【事件の表示】
　特願２００１−１６６２４６「相変化型光ディスク保護膜形成用スパッタリングターゲット及び該ターゲットを使用して相変化型光ディスク保護膜を形成した光記録媒体」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年１２月１３日出願公開、特開２００２−３５８６９９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１３年６月１日の出願であって、平成１８年６月２６日付けで拒絶理由の通知がなされ、同年８月３０日に意見書及び手続補正書が提出されたが、同年１０月４日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１１月１５日に拒絶査定不服の審判請求がなされ、同年１１月２０日付けで前記審判に係る請求書及び明細書の記載に係る手続補正書が提出され、同年１１月２１日付けで前記審判に係る請求書に係る手続補正書が提出され、平成２１年１月５日付けで特許法第１６４条３項に基づく報告を引用した審尋がなされ、同年２月２７日に回答書が提出され、同年３月２７日付けで当審による拒絶理由の通知がなされるとともに同日付けで平成１８年１１月２０日付けの明細書の記載に係る手続補正の却下の決定がなされ、平成２１年６月５日に意見書及び手続補正書が提出されたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項１〜７に係る発明は、平成２１年６月５日付け手続補正書によって補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜７に記載された事項で特定された以下のとおりのものであると認める。
【請求項１】　カルコゲン化物と珪酸化物及びアルカリ土類金属若しくはこれらの酸化物又はアルカリ金属若しくはこれらの酸化物から選択した１種以上の複合体からなる相変化型光ディスク保護膜形成用スパッタリングターゲットであって、少なくともエロージョンの部位において、スパッタ面の法線方向に対して−３０°〜＋３０°の範囲にある面に存在する珪酸化物の該法線方向の平均長さをＡ、該法線に対して垂直方向の平均長さをＢとしたとき、０．３≦Ａ／Ｂ≦０．９５となる扁平な珪酸化物の組織を有することを特徴とする相変化型光ディスク保護膜形成用スパッタリングターゲット。
【請求項２】　カルコゲン化物が硫化亜鉛を含むことを特徴とする請求項１記載の相変化型光ディスク保護膜形成用スパッタリングターゲット。
【請求項３】　珪酸化物の割合が１〜５０ｍｏｌ％であることを特徴とする請求項１又は２のいずれか一項に記載の相変化型光ディスク保護膜形成用スパッタリングターゲット。
【請求項４】　珪酸化物が純度９８％以上の二酸化珪素であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の相変化型光ディスク保護膜形成用スパッタリングターゲット。
【請求項５】　珪酸化物の結晶化温度が９００〜１４００°Ｃの範囲にあることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の相変化型光ディスク保護膜形成用スパッタリングターゲット。
【請求項６】　相対密度が９７％以上であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の相変化型光ディスク保護膜形成用スパッタリングターゲット。
【請求項７】　請求項１〜６のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲットを使用して相変化型光ディスク保護膜を形成した光記録媒体。
　
３．当審による拒絶理由
　当審による平成２１年３月２７日付け拒絶理由通知の理由の概要は、本件出願は、明細書及び図面の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第６項第１号及び第２号に規定する要件を満たしていないから特許を受けることができない、というものである。
　　　　　　　　　　　　　　　　記
（１）請求項１及び２に記載されている「スパッタ面の法線方向に対して−３０°〜＋３０°の範囲にある面」について、特定される「面」が不明確であるし、発明の詳細な説明に記載した事項を超えて記載するものである。
（２）請求項１及び２に記載されている「面に存在する珪酸化物の法線方向の平均長さをＡ、該法線に対して垂直方向の平均長さをＢ」について、当該面に存在する珪酸化物の各平均長さＡ及びＢが不明確である。
（３）請求項１及び２に記載されている「０．３≦Ａ／Ｂ≦０．９５」は、その範囲が不明確であるし、発明の詳細な説明に記載した事項を超えて特許を請求するものである。
（４）「アルカリ土類金属若しくはこれらの酸化物又はアルカリ金属若しくはこれらの酸化物から選択した１種以上」を添加しない本願請求項１〜８に係る発明は、発明の詳細な説明に記載した事項を超えて特許を請求するものである。
　
４．当審の判断
（１）請求項１に係る発明の特定事項である「スパッタ面の法線方向に対して−３０°〜＋３０°の範囲にある面」は、以下の理由により、依然として不明確である。
（１−１）「スパッタ面の法線方向に対して−３０°〜＋３０°の範囲」について検討するに、一つの方向に対して一定の角度をもつ範囲とは、その方向を中心とした３６０°全方位にわたって存在する範囲であるから、上記範囲をその文言どおりに解釈すると、法線方向を中心とした３６０°全方位にわたって該方向に対して−３０°〜＋３０°の範囲の広がりをもった空間範囲を指すものと解される。よって、「スパッタ面の法線方向に対して−３０°〜＋３０°の範囲にある面」とは、当該空間範囲の中に存在するすべての面を含み得るものといえる。
　そうすると、「少なくともエロージョンの部位において」との限定を付したものであるとしても、そのような空間範囲の中に存在する面としては多種多様な形状の無数の平面又は曲面が存在すると解されるから、一義的に特定の面が決められないことは明らかである。
（１−２）なお、上記一義的に特定できない「面」の解釈にあたり、明細書の発明の詳細な説明を参酌してみると、当該「面」に関しては、以下のような記載がある（請求項の記載を単に転記している部分を除く）。
（あ）「本発明のカルコゲン化物と珪酸化物の複合体からなる相変化型光ディスク保護膜形成用スパッタリングターゲットは、少なくともエロージョンの部位において、スパッタ面の法線方向に対して−３０°〜＋３０°の範囲にある面に存在する珪酸化物の法線方向の平均長さをＡ、該法線に対して垂直方向の平均長さをＢとしたとき、０．３≦Ａ／Ｂ≦０．９５となる組織を有することが大きな特長である。ここで言う、法線方向に対して−３０°〜＋３０°の範囲にある面に存在する珪酸化物の長さとは、法線方向及び該法線方向から−３０°〜＋３０°逸れた範囲にある面に存在する珪酸化物の長さを意味する。・・・また、スパッタ面の前記法線に対して−３０°〜＋３０°の範囲にある面に存在する珪酸化物の法線方向の平均長さが０．１〜１０μｍであることがさらに有効である。」（段落【００１０】）
（い）「（実施例１）・・・また、スパッタ面のＳｉＯ２部の、法線方向の平均長さと該法線に対して垂直な方向の平均長さの比（Ａ／Ｂ）は０．７であり、ＳｉＯ２部の法線方向の平均長さは８μｍであった。」（段落【００１４】。なお、実施例２、実施例３及び比較例１〜３についても、上記同様、「スパッタ面のＳｉＯ２部」についての記載があるのみである。）
（う）段落【００２１】の【表１】には、実施例１の「ＳｉＯ２の平均長さの比（Ａ／Ｂ）」及び「ＳｉＯ２の法線方向平均長さ（μｍ）」がそれぞれ「０．７」及び「８」であることが記載されており、表の脚注には「Ａ：スパッタ面の法線方向に対して−３０°〜＋３０°の範囲にある面に存在する珪酸化物の法線方向の平均長さ、Ｂ：該法線に対して垂直方向の平均長さ」と記載されている。
（え）「本発明は、スパッタ面の法線方向に対して存在する珪酸化物の法線方向の長さをＡ、該法線に対して垂直方向の−３０°〜＋３０°の範囲にある面に存在する珪酸化物の長さをＢとしたとき、０．３≦Ａ／Ｂ≦０．９５となる組織を有するカルコゲン化物と珪酸化物の複合体からなる相変化型光ディスク保護膜形成用スパッタリングターゲットとすることにより、スパッタリングによって膜を形成する際に、スパッタ時に発生するパーティクル（発塵）やノジュールを低減させ且つ高密度で品質のばらつきが少なく量産性を向上させることのできるという著しい効果を有する。」（段落【００２２】）
（１−３）上記（あ）〜（え）の記載を参酌しても、「スパッタ面の法線方向に対して−３０°〜＋３０°の範囲にある面」については「該法線方向から−３０°〜＋３０°逸れた範囲にある面」であることが補足的に説明されているのみであって、この逸れた範囲にある面に存在する珪酸化物が「ＳｉＯ２部」と称されるとしても、「ＳｉＯ２部」が技術常識に照らして当業者が明確に理解できる部分とは解されないから、当該「範囲にある面」がどのような範囲であって、しかもどのような形状をもつ面を意味しているのかは、依然不明確である。
（１−４）なお、審判請求人は、平成２１年６月５日に提出の意見書において、本願発明は、「面」と特定しているので「平面」又は「曲面」しかないが、もし「曲面」とするのであればフリー百科事典「ウィキペディア（Wikipedia）」や世界大百科辞典（中岡稔著）に記載されているような定義による記載が明細書に必要であり、このような記載が皆無である以上、本願発明は「平面」と解釈するのが正しく、「曲面」と解釈する余地はない旨主張する（同意見書３．（２））。
　しかしながら、本願明細書には、当該「面」について「曲面」の定義による記載がないばかりでなく「平面」の定義による記載もされていないから、曲面の定義による記載が皆無であることから、当該「面」が「曲面」であるとは断定できないとしても、「平面」のみと解釈するのが正しいと直ちにいえるとは解されず、多義的に解釈し得る余地があることは明白である。
　よって、上記審判請求人の主張は、到底採用することができない。
　そして、請求項１に係る発明の特定事項である「スパッタ面の法線方向に対して−３０°〜＋３０°の範囲にある面」について、審判請求人は、具体的な釈明をしてこなかった。
（１−５）また、審判請求人は、上記意見書において、「−３０°〜＋３０°の範囲にある面」との規定における角度は、スパッタ開始後にエロージョンが進み、特定の部位（円盤状であれば、外縁から内部に向かって一定幅をもった傾斜状に）が浸食され、厚みが低減し、このエロージョンの進行を角度的に表現すると少なくとも３０°となり、ターゲットの断面からみると「−３０°〜＋３０の範囲」となる旨、さらにはエロージョンが進行するにつれてスパッタ面は初期ターゲットの法線に対して−３０°〜＋３０°の範囲にある傾斜面になり、いずれの面もターゲットのスパッタ面に対して法線方向の面とこの法線方向に対して垂直な面となり、曲面は存在しない旨も主張している（同意見書３．（２））。
　しかしながら、スパッタリングにおけるターゲット材の消耗の程度は必ずしも一様ではなく、エロージョンの進行したターゲット形状が一定でないことは技術常識である（要すれば、特開平７−２７８８０７号公報の段落【０００９】、特開平１０−２５５７１号公報の段落【０００６】、特開２００１−７６９５５号公報の段落【０００５】等参照）から、たとえエロージョンの進行を角度的に表現した範囲や面で定めたものであるとしても、そもそもその範囲や形状自体が一定でないから、面が特定できるものとは解されない。
　よって、上記審判請求人の主張も採用することができない。
（１−６）したがって、本願請求項１に記載されている「スパッタ面の法線方向に対して−３０°〜＋３０°の範囲にある面」は、発明特定事項として不明確であるといわざるを得ない。
（２）請求項１に記載されている「少なくともエロージョンの部位において、スパッタ面の法線方向に対して−３０°〜＋３０°の範囲にある面に存在する珪酸化物の法線方向の平均長さをＡ、該法線に対して垂直方向の平均長さをＢ」は、以下の理由により、依然として不明確である。
（２−１）上記（１）で指摘するように、当該面自体が明確に定まらないから、当該面に存在する珪酸化物が明確に特定できず、したがってその各平均長さＡ及びＢも自ずと不明確となるものである。
　また、仮に当該面が特定できたとしても、カルコゲン化物と珪酸化物の複合体からなるターゲット中に存在する珪酸化物は立体的（すなわち三次元的）な広がりをもった粒子であるから、面（すなわち二次元）に存在する珪酸化物粒子の長さとは、面を通過している珪酸化物自体の三次元的外形を意味するのか、それとも面内を横切る二次元的断面を意味しているのか不明であるから、当該各長さＡ及びＢの定義そのものが不明確である。
（２−２）なお、審判請求人は、平成２１年６月５日に提出の意見書において、一般に「扁平な珪酸化物」の存在形態を定量化するために３種の方法が採られるが、本願発明は珪酸化物の長さを規定しているので、断面の長さであることは自明であり、無作為に測定箇所を特定し、その断面を採り、その平均長さを測定することが可能で、測定箇所による変動はそれほど大きくなることはない旨主張している（同意見書３．（３））。
　しかしながら、仮に珪酸化物の長さが特定面上での断面の長さであるとした場合、二次元形状である面が三次元形状である珪酸化物のどの位置をどのような角度でもって横切るかによって断面の長さが異なることは当然であって、そのような採り方によって異なる断面の長さをもって、三次元形状で存在している珪酸化物の存在形態を適切に表現又は特定しているとは到底解されない。
　よって、上記審判請求人の主張は採用することができない。
（２−３）したがって、本願請求項１に記載されている「面に存在する珪酸化物の法線方向の平均長さをＡ、該法線に対して垂直方向の平均長さをＢ」は、発明特定事項として不明確であるといわざるを得ない。
（３）請求項１に記載されている「０．３≦Ａ／Ｂ≦０．９５」の範囲は、以下の理由により、依然として不明確である。また、仮に明確であるとしても、以下のとおり、本願明細書及び図面を参照しても「０．３≦Ａ／Ｂ≦０．９５」の範囲を設定する技術的意義が依然として不明であるから、請求項１に記載されている発明は、発明の詳細な説明に記載されたものではない。
（３−１）上記（２）で指摘するように、Ａ及びＢが不明確であるから、「０．３≦Ａ／Ｂ≦０．９５」の範囲も自ずと不明確となるものである。
（３−２）また、請求項１に記載されている「０．３≦Ａ／Ｂ≦０．９５」に関して、本願明細書及び図面には以下のような記載がある（請求項の記載を単に転記している部分を除く）。
（ア）「本発明のカルコゲン化物と珪酸化物の複合体からなる相変化型光ディスク保護膜形成用スパッタリングターゲットは、少なくともエロージョンの部位において、スパッタ面の法線方向に対して−３０°〜＋３０°の範囲にある面に存在する珪酸化物の法線方向の平均長さをＡ、該法線に対して垂直方向の平均長さをＢとしたとき、０．３≦Ａ／Ｂ≦０．９５となる組織を有することが大きな特長である。・・・換言すると、上記の条件でスパッタリングターゲットの厚み方向に亘って存在するＳｉＯ２粒の存在を減少させる、すなわちＳｉＯ２粒を薄くし扁平とすることによりパーティクルやノジュールの発生を効果的に抑制することが可能となった。また、スパッタ面の前記法線に対して−３０°〜＋３０°の範囲にある面に存在する珪酸化物の法線方向の平均長さが０．１〜１０μｍであることがさらに有効である。」（段落【００１０】）
（イ）「（実施例１）・・・スパッタ面のＳｉＯ２部の、法線方向の平均長さと該法線に対して垂直な方向の平均長さの比（Ａ／Ｂ）は０．７であり、ＳｉＯ２部の法線方向の平均長さは８μｍであった。」（段落【００１４】）
（ウ）「（実施例２）・・・スパッタ面のＳｉＯ２部の、法線方向の平均長さと該法線に対して垂直な方向の平均長さの比（Ａ／Ｂ）は０．９であり、ＳｉＯ２部の法線方向の平均長さは１０μｍであった。」（段落【００１５】）
（エ）「（実施例３）・・・スパッタ面のＳｉＯ２部の、法線方向の平均長さと該法線に対して垂直な方向の平均長さの比（Ａ／Ｂ）は０．６であり、ＳｉＯ２部の法線方向の平均長さは６μｍであった。」（段落【００１６】）
（オ）「（比較例１）・・・スパッタ面のＳｉＯ２部の、法線方向の平均長さと該法線に対して垂直な方向の平均長さの比（Ａ／Ｂ）は１．１であり、ＳｉＯ２部の法線方向の平均長さは１５μｍであった。」（段落【００１７】）
（カ）「（比較例２）・・・スパッタ面のＳｉＯ２部の、法線方向の平均長さと該法線に対して垂直な方向の平均長さの比（Ａ／Ｂ）は１．０であり、ＳｉＯ２部の法線方向の平均長さは１３μｍであった。」（段落【００１８】）
（キ）「ＳｉＯ２部の前記長さの比Ａ／Ｂとノジュールの発生及びターゲットの表面粗さに相関関係があり、それは図１及び図２に示す通りである。図１はノジュールの発生率とＳｉＯ２部の長さの比Ａ／Ｂの相関を示すグラフであり、図２は表面粗さＲａ（μｍ）とＳｉＯ２部の長さの比Ａ／Ｂの相関を示すグラフである。したがって、ＳｉＯ２部の前記長さの比Ａ／Ｂを調整することにより、ノジュールの発生及びターゲットの表面粗さを制御することができる。」（段落【００２０】）
（ク）段落【００２１】の【表１】には、実施例１〜３、比較例１及び２の「ＳｉＯ２の平均長さの比（Ａ／Ｂ）」、「ノジュール発生率（個数／ｃｍ２）」及び「スパッタ面表面粗さ（Ｒａ）」について、実施例１ではそれぞれ「０．７」、「０．１１」及び「１．５」、実施例２では「０．９」、「０．２０」及び「２．３」、実施例３では「０．６」、「０．０９」及び「１．２」、比較例１では「１．１」、「０．３３」及び「３．５」、比較例２では「１．０」、「０．２９」及び「２．８」であることが記載されており、【図１】及び【図２】には、上記「ＳｉＯ２の平均長さの比（Ａ／Ｂ）」と「ノジュール発生率（個数／ｃｍ２）」との関係及び「ＳｉＯ２の平均長さの比（Ａ／Ｂ）」と「表面粗さＲａ（μｍ）」と関係について、それぞれ表として示されている。また、【図１】及び【図２】を参照するに、各図中に記されている上記実施例及び比較例の各値を結んだ直線が「ノジュール発生率（個数／ｃｍ２）」又は「表面粗さＲａ（μｍ）」の値が「０」になるときの「ＳｉＯ２の平均長さの比（Ａ／Ｂ）」の値（すなわち、図中の縦軸の切片の値）は、「０．３」より大きい値となっていることが視認される。
（ケ）「【発明の効果】本発明は、スパッタ面の法線方向に対して存在する珪酸化物の法線方向の長さをＡ、該法線に対して垂直方向の−３０°〜＋３０°の範囲にある面に存在する珪酸化物の長さをＢとしたとき、０．３≦Ａ／Ｂ≦０．９５となる組織を有するカルコゲン化物と珪酸化物の複合体からなる相変化型光ディスク保護膜形成用スパッタリングターゲットとすることにより、スパッタリングによって膜を形成する際に、スパッタ時に発生するパーティクル（発塵）やノジュールを低減させ且つ高密度で品質のばらつきが少なく量産性を向上させることのできるという著しい効果を有する。」（段落【００２２】）
（３−３）以上の記載からすると、「Ａ／Ｂ」の値が０．６〜１．１の範囲について実施例及び比較例が記載されており、Ａ／Ｂとノジュールの発生及びターゲットの表面粗さに相関関係があるとはされているものの、その相関関係とは図１及び図２に示されている略直線状の関係を指すのみであって、相関関係が成立する技術的根拠は何ら記載されていない。
　また、上記（ア）及び（キ）には、それぞれ「ＳｉＯ２粒を薄くし扁平とすることによりパーティクルやノジュールの発生を効果的に抑制することが可能となった。」及び「ＳｉＯ２部の前記長さの比Ａ／Ｂとノジュールの発生及びターゲットの表面粗さに相関関係があり、それは図１及び図２に示す通りである。・・・したがって、ＳｉＯ２部の前記長さの比Ａ／Ｂを調整することにより、ノジュールの発生及びターゲットの表面粗さを制御することができる。」と記載されていることからみて、当該相関関係は本件発明によって初めて見出されたものであって、技術常識に照らしてもみても、当該相関関係は導出できないものであると推認するのが相当である。
　そうすると、上記の相関関係について、明細書及び図面の記載を参照すると、この略直線状の関係は単に実施例及び比較例の計５点を結んだものであるとしか解されず、そのような略直線状の関係が成立する技術的根拠が何ら明らかにされていないのであるから、実施例及び比較例をもって具体的な裏付けがない範囲については、同様な相関関係が成立して発明の課題を解決できるかどうか、技術常識に照らしても当業者が認識できる範囲であるとはいえない。
　よって、仮に実施例２と比較例１の結果から「Ａ／Ｂ」の値が０．９と１．１との間に実施例と比較例の境界があることは推定できたとしても、「Ａ／Ｂ」の値が０．６である実施例３より小さい「Ａ／Ｂ」値は何ら記載も示唆もされていないから、いかなる理由をもって「Ａ／Ｂ」の下限値を「０．３」まで拡張できるのか不明であって、当業者が発明の課題を解決できる範囲と認識することができないものであるといわざるを得ない。
　しかも、仮に当該略直線状の相関関係が０．６より小さな範囲でも成立すると仮定したとしても、上記（ク）からすると、「ノジュール発生率（個数／ｃｍ２）」又は「表面粗さＲａ（μｍ）」の値が「０」になるときの「ＳｉＯ２の平均長さの比（Ａ／Ｂ）」の値が「０．３」より大きい値となっているのであるから、図１及び図２の略直線状の関係からみて、Ａ／Ｂの値が「０．３」となるときは「ノジュール発生率（個数／ｃｍ２）」又は「表面粗さＲａ（μｍ）」の値がいずれも０より小さい値となってしまい、ノジュールの発生率や表面粗さが負の値になるという物理的には想定し得ない数値となることが明白である。
　以上のとおり、発明の詳細な説明には、「Ａ／Ｂ」の値を「０．３≦Ａ／Ｂ≦０．９５」の範囲とすることについて、当業者が発明の課題を解決できると認識できる範囲のものとして十分にサポートして記載されているとはいえないし、本願出願時の技術常識に照らしても、「０．３≦Ａ／Ｂ≦０．９５」と拡張して当該課題を解決できると認識できるものと認められない。
　したがって、請求項１〜７で特定される発明は、発明の詳細な説明に記載した事項を超えて特許を請求するものであることは明らかである。
（３−４）なお、審判請求人は、平成２１年６月５日に提出の意見書において、「Ａ／Ｂ」の下限値０．３について、図１に示すように、「Ａ／Ｂ」の比とノジュールの発生がほぼ比例関係にあり、この数値が小さくなるほど、ノジュールが低減することが理解でき、実際に製造できる範囲が０．３と認識したものであって、実施例にその数値が記載されていなくても常識的に認識できる範囲である旨主張している（同意見書３．（３））。
　しかしながら、上記のとおり、上記比例関係が成立する技術的根拠が何ら示されていないから、いかなる根拠をもって０．３まで製造できる範囲と認識したのか不明であるし、本願発明が「珪酸化物の形状を調整・・・することで、・・・スパッタ時に発生するパーティクルやノジュールを低減でき、膜厚均一性も向上できるとの知見を得た」（明細書の段落【０００９】）ものであるならば、本願発明の効果を奏する「Ａ／Ｂ」の下限値や実際に製造できる「Ａ／Ｂ」の範囲について、明細書に何らかの記載あるいは示唆があるはずであり、これらがない以上、技術常識として認識できる範囲があるものとは到底認められない。
　よって、上記審判請求人の主張は採用することができない。
（３−５）したがって、本願請求項１に記載されている「０．３≦Ａ／Ｂ≦０．９５」は、発明特定事項として不明確であり、発明の詳細な説明に記載されたものではないといわざるを得ない。
（４）なお、当審による拒絶理由の記（４）の不備については、平成２１年６月５日に提出の手続補正書によって解消された。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、この出願の特許請求の範囲の請求項１〜７に係る発明は、特許を受けようとする発明が明確でなく、また発明の詳細な説明に記載したものでもないから、特許法第３６条第６項第１号及び第２号に規定する要件を満たしていない。
　したがって、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。