【事件の表示】
　平成　７年特許願第３３９４８１号「光変調器の駆動回路及び光送信機」拒絶査定不服審判事件〔平成　９年　７月１１日出願公開、特開平　９−１８１６８２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は，平成７年１２月２６日の出願であって，その請求項１に係る発明（以下，「本願発明」という。）は，平成１８年２月６日付けの手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される，以下のとおりのものと認める。
　
　【請求項１】
　駆動電圧を受けるための第１及び第２の電極を有し，光源からのキャリア光を受け，上記駆動電圧に応じて上記キャリア光を変調して変調された信号光を出力する電界吸収型の光変調器の駆動回路であって，
　上記第１及び第２の電極間に接続されて上記駆動電圧を生じさせる終端抵抗と，
　第１端及び第２端を有し該第１端は該光変調器の極性に応じて定まる上記第１及び第２の電極のいずれか一方に接続される伝送線路と，
　該伝送線路の第２端に接続され，受けたデータ信号に基づいて上記駆動電圧に対応する駆動信号を発生する駆動信号回路と，
　上記伝送線路上に設けられ，上記キャリア光のパワー増大により該伝送線路に生じる反射波を抑圧するための反射リジェクタとを備えた光変調器の駆動回路。
　
２．刊行物の記載
（１）刊行物１の記載
　平成２０年８月２８日付けの当審の拒絶理由通知において引用された，特開平６−２３０３２８号公報（以下，「刊行物１」という。）には，図面と共に以下の記載がなされている。
　
（ア）
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，光通信システム等に用いられる半導体電界吸収型光変調器の実装方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体電界吸収型光変調器は，ＰＮ接合された半導体に逆バイアス電圧を印加したときに，フランツケルディッシュ効果によって，吸収端波長が長波長側へシフトし，吸収係数が変化することを利用して光信号の変調を行うものである。電界吸収型光変調器は，従来用いられているＬｉＮｂＯ3 光変調器等と比較して，高速応答，低駆動電圧動作等の特長を有することから，近年盛んに研究が行われている。吸収係数変化を利用することによって光強度変調器として用いることが可能になり，吸収変化と同時に生じる屈折率変化を利用することによって光位相変調器，光スイッチとして用いることが可能になる。
【０００３】特に，活性層に多重量子井戸構造を形成した場合，励起子吸収に伴う急峻なピークが吸収特性に存在し，これが高電界下においても存在することから，大きな吸収係数の変化が得られる。
【０００４】この電界吸収型光変調器では，半導体レーザを直接変調する場合とは異なり，変調に際してキャリアの移動を伴わないことから，キャリアの緩和時間による応答速度の制限を無視できる。応答速度は，ほぼ素子のＲＣ時定数によって決まるので，電気信号を光変調器に入力する実装技術が重要となる。
【０００５】電界吸収型光変調器を用いる場合，伝送路とのインピーダンス整合をとるために，通常，その電界吸収型光変調器と並列に終端抵抗器を接続する。この終端抵抗器としては，チップ抵抗器を用いる方法と，外づけ終端抵抗器を用いる方法とがある。
【０００６】図７（１）は，チップ抵抗器を終端抵抗器として使用する従来例Ｐ１の斜視図であり，図７（２）は，外づけ終端抵抗器を終端抵抗器として使用する従来例Ｐ２の斜視図である。
【０００８】チップ抵抗器３を終端抵抗器として使用する従来例Ｐ１の場合は，伝送路であるストリップライン１０の終端に変調器１を配置することからワイヤ長を短くすることができるが，チップ抵抗器３の耐電圧は一般に低いことから，バイアス電圧を印加した場合にチップ抵抗器３が発熱し，特性が変化したり破損したりするというおそれがあるという欠点がある。また，温度に敏感な電界吸収型光変調器１の変調特性に影響をおよぼすことがあるという欠点がある。
　
（イ）
【００３３】図３は，本発明の第２の実施例Ｅ２を示す斜視図である。
【００３４】この第２の実施例Ｅ２は，基本的には第１の実施例Ｅ１と同じであるが，マイクロストリップライン１０の代わりに，コプレーナーストリップライン２０を使用したものであり，コプレーナーストリップライン２０は，誘電体基板２１の上に心線２２とアース２３とを有している。
【００３５】図４は，第２の実施例Ｅ２において，電界吸収型光変調器１としてＩｎＧａＡｌＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ多重量子井戸電界吸収型光変調器を使用し，これを実装した場合における周波数特性を示す図である。
【００３６】上記第２の実施例Ｅ２は，図４に示すように３ｄＢ帯域１８ＧＨｚの良好な特性が得られた。これは，電界吸収型光変調器１の寄生容量を０．１５ｐＦ，ボンディングワイヤ２のインダクタンスを０．２ｎＨとした場合の計算値とほぼ一致する。
【００３７】なお，ボンディングワイヤ２のインダクタンスをＬ，電界吸収型光変調器１の寄生容量をＣp とした場合の周波数伝達関数は次式で表される。
Ｈ（ω）＝［｛１−（ω／ω0 ）2 ｝2 ＋｛ω／（ω0 Ｑ）｝2 ］-1/2なお，ω0 はカットオフ周波数であり，ω0 およびＱは次式で表される。
ω0 ＝｛（Ｒｇ＋Ｒ）／（ＲＣp Ｌ）｝1/2
Ｑ＝｛ＲＣp Ｌ（Ｒｇ＋Ｒ）｝1/2 ／｛Ｌ＋（ＲｇＣp Ｒ）｝
なお，Ｒｇは伝送路のインピーダンスであり，通常は５０Ωである。たとえば電界吸収型光変調器１の寄生容量を０．１５ｐＦ，ボンディングワイヤ２のインダクタンスを０．２ｎＨ（ワイヤ長約０．３ｍｍに相当），Ｒを５０Ωとした場合のカットオフ周波数は約１８ＧＨｚとなる。
　
（ウ）
　図７（１）において，ストリップラインがコネクタと接続されることは当業者に明らかである。
　
　以上の記載から，刊行物１には「従来の技術」として，次の発明（以下，「刊行物１記載発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「　駆動電圧に応じて光を変調する電界吸収型光変調器を実装した装置であって，
　該光変調器と並列に接続される終端抵抗と，
　終端に該光変調器が配置されるストリップラインの伝送路と，
　該伝送路に接続されたコネクタとを備えた装置。」
　
（２）刊行物２の記載
　同じく，平成２０年８月２８日付けの当審の拒絶理由通知において引用された，特開平４−６１３９０号公報（以下，「刊行物２」という。）には，図面と共に以下の記載がなされている。
　
（ア）
〔産業上の利用分野〕
　本発明は光送信装置に関し，特に高速デジタル光通信に用いられる光送信装置に関する。
〔従来の技術〕
　従来の光送信装置における外部光変調方式は，光フアイバ伝送時に分散劣化の要因となる波長スペクトルの拡がりを抑圧する方法として非常に有効であり，その中でも電界吸収型の半導体光変調器は高速動作が可能であるため，超高速光通信システムに適用が検討されている。第５図にその従来例を示す。（“ＩｎＧａＡｓＰ吸収型の光変調素子を用いた２．４Ｇｂ／ｓ−１００ｋｍ光フアイバ伝送実験”，平成元年度電子情報通信学会春季全国大会予講集）
（１ページ左欄１６行〜同ページ右欄１２行）
　
（イ）
　第２図には，第１端を電界吸収型の半導体光変調器２に接続され，第２端を変調器駆動回路６と接続された伝送線路が図示されている。
　
（３）刊行物３の記載
　同じく，平成２０年８月２８日付けの当審の拒絶理由通知において引用された，特開平２−３０２０１号公報（以下，「刊行物３」という。）には，図面と共に以下の記載がなされている。
　
（ア）
〔産業上の利用分野〕
　本発明は，超高速信号を取り扱う集積回路（以下ＩＣチップと称する）におけるインピーダンス整合回路の改良に関するものである。
　この際，構成が簡単で配置上の制約がなく，補償できる周波数範囲が広く，調整が簡単で容易に製作できるインピーダンス整合回路が要望されている。
〔従来の技術〕
　第３図は一例の終端方法を示す図である。
　第４図は従来例の回路図である。
　数ＧＨｚあるいは数Ｇビット／秒といった超高速信号を取り扱う場合，一般にその信号の伝送は同軸線路あるいはマイクロストリップライン等の分布定数線路によって行い，終端する場合にはその特性インピーダンスに一致した終端が必要となる。ＩＣチップが取り扱う信号も近年高速化が進み超高速信号を取り扱うようになり，適切な終端が必要になってきている。
　終端の方法としては第３図（ａ），（ｂ）及び（ｃ）に示す方法が考えられ，いずれも同軸線路１の出力を，例えばアルミナ基板又はプリント基板（以下基板と称する）２等に設けた分布定数線路４に例えばハンダ付けにより接続し，４の出力をＩＣチップ３の入力部に例えばボンディングにより接続する構成にしている。
　同図（ａ）は基板２上に薄膜抵抗５やチップ抵抗等を設けて終端する方法であり，（ｂ）は基板２上で分布定数線路４を折り返して，基板２外で同軸終端器６により終端する方法である。この場合基板２上の分布定数線路４の中点から出力線を取り出し，ＩＣチップ３の入力部に接続している。又，同図（ｃ）はＩＣチップ３内に終端抵抗７を作成して終端する方法である。
　しかしながらＩＣチップ３内の回路によっては，上記のような終端を行っても，後続の回路の影響でインピーダンスの整合が取れない場合が生じる。特に周波数の高い領域では，トランジスタの容量や浮遊容量の影響を大きく受け易く，インピーダンス整合が全くとれなくなり，反射の影響を大きく受けることになる。
　そこでこのようなインピーダンスの不整合を補正することが必要となる。
　第４図にインピーダンスの不整合を補正した従来例の回路を示す。
　同図（ａ）は同軸線路１の出力と基板２の入力の間に同軸減衰器８を挿入する方法であり，（ｂ）は基板２上に抵抗減衰器９を設ける方法である。又，（ｃ）はマイクロ波ＩＣ等でよく用いられる方法で，基板２上にインダクタンスＬや容量Ｃ１，Ｃ２による補正回路を設ける方法である。
　このようにして後続の回路の反射によるインピーダンスの不整合を補正していた。
（１ページ右欄１０行〜２ページ左下欄５行）
　
（イ）
〔課題を解決するための手段〕
　上記問題点は第１図に示す回路構成によって解決される。
　即ち第１図において，分布定数線路に接続され，入力部に，分布定数線路を終端する終端抵抗７００を有し，所定の速度を有する信号を受信する集積回路３００において，７５０は終端抵抗の前段に設けられ，所定の抵抗値を有する抵抗器からなり，入力信号に対して所定の周波数範囲にわたって所定の減衰量を与える減衰回路である。
〔作　用〕
　第１図において，集積回路の入力部の終端抵抗７００の前段に，入力信号に対して所定の周波数範囲にわたって所定の減衰量を与える減衰回路７５０を設けることにより，後続の回路のインピーダンスの値の大小によらず広い周波数範囲にわたってインピーダンス整合をとることができる。
（２ページ右下欄２行〜同欄最終行）
　
（ウ）
　第１図には，終端抵抗の前段に減衰回路７５０を設けることが，図示されている。
　
（エ）
　第２図（その１）には，減衰回路として「Ｔ型回路」を用いることが，第２図（その２）には，減衰回路として「π型回路」を用いることが，それぞれ図示されている。
　
（オ）
　第４図（その２）（ｂ）には，基板の分布定数線路上に抵抗減衰器を設けることが，図示されている。
　
　以上の記載から，刊行物３には，次の発明（以下，「刊行物３記載発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「　数ＧＨｚあるいは数Ｇビット／秒といった超高速信号の伝送を，マイクロストリップライン等の分布定数線路によって行い，終端する場合にはその特性インピーダンスに一致した終端をする回路において，
　終端を行っても，数ＧＨｚあるいは数Ｇビット／秒といった周波数の高い領域では，インピーダンスの整合がとれなくなり，反射の影響を受けることになるので，このようなインピーダンスの不整合を補正するために，分布定数線路上に抵抗減衰器を設けた回路。」
　
３．対比
　本件出願の請求項１に係る発明（以下，「本願発明」という。）と刊行物１記載発明とを対比すると，刊行物１記載発明の「終端抵抗を並列に接続される電界吸収型光変調器」は，駆動電圧に応じて光を変調するから，「駆動電圧を受けるための第１及び第２の電極を有する電界吸収型の光変調器」といえる。
　
　刊行物１記載発明の「該光変調器と並列に接続される終端抵抗」は，光変調器が駆動電圧に応じて光を変調するから，本願発明の「第１及び第２の電極間に接続されて駆動電圧を生じさせる終端抵抗」といえる。
　
　刊行物１記載発明の「終端に該光変調器が配置されるストリップラインの伝送路」は，本願発明の「第１端及び第２端を有し該第１端は該光変調器の極性に応じて定まる上記第１及び第２の電極のいずれか一方に接続される伝送線路」と，「第１端及び第２端を有し該第１端は該光変調器の上記第１及び第２の電極のいずれか一方に接続される伝送線路」である点で共通する。
　
　刊行物１記載発明のコネクタに，駆動電圧に対応する駆動信号を発生する駆動信号回路が接続されることは，当業者に明らかである。
　
　刊行物１記載発明の「電界吸収型光変調器」が，光源からのキャリア光を受け，駆動電圧に応じてキャリア光を変調して変調された信号光を出力することは，明らかである。
　
　刊行物１記載発明の「電界吸収型光変調器を実装した装置」は，電界吸収型光変調器を駆動するから，本願発明の「駆動回路」に相当する。
　
　すると，本願発明と刊行物１記載発明との一致点及び相違点は，以下のとおりである。
　
［一致点］
「　駆動電圧を受けるための第１及び第２の電極を有し，光源からのキャリア光を受け，上記駆動電圧に応じて上記キャリア光を変調して変調された信号光を出力する電界吸収型の光変調器の駆動回路であって，
　上記第１及び第２の電極間に接続されて上記駆動電圧を生じさせる終端抵抗と，
　第１端及び第２端を有し該第１端は該光変調器の上記第１及び第２の電極のいずれか一方に接続される伝送線路と，
　該伝送線路に接続され，上記駆動電圧に対応する駆動信号を発生する駆動信号回路と
を備えた光変調器の駆動回路。」である点。
　
［相違点］
・相違点１
　第１端は光変調器の第１及び第２の電極のいずれか一方に接続される伝送線路は，本願発明では「光変調器の極性に応じて定まる」第１及び第２の電極のいずれか一方に接続されるのに対して，刊行物１記載発明はそのようなものか明らかではない点。
　
・相違点２
　伝送路に接続され，駆動電圧に対応する駆動信号を発生する駆動信号回路は，本願発明では，伝送路の「第２端」に接続され，「受けたデータ信号に基づいて」駆動電圧に対応する駆動信号を発生するに対して，刊行物１記載発明ではそのようなものか明らかではない点。
　
・相違点３
　刊行物１記載発明は，「上記伝送線路上に設けられ，上記キャリア光のパワー増大により該伝送線路に生じる反射波を抑圧するための反射リジェクタ」を備えるのに対して，刊行物１記載発明は，そのような反射リジェクタを備えない点。
　
４．判断
（１）相違点１について
　刊行物１（図１に図示される電界吸収型変調器１の記号），刊行物２（第１図，第３図，第５図に図示される電界吸収型の半導体光変調器２の記号）などより，電界吸収型光変調器が極性を有することは，本願出願時に周知技術である。
　そして，刊行物１記載発明に上記周知技術を適用して，「第１端及び第２端を有し該第１端は“該光変調器の極性に応じて定まる”上記第１及び第２の電極のいずれか一方に接続される伝送線路」とすることは，当業者が容易に為し得ることである。
　
（２）相違点２について
　上記「２．刊行物の記載　（２）刊行物２の記載　（イ）」欄の「第１端を電界吸収型の半導体光変調器２に接続され，第２端を変調器駆動回路６と接続された伝送線路」において，「変調器駆動回路６」が，受けたデータ信号に基づいて駆動信号を発生することは当業者に明らかである。
　そして，刊行物１記載発明の駆動信号回路に，刊行物２に係る伝送線路の第２端を変調器駆動回路６と接続し，変調器駆動回路が受けたデータ信号に基づいて駆動信号を発生することを適用して，「伝送線路の“第２端”に接続され，“受けたデータ信号に基づいて”駆動電圧に対応する駆動信号を発生する駆動信号回路」とすることは，当業者が容易に為し得ることである。
　
（３）相違点３について
　刊行物１（上記「２．刊行物の記載　（１）刊行物１の記載　（イ）」欄を参照。），刊行物２（上記「２．刊行物の記載　（２）刊行物２の記載　（ア）」欄を参照。）などに記載されているように，光通信システムの電界吸収型の光変調器が比較的高い周波数で用いられることは，本願出願時，周知技術である。
　刊行物３記載発明の「分布定数線路上の抵抗減衰器」は，周波数の高い領域におけるインピーダンスの不整合による反射の影響を減ずるものであるから，「伝送線路上に設けられ，反射波を抑圧するための反射リジェクタ」といえる。
　そして，電界吸収型の光変調器を備える刊行物１記載発明に刊行物３記載発明を適用して，伝送線路に生じる反射波を抑圧するために，伝送線路上に反射リジェクタを備えるようにすることは，当業者が容易に為し得ることである。その際，“伝送線路に生じる反射波を抑圧するために設けた反射リジェクタ”が，「上記キャリア光のパワー増大により該伝送線路に生じる反射波」を抑圧できることは，そのような反射リジェクタ自体が当然に具備する効果であるから，「“上記キャリア光のパワー増大により”該伝送線路に生じる反射波を抑圧する反射リジェクタ」とすることは設計事項である。
　
　また，本願発明の作用効果も，刊行物１記載発明乃至刊行物３記載発明及び周知技術から当業者が予測できる範囲のものである。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから，本願発明は，刊行物１記載発明乃至刊行物３記載発明及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって，本願は，その他の請求項について検討するまでもなく，拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。