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　平成１０年特許願第３４５９１２号「配線基板の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　６月２３日出願公開、特開２０００−１７４４３３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
［１］手続の経緯
　本願は、平成１０年１２月４日の出願であって、平成１９年１月１７日付けで拒絶理由通知がなされ、同年３月１６日付けで意見書及び手続補正書が提出され、同年８月２９日付けで平成１９年１月１７日付け拒絶理由通知の理由により拒絶査定がなされ、これに対し、同年１０月４日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年１０月３１日に手続補正書が提出されたものである。
　
［２］平成１９年１０月３１日付け手続補正について
＜結論＞
　平成１９年１０月３１日付け手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　
＜理由＞
（２−１）補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１を、
「【請求項１】配線層（３）と抵抗体（６）とをめっき層（５）を介して電気的に接続してなる配線基板の製造方法であって、
　前記配線層（３）が少なくとも一面側に露出した基板（１）を形成する工程と、
　前記配線層（３）の露出面に前記めっき層（５）を形成する工程と、
続いて、前記めっき層（５）の熱処理を行わずに、前記基板（１）の一面側における前記めっき層（５）の表面を含む部分に前記抵抗体（６）を印刷、焼成する工程と、を有し、
　前記抵抗体（６）を焼成するときの熱により、前記めっき層（５）と前記抵抗体（６）との密着力向上のための熱処理を兼ねるとともに、前記めっき層（５）と前記配線層（３）との密着力向上のための熱処理を兼ねることを特徴とする配線基板の製造方法。」とする補正を含むものである。
　
（２−２）補正の目的
　上記補正は、補正前の「前記抵抗体（６）を焼成するときの熱により、前記めっき層（５）と前記配線層（３）との密着力向上のための熱処理を兼ねる」について、「前記めっき層（５）と前記抵抗体（６）との密着力向上のための熱処理を兼ねるとともに、」なる事項を加え、さらに限定するものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
（２−３）独立特許要件
　そこで、上記補正後の本願請求項１に係る発明（以下、「補正後の本願発明１」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けられるものかどうかを検討する。
　
（１）引用刊行物の記載事項及び引用発明
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された特開昭５９−３２１９４号公報（以下、「引用刊行物１」という。）には、第１図、第２図とともに、以下の事項が記載されている。
　
（ａ）「グリーンシートの表面に導体ペーストを所望パターンに印刷するとともに還元性雰囲気で焼成して導体層を有するセラミック板を形成する工程と、前記セラミック板の表面に露出する導体層の少なくとも抵抗接続端子となる表面部分を銅めっき層で被う工程と、前記セラミック板の抵抗形成領域にランタンボライドを主成分とする抵抗ペーストを印刷するとともに……焼成して抵抗を形成する工程と、からなるセラミック基板の製造方法。」（特許請求の範囲　３．）
　
（ｂ）「セラミック基板を製造するには、先ずグリーンシートおよび導体ペーストならびに絶縁ペーストを用意した後、…グリーンシート１上に導体ペースト２および絶縁ペースト３を繰り返して印刷し…、多層板４を形成する。そして、この多層板４を常用の還元雰囲気で焼成して…、焼成板５を形成し、…配線層８を焼成板５の内部および表面に亘つて設ける。
…
　つぎに、この多層板４を常用の焼成処理、すなわち還元雰囲気下で焼成し、硬化させる。導体ペースト層は導体層１０となり、グリーンシート１および絶縁ペースト層は一体化されたセラミック板１１となる。
　つぎに、銅めっき処理を施して、セラミック板１１の上面に露出している導体層１０の表面に…銅めっき膜１２を形成する〔第２図（ｂ）参照〕。
　つぎに、同図（ｃ）に示すように、対となる抵抗接続端子６間に亘つてランタンボライド（ＬａＢ６）を主成分とする抵抗ペーストを印刷した後、…焼成（８００〜９００℃で５０分）し、抵抗（抵抗素子）１３を形成する。このＬａＢ６は…銅めっき膜との間でも良好な電気的接続が行える…」（第２頁左下欄第８行−第３頁左上欄第１９行）
　
（ｃ）第１図には、セラミック基板の製造方法を示すフローチャートが示され、第２図には、各製造段階でのワークの断面図が示されている。　
　
　また、同じく原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された特開昭６３−１０７０８７号公報（以下、「引用刊行物２」という。）には、以下の事項が記載されている。
　
（ｄ）「セラミックスグリーンシート１上に高融点金属材料であるＭｏ…等から成る導体材料２を印刷形成し、…積層して多層基板３を形成する。
…そして多層基板３の最上層に露出させた部分の導体材料２の表面前面（「全面」の誤記）を覆うようにしてＣｕによるめっき層（以下「Ｃｕめっき層」という）４を形成する。…さらに、このＣｕめっき層４の表面を覆い、且つ後述する厚膜抵抗体６の形成位置まで延在させてターミナル導体としてのＣｕによる厚膜導体層（以下「Ｃｕ厚膜導体層」という）５を形成する。
そうした上で所定の位置に厚膜抵抗体６を形成し、この厚膜抵抗体６及びＣｕ厚膜導体層５を窒素雰囲気中にて焼成する。ここで、Ｃｕめっき層４と導体材料２との接触を確実なものとする為にはシンタリングする必要があるが、本実施例においては厚膜抵抗体６及びＣｕ厚膜導体層５の焼成時において、Ｃｕめっき層４も同時に加熱されるので、シンタリングしたものと同様の効果が得られる」（第３頁左上欄第８行−左下欄第２行）
　
　そして、上記記載事項（ａ），（ｂ）によれば、引用刊行物１には、
「導体層と抵抗（抵抗素子）とを銅めっき層を介して電気的に接続してなるセラミック基板の製造方法であって、
　前記導体層が表面に露出した基板を形成する工程と、
　前記導体層の露出面に前記銅めっき層を形成する工程と、
　続いて、前記基板の上面における前記銅めっき層の表面を含む部分に前記抵抗（抵抗素子）を印刷、焼成（８００〜９００℃で５０分）する工程と、を有するセラミック基板の製造方法。」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているといえる。
　
（２）対比・判断
　補正後の本願発明１と引用発明とを対比すると、引用発明における「導体層」、「抵抗（抵抗素子）」、「銅めっき層」、「表面に露出」、「上面」、「セラミック基板」は、補正後の本願発明１における「配線層」、「抵抗体」、「めっき層」、「少なくとも一面側に露出」、「一面側」、「配線基板」に相当するから、両者は、
　
「配線層と抵抗体とをめっき層を介して電気的に接続してなる配線基板の製造方法であって、
　前記配線層が少なくとも一面側に露出した基板を形成する工程と、
　前記配線層の露出面に前記めっき層を形成する工程と、
　続いて、前記基板の一面側における前記めっき層の表面を含む部分に前記抵抗体を印刷、焼成する工程と、を有する配線基板の製造方法。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
　本願発明では、「前記めっき層の熱処理を行わずに、」及び「前記抵抗体を焼成するときの熱により、前記めっき層と前記抵抗体との密着力向上のための熱処理を兼ねるとともに、前記めっき層と前記配線層との密着力向上のための熱処理を兼ねる」としているのに対し、引用発明では、そのような限定がない点。
　
　そこで、上記相違点について検討すると、
　上記記載事項（ｄ）によれば、引用刊行物２には、表面に導体材料（配線層）、銅めっき層、厚膜導体層が順に形成され、さらに該厚膜導体層表面を含む所定の領域に厚膜抵抗体が形成される多層基板において、銅めっき層と導体材料との接触を確実なものとするためにはシンタリング（加熱）する必要があるが、厚膜抵抗体及び厚膜導体層の焼成を行うと、該焼成により銅めっき層と導体材料（配線層）の密着力向上のためのシンタリング（熱処理）をしたのと同様の効果が得られることが記載されている。
　また、本願明細書（【００２６】）には、「抵抗体６を焼成するときの熱により、銅めっき層５と下地である表面配線層３との密着力向上のための熱処理も兼ねることができ、両層３、５間の密着力も確保できる。ここで、本発明者等の検討によれば、抵抗体の焼成温度は、抵抗体の材質にもよるが６００℃以上であることが好ましい。」点が記載されており、引用発明の焼成温度（８００〜９００℃）においても、本願発明と同じ効果が期待できるものである。
　よって、上記引用刊行物２の記載事項を引用発明に適用し、「めっき層の熱処理を行なわずに、」及び「前記抵抗体を焼成するときの熱により、前記めっき層と前記配線層との密着力向上のための熱処理を兼ねる」という構成とすることは、当業者が容易に想到することである。
　
　また、「前記抵抗体を焼成するときの熱により、前記めっき層と前記抵抗体との密着力向上のための熱処理を兼ねるとともに」については、引用発明においても、本願発明と同様にめっき層表面を含む部分に抵抗体を設け、該抵抗体の焼成を行っているのであるから、「前記抵抗体を焼成するときの熱により、前記めっき層と前記抵抗体との密着力向上のための熱処理を兼ね」ているものと認められ、この点においては実質的に相違しない。
　
　よって、補正後の本願発明１は、引用刊行物１、２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明することができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
（３）むすび
　したがって、補正後の本願請求項２−６に係る発明について検討するまでもなく、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
［３］本願発明
　平成１９年１０月３１日付け手続補正は上記のとおり却下されたので、本願請求項１−６に係る発明は、平成１９年３月１６日付け手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１−６に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は以下のとおりである。
　
「【請求項１】配線層（３）と抵抗体（６）とをめっき層（５）を介して電気的に接続してなる配線基板の製造方法であって、
　前記配線層（３）が少なくとも一面側に露出した基板（１）を形成する工程と、
　前記配線層（３）の露出面に前記めっき層（５）を形成する工程と、
　続いて、前記めっき層（５）の熱処理を行わずに、前記基板（１）の一面側における前記めっき層（５）の表面を含む部分に前記抵抗体（６）を印刷、焼成する工程と、を有し、
　前記抵抗体（６）を焼成するときの熱により、前記めっき層（５）と前記配線層（３）との密着力向上のための熱処理を兼ねることを特徴とする配線基板の製造方法。」
　
［４］引用発明
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された特開昭５９−３２１９４号公報（以下、「引用刊行物１」）及び特開昭６３−１０７０８７号公報（以下、「引用刊行物２」という。）には、上記［２]（２−３）（１）に記載のとおりの発明が記載されている。
　
［５］対比・判断
　補正後の本願発明１は、本願発明１における「前記抵抗体（６）を焼成するときの熱により、前記めっき層（５）と前記配線層（３）との密着力向上のための熱処理を兼ねる」を、「前記抵抗体（６）を焼成するときの熱により、前記めっき層（５）と前記抵抗体（６）との密着力向上のための熱処理を兼ねるとともに、前記めっき層（５）と前記配線層（３）との密着力向上のための熱処理を兼ねる」とさらに限定したものである。
　そして、上記［２］（２−３）のとおり、補正後の本願発明１は、引用刊行物１及び２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明することができたものであるから、本願発明１についても、同様の理由により，引用刊行物１及び２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明することができたものである。
　
［６］むすび
　以上のとおりであるから、本願請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　そのため、本願の請求項２−６に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、上記のとおり審決する。