【事件の表示】
　平成１０年特許願第２５５８４８号「半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　６月　２日出願公開、特開平１１−１５００６６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯 
　本願は、平成１０年９月９日（優先権主張平成９年９月１０日）の出願であって、平成１８年２月１４日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年３月２２日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年４月２１日に手続補正がなされ、その後、平成２０年１月１５日付けで審尋がなされ、同年３月１９日に回答書が提出されたものである。
　 
２．平成１８年４月２１日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）について 
［補正却下の決定の結論］ 
　平成１８年４月２１日付けの手続補正を却下する。 
［理由］ 
（１）本件補正の内容 
　本件補正は、特許請求の範囲及び発明の詳細な説明を補正するものであり、補正前の請求項１及び３を補正後の請求項１及び３と補正し、発明の詳細な説明の００１１段落を補正するものであって、補正後の請求項１及び３は以下のとおりである。
〈補正後の請求項１〉
「【請求項１】　基板上に非単結晶半導体膜を形成する第一工程と、該非単結晶半導体膜の表面を酸化する第二工程とを少なくとも含む半導体装置の製造方法であって、
　前記第二工程を酸化性雰囲気下にて１０７０℃未満の温度で、且つ一原子層酸化時間が、酸化に伴い半導体膜に生ずる引張り応力を緩和する酸化膜応力緩和時間より長くなるように前記酸化性雰囲気が設定されてなる（但し、酸化性雰囲気における乾燥酸素の濃度が３％以下である場合を除く）ことを特徴とする半導体装置の製造方法。」
〈補正後の請求項３〉
「【請求項３】　基板上に非単結晶半導体膜を形成する第一工程と、該非単結晶半導体膜の表面を酸化する第二工程とを少なくとも含む半導体装置の製造方法であって、
　前記第二工程を酸素（Ｏ２）と不活性気体とを含む雰囲気下にて１０７０℃未満の温度Ｔ（℃）で、且つ一原子層酸化時間（ｔ１）が、酸化に伴い半導体膜に生ずる引張り応力を緩和する酸化膜応力緩和時間（τ）より長くなるように前記酸素の分圧（ＰＯ２）が調整されてなる（但し、乾燥酸素の濃度が３％以下である場合を除く）ことを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　 
（２）補正内容の整理
　本件補正のうち、補正前の請求項１及び３についてなされた補正の内容を、以下に整理する。
〈補正事項１〉
　補正前の請求項１の「前記酸化性雰囲気が設定されてなる」と「ことを特徴とする半導体装置の製造方法」との間に、「（但し、酸化性雰囲気における乾燥酸素の濃度が３％以下である場合を除く）」を追加すること。
〈補正事項２〉
　補正前の請求項３の「前記酸素の分圧（ＰＯ２）が調整されてなる」と「ことを特徴とする半導体装置の製造方法」との間に、「（但し、乾燥酸素の濃度が３％以下である場合を除く）」を追加すること。
　
（３）補正の目的の適否及び新規事項の追加の有無について
〈補正事項１について〉
　補正事項１についての補正は、実質的に、「前記第二工程を酸化性雰囲気下にて１０７０℃未満の温度で、且つ一原子層酸化時間が、酸化に伴い半導体膜に生ずる引張り応力を緩和する酸化膜応力緩和時間より長くなるように」「設定され」た「前記酸化性雰囲気」の設定条件から、「酸化性雰囲気における乾燥酸素の濃度が３％以下である場合を除く」ことにより、「前記酸化性雰囲気」の設定条件を限定するものである。よって、補正事項１についてなされた補正は、特許法第３６条第５項の規定により請求項に記載した発明を特定するために必要な事項を限定するものであるから、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また、補正事項１についてなされた補正は、「前記酸化性雰囲気」の設定条件を限定するものであり、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関連において、新たな技術的事項を導入しないものと認められるから、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内でなされたものであることは明らかである。よって、補正事項１についてなされた補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
〈補正事項２について〉
　補正事項２についての補正は、実質的に、「前記第二工程を酸素（Ｏ２）と不活性気体とを含む雰囲気下にて１０７０℃未満の温度Ｔ（℃）で、且つ一原子層酸化時間（ｔ１）が、酸化に伴い半導体膜に生ずる引張り応力を緩和する酸化膜応力緩和時間（τ）より長くなるように」「調整され」た「前記酸素の分圧（ＰＯ２）」の設定条件から、「乾燥酸素の濃度が３％以下である場合を除く」ことにより、「前記酸素の分圧（ＰＯ２）」の設定条件を限定するものである。よって、補正事項２についてなされた補正は、特許法第３６条第５項の規定により請求項に記載した発明を特定するために必要な事項を限定するものであるから、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また、補正事項２についてなされた補正は、「前記酸素の分圧（ＰＯ２）」の設定条件を限定するものであり、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関連において、新たな技術的事項を導入しないものと認められるから、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内でなされたものであることは明らかである。よって、補正事項２についてなされた補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
　
　以上のとおり、本件補正のうち、請求項１及び３についてなされた補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項に規定された要件を満たすものであり、かつ、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる事項を目的とするものであるから、以下において、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に規定する要件（独立特許要件）について検討する。
　
（４）独立特許要件についての検討
（４−１）補正後の発明
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下、「補正発明」という。）は、上記「２．（１）本件補正の内容〈補正後の請求項１〉」に記載したとおりのものである。
　
（４−２）刊行物に記載された発明
（４−２−１）刊行物１：特開昭５６−１６１６４６号公報
　本願の優先権主張日前に頒布された刊行物である特開昭５６−１６１６４６号公報（以下、「刊行物１」という。）には、図１とともに以下の事項が記載されている。
「２．　特許請求の範囲
　１　半導体ウェハー上に絶縁膜を形成し、該絶縁膜上に多結晶シリコン層を形成し、次いで、該多結晶シリコン層の表面を熱酸化し、絶縁膜を形成する工程が含まれる半導体装置の製造方法において、前記熱酸化における酸化ガスとして酸素と不活性ガスよりなる混合ガスを用い、その分圧比を制御した値とし、絶縁耐圧が５ＭＶ／ｃｍ以上の絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。」（第１頁左下欄第４行ないし１３行）
「　５　前記加熱温度が１０５０℃であるときに前記酸素分圧を０．１以下とすることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置の製造方法。」（第１頁右下欄第４行ないし第６行）
「　第１図に酸素分圧比と多結晶シリコン上の酸化膜の耐圧との関係を示す。縦軸は多結晶シリコン上の酸化膜の耐圧（ＭＶ／ｃｍ）、横軸は酸素分圧比（Ｏ２／Ｏ２＋不活性ガス）である。図面に示した結果を得るために実験を次のように行なった。４インチのシリコンウェハに形成した酸化膜上に多結晶シリコンをＣＶＤ法で約０．４μｍ程度の厚さに形成した。この多結晶シリコンを下記条件で熱酸化した。
　（１）　酸化温度（加熱温度）：１０５０℃、
　　　　　　　　　　　　　　　　１１００℃
　　　　　　　　　　　　　　　　１２００℃
　（２）　雰囲気圧力：常圧（大気圧）
　（３）　ドライ酸素ガスと不活性ガス（アルゴン又は窒素）
　　　　　とで酸化雰囲気ガスを形成する際の酸素ガスの分圧比（Ｏ２／Ｏ２＋不活性ガス）：０．０５、０．１、０．２および１．０
　なお、熱酸化に際して酸素ガスに５体積％の無水塩酸（ＨＣｌ）を加えた。このＨＣｌ添加はナトリウムイオンのパッシベーション効果と積層欠陥除去のために数体積％の量で一般におこなわれていることである。酸化膜の膜厚が約５０ｎｍ（５００Å）ただし、１２００℃は約１００ｎｍ（１０００Å）となるまでそれぞれの条件で酸化し、得た酸化膜の耐電圧特性（耐圧）を測定した。
　図面中実験Ａ，Ｂ，Ｃは不活性ガスにアルゴンを使用した酸化温度が１０５０℃、１１００℃および１２００℃のそれぞれの場合である。また、波線Ｄ、Ｅは不活性ガスに窒素を使用した酸化温度が１０５０℃、１１００℃のそれぞれの場合である。図面から明らかなように、酸化温度が同じならば、酸素分圧比の低いほうが多結晶シリコン上の酸化膜の耐圧が良い。また、酸素分圧比が同じならば酸化温度の高いほうが酸化膜の耐圧が良い。
　さらに、酸化温度が同じであれば、酸素分圧比が低いほどすなわち酸素濃度が薄いほど酸化速度は遅くなるのは当然である。この酸化速度が遅いことは得る酸化膜の膜厚制御性を高め再現性よく薄膜ができることを可能にする。」（第２頁左下欄第１６行ないし第３頁左上欄第１４行）
　
　したがって、刊行物１には、以下の発明（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されている。
「半導体ウェハー上に形成した絶縁膜上に多結晶シリコン層を形成する工程と、前記多結晶シリコン層の表面を酸化する工程とを含む半導体装置の製造方法であって、
　前記多結晶シリコン層の表面を酸化する工程において、酸素と不活性ガスよりなる混合ガスを用い、加熱温度が１０５０℃で、かつ前記混合ガスの酸素分圧が０．１以下に設定されることを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
（４−３）対比
　補正発明と刊行物１発明とを対比する。
（ア）刊行物１発明の「絶縁膜」が形成された「半導体ウェハー」、及び「多結晶シリコン層」は、それぞれ補正発明の「基板」及び「非単結晶半導体膜」に相当し、刊行物１発明の「半導体ウェハー上に形成した絶縁膜上に多結晶シリコン層を形成する工程」は、補正発明の「基板上に非単結晶半導体膜を形成する第一工程」に相当する。
（イ）刊行物１発明の「前記多結晶シリコン層の表面を酸化する工程」は、補正発明の「該非単結晶半導体膜の表面を酸化する第二工程」に相当する。
（ウ）刊行物１発明の「酸素と不活性ガスよりなる混合ガス」は、補正発明の「酸化性雰囲気」に相当する。
（エ）刊行物１発明の「１０５０℃」は、補正発明の「１０７０℃未満の温度」に相当する。
　
　よって、補正発明と刊行物１発明とは、
「基板上に非単結晶半導体膜を形成する第一工程と、該非単結晶半導体膜の表面を酸化する第二工程とを少なくとも含む半導体装置の製造方法であって、
　前記第二工程を酸化性雰囲気下にて１０７０℃未満の温度に前記酸化性雰囲気が設定されてなることを特徴とする半導体装置の製造方法。」である点で一致し、以下の点で一応相違している。
　
〈相違点１〉
　補正発明は、「前記第二工程を酸化性雰囲気下にて１０７０℃未満の温度で、且つ一原子層酸化時間が、酸化に伴い半導体膜に生ずる引張り応力を緩和する酸化膜応力緩和時間より長くなるように前記酸化性雰囲気が設定されてなる（但し、酸化性雰囲気における乾燥酸素の濃度が３％以下である場合を除く）」ものであるのに対して、刊行物１発明は、「前記多結晶シリコン層の表面を酸化する工程において、酸素と不活性ガスよりなる混合ガスを用い、加熱温度が１０５０℃で、かつ前記混合ガスの酸素分圧が０．１以下に設定される」ものであり、「前記多結晶シリコン層の表面を酸化する工程において、酸素と不活性ガスよりなる混合ガスを用い、加熱温度が１０５０℃で」あるものの、一原子層酸化時間と酸化膜応力緩和時間との関係について明示的に特定されず、「前記混合ガスの酸素分圧が０．１以下に設定され」ている点。
　
（４−４）相違点の検討
　以下、相違点について検討する。
〈相違点１について〉
（ア）本願の願書に添付した明細書又は図面（以下、「本願明細書等」という。）の発明の詳細な説明には、「図４にはこの様にして計算した各酸化温度での最大酸素濃度を示す。所望の酸化温度で図４の曲線より下方と成る酸素分圧で酸化を施せば、常に一原子層酸化時間は酸化膜応力緩和時間よりも長く成り、以て優良な半導体装置が製造されるので有る。」（００２１段落）と記載されており、図４には、「酸化温度」に対する「酸素濃度に対応する無次元係数の最大値」が図示されており、同図から、「酸化温度」が１０５０℃である場合の「酸素濃度に対応する無次元係数の最大値」が０．１より大きいことは明らかである。そして、上記本願明細書等の発明の詳細な説明に記載された事項と、上記図４に図示された事項とから、１０５０℃の酸化温度で０．１以下の酸素分圧で酸化を施せば、常に一原子層酸化時間が酸化膜応力緩和時間よりも長く成ることは明らかである。
（イ）そして、刊行物１発明において「加熱温度が１０５０℃で、かつ前記混合ガスの酸素分圧が０．１以下に設定され」ることは、本願明細書等に記載された、１０５０℃の酸化温度で０．１以下の酸素分圧で酸化を施すこと、すなわち、一原子層酸化時間が酸化膜応力緩和時間よりも長く成るように設定することに他ならない。よって、刊行物１発明の「前記多結晶シリコン層の表面を酸化する工程において、酸素と不活性ガスよりなる混合ガスを用い、加熱温度が１０５０℃で、かつ前記混合ガスの酸素分圧が０．１以下に設定され」ることは、「酸素分圧」が０．０３より大きい範囲、すなわち酸化性雰囲気における酸素の濃度が０．３％以下である場合を除いた範囲において、補正発明の「前記第二工程を酸化性雰囲気下にて１０７０℃未満の温度で、且つ一原子層酸化時間が、酸化に伴い半導体膜に生ずる引張り応力を緩和する酸化膜応力緩和時間より長くなるように前記酸化性雰囲気が設定されてなる（但し、酸化性雰囲気における乾燥酸素の濃度が３％以下である場合を除く）」ことと重複するものである。
（ウ）そして、刊行物１発明は、「酸素分圧」の数値範囲として０．０３以下を除く旨特定されていないが、補正発明において、「酸化性雰囲気における乾燥酸素の濃度が３％以下である場合を除く」ことは、原査定の拒絶の理由を回避するための特定であり、格別な効果をもたらすものではなく、また、臨界的意義も認められない。
（エ）したがって、上記相違点１は実質的なものではなく、刊行物１発明は補正発明と、実質的に同一のものである。
　
　上記（ア）ないし（エ）において検討したとおりであるから、補正発明は、刊行物１発明と同一のものであり、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができず、補正発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（５）まとめ
　よって、補正後の請求項３に係る発明について検討するまでもなく、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明
　平成１８年４月２１日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし１４に係る発明は、平成１７年１月１４日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし１４に記載された事項により特定されるものであり、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、その請求項１に記載されている事項により特定される以下のとおりのものである。
「【請求項１】　基板上に非単結晶半導体膜を形成する第一工程と、該非単結晶半導体膜の表面を酸化する第二工程とを少なくとも含む半導体装置の製造方法であって、
　前記第二工程を酸化性雰囲気下にて１０７０℃未満の温度で、且つ一原子層酸化時間が、酸化に伴い半導体膜に生ずる引張り応力を緩和する酸化膜応力緩和時間より長くなるように前記酸化性雰囲気が設定されてなることを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
４．刊行物に記載の発明
（１）刊行物２：特開平２−１７０４２８号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張日前に頒布された刊行物である特開平２−１７０４２８号公報（以下、「刊行物２」という。）には、「半導体装置およびその製造方法」（発明の名称）について、第１図とともに以下の事項が記載されている。
「第１図（ａ）に示すように、シリコン基板１上の絶縁膜２に、多結晶シリコン３を堆積する。多結晶シリコン３には、熱拡散、またはイオン注入によりリンを添加する。さらに多結晶シリコン３をＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ　Ｉｏｎ　Ｅｔｃｈｉｎｇ）によりエッチングしてパターンを形成する。
　次に多結晶シリコン上に酸化膜を形成する工程について述べる。多結晶シリコンを熱酸化した場合、多結晶シリコンと酸化膜の界面には、酸化時の応力により突起が形成される。酸化が拡散律速になると突起部コーナー凸部の立体角が大きいため酸素の供給量が大きくなるため、突起部の酸化が増速される可能性がある。また、突起上部の酸化やコーナーの酸化は、酸化膜中の応力が強い場合は、応力による酸化膜中の酸素の拡散を抑制し、酸化が抑制される可能性がある。以上より、突起部、およびコーナ一部は、酸化が抑制される可能性と増速される可能性の両面がある。
　酸化がより拡散律速で進み、酸化膜中の応力が充分緩和される場合、突起上の酸化膜厚は、突起以外の酸化膜厚より厚くなることがある。また、多結晶シリコンコーナーエッヂ部の酸化膜も、酸化が拡散律速で進行すると、突起部以外の酸化膜より厚くなりえる。
　従って、熱酸化をより拡散律速で進行し、酸化膜中の応力が緩和される酸化条件（温度、雰囲気、酸素濃度）にすれば、第１図（ｂ）の酸化膜４の構造のように、突起上の酸化膜が突起以外の部分の酸化膜より厚く、またコーナーエッヂの酸化膜も突起以外の部分より厚い酸化膜を形成することが可能になる。
　上記の酸化が拡散律速で進行し、応力が緩和される酸化条件を以下に示す。
　（１）　乾燥酸素、または水蒸気雰囲気で酸化温度を１０００℃以上にする。
　（２）　乾燥酸素の濃度を３％以下にし、酸化温度を９００℃以上にする。
　（３）　塩素を１％以上含む乾燥酸素雰囲気で、酸化温度を９００℃以上にする。
　（４）　フッ素を１００ｐｐｍ以上含む雰囲気で、酸化温度７００℃以上にする。
　特にフッ素を含む酸化雰囲気では、７００℃と低温化しても突起上、またはコーナー上に突起以外より厚い酸化膜を形成することが可能である。
　第１図（ｂ）のような構造の場合の酸化膜漏洩電流特性を第２図に示す。第２図をみるとリーク電流は、５ＭＶ／ｃｍから立ち上がっており、漏洩電流が低減されていることが分かる。さらに第３図に絶縁破壊耐圧ヒストグラムを示したが破壊耐圧は、９，１０ＭＶ／ｃｍと高耐圧になっており、高品質の多結晶シリコン上酸化膜が形成されていることが分かる。」（第３頁左下欄第１５行ないし第４頁右上欄第６行）
　
　刊行物２に記載された、「酸化が拡散律速で進行し、応力が緩和される酸化条件」として示された「乾燥酸素の濃度を３％以下にし、酸化温度を９００℃以上にする」条件により行われる「熱酸化」が、「乾燥酸素」を含む雰囲気下で行われることは明らかである。　したがって、刊行物２には、以下の発明（以下、「刊行物２発明」という。）が記載されている。
「シリコン基板１上の絶縁膜２に、多結晶シリコン３を堆積する工程と、前記多結晶シリコン３を熱酸化する工程とを含む半導体装置の製造方法であって、
　前記多結晶シリコン３を熱酸化する工程の酸化条件を、乾燥酸素の濃度を３％以下にした雰囲気下で、酸化温度を９００℃以上にしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
５．対比
　本願発明と刊行物２発明とを対比する。
（ア）刊行物２発明の「絶縁膜２」を上に有する「シリコン基板１」は、本願発明の「基板」に相当する。
（イ）刊行物２発明の「多結晶シリコン３」は本願発明の「非単結晶半導体膜」に相当する。
（ウ）刊行物２発明の「熱酸化」は本願発明の「酸化」に相当する。
（エ）刊行物２発明の「乾燥酸素の濃度を３％以下にした雰囲気」は、本願発明の「酸化性雰囲気」に相当する。
　
　よって、本願発明と刊行物２発明とは、
「基板上に非単結晶半導体膜を形成する第一工程と、該非単結晶半導体膜の表面を酸化する第二工程とを少なくとも含む半導体装置の製造方法であって、
　前記第二工程を酸化性雰囲気下にて行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。」である点で一致し、以下の点で一応相違している。
〈相違点１〉
　本願発明が、「第二工程を酸化性雰囲気下にて１０７０℃未満の温度で、且つ一原子層酸化時間が、酸化に伴い半導体膜に生ずる引張り応力を緩和する酸化膜応力緩和時間より長くなるように前記酸化性雰囲気が設定されてなる」ものであるのに対し、刊行物２発明は、「前記多結晶シリコン３を熱酸化する工程の酸化条件を、乾燥酸素の濃度を３％以下にした雰囲気下で、酸化温度を９００℃以上にした」ものであり、「前記多結晶シリコン３を熱酸化する工程」が、「乾燥酸素」を含む「雰囲気下で」行われるものの、一原子層酸化時間と酸化膜応力緩和時間との関係について明示的に特定されず、その「酸化条件」が「乾燥酸素の濃度を３％以下にした雰囲気下で、酸化温度を９００℃にした」ものである点。
　
６．当審の判断
　以下、相違点について検討する。
〈相違点１について〉
　相違点１については、以下のとおり、〈相違点１−１〉及び〈相違点１−２〉に区分して検討する。
〈相違点１−１〉
　本願発明が、「第二工程を」「１０７０℃未満の温度」に設定しているのに対し、刊行物２発明は、「酸化温度を９００℃以上にし」ている点。
〈相違点１−２〉
　本願発明が、「一原子層酸化時間が、酸化に伴い半導体膜に生ずる引張り応力を緩和する酸化膜応力緩和時間より長くなるように前記酸化性雰囲気が設定されてなる」のに対し、刊行物２発明はそのような特定は明示的になされず、「乾燥酸素の濃度を３％以下にした雰囲気下で、酸化温度を９００℃以上にした」ことが特定されている点。
〈相違点１−１について〉
（ア）刊行物２発明の「９００℃以上」と、本願発明の「１０７０℃未満の温度」とは、９００℃以上１０７０℃未満の範囲で重複するものである。
（イ）本願明細書等の図２および３には、「酸化温度」が１０７０℃以上の範囲においても「一原子層酸化時間」を「応力緩和時間」よりも大きくできることが図示されていること、同じく本願明細書等の図１には、「酸化温度」が１０７０℃以上の範囲において「移動度」は低下しないことが図示されている。よって、「酸化温度」を１０７０℃未満とすることにより、本願明細書等に本願発明の効果として記載された移動度の向上、及び薄膜半導体装置の伝達特性の向上を達成できるとは認められない。
　また、本願明細書等の発明の詳細な説明には、「基板の大型化に伴い基板の熱に依る歪みや伸縮等の変形が指数関数的に増大し、事実上基板を大型化し得ないので有る。」（０００４段落）と記載されているが、基板に歪みや伸縮等の変形が生じないよう処理温度を低温にすることは、本願の優先権主張日前に技術常識であるから、上記本願明細書等の０００４段落に記載された事項が解決されることが格別なものとも認められない。
　よって、本願発明において、「第二工程」を「１０７０℃未満の温度」に設定することが、本願明細書等に記載した格別な効果を奏するものとは認められない。
（ウ）上記（ア）及び（イ）において検討したとおりであるから、上記相違点１−１は実質的なものではない。
〈相違点１−２について〉
（ア）本願明細書等の発明の詳細な説明には、「図４にはこの様にして計算した各酸化温度での最大酸素濃度を示す。所望の酸化温度で図４の曲線より下方と成る酸素分圧で酸化を施せば、常に一原子層酸化時間は酸化膜応力緩和時間よりも長く成り、以て優良な半導体装置が製造されるので有る。」（００２１段落）と記載されており、図４には、「酸化温度」に対する「酸素濃度に対応する無次元係数の最大値」が図示されており、同図から、「酸化温度」が約９２０℃以上である場合の「酸素濃度に対応する無次元係数の最大値」が０．３より大きいことは明らかである。そして、上記本願明細書等の発明の詳細な説明に記載された事項と、上記図４に図示された事項とから、約９２０℃以上の酸化温度で０．３以下の酸素分圧で酸化を施せば、常に一原子層酸化時間が酸化膜応力緩和時間よりも長く成ることは明らかである。
（イ）したがって、刊行物２発明の「乾燥酸素の濃度を３％以下にした雰囲気下で、酸化温度を９００℃以上にした」ことは、少なくとも、酸化温度が約９２０℃以上である範囲において、本願発明の「一原子層酸化時間が、酸化に伴い半導体膜に生ずる引張り応力を緩和する酸化膜応力緩和時間より長くなるように前記酸化性雰囲気が設定されてなる」ことに重複するものである。すなわち、本願発明における「一原子層酸化時間が、酸化に伴い半導体膜に生ずる引張り応力を緩和する酸化膜応力緩和時間より長くなるように前記酸化性雰囲気が設定されてなる」という条件を満たす雰囲気温度及び酸素分圧（酸素濃度）の範囲の内の相当部分が、従来公知の方法である刊行物２発明と重複するものと認められる。
（ウ）本願明細書等の発明の詳細な説明には、「図１の横軸は熱酸化時の温度を示し、縦軸は完成したトランジスタの電子移動度を示して居る。図中の「Oxidation of a-Si」は堆積直後の（ａｓ−ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ）非晶質硅素膜を熱酸化してＭＯＳＦＥＴを作製した事を意味し、同様に「Oxidation of p-Si」は堆積直後の多結晶硅素膜を熱酸化してＭＯＳＦＥＴを作製した事を意味して居る。この図から半導体膜の種類に拘わりなく、酸化温度の低下と共に半導体特性が悪化して行く事が分かる。」（０００５段落）、「得られた伝達特性を図６に示す。ＮＭＯＳトランジスタのオン状態（ソース・ドレイン電圧（Ｖｄｓ）とゲート電圧（Ｖｇｓ）が共に３．３Ｖ）に於けるソース・ドレイン電流（Ｉｄｓ：オン電流と称す）は２７．６μＡと成り、Ｖｄｓ＝３．３Ｖ、Ｖｇｓ＝０Ｖでトランジスタをオフ状態にした時のＩｄｓ（オフ電流と称す）は２．２６ｐＡで有った。又、このトランジスタのＶｄｓ＝５Ｖに於ける飽和領域より求めた移動度は１６０ｃｍ２・Ｖ・ｓ−１で有り、閾値電圧は１．０７Ｖで有った。更にＰＭＯＳトランジスタのオン電流（Ｖｄｓ＝Ｖｇｓ＝−３．３Ｖ）は１．９２μＡで、オフ電流（Ｖｄｓ＝−３．３Ｖ、Ｖｇｓ＝０Ｖ）は０．１３４ｐＡで有った。ＰＭＯＳトランジスタの移動度と閾値電圧は其々８１ｃｍ２・Ｖ・ｓ−１と−２．９２Ｖで有った。Ｎ型とＰ型の両半導体装置共にゲート電圧３．３Ｖの変調に対するオン・オフ比が実に７桁以上と成り、然も高移動度で低閾値電圧を有する窮めて良好な薄膜半導体装置が得られた。この例が示す様に本発明に依ると工程最高温度が１０００℃程度で有っても、特別な工程を付加する事なく、単に熱酸化時の工程を厳密に調整する事のみで非常に優れた特性を有する薄膜半導体装置を簡便且つ容易に作成し得るので有る。」（００３２段落）、「実施例２で得られた半導体装置の伝達特性を図８に示す。ＮＭＯＳトランジスタのオン電流は４．３４μＡで、オフ電流は０．６２２ｐＡで有った。一方、ＰＭＯＳトランジスタのオン電流は１．０２μＡで、オフ電流は２．２１ｐＡで有った。移動度と閾値電圧は図８中に記入して有る。多結晶硅素膜に本願発明に則する１０００℃の熱酸化を施して得られた半導体装置の特性は、多結晶硅素膜に従来技術で１２００℃の熱酸化を施して得られる半導体装置の特性と略同等と成った。この実施例２が示す通り、本願発明は実質的に酸化温度を２００℃程度以上低下せしめるとの優れた効果を有して居る。」（００３８段落）、「得られた伝達特性を図１１に示す。ＮＭＯＳトランジスタのオン状態（ソース・ドレイン電圧（Ｖｄｓ）とゲート電圧（Ｖｇｓ）が共に３．３Ｖ）に於けるソース・ドレイン電流（Ｉｄｓ：オン電流と称す）は６８．５μＡと成り、Ｖｄｓ＝３．３Ｖ、Ｖｇｓ＝０Ｖでトランジスタをオフ状態にした時のＩｄｓ（オフ電流と称す）は０．１２ｐＡで有った。又、このトランジスタのＶｄｓ＝５Ｖに於ける飽和領域より求めた移動度は３９５ｃｍ２・Ｖ・ｓ−１で有り、閾値電圧は１．０７Ｖで有った。更にＰＭＯＳトランジスタのオン電流（Ｖｄｓ＝Ｖｇｓ＝−３．３Ｖ）は７．９２μＡで、オフ電流（Ｖｄｓ＝−３．３Ｖ、Ｖｇｓ＝０Ｖ）は１１．１ｐＡで有った。ＰＭＯＳトラン��スタの移動度と閾値電圧は其々１０２ｃｍ２・Ｖ・ｓ−１と−１．９５Ｖで有った。Ｎ型とＰ型の両半導体装置共にサブスレシュホールド・スイングが小さく、且つ高移動度で低閾値電圧を有する良好な薄膜半導体装置が得られた。取り分けＮＭＯＳ薄膜半導体装置は単結晶硅素基板に作られた電界効果トランジスタに匹敵するとの窮めて優れた特性を示して居る。」（００４７段落）と記載されており、本願明細書等の発明の詳細な説明には、特許請求の範囲に記載された発明が奏する効果は、オン・オフ比が高く、高移動度で低閾値電圧を有するＭＯＳＦＥＴを、高温工程を用いることなく製造できることである旨記載されている。
　しかしながら、本願発明は、製造される「半導体装置」がＭＯＳＦＥＴである旨の特定がされていないため、オン・オフ比が高く、高移動度で低閾値電圧を有するＭＯＳＦＥＴを製造できることが、本願発明の効果であると認めることができない。よって、本願発明の「一原子層酸化時間が、酸化に伴い半導体膜に生ずる引張り応力を緩和する酸化膜応力緩和時間より長くなるように前記酸化性雰囲気が設定されてなる」ことが、格別な効果を奏するものと認めることはできない。
　また、仮に、本願発明が何らかの効果を奏するものであるとしても、刊行物２発明と重複する部分においては、刊行物２発明により製造された半導体装置も本願発明と同様の特性を有するものであるから、少なくとも当該重複する部分において、刊行物２発明も本願発明と同様の効果を奏するものであることは明らかである。
（エ）さらに、本願明細書等の発明の詳細な説明には、「（実施例１）」の酸化について、「酸化は１０００℃の温度で酸素濃度５％の雰囲気下にて１気圧で１４時間１５分行なわれた。」（００３１段落）と記載され、「比較例１」の酸化について「酸化は１０００℃の温度で酸素濃度１００％の雰囲気下にて１気圧で１時間３分行なわれた。」（００３４段落）と記載され、「（実施例２）」の酸化について「酸化対象物質で有る半導体膜の形成工程を除いて他の総ての工程を実施例１と同一として半導体装置を作製した。」（００３７段落）と記載され、「（比較例２）」の酸化について、「熱酸化は比較例１にて示された方法を以て行われた。即ち、比較例２ではＬＰＣＶＤ法で得られた多結晶硅素膜を１０００℃の酸素分圧１気圧の雰囲気下で熱酸化して半導体装置を作製するので有る。」（００４０段落）と記載され、「（実施例３）」の酸化について「酸化は１０００℃の温度で酸素濃度５％の雰囲気下にて１気圧で１４時間１５分行なわれた。」（００４６段落）と記載されており、１０００℃の酸化温度で０．０５の酸素分圧で酸化を施す実施例と、１０００℃の酸化温度で１の酸素分圧で酸化を施す比較例とが記載されているのみであり、図４に図示された「酸素濃度に対応する無次元係数の最大値」付近に対応する条件で酸化した実施例及び比較例が記載されていないため、「一原子層酸化時間が、酸化に伴い半導体膜に生ずる引張り応力を緩和する酸化膜応力緩和時間より長くなるように前記酸化性雰囲気が設定されてなる」ことによる臨界的意義も認められない。
（オ）上記（ア）ないし（エ）において検討したとおりであるから、上記相違点１−２は実質的なものではない。
　
　したがって、上記相違点１−１及び相違点１−２は実質的なものではなく、本願発明は、刊行物２発明と実質的に同一のものであり、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができないものである。
　
７．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、請求項２ないし１４について検討するまでもなく拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。