(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＣｕＯを主成分としＮａ化合物が添加されたｐ型半導体により形成されたｐ型部材と、
このｐ型部材に接続され被検ガスの存在による電気的特性の変化を取り出す二つの電極と
を備えたガスセンサにおいて、
前記Ｎａ化合物はタングステン酸およびモリブデン酸からなる群より選択された一以上の酸のナトリウム塩を含む
ことを特徴とするガスセンサ。
【請求項２】
前記Ｎａ化合物としてタングステン酸のナトリウム塩をＣｕＯに対してタングステン換算で０．５ないし２３重量％含む請求項１記載のガスセンサ。
【請求項３】
前記Ｎａ化合物としてモリブデン酸のナトリウム塩をモリブデン換算で０．４ないし１６重量％含む請求項１記載のガスセンサ。
【請求項４】
ＣｕＯにＮａ化合物を添加して成型および焼成することにより、被検ガスの存在により電気的特性が変化する部材を形成する
ガスセンサの製造方法において、
前記Ｎａ化合物は焼成によりタングステン酸およびモリブデン酸からなる群より選択された一以上の酸のナトリウム塩となる物質である
ことを特徴とするガスセンサの製造方法。
【請求項５】
前記Ｎａ化合物としてタングステン酸のナトリウム塩をＣｕＯに対してタングステン換算で０．５ないし２３重量％添加する請求項４記載のガスセンサの製造方法。
【請求項６】
Ｎａ2ＷＯ4・２Ｈ2ＯをＣｕＯに対して１ないし４０重量％添加する請求項５記載のガスセンサの製造方法。
【請求項７】
前記Ｎａ化合物としてモリブデン酸のナトリウム塩をモリブデン換算で０．４ないし１６重量％添加する請求項４記載のガスセンサの製造方法。
【請求項８】
Ｎａ2ＭｏＯ4・２Ｈ2ＯをＣｕＯに対して１ないし４０重量％添加する請求項７記載のガスセンサの製造方法。
【請求項９】
焼成時の最高温度が４００℃以上８６０℃以下である請求項４ないし８のいずれか記載のガスセンサの製造方法。
【請求項１０】
焼成時の最高温度が５００℃以上８５０℃以下である請求項９記載のガスセンサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は気体中に微量に含まれるガスの検出に利用する。特に、ガス給湯機その他の燃焼機器により排出される排気ガス中のＣＯガスを選択的に検知する、あるいは不完全燃焼を検知するガスセンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】
大気中のガスを検出するセンサとして、従来から、セラミック半導体物質を用いたものが知られている。特に本願発明者らは、それまではｎ型セラミック半導体が関係する反応を利用したものしか知られていなかったのに対し、ｐ型半導体である高純度のＣｕＯを用いることでガス検知が可能であることを見い出し、特許出願した。この出願を以下「先の出願」という。この先の出願は、特開平６−２５８２７０号公報に公開されている。この先の出願ではまた、ＣｕＯにアルカリ金属化合物を添加することで、ＣＯ感度が高まることを明らかにした。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、排気ガス中では、大気と比較して酸素分圧が変化し、ＣＯ２  濃度および水蒸気分圧も燃焼状態によって変化する。このような条件では、単にＣＯに対する感度が高いからといって、そのまま利用できるものではない。例えばＣｕＯにＮａ２  ＣＯ３  を添加したガスセンサでは、ＣＯ２  に対しても感度があり、ガス給湯器により排出されるＣＯ２  濃度領域では、ＣＯ２  に対する感度がＣＯ異常を検知したいレベルのＣＯガス濃度に対する感度に近く、ＣＯの選択的検出がうまく行えない場合がある。
【０００４】
例えば、本願発明者らがＣｕＯにＮａ２  ＣＯ３  を添加したガスセンサを試作して実験したところ、ＣＯ２  濃度が５．５％のとき、不完全燃焼時に発生する約２０００〜４０００ｐｐｍのＣＯに対する感度と同程度の感度が測定された。不完全燃焼中の排気ガス中にはＣＯ２  とＣＯとが共存し、さらに正常燃焼時でもＣＯ２  が％オーダで発生していることを考えると、このようにＣＯ２  に対する感度が大きいことはＣＯの選択的検出には適していないことになる。
【０００５】
本発明は、このような課題を解決し、ＣＯ２  感度をＣＯ感度に対して相対的に低下させたガスセンサおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明のガスセンサは、ＣｕＯを主成分としＮａ化合物が添加されたｐ型半導体により形成されたｐ型部材と、このｐ型部材に接続され被検ガスの存在による電気的特性を変化を取り出す二つの電極とを備えたガスセンサにおいて、Ｎａ化合物として、タングステン酸およびモリブデン酸からなる群より選択された一以上の酸のナトリウム塩が含まれることを特徴とする。
【０００７】
Ｎａ化合物の含有率は、タングステン酸のナトリウム塩の場合でＣｕＯに対してタングステン換算で０．５ないし２３重量％、モリブデン酸のナトリウム塩の場合でモリブデン換算で０．４ないし１６重量％がよい。
【０００８】
このようなガスセンサを製造するには、焼成によりタングステン酸のナトリウム塩またはモリブデン酸のナトリウム塩となる物質をＣｕＯに添加して成型および焼成し、被検ガスの存在により電気的特性が変化する部材を形成する。
【０００９】
本願発明者らの実験によれば、添加する物質としてＮａ２  ＷＯ４  ・２Ｈ２  ＯあるいはＮａ２  ＭｏＯ４  ・２Ｈ２  Ｏを用いた場合、ＣｕＯに対して１ないし４０重量％の添加量で良好な結果が得られた。この添加量は、ＣｕＯに対してタングステン換算で０．５ないし２３重量％、モリブデン換算で０．４ないし１６重量％に相当する。添加量がこれを超えた場合には、焼成体が固体としての形をなさず、センサとして用いることはできなかった。特にバルクとして用いる場合には、Ｎａ２  ＷＯ４  ・２Ｈ２  ＯあるいはＮａ２  ＭｏＯ４  ・２Ｈ２  Ｏのいずれも場合も、添加量を２０重量％とすることで、焼成体が崩れることなく容易に取り扱うことができた。
【００１０】
焼成時の最高温度は４００℃以上であることが望ましく、８６０℃以下であることが望ましい。本願発明者らの実験によれば、焼成の最高温度を５００℃以上にすると、焼成体が崩れることなく容易に取り扱うことができた。また、焼成の最高温度を５００℃以上８５０℃以下とすることで、共存ガス感度を低く抑えることができた。
【００１１】
【発明の実施の形態】
図１および図２は本発明のガスセンサの実施形態を示す。図１は平面図であり、図２は断面図である。
【００１２】
このガスセンサは、ＣｕＯを主成分としＮａ化合物が添加されたｐ型半導体により形成されたｐ型部材１１と、このｐ型部材１１に接続され被検ガスの存在による電気的特性を変化を取り出す二つの櫛型電極１２、１３とを備え、これらがセラミック基板１４上に形成される。ｐ型部材１１は厚膜であり、粉末のＣｕＯと焼成後にタングステン酸のナトリウム塩またはモリブデン酸のナトリウム塩となる添加物とを主固形成分とするペースト状物質を櫛型電極１２、１３に接するように印刷し、そのペースト状物質を焼成することにより形成される。動作時には、櫛型電極１２、１３間に一定の電圧を印加し、被検ガスの存在により電流の変化を検出する。
【００１３】
粉末のＣｕＯと焼成後にタングステン酸のナトリウム塩あるいはモリブデン酸のナトリウム塩となる添加物とを混合して焼成し、得られたバルクをそのまま、あるいは適切な大きさに加工してガスセンサとして用いることもできる。また、このようなバルクを粉砕したものを原材料として厚膜を形成してもよい。粉末のＣｕＯに焼成後にタングステン酸のナトリウム塩またはモリブデン酸のナトリウム塩となる添加物を混合して有機溶剤に分散させて得たペーストを用い、これを例えばスクリーン印刷などの方法により印刷して焼成することにより厚膜を形成してもよい。
【００１４】
図３ないし図６はガスセンサの利用形態を示す。本発明のガスセンサは、燃焼機器により排出される排気ガス中のＣＯガスを選択的に検知することができるので、各種の燃焼機器の内部または排気系に取り付けて利用される。図３は屋内の空気を送風機によりバーナーに送り込んで排気ガスを屋外に排出する強制送気式の燃焼機器、図４は屋内外の空気を取り込んで燃焼し排気ガスを送風機により屋外に排出する強制排気式の燃焼機器、図５は屋外の空気を取り込んで屋内で燃焼し排気ガスを屋外に排出する自然給排気式の燃焼機器、図６は屋外の空気の取り込みおよび排気ガスの排出を強制的に行う強制給排気式の燃焼機器をそれぞれ示す。
【００１５】
【実施例】
次に、試作したガスセンサの測定結果について説明する。以下では、バルクを用いた例について説明する。
【００１６】
図７はガスに対する感度を測定するための装置の構成を示す。この測定装置では、被測定ガスセンサ４０を管状炉４３内に配置し、この管状炉４３に電磁弁４１および質量流量計４２を経由して空気とＣＯ、Ｈ２  などの被検ガスとを流し、その温度を温度コントローラ４４により制御した。被測定ガスセンサ４０への印加電圧および電流は電圧電流計４５により測定し、その測定値はパーソナルコンピュータ４６により処理して外部記憶装置４７に蓄えた。電磁弁４１は、空気に加えて被検ガスを選択して管状炉４３に供給できる構成となっており、コントローラ４８からリレー４９を介して供給される制御信号により動作する。パーソナルコンピュータ４６は、電圧電流計４５の検出した電圧値および電流値を取り込むと、適切な時間が経過した時点で、ガス切替のための制御信号をコントローラ４８に出力する。被測定ガスセンサ４０の動作温度は２３０〜２６０℃とし、印加電圧は２．５Ｖとした。
【００１７】
ガスセンサの感度として、以下の説明では、ベースガス中での抵抗値Ｒｂａｓｅと被検ガスを流した場合の抵抗値Ｒｇａｓ  とから、
〔（Ｒｇａｓ  ／Ｒｂａｓｅ）−１〕×１００
と定義される値を用いる。
【００１８】
（第一実施例）
第一実施例として、ＣｕＯにＮａ２  ＷＯ４  ・２Ｈ２  Ｏを８重量％添加し、最高温度を５５０℃として焼成したバルクをカットして電極に取り付け、ガスセンサとした。このガスセンサの構造を図８ないし図１０に示す。図８は平面図、図９は側面図、図１０は裏面の平面図である。このガスセンサは、アルミナ基板２４上にＡｕ電極２２、２３を形成し、焼成したバルク２１をこのＡｕ電極２２、２３に接触させたものである。アルミナ基板２４の裏面には加熱のためのヒータ２５を設け、外部からではなくこのヒータ２５によりガスセンサを加熱できる構造とした。
【００１９】
図１１は被検ガスに対する感度の測定結果を示す。この測定では、ＣＯ２  濃度５％、５０℃大気圧時の飽和水蒸気分圧の水蒸気加湿相当の雰囲気をベース状態とし、このベース状態でのセンサ抵抗値Ｒｂａｓｅと、それぞれの被検ガスを流したときのセンサ抵抗値Ｒｇａｓ  との比を測定した。被検ガスとしてはＣＯ２  、ＣＯ、Ｈ２  、ＣＨ４  、ＮＯおよびＮＯ２  を用い、ＣＯ２  濃度を２．５〜１０％の範囲で変化させた場合と、５％のＣＯ２  に他の被検ガスを加えた場合とについて測定した。各被検ガスの濃度は、ＣＯについては５００、１０００、１５００、２０００および４０００ｐｐｍ、Ｈ２  については５００、１０００、２０００および４０００ｐｐｍ、ＣＨ４  については２０００ｐｐｍ、ＮＯについては２５、５０および１００ｐｐｍ、ＮＯ２  については１０、２０および３０ｐｐｍと段階的に変化させた。この測定結果から、ＣＯ２  に対する感度はほとんどなく、ＣＯ選択性が非常に高いことがわかる。
【００２０】
給湯機の不完全燃焼時におけるセンサ感度を測定するため、そのレベルを模擬したガス組成において感度特性を測定した。表１にガス組成を示し、図１２および図１３に測定結果を示す。図１２は、１ｋΩの参照抵抗Ｒｒ  と上述のガスセンサとを直列に接続して５Ｖの電圧を印加し、ＣＯ濃度の変化に対するガスセンサ両端の電圧の変化を測定した結果である。また、図１３は、この測定結果をＣＯ濃度の変化に対する感度（抵抗変化の比）の変化として表したものである。電圧変化の測定では不完全燃焼領域（ＣＯ濃度が約２０００〜４０００ｐｐｍ）に達するまでの変化が大きく、不完全燃焼そのものの検出には電圧変化の測定も有効であることがわかる。また、実用的には、出力をマイクロプロセッサその他により補正して利用することもできる。
【００２１】
【表１】
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【００２２】
図１４は図３に示した強制送風式のガス給湯機による不完全燃焼時のセンサ出力特性を示す。縦軸は、大気を送風した場合のセンサ抵抗値Ｒｂａｓｅに対する燃焼時の抵抗値Ｒｇａｓ  の比を表す。不完全燃焼はＣＯ濃度で２５００ｐｐｍ程度に相当する。図１４から、このガスセンサにより不完全燃焼を検知できることがわかる。また、図１２および図１３に示した測定結果を考慮すると、このガスセンサが主にＣＯガスを検出していることがわかる。
【００２３】
（第二実施例）
ＣｕＯにＮａ２  ＷＯ４  ・２Ｈ２  Ｏを８重量％添加し、最高温度６００℃で焼成して２ｍｍ×３ｍｍ×１ｍｍのバルクを得た。このバルクをそのまま用い、２ｍｍ×３ｍｍの面を電極に取り付け、第一実施例と同等の構造の４個ガスセンサを作成した。この４個のガスセンサについて、ＣＯ、Ｈ２  、Ｏ２  、水蒸気およびＮＯの濃度に対する抵抗値の変化を測定した。この結果を図１５ないし図１９に示す。各濃度についての測定値は４個のガスセンサについてほぼ同じであり、図１５ないし図３０にはその測定値の範囲を示す。
【００２４】
図１５はＣＯ濃度に対する抵抗値の変化を示す。この測定では、ベースガスとして、Ｎ２  に７．５％のＣＯ２  、７．５％、のＯ２  および５０℃大気圧時の飽和水蒸気分圧の水蒸気加湿相当（水蒸気１２％）を加えた雰囲気を用い、被検ガスとして、ＣＯ濃度５００ｐｐｍではＣＯを５００ｐｐｍ、Ｈ２  を２５０ｐｐｍ含むガス、ＣＯ濃度１０００ｐｐｍではＣＯを１０００ｐｐｍ、Ｈ２  を５００ｐｐｍ含むガス、ＣＯ濃度２０００ｐｐｍではＣＯを２０００ｐｐｍ、Ｈ２  を１０００ｐｐｍ含むガス、ＣＯ濃度３０００ｐｐｍではＣＯを３０００ｐｐｍ、Ｈ２  を１５００ｐｐｍ含むガスをそれぞれ用いた。
【００２５】
図１６はＨ２  濃度に対する抵抗値の変化を示す。この測定では、Ｎ２  に７．５％のＣＯ２  、７．５％のＯ２  および水蒸気１２％を加えたベースガスにＣＯを１０００ｐｐｍ加え、Ｈ２  濃度を２００〜８００ｐｐｍの範囲で変化させた。
【００２６】
図１７はＯ２  濃度に対する抵抗値の変化を示す。この測定では、Ｎ２  に７．５％のＣＯ２  および水蒸気１２％を加えたベースガスにＣＯを１０００ｐｐｍ、Ｈ２  を５００ｐｐｍ加え、Ｏ２  濃度を５〜１０％の範囲で変化させた。
【００２７】
図１８は水蒸気濃度に対する抵抗値の変化を示す。この測定では、Ｎ２  に７．５％のＣＯ２  および７．５％、のＯ２  を加えたベースガスにＣＯを１０００ｐｐｍ、Ｈ２  を５００ｐｐｍ加え、水蒸気を１０〜１４％の範囲で変化させた。
【００２８】
図１９はＮＯ濃度に対する抵抗値の変化を示す。この測定では、Ｎ２  に７．５％のＣＯ２  、７．５％、のＯ２  および水蒸気１２％を加えたベースガスにＣＯを１０００ｐｐｍ、Ｈ２  を５００ｐｐｍ加え、ＮＯ濃度を０〜１５０ｐｐｍの範囲で変化させた。
【００２９】
これらの測定結果から、Ｈ２  、Ｏ２  、水蒸気およびＮＯのそれぞれの濃度に対する抵抗値の変化に対し、ＣＯ濃度に対する抵抗値の変化が大きく、ＣＯガスの検出に適することがわかる。
【００３０】
（第三実施例）
ＣｕＯにＮａ２  ＷＯ４  ・２Ｈ２  Ｏを１０重量％添加し、最高温度６５０℃で焼成した。得られたバルクをカットして電極に取り付け、第一実施例と同等の構造のガスセンサとした。このガスセンサについて、ＣＯ、Ｈ２  、ＣＨ４  、Ｃ３  Ｈ８  に対する感度を測定した。その結果を図２０に示す。この測定では、ベースガスとして、乾燥大気に２５℃大気圧時に飽和相当の水蒸気を加えたガスを用い、各被検ガスの濃度を２０００ｐｐｍとして測定した。図２０に示した測定結果から、このガスセンサがＣＯガスに対して大きな選択性をもつことがわかる。
【００３１】
（第四実施例）
ＣｕＯにＮａ２  ＷＯ４  （無水物）を５重量％添加したペーストを櫛形の電極上にスクリーン印刷により形成し、最高温度を６５０℃として焼成し、図１および図２に示した構造の厚膜ガスセンサを作成した。セラミック基板１４としてはアルミナ基板を用い、裏面には加熱のためのヒータを設けた。
【００３２】
図２１は被検ガスに対する感度の測定結果を示す。この測定は、ベースガスとしてＮ２  に７．５％のＣＯ２  、７．５％のＯ２  および水蒸気１２％を加えたものを用い、被検ガスとして５００、１０００、２０００、３０００および４０００ｐｐｍのＣＯ、５００、１０００、２０００、３０００および４０００ｐｐｍのＨ２  、５０ｐｐｍのＮＯ、１０ｐｐｍのＮＯ２  を用いて、第一実施例と同様に行った。この測定結果から、ＣＯの選択性が非常に高いことがわかる。
【００３３】
（第五実施例）
第五実施例として、ＣｕＯにＮａ２  ＷＯ４  ・２Ｈ２  Ｏを８重量％添加し、種々の焼成温度で焼成してガスセンサを作成した。このガスセンサの構造を図２２ないし図２４に示す。図２２は斜め方向から見た図、図２３は側面図、図２４は一方の電極側から見た図である。このガスセンサは、焼成したバルク３１を電極３２、３３で挟んだ構造をもつ。
【００３４】
図２５は焼成最高温度に対するガス感度の測定結果を示す。ベースガスとしてはＣＯ２  濃度が５％の大気を用い、被検ガスとして４０００ｐｐｍのＣＯ、４０００ｐｐｍのＨ２  、５０ｐｐｍのＮＯを用いた。図の左時軸がＣＯ感度、右側軸がＨ２  感度およびＮＯ感度を示す。焼成最高温度が４００℃以上ですでに十分に高いＣＯ感度が得られ、高いバルク強度が得られる５００℃を越えるとＣＯ感度の低下が目立つ。また、焼成最高温度が８００℃以下では、Ｈ２  感度により高いＣＯ感度が得られている。
【００３５】
（第六実施例）
第六実施例として、ＣｕＯにＮａ２  ＷＯ４  （無水物）を５重量％添加したペーストを用い、種々の焼成温度で焼成して第四実施例と同等の構造のガスセンサを作成した。
【００３６】
図２６は焼成最高温度に対するガス感度の測定結果を示す。ベースガスとしてＮ２  に７．５％のＣＯ２  、７．５％のＯ２  および水蒸気１２％を加えたものを用い、被検ガスとして３０００ｐｐｍのＣＯ、３０００ｐｐｍのＨ２  、５０ｐｐｍのＮＯ、１０ｐｐｍのＮＯ２  を用いた。この測定結果から、焼成温度４５０℃以上においてすでに十分に高いＣＯ感度が得られ、５５０℃を越えるとＣＯ感度の低下が目立つ。焼成温度７０００℃以下では、Ｈ２  感度より高いＣＯ感度が得られている。
【００３７】
（第七実施例）
第七実施例として、Ｎａ２  ＷＯ４  ・２Ｈ２  Ｏの添加量を変化させてガスセンサを試作した。焼成最高温度は６００℃とした。ガスセンサの構造としては、第五実施例と同等のもの（図２２ないし図２４参照）を用いた。
【００３８】
図２７は感度の測定結果を示す。ベースガスとしてＣＯ２  濃度５％の大気、被検ガスとして４０００ｐｐｍのＣＯ、４０００ｐｐｍのＨ２  、５０ｐｐｍのＮＯを用いた。図の左時軸がＣＯ感度およびＨ２  感度、右側軸がＮＯ感度を示す。この図から、添加量が２重量％以上のときのＣＯ感度が著しく向上していることがわかる。
【００３９】
（第八実施例）
第八実施例として、ＣｕＯにＮａ２  ＭｏＯ４  ・２Ｈ２  Ｏを１０重量％添加し、最高温度を７００℃として焼成したバルクを電極に取り付けてガスセンサとした。このガスセンサの構造としては、第五実施例と同等のもの（図２２ないし図２４参照）を用いた。
【００４０】
図２８は抵抗値の測定結果を示す。ベースガスとしてＣＯ２  濃度５％の大気、被検ガスとして１０００、２０００、４０００ｐｐｍのＣＯ、２０００、４０００ｐｐｍのＨ２  、４０００ｐｐｍのＣＨ４  、５０ｐｐｍのＮＯ、１０ｐｐｍのＮＯ２  を用いた。また、測定の最初に大気のみに対する測定も行い、ＣＯ２  を含む場合と含まない場合とで抵抗値の変化は小さかった。このガスセンサは、Ｈ２  感度がＣＯ感度に近いが、現実の不完全燃焼は十分に検知可能である。
【００４１】
図２９はガスセンサの構造を第一実施例と同等（図９ないし図１１参照）とした場合に得られた測定結果を示す。ベースガスを大気とし、被検ガスとして４０００ｐｐｍのＣＯ、４０００ｐｐｍのＨ２  、４０００ｐｐｍのＣＨ４  および５％のＣＯ２  を用いた。
【００４２】
（第九実施例）
第九実施例として、Ｎａ２  ＭｏＯ４  ・２Ｈ２  Ｏの添加量を変化させてガスセンサを試作した。焼成最高温度は６００℃とした。ガスセンサの構造としては、第五実施例と同等のもの（図２２ないし図２４参照）を用いた。
【００４３】
図３０は感度の測定結果を示す。ベースガスとして大気、被検ガスとして４０００ｐｐｍのＣＯ、４０００ｐｐｍのＨ２  および５％のＣＯ２  を用いた。この測定結果から、添加量が１重量％以上でＣＯ感度が著しく向上することがわかる。
【００４４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のガスセンサは、ＣＯ２  感度がＣＯ感度に対して相対的に低下し、ガス給湯機その他の燃焼機器により排出される排気ガス中のＣＯガスを選択的に検知し、不完全燃焼を検知することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ガスセンサの望ましい実施形態を示す平面図。
【図２】ガスセンサの望ましい実施形態を示す断面図。
【図３】ガスセンサの利用形態を示す図。
【図４】ガスセンサの利用形態を示す図。
【図５】ガスセンサの利用形態を示す図。
【図６】ガスセンサの利用形態を示す図。
【図７】ガスに対する感度を測定するための装置の構成を示す図。
【図８】第一実施例のガスセンサの平面図。
【図９】第一実施例のガスセンサの側面図。
【図１０】第一実施例のガスセンサの裏面の平面図。
【図１１】第一実施例における被検ガスに対する感度の測定結果を示す図。
【図１２】給湯機の不完全燃焼レベルを模擬したガス組成におけるガスセンサ両端の電圧変化の測定結果を示す図。
【図１３】図１２の測定結果を感度の変化として表した図。
【図１４】強制送風式のガス給湯機による不完全燃焼時のセンサ出力特性を示す図。
【図１５】第二実施例におけるＣＯ濃度に対する抵抗値の変化を示す図。
【図１６】第二実施例におけるＨ２  濃度に対する抵抗値の変化を示す図。
【図１７】第二実施例におけるＯ２  濃度に対する抵抗値の変化を示す図。
【図１８】第二実施例における水蒸気濃度に対する抵抗値の変化を示す図。
【図１９】第二実施例におけるＮＯ濃度に対する抵抗値の変化を示す図。
【図２０】第三実施例における感度の測定結果を示す図。
【図２１】第四実施例における被検ガスに対する感度の測定結果を示す図。
【図２２】第五実施例のガスセンサを斜め方向から見た図。
【図２３】第五実施例のガスセンサの側面図。
【図２４】第五実施例のガスセンサを一方の電極側から見た図。
【図２５】焼成温度に対するガス感度の測定結果を示す図。
【図２６】第六実施例における焼成最高温度に対するガス感度の測定結果を示す図。
【図２７】第七実施例のガスセンサの感度測定結果を示す図。
【図２８】第八実施例のガスセンサの感度測定結果を示す図。
【図２９】第八実施例のガスセンサの構造を第一実施例と同等とした場合に得られた感度測定結果を示す図。
【図３０】第九実施例のガスセンサの感度測定結果を示す図。
【符号の説明】
１１  ｐ型部材
１２、１３  櫛型電極
１４  セラミック基板
２１、３１  バルク
２２、２３  Ａｕ電極
２４  アルミナ基板
２５  ヒータ
３２、３３  電極
４０  被測定ガスセンサ
４１  電磁弁
４２  質量流量計
４３  管状炉
４４  温度コントローラ
４５  電圧電流計
４６  パーソナルコンピュータ
４７  外部記憶装置
４８  コントローラ
４９  リレー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
0003580980.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
0003580980.tif 000018
【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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