【事件の表示】
　特願２００７−　６８０７１「液晶表示装置および電子機器」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　６月１４日出願公開、特開２００７−１４８４６０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１６年３月１２日に出願した特願２００４−７１０４１号の一部を平成１８年９月１９日に新たな特許出願（特願２００６−２５２５２９号）とし、さらにこの一部を平成１９年３月１６日に新たな特許出願としたものであって、同年３月３０日及び同年８月９日に手続補正がなされたところ、同年１０月９日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１１月１４日に拒絶査定不服審判請求がなされるとともに同年１２月１３日付けで手続補正がなされたものである。
　
　
ＩＩ．平成１９年１２月１３日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１９年１２月１３日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１．補正の内容  
　平成１９年１２月１３日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の請求項１を、以下のように補正することを含むものである。
「【請求項１】
　一対の基板間に負の誘電異方性を有する液晶層を挟持してなり、前記一対の基板の一方の基板の対向面側に形成された電極と他方の基板の対向面側に形成された画素電極との重なる領域に対応したドット領域を複数備え、１つの前記ドット領域内に配置される前記画素電極は、スイッチング素子から該ドット領域内に向けて導出された配線部と、前記配線部上の絶縁膜に設けられたコンタクトホールと、を介して該スイッチング素子と電気的に接続されているとともに、該画素電極の長手方向に少なくとも３つ以上の領域に分割して配置された複数のサブピクセルと、該複数のサブピクセルのそれぞれを前記長手方向に接続する接続部とを備えた液晶表示装置であって、
　前記配線部と前記接続部との間には前記絶縁膜が設けられており、
　前記スイッチング素子から前記ドット領域内に向けて導出された前記配線部は、
　前記スイッチング素子と前記コンタクトホールとの間において、
　前記接続部によって互いに接続された前記サブピクセルと該サブピクセルに隣接したサブピクセルとの間を縫って配線されているとともに、
　前記サブピクセルと該サブピクセルに隣接したサブピクセルとの間の前記接続部の幅内を通して、該接続部の幅よりも細い幅を有して配線されていることを特徴とする液晶表示装置。」
　
２．独立特許要件 
　本件補正は、補正前の請求項１の「コンタクトホール」が、「前記配線部上の絶縁膜に設けられた」、との限定を付加するとともに、「配線部と接続部との間には前記絶縁膜が設けられて」いる、との限定を付加するものであるから、上記補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
 　 
（１）刊行物記載の発明  
　本願の出願前に頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である特開２００４−５３６５４号公報（以下「引用刊行物」という。）には、図とともに以下の事項が記載されている。
　
ア　「【００４７】
（配向規制構造）
まず、本発明の液晶表示装置の好適な配向規制構造である電極構造とその作用とを説明する。
【００４８】
本発明による液晶表示装置は、優れた表示特性を有するので、アクティブマトリクス型液晶表示装置に好適に利用される。以下では、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置について、本発明の実施形態を説明する。・・・（略）・・・。また、以下では、透過型液晶表示装置を例に本発明の実施形態を説明するが、本発明はこれに限られず、反射型液晶表示装置や、さらに、特開平１１−１０１９９２号公報に開示されているような透過反射両用型液晶表示装置に適用することができる。
【００４９】
なお、本願明細書においては、表示の最小単位である「絵素」に対応する液晶表示装置の領域を「絵素領域」と呼ぶ。カラー液晶表示装置においては、Ｒ，Ｇ，Ｂの「絵素」が１つの「画素」に対応する。アクティブマトリクス型液晶表示装置においては、絵素電極と絵素電極に対向する対向電極とが絵素領域を規定する。・・・（略）・・・。
【００５０】
・・・（略）・・・。
【００５１】
液晶表示装置１００は、アクティブマトリクス基板（以下「ＴＦＴ基板」と呼ぶ。）１００ａと、対向基板１００ｂと、ＴＦＴ基板１００ａと対向基板１００ｂとの間に設けられた液晶層３０とを有している。液晶層３０の液晶分子３０ａは、負の誘電率異方性を有し、ＴＦＴ基板１００ａおよび対向基板１００ｂの液晶層３０側の表面に設けられた垂直配向層としての垂直配向膜（不図示）によって、液晶層３０に電圧が印加されていないとき、図１（ｂ）に示したように、垂直配向膜の表面に対して垂直に配向する。・・・（略）・・・。
【００５２】
液晶表示装置１００のＴＦＴ基板１００ａは、透明基板（例えばガラス基板）１０とその表面に形成された絵素電極１４とを有している。対向基板１００ｂは、透明基板（例えばガラス基板）２０とその表面に形成された対向電極２２とを有している。・・・（略）・・・。
【００５３】
液晶表示装置１００が有する絵素電極１４は、複数の開口部１４ａと中実部１４ｂとを有している。開口部１４ａは、導電膜（例えばＩＴＯ膜）から形成される絵素電極１４の内の導電膜が除去された部分を指し、中実部１４ｂは導電膜が存在する部分（開口部１４ａ以外の部分）を指す。開口部１４ａは１つの絵素電極ごとに複数形成されているが、中実部１４ｂは、基本的には連続した単一の導電膜から形成されている。
【００５４】
複数の開口部１４ａは、その中心が正方格子を形成するように配置されており、１つの単位格子を形成する４つの格子点上に中心が位置する４つの開口部１４ａによって実質的に囲まれる中実部（「単位中実部」と称する。）１４ｂ’は、略円形の形状を有している。それぞれの開口部１４ａは、４つの４分の１円弧状の辺（エッジ）を有し、且つ、その中心に４回回転軸を有する略星形である。・・・（略）・・・。
【００５５】
絵素領域の中央部に位置する開口部１４ａは実質的に同じ形状で同じ大きさを有している。開口部１４ａによって形成される単位格子内に位置する単位中実部１４ｂ’は略円形であり、実質的に同じ形状で同じ大きさを有している。互いに隣接する単位中実部１４ｂ’は互いに接続されており、実質的に単一の導電膜として機能する中実部１４ｂを構成している。
【００５６】
上述したような構成を有する絵素電極１４と対向電極２２との間に電圧を印加すると、開口部１４ａのエッジ部に生成される斜め電界によって、それぞれが放射状傾斜配向を有する複数の液晶ドメインが形成される。液晶ドメインは、それぞれの開口部１４ａに対応する領域と、単位格子内の中実部１４ｂ’に対応する領域とに、それぞれ１つずつ形成される。」
　
イ　「【００９０】
（凸部）
次に、凸部の具体的な構造と作用を説明する。これまでの説明にそって、配向規制構造がＴＦＴ基板に設けられ、凸部が対向基板に設けられている場合について説明する。本発明による液晶表示装置は、液晶分子を基板面に対して垂直配向させるための構成（例えば一対の基板の液晶層側に設けられた垂直配向膜）に加え、上述したような液晶分子を放射状傾斜配向させるための配向規制構造と、後述するように配向規制構造と協同的に液晶分子を放射状傾斜配向させる（放射状傾斜配向状態を安定化させる）ための凸部とを有している。
【００９１】
・・・（略）・・・。
【００９２】
凸部５２は、図８に示したように、対向基板２００ｂの基板面に対して傾斜した側面５２ｓを有している。ここでは、凸部５２は、略円錐台状であり、側面５２ｓに加えて基板面に平行な頂面５２ｔを有している。
【００９３】
凸部５２の表面は、垂直配向性を有しており（典型的には、凸部５２を覆うように垂直配向膜（不図示）が形成されている。）、図８に示したように、液晶分子３０ａは、傾斜側面５２ｓのアンカリング効果によって、これらに対してほぼ垂直に配向し、凸部５２を中心に放射状に傾斜配向する。
【００９４】、【００９５】
・・・（略）・・・。
【００９６】
また、凸部５２は、カラーフィルタ（ここでは対向基板２００ｂの液晶層３０側に設けられている）５０が有する３つの色層のうちの２つの色層からなる積層構造体である。凸部５２のより具体的な構造については後述することとする。」
　
ウ　「【００９７】
上述した、配向規制構造および凸部５２を備える液晶表示装置２００を図９（ａ）および（ｂ）に示す。図９（ａ）は上面図であり、図９（ｂ）は、図９（ａ）中の９Ｂ−９Ｂ’線に沿った断面図に相当する。
【００９８】
液晶表示装置２００は、配向規制構造を構成する開口部１４ａを備えた絵素電極１４を有するＴＦＴ基板１００ａと、凸部５２を有する対向基板２００ｂとを有している。・・・（略）・・・。
【００９９】
液晶表示装置２００の対向基板２００ｂに設けられている凸部５２は、絵素電極１４の中実部１４ｂに対向する領域に設けられており、より具体的には、中実部１４ｂに対向する領域の中央付近に設けられている。
【０１００】
このように配置することによって、液晶層３０に電圧を印加した状態、すなわち、絵素電極１４と対向電極２２との間に電圧を印加した状態において、配向規制構造によって形成される放射状傾斜配向の方向と、凸部５２によって形成される放射状傾斜配向の方向が整合し、放射状傾斜配向が安定化する。この様子を図１０（ａ）〜（ｃ）に模式的に示している。図１０（ａ）は電圧無印加時を示し、図１０（ｂ）は電圧印加後に配向が変化し始めた状態（ＯＮ初期状態）を示し、図１０（ｃ）は電圧印加中の定常状態を模式的に示している。
【０１０１】〜【０１０４】
・・・（略）・・・。
【０１０５】
図１１（ａ）および（ｂ）と、図１２（ａ）および（ｂ）を参照しながら、配向規制構造および凸部５２を備える液晶表示装置２００のより具体的な構造を説明する。
【０１０６】
液晶表示装置２００が有するＴＦＴ基板１００ａは、図１１（ａ）および図１２（ａ）に示すように、透明基板１０と、透明基板１０上に形成されたＴＦＴ４０と、ＴＦＴ４０に電気的に接続された、ゲート配線（走査配線：ここでは不図示）、ソース配線（信号配線）１２および絵素電極１４とを有している。ＴＦＴ基板１００ａは、さらに、図１２（ｂ）に示すように補助容量電極１６と補助容量配線１３とを有している。
【０１０７】
ＴＦＴ４０のゲート電極４０Ｇ、ゲート配線１１および補助容量配線１３を覆うように、典型的には、ＴＦＴ基板１００ａのほぼ全面に、ゲート絶縁膜１５が形成されている。ゲート絶縁膜１５上に、ＴＦＴ４０を構成するチャネル層４１および電極コンタクト層４２と、ソース配線と、ＴＦＴ４０のソース電極４０Ｓおよびドレイン電極４０Ｄと、補助容量電極１６と、接続配線１７とが形成されている。接続配線１７は、ドレイン電極４０Ｄと補助容量電極１６とを互いに電気的に接続している。ここでは、ソース電極４０Ｓおよびドレイン電極４０Ｄは、それぞれ透明導電層４０Ｓ１，４０Ｄ１と金属層４０Ｓ２，４０Ｄ２とが積層されて構成されている。
【０１０８】
さらに、これらを覆うように、ＴＦＴ基板１００ａのほぼ全面に絶縁膜１８および層間絶縁膜１９が形成されており、この層間絶縁膜１９上に絵素電極１４が形成されている。絵素電極１４は、図１２（ｂ）に示したように、絶縁膜１８および層間絶縁膜１９に形成されたコントクトホール１８ａ，１９ａ内において、補助容量電極１６と電気的に接続されている。すなわち、絵素電極１４は、補助容量電極１６および接続配線１７を介して、ＴＦＴ４０のドレイン電極４０Ｄに電気的に接続されている。絵素電極１４を層間絶縁膜１９上に形成することで、ゲート配線１１やソース配線に重なるように絵素電極１４を設けることができ、開口率が向上する。また、絵素電極１４は、開口部１４ａと中実部１４ｂと有し、配向規制構造を構成する。
【０１０９】
液晶表示装置２００が有する対向基板２００ｂは、図１１（ａ）に示したように、透明基板２０と、透明基板２０上に形成されたカラーフィルタ５０と、カラーフィルタ５０上に形成された対向電極２２とを有している。対向基板２００ｂは、さらに、絵素電極１４の中実部１４ｂに対向する領域に、液晶層３０側に突き出た凸部５２を有している。」
　
エ　「【０１１２】
ＴＦＴ基板１００ａおよび対向基板２００ｂの液晶層３０側の表面には垂直配向層として垂直配向層（不図示）が設けられており、両基板間の間隙に負の誘電異方性を有する液晶分子を含む液晶層３０が封入されている。
【０１１３】
・・・（略）・・・。
【０１１４】
本実施形態の液晶表示装置２００は、例えば、以下のようにして製造される。
【０１１５】
まず、図１２（ａ）および（ｂ）と図１３とを参照しながら、ＴＦＴ基板１００ａの製造方法を説明する。
【０１１６】
まず、絶縁性を有する透明基板（例えばガラス基板）１０を用意し、透明基板１０上に必要に応じてベースコート膜として絶縁膜（例えばＴａ２Ｏ５層やＳｉＯ２層）を形成する。
【０１１７】
次に、透明基板１０上に金属層（例えばＡｌ層、Ｍｏ層またはＴａ層）スパッタリング法を用いて形成し、この金属層をパターニングすることによってゲート配線１１、ゲート電極４０Ｇおよび補助容量配線１３を形成する。ここでは、ゲート配線１１の幅が２０μｍ、補助容量配線１３の幅が５０μｍとなるようにパターニングを施す。
【０１１８】
続いて、ゲート配線１１、ゲート電極４０Ｇおよび補助容量配線１３を覆うように透明基板１０のほぼ全面にプラズマＣＶＤ（Ｐ−ＣＶＤ）法を用いてゲート絶縁膜（例えばＳｉＮｘ層）１５を形成する。
【０１１９】
その後、ゲート絶縁膜１５上に、ＣＶＤを用いてチャネル層４１および電極コンタクト層４２となるＳｉ層を連続して堆積する。チャネル層４１としては、例えばアモルファスＳｉ層が用いられ、電極コンタクト層４２としては、例えばリン等の不純物がドーピングされたアモルファスＳｉ層や微結晶Ｓｉ層が用いられる。これらのＳｉ層を、例えばＨＣｌとＳＦ６との混合ガスを用いたドライエッチングによりパターニングすることによって、チャネル層４１および電極コンタクト層４２が形成される。
【０１２０】
次に、透明導電材料（例えばＩＴＯ）をスパッタリング法を用いて堆積した後、金属材料（例えばＡｌ、ＭｏまたはＴａ）を堆積する。その後、これらの導電層をパターニングすることによって、ソース配線１２、ソース電極４０Ｓ、ドレイン電極４０Ｄ、接続配線１７および補助容量電極１６を形成する。
【０１２１】
続いて、絶縁材料（例えばＳｉＮｘ）をＣＶＤ法を用いて堆積した後、パターニングして絶縁膜１８を形成する。パターニングの際には、後に形成する絵素電極１４と補助容量電極１６とを電気的に接続するためのコンタクトホール１８ａを形成しておく。
【０１２２】
次に、この絶縁膜１８上に感光性樹脂を用いて層間絶縁膜１９を形成し、層間絶縁膜１９にフォトリソグラフィ法によって、絶縁膜１８のコンタクトホール１８ａ内に補助容量電極１６を露出させる穴（コンタクトホール）１９ａを形成する。
【０１２３】
続いて、絶縁膜１８および層間絶縁膜１９を形成した基板上に絵素電極１４となる透明導電層（例えばＩＴＯ層）をスパッタリング法により形成する。
【０１２４】
その後、透明導電層をフォトリスグラフィ法を用いてパターニングすることによって、開口部１４ａと中実部１４ｂとを有する絵素電極１４を形成する。本実施形態では、１つの単位中実部１４ｂ’の幅が４５μｍとなるように形成する。」
　
オ　上記ア（【００４９】）及び図１３から、引用発明の液晶表示装置２００は、絵素電極１４と該絵素電極１４に対向する対向電極２２とにより規定される絵素領域を複数備えていること、が見て取れる。
　
カ　図１３から、以下の（ア）及び（イ）が見て取れる。
（ア）各絵素領域に配置される絵素電極１４は、複数の中実部１４ｂと開口部１４ａからなり、互いに隣接する中実部１４ｂは互いに接続されており、該中実部１４ｂは前記絵素領域の長手方向に９つ配置されていること。
（イ）接続配線１７は、絵素電極１４の互いに隣接する中実部１４ｂが互いに接続されている部分と重なって配線されていること。
　
　よって、これらの記載を総合すると、引用刊行物には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている、と認められる。
　
「ＴＦＴ基板１００ａおよび対向基板２００ｂの液晶層３０側の表面に垂直配向層が設けられ、両基板間の間隙に負の誘電異方性を有する液晶分子を含む液晶層３０が封入されている液晶表示装置２００であって、
　前記対向基板２００ｂは、透明基板２０と、透明基板２０上に形成されたカラーフィルタ５０と、カラーフィルタ５０上に形成された対向電極２２とを有しており、
　前記ＴＦＴ基板１００ａは、透明基板１０と、透明基板１０上に形成されたＴＦＴ４０と、ＴＦＴ４０に電気的に接続された、ゲート配線１１、ソース配線１２および絵素電極１４とを有しており、該ＴＦＴ４０のゲート電極４０Ｇ、ゲート配線１１を覆うようにゲート絶縁膜１５が形成され、該ゲート絶縁膜１５上には、前記ＴＦＴ４０を構成するチャネル層４１および電極コンタクト層４２と、ソース配線１２と、ＴＦＴ４０のソース電極４０Ｓおよびドレイン電極４０Ｄと、補助容量電極１６と、接続配線１７とが形成され、前記接続配線１７は、ドレイン電極４０Ｄと補助容量電極１６とを互いに電気的に接続し、さらに、これらを覆うように、前記ＴＦＴ基板１００ａのほぼ全面に絶縁膜１８および層間絶縁膜１９が形成され、この層間絶縁膜１９上に絵素電極１４が形成され、該絵素電極１４は、絶縁膜１８および層間絶縁膜１９に形成されたコントクトホール１８ａ，１９ａ内において、前記補助容量電極１６と電気的に接続され、すなわち、絵素電極１４は、補助容量電極１６および接続配線１７を介して、ＴＦＴ４０のドレイン電極４０Ｄに電気的に接続されており、
　前記液晶表示装置２００は、各絵素電極１４と該絵素電極１４に対向する対向電極２２とにより規定される絵素領域を複数備えており、
　各絵素領域に配置される絵素電極１４は、複数の中実部１４ｂと開口部１４ａからなり、互いに隣接する中実部１４ｂは互いに接続されており、該中実部１４ｂは前記絵素領域の長手方向に９つ配置されており、
　前記接続配線１７は、前記絵素電極１４の互いに隣接する中実部１４ｂが互いに接続されている部分と重なって配線されている、液晶表示装置２００。」
　
（２）対比
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
ア　引用発明の「負の誘電異方性を有する液晶分子を含む液晶層３０」、「対向電極２２」、「絵素電極１４」及び「液晶表示装置２００」は、それぞれ、本願補正発明の「負の誘電性を有する液晶層」、「一方の基板の対向面側に形成された電極」、「他方の基板の対向面側に形成された画素電極」及び「液晶表示装置」に相当する。
　
イ　引用発明の「対向基板２００ｂ」及び「ＴＦＴ基板１００ａ」は、両基板間の間隙に負の誘電異方性を有する液晶分子を含む液晶層３０が封入されているから、それぞれが、本願補正発明の「（一対の基板の）一方の基板」及び「他方の基板」に相当するものであるとともに、引用発明は、本願補正発明の「一対の基板間に負の誘電異方性を有する液晶層を挟持し」なる事項を備える。
　
ウ　引用発明の「液晶表示装置２００」は、「各絵素電極１４と該絵素電極１４に対向する対向電極２２とにより規定される絵素領域を複数備えて」いるから、引用発明は、本願補正発明の「一対の基板の一方の基板の対向面側に形成された電極と他方の基板の対向面側に形成された画素電極との重なる領域に対応したドット領域を複数備え」なる事項を備える。
　
エ　引用発明の「補助容量電極１６および接続配線１７」及び「絶縁膜１８および層間絶縁膜１９に形成されたコントクトホール１８ａ，１９ａ」は、これらを介することによりＴＦＴ４０のドレイン電極４０Ｄと各絵素領域に配置される絵素電極１４とを電気的に接続するものであるから、それぞれが、本願補正発明の「スイッチング素子から該ドット領域内に向けて導出された配線部」及び「前記配線部上の絶縁膜に設けられたコンタクトホール」に相当するものであり、かつ、引用発明は、本願補正発明の「１つの前記ドット領域内に配置される前記画素電極は、スイッチング素子から該ドット領域内に向けて導出された配線部と、前記配線部上の絶縁膜に設けられたコンタクトホールと、を介して該スイッチング素子と電気的に接続されている」なる事項を備える。
　
オ　引用発明の、各絵素領域に配置される「絵素電極１４」は、互いに隣接する中実部１４ｂが互いに接続されており、該中実部１４ｂは各絵素領域の長手方向に９つ配置されているから、引用発明の「中実部１４ｂ」は、本願補正発明の「サブピクセル」に相当するとともに、引用発明は、本願補正発明の「（１つの前記ドット領域内に配置される前記画素電極は、）画素電極の長手方向に少なくとも３つ以上の領域に分割して配置された複数のサブピクセルと、該複数のサブピクセルのそれぞれを前記長手方向に接続する接続部とを備え」なる事項を備えるものである。
　
カ　引用発明の「補助容量電極１６および接続配線１７」と「絵素電極１４の互いに隣接する中実部１４ｂが互いに接続されている部分」との間には、絶縁膜１８および層間絶縁膜１９が形成されていることは明らかであるから、引用発明は、本願補正発明の「前記配線部と前記接続部との間には前記絶縁膜が設けられており」なる事項を備える。
　
キ　引用発明の「接続配線１７」は、ＴＦＴ４０のドレイン電極４０Ｄと各絵素領域に配置される絵素電極１４とを電気的に接続するものであり、前記ＴＦＴ４０とコントクトホール１８ａ，１９ａとの間において、「絵素電極１４の互いに隣接する中実部１４ｂが互いに接続されている部分と重なって配線されている」から、引用発明は、本願補正発明の「前記スイッチング素子から前記ドット領域内に向けて導出された前記配線部は、前記スイッチング素子と前記コンタクトホールとの間において、前記接続部によって互いに接続された前記サブピクセルと該サブピクセルに隣接したサブピクセルとの間を縫って配線されている」なる事項を備えるものである。
　
　よって、本願補正発明と引用発明とは、
「一対の基板間に負の誘電異方性を有する液晶層を挟持してなり、前記一対の基板の一方の基板の対向面側に形成された電極と他方の基板の対向面側に形成された画素電極との重なる領域に対応したドット領域を複数備え、１つの前記ドット領域内に配置される前記画素電極は、スイッチング素子から該ドット領域内に向けて導出された配線部と、前記配線部上の絶縁膜に設けられたコンタクトホールと、を介して該スイッチング素子と電気的に接続されているとともに、該画素電極の長手方向に少なくとも３つ以上の領域に分割して配置された複数のサブピクセルと、該複数のサブピクセルのそれぞれを前記長手方向に接続する接続部とを備えた液晶表示装置であって、
　前記配線部と前記接続部との間には前記絶縁膜が設けられており、
　前記スイッチング素子から前記ドット領域内に向けて導出された前記配線部は、
　前記スイッチング素子と前記コンタクトホールとの間において、
　前記接続部によって互いに接続された前記サブピクセルと該サブピクセルに隣接したサブピクセルとの間を縫って配線されている、液晶表示装置。」
の点で一致し、次の点で相違する。  
 　
相違点  
　スイッチング素子からドット領域内に向けて導出された配線部が、本願補正発明では、サブピクセルと該サブピクセルに隣接したサブピクセルとの間の接続部の幅内を通して、該接続部の幅よりも細い幅を有して配線されているのに対し、引用発明では、該接続部の幅内を通して、その幅よりも細い幅を有して配線されているかどうか不明な点。
　　
（３）判断  
　上記相違点につき検討する。
　引用刊行物には、補助容量電極１６および接続配線１７（配線部）と重ねて形成される絵素電極１４は透明導電層（例えばＩＴＯ層）から形成され（（１）エ【０１２３】、【０１２４】参照。）、前記補助容量電極１６および接続配線１７（配線部）は透明導電材料及び金属材料（例えばＡｌ、ＭｏまたはＴａ）を堆積させたものから形成されること（（１）．エ【０１２０】参照。）が記載されており、接続配線１７は光を透過させないか、光を透過させにくいものであると認められるところ、絵素電極が透明導電層により形成された液晶表示装置においてより明るい表示を実現することは本願の出願前に周知の課題であるから、引用発明において、透明導電層から形成される絵素電極１４が配置された絵素領域の光透過率を高めて明るい液晶表示装置を得るために、該絵素電極１４と重なる接続配線１７の線幅をできるだけ細いものとなすこと、そしてその結果、該接続配線１７が、絵素電極１４の中実部１４ｂの接続されている部分の幅内を通るものとなし、その幅よりも細い幅を有して配線されるようになすことは、当業者が容易になし得ることである。
　
　そして、本願補正発明によってもたらされる効果は、引用発明及び上記周知の事項から予測し得る程度のものである。  
 　  
　したがって、本願補正発明は、引用刊行物記載の発明及び周知の事項から当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。  
 　  
（４）むすび  
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。  
 　
　
ＩＩＩ．本願発明について
１．本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１９年８月９日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１〜７に記載された事項によって特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明は次のとおりのものである。
　
「【請求項１】
　一対の基板間に負の誘電異方性を有する液晶層を挟持してなり、前記一対の基板の一方の基板の対向面側に形成された電極と他方の基板の対向面側に形成された画素電極との重なる領域に対応したドット領域を複数備え、１つの前記ドット領域内に配置される前記画素電極は、スイッチング素子から該ドット領域内に向けて導出された配線部とコンタクトホールを介して該スイッチング素子と電気的に接続されているとともに、該画素電極の長手方向に少なくとも３つ以上の領域に分割して配置された複数のサブピクセルと、該複数のサブピクセルのそれぞれを前記長手方向に接続する接続部とを備えた液晶表示装置であって、
　前記スイッチング素子から前記ドット領域内に向けて導出された前記配線部は、
　前記スイッチング素子と前記コンタクトホールとの間において、
　前記接続部によって互いに接続された前記サブピクセルと該サブピクセルに隣接したサブピクセルとの間を縫って配線されているとともに、
　前記サブピクセルと該サブピクセルに隣接したサブピクセルとの間の前記接続部の幅内を通して、該接続部の幅よりも細い幅を有して配線されていることを特徴とする液晶表示装置。」（以下「本願発明」という。）
　
２．刊行物記載の発明
　本願の出願前に頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された引用刊行物及び引用発明は、前記ＩＩ．２．（１）に記載したとおりである。
　
３．対比・判断
　本願発明は、前記ＩＩ．で検討した本願補正発明における、「コンタクトホール」が、「前記配線部上の絶縁膜に設けられた」、との限定を省くとともに、「配線部と接続部との間には前記絶縁膜が設けられて」いる、との限定を省いたものである。そうすると、本願発明の発明特定事項をすべて含み、さらに限定を付加したものに相当する本願補正発明が、上記ＩＩ．２．で検討したとおり、引用刊行物に記載された発明及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明することができたものであるから、本願発明も同様の理由により、引用刊行物に記載された発明及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物に記載された発明及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。