(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）酸の作用によりアルカリに対する溶解性が変化する被膜形成成分、及び（Ｂ）一般式
【化１】
0003591743.tif 000012
（式中のＲは炭化水素基又は置換基を有する炭化水素基、Ａは二価若しくは三価の炭化水素基、ｎは２又は３である）
で表わされるオキシムスルホネート化合物から成る酸発生剤を含有することを特徴とする化学増幅型レジスト組成物。
【請求項２】
一般式中のＲが非芳香族性炭化水素基又はハロゲン化非芳香族性炭化水素基である請求項１記載の化学増幅型レジスト組成物。
【請求項３】
一般式中のＲが低級アルキル基又はハロゲン化低級アルキル基である請求項２記載の化学増幅型レジスト組成物。
【請求項４】
（Ａ）成分１００重量部当り、（Ｂ）成分０．１〜３０重量部を含有する請求項１、２又は３記載の化学増幅型レジスト組成物。
【請求項５】
（Ａ）成分が、酸解離性置換基で保護された水酸基をもつアルカリ可溶性樹脂である請求項１ないし４のいずれかに記載のポジ型の化学増幅型レジスト組成物。
【請求項６】
（Ａ）成分が、（イ）アルカリ可溶性樹脂又は酸解離性置換基で保護された水酸基をもつアルカリ可溶性樹脂と（ロ）酸架橋性物質との組合せから成るものである請求項１ないし４のいずれかに記載のネガ型の化学増幅型レジスト組成物。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は新規な化学増幅型レジスト組成物、さらに詳しくは、酸の発生効率が高く、かつ感度に優れ、パターン形状、寸法忠実性、露光余裕度及び耐熱性などに優れるレジストパターンを与えるポジ型又はネガ型の化学増幅型レジスト組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体素子や液晶素子などの製造においては、化学増幅型レジスト組成物が使用されるようになってきた。この化学増幅型レジスト組成物は、放射線の照射により生成した酸の触媒作用を利用したレジストであって、高い感度と解像性を有し、放射線の照射により酸を発生する化合物すなわち酸発生剤の使用量が少なくてよいという利点を有している。
【０００３】
この化学増幅型レジストにはポジ型とネガ型の２つのタイプがあり、これらは、一般に、酸発生剤と、発生する酸の作用によりアルカリ水溶液に対する溶解性が変化する被膜形成成分とを基本成分としている。
【０００４】
前記ポジ型レジストにおいては、被膜形成成分として、通常ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、テトラヒドロピラニル基などの溶解抑制基で水酸基の一部を保護したポリヒドロキシスチレンなどが用いられており、一方、ネガ型レジストにおいては、被膜形成成分として、通常上記溶解抑制基で水酸基の一部を保護したポリヒドロキシスチレン、あるいはポリヒドロキシスチレンやノボラック樹脂などの樹脂成分に、メラミン樹脂や尿素樹脂などの酸架橋性物質を組み合わせたものが用いられている。
【０００５】
他方、これまで、オキシムスルホネート化合物に関しては、酸硬化性のアミノ樹脂とオキシムスルホネートとを含有する熱硬化性塗布液（ヨーロッパ特許出願第４４１１５Ａ１号公報）、酸硬化性樹脂とオキシムスルホネート化合物を含有する焼き付け仕上げ材料を短波光で照射し硬化させる方法（特開昭６０−６５０７２号公報）、重合性エチレン型不飽和基、エポキシ基、水酸基などの置換基を有するオキシムスルホネート化合物及びそのポリマー（特開昭６１−２５１６５２号公報）、フィルム形成性有機材料とオキシムスルホネート基及び芳香族基を有する感光性物質とから成る組成物を用いる画像形成方法（特開平１−１２４８４８号公報）、アルカリ可溶性樹脂、オキシムスルホネート化合物及び感度増強性架橋剤を含むレジスト組成物（特開平２−１５４２６６号公報）、オキシムスルホネート化合物を用いたネガ型パターンの形成方法（特開平２−１６１４４４号公報）、オキシムスルホネート化合物を含むｉ線用レジスト（特開平６−６７４３３号公報）などが知られている。そして、これらの文献には、シアノ基を有するオキシムスルホネート化合物として、α‐（ｐ‐トルエンスルホニルオキシイミノ）‐フェニルアセトニトリル、α‐（４‐クロロベンゼンスルホニルオキシイミノ）‐フェニルアセトニトリル、α‐（４‐ニトロベンゼンスルホニルオキシイミノ）‐フェニルアセトニトリル、α‐（４‐ニトロ‐２‐トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシイミノ）‐フェニルアセトニトリル、α‐（ベンゼンスルホニルオキシイミノ）‐４‐クロロフェニルアセトニトリル、α‐（ベンゼンスルホニルオキシイミノ）‐２，４‐ジクロロフェニルアセトニトリル、α‐（ベンゼンスルホニルオキシイミノ）‐２，６‐ジクロロフェニルアセトニトリル、α‐（ベンゼンスルホニルオキシイミノ）‐４‐メトキシフェニルアセトニトリル、α‐（２‐クロロベンゼンスルホニルオキシイミノ）‐４‐メトキシフェニルアセトニトリル、α‐（ベンゼンスルホニルオキシイミノ）‐２‐チエニルアセトニトリル、α‐（４‐ドデシルベンゼンスルホニルオキシイミノ）‐フェニルアセトニトリル、α‐（ｐ‐トルエンスルホニルオキシイミノ）‐４‐メトキシフェニルアセトニトリル、α‐（４‐ドデシルベンゼンスルホニルオキシイミノ）‐４‐メトキシフェニルアセトニトリル、α‐（ｐ‐トルエンスルホニルオキシイミノ）‐３‐チエニルアセトニトリルなどが記載されている。
【０００６】
このようなオキシムスルホネート化合物は、放射線を感受するとスルホン酸エステルの結合が切断され、相当するスルホン酸を発生するため、化学増幅型レジストの酸発生剤として用いられている。
ところで、このようなオキシムスルホネート化合物は、１分子から１分子のスルホン酸しか発生しないため、添加量に基づく酸発生量が少なく例えば、ネガ型レジストに使用した場合、レジストパターンのトップ部分が細くなり、良好なパターン形状が得られないという欠点がある上、マスクパターンに対するレジストパターンの寸法忠実性、露光余裕度及び耐熱性についても十分満足しうる結果が得られない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、このような事情のもとで、酸発生剤としてシアノ基をもつオキシムスルホネート化合物を用い、酸の発生効率が高く、かつ感度に優れ、パターン形状、寸法忠実性、露光余裕度及び耐熱性などに優れるレジストパターンを与える化学増幅型レジスト組成物を提供することを目的としてなされたものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、前記の好ましい性質を有する化学増幅型レジスト組成物を開発すべく鋭意研究を重ねた結果、酸の作用によりアルカリに対する溶解性が変化する被膜形成成分と、シアノ基をもつオキシムスルホネート基を分子内に２個又は３個有するオキシムスルホネート化合物から成る酸発生剤とを組み合わせることにより、その目的を達成しうることを見出し、この知見に基づいて本発明を完成するに至った。
【０００９】
すなわち、本発明は、（Ａ）酸の作用によりアルカリに対する溶解性が変化する被膜形成成分、及び（Ｂ）一般式
【化２】
0003591743.tif 000002
（式中のＲは炭化水素基又は置換基を有する炭化水素基、Ａは二価若しくは三価の炭化水素基、ｎは２又は３である）
で表わされるオキシムスルホネート化合物から成る酸発生剤を含有することを特徴とする化学増幅型レジスト組成物を提供するものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】
本発明組成物の（Ａ）成分として用いられる酸の作用によりアルカリに対する溶解性が変化する被膜形成成分は、（ａ）アルカリ可溶性樹脂の水酸基が酸解離性置換基で保護され、アルカリ不溶性になっているもの、及び（ｂ）（イ）アルカリ可溶性樹脂又は上記（ａ）の樹脂と（ロ）酸架橋性物質、すなわち酸触媒により反応して架橋する硬化性物質との組合せから成るものに大別することができる。
【００１１】
前記（ａ）成分を酸発生剤と組み合わせて用いると、露光した部分で酸が生成し、これが保護基を解離するため、その部分がアルカリ可溶性になり、現像の際に露光部分だけが選択的に除去されてポジ型のパターンが得られる。一方、（ｂ）成分を酸発生剤と組み合わせて用いると、露光した部分で発生した酸により、その部分が架橋してアルカリ不溶性になり、現像の際に未露光部分だけが選択的に除去されてネガ型のパターンが得られる。
【００１２】
前記アルカリ可溶性樹脂としては、例えばフェノール、ｍ‐クレゾール、ｐ‐クレゾール、キシレノール、トリメチルフェノールなどのフェノール類とホルムアルデヒドなどのアルデヒド類とを酸性触媒下に縮合させて得られたノボラック樹脂、ヒドロキシスチレンの単独重合体やヒドロキシスチレンと他のスチレン系単量体との共重合体、ヒドロキシスチレンとアクリル酸又はメタクリル酸あるいはその誘導体との共重合体などのポリヒドロキシスチレン系樹脂、アクリル酸又はメタクリル酸とその誘導体との共重合体であるアクリル酸又はメタクリル酸系樹脂などのアルカリ可溶性樹脂が挙げられる。
【００１３】
また、酸解離性置換基で保護された水酸基をもつアルカリ可溶性樹脂としては、水酸基の一部を酸解離性置換基で保護した、ヒドロキシスチレンの単独重合体やヒドロキシスチレンと他のスチレン系単量体との共重合体、ヒドロキシスチレンとアクリル酸又はメタクリル酸あるいはその誘導体との共重合体、あるいはカルボキシル基の水酸基の一部を酸解離性置換基で保護したアクリル酸又はメタクリル酸とそれらの誘導体との共重合体を挙げることができる。
【００１４】
上記のヒドロキシスチレンと共重合させるスチレン系単量体としては、スチレン、α‐メチルスチレン、ｐ‐メチルスチレン、ｏ‐メチルスチレン、ｐ‐メトキシスチレン、ｐ‐クロロスチレンなどが挙げられる。また、上記アクリル酸又はメタクリル酸の誘導体としては、例えばアクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸２‐ヒドロキシエチル、アクリル酸２‐ヒドロキシプロピル、アクリルアミド、アクリロニトリル及び対応するメタクリル酸誘導体を挙げることができる。
【００１５】
他方、上記酸解離性置換基としては、例えばｔｅｒｔ‐ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ‐アミルオキシカルボニル基などのアルコキシカルボニル基、ｔｅｒｔ‐ブチル基などの第三級アルキル基、エトキシエチル基、メトキシプロピル基などのアルコキシアルキル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基などのアセタール基、ベンジル基、トリメチルシリル基などを挙げることができる。
これらの酸解離性置換基による水酸基の保護率は、通常樹脂中の水酸基の１〜６０モル％、好ましくは１０〜５０モル％の範囲である。
【００１６】
本発明の化学増幅型レジスト組成物がポジ型である場合は、（Ａ）成分として、前記（ａ）成分、すなわち酸解離性置換基で保護された水酸基をもつアルカリ可溶性樹脂、具体的にはポリヒドロキシスチレンの水酸基の一部がｔｅｒｔ‐ブトキシカルボニル基で保護された樹脂又はポリヒドロキシスチレンの水酸基の一部がエトキシエチル基、メトキシプロピル基などのアルコキシアルキル基で保護された樹脂あるいはこれらの混合物を用いるのが好ましい。
【００１７】
一方、ネガ型である場合は、（Ａ）成分として、前記（ｂ）成分、すなわち（イ）ノボラック樹脂、ポリヒドロキシスチレン系樹脂、アクリル酸又はメタクリル酸系樹脂などのアルカリ可溶性樹脂又は酸解離性置換基で保護された水酸基をもつアルカリ可溶性樹脂と（ロ）酸架橋性物質との組合せが用いられる。中でもクレゾールノボラック樹脂、ポリヒドロキシスチレン、ヒドロキシスチレンとスチレンとの共重合体、又はポリヒドロキシスチレンの水酸基の一部がｔｅｒｔ‐ブトキシカルボニル基で保護された樹脂と酸架橋性物質との組合せを用いるのが好ましい。
【００１８】
ネガ型レジスト組成物において用いられる酸架橋性物質としては、これまでネガ型レジスト組成物の架橋剤として知られているものの中から任意に選んで使用することができる。このような酸架橋性物質としては、ヒドロキシル基又はアルコキシル基を有するアミノ樹脂、例えば、メラミン樹脂、尿素樹脂、グアナミン樹脂、グリコールウリル‐ホルムアルデヒド樹脂、スクシニルアミド‐ホルムアルデヒド樹脂、エチレン尿素‐ホルムアルデヒド樹脂などを挙げることができる。これらはメラミン、尿素、グアナミン、グリコールウリル、スクシニルアミド、エチレン尿素を沸騰水中でホルマリンと反応させてメチロール化、あるいはこれにさらに低級アルコールを反応させてアルコキシル化することにより容易に得られる。実用上はニカラックＭｘ−７５０、ニカラックＭｗ−３０、ニカラックＭｘ−２９０（いずれも三和ケミカル社製）として入手することができる。
【００１９】
そのほか、１，３，５‐トリス（メトキシメトキシ）ベンゼン、１，２，４‐トリス（イソプロポキシメトキシ）ベンゼン、１，４‐ビス（ｓｅｃ‐ブトキシメトキシ）ベンゼンなどのアルコキシル基を有するベンゼン化合物、２，６‐ジヒドロキシメチル‐ｐ‐クレゾール、２，６‐ジヒドロキシメチル‐ｐ‐ｔｅｒｔ‐ブチルフェノールなどのヒドロキシル基又はアルコキシル基を有するフェノール化合物なども用いることができる。
これらの酸架橋性物質は単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００２０】
（Ａ）成分として、アルカリ可溶性樹脂と酸架橋性物質とを組み合わせて用いる場合には、両者の割合は重量比で１００：３ないし１００：７０好ましくは１００：５ないし１００：５０の範囲で選ばれる。酸架橋性物質がこれよりも少ないと、感度が不十分になるし、またこれよりも多くなると均一なレジスト被膜が形成されにくい上、現像性も低下し、良好なレジストパターンが得られにくくなる。
【００２１】
本発明組成物において、（Ａ）成分に用いられるアルカリ可溶性樹脂の重量平均分子量は、２０００〜２００００の範囲が好ましく、また分子量分布は、耐熱性、解像性の向上の面から小さいほど好ましいが、ノボラック樹脂とポリヒドロキシスチレン系樹脂では構造的な違いから達成される分子量分布に差があるため、ノボラック樹脂では３．５以下、好ましくは３．０以下であり、ポリヒドロキシスチレン系樹脂では３．５以下、好ましくは２．５以下、より好ましくは１．５以下である。
【００２２】
次に、本発明組成物の（Ｂ）成分としては、一般式
【化３】
0003591743.tif 000003
（式中のＲ、Ａ及びｎは前記と同じ意味をもつ）
で表わされるオキシムスルホネート化合物から成る酸発生剤を用いることが必要である。
【００２３】
前記一般式（ＩＩ）における、Ｒのうちの炭化水素基としては、アリール基又は非芳香族性炭化水素基が挙げられる。ここで、アリール基としては、炭素数６〜１４のものが好ましく、例えばフェニル基、トリル基、メトキシフェニル基、キシリル基、ビフェニル基、ナフチル基、アントリル基などが挙げられる。また、非芳香族性炭化水素基はベンゼン環、ナフタレン環、フラン環、チオフェン環、ピリジン環のような芳香族性を示す環を有しない炭化水素基、例えば脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基、具体的にはアルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、シクロアルケニル基などである。このアルキル基、アルケニル基は、直鎖状、枝分れ状のいずれでもよいが、炭素数１２以下のものが、またシクロアルキル基、シクロアルケニル基は、炭素数４〜１２のものが好ましい。このアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ‐ブチル基、ｓｅｃ‐ブチル基、ｔｅｒｔ‐ブチル基、ｎ‐ペンチル基、ｎ‐オクチル基、ｎ‐ドデシル基などを、アルケニル基の例としては、エテニル基、プロペニル基、ブテニル基、ブタジエニル基、ヘキセニル基、オクタジエニル基などを、シクロアルキル基の例としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基、シクロドデシル基を、シクロアルケニル基の例としては、１‐シクロブテニル基、１‐シクロペンテニル基、１‐シクロヘキセニル基、１‐シクロヘプテニル基、１‐シクロオクテニル基などをそれぞれ挙げることができる。
【００２４】
一方、Ｒのうちの置換基を有する炭化水素基としては、前記のアリール基又は非芳香族性炭化水素基の水素原子の１個又は２個以上が適当な置換基で置換されたものを挙げることができるが、塩素原子、臭素原子、フッ素原子などのハロゲン原子、水酸基、アルコキシル基、アシル基などで置換されたもの、特にハロゲン化アリール基又はハロゲン化アルキル基が好ましい。ここで、ハロゲン化アルキル基としては、例えばクロロメチル基、トリクロロメチル基、トリフルオロメチル基、２‐ブロモプロピル基のような炭素数１〜４のハロゲン化アルキル基が好適である。
【００２５】
この一般式（ＩＩ）で表わされるオキシムスルホネート化合物中のＡは、二価若しくは三価の炭化水素基であり、特に、二価又は三価の脂肪族炭化水素基又は芳香族炭化水素基が好ましい。
【００２６】
本発明組成物において、酸発生剤として用いられるオキシムスルホネート化合物は、１分子から２分子又は３分子のスルホン酸を発生するため、同一露光量でも酸の発生効率が高い。また、このオキシムスルホネート化合物の分子が大きすぎると耐熱性が悪くなる傾向があるので、各オキシムスルホネート基のＲは、共に非芳香族性基やハロゲン化非芳香族性基の場合がより好ましい。各Ｒが共に非芳香族性基やハロゲン化非芳香族性基であると、露光光に対する透明性が高く、レジスト中の添加量を増やしてもレジストの透明性を下げないため、感度を向上させることができる上、解像度、レジストパターンの形状にも優れるため好ましい。また、ＫｒＦエキシマ用レジストとして用いる場合、２４８ｎｍに対する透明性を上げるために、オキシムスルホネート基が結合している炭化水素基Ａはアルキレン基が好ましく、ｉ線（３６５ｎｍ）用レジストに使用する場合はフェニレン基が好ましい。
【００２７】
さらに、非芳香族性基やハロゲン化非芳香族性基の中でも、各Ｒは、レジストパターン形状に起因する露光後加熱処理（Ｐｏｓｔ  ｅｘｐｏｓｕｒｅ  ｂａｋｅ）時における酸の拡散し易さを考慮すると、アルキル基やハロゲン化アルキル基が好ましく、中でも炭素数１〜４の低級アルキル基や炭素数１〜４のハロゲン化低級アルキル基が好ましい。
【００２８】
本発明組成物において、（Ｂ）成分の酸発生剤として用いられるオキシムスルホネート化合物の例としては、次に示すものを挙げることができる。
【００２９】
【化４】
0003591743.tif 000004
【００３０】
【化５】
0003591743.tif 000005
【００３１】
本発明のレジスト組成物においては、この（Ｂ）成分のオキシムスルホネート化合物から成る酸発生剤は単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
本発明組成物における各成分の配合割合については、（Ｂ）成分は、（Ａ）成分１００重量部に対して０．１〜３０重量部の割合で用いるのが有利である。この（Ｂ）成分の量が０．１重量部未満では像形成が不十分であるし、３０重量部を超えると均一なレジスト被膜が形成されにくい上、現像性も低下し、良好なレジストパターンが得られにくい。像形成性、レジスト被膜形成性及び現像性などのバランスの点から、この（Ｂ）成分は、（Ａ）成分１００重量部に対し、１〜２０重量部の割合で用いるのが、特に好ましい。
【００３２】
本発明組成物は、その使用に当たっては上記各成分を溶剤に溶解した溶液の形で用いるのが好ましい。このような溶剤の例としては、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソアミルケトン、２‐ヘプタノンなどのケトン類；エチレングリコール、エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノアセテート、ジプロピレングリコール又はジプロピレングリコールモノアセテート、あるいはそれらのモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル又はモノフェニルエーテルなどの多価アルコール類及びその誘導体；ジオキサンのような環式エーテル類；及び乳酸メチル、乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチルなどのエステル類、Ｎ，Ｎ‐ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ‐ジメチルアセトアミド、Ｎ‐メチル‐２‐ピロリドンなどのアミド系溶剤を挙げることができる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上混合して用いてもよい。
【００３３】
本発明組成物には、さらに所望により混和性のある添加物、例えばレジスト膜の性能を改良するための付加的樹脂、可塑剤、安定剤、着色剤、界面活性剤などの慣用されているものを添加含有させることができる。
【００３４】
本発明組成物の使用方法としては従来のホトレジスト技術のレジストパターン形成方法が用いられるが、好適に行うには、まずシリコンウエーハのような支持体上に、該レジスト組成物の溶液をスピンナーなどで塗布し、乾燥して感光層を形成させ、これに縮小投影露光装置などにより、紫外線、ｄｅｅｐ−ＵＶ、エキシマレーザー光を所望のマスクパターンを介して照射するか、あるいは電子線により描画し、加熱する。次いでこれを現像液、例えば１〜１０重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液のようなアルカリ性水溶液などを用いて現像処理する。この形成方法でマスクパターンに忠実な画像を得ることができる。
【００３５】
【発明の効果】
本発明の化学増幅型レジスト組成物は、酸発生剤として、シアノ基をもつオキシムスルホネート基を分子内に２個又は３個有するオキシムスルホネート化合物を用いたポジ型又はネガ型のものであって、酸の発生効率が高く、かつ感度に優れ、パターン形状、寸法忠実性、露光余裕度及び耐熱性などに優れるレジストパターンを与えることができる。
【００３６】
【実施例】
次に、本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明は、これらの例によってなんら限定されるものではない。
【００３７】
参考例１
以下のようにして、式
【化６】
0003591743.tif 000006
の構造を有するオキシムスルホネート化合物を製造した。
ビス（α‐ヒドロキシイミノ）‐ｐ‐フェニレンジアセトニトリル２０ｇ（０．０９３モル）と、トリエチルアミン２２．６ｇ（０．２３３モル）を含むテトラヒドロフラン２００ｍｌとを反応容器に入れ、この溶液を−５℃に冷却したのち、メシルクロリド２６．７ｇ（０．２３３モル）を２時間かけて滴下した。反応混合物を−５℃で２時間かきまぜたのち、約２５℃でさらに２０時間かきまぜた。次いで、テトラヒドロフランを真空下３０℃で留去したのち、得られた生成物２２ｇをアセトニトリルから繰り返し再結晶し、融点２６３℃の白色結晶１２．５ｇ（理論量の３６．３％）を得た。
【００３８】
この生成物の赤外吸収スペクトルを測定した結果、７６９ｃｍ−１、８４０ｃｍ−１、１１８９ｃｍ−１、１３８２ｃｍ−１、２２４０ｃｍ−１にピークが認められた。またプロトン核磁気共鳴スペクトル（１Ｈ−ＮＭＲ）を測定した結果（溶媒：ジメチルスルホキシド‐ｄ６）、３．６８ｐｐｍ、８．１５ｐｐｍにピークが認められた。さらに、紫外線吸収スペクトルを測定した結果（溶媒：テトラヒドロフラン）、λｍａｘ＝２２０ｎｍ、ε＝７９００、λｍａｘ＝３０１ｎｍ、ε＝１２２００であった。
【００３９】
参考例２
以下のようにして、式
【化７】
0003591743.tif 000007
の構造を有するオキシムスルホネート化合物を製造した。
参考例１において、ビス（α‐ヒドロキシイミノ）‐ｐ‐フェニレンジアセトニトリルの代わりにビス（α‐ヒドロキシイミノ）‐ｍ‐フェニレンジアセトニトリルを用いた以外は、参考例１と同様にして反応を行い、得られた生成物３０ｇをアセトニトリルから繰り返し再結晶し、融点１９６℃の白色結晶２５．８ｇ（理論量の７２．０％）を得た。
【００４０】
この生成物の赤外吸収スペクトルを測定した結果、７８２ｃｍ−１、８４４ｃｍ−１、１１９１ｃｍ−１、１３８２ｃｍ−１、２２３８ｃｍ−１にピークが認められた。また、１Ｈ−ＮＭＲを測定した結果（溶媒：ジメチルスルホキシド‐ｄ６）、３．６５ｐｐｍ、７．８９ｐｐｍ、８．２７ｐｐｍ、８．２９ｐｐｍにピークが認められた。さらに、紫外線吸収スペクトルを測定した結果（溶媒：テトラヒドロフラン）、λｍａｘ＝２１１ｎｍ、ε＝６５００、λｍａｘ＝２６９ｎｍ、ε＝１２１００であった。
【００４１】
参考例３
以下のようにして、式
【化８】
0003591743.tif 000008
の構造を有するオキシムスルホネート化合物を製造した。
参考例１において、ビス（α‐ヒドロキシイミノ）‐ｐ‐フェニレンジアセトニトリルの代わりにビス（α‐ヒドロキシイミノ）‐ｍ‐フェニレンジアセトニトリルを用い、かつメシルクロリドの代わりに１‐ブタンスルホニルクロリド３６．３ｇ（０．２３３モル）を用いた以外は、参考例１と同様にして反応を行い、得られた生成物３２ｇをアセトニトリルから繰り返し再結晶し、融点９８℃の白色結晶２０．５ｇ（理論量の４８．５％）を得た。
【００４２】
この生成物の赤外吸収スペクトルを測定した結果、７８３ｃｍ−１、８４４ｃｍ−１、１１９１ｃｍ−１、１３８２ｃｍ−１、２２３９ｃｍ−１にピークが認められた。また、１Ｈ−ＮＭＲを測定した結果（溶媒：アセトン‐ｄ６）、０．９８ｐｐｍ、１．５２ｐｐｍ、１．９２ｐｐｍ、３．７０ｐｐｍ、７．９１ｐｐｍ、８．２７ｐｐｍ、８．４０ｐｐｍにピークが認められた。さらに、紫外線吸収スペクトルを測定した結果（溶媒：テトラヒドロフラン）、λｍａｘ＝２１１ｎｍ、ε＝７１００、λｍａｘ＝２６８ｎｍ、ε＝１３５００であった。
【００４３】
参考例４
以下のようにして、式
【化９】
0003591743.tif 000009
の構造を有するオキシムスルホネート化合物を製造した。
ビス（α‐ヒドロキシイミノ）‐ｍ‐フェニレンジアセトニトリル１０ｇ（０．０４６５モル）と、トリエチルアミン１１．３ｇ（０．１１６モル）を含むテトラヒドロフラン２００ｍｌとを反応容器に入れ、この溶液を−５℃に冷却したのち、ｐ‐トルエンスルホニルクロリド２２．１ｇ（０．１１６モル）を２時間かけて滴下した。反応混合物を−５℃で２時間かきまぜたのち、約２５℃でさらに２０時間かきまぜた。次いで、テトラヒドロフランを真空下３０℃で留去したのち、得られた生成物１２ｇをアセトニトリルから繰り返し再結晶し、融点２０５℃の白色結晶１０ｇ（理論量の４１．３％）を得た。
【００４４】
この生成物の赤外吸収スペクトルを測定した結果、７７３ｃｍ−１、８３６ｃｍ−１、１１９７ｃｍ−１、１３９４ｃｍ−１、２２３７ｃｍ−１にピークが認められた。また、１Ｈ−ＮＭＲを測定した結果（溶媒：ジメチルスルホキシド‐ｄ６）、２．４２ｐｐｍ、７．５２ｐｐｍ、７．７７ｐｐｍ、７．９８ｐｐｍにピークが認められた。さらに、紫外線吸収スペクトルを測定した結果（溶媒：テトラヒドロフラン）、λｍａｘ＝２３０ｎｍ、ε＝２４０００、λｍａｘ＝２７０ｎｍ、ε＝１７３００であった。
【００４５】
参考例５
以下のようにして、式
【化１０】
0003591743.tif 000010
の構造を有するオキシムスルホネート化合物を製造した。
参考例２において、メシルクロリドの代わりに無水トリフルオロメタンスルホン酸６４．７ｇ（０．２３３モル）を用いた以外は、参考例２と同様にして上記オキシムスルホネート化合物を得た。
【００４６】
参考例６
以下のようにして、式
【化１１】
0003591743.tif 000011
の構造を有するオキシムスルホネート化合物を製造した。
参考例４において、ｐ‐トルエンスルホニルクロリドの代わりに４‐メトキシベンゼンスルホニルクロリド２４．０ｇ（０．１１６モル）を用いた以外は、参考例４と同様にして上記オキシムスルホネート化合物を得た。
【００４７】
実施例１
重量平均分子量２５００のヒドロキシスチレンとスチレンとの共重合体１００重量部及びメラミン樹脂であるＭｗ−３０（三和ケミカル社製）１５重量部をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート３８４重量部とＮ‐  メチル‐２‐ピロリドン９６重量部との混合溶剤に溶解し、これに酸発生剤として、参考例２で得られた化合物３重量部を溶解してネガ型レジスト溶液を得た。
【００４８】
次に、このレジスト溶液をスピンナーを用いてシリコンウエーハ上に塗布し、ホットプレート上で９０℃にて９０秒間乾燥することにより、膜厚１．０μｍのレジスト層を形成した。次いで、縮小投影露光装置ＮＳＲ−２００５ｉ１０Ｄ（ニコン社製）により、レベンソン型位相シフトマスクを介してｉ線（３６５ｎｍ）を選択的に照射したのち、１００℃、９０秒間露光後加熱（ＰＥＢ）処理し、次いで、２．３８重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で６５秒間現像し、３０秒間水洗して乾燥した。現像後の形成された０．３０μｍのレジストパターンの断面形状をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）写真により、観察したところ、基板に対して垂直な矩形のレジストパターンであった。また、露光余裕度として（Ｅｏｐ／Ｅｇ）を求めたところ、１．７０であった。なお、Ｅｏｐとは、０．３０μｍのラインアンドスペースが１：１に形成される露光量であり、Ｅｇは０．３０μｍのマスクパターンの露光部が像形成され始める露光時間である。
【００４９】
比較例１
実施例１において、酸発生剤として、参考例２で得られた化合物の代わりにα‐（ｐ‐トルエンスルホニルオキシイミノ）‐４‐メトキシフェニルアセトニトリル３重量部を用いた以外は、実施例１と同様にしてネガ型レジスト溶液を調製した。
【００５０】
次に、このレジスト溶液を実施例１と同様な条件でパターニングした。形成された０．３０μｍのレジストパターンの断面形状をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）写真により、観察したところ、トップ部分が細くなったレジストパターンであった。また、露光余裕度についても実施例１と同様にして求めたところ、１．６０であった。
【００５１】
実施例２
重量平均分子量１００００のｍ‐クレゾールのホルマリン縮合物であるクレゾールノボラック樹脂１００重量部及びメラミン樹脂であるＭｗ−３０（三和ケミカル社製）１０重量部をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート２７０重量部に溶解し、これに酸発生剤として、参考例２で得た化合物１．５重量部を溶解してネガ型レジスト溶液を得た。
【００５２】
次に、このレジスト溶液をスピンナーを用いてシリコンウエーハ上に塗布し、ホットプレート上で９０℃にて９０秒間乾燥することにより、膜厚２．０μｍのレジスト層を形成した。次いで、縮小投影露光装置ＮＳＲ−２００５ｉ１０Ｄ（ニコン社製）により、ｉ線（３６５ｎｍ）を選択的に照射したのち、１００℃で９０秒間ＰＥＢ処理したのち、２．３８重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で６５秒間現像し、３０秒間水洗して乾燥した。この際、０．８０μｍのラインアンドスペースが１：１に形成される露光時間を感度としてｍＪ／ｃｍ２（エネルギー量）単位で測定したろころ、７５ｍＪ／ｃｍ２であった。
【００５３】
また、このようにして形成された０．８０μｍのレジストパターンの断面形状をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）写真により、観察したところ、基板に対して垂直な矩形のレジストパターンであった。また、寸法忠実性として１μｍのラインアンドスペースが１：１に形成される時間を上記感度で割った値を求めたところ、１．１５であった。また、耐熱性として０．８μｍのレジストパターンをホットプレート上で加熱しレジストパターンがフローする温度を求めたところ、２００℃であった。
【００５４】
比較例２
実施例２において、酸発生剤として、参考例２で得られた化合物の代わりにα‐（ｐ‐トルエンスルホニルオキシイミノ）フェニルアセトニトリル３重量部を用いた以外は、実施例２と同様にしてネガ型レジスト溶液を調製した。
【００５５】
次に、このレジスト溶液を実施例２と同様な条件でパターニングし、同様な定義の感度を測定したところ、３００ｍＪ／ｃｍ２であった。
【００５６】
また、このようにして形成された０．８０μｍのレジストパターンの断面形状をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）写真により、観察したところ、トップ部分が細くなったレジストパターンであった。また、寸法忠実性、耐熱性についても実施例２と同様にして求めたところ、１．３５と１４０℃であった。
【００５７】
実施例３
実施例２において、酸発生剤として、参考例２で得られた化合物の代わりに参考例３で得られた化合物１．５重量部を用いた以外は、実施例２と同様にしてネガ型レジスト溶液を調製した。
【００５８】
次に、このレジスト溶液を実施例２と同様な条件でパターニングし、同様な定義の感度を測定したところ、６５ｍＪ／ｃｍ２であった。
【００５９】
また、このようにして形成された０．８０μｍのレジストパターンの断面形状をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）写真により、観察したところ、基板に対して垂直な矩形のレジストパターンであった。さらに、寸法忠実性、耐熱性についても実施例２と同様にして求めたところ、１．１８と２００℃であった。