【事件の表示】
　特願２００２−１３１５４６「インジウム錫酸化物のパターニングのためのエッチング溶液及び該エッチング溶液を利用した液晶表示装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　２月２１日出願公開、特開２００３−　５１４９６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１４年５月７日（パリ条約による優先権主張２００１年５月７日、大韓民国）の出願であって、平成１７年８月２９日付け拒絶理由通知に対して、同年１１月３０日付けで手続補正がされたが、平成１８年２月２３日付けで拒絶査定され、これに対し、同年５月３０日に拒絶査定不服審判が請求されたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項１〜１５に係る発明は、平成１７年１１月３０日付け手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜１５に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
　
「【請求項１】塩酸と酢酸の混合水溶液からなり、前記塩酸及び酢酸の濃度がそれぞれ１〜１０重量％であることを特徴とするインジウム錫酸化物をエッチングするためのエッチング溶液。」
　
３．引用例とその記載事項
（１）一方、原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張日前に頒布された刊行物である特開平６−６０７４４号公報（以下、「引用例１」という。）には、以下の事項が記載されている。
　
〔１ａ〕「【請求項１】スズ−添加酸化インジウムの層を基板上に形成し、その後その層をハロゲン酸を含む水性エッチング浴を用いて印刷的に形成する方法において、そのエッチング浴を、濃ハロゲン酸を水より低誘電率の液体で希釈することによって調製することを特徴とする、基板上にスズ−添加酸化インジウム（ＩＴＯ）の導電性パターンを製造する方法。
【請求項２】希釈剤として酢酸を用いることを特徴とする請求項１記載の方法。・・・
【請求項４】使用されるハロゲン酸が濃塩酸であることを特徴とする請求項１〜３のうちいずれか１項に記載の方法。」（【請求項１】〜【請求項４】）
　
〔１ｂ〕「本発明は基板上にスズ−添加酸インジウム（ＩＴＯ）の導電性パターンを製造する方法に関し、この方法では、スズ−添加酸化インジウムの層を基板上に形成し、その後でこの層をハロゲン酸を含む水性エッチング浴を用いて印刷的に形成する。」（【０００１】）
　
〔１ｃ〕「一般にスズ−添加酸化インジウムのような半導体金属酸化物からなる透明な電極は媒体に面した支持プレートの面上に形成される。この材料を一般にＩＴＯとして表わし、スパッタリング、真空蒸着、化学蒸着又は相当する金属化合物の加水分解及び熱分解により層の形態で支持プレートに形成できる。ＩＴＯ層は一般に20〜400nm の範囲の厚さを有し、例えば２〜10原子％のスズを含む。所望の電極パターンを適当な化学エッチング剤を用いて、パターンに応じてＩＴＯ層をエッチングすることにより得る。」（【０００４】）
　
〔１ｄ〕「この方法はエッチング浴を濃ハロゲン酸を水より低誘電率（ε）を有する液体で希釈することにより調製することを特徴とする。適当なハロゲン酸は塩酸であるが他のハロゲン酸、即ちＨＢr やＨＩも好適に使用できる。・・・濃塩酸は水１ｌ当たり12mol のＨＣｌ（37wt％のＨＣｌ）を含む。濃ハロゲン酸をＩＴＯをエッチングするのに使用できる。しかしながら、このような高濃度のハロゲン酸を有するエッチング浴は印刷工程で使用するフォトレジスト層も攻撃する。フォトレジスト層の攻撃は水でハロゲン酸を希釈することにより減少できるが、ＩＴＯ層のエッチング速度を実質的に減少する。これにより加工時間が長くなってしまうか、所定の加工時間にて高加工温度となってしまうかである。・・・
　濃ハロゲン酸を水で希釈しないで水（ε＝78.5）より低誘電率の液体で希釈した場合はＩＴＯのエッチング速度は水−希釈ハロゲン酸浴におけるより速い。ハロゲン酸溶液中の解離していないハロゲン酸分子がＩＴＯのエッチングに対して関係しているという説明が可能である。ハロゲン酸分子の解離はハロゲン酸溶液を水より低誘電率の液体で希釈することによって減少する。適当な液体としては例えば酢酸（ε＝6.15），メタノール（ε＝32.6）である。・・・前記液体は任意な割合にて濃ハロゲン酸と混合できる。酢酸で希釈したエッチング浴は、より低誘電率なので、同容量％のメタノールで希釈したエッチング浴におけるよりＩＴＯ−エッチング速度が速い。希釈液の実際の濃度は25〜75容量％の範囲である。より低濃度の希釈液では、フォトレジスト層を明らかに攻撃し、パターン鮮明度の劣化を招く。より高濃度の希釈液では、ＩＴＯエッチング速度は低下し、加工時間が長くなってしまう。希釈液の実際の濃度は例えば50容量％であり、すなわち、このようなエッチング浴中の開始時の塩酸濃度は６mol/l である。この程度の希釈では、塩酸はフォトレジスト層をほとんど攻撃せず、ＩＴＯの好ましいエッチング速度が得られる。」（【０００７】〜【０００８】）
　
〔１ｅ〕「本発明は液晶表示装置のための支持プレートを製造する方法にも関し、この支持プレートはスズ−添加酸化インジウム（ＩＴＯ）のパターン及び酸化エッチング浴中に溶解する金属導電体を含み、この方法は、スズ−添加酸化インジウムのパターンを、濃ハロゲン酸を水より低誘電率の液体で希釈することにより調製されるエッチング浴中で処理して得ることを特徴とする。・・・スイッチング素子は、ＴＦＴs（Thin  Film  Transistors ）及びＭＩＭスイッチ（Metal  Insulator  Metal ）のダイオードスイッチでもよい。このようなスイッチング素子はしばしばＭｏ，Ｗ又はＴｉＷのような金属を含む。・・・スイッチング素子は適当なエッチング浴で種々の層をエッチングして、写真平版的に得られる。前記金属を含む能動プレートの製造においては既知のＩＴＯ−エッチング浴は酸化エッチング浴であるので、この金属が攻撃されることをももたらすという問題が生じる。」（【０００９】）
　
〔１ｆ〕「適当な希釈液は例えば上記酢酸及びメタノールである。前記液は濃ハロゲン酸に25〜75容量％、例えば50容量％の範囲の濃度で添加される。この濃度範囲外では上記欠点が生じる。・・・ハロゲン酸の水溶液及び水より低誘電率の液体、特に酢酸又はメタノールからなるエッチング浴を用いると、好ましいＩＴＯのエッチング速度とＭｏ，Ｗ及びＴｉＷのような金属に対して選択的にＩＴＯをエッチングする可能性とが有利に結びつく。」（【００１１】〜【００１２】）
　
〔１ｇ〕「ＩＴＯ層を触刻するために以下の３タイプのエッチング浴を用いた。
　　　タイプＡ：水（ε＝78.5）で希釈した濃塩酸
　　　タイプＢ：メタノール（ε＝32.6）で希釈した濃塩酸
　　　タイプＣ：酢酸（ε＝6.19）で希釈した濃塩酸
各タイプのエッチング浴の希釈を０〜100容量％で変化させ、ＩＴＯ層の関連したエッチング速度を測定した。・・・
　図１は、エッチング浴中のＨＣｌ濃度が等しい場合にはε水＞εメタノール＞ε酢酸と順に希釈液の誘電率が減少するにつれてＩＴＯ層のエッチング速度が高くなることを示す。濃塩酸を50容量％の水で希釈するとＩＴＯ層のエッチング速度は３nm/minになる。濃塩酸を50容量％の酢酸で希釈すると、ＩＴＯ層のエッチング速度は４倍速くなり、即ち12nm/minとなる。」（【００１４】〜【００１６】）
　
（２）引用例１の摘記事項〔１ａ〕〜〔１ｇ〕の記載を総合勘案すると、引用例１には、次の発明（以下、「引用例１発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「水１ｌ当たり１２molのＨＣｌ（３７ｗｔ％のＨＣｌ）を含む濃塩酸を、水より低誘電率の液体である酢酸（ε＝６．１５）で希釈することにより調製された、スズ−添加酸化インジウム（ＩＴＯ）をエッチングするのに使用できるエッチング浴。」
　
４．対比・判断
　そこで、本願発明と引用例１発明とを対比する。
　引用例１発明の「水１ｌ当たり１２molのＨＣｌ（３７ｗｔ％のＨＣｌ）を含む濃塩酸を、水より低誘電率の液体である酢酸（ε＝６．１５）で希釈することにより調製された」ものは、本願発明の「塩酸と酢酸の混合水溶液」に相当する。
　また、引用例１発明の「スズ−添加酸化インジウム（ＩＴＯ）」及び「エッチング浴」は、本願発明の「インジウム錫酸化物」及び「エッチング溶液」に相当する。
　してみると、本願発明と引用例１発明とは、以下の点で一致する。
　
＜一致点＞
「塩酸と酢酸の混合水溶液からなり、インジウム錫酸化物をエッチングするためのエッチング溶液。」
　
　一方で、本願発明と引用例１発明とは、以下の点で相違する。
　
＜相違点＞
　本願発明の「エッチング溶液」は、その「塩酸及び酢酸の濃度が、それぞれ１〜１０重量％である」のに対して、引用例１発明の「エッチング溶液」は、塩酸及び酢酸の濃度についてそのような数値限定がされていない点。
　
　以下、この相違点について検討する。
　
　引用例１の摘記事項〔１ｄ〕によれば、引用例１発明は、高濃度のハロゲン酸を有するエッチング溶液を用いたときのようにフォトレジストが攻撃されてしまうことや該高濃度のハロゲン酸を水で希釈したエッチング溶液を用いたときのようにＩＴＯ層のエッチング速度が実質的に減少してしまうことをともに防止しようとしたものであり、「ハロゲン酸溶液中の解離していないハロゲン酸分子がＩＴＯのエッチングに対して関係しているという説明が可能である。ハロゲン酸分子の解離はハロゲン酸溶液を水より低誘電率の液体で希釈することによって減少する。」との洞察に基づいて、低誘電率の液体である酢酸で濃塩酸を希釈するとの構成に至ったものである。
　ここで、低誘電率の液体としての「酢酸」は、濃塩酸を希釈しつつ希釈液の誘電率を純粋な水の場合よりも低いものとするものであるから、純粋な酢酸の液体であってよいことはもちろんであるが、酢酸と水との混合物であってもよいことは、当業者であれば容易に想到し得たことである。
　そして、このような酢酸と水との混合物からなる希釈液を使用すれば、その希釈液の量やそれに含まれる酢酸の濃度を任意の値に調整することにより、前記の目的を達成しつつ、希釈により得られるエッチング溶液の塩酸及び酢酸の濃度をそれぞれ１〜１０重量％を含む範囲で適宜設定することが可能となる。
　また、フォトレジストの材質とこれに対するエッチング溶液の組合せによって前記フォトレジストへの攻撃のされ方は異なるものであるし、ＩＴＯエッチング速度の低下をどの程度抑制して加工時間を短縮するかは、技術的のみならず様々な経済的な要素を総合的に勘案した上で適宜決定されることであるから、前述のエッチング溶液の塩酸及び酢酸の濃度について、フォトレジストの材質とそれに対するエッチング溶液の攻撃性、加工性の観点から必要なエッチング速度を総合的に考慮した上で適当な濃度に設定することは、当業者の通常の創作能力の発揮にすぎない。
　一方、本願発明において、エッチング溶液の塩酸及び酢酸の濃度を「それぞれ１〜１０重量％」と数値限定することにより、フォトレジストへの攻撃の防止やエッチング速度の低下防止の観点で格別顕著な効果が奏されるとはいえないので、前記した通常の創作能力の発揮にしたがって、引用例１発明のエッチング溶液の塩酸及び酢酸の濃度を「それぞれ１〜１０重量％」と数値限定して本願発明の構成とすることは、当業者が適宜なし得たことである。
　したがって、本願発明は、引用例１発明に基づいて当業者が容易になし得たものである。
　
５．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明（本願発明）は、引用例１発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　したがって、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。