(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザビーム出射方向が互いに平行となるように配置され、各々異なる非点収差を有する複数の半導体レーザ素子と、
前記複数の半導体レーザ素子を位置決め固定する基台とを備え、
前記複数の半導体レーザ素子から出射するレーザビームを光学レンズにより光学的情報記録媒体に照射し、前記光学的情報記録媒体に対して記録及び／又は再生を行う光ヘッド装置に用いられる半導体レーザ装置であって、
前記複数の半導体レーザ素子が各々保有する非点収差と前記光学レンズ自体の像高特性による非点収差との合成による、前記複数の半導体レーザ素子に対するそれぞれの非点収差量が均一化するような関係に、前記複数の半導体レーザ素子が前記基台の基準軸に対して配置され、
前記複数の半導体レーザ素子は、前記光学的情報記録媒体に対して記録及び／又は再生を行うために用いられることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２】
レーザビーム出射方向が互いに平行となるように配置され、各々異なる非点収差を有する複数の半導体レーザ素子と、
前記複数の半導体レーザ素子を位置決め固定する基台と、
前記複数の半導体レーザ素子のうち少なくとも１つの半導体レーザ素子の非点収差を補正するように、前記複数の半導体レーザ素子のレーザビーム出射面に対向して前記基台に配置された非点収差補正手段とを備え、
前記複数の半導体レーザ素子から出射するレーザビームを光学レンズにより光学的情報記録媒体に照射し、前記光学的情報記録媒体に対して記録及び／又は再生を行う光ヘッド装置に用いられる半導体レーザ装置であって、
前記複数の半導体レーザ素子から出射するレーザビームの前記非点収差補正手段透過後に存在する非点収差と、前記光学レンズ自体の像高特性による非点収差との合成による、前記複数の半導体レーザ素子に対するそれぞれの非点収差量が均一化するような関係に、前記複数の半導体レーザ素子が前記基台の基準軸に対して配置され、
前記複数の半導体レーザ素子は、前記光学的情報記録媒体に対して記録及び／又は再生を行うために用いられることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項３】
光学的情報記録媒体に対して記録及び／又は再生を行う光ヘッド装置であって、
レーザビーム出射方向が互いに平行となるように配置され、各々異なる非点収差を有する複数の半導体レーザ素子と、
前記複数の半導体レーザ素子から出射するレーザビームを前記光学的情報記録媒体に照射させる光学レンズと、
前記光学的情報記録媒体に照射されたレーザビームを検知する光検知器とを備え、
前記複数の半導体レーザ素子が各々保有する非点収差と前記光学レンズ自体の像高特性による非点収差との合成による、前記複数の半導体レーザ素子に対するそれぞれの非点収差量が均一化するような関係に、前記複数の半導体レーザ素子と前記光学レンズとが配置され、
前記複数の半導体レーザ素子は、前記光学的情報記録媒体に対して記録及び／又は再生を行うために用いられることを特徴とする光ヘッド装置。
【請求項４】
光学的情報記録媒体に対して記録及び／又は再生を行う光ヘッド装置であって、
レーザビーム出射方向が互いに平行となるように配置され、各々異なる非点収差を有する複数の半導体レーザ素子と、
前記複数の半導体レーザ素子のうち少なくとも１つの半導体レーザ素子の非点収差を補正するように、前記複数の半導体レーザ素子のレーザビーム出射面に対向して配置された非点収差補正手段と、
前記非点収差補正手段を透過したレーザビームを前記光学的情報記録媒体に照射させる光学レンズと、
前記光学的情報記録媒体に照射されたレーザビームを検知する光検知器とを備え、
前記複数の半導体レーザ素子から出射するレーザビームの前記非点収差補正手段透過後に存在する非点収差と、前記光学レンズ自体の像高特性による非点収差との合成による、前記複数の半導体レーザ素子に対するそれぞれの非点収差量が均一化するような関係に、前記複数の半導体レーザ素子と前記光学レンズとが配置され、
前記複数の半導体レーザ素子は、前記光学的情報記録媒体に対して記録及び／又は再生を行うために用いられることを特徴とする光ヘッド装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、複数のレーザビームを出射することができる半導体レーザ装置及び光ヘッド装置に関し、更に詳しくは、複数のレーザビームの集光特性を向上することができる半導体レーザ装置及び光ヘッド装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
図１０は、従来の一般的な光ヘッド装置１００の構成図である。１０１は複数のレーザビームを出射することができる従来の半導体レーザ装置である。半導体レーザ装置１０１の出射方向にはハーフミラー１０２が配置されており、ハーフミラー１０２の反射方向には、コリメータレンズ１０３と対物レンズ１０４が順に配置されている。対物レンズ１０４の焦点距離近傍には光ディスク１０５又は１０６が配置されて、光ディスク１０５又は１０６の記録や再生が行われる。ここで、光ディスク１０５としては例えば保護層の厚みが小さいＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｃ）、光ディスク１０６としては例えば保護層の厚みが大きいＣＤ（Ｃｏｍｐａｃｔ  Ｄｉｓｃ）である。コリメータレンズ１０３からみてハーフミラー１０２の透過方向には光検知器１０７が配置されている。
【０００３】
光ヘッド装置１００に用いられている半導体レーザ装置１０１としては、第１の公知例である特開２００１−２９８２３８号公報で示されるものがある。この第１の公知例に示されている半導体レーザ装置の断面図を図１１に示す。１０８は外囲器であり、１０９は外囲器１０８に取り付けられたヒートブロック、１１０はヒートブロック１０９上に配置されたサブマウントである。１１１は複数のレーザビームを出射できるマルチビーム半導体レーザ素子であり、サブマウント１１０上に配置されている。１１２と１１３はマルチビーム半導体レーザ素子１１１の発光点である。１１２は例えばＤＶＤに対して記録又は再生を行うための波長が６５０ｎｍの第１の発光点であり、１１３は例えばＣＤに対して記録又は再生を行うための波長が７８０ｎｍの第２の発光点であり、これらの発光点は１００ミクロン程度離間している。ここでは、波長の短い第１の発光点１１２が外囲器１０８の外形中心となるように位置決めされている。そして、この半導体レーザ装置１０１は、波長の短い第１の発光点１１２から出射されるレーザビームの中心軸が図１０に示すコリメータレンズ１０３及び対物レンズ１０４の光軸１１４に一致するように、光ヘッド装置１００に配置される。
【０００４】
次に、第１の公知例である半導体レーザ装置１０１が搭載された光ヘッド装置１００の動作を説明する。図１１に示した半導体レーザ装置１０１の第１の発光点１１２から出射したレーザビームは、図１０に示すハーフミラー１０２で反射され、コリメータレンズ１０３に入射して平行状のレーザビームに変換された後、対物レンズ１０４に入射し、光ディスク１０５に集光照射される。光ディスク１０５で反射されたレーザビームは逆の光路を経てハーフミラー１０２を透過し、光検知器１０７に照射される。光検知器１０７からは光ディスク１０５の再生信号やフォーカシング及びトラッキングに必要な信号が検出される。同様に、半導体レーザ装置１０１の第２の発光点１１３から出射したレーザビームは、他方の光ディスク１０６上に集光照射され、光検知器１０７ではこの光ディスク１０６の再生信号やフォーカシング及びトラッキングに必要な信号が検出される。
【０００５】
第１の発光点１１２については、第１の発光点１１２から出射されたレーザビームの中心軸が光軸１１４上にあるため、コリメータレンズ１０３及び対物レンズ１０４の収差の影響を受けることなく、性能の良い集光特性を得ることができる。一方、第２の発光点１１３については、第２の発光点１１３から出射されたレーザビームの中心軸が光軸１１４上にはないため、コリメータレンズ１０３及び対物レンズ１０４に対して斜めに入射することになり、収差の影響を受けることは避けられない。しかしながら、波長のより長い方の第２の発光点１１３は光ディスク１０６であるＣＤを照射する場合であり、ＣＤは波長やレンズの集光能力の面からみてＤＶＤよりも余裕があるために、実動作上での大きな障害とはならない。
【０００６】
第２の公知例である特開２００２−２５１０３号公報にも同様な構成が開示されており、異なる波長のレーザビームが出射される２つの発光点を有する半導体レーザ装置を光ヘッド装置１００に設置するに当たり、波長が短い発光点（第１の発光点１１２）が光軸１１４上に一致するか、又は、波長の長い発光点（第２の発光点１１３）と光軸１１４との間の距離よりも波長が短い発光点（第１の発光点１１２）と光軸１１４との間の距離の方が短くなるようにすることが示されている。この場合も、第１の公知例と同様に、波長の短い発光点（第１の発光点１１２）はコリメータレンズ１０３及び対物レンズ１０４の収差の影響を受けやすいために、波長の長い発光点（第２の発光点１１３）よりも優先して光軸１１４に近い位置に配置するものである。
【０００７】
ところで、光ヘッド装置１００においては、上記のようなレンズ系（ここではコリメータレンズ１０３及び対物レンズ１０４）と発光点との位置関係に起因する収差以外に、マルチビーム半導体レーザ素子１１１自体には一般に非点収差が存在する。この非点収差はやはり集光特性に影響を与えるために、できるだけ小さく抑えられていることが望ましい。
【０００８】
図１２は第３の公知例である特開２０００−２５１３１４号公報に示された従来の光ヘッド装置の構成図であり、符号１００から１０７と符号１１４は図１０に示したものと同様のものである。１１５は半導体レーザ装置１０１とハーフミラー１０２との光路中に配置された非点収差補正板である。図１３はマルチビーム半導体レーザ素子１１１と非点収差補正板１１５との位置関係を示す要部構成図である。非点収差補正板１１５は、ガラスや樹脂等の透明な光学部材からなる平行平板の形状をしており、２つの発光点１１２及び１１３からそれぞれ出射されるレーザビームの中心軸１１６及び１１７で形成される平面と非点収差補正板１１５の入射面の法線とが同一面内（図１３中のＸ‐Ｚ面内）となり、かつ、レーザビームの中心軸１１６及び１１７で形成される平面に対して傾斜して配置したものが示されている。
【０００９】
発散的に出射するようなレーザビームが、その中心軸１１６及び１１７に対して傾斜して配置された平行平板である非点収差補正板１１５を透過すると、レーザビームに非点収差が発生することは自明である。非点収差の発生量は、非点収差補正板１１５を構成する光学部材の屈折率、平行平板の厚み、及び、非点収差補正板１１５を傾斜して配置する際の傾斜角度によって決定される。非点収差補正板１１５に入射するレーザビーム自体にすでに非点収差が存在している場合には、非点収差補正板１１５の透過で発生する非点収差が付加されることになるので、レーザビーム自体に存在する非点収差量とは逆方向で同一の大きさの非点収差を与えるように、非点収差補正板１１５の屈折率、厚み、傾斜角度を設定しておけば、非点収差補正板１１５を透過後のレーザビームは非点収差が除去されたものとなる。上述したように、マルチビーム半導体レーザ素子１１１自体に一般に非点収差が存在するため、このような非点収差補正板１１５を導入することは極めて有効である。
【００１０】
更に、マルチビーム半導体レーザ素子１１１に適用された非点収差補正板１１５は、第４の公知例である特開２００１−２３７５０１号公報に示された効果も保有する。即ち、波長の異なる発光点１１２及び１１３から出射されたレーザビームの中心軸１１６及び１１７は非点収差補正板１１５の入射面と出射面の両面で屈折される。一般に光学部材の屈折率は波長に依存し、短波長ほど大きくなる。従って、波長の短いレーザビーム１１６の方が大きな屈折作用を受け、非点収差補正板１１５出射前と出射後とにおけるレーザビームの中心軸１１６の平行変位量は、波長の長いレーザビームの中心軸１１７の平行変位量よりも大きくなる。図１３で示すように、非点収差補正板１１５の傾斜方向が波長の長い発光点１１３に近づくように傾斜して配置されている場合には、非点収差補正板１１５に入射する前の２つのレーザビームの中心軸１１６と１１７との間の間隔Ａに対して、非点収差補正板１１５を出射した後の２つのレーザビームの中心軸１１６と１１７との間の間隔Ｂは小さくなる。逆に、非点収差補正板１１５の傾斜方向が波長の短い発光点１１２に近づくように傾斜して配置されている場合には、非点収差補正板１１５に入射する前の２つのレーザビームの中心軸１１６と１１７との間の間隔Ａに対して、非点収差補正板１１５を出射した後の２つのレーザビームの中心軸１１６と１１７との間の間隔Ｂは大きくなる。このようにして非点収差補正板１１５の傾斜角度を変えることにより、２つのレーザビームの中心軸１１６と１１７との間の間隔を非点収差補正板１１５入射前と出射後とで変化させることができるので、２つの発光点１１２及び１１３と光軸１１４との位置関係を自在に調整することが可能となる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のような従来の半導体レーザ装置１０１及び光ヘッド装置１００は以下に列挙する問題点があった。
【００１２】
第１及び第２の公知例においては、例えばＣＤと比較して収差条件が厳しいＤＶＤに対して優先的に集光性能を確保するために、波長の短い発光点１１２を光軸１１４上又は光軸１１４により近く配置するものであるが、波長の長い発光点１１３から出射されるレーザビームに対する集光性能が犠牲になるという問題点があった。
【００１３】
また第３の公知例においては、マルチビーム半導体レーザ素子１１１の２つの発光点１１２及び１１３に存在する非点収差を非点収差補正板１１５を用いて補正するように構成されているので、２つの発光点１１２と１１３とが同一波長であり、且つ同一の非点収差が存在する場合には２つの発光点１１２と１１３との両方について簡単に補正を行うことができる。しかし、２つの発光点１１２及び１１３の波長が異なる場合には、マルチビーム半導体レーザ素子１１１の発光点１１２及び１１３を構成する材料も異なり、このために非点収差量が同一になるとは限らない。従って、２つの発光点１１２及び１１３の非点収差を同時に補正することは非点収差が異なる場合には困難であり、補正が不充分である方の発光点に対する集光性能の確保のための手段が別途必要になるという問題点があった。
【００１４】
また、第４の公知例においては、非点収差補正板１１５を任意に傾斜させて、２つのレーザビームが非点収差補正板１１５を透過した後の中心軸１１６と１１７との間の間隔Ｂが所望値となるように調整していたが、非点収差補正板１１５の傾斜によって非点収差補正板１１５透過後のレーザビームの非点収差量が変化してしまうため、間隔Ｂの測定や非点収差補正板１１５の調整工程に時間を要するという問題があった。
【００１５】
更に、第１乃至第４の公知例のいずれにおいても、光ヘッド装置１００のコリメータレンズ１０３及び対物レンズ１０４の光軸１１４上において最良の集光特性が得られるとの説明にとどまっており、これらレンズ系で生じる非点収差の発生機構を含めた集光特性との関係については触れられていない。従って、厳密な光学設計の立場からみて、２つのレーザビームの集光特性を同時に最適にするような構成にはなっていないという問題点があった。
【００１６】
この発明は、上述のような課題を解消するためになされたもので、複数のレーザビームの集光特性が同時に最良となるような半導体レーザ装置及び光ヘッド装置を提供することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
かかる課題を解決するために、この発明は、レーザビーム出射方向が互いに平行となるように配置され、各々異なる非点収差を有する複数の半導体レーザ素子と、前記複数の半導体レーザ素子を位置決め固定する基台とを備え、前記複数の半導体レーザ素子から出射するレーザビームを光学レンズにより光学的情報記録媒体に照射し、前記光学的情報記録媒体に対して記録及び／又は再生を行う光ヘッド装置に用いられる半導体レーザ装置であって、前記複数の半導体レーザ素子が各々保有する非点収差と前記光学レンズ自体の像高特性による非点収差との合成による、前記複数の半導体レーザ素子に対するそれぞれの非点収差量が均一化するような関係に、前記複数の半導体レーザ素子が前記基台の基準軸に対して配置され、前記複数の半導体レーザ素子は、前記光学的情報記録媒体に対して記録及び／又は再生を行うために用いられることを特徴とする半導体レーザ装置である。
また、レーザビーム出射方向が互いに平行となるように配置され、各々異なる非点収差を有する複数の半導体レーザ素子と、前記複数の半導体レーザ素子を位置決め固定する基台と、前記複数の半導体レーザ素子のうち少なくとも１つの半導体レーザ素子の非点収差を補正するように、前記複数の半導体レーザ素子のレーザビーム出射面に対向して前記基台に配置された非点収差補正手段とを備え、前記複数の半導体レーザ素子から出射するレーザビームを光学レンズにより光学的情報記録媒体に照射し、前記光学的情報記録媒体に対して記録及び／又は再生を行う光ヘッド装置に用いられる半導体レーザ装置であって、前記複数の半導体レーザ素子から出射するレーザビームの前記非点収差補正手段透過後に存在する非点収差と、前記光学レンズ自体の像高特性による非点収差との合成による、前記複数の半導体レーザ素子に対するそれぞれの非点収差量が均一化するような関係に、前記複数の半導体レーザ素子が前記基台の基準軸に対して配置され、前記複数の半導体レーザ素子は、前記光学的情報記録媒体に対して記録及び／又は再生を行うために用いられることを特徴とする半導体レーザ装置である。
また、光学的情報記録媒体に対して記録及び／又は再生を行う光ヘッド装置であって、レーザビーム出射方向が互いに平行となるように配置され、各々異なる非点収差を有する複数の半導体レーザ素子と、前記複数の半導体レーザ素子から出射するレーザビームを前記光学的情報記録媒体に照射させる光学レンズと、前記光学的情報記録媒体に照射されたレーザビームを検知する光検知器とを備え、前記複数の半導体レーザ素子が各々保有する非点収差と前記光学レンズ自体の像高特性による非点収差との合成による、前記複数の半導体レーザ素子に対するそれぞれの非点収差量が均一化するような関係に、前記複数の半導体レーザ素子と前記光学レンズとが配置され、前記複数の半導体レーザ素子は、前記光学的情報記録媒体に対して記録及び／又は再生を行うために用いられることを特徴とする光ヘッド装置である。
また、光学的情報記録媒体に対して記録及び／又は再生を行う光ヘッド装置であって、レーザビーム出射方向が互いに平行となるように配置され、各々異なる非点収差を有する複数の半導体レーザ素子と、前記複数の半導体レーザ素子のうち少なくとも１つの半導体レーザ素子の非点収差を補正するように、前記複数の半導体レーザ素子のレーザビーム出射面に対向して配置された非点収差補正手段と、前記非点収差補正手段を透過したレーザビームを前記光学的情報記録媒体に照射させる光学レンズと、前記光学的情報記録媒体に照射されたレーザビームを検知する光検知器とを備え、前記複数の半導体レーザ素子から出射するレーザビームの前記非点収差補正手段透過後に存在する非点収差と、前記光学レンズ自体の像高特性による非点収差との合成による、前記複数の半導体レーザ素子に対するそれぞれの非点収差量が均一化するような関係に、前記複数の半導体レーザ素子と前記光学レンズとが配置され、前記複数の半導体レーザ素子は、前記光学的情報記録媒体に対して記録及び／又は再生を行うために用いられることを特徴とする光ヘッド装置である。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、この発明をその実施の形態を示す図面に基づいて具体的に説明する。
実施の形態１．
図１は実施の形態１の半導体レーザ装置及び光ヘッド装置の構成図を示すものである。同図において、１は光学的情報記録媒体に対して記録及び／又は再生を行う光ヘッド装置である。２は複数のレーザビームを出射することができる半導体レーザ装置であり、ここではモノリシックに集積されたマルチビーム半導体レーザ素子３が搭載されたものを示している。４及び５はそれぞれマルチビーム半導体レーザ素子３を構成する個々の半導体レーザ素子である。マルチビーム半導体レーザ素子３については後述する。
【００１９】
また、図１において、１４及び１６はそれぞれ半導体レーザ素子４及び５から出射されるレーザビームである。８は半導体レーザ装置２の出射方向に配置されているハーフミラーであり、９及び１０はハーフミラー８の反射方向にこの順で配置されているコリメータレンズと対物レンズである。７は対物レンズ１０の光軸であり、通常はコリメータレンズ９の光軸と一致する。１１及び１２は対物レンズ１０の焦点距離近傍に配置される光学的情報記録媒体としての光ディスクである。１５及び１７はそれぞれ光ディスク１１及び１２上にレーザビーム１４及び１６が集光照射された集光スポットである。１３はコリメータレンズ９からみてハーフミラー８の透過方向に配置されており、光ディスク１１及び１２によりそれぞれ反射されるレーザビーム１４及び１６の反射光を検知する光検知器である。
【００２０】
図２はマルチビーム半導体レーザ素子３の詳細を示す断面図である。図１及び図２において、マルチビーム半導体レーザ素子３を構成する半導体レーザ素子４及び５は、レーザビーム１４及び１６の出射方向が互いに平行となるように配置されている。Ｔ１はマルチビーム半導体レーザ素子３を位置決め固定する基台であり、Ｓ１は基台Ｔ１の基準軸である。Ｔ１１はマルチビーム半導体レーザ素子３を保持するためのブロックである。Ｔ１３はブロックＴ１１を固定するためのステムであり、通常、その形状は円柱又は四角柱である。ブロックＴ１１とステムＴ１３とで基台Ｔ１を構成する。基台Ｔ１の基準軸Ｓ１は、光ヘッド装置１に半導体レーザ装置２を配設したときに、基準軸Ｓ１と光ヘッド装置１の対物レンズ１０の光軸７又はその延長軸（図１では、ハーフミラー８によって光軸７が屈曲した軸）とが一致するようにあらかじめ設定されている軸である。例えば、半導体レーザ装置２のステムＴ１３が円柱の場合、基準軸Ｓ１は、通常、円柱の中心軸である。半導体レーザ装置２の外形形状は、基台Ｔ１の基準軸Ｓ１が対物レンズ１０の光軸７又はその延長軸と一致するように定められている。
【００２１】
図２において、Ｖ１及びＶ２はそれぞれ半導体レーザ素子４及び５の垂直方向（活性層の幅方向に垂直な方向）の発光点位置を示し、通常は半導体レーザ素子４及び５の出射端面６上に存在する。Ｈ１及びＨ２はそれぞれ半導体レーザ素子４及び５の水平方向（活性層の幅方向）の発光点位置を示し、通常は半導体レーザ素子４及び５の出射端面６から数ミクロンあるいは１０数ミクロンだけ内部側に存在する。ここで、各半導体レーザ素子４又は５の垂直方向と水平方向の発光点の位置が一致していない特性が非点収差である。なお、半導体レーザ素子４及び５の非点収差は、当業者に一般的に知られている近視野像観察により測定することができる。
【００２２】
実施の形態１においては、半導体レーザ素子４に存在する非点収差は半導体レーザ素子５のそれと比較して大きいものとする。図１及び図２に示すように、非点収差の大きい方の半導体レーザ素子４から出射するレーザビーム１４の中心軸が、基台Ｔ１の基準軸Ｓ１と一致するように配置されている。この基台Ｔ１の基準軸Ｓ１は光ヘッド装置１に半導体レーザ装置２を配設したときに対物レンズ１０の光軸７又はその延長軸に一致するものであるので、結果として、非点収差の大きい方の半導体レーザ素子４から出射するレーザビーム１４の中心軸が対物レンズ１０の光軸７と一致することになる。
【００２３】
次に、実施の形態１の光ヘッド装置１について動作を説明する。半導体レーザ装置２において非点収差の大きい方の半導体レーザ素子４から出射したレーザビーム１４は、ハーフミラー８で反射され、コリメータレンズ９に入射して平行状のレーザビームに変換された後、対物レンズ１０に入射し、光ディスク１１に集光照射される。このときの集光スポット１５は光ヘッド装置１の対物レンズ１０の光軸７上に形成される。光ディスク１１で反射されたレーザビーム１４は逆の光路を経てハーフミラー８を透過して、光検知器１３に照射される。光検知器１３では、光ディスク１１の再生信号ならびにフォーカシングとトラッキングに必要な信号が検出される。
【００２４】
同様に、半導体レーザ装置２において非点収差の小さい方の半導体レーザ素子５から出射したレーザビーム１６は、対物レンズ１０の光軸７に対して傾斜して入射し、光ディスク１２上に集光照射される。このときの集光スポット１７は光軸７からｈだけ変位した位置に形成される。一般に光軸７からの変位量ｈは像高と呼ばれる。光ディスク１２で反射されたレーザビーム１６は、同様にして、逆の光路を経てハーフミラー８を透過して、光検知器１３に照射され、光検知器１３では光ディスク１２の再生信号ならびにフォーカシングとトラッキングに必要な信号が検出される。
【００２５】
２つの集光スポット１５及び１７のうち、集光スポット１５は対物レンズ１０の光軸７上に形成されるが、他の集光スポット１７は光軸７外に形成される。このような場合、対物レンズ１０のいわゆる像高特性と呼ばれる性質により、２つの集光スポット１５及び１７の集光状態が異なる。このことを図３を用いて説明する。
【００２６】
図３は対物レンズ１０の像高特性を示し、横軸に対物レンズ１０の焦点距離からの変位、縦軸に集光スポット１５及び１７の光軸７からの変位量、即ち像高を表している。対物レンズ１０の焦点距離は、対物レンズ１０に入射するレーザビーム１４及び１６の方向に依存し、光学的には球欠的像面と子午的像面とから構成される。ここで、図２に示すマルチビーム半導体レーザ素子３の配置においては、垂直方向の発光点Ｖ１及びＶ２が球欠的像面上に集光され、水平方向の発光点Ｈ１及びＨ２が子午的像面上に集光される。像高が零、即ち光軸７上に集光されるレーザビーム１４の場合には、球欠的像面と子午的像面とでの焦点距離は一致するが、これ以外のレーザビーム１６の場合では球欠的像面、子午的像面ともに対物レンズ１０に近づく側に焦点位置が移動し、子午的像面の移動量が球欠的像面のそれよりも大きい。このことは、仮に半導体レーザ素子４又は５自身に非点収差が無くても、レーザビーム１４又は１６が対物レンズ１０の光軸７外に集光照射される場合には、集光スポット１５又は１７に非点収差が発生することを意味する。
【００２７】
図２に示すように、半導体レーザ素子４及び５はそれぞれの水平方向の発光点Ｈ１及びＨ２が、垂直方向の発光点Ｖ１及びＶ２よりも対物レンズ１０からみて遠方にある。光軸７上の発光点Ｈ１とＶ１は対物レンズ１０での像高特性の影響を受けないが、光軸７外にある発光点Ｈ２とＶ２から伝搬されたレーザビーム１６は対物レンズ１０での像高特性に従って、発光点Ｈ２とＶ２での非点収差に加えて更に同方向の非点収差の影響を受けることになる。従って、２つの集光スポット１５と１７の非点収差特性の均一化を図ろうとするならば、２つの発光点のうちの非点収差が大きい方の半導体レーザ素子４から出射されるレーザビーム１４の中心軸を光軸７と一致するように配置し、非点収差が小さい方の半導体レーザ素子５については光軸７外に配置する必要がある。
【００２８】
なお、上記においては、対物レンズ１０の像高特性と半導体レーザ素子４及び５の配置との関係について説明したが、コリメータレンズ９にも像高特性が存在する。しかしながら、光ヘッド装置１の光学系においては、コリメータレンズ９と対物レンズ１０の焦点距離から算出される縦倍率が１よりも充分小さく、このためコリメータレンズ９が保有する像高特性の寄与は無視できる程度に小さいので、対物レンズ１０について議論しておけば充分である。
【００２９】
実施の形態１においては、マルチビーム半導体レーザ素子３を構成する半導体レーザ素子が２つの場合を示したが、３つ以上であってもよく、この場合は、これら複数の半導体レーザ素子のうち非点収差の最も大きい半導体レーザ素子から出射するレーザビームの中心軸を基台Ｔ１の基準軸Ｓ１と一致するように、即ち対物レンズ１０の光軸７と一致するように配置する。
【００３０】
実施の形態２．
実施の形態１においては半導体レーザ素子４の非点収差が半導体レーザ素子５と比較して大きい場合について示したが、実施の形態２においては２つの半導体レーザ素子の非点収差が等しい場合について示す。
【００３１】
図４は実施の形態２におけるマルチビーム半導体レーザ素子１８の断面図である。図４において、１９及び２０はそれぞれマルチビーム半導体レーザ素子１８を構成する半導体レーザ素子である。Ｖ３及びＶ４はそれぞれ半導体レーザ素子１９及び２０の垂直方向の発光点位置を示し、通常は半導体レーザ素子１９及び２０の出射端面６上に存在する。Ｈ３及びＨ４はそれぞれ半導体レーザ素子１９及び２０の水平方向の発光点位置を示し、ここでは半導体レーザ素子１９及び２０の出射端面６から同じ距離だけ内部側に存在する。従って、２つの半導体レーザ素子１９及び２０の非点収差は等しくなる。２１及び２２は２つの半導体レーザ素子１９及び２０から出射されるレーザビームである。
【００３２】
実施の形態２において、非点収差の相等しい半導体レーザ素子１９及び２０は、基台の基準軸Ｓ２を挟んで基準軸Ｓ２よりそれぞれ等しい距離だけ離間して配置されている。実施の形態１と同様に、基台の基準軸Ｓ２は、光ヘッド装置１に半導体レーザ装置１８を配設したときに、光ヘッド装置１の対物レンズ１０の光軸７又はその延長軸に一致するので、結果として、２つの半導体レーザ素子１９及び２０から出射するレーザビーム２１及び２２の各々の中心軸が対物レンズ１０の光軸７を挟んで光軸７よりそれぞれ等しい距離だけ離間するように、マルチビーム半導体素子１８が配置されることになる。
【００３３】
このようなマルチビーム半導体レーザ素子１８を備える半導体レーザ装置２を図１に示した光ヘッド装置１に配設する場合、図３に示したように、対物レンズ１０の像高特性は光軸７に対して軸対称性を示す。従って、２つの半導体レーザ素子１９と２０から出射されたレーザビーム２１と２２とは、光ディスク１１及び１２上に集光照射された場合に、それぞれの集光スポットは等しい像高を有することになるため、やはり等しい非点収差特性を示し集光特性の均一性が保持される。
【００３４】
実施の形態２ではマルチビーム半導体レーザ素子１８を構成する半導体レーザ素子が２つの場合を示したが、３つ以上であってもよく、この場合は、これら複数の半導体レーザ素子のうち互いに等しい非点収差を有する少なくとも２つの半導体レーザ素子を、基台の基準軸Ｓ２を挟んで基準軸Ｓ２よりそれぞれ等しい距離だけ離間して、即ち、これらの半導体レーザ素子から出射するレーザビームの各々の中心軸が対物レンズ１０の光軸７を挟んで光軸７よりそれぞれ等しい距離だけ離間して配置する。
【００３５】
実施の形態３．
図５は実施の形態３における半導体レーザ装置２３の断面図である。図５において符号３から５、１４及び１６は図１に示したものと同様のものである。Ｔ３はマルチビーム半導体レーザ素子３を位置決め固定する基台である。Ｔ３１はマルチビーム半導体レーザ素子３を保持するためのブロック、Ｔ３２はマルチビーム半導体レーザ素子３を保護するための外囲器、Ｔ３３はブロックＴ３１及び外囲器Ｔ３２を固定するためのステムであり、ブロックＴ３１と外囲器Ｔ３２とステムＴ３３とで基台Ｔ３を構成する。２５はマルチビーム半導体レーザ素子３を構成する半導体レーザ素子４及び５のレーザビーム１４及び１６出射面に平行に対向し、外囲器Ｔ３２に固定された平行平板状のカバーガラスである。カバーガラス２５としては、平行平板状の透光部材であればガラス製でなくとも合成樹脂製のものを使用することも可能である。
【００３６】
次に、動作について説明する。半導体レーザ素子４及び５のそれぞれから出射されたレーザビーム１４及び１６は、カバーガラス２５を透過する。カバーガラス２５は半導体レーザ素子４及び５の出射面と平行に対向して配置され、かつ、平行平板の形状であるので、半導体レーザ素子４及び５から出射されるレーザビーム１４及び１６に非点収差の影響を与えることがない上に、マルチビーム半導体レーザ素子３を塵埃等から保護するように作用する。更に、材質によっては空気中の酸素によって劣化するおそれのある半導体レーザ素子４及び５に対して、カバーガラス２５及び外囲器Ｔ３２を配置して半導体レーザ素子４及び５を大気から遮断することによって保護する。カバーガラス２５を透過した後は、実施の形態１で示した場合と同様にしてレーザビーム１４及び１６はハーフミラー８に向かう。
【００３７】
この実施の形態３には、実施の形態１と同様の半導体レーザ素子４及び５を有するマルチビーム半導体レーザ素子３を用いる場合を示したが、実施の形態２に示したように、半導体レーザ素子１９及び２０を有するマルチビーム半導体レーザ素子１８を用いてもよい。
【００３８】
実施の形態４．
図６は、実施の形態４の半導体レーザ装置及び光ヘッド装置の構成図を示すものである。符号７から１３は図１に示したものと同様のものである。２７は実施の形態４の光ヘッド装置である。２８は複数のレーザビームを出射することができる半導体レーザ装置であり、ここではモノリシックに集積されたマルチビーム半導体レーザ素子２９が搭載されたものを示している。３０及び３１はそれぞれマルチビーム半導体レーザ素子２９を構成する個々の半導体レーザ素子である。２つの半導体レーザ素子３０及び３１の非点収差は同一である。
【００３９】
また、図６において、３２及び３３はそれぞれ半導体レーザ素子３０及び３１から出射されるレーザビームである。３６及び３７はそれぞれ光ディスク１１及び１２上にレーザビーム３２及び３３が集光照射された集光スポットである。
【００４０】
図７は半導体レーザ装置２８の詳細を示す断面図である。図６及び図７において、マルチビーム半導体レーザ素子２９を構成する半導体レーザ素子３０及び３１は、レーザビーム３２及び３３の出射方向が互いに平行となるように配置されている。Ｔ４はマルチビーム半導体レーザ素子２９を位置決め固定する基台であり、Ｓ４は基台Ｔ４の基準軸である。Ｔ４１はマルチビーム半導体レーザ素子２９を保持するためのブロック、Ｔ４２はマルチビーム半導体レーザ素子２９を保護するための外囲器、Ｔ４３はブロックＴ４１及び外囲器Ｔ４２を固定するためのステムであり、ブロックＴ４１と外囲器Ｔ４２とステムＴ４３とで基台Ｔ４を構成する。
【００４１】
また、３５は半導体レーザ素子３０及び３１のレーザビーム３２及び３３の出射面に対して傾斜して基台Ｔ４の外囲器Ｔ４２に固定された平行平板状のカバーガラスである。カバーガラス３５の材質の屈折率と厚み、及びレーザビーム３２及び３３の出射面に対する傾斜角度は、２つの半導体レーザ素子３０と３１とに元々存在する非点収差を打ち消すような大きさに設定されている。カバーガラス３５としては、２つの半導体レーザ素子３０及び３１の非点収差を補正することができるものであれば、ガラス製のほか合成樹脂の透光部材であってもよく、また、シリンドリカルレンズ、ホログラム、フレネルレンズ、カップリングレンズ等を使用することもできる。
【００４２】
３８及び３９はそれぞれカバーガラス３５を透過後のレーザビーム３２及び３３の中心軸であり、これらの中心軸３８及び３９が基台Ｔ４の基準軸Ｓ４を挟んで基準軸Ｓ４よりそれぞれ等しい距離だけ離間するように、マルチビーム半導体レーザ素子２９が配置されている。この基台Ｔ４の基準軸Ｓ４は対物レンズ１０の光軸７又はその延長軸と一致するように半導体レーザ装置２８の外形形状が定められているので、カバーガラス３５を透過後のレーザビーム３２及び３３の中心軸３８及び３９が、対物レンズ１０の光軸７を挟んで光軸７よりそれぞれ等しい距離だけ離間するように、マルチビーム半導体レーザ素子２９が配置されていることになる。
【００４３】
次に、実施の形態４の光ヘッド装置２７の動作について説明する。半導体レーザ素子３０及び３１のそれぞれから出射されたレーザビーム３２及び３３は、カバーガラス３５を透過する。２つの半導体レーザ素子３０及び３１に存在する同一の非点収差は、カバーガラス３５を透過することによって打ち消され、非点収差の補正されたレーザビーム３２及び３３として伝搬される。更に、カバーガラス３５は、外囲器Ｔ４２とともに、マルチビーム半導体レーザ素子３を塵埃や空気中の酸素等から保護する。
【００４４】
カバーガラス３５透過後の各々の中心軸３８及び３９は、基台Ｔ４の基準軸Ｓ４を挟んで基準軸Ｓ４よりそれぞれ等しい距離だけ離間して、即ち対物レンズ１０の光軸７を挟んで光軸７よりそれぞれ等しい距離だけ離間して伝搬し、対物レンズ１０によって集光され、それぞれ集光スポット３６及び３７が形成される。これら２つの集光スポットは３６と３７は互いに等しい像高を有するので、図３で示した対物レンズ１０の像高特性の影響を等しく受けることになり、集光特性の均一性が保持される。
【００４５】
実施の形態４ではマルチビーム半導体レーザ素子２９を構成する半導体レーザ素子が２つの場合を示したが、３つ以上であってもよく、この場合は、これら複数の半導体レーザ素子のうち互いに等しい非点収差を有する少なくとも２つの半導体レーザ素子を、基台Ｔ４の基準軸Ｓ４を挟んで基準軸Ｓ４よりそれぞれ等しい距離だけ離間して、即ち、これらの半導体レーザ素子から出射するレーザビームの各々の中心軸が対物レンズ１０の光軸７を挟んで光軸７よりそれぞれ等しい距離だけ離間して配置する。
【００４６】
実施の形態５．
図８は実施の形態５の半導体レーザ装置及び光ヘッド装置の構成図を示すものである。同図において、符号７から１３は図１に示したものと同様のものである。４０は実施の形態５の光ヘッド装置である。４１は複数のレーザビームを出射することができる半導体レーザ装置であり、ここではモノリシックに集積されたマルチビーム半導体レーザ素子４２が搭載されたものを示している。４３及び４４はそれぞれマルチビーム半導体レーザ素子４２を構成する個々の半導体レーザ素子である。２つの半導体レーザ素子４３及び４４のうち、半導体レーザ素子４３の非点収差の方が半導体レーザ素子４４よりも大きいものとする。
【００４７】
図８において、４５及び４６はそれぞれ半導体レーザ素子４３及び４４から出射されるレーザビームである。マルチビーム半導体レーザ素子４２を構成する半導体レーザ素子４３及び４４は、レーザビーム４５及び４６の出射方向が互いに平行となるように配置されている。Ｔ５はマルチビーム半導体レーザ素子４２を位置決め固定する基台であり、Ｓ５は基台Ｔ５の基準軸である。Ｔ５１はマルチビーム半導体レーザ素子４２を保持するためのブロック、Ｔ５２はマルチビーム半導体レーザ素子４２を保護するための外囲器、Ｔ５３はブロックＴ５１及び外囲器Ｔ５２を固定するためのステムであり、ブロックＴ５１と外囲器Ｔ５２とステムＴ５３とで基台Ｔ５を構成する。
【００４８】
また、４９は半導体レーザ素子４３及び４４のレーザビーム４５及び４６の出射面に対して傾斜して基台Ｔ５の外囲器Ｔ５２に固定された平行平板状のカバーガラスである。カバーガラス４９の材質の屈折率と厚み、及びレーザビーム４５及び４６の出射面に対する傾斜角度は、半導体レーザ素子４４に存在する非点収差を打ち消すような大きさに設定されている。カバーガラス４９としては、非点収差の小さい方の半導体レーザ素子４４の非点収差を補正することができるものであれば、ガラス製のほか合成樹脂の透光部材であってもよく、また、シリンドリカルレンズ、ホログラム、フレネルレンズ、カップリングレンズ等を使用することもできる。
【００４９】
非点収差の大きい方の半導体レーザ素子４３から出射されたレーザビーム４５はカバーガラス４９を屈折して透過した後、その中心軸が基台Ｔ５の基準軸Ｓ５と一致するように、マルチビーム半導体レーザ素子４２が配置されている。この基台Ｔ５の基準軸Ｓ５が対物レンズ１０の光軸７又はその延長軸と一致するように半導体レーザ装置４１の外形形状が定められているので、カバーガラス４９を透過後のレーザビーム４５の中心軸が対物レンズ１０の光軸と一致するように、マルチビーム半導体素子４２が配置されていることになる。
【００５０】
また、４７及び４８はそれぞれ光ディスク１１及び１２上にレーザビーム４５及び４６が集光照射された集光スポットである。非点収差の大きい方の半導体レーザ素子４３から出射されたレーザビーム４５が光ディスク１１に集光照射される。このときの集光スポット４７は対物レンズ１０の光軸７上に形成される。光ディスク１２については、非点収差の小さい方の半導体レーザ素子４４から出射されたレーザビーム４６が集光照射されて、集光スポット４８が像高を有して形成される。
【００５１】
次に、実施の形態５の光ヘッド装置４０の動作について説明する。半導体レーザ素子４３及び４４のそれぞれから出射されたレーザビーム４５及び４６は、カバーガラス４９を透過する。非点収差の小さい方の半導体レーザ素子４４に存在する非点収差は、カバーガラス４９を透過することによって打ち消され、非点収差の補正されたレーザビーム４６として伝搬される。更に、カバーガラス４９は、外囲器Ｔ５２とともに、マルチビーム半導体レーザ素子４２を塵埃や空気中の酸素等から保護するように作用する。カバーガラス４９透過後のレーザビーム４６の中心軸は光軸７と一致していないため、対物レンズ１０によって像高を有して集光され、集光スポット４８が形成される。この集光スポット４８は、図３で示した対物レンズ１０の像高特性の影響を受けることなり、新たに非点収差を有したものとなる。
【００５２】
一方、半導体レーザ素子４３に存在する非点収差は半導体レーザ素子４４に存在する非点収差よりも大きいため、カバーガラス４９を透過することによっても完全には非点収差が打ち消されず、部分的に非点収差が残留したレーザビーム４５として伝搬される。このレーザビーム４５の中心軸は光軸７と一致しているため、対物レンズ１０の像高特性の影響を受けることなく集光される。
【００５３】
このように、非点収差の小さい方の半導体レーザ素子４４から出射されるレーザビーム４６については、中心軸が光軸７上から外れて伝搬することから対物レンズ１０の像高特性上、新たに非点収差が発生するが、半導体レーザ素子４３が有している非点収差をあらかじめカバーガラス４９で除去されるように構成されている。非点収差の大きい方の半導体レーザ素子４３から出射されるレーザビーム４５については、カバーガラス４９で非点収差を完全に補正することはできないが、中心軸が光軸７上を伝搬することから対物レンズ１０の像高特性上、新たに非点収差は発生しないように構成されている。従って、レーザビーム４５と４６との非点収差の差の拡大がなくなり、一方の集光スポットの集光特性が大きく劣化することなく、集光特性の均一性が保持される。
【００５４】
実施の形態５においては、マルチビーム半導体レーザ素子４２を構成する半導体レーザ素子が２つの場合を示したが、３つ以上であってもよく、この場合は、これら複数の半導体レーザ素子のうち非点収差の最も大きい半導体レーザ素子から出射するレーザビームの中心軸を基台Ｔ５の基準軸Ｓ５と一致するように、即ち対物レンズ１０の光軸７と一致するように配置し、更に、これよりも小さい非点収差を有する半導体レーザ素子について、好ましくは非点収差の２番目に大きい半導体レーザ素子について、その非点収差を除去するようなカバーガラス４９を用いる。
【００５５】
実施の形態６．
図９は実施の形態６の半導体レーザ装置及び光ヘッド装置の構成図を示すものである。同図において、符号７から１３は図１に示したものと同様のものである。５０は実施の形態６の光ヘッド装置である。５１は複数のレーザビームを出射することができる半導体レーザ装置であり、ここではモノリシックに集積されたマルチビーム半導体レーザ素子５２が搭載されたものを示している。５３及び５４はそれぞれマルチビーム半導体レーザ素子５２を構成する個々の半導体レーザ素子である。２つの半導体レーザ素子５３及び５４のうち、半導体レーザ素子５３の非点収差の方が半導体レーザ素子５４よりも大きいものとする。
【００５６】
図９において、５５及び５６はそれぞれ半導体レーザ素子５３及び５４から出射されるレーザビームである。マルチビーム半導体レーザ素子５２を構成する半導体レーザ素子５３及び５４は、レーザビーム５５及び５６の出射方向が互いに平行となるように配置されている。Ｔ６はマルチビーム半導体レーザ素子５２を位置決め固定する基台であり、Ｓ６は基台Ｔ６の基準軸である。Ｔ６１はマルチビーム半導体レーザ素子５２を保持するためのブロック、Ｔ６２はマルチビーム半導体レーザ素子５２を保護するための外囲器、Ｔ６３はブロックＴ６１及び外囲器Ｔ６２を固定するためのステムであり、ブロックＴ６１と外囲器Ｔ６２とステムＴ６３とで基台Ｔ６を構成する。
【００５７】
また、５９は半導体レーザ素子５３及び５４のレーザビーム５５及び５６の出射面に対して傾斜して基台Ｔ６の外囲器Ｔ６２に固定された平行平板状のカバーガラスである。カバーガラス５９の材質の屈折率と厚み、及びレーザビーム５３及び５４の出射面に対する傾斜角度は、半導体レーザ素子５３に存在する非点収差を打ち消すような大きさに設定されている。カバーガラス５９としては、非点収差の大きい方の半導体レーザ素子５３の非点収差を補正することができるものであれば、ガラス製のほか合成樹脂の透光部材であってもよく、また、シリンドリカルレンズ、ホログラム、フレネルレンズ、カップリングレンズ等を使用することもできる。
【００５８】
非点収差の大きい方の半導体レーザ素子５３から出射されたレーザビーム５５はカバーガラス５９を屈折して透過した後、その中心軸が基台Ｔ６の基準軸Ｓ６と一致するように配置されている。この基台Ｔ６の基準軸Ｓ６が対物レンズ１０の光軸７又はその延長軸と一致するように半導体レーザ装置５１の外形形状が定められているので、カバーガラス５９を透過後のレーザビーム５５の中心軸が対物レンズ１０の光軸７と一致するように、マルチビーム半導体素子５２が配置されていることになる。
【００５９】
また、５７及び５８はそれぞれ光ディスク１１及び１２上にレーザビーム５５及び５６が集光照射された集光スポットである。非点収差の大きい方の半導体レーザ素子５３から出射されたレーザビーム５５は、光ディスク１１に集光照射される。このときの集光スポット５７は光ヘッド装置５０の光軸７上に形成される。光ディスク１２については、非点収差の小さい方の半導体レーザ素子５４から出射されたレーザビーム５６が集光照射されて、集光スポット５８が像高を有して形成される。
【００６０】
次に、実施の形態６の光ヘッド装置５０の動作について説明する。半導体レーザ素子５３及び５４のそれぞれから出射されたレーザビーム５５及び５６は、カバーガラス５９を透過する。非点収差の大きい方の半導体レーザ素子５３に存在する非点収差は、カバーガラス５９を透過することによって打ち消され、非点収差の補正されたレーザビーム５５として伝搬される。更に、カバーガラス５９は、外囲器Ｔ６２とともに、マルチビーム半導体レーザ素子５２を塵埃や空気中の酸素等から保護するように作用する。カバーガラス５９透過後のレーザビーム５５の中心軸は対物レンズ１０の光軸７と一致するため、対物レンズ１０の像高特性の影響を受けることなく集光され、集光スポット５７が形成される。すなわちこの集光スポット５７には非点収差が存在しない。
【００６１】
一方、半導体レーザ素子５４に存在する非点収差は半導体レーザ素子５３に存在する非点収差よりも小さいため、カバーガラス５９を透過することによって過剰な非点収差の打ち消し作用により、元々の非点収差の方向とは逆方向の非点収差が新たに付与されたレーザビーム５６として伝搬される。このレーザビーム５６の中心軸は対物レンズ１０の光軸７とは一致していないため、対物レンズ１０によって像高を有して集光され、集光スポット５８が形成される。この集光スポット５８は、図３で示した対物レンズ１０の像高特性による非点収差の影響を受け、レーザビーム５６に存在していた逆方向の非点収差が打ち消されるように作用する。この打ち消しの程度は、半導体レーザ素子５４が本来有していた非点収差の大きさや対物レンズ１０の像高特性にも依存するが、ほぼ零とするような打ち消しが可能である。結果として２つの集光スポット５７と５８とには同時に非点収差が存在しないようにすることができ、良好な集光特性とすることができる。
【００６２】
このように、非点収差の大きい方の半導体レーザ素子５３から出射するレーザビーム５５については、カバーガラス５９で非点収差を補正し、更にカバーガラス５９透過後の中心軸が光軸７上を伝搬することから新たな非点収差も発生しないように構成され、一方、非点収差の小さい方の半導体レーザ素子５４から出射するレーザビーム５６については、カバーガラス５９で非点収差を逆方向となるように過剰に補正し、更にカバーガラス５９透過後の中心軸が光軸７上から外れて伝搬することから対物レンズ１０の像高特性上、新たに非点収差が発生するが、この非点収差と先のカバーガラス５９による逆方向の非点収差とで打ち消し合うように構成することが可能であるので、集光特性の均一性が保持される。
【００６３】
実施の形態６においては、マルチビーム半導体レーザ素子５２を構成する半導体レーザ素子が２つの場合を示したが、３つ以上であってもよく、この場合は、これら複数の半導体レーザ素子のうち非点収差の最も大きい半導体レーザ素子について非点収差を補正するようなカバーガラス５０を用い、かつ、この非点収差の最も大きい半導体レーザ素子から出射するレーザビームの中心軸を基台Ｔ６の基準軸Ｓ６上、即ち対物レンズ１０の光軸７と一致するように配置する。
【００６４】
実施の形態７．
実施例１から６におけるマルチビーム半導体レーザ素子については、上述したような非点収差の大小によって半導体レーザ装置又は光ヘッド装置に配設するものであれば、マルチビーム半導体レーザ素子を構成する各々の半導体レーザ素子の波長との関係は特に限定されず、同じ波長のレーザビームを出射するものであっても、異なる波長のレーザビームを出射するものであってもよい。例えば、光ディスク１１及び１２としてＤＶＤ及びＣＤの互換使用を確保する場合には、ＤＶＤに対応する半導体レーザ素子は６５０ｎｍのレーザビームを出射するものとし、ＣＤに対応する半導体素子は７８０ｎｍのレーザビームを出射するものとする。また、マルチビーム方式を採用する場合等に対しては、同一波長を出射する複数の半導体レーザ素子を使用する。
【００６５】
また、実施の形態１から６においては、複数の半導体レーザ素子はモノリシックに集積されているものを示したが、個別のレーザ素子を並置したものであってよい。
実施の形態１から６に示したもののうち実際にどの形態を採用するかは、個々の半導体レーザ素子の非点収差の大きさ、求められる性能等を勘案して決定することができる。
【００６６】
【発明の効果】
この発明の半導体レーザ装置及び光ヘッド装置は、半導体レーザ素子自身に元々存在する非点収差の大きさにかかわらず、光ディスクに形成される集光スポットの非点収差を均一化することができ、複数のレーザビームの集光特性を同時に最良とすることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施の形態１の半導体レーザ装置及び光ヘッド装置の構成図である。
【図２】実施の形態１のマルチビーム半導体レーザ素子の断面図である。
【図３】対物レンズの像高特性図である。
【図４】実施の形態２のマルチビーム半導体レーザ素子の断面図である。
【図５】実施の形態３の半導体レーザ装置の断面図である。
【図６】実施の形態４の半導体レーザ装置及び光ヘッド装置の構成図である。
【図７】実施の形態４の半導体レーザ装置の断面図である。
【図８】実施の形態５の半導体レーザ装置及び光ヘッド装置の構成図である。
【図９】実施の形態６の半導体レーザ装置及び光ヘッド装置の構成図である。
【図１０】従来の一般的な光ヘッド装置の構成図である。
【図１１】第１の公知例における従来の半導体レーザ装置の断面図である。
【図１２】第３の公知例における従来の光ヘッド装置の構成図である。
【図１３】従来の光ヘッド装置におけるマルチビーム半導体レーザ素子と非点収差補正板との位置関係を示す構成図である。
【符号の説明】
１、２７、４０、５０  光ヘッド装置、
２、２３、２８、４１、５１  半導体レーザ装置、
３、１８、２９、４２、５２  マルチビーム半導体レーザ素子、
４、５、１９、２０、３０、３１、４３、４４、５３、５４  半導体レーザ素子、
７  光軸、
８  ハーフミラー、
９  コリメータレンズ、
１０  対物レンズ、
１１及び１２  光ディスク、
１３  光検知器、
１４、１６、２１、２２、３２、３３、４５、４６、５５、５６  レーザビーム、
１５、１７、３６、３７、４７、４８、５７、５８  集光スポット、
２５、３５、４９、５９  カバーガラス、
Ｔ１、Ｔ３、Ｔ４、Ｔ５、Ｔ６  基台、
Ｓ１、Ｓ２、Ｓ４、Ｓ５、Ｓ６  基準軸、
Ｔ１１、Ｔ３１、Ｔ４１、Ｔ５１、Ｔ６１  ブロック、
Ｔ３２、Ｔ４２、Ｔ５２、Ｔ６２  外囲器、
Ｔ１３、Ｔ３３，Ｔ４３、Ｔ５３、Ｔ６３  ステム。
【図１】
0003546877.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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