(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート配線と、ソース配線と、前記ゲート配線と前記ソース配線との交差部の近傍に設けられた薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続された液晶層に電圧を印加するための画素電極とを有し、前記ゲート配線、前記ソース配線及び前記薄膜トランジスタの上部に透明度の高い有機樹脂からなる層間絶縁膜が形成され、前記層間絶縁膜上に前記画素電極が形成されているアクティブマトリクス型液晶表示装置において、
前記層間絶縁膜の前記画素電極間及び前記画素電極の周縁下部に溝が形成され、前記溝に絶縁性を有する第１の遮光膜が形成されており、
前記薄膜トランジスタと前記画素電極とは、前記層間絶縁膜を貫くコンタクトホールを介して接続され、前記コンタクトホールには絶縁性を有する第２の遮光膜が形成されており、
前記第１の遮光膜及び前記第２の遮光膜の表面は、前記画素電極の表面と略同一平面上に位置しており、
前記第１の遮光膜及び前記第２の遮光膜は、低誘電率材料からなることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置。
【請求項２】
ゲート配線と、ソース配線と、前記ゲート配線と前記ソース配線との交差部の近傍に設けられた薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続された液晶層に電圧を印加するための画素電極とを有するアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法において、
前記ゲート配線、ソース配線及び前記薄膜トランジスタの上部に透明度の高い有機樹脂からなる層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程と、
前記層間絶縁膜上に前記画素電極を形成する工程と、
前記画素電極をマスクとして前記層間絶縁膜をエッチングすることにより、前記画素電極間及び前記画素電極の周縁下部に溝を形成する工程と、
前記溝及び前記コンタクトホールに絶縁性を有する遮光膜を形成し、前記遮光膜の表面が前記画素電極の表面と略同一平面上に位置するようにする工程とを有し、
前記エッチング方法として、酸素プラズマを用いたリアクティブイオンエッチングを用い、
前記遮光膜は有機樹脂であり、前記遮光膜の形成を真空引きしながら行うことを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示装置及びその製造方法並びに液晶表示装置の欠陥検査方法に関するもので、特に、薄膜トランジスタを用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法並びにアクティブマトリクス型液晶表示装置の欠陥検査方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年のアクティブマトリクス型液晶表示装置においては、高精細な表示を目指した大容量及び高密度のアクティブマトリクス型液晶表示装置の開発が盛んである。
【０００３】
このようなアクティブマトリクス型液晶表示装置を実現するために、図８乃至図１０に示すように、ゲート配線５１、ソース配線５２及びゲート配線５１とソース配線５２との交差部の近傍に設けられた薄膜トランジスタ５３と、薄膜トランジスタ５３に接続された液晶層５４に電圧を印加するための画素電極５５とを、層間絶縁膜５６を介して異なる層に形成するアクティブマトリクス型液晶表示装置が提案されている。
【０００４】
図８は従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置を示す断面図、図９は図８におけるアクティブマトリクス基板を示す平面図、図１０は図９のＢ−Ｂ線における断面図である。
【０００５】
図８乃至図１０のような構成のアクティブマトリクス型液晶表示装置では、画素電極５５をゲート配線５１及びソース配線５２上に重畳するように形成することができるため、大幅に開口率を高くすることができる。
【０００６】
図８乃至図１０において、５７は絶縁性基板、５８はゲート電極、５９はゲート絶縁膜、６０は半導体膜、６１はソース電極、６２はドレイン電極、６３はソース接続配線、６４はドレイン接続配線、６５はコンタクトホール、６６はアクティブマトリクス基板、６７は対向電極、６８はカラーフィルター、６９は遮光膜、７０は対向基板である。
【０００７】
一方、開口率を高めるための別の方法として、対向基板に形成されている遮光膜（ブラックマトリクス）を、アクティブマトリクス基板に形成する方法が提案されている。
【０００８】
遮光膜をアクティブマトリクス基板に形成すれば、アクティブマトリクス基板と対向基板とを貼り合わせる際の貼り合わせ精度を考慮する必要がないため、遮光膜を大きめに形成する必要がなくなり、開口率を高くすることができる。
【０００９】
遮光膜をアクティブマトリクス基板に形成した例としては、特開平２−２０７２２２号公報に開示されているように、ゲート配線及びソース配線を遮光膜として用いるアクティブマトリクス型液晶表示装置が提案されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
前述した特開平２−２０７２２２号公報に開示されているアクティブマトリクス型液晶表示装置では、アクティブマトリクス基板と対向基板とを貼り合わせる際の貼り合わせ精度を考慮する必要がないため、遮光膜を大きめに形成する必要がなくなり、開口率を高くすることができるが、ゲート配線及びソース配線として金属を用いる必要があり、遮光膜の光の反射率が高く、表示品位が低くなるという問題点がある。
【００１１】
また、ゲート配線、ソース配線及び薄膜トランジスタと画素電極とを層間絶縁膜を介して異なる層に形成したアクティブマトリクス型液晶表示装置では、画素電極をゲート配線及びソース配線上に重畳するように形成することができるため、大幅に開口率を高くすることができるが、画素電極がゲート配線及びソース配線上に重畳するように形成されているため、クロストークが問題となる。
【００１２】
さらに、このクロストークを避けるため、画素電極とゲート配線及びソース配線とを重畳しないように形成すれば、隣接する画素電極同士の横方向の電界に起因する液晶層の配向乱れによって、画素電極の周縁部から光漏れが発生し、コントラストの低下が生じるという問題がある。
【００１３】
さらに、画素電極をパターニングする際に、エッチング不良等によって隣り合う画素電極同士が分離されなかった場合には、この分離されなかった画素電極同士が電気的に短絡して欠陥となるが、このような欠陥は、液晶表示装置として点灯させてみなければ欠陥を検出できないという問題がある。
【００１４】
本発明は、以上のような従来の問題点に鑑みなされたものであって、開口率が高く、クロストークの発生を抑えたアクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法並びに画素電極同士の電気的な短絡を検出するアクティブマトリクス型液晶表示装置の欠陥検査方法を提供することを目的としている。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
前述した目的を達成するために、本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置は、ゲート配線と、ソース配線と、前記ゲート配線と前記ソース配線との交差部の近傍に設けられた薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続された液晶層に電圧を印加するための画素電極とを有し、前記ゲート配線、前記ソース配線及び前記薄膜トランジスタの上部に透明度の高い有機樹脂からなる層間絶縁膜が形成され、前記層間絶縁膜上に前記画素電極が形成されているアクティブマトリクス型液晶表示装置において、前記層間絶縁膜の前記画素電極間及び前記画素電極の周縁下部に溝が形成され、前記溝に絶縁性を有する第１の遮光膜が形成されており、前記薄膜トランジスタと前記画素電極とは、前記層間絶縁膜を貫くコンタクトホールを介して接続され、前記コンタクトホールには絶縁性を有する第２の遮光膜が形成されており、前記第１の遮光膜及び前記第２の遮光膜の表面は、前記画素電極の表面と略同一平面上に位置していることを特徴とする。
【００１６】
本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置は、前記第１の遮光膜及び前記第２の遮光膜は低誘電率材料からなることを特徴としている。
【００１７】
本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法は、ゲート配線と、ソース配線と、前記ゲート配線と前記ソース配線との交差部の近傍に設けられた薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続された液晶層に電圧を印加するための画素電極とを有するアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法において、前記ゲート配線、前記ソース配線及び前記薄膜トランジスタの上部に透明度の高い有機樹脂からなる層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程と、前記層間絶縁膜上に前記画素電極を形成する工程と、前記画素電極をマスクとして前記層間絶縁膜をエッチングすることにより、前記画素電極間及び前記画素電極の周縁下部に溝を形成する工程と、前記溝及び前記コンタクトホールに絶縁性を有する遮光膜を形成し、前記遮光膜の表面が前記画素電極の表面と略同一平面上に位置するようにする工程とを有することを特徴とする。
【００１８】
また、本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法は、前記エッチング方法として、酸素プラズマを用いたリアクティブイオンエッチングを用いることを特徴とする。
【００１９】
また、本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法は、前記遮光膜は有機樹脂であり、前記遮光膜の形成を真空引きしながら行うことを特徴とする。
【００２７】
本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置によれば、ゲート配線、ソース配線及び薄膜トランジスタの上部に透明度の高い有機樹脂からなる層間絶縁膜が形成され、層間絶縁膜上に画素電極が形成され、画素電極間に絶縁性を有する遮光膜が形成されていることにより、アクティブマトリクス基板と対向基板とを貼り合わせる際の貼り合わせ精度を考慮する必要がないため、遮光膜を大きめに形成する必要がなくなり、開口率を高くすることができる。
【００２８】
さらに、遮光膜は低誘電率材料からなることにより、層間絶縁膜上にゲート配線及びソース配線と重畳するように画素電極が形成されていても、クロストークの発生を抑えることができる。
【００２９】
また、薄膜トランジスタと画素電極とは、層間絶縁膜を貫くコンタクトホールを介して接続され、コンタクトホールにも遮光膜が形成されていることにより、コンタクトホール部での液晶層の配向乱れを目立たなくすることができる。
【００３０】
また、層間絶縁膜の画素電極間に位置する部分に溝が形成され、溝に遮光膜が形成されていることにより、画素電極と画素電極が形成されていない部分との段差をなくすことができ、平坦な状態として配向膜を形成することができるため、表示品位を向上させることができる。
【００３１】
さらに、遮光膜の表面が画素電極の表面と略同一平面上に位置していることにより、遮光膜と画素電極との段差をなくすことができ、さらに平坦な状態として配向膜を形成することができる。
【００３２】
また、遮光膜が各々の画素電極の周縁下部にも形成されていることにより、隣接する画素電極同士の横方向の電界に起因する液晶層の配向乱れによって、画素電極の周縁部から光漏れが発生することを防止することができる。
【００３４】
本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法によれば、ゲート配線、ソース配線及び薄膜トランジスタの上部に透明度の高い有機樹脂からなる層間絶縁膜を形成する工程と、層間絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程と、層間絶縁膜上に画素電極を形成する工程と、画素電極をマスクとして層間絶縁膜をエッチングすることにより、画素電極間及び画素電極の周縁下部に溝を形成する工程と、溝及びコンタクトホールに絶縁性を有する遮光膜を形成し、遮光膜の表面が画素電極の表面と略同一平面上に位置するようにする工程とを有することにより、遮光膜を自己整合的に精度よく、簡便にアクティブマトリクス基板に形成することができる。
【００３５】
さらに、エッチング方法として、酸素プラズマを用いたリアクティブイオンエッチングを用いることにより、異方性のエッチングを行うことができ、画素電極をレジストとして層間絶縁膜をエッチングし、精度よく溝を形成することができる。
【００３６】
また、遮光膜は有機樹脂であり、遮光膜の形成を真空引きしながら行うことにより、気泡を含ませることなく遮光膜を形成することができる。
【００３９】
【発明の実施の形態】
図１乃至図７を用いて、本発明の実施の形態について説明する。
【００４０】
（実施の形態１）
図１乃至図４を用いて、本発明の液晶表示装置及びその製造方法について説明する。図１は本発明に係わる液晶表示装置を示す断面図、図２は図１におけるアクティブマトリクス基板を示す平面図、図３は図２のＡ−Ａ線における断面図、図４は本発明に係わる液晶表示装置の製造方法を示す工程図である。
【００４１】
図１乃至図３に示すように、本発明に係わる液晶表示装置は、絶縁性基板１、薄膜トランジスタ２、ゲート配線３、ソース配線４、層間絶縁膜５、コンタクトホール６、遮光膜７及び画素電極８からなるアクティブマトリクス基板９と、絶縁性基板１、カラーフィルター１０及び対向電極１１からなる対向基板１２との間に液晶層１３を封入して構成されている。
【００４２】
薄膜トランジスタ２は、ゲート電極１４、ゲート絶縁膜１５、ソース電極１６、ドレイン電極１７、半導体膜１８、ソース接続配線１９、ドレイン接続配線２０から構成されている。
【００４３】
ソース電極１６とソース配線４とはソース接続配線１９によって接続され、ドレイン電極１７と画素電極８とはドレイン接続配線２０によってコンタクトホール６を介して接続されている。
【００４４】
遮光膜７は、層間絶縁膜５上の画素電極８間に形成されるとともに、コンタクトホール６に形成されることが望ましい。
【００４５】
このような液晶表示装置の製造方法は、図４（ａ）に示すように、ガラスからなる絶縁性基板１上に、ＴａまたはＡｌ等をスパッタリング法によって堆積し、パターニングすることによってゲート配線３及びゲート電極１４を形成する。
【００４６】
次に、ゲート絶縁膜１５を形成する。ゲート絶縁膜１５としては、ゲート配線３及びゲート電極１４を陽極酸化することによって形成する酸化タンタルもしくは酸化アルミニウム、またはプラズマＣＶＤ法で堆積する窒化シリコンもしくは酸化シリコン等を単独または組み合わせて用いる。
【００４７】
ゲート絶縁膜１５上に、低圧ＣＶＤ法またはプラズマＣＶＤ法によって半導体膜１８を堆積してパターニングし、プラズマドーピング法または低加速イオン注入法等により、ソース電極１６及びドレイン電極１７を自己整合的に形成する。
【００４８】
次に、ＩＴＯ等の透明な導電性の材料を用いて、ソース電極１６とソース配線４とを電気的に接続するソース接続配線１９、及びドレイン電極１７と画素電極８とを電気的に接続するドレイン接続配線２０を形成し、Ａｌ、Ｔａ、Ｃｒ、ＭｏまたはＩＴＯ等を用いてソース配線４を形成する。
【００４９】
さらに、ポリイミド等の無色透明で絶縁性を有する材料を用いて、層間絶縁膜５を形成し、層間絶縁膜５にコンタクトホール６を形成して、層間絶縁膜５上にＩＴＯ等の透明な導電性の材料で画素電極８を形成する。
【００５０】
画素電極８は、コンタクトホール６を介してドレイン接続配線２０と接続され、ドレイン電極１７と電気的に接続される。
【００５１】
そして、図４（ｂ）に示すように、画素電極８をレジストとして用いて、酸素プラズマを用いたリアクティブイオンエッチングにより、自己整合的に層間絶縁膜５をエッチングし、層間絶縁膜５の画素電極８間に溝２１を形成する。
【００５２】
このとき、画素電極８をパターニングする際に用いたフォトレジストを、レジストとして用いて層間絶縁膜５をエッチングして溝２１を形成してもよく、エッチング方法については、酸素プラズマを用いたリアクティブイオンエッチングに限定されるものではなく、例えばウエットエッチングによって溝２１を形成してもよい。
【００５３】
次に、図４（ｃ）に示すように、アクティブマトリクス基板９上に真空引きしながら絶縁性及び遮光性を有する樹脂２２を塗布し、加熱または紫外線を照射することによって絶縁性及び遮光性を有する樹脂２２を硬化する。真空引きしながら絶縁性及び遮光性を有する樹脂２２を塗布することにより、絶縁性及び遮光性を有する樹脂２２に気泡が発生することを防止できる。
【００５４】
そして、図４（ｄ）に示すように、絶縁性及び遮光性を有する樹脂２２をマスク等を用いることなく全面をエッチングし、画素電極８上の絶縁性及び遮光性を有する樹脂２２を除去することにより、溝２１及びコンタクトホール６に遮光膜７を形成し、配向膜を形成してアクティブマトリクス基板９を完成する。
【００５５】
このとき、遮光膜７の表面が画素電極８の表面と略同一平面上に位置するように形成すれば、その上に形成する配向膜をさらに平坦な状態とすることができるため、表示品位を向上させることができる。
【００５６】
遮光膜７の材料としては、カーボンブラックもしくは黒色顔料等を添加したエポキシ樹脂またはポリイミド等の有機樹脂を用いればよく、特に限定されるものではないが、低誘電率材料を用いることが望ましい。
【００５７】
遮光膜７の材料として低誘電率のものを用いれば、画素電極８間、すなわちゲート配線３及びソース配線４上に低誘電率の遮光膜７が形成されているため、画素電極８とゲート配線３及びソース配線４の間で形成されるコンデンサーの静電容量を小さくすることができる。このため、ゲート信号とソース信号とのクロストークを低減することができる。
【００５８】
一方、ガラスからなる絶縁性基板１上に、カラーフィルター１０、ＩＴＯ等からなる対向電極１１及び配向膜を形成し、対向基板１２を完成する。
【００５９】
このようにして完成したアクティブマトリクス基板９と対向基板１２とを、シール材料を介して貼り合わせ、液晶層１３を封入して液晶表示装置を完成する。
【００６０】
次に、図５及び図６を用いて、本発明の液晶表示装置の欠陥検査方法について説明する。図５は画素電極同士が電気的に短絡している欠陥を示す平面図、図６は本発明に係わる液晶表示装置の欠陥検査方法を示す概略図である。
【００６１】
本発明では、画素電極８間に遮光膜７が自己整合的に形成されるため、図５に示すように、画素電極８間の幅が狭くなっている場合、これにともなって遮光膜７の幅も狭くなり、画素電極８同士が電気的に短絡しているときには、遮光膜７が途切れてしまい、欠陥２３となる。
【００６２】
このため、遮光膜７の幅について光学的な画像検査を行うことにより、画素電極８同士が電気的に短絡している欠陥２３を検出することが可能となる。
【００６３】
図６に示すように、アクティブマトリクス基板９をＣＣＤカメラ２４によって撮像し、画像処理装置２５により、画像に対して２値化処理を行って遮光膜７のみを抽出し、遮光膜７が途切れているか否かを検査して、画素電極８同士が電気的に短絡しているか否かを判定する。
【００６４】
このようにして、アクティブマトリクス基板９の状態で、画素電極８同士の電気的な短絡を検査することができる。
【００６５】
（実施の形態２）
図７を用いて、本発明の他の液晶表示装置及びその製造方法について説明する。図７は本発明に係わる他の液晶表示装置を示す断面図である。尚、実施の形態１と同様の部分については、説明を省略する。
【００６６】
図７に示すように、本発明に係わる他の液晶表示装置は、絶縁性基板１、薄膜トランジスタ、ゲート配線、ソース配線４、層間絶縁膜５、コンタクトホール、遮光膜７及び画素電極８からなるアクティブマトリクス基板９と、絶縁性基板１、カラーフィルター１０及び対向電極１１からなる対向基板１２との間に液晶層１３を封入して構成されている。
【００６７】
遮光膜７は、層間絶縁膜５上の画素電極８間に形成されるとともに、各々の画素電極８の周縁下部にも形成される。
【００６８】
このような液晶表示装置の製造方法は、実施の形態１と同様に、ガラスからなる絶縁性基板１上に、ゲート配線、ゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体膜、ソース電極、ドレイン電極、ソース接続配線及びドレイン接続配線を形成し、Ａｌ、Ｔａ、Ｃｒ、ＭｏまたはＩＴＯ等を用いてソース配線４を形成する。
【００６９】
さらに、ポリビニルアルコール系、アクリル系またはゼラチン系等の可染性で無色透明の絶縁性を有する材料を用いて、層間絶縁膜５を形成し、層間絶縁膜５にコンタクトホールを形成して、層間絶縁膜５上にＩＴＯ等の透明な導電性の材料で画素電極８を形成する。画素電極８は、コンタクトホールを介してドレイン接続配線と接続され、ドレイン電極と電気的に接続される。
【００７０】
可染性で無色透明の絶縁性を有する材料としては、染色法で形成されるカラーフィルターに用いられるものと同様のものを用いてもかまわない。
【００７１】
そして、画素電極８をマスクとして、黒色の酸性染料または反応性染料を用いて自己整合的に層間絶縁膜５を１〜２μｍ染色し、層間絶縁膜５の画素電極８間及び画素電極８の周縁下部を不透明に染色して、遮光膜７を形成する。そして、配向膜を形成してアクティブマトリクス基板９を完成する。
【００７２】
染色方法としては、カラーフィルターの染色方法と同様に行えばよく、染色は等方性であるため、層間絶縁膜５の画素電極８間及び画素電極８の周縁下部に同時に遮光膜７を形成することができる。このように、実施の形態１よりも少ない工程で遮光膜７を形成することができる。
【００７３】
このとき、実施の形態１と同様に、層間絶縁膜５としてポリイミド等の無色透明で絶縁性を有するものを用いてもよいが、その場合は等方性プラズマエッチングまたはウエットエッチング等の等方性のエッチングにより、画素電極８をレジストとして用いて、層間絶縁膜５をエッチングして層間絶縁膜５の画素電極８間及び画素電極８の周縁下部に溝を形成し、カーボンブラックもしくは黒色顔料等を添加したエポキシ樹脂またはポリイミド等の有機樹脂を塗布して、加熱または紫外線を照射することによって樹脂を硬化し、マスク等を用いることなく全面をエッチングして、画素電極８間及び画素電極８の周縁下部に遮光膜７を形成すればよい。
【００７４】
一方、ガラスからなる絶縁性基板１上に、カラーフィルター１０、ＩＴＯ等からなる対向電極１１及び配向膜を形成し、対向基板１２を完成する。
【００７５】
このようにして完成したアクティブマトリクス基板９と対向基板１２とを、シール材料を介して貼り合わせ、液晶層１３を封入して液晶表示装置を完成する。本実施の形態においても、実施の形態１と同様に、本発明の液晶表示装置の欠陥検査方法を行うことができる。
【００７６】
【発明の効果】
以上の説明のように、本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置によれば、ゲート配線、ソース配線及び薄膜トランジスタの上部に透明度の高い有機樹脂からなる層間絶縁膜が形成され、層間絶縁膜上に画素電極が形成され、画素電極間に絶縁性を有する遮光膜が形成されていることにより、遮光膜を大きめに形成する必要がなくなり、開口率を高くすることができるため、明るい表示を行うことができる。
【００７７】
さらに、遮光膜は低誘電率材料からなることにより、層間絶縁膜上にゲート配線及びソース配線と重畳するように画素電極が形成されていても、クロストークの発生を抑えることができるため、表示品位を向上することができる。
【００７８】
また、薄膜トランジスタと画素電極とは、層間絶縁膜を貫くコンタクトホールを介して接続され、コンタクトホールにも遮光膜が形成されていることにより、コンタクトホール部での液晶層の配向乱れを目立たなくすることができるため、表示品位を向上することができる。
【００７９】
また、層間絶縁膜の画素電極間に位置する部分に溝が形成され、溝に遮光膜が形成されていることにより、平坦な状態として配向膜を形成することができるため、表示品位を向上させることができる。
【００８０】
さらに、遮光膜の表面が画素電極の表面と略同一平面上に位置していることにより、さらに平坦な状態として配向膜を形成することができるため、表示品位をさらに向上させることができる。
【００８１】
また、遮光膜が各々の画素電極の周縁下部にも形成されていることにより、隣接する画素電極同士の横方向の電界に起因する液晶層の配向乱れによって、画素電極の周縁部から光漏れが発生することを防止することができ、クロストークの発生及びコントラストの低下を防ぐことができる。
【００８３】
本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法によれば、ゲート配線、ソース配線及び薄膜トランジスタの上部に透明度の高い有機樹脂からなる層間絶縁膜を形成する工程と、層間絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程と、層間絶縁膜上に画素電極を形成する工程と、画素電極をマスクとして層間絶縁膜をエッチングすることにより、画素電極間及び画素電極の周縁下部に溝を形成する工程と、溝及びコンタクトホールに絶縁性を有する遮光膜を形成し、遮光膜の表面が画素電極の表面と略同一平面上に位置するようにする工程とを有することにより、遮光膜を自己整合的に精度よく、簡便にアクティブマトリクス基板に形成することができるため、製造コストを抑えて開口率の高い液晶表示装置を得ることができる。
【００８４】
さらに、エッチング方法として、酸素プラズマを用いたリアクティブイオンエッチングを用いることにより、精度よく溝を形成することができるため、開口率の高い液晶表示装置を得ることができる。
【００８５】
また、遮光膜は有機樹脂であり、遮光膜の形成を真空引きしながら行うことにより、気泡を含ませることなく遮光膜を形成することができるため、コントラストの高い液晶表示装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係わる液晶表示装置を示す断面図である。
【図２】図１におけるアクティブマトリクス基板を示す平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ線における断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｄ）は本発明に係わる液晶表示装置の製造方法を示す工程図である。
【図５】画素電極同士が電気的に短絡している欠陥を示す平面図である。
【図６】本発明に係わる液晶表示装置の欠陥検査方法を示す概略図である。
【図７】本発明に係わる他の液晶表示装置を示す断面図である。
【図８】従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置を示す断面図である。
【図９】図８におけるアクティブマトリクス基板を示す平面図である。
【図１０】図９のＢ−Ｂ線における断面図である。
【符号の説明】
１  絶縁性基板
２  薄膜トランジスタ
３  ゲート配線
４  ソース配線
５  層間絶縁膜
６  コンタクトホール
７  遮光膜
８  画素電極
９  アクティブマトリクス基板
１０  カラーフィルター
１１  対向電極
１２  対向基板
１３  液晶層
１４  ゲート電極
１５  ゲート絶縁膜
１６  ソース電極
１７  ドレイン電極
１８  半導体膜
１９  ソース接続配線
２０  ドレイン接続配線
２１  溝
２２  絶縁性及び遮光性を有する樹脂
２３  欠陥
２４  ＣＣＤカメラ
２５  画像処理装置
５１  ゲート配線
５２  ソース配線
５３  薄膜トランジスタ
５４  液晶層
５５  画素電極
５６  層間絶縁膜
５７  絶縁性基板
５８  ゲート電極
５９  ゲート絶縁膜
６０  半導体膜
６１  ソース電極
６２  ドレイン電極
６３  ソース接続配線
６４  ドレイン接続配線
６５  コンタクトホール
６６  アクティブマトリクス基板
６７  対向電極
６８  カラーフィルター
６９  遮光膜
７０  対向基板
【図１】
0003587426.tif 000002
【図２】
0003587426.tif 000003
【図３】
0003587426.tif 000004
【図４】
0003587426.tif 000005
【図５】
0003587426.tif 000006
【図６】
0003587426.tif 000007
【図７】
0003587426.tif 000008
【図８】
0003587426.tif 000009
【図９】
0003587426.tif 000010
【図１０】
0003587426.tif 000011