(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、表層に圧縮応力層を備えるガラス基板と、このガラス基板上に形成された磁性層とを備える磁気記録媒体であって、
前記ガラス基板の表面に生じる圧縮応力の値は３ｋｇ／ｍｍ２以上であり、
前記ガラス基板の主表面上には、前記磁性層に磁気異方性を付与するテクスチャが形成され、
前記ガラス基板の主表面から前記磁性層までの距離は、１２００Å以下であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
請求項１に記載の磁気記録媒体であって、前記ガラス基板の主表面と前記磁性層との間に介挿される非磁性層の厚さは１２００Å以下であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の磁気記録媒体であって、前記圧縮応力層の厚さは５μｍ以上の厚さであることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れか一に記載の磁気記録媒体であって、残留磁化膜厚積による磁気異方性比が１．２以上であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項５】
請求項１乃至４の何れか一に記載の磁気記録媒体であって、
前記圧縮応力層は、イオン交換法により形成されたものであることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れか一に記載の磁気記録媒体であって、
前記磁性層は、ｈｃｐ結晶構造を含むことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項７】
少なくとも、表層に圧縮応力層を備えるガラス基板と、このガラス基板上に形成された磁性層とを備える磁気記録媒体であって、
前記ガラス基板の主表面上には、前記磁性層に磁気異方性を付与するテクスチャが形成され、
残留磁化膜厚積による磁気異方性比が１．２以上であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項８】
圧縮応力層と、磁性層に磁気異方性を付与するテクスチャを表面に有するガラス基板上に、非磁性層、磁性層を形成する磁気異方性磁気記録媒体の製造方法において、
予め、前記ガラス基板の表面の圧縮応力値及び非磁性層の膜厚と、磁気異方性比との相関関係を求め、
所定の磁気異方性比を得るために、前記相関関係に基づいて圧縮応力値と非磁性層の膜厚を選定し、前記選定条件に従って、前記ガラス基板の圧縮応力層と、前記非磁性層を形成することを特徴とする磁気異方性磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気記録媒体に関し、特に、ＨＤＤ（ハードディスクドライブ）等に搭載される磁気ディスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】
今日、情報記録技術、特に磁気記録技術は、急速なＩＴ産業の発達に伴い飛躍的な技術革新が要請されている。ＨＤＤ等に搭載される磁気ディスクでは、高容量化の要請により４０Ｇｂｉｔ／ｉｎｃｈ２〜１００Ｇｂｉｔ／ｉｎｃｈ２以上の情報記録密度を実現できる技術が求められている。
【０００３】
磁気ディスクでは、磁気記録ヘッドの浮上走行方向の磁気特性が特に優れていることが求められる。このため、例えば特開昭６２−２７３６１９号等では、アルミ合金等の金属基板表面上に磁気異方性を付与するテクスチャを形成した上で、磁性層を成膜することによって、半径方向の磁気特性に対比して、磁気記録ヘッドの浮上飛行方向の磁気特性を向上させるなどされてきた。
【０００４】
ところで、近年、ＨＤＤのモバイル化、小型化の要請から、高剛性で耐衝撃性に優れ、また高い表面平滑性が得られるガラス基板が注目されている。さらに、ガラス基板の場合であれば、耐衝撃性に優れているので、アルミ合金製基板のようにＮｉＰ等の金属膜を被着して剛性を補強する必要が無く、工程短縮できるので、廉価な磁気ディスクを提供でき、また、小型化が容易であるという利点がある。
【０００５】
例えば、本出願人は、特開２００２−３２９０９号公報において、ガラス基板上に円周状のテクスチャを形成し、この上に磁性層等をスパッタリングした磁気記録媒体に関して開示している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ガラス基板の場合においても、半径方向の磁気特性に比べて、円周方向の磁気特性が優れていることが望まれる。
【０００７】
例えば４０Ｇｂｉｔ／ｉｎｃｈ２以上の記録密度を達成する場合では、残留磁化膜厚積による磁気異方性比（ＭｒｔＯＲ）は１．２以上であることが求められる。また、５０Ｇｂｉｔ／ｉｎｃｈ２以上の記録密度を得るためには、ＭｒｔＯＲは１．３以上、特に、６０Ｇｂｉｔ／ｉｎｃｈ２以上の高記録密度領域ではＭｒｔＯＲは１．３５以上が望ましいとされている。
【０００８】
なお、上述のＭｒｔＯＲとは、残留磁化膜厚積（Ｍｒｔ）から算出する磁気異方性比ＯＲ（Ｏｒｉｅｎｔｅｄ  Ｒａｔｉｏ）のことである。磁気記録媒体主表面上の任意の点において、円周方向の残留磁化膜厚積をＭｒｔ（ｃ）、半径方向の残留磁化膜厚積をＭｒｔ（ｒ）としたときに、Ｍｒｔ（ｒ）に対するＭｒｔ（ｃ）の比Ｍｒｔ（ｃ）／Ｍｒｔ（ｒ）をＭｒｔＯＲとして定める。
【０００９】
ここで、Ｍｒｔとは、Ｍｒ（残留磁化）とｔ（媒体の磁性層厚さ）との積のことである。
【００１０】
ＭｒｔＯＲがほぼ１であれば、円周方向と半径方向の磁気特性がほぼ等しい、等方性の磁気記録媒体である。
【００１１】
ＭｒｔＯＲが１を越えて大きくなるに従って、円周方向の磁気異方性が向上していることを示している。
【００１２】
ところが、原因については未だ明らかではないが、アルミ合金製基板や、ＮｉＰ等の金属膜を被着した基板など、金属表面上に磁気異方性を付与するテクスチャを形成した場合とは異なり、ガラス基板表面上に直接、磁気異方性を付与するテクスチャを形成し、この上に磁性層を形成した場合では、ＭｒｔＯＲは１．０〜１．１程度しか得られなかったため、ＨＤＤの高容量化と低価格化を阻害する要因となっていた。
【００１３】
本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、ガラス基板を用いた場合であっても１．２以上のＭｒｔＯＲが得られ、４０Ｇｂｉｔ／ｉｎｃｈ２以上の記録密度が達成できる、耐衝撃性に優れた、廉価な磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明は以下の構成を有する。
【００１５】
（構成１）
少なくとも、表層に圧縮応力層を備えるガラス基板と、このガラス基板上に形成された磁性層とを備える磁気記録媒体であって、
前記ガラス基板表面に生じる圧縮応力の値は３ｋｇ／ｍｍ２以上であり、
前記ガラス基板の主表面上には、前記磁性層に磁気異方性を付与するテクスチャが形成され、
前記ガラス基板の主表面から前記磁性層までの距離は、１２００Å以下であることを特徴とする磁気記録媒体。
【００１６】
（構成２）
構成１に記載の磁気記録媒体であって、前記ガラス基板の前記主表面と磁性層との間に介挿される非磁性層の厚さは１２００Å以下であることを特徴とする磁気記録媒体。
【００１７】
（構成３）
構成１又は２に記載の磁気記録媒体であって、前記圧縮応力層の厚さは５μｍ以上の厚さであることを特徴とする磁気記録媒体。
【００１８】
（構成４）
構成１乃至３の何れか一に記載の磁気記録媒体であって、残留磁化膜厚積による磁気異方性比が１．２以上であることを特徴とする磁気記録媒体。
【００１９】
（構成５）
構成１乃至４の何れか一に記載の磁気記録媒体であって、
前記圧縮応力層は、イオン交換法により形成されたものであることを特徴とする磁気記録媒体。
【００２０】
（構成６）
構成１乃至５の何れか一に記載の磁気記録媒体であって、
前記磁性層は、ｈｃｐ結晶構造を含むことを特徴とする磁気記録媒体。
【００２１】
（構成７）
少なくとも、表層に圧縮応力層を備えるガラス基板と、このガラス基板上に形成された磁性層とを備える磁気記録媒体であって、
前記ガラス基板の主表面上には、前記磁性層に磁気異方性を付与するテクスチャが形成され、
残留磁化膜厚積による磁気異方性比が１．２以上であることを特徴とする磁気記録媒体。
【００２２】
（構成８）
圧縮応力層と、磁性層に磁気異方性を付与するテクスチャを表面に有するガラス基板上に、非磁性層、磁性層を形成する磁気異方性磁気記録媒体の製造方法において、
予め、前記ガラス基板の表面の圧縮応力値及び非磁性層の膜厚と、磁気異方性比との相関関係を求め、
所定の磁気異方性比を得るために、前記相関関係に基づいて圧縮応力値と非磁性層の膜厚を選定し、前記選定条件に従って、前記ガラス基板の圧縮応力層と、前記非磁性層を形成することを特徴とする磁気異方性磁気記録媒体の製造方法。
【００２３】
上記目的について発明者らが研究した結果、ガラス基板上に直接、磁気異方性を付与するためのテクスチャを形成する場合では、ガラス基板表層に圧縮応力層を設け、ガラス基板表面の圧縮応力と、基板表面から磁性層までの距離について厳密に設計することによって、磁気記録ヘッドの浮上走行方向の磁気異方性（ＭｒｔＯＲ）を１．２以上に高められることを発見した。
【００２４】
具体的には、ガラス基板表面に圧縮応力を生じせしめ、この値を３ｋｇ／ｍｍ２以上とし、基板表面から磁性層までの距離を１２００Å以下とすることにより、ＭｒｔＯＲが１．２以上の磁気異方性を得られるようになること突き止めた。
【００２５】
このメカニズムについては、詳細には解明されていないが、圧縮応力の加わった基板表面上に磁性粒子が堆積すると、堆積した磁性粒子に圧縮応力が伝播することによると考えられる。
【００２６】
磁性物理学に基づくと、磁性体の磁気異方性は、主に結晶磁気異方性による磁化容易軸に起因している。例えば、磁性層がＣｏ系合金を含む材料からなる場合では、結晶磁気異方性により、ｈｃｐ結晶構造のｃ軸が磁化容易軸となるので、ｃ軸方向に磁気異方性が発現する。
【００２７】
ところが、結晶構造に外力による歪が加わると、結晶磁気異方性が変化することが知られている。これはヴィラリ効果（Ｖｉｌｌａｒｉ）による磁歪として説明される。
【００２８】
本発明では、基板上に磁気異方性を付与するためのテクスチャを形成することにより、磁性粒子を磁気記録ヘッドの浮上走行方向に配列するよう作用させ、かつ、基板表面に高い圧縮応力を生じせしめることによって、その上に堆積した磁性粒子に圧縮応力を加え、ヴィラリ効果を作用させることにより、高い磁気異方性を出現させることができると考えられる。
【００２９】
従って、基板表面上に生じた圧縮応力が大きければ大きいほど磁性粒子に加わる圧縮応力が大きくなるので好ましい。
【００３０】
また、磁性粒子に伝播する圧縮応力は、基板表面と磁性層との距離に比例して減少するので、基板表面と磁性層との距離は小さければ小さいほど好ましい。
【００３１】
本発明者らは、この知見に基づき、磁気異方性を付与するテクスチャが形成されたガラス基板上の圧縮応力と、基板表面から磁性層までの距離について研究を進めた結果、ＭｒｔＯＲを１．２以上とするためには、ガラス基板表面の圧縮応力は３ｋｇ／ｍｍ２以上であり、かつガラス基板表面から磁性層までの距離は１２００Å以下であれば好ましいことが判明した。
【００３２】
ここでいう、基板表面と磁性層との距離とは、基板主表面と、基板主表面に最も近い磁性層の基板主表面側表面との距離のことである。
【００３３】
基板上に直接磁性層を形成すれば、圧縮応力が直接磁性層に作用するので好ましいが、実用的には、基板表面と磁性層との間には、磁性粒子サイズや、磁性粒子サイズのバラツキを整える等のために、非磁性層を介挿させる場合が多い。このように非磁性層を介挿させる場合は、非磁性層の膜厚を１２００Å以下とすることにより、基板表面と磁性層との距離を１２００Å以下にできる。
【００３４】
さらに、本発明の作用を高め、１．３以上のＭｒｔＯＲを得ようとする場合においては、ガラス基板表面の圧縮応力については８ｋｇ／ｍｍ２以上又は、ガラス基板表面から磁性層までの距離は１０００Å以下であれば望ましいことを突き止めた。さらにＭｒｔＯＲを１．３５以上とするためには、圧縮応力を１２ｋｇ／ｍｍ２以上又は、ガラス基板表面から磁性層までの距離は８００Å以下とすることが望ましいことを突き止めた。
【００３５】
なお、圧縮応力が２０ｋｇ／ｍｍ２以上であると、ガラスの応力過剰となり破損する恐れがあるので実用上の観点から好ましくない。また、ガラス基板と磁性層との距離についても、例えば、ガラス基板と磁性層との間に前記非磁性層などを介挿させる場合においては、ガラス基板表面と磁性層との距離を２００Å未満とした場合、介挿させた層の機能が低下して磁性粒子サイズやサイズのバラツキが大きくなることにより、媒体ノイズが増加しＳＮ比が低下するので、高記録密度達成の阻害要因となる場合がある。この観点から実用上、ガラス基板表面と磁性層との間に介挿する層の膜厚の合計は２００Å未満としないことが望ましい。
【００３６】
本発明において、ガラス基板表層に形成される圧縮応力層の厚さは５μｍ以上であることが好ましい。５μｍ未満であった場合では、テクスチャの最深点とカラス基板表面との圧縮応力の差が現れやすく、磁性層表面に微視的なＭｒｔＯＲのバラツキを発生させることがあるので好ましくない。また、耐衝撃性が低下するので、モバイル用途ＨＤＤ、或いはＬＵＬ方式ＨＤＤ等としては好ましくない。圧縮応力層の厚さが５μｍ以上であれば、ＭｒｔＯＲのバラツキを十分に抑制でき、また耐衝撃性が向上するので、モバイル用途ＨＤＤ、或いはＬＵＬ方式ＨＤＤ等として有用である。特に１０μｍ以上とすれば好適である。
【００３７】
なお、圧縮応力層の厚さを過度に大きくすると、応力緩和によって基板表面の圧縮応力値を低下させる作用を起こす場合があるので、本発明の作用を減じない範囲で設定することが実用上好ましい。板厚０．９ｍｍ以下の薄型ディスクの場合、圧縮応力層の厚さは１５０μｍ以下であれば、基板表面の圧縮応力を減じる作用は抑制できる。
【００３８】
なお、磁気異方性を付与するテクスチャは磁気記録ヘッドの浮上走行方向の磁気異方性を高められる規則性のある形態であればよいが、磁気ディスクの場合、磁気記録ヘッドの走行方向は円周方向であるので、円周状の規則性を持ったテクスチャ、あるいは、これに交差する形状成分を持つクロステクスチャ、楕円状テクスチャ、らせん状テクスチャまたはこれら形状成分の複合形態であってよい。中でも円周状のテクスチャは、磁性粒子を磁気記録ヘッドの走行方向へ配列させる作用が高いので好ましい。
【００３９】
磁気異方性比（ＭｒｔＯＲ）に関しては、前述のように高ければ高い程好ましいが、３を越えると、磁気ヘッドの浮上走行方向のＭｒｔ（Ｍｒｔ（ｃ  ））に対する、半径方向のＭｒｔ（Ｍｒｔ（ｒ  ））が１／３未満となるので、記録トラックサイドの媒体ノイズが増加し、ＴＰＩを向上させることが困難となる場合がある。従って、実用上は、ＭｒｔＯＲは３以下が好適である。
【００４０】
本発明において、ガラス基板表層に形成される圧縮応力層はイオン交換法により形成されたものであることが好ましい。イオン交換法としては、化学強化法によるイオン交換が好ましい。化学強化法による圧縮応力層であれば、化学強化条件（化学強化塩の種類、配合比、化学強化温度、化学強化時間等）によりガラス基板表面上に、３ｋｇ／ｍｍ２以上、更には８ｋｇ／ｍｍ２以上の高い圧縮応力を生じせしめることができるので好ましい。また、基板表面の圧縮応力も面内で均一となる。また、化学強化層の場合であれば、圧縮応力層の厚さを５μｍ以上、あるいは１０μｍ以上とすることができるので好ましい。製造上の観点からは、化学強化条件を適宜調整することにより、圧縮応力値、圧縮応力層厚を高い自由度で設計できるので好ましい。
【００４１】
本発明において磁性層の組成は特に限定されないが、ｈｃｐ結晶構造をもつＣｏ合金からなる材料は、結晶磁気異方性が高いので好ましい。Ｃｏ系合金の内、ＣｏＰｔ系合金の場合、３０００エルステッド以上の高い保磁力を得ることのできるので、好ましい。またＣｏＣｒ系合金の場合では、Ｃｒによって磁性粒子間の交換相互作用を抑制することができるので、媒体ノイズを低減することができ、好ましい。  これらＣｏ系合金としては、例えば、ＣｏＰｔ合金やＣｏＣｒ合金の他、ＣｏＣｒＰｔ系合金、ＣｏＣｒＰｔＴａ系合金、ＣｏＣｒＰｔＴａＢ系合金、ＣｏＣｒＰｔＢ系合金、ＣｏＣｒＰｔＮｂ系合金などが挙げられる。これらの中でもＣｏＣｒＰｔＢ合金は媒体ノイズが低く高記録密度化に好適である。ＣｏＣｒＰｔＢ合金の場合のＣｒの含有量として好適な範囲は１３ａｔ％〜２５ａｔ％、Ｐｔの好適な含有量は、６ａｔ％〜１５ａｔ％、Ｂの好適な含有量としては、２ａｔ％〜１０ａｔ％、残部をＣｏとする事が好ましい。
【００４２】
本発明において、磁性層の構成は、１層または複数層であってもよく、磁性層を２層以上設ける場合においては、磁性層の間に非磁性合金材料、常磁性合金材料、反強磁性合金材料、フェリ磁性合金材料、螺旋磁性合金材料などを介挿させるなどによって、磁性粒子の微細化を図ったり、あるいは、磁性層間に磁気的相互作用を働かせてもよい。勿論、複数層の磁性層の全部または一部を接合させてもよい。
【００４３】
なお、磁性層を複数層設ける場合においては、少なくとも、ガラス基板主表面に最も近い磁性層と、ガラス基板表面との距離を１２００Å以下とするのがよい。  全ての磁性層について、ガラス基板主表面との距離を１２００Å以下すると更に好ましい。
【００４４】
さらに本発明では、
圧縮応力層と、磁性層に磁気異方性を付与するテクスチャを表面に有するガラス基板上に、非磁性層、磁性層を形成する磁気異方性磁気記録媒体の製造方法において、
予め、前記ガラス基板表面の圧縮応力値及び非磁性層の膜厚と、磁気異方性比との相関関係を求め、
所定の磁気異方性比を得るために、前記相関関係に基づいて圧縮応力値と非磁性層の膜厚を選定し、前記選定条件に従って、ガラス基板の圧縮応力層と、非磁性層を形成することを特徴とする磁気異方性磁気記録媒体の製造方法についても提供される。
【００４５】
このように磁気記録媒体を設計することにより、再現性よく所望の残留磁化膜厚積によ磁気異方性比（ＭｒｔＯＲ）を得ることができるので、磁気記録媒体を大量生産した場合においても、磁気記録媒体毎のＭｒｔＯＲのバラツキを抑制することができ、製造歩留まりを向上させることができるので、磁気記録媒体の低コスト化と、低価格化を実現することができる。
【００４６】
本発明における化学強化方法としては、従来より公知の化学強化法であれば特に限定されない。ガラス基板の化学強化は、過熱した化学強化溶融塩にガラス基板を浸漬し、ガラス基板表層のイオンを化学強化溶融塩中のイオンでイオン交換して行う。
【００４７】
ここで、イオン交換法としては、低温型イオン交換法、高温型イオン交換法、表面結晶化法などが知られているが、ガラス転移点の観点からガラス転移温度を越えない領域でイオン交換を行う低温型イオン交換法を用いることが好ましい。低温型イオン交換法は、ガラスの転移温度Ｔｇ以下の温度域で、ガラス中のアルカリイオンを、それよりもイオン半径の大きいアルカリイオンと置換し、イオン交換部の容積増加によってガラス表層に強い圧縮応力を発生させてガラス表面を強化する方法である。
【００４８】
化学強化溶融塩としては、硝酸カリウム、硝酸ナトリウム、炭酸カリウム等の溶融塩や、これらの塩を混合したものの溶融塩或いは、これらの塩にＣｕ，  Ａｇ，  Ｒｂ，  Ｃｓなどのイオンの塩を混合したものの溶融塩などが挙げられる。なお、化学強化溶液は、溶融塩に代えて、これら塩の溶液であってもよい。化学強化溶液の加熱温度は、イオン交換等の観点から２８０℃〜６６０℃、特に、３００℃〜４００℃であることが好ましい。浸漬時間は１０分〜１０時間とすることが好ましい。なお、ガラス基板を溶融塩に浸漬する前に、予備加熱の目的のため、ガラス基板を１００℃〜３００℃に予熱しておくことが好ましい。また、化学強化後のガラス基板は、冷却、洗浄工程を経て製品とされる。ガラス基板としては、化学強化可能な基板であれば特に制限されない。ガラス基板の直径サイズついては、本発明の作用効果の観点からは特に制限を設ける必要はないが、モバイル用途のＨＤＤとして使用されることの多い２．５インチサイズ以下の小型磁気ディスクに対しては、耐衝撃性が高く、４０Ｇｂｉｔ／ｉｎｃｈ２以上の情報記録密度が得られ、かつ廉価な磁気ディスクを提供できる本発明は、有用性が高く好適である。
【００４９】
また、ガラス基板の厚さは、０．１ｍｍ〜１．５ｍｍ程度が好ましい。特に、０．１ｍｍ〜０．９ｍｍ程度の薄型基板により構成される磁気ディスクの場合では、耐衝撃性が高く、４０Ｇｂｉｔ／ｉｎｃｈ２以上の情報記録密度が得られ、かつ廉価な磁気ディスクを提供できる本発明は、有用性が高く好適である。
【００５０】
ガラス基板の材質としては、例えば、アルミノシリケートガラス、ソーダライムガラス、ソーダアルミノシリケートガラス、アルミノボロシリケートガラス、ボロシリケートガラス、石英ガラス、チェーンシリケートガラス、又は結晶化ガラス等のガラスセラミックス等が挙げられる。なお、アルミノシリケートガラスは、耐衝撃性や耐振動性に優れるための特に好ましい。
【００５１】
アルミノシリケートガラスとしては、ＳｉＯ２：  ６２〜７５ｗｔ％，、Ａｌ２Ｏ３：  ５〜１５ｗｔ％、Ｌｉ２Ｏ：４〜１０ｗｔ％、Ｎａ２Ｏ：  ４〜１２ｗｔ％、ＺｒＯ２：  ５．５〜１５ｗｔ％を主成分として含有すると共に、Ｎａ２Ｏ／ＺｒＯ２の重量比が０．５〜２．０、Ａｌ２Ｏ３／ＺｒＯ２の重量比が０．４〜２．５である化学強化用ガラス等が好ましい。また、ＺｒＯ２の未溶解物が原因で生じるガラス基板表面の突起を無くすためには、モル％表示で、ＳｉＯ２を５７〜７４％、ＺｎＯ２を０〜２．８％、Ａｌ２Ｏ３を３〜１５％、ＬｉＯ２を７〜１６％、Ｎａ２Ｏを４〜１４％含有する化学強化用ガラス等を使用することが好ましい。
【００５２】
このようなアルミノシリケートガラスは、化学強化することによって、抗折強度や、剛性、耐衝撃性、耐振動性、耐熱性に優れ、高温環境下にあってもＮａの析出がないとともに、平坦性を維持し、ヌープ硬度にも優れる。
【００５３】
本発明において、ガラス基板と磁性層との間に非磁性層を介挿させる場合、例えば、シード層、下地層、オンセット層等の非磁性層を介挿させる場合、非磁性層の合計膜厚を１２００Å以下とすることにより、ガラス基板表面と、磁性層との距離を１２００Å以下とすることができる。
【００５４】
シード層としては、例えば、Ａｌ系合金、Ｃｒ系合金、ＮｉＡｌ系合金、ＮｉＡｌＢ系合金、ＡｌＲｕ系合金、ＡｌＲｕＢ系合金、ＡｌＣｏ系合金、ＦｅＡｌ系合金等のｂｃｃまたはＢ２結晶構造型合金等により、磁性粒子の微細化を図ることができる。特に、ＡｌＲｕ系合金、中でもＡｌ：３０〜７０ａｔ％、残部がＲｕの配合量の合金であれば、磁性粒子の微細化作用に優れているので好ましい。
【００５５】
下地層としては、Ｃｒ系合金、ＣｒＭｏ系合金、ＣｒＶ系合金、ＣｒＷ系合金、ＣｒＴｉ系合金、Ｔｉ系合金等の磁性層の配向性を調整する層を設けることができる。特に、ＣｒＷ系合金、中でも、Ｗ：５〜４０ａｔ％、残部Ｃｒの配合量の合金は、磁性粒子の配向を整える作用に優れているので好ましい。
【００５６】
オンセット層としては、磁性層と同様の結晶構造をもつ非磁性材料を用いることにより、磁性層のエピタキシャル成長を助けることができる、例えば、磁性層がＣｏ系合金材料からなる場合は、非磁性のｈｃｐ結晶構造をもつ材料、例えば、ＣｏＣｒ系合金、ＣｏＣｒＰｔ系合金、ＣｏＣｒＰｔＴａ系等を用いる。
【００５７】
但しこれら、Ｃｏ系合金材料はＣｏ以外の元素配合量によっては、磁性物理学でいうスレーターポーリング曲線に従って強磁性相を示す場合があるので、非磁性相であるように、元素配合量を調整する必要がある。
【００５８】
本発明においては、磁性層上に、保護層を形成してもよい。保護層としては、例えば、カーボン保護膜、水素化カーボン保護膜、窒素化カーボン保護膜、水素化窒素化カーボン保護膜、シリカ保護膜、ジルコニア保護膜、ハフニア保護膜などが挙げられる。
【００５９】
本発明においては、保護膜上に、潤滑層を形成してもよい。潤滑層を形成する潤滑剤としては、ＰＦＰＥ（パーフロロポリエーテル）化合物や、ＰＦＰＥの末端基に極性基などの官能基を導入した化合物であってもよい。
【００６０】
本発明において、ガラス基板上に成膜する方法については、公知の技術を用いることができる。中でも、スパッタリング法は、各層の膜厚を薄くできるので好ましい。また、カーボン系保護膜の成膜に関しては、Ｐ−ＣＶＤ法やＩＢＤ法などにより成膜すると、保護性能が高まるので好ましい。また潤滑層については、潤滑剤を溶媒に溶解させた溶液を用いて、ディップ法、スプレイ法、スピンコート法、ベーパー法等によって塗布してよい。
【００６１】
本発明になる磁気記録媒体については、磁気抵抗効果（ＭＲ）型再生素子を備える磁気ヘッドに対して用いると有用性が高い。ＭＲ型再生素子は、記録信号に対する感度が高く、高い再生出力が得られるので、４０Ｇｂｉｔ／ｉｎｃｈ２以上の情報記録密度の磁気ディスクに好適である。ＭＲ型再生素子としては、ＡＭＲ素子、ＧＭＲ素子、ＴＭＲ素子等が挙げられる。
【００６２】
また、本発明になる磁気ディスクを搭載するＨＤＤとしては、２．５インチ型以下の小径ディスクが好ましいことは既に説明したが、ＨＤＤの起動停止方法はＬＵＬ方式であることが好ましい。ＬＵＬ方式では、磁気ディスクの記録用面積を広く確保できるので、高記録容量化でき、また耐衝撃性能が高いという利点があるので、モバイル用途に適している。
【００６３】
なお、本発明においてＭｒｔ（ｃ）とＭｒｔ（ｒ）については適宜設定できるが、双方ともに０．５ｍｅｍｕ／ｃｃ以下であることが望ましい。０．５ｍｅｍｕ／ｃｃを越えると、媒体ノイズが大きくなり、ＭＲ型再生素子には不向きである。
【００６４】
【発明の実施の形態】
本発明の一実施形態になる磁気記録媒体を図１に示す。磁気記録媒体１０は以下の構造を有している。磁気記録媒体用ガラス基板１は、化学強化されたアルミノシリケートガラスに、研磨、及び円周状テクスチャが施された基板である。ガラス基板１の表層には化学強化による圧縮応力層１ａが形成されている。このガラス基板１上に、シード層２、下地層３、磁性層４、保護層５、潤滑層６が順次積層されている。
【００６５】
シード層２はシード層２ａ及びシード層２ｂからなる。シード層２及び下地層３は非磁性層である。
【００６６】
本発明者らは、基板表面の圧縮応力値及び非磁性層の膜厚（基板表面から磁性層までの距離）とＭｒｔＯＲとの相関関係を調査するために、様々な圧縮応力値及び非磁性層の膜厚を有する試料を作成し実験を行った。実験結果を図４及び図５に示す。測定方法は後述する方法と同一である。
【００６７】
図４はガラス基板表面の圧縮応力値とＭｒｔＯＲとの相関関係を示す図である。ここで用いた試料のシード層２は、Ｃｒ合金薄膜（膜厚６００オングストローム）からなる、第１のシード層２ａと、ＡｌＲｕ薄膜（膜厚：３００オングストローム）からなる、第２のシード層２ｂとからなる。なお、このＡｌＲｕ薄膜はＡｌ：５０ａｔ％、Ｒｕ：５０ａｔ％の組成比で構成されている。
【００６８】
下地層３は、ＣｒＷ薄膜（膜厚：１００オングストローム）であり、Ｃｒ：９０ａｔ％、Ｗ：１０ａｔ％の組成比で構成されている。磁性層４は、ＣｏＣｒＰｔＢ合金からなり、膜厚は、１５０オングストロームである。この磁性層のＣｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｂの各含有量は次のとおりである。すなわち、Ｃｏ：６２ａｔ％、Ｃｒ：２０ａｔ％、Ｐｔ：１２ａｔ％、Ｂ：６ａｔ％である。なお、シード層２ａ：６００Å、シード層２ｂ：３００Å、下地層３：１００Åであるので、図４の試料の非磁性層膜厚（ガラス基板から磁性層までの距離）は、全て１０００Åである。
【００６９】
図４から、ガラス基板表面の圧縮応力値とＭｒｔＯＲとの間には相関関係があることが明らかとなった。
【００７０】
次に、非磁性層膜厚とＭｒｔＯＲとの相関関係を調査するために、ガラス基板表面の圧縮応力値が１０ｋｇ／ｍｍ２のガラス基板１を用意し、非磁性層の膜厚を変化させた試料を作成した。この結果は図５に示す。図５から、非磁性層の膜厚とＭｒｔＯＲとの間には相関関係があることが明らかとなった。
【００７１】
次に、図４及び図５で得られた相関関係を基に、所定のＭｒｔＯＲが得られるガラス基板表面の圧縮応力値及び非磁性層膜厚を選定して、以下の実施例及び比較例の磁気記録媒体を製造した。
【００７２】
【実施例１】
実施例１では、ＭｒｔＯＲを１．３８とするための条件として、圧縮応力値を１０ｋｇ／ｍｍ２、非磁性層の膜厚を８００Åと選定して製造を行った。
【００７３】
実施例１磁気記録媒体の製造方法は、
（１）粗ラッピング工程（粗研削工程）、（２）形状加工工程、（３）精ラッピング工程（精研削工程）、（４）端面鏡面加工工程、（５）第１研磨工程、（６）第２研磨工程、（７）化学強化工程、（８）、テクスチャ工程（９）磁気ディスク製造工程を含む。
【００７４】
（１）粗ラッピング工程
まず、溶融ガラスから上型、下型、胴型を用いたダイレクトプレスにより直径６６ｍｍφ、厚さ１．５ｍｍの円盤状のアルミノシリケートガラスからなるガラス基板を得た。なお、この場合、ダイレクトプレス以外に、ダウンドロー法やフロート法で形成したシートガラスから研削砥石で切り出して円盤状のガラス基板を得てもよい。このアルミノシリケートガラスとしては、ＳｉＯ２：５８〜７５重量％、Ａｌ２Ｏ３：５〜２３重量％、Ｌｉ２Ｏ：３〜１０重量％、Ｎａ２Ｏ：４〜１３重量％を含有する化学強化ガラスを使用した。
【００７５】
次いで、ガラス基板に寸法精度及び形状精度の向上させるためラッピング工程と行った。このラッピング工程は両面ラッピング装置を用い、粒度＃４００の砥粒を用いて行なった。具体的には、はじめに粒度＃４００のアルミナ砥粒を用い、荷重を１００ｋｇ程度に設定して、サンギアとインターナルギアを回転させることによって、キャリア内に収納したガラス基板の両面を面精度０〜１μｍ、表面粗さ（Ｒｍａｘ）６μｍ程度にラッピングした。
【００７６】
（２）形状加工工程
次に、円筒状の砥石を用いてガラス基板の中央部分に孔を空けると共に、外周端面の研削をして直径を６５ｍｍφとした後、外周端面および内周端面に所定の面取り加工を施した。このときのガラス基板端面の表面粗さは、Ｒｍａｘで４μｍ程度であった。
【００７７】
なお、一般に、２．５インチ型ＨＤＤ（ハードディスクドライブ）では、外径が６５ｍｍの磁気ディスクを用いる。
【００７８】
（３）精ラッピング工程
次に、砥粒の粒度を＃１０００に変え、ガラス基板表面をラッピングすることにより、表面粗さをＲｍａｘで２μｍ程度、Ｒａで０．２μｍ程度とした。上記ラッピング工程を終えたガラス基板を、中性洗剤、水の各洗浄槽（超音波印加）に順次浸漬して、超音波洗浄を行なった。
【００７９】
（４）端面鏡面加工工程
次いで、ブラシ研磨により、ガラス基板を回転させながらガラス基板の端面（内周、外周）の表面の粗さを、Ｒｍａｘで１μｍ、Ｒａで０．３μｍ程度に研磨した。そして、上記端面鏡面加工を終えたガラス基板の表面を水洗浄した。
【００８０】
（５）第１研磨工程
次に、上述したラッピング工程で残留した傷や歪みの除去するため第１研磨工程を両面研磨装置を用いて行なった。両面研磨装置においては、研磨パッドが貼り付けられた上下上盤の間にキャリアにより保持したガラス基板を密着させ、このキャリアをサンギアとインターナルギアとに噛合させ、上記ガラス基板を上下定番によって挟圧する。その後、研磨パッドとガラス基板の研磨面との間に研磨液を供給して回転させることによって、ガラス基板が定盤上で自転しながら公転して両面を同時に研磨加工するものである。以下、実施例で使用する両面研磨装置としては同一装置を用いた。具体的には、ポリシャとして硬質ポリシャ（硬質発泡ウレタン）を用い、研磨工程を実施した。研磨条件は、研磨液として酸化セリウム（平均粒径１．３μｍ）とし、荷重：１００ｇ／ｃｍ２、研磨時間：１５分とした。上記第１研磨工程を終えたガラス基板を、中性洗剤、純水、純水、ＩＰＡ、ＩＰＡ（蒸気乾燥）の各洗浄槽に順次浸漬して、超音波洗浄し、乾燥した。
【００８１】
次に第１研磨工程で使用したものと同じタイプの両面研磨装置を用い、ポリシャを軟質ポリシャ（スウェードパット）に変えて、第２研磨工程を実施した。この第２研磨工程は、上述した第１研磨工程で得られた平坦な表面を維持しつつ、例えば表面粗さＲａを１．０〜０．３μｍ程度以下まで低減させることを目的とするものである。研磨条件は、研磨液として酸化セリウム（平均粒径０．８μｍ）とし、荷重：１００ｇ／ｃｍ２、研磨時間を５分とした。上記第２研磨工程を終えたガラス基板を、中性洗剤、純水、純水、ＩＰＡ、ＩＰＡ（蒸気乾燥）の各洗浄槽に順次浸漬して、超音波洗浄し、乾燥した。
【００８２】
（７）化学強化工程
上記洗浄を終えたガラス基板に、ガラス基板表面の圧縮応力値を所定の数値とするために、以下条件で低温型イオン交換法による化学強化工程を施した。
【００８３】
化学強化は硝酸カリウム（６０％）と硝酸ナトリウム（４０％）の混合した化学強化溶融塩を用意し、この化学強化溶融塩を３４０℃に加熱し、上記洗浄・乾燥済みのガラス基板を４０分間浸漬して化学強化処理を行なった。化学強化を終えたガラス基板を硫酸、中性洗剤、純水、純水、ＩＰＡ、ＩＰＡ（蒸気乾燥）の各洗浄槽に順次浸漬して、超音波洗浄し、乾燥した。
【００８４】
次に、上記洗浄を終えたガラス基板表面の目視検査及び光の反射・散乱・透過を利用した精密検査を実施した。
【００８５】
その結果、ガラス基板表面に付着物による突起や、傷等の欠陥は発見されなかった。
【００８６】
また、上記工程を経て得られたガラス基板の主表面の表面粗さを原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）にて測定したところ、Ｒｍａｘ＝２．１３ｎｍ、Ｒａ＝０．２０ｎｍと超平滑な表面を持つ磁気ディスク用ガラス基板を得た。
【００８７】
また、ガラス基板の外径は６５ｍｍ、内径は２０ｍｍ、板圧は０．６３５ｍｍであった。
【００８８】
（８）テクスチャ工程
テープ（Ｔａｐｅ）式のテクスチャ装置を用いて、研磨、及び円周状テクスチャ処理を施した。テープには織物タイプのテープを、硬質研磨剤には平均粒径０．１２５μｍの多結晶ダイヤモンドが分散剤に溶かしてあるスラリーを用いて行った。
【００８９】
また、その他のテクスチャ装置の加工条件は、
・加工加重        １．４ｋｇ
・加工圧力        １２ｇ／ｍｍ２
・基板回転数    １０００ｒｐｍ
・テープの送り速度        ２ｍｍ／ｓｅｃ
・加工時間        ３０ｓｅｃ
とした。その後、超音波洗浄、及び乾燥を行った。
【００９０】
得られたガラス基板について、表面の化学強化層についてバビネ補正器法により分析した。結果は図２に掲げる。
【００９１】
結果、ガラス基板１の表層には、化学強化工程による圧縮応力層１ａが形成されていることが確認された。
【００９２】
ガラス基板表面の圧縮応力は１０ｋｇ／ｍｍ２、圧縮応力層１ａの厚さは５０μｍであった。
【００９３】
次に、表面形状測定を行った。
【００９４】
表面形状は、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）を用いて測定した。測定範囲は５μｍ×５μｍである。結果、磁気ディスク表面には円周状のテクスチャが形成されていた。なお、日本工業規格（ＪＩＳ）Ｂ０６０１規定による表面特性値については、Ｒｍａｘ＝２．２０ｎｍ、Ｒａ＝０．２５ｎｍであった。
【００９５】
なお，円周状テクスチャについてはＲｍａｘを５．０ｎｍ以下とすることが望ましい、Ｒｍａｘを５．０ｎｍ以下とすることにより、タッチダウンハイトを５ｎｍ以下とすることができる。
【００９６】
（９）磁気ディスク製造工程
枚葉式スパッタリング装置を用いて、テクスチャを施されたガラス基板１上に、シード層２、下地層３、磁性層４、保護層５を、Ａｒガスによるスパッタリング法で順次形成した。
【００９７】
シード層２は、Ｃｒ合金薄膜（膜厚４００オングストローム）からなる、第１のシード層２ａと、ＡｌＲｕ薄膜（膜厚：３００オングストローム）からなる、第２のシード層２ｂとからなる。なお、このＡｌＲｕ薄膜はＡｌ：５０ａｔ％、Ｒｕ：５０ａｔ％の組成比で構成されている。
【００９８】
下地層３は、ＣｒＷ薄膜（膜厚：１００オングストローム）で、磁性層の結晶構造を良好にするために設けられている。なお、このＣｒＷ薄膜は、Ｃｒ：９０ａｔ％、Ｗ：１０ａｔ％の組成比で構成されている。また、結晶粒子の微細化を促進するために、ＡｒガスとＣＯ２ガスとの混合ガス雰囲気中で成膜した。このときＡｒガスに対するＣＯ２ガスとの混合比は０．７５％とした。磁性層４は、ＣｏＣｒＰｔＢ合金からなり、膜厚は、１５０オングストロームである。この磁性層のＣｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｂの各含有量は次のとおりである。すなわち、Ｃｏ：６２ａｔ％、Ｃｒ：２０ａｔ％、Ｐｔ：１２ａｔ％、Ｂ：６ａｔ％である。なお、ガラス基板から磁性層までの距離は、シード層２ａ：４００Å、シード層２ｂ：３００Å、下地層３：１００Åであるので、合計、８００Åである。
【００９９】
保護層５は、磁性層が磁気ヘッドとの接触によって劣化することを防止するためのものであり、膜厚５０オングストロームの水素化カーボンからなり、耐摩耗性が得られる。炭素ターゲットを用いて、Ａｒガスと水素ガスとの混合ガス雰囲気中でスパッタリングにより形成した。Ａｒガスに対する水素ガスの混合比は３０％である。
【０１００】
保護層５まで成膜した磁気記録媒体に対して、次のようにして潤滑層６を形成した。
【０１０１】
潤滑層６は、パーフルオロポリエーテルの液体潤滑剤であるアウジモント社製フォンブリンＺ−ＤＯＬをフレオン系溶媒（３Ｍ社製ＰＦ―５０６０）に溶解させた塗布液に、保護層５まで形成された磁気ディスクを浸漬させ、ディップ法により形成した。
【０１０２】
潤滑層は、磁気ディスクと磁気ヘッドとの接触を緩和している。なお、膜厚は９オングストロームである。
【０１０３】
次に、得られた磁気記録媒体を以下のようにして評価した。
【０１０４】
（磁気特性評価）
磁気特性は、ＶＳＭ（振動試料型磁化測定法）により測定した。磁気ディスクから８ｍｍ直径の円形試料を切り出し、基板の円周方向、基板の半径方向にそれぞれ外部磁場を印加し（±１０ｋＯｅ）て磁化曲線を求め、Ｍｒｔ（残留磁化膜厚積）を算出した。
【０１０５】
結果については表１に掲げる。ＭｒｔＯＲは１．３８であり、優れた円周方向異方性をもつ磁気記録媒体を得ることができた。
【０１０６】
（信頼性評価）
得られた磁気記録媒体について、グライド特性評価を行ったところ、タッチダウンハイトは、４．３ｎｍであった。通常、４０Ｇｂｉｔ／ｉｎｃｈ２以上の記録密度が求められるＨＤＤでは、タッチダウンハイトは５ｎｍ以下であることが求められる。
【０１０７】
またＬＵＬ耐久性試験について試験したところ、６０万回のＬＵＬ連続試験に耐久し障害は発生しなかった。また、この間、ヘッドクラッシュや、サーマルアスペリティなどの故障は発生しなかった。通常に使用されるＨＤＤの使用環境では、ＬＵＬ回数が６０万回を越えるには１０年間程度の使用が必要とされている。実施例１では、高い信頼性をもつ耐久性の高い磁気記録媒体を得ることができた。
【０１０８】
【実施例２】
【実施例３】
次に、実施例２及び実施例３の磁気記録媒体を製造した。
【０１０９】
実施例２ではＭｒｔＯＲが１．３２を得られるように、ガラス基板表面の圧縮応力値を１０ｋｇ／ｍｍ２、非磁性層の膜厚を１０００Åに選定した。また、実施例３では、ＭｒｔＯＲが１．２３を得られるよう、圧縮応力値を１０ｋｇ／ｍｍ２、非磁性層の膜厚を１２００Åに選定した。
【０１１０】
実施例２の磁気記録媒体は、実施例１の磁気ディスク製造工程において、シード層２ａを６００Å、シード層２ｂを３００Å、下地層３を１００Åとした。この点以外は、実施例１と同様である。ガラス基板表面から磁性層までの距離は１０００Åである。
【０１１１】
磁気特性評価結果は表１に掲げる。ＭｒｔＯＲは１．３２であった。また、グライド試験及びＬＵＬ耐久性試験については、実施例１と同じく障害は発生しなかった。実施例３の磁気記録媒体は、実施例１の磁気ディスクの製造工程において、シード層２ａを６００Å、シード層２ｂを４００Å、下地層３を２００Åとした。この点以外は、実施例１と同様である。ガラス基板表面から磁性層までの距離は１２００Åである。
【０１１２】
磁気特性評価結果は表１に掲げる。ＭｒｔＯＲは１．２３であった。また、グライド試験及びＬＵＬ耐久性試験については、実施例１と同じく障害は発生しなかった。
【０１１３】
【比較例１】
次に比較例１の磁気記録媒体を製造した。
【０１１４】
比較例１の磁気記録媒体は、実施例１の磁気ディスクの製造工程において、シード層２ａを６００Å、シード層２ｂを５００Å、下地層３を２００Åとした。この点以外は、実施例１と同様である。ガラス基板表面から磁性層までの距離は１３００Åである。
【０１１５】
磁気特性評価結果は表１に掲げる。ＭｒｔＯＲは１．１６であった。また、グライド試験及びＬＵＬ耐久性試験については、実施例１と同じく障害は発生しなかった。
【０１１６】
実施例１〜実施例３及び比較例１の磁気特性結果を対比すると、ガラス基板表面から磁性層までの距離を１２００Å以下とすると、ＭｒｔＯＲが１．２以上の高い円周方向異方性が得られることが判る。また、１０００Å以下とすると、ＭｒｔＯＲは１．３以上を得られ、８００Å以下では１．３５以上という、優れた円周方向異方性を得られることが判った。
【０１１７】
【比較例２】
比較例２の磁気記録媒体は、テクスチャ工程を行わなかった以外は実施例２の磁気記録媒体と同様の磁気記録媒体である。ＡＦＭで基板表面を観察したところ、Ｒｍａｘ＝２．１０ｎｍ、Ｒａ＝０．２１ｎｍであったが、テクスチャ工程を施していないため、円周状のテクスチャは観察されなかった。磁気特性結果については、表１に掲げる。ＭｒｔＯＲは１．００であり、円周方向の異方性は観察されなかった。また、グライド試験及びＬＵＬ耐久性試験については、実施例２と同じく障害は発生しなかった。
【０１１８】
実施例２と比較例２の結果を対比すると、ガラス基板上に円周状のテクスチャが形成されない場合、円周方向の異方性は得られない事がわかる。
【０１１９】
【実施例４】〜
【実施例７】
実施例４ではＭｒｔＯＲを１．２２とするために、ガラス基板表面の圧縮応力値を３ｇｋ／ｍｍ２、非磁性層の膜厚を１０００Åに選定した。
【０１２０】
実施例４の磁気記録媒体は、所定の圧縮応力値をえるため、実施例２の磁気ディスク製造工程において、化学強化条件を変更したものである。
【０１２１】
化学強化温度を３３０℃、化学強化時間を１５分間とした。この点以外は、実施例２の磁気記録媒体と同様の製造方法による同様の磁気記録媒体である。ガラス基板表面の圧縮応力値及び、圧縮応力層厚さ、磁気特性結果については表１に掲げる。ＭｒｔＯＲは、１．２２であった。また、また、グライド試験及びＬＵＬ耐久性試験については、実施例２と同じく障害は発生しなかった。
【０１２２】
実施例５では、ＭｒｔＯＲを１．３０とするために、ガラス基板表面の圧縮応力値を８ｇｋ／ｍｍ２、非磁性層の膜厚を１０００Åに選定した。
【０１２３】
実施例５の磁気記録媒体は、所定の圧縮応力値をえるため、実施例２の磁気ディスク製造工程において、化学強化条件を変更したものである。化学強化温度を３３０℃、化学強化時間を３０分間とした。この点以外は、実施例２の磁気記録媒体と同様の製造方法による同様の磁気記録媒体である。ガラス基板表面の圧縮応力値及び、圧縮応力層厚さ、磁気特性結果については表１に掲げる。ＭｒｔＯＲは、１．３０であった。また、また、グライド試験及びＬＵＬ耐久性試験については、実施例２と同じく障害は発生しなかった。
【０１２４】
実施例６では、ＭｒｔＯＲを１．３５とするために、ガラス基板表面の圧縮応力値を１２ｇｋ／ｍｍ２、非磁性層の膜厚を１０００Åに選定した。
【０１２５】
実施例６の磁気記録媒体は、所定の圧縮応力値をえるため、実施例２の磁気ディスク製造工程において、化学強化条件を変更したものである。化学強化温度を３４０℃、化学強化時間を１００分間とした。この点以外は、実施例２の磁気記録媒体と同様の製造方法による同様の磁気記録媒体である。ガラス基板表面の圧縮応力値及び、圧縮応力層厚さ、磁気特性結果については表１に掲げる。ＭｒｔＯＲは、１．３５であった。また、また、グライド試験及びＬＵＬ耐久性試験については、実施例２と同じく障害は発生しなかった。
【０１２６】
実施例７では、ＭｒｔＯＲを１．３６とするために、ガラス基板表面の圧縮応力値を１７ｇｋ／ｍｍ２、非磁性層の膜厚を１０００Åに選定した。
【０１２７】
実施例７の磁気記録媒体は、所定の圧縮応力値をえるため、実施例２の磁気ディスク製造工程において、化学強化条件を変更したものである。化学強化温度を３８０℃、化学強化時間を１８０分間とした。この点以外は、実施例２の磁気記録媒体と同様の製造方法による同様の磁気記録媒体である。ガラス基板表面の圧縮応力値及び、圧縮応力層厚さ、磁気特性結果については表１に掲げる。ＭｒｔＯＲは、１．３６であった。また、また、グライド試験及びＬＵＬ耐久性試験については、実施例２と同じく障害は発生しなかった。
【０１２８】
【比較例３】
【比較例４】
比較例３の磁気記録媒体は、化学強化工程を行わなかった以外は実施例２の磁気記録媒体と同様磁気記録媒体である。磁気特性結果については、表１に掲げる。  化学強化を行わなかったので、ガラス基板表面には圧縮応力層は形成されていなかった。磁気特性を評価したところ、ＭｒｔＯＲは１．１３であった。また、グライド試験は実施例１と同じく障害は発生しなかったが、ＬＵＬ耐久性試験においては１０万回ＬＵＬ時にヘッドクラッシュを起こして故障した。
【０１２９】
比較例４の磁気記録媒体は、実施例２の磁気ディスク製造工程において、化学強化条件を変更したものである。化学強化温度を３１０℃、化学強化時間を１０分間とした。この点以外は、実施例２の磁気記録媒体と同様の製造方法による同様の磁気記録媒体である。ガラス基板表面の圧縮応力値及び、圧縮応力層厚さ、磁気特性結果については表１に掲げる。ＭｒｔＯＲは、１．１４であった。また、また、グライド試験及びＬＵＬ耐久性試験については、実施例２と同じく障害は発生しなかった。
【０１３０】
実施例４から実施例７、実施例２、比較例３、比較例４の試験結果を対比すると、ガラス基板表面の圧縮応力値を３ｋｇ／ｍｍ２以上とするとＭｒｔＯＲが１．２以上の高い円周方向異方性を得ることができる事が判る。また圧縮応力値は８ｋｇ／ｍｍ２以上とした場合では、ＭｒｔＯＲは１．３０以上が得られることが判る。
【０１３１】
また、実施例１〜実施例７の磁気記録媒体の製造方法により、予め、前記ガラス基板表面の圧縮応力値及び非磁性層の膜厚と、磁気異方性比との相関関係を求めておき、前記相関関係に基づいて圧縮応力値と非磁性層の膜厚を選定し、前記選定条件に従って、ガラス基板の圧縮応力層と、非磁性層を形成することにより、所定の磁気異方性比を備える磁気記録媒体を製造できることが判る。
【０１３２】
なお、以上の説明では、本発明を、基板としてガラス基板を使用する磁気記録媒体に適用する場合を説明した。しかし、本発明は、ガラス基板以外の基板、例えば、アルミ合金製基板や、基板本体の表面にＮｉＰ等の金属膜を被着した基板のような金属基板の表面に前記テクスチャを形成する磁気記録媒体にも適用することができる。但し、本発明は、基板としてガラス基板を使用する磁気記録媒体に適用する方が好ましい。これは、ガラス基板の場合、前述のイオン交換法、或いは結晶化法等の手段により、前記テクスチャの形成される基板表面に高い圧縮応力を生じせしめることができ、また、この圧縮応力も面内で均一であり、さらに、圧縮応力値、圧縮応力層厚を高い自由度で設計することができるからである。
【０１３３】
【発明の効果】
本発明によれば、ＭｒｔＯＲが１．２以上かつ耐衝撃性に優れた廉価な磁気記録媒体を提供される。
【０１３４】
また、所望のＭｒｔＯＲを持つ磁気記録媒体を、再現性良く、廉価に製造する磁気記録媒体の製造方法についても提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施の形態による磁気記録媒体の層構成を模式的に示す断面図である。
【図２】実施例１の磁気記録媒体における、圧縮応力値と圧縮応力層厚さを分析した結果を示す図である。
【図３】実施例と比較例の結果を示す表１である。
【図４】ＭｒｔＯＲと圧縮応力値との相関関係を示す図である。
【図５】ＭｒｔＯＲと、基板表面から磁性層までの距離（非磁性層膜厚）との相関関係を示す図である。
【符号の説明】
１          ガラス基板
１ａ        圧縮応力層
２          シード層
３          下地層
４          磁性層
５          保護層
６          潤滑層
１０        磁気記録媒体
【図１】
0003577486.tif 000002
【図２】
0003577486.tif 000003
【図３】
0003577486.tif 000004
【図４】
0003577486.tif 000005
【図５】
0003577486.tif 000006