【事件の表示】
　平成１１年特許願第　　９８６２号「窒化ガリウム系半導体発光素子および発光装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　９月２４日出願公開、特開平１１−２６１１０９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、平成９年６月２５日に出願した特願平９−１６９０４５号（以下「原出願」という。）の一部を新たな特許出願として、平成１１年１月１８日に出願したものであって、平成１９年７月１７日付けで手続補正がなされたが、平成１９年８月９日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年９月１３日付けで拒絶査定不服審判請求がなされるとともに、同年１０月１５日付けで手続補正（以下「本件補正」という。）がなされたものである。
　
２　本件補正についての却下の決定
（１）結論
　 本件補正を却下する。
　
（２）理由
　ア　理由１
（ア）補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１につき、補正前の
「透光性基板と、
　前記透光性基板の上に設けられ、前記透光性基板よりも光屈折率が大きい窒化ガリウム系半導体からなる発光層と、
　前記発光層の上に形成され、第１の層と、前記第１の層とは光屈折率が異なる第２の層とを交互に複数層ずつ積層させた光反射層と、を備え、
　前記発光層から放出された光を前記光反射層により反射させて、前記透光性基板を透過させて外部に取り出すことができるように、前記発光層は前記透光性基板と前記光反射層との間に積層されていることを特徴とする窒化ガリウム系半導体発光素子。」
を
「
サファイア基板と、　前記サファイア基板
前記サファイア基板よりも光屈折率が大きくＩｎＧａＮを含む
　前記発光層の上に形成され、第１の層と、前記第１の層とは光屈折率が異なる第２の層とを交互に複数層ずつ積層させた光反射層と、を備え、
　前記発光層から放出された光を前記光反射層により反射させて、
前記サファイア基板
前記サファイア基板
に補正する内容を含むものである。
　
（イ）補正の目的
　上記（ア）の補正の内容は、補正前の請求項１の「透光性基板」を「サファイア基板」に、また、「窒化ガリウム系半導体からなる発光層」を「ＩｎＧａＮを含む発光層」に、それぞれ具体的に限定するものであるから、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下「平成１４年改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当すると認められる。
　
（ウ）独立特許要件
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて検討する。
　
　ａ　刊行物の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された、原出願の出願前に頒布された刊行物である特開平８−３２１１６号公報（以下「刊行物１」という。）には、以下の記載がある。
　
（ａ）「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、可視単波長、特に青色領域から紫色領域まで、及び紫外線領域で発光可能な、ダブルヘテロ接合構造を有する窒化ガリウム系化合物半導体による発光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、窒化ガリウム系半導体から成る発光素子として、図１と同様な構造のものがある。この発光素子は、サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体をエピタキシャル成長させたものである。これは、層構成としては本発明の層構成と同じであり、発光メカニズムも同じである。この発光素子では、発光層からの発光は、ほぼ等方的であり、使用目的である光取り出し方向には発光される光量の一部しか放射されない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】つまり、せっかく発光しても必要とする方向に放射される光が限られ、無駄な方向に出ていることを意味し、多方向からの視認性は良いものの、目的方向における発光効率としては低いものとなるという問題がある。
【０００４】従って本発明は上記の課題を解決するために成されたものであり、その目的は、窒化ガリウム系半導体発光素子において、発光素子の発光取り出し効率を向上させることである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するため本発明の特徴ある構成は、活性層をその禁制帯幅よりも大きな禁制帯幅の層で挟んだダブルヘテロ接合構造を有する窒化ガリウム系化合物半導体から成る発光素子において、該発光素子が積層構造であり、該積層構造に垂直な方向に光を取り出す構成であって、該積層構造に、発光層からの光を反射する反射層もしくは反射防止層のいずれかを有することを特徴とする。
【０００６】
【作用および発明の効果】
　本発明は上記のように、発光素子の積層構造のいずれかに、発光した光を反射する反射層、もしくは光の透過効率を最もよくする反射防止層を設けるために、光を放射する側と反対側に放射される分が目的方向に放射され、また光を放射する側へ放射された光が反射で減衰することが抑制されて、従来よりも発光素子の光が余分な方向に出なくなり、出力が無駄にならず、発光の効率を向上させることができる。」
　
（ｂ）「【０００７】
【実施例】以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説明する。
（構成）図１は、サファイア基板１を用いて製造した窒化ガリウム系発光素子１００の構造を示した模式的断面図である。サファイア基板１の上に、窒化アルミニウム(AlN) 緩衝層２が形成されて、その上に発光素子の最下層として、Siをドープした窒化ガリウム( n + - GaN ) 層３が形成されている。この窒化ガリウム層３をベースにして、ZnおよびSiドープの半絶縁層もしくは弱いｐ型となる窒化インジウムガリウム(In x Ga1-x N ) 層４が形成され、その上にクラッド層（活性層の禁制帯幅よりも大きい禁制帯幅を有する層）として窒化アルミガリウム( p - Al0.1Ga0.9N)層５が形成され、さらにその上にｐ層としてMgドープの窒化ガリウム(GaN) 層６が形成されている。そして、その上にアルミニウム(Al)で第一電極層７が設けられている。また、窒化ガリウム層３の一部で分離溝９で分離された領域に対して接続孔が設けられ、アルミニウム(Al)で第二電極層８が設けられている。なおこの発光素子１００の場合、光はサファイア基板１の側（図１の矢印）から取り出される。」
　
（ｃ）「【００１２】（第二実施例）図３は、緩衝層２の上に窒化アルミガリウム( Al0.1Ga0.9N)層３１と窒化ガリウム( GaN ) 層３２の多層膜を形成して反射層３０を形成した場合の発光素子３００で、この実施例の場合、光取り出し側は上部の電極側としてある。従って上部電極を透明なＩＴＯ膜３３で形成し、一部コンタクト用としてAl電極７を設けてある。この反射層３０は上部の発光領域である４、５から放射された光を上部に反射するよう屈折率を大きくする。そのため、窒化アルミガリウム( Al0.1Ga0.9N)層３１と窒化ガリウム( GaN ) 層３２の多層構造を多数形成する。窒化アルミガリウム( Al0.1Ga0.9N)の屈折率ｎ2 は2.426 、窒化ガリウム( GaN ) の屈折率ｎ1 は2.493 とその差は小さいが、基板のサファイアの屈折率ｎs が1.78であるので、これを反射の条件の式、
【数  ２】
によって求める。それぞれの膜厚は、反射率が高くなるような厚さに設定し、窒化アルミガリウム( Al0.1Ga0.9N)層３１は46.37nm 、窒化ガリウム( GaN ) 層３２は45.63nm というシミュレーションから得られた最適値を形成目標厚さとしている。
【００１３】この反射層３０の形成は窒化アルミガリウム( Al0.1Ga0.9N)層３１と窒化ガリウム( GaN ) 層３２各一組では反射率が不十分であるので、多層構造とする。そこで、基板上の窒化アルミニウム(AlN) 層の形成後、通常の窒化ガリウム系の層形成プロセスを用いて、上記の層を交互に層を重ねていく。その結果、(2) 式からＮ＝30（多重層の数）では反射率が64.40 ％となり、Ｎ＝50では反射率が86.29 ％となり、かなりの光量の反射が得られることが判る。」
　
（ｄ）上記（ｂ）及び（ｃ）の記載を踏まえて図３をみると、サファイア基板１上にAlNバッファ層２、Al0.1Ga0.9N層３１とGaN層３２を交互に複数層ずつ積層した反射層３０、n + - GaN層３、InGaN層４、p - AlGaN層５、p - GaN層６をこの順に積層し、このp - GaN層６上に上部電極を透明なＩＴＯ膜３３で形成し、ＩＴＯ膜３３上の一部にコンタクト用としてAl電極７を設けるとともに、分離溝で分離された領域に設けられ接続孔に電極８を設けた発光素子が示されているものと認められる。
　
　ｂ　引用発明
　上記ａ（ａ）ないし（ｄ）によれば、刊行物１には、次の発明が記載されているものと認められる。
　
「屈折率が1.78であるサファイア基板１上にAlNバッファ層２、屈折率が2.426である Al0.1Ga0.9N層３１と屈折率が2.493であるGaN層３２を交互に複数層ずつ積層した反射層３０、n + - GaN層３、発光領域であるInGaN層４及びp - AlGaN層５、p - GaN層６をこの順に積層し、このp - GaN層６上に上部電極を透明なＩＴＯ膜３３で形成し、ＩＴＯ膜３３上の一部にコンタクト用としてAl電極７を設けるとともに、分離溝で分離された領域に設けられ接続孔に電極８を設け、反射層３０は上部の発光領域である４、５から放射された光を上部に反射するようにし、光取り出し側は上部電極側とした窒化ガリウム系半導体発光素子。」（以下「引用発明１」という。）　
　
　ｃ　対比
　本願補正発明と引用発明１とを対比する。
　
（ａ）引用発明１の「サファイア基板１」、「屈折率が2.426である Al0.1Ga0.9N層３１と屈折率が2.493であるGaN層３２を交互に複数層ずつ積層した反射層３０」及び「窒化ガリウム系半導体発光素子」は、本願補正発明の「サファイア基板」、「第１の層と、前記第１の層とは光屈折率が異なる第２の層とを交互に複数層ずつ積層させた光反射層」及び「窒化ガリウム系半導体発光素子」に相当する。
　
（ｂ）引用発明１の「発光領域であるInGaN層４及びp - AlGaN層５」は、本願補正発明の「ＩｎＧａＮを含む発光層」に相当し、InGaN及びAlGaNの屈折率がサファイアの屈折率より大きいことは技術常識であるから、引用発明１は、本願補正発明の「サファイア基板よりも光屈折率が大きくＩｎＧａＮを含む発光層」を備えている。
　
（ｃ）引用発明１は、「反射層３０は上部の発光領域である４、５から放射された光を上部に反射するようにし、光取り出し側は上部電極側とした」ものであるから、「『前記発光層から放出された光を前記光反射層により反射させて』、『外部に取り出すことができるように』」した点において、本願補正発明と一致する。
　
（ｄ）以上によれば、両者は、
「サファイア基板と、
　前記サファイア基板の上に設けられ、前記サファイア基板よりも光屈折率が大きくＩｎＧａＮを含む発光層と、
　第１の層と、前記第１の層とは光屈折率が異なる第２の層とを交互に複数層ずつ積層させた光反射層と、を備え
　前記発光層から放出された光を前記光反射層により反射させて、外部に取り出すことができるようにした窒化ガリウム系半導体発光素子。」
である点で一致し、
「本願補正発明では、発光層から放出された光をサファイア基板を透過させて外部に取り出すことができるように、前記発光層が前記サファイア基板と前記光反射層との間に積層されているのに対して、引用発明１では、発光層が光反射層の上に設けられ、前記発光層から放出された光を前記光反射層により上部に反射させて、光取り出し側は上部電極側とした点。」（以下「相違点１」という。）
で相違するものと認められる。
　
　ｄ　判断
（ａ）前記ａ（ａ）によれば、刊行物１には、発光素子の積層構造のいずれかに、発光した光を反射する反射層を設けて、光を放射する側と反対側に放射される分が目的方向に放射されるようにし、発光の効率を向上させる技術思想が開示されているものと認められる。
　
（ｂ）そして、サファイア基板を用いた半導体発光素子において、発光層から放出された光を前記サファイア基板を透過させて外部に取り出すことは、原出願の出願前に周知の技術である（前記ａ（ｂ）のとおり、刊行物１の【０００７】にも記載されるところである。）から、引用発明１において、発光層から放出された光をサファイア基板を透過させて外部に取り出すものとすることは、当業者が適宜なし得る程度のことというべきところ、刊行物１に開示された上記（ａ）の技術思想に基づけば、その際に、光反射層を、発光層に対して光を放出する側と反対側に設け、もって、「発光層が前記サファイア基板と前記光反射層との間に積層されている」とする、相違点１に係る本願補正発明の構成となすことは、当業者が容易になし得る程度のことである。
　
（ｃ）しかるところ、本願補正発明において、当業者が予測困難なほどの格別顕著な効果が奏されるものとも認められない。
　
（ｄ）したがって、本願補正発明は、刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであって、本件補正は、平成１４年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するものである。
　
　イ　理由２
（ア）補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲の補正前の請求項５に
「基板と、
　前記基板上に設けられ、第１の層と、前記第１の層とは光屈折率が異なる第２の層とを交互に複数層ずつ積層させた第１の光反射層と、
　前記第１の光反射層に隣接して積層された窒化ガリウム系半導体からなる発光層と、
　前記発光層に隣接して積層され、第１の層と、前記第１の層とは光屈折率が異なる第２の層とを交互に複数層ずつ積層させた第２の光反射層と、を備え、
　前記第１の光反射層と前記第２の光反射層とは、それぞれ前記発光層から放出される光を反射するとともに、電流と光とを前記発光層に閉じこめるクラッド層としての役割も兼ねるものとして構成され、
　前記発光層から放出された光は、前記第１および第２の光反射層により多重反射されて、前記発光層の側面から外部に取り出すことができるものとして構成されていることを特徴とする窒化ガリウム系発光素子。」
とあるを、新たな請求項３として
「基板と、
　前記基板上に設けられ、第１の層と、前記第１の層とは光屈折率が異なる第２の層とを交互に複数層ずつ積層させた第１の光反射層と、
　前記第１の光反射層に
接するように
　前記発光層に
接するように
　前記第１の光反射層と前記第２の光反射層とは、それぞれ前記発光層から放出される光を反射するとともに、電流と光とを前記発光層に閉じこめるクラッド層としての役割も兼ねるものとして構成され、
　前記発光層から放出された光は、前記第１および第２の光反射層により多重反射されて、前記発光層の側面から外部に取り出すことができるものとして構成されていることを特徴とする窒化ガリウム系発光素子。」
に補正する内容を含むものである。
　
（イ）補正の目的
　上記（ア）の補正の内容は、補正前の請求項５における「隣接して」を「接するように」に補正するものである。
　しかるに、該補正が、平成１４年改正前特許法第１７条の２第４項第１号ないし第４号に掲げるいずれの事項を目的とするものとも認められないから、本件補正は、同法第１７条の２第４項の規定に違反するものである。
　
　ウ　小括
　前記ア（ウ）ｄ（ｄ）及び上記イ（イ）のとおり、本件補正は、平成１４年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に違反し、また、同法第１７条の２第４項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３　本願発明について
（１）本願発明１
　上記のとおり、本件補正は却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１９年７月１７日付けで補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし請求項２５に記載された事項によって特定されるものであるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明１」という。）は、前記２（２）ア（ア）において、補正前のものとして示したとおりのものである。
　
　ア　本願発明１についての判断
　前記２（２）ア（イ）のとおり、本件補正は、特許請求の範囲の減縮を目的としたものと認められる。
　しかるところ、前記２（２）ア（ウ）で検討したとおり、本願発明に係る特許請求の範囲を減縮したものである本願補正発明が、刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである以上、減縮前の本願発明１も、本願補正発明と同様の理由により、刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（２）本願発明５
　同じく、請求項５に係る発明（以下「本願発明５」という。）は、前記２（２）イ（ア）において、補正前のものとして示したとおりのものである。
　
　ア　刊行物の記載
　原査定の拒絶の理由に引用され、原出願の出願前に頒布された刊行物である特開平２−１７０４８６号公報（以下「刊行物２」という。）には、以下の記載がある。
　
（ア）「本発明は、半導体多層膜を自然放出光の活性層への帰還のために用い、端面出射型半導体発光装置の低しきい値化、あるいは高効率化を目的とするものである。」（２頁左上欄４行〜７行）
　
（イ）「本発明の第２の実施例について第２図により説明する。ｎ型ＧａＡｓ基板２１上に、ＭＯＣＶＤ法によりｎ−Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ａｓとｎ−ＡｌＡｓをそれぞれλ／（４ｎ）（審決注：原文では、「ｎ」の上に「￣」が付されているが、表記の都合上、「￣」を省略した。）の厚さで交互に１０周期積層し、ｎ−多層膜反射鏡２２を形成する。その後、ＧａＡｓ活性層２３、そして、ｐ−Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ａｓとｐ−ＡｌＡｓをそれぞれλ／（４ｎ）（審決注：先と同様に、「ｎ」に付された「￣」を省略した。）の厚さで交互に１０周期積層し、ｐ−多層膜反射鏡２４を設け、ｐ−ＧａＡｓキャップ層２５を形成する。その後、選択拡散により、Ｚｎ拡散領域２６を形成した後、Ｔｉ−Ｍｏ−Ａｎを蒸着してｐ電極２７を、ＡｎＧｅＮｉ−Ｃｒ−Ａｎを蒸着してｎ電極２８を設ける。最後に、前端面にＳｉＯ２膜をλ／（４ｎ）の厚さは着させることにより無反射コート膜２９を形成することで発光ダイオード装置とした。本実施例において高効率の発光ダイオードが得られる。」（２頁左下欄１６行〜同右下欄１２行）
　
　イ　引用発明
　上記（２）アによれば、刊行物２には、次の発明が記載されているものと認められる。
「ｎ型ＧａＡｓ基板２１上に、ｎ−Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ａｓとｎ−ＡｌＡｓをそれぞれ交互に１０周期積層したｎ−多層膜反射鏡２２、ＧａＡｓ活性層２３、ｐ−Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ａｓとｐ−ＡｌＡｓをそれぞれ交互に１０周期積層したｐ−多層膜反射鏡２４、ｐ−ＧａＡｓキャップ層２５を形成し、前端面に無反射コート膜２９を形成した端面出射型発光ダイオード装置。」（以下「引用発明２」という。）
　
　ウ　対比
　本願発明５と引用発明２とを対比する。
　
（ア）引用発明２の「ｎ型ＧａＡｓ基板」、「ＧａＡｓ活性層」及び「発光ダイオード装置」は、それぞれ、本願発明５の「基板」、「半導体からなる発光層」及び「発光素子」に相当する。
　
（イ）多層膜反射鏡が屈折率の異なる複数の層からなることは技術常識であり、引用発明２のＡｌ０．２Ｇａ０．８ＡｓとＡｌＡｓの屈折率が異なることも明らかであるから、引用発明２の「ｎ−Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ａｓとｎ−ＡｌＡｓをそれぞれ交互に１０周期積層したｎ−多層膜反射鏡２２」及び「ｐ−Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ａｓとｐ−ＡｌＡｓをそれぞれ交互に１０周期積層したｐ−多層膜反射鏡２４」は、本願発明５の「第１の層と、前記第１の層とは光屈折率が異なる第２の層とを交互に複数層ずつ積層させた第１の光反射層」および「第１の層と、前記第１の層とは光屈折率が異なる第２の層とを交互に複数層ずつ積層させた第２の光反射層」に相当する。
　
（ウ）しかるところ、引用発明２は、「ｎ型ＧａＡｓ基板２１上に、ｎ−Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ａｓとｎ−ＡｌＡｓをそれぞれ交互に１０周期積層したｎ−多層膜反射鏡２２、ＧａＡｓ活性層２３、ｐ−Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ａｓとｐ−ＡｌＡｓをそれぞれ交互に１０周期積層したｐ−多層膜反射鏡２４、ｐ−ＧａＡｓキャップ層２５を形成し」たものであるから、ｎ−多層膜反射鏡２２及びｐ−多層膜反射鏡２４は、それぞれ、活性層２３に隣接して積層されたものである。
　よって、引用発明２は、本願発明５の「前記基板上に設けられ、第１の層と、前記第１の層とは光屈折率が異なる第２の層とを交互に複数層ずつ積層させた第１の光反射層と、前記第１の光反射層に接するように積層された窒化ガリウム系半導体からなる発光層と、前記発光層に接するように積層され、第１の層と、前記第１の層とは光屈折率が異なる第２の層とを交互に複数層ずつ積層させた第２の光反射層と、を備え、」との事項を備えるものといえる。
　
（エ）引用発明２において、活性層２３から放出された光は、ｎ−多層膜反射鏡２２とｐ−多層膜反射鏡２４により多重反射されることは明らかである。また、引用発明２は、「前端面に無反射コート膜が形成した端面出射型発光ダイオード装置」であるから、引用発明２は、本願発明５の「前記発光層から放出された光は、前記第１および第２の光反射層により多重反射されて、前記発光層の側面から外部に取り出すことができるものとして構成されている」との事項を備えるものといえる。
　
（オ）以上によれば、両者は、
「基板と、
　前記基板上に設けられ、第１の層と、前記第１の層とは光屈折率が異なる第２の層とを交互に複数層ずつ積層させた第１の光反射層と、
　前記第１の光反射層に隣接して積層された半導体からなる発光層と、
　前記発光層に隣接して積層され、第１の層と、前記第１の層とは光屈折率が異なる第２の層とを交互に複数層ずつ積層させた第２の光反射層と、を備え、
　前記第１の光反射層と前記第２の光反射層とは、それぞれ前記発光層から放出される光を反射するものとして構成され、
　前記発光層から放出された光は、前記第１および第２の光反射層により多重反射されて、前記発光層の側面から外部に取り出すことができるものとして構成されている発光素子。」
である点で一致し、以下のａ及びｂの点で相違するものと認められる。
　
　ａ　本願発明５は、発光層が窒化ガリウム系半導体からなる窒化ガリウム系発光素子であるのに対して、引用発明２は、発光層がＧａＡｓからなる点（以下「相違点２」という。）
　　
　ｂ　本願発明５では、第１の光反射層と前記第２の光反射層とは、それぞれ前記発光層から放出される光を反射するとともに、電流と光とを前記発光層に閉じこめるクラッド層としての役割も兼ねるものとして構成されているのに対して、引用発明２では、第１の光反射層と前記第２の光反射層が電流と光とを前記発光層に閉じこめるクラッド層としての役割も兼ねるかどうか不明である点（以下「相違点３」という。）
　
　エ　相違点についての判断
（ア）相違点２について
　半導体発光素子において、発光層が窒化ガリウム系半導体からなる窒化ガリウム系発光素子は、原出願の出願前に周知のものであるから、発光層を、引用発明２のＧａＡｓに代えて窒化ガリウム系半導体とし、相違点２に係る本願発明５の構成とすることは当業者が適宜なし得る程度のことである。
　
（イ）相違点３について
　引用発明２においても、第１の光反射層と第２の光反射層とは、それぞれ、発光層に隣接して積層されているのであるから、引用発明２が端面出射型発光ダイオード装置として機能するためには、引用発明２の第１の光反射層と第２の光反射層も、本願発明５と同様、光を反射するとともに、電流と光とを発光層に閉じこめるクラッド層としての役割も兼ねるようにすべきことは、当業者が当然考慮することであり、このことは、発光層を窒化ガリウム系半導体とする際においても、同様である。
　よって、相違点３の本願発明の構成とすることは、当業者が当然考慮する程度の事項にすぎない。
　
（ウ）したがって、本願発明５は、刊行物２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　以上の検討によれば、本願発明１は、刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　また、本願発明５は、刊行物２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。