(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を加熱処理または冷却処理する処理装置において、
基板が表面に載置され、載置された基板を加熱処理または冷却処理する処理板と、
前記処理板上の基板載置位置を取り囲むように処理板上に設けられた基板案内用の案内部材と、
前記処理板の所定の位置に設けられた温度センサと、
前記処理板上に基板が載置された際の前記温度センサにより検出された温度が所定以上変化しないとき、異常が発生したものとみなす手段と
を具備することを特徴とする処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の処理装置において、
前記異常発生みなし手段が、前記処理板上に基板が載置された際の前記温度センサにより検出された温度が所定以上変化しないとき、前記処理板上に搬送された基板が前記基板載置位置に正確に載置されていないものとみなすことを特徴とする処理装置。
【請求項３】
請求項１に記載の処理装置において、
前記異常発生みなし手段が、前記処理板上に基板が載置された際の前記温度センサにより検出された温度が所定以上変化しないとき、前記基板が不良であるとみなすことを特徴とする処理装置。
【請求項４】
請求項１に記載の処理装置において、
前記異常発生みなし手段が、前記処理板上に基板が載置された際の前記温度センサにより検出された温度が所定以上変化しないとき、前記基板にゴミが付着したものとみなすことを特徴とする処理装置。
【請求項５】
請求項１に記載の処理装置において、
前記異常発生みなし手段が、前記処理板上に基板が載置された際の前記温度センサにより検出された温度が第１の値以上変化しないとき、前記処理板上に搬送された基板が前記基板載置位置に正確に載置されていないものとみなし、前記処理板上に基板が載置された際の前記温度センサにより検出された温度が前記第１の温度よりも小さくかつ前記第１の値よりも小さい第２の値以上変化しないとき前記基板が不良または前記基板にゴミが付着したものとみなすことを特徴とする処理装置。
【請求項６】
請求項１に記載の処理装置において、
前記前記異常発生みなし手段により異常が発生したものとみなされたとき、警報を発する手段を具備することを特徴とする処理装置。
【請求項７】
請求項１に記載の処理装置において、
前記処理板表面から出没可能配置され、基板の受け渡しを行うための複数のピンと、
前記異常発生みなし手段により異常が発生したものとみなされたとき前記ピンを処理板表面から突き出し再び処理板表面より没入させる没入手段と
を具備することを特徴とする処理装置。
【請求項８】
請求項７に記載の処理装置において、
前記没入手段が前記ピンを処理板表面から突き出し再び処理板表面より没入させた後に、前記温度センサにより検出された温度が所定以上変化しないとき、前記基板が不良または前記基板にゴミが付着したものとみなす手段を具備することを特徴とする処理装置。
【請求項９】
請求項１に記載の処理装置において、
前記異常発生みなし手段により異常が発生したものとみなされたとき前記処理板に振動を付与する手段を具備することを特徴とする処理装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の処理装置において、
前記処理板が、基板を冷却処理するものであることを特徴とする処理装置。
【請求項１１】
請求項１に記載の処理装置において、
前記案内部材の前記基板載置位置側の壁面のほぼ垂直部分の高さが１ｍｍを越えることを特徴とする処理装置。
【請求項１２】
請求項１に記載の処理装置において、
前記異常発生みなし手段により異常が発生したものとみなすために前記温度センサにより検出される温度変化は、前記温度センサにより検出された温度と予め定められた温度との比較によって行われることを特徴とする処理装置。
【請求項１３】
請求項１に記載の処理装置において、
前記異常発生みなし手段により異常が発生したものとみなすために前記温度センサにより検出される温度変化は、前記温度センサにより検出された温度の変化と予め定められた変化温度との比較によって行われることを特徴とする処理装置。
【請求項１４】
基板を加熱処理または冷却処理する処理装置において、
基板が表面に載置され、載置された基板を加熱処理または冷却処理する処理板と、
前記処理板上の基板載置位置を取り囲むように処理板上に設けらた基板案内用の案内部材と、
前記処理板の基板載置位置の中心から所定距離離れた位置に設けられた温度センサと、
前記処理板上に基板が載置された際の前記温度センサにより検出された温度に基づき、前記処理板上に搬送された基板の前記基板載置位置からのずれ位置を推定する手段と
を具備することを特徴とする処理装置。
【請求項１５】
基板を加熱処理または冷却処理する処理装置において、
基板が表面に載置され、載置された基板を加熱処理または冷却処理する処理板と、
前記処理板上の基板載置位置を取り囲むように処理板上に設けらた基板案内用の案内部材と、
前記処理板のそれぞれ別個の位置に設けられた複数の温度センサと、
前記処理板上に基板が載置された際の前記各温度センサにより検出された温度の差異に基づき、前記処理板上に搬送された基板の前記基板載置位置からのずれ位置を推定する手段と
を具備することを特徴とする処理装置。
【請求項１６】
請求項１５に記載の処理装置において、
前記温度センサが、前記処理基板上の３カ所以上の位置に設けられていることを特徴とする処理装置。
【請求項１７】
基板が表面に載置され、載置された基板を加熱処理または冷却処理する処理板と、前記処理板上の基板載置位置を取り囲むように処理板上に設けらた基板案内用の案内部材と、前記処理板の所定の位置に設けられた温度センサと、前記処理板上に基板が載置された際の前記温度センサにより検出された温度が所定以上変化しないとき、前記処理板上に搬送された基板が前記基板載置位置に正確に載置されていないものとみなす手段とを具備する複数の処理装置と、
少なくとも前記処理装置間で基板を受け渡しするための搬送装置と、
１つの前記処理装置で前記処理板上に搬送された基板が前記基板載置位置に正確に載置されていないものとみなされたとき、当該処理装置による処理を禁止して残りの処理装置で処理を行わせる手段と
を具備することを特徴とする処理システム。
【請求項１８】
基板が表面に載置され、載置された基板を加熱処理または冷却処理する処理板と、前記処理板上の基板載置位置を取り囲むように処理板上に設けらた基板案内用の案内部材と、前記処理板の所定の位置に設けられた温度センサと、前記処理板上に基板が載置された際の前記温度センサにより検出された温度が所定以上変化しないとき、前記処理板上に搬送された基板が前記基板載置位置に正確に載置されていないものとみなす手段とを具備する複数の処理装置と、
少なくとも前記処理装置間で基板を受け渡しするための搬送装置と、
１つの前記処理装置で前記処理板上に搬送された基板が前記基板載置位置に正確に載置されていないものと連続してみなされたとき、当該処理装置による処理を禁止して残りの処理装置で処理を行わせる手段と
を具備することを特徴とする処理システム。
【請求項１９】
基板が表面に載置され、載置された基板を加熱処理または冷却処理する処理板と、前記処理板上の基板載置位置を取り囲むように処理板上に設けらた基板案内用の案内部材と、前記処理板の所定の位置に設けられた温度センサと、前記処理板上に基板が載置された際の前記温度センサにより検出された温度が所定以上変化しないとき、前記処理板上に搬送された基板が前記基板載置位置に正確に載置されていないものとみなす手段とを具備する複数の処理装置と、
少なくとも前記処理装置間で基板を受け渡しするための搬送装置と、
１つの前記処理装置で前記処理板上に搬送された基板が前記基板載置位置に正確に載置されていないものとみなされたとき、当該処理装置による処理された基板にマーキングを施す手段と
を具備することを特徴とする処理システム。
【請求項２０】
基板が表面に載置され、載置された基板を加熱処理または冷却処理する処理板と、前記処理板上の基板載置位置を取り囲むように処理板上に設けらた基板案内用の案内部材とを具備する処理装置内で、前記処理板上に搬送された基板が前記基板載置位置に正確に載置されているかどうか判別する方法であって、
前記処理板の所定位置の温度を検出する工程と、
前記検出された温度が所定以上変化しないとき、前記処理板上に搬送された基板が前記基板載置位置に正確に載置されていないものとみなす工程と
を具備することを特徴とする判別方法。
【請求項２１】
基板が表面に載置され、載置された基板を加熱処理または冷却処理する処理板と、前記処理板上の基板載置位置を取り囲むように処理板上に設けらた基板案内用の案内部材とを具備する処理装置内で、前記処理板上に搬送された基板の前記基板載置位置からのずれ位置を検出する方法であって、
前記処理板の所定位置の温度を検出する工程と、
前記検出された温度に基づき、前記処理板上に搬送された基板の前記基板載置位置からのずれ位置を推定する工程と
を具備することを特徴とする検出方法。
【請求項２２】
基板が表面に載置され、載置された基板を加熱処理または冷却処理する処理板と、前記処理板上の基板載置位置を取り囲むように処理板上に設けらた基板案内用の案内部材とを具備する処理装置内で、前記処理板上に搬送された基板の前記基板載置位置からのずれ位置を検出する方法であって、
前記処理板の複数位置の温度を検出する工程と、
前記検出された複数位置での温度の差異に基づき、前記処理板上に搬送された基板の前記基板載置位置からのずれ位置を推定する工程と
を具備することを特徴とする検出方法。
【請求項２３】
載置された基板を加熱処理または冷却処理する処理板と、
この処理板と前記基板とを所定の間隔に維持するシートと、
前記処理板の所定の位置に設けられた温度センサと、
前記処理板上に基板が載置された際に前記温度センサにより検出された温度が所定値以上変化しないとき、異常と判断及び／または前記処理板上に基板を再載置するよう判断する制御機構と
を具備することを特徴とする処理装置。
【請求項２４】
請求項２３に記載の処理装置において、
前記処理板には、発熱機構が複数設けられ、その発熱機構には各々温度センサが設けられ、前記処理板上に基板が載置された際に前記各温度センサにより検出された温度の正常とみなす許容範囲は各々異なることを特徴とする処理装置。
【請求項２５】
請求項２３に記載の処理装置において、
前記処理板上に基板が載置された際に前記各温度センサにより検出された温度により搬送装置及び／または支持ピンにより基板の位置ずれを修正出来ない要因に起因する原因か否かを判断することを特徴とする処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板、例えば特に半導体ウェハやＬＣＤ用基板等にレジストの塗布や現像処理を施す装置等に具備され基板に熱処理を適切に施すための処理装置、処理システム、判別方法及び検出方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
この種の塗布・現像処理システムでは、一般に基板上にレジストを塗布して露光装置に受け渡し、更に露光装置から露光された基板を受け取り、現像処理を施すことが行われており、更にその露光の前後等においては基板に対して加熱処理や冷却処理が施されている。
【０００３】
図２３は半導体ウェハ（以下、単に「ウェハ」と呼ぶ。）に対して加熱処理を施す加熱処理ユニットの概略的な正面図である。
【０００４】
図２３において、１０１はウェハＷに対して加熱処理を施すためのホットプレートであり、このホットプレート１０１上にはホットプレート１０１上でウェハＷを浮かせて保持するためのプロキシミティピン１０２及びプロキシミティシート１０２’が配置され、更にホットプレート１０１上のほぼ中央のウェハ載置位置１０３に向けて傾斜面１０４を有する複数のガイド１０５がウェハ載置位置１０３を取り囲むように設けられている。
【０００５】
また、このユニットには、システム内でウェハＷを搬送するための搬送装置との間でウェハＷの受け渡しを行うための昇降ピン（図示を省略）がホットプレート１０１表面から出没可能に配置されている。そして、昇降ピンがホットプレート１０１表面から突き出た状態で搬送装置からウェハＷを受け取って下降し、ホットプレート１０１表面から没入する。これにより、ウェハＷはホットプレート１０１表面上に載置されることになる。
【０００６】
その際、搬送装置が昇降ピンに対してウェハＷを正確な位置に受け渡さないとウェハＷをウェハ載置位置１０３の正確な載置位置に載置できない。そのため、上記のようにガイド１０５を設け、搬送装置が昇降ピンに対してウェハＷを多少ずれた位置に対して受け渡したときでも、ウェハＷをガイド１０５を介してウェハ載置位置１０３の正確な載置位置に導かれるようにしている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、搬送装置が昇降ピンに対してウェハＷを受け渡した位置が相当ずれているときには、ウェハＷがガイド１０５の上に乗り上げてしまい、熱処理が正確に行われず製品不良が発生する。そして、このような不良の発生は後工程の検査工程で発見されるのが通常であり、しかもこのような搬送装置による昇降ピンに対するウェハＷの受け渡しの位置ずれは偶発的ではなく、連続的に発生することが多いことから、不良が発見されたときは既に相当数の不良が発生していることになり、その被害は甚大である。
【０００８】
本発明はかかる課題を解決するためになされもので、処理板上に搬送された基板が基板載置位置に正確に載置されていない状態等を迅速に検知し、加熱処理や冷却処理の際の不良を最小限に食い止めることができる技術を提供することを目的としている。
【０００９】
本発明の別の目的は、処理板上に搬送された基板の基板載置位置からのずれ位置を迅速に検出し、調整を迅速かつ正確に行うことができる技術を提供することを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
かかる課題を解決するため、本発明の処理装置は、基板が表面に載置され、載置された基板を加熱処理または冷却処理する処理板と、前記処理板上の基板載置位置を取り囲むように処理板上に設けられた基板案内用の案内部材と、前記処理板の所定の位置に設けられた温度センサと、前記処理板上に基板が載置された際の前記温度センサにより検出された温度が所定以上変化しないとき、異常が発生したものとみなす手段（例えば前記処理板上に基板が載置された際の前記温度センサにより検出された温度が所定以上変化しないとき、前記処理板上に搬送された基板が前記基板載置位置に正確に載置されていないものとみなす手段）とを具備することを特徴とする。
【００１１】
処理板上に搬送された基板が案内部材上に乗り上げて基板載置位置からずれると、基板が案内部材上に乗り上げた位置とは反対側の当該基板の端部が処理板表面と接触するだけで、当該基板は処理板上から浮いた状態となる。一方、例えば基板を加熱処理する処理板では、当該処理板上に基板が載置されると処理板が基板から熱を奪われ温度が一旦低下する。そして、基板が処理板上から浮いた状態となった場合、基板が基板載置位置に正確に載置された場合と比較すると、基板が処理板上に載置された際の温度の低下が小さくなる。本発明はかかる点に着目し、処理板上に基板が載置された際の温度センサにより検出された処理板の温度が所定以上変化しないとき、例えば処理板上に搬送された基板が基板載置位置に正確に載置されていないものとみなすことで、処理板上に搬送された基板が基板載置位置に正確に載置されていない状態を迅速に検知している。従って、本発明によれば、加熱処理や冷却処理の際の不良を最小限に食い止めることができる。
【００１２】
本発明の処理装置は、基板が表面に載置され、載置された基板を加熱処理または冷却処理する処理板と、前記処理板上の基板載置位置を取り囲むように処理板上に設けらた基板案内用の案内部材と、前記処理板の基板載置位置の中心から所定距離離れた位置に設けられた温度センサと、前記処理板上に基板が載置された際の前記温度センサにより検出された温度に基づき、前記処理板上に搬送された基板の前記基板載置位置からのずれ位置を推定する手段とを具備する。
【００１３】
処理板上に搬送された基板が案内部材上に乗り上げて基板載置位置からずれると、基板が案内部材上に乗り上げた位置とは反対側の当該基板の端部が処理板表面と接触するだけで、当該基板は処理板上から浮いた状態となる。一方、例えば基板を加熱処理する処理板では、当該処理板上に基板が載置されると処理板が基板から熱を奪われ温度が一旦低下する。そして、基板が処理板上から浮いた状態となった場合、基板が基板載置位置に正確に載置された場合と比較すると、基板が処理板上に載置された際の温度の低下が小さくなり、しかもこのような温度の低下は処理板上の位置に応じて異なる。例えば、基板が案内部材上に乗り上げた位置の近くとその反対側（基板が案内部材上に乗り上げた位置とは反対側の当該基板の端部が接触する位置の近く）とでは、基板が処理板上に載置された際の温度の低下が異なる。即ち、基板が案内部材上に乗り上げた位置の近くにおける基板と処理板との間隔は、その反対側における基板と処理板との間隔と比べると、より大きいため、基板が案内部材上に乗り上げた位置の近くにおける、基板が処理板上に載置された際の温度の低下はより小さい。本発明はかかる点に着目し、処理板上に基板が載置された際の処理板の所定位置における温度センサにより検出された温度に基づき、処理板上に搬送された基板の基板載置位置からのずれ位置を推定することで、処理板上に搬送された基板の基板載置位置からのずれ位置を迅速に検出し、調整を迅速かつ正確に行うことができるようにしたものである。
【００１４】
本発明の処理システムは、基板が表面に載置され、載置された基板を加熱処理または冷却処理する処理板と、前記処理板上の基板載置位置を取り囲むように処理板上に設けらた基板案内用の案内部材と、前記処理板のそれぞれ別個の位置に設けられた複数の温度センサと、前記処理板上に基板が載置された際の前記各温度センサにより検出された温度の差異に基づき、前記処理板上に搬送された基板の前記基板載置位置からのずれ位置を推定する手段とを具備する。
【００１５】
本発明では、処理板上に基板が載置された際の処理板における異なる位置に配置された各温度センサにより検出された温度の差異に基づき、処理板上に搬送された基板の基板載置位置からのずれ位置を推定することで、処理板上に搬送された基板の基板載置位置からのずれ位置を迅速に検出し、調整を迅速かつ正確に行うことができるようにしたものである。
【００１６】
本発明の処理システムは、基板が表面に載置され、載置された基板を加熱処理または冷却処理する処理板と、前記処理板上の基板載置位置を取り囲むように処理板上に設けらた基板案内用の案内部材と、前記処理板の所定の位置に設けられた温度センサと、前記処理板上に基板が載置された際の前記温度センサにより検出された温度が所定以上変化しないとき、前記処理板上に搬送された基板が前記基板載置位置に正確に載置されていないものとみなす手段とを具備する複数の処理装置と、少なくとも前記処理装置間で基板を受け渡しするための搬送装置と、１つの前記処理装置で前記処理板上に搬送された基板が前記基板載置位置に正確に載置されていないものとみなされたとき、当該処理装置による処理を禁止して残りの処理装置で処理を行わせる手段とを具備する。
【００１７】
本発明では、１つの処理装置で処理板上に搬送された基板が基板載置位置に正確に載置されていないものとみなされたとき、当該処理装置による処理を禁止して残りの処理装置で処理を行わせるようにしているので、加熱処理または冷却処理による不良が連続的に発生するのを防止することができ、しかもかかる不良が発生してもシステムを停止することなく通常の処理を続行できる。
【００１８】
本発明の処理システムは、基板が表面に載置され、載置された基板を加熱処理または冷却処理する処理板と、前記処理板上の基板載置位置を取り囲むように処理板上に設けらた基板案内用の案内部材と、前記処理板の所定の位置に設けられた温度センサと、前記処理板上に基板が載置された際の前記温度センサにより検出された温度が所定以上変化しないとき、前記処理板上に搬送された基板が前記基板載置位置に正確に載置されていないものとみなす手段とを具備する複数の処理装置と、少なくとも前記処理装置間で基板を受け渡しするための搬送装置と、１つの前記処理装置で前記処理板上に搬送された基板が前記基板載置位置に正確に載置されていないものと連続してみなされたとき、当該処理装置による処理を禁止して残りの処理装置で処理を行わせる手段とを具備する。
【００１９】
本発明では、１つの処理装置で処理板上に搬送された基板が基板載置位置に正確に載置されていないものと連続してみなされたとき、当該処理装置による処理を禁止して残りの処理装置で処理を行わせるようにしているので、加熱処理または冷却処理による不良が連続的に発生するのを防止することができ、しかもかかる不良が発生してもシステムを停止することなく通常の処理を続行でき、更に偶発的に処理板上に搬送された基板が基板載置位置に正確に載置されていなかったときには当該処理装置による処理が禁止されるこはなくなる。
【００２０】
本発明の処理システムは、基板が表面に載置され、載置された基板を加熱処理または冷却処理する処理板と、前記処理板上の基板載置位置を取り囲むように処理板上に設けらた基板案内用の案内部材と、前記処理板の所定の位置に設けられた温度センサと、前記処理板上に基板が載置された際の前記温度センサにより検出された温度が所定以上変化しないとき、前記処理板上に搬送された基板が前記基板載置位置に正確に載置されていないものとみなす手段とを具備する複数の処理装置と、少なくとも前記処理装置間で基板を受け渡しするための搬送装置と、１つの前記処理装置で前記処理板上に搬送された基板が前記基板載置位置に正確に載置されていないものとみなされたとき、当該処理装置による処理された基板にマーキングを施す手段とを具備する。
【００２１】
本発明では、１つの処理装置で処理板上に搬送された基板が基板載置位置に正確に載置されていないものとみなされたとき、当該処理装置による処理された基板にマーキングを施すようにしているので、加熱処理または冷却処理による不良が発生してもシステムを停止することなく通常の処理を続行でき、しかも不良基板を正常基板から容易に区分することができる。なお、ここで、マーキングとは、基板に実際に直接付されるマーキングの他、ソフトウェア上で正常基板から区別できるように不良基板にマーキングするような場合も含まれる。
【００２２】
本発明は、基板が表面に載置され、載置された基板を加熱処理または冷却処理する処理板と、前記処理板上の基板載置位置を取り囲むように処理板上に設けらた基板案内用の案内部材とを具備する処理装置内で、前記処理板上に搬送された基板が前記基板載置位置に正確に載置されているかどうか判別する方法であって、前記処理板の所定位置の温度を検出する工程と、前記検出された温度が所定以上変化しないとき、前記処理板上に搬送された基板が前記基板載置位置に正確に載置されていないものとみなす工程とを具備する。
【００２３】
本発明は、基板が表面に載置され、載置された基板を加熱処理または冷却処理する処理板と、前記処理板上の基板載置位置を取り囲むように処理板上に設けらた基板案内用の案内部材とを具備する処理装置内で、前記処理板上に搬送された基板の前記基板載置位置からのずれ位置を検出する方法であって、前記処理板の所定位置の温度を検出する工程と、前記検出された温度に基づき、前記処理板上に搬送された基板の前記基板載置位置からのずれ位置を推定する工程とを具備する。
【００２４】
本発明は、基板が表面に載置され、載置された基板を加熱処理または冷却処理する処理板と、前記処理板上の基板載置位置を取り囲むように処理板上に設けらた基板案内用の案内部材とを具備する処理装置内で、前記処理板上に搬送された基板の前記基板載置位置からのずれ位置を検出する方法であって、前記処理板の複数位置の温度を検出する工程と、前記検出された複数位置での温度の差異に基づき、前記処理板上に搬送された基板の前記基板載置位置からのずれ位置を推定する工程とを具備する。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、半導体ウェハに化学増幅型レジストを塗布し、現像するレジスト塗布現像システムに本発明を適用した実施形態を図面に基づき説明する。
【００２６】
図１はこの実施形態に係るレジスト塗布現像システムの平面図、図２は図１に示したレジスト塗布現像システムの正面図、図３は図１に示したレジスト塗布現像システムの背面図、図４は図１に示したレジスト塗布現像システムにおける空気の流れを示す正面図である。
【００２７】
図１に示すように、このレジスト塗布現像システム１は、カセットステーション１０、処理ステーション１１及びインターフェイス部１２を一体に接続した構成を有している。カセットステーション１０では、ウェハＷがカセットＣ単位で複数枚、例えば２５枚単位で外部からレジスト塗布現像システム１に搬入され、またレジスト塗布現像システム１から外部に搬出される。また、カセットＣに対してウェハＷが搬出・搬入される。処理ステーション１１では、塗布現像処理工程の中で１枚ずつウェハＷに所定の処理を施す枚葉式の各種処理ユニットが所定位置に多段に配置されている。インターフェイス部１２では、このレジスト塗布現像システム１に隣接して設けられる露光装置１３との間でウェハＷが受け渡される。
【００２８】
カセットステーション１０では、カセット載置台２０上の位置決め突起２０ａの位置に複数個、例えば４個のカセットＣが、それぞれのウェハＷ出入口を処理ステーション１１側に向けてＸ方向（図１中の上下方向）一列に載置される。このカセットＣ配列方向（Ｘ方向）およびカセットＣ内に収容されたウェハＷのウェハＷ配列方向（Ｚ方向；垂直方向）に移動可能なウェハ搬送装置２１が、搬送路２１ａに沿って移動自在であり、各カセットＣに選択的にアクセスする。
【００２９】
ウェハ搬送装置２１は、θ方向に回転自在に構成されており、後述するように処理ステーション１１側の第３の処理装置群Ｇ３の多段ユニット部に属するアライメントユニット（ＡＬＩＭ）およびエクステンションユニット（ＥＸＴ）にもアクセスできるようになっている。
【００３０】
処理ステーション１１では、図１に示すように、その中心部には垂直搬送型の搬送装置２２が設けられ、その周りに処理室としての各種処理ユニットが１組または複数の組に亙って多段集積配置されて処理ユニット群を構成している。このレジスト塗布現像システム１においては、５つの処理ユニット群Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４、Ｇ５が配置可能な構成であり、第１および第２の処理ユニット群Ｇ１、Ｇ２はシステム正面側に配置され、第３の処理ユニット群Ｇ３はカセットステーション１０に隣接して配置され、第４の処理ユニット群Ｇ４はインターフェイス部１２に隣接して配置され、さらに破線で示した第５の処理ユニット群Ｇ５を背面側に配置することが可能となっている。搬送装置２２は、θ方向に回転自在でＺ方向に移動可能に構成されており、各処理ユニットとの間でウェハＷの受け渡しが可能とされている。
【００３１】
第１の処理ユニット群Ｇ１では、図２に示すように、カップＣＰ内でウェハＷをスピンチャックに載せて所定の処理を行う２台のスピンナ型処理ユニット、例えばレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）および現像処理ユニット（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ねられている。そして第１の処理ユニット群Ｇ１と同様に、第２の処理ユニット群Ｇ２においても、２台のスピンナ型処理ユニット、例えばレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）及び現像処理ユニット（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ねられている。
【００３２】
第３の処理ユニット群Ｇ３では、図３に示すように、ウェハＷを載置台（図示せず）に載せて所定の処理を行うオーブン型の処理ユニット、例えば冷却処理を行う冷却処理ユニット（ＣＯＬ）、レジストの定着性を高めるためのいわゆる疎水化処理を行うアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）、位置合わせを行うアライメントユニット（ＡＬＩＭ）、エクステンションユニット（ＥＸＴ）、プリベークを行う加熱処理ユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）及びポストベークを行う加熱処理ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が下から順に、例えば８段に重ねられている。
【００３３】
同様に、第４の処理ユニット群Ｇ４では、ウェハＷを載置台に載せて所定の処理を行うオーブン型の処理ユニット、例えば冷却処理を行う冷却処理ユニット（ＣＯＬ）、冷却処理も兼ねたエクステンション・冷却処理ユニット（ＥＸＴＣＯＬ）、エクステンションユニット（ＥＸＴ）、アドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）、プリベークを行う加熱処理ユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）及びポストベークを行う加熱処理ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が下から順に、例えば８段に重ねられている。
【００３４】
インターフェイス部１２では、図１に示すように、奥行き方向（Ｘ方向）については、上記処理ステーション１１と同じ寸法を有するが、幅方向についてはより小さなサイズに設定されている。図１及び図２に示すように、このインターフェイス部１２の正面側には、可搬性のピックアップカセットＣＲと、定置型のバッファカセットＢＲが２段に配置され、他方背面部には周辺露光装置２４が配設されている。
【００３５】
インターフェイス部１２の中央部には、ウェハ搬送装置２５が設けられている。ウェハ搬送装置２５は、Ｘ方向、Ｚ方向（垂直方向）に移動して両カセットＣＲ、ＢＲ及び周辺露光装置２４にアクセスできるようになっている。ウェハ搬送装置２５は、θ方向にも回転自在となるように構成されており、処理ステーション１１側の第４の処理ユニット群Ｇ４に属するエクステンションユニット（ＥＸＴ）や、さらには隣接する露光装置側のウェハ受け渡し台（図示せず）にもアクセスできるようになっている。
【００３６】
図４に示すように、カセットステーション１０の上部にはフィルタ２６が、処理ステーション１１の上部にはフイルタ２７が、インタフェース部１２の上部にはフィルタ２８がそれぞれ取り付けられている。これらのフィルタは上部空間２９を共有している。この上部空間２９はダクト（図示を省略）を介して下方の空調装置（図示を省略）に連通し、アンモニアを除去し、湿度及び温度が制御された清浄空気が空調装置から上部空間２９に供給されるようになっている。清浄空気は、上部空間２９から各フィルタを通って下方に向けて吹き出され、これにより清浄空気のダウンフローが各部１０、１１、１２に形成されるようになっている。
【００３７】
図５は上述した加熱処理ユニットの正面図、図６はその平面図である。
【００３８】
図５及び図６に示すように、上記の加熱処理ユニットのほぼ中央には、ウェハＷを加熱処理するための処理板としてのホットプレート３１が配置されている。このホットプレート３１では、例えばウェハＷより少し大きな直径で円形状の保持板３２の裏面側に、例えばこの保持板３２とほぼ同形状の発熱素子３３、例えばヒーター或いはペルチェ素子等が保持板３２と密着するように配置されている。発熱素子３３は、例えば電流が流されることで発熱する抵抗体により構成され、制御機構としての制御部４０によりこの電流値が制御されることで加熱処理のための温度が制御されるようになっている。
【００３９】
ホットプレート３１の表面と裏面との間に、複数カ所、例えば３カ所に貫通穴３４が設けられている。これら貫通穴３４には、それぞれ、ウェハＷの受け渡しのための複数本、例えば３本の支持ピン３５が出没可能に介挿されている。これら支持ピン３５は、保持板３２の裏面側に配置された結合部材３６により、保持板３２の裏面側で一体に結合されている。結合部材３６は、保持板３２の裏面側に配置された昇降機構３７に接続されている。昇降機構３７の昇降動作により、支持ピン３５は保持板３２の表面から突き出たり、没したりする。支持ピン３５は、保持板３２の表面から突き出た状態で、搬送装置２２との間でウェハＷの受け渡しを行う。搬送装置２２からウェハＷを受け取った支持ピン３５は、下降して保持板３２内に没し、これによりウェハＷが保持板３２の表面に密着し、ウェハＷの加熱処理が行われるようになっている。
【００４０】
保持板３２の上方には、保持板３２により保持されるウェハＷを覆うように、蓋体５１が配置されている。蓋体５１は、図示を省略した昇降機構により昇降可能とされている。該ユニット内では、蓋体５１が上昇し蓋体５１が開いた状態で、搬送装置２２との間でウェハＷの受け渡しを行い、蓋体５１が下降し蓋体５１が閉じた状態で、密閉空間を形成し、ウェハＷの加熱処理が行われるようになっている。
【００４１】
蓋体５１は、そのほぼ中央に向かって上向きに傾斜する構造を有し、そのほぼ中央、つまり保持板３２により保持されたウェハＷのほほ中央に対応する位置に排気口５２が設けられている。排気口５２には、真空ポンプ等の排気装置５３が接続され、密閉空間内の排気が行われるようになっている。
【００４２】
また、ホットプレート３１の周囲には、ホットプレート３１を取り囲むようにシャッター部材５４が出没可能に配置されている。シャッター部材５４は、ホットプレート３１の裏面に配置された昇降機構５５により昇降されるようになっている。さらに、シャッター部材５４の内壁には、例えば高温の不活性ガスを噴出するための噴出孔５６が多数設けられている。噴出孔５６は噴出孔５６へ高温ガスを供給する高温ガス供給装置１０６に接続されている。保持板３２上にウェハＷを保持し、ウェハＷを加熱処理するとき、シャッター部材５４がホットプレート３１表面から突き出て、噴出孔５６から保持板３２上に保持されたウェハＷの表面に向けて高温ガスが噴出されるようになっている。
【００４３】
ここで、加熱処理ユニット内でウェハＷの加熱処理を良好に行うためには、ウェハＷは温度分布のばらつきが少ないホットプレート３１上のほぼ中心に載置される必要がある。このようにホットプレート３１上でウェハＷが本来載置されるべき位置を基板載置位置と呼び、図６中点線で囲まれた領域４１が基板載置位置である。
【００４４】
そして、ウェハＷをホットプレート３１上に密着することなくホットプレート３１上で浮かせて、つまりホットプレートとウェハＷとが直接接しないように所定の間隔にホットプレート３１上にウェハＷを離間して保持するためのプロキシミティシート４２’が基板載置位置４１の外周部の複数カ所、例えば６カ所に配置され、更に基板載置位置４１の中央にプロキシミティピン４２が配置されている。
【００４５】
また、基板載置位置４１の外周部に配置されたプロキシミティシート４２’は、それぞれ基板載置位置４１の外側に延在しており、各プロキシミティシート４２’の延在した位置には、それぞれ基板案内用の案内ガイド４３が配置されている。従って、本実施の形態においては、６個の案内ガイド４３が基板載置位置４１を取り囲むようにホットプレート３１上に設けられている。案内ガイド４３は例えば断面が矩形で、高さ（少なくとも基板載置位置４１側の壁面のほぼ垂直部分の高さ）が１ｍｍを越えるもの、より好ましくは３ｍｍ前後とされている。
【００４６】
また、基板載置位置４１の中央から所定距離離れた位置、例えば基板載置位置４１の外周に近い位置には、ホットプレート３１の裏面から表面に向けて所定の深さの有底の穴３８が設けられている。この穴３８の底部（穴３８内で保持板３２の表面に最も近い位置）には、例えば熱伝対である温度センサ３９が配置されている。この温度センサ３９による検出結果は制御部４０に送られるようになっており、制御部４０ではこの検出結果に基づき発熱機構としての発熱素子３３に対する電流の制御や後述するウェハＷ載置不良の検出等が行われる。また、制御部４０には、警報等を発するためのスピーカや表示部（図示を省略）が接続されている。その際、表示部では、処理をそのまま続行するかどうかを作業者に提示し、作業者からはこの提示に応じて図示を省略したキーボードや入力部を兼ねる表示部等から作業の続行を指示してもよいし、処理を中断するようにしてもよい。そして、加熱処理を中断するようにすれば、後述する搬送装置２２と支持ピン３５との位置ずれを即座に修正することができる。また、そのまま処理を続行すればシステムにおけるスループットを落とさずに処理を行うことができる。ただし、この場合、加熱不良のウェハＷが良品と混在してシステム内を流れることになる。そこで、このように処理を続行するような場合にはウェハＷに対して不良であることを示すマーキングを行うようにすればよい。このようなマーキング方法としては、実際にウェハＷに対してマーキングを行う他、ソフトウェア上で良品から区別できるように不良ウェハＷにマーキングするように構成しても構わない。
【００４７】
次に、このように構成された加熱処理装置の動作を図７〜図１０に基づき説明する。
【００４８】
まず、図７に示すように、ホットプレート３１の表面から支持ピン３５が突き出た状態で、搬送装置２２から支持ピン３５上にウェハＷが受け渡される。
【００４９】
次に、図８に示すように、搬送装置２２からウェハＷを受け取った支持ピン３５が下降してホットプレート３１内に没入し、これによりウェハＷがホットプレート３１上に載置される。そして、ウェハＷの加熱処理が行われるようになっている。
【００５０】
その後、ウェハＷの加熱処理が終了すると、再び支持ピン３５が突き出て、搬送装置２２が支持ピン３５上に載置されたウェハＷを受け取る。
【００５１】
図７は及び図８は搬送装置２２と支持ピン３５との間でのウェハＷの受け渡しが位置ずれすることなく行われ、ウェハＷがホットプレート３１の基板載置位置４１内に正確に載置された例を示している。
【００５２】
ところが、図９に示すように、搬送装置２２から支持ピン３５へウェハＷを受け渡す際に、ウェハＷが支持ピン３５上の所望の位置（点線で示す。）からずれた位置に受け渡されると、その後支持ピン３５が下降してホットプレート３１内に没入したときに、図１０に示すように、ウェハＷは基板載置位置４１内に正確に載置されずに案内ガイド４３上に乗り上げてしまう。
【００５３】
図１１は加熱処理の際に温度センサ３９により検出されるホットプレート３１の温度変化を示している。図１１▲１▼は図８に示したようにウェハＷがホットプレート３１の基板載置位置４１内に正確に載置されたときの温度変化、図１１▲２▼は図１０に示したようにウェハＷは基板載置位置４１内に正確に載置されずに案内ガイド４３上に乗り上げたときの温度変化を示している。この図から分かるように、ウェハＷがホットプレート３１の基板載置位置４１内に正確に載置されたときとウェハＷが基板載置位置４１内に正確に載置されずに案内ガイド４３上に乗り上げたときとでは、温度変化が異なる。具体的には、前者が後者と比べ温度が一旦より大きく下がる。これは、ウェハＷが基板載置位置４１内に正確に載置された方がこれらの間の近接面積が大きくホットプレート３１から奪う熱量が大きいからである。
【００５４】
そこで、本実施形態では、制御部４０がこのような温度変化の差異に基づき図１０に示したようなウェハＷの載置不良の検出を行っている。即ち、制御部４０では、温度センサ３９からホットプレート３１の温度検出結果を入力しており、ホットプレート３１上にウェハＷが載置されたときにホットプレート３１が所定のしきい値以下、図１１の例でいうと例えば８９℃以下になったときに、図８に示したようにウェハＷがホットプレート３１の基板載置位置４１内に正確に載置されたものとみなし、ホットプレート３１上にウェハＷが載置されたときにホットプレート３１が所定のしきい値以上、図１１の例でいうと例えば８９℃以上になったときに、図１０に示したようにウェハＷが基板載置位置４１内に正確に載置されずに案内ガイド４３上に乗り上げたものとみなしている。そして、ウェハＷが案内ガイド４３上に乗り上げたものとみなしたときには、スピーカや表示部より警報を発している。なお、所定のしきい値としては、上記のように絶対温度としてもよいし、ウェハＷが載置される以前のホットプレート３１の温度を基準としてその基準温度からの低下温度としてもよい。
【００５５】
このように本実施形態の加熱処理装置では、ホットプレート３１上にウェハＷが載置されたときにホットプレート３１の温度が所定のしきい値以上になったときに、ウェハＷが案内ガイド４３上に乗り上げたものとみなし、スピーカや表示部より警報を発しているので、ホットプレート３１上に搬送されたウェハＷが基板載置位置４１に正確に載置されていない状態を迅速に検知し、加熱処理の不良を最小限に食い止めることができる。また、温度センサ３９はホットプレート３１の温度制御のために従来から必要なデバイスであるので、特別なハード構成を必要とせずに、上記の効果を奏する。
【００５６】
また、本実施形態では、特にウェハＷを基板載置位置４１内に案内するための案内ガイド４３の断面が矩形でその高さが３ｍｍ前後とされているので、ウェハＷが基板載置位置４１内に正確に載置されずに案内ガイド４３上に乗り上げたときのホットプレート３１の低下温度がより小さくなる。即ち、ウェハＷがホットプレート３１の基板載置位置４１内に正確に載置されたときとウェハＷが基板載置位置４１内に正確に載置されずに案内ガイド４３上に乗り上げたときとの温度低下の差異がより大きくなる。従って、これらの状態の差異をより明確に区別できて誤検出がなくなると共に、上記のしきい値の調整が容易となる。しかしながら、本発明では、図１２に示すように、案内ガイド４３が基板載置位置４１内に向けてウェハ案内用の斜面４３ａを有し、その高さを１ｍｍ以下とするように構成しても勿論構わない。そして、このような案内ガイド４３がウェハ案内用の斜面４３ａを有することで基板載置位置４１内へのウェハＷの案内をより確実に行うことができる。
【００５７】
次に、本発明の他の実施形態を説明する。
【００５８】
ここで、図１３に示すように、ウェハＷが案内ガイド４３上に乗り上げた位置が異なると（例えば図中実線のウェハＷと点線のウェハＷの如く。）、図１４に示すように、ウェハＷが乗り上げた位置に応じて温度変化が異なる。例えば、図１３の実線で示す場合の方（図１４▲１▼）が図１３の点線で示した場合（図１４▲２▼）と比べて温度変化が大きい。つまり、前者が後者と比べ温度が一旦より大きく下がる。
【００５９】
そこで、本実施形態では、制御部４０がこのような温度変化の差異に基づきホットプレート３１上に搬送されたウェハＷの基板載置位置４１からのずれ位置を推定し、この推定結果を例えば表示部４５に表示している。従って、例えば作業者は、この表示内容に基づいて搬送装置２２と支持ピン３５との位置ずれを簡単に修正することができる。また、このように推定されたずれ位置に応じて搬送装置２２と支持ピン３５との位置ずれを自動的に修正しても構わない。
【００６０】
なお、ホットプレート３１上の複数の位置、より好ましくは３カ所以上例えば図１５に示すように３カ所に温度センサ３９を配置し、複数位置での検出結果を用いることで、より正確にホットプレート３１上のウェハＷのずれ位置を推定することができる。
【００６１】
次に、本発明の更に別の実施形態を説明する。
【００６２】
この実施形態は、本発明を図１乃至図４に示した塗布現像処理システムにおける冷却処理ユニットに適用したものである。図１６は冷却処理ユニットにおける冷却プレートの構成を示す正面図であり、前述の加熱処理ユニットとほぼ同様の構成を有する。
【００６３】
即ち、図１６に示すように、上記の冷却処理ユニットのほぼ中央には、ウェハＷを冷却処理するための処理板としての冷却プレート６１が配置されている。この冷却プレート６１内には、例えば多数のペルチェ素子６２が埋め込まれている。そして、制御部（図示を省略）によりペルチェ素子６２に流れる電流値が制御されることで冷却処理のための温度が制御されるようになっている。
【００６４】
冷却プレート６１の表面と裏面との間に、複数カ所、例えば３カ所に貫通穴６４が設けられている。これら貫通穴６４には、それぞれ、ウェハＷの受け渡しのための複数本、例えば３本の支持ピン６５が出没可能に介挿されている。これら支持ピン６５は、冷却プレート６１の裏面側に配置された結合部材６６により、冷却プレート６１の裏面側で一体に結合されている。結合部材６６は、冷却プレート６１の裏面側に配置された昇降機構６７に接続されている。昇降機構６７の昇降動作により、支持ピン６５は冷却プレート６１の表面から突き出たり、没したりする。なお、冷却プレート６１の上方には、図示を省略した昇降可能な蓋体が配置されている。
【００６５】
そして、プロキシミティシート７２’が基板載置位置７１の外周部の複数カ所、例えば６カ所に配置され、更に基板載置位置７１の中央に配置されている。基板載置位置７１の外周部に配置されたプロキシミティシート７２’は、それぞれ基板載置位置７１の外側に延在しており、各プロキシミティシート７２’の延在した位置には、それぞれ基板案内用の案内ガイド７３が配置されている。
【００６６】
また、基板載置位置７１の中央から所定距離離れた位置、その裏面より有底の穴７８が設けられており、この穴７８の底部には温度センサ７９が配置されている。この温度センサ７９による検出結果は制御部に送られるようになっている。
【００６７】
そして、制御部が冷却プレート６１の温度変化の差異に基づきウェハＷの載置不良の検出を行っている。即ち、制御部では、温度センサ７９から冷却プレート６１の温度検出結果を入力しており、冷却プレート６１上にウェハＷが載置されたときに冷却プレート６１が所定のしきい値以上となったときに、ウェハＷが冷却プレート６１の基板載置位置７１内に正確に載置されたものとみなし、冷却プレート６１上にウェハＷが載置されたときに冷却プレート６１が所定のしきい値以下であったときに、ウェハＷが基板載置位置７１内に正確に載置されずに案内ガイド７３上に乗り上げたものとみなしている。そして、ウェハＷが案内ガイド７３上に乗り上げたものとみなしたとき、支持ピン６５を一旦昇降してウェハＷを冷却プレート６１から浮かして再び支持ピン６５を下降してウェハＷを冷却プレート６１表面に戻し、これによりウェハＷが冷却プレート６１の基板載置位置７１内に正確に載置される試みをしている。そして、再試行してもウェハＷが冷却プレート６１の基板載置位置７１内に正確に載置されないときに警報等を発している。
【００６８】
従って、本実施形態の冷却処理ユニットでは、ウェハＷの冷却不良を激減することができる。特に、加熱処理の場合にはそれまでの熱履歴が重要であることから、一旦加熱処理した不良品を再度加熱処理しても良品化することは非常に困難であるが、冷却処理では熱履歴はそれ程問題とならないので、本実施形態の如く位置決めを再試行し、正しい基板載置位置７１内で再度冷却処理することは有効である。
【００６９】
なお、位置決めの再試行の手段としては、例えば冷却プレート６１に振動を付与する振動装置を設けても良いし、支持ピンを３５を少なくとも１回以上上下動させるように構成しても構わない。
【００７０】
また、前述の加熱処理ユニットの場合と同様に、冷却処理ユニットにおいてもずれ位置の推定を行うように構成しても構わない。
【００７１】
次に、本発明の他の実施形態を説明する。
【００７２】
ここで、図１７に示すように、搬送されたウェハＷの裏面にパーティクル等のゴミ８０が付着、或いはホットプレート３１上にゴミ８０が付着していた場合、前述のような案内ガイド４３上に乗り上げた位置が異なるのと同様にホットプレート３１の温度センサー３９による温度検出にバラツキが生ずることとなる。
【００７３】
このような要因は他に図１８に示すように、ウェハＷ自体の形状の変化、例えばそり８１等の凸凹が発生している場合において、他の正常なフラットなウエハＷに比べホットプレート３１の温度センサー３９による温度検出にバラツキが生ずることとなる。
【００７４】
このような要因でのウェハＷの温度処理の不具合は、搬送装置２２又は支持ピン３５とウェハＷの位置ずれを自動的に修正が容易に出来できうるものではないのであるので、例えば図１９に示すようなシーケンスにて判断することが可能である。すなわち、ホットプレート３１上にウエハＷを搬送した際に複数の温度センサー３９により温度検出にバラツキが生ずるか否かを判断する（ステップ８２）。このときのバラツキ量が所定の量以下であれば正常とみなすことが出来るので終了する。
【００７５】
一方、バラツキ量が所定の量以上であれば異常であるので所定回数ループ処理（ステップ８３）を繰り返す、この繰り返しにおいて、搬送装置２２又は支持ピン３５によりウェハＷの位置ずれを修正する動作（ステップ８７）を所定回数、例えば３回（カウンター値３）行う。
【００７６】
この所定回数の間にホットプレート３１上にウエハＷを搬送した際の複数の温度センサー３９による温度検出バラツキ量が所定の量以下、つまり正常とみなしても良い状態となればカウンターの値を０にし（ステップ８５）、搬送装置２２によるウェハＷの搬送の位置ずれから次のウェハＷを搬送する位置情報を校正して記憶し動作を終了する。
【００７７】
また、所定回数ループ処理（ステップ８３）を繰り返しても、バラツキ量が所定の量以上である場合、つまり搬送装置２２又は支持ピン３５によりウェハＷの位置ずれを修正出来ない要因に起因する原因（例えば前述のようなパーティクルの付着によるもの或いはウエハＷの形状或いは搬送装置２２又は支持ピン３５の動作不良等）であるとみなし、ルート８４に進み異常対応（ステップ８８）を行いカウンターの値を０にし（ステップ８５）、終了する。
【００７８】
前述の異常対応（ステップ８８）においては、例えば前述のように警報を作業員等に発してもよいし、さらにそのウエハＷは実質的に処理が不完全であるのでそのウエハＷは不具合として情報を記憶し、また所定の手段、例えば表示で見れたり、通信等で外部にその情報を伝達するようにするのが好ましい。これにより不完全なウエハＷをこの処理の後工程で処理することなくカセットＣ等に排出したりでき、処理の無駄を省くことが可能となる。
【００７９】
次に、本発明の他の実施形態を説明する。
【００８０】
ホットプレート３１上にウエハＷを搬送した際の温度センサー３９による温度検出は、例えば図２０に示すようにしきい値を例えば、８９℃とした場合、温度検出値が第１の領域９０に存在する場合を正常とみなし、温度検出値が第２の領域９１に存在する場合を搬送装置２２又は支持ピン３５によりウェハＷの位置ずれを修正出来ない要因に起因する原因（前述のようにパーティクル等の原因）によるものとみなし、温度検出値が第３の領域９２に存在する場合を搬送装置２２又は支持ピン３５によりウェハＷの位置ずれを修正出来る要因に起因する原因（例えば案内ガイド３４等にウェハＷが乗り上げている場合等）によるものとみなすものである。
【００８１】
第２の領域９１と第３の領域９２との差は、ホットプレート３１とウエハＷとの間の距離にも比例し、案内ガイド３４等にウェハＷが乗り上げている場合のホットプレート３１とウエハＷとの間の距離はパーティクル等の原因等によるホットプレート３１とウエハＷとの間の距離より大きいため、その分ある程度温度に差が生じるのを区別するものである。
【００８２】
このような領域における温度センサー３９による温度検出値で搬送装置２２又は支持ピン３５によりウェハＷの位置ずれを修正するのか、それともウェハＷの位置ずれを修正出来ない要因に起因する原因によるものかを判断することにより毎回、搬送装置２２又は支持ピン３５によりウェハＷの位置ずれを修正することなく正確に異常時の対応動作を行うことが可能となる。これにより処理のスループット或いは装置の稼働率を向上することが可能となる。
【００８３】
次に、本発明の他の実施形態を説明する。
【００８４】
図２１は、ホットプレート３１の発熱素子３３、例えばヒーターを径方向に複数例えば四つＨ１〜Ｈ４備えた例である。これらの発熱素子３３には、温度センサー３９が各１つ以上設けられ、領域毎に温度を検出することが出来るよう構成されている。
【００８５】
このような、発熱素子３３を複数設けるのは発熱素子３３を一つ設けたシステムに比べてよりウェハＷの温度の面内均一性をコントロールすることが出来るものである。
【００８６】
このような構成において、ホットプレート３１上にウェハＷが搬送された際に前述したしきい値以下に温度が低下するか否か或いは所定の領域に温度が低下したか否かによって各温度センサー３９の情報に基づいて判断しても良いが、例えばホットプレート３１の各発熱素子３３毎の面積に対する総発熱量と各発熱素子３３毎に対応し熱を一時的に奪うウェハＷの面積当たりの熱の消費量とが各発熱素子３３Ｈ１〜Ｈ４で異なることが考えられる。したがって温度の低下点が正常な領域に存在するか否かについては、図２２に示すように異なる領域Ｚ１〜Ｚ４を設定し、対応するのが好ましい。この異なる領域Ｚ１〜Ｚ４を設定し、各Ｚ１〜Ｚ４毎に図２０にて説明したように、ウェハＷの位置ずれを修正出来ない要因に起因する原因によるものか否を判断する領域を設定しても良い。
【００８７】
更に、前述の実施形態の如くレジスト塗布現像システム１内に複数の加熱処理ユニット（或いは冷却処理ユニット）が設けられた場合には、次のように構成する。
【００８８】
例えば、１つの加熱処理ユニットでホットプレート上に搬送されたウェハＷが基板載置位置に正確に載置されていないものとみなされたときには、該加熱処理ユニットによる加熱処理を禁止して以降残りの加熱処理ユニットで加熱処理を行わせるように構成する。これにより、加熱処理による不良が連続的に発生するのを防止することができ、しかもかかる不良が発生してもシステムを停止することなく通常の加熱処理を続行できる。
【００８９】
また、このような加熱処理ユニットによる加熱処理の禁止は連続的にウェハＷが基板載置位置に正確に載置されていないものとみなされたときだけ行うようにしてもよい。これにより、加熱処理による不良が連続的に発生するのを防止することができ、しかもかかる不良が発生してもシステムを停止することなく通常の加熱処理を続行でき、更に偶発的にホットプレート上に搬送されたウェハＷが基板載置位置に正確に載置されていなかったときには当該加熱処理ユニットによる加熱処理が禁止されるこはなくなる。
【００９０】
更に、上記の実施の形態においては、警報等を発するための手段としてスピーカや表示部が制御部４０に接続されているとしたが、本発明はかかる例には限定されず、例えば制御部４０に警報情報として記憶媒体、例えばハードデイスク或いはＲＡＭ等の記憶メモリー或いはフロッピーディスク等に記憶しておいても良いし、装置外部のＣＰＵに対して警報情報を所定の通信により発するようにしても良い。
【００９１】
更に、上記の実施の形態においては、複数位置での温度を検出する温度センサ３９を配置したが、複数ではなく一箇所での検出でもよいことに言うまでも無く発明はかかる例には限定されない。
【００９２】
更に、上記の実施の形態においては、基板にウェハＷを用いた例について説明したが、本発明はかかる例には限定されず、例えばＬＣＤ基板を使用する例についても適用が可能である。
【００９３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、処理板上に搬送された基板が基板載置位置に正確に載置されていない状態等を迅速に検知し、加熱処理や冷却処理の際の不良を最小限に食い止めることができる。また、本発明によれば、処理板上に搬送された基板の基板載置位置からのずれ位置を迅速に検出し、調整を迅速かつ正確に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係るレジスト塗布現像システムの平面図である。
【図２】図１に示したレジスト塗布現像システムの正面図である。
【図３】図１に示したレジスト塗布現像システムの背面図である。
【図４】図１に示したレジスト塗布現像システムにおける空気の流れを示す正面図である。
【図５】図３に示した加熱処理ユニットを示す正面図である。
【図６】図５に示した加熱処理ユニットの平面図である。
【図７】本発明の一実施形態に係る加熱処理ユニットの動作（その１）の説明図である。
【図８】本発明の一実施形態に係る加熱処理ユニットの動作（その２）の説明図である。
【図９】本発明の一実施形態に係る加熱処理ユニットの動作（その３）の説明図である。
【図１０】は本発明の一実施形態に係る加熱処理ユニットの動作（その４）の説明図である。
【図１１】本発明の一実施形態における加熱処理ユニットでの温度変化を示す図である。
【図１２】本発明の他の実施形態に係る加熱処理ユニットの説明図である。
【図１３】本発明の更に別の実施形態に係る加熱処理ユニットの説明図である。
【図１４】本発明の更に別の実施形態に係る加熱処理ユニットでの温度変化を示す図である。
【図１５】本発明のまた更に別の実施形態に係る加熱処理ユニットの平面図である。
【図１６】本発明のまた別の実施形態に係る冷却処理ユニットの正面図である。
【図１７】本発明のまた別の実施形態に係る加熱処理ユニットの断面図である。
【図１８】本発明のまた別の実施形態に係る加熱処理ユニットの断面図である。
【図１９】本発明の一実施形態における動作を説明する処理フロー図である。
【図２０】本発明のまた別の実施形態における加熱処理ユニットでの温度変化を示す図である。
【図２１】本発明の更に別の実施形態に係る加熱処理ユニットの説明図である。
【図２２】本発明のまた別の実施形態における加熱処理ユニットでの温度領域を示す図である。
【図２３】従来技術を説明するための加熱処理ユニットの概略的な正面図である。
【符号の説明】
Ｗ      ウェハ
２２    搬送装置
３１    ホットプレート
３５    支持ピン
３９    温度センサ
４０    制御部
４１    基板載置位置
４３    案内ガイド
６１    冷却プレート
６５    支持ピン
７１    基板載置位置
７３    案内ガイド
７９    温度センサ
【図１】
0003577436.tif 000002
【図２】
0003577436.tif 000003
【図３】
0003577436.tif 000004
【図４】
0003577436.tif 000005
【図５】
0003577436.tif 000006
【図６】
0003577436.tif 000007
【図７】
0003577436.tif 000008
【図８】
0003577436.tif 000009
【図９】
0003577436.tif 000010
【図１０】
0003577436.tif 000011
【図１１】
0003577436.tif 000012
【図１２】
0003577436.tif 000013
【図１３】
0003577436.tif 000014
【図１４】
0003577436.tif 000015
【図１５】
0003577436.tif 000016
【図１６】
0003577436.tif 000017
【図１７】
0003577436.tif 000018
【図１８】
0003577436.tif 000019
【図１９】
0003577436.tif 000020
【図２０】
0003577436.tif 000021
【図２１】
0003577436.tif 000022
【図２２】
0003577436.tif 000023
【図２３】
0003577436.tif 000024