【事件の表示】
　特願２００４−２５８１９３「ＡｌＮメタライズ基板」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　３月　３日出願公開、特開２００５−　５３７７９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成６年７月１１日に出願した特願平６−１５８３５１号の一部を平成１６年９月６日に新たな特許出願としたものであって、平成１９年１１月９日付けで拒絶理由の通知がなされ、平成２０年１月１０日に意見書及び明細書の記載に係る手続補正書の提出がなされ、同年７月２２日付けで拒絶査定がなされ、同年８月２８日に拒絶査定不服の審判請求がなされ、同年９月２９日に前記審判に係る明細書の記載に係る手続補正書の提出がなされ、平成２１年２月９日に特許法第１６４条第３項に基づく報告書を引用した審尋がなされ、同年４月９日に回答書の提出がなされたものである。
　
２．平成２０年９月２９日付け手続補正について
２−１．補正却下の決定の結論
　平成２０年９月２９日付け手続補正を却下する。
２−２．理由
　平成２０年９月２９日付け手続補正（以下、「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲第１項、
「　焼結助剤としてＹ２Ｏ３を含むＡｌＮ焼結体からなる基板と、前記基板表面に設けられ、厚さが9μm以上のメタライズ層と、前記メタライズ層上に設けられためっき層とを具備するＡｌＮメタライズ基板において、
　前記めっき層は析出性の高いＮｉめっきを用いて形成され、かつその一部が前記メタライズ層中に拡散していると共に、前記めっき層の拡散領域が前記メタライズ層の表面から厚さの1/2以下の範囲であり、前記めっき層と前記メタライズ層中の酸化物成分とが直接接触していないことを特徴とするＡｌＮメタライズ基板。」を、
「　焼結助剤としてＹ２Ｏ３を含むＡｌＮ焼結体からなる基板と、前記基板表面に設けられ、厚さが9μm以上の高融点金属を主成分とするメタライズ層と、前記メタライズ層上に設けられためっき層とを具備するＡｌＮメタライズ基板において、
　前記めっき層は析出性の高いＮｉめっきを用いて形成され、かつその一部が前記メタライズ層中に拡散していると共に、前記めっき層の拡散領域が前記メタライズ層の表面から厚さの1/2以下の範囲であり、前記めっき層と前記メタライズ層中の酸化物成分とが直接接触していないことを特徴とするＡｌＮメタライズ基板。」
と補正することを含むものである。
　この補正は、補正前の「メタライズ層」を「高融点金属を主成分とするメタライズ層」と補正するものであって、メタライズ層の主成分を特定したものといえ、平成６年法律第１１６号改正附則第６条によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項第２号の規定を満足する。
　そこで、補正された請求項１に係る発明（以下、「補正後本願発明」という。）が特許出願の際に独立して特許を受けることができるかどうかについて検討する。
　
　特願平６−１５８３５１号の出願日である平成６年７月１１日（以下、「原願出願日」という。）前に頒布された、原査定の拒絶理由に引用文献１として引用された特開平５−１６０５５１号公報（以下、「引用例」という。）には以下の記載がある。
（１）「【請求項１】導電性メタライズ層を有する窒化アルミニウム基板の導電性メタライズ層に、ホウ素系又はリン系の還元剤を使用した無電解ニッケルメッキを施し、該メッキ面を還元雰囲気下、７００〜９００℃の温度で加熱処理し、次いで、上記無電解ニッケルメッキと還元剤の系が異なる還元剤を使用した無電解ニッケルメッキを施した後、形成されるニッケルメッキ面に電子部品を半田付けすることを特徴とする電子部品実装窒化アルミニウム基板の製造方法。」（請求項１）
（２）「本発明において、上記の導電性メタライズ層の材質は、前記した方法により形成されたメタライズが、導電性を示すものあれば特に制限されない。・・・・・上記メタライズ層の材質として、Ｗ、Ｍｏ等の高融点金属を使用した場合に、本発明は特に効果的である」（【００１２】）
（３）「本発明において、上記一次メッキを行うに際し、公知の前処理を行うことが好ましい。かかる前処理としては、・・・・・・エッチング等が実施される。」（【００１３】）
（４）「エッチングは、導電性メタライズ層表面の酸化皮膜の除去・・・・・・ために・・・・・・行われる。」（【００１５】）
（５）「本発明において、一次メッキが終了後、該メッキ面を還元雰囲気下、７００〜９００℃の温度で加熱処理すること（以下、「シンタリング」ともいう）が・・・・・・重要である。また、シンタリングは・・・・・・メタライズ層と一次メッキ層との密着を向上させる効果も有する。・・・・・・上記温度での加熱時間は・・・・・・一般に１〜３０分間が好適である。」（【００１９】〜【００２０】）
（６）「本発明において・・・・・・一次メッキが無電解Ｎｉ−Ｂメッキの場合は、無電解Ｎｉ−Ｐメッキが・・・・・・実施される。」（【００２１】）
（７）「実施例１
　平均粒径１．６μｍの窒化アルミニウム粉末に焼結助剤としてＹ２Ｏ３５重量パーセント添加し・・・・・・シートに成形した。
　・・・・・・
　平均粒径が２μｍのＷ（タングステン）粉末にテレピネオール、エチルセルロース、分散剤を混合して調製された高融点金属ペーストをスクリーン印刷法により先のシートに両面印刷した（以下これを印刷体という）。・・・・・・この印刷体を黒鉛製のセッターに入れ、真空下で１０００℃の温度で加熱処理し、脱脂を行った（以下、これを脱脂体という）。・・・・・・この脱脂体を・・・・・・焼結を行い、Ｗメタライズ層を有する窒化アルミニウム基板を得た（以下、これを試験基板という）。・・・・・・試験基板を・・・・・・エッチング・・・・・・を行った後、一次メッキとして・・・・・・無電解Ｎｉ−Ｐメッキ浴（・・・・・・）に浸漬し、メタライズ層に１μｍの厚みでニッケルメッキを施し、・・・・・・次いで、窒素、水素混合雰囲気中８００℃５分間の加熱処理を行なった。・・・・・・次いで、・・・・・・二次メッキとして、・・・・・・無電解Ｎｉ−Ｂメッキ浴（・・・・・・）に浸漬し、厚み１．５μｍのニッケルメッキを施した。」（【００３４】〜【００３９】）
　
　上記（７）の「スクリーン印刷法により先のシートに両面印刷」は、シート、すなわち、基板表面に行うものであることは明らかであるから、上記（１）〜（７）の記載事項を補正後本願発明の記載ぶりに則して整理すると、引用例には、
「焼結助剤としてＹ２Ｏ３を含む窒化アルミニウム焼結体からなる基板と、前記基板表面に設けられたＷメタライズ層と、前記メタライズ層上に設けられためっき層とを具備する窒化アルミニウム基板において、
　前記めっき層は一次めっき及び二次めっきがニッケルめっきを用いて形成された窒化アルミニウム基板」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているといえる。
　
　次に、補正後本願発明と引用発明を対比する。
（あ）引用発明の「窒化アルミニウム」は「ＡｌＮ」であり、メタライズ層を有しているから、引用発明の「窒化アルミニウム基板」は補正後本願発明の「ＡｌＮメタライズ基板」に相当する。
（い）上記（２）の記載から、Ｗは高融点金属といえ、上記（６）の「Ｗ（タングステン）粉末にテレピネオール、エチルセルロース、分散剤を混合して調製された高融点金属ペースト」なる記載から、Ｗを主成分とするものであることは明らかであるから、引用発明の「Ｗメタライズ層」は補正後本願発明の「高融点金属を主成分とするメタライズ層」に相当する。
（う）本願明細書の【００１５】には、析出性の高いめっきとしてＮｉ−Ｂめっきが記載され、また、同【００２０】〜【００２１】には１次めっきとしてＮｉ−Ｂメッキが、２次めっきとしてＮｉ−Ｐが施されることが記載されている。一方、上記（６）をみると、一次めっきとしてＮｉ−Ｂメッキが、二次めっきとしてＮｉ−Ｐが施されることが、引用例には記載されているといえるから、引用発明のめっき層は本願発明のめっき層と同じものといえ、「めっき層は析出性の高いＮｉめっきを用いて形成され」ているとみることができる。
　そうすると、両者は、共に、
「焼結助剤としてＹ２Ｏ３を含むＡｌＮ焼結体からなる基板と、前記基板表面に設けられ、高融点金属を主成分とするメタライズ層と、前記メタライズ層上に設けられためっき層とを具備するＡｌＮメタライズ基板において、
　前記めっき層は析出性の高いＮｉめっきを用いて形成されたＡｌＮメタライズ基板」である点で一致し、以下の点で相違している。
相違点Ａ：補正後本願発明はメタライズ層の厚みが９μｍ以上であり、めっき層とメタライズ層中の酸化物成分とが直接接触していないものであるのに対し、引用発明はかかる特定を有していない点
相違点Ｂ：メッキ層につき、補正後本願発明は、一部が前記メタライズ層中に拡散していると共に、前記めっき層の拡散領域が前記メタライズ層の表面から厚さの１／２以下の範囲であるのに対し、引用発明はこれら特定を有していない点
　
　これら相違点について検討する。
・相違点Ａについて
　上記（３）及び（４）の記載によれば、引用例には、「前処理としてエッチング等が実施される」こと及び「エッチングは導電性メタライズ層表面の酸化皮膜の除去ために行われる」ことが記載され、めっきに当たりメタライズ層表面に酸化物が存在しないようにするとの教示がなされているといえる。一方、焼結時にＡｌＮ基板とメタライズ層の界面からＡｌＮ基板中の焼結助剤等の酸化物がメタライズ層中へ拡散すること、そしてメタライズ層がある程度厚ければメタライズ表面までこの拡散する酸化物が到達しないことは、技術常識に照らし明らかである。
　そうであれば、酸化物がメタライズ層表面に存在しないように、メタライズ層の厚みを周知のメタライズ層の厚みである９μｍ以上（要すれば、特開平６−１１６０６８号公報、特開平１−２１８０８９号公報、特開昭６３−７９７８０号公報）とすることは、当業者であれば困難なくなしえたことである。
・相違点Ｂについて
　上記（５）によれば、引用例では、メタライズ層と一次めっき層との密着性を向上させるためにシンタリングを行い、このシンタリングの加熱時間には上限があることが記載されているといえる。そうすると、めっき層のメタライズ層中への拡散がメタライズ層の表面からある程度の厚みの範囲でなければならないことを引用例は教示しているといえるから、当業者であれば、めっき層とメタライズ層との密着性などを考慮して、めっき層の拡散領域がメタライズ層の表面から厚さの１／２以下の範囲とすることは困難なくなしえたことである。
　そして、上記相違点Ａ及びＢに係る補正後本願発明の特定事項によってもたらされる効果は当業者であれば当然に予想できる程度のものといえる。
　よって、補正後本願発明は、引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際に独立して特許を受けることはできない。
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　
３．本願発明
　上記のとおり平成２０年９月２９日付け手続補正は却下されたから、本願の請求項１〜２に係る発明は、平成２０年１月１０日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜２に記載されたものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、以下のとおりのものである。
　
「　【請求項１】　焼結助剤としてＹ２Ｏ３を含むＡｌＮ焼結体からなる基板と、前記基板表面に設けられ、厚さが9μm以上のメタライズ層と、前記メタライズ層上に設けられためっき層とを具備するＡｌＮメタライズ基板において、
　前記めっき層は析出性の高いＮｉめっきを用いて形成され、かつその一部が前記メタライズ層中に拡散していると共に、前記めっき層の拡散領域が前記メタライズ層の表面から厚さの1/2以下の範囲であり、前記めっき層と前記メタライズ層中の酸化物成分とが直接接触していないことを特徴とするＡｌＮメタライズ基板。」　
　
　本願発明は、補正後本願発明の「高融点金属を主成分とするメタライズ層」を「メタライズ層」としたものであるから、引用発明と対比すると、上記２−２．で述べたとおりの一致点と相違点を有するものである。そうすると、本願発明は上記２−２．で述べたものと同じ理由により、引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることはできない。
　
４．補正案について
　請求人は、上記回答書において、請求項１の「メタライズ層」に関して、その具体的な構成を減縮するために「ＭｏまたはＷを主成分とするメタライズ層」と補正する用意がある旨を主張するので、この補正について検討する。
　引用例には上記（２）に示すように、メタライズ層の材質として、Ｗ、Ｍｏ等の高融点金属を使用することが記載され、上記（い）において検討したように、これらＷ、Ｍｏはメタライズ層の主成分とみることができるから、引用例には「ＭｏまたはＷを主成分とするメタライズ層」が記載されているといえ、この補正を行った請求項１に係る発明も依然として特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることはできない。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、原出願日前に頒布された引用例に記載された発明及び周知技術に基づき当業者であれば容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。  
　よって、結論のとおり審決する。