(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
高エネルギービームの照射によって可逆的相変化を生起する記録層を基板上に備えた光学情報記録媒体であって、前記記録層が少なくともＴｅ，Ｇｅ，Ｓｂおよび窒素Ｎを含んでなり、かつ、全体に対するＮの含有濃度が０．４９から５．９原子％の範囲内であり、前記記録層のＴｅ，Ｇｅ，Ｓｂの３つの成分の組成が（ＧｅＴｅ）x（Ｓｂ2Ｔｅ3）1Ｓｂy（１.６≦ｘ≦２.２，０≦ｙ≦０.８）の組成式を満足することを特徴とする光学情報記録媒体。
【請求項２】
記録層が少なくともＴｅ，Ｇｅ，Ｓｂ，Ｎの４元素を含んでなり、そのうちＴｅ，Ｇｅ，Ｓｂの３つの成分の組成が（ＧｅＴｅ）x（Ｓｂ2Ｔｅ3）1Ｓｂy（１.８≦ｘ≦２.２，０≦ｙ≦０.５）の組成式を満足する割合で含まれており、かつ、全体に対するＮの含有濃度が１から３原子％の範囲内にあることを特徴とする請求項１記載の光学情報記録媒体。
【請求項３】
基板上に光干渉層と反射層のうち少なくとも一つと、記録層が形成されていることを特徴とする請求項１記載の光学情報記録媒体。
【請求項４】
光干渉層がＺｎＳ−ＳｉＯ2を主成分とすることを特徴とする請求項３記
載の光学情報記録媒体。
【請求項５】
反射層がＡｌ，Ａｌを主成分とする合金，Ａｕ，Ａｕを主成分とする合金のいずれかより構成されることを特徴とする請求項３記載の光学情報記録媒体。
【請求項６】
基板上に第一の光干渉層，界面層，記録層，第二の光干渉層，反射層が順に形成され、前記界面層は窒化物よりなることを特徴とする請求項３記載の光学情報記録媒体。
【請求項７】
基板上に第一の光干渉層，記録層，第二の光干渉層，反射層が順に形成され、第一の光干渉層の厚みをｄ１，記録層の厚みをｄ２，第二の光干渉層の厚みをｄ３，反射層の厚みをｄ４としたとき，１４０≦ｄ１≦２００（ｎｍ），２０≦ｄ２≦３０（ｎｍ），４０≦ｄ３≦６０（ｎｍ），５０≦ｄ４≦１５０（ｎｍ）であることを特徴とする請求項５記載の光学情報記録媒体。
【請求項８】
基板上に第一の光干渉層，記録層，第二の光干渉層，反射層が順に形成され、第一の光干渉層の厚みをｄ１，記録層の厚みをｄ２，第二の光干渉層の厚みをｄ３，反射層の厚みをｄ４としたとき、１００≦ｄ１≦２００（ｎｍ），２０≦ｄ２≦３０（ｎｍ），１０≦ｄ３≦３０（ｎｍ），５≦ｄ４≦３０（ｎｍ）であることを特徴とする請求項５記載の光学情報記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は光学的に情報を記録、再生、消去する光ディスクなどの光学的情報記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
光学情報記録媒体として例えば光ディスクは、一般に記録層，反射層，光干渉層を有する多層構造になっており、多重干渉効果を利用して信号を読み出す。記録層の材料としてＴｅ−Ｇｅ−Ｓｂの中でも特に、ＧｅＴｅ−Ｓｂ２Ｔｅ３擬二元系組成は高速結晶化材料として優れた記録消去性能を示す。この擬二元系組成の繰り返し記録消去性能を向上させる方法として従来、登録特許第２５５３７３６号に開示されているように、ＧｅＴｅとＳｂ２Ｔｅ３の化合物にＳｂを混合し、さらには窒素を添加する方法がある。前記登録特許第２５５３７３６号によれば、アルゴンと窒素の混合ガスを用いたスパッタ法によりＧｅＴｅとＳｂ２Ｔｅ３とＳｂの混合体に窒素を含ませてなる記録層を形成し、その混合比は、Ｓｂ／Ｓｂ２Ｔｅ３のモル比をｂ，ＧｅＴｅ／Ｓｂ２Ｔｅ３のモル比をｇとして、０≦ｂ≦１．０，０．５≦ｇ≦２．３の範囲に設定されている。その効果としてはＳｂの添加により局所的な偏析を阻止し、窒素添加により記録・消去に伴う物質移動の抑制が図れ、繰り返し記録消去性能が改善できるというものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記登録特許第２５５３７３６号においてはＧｅＴｅとＳｂ２Ｔｅ３とＳｂの混合体に含ませる窒素Ｎ量の濃度が開示されていない。ＧｅＴｅとＳｂ２Ｔｅ３とＳｂの混合体に含ませるＮ量を定量化し、記録消去性能および繰り返し記録消去性能のＮ濃度依存性を評価したところ、少なすぎても多すぎても性能は確立できず、Ｎ濃度には最適値が存在し、厳密に決定しなければならないことが判った。また、Ｔｅ，Ｇｅ，Ｓｂの組成比によって信頼性に影響を与えることも判った。
【０００４】
本発明は上記課題を解決するもので、記録層のＴｅ−Ｇｅ−Ｓｂの組成比及び添加する窒素濃度を定量し最適化して、記録消去性能、繰り返し書き換え性能及び信頼性を高めることを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
この課題を解決するために本発明の光学情報記録媒体は、高エネルギ−ビ−ムの照射によって可逆的相変化を生起する記録層を基板上に備え、記録層が少なくともＴｅ，Ｇｅ，Ｓｂ，Ｎを含んでなり、かつ全体に対するＮの含有濃度が０．４９から５．９原子％の範囲内であり、前記記録層のＴｅ，Ｇｅ，Ｓｂの３つの成分の組成が（ＧｅＴｅ）x（Ｓｂ2Ｔｅ3）1Ｓｂy（１.６≦ｘ≦２.２，０≦ｙ≦０.８）の組成式を満足するものである。
【０００６】
さらに上記基板上に第一の光干渉層，界面層，記録層，第二の光干渉層，反射層が順に形成され、前記界面層は窒化物より構成するものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】
本発明の請求項１に記載の発明は、高エネルギ−ビ−ムの照射によって可逆的相変化を生起する記録層を基板上に備えた光学情報記録媒体であって、前記記録層が少なくともＴｅ，Ｇｅ，Ｓｂ，窒素Ｎを含んでなり、かつ、全体に対するＮの含有濃度が０.４９から５．９原子％の範囲内であり、前記記録層のＴｅ，Ｇｅ，Ｓｂの３つの成分の組成が（ＧｅＴｅ）x（Ｓｂ2Ｔｅ3）1Ｓｂy（１.６≦ｘ≦２.２，０≦ｙ≦０.８）の組成式を満足することを特徴とするものであり記録消去性能、繰り返し書き換え性能及び信頼性を高めるという作用を有する。
【０００９】
本発明の請求項２に記載の発明は、請求項１記載の光学情報記録媒体において記録層が少なくともＴｅ，Ｇｅ，Ｓｂ，Ｎの４元素を含んでなり、そのうちＴｅ，Ｇｅ，Ｓｂの３つの成分の組成が（ＧｅＴｅ）x（Ｓｂ2Ｔｅ3）1Ｓｂy（１.８≦ｘ≦２.２，０≦ｙ≦０.５）の組成式を満足する割合で含まれており、かつ、全体に対するＮの含有濃度が１から３原子％の範囲内にあることを特徴とするものであり記録消去性能、繰り返し書き換え性能及び信頼性を高めるという作用を有する。
【００１０】
本発明の請求項３に記載の発明は、請求項１記載の光学情報記録媒体において、基板上に光干渉層と反射層のうち少なくとも一つと、記録層が形成されていることを特徴とするものでありエネルギービームの利用効率を高め、記録消去性能、繰り返し書き換え性能及び信頼性を高めるという作用を有する。
本発明の請求項４に記載の発明は、請求項３記載の光学情報記録媒体において、光干渉層がＺｎＳ−ＳｉＯ2を主成分とすることを特徴とするものでありエネルギービームの利用効率を高め、記録消去性能、繰り返し書き換え性能及び信頼性を高めるという作用を有する。
【００１１】
本発明の請求項５に記載の発明は、請求項３記載の光学情報記録媒体において、反射層がＡｌ，Ａｌを主成分とする合金，Ａｕ，Ａｕを主成分とする合金のいずれかより構成されることを特徴とするものでありエネルギービームの利用効率を高め、記録消去性能、繰り返し書き換え性能及び信頼性を高めるという作用を有する。
【００１２】
本発明の請求項６に記載の発明は、請求項３記載の光学情報記録媒体において、基板上に第一の光干渉層，界面層，記録層，第二の光干渉層，反射層が順に形成され、前記界面層は窒化物よりなることを特徴とするものであり記録消去性能、繰り返し書き換え性能及び信頼性をさらに高めるという作用を有する。
本発明の請求項７に記載の発明は、請求項５記載の光学情報記録媒体において、基板上に第一の光干渉層，記録層，第二の光干渉層，反射層が順に形成され、第一の光干渉層の厚みをｄ１，記録層の厚みをｄ２，第二の光干渉層の厚みをｄ３，反射層の厚みをｄ４としたとき，１４０≦ｄ１≦２００（ｎｍ），２０≦ｄ２≦３０（ｎｍ），４０≦ｄ３≦６０（ｎｍ），５０≦ｄ４≦１５０（ｎｍ）であることを特徴とするものであり記録消去性能、繰り返し書き換え性能及び信頼性を高めるという作用を有する。
【００１３】
本発明の請求項８に記載の発明は、請求項５記載の光学情報記録媒体において、基板上に第一の光干渉層，記録層，第二の光干渉層，反射層が順に形成され、第一の光干渉層の厚みをｄ１，記録層の厚みをｄ２，第二の光干渉層の厚みをｄ３，反射層の厚みをｄ４としたとき、１００≦ｄ１≦２００（ｎｍ），２０≦ｄ２≦３０（ｎｍ），１０≦ｄ３≦３０（ｎｍ），５≦ｄ４≦３０（ｎｍ）であることを特徴とするものであり記録消去性能、繰り返し書き換え性能及び信頼性を高めるという作用を有する。
【００１４】
以下、本発明の実施の形態について図１を用いて説明する。
図１は、本発明の光学情報記録媒体の一構成例を示し、基板１の上に第一の光干渉層２，記録層３，第二の光干渉層４，反射層５を順次積層して樹脂の保護層６を塗布した単板構造としている。
基板１としては円盤状で、必要に応じて同心円状またはスパイラル状に１μｍ前後のピッチで案内溝が形成されたポリカ−ボネ−トまたはアモルファスポリオレフィンまたはＰＭＭＡなどの樹脂またはガラスを用いることができ、均質、透明で表面の平滑なものを使用する。
【００１５】
第一の光干渉層２及び第二の光干渉層４は誘電体薄膜で、光学距離を調節して記録層への光吸収効率を高めるとともに、記録前後の反射光量の変化を大きくして信号振幅を大きくする働きがある。第一の光干渉層２及び第二の光干渉層４は例えばＳｉＯ２，Ｔａ２Ｏ５などの酸化物，ＳｉＮ，ＡｌＮ，ＴｉＮ，ＴａＮ，ＺｒＮ，ＧｅＮなどの窒化物，ＺｎＳなどの硫化物，ＳｉＣなどの炭化物，ＣａＦ２などのフッ化物及びこれらの混合物としてＺｎＳ−ＳｉＯ２などを用いることができ、スパッタリングや蒸着などの方法により形成することができる。第一の光干渉層２及び第二の光干渉層４の膜厚は、例えばマトリクス法（例えば久保田広著「波動光学」岩波新書，１９７１年，第３章を参照）に基づく計算により、記録層結晶状態（記録前）と記録層アモルファス状態（記録後）の反射光量の変化がより大きく且つ記録層への光吸収率がより大きくなる条件を満足するように入射光波長との関係で厳密に決定することができる。
【００１６】
記録層３の材料としては、結晶相とアモルファス相との間で可逆的な相変態を起こす材料としてＴｅ，Ｇｅ，Ｓｂを含むＴｅ−Ｇｅ−Ｓｂ，Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｐｄ，Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｓｅ，Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｂｉ，Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｃｒの系に窒素Ｎを添加した材料を使用する。これらの系の中でも，特にＴｅ−Ｇｅ−ＳｂではＧｅＴｅ−Ｓｂ２Ｔｅ３擬二元系組成が高速結晶化材料として良好な記録消去性能を確保することができ、ＧｅＴｅ：Ｓｂ２Ｔｅ３＝２：１近傍が最も相安定性に優れ、実用的に好ましい組成である。これらＴｅ，Ｇｅ，Ｓｂを含む系に窒素を添加した記録層は、Ｔｅ，Ｇｅ，Ｓｂを含む系の材料を母材として、Ａｒガス及びＮ２ガス雰囲気中で反応性スパッタリング法により形成することができる。スパッタリング条件を変えることにより記録層に含まれるＮ含有濃度を制御することができ、例えばＮ２ガスの流量を増やしたり、Ｎ２ガスの分圧を上げたり、スパッタパワ−を下げたりすることにより、いずれの方法でも母材から飛び出すイオンとＮとの反応が促進され、記録層に含まれるＮ含有濃度を増加させることができる。また、逆にＮ２ガスの流量を減らしたり、Ｎ２ガスの分圧を下げたり、スパッタパワ−を上げたりすることにより、Ｎとの反応が進みにくくなり、記録層に含まれるＮ含有濃度を減少させることができる。これらスパッタリング条件の中でも、Ｎ２ガスの流量を変える方法はスパッタ速度をほとんど下げることなく、記録層に含まれるＮ含有濃度を制御することができる。また使用するスパッタリング装置は、１つの真空室に１つの母材がある方式，１つの真空室に複数個の母材がある方式，静止対向方式，自公転方式，インライン方式のいずれを組み合わせてもよく、Ｎとの反応性スパッタリングが可能である。
【００１７】
記録層に含まれる微量なＮ量は２次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）により定量することができ、単位体積当たりに存在するＮ原子数を測定して、他元素と合わせた全体の原子数に対してＮ原子濃度を算出することができる。
記録層３に含まれるＮ含有濃度を制御することにより、記録層の光学的特性及び熱的特性を制御することができ、光学情報記録媒体の記録性能、消去性能、書き換え性能が変化する。すなわち、記録層に含まれるＮ濃度を最適化することにより、光学情報記録媒体の使用条件（相対線速度範囲、レ−ザ波長など）に適した記録消去性能、優れた繰り返し書き換え性能（サイクル性能）、高い信頼性を得ることができる。
【００１８】
またＴｅ，Ｇｅ，Ｓｂ組成については、ＧｅＴｅ：Ｓｂ２Ｔｅ３＝２：１（Ｔｅ５Ｇｅ２Ｓｂ２）近傍にＳｂを混合することにより結晶化速度を制御できる。Ｎ濃度は記録層の組成により若干異なるが高々１０原子％で、好ましくは１から３原子％である。
反射層５の材料としては、Ａｌ，Ａｌを主成分とする合金、Ａｕ，Ａｕを主成分とする合金を用いることができる。反射層は光学的には記録層に吸収される光量を増大させ、熱的には記録層で生じた熱を速やかに拡散させるという働きをもち、さらには多層膜を使用環境から保護する役割をも兼ね備えている。上記反射層材料は、いずれも耐食性に優れ且つ急冷条件を満足する優れた材料である。
【００１９】
保護層６は、アクリル樹脂を主成分とした材料またはエポキシ樹脂を主成分とした材料を用いることができ、反射層５上に塗布し紫外線照射により硬化し形成することができる。
図２は、本発明の光学情報記録媒体の他の構成例を示し、基板１の上に第一の光干渉層２，界面層７，記録層３，第二の光干渉層４，反射層５を順次積層して樹脂の保護層６を塗布した単板構造としている。界面層７は窒化物よりなり、ＳｉＮ，ＡｌＮ，ＺｒＮ，ＴｉＮ，ＧｅＮ，ＴａＮなどを主成分とした材料を使用し、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｎｉ，Ｗ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｓｅ，Ｓｉ，Ｂｉなどを添加してもよい。この界面層７は，繰り返し記録消去による第一の光干渉層２及び記録層３の間で生じる物質移動を防止する機能を持ち、この界面層７を設層することによりサイクル性能が改善できる。これらの窒化物は、記録層３と同様にＡｒガス及びＮ２ガス雰囲気中で反応性スパッタリング法により形成することができる。膜厚が厚いと多層構成の反射率や吸収率が大きく変化して記録消去性能に影響を与えるため、５から３０ｎｍが望ましく最も好ましい膜厚は、約１０ｎｍである。
【００２０】
また、記録層３のＮ濃度を膜厚方向に分布をもたせて、界面層７の機能を記録層３に含めることも可能である。その方法としては、記録層３をＡｒガス及びＮ２ガス雰囲気中で反応性スパッタリングにより形成する際に、スパッタ開始後はＮ濃度を高くしスパッタが進むに伴いＮ濃度を徐々に下げる、またはスパッタ開始後はＮ濃度を一定に高くし途中からＮ濃度を一定または徐々に下げる、またはスパッタ開始後はＮを含有させるが途中からＮを入れないというものである。いずれの方法でも記録層３に含まれる総Ｎ濃度は、Ｎ２ガス流量やスパッタパワ−やＮ２ガス分圧を調整することにより容易に制御できる。
【００２１】
なお、以上の説明では保護層６まで形成した単板構造の光学情報記録媒体を例として説明したが、その他保護層６まで形成した光学情報記録媒体２枚を、例えばホットメルト性の接着剤で保護層側を貼り合わせた両面構造の光学情報記録媒体についても同様に実施可能である。
【００２２】
【実施例】
次に、本発明の具体例を説明する。
（実施例１）
円形タ−ゲット及び真空放電を発生させるための電源を備えた真空チャンバ−をもつ静止対向式スパッタ装置で実験を行った。まず、記録層のスパッタ速度を測定するための薄膜試料を以下の手順で作製した。Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｂタ−ゲットを用い、スパッタパワ−５００Ｗ、Ａｒガス流量を一定にしてＮ２ガスの流量を０から１０ＳＣＣＭの範囲で変えて、各々ガラス基板片上に反応性スパッタ法により薄膜を形成した。スタイラス法により膜厚を測定し、スパッタ時間からスパッタ速度を計算した。スパッタ速度は５．２から４．１ｎｍ／ｓｅｃが得られ、Ｎ２ガス流量の増加に対し、スパッタ速度の低下は２０％程度であった。その結果を（表１）に示す。
【００２３】
【表１】
0003570169.tif 000002
【００２４】
（実施例２）
得られたスパッタ速度から、記録膜中の窒素量を定量するための薄膜試料を作製した。実施例１と同様の条件でシリコン基板上に約３００ｎｍ形成した。１２種類の薄膜試料について、窒素の単位体積当たりの原子数を２次イオン質量分析（ＳＩＭＳ）法により定量した結果を（表２）に示す。
【００２５】
【表２】
0003570169.tif 000003
【００２６】
１ｃｍ３当たり１０１９個から１０２１個のオ−ダ−のＮ原子が存在し、Ｔｅ，Ｇｅ，Ｓｂについては、組成比から単位体積当たりの原子数を計算し、それらの原子数比から記録膜中の窒素の原子濃度を算出した。Ｎ２流量を増やすとＮ原子数も増加し、静止対向式の高速スパッタでもＮが膜中に取り込まれていることが確認できた。
【００２７】
（実施例３）
ポリカ−ボネ−ト基板１上に第一の光干渉層２，記録層３，第二の光干渉層４，反射層５が順に形成された多層構成の光学計算をマトリクス法に基づいて行った。第一の光干渉層２と第二の光干渉層４はＺｎＳ−ＳｉＯ２，記録層３は（ＧｅＴｅ）２（Ｓｂ２Ｔｅ３）１Ｓｂ０．３＋Ｎ，反射層５はＡｌＣｒである。アモルファス相と結晶相の反射率差ΔＲと結晶相の吸収率Ａｃがより大きくなるように，厳密に膜厚を決定した。計算波長は７９０ｎｍである。計算結果から決定した膜厚は第一の光干渉層２が１５５ｎｍ，記録層３が２３ｎｍ，第二の光干渉層４が４３ｎｍ，反射層５が１００ｎｍであった。
【００２８】
（実施例４）
反射層５としてＡｕを選んだ場合についても実施例３を行い、計算結果から決定した膜厚は第一の光干渉層２が１３０ｎｍ，記録層３が２３ｎｍ，第二の光干渉層４が２４ｎｍ，反射層５が１０ｎｍであった。
（実施例５）
実施例３で決定した構成のディスクを試作し、ディスクの記録性能、消去性能、サイクル性能を評価した結果を説明する。案内溝が形成された直径１２０ｍｍのポリカ−ボネ−ト基板１上に、第一の光干渉層２のＺｎＳ−ＳｉＯ２を１５５ｎｍ，記録層３の（ＧｅＴｅ）２（Ｓｂ２Ｔｅ３）１Ｓｂ０．３＋Ｎを２３ｎｍ，第二の光干渉層４のＺｎＳ−ＳｉＯ２を４３ｎｍ，反射層５のＡｌＣｒを１００ｎｍ順次スパッタリング法により積層し、保護層６のアクリル樹脂を塗布して紫外線により硬化させた。
【００２９】
ＧｅＴｅのｘ＝２．０，Ｓｂのｙ＝０．３における記録層３のＮ濃度は、実施例２で実験した１２種類で、各々上記構成で試作した。
ディスクを毎分２０００回転で回転させ、波長７９０ｎｍのレ−ザを記録ピ−クパワ−と消去バイアスパワ−に変調して照射し、各々のディスクの最内周部と最外周部におけるＣＮＲと消去率を測定した。ここでディスクは半径方向に複数の略一定幅のゾーンに区切られゾーン毎の周方向の分割セクター数を異ならせたＭＣＡＶ方式で最内周部の線速度は５ｍ／ｓ、最外周部の線速度は１２ｍ／ｓである。
【００３０】
信号記録条件はピット間隔で変調をするＰＰＭの２−７ＲＬＬ方式で、記録ピ−クパワ−と消去バイアスパワ−の比を固定して記録ピ−クパワ−を０．５ｍＷずつ変化させ、１．５Ｔ信号のＣＮＲと、１．５Ｔ信号に４Ｔ信号をオ−バ−ライトして１．５Ｔ信号の振幅減衰比から消去率を測定した。１．５Ｔは最外周部で９ＭＨｚ、最内周部で４ＭＨｚである。測定結果からＣＮＲ＝４８ｄＢなる記録ピ−クパワ−より２０％高いパワ−をテストパワ−とした。また、消去率≧２０ｄＢの消去バイアスパワ−範囲を求めた。テストパワ−でサイクル性能を評価し、サイクル寿命はエラ−レ−トにより決定した。最外周部の評価結果を（表３）に、最内周部の評価結果を（表４）に示す。表内ＣＮＲは飽和値である。
【００３１】
【表３】
0003570169.tif 000004
【００３２】
【表４】
0003570169.tif 000005
【００３３】
これらの結果から、記録層３に含まれるＮ濃度が増加すると、テストパワ−がより小さくなり記録感度がより高くなっていることがわかる。ディスク１１，１２のようにＮ濃度が１０原子％を越えているものは感度が高すぎて、消去バイアスパワ−で記録されたり、再生光による信号劣化を生じる可能性があり、ＣＮＲの低下も著しく実用は困難である。また、Ｎ濃度が０．０原子％では最外周部の消去パワ−マ−ジンが無く、０．０９原子％でも含んでいればマ−ジンが得られる。したがって、Ｎ濃度は少なくとも０．１原子％は必要で、０．５原子％以上あれば消去パワ−マ−ジン±５％を確保できる。サイクル性能についてもＮ濃度依存性が顕著で、最外周部では１から３原子％の範囲で５０万回以上が得られ、０．１から１０原子％の範囲で１０万回以上が達成できている。
【００３４】
以上をまとめて総合判定すると、記録層３のＮ濃度は０．１から１０．１原子％の範囲で内外周部共に実用性があり、０．５から５．９原子％の範囲は全ての項目で良好な性能が得られ、特に１．０から３．１原子％の範囲は内外周部共に十分なパワ−マ−ジンがあり、全ての項目について優れた性能が得られた。したがって、記録層３のＮ濃度は０．１から１０．１原子％の範囲が実用的であり、最も好ましいのは１から３原子％の範囲である。
【００３５】
（実施例６）
ＧｅＴｅのｘ＝２．０で、Ｓｂのｙ＝０．０，０．１，０．２，０．４，０．５，０．６，０．７，０．８，０．９，１．０についても実施例５を行ったところ、ｙ＝０．０から０．８は同様の結果を得た。ｙ＝０．９と１．０は外周部で消去率が１０ｄＢ以下で、実用レベルに達しなかった。ｙ＝０．９の判定結果を（表５）に、ｙ＝１．０の判定結果を（表６）に示す。
【００３６】
【表５】
0003570169.tif 000006
【００３７】
【表６】
0003570169.tif 000007
【００３８】
（実施例７）
ＧｅＴｅのｘ＝１．６，１．８，２．２についても実施例５および６を行った結果、ｘ＝１．８及び２．２については同様の結果を得た。ｘ＝１．６については結晶化速度が速く最内周部のＣＮＲ値が約２ｄＢ低かったが、逆に消去パワ−マ−ジンは広がった。したがって１．６から２．２まで実用範囲であり、１．８から２．２が好ましい。
【００３９】
（実施例８）
実施例４で決定した反射層がＡｕである構成のディスクについても実施例５，６，７を行い、同様の結果を得た。
（実施例９）
記録層３のｙ値を信頼性を確認して決定するために信頼性試験を行った。ＧｅＴｅのｘ＝２．０でＳｂのｙ値を０．０から０．８まで０．１ずつ変化させた記録層３にＮを２原子％添加して、実施例３の構成でディスクを各々５枚ずつ試作した。初期のＣＮＲ値と、９０℃８０％ＲＨ２００時間放置後のＣＮＲ値を比較して３ｄＢ低下で寿命とする。高転送レ−ト化に対応できる可能性も合わせて判定するため、ディスクを毎分２０００，３０００，４０００回転で回転させ、ディスク最内周部と最外周部において、記録保存性（Ａｒｃｈｉｖａｌ）とオ−バ−ライト特性（Ｓｈｅｌｆ）を評価した。線速度は最内周部から最外周部まで２０００回転で５から１２ｍ／ｓ、３０００回転で７．５から１８ｍ／ｓ、４０００回転で１０から２４ｍ／ｓになる。従ってこれらの線速度範囲で使用できる組成比を決める。その結果を（表７）に示す。表中ＡはＡｒｃｈｉｖａｌ、ＳはＳｈｅｌｆで、○は９０℃８０％ＲＨ２００時間放置後のＣＮＲ低下が初期の３ｄＢ未満、×は３ｄＢ以上である。
【００４０】
【表７】
0003570169.tif 000008
【００４１】
この結果、２０００回転で適用できるのは０．２≦ｙ≦０．８，３０００回転では０．０≦ｙ≦０．５，４０００回転は０．０≦ｙ≦０．２の組成比である。従って、Ｓｂのｙ値は０．０≦ｙ≦０．８が実用的で、高転送レ−ト化に対応可能な値は０．０≦ｙ≦０．５の範囲である。
（実施例１０）
ＧｅＴｅのｘ＝１．６，１．８，２．２についても実施例９を行った結果、ｘ＝１．８及び２．２については同様の結果を得た。ｘ＝１．６については結晶化速度が速いため、（表８）の結果を得た。
【００４２】
【表８】
0003570169.tif 000009
【００４３】
ｘ＝１．６では２０００回転で適用可能なｙ値は０．４≦ｙ≦０．８，３０００回転は０．２≦ｙ≦０．７，４０００回転は０．０≦ｙ≦０．４であった。ｘ＝１．６では、各回転数に対応したｙ値がｘ＝１．８から２．２の場合と異なるが、０．０≦ｙ≦０．８が実用的範囲であるという結果は実施例９と一致した。ｘ値については１．６≦ｘ≦２．２が実用範囲であり，１．８≦ｘ≦２．２が最も好ましい。
【００４４】
（実施例１１）
実施例４で決定した反射層がＡｕである構成のディスクについても実施例９，１０を行い、同様の結果を得た。
（実施例１２）
実施例３の構成に界面層７としてＧｅＮを１０ｎｍ設けた構成で、記録層３のＮ濃度が１．０から３．１原子％である４種類のディスクのサイクル性能を評価した結果を説明する。サイクル性能の評価条件は実施例５に基づく。その結果を（表９）に示す。
【００４５】
【表９】
0003570169.tif 000010
【００４６】
この結果から実施例５の界面層がない場合と比較して、最外周部で約２０万回、最内周部で約１０万回サイクル性能が向上した。記録層３のＮ濃度の最適化及び界面層の設層により、サイクル性能を飛躍的に改善することができた。
なお上記実施例では光ディスクを例に説明したが、同様の原理を用いる記録媒体の光カードや光テープなどにおいても本発明は有効なことは自明である。
【００４７】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、記録層のＴｅ−Ｇｅ−Ｓｂの組成比及び添加する窒素濃度を最適化し、さらには界面層を設けることにより記録消去性能、繰り返し書き換え性能及び信頼性を高めるという効果が得られるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態における光学情報記録媒体の部分断面図
【図２】本発明の他の実施の形態における光学情報記録媒体の部分断面図
【符号の説明】
１  基板
２  第一の光干渉層
３  記録層
４  第二の光干渉層
５  反射層
６  保護層
７  界面層
【図１】
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【図２】
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