(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
上下両面に第１ドライビングパターン及び第１ピックアップパターンが形成された第１基板と、
該第１基板の上下両面に積層され、所定の形態にパターン化された磁性体が形成された第１積層体と、
該第１積層体上にそれぞれ積層され、前記磁性体を取り囲む形態となるように第１ドライビングパターン及び第１ピックアップパターンにそれぞれ導通する第２ドライビングパターン及び第２ピックアップパターンが形成された第２積層体とを含み、
前記第１基板の上部に形成される磁性体、ドライビングパターン及びピックアップパターンと下部に形成される磁性体、ドライビングパターン及びピックアップパターンは互いに垂直に配置される、ことを特徴とする印刷回路基板製造技術により製造した弱磁界感知用センサー。
【請求項２】
前記第１基板はＣＣＬ（Ｃｏｐｐｅｒ  Ｃｌａｄ  Ｌａｍｉｎａｔｅ）である、ことを特徴とする請求項１に記載の印刷回路基板製造技術により製造した弱磁界感知用センサー。
【請求項３】
前記磁性体は、アモルファス金属、パーマロイ及びスーパーマロイからなる群から選択される、ことを特徴とする請求項１に記載の印刷回路基板製造技術により製造した弱磁界感知用センサー。
【請求項４】
前記パターン化された磁性体はバンド形状であり、ドライビングパターン及びピックアップパターンは前記磁性体に直角に形成される、ことを特徴とする請求項１に記載の印刷回路基板製造技術により製造した弱磁界感知用センサー。
【請求項５】
前記第１及び第２ドライビングパターン及び前記第１及び第２ピックアップパターンは多数の直線形態で並んで配列され、ピックアップパターンはドライビングパターンより長く形成される、ことを特徴とする請求項１に記載の印刷回路基板製造技術により製造した弱磁界感知用センサー。
【請求項６】
前記第１ドライビングパターンと第２ドライビングパターンが互いに導通するように、第１積層体及び第２積層体を貫通する第１バイアホールが形成され、前記第１ピックアップパターンと第２ピックアップパターンが互いに導通するように、第１積層体及び第２積層体を貫通する第２バイアホールが形成される、ことを特徴とする請求項１に記載の印刷回路基板製造技術により製造した弱磁界感知用センサー。
【請求項７】
前記第１ドライビングパターン及び第２ドライビングパターンは、一本のパターンで磁性体の周囲を取り囲む形態となるように、第１バイアホールを介して互いにジグザグに連結され、前記第１ピックアップパターン及び第２ピックアップパターンは、一本のパターンで磁性体の周囲を取り囲む形態となるように、第２バイアホールを介して互いにジグザグに連結される、ことを特徴とする請求項１に記載の印刷回路基板製造技術により製造した弱磁界感知用センサー。
【請求項８】
上部からｘ軸方向の第２ドライビングパターン及びピックアップパターン層（第１層）、磁性体層（第２層）、第１ドライビングパターン及びピックアップパターン層（第３層）が形成され、その下にｙ軸方向の第１ドライビングパターン及びピックアップパターン層（第４層）、磁性体層（第５層）、及び第２ドライビングパターン及びピックアップパターン層（第６層）からなり、
前記それぞれの磁性体を取り囲む形態となるように、第１ドライビングパターンと第２ドライビングパターンが互いに導通し、第１ピックアップパターンと第２ピックアップパターンが互いに導通する、ことを特徴とする印刷回路基板製造技術により製造した弱磁界感知用センサー。
【請求項９】
第１基板をドリリング及び鍍金し、露光、現像及びエッチングすることにより、一面にｘ軸方向の第１ドライビングパターン及び第１ピックアップパターンを形成し、他面にｙ軸方向の第１ドライビングパターン及び第１ピックアップパターンを形成する段階と、
前記第１基板の両面に第１基板層及び磁性体をレイアップし、露光、現像及びエッチングすることにより、対向する第１積層体を積層する段階と、
前記それぞれの第１積層体上に第２基板層及び導電層をレイアップし、ドリリング、鍍金、露光、現像及びエッチングすることにより、第２ドライビングパターン及び第２ピックアップパターンを形成する段階とを含む、ことを特徴とする印刷回路基板製造技術による弱磁界感知用センサーの製造方法。
【請求項１０】
前記磁性体としてリボン形態を使用し、前記第１積層体を製作する段階に先立ち、前記リボン形態の磁性体を第１基板層上の所定位置に積層し得るように予備レイアップを行う段階を更に含む、ことを特徴とする請求項９に記載の印刷回路基板製造技術による弱磁界感知用センサーの製造方法。
【請求項１１】
前記第１基板層及び第２基板層としてプレプレッグを用いる、ことを特徴とする請求項９に記載の印刷回路基板製造技術による弱磁界感知用センサーの製造方法。
【請求項１２】
前記プレプレッグは、ＦＲ−４、高ガラス転移温度（Ｔｇ）を有するＦＲ−４、及びビスマレイミド−トリアジン（ＢＴ）エポキシ樹脂からなる群から選択される、ことを特徴とする請求項１１に記載の印刷回路基板製造技術による弱磁界感知用センサーの製造方法。
【請求項１３】
前記ドリリングにより、第１ドライビングパターンと第２ドライビングパターンが互いに導通するように、第１積層体及び第２積層体を貫通する第１バイアホールが形成され、第１ピックアップパターンと第２ピックアップパターンが互いに導通するように、第１積層体及び第２積層体を貫通する第２バイアホールが形成される、ことを特徴とする請求項９に記載の印刷回路基板製造技術による弱磁界感知用センサーの製造方法。
【請求項１４】
前記第１ドライビングパターン及び第２ドライビングパターンは、一本のパターンで磁性体の周囲を取り囲む形態となるように、第１バイアホールを介して互いにジグザグに連結され、前記第１ピックアップパターン及び第２ピックアップパターンは、一本のパターンで磁性体の周囲を取り囲む形態となるように、第２バイアホールを介して互いにジグザグに連結される、ことを特徴とする請求項１３に記載の印刷回路基板製造技術による弱磁界感知用センサーの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は印刷回路基板製造技術により製造した弱磁界感知用センサー及びその製造方法に関し、特に、移動端末機などに実装され、地磁気を感知して位置情報を得るための、印刷回路基板製造技術により製造した弱磁界感知用センサー及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、携帯電話及び携帯端末機の普及に伴い、多様な付加情報サービスが拡充される趨勢にしたがい、その位置情報サービスも必須機能として確立されつつある。携帯電話等の位置情報サービスは、今後さらに正確で便利性の高いものが要求されることになる。
【０００３】
位置情報を把握するためには、現在位置が正確に感知できるセンサーが必要であるが、このような位置情報を把握する手段としては、地球の磁界を感知して位置を検出する弱磁界センサーが使用されている。この磁気センサーの一般の部品としてはフラックスゲートセンサーが使用されている。
【０００４】
フラックスゲートセンサーは高透磁率の磁性材料をコアとして使用し、磁性体の周囲に巻き取られた１次コイルの電圧と、コアから発生する磁界の変化により２次コイルから発生する電圧との差を用いて方向を認識する。
【０００５】
このような従来のフラックスゲートセンサーは円筒形の磁性体コアに銅線を一定の方向に巻き取って製作する。すなわち、フラックスゲートセンサーの製作は、まず磁性体コアに、磁場を発生させるため、銅線をドライビングコイル（１次コイル）として一定の方向に、かつ一定の間隔及び圧力で巻き取る。その後、ドライビングコイルにより磁性体コアから発生する磁界を感知するため、ピックアップコイル（２次コイル）を磁性体コアに巻き取る。この際にも同様に、ピックアップコイルとして銅線を一定の間隔及び圧力で巻き取る。
【０００６】
このように、銅線を巻き取って製作するフラックスゲートセンサーは、ドライビングコイルとこれから発生する磁界を検出するためのピックアップコイルとから構成される。
磁性体コアへのコイルの巻き取りは、すでに広く知られているワイヤーコイル技術（ｗｉｒｅ  ｃｏｉｌ  ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）を用いて行われる。この際、２次コイルは磁場の感度を正確に検出するために、Ｘ軸及びＹ軸方向に垂直に巻き取られる必要がある。
【０００７】
しかし、従来のフラックスゲートセンサーは、コイルをコアに巻き取る際にその位置精度が維持されなければならないが、この位置精度を維持するのが難しいという欠点があった。このような構造により、位置精度は温度、光又は表面物質により影響を強く受けるため、その特性値に対する精度が低下する問題点が発生していた。
また、フラックスゲートセンサーは、コイルを直接磁性体に巻き取るため、コイルの切れ現象が頻繁に発生するという欠点があり、さらにセンサー自体が大きくなるため、電子製品の小型化、軽量化の趨勢に反し、これにより電力消費が高なるいといった問題点があった。
【０００８】
このような従来のフラックスゲートセンサーの欠点を解決するため、米国特許第５，９３６，４０３号及び同第６，２７０，６８６号には、所定のパターンを上下に導通可能にエッチングしたエポキシ基板の両面に環状にエッチングを行ったアモルファス板を合わせて積層してアモルファスコアを製造し、アモルファスコアの上下面に、それぞれＸコイル及びＹコイルをエッチングしたエポキシ基板を積層してなる弱磁気センサーが開示されている。
しかし、米国特許第５，９３６，４０３号及び同第６，２７０，６８６号においては、エポキシ基板に環状エッチングを行いエッチング部を合わせ積層してアモルファスコアを製造し、アモルファスコアの上下面にＸコイル及びＹコイルをエッチングしたエポキシ基板を積層しなければならないため、その製造工程が複雑になり、層数が多くなって製造コストが高くなるといった欠点があった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
したがって、本発明は前述の従来技術の問題点を解決するためになされたもので、その目的は、弱磁界を精密に検出し、正確な位置精度を維持することのできる、印刷回路基板製造技術により製造した弱磁界感知用センサー及びその製造方法を提供することである。
【００１０】
本発明の他の目的は、印刷回路基板のエッチング技術を用いて、小型化、優秀な磁界効率及び低消費電力を同時に達成することにより、携帯電話などのような応用分野に要求される高密度実装に備えられる、印刷回路基板製造技術により製造した弱磁界感知用センサー及びその製造方法を提供することである。
【００１１】
また、本発明のさらに他の目的は、簡単な回路構成により構造が簡単で、製造が容易であり、製造コストを節減できる、印刷回路基板製造技術により製造した弱磁界感知用センサー及びその製造方法を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
前記のような目的を達成するため、本発明は、上下両面に第１ドライビングパターン及び第１ピックアップパターンが形成された第１基板と、該第１基板の上下両面に積層され、所定の形態にパターン化された磁性体が形成された第１積層体と、該第１積層体上にそれぞれ積層され、前記磁性体を取り囲む形態となるように第１ドライビングパターン及び第１ピックアップパターンにそれぞれ導通する第２ドライビングパターン及び第２ピックアップパターンが形成された第２積層体とを含み、前記第１基板の上部に形成される磁性体、ドライビングパターン及びピックアップパターンと下部に形成される磁性体、ドライビングパターン及びピックアップパターンは互いに垂直に配置される、印刷回路基板製造技術により製造した弱磁界感知用センサーを提供する。
【００１３】
また、本発明は、第１基板をドリリング及び鍍金し、露光、現像及びエッチングすることにより、一面にｘ軸方向の第１ドライビングパターン及び第１ピックアップパターンを形成し、他面にｙ軸方向の第１ドライビングパターン及び第１ピックアップパターンを形成する段階と、前記第１基板の両面に第１基板層及び磁性体をレイアップし、露光、現像及びエッチングすることにより、対向する第１積層体を積層する段階と、前記それぞれの第１積層体上に第２基板層及び導電層をレイアップし、ドリリング、鍍金、露光、現像及びエッチングすることにより、第２ドライビングパターン及び第２ピックアップパターンを形成する段階と、を含む、印刷回路基板製造技術による弱磁界感知用センサーの製造方法を提供する。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面に基づき本発明の構成及び作用を詳細に説明する。
【００１５】
図１及び図２は本発明による印刷回路基板製造技術により製造した弱磁界感知用センサーの一実施例の分解斜視図及び断面図である。
【００１６】
同図に示すように、本発明による印刷回路基板製造技術により製造した弱磁界感知用センサーは、ｘ軸方向の磁界感知用センサーとｙ軸方向の磁界感知用センサーが上下に重なって結合されている形態をなす。したがって、本発明によるセンサーは、ｘ軸及びｙ軸方向の磁界を同時に測定することができる。図１に示すように、ｘ軸方向の磁界とｙ軸方向の磁界を感知するため、ｘ軸方向の磁界感知用センサーとｙ軸方向の磁界感知用センサーは互いに垂直方向に配置されている。
【００１７】
本発明による印刷回路基板技術により製造した弱磁界感知用センサーは、上部から順次第２ドライビングパターン及びピックアップパターン層（第１層）、磁性体層（第２層）、第１ドライビングパターン及びピックアップパターン層（第３層）、第１ドライビングパターン及びピックアップパターン層（第４層）、磁性体層（第５層）、及び第２ドライビングパターン及びピックアップパターン層（第６層）からなる。
【００１８】
前記ｘ軸方向の磁界を感知するための構成とｙ軸方向の磁界を感知するための構成はその方向が互いに垂直に配置される点を除き、同一である。
【００１９】
まず、図１及び図２の上側に示されているｘ軸方向の磁界を感知するための構成を説明する。
【００２０】
磁性体層１を介在してその上下面にはドライビングパターン及びピックアップパターンが設けられる。より詳しくいえば、磁性体層１の下部にはドライビングパターン２とピックアップパターン４が同一平面上に多数の平行な直線形態で一定間隔を置いて、交互に配置される。また、磁性体層１の上部には下部のパターンと同一形態のドライビングパターン３とピックアップパターン５が同一平面上に交互に配置される。ここで、ピックアップパターン４、５の長さはドライビングパターン２、３の長さより長い。
【００２１】
磁性体層はバンド形態であり、ドライビングパターン２、３とピックアップパターン４、５が前記バンド形態の磁性体１の周囲を取り囲む形態となるように磁性体の上下側に同一形態に配置される。磁性体の上部に形成されたドライビングパターン３と下部に形成されたドライビングパターン２を互いに導通させるため、その間に第１バイアホール６が形成され、上部に形成されたピックアップパターン５と下部に形成されたピックアップパターン４を導通させるため、第２バイアホール７が形成される。
【００２２】
ドライビングパターン２、３は一本で磁性体を取り囲む形態となるように、互いにジグザグに連結され、ピックアップパターン４、５も一本で磁性体を取り囲む形態となるように、互いにジグザグに連結される。
【００２３】
図１の下部に示すｙ軸方向の磁界を感知するための構成も前述したｘ軸方向の磁界を感知するための構成と同一であるが、ただその方向において、ｘ軸方向の磁界感知用の構成と垂直をなしている。したがって、磁性体１′の方向、ドライビングパターン２′、３′及びピックアップパターン４′、５′の方向がｘ軸方向の感知用パターンに垂直となる。
【００２４】
こうしてなる印刷回路基板製造技術により製造した弱磁界感知用センサーは、ドライビングパターン２、３に交流電流を流すと、磁性体１の磁束密度が変わり、これによりピックアップパターン４、５で誘導電流が発生して電圧差が起こり、この電圧差を検出することで、ｘ軸方向の磁界を感知し、また、下部の構成によってｙ軸の磁界を感知することにより、両方向の位置又は方向を感知することができる。
【００２５】
図３（ａ）ないし図３（ｈ）に本発明による印刷回路基板製造技術により製造した弱磁界感知用センサーの製造方法を示す。
【００２６】
本発明によるセンサーを製造するためには、まず、第１基板１０を用意する（図３（ａ））。第１基板１０としてはＣＣＬ（Ｃｏｐｐｅｒ  Ｃｌａｄ  Ｌａｍｉｎａｔｅ）を用い、また第１基板１０には、後工程のために基準ホールを形成することが好ましい。
【００２７】
この第１基板１０の両面にドライビングフィルムを塗布し、露光及びエッチングを行ってドライビングパターン２、２′及びピックアップパターン４、４′を形成する（図３（ｂ））。ドライビングパターン２、２′及びピックアップパターン４、４′は、図１に示すように、同一平面上に並んで配列される多数の直線形態に形成される。なおここで、ドライビングパターン２とピックアップパターン４とを交互に配置するが、ピックアップパターン４の長さをドライビングパターン２の長さより長く形成し、ピックアップパターン４の各ライン間にドライビングパターン２の各ラインが位置するように形成する。一方、第１基板１０の上面に形成するパターンと下面に形成するパターンとは互いに垂直となるようにする。
【００２８】
つぎに、前述した工程によりドライビングパターン及びピックアップパターンが形成された第１基板１０の上下部に、磁性体層の設けられた第１積層体を積層する。
【００２９】
各磁性体層を形成するに当たり、位置を正確に合わせるため、磁性体が配置される銅箔の部分をパンチングする。第１基板１０上に磁性体層を積層するため、第１基板層２１を置いてから加工された銅箔を置き、加工部位に磁性物質を置く。第１基板層２１は、好ましくは部分的に硬化した状態のプレプレッグで、例えば当該技術分野に知られているＦＲ−４、高ガラス転移温度（Ｔｇ）を有するＦＲ−４、ビスマレイミド−トリアジン（ＢＴ）エポキシ樹脂などからなる群から選択される。また、磁性物質としては、アモルファス金属（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  ｍｅｔａｌ）、パーマロイ（Ｐｅｒｍａｌｌｏｙ）及びスーパーマロイ（Ｓｕｐｅｒｍａｌｌｏｙ）からなる群から選択されるが、好ましくはアモルファス金属を使用する。ここで、銅箔は厚さがおよそ１２〜１８μｍのものを使用し、プレプレッグは厚さがおよそ６０〜１００μｍのものを使用するのが好ましい。
【００３０】
本発明によると、第１基板１０の両面に第１積層体２０を設ける。１次積層のために予備レイアップを実施する。前記磁性体の大きさは典型的に第１基板層２１（又はプレプレッグ）と同一大きさに加工して使用するか、下記のように実際製品の製造工程を考慮した大きさ（例えば、磁性体リボン形態）に加工して使用する。第１積層体２０を製作するため、このような磁性体リボン形態を用いる予備レイアップの具体例が図４に示されている。
【００３１】
図４はワークサイズ（ｗｏｒｋ  ｓｉｚｅ）の基板から製作される具体例のレイアップを示すものであり、実際の工程において、完製品は多数の弱磁界感知用印刷回路基板ユニットを含む帯状に製作されるのが一般的である。同図には５本の磁性体リボン５４の予備レイアップ過程が示されている。ここで、１本の磁性体リボン５４が複数のユニットを含む帯状に製造するために使用される。したがって、このような磁性体リボンの大きさはストリップの大きさに鑑みて決定される。
しかし、帯状に製造する場合は、後続の磁性体のパターン化過程で、プレプレッグ５２上に磁性体リボン５４を、多数のユニットの製作が出来るように、同時加工可能な位置に配列する必要がある。したがって、前記具体例においては、予備レイアップのため、最上部に磁性体リボンを配列するための一種の加工銅箔５３を配列して予備レイアップを進行する。
このように、銅箔を加工するためには、二通りの方法が可能である。すなわち、金型をもって上から押し付けて所望の大きさだけ除去する方法と、一般的な基板加工方法のうち、ルータ工程により、回転加工体で所望部分を除去する方法とがある。この際、加工の大きさは磁性体リボン５４より大きくなければならないが、加工公差と前記銅箔上に磁性体リボンが覆われる問題を考慮し、１軸方向におよそ０．１〜０．２ｍｍ大きく加工することが好ましい。また、一つのストリップ内において実際製品が占める領域を考慮すると、磁性体リボン５４の大きさは十分に余裕があるため、ストリップの幅に合わせて使用することができる。しかし、磁性体リボンの長さは、ストリップが磁性体リボン内に一つ以上入ることができるので、初期設計時に決定するとよい。
【００３２】
前述したように、第１基板層２１、磁性体２２の順に予備レイアップを進行した後、高温及び高圧（例えば、およそ１５０〜２００℃及び３０〜４０ｋｇ／ｃｍ２）で加圧、積層して第１積層体２０を製作する（図３（ｃ））。下部の第１積層体２０′も同一方法により製作されるが、ただ磁性体の方向が上部の磁性体に垂直となる。
【００３３】
１次積層が完了した後の第１積層体２０の構造は、両面にそれぞれ磁性体１、１′が積層されている形態である。ここで、第１基板層（プレプレッグ）２１、２１′及び磁性体の厚さはおよそ０．０６〜０．１ｍｍ及びおよそ０．０２〜０．０３ｍｍの範囲が適当であるが、これは最終製品に要求される特性によって変化できる。その後、第１積層体２０、２０′上にドライフィルム（又はフォトレジスト）を提供した後、予め設計された磁性体のパターンによって露光及び現像を行い、一定のパターンに形成されたドライフィルム層をマスクとして前記磁性体１、１′をエッチングする（図３（ｄ））。なお前記露光、現像及びエッチング過程の一般的な原理は当業界に広く知られているものを用いる。
その後、前記ドライフィルム層がストリッピングされ、その結果、  第１積層体２０、２０′上に一定にパターン化された磁性体のみが残る（図３（ｅ））。
【００３４】
このように、第１積層体２０の磁性体のパターン化過程が終了すると、前述したように、第１積層体の上下部にそれぞれ第２基板層（又はプレプレッグ）３１及び第２導電層（又は銅箔）３３を臨時に載置した状態（予備レイアップ）で、高温及び高圧の条件（例えば、およそ１５０〜２００℃、３０〜４０ｋｇ／ｃｍ２）で加圧、積層させて第２積層体３０を製作する（図３（ｆ））。
【００３５】
その後、磁性体１を第１ドライビングパターン２及び第２ドライビングパターン３が取り囲む形態とするため、第１ドライビングパターン２と第２ドライビングパターン３が互いに導通するように第１積層体２０及び第２積層体３０に第１バイアホール６を形成するとともに、第１ピックアップパターン４及び第２ピックアップパターン５が互いに導通するように第１積層体２０及び第２積層体３０に第２バイアホール７を形成する。その後、第１バイアホール６及び第２バイアホール７の内面に導電性金属（つまり、銅）で鍍金を施す（図３（ｇ））。下部のｙ軸感知用のパターンにも同一方法で第２積層体３０′を製作し、第１バイアホール６′及び第２バイアホール７′を形成する。
【００３６】
ついで、各第２積層体３０、３０′上に一般的な印刷回路基板の製造工程である露光、現像及びエッチングにより、前記パターン化された磁性体に対応する第２ドライビングパターン３、３′及び第２ピックアップパターン５、５′を形成する（図３（ｈ））。
【００３７】
このように形成された第２ドライビングパターン層３、３′と第１ドライビングパターン層２、２′は第１バイアホール６、６′により互いに導通して、磁性体１、１′を取り囲む形態となるので、フラックスゲートセンサーのドライビングコイルの役目を果たす。また、ピックアップパターンは第２バイアホール７、７′により互いに導通して前記磁性体１、１′を取り囲む形態となるので、フラックスゲートセンサーのピックアップコイルの役目を果たす。
【００３８】
次いで、外部に露出するパターン化された導電層（つまり、銅回路）が湿気などにより酸化することを防止するため、導電層を除く部分に選択的にソルダマスクを塗布し、導電層上にニッケル（又はニッケル−燐）鍍金層及びゴールド鍍金層を順次形成する。なお、このような過程の詳細は印刷回路基板の分野によく知られているものである。
【００３９】
一方、第１積層体２０、第２積層体３０の製作過程に使用される導電層としては銅箔を用いることができる。ここで、銅箔の厚さとしては、１２μｍ、１８μｍ、３５μｍなどの規格化された種類のものを用いることができる。ただし、例えば、厚さ３５μｍの銅箔を使用する場合には、積層後のドリル工程前に回路パターンの形成のため、ハーフエッチングにより本来の銅箔の厚さを少なくともおよそ５〜７μｍに減少させる必要がある。
【００４０】
本発明による印刷回路基板製造技術により製造した弱磁界感知用センサーは、携帯電話、携帯用端末機の他にも、自動車、航空機、ゲーム機、玩具ロボットなどのように、地球の磁界を検出して位置を確認するものすべてに広く使用することができる。
【００４１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明は、磁性体が付着された基板上にエッチングなどにより回路を形成し、ドライビングパターン及びピックアップパターンを形成することで弱磁界を感知することのできる印刷回路基板及びその製造方法を提供する。
【００４２】
本発明によると、弱磁界感知用基板上にエッチングなどにより回路が精度よく形成されるので、より精密な特性値が得られ、位置精度を維持して特性値変化に対する影響を減らすことができる。
【００４３】
また、本発明は薄小型の低消費電力の弱磁界感知用センサーを提供することができるので、携帯端末機などの小型電子製品に容易に適用することができる。
【００４４】
さらに、本発明はｘ軸及びｙ軸方向のドライビングパターン及びピックアップパターンを同時に形成することにより、ｘ軸及びｙ軸の２方向の磁界を同時に感知することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による印刷回路基板製造技術により製造した弱磁界感知用センサーの一実施例の分解斜視図である。
【図２】図１の積層状態を示す断面図である。
【図３】本発明による印刷回路基板製造技術により製造した弱磁界感知用センサーの一実施例の製造工程を示す工程図である。
【図４】本発明による１次積層体の予備レイアップ工程を示す概略斜視図である。
【符号の説明】
１、１′  磁性体
２、２′、３、３′  ドライビングパターン
４、４′、５、５′  ピックアップパターン
６、６′  第１バイアホール
７、７′  第２バイアホール
１０  第１基板
２０、２０′  第１積層体
２１、２１′  第１基板層
２２、２２′  磁性体
３０、３０′  第２積層体
３１、３１′  第２基板層
５２  プレプレッグ
５３  銅箔
５４  リボン
【図１】
0003570630.tif 000002
【図２】
0003570630.tif 000003
【図３】
0003570630.tif 000004
【図４】
0003570630.tif 000005