(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
塗布膜を有する基板を露光処理した後，当該基板を区画された領域毎に加熱可能な加熱処理装置によって加熱処理する加熱処理方法において，前記加熱処理中に少なくとも１回，前記区画された領域ごとに，前記基板表面の塗布膜の膜厚の段差を測定する工程と，
前記基板表面の塗布膜の膜厚の段差を測定した後，前記基板表面の塗布膜の膜厚の段差の測定値に基づき，前記区画された領域毎に，前記基板の加熱時間を制御する工程と，
を有することを特徴とする，加熱処理方法。
【請求項２】
前記測定値が予め設定された許容値を超えた場合にのみ、前記区画された領域毎に，前記制御を行うことを特徴とする、請求項１に記載の加熱処理方法。
【請求項３】
塗布膜を有する基板を露光処理した後，当該基板を加熱手段によって加熱する加熱処理装置であって，
加熱処理中に前記基板表面の塗布膜の膜厚の段差を測定する段差測定手段を有し，
前記加熱手段は，前記基板を載置し加熱する熱板を有し，
前記熱板は区画された領域毎に個別に加熱時間の調節が可能であることを特徴とする，加熱処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，基板の加熱処理方法と加熱処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトグラフィー工程では，ウェハ表面にレジスト膜を形成するレジスト塗布処理，ウェハにパターンを照射して露光する露光処理，露光後パターン形状を向上させるためウェハを加熱する加熱処理，その後ウェハに対して現像を行う現像処理等が行われる。これらの処理を行う各処理装置は，露光処理装置をのぞき，一つのシステムとしてまとめられ，塗布現像処理システムを構成している。
【０００３】
ここで，上記塗布現像処理システムにより所定のウェハが製造されているか否かは，一連の処理後にウェハ表面に形成された回路パターンの線幅を検査，測定することにより行われていた。また，この線幅を測定する線幅測定機は，上記塗布現像処理システム外に個別に設けられており，作業員が製造されたウェハを前記線幅測定機まで運搬して，前記線幅測定を行っていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら，ウェハの線幅測定は，一連の処理後に行われ，さらに作業員がウェハを塗布現像処理システム中から線幅測定機に搬送して行われているため，ウェハの線幅に異常が発生しても，例えば露光処理後の加熱時間を補正するまでに時間がかかっていた。そして，その間に多くのウェハが製造されるので，所定の線幅のスペックをはずされた不良品が多く製造されていた。
【０００５】
発明者の知見によれば，上記露光処理後の加熱処理中，ウェハ表面の塗布膜の膜厚には，露光された露光部と露光されない未露光部との間に段差が形成されるが，この段差と上述した一連の処理後のウェハの線幅には，一貫した相関関係があることが分かった。
【０００６】
本発明は，かかる点に鑑みてなされたものであり，露光処理後の加熱処理中に，一連の処理後の線幅と相関関係のあるウェハ表面の塗布膜の膜厚の段差を測定し，前記段差が所定の範囲に収まるように即座に加熱時間を補正することができる加熱処理装置及び加熱処理方法を提供して，前記問題の解決を図ることをその目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明は，塗布膜を有する基板を露光処理した後，当該基板を区画された領域ごとに加熱可能な加熱処理装置によって加熱処理する加熱処理方法において，前記基板の加熱処理中に少なくとも１回，前記区画された領域ごとに基板表面の塗布膜の膜厚の段差を測定する工程と，前記基板表面の塗布膜の膜厚の段差を測定した後，前記基板表面の塗布膜の膜厚の段差の測定値に基づき，前記区画された領域毎に，前記基板の加熱時間を制御する工程と，を有することを特徴とする加熱処理方法が提供される。
【００１８】
本発明によれば，加熱処理により生じる前記基板表面の塗布膜の膜厚の段差を所定の範囲内の保つことができ，その結果，前記基板の一連の処理後における最終戦幅が所定の範囲内に保たれる。また，前記熱板の領域間に生じる前記段差のばらつきも修正されるので，基板面内の線幅の均一性が向上する。
【００１９】
かかる場合，前記測定値が予め設定された許容値の範囲内にない場合にのみ、前記制御を行ってもよい。
【００２０】
したがって，前記測定値に対して過敏に基板の加熱温度や加熱時間を制御することなく，必要に応じて制御することができる。
【００２１】
請求項３の発明は，塗布膜を有する基板を露光処理した後，当該基板を加熱手段によって加熱する加熱処理装置であって，加熱処理中に前記基板表面の塗布膜の膜厚の段差を測定する段差測定手段を有し，前記加熱手段は，前記基板を載置し加熱する熱板を有し，前記熱板は区画された領域毎に個別に加熱時間の調節が可能であることを特徴とする，加熱処理装置である。
【００２２】
本発明の加熱処理装置では，前記加熱処理装置が，前記段差測定装置を有することにより，加熱処理中に，前記段差を測定できるため，例えば一連の基板処理の最終的なパターンの線幅と相関関係のある前記段差の測定値に基づいて，加熱時間を修正し，前記段差を所定の範囲内に保つことができる。その結果，基板の一連の処理後における最終線幅が所定の範囲内に保たれる。また，前記熱板の領域間に生じる前記段差のばらつきも修正されるので，同一基板面内の線幅の均一性が向上する。
【００２３】
前記段差測定手段は，前記段差を測定するためのセンサ部を有し，前記センサ部が前記基板上を移動自在であるようにしてもよい。そうすると前記センサ部が，前記基板表面の塗布膜の膜厚の段差を測定しやすい位置まで移動し測定できるので，パターンの異なる基板に対しても対応できる。
【００２５】
また前記センサ部に，前記センサ部を覆う保護部材を有するようにしても良い。これにより，前記センサ部が使用されていないときに，加熱処理において蒸発した溶剤等が前記センサ部に付着し，前記センサ部が汚染されることを防止できる。
【００２６】
さらに前記加熱処理装置内を排気するための排気口を有し，前記排気口が，前記基板よりも下方に配置されるようにしてもよい。そうすると加熱処理中に蒸発した溶剤等が，前記基板の下方から排気されるので，前記基板の上方に設けられた前記センサ部の汚染を防止できる。
【００３１】
前記熱板は同心円状に区画されていても良い。また放射状に区画されていても良い。さらにまた，両者を組み合わせてより細分化されて区画されていてもよい。
【００３２】
このように，前記熱板を同心円状に区画することにより，前記熱板の同心円状に区画された領域間に生じる前記段差のばらつきを修正することができ，同一基板面内の線幅の均一性が向上する。
【００３３】
【発明の実施の形態】
図１は，本実施の形態にかかる加熱処理装置としてのポストエクスポージャーベーキング装置を有する塗布現像処理システム１の平面図であり，図２は，塗布現像処理システム１の正面図であり，図３は，塗布現像処理システム１の背面図である。
【００３４】
塗布現像処理システム１は，図１に示すように，例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部から塗布現像処理システム１に対して搬入出したり，カセットＣに対してウェハＷを搬入出したりするカセットステーション２と，塗布現像処理工程の中で枚葉式に所定の処理を施す各種処理装置を多段配置してなる処理ステーション３と，この処理ステーション３に隣接して設けられている露光装置５２との間でウェハＷの受け渡しをするインターフェイス部４とを一体に接続した構成を有している。
【００３５】
カセットステーション２では，載置部となるカセット載置台５上の所定の位置に，複数のカセットＣをＸ方向（図１中の上下方向）に一列に載置自在となっている。そして，このカセット配列方向（Ｘ方向）とカセットＣに収容されたウェハＷのウェハ配列方向（Ｚ方向；鉛直方向）に対して移送可能なウェハ搬送体７が搬送路８に沿って移動自在に設けられており，各カセットＣに対して選択的にアクセスできるようになっている。
【００３６】
ウェハ搬送体７は，後述するように処理ステーション３側の第３の処理装置群Ｇ３に属するアライメント装置３２とエクステンション装置３３に対してもアクセスできるように構成されている。
【００３７】
処理ステーション３では，その中心部に主搬送装置１３が設けられており，主搬送装置１３の周辺には各種処理装置が多段に配置されて処理装置群を構成している。該塗布現像処理システム１においては，４つの処理装置群Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４が配置されており，第１及び第２の処理装置群Ｇ１，Ｇ２は現像処理システム１の正面側に配置され，第３の処理装置群Ｇ３は，カセットステーション２に隣接して配置され，第４の処理装置群Ｇ４は，インターフェイス部４に隣接して配置されている。さらにオプションとして破線で示した第５の処理装置群Ｇ５を背面側に別途配置可能となっている。
【００３８】
第１の処理装置群Ｇ１では図２に示すように，２種類のスピンナ型処理装置，例えばウェハＷに対してレジストを塗布して処理するレジスト塗布装置１５と，ウェハＷに現像液を供給して処理する現像処理装置１６が下から順に２段に配置されている。第２の処理装置群Ｇ２の場合も同様に，レジスト塗布装置１７と，現像処理装置１８とが下から順に２段に積み重ねられている
【００３９】
第３の処理装置群Ｇ３では，図３に示すように，ウェハＷを冷却処理するクーリング装置３０，レジスト液とウェハＷとの定着性を高めるためのアドヒージョン装置３１，ウェハＷの位置合わせを行うアライメント装置３２，ウェハＷを待機させるエクステンション装置３３，レジスト塗布後のシンナー溶剤の乾燥処理を行うプリベーキング装置３４，３５及び現像処理後の加熱処理を施すポストベーキング装置３６，３７等が下から順に例えば８段に重ねられている。
【００４０】
第４の処理装置群Ｇ４では，例えばクーリング装置４０，載置したウェハＷを自然冷却させるエクステンション・クーリング装置４１，エクステンション装置４２，クーリング装置４３，露光処理後の加熱処理を行う本実施の形態にかかるポストエクスポージャーベーキング装置４４，４５，ポストベーキング装置４６，４７等が下から順に例えば８段に積み重ねられている。
【００４１】
インターフェイス部４の中央部にはウェハ搬送体５０が設けられている。このウェハ搬送体５０はＸ方向（図１中の上下方向），Ｚ方向（垂直方向）の移動とθ方向（Ｚ軸を中心とする回転方向）の回転が自在にできるように構成されており，第４の処理装置群Ｇ４に属するエクステンション・クーリング装置４１，エクステンション装置４２，周辺露光装置５１及び破線で示した露光装置５２に対してアクセスできるように構成されている。
【００４２】
次に，本実施の形態にかかるポストエクスポージャーベーキング装置４４の構成について説明する。
【００４３】
ポストエクスポージャーベーキング装置４４内には，図４に示すように，ウェハＷを載置し加熱する，厚みのある円盤状の熱板６１が設けられている。この熱板６１には，加熱の際の熱源となるヒーター６２が内蔵されており，このヒータ６２は，ヒーター制御装置６３により加熱温度が制御される。
【００４４】
一方，ウェハＷの上方には，ウェハＷ表面の段差を測定する２つのセンサ部６４がアーム６６に支持されている。このセンサ部６４は，ウェハＷ表面のレジスト膜の膜厚をＬＥＤ光によって検知できるように構成されており，２つのセンサ部６４によって測定された膜厚の差が，ウェハＷ表面の膜厚の段差として認識される。
【００４５】
また，センサ部６４が支持されているアーム６６は，図５に示すように，Ｙ方向（図５において上下方向）に伸びるレール６７に取り付けられており，このレール６７上を移動自在となっている。さらにレール６７は，ケーシング６０の壁に沿って設けられている２本のレール６８に取り付けられており，Ｘ方向（図５において左右方向）に移動自在となっている。従って，アーム６６に取り付けられたセンサ部６４は，Ｘ，Ｙ方向に移動自在となっている。
【００４６】
上述したセンサ部６４で測定されたウェハＷ表面の膜厚の段差の測定値は，図４に示したようにセンサ部６４と接続されている主制御装置６９に送られる。この主制御装置６９には，予め所定の加熱温度と所定のタイミング（例えば，加熱開始から２０秒後）におけるウェハＷ表面の段差の許容値とを記憶させてある。そして，前記段差の測定値が許容値の範囲内にない場合には，接続されているヒーター制御装置６３を制御するように構成されている。さらにケーシング６０下面には，ケーシング６０内を排気するための排気口７０が設けられている。一方，ケーシング６０の上面には供給口７１が設けられており，供給項７１から所定のガス，たとえば，清浄空気や窒素ガスが供給されると，ケーシング６０内にはダウンフローが形成される。
【００４７】
また，ポストエクスポージャーベーキング装置４４には，ウェハＷを搬入出する際に，ウェハＷを支持し，昇降させる昇降ピン７２が設けられており，熱板６１に設けられた貫通孔７３を貫通して出没自在となっている。また熱板６１上には，加熱処理中ウェハＷを支持するためのプロキシミティピン７４が，同一円周上で３ヶ所に設けられている。
【００４８】
次に以上のように構成された加熱処理装置としてのポストエクスポージャーベーキング装置４４の作用を，塗布現像処理システム１で行われるウェハＷの塗布現像処理のプロセスと共に説明する。
【００４９】
先ず，ウェハ搬送体７がカセットＣから未処理のウェハＷを１枚取りだし，第３の処理装置群Ｇ３に属するアライメント装置３２に搬入する。次いで，アライメント装置３２にて位置合わせの終了したウェハＷは，主搬送装置１３によって，アドヒージョン装置３１，クーリング装置３０，レジスト塗布装置１５又１７，プリベーキング装置３３又は３４に順次搬送され，所定の処理が施される。その後，ウェハＷは，エクステンション・クーリング装置４１に搬送される。
【００５０】
次いで，ウェハＷはエクステンション・クーリング装置４１からウェハ搬送体５０によって取り出され，その後，周辺露光装置５１を経て露光装置５２に搬送される。露光処理の終了したウェハＷは，ウェハ搬送体５０によりエクステンション装置４２に搬送された後，主搬送装置１３に保持される。次いで，このウェハＷはポストエクスポージャーベーキング装置４４又は４５に搬送される。
【００５１】
次にポストエクスポージャーベーキング装置４４におけるウェハＷの作用を図６のフローに従って説明する。
【００５２】
先ず，前処理が終了したウェハＷが，搬送体５０によって，ポストエクスポージャーベーキング装置４４内に搬入され，予め上昇して待機していた昇降ピン７２に受け渡される。そして，昇降ピン７２の下降に伴い，ウェハＷが下降し，熱板６１上の支持ピン７４に支持される。この時，予め所定の温度に加熱された熱板６１によって，ウェハＷの加熱が開始される。また，加熱処理中は，ウェハ表面から発生した溶剤等を排気するため常に，ケーシング６０内には既述したダウンフローが形成されている。
【００５３】
次に，２つのセンサ部６４が，アーム６６によって，ウェハＷ上の所定の位置に移動し，待機する。そして，これらのセンサ部６４は，所定のタイミング，例えば，加熱開始から２０秒で，ウェハ表面にＬＥＤ光を照射し，図７示すようなウェハＷ表面のレジスト膜に形成される露光部と未露光部との膜厚の段差ｄを測定する。その測定値は，主制御装置６９に送られ，予め主記憶装置６９に記憶されているウェハ表面の段差の許容値と比較される。ここで，ウェハＷ表面の段差の許容値は，実験等により求められた加熱処理中のウェハＷ表面の段差と最終線幅との相関関係から決定される。この相関関係として例えば，図８に示すように，段差が小さくなるにつれ，最終線幅も小さくなるような関係がある。そして，最終線幅の許容範囲のボーダーの値に対応する段差の値を前記段差の許容値とし，予め主制御装置６９に記憶しておく。
【００５４】
そこで，主制御装置６９は，段差の測定値が予め記憶されている段差の許容値の範囲内にない場合は，ヒーター制御装置６３にそのデータを送り，ヒータ制御装置６３は，送られたデータに基づきヒータ６２の設定温度を調節する。例えば，段差の測定値が，段差の許容値の範囲よりも大きい場合は，ヒーター６２の設定温度を下げて，逆に段差の許容値の範囲よりも小さい場合は，ヒータ６２の設定温度を上げる。一方，段差の測定値が，段差の許容値の範囲内である場合は，ヒータ制御装置６３にデータは送られず，ヒータ６２の設定温度は，そのまま保たれる。
【００５５】
その後，段差測定の終了したセンサ部６４は，再びアーム６６によってウェハＷ上面から所定の位置に退避する。そして，ウェハＷは，適切な温度で所定時間加熱される。
【００５６】
加熱処理の終了したウェハＷは，再び昇降ピン７２に支持され上昇し，ウェハ搬送体７に受け渡された後，ポストエクスポージャーベーキング装置４４から搬出される。
【００５７】
以上の実施の形態によれば，ポストエクスポージャーベーキング装置４４の加熱処理中に，センサ部６４によって，ウェハＷ表面のレジスト膜の膜厚の段差を測定し，即座にヒータ６２の設定温度を適切な温度に補正するため，ウェハＷのいわゆる不良品を減少させ歩留まりの向上が図られる。また，測定された段差が，予め設定されている許容値の範囲内にない場合にのみヒータ６２の設定温度を変更することにより，必要最小限の制御に抑えられるため，作業効率が向上する。
【００５８】
また，センサ部６４がアーム６６によって移動自在に設けられているので，段差測定に適した位置に移動して段差を測定できる。さらに，ケーシング６０内にダウンフローを形成させておくので，ウェハＷから発生する溶剤等によってセンサ部６４が汚染されることを防止できる。
【００５９】
次に，第２の実施の形態として区画された熱板を有するポストエクスポージャーベーキング装置４４について説明する。この第２の実施の形態におけるポストエクスポージャーベーキング装置４４の熱板８１は，図９に示すように同心円状に区画され，その区画されたエリア８１ａ，８１ｂ，８１ｃ毎にヒータ８２ａ，８２ｂ，８２ｃがそれぞれ内蔵されている。これらの各ヒータ８２ａ，８２ｂ，８２ｃは，ヒータ制御装置８３ａ，８３ｂ，８３ｃによって個別に制御されるように構成されている。さらに各ヒータ制御装置８３ａ，８３ｂ，８３ｃは，一の主制御装置６９に接続されており，この主制御装置６９は，センサ部６４で測定した段差に基づき各ヒータ制御装置８３ａ，８３ｂ，８３ｃを制御するように構成されている。
【００６０】
第２の実施の形態にかかるポストエクスポージャーベーキング装置４４は，第１の実施の形態にかかるポストエクスポージャーベーキング装置４４と同様にして，ウェハＷが搬送体５０によって搬入され，熱板８１上の支持ピン７４に載置された後，各エリア毎のヒータ８２ａ，８２ｂ，８２ｃによって加熱処理される。加熱処理中，各エリアにおいて，異なるタイミング，例えば，加熱開始から，８１ａでは２０秒後，８１ｂでは３０秒後，８１ｃでは４０秒後にセンサ部６４によってウェハＷ表面の段差が測定される。それらの測定値は，主制御装置６９に送られ，その主制御装置６９において，各エリア毎に予め記憶されている段差の許容値と比較される。そして，第１の実施の形態同様，各エリアの段差の測定値が，許容値の範囲内にない場合にのみ，それぞれのヒータ制御装置８３ａ，８３ｂ，８３ｃにデータが送られ，ヒータ８２ａ，８２ｂ，８２ｃの設定温度が各エリア毎に調節される。
【００６１】
この第２の実施の形態によれば，熱板８１の区画されたエリア８１ａ，８１ｂ，８１ｃ毎にウェハＷ表面に形成される段差を測定し，各エリア毎に加熱温度を調節するので，同一ウェハＷ内の最終線幅のばらつきが抑えられ，ウェハＷ面内の均一性が保たれる。
【００６２】
前記実施の形態では，熱板８１は，同心円状に区画されたエリア８１ａ，８１ｂ，８１ｃを有していたが，図１１に示したように，熱板８１が放射状に区画されたエリア８１ｄを有していても本発明は適用される。さらにまた図１２に示したように，同心円状と放射状とを組み合わせてより細分化されたエリア８１ｅ，８１ｆに対して，個別に加熱温度や加熱時間を制御するようにすれば，より微細な調整を行うことが可能である。
【００６３】
さらに以上の段差測定にあたっては，テスト用のパターンが形成されている専用のテスト用ウエハや基板を使用することで，より精度の高い測定が実施できる。このようなテスト用のウエハの段差測定に基づく制御は，ウエハのロットの切れ目や，所定の枚数の生産用ウエハに対して処理した後に行うことが好ましい。
【００６４】
さらに前記実施の形態では，段差を測定した際のデータに基づいて，露光後の加熱処理の際の加熱温度，加熱時間を制御するようにしていたが，これに代えて，後処理である現像処理の現像時間を制御するようにしてもよい。
【００６５】
ここで上述した実施の形態において，加熱処理が終了する際にもう一度段差を測定し，最終線幅との相関関係から適切な段差を形成しているか否か確認しても良い。また，段差の測定値に基づき，ヒータの設定温度を調節したが，その代わりに加熱時間を調節しても良い。
【００６６】
また上述した実施の形態では，センサ部６４がウェハＷから蒸発する溶剤等によって汚染されないように，ダウンフローを形成していたが，さらに図１０に示すように，センサ部６４を覆う保護部材９０を設けてもよい。
【００６７】
先に説明した実施の形態は，半導体ウェハデバイス製造プロセスのリソグラフィー工程におけるウェハの処理システムについてであったが，半導体ウェハ以外の基板例えばＬＣＤ基板の処理システムにおいても応用できる。
【００６８】
【発明の効果】
本発明によれば，まず基板の加熱処理中に，基板表面の塗布膜の膜厚の段差を測定するので，前記段差を測定するために，基板の処理を中断する必要がなくなる。また，区画された熱板の領域毎に基板表面の塗布膜の膜厚の段差が測定されるため，基板上のより細かい範囲の段差が測定できる。さらに基板表面の塗布膜の膜厚の段差の測定値に基づき，熱板の領域毎に，基板の加熱時間を制御することで，加熱処理により生じる前記段差を所定の範囲内の保つことができ，その結果，前記基板の一連の処理後における最終線幅が所定の範囲内に保たれ，歩留まりが向上する。また熱板の領域間に生じる前記段差のばらつきも修正されるので，同一基板面内の線幅の均一性が向上する。
【００７４】
請求項２の発明によれば，基板表面の塗布膜の膜厚の段差の測定値が予め設定された許容値を超えた場合にのみ、基板の加熱温度や加熱時間を制御するので，余計な制御が抑制され作業効率が向上する。
【００８０】
請求項３の発明によれば，基板の加熱時間を制御することで，加熱処理により生じる前記基板表面の段差が所定の範囲内の保つことができ，その結果，基板の一連の処理後における最終線幅が所定の範囲内に保たれ歩留まりが向上する。また，熱板の領域間に生じる前記段差のばらつきも修正されるので，同一基板面内の線幅の均一性が向上し，歩留まりの向上が図られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施の形態にかかるポストエクスポージャーベーキング装置を備えた塗布現像処理システムの外観を示す平面図である。
【図２】図１の塗布現像処理システムの正面図である。
【図３】図１の塗布現像処理システムの背面図である。
【図４】第１の実施の形態にかかるポストエクスポージャーベーキング装置の縦断面の説明図である。
【図５】第１に実施の形態にかかるポストエクスポージャーベーキング装置の横断面の説明図である。
【図６】第１の実施の形態にかかるポストエクスポージャーベーキング装置で行われる加熱処理のプロセスを現したフロー図である。
【図７】第１の実施の形態にかかるポストエクスポージャーベーキング装置で行われる加熱処理により生じたウェハ表面のレジスト膜の膜厚の段差の説明図である。
【図８】ウェハ表面に形成された段差と最終線幅との相関関係の一例を示した説明図である。
【図９】第２の実施の形態にかかるポストエクスポージャーベーキング装置の区画された熱板の説明図である。
【図１０】第１の実施の形態におけるポストエクスポージャーベーキング装置のウェハ表面の段差を測定するセンサ部に保護部材を取り付けた場合の説明図である。
【図１１】放射状に区画されたエリアを有する熱板の平面図である。
【図１２】同心円状かつ放射状に区画されたエリアを有する熱板の平面図である。
【符号の説明】
１    塗布現像処理システム
４４，４５  ポストエクスポージャーベーキング装置
６１，８１  熱板
６４    センサ部
６９    主制御装置
Ｗ    ウェハ
【図１】
0003587777.tif 000002
【図２】
0003587777.tif 000003
【図３】
0003587777.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0003587777.tif 000008
【図８】
0003587777.tif 000009
【図９】
0003587777.tif 000010
【図１０】
0003587777.tif 000011
【図１１】
0003587777.tif 000012
【図１２】
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