【事件の表示】
　特願２００３−１８２５０２「垂直構造ガリウムナイトライド発光ダイオード及びの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　４月２１日出願公開、特開２００５−１０８８６３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成１５年６月２６日（パリ条約による優先権主張２００２年１２月２７日、韓国）の出願であって、平成１７年１０月２４日付けで拒絶理由が通知され、これに対し平成１８年４月２６日に手続補正がなされ、同年５月１９日付けで拒絶査定がなされ、これに対し同年８月２１日に拒絶査定不服審判請求がなされるとともに同年９月１５日に手続補正がなされたが、当審において、平成２０年６月１８日付け補正の却下の決定により平成１８年９月１５日付け手続補正が却下されるとともに同日付けで拒絶理由が通知され、これに対し、平成２０年１１月４日に手続補正がなされたものである。
　  
第２．平成２０年１１月４日付けの手続補正についての却下の決定
１．補正の内容
　平成２０年１１月４日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前（平成１８年４月２６日付け手続補正参照。）の請求項１を以下のように補正し、補正後の請求項１とすることを含むものである。  
　　  
「【請求項１】
　(a)サファイア基板上に、第１導電型GaNクラッド層、活性層及び第２導電型GaNクラッド層が順次に配置された発光構造物を形成する段階と、
　(b)前記発光構造物を後記レーザー光による照射面積とほぼ同じか小さい大きさに切断する段階と、
　(c)前記切断された個々の発光構造物の間に空間が形成されるよう、導電性接着層を用いて前記発光構造物の露出した上面にのみ導電性基板を接合する段階と、
　(d)前記サファイア基板の下部にレーザー光を照射して前記発光構造物から前記サファイア基板を分離して前記サファイア基板を除去する段階と、
　(e)前記第１導電型クラッド層の両面中前記サファイア基板の除去された面と前記導電性基板の露出した面に第１及び第２コンタクトを夫々形成する段階と、
　(f)前記第１及び第２コンタクトが形成された結果物を個々の発光ダイオードに切断する段階と、
　を含み、
前記(a)ないし(f)段階は順次に行われることを特徴とするGaN発光ダイオードの製造方法。」
　　  
　なお、補正後の請求項１には、「(b)前記発光構造物を前記レーザー光」と記載されているが、当該請求項には、「前記レーザー光」に対応する「レーザ光」が当該記載よりも前に記載されておらず、かつ、補正前の請求項１を引用する補正前の請求項６及び７の記載からみて、「前記レーザー光」に対応する「レーザー光」は、「(d)前記サファイア基板の下部にレーザー光」なる記載の「レーザー光」であることが明らかであるから、上記のとおり認定した。
　　
　上記請求項１に係る補正は、補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「所定の大きさ」を「レーザー光による照射面積とほぼ同じか小さい大きさ」に限定し、同じく、「導電性基板を接合する段階」について、「切断された個々の発光構造物の間に空間が形成されるよう」に行われることを付加することにより限定するとともに、発光構造物の露出した「上面に」導電性基板を接合するとあったところを、その「上面にのみ」導電性基板を接合することを限定し、さらに、「サファイア基板を除去する段階」について、「サファイア基板の下部にレーザー光を照射」することを付加することにより限定するものであるから、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものと認める。
　　
２．独立特許要件
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下検討する。  
　　  
３．引用刊行物  
　本願の優先日前に頒布された、当審での拒絶理由通知に引用された刊行物である特開２０００−２２８５３７号公報（以下「引用刊行物」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　　
（１）「【請求項１０】第１及び第２の極性の素子層を持つＩｎＡｌＧａＮ発光構造体を成長基板上に成長させる工程と；第１のオーム金属層をＩｎＡｌＧａＮ発光構造体の露出面に形成する工程と；第２のオーム金属層をホスト基板上に形成する工程と；そして第１及び第２のオーム金属層をウエハボンディングして第１の電気接触をウエハボンディング界面中に形成する工程とを含むことを特徴とする垂直導電性ＩｎＡｌＧａＮ発光素子製造方法。
【請求項１１】第１のオーム金属層が銀、ニッケル、アルミニウム、金及びコバルトを含む群から選択されることを特徴とする請求項１０に記載の製造方法。
【請求項１２】成長基板を除去する工程と；そしてＩｎＡｌＧａＮ発光構造体の新たに露出した面に第２の電気接触を作る工程とを更に含むことを特徴とする請求項１０に記載の製造方法。
【請求項１３】ＩｎＡｌＧａＮ発光構造体を通して、所望の素子サイズに対応するメサをエッチングする工程を更に含むことを特徴とする請求項１２に記載の製造方法。
【請求項１４】ホスト基板を分割する工程を更に含むことを特徴とする請求項１３に記載の製造方法。
【請求項１５】ＩｎＡｌＧａＮ発光構造体を成長させる工程が、成長基板上に５０ミクロンを越える厚みを持つＩｎＡｌＧａＮ膜を成長させる工程を含むことを特徴とする請求項１０に記載の製造方法。
【請求項１６】ホスト基板が、金属及び半導体を含む群から選択されることを特徴とする請求項１０に記載の製造方法。」
　　
（２）「【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般的には半導体発光素子の分野に関し、より具体的には高効率でコスト効率の良いＩｎＡｌＧａＮ装置及びその製造方法に関する。」
　　  
（３）「【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明において、ＩｎＡｌＧａＮ発光素子を製造する為の装置及び技術を開示するが、これはサファイア成長基板から発光層を取り除くことにより得られるものである。幾つかの実施形態においては、改善されたパフォーマンスとコスト効率を提供する垂直型ＩｎＡｌＧａＮ発光ダイオード構造について説明する。更に、熱伝導率及び製造の容易性を基準に選択した基板上に垂直共振器型ＧａＮ系ＬＥＤ又は垂直共振器型面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）を効率良く作製する為に、メタルボンディング、基板リフトオフ技術及び新規のＲＩＥ（反応性イオンエッチング）素子分離技術を採用している。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明は、ＩｎＡｌＧａＮ発光素子層へのオーム接触が、ＩｎＡｌＧａＮ素子層の両面（頂面及び底面）に設けられることを特徴とする素子として形成される、垂直導電型ＩｎＡｌＧａＮ発光素子、及びその製造方法に関する。
【００１３】本発明に基づく１つの好適な構造を図１に示す。まず、ＩｎＡｌＧａＮ発光素子（２０）を、サファイア等の除去できる成長基板（３０）上に成長させる。この構造はｐ型層（２０ａ）が露出するように成長させる。反射性のオーム接触部（１８）はそのｐ型ＩｎＡｌＧａＮ層（２０ａ）上に形成される。その後ＩｎＡｌＧａＮ構造体を、ＩｎＡｌＧａＮ発光層（２０）とホスト基板（１２）との間に挟まるボンディング層（１６）の手段によりホスト基板（２０）へとボンディングする。ボンディング層（１６）の材料は機械的に強い接着性と導電性を持つものを選択する。一般的にボンディング層には、ＩｎＡｌＧａＮ素子層側に設けられる第１のボンディング層（１６ａ）と、ホスト基板側に設けられる第２のボンディング層（１６ｂ）とを含む複数の層が含まれる。ボンディング層（１６）の形成には、電子ビーム蒸着やスパッタリング、電気めっき法等の従来より周知のいずれの手段を利用しても良い。ボンディングの後、除去用サファイア成長基板（３０）は、従来技術において既知の数ある基板除去技術のうちの１つ（除去用基板をレーザ融解、機械的研磨、又は化学エッチングする等）を使って除去される。その後それらのＩｎＡｌＧａＮ層をパターニング及びエッチングし、接続構造を設けて電流注入型発光素子が完成する。ボンディング層は、低抵抗の電流拡散層、ｐ型ＩｎＡｌＧａＮ層へのオーム接触部、そしてホスト基板への接着層としての役割を果たす。
【００１４】他の実施形態を図２に示す。図１と同様に、ＩｎＡｌＧａＮ発光素子層を除去用基板（３０）上に成長させ、反射性のオーム接触部（１８）を露出したｐ型層（２０ａ）上に形成する。次に、ＩｎＡｌＧａＮ構造体（２０及び１８）をボンディング層（１６）を介して導電性のホスト基板（１２）へとボンディングする。この基板は半導体、誘電体又は金属でも良い。これが半導体基板である場合、ボンディング層は基板のオーム接触層（２４ａ）に隣接して、或はそのオーム接触層から構成することが必要である。他方のオーム接触層（２４ｂ）は、基板のボンディングされた界面（１４）とは反対側に設ける。ホスト基板（１２）をボンディングした後、除去用成長基板を取り去り、ｎ型のオーム接触部（２２）をｎ型ＩｎＡｌＧａＮ層に設ける。この結果、垂直方向に導電性を有するＩｎＡｌＧａＮ発光素子が完成する。この素子は、半導体又は金属ホスト基板の低抵抗率により優れた電流拡散を示し、これにより低い順電圧及び高い光電変換効率が得られるものである。加えて、素子の頂面にはオーム接触が１つしか無い為、そして素子への他方のオーム接触部を製造する過程において素子の活性領域は全く除去されることがない為、その有効な活性部分の面積は、現在市場に流通する素子で４０％未満であるのに対して７５％を越え、その活性領域部分が遮断されずに発光するように維持されている。
・・・（略）・・・
【００１６】好適なＩｎＡｌＧａＮ発光素子製造方法を図４に示す。図４（ａ）は、成長基板（３０）上に成長したＩｎＡｌＧａＮ発光層（２０ａ、２０ｂ）を示し、ｐ型ＩｎＡｌＧａＮ層の頂面には反射性の銀のオーム接触部（１８）が設けられている。ｐ型のオーム接触部には銀が好ましく、これは銀がＩｎＡｌＧａｎ発光素子から放射される代表的な光の波長に対する高い反射率を有し、ｐ型ＩｎＡｌＧａＮに対する低い接触抵抗を持つ為である。他の例示によれば、ＩｎＡｌＧａＮ層を、サファイア成長基板から最も遠い層がｎ型となるように形成した素子の場合、オーム性金属としてはアルミニウムが優れた選択肢であるが、これはアルミニウムがＩｎＡｌＧａＮ素子から放射される典型的な光の可視波長領域における高い反射率を持ち、ｎ型ＩｎＡｌＧａＮに対して優れたオーム接触部を作る為である。素子構造体上に示されているのは、垂直方向の導電性を助長する為に第１及び第２のオーム接触部を設けた低抵抗のホスト基板（１２）である。ボンディング層（１６ａ）は第１の基板オーム接触上に設けても良い。第２のボンディング層（１６）は任意選択によりｐ型側のオーム接触部（１８）上に設けられ、後の工程で機械的強度の高い金属ウエハボンディングが促進されるようにしても良い。図４（ｂ）においては、ホスト基板がボンディング層を介してＩｎＡｌＧａＮ層にウエハボンディングされている。図４（ｃ）においては、成長基板（３０）は除去されており、ｎ型ＩｎＡｌＧａＮ層に対するオーム接触部（２２）が設けられている。その後ＩｎＡｌＧａＮ層を通してエッチングしてメサ構造（３２）が形成され、個々の素子の活性領域が画定される。図４（ｄ）においては、ホスト基板をダイシングして個々のＩｎＡｌＧａＮ発光素子に分割する。シリコンは非常に小さなチップに削ったり切断したりすることが容易であり、また他の一般的な基板と比較して電気抵抗が低く、熱伝導率が良い為、ホスト基板として推奨される。この方法により、ＩｎＡｌＧａＮ素子を容易にダイシングすることが出来、サファイアをダイシングする場合に生じる問題を回避することが出来るのである。また更に、成長基板を除去した後ではなく、ホスト基板に接着する前にメサ部をエッチングすることが可能である。」
　　
（４）「【図面の簡単な説明】
・・・（略）・・・
【図４】ＩｎＡｌＧａＮ発光素子の推奨されるダイシング方法の実施形態を示す図であり、図４（ａ）においては、ＩｎＡｌＧａＮ層がサファイア基板上に形成され、オーム接触及びボンディング層でコーティングされている。図４（ｂ）においては、サファイア基板を除去する前にホスト基板がＩｎＡｌＧａＮ層にボンディングされる。図４（ｃ）においては、ＩｎＡｌＧａＮ素子がＩｎＡｌＧａＮ素子を通してのエッチングで形成されたメサ部により画定される。図４（ｄ）においては、ホスト基板をダイシングすることにより素子が最終的に分割される。」
　　
（５）図４からは、
　成長基板（３０）上に、ｎ型及びｐ型のＩｎＡｌＧａＮ層（２０ｂ、２０ａ）が順次に配置されてＩｎＡｌＧａＮ発光構造体（２０）を構成していること、
　ＩｎＡｌＧａＮ発光構造体（２０）上にオーム接触部（１８）が設けられていること、
　オーム接触部（１８）、第１及び第２のボンディング層（１６ａ、１６ｂ）を介して、ＩｎＡｌＧａＮ発光構造体（２０）の上面にホスト基板（１２）が接着していること、
　ＩｎＡｌＧａＮ発光構造体（２０）がメサ構造（３２）によって切断され、切断された個々のＩｎＡｌＧａＮ発光構造体（２０）の間に空間が形成されていることが、
それぞれ見てとれる。
　　
　よって、これらを総合すると、引用刊行物には、 
「サファイアからなる成長基板（３０）上に、ｎ型及びｐ型のＩｎＡｌＧａＮ層（２０ｂ、２０ａ）が順次に配置されたＩｎＡｌＧａＮ発光構造体（２０）を成長させる工程と、
　前記ＩｎＡｌＧａＮ発光構造体（２０）上に、反射性の銀のオーム接触部（１８）を設ける工程と、
　接着される側に第１のオーム接触部（２４ａ）、反対側に第２のオーム接触部（２４ｂ）を設けたシリコンからなるホスト基板（１２）を、前記オーム接触部（１８）、機械的に強い接着性と導電性を持つ材料からなる第１及び第２のボンディング層（１６ａ、１６ｂ）を介して前記ＩｎＡｌＧａＮ発光構造体（２０）の上面に接着する工程と、
　前記ＩｎＡｌＧａＮ発光構造体（２０）から前記成長基板（３０）を除去する工程と、
　前記ＩｎＡｌＧａＮ発光構造体（２０）上にｎ型のオーム接触部（２２）を設ける工程と、
　前記ＩｎＡｌＧａＮ発光構造体（２０）をエッチングしてメサ構造（３２）を形成して、当該メサ構造（３２）によって切断された個々のＩｎＡｌＧａＮ発光構造体（２０）の間に空間を形成するとともに、個々の素子の活性領域を画定する工程と、
　前記ホスト基板（１２）をダイシングして個々のＩｎＡｌＧａＮ発光素子に分割する工程と、
を順次に行うＩｎＡｌＧａＮ発光素子の製造方法であって、
　前記成長基板（３０）を除去した後ではなく、前記ホスト基板（１２）を接着する前に前記メサ構造（３２）をエッチングすることが可能であり、
　前記成長基板（３０）は、レーザ融解を使って除去され、
　前記第２のオーム接触部（２４ｂ）及び前記ｎ型のオーム接触部（２２）は、垂直方向に導電性を有するＩｎＡｌＧａＮ発光素子を構成する、
ＩｎＡｌＧａＮ発光素子の製造方法。」
の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。 
　　
４．対比
　そこで、本願補正発明と引用発明とを以下に対比する。  
（１）引用発明の「サファイアからなる成長基板（３０）」、「ＩｎＡｌＧａＮ発光構造体（２０）」、「シリコンからなるホスト基板（１２）」、「ｎ型のオーム接触部（２２）」、「第２のオーム接触部（２４ｂ）」及び「ＩｎＡｌＧａＮ発光素子」は、それぞれ、本願補正発明の「サファイア基板」、「発光構造物」、「導電性基板」、「第１コンタクト」、「第２コンタクト」及び「発光ダイオード」に相当する。
　そして、引用発明の「ＩｎＡｌＧａＮ発光素子の製造方法」は、本願補正発明の「GaN発光ダイオードの製造方法」と、「発光ダイオードの製造方法」で一致する。
（２）引用発明の「機械的に強い接着性と導電性を持つ材料からなる第１及び第２のボンディング層（１６ａ、１６ｂ）」は、本願補正発明の「導電性接着層」に相当する。
（３）引用発明において、ｎ型のオーム接触部（２２）が設けられるのは、ＩｎＡｌＧａＮ発光構造体（２０）から「成長基板（３０）」が除去された面であるから、当該面は、本願補正発明の「サファイア基板の除去された面」に相当する。
　また、引用発明において、第２のオーム接触部（２４ｂ）が設けられている「シリコンからなるホスト基板（１２）」の面は、ＩｎＡｌＧａＮ発光構造体（２０）が接着される側とは「反対側」の面であるから、当該面は、本願補正発明の「導電性基板の露出した面」に相当する。
（４）引用発明は、「成長基板（３０）を除去した後ではなく、前記ホスト基板（１２）を接着する前に前記メサ構造（３２）をエッチングすることが可能」であるところ、ホスト基板（１２）を接着する前にメサ構造（３２）をエッチングする場合においても、ホスト基板（１２）を「ＩｎＡｌＧａＮ発光構造体（２０）の上面に接着」するから、引用発明が、
　ＩｎＡｌＧａＮ発光構造体（２０）にメサ構造（３２）をエッチングして個々のＩｎＡｌＧａＮ発光構造体（２０）に切断する工程と、
　切断された個々のＩｎＡｌＧａＮ発光構造体（２０）の間にメサ構造（３２）によって空間が形成されるよう、ＩｎＡｌＧａＮ発光構造体（２０）の露出した上面にのみホスト基板（１２）が接着する工程と、
を順次に行う構成を備えることは明らかである。
　そして、引用発明の上記の２つの工程のうち、前者は、本願補正発明の「(b)前記発光構造物を後記レーザー光による照射面積とほぼ同じか小さい大きさに切断する段階」と、「発光構造物を切断する段階」で一致し、後者は、本願補正発明の「(c)前記切断された個々の発光構造物の間に空間が形成されるよう、導電性接着層を用いて前記発光構造物の露出した上面にのみ導電性基板を接合する段階」に相当する。
（５）引用発明は、ＩｎＡｌＧａＮ発光構造体（２０）からサファイアからなる成長基板（３０）を「レーザ融解を使って除去」するものであるところ、半導体層が形成されたサファイア基板の下部にレーザ光を照射して半導体層からサファイア基板を分離して除去する技術は、本願優先日当時の技術常識であるから（例．特開２００２−１８５０３９号公報（【００１６】、図１）、特開２００２−３６８２６６号公報（【０００６】）参照）、引用発明が、サファイアからなる成長基板（３０）の下部にレーザ光を照射してＩｎＡｌＧａＮ発光構造体（２０）から前記成長基板（３０）を分離して前記成長基板（３０）を除去する工程を備えることは明らかであり、当該工程は、本願補正発明の「(d)前記サファイア基板の下部にレーザー光を照射して前記発光構造物から前記サファイア基板を分離して前記サファイア基板を除去する段階」に相当する。
（６）引用発明の「ホスト基板（１２）をダイシングして個々のＩｎＡｌＧａＮ発光素子に分割する工程」は、本願補正発明の「(f)前記第１及び第２コンタクトが形成された結果物を個々の発光ダイオードに切断する段階」に相当する。
　　
　そうすると、両者は、
「(a)サファイア基板上に、発光構造物を形成する段階と、
　(b)前記発光構造物を切断する段階と、
　(c)前記切断された個々の発光構造物の間に空間が形成されるよう、導電性接着層を用いて前記発光構造物の露出した上面にのみ導電性基板を接合する段階と、
　(d)前記サファイア基板の下部にレーザー光を照射して前記発光構造物から前記サファイア基板を分離して前記サファイア基板を除去する段階と、
　(e)前記サファイア基板の除去された面と前記導電性基板の露出した面に第１コンタクトを形成する段階と、
　(f)前記第１及び第２コンタクトが形成された結果物を個々の発光ダイオードに切断する段階と、
　を含み、
前記(a)ないし(f)段階は順次に行われる発光ダイオードの製造方法。」
である点で一致し、以下の点で相違する。  
　　  
相違点１：  
　発光構造物及び発光ダイオードの製造方法が、本願補正発明では、「第１導電型GaNクラッド層、活性層及び第２導電型GaNクラッド層」が順次に配置された「GaN」発光ダイオードの製造方法に対し、引用発明では、「ｎ型及びｐ型のＩｎＡｌＧａＮ層（２０ｂ、２０ａ）」が順次に配置された発光ダイオードの製造方法である点。
　　
相違点２：
　発光構造物が切断される大きさが、本願補正発明では、「レーザー光による照射面積とほぼ同じか小さい大きさ」であるのに対し、引用発明では、メサ構造（３２）により「個々の素子の活性領域を画定する」から、個々のＩｎＡｌＧａＮ発光素子に応じた大きさと認められるが、レーザー光による照射面積との大小関係が明らかでない点。
　　
相違点３：
　第２コンタクトが、本願補正発明では、第１コンタクトと同じ段階で形成されるのに対し、引用発明では、予めホスト基板（１２）に形成されている点。
　　  
５．判断  
５．１．相違点１についての判断
　発光構造物を、第１導電型GaNクラッド層、活性層及び第２導電型GaNクラッド層を順次に配置されたものとする技術は、本願優先日前に周知であるから、引用発明において、上記相違点１に係る本願補正発明の構成をなすことは、当業者が適宜なし得ることである。
　　
５．２．相違点２についての判断
　発光構造物から成長基板を除去するためにレーザー光を照射する方法において、レーザー光の照射面積を、８ｍｍ×８ｍｍあるいは１０ｍｍ×１０ｍｍといった面積とする技術は、本願優先日前に周知であり（例．特開平１０−１２５９３０号公報（【０１２８】）、特開平１０−１２５９２９号公報（【０１４９】、【０１５０】）参照。）、また、個々の発光ダイオード素子の大きさが前記の面積に比して小さいものも、本願優先日前に周知であるから（例．特開２００１−７３９２号公報（【０００２】、【０００３】、図１）、特開平１０−２４２５３３号公報（【００５７】、図９）、特開平６−６９５４６号公報（【００３０】）、特開平６−７７５３７号公報（【００２７】）参照。）、引用発明において、上記相違点２に係る発明の構成をなすことは、当業者が適宜なし得ることである。
　　
５．３．相違点３についての判断
　引用発明において、第２コンタクトをどの段階で形成するかは、当業者にとって設計事項にすぎないから、引用発明において、上記相違点３に係る本願補正発明の構成をなすことは、当業者が適宜なし得ることである。
　　
５．４．効果についての判断
　そして、上記の各相違点に係る本願補正発明の構成によって得られる効果は、引用発明及び上記の各周知技術から予想できた程度である。
　　
　したがって、本願補正発明は、引用刊行物に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。  
　　  
　なお、審判請求人は、平成２０年１１月４日に提出した意見書において、本願補正発明の、切断された個々の発光構造物の間に形成された空間（以下「分離溝」という。）について、「サファイア基板と接する第１導電型ＧａＮクラッド層部分は、レーザー照射により溶融Ｇａと窒素（Ｎ２）に分解されます。このときに素子単位の分離溝は、窒素の排出経路として活用することができ」る旨主張するので、以下検討する。
　本願明細書には、サファイア基板を「レーザー溶解」によって除去できることが記載される一方、「サファイア基板はレーザー溶融、機械的研磨、化学的食刻のような公知の基板除去技術中一種を利用して除去できるが、サファイア基板はアルミニウムオキサイド(Al2O3)の六面体結晶構造として大変強固なので、機械的研磨や化学的食刻工程を用いる場合には工程費用や時間がかかる問題がある」ため、「サファイア基板とGaN発光構造物の熱膨張係数(thermal coefficient of expansion：TCE)の差を利用して分離する方法が主に用いられる。この代表的な方法がレーザー光を利用した分離方法」を採用することが記載されている（以上、【００３８】参照。）。
　そして、本願明細書には、上記の分離方法を利用すると、「格子不整合と熱膨張係数(TCE)の差により、レーザー光を使って分離する過程でGaN単結晶体の表面が部分的に破壊された箇所が多数発生することがわか」ったので（【００４９】参照。）、分離溝を形成することにより、「GaN単結晶面に生じる応力を充分減少させることができる」（【００５４】等参照。）ことが記載されているにすぎず、それゆえ、分離溝を窒素の排出経路として活用することについては一切記載されていない。加えて、本願補正発明は、「レーザー溶解」を行うものに特定されているものでもないから、分離溝を窒素の排出経路として活用することが自明であるとも認められない。したがって、審判請求人の上記主張は採用できない。
　　
６．むすび  
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　　　
第３．本願発明
１．本願発明  
 　平成２０年１１月４日付け手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１８年４月２６日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１−１１に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明は次のとおりのものである。  
　
「【請求項１】　(a)サファイア基板上に、第１導電型GaNクラッド層、活性層及び第２導電型GaNクラッド層が順次に配置された発光構造物を形成する段階と、
　(b)前記発光構造物を所定の大きさに切断する段階と、
　(c)導電性接着層を用いて前記発光構造物の露出した上面に導電性基板を接合する段階と、
　(d)前記発光構造物から前記サファイア基板を除去する段階と、
　(e)前記第１導電型クラッド層の両面中前記サファイア基板の除去された面と前記導電性基板の露出した面に第１及び第２コンタクトを夫々形成する段階と、
　(f)前記第１及び第２コンタクトが形成された結果物を個々の発光ダイオードに切断する段階と、
　を含み、
前記(a)ないし(f)段階は順次に行われることを特徴とするGaN発光ダイオードの製造方法。」（以下「本願発明」という。）
　  
２．引用刊行物  
　当審での拒絶の理由において引用された、本願の優先日前に頒布された引用刊行物及びその記載事項は、上記第２．３．に記載したとおりである。  
　　  
３．対比、判断  
　本願発明は、前記第２．４．で検討した本願補正発明において、「所定の大きさ」を「レーザー光による照射面積とほぼ同じか小さい大きさ」とした限定を削除して元に戻し、「導電性基板を接合する段階」について「切断された個々の発光構造物の間に空間が形成されるよう」に行われることを付加した限定を削除し、発光構造物の露出した「上面に」導電性基板を接合するとあったところを、その「上面にのみ」導電性基板を接合するとした限定を削除して元に戻し、「サファイア基板を除去する段階」について「サファイア基板の下部にレーザー光を照射」することを付加した限定を削除したものである。
　　
　そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含み、かつ限定を付加した本願補正発明が、上記第２．５．に記載したとおり、引用刊行物に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、引用刊行物に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。  
　　
４．むすび  
　したがって、本願発明は、引用刊行物に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。  
　　  
　よって、結論のとおり審決する。