【事件の表示】
　平成　９年特許願第１９１９８７号「アクティブマトリクス液晶表示装置の製造方法及びアクティブマトリクス液晶表示装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　３月３１日出願公開、特開平１０−　８２９９７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成９年７月２日（パリ条約による優先権主張１９９６年７月９日、韓国）の出願であって、平成１８年９月１２日に手続補正がなされ、同年１１月６日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成１９年２月９日に拒絶査定不服審判請求がなされるとともに同年３月１２日に手続補正がなされたものである。
　
　
　
ＩＩ．平成１９年３月１２日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１９年３月１２日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１．補正の内容  
　平成１９年３月１２日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の請求項１５を、以下のように補正することを含むものである。  
「【請求項１５】　ゲートバスラインから分岐するゲート電極と、前記ゲート電極を覆うゲート絶縁層と、半導体層と、オーミック接触層と、データバスラインから分岐するソース電極とドレイン電極とを有するスイッチング素子と、前記半導体層を覆う保護層を含む液晶表示装置において、
　前記半導体層と前記保護層との間の剥離現象により、接触界面で発生する電荷トラップを防止するように、前記半導体層はプラズマで表面処理され、Ｓｉ−Ｏ又はＳｉ−Ｎの分子結合を有する表面処理膜を備え、
　前記表面処理膜を被覆する前記保護層は平坦化特性が良い有機物質からなることを特徴とする液晶表示装置。」（以下「本願補正発明」という。）
 　 
 　 
２．新規事項
　上記補正は、補正前の請求項１５における、「前記半導体層はプラズマで表面処理され、Ｓｉ−Ｏ又はＳｉ−Ｎの分子結合を有する表面処理膜」について、「前記半導体層と前記保護層との間の剥離現象により、接触界面で発生する電荷トラップを防止するように、」との限定を付加することを含むものである。
　
　この点について検討する。
　上記補正事項に関して、願書に最初に添付した明細書または図面（以下「当初明細書等」という。）には、次のような記載がある。
ｉ）「本発明は前記のような問題点などを解決するために、前記スイッチング素子の半導体層の表面にＮ２、Ｎを含むガス、Ｆを含むガス、Ｏ２プラズマ（ｐｌａｓｍａ）ガスで表面処理して、前記半導体層表面に安定した構造のＳｉ−Ｏ又はＳｉ−Ｎの分子結合を形成させる。かかる方法は前記半導体層と有機物質の保護層間で膜の剥離が発生し、電荷のチャージ・トラップが発生することを防止する。・・・（以下略）・・・。」（【０００４】）
ｉｉ）「前記のように形成された非晶質シリコン薄膜、すなわち、半導体層（２２）は図７のような化学的構造を有する膜を形成して、前記半導体層（２２）の表面（１３６）は格子欠陥のダングリングボンドを有している。前記のような格子欠陥を有する半導体層（２２）は以後の工程でスピンコーティング法などで塗布される有機保護層とよく密着されずに有機保護層の剥離などが発生する。更に、前記半導体の界面（１３６）のダングリングボンドは、半導体の界面で電荷トラップ（ｃｈａｒｇｅ  ｔｒａｐ）が発生してＴＦＴのｏｎ特性曲線が陰方向に一定量シフト（ｓｈｉｆｔ）させ、より低い電圧でも回路が作動されるようになり、ＴＦＴの不安定を引き起こす（図５）。前記のような半導体層（２２）の表面格子欠格と有機保護層の剥離などを防止するためプラズマ装置で半導体層表面（１３６）にＮ２、Ｎを含むガス、Ｆを含むガス、Ｏ２ガスでプラズマ処理される。半導体層表面（１３６）にＮ２、又はＯ２ガスでプラズマ処理すれば、図８のように半導体層表面（１３６）部分がＳｉ−Ｎ又はＳｉ−Ｏ結合を有する安定化された結合構造を形成する。したがって、Ｓｉ−ＯやＳｉ−Ｎの結合を有する半導体層（２２）の表面（１３６）にＢＣＢなどの有機保護層を塗布しても、半導体層の表面（１３６）と有機保護層の結合が安定し、塗布された層の剥離などが発生しなくなり、又、有機保護層と半導体層（２２）が接する界面部分で電荷トラップ（ｃｈａｒｇｅ  ｔｒａｐ）が生じてＴＦＴのｏｎ特性曲線が陰極性の方に一定量シフト（ｓｈｉｆｔ）されることを防止することができ、ＴＦＴ特性を安定化させる。」（【０００５】）
ｉｉｉ）「前記のように有機ゲート絶縁層（１２３）表面、又は露出された半導体層表面をＮ２、Ｏ２、Ｎを含むガス、Ｆを含むガスなどでプラズマ処理すれば、前記プラズマ処理された界面の分子結合を安定化するため、半導体層（１２２）の界面では電荷トラップ（ｃｈａｒｇｅ  ｔｒａｐ）がなく、ＴＦＴの特性が安定化され、表面処理された有機物質上に例えば、金属、ＩＴＯ膜、ａーＳｉ層などを被着しても膜の剥離が防止される。」（【０００７】）
　しかしながら、当初明細書等には、前記「表面処理膜」が「前記半導体層と前記保護層との間の剥離現象
により
　よって、上記補正は、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものとはいえない。
　
　したがって、本件補正は、平成１４年改正前特許法（以下、単に「特許法」という。）第１７条の２第３項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
　
３．独立特許要件 
　本件補正は、補正前の請求項１５における、「前記半導体層はプラズマで表面処理され、Ｓｉ−Ｏ又はＳｉ−Ｎの分子結合を有する表面処理膜」について、「前記半導体層と前記保護層との間の剥離現象により、接触界面で発生する電荷トラップを防止するように、」との限定を付加するとともに、「前記保護層は・・・前記表面処理膜を被覆している」を、「前記表面処理膜を被覆する前記保護層は・・・」と言い換えたものであって、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当すると認められるところ、以下に述べるとおり、本願補正発明は、特許出願の際に独立して特許を受けることができないものであるので、本件補正は、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
 　 
１〕刊行物記載の発明  
　本願の出願前に頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である特開昭６４−２４２３１号公報（以下「引用刊行物１」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
（ア）「２．特許請求の範囲
　ゲート電極と、これを被覆するゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜上に形成された半導体層と、この半導体層上に形成されたドレイン電極およびソース電極と、これらのドレイン電極およびソース電極上に形成されたパッシベーション膜とを有する薄膜トランジスタにおいて、
　上記パッシベーション膜またはパッシベーション膜とゲート絶縁膜の両方を、感光性ポリイミドで形成したことを特徴とする薄膜トランジスタ。」（第１頁左下欄第４〜１３行）
（イ）「「産業上の利用分野」
　本発明は、液晶表示素子をアクティブマトリックス駆動するための薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと略記する。）に関する。
「従来の技術」
　第３図は従来のＴＦＴの例を示すもので、この例のＴＦＴでは透明ガラス基板ｌ上にゲート電極２が設けられ、このゲート電極２上にはこれを覆うゲート絶縁膜３が設けられている。このゲート絶縁膜３上にはこれを被覆するように半導体層４が形成され、この半導体層４上には所定のチャンネル幅を空けて二つのｎ＋層５，５が形成されている。さらに、これらのｎ＋層５，５上にはそれぞれソース電極６およびドレイン電極７が形成され、これらの上にはパッシベーション膜８が形成され、このパッシベーション膜８上の上記チャンネルに相当する部分にはライトシールド９が設けられている。
　また、透明ガラス基板ｌ上のゲート電極２の側方には、液晶セルの画素電極１０が形成されている。この画素電極１０の一部には、前記ゲート絶縁膜３、半導体層４、ｎ＋層５およびドレイン電極７からなる積層物が延びて積み重なっており、これのゲート絶縁膜３、半導体層４およびｎ＋層５を貫通してコンタクトホール１１が形成され、このコンタクトホール１１内にドレイン電極７と画素電極１０を電気的に接続するコンタクト層１２が設けられている。
　このようなＴＦＴは、透明ガラス基板１上にインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）からなる画素電極１０を蒸着、パターニングして形成し、ついでクロムをスパッタ、パターニングしてゲート電極２を作る。ついで、プラズマＣＶＤ法により窒化ケイ素からなるゲート絶縁膜３、水素化アモルファスシリコンからなる半導体層４およびリン原子をドーピングした水素化アモルファスシリコンからなるｎ＋層５を順次成膜したのち、フォトリソマスクを用いエッチングしてコンタクトホール１１を形成する。・・・（中略）・・・。」（第１頁左下欄第１５行〜第２頁右上欄第１行）
（ウ）「第１図はこの発明によるＴＦＴの一例が示されている。なお、同図において第４図と共通する構成要素には同一符号が付されている。
　この構造のＴＦＴ１３では、ソース・ドレイン電極６，７および画素電極１０上を、ポリイミドを材料とするパッシベーション膜１４で被覆して形成されている。
　この構造のＴＦＴ１３は、透明ガラス基板１上に画素電極１０、ゲート電極２、ゲート絶縁膜３、半導体層４およびｎ＋層５を従来の製造方法と同様にして形成したのち、引き続いてソース電極６とドレイン電極７を形成する。次いで感光性耐熱ポリイミドを溶剤で溶かしたポリイミド溶液をスピンコートし、フォトリソ法にてパターニングを行なって、ポリイミドからなるパッシベーション膜１４を成膜することによって製造される。
　・・・（中略）・・・。
　このように、この構成のＴＦＴ１３では、パッシベーション膜１４を感光性ポリイミドとすることにより、従来の窒化ケイ素を用いたバッシベーション膜８に比べ、成膜再現性を向上させることができ、絶縁膜不良による画素不良の発生を大幅に低減させることができる。
　また、感光性ポリイミドを用いたパッシベーション膜１４は、重合性ポリイミドを溶剤に溶かしたポリイミド溶液をスピンコートし、フォトリソ法にてパターニングすることによって成膜することができるので、従来の窒化ケイ素を用いたパッシベーション膜８に比べ作業能率を向上させることができる。また、このパッシベーション膜は、上記ポリイミド溶液を塗布した後、溶剤を揮発乾燥させて成膜されるので、低温での成膜が可能となり、成膜時の加熱による半導体層４の性能低下を防ぐことができる。
　また、このＴＦＴ１３を液晶表示素子に用いる場合、パッシベーション膜１４に直接ラビング処理を施して配向膜とすることができるので、配向膜形成工程を簡略化することができる。
　なお、上記の例では、ＴＦＴ１３のパッシベーション膜１４のみを感光性ポリイミドで形成したが、パッシベーション膜１４とゲート絶縁膜３の両方を感光性ポリイミドで形成しても良い。」（第２頁左下欄最下行〜第３頁左下欄下から３行目）
（エ）引用刊行物１にＴＦＴ（薄膜トランジスタ）によりアクティブマトリックス駆動される「液晶表示素子」が記載されていることは明らかである。
（オ）引用刊行物１の「半導体層４」は、感光性ポリイミドで形成された「パッシベーション膜１４」で覆われていること、が第１図から見て取れる。
　
　したがって、上記記載事項を総合すると、引用刊行物１には次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されている、と認められる。
　
「ゲート電極と、前記ゲート電極を被覆するゲート絶縁膜と、水素化アモルファスシリコンからなる半導体層と、ｎ＋層と、ソース電極とドレイン電極とを有するＴＦＴと、前記半導体層を覆うパッシベーション膜を含む液晶表示素子において、
　前記パッシベーション膜は感光性ポリイミドからなる液晶表示素子。」
　
　
　また、本願の出願前に頒布され、同じく原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である特開平４−１２２０７２号公報（以下「引用刊行物２」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
（カ）「２．特許請求の範囲
　絶縁性基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体膜、保護膜、この保護膜に形成したコンタクトホールを介して上記半導体膜と接続する、不純物を半導体層中にドープしたコンタクト膜、並びにこのコンタクト膜と接続するソース及びドレイン電極を順に積層してなる薄膜トランジスタを製造する方法において、上記保護膜形成前に上記半導体膜・保護膜界面の半導体膜の膜表面をＨ２，Ｈｅ，Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｎ２，Ｘｅのいずれか、あるいはこれらの内２種類以上の混合ガスを導入し形成したプラズマ中に曝すようにしたことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。」（第１頁左下欄第４〜１６行）
（キ）「［産業上の利用分野］
　この発明は、例えばアクティブマトリックス液晶表示装置のスイチング素子として用いる薄膜トランジスタの特性改善、特にオフ電流の低減に関するものである。」（第１頁左下欄第１８行〜同頁右上欄第２行）
（ク）「この発明は、・・・（中略）・・・、薄膜トランジスタのバックチャネルを不活性化し、その結果として、例えば液晶ディスプレイ等のスィッチング素子として充分に適用し得るオフ電流が十分低い薄膜トランジスタを作製することを目的としている。」（第２頁右上欄第１９行〜同頁左下欄第４行）
（ケ）「［課題を解決するための手段］
　この発明の薄膜トランジスタの製造方法は、薄膜トランジスタの保護膜形成前に半導体・保護膜界面側の半導体膜の膜表面をＨ２，Ｈｅ，Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｎ２，Ｘｅのいずれか、あるいはこれらのうち２種類以上の混合ガスを導入し形成したプラズマ中に曝すようにしたものである。」（第２頁左下欄第５〜１１行）
（コ）「〔作用］
　この発明においては、半導体膜を上記プラズマ中に曝すようにしたので、薄膜トランジスタのバックチャネルを不活性化し、薄膜トランジスタのオフ動作時にバックチャネルに流れる漏れ電流を減少させ、その結果として薄膜トランジスタのオフ電流を低減させることができる。」（第２頁左下欄第１２〜１８行）
（サ）「［実施例］
　以下この発明の実施例を図について説明する。
　第１図（ａ）〜（ｇ）の工程順に示す断面図に基づき、この発明の一実施例の薄膜トランジスタの製造方法を説明する。
　まず、Ｃｒ等の金属膜を絶縁性基板（１）上に形成し、写真製版法でゲート電極パターン（２）を形成する（第１図ａ）。次いで、ゲート絶縁膜（３）、半導体膜（４）を成膜後（第１図ｂ）、半導体膜（４）の表面をＨ２，Ｈｅ，Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｎ２，Ｘｅのいずれか、あるいはこれらのうち２種類以上の混合ガスを導入し形成したプラズマ中に曝す（第１図ｃ）。次いで、保護膜（５）を成膜し、写真製版法でバターニングを行いＳｉをアイランド化する（第１図ｄ）。その後、写真製版法でパターニングを行い、コンタクト膜（６）と半導体膜（４）を接続するためのコンタクトホールを開ける（第１図ｅ）。次いで、コンタクト膜（６）、及びソーストレイン電極（７）を成膜し、その後写真製版法でパターン形成をする（第１図ｆ）。最後に第２保護膜（８）を形成する（第１図ｇ）。」（第２頁左下欄第１９行〜同頁右下欄第１９行）
（シ）「この発明においては、薄膜トランジスタの保護膜形成前に半導体・保護膜界面側の半導体層の膜表面をＨ２，Ｈｅ，Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｎ２，Ｘｅのいずれか、あるいはこれらのうち２種類以上の混合ガスを導入し形成したプラズマ中に曝すことで、薄膜トランジスタのバックチャネルを不活性化し、薄膜トランジスタのオフ動作時にバックチャネルに流れる漏れ電流を減少させ、　その結果として薄膜トランジスタのオフ電流を低減させている。
　ゲート絶縁膜（３）として窒化Ｓｉ膜、半導体膜（４）として非晶質Ｓｉ、保護膜（５）として窒化Ｓｉ膜、コンタクト膜（６）として燐を不純物としてドープした非晶質Ｓｉを用い、表に示す条件のＨ２プラズマに曝し、この発明の一実施例による薄膜トランジスタ作製した。・・・（中略）・・・。
　以上の結果から、保護膜形成前に半導体膜・保護膜界面側の半導体膜（４）の膜表面をＨ２ガスを導入し形成したプラズマ中に曝すことにより、薄膜トランジスタの半導体・保護膜界面に界面準位が導入され不活性化し、その結果として、半導体・保護膜界面のエネルギーバンドが第４図（ａ）の説明図の様になり、オフ時に薄膜トランジスタの半導体・保護膜界面を通じてリーク電流として流れるバックチャネル電流が低下し、その結果としてオフ電流が減少したと考えられる。第４図（ｂ）は従来例による薄膜トランジスタの半導体・保護膜界面のエネルギーバンドを示す説明図である。
　なお、上記実施例では、Ｈ２プラズマに曝した場合について述べたが、Ｈｅ，Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｎ２，Ｘｅにいずれかあるいはこれらの内２種類以上の混合ガス及びそれらを主成分とするガス中に曝しても同様な効果を有する。」（第３頁左上欄第１０行〜同頁右下欄第１７行）
　
　したがって、上記記載事項を総合すると、引用刊行物２には次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されている、と認められる。
　
「絶縁性基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、非晶質Ｓｉ半導体膜、保護膜、この保護膜に形成したコンタクトホールを介して上記非晶質Ｓｉ半導体膜と接続する、不純物を半導体層中にドープしたコンタクト膜、並びにこのコンタクト膜と接続するソース及びドレイン電極を順に積層してなるアクティブマトリックス液晶表示装置用薄膜トランジスタの製造方法において、上記保護膜形成前に上記非晶質Ｓｉ半導体膜の膜表面をＮ２ガスを導入し形成したプラズマ中に曝すことにより、オフ電流が十分低い薄膜トランジスタを作製するもの。」
　
　
２〕対比
  本願補正発明と引用発明１を対比する。
　引用発明１の「ゲート電極」、「被覆する」、「ゲート絶縁膜」、「水素化アモルファスシリコンからなる半導体層」、「ｎ＋層」、「ソース電極」、「ドレイン電極」、「ＴＦＴ」、「パッシベーション膜」、「液晶表示素子」及び「感光性ポリイミド」は、それぞれ本願補正発明の「ゲート電極」、「覆う」、「ゲート絶縁層」、「半導体層」、「オーミック接触層」、「ソース電極」、「ドレイン電極」、「スイッチング素子」、「保護層」、「液晶表示装置」及び「有機物質」に相当する。
　
　したがって、両者は、　  
 「ゲート電極と、前記ゲート電極を覆うゲート絶縁層と、半導体層と、オーミック接触層と、ソース電極とドレイン電極とを有するスイッチング素子と、前記半導体層を覆う保護層を含む液晶表示装置において、
　前記保護層は有機物質からなる液晶表示装置。」
である点で一致し、以下の点において相違する。
　
相違点
〔相違点１〕：本願補正発明は、ゲート電極がゲートバスラインから分岐し、ソース電極がデータバスラインから分岐するのに対し、引用発明１は、各電極が各バスラインから分岐するものであるのかどうか不明な点。
〔相違点２〕：本願補正発明は、半導体層と保護層との間の剥離現象により、接触界面で発生する電荷トラップを防止するように、前記半導体層はプラズマで表面処理され、Ｓｉ−Ｏ又はＳｉ−Ｎの分子結合を有する表面処理膜を備え、前記保護層は前記表面処理膜を被覆するのに対し、引用発明１は、そのような表面処理膜がない点。
〔相違点３〕：保護層を構成する有機物質が、本願補正発明は平坦化特性が良いものであるのに対し、引用発明１は感光性ポリイミドであって、該感光性ポリイミドが平坦化特性が良いかどうか不明な点。
　
３〕判断  
　上記相違点につき検討する。
〔相違点１〕について
　液晶表示装置において、ゲート電極がゲートバスラインから分岐し、ソース電極がデータバスラインから分岐するように構成するものは、本願出願前周知であり（必要なら、特開平６−２４２４６８号公報（請求項１、図２）、特開平６−２８９４２７号公報（請求項１、図３）、特開平６−３１０７２３号公報（【０００５】、図６）等参照。）、この周知技術を引用発明１に適用して、上記〔相違点１〕に係る本願補正発明の技術的事項とすることは、当業者が容易になし得ることである。
〔相違点２〕について
　非晶質Ｓｉ半導体膜の膜表面をＮ２ガスを導入し形成したプラズマ中に曝すことにより、オフ電流が十分低い薄膜トランジスタを作製することは引用発明２において知られているところ、非晶質シリコン層の表面を窒素を含むプラズマふん囲気に曝すことで該表面のシリコン原子のダングリングボンドに窒素が結合して非晶質シリコンの表面が不活性化されることは特開平２−１３７３２５号公報（第３頁右下欄第６〜１７行）（以下「引用刊行物３」という。）において知られており、上記引用発明２のプラズマ処理を引用発明１の半導体層に施して該半導体層表面にＳｉ−Ｎの分子結合を有する表面処理膜を形成し、保護層が該表面処理膜を被覆するようになし、半導体層と保護層の接触界面で発生する電荷トラップを防止するようになすことは、当業者が容易になし得ることである。
　なお、本願発明は、半導体層と保護層との間の剥離現象により、接触界面で発生する電荷トラップを防止するとしているが、上記のように引用発明２のプラズマ処理を引用発明１の半導体層に施したものにおいても、その原因が半導体層と保護層との間の剥離現象であるか否かにかかわりなく、半導体層と保護層の接触界面で発生する電荷トラップを防止するものが得られるといえるから、上記点については格別の相違点であるとはいえない。
〔相違点３〕について
　液晶表示装置の平坦化膜として感光性ポリイミドを用いることは本願出願前に周知であり（例えば、特開昭６３−１５５１８０号公報（第４頁右上欄第２０行〜同頁左下欄第２行、同頁右下欄第５〜１１行）、特開平６−３４７８２８号公報（【００５６】、【００６５】、図２（ｃ））等参照。）、感光性ポリイミドが平坦化特性が良いものである、といえることは当業者において明らかである。
　
　そして、本願補正発明によってもたされる効果は、引用刊行物１〜３に記載された発明及び各周知技術から当業者が予測し得る程度のものである。
　
　したがって、本願補正発明は、引用刊行物１〜３に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
４〕むすび  
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
　
ＩＩＩ．本願発明について
１．本願発明
　平成１９年３月１２日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１８年９月１２日付け手続補正によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜２８に記載されたものであるところ、その請求項１５は次の事項によって特定されるものである。
　
「【請求項１５】　ゲートバスラインから分岐するゲート電極と、前記ゲート電極を覆うゲート絶縁層と、半導体層と、オーミック接触層と、データバスラインから分岐するソース電極とドレイン電極とを有するスイッチング素子と、前記半導体層を覆う保護層を含む液晶表示装置において、
　前記半導体層はプラズマで表面処理され、Ｓｉ−Ｏ又はＳｉ−Ｎの分子結合を有する表面処理膜を備え、
　前記保護層は平坦化特性が良い有機物質で前記表面処理膜を被覆していることを特徴とする液晶表示装置。」（以下「本願発明」という。）
　
２．刊行物記載の発明
　原査定の拒絶の理由で引用された引用刊行物１、２及び引用発明１、２は、前記ＩＩ．３．１〕において記載したとおりである。
　
３．対比・判断
　本願発明は、前記ＩＩ．で検討した本願補正発明において、「前記半導体層はプラズマで表面処理され、Ｓｉ−Ｏ又はＳｉ−Ｎの分子結合を有する表面処理膜」が、「前記半導体層と前記保護層との間の剥離現象により、接触界面で発生する電荷トラップを防止するように、」との限定を省き、「前記表面処理膜を被覆する前記保護層は・・・」を「前記保護層は・・・前記表面処理膜を被覆している」と言い換えたものである。そうすると、本願発明の発明特定事項をすべて含み、さらに限定を付加したものに相当する本願補正発明が、上記ＩＩ．３．で検討したとおり、引用刊行物１〜３に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明することができたものであるから、本願発明も同様の理由により、引用刊行物１〜３に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物１〜３に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。