(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気光学効果を有する材料からなる基板と、光波を導波するための光導波路と、前記光波に変調信号を印加して前記光波を変調するための変調用電極とを具える導波路型光変調器の光変調方法であって、
前記変調信号の波長λに対して、前記変調用電極をλの周期で屈曲させて凹凸状に形成し、前記変調用電極の、凸部面又は凹部面を前記光導波路に近接させて配置させるとともに、前記変調用電極の終端を開放端又は短絡端とし、前記変調用電極に対する所定の入射波と、前記入射波が前記変調用電極の前記開放端又は前記短絡端で反射することにより生じた反射波とが互いに干渉して生じた定在波型の変調信号を、前記変調用電極の電極長の全体に亘って発生させ、前記定在波型の変調信号における同符号の振幅成分によって前記光波を変調するようにしたことを特徴とする、光変調方法。
【請求項２】
前記変調信号の波長λに対して、前記変調用電極の全体の長さをλ／２×ｎ又は（ｎ＋１／２）×λ／２（ｎ：自然数）に調節することにより制御することを特徴とする、請求項１に記載の光変調方法。
【請求項３】
前記光導波路はマッハツエンダー型光導波路であり、このマッハツエンダー型光導波路の２本の分岐光導波路の一方を導波する光波を、前記定在波型の変調信号における同符号の振幅成分で変調するようにしたことを特徴とする請求項１又は２に記載の光変調方法。
【請求項４】
前記変調用電極の、前記凸部面を前記マッハツエンダー型光導波路の一方の分岐光導波路に近接させて配置し、前記変調用電極の、前記凹部面を前記マッハツエンダー型光導波路の他方の分岐光導波路に近接させて配置し、前記２本の分岐光導波路中を導波するそれぞれの光波を、前記変調用電極の、前記凸部面及び前記凹部面内に生成した極性の異なる定在波型の変調信号で変調するようにしたことを特徴とする、請求項３に記載の光変調方法。
【請求項５】
電気光学効果を有する材料からなる基板と、光波を導波するための光導波路と、前記光波に変調信号を印加して前記光波を変調するための変調用電極とを具える導波路型の光変調器であって、
前記変調用電極の終端を短絡端にするとともに、前記変調用電極の全体の長さを、外部電源から前記変調用電極に印加される入射変調信号波長λに対して、λ／２×ｎ（ｎ：自然数）とし、前記変調用電極をλの周期で屈曲させて凹凸状に形成し、凸部面又は凹部面の幅をλ／２とするとともに、前記凸部面又は前記凹部面の一方を前記光導波路に近接して配置し、前記光導波路中を導波する光波を、前記凸部面又は前記凹部面に発生した同符合の定在波型変調信号で変調するようにしたことを特徴とする、光変調器。
【請求項６】
電気光学効果を有する材料からなる基板と、光波を導波するための光導波路と、前記光波に変調信号を印加して前記光波を変調するための変調用電極とを具える導波路型の光変調器であって、
前記変調用電極の終端を開放端にするとともに、前記変調用電極の全体の長さを、外部電源から前記変調用電極に印加される入射変調信号波長λに対して、（ｎ＋１／２）×λ／２（ｎ：自然数）とし、前記変調用電極をλの周期で屈曲させて凹凸状に形成し、凸部面又は凹部面の幅をλ／２とするとともに、前記凸部面又は前記凹部面の一方を前記光導波路に近接して配置し、前記光導波路中を導波する光波を、前記凸部面又は前記凹部面に発生した同符合の定在波型変調信号で変調するようにしたことを特徴とする、光変調器。
【請求項７】
前記光導波路はマッハツエンダー型光導波路であり、前記凹凸パターン状に形成した変調用電極の前記λ／２の幅を有する前記凸部面又は前記凹部面を、前記マッハツエンダー型光導波路を構成する２本の分岐光導波路の一方に近接させて配置したことを特徴とする、請求項５又は６に記載の光変調器。
【請求項８】
前記凹凸パターン状に形成した変調用電極において、前記λ／２の幅を有する前記凸部面又は前記凹部面と対をなす他方の凹部面又は凸部面を、前記マッハツエンダー型光導波路を構成する２本の分岐光導波路の他方に近接させて配置したことを特徴とする、請求項７に記載の光変調器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は光変調方法及び光変調器に関し、さらに詳しくは、高速・大容量の光ファイバ通信システムや光計測器などの好適に用いることができる光変調方法及び光変調器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年の高速・大容量光ファイバ通信システムにおける進歩に伴い、広帯域特性及び低チャープ特性、並びに伝搬損失が小さいなどの理由から、従来のレーザダイオードの直接変調に代わって、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３  ：以下、ＬＮと略す場合がある）を用いた導波路型の光変調器の実用化が進められている。
この光変調器はその駆動方法によって大きく３つに分類される。
【０００３】
その一つは集中定数型といわれるもので、光変調器の変調用電極の開放端に平行電極を配置した構成を有する。そして、信号発生器の出力から直接信号を印加して光波の変調を行う。他の一つは、進行波型といわれるもので、光変調器の変調用電極にマイクロ進行波を印加し、光導波路中の光波との速度整合を取りながら光波の変調を行うものである。
最後の一つは共振型といわれるもので、複数の共振電極を用いることによりこれら複数の共振電極のそれぞれに変調信号を誘起させ、この変調信号によって光波の変調を行うものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
集中定数型は、平行電極を長くすることにより変調領域を拡大することができ、これにより光波の変調をより効率的に行うことができる。しかしながら、平行電極を長くすると自己のキャパシタンス成分が増大し、並列キャパシタンスによる帯域が制限されてしまうという現象が生じる。このため、実際には数１００ＭＨｚ程度までの変調しか行うことができず、高速光変調には使用することができないという問題があった。
また、進行波型は、光波とマイクロ進行波との速度整合を取りながら変調を行うものであるため、自己のキャパシタンスの影響を受けることがない。このため、数十ＧＨｚ程度までの変調を行うことができ、大幅な広帯域化を実現することができる。このため、現在の光変調器の主流をなしているが、動作電圧が高いという問題がある。
【０００５】
さらに、共振型は現状では研究の段階にあり、実用レベルには達していない。また、共振原理を用いているため挟帯域な用途に限定される。そして、単位長当たりの動作電圧は進行波型よりも小さくできる一方で、一個当たりの共振電極長が数ｍｍ以下と短いため、実用的な変調を行うためには上述したように複数の共振電極を用いる必要がある。したがって、これら複数の共振電極を光波との速度整合が取るように設計・配置することは極めて困難である。
【０００６】
本発明は、低い動作電圧で光波の変調を効率的に行うことが可能な新規な光変調方法及び光変調器を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成すべく、本発明の光変調方法は、いわゆる導波路型光変調器における変調用電極の電極長の全体に亘って定在波型の変調信号を発生させ、この定在波型の変調信号における同符号の振幅成分のみによって光導波路中を導波する光波を変調するものである。
【０００８】
一般に、定在波は入射波とこの入射波が開放端又は短絡端で反射することにより生じた反射波とが互いに干渉して生じるものである。したがって、定在波の腹の部分は入射波単独の場合の２倍になっている。すなわち、定在波型の変調信号は、その腹の部分がマイクロ進行波に代表される、外部電源からの入射変調信号の２倍になっている。
本発明においては、このような定在波型の変調信号を変調用電極の電極長の全体に亘って発生させるとともに、この定在波型の変調信号の同符号成分のみを用いて変調するようにしている。
【０００９】
上記のような２倍の振幅成分を有する定在波型の変調信号を用いた場合においても、この変調信号の全体（全振幅成分）を用いて光波の変調を行うと、異符号の振幅成分による変調は互いに打ち消し合ってしまう。このため、光波の変調をほとんど行うことができなくなってしまう。
これに対し、本発明では定在波型の変調信号の同符号振幅成分のみを用いて変調を行う。したがって、上記のように変調が互いに打ち消し合うことがなくなり、定在波型の変調信号における２倍の振幅成分によって光波の変調を行うことができるようになる。すなわち、本発明の光変調方法においては、進行波型の光変調器のマイクロ進行波などの入射変調信号に対して２倍の振幅を有する定在波型の変調信号を用いて変調を行う。
【００１０】
一方、進行波型の光変調器においては、光波とマイクロ進行波との速度を完全に整合させることはできないため、実際の変調は入射変調信号であるマイクロ進行波の振幅よりも小さい振幅で行なわれる。
したがって、同一の変調を行うに際し本発明の光変調方法によれば、進行波型の光変調器などにおける従来の光変調方法と比較して半分以下の動作電圧で行うことができる。このため、進行波型光変調器に代表される従来の光変調器に対して動作電圧を大きく低減させることができる。すなわち、本発明の光変調方法によれば極めて低い動作電圧で効率的に光波の変調を行うことができる。
【００１１】
また、本発明において、上記定在波型の変調信号は外部電源から変調用信号に入射させた入射変調信号を、この変調用電極の終端で反射させて得ることができる。この場合、本発明に用いる導波路型光変調器の変調用電極の長さは、前記入射変調信号の波長λに対して、変調用電極の終端が短絡端である場合はλ／２×ｎ（ｎ：自然数）とし、変調用電極の終端が開放端である場合は（ｎ＋１／２）×λ／２（ｎ：自然数）とする。さらに、この変調用電極をλを周期として屈曲させ、その凸部面の幅又は凹部面の幅がλ／２となるようにする。
【００１２】
図１は、このような変調用電極の構成を示す模式図である。
図１に示す変調用電極１は、Ａ→Ｂ→Ｃ→Ｄ→Ｅで示される屈曲周期の長さが入射変調信号の波長λと等しくなるようにして凹凸状に形成されている。そして、Ａ→Ｂで示される凸部面２の幅がλ／２となるように形成されている。また、変調用電極１の終端Ｚは、短絡端を構成している。したがって、変調用電極の全体の長さは、入射変調信号の波長λに対して定在波型の変調信号を生成すべく、約７／２λに設定されている。これは、上記λ／２×ｎ（ｎ：自然数）なる式において、ｎ＝７に相当する場合である。
【００１３】
図２は、図１に示す変調用電極１に発生する定在波型の変調信号を模式的に示す図である。
図１に示す変調用電極１において、その一端であるＡ点から入射変調信号を取り込むと、変調用電極１には、図２に示すような定在波型の変調信号が生じる。すなわち、λ／２の幅を有する凸部面２に半波長分の定在波型の変調信号が生じる。そして、この定在波型の変調信号はそれぞれの凸部面２において同符号の振幅成分を有する。したがって、変調用電極１の凸部面２を光導波路に近接させることにより、同符号の定在波型の変調信号で光波を変調することができる。
【００１４】
なお、この場合においては前記凸部面と対をなす凹部面３にも定在波型の変調信号が生じるが、この変調信号の振幅成分は凸部面２における変調信号の振幅成分と比較して小さい。したがって、通常は半波長分の定在波型の変調信号が発生している凸部面２を光導波路に近接させる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図面と関連させながら、発明の実施の形態に即して詳細に説明する。
図３は、本発明の光変調器の一例を模式的に示す平面図である。なお、本発明の特徴を明確にすべく、図３に示す光変調器は、その構成及び各部の寸法などについては実際のものと異なるように描いている。
図３に示す導波路型の光変調器２０は、電気光学効果を有する材料からなる基板１１と、光導波路１２と変調用電極１４とを具えている。さらに、光導波路１２は２本の分岐光導波路１３−１及び１３−２を有している。また、変調用電極１４は、屈曲周期Ｐ→Ｑ→Ｒ→Ｓ→Ｔが、外部電源１５から入射される入射変調信号の波長λと等しくなるようにして凹凸状に形成されている。そして、変調用電極１４の凹部面１４Ａの幅Ｗが、λ／２となるようにして形成されている。
【００１６】
なお、変調用電極の一方の端部Ｐには外部電源１５が取り付けられ、他方の端部１４Ｅは開放されている。したがって、図３に示す光変調器２０においては、端部１４Ｅで波長λの入射変調信号を反射させ、変調用電極１４の全体に亘って波長λを有する前記入射変調信号に対して定在波型の変調信号を発生させるべく、その全体の長さは７／４λに設定している。すなわち、上記（ｎ＋１／２）×λ／２（ｎ：自然数）なる式において、ｎ＝３とした場合である。
【００１７】
外部電源１５から変調用電極１４に波長λの入射変調信号が入射されると、図４に示す変調用電極１４の屈曲周期に応じ、変調用電極１４の凹部面１４Ａ及び１４Ｃ、並びに凸部面１４Ｂ及び１４Ｄには、図５に示すような定在波型の変調信号が発生する。すなわち、凹部面１４Ａ及び１４Ｃには波長λ／２の定在波型の変調信号が生成され、凸部面１４Ｂには、例えばこの凸部面１４Ｂの幅をＷ／３とすると、凹部面に生成された変調信号と振幅と極性の異なる波長約λ／６の変調信号が生成される。
凹部面及び凸部面に生成される変調信号の波長の大きさは、変調用電極１４の屈曲周期Ｐ→Ｑ→Ｒ→Ｓ→Ｔに対する、凹部面の幅Ｐ→Ｑ及び凸部面の幅Ｒ→Ｓに応じて決定されている。すなわち、凹部面は屈曲周期に対して約半分の幅を有し、凸部面は屈曲周期に対して約１／６の幅を有するため、入射変調信号の波長λに対してそれぞれ上記のような大きさの波長を有する定在波型の変調信号が生成される。
【００１８】
なお、変調用電極１４の端部１４Ｅは開放端であり、この部分で入射変調信号を反射させ、変調用電極１４の全体に亘って定在波型の変調信号を発生させるものである。したがって、端部１４Ｅには定在波型の変調信号の腹の部分が位置する。そして、端部Ｅが位置する凸部面１４Ｄは、凸部面１４Ｂの約半分の幅を有している。このため、凸部面１４Ｄに生成される定在波型の変調信号は、凸部面１４Ｂに生成される定在波型の変調信号と同じ極性の振幅を有し、波長の大きさが約半分のλ／１２となる。
【００１９】
光変調器２０における光導波路１２の入射口１２Ａから導入された光波は、分岐点１２Ｂで分岐した後、分岐光導波路１３−１及び１３−２を導波する。そして、分岐光導波路１３−１を導波する光波は、図５に示す変調用電極１４の凹部面１４Ａ及び１４Ｃに生成された定在波型の変調信号で変調を受ける。一方、分岐光導波路１３−２を導波する光波は、変調用電極１４の凸部面１４Ｂ及び１４Ｄで生成された定在波型の変調信号で変調を受ける。そして、変調受けた光波は結合点１２Ｃで結合し、光導波路１２の出射口１２Ｄから取り出される。
【００２０】
図５及び前述した内容から明らかなように、凹部面と凸部面とに生成される定在波型の変調信号の振幅の極性は互いに異なる。このため、分岐光導波路１３−１及び１３−２を導波する光波は、それぞれ互いに逆向きの変調を受けることになる。
上述したように、定在波型の変調信号自体が大きな振幅を有するため、これ自体において進行波型の変調信号よりも光波を大きく変調することができる。さらに、図３に示す光変調器２０においては、振幅極性の異なる２種類の定在波型の変調信号によって、分岐光導波路を導波するそれぞれの光波を互いに逆向きに変調している。したがって、光導波路１２から取り出された光波は相当程度に大きな変調を受けることになる。
【００２１】
図３に示す構成の光変調器を用いた場合、同じ長さの変調用電極を有する進行波型の光変調器に対して２〜４倍の変調を行うことができる。したがって、このような進行波型の光変調器に対し、同程度の変調を行う場合、動作電圧を約１／２〜１／４に低下させることができる。
【００２２】
図３に示す光変調器２０は、変調用電極１４の終端に相当する端部１４Ｅを開放端にしているが、図１に示す変調用電極の場合と同様に短絡端とすることもできる。
このように入射変調信号を反射させる終端部分を開放端又は短絡端とすることにより、上記λ／２×ｎ（ｎ：自然数）及び（ｎ＋１／２）×λ／２（ｎ：自然数）なる式からも明らかなように、変調用電極に１／２波長ピッチの定在波型の変調信号を生成することができる。このため、定在波型の腹の部分の振幅の大きさを入射変調信号のほぼ２倍とすることができる。したがって、より大きな変調信号で光波を変調することができ、これにより光変調器の動作電圧をより低減することができる。
【００２３】
しかしながら、変調用電極の終端部は、図１に示すように短絡端とすることが好ましい。変調用電極の終端部を開放端とすると、その終端部には定在波型の変調信号における腹の部分が位置する。すると、例えば図３に示す光変調器の場合、変調用電極の終端部に相当する端部１４Ｅが位置する凸部面１４Ｄに生成される定在波型の変調信号は、終端部が位置しない凸部面１４Ｂに生成される変調信号の半波長分の大きさのものしか生成されない。
【００２４】
これに対して、例えば端部１４Ｅを短絡端とすると、この部分には定在波型の変調信号の節の部分が位置する。したがって、凸部面１４Ｄに生成される  変調信号と凸部面１４Ｂに生成される変調信号とは同じ大きさの波長を有するようになる。このため、変調用電極の終端部を開放端にした場合と比較して、変調信号の同符号振幅成分の成分量が増大する。よって、光導波路を導波する光波をより大きく変調することができ、その結果、光変調器の動作電圧をより低減することができる。
【００２５】
図３に示す光変調器２０においては、上述したように分岐光導波路１３−１及び１３−２を導波するそれぞれの光波を、凹部面及び凸部面に生成され、互いに極性の異なる同符号振幅成分を有する定在波型の変調信号で同時に変調している。
しかしながら、凹部面及び凸部面のどちらか一方に生成された同符号の振幅成分を有する定在波型の変調信号のみで、分岐光導波路１３−１及び１３−２のどちらか一方を導波する光波のみを変調させることもできる。
また、凹部面及び凸部面に形成される同符号の振幅成分は、図２に示すようなどちらか一方の振幅成分を大きくして、分岐光導波路のどちらか一方をより大きく変調することができる。また、凹部面及び凸部面に形成される振幅成分の大きさを同じにして、双方の分岐光導波路を導波する光波を等しく変調することもできる。
【００２６】
定在波型の変調信号は、進行波型の光変調器におけるマイクロ進行波などの進行波型の変調信号と比較して、変調に寄与する振幅成分が極めて大きい。このため、２本の分岐光導波路を導波する光波を、それぞれ極性の異なる同符号の振幅成分の変調信号で逆向きに変調させることなく、一方の分岐光導波路を導波する光波のみをどちらか一方の極性の同符号振幅成分の変調信号で変調させても十分大きな変調を加えることができる。したがって、この場合においても、進行波型の光変調器と比較して動作電圧を低減することができる。
【００２７】
例えば、図３に示す光変調器２０の場合、変調用電極１４の凹部面１４Ａ及び１４Ｃを分岐光導波路１３−１に近接させて配置するとともに、凸部面１４Ｂ及び１４Ｄを分岐光導波路１３−２から隔離させて配置することにより、λ／２の大きさの同符号振幅成分を有する変調信号で、分岐光導波路１３−１を導波する光波のみを変調する。
また、変調用電極１４の凹部面１４Ａ及び１４Ｃを分岐光導波路１３−１から隔離させて配置するとともに、凸部面１４Ｂ及び１４Ｄを分岐光導波路１３−２に近接させて配置することにより、約λ／６及び約λ／１２の大きさの同符号振幅成分を有する変調信号で、分岐光導波路１３−２を導波する光波のみを変調する。
【００２８】
なお、以上においてはマッハツエンダー型の光導波路について説明したが、本発明の光変調方法及び光変調器は、このようにマッハツエンダー型の光導波路に限定されるものではない。例えば、分岐光導波路を持たない一本の光導波路からなる位相変調器などにも用いることができる。
【００２９】
【実施例】
以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明する。
（実施例）
本実施例では、図６に示すような光変調器３０を用い、その変調特性と動作電圧について調べた。
基板２１としてニオブ酸リチウムのＺカット板を用い、この基板２１の主面２１Ａ上に、スピンコータを用いてフォトレジストを０．５μｍの厚さに形成した後、露光及び現像処理を行って、現像幅７μｍの光導波路パターンを形成した。次いで、この光導波路パターン上に、蒸着法によってチタンからなる層を厚さ８００Åに形成し、電気炉中で１０００℃、２０時間の熱処理を行って前記チタンを基板２１中に拡散させ、幅９μｍの光導波路２２を形成した。
【００３０】
その後、基板２１上に、所定のマスクを介して蒸着法によってＳｉＯ２層を厚さ０．５５μｍに形成した。次いで、蒸着法とメッキ法とを併用することによって、変調用電極２４を光導波路２２の分岐光導波路２３−１上に厚さ２０μｍに形成した。変調用電極の一端２４Ａには、外部電源２５が接続されており、変調用電極の終端に相当する他端２４Ｅは接地されている。また、変調用電極２４の凸部面２４Ｂの幅Ｌは５８．３ｍｍとした。
変調用電極２４に外部電源から周波数８２０ＭＨｚ（波長：３７ｍｍ）のマイクロ波を入射させるとともに、光導波路２２に光波を入射させた。そして、分岐光導波路２３−１を導波する光波のみを変調させるようにした。
【００３１】
これにより得られた変調信号は進行波と比べ＋５ｄＢであり、応答性が改善されていることが分かる。また、動作電圧は２．８Ｖであった。
なお、オッシロスコープを接続することにより、変調用電極の凸部面２４Ｂには、入射変調信号の波長の半分の大きさの定在波が生じていることを確認した。
【００３２】
（比較例）
本比較例においては、図７に示すような進行波型の光変調器４０を作製し、この変調特性及び動作電圧について調べた。図６に示す光変調器とは変調用電極の構成のみが異なり、その他の部分については同様の構成を有する。したがって、同様の部分については同じ数字を用いて表している。
【００３３】
また、使用基板及び光導波路、変調用電極についても実施例と同様にして形成した。但し、変調用電極は信号電極３４と接地電極３６−１及び３６−２とから構成して進行波型の電極を作製し、実施例と同様に分岐光導波路２３−１を導波する光波のみを変調するようにした。信号電極３４の一端には外部電源２５が接続され、他端は終端抵抗３７を介して接地電極３６−１及び３６−２に接続されている。
なお、本比較例の光変調器４０においては、光変調器３０の変調用電極２４の凸部面の幅Ｌに相当する、光波と変調信号とが実質的に相互作用する領域の長さをＬとして同一とした。
【００３４】
このような光変調器４０の光導波路２２に光波を導入するとともに、信号電極３４に実施例の場合と同様の周波数（波長）を有するマイクロ波を入射させて、その変調特性及び動作電圧について調べた。その結果、動作電圧は５Ｖであった。
【００３５】
以上、実施例及び比較例から明らかなように、本発明の光変調方式及び光変調器にしたがった実施例においては、従来の進行波型の光変調器と同程度の変調を得るための動作電圧が約０．５６倍と極めて小さくできることが分かる。
【００３６】
以上、具体例を挙げながら発明の実施の形態に基づいて本発明を詳細に説明したが、本発明は上記内容に限定されるものではなく、本発明の範疇逸脱しない限りにおいて、あらゆる変形や変更が可能である。
【００３７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の光変調方式によれば、変調用電極に定在波型の変調信号を発生させるとともに、この変調信号の同符号の振幅成分のみで光波を変調するようにしている。その結果、光波を大きく変調させることができ、従来の進行波型の光変調器などに比較して動作電圧を低減することができる。
さらに、本発明の光変調器によれば、変調用電極の終端が開放端又は短絡端であるかに応じて、変調用電極全体の長さを適宜に調節するようにしている。したがって、変調用電極の終端で入射変調信号を反射させるのみで、電極構造を複雑にすることなく定在波型の変調信号を簡易に生じさせることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光変調方法及び光変調器における変調用電極の構造を模式的に示したものである。
【図２】図１に示す変調用電極によって得られる定在波型の変調信号を示す図である。
【図３】本発明の光変調器の一例を示す平面図である。
【図４】図３に示す光変調器の変調用電極を示す図である。
【図５】図４に示す変調用電極によって得られる定在波型の変調信号を示す図である。
【図６】本発明の光変調器の他の例を示す平面図である。
【図７】従来の進行波型の光変調器を示す平面図である。
【符号の説明】
１、１４、２４  変調用電極
２、１４Ｂ、１４Ｄ  変調用電極の凸部面
３、１４Ａ、１４Ｃ  変調用電極の凹部面
１１、２１  基板
１２、２２  光導波路
１３−１、１３−２、２３−１、２３−２  分岐光導波路
１４Ｅ  変調用電極の端部（終端部）
１５、２５  外部電源
２０、３０、４０  光変調器
３４  信号電極
３６−１、３６−２  接地電極
３７  終端抵抗
λ  入射変調信号の波長
Ｗ  変調用電極の凹部面の幅
Ｌ  変調用電極の凸部面の幅
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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