【事件の表示】
　特願２００１−３７４４８６「薄膜トランジスタ及びその製造方法、インバータ並びに電子機器」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　６月２０日出願公開、特開２００３−１７４０３７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成１３年１２月７日の出願であって、平成１７年１２月２７日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成１８年２月３日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日付けで手続補正がなされたものである。
　
第２．平成１８年２月３日付けの手続補正についての却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成１８年２月３日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１．本件補正の内容
　平成１８年２月３日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１ないし１０を、補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし６と補正するとともに、補正前の明細書の００１４段落、００１５段落、００１８段落、００１９段落、００２２段落、及び００２３段落を、補正後の明細書の００１４段落、００１５段落、００１８段落、００１９段落、００２２段落、及び００２３段落と補正し、補正前の明細書の００１６段落、００１７段落、００２０段落、００２１段落を削除するものであって、そのうち、特許請求の範囲は以下のとおりである。
　
（補正事項ａ）
　補正前の請求項１の「絶縁基板上に形成された半導体薄膜にエネルギービームを照射することにより改質された結晶性半導体薄膜を活性領域として利用する薄膜トランジスタであって、　前記結晶性半導体薄膜を構成している多結晶の結晶粒界が、チャネル領域を走行するキャリアの走行方向に概ね沿って形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。」を、補正後の請求項１の「絶縁基板上に形成された半導体薄膜にエネルギービームを照射することにより当該半導体薄膜を改質して得られる結晶性半導体薄膜を活性領域として利用する薄膜トランジスタであって、　前記結晶性半導体薄膜が多結晶からなると共に、当該多結晶の結晶粒子サイズの長さ方向が、チャネル領域を走行するキャリアの走行方向に沿って揃えられていることを特徴とする薄膜トランジスタ。」と補正すること。
　
（補正事項ｂ）
　補正前の請求項２の「絶縁基板上に形成された非結晶半導体薄膜にレーザビームを照射することにより改質された多結晶性半導体薄膜を活性領域として利用する薄膜トランジスタであって、　前記多結晶性半導体薄膜を構成している多結晶の結晶粒界が、チャネル領域を走行するキャリアの走行方向に概ね沿って形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。」を、補正後の請求項２の「絶縁基板上に形成された非結晶半導体薄膜にレーザビームを照射することにより当該非結晶半導体薄膜を改質して得られる多結晶性半導体薄膜を活性領域として利用する薄膜トランジスタであって、　前記多結晶性半導体薄膜が多結晶からなると共に、当該多結晶の結晶粒子サイズの長さ方向が、チャネル領域を走行するキャリアの走行方向に沿って揃えられていることを特徴とする薄膜トランジスタ。」と補正すること。
　
（補正事項ｃ）
　補正前の請求項５を補正後の請求項３に繰り上げ、補正前の請求項５の「絶縁基板上に形成された半導体薄膜にエネルギービームを照射することにより改質される結晶性半導体薄膜を活性領域として利用する薄膜トランジスタの製造方法であって、　前記絶縁基板上に前記半導体薄膜を形成する半導体薄膜形成工程と、　前記半導体薄膜の任意の領域に前記エネルギービームを照射することにより前記半導体薄膜を結晶性半導体薄膜に改質させて、該結晶性半導体薄膜を構成している多結晶の結晶粒界を、後工程によって形成されるチャネル領域を走行するキャリヤの走行方向に概ね沿って形成させるエネルギービーム照射工程とを含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。」を、補正後の請求項３の「結晶性半導体薄膜を活性領域として利用する薄膜トランジスタの製造方法であって、　前記絶縁基板上に前記半導体薄膜を形成する半導体薄膜形成工程と、　前記半導体薄膜の任意の領域に前記エネルギービームを照射することにより前記半導体薄膜を多結晶からなる結晶性半導体薄膜に改質すると共に、前記多結晶の結晶粒子サイズの長さ方向を、後工程によって形成されるチャネル領域を走行するキャリヤの走行方向に沿って揃えさせるエネルギービーム照射工程とを含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。」と補正すること。
　
（補正事項ｄ）
　補正前の請求項６を補正後の請求項４に繰り上げ、補正前の請求項６の「絶縁基板上に形成された非結晶半導体薄膜にレーザビームを照射することにより改質される多結晶性半導体薄膜を活性領域として利用する薄膜トランジスタの製造方法であって、　前記絶縁基板上に前記非結晶半導体薄膜を形成する非結晶半導体薄膜形成工程と、　前記非結晶半導体薄膜の任意の領域に前記レーザビームを照射することにより前記非結晶半導体薄膜を多結晶半導体薄膜に改質させて、該多結晶半導体薄膜を構成している多結晶の結晶粒界を、後工程によって形成されるチャネル領域を走行するキャリヤの走行方向に概ね沿って形成させるレーザビーム照射工程とを含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。」を、補正後の請求項４の「多結晶性半導体薄膜を活性領域として利用する薄膜トランジスタの製造方法であって、　前記絶縁基板上に前記非結晶半導体薄膜を形成する非結晶半導体薄膜形成工程と、　前記非結晶半導体薄膜の任意の領域に前記レーザビームを照射することにより前記非結晶半導体薄膜を多結晶からなる多結晶半導体薄膜に改質すると共に、前記多結晶の結晶粒子サイズの長さ方向を、後工程によって形成されるチャネル領域を走行するキャリヤの走行方向に沿って揃えさせるレーザビーム照射工程とを含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。」と補正すること。
　
（補正事項ｅ）
　補正前の請求項９を補正後の請求項５に繰り上げ、補正前の請求項９の「前記請求項１乃至４の何れか１に記載の前記薄膜トランジスタ」を、補正後の請求項５の「前記請求項１又は２に記載の前記薄膜トランジスタ」と補正すること。
　
（補正事項ｆ）
　補正前の請求項１０を補正後の請求項６に繰り上げ、補正前の請求項１０の「前記請求項１乃至４の何れか１に記載の前記薄膜トランジスタ」を、補正後の請求項６の「前記請求項１又は２に記載の前記薄膜トランジスタ」と補正すること。
　
（補正事項ｇ）
　補正前の請求項３、４、７及び８を削除すること。
　
２．補正事項ａないしｄについての整理
　上記各補正事項のうち、補正事項ａないしｄを整理すると、以下のとおりである。
２−１．補正事項ａについて
　補正事項ａについての補正は、補正前の請求項１の「エネルギービームを照射することにより改質された結晶性半導体薄膜」を、補正後の請求項１の「エネルギービームを照射することにより当該半導体薄膜を改質して得られる結晶性半導体薄膜」（以下、「補正事項ａ−１」という。）と補正し、補正前の請求項１の「前記結晶性半導体薄膜を構成している多結晶の結晶粒界が、チャネル領域を走行するキャリアの走行方向に概ね沿って形成されていること」を、補正後の請求項１の「前記結晶性半導体薄膜が多結晶からなると共に、当該多結晶の結晶粒子サイズの長さ方向が、チャネル領域を走行するキャリアの走行方向に沿って揃えられていること」（以下、「補正事項ａ−２」という。）と補正するものである。
　
２−２．補正事項ｂについて
　補正事項ｂについての補正は、補正前の請求項２の「レーザビームを照射することにより改質された多結晶性半導体薄膜」を、補正後の請求項２の「レーザビームを照射することにより当該非結晶半導体薄膜を改質して得られる多結晶性半導体薄膜」（以下、「補正事項ｂ−１」という。）と補正し、補正前の請求項２の「前記多結晶性半導体薄膜を構成している多結晶の結晶粒界が、チャネル領域を走行するキャリアの走行方向に概ね沿って形成されていること」を、補正後の請求項２の「前記多結晶性半導体薄膜が多結晶からなると共に、当該多結晶の結晶粒子サイズの長さ方向が、チャネル領域を走行するキャリアの走行方向に沿って揃えられていること」（以下、「補正事項ｂ−２」という。）と補正するものである。
　
２−３．補正事項ｃについて
　補正事項ｃについての補正は、補正前の請求項５の「絶縁基板上に形成された半導体薄膜にエネルギービームを照射することにより改質される結晶性半導体薄膜」を、補正後の請求項３の「結晶性半導体薄膜」（以下、「補正事項ｃ−１」という。）と補正し、補正前の請求項５の「前記半導体薄膜を結晶性半導体薄膜に改質させて、該結晶性半導体薄膜を構成している多結晶の結晶粒界を、後工程によって形成されるチャネル領域を走行するキャリヤの走行方向に概ね沿って形成させるエネルギービーム照射工程」を、補正後の請求項３の「前記半導体薄膜を多結晶からなる結晶性半導体薄膜に改質すると共に、前記多結晶の結晶粒子サイズの長さ方向を、後工程によって形成されるチャネル領域を走行するキャリヤの走行方向に沿って揃えさせるエネルギービーム照射工程」（以下、「補正事項ｃ−２」という。）と補正するものである。
　
２−４．補正事項ｄについて
　補正事項ｄについての補正は、補正前の請求項６の「絶縁基板上に形成された非結晶半導体薄膜にレーザビームを照射することにより改質される多結晶性半導体薄膜」を、補正後の請求項４の「多結晶性半導体薄膜」（以下、「補正事項ｄ−１」という。）と補正し、補正前の請求項６の「前記非結晶半導体薄膜を多結晶半導体薄膜に改質させて、該多結晶半導体薄膜を構成している多結晶の結晶粒界を、後工程によって形成されるチャネル領域を走行するキャリヤの走行方向に概ね沿って形成させるレーザビーム照射工程」を、補正後の請求項４の「前記非結晶半導体薄膜を多結晶からなる多結晶半導体薄膜に改質すると共に、前記多結晶の結晶粒子サイズの長さ方向を、後工程によって形成されるチャネル領域を走行するキャリヤの走行方向に沿って揃えさせるレーザビーム照射工程」（以下、「補正事項ｄ−２」という。）と補正するものである。
　
３．補正の目的の適否についての検討
３−１．補正事項ａについて
　補正事項ａについての補正は、補正事項ａ−１と補正事項ａ−２とからなるので、そのうちの補正事項ａ−２について検討する。
　補正事項ａ−２についての補正は、補正前の請求項１の「前記結晶性半導体薄膜を構成している多結晶の結晶粒界が、チャネル領域を走行するキャリアの走行方向に概ね沿って形成されていること」を、補正後の請求項１の「前記結晶性半導体薄膜が多結晶からなると共に、当該多結晶の結晶粒子サイズの長さ方向が、チャネル領域を走行するキャリアの走行方向に沿って揃えられていること」と補正するものであるが、平成１８年３月１６日付けの審判請求書の請求の理由についての手続補正書の「【本願発明が特許されるべき理由】」「３．拒絶査定理由についての反論」における「本願発明と第１引用文献の発明とでは、横長の結晶が大部分を占めている点で一致していますが、第１引用文献の発明では、結晶粒子サイズが揃えられていない点で、本願発明と相違しています。」という主張等からみて、補正後の請求項１の「多結晶の結晶粒子サイズの長さ方向が、チャネル領域を走行するキャリアの走行方向に沿って揃えられている」とは、多結晶の長さ方向の結晶粒子サイズが、チャネル領域を走行するキャリアの走行方向に沿って揃えられていることを意味するものであることは明らかである。
　したがって、補正事項ａ−２についての補正は、補正前の請求項１の「多結晶の結晶粒界が、チャネル領域を走行するキャリアの走行方向に概ね沿って形成されている」という、「多結晶の結晶粒界」に関する発明特定事項を削除し、新たに、補正後の請求項１の「多結晶の結晶粒子サイズの長さ方向が、チャネル領域を走行するキャリアの走行方向に沿って揃えられている」という、「多結晶の結晶粒子サイズ」に関する発明特定事項を追加したものであるから、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項を限定する補正ではない。
　よって、補正事項ａ−２についての補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当しない。また、当該補正が、同法第１７条の２第４項のその余のいずれの号に掲げる事項を目的とするものにも該当しないことは明らかである。
　以上のとおりであるから、補正事項ａ−２を含む補正事項ａについての補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしていない。
　
３−２．補正事項ｂについて
　補正事項ｂについての補正は、補正事項ｂ−１と補正事項ｂ−２とからなるので、そのうちの補正事項ｂ−２について検討する。
　補正事項ｂ−２についての補正は、補正前の請求項２の「前記多結晶性半導体薄膜を構成している多結晶の結晶粒界が、チャネル領域を走行するキャリアの走行方向に概ね沿って形成されていること」を、補正後の請求項２の「前記多結晶性半導体薄膜が多結晶からなると共に、当該多結晶の結晶粒子サイズの長さ方向が、チャネル領域を走行するキャリアの走行方向に沿って揃えられていること」と補正するものであるが、平成１８年３月１６日付けの審判請求書の請求の理由についての手続補正書の「【本願発明が特許されるべき理由】」「３．拒絶査定理由についての反論」における「本願発明と第１引用文献の発明とでは、横長の結晶が大部分を占めている点で一致していますが、第１引用文献の発明では、結晶粒子サイズが揃えられていない点で、本願発明と相違しています。」という主張等からみて、補正後の請求項２の「多結晶の結晶粒子サイズの長さ方向が、チャネル領域を走行するキャリアの走行方向に沿って揃えられている」とは、多結晶の長さ方向の結晶粒子サイズが、チャネル領域を走行するキャリアの走行方向に沿って揃えられていることを意味するものであることは明らかである。
　したがって、補正事項ｂ−２についての補正は、補正前の請求項２の「多結晶の結晶粒界が、チャネル領域を走行するキャリアの走行方向に概ね沿って形成されている」という、「多結晶の結晶粒界」に関する発明特定事項を削除し、新たに、補正後の請求項２の「多結晶の結晶粒子サイズの長さ方向が、チャネル領域を走行するキャリアの走行方向に沿って揃えられている」という、「多結晶の結晶粒子サイズ」に関する発明特定事項を追加したものであるから、補正前の請求項２に係る発明の発明特定事項を限定する補正ではない。
　よって、補正事項ｂ−２についての補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当しない。また、当該補正が、同法第１７条の２第４項のその余のいずれの号に掲げる事項を目的とするものにも該当しないことは明らかである。
　以上のとおりであるから、補正事項ｂ−２を含む補正事項ｂについての補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしていない。
　
３−３．補正事項ｃについて
　補正事項ｃについての補正は、補正事項ｃ−１と補正事項ｃ−２とからなるので、そのうちの補正事項ｃ−２について検討する。
　補正事項ｃ−２についての補正は、補正前の請求項５の「前記半導体薄膜を結晶性半導体薄膜に改質させて、該結晶性半導体薄膜を構成している多結晶の結晶粒界を、後工程によって形成されるチャネル領域を走行するキャリヤの走行方向に概ね沿って形成させるエネルギービーム照射工程」を、補正後の請求項３の「前記半導体薄膜を多結晶からなる結晶性半導体薄膜に改質すると共に、前記多結晶の結晶粒子サイズの長さ方向を、後工程によって形成されるチャネル領域を走行するキャリヤの走行方向に沿って揃えさせるエネルギービーム照射工程」と補正するものであるが、平成１８年３月１６日付けの審判請求書の請求の理由についての手続補正書の「【本願発明が特許されるべき理由】」「３．拒絶査定理由についての反論」における「本願発明と第１引用文献の発明とでは、横長の結晶が大部分を占めている点で一致していますが、第１引用文献の発明では、結晶粒子サイズが揃えられていない点で、本願発明と相違しています。」という主張等からみて、補正後の請求項３の「前記多結晶の結晶粒子サイズの長さ方向を、後工程によって形成されるチャネル領域を走行するキャリヤの走行方向に沿って揃えさせる」とは、前記多結晶の長さ方向の結晶粒子サイズを、後工程によって形成されるチャネル領域を走行するキャリヤの走行方向に沿って揃えさせることを意味するものであることは明らかである。
　したがって、補正事項ｃ−２についての補正は、補正前の請求項５の「該結晶性半導体薄膜を構成している多結晶の結晶粒界を、後工程によって形成されるチャネル領域を走行するキャリヤの走行方向に概ね沿って形成させる」という、「多結晶の結晶粒界」に関する発明特定事項を削除し、新たに、補正後の請求項３の「前記多結晶の結晶粒子サイズの長さ方向を、後工程によって形成されるチャネル領域を走行するキャリヤの走行方向に沿って揃えさせる」という、「多結晶の結晶粒子サイズ」に関する発明特定事項を追加したものであるから、補正前の請求項５に係る発明の発明特定事項を限定する補正ではない。
　よって、補正事項ｃ−２についての補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当しない。また、当該補正が、同法法第１７条の２第４項のその余のいずれの号に掲げる事項を目的とするものにも該当しないことは明らかである。
　以上のとおりであるから、補正事項ｃ−２を含む補正事項ｃについての補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしていない。
　
３−４．補正事項ｄについて
　補正事項ｄについての補正は、補正事項ｄ−１と補正事項ｄ−２とからなるので、そのうちの補正事項ｄ−２について検討する。
　補正事項ｄ−２についての補正は、補正前の請求項６の「前記非結晶半導体薄膜を多結晶半導体薄膜に改質させて、該多結晶半導体薄膜を構成している多結晶の結晶粒界を、後工程によって形成されるチャネル領域を走行するキャリヤの走行方向に概ね沿って形成させるレーザビーム照射工程」を、補正後の請求項４の「前記非結晶半導体薄膜を多結晶からなる多結晶半導体薄膜に改質すると共に、前記多結晶の結晶粒子サイズの長さ方向を、後工程によって形成されるチャネル領域を走行するキャリヤの走行方向に沿って揃えさせるレーザビーム照射工程」と補正しているが、平成１８年３月１６日付けの審判請求書の請求の理由についての手続補正書の「【本願発明が特許されるべき理由】」「３．拒絶査定理由についての反論」における「本願発明と第１引用文献の発明とでは、横長の結晶が大部分を占めている点で一致していますが、第１引用文献の発明では、結晶粒子サイズが揃えられていない点で、本願発明と相違しています。」という主張等からみて、補正後の請求項４の「前記多結晶の結晶粒子サイズの長さ方向を、後工程によって形成されるチャネル領域を走行するキャリヤの走行方向に沿って揃えさせる」とは、前記多結晶の長さ方向の結晶粒子サイズを、後工程によって形成されるチャネル領域を走行するキャリヤの走行方向に沿って揃えさせることを意味するものであることは明らかである。
　したがって、補正事項ｄ−２についての補正は、補正前の請求項６の「該多結晶半導体薄膜を構成している多結晶の結晶粒界を、後工程によって形成されるチャネル領域を走行するキャリヤの走行方向に概ね沿って形成させる」という、「多結晶の結晶粒界」に関する発明特定事項を削除し、新たに、補正後の請求項４の「前記多結晶の結晶粒子サイズの長さ方向を、後工程によって形成されるチャネル領域を走行するキャリヤの走行方向に沿って揃えさせる」という、「多結晶の結晶粒子サイズ」に関する発明特定事項を追加したものであるから、補正前の請求項６に係る発明の発明特定事項を限定する補正ではない。
　よって、補正事項ｄ−２についての補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当しない。また、当該補正が、同法第１７条の２第４項のその余のいずれの号に掲げる事項を目的とするものにも該当しないことは明らかである。
　以上のとおりであるから、補正事項ｄ−２を含む補正事項ｄについての補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしていない。
　
３−５．補正事項ｅについて
　補正事項ｅについての補正による補正後の請求項５は、補正事項ａについての補正による補正後の請求項１、又は補正事項ｂについての補正による補正後の請求項２を引用するものであるが、補正事項ａ及びｂについての補正は、いずれも平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしていないから、補正事項ｅについての補正も、当然当該要件を満たしていない。
　
３−６．補正事項ｆについて
　補正事項ｆについての補正による補正後の請求項６は、補正事項ａについての補正による補正後の請求項１、又は補正事項ｂについての補正による補正後の請求項２を引用するものであるが、補正事項ａ及びｂについての補正は、いずれも平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしていないから、補正事項ｆについての補正も、当然当該要件を満たしていない。
　
３−７．補正事項ｇについて
　補正事項ｇについての補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものに該当する。
　
３−８．補正の目的の適否についてのむすび
　以上のとおりであるから、補正事項ａないしｆについての補正を含む本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしていない。
　
４．本件補正の独立特許要件についての検討
４−１．検討の前提
　以上検討したとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしていないが、仮に、本件補正が当該要件を満たしており、かつ、同法同条同項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するものとした場合において、本件補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かにつき、一応検討する。
　
４−２．補正後の発明
　補正後の請求項１ないし６に係る発明は、平成１８年２月３日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし６に記載された事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下、「本願補正後発明１」という。）は、請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。
　「【請求項１】　絶縁基板上に形成された半導体薄膜にエネルギービームを照射することにより当該半導体薄膜を改質して得られる結晶性半導体薄膜を活性領域として利用する薄膜トランジスタであって、
　前記結晶性半導体薄膜が多結晶からなると共に、当該多結晶の結晶粒子サイズの長さ方向が、チャネル領域を走行するキャリアの走行方向に沿って揃えられていることを特徴とする薄膜トランジスタ。」
　
４−３．引用刊行物に記載された発明
４−３−１．原査定の根拠となった原審での平成１７年９月２１日付け拒絶理由通知において、刊行物２として引用され、本願の出願前に日本国内において頒布された特開２０００−２８６１９５号公報（以下、「刊行物２」という。）には、「レーザ熱処理方法、レーザ熱処理装置および半導体デバイス」（発明の名称）に関して、図１ないし図６、及び図９とともに、以下の事項が記載されている。
　「【０００１】
【発明の属する技術分野】高移動度の薄膜トランジスタを実現するために、結晶性に優れた多結晶珪素膜を形成するレーザ熱処理方法、レーザ熱処理装置に関する。」
　「【０００３】珪素膜の結晶性と薄膜トランジスタの移動度の関係は以下のように説明される。レーザ熱処理により得られる珪素膜は一般に多結晶である。多結晶の結晶粒界には結晶欠陥が局在しており、これが薄膜トランジスタ能動層のキャリア移動を阻害する。従って、薄膜トランジスタの移動度を高くするには、キャリアが能動層を移動中に結晶粒界を横切る回数を少なくし、かつ結晶欠陥密度を小さくすれば良い。レーザ熱処理の目的は、結晶粒径が大きくかつ結晶粒界における結晶欠陥が少ない多結晶珪素膜の形成である。」
　「【００３５】
【発明の実施の形態】実施の形態１．図１は本発明のレーザ熱処理方法を具現化する装置の構成図である。同図において９１はＮｄ：ＹＡＧレーザの第２高調波発振装置、９２はＮｄ：ＹＡＧレーザの第２高調波発振装置から出射されたレーザ光（波長は５３２ｎｍ）、９３はバリアブルアッテネータ、９４は線状ビームに変換するためのビーム成形光学系、９５はターゲット、９６は移動ステージである。レーザ光９２は、バリアブルアッテネータ９３で所定の強度に調整された後、線状ビーム成形光学系９４に入射する。線状ビーム成形光学系９４により線状のビームプロファイルに変換された後、ターゲット９５に照射され、レーザ熱処理が行われる。基板は移動ステージ９６上に設置されており、レーザ照射時での基板の移動が可能となっている。また、ターゲットの詳細は図２のようであり、ガラス基板１０３上に下地膜１０２として厚さ２００ｎｍ酸化珪素膜をＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）により形成した上に、基板上膜材料として、厚さ７０ｎｍの非晶質珪素膜１０１をＬＰＣＶＤ（Low Pressure Chemical Vapor Deposition）により成膜した。
【００３６】レーザビームは移動ステージを線状ビームの線に直行した方向に移動させながら照射する。各パルスレーザ光照射の間隔にステージが移動する距離を、線状ビームの幅よりも長くすると同一箇所へのレーザのパルスの照射回数が１回になるが、ビーム幅よりも短くすると図３に示すように同一箇所へレーザ光が複数回照射されることになる。
【００３７】図４にレーザビームを照射して非晶質珪素膜１０１の溶融する時の概念図を示す。図１中の線状ビーム成形光学系９４の出力部にある集光レンズ９４１により非晶質珪素膜１０１上に線状ビームを集光して照射する。集光レーザビームプロファイルは図４中の点線で示すように、長手方向が均一プロファイルであるトップフラット状であり、幅方向のプロファイルは例えばガウス分布状である。本発明である線状ビームプロファイルによるＮｄ：ＹＡＧレーザの第２高調波による熱処理方法を用いると、非晶質珪素に対する第２高調波吸収係数が小さいために膜厚方向に対してはほぼ均一に加熱され、レーザ照射によって発生する珪素膜内の横方向温度分布は、線状ビームの幅方向にのみ形成される。従って、図４の下の図に示すように、基板上膜材料である非晶質珪素膜１０１の、ある強度以上のビームの部分が、深さ方向全体に溶融する。すなわち、深さ方向全体に広がった溶融部が線状に分布した溶融部ができる。よって、深さ方向および線状ビームの長手方向に温度分布が少ないため、結晶成長が線状ビームの幅方向への１次元横方向成長になり、結晶粒径は数μm程度と大きな結晶粒が形成される。また、レーザ熱処理後に形成される多結晶珪素膜の結晶粒は図５のように結晶成長の方向である線状ビームの幅方向、すなわち移動ステージの移動（スキャン）方向に揃う。」
　「【００３９】上記した波長３５０ｎｍ以上のレーザ光による熱処理における横方向成長の過程は、珪素膜内において横方向に形成された温度分布に大きく影響される。すなわち、照射される線状ビームの幅方向のエネルギー密度分布に大きく影響される。レーザ光照射により珪素膜内に導入された熱は、一様に基板へ散逸していく。すなわち、珪素膜内の横方向温度分布は一様に低下していく。従って、図６に示すように、先に温度が融点を下回った部分から、後で温度が融点を下回る部分へ向かって横方向に結晶成長していく。そしてこの結晶成長は、温度が冷えていく過程で自然核発生により成長した微結晶により、その行く手を遮られて横方向結晶成長が止まる。」
　「【００４８】実施の形態４．実施の形態４では、実施の形態１で説明した熱処理された基板材料に作製する半導体デバイスについて述べる。実施の形態１で説明した、Ｎｄ：ＹＡＧレーザの第２高調波により熱処理して形成された多結晶珪素膜を能動層として図９のように、ＭＯＳトランジスタ素子を、ビームをスキャンした方向、すなわち結晶成長した方向がドレイン電流の流れる方向になるよう構成すれば、個々の結晶粒の境界面での結晶方位のズレがなくなるためキャリアは境界面で散乱されず、粒界が極めて狭いため結晶粒界における結晶欠陥密度も小さくなり、トランジスタの移動度が著しく向上する。従って、基板上に作製するトランジスタの内、高周波で動作させるトランジスタをこの方向に作製すれば、より高い周波数まで動作可能なデバイスが提供できる。また、ビームをスキャンした方向に垂直な方向、すなわち線状ビームの長手方向にドレイン電流が流れるようにＭＯＳトランジスタ素子を構成しても、結晶粒の長さが若干短くなるため移動度は多少減少するが、ほぼ同様の効果が得られる。」
　
４−３−２．ここで、「実施の形態４」についてみると、「実施の形態４では、実施の形態１で説明した熱処理された基板材料に作製する半導体デバイスについて述べる。」（００４８段落）の記載より、「実施の形態４」における「基板材料」は、「実施の形態１で説明した熱処理」により作成されていることは明らかである。
　したがって、「実施の形態４」においては、「実施の形態１」と同様に、「非晶質珪素膜１０１」は、「ガラス基板１０３上に下地膜１０２として厚さ２００ｎｍ酸化珪素膜を・・・形成した上に」（００３５段落）形成されている。
　また、「実施の形態４」においては、「実施の形態１」と同様に、「非晶質珪素膜１０１」に対して、「Ｎｄ：ＹＡＧレーザの第２高調波」（００３５段落）による「レーザビーム」を、「移動ステージを線状ビームの線に直行した方向に移動させながら照射する」（００３６段落）ことにより、「結晶成長が線状ビームの幅方向への１次元横方向成長になり、結晶粒径は数μm程度と大きな結晶粒が形成され」、「レーザ熱処理後に形成される多結晶珪素膜の結晶粒は図５のように結晶成長の方向である線状ビームの幅方向、すなわち移動ステージの移動（スキャン）方向に揃う」（００３７段落）ものであることは明らかである。
　そして、当該「実施の形態４」においては、「多結晶珪素膜を能動層として図９のように、ＭＯＳトランジスタ素子を、ビームをスキャンした方向、すなわち結晶成長した方向がドレイン電流の流れる方向になるよう構成」（００４８段落）しているから、「多結晶珪素膜」の「結晶粒」が「ドレイン電流の流れる方向」に「揃」えられていることは明らかである。
　
４−３−３．以上を総合すると、刊行物２には、以下の発明（以下、「刊行物２発明」という。）が記載されているものと認められる。
　「ガラス基板１０３上に形成された下地膜１０２としての酸化珪素膜上に形成された非晶質珪素膜１０１にＮｄ：ＹＡＧレーザの第２高調波による線状ビームであるレーザビームを照射し、レーザ熱処理後に形成される多結晶珪素膜を能動層とするＭＯＳトランジスタ素子であって、前記多結晶珪素膜は、結晶粒がドレイン電流の流れる方向に揃えられていることを特徴とするＭＯＳトランジスタ素子。」
　
４−４．対比
４−４−１．本願補正後発明１と刊行物２発明とを対比すると、刊行物２発明の「ガラス基板１０３」、「非晶質珪素膜１０１」、「Ｎｄ：ＹＡＧレーザの第２高調波による線状ビームであるレーザビーム」、「多結晶珪素膜」、「能動層」、「ＭＯＳトランジスタ素子」は、それぞれ、本願補正後発明１の「絶縁基板」、「半導体薄膜」、「エネルギービーム」、「結晶性半導体薄膜」、「活性領域」、「薄膜トランジスタ」に相当する。
　また、刊行物２発明においては、「非晶質珪素膜１０１」が「レーザ熱処理後」に「多結晶珪素膜」となっているから、「レーザ熱処理」により「非晶質珪素膜１０１」を改質して「多結晶珪素膜」を得ていることは明らかである。
　したがって、刊行物２発明の「ガラス基板１０３上に形成された下地膜１０２としての酸化珪素膜上に形成された非晶質珪素膜１０１にＮｄ：ＹＡＧレーザの第２高調波による線状ビームであるレーザビームを照射し、レーザ熱処理後に形成される多結晶珪素膜を能動層とするＭＯＳトランジスタ素子」は、本願補正後発明１の「絶縁基板上に形成された半導体薄膜にエネルギービームを照射することにより当該半導体薄膜を改質して得られる結晶性半導体薄膜を活性領域として利用する薄膜トランジスタ」に相当する。
　また、刊行物２発明の「多結晶珪素膜」が「多結晶からなる」ことは自明である。
　
４−４−２．したがって、本願補正後発明１と刊行物２発明とは、
　「絶縁基板上に形成された半導体薄膜にエネルギービームを照射することにより当該半導体薄膜を改質して得られる結晶性半導体薄膜を活性領域として利用する薄膜トランジスタであって、
　前記結晶性半導体薄膜が多結晶からなることを特徴とする薄膜トランジスタ。」
　
　である点で一致し、以下の点で一応相違する。
（相違点１）
　本願補正後発明１は、「当該多結晶の結晶粒子サイズの長さ方向が、チャネル領域を走行するキャリアの走行方向に沿って揃えられている」のに対して、刊行物２発明は、「前記多結晶珪素膜は、結晶粒がドレイン電流の流れる方向に揃えられている」点。
　
４−５．当審における判断
４−５−１．そこで、上記相違点１について検討する。
　刊行物２発明の「前記多結晶珪素膜は、結晶粒がドレイン電流の流れる方向に揃られている」という構成における「ドレイン電流の流れる方向」が、本願補正後発明１の「チャネル領域を走行するキャリアの走行方向」に相当するものであることは明らかである。
　ところで、刊行物２には、刊行物２発明以外に、「線状ビームの長手方向にドレイン電流が流れるようにＭＯＳトランジスタ素子を構成」する「ＭＯＳトランジスタ素子」に関する発明についても記載されているが、その中に、「また、ビームをスキャンした方向に垂直な方向、すなわち線状ビームの長手方向にドレイン電流が流れるようにＭＯＳトランジスタ素子を構成しても、結晶粒の長さが若干短くなるため・・・」（００４８段落）という記載があり、当該記載からみて、「結晶粒」は、ビームをスキャンした方向の長さが、それと垂直な方向の長さよりも長くなっている、すなわち、ビームをスキャンした方向が「結晶粒」の長手方向となっていることが明らかである。
　そして、刊行物２発明においては、「多結晶珪素膜を能動層として図９のように、ＭＯＳトランジスタ素子を、ビームをスキャンした方向、すなわち結晶成長した方向がドレイン電流の流れる方向になるよう構成」（００４８段落）しているから、ドレイン電流の流れる方向、すなわち、キャリアの走行方向が「結晶粒」の長手方向となっていることが明らかである。このことは、図９からも見て取れるものである。
　さらに、刊行物２の図５及び９の記載を勘案すると、刊行物２発明において「結晶粒が」「揃られている」とは、「結晶粒」の長手方向及びサイズが揃えられていることを意味するものと解されるから、請求人が原審において提出した平成１７年１１月２８日付けの意見書の「（３）本願発明と引用文献との比較」において述べられているとおり、刊行物２発明においても、長さ方向の結晶粒子のサイズは揃えられているものと認められる。
　したがって、刊行物２発明も、本願補正後発明１の如く、「当該多結晶の結晶粒子サイズの長さ方向が、チャネル領域を走行するキャリアの走行方向に沿って揃えられている」構成となっているものと認められるから、相違点２は実質的なものではなく、また、仮に実質的なものであったとしても、刊行物２の図５及び９等の記載を参酌することにより当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
４−５−２．これに関連して付言すれば、刊行物２には、図６について、「レーザ光照射により珪素膜内に導入された熱は、一様に基板へ散逸していく。すなわち、珪素膜内の横方向温度分布は一様に低下していく。従って、図６に示すように、先に温度が融点を下回った部分から、後で温度が融点を下回る部分へ向かって横方向に結晶成長していく。そしてこの結晶成長は、温度が冷えていく過程で自然核発生により成長した微結晶により、その行く手を遮られて横方向結晶成長が止まる。」（００３９段落）と記載されており、ここにおける「横方向結晶成長」とは、本願の発明の詳細な説明の「エキシマレーザのビーム端の照射強度が低いために、多結晶化は溶融しきい値をぎりぎり越えた部分（両端部）から開始して、ビーム端の照射強度が高い中心部に向かって進展する。その結果、図９（ｂ）の拡大写真に示すように、その横長の結晶は概ね端部から中心部へ向かう方向に長辺部が倣うように配置されていることがわかった。」（００２４段落）という部分に記載されている「多結晶化」の際の結晶成長と同様の横方向への結晶成長であることが明らかである。
　さらに、刊行物２の「結晶成長が線状ビームの幅方向への１次元横方向成長になり、結晶粒径は数μm程度と大きな結晶粒が形成される。」（００３７段落）という記載から、刊行物２発明における「結晶粒径」は「数μm程度」の大きさであると認められるが、本願補正後発明１における結晶粒径も、本願の発明の詳細な説明の「幅Ｗが略５μｍ、長さＭが略１００μｍにわたる面積（但し、長さＭの寸法は一部のみを示す）の多結晶領域Ｅを形成することができた。」（００２４段落）という記載、並びに本願の図４及び５の記載からみて、刊行物２発明のものと同程度の大きさであることが明らかである。
　したがって、本願補正後発明１と刊行物２発明とでは、結晶化の機構が共通しており、生成された結晶の粒径も同程度なのであるから、「結晶粒子サイズの長さ方向」についても両者において当然共通するものと解され、この点からみても、相違点１は実質的なものではなく、また、仮に実質的なものであったとしても、刊行物２の図５及び９等の記載を参酌することにより当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
４−５−３．以上検討したとおり、本願補正後発明１は、刊行物２発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許出願の際独立して特許を受けることができず、また、仮にそうでないとしても、刊行物２発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
４−６．独立特許要件についてのむすび
　よって、補正後の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許出願の際独立して特許を受けることができず、また、仮にそうでないとしても、同法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないから、補正後の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものである。
　
５．補正の却下の決定についてのむすび
　以上検討したとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしておらず、仮に、当該要件を満たすものであったとしても、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３．本願発明
　平成１８年２月３日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし１０に係る発明は、平成１７年１１月２８日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１ないし１０に記載された事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、その請求項１に記載された以下のとおりのものである。
　「【請求項１】　絶縁基板上に形成された半導体薄膜にエネルギービームを照射することにより改質された結晶性半導体薄膜を活性領域として利用する薄膜トランジスタであって、
　前記結晶性半導体薄膜を構成している多結晶の結晶粒界が、チャネル領域を走行するキャリアの走行方向に概ね沿って形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。」
　
第４．引用刊行物に記載された発明
１．原査定の根拠となった原審での拒絶理由通知において、刊行物１として引用され、原審の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に日本国内において頒布された特開平１１−１２１７５３号公報（以下、「刊行物１」という。）には、「半導体装置及びその製造方法」（発明の名称）に関して、図１ないし４とともに、以下の事項が記載されている。
　「【０００９】
【発明の実施の形態】
（実施例１）以下本発明による第１の実施例に関して、図１〜図４を用いて説明する。図１（ａ）は本発明の第１の実施例におけるＴＦＴの平面図、図１（ｂ）はその断面図である。図１（ａ）において多結晶Ｓｉ薄膜４はＳｉ結晶粒６から構成されており、多結晶Ｓｉ薄膜４の上部にはゲート電極５が設けられている。また図１（ｂ）に示したように、ゲート電極５にあわせて多結晶Ｓｉ薄膜４にはソース及びドレインとなる不純物領域７、８が形成されている。これらはガラス基板１上に設けられ、全体は絶縁体９に覆われている。なおここでは説明の簡略化のために、ゲート電極５やソース及びドレインとなる不純物領域７、８に対する配線は省略している。
【００１０】本ＴＦＴにおいて重要な事は、Ｓｉ結晶粒６がソースとドレイン間を流れるチャネル電流と平行な向きに長く伸びていることである。結晶粒を単純に大きく成長させようとすると、ばらつきが大きくなってしまうが、本発明ではチャネル電流の増大に関与するチャネル電流と平行な向きにのみ結晶粒を大きくしているため、ばらつきは最小限に抑えながらオン抵抗を下げることが可能である。更にこの場合、粒界が減少したのでしきい値電圧の低減も同時に達成される。
【００１１】なお本実施例では、チャネル電流と平行な向きの結晶粒の長さＤ１は、ＴＦＴゲート長Ｌよりも長く形成されている。このようにすることにより、チャネル電流に対する粒界の効果を適切に抑制することができる。」
　「【００１４】次に図３は、本実施例における製造方法の説明図である。ここではガラス基板１上に多結晶Ｓｉ薄膜４を形成するプロセスを説明する。図３（ａ）は、アモルファスＳｉ薄膜３に対してライン状のエキシマレーザ２をスキャンすることにより、多結晶Ｓｉ薄膜４を形成するプロセスを示している。図３（ｂ）はその断面図であるが、ガラス基板１上のアモルファスＳｉ薄膜３はライン状のエキシマレーザ２によって多結晶化され、多結晶Ｓｉ薄膜４へ変化する。このときのエキシマレーザ２のエネルギー強度を、レーザのスキャン方向を横軸として示したのが図３（ｃ）である。図示のようにレーザはスキャンの進行方向に向けて、エネルギー強度が単調増加するように設計されている。このようなエネルギー分布は、レーザ照射を受けて融解したＳｉ領域の再固化に方向性を生じさせる。すなわちスキャンに垂直な方向には変化はなくランダムに結晶化するが、平行な方向にはスキャンの向きの結晶化が優先的に生じる。これによりスキャンに平行な方向に、結晶粒を長く成長させることができる。」
　
２．以上の記載から、刊行物１には、以下の発明（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されているものと認められる。
「ガラス基板１上に形成されたアモルファスＳｉ薄膜３にライン状のエキシマレーザ２をスキャンすることにより形成された多結晶Ｓｉ薄膜４の上部にゲート電極５が設けられているＴＦＴであって、前記多結晶Ｓｉ薄膜４はＳｉ結晶粒６から構成されており、前記Ｓｉ結晶粒６がソースとドレイン間を流れるチャネル電流と平行な向きに長く伸びていることを特徴とするＴＦＴ。」
　
第５．対比
１．本願発明１と刊行物１発明とを対比すると、刊行物１発明の「ガラス基板１」、「アモルファスＳｉ薄膜３」、「ライン状のエキシマレーザ２」、「多結晶Ｓｉ薄膜４」、「ＴＦＴ」は、それぞれ、本願発明１の「絶縁基板」、「半導体薄膜」、「エネルギービーム」、「結晶性半導体薄膜」、「薄膜トランジスタ」に相当する。
　また、刊行物１発明においては、「アモルファスＳｉ薄膜３」が「ライン状のエキシマレーザ２」の「スキャン」後に「多結晶Ｓｉ薄膜４」となっているから、「多結晶Ｓｉ薄膜４」は、「ライン状のエキシマレーザ２」の「スキャン」により「アモルファスＳｉ薄膜３」が改質されたものであることは明らかである。
　さらに、刊行物１発明は、「多結晶Ｓｉ薄膜４の上部にゲート電極５が設けられている」から、「ゲート電極５」の下部の「多結晶Ｓｉ薄膜４」がＴＦＴの活性領域となっていることは明らかである。
　したがって、刊行物１発明の「ガラス基板１上に形成されたアモルファスＳｉ薄膜３にライン状のエキシマレーザ２をスキャンすることにより形成された多結晶Ｓｉ薄膜４の上部にゲート電極５が設けられているＴＦＴ」は、本願発明１の「絶縁基板上に形成された半導体薄膜にエネルギービームを照射することにより改質された結晶性半導体薄膜を活性領域として利用する薄膜トランジスタ」に相当する。
　
２．したがって、本願発明１と刊行物１発明とは、
　「絶縁基板上に形成された半導体薄膜にエネルギービームを照射することにより改質された結晶性半導体薄膜を活性領域として利用する薄膜トランジスタ。」
　
　である点で一致し、以下の点で一応相違する。
（相違点２）
　本願発明１は、「前記結晶性半導体薄膜を構成している多結晶の結晶粒界が、チャネル領域を走行するキャリアの走行方向に概ね沿って形成されている」のに対して、刊行物１発明は、「前記多結晶Ｓｉ薄膜４はＳｉ結晶粒６から構成されており、前記Ｓｉ結晶粒６がソースとドレイン間を流れるチャネル電流と平行な向きに長く伸びている」点。
　
第６．判断
　そこで、上記相違点２について検討する。
　一般に、多結晶の周囲に結晶粒界が形成されていることは当業者における技術常識であり、刊行物１発明においても、刊行物１の図１の記載から明らかなように、「多結晶Ｓｉ薄膜４」を構成する各々の「Ｓｉ結晶粒６」の周囲には、結晶粒界が形成されている。
　したがって、刊行物１発明において、「前記Ｓｉ結晶粒６」の代わりに結晶粒界に注目すると、刊行物１発明の「前記Ｓｉ結晶粒６がソースとドレイン間を流れるチャネル電流と平行な向きに長く伸びている」とは、「前記Ｓｉ結晶粒６」の周囲に形成されている結晶粒界が「ソースとドレイン間を流れるチャネル電流と平行な向きに長く伸びている」ことを意味するものであることが明らかである。実際、刊行物１の図１には、「Ｓｉ結晶粒６」の周囲に形成されている結晶粒界の大部分が、「ソースとドレイン間を流れるチャネル電流と平行な向きに長く伸びて」形成されていることが図示されている。
　そして、刊行物１発明の「ソースとドレイン間を流れるチャネル電流と平行な向き」が、本願発明１の「チャネル領域を走行するキャリアの走行方向」に相当していることは明らかであるから、刊行物１発明においても、「Ｓｉ結晶粒６」の周囲に形成されている結晶粒界の大部分が、「チャネル領域を走行するキャリアの走行方向」に「長く伸びて」形成されている、すなわち、本願発明１の如く、「前記結晶性半導体薄膜を構成している多結晶の結晶粒界が、チャネル領域を走行するキャリアの走行方向に概ね沿って形成されている」ものと認められる。
　したがって、相違点２は実質的なものではない。
　
　よって、本願発明１は、刊行物１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　
第７．むすび
　以上検討したとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないものであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。