基づいて、前記物体検出工程において検出された前記存在と、前記認識工程において認識された前記内容と、の組み合わせに対応した処理を実行する実行工程と、  を含むことを特徴とする処理方法。    
【請求項９】
物体の存在を空間的に検出する物体検出手段と、音を検出する音検出手段と、を備える処理装置に含まれるコンピュータを、  前記検出された音の内容を認識する認識手段、及び、  前記検出された存在と、前記認識された内容と、の組み合わせに対応付けられた処理の内容を示す内容情報に基づいて、前記物体検出手段により検出された前記存在と、前記認識手段として機能する前記コンピュータにより認識された前記内容と、の組み合わせに対応した処理を実行する実行手段、  として機能させることを特徴とする処理装置用プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月15日(2015.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のコンピュータまたはサーバに記録されたデジタル情報を取得し、該取得されたデジタル情報を訴訟との関連性について分析する文書管理システムにおいて、
利用者が前記訴訟との関連性について判断する対象となる、前記デジタル情報から抽出された複数の文書データからなる文書群および、該文書群を所定の条件で分類するための分類条件を利用者に選択させるための分類ボタンを表示する画面表示部と、
前記画面表示部が表示した分類ボタンのうち、利用者が選択した分類ボタンに関する情報を選択情報として受け付ける選択情報受付部と、
前記選択情報に基づいて前記文書群を分析し、該分析した結果によって、前記文書群の中の文書データを分類し、該分類した結果に基づいて前記文書群を表示するように前記画面表示部に指示を出す分類指示部と
前記分類指示部によって分類された文書群に対して前記利用者が行った関連性の判断結果を受け付ける結果受付部と、
前記判断結果に基づいて、前記利用者が関連性の判断を行った前記文書群に含まれる文書データを判断結果ごとに分別し、該分別された文書データにおいて、共通して出現する要素を解析し、選定する選定部と、
前記選定した要素を記録する要素記録部と、
前記要素記録部に記録された要素を前記文書データから探索する探索部と、
前記探索部の探索結果と前記選定部の解析結果を用いて、前記判断結果と前記文書データとの関連性を示すスコアを算出するスコア算出部とを備える文書管理システム。
【請求項２】
前記選択情報受付部は、
メールのドメイン名、文書データの拡張子、文書データの更新日時、文書データの内容および文書データの作成者のうちの少なくともいずれか１つを選択情報として受け付けることを特徴とする請求項１記載の文書管理システム。
【請求項３】
前記分類指示部は、
前記要素記録部に記録された要素が、前記文書群の中の文書データに含まれるか分析することを特徴とする請求項１記載の文書管理システム。
【請求項４】
前記文書管理システムは、更に、
前記デジタル情報から所定数の文書データを文書群として抽出する抽出部を備え、
前記分類指示部は、
前記抽出部が抽出した文書群の中の文書データを分類することを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の文書管理システム。
【請求項５】
前記文書管理システムは、更に、
利用者が行う関連性の判断結果を各文書データへの識別符号として受け付け、該識別符号の組み合わせをセット情報として登録するセット情報登録部を備え、
前記画面表示部は、
前記登録されたセット情報を表示し、
前記結果受付部は、
前記セット情報が利用者によって選択された際に、前記選択されたセット情報に基づいて、文書データに識別情報が付与されたものとして判断結果を受け付けることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の文書管理システム。
【請求項６】
前記画面表示部は、
前記利用者からの前記分類ボタン、前記セット情報、前記文書群の表示位置の変更を配置情報として受け付け、該配置情報に基づいて前記利用者が変更した配置に前記分類ボタン、前記セット情報、前記文書群の表示位置を変更することを特徴とする請求項５記載の文書管理システム。
【請求項７】
複数のコンピュータまたはサーバに記録されたデジタル情報を取得し、該取得されたデジタル情報を訴訟との関連性について分析する文書管理システムにおいて、
コンピュータが、
利用者が前記訴訟との関連性について判断する対象となる、前記デジタル情報から抽出された複数の文書データからなる文書群および、該文書群を所定の条件で分類するための分類条件を利用者に選択させるための分類ボタンを表示するステップと、
前記表示した分類ボタンのうち、利用者が選択した分類ボタンに関する情報を選択情報として受け付けるステップと、
前記選択情報に基づいて前記文書群を分析し、該分析した結果によって、前記文書群の中の文書データを分類し、分類した結果に基づいて前記文書群を表示するように指示を出すステップと
前記分類された文書群に対して前記利用者が行った関連性の判断結果を受け付けるステップと、
前記判断結果に基づいて、前記利用者が関連性の判断を行った前記文書群に含まれる文書データを判断結果ごとに分別し、該分別された文書データにおいて、共通して出現する要素を解析し、選定するステップと、
前記選定した要素を記録するステップと、
前記記録された要素を前記文書データから探索するステップと、
前記探索による探索結果と前記解析の解析結果を用いて、前記判断結果と前記文書データとの関連性を示すスコアを算出するステップとを実行する文書管理方法。
【請求項８】
複数のコンピュータまたはサーバに記録されたデジタル情報を取得し、該取得されたデジタル情報を訴訟との関連性について分析する文書管理システムにおいて、
コンピュータに、
利用者が前記訴訟との関連性について判断する対象となる、前記デジタル情報から抽出された複数の文書データからなる文書群および、該文書群を所定の条件で分類するための分類条件を利用者に選択させるための分類ボタンを表示する機能と、
前記表示した分類ボタンのうち、利用者が選択した分類ボタンに関する情報を選択情報として受け付ける機能と、
前記選択情報に基づいて前記文書群を分析し、該分析した結果によって、前記文書群の中の文書データを分類し、分類した結果に基づいて前記文書群を表示するように指示を出す機能と
前記分類された文書群に対して前記利用者が行った関連性の判断結果を受け付ける結果受付機能と、
前記判断結果に基づいて、前記利用者が関連性の判断を行った前記文書群に含まれる文書データを判断結果ごとに分別し、該分別された文書データにおいて、共通して出現する要素を解析し、選定する機能と、
前記選定した要素を記録する機能と、
前記記録された要素を前記文書データから探索する機能と、
前記探索による探索結果と前記解析の解析結果を用いて、前記判断結果と前記文書データとの関連性を示すスコアを算出する機能とを実現させる文書管理プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月15日(2015.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のコンピュータまたはサーバに記録されたデジタル情報を取得し、該取得されたデジタル情報を分析する文書管理システムにおいて、
前記デジタル情報に含まれる文書データ各々の付帯情報を確認し、該付帯情報に基づいて前記文書データをスレッドに分類するスレッド分類部と、
分類された文書データの付帯情報に含まれる要素を前記スレッド毎に抽出し、該抽出された要素に基づいて前記スレッド間の類似度を解析する類似度解析部と、
前記類似度に基づいて前記スレッド同士を統合する統合部と
前記統合されたスレッドから所定数の文書データを抽出する抽出部と、
前記抽出された文書データを画面上に表示する画面表示部と、
前記表示された文書データに対して、利用者が行った関連性の判断結果を受け付ける結果受付部と、
前記判断結果に基づいて、前記抽出された文書データを判断結果ごとに分別し、該分別された文書データにおいて、共通して出現する要素を解析し、選定する選定部と、
前記選定した要素を記録する要素記録部と、
前記要素記録部に記録された要素を前記文書データから探索する探索部と、
前記探索部の探索結果と前記選定部の解析結果を用いて、前記判断結果と文書データとの関連性を示すスコアを算出するスコア算出部とを備える文書管理システム。
【請求項２】
前記デジタル情報に含まれる文書データを、単独文書データ、主文書データ、該主文書データと従属関係を有する従属文書データ、および、その他の文書データに分類する文書データ分類部を更に備え、
前記スレッド分類部は、少なくとも前記単独文書データおよび前記主文書データを分類することを特徴とする請求項１記載の文書管理システム。
【請求項３】
前記その他の文書データは付帯情報を有さない非構造化文書データを含み、
前記スレッド分類部は、
前記非構造化文書データを分類する際、該非構造化文書データの内容を参酌することを特徴とする請求項１または２記載の文書管理システム。
【請求項４】
前記スレッド分類部は、
前記文書データのタイトル、作成日時、更新日時、作者名のうち少なくともいずれか１つを付帯情報として扱うことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項記載の文書管理システム。
【請求項５】
前記統合部は、
前記従属文書データの各々を、対応する主文書データと同一のスレッドに統合することを特徴とする請求項２記載の文書管理システム。
【請求項６】
前記スレッド分類部は、更に、
前記従属文書データの各々を、対応する主文書データと同一のスレッドに分類することを特徴とする請求項２記載の文書管理システム。
【請求項７】
複数のコンピュータまたはサーバに記録されたデジタル情報を取得し、該取得されたデジタル情報を分析する文書管理方法において、
コンピュータが、
前記デジタル情報に含まれる文書データ各々の付帯情報を確認し、該付帯情報に基づいて前記文書データをスレッドに分類するステップと、
分類された文書データの付帯情報に含まれる要素を前記スレッド毎に抽出し、該抽出された要素に基づいて前記スレッド間の類似度を解析するステップと、
前記類似度に基づいて前記スレッド同士を統合するステップと
前記統合されたスレッドから所定数の文書データを抽出するステップと、
前記抽出された文書データを画面上に表示するステップと、
前記表示された文書データに対して、利用者が行った関連性の判断結果を受け付けるステップと、
前記判断結果に基づいて、前記抽出された文書データを判断結果ごとに分別し、該分別された文書データにおいて、共通して出現する要素を解析し、選定するステップと、
前記選定した要素を記録するステップと、
前記記録された要素を前記文書データから探索するステップと、
前記探索による探索結果と前記解析による解析結果を用いて、前記判断結果と文書データとの関連性を示すスコアを算出するステップとを実行する文書管理方法。
【請求項８】
複数のコンピュータまたはサーバに記録されたデジタル情報を取得し、該取得されたデジタル情報を分析する文書管理プログラムにおいて、
コンピュータに、
前記デジタル情報に含まれる文書データ各々の付帯情報を確認し、該付帯情報に基づいて前記文書データをスレッドに分類する機能と、
分類された文書データの付帯情報に含まれる要素を前記スレッド毎に抽出し、該抽出された要素に基づいて前記スレッド間の類似度を解析する機能と、
前記類似度に基づいて前記スレッド同士を統合する機能と、
前記統合されたスレッドから所定数の文書データを抽出する機能と、
前記抽出された文書データを画面上に表示する機能と、
前記表示された文書データに対して、利用者が行った関連性の判断結果を受け付ける機能と、
前記判断結果に基づいて、前記抽出された文書データを判断結果ごとに分別し、該分別された文書データにおいて、共通して出現する要素を解析し、選定する機能と、
前記選定した要素を記録する機能と、
前記記録された要素を前記文書データから探索する機能と、
前記探索による探索結果と前記解析による解析結果を用いて、前記判断結果と文書データとの関連性を示すスコアを算出する機能とを実現させる文書管理プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月25日(2015.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
しかしながら、この従来のものは、地震後に切れ目を目視することにより変位を容易に把握することができるが、次の地震に備えるためには、粘弾性部材を新たなものと取り替えなければならず、すなわちセンサーのリセットをすることができず、メンテナンスが面倒である。また、従来のものは、変位を粘弾性部材に形成された切れ目から把握するため、遠方からの目視は困難であり、そのためダンパーの継続使用可能性の判断を即時にすることができない。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
軸部材５１の両端部には断面十字型の継手部５５が設けられている。この継手部５５には複数のボルト穴５６が形成され、座屈拘束ブレース５０はこの継手部５５を介して、脚柱７０の主構７１及び横構７２に設置したガゼットプレート７３（図５参照）にボルトにより固定される。
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月25日(2015.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のフリップフロップと、
前記第１のフリップフロップの後段に設けられる第２のフリップフロップと、
前記第２のフリップフロップのデータ入力端子へのルートと分岐したルートに設けられた機能不全事前検出回路とを備え、
前記機能不全事前検出回路は、
前記第２のフリップフロップのデータ入力端子への入力データを遅延させる遅延素子と、
前記遅延素子の出力を受ける第３のフリップフロップと、
前記第２のフリップフロップの出力と前記第３のフリップフロップの出力とを比較する第１の比較器とを含み、
前記機能不全事前検出回路には、前記機能不全事前検出回路の動作テスト時には、第１のテストデータと、第２のテストデータが入力され、前記第２のテストデータは、前記遅延素子に入力され、
前記第１の比較器は、前記動作テスト時には、前記第１のテストデータと、前記第３のフリップフロップの出力とを比較する、半導体装置。
【請求項２】
前記機能不全事前検出回路は、
前記動作テスト時に、前記第２のテストデータを前記遅延素子へ出力し、通常動作時には、前記入力データを前記遅延素子へ出力する第１のセレクタと、
前記動作テスト時に、前記第１のテストデータを前記第１の比較器へ出力し、前記通常動作時には、前記第２のフリップフロップの出力を前記第１の比較器へ出力する第２のセレクタとを含む、請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記半導体装置は、
前記第１の比較器の比較結果が不一致の場合に、前記第１のフリップフロップおよび前記第２のフリップフロップへの電力供給を停止させるためのスイッチを備える、請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記半導体装置は、各々が、別個の電源電圧で動作する複数個の回路ブロックを備え、
前記スイッチは、前記第１の比較器の比較結果が不一致の場合に、前記第１のフリップフロップおよび前記第２のフリップフロップを含む回路ブロックへの電力供給を停止させる、請求項３記載の半導体装置。
【請求項５】
前記半導体装置は、デュアルロックステップ方式のマイクロコンピュータであり、
第１のＣＰＵコアと、
第２のＣＰＵコアと、
前記第１のＣＰＵコアの演算結果と前記第２のＣＰＵコアの演算結果を比較する第２の比較器とを備える、請求項４記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１の比較器の比較結果が不一致の場合、前記第１のＣＰＵコアおよび前記第２のＣＰＵコアに割込みが通知され、
前記第１のＣＰＵコアは、前記スイッチを制御して電力供給を停止させる、請求項５記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第１の比較器の比較結果を表わす信号が、直接前記スイッチに送られて、前記電力供給が停止させる、請求項４記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第１の比較器の比較結果を表わす信号が前記半導体装置の外部へ送られて、外部からの制御によって前記電力供給が停止させる、請求項４記載の半導体装置。
【請求項９】
第１のフリップフロップと、
前記第１のフリップフロップの後段に設けられる第２のフリップフロップと、
前記第２のフリップフロップのデータ入力端子へのルートと分岐したルートに設けられた機能不全事前検出回路とを備え、
前記機能不全事前検出回路は、
前記第２のフリップフロップのデータ入力端子への入力データを遅延させる直列接続された複数段の遅延素子と、
各々が、各遅延素子の出力を受ける複数の第３のフリップフロップと、
各々が、前記第２のフリップフロップの出力と対応の第３のフリップフロップの出力とを比較する複数の第１の比較器とを含み、
前記機能不全事前検出回路には、前記機能不全事前検出回路の動作テスト時には、第１のテストデータと、第２のテストデータが入力され、前記第２のテストデータは、前記複数段の遅延素子の初段に入力され、
前記第１の比較器は、前記動作テスト時には、前記第１のテストデータと、前記対応の第３のフリップフロップの出力とを比較する、半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月19日(2014.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁膜上に、シリコンを含む堆積性気体の流量に対する水素の流量を５０倍以上１０００倍以下にして堆積性気体を希釈し、且つ処理室内の圧力を６７Ｐａ以上５００００Ｐａ以下とする第１の条件を用いたプラズマＣＶＤ法により種結晶を形成し、
前記種結晶上に、シリコンを含む堆積性気体の流量に対する水素の流量を１００倍以上２０００倍以下にして堆積性気体を希釈し、且つ前記処理室内の圧力を１３３３Ｐａ以上５００００Ｐａ以下とする第２の条件を用いたプラズマＣＶＤ法により第１の微結晶半導体膜を形成し、
前記処理室内の圧力を１３３３Ｐａ以上５００００Ｐａ以下とし、且つ微結晶半導体を堆積する第１の周期と、前記微結晶半導体に含まれる非晶質半導体領域を選択的にエッチングする前記第１の周期より長い第２の周期とを交互に行う第３の条件を用いたプラズマＣＶＤ法により、第１の微結晶半導体膜上に第２の微結晶半導体膜を形成し、
前記第２の微結晶半導体膜上に、シリコンを含む堆積性気体の流量に対する水素の流量を１００倍以上２０００倍以下にして堆積性気体を希釈し、且つ前記処理室内の圧力を１３３３Ｐａ以上５００００Ｐａ以下とする第４の条件を用いたプラズマＣＶＤ法により第３の微結晶半導体膜を形成することを特徴とする微結晶半導体膜の作製方法。
【請求項２】
基板上に、ゲート電極を形成し、
前記基板及び前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に、第１の条件により種結晶を形成し、
前記種結晶上に、第２の条件により第１の微結晶半導体膜を形成し、
前記第１の微結晶半導体膜上に、第３の条件により第２の微結晶半導体膜を形成し、
前記第２の微結晶半導体膜上に、第４の条件により第３の微結晶半導体膜を形成し、
前記第３の微結晶半導体膜上に、微結晶半導体領域及び非晶質半導体領域を有する半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に第１の不純物半導体膜を形成し、
前記第１の不純物半導体膜の一部をエッチングして、島状の第２の不純物半導体膜を形成すると共に、前記種結晶、前記第１の微結晶半導体膜、前記第２の微結晶半導体膜、前記第３の微結晶半導体膜、及び前記半導体膜の一部をエッチングして、島状の第１の半導体積層体を形成し、
前記第２の不純物半導体膜上に、ソース電極及びドレイン電極として機能する配線を形成し、
前記第２の不純物半導体膜をエッチングして、ソース領域及びドレイン領域として機能する一対の不純物半導体膜を形成し、
前記第１の条件は、シリコンを含む堆積性気体の流量に対する水素の流量を５０倍以上１０００倍以下にして堆積性気体を希釈し、且つ処理室内の圧力を６７Ｐａ以上５００００Ｐａ以下とする条件であり、
前記第２の条件は、シリコンを含む堆積性気体の流量に対する水素の流量を１００倍以上２０００倍以下にして堆積性気体を希釈し、且つ前記処理室内の圧力を１３３３Ｐａ以上５００００Ｐａ以下とする条件であり、
前記第３の条件は、前記処理室内の圧力を１３３３Ｐａ以上５００００Ｐａ以下とし、且つ微結晶半導体を堆積する第１の周期と、前記微結晶半導体に含まれる非晶質半導体領域を選択的にエッチングする前記第１の周期より長い第２の周期とを交互に行う条件であり、
前記第４の条件は、シリコンを含む堆積性気体の流量に対する水素の流量を１００倍以上２０００倍以下にして堆積性気体を希釈し、且つ前記処理室内の圧力を１３３３Ｐａ以上５００００Ｐａ以下とする条件であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項２において、前記第１の半導体積層体を形成し、前記第１の半導体積層体上に、ソース電極及びドレイン電極として機能する配線を形成する前において、
前記第１の半導体積層体の側面をプラズマに曝して、前記第１の半導体積層体の側面に絶縁領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月9日(2014.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物半導体膜と、
ゲート絶縁膜と、
ゲート電極と、
ソース電極と、
ドレイン電極と、を有し、
前記ソース電極は、前記酸化物半導体膜と電気的に接続され、
前記ドレイン電極は、前記酸化物半導体膜と電気的に接続され、
前記酸化物半導体膜は、前記ゲート絶縁膜を介して、前記ゲート電極と重なる第１の領域を有し、
前記酸化物半導体膜は、前記ソース電極と重なる領域を有する第２の領域を有し、
前記酸化物半導体膜は、前記ドレイン電極と重なる領域を有する第３の領域を有し、
前記酸化物半導体膜は、複数の結晶を有し、
前記第１の領域の結晶は、前記酸化物半導体膜の表面に垂直な方向に沿うようなｃ軸を有し、
前記第２の領域は、前記第１の領域よりも非晶質の割合が大きく、
前記第３の領域は、前記第１の領域よりも非晶質の割合が大きく、
前記第２の領域は、リン、砒素、アンチモン、又はホウ素を有し、
前記第３の領域は、リン、砒素、アンチモン、又はホウ素を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
酸化物半導体膜と、
ゲート絶縁膜と、
ゲート電極と、
ソース電極と、
ドレイン電極と、を有し、
前記ソース電極は、前記酸化物半導体膜と電気的に接続され、
前記ドレイン電極は、前記酸化物半導体膜と電気的に接続され、
前記酸化物半導体膜は、前記ゲート絶縁膜を介して、前記ゲート電極と重なる第１の領域を有し、
前記酸化物半導体膜は、前記ソース電極と重なる領域を有する第２の領域を有し、
前記酸化物半導体膜は、前記ドレイン電極と重なる領域を有する第３の領域を有し、
前記酸化物半導体膜は、複数の結晶を有し、
前記第１の領域の結晶は、前記酸化物半導体膜の表面に垂直な方向に沿うようなｃ軸を有し、
前記第２の領域の表面側の結晶は、前記酸化物半導体膜の表面に垂直な方向に沿うようなｃ軸を有し、
前記第３の領域の表面側の結晶は、前記酸化物半導体膜の表面に垂直な方向に沿うようなｃ軸を有し、
前記第２の領域は、リン、砒素、アンチモン、又はホウ素を有し、
前記第３の領域は、リン、砒素、アンチモン、又はホウ素を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
酸化物半導体膜と、
ゲート絶縁膜と、
ゲート電極と、
層間絶縁膜と、
ソース電極と、
ドレイン電極と、を有し、
前記ゲート絶縁膜の上端部は、前記ゲート電極の下端部と一致し、
前記ソース電極は、前記層間絶縁膜の第１の開口部を介して、前記酸化物半導体膜と電気的に接続され、
前記ドレイン電極は、前記層間絶縁膜の第２の開口部を介して、前記酸化物半導体膜と電気的に接続され、
前記酸化物半導体膜は、前記ゲート絶縁膜を介して、前記ゲート電極と重なる第１の領域を有し、
前記酸化物半導体膜は、前記ソース電極と重なる領域を有する第２の領域を有し、
前記酸化物半導体膜は、前記ドレイン電極と重なる領域を有する第３の領域を有し、
前記酸化物半導体膜は、複数の結晶を有し、
前記第１の領域の結晶は、前記酸化物半導体膜の表面に垂直な方向に沿うようなｃ軸を有し、
前記第２の領域は、前記第１の領域よりも非晶質の割合が大きく、
前記第３の領域は、前記第１の領域よりも非晶質の割合が大きく、
前記第２の領域は、リン、砒素、アンチモン、又はホウ素を有し、
前記第３の領域は、リン、砒素、アンチモン、又はホウ素を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記酸化物半導体膜と、
前記ゲート絶縁膜と、
前記ゲート電極と、
前記ソース電極と、
前記ドレイン電極と、を有するトランジスタは、
前記第２の領域及び前記第３の領域が非晶質となるトランジスタと比較して、光照射前後におけるしきい値の変動量が小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記酸化物半導体膜と、
前記ゲート絶縁膜と、
前記ゲート電極と、
前記ソース電極と、
前記ドレイン電極と、を有するトランジスタは、
前記第２の領域及び前記第３の領域が非晶質となるトランジスタと比較して、ゲート・熱バイアスストレス試験前後におけるしきい値の変動量が小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記酸化物半導体膜は、Ｉｎ、Ｇａ、ＳｎおよびＺｎから選ばれた二以上の元素を含むことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月9日(2015.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化シリコン膜上に接する島状の酸化物半導体膜と、
前記島状の酸化物半導体膜上の酸化アルミニウム膜と、を有する構造体であって、
前記構造体は、前記酸化アルミニウム膜が、前記酸化シリコン膜と接する領域を有し、
前記酸化アルミニウム膜はスパッタ法により形成され、
前記構造体の前記島状の酸化物半導体膜に酸素を添加し、
酸素の添加後に、第１の熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
酸化シリコン膜上に接する島状の酸化物半導体膜と、
前記島状の酸化物半導体膜上の酸化アルミニウム膜と、を有する構造体であって、
前記構造体は、前記酸化アルミニウム膜が、前記酸化シリコン膜と接する領域を有し、
前記酸化アルミニウム膜はスパッタ法により形成され、
前記構造体の前記島状の酸化物半導体膜に酸素を添加し、
酸素の添加後に、第１の熱処理を行い、
前記第１の熱処理により、前記酸化シリコン膜から島状の前記酸化物半導体膜へ酸素が供給されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記島状の酸化物半導体膜上に前記酸化アルミニウム膜を形成する前に、前記島状の酸化物半導体膜に第２の熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記島状の酸化物半導体膜を用いてトランジスタを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月9日(2015.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトレンチ及び第２のトレンチが設けられた第１の絶縁層と、
前記第１のトレンチの底面及び内壁面と接する領域を有する酸化物半導体層と、
前記第２のトレンチの底面及び内壁面と接する領域を有する第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層と接する領域を有し、且つ前記第２のトレンチ内を充填するように設けられた第３の絶縁層と、
前記酸化物半導体層上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に設けられ、且つ前記第１のトレンチ内を充填するように設けられたゲート電極と、
前記ゲート電極と接する領域を有するサイドウォール絶縁層と、
前記サイドウォール絶縁層及び前記酸化物半導体層と接する領域を有するソース電極又はドレイン電極と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記ソース電極又は前記ドレイン電極は、前記第３の絶縁層と重畳する領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
トランジスタと、容量素子とを含む複数のメモリセルを有し、
前記トランジスタは、
第１のトレンチ及び第２のトレンチが設けられた第１の絶縁層と、
前記第１のトレンチの底面及び内壁面と接する領域を有する酸化物半導体層と、
前記第２のトレンチの底面及び内壁面と接する領域を有する第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層と接する領域を有し、且つ前記第２のトレンチ内を充填するように設けられた第３の絶縁層と、
前記酸化物半導体層上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に設けられ、且つ前記第１のトレンチ内を充填するように設けられたゲート電極と、
前記ゲート電極と接する領域を有するサイドウォール絶縁層と、
前記サイドウォール絶縁層及び前記酸化物半導体層と接する領域を有するソース電極と、
前記サイドウォール絶縁層及び前記酸化物半導体層と接する領域を有するドレイン電極と、を有し、
前記ソース電極又は前記ドレイン電極の一方は、前記容量素子の一方の電極と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極はそれぞれ、前記第３の絶縁層と重畳する領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、容量素子と、を含む複数のメモリセルを有し、
前記第１のトランジスタは、
第１のチャネル形成領域と、
前記第１のチャネル形成領域上の第１のゲート絶縁層と、
前記第１のチャネル形成領域と重畳する領域を有し、且つ前記第１のゲート絶縁層上に設けられた第１のゲート電極と、を含み、
前記第２のトランジスタは、
第１のトレンチ及び第２のトレンチが設けられた第１の絶縁層と、
前記第１のトレンチの底面及び内壁面と接する領域を有し、且つ少なくも第２のチャネル形成領域を含む酸化物半導体層と、
前記第２のトレンチの底面及び内壁面と接する領域を有する第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層と接する領域を有し、且つ前記第２のトレンチ内を充填するように設けられた第３の絶縁層と、
前記酸化物半導体層上の第２のゲート絶縁層と、
前記第２のゲート絶縁層上に設けられ、且つ前記第１のトレンチ内を充填するように設けられた第２のゲート電極と、
前記第２のゲート電極と接する領域を有するサイドウォール絶縁層と、
前記サイドウォール絶縁層及び前記酸化物半導体層と接する領域を有する第２のソース電極と、
前記サイドウォール絶縁層及び前記酸化物半導体層と接する領域を有する第２のドレイン電極と、を有し、
前記第２のチャネル形成領域は、前記第１のチャネル形成領域よりも広いエネルギーギャップを有し、
前記第１のゲート電極と、前記第２のソース電極と、前記容量素子の一方の電極と、は、電気的に接続され、
前記第１のトランジスタと、前記第２のトランジスタと、は少なくとも一部が重畳して配置されることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記第２のソース電極及び前記第２のドレイン電極はそれぞれ、前記第３の絶縁層と少なくとも一部と重畳することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記第２の絶縁層は、酸化シリコン膜と酸化アルミニウム膜の積層を有し、
前記酸化シリコン膜は、前記酸化物半導体層と接する領域を有することを特徴とする半導体装置。