【事件の表示】
　特願２００３−　４７８５５「基板処理方法および基板処理装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　１月　８日出願公開、特開２００４−　　６６７２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１５年（２００３年）２月２５日（国内優先権主張、平成１４年４月１９日）に出願した特願２００３−４７８５５号であって、平成１９年９月２６日付で拒絶理由が通知され、平成１９年１２月３日付で意見書とともに手続補正書が提出され、平成１９年１２月２０日付で最後の拒絶理由が通知され、平成２０年２月２２日付で意見書とともに手続補正書が提出され、平成２０年３月１２日付で、平成２０年２月２２日付手続補正書でなされた手続補正に対して補正の却下の決定がなされ、同日付で拒絶査定がなされ、これに対して、平成２０年４月１７日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、同日付で手続補正がなされたものである。
　
第２　平成２０年４月１７日付の手続補正についての補正の却下の決定について
　
［補正の却下の決定の結論］
　平成２０年４月１７日付の手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　
１　本件補正について
　平成２０年２月２２日付手続補正書でなされた手続補正は、平成２０年３月１２日付の補正の却下の決定で却下されたため、本件補正は、平成１９年１２月３日付手続補正で補正された特許請求の範囲、明細書及び図面に対して、補正するものである。
　本件補正により、特に、特許請求の範囲の請求項７に係る発明は、平成１９年１２月３日付手続補正書の特許請求の範囲の請求項７に記載の、
「チャンバと、
　このチャンバ内に配され、基板をほぼ水平に保持して回転する基板回転手段と、
　上記チャンバ内に配され、上記基板回転手段により回転されている基板の下面に向けて処理液を吐出する下面処理液吐出ノズルと、
　上記チャンバ内に配され、上記基板回転手段により回転されている基板の上面に向けて処理液を吐出する上面処理液吐出ノズルと、
　上記基板回転手段により基板が回転されているときに、上記下面処理液吐出ノズルから処理液を吐出して基板の周縁部を処理する周縁部処理状態と、上記下面処理液吐出ノズルおよび上記上面処理液吐出ノズルから処理液を同時に吐出して基板の両面を処理する両面処理状態とを選択的に切り換えて実行する吐出制御手段とを備え、
　上記周縁部処理状態において、上記下面処理液吐出ノズルから吐出される処理液が、エッチング液を含み、
　上記両面処理状態において、上記下面処理液吐出ノズルおよび上記上面処理液吐出ノズルから吐出される処理液が、基板の表面に付着しているパーティクルを除去するためのパーティクル除去液を含むことを特徴とする基板処理装置。」が、
　
「チャンバと、
　このチャンバ内に配され、基板をほぼ水平に保持して回転する基板回転手段と、
　上記チャンバ内に配され、上記基板回転手段により回転されている基板の下面に向けて処理液を吐出する下面処理液吐出ノズルと、
　上記チャンバ内に配され、上記基板回転手段により回転されている基板の上面に向けて処理液を吐出する上面処理液吐出ノズルと、
　上記基板回転手段により基板が回転されているときに、上記下面処理液吐出ノズルから処理液を吐出して基板の周縁部を処理する周縁部処理状態と、上記下面処理液吐出ノズルおよび上記上面処理液吐出ノズルから処理液を同時に吐出して基板の両面を処理する両面処理状態とを選択的に切り換えて実行する吐出制御手段とを備え、
　上記両面処理状態は、上記周縁部処理状態の前に、上記基板回転手段により回転されている基板の両面に洗浄液を吐出して洗浄するものであり、
　上記周縁部処理状態において、上記下面処理液吐出ノズルから吐出される処理液が、エッチング液を含み、
　上記両面処理状態において、上記下面処理液吐出ノズルおよび上記上面処理液吐出ノズルから吐出される洗浄液が、基板の表面に付着しているパーティクルを除去するためのパーティクル除去液を含み、このパーティクル除去液は、アンモニア水、過酸化水素水、および水の混合物からなることを特徴とする基板処理装置。」（以下、「本願補正発明」という。）と補正された。
　
２　補正の目的について
　上記補正は、
（１）両面処理状態について「上記両面処理状態は、上記周縁部処理状態の前に、上記基板回転手段により回転されている基板の両面に洗浄液を吐出して洗浄するものであ」る点を追加して限定する補正事項、
（２）両面処理状態における「処理液」を「洗浄液」とした補正事項、及び
（３）パーティクル除去液について「このパーティクル除去液は、アンモニア水、過酸化水素水、および水の混合物からなる」点を追加して限定した補正事項、
からなる。　
　 そして、上記の補正事項（１）は、両面処理状態の態様を具体的に限定するもの、上記の補正事項（２）は、「処理液」の用途を具体的にするもの、上記の補正事項（３）は、パーティクル除去液の成分を限定するものであり、いずれも、それぞれの発明特定事項についてその態様、用途、成分を具体化するものであるといえるから、いわゆる限定的減縮を目的とするものである。
　すなわち、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２（以下、単に「特許法第１７条の２」という。）第４項第２号に掲げる事項を目的とするものを含む。
　
２　独立特許要件違反についての検討
　そこで、次に、本件補正後の特許請求の範囲の請求項７に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する特許法第１２６条第５項の規定に適合するか）について検討する。
　
（１）本願補正発明
　本願補正発明は、平成２０年４月１７日付手続補正書の特許請求の範囲の請求項７に記載されている次の事項により特定されるものである。
　
「チャンバと、
　このチャンバ内に配され、基板をほぼ水平に保持して回転する基板回転手段と、
　上記チャンバ内に配され、上記基板回転手段により回転されている基板の下面に向けて処理液を吐出する下面処理液吐出ノズルと、
　上記チャンバ内に配され、上記基板回転手段により回転されている基板の上面に向けて処理液を吐出する上面処理液吐出ノズルと、
　上記基板回転手段により基板が回転されているときに、上記下面処理液吐出ノズルから処理液を吐出して基板の周縁部を処理する周縁部処理状態と、上記下面処理液吐出ノズルおよび上記上面処理液吐出ノズルから処理液を同時に吐出して基板の両面を処理する両面処理状態とを選択的に切り換えて実行する吐出制御手段とを備え、
　上記両面処理状態は、上記周縁部処理状態の前に、上記基板回転手段により回転されている基板の両面に洗浄液を吐出して洗浄するものであり、
　上記周縁部処理状態において、上記下面処理液吐出ノズルから吐出される処理液が、エッチング液を含み、
　上記両面処理状態において、上記下面処理液吐出ノズルおよび上記上面処理液吐出ノズルから吐出される洗浄液が、基板の表面に付着しているパーティクルを除去するためのパーティクル除去液を含み、このパーティクル除去液は、アンモニア水、過酸化水素水、および水の混合物からなることを特徴とする基板処理装置。」
　
（２）引用例
ア　引用例１
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前である平成１４年３月２９日に頒布された刊行物である特開２００２−９３８９１号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面の記載とともに以下の事項が記載されている。（後述の「イ　引用例１に記載された発明の認定」において直接引用した記載に下線を付した。）
　
「【００１７】
【発明の実施の形態】以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を示す縦断面図である。この装置は、処理対象の半導体ウエハ（基板）Ｗに薬液や純水を用いた回転処理を施すためのものであり、薬液と廃液とを分離して排液する機能を備えている。
【００１８】
基板Ｗは、基板保持手段としてのスピンチャック１に水平姿勢で保持される。このスピンチャック１は、回転軸２の上端に一体回転可能に取り付けられた回転支持板としてのスピンベース３を有している。
【００１９】各基板保持部材４は、基板Ｗの外周端縁を下方から支持する支持面４ａと支持面４ａに支持された基板Ｗの外周端面に当接して基板Ｗの移動を規制する案内立ち上がり面４ｂとを備えている。
【００２０】回転軸２の下端付近には、ベルト伝動機構５などによって基板回転手段としての電動モーター６が連動連結されていて、電動モーター６を駆動することによって、回転軸２、スピンチャック１とともに、スピンチャック１に保持された基板Ｗを鉛直方向の軸芯Ｊ周りで回転させる。
【００２１】
また、回転軸２は中空を有する筒状の部材で構成され、この中空部に洗浄液供給管７が貫通され、その上端部の洗浄液供給部７ａからスピンチャック１に保持された基板Ｗの下面の回転中心付近に洗浄液を供給できるように構成されている。洗浄液供給管７は配管８に連通接続されている。この配管８の基端部は分岐されていて、一方の分岐配管８ａには薬液供給源９が連通接続され、他方の分岐配管８ｂには純水供給源１０が連通接続されている。各分岐配管８ａ、８ｂには開閉バルブ１１ａ、１１ｂが設けられていて、これら開閉バルブ１１ａ、１１ｂの開閉を切り換えることで、洗浄液供給部７ａから薬液と純水とを選択的に切り換えて供給できるようになっている。
　
「【００３２】図１に戻って、
スピンチャック１の上方には中心部に開口を有する雰囲気遮断部材６０が配置されている。
【００３３】支持軸６１は、支持アーム６２に回転自在に支持されている。支持軸６１には従動プーリ６３が一体回転可能に取り付けられている。その従動プーリ６３と、モーター６４の駆動軸に連結された主動プーリ６５との間に無端ベルト６６が架け渡されていて、モーター６４を駆動することにより支持軸６１とともに雰囲気遮断部材６０が鉛直方向の軸芯Ｊ周りに回転されるように構成されている。
【００３４】また、支持アーム６２は、移動手段に相当する接離機構６７によって昇降され、この支持アーム６２の昇降によって、スピンチャック１に対して雰囲気遮断部材６０が接離されるように構成されている。この装置では、雰囲気遮断部材６０がスピンチャック１に保持された基板Ｗの上面に対して押圧部材６８が当接し押圧する近接位置ＬＨと、雰囲気遮断部材６０がスピンチャック１に保持された基板Ｗの上面から上方に離れた離間位置である下方位置ＭＨと、大きく離れた上方位置ＨＨとの３段階の位置との間で雰囲気遮断部材６０が昇降できるように構成されている。このような接離動を実現する接離機構６７は、昇降機構４５と同様に螺軸などを用いた機構や、あるいは、エアシリンダなどで構成されている。そして、図５に示すように、この接離制御も制御部５０によって行われるように構成されている。
【００３５】図１に戻って、
雰囲気遮断部材６０の中心の開口及び支持軸６１の中空部には、洗浄液供給管７０が貫通され、その下端部の洗浄液供給部７０ａからスピンチャック１に保持された基板Ｗの上面の回転中心付近に洗浄液を供給できるように構成されている。洗浄液供給管７０は配管７１に連通接続されている。この配管７１の基端部は分岐されていて、一方の分岐配管７１ａには薬液供給源９が連通接続され、他方の分岐配管７１ｂには純水供給源１０が連通接続されている。各分岐配管７１ａ、７１ｂには開閉バルブ７２ａ、７２ｂが設けられていて、これら開閉バルブ７２ａ、７２ｂの開閉を切り換えることで、洗浄液供給部７０ａから薬液と純水とを選択的に切り換えて供給できるようになっている。
　
「【００４６】さらに、制御部５０は、共通の駆動制御信号を与え、モーター６、６４を同期回転させる。ただし、モーター６、６４は互いに反対方向に回転する。これにより、上下の回転筒３８、５８が同じ方向に回転され、これらの回転筒３８、５８に固定されている雰囲気遮断部材６０およびスピンベース３がそれぞれの中心を通る鉛直軸芯Ｊまわりに一体的に同期回転することになる。したがって、
スピンベース３に保持されている基板Ｗは、水平に保持された状態で、そのほぼ中心を通る鉛直軸芯Ｊまわりに回転されることになる。
【００４７】
次いで、この状態で、制御部５０は、洗浄液供給部７ａから薬液を基板Ｗの下面に供給して本発明の第一処理工程としての薬液処理を開始する。すなわち、開閉バルブ１１ａを開成することにより、洗浄液供給管７の洗浄液供給部７ａから洗浄用薬液としてのエッチング液を吐出させる。
供給されたエッチング液は、基板Ｗの回転に伴う遠心力によって回転半径方向外方側へと導かれるので、結果として、基板Ｗの下面の全域に対して隈無く薬液洗浄を行うことができる。
【００４８】
また、基板Wの下面を伝わって下面周辺部に向ったエッチング液が基板Ｗの上面に這い上がって上面の周辺部を処理する。
　
「【００５４】
予め定めた一定時間だけエッチング液が供給された後、制御部５０は、開閉用バルブ１１ａを閉成して薬液処理工程を終了するとともに、開閉用バルブ１１ｂ、７２ｂを開成する。これにより、洗浄液供給部７ａ、７０ａからは、リンス液（純水、オゾン水、電解イオン水など）が、基板Ｗの上下面の中央に向けて供給されることになる。
【００５５】
このリンス処理の際に、回転される基板Ｗ
　
イ　引用例１に記載された発明の認定
　上記記載事項から、引用例１には、
「基板Ｗは、基板保持手段としてのスピンチャック１に水平姿勢で保持され、このスピンチャック１は、回転軸２の上端に一体回転可能に取り付けられた回転支持板としてのスピンベース３を有し、回転軸２は中空を有する筒状の部材で構成され、この中空部に洗浄液供給管７が貫通され、その上端部の洗浄液供給部７ａからスピンチャック１に保持された基板Ｗの下面の回転中心付近に洗浄液を供給できるように構成され、洗浄液供給管７は配管８に連通接続され、この配管８の基端部は分岐されていて、一方の分岐配管８ａには薬液供給源９が連通接続され、他方の分岐配管８ｂには純水供給源１０が連通接続され、各分岐配管８ａ、８ｂには開閉バルブ１１ａ、１１ｂが設けられていて、これら開閉バルブ１１ａ、１１ｂの開閉を切り換えることで、洗浄液供給部７ａから薬液と純水とを選択的に切り換えて供給でき、スピンチャック１の上方には中心部に開口を有する雰囲気遮断部材６０が配置され、雰囲気遮断部材６０の中心の開口及び支持軸６１の中空部には、洗浄液供給管７０が貫通され、その下端部の洗浄液供給部７０ａからスピンチャック１に保持された基板Ｗの上面の回転中心付近に洗浄液を供給できるように構成され、洗浄液供給管７０は配管７１に連通接続され、この配管７１の基端部は分岐されていて、一方の分岐配管７１ａには薬液供給源９が連通接続され、他方の分岐配管７１ｂには純水供給源１０が連通接続され、各分岐配管７１ａ、７１ｂには開閉バルブ７２ａ、７２ｂが設けられていて、これら開閉バルブ７２ａ、７２ｂの開閉を切り換えることで、洗浄液供給部７０ａから薬液と純水とを選択的に切り換えて供給でき、
　スピンベース３に保持されている基板Ｗは、水平に保持された状態で、そのほぼ中心を通る鉛直軸芯Ｊまわりに回転され、次いで、この状態で、制御部５０は、洗浄液供給部７ａから薬液を基板Ｗの下面に供給して第一処理工程としての薬液処理を開始し、すなわち、開閉バルブ１１ａを開成することにより、洗浄液供給管７の洗浄液供給部７ａから洗浄用薬液としてのエッチング液を吐出させ、供給されたエッチング液は、基板Ｗの回転に伴う遠心力によって回転半径方向外方側へと導かれるので、結果として、基板Ｗの下面の全域に対して隈無く薬液洗浄を行うことができ、また、基板Wの下面を伝わって下面周辺部に向ったエッチング液が基板Ｗの上面に這い上がって上面の周辺部を処理し、
　予め定めた一定時間だけエッチング液が供給された後、制御部５０は、開閉用バルブ１１ａを閉成して薬液処理工程を終了するとともに、開閉用バルブ１１ｂ、７２ｂを開成し、これにより、洗浄液供給部７ａ、７０ａからは、リンス液（純水、オゾン水、電解イオン水など）が、基板Ｗの上下面の中央に向けて供給され、このリンス処理の際に、基板Ｗは回転される基板処理装置」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
ウ　引用例２
　また、原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００１−２１０６４８号公報（以下、「引用例２」という。）には、図面の記載とともに以下の事項が記載されている。（後述の「（６）当審の判断」において直接引用した記載に下線を付した。）
　
「【００３０】（第１の実施形態）本発明の第１の実施形態に係る電子デバイス（半導体装置）の製造方法について、図１（ａ）〜（ｅ）及び図２を参照しながら説明する。図１（ａ）〜（ｅ）は、本実施形態におけるＴｉＮ膜の形成工程からメタル膜のパターニング工程までの各工程を示す断面図である。
【００３１】まず、図１（ａ）に示す工程で、基板上のシリコン酸化膜１１（例えば基板上の層間絶縁膜あるいは素子分離用絶縁膜）の上に、反応性スパッタリング法及び通常のスパッタリング法により膜厚が約５０ｎｍのＴｉＮ膜１２と、膜厚が約０．４５μｍのアルミニウム膜１３（ＳｉやＣｕが添加されたアルミニウム合金膜を意味する）と、膜厚が約３０ｎｍのＴｉＮ膜１４とを順次堆積させる。そして、このＴｉＮ膜１４の上に、プラズマＣＶＤ法により膜厚が約２００ｎｍのシリコン酸化膜１５を堆積する。
【００３２】その後、シリコン酸化膜１５の上に化学増幅型フォトレジストを塗布してフォトレジスト膜を形成し、ＫｒＦエキシマレーザーによるリソグラフィー技術を用いて、約０．７μｍの膜厚を有するフォトレジストマスク１６を形成する。
【００３３】次に、図１（ｂ）に示す工程で、フォトレジストマスク１６をエッチングマスクとして用いたドライエッチングにより、シリコン酸化膜１５をパターニングして、ＴｉＮ用ハードマスク１７を形成する。その際には、一般的な平行平板型の反応性イオンエッチング装置を用い、例えば、反応ガスとしてＣＨＦ３ とＯ２ とを、流量ＣＨＦ３ ／Ｏ２ ≒０．１／０．０１（ｓｌｍ），ガス圧力が約１００Ｐａの条件で流し、上下の両電極間に高周波電力約４００Ｗを印加してエッチングを行う。このとき、オーバーエッチングによってＴｉＮ膜１４も部分的にエッチ
ングされる。
【００３４】このエッチング後に、ＴｉＮ膜１４の上に異物として堆積物１８が局所的に成長する。この堆積物１８は、ＴｉＮ膜１４中のＴｉとエッチングガス中のＦとが反応して、局所的にチタンのフッ化物が生成され、これが成長して形成されたものと思われる。ＴｉとＦとが反応すると、気体のＴｉＦ３ と固体のＴｉＦ３ とが生成されることが一般的に知られていることから、この堆積物１８は、固体であるＴｉＦ３ などであると考えられる。
【００３５】次に、図１（ｃ）に示す工程で、アッシングを行ない、フォトレジストマスク１６を除去する。アッシングは、マイクロ波を用いたダウンストリーム法によって行なう。
【００３６】次に、図１（ｄ）に示す工程で、
発煙硝酸を用いて２５℃で５分間ウエハーを洗浄し、その後純水でリンスする。
【００３７】
その後、図１（ｅ）に示す工程で、ＴｉＮ用ハードマスク１７をエッチングマスクとして用いたドライエッチングにより、下地のメタル積層膜２０（ＴｉＮ膜１４，アルミニウム膜１３及びＴｉＮ膜１２の積層膜）をパターニングして、メタル配線パターン１９を形成する。
【００３８】このように、ＴｉＮ膜１４，アルミニウム膜１３及びＴｉＮ膜１２の積層膜からメタル配線パターン１９を構成することにより、アルミニウム膜１３の耐エレクトロマイグレーション特性、耐ストレスマイグレーション特性が向上し、信頼性の高い配線構造を有する電子デバイスが形成される。」
　
エ　引用例３
　また、原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平８−４５８８６号公報（以下、「引用例３」という。）には、図面の記載とともに以下の事項が記載されている。
「【０００３】すなわち、パーティクル除去にはアルカリ性の薬品、主としてＮＨ４ＯＨとＨ２Ｏ２とＨ２Ｏを混合した薬液を用いるＳＣ−１洗浄（以下、単にＳＣ−１洗浄という。）が行われていて、半導体基板をエッチングすることにより、パーティクルを半導体基板表面から除去している。しかし、このＳＣ−１洗浄は、薬液の純度に依存するものであって、金属除去に関しては一部の元素を除き効果が低く、そのため、別途酸洗浄が行われている。」
　
（３）対比
　ここで、本願補正発明と引用発明とを対比する。
　
　引用発明の「スピンチャック１」は、基板Ｗを水平姿勢で保持し、回転軸２の上端に一体回転可能に取り付けられたものであるから、本願補正発明の「基板をほぼ水平に保持して回転する基板回転手段」に相当する。
　
　引用発明の「洗浄液供給管７」は、その上端部の洗浄液供給部７ａからスピンチャック１に保持された基板Ｗの下面の回転中心付近に洗浄液を供給できるように構成され、より詳細には、開閉バルブ１１ａを開成することにより、洗浄用薬液としてのエッチング液を吐出させるものであるから、本願補正発明の「基板回転手段により回転されている基板の下面に向けて処理液を吐出する下面処理液吐出ノズル」に相当する。
　
　引用発明の「洗浄液供給管７０」は、その下端部の洗浄液供給部７０ａからスピンチャック１に保持された基板Ｗの上面の回転中心付近に洗浄液を供給できるように構成され、より詳細には、開閉用バルブ７２ｂを開成することにより、リンス液（純水、オゾン水、電解イオン水など）を基板Ｗの上面に向けて供給するものであるから、本願補正発明の「基板回転手段により回転されている基板の上面に向けて処理液を吐出する上面処理液吐出ノズル」に相当する。
　
　引用発明の「スピンベース３に保持されている基板Ｗは、水平に保持された状態で、そのほぼ中心を通る鉛直軸芯Ｊまわりに回転され、次いで、この状態で、制御部５０は、洗浄液供給部７ａから薬液を基板Ｗの下面に供給して第一処理工程としての薬液処理を開始し、すなわち、開閉バルブ１１ａを開成することにより、洗浄液供給管７の洗浄液供給部７ａから洗浄用薬液としてのエッチング液を吐出させ、供給されたエッチング液は、基板Ｗの回転に伴う遠心力によって回転半径方向外方側へと導かれるので、結果として、基板Ｗの下面の全域に対して隈無く薬液洗浄を行うことができ、また、基板Wの下面を伝わって下面周辺部に向ったエッチング液が基板Ｗの上面に這い上がって上面の周辺部を処理」する状態は、本願補正発明の「基板回転手段により基板が回転されているときに、上記下面処理液吐出ノズルから処理液を吐出して基板の周縁部を処理する周縁部処理状態」に相当する。
　
　引用発明の「開閉用バルブ１１ｂ、７２ｂを開成し、これにより、洗浄液供給部７ａ、７０ａからは、リンス液（純水、オゾン水、電解イオン水など）が、基板Ｗの上下面の中央に向けて供給され、このリンス処理の際に、基板Ｗは回転される」状態は、本願補正発明の「基板回転手段により基板が回転されているときに、・・・上記下面処理液吐出ノズルおよび上記上面処理液吐出ノズルから処理液を同時に吐出して基板の両面を処理する両面処理状態」に相当する。
　
　引用発明の「制御部５０」は、開閉用バルブ１１ａ，１１ｂ、７２ｂにより、薬液を基板Ｗの下面から吐出する状態とリンス液を基板Ｗの上下面から供給する状態とを切り換える制御を行うものであるから、本願補正発明の「周縁部処理状態と両面処理状態とを選択的に切り換えて実行する吐出制御手段」に相当する。
　
　引用発明の「洗浄液供給部７ａから薬液を基板Ｗの下面に供給して第一処理工程としての薬液処理を開始し、すなわち、開閉バルブ１１ａを開成することにより、洗浄液供給管７の洗浄液供給部７ａから洗浄用薬液としてのエッチング液を吐出させ」ることは、本願補正発明の「周縁部処理状態において、上記下面処理液吐出ノズルから吐出される処理液が、エッチング液を含」むことに相当する。
　
（４）一致点
　したがって、本願補正発明と引用発明とは、
「基板をほぼ水平に保持して回転する基板回転手段と、
　上記チャンバ内に配され、上記基板回転手段により回転されている基板の下面に向けて処理液を吐出する下面処理液吐出ノズルと、
　上記チャンバ内に配され、上記基板回転手段により回転されている基板の上面に向けて処理液を吐出する上面処理液吐出ノズルと、
　上記基板回転手段により基板が回転されているときに、上記下面処理液吐出ノズルから処理液を吐出して基板の周縁部を処理する周縁部処理状態と、上記下面処理液吐出ノズルおよび上記上面処理液吐出ノズルから処理液を同時に吐出して基板の両面を処理する両面処理状態とを選択的に切り換えて実行する吐出制御手段とを備え、
　上記周縁部処理状態において、上記下面処理液吐出ノズルから吐出される処理液が、エッチング液を含む基板処理装置。」の点で一致し、以下の各点で相違する。
　
（５）相違点
ア　相違点１；
　本願補正発明は、「チャンバ」を備え、基板回転手段、下面処理液吐出ノズル及び上面処理液吐出ノズルが「チャンバ内に配され」ているのに対し、引用発明にはそのような限定がなされていない点。
　
イ　相違点２；
　両面処理状態が、本願補正発明においては、「周縁部処理状態の前に」上記基板回転手段により回転されている基板の両面に洗浄液を吐出して洗浄するものであるのに対し、引用発明においては、「予め定めた一定時間だけエッチング液が供給された後」リンス液（純水、オゾン水、電解イオン水など）が、基板Ｗの上下面の中央に向けて供給されるものである点。
　
ウ　相違点３；
　両面処理状態において、下面処理液吐出ノズルおよび上面処理液吐出ノズルから吐出される洗浄液が、本願補正発明においては「基板の表面に付着しているパーティクルを除去するためのパーティクル除去液を含み、このパーティクル除去液は、アンモニア水、過酸化水素水、および水の混合物からなる」のに対して、引用発明においては「リンス液（純水、オゾン水、電解イオン水など）」であり、作用についての限定がない点。
　
（６）当審の判断
　次に、上記各相違点について検討する。
　
ア　相違点１について
　基板のエッチング及び洗浄装置において、装置がチャンバで覆われ、その中に基板の保持・回転手段や処理液供給ノズルを配設することは、周知技術であり、引用発明においても、該周知技術を採用して、上記相違点１に係る本願補正発明の発明特定事項を得ることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　
イ　相違点２について
　第１に、相違点２の、両面処理状態と周縁処理状態との前後関係については、処理の手順（方法）に関する事項であって、本願補正発明の対象である「基板処理装置」という物に関する事項ではないから、物の発明を何ら特定するものではない。すなわち、発明をカテゴリーの観点を踏まえて認定すれば、相違点２に係る本願補正発明の特定事項は、発明の対象である「基板処理装置」という物と無関係の事項を記載したものに過ぎないといえるから、それによって発明の新規性・進歩性に関する判断が影響されるものではない。
　
　第２に、引用例２の上記記載事項から、引用例２には、「ＴｉＮ用ハードマスク１７をエッチングマスクとして用いたドライエッチング」（【００３７】段落）の前に「発煙硝酸を用いて２５℃で５分間ウエハーを洗浄し、その後純水でリンスする」（【００３６】段落）こと、すなわち、エッチングの前に洗浄することが記載されている。
　また、その他、例えば、
・特開２００１−２７７５２２号公報（【００２７】段落）
・特開２００１−２３０２３６号公報（【請求項４】【００２２】【００２３】）
・特開平６−２３６８６７号公報（【請求項１】，【００１８】【００１９】段落）
にも記載されているように、エッチングの前工程として洗浄工程を設けることは周知の技術的事項である。
　そして、基板のエッチング・洗浄技術という技術分野の共通性から、該周知技術を、引用発明に採用し、引用発明において、さらにエッチング前の洗浄工程を設けることは当業者が容易に想到し得たことである。そして、基板の上下面から処理液を供給できる引用発明において、上記の周知技術の採用に際して、洗浄液を基板の上下面から供給することは、当業者が必要に応じて容易に設定し得た事項である。
　なお、上記の周知技術の採用、すなわち、エッチングの前の洗浄工程を設定する点は、引用発明のエッチング後のリンス液による洗浄に代えて設定する趣旨ではなく、エッチング後のリンス液による洗浄はそのまま残して、さらに別途、エッチングの前の洗浄工程を設定することを意味しているから、上記の周知技術の採用に何らの阻害要因も認められない。
　
ウ　相違点３について
　引用例３の上記記載事項から、引用例３には、「パーティクル除去にはアルカリ性の薬品、主としてＮＨ４ＯＨとＨ２Ｏ２とＨ２Ｏを混合した薬液を用いるＳＣ−１洗浄」が記載されている。
　また、その他、例えば、
・特開２００１−２７７５２２号公報（【００２７】段落）
・特開２００１−２３０２３６号公報（【請求項４】【００２３】）
にも記載されているように、アンモニア水、過酸化水素水、および水の混合物からなるパーティクル除去液による洗浄は「ＳＣ１」洗浄として周知技術である。
　引用発明においても、上記相違点２で検討したエッチング前の洗浄工程を設定した際に、該周知技術を採用し、洗浄液としてアンモニア水、過酸化水素水、および水の混合物からなるパーティクル除去液を用い、ＳＣ１洗浄を行うことは当業者が容易に想到し得たことである。
　
エ　本願補正発明の作用効果について
　そして、本願補正発明によってもたらされる効果は、引用発明並びに引用例２及び引用例３に記載された周知技術を含む上記の周知技術から当業者が予測し得る程度のものである。
　
オ　まとめ
　したがって、本願補正発明は、引用発明及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明することができたものである。 
　
（５）むすび
　以上のとおり、本願補正発明は、引用例１に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。すなわち、本願補正発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができるものではなく、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第５３条第１項の規定によって却下されるべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２０年２月２２日付の手続補正は原審においてすでに却下の決定がなされており、また、平成２０年４月１７日付の手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし７に係る発明は、平成１９年１２月３日付手続補正書の特許請求の範囲の請求項１ないし７に記載された事項により特定されるものであるところ、その本願の請求項７に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、上記手続補正書書の特許請求の範囲の請求項７に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
　
「チャンバと、
　このチャンバ内に配され、基板をほぼ水平に保持して回転する基板回転手段と、
　上記チャンバ内に配され、上記基板回転手段により回転されている基板の下面に向けて処理液を吐出する下面処理液吐出ノズルと、
　上記チャンバ内に配され、上記基板回転手段により回転されている基板の上面に向けて処理液を吐出する上面処理液吐出ノズルと、
　上記基板回転手段により基板が回転されているときに、上記下面処理液吐出ノズルから処理液を吐出して基板の周縁部を処理する周縁部処理状態と、上記下面処理液吐出ノズルおよび上記上面処理液吐出ノズルから処理液を同時に吐出して基板の両面を処理する両面処理状態とを選択的に切り換えて実行する吐出制御手段とを備え、
　上記周縁部処理状態において、上記下面処理液吐出ノズルから吐出される処理液が、エッチング液を含み、
　上記両面処理状態において、上記下面処理液吐出ノズルおよび上記上面処理液吐出ノズルから吐出される処理液が、基板の表面に付着しているパーティクルを除去するためのパーティクル除去液を含むことを特徴とする基板処理装置。」
　
２　引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物の記載事項及び引用発明については、上記「第２　平成２０年４月１７日付の手続補正についての補正の却下の決定について」の「２　独特許要件違反についての検討」の「（２）引用例」に記載したとおりである。
　
３　対比・判断
　本願発明は、本願補正発明から、上記「第２　平成２０年４月１７日付の手続補正についての補正の却下の決定について」の「１　本件補正について」で述べた、
（１）両面処理状態について「上記両面処理状態は、上記周縁部処理状態の前に、上記基板回転手段により回転されている基板の両面に洗浄液を吐出して洗浄するものであ」る点を追加して限定する補正、
（２）両面処理状態における「処理液」を「洗浄液」とした補正、及び
（３）パーティクル除去液について「このパーティクル除去液は、アンモニア水、過酸化水素水、および水の混合物からなる」点を追加して限定した補正、
による限定を省いたものである。
　そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、上記「第２　平成２０年４月１７日付の手続補正についての補正の却下の決定について」の「２　独立特許要件違反についての検討」において記載したとおり、引用例１に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様に、引用例１に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。