【事件の表示】
　平成１１年特許願第３１１１８２号「半導体基板の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　４月　３日出願公開、特開２００１−　８９２９６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１１年１１月１日の出願（パリ条約による優先権主張１９９８年１１月４日、米国、１９９９年３月１５日、米国、１９９９年８月３０日、米国）であって、平成１１年１２月２４日に特許法第３６条の２第２項に規定する外国語書面の翻訳文の提出がなされ、平成１６年３月９日付けで拒絶理由の通知がなされ、平成１６年６月１５日に意見書及び明細書の記載に係る手続補正書が提出されたが、平成１６年１０月２６日付けで拒絶査定がなされ、平成１７年１月３１日に拒絶査定不服の審判請求がなされ、平成１７年３月２日に明細書の記載に係る手続補正書が提出され、平成１７年４月６日に前記審判に係る請求書の手続補正書が提出され、平成２０年６月３日付けで特許法第１６４条第３項に基づく報告を引用した審尋がなされ、平成２０年１２月４日に回答書が提出されたものである。
　
２．平成１７年３月２日付けの明細書の記載に係る手続補正についての補正却下の決定
（１）補正却下の決定の結論
　平成１７年３月２日付けの明細書の記載に係る手続補正を却下する。
（２）理由
　平成１７年３月２日付けの明細書の記載に係る手続補正（以下、「本件補正」という。）は、請求項１において、「前記第１ドープ領域（２１０Ａ）を形成するために用いられた所定のシラン流と一致したシラン流を維持しながら第１ドープ領域を除去することによって」なる特定事項を付加する補正を含むものである（以下、「補正１」という。）。
　補正１について検討すると、特許法第３６条の２第４項の規定により本願の願書に最初に添付した明細書又は図面とみなされた外国語書面の翻訳文（以下、単に「翻訳文」という。）には、第１ドープ領域を形成するステップ（Ｂ１）及びそれに続く第２ドープ領域の形成ステップ（Ｂ２）に関して、「第１ドープ領域２１０Ａは、ドーパントコントローラに直接供給される１２０ｐｐｍのボロンソースを用い、その後、トリクロロシラン（・・・）で混合し、それを５リットル／分の速度で流すことにより形成される。・・・第２ドープ領域２１０Ｂは、１１５０℃の温度でＴＣＳを５リットル／分で流しながら、１２０ｐｐｍのボロンソースを取り除くことにより形成される。」（翻訳文の明細書の段落【００２３】）、「・・・第１ドープ領域をエピタキシャル的に形成し（ステップ４１５Ａ）、その後、この第１ドープ領域上に第２ドープ領域をエピタキシャル的に形成する（ステップ４１５Ｂ）。」（同段落【００３１】）及び「ステップ４１５Ａで形成されたＥＰＩ層の第１ドープ領域の厚さは、第１ドーパント濃度が適用される第１期間により決定される。その後、ドーパント濃度を下げて、ＥＰＩ層の成長を第２ドープ領域の厚さを決定する第２期間の間、継続する。」（同段落【００３４】）と記載されており、第２ドープ領域をエピタキシャル的に形成する際に、供給されるドーパントを調整して形成する技術的事項は記載されているものの、「第１ドープ領域を除去する」ことによって第２ドープ領域を形成することについては何ら記載されておらず、また翻訳文の他のすべての記載事項を総合しても導かれる事項とも認められない。よって、「第１ドープ領域を除去する」ことによって第１ドープ領域上に第２ドープ領域を形成することは、翻訳文のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入するものである。
　そうすると、上記補正１は、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面とみなされた外国語書面の翻訳文に記載した事項の範囲内においてなされたものではない。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明
　平成１７年３月２日付けの明細書の記載に係る手続補正は、上記のとおり、補正却下の決定がなされた。
　したがって、本願の特許請求の範囲に記載された発明は、平成１６年６月１５日付け手続補正書によって補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜１０に記載されたとおりのものであり、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、次の事項により特定されるものである。
「【請求項１】（Ａ）半導体ウェハ上に、あるドーパント濃度を有する基礎基板（２０５）を形成するステップと、
　（Ｂ）前記基礎基板（２０５）上に、エピタキシャル（ＥＰＩ）層を形成するステップと、を有する半導体基板の形成方法において、前記（Ｂ）のステップは、
　（Ｂ１）前記基礎基板上のＥＰＩ層内に、第１ドープ領域（２１０Ａ）をエピタキシャル的に形成するステップと、
　（Ｂ２）前記第１ドープ領域（２１０Ａ）上に、第２ドープ領域（２１０Ｂ）をエピタキシャル的に形成するステップと、
からなり、
　前記第１ドープ領域（２１０Ａ）は、前記基礎基板（２０５）のドーパント濃度以上のドーパント濃度を有し、
　前記第２ドープ領域（２１０Ｂ）は、第１ドープ領域（２１０Ａ）のドーパント濃度以下のドーパント濃度を有し、前記前記第１のドープ領域（２１０Ａ）は１０17ｃｍ-3以上のドーパント濃度を有することを特徴とする半導体基板の製造方法。」
　
４．引用刊行物記載の発明
　原査定の拒絶の理由で引用された、本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である特開平１０−０５０７１４号公報（以下、「引用刊行物」という。）には、次の事項が記載されている。
（ア）「この発明は、エピタキシャル層を形成した半導体シリコン基板の改良に係り、特に、ドーパント濃度が１×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以下のシリコン基板を用いて、気相成長法またはイオン注入法にてドーパント濃度の異なる層を積層することにより、製造が容易で・・・効果を有する半導体シリコン基板とその製造方法に関する。」（段落【０００１】）
（イ）「発明者らは、・・・エピタキシャル成長によりＤＺ層を形成しているので酸素析出が起こり難く、ＤＺ層として高濃度ドープ層を用いているので、ラッチアップ対策としても非常に有効であることを知見し、この発明を完成した。」（段落【００１３】）
（ウ）「この発明は、ドーパント濃度が１×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以下のシリコン基板において、気相成長法あるいはイオン注入法により、基板上にドーパント濃度が１×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以上である第一層とドーパント濃度が１×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以下である第二層を順次積層したシリコン基板である。」（段落【００１６】）
（エ）「一例を示すと、・・・ドーパント濃度が１×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以下のシリコン基板１上に、気相成長法あるいはイオン注入法により、ドーパント濃度が１×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以上である第一層２を形成すること・・・。
　・・・気相成長法やイオン注入法により形成するため、膜厚やドーパント濃度の制御が容易で、かつ急峻な界面が得られる。
　次に、・・・第一層２上に気相成長法あるいはイオン注入法により、ドーパント濃度が１×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以下である第二層３、すなわちエピタキシャル層を形成して２層構造となす。先の第一層２は・・・ＤＺ層であり、これによって、気相成長法により形成する場合、ＤＺ−ＩＧ処理工程を省略でき、気相成長法あるいはイオン注入法による場合は、ＤＺ層の厚さの制御が可能となる。」（段落【００２２】〜【００２４】）
（オ）「【実施例】
実施例１
以下の実施例に用いた本発明の基板およびエピタキシャル層の構造は次の通りである。
１）外観：　　・・・両面鏡面基板
・・・
３）抵抗率：　３〜５Ω・ｃｍ（ボロン濃度：２．８〜４．５×１０15ａｔｏｍｓ／ｃｍ3）
４）第一層　　・抵抗率：０．００１〜０．００３Ω・ｃｍ（ボロン濃度：３．５〜１３×１０19ａｔｏｍｓ／ｃｍ3）
・・・
５）第二層　　・抵抗率：〜１０Ω・ｃｍ（ボロン濃度：〜ｌ．５×１０15ａｔｏｍｓ／ｃｍ3）
・・・
第一層と第二層はＳｉＨＣｌ3を原料ガスとした熱ＣＶＤ法（化学気相成長法）により形成した。」（段落【００３１】）
　
　ここで、上記（ア）〜（オ）の摘示事項について検討する。
（カ）上記（ア）には「この発明は、エピタキシャル層を形成した半導体シリコン基板の改良」に係ることが記載されているから、上記（ウ）に記載の「第一層と・・・第二層を順次積層したシリコン基板」が「半導体基板」であることは明らかである。
（キ）上記（ウ）に記載されているシリコン基板及び各層のドーパント濃度の大小関係からみて、第一層がシリコン基板のドーパント濃度以上のドーパント濃度を有し、第二層が第一層のドーパント濃度以下のドーパント濃度を有していることは明らかである。
（ク）上記（エ）及び（イ）には、それぞれ「第一層２は・・・ＤＺ層」であること及び「エピタキシャル成長によりＤＺ層を形成している」ことが記載されているから、第一層をエピタキシャル成長させて形成していることは明らかである。
　そうすると、上記（ア）〜（オ）の記載事項を本願発明１の記載ぶりに則して記載すると、引用刊行物には、
「ドーパント濃度が１×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以下のシリコン基板上に、エピタキシャル層を形成するステップを有するシリコン基板の形成方法において、前記ステップは、
　前記シリコン基板上に、第一層をエピタキシャル成長させて形成するステップと、
　前記第一層上に、第二層をエピタキシャル成長させて形成するステップと、
からなり、
　前記第一層は、前記シリコン基板のドーパント濃度以上のドーパント濃度を有し、
　前記第二層は、第一層のドーパント濃度以下のドーパント濃度を有し、前記第一層は１０18ａｔｏｓ／ｃｍ3以上のドーパント濃度を有する半導体基板の製造方法。」
の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
  　
５．対比・検討
　本願発明１と引用発明とを対比する。
　ここで、
（あ）引用発明の「第一層」及び「第二層」が、それぞれ本願発明１における「第１のドープ領域」及び「第２のドープ領域」に相当することは明らかである。また、引用発明における「ドーパント濃度が１×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以下のシリコン基板」は、上記４（オ）記載の実施例によれば、「ボロン濃度：２．８〜４．５×１０15ａｔｏｍｓ／ｃｍ3」といったある所定量のドーパント濃度を有しており、その上にエピタキシャル層を形成する基板として用いられているから、当該シリコン基板は本願発明１における「あるドーパント濃度を有する基礎基板」に相当するといえる。
（い）本願発明１のステップ（Ｂ１）及び（Ｂ２）における「エピタキシャル的に形成」なる文言は、日本語として必ずしも明確ではないが、本願の翻訳文の明細書には「ＥＰＩ層２１０は第１ドープ領域２１０Ａと第２ドープ領域２１０Ｂを有し、これらはエピタキシャルプロセスで形成される」（翻訳文の明細書の段落【００２１】）と記載されていることからみて、上記「エピタキシャル的に形成」とは「エピタキシャル成長によって形成」の意味であると解される。
（う）引用発明におけるドーパント濃度の単位「ａｔｏｍｓ／ｃｍ3」は、技術常識からして、「ａｔｏｍｓ」を省略した本願発明のドーパント濃度の単位「ｃｍ-3」と同じ単位量であり、「１０18」は「１０×１０17」であるから、引用発明１の第一層のドーパント濃度「１０18ａｔｏｓ／ｃｍ3以上」が本願発明の第１ドープ領域のドーパント濃度「１０17ｃｍ-3以上」の範囲に含まれることは明らかである。
　そうすると、両発明は、
「（Ｂ）あるドーパント濃度を有する基礎基板上に、エピタキシャル（ＥＰＩ）層を形成するステップを有する半導体基板の形成方法において、前記（Ｂ）のステップは、
　（Ｂ１）前記基礎基板上に、第１ドープ領域をエピタキシャル的に形成するステップと、
　（Ｂ２）前記第１ドープ領域上に、第２ドープ領域をエピタキシャル的に形成するステップと、
からなり、
　前記第１ドープ領域は、前記基礎基板のドーパント濃度以上のドーパント濃度を有し、
　前記第２ドープ領域は、第１ドープ領域のドーパント濃度以下のドーパント濃度を有し、前記前記第１のドープ領域は１０17ｃｍ-3以上のドーパント濃度を有することを特徴とする半導体基板の製造方法」
である点で一致し、
（ａ）本願発明１が「（Ａ）半導体ウェハ上に、あるドーパント濃度を有する基礎基板を形成するステップ」を有するのに対して、引用発明にはかかるステップがない点（相違点（ａ））、
（ｂ）本願発明１が「基礎基板上のＥＰＩ層内」に第１ドープ領域を形成しているのに対して、引用発明では第１ドープ領域の形成される部分が特定されていない点（相違点（ｂ））、
で相違する。
　上記相違点について検討する。
・相違点（ａ）について
　引用刊行物には、半導体ウェハ上に基礎となるシリコン基板を形成することについては記載されていないものの、所望の半導体デバイス特性に応じて、当該基礎基板を半導体ウェハ上に形成する工程を採用する程度のことは、当業者が適宜成し得ることにすぎない。
・相違点（ｂ）について
　本願発明１における「（Ｂ１）前記基礎基板上のＥＰＩ層内に、第１ドープ領域（２１０Ａ）をエピタキシャル的に形成するステップ」は、「（Ｂ）前記基礎基板（２０５）上に、エピタキシャル（ＥＰＩ）層を形成するステップ」の中の一ステップであり、当該ＥＰＩ層は第１ドープ領域及び第２ドープ領域からなるものであるから（翻訳文の明細書の段落【００２１】）、上記Ｂ１ステップにおける「基礎基板上のＥＰＩ層内」とは、第２ドープ領域が形成される基礎基板上の部分を意味していることは明らかである。
　一方、引用刊行物には、上記摘示事項４（エ）に「第二層３、すなわちエピタキシャル層」との記載があるように、第二層をエピタキシャル層と称してはいるものの、上記摘示事項４（ウ）に記載のとおり、第一層及び第二層は、本願発明１同様、基礎基板上に順次積層してエピタキシャル成長させて形成しているのであるから、当該第一層が形成される基礎基板の部分は、第二層が形成される部分であることは明らかである。
　そうすると、引用発明においても、本願発明１の「ＥＰＩ層内」に相当する部分に第一層が形成されていることになるから、上記相違点（ｂ）は、単に文言上相違するものであって、実質的な相違点であるとは認められない。
　そして、本願の翻訳文の明細書及び図面を参照しても、本願発明１が引用発明に比して、当業者が予測し得ない格別顕著な効果を奏するものとも認められない。
　したがって、本願発明１は、引用刊行物に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明１は、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。