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　平成１０年特許願第５２３４８８号「半導体装置及びその製造方法並びに電子部品の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年６月１１日国際公開，ＷＯ９８／２５２９７〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成９年１２月４日（優先権主張平成８年１２月４日，日本国，優先権主張平成８年１２月２６日，日本国，優先権主張平成９年３月２６日，日本国）を国際出願日とする出願であって，平成１０年４月２７日付け及び平成１７年４月１５日付けで手続補正がなされ，平成１８年８月２１日付けで拒絶査定がなされ，これに対し同年９月２８日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに，同年１０月２５日付けで手続補正がなされ，その後当審において，平成２０年１１月１１日に審尋がなされ，平成２１年１月９日に回答書が提出されたものである。
　
第２　平成１８年１０月２５日付けの手続補正について
［補正却下の決定の結論］
　平成１８年１０月２５日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正は，本件補正前の請求項２２を本件補正後の請求項２１に繰り上げ，本件補正前の請求項２２の「前記配線と前記電極との接続部において，前記電極の幅よりも大きい部分を有する」を，本件補正後の請求項２１の「前記配線と前記電極との接続部において，前記電極の幅よりも大きい部分を有し，　前記応力緩和層は樹脂からなる」とする補正（以下「本件補正事項」という。）を含むものであって，本件補正前の請求項２２及び本件補正後の請求項２１は，以下のとおりである。
（１）本件補正前の請求項２２
「２２．電極を有する半導体チップと，
　前記半導体チップの上において前記電極の少なくとも一部を避けるように設けられる応力緩和層と，
　前記電極から前記応力緩和層の上にかけて形成される配線と，
　前記応力緩和層の上方で前記配線に形成される外部電極と，
　を有し，
　前記配線は，前記応力緩和層上において，前記電極よりも幅が小さい部分を有し，且つ，前記配線と前記電極との接続部において，前記電極の幅よりも大きい部分を有する半導体装置。」
（２）本件補正後の請求項２１
「【請求項２１】　電極を有する半導体チップと，
　前記半導体チップの上において前記電極の少なくとも一部を避けるように設けられる応力緩和層と，
　前記電極から前記応力緩和層の上にかけて形成される配線と，
　前記応力緩和層の上方で前記配線に形成される外部電極と，
　を有し，
　前記配線は，前記応力緩和層上において，前記電極よりも幅が小さい部分を有し，且つ，前記配線と前記電極との接続部において，前記電極の幅よりも大きい部分を有し，
　前記応力緩和層は樹脂からなる半導体装置。」
　
２　補正の目的の適否
　本件補正事項は，本件補正前の請求項２２の「前記配線と前記電極との接続部において，前記電極の幅よりも大きい部分を有する」を，本件補正後の請求項２１の「前記配線と前記電極との接続部において，前記電極の幅よりも大きい部分を有し，　前記応力緩和層は樹脂からなる」と，本件補正前の「応力緩和層」について「前記応力緩和層は樹脂からなる」と具体的に限定したものであるから，平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
３　独立特許要件の検討
　上記のとおり，本件補正事項は，平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるから，本件補正後の特許請求の範囲の請求項２１に記載されている事項により特定される発明が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて，さらに検討を進める。
　
３−１　本件補正後の請求項２１に係る発明
　本件補正後の請求項２１に係る発明（以下「補正発明」という。）は，本件補正により補正された明細書及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項２１に記載された事項により特定されるとおりのものであって，上記１（２）に摘示したとおりのものである。
　
３−２　引用例１に記載された発明
（１）原査定の拒絶の理由に引用された特開昭６４−１２５７号公報（昭和６４年１月５日出願公開，以下「引用例１」という。）には，次の記載がある。
ア　「〔産業上の利用分野〕
　本発明は
半導体装置
（１頁右下欄４〜６行）
イ　「〔作用〕
　
バンプと装置本体との間にあるポリイミド等のエネルギー線遮蔽樹脂からなる被覆膜
ウ　第１図〜第３図を参照して，「〔実施例〕
　第１図は本発明の一実施例による半導体装置（フリップチップ）２０を示す。装置２０は，バンプ２１を基板２２上の電極２３と接続されてフェイスダウンで実装されている状態を示す。
　
２４は電極であり，半導体装置本体２５の下面に形成
　
２６はパッシベーション膜であり，装置本体２５の下面に電極２４を除いて形成
　
２７は第１のポリイミド層であり，
パッシベーション膜２６上に電極２４を除いて形成
　
２８は配線導体であり，
一端を電極２４に接続されて，第１のポリイミド層２７上にバンプ形成予定個所の方向に延出して形成
　２９は第２のポリイミド層であり，配線導体２８のうちバンプ形成予定個所を除いて，配線導体２８上及び第１のポリイミド層２７上に形成してある。
バンプ２１は配線導体２８の他端近傍のバンプ形成予定個所に形成
エ　第１図，第３図及び第４図を参照して，「　まず，
第１のポリイミド層２７は緩衝機能を有する
　この力Ｆはポリイミド層２７をその厚み方向に伝わる間に緩和され，パッシベーション膜２６には小さな力しか作用しない。また熱応力σは，ポリイミド層２７の面方向へのずれるような変形により吸収され，膜２６には作用しない。
　従って，パッシベーション膜２６に作用する力は僅かなものとなり，膜２６にクラックは生ぜず，装置本体２５の保護が損なわれることはない。」（２頁右下欄１７行〜３頁左上欄９行）
オ　第１図及び第３図を参照して，「　第３図に示すように，
配線導体２８は任意の方向に任意の長さで形成できる
カ　第２図には，配線導体２８が，第１のポリイミド層２７の上の，電極２４からバンプ２１の間で，同一の幅であることが図示されている。
（２）上記（１）アによれば，引用例１に記載された発明は，半導体装置に関するものである。
（３）上記（１）ウによれば，引用例１には，２４は電極であり，半導体装置本体２５の下面に形成してあることが記載されているから，電極２４を有する半導体装置本体２５が開示されている。
（４）上記（１）ウによれば，引用例１には，２６はパッシベーション膜であり，半導体装置本体２５の下面に電極２４を除いて形成してあり，また，２７は第１のポリイミド層であり，パッシベーション膜２６上に電極２４を除いて形成してあることが記載されているから，半導体装置本体２５の下面に形成されたパッシベーション膜２６の上に，電極２４を除いて形成された第１のポリイミド層２７が開示されている。
（５）上記（１）ウによれば，引用例１には，２８は配線導体であり，一端を電極２４に接続されて，第１のポリイミド層２７上にバンプ形成予定個所の方向に延出して形成してあることが記載されているから，電極２４から，第１のポリイミド層２７の上に延出して形成された配線導体２８が開示されている。
（６）上記（１）ウによれば，引用例１には，配線導体２８が，第１のポリイミド層２７上にバンプ形成予定個所の方向に延出して形成してあり，また，バンプ２１が，配線導体２８の他端近傍のバンプ形成予定個所に形成してあることが記載されている。したがって，第１図及び第２図における第１のポリイミド層２７及び配線導体２８とバンプ２１との位置関係を参酌すれば，引用例１には，第１のポリイミド層２７の上方で，配線導体２８に形成されるバンプ２１が開示されている。
（７）上記（１）カによれば，引用例１には，配線導体２８が，第１のポリイミド層２７の上の，電極２４からバンプ２１の間で，同一の幅であることが記載されている。
（８）上記（１）イによれば，引用例１には，バンプ２１と半導体装置本体２５との間にあるポリイミド等が，エネルギー線遮蔽
樹脂
（９）よって，引用例１には，以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
「電極２４を有する半導体装置本体２５と，
　半導体装置本体２５の下面に形成されたパッシベーション膜２６の上に，電極２４を除いて形成された第１のポリイミド層２７と，
　電極２４から，第１のポリイミド層２７の上に延出して形成された配線導体２８と，
　第１のポリイミド層２７の上方で，配線導体２８に形成されるバンプ２１と，
　を有し，
　配線導体２８は，第１のポリイミド層２７の上の，電極２４からバンプ２１の間で，同一の幅を有し，
　ポリイミド層２７は樹脂からなる半導体装置。」
　
３−３　補正発明と引用発明との対比
（１）引用発明の「電極２４」，「半導体装置本体２５」は，補正発明の「電極」，「半導体チップ」にそれぞれ相当するから，引用発明の「電極２４を有する半導体装置本体２５」は，補正発明の「電極を有する半導体チップ」に相当する。
（２）上記３−２（１）エによれば，引用発明の「第１のポリイミド層２７」は，緩衝機能を有するから，応力の緩和することができるものであり，補正発明の「応力緩和層」に相当する。また，引用発明の「第１のポリイミド層２７」は，「半導体装置本体２５の下面に形成されたパッシベーション膜２６の上に，電極２４を除いて形成され」ているから，半導体装置本体２５の上に，電極２４の少なくとも一部を避けるように設けられていることは明らかである。したがって，引用発明の「半導体装置本体２５の下面に形成されたパッシベーション膜２６の上に，電極２４を除いて形成された第１のポリイミド層２７」は，補正発明の「前記半導体チップの上において前記電極の少なくとも一部を避けるように設けられる応力緩和層」に相当する。
（３）引用発明の「配線導体２８」は，補正発明の「配線」に相当するから，引用発明の「電極２４から，第１のポリイミド層２７の上に延出して形成された配線導体２８」は，補正発明の「前記電極から前記応力緩和層の上にかけて形成される配線」に相当する。
（４）引用発明の「バンプ２１」は，補正発明の「外部電極」に相当するから，引用発明の「第１のポリイミド層２７の上方で，配線導体２８に形成されるバンプ２１」は，補正発明の「前記応力緩和層の上方で前記配線に形成される外部電極」に相当する。
（５）引用発明の「ポリイミド層２７は樹脂からなる」構成は，補正発明の「前記応力緩和層は樹脂からなる」構成に相当する。
（６）以上のことを踏まえると，補正発明と引用発明とは，
「電極を有する半導体チップと，
　前記半導体チップの上において前記電極の少なくとも一部を避けるように設けられる応力緩和層と，
　前記電極から前記応力緩和層の上にかけて形成される配線と，
　前記応力緩和層の上方で前記配線に形成される外部電極と，
　を有し，
　前記応力緩和層は樹脂からなる半導体装置。」
である点で一致し，以下の点で相違する。
相違点：補正発明では，「前記配線は，前記応力緩和層上において，前記電極よりも幅が小さい部分を有し，且つ，前記配線と前記電極との接続部において，前記電極の幅よりも大きい部分を有」するのに対して，引用発明では，「配線導体２８は，第１のポリイミド層２７の上の，電極２４からバンプ２１の間で，同一の幅を有」する点。
　
３−４　当審の判断
（１）まず，原査定の拒絶の理由において引用された特開平８−２０３９０６号公報（平成８年８月９日出願公開，以下「引用例２」という。）には，従来の技術として図４を参照し，次の記載がある。
「【０００２】
【従来の技術】半導体装置の多数の電極の高信頼性の接続のため，突起状の電極，いわゆるバンプを有する半導体装置が量産されている。従来のバンプ付き半導体装置の一例として図４に，ｎ型基板を用いたｎｐｎトランジスタチップに半田バンプを形成した例の平面図を示す。半導体チップ１にフォトエッチング技術を用いたパターン形成，酸化，不純物拡散等の工程により，トランジスタ構造が作り込まれているものとする。
３はベース拡散領域，４はエミッタ拡散領域であり，その上の酸化膜に電極接続のために設けられたベース開口部５，エミッタ開口部６
これらの開口部上にＡｌ等の金属を蒸着，パターン形成したＡｌ電極７が設けられ，チップ１上の周辺部に設けられたパッドに接続
各パッド上には他の基板等に接続するためのベースバンプ１４，エミッタバンプ１５
が形成
　この記載によれば，引用例２には，ベース拡散領域３及びエミッタ拡散領域４の上の酸化膜に電極接続のために設けられたベース開口部５及びエミッタ開口部６が形成され，これらの開口部上にパターン形成したＡｌ電極７が設けられて，チップ１上の周辺部に設けられたパッドに接続され，各パッド上には他の基板等に接続するためのベースバンプ１４及びエミッタバンプ１５が形成されていることが，従来の技術として記載されている。そうすると，引用例２では，「Ａｌ電極７」は，「ベース開口部５」と「ベースバンプ１４」との間，「エミッタ開口部６」と「エミッタバンプ１５」との間に設けられているから，補正発明の「配線」に対応するものと認められる。また，図４を参照すると，「Ａｌ電極７」はいずれも，各開口部５，６と接続する部分及び各バンプ１４，１５と接続する部分で幅が大きく，途中の中間部分で幅が小さいことが，何らの特別な説明もなく図示されている。このように，一般に配線において，他との接続部分で配線の幅を大きくし，その途中の中間部分で配線の幅を小さくすることは，従来周知の技術と認められる。
（２）また，引用例２には，実施例として図１及び図２を参照し，次の記載がある。
「【００１４】図１は，図２の半導体チップのＡ−Ａ線における断面図である。ｎ型半導体基板１８の表面層にｐ型のベース拡散領域３と，その表面層にｎ型のエミッタ拡散領域４が形成されている。半導体基板１８の表面上は，酸化膜２が覆っており，その酸化膜２にあけられたベース開口部５，エミッタ開口部６を通じてＡｌ電極７が接触している。
Ａｌ電極７の上に，ポリイミドの絶縁膜８があり，その絶縁膜８上に下地金属膜９を介して半田からなるベースバンプ１４，エミッタバンプ１５が形成
Ａｌ電極７とベースバンプ１４，エミッタバンプ１５とはそれぞれベースコンタクト部１６，エミッタコンタクト部１７で接触
ヤング率が約２０００Ｐａと柔らかいポリイミド樹脂の絶縁膜８の上に，Ｔｉ，Ｃｕ，および半田があって，半田接合前も，また後にも上方からの衝撃に強い構造と
【００１５】
Ａｌ電極７，絶縁膜８，下地金属膜９のＴｉ，バンプ１４，１５
ア　この記載によれば，引用例２には，Ａｌ電極７の上にポリイミドの絶縁膜８があり，その絶縁膜８上に下地金属膜９を介して半田からなるベースバンプ１４，エミッタバンプ１５が形成され，Ａｌ電極７とベースバンプ１４，エミッタバンプ１５とはそれぞれベースコンタクト部１６，エミッタコンタクト部１７で接触していることが，実施例として記載されている。また，図１及び図２を参照すると，「Ａｌ電極７」と「下地金属膜９」の接続部である「ベースコンタクト部１６」及び「エミッタコンタクト部１７」において，図２の平面図では「Ａｌ電極７」が図示されていないことから，「ベースコンタクト部１６」及び「エミッタコンタクト部１７」の部分では，「下地金属膜９」が「Ａｌ電極７」を覆っているものと解される。
　そして，引用例２の実施例における「Ａｌ電極７」，「下地金属膜９」，「ベースコンタクト部１６」及び「エミッタコンタクト部１７」は，補正発明の「電極」，「配線」，「前記配線と前記電極との接続部」にそれぞれ相当するから，引用例２の実施例の「ベースコンタクト部１６」及び「エミッタコンタクト部１７」で，「下地金属膜９」が「Ａｌ電極７」を覆うことは，補正発明の「前記配線は，」「前記配線と前記電極との接続部において，前記電極の幅よりも大きい部分を有」することに相当する。
イ　また，引用例２には，
ヤング率が約２０００Ｐａと柔らかいポリイミド樹脂の絶縁膜８の上に，Ｔｉ
があって，半田接合前も，また後にも上方からの衝撃に強い構造
Ｔｉが「下地金属層９」
（３）ここで，３−２（１）オによれば，引用例１には，配線導体２８は任意の方向に任意の長さで形成できると記載されているが，一般に配線の幅をどのように設定するかは，当業者が必要により適宜行う技術的な設計事項であるから，引用発明の「配線導体２８」の方向や長さを任意に形成できることは，配線の幅についても当然に成り立つものである。そうすると，引用発明の「配線導体２８は，第１のポリイミド層２７の上の，電極２４からバンプ２１の間で，同一の幅を有」する構成に代えて，上記（１）の一般に配線において従来周知の技術である「他との接続部分で配線の幅を大きくし，その途中の中間部分で配線の幅を小さくする」構成を採用することに，格別の困難性を認めることはできない。さらに，引用発明と引用例２の実施例とは共に，補正発明と同様，「前記電極から前記応力緩和層の上にかけて形成される配線と，　前記応力緩和層の上方で前記配線に形成される外部電極と，　を有」する半導体装置であるから，引用発明の「電極２４から，第１のポリイミド層２７の上に延出して形成された配線導体２８」と「電極２４」との接続部分に，上記（２）アにおける引用例２の実施例である「ベースコンタクト部１６」及び「エミッタコンタクト部１７」で「下地金属膜９」が「Ａｌ電極７」を覆う技術を適用することで，「配線導体２８」は，「第１のポリイミド層２７」上において，「電極２４」よりも幅が小さい部分を有し，且つ，「配線導体２８」と「電極２４」との接続部において，「電極２４」の幅よりも大きい部分を有する構成とすること，すなわち，引用発明を補正発明のように，「前記配線は，前記応力緩和層上において，前記電極よりも幅が小さい部分を有し，且つ，前記配線と前記電極との接続部において，前記電極の幅よりも大きい部分を有」する構成とすることは，当業者が容易に想到し得るものである。
（４）そして，本願明細書に，配線の幅については，次の記載のみがある。
「【請求項１】　電極の形成されたウエーハを用意する工程と，
　前記電極の少なくとも一部を避けた状態となるように前記ウエーハに応力緩和層を設ける工程と，
　前記電極から前記応力緩和層の上にかけて配線を形成する工程と，
　前記応力緩和層の上方で前記配線に接続される外部電極を形成する工程と，
　前記ウエーハを個々の側片に切断する工程と，
　を有し，
　
前記配線は，前記応力緩和層上において，前記電極よりも幅が小さい部分を有し，且つ，前記配線と前記電極との接続部において，前記電極の幅よりも大きい部分を有し
　前記応力緩和層は樹脂からなる半導体装置の製造方法。」
「【請求項２０】　基板上に電極を有する複数の電子素子を一体的に形成する工程と，
　前記基板の少なくとも外部電極の形成される領域に応力緩和層を設ける工程と，
　前記電極から前記応力緩和層の上にかけて配線を形成する工程と，
　前記応力緩和層の上に前記外部電極を形成する工程と，
　前記基板を個々の個片に切断する工程と，
　を有し，
　
前記配線は，前記応力緩和層上において，前記電極よりも幅が小さい部分を有し，且つ，前記配線と前記電極との接続部において，前記電極の幅よりも大きい部分を有し
　前記応力緩和層は樹脂からなる電子部品の製造方法。」
「【請求項２１】　電極を有する半導体チップと，
　前記半導体チップの上において前記電極の少なくとも一部を避けるように設けられる応力緩和層と，
　前記電極から前記応力緩和層の上にかけて形成される配線と，
　前記応力緩和層の上方で前記配線に形成される外部電極と，
　を有し，
　
前記配線は，前記応力緩和層上において，前記電極よりも幅が小さい部分を有し，且つ，前記配線と前記電極との接続部において，前記電極の幅よりも大きい部分を有し
　前記応力緩和層は樹脂からなる半導体装置。」
「　さらに，本発明によれば，ウエーハに応力緩和層，配線及び外部電極を形成してから，ウエーハが切断されて個々の半導体装置が得られる。したがって，たくさんの半導体装置に対する応力緩和層，配線及び外部電極の形成を同時に行えるので，量産性を考慮すると好ましい。
・・・
　
前記配線と前記電極との接続部において，前記配線の幅は前記電極の幅よりも大きくてもよい
「　そして，配線３を応力緩和層７の上で屈曲させることにより，外部電極５は格子状に並ぶように設けられている。なお，これは，本発明の必須の構成ではないので，外部電極５は必ずしも格子状に並ぶように設けなくても良い。また
電極１２と配線３との接合部において，図示されている電極１２の幅と配線３の幅は
　
配線３＜電極１２
となっているが
　
電極１２≦配線３とすることが好ましい
特に
　
電極１２＜配線３
となる場合には，配線３の抵抗値が小さくなるばかりか，強度が増すので断線が防止される
　これらの記載によれば，「前記配線は，前記応力緩和層上において，前記電極よりも幅が小さい部分を有し，且つ，前記配線と前記電極との接続部において，前記電極の幅よりも大きい部分を有」する構成によりもたらされる効果は，配線の幅が大きい場合には，配線の抵抗値が小さくなるばかりか，強度が増すので断線が防止されるというものであるが，配線の幅を大きくすれば，配線の抵抗値が小さくなり，また強度が増すので断線が防止されるということは，半導体装置の技術分野における技術常識である。したがって，配線の幅に関する補正発明の効果は，当業者であれば容易に予測することができる程度のものであって，格別の顕著なものとはいえない。
（５）以上のとおり，補正発明は，引用発明及び引用例２に記載された技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
３−５　独立特許要件についてのまとめ
　以上のとおりであるから，本件補正は，本件補正後の特許請求の範囲の請求項２１に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しない。
　
４　本件補正についてのむすび
　以上検討したとおり，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないので，同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成１８年１０月２５日付けの手続補正は，上記のとおり却下されたので，本願の請求項１〜２９に係る発明は，平成１７年４月１５日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１〜２９に記載された事項により特定されるとおりのものであり，その内の請求項２２に係る発明（以下「本願発明」という。）は，上記第２，１（１）に摘示したとおりのものである。
　
２　引用発明
　引用発明は，上記第２，３−２（９）で認定したとおりのものである。
　
３　対比・判断 
 　上記第２，２で検討したように，補正発明は，本件補正前の「応力緩和層」について，「前記応力緩和層は樹脂からなる」と具体的に限定したものである。逆に言えば，本件補正前の発明（本願発明）は，補正発明から，このような限定をなくしたものである。
　そうすると，本願発明の構成要件をすべて含み，これをより限定したものである補正発明が，前記第２，３−４において検討したとおり，引用発明及び引用例２に記載された技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も，同様の理由により，当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　まとめ
　以上検討したとおり，本願発明は，引用発明及び引用例２に記載された技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第４　むすび
　以上のとおりであるから，本願は，他の請求項に係る発明ついて検討するまでもなく，拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。