【手続補正書】
【提出日】平成27年6月15日(2015.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素領域と、前記画素領域の少なくとも一部を取り囲むように配置された周辺回路領域と、前記画素領域と前記周辺回路領域との間に配置された中間領域とが半導体基板に配された固体撮像装置の製造方法であって、
前記画素領域の活性領域の上に第１膜が位置した状態で、前記周辺回路領域の活性領域および前記中間領域の活性領域に金属化合物を形成する工程と、
前記金属化合物を形成する工程の後に、前記画素領域の前記活性領域、前記周辺回路領域の前記活性領域および前記中間領域の前記活性領域の上に第２膜を形成する工程と、
前記周辺回路領域の前記活性領域および前記中間領域の前記活性領域の上に前記第２膜が残るように、前記第２膜のうちの前記画素領域の前記活性領域の上に位置する部分を除去する工程と、
前記周辺回路領域の前記活性領域および前記中間領域の前記活性領域の上に前記第２膜が位置した状態で、前記画素領域、前記周辺回路領域および前記中間領域の上に層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第２膜をエッチングストップ膜として用いて前記層間絶縁膜および前記第２膜にコンタクトホールを形成し、前記コンタクトホールの中に、前記周辺回路領域の前記活性領域の前記金属化合物に接触するコンタクトプラグを形成する工程と、を有する、
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項２】
前記金属化合物がシリサイドであることを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項３】
前記画素領域の光電変換部に光を導く導波路を前記層間絶縁膜に形成する工程を更に有し、
前記第２膜は、前記光電変換部の上に位置する部分を有し、
前記導波路を形成する工程は、前記第２膜の前記部分をエッチングストップ膜として用いて前記層間絶縁膜に前記導波路が設けられる開口を形成する工程を含む、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項４】
前記層間絶縁膜を形成する工程は、前記画素領域の前記活性領域の上に前記第１膜が位置した状態で行われ、
前記第１膜をエッチングストップ膜として用いて前記層間絶縁膜および前記第１膜にコンタクトホールを形成する工程を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項５】
更に、前記画素領域と前記中間領域との間に、前記画素領域に配されるウエルに基準電圧を供給するためのコンタクト領域が配され、
前記除去する工程では、前記第２膜のうちの前記コンタクト領域の上に位置する部分を除去することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項６】
画素領域と、前記画素領域の周囲に配置された周辺回路領域と、前記画素領域と前記周辺回路領域との間に配置された中間領域とが配された半導体基板、および、前記画素領域と、前記周辺回路領域と、前記中間領域とを覆う層間絶縁膜を有する固体撮像装置であって、
前記画素領域は第１活性領域を有し、前記周辺回路領域は第２活性領域を有し、前記中間領域は第３活性領域を有し、
前記第１活性領域と前記層間絶縁膜との間には、第１膜が配置され、かつ、前記第１活性領域には前記層間絶縁膜および前記第１膜を通して第１コンタクトプラグが接続され、
前記第２活性領域と前記層間絶縁膜との間には、第２膜が配置され、かつ、前記第２活性領域には前記層間絶縁膜および前記第２膜を通して第２コンタクトプラグが接続され、
前記第２活性領域には前記第２コンタクトプラグに接する金属化合物が設けられており、
前記第３活性領域には金属化合物が設けられており、かつ、前記第３活性領域にはコンタクトプラグが接続されておらず、前記層間絶縁膜が前記第３活性領域の前記金属化合物に接しないように、前記第３活性領域と前記層間絶縁膜との間に前記第２膜が位置している、
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項７】
前記金属化合物がシリサイドであることを特徴とする請求項６に記載の固体撮像装置。
【請求項８】
前記第２膜は前記第１コンタクトプラグから離れている、
ことを特徴とする請求項６又は７に記載の固体撮像装置。
【請求項９】
前記画素領域と前記中間領域との間に、前記画素領域に設けられた半導体層の電位を固定するための第４活性領域を有する領域が配置され、
前記第４活性領域には前記層間絶縁膜および前記第１膜を通して第３コンタクトプラグが接続されている、
ことを特徴とする請求項６乃至８のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１０】
前記第２膜は前記第３コンタクトプラグから離れている、
ことを特徴とする請求項９に記載の固体撮像装置。
【請求項１１】
前記第１活性領域と前記第１膜との間に第３膜が配置されており、
前記第１コンタクトプラグは前記第３膜を通して前記第１活性領域に接続されており、
前記第３膜は前記第３コンタクトプラグから離れている、
ことを特徴とする請求項９または１０に記載の固体撮像装置。
【請求項１２】
前記画素領域に配置された光電変換部に光を導く導波路が設けられており、
前記第１膜と前記層間絶縁膜との間に配置された膜が、前記導波路に接するように前記第１膜と前記導波路との間に位置している、
ことを特徴とする請求項６乃至１１のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１３】
前記第２膜が窒化シリコン膜である、
ことを特徴とする請求項６乃至１２のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１４】
前記第１膜が酸化シリコン膜である、
ことを特徴とする請求項６乃至１３のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１５】
前記第２活性領域と前記第２膜との間に酸化シリコンからなる第４膜が配置されている、
ことを特徴とする請求項６乃至１４のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１６】
前記第２膜は前記第１膜と重なった部分を有する、
ことを特徴とする請求項６乃至１５のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１７】
請求項６乃至１６のいずれか１項に記載の固体撮像装置と、
前記固体撮像装置から出力される信号を処理する処理部と、
を備えることを特徴とするカメラ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の１つの側面は、画素領域と、前記画素領域の少なくとも一部を取り囲むように配置された周辺回路領域と、前記画素領域と前記周辺回路領域との間に配置された中間領域とが半導体基板に配された固体撮像装置の製造方法であって、前記画素領域の活性領域の上に第１膜が位置した状態で、前記周辺回路領域の活性領域および前記中間領域の活性領域に金属化合物を形成する工程と、前記金属化合物を形成する工程の後に、前記画素領域の前記活性領域、前記周辺回路領域の前記活性領域および前記中間領域の前記活性領域の上に第２膜を形成する工程と、前記周辺回路領域の前記活性領域および前記中間領域の前記活性領域の上に前記第２膜が残るように、前記第２膜のうちの前記画素領域の前記活性領域の上に位置する部分を除去する工程と、前記周辺回路領域の前記活性領域および前記中間領域の前記活性領域の上に前記第２膜が位置した状態で、前記画素領域、前記周辺回路領域および前記中間領域の上に層間絶縁膜を形成する工程と、前記第２膜をエッチングストップ膜として用いて前記層間絶縁膜および前記第２膜にコンタクトホールを形成し、前記コンタクトホールの中に、前記周辺回路領域の前記活性領域の前記金属化合物に接触するコンタクトプラグを形成する工程と、を有する。