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　特願２０００−１２１４６「水素アニール処理方法及びその装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年７月２７日出願公開，特開２００１−２０３２１１〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成１２年１月２０日の出願であって，平成１８年４月２７日付けで拒絶査定がなされ，これに対し，同年６月９日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに，同年７月７日付けで手続補正がなされ，その後，当審において，平成２０年７月４日付けで審尋がなされ，同年９月５日に回答書が提出されたものである。
　
　
第２　平成１８年７月７日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１８年７月７日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容
ア　本件補正前の請求項
【請求項１】　反応室と，該反応室に水素ガスを供給する水素ガス導入ラインと，前記反応室に接続された減圧排気ラインと，該減圧排気ラインに設けられ，前記反応室を減圧する為の排気装置と，該排気装置の下流側に不活性ガスを供給し排気ガス中の水素濃度を所定値以下に希釈する排気希釈ラインとを具備し，前記排気装置を駆動させ，前記反応室が減圧された状態で，前記水素ガス導入ラインから水素ガスを前記反応室へ供給しつつ前記排気希釈ラインから前記排気装置の下流側に前記不活性ガスを供給し，排気ガス中の水素濃度を所定値以下に希釈することを特徴とする水素アニール処理方法。
【請求項２】　前記反応室に接続された常圧排気ラインを更に具備し，前記減圧排気ラインと前記常圧排気ラインとを切替えることにより，前記減圧排気ラインから排気する減圧水素アニール処理と前記常圧排気ラインから排気する常圧水素アニール処理とを選択して行う請求項１の水素アニール処理方法。
【請求項３】　前記反応室に接続された常圧排気ラインと，該常圧排気ラインに接続された水素ガス燃焼部と，前記反応室と前記排気装置の下流側とを連絡する連絡ラインとを更に具備し，前記減圧排気ラインと前記常圧排気ラインと前記連絡ラインとを切替えることにより，前記減圧排気ラインから排気する減圧水素アニール処理と前記常圧排気ラインから排気する常圧水素アニール処理と前記連絡ラインから排気する休止状態とを選択して行う請求項１の水素アニール処理方法。
【請求項４】　反応室と，該反応室に水素ガスを供給する水素ガス導入ラインと，前記反応室に接続された減圧排気ラインと，該減圧排気ラインに設けられ，前記反応室を減圧する為の排気装置と，該排気装置の下流側に不活性ガスを供給し，排気ガス中の水素濃度を所定値以下に希釈する排気希釈ラインとを具備することを特徴とする水素アニール処理装置。
【請求項５】　前記反応室に接続された常圧排気ラインと，該常圧排気ラインと前記減圧排気ラインと前記反応室との接続状態を切替える弁を更に具備する請求項４の水素アニール処理装置。
【請求項６】　前記反応室に接続された常圧排気ラインと，該常圧排気ラインに接続された水素ガス燃焼部と，前記反応室と前記排気装置の下流側とを連絡する連絡ラインと，前記常圧排気ラインと前記減圧排気ラインと前記連絡ラインと前記反応室との接続状態を切替える弁を更に具備する請求項４の水素アニール処理装置。
【請求項７】　減圧水素アニール処理に於ける圧力は１〜７５０Ｔｏｒｒである請求項４の水素アニール処理装置。
【請求項８】　前記排気装置の下流側に設けられたガス濃度検知器と，前記排気希釈ラインに設けられた流量コントローラを更に具備し，放出される水素濃度が４％以下となる様不活性ガス供給流量を制御する請求項４の水素アニール処理装置。
イ　本件補正後の請求項
【請求項１】　反応室と，該反応室に水素ガスを供給する水素ガス導入ラインと，前記反応室に接続された減圧排気ラインと，該減圧排気ラインに設けられ，前記反応室を減圧する為の排気装置と，該排気装置の下流側に不活性ガスを供給し排気ガス中の水素濃度を所定値以下に希釈する排気希釈ラインと，前記反応室に接続された常圧排気ラインと，該常圧排気ラインに接続された水素ガス燃焼部と，前記反応室と前記排気装置の下流側とを連絡する連絡ラインとを具備し，前記減圧排気ラインと前記常圧排気ラインと前記連絡ラインとを切替えることにより，前記排気装置を駆動させ，前記減圧排気ラインから排気することで前記反応室が減圧された状態で，前記水素ガス導入ラインから水素ガスを前記反応室へ供給しつつ前記排気希釈ラインから前記排気装置の下流側に前記不活性ガスを供給し，排気ガス中の水素濃度を所定値以下に希釈する減圧水素アニール処理と前記常圧排気ラインから排気する常圧水素アニール処理と前記連絡ラインから排気する休止状態とを選択して行うことを特徴とする水素アニール処理方法。
【請求項２】　反応室と，該反応室に水素ガスを供給する水素ガス導入ラインと，前記反応室に接続された減圧排気ラインと，該減圧排気ラインに設けられ，前記反応室を減圧する為の排気装置と，該排気装置の下流側に不活性ガスを供給し，排気ガス中の水素濃度を所定値以下に希釈する排気希釈ラインと，前記反応室に接続された常圧排気ラインと，該常圧排気ラインに接続された水素ガス燃焼部と，前記反応室と前記排気装置の下流側とを連絡する連絡ラインと，前記常圧排気ラインと前記減圧排気ラインと前記連絡ラインと前記反応室との接続状態を切替える弁とを具備することを特徴とする水素アニール処理装置。
【請求項３】　前記排気装置の下流側に設けられたガス濃度検知器と，前記排気希釈ラインに設けられた流量コントローラを更に具備し，放出される水素濃度が４％以下となる様不活性ガス供給流量を制御する請求項２の水素アニール処理装置。
ウ　本件補正は，特許請求の範囲と発明の詳細な説明を補正するものであり，そのうち，特許請求の範囲の補正については，以下のとおりである。
補正事項ａ
　補正前の請求項１，２，４，５，７を，削除したこと。
補正事項ｂ
　補正前の請求項１を引用する補正前の請求項３を，独立請求項にして，補正後の請求項１に繰り上げ，「【請求項１】　反応室と，該反応室に水素ガスを供給する水素ガス導入ラインと，前記反応室に接続された減圧排気ラインと，該減圧排気ラインに設けられ，前記反応室を減圧する為の排気装置と，該排気装置の下流側に不活性ガスを供給し排気ガス中の水素濃度を所定値以下に希釈する排気希釈ラインと，前記反応室に接続された常圧排気ラインと，該常圧排気ラインに接続された水素ガス燃焼部と，前記反応室と前記排気装置の下流側とを連絡する連絡ラインとを具備し，前記減圧排気ラインと前記常圧排気ラインと前記連絡ラインとを切替えることにより，前記排気装置を駆動させ，前記減圧排気ラインから排気することで前記反応室が減圧された状態で，前記水素ガス導入ラインから水素ガスを前記反応室へ供給しつつ前記排気希釈ラインから前記排気装置の下流側に前記不活性ガスを供給し，排気ガス中の水素濃度を所定値以下に希釈する減圧水素アニール処理と前記常圧排気ラインから排気する常圧水素アニール処理と前記連絡ラインから排気する休止状態とを選択して行うことを特徴とする水素アニール処理方法。」と補正したこと。
補正事項ｃ
　補正前の請求項４を引用する補正前の請求項６を，独立請求項にして，補正後の請求項２に繰り上げ，「【請求項２】　反応室と，該反応室に水素ガスを供給する水素ガス導入ラインと，前記反応室に接続された減圧排気ラインと，該減圧排気ラインに設けられ，前記反応室を減圧する為の排気装置と，該排気装置の下流側に不活性ガスを供給し，排気ガス中の水素濃度を所定値以下に希釈する排気希釈ラインと，前記反応室に接続された常圧排気ラインと，該常圧排気ラインに接続された水素ガス燃焼部と，前記反応室と前記排気装置の下流側とを連絡する連絡ラインと，前記常圧排気ラインと前記減圧排気ラインと前記連絡ラインと前記反応室との接続状態を切替える弁とを具備することを特徴とする水素アニール処理装置。」と補正したこと。
補正事項ｄ
　補正前の請求項８を，補正後の請求項３に繰り上げ，補正前の請求項８の「請求項４の」を，補正後の請求項３の「請求項２の」と補正したこと。
　
２　本件補正の補正の目的の適否及び新規事項の追加の有無についての検討
　以下，補正事項ａないしｄのうち，補正事項ｄについて検討する。
　補正事項ｄについての補正は，補正前の請求項８を，補正後の請求項３に繰り上げ，補正前の請求項８の「請求項４の」を，補正後の請求項３の「請求項２の」と補正したものである。
　そして，補正後の請求項３が引用する補正後の請求項２は，補正前の請求項４を引用する補正前の請求項６を，独立請求項にしたものであるから，補正後の請求項２を引用する補正後の請求項３は，補正後の請求項２の内容である，補正前の請求項４と補正前の請求項６の内容の他に，補正前の請求項８の内容を有するものである。
　しかしながら，補正前の請求項８は，補正前の請求項４を引用するものであり，補正前の請求項６を引用するものではないから，補正後の請求項３は，補正前の請求項８と比べて，補正前の請求項８にはない，補正前の請求項６の内容部分が追加されていることになる。
　すると，補正後の請求項３は，補正前の請求項６の内容部分が追加されていることについては，新たな発明特定事項の追加となっており，補正前の請求項８の発明特定事項の限定とはなっていない。
　したがって，補正事項ｄについての補正は，限定的減縮とはなっていないので，特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当しない。また，補正事項ｄについての補正は，請求項の削除，誤記の訂正，拒絶理由通知に係る拒絶の理由に示す事項についてする明りょうでない記載の釈明のいずれを目的とするものにも該当しないことは明らかである。
　
３　まとめ
　よって，補正事項ｄについての補正を含む本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３　本願発明について
１　本願発明について
　平成１８年７月７日付けの手続補正は，上記の「第２」のとおり却下されたので，本願の請求項１ないし８に係る発明は，平成１７年１２月２８日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１ないし８に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ，そのうち，本願の請求項４に係る発明は，以下のとおりのものである。
「【請求項４】　反応室と，該反応室に水素ガスを供給する水素ガス導入ラインと，前記反応室に接続された減圧排気ラインと，該減圧排気ラインに設けられ，前記反応室を減圧する為の排気装置と，該排気装置の下流側に不活性ガスを供給し，排気ガス中の水素濃度を所定値以下に希釈する排気希釈ラインとを具備することを特徴とする水素アニール処理装置。」
　
２　引用刊行物に記載された発明
刊行物１．特開平９−２３５１８９号公報
　原審の拒絶の理由に引用され，本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物１（特開平９−２３５１８９号公報）には，図１，図２とともに，「半導体単結晶薄膜の製造方法」（発明の名称）に関して，以下の事項が記載されている。
ア　「【０００２】
【従来の技術】例えばシリコン単結晶基板上にシリコン単結晶からなる薄膜を気相成長により形成する場合，図４に示す装置を使用し，図５に示すように前処理工程，気相成長工程の順に操作が行われる。
（１）前処理工程（基板表面のシリコン酸化膜除去工程）：透明石英ガラスからなる反応容器１１の容器壁１内に，この容器壁１と平行にシリコン単結晶基板２をサセプタ１０上に載置し，反応容器１１に窒素ガスを供給して容器１１内の空気を追い出す。つぎに，窒素ガスを水素ガスで追い出した後さらに水素ガスを供給しながら，容器壁１の上下に設けた輻射加熱装置３により基板２を加熱して前処理に適した温度に所定時間維持する。この場合，基板２から発する輻射光を輻射温度計５で捉え，その強度を計算機６に送って温度に換算し，この測定温度を温度制御器７に送ることにより，輻射加熱装置３に必要な電力を与える。通常，前処理工程では，基板２の温度を気相成長工程における温度より高めに設定・維持し，反応容器１１内の圧力を気相成長時と同じ圧力に維持する。
【０００３】
空気中の酸素によって既に基板表面に形成されていた自然酸化膜，すなわちシリコン酸化膜（または，意図的に形成されたシリコン酸化膜）は，この前処理工程において例えば高温の水素ガスにより還元されて除去される
イ　「【００１３】
【実施例】つぎに，本発明の構成および作用効果を図面に示す実施例により説明する。
実施例１
図１は，半導体単結晶薄膜の製造工程および気圧の変化を示すグラフである。図２に示すように透明石英ガラスからなる反応容器１１を水平方向に配置し，反応容器１１の容器壁１内に，この容器壁１と平行に（すなわち水平方向に）シリコン単結晶基板２をサセプタ１０上に載置した。基板２は，ドーパントとしてボロン（Ｂ）を６×１０２４ａｔｏｍｓ／ｍ３　の濃度に含有するものを使用した。
【００１４】
反応容器１１のガス排出側には排気配管が接続され
排気配管は途中で２本に分岐
この分岐管のうち１本は，真空排気装置に接続された真空排気管
【００１５】反応容器１１にまず，窒素ガスをガス供給口から供給して反応容器１１内の空気を追い出した（Ｎ２　パージ工程）。このときの排気は，上記常圧排気装置により行った。つぎに，窒素ガスの供給を停止し，上記真空排気装置により反応容器１１内の気圧を０．１気圧すなわち７６Ｔｏｒｒ（絶対圧）に減圧しながら，
反応容器１１内にガス供給口から水素ガスの供給を開始
水素ガスを供給しながら
【００１６】つぎに，基板２を
水素雰囲気中で
基板の主表面のシリコン酸化膜を除去
前処理工程
　
　以上の記載から，刊行物１には，半導体単結晶薄膜の製造の前処理に用いる装置として，以下の発明が記載されている。
「反応容器１１と，前記反応容器１１内にガス供給口から水素ガスを供給する手段と，前記反応容器１１のガス排出側に接続され，真空排気装置に接続された真空排気管とを具備することを特徴とする水素雰囲気中で基板の主表面のシリコン酸化膜を除去する装置。」
　
刊行物２．特開平１０−７９３５４号公報
　原審の拒絶の理由に引用され，本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物２（特開平１０−７９３５４号公報）には，「熱処理炉のガス排出方法およびガス排出装置」（発明の名称）に関して，以下の事項が記載されている。
ア　「【０００２】
【従来の技術と発明が解決しようとする課題】
例えば半導体ウェハに不純物の拡散を行う拡散炉等の熱処理炉において，アニーリングに際して雰囲気ガスやＣＶＤ用ガスとして使用される水素ガス等は，爆発性を有する可燃ガスであることから，使用後にそのまま炉外に排出することはできない
【０００３】そこで，そのような
爆発性を有する可燃ガスを，排気中の濃度が一定値以下になるように窒素ガス等の不活性ガスにより希釈した後に炉外に排出することが行われている
　
３　対比
　本願の請求項４に係る発明（以下，「本願発明４」という。）と刊行物１に記載された発明（以下，「刊行物１発明」という。）とを対比する。
（ａ）刊行物１発明の「反応容器１１」は，本願発明４の「反応室」に相当する。
（ｂ）刊行物１発明の「前記反応容器１１内にガス供給口から水素ガスを供給する手段」において，刊行物１発明の「前記反応容器１１内にガス供給口から水素ガスを供給する」ことは，本願発明４の「該反応室に水素ガスを供給する」ことに相当するので，刊行物１発明の「前記反応容器１１内にガス供給口から水素ガスを供給する手段」は，本願発明４の「該反応室に水素ガスを供給する水素ガス導入ライン」に相当する。
（ｃ）刊行物１発明の「前記反応容器１１のガス排出側に接続され，真空排気装置に接続された真空排気管」における，刊行物１発明の「前記反応容器１１のガス排出側に接続され」「た真空排気管」は，本願発明４の「前記反応室に接続された減圧排気ライン」に相当する。
（ｄ）刊行物１発明の「前記反応容器１１のガス排出側に接続され，真空排気装置に接続された真空排気管」における，刊行物１発明の「真空排気装置」は，本願発明４の「該減圧排気ラインに設けられ，前記反応室を減圧する為の排気装置」に相当する。
（ｅ）刊行物１発明の「水素雰囲気中で基板の主表面のシリコン酸化膜を除去する装置」において，「水素雰囲気中で基板の主表面のシリコン酸化膜を除去する」ことは，刊行物１の摘記事項アに「空気中の酸素によって既に基板表面に形成されていた自然酸化膜，すなわちシリコン酸化膜（または，意図的に形成されたシリコン酸化膜）は，この前処理工程において例えば高温の水素ガスにより還元されて除去される。」（段落【０００３】）と記載されているように，水素アニール処理のことであることは明らかであるから，刊行物１発明の「水素雰囲気中で基板の主表面のシリコン酸化膜を除去する装置」は，本願発明４の「水素アニール処理装置」に相当する。
　
　すると，本願発明４と刊行物１発明とは，
「反応室と，該反応室に水素ガスを供給する水素ガス導入ラインと，前記反応室に接続された減圧排気ラインと，該減圧排気ラインに設けられ，前記反応室を減圧する為の排気装置とを具備することを特徴とする水素アニール処理装置。」の点で一致し，以下の点で相違する。
　
　相違点
　本願発明４は，「該排気装置の下流側に不活性ガスを供給し，排気ガス中の水素濃度を所定値以下に希釈する排気希釈ライン」を具備するのに対して，刊行物１発明は，本願発明４の「該排気装置の下流側に不活性ガスを供給し，排気ガス中の水素濃度を所定値以下に希釈する排気希釈ライン」を具備していない点。
　
４　当審の判断
　以下において，相違点について検討する。
（ａ）刊行物２の摘記事項アには，「例えば半導体ウェハに不純物の拡散を行う
拡散炉等の熱処理炉
アニーリングに際して雰囲気ガスやＣＶＤ用ガスとして使用される水素ガス
爆発性を有する可燃ガス
排気中の濃度が一定値以下になるように窒素ガス等の不活性ガスにより希釈した後に炉外に排出
（ｂ）そして，上記の（ａ）に記載の「爆発性を有する可燃ガス」である「水素ガス」を，「排気中の濃度が一定値以下になるように窒素ガス等の不活性ガスにより希釈」することは，本願発明４の「不活性ガスを供給し，排気ガス中の水素濃度を所定値以下に希釈する」ことに相当し，かつ，本願発明４の「不活性ガスを供給し，排気ガス中の水素濃度を所定値以下に希釈する排気希釈ライン」に相当する。
（ｃ）また，上記の（ａ）に記載の「爆発性を有する可燃ガス」である「水素ガス」を，「排気中の濃度が一定値以下になるように窒素ガス等の不活性ガスにより希釈」することは，「アニーリングに際して雰囲気ガスやＣＶＤ用ガスとして使用される水素ガス」（段落【０００２】）の排気を炉外に排出するまでの，いずれの場所で行うこともできるものと認められるとともに，刊行物２には，「窒素ガス等の不活性ガスにより希釈した後に炉外に排出する」（段落【０００３】）と記載されており，「窒素ガス等の不活性ガスにより希釈した後」で，「炉外に排出する」までの間に，特別な装置，例えば，刊行物１に記載の「真空排気装置」等を設けるとは記載されていないことから，刊行物２には，上記の（ａ）に記載の「爆発性を有する可燃ガス」である「水素ガス」を，「排気中の濃度が一定値以下になるように窒素ガス等の不活性ガスにより希釈」することが，熱処理炉を拡散炉等として使用するときの減圧雰囲気中で行われるものではなく，「炉外に排出する」手前の常圧，又は常圧に近い雰囲気中で行われるものであることが，示唆されている。
（ｄ）すると，刊行物１発明及び刊行物２の従来の技術は共に水素アニールに関するものであるから，刊行物１発明において，常圧，又は常圧に近い雰囲気であると認められる「真空排気装置」の下流側に，刊行物２に従来の技術として記載の，「爆発性を有する可燃ガス」である「水素ガス」を「排気中の濃度が一定値以下になるように窒素ガス等の不活性ガスにより希釈」することを適用して，本願発明４のごとく，「該排気装置の下流側に不活性ガスを供給し，排気ガス中の水素濃度を所定値以下に希釈する排気希釈ライン」を具備するようになすことは，当業者が適宜なし得た程度のことと認められる。
　
　したがって，本願の請求項４に係る発明は，刊行物１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
第４　むすび
　以上のとおり，本願の請求項４に係る発明は，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないので，本願の他の請求項に係る発明についての検討をするまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。