(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタの上層に設けられた画素電極と、前記薄膜トランジスタと前記画素電極とを接続するコンタクトホールが設けられた層間絶縁膜とを有し、前記画素電極が前記層間絶縁膜を介して前記薄膜トランジスタに接続されたソース電極配線に重畳するように設けられたアクティブ素子基板と、
このアクティブ素子基板と対向する対向基板と、
前記アクティブ素子基板と前記対向基板との間に挟持された液晶と、
を備え、遮光領域が設けられた液晶表示装置であって、
前記コンタクトホールがほぼ楕円形状であり、かつ、
前記画素電極の、前記コンタクトホールのほぼ長軸方向にコンタクトホール部分から当該画素電極のエッジまで延びる長軸方向部分が、前記遮光領域内に設けられたことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
コンタクトホールは、画素電極のアクティブ素子近傍に位置するコーナ部に、その長軸方向が前記コーナ部の両エッジに交わる方向となるよう配置されている請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
コンタクトホールの長軸方向が、画素電極の薄膜トランジスタ近傍に位置するコーナ部の２等分線にほぼ直角な方向である請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
遮光領域が、対向基板に設けられた遮光膜により遮光された領域と、薄膜トランジスタを構成する電極のうちの少なくとも１つにより遮光される領域である請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
薄膜トランジスタと画素電極とを接続する電極類がドレイン電極である請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
層間絶縁膜は有機膜からなる請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
画素電極はインジュウム錫酸化物である請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
遮光領域は、画素電極による液晶の電気的制御が不完全な部分を遮光する領域である請求項１〜７のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
遮光領域は、液晶表示装置を駆動状態としたときに、外部から視認されない領域である請求項１〜７のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、情報処理端末や映像機器に用いられる液晶表示装置に関し、更に詳しくは前記液晶表示装置の開口率を高めるため、前記液晶表示装置に利用されるアクティブ素子基板の最上層への画素電極形成に係わるものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、アクティブ素子基板の開口率を高めるため最上層に画素電極を形成した液晶表示装置およびその製造方法としては、キム氏等の共著、超高開口率ＴＦＴ−ＬＣＤ構造、１９９６年アクティブ  マトリックス液晶表示装置国際学会（ＡＭ−ＬＣＤ９６  ）予稿集、第１４９  頁〜第１５２  頁  （Ｊ．Ｈ．Ｋｉｍ  ｅｔ  ａｌ．，Ｓｕｐｅｒ−Ｈｉｇｈ−Ａｐｅｒｔｕｒｅ−Ｒａｔｉｏ  ＴＦＴ−ＬＣＤ  Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ，  Ｄｉｇｅｓｔ  ｏｆ  Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ  Ｐａｐｅｒｓ  １９９６  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｗｏｒｋｓｈｏｐ  ｏｎ  Ａｃｔｉｖｅ−Ｍａｔｒｉｘ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙｓ  （ＡＭ−ＬＣＤ９６），ｐｐ．１４９  〜ｐｐ．１５２）に記載されたものが知られている。
【０００３】
この知られた液晶表示装置をその一画素分につき平面より透視的に見て図５（ａ）に示してあり、図５（ａ）中の点線Ａ−Ｂにおける断面を図５の（ｂ）に示してある。図５の（ａ）、（ｂ）に示す液晶表示装置は、アクティブ素子を担持する基板ａに、薄膜トランジスタＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）のゲート電極ｂ、ゲート絶縁膜ｃチャネル層ｄ、ソース電極配線ｅならびにドレイン電極ｆ、およびＴＦＴ上の層間絶縁膜ｇを有し、層間絶縁膜ｇには前記ドレイン電極ｆと画素電極ｈとを接続するためのコンタクトホールｇ１が形成されている。基板ａとの間に液晶ｋを挟持するための対向基板ｉは遮光膜（ブラックマトリックスとも呼ばれる）ｊを有し、この遮光膜ｊによって画素電極ｈによる液晶ｋの電気的制御が不完全な部分を遮光する。
【０００４】
このような液晶表示装置を製造するには、まず、ガラスからなる基板ａ上にゲート電極ｂを形成した後、ＳｉＮならびにａ−Ｓｉからなるそれぞれゲート絶縁膜ｃおよびチャネル層ｄを形成する。次にソース電極配線ｅならびにドレイン電極ｆを形成後、低誘電率（比誘電率＝２．６〜２．７）の有機材料であるベンゾシクロブテンからなり、前記ドレイン電極ｆ上にほぼ円形のコンタクトホールｇ１を有する層間絶縁膜ｇを形成する。次に前記コンタクトホールｇ１を通じて前記ドレイン電極ｆと接続した画素電極ｈを前記層間絶縁膜ｇを介し前記ソース電極配線ｅ上に一部重ねて形成する。さらに、基板ａとの間に液晶ｋを挟持するとともに前記遮光膜ｊを有した対向基板ｉを形成する。
【０００５】
以上のように設けた層間絶縁膜ｇは、基板ａの最上層の画素電極ｈを図５の（ａ）、（ｂ）に示すようにソース電極配線ｅ上にまでそれとの絶縁を保って拡張できるようにする。これにより、前記画素電極ｈの液晶駆動面積を大きくできる。さらに、前記層間絶縁膜ｇを低誘電率の有機材料で形成することにより、前記画素電極ｈと前記ソース電極配線ｅとの間の寄生容量が低減される。よって、クロストークの発生を抑制した開口率の大きな液晶表示装置を得ることが可能となる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の液晶表示装置の構造では、画素電極ｈにコンタクトホールｇ１を起点としたクラックが発生し液晶表示装置の画素欠陥を生じることがある。これにつき、本発明者等が種々に実験をし研究を重ねた。その結果、クラックの発生は有機材料からなる層間絶縁膜ｇの上に画素電極ｈを形成したことが原因と思われる。また、図６に示すようにクラックｌは、画素電極ｈのコンタクトホールｇ１に沿った窪み部のコーナー部を起点として発生し、直線部から発生することはまずない。また、画素電極ｈのコンタクトホールｇ１部分からエッジまでの距離が短い方向に発生しやすい傾向がある。つまりコンタクトホールｇ１部分直近のエッジに向けて発生しやすい。さらに、画素電極ｈの形成において加熱工程があることから、クラックｌの発生は下地である層間絶縁膜ｇと画素電極ｈとの応力差により生じると考えられるが、詳細は不明である。
【０００７】
ドレイン電極ｆ上のコンタクトホールｇ１は、図５の従来例でも見られるように、一般的にほぼ円形に形成される。これは、開口率を大きくするためドレイン電極ｆにおける画素電極ｈとの接続部すなわちコンタクトホールｇ１を設ける面積を最小限とする必要があるためで、コンタクトホールｇ１の大きさは前記画素電極ｈと前記ドレイン電極ｆとを電気的に接続できる最小の形状（円形）とされる。従って、コンタクトホールｇ１の開口縁の曲率半径が必然的に小さくなる。
【０００８】
このためコンタクトホールｇ１に沿った画素電極ｈの窪み部からのクラックはあらゆる方向に発生する可能性がある。例えば、図６中に欠陥誘因クラックｌａ  として示したように、起点をほぼ同一とし画素電極ｈのエッジにまで達する複数のクラックｌａが発生すると、画素電極ｈに複数のクラックｌａによってドレイン電極ｆとの接続部から切り離されて、ドレイン電極ｆとの電気的接続に異常を来した欠陥電極域ｈ１を生じる。この欠陥電極域ｈ１のうちの実質的な遮光部、つまり遮光膜ｊ、ドレイン電極ｆおよびソース電極配線ｅなどにより遮光される部分を除いた部分が、欠陥電極域ｈ１に斜線を施して示した画素欠陥領域ｈ２として液晶表示装置の駆動状態で視認されてしまう。
【０００９】
本発明の目的は、画素電極にクラックが発生するにしても開口率が特に低下せず画素欠陥領域を生じないようにできる液晶表示装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記のような目的を達成するため、本発明の液晶表示装置は、上層の画素電極を、これの下の層間絶縁膜に設けられたコンタクトホールを通じ層間絶縁膜の下の薄膜トランジスタに接続したソース電極配線に重畳するように設けたものにおいて、前記コンタクトホールがほぼ楕円形状であり、前記画素電極の前記コンタクトホール部分からコンタクトホールのほぼ長軸方向に近傍のエッジまで延びる長軸方向部分が、遮光領域内に位置することを１つの特徴としている。
【００１１】
このように、層間絶縁膜のコンタクトホールがほぼ楕円形状であると、その開口縁の曲率半径が小さくなるのは楕円形状のほぼ長軸方向の２か所になり、層間絶縁膜の上の画素電極がコンタクトホールを通じて層間絶縁膜の下の薄膜トランジスタと接続されたコンタクトホールの形状に沿った窪み部から外方へのクラックが発生するとしても、クラックは窪み部の曲率半径が小さくなる部分からこれの近傍のエッジ部に向いて成長するように、クラック発生の方向をコンタクトホールの長軸の方向に規定することができる。
【００１２】
一方、画素電極の、コンタクトホール部分からコンタクトホールのほぼ長軸方向に近傍のエッジまで延びる長軸方向部分は、前記規定されたクラックの発生方向と一致し、この長軸方向部分にしかクラックは発生せず、クラックが発生して欠陥電極域ができたとしてもこの部分は遮光領域内に位置していて液晶駆動状態でも外部から視認されず画素欠陥領域にはならない。
【００１３】
しかも、画素電極の前記コンタクトホール部分からコンタクトホールのほぼ長軸方向に近傍のエッジまで延びる長軸方向部分は、画素電極のほぼ通常領域内で設けることができ、この部分を遮光領域に設定しても、アクティブ素子基板の開口率を特に低下させるようなことはない。
【００１４】
コンタクトホールが、画素電極の薄膜トランジスタ近傍に位置するコーナ部に、長軸方向がコーナ部の両エッジと交差する向きに配置され、さらに、コンタクトホールの長軸方向が画素電極のコーナ部の２等分線にほぼ直角であると、長軸方向部分をコンパクトな形態で設けて、開口率が低減するのを防止するのに好適である。
【００１５】
遮光領域が、対向基板に設けられた遮光膜により遮光された領域と、薄膜トランジスタを構成する電極のうちの少なくとも１つにより遮光される領域であると、遮光膜のアライメント余裕度確保のための開口率の低下を低減し、もって高開口率化が得られる。
【００１６】
薄膜トランジスタと画素電極とを接続する電極類がドレイン電極であると、クロストークがより低減化される。
【００１７】
層間絶縁膜が有機膜からなるものであると、厚く誘電率の低い層間絶縁膜形成が可能になる。
【００１８】
画素電極がインジュウム錫酸化物であると、薄膜トランジスタおよび層間絶縁膜にダメージを与えずに低抵抗・高透過率な電極が形成できる。
【００１９】
遮光領域は、画素電極による液晶の電気的制御が不完全な部分を遮光する領域とすることができる。
【００２０】
遮光領域は、液晶表示装置を駆動状態としたときに、外部から視認されない領域とすることができる。
【００２４】
本発明のそれ以上の特徴は、以下の詳細な説明および図面の記載によって明らかになる。本発明の各特徴は、可能な限りにおいてそれ単独で、あるいは種々な組み合わせで複合して用いることができる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図１〜図４を用いて詳細に説明し、本発明の理解に供する。
【００２６】
本実施の形態は図１〜図４に示すように、最上層の画素電極８を、これの下の層間絶縁膜７に設けられたコンタクトホール７ａを通じ層間絶縁膜７の下のアクティブ素子の一例である薄膜トランジスタＴＦＴに接続したアクティブ素子基板Ａを有した液晶表示装置の場合の一例であり、対向基板９との間に液晶１１を図示しないボール状のスペーサを介し挟持して封入し、対向基板９の内面に画素電極によっては液晶を制御し切れない領域などを覆って遮光する遮光膜１０を設けて液晶表示装置としたものである。しかし、これに限られることはなく、上層の画素電極８を、これの下の層間絶縁膜７に設けられたコンタクトホール７ａを通じ層間絶縁膜７の下のアクティブ素子に接続したアクティブ素子基板Ａを有した液晶表示装置であれば具体的な構成の違いは特に問わない。
【００２７】
本実施の形態では図１〜図４に示す各実施例で共通しているように、前記コンタクトホール７ａがほぼ楕円形状である。これによって、前記画素電極８の前記コンタクトホール７ａの部分から、つまりコンタクトホール７ａを通じて画素電極８が薄膜トランジスタＴＦＴと電気的に接続されるためにコンタクトホール７ａの内周に沿った形状で窪む窪み部８ａから、コンタクトホール７ａのほぼ長軸方向に近傍のエッジ８ｂ、８ｂまで延びる長軸方向部分８ｄ、８ｄが、アクティブ素子基板Ａの遮光膜１０などによる遮光領域内に位置している。
【００２８】
このように、層間絶縁膜７のコンタクトホール７ａがほぼ楕円形状であると、その開口縁の曲率半径がクラックの発生を見る程度に小さくなるのがほぼ楕円形状の長軸方向の端部７ａ１、７ａ２の２か所になる。一方、画素電極８がコンタクトホール７ａを通じて薄膜トランジスタＴＦＴの所定の電極と接続されたコンタクトホールの形状に沿った窪み部８ａから図２の（ｃ）、図３の（ｂ）、図４の（ｂ）に示すようにクラック１２が発生するとしても、クラック１２は窪み部８ａのコンタクトホール７ａの両端部７ａ１、７ａ２に対応して曲率半径が小さくなる部分から近傍の、さらにいうと直近のエッジ８ｂ、８ｂに向く外方へ成長するように、クラック発生の方向をコンタクトホール７ａのほぼ長軸方向に規定することができる。このようにクラック１２の発生方向を規定するほぼ楕円形状は、図に示すような長円形状や楕円形状を含むし、ほぼ楕円形状の両端部７ａ１、７ａ２の曲率半径をもっと小さく設定し、それを比較的大きな曲率半径の曲線で結んだ偏平なほぼ楕円形状などを含むこともできる。
【００２９】
ここに、画素電極８のコンタクトホール７ａの部分からコンタクトホール７ａのほぼ長軸方向に近傍のエッジ８ｂ、８ｂまで延びる長軸方向部分８ｄは、前記規定されたクラック１２の発生方向に一致し、この長軸方向部分８ｄにしかクラック１２は発生しないことになる。従って、クラック１２が発生して欠陥電極域８ｅができたとしても、この欠陥電極域８ｅの部分はアクティブ素子基板Ａの遮光膜１０などからなる遮光領域内に位置していて、液晶表示装置を駆動状態にしても外部から視認されず画素欠陥領域にはならない。
【００３０】
しかも、画素電極８の前記長軸方向部分８ｄは、画素電極８のほぼ通常領域内で設けることができ、この部分をアクティブ素子基板Ａの遮光膜１０などによる遮光領域に設定しても、アクティブ素子基板Ａの開口率を特に低下させるようなことはない。
【００３１】
コンタクトホール７ａが図１〜図４の各実施例に示すように、画素電極８の薄膜トランジスタＴＦＴ近傍に位置するコーナ部８ｃに、長軸方向がコーナ部８ｃの両エッジ８ｂ、８ｂと交差する向きに配置され、さらに、コンタクトホール７ａの長軸方向が画素電極８のコーナ部８ｃの２等分線にほぼ直角である。しかも、画素電極８のコーナ部８ｃが角部をコンタクトホール７ａの長軸方向にほぼ平行に切り取られている。これらの特徴によると、画素電極８の前記長軸方向部分８ｄ、８ｄをコンパクト形態で設けることができ、アクティブ素子基板Ａの開口率が低減するのを防止するのに好適である。
【００３２】
また、図１〜図４の各実施例に示すように、アクティブ素子が薄膜トランジスタＴＦＴで、画素電極８と接続する所定の電極類がドレイン電極６としてあることにより、クロストークがより低減される。さらに、層間絶縁膜７が有機膜としてあることにより、厚く誘電率の低い層間絶縁膜７の形成が可能になる。
【００３３】
図１の（ａ）、（ｂ）に示す第１の実施例の液晶表示装置は、図２の（ａ）に示すように、ガラスからなる基板１上に薄膜トランジスタＴＦＴのゲート電極２を成膜して形成し、ゲート電極２を担持した基板１上の全面にゲート絶縁膜３であるＳｉＮチャネル層としてのａ−Ｓｉ層を成膜して形成し、さらに後工程でチャネル保護層４に加工されるＳｉＮ層を成膜により形成し、合計３層を成膜する。続いて成膜した３層の最上層にあるＳｉＮ層をチャネル保護層４の形状に加工後、全面にコンタクト層となる低抵抗ａ−Ｓｉと、ソース・ドレイン電極５、６となるＴｉおよびＡｌを成膜する。次に成膜した前記ａ−Ｓｉ、低抵抗ａ−Ｓｉ、ＴｉおよびＡｌを加工し、ソース電極配線５およびドレイン電極６を形成する。次に、全面に感光性有機材料（ＪＳＲ社製；ＰＣ−３０２）をスピン塗布し、フォトマスクを利用した露光、現像によりほぼ楕円形状をしたコンタクトホール７ａを有する層間絶縁膜７を形成する。次にインジュウム錫酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）からなり、前記コンタクトホール７ａを通じて前記ドレイン電極６と接続し、前記層間絶縁膜７を介し前記ソース電極配線５上に一部重畳した画素電極８を形成する。ここで、前記ドレイン電極６と前記コンタクトホール７ａと前記画素電極８の形状および位置関係は、前記コンタクトホール７ａの長軸上であって前記コンタクトホール７ａの部分から近傍のエッジ８ｂ、８ｂまで連続している長軸方向部分８ｄ、８ｄの全体が、前記遮光膜１０と電極類の１つであるドレイン電極６との組み合わせによる遮光領域に重畳するように形成して、アクティブ素子基板Ａを得る。
【００３４】
最後に図２の（ｂ）に示すように、アクティブ素子基板Ａとの間に液晶１１を挟持して封入するとともに（図１の（ｂ））、前記画素電極８による前記液晶１１の電気的制御が不完全な部分および前記長軸方向部分８ｄ、８ｄのほぼ全てと、ドレイン電極６との組み合わせにより重畳して、ドレイン電極６とともに遮光する遮光膜１０を有した対向基板９を形成して液晶表示装置を得る。
【００３５】
この第１の実施例では、クラック１２が発生した場合でも、図２の（ｃ）に示すように、コンタクトホール７ａの両端部７ａ１、７ａ２を起点とし、前記画素電極８の最近エッジ８ｂ、８ｂに到達したものばかりであった。よって、画素電極８の起点をほぼ同じくした複数のクラック１２に挟まれてドレイン電極６との接続部から仕切られた部分で、正しい電位の供給が困難と考えられる欠陥電極域８ｅが生じても、遮光領域である遮光膜１０およびドレイン電極６との重畳によって遮光され、液晶表示装置の駆動状態でも視認されることはなく、実質的な画素欠陥領域となるのを防止することができる。
【００３６】
また、欠陥電極域８ｅを画素欠陥領域とならないようにする遮光領域は、遮光膜１０や薄膜トランジスタＴＦＴなどのアクティブ素子の電極類の少なくとも１つによって設定することはできる。しかし、本実施例のように遮光膜１０とアクティブ素子の電極類の少なくとも１つとによって形成すれば、長軸方向部分８ｄの基部がドレイン電極６と重畳し、長軸方向部分８ｄの外端側部分が遮光膜１０と重畳していて、長軸方向部分８ｄを遮光する遮光領域を形成するのに、ドレイン電極６および遮光膜１０の双方が最小サイズになる。要するに遮光膜１０のアライメント余裕度確保のための開口率の低下を低減することができる。この意味で、長軸方向部分８ｄがアクティブ素子の１つでも多くの電極類と重畳して遮光されるようにするのが好適である。
【００３７】
図３の（ａ）、（ｂ）に示す第２の実施例は、図３の（ａ）に示すように、第１の実施例の場合同様にアクティブ素子基板Ａを得た後、これと対向基板９との間に液晶１１を挟持して封入し遮光膜１０を形成するのに、前記画素電極８の前記コンタクトホール７ａの部分からコンタクトホール７ａのほぼ長軸方向に近傍のエッジ８ｂ、８ｂまで延びる長軸方向部分８ｄ、８ｄの全体と遮光膜１０が重畳してそれを覆い遮光するように形成した点で、第１の実施例と異なる。他の構造および製造方法は第１の実施例と特に変わるところはなく、同じ部材には同一の符号を付し重複する説明は省略する。
【００３８】
このようにすると、前記長軸方向部分８ｄ、８ｄにクラック１２による欠陥電極域８ｅが生じても、その全体に遮光膜１０が図３の（ｂ）に示すように重畳して覆っていて、液晶表示装置の駆動状態でも外部からは全く視認されないようにするので、画素欠陥領域となるのを確実に防止することができ、ドレイン電極６は画素電極８との接続に必要な大きさだけのものでよくなる。
【００３９】
図４の（ａ）〜（ｃ）に示す第３の実施例では、第１の実施例の場合とほぼ同様にアクティブ素子基板Ａを得て、遮光膜１０を持った対向基板９との間に液晶１１を挟持して封入し液晶表示装置とするが、ドレイン電極６とコンタクトホール７ａのほぼ長軸方向上であってコンタクトホール７ａの部分から連続している画素電極８の長軸方向部分８ｄ、８ｄとの関係において、この長軸方向部分８ｄの全体がドレン電極６と重畳して遮光されるようにした点で第１、第２の実施例の場合と異なる。それ以外は特に変わるところはなく、同じ部材には同一の符号を付し重複する説明は省略する。
【００４０】
このようにすると、遮光膜１０は長軸方向部分８ｄを遮光する領域を形成しなくてよくなり、通常通りの設計による範囲にだけ設ければよい。
【００４１】
なお、以上の説明では層間絶縁膜７を感光性有機膜としたが、非感光の低誘電率膜として成膜後、フォトレジストをマスクとしてエッチング加工したものによるものとしてもよい。さらに、アクティブ素子を薄膜トランジスタＴＦＴからなるものとしたが、ＭＩＭ等の非線形２端子素子など、液晶駆動機能を発揮する他の素子としてもよいことは明らかである。
【００４２】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、アクティブ基板が、薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタの上層に設けられた画素電極と、前記薄膜トランジスタと前記画素電極とを接続するコンタクトホールが設けられた層間絶縁膜とを有し、前記画素電極が前記層間絶縁膜を介して前記薄膜トランジスタに接続されたソース電極配線に重畳するように設けられたものである液晶表示装置において、画素電極にクラックが発生し欠陥電極域を生じたとしても、実質的に画素欠陥領域となるのを開口率を特に低下させることなく防止できるという有利な効果がもたらされる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態における液晶表示装置を示し、その（ａ）は１つの画素につき透視して見た平面図、その（ｂ）は断面図である。
【図２】図１の液晶表示装置の製造手順を示し、その（ａ）はアクティブ素子基板の製造段階を示す透視平面図、その（ｂ）はアクティブ素子基板と対向基板とで液晶表示装置とする段階を示す透視平面図、その（ｃ）は（ｂ）で得た液晶表示装置での画素電極のクラック発生状態とその遮光状態を示す説明図である。
【図３】本発明の一実施の形態における第２の実施例の液晶表示装置を示し、その（ａ）は液晶表示装置およびその製造状態を示す透視平面図、その（ｂ）は（ａ）で得た液晶表示装置での画像電極のクラック発生状態とその遮光状態を示す説明図である。
【図４】本発明の一実施の形態における第３の液晶表示装置を示し、その（ａ）はアクティブ素子基板の製造段階を示す透視平面図、その（ｂ）アクティブ素子基板と対向基板とで液晶表示装置とする段階の透視平面図、その（ｃ）は（ｂ）で得た液晶表示装置での画像電極のクラック発生状態とその遮光状態を示す説明図である。
【図５】従来の液晶表示装置およびその製造方法を示し、その（ａ）は透視平面図、その（ｂ）は断面図である。
【図６】図５の液晶表示装置でのクラックの発生状態およびその遮光状態を示す説明図である。
【符号の説明】
１  基板
２  ゲート電極
３  ゲート絶縁膜
４  チャネル層
５  ソース電極配線
６  ドレイン電極
７  層間絶縁膜
７ａ  コンタクトホール
８  画素電極
８ａ  窪み部
８ｂ  エッジ
８ｃ  コーナ部
８ｄ  長軸方向部分
８ｅ  欠陥電極域
９  対向基板
１０  遮光膜
１１  液晶
１２  クラック
Ａ  アクティブ素子基板
【図１】
0003605100.tif 000002
【図２】
0003605100.tif 000003
【図３】
0003605100.tif 000004
【図４】
0003605100.tif 000005
【図５】
0003605100.tif 000006
【図６】
0003605100.tif 000007