(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光投射形システムで用いるＭ×Ｎ薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ（Ｍ及びＮは、正の整数）であって、
基板と、Ｍ×Ｎ個のトランジスタのアレイと、Ｍ×Ｎ個の接続端子のアレイとを備える能動マトリクスと、
Ｍ×Ｎ薄膜駆動構造アレイであって、各々の前記駆動構造が第１、第２及び第３駆動部を備え、前記第１、第２及び第３駆動部は同一な構造を有し、前記各々の第１、第２及び第３駆動部は、上面と、下面と、側面と、近位の端子と、遠位の端部とを備え、前記各々の第１、第２及び第３駆動部は上面と下面とを備える少なくとも１つ以上の動的誘導物質の薄膜を有して、前記各々の第１、第２及び第３駆動部は、前記動的誘導薄膜層の上面に位置した第１電極と、前記動的誘導薄膜層の下面に位置した第２電極とを更に有し、前記各々の駆動部の前記第１電極は、各々の駆動構造でグラウンドに連結されることによって接地電極として働き、前記各々の駆動構造の前記第２電極は、対応する駆動部の共通信号源に連結されることによって信号電極として働き、ここで、各々の駆動部内の第１電極と第２電極との間に位置した前記動的誘導物質薄膜層の上面と下面との間に印可された電気信号が、前記動的誘導物質薄膜層と前記各々の駆動部とを変形させる、該Ｍ×Ｎ薄膜駆動構造アレイと、
Ｍ×Ｎ支持部材アレイであって、各々の前記支持部材が前記各々の駆動構造を定位置に保持することに使われ、ここで、各々の前記駆動構造の前記各々の駆動部の前記近位の端部が、その相応する前記駆動部によって固定されている、該Ｍ×Ｎ支持部アレイと、
Ｍ×Ｎ支持部材アレイであって、各々の前記ミラー層は光ビームを反射するためのミラーと、支持層とを備え、各々の前記ミラー層は５個以上の奇数個のタブ部分を有し、前記タブ部分は分割スロットによって、隣接するタブ部分から部分的に離されており、ここで、前記第２駆動部が前記中央タブ部分の底部に位置し、前記第１及び第３駆動部は中央タブ部分の両側の側面に位置する２番目に近い二つのタブ部分の底部に各々位置することによって、前記各々の駆動構造の前記第１、第２及び第３駆動部が前記電気信号に応じて変形される場合、前記駆動部が接着された前記タブ部分が傾斜し、各々の前記駆動部を持たないタブ部分を備えた前記ミラー面の残りの部分が平面にとどまることによって、前記駆動部が付着されていない前記タブ部分を備えたミラー層の前記残りの部分が光ビームを反射できる該Ｍ×Ｎミラー層アレイとを有し、その結果、光効率を増大させることを特徴とするＭ×Ｎ薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ。
【請求項２】
前記各々の支持部が、セラミックで形成されたことを特徴とする請求項１に記載のＭ×Ｎ薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ。
【請求項３】
前記各々の支持部が、各々の前記駆動構造の各前記駆動部の前記第２電極と前記能動基板上の対応する接続端子とを電気的に接続するためのコンジットを有することを特徴とする請求項２に記載のＭ×Ｎ薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ。
【請求項４】
前記コンジットが、タングステン（ｔｕｎｇｓｔｅｎ）またはチタニウム（ｔｉｔａｎｉｕｍ）で形成されたことを特徴とする請求項３に記載のＭ×Ｎ薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ。
【請求項５】
各々の前記支持層が、セラミックで形成されたことを特徴とする請求項１に記載のＭ×Ｎ薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ。
【請求項６】
前記動的誘導物質薄膜層が、電気ひずみ材料または圧電材料で形成されたことを特徴とする請求項１に記載のＭ×Ｎ薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の構造を有するＭ×Ｎ薄膜アクチュエーテッドミラーアレイを含む光投射形システム。
【請求項８】
能動基板と、Ｍ×Ｎ薄膜駆動構造アレイと、Ｍ×Ｎ支持部アレイと、Ｍ×Ｎミラー層アレイとを備え、各々の前記駆動構造が第１、第２及び第３駆動部を更に備える、光投射形システムで用いられるＭ×Ｎ薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法であって、
（ａ）基板と、Ｍ×Ｎトランジスタアレイと、Ｍ×Ｎ接続端子アレイを備えた、上面を有する前記能動基板を提供するステップと、
（ｂ）前記能動基板の前記上面の上に、Ｍ×Ｎ支持部アレイに対応するＭ×Ｎ支持台アレイと犠牲領域とを有する第１支持層を形成する過程と、
（ｃ）前記犠牲領域を後に除去可能となるように処理する過程と、
（ｄ）前記第１支持層上に第１薄膜電極層を形成する過程と、
（ｅ）各々の前記駆動構造の第１、第２及び第３駆動部の各々に対する信号電極を備えた、第１の電極パターンに、前記第１電極層をパターニングする過程と、
（ｆ）前記第１の電極パターンを備える前記支持層上に動的誘導物質薄膜を提供する過程と、
（ｇ）前記動的誘導物質薄膜層上に第２薄膜電極層を形成する過程と、
（ｈ）前記第２薄膜電極層を、前記各々の駆動構造の第１、第２及び第３駆動部のバイアス電極を備える第２の電極パターンにパターニングする過程と、
（ｉ）前記第２の電極パターンを備える前記動的誘導物質薄膜層上に第２支持層を形成する過程と、
（ｊ）前記第２支持層の上部に光反射層を形成する過程と、
（ｋ）前記光反射層と、前記第２支持層及び下部上に前記第１及び第２電極パターンを備える前記動的誘導物質薄膜層を各々パターニングする過程と、
（ｌ）前記第１支持層の除去領域を除去し、上記Ｍ×Ｎ薄膜アクチュエーテッドミラーアレイを形成する過程とを含むことを特徴とする製法。
【請求項９】
前記第１及び第２薄膜電極層が、スパッタリング法を用いて形成されることを特徴とする請求項８に記載の製法。
【請求項１０】
前記動的誘導物質薄膜層が、スパッタリング法、化学蒸着法（ＣＶＤ）、またはゾルーゲル（ｓｏｌ−ｇｅｌ）法によって形成されることを特徴とする請求項８に記載の製法。
【請求項１１】
前記光反射層が、スパッタリング法を用いて形成されることを特徴とする請求項８に記載の製法。
【請求項１２】
前記第１の電極パターン及び第２の電極パターンが、エッチング法を用いて形成されることを特徴とする請求項８に記載の製法。
【請求項１３】
前記第１支持層が、
（ａ）前記能動基板の上部に第１犠牲層を形成する過程と、
（ｂ）前記犠牲層上に、各々がＭ×Ｎ個の接続端子の周りに各々位置する第１の空（ｅｍｐｔｙ）スロットのアレイを提供する過程と、
（ｃ）前記第１の空スロットの各々に支持台を形成する過程とによって形成されることを特徴とする請求項８に記載の製法。
【請求項１４】
前記第１犠牲層が、スパッタリング法を用いて形成されることを特徴とする請求項１３に記載の製法。
【請求項１５】
前記第１のＭ×Ｎ空スロットアレイが、エッチング法を用いて形成されることを特徴とする請求項１３に記載の製法。
【請求項１６】
前記支持台が、スパッタリング法の後にエッチング法を用いて形成されることを特徴とする請求項１３に記載の製法。
【請求項１７】
前記支持台が、化学蒸着法（ＣＶＤ）の後にエッチング法を用いて形成されることを特徴とする請求項１３に記載の製法。
【請求項１８】
請求項８乃至請求項１７のいずれかに記載の方法によって製造されたＭ×Ｎ薄膜アクチュエーテッドミラーアレイを含む光投射形システム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、光投射形システムに関するもので、特に、改善された光効率を有する投射形画像表示システムで用いられるＭ×Ｎ薄膜アクチュエーテッドミラーアレイとその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の様々なビデオディスプレーシステムの中で、光投射形システムは大画面（ｌａｒｇｅ  ｓｃａｌｅ）に於ける高画質ビデオディスプレーを提供するものとして知られている。このような光投射形システムでは、ランプ（ｌａｍｐ）からの光は、たとえば、Ｍ×Ｎアクチュエーテッドミラーアレイ（ａｃｔｕａｔｅｄ  ｍｉｒｒｏｒ  ａｒｒａｙ）を一様に照明し、各々のミラーは各々のアクチュエータと結合されている。これらのアクチュエータはそれに印加された電界に応答して変形する圧電（ｐｉｅｚｏｅｌｅｃｔｒｉｃ）材料または電気ひずみ（ｅｌｅｃｔｒｏｓｔｒｉｃｔｉｖｅ）材料のような電気変位物質（ｅｌｅｃｔｒｏｄｉｓｐｌａｃｉｖｅ  ｍａｔｅｒｉａｌ）で形成されている。
【０００３】
これらの各々のミラーから反射された光は、バッフル（ｂａｆｆｌｅ）の開口部（ａｐｅｒｔｕｒｅ）に投射される。電気信号を各々のアクチュエータへ印加することによって、光線が投射される各々のミラーの相対的な位置が変更され、それによって各ミラーから反射されるビームの光路に変更が生じる。反射された各々の光の光路が変更される場合、各々のミラーから反射され開口部を通過する光量が変わり、それによって光の強度（ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ）が調節される。開口部を通じて光量が調節された光は、投射レンズ（ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ  ｌｅｎｓ）のような適当な光学装置を通じて投射スクリーン（ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ
ｓｃｒｅｅｎ）上に伝送され像（ｉｍａｇｅ）をディスプレーする。
【０００４】
図１は、本出願と同一の出願人による係属中の米国特許出願「ＴＨＩＮ  ＦＩＬＭ  ＡＣＴＵＡＴＥＤ  ＭＩＲＲＯＲ  ＡＲＲＡＹ  ＡＮＤ  ＭＥＴＨＯＤ  ＦＯＲ  ＴＨＥ  ＭＡＮＵＦＡＣＴＵＲＥ  ＴＨＥＲＥＯＦ」の明細書に開示された、光投射形システムで用いられているＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー５からなるアレイ１０の断面図であり、このＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー５からなるアレイ１０は、基板１２、Ｍ×Ｎトランジスタアレイ（図示せず）及びＭ×Ｎ個の接続端子１４からなるアレイ１３を備える能動マトリクス１１と、動的誘導（ｍｏｔｉｏｎ−ｉｎｄｕｃｉｎｇ）薄膜層１７の上部及び下部に各々位置する第１電極１８及び第２電極１９を有すると共に少なくとも動的誘導物質（ｍｏｔｉｏｎ−ｉｎｄｕｃｉｎｇ  ｍａｔｅｒｉａｌ）からなる薄膜層１７とを各々が有するＭ×Ｎ個の薄膜形駆動構造１６からなるアレイ１５と、各々の駆動構造１６を片持ちして各々の駆動部１６を定位置に保持し、また各々の駆動構造１６と能動マトリクス１１とを電気的に接続するＭ×Ｎ個の支持部２１からなるアレイ２０と、各々が各駆動構造１６の上部に位置した光ビームを反射するためのＭ×Ｎ個のミラー２３からなるアレイ２２とを含む。薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ１０に於て、各々の駆動構造１６の一対の電極１８、１９の間に位置する動的誘導物質の薄膜層１７の上面と下面との間に印加された電気的信号は、動的誘導物質を変形し、その後第１電極の上部に位置するミラー２３が変形することによって、投射光ビームの光路を変化させる。
【０００５】
上述した薄膜アクチュエーテッドミラーアレイに係る主な問題点のうちの１つは、アレイ１０の全体的な光効率である。各々の駆動構造１６が薄膜動的誘導層１７の上面と下面との間に印加された電界に応じて変形する場合、それによってミラー２３も変形を起こす。しかしながら、アレイ１０に於て、支持部２１に固定されたミラー２３の部分は電界に応じて変形せず、定位置に固定され、更に変形されるミラーの部分が曲がることによって、光ビームが反射される曲線の上面を形成する。その結果、支持部２１に固定された駆動構造の部分の長さによってミラー２３の有効長が減少されることだけでなく、またミラーが曲がる際のミラー２３の曲がった上面によって、アレイ１０全体的な光効率が減少する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明の主な目的は、改善された光効率を有するＭ×Ｎ薄膜アクチュエーテッドミラーアレイを提供することである。
【０００７】
また、本発明の他の目的は、Ｍ×Ｎ薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の一実施例によれば、光投射形システムで用いるＭ×Ｎ薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ（Ｍ及びＮは正の整数）であって、基板と、Ｍ×Ｎ個のトランジスタのアレイと、Ｍ×Ｎ個の接続端子のアレイとを備える能動マトリクスと、Ｍ×Ｎ薄膜駆動構造アレイであって、各々の前記駆動構造が第１、第２及び第３駆動部を備え、前記第１、第２及び第３駆動部は同一な構造を有し、前記各々の第１、第２及び第３駆動部は、上面と、下面と、側面と、近位の端部と、遠位の端部とを備え、前記各々の第１、第２及び第３駆動部は上面と下面とを備える少なくとも１つ以上の動的誘導物質の薄膜を有して、前記各々の第１、第２及び第３駆動部は、前記動的誘導薄膜層の上面に位置した第１電極と、前記動的誘導薄膜層の下面に位置した第２電極とを更に有し、前記各々の駆動部の前記第１電極は、各々の駆動構造でグラウンドに連結されることによって接地電極として働き、前記各々の駆動構造の前記第２電極は、対応する駆動部の共通信号源に連結されることによって信号電極として働き、ここで、各々の駆動部内の第１電極と第２電極との間に位置した前記動的誘導物質薄膜層の上面と下面との間に印加された電気信号が、前記動的誘導物質薄膜層と前記各々の駆動部とを変形させる、該Ｍ×Ｎ薄膜駆動構造アレイと、Ｍ×Ｎ支持部材アレイであって、各々の前記支持部材が前記各々の駆動構造を定位置に保持することに使われ、ここで、各々の前記駆動構造の前記各々の駆動部の前記近位の端部が、その対応する前記駆動部によって固定されている、該Ｍ×Ｎ支持部材アレイと、Ｍ×Ｎミラー層アレイであって、各々の前記ミラー層は光ビームを反射するためのミラーと、支持層とを備え、各々の前記ミラー層は５個以上の奇数個のタブ部分を有し、前記タブ部分は分割スロットによって、隣接するタブ部分から部分的に離されており、ここで、前記第２駆動部が前記中央タブ部分の底部に位置し、前記第１及び第３駆動部が中央タブ部分の両側の側面に位置する２番目に近い二つのタブ部分の底部に各々位置することによって、各々の前記駆動構造の前記第１、第２及び第３駆動部が前記電気信号に応じて変形される場合、前記駆動部が接着された前記タブ部分が傾斜し、各々の前記駆動部を持たないタブ部分を備えた前記ミラー層の残りの部分が平面にとどまることによって、前記駆動部が付着されていない前記タブ部分を備えたミラー層の前記残りの部分が光ビームを反射できる該Ｍ×Ｎミラー層アレイとを有し、その結果、光効率を増大させる。
【０００９】
また、本発明の他の実施例によれば、能動基板と、Ｍ×Ｎ薄膜駆動構造アレイと、Ｍ×Ｎ支持部アレイと、Ｍ×Ｎミラー層アレイとを備え、各々の前記駆動構造が第１、第２及び第３駆動部を更に備える、光投射形システムで用いられるＭ×Ｎ薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法であって、（ａ）基板と、Ｍ×Ｎトランジスタアレイと、Ｍ×Ｎ接続端子アレイを備えた、上面を有する前記能動基板を提供する過程と、（ｂ）前記能動基板の前記上面の上に、Ｍ×Ｎ支持部アレイに対応するＭ×Ｎ支持台アレイと犠牲領域とを有する第１支持層を形成する過程と、（ｃ）前記犠牲領域を除去する過程と、（ｄ）前記第１支持層上に第１薄膜電極層を形成する過程と、（ｅ）各々の前記駆動構造の第１、第２及び第３駆動部の各々に対する信号電極を備えた、第１の電極パターンに、前記第１電極層をパターニングする過程と、（ｆ）前記第１の電極パターンを備える前記支持層上に動的誘導物質薄膜を提供する過程と、（ｇ）前記動的誘導物質薄膜層上に第２薄膜電極層を形成する過程と、（ｈ）前記第２薄膜電極層を、前記各々の駆動構造の第１、第２及び第３駆動部のバイアス電極を備える第２の電極パターンにパターニングする過程と、（ｉ）前記第２の電極パターンを備える前記動的誘導物質薄膜層上に第２支持層を形成する過程と、（ｊ）前記第２支持層の上部に光反射層を形成する過程と、（ｋ）前記光反射層と、前記第２支持層と、下部上に前記第１及び第２電極パターンを備える前記動的誘導物質薄膜層を各々パターニングする過程と、（ｌ）前記第１支持層の犠牲領域を除去し、上記Ｍ×Ｎ薄膜アクチュエーテッドミラーアレイを形成する過程とを含む。
【００１０】
【実施例】
以下、本発明のＭ×Ｎ薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ及びその製造方法について、図面を参照しながらより詳しく説明する。
【００１１】
図２〜図１０には、本発明の好ましい実施例に基づく、光投射形システムで用いられるＭ×Ｎ薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ及びその製造方法に関する断面図及び平面図が提供されている。ここで、Ｍ及びＮは正の整数である。図２〜図１０に於ける同一の部分は同一の符号を有することに注意すべきである。
【００１２】
図２には、本発明の第１実施例によるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー５１からなるアレイ５０の断面図が示されており、能動マトリクス５２と、Ｍ×Ｎ個の薄膜駆動構造５４からなるアレイ５３と、Ｍ×Ｎ個の支持部５６からなるアレイ５５と、Ｍ×Ｎ個のミラー層５８からなるアレイ５７とを含む。
【００１３】
図３は、図２に示されたアレイ５０を構成する薄膜アクチュエーテッドミラー５１の一つの詳細な断面図である。能動マトリクス５２は、基板５９と、Ｍ×Ｎ個のトランジスタのアレイ（図示せず）と、Ｍ×Ｎ個の接続端子６１のアレイ６０とを含む。各駆動構造５４は、第１、第２及び第３駆動部６２（ａ）、６２（ｂ）及び６２（ｃ）を備え、ここで、各々の駆動部、たとえば、６２（ａ）は、上部６３と、下部６４と、近位の端部６５と、遠位の端部６６とを備えている。各々の駆動部、たとえば６２（ａ）は、たとえば、圧電物質または電気ひずみ物質で形成された上面６８と下面６９とを備えた少なくとも１つの薄膜層６７と、動的誘導物質薄膜層６７の上面６８に配置された第１電極７０と、動的誘導物質薄膜層６７の下面６９に配置された第２電極７１とを更に有する。動的誘導薄膜層６７が圧電物質、たとえば鉛ジルコニウムチタン酸塩（ｌｅａｄ  ｚｉｒｃｏｎｉｕｍ  ｔｉｔａｎａｔｅ；ＰＺＴ）からなる場合、極性を考慮して配置されなければならない。第１、第２及び第３駆動部６２（ａ）、６２（ｂ）及び６２（ｃ）の第１電極７０はグラウンドに接続されることによってバイアス電極として働き、第２電極７１は信号電極として働く。この第１電極７０と第２電極７１は、プラチナ（Ｐｔ）またはプラチナ／タンタル（Ｐｔ／Ｔａ）のような物質で作られる。
【００１４】
各々の駆動部６２（ａ）、６２（ｂ）及び６２（ｃ）の第１電極と第２電極との間の動的誘導物質薄膜層６７の上面と下面との間に印加される電気信号は、動的誘導物質６７を変形させることによって、駆動部６２（ａ）、６２（ｂ）及び６２（ｃ）を変形させる。
【００１５】
上面７２と下面７３とを有するＭ×Ｎ個の支持部５６の各々は、駆動構造５４の各々の駆動部６２（ａ）、６２（ｂ）及び６２（ｃ）を定位置に保持すると共に、タングステン（Ｗ）またはチタニウム（Ｔｉ）のような金属で作られたコンジット９９を備えており、各々の駆動構造５４に於ける第１、第２及び第３駆動部６２（ａ）、６２（ｂ）及び６２（ｃ）の第２電極を、能動基板５２上の対応する接続端子６１へ電気的に連結するために用いられる。本発明のアレイ５０に於て、各々の駆動構造５４の第１、第２及び第３駆動部６２（ａ）、６２（ｂ）及び６２（ｃ）の各々は、各々の駆動構造５４の第１、第２及び第３駆動部６２（ａ）、６２（ｂ）及び６２（ｃ）の各々の下面６４にある対応する支持部５６の上面７２に取り付けられることによって、各々の駆動構造５４の近位の端部６５で対応する支持部５６の各々から片持ちされている。支持部５６各々の下面７３は能動基板の上部に位置する。支持部５６はセラミックからなる。
【００１６】
ミラー層５８の各々は、光ビームを反射するミラー７４及び支持層７５を備えている。更に、図４に例示されているように、各々のミラー層５８は、５個以上の奇数個のタブ部分７６を有し、各々のタブ部分７６は分割スロット７７によって隣接するタブ部分と部分的に分離されている。図４の実施例では、各々のミラー層５８の７個のタブ部分７６が例示されている。
【００１７】
薄膜アクチュエーテッドミラー５１の各々に於て、第２駆動部６２（ｂ）は中央タブ部分の下部に位置し、第１駆動部６２（ａ）及び第３駆動部６２（ｃ）は、中央タブ部分両側の直近の２個のタブ部分の下部に位置することによって、各々の駆動構造５４の第１、第２及び第３駆動部６２（ａ）、６２（ｂ）及び６２（ｃ）が電気信号に応答して変形する際、駆動部が付着されたタブ部分が傾斜され、駆動部が付着されていないタブ部分を含むミラー層のその他の部分は平面のまま残り、その結果ミラー層５８の有効長がミラー層５８の全長となり、よって以前に開示されたアレイ１０全体に関する光効率が増大する。
【００１８】
図５〜図１０は、本発明の第１実施例の製造方法の過程を例示ている。図５に例示したように、本発明の第一実施例、すなわち、Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー５１のアレイ５０の製造過程は、基板５９と、Ｍ×Ｎ個のトランジスタのアレイ（図示せず）と、Ｍ×Ｎ個の接続端子６１のアレイ６０とを含む上面１０１を備えた能動基板５２を準備することから始まる。
【００１９】
次の過程では、図６に示したように、能動基板５２の上面１０１に、Ｍ×Ｎ個の支持部５６のアレイ５５に対応するＭ×Ｎ個の支持台１０４のアレイ１０３と、これらを囲繞する犠牲領域１０５とを含む第１支持層１０２が形成され、ここで、この第１支持層１０２は、能動基板５２の上面１０１全体に犠牲層（図示せず）を形成する過程と、Ｍ×Ｎ個の接続端子６１の周りに各々が位置するＭ×Ｎ個の空（ｅｍｐｔｙ）スロットアレイ（図示せず）を形成することによって犠牲領域１０５を形成する過程と、各空スロットの支持台１０４を提供する過程とによって形成される。犠牲層は、化学蒸着法（ＣＶＤ）によって形成されて、空スロットのアレイはスパッタリング法または化学蒸着法（ＣＶＤ）を用い、続いてエッチング法を用いて形成される。第１支持層１０２の犠牲領域１０５は、後で適切な化学薬品を適用するかまたはエッチング法を用いることによって除去される層として処理される。
【００２０】
図７に例示されているように、各々の駆動構造５４の駆動部６２（ａ）、６２（ｂ）及び６２（ｃ）の第２電極７１と対応する接続端子６１を、タングステン（Ｗ）またはチタニウム（Ｔｉ）のような物質で作られた対応する接続端子６１に電気的に接続するためのコンジット９９は、エッチング法を用いて支持台１０４の上部から接続端子６１の上部に到る貫通孔を形成し、この貫通孔内に金属、例えばタングステンを充填することで各支持台１０４内に形成される。
【００２１】
次に、図８に例示されているように、プラチナ（Ｐｔ）のような導電性物質からなる第１薄膜電極層１０６が支持層１０２の上に形成される。その後、第１薄膜電極層（図示せず）が、駆動構造５４の第１、第２及び第３駆動部６２（ａ）、６２（ｂ）及び６２（ｃ）の各々に対する第２電極７１を含む第１の電極パターン１０６にパターニングされる。次の過程で、図８に示したように、動的誘導物質、たとえばＰＺＴからなる薄膜層１０７と銀（Ａｇ）などの電導性物質からなる第２薄膜電極層（図示せず）とが、第１の電極パターン１０６の第１支持層１０２の上部に続けて形成される。第１及び第２薄膜電極層はスパッタリング法によって形成され、動的誘導物質薄膜層は、スパッタリング法、ＣＶＤ法またはゾル−ゲル（ｓｏｌ−ｇｅｌ）法の内の１つを利用して形成される。その後、第２薄膜電極層は、各々の駆動構造５４の第１、第２及び第３駆動部６２（ａ）、６２（ｂ）及び６２（ｃ）の各々に対する第１電極７０を備える第２の電極パターンにパターニングされる。
【００２２】
図９に示したように、セラミックからなる第２支持層１０９は、第２の電極パターンの動的誘導物質薄膜層１０７の上部に形成される。続いて、光反射層１１０がスパッタリング法を用いて第２支持層１０９の上部に形成される。
【００２３】
その後、図１０に示すように、光反射層１１０と、第２支持層１０９と、上面及び下面に各々第１電極パターン及び第２の電極パターンを備えた動的誘導物質薄膜層１０７が、各々パターニングされ、第１支持層１０２の犠牲領域１０５が除去されることによって、Ｍ×Ｎ薄膜アクチュエーテッドミラー５１のアレイ５０が形成される。
【００２４】
上述したように、導電性材料、動的誘導材料及び光反射性材料からなる薄膜層が形成され、スパッタリング法、ゾル−ゲル法、エッチング法及びマイクロマシーニング（ｍｉｃｒｏ−ｍａｃｈｉｎｉｎｇ）法のような周知の薄膜技術によってパターニングされる。
【００２５】
本発明は特定の実施例について説明しているが、特許請求の範囲で定義された本発明の技術的視点を逸脱することなく、当業者は種々の改変をなし得るであろう。
【００２６】
【発明の効果】
従って、本発明によれば、Ｍ×Ｎ薄膜アクチュエーテッドミラーアレイをより効率的に製造し、全体的な光効率をも向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来のＭ×Ｎ薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの断面図である。
【図２】本発明の好ましい実施例に基づくＭ×Ｎ薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの断面図である。
【図３】図２に示した本発明の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイを構成する薄膜アクチュエーテッドミラーの詳細断面図である。
【図４】図３に示したアレイの薄膜アクチュエーテッドミラーの平面図である。
【図５】本発明の第１実施例を製造する方法のうちの一つの過程に関する断面図である。
【図６】本発明の第１実施例を製造する方法のうちの一つの過程に関する断面図である。
【図７】本発明の第１実施例を製造する方法のうちの一つの過程に関する断面図である。
【図８】本発明の第１実施例を製造する方法のうちの一つの過程に関する断面図である。
【図９】本発明の第１実施例を製造する方法のうちの一つの過程に関する断面図である。
【図１０】本発明の第１実施例を製造する方法のうちの一つの過程に関する断面図である。
【符号の説明】
５  薄膜アクチュエーテッドミラー
１０  薄膜アクチュエーテッドミラーのアレイ
１１  能動マトリクス
１２  基板
１３  接続端子のアレイ
１４  接続端子
１５  薄膜形駆動構造のアレイ
１６  薄膜形駆動構造
１７  動的誘導薄膜層
１８  第１電極
１９  第２電極
２０  支持部のアレイ
２１  支持部
２２  ミラーのアレイ
２３  ミラー
５０  Ｍ×Ｎ薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ
５１  薄膜アクチュエーテッドミラー
５２  能動マトリクス
５３  薄膜駆動構造のアレイ
５４  薄膜形駆動構造
５５  支持部のアレイ
５６  支持部
５７  ミラーアレイ
５８  ミラー層
５９  基板
６０  接続端子のアレイ
６１  接続端子
６２（ａ）、６２（ｂ）、６２（ｃ）  第１、第２及び第３駆動部
６３  上部
６４  下部
６５  近位の端部
６６  遠位の端部
６７  動的誘導物質薄膜層
６８  動的誘導物質薄膜層の上面
６９  動的誘導物質薄膜層の下面
７０  第１電極
７１  第２電極
７２  支持部の上面
７３  支持部の下面
７４  ミラー
７５  支持層
７６  タブ部分
７７  分割スロット
９９  コンジット
１０１  能動基板の上面
１０２  第１支持層
１０４  空スロットの支持台
１０５  犠牲領域
１０６  第１薄膜電極層
１０７  薄膜層
１０８  第２の電極パターン
１０９  第２支持層
１１０  光反射層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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