【事件の表示】
　平成　８年特許願第２８６１３１号「ＳｉＣダミーウエハ」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　５月　６日出願公開、特開平１０−１１６７５７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯  
　本願は、平成８年１０月８日の出願であって、平成１８年９月２１日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年１０月２６日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年１１月２７日付けで手続補正がなされたものであって、その後、当審において、平成２１年３月３日付けで審尋がなされたものである。
　
２．平成１８年１１月２７日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）について 
　［補正却下の決定の結論］ 
　平成１８年１１月２７日付けの手続補正を却下する。 
　［理由］ 
（１）本件補正の内容 
　本件補正は、特許請求の範囲及び発明の詳細な説明を補正するものであり、特許請求の範囲についての補正は、以下のとおりである。
　
　補正前の請求項１を、補正後の請求項１の
「【請求項１】半導体ウエハとともにウエハボートに配置されるＳｉＣからなるダミーウエハであって、該ＳｉＣダミーウエハは黒鉛基材の両面にＣＶＤ法により単層のＳｉＣ膜を成膜した後に前記黒鉛基材を酸化燃焼により除去して両面の表面粗さＲａを０．１μｍ〜０．７μｍ以下に研磨して表面に成膜の膜の一部が入り込む凹凸の凹部を形成してパーティクルの発生を抑えたことを特徴とするＳｉＣダミーウエハ。」
と補正したこと。
　
（２）補正後の請求項１についての補正の内容の整理
（２−１）補正前の請求項１の「両面の表面粗さＲａを０．０１μｍ以上０．７μｍ以下に研磨して」を、補正後の請求項１の「両面の表面粗さＲａを０．１μｍ〜０．７μｍ以下に研磨して」と補正すること。（以下、「補正事項ａ」という。）
（２−２）補正前の請求項１の「パーティクルの発生を抑えた」を、補正後の請求項１の「表面に成膜の膜の一部が入り込む凹凸の凹部を形成してパーティクルの発生を抑えた」と補正すること。（以下、「補正事項ｂ」という。）
　
（３）補正後の請求項１についての補正の目的の適否および新規事項の追加の有無についての検討
（３−１）補正事項ａについて
　補正事項ａについての補正は、補正前の請求項１の「０．０１μｍ以上０．７μｍ以下」を、補正後の請求項１の「０．１μｍ〜０．７μｍ以下」と限定的に減縮する補正である。
　そして、「０．１μｍ〜０．７μｍ以下」は、本願の願書に最初に添付した明細書の【発明の詳細な説明】の【０００７】段落の「ＳｉＣダミーウエの表面粗さＲa は、０．７μｍ以下に調整するようにする。」、【００１３】段落の「両面の平均粗さＲa を０．１μｍに調整した・・・ＳｉＣウエハを製作した」、【００１５】段落の「表面粗さＲa が０．１μｍのＳｉＣウエハを製作した」という記載に基づく補正である。
　
　したがって、補正事項ａについての補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項（以下、「特許法第１７条の２第３項」という。）に規定された新規事項の追加禁止の要件を満たしており、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項（以下、「特許法第１７条の２第４項」という。）第２号に掲げられた特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　
（３−２）補正事項ｂについて
　補正事項ｂについての補正は、補正前の請求項１の「パーティクルの発生を抑えた」について、補正後の請求項１の「表面に成膜の膜の一部が入り込む凹凸の凹部を形成して」と限定的に減縮する事項を付加する補正である。
　そして、「表面に成膜の膜の一部が入り込む凹凸の凹部を形成して」は、本願の願書に最初に添付した明細書の【発明の詳細な説明】の【０００８】段落の「ダミーウエハに成膜される膜との接触面積が増大するとともに、微小な凹凸の凹部に膜の一部が入り込み、膜とダミーウエハとの密着性が向上して膜が剥離しにくくなる。」という記載に基づく補正である。
　したがって、補正事項ｂについての補正は、特許法第１７条の２第３項に規定された新規事項の追加禁止の要件を満たしており、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げられた特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　
（４）独立特許要件について
（４−１）検討の前提
　上記（３）において検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものを含むものであるから、本件補正が、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項（以下、「特許法第１７条の２第５項」という。）において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか否かについて検討する。
　
（４−２）補正後の請求項１に係る発明
　本件補正による補正後の請求項１に係る発明（以下、「補正後の発明」という。）は、平成１８年１１月２７日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される上記２．（１）の補正後の請求項１として記載したとおりのものである。
　
（４−３）引用刊行物に記載された発明
（４−３−１）本願出願前に日本国内において頒布された「ＢＲＥＡＫ　ＴＨＲＯＵＧＨ」Ｎｏ．１１５，１９９６年１月１５日発行，株式会社リアライズ社(以下、「引用刊行物」という。)には、
「　最近では縦型ボード（写真１）などの大型製品も製作可能になってきている。これらの製品の中で、以下にＣＶＤ-ＳｉＣ膜単体ダミーウェハー（写真２）について記述する。
　
１．ＣＶＤ-ＳｉＣウェハーの概要
　本ウェハーは、等方性高純度黒鉛円板を基材とし、その上に、当社独自のＣＶＤ法により，ＳｉＣコーティングを行い，その後，外周研削→黒鉛の燃焼除去→研磨→洗浄というプロセスで作製される。」（第２６ページ右欄第１１行から第２７ページ左欄第３行）、
「図１に本ウェハーのＸ線回折図形を示す。本ウェハーは板厚方向に強く配向したβ型のＳｉＣからなる。」（第２７ページ左欄第７行から第９行）、
「　ＳｉＣの熱膨張率は，Ｓｉの熱膨張率に近いので，ＬＰＣＶＤの工程でポリシリコン膜が本ウェハー上に付着してもその膜がウェハーから剥離する傾向がより少なく，パーティクル防止に効果がある。」（第２７ページ左欄第２６行から右欄第４行）と記載されている。また、「本ウェハーの規格」として、「Both side polished Roughness　Ra　0.1〜0.01μｍ」（表４）と記載されており、ウェハーの両面の研磨粗さＲａが、０．１μｍ〜０．０１μｍであることが示されている。
　
（４−３−２）上記記載からみて、引用刊行物には、以下の発明（以下、「刊行物発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
　「等方性高純度黒鉛円板にＣＶＤ法によりＳｉＣコーティングを行った後に、黒鉛を燃焼除去し、両面の研磨粗さＲａを０．１〜０．０１μｍに研磨して、Ｒａパーティクルの発生を防止したことを特徴とするＣＶＤ-ＳｉＣ膜単体ダミーウェハー。」
　
（４−４）対比
（４−４−１）刊行物発明の「等方性高純度黒鉛円板」、「ＣＶＤ法によりＳｉＣコーティングを行」うこと、「ＣＶＤ-ＳｉＣ膜単体ダミーウェハー」、「研磨粗さ」は、補正後の発明の「黒鉛基材」、「ＣＶＤ法により」「ＳｉＣ膜を成膜」すること、「ＳｉＣダミーウエハ」、「表面粗さ」に各々相当する。
　
（４−４−２）刊行物発明の「ＣＶＤ-ＳｉＣ膜単体ダミーウェハー」は、その使用時に、半導体ウエハとともにウエハボートに配置されることは、明らかである。
　
（４−４−３）刊行物発明の「黒鉛を燃焼除去」する処理は、酸化雰囲気中にて行われていることは明らかである。
　
（４−４−４）
　したがって、補正後の発明と刊行物発明とは、 
「半導体ウエハとともにウエハボートに配置されるＳｉＣからなるダミーウエハであって、該ＳｉＣダミーウエハは黒鉛基材にＣＶＤ法によりＳｉＣ膜を成膜した後に前記黒鉛基材を酸化燃焼により除去して研磨してパーティクルの発生を抑えたことを特徴とするＳｉＣダミーウエハ。」である点で一致し、以下の３点で相違する。
　
相違点１ 
　補正後の発明は、「黒鉛基材の両面にＣＶＤ法により単層のＳｉＣ膜を成膜し」ているのに対して、刊行物発明では、「ＳｉＣコーティング」を「等方性高純度黒鉛円板」の両面に行っているのかどうか、及び「ＳｉＣコーティング」によりコーティングされるＳｉＣが単層かどうかが明らかでない点。
　
相違点２
　補正後の発明は、「両面の表面粗さＲａを０．１μｍ〜０．７μｍ以下に研磨」しているのに対して、刊行物発明では、両面の研磨粗さＲａが「０．１〜０．０１μｍ」である点。
　
相違点３
　補正後の発明は、「表面に成膜の膜の一部が入り込む凹凸の凹部を形成して」いるのに対して、刊行物発明では、表面に成膜の膜の一部が入り込む凹凸の凹部については明示されていない点。
　
（４−５）判断
（４−５−１）相違点１について
　引用刊行物には、「ＳｉＣコーティングを行い、その後、外周研削→黒鉛の燃焼除去」という記載があり、「ＳｉＣコーティング」工程と「黒鉛の燃焼除去」工程との間に「外周研削」工程が挿入されている。これは、「黒鉛円板」の両面にコーティングされた「ＳｉＣ」を分離するとともに、「黒鉛円板」を露出させて燃焼除去を可能にするための工程であると解するのが自然であるから、刊行物発明も、「ＳｉＣコーティング」を「等方性高純度黒鉛円板」の両面に行っているものと認められる。
　また、引用刊行物には、「本ウェハーは板厚方向に強く配向したβ型のＳｉＣからなる。」と記載されているから、刊行物発明において、「ＳｉＣコーティング」によりコーティングされるＳｉＣが単層であることは明らかである。
　したがって、相違点１は実質的なものではない。
　
（４−５−２）相違点２について
  刊行物発明と補正後の発明とは、Ｒａが０．１μｍである点では一応一致しており、この表面粗さ数値の近傍を更に検討して、数値の大きい方に拡大を試みることは、当業者であれば必要に応じて適宜実施し得た程度のことにすぎない。
　よって、相違点２は、当業者が容易に想到し得る範囲に含まれる程度のものである。
　
（４−５−３）相違点３について
　刊行物発明のダミーウエハにも、多少なりとも凹凸が存在していることは明らかであり、程度の差はあっても表面に成膜の膜の一部が入り込む凹凸の凹部を形成しているということができるから、相違点３については、単なる文言上の相違というべきものであって、技術的に有意な相違とは認められない。
　したがって、相違点３は実質的なものではない。
　
（４−６）独立特許要件についてのまとめ
　以上、検討したとおり、補正後の発明と刊行物発明との相違点は、当業者が容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものにすぎず、補正後の発明は、刊行物発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　したがって、本件補正は、補正後の発明が、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものである。
　
（５）補正の却下についてのむすび
　本件補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するが、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明　  
　平成１８年１１月２７日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１７年５月１６日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
　
　「【請求項１】　半導体ウエハとともにウエハボートに配置されるＳｉＣからなるダミーウエハであって、該ＳｉＣダミーウエハは黒鉛基材の両面にＣＶＤ法により単層のＳｉＣ膜を成膜した後に前記黒鉛基材を酸化燃焼により除去して両面の表面粗さＲａを０．０１μｍ以上０．７μｍ以下に研磨してパーティクルの発生を抑えたことを特徴とするＳｉＣダミーウエハ。」 
　
４．刊行物記載発明
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された引用刊行物には、上において検討したとおり、上記２．（４−３−１）に記載したとおりの事項、及び上記２．（４−３−２）に記載したとおりの発明（「刊行物発明」）が記載されているものと認められる。
　
５．対比 
（１）刊行物発明の「等方性高純度黒鉛円板」、「ＣＶＤ法によりＳｉＣコーティングを行」うこと、「ＣＶＤ-ＳｉＣ膜単体ダミーウェハー」、「研磨粗さ」は、本願発明の「黒鉛基材」、「ＣＶＤ法により」「ＳｉＣ膜を成膜」すること、「ＳｉＣダミーウエハ」、「表面粗さ」に各々相当する。
　
（２）刊行物発明の「ＣＶＤ-ＳｉＣ膜単体ダミーウェハー」は、その使用時に、半導体ウエハとともにウエハボートに配置されることは、明らかである。
　
（３）刊行物発明の「黒鉛を燃焼除去」する処理は、酸化雰囲気中にて行われていることは明らかである。
　
（４）刊行物発明の「両面の研磨粗さＲａを０．１μｍ〜０．０１μｍに研磨」することは、本願発明の「両面の表面粗さＲａを０．０１μｍ以上０．７μｍ以下に研磨」することに相当する。
　
（５）したがって、本願発明と刊行物発明とは、 
「半導体ウエハとともにウエハボートに配置されるＳｉＣからなるダミーウエハであって、該ＳｉＣダミーウエハは黒鉛基材にＣＶＤ法によりＳｉＣ膜を成膜した後に前記黒鉛基材を酸化燃焼により除去して両面の表面粗さＲａを０．０１μｍ以上０．７μｍ以下に研磨してパーティクルの発生を抑えたことを特徴とするＳｉＣダミーウエハ。」である点で一致し、以下の１点で一応相違する。
　
相違点１ 
　本願発明は、「黒鉛基材の両面にＣＶＤ法により単層のＳｉＣ膜を成膜し」ているのに対して、刊行物発明では、「ＳｉＣコーティング」を「等方性高純度黒鉛円板」の両面に行っているのかどうか、及び「ＳｉＣコーティング」によりコーティングされるＳｉＣが単層かどうかが明らかでない点。
　
６．当審の判断 
（１）相違点１について
  引用刊行物には、「ＳｉＣコーティングを行い、その後、外周研削→黒鉛の燃焼除去」という記載があり、「ＳｉＣコーティング」工程と「黒鉛の燃焼除去」工程との間に「外周研削」工程が挿入されている。これは、「黒鉛円板」の両面にコーティングされた「ＳｉＣ」を分離するとともに、「黒鉛円板」を露出させて燃焼除去を可能にするための工程であると解するのが自然であるから、刊行物発明も、「ＳｉＣコーティング」を「等方性高純度黒鉛円板」の両面に行っているものと認められる。
　また、引用刊行物には、「本ウェハーは板厚方向に強く配向したβ型のＳｉＣからなる。」と記載されているから、刊行物発明において、「ＳｉＣコーティング」によりコーティングされるＳｉＣが単層であることは明らかである。
　したがって、相違点１は実質的なものではない。
　
（２）したがって、本願発明と刊行物発明との間には相違点はなく、本願発明は、引用刊行物に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許法第２９条第１項の規定により、特許を受けることができない。  
　
７．むすび 
　以上のとおりであるから、本願は、特許法第２９条第１項の規定により拒絶されるべきものである。  
　よって、結論のとおり審決する。