Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月18日(2014.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
あるいは、図３（Ｂ）および図４（Ｂ）に示したように、保護膜１６において切り欠き領域としての凹部１６０が設けられているようにしてもよい。具体的には、この切り欠き領域（凹部１６０）はＹ軸方向に沿って形成されており、この切り欠き領域において有機半導体層１４とソース・ドレイン電極１５Ａ，１５Ｂとが重畳されている（図４（Ｂ）および図５（図３（Ｂ）におけるＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った矢視断面図）中の符号Ｐ１２参照）。ただし、ソース・ドレイン電極１５Ａ，１５Ｂのうちの上記したアライメントずれ吸収領域１５０は、この凹部１６０とは重ならないように配置されている。このような凹部１６０を設けた場合にも、詳細は後述するが、有機半導体層１４の端部（半導体島のエッジ部分）付近での配線層１７Ａ，１７Ｂの断線（段切れ）が生じにくくなる（望ましくは、そのような断線の発生が回避される）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
まず、図６（Ａ）に示したように、図示しない基板１１上にゲート電極１２およびゲート配線１２Ｌを形成し、これらのゲート電極１２およびゲート配線１２Ｌの上に図示しないゲート絶縁膜１３を形成する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
次に、図６（Ｄ）に示したように、有機半導体層１４およびソース・ドレイン電極１５Ａ，１５Ｂの上に、上述した材料からなる保護膜１６を形成する。具体的には、例えば（Ｃ6Ｆ10）nなどのフッ素樹脂を全面塗布した後、その膜上に一般的なフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィ技術を用いて所望のパターンを形成することにより、保護膜１６を形成する。このフォトリソグラフィ技術を用いたパターン形成の際には、例えば酸素プラズマを用いて、フッ素樹脂膜をドライエッチング加工する。このドライエッチングでは、ソース・ドレイン電極１５Ａ，１５Ｂにおいて前述したアライメントずれ吸収領域１５０が露出するまで行う。そして、エッチング加工後は、フォトレジストを除去する。なお、感光性フッ素樹脂を用いた、フォトリソグラフィ技術によるパターン形成も可能である。また、ここでは、フォトリソグラフィ技術を用いたパターン形成を例に挙げて説明したが、これには限られない。更に、例えば反転オフセット印刷法等の印刷法を用いて、保護膜１６を直接的にパターン形成することも可能である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８３】
本実施の形態の薄膜トランジスタ１Ｃは、基本的には薄膜トランジスタ１と同様の構成となっている。ただし、この薄膜トランジスタ１Ｃでは、以下詳述するように、ソース・ドレイン電極１５Ａ，１５Ｂおよび配線層１７Ａ，１７Ｂの双方が、真空成膜プロセスおよびフォトリソグラフィ技術を用いて形成されている（真空成膜形成）。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０４】
次いで、図１８（Ｂ）に示したように、例えばスパッタ法等を用いて配線層１７０を全面に成膜する。そののち、図１８（Ｃ）に示したように、レジスト膜８を配線層１７Ａ，１７Ｂの形状にパターン印刷する。続いて、例えば硝酸・フッ酸・燐酸の混酸を用いて、配線層１７０をウェットエッチング加工し、その後レジスト膜８を溶解・除去することにより、図１９（Ａ）に示したように配線層１７Ａ，１７Ｂが形成される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０５】
次に、図１９（Ｂ）中の符号Ｐ４で示したように、印刷プロセス（ここではインクジェット法）を用いて、バンク１９内に、ソース・ドレイン電極１５Ａ，１５Ｂの構成材料からなるインクを滴下して充填する。これにより、例えば図１９（Ｃ）に示したように、バンク１９内に滴下されたインクが濡れ広がることにより、ソース・ドレイン電極１５Ａ，１５Ｂがバンク１９を用いて自己整合的に形成される。またこのとき、ここでは、ソース・ドレイン電極１５Ａ，１５Ｂの各端部（一方の端部）が、バンク１９内から開口部１９０を介して、配線部１７Ａ，１７Ｂ側へ突出する（はみ出す）。このような突出部（はみ出し部）が、ソース・ドレイン電極１５Ａ，１５Ｂと配線部１７Ａ，１７Ｂとの電気的接続部分（コンタクト部）として機能する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２０】
また、この薄膜トランジスタ１Ｅでは、ソース・ドレイン電極１５Ａ，１５Ｂはそれぞれ、所定形状のバンク（バンク１９またはバンク１９Ａ）内にソース・ドレイン電極１５Ａ，１５Ｂの構成材料（インク）が滴下されて充填されることにより形成されたものとなっている。そして、薄膜トランジスタ１Ｅでは、有機半導体層１４は、上記したバンクの除去後にソース・ドレイン電極１５Ａ，１５Ｂ上に形成されたものとなっている。すなわち、薄膜トランジスタ１Ｅでは薄膜トランジスタ１Ｄとは異なり、最終的にバンクが除去されて残存しないようになっている。ただし、このようにバンクを用いてソース・ドレイン電極１５Ａ，１５Ｂを形成する場合には限られず、バンクを用いずにソース・ドレイン電極１５Ａ，１５Ｂを形成するようにしてもよい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３２】
この表示装置２は、基板１１、ＴＦＴ層２２、表示層２３および透明基板２４をこの順に積層したものである。具体的には、基板１１における表示領域２０Ａ上には、ＴＦＴ層２２、表示層２３および透明基板２４が積層される一方、基板１１における額縁領域（非表示領域）２０Ｂ上には、これらのＴＦＴ層２２、表示層２３および透明基板２４は積層されていない。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４５】
また、上記実施の形態等では、上記実施の形態等では、本開示の半導体素子の一例として、有機半導体層、ゲート電極、一対のソース・ドレイン電極および配線層を備えた薄膜トランジスタ（有機ＴＦＴ）を挙げて説明したが、これには限られない。すなわち、例えば、有機半導体層、一対の電極（アノード電極およびカソード電極）ならびに配線層を備えたダイオード（整流素子）等の他の半導体素子に対しても、本技術を適用することが可能である。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2013030730.tif 000001
【手続補正１１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2013030730.tif 000002
【手続補正１２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９】
2013030730.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月27日(2015.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体基板の再生方法、及びＳＯＩ基板の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
損傷半導体領域と絶縁層とを含む凸部が周縁部に存在する半導体基板に対し、
前記絶縁層を除去するエッチング処理と、
硝酸、前記硝酸によって酸化された前記半導体基板を構成する半導体材料を溶解する物質、前記半導体材料の酸化速度及び前記酸化された半導体材料の溶解速度を制御する物質、及び亜硝酸を含み、前記亜硝酸の濃度が１０ｍｇ／ｌ以上１０００ｍｇ／ｌ以下である混合液を用いて、未損傷の半導体領域に対して前記損傷半導体領域を選択的に除去するエッチング処理と、を行う半導体基板の再生方法。
【請求項２】
イオンの照射及び熱処理を経て一部を半導体層として分離することにより、周縁部に損傷半導体領域と、絶縁層とを含む凸部が残存した半導体基板に対し、
前記絶縁層を除去するエッチング処理と、
硝酸、前記硝酸によって酸化された前記半導体基板を構成する半導体材料を溶解する物質、前記半導体材料の酸化速度及び前記酸化された半導体材料の溶解速度を制御する物質、及び亜硝酸を含み、前記亜硝酸の濃度が１０ｍｇ／ｌ以上１０００ｍｇ／ｌ以下である混合液を用いて、未損傷の半導体領域に対して前記損傷半導体領域を選択的に除去するエッチング処理と、を行う半導体基板の再生方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の方法を用いて、前記半導体基板から再生半導体基板を作製し、
作製された再生半導体基板中にイオンを添加して脆化領域を形成し、
絶縁層を介して、前記再生半導体基板とベース基板を貼り合わせ、
熱処理によって前記再生半導体基板を分離して、前記ベース基板上に半導体層を形成するＳＯＩ基板の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月18日(2015.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
制御対象物である移動体と、
移動体を駆動する駆動部と、
前記移動体の動きにともなって変動する検知対象を視認する視認部と、
前記視認部による画像情報に基づき、前記駆動部を介して前記移動体の動きを制御する制御部とを備え、
前記制御部は、前記視認部から所定周期にしたがって順次取り込まれる個々の画像情報を、数ベクトル空間を除くヒルベルト空間における１点と解釈して、安定化制御方法により、前記検知対象を目標状態に導くことを特徴とする移動体の動作制御装置。
【請求項２】
前記視認部から所定周期にしたがって順次取り込まれる個々の画像情報を、ヒルベルト空間の一つである多項式空間の一点と解釈して、安定化制御方法により、前記検知対象を目標状態に導くことを特徴とする請求項１記載の移動体の動作制御装置。
【請求項３】
前記視認部から所定周期にしたがって順次取り込まれる個々の画像情報を、ヒルベルト空間の一つである行列空間の一点と解釈して、安定化制御方法により、前記検知対象を目標状態に導くことを特徴とする請求項１記載の移動体の動作制御装置。
【請求項４】
前記安定化制御方法として、LQG制御方法を利用することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項記載の移動体の動作制御装置。
【請求項５】
前記移動体が水を収容した水槽、前記駆動部が前記水槽を一方向に往復動させる駆動部、前記視認部が前記水槽を視認するカメラであり、前記制御部が前記カメラにより取得された画像情報に基づき前記駆動部により前記移動体を制御して前記水槽内の水を揺動状態から静止状態へ整定するスロッシング制御装置であって、
前記制御部は、前記カメラから所定周期にしたがって順次取り込まれる水槽中の水の画像情報を、数ベクトル空間を除くヒルベルト空間における１点と解釈して、安定化制御方法により、前記水槽内の水を揺動状態から静止状態へ整定するように前記駆動部を制御することを特徴とするスロッシング制御装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明に係る移動体の動作制御装置は、制御対象物である移動体と、移動体を駆動する駆動部と、前記移動体の動きにともなって変動する検知対象を視認する視認部と、前記視認部による画像情報に基づき、前記駆動部を介して前記移動体の動きを制御する制御部とを備え、前記制御部は、前記視認部から所定周期にしたがって順次取り込まれる個々の画像情報を、数ベクトル空間を除くヒルベルト空間における１点と解釈して、安定化制御方法により、前記検知対象を目標状態に導くことを特徴とする。
なお、ヒルベルト空間には、数ベクトル空間、多項式空間、実行列空間等の種々の空間が定義される。数ベクトル空間による制御方法は、いわゆる特徴量を抽出して制御する方法に相当する。本発明は、画像情報を、数ベクトル空間を除く、多項式空間、実行列空間等のヒルベルト空間の１点と解釈して制御する方法であり、画像情報から特徴量を抽出することなく制御する方法である。すなわち、前記視認部から所定周期にしたがって順次取り込まれる個々の画像情報を、ヒルベルト空間の一つである多項式空間の一点と解釈して、安定化制御方法により、前記検知対象を目標状態に導くことができ、あるいは前記視認部から所定周期にしたがって順次取り込まれる個々の画像情報を、ヒルベルト空間の一つである行列空間の一点と解釈して、安定化制御方法により、前記検知対象を目標状態に導くことができる。
安定化制御方法とは、移動体を所望の状態に整定させるための制御手法であり、LQG制御方法、H∞制御方法などが利用できる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、本発明に係るスロッシング制御装置は、前記移動体が水を収容した水槽、前記駆動部が前記水槽を一方向に往復動させる駆動部、前記視認部が前記水槽を視認するカメラであり、前記制御部が前記カメラにより取得された画像情報に基づき前記駆動部により前記移動体を制御して前記水槽内の水を揺動状態から静止状態へ整定するスロッシング制御装置として構成され、前記制御部は、前記カメラから所定周期にしたがって順次取り込まれる水槽中の水の画像情報を、数ベクトル空間を除くヒルベルト空間における１点と解釈して、安定化制御方法により、前記水槽内の水を揺動状態から静止状態へ整定するように前記駆動部を制御することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月14日(2015.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーティリティメータ（１１０）を設定するための方法（３００）であって、
１つまたは複数のコンピュータを備えるデバイス（１０５）によってメータ設定アプリケーションを実行するステップ（３０５）と、
前記デバイス（１０５）によってユーティリティメータタイプに関連するプラグインモジュール（２３０）を受信するステップ（３１０）と、
前記メータ設定アプリケーションに前記プラグインモジュール（２３０）を提供することにより前記ユーティリティメータタイプのための設定ファイル（２４５）を構築するステップ（３１５）であって、該ステップ（３１５）が、前記設定アプリケーションに関連する１つまたは複数の抽象インターフェースクラスを呼び出すために前記プラグインモジュール（２３０）を利用するステップ（４１５）を含む、前記ステップ（３１５）と、
前記デバイス（１０５）によって、前記設定ファイル（２４５）を利用して前記ユーティリティメータ（１１０）を設定するステップ（３２０）と
を含む方法。
【請求項２】
メータ設定アプリケーションを実行するステップ（３０５）は、複数のそれぞれ異なるメータタイプによる使用に適応され得る予め定義された機能を備えるアプリケーションを実行するステップを含む、請求項１記載の方法（３００）。
【請求項３】
メータ設定アプリケーションを実行するステップ（３０５）は、前記ユーティリティメータタイプでの使用に適応され得る１つまたは複数のインターフェースを備えるアプリケーションを実行するステップを含む、請求項２記載の方法（３００）。
【請求項４】
プラグインモジュール（２３０）を受信するステップ（３１０）は、前記ユーティリティメータタイプに関連するダイナミックリンクライブラリアセンブリを受信するステップを含む、請求項１乃至３のいずれかに記載の方法（３００）。
【請求項５】
１つまたは複数の抽象インターフェースクラスを呼び出すために前記プラグインモジュール（２３０）を利用するステップ（４１５）は、１つまたは複数の双方向インターフェースを呼び出すステップを含む、請求項５記載の方法（３００）。
【請求項６】
前記ユーティリティメータ（１１０）を設定するステップ（３２０）は、
前記ユーティリティメータから前記デバイス（１０５）によって前記ユーティリティメータ（１１０）に関連するデータを受信するステップと、
前記受信されたデータを利用して前記デバイス（１０５）によって前記設定ファイル（２４５）を修正するステップと、
前記修正された設定ファイルを前記ユーティリティメータ（１１０）に提供するステップと
を含む、請求項１乃至５のいずれかに記載の方法（３００）。
【請求項７】
システム（１０５）であって、
コンピュータ実行可能命令を記憶するように設定された少なくとも１つのメモリ（１２２）と、
前記少なくとも１つのメモリ（１２２）にアクセスし、
メータ設定アプリケーションを実行し（３０５）、
ユーティリティメータタイプに関連するプラグインモジュール（２３０）を受信し（３１０）、
前記メータ設定アプリケーションに前記プラグインモジュール（２３０）を提供することにより、前記ユーティリティメータタイプのための設定ファイル（２４５）を構築し（３１５）、
前記設定ファイル（２４５）を利用してユーティリティメータ（１１０）を設定する（３２０）
ための前記コンピュータ実行可能命令を実行するように設定された少なくとも１つのプロセッサ（１２０）と
を備え、
前記少なくとも１つのプロセッサ（１２０）は、前記設定アプリケーションに関連する１つまたは複数の抽象インターフェースクラスを呼び出すために前記コンピュータ実行可能命令を実行することにより前記設定ファイル（２４５）を構築するように構成されている、
システム（１０５）。
【請求項８】
前記メータ設定アプリケーションは、複数のそれぞれ異なるメータタイプによる使用に適応され得る予め定義された機能を備える、請求項７記載のシステム（１０５）。
【請求項９】
前記予め定義された機能は、前記ユーティリティメータタイプでの使用に適応され得る１つまたは複数のインターフェースを備える、請求項８記載のシステム（１０５）。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月11日(2015.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】蓄電装置の電極の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集電体と、前記集電体上に設けられた活物質層と、を有し、
前記活物質層は、複数のウィスカー状の活物質体を有し、
前記複数のウィスカー状の活物質体は、芯と、前記芯のまわりの外殻と、を有し、
前記外殻は、非晶質構造である蓄電装置の電極の作製方法であって、
前記活物質層は、反応室内において、圧力を２０Ｐａ以上２００Ｐａ以下とし、５３０℃以上５８０℃未満の温度で、ＬＰＣＶＤ法によりシランガスと窒素ガスを用いて形成することを特徴とする蓄電装置の電極の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記反応室の壁面の温度は、前記集電体が配置された基板の温度と等しくすることを特徴とする蓄電装置の電極の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月29日(2015.4.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の活物質粒子と、１乃至１００のグラフェンよりなるグラフェンネットとを有し、
前記複数の活物質粒子が前記グラフェンネットにより覆われている電極を有する電気機器。
【請求項２】
請求項１において、
前記活物質粒子はその表面にカーボンがコーティングされていることを特徴とする電気機器。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記グラフェンネットに含まれる炭素と水素以外の元素の比率は１５原子％以下であることを特徴とする電気機器。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記活物質粒子の平均粒径は１５０ｎｍ以下であることを特徴とする電気機器。
【請求項５】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記活物質粒子の平均粒径は２０ｎｍ乃至１００ｎｍであることを特徴とする電気機器。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記活物質粒子は、コバルト酸リチウム、リン酸鉄リチウム、リン酸マンガンリチウムのいずれかの粒子であることを特徴とする電気機器。
【請求項７】
酸化グラフェンと活物質粒子を混合する工程と、
前記酸化グラフェンと前記活物質粒子との混合物を、真空中もしくは還元性雰囲気中で還元する工程と、を有する電気機器の作製方法。
【請求項８】
請求項７において、
前記混合物を集電体上に塗布する工程を有する電気機器の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月1日(2015.5.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】蓄電装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
合金系負極材料粒子あるいは合金系負極材料ウィスカを負極として有し、
前記粒子あるいは前記ウィスカは、表面が１層乃至５０層のグラフェンの層よりなるカーボン膜に覆われており、
前記カーボン膜は少なくとも１つの空孔を有する蓄電装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記カーボン膜は、前記粒子あるいは前記ウィスカの表面に酸化グラフェンを形成した後、前記酸化グラフェンを還元して得られる蓄電装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記カーボン膜に含まれる炭素と水素以外の元素の濃度は１５原子％以下である蓄電装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記カーボン膜に含まれる酸素の濃度は５原子％以上１５原子％以下である蓄電装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記粒子あるいは前記ウィスカは、表面に、前記カーボン膜とは異なる材料の層を有する蓄電装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月10日(2015.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭素源を用意する工程、
可動イオン源を用意する工程、
活性金属材料を用意する工程、
網状構造材料を用意する工程、
フラックス材料を用意する工程、
炭素源、可動イオン源、活性金属材料、フラックス材料、及び網状構造材料を混合する混合工程、
混合物を非酸化性雰囲気中で所定の温度に加熱して反応生成物を形成する工程、並びに
反応生成物を洗浄して炭素でコーティングされたポリアニオン活物質を形成する工程
を含む、ポリアニオン活物質の形成方法。
【請求項２】
炭素源が、炭水化物、芳香族炭化水素、炭素、水素及び酸素を含む有機化合物、並びにグラファイトから選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
可動イオン源が、ＬｉＯＨ、ＬｉＣｌ、ＬｉＢｒ、ＬｉＩ、ＬｉＮＯ3、Ｌｉ2ＣＯ3、Ｌｉ2ＳＯ4、Ｌｉ3ＰＯ4、ＬｉＨ2ＰＯ4、ＬｉＣＯＯＣＨ3、ＭｇＯ、Ｍｇ（ＯＨ）2、ＭｇＣｌ2、ＭｇＢｒ2、ＭｇＩ2、Ｍｇ（ＮＯ3）2、ＭｇＣＯ3、ＭｇＳＯ4、Ｍｇ3（ＰＯ4）2、及びＭｇ（ＣＯＯＣＨ3）2から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
活性金属材料が遷移金属化合物から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
遷移金属化合物が、ＭｎＯ、ＭｎＣＯ3、ＭｎＳＯ4、ＭｎＣｌ2、ＭｎＢｒ2、ＭｎＩ2、Ｍｎ（ＣＯＯＣＨ3）2、ＦｅＳＯ4、ＦｅＣｌ2、ＦｅＢｒ2、ＦｅＩ2、Ｆｅ（ＣＯＯＣＨ3）2、ＦｅＣ2Ｏ4、ＦｅＣ6Ｈ8Ｏ7、Ｆｅ（ＮＯ3）3、Ｃｒ2Ｏ3、Ｃｒ2（ＣＯ3）3、ＣｒＣｌ3、ＣｒＢｒ3、ＣｒＩ3、Ｖ2Ｏ5、Ｖ2Ｏ3、ＮｉＯ、ＮｉＣＯ3、ＮｉＣｌ2、ＮｉＢｒ2、ＮｉＩ2、Ｎｉ（ＯＨ）2、Ｎｉ（ＮＯ3）2、Ｃｏ3Ｏ4、ＣｏＣＯ3、ＣｏＣｌ2、ＣｏＢｒ2、ＣｏＩ2、Ｃｏ（ＯＨ）2を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
網状構造材料がＳｉＯ2及びＨ3ＰＯ4を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
フラックス材料が、アルカリ金属及びアルカリ土類金属の塩化物、臭化物及びヨウ化物、並びにそれらの混合物を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
炭素でコーティングされたポリアニオン活物質が１５ｎｍ〜５０μｍの平均直径を有する結晶の形態である、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
混合工程が材料を均一な微細混合物に砕くことを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
炭素でコーティングされたポリアニオン活物質がその場で形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
混合物がフラックス材料の溶融温度よりも高い温度に加熱される、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
フラックス材料がＫＣｌを含み、可動イオン源がＭｇＯを含み、活性金属材料がＭｎＣＯ3を含み、網状構造材料がＳｉＯ2を含み、炭素源がグルコースを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
炭素源、マグネシウム系可動イオン源、マンガンを含む活性金属材料、二酸化ケイ素を含む網状構造材料、及びフラックス材料のその場反応生成物を含むポリアニオン活物質であって、その上に形成された炭素コーティングを含むポリアニオン活物質。
【請求項１４】
炭素源が、炭水化物、芳香族炭化水素、炭素、水素及び酸素を含む有機化合物、並びにグラファイトから選択される、請求項１３に記載のポリアニオン活物質。
【請求項１５】
可動イオン源が、ＭｇＯ、Ｍｇ（ＯＨ）2、ＭｇＣｌ2、ＭｇＢｒ2、ＭｇＩ2、Ｍｇ（ＮＯ3）2、ＭｇＣＯ3、ＭｇＳＯ4、Ｍｇ3（ＰＯ4）2、及びＭｇ（ＣＯＯＣＨ3）2から選択される、請求項１３に記載のポリアニオン活物質。
【請求項１６】
遷移金属化合物が、ＭｎＯ、ＭｎＣＯ3、ＭｎＳＯ4、ＭｎＣｌ2、ＭｎＢｒ2、ＭｎＩ2、Ｍｎ（ＣＯＯＣＨ3）2を含む、請求項１３に記載のポリアニオン活物質。
【請求項１７】
フラックス材料が、アルカリ金属及びアルカリ土類金属の塩化物、臭化物及びヨウ化物、並びにそれらの混合物を含む、請求項１３に記載のポリアニオン活物質。
【請求項１８】
炭素でコーティングされたポリアニオン活物質が１５ｎｍ〜５０μｍの平均直径を有する結晶の形態である、請求項１３に記載のポリアニオン活物質。
【請求項１９】
アノード、
電解質、及び
カソード
を含む電池であって、該カソードが、炭素源、マグネシウム系可動イオン源、マンガンを含む活性金属材料、二酸化ケイ素を含む網状構造材料、及びフラックス材料のその場反応生成物を有するポリアニオン活物質を含み、該ポリアニオン活物質がその上に形成された炭素コーティングを含む、電池。
【請求項２０】
炭素でコーティングされたマグネシウムマンガンシリケートが式Ｍｇ1.03Ｍｎ0.97ＳｉＯ4／Ｃを含む、請求項１３に記載のポリアニオン活物質。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月1日(2015.5.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（Ｇ１）で表される第１のイオン液体と、
一般式（Ｇ２）で表される第２のイオン液体と、を含み、
前記第１のイオン液体の化合物構造は、前記第２のイオン液体と異なることを特徴とする非水溶媒。
【化１】
2013030473.tif 000001
（式中、Ｒ１〜Ｒ５は、それぞれ独立に、水素原子、又は炭素数が１〜２０のアルキル基、メトキシ基、メトキシメチル基、若しくはメトキシエチル基のいずれかを表し、Ａ１−は、１価のイミドアニオン、１価のメチドアニオン、パーフルオロアルキルスルホン酸アニオン、テトラフルオロボレート、又はヘキサフルオロホスフェートのいずれかを表す。）
【化２】
2013030473.tif 000002
（式中、Ｒ６〜Ｒ１０は、それぞれ独立に、水素原子、又は炭素数が１〜２０のアルキル基、メトキシ基、メトキシメチル基、若しくはメトキシエチル基のいずれかを表し、Ａ２−は、１価のイミドアニオン、１価のメチドアニオン、パーフルオロアルキルスルホン酸アニオン、テトラフルオロボレート、又はヘキサフルオロホスフェートのいずれかを表す。）
【請求項２】
一般式（Ｇ３）で表される第１のイオン液体と、
一般式（Ｇ４）で表される第２のイオン液体と、を含むことを特徴とする非水溶媒。
【化３】
2013030473.tif 000003
（式中、Ｒ１〜Ｒ５は、それぞれ独立に、水素原子、又は炭素数が１〜２０のアルキル基、メトキシ基、メトキシメチル基、若しくはメトキシエチル基のいずれかを表し、Ａ１−は、１価のイミドアニオン、１価のメチドアニオン、パーフルオロアルキルスルホン酸アニオン、テトラフルオロボレート、又はヘキサフルオロホスフェートのいずれかを表す。）
【化４】
2013030473.tif 000004
（式中、Ｒ６〜Ｒ９は、それぞれ独立に、水素原子、又は炭素数が１〜２０のアルキル基、メトキシ基、メトキシメチル基、若しくはメトキシエチル基のいずれかを表し、Ａ２−は、１価のイミドアニオン、１価のメチドアニオン、パーフルオロアルキルスルホン酸アニオン、テトラフルオロボレート、又はヘキサフルオロホスフェートのいずれかを表す。）
【請求項３】
請求項１または２において、
前記第２のイオン液体は凝固点降下剤として機能することができることを特徴とする非水溶媒。
【請求項４】
正極、負極、電解液及びセパレータを有する蓄電装置であって、
前記電解液は、請求項１乃至請求項３のいずれか一に記載の前記非水溶媒を含むことを特徴する蓄電装置。
【請求項５】
正極、負極、電解液及びセパレータを有する蓄電装置であって、
前記電解液は、請求項１乃至請求項３のいずれか一に記載の前記非水溶媒及びリチウムイオンを含む電解質塩を含むことを特徴とする蓄電装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月21日(2015.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】蓄電装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極と、
負極と、
前記正極と前記負極との間に設けられたセパレータと、
電界液と、を有し、
前記正極又は前記負極は、集電体と、前記集電体上の活物質層とを有し、
前記活物質層は、炭素原子と結合する窒素原子による空孔を有するグラフェンを有する蓄電装置。
【請求項２】
正極と、
負極と、
前記正極と前記負極との間に設けられたセパレータと、
電界液と、を有し、
前記正極又は前記負極は、集電体と、前記集電体上の活物質層とを有し、
前記活物質層は、炭素原子と結合するハロゲン原子による空孔を有するグラフェンを有する蓄電装置。
【請求項３】
正極と、
負極と、
前記正極と前記負極との間に設けられたセパレータと、
電界液と、を有し、
前記正極又は前記負極は、集電体と、前記集電体上の活物質層とを有し、
前記活物質層は、炭素原子と結合する硫黄原子による空孔を有するグラフェンを有する蓄電装置。
【請求項４】
前記グラフェンは、窒素濃度が０．４原子％以上４０原子％以下である請求項１に記載の蓄電装置。
【請求項５】
前記空孔は、リチウムイオンが透過する請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の蓄電装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月29日(2015.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の２つの第１の電極と、
２つの前記第１の電極と重なる第２の電極と、
２つの前記第１の電極のそれぞれと前記第２の電極との間の発光性の有機化合物を含む層と、を備える２つの発光素子と、
２つの前記第１の電極の端部を覆う絶縁性の隔壁と、を有し、
前記第１の電極と前記第２の電極のいずれか一方は、前記発光性の有機化合物を含む層が発する光に対して透光性を有し、
前記発光性の有機化合物を含む層は、前記第１の電極と重なる部分に厚さＡ０の部分を備え、
前記発光性の有機化合物を含む層は、前記隔壁と重なる部分に厚さＡ１の部分を備え、
前記第２の電極は、前記第１の電極と重なる部分に厚さＢ０の部分を備え、
前記第２の電極は、前記隔壁と重なる部分に厚さＢ１の部分を備え、
前記厚さＡ１は、前記厚さＡ０の１／２より薄く、
前記厚さＢ０に対する前記厚さＢ１の比（Ｂ１／Ｂ０）は、前記厚さＡ０に対する前記厚さＡ１の比（Ａ１／Ａ０）に比べて大きいことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記隔壁は、前記基板に対し５５°以上１００°以下の角度をなす側面を有することを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記厚さＢ１は、前記厚さＢ０より厚いことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月30日(2015.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
航空機のための、自動操縦と飛行管理との統合されたシステムのためのユーザインターフェースであって、
前記自動操縦の動作のための複数の戦術的パラメータ制御と、
前記飛行管理システムの動作のための複数の戦略的パラメータ制御と
を含み、
前記戦術的パラメータ制御および前記戦略的パラメータ制御がユーザプログラマブルであり、
前記戦術的パラメータ制御および前記戦略的パラメータ制御が前記ユーザインターフェースに統合されており、
前記ユーザインタフェースが、前記戦術的パラメータ制御および前記戦略的パラメータ制御の両方への同時アクセスを提供しており、
前記ユーザインターフェースが、さらに、該ユーザインターフェースを介した搭乗員の前記戦術的パラメータ制御および前記戦略的パラメータ制御への入力の結果であるトラジェクトリを表示するナビゲーションマップを備える、
ユーザインターフェース。
【請求項２】
前記戦術的パラメータ制御が、少なくとも、機首方位、速度、高度および垂直速度を含み、前記戦略的パラメータ制御が少なくとも目的地の位置を含む、請求項１記載のユーザインターフェース。
【請求項３】
前記戦術的パラメータ制御が、直行、次のウェイポイント、保持、オフセット、要求到着時間、およびデータリンクのうちの少なくとも１つをさらに含み、前記戦略的パラメータ制御が、出発手順、航路セグメント、地上走行ルート、到着手順、および進入手順のうちの少なくとも１つをさらに含む、請求項２記載のユーザインターフェース。
【請求項４】
前記戦術的パラメータ制御および前記戦略的パラメータ制御のうちの少なくとも一部が、ハードウェア制御またはソフトウェア制御のうちの少なくとも一方である、請求項１乃至３記載のユーザインターフェース。
【請求項５】
前記戦術的パラメータ制御の少なくとも一部がハードウェア制御である、請求項４記載のユーザインターフェース。
【請求項６】
前記戦術的パラメータ制御および前記戦略的パラメータ制御のうちの少なくとも１つのためのステータスインジケータをさらに含む、請求項１乃至５記載のユーザインターフェース。
【請求項７】
前記ステータスインジケータが、前記戦術的パラメータ制御および前記戦略的パラメータ制御のうちの少なくとも１つが自動で設定されているかまたは手動で設定されているかを示す、請求項６記載のユーザインターフェース。
【請求項８】
前記ステータスインジケータが、前記戦術的パラメータ制御および前記戦略的パラメータ制御のうちの少なくとも１つが、アクティブであるかどうか、アームド状態であるかどうか、および飛行エンベロープの限界に到達したかどうかを示す、請求項６または７に記載のユーザインターフェース。
【請求項９】
前記ステータスインジケータが、各ステータスのための異なるイルミネーション状態を有するインディシアを含む、請求項６乃至８記載のユーザインターフェース。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月20日(2015.3.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
上記単量体単位の含有率（Ｓ）が上記下限未満の場合は、得られる皮膜の耐水性やバインダー性能等が低下する場合がある。逆に、含有率（Ｓ）が上記上限を超える場合は、水溶性や粘度安定性等が低下する場合がある。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月23日(2015.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも第１のセグメントタイプを含む複数のセグメントおよび複数のリンカーならびに複数の孔を含む多孔質構造化有機フィルム（ＳＯＦ）であって、このリンカーが少なくとも、共有結合性有機骨格（ＣＯＦ）として整列された第１のリンカータイプを含み、ここで第１のセグメントタイプおよび／または第１のリンカータイプが、炭素でない少なくとも１つの原子を含み、複数の孔が１つ以上の成分に利用可能な複数の部位を含む、フィルム。
【請求項２】
前記ＳＯＦが、少なくとも２００℃までの範囲の熱安定性を含む、請求項１に記載の多孔質ＳＯＦ。
【請求項３】
前記ＳＯＦが、約７５ｍ2／ｇ〜約３５００ｍ2／ｇのラングミュア表面積を含む、請求項１に記載の多孔質ＳＯＦ。
【請求項４】
前記ＳＯＦが膜である、請求項１に記載の多孔質ＳＯＦ。
【請求項５】
前記複数の孔がカチオン性またはアニオン性部分で官能化される、請求項１に記載の多孔質ＳＯＦ。
【請求項６】
前記複数の孔が、疎水性、親水性、アニオン性、カチオン性、疎油性、または親油性部分またはこれらの組み合わせで官能化される、請求項１に記載の多孔質ＳＯＦ。
【請求項７】
前記複数の孔サイズが、約４オングストローム〜約４０オングストロームの範囲である、又は前記ＳＯＦがさらにキャッピングユニットを含む、請求項１に記載の多孔質ＳＯＦ。
【請求項８】
前記ＳＯＦが、約２０重量％〜約６０重量％のフッ素含有量を有する、請求項１に記載の多孔質ＳＯＦ。
【請求項９】
前記ＳＯＦが実質的にピンホールのないフィルムである、請求項１に記載のＳＯＦ。
【請求項１０】
前記ＳＯＦが２５〜約５００セグメント厚さである、請求項１に記載の多孔質ＳＯＦ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】多孔質構造化有機フィルム
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月29日(2015.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
このような構成によれば、基準円の径を変更させるのに対応させて、複数の検出素子の各検出面が位置する円弧の曲率を変更することができる。例えば、分解能を高めたい場合には、基準円の径を大きくし、これに対応させて、複数の検出素子の各検出面が位置する円弧の曲率半径を大きくすることができる。一方、Ｘ線強度を高めたい場合には、基準円の径を小さくし、これに対応させて、複数の検出素子の各検出面が位置する円弧の曲率半径を小さくすることができる。このように、各種の分析態様に応じて、複数の検出素子の各検出面が位置する円弧の曲率を適切に変更し、精度よく分析を行うことができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
このような構成によれば、基準球面の径を変更させるのに対応させて、複数の検出素子の各検出面が位置する球面の曲率を変更することができる。例えば、分解能を高めたい場合には、基準球面の径を大きくし、これに対応させて、複数の検出素子の各検出面が位置する球面の曲率半径を大きくすることができる。一方、Ｘ線強度を高めたい場合には、基準球面の径を小さくし、これに対応させて、複数の検出素子の各検出面が位置する球面の曲率半径を小さくすることができる。このように、各種の分析態様に応じて、複数の検出素子の各検出面が位置する球面の曲率を適切に変更し、精度よく分析を行うことができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
特に、本実施形態では、ディフラクトメータ円Ｃの径を変更させるのに対応させて、複数の検出素子２１の各検出面２１ａが位置する円弧の曲率を変更することができる。例えば、分解能を高めたい場合には、ディフラクトメータ円Ｃの径を大きくし、これに対応させて、複数の検出素子２１の各検出面２１ａが位置する円弧の曲率半径を大きくすることができる。一方、Ｘ線強度を高めたい場合には、ディフラクトメータ円Ｃの径を小さくし、これに対応させて、複数の検出素子２１の各検出面２１ａが位置する円弧の曲率半径を小さくすることができる。このように、各種の分析態様に応じて、複数の検出素子２１の各検出面２１ａが位置する円弧の曲率を適切に変更し、精度よく分析を行うことができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
特に、本実施形態では、ディフラクトメータ球Ｃ´の径を変更させるのに対応させて、複数の検出素子２１の各検出面２１ａが位置する球面の曲率を変更することができる。例えば、分解能を高めたい場合には、ディフラクトメータ球Ｃ´の径を大きくし、これに対応させて、複数の検出素子２１の各検出面２１ａが位置する球面の曲率半径を大きくすることができる。一方、Ｘ線強度を高めたい場合には、ディフラクトメータ球Ｃ´径を小さくし、これに対応させて、複数の検出素子２１の各検出面２１ａが位置する球面の曲率半径を小さくすることができる。このように、各種の分析態様に応じて、複数の検出素子２１の各検出面２１ａが位置する球面の曲率を適切に変更し、精度よく分析を行うことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月23日(2014.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体側より像側へ順に、負の屈折力の第１レンズ群、正の屈折力の第２レンズ群から構成され、ズーミングに際して前記第１レンズ群と前記第２レンズ群の間隔が変化するように各レンズ群が移動するズームレンズにおいて、
前記第１レンズ群は１枚以上の正レンズと、１枚以上の負レンズを有し、広角端におけるレンズ全長をＴＬｗ、広角端におけるバックフォーカスをＢＦｗ、望遠端における全系の焦点距離をｆｔ、前記第１レンズ群の焦点距離をｆ１、前記第２レンズ群の焦点距離をｆ２、前記第１レンズ群に含まれる正レンズの材料の屈折率をＮｄとするとき、
４．０＜ＴＬｗ／ＢＦｗ＜１２．０
０．２０＜ｆ２／ｆｔ＜０．９０
−１．３０＜ｆ１／ｆ２＜−０．２０
１．８６＜Ｎｄ＜３．００
なる条件式を満足することを特徴とするズームレンズ。
【請求項２】
前記第１レンズ群に含まれる正レンズの材料のアッベ数と部分分散比をそれぞれνｄ、θｇＦとするとき、
１０＜νｄ＜３０
０．０２０＜θｇＦ−（０．６４４−０．００１６８×νｄ）＜０．０８０
なる条件式を満足することを特徴とする請求項１に記載のズームレンズ。
【請求項３】
広角端における全系の焦点距離をｆｗとするとき、
−４．００＜ｆ１／ｆｗ＜−２．１０
なる条件式を満足することを特徴とする請求項１または２に記載のズームレンズ。
【請求項４】
前記第１レンズ群を構成する各レンズの材料の屈折率の平均値をＮｄ１ａとするとき、
１．８０＜Ｎｄ１ａ＜２．２０
なる条件式を満足することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のズームレンズ。
【請求項５】
前記第２レンズ群は複数のレンズを有し、前記第２レンズ群を構成する各レンズの材料の屈折率の平均値をＮｄ２ａとするとき、
１．６５＜Ｎｄ２ａ＜１．９０
なる条件式を満足することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のズームレンズ。
【請求項６】
無限遠物体から近距離物体へのフォーカシングに際して、前記第１レンズ群は物体側へ移動することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のズームレンズ。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載のズームレンズと、該ズームレンズによって形成される像を受光する撮像素子を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項８】
前記撮像装置において得られた画像に対して画像処理を行うことで、前記撮像装置に含まれるズームレンズによって生じる収差を補正する補正手段を有することを特徴とする請求項７に記載の撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明のズームレンズは、物体側より像側へ順に、負の屈折力の第１レンズ群、正の屈折力の第２レンズ群から構成され、ズーミングに際して前記第１レンズ群と前記第２レンズ群の間隔が変化するように各レンズ群が移動するズームレンズにおいて、
前記第１レンズ群は１枚以上の正レンズと、１枚以上の負レンズを有し、広角端におけるレンズ全長をＴＬｗ、広角端におけるバックフォーカスをＢＦｗ、望遠端における全系の焦点距離をｆｔ、前記第１レンズ群の焦点距離をｆ１、前記第２レンズ群の焦点距離をｆ２、前記第１レンズ群に含まれる正レンズの材料の屈折率をＮｄとするとき、
４．０＜ＴＬｗ／ＢＦｗ＜１２．０
０．２０＜ｆ２／ｆｔ＜０．９０
−１．３０＜ｆ１／ｆ２＜−０．２０
１．８６＜Ｎｄ＜３．００
なる条件式を満足することを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
矢印は広角端から望遠端へのズーミングに際しての各レンズ群の移動軌跡を示している。第１レンズ群Ｌ１に関する矢印１ａは無限遠にフォーカス（合焦）しているときの広角端から望遠端へのズーミングに際しての移動軌跡を示す。また矢印１ｂは近距離にフォーカスしているときの広角端から望遠端へのズーミングに際しての移動軌跡を示す。矢印１ｃは無限遠（無限遠物体）から近距離（近距離物体）へのフォーカシングに際しての移動方向を示している。無限遠から近距離へのフォーカシングに際して、第１レンズ群Ｌ１は物体側へ移動している。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
フォーカシングは第１レンズ群Ｌ１全体で行う他、第１レンズ群Ｌ１の一部のレンズ部又は第２レンズ群Ｌ２、若しくはその一部のレンズ部を光軸上に移動させて行ってもよい。各実施例において、第１レンズ群Ｌ１は１枚以上の正レンズ（正の屈折力のレンズ）と、１枚以上の負レンズ（負の屈折力のレンズ）を有している。広角端におけるレンズ全長をＴＬｗ、広角端におけるバックフォーカスをＢＦｗ、望遠端における全系の焦点距離をｆｔ、第１レンズ群Ｌ１の焦点距離をｆ１、第２レンズ群の焦点距離をｆ２、第１レンズ群Ｌ１に含まれる正レンズの材料の屈折率をＮｄとする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
第１レンズ群Ｌ１に含まれる正レンズの材料のアッベ数と、部分分散比をそれぞれνｄ、θｇＦとする。広角端における全系の焦点距離をｆｗとする。第１レンズ群Ｌ１を構成する各レンズの材料の屈折率の平均値をＮｄ１ａとする。第２レンズ群Ｌ２は複数のレンズを有し、第２レンズ群Ｌ２を構成する各レンズの材料の屈折率の平均値をＮｄ２ａとする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
本発明の撮像装置は、上記のいずれかのズームレンズとともに、ズームレンズによって得られた画像に対して歪曲収差と倍率色収差等の収差の少なくとも１つを画像処理によって補正する回路（補正手段）を有していても良い。このようにズームレンズの歪曲収差等を許容することができる構成にすれば、ズームレンズ全体のレンズ枚数を少なくでき、小型化が容易になる。また倍率色収差を画像処理によって補正すれば、撮影した画像の色にじみを軽減し、解像力の向上を図ることが容易になる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月24日(2014.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一方が透光性を有しており各々電極が形成されている対向する２枚の基板間に少なくとも１種以上の電気応答性材料を含む表示媒体が封入されていて、前記２枚の基板間に所定の電界が与えられる際に前記表示媒体が所望の表示をする、反射型表示装置であって、
前記２枚の基板間に配置された複数の領域を区画する隔壁と、
前記隔壁で区画された各領域をセルとして、各セル内に配置された前記表示媒体と、
を備え、
一方の基板には、透明な電極が形成されており、
他方の基板には、対向電極が形成されており、
前記透明な電極と前記対向電極とが対向するように配置されており、
前記対向電極には、スルーホールが形成されており、
前記隔壁の前記対向電極側の頂部の幅が、前記スルーホールの前記隔壁側の開口の幅よりも大きく、
前記隔壁の前記対向電極側の頂部は、前記一方の基板から前記他方の基板に向かう方向に見て、部分的に前記スルーホールと重なるように配置されている
ことを特徴とする反射型表示装置。
【請求項２】
少なくとも一方が透光性を有しており各々電極が形成されている対向する２枚の基板間に少なくとも１種以上の電気応答性材料を含む表示媒体が封入されていて、前記２枚の基板間に所定の電界が与えられる際に前記表示媒体が所望の表示をする、反射型表示装置であって、
前記２枚の基板間に配置された複数の領域を区画する隔壁と、
前記隔壁で区画された各領域をセルとして、各セル内に配置された前記表示媒体と、
を備え、
一方の基板には、透明な電極が形成されており、
他方の基板には、対向電極が形成されており、
前記透明な電極と前記対向電極とが対向するように配置されており、
前記対向電極には、スルーホールが形成されており、
前記隔壁の前記対向電極側の頂部は、前記一方の基板から前記他方の基板に向かう方向に見て、部分的に前記スルーホールと重なるように配置されており、
前記一方の基板から前記他方の基板に向かう方向に見て前記スルーホールと重なるように配置された前記隔壁の前記対向電極側の頂部の幅が、前記スルーホールの前記隔壁側の開口の幅よりも大きい
ことを特徴とする反射型表示装置。
【請求項３】
前記対向電極は、ＴＦＴ電極構造を有する画素電極である
ことを特徴とする請求項１または２に記載の反射型表示装置。
【請求項４】
前記対向電極は、セグメント電極である
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の反射型表示装置。