【事件の表示】
　特許第２８３６５５１号に関する訂正審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　特許第２８３６５５１号に係る明細書及び図面を本件審判請求書に添付された訂正明細書及び図面のとおり訂正することを認める。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件特許第２８３６５５１号に係る発明は、平成７年１１月１５日に特許出願（特願平７−２９７０８２号）したものであって、平成１０年１０月９日に特許権の設定登録がされ、その後、平成２１年７月１７日に本件訂正審判が請求されたものである。
　
第２　本件訂正審判における請求の要旨
　本件審判の請求の要旨は、特許第２８３６５５１号発明の明細書を審判請求書に添付した訂正明細書のとおり、すなわち、下記（１）ないし（９）のとおり訂正することを求めるものである。
（１）明細書の［発明の名称］に「ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ウエハ」とあるのを「
エピタキシャル成長用ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ウエハおよび
（２）特許請求の範囲の請求項１の「ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ウエハ」を「
エピタキシャル成長用
（３）特許請求の範囲の請求項２の「ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ウエハ」を「
エピタキシャル成長用
（４）特許請求の範囲の請求項３の「ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ウエハ」を「
エピタキシャル成長用
（５）特許請求の範囲の請求項４の「ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ウエハ」を「
エピタキシャル成長用
（６）特許明細書の段落【００１１】の「ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ウエハ」を「
エピタキシャル成長用
（７）特許明細書の段落【００１８】の「ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ウエハ」を「
エピタキシャル成長用
（８）特許明細書の段落【００１９】の「ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ウエハ」を「
エピタキシャル成長用
（９）特許明細書の段落【００２０】の「ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ウエハ」を「
エピタキシャル成長用
（１０）訂正前の特許請求の範囲、および訂正後の特許請求の範囲
　以下、訂正前、すなわち、登録時の特許請求の範囲の全体、および訂正後の特許請求の範囲の全体を示す。
ア　訂正前
「【請求項１】　２つの主面と端面との間に面取り部が形成されたＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ウエハであって、
　前記ウエハをその厚さ方向に切断する面指数｛０１１｝断面上に現われる４つの面取り部の少なくとも１つの外形輪郭線上において、
　面指数｛３１１｝〜｛３３１｝の範囲にある面取り部の長さをＬとすると、
　０＜Ｌ≦１５０μｍであることを特徴とする、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ウエハ。
　【請求項２】　前記長さＬは、４０μｍ≦Ｌ≦１５０μｍであることを特徴とする、請求項１記載のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ウエハ。
　【請求項３】　前記半導体ウエハの厚さは、２００μｍ以上であることを特徴とする、請求項１または請求項２記載のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ウエハ。
　【請求項４】　前記半導体ウエハは、ＧａＡｓおよびＩｎＰからなる群から選ばれるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなることを特徴とする、請求項１〜請求項３のいずれかに記載のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ウエハ。
　【請求項５】　２つの主面と端面との間に面取り部が形成されたＩＩＩ−Ｖ族化合物からなる基材と、前記基材の全外表面上に形成されたエピタキシャル層とを備えたＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ウエハであって、
　前記基材をその厚さ方向に切断する面指数｛０１１｝断面上に現われる４つの面取り部の少なくとも１つの外形輪郭線上において、
　面指数｛３１１｝〜｛３３１｝の範囲にある面取り部の長さをＬとすると、
　０＜Ｌ≦１５０μｍであることを特徴とする、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ウエハ。
　【請求項６】　前記長さＬは、４０μｍ≦Ｌ≦１５０μｍであることを特徴とする、請求項５記載のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ウエハ。
　【請求項７】　前記基材の厚さは、２００μｍ以上であることを特徴とする、請求項５または請求項６記載のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ウエハ。
　【請求項８】　前記基材は、ＧａＡｓおよびＩｎＰからなる群から選ばれるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなることを特徴とする、請求項５〜請求項７のいずれかに記載のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ウエハ。」
イ　訂正後
「【請求項１】　２つの主面と端面との間に面取り部が形成された
エピタキシャル成長用
　前記ウエハをその厚さ方向に切断する面指数｛０１１｝断面上に現われる４つの面取り部の少なくとも１つの外形輪郭線上において、
　面指数｛３１１｝〜｛３３１｝の範囲にある面取り部の長さをＬとすると、
　０＜Ｌ≦１５０μｍであることを特徴とする、
エピタキシャル成長用
　【請求項２】　前記長さＬは、４０μｍ≦Ｌ≦１５０μｍであることを特徴とする、請求項１記載の
エピタキシャル成長用
　【請求項３】　前記半導体ウエハの厚さは、２００μｍ以上であることを特徴とする、請求項１または請求項２記載の
エピタキシャル成長用
　【請求項４】　前記半導体ウエハは、ＧａＡｓおよびＩｎＰからなる群から選ばれるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなることを特徴とする、請求項１〜請求項３のいずれかに記載の
エピタキシャル成長用
　【請求項５】　２つの主面と端面との間に面取り部が形成されたＩＩＩ−Ｖ族化合物からなる基材と、前記基材の全外表面上に形成されたエピタキシャル層とを備えたＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ウエハであって、
　前記基材をその厚さ方向に切断する面指数｛０１１｝断面上に現われる４つの面取り部の少なくとも１つの外形輪郭線上において、
　面指数｛３１１｝〜｛３３１｝の範囲にある面取り部の長さをＬとすると、
　０＜Ｌ≦１５０μｍであることを特徴とする、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ウエハ。
　【請求項６】　前記長さＬは、４０μｍ≦Ｌ≦１５０μｍであることを特徴とする、請求項５記載のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ウエハ。
　【請求項７】　前記基材の厚さは、２００μｍ以上であることを特徴とする、請求項５または請求項６記載のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ウエハ。
　【請求項８】　前記基材は、ＧａＡｓおよびＩｎＰからなる群から選ばれるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなることを特徴とする、請求項５〜請求項７のいずれかに記載のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ウエハ。」
　なお、下線は、訂正箇所を明らかにするため、当審において付したものである。
　
第３　当審の判断
１　訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
（１）訂正事項（１）について
　上記訂正事項（１）は、訂正事項（２）〜（５）において、特許請求の範囲の請求項１ないし４が訂正されたことに伴い、訂正後の特許請求の範囲の記載との整合を図るための訂正であるので、明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　また、上記事項は本件特許明細書の段落【０００１】に「この発明は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ウエハに関するものであり、特に、ＶＰＥ（気相エピタキシャル成長）法によりエピタキシャル層を形成する場合に利用されるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ウエハに関するものである。」と記載されていることから、本件特許明細書に記載された事項の範囲内でなされたものであり、かつ特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
（２）訂正事項（２）〜（５）について
　上記訂正事項（２）〜（５）は、特許請求の範囲の請求項１〜４に記載した発明を特定するために必要な事項である「ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ウエハ」について「エピタキシャル成長用」との用途の限定を付加するものであって、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また、上記事項は本件特許明細書の段落【０００１】に「この発明は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ウエハに関するものであり、特に、ＶＰＥ（気相エピタキシャル成長）法によりエピタキシャル層を形成する場合に利用されるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ウエハに関するものである。」と、また、段落【００３３】に「以上のことから、この発明によるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ウエハは、チャンファ部の形状を改良し、エピタキシャル層の異常成長を起こす｛１１１｝面近傍の面積を極度に減少させる工夫を行なっている。そのため、従来のように｛１１１｝面近傍でのエピタキシャル層の異常成長がなくなり、プロセス中における割れの発生のないエピタキシャルウエハを得ることができる。」と記載されていることから、本件特許明細書に記載された事項の範囲内でなされたものであり、かつ特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもないものと認められる。
（３）訂正事項（６）〜（９）について
　上記訂正事項（６）〜（９）は、訂正事項（２）〜（５）において、特許請求の範囲の請求項１ないし４が訂正されたことに伴い、訂正後の特許請求の範囲の記載との整合を図るための訂正であるので、明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。また、上記事項は、本件特許明細書に記載された事項の範囲内でなされたものであり、かつ特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもないことは明らかである。
（４）まとめ
　したがって、上記訂正事項（１）ないし（９）はいずれも特許法第１２６条第１項ただし書きに規定する要件を満たすと共に、同条第３項、及び第４項に規定する要件を満たすものと認められる。
　
２　独立特許要件について
　本件訂正後の前記請求項１ないし４に係る発明（以下「本件訂正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１２６条第５項の規定に適合するか）について検討する。
　本件訂正後の請求項１ないし４に係る発明は、上記第２（１０）イに示されるとおりである。
　これに対して、訂正前の請求項１ないし４に係る発明は、上記第２（１０）アに示されるとおりである。
　そして、訂正前の請求項１に係る発明に対して、新規性、進歩性を否定するための先行技術は存在していない。その他に訂正前の請求項１に対して独立して特許を受けることができないとする理由は存在しない。
　したがって、訂正前の請求項１におけるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ウエハに対して「エピタキシャル成長用」という用途限定を付した発明も、同様に、新規性、進歩性を否定するための先行技術は存在せず、その他に、訂正後の請求項１に対して独立して特許を受けることができないとする理由も存在しない。
　また、請求項２ないし４に係る発明は、請求項１を引用していることから、同様に、新規性、進歩性を否定するための先行技術は存在せず、その他に、独立して特許を受けることができないとする理由も存在しない。
　
第４　むすび
　したがって、本件訂正審判請求に係る訂正は、特許法第１２６条第１項第１号ないし第３号に掲げる事項を目的とし、かつ、同条第３項ないし第５項の規定に適合する。
　よって、結論のとおり審決する。