(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体ブロックの内部に複数の共振器孔を設け、該共振器孔の内周面に内導体を形成し、誘電体ブロックの外面に外導体を形成してなる誘電体フィルタにおいて、
前記共振器孔のうち少なくとも１つの共振器孔が大径孔部とこの大径孔部に連通した小径孔部とを有し、前記大径孔部の軸と前記小径孔部の軸をずらせて屈曲形状とし、前記大径孔部の半径Ｒと、前記小径孔部の半径ｒと、前記大径孔部の軸と前記小径孔部の軸のずれ距離Ｐとが、関係式Ｒ−ｒ＜Ｐ＜Ｒ＋ｒを満足していることを特徴とする誘電体フィルタ。
【請求項２】
前記屈曲形状の共振器孔を複数隣り合わせて形成し、この隣り合う共振器孔の小径孔部相互間の軸間距離が大径孔部相互間の軸間距離より大きいことを特徴とする請求項１記載の誘電体フィルタ。
【請求項３】
前記屈曲形状の共振器孔を複数隣り合わせて形成し、この隣り合う共振器孔の小径孔部相互間の軸間距離が大径孔部相互間の軸間距離より小さいことを特徴とする請求項１記載の誘電体フィルタ。
【請求項４】
前記屈曲形状の共振器孔を複数隣り合わせて形成し、この隣り合う共振器孔の小径孔部相互間の軸間距離が大径孔部相互間の軸間距離と等しいことを特徴とする請求項１記載の誘電体フィルタ。
【請求項５】
誘電体ブロックの内部に複数の共振器孔を設け、該共振器孔の内周面に内導体を形成し、誘電体ブロックの外面に外導体を形成してなる誘電体デュプレクサにおいて、
前記共振器孔のうち少なくとも１つの共振器孔が大径孔部とこの大径孔部に連通した小径孔部とを有し、前記大径孔部の軸と前記小径孔部の軸をずらせて屈曲形状とし、前記大径孔部の半径Ｒと、前記小径孔部の半径ｒと、前記大径孔部の軸と前記小径孔部の軸のずれ距離Ｐとが、関係式Ｒ−ｒ＜Ｐ＜Ｒ＋ｒを満足していることを特徴とする誘電体デュプレクサ。
【請求項６】
前記屈曲形状の共振器孔を複数隣り合わせて形成し、この隣り合う共振器孔の小径孔部相互間の軸間距離が大径孔部相互間の軸間距離より大きいことを特徴とする請求項５記載の誘電体デュプレクサ。
【請求項７】
前記屈曲形状の共振器孔を複数隣り合わせて形成し、この隣り合う共振器孔の小径孔部相互間の軸間距離が大径孔部相互間の軸間距離より小さいことを特徴とする請求項５記載の誘電体デュプレクサ。
【請求項８】
前記屈曲形状の共振器孔を複数隣り合わせて形成し、この隣り合う共振器孔の小径孔部相互間の軸間距離が大径孔部相互間の軸間距離と等しいことを特徴とする請求項５記載の誘電体デュプレクサ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、誘電体フィルタ及び誘電体デュプレクサ、特に、誘電体ブロックに複数の誘電体共振器を設けた誘電体フィルタ及び誘電体デュプレクサに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、例えば誘電体ブロックに複数の誘電体共振器を設けた誘電体フィルタとして、図１８に示すものが知られている。この誘電体フィルタは、誘電体ブロック３１の対向する面３１ａ，３１ｂを貫通して２つの共振器孔３２ａ，３２ｂを設けたものである。それぞれの共振器孔３２ａ，３２ｂは、大径孔部４２ａ，４２ｂと、その大径孔部４２ａ，４２ｂに連通した小径孔部４３ａ，４３ｂとを有している。小径孔部４３ａ，４３ｂの軸は、それぞれ大径孔部４２ａ，４２ｂの軸に対して偏心してずれている。すなわち、大径孔部４２ａ，４２ｂの半径をＲ、小径孔部４３ａ，４３ｂの半径をｒ、大径孔部４２ａ，４２ｂの軸と小径孔部４３ａ，４３ｂの軸相互のずれ距離をＰ（図１９参照）とすると、０＜Ｐ＜Ｒ−ｒの範囲で、大径孔部４２ａ，４２ｂの軸に対して小径孔部４３ａ，４３ｂの軸が偏心している。
【０００３】
誘電体ブロック３１の外面の略全面には外導体３４が形成されている。１対の入出力電極３５は、この外導体３４に対して所定の間隔を確保して、外導体３４に非導通の状態で誘電体ブロック３１の外面に形成されている。共振器孔３２ａ，３２ｂの略内周全面には内導体３３が形成されており、大径孔部４２ａ，４２ｂの開口部に延在している外導体３４との間にギャップ３８を設けている。
【０００４】
以上の構成からなる誘電体フィルタにおいて、図１９に示すように、小径孔部４３ａと４３ｂ間の軸間距離ｄ１を、大径孔部４２ａと４２ｂ間の軸間距離ｄ２より広くすると、共振器孔３２ａと３２ｂ間の電磁界結合は容量性結合となる。逆に、小径孔部４３ａと４３ｂ間の軸間距離ｄ１を、大径孔部４２ａと４２ｂ間の軸間距離ｄ２より狭くすると、共振器孔３２ａと３２ｂ間の電磁界結合は、誘導性結合となる。そして、小径孔部４３ａと４３ｂ間の軸間距離ｄ１を変えることにより、共振器孔３２ａと３２ｂ間の電磁界結合度を所望の強さに設定していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の誘電体フィルタにおいては、小径孔部４３ａ，４３ｂの軸が大径孔部４２ａ，４２ｂの軸に対して、０＜Ｐ＜Ｒ−ｒの範囲でしか偏心していなかったので、小径孔部４３ａと４３ｂ間の軸間距離ｄ１を変化させることができる範囲が狭かった。そのため、隣り合う共振器孔３２ａと３２ｂ間の電磁界結合度の強さを、広い範囲で設定することができなかった。従って、隣り合う共振器孔３２ａと３２ｂ間に強い電磁界結合が必要とされる場合には、誘電体ブロック３１の外形形状や寸法を変えなければならないこともあった。
【０００６】
そこで、本発明の目的は、誘電体ブロックの外形形状や寸法を変えることなく、隣り合う共振器孔間に強い電磁界結合を設定することができる誘電体フィルタや誘電体デュプレクサを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
以上の目的を達成するため、本発明に係る誘電体フィルタあるいは誘電体デュプレクサは、共振器孔のうち少なくとも１つの共振器孔が大径孔部とこの大径孔部に連通した小径孔部とを有し、前記大径孔部の軸と前記小径孔部の軸をずらせて屈曲形状とし、前記大径孔部の半径Ｒと、前記小径孔部の半径ｒと、前記大径孔部の軸と前記小径孔部の軸のずれ距離Ｐとが、関係式Ｒ−ｒ＜Ｐ＜Ｒ＋ｒを満足していることを特徴とする。具体的には、例えば、屈曲形状の共振器孔を複数隣り合わせて形成し、この隣り合う共振器孔の小径孔部相互間の軸間距離を大径孔部相互間の軸間距離より小さくしたり、あるいは大きくしたり、あるいは等しくしたりしている。
【０００８】
【作用】
以上の構成により、小径孔部相互間の軸間距離、あるいは大径孔部相互間の軸間距離を変化させることができる範囲が従来の誘電体フィルタや誘電体デュプレクサと比較して広くなる。従って、隣り合う共振器孔相互間に強い電磁界結合が必要とされる場合であっても、誘電体ブロックの外形形状や寸法を変えなくてすむ。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る誘電体フィルタ及び誘電体デュプレクサの実施形態について添付図面を参照して説明する。
【００１０】
［第１実施形態、図１〜図３］
第１実施形態に係る誘電体フィルタは、図１に示すように、誘電体ブロック１の対向する面１ａ，１ｂを貫通して二つの共振器孔２ａ，２ｂを形成している。それぞれの共振器孔２ａ，２ｂは、横断面円形の大径孔部２２ａ，２２ｂと、その大径孔部２２ａ，２２ｂに連通した横断面円形の小径孔部２３ａ，２３ｂとを有している。小径孔部２３ａと２３ｂは相互に遠ざかるように形成されている。すなわち、小径孔部２３ａ，２３ｂの軸は、それぞれ大径孔部２２ａ，２２ｂの軸に対して偏心してずれている。大径孔部２２ａ，２２ｂの半径をＲ、小径孔部２３ａ，２３ｂの半径をｒ、大径孔部２２ａ，２２ｂの軸と小径孔部２３ａ，２３ｂの軸相互のずれ距離をＰ（図２参照）とすると、関係式Ｒ−ｒ＜Ｐ＜Ｒ＋ｒを満足する範囲で、大径孔部２２ａ，２２ｂの軸を基準にして小径孔部２３ａ，２３ｂの軸を偏心させている。従って、共振器孔２ａ，２ｂは屈曲した形状を成している。小径孔部２３ａと２３ｂ間の軸間距離ｄ１は、大径孔部２２ａと２２ｂ間の軸間距離ｄ２より広く、図１５に示した従来の誘電体フィルタの小径孔部相互間の軸間距離と比較して広く設定されている。
【００１１】
誘電体ブロック１の外面には、外導体４と一対の入出力電極５が形成されている。一対の入出力電極５は外導体４に対して所定の間隔を確保して、外導体４に非導通の状態で形成されている。外導体４は、入出力電極５の形成領域と大径孔部２２ａ，２２ｂの開口側面１ａ（以下、開放側端面１ａと記す）を残して外面の略全面に形成されている。共振器孔２ａ，２ｂの内周全面には内導体３が形成されている。内導体３は、開放側端面１ａでは外導体４から電気的に開放（分離）され、小径孔部２３ａ，２３ｂの開口側面１ｂ（以下、短絡側端面１ｂと記す）では、外導体４に電気的に短絡（導通）されている。さらに、各共振器孔２ａ，２ｂの軸方向の長さはλ／４（λは共振器孔２ａ，２ｂ毎に形成される共振器の中心波長）に設定されている。そして、共振器孔２ａ，２ｂのそれぞれの内導体３と入出力電極５との間には、外部結合容量が生じている。
【００１２】
この構成の誘電体フィルタにおいて、開放側端面１ａ側では、共振器孔２ａ，２ｂの大径孔部２２ａと２２ｂ間の軸間距離ｄ２を固定しているので、両共振器孔２ａと２ｂ間の結合に関わる電界エネルギーの割合はほとんど変化しない。しかし、短絡側端面１ｂ側では、小径孔部２３ａと２３ｂ間の軸間距離ｄ１を、大径孔部２２ａと２２ｂの間の軸間距離ｄ２より広く設定しているため、結合に関わる磁界エネルギーの割合が減少し、容量性結合の度合いが強くなる。しかも、小径孔部２３ａと２３ｂ間の軸間距離ｄ１を、図１５に示した従来の誘電体フィルタと比較してさらに広くしているため、強い容量性結合が得られ、共振器孔２ａ，２ｂ毎に形成される二つの共振器間は、強い容量性結合で結合されることになる。従って、誘電体ブロック１の外形形状や寸法を変えることなく、より強い容量性結合を有する誘電体フィルタを得ることができる。
【００１３】
さらに、一般に、複数の誘電体共振器を結合した誘電体フィルタにおいて、隣り合う共振器間の結合が容量性結合の場合は、通過帯域の低域側に一つの減衰極ＧＬが得られる。この低域側の減衰域ＧＬは、容量性結合が強くなるにつれて低周波側に移動する。従って、図３に示すように、第１実施形態の誘電体フィルタの低域側の減衰極ＧＬ（実線１１参照）は、図１５に示した従来の誘電体フィルタの低域側の減衰極ＧＬ（点線１２参照）より低周波側に形成され、第１実施形態の誘電体フィルタの通過帯域の広帯域化を図ることができる。
【００１４】
［第２実施形態、図４及び図５］
図４に示すように、第２実施形態の誘電体フィルタは、小径孔部２３ａと２３ｂ間の軸間距離ｄ１が、大径孔部２２ａと２２ｂ間の軸間距離ｄ２より狭く、かつ、従来の誘電体フィルタの小径孔部相互間の軸間距離と比較して狭く設定されていることを残して、前記第１実施形態の誘電体フィルタと同様の構造を有している。
【００１５】
この構成の誘電体フィルタにおいて、開放側端面１ａ側では、共振器孔２ａ，２ｂの大径孔部２２ａと２２ｂ間の軸間距離ｄ２を固定しているので、両共振器孔２ａと２ｂ間の結合に関わる電界エネルギーの割合はほとんど変化しない。しかし、短絡側端面１ｂ側では、小径孔部２３ａと２３ｂ間の軸間距離ｄ１を、大径孔部２２ａと２２ｂ間の軸間距離ｄ２より狭く設定しているため、結合に関わる磁界エネルギーの割合が増加し、誘導性結合の度合いが強くなる。しかも、小径孔部２３ａと２３ｂ間の軸間距離ｄ１を、従来の誘電体フィルタと比較してさらに狭くしているため、強い誘導性結合が得られ、共振器孔２ａ，２ｂ毎に形成される二つの共振器間は強い誘導性結合で結合されることになる。従って、誘電体ブロック１の外形形状や寸法を変えることなく、より強い誘導性結合を有する誘電体フィルタを得ることができる。
【００１６】
さらに、一般に複数の誘電体共振器を結合した誘電体フィルタにおいて、隣り合う共振器間の結合が誘導性結合の場合は、通過帯域の高域側に一つの減衰極ＧＨが得られる。この高域側の減衰極ＧＨは、誘導性結合が強くなるにつれて高周波側に移動する。従って、図５に示すように、第２実施形態の誘電体フィルタの高域側の減衰極ＧＨ（実線１３参照）は、従来の誘電体フィルタの高域側の減衰極ＧＨ（点線１４参照）より高周波側に形成され、第２実施形態の誘電体フィルタの通過帯域の広帯域化を図ることができる。
【００１７】
［第３実施形態、図６］
図６に示すように、第３実施形態の誘電体フィルタは、小径孔部２３ａと２３ｂ間の軸間距離ｄ１が、大径孔部２２ａと２２ｂ間の軸間距離ｄ２と等しくなるように設定されていることを残して、前記第１実施形態の誘電体フィルタと同様の構造を有している。この誘電体フィルタは、電磁界結合度の設計自由度を高めることができる。
【００１８】
［第４実施形態、図７及び図８］
図７に示すように、第４実施形態の誘電体フィルタは、誘電体ブロック１の開放側端面１ａと短絡側端面１ｂとを貫通して三つの共振器孔２ａ，２ｂ，２ｃを一列状に設けている。それぞれの共振器孔２ａ，２ｂ，２ｃは横断面円形の大径孔部２２ａ，２２ｂ，２２ｃと、その大径孔部２２ａ，２２ｂ，２２ｃに連通した横断面円形の小径孔部２３ａ，２３ｂ，２３ｃを有している。小径孔部２３ａ，２３ｂ，２３ｃの軸は、それぞれ大径孔部２２ａ，２２ｂ，２２ｃの軸に対して偏心してずれている。すなわち、大径孔部２２ａ，２２ｂ，２２ｃの半径をＲ、小径孔部２３ａ，２３ｂ，２３ｃの半径をｒ、大径孔部２２ａ，２２ｂ，２２ｃの軸と小径孔部２３ａ，２３ｂ，２３ｃの軸相互のずれ距離をＰ（図８参照）とすると、関係式Ｒ−ｒ＜Ｐ＜Ｒ＋ｒを満足する範囲で、大径孔部２２ａ，２２ｂ，２２ｃの軸を基準にして小径孔部２３ａ，２３ｂ，２３ｃの軸を偏心させている。従って、共振器孔２ａ，２ｂ，２ｃは屈曲した形状を成している。
【００１９】
図８に示すように、小径孔部２３ａと２３ｃ間の軸間距離ｄ３は、大径孔部２２ａと２２ｃ間の軸間距離ｄ４より狭く、かつ、従来の誘電体フィルタの小径孔部相互間の軸間距離と比較して狭く設定されている。小径孔部２３ｂと２３ｃ間の軸間距離ｄ５は、大径孔部２２ｂと２２ｃ間の軸間距離ｄ６より広く、かつ、従来と比較して広く設定されている。
【００２０】
この構成の誘電体フィルタにおいて、共振器孔２ａ，２ｃで形成される二つの共振器間の結合は強い誘導性結合となり、共振器孔２ｂ，２ｃで形成される共振器間の結合は強い容量性結合となる。従って、このフィルタの減衰特性は図９に示すように、通過帯域の高域側、低域側にそれぞれ一つの減衰極ＧＬ，ＧＨが形成されたものとなる。小径孔部２３ａと２３ｃ間の軸間距離ｄ３をさらに狭め、かつ小径孔部２３ｂと２３ｃ間の軸間距離ｄ５をさらに広げれば通過帯域の幅がさらに広がる。
【００２１】
［第５実施形態、図１０〜図１２］
第５実施形態は自動車電話、携帯電話等の移動通信機器に使用される誘電体デュプレクサについて説明する。図１０は端面５１ａ側から見た誘電体デュプレクサの外観斜視図であり、実装面（底面）５１ｃを上にして示している。図１１は端面５１ｂ側から見た誘電体デュプレクサの背面図であり、実装面５１ｃを下にして示している。図１２は図１１に示された誘電体デュプレクサの平面図である。
【００２２】
この誘電体デュプレクサは、略直方体形状の誘電体ブロック５１の対向する一対の端面５１ａ，５１ｂを貫通して、七つの共振器孔５２ａ〜５２ｇが一列状に形成されている。共振器孔５２ａと５２ｂの間、共振器孔５２ｃと５２ｄの間、及び共振器孔５２ｆと５２ｇの間には、それぞれ外部結合孔５５ａ，５５ｂ，５５ｃ及びグランド孔５６ａ，５６ｂ，５６ｃが形成されている。
【００２３】
それぞれの共振器孔５２ａ〜５２ｇは、横断面円形の大径孔部６２ａ〜６２ｇと、その大径孔部６２ａ〜６２ｇに連通した横断面円形の小径孔部６３ａ〜６３ｇとを有している。小径孔部６３ｃ〜６３ｆの軸は、それぞれ大径孔部６２ｃ〜６２ｆの軸に対して偏心してずれている。すなわち、各大径孔部６２ｃ〜６２ｆの半径をＲ、各小径孔部６３ｃ〜６３ｆの半径をｒ，各大径孔部６２ｃ〜６２ｆの軸と各小径孔部６３ｃ〜６３ｆの軸相互のずれ距離をＰ（図１２参照）とすると、関係式Ｒ−ｒ＜Ｐ＜Ｐ＋ｒを満足する範囲で、大径孔部６２ｃ〜６２ｆの軸を基準にして小径孔部６３ｃ〜６３ｆの軸を偏心させている。従って、共振器孔５２ｃ〜５２ｆは屈曲した形状を成している。
【００２４】
図１２に示すように、小径孔部６３ｂと６３ｃ間の軸間距離ｄ１１は、大径孔部６２ｂと６２ｃ間の軸間距離ｄ１４より狭く、かつ、従来の誘電体デュプレクサの小径孔部相互間の軸間距離と比較して狭く設定されている。小径孔部６３ｄと６３ｅ間の軸間距離ｄ１２は、大径孔部６２ｄと６２ｅ間の軸間距離ｄ１５より広く、かつ、従来と比較して広く設定されている。小径孔部６３ｅと６３ｆ間の軸間距離ｄ１３は、大径孔部６２ｅと６２ｆ間の軸間距離ｄ１６と等しく、かつ、従来と等しい軸間距離に設定されている。
【００２５】
誘電体ブロック５１の外面の略全面には、外導体５４が形成されている。入出力電極である送信側電極Ｔｘ，受信側電極Ｒｘ及びアンテナ電極ＡＮＴは、外導体５４に対して所定の間隔を確保して外導体５４に非導通の状態で、実装面５１ｃから端面５１ｂに渡って誘電体ブロック５１に形成されている。
【００２６】
各共振器孔５２ａ〜５２ｇの略内周全面には内導体５３（図１０参照）が形成されており、大径孔部６２ａ〜６２ｇの開口部に延在している外導体５４との間にギャップ５８を設けている。このギャップ５８が設けられている大径孔部６２ａ〜６２ｇの開口側の端面５１ａが開放側端面であり、小径孔部６３ａ〜６３ｇの開口側の端面５１ｂが短絡側端面である。内導体５３は、開放側端面５１ａでは外導体５４から電気的に開放（分離）され、短絡側端面５１ｂでは外導体５４に電気的に短絡（導通）されている。さらに、各共振器孔５２ａ〜５２ｇの軸方向の長さはλ／４（λは共振器孔５２ａ〜５２ｇ毎に形成される共振器の中心波長）に設定されている。
【００２７】
外部結合孔５５ａ，５５ｂ，５５ｃ及びグランド孔５６ａ，５６ｂ，５６ｃの内周全面には、それぞれ内導体５３が形成されている。外部結合孔５５ａ，５５ｂ，５５ｃは、それぞれ送信側電極Ｔｘ，アンテナ電極ＡＮＴ，受信側電極Ｒｘに導通している。すなわち、外部結合孔５５ａ〜５５ｃのそれぞれの内導体５３は、開放側端面５１ａでは外導体５４と電気的に導通し、短絡側端面５１ｂでは外導体５４と電気的に分離している。
【００２８】
一方、グランド孔５６ａ〜５６ｃは、各外部結合孔５５ａ〜５５ｃの近傍に、外部結合孔５５ａ〜５５ｃに対して平行に設けられ、それぞれの内導体５３は開放側端面５１ａ及び短絡側端面５１ｂで外導体５４と電気的に導通している。このグランド孔５６ａ〜５６ｃの形成位置，形状，内寸（大きさ）を変えることにより、外部結合孔５５ａ〜５５ｃの自己容量を増減することができるので、外部結合を変えることができ、より適切な外部結合を設定することができる。外部結合孔５５ａ〜５５ｃの自己容量とは、外部結合孔５５ａ〜５５ｃの内導体５３とグランド導体（外導体５４及びグランド孔５６ａ〜５６ｃの内導体５３）間に発生する容量である。
【００２９】
この誘電体デュプレクサは、共振器孔５２ｂ，５２ｃで形成される二つの共振器からなる送信フィルタ（帯域通過フィルタ）と、共振器孔５２ｄ，５２ｅ，５２ｆで形成される三つの共振器からなる受信フィルタ（帯域通過フィルタ）と、両側の共振器孔５２ａ，５２ｇで形成される各共振器で形成される二つのトラップ（帯域阻止フィルタ）とで構成されている。外部結合孔５５ａとこれに隣り合う共振器孔５２ａ，５２ｂ、外部結合孔５５ｂとこれに隣り合う共振器孔５２ｃ，５２ｄ、及び外部結合孔５５ｃとこれに隣り合う共振器孔５２ｆ，５２ｇはそれぞれ電磁界結合され、この電磁界結合により外部結合を得ている。
【００３０】
以上の構成からなる誘電体デュプレクサは、図示しない送信回路系から送信側電極Ｔｘに入った送信信号を共振器孔５２ｂ，５２ｃからなる送信フィルタを介してアンテナ電極ＡＮＴから出力すると共に、アンテナ電極ＡＮＴから入った受信信号を共振器孔５２ｄ，５２ｅ，５２ｆからなる受信フィルタを介して受信側電極Ｒｘから図示しない受信回路系に出力する。そして、共振器孔５２ｂ，５２ｃで形成される二つの共振器間の結合は強い誘導性結合となり、共振器孔５２ｄ，５２ｅで形成される二つの共振器間の結合は強い容量性結合となる。従って、誘電体ブロック５１の外形形状や寸法を変えることなく、より強い容量性結合や誘導性結合を有する誘電体デュプレクサを得ることができる。
【００３１】
さらに、共振器孔５２ｅ，５２ｆの小径孔部６３ｅと６３ｆ間の軸間距離ｄ１３が、大径孔部６２ｅと６２ｆ間の軸間距離ｄ１６と等しくなるように設定することにより、誘電体ブロック５１の外形寸法を大きくしなくても、共振器孔５２ｅ，５２ｆで形成される二つの共振器間の電磁界結合度を一定に保つことができ、設計の自由度を高めることができる。
【００３２】
さらに、通過帯域の低域側（あるいは高域側）に形成される減衰極を、より低周波側（あるいは高周波側）に移動させることができ、誘電体デュプレクサの通過帯域の広帯域化を図り、かつ、減衰特性の急峻な高性能の小型誘電体デュプレクサを容易に実現できる。
【００３３】
［他の実施形態］
なお、本発明に係る誘電体フィルタ及び誘電体デュプレクサは前記実施形態に限定するものではなく、その要旨の範囲内で種々に変更することができる。
【００３４】
例えば、図１３に示すように、誘電体ブロック１内に四つの共振器孔２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄを設けてもよい。この場合、大径孔部２２ａ〜２２ｄの半径をＲ、小径孔部２３ａ〜２３ｄの半径をｒ、大径孔部２２ａ〜２２ｄの軸と小径孔部２３ａ〜２３ｄの軸相互の偏心距離をＰとすると、共振器孔２ａ，２ｃは、０＜Ｐ＜Ｒ−ｒの関係を満足する範囲で、大径孔部２２ａ，２２ｃの軸を基準にして小径孔部２３ａ，２３ｃの軸を偏心させている。共振器孔２ｂ，２ｄは、Ｒ−ｒ＜Ｐ＜Ｒ＋ｒの関係を満足する範囲で、大径孔部２２ｂ，２２ｄの軸を基準にして小径孔部２３ｂ，２３ｄの軸を偏心させている。
【００３５】
共振器孔２ａ，２ｃにそれぞれ形成される二つの共振器間は強い誘導性結合で結合され、共振器孔２ｃ，２ｄにそれぞれ形成される二つの共振器間は強い容量性結合で結合される。そして、共振器孔２ｂ，２ｄにそれぞれ形成される二つの共振器間は、共振器孔２ａ，２ｃ間の誘導性結合よりさらに強い結合度で誘導性結合される。このことにより、誘電体フィルタの電磁界結合の自由設計度を更に高めることができ、バンドパスフィルタやデュプレクサ等の設計を容易にすることができる。さらに、共振器孔を五つ以上設けるものであってもよい。
【００３６】
また、共振器孔の軸方向の長さはλ／４に限るものではなく、例えばλ／２であってもよい。この場合、共振器孔の両開口面は、両面とも短絡側端面に設定するか、又は両面とも開放側端面に設定する必要がある。
【００３７】
さらに、図１４に示すように、共振器孔２ａ，２ｂにおける大径孔部２２ａ，２２ｂと小径孔部２３ａ，２３ｂとの境界段差部２４ａ，２４ｂ相互が共振器孔２ａ，２ｂの軸方向にずれた位置にあってもよく、必ずしも前記実施形態のように軸方向に等しい位置に配設する必要はない。
【００３８】
また、図１５に示すように、共振器孔２ｅ，２ｆの大径孔部２２ｅ，２２ｆ及び小径孔部２３ｅ，２３ｆの形状は、横断面円形の他に横断面矩形のものであってもよい。
【００３９】
また、図１６に示すように、共振器孔２ｇ，２ｈの大径孔部２２ｇ，２２ｈ及び小径孔部２３ｇ，２３ｈが設けられる位置は、大径孔部２２ｇが開放側端面１ａ側で小径孔部２３ｇが短絡側端面１ｂ側、小径孔部２３ｈが開放側端面１ａ側で大径孔部２２ｈが短絡側端面１ｂ側となっていてもよい。
【００４０】
また、図１７に示す誘電体フィルタであってもよい。この誘電体フィルタは、誘電体ブロック１の外面の略全面に外導体４が形成されている。１対の入出力電極５は、この外導体４に対して所定の間隔を確保して、外導体４に非導通の状態で誘電体ブロック１の外面に形成されている。共振器孔２ａ，２ｂの略内周全面には内導体３が形成されており、大径孔部２２ａ，２２ｂの開口部に延在している外導体４との間にギャップ８を設けている。このギャップ８が設けられている大径孔部２２ａ，２２ｂの開口面１ａが開放側端面であり、小径孔部２３ａ，２３ｂの開口面１ｂが短絡側端面である。そして、共振器孔２ａ，２ｂの軸方向の内導体３の長さはλ／４に設定されている。
【００４１】
さらに、内径一定の共振器孔を含めた誘電体フィルタあるいは誘電体デュプレクサであってもよい。さらに、誘電体ブロックに結合溝を設ける等の共振器孔間の他の電磁界結合手段を併用して構成し、結合度をより大きく変えるようにしてもよい。
【００４２】
また、前記実施形態では、開放側端面側に大径孔部を、短絡側端面側に小径孔部を形成した共振器孔にて説明したが、これに限ることはなく、短絡側端面側に大径孔部を形成し、開放側端面側の小径孔部相互間の軸間距離を変えるようにしてもよい。この場合、隣り合う共振器孔間の結合関係は前記実施形態で説明したものとは逆の関係となる。すなわち、小径孔部相互間の軸間距離を狭くしていくと徐々に容量性結合度が強くなり、小径孔部相互間の軸間距離を広くしていくと誘導性結合度が強くなっていく。
【００４３】
また、前記実施形態では、誘導体ブロックの外面の所定箇所に入出力電極を形成した誘導体フィルタあるいは誘電体デュプレクサについて説明したが、これに限るものではなく、入出力電極に代えて、入出力樹脂ピン等により外部回路と接続するものでもよい。
【００４４】
また、前記実施形態では、所定のピッチに配置された大径孔部の軸を基準にして小径孔部の軸をずらせた場合を説明したが、必ずしもこれに限定されるものではなく、所定のピッチに配置された小径孔部の軸を基準にして大径孔部の軸をずらせるようにしてもよい。
【００４５】
さらに、前記実施形態では、共振器孔の大径及び小径孔部の軸が一直線状に並んでいるが、大径孔部の軸と小径孔部の軸が例えば誘電体ブロックの高さ方向に千鳥状に配置されるようにしたものであってもよい。
【００４６】
【発明の効果】
以上の説明で明らかなように、本発明によれば、共振器孔の大径孔部の半径Ｒと、小径孔部ｒと、大径孔部の軸と小径孔部の軸とのずれ距離Ｐとが、関係式Ｒ−ｒ＜Ｐ＜Ｒ＋ｒを満足させる範囲で、大径孔部の軸と小径孔部の軸相互をずらせたので、誘電体ブロックの外形形状、寸法を変えることなく、共振器孔相互間の電磁界結合を従来の誘電体フィルタや誘電体デュプレクサよりさらに強くすることができる。さらに、通過帯域の低域側（あるいは高域側）に形成される減衰極を、より低周波側（あるいは高周波側）に移動させることができ、誘電体フィルタや誘電体デュプレクサの通過帯域の広帯域化を図り、かつ、減衰特性の急峻な高性能の小型誘電体フィルタや小型誘電体デュプレクサを容易に実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る誘電体フィルタの第１実施形態を示す外観斜視図。
【図２】図１に示した誘電体フィルタの開放側端面側から見た正面図。
【図３】図１に示した誘電体フィルタの減衰特性を示すグラフ。
【図４】本発明に係る誘電体フィルタの第２実施形態を示す正面図。
【図５】図４に示した誘電体フィルタの減衰特性を示すグラフ。
【図６】本発明に係る誘電体フィルタの第３実施形態を示す正面図。
【図７】本発明に係る誘電体フィルタの第４実施形態を示す外観斜視図。
【図８】図７に示した誘電体フィルタの開放側端面側から見た正面図。
【図９】図７に示した誘電体フィルタの減衰特性を示すグラフ。
【図１０】本発明に係る誘電体デュプレクサの一実施形態を示す外観斜視図。
【図１１】図１０に示した誘電体デュプレクサの短絡側端面側から見た背面図。
【図１２】図１１に示した誘電体デュプレクサの平面図。
【図１３】本発明に係る誘電体フィルタの他の実施形態を示す正面図。
【図１４】本発明に係る誘電体フィルタの別の他の実施形態を示す水平断面図。
【図１５】本発明に係る誘電体フィルタのさらに別の他の実施形態を示す正面図。
【図１６】本発明に係る誘電体フィルタのさらに別の他の実施形態を示す水平断面図。
【図１７】本発明に係る誘電体フィルタのさらに別の他の実施形態を示す外観斜視図。
【図１８】従来の誘電体フィルタの外観斜視図。
【図１９】図１８に示した誘電体フィルタの開放側端面側から見た正面図。
【符号の説明】
１…誘電体ブロック
２ａ〜２ｈ…共振器孔
３…内導体
４…外導体
２２ａ〜２２ｈ…大径孔部
２３ａ〜２３ｈ…小径孔部
５１…誘電体ブロック
５２ａ〜５２ｇ…共振器孔
５３…内導体
５４…外導体
６２ａ〜６２ｇ…大径孔部
６３ａ〜６３ｇ…小径孔部
ｄ１，ｄ３，ｄ５，ｄ１１，ｄ１２，ｄ１３…小径孔部相互間の軸間距離
ｄ２，ｄ４，ｄ６，ｄ１４，ｄ１５，ｄ１６…大径孔部相互間の軸間距離
Ｐ…大径孔部の軸と小径孔部の軸とのずれ距離
【図１】
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【図２】
0003577921.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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