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　特願２００１−２６２２０９「高速光記録方法及び装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　６月２８日出願公開、特開２００２−１８３９６７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本件審判の請求に係る特許願（以下「本願」という。）は、平成１３年８月３０日（優先権主張　２０００年１２月７日　韓国）に出願されたものであって、平成１６年１２月９日に拒絶査定がされ、平成２０年２月２９日付けで当審において拒絶理由通知がされ、平成２０年６月４日付けで手続補正がされたものである。
　本願の発明は、上記平成２０年６月４日付け手続補正書で補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜１２に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、そのうち請求項１に係る発明は以下のとおりである。
　「【請求項１】　メインビームとサブビームとを生成する段階と、
　前記メインビームを光ディスク上に照射してメイン光スポットを形成し、前記サブビームを前記光ディスク上に照射して前記光ディスクのトラック方向に沿って前記メイン光スポットより所定距離だけ先立ってマークを一次的に消去するサブ光スポットを形成する段階とを含み、記録しようとするマーク長に該当する記録信号によって前記メイン光スポットによりマークを記録する間に、前記記録信号と同一に変化されるパルス状とされた前記サブ光スポットで既存マークを一次的に消去した後、前記記録信号の間にサブ光スポットにより一次的に消去された位置を、前記記録信号と前記記録信号との間の消去信号により前記メイン光スポットにより再消去することで、前記メイン光スポットは新たなマークの記録及び既存マークの消去を行い、前記サブ光スポットは既存のマークの消去のために用いられ、マーク記録及び/または消去を可能にしたことを特徴とする光記録方法。」（以下「本願発明」という。）
　
　
２．刊行物及びその記載
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である特開平５−３４２５８２号公報（以下「刊行物」という。）には、光ディスクの情報記録速度を向上させ、高速のオーバライトを簡単な光学系で実現する光学情報記録方法について以下の記載がある。（なお、下線は当審で付与した。）
　(1)「【０００２】
【従来の技術】レーザー光を利用して記録媒体に信号を記録する、あるいは記録した信号を再生する技術は既に公知である。中でも再生専用型のものはコンパクトディスク装置（以下ＣＤと略す）あるいはレーザーーディスク装置として広く普及し、また追記型あるいは
書換え型
　(2)「【０００３】
書換え型の一つの方式に、アモルファス−結晶間、あるいは結晶−結晶間の可逆的な状態変化を利用して情報を記録する相変化型光ディスク装置がある。相変化光ディスクは、単一のレーザービームによるダイレクトオーバライトが可能であるという特徴を持つ。これに用いられる記録薄膜は、レーザーー光の照射パワーに応じて、アモルファス状態と結晶状態を形成する。記録薄膜に信号を記録する際には、情報信号に対応させて、ピークパワーＰｐとバイアスパワーＰｂ（Ｐｐ＞Ｐｂ）の二つのパワーレベル間で強度変調したレーザーー光を照射する。光の照射部は、以前の状態がアモルファスあるいは結晶のいずれであっても、ピークパワーＰｐが照射された部分はアモルファス状態となり、一方バイアスパワーＰｂが照射された部分は結晶状態となる。この結果、一つのレーザーー光スポットにより光ディスク上に情報信号の重ね書き（オーバーライト）が行われる
　(3)「【００１１】
【作用】本発明は上記した構成によって、前方の補助スポットにより、記録部材の記録状態の少なくとも一部が消去され、続く強度変調された記録スポットの照射により新しい信号のオーバライトが行われる。即ち、
消去状態に相当する部分は、少なくとも同レベルの消去ビームが２度照射されるため、良好な消去状態を得る
【００１２】【００１３】・・・（省略）・・・。
【００１４】（実施例１）図１は、本は発明の記録装置の概略図を示す。光学情報記録部材である光ディスク１は、一定の条件でディスクを回転させる第１の移動手段であるモータ２と、光ピックアップ３と、光ピックアップ３の位置を光ディスクの半径方向に移動させる第２の移動手段である移送部４と、制御部５と、それらの動作を支持するシステムコントローラ６から構成される。
また、モータ２は、標準モードの線速度Ｖ１と高速記録モードの線速度Ｖ２（Ｖ２＞Ｖ１）でディスクを回転させる
【００１５】光ピックアップ３が光ディスク１上に形成する光スポットは、図２に示すように、
情報記録用の記録スポットＳ１と、補助スポットＳ２，Ｓ３，Ｓ４を備えた構成とする。補助スポットは、図のように複数のスポット列で構成する場合
【００１６】ここで、オーバライトの２つの動作について説明する。
高速モードの動作時には、光ディスクの線速度をＶ２とし、線速度比（Ｖ２／Ｖ１）だけ高い転送レートの情報信号でバイアスパワーＰｂ１とピークパワーＰｐ１の間で強度変調した記録スポットＳ１を照射する。それと同時に、記録薄幕の温度を結晶化温度以上とするようなパワーＰｂ１で補助スポットＳ２，Ｓ３，Ｓ４を照射する。前述のように補助スポットは、記録スポットよりも移送方向の先頭に位置するため、光ディスク上では、一旦補助スポットの照射された後に記録スポットＳ１が照射される。光ディスク上では、図２のように以前に記録されたアモルファスマーク８の上に、まず補助スポットＳ１，Ｓ２，Ｓ３のいずれかが照射される。照射部は、一旦加熱され結晶化温度以上となり、結晶化が始まる。しかし、線速度が高いために光照射による昇温時間が短く、以前のマークのアモルファス状態が一部が残り、消去残りマーク９となる。次に、この消去残りマーク９の上に記録スポットＳ１が照射される。このスポットＳ１のバイアスパワーＰｂ１の照射された部分は、再び結晶化温度以上となり、前記消去残りマークは結晶状態に変化する。また、ピークパワーＰｐ１の照射された部分は新たなアモルファスの新マーク１０を形成する。この結果、記録ビーム単独の光照射では消去不足（結晶化不足）であった記録薄膜においても、補助ビームＳ２，Ｓ３，Ｓ４と記録ビームＳ１の少なくとも２回の光照射により良好な消去状態が形成され、良好なオーバライトが達成される
　(4)「【００１８】図３を用いて本発明の実施例をさらに詳しく説明する。光ディスク１は、基盤１１と、基板上の記録薄膜１２から構成されている。
光ディスク１からの信号記録・再生時には、システムコントローラ６の指示により、モータ駆動回路１３によりモータ２標準モードあるいは高速モードなどの記録条件に応じた線速度で光ディスクを回転させる。この状態でレーザー駆動回路１４が、所定の電流で半導体レーザー１６を駆動し、それに応じたパワーの出力される。なお、ここでは半導体レーザー１６は複数の発光点を構造のものとし、レーザー駆動回路１４は、記録スポットＳ１の発光点だけを駆動し、レーザー駆動回路１５は、補助スポット用の発光点を駆動する。
【００１９】ここで、半導体レーザー１６の構成に付いて説明する。図４に複数の光源を有するマルチビームレーザーを示す。この図は４つの発光面を例であり、それぞれ記録スポットＳ１を形成する発光面Ｌ１、補助スポットＳ２，Ｓ３，Ｓ４を形成する発光面Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４が存在する。上記の信号再生は、すべて記録スポットＳ１で行う。ここで示した半導体レーザーは、その製造の容易さを考慮し、同一平面状に位置し、発光波長はほぼ同等であることを前提としている。ここで発光点の間隔Ｄが１００μｍのものを用いた場合について説明する。光ピックアップのビーム整形用プリズム１８の拡大率を３倍とすると、３３μｍの間隔で４つのビームが光ディスク上に集光される。また、各スポットは、情報の記録時に図２に示したように、
補助スポットＳ２，Ｓ３，Ｓ４のいずれかが少なくとも１回照射された後に記録スポットＳ１が照射され、かつ記録ビームが照射された部分が補助ビームにより消去されないように配置する。即ち、光スポットの移動方向に対して前方であり、かつ移送方向に対しても前方となるように、半導体レーザー１６あるいはピックアップ３全体の角度を調整する。
　(5)「【００２２】また、ここまでは、記録スポットＳ１と、補助ビームＳ２，Ｓ３，Ｓ４を同一チップ上の光源から形成する方法について説明してきたが、他に、記録スポットと補助スポットの波長を変え、記録スポットは１個半導体レーザーから、補助スポットは複数の発光点を備えたマルチレーザーを用いる事も可能である。また、
記録スポット、補助スポット共に１つの発光点の半導体レーザーを用い、補助ビームの光路中にグレーティング、あるいはプリズムを設けることによりビームを分割する方式である。これらの構成では、装置そのものは前述のものに比べて複雑になるが、記録ビームと補助ビームの距離を自由に設定できる
　
　以上の摘示事項及び図面等を総合勘案して整理すると、刊行物には以下の発明が記載されているものと認める。
  「モータ駆動回路１３によりモータ２は、標準モードあるいは高速モードの記録条件に応じた線速度で光ディスクを回転し、
　レーザー駆動回路１４は、所定の電流で半導体レーザー１６を駆動し、それに応じたパワーが出力され、記録スポット、補助スポットは共に１つの発光点の半導体レーザーを用い、
　補助スポットＳ２〜Ｓ４のいずれかが少なくとも１回照射された後に記録スポットＳ１が照射され、かつ記録ビームは照射された部分が補助ビームにより消去されないように半導体レーザー１６あるいはピックアップ３全体の角度を調整して配置され、
　高速モードの動作時に線速度をＶ２とし、線速度比（Ｖ２／Ｖ１）だけ高い転送レートの情報信号でバイアスパワーＰｂ１とピークパワーＰｐ１の間で強度変調した記録スポットＳ１を照射し、同時に、記録薄膜の温度を結晶化温度以上とするようなパワーＰｂ１で補助スポットＳ２〜Ｓ４を照射し、補助スポットは、記録スポットよりも移送方向の先頭に位置し、一旦補助スポットの照射された後に記録スポットＳ１が照射され、
　まず補助スポットＳ２〜Ｓ４のいずれかが照射され、照射部は、一旦加熱され結晶化温度以上となり、結晶化が始まるものの、線速度が高いために光照射による昇温時間が短く、以前のマークのアモルファス状態が一部が残り、消去残りマーク９となり、次に、この消去残りマーク９の上に記録スポットＳ１が照射され、記録スポットＳ１のバイアスパワーＰｂ１の照射された部分は、再び結晶化温度以上となり、前記消去残りマークは結晶状態に変化し、ピークパワーＰｐ１の照射された部分において新たなアモルファスの新マーク１０を形成することで、記録ビーム単独の光照射では消去不足（結晶化不足）であった記録薄膜においても、補助ビームＳ２〜Ｓ４と記録ビームＳ１の少なくとも２回の光照射により良好な消去状態が形成され、
　良好なオーバライトが達成される高速のオーバライト光学情報記録方法。」（以下「刊行物発明」という。記号は図面との対応を容易とするために付した。）
　
　
３．対比・判断
〔判断〕
　本願発明と刊行物発明とを対比する。
　 (i)刊行物発明の「記録ビーム」「補助ビーム」「記録スポット」「補助スポット」は本願発明の「メインビーム」「サブビーム」「メインスポット」「サブスポット」に、また刊行物発明の「レーザー駆動回路１４は、所定の電流で半導体レーザー１６を駆動し、それに応じたパワーが出力され、記録スポット、補助スポットは共に１つの発光点の半導体レーザーを用い」のビーム生成手段は、本願発明の各ビームのを生成する「メインビームとサブビームとを生成する段階」で共通する。
　 (ii)刊行物発明の「補助スポットＳ２〜Ｓ４のいずれかが少なくとも１回照射された後に記録スポットＳ１が照射され、かつ記録ビームは照射された部分が補助ビームにより消去されないように」及び「バイアスパワーＰｂ１とピークパワーＰｐ１の間で強度変調した記録スポットＳ１を照射し、同時に、記録薄膜の温度を結晶化温度以上とするようなパワーＰｂ１で補助スポットＳ２〜Ｓ４を照射し、補助スポットは、記録スポットよりも移送方向の先頭に位置し、一旦補助スポットの照射された後に記録スポットＳ１が照射され」は、光ディスク上への記録ビームと補助ビームの照射による形態と相互ビームの配置についての記載であり、そのうち「補助スポットは、記録スポットよりも移送方向の先頭に位置」は、本願発明では「サブビームを光ディスク上に照射して光ディスクのトラック方向に沿ってメイン光スポットより所定距離だけ先立って」及び「サブ光スポットを形成する」に相当し、さらに、「補助スポットＳ２〜Ｓ４のいずれかが照射され、照射部は、一旦加熱され結晶化温度以上となり、結晶化が始まるものの、線速度が高いために光照射による昇温時間が短く、以前のマークのアモルファス状態が一部が残り、消去残りマーク９となり」は、補助スポットのマークへの影響について記載しているもので、本願発明では「サブビームを光ディスク上に照射して光ディスクのトラック方向に沿って」及び「マークを一次的に消去するサブ光スポットを形成する段階とを含み」に相当するから、結局本願発明の「メインビームを光ディスク上に照射してメイン光スポットを形成し、サブビームを光ディスク上に照射して光ディスクのトラック方向に沿ってメイン光スポットより所定距離だけ先立ってマークを一次的に消去するサブ光スポットを形成する段階とを含み」と共通する。
　 (iii)刊行物発明の「次に、この消去残りマーク９の上に記録スポットＳ１が照射され、記録スポットＳ１のバイアスパワーＰｂ１の照射された部分は、再び結晶化温度以上となり、前記消去残りマークは結晶状態に変化し、ピークパワーＰｐ１の照射された部分において新たなアモルファスの新マーク１０を形成」であるが、そのうち「スポットＳ１のバイアスパワーＰｂ１の照射された部分は、再び結晶化温度以上となり」は、記録スポットによる再消去の状態であり、さらに「ピークパワーＰｐ１の照射された部分において新たなアモルファスの新マーク１０を形成」とは既存マークを消去してあらたな記録マークを形成することであり、これらは「一旦補助スポットの照射された後」に「記録スポットＳ１」の「ピークパワーＰｐ１が照射」されるまでの処理工程であるから、結局本願発明の「記録しようとするマーク長に該当する記録信号によってメイン光スポットによりマークを記録する間に、サブ光スポットで既存マークを一次的に消去した後、記録信号の間にサブ光スポットにより一次的に消去された位置を、記録信号と記録信号との間の消去信号によりメイン光スポットにより再消去することで、メイン光スポットは新たなマークの記録及び既存マークの消去を行い、サブ光スポットは既存のマークの消去のために用いられ」に相当する。
　 (iv)刊行物発明の「高速のオーバライト光学情報記録方法」は本願発明の「マーク記録及び/または消去を可能にした光記録方法」に相当する。
　
　結局のところ、本願発明と刊行物発明との［一致点］及び［相違点］は以下のとおりである。
　
［一致点］　
　「メインビームとサブビームとを生成する段階と、
　前記メインビームを光ディスク上に照射してメイン光スポットを形成し、前記サブビームを前記光ディスク上に照射して前記光ディスクのトラック方向に沿って前記メイン光スポットより所定距離だけ先立ってマークを一次的に消去するサブ光スポットを形成する段階とを含み、記録しようとするマーク長に該当する記録信号によって前記メイン光スポットによりマークを記録する間に、前記サブ光スポットで既存マークを一次的に消去した後、前記記録信号の間にサブ光スポットにより一次的に消去された位置を、前記記録信号と前記記録信号との間の消去信号により前記メイン光スポットにより再消去することで、前記メイン光スポットは新たなマークの記録及び既存マークの消去を行い、前記サブ光スポットは既存のマークの消去のために用いられ、マーク記録及び/または消去を可能にした光記録方法。」
　
［相違点］
　本願発明のものは、サブ光スポットについて「記録信号と同一に変化されるパルス状とされた前記サブ光スポット」とするものであるが、刊行物発明のものはこの点についての言及がされていない点。
　
〔判断〕
　刊行物発明は、補助ビーム形成の際、「
記録スポット、補助スポット共に１つの発光点の半導体レーザーを用い
　
　−補足−
　本願発明の構成要件であり相違点である「記録信号と同一に変化されるパルス状とされた前記サブ光スポット」の技術的意義について論及する。
　１．「パルス状とされた前記サブ光スポット」について、願書に最初に添付した明細書又は図面には以下の記載がある。（下線は当審での付与。）
　 (a)「【００１１】ここで、前記メインビームの消去光パワーをPme、前記サブビームの消去光パワーをPseとする時、前記メインビーム及びサブビームの消去光パワーは関係式Pme≦Pseを満たすようになったことが望ましい。
【００１２】この際、前記メインビームの
消去光パワーPmeは所定大きさの一定の光パワーであり、前記サブビームの消去光パワーPseはパルス状
　 (b)「【００１７】また、光ディスク１０上にメイン光スポットSmとサブ光スポットSsとを形成するために光ディスク１０に入射されるメインビームI及びサブビームIIの光ディスク１０の入射面における消去光パワーは、メインビームIの消去光パワーをPme、サブビームIIの消去光パワーをPseとする時、数式（１）を満たすことが望ましい。
　【００１８】　　　　　　Pme≦Pse　　　　　　　　（１）　
　【００１９】ここで、前記メインビームIの
消去光パワーは一定の値(以下、DC消去光パワー)であり、サブビームIIの消去光パワーは記録信号と同一なパルス状
　 (c)「【００２７】光ディスク１０のトラックに沿ってメインビームIよりサブビームIIが先に照射されるために、前記のようにメインビームI及びサブビームIIが１つの光源１３から出射されて分岐される構造である場合、
パルス状の記録信号の間にサブ光スポットSsはメイン光スポットSmに先立って不完全ながらも既存のマークを一次的に消去する
　【００２８】したがって、
信号消去中にメイン光スポットSmは信号記録中にサブ光スポットSsにより一次的に消去された位置を再消去するために、消去動作を高速で進行しつつ優秀な消去率を達成しうる
　【００２９】一方、図３はDC消去光パワーPeによる消去効果を示す図面である。図３は波長が４０５nm光を出射する光源１３及び開口数０.６５の対物レンズ２１を具備する光学系を適用し、DC消去光パワー(Pe:光ディスク１０の入射面での光パワー)によって、非晶質状態の変化を観察したものである。図３の結果は、図４に示されたように、バイアスパワーPb０.１mWに対してDC消去光パワーPeを２.０mW、２.２mW、２.４mW、２.６mWに変化させて得たものである。」
　【００３０】図３から分かるように、DC消去光パワーPeが増加するほど結晶化がよく進行するが、DC消去光パワーPe２.６mWではむしろ再非晶質化される現象が生じる。このような非晶質化は消去光パワーが適正の範囲を超えて、記録可能な温度となるからである。
したがって、適正DC消去光パワーPeは２.２mWないし２.４mW
　【００３１】図５（Ａ）ないし図５（Ｃ）はパルス状の信号によりマークが消去される程度を示す図面である。図５（Ａ）ないし図５（Ｃ）は波長４０５nmの光及び開口数０.６５の対物レンズ２１を使用し、最小マーク長３Tが０.３０μmである条件で４Tマークを５.８４m/sの線速度で図６のパルス状の記録信号を使用して光ディスク１０に記録した後、その記録位置に２.２mW、３.０mW、５.０mWのパルス状の消去光パワー(Pe-pulse:すなわち、記録信号の間のサブ光スポットSs)を照射して得た結果である。図６において得ようとするマーク(nominal mark)の長さより狭幅に記録信号を加えるのは相変化により形成されるマークの温度による拡散を考慮したからである。
　【００３２】表１は４Tトーンマーク(tone mark)に図３及び図４のようにDC消去光パワーPe及びパルス状の消去光パワー(Pe-pulse)を加えた時、キャリアレベル(C/L:carrier level)変化を比較したものである。表１は線速度５.８４m/s、記録光パワーPw ６.５mW、消去光パワーPe ２.２mW、バイアス光パワーPb ０.３mW、再生光パワーPr ０.４mW、C/N(Carrier to Noise ratio)=５４.０dBである場合に対して得られた結果である。ここで、キャリアレベルはマークの再生信号をスペクトル分析器で分析してdBm単位に示したものである。
　【００３３】【表１】・・・（省略）・・・
　【００３４】表１を説明すれば、
消去光パワーが加えられていない初期４Tマークのキャリアレベルは−３０dBmである。この４Tマークに２.２mWの適正DC消去光パワーPeを加えると、消去が正常に行われてその部分のキャリアレベルは−６０dBmに減少される。
　【００３５】一方、同じ大きさの２.２mWのパルス状消去光パワーを加えると、その部分のキャリアレベルは−３３dBmとなって消去がほとんど行われない。
　【００３６】しかし、５.０mWのパルス状消去光パワーを加えると、その部分のキャリアレベルは−４５dBmまで減少するので、
その部分を再び２.２mWのDC消去光パワーPeで再消去すれば十分な消去率が得られる
　【００３７】したがって、本発明のように、
信号記録中に適正パワーを有するパルス状のサブ光スポットSsで一次的に消去した後、信号消去中にメイン光スポットSmで再消去すれば高速でも十分な消去率が得られる
　等の記載がある。
　
　２．上記記載から判断して、本願発明は「
サブビームの消去光パワーPseはパルス状」
　そして、「信号消去中にメイン光スポットSmは信号記録中にサブ光スポットSsにより一次的に消去された位置を再消去するために、消去動作を高速で進行しつつ優秀な消去率を達成しうるとする。」作用効果について、
【００３３】の【表１】の説明には 『適正DC消去光パワーPeを加えると、消去が正常に行われてその部分のキャリアレベルは−６０dBmに減少される。』と、
【００３５】には『５.０mWのパルス状消去光パワーを加えると、その部分のキャリアレベルは−４５dBmまで減少するので、その部分を再び２.２mWのDC消去光パワーPeで再消去すれば十分な消去率が得られる。』と、記載がある。
　加えて、『したがって、本発明のように、信号記録中に適正パワーを有するパルス状のサブ光スポットSsで一次的に消去した後、信号消去中にメイン光スポットSmで再消去すれば高速でも十分な消去率が得られる。』との記載も参酌すると、パルス状としたサブ光スポットとしたことについて（パルス状でなくとも良いのであるから）高速記録における記録マークを消去していく技術的意義は認めれらないものである。
　結局は、ＤＣ消去光パワーで再消去することで、十分な消却率を得ていくものでサブ光スポットがパルス状でなく直流である場合とで技術的な差異があるとは解されない。
　
　３．上記２．の解釈について関連する、当審からの平成２０年２月２９日付け拒絶理由に対して、請求人は以下の意見書を提出してきた。
　『
拒絶理由通知における指摘（１）
　
「記録しようとするマーク長」と「既存マーク長」の長さが異なるような場合（例：「記録しようとするマーク長が３Ｔ」で消去する「既存マークが１３Ｔ」等）において、「記録信号と同一に変化されるパルス状とされた前記サブ光スポットで既存マークを一次的に消去できない」マーク部分が残ると考えられる。
　
これを次に「前記記録信号と前記記録信号との間の消去信号の間に前記メイン光スポットにより再消去」でどの様に消去するのか不明である。
　この御指摘につきましては、以下のようにご説明いたします。
　まず、本願発明の場合には、基本的には、「記録しようとするマーク長」と「既存マーク長」の長さが同じ場合に最も信頼性の高い高速消去が可能です。しかし、「記録しようとするマーク長」と「既存マーク長」の長さが異なる場合でも、もちろん実施可能です。
　まず、基本的にサブ光スポットを消去パワーレベルにするので、既存マークのうち記録マーク長さ部分（３Ｔ）に該当する部分は消去され、残り部分は消去されない（１次消去されない）可能性があります。
　しかし、記録信号と記録信号との間の消去信号の間に与えられる消去信号に応じてメイン光スポットにより再消去が行われます。すなわち、サブ光スポットによって１次消去が行われない部分は、メインビームによってだけ消去が行われます。したがって「記録しようとするマーク長」と「既存マーク長」の長さが異なる場合であっても、問題ありません。
　このように、「記録しようとするマーク長」と「既存マーク長」の長さが同じ場合に特に、サブ光スポットによって、部分的に消去することができますので、サブビームを用いた１次的な消去を実行しない場合に比べて、全体として消去動作を高速で行いながらも優れた消去率を達成することができます。
　　　　　　　　　　　　・・・（中略）・・・
ｃ３．そして、上記(a)で指摘するように「前記記録信号と同一に変化されるパルス状とされた前記サブ光スポット」で一次消去が完全にできない「既存マーク」があるのであれば「サブ光スポット」乃至「消去信号」のいずれか一つで消去する拒絶の査定で引用した文献と格別な相違はないと判断でき、上記補正に基づく目的効果も不明である。
　確かに、「記録しようとするマーク長」と「既存マーク長」の長さが異なるような場合、「サブ光スポット」乃至「消去信号」のいずれか一つで消去することになります。
　しかし、「記録しようとするマーク長」と「既存マーク長」の長さが同じ場合には、「サブ光スポット」乃至「消去信号」の両方で消去することになり、より優れた消去率を達成することができます。このような技術思想は、引用例１にも引用例２にも開示も示唆もされておりません。』
　上記意見書からも記録信号と同一に変化するパルス状のサブ光スポットは必ずしもより優れた消去率を達成するものでもなく、サブ光スポットがあり、（完全でなくとも）少なからず一次消去されていれば、この後でのメインスポットで再消去することで高速消去が可能であるという程度のものである。この点で、刊行物発明のものが、（明確な記載がないということで（上記〔判断〕参照）パルス状のサブ光スポットでないとしても、記録信号と同一に変化するパルス状のサブ光スポットにそもそも格別な技術的意義があるものではなく、パルス状のサブ光スポットとすること自体刊行物発明のものから適宜なし得ることができるものであるから、本願発明は刊行物発明から当業者が容易に想到できるとした判断に誤りはない。
　
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、刊行物に記載された発明に基づき当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、その余の請求項に論及するまでもなく、拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。