【事件の表示】
　特願２００３−４１８１７１「レーザー転写法を用いる低分子フルカラー有機電界発光素子用ドナーフィルム及びこのフィルムを用いる低分子フルカラー有機電界発光素子の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　７月１５日出願公開、特開２００４−２００１７０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　
１　手続の経緯
　
　本願は、平成１５年１２月１６日（パリ条約による優先権主張２００２年１２月１７日、２００３年６月１９日、大韓民国）の出願であって、平成１９年１月３１日付け拒絶理由通知に対して、同年６月１日付けで手続補正がされたが、同年１０月１８日付けで拒絶査定され、これに対して、平成２０年１月２１日に拒絶査定不服の審判が請求されるとともに、同日付けで手続補正がなされたものである。
　
２　平成２０年１月２１日付けの手続補正と本願発明について
　
　平成２０年１月２１日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）は、本願補正前の請求項１乃至１４を削除し、本願補正前の請求項１５乃至２０を繰り上げ、新たに請求項１乃至６としたものである。
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下、「平成１８年改正前特許法」という）第１７条の２第４項第１号（請求項の削除）の規定に該当するものである。
　そこで、本願発明は、本件補正の特許請求の範囲の請求項１に記載された、次のとおりのものと認める。
　
「【請求項１】
　基板から一定の間隔を隔てられた位置に、基材フィルム、光−熱変換層、低分子有機電界発光物質を含む低分子有機薄膜物質を含むドナーフィルムを、前記基板の画素領域が形成される位置に配するステップと、
　前記ドナーフィルムにレーザーを照射して、前記画素領域が形成される領域に、前記低分子有機薄膜物質がドナーフィルムから離脱して前記基板へ第１の接着力で接着され、レーザーに照射されていない領域の前記低分子有機薄膜物質が第２の接着力で前記光−熱変換層に固定されており、また、レーザーに照射された前記低分子有機薄膜物質の領域とレーザーに照射されていない前記低分子有機薄膜物質との粘着力が、前記第１の接着力及び前記第２の接着力より弱く当該低分子有機薄膜物質が互いに分離され、画素領域に前記レーザーに照射された低分子有機薄膜物質が前記光−熱変換層から前記基板へと物質遷移が生じて転写されるステップと、
　前記転写ステップの後に熱処理を施すステップと、
を含むことを特徴とする低分子フルカラー有機電界発光素子の製造方法。」
（以下、「本願発明」という。）　
　
３　引用例
（以下、
下線
　
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張日前に頒布された刊行物である特開平１０−２０８８８１号公報（以下、「引用例１」という。）には、以下の技術事項が記載されている。
　
記載事項ア
「【特許請求の範囲】
【請求項１】  基材フィルム、前記基材フィルムの上部に形成された光吸収層及び前記光吸収層上部に形成された転写層を含んでいる有機電子発光素子有機薄膜用ドナーフィルムにおいて、
前記転写層が有機電子発光物質、有機金属錯体電子発光物質及び電子発光性高分子の中から選択された発光体、ホール注入性低分子、ホール注入性高分子、電子注入性低分子並びに電子注入性高分子よりなる群から選択された少なくとも一つよりなることを特徴とする有機電子発光素子有機薄膜用ドナーフィルム。」
　
記載事項イ
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機電子発光素子の製造方法に係り、より詳細には
レーザー転写法を用いた有機薄膜のパターン形成時に用いられるドナーフィルム及び、これを利用して有機電子発光素子を製造する方法
　
記載事項ウ
「【００１６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、前記問題点を解決して微細パターンを有する有機薄膜微細パターンを形成して
フルカラーが具現できる有機電子発光素子有機薄膜用ドナーフィルム
　
記載事項エ
「【００６９】本発明のドナーフィルムにおいて、
基材フィルムは
例えば、ポリエチレンテレフタレートのようなポリエステル、ポリアクリル、ポリエポキシ、ポリエチレン、ポリスチレンなどが挙げられる
望ましい厚さは１０〜５００μｍ
【００７０】また、本発明のドナーフィルムにおいて、
光吸収層は、赤外線〜可視光線領域の光を吸収する性質を有している光吸水性物質より形成されてなるもの
光吸収層（膜）としては、アルミニウム、その酸化物及び／またはその硫化物よりなる金属層（膜）、あるいはカーボンブラック、黒鉛または赤外線染料などが添加された高分子よりなる有機層（膜）がある。前記光吸収層として、前記金属層（膜）を用いる場合には、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法またはスパッタリングを利用して１００〜５０００Åの厚さに形成されてなるものであり、前記有機層（膜）を用いる場合には、一般的なフィルムコーティング方法、例えば、押出コーティング方法、スピンコーティング方法またはナイフコーティング方法を利用して０．１〜１０μｍの厚さに形成されてなるものが望ましい。
転写層は、
有機電子発光物質、有機金属錯体電子発光物質
の中から選択された発光体、ホール注入性低分子、
電子注入性低分子、
よりなる群から選択された少なくとも一つの転写物質よりなるものである。
一般的なコーティング方法、例えば、押出コーティング方法、スピンコーティング方法、ナイフコーティング方法、真空蒸着法、化学気相蒸着法などの方法を利用して１００〜５００００Åの厚さにコーティングする
【００７２】前記転写層が有機電子発光素子の発光層の形成に使われる場合、
該転写層は有機電子発光物質、有機金属錯体電子発光物質
子の中から選択された発光体よりなるものがよい。
【００７３】
【化５３】
【００７４】
【化５４】
【００７５】
【化５５】
【００７６】
【化５６】
・・・
【００８０】前記転写層が、有機電子発光素子の電子注入層および／またはホール注入層の形成に使われる場合、該転写層はホール注入性低分子、ホール注入性高分子、電子注入性低分子および電子注入性高分子よりなる群から選択された少なくとも一つの転写物質よりなるものがよい。この場合、転写層は、低分子有機物質または高分子よりなるものである。
【００８１】ここで、
前記電子注入性低分子としては、１，３，４−オキサジアゾール誘導体及び１，２，４−トリアゾール誘導体よりなる群から選択された少なくとも一つのものが使われ、
【００８２】
前記ホール注入性低分子としては、下記構造式（８）〜構造式（１１）で示される化合物（芳香族アミノ誘導体）よりなる群から選択された少なくとも一つのものが使われる。
【化６０】
【００８４】
【化６１】
【００８５】
【化６２】
」
　なお上記の【化５３】乃至【化５６】は低分子の有機電子発光物質又は有機金属錯体電子発光物質であり、また、【化６０】乃至【化６２】は低分子のホール注入性物質である。
　
記載事項オ
「【００９３】以下、添付した図面（図８）を参照して本発明による有機電子発光素子有機薄膜の微細パターンを形成する方法及びこれを用いた有機電子発光素子の製造方法を説明する。
【００９４】まず、透明基板６５の上に第１電極層６６を形成する。これとは別途に基材フィルム６１の上に光吸収層６２及び転写層６３を順次塗布してドナーフィルム６４を準備する。
【００９５】ここで、転写層は、（有機電子発光素子の構成要素であるところの）電子注入層、ホール注入層及び発光層と同じ有機薄膜形成用物質を含んでいる。
【００９６】
一方、変形された有機電子発光素子の製造時に必要な有機薄膜、即ち電子注入性発光層を形成する場合には、そのもとになる転写層の形成に電子注入層形成用材料と発光層形成用材料を一つの溶媒に溶解及び分散させた混合物を使用すればよい
ホール注入性発光層の場合にも、そのもとになる転写層の形成にホール注入層形成用材料と発光層形成用材料を一緒に使用すればよい。これらの電子注入層形成用材料、発光層形成用材料、ホール注入層形成用材料及び発光層形成用材料は、いずれも転写層を構成する転写物質であるところの有機電子発光物質、有機金属錯体電子発光物質
から選択された発光体、ホール注入性低分子、
電子注入性低分子、
よりなる群から選択されたもの
　
　当該記載事項オには、有機薄膜（例えば、電子注入性発光層）を形成する際、上記記載事項アで指摘した低分子の有機電子発光物質又は有機金属錯体電子発光物質から選択される発光体と、電子注入性低分子とを、一つの溶媒に溶解及び分散させた混合物を使用することが、選択肢の一つとして開示されていると言えるから、この場合の有機薄膜（転写層）は、低分子の有機薄膜であると言える。
　
記載事項カ
「【００９７】それから、
透明電極層６６が形成された基板６５と所定間隔離隔された位置に、前記ドナーフィルム６４を（該ドナーフィルム６４の転写層６３が、基板６５の透明電極層６６と対向するように）配置した後、前記ドナーフィルム６４に光源６７より赤外線〜可視光線領域の光を照射
【００９８】前記
光源６７から照射される赤外線〜可視光線領域の光は、転写装置と基材フィルム６１を順次通過して光吸収層６２を活性化させ、光吸収層６２は光熱交換メカニズムによって熱を放出する。放出された熱によって透明基板６５の上部の透明電極層６６の上に転写層６３の転写される物質が転写される。
本発明で使用することのできる光源としては、
その中でもレーザーが最も優れた転写効果を得ることができて望ましい。
【０１００】前記したような
転写過程をたどった後は、転写された物質の中に残された溶媒を取り除くために熱処理する工程をたどる。
　
　前記記載事項オ、当該記載事項カ、及び【図８】からみて、「転写層６３の転写される物質」を転写する方法とは、前記ドナーフィルム６４に、レーザーなどからなる光源６７より赤外線〜可視光線領域の光を照射し、当該光が照射された領域の光吸収層６２が光熱交換メカニズムによって放出する熱による作用で、前記光が照射された領域の転写層６３の転写される物質を、光吸収層６２から前記透明基板６５上部の前記透明電極層６６の上へと転写する方法であることが開示されていると言える。　
　また記載事項カには、転写工程後、熱処理を行うという、従来周知の手法が開示されている。
　
記載事項キ
「【０１０９】電子走査顕微鏡（ＳＥＭ）を利用して前記実施例１及び２によって形成された発光層のパターン状態を調べた。
【０１１０】その結果、従来技術によれば
画素ピッチが３００μｍのパターンを得ることができる
【０１１１】
【発明の効果】本発明によれば、有機電子発光素子の有機薄膜を微細パターンで形成できる。また
赤色、緑色及び青色の画素を微細パターンで形成できる
フルカラーが具現できて高品質の有機電子発光素子を得る
　
　上記記載事項オ、当該記載事項キ及び【図８】から、引用例１の有機電子発光素子の有機薄膜（発光体を含む「転写層６３の転写される物質」）の転写は、透明電極層６６上の「画素」を形成する領域に転写することは明らかであるから、当該転写を行う際に、ドナーフィルム６４を、透明電極層６６上、すなわち、前記「画素」を形成する領域上に配置すると言える。
　
　以上、記載事項ア〜キ及び図面から、引用例１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「透明電極層６６が形成された基板６５と所定間隔離隔された位置に、基材フィルム６１の上に光熱交換メカニズムによって熱を放出する光吸収層６２及び低分子の有機電子発光物質又は有機金属錯体電子発光物質よりなる転写層６３を順次塗布したドナーフィルム６４を、該ドナーフィルム６４の転写層６３が、画素を形成する領域である基板６５の透明電極層６６と対向するように配置した後、
　前記ドナーフィルム６４に、レーザーからなる光源６７より赤外線〜可視光線領域の光を照射し、前記画素を形成する領域に、当該光が照射された領域の光吸収層６２が光熱交換メカニズムによって放出する熱による作用で、当該光が照射された領域の転写層６３の転写される物質を、光吸収層６２から前記透明基板６５上部の前記透明電極層６６の上へと転写し、
　前記転写の後に熱処理する工程と、
を含むことを特徴とする低分子フルカラー有機電界発光素子の製造方法。」
　
３．対比
　
　本願発明と引用発明とを対比する。
　
（１）引用発明の「透明電極層６６が形成された基板６５と所定間隔離隔された位置に、基材フィルム６１の上に光熱交換メカニズムによって熱を放出する光吸収層６２及び低分子の有機電子発光物質又は有機金属錯体電子発光物質よりなる転写層６３を順次塗布したドナーフィルム６４を、画素を形成する領域である基板６５の透明電極層６６と対向するように配置した後、」と、本願発明の「基板から一定の間隔を隔てられた位置に、基材フィルム、光−熱変換層、低分子有機電界発光物質を含む低分子有機薄膜物質を含むドナーフィルムを、前記基板の画素領域が形成される位置に配するステップと、」とを対比すると、
　
ア　引用発明の「透明電極層６６が形成された基板６５」、「基板６５と所定間隔離隔された位置」、「基材フィルム６１」、「光熱交換メカニズムによって熱を放出する光吸収層６２」、及び「低分子の有機電子発光物質又は有機金属錯体電子発光物質よりなる転写層６３」は、それぞれ、本願発明の「基板」、「基板から一定の間隔を隔てられた位置」、「基材フィルム」、「光−熱変換層」、及び「低分子有機電界発光物質を含む低分子有機薄膜物質」に相当する。
（以下の対比検討においても、上記相当関係は成り立つ。）
　
イ　引用発明の「基材フィルム６１の上に・・・光吸収層６２及び・・・転写層６３を順次塗布したドナーフィルム６４」は、当該ドナーフィルム６４が、その構成要素として、基材フィルム６１、光吸収層６２、及び転写層６３を含むものであると言えるから、本願発明の「基材フィルム、光−熱変換層、低分子有機電界発光物質を含む低分子有機薄膜物質
を含む
　
ウ　引用発明の「・・・ドナーフィルム６４を、画素を形成する領域である前記基板６５の透明電極層６６と対向するように配置」とは、ドナーフィルム６４を、画素形成する透明電極層６６上に対向配置することであるから（記載事項キでの上記指摘事項を参照のこと。）、本願発明の「・・・ドナーフィルムを、前記基板の画素領域が形成される位置に配する」に相当する。
　
以上ア〜ウから、両者は相当関係にある。
　
（２）引用発明の「前記ドナーフィルム６４に、レーザーからなる光源６７より赤外線〜可視光線領域の光を照射し、前記画素を形成する領域に、当該光が照射された領域の光吸収層６２が光熱交換メカニズムによって放出する熱による作用で、当該光が照射された領域の転写層６３の転写される物質を、光吸収層６２から前記透明基板６５上部の前記透明電極層６６の上へと転写し、」と、本願発明の「前記ドナーフィルムにレーザーを照射して、前記画素領域が形成される領域に、前記低分子有機薄膜物質がドナーフィルムから離脱して前記基板へ第１の接着力で接着され、レーザーに照射されていない領域の前記低分子有機薄膜物質が第２の接着力で前記光−熱変換層に固定されており、また、レーザーに照射された前記低分子有機薄膜物質の領域とレーザーに照射されていない前記低分子有機薄膜物質との粘着力が、前記第１の接着力及び前記第２の接着力より弱く当該低分子有機薄膜物質が互いに分離され、画素領域に前記レーザーに照射された低分子有機薄膜物質が前記光−熱変換層から前記基板へと物質遷移が生じて転写されるステップと、」とを対比すると、
　
ア　引用発明の「レーザーからなる光源６７より赤外線〜可視光線領域の光を照射」及び「前記画素を形成する領域」は、本願発明の「レーザーを照射」及び「前記画素領域が形成される領域」に、それぞれ相当する。
　
イ　また、引用発明の「・・・転写層６３の転写される物質を、光吸収層６２から前記透明基板６５上部の前記透明電極層６６の上へと転写し、」は、
当該「転写される物質」が
に移って、転写がなされる
低分子有機薄膜物質が
物質遷移が生じて転写される
ウ　さらに、引用発明の「当該光が照射された領域の光吸収層６２が光熱交換メカニズムによって放出する熱による作用で、当該光が照射された領域の転写層６３の転写される物質を、光吸収層６２から前記透明基板６５上部の前記透明電極層６６の上へと転写し、」とは、当該転写が、レーザー光が照射された部分の光吸収層６２が光熱交換メカニズムによって放出する熱による作用によって引き起こされることを意味し、かたや本願発明の「レーザーに照射されていない領域の前記低分子有機薄膜物質が第２の接着力で前記光−熱変換層に固定されており、また、レーザーに照射された前記低分子有機薄膜物質の領域とレーザーに照射されていない前記低分子有機薄膜物質との粘着力が、前記第１の接着力及び前記第２の接着力より弱く当該低分子有機薄膜物質が互いに分離され、画素領域に前記レーザーに照射された低分子有機薄膜物質が前記光−熱変換層から前記基板へと物質遷移が生じて転写される」ことも、レーザーに照射された部分の光−熱変換層が発生・放出する熱によるものであるから（本願明細書の記載「【００５１】
  引き続き、透明電極層５６が形成された基板５５と所定の間隔を隔てられた位置に前記ドナーフィルム５４を配した後、前記ドナーフィルム５４にエネルギー源５７を照射する。
【００５２】
  前記エネルギー源５７は、転写装置を経由し、
基材フィルム５１を通って光−熱変換層５２を活性化させ、熱分解反応により熱を放出する。放出された熱により、その上部に透明電極層５６が形成されている透明基板５５上に転写物質が所望するパターンと厚さで転写される
【００５３】
  本発明で使用するエネルギー源としては、レーザー、キセノン（Ｘｅ）ランプ、及びフラッシュランプなどが使用可能である。そのうちでも、レーザーが最も優れた転写効果を得ることができるため好ましい。・・・」等を参照のこと。）、これら両者は、「レーザーに照射された領域の光―熱変換層が放出する熱による作用で、前記レーザーに照射された低分子有機薄膜物質が前記光−熱変換層から前記基板へと物質遷移が生じて転写される」点で一致する。
　
　以上ア〜ウから、両者は「前記ドナーフィルムにレーザーを照射し、前記画素領域が形成される領域に、当該レーザーに照射された領域の光―熱変換層が放出する熱による作用で、前記レーザーに照射された低分子有機薄膜物質が前記光−熱変換層から前記基板へと物質遷移が生じて転写されるステップ」の点で一致する。
　
（３）引用発明の「前記転写の後に熱処理する工程と、
を含むことを特徴とする低分子フルカラー有機電界発光素子の製造方法。」と、本願発明の「前記転写ステップの後に熱処理を施すステップと、
を含むことを特徴とする低分子フルカラー有機電界発光素子の製造方法。」とを対比すると、引用発明の「前記転写の後に熱処理する工程」及び「低分子フルカラー有機電界発光素子の製造方法」は、それぞれ、本願発明の「前記転写ステップの後に熱処理を施すステップ」及び「低分子フルカラー有機電界発光素子の製造方法」に相当するので、両者は相当関係にある。
　
　したがって、上記（１）〜（３）の対比考察から、本願発明と引用発明とは、
「基板から一定の間隔を隔てられた位置に、基材フィルム、光−熱変換層、低分子有機電界発光物質を含む低分子有機薄膜物質を含むドナーフィルムを、前記基板の画素領域が形成される位置に配するステップと、
　前記ドナーフィルムにレーザーを照射し、前記画素領域が形成される領域に、当該レーザーに照射された領域の光―熱変換層が放出する熱による作用で、前記レーザーに照射された低分子有機薄膜物質が前記光−熱変換層から前記基板へと物質遷移が生じて転写されるステップと、
　前記転写ステップの後に熱処理を施すステップと、
を含むことを特徴とする低分子フルカラー有機電界発光素子の製造方法。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
相違点
　
　「ドナーフィルムにレーザーを照射し、当該レーザーに照射された領域の光―熱変換層が放出する熱による作用で、前記画素領域が形成される領域に、前記レーザーに照射された低分子有機薄膜物質が、前記光−熱変換層から前記基板へと転写されるステップ」の具体的なメカニズムとして、本願発明は「前記低分子有機薄膜物質がドナーフィルムから離脱して前記基板へ第１の接着力で接着され、レーザーに照射されていない領域の前記低分子有機薄膜物質が第２の接着力で前記光−熱変換層に固定されており、また、レーザーに照射された前記低分子有機薄膜物質の領域とレーザーに照射されていない前記低分子有機薄膜物質との粘着力が、前記第１の接着力及び前記第２の接着力より弱く当該低分子有機薄膜物質が互いに分離され」るものであるのに対して、引用発明では、そのような明示はない点。
　
４．当審の判断
　
　前記相違点について、検討する。
　
　引用発明のドナーフィルム６４は、レーザー光照射による転写工程において、
（１）レーザー光が
照射されない部位
基材フィルム上に留まることとなり
（２）レーザー光が
照射された部位
「透明基板６５の上部の透明電極層６６」上に「転写」される
　
　そして、当該機能の実現のために、レーザー光が照射された部位の転写層と照射されなかった部位の転写層との境界は、上記
転写の際に“分離”されなければならない
　ここで、上記の分離がなされるためには、その条件として、
Ａ．当該レーザーが照射されなかった部位の光吸収層と転写層間の境界結合力、
Ｂ．レーザーが照射されなかった転写層の部位と、これに隣接する当該レーザーが照射された転写層の部位間の境界結合力、
Ｃ．透明基板（上の透明電極層）と、当該基板（上の透明電極層）と転写された転写層間の境界結合力、
　をパラメータとして、次の２つの条件
条件１　Ａ　＞　Ｂ　（上記（１）の機能実現のため）　及び、
条件２　Ｃ　＞　Ｂ　（上記（２）の機能実現のため）
を充たす必要がある事は、当業者であれば容易に想到し得る程度の事項であると言える。
　
　ここで、引用発明のドナーフィルム６４が有する、上記各結合力Ａ、Ｂ、及びＣはそれぞれ、本願発明の「第２の接着力」、「レーザーに照射された前記低分子有機薄膜物質の領域とレーザーに照射されていない前記低分子有機薄膜物質との粘着力」、及び「第１の接着力」に相当することを踏まえれば、上記の考察から、当該相違点は、当業者が引用発明からみて、容易に想到し得る程度の各構成間の結合関係に関する設定条件にすぎない。
　
　また、上記３．対比で述べたとおり、本願発明と引用発明は、その構成材料及び転写工程の方法は同等なものであることからも、（上記の分離がなされる以上）互いに同じ各構成間の結合関係を有することは、当業者にとって容易に想到する事項である。
　
　また、本願発明によってもたらされる効果は引用例１の記載から、当業者が予測し得る範囲内のものである。　
　　
４．むすび
　
　以上のとおり、本願発明は、原査定の拒絶の理由に引用された引用例１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条２項の規定により特許を受けることができないものである。
　
　したがって、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は、拒絶すべきものである。
　
　よって結論のとおり審決する。