Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月20日(2015.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、容量素子と、を有し、
前記第１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第２のトランジスタの上方に、前記第１のトランジスタ及び前記容量素子が配置され、
前記第１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と、前記容量素子の一方の電極と、を兼ねる共通電極を有し、
前記共通電極の上方に、前記容量素子の他方の電極が配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記共通電極と前記第２のトランジスタのゲートとは、前記第１のトランジスタの半導体層に設けられた開口部を介して電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、容量素子と、を有し、
前記第１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタの上方に、前記第１のトランジスタ及び前記容量素子が配置され、
前記第１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と、前記容量素子の一方の電極と、を兼ねる共通電極を有し、
前記共通電極の上方に、前記容量素子の他方の電極が配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記共通電極と前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方とは、前記第１のトランジスタの半導体層に設けられた開口部を介して電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第１のトランジスタの半導体層と、前記第２のトランジスタの半導体層と、は重なる位置に配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第１のトランジスタのゲートと前記共通電極とは、前記容量素子の他方の電極の上方に設けられた配線を用いて電気的に接続され、
前記配線と前記共通電極とは、前記容量素子の他方の電極に設けられた開口部を介して電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
トランジスタと、容量素子と、を有し、
前記トランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方と、前記容量素子の一方の電極と、を兼ねる共通電極を有し、
前記共通電極の上方に、前記容量素子の他方の電極が配置されており、
前記トランジスタのゲートと前記共通電極とは、前記容量素子の他方の電極の上方に設けられた配線を用いて電気的に接続され、
前記配線と前記共通電極とは、前記容量素子の他方の電極に設けられた開口部を介して電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月10日(2015.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極とソースドレイン・オーミック接触を有するＩＩＩ族窒化物ＨＥＭＴを製造する方法において、
ａ）基板（１０１）を提供するステップと、
ｂ）ＩＩＩ族窒化物層のスタック（Ｉ）を基板（１０１）上に形成するステップと、
ｃ）窒化シリコン、好ましくは、Ｓｉ３Ｎ４を含み、スタック（Ｉ）の上方層（２０３、２０４）に対して上に位置すると共に当接する第１パッシベーション層（３０１）を形成するステップと、
ｄ）第１パッシベーション層（３０１）に対して上に位置すると共に当接する誘電体層（３０２）を形成するステップと、
ｅ）窒化シリコン、好ましくは、Ｓｉ３Ｎ４を含み、誘電体層（３０２）に対して上に位置すると共に当接する第２パッシベーション層（３０３）を形成し、第２パッシベーション層（３０３）が、低圧化学気相成長法及び／又は有機金属化学気相成長法等の化学気相成長法によって４５０℃より高い温度で堆積されるステップと、
ｆ）第１パッシベーション層（３０１）と誘電体層（３０２）の少なくとも一部を含むゲート誘電体が形成されるように、ソースドレイン・オーミック接触とゲート電極（６０１）を形成するステップと、
を含む方法。
【請求項２】
第１パッシベーション層（３０１）が、その場でスタック（Ｉ）に堆積される請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ステップｃ）、ｄ）とｅ）が、その場で有機金属化学気相成長法によって行われる請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
ソースドレイン・オーミック接触を形成するステップが、
第２パッシベーション層（３０３）、誘電体層（３０２）及び第１パッシベーション層（３０１）を選択的にエッチングすることによって、ソースドレイン・オーミック接触領域をパターニングするステップと、
メタル層（４０１）を堆積及びパターニングすると共に、オーミック合金を形成することによって、オーミック接触を形成するステップと、
を更に備える請求項１乃至３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
メタル層をパターニングするステップが、メタル層の乾式エッチングプロセスを含み、メタル層の乾式エッチングプロセスが、第２パッシベーション層を部分的に消費する請求項４に記載の方法。
【請求項６】
ゲート電極を形成するステップが、
第２パッシベーション層（３０３）を誘電体層に向けて選択的にエッチングすることによって、ゲートトレンチをパターニングするステップと、
メタルゲート層を堆積及びパターニングすることによって、少なくともゲートトレンチにおいてゲート電極（６０１）を形成するステップと、
を更に含む請求項１乃至５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
メタルゲート層をパターニングするステップが、メタルゲート層の乾式エッチングプロセスを含み、メタルゲート層の乾式エッチングプロセスが、第２パッシベーション層（３０３）を部分的に消費する請求項６に記載の方法。
【請求項８】
ゲートトレンチを形成するステップが、誘電体層を少なくとも部分的にエッチングするステップと、ゲート電極を形成する前に第２誘電体層を再堆積するステップとを更に含む請求項６又は７に記載の方法。
【請求項９】
ソースドレイン・オーミック接触とゲート電極のどちらが最初に形成されるかに応じて、誘電体キャップ層（５０１）をソースドレイン・オーミック接触又はゲート電極に形成して、後のメタル層の堆積又はメタルゲート層の堆積中の、夫々の、ソースドレイン・オーミック接触又はゲート電極を保護するステップを更に含む請求項１乃至８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
誘電体層（３０２）が、Ａｌ、好ましくは、Ａｌ２Ｏ３及び／又はＡｌＮを含む請求項１乃至９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
第１パッシベーション層（３０１）が、少なくとも０．５ｎｍの厚さを有する請求項１乃至１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
第２パッシベーション層（３０３）が、少なくとも５０ｎｍの厚さを有する請求項１乃至１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
ＩＩＩ族窒化物ＨＥＭＴ装置を製作用の工学基板において、
ａ）基板（１０１）と、
ｂ）基板（１０１）上のＩＩＩ族窒化物層のスタック（Ｉ）と、
ｃ）窒化シリコン、好ましくは、Ｓｉ３Ｎ４を含み、ＩＩＩ族窒化物層のスタック（Ｉ）の上方層（２０３、２０４）に対して上に位置すると共に当接する第１パッシベーション層（３０１）と、
ｄ）高ｋ誘電体材料からなり、第１パッシベーション層（３０１）に対して上に位置すると共に当接する誘電体層（３０２）と、
ｅ）窒化シリコン、好ましくは、Ｓｉ３Ｎ４を含み、誘電体層（３０２）に対して上に位置すると共に当接する第２パッシベーション層（３０３）と、
を含む工学基板。
【請求項１４】
窒化シリコンが、低圧化学気相成長法及び／又は有機金属化学気相成長法等の化学気相成長法によって４５０℃より高い温度で堆積される請求項１３に記載の工学基板。
【請求項１５】
請求項１乃至１２のいずれかに記載の方法で得られて、基板の活性領域上に形成されると共に、ゲート電極とソースドレイン接点を備えるＩＩＩ族窒化物ＨＥＭＴ装置において、
ａ）基板（１０１）と、
ｂ）基板（１０１）上のＩＩＩ族窒化物層のスタック（Ｉ）と、
ｃ）ソースドレイン接点の下を除く活性領域の全てにおいて、スタック（Ｉ）の上方層に対して上に位置すると共に当接し、更に、窒化シリコン、好ましくは、Ｓｉ３Ｎ４を含む第１パッシベーション層（３０１）と、
ｄ）ソースドレイン接点の下を除く活性領域の全てにおいて、第１パッシベーション層（３０１）に対して上に位置すると共に当接し、更に、高ｋ誘電体材料を含む誘電体層（３０２、３０２’）と、
ｅ）ゲート電極の少なくとも一部の下とソースドレイン接点の下を除く活性領域の全てにおいて、誘電体層に対して上に位置すると共に当接し、更に、窒化シリコン、好ましくは、Ｓｉ３Ｎ４からなる第２パッシベーション層（３０３）と
を更に備えるＩＩＩ族窒化物ＨＥＭＴ装置。
【請求項１６】
窒化シリコンが、低圧化学気相成長法及び／又は有機金属化学気相成長法等の化学気相成長法によって４５０℃より高い温度で堆積される請求項１５に記載のＩＩＩ族窒化物ＨＥＭＴ装置。
【請求項１７】
第２パッシベーション層の窒化シリコンが、３−８％の水素を含有すると共に、約２．９−３．１ｇ／ｃｍ３の密度を有する請求項１５又は１６に記載のＩＩＩ族窒化物ＨＥＭＴ装置。
【請求項１８】
誘電体層が、複数の層を含む請求項１５乃至１７のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物ＨＥＭＴ装置。
【請求項１９】
誘電体層が、Ａｌ、好ましくは、Ａｌ２Ｏ３及び／又はＡｌＮを含む請求項１５乃至１８のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物ＨＥＭＴ装置。
【請求項２０】
第１パッシベーション層が、少なくとも０．５ｎｍの厚さを有する請求項１５乃至１９のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物ＨＥＭＴ装置。
【請求項２１】
第２パッシベーション層が、少なくとも５０ｎｍの厚さを有する請求項１５乃至２０のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物ＨＥＭＴ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月5日(2015.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
胴体と、
前記胴体の第１領域に第１キャビティを有する第１リードフレームと、
前記胴体の第２領域に第２キャビティを有する第２リードフレームと、
前記第１リードフレームから前記胴体の第１側面と前記第１キャビティの間の領域に延長された第１ボンディング部と、
前記第２リードフレームから前記胴体の第１側面の反対側第２側面と前記第２キャビティの間の領域に延長された第２ボンディング部と、
前記第１キャビティに配置された第１発光素子と、
前記第２キャビティに配置された第２発光素子と、
前記第１リードフレームと前記第２リードフレームから分離して、前記胴体の第１側面と前記第１キャビティの間に配置された第３リードフレームと、
前記第１リードフレームと前記第２リードフレームから分離して、前記胴体の第２側面と前記第２キャビティの間に配置された第４リードフレームと、
前記第３リードフレームまたは前記第１ボンディング部の上に配置された第１保護素子と、
前記第４リードフレームまたは前記第２ボンディング部の上に配置された第２保護素子と
を備え、
前記第１キャビティは、前記第１ボンディング部の上面からリセスされ、前記第１発光素子の下に配置された第１放熱部及び前記第１発光素子の周りに配置された第１傾斜部を備え、
前記第２キャビティは、前記第２ボンディング部の上面からリセスされ、前記第２発光素子の下に配置された第１放熱部及び前記第２発光素子の周りに配置された第２傾斜部を備える、発光素子パッケージ。
【請求項２】
前記第１保護素子は、前記第３リードフレームの上に配置されて前記第１発光素子と第１リードフレームのうちの少なくとも１つと電気的に連結されて、前記第２保護素子は前記第４リードフレームの上に配置されて前記第２発光素子と前記第２リードフレームのうちの少なくとも1つと電気的に連結されている、請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項３】
前記第１保護素子は前記第１リードフレームの第１ボンディング部上に配置されて前記第１発光素子と電気的に連結されて、前記第２保護素子は前記第２リードフレームの第２ボンディング部上に配置されて前記第２発光素子と電気的に連結されている、請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項４】
前記第１発光素子と前記第１ボンディング部を互いに連結する第１連結部材と、前記第１発光素子と第１保護素子を互いに連結する第２連結部材と、前記第２発光素子と前記第２ボンディング部を互いに連結する第３連結部材と、前記第２発光素子と第２保護素子を互いに連結する第４連結部材とを備える、請求項１または２に記載の発光素子パッケージ。
【請求項５】
前記第１発光素子と前記第１保護素子を互いに連結する第１連結部材と、前記第１発光素子と第３リードフレームを互いに連結する第２連結部材と、前記第２発光素子と前記第２保護素子を互いに連結する第３連結部材と、及び前記第２発光素子と前記第４リードフレームを互いに連結する第４連結部材とを備える、請求項１乃至３のうちの何れかに記載の発光素子パッケージ。
【請求項６】
前記第１及び第２放熱部の下面は前記胴体の下面に配置されている、請求項２または３に記載の発光素子パッケージ。
【請求項７】
前記第１リードフレームから前記第２キャビティと前記胴体の第３側面の間の領域に突き出された第１リブを有し、
前記胴体の第１及び第２側面は、前記胴体の第３側面の長さより短い長さを有する、請求項１乃至６のうちの何れかに記載の発光素子パッケージ。
【請求項８】
前記第２リードフレームから前記第１キャビティと前記胴体の第３側面の反対側第４側面の間の領域に突き出された第２リブを有する、請求項１乃至７のうちの何れかに記載の発光素子パッケージ。
【請求項９】
前記第３リードフレームの少なくとも一部は、前記胴体の第１側面の下に配置されて、前記第４リードフレームの少なくとも一部は前記胴体の第２側面の下に配置されている、請求項１乃至８のうちの何れかに記載の発光素子パッケージ。
【請求項１０】
前記第１及び第３リードフレームの少なくとも一部は前記胴体の第１側面の下に配置されて、
前記第２及び第４リードフレームの少なくとも一部は前記胴体の第２側面の下に配置されている、請求項１乃至８のうちの何れかに記載の発光素子パッケージ。
【請求項１１】
前記第３リードフレームは、第３キャビティを有し、前記第３キャビティの底には前記第１保護素子が配置されている、請求項１乃至１０のうちの何れかに記載の発光素子パッケージ。
【請求項１２】
前記第４リードフレームは、第４キャビティを有し、前記第４キャビティの底には前記第２保護素子が配置されている、請求項１乃至１１のうちの何れかに記載の発光素子パッケージ。
【請求項１３】
前記第１及び第２保護素子はツェナーダイオード、サイリスター、またはＴＶＳ(Transient voltage suppression)ダイオードのうちの何れか一つである、請求項１乃至１２のうちの何れかに記載の発光素子パッケージ。
【請求項１４】
前記胴体は、樹脂材質を含んで、前記第１キャビティ及び前記第２キャビティにモールディング部材を含む、請求項１乃至１２のうちの何れかに記載の発光素子パッケージ。
【請求項１５】
前記第１発光素子と前記第２発光素子の間の間隔は、前記第１保護素子と前記第２保護素子の間の間隔よりさらに近い間隔を含む、請求項１乃至１４のうちの何れかに記載の発光素子パッケージ。
【請求項１６】
前記胴体は上部が開放された領域を含み、
前記胴体の上部が開放された領域には、前記第１、第２キャビティ及び前記第１、第２ボンディング部が配置されている、請求項１乃至１５のうちの何れかに記載の発光素子パッケージ。
【請求項１７】
前記第３及び第４リードフレームは、前記胴体の上部が開放された領域に配置されている、請求項１６に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１８】
前記第１リードフレームは、前記第２リードフレームの第２ボンディング部に隣接した領域に突き出された第１リブを含み、
前記第１ボンディング部及び第２ボンディング部の間の間隔は、前記第１及び第２発光素子の間の間隔より離隔されている、請求項１乃至６のうちの何れかに記載の発光素子パッケージ。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月5日(2015.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面視において、半導体素子が配置される領域の一の側に延伸する複数の第１リードと、
平面視において、前記半導体素子が配置される領域の前記一の側とは反対側の他の側に延伸する複数の第２リードと、
平面視において、前記複数の第１リードのうち端に位置する第１リードの外側に並べられる第３リードと、
前記第３リードに接続され、前記第１リード、前記第２リード、及び前記第３リードのガイドフレームの一部であるとともに、前記ガイドフレームの当該一部以外の部分を切除した後に、前記第３リードに接続される配線になる配線部と
を含む、リードフレーム。
【請求項２】
前記配線部は、一端が前記第３リードに接続されるとともに、他端が前記半導体素子の所定端子に接続される、請求項１記載のリードフレーム。
【請求項３】
前記配線部が接続される前記所定端子は、前記半導体素子の電圧モニタ用の端子である、請求項１又は２記載のリードフレーム。
【請求項４】
前記第３リードは、電圧モニタ用のリードである、請求項１又は２記載のリードフレーム。
【請求項５】
前記半導体素子はＩＧＢＴであり、
前記所定端子は前記ＩＧＢＴのコレクタ端子である、請求項１又は２記載のリードフレーム。
【請求項６】
前記配線部の少なくとも一部は、前記半導体素子とともにモールド樹脂によって覆われる、請求項１乃至５のいずれか一項記載のリードフレーム。
【請求項７】
前記第２リードは、前記第１リードよりも幅が広い、請求項１乃至６のいずれか一項記載のリードフレーム。
【請求項８】
前記配線部に接続され、前記複数の第２リードのうち前記端に位置する第１リードに対応する端に位置する第２リードの外側に並べられる第４リードをさらに含む、請求項１乃至７のいずれか一項記載のリードフレーム。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項記載のリードフレームと、
前記半導体素子と
を含む、パワーモジュール。
【請求項１０】
平面視において、半導体素子が配置される領域の一の側に延伸する複数の第１リードと、
平面視において、前記半導体素子が配置される領域の前記一の側とは反対側の他の側に延伸する複数の第２リードと、
平面視において、前記複数の第１リードのうち端に位置する第１リードの外側に並べられる第３リードと、
前記第１リード、前記第２リード、及び前記第３リードのガイドフレームであって、一端が前記第３リードに接続され、他端が前記半導体素子の端子に接続される配線部を有するガイドフレームと
を含むリードフレームの前記第１リード、前記第２リード、及び前記配線部と、前記半導体素子との位置を合わせた状態で、前記第１リード、前記第２リード、及び前記配線部を前記半導体素子に接続する工程と、
前記第１リード、前記第２リード、及び前記配線部の前記半導体素子に接続される側と、前記半導体素子とを覆うモールド樹脂部を形成する工程と、
前記モールド樹脂部から外部に露出する前記ガイドフレームのうちの前記配線部以外の部分を切除する工程と
を含む、パワーモジュールの製造方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年11月19日(2014.11.19)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
細胞培養用コラーゲンコート表面を模倣した合成表面の製造方法であって、
i）重合可能な１以上の有機化合物を含むモノマー源を供給する工程であって、そのうち少なくとも１つの有機化合物がプロリノールである工程と、
ii）前記モノマー源のプラズマを作製する工程と、
iii）表面の少なくとも一部を前記プラズマと接触させ、コラーゲンコート表面の１以上の機能的特性を模倣するプラズマ重合コート表面を供給する工程とを含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記プラズマがパルスプラズマであることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記プラズマが連続波プラズマであることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記表面がマルチウェルプレート、ディッシュ又はフラスコであることを特徴とする請求項１から３いずれか１項記載の方法。
【請求項５】
前記モノマー源が実質的にプロリノールからなることを特徴とする請求項１から４いずれか１項記載の方法。
【請求項６】
前記コラーゲンコート表面の１以上の機能的特性がヒト肝細胞の接着を含むことを特徴とする請求項１から５いずれか１項記載の方法。
【請求項７】
請求項１から６いずれか１項記載の方法によって製造された表面。
【請求項８】
細胞培養用の表面であって、前記表面の少なくとも一部にプロリノールを含有するコーティングを有する、表面。
【請求項９】
プロリノールがプラズマ重合によって付着されていることを特徴とする請求項８記載の表面。
【請求項１０】
プロリノールが化学蒸着によって付着されていることを特徴とする請求項８記載の表面。
【請求項１１】
プロリノールが１以上のカルボキシル官能基、１以上のアミノ官能基、又はそれらの組み合わせへの共有結合によって表面に固定されていることを特徴とする請求項８記載の表面。
【請求項１２】
前記表面がコラーゲンコート表面の１以上の機能的特性を模倣することを特徴とする請求項８から１１いずれか１項記載の表面。
【請求項１３】
前記コーティングにヒト肝細胞が接着することを特徴とする請求項８から１２いずれか１項記載の表面。
【請求項１４】
前記コーティングが実質的にプロリノールからなること特徴とする請求項８から１３いずれか１項記載の表面。
【請求項１５】
細胞培養用の表面であって、前記表面の少なくとも一部が単一種類のアミノ酸を含有するコーティングを有してなり、前記単一種類のアミノ酸がプロリンであることを特徴とする表面。
【請求項１６】
プロリンが１以上のカルボキシル官能基、１以上のアミノ官能基、又はそれらの組み合わせへの共有結合によって表面に固定されていることを特徴とする請求項１５記載の表面。
【請求項１７】
前記表面がコラーゲンコート表面の１以上の機能的特性を模倣することを特徴とする請求項１５または１６記載の表面。
【請求項１８】
前記コーティングにヒト肝細胞が接着することを特徴とする請求項１５から１７いずれか１項記載の表面。
【請求項１９】
前記コーティングが実質的にプロリンからなること特徴とする請求項１５から１８いずれか１項記載の表面。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
一実施形態では、パルスプラズマである。代表的なパルスプラズマを含めたプラズマ重合条件は、これに限定されないが、１ｍｓ／５０ｍｓの開始／終了パルスとＲＦ出力１００Ｗ、１０ｍｓ／１００ｍｓの開始／終了パルスとＲＦ出力５Ｗ、３０ｍｓ／１００ｍｓの開始／終了パルスとＲＦ出力５Ｗ、及び５ｍｓ／５０ｍｓの開始／終了パルスとＲＦ出力１００Ｗである。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
一実施形態では、プロリノールはプラズマ重合によって表面に付着される。プロリノールをプラズマ重合して合成表面を生産する方法を示すフローチャートを図１に示す。一実施形態では、表面は１以上のコラーゲンコート表面の特性を模倣する。一実施形態では、ヒト肝細胞はコーティングに接着する。一実施形態では、コーティングは実質的にプロリノールからなる。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
プロリノールを表面にコーティングする代替手段は、これに限定されないが、化学蒸着、または１以上のカルボキシル基、１以上のアミノ基、もしくはそれらの組み合わせによる共有結合による不動化を含む。特に化学蒸着について、ドブキン（Ｄｏｂｋｉｎ）とザロー（Ｚｕｒａｗ）によって考察されている（非特許文献１）。一実施形態では、プロリノールは化学蒸着によって表面に付着される。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２６】
一実施形態では、表面はマルチウェルプレート、ディッシュ又はフラスコである。一実施形態では、モノマー源は実質的にプロリノールからなる。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月12日(2015.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス成分として、ＴｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、ＷＯ３およびＢｉ２Ｏ３から選択される少なくともいずれか１種の酸化物を含む光学ガラスであって、
前記ＴｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、ＷＯ３およびＢｉ２Ｏ３の合計含有量が２０モル％以上であり、
下記式（１）に示すβＯＨの値が、下記式（２）で表される関係を満足する光学ガラス。
βＯＨ＝−［ｌｎ（Ｂ／Ａ）］／ｔ                    ・・・（１）
βＯＨ≧０．４８９１×ｌｎ（１／ＨＲ）＋２．４８        ・・・（２）
〔式（１）中、ｔは外部透過率の測定に用いる前記ガラスの厚み（ｍｍ）を表し、Ａは前記ガラスに対してその厚み方向と平行に光を入射した際の波長２５００ｎｍにおける外部透過率（％）を表し、Ｂは前記ガラスに対してその厚み方向と平行に光を入射した際の波長２９００ｎｍにおける外部透過率（％）を表す。式（２）中、ＨＲは、前記ガラス中の、ＴｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、ＷＯ３およびＢｉ２Ｏ３の各成分の含有量の合計量（モル％）を表す。また、式（１）および（２）中、ｌｎは自然対数である。〕
【請求項２】
貴金属の含有量が、４ｐｐｍ以下である請求項１に記載の光学ガラス。
【請求項３】
前記ガラス成分として、Ｐ２Ｏ５を含む請求項１または２に記載の光学ガラス。
【請求項４】
モル％表示における、前記Ｐ２Ｏ５の含有量が、Ｂ２Ｏ３の含有量よりも大きい、請求項３に記載の光学ガラス。
【請求項５】
前記Ｎｂ２Ｏ５の含有量が５モル％以上である、請求項１〜４のいずれかに記載の光学ガラス。
【請求項６】
前記Ｎｂ２Ｏ５の含有量が８モル％以上である、請求項１〜５のいずれかに記載の光学ガラス。
【請求項７】
Ｔｇが５４１℃以上である、請求項１〜６のいずれかに記載の光学ガラス。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載の光学ガラスからなるプレス成形用ガラス素材。
【請求項９】
請求項１〜７のいずれかに記載の光学ガラスからなる光学素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８１】
【表３】
2014224025.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月9日(2015.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）
Ｒ1Ｏ〔ＣＨ2ＣＨ（ＣＨ3）Ｏ〕m〔ＣＨ2ＣＨ2Ｏ〕nＨ…（１）
（式中のＲ1は炭素数１２〜１６の直鎖及び／又は分岐アルキル基、ｍは７〜９の整数、ｎは１〜４の整数を示す。）
で表されるポリオキシエチレンポリオキシプロピレンアルキルエーテルを含む、石灰泥の脱水助剤。
【請求項２】
紙及び／又はパルプ製造における苛性化工程において生成する、２０℃以上６０℃以下の石灰泥に、請求項１に記載の石灰泥の脱水助剤を添加する工程を含む、石灰泥の脱水方法。
【請求項３】
紙及び／又はパルプ製造における苛性化工程において生成する石灰泥の温度を測定する温度測定工程と、
前記石灰泥の温度が２０℃以上５０℃未満のときには請求項１に記載の脱水助剤を選択し、
前記石灰泥の温度が５０℃以上６０℃以下のときには、請求項１に記載の脱水助剤及び一般式（１）において、Ｒ1は炭素数１０〜１８の直鎖及び／又は分岐アルキル基、ｍは１〜３の整数、ｎは６〜９の整数である脱水助剤の少なくとも１種を選択し、
前記石灰泥の温度が６０℃を超え８５℃以下のときには、一般式（１）において、Ｒ1は炭素数１０〜１８の直鎖及び／又は分岐アルキル基、ｍは１〜３の整数、ｎは６〜９の整数である脱水助剤を選択する、脱水助剤の選択工程と、
前記石灰泥に、選択された脱水助剤を添加する工程と、
前記脱水助剤が添加された石灰泥を脱水して脱水ケーキを得る脱水工程と、
を含む、石灰泥の脱水方法。
【請求項４】
紙及び／又はパルプ製造における苛性化工程において生成する石灰泥を脱水する方法であって、
一般式（１）においてＲ1は炭素数１０〜１８の直鎖及び／又は分岐アルキル基、ｍは１〜１０の整数、ｎは１〜１０の整数である脱水助剤、
請求項１に記載の脱水助剤、及び、
一般式（１）においてＲ1は炭素数１０〜１８の直鎖及び／又は分岐アルキル基、ｍは１〜３の整数、ｎは６〜９の整数である脱水助剤、
のいずれかを、スラッジフィルター送り配管中のポンプサクション又はスラッジフィルターのシャワー水中に添加する工程を含む、請求項２又は３に記載の石灰泥の脱水方法。
【請求項５】
紙及び／又はパルプ製造における苛性化工程において生成する石灰泥を脱水する方法であって、
一般式（１）においてＲ1は炭素数１０〜１８の直鎖及び／又は分岐アルキル基、ｍは１〜１０の整数、ｎは１〜１０の整数である脱水助剤、
請求項１に記載の脱水助剤、及び、
一般式（１）においてＲ1は炭素数１０〜１８の直鎖及び／又は分岐アルキル基、ｍは１〜３の整数、ｎは６〜９の整数である脱水助剤、
のいずれかを、スラッジフィルターのシャワー水中に添加する工程を含む、請求項２又は３に記載の石灰泥の脱水方法。
【請求項６】
紙及び／又はパルプ製造における苛性化工程が、クラフトパルプ製造における苛性化工程である、請求項２〜５のいずれか一項に記載の石灰泥の脱水方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月12日(2015.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
屈折率ｎｄが１．７５以上であり、下記式（１）に示すβＯＨの値が、下記式（２）で表される関係を満足する光学ガラス。
βＯＨ＝−［ｌｎ（Ｂ／Ａ）］／ｔ    ・・・（１）
βＯＨ≧１８１．３９×ｎｄ−３−３２５．７５×ｎｄ−２＋１９４．８５×ｎｄ−１−３８．１    ・・・（２）
〔式（１）中、ｔは外部透過率の測定に用いる前記ガラスの厚み（ｍｍ）を表し、Ａは前記ガラスに対してその厚み方向と平行に光を入射した際の波長２５００ｎｍにおける外部透過率（％）を表し、Ｂは前記ガラスに対してその厚み方向と平行に光を入射した際の波長２９００ｎｍにおける外部透過率（％）を表す。また、ｌｎは自然対数である。式（２）中、ｎｄは、前記ガラスの屈折率を表す。〕
【請求項２】
貴金属の含有量が、４ｐｐｍ以下である請求項１に記載の光学ガラス。
【請求項３】
前記ガラス成分として、Ｐ２Ｏ５を含む請求項１または２に記載の光学ガラス。
【請求項４】
モル％表示における、前記Ｐ２Ｏ５の含有量が、Ｂ２Ｏ３の含有量よりも大きい、請求項３に記載の光学ガラス。
【請求項５】
前記Ｎｂ２Ｏ５の含有量が５モル％以上である、請求項１〜４のいずれかに記載の光学ガラス。
【請求項６】
前記Ｎｂ２Ｏ５の含有量が８モル％以上である、請求項１〜５のいずれかに記載の光学ガラス。
【請求項７】
Ｔｇが５４１℃以上である、請求項１〜６のいずれかに記載の光学ガラス。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載の光学ガラスからなるプレス成形用ガラス素材。
【請求項９】
請求項１〜７のいずれかに記載の光学ガラスからなる光学素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１９０】
【表３】
2014224026.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月29日(2015.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第1のシステイン残基を含むカーゴペプチドと、第2のシステイン残基を含むキャリアペプチドとを含み、
カーゴペプチドが、第1のシステイン残基に直接隣接した第1の脂肪族残基ならびにSEQ ID NO: 2〜163および165からなる群より選択されるアミノ酸配列をさらに含み、
キャリアペプチドが、Tat由来ペプチド、Antennapedia由来ペプチド、およびポリアルギニンからなる群より選択されるアミノ酸配列をさらに含み、
キャリアペプチドとカーゴペプチドとが、第1のシステイン残基と第2のシステイン残基との間のジスルフィド結合によって連結している、
タンパク質キナーゼC（PKC）調節組成物。
【請求項２】
キャリアペプチドが、第2のシステイン残基に直接隣接した第2の脂肪族残基をさらに含む、請求項1記載の組成物。
【請求項３】
第1の脂肪族残基が、アラニン、バリン、ロイシンおよびイソロイシンからなる群より選択される、請求項1記載の組成物。
【請求項４】
第2の脂肪族残基が、アラニン、バリン、ロイシンおよびイソロイシンからなる群より選択される、請求項2記載の組成物。
【請求項５】
システイン残基がシステイン類似体である、請求項3または4記載の組成物。
【請求項６】
システイン類似体がホモシステイン、D-システイン、およびαメチルシステインからなる群より選択される、請求項5記載の組成物。
【請求項７】
カーゴペプチドが、アミノ酸配列
2014224126.tif 000001
をさらに含む、請求項1または2記載の組成物。
【請求項８】
第1のシステイン残基を含むカーゴペプチドと、第2のシステイン残基を含むキャリアペプチドとを含み、
カーゴペプチドが、SEQ ID NO: 2〜163および165からなる群より選択されるアミノ酸配列をさらに含み、
キャリアペプチドが、Tat由来ペプチド、Antennapedia由来ペプチド、およびポリアルギニンからなる群より選択されるアミノ酸配列をさらに含み、
カーゴペプチドとキャリアペプチドとが、第1のシステイン残基と第2のシステイン残基との間のジスルフィド結合によって連結しており、
キャリアペプチドが、そのN末端においてアシル基、アルキル基、またはスルホニル基で置換されている、
タンパク質キナーゼC（PKC）調節組成物。
【請求項９】
キャリアペプチドが、配列
2014224126.tif 000002
を含む、請求項8記載の組成物。
【請求項１０】
キャリアペプチドが、配列
2014224126.tif 000003
を含む、請求項8記載の組成物。
【請求項１１】
キャリアペプチドが、そのN末端においてアシル化されている、請求項8記載の組成物。
【請求項１２】
キャリアペプチドが、そのC末端においてさらに置換されている、請求項8〜11のいずれか一項記載の組成物。
【請求項１３】
キャリアペプチドが、そのC末端においてアミド形成されている、請求項12記載の組成物。
【請求項１４】
キャリアペプチドのN末端のシステインがアシル化されている、請求項10記載の組成物。
【請求項１５】
キャリアペプチドのC末端のアルギニンが第一級カルボキサミドである、請求項9または10記載の組成物。
【請求項１６】
キャリアペプチドが、
2014224126.tif 000004
である、請求項8記載の組成物。
【請求項１７】
第2のキャリアペプチドをさらに含む、請求項8記載の組成物。
【請求項１８】
SEQ ID NO: 2〜163および165からなる群より選択されるアミノ酸配列を含むカーゴペプチドおよびキャリアペプチドを含み、
カーゴペプチドとキャリアペプチドとがペプチド結合で連結しており、
キャリアペプチドが、Tat由来ペプチド、Antennapedia由来ペプチド、およびポリアルギニンからなる群より選択されるアミノ酸配列をさらに含み、
そのN末端においてアシル基、アルキル基、またはスルホニル基で置換されている、
線状のペプチド。
【請求項１９】
カーゴペプチドとキャリアペプチドとがペプチド結合でリンカーペプチドにそれぞれ連結されている、カーゴペプチドとキャリアペプチドとの間に位置付けられたリンカーペプチド
をさらに含む、請求項18記載の線状のペプチド。
【請求項２０】
そのC末端においてさらに修飾されている、請求項18または19記載の線状のペプチド。
【請求項２１】
そのC末端においてアミド形成されている、請求項20記載の線状のペプチド。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月23日(2014.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
点眼剤に、（Ａ）ネオスチグミン及びその塩からなる群より選択される少なくとも１種と、（Ｂ）界面活性剤とを配合することを含む、シリコーンハイドロゲルコンタクトレンズへの該（Ａ）成分の透過性を向上させる作用を該点眼剤に付与する方法。
【請求項２】
点眼剤に、（Ａ）ネオスチグミン及びその塩からなる群より選択される少なくとも１種と、（Ｂ）界面活性剤とを配合することを含む、非イオン性シリコーンハイドロゲルコンタクトレンズへの脂質吸着を抑制する作用を該点眼剤に付与する方法。
【請求項３】
点眼剤に、（Ａ）ネオスチグミン及びその塩からなる群より選択される少なくとも１種と、（Ｂ）界面活性剤とを配合することを含む、イオン性シリコーンハイドロゲルコンタクトレンズへの花粉タンパク質の蓄積を抑制する作用を該点眼剤に付与する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月7日(2014.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヘルメットに取り付けられる外側遮蔽体と、
前記外側遮蔽体から間隔をおき且つ前記外側遮蔽体の外周より内側に配置され、前記外側遮蔽体とは異なる材料から形成される内側遮蔽体と、
前記内側遮蔽体を前記外側遮蔽体に取り外し可能に固定するための機械的固定要素と、
前記内側遮蔽体の外周に沿って前記内側遮蔽体に固着され、前記外側遮蔽体に分離可能に取り付けられる弾性のスペーサと、を有するバイザー組立体。
【請求項２】
前記スペーサは、前記外側遮蔽体と前記内側遮蔽体との間にガス／空気チャンバを形成するフレキシブルなシール部材である、請求項１に記載のバイザー組立体。
【請求項３】
前記外側遮蔽体と前記内側遮蔽体の材料は膨張率が異なる、請求項１又は請求項２のいずれかに記載のバイザー組立体。
【請求項４】
前記外側遮蔽体と前記内側遮蔽体とは、熱処理されたプラスチックで形成されている、請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載のバイザー組立体。
【請求項５】
前記機械的固定要素は、前記内側遮蔽体の外周に設けられた切欠きと協働して、前記内側遮蔽体を前記外側遮蔽体に取り外し可能に固定し、
前記スペーサは、前記切欠きより内側で前記内側遮蔽体に固着されている、請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載のバイザー組立体。
【請求項６】
前記スペーサは、シリコーン材料で形成されている、請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載のバイザー組立体。
【請求項７】
前記外側遮蔽体と前記内側遮蔽体との間隔は２ｍｍ以上である、請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載のバイザー組立体。
【請求項８】
前記内側遮蔽体は、酢酸セルロース製である、請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載のバイザー組立体。
【請求項９】
前記外側遮蔽体は、ポリカーボネート製である、請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載のバイザー組立体。
【請求項１０】
バイザー組立体用のセットであって、
ヘルメットに取り付けられる外側遮蔽体から間隔をおき且つ前記外側遮蔽体の外周より内側に配置され、前記外側遮蔽体とは異なる材料から形成される内側遮蔽体と、
前記内側遮蔽体を前記外側遮蔽体に取り外し可能に固定するための機械的固定要素と、
前記内側遮蔽体の外周に沿って前記内側遮蔽体に固着され、前記外側遮蔽体に分離可能に取り付けられる弾性のスペーサと、を有するバイザー組立体用のセット。
【請求項１１】
バイザー組立体であって、外側遮蔽体とこれに間隔をおいた内側遮蔽体とを含み、前記内側遮蔽体が前記外側遮蔽体の外周より内方に位置しており、前記内側遮蔽体の外周に沿って延在するシール／スペーサが、前記外側遮蔽体と前記内側遮蔽体との間に設けられており，前記シール／スペーサが、前記内側遮蔽体には固着されているが、前記外側遮蔽体からは解離可能であり、かつまた遮蔽体を互いに固定するために、機械式固定手段が２個の遮蔽体の間に設けられ、前記外側遮蔽体が、ヘルメットまたはゴーグルのフレーム等の別の部品に固定するための手段を備えている、バイザー組立体。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月17日(2015.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）Ｚ−１，１，１，４，４，４−ヘキサフルオロ−２−ブテンと、
（ｂ）２−クロロプロパンと、からなる組成物であって、
モル比（ａ）／（ｂ）が、３３．３／６６．７〜９８．７／１．３の範囲にあり、
前記２−クロロプロパンが前記Ｚ−１，１，１，４，４，４−ヘキサフルオロ−２−ブテンと共沸組み合わせを形成し、
前記共沸組み合わせとは、前記組成物が、１．４ｋＰａ（０．２ｐｓｉａ）〜２３５８ｋＰａ（３４２ｐｓｉａ）の範囲内の所与の圧力下で液体形態にあるとき、−５０℃〜１６０℃の範囲内の一定温度で沸騰し、沸騰中の全体液体組成と同一である蒸気組成を提供することをいう、組成物。
【請求項２】
（ａ）Ｚ−１，１，１，４，４，４−ヘキサフルオロ−２−ブテンと、
（ｂ）２−クロロプロパンと、からなる組成物であって、
モル比（ａ）／（ｂ）が、１／９９〜４／９６または１８／８２〜９９／１の範囲にあり、
前記２−クロロプロパンが前記Ｚ−１，１，１，４，４，４−ヘキサフルオロ−２−ブテンと共沸混合物様組み合わせを形成し、
前記共沸混合物様組み合わせとは、前記組成物の、−４０℃〜１６０℃の範囲内の所与の温度での露点圧力と沸点圧力の差が、沸点圧力を基準として５パーセント以下であるような露点圧力と沸点圧力を示すことをいう、組成物。
【請求項３】
（ａ）Ｚ−１，１，１，４，４，４−ヘキサフルオロ−２−ブテンと、
（ｂ）２−クロロプロパンと、からなる組成物であって、
モル比（ａ）／（ｂ）が、１／９９〜９９／１の範囲にあり、
前記２−クロロプロパンが前記Ｚ−１，１，１，４，４，４−ヘキサフルオロ−２−ブテンと共沸混合物様組み合わせを形成し、
前記共沸混合物様組み合わせとは、前記組成物の、２０℃〜１６０℃の範囲内の所与の温度での露点圧力と沸点圧力の差が、沸点圧力を基準として５パーセント以下であるような露点圧力と沸点圧力を示すことをいう、組成物。
【請求項４】
共沸もしくは共沸混合物様組成物を発泡剤として使用する工程を含む熱可塑性または熱硬化性発泡体の製造方法であって、
前記共沸もしくは共沸混合物様組成物が、請求項１〜３のいずれか一項に記載の組成物である、方法。
【請求項５】
共沸もしくは共沸混合物様組成物を凝縮させる工程と、その後冷却されるべき本体の近くで前記共沸もしくは共沸混合物様組成物を蒸発させる工程とを含む冷却を行うための方法であって、
前記共沸もしくは共沸混合物様組成物が、請求項１〜３のいずれか一項に記載の組成物である、方法。
【請求項６】
共沸もしくは共沸混合物様組成物を溶媒として使用する工程を含む方法であって、
前記共沸もしくは共沸混合物様組成物が、請求項１〜３のいずれか一項に記載の組成物である、方法。
【請求項７】
共沸もしくは共沸混合物様組成物を噴射剤として使用する工程を含むエアゾール製品の製造方法であって、
前記共沸もしくは共沸混合物様組成物が、請求項１〜３のいずれか一項に記載の組成物である、方法。
【請求項８】
共沸もしくは共沸混合物様組成物を伝熱媒体として使用する工程を含む方法であって、
前記共沸もしくは共沸混合物様組成物が、請求項１〜３のいずれか一項に記載の組成物である、方法。
【請求項９】
共沸もしくは共沸混合物様組成物を消火剤または鎮火剤として使用する工程を含む消火または鎮火方法であって、
前記共沸もしくは共沸混合物様組成物が、請求項１〜３のいずれか一項に記載の組成物である、方法。
【請求項１０】
共沸もしくは共沸混合物様組成物を誘電体として使用する工程を含む方法であって、
前記共沸もしくは共沸混合物様組成物が、請求項１〜３のいずれか一項に記載の組成物である、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月30日(2015.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料中の被分析物の濃度を決定するためのバイオセンサシステムであって、
被分析物のレドックス反応を選択的に実施するための反応手段と、
被分析物のレドックス反応の速度を測定するための測定手段と、を含み、
前記測定手段が少なくとも一つの誤差パラメータに対応する少なくとも一つの勾配偏差（ΔＳ）値を決定し、
前記測定手段がさらに、少なくとも一つの参照相関と、少なくとも一つの勾配偏差（ΔＳ）値とを包含する補正式から試料中の被分析物濃度を決定し、
ここで、補正式が最低でも０．５の決定係数（Ｒ２）値を有し、決定係数（Ｒ２）値が少なくとも一つの参照相関と、少なくとも一つの誤差パラメータの相関を示す、
システム。
【請求項２】
前記測定手段が少なくとも二つの導体を包含し、
前記反応手段が、
ベースであって、少なくとも二つの導体が前記ベース上にあり、その導体の一つが作用電極であるベースと、
前記作用電極上または近傍に配置された試薬組成物と、
少なくとも二つの導体および前記試薬組成物上に容器と、
を含み、
前記試薬組成物が、
バインダと、
容器体積のμL当たり最高６７nmolの濃度で試薬組成物中に存在する、緩衝塩と、
容器体積のμL当たり最高４０nmolの濃度で試薬組成物中に存在する、メディエータと、
酵素系と、
非イオン性界面活性剤と、
を含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記測定手段が少なくとも二つの導体を包含し、
前記反応手段が、
ベースであって、少なくとも二つの導体が前記ベース上にあり、その導体の一つが作用電極面積を有する作用電極であるベースと、
前記作用電極上または近傍に配置された試薬組成物と、
を含み、
前記試薬組成物が、
バインダと、
作用電極面積のmm2当たり最高１６７nmolの濃度で前記試薬組成物中に存在する、緩衝塩と、
作用電極面積のmm2当たり最高１００nmolの濃度で前記試薬組成物中に存在する、メディエータと、
酵素系と、
非イオン性界面活性剤と、
を含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記反応手段が、
バインダと、
緩衝塩と、
最高２０%(w/w)の、遷移金属ではない金属を含む無機塩を含むメディエータと、
酵素系と、
を含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記反応手段に試料を導入してから最長７秒のピーク時間で、前記測定手段が試料中の被分析物の濃度に対応する、前記反応手段からの出力信号値を測定する、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記試薬組成物がさらに、イオン性界面活性剤を含む、請求項２〜５のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項７】
前記イオン性界面活性剤がアニオン性界面活性剤を含む、請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
前記試薬組成物がさらに、試薬組成物表面面積のmm2当たり約３〜約１６ng/mm2のアニオン性界面活性剤、容器体積のμL当たり約２０〜約４０ngのイオン性界面活性剤、または作用電極面積のmm2当たり約１０〜約３５０ngのイオン性界面活性剤を含む、請求項２〜７のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項９】
前記緩衝塩がＮａ２ＨＰＯ４を含む、請求項２〜８のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項１０】
前記メディエータが最高１５%(w/w)の遷移金属ではない金属を含む、請求項２〜９のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項１１】
前記非イオン性界面活性剤が糖を含む、請求項２〜１０のいずれか一項に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月15日(2015.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物理量検出部と、回路パッケージと、を備えた物理量計測装置であって、
前記回路パッケージは、リードフレームと、該リードフレームに支持された制御回路と、該制御回路を封止する樹脂と、該樹脂から露出した前記リードフレームの切断端部を被覆する被覆部と、を有することを特徴とする物理量計測装置。
【請求項２】
外部機器との電気的な接続を行うための外部接続部をさらに備え、
前記被覆部は、前記外部接続部を形成する樹脂によって形成されていることを特徴とする請求項１に記載の物理量計測装置。
【請求項３】
前記回路パッケージを固定する固定部をさらに備え、
前記固定部は、前記外部接続部を形成する樹脂によって形成されていることを特徴とする請求項２に記載の物理量計測装置。
【請求項４】
前記制御回路を封止する樹脂は、熱硬化性樹脂であり、
前記外部接続部を形成する樹脂は、熱可塑性樹脂であることを特徴とする請求項２又は請求項３に記載の物理量計測装置。
【請求項５】
前記被覆部によって被覆される前記リードフレームの切断端部は、前記リードフレームに設けられた複数のリードの切断端部を含み、該複数のリードの切断端部の間に電位差が生じることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の物理量計測装置。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の物理量計測装置の製造方法であって、
前記リードフレームをリードによって支持枠に支持し、前記リードフレームに支持された前記制御回路を樹脂によって封止する工程と、
前記リードを切断して前記支持枠から前記回路パッケージを切り離す工程と、
前記回路パッケージの前記制御回路を封止する樹脂から露出した前記リードの切断端部を被覆する被覆部を形成する工程と、
を備えることを特徴とする物理量計測装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】物理量計測装置及びその製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は物理量計測装置及びその製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、回路パッケージのモールド樹脂から露出する切断端部に水や塩水が付着するのを防ぐことができる物理量計測装置及びその製造方法を提供することである。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月23日(2015.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】印刷装置および潤滑剤供給方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、印刷装置および潤滑剤供給方法に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、以上のような課題を解決するためのものであり、像担持体の潤滑剤をその消費量を抑えて効率よく供給するために好適な印刷装置および潤滑剤供給方法を提供することを目的とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明に係る印刷装置は、走査方向と直交する境界によって印刷データを複数の分割領域に分割する分割部と、前記分割領域における印刷データの印刷率に基づいて像担持体の表面における該分割領域に対応した領域に潤滑剤を供給するか否かを前記分割領域毎に判定する判定部と、を備えたことを特徴とする。
上記目的を達成するため、本発明に係る潤滑剤供給方法は、走査方向と直交する境界によって印刷データを複数の分割領域に分割する分割ステップと、前記分割領域における印刷データの印刷率に基づいて像担持体の表面における該分割領域に対応した領域に潤滑剤を供給するか否かを前記分割領域毎に判定する判定ステップと、を有したことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明によれば像担持体の潤滑剤をその消費量を抑えて効率よく供給するために好適な印刷装置および潤滑剤供給方法を提供することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
走査方向と直交する境界によって印刷データを複数の分割領域に分割する分割部と、
前記分割領域における印刷データの印刷率に基づいて像担持体の表面における該分割領域に対応した領域に潤滑剤を供給するか否かを前記分割領域毎に判定する判定部と、
を備えたことを特徴とする印刷装置。
【請求項２】
走査方向と直交する境界によって印刷データを複数の分割領域に分割する分割部と、
前記分割領域における印刷データの印刷率に基づいて像担持体の表面における該分割領域に対応した領域に供給される潤滑剤の供給量を前記分割領域毎に調整する調整部と、
を備えたことを特徴とする印刷装置。
【請求項３】
前記調整部は、前記印刷率が高いほど潤滑剤の供給量が少なくなるように潤滑剤の供給量を調整することを特徴とする請求項２に記載の印刷装置。
【請求項４】
前記調整部は、潤滑剤の吐き出しパターンを切り替えることにより潤滑剤の供給量を調整することを特徴とする請求項２または３に記載の印刷装置。
【請求項５】
前記印刷率は、印刷データに基づいて実際に印刷されるドット数を該分割領域における総ドット数で除算した値であることを特徴とする請求項１から４の何れかに記載の印刷装置。
【請求項６】
前記印刷率は、印刷データにおける各画素の階調値が合計された値を該分割領域における総画素数に最大階調値を乗算した値で除算した値であることを特徴とする請求項１から４の何れかに記載の印刷装置。
【請求項７】
前記分割部は、記録媒体のサイズに応じて前記境界の位置を切り替えることを特徴とする請求項１から６の何れかに記載の印刷装置。
【請求項８】
走査方向と直交する境界によって印刷データを複数の分割領域に分割する分割ステップと、
前記分割領域における印刷データの印刷率に基づいて像担持体の表面における該分割領域に対応した領域に潤滑剤を供給するか否かを前記分割領域毎に判定する判定ステップと、
を有したことを特徴とする潤滑剤供給方法。
【請求項９】
走査方向と直交する境界によって印刷データを複数の分割領域に分割する分割ステップと、
前記分割領域における印刷データの印刷率に基づいて像担持体の表面における該分割領域に対応した領域に供給される潤滑剤の供給量を前記分割領域毎に調整する調整ステップと、
を有したことを特徴とする潤滑剤供給方法。