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　平成　８年特許願第　　４４０９号「単結晶引上装置」拒絶査定不服審判事件〔平成　９年　７月２９日出願公開、特開平　９−１９４２８９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成８年１月１２日の出願であって、平成１５年２月１８日付けで拒絶理由が起案され、平成１５年４月２８日に意見書及び明細書の記載に係る手続補正書の提出がなされ、平成１７年９月１３日付けで拒絶査定が起案され、平成１７年１０月２７日に拒絶査定不服の審判請求がなされ、平成１７年１１月２８日に明細書の記載に係る手続補正書が提出され、平成２０年５月２２日付けで特許法第１６４条第３項に基づく報告を引用した審尋が起案され、平成２０年７月２８日に回答書が提出されたものである。
　
２．平成１７年１１月２８日付けの手続補正について
［補正却下の決定の結論］
　平成１７年１１月２８日付けの手続補正（以下、必要に応じて「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
（１）本件補正により、本願明細書の【特許請求の範囲】【請求項１】及び【請求項２】が、次のように補正された。
「【請求項１】気密容器の内部に設けられた略半球状の外ルツボに半導体融液を貯留し、この外ルツボ内に円筒状の仕切り体である内ルツボを載置して二重ルツボを形成し、前記内ルツボの内側領域内の半導体融液より半導体単結晶を引き上げる単結晶引上装置であって、
　前記内ルツボの底部には内ルツボの外側領域と内側領域とを連通する連通部が形成され、前記気密容器の外側にはカスプ磁界印加手段として互いに逆向きの電流が流されるようになっている２個のコイルが配置され、前記コイルにより形成される磁界が鉛直方向から漸次水平方向に向かうようになっており、
　このカスプ磁界印加手段は、形成される前記磁界がほぼ水平方向となる位置が前記半導体融液面よりも下に位置して半導体融液の鉛直方向対流を抑制するように制御されるとともに、前記磁界がほぼ垂直になる部分が前記内ルツボの連通部の位置と一致して半導体融液の流速を低減するように制御されてなることを特徴とする単結晶引上装置。
 【請求項２】気密容器の内部に設けられた略半球状の外ルツボに半導体融液を貯留し、この外ルツボ内に円筒状の仕切り体である内ルツボを載置して二重ルツボを形成し、
　前記内ルツボの底部には内ルツボの外側領域と内側領域とを連通する連通部が形成され、
　前記気密容器の外側にはカスプ磁界印加手段として互いに逆向きの電流が流され鉛直方向から漸次水平方向に向かう磁界を形成する２個のコイルが配置され、
　前記内ルツボの内側領域内の半導体融液より半導体単結晶を引き上げる際に、
　このカスプ磁界印加手段において、形成される前記磁界がほぼ水平方向となる位置を前記半導体融液面よりも下に位置して半導体融液の鉛直方向対流を抑制するように制御するとともに、前記磁界がほぼ垂直になる部分を前記内ルツボの連通部の位置と一致して半導体融液の流速を低減するように制御してボイド発生源の半導体融液内の拡散を抑制してなることを特徴とする単結晶引上方法。 」
（２）そして、上記【特許請求の範囲】【請求項１】の補正は、平成１５年４月２８日付けの手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に以下の（Ａ）乃至（Ｃ）の補正事項を加えるものである。
（Ａ）「内ルツボには」を「内ルツボの底部には」とすること、
（Ｂ）「下に位置するように制御されるとともに」を「下に位置して半導体融液の鉛直方向対流を抑制するように制御されるとともに」とすること、
（Ｃ）「内ルツボの連通部の位置と一致するように制御」を「内ルツボの連通部の位置と一致して半導体融液の流速を低減するように制御」とすること。
　また、同【請求項２】の補正は、平成１５年４月２８日付けの手続補正書の特許請求の範囲の請求項２に上記の（Ａ）乃至（Ｃ）と同じ内容の補正事項と共に以下の（Ｄ）を加えるものである。
（Ｄ）「制御してなる」を「制御してボイド発生源の半導体融液内の拡散を抑制してなる」とすること。
　上記補正事項（Ａ）乃至（Ｄ）は、いずれも限定的減縮を目的としており、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項第２号掲げる事項を目的とするものであるから、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項に規定する補正の要件を満たしているといえる。
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものかについて検討する。
（ｉ）　原査定の拒絶の理由において引用された特開平２−４８４９２号公報（以下、「引用文献２」という。）には次の事項が記載されている。
（ア）「第１図は本発明に係る単結晶成長装置（以下本発明装置という）の模式的断面図であり、図中１はチャンバ、２は坩堝、３はヒータを示している。チャンバ１の内部中央部には坩堝２が配設され、この坩堝３と保温壁との間にヒータ３が所要の間隙を隔てて配設されている。
・・・
　坩堝２内には単結晶用の原料、例えば多結晶シリコンが供給されヒータ３にて加熱溶融せしめられる。この坩堝２内の溶融液中には筒状をなす隔壁５の下端が坩堝２の内底から所要高さの位置であって、且つ融液中に適正な深さ位置まで漬かるよう設定され、坩堝２内の溶融液を、溶融液面を含むその上、下所要の範囲にわたってシリコン単結晶８を引き上げる内側領域と、原料を供給する外側領域とに略同心状に区分するようになっている。
　チャンバ１の上部壁中央にはチャンバ１内への雰囲気ガスの供給筒を兼ねる単結晶の保護筒１ａが立設され、また上部壁の周縁部寄りの１個所には一端が原料供給装置６に繋がる原料供給管６ａを貫通させ、その他端部は坩堝２内に臨ませである。」（第２頁右上欄第１９行〜同右下欄第４行）
（イ）「そしてチャンバ１の外周であって坩堝２の外周と対向する位置には磁石９がこれと同心状に配設してあり、坩堝１内の溶融液面に対しこれと垂直な向きに磁界を印加せしめるようになっている。
　磁石９は永久磁石、電磁石のいずれでもよく、また単一個に限らず、複数個を配設してもよい。」（第２頁右下欄第１２〜１７行）
（ウ）「坩堝２内の溶融液は電気伝導性を備えており、溶融液が流動すると溶融液中に起電力が発生し、電流が流れることとなり、磁界中で電流が流れると電流の担体、即ち溶融液にその流動方向への流動を妨げる向きの作用力が生じ、溶融液中の不完全溶解状態の原料が隔壁５下を潜って内側領域内へ移動するのを阻止することとなる。」（第３頁右上欄第２０行〜同左下欄第６行）
（エ）「なお上述の実施例では、チャンバ１の外周に坩堝２と同心状に磁石９を配設して坩堝２内の融液面に対し垂直方向の磁場を印加する構成を示したが、磁石の配置を変更して坩堝２内の溶融液面と平行な向き、即ち水平方向に磁場を印加することとしてもよい。」（第３頁左下欄第１１〜１６行）
（オ）「以上の如く本発明装置にあっては不完全溶解状態の原料に対し磁場を印加してこれを単結晶成長域から遠ざける向きに作用力を及ぼすこととしているから、溶融液と非接触の状態で不完全溶解状態の原料がそのまま単結晶の成長界面に達して原子配列を乱す等の不都合の阻止することが可能となり、不純物混入の虞れがなく、構成も複雑化することがないなど本発明は優れた効果を奏するものである。」（第３頁右下欄第２〜１０行）
（ｉｉ）対比・判断
　引用文献２の記載事項（ア）には「単結晶成長装置」に関して「チャンバ１の内部中央部には坩堝２が配設され、・・・この坩堝２内の溶融液中には筒状をなす隔壁５の下端が坩堝２の内底から所要高さの位置であって、且つ融液中に適正な深さ位置まで漬かるよう設定され、坩堝２内の溶融液を、溶融液面を含むその上、下所要の範囲にわたってシリコン単結晶８を引き上げる内側領域と、原料を供給する外側領域とに略同心状に区分する」こと及び「チャンバ１内への雰囲気ガスの供給」が記載され、記載事項（イ）には「チャンバ１の外周であって坩堝２の外周と対向する位置には磁石９がこれと同心状に配設してあり、坩堝１内の溶融液面に対しこれと垂直な向きに磁界を印加せしめる」ことが記載され、記載事項（ウ）には「磁界中で電流が流れると電流の担体、即ち溶融液にその流動方向への流動を妨げる向きの作用力が生じ、溶融液中の不完全溶解状態の原料が隔壁５下を潜って内側領域内へ移動するのを阻止すること」が、記載事項（エ）によると「磁石の配置を変更して坩堝２内の溶融液面と平行な向き、即ち水平方向に磁場を印加することとしてもよい」ことが、記載事項（オ）によれば「不完全溶解状態の原料に対し磁場を印加してこれを単結晶成長域から遠ざける向きに作用力を及ぼすこととしているから、溶融液と非接触の状態で不完全溶解状態の原料がそのまま単結晶の成長界面に達して原子配列を乱す等の不都合の阻止することが可能となり、不純物混入の虞れがな」いことが効果として記載されている。これらを本願補正発明の記載ぶりに則って整理すると「雰囲気ガスが供給されるチャンバの内部中央部には坩堝が配設され、坩堝内の溶融液中には筒状をなす隔壁の下端が坩堝の内底から所要高さの位置であって、且つ融液中に適正な深さ位置まで漬かるよう設定され、隔壁がシリコン単結晶を引き上げる内側領域と、原料を供給する外側領域とに略同心状に区分し、チャンバの外周であって坩堝の外周と対向する位置には磁石がこれと同心状に配設してあり、坩堝内の溶融液面に対しこれと垂直な向きに磁界を印加せしめ、溶融液にその流動方向への流動を妨げる向きの作用力が生じ、溶融液中の不完全溶解状態の原料が隔壁下を潜って内側領域内へ移動するのを阻止すること、及び、磁石の配置を変更して坩堝内の溶融液面と平行な向き、即ち水平方向に磁場を印加することとしてもよく、不完全溶解状態の原料に対し磁場を印加してこれを単結晶成長域から遠ざける向きに作用力を及ぼし、不完全溶解状態の原料がそのまま単結晶の成長界面に達して原子配列を乱す等の不都合の阻止する単結晶成長装置。」の発明（以下、「引用発明」という。）が引用文献２には記載されていると認められる。
　そこで、本願補正発明と引用発明を対比すると、引用発明の「雰囲気ガスが供給されるチャンバ」、「坩堝」、「筒状をなす隔壁」、「溶融液」及び「磁石」が本願補正発明の「気密容器」、「外ルツボ」、「円筒状の仕切り体である内ルツボ」、「融液」及び「磁界印加手段」に相当することは明らかである。また、引用発明の「シリコン」は「半導体」の原料であるから、引用発明の「融液」は、本願補正発明の「半導体融液」のことであり、引用発明における「隔壁がシリコン単結晶を引き上げる内側領域と、原料を供給する外側領域とに略同心状に区分し」は、本願補正発明における「外ルツボに半導体融液を貯留し、この外ルツボ内に円筒状の仕切り体である内ルツボを載置して二重ルツボを形成し、前記内ルツボの内側領域内の半導体融液より半導体単結晶を引き上げる」に相当することは明らかであり、引用発明における「坩堝内の溶融液中には筒状をなす隔壁の下端が坩堝の内底から所要高さの位置であって、且つ融液中に適正な深さ位置まで漬かるよう設定され」ることは、本願補正発明の「内ルツボの底部には内ルツボの外側領域と内側領域とを連通する連通部が形成され」ることに相当するものと認められる。また、引用発明の「チャンバの外周であって坩堝の外周と対向する位置には磁石がこれと同心状に配設してあり」、「不完全溶解状態の原料がそのまま単結晶の成長界面に達して原子配列を乱す等の不都合の阻止する」ことが本願補正発明の「気密容器の外側には磁界印加手段が配置され、制御され」ることに相当するということができる。さらに、引用発明も引き上げによってシリコン単結晶を成長するから、引用発明の「単結晶成長装置」は、本願補正発明の「単結晶引上装置」に相当することも明らかである。
　してみると、本願補正発明と引用発明とは、「気密容器の内部に設けられた外ルツボに半導体融液を貯留し、この外ルツボ内に円筒状の仕切り体である内ルツボを載置して二重ルツボを形成し、前記内ルツボの内側領域内の半導体融液より半導体単結晶を引き上げる単結晶引上装置であって、
　前記内ルツボの底部には内ルツボの外側領域と内側領域とを連通する連通部が形成され、気密容器の外側には磁界印加手段が配置され、制御されてなることを特徴とする単結晶引上装置。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　本願補正発明では、外ルツボが「略半球状」であるのに対して、引用発明では具体的形状については記載のない点（以下、「相違点（ａ）」という。）。
　本願補正発明では、磁界印加手段が「カスプ磁界印加手段として互いに逆向きの電流が流されるようになっている２個のコイルが配置され、前記コイルにより形成される磁界が鉛直方向から漸次水平方向に向かうようになっており、
　このカスプ磁界印加手段は、形成される前記磁界がほぼ水平方向となる位置が前記半導体融液面よりも下に位置して半導体融液の鉛直方向対流を抑制するように制御されるとともに、前記磁界がほぼ垂直になる部分が前記内ルツボの連通部の位置と一致して半導体融液の流速を低減するように」しているのに対して、引用発明では、磁石が「坩堝内の溶融液面に対しこれと垂直な向きに磁界を印加せしめ、溶融液にその流動方向への流動を妨げる向きの作用力が生じ、溶融液中の不完全溶解状態の原料が隔壁下を潜って内側領域内へ移動するのを阻止すること、及び、磁石の配置を変更して坩堝内の溶融液面と平行な向き、即ち水平方向に磁場を印加することとしてもよく、不完全溶解状態の原料に対し磁場を印加してこれを単結晶成長域から遠ざける向きに作用力を及ぼし、不完全溶解状態の原料がそのまま単結晶の成長界面に達して原子配列を乱す等の不都合の阻止する」ものである点（以下、「相違点（ｂ）」という。）。
　そこで、まず、上記相違点（ａ）について検討する。
　本願補正発明が特定事項として「略半球状の外ルツボ」をすること技術的意義については、本願の明細書には何も記載されておらず、さらに、引用文献２の図１に示された坩堝２の底面も曲率をもっていることが明らかであるから、「略半球状」ということができ、両発明に共通するものであるから、実質的な相違点ではないし、たとえ相違したとしても当業者であれば、坩堝底面の加熱を均等にすべく半球面を形状として採用することは適宜採用しうる程度の設計事項の特定にすぎないものである。
　次に、相違点（ｂ）について検討する。
　引用発明も、「坩堝内の溶融液面に対しこれと垂直な向きに磁界を印加せしめ、溶融液にその流動方向への流動を妨げる向きの作用力が生じ、溶融液中の不完全溶解状態の原料が隔壁下を潜って内側領域内へ移動するのを阻止すること」が記載されているから、当然隔壁には溶融液面に対し垂直な磁界が印加されていることから、本願補正発明の「磁界がほぼ垂直になる部分が前記内ルツボの連通部の位置と一致して半導体融液の流速を低減する」ことが記載されているということができる。
　さらに、引用発明は「磁石の配置を変更して坩堝内の溶融液面と平行な向き、即ち水平方向に磁場を印加することとしてもよく、不完全溶解状態の原料に対し磁場を印加してこれを単結晶成長域から遠ざける向きに作用力を及ぼし、不完全溶解状態の原料がそのまま単結晶の成長界面に達して原子配列を乱す等の不都合の阻止する」もので、引用文献２の記載事項（イ）に「磁石９は永久磁石、電磁石のいずれでもよく、また単一個に限らず、複数個を配設してもよい。」とされているから、同文献には、複数個の電磁石の配設により「坩堝内の溶融液面と平行な向き、即ち水平方向に磁場を印加すること」も示唆されているということができる。
　そして、原査定の拒絶の理由において引用された特開昭６１−２２２９８４号公報（以下、「引用文献１」という。）に「ルツボ３１の上下に同極対向磁石３５１，３５２を対向配置し、カスプ磁場を印加する方法が提案されている。このタイプの磁場は、ルツボ内融液に軸対称な水平磁界を発生させ、高品質な単結晶を引上げるに最適な磁石配置である。」（第２頁右上欄第８〜１３行）及び「本発明の骨子は、ルツボ内の原料融液の温度分布及び対流抑制を最適化するために、原料融液に印加する磁界を可変可能にすることにある。」（第２頁左下欄第９〜１１行）と記載されるように、同極対向磁石は、チョクラルスキー法により単結晶を引上げ製造する単結晶の製造装置において対流抑制のための周知の水平磁界発生手段であるということができる。したがって、相違点ｂによる「カスプ磁界印加手段として互いに逆向きの電流が流されるようになっている２個のコイルが配置され、前記コイルにより形成される磁界が鉛直方向から漸次水平方向に向かうようになっており、このカスプ磁界印加手段は、形成される前記磁界がほぼ水平方向となる位置が前記半導体融液面よりも下に位置して半導体融液の鉛直方向対流を抑制するように制御される」ことも、上記対流抑制のための周知の水平磁界発生手段の採用により得られる磁界及び作用にすぎないものである。
　したがって、相違点ｂに係るカスプ磁界印加手段の採用は、当業者であれば適宜なし得る周知手段の採用にすぎないものである。
　また、本願補正発明の相違点（ａ）及び相違点（ｂ）に係る特定事項を採用することにより得られる効果についても「半導体単結晶の品質を安定させることができる。」というものであって、引用発明と比較して格別顕著であるともいえない。
　なお、請求人が本件補正で付加した補正事項（Ｄ）の「ボイド発生源の半導体融液内の拡散を抑制してなること」については、明細書においては「原料を投入される領域で発生したボイド発生源（ボイド（格子欠陥）を発生させる物質）」（段落【０００５】）とされ、引用発明では「溶融液と非接触の状態で不完全溶解状態の原料がそのまま単結晶の成長界面に達して原子配列を乱す等の不都合の阻止することが可能とな」（記載事項（オ））るものであるから、補正事項（Ｄ）も格子欠陥の点で両発明に共通するものであるから、実質的な相違点ではない。
　したがって、本願補正発明は、引用文献２に記載された発明及び引用文献１に記載された周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
（ｉｉｉ）まとめ
　以上のとおりであるから、本願補正発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。そうすると、平成１７年１１月２８日付けで提出された手続補正書によりなされた補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反してなされたものである。
（３）むすび
　したがって、平成１７年１１月２８日付けで提出された手続補正書によりなされた補正は、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
　平成１７年１１月２８日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１５年４月２８日付けの手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された以下のとおりのものである。
【請求項１】　気密容器の内部に設けられた略半球状の外ルツボに半導体融液を貯留し、この外ルツボ内に円筒状の仕切り体である内ルツボを載置して二重ルツボを形成し、前記内ルツボの内側領域内の半導体融液より半導体単結晶を引き上げる単結晶引上装置であって、
　前記内ルツボには内ルツボの外側領域と内側領域とを連通する連通部が形成され、前記気密容器の外側にはカスプ磁界印加手段として互いに逆向きの電流が流されるようになっている２個のコイルが配置され、前記コイルにより形成される磁界が鉛直方向から漸次水平方向に向かうようになっており、
　このカスプ磁界印加手段は、形成される前記磁界がほぼ水平方向となる位置が前記半導体融液面よりも下に位置するように制御されるとともに、前記磁界がほぼ垂直になる部分が前記内ルツボの連通部の位置と一致するように制御されてなることを特徴とする単結晶引上装置。
　
４．引用文献
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献２（特開平２−４８４９２号公報）及びその記載事項は、「前記２．（２）（ｉ）」に記載したとおりである。
　
５．対比・判断
　本願発明は、前記２で検討した本願補正発明に関して、補正事項（Ａ）乃至（Ｃ）を削除するものである。
　してみると、本願発明の構成を含み、さらに前記の構成を付加したものである本願補正発明が、上記２に記載したとおり、引用文献２に記載された発明及び引用文献１に記載された周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、本願補正発明と同様の理由により、引用文献２に記載された発明及び引用文献１に記載された周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
６．回答書について
  請求人は、平成２０年７月２８日に提出した回答書において、
「別紙　補正案 
＜請求項１＞　気密容器の内部に設けられた略半球状の外ルツボに半導体融液を貯留し、この外ルツボ内に円筒状の仕切り体である内ルツボを載置して二重ルツボを形成し、前記内ルツボの外側に原料を供給しつつ内側領域内の半導体融液より半導体単結晶を引き上げる単結晶引上装置であって、
　前記内ルツボの底部には内ルツボの外側領域と内側領域とを連通する連通部が形成され、該連通部は前記内ルツボの底面の一部を切り欠いて形成された切り欠き部で構成され、前記気密容器の外側にはカスプ磁界印加手段として互いに逆向きの電流が流されるようになっている２個のコイルが配置され、前記コイルにより形成される磁界が鉛直方向から漸次水平方向に向かうようになっており、
　このカスプ磁界印加手段は、形成される前記磁界がほぼ水平方向となる位置が前記半導体融液面よりも下に位置し前記内ルツボの外側領域において半導体融液の鉛直方向対流を抑制するように制御されるとともに、前記磁界がほぼ垂直になる部分が前記内ルツボの連通部の位置と一致して半導体融液の流速を低減するように制御されてなることを特徴とする単結晶引上装置。
＜請求項２＞　気密容器の内部に設けられた略半球状の外ルツボに半導体融液を貯留し、この外ルツボ内に円筒状の仕切り体である内ルツボを載置して二重ルツボを形成し、
　前記内ルツボの底部には内ルツボの外側領域と内側領域とを連通する連通部が形成され、該連通部は前記内ルツボの底面の一部を切り欠いて形成された切り欠き部で構成され、
　前記気密容器の外側にはカスプ磁界印加手段として互いに逆向きの電流が流され鉛直方向から漸次水平方向に向かう磁界を形成する２個のコイルが配置され、
　前記内ルツボの外側に原料を供給しつつ内側領域内の半導体融液より半導体単結晶を引き上げる際に、
　このカスプ磁界印加手段において、形成される前記磁界がほぼ水平方向となる位置を前記半導体融液面よりも下に位置し前記内ルツボの外側領域において半導体融液の鉛直方向対流を抑制するように制御するとともに、前記磁界がほぼ垂直になる部分を前記内ルツボの連通部の位置と一致して半導体融液の流速を低減するように制御してボイド発生源の半導体融液内の拡散を抑制してなることを特徴とする単結晶引上方法。」を提示して、該補正案に係る請求項１及び２に記載された発明が特許法第２９条第２項、同法第３６条の規定に該当するものではない旨縷々主張しているが、係る補正案は、原料供給箇所を特定し、連通部の形状を特定し、カスプ磁界印加手段により形成される磁界の機能を特定するものにすぎず、これらによっても特許を受けることができるような進歩性を見いだすことができないので、補正の機会を別途設けず、本件補正により補正された請求項１を審理の対象とした。
　
７．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に記載された発明は、引用文献２に記載された発明及び引用文献１に記載された周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　したがって、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。