【事件の表示】
　特願２００３−　３３０６３「半導体製造装置用ウェハ保持体およびそれを搭載した半導体製造装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　９月　２日出願公開、特開２００４−２４７３６５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１５年２月１２日の出願であって、平成１８年３月１３日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年４月２７日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年５月２６日付けで手続補正がなされ、その後、当審において、平成２０年７月４日付けで審尋がなされ、回答書の提出がなかったものである。
　　
第２　平成１８年５月２６日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１８年５月２６日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲と発明の詳細な説明を補正するものであり、特許請求の範囲の補正については、補正前の請求項１ないし３を、補正後の請求項１及び２と補正しているが、そのうち、補正後の請求項１については、以下のとおりである。
補正事項ａ
　補正前の請求項１を、補正後の請求項１の「【請求項１】　１２インチウェハを搭載するウェハ搭載面を有するウェハ保持体において、該ウェハ保持体が少なくとも抵抗発熱体を有し、前記ウェハ搭載面の平面度が０．５ｍｍ以下であり、前記ウェハ保持体を支持するシャフトが前記ウェハ保持体に接合されており、前記シャフトのウェハ保持体との接合面の面積が、搭載するウェハの面積の１０％以下であることを特徴とする半導体製造装置用ウェハ保持体。」と補正したこと。
　
２　本件補正についての検討
２−１　補正事項の整理
　補正事項ａについての補正は、補正前の請求項１の「ウェハ搭載面」を、補正後の請求項１の「１２インチウェハを搭載するウェハ搭載面」（以下、「補正事項ａ−１」という。）と補正し、補正前の請求項１の「ウェハ保持体において、前記ウェハ保持体を支持するシャフト」を、補正後の請求項１の「ウェハ保持体において、該ウェハ保持体が少なくとも抵抗発熱体を有し、前記ウェハ搭載面の平面度が０．５ｍｍ以下であり、前記ウェハ保持体を支持するシャフト」（以下、「補正事項ａ−２」という。）と補正し、補正前の請求項１の「前記シャフトのウェハ保持体との接合面の面積が、搭載するウェハの面積の２０％以下である」を、補正後の請求項１の「前記シャフトのウェハ保持体との接合面の面積が、搭載するウェハの面積の１０％以下である」（以下、「補正事項ａ−３」という。）と補正したものである。
　
２−２　補正の目的の適否及び新規事項の追加の有無についての検討
　補正事項ａについての補正は、補正事項ａ−１ないし補正事項ａ−３からなるが、そのうちの補正事項ａ−２について検討する。
　補正事項ａ−２についての補正は、補正前の請求項１の「ウェハ保持体において、」と「前記ウェハ保持体を支持するシャフト」の間に、「該ウェハ保持体が少なくとも抵抗発熱体を有し、」（以下、「補正事項ａ−２−１」という。）と、「前記ウェハ搭載面の平面度が０．５ｍｍ以下であり、」（以下、「補正事項ａ−２−２」という。）を加える補正であるので、順次、検討する。
補正事項ａ−２−１について
　補正事項ａ−２−１についての補正は、補正前の請求項２に記載の「前記ウェハ保持体が、少なくとも抵抗発熱体を有する」という事項を、補正後の請求項１に加えた補正であるから、特許請求の範囲の減縮を目的とする補正に該当する。
補正事項ａ−２−２について
　補正事項ａ−２−２についての補正は、補正後の請求項１の「前記ウェハ搭載面の平面度が０．５ｍｍ以下であり、」という発明を特定するための事項を追加したものであり、「ウェハ搭載面の平面度」について、補正前の請求項１に記載されていないので、発明を特定するための事項の限定とはいえない。
　すると、補正事項ａ−２−２についての補正は、限定的減縮とはなっていないので、補正事項ａ−２−２についての補正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものではない。また、補正事項ａ−２−２についての補正は、請求項の削除、誤記の訂正、拒絶理由通知に係る拒絶の理由に示す事項についてする明りょうでない記載の釈明のいずれを目的とするものにも該当しないことは明らかである。
　
２−３　補正の目的の適否及び新規事項の追加の有無についてのむすび
　補正事項ａ−２−２についての補正を含む本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定に違反する。
　
３　本件補正の独立特許要件についての検討
　次に、仮に、補正事項ａ−２−２についての補正が、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであって、本件補正が、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たすものとして、本件補正の独立特許要件についての検討をする。
　
　本願の補正後の請求項１ないし２に係る発明のうち、本願の補正後の請求項１に係る発明は、「第２　１」に掲げた補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、次のとおりのものである。
「【請求項１】　１２インチウェハを搭載するウェハ搭載面を有するウェハ保持体において、該ウェハ保持体が少なくとも抵抗発熱体を有し、前記ウェハ搭載面の平面度が０．５ｍｍ以下であり、前記ウェハ保持体を支持するシャフトが前記ウェハ保持体に接合されており、前記シャフトのウェハ保持体との接合面の面積が、搭載するウェハの面積の１０％以下であることを特徴とする半導体製造装置用ウェハ保持体。」
　
３−１　引用刊行物に記載された発明
刊行物１．特開２０００−１１４３５５号公報
　原審の拒絶理由通知に引用され、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物１（特開２０００−１１４３５５号公報）には、図５ないし図７とともに、「板状セラミック体と筒状セラミック体との接合構造体及びこの接合構造体を用いた加熱装置」（発明の名称）に関して、以下の事項が記載されている。
ア　「【００３１】図５は本発明の接合構造体を加熱装置に応用した例を示す斜視図、図６は図５の加熱装置を成膜装置やエッチング装置の真空処理室に設置した概略を示す断面図、図７は図５の加熱装置を分解した斜視図である。なお、図１乃至図３と同一部分については同一符号で示す。
【００３２】この加熱装置は、円盤状をしたセラミックヒータ１と外向きのフランジ部８を有する筒状セラミック体７とをセラミック結合層９を介して焼結一体化された縦断面形状が略Ｔ字形をしたものである。セラミックヒータ１は円盤状をした板状セラミック体２からなり、その上面を半導体ウエハＷの載置面４とし、上記板状セラミック体２の内部にヒータ電極３を埋設したもので、ヒータ電極３は板状セラミック体２の下面に接合された給電端子５と電気的に接続されている。
【００３３】また、加熱装置を構成する板状セラミック体２と筒状セラミック体７とは、図７に示すように筒状セラミック体７のフランジ部８が包囲する部分の面積をＡ、上記フランジ部８のみが占める面積をＢとした時、面積比Ｂ／Ａが０．１１〜０．６となるように構成してある。」
イ　「【００３６】この加熱装置によれば、セラミックヒータ１、筒状セラミック体７、及びセラミック結合層９がいずれも耐蝕性、耐プラズマ性、耐熱性等に優れたセラミックスからなるため、ハロゲンガスやプラズマに曝されたとしても殆ど摩耗せず、また、高温に加熱されたとしても破損することがない。
【００３７】また、セラミックヒータ１とセラミック結合層９及びセラミック結合層９と筒状セラミック体７は共に焼結一体化されているとともに、板状セラミック体２と筒状セラミック体７とは最適な面積比で接合されていることから、ハロゲンガスやプラズマに曝されたり、高温に加熱されたとしても接合部にクラックが発生したり、破断することがないため、長期間にわたって気密性を維持することができる。」
ウ　「【００３８】なお、加熱装置を構成するセラミックヒータ１、筒状セラミック体７、及びセラミック結合層９の材質としては、前述したアルミナ、窒化珪素、窒化アルミニウム、窒化硼素等を主成分とするセラミックスを用いることができ、これらの中でも窒化アルミニウムを主成分とするセラミックスは、他のセラミックスと比較して熱伝導率が高く、また、耐プラズマ性や塩素系ガスに対する耐蝕性を有するため、半導体製造用の加熱装置を構成する材質として好適である。
【００３９】また、上記セラミックヒータ１、セラミック結合層９、及び筒状セラミック体７は同一の主成分からなるセラミックスにより形成することが良く、さらに好ましくは同一組成のセラミックスにより形成することが良い。」
エ　「【００４４】
【実施例】（実施例１）ここで、面積比Ｂ／Ａを異ならせた図５の加熱装置を試作し、接合部の気密性と接合度合いについて調べる実験を行った。
【００４５】本実験では、加熱装置を構成するセラミックヒータ１及び筒状セラミック体７を窒化アルミニウムの含有量が９９．８％の高純度窒化アルミニウムセラミックスにより形成し、外径１８０mm、厚み１１〜１３ｍｍの円盤状をしたセラミックヒータと、外径２３０ｍｍ、厚み１５〜１８ｍｍの円盤状をしたセラミックヒータを用意し、各セラミックヒータ１にフランジ部８を有するさまざまな径の筒状セラミック体７を焼結により一体的に接合した。」
オ　「【００４８】面積比Ｂ／Ａ及びその結果は表１に示す通りである。
【００４９】
【表１】　省略」
カ　表１には、試験結果の良好な試料について、次のことが記載されている。
　試料　面積（Ａ）　面積（Ｂ）　面積比
　Ｎｏ  （ｃｍ２）　（ｃｍ２）    （Ｂ／Ａ）
　　３　　　２７　　　　　３　　　０．１１
　　４　　　３０　　　　　６　　　０．２０
　　５　　　３８　　　　１４　　　０．３７
　　６　　　４２　　　　１８　　　０．４３
　　７　　　５０　　　　２６　　　０．５２
　　８　　　５０　　　　３６　　　０．６０
　　９　　　２９　　　　　３　　　０．１０
　１０　　　５０　　　　２５　　　０．５０
　
　以上の記載から、刊行物１には、以下の発明が記載されている。
「半導体ウエハＷの載置面４を有する円盤状をしたセラミックヒータ１において、前記セラミックヒータ１がヒータ電極３を有し、外向きのフランジ部８を有する筒状セラミック体７が前記セラミックヒータ１に接合されており、前記筒状セラミック体７のフランジ部８が包囲する部分の面積をＡ、前記フランジ部８のみが占める面積をＢとした時、面積比Ｂ／Ａが０．１１〜０．６となるように構成してあり、前記セラミックヒータ１の外径は２３０ｍｍであることを特徴とするセラミックヒータ。」
　
刊行物２．特開平１１−３３９９３９号公報
　原審の拒絶理由通知に引用され、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物２（特開平１１−３３９９３９号公報）には、図５とともに、「セラミックヒーター」（発明の名称）に関して、以下の事項が記載されている。
ア　「【０００４】こうした問題点を解決するために、耐食性に優れた緻密なセラミック体中に抵抗発熱体を埋設してなるセラミックヒータが提案されている。」
イ　「【０００６】
【発明が解決しようとする課題】・・・上記セラミックヒータ１１を発熱させると、筒状支持体１６を介して反応処理室へ熱が逃げる熱引けが起こるため、筒状支持体１６が位置するセラミックヒータ１１の中央における熱容量が周縁より小さくなり、載置面１３の均熱性が阻害されるといった課題があった。その為、成膜毎に膜質や膜厚みが異なり、一定品質の薄膜を安定して成膜することができなかった。」
　
刊行物３．特開２００２−３７３８３７号公報
　新たに引用する、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物３（特開２００２−３７３８３７号公報）には、図１ないし図３、図６とともに、「サセプターの支持構造」（発明の名称）に関して、以下の事項が記載されている。
ア　「【０００２】
【従来の技術】半導体製造用途等においては、例えば図６に示すように、セラミックヒーター２をチャンバー１０の内側壁面へと取り付ける必要がある。このため、セラミックス板製の筒状の支持部材２１の一端２１ａをセラミックヒーター２の接合面（背面）２ｂへと取り付け、この支持部材２１の他端２１ｃをチャンバー１０の内側壁面１０ｄへと取り付けることが行われている。支持部材２１は、アルミナ、窒化アルミニウム等の耐熱性のセラミックスによって形成されている。支持部材２１の内側空間６とチャンバー１０の開口１０ａとを連通させる。支持部材２１とチャンバー１０との間はＯリング２０によって気密に封止する。これによって、支持部材２１の内側空間６とチャンバー１０の内部空間５との間を気密に封止し、チャンバー１０の内部空間５内のガスがチャンバー１０の外部へと漏れないようにする。セラミックサセプター２内には、例えば抵抗発熱体４が埋設されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】セラミックサセプター２の半導体ウエハー１の設置面（加熱面）２ａの温度は、例えば４００℃以上、時には６００℃以上にも達する。」
イ　「【０００５】支持部材のサセプターに対する接合強度を向上させるためには、およびガス穴や、端子および熱電対を通すための貫通孔を支持部材２１の壁面の内部に設けるためには、支持部材２１を肉厚にし、支持部材のサセプターに対する接合面積を増大させる必要がある。しかし、支持部材を肉厚にすると、前述のように支持部材に温度勾配があることから、支持部材を伝搬する熱伝導量が大きくなる。この結果、支持部材の接合部分２１ａの近辺からの熱伝導の増大によって、加熱面２ａにコールドスポットが生ずる。このため、支持部材の本体部分は肉薄にし、支持部材のサセプター側端部に肉厚の拡張部分（フランジ部分）を設けることが有用である。」
ウ　「【００１３】  図１−図３の実施形態を参照しつつ、本発明を更に説明する。
【００１４】筒状の支持部材７の一端には拡径部７ａが設けられており、他端にも拡径部７ｃが設けられている。拡径部７ａの接合面（端面）７ｅがサセプター２の接合面（背面）２ｂへと接合されている。」
エ　「【００３３】セラミックサセプターは何らかの加熱源によって加熱されるが、その加熱源は限定されず、外部の熱源（例えば赤外線ランプ）によって加熱されるサセプターと、内部の熱源（例えばサセプター内に埋設されたヒーター）によって加熱されるサセプターとの双方を含む。サセプター中には、抵抗発熱体、静電チャック用電極、プラズマ発生用電極などの機能性部品を埋設することができる。」
オ　「【００３５】
【実施例】（本発明例１−５）図１−図３を参照しつつ説明した本発明の取付構造を作製した。サセプター２としては、直径３３０ｍｍ、厚さ１５ｍｍの窒化アルミニウム焼結体製の円盤を使用した。支持部材７は、緻密質の窒化アルミニウム焼結体によって成形した。支持部材７とサセプター２とを、特開平８−７３２８０号公報に記載のようにして固相接合した。支持部材７とチャンバー１０との間は、ネジによって締めつけ固定した。Ｏリング１２はフッ素ゴムからなる。
【００３６】支持部材７の全長は１８０ｍｍとした。支持部材７の内径は３８ｍｍとし、本体部分７ｂの厚さは８ｍｍとし、拡径部７ａの厚さは８ｍｍとした。アール部分１７の曲率半径ＲＥは３ｍｍとし、段差ａは２ｍｍとし、真直部分１６の長さｂは５ｍｍとした。アール部分１３の曲率半径Ｒは表１に示す。
【００３７】この状態で、サセプター２の設置面２ａの温度を約６００°に加熱したものという設定で、シュミレーションを行った。この状態で、支持部材７の内部応力をその全体にわたって計算し、最大応力を求めた。また、支持部材７のチャンバー側の端部７ｃの温度を求めた。」
　　
刊行物４．特開２０００−２１９５７号公報　
　新たに引用する、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物４（特開２０００−２１９５７号公報）には、図１ないし図７とともに、「試料加熱装置」（発明の名称）に関して、以下の事項が記載されている。
ア　「【０００３】例えば、図７に従来の試料加熱装置を真空処理室内に取り付けた状態を示すように、２０はプロセスガスを供給するためのガス供給孔２１と真空引きするための排気孔２２を備えた真空処理室で、該真空処理室２０内にはセラミックヒータ３２とセラミック筒状支持体４２とからなる試料加熱装置３１が設置されている。この種のセラミックヒータ３２は、円盤状をなし上下面が平滑かつ平坦に形成された板状セラミック体３３からなり、該板状セラミック体３３中には抵抗発熱体３４を埋設するとともに、一方の主面をウエハＷの載置面３５とし、他方の主面には上記抵抗発熱体３４と電気的に接続された給電端子３６が接合されている。また、上記板状セラミック体３３の他方の主面には、前記給電端子３６を包囲するようにセラミック筒状支持体４２がガラス接合でもって接合一体化され、給電端子３６へ接続されるリード線３７を真空処理室２０外へ取り出すようになっていた（特開平４−７８１３８号公報参照）。」
イ　「【００１２】図１は本発明の試料加熱装置を真空処理室に取り付けた状態を示す断面図、図２は試料加熱装置のみを示す斜視図、図３は試料加熱装置の分解図である。
【００１３】図１において、２０はプロセスガスを供給するためのガス供給孔２１と真空引きするための排気孔２２を備えた真空処理室で、該真空処理室２０内にはセラミックヒータ２とセラミック筒状支持体１２とからなる試料加熱装置１を設置してある。このセラミックヒータ２は、図２に示すように円盤状をなし上下面が平滑な板状セラミック体３からなり、その大きさとしてはウエハＷのサイズにもよるが外径１５０〜３５０ｍｍ、厚み８〜２５ｍｍ程度のものを用いることができる。また、板状セラミック体３中にはタングステンやモリブデンあるいは白金等の金属からなる抵抗発熱体４を埋設してあり、一方の主面をウエハＷの載置面５とするとともに、他方の主面には上記抵抗発熱体４と電気的に接続される給電端子６を接合してある。なお、本発明において主面とは、板状セラミック体３のうち最も広い表面のことであり、他方の主面とは、一方の主面と反対側の表面のことを言う。」
ウ　「【００１５】そして、上記板状セラミック体３の他方の主面には、給電端子６及び温度検出手段８のリード線９を包囲するように円筒状をしたセラミック筒状支持体１２が焼結によって気密に接合一体化してあり、給電端子６及び温度検出手段８へ接続されるリード線７，９を真空処理室２０外へ取り出すようになっている。
【００１６】ここで、セラミックヒータ２を構成する板状セラミック体３及びセラミック筒状支持体１２としては、緻密で耐熱性、耐蝕性、さらには耐プラズマ性に優れたセラミックスにより形成することが必要であり、このようなセラミックスとしては窒化珪素、サイアロン、窒化アルミニウム、窒化硼素を主成分とする窒化物系セラミックスを用いることができる。これらの中でも特に窒化アルミニウムを主成分とするセラミックスは、他のセラミックスと比較して高い熱伝導率を有することから、急速昇温が可能であるとともに、腐食性の高いハロゲン系ガスやプラズマに対して優れていることから好適である。
【００１７】また、板状セラミック体３とセラミック筒状支持体１２とは、焼結によって接合一体化する観点から同種（主成分が同じ）のセラミックスにより形成することが必要であり、好ましくは同一組成のセラミックスにより形成することが良い。これにより両者の熱膨張差を極めて小さくすることができるため、接合界面に発生する熱応力を大幅に低減することができ、接合部１０にクラックが発生するのを抑えることができる。」
エ　「【００３４】（実施例１）ここで、セラミック筒状支持体１２との接合部１０の外周縁及び／又は内周縁に沿って環状溝２ａを設けることによる効果を確認するために、環状溝２ａを持たない従来の試料加熱装置３１を真空処理室２０に設置し、セラミックヒータ３２の平均温度が８００℃となるまで加熱したあと、赤外線放射温度計にて載置面３５の温度を１０点測定して温度分布を測定し、この温度分布をもとに有限要素法を用いたシミュレーション解析を行うことにより、セラミック筒状支持体１２との接合部１０の外周縁に沿って環状溝２ａを設けた試料加熱装置１、セラミック筒状支持体１２との接合部１０の内周縁に沿って環状溝２ａを設けた試料加熱装置１、セラミック筒状支持体１２との接合部１０の内周縁及び外周縁に沿って環状溝２ａをそれぞれ設けた試料加熱装置１、及び環状溝２ａを持たない従来の試料加熱装置３１について、板状セラミック体３，３３とセラミック筒状支持体１２，４２との接合部１０，４０に発生する熱応力を各々解析した。
【００３５】なお、モデルの寸法は、板状セラミック体３，３３が外径３００ｍｍ、厚み１５ｍｍ、セラミック筒状支持体１２，４２が外径５０ｍｍ、肉厚８ｍｍとし、板状セラミック体３，３３及びセラミック筒状支持体１２，４２はいずれも２５℃における熱伝導率が６４Ｗ／ｍｋ、８００℃における熱伝導率が３２Ｗ／ｍｋである窒化アルミニウムを主成分とするセラミックスを想定して実験を行った。」
オ　「セラミックヒータ２を構成する板状セラミック体３」（例えば、【００１６】段落）という記載から、「セラミックヒータ２」と「板状セラミック体３」とは、同等の構成である。
　
　以上の記載から、刊行物４には、以下の発明が記載されている。
「ウエハＷの載置面５を有するセラミックヒータ２において、前記セラミックヒータ２が抵抗発熱体４を有し、セラミック筒状支持体１２が前記セラミックヒータ２に接合されており、前記セラミックヒータ２を構成する板状セラミック体３の外径は３００ｍｍであり、前記セラミック筒状支持体１２の外径は５０ｍｍ、肉厚は８ｍｍであることを特徴とするセラミックヒータ。」
　
３−２　対比・判断
３−２−１　補正後の請求項１に係る発明について
３−２−１−１　刊行物１を主たる引用例とする場合
３−２−１−１−１　対比
　本願の補正後の請求項１に係る発明（以下、「本願補正後発明１」という。）と刊行物１に記載された発明（以下、「刊行物１発明」という。）とを対比する。
（ａ）刊行物１発明の「半導体ウエハＷの載置面４」、「円盤状をしたセラミックヒータ１」は、それぞれ、本願補正後発明１の「ウェハ搭載面」、「ウェハ保持体」に相当するので、刊行物１発明の「半導体ウエハＷの載置面４を有する円盤状をしたセラミックヒータ１」は、本願補正後発明１の「ウェハ搭載面を有するウェハ保持体」に相当する。
（ｂ）刊行物１発明の「ヒータ電極３」は、本願補正後発明１の「発熱体」に相当する。
（ｃ）刊行物１発明の「外向きのフランジ部８を有する筒状セラミック体７」は、本願補正後発明１の「ウェハ保持体を支持するシャフト」に相当するので、刊行物１発明の「外向きのフランジ部８を有する筒状セラミック体７が前記セラミックヒータ１に接合されて」いることは、本願補正後発明１の「ウェハ保持体を支持するシャフトが前記ウェハ保持体に接合されて」いることに相当する。
（ｄ）刊行物１発明の「セラミックヒータ」は、「半導体ウエハＷの載置面４を有」しており、半導体製造装置に用いられることは明らかであるので、刊行物１発明の「セラミックヒータ」は、本願補正後発明１の「半導体製造装置用ウェハ保持体」に相当する。
　すると、本願補正後発明１と刊行物１発明とは、
「ウェハ搭載面を有するウェハ保持体において、該ウェハ保持体が少なくとも発熱体を有し、前記ウェハ保持体を支持するシャフトが前記ウェハ保持体に接合されていることを特徴とする半導体製造装置用ウェハ保持体。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
　相違点１
　本願補正後発明１は、「ウェハ搭載面を有するウェハ保持体」が、「１２インチウェハを搭載する」のに対して、刊行物１発明は、本願補正後発明１の「ウェハ搭載面を有するウェハ保持体」に相当する刊行物１発明の「半導体ウエハＷの載置面４を有する円盤状をしたセラミックヒータ１」が、どのようなサイズの「半導体ウエハＷ」を搭載するか記載されていない点。
　相違点２
　本願補正後発明１は、「抵抗発熱体」を有するのに対して、刊行物１発明は、「ヒータ電極３」を有する点。
　相違点３
　本願補正後発明１は、「前記ウェハ搭載面の平面度が０．５ｍｍ以下であ」るのに対して、刊行物１発明は、「ウェハ搭載面の平面度」についての記載がない点。
　相違点４
　本願補正後発明１は、「前記シャフトのウェハ保持体との接合面の面積が、搭載するウェハの面積の１０％以下である」のに対して、刊行物１発明は、「前記筒状セラミック体７のフランジ部８が包囲する部分の面積をＡ、前記フランジ部８のみが占める面積をＢとした時、面積比Ｂ／Ａが０．１１〜０．６となるように構成してあ」るものの、本願補正後発明１の「前記シャフトのウェハ保持体との接合面の面積が、搭載するウェハの面積の１０％以下である」ことについての記載がない点。
　
３−２−１−１−２　判断
　以下において、相違点１ないし４について検討する。
　相違点１について
（ａ）刊行物１発明の「セラミックヒータ１の外径は２３０ｍｍである」ことから、刊行物１発明では、８インチウェハを搭載することを前提としているものと認められる。
（ｂ）しかしながら、刊行物３の摘記事項オには、「サセプター２としては、直径３３０ｍｍ、厚さ１５ｍｍの窒化アルミニウム焼結体製の円盤」（【００３５】段落）が記載されており、刊行物４の摘記事項エには、「モデルの寸法は、板状セラミック体３，３３が外径３００ｍｍ、厚み１５ｍｍ」（【００３５】段落）であることが記載されている。
（ｃ）そして、刊行物３に記載の「サセプター２」と、刊行物４に記載の「板状セラミック体３，３３」は、いずれも、本願補正後発明１の「ウェハ保持体」に相当しており、刊行物３に記載の「直径３３０ｍｍ」の「サセプター２」と刊行物４に記載の「外径３００ｍｍ」の「板状セラミック体３，３３」は、いずれも、周知の１２インチウェハを搭載するものであると認められる。
（ｄ）すると、刊行物１発明の「セラミックヒータ１の外径は２３０ｍｍである」ものに代えて、刊行物３に記載の「直径３３０ｍｍ」の「サセプター２」、又は、刊行物４に記載の「外径３００ｍｍ」の「板状セラミック体３，３３」を採用して、本願補正後発明１のごとく、「１２インチウェハを搭載する」ようになすことは、当業者が適宜なし得た程度のことと認められる。
　相違点２について
（ａ）例えば、刊行物２の摘記事項ア、刊行物３摘記事項ア、エ、刊行物４の摘記事項イに記載されているように、「抵抗発熱体」は、周知技術である。
（ｂ）したがって、刊行物１発明の「ヒータ電極３」として、周知技術である「抵抗発熱体」を用いることは、当業者が適宜なし得た程度のことと認められる。
　相違点３について
　熱伝導を良好にするために、ウェハ保持体のウェハ搭載面の平面度を高めることは、自明の課題であり、かつ、ウェハ保持体のウェハ搭載面の平面度が０．５ｍｍ以下であることにも、臨界的な意義が認められないので、本願補正後発明１の「ウェハ搭載面の平面度が０．５ｍｍ以下であ」ることは、当業者が適宜なし得た程度のことと認められる。
　相違点４について
（ａ）刊行物１発明の「セラミックヒータ１の外径は２３０ｍｍである」ことから、刊行物１発明では、８インチウェハ、すなわち、直径２０ｃｍのウェハを搭載することを前提としているものと認められる。
（ｂ）すると、刊行物１の摘記事項カの表１の記載に、本願補正後発明１の「前記シャフトのウェハ保持体との接合面の面積が、搭載するウェハの面積の」「％」に相当する、「（筒状セラミック体７のフランジ部８のみが占める面積である）面積（Ｂ）（ｃｍ２）÷８インチウェハの面積（３１４ｃｍ２）（％）」の計算値を加えて、次の表（以下、「表１ａ」という。）が得られる。
　試料　面積（Ａ）　面積（Ｂ）　面積比　　　面積（Ｂ）（ｃｍ２）÷
　Ｎｏ  （ｃｍ２）　（ｃｍ２）    （Ｂ／Ａ）　８インチウェハの面積（％）
　　３　　　２７　　　　　３　　　０．１１　　　０．９６
　　４　　　３０　　　　　６　　　０．２０　　　１．９１
　　５　　　３８　　　　１４　　　０．３７　　　４．４５
　　６　　　４２　　　　１８　　　０．４３　　　５．７３
　　７　　　５０　　　　２６　　　０．５２　　　８．２８
　　８　　　５０　　　　３６　　　０．６０　　１１．４６
　　９　　　２９　　　　　３　　　０．１０　　　０．９６
　１０　　　５０　　　　２５　　　０．５０　　　７．９６
（ｃ）刊行物２の摘記事項イには、「上記セラミックヒータ１１を発熱させると、筒状支持体１６を介して反応処理室へ熱が逃げる熱引けが起こるため、筒状支持体１６が位置するセラミックヒータ１１の中央における熱容量が周縁より小さくなり、載置面１３の均熱性が阻害されるといった課題があった。」（【０００６】段落）という課題が記載されており、この課題を考慮すると、本願補正後発明１の「前記シャフトのウェハ保持体との接合面の面積」を小さくして、「前記シャフトのウェハ保持体との接合面の面積」と「搭載するウェハの面積」の比を小さくすることは、当業者が適宜なし得たことである。
（ｄ）そして、本願補正後発明１の「前記シャフトのウェハ保持体との接合面の面積」と「搭載するウェハの面積」の比に相当する、刊行物１の「面積（Ｂ）（ｃｍ２）÷８インチウェハの面積（３１４ｃｍ２）（％）」は、８インチウェハの面積との比ではあるが、上記の表１ａに記載のとおり、試料Ｎｏ８の１１．４６％を除いて、試料Ｎｏ３ないし７、９、１０で１０％よりも小さいものとなっており、刊行物１には、本願補正後発明１の「前記シャフトのウェハ保持体との接合面の面積が、搭載するウェハの面積の１０％以下であること」に相当することが示されていることになる。
（ｅ）刊行物３の摘記事項オには、「サセプター２としては、直径３３０ｍｍ、厚さ１５ｍｍの窒化アルミニウム焼結体製の円盤」（【００３５】段落）、「支持部材７の内径は３８ｍｍとし、本体部分７ｂの厚さは８ｍｍとし、拡径部７ａの厚さは８ｍｍとした。アール部分１７の曲率半径ＲＥは３ｍｍとし、段差ａは２ｍｍとし、真直部分１６の長さｂは５ｍｍとした。アール部分１３の曲率半径Ｒは表１に示す。」（【００３６】段落）が記載されており、また、刊行物４の摘記事項エには、「モデルの寸法は、板状セラミック体３，３３が外径３００ｍｍ、厚み１５ｍｍ、セラミック筒状支持体１２，４２が外径５０ｍｍ、肉厚８ｍｍ」（【００３５】段落）であることが記載されている。
　なお、上記の刊行物４の摘記事項エの「板状セラミック体３」は、「セラミックヒータ２を構成する」（例えば、【００１６】段落）ものである。
（ｆ）そして、刊行物３に記載の「サセプター２」と、刊行物４に記載の「板状セラミック体３，３３」は、いずれも、本願補正後発明１の「ウェハ保持体」に相当しており、刊行物３に記載の「直径３３０ｍｍ」の「サセプター２」と刊行物４に記載の「外径３００ｍｍ」の「板状セラミック体３，３３」は、いずれも、周知の１２インチウェハを搭載するものであると認められる。
　また、刊行物３に記載の「支持部材７」と刊行物４に記載の「セラミック筒状支持体１２，４２」は、いずれも、本願補正後発明１の「シャフト」に相当する。
（ｇ）そこで、刊行物３に記載の「支持部材７の内径は３８ｍｍとし、」「拡径部７ａの厚さは８ｍｍとした」ことから、支持部材７のサセプター２との接合部分の面積を計算すると、約５２７．５ｍｍ２となるので、１２インチウェハの面積７０６５０ｍｍ２との比は、約０．７５％となり、刊行物３には、本願補正後発明１の「前記シャフトのウェハ保持体との接合面の面積が、搭載するウェハの面積の１０％以下であること」に相当することが示されていることになり、かつ、この「１０％」と比較すると、１／１０以下である。
（ｈ）刊行物４に記載の「セラミック筒状支持体１２，４２が外径５０ｍｍ、肉厚８ｍｍ」の数値から、セラミック筒状支持体１２，４２の断面積を計算すると、約５７７．８ｍｍ２となるので、１２インチウェハの面積７０６５０ｍｍ２との比は、約０．８２％となる。
　また、刊行物４に記載の「セラミック筒状支持体１２，４２」が、図１、図３ないし図７に記載のように、フランジ部を有することを考慮しても、セラミック筒状支持体１２，４２の板状セラミック体３，３３との接合部分の面積が、セラミック筒状支持体１２，４２の断面積の、高々数倍になるだけであるから、フランジ部を有することを考慮した場合でも、刊行物４には、本願補正後発明１の「前記シャフトのウェハ保持体との接合面の面積が、搭載するウェハの面積の１０％以下であること」に相当することが示されていることになる。
（ｉ）したがって、上記の（ｃ）に記載の課題を考慮し、かつ、上記の（ｄ）に記載の刊行物１に示されている事項、上記の（ｇ）に記載の刊行物３に示されている事項、上記の（ｈ）に記載の刊行物４に示されている事項を適用して、本願補正後発明１のごとく、「前記シャフトのウェハ保持体との接合面の面積が、搭載するウェハの面積の１０％以下」とすることは、当業者が容易になし得たことと認められる。
　
　したがって、本願の補正後の請求項１に係る発明は、刊行物１ないし４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
３−２−１−２　刊行物４を主たる引用例とする場合
３−２−１−２−１　対比
　本願補正後発明１と刊行物４に記載された発明（以下、「刊行物４発明」という。）とを対比する。
（ａ）刊行物４発明の「ウエハＷの載置面５」、「セラミックヒータ２」は、それぞれ、本願補正後発明１の「ウェハ搭載面」、「ウェハ保持体」に相当するので、刊行物４発明の「ウエハＷの載置面５を有するセラミックヒータ２」は、本願補正後発明１の「ウェハ搭載面を有するウェハ保持体」に相当する。
（ｂ）刊行物４発明の「抵抗発熱体４」は、本願補正後発明１の「抵抗発熱体」に相当する。
（ｃ）刊行物４発明の「セラミック筒状支持体１２」は、本願補正後発明１の「ウェハ保持体を支持するシャフト」に相当するので、刊行物４発明の「セラミック筒状支持体１２が前記セラミックヒータ２に接合されて」いることは、本願補正後発明１の「ウェハ保持体を支持するシャフトが前記ウェハ保持体に接合されて」いることに相当する。
（ｄ）刊行物４発明の「セラミックヒータ」は、「ウエハＷの載置面５を有」しており、半導体製造装置に用いられることは明らかであるので、刊行物４発明の「セラミックヒータ」は、本願補正後発明１の「半導体製造装置用ウェハ保持体」に相当する。
　すると、本願補正後発明１と刊行物４発明とは、
「ウェハ搭載面を有するウェハ保持体において、該ウェハ保持体が少なくとも抵抗発熱体を有し、前記ウェハ保持体を支持するシャフトが前記ウェハ保持体に接合されていることを特徴とする半導体製造装置用ウェハ保持体。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
　相違点５
　本願補正後発明１は、「ウェハ搭載面を有するウェハ保持体」が、「１２インチウェハを搭載する」のに対して、刊行物４発明は、本願補正後発明１の「ウェハ搭載面を有するウェハ保持体」に相当する刊行物４発明の「ウエハＷの載置面５を有するセラミックヒータ２」が、どのようなサイズの「半導体ウエハＷ」を搭載するか記載されていない点。
　相違点６
　本願補正後発明１は、「前記ウェハ搭載面の平面度が０．５ｍｍ以下であ」るのに対して、刊行物４発明は、「ウェハ搭載面の平面度」についての記載がない点。
　相違点７
　本願補正後発明１は、「前記シャフトのウェハ保持体との接合面の面積が、搭載するウェハの面積の１０％以下である」のに対して、刊行物４発明は、「前記セラミックヒータ２を構成する板状セラミック体３の外径は３００ｍｍであり、前記セラミック筒状支持体１２の外径は５０ｍｍ、肉厚は８ｍｍである」ものの、本願補正後発明１の「前記シャフトのウェハ保持体との接合面の面積が、搭載するウェハの面積の１０％以下である」ことについての記載がない点。
　
３−２−１−２−２　判断
　以下において、相違点５ないし７について検討する。
　相違点５について
（ａ）刊行物４発明の「前記セラミックヒータ２を構成する板状セラミック体３の外径は３００ｍｍであ」る。
（ｂ）刊行物３の摘記事項オには、「サセプター２としては、直径３３０ｍｍ、厚さ１５ｍｍの窒化アルミニウム焼結体製の円盤」（【００３５】段落）が記載されている。
（ｂ）そして、刊行物３に記載の「サセプター２」と、刊行物４発明の「セラミックヒータ２を構成する板状セラミック体３」は、いずれも、本願補正後発明１の「ウェハ保持体」に相当しており、刊行物３に記載の「直径３３０ｍｍ」の「サセプター２」と刊行物４発明の「外径３００ｍｍ」の「セラミックヒータ２を構成する板状セラミック体３」は、いずれも、周知の１２インチウェハを搭載できるものであると認められる。
（ｃ）したがって、刊行物３に記載の「サセプター２」、又は、刊行物４発明の「セラミックヒータ２を構成する板状セラミック体３」に搭載するウェハとして、周知の１２インチウェハを選択して、本願補正後発明１のごとく、「１２インチウェハを搭載するウェハ搭載面を有するウェハ保持体」とすることは、当業者が適宜なし得た程度のことと認められる。
　相違点６について
　熱伝導を良好にするために、ウェハ保持体のウェハ搭載面の平面度を高めることは、自明の課題であり、かつ、ウェハ保持体のウェハ搭載面の平面度が０．５ｍｍ以下であることにも、臨界的な意義が認められないので、本願補正後発明１の「ウェハ搭載面の平面度が０．５ｍｍ以下であ」ることは、当業者が適宜なし得た程度のことと認められる。
　相違点７について
（ａ）刊行物４発明の「前記セラミックヒータ２を構成する板状セラミック体３の外径は３００ｍｍであり、前記セラミック筒状支持体１２の外径は５０ｍｍ、肉厚は８ｍｍ」である。
　そして、刊行物４発明の「セラミックヒータ２を構成する板状セラミック体３」は、本願補正後発明１の「ウェハ保持体」に相当しており、刊行物４発明の「外径３００ｍｍ」の「セラミックヒータ２を構成する板状セラミック体３」は、周知の１２インチウェハを搭載できるものであると認められる。
（ｂ）刊行物２の摘記事項イには、「上記セラミックヒータ１１を発熱させると、筒状支持体１６を介して反応処理室へ熱が逃げる熱引けが起こるため、筒状支持体１６が位置するセラミックヒータ１１の中央における熱容量が周縁より小さくなり、載置面１３の均熱性が阻害されるといった課題があった。」（【０００６】段落）という課題が記載されており、この課題を考慮すると、本願補正後発明１の「前記シャフトのウェハ保持体との接合面の面積」を小さくして、「前記シャフトのウェハ保持体との接合面の面積」と「搭載するウェハの面積」の比を小さくすることは、当業者が適宜なし得たことである。
（ｃ）すると、刊行物４発明の「前記セラミック筒状支持体１２の外径は５０ｍｍ、肉厚は８ｍｍ」の数値から、「セラミック筒状支持体１２」の断面積を計算すると、約５７７．８ｍｍ２となるので、１２インチウェハの面積７０６５０ｍｍ２との比は、約０．８２％となる。
　また、刊行物４発明の「セラミック筒状支持体１２」が、図１、図３ないし図７に記載のように、フランジ部を有することを考慮しても、セラミック筒状支持体１２のセラミックヒータ２との接合部分の面積は、「セラミック筒状支持体１２」の断面積の、高々数倍になるだけであるから、フランジ部を有することを考慮した場合でも、刊行物４には、本願補正後発明１の「前記シャフトのウェハ保持体との接合面の面積が、搭載するウェハの面積の１０％以下であること」に相当することが示されていることになる。
（ｄ）したがって、上記の（ｂ）に記載の課題を考慮し、かつ、刊行物４に示されている事項を適用して、本願補正後発明１のごとく、「前記シャフトのウェハ保持体との接合面の面積が、搭載するウェハの面積の１０％以下」とすることは、当業者が容易になし得たことと認められる。
　
　したがって、本願の補正後の請求項１に係る発明は、刊行物２ないし４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
３−３　独立特許要件についてのむすび
　以上のとおり、補正後の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないので、補正後の他の請求項に係る発明についての検討をするまでもなく、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものである。
　
４　まとめ
　よって、本件補正は、上記「２−３」、及び上記「３−３」に記載のとおり、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定に違反するとともに、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　　
第３　本願発明について
　平成１８年５月２６日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし３に係る発明は、願書に最初に添付した明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、そのうち、本願の請求項１に係る発明は、以下のとおりのものである。
「【請求項１】　ウェハ搭載面を有するウェハ保持体において、前記ウェハ保持体を支持するシャフトが前記ウェハ保持体に接合されており、前記シャフトのウェハ保持体との接合面の面積が、搭載するウェハの面積の２０％以下であることを特徴とする半導体製造装置用ウェハ保持体。」
　
第４　引用刊行物に記載された発明
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物１及び刊行物２に記載された事項は、上記の「第２　３−１」に記載したとおりである。
　また、刊行物１には、以下の発明（以下、「刊行物発明」という。）が記載されている。
　「半導体ウエハＷの載置面４を有する円盤状をしたセラミックヒータ１において、外向きのフランジ部８を有する筒状セラミック体７が前記セラミックヒータ１に接合されており、前記筒状セラミック体７のフランジ部８が包囲する部分の面積をＡ、前記フランジ部８のみが占める面積をＢとした時、面積比Ｂ／Ａが０．１１〜０．６となるように構成してあり、前記セラミックヒータ１の外径は２３０ｍｍであることを特徴とするセラミックヒータ。」
　
第５　対比
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）と刊行物発明とを対比する。
（ａ）刊行物発明の「半導体ウエハＷの載置面４」、「円盤状をしたセラミックヒータ１」は、それぞれ、本願発明１の「ウェハ搭載面」、「ウェハ保持体」に相当するので、刊行物発明の「半導体ウエハＷの載置面４を有する円盤状をしたセラミックヒータ１」は、本願発明１の「ウェハ搭載面を有するウェハ保持体」に相当する。
（ｂ）刊行物発明の「外向きのフランジ部８を有する筒状セラミック体７」は、本願発明１の「ウェハ保持体を支持するシャフト」に相当するので、刊行物１発明の「外向きのフランジ部８を有する筒状セラミック体７が前記セラミックヒータ１に接合されて」いることは、本願発明１の「ウェハ保持体を支持するシャフトが前記ウェハ保持体に接合されて」いることに相当する。
（ｃ）刊行物発明の「セラミックヒータ」は、「半導体ウエハＷの載置面４を有」しており、半導体製造装置に用いられることは明らかであるので、刊行物発明の「セラミックヒータ」は、本願発明１の「半導体製造装置用ウェハ保持体」に相当する。
　すると、本願発明１と刊行物発明とは、
「ウェハ搭載面を有するウェハ保持体において、前記ウェハ保持体を支持するシャフトが前記ウェハ保持体に接合されていることを特徴とする半導体製造装置用ウェハ保持体。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
　相違点８
　本願発明１は、「前記シャフトのウェハ保持体との接合面の面積が、搭載するウェハの面積の２０％以下である」のに対して、刊行物発明は、「前記筒状セラミック体７のフランジ部８が包囲する部分の面積をＡ、前記フランジ部８のみが占める面積をＢとした時、面積比Ｂ／Ａが０．１１〜０．６となるように構成してあ」るものの、本願発明１の「前記シャフトのウェハ保持体との接合面の面積が、搭載するウェハの面積の２０％以下である」ことについての記載がない点。
　
第６　当審の判断
　相違点８について
（ａ）刊行物発明の「セラミックヒータ１の外径は２３０ｍｍである」ことから、刊行物発明では、８インチウェハ、すなわち、直径２０ｃｍのウェハを搭載することを前提としているものと認められる。
（ｂ）すると、刊行物１の摘記事項カの表１の記載に、本願発明１の「前記シャフトのウェハ保持体との接合面の面積が、搭載するウェハの面積の」「％」に相当する、「（筒状セラミック体７のフランジ部８のみが占める面積である）面積（Ｂ）（ｃｍ２）÷８インチウェハの面積（３１４ｃｍ２）（％）」の計算値を加えて、次の表（以下、「表１ａ」という。）が得られる。
　試料　面積（Ａ）　面積（Ｂ）　面積比　　　面積（Ｂ）（ｃｍ２）÷
　Ｎｏ  （ｃｍ２）　（ｃｍ２）    （Ｂ／Ａ）　８インチウェハの面積（％）
　　３　　　２７　　　　　３　　　０．１１　　　０．９６
　　４　　　３０　　　　　６　　　０．２０　　　１．９１
　　５　　　３８　　　　１４　　　０．３７　　　４．４５
　　６　　　４２　　　　１８　　　０．４３　　　５．７３
　　７　　　５０　　　　２６　　　０．５２　　　８．２８
　　８　　　５０　　　　３６　　　０．６０　　１１．４６
　　９　　　２９　　　　　３　　　０．１０　　　０．９６
　１０　　　５０　　　　２５　　　０．５０　　　７．９６
（ｃ）刊行物２の摘記事項イには、「上記セラミックヒータ１１を発熱させると、筒状支持体１６を介して反応処理室へ熱が逃げる熱引けが起こるため、筒状支持体１６が位置するセラミックヒータ１１の中央における熱容量が周縁より小さくなり、載置面１３の均熱性が阻害されるといった課題があった。」（【０００６】段落）という課題が記載されており、この課題を考慮すると、本願発明１の「前記シャフトのウェハ保持体との接合面の面積」を小さくして、「前記シャフトのウェハ保持体との接合面の面積」と「搭載するウェハの面積」の比を小さくすることは、当業者が適宜なし得たことである。
（ｄ）そして、本願発明１の「前記シャフトのウェハ保持体との接合面の面積」と「搭載するウェハの面積」の比に相当する、刊行物１の「面積（Ｂ）（ｃｍ２）÷８インチウェハの面積（３１４ｃｍ２）（％）」は、上記の表１ａに記載のとおり、試料Ｎｏ３ないし１０のすべてで２０％よりも小さいものとなっており、刊行物１には、本願発明１の「前記シャフトのウェハ保持体との接合面の面積が、搭載するウェハの面積の２０％以下であること」に相当することが示されていることになる。
（ｅ）したがって、上記の（ｃ）に記載の課題を考慮し、刊行物発明に、上記の（ｄ）に記載の刊行物１に示されている事項を適用して、刊行物発明が、本願発明１のごとく、「前記シャフトのウェハ保持体との接合面の面積が、搭載するウェハの面積の２０％以下」であるとの構成を備えたものとすることは、当業者が容易になし得たことと認められる。
　
　したがって、本願の請求項１に係る発明は、刊行物１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　
第７　むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないので、本願の他の請求項に係る発明についての検討をするまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。