【手続補正書】
【提出日】平成27年9月14日(2015.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスクを照明し、投影光学系を用いて前記マスクのパターンの像を基板に投影して前記基板を露光する露光装置に用いられる前記マスクのデータをコンピュータを用いて作成する作成方法であって、
単一セルのパターンの像を基板上のレジストに投影して前記レジストを現像した後に前記基板上に形成されるパターンの評価値が目標値に近づくように補正された前記単一セルの第１補正パターンのデータを、複数のセルのそれぞれについて取得する工程と、
前記単一セルの第１補正パターンの前記投影光学系による投影像を評価して得られる第１評価値を、前記複数のセルのそれぞれについて取得する工程と、
前記複数のセルを隣接させた場合に、前記複数のセルの第１補正パターンの前記投影光学系による投影像を評価して得られる第２評価値を計算する工程と、
前記第２評価値が前記第１評価値に近づくように、隣接された前記複数のセルの第１補正パターンを補正して第２補正パターンを作成する工程と、
隣接された前記複数のセルの前記第２補正パターンを含む前記マスクのデータを作成する工程とを有することを特徴とする作成方法。
【請求項２】
前記複数のセルは、各セルのパターンが互いに異なるセルであることを特徴とする請求項１に記載の作成方法。
【請求項３】
前記複数のセルは、所定の距離より短い距離だけ離して隣接させた場合に前記第１補正パターンの投影像の一部が繋がるパターンを含み、
前記複数のセルを、前記第１補正パターンの投影像の一部が繋がらないように隣接させることを特徴とする請求項１又は２に記載の作成方法。
【請求項４】
前記マスクを照明する照明光の波長をλ、前記投影光学系の開口数をＮＡとした場合に、前記所定の距離は０．３６×λ／ＮＡであることを特徴とする請求項３に記載の作成方法。
【請求項５】
前記複数のセルを前記所定の距離だけ離して隣接させることを特徴とする請求項３又は４に記載の作成方法。
【請求項６】
前記第１評価値および前記第２評価値はパターンの寸法であって、
前記第１補正パターンの寸法を単位量だけ変更した場合の前記第１補正パターンの前記投影像の寸法の変化量を計算し、前記変化量および前記第１評価値と前記第２評価値との差分を用いて前記第１補正パターンを補正することを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の作成方法。
【請求項７】
前記第１補正パターンは複数のパターン要素を含み、
前記パターン要素ごとに前記変化量を計算することを特徴とする請求項６に記載の作成方法。
【請求項８】
前記投影光学系による投影像として、前記投影像を距離についてのガウス関数で畳み込み積分して得られる像を用いることを特徴とする請求項１乃至７の何れか１項に記載の作成方法。
【請求項９】
請求項１乃至８の何れか１項に記載の作成方法をコンピュータに実行させるプログラム。
【請求項１０】
請求項１乃至８の何れか１項に記載の作成方法を実行する情報処理装置又は情報処理システム。
【請求項１１】
請求項１乃至８の何れか１項に記載の作成方法によりマスクのデータを作成するステップと、
作成されたマスクのデータを用いて前記マスクを製造するステップとを有することを特徴とするマスク製造方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載のマスク製造方法によりマスクを製造するステップと、
製造されたマスクを用いて、前記マスクのパターンの像を基板に露光するステップとを有することを特徴とする露光方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の露光方法により基板を露光するステップと、
露光された基板を現像するステップとを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】マスクデータの作成方法、プログラム、情報処理装置、マスク製造方法、露光方法及びデバイス製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、マスクデータの作成方法、プログラム、情報処理装置、マスク製造方法、露光方法及びデバイス製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
（実施形態１）
以下、本発明の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。本実施形態では、光源からの光を用いて照明光学系によりマスク（レチクル）を照明し、投影光学系を用いてマスクのパターンの像をウエハ上（基板上）に投影して基板を露光する露光装置に用いられるマスクのデータを作成する。本発明は、ＩＣ、ＬＳＩなどの半導体チップ、液晶パネルなどの表示素子、磁気ヘッドなどの検出素子、ＣＣＤなどの撮像素子等の各種デバイスの製造やマイクロメカトロニクスで用いられるマスクのパターンのデータを作成するために適用することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
図２（ａ）は、セルＡのパターンを説明するための図である。図２（ｂ）は、セルＢのパターンを説明するための図である。セルＡは矩形状ホールのパターンＡ１−１とＡ４−１を有する。セルＢは矩形状ホールのパターンＢ１−１〜Ｂ４−１を有する。各ホール（パターン要素）は、ラインアンドスペースパターンと重なった部分でパターンを切断するために用いられる。各ホールの矩形内の円はホールパターンの投影像（光学像）の輪郭であり、輪郭上にある黒丸同士の間隔は投影像のＹ方向（縦方向）の寸法（ＣＤ）を示す。本実施形態では、各ホールのＹ方向の寸法の目標値を７０ｎｍに設定している。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
表１から、各ホールのレジスト像の寸法が目標値に近くなっており、プロセス近接効果補正が正しく行われたことが分かる。このように補正された第１補正パターンを有する各セルは、コンピュータのメモリなどの記憶部にライブラリとして保存される。ユーザーは、ライブラリの中から、マスクのパターンを作成するために使用するセルを選択する。そして、コンピュータは、ライブラリに保存された複数のセルの中から選択されたセルのデータを記憶部から呼び出して、セルの第１補正パターンのデータを取得する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
このように、第２評価値が第１評価値に近づくように、隣接された複数のセルの第１補正パターンを補正すれば、第２補正パターンの投影像が、単一セルの場合の第１補正パターンの投影像と同様になる。そのため、第２補正パターンのレジスト像が、単一セルの場合の第１補正パターンのレジスト像の寸法ＣＤＲ１と同様になることが予想される。したがって、投影像のみの計算によって求めた第２補正パターンには、現像のプロセスの影響を考慮した補正分が加味されており、第２補正パターンを用いることで目標値に近いパターンをウエハ上に形成することができる。また、第１補正パターンを補正して第２補正パターンを作成する際に、レジスト像の計算を行わず投影像の計算だけで済むため、計算時間を短縮することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
Ｓ２０５では、セルＡとセルＢとを隣接配置させた場合において、第１補正パターンの寸法の変動に対する投影像の寸法の変化量を算出する。まず、図３のＡ１−１の縦寸法が７０ｎｍとなるように、ウエハ上の寸法を計算する際の露光量を決定する。そして、決定された露光量の条件下で、Ａ４−１からＢ４−１のホールの寸法をホール毎に、１ｎｍ（単位量）大きくした時の投影像の寸法の変化量（変化率）ΔＣＤＯを計算する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
また、本実施形態で作成したマスクパターンを用いて算出した、各ホールの投影像の寸法ＣＤＯ４と、ＣＤＯ１及びＣＤＯ２との比較を行った所、その結果は図８のようになった。図８より、ＣＤＯ１とＣＤＯ２の寸法（ＣＤ）差のＲＭＳ値が２．９０ｎｍであるのに対し、ＣＤＯ１とＣＤＯ４のＣＤ差のＲＭＳ値は０．６０ｎｍであることが分かった。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
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