【事件の表示】
　特願２００３−３６１９８２「磁気ディスクの製造方法及び磁気ディスク」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年１１月１１日出願公開、特開２００４−３１９０５８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１５年１０月２２日（優先権主張　平成１４年３月３１日）の出願であって、拒絶理由通知に対しその応答期間内である平成１７年１０月２８日付けで手続補正がされたが、同年１１月２４日付けで拒絶査定がされ、これに対し、平成１８年３月４日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年４月３日付けで手続補正がされたものである。
　そして、平成２０年１０月１５日付けで、特許法第１６４条第３項の報告書について当審から意見を求めたところ、平成２０年１１月２８日付けで回答書が提出されたものである。
　
２．平成１８年４月３日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　　平成１８年４月３日付けの手続補正を却下する。
　
［理　由］
　（１）補正後の本願発明
　平成１８年４月３日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）により、特許請求の範囲の請求項１は、
「【請求項１】
　
磁気ヘッドを備えるロードアンロード方式磁気ディスク装置用の
　
基板上に磁性層と水素及び／又は窒素を含有する保護層と潤滑層を成膜する工程を有し、
　
前記潤滑層は、
　　【化１】
　
　　［式中のｐ、ｑは自然数である。］
　で示される化合物、及び、化学式
　　【化２】
　　［式中のｍ、ｎは自然数である。］
で示される化合物を含有する潤滑剤αを分子量分画して、重量平均分子量（Ｍｗ）が３０００〜７０００、分子量分散度を１．２以下とした潤滑剤ａを作製し、
　化学式
　　【化３】
　　［式中のｍ、ｎは自然数である。］
　で示される化合物を含有する潤滑剤βを分子量分画して、重量平均分子量（Ｍｗ）が２０００〜５０００、分子量分散度を１．２以下とした潤滑剤ｂを作製し、
　前記潤滑剤ａと
前記
との混合割合を重量比で１：２〜２：１となるように
て
され、
前記磁気ヘッドの浮上量が１０ｎｍ以下であ
　
　上記補正は、請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である「磁気ディスク」について、「磁気ヘッドを備えるロードアンロード方式磁気ディスク装置用である」との限定事項、「磁性層と水素及び／又は窒素を含有する保護層と潤滑層を成膜する工程を有する」との限定事項、「潤滑層における潤滑剤ａと前記潤滑剤ｂとの混合割合が重量比で１：２〜２：１となるように混合する」との限定事項、及び、「磁気ヘッドの浮上量がｌ０ｎｍ以下である」との限定事項を付加するものであって、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる同法改正前の特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の滅縮を目的とするものに該当する。
　
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された事項により特定される発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる同法改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法１２６条第５項の規定に適合するか）について、以下に検討する。
　
　（２）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願優先権主張の日前に頒布された刊行物である特開２００１−５２３２７号公報（以下、「引用例１」という。）には、「磁気記録媒体及び磁気記録装置」について、図面とともに次の事項が記載されている。（なお、
下線
　
　ア．「【請求項１】
非磁性基板上に記録層、保護層及び潤滑層をこの順に設けてなる磁気記録媒体
該潤滑層が、下記一般式(I)で示され、数平均分子量が５０００を越え１００００以下であるパーフルオロポリエーテルと下記一般式(II)で示され、数平均分子量が５００から１００００であるパーフルオロポリエーテルとを含む
【化１】
　　（ただし、ｍは１〜４の整数、ｎは整数）
【化２】
　　（ただし、ｍは１〜４の整数、ｎは整数）
【請求項２】
一般式(I)及び／又は(II)において、ｍが１又は２である
【請求項３】
一般式(I)で示されるパーフルオロポリエーテルと一般式(II)で示されるパーフルオロポリエーテルとの混合比率(I)：(II)が重量比で１：３０〜３０：１である
【請求項４】潤滑層の膜厚が０．１〜１０ｎｍであることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項５】保護層がアモルファスカーボンよりなることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。」（特許請求の範囲）
　イ．「【0006】
　【発明が解決しようとする課題】しかし、
数平均分子量範囲が５００〜５０００のパーフルオロポリエーテルよりなる潤滑剤で潤滑層を形成したディスクでは、高温多湿下で長期間高速回転するような過酷な条件下では潤滑剤が容易に飛散し、潤滑性が低下するために、スティクションが生じ易くなるという問題があった。
【0007】本発明は上記従来の問題点を解決し、
高温高湿下における長期間高速回転によっても潤滑剤の飛散の問題がなく、従って、その後長期間放置してもスティクションが生じることのない磁気記録媒体と、この磁気記録媒体を用いた磁気記録装置を提供する
　ウ．「【0016】本発明の磁気記録媒体では、潤滑層に、前記一般式(I)で示され、数平均分子量が５０００を越え１００００以下であるパーフルオロポリエーテル（以下「ＰＦＰＥ(I)」と記す。）と前記一般式(II)で示され、数平均分子量が５００から１００００であるパーフルオロポリエーテル（以下「ＰＦＰＥ(II)」と記す。）とを併用する。
【0017】
ＰＦＰＥ(I)の数平均分子量は５０００を超えていれば良いが、好ましくは５３００〜１００００、特に５３００〜８０００が好ましい。ＰＦＰＥ(I)の数平均分子量が５０００以下であると、高速回転下において顕著なフライスティクションが観察される。しかし、ＰＦＰＥ(I)として必要以上に高分子量のものを用いると、潤滑剤が高粘度になり耐久性が悪化する場合があるため、ＰＦＰＥ(I)の数平均分子量は１００００以下とする
【0018】また、
ＰＦＰＥ(II)の数平均分子量が１００００を超えると、粘度が非常に高くなり、長期間ドライブを起動せずに放置した場合、非常に高いスティクションを起こすことがある。この数平均分子量が５００未満のものを用いると、高温の高速回転下では潤滑剤が飛散し、著しく膜厚が減少することがあるため、ＰＦＰＥ(II)の数平均分子量は５００〜１００００、好ましくは１０００〜６０００、より好ましくは３０００〜４５００とする
【0019】なお、前記一般式(I)，(II)において、ｍは１〜４の整数であるが、特に１又は２であることによって、分子全体の剛直性が低下し、優れた潤滑性を示すので好ましい。
【0020】本発明は、このように
２種類の潤滑剤を混合使用する
ＰＦＰＥ(I)とＰＦＰＥ(II)の混合比率は重量比でＰＦＰＥ(I)：ＰＦＰＥ(II)＝１：３０〜３０：１、特に１：１０〜１０：１であることが好ましく、更には１：１０〜７：３であることが好ましい
【0021】なお、ＰＦＰＥ(I)の特定範囲の数平均分子量は、化学合成による方法や、多段の溶媒抽出、蒸留等で得ることができるが、例えば文献（Tailoring performance properties of perfluoropolyethers via supercritical fluid fractionation， H. Schonemann, P. Gallagher-Wetmore, V. Krukonis, Proc. 3rd. Internat. Symp. Supercrit. Fluids, 3 (1994) 375-380）で示されているように、
二酸化炭素による超臨界流体抽出を行うことによって、より厳密に分画することができる
　エ．「【0040】このようにして形成された
磁性層上には、任意の保護層を形成する
水素化Ｃ
窒素化Ｃ
通常用いられる保護層材料を用いることができる
【0041】スパッタリング法の場合、炭素をターゲットとし、スパッタリングガスとして通常のＡｒ、Ｈｅ等の希ガスに加えて、反応性ガスとしてＨ２、Ｎ２、Ｏ２、炭化水素、窒素含有炭化水素、フッ素含有炭化水素等を導入しながら成膜する。電源は直流、交流、高周波、パルス等、特に限定されないが、直流あるいは高周波電源が好ましい。また、基板に直流又は高周波のバイアス電圧を印加しながら成膜してもかまわない。
【0042】一方、ＣＶＤ法では、
メタン、エタン、プロパン、エチレン、アセチレン、ベンゼン、トルエン等の炭化水素、アルコール類、窒素含有炭化水素、フッ素含有炭化水素等、炭素を含む化合物を原料ガスとして反応室へ導入し
Ｈ
２
、Ｎ
２
反応性ガスと混合して使用しても良い
いずれも公知の条件で行うことができる
　オ．「【0044】本発明の磁気記録装置は、ディスク状の本発明の磁気記録媒体と、これを記録方向に回転稼動させる回転手段と、情報の記録部と再生部からなる磁気ヘッドと、磁気ヘッドをディスクに対して相対運動させる手段と、磁気ヘッドへの信号入力と磁気ヘッドからの出力信号再生を行うための記録再生信号処理手段を有し、
ディスクの潤滑層でこの磁気ヘッドとディスクとの間に生じる吸着性が有効に抑制されることによって、高い信頼性を発揮することができ、特にディスクの回転数を１００００ｒｐｍ以上としたものにおいて、更には磁気ヘッドを浮上量が０．０１μｍ以上０．０５μｍ未満と、従来より低い高さで浮上させることで効果が顕著となり、高信頼性と共に出力の向上で高い装置Ｓ／Ｎが得られ、大容量の磁気記録装置を提供することができる
　カ．「【0045】
　【実施例】次に、実施例及び比較例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り以下の実施例によって限定されるものではない。
　【0046】なお、以下の
実施例及び比較例においては、市販のフォンブリンＺ−ＴＥＴＲＡＯＬ（アウジモント社製）（前記一般式(I)において、ｍは１〜２の整数、ｎは整数）と、市販のフォンブリンＺ−ＤＯＬ（アウジモント社製）（前記一般式(II)において、ｍは１〜２の整数、ｎは整数）を混合して用いた
フォンブリンＺ−ＴＥＴＲＡＯＬについては、文献に従って二酸化炭素を用いた超臨界流体抽出により分画を行って数平均分子量を調整した。
　【0047】実施例１〜５、比較例１〜４
　表面の平均粗さが１ｎｍの直径３．５インチのアルミニウム合金製ディスク基板の両面上に、無電解めっき法により厚さ１５μｍのＮｉＰ層を形成し、次いでエネルギービームを半径１７ｍｍから１９ｍｍ（ＣＳＳゾーン）の領域に照射し、平均高さ１９ｎｍの突起を形成させた。その後、スパッタリング法によりクロム下地層（厚さ２０ｎｍ）、コバルト合金磁性層（厚さ２０ｎｍ）を形成し、次に
保護層としてカーボン膜を１３ｎｍの厚さに形成した
このカーボン膜上に、表１に示す数平均分子量と混合比である２種類のパーフルオロポリエーテルをＶｅｒｔｒｅｌ−ＸＦ（デュポン（株）製）溶液として用い、
成膜した
潤滑層を形成した
　キ．表１
　「
」
　
　上記の記載、特に下線部によれば、引用例１には、
「非磁性基板上に記録層、保護層及び潤滑層をこの順に設けてなる磁気記録媒体の製造方法であって、
該保護層としてカーボン膜と潤滑層を成膜する工程を有し、
該潤滑層が、下記一般式(I)で示され、二酸化炭素を用いた超臨界流体抽出により分画を行って数平均分子量を調整した数平均分子量が５０００を越え１００００以下であるパーフルオロポリエーテルと下記一般式(II)で示され、数平均分子量が５００から１００００であるパーフルオロポリエーテルとを、混合比率(I)：(II)を重量比で１：１０〜７：３で含む溶液を用いて前記保護層上に成膜する方法。
【化１】
　　（ただし、ｍは１〜４の整数、ｎは整数）
【化２】
　　（ただし、ｍは１〜４の整数、ｎは整数）」の発明（以下、「引用例１発明」という。）が記載されている。
　
　同じく、特開２００２−２５０４６号公報（以下、引用例２という。）には、「磁気記録媒体の製造方法」について、図面とともに次の事項が記載されている。
　ク．「【0003】
【発明が解決しようとする課題】たとえば、１日の生産の中で、生産初期段階では潤滑剤中の低分子量領域から蒸着され、生産終了時には高分子量領域をもつ潤滑剤が媒体に蒸着することになり、１日の生産の中で全く分子量の異なった潤滑層を持った磁気記録媒体が生産される可能性がある。
低分子量領域の潤滑層を持った磁気記録媒体は、高温雰囲気中においては潤滑層が低分子量であるため熱に弱く膜厚減少を起こす
高分子領域の潤滑層は低分子領域のそれに比べ非常に粘性が高いため、ＣＳＳなどでは磁気ヘッドがディスクへ吸着してしまうといった障害が引き起こされる
【0004】
【課題を解決するための手段】上記目的は、真空蒸着法に市販のパーフロロポリエーテル系の潤滑剤を、
ゲル浸透クロマトグラフィー（以下ＧＰＣという）、超臨界抽出（以下ＳＦＥという）などの装置を使って分子量精製を行い、その精製された潤滑剤を真空蒸着法に用いる
【0005】市販のパーフロロポリエーテル系の潤滑剤を、ＧＰＣ、ＳＦＥなどの装置を使って分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）を限りなく小さくし、それを真空蒸着によって磁気記録媒体に蒸着することで潤滑剤膜を形成する。ここで
分子量分散度とは、潤滑剤の分子量の広がりを示し、重量平均分子量（Ｍｗ）と数平均分子量（Ｍｎ）の比（Ｍｗ／Ｍｎ）によって表わされる
　使用するパーフロロポリエーテル系潤滑剤は液体潤滑剤、固体潤滑剤どちらでも良く、また片末端基、両末端基などは限定されない。また、末端基を変性させたものでも使うことができる。しかしながら、重量平均分子量は２，０００〜１２，０００までの範囲が良い。潤滑剤の重量平均分子量が２，０００未満の場合、高温雰囲気中において膜厚減少が起こりやすく、ＣＳＳ耐久性が劣化するので好ましくなく、１２，０００を超える場合、粘性が高くなることにより、ＣＳＳにおいて磁気ヘッドが磁気ディスクに吸着することになるので好ましくない。より好ましくは４，０００〜１０，０００の範囲が望ましい。また
分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は１．１以下であることがさらに望ましい
　ケ．「【0008】図１において、１はステンレス製シャーレ、２は潤滑剤（ＧＰＣを使って精製を施したＦｏｍｂｌｉｎ　Ｚ−ＤＯＬ２０００：この時の重量平均分子量は４，０００、Ｍｗ／Ｍｎは１．０８である）、３は加熱用ヒータ、４は真空チャンバ、５は磁気ディスク、６はディスク用キャリア、７は流量調整用可変バルブ、８は真空排気用ロータリーポンプ、９は真空排気用ターボポンプである。
【0009】（実施例１）潤滑剤として、上記分子量精製を施したパーフロロポリエーテル系液体潤滑剤を用いた。潤滑剤２を１０ｇステンレス製シャーレ１に供給し、加熱ヒータ３で加熱する。加熱源のステンレスシャーレ１の温度は、シース熱電対にて８０℃±１０℃に温度調節をおこなった。真空チャンバ４の中に、磁気ディスク５を設置し、真空チャンバ４内を１０−５Ｔｏｒｒになる様に調整し、１０秒間放置した。その後反転機構により残りの面にも潤滑剤を蒸着させ、その後、真空排気用ロータリーポンプ８と真空排気用ターボポンプ９を停止し、大気圧力になるまで放置し、磁気ディスクを取り出し、フーリエ変換赤外分光装置（ＦＴＩＲ）にて潤滑膜厚を測定した。磁気ディスク上に形成された潤滑膜厚は、１０．０オングストロームであった。潤滑膜を形成するために使用した磁気ディスクは、ガラス基板上に、Ｃｒ下地層，ＣｏＣｒＰｔ磁性層，カーボン保護層を順次スパッタリングにて形成したサンプルを用いた。
【0010】（実施例２）
ＳＦＥ装置を使って精製したＦｏｍｂｌｉｎ　Ｚ−ＤＯＬ２０００の重量分子量は４，２００、Ｍｗ／Ｍｎは１．０７の潤滑剤を使用
【0011】（実施例３）ＧＰＣ装置を使って精製したＦｏｍｂｌｉｎ　Ｚ−ＤＯＬ２０００の重量平均分子量は３，０００、Ｍｗ／Ｍｎは１．１２の潤滑剤を使用し真空蒸着法で蒸着した。
【0012】（実施例４）ＧＰＣ装置を使って精製したＦｏｍｂｌｉｎ　Ｚ−ＤＯＬ２０００の重量平均分子量は４，０００、Ｍｗ／Ｍｎは１．２５の潤滑剤を使用し真空蒸着法で蒸着した。
【0013】（比較例）
精製していないＦｏｍｂｌｉｎ　Ｚ−ＤＯＬ２０００（重量平均分子量が２，６００、Ｍｗ／Ｍｎは１．３）
　図２は比較例で使用した未精製潤滑剤のアウジモント社（Ａｕｓｉｍｏｎｔ）の潤滑剤ＺＤＯＬ２０００の分子量分布（ａ）と、その諸特性（ｂ）を示したものである。これらの磁気ディスクを、ＭＲヘッドスライダ（磁気抵抗型ヘッドスライダー）を用い、６０℃、８０％（高温高湿）、５℃，５％（低温低湿）における環境で５万回のＣＳＳ試験をおこなった。結果を表１に示す。また、ＭＲヘッドスライダを用いて、ランプロード方式におけるヘッドと磁気ディスクの耐久試験であるヘッドのロード・アンロード試験を６０℃、８０％（高温高湿）、５℃，５％（低温低湿）の環境でおこなった。結果を表１に示す。」
【0014】
【表１】＜表は省略＞
　表１に示すように、真空蒸着に
精製したパーフロロポリエーテルを用いた実施例の磁気ディスクは、精製せずに用いた比較例の磁気ディスクに比べて摩擦係数が小さく、５０，０００回のＣＳＳ耐久試験、４００，０００回のロード・アンロード試験において、吸着やクラッシュすることなく良好な耐久性が得られた
　
　（３）対比
　磁気ディスク装置が磁気ヘッドを有することは自明であり、引用例１発明の「磁気記録媒体」「非磁性基板」「記録層」「保護層」「潤滑層」は、それぞれ、本願補正発明の「磁気ディスク」、「非磁性基板」「磁性層」「保護層」「潤滑層」に相当する。
　「フォンブリンゼットテトラオール（フォンブリンＺ−ＴＥＴＲＡＯＬ、あるいは、Ｆｏｍｂｌｉｎ　Ｚ−ＴＥＴＲＡＯＬともいう。）」とは、本願補正発明における化学式【化１】で示される化合物、または、該化合物を含む潤滑剤を示す商品名であり、「フォンブリンゼットドール（フォンブリンＺ−ＤＯＬ、あるいは、Ｆｏｍｂｌｉｎ　Ｚ−ＤＯＬともいう。）」とは本願補正発明における化学式【化３】で表される化合物または該化合物を含む潤滑剤についての商品名であることは周知であるから（例えば、本願明細書に【特許文献３】として引用されている特開平１０−１４３８３８号公報等参照）、引用例１発明における「式(I)で示されｍが１又は２であるパーフルオロポリエーテル」、及び、引用例１発明における「式(II)で示されｍが１又は２であるパーフルオロポリエーテル」は、それぞれ、本願補正発明における化学式【化１】及び、化学式【化３】で表される化合物に相当する。
　また、引用例１発明のパーフルオロポリエーテルは潤滑剤であることは明らかである。
　
　したがって、本願補正発明と引用例１発明の一致点及び相違点は次のとおりである。
　
　［一致点］
　「磁気ヘッドを備える磁気ディスク装置用の磁気ディスクの製造方法であって、
　基板上に磁性層と保護層と潤滑層を成膜する工程を有し、
　前記潤滑層は、
　化学式
　　【化１】
　　［式中のｐ、ｑは自然数である。］
　で示される化合物を含有する潤滑剤を分子量分画して所定の分子量範囲とした潤滑剤、及び、化学式
　　【化３】
　　　［式中のｍ、ｎは自然数である。］
で示される化合物を含有する所定の分子量範囲の潤滑剤を含む潤滑剤を前記保護層上に成膜して形成される磁気ディスクの製造方法。」
　
　［相違点］
　［相違点１］本願補正発明は、ロードアンロード方式磁気ディスク装置用であるのに対し、引用例１発明はかかる点について特定されていない点。
　［相違点２］本願補正発明の保護層は水素及び／又は窒素を含有するのに対し、引用例１発明ではこの点について明記されていない点。
　［相違点３］本願補正発明は、化学式【化１】で示される化合物及び化学式【化２】で示される化合物を含む潤滑剤αを分子量分画して重量平均分子量が３０００〜７０００、分子量分散度を１．２以下とした潤滑剤ａ及び化学式【化３】で示される化合物を含む潤滑剤βを分子量分画して重量平均分子量が２０００〜５０００、分子量分散度を１．２以下とした潤滑剤ｂを作成し、潤滑剤ａとｂを混合した潤滑剤ｃを作製し、前記潤滑剤ｃを前記保護層上に成膜するのに対し、引用例１発明では化学式【化１】で示される化合物を含む潤滑剤を分子量分画して数平均分子量５０００を越え１００００以下である潤滑剤及び化学式【化３】で示される数平均分子量５００〜１００００の潤滑剤の混合物を用いて成膜する点。
　［相違点４］潤滑剤ａ及びｂの混合割合が本願補正発明では、１：２〜２：１であるのに対し、引用例１発明では、１：１０〜７：３である点。
　［相違点５］磁気ヘッドの浮上量が、本願補正発明では１０ｎｍ以下であるのに対し、引用例１発明では１０〜５０ｎｍである点。
　
　（４）判断
　［相違点１］について
　引用例１発明は、２種類のパーフルオロポリエーテルを併用するとともにそれらの分子量の範囲を特定の範囲とした潤滑剤を用いることにより特にＣＳＳ方式の磁気記録装置におけるスティクションを防止することを目的としているが、ディスクの潤滑層でこの磁気ヘッドとディスクとの間に生じる吸着性が有効に抑制されることによって、高い信頼性を発揮することができ回転数１００００ｒｐｍ以上、磁気ヘッドの浮上量が０．０１μｍ以上０．０５μｍ（１０〜５０ｎｍ）と従来よりも低い高さで浮上させることで効果が顕著であることが記載されている。（上記（２）オ）
　引用例２には、ＳＦＥ（超臨界抽出）装置、あるいはＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）装置により平均分子量を３０００（実施例３）〜４２００（実施例２）、分散度（重量平均分子量／数平均分子量）を１．２５以下となるように精製したＦｏｍｂｌｉｎ　ＺＤＯＬ２０００を潤滑剤として用いた磁気ディスクは、ＣＳＳ試験及びロード・アンロード試験においていずれも吸着やクラッシュすることなく良好な耐久性が得られたことが記載されている。（上記（２）ケ）
　そうすると、引用例１発明の潤滑剤をロードアンロード方式磁気ディスク装置用の磁気ディスクに用いることに特段の阻害事由があるということはできない。
　
［相違点２］について
　磁気記録媒体の保護層として、水素及び又は窒素を含むものは周知である。（例えば、特開平９−１２８７３２号公報、特開２００２−２５０３９号公報等参照）
　そして、引用例１には「保護層材料としては、Ｃ、
水素化Ｃ、窒素化Ｃ
　
［相違点３］について
　（１）本願補正発明における「潤滑剤α」について
　本願補正発明では、化学式【化１】で示される化合物（以下、「式１の化合物」という。）及び化学式【化２】で示される化合物（以下、「式２の化合物」という。）を含む潤滑剤αを分画したものを使用する点について、検討する。
　引用例１発明の実施例（及び比較例）において、式１の化合物を含む潤滑剤として「アウジモント社製」の「フォンブリンゼットテトラオール（フォンブリンＺ−ＴＥＴＲＡＯＬ）」を使用しているが、式２の化合物の含有量については記載されていない。
　一方、本願明細書の記載（段落[0011]〜[0012]）によれば、潤滑剤αに含まれる式２の化合物について「ソルベイソレクシス社製」の「フォンブリンゼットテトラオール」（商品名）に不純物として含まれる成分であるが、本願明細書には、精製された潤滑剤ａに含まれる式２の化合物の含有量や、本願補正発明において、磁性層に潤滑剤αに由来する式２の化合物が含まれることによって奏される効果等については何ら記載されていない。
　そうすると、潤滑剤αが化学式【式２】の化合物を含む点に特段の技術的意義があるということはできず、「化学式【化１】で示される化合物及び化学式【化２】で示される化合物を含む潤滑剤α」とは、市販されている「フォンブリンゼットテトラオール」（商品名）を意味するものというべきである。
　一方、式１の化合物を含む潤滑剤として「フォンブリンゼットテトラオール」（商品名）は周知であるから、本願補正発明における潤滑剤αは、引用例１発明における「化学式【化１】で示される化合物を含む潤滑剤」と実質的に異なるものということはできない。
　
　（２）分子量の範囲及び分子量分散度について
　引用例１には、式１の化合物（ＰＦＰＥ(I)）について、「数平均分子量が５０００以下であると、高速回転下において顕著なフライスティクションが観察される。しかし、ＰＦＰＥ(I)として必要以上に高分子量のものを用いると、潤滑剤が高粘度になり耐久性が悪化する」（上記（２）ウ）と記載されており、二酸化炭素を用いた超臨界流体抽出により分画を行い、数平均分子量を５，４００〜７，８００（実施例）、及び、２，３００、４，４００（比較例）としたことが記載されている。（上記（２）カ、キ）
　また、引用例２には、、二酸化炭素を用いた超臨界流体抽出により分画によって市販のパーフロロポリエーテル系の潤滑剤の分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）を１に近づけ得ること、実施例として、Ｆｏｍｂｌｉｎ　Ｚ−ＤＯＬについて精製していないもの（重量平均分子量２，６００、分子量分散度１．３）から、重量平均分子量４，２００、分子量分散度を１．０７のものを得たこと（実施例２）が記載されている。（上記（２）ケ）
　分子量分散が１に近い場合には数平均分子量（Ｍｎ）と重量平均分子量（Ｍｗ）と差は小さいことを考慮すれば、本願補正発明における式１の化合物の重量平均分子量３０００〜７０００は、引用例１発明の実施例における数平均分子量５，４００〜７，８００と比較して、その数値範囲に臨界的意義があるということはできず、当業者が適宜設定しうる範囲にすぎない。
　また、分子量分散が１．２以下とする点についても、引用例２の記載からみて、当業者にとって単なる計事項にすぎない。
　また、引用例１発明において、式２の化合物を含む潤滑剤について、分子量分画を行う点について明記されていないが、分子量が大きいものや小さいものを除去することが好ましいこと、その手段として超臨界抽出を使用できることは引用例１の記載から明らかであるから、式２の化合物を含む潤滑剤についても、重量平均分子量が２０００〜５０００、分子量分散度を１．２以下ととすることは、当業者にとって適宜なし得ることにすぎない。
　
　そして、２種類の潤滑剤を混合して用いる場合、それぞれを別々に作成して混合することも慣用手段にすぎない。
　
［相違点４］について
　引用例１には、実施例として化学式【化１】の潤滑剤と化学式【化３】の潤滑剤の混合比が１：１０〜７：３であり、実施例においてその比を１：１とする例が記載されているから混合比を１：２〜２：１とすることは容易であり、その数値範囲に特段の技術的意義は見いだせない。
　
［相違点５］について
　磁気記録装置において磁気ヘッドの浮上量が低くなるとフライスティクションが問題となること、浮上量が１０ｎｍ以下である磁気記録装置は周知である。（特開２００２‐２５０４８号公報の段落[0004]〜[0006]、特開２００２−１５０５０５号公報の段落[0005]〜[0016]参照、特開２００１−１６０２１４号公報の段落[0050]〜[0055]及び図１１、特開２００２‐２２２５１３号公報の段落[0028]〜[0029]、等参照）
　また、引用例１には「ＰＦＰＥ(I)の数平均分子量が５０００以下であると、高速回転下において顕著なフライスティクションが観察される。」と記載されているから、浮上量が１０ｎｍ以下である磁気記録装置においてフライスティクションを防止するために潤滑剤の低分子量成分を除くように分子量分画することは当業者が容易に想到しうることである。
　
　次に、［相違点１］〜［相違点５］について組み合わせる点について検討する。
　引用例１は、２種類のパーフルオロポリエーテルを併用するとともにそれらの分子量の範囲を特定の範囲とした潤滑剤を用いることにより特にＣＳＳ方式の磁気記録装置におけるスティクションを防止することを目的としているが、引用例１にはディスクの潤滑層でこの磁気ヘッドとディスクとの間に生じる吸着性が有効に抑制されることによって、高い信頼性を発揮することができ回転数１００００ｒｐｍ以上、磁気ヘッドの浮上量が０．０１μｍ以上０．０５μｍ（１０〜５０ｎｍ）と従来よりも低い高さで浮上させることで効果が顕著であることが記載されている。（上記(2)オ）
　また、引用例２には、潤滑層に用いるパーフルオロポリエーテルを分子量分画することにより分子量分散を小さくしたものが、ＣＳＳ方式及びロードアンロード方式のいずれの磁気記録装置においても使用できることが記載されている。（上記(2)ケ）
　そして、ディスクの回転数を高速化し、ヘッドの浮上高さをより低くすることはＣＳＳ方式、ロードアンロード方式に共通する周知の課題であって、高速回転による遠心力で潤滑剤が移動すると、ＣＳＳゾーンとなる内周部では潤滑層が薄くなって潤滑作用が不十分となり、また、ロードアンロードが行われる外周部分では潤滑層が厚くなるため、ヘッドが潤滑層と接することによりフライングスティクションが発生することは、当業者であれば当然予測しうる課題である。
　そうすると、［相違点１］〜［相違点５］について、これらの構成要素の組合わせについて特に困難があるということはできず、上記各相違点について総合的に検討しても、本願補正発明の作用効果は、引用例１、引用例２及び周知技術から当業者が予測できる範囲のものである。
　
　したがって、本願補正発明は、引用例１に記載された発明、引用例２に記載された発明、及び、周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
　（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる同法改正前の特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
　平成１８年４月３日付けの手続補正は上記のとおり却下され、平成１７年１０月２８日付け手続補正において請求項１は補正されていないから、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、願書に最初に添付された明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「【請求項１】基板上に磁性層と保護層と潤滑層を成膜する磁気ディスクの製造方法であって、
　化学式【化１】
　
　　［式中のｐ、ｑは自然数である。］
　で示される化合物、及び、化学式
　【化２】　
　　［式中のｍ、ｎは自然数である。］
　で示される化合物を含有する潤滑剤αを分子量分画して、重量平均分子量（Ｍｗ）が３０００〜７０００、分子量分散度を１．２以下とした潤滑剤ａを作製し、
化学式
　【化３】
　　［式中のｍ、ｎは自然数である。］
　で示される化合物を含有する潤滑剤βを分子量分画して、重量平均分子量（Ｍｗ）が２０００〜５０００、分子量分散度を１．２以下とした潤滑剤ｂを作製し、
　前記潤滑剤ａと潤滑剤ｂとを混合した潤滑剤ｃを作製し、前記潤滑剤ｃを前記保護層上に成膜して形成することを特徴とする磁気ディスクの製造方法。」
　
　（１）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例、および、その記載事項は、前記「２．（２）」に記載したとおりである。
　
　（２）対比・判断
　本願発明は、前記「２．」で検討した本願補正発明から「磁気ディスク」について、「磁気ヘッドを備えるロードアンロード方式磁気ディスク装置用である」との限定事項、「磁性層と水素及び／又は窒素を含有する保護層と潤滑層を成膜する工程を有する」との限定事項、「潤滑層における潤滑剤ａと前記潤滑剤ｂとの混合割合が重量比で１：２〜２：１となるように混合する」との限定事項、及び、「磁気ヘッドの浮上量がｌ０ｎｍ以下である」との限定事項を省いたものである。
　そうすると、本願発明の発明を特定するために必要な事項を全て含み、さらに他の発明を特定するために必要な事項を付加したものに相当する本願補正発明が、前記「２．（４）」に記載したとおり、引用例１に記載された発明、引用例２に記載された発明、及び、周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用例１に記載された発明、引用例２に記載された発明、及び、周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　（３）むすび
　以上のとおり、本願請求項１に係る発明は、その優先権主張の日前に頒布された刊行物である引用例１に記載された発明、引用例２に記載された発明、及び、周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は拒絶されるべきである。
　よって、結論のとおり審決する。