【事件の表示】
　特願２００２−５０８６８４「モデルベース光近接補正用収束技術」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　１月１７日国際公開、ＷＯ０２／０５１４５、平成１６年　１月２９日国内公表、特表２００４−５０２９７３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１３年（２００１年）７月６日（パリ条約による優先権主張、平成１２年７月１０日、米国）を国際出願日とする出願（特願２００２−５０８６８４号）であって、平成１９年３月１日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年６月４日付けで拒絶査定不服審判の請求がなされ、同日付けで手続補正がなされたものである。
　その後、平成２０年５月１９日付けで請求人に対する審尋が行なわれ、期間を指定して回答書を提出する機会が与えられたが、請求人からは何らの応答もない。
　
第２　平成１９年６月４日付けの手続補正についての補正の却下の決定について
　
［補正の却下の決定の結論］
　平成１９年６月４日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　
１　本件補正について
　本件補正により、特許請求の範囲は、平成１８年１月１２日付け手続補正書の特許請求の範囲の、
「【請求項１】　一つ以上の所定の構造を特定するため集積装置レイヤのレイアウトを解析する手順と、
　特定された所定の構造に関して所定のルールベース補正で集積装置レイヤに対応する一つ以上のレチクル・レイアウトを変更する手順と、
　変更されたレチクル・レイアウトに関してモデルベース補正を実行する手順と、
を有する方法。
　　【請求項２】　所定のやり方で集積装置レイヤに対応する一つ以上のレチクル・レイアウトを変更する手順は、所定の閾値以下の寸法を有するレイアウト要素に補助特徴を追加する手順を含む、請求項１記載の方法。
　　【請求項３】　所定のやり方で集積装置レイヤに対応する一つ以上のレチクル・レイアウトを変更する手順は、一つ以上の線端にハンマーヘッド状構造を追加する手順を含む、請求項１記載の方法。
　　【請求項４】　所定のやり方で集積装置レイヤに対応する一つ以上のレチクル・レイアウトを変更する手順は、一つ以上の線コーナーにセリフ状構造を追加する手順を含む、請求項１記載の方法。
　　【請求項５】　モデルベース補正を実行する手順は、
　複数のレチクル・レイアウトの一つ以上のフラグメントを、望ましい集積装置レイヤを表現するターゲット・レイアウトにマッピングする手順（ａ）と、
　ターゲット・レイアウトを、製造されるべき集積装置のシミュレーションされた模擬レイヤと比較する手順（ｂ）と、
　シミュレーションされた模擬レイヤとターゲット・レイアウトの比較に少なくとも部分的に基づいて一つ以上のフラグメントに対する誤差メトリックを決定する手順（ｃ）と、
　ターゲット・レイヤの対応したフラグメントの誤差メトリックに少なくとも部分的に基づいて、複数のレチクル・レイアウトの一つ以上のフラグメントの配置を変更する手順（ｄ）と、
を含む、
請求項１記載の方法。
　　【請求項６】　誤差メトリックはエッジ配置誤差を含む、請求項５記載の方法。
　　【請求項７】　複数のレチクルの各フラグメントは、模擬レイヤの対応したフラグメントにマッピングされ、
　複数のレチクル・レイアウト・フラグメントは、単一の模擬レイヤ・フラグメントにマッピングすることが可能である、
請求項５記載の方法。
　　【請求項８】　上記の手順（ｂ）、手順（ｃ）及び手順（ｄ）は、各誤差メトリックが所定の閾値未満になるまで繰り返される、請求項５記載の方法。
　　【請求項９】　複数のレチクルは、位相シフト用製造技術のため使用される、請求項５記載の方法。
　　【請求項１０】　集積装置は集積回路である、請求項２記載の方法。
　　【請求項１１】　一つ以上の所定の構造を特定するため集積装置レイヤのレイアウトを解析する機能と、
　特定された所定の構造に関して所定のルールベース補正で集積装置レイヤに対応する一つ以上のレチクル・レイアウトを変更する機能と、
　変更されたレチクル・レイアウトに関してモデルベース補正を実行する機能と、
を一つ以上の電子システムに実行させるための命令の系列が格納された機械読み取り可能な媒体。
　　【請求項１２】　一つ以上の電子システムに、所定のやり方で集積装置レイヤに対応する一つ以上のレチクル・レイアウトを変更する機能を実現させるための命令の系列は、所定の閾値以下の寸法を有するレイアウト要素に補助特徴を追加する機能を実現させるための命令の系列を含む、請求項１１記載の機械読み取り可能な媒体。
　　【請求項１３】　一つ以上の電子システムに、所定のやり方で集積装置レイヤに対応する一つ以上のレチクル・レイアウトを変更する機能を実現させるための命令の系列は、一つ以上の線端にハンマーヘッド状構造を追加する機能を実現させるための命令の系列を含む、請求項１１記載の機械読み取り可能な媒体。
　　【請求項１４】　一つ以上の電子システムに、所定のやり方で集積装置レイヤに対応する一つ以上のレチクル・レイアウトを変更する機能を実現させるための命令の系列は、一つ以上の線コーナーにセリフ状構造を追加する機能を実現させるための命令の系列を含む、請求項１１記載の機械読み取り可能な媒体。
　　【請求項１５】　一つ以上の電子システムにモデルベース補正を実行する機能を実現させるための命令の系列は、
　複数のレチクル・レイアウトの一つ以上のフラグメントを、望ましい集積装置レイヤを表現するターゲット・レイアウトにマッピングする機能（ａ）と、
　ターゲット・レイアウトを、製造されるべき集積装置のシミュレーションされた模擬レイヤと比較する機能（ｂ）と、
　シミュレーションされた模擬レイヤとターゲット・レイアウトの比較に少なくとも部分的に基づいて一つ以上のフラグメントに対する誤差メトリックを決定する機能（ｃ）と、
　ターゲット・レイヤの対応したフラグメントの誤差メトリックに少なくとも部分的に基づいて、複数のレチクル・レイアウトの一つ以上のフラグメントの配置を変更する機能（ｄ）と、
を実現させるための命令の系列を含む、
請求項１１記載の機械読み取り可能な媒体。
　　【請求項１６】　誤差メトリックはエッジ配置誤差を含む、請求項１５記載の機械読み取り可能な媒体。
　　【請求項１７】　複数のレチクルの各フラグメントは、模擬レイヤの対応したフラグメントにマッピングされ、
　複数のレチクル・レイアウト・フラグメントは、単一の模擬レイヤ・フラグメントにマッピングすることが可能である、
請求項１５記載の機械読み取り可能な媒体。
　　【請求項１８】　上記の機能（ｂ）、機能（ｃ）及び機能（ｄ）は、各誤差メトリックが所定の閾値未満になるまで繰り返される、請求項１５記載の機械読み取り可能な媒体。
　　【請求項１９】　複数のレチクルは、位相シフト用製造技術のため使用される、請求項１５記載の機械読み取り可能な媒体。
　　【請求項２０】　集積装置は集積回路である、請求項１５記載の機械読み取り可能な媒体。
　　【請求項２１】　一つ以上の所定の構造を特定するため集積装置レイヤのレイアウトを解析する機能と、
　特定された所定の構造に関して所定のルールベース補正で集積装置レイヤに対応する一つ以上のレチクル・レイアウトを変更する機能と、
　変更されたレチクル・レイアウトに関してモデルベース補正を実行する機能と、
を一つ以上の電子システムに実行させるための命令の系列を含み、複数のネットワーク装置間で共有されるデータ通信媒体に組み込まれたコンピュータデータ信号。
　　【請求項２２】　一つ以上の電子システムに、所定のやり方で集積装置レイヤに対応する一つ以上のレチクル・レイアウトを変更する機能を実現させるための命令の系列は、所定の閾値以下の寸法を有するレイアウト要素に補助特徴を追加する機能を実現させるための命令の系列を含む、請求項２１記載のコンピュータデータ信号。
　　【請求項２３】　一つ以上の電子システムに、所定のやり方で集積装置レイヤに対応する一つ以上のレチクル・レイアウトを変更する機能を実現させるための命令の系列は、一つ以上の線端にハンマーヘッド状構造を追加する機能を実現させるための命令の系列を含む、請求項２１記載のコンピュータデータ信号。
　　【請求項２４】　一つ以上の電子システムに、所定のやり方で集積装置レイヤに対応する一つ以上のレチクル・レイアウトを変更する機能を実現させるための命令の系列は、一つ以上の線コーナーにセリフ状構造を追加する機能を実現させるための命令の系列を含む、請求項２１記載のコンピュータデータ信号。
　　【請求項２５】　一つ以上の電子システムにモデルベース補正を実行する機能を実現させるための命令の系列は、
　複数のレチクル・レイアウトの一つ以上のフラグメントを、望ましい集積装置レイヤを表現するターゲット・レイアウトにマッピングする機能（ａ）と、
　ターゲット・レイアウトを、製造されるべき集積装置のシミュレーションされた模擬レイヤと比較する機能（ｂ）と、
　シミュレーションされた模擬レイヤとターゲット・レイアウトの比較に少なくとも部分的に基づいて一つ以上のフラグメントに対する誤差メトリックを決定する機能（ｃ）と、
　ターゲット・レイヤの対応したフラグメントの誤差メトリックに少なくとも部分的に基づいて、複数のレチクル・レイアウトの一つ以上のフラグメントの配置を変更する機能（ｄ）と、
を実現させるための命令の系列を含む、
請求項２１記載のコンピュータデータ信号。
　　【請求項２６】　誤差メトリックはエッジ配置誤差を含む、請求項２５記載のコンピュータデータ信号。
　　【請求項２７】　複数のレチクルの各フラグメントは、模擬レイヤの対応したフラグメントにマッピングされ、
　複数のレチクル・レイアウト・フラグメントは、単一の模擬レイヤ・フラグメントにマッピングすることが可能である、
請求項２５記載のコンピュータデータ信号。
　　【請求項２８】　上記の機能（ｂ）、機能（ｃ）及び機能（ｄ）は、各誤差メトリックが所定の閾値未満になるまで繰り返される、請求項２５記載のコンピュータデータ信号。
　　【請求項２９】　複数のレチクルは、位相シフト用製造技術のため使用される、請求項２５記載のコンピュータデータ信号。
　　【請求項３０】　集積装置は集積回路である、請求項２５記載のコンピュータデータ信号。」が、
　
「【請求項１】フォトリソグラフィ処理によりウエハーにターゲット・パターンの特徴を転写するように用いられる２つ又はそれ以上のレチクル・レイアウトにおける光及びプロセス補正を行う方法であって：
　前記２つ又はそれ以上のレチクル・レイアウトにおけるパターンを複数のエッジ・フラグメントに分割する段階；
　前記ターゲット・パターンを複数のエッジ・フラグメントに分割する段階；
　前記ターゲット・パターンにおけるエッジ・フラグメントに前記２つ又はそれ以上のレチクル・レイアウトにおけるエッジ・フラグメントをマッピングする段階であって、
前記ターゲット・パターンにおける位置を選択し、
　前記２つ又はそれ以上のレチクル・レイアウトにおける前記エッジ・フラグメントをマッピングするように潜在的なエッジ・フラグメントとして前記位置の所定の距離の範囲内にある前記ターゲット・パターンにおけるエッジ・フラグメントを決定し、
　前記２つ又はそれ以上のレチクル・レイアウトにおけるエッジ・フラグメントをマッピングするように前記ターゲット・パターンにおいて１つ又はそれ以上の前記潜在的なエッジ・フラグメントを選択する、
段階；
　前記２つ又はそれ以上のレチクル・レイアウトが、ウエハーにおける前記ターゲット・パターンをどのように転写するかをシミュレートし、そして前記シミュレートされた転写におけるエッジ・フラグメントの誤差を決定する段階；並びに
　前記誤差を減少するように、前記２つ又はそれ以上のレチクル・レイアウトにおいて前記マッピングされたエッジ・フラグメントの前記位置を移動させるように光及びプロセス補正を実行する段階；
を有する方法。
　　【請求項２】請求項１に記載の方法であって：
　前記エッジ・フラグメントに対してマッピングされることが可能である前記ターゲット・パターンの前記潜在的なエッジ・フラグメントから、所定の距離の範囲内にあるが、レチクル・レイアウトのエッジ・フラグメントに対して平行でない、前記ターゲット・パターンにおけるエッジ・フラグメントを取り除く段階；
を更に有する、方法。
　　【請求項３】請求項１に記載の方法であって：
　前記エッジ・フラグメントに対してマッピングされることが可能である前記ターゲット・パターンの前記潜在的なエッジ・フラグメントから、所定の距離の範囲内にあるが、前記ターゲット・パターンにおける特徴によりブロックされる、エッジ・フラグメントを取り除く段階；
を更に有する、方法。
　　【請求項４】請求項１に記載の方法であって：
　前記所定の距離の範囲内にある前記ターゲット・パターンにおける前記エッジ・フラグメントと前記２つ又はそれ以上のレチクル・レイアウトにおける前記エッジ・フラグメントとの間の距離及び角度を決定する段階；
を更に有する、方法。
　　【請求項５】請求項４に記載の方法であって：
　前記２つ又はそれ以上のレチクル・レイアウトの前記エッジ・フラグメントをマッピングするように最小の距離を有するターゲット・パターンのエッジ・フラグメントを選択する段階；
を更に有する、方法。
　　【請求項６】請求項４に記載の方法であって：
　前記２つ又はそれ以上のレチクル・レイアウトにおける前記エッジ・フラグメントをマッピングするように最小の角度を有するターゲット・パターンのエッジ・フラグメントを選択する段階；
を更に有する、方法。
　　【請求項７】請求項１乃至６の何れ一項に記載の方法を実行するように、コンピュータにより実行される一連のプログラム命令を有するコンピュータ読み取り可能媒体。」と補正された。
　
２　補正目的の違反についての検討
　平成１８年１月１２日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１には、「特定された所定の構造に関して所定のルールベース補正で集積装置レイヤに対応する一つ以上のレチクル・レイアウトを変更する手順」という発明特定事項が含まれ、請求項２ないし１０は、直接又は間接に請求項１を引用している。また、請求項１１及び請求項２１には、「特定された所定の構造に関して所定のルールベース補正で集積装置レイヤに対応する一つ以上のレチクル・レイアウトを変更する機能」という発明特定事項が含まれ、請求項１２ないし２０及び請求項２２ないし３０は、直接又は間接に請求項１１又は２１を引用している。したがって、平成１８年１月１２日付け手続補正書の特許請求の範囲の全ての請求項は「特定された所定の構造に関して所定のルールベース補正で集積装置レイヤに対応する一つ以上のレチクル・レイアウトを変更する手順」又は「特定された所定の構造に関して所定のルールベース補正で集積装置レイヤに対応する一つ以上のレチクル・レイアウトを変更する機能」という発明特定事項を含む。
　これに対して、本件補正後の請求項１の記載は、明細書の【発明の詳細な説明】の記載を参酌すれば、モデルベース補正に関する記載であるということができ、ルールベース補正に関する記載は含まれないものといえる。
　したがって、本件補正後の請求項１が、本件補正前の特許請求の範囲のどの請求項をもとに補正されたものであるとしても、本件補正により、「特定された所定の構造に関して所定のルールベース補正で集積装置レイヤに対応する一つ以上のレチクル・レイアウトを変更する手順」又は「特定された所定の構造に関して所定のルールベース補正で集積装置レイヤに対応する一つ以上のレチクル・レイアウトを変更する機能」という発明特定事項が省かれたことになる。よって、本件補正は、特許請求の範囲についてする補正であって、特許請求の範囲のいわゆる限定的減縮を目的とするものではなく、すなわち、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる事項を目的とするものではなく、また、同法第１７条の２第４項第１，３，４号に掲げるいずれの事項をも目的とするものでもないから、同法第１７条の２第４項に違反するものである。
　したがって、本件補正は、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成１９年６月４日付けの手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１８年１月１２日付け手続補正書でなされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりのものである。（上記の「第２　平成１９年６月４日付けの手続補正についての補正の却下の決定について」の「１　本件補正について」の記載参照。）
　
２　引用例
ア　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である国際公開第９９／１４６３８号（以下、「引用例」という。）には、図面の記載とともに以下の事項が記載されている。（日本語訳を記載する。なお、下記の「イ　引用例に記載された発明の認定」において直接引用した箇所に下線を付した。）
　
「このように、以上を要約すると、本発明は、
マスク記述のためのシステムにおけるデータ階層維持のための方法
　図２は、本発明の一実施形態を組み入れたシステムをブロック線図型式で示したものである。記述されているシステムは、結果的に修正されたＩＣ設計が入力設計の原型における真の階層を維持するように、論理演算又は算術演算が階層的に記述された入力ＩＣ設計に関する実行できるものである。上記システムの一実施形態の基本的エレメントは、階層保存手段２１０とオペレーション・エンジン２４０とを含む。階層保存手段２１０はコンパイラ２２０とリンカ２３０とを含む。
  システムの階層保存手段２１０は、集積回路設計２００を入力として記述する階層設計データ２０５を受入れる。階層保存手段２１０は、一実施形態ではＧＤＳ−IIフォーマットの階層設計データ２０５を受入れる。他の実施形態では、階層保存手段２１０は、どんな階層ファイル・フォーマットで記述された階層設計データ２０５でも受入れる。階層保存手段２１０のコンパイラ２２０は、オペレーション・エンジン２４０と共に作動して、設計データ２０５の各ノードで幾何学的初期形状用の補正データ層を提供する。生成された補正データ層は、以下により詳しく説明するが、オペレーション・エンジン２４０により実行中のオペレーションに従って、各ノードで幾何学的初期形状に対してなされる変更を表現する。本発明の一実施形態では、オペレーション・エンジン２４０は、入力設計データ２０５に関するＡＮＤ又はＮＯＴのような論理演算を実行する。本発明の別の実施形態では、オペレーション・エンジン２４０は入力設計データ２０５に関する光学的近接補正を実行する。本発明の更に別の実施形態では、オペレーション・エンジン２４０は入力設計データ２０５の設計ルール照合を行う。」（第１５ページ第２０行〜第１７ページ第７行）
　
「図７は、設計レイアウトに対して行うことが可能な光学的近接補正の例を示している。ＯＰＣが使用されるときに原型マスクに加えられる追加形質は、通常サブ・リソグラフィ（即ち、露光ツールの解像度より小さな寸法を有する）であり、従ってレジスト層に転写されない。代わりに、それらは、最終的に転写されるパターンを改良し近接効果を補正するように、原型パターンと相互作用し合う。例えば、図７に示すように、所要パターン７１０が、近接効果に対する補正無しにリソグラフィ転写された場合には、実際にはパターン７２０のようになる。
ＯＰＣ手法を用いると、正のセリフ７３２と負のセリフ７３４とが所要パターン７１０に加えられて、近接効果を補正するために必要なマスク７３０を形成することができる。同様に、図７では、典型的な所要トランジスタ・ゲート・パターン７４０上の近接歪の効果を、実際に転写されたパターン７５０と７５２により示している。ハンマーヘッド７６２、補助棒７６４、及びバイアス棒７６６により表されるＯＰＣ補正が。原型の所要マスク・パターンに加えられると、原型の所望形状がより正確に転写されることになる。
  ＩＣ設計レイアウトに対するＯＰＣ補正の生成に供されると同時に、原型設計レイアウトの真の階層的データ構造を維持することが可能な本発明の一実施形態について、図８を参照し、以下に説明する。図８のシステムは、図２と図４それぞれにつき説明したシステム及び方法の特定の実施形態であるので、この説明には、参考として図２及び図４についての上記説明が含まれる。
　図８において、集積回路チップ設計８００は、階層設計データ８１０により表されており、それは一実施形態ではＧＤＳ−IIデータ・フォーマットで表されている。設計データ８１０は、本発明の一実施形態を組み入れているＯＰＣアルゴリズム８４０を実行するコンピュータ・システムに対する入力として提供される。コンピュータ・システム８４０は図２と図４に関連し先に説明した方法で階層的補正データ８４５を作り出すために作動する。これに関連して、コンピュータ・システム８４０は図２の階層保存手段２１０とオペレーション・エンジン２４０との両方を含んでいるが、コンピュータ・システム８４０のこのオペレーション・エンジン２４０は、入力設計データ８１０に関し作動して光学的近接補正を行う、明確に定義されたＯＰＣオペレーション・エンジン２４０である。
  図８に示すように、出力階層的補正データ８４５は、ＯＰＣ補正設計の設計ルール照合を行うために、原型設計データ８１０と共に従来型の設計ルール・チェッカー８５０に送られる。同様に、この出力は、ブロック８６０に示すように設計データ８１０を補正データ８４５に組み合わせることにより、リソグラフィマスクを作るのに使うこともできる。次に、この組み合わされたデータは、平坦化されて、ＥＢ装置が作動してマスク８７０を作るために、ブロック８６５に示すようにＥＢ装置に書き込まれる。」（第２５ページ第６行〜第２６ページ第２８行）
　
「 図１２は、本発明の一実施形態を使って、
設計レイアウトにＯＰＣ補正を提供するための方法を示している。ブロック１２００で、集積回路設計レイアウトがまず提供される。この設計レイアウトに対応する階層フォーマットの設計データが、次に、システムに送られるが、このシステムはブロック１２０５に示すように図８のシステムにより設計データに関するルールを基本としたＯＰＣ補正を行う。図８のシステムが上に説明したように階層的補正データの出力を生成し、この補正データは、原型設計データに組み合わされてブロック１２１０に示すように、階層的に記述されたルールを基本とするＯＰＣ補正設計データを生成する。この補正済み設計データを使って、ブロック１２１５で、この補正済み設計データが作り出すことになるマスクの模擬画像が生成される。
  次に、
補正マスクの模擬画像は、ブロック１２２０で、必要とされる設計画像と比較され、ブロック１２２５に示すように最初のルールを基本としたＯＰＣ補正がユーザーの定義した設計パラメータのセットの範囲内で設計を補正するのに十分であるか否かが判定される。
設計ルールが満たされなかった場合、ブロック１２５０に示すようにマスクを設計し直すか否かに関する決定が下される。
  
決定がマスクの設計し直しは行わずインタラクティブな補正処理を継続することにより問題の解決を図ろうというものであれば、モデルベースのＯＰＣアルゴリズムが補正設計に関し実行される。同様に、原型補正済み設計データが、ブロック１２２５の設計パラメータを満たさない場合には、原型補正済み設計データはモデルベースのＯＰＣアルゴリズムに入力される。モデルベースのＯＰＣアルゴリズムは、次にブロック１２３０に示すように、原型補正済み設計に対して、より細かい仕様の補正を実行する為に使われる。モデルベースのＯＰＣ補正設計は、次に、ブロック１２１５に送られ、ここでモデルベースのＯＰＣ補正設計の模擬画像が作られ、
　
イ　引用例に記載された発明の認定
　上記記載から、引用例には、
「マスク記述のためのシステムにおけるデータ階層維持のための方法において、
　ブロック１２００で、集積回路設計レイアウトがまず提供され、この設計レイアウトに対応する階層フォーマットの設計データが、次に、システムに送られ、
　このシステムはブロック１２０５に示すように、設計データに関するルールを基本としたＯＰＣ補正を行い、
　ＯＰＣ手法を用いると、正のセリフ７３２と負のセリフ７３４とが所要パターン７１０に加えられて、近接効果を補正するために必要なマスク７３０を形成することができ、同様に、典型的な所要トランジスタ・ゲート・パターン７４０上の近接歪の効果を、実際に転写されたパターン７５０と７５２により示し、ハンマーヘッド７６２、補助棒７６４、及びバイアス棒７６６により表されるＯＰＣ補正が、原型の所要マスク・パターンに加えられると、原型の所望形状がより正確に転写されることになり、
　システムが階層的補正データの出力を生成し、この補正データは、原型設計データに組み合わされてブロック１２１０に示すように、階層的に記述されたルールを基本とするＯＰＣ補正設計データを生成し、この補正済み設計データを使って、ブロック１２１５で、この補正済み設計データが作り出すことになるマスクの模擬画像が生成され、
　補正マスクの模擬画像は、ブロック１２２０で、必要とされる設計画像と比較され、ブロック１２２５に示すように最初のルールを基本としたＯＰＣ補正がユーザーの定義した設計パラメータのセットの範囲内で設計を補正するのに十分であるか否かが判定され、
　設計ルールが満たされなかった場合、ブロック１２５０に示すようにマスクを設計し直すか否かに関する決定が下され、
　決定がマスクの設計し直しは行わずインタラクティブな補正処理を継続することにより問題の解決を図ろうというものであれば、モデルベースのＯＰＣアルゴリズムが補正設計に関し実行され、同様に、原型補正済み設計データが、ブロック１２２５の設計パラメータを満たさない場合には、原型補正済み設計データはモデルベースのＯＰＣアルゴリズムに入力され、モデルベースのＯＰＣアルゴリズムは、次にブロック１２３０に示すように、原型補正済み設計に対して、より細かい仕様の補正を実行する為に使われ、モデルベースのＯＰＣ補正設計は、次に、ブロック１２１５に送られ、ここでモデルベースのＯＰＣ補正設計の模擬画像が作られる方法。」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
３　対比・判断
ア　ここで、本願発明と引用発明とを対比する。
　
　引用発明の「集積回路設計レイアウト」に対応する「階層フォーマットの設計データ」が、本願発明の「集積装置レイヤのレイアウト」に相当する。そして、引用発明においては、ＯＰＣ手法は、上記設計データの所要パターンに、正のセリフ７３２、負のセリフ７３４、ハンマーヘッド７６２、補助棒７６４、及びバイアス棒７６６により表されるＯＰＣ補正を加えることにより行われるものであるから、技術常識を勘案すると、上記の「集積回路設計レイアウト」に対応する「階層フォーマットの設計データ」の解析して所定の構造を特定することは当然に行っているといえる。すなわち、引用発明は、本願発明の「一つ以上の所定の構造を特定するため集積装置レイヤのレイアウトを解析する手順」を有する。
　
　引用発明の「システムが階層的補正データの出力を生成し、この補正データは、原型設計データに組み合わされてブロック１２１０に示すように、階層的に記述されたルールを基本とするＯＰＣ補正設計データを生成し、この補正済み設計データを使って、ブロック１２１５で、この補正済み設計データが作り出すことになるマスクの模擬画像が生成され」る点が、本願発明の「特定された所定の構造に関して所定のルールベース補正で集積装置レイヤに対応する一つ以上のレチクル・レイアウトを変更する」点に相当する。
　
　引用発明の「補正マスクの模擬画像は、ブロック１２２０で、必要とされる設計画像と比較され、ブロック１２２５に示すように最初のルールを基本としたＯＰＣ補正がユーザーの定義した設計パラメータのセットの範囲内で設計を補正するのに十分であるか否かが判定され、設計ルールが満たされなかった場合、ブロック１２５０に示すようにマスクを設計し直すか否かに関する決定が下され、決定がマスクの設計し直しは行わずインタラクティブな補正処理を継続することにより問題の解決を図ろうというものであれば、モデルベースのＯＰＣアルゴリズムが補正設計に関し実行され、同様に、原型補正済み設計データが、ブロック１２２５の設計パラメータを満たさない場合には、原型補正済み設計データはモデルベースのＯＰＣアルゴリズムに入力され、モデルベースのＯＰＣアルゴリズムは、次にブロック１２３０に示すように、原型補正済み設計に対して、より細かい仕様の補正を実行する為に使われ、モデルベースのＯＰＣ補正設計は、次に、ブロック１２１５に送られ、ここでモデルベースのＯＰＣ補正設計の模擬画像が作られる」点が、本願発明の「変更されたレチクル・レイアウトに関してモデルベース補正を実行する」点に相当する。
　
イ　本願発明と引用発明の一致点
　したがって、本願発明と引用発明とは、
「一つ以上の所定の構造を特定するため集積装置レイヤのレイアウトを解析する手順と、
　特定された所定の構造に関して所定のルールベース補正で集積装置レイヤに対応する一つ以上のレチクル・レイアウトを変更する手順と、
　変更されたレチクル・レイアウトに関してモデルベース補正を実行する手順と、
を有する方法」の発明である点で一致し、両者の発明特定事項に異なるところがない。
　　
４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明であり、特許法第２９条第１項第３号に該当するから、特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。