【事件の表示】
　特願２００４−１８７６７２「磁気記録媒体及び磁気記録媒体の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年１月１２日出願公開、特開２００６−　１２２８５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は平成１６年６月２５日の出願であって、平成１８年５月２５日に拒絶査定不服審判が請求され、同年６月２３日付けで手続補正がされたものである。
　上記手続補正は、補正前の請求項４乃至７の削除、及び、請求項２について、拒絶査定において指摘された明りょうでない記載の釈明を目的とする補正をするものである。
　したがって、本願請求項１乃至３に係る発明は、平成１８年６月２３日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１乃至３に記載された事項により特定されたとおりのものであって、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりである。
　「【請求項１】
　基板と、該基板の上に形成された軟磁性層と、表面に垂直な方向に磁気異方性を有するように配向されて前記軟磁性層の上に形成され、且つ、所定の凹凸パターンで多数の記録要素に分割された記録層と、該記録層及び前記軟磁性層の間に形成された中間層と、を含み、前記記録要素がデータ領域において所定のトラック形状で形成され、前記中間層の厚さが２〜４０ｎｍであり、前記凹凸パターンの凹部が前記中間層の厚さ方向の途中まで形成され、前記記録層は前記基板側の面まで前記凹部で分割され、前記中間層は前記基板側の面が連続していることを特徴とする磁気記録媒体。」
　
２．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開２００３−３０８１２号公報には、「磁気記録媒体および磁気記録装置」について、図面とともに次の事項が記載されている。（以下、
下線
　
　ア．「【0017】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、耐熱揺らぎ特性に優れた超高密度磁気記録を実現するために次の手段を見いだした。（１）基板上に磁気記録領域と非記録領域が規則的に配列した記録媒体を用いて記録トラック端部の磁区構造の乱れを低減し、上記磁気記録領域の記録層を垂直磁化膜で構成した。（２）基板上に磁気記録領域と非記録領域が規則的に配列した垂直磁気記録層に符号化された複数の記録ビットを形成することにより反磁界の影響を低減し磁化の安定性を改善した。（３）
磁気記録領域の垂直磁化膜の裏面に裏打ち軟磁性層、もしくは裏打ち軟磁性層と反強磁性層を設ける
　イ．「【0023】
【発明の実施の形態】〔実施例１〕図１は、本発明による磁気記録媒体および磁気記録方式の基本構成を示す。
本発明の磁気記録媒体２１は、基板１上に
裏打ち軟磁性層３、非磁性下地層４、垂直磁化膜５、および保護層６を順次形成して構成される。
本発明の磁気記録媒体２１は、記録層である垂直磁化膜５がパターニングされ、記録領域７と非記録領域８とに区分されている。
　ウ．「【0026】非磁性中間層４としては、例えばＴｉＣｒ合金、ＣｏＣｒ合金、ＮｉＴａＺｒ合金、Ｔｉ、あるいはＳｉ，Ｇｅ，Ｃなど非晶質状の薄膜、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ薄膜、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）薄膜などが使用できる。
非磁性中間層１６は、この上部に形成する垂直磁化膜の結晶配向や結晶粒径を制御する効果がある。膜厚は１〜５ｎｍとする。膜厚が厚すぎると磁気記録の際に記録効率が低下するため、薄い方が望ましい。
　エ．「【0035】
裏打ち軟磁性層３の上に膜厚３ｎｍの
非磁性下地層４
垂直磁化膜５を順次形成した
【0036】続いて上記
媒体の上にネガ型電子レジストを被覆し、電子線リソグラフィ技術により媒体の垂直磁化膜５のパターニングを行い、記録領域７と非記録領域８を形成した磁気記録媒体Ａを作製した
【0037】上記
パターニングでは、記録領域７のトラック幅／トラックピッチが１００ｎｍ／１８０ｎｍの領域、１５０ｎｍ／２３０ｎｍの領域、および２００ｎｍ／２８０ｎｍの領域からなるパターンを形成した。また、トラック方向のパターンの長さを１２０ｎｍ、および２８０ｎｍに分割した記録領域７を形成し、このとき非記録領域８の幅は１００ｎｍとした
【0038】続いてレジストの現像の後、
アルゴンイオンにより非記録領域８に対応する磁性膜をエッチングした
　
　上記ア〜エによれば、引用例には次の発明（以下、「引用例発明」という。）が記載されている。
　
「基板上に裏打ち軟磁性層、非磁性下地層、垂直磁化膜、および保護層を順次形成して構成され、記録層である垂直磁化膜がパターニングされ、記録領域と非記録領域とに区分されており、非磁性下地層の膜厚は１〜５ｎｍである磁気記録媒体」
　
３．対比
　引用例発明の「基板」「裏打ち軟磁性層」は、それぞれ、本願発明の「基板」「軟磁性層」に相当する。
　引用例発明において、「記録層である垂直磁化膜」は、裏打ち軟磁性層上の非磁性下地層によって結晶配向が制御されており、また、垂直磁化膜はパターニングされて記録領域と非記録領域とに区分され、非記録領域に対応する磁性膜はエッチングされて凹部が形成され、エッチングされずに残った部分が凸部となるから、引用例発明の「垂直磁化膜」は、本願発明の「表面に垂直な方向に磁気異方性を有するように配向されて前記軟磁性層の上に形成され、且つ、所定の凹凸パターンで多数の記録要素に分割された記録層」に相当する。
　引用例発明において、「非磁性下地層」は記録層と軟磁性層の間に形成されており非磁性中間層とも記載されている（上記ウ）から、本願発明の「記録層及び軟磁性層の間に形成された中間層」に相当する。
　そして、引用例発明において、パターニングは記録領域のトラック幅及びトラック方向に分割されているから、引用例発明の「垂直磁化膜がパターニングされ」は、本願発明の「記録要素がデータ領域において所定のトラック形状で形成されている」に相当する。
　
　したがって、本願発明と引用例発明とを比較すると、一致点、相違点は次のとおりである。
　
　［一致点］「基板と、該基板の上に形成された軟磁性層と、表面に垂直な方向に磁気異方性を有するように配向されて前記軟磁性層の上に形成され、且つ、所定の凹凸パターンで多数の記録要素に分割された記録層と、該記録層及び前記軟磁性層の間に形成された中間層と、を含み、前記記録要素がデータ領域において所定のトラック形状で形成されている磁気記録媒体。」である点。
　
　［相違点１］
　本願発明の中間層の厚さが２〜４０ｎｍであるのに対し、引用例発明の非磁性下地層（中間層）の厚さが１〜５ｎｍである点。
　「相違点２」
　本願発明において、「凹凸パターンの凹部が前記中間層の厚さ方向の途中まで形成され、前記記録層は前記基板側の面まで前記凹部で分割され、前記中間層は前記基板側の面が連続している」のに対し、引用例発明では、そのような点について特定されていない点。
　
４．相違点についての判断
　
　相違点１について
　引用例発明において、非磁性下地層はその上部に形成される垂直磁化膜の結晶配向や結晶粒径を制御するものであり、膜厚が厚すぎると磁気記録の際に記録効率が低下することから、その厚さを１〜５ｎｍとしており（上記ウ）、実施例における膜厚は３ｎｍ（上記エ）である。
　非磁性下地層（中間層）の厚さは適当な範囲があることは明らかであり、厚さをどの程度にするかは当業者が適宜設定しうるものであって、その厚さを２〜４０ｎｍとすることによって当業者が予測し得ない効果を奏するものということはできない。
　そうすると、引用例発明において非磁性下地層（中間層）の厚さを２〜４０ｎｍとすることは、単なる設計的事項にすぎない。
　
　相違点２について
　引用例発明において、記録層である垂直磁化膜を凹凸パターンで分割する場合、分割するという本来の機能からみて、その凹部は垂直磁化膜が完全に除去されることが求められる（垂直磁化膜が残留していれば磁界が漏れてノイズの原因となる）ことは、当業者にとって明らかである。
　ところで、一般に、エッチングの深さを正確に制御することが困難であることは技術常識であるから、上記凹部をエッチングにより形成するにあたり、記録媒体の機能に対する影響が少ない手法を採用することは、当業者が当然に考慮すべき事項である。
　そうすると、上記の影響を少なくする手法を考慮するにあたり、その上部に形成される垂直磁化膜の結晶配向や結晶粒径を制御する非磁性下地層は、垂直磁化膜の成膜後に多少除去されても磁気記録媒体の特性に影響が少ないとの当業者にとって自明の事項に基づいて、非磁性下地層の一部までエッチングすること、すなわち、凹凸パターンの凹部が非磁性下地層（中間層）の厚さ方向の途中まで形成され、且つ、非磁性下地層（中間層）はその基板側の面が連続しているようにすることは、当業者が容易に想到しうることである。
　
　そして、上記各相違点によって奏される効果についてみても、当業者が予測できる程度のものであって格別なものではない。
　
　したがって、本願発明は、その出願前に頒布された刊行物に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、本願請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきである。
　よって、結論のとおり審決する。