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【手続補正書】
【提出日】平成27年1月27日(2015.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リセドロネートの製薬上許容できる酸、塩、エステル、溶媒和化合物もしくはそれらの多形体と、
１つ以上の製薬上許容できる賦形剤と、
を含む、ヒトもしくは他の哺乳類における骨疾患の治療または予防用の医薬組成物であって、
骨疾患の治療または予防を必要としているヒトもしくは他の哺乳類に、月に連続して１日、２日もしくは３日の継続服薬スケジュールに従って、６５％〜１１０％の１ヶ月間の累積的な有効量の前記組成物を経口投与することを含むことを特徴とする医薬組成物。
【請求項２】
前記継続服薬スケジュールが、月に１日投与されるものであることを特徴とする、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項３】
前記骨疾患が骨粗鬆症であることを特徴とする、請求項１または２に記載の医薬組成物。
【請求項４】
フィルムコーティングまたは腸溶性コーティングをさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項５】
さらにキレート剤を含むことを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の医薬組成物。
【請求項６】
月に連続して１日、２日もしくは３日の継続服薬スケジュールに従って投与されるべき、
リセドロネートの製薬上許容できる酸、塩、エステル、溶媒和化合物もしくはそれらの多形体の単位容量と、
１つ以上の製薬上許容できる賦形剤と、
を含む医薬組成物をそれぞれ１つ、２つもしくは３つ含み、
フィルムコーティングまたは腸溶性コーティングをさらに含み、
前記単位用量は６５％〜１１０％の１ヶ月間の累積的な有効量であることを特徴とする、リセドロネート治療処方計画の服薬遵守を促進するためのキット。
【請求項７】
前記キットが更に、栄養素の単位用量を少なくとも１つ含み、前記栄養素が、カルシウム、ビタミンＤ、またはカルシウムとビタミンＤとの複合単位用量から成る群より選択されることを特徴とする、請求項６に記載のキット。
【請求項８】
前記医薬組成物がさらにキレート剤を含むことを特徴とする、請求項６または７に記載のキット。
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月12日(2015.8.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
テノホビルアラフェナミドヘミフマレートを含む組成物であって、約５質量％未満のテノホビルアラフェナミドモノフマレートを含む、前記組成物。
【請求項２】
約１質量％未満のテノホビルアラフェナミドモノフマレートを含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
約０．５質量％未満のテノホビルアラフェナミドモノフマレートを含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
前記組成物におけるテノホビルアラフェナミドに対するフマル酸の比が、０．５±０．１である、請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
前記組成物におけるテノホビルアラフェナミドに対するフマル酸の比が、０．５±０．０１である、請求項１に記載の組成物。
【請求項６】
固体である、請求項１に記載の組成物。
【請求項７】
前記テノホビルアラフェナミドヘミフマレートが、６．９±０．２°および８．６±０．２°なる２θの値を含むX-線粉末回折パターンを有する、請求項１に記載の組成物。
【請求項８】
請求項１に記載の組成物及び製薬上許容される賦形剤を含む、医薬組成物。
【請求項９】
更に、追加の治療薬を含む、請求項８に記載の医薬組成物。
【請求項１０】
前記追加の治療薬が、ヒト免疫不全ウイルス(HIV)プロテアーゼ阻害化合物、逆転写酵素のHIV非ヌクレオシド系阻害剤、逆転写酵素のHIVヌクレオシド系阻害剤、逆転写酵素のHIVヌクレオチド系阻害剤、HIVインテグラーゼ阻害剤、及びCCR5阻害剤からなる群から選択される、請求項９に記載の医薬組成物。
【請求項１１】
ヒト免疫不全ウイルス(HIV)感染症を治療するための請求項１に記載の組成物であって、該治療を必要とする対象に、治療上有効な量で投与される、前記組成物。
【請求項１２】
HIV感染症を治療するための請求項８に記載の医薬組成物であって、該治療を必要とする対象に、治療上有効な量で投与される、前記医薬組成物。
【請求項１３】
前記対象が、ヒト免疫不全ウイルス(HIV)プロテアーゼ阻害化合物、逆転写酵素のHIV非ヌクレオシド系阻害剤、逆転写酵素のHIVヌクレオシド系阻害剤、逆転写酵素のHIVヌクレオチド系阻害剤、HIVインテグラーゼ阻害剤、及びCCR5阻害剤からなる群から選択される、1種またはそれ以上の追加の治療薬を更に服用している、請求項１１に記載のHIV感染症を治療するための組成物。
【請求項１４】
B型肝炎ウイルス(HBV)感染症を治療するための請求項１に記載の組成物であって、該治療を必要とする対象に、治療上有効な量で投与される、前記組成物。
【請求項１５】
HBV感染症を治療するための請求項８に記載の医薬組成物であって、該治療を必要とする対象に、治療上有効な量で投与される、前記医薬組成物。
【請求項１６】
請求項１に記載の組成物と、製薬上許容される賦形剤とを混ぜ合わせて、医薬組成物を提供する工程を含む、医薬組成物の製造方法。
【請求項１７】
毎日多数回の服用量で投与される、請求項１１に記載のHIV感染症を治療するための組成物。
【請求項１８】
毎日1回の服用量で投与される、請求項１１に記載のHIV感染症を治療するための組成物。
【請求項１９】
毎日多数回の服用量で投与される、請求項１４に記載のHBV感染症を治療するための組成物。
【請求項２０】
毎日1回の服用量で投与される、請求項１４に記載のHBV感染症を治療するための組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月3日(2015.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
損傷量の放射線又は化学療法薬に曝露した対象における上皮細胞毒性に起因する細胞及び組織損傷の重症性を治療するための医薬組成物であって、小腸において局所的にジプロピオン酸ベクロメタゾンを放出する経口製剤にある、局所的に活性なコルチコステロイドジプロピオン酸ベクロメタゾンを、１７−モノプロピオン酸ベクロメタゾン及び２１−モノプロピオン酸ベクロメタゾンからなる群から選択されるその代謝物を損傷上皮細胞に曝露するのに十分な有効量で含む、上記医薬組成物。
【請求項２】
前記局所的に活性なコルチコステロイドの有効量が８ｍｇ／日である、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項３】
患者の消化管の内壁の損傷を予防、改善、及び／又は治療するための医薬組成物であって、前記損傷が患者を化学療法及び／又は放射線に曝露した結果であり、
ａ）有効量の、局所的に活性なコルチコステロイドジプロピオン酸ベクロメタゾン又は、１７−モノプロピオン酸ベクロメタゾン及び２１−モノプロピオン酸ベクロメタゾンからなる群から選択されるその代謝物を、経口剤形で含み、有効量が８ｍｇ／日であり、
ｂ）組織損傷の別の細胞側面を治療することを目的とする第２の化合物を投与することと併用され、前記第２の化合物が、増殖因子、調節分子、ケラチノサイト増殖因子（ＫＧＦ）、Ｒ−スポンジン−１、Ｒ−スポンジン−２、Ｒ−スポンジン−３、Ｒ−スポンジン−４、ソマトスタチン、オクトレオチド、ガストリン、グレリン、シクロオキシゲナーゼ２の阻害薬、抗酸化剤、ビタミンＥ、スクラルフェート、リソホスファチジン酸、ＬＰＡ−２受容体の作動薬又は拮抗薬、アミフソチンからなる群から選択される、
上記医薬組成物。
【請求項４】
局所的に活性なコルチコステロイドジプロピオン酸ベクロメタゾン又は、１７−モノプロピオン酸ベクロメタゾン及び２１−モノプロピオン酸ベクロメタゾンからなる群から選択されるその代謝物の経口剤形を含む、上皮組織を局所的に治療するための医薬組成物であって、経口剤形が、ジプロピオン酸ベクロメタゾン又はその代謝物を腸内腔中に放出し、患者の上部及び下部胃腸管の局所治療に有効であり、さらに患者が放射線又は化学療法処置によって起こる組織損傷に起因する炎症の症状を示している、上記医薬組成物。
【請求項５】
前記局所的に活性なコルチコステロイドの有効量が８ｍｇ／日である、請求項４に記載の医薬組成物。
【請求項６】
前記局所的に活性なコルチコステロイドが、有効量のＫＧＦと共に投与される、請求項４に記載の医薬組成物。
【請求項７】
前記局所的に活性なコルチコステロイドが、有効量の炭酸リチウムと共に投与される、請求項４に記載の医薬組成物。
【請求項８】
前記局所的に活性なコルチコステロイドが、有効量のＲ−スポンジン１と共に投与される、請求項４に記載の医薬組成物。
【請求項９】
治療薬が、前記化学療法又は放射線療法の後の投与に加えて、前記化学療法又は放射線療法の前に１〜２回投与される、請求項４に記載の医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月23日(2015.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中空粒子と、
カーボンナノチューブおよび導電性高分子からなる群から選択される少なくとも１つと、を少なくとも含有する熱電変換層を備え、
前記中空粒子が非導電性有機材料で構成される、熱電変換素子。
【請求項２】
前記熱電変換層が前記カーボンナノチューブを含有する、請求項１に記載の熱電変換素子。
【請求項３】
前記中空粒子の平均粒子径が１．０μｍ以下である、請求項１または２に記載の熱電変換素子。
【請求項４】
前記中空粒子の含有量が、前記熱電変換層の全質量に対して、１０〜３０質量％である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の熱電変換素子。
【請求項５】
中空粒子と、カーボンナノチューブおよび導電性高分子からなる群から選択される少なくとも１つと、を少なくとも含有し、
前記中空粒子が非導電性有機材料で構成される、熱電変換層形成用組成物。
【請求項６】
少なくとも前記カーボンナノチューブを含有する、請求項５に記載の熱電変換層形成用組成物。
【請求項７】
前記中空粒子の平均粒子径が１．０μｍ以下である、請求項５または６に記載の熱電変換層形成用組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月24日(2015.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に画像が形成された後に排出される複数の記録紙の間に、区切りを示すための仕切り紙を挿入する画像形成装置であって、
記録紙上に画像を形成する画像形成手段と、
前記仕切り紙を挿入する挿入位置を指定する入力手段と、
画像が形成された前記記録紙、及び前記仕切り紙を排出する排出手段と、
前記排出手段を制御する制御手段とを備え、
前記制御手段は、前記排出手段に、前記入力手段により指定された前記挿入位置に、前記仕切り紙を所定方向にシフトして排出させることを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記画像形成手段は、前記仕切り紙の周縁部のうち、当該仕切り紙が前記排出手段により前記所定方向にシフトして排出された場合に、排出されている記録紙と重ならない部分に画像を形成することを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
文字を入力する文字入力手段をさらに備え、
前記仕切り紙の前記部分に形成される前記画像は、前記文字入力手段により入力された文字の画像であることを特徴とする請求項２に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記仕切り紙が供給される給紙トレイを指定する仕切り紙指定手段をさらに備え、
前記制御手段は、前記排出手段に、前記仕切り紙指定手段により指定された前記給紙トレイから仕切り紙を取出して排出させることを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記仕切り紙のサイズを指定するサイズ指定手段をさらに備え、
前記制御手段は、サイズ指定手段により指定された前記サイズの前記仕切り紙を、画像が形成された前記記録紙と同じ排出先に排出可能か否かを判定する判定手段を備え、
前記制御手段は、前記判定手段によって、前記仕切り紙を、画像が形成される前記記録紙と同じ排出先に排出できないと判定されたことに応じて、画像が形成される前記記録紙が収容されたトレイから記録紙を取出して前記仕切り紙の代わりに排出するように、前記排出手段を制御することを特徴とする請求項１から４の何れか１項に記載の画像形成装置。
【請求項６】
表面に画像が形成された後に排出される複数の記録紙の間に、区切りを示すための仕切り紙を挿入する画像形成装置の制御方法であって、
記録紙上に画像を形成する画像形成ステップと、
前記仕切り紙を挿入する挿入位置を指定する入力ステップと、
画像が形成された前記記録紙、及び前記仕切り紙を排出する排出ステップとを含み、
前記排出ステップは、前記入力ステップにより指定された前記挿入位置に、前記仕切り紙を所定方向にシフトして排出するステップを含むことを特徴とする制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像形成装置及びその制御方法
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月20日(2015.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
どのデータが階層間で移動させられる候補であるかを識別する情報を提供する、大容量記憶デバイスのうちの少なくともいくつかに応答して、前記大容量記憶デバイスの前記階層間でデータを動的に移動させることを含む、方法。
【請求項２】
前記階層間でデータを動的に移動させることは、サブシステムコントローラによって実施される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記大容量記憶デバイスはそれぞれ、前記サブシステムコントローラとは別であるコントローラを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
どのデータが前記階層間で移動させられる候補であるかを識別する情報を提供するように、前記サブシステムコントローラによって前記大容量記憶デバイスに要求することをさらに備える、請求項２または請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記要求に応答した前記大容量記憶デバイスによって前記情報を提供することをさらに備え、前記情報は、デバイスデータセグメントと、関連したリードアクセス、ライトアクセス、シーケンシャルリード、およびシーケンシャルライトのうちの少なくとも１つとを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記サブシステムコントローラによって、前記情報を提供するように前記大容量記憶デバイスを構成することをさらに備える、請求項４または請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記大容量記憶デバイスによって、前記階層間で前記データを動的に移動させることとは別の使用のために、前記情報を収集することをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記大容量記憶デバイス自体の間で前記データを移動させ、前記データが移動させられたことを、前記大容量記憶デバイスによって前記サブシステムコントローラに通知することをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記階層は、分散ファイルシステムの一部である、請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
システムであって、
サブシステムコントローラと、
前記サブシステムコントローラに連結される、大容量記憶デバイスの階層とを備え、前記階層のそれぞれは、前記階層間でデータを移動させるために使用される前記サブシステムコントローラアクセス活動情報に出力するように構成される、システム。
【請求項１１】
前記サブシステムコントローラおよび階層は、それぞれのインターフェースによって一緒に連結される、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１２】
前記階層は、性能、コスト、および容量のうちの少なくとも１つが異なる、請求項１０または請求項１１に記載のシステム。
【請求項１３】
前記アクセス活動情報は、デバイスデータセグメントと、関連したリードアクセス、ライトアクセス、シーケンシャルリード、およびシーケンシャルライトのうちの少なくとも１つとを含む、請求項１０から請求項１２のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項１４】
前記大容量記憶デバイスはそれぞれ、前記サブシステムコントローラとは別のコントローラを含む、請求項１０から請求項１３のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項１５】
前記サブシステムコントローラは、前記アクセス活動情報を要求するように構成される、請求項１０から請求項１４のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項１６】
前記大容量記憶デバイスは、それら自体の間で前記データを移動させ、前記データが移動させられたことを、前記サブシステムコントローラに通知するように構成される、請求項１０から請求項１５のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項１７】
前記サブシステムコントローラは、前記情報を提供するように前記大容量記憶デバイスを構成することが可能である、請求項１０から請求項１６のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項１８】
前記大容量記憶デバイスは、前記階層間で前記データを移動させることとは別の使用のために、前記情報を収集するように構成される、請求項１０から請求項１７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１９】
前記階層は、分散ファイルシステムの一部である、請求項１０から請求項１８のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項２０】
大容量記憶デバイスの階層に電気的に連結可能であり、前記大容量記憶デバイスのうちの少なくともいくつかから受信されたアクセス活動情報に応答して、前記階層間でのデータの移動を決定するように操作的に構成される、記憶インターフェースを備える、サブシステムコントローラ。
【請求項２１】
前記サブシステムコントローラは、前記アクセス活動情報と併せて、データ移動を決定するために、少なくとも１つのポリシーを使用するように構成される、請求項２０に記載のサブシステムコントローラ。
【請求項２２】
前記アクセス活動情報は、前記サブシステムコントローラからの要求後に受信される、請求項２０または請求項２１に記載のサブシステムコントローラ。
【請求項２３】
前記要求は、周期またはイベント駆動型であり得る、請求項２２に記載のサブシステムコントローラ。
【請求項２４】
前記アクセス活動情報に対して、前記大容量記憶デバイスに構成情報を提供するようにさらに構成される、請求項２０から請求項２３のいずれか１項に記載のサブシステムコントローラ。
【請求項２５】
大容量記憶デバイスであって、
大容量記憶メモリと、
前記大容量記憶メモリへのアクセスを制御するように連結され、ホストインターフェースを含む、コントローラであって、前記大容量記憶メモリに対してアクセス活動情報を収集し、要求への前記記憶インターフェース応答から前記アクセス活動情報を出力するように構成される、コントローラと、
を備える、大容量記憶デバイス。
【請求項２６】
前記コントローラは、サブシステムコントローラによって構成される、請求項２５に記載の大容量記憶デバイス。
【請求項２７】
前記コントローラに連結される、サブシステムコントローラをさらに備える、請求項２５に記載の大容量記憶デバイス。
【請求項２８】
前記サブシステムコントローラは、階層インターフェースを含む、請求項２５に記載の大容量記憶デバイス。
【請求項２９】
前記アクセス活動情報は、前記大容量記憶デバイスの外部に出力される、請求項２５から請求項２８のいずれか１項に記載の大容量記憶デバイス。
【請求項３０】
別の大容量記憶デバイスと一緒に移動するようにさらに構成される、請求項２５から請求項２９のいずれか１項に記載の大容量記憶デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月19日(2015.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車両の扉開閉操作に応答して、ＧＰＳ受信機から車両の位置情報を取得する位置情報取得部、
前記扉開閉操作に応答して前記位置情報取得部が取得した前記位置情報が示す位置を停留所とし、各停留所間の運賃を示す運賃マスタを作成する運賃算出部、及び
ＩＣカードと通信して読み込み及び書き込みを行うＩＣカードリーダ／ライタ、
を備え、
前記運賃算出部は、
乗客の乗車時に、前記ＩＣカードリーダ／ライタを介して前記乗客が所有するＩＣカードの情報を取得し、当該乗車にかかる扉開閉操作に応答して前記位置情報取得部が取得した前記位置情報を乗車停留所情報として書き込み、
前記乗客の降車時に、前記ＩＣカードリーダ／ライタを介して前記ＩＣカードの情報を取得し、当該降車にかかる扉開閉操作に応答して前記位置情報取得部が取得した前記位置情報を降車停留所情報とし、前記乗車停留所情報と前記降車停留所情報と前記運賃マスタとに基づいて運賃を算出し、前記運賃を前記ＩＣカードにかかるストアードバリューから減算することを特徴とする運賃収受システム。
【請求項２】
請求項１において、
前記位置情報取得部が取得した前記位置情報が示す位置を停留所とし、前記停留所間の車両の走行距離を算出する距離算出部、を備え、
前記運賃算出部は、前記走行距離に基づいて、前記運賃マスタを作成する
ことを特徴とする運賃収受システム。
【請求項３】
請求項１または２に記載の運賃収受システムにおいて、
前記運賃算出部は、複数の運賃マスタを作成し、前記乗客が所有するＩＣカードの情報に基づいて適用される運賃マスタを判定して、前記運賃を算出することを特徴とする運賃収受システム。
【請求項４】
請求項１または２に記載の運賃収受システムにおいて、
前記運賃算出部は、
複数の運賃ルールと、走行位置と適用される運賃ルールを対応させた地図情報とを有し、
前記停留所の位置情報と、前記地図情報に照らし合わせて判定した運賃ルールとに基づいて、前記各停留所間の運賃マスタを作成することを特徴とする運賃収受システム。
【請求項５】
位置情報取得部が、車両の扉開閉操作に応答して、ＧＰＳ受信機から車両の位置情報を取得し、
運賃算出部が、
前記扉開閉操作に応答して前記位置情報取得部が取得した前記位置情報が示す位置を停留所とし、各停留所間の運賃を示す運賃マスタを作成し、
乗客の乗車時に、ＩＣカードリーダ／ライタを介して前記乗客が所有するＩＣカードの情報を取得し、当該乗車にかかる扉開閉操作に応答して前記位置情報取得部が取得した前記位置情報を乗車停留所情報として書き込み、
前記乗客の降車時に、前記ＩＣカードリーダ／ライタを介して前記ＩＣカードの情報を取得し、当該降車にかかる扉開閉操作に応答して前記位置情報取得部を前記位置情報を降車停留所情報とし、前記乗車停留所情報と前記降車停留所情報と前記運賃マスタとに基づいて運賃を算出し、前記運賃を前記ＩＣカードにかかるストアードバリューから減算する、
ことを特徴とする運賃収受方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】運賃収受システム及び方法
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月29日(2015.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザの前方に表示オブジェクトを表示することが可能な表示面が位置するように前記ユーザに装着される表示装置における、前記表示面に表示される表示オブジェクトの表示を、制御する表示制御部を備え、
前記表示制御部は、前記表示装置において前記ユーザの側面の位置に設けられる操作デバイスにおける検出に応じて取得される操作信号に基づいて、前記表示オブジェクトを移動させる少なくとも一部の軌道が、前記表示面に対して垂直方向成分を有する軌道を示すように、前記表示オブジェクトの表示を制御する、表示制御装置。
【請求項２】
前記表示制御部は、前記操作信号の取得状態に基づいて、選択的に、前記表示オブジェクトを移動させる少なくとも一部の軌道が、前記表示面に対して垂直方向成分を有する軌道を示すように、前記表示オブジェクトの表示を制御する、請求項１に記載の表示制御装置。
【請求項３】
前記表示制御部は、
前記操作信号が取得された場合には、前記表示オブジェクトを移動させる少なくとも一部の軌道が、前記表示面に対して垂直方向成分を有する軌道を示すように、前記表示オブジェクトの表示を制御し、
前記表示オブジェクトを移動させる少なくとも一部の軌道が、前記表示面に対して垂直方向成分を有する軌道を示すように、前記表示オブジェクトの表示を制御した後、設定されている所定の時間、前記操作信号が取得されない場合には、前記表示オブジェクトを移動させる軌道全体を、前記表示面に対して垂直方向成分を有さない軌道を示すように、前記表示オブジェクトの表示を制御する、請求項２に記載の表示制御装置。
【請求項４】
前記表示制御部は、前記操作信号が取得された場合には、前記表示面に表示させる表示オブジェクトのうちの少なくとも一部の表示オブジェクトを、前記表示面に対して垂直方向成分を有するように表示させる、請求項１〜３のいずれか１項に記載の表示制御装置。
【請求項５】
前記表示制御部は、
前記表示面に表示させる表示オブジェクトのうちの一の部分を、前記表示面に対して垂直方向成分を有さないように表示させ、
前記表示面に表示させる表示オブジェクトのうちの他の部分を、前記表示面に対して垂直方向成分を有するように表示させる、請求項４に記載の表示制御装置。
【請求項６】
前記表示制御部は、前記表示面に表示させる表示オブジェクトの全体を、前記表示面に対して垂直方向成分を有するように表示させる、請求項４に記載の表示制御装置。
【請求項７】
前記表示制御部は、前記操作信号が取得されていない場合には、前記表示オブジェクトを移動させる軌道全体が、前記表示面に対して垂直方向成分を有さない軌道を示すように、前記表示オブジェクトの表示を制御する、請求項１〜６のいずれか１項に記載の表示制御装置。
【請求項８】
前記表示制御部は、前記表示面に表示させる表示オブジェクトの全体を、前記表示面に対して垂直方向成分を有さないように表示させる、請求項７に記載の表示制御装置。
【請求項９】
前記表示制御部は、前記操作信号が取得された場合には、前記軌道に沿って、前記操作信号が示す操作方向に対応する方向にスクロールさせることによって、前記表示オブジェクトを移動させる、請求項１〜８のいずれか１項に記載の表示制御装置。
【請求項１０】
前記表示装置において前記ユーザの側面の位置に設けられる前記操作デバイス以外の操作デバイスにおける検出に応じた操作信号が取得された場合には、
前記表示制御部は、前記表示オブジェクトを移動させる少なくとも一部の軌道が、前記表示面に対して垂直方向成分を有する軌道を示すように、前記表示オブジェクトを表示させない、請求項１〜９のいずれか１項に記載の表示制御装置。
【請求項１１】
前記操作デバイスは、前記ユーザによる前記操作デバイスに対する操作入力、または、前記ユーザの前記操作デバイスへの近接を、検出する、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の表示制御装置。
【請求項１２】
表示オブジェクトを表示することが可能な表示面を有し、ユーザに装着されたときに、前記ユーザの前方に前記表示面が位置する表示部と、
ユーザに装着されたときに、前記ユーザの側面の位置に設けられる操作部と、
前記表示面に表示される表示オブジェクトの表示を制御する表示制御部と、
を備え、
前記表示制御部は、前記操作部における検出に応じて取得される操作信号に基づいて、前記表示オブジェクトを移動させる少なくとも一部の軌道が、前記表示面に対して垂直方向成分を有する軌道を示すように、前記表示オブジェクトの表示を制御する、表示装置。
【請求項１３】
前記操作部は、ユーザに装着されたときに、前記ユーザのこめかみ部分に位置するテンプル部材上に備えられる、請求項１２に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記表示装置は、ユーザの頭部に装着されるヘッドマウントディスプレイである、請求項１２、または１３に記載の表示装置。
【請求項１５】
ユーザの前方に表示オブジェクトを表示することが可能な表示面が位置するように前記ユーザに装着される表示装置における、前記表示面に表示される表示オブジェクトの表示を、制御するステップを有し、
前記制御するステップでは、前記表示装置において前記ユーザの側面の位置に設けられる操作デバイスにおける検出に応じて取得される操作信号に基づいて、前記表示オブジェクトを移動させる少なくとも一部の軌道が、前記表示面に対して垂直方向成分を有する軌道を示すように、前記表示オブジェクトの表示を制御する、表示制御方法。
【請求項１６】
ユーザの前方に表示オブジェクトを表示することが可能な表示面が位置するように前記ユーザに装着される表示装置における、前記表示面に表示される表示オブジェクトの表示を、制御するステップを、コンピュータに実行させ、
前記制御するステップでは、前記表示装置において前記ユーザの側面の位置に設けられる操作デバイスにおける検出に応じて取得される操作信号に基づいて、前記表示オブジェクトを移動させる少なくとも一部の軌道が、前記表示面に対して垂直方向成分を有する軌道を示すように、前記表示オブジェクトの表示を制御する、プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月14日(2015.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線が接続可能な接続面を有する外部端子が設けられた蓋を備える電池であって、
前記外部端子の接続面と前記蓋の一面とが略同一面上に位置しており、
前記蓋の一面を平面視したときに、前記外部端子と前記蓋との境界が、窪み部分に含まれている電池。
【請求項２】
前記窪み部分が、金型を押し付けて形成されたものである請求項１に記載の電池。
【請求項３】
請求項１または２に記載の電池の製造方法であって、
前記蓋が、金型に前記外部端子を装着し、前記外部端子における前記境界を形成する端辺部に前記金型の突起部を押し当てて変形させた後に、射出成形される電池の製造方法。
【請求項４】
前記金型が、固定金型と、当該固定金型に対して相対移動する可動金型とを有し、
前記可動金型が、前記突起部を有しており、
前記固定金型に前記外部端子を装着し、前記端辺部に前記可動金型の突起部を押し当てて変形させた後に、射出成形する請求項３記載の電池の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月5日(2015.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に順に積層された１４層からなり、
最も基板側にある層を第１層とする場合、
屈折率２．１〜２．４からなる、第１、第３、第５、第７、第９、第１１、及び第１３層の高屈折率層と、
屈折率１．３０〜１．５２からなる、第２、第４、第６、第８、第１０、及び第１２層の第１低屈折率層と、
屈折率１．２０〜１．４０からなる第１４層の第２低屈折率層と、
で構成され、
前記高屈折率層のうち最も膜厚が厚い層と２番目に膜厚が厚い層のそれぞれの膜厚が、前記第２低屈折率層の膜厚に対して、いずれも０．６２５〜１．１０２倍の範囲にあり、 前記反射防止膜について、４００ｎｍから１６５０ｎｍの波長域で、複数の振幅を有し、かつ短波長側から長波長側に振幅が徐々に高くなっていく反射率特性を有することを特徴とする反射防止膜。
【請求項２】
設計波長λ＝５３０ｎｍ、λ／４＝１．０としたとき、各層の光学膜厚ｎｄが次の各式を満足することを特徴とする請求項１に記載の反射防止膜。
第  １層  ０．０７９≦ｎｄ≦０．２８２
第  ２層  ０．２５６≦ｎｄ≦０．８６３
第  ３層  ０．２７４≦ｎｄ≦０．６８７
第  ４層  ０．２１０≦ｎｄ≦０．５９１
第  ５層  ０．５６３≦ｎｄ≦０．８９６
第  ６層  ０．１２７≦ｎｄ≦０．３２０
第  ７層  ０．８９４≦ｎｄ≦１．３３０
第  ８層  ０．１２１≦ｎｄ≦０．１３５
第  ９層  ０．８２３≦ｎｄ≦１．３２７
第１０層  ０．１５３≦ｎｄ≦０．３２２
第１１層  ０．６１５≦ｎｄ≦０．７８６
第１２層  ０．４１３≦ｎｄ≦０．５６５
第１３層  ０．２７７≦ｎｄ≦０．４００
第１４層  １．２０７≦ｎｄ≦１．３１５
【請求項３】
前記高屈折率層はＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＨｆＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、又はそれらとＬａ、Ｚｒの混合物であり、前記第１低屈折率層及び前記第２低屈折率層はＳｉＯ２、ＭｇＦ２、又はそれらの混合物であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の反射防止膜。
【請求項４】
前記基板の屈折率は１．４４〜１．９０の範囲であることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の反射防止膜。
【請求項５】
前記第２低屈折率層は超低屈折率物質であり、
前記超低屈折率物質は、ウエットコートによって膜を形成したことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の反射防止膜。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の反射防止膜を有する１枚以上の光学基板で構成されたことを特徴とする光学系。
【請求項７】
請求項６に記載の光学系を有することを特徴とする光学機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る反射防止膜は、基板上に順に積層された１４層からなり、最も基板側にある層を第１層とする場合、屈折率２．１〜２．４からなる、第１、第３、第５、第７、第９、第１１、及び第１３層の高屈折率層と、屈折率１．３０〜１．５２からなる、第２、第４、第６、第８、第１０、及び第１２層の第１低屈折率層と、屈折率１．２０〜１．４０からなる第１４層の第２低屈折率層と、で構成され、高屈折率層のうち最も膜厚が厚い層と２番目に膜厚が厚い層のそれぞれの膜厚が、第２低屈折率層の膜厚に対して、いずれも０．６２５〜１．１０２倍の範囲にあり、反射防止膜について、４００ｎｍから１６５０ｎｍの波長域で、複数の振幅を有し、かつ短波長側から長波長側に振幅が徐々に高くなっていく反射率特性を有することを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月30日(2015.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
化学増幅型レジスト組成物を用いてネガ型レジストパターンを形成させる方法において、レジストパターンを太らせることによってパターンを微細化するために用いられる微細パターン形成用組成物であって、
繰り返し単位中にアミノ基を含むポリマーと、
溶剤と、
前記ポリマーの重量を基準として５０重量％を超える酸と
を含んでなることを特徴とする組成物。
【請求項２】
前記アミノ基が、第一級アミノ基または第二級アミノ基である、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記繰り返し単位が、アリルアミン単位、ジアリルアミン単位、およびエチレンイミン単位からなる群から選択されるものである、請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
前記ポリマーが、ポリビニルアミン、ポリアリルアミン、ポリジアリルアミン、ポリエチレンイミン、およびポリ（アリルアミン−ｃｏ−ジアリルアミン）からなる群から選択される、請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
前記酸が、スルホン酸、カルボン酸、硫酸、硝酸、およびそれらの混合物からなる群から選択される、請求項１〜４のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項６】
前記スルホン酸が、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、２−アミノメタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸、および１０−カンファースルホン酸からなる群から選択されるものである、請求項５に記載の組成物。
【請求項７】
前記カルボン酸が、酢酸、メトキシ酢酸、グリコール酸、グルタル酸、およびリンゴ酸からなる群から選択されるものである、請求項５に記載の組成物。
【請求項８】
前記溶剤が水を含んでなる、請求項１〜７のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項９】
界面活性剤をさらに含んでなる、請求項１〜８のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１０】
半導体基板上に化学増幅型フォトレジスト組成物を塗布してフォトレジスト層を形成する工程、
前記フォトレジスト層で被覆された前記半導体基板を露光する工程、
前記露光後に有機溶剤現像液で現像する工程、
前記フォトレジストパターンの表面に、繰り返し単位中にアミノ基を含むポリマーと、前記ポリマーの重量を基準として５０重量％を超える酸と、溶剤とを含んでなる微細パターン形成用組成物を塗布する工程、
塗布済みのフォトレジストパターンを加熱する工程、および
過剰の微細パターン形成用組成物洗浄して除去する工程
を含んでなることを特徴とする微細化されたネガ型レジストパターンの形成方法。
【請求項１１】
前記フォトレジスト組成物が、光酸発生剤をさらに含んでなる、請求項１０に記載の微細化されたネガ型レジストパターンの形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月16日(2015.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明によれば、可撓性に優れることから、繰り返しの曲げが作用しても、また局所的に９０度から１８０度のような大きな曲げが作用しても、導電体粉末を含む樹脂組成物からなるチップ状の発熱体と給電線との間に剥離が生じるのを効果的に回避することができる、より改良された長尺ＰＴＣヒーターが得られる。また、本発明による長尺ＰＴＣヒーターを使用することで、種々の形態の通水管内での凍結を効果的に防止することができ、また打設したコンクリートが養生中に凍結するのも効果的に防止することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
図２に示すように、前記した２本の給電線３、３が並置され、その間に、幅Ｄ方向の両端に前記金属端子４、４を固定したチップ状の発熱体２が、所定の間隔をおいて、適数だけ備えられる。そして、各給電線３の一端部には、外部の電源と接続するための電気供給コード（不図示）が半田付け等にて接続され、電気供給コードから各給電線３、３および金属端子４を介して、チップ状の発熱体２に電力が供給される。なお、本発明において、前記給電線３には、銅などの導電性を有する単線や集合線、より線を用いることができ
る。特に、容易に撓ませることができることから銅単線の編組線は好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
次に、図４、図５をも参照して、上記ヒーター１の製造方法について説明する。まず、前記したようにしてチップ状の発熱体２を製造し、両端縁近傍に導電ペースト６を塗布し焼き付け固定する。また、適宜の方法で金属端子４を製造する。そして、チップ状の発熱体２の導電ペースト６が塗布されている端縁部に、該金属端子４の発熱体把持片４３、４３側を当接して、チップ状発熱体２の厚さ方向の両端面側から挟み込み、かしめることで、金属端子４をチップ状の発熱体２に固定する。なお、このとき、必要に応じて、各発熱体把持片４３、４３の互いに対向した内面上に予めクリーム半田などを塗布してもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
本発明によるヒーター１では、チップ状の発熱体２は導電体粉末を含む樹脂組成物からなっており、それ自体で可撓性を持つ。また、セラミックス製の発熱体と比較して軽量である。さらに、チップ状の発熱体２は、所定の間隔をおいて、その複数個が金属端子４を介して給電線３に固定されている。従って、ヒーター１は十分な可撓性を備え、かつ軽量化も可能となる。さらに、金属端子４に形成した幅の狭い把持片（給電線把持片４２）によって、チップ状の発熱体２は給電線３に固定されており、特許文献１に記載されるような従来の長さの長い樹脂組成物からなる発熱体が給電線に対して一体成形されている形態の長尺ＰＴＣヒーターと比較して、ヒーター１が折曲したときに作用する曲げ応力によって、チップ状の発熱体２と金属端子４の間、金属端子４と給電線３との間で剥離が生じるのを、ほぼ完全に回避することができる。それにより、ヒーター１の使用態様を問わず、ヒーター１としての信頼性は大きく向上する。さらに、曲げ特性に優れていることから、被加熱体に対するヒーター１の接触面も広く確保することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
図６（ｂ）に示すチップ状の発熱体２ｂは、長さＬが、図２に示した長尺発熱ユニット２０で使用したチップ状の発熱体２の長さＬと比較して、十分に小さくなっている。一例として、図２に示したチップ状の発熱体２が幅Ｄ：８ｍｍ、長さＬ：６ｍｍ、厚みＨ：１．６ｍｍ（Ｄ／Ｌ＝１．３）であるのに対して、チップ状の発熱体２ｂでは、幅Ｄ：８ｍｍ、長さＬ：２ｍｍ、厚みＨ：１．６ｍｍ（Ｄ／Ｌ＝４．０）とされている。また、それに応じて、金属電極４ｂの幅も、チップ状の発熱体２ｂの長さＬ：２ｍｍに一致するように、狭くされている。この形態のチップ状の発熱体２ｂを持つヒーター１は、長手方向に直交する方向でも曲がりやすくなっており、細管の長手方向に沿ってヒーター１を配設するときに、チップ状の発熱体２ｂと管表面との接触面積を確実に確保しやすくなる。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月3日(2015.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置、ランダム・アクセス・メモリ、及びメモリ
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタを含む回路を有し、
前記トランジスタは、
絶縁表面に略垂直に設けられた酸化物半導体と、
前記酸化物半導体を覆って設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を覆って設けられたゲートと、
を有し、
前記酸化物半導体は、厚さが１ｎｍ以上３０ｎｍ以下であり、高さが前記回路の最小加工線幅以上であり、
前記ゲートは、前記酸化物半導体の少なくとも３つの面と面することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記ゲートは、ストライプ状であり、幅が１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記酸化物半導体が、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化錫、Ｉｎ−Ｚｎ系酸化物、Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物、Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｚｎ−Ｍｇ系酸化物、Ｓｎ−Ｍｇ系酸化物、Ｉｎ−Ｍｇ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｇａ系酸化物、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物より選ばれた１つであることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記酸化物半導体は結晶性を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記酸化物半導体の一部は、窒素、硼素あるいはリンを含む領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記酸化物半導体は、前記高さ方向を有する表面と、前記厚さ方向を有する表面の交わる角が丸みを帯びていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載のトランジスタをセルトランジスタとして有するランダム・アクセス・メモリ。
【請求項８】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載のトランジスタを書き込みトランジスタとして有するメモリ。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月26日(2015.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極を形成し、
第１の酸化アルミニウム膜（ＡｌＯｘ１（ｘ１＞３／２））および前記第１の酸化アルミニウム膜上の酸化シリコン膜（ＳｉＯｙ（ｙ＞２））よりなるゲート絶縁膜を形成し、
酸化物半導体膜を形成し、
ソース電極層およびドレイン電極層を形成し、
第２の酸化アルミニウム膜（ＡｌＯｘ２（ｘ２＞３／２））を前記酸化物半導体膜上に形成し、
前記ゲート絶縁膜と前記酸化物半導体膜を第１のインライン装置にて大気暴露させることなく連続的に形成した後、前記第１のインライン装置にて第１の熱処理および加酸素化処理を行い、
前記第２の酸化アルミニウム膜を第２のインライン装置にて大気暴露されることなく形成した後、前記第２のインライン装置にて第２の熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
ゲート電極を形成し、
第１の酸化アルミニウム膜（ＡｌＯｘ１（ｘ１＞３／２））と前記第１の酸化アルミニウム膜上の第１の酸化シリコン膜（ＳｉＯｙ１（ｙ１＞２））よりなるゲート絶縁膜を形成し、
酸化物半導体膜を形成し、
ソース電極層とドレイン電極層を形成し、
第２の酸化シリコン膜（ＳｉＯｙ２（ｙ２＞２））と前記第２の酸化シリコン膜上の第２の酸化アルミニウム膜（ＡｌＯｘ２（ｘ２＞３／２））よりなる保護層を前記酸化物半導体膜上に形成し、
前記ゲート絶縁膜と前記酸化物半導体膜を第１のインライン装置にて大気暴露させることなく連続的に形成した後、前記第１のインライン装置にて第１の熱処理および加酸素化処理を行い、
前記保護層を第２のインライン装置にて大気暴露されることなく連続的に形成した後、前記第２のインライン装置にて第２の熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
ゲート電極を形成し、
第１の酸化アルミニウム膜（ＡｌＯｘ１（ｘ１＞３／２））と前記第１の酸化アルミニウム膜上の第１の酸化シリコン膜（ＳｉＯｙ１（ｙ１＞２））よりなるゲート絶縁膜を形成し、
酸化物半導体膜を形成し、
ソース電極層とドレイン電極層を形成し、
第２の酸化シリコン膜（ＳｉＯｙ２（ｙ２＞２））と、前記第２の酸化シリコン膜上の有機物と金属酸化物の混合膜または透明導電酸化膜または窒素を含む酸化物半導体膜である薄膜Ｘと、薄膜Ｘ上の第２の酸化アルミニウム膜（ＡｌＯｘ２（ｘ２＞３／２））よりなる保護層を前記酸化物半導体膜上に形成し、
前記ゲート絶縁膜と前記酸化物半導体膜を第１のインライン装置にて大気暴露させることなく連続的に形成した後、前記第１のインライン装置にて第１の熱処理および加酸素化処理を行い、
前記保護層を第２のインライン装置にて大気暴露されることなく連続的に形成した後、前記第２のインライン装置にて第２の熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３において、
前記第２の熱処理を２７５℃以上３２５℃以下にて行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月20日(2015.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に設けられた第１の金属酸化物膜と、
前記第１の金属酸化物膜に接して設けられたソース電極及びドレイン電極と、
前記ソース電極及びドレイン電極上に設けられた第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に設けられた第２の金属酸化物膜と、
前記第２の金属酸化物膜上に設けられた第２の絶縁膜と、を有する半導体装置。
【請求項２】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上に設けられた第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に設けられた第２の金属酸化物膜と、
前記第２の金属酸化物膜上に設けられた第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に設けられた第１の金属酸化物膜と、
前記第１の金属酸化物膜に接して設けられたソース電極及びドレイン電極と、
前記ソース電極及びドレイン電極上に設けられたパッシベーション膜と、を有する半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記第１の絶縁膜は、前記第２の絶縁膜より厚い半導体装置。
【請求項４】
第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に設けられた第２の金属酸化物膜と、
前記第２の金属酸化物膜上に設けられた第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に設けられた第１の金属酸化物膜と、
前記第１の金属酸化物膜に接して設けられたソース電極及びドレイン電極と、
前記第１の金属酸化物膜、前記ソース電極及びドレイン電極上に設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記第１の金属酸化物膜上に設けられたゲート電極と、を有する半導体装置。
【請求項５】
下地絶縁膜と、
前記下地絶縁膜上に設けられた第１の金属酸化物膜と、
前記第１の金属酸化物膜に接して設けられたソース電極及びドレイン電極と、
前記第１の金属酸化物膜、前記ソース電極及びドレイン電極上に設けられた第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に設けられた第２の金属酸化物膜と、
前記第２の金属酸化物膜上に設けられた第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜を介して前記第１の金属酸化物膜上に設けられたゲート電極と、を有する半導体装置。
【請求項６】
請求項４又は５において、
前記第１の絶縁膜は、前記第２の絶縁膜より薄い半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記第２の金属酸化物膜の膜厚は、５ｎｍ以上１５ｎｍ以下である半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記第１の金属酸化物膜及び前記第２の金属酸化物膜は、インジウム、ガリウム、及び亜鉛を有する半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、
前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜は、熱処理により酸素が脱離する絶縁膜である半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月2日(2015.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と第２の電極との間に、発光層と、第１の層と、第２の層と、を有し、
前記第１の層は、前記第１の電極と前記発光層との間に設けられ、
前記第２の層は、前記第２の電極と前記発光層との間に設けられ、
前記発光層は、燐光性化合物と、第１の有機化合物と、第２の有機化合物と、を有し、
前記第１の層は、前記第１の有機化合物を有し、
前記第１の層は、前記第２の有機化合物を有さず、
前記第２の層は、前記第２の有機化合物を有し、
前記第２の層は、前記第１の有機化合物を有さず、
前記第１の有機化合物は、電子輸送性が正孔輸送性よりも優れており、
前記第２の有機化合物は、正孔輸送性が電子輸送性よりも優れており、
前記第１の有機化合物と前記第２の有機化合物とは、励起状態においてエキシプレックスを形成することを特徴とする発光素子。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の層と前記発光層との間あるいは前記第２の層と前記発光層との間には、前記第１の有機化合物と前記第２の有機化合物の比率が連続的に変化する領域が設けられていることを特徴とする発光素子。
【請求項３】
第１の電極と第２の電極との間に、第１の層と、第２の層と、を有し、
前記第１の層は、前記第１の有機化合物を有し、
前記第１の層は、前記第２の有機化合物を有さず、
前記第２の層は、前記第２の有機化合物を有し、
前記第２の層は、前記第１の有機化合物を有さず、
前記第１の層と前記第２の層との間に、前記第１の有機化合物と前記第２の有機化合物と燐光性化合物とを有する領域を有し、
前記第１の有機化合物は、電子輸送性が正孔輸送性よりも優れており、
前記第２の有機化合物は、正孔輸送性が電子輸送性よりも優れており、
前記第１の有機化合物と前記第２の有機化合物とは、励起状態においてエキシプレックスを形成することを特徴とする発光素子。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第１の有機化合物のアニオン及び前記第２の有機化合物のカチオンから、前記エキシプレックスが形成されることを特徴とする発光素子。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記エキシプレックスの励起エネルギーが前記燐光性化合物に移動して、前記燐光性化合物が燐光を発することを特徴とする発光素子。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第１の有機化合物及び前記第２の有機化合物の少なくとも一方が、蛍光性化合物である発光素子。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記燐光性化合物が、有機金属錯体である発光素子。