【事件の表示】
　特願２００１−１１０６７６「発光装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年１０月２５日出願公開、特開２００２−３１４１４３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　本願発明 
　本願は、平成１３年４月９日に特許出願したものであって、その請求項に係る発明は、平成１９年８月１６日付け及び平成２０年２月２５日付けで補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし請求項９に記載された事項によって特定されるものと認められるところ、請求項１に係る発明は次のとおりのものである。
 　 
「リードと、
　前記リードの少なくとも一部を埋め込んだ樹脂部と、
　前記樹脂部に設けられた開口部において、前記リードにマウントされた第１の半導体発光素子と、
　前記開口部において、前記リードにマウントされた半導体素子と、
　前記第１の半導体発光素子と前記リードとを接続したワイアと、
　前記第１の半導体発光素子と前記半導体素子とを覆うように前記開口部の中に設けられ、ＪＩＳＡ値の硬度が５０以上のシリコーン樹脂と、
　を備え、
　前記シリコーン樹脂は、硬化前の粘度が１００ｃｐ以上１００００ｃｐ以下の範囲にあり、
　前記リードにおいて、前記第１の半導体発光素子がマウントされた部分と前記ワイアが接続された部分とは電気的に連続してなり、前記第１の半導体発光素子がマウントされた前記部分と前記ワイアが接続された前記部分との間に切り欠きが設けられたことを特徴とする発光装置。」（以下「本願発明」という。）
 　 
２　刊行物の記載  
（１）原査定の拒絶の理由に引用した、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平１１−５４８０４号公報（以下「刊行物１」という。）には、以下の記載がある（下線は、審決で付した。以下同じ。）。
 　 
　ア　「【請求項１】　絶縁性基板と、該絶縁性基板の表面の両端部に設けられる第１および第２の端子電極と、前記第１および第２の端子電極の一方にマウントされ、ｐ側電極およびｎ側電極がそれぞれ前記第１および第２の端子電極と電気的に接続される発光素子チップと、前記第１および第２の端子電極の他方にマウントされる保護素子とからなり、該保護素子は前記発光素子チップに印加され得る少なくとも逆方向電圧に対して前記発光素子チップを保護するように前記第１および第２の端子電極の間に電気的に接続されるチップ型発光素子。」
　
　イ　「【００１４】
【発明の実施の形態】つぎに、図面を参照しながら本発明の半導体発光素子について説明をする。
【００１５】本発明の半導体発光素子は、その一実施形態の平面および断面の説明図が図１に示されるように、絶縁性基板１０の表面の両端部に第１および第２の端子電極１、２が設けられ、第１の端子電極１の一端部は絶縁性基板１０の中央部付近まで延びている。そして、第１の端子電極１の先端部側にＬＥＤチップ３がボンディングされている。
ＬＥＤチップ３のｎ側電極３９は第１の端子電極１と
金線４により接続されている。
保護素子であるツェナーダイオードチップ５
・・・
【００１７】
ツェナーダイオードチップ５は、通常のシリコン半導体などからなり
　
　ウ　「【００１８】このＬＥＤチップ３を図１に示されるように、第１の端子電極１の先端部にボンディングし、ｎ側電極３９およびｐ側電極３８がそれぞれ第１の端子電極１および第２の電極２と一体に形成されたパッド部２ａと電気的に接続されるように、金線４によりワイヤボンディングをする。また、ツェナーダイオードチップ５を第２の端子電極２の先端部にボンディングし、その正電極を第１の端子電極と一体に形成されたパッド部１ａと金線４により電気的に接続する。このとき、負電極はダイボンディングの際の導電性接着剤により第２の端子電極２と電気的に接続されている。なお、ＬＥＤチップ３も上下両面にそれぞれｎ側電極およびｐ側電極が設けられる構造のものであれば、ツェナーダイオードチップ５と同様に一方の電極はワイヤボンディングによらなくても導電性接着剤により電気的に接続される。そして、
絶縁性基板１０の周囲に反射ケース９を形成し、その内部のＬＥＤチップ３やツェナーダイオードチップ５を含めたこれらの周囲がＬＥＤチップ３により発光する光を透過する透明または乳白色のエポキシ樹脂などによりモールドすることにより、樹脂パッケージ６で被覆された
　
　エ　図１（ｂ）から、反射ケース９と絶縁性基板１０が凹部を形成し、該凹部に第１及び第２の端子電極１、２が一部露出し、第１端子電極１の露出した部分にＬＥＤチップ３がマウントされ、第２端子電極２の露出した部分にツェナーダイオードチップ５がマウントされており、前記凹部には、樹脂パッケージ６が形成されている様子がみてとれる。
　
　オ　「【００２１】一方、本発明のチップ型発光素子では、ＬＥＤチップ３が第１の端子電極にボンディングされて、ツェナーダイオードチップ５は第２の端子電極２の空いている部分を利用してボンディングされているため、両方のチップを近付け過ぎて光を遮断したり（ツェナーダイオードの方が背が高いためすぐ隣に配置されるとその方向の光が遮断される）、ダイボンディング材の流れなどによる接触事故（両方のチップ間にダイボンディング材がセリ上がってショートする虞れがある）や、
ワイヤボンディング不良の発生（端子電極上にダイボンディング材が流れるとワイヤボンディングをし辛くなったり、ワイヤボンディングをすることができなくなる）などを防止することができる。
　
　カ　図１（ａ）から、第１の端子電極１における、ＬＥＤチップ３がボンディングされた部分と、ツエナダイオードチップ５に接続した金線４がワイアボンディングされたパッド部１ａとは隣接した位置にあって、これらの間には間げきが形成されており、前記ＬＥＤチップ３がボンディングされた部分からやや離れた位置に、前記ＬＥＤチップ３に接続された金線４がワイヤボンディングされている様子がみてとれる。
　　
（２）原査定の拒絶の理由に引用した、本願の出願前に頒布された刊行物である登録実用新案第３０３４３６３号公報（以下「刊行物２」という。）には、以下の記載がある。
　
「【請求項１】発光素子（ＬＥＤ）を内蔵した表示灯にあって、発光素子（ＬＥＤ）を配置する筐体の空間を、透明なシリコーン樹脂で封止してなる表示灯。」、
「【考案の詳細な説明】
        【０００１】
    【産業上の利用分野】
  発光素子（ＬＥＤ）を用いた表示灯は、その性能の良さから産業機器用計器の表示板は元より、事務機器、家庭用電気機器、列車の発着時刻表示板に至るあらゆる表示分野に使用されている。  この発光素子（ＬＥＤ）の発する色は、赤、橙、黄、青の４種があり、青色を除く３種は問題無く使用されているが、青色は太陽光の紫外線の影響と発光素子自体が持つ短波長光による影響が原因で、ある時間を経過すると色調に変化が起こるため、実用化が遅れているのが現状である。
  本考案は、この青色発光素子（ＬＥＤ）の実用化に関わるものである。
        【０００２】
      【従来の技術】
  現在、この発光素子（ＬＥＤ）  の封止材には、エポキシ樹脂やポリエステル樹脂など耐熱性樹脂が使われているが、これを青色発光素子（ＬＥＤ）  に用いた場合、発光する青色光線が、ある時間を経ると緑色側に移ると言う経時変化を起こす。
    例えば、  ５ｍｗ  青色発光素子（ＬＥＤ）では、２００時間程度
            １０ｍｗ  青色発光素子（ＬＥＤ）では、  ５０時間程度である。
  この色転移の原因は、封止材の劣化によるものであると判明した。
        【０００３】
    【考案が解決しようとする課題】
  青色発光の色転移の原因を追求すると二つある。
一つは、太陽光の長時間照射を受けることで紫外線が、発光素子（ＬＥＤ）筐体とその封止材を劣化させ、黄変するという現象が起きる、
二つは、発光素子（ＬＥＤ）自体が発する短波長光が、その封止材を光劣化させることである。
  前者は耐光性ガラスまたは耐光性アクリル樹脂を用いることで解決する。  後者について、従来のエポキシ樹脂やポリエステル樹脂に紫外線吸収剤を添加しても、従来の耐久時間を数倍程度引き延ばすにすぎず根本的な解決には至らない。
  従って、素材そのものを検討せねばならなくなった。
        【０００４】
  本考案は、青色発光素子（ＬＥＤ）の封止材として、耐光性、透光性、耐熱性、熱伝導性に優れた透明なシリコーン樹脂および光分散材を配合した透明なシリコーン樹脂を用いた表示灯を提供しようとするものである。
        【０００５】
      【課題を解決するための手段】
  上記目的を達成するための条件として、耐光性、透光性、耐熱性、熱伝導性に加えて、光の分散を促進する素材、石英粉、ガラス粉または有機材が配合可能なこと、かつ、光透過度、光分散度、硬度が自由に調整可能な物質であること、として、この条件を満たす物質を検討した結果、この原料として透明なシリコーン樹脂が適合した。
        【０００６】
      【作  用】
  耐光性ガラス筐体、または耐光性アクリル樹脂は紫外線を吸収する。  封止材としての透明なシリコーン樹脂は、その特性である無色透明、光透過度の良さは、発光する光を最小限の抵抗で拡散させ、発光部の熱滞留を減少させる。  またシリコーン原料は、粘性をもつ配合液とするため、光分散材、熱伝導材の混合が十分に行われる。
        【０００７】
      【実施例】
  透明なシリコーン樹脂原液の作成    原料シリコーンは、例えば、商品名  信越シリコーンＬＴＶ、品番ＫＥ−１０６に触媒を配合した粘性液とする。    この粘度は、例えば５００ＣＰＳとする。
        【０００８】
  光分散材の作成    無機物質は、例えば、石英を１乃至１０ミクロンの粒子に造粒する。
  有機物質は、例えば、ポリエチレンワックスを用いる。
        【０００９】
  光分散材を配合した透明なシリコーン樹脂原液の作成    シリコーン樹脂原液に、石英粉末を、例えば１０％配合したものとする。
        【００１０】
  筐体の作成    耐光性アクリル樹脂を用いた場合は、射出成形とする。
耐光性ガラスを用いた場合は、押し型による加圧成形とする。  加圧成形においては、例えば、所望する形状、取り数の金型を作成する。    この金型には、加熱装置が取り付けられ所望の温度に達した時、所望の温度に加温された耐光性ガラス板を、金型の所定の位置に設置し加圧成形する。  成形後サンドプラストで仕上げ加工により、光分散性を向上させることもできる。
        【００１１】
  発光体の組立    本項については、図面を参照して説明する。  耐光性ガラス筐体（外径４ｍｍ、内径３ｍｍ、高さ５ｍｍ）１  の所定の位置  １−ａに青色発光素子（ＬＥＤ）  ２、３、４、５  を配置した二つの筐体を用意し、その開口部  １−ｂから、    １）透明なシリコーン樹脂原液、粘度５００ＣＰＳに硬化剤を加えたものと、    ２）光分散材を配合した透明なシリコーン樹脂原液、粘度５００ＣＰＳに硬化剤を加えたもの、の二種類をそれぞれの筐体に、０．０３ＣＣ宛注入する。
導電体  ３、４  は、治具で固定し、摂氏６０度の恒温槽で反応させ、組立は完了する。
        【００１２】
      【考案の効果】
  本考案は、上記のとおり構成されているので、次に記載する効果を奏する。
        【００１３】
  請求項１に記載の透明なシリコーン樹脂で、青色発光素子（ＬＥＤ）を筐体に封止し、点灯試験をした結果、実験値で１，０００時間を超えても、透明なシリコーン樹脂に劣化を示す可視できる黄色変化は見られなかった。
        【００１４】
  この透明なシリコーン樹脂の劣化度または耐久性は、その組成と劣化進度から見て、従来のエポキシ樹脂やポリエステル樹脂と比較すると、数百倍の寿命があると判定され、１０，０００時間以上が期待できる。
        【００１５】
  請求項２に記載の光分散材を石英粉末として配合した透明なシリコーン樹脂で青色発光素子（ＬＥＤ）を筐体に封止し、点灯試験を行った結果は、上記【００１２】、  【００１３】に記載の性能と同等であった。」
　
３　引用発明
（１）上記２（１）アによれば、刊行物１には、「絶縁性基板と、該絶縁性基板の表面の両端部に設けられる第１及び第２の端子電極と、前記第１及び第２の端子電極の一方にマウントされ、ｐ側電極及びｎ側電極がそれぞれ前記第１及び第２の端子電極と電気的に接続される発光素子チップと、前記第１及び第２の端子電極の他方にマウントされる保護素子とからなり、該保護素子は、前記発光素子チップに印加され得る少なくとも逆方向電圧に対して前記発光素子チップを保護するように前記第１及び第２の端子電極の間に電気的に接続されるチップ型発光素子。」の発明が記載されているものと認められる。
　
（２）上記２（１）イによれば、上記（１）における「保護素子」は、例えばシリコン半導体からなるツェナーダイオードチップであるものと認められる。
　また、上記２（１）イによれば、上記（１）における「発光素子チップ」の一実施形態は、例えばＬＥＤチップであり、該ＬＥＤチップの「ｎ側電極」と「第１の端子電極」とが金線４により電気的に接続されているものと認められる。
　
（３）上記２（１）ウ及びエによれば、上記（１）における「チップ型発光素子」の一実施形態では、絶縁性基板１０と、その周囲に形成された反射ケース９とが凹部を形成し、該凹部に第１及び第２の端子電極１、２が一部露出し、第１端子電極１の露出した部分にＬＥＤチップ３がマウントされ、第２端子電極２の露出した部分にツェナーダイオードチップ５がマウントされており、前記凹部には、透明または乳白色のエポキシ樹脂などがモールドされて、ＬＥＤチップ３やツェナーダイオードチップ５を被覆する樹脂パッケージ６が形成されているものと認められる。
　
（４）以上によれば、刊行物１には、次の発明が記載されているものと認められる。
　
「絶縁性基板と、該絶縁性基板の表面の両端部に設けられる第１及び第２の端子電極と、前記第１の端子電極にマウントされるＬＥＤチップと、前記第２の端子電極にマウントされるシリコン半導体からなるツェナーダイオードチップとを備え、該ツェナーダイオードチップは、前記ＬＥＤチップに印加され得る少なくとも逆方向電圧に対して前記ＬＥＤチップを保護するように前記第１及び第２の端子電極の間に電気的に接続されるチップ型発光素子であって、前記絶縁性基板と、その周囲に形成された反射ケースとが凹部を形成し、該凹部に前記第１及び第２の端子電極が一部露出し、前記第１端子電極の露出した部分に前記ＬＥＤチップがマウントされ、前記第２端子電極の露出した部分にツェナーダイオードチップがマウントされており、前記ＬＥＤチップのｎ側電極と前記第１の端子電極とは金線により電気的に接続され、前記凹部には、透明または乳白色のエポキシ樹脂などがモールドされて、前記ＬＥＤチップ及び前記ツェナーダイオードチップを被覆する樹脂パッケージが形成されている、チップ型発光素子。」（以下「引用発明」という。）
　
４　対比・判断 
（１）対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
 　 
　ア　引用発明の「第１および第２の端子電極」は、本願発明の「リード」に相当する。
 　 
　イ　引用発明の「ＬＥＤチップ」、「シリコン半導体からなるツェナーダイオードチップ」及び「チップ型発光素子」は、それぞれ、本願発明の「第１の半導体発光素子」、「半導体素子」及び「発光装置」に相当する。
　
　ウ　引用発明の「ＬＥＤチップのｎ側電極と第１の端子電極と」を電気的に接続する「金線」は、本願発明の「第１の半導体発光素子と前記リードとを接続したワイア」に相当する。
　また、引用発明の「ＬＥＤチップ」は、「第１の端子電極にマウントされ」、「前記ＬＥＤチップのｎ側電極」は、前記第１の端子電極と金線で電気的に接続されているから、引用発明は、本願発明の「リードにおいて、前記第１の半導体発光素子がマウントされた部分と前記ワイアが接続された部分とは電気的に連続してな」る構成を備える。
　
　エ　引用発明の「凹部」は、本願発明の「開口部」に相当し、本願発明の「第１の半導体発光素子と半導体素子とを覆うように開口部の中に設けられ、ＪＩＳＡ値の硬度が５０以上のシリコーン樹脂」と、引用発明の「凹部」に形成されている「ＬＥＤチップ及びツェナーダイオードチップを被覆する樹脂パッケージ」とは、「第１の半導体発光素子と半導体素子とを覆うように開口部の中に設けられた樹脂」である点で、一致する。
　
　オ　以上によれば、両者は、
「リードと、
　開口部において、前記リードにマウントされた第１の半導体発光素子と、
　前記開口部において、前記リードにマウントされた半導体素子と、
　前記第１の半導体発光素子と前記リードとを接続したワイアと、
　前記第１の半導体発光素子と前記半導体素子とを覆うように前記開口部の中に設けられた樹脂と、
　を備え、
　前記リードにおいて、前記第１の半導体発光素子がマウントされた部分と前記ワイアが接続された部分とは電気的に連続してなる発光装置。」
である点で一致し、以下の（ア）ないし（ウ）の点で相違するものと認められる。
　
（ア）本願発明は、「リードの少なくとも一部を埋め込んだ樹脂部」を備え、「開口部」が前記「樹脂部」に設けられたのに対して、引用発明は、絶縁性基板の表面の両端部に第１及び第２の端子電極が設けられ、前記絶縁性基板と、その周囲に形成された反射ケースとが凹部を形成し、該凹部に前記第１及び第２の端子電極が一部露出する点（以下「相違点１」という。）。
　
（イ）第１の半導体発光素子と半導体素子とを覆うように前記開口部の中に設けられた樹脂が、本願発明では、ＪＩＳＡ値の硬度が５０以上で、硬化前の粘度が１００ｃｐ以上１００００ｃｐ以下の範囲にあるシリコーン樹脂であるのに対して、引用発明では、透明または乳白色のエポキシ樹脂などである点（以下「相違点２」という。）。
　
（ウ）本願発明は、リードにおいて、第１の半導体発光素子がマウントされた部分とワイアが接続された部分との間に切り欠きが設けられているのに対して、引用発明は、このような構成を有しない点（以下「相違点３」という。）。
　
（２）判断 
　ア　相違点１について
　発光装置において、素子をマウントするリードの一部を樹脂部に埋め込み、該樹脂部に開口部を形成するものは、本願出願前に周知である（例えば、特開平１０−２８４７５９号公報の４頁第６欄２４行〜５頁第７欄１５行及び図２、特開平１０−２９４４９５号公報の【０００２】〜【０００５】及び図４、特開平１１−８７７８０号公報の【０００４】及び図１２、特表平１１−５００５８４号公報の１４頁１０行〜２１行及び図３、特開２０００−１８３４０５号公報の【００１８】〜【００２０】及び図１〜３を参照。）から、引用発明において、「絶縁性基板の表面の両端部に第１及び第２の端子電極が設けられ、前記絶縁性基板と、その周囲に形成された反射ケースとが凹部を形成し、該凹部に前記第１及び第２の端子電極が一部露出する」構成に代えて、素子をマウントするリードの一部を樹脂部に埋め込み、該樹脂部に開口部を形成する構成を採用し、これにより、相違点１に係る本願補正発明の構成とすることは、当業者が設計的に適宜なし得る程度のことである。
               
 イ　相違点２について
（ア）本願発明において、シリコーン樹脂のＪＩＳＡ値の硬度が５０以上であることの技術上の意義について検討する。
　
　ａ　本願明細書には、以下の記載がある。
　「【００６２】
　図１に例示した本実施形態の発光装置は、（１）封止体１１１の材料、（２）開口部１０５の形状、（３）開口部１０５の中のリードやチップの配置、に特徴を有する。
　　【００６３】
　まず、封止体１１１の材料について説明する。　
　本発明においては、開口部１０５内に充填された封止体１１１として、従来の「エポキシ樹脂」の代わりに、「シリコーン樹脂」を用いている。
　　　【００６４】
　すなわち、シリコーン樹脂は、エポキシ樹脂と比較すると、脆性が低く、クラックが生じにくい。また、本発明において用いるシリコーン樹脂は、熱可塑性樹脂などからなる樹脂部１０３との付着強度も強く、耐湿性が高く温度ストレスによるクラックや剥離も少ない。また、シリコーン樹脂を充填することにより周囲の温度変化による発光素子１０６ＡおよびＡｕワイヤ１０９に対する樹脂ストレスを著しく軽減させることができる。さらに、シリコーン樹脂は、エポキシ樹脂と比べると、発光素子１０６Ａなどから照射される光に対する耐光性も強い。
　　　【００６５】
　本発明者は、この観点からさらに検討を進めた結果、シリコーン樹脂の中でも、硬度が高い「ゴム状」のシリコーン樹脂を用いると優れた結果が得られることを見出した。すなわち、シリコーン樹脂としては、通常は、ＪＩＳ規格の硬度であるＪＩＳＡ硬度値がおよそ３０〜４０のものが広く知られている。これは、「ゲル状」に近い物性を有し、物理的に柔らかいものである。以下、このシリコーン樹脂を「ゲル状シリコーン樹脂」と称する。
　　　【００６６】
　これに対して、「ゴム状シリコーン樹脂」は、ＪＩＳＡ硬度がおよそ５０〜９０の範囲にある。ちなみに、従来の発光装置の封止体材料として広く用いられているエポキシ樹脂は、ＪＩＳＡ硬度がおよそ９５前後である。
　　　【００６７】
　本発明者は、「ゴム状シリコーン樹脂」と「ゲル状シリコーン樹脂」とを独自に比較検討した結果、以下の知見を得た。
　　　【００６８】
　（１）図１に例示したような発光装置は、所定領域に半田が被覆された実装基板に対して、リード１０１、１０２の外部に突出した部分（「アウターリード」などと称される）を固定する際に、「リフロー」などと称される半田溶融の工程を経ることが多い。しかし、ゲル状シリコーン樹脂の場合、加熱すると軟化し樹脂部１０３との界面において剥離などが生ずる場合があった。
　　　【００６９】
　これに対して、ゴム状シリコーン樹脂の場合は、このような現象は見られず、１１０℃を越える条件においても、発光装置が安定した動作を示した。
　　　【００７０】
　（２）ゲル状シリコーン樹脂は柔らかいため、発光素子１０６Ａやワイア１０９Ａ、１０９Ｂなどに与えるストレスは小さい反面、外力に対して弱いという欠点を有する。すなわち、図１に例示したような発光装置は、例えば「表面実装型」のランプとして用いられ、アセンブリ装置により実装基板などにマウントされることが多い。この際に、アセンブリ装置の吸着コレットが封止体１１１の表面に圧接される場合が多い。ＪＩＳＡ硬度が３０〜４０のゲル状シリコーン樹脂を用いた場合には、吸着コレットを押し当てることにより、封止体１１１が変形し、これに伴ってワイア１０９Ａ（１０９Ｂ）が変形、断線したり、発光素子１０６Ａ（ダイオード１０９Ｂ）にストレスが与えられる場合がある。
　　　【００７１】
　これに対して、ＪＩＳＡ硬度が５０〜９０のゴム状シリコーン樹脂を用いた場合には、発光装置の選別やアセンブリ時における選別装置やアセンブリ装置によるシリコーン樹脂の変形を防止できる。
　　　【００７２】
　以上（１）及び（２）に説明したように、シリコーン樹脂の中でも、ゴム状シリコーン樹脂を用いることにより、発光特性、信頼性、機械的強度などをさらに改善できる。・・・
　　　【００７５】
　以上説明した知見に基づいて本発明者が行った一実施例によれば、硬化前の粘度が１０００ｃｐで硬化後のＪＩＳＡ硬度値が７０のゴム状シリコーン樹脂を用いて図１の発光装置を試作し、−４０℃〜＋１１０℃の温度範囲で温度サイクル試験を実施したところ、１５００サイクルでも、シリコーン樹脂からなる封止体１１１のクラックや剥離、発光素子１０６Ａ（ダイオード１０９Ｂ）の割れや剥離、ワイア１０９Ａ（１０９Ｂ）の断線などの問題は全く生じなかった。」
　
　ｂ　上記ａによれば、本願明細書には、概略、以下の事項が記載されているものと認められる。
　
（ａ）シリコーン樹脂としては、「ゲル状」に近い物性を有し物理的に柔らかい、ＪＩＳ規格の硬度であるＪＩＳＡ硬度値（以下、単に「硬度」という。）がおよそ３０〜４０の「ゲル状シリコーン樹脂」が広く知られているが、これに対して、「ゴム状シリコーン樹脂」は、硬度がおよそ５０〜９０の範囲にある。
　
（ｂ）図１に例示したような発光装置は、所定領域に半田が被覆された実装基板に対して、リード１０１、１０２の外部に突出した部分（「アウターリード」などと称される）を固定する際に、「リフロー」と称される半田溶融の工程を経ることが多い。しかし、ゲル状シリコーン樹脂の場合、加熱すると軟化し、樹脂部１０３との界面において剥離などが生ずる場合があった。これに対して、ゴム状シリコーン樹脂の場合は、このような現象は見られず、１１０℃を越える条件においても、発光装置が安定した動作を示した。
　
（ｃ）図１に例示したような発光装置は、例えば「表面実装型」のランプとして用いられ、アセンブリ装置により実装基板などにマウントされることが多い。この際に、アセンブリ装置の吸着コレットが封止体１１１の表面に圧接される場合が多い。ＪＩＳＡ硬度が３０〜４０のゲル状シリコーン樹脂を用いた場合には、吸着コレットを押し当てることにより、封止体１１１が変形し、これに伴ってワイア１０９が変形、断線したり、発光素子１０６にストレスが与えられる場合がある。これに対して、ＪＩＳＡ硬度が５０〜９０のゴム状シリコーン樹脂を用いた場合には、発光装置の選別やアセンブリ時における選別装置やアセンブリ装置によるシリコーン樹脂の変形を防止できる。
　
（ｄ）硬化前の粘度が１０００ｃｐで硬化後の硬度が７０のゴム状シリコーン樹脂を用いて図１の発光装置を試作し、−４０℃〜＋１１０℃の温度範囲で温度サイクル試験を実施したところ、１５００サイクルでも、シリコーン樹脂１１１のクラックや剥離、発光素子１０６の割れや剥離、ワイア１０９の断線などの問題は全く生じなかった。
　
　ｃ　上記ｂ（ｄ）のとおり、本願明細書には、硬度が７０のゴム状シリコーン樹脂を用いて図１の発光装置を試作した場合について、−４０℃〜＋１１０℃の温度範囲で温度サイクル試験を実施したところ、１５００サイクルでも、シリコーン樹脂１１１のクラックや剥離、発光素子１０６の割れや剥離、ワイア１０９の断線などの問題は全く生じなかったことが記載されているものの、硬度が７０以外の値のシリコーン樹脂を用いる場合の温度サイクル試験の結果については全く記載されていないから、温度サイクル試験の結果に関し、「シリコーン樹脂の硬度が５０以上」であることに格別の技術的意義があるものと認めることはできない。
　
　ｄ　そして、上記ｂ（ｂ）（ｃ）のとおり、本願明細書には、図１に例示したような発光装置において、硬度がおよそ５０〜９０の範囲にある「ゴム状シリコーン樹脂」を用いると、発光装置を実装基板に対して固定する際の半田溶融の工程において、樹脂部１０３との界面において剥離が生ずる現象はみられず、また、アセンブリ装置により実装基板にマウントする際に、アセンブリ装置の吸着コレットが封止体１１１の表面に圧接されてもシリコーン樹脂の変形を防止できるとの効果を奏することが記載されているものと認められるが、本願発明は、上記１で認定したとおりのものであって、図１に示されるもののように、封止体１１と樹脂部１０３との界面において剥離が生じ得る構成、あるいは、アセンブリ装置により実装基板にマウントする際に、アセンブリ装置の吸着コレットが封止体１１１の表面に圧接される構成に特定されるものではないから、本願発明が、上記の効果を奏するものとは認められない。
　加えて、シリコーン樹脂の硬度が５０以上の範囲と５０未満とで作用効果の差異が生じると認めるに足る具体的な根拠は示されていないから、上記ｂ（ｂ）（ｃ）の記載事項をもって、「シリコーン樹脂の硬度が５０以上」とすることに臨界的意義があるものとは、直ちには認められない。
　
　ｅ　上記ｃ、ｄによれば、本願発明において、シリコーン樹脂の硬度自体を「５０以上」に特定したことにより、格別の技術的意義ないし格別の臨界的意義を生じるものということはできず、上記ｂ（ａ）に照らすと、本願発明において、「シリコーン樹脂の硬度が５０以上」であることが、単に、シリコーン樹脂を、「ゲル状」に近い物性を有するものでない「ゴム状シリコーン樹脂」に特定すること以上の技術上の意義を有するものということはできない。
　
（イ）進んで検討するに、前記２（２）によれば、刊行物２には、発光素子を配置する筐体の空間を封止する樹脂をシリコーン樹脂とすることにより、封止材の劣化を防止する技術が記載されているものと認められる。
　そうすると、引用発明においても、ＬＥＤチップ及び前記ツェナーダイオードチップを被覆する樹脂パッケージ、すなわち、封止材の劣化を防止するために、樹脂パッケージの樹脂をシリコーン樹脂とすることは、当業者が容易になし得る程度のことである。
　
（ウ）ここで、刊行物２には、シリコーン樹脂は硬度が自由に調整可能である旨の記載（【０００５】）があり、また、ＬＥＤチップを透光性のシリコーンゴムないしゴム状シリコーン樹脂で封止することは、本願出願前に周知の技術である（例えば、特開平９−１１４４０１号公報の【００１７】、図２及び図３、特開２０００−２２２１７号公報の【００６１】、特開２０００−３４９３４８号公報の【請求項１０】を参照。）。
　加えて、引用発明において、ＬＥＤチップ及び前記ツェナーダイオードチップを被覆する樹脂が「パッケージ」であることに照らせば、引用発明における「樹脂パッケージ」が一定の形状を保持するようにすることは、当業者が当然考慮する程度の事項というべきであるから、引用発明において、樹脂パッケージの樹脂をシリコーン樹脂とする際に、「ゴム状」のものとすることは、当業者が適宜なし得る程度のことである。
　そして、これにより、前記（ア）ｅの、本願発明における「シリコーン樹脂の硬度が５０以上」であるとすることの技術上の意義と同様の意義を生じるものということができる。
　さらに、前記（ア）ｂ（ａ）に照らすと、ゴム状のシリコーン樹脂を用いれば、その硬度についても、本願発明が規定する「５０以上」程度のものになるものと解するのが相当であるから、結局のところ、引用発明において、「第１の半導体発光素子と半導体素子とを覆うように前記開口部の中に設けられた樹脂が、ＪＩＳＡ値の硬度が５０以上のシリコーン樹脂である」とすることは、当業者が適宜なし得る程度のことというべきである。
　
（エ）さらに、シリコーン樹脂の硬化前の粘度について検討するに、本願明細書には、
「　　　【００７４】
　また、シリコーン樹脂を充填する際には、開口の狭いノズルを通して、樹脂ステム１００の開口部１０５の中に滴下する。しかる後に、硬化させて形成する。この際に、特に硬化前の粘度が１００ｃｐ〜１００００ｃｐのシリコーン樹脂を用いると、発光素子１０６Ａ（ダイオード１０９Ｂ）やワイア１０９Ａ（１０９Ｂ）に過度のストレスを与えることなく、狭い開口部にもくまなく充填でき、また硬化の際の残留ストレスも十分に低い範囲に抑制できることが分かった。
　　　【００７５】
　以上説明した知見に基づいて本発明者が行った一実施例によれば、硬化前の粘度が１０００ｃｐで硬化後のＪＩＳＡ硬度値が７０のゴム状シリコーン樹脂を用いて図１の発光装置を試作し、−４０℃〜＋１１０℃の温度範囲で温度サイクル試験を実施したところ、１５００サイクルでも、シリコーン樹脂からなる封止体１１１のクラックや剥離、発光素子１０６Ａ（ダイオード１０９Ｂ）の割れや剥離、ワイア１０９Ａ（１０９Ｂ）の断線などの問題は全く生じなかった。」
との記載がある。
　
（オ）シリコーン樹脂の硬化前の粘度をどの程度のものとするかは、使用時に必要とされる流動性等に応じて当業者が設計上適宜決定すべき事項であるところ、本願発明が規定する「１００ｃｐ〜１００００ｃｐ」とは相当広い範囲の粘度であって、刊行物２には、硬化前のシリコーン樹脂原液の粘度を、例えば、本願発明で特定される「１００ｃｐ以上１００００ｃｐ以下の範囲」に含まれる「５００ＣＰＳ」とすることが記載されている（【０００７】）ことに照らせば、本願発明において、シリコーン樹脂の硬化前の粘度を「１００ｃｐ以上１００００ｃｐ以下の範囲」にあるとしたことは、通常用いられる程度の粘度を含む相当広い範囲を設計的に適宜定めたにすぎないものであって、上記（エ）の本願明細書の記載をみても、設計的事項以上の格別の技術的意義を生じるものとは認められない。
　
（カ）上記によれば、引用発明において、相違点２に係る本願発明の構成とすることは、刊行物２の記載事項及び周知技術に基づいて、当業者が容易に想到し得たものというべきである。
　
　エ　相違点３について
（ア）前記２（１）オによれば、刊行物１には、ＬＥＤチップ３が第１の端子電極にボンディングされて、該第１の端子電極上にダイボンディング材が流れるとワイヤボンディングをし辛くなったり、ワイヤボンディングをすることができなくなることが記載されていると認められる。
　
（イ）また、前記２（１）カによれば、刊行物１には、次のａ及びｂの技術事項が記載されているものと認められる。
　
　ａ　第１の端子電極１における、ＬＥＤチップ３がボンディングされた部分と、ツエナダイオードチップ５に接続した金線４がワイアボンディングされたパッド部１ａとの間には間げきが形成されていること。
　
　ｂ　第１の端子電極１において、前記ＬＥＤチップ３がボンディングされた部分からやや離れた位置に、前記ＬＥＤチップ３に接続された金線４がワイヤボンディングされていること。
　
（ウ）上記（ア）によれば、第１の端子電極１において、ＬＥＤチップ３がボンディングされた部分と、ツエナダイオードチップ５に接続した金線４がワイアボンディングされたパッド部１ａとの間に間げき（本願発明でいう「切り欠き」に相当するものといえる。）が形成されている（上記（イ）ａ）のは、これらが隣接した位置にあるがゆえに、ＬＥＤチップのダイボンディング材が流れて、ツエナダイオードチップ５に接続した金線４がワイアボンディングをし辛くなったりすることを防止するためであると解することができ、前記ＬＥＤチップ３に接続された金線がワイヤボンディングされている位置は前記ＬＥＤチップ３がボンディングされた部分からやや離れている（上記（イ）ｂ）がゆえに、ダイボンディング材が流れることを防止する必要性が小さく、それらの間に間げきを形成するといった手段がとられていないものと解することができる。
　
（エ）そして、引用発明において、第１の端子電極のどの位置にＬＥＤチップをマウントし、また、ＬＥＤチップと接続する金線を第１の端子電極のどの位置で接続するかは、当業者が設計上適宜定めるべき事項であるところ、上記（ウ）に照らせば、ＬＥＤチップに接続された金線がワイヤボンディングされる位置をＬＥＤチップのマウント位置と近接させる等、設計的に定められる両者の配置関係に応じて、ＬＥＤチップのダイボンディング材が流れることによる問題が生じないように、ＬＥＤチップがマウントされボンディングされた部分と、ワイアが接続された部分との間に切り欠きを設けることは、当業者が適宜なし得る程度のことというべきである。
　よって、引用発明において、相違点３に係る本願発明の構成とすることは、刊行物１の記載事項（上記（ア）（イ））に基づいて当業者が容易に想到し得たものである。
　
　エ　本願発明の効果について
　本願発明が全体として奏する効果についてみても、引用発明において、相違点１ないし３に係る本願補正発明の構成とすることにより当然奏される効果以上の格別顕著なものとは認められない。
　
（３）まとめ
　以上の検討によれば、本願発明は、引用発明、刊行物１並びに刊行物２の記載事項及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（４）請求人の主張について
　なお、請求人は、審判請求の理由において、
「本願の補正後の請求項１に係る発明においては、ひとつのリードに半導体発光素子と半導体素子とをマウントし、このリードに半導体発光素子からワイヤをボンディングし、半導体発光素子及び半導体素子がマウントされた領域と、ワイヤがボンディングされた領域と、の間に切り欠きを設けて分離する、という独特のものです。
　こうすることにより、ワイヤのボンディング領域は、半導体発光素子からも半導体素子からも保護され、常に確実且つ容易にボンディングすることができます。」
と主張する（平成２０年４月７日付け手続補正書（方式）４頁５行〜１０行）ので、以下に検討して付言する。
　
　ア　本願明細書及び図面においては、例えば図１におけるリード１０１、１０２のように、すべての実施形態を通じて、「リード」を二つ備えるものとして説明されている（なお、半導体発光素子を備える発光装置は、一般に、リードを二つ備えるものである。）。
　
　イ　本願発明は、前記１のとおり、
「リードと、
　前記リードの少なくとも一部を埋め込んだ樹脂部と、
　前記樹脂部に設けられた開口部において、前記リードにマウントされた第１の半導体発光素子と、
　前記開口部において、前記リードにマウントされた半導体素子と、
　前記第１の半導体発光素子と前記リードとを接続したワイアと、
　前記第１の半導体発光素子と前記半導体素子とを覆うように前記開口部の中に設けられ、ＪＩＳＡ値の硬度が５０以上のシリコーン樹脂と、
　を備え、
　前記シリコーン樹脂は、硬化前の粘度が１００ｃｐ以上１００００ｃｐ以下の範囲にあり、
　前記リードにおいて、前記第１の半導体発光素子がマウントされた部分と前記ワイアが接続された部分とは電気的に連続してなり、前記第１の半導体発光素子がマウントされた前記部分と前記ワイアが接続された前記部分との間に切り欠きが設けられたことを特徴とする発光装置。」
であるところ、上記アに照らせば、本願発明の冒頭でいう、「リード」は、例えば図１におけるリード１０１、１０２のように、二つの「リード」を意味するものと解される。
　
　ウ　そして、「前記リードにマウントされた第１の半導体発光素子」の「前記リード」とは、二つの「リード」のどちらか一方と解され、同様に「前記リードにマウントされた半導体素子」の「前記リード」も、二つの「リード」のどちらか一方と解されるところ、本願発明において、「半導体発光素子と半導体素子が一つのリードにマウントされる」こと、さらには、「半導体発光素子及び半導体素子がマウントされた領域と、ワイヤがボンディングされた領域と、の間に切り欠きを設けて分離する」ことを明示的に特定するところはない。
　
　エ　さらに、本願発明で特定される、「前記第１の半導体発光素子がマウントされた部分と前記ワイアが接続された部分とは電気的に連続してなり、前記第１の半導体発光素子がマウントされた前記部分と前記ワイアが接続された前記部分との間に切り欠きが設けられた」実施形態についてみても、図７、図９〜１１のとおり、半導体発光素子と半導体素子とが別々の「リード」にマウントされるものと、図１３、１５のとおり、半導体発光素子と半導体素子とが同一の「リード」にマウントされるものとがあることからすると、本願発明を、「一つのリードに半導体発光素子と半導体素子とをマウント」したものに特定して解する余地はない。
　
　オ　よって、請求人の上記主張は、本願発明の構成に基づかないものである。
　
　カ　なお、仮に、「一つのリードに半導体発光素子と半導体素子とをマウント」したものと解して、これを、引用発明との相違点としてみても、刊行物１には、「一方、チップ型発光素子は、縦×横が１.６ｍｍ×２.５ｍｍ〜０.８ｍｍ×１.６ｍｍ程度と非常に小形で、ダイオードなどを外付きで付属させるのは難しく、内蔵するにも横に並べて配置すると基板の横幅を大きくしなければならず、
また一方の端子電極に縦に並べて配置する
　
　キ　以上のとおりであるから、請求人の上記主張は、採用できない。
　
５　むすび 
　以上のとおり、本願発明は、引用発明、刊行物１並びに刊行物２の記載事項及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。