【事件の表示】
　平成　８年特許願第　７６６０４号「熱分解窒化硼素容器」拒絶査定不服審判事件〔平成　９年１０月　７日出願公開，特開平　９−２６３４５４〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明　
　本件出願は，平成８年３月２９日の出願であって，平成１８年４月１４日付けで拒絶理由が通知され（発送日は平成１８年４月２４日），平成１８年６月２３日付けで意見書及び手続補正書が提出され，平成１８年７月１２日付けで拒絶査定がなされ（発送日は平成１８年７月１９日），平成１８年８月１８日に拒絶査定不服審判の請求がなされたものである。　
　本件出願の請求項１乃至３に係る発明は，平成１８年６月２３日付け手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１乃至３に記載された事項に特定されるとおりであるものと認められるところ，その請求項１に係る発明は（以下，「本願発明」という。）は，次のとおりのものである。　
　
「【請求項１】熱分解窒化硼素からなる支持基材の外面及び／または内面の全部または一部を輻射光吸収層で被覆し，その最外面及び／またはその最内面を絶縁層または保護層で被覆してなる熱分解窒化硼素容器において，該輻射光吸収層の厚さが０．０１ｍｍ以上，０．０２５ｍｍ以下であり，該絶縁層または該保護層の厚さが０．０２ｍｍ以上，０．０５ｍｍ以下であり，該支持基材及び該輻射光吸収層の表面の粗さの凹凸の平均間隔Ｓｍを０．００２ｍｍ以上，０．１ｍｍ以下とし，かつ該凹凸の最大高さＲｙを１０μｍ以上としてなることを特徴とする熱分解窒化硼素容器。」　
　
２．引用文献　
　
　これに対して，原査定の拒絶の理由に引用された本件出願の出願日前に頒布された刊行物である特開平５−１０５５５７号公報（以下，「引用文献１」という。），特開平７−３０７３７７号公報（以下，「引用文献２」という。）には，それぞれ，以下の事項が記載されている。　
　
２−１．引用文献１　
（ア）「熱分解窒化ほう素容器の外面および／または内面の全面または一部に輻射光吸収層を設け，その最外面および／または最内面に絶縁層または保護層を設けてなることを特徴とする熱分解窒化ほう素容器。」（【請求項１】）　
（イ）「【従来の技術】熱分解窒化ほう素（以下ＰＢＮと略記する）成形品がＮＨ３ とＢＦ３ を原料とし，これらを例えば１，７００℃の温度での熱ＣＶＤ法によってＰＢＮとし，これを基体にコーティングすることによって作られることはよく知られているところであり，このようにして作られたＰＢＮ成形品がすぐれた耐熱性，耐熱衝撃性をもつものであることも公知とされている。」（段落【０００２】）　
（ウ）「輻射光吸収層としてはグラファイト，高融点金属が好ましいものとされている・・・。」（段落【０００４】）　
（エ）「この輻射光吸収層の厚さは１〜１，０００ｎｍとすればよい。」（段落【００１０】）　
（オ）「この絶縁層，保護層の厚さは１〜１００μｍ程度とすればよい・・・。」（段落【００１２】）　
（カ）「実施例　
・・・，ＰＢＮ容器の外面に，プロパンガスを１トールの真空下に１，０００℃で熱分解して得たカーボンを厚さ２０μｍに被覆して図４に示したような輻射光吸収層を設けたＰＢＮ容器を作った。　
　ついで，このＰＢＮ容器の輻射光吸収層の最外面に，ＮＨ３とＢＦ３を原料とし，２トールの真空下での１，７００℃での熱ＣＶＤ法で得たＰＢＮを厚さ１０μｍで被覆して輻射光吸収層の最外面を絶縁層としてのＰＢＮで被覆した図１に示したＰＢＮ容器を作った。　
　つぎにこのＰＢＮ容器にヒーターとリフレクターを取りつけて分子線源用るつぼを作り，これにＧａ融液を入れ，ヒーターで加熱してＧａの分子線を基台に照射し，ＧａＡｓのエピタキシャル成長を行なわせ・・・得られたエピタキシャル膜はいずれも良好なものであった。」（段落【００１４】〜【００１６】）　
　
２−２．引用文献２　
（キ）「この静電チャック付セラミックスヒーターは，基本的に異種類のセラミックスを接合した構造，例えば窒化硼素の基材にグラファイトの導電体層と窒化硼素の絶縁層を接合した構造であるため，これらの素材の熱膨張率の違いにより昇降温を繰り返しているうちに熱応力によって接合部の剥離が起きるという問題点がある。」（段落【０００３】）　
（ク）「実施例１・・・　
・・・熱分解窒化硼素製円板を作ったのち，サンドブラスト処理してその表面と裏面の表面粗さRmaxが５μｍのものとした。ついでこの上にメタンガスを 2,200℃，５Torrの条件下で熱分解してこの上に厚さ40μｍの熱分解グラファイト層を形成し，表面に電極パターン，裏面にヒーターパターンを加工してそれぞれ静電チャック用電極，発熱層としたのち，サンドブラスト処理してこれらの表面の表面粗さRmaxを５μｍのものとした。
　つぎにこの上でアンモニアと三塩化硼素とを 2,000℃，10Torrの条件下で反応させて，この上に厚さ 100μｍの熱分解窒化硼素被覆層を設けて静電チャック付セラミックスヒーターを作り，このものを室温から 1,100℃まで 100回昇温，降温を繰り返したが，このものは支持基材，静電チャック用電極，発熱層，被覆層がその接合部で剥離することはなかった。」（段落【００１３】〜【００１４】）　
（ケ）本発明は・・・支持基材，静電チャック用電極および発熱層の表面の表面粗さRmaxが５μｍ以上とされているので，支持基材と静電チャック用電極および発熱層との間の物理的結合力と静電チャック用電極および発熱層と被覆層との間の物理的結合力がアンカー効果によって増大されることから，この静電チャック付セラミックスヒーターはこれを常温から 1,100℃までの昇温，降温を繰り返してもこの支持基材，静電チャック用電極，発熱層，被覆層がその接合部で剥離することがなく，したがって寿命の極めて長いものになるという有利性が与えられる。」（段落【００２１】）　
　
３．対比・判断　
　最初に，引用文献１の記載事項について検討する。　
（ａ）上記（ア）に記載の「輻射光吸収層」について，上記（エ）には，「この輻射光吸収層の厚さは１〜１，０００ｎｍ」とすること，即ち，その厚さは「０．００１〜１μｍ」とすることが示されている。しかし，この厚さの数値範囲は，上記（カ）の実施例において「２０μｍに被覆して輻射光吸収層を設けた」という記載の「２０μｍ」という値と齟齬があり，また，引用文献１では，上記（オ），（カ）に示されるように，層の厚みについて「μｍ」の単位で記載されているから，上記（エ）の「１〜１，０００ｎｍ」は「１〜１，０００μｍ」の誤記と認められる。よって，引用文献１には「輻射光吸収層の厚さは１〜１，０００μｍ」とすることが記載されているといえる。　
（ｂ）上記（カ）には，上記（ア）の「熱分解窒化ほう素容器」の一例として，「カーボン」を「被覆」して「輻射光吸収層」を設け，「絶縁層」として「ＰＢＮ」，即ち，「熱分解窒化ほう素」（上記（イ）の「略記」の部分参照）を「被覆」したものが記載されているといえる。そして，上記（ウ）には，「輻射光吸収層」としては「グラファイト」が好ましいものとされていることが記載されているから，上記のように「カーボン」を「被覆」して「輻射光吸収層」を設ける際の「カーボン」には，「グラファイト」が含まれることは明らかである。　
　
　以上（ａ），（ｂ）の検討を踏まえて，引用文献１の（ア）〜（カ）の記載事項を，本願発明の記載ぶりに則して表現すると，引用文献１には，　
「熱分解窒化ほう素容器の外面および／または内面の全面または一部にグラファイトを被覆して輻射光吸収層を設け，その最外面および／または最内面に熱分解窒化ほう素を被覆して絶縁層を設けてなる熱分解窒化ほう素容器において，該輻射光吸収層の厚さが１〜１，０００μｍであり，該絶縁層の厚さが１〜１００μｍである熱分解窒化ほう素容器。」　
の発明（以下，「引用発明」という。）が記載されていると認められる。　
　
　次に，本願発明と引用発明とを対比する。　
（ｃ）引用発明の「熱分解窒化ほう素容器」が，「熱分解窒化硼素」からなり，その外面および／または内面に輻射光吸収層及び絶縁層が形成される際の「支持基材」であることは明らかである。
（ｄ）引用発明の「輻射光吸収層」は，「熱分解窒化ほう素容器の外面および／または内面の全面または一部にグラファイトを被覆」して設けた層であるから，「熱分解窒化ほう素容器の外面および／または内面の全部または一部」を被覆する層であり，引用発明の「絶縁層」は「輻射光吸収層の最外面および／または最内面に熱分解窒化ほう素を被覆」して設けた層であるから，「輻射光吸収層の最外面および／または最内面」を「被覆」する層といえる。
（ｅ）「輻射光吸収層の厚さ」につき，引用発明は「１〜１，０００μｍ」，即ち「０．００１〜１ｍｍ」であるから，本願発明の「０．０１ｍｍ以上，０．０２５ｍｍ以下」の数値範囲を含むものといえる。　
（ｆ）「絶縁層の厚さ」につき，引用発明は「１〜１００μｍ」，即ち「０．００１〜０．１ｍｍ」であるから，本願発明の「０．０２ｍｍ以上，０．０５ｍｍ以下」の数値範囲を含むものである。  
　
　したがって，本願発明と引用発明とは，　
「熱分解窒化硼素からなる支持基材の外面及び／または内面の全部または一部を輻射光吸収層で被覆し，その最外面及び／またはその最内面を絶縁層で被覆してなる熱分解窒化硼素容器において，該輻射光吸収層の厚さが０．０１ｍｍ以上，０．０２５ｍｍ以下であり，該絶縁層の厚さが０．０２ｍｍ以上，０．０５ｍｍ以下である熱分解窒化硼素容器。」　
である点で一致し，以下の点で相違する。　
　
相違点：本願発明は「該支持基材及び該輻射光吸収層の表面の粗さの凹凸の平均間隔Ｓｍを０．００２ｍｍ以上，０．１ｍｍ以下とし，かつ該凹凸の最大高さＲｙを１０μｍ以上」としてなるのに対して，引用発明は支持基材及び輻射光吸収層の表面の粗さの記載がない点。
　
　上記相違点について検討する。　
　引用文献２には，上記（キ）に，「窒化硼素の基材にグラファイトの層と窒化硼素の層を接合した構造」は，これらの素材の熱膨張率の違いにより昇降温を繰り返しているうちに熱応力によって接合部の剥離が起きるという問題点があることが記載されているといえる。　
　また，引用文献２の上記（ク）に，「熱分解窒化硼素製円板」を作ったのち，サンドブラスト処理してその表面と裏面の「表面粗さRmax」が５μｍのものとし，ついでこの上に「熱分解グラファイト層」を形成し，サンドブラスト処理してこれらの表面の「表面粗さRmax」を５μｍのものとし，つぎにこの上に「熱分解窒化硼素層」を設けて，このものを室温から 1,100℃まで 100回昇温，降温を繰り返したが，このものは「支持基材」，「層」がその接合部で剥離することはなかったことが記載され，上記（ケ）に，「支持基材」，および「層」の表面の「表面粗さRmax」が５μｍ以上とされているので，「支持基材」と「層」との間の物理的結合力と「層」と「層」との間の物理的結合力がアンカー効果によって増大されることから，これを常温から 1,100℃までの昇温，降温を繰り返してもこの「支持基材」，「層」，「層」がその接合部で剥離することがなく，したがって寿命の極めて長いものになるという有利性が与えられることが記載されているといえる。
　そうすると，引用文献２には，「熱分解窒化硼素からなる支持基材」と「グラファイト層」と「熱分解窒化硼素層」とを接合した構造において，「熱分解窒化硼素からなる支持基材」及びこの上の「グラファイト層」の「表面粗さRmax」を大きくし，「支持基材」と「グラファイト層」との間の物理的結合力と，「グラファイト層」と「熱分解窒化硼素層」との間の物理的結合力とをアンカー効果によって増大することによって，昇降温を繰り返しているうちに熱応力によって接合部が剥離することを防止できることが教示されているといえる。　
　一方，引用発明は，「熱分解窒化ほう素容器の外面および／または内面の全面または一部にグラファイトを被覆して輻射光吸収層を設け，その最外面および／または最内面に熱分解窒化ほう素を被覆して絶縁層を設けてなる」ものであるから，「熱分解窒化硼素の基材とグラファイト層と熱分解窒化硼素層を接合している構造」であるといえる。よって，引用発明は，引用文献２記載の構造と共通する構造を備えるものに他ならない。　
　また，引用文献１には，上記（イ）に，熱分解窒化ほう素成形品がすぐれた耐熱性，耐熱衝撃性をもつものであることも公知とされていること，上記（カ）に，ＰＢＮ容器にヒーターとリフレクターを取りつけて「分子線源用るつぼ」を作ることが記載されているから，引用発明は，「耐熱衝撃性をもつ」という熱分解窒化ほう素成形品の性質に適した「分子線源用るつぼ」に用いられるものといえ，その際に昇降温が繰り返しなされることは当業者に自明である。よって，引用発明は，引用文献２記載の構造と，昇降温が繰り返しなされる使用形態である点で共通するといえる。
　そうすると，引用発明において，引用文献２の教示に従い，熱応力によって接合部の剥離が生じることを防止するために，「支持基材である熱分解窒化ほう素容器」及びこの上の「グラファイト層」，即ち「輻射光吸収層」の「表面粗さ」を大きくし，「支持基材」と「輻射光吸収層」との間の物理的結合力と，「輻射光吸収層」と「熱分解窒化硼素層」，即ち，「絶縁層」との間の物理的結合力とをアンカー効果によって増大することは当業者であれば困難なくなし得ることである。また，「表面粗さ」を評価する際に，引用文献２記載の凹凸の最大高さを示すＲｍａｘを用いるだけでなく，凹凸の最大高さＲｙ及び凹凸の平均間隔Ｓｍを用いることも周知の事項であり（例えば，ＪＩＳ Ｂ　０６０１：１９９４，ＪＩＳ　Ｂ　０６０１：１９７０参照），しかも，前記アンカー効果は，層と層の間の物理的結合力によって増大されるのであるから，単位面積当たりの凹凸の数，即ち，凹凸の密度の値に関係し，前記アンカー効果による結合力の強さは，凹凸の最大高さだけでなく，凹凸の密度を決定する凹凸の平均間隔Ｓｍにも依存することは当業者であれば予測し得ることである。よって，引用発明において，上記のように表面粗さを大きくして接合部のアンカー効果を増大するに当たり，表面粗さを，凹凸の平均間隔Ｓｍ及び凹凸の最大高さＲｙを用いて評価し，最適な範囲として，凹凸の平均間隔Ｓｍを０．００２ｍｍ以上，０．１ｍｍ以下，かつ該凹凸の最大高さＲｙを１０μｍ以上を採用することは，当業者が適宜なし得ることである。
　そして，本願発明の効果についても，引用文献１，２から当業者であれば当然に予測される程度のものである。
　よって，本願発明は，引用文献１，２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。　
　
　なお，請求人は平成１８年１１月８日付けで補正した審判請求書において，「このような復層構造における『熱分解窒化硼素製円板』と『熱分解グラファイト』層との間に関して開示される『表面粗さ』の考え方を引例１の層間構造に転用・適用させることは，一般的な“耐熱衝撃性の向上”を図るとする課題（そこには“層剥離”の考えがあるか，極めて疑わしいと言えます）に基づいては，当業者といえども容易になし得ることとは想定し難いところでありますし，引例２には，“剥離”と“層厚さ”との関係に配慮してもいません。」と主張する（第３頁第２行−第７行）。　
　上記主張について検討する。　
　引用文献１には，「層剥離」の課題について記載はないが，相違点の検討の項で判断したように，引用発明は，引用文献２記載の構造と共通するものであって，使用形態も昇降温を繰り返す点で共通するといえるから，引用発明において，引用文献２の教示により，「表面粗さ」の考え方を適用し，昇降温を繰り返す際の接合部の剥離，即ち，層剥離を防止することは当業者が困難なくなし得るものである。また，請求人は引用文献２の層厚さについて指摘しているが，本願発明の層厚さは，引用発明の層厚さに含まれるものであり，引用発明の層厚さにおいて，引用文献２の表面粗さの考え方を適用することを妨げる事情も見出せない。
　よって，請求人の上記主張は採用できない。　
　
４．むすび　
　以上のとおり，本願発明は，引用文献１，２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。　
　したがって，その余の請求項について論及するまでもなく，本願は拒絶すべきものである。　
　よって結論のとおり審決する。