【事件の表示】
　平成　９年特許願第　８６５８０号「エッチング装置およびエッチング方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年１０月２３日出願公開、特開平１０−２８４４７０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
［１］手続の経緯・本願発明
　本願は、平成９年４月４日の出願であって、その請求項２に係る発明は、平成１８年７月３１日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項２に記載された以下の事項により特定されるとおりのものと認める。
　
「半導体基板上に形成された所定膜厚の被エッチング材を、活性ガスを用いて所定条件でエッチングし、前記被エッチング材に起因して発生する所定波長の発光強度を経時的に検出し、検出された前記発光強度が低下する時間を算出し、前記被エッチング材の膜厚と、算出された前記発光強度が低下する時間に応じて、エッチング終了点を制御することを特徴とするエッチング方法。」（以下、「本願発明」という。）
　
［２］引用例の記載事項
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願日前である平成４年４月２日に頒布された特開平４−１００２２７号公報（以下、「引用例」という。）には、第１図〜第３図とともに、以下の事項が記載されている。
　
（ア）「エッチング反応中の発光状態を監視する手段と、この監視手段によって得た発光強度の時間変化のデータに基づいてエッチングを制御する手段を有する薄膜のエッチング方法において、エッチング終点付近のエッチング発光強度波形の変化時間に基づき、この変化時間に比例した値をもって、エッチング終了時判定後の追加エッチング量とすることを特徴とする薄膜のエッチング方法。」（特許請求の範囲）
　
（イ）「本発明は薄膜をエッチング、特にドライエッチングする工程においてエッチングの終了を自動制御する内容に関するものである。」（第１頁左欄第１５−１７行）
　
（ウ）「本発明はエッチング終点付近のエッチング発光波形の変化時間に基づき、このエッチング波形の変化時間に比例した値を使ってオーバーエッチング時間を設定する。」（第２頁左下欄第１−４行）
　
（エ）「このドライエッチング法は、電極間に電圧をかけることによりプラズマを生成させ、プラズマ中で発生した活性種による気相反応を通して薄膜をエッチングするものである。このときエッチングの終了を判定するために、プラズマの発光強度変化を監視して、エッチング波形をとるのが普通である。これは、エッチング反応によって生成した物質からの発光を観測するものである。……
このため、エッチング終了判定後さらにある程度のエッチングを追加する。これをオーバーエッチングと称する。」（第１頁右欄第１８行−第２頁左上欄第１７行）
　
（オ）「この全体のエッチングバラツキは第１図で示したエッチング時の発光強度の波形変化時間によって評価される。エッチング波形変化時間の発生原理は次のようなものである。膜厚やエッチング速度がバラツクとエッチングの早く終了する領域と遅く終了する領域とが発生する。すると早く終了した部分からエッチング膜がなくなってゆくので次第にエッチング面積が小さくなってくる。そしてついには膜がすべてなくなる。前記の説明からわかるようにバラツキが大きいと膜のなくなりが早くなると同時に、膜が全部なくなるのが遅くなる。つまり縦軸である発光強度の落ち始める時間が早くなり、ある一定の発光強度になるまでの時間であるところの第１図４の時間が長くなる。したがってオーバーエッチング量を第１図４に比例して設定すればバラツキが大きくなるのに応じてオーバーエッチング量が増え、エッチング残りの発生を防ぐことができる。（第２頁左下欄第１３行−右下欄第１０行）
　
（カ）「［実施例］
　　第３図にアルミニウム薄膜におけるエッチング制御法の図を示す。
　具体例１
　　アルミニウム薄膜６５００Åを平行板型プラズマドライエッチング装置を用いてエッチングするとする。通常の終点検出装置のプログラムを以下のように変更する。」（第２頁右下欄第１１−１８行）
　
［３］引用例記載の発明
　　上記［２］の各摘記事項をまとめると、引用例には、
「プラズマ中で発生した活性種による気相反応を通して薄膜をエッチングし、エッチング反応により生成した物質からの発光を観測し、この発光強度の時間変化を監視して、エッチング終点付近の発光強度波形の変化時間、すなわち発光強度の落ち始める時間からある一定の発光強度になるまでの時間を算出し、該算出した変化時間に比例した値をもって、エッチング終了時判定後の追加エッチング時間を設定することを特徴とする薄膜のエッチング方法」（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
［４］対比・判断
　本願発明と引用発明を対比すると、引用発明における「プラズマ中で発生した活性種による気相反応を通して薄膜をエッチングし」、「エッチング反応により生成した物質からの発光を観測し、この発光強度の時間変化を監視して」、「エッチング終点付近の発光強度波形の変化時間、すなわち発光強度の落ち始める時間からある一定の発光強度になるまでの時間」、「該算出した変化時間に比例した値をもって、エッチング終了時判定後の追加オーバーエッチング時間を設定する」は、それぞれ、本願発明の「所定膜厚の被エッチング材を、活性ガスを用いて所定条件でエッチングし、」、「被エッチング材に起因して発生する所定波長の発光強度を経時的に検出し」、「発光強度が低下する時間」、「算出された前記発光強度が低下する時間に応じて、エッチング終了点を制御する」に相当する。
　よって、両者は、所定膜厚の被エッチング材を、活性ガスを用いて所定条件でエッチングし、前記被エッチング材に起因して発生する所定波長の発光強度を経時的に検出し、検出された前記発光強度が低下する時間を算出し、算出された前記発光強度が低下する時間に応じて、エッチング終了点を制御することを特徴とするエッチング方法である点で一致し、以下の点で相違する。
（１）本願発明では、所定膜厚の被エッチング材が半導体基板上に形成されているのに対し、引用発明では、それが明らかではない点、
（２）本願発明では、被エッチング材の膜厚と、算出された前記発光強度が低下する時間に応じて、エッチング終了点を制御するのに対し、引用発明では、算出された前記発光強度が低下する時間に応じてエッチング終了点を制御する点。
　そこで、前記相違点について、検討する。
（１）について
　所定膜厚の被エッチング材が形成される基板として、半導体基板は周知であるから（例えば、特開昭６３−６９９８８号公報：「半導体基板上に成長したアルミニウムあるいはアルミニウム合金膜を、…塩素系化合物とＣｌ２　の混合ガスを用いて、フォトレジストをマスクにドライエッチングをする際に、…ドライエッチング方法。」（特許請求の範囲）、特開平５−１９８５３７号公報：「半導体装置のバリアメタルなどの配線材料等としてＴｉＷ（チタンタングステン）膜が用いられている。…まず、シリコウエハー上の絶縁膜上にバリアメタルとしてのＴｉＷ膜を形成する。次いでＡｌ合金層等を形成した後に、反射防止膜としてのＴｉＷ膜を形成する。その後、配線パターンに応じてフォトレジスト等によってレジスト層を形成し、ＳＦ６等のフッ素ガスやＢＣｌ３等の塩素系ガスを用いた反応性イオンエッチング等のドライエッチングによってＴｉＷ膜やＡｌ合金層の不要な部分が剥離され、…」（【０００２】））、引用発明における所定膜厚の被エッチング材を半導体基板上に形成されたものとすることに格別の困難性は認められない。
（２）について
　本願明細書（【００２４】【００２５】、図７）にもあるように、同一条件で成膜された被エッチング材であっても、膜厚が異なれば（Ｔ３−Ｔ２）、すなわち「発光強度の低下時間」が異なるのであり、「発光強度の低下時間」とは、被エッチング材の膜厚をも反映して算出されるものといえる。
　よって、引用発明における「算出された前記発光強度が低下する時間に応じてエッチング終了点を制御する」と、本願発明における「被エッチング材の膜厚と、算出された前記発光強度が低下する時間に応じて、エッチング終了点を制御する」とは実質的に相違しない。
　そして、本願発明は、引用例に記載された発明および周知事項から予想しえない効果を奏するものとも認められない。
　
［５］むすび
　したがって、本願発明は、引用例に記載された発明および周知技術に基いて当業者が容易に発明することができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。