(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定位置に金属電極を形成する第１工程と、
単一分子または複数個の分子の集合からなる分子導線を前記金属電極近傍に配置する第２工程と、
前記金属電極と前記分子導線それぞれの少なくとも一部を導電性物質により接続する第３工程とを含んだ分子導線と金属電極の接続方法であって、
前記第３工程は、無電解メッキにより金属を形成して前記金属電極と前記分子導線の電気的接触をとることを特徴とする分子導線と金属電極の接続方法。
【請求項２】
所定位置に金属電極を形成する第１工程と、
単一分子または複数個の分子の集合からなる分子導線を前記金属電極近傍に配置する第２工程と、
前記金属電極と前記分子導線それぞれの少なくとも一部を導電性物質により接続する第３工程とを含んだ分子導線と金属電極の接続方法であって、
前記第３工程は、電解メッキにより金属を形成して前記金属電極と前記分子導線の電気的接触をとることを特徴とする分子導線と金属電極の接続方法。
【請求項３】
請求項２に記載の接続方法において、
前記第１工程において前記金属電極を複数形成し、前記第３工程において、前記金属電極のいずれかに所定の金属により前記電解メッキを行い、さらに、前記金属電極の別の電極に別の金属により前記電解メッキを行うことを特徴とする分子導線と金属電極の接続方法。
【請求項４】
請求項１から３のいずれかに記載の接続方法において、
前記第２工程は、前記分子導線を化学結合によって固定して配置することを特徴とする分子導線と金属電極の接続方法。
【請求項５】
所定位置に配置された金属電極と、
前記金属電極近傍に配置された単一分子または複数個の分子の集合からなる分子導線と、
前記金属電極と前記分子導線それぞれの少なくとも一部を接続するように配置された導電性物質とを備えた基板であって、
前記導電性物質は、無電解メッキにより形成された金属からなることを特徴とする基板。
【請求項６】
所定位置に配置された金属電極と、
前記金属電極近傍に配置された単一分子または複数個の分子の集合からなる分子導線と、
前記金属電極と前記分子導線それぞれの少なくとも一部を接続するように配置された導電性物質とを備えた基板であって、
前記導電性物質は、電解メッキにより形成された金属からなることを特徴とする基板。
【請求項７】
請求項５または６に記載の基板において、
前記金属電極は複数配置され、前記導電性物質は、前記金属電極のいずれかに接続するように配置される所定の金属と、前記金属電極の別の電極に接続するように配置される別の金属を含むことを特徴とする基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は分子導線と金属電極の接続方法および基板に関し、特に、分子スケールのデバイス製造において必要不可欠な分子導線と金属電極の接続方法、およびそれらの接続構造を含んだ基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイス製造における微細加工は限界に近づきつつある。これに代わる新規な半導体デバイスとして、近年、回路部品に分子を用いたデバイスである分子素子の研究開発が活発化している。分子素子とは、単一分子を機能の最小単位に利用したメモリ、論理回路等の情報処理用デバイスを指す。分子素子においては、分子のもつ機能性の利用と分子の持つスケールメリットの活用によって、現在の大規模集積回路を凌駕する高機能化デバイスおよび高集積化デバイスの実現が期待されている。
【０００３】
分子素子実現のためには、所望の機能を発現する機能性分子の開発とともに、これら機能性分子外部に電気信号を取り出すための電極を当該機能性分子と電気的に結合させる微小導線、すなわち分子導線の開発が必要不可欠である。このような分子導線の持つべき性質としては、（１）導電性、（２）剛直性、および（３）接続性が挙げられる。本出願は、（３）の接続性向上を図ったものである。
【０００４】
現在、分子導線としての利用が有望な材料として、カーボンナノチューブがある。カーボンナノチューブは、高導電性を有するのみならず、高剛直性をも有する。また、チューブの巻き性の違いによる電子物性の変化といった、カーボンナノチューブ単体の持つ機能性を利用することも可能であり（Ｓ．Ｊ．Ｔａｎｓ他、ネイチャ（Ｎａｔｕｒｅ）第３８６巻、第４７４頁（１９９８））、カーボンナノチューブの使用について精力的な研究が展開されている。
【０００５】
これらのナノスケールの分子導線を用いて電気信号を外部出力として得るためには、分子導線と外部電極との間に電気的接触をとる必要がある。カーボンナノチューブを使用する場合、その長さは数μｍであり、この片端あるいは両端に電極を形成することは、スケール的には現時点の技術水準により容易に実現可能である。例えば、１μｍ程度の距離が空いた金属電極対を予め基板上に形成しておき、その電極間をカーボンナノチューブで橋渡しするように設置し、カーボンナノチューブの電子物性を計測することができる。
【０００６】
上述の方法の欠点として、金属電極とカーボンナノチューブの間に生じる接触抵抗を無視できないことが挙げられる。学術的な意義でカーボンナノチューブ単一分子固有の電子物性を測定するためには、四端子法を用いた測定によって接触抵抗を相殺することができる（Ｓ．Ｊ．Ｔａｎｓ他、ネイチャ（Ｎａｔｕｒｅ）第３９３巻、第４９頁（１９９８））。しかしながら、分子導線配線技術の実用化に向けては、接触抵抗を無視できるほど良好な電気的接触を実現することのできる分子導線と電極の接続方法の開発が求められる。
【０００７】
分子導線と金属電極の間で確実に接触をとる一つの手段として、次の手法がある。すなわち、まずカーボンナノチューブを基板上に分散してその所在位置を特定する。次に、当該所在位置に蒸着法により金属電極を形成する。この手法による電極形成法は、実際にＥｂｂｅｓｅｎ等によって報告されている（Ｅｂｂｅｓｅｎ他、ネイチャ（Ｎａｔｕｒｅ）第３８２巻、第５４頁（１９９６））。
【０００８】
しかしながら、Ｅｂｂｅｓｅｎ等がこの報告中で指摘しているように、当該電極形成法では、細心の注意を払ってもカーボンナノチューブの破損を避けることができない。高強度の分子導線材料であると一般に認識されているカーボンナノチューブのような材料ですら破損を避け得ないのであるから、半導体高分子のようなより低強度の分子導線材料に対しては当該電極形成法の適用は不可能である。
【０００９】
このように、分子導線配線技術の実用化に向けては、確実に分子導線と金属電極の電気的接触がとれるだけではなく、且つ、カーボンナノチューブと比較して格段に低強度の分子導線を用いても破損させることのない電極形成法が求められる。
【００１０】
さらに、使用する電極材料の金属の種類が限定されない電極形成法が好ましい。分子導線は制限された電子状態を利用するものである。すなわち、単一分子あるいは複数個の分子の集合体が持つ離散的なエネルギ状態に応じて、これに接続する電極の電子状態（金属電極であれば仕事関数）も選択されるべき性質のものである。このような分子導線に対して電極を形成する場合、分子導線の電子状態と金属電極の仕事関数との関係によって最適組み合わせが存在する。あるいは、組み合わせの違いによる異なる機能の発現を期待できる。したがって、分子導線への電極形成法として、電極材料である金属の種類を制限しない方法が有利である。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
以上述べたように、分子導線と金属電極の電気的な接触を確実にとる既存の方法は極めて少ない。現実には、限定された材料に対して、高度な技術を用いることによってのみ達成し得る手法が知られているだけである。しかしながら、分子素子実現の目標に向けた要素技術として、多様な分子導線に対して多様な金属を適用可能な分子導線−金属電極接続法が求められている。
【００１２】
そこで本発明は、分子スケールのデバイス製造において必要不可欠な、多様な分子導線に対して適用可能な分子導線と電極との間に十分な電気的接触をとることのできる分子導線と電極の非破壊的な接続方法であって、電極の金属種類の選択に制限のない簡便な分子導線と金属電極の接続方法、およびそれらの接続構造を含んだ基板を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために請求項１の発明は、所定位置に金属電極を形成する第１工程と、単一分子または複数個の分子の集合からなる分子導線を前記金属電極近傍に配置する第２工程と、前記金属電極と前記分子導線それぞれの少なくとも一部を導電性物質により接続する第３工程とを含んだ分子導線と金属電極の接続方法であって、前記第３工程は、無電解メッキにより金属を形成して前記金属電極と前記分子導線の電気的接触をとることを特徴とする分子導線と金属電極の接続方法を提供する。
【００１４】
また、請求項２の発明は、所定位置に金属電極を形成する第１工程と、単一分子または複数個の分子の集合からなる分子導線を前記金属電極近傍に配置する第２工程と、前記金属電極と前記分子導線それぞれの少なくとも一部を導電性物質により接続する第３工程とを含んだ分子導線と金属電極の接続方法であって、前記第３工程は、電解メッキにより金属を形成して前記金属電極と前記分子導線の電気的接触をとることを特徴とする分子導線と金属電極の接続方法を提供する。
【００１５】
また、請求項３の発明は、請求項２に記載の接続方法において、前記第１工程において前記金属電極を複数形成し、前記第３工程において、前記金属電極のいずれかに所定の金属により前記電解メッキを行い、さらに、前記金属電極の別の電極に別の金属により前記電解メッキを行うことを特徴とする分子導線と金属電極の接続方法を提供する。
【００１６】
また、請求項４の発明は、請求項１から３のいずれかに記載の接続方法において、前記第２工程は、前記分子導線を化学結合によって固定して配置することを特徴とする分子導線と金属電極の接続方法を提供する。
【００１７】
また、請求項５の発明は、所定位置に配置された金属電極と、前記金属電極近傍に配置された単一分子または複数個の分子の集合からなる分子導線と、前記金属電極と前記分子導線それぞれの少なくとも一部を接続するように配置された導電性物質とを備えた基板であって、前記導電性物質は、無電解メッキにより形成された金属からなることを特徴とする基板を提供する。
【００１８】
また、請求項６の発明は、所定位置に配置された金属電極と、前記金属電極近傍に配置された単一分子または複数個の分子の集合からなる分子導線と、前記金属電極と前記分子導線それぞれの少なくとも一部を接続するように配置された導電性物質とを備えた基板であって、前記導電性物質は、電解メッキにより形成された金属からなることを特徴とする基板を提供する。
【００１９】
また、請求項７の発明は、請求項５または６に記載の基板において、前記金属電極は複数配置され、前記導電性物質は、前記金属電極のいずれかに接続するように配置される所定の金属と、前記金属電極の別の電極に接続するように配置される別の金属を含むことを特徴とする基板を提供する。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る分子導線と金属電極の接続方法の実施形態、およびそれらの接続構造を含んだ半導体基板の実施形態について詳述する。
【００２１】
本発明に係る分子導線と金属電極の接続方法の一実施形態は、図１に図式的に示した通り、概略すると以下に示す工程を具えている。また当該工程を実施することにより、これらの接続構造を含んだ本発明に係る半導体基板の一実施形態を製造することができる。
【００２２】
当該工程は、［１］初期電極の形成（図１（ａ））、［２］分子導線の配置（図１（ｂ））、［３］電極に金属メッキを施すことによる分子導線と金属電極の結合の形成（図１（ｃ））を具えている。図１（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ二面図であり、平面図と断面図を表す。また、図式上、一つの分子導線の両端が金属電極と結合する場合を示したが、分子導線の結合部位はこれに限定されない。
【００２３】
図１において１は基板を表し、初期電極として二端子の電極２，３を形成する場合を例示してある。ここで、電極２，３の形成については、半導体微細加工技術で通常行われる周知の手法を用いて、所望の電極を形成することができる。
【００２４】
例えば、ポジ型レジストを塗布した基板１表面にフォトマスクを通して露光を行った後、レジストを現像し、所望の金属を蒸着し、さらにレジストをリフトオフする工程によって、電極２，３を初期電極として形成することができる。
【００２５】
このとき、基板１としては石英やサファイヤ等の絶縁体、シリコンウエハ等の半導体、金や銅等の金属等、様々な材料を使用することができる。また、このとき蒸着する金属を選択することによって、電極２，３として使用する金属を選択することができる。また、フォトマスクを用いて露光する代わりに電子ビーム露光を使用すれば、さらに微細な電極を形成することもできる。
【００２６】
なお、初期電極の形状は特に限定されることがなく、図１に示した二端子電極の他に、例えば四端子電極、櫛形電極等を形成することができる。また、これらの形態以外の電極を用いてもよい。
【００２７】
基板１表面に初期電極を形成すると続いて、図１（ｂ）のように例えばカーボンナノチューブからなる分子導線４を配置する。分子導線４としては、カーボンナノチューブ、ＤＮＡに限らず、ポリアセチレンやポリアニリン等の伝導性高分子、ポリシラン等の半導体高分子、その他の有機／無機高分子を使用することができる。
【００２８】
分子導線４は図示の如く電極２，３に跨って配置することが好ましいが、後述の通り、この配置形態に限定されるものではない。
【００２９】
分子導線４の配置は、例えば分子分散状態にしたカーボンナノチューブ希薄溶液をキャストして、基板１上に散布することで実施できる。この方法ではカーボンナノチューブ分子導線の配置位置の制御は困難であるが、一定確率で電極２，３間に分子導線４を配置することができる。
【００３０】
これらの分子導線４を電極２，３間に跨って配置する方法として他に、基板１表面上に物理吸着や化学結合を介して固定する方法を用いることもできる。この固定方法は電極と末端基の吸着を利用して実施することができる。例えば、金とＳ−Ｈとは化学結合を形成することが知られている。そこで電極２，３を金電極として、分子導線４の一部あるいは末端にＳ−Ｈ基を導入し、この分子導線４を金電極２，３に直接結合させて固定することも可能である。
【００３１】
これらの分子導線は、金属電極と対向する部分を当該電極面と完全に接触させて配置することは困難であり、接触する部分と、接触しない空隙部分とが存在する。しかしながら、分子導線は金属電極とこのように不完全に接触していても、また金属電極にほとんど接触していなくてもよく、平面的に見てオーバーラップして配置すればよい。
【００３２】
散布による上記配置方法では、例えば図２（ａ），図３（ａ），図４（ａ）に示すような配置形態となる場合も考えられ、全くオーバーラップしない場合（図４（ａ））もあり得る。後述する通り、いずれの配置形態においても本発明に係る分子導線と金属電極の接続方法を適用することができる。
【００３３】
また、電極２，３間に分子導線４を配置する際に、次に説明するような制御性のより良好な方法を適用することもでき、この方法により、分子導線配置を有効に行うことができる。
【００３４】
初期電極として、例えば酸化膜付きのシリコンウエハ上に前述の方法で金属電極を形成する。末端にハロゲンを有するシランカップリング剤である３−臭化プロピルジメチルクロロシランを用いてこの基板１を処理することにより、酸化膜上だけに３−臭化プロピルジメチルシリル基を形成することができる。ここに、主鎖がケイ素から構成されるポリシランの末端をリチオ化した構造の半導体高分子であるリチオ化ポリシランを加えて反応させて主鎖の一端を化学結合させることにより、所望の密度で電極間にポリシランを固定することができる（本出願人による特開平１１−２２２５２６号公報（発明の名称「ポリシラン薄膜の製造方法」），Ｋ．Ｅｂａｔａ他、ジャーナル・オブ・ジ・アメリカン・ケミカル・ソサエティ（Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．）、第１２０巻、第７３６７頁（１９９８））。この化学結合強固な化学結合であり、物理吸着のように不均一な界面を持つことがない。
【００３５】
基板１表面に分子導線４を配置すると続いて、図１（ｃ）のように両電極２，３の分子導線４との接触部分に金属メッキ７，８を施して、電気的コンタクトを良好なものとする。メッキ法は、電解メッキ、無電解メッキ、どちらを用いてもよい。また、メッキ可能なものであればどの種類の金属を用いてもよい。
【００３６】
ここでは、図２を参照して電解メッキによるメッキ工程について説明する。
【００３７】
図５において、５０は陽極金属、５１は直流電圧源である。図５（ａ）に示す通り、まず電極２，３を短絡して陰極とし、当該両陰極および陽極金属５０の各先端をメッキ浴５２に浸漬する。メッキ浴５２にはＯリングを用いる。各先端を浸漬した状態で、直流電圧源５１により両極間に所定電圧を印加する。
【００３８】
なお、メッキ浴５２に浸漬する際に、分子導線４が基板１から脱離することや、メッキ溶液５２中に溶出することも起こり得る。しかしながら、多くの場合はメッキ溶液５２が水溶液であるため、疎水性の半導体高分子やカーボンナノチューブはメッキ溶液５２中に溶出することはない。また、前述したように分子導線４を化学結合により固定する方法や、分子導線４を基板上により強固に吸着させる手法を用いて配置しておけば、分子導線４の脱離や溶出を完全に防ぐことができる。
【００３９】
所定時間の電圧印加によって図５（ｂ）のように金属メッキ７，８が形成され、分子導線４と電極２，３の金属メッキ７，８による結合が実現される。当該結合形態としては、▲１▼図１（ｃ）に示したように金属メッキ７，８で結合部位を完全に覆うもの、▲２▼分子導線４と電極２，３の間に位置する空隙部分に金属メッキ７，８が入り込んで結合を形成するもの、▲３▼▲１▼と▲２▼が混在したもののいずれであっても、分子導線４の少なくとも一部と電極２，３それぞれの少なくとも一部に電気的にコンタクトするように金属メッキ７，８を形成して結合したものであればよい。
【００４０】
すなわち、図２（ａ）に示した配置形態に対しては図２（ｂ）のように分子導線４と電極２，３の両結合部位をほぼ完全に覆った形態とすることができる。また、図３（ａ）に示した配置形態（一方のみオーバーラップ）に対しては図３（ｂ）のように分子導線３４と電極２の結合部位のみをほぼ完全に覆い、分子導線３４と電極３の結合は、分子導線３４の末端を金属メッキ８によって電極３とコンタクトさせた形態とすることができる。
【００４１】
さらに、図４（ａ）に示した配置形態（オーバーラップが全くない）のように分子導線４４の両末端に例えばアルキル基からなる非導体の保持部４５，４６を形成し、電極２，３と分子導線４４の機械的接続を保持してもよい。この形態に対して金属メッキ７，８を形成すれば、保持部４５，４６を覆って電気結合を形成することができる。なお、保持部４５，４６は電極２，３に用いる金属の種類に応じ、アルキル基の末端に例えばＳＨを結合させて金製電極と接続可能とし、また、ＳＣＨ３を結合させて白金製電極と接続可能とし、さらに、ＣＨ＝ＣＨ２（２重結合）を結合させてＳｉ製電極と接続可能とすることができる。
【００４２】
なお、上記メッキ工程を電解メッキ法により複数回行うことで、個々の電極に異なる金属を使用することも可能である。
【００４３】
本実施形態により得られる分子導線−金属電極結合は、金属メッキによって結合を形成することで接触抵抗を無視でき、良好な電気伝導を実現することができる。また、上記▲１▼の結合形態とすることで、良好な電気伝導に加えて、強固な結合を実現することができる。
【００４４】
【実施例】
以下、本発明に係る実施例について具体的に詳述するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００４５】
（実施例１）
カーボンナノチューブと金属電極の接続構造の形成
［１］初期電極の形成
直径４インチの石英基板にポジ型レジスト（Ｖ３、東京応化工業株式会社製）をスピンコートにより塗布し（回転数４０００ｒｐｍ，４０秒）、ホットプレートを用いて９０℃で９０秒間ベークした。そのした。次に、コンタクトアライナ（ＰＬＡ−５０１、株式会社キヤノン製）を用いて電極パターンを露光した。次に、レジスト現像液（東京応化工業株式会社製）で現像し、純水でリンスした。
【００４６】
さらに、リンス後の石英基板をスパッタ装置（株式会社日本シード研究所製）に装着し、真空を破ることなくチタンとパラジウムを連続して堆積させた。このとき、チタンの膜厚は１０ｎｍ、パラジウムの膜厚は１００ｎｍとした。そして、堆積後の石英基板をメチルエチルケトンに浸漬し、超音波洗浄装置を用いてレジストをはく離することにより、パラジウムの電極パターンを複数形成した。得られた最小電極間隔は５００ｎｍであった。
【００４７】
［２］カーボンナノチューブの配置
市販のカーボンナノチューブ１ｍｇを塩化メチレン（ＣＨ２Ｃｌ２）１ｍｌ（ミリリットル）中に加え、これに超音波を照射することによって塩化メチレン中にカーボンナノチューブを分子状態で分散させた。この溶液を［１］の工程で用意した石英基板上に毎分３０００回転の速度で６０秒間スピンコートして塗布することにより、カーボンナノチューブを複数電極間に配置した。
【００４８】
カーボンナノチューブを配置した基板は、室温、真空中に１時間おいて乾燥させた。
【００４９】
［３］無電解メッキを用いたカーボンナノチューブと電極の結合の形成
無電解メッキ液を調整し、次表１に示す組成とした。ＰＨ１２．５、液温６０℃としたこのメッキ液浴に、乾燥した［２］の基板を２分間浸漬した。
【００５０】
【表１】
0003566167.tif 000002
【００５１】
これによって、パラジウム電極上に均一な銅メッキ層を堆積し、カーボンナノチューブとパラジウム電極間に良好な電気的接触を得た。このメッキ層は電解メッキによるものと比べてより均一なものとすることができた。
【００５２】
次に、［１］の工程で用意したパラジウム電極をプローバ（株式会社日本マイクロニクス製）に装着し、カーボンナノチューブが接触した電極にＯリングをのせ、金のメッキ液（田中貴金属工業株式会社製）を滴下した。次に、滴下されたメッキ液に直径１ｍｍの金線を浸漬し、カーボンナノチューブが接触した電極と金線の間に３Ｖの電圧を１５秒間印加してカーボンナノチューブと電極を金メッキで被覆し、これにより金メッキによる電気的結合を得た。
【００５３】
なお、このメッキ工程［３］において、カーボンナノチューブは疎水性であり、メッキ溶液中で溶出することなくメッキを行って電気的結合を形成することができた。
【００５４】
（実施例２）
カーボンナノチューブと金属電極の接続構造の形成
［１］初期電極の形成
直径４インチの石英基板にポジ型レジスト（Ｖ３、東京応化工業株式会社製）をスピンコートにより塗布し（回転数４０００ｒｐｍ，４０秒）、ホットプレートを用いて９０℃で９０秒間ベークした。次に、コンタクトアライナ（ＰＬＡ−５０１、株式会社キヤノン製）にて電極パターンを露光した。その後、レジスト現像液（東京応化工業株式会社製）で現像し、純水でリンスした。
【００５５】
さらに、リンス後の石英基板をスパッタ装置（株式会社日本シード研究所製）に装着し、真空を破ることなくチタンと金を連続して堆積させた。このとき、チタンの膜厚は５ｎｍ、金の膜厚は５０ｎｍとした。そして、堆積後の石英基板をメチルエチルケトンに浸漬し、超音波洗浄装置を用いてレジストをはく離することにより、金の電極パターンを複数形成した。得られた最小電極間隔は５００ｎｍであった。
【００５６】
［２］カーボンナノチューブの配置
市販のカーボンナノチューブ１ｍｇを塩化メチレン（ＣＨ２Ｃｌ２）１ｍｌ中に加え、これに超音波を照射することによってカーボンナノチューブを塩化メチレン中に分子状態で分散させた。この溶液を［１］の工程で用意した基板上に毎分３０００回転の速度で６０秒間スピンコートして塗布することにより、カーボンナノチューブを複数電極間に配置した。
【００５７】
［３］カーボンナノチューブと電極の結合の形成
［１］の工程で用意した金電極をプローバ（株式会社日本マイクロニクス製）に装着し、カーボンナノチューブが接触した電極にＯリングをのせ、金のメッキ液（田中貴金属工業株式会社製）を滴下した。次に、滴下されたメッキ液に直径１ｍｍの金線を浸漬し、カーボンナノチューブが接触した電極と金線の間に１．５Ｖの電圧を１５秒間印加してカーボンナノチューブと電極を金メッキで被覆し、これにより金メッキによる電気的結合を得た。
【００５８】
なお、このメッキ工程［３］において、カーボンナノチューブは疎水性であり、メッキ溶液中で溶出することなくメッキを行って電気的結合を形成することができた。
【００５９】
（実施例３）
半導体高分子ポリシランの固定と異種金属メッキを用いた電極の接続構造の形成
［１］微小電極（初期電極）の形成
実施例１，２［１］において、石英基板の代わりに酸化膜（厚さ約１０００Å）のついたシリコンウエハを用い、図６（ａ）〜（ｂ）に示す形状の電極６２，６３を形成した。なお、図６（ａ）〜（ｂ）は、電極形状の他は実際と違って図式的に描画されている。
【００６０】
［２］エンドグラフト法によるポリシランの固定および配置
次に、半導体高分子であるポリシランを電極６２，６３間にその末端を化学結合させる前述の方法を用いて固定する。
【００６１】
まず、３−臭化プロピルジメチルクロロシランＢｒ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｃｌ（１ｍｌ）をテトラヒドロフラン（２０ｍｌ）との混合溶液とし、この溶液中に［１］で得られた基板を浸漬し、２時間半、加熱環流した。その後、テトラヒドロフランで洗浄し、次いでアセトンで洗浄した後、風乾した。これにより、［１］で得られた基板のケイ素酸化膜表面は３−臭化プロピルジメチルシリル化されるのに対し、金電極表面は３−臭化プロピルジメチルシリル化されない。
【００６２】
なお、ポリ［ｎ−デシル｛（Ｓ）−２−メチルブチル｝シラン］の電極６２，６３間への固定は、図７に示す反応装置を用いて行った（Ｋ．Ｆｕｒｕｋａｗａ他、アプライド・フィジックス・レターズ（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．）、第７５巻、第７８１頁（１９９９））。
【００６３】
図７において、反応装置７０は反応容器７２，７３を含んで構成される。７４はガラス栓、７５は回転可能なジョイント、７６はセプタムラバー栓、７７は磁気撹拌子である。
【００６４】
まず反応容器７２に３−臭化プロピルジメチルシリル化した基板７１を置き、全体を真空にした。反応容器７３にポリ［ｎ−デシル｛（Ｓ）−２−メチルブチル｝シラン］（Ｍｎ＝１５２００００，Ｍｗ＝７７７００００，Ｍｗ／Ｍｎ＝５．１２、ポリスチレン標準）のイソオクタン溶液（５ｇ／ｌ）を２ｍｌ注入し、さらに乾燥テトラヒドロフラン（８ｍｌ）を真空トランスファにより導入した。これを室温に戻し溶解させることにより、均一な溶液にした。そして、再び凍結脱気をくり返して溶存空気を除去した後、アルゴン雰囲気とした。
【００６５】
この状態で、反応容器７３中の溶液にジ−ｔ−ブチルビフェニルリチウムのテトラヒドロフラン溶液５０μｌを一気に加え、ポリ［ｎ−デシル｛（Ｓ）−２−メチルブチル｝シラン］を切断してリチオ化したリチオ化ポリシランを調製した。反応容器７３中の溶液が黄色を帯びリチオ化ポリシランの生成を確認した時点で、直ちにこれを回転可能なジョイント７５を介して反応容器７２に空気にさらすことなく注ぎ、リチオ化ポリシランとケイ素酸化膜表面を３−臭化プロピルジメチルシリル化した基板７１の表面と反応させた。
【００６６】
溶液を注ぎ終えてから３分後に、反応容器７２中にｎ−ブタノールを１滴加え、大過剰に存在するリチオ化ポリシランを失活させ、反応性をなくすようにした。そして、ポリ［ｎ−デシル｛（Ｓ）−２−メチルブチル｝シラン］に対する溶解力の非常に強いイソオクタン中に１６時間以上浸漬することにより、結晶シリコン基板７１の洗浄を行った。これによって、基板７１の表面と化学結合していないポリシランを基板７１上から完全に除去することができ、強固な固定と、当該固定による分子導線の配置を行うことができた（図６（ａ））。
【００６７】
［３］ポリシランと電極の結合の形成
［２］のポリ［ｎ−デシル｛（Ｓ）−２−メチルブチル｝シラン］がエンドグラフトされた２つの電極６２，６３のうち一方の電極６２のみに電圧を印加して電解メッキ法により金メッキを施すことにより、当該ポリ［ｎ−デシル｛（Ｓ）−２−メチルブチル｝シラン］の一端を金で覆って金メッキ６７を形成し、これにより分子導線４と電極６２の電気的接合を形成した（図６（ｂ））。
【００６８】
次に、メッキ液を白金メッキ液（田中貴金属工業株式会社製）に交換し、もう一方の電極６３に電圧を印加して電解メッキ法により白金メッキを施すことにより、当該ポリ［ｎ−デシル｛（Ｓ）−２−メチルブチル｝シラン］の他端を白金で覆って白金メッキ６８を形成し、これにより分子導線４と電極６３の電気的結合を形成した（図６（ｃ））。
【００６９】
本実施例によれば、ポリ［ｎ−デシル｛（Ｓ）−２−メチルブチル｝シラン］の両端を、一方を金で、他方を白金で、それぞれ電気的接合をとった構造を形成することができた。
【００７０】
（実施例４）
化学結合を用いたＤＮＡと電極の接続構造の形成
［１］初期電極の形成
直径４インチの石英基板にポジ型レジスト（Ｖ３、東京応化工業株式会社製）をスピンコートにより塗布し（回転数４０００ｒｐｍ，４０秒）、ホットプレートを用いて９０℃で９０秒間ベークした。次に、コンタクトアライナ（ＰＬＡ−５０１、株式会社キヤノン製）にて電極パターンを露光した。その後、レジスト現像液（東京応化工業株式会社製）で現像し、純水でリンスした。
【００７１】
さらに、リンス後の石英基板をスパッタ装置（株式会社日本シード研究所製）に装着し、真空を破ることなくチタンと金を連続して堆積させた。このとき、チタンの膜厚は５ｎｍ、金の膜厚は５０ｎｍとした。そして、堆積後の石英基板をメチルエチルケトンに浸漬し、超音波洗浄装置を用いてレジストをはく離することにより、金の電極パターンを複数形成した。得られた最小電極間隔は５００ｎｍであった。
【００７２】
［２］ＳＨ基を利用したＤＮＡの固定
両端にＳＨ基のついた市販のＤＮＡ１ｍｇを純水１０ｍｌに溶解させた。［１］の工程で用意した金電極をプローバ（株式会社日本マイクロニクス製）に装着した。その上にＯリングをのせ、ＤＮＡ溶液を滴下した。電極間に電圧を印加すると、ＤＮＡは鎖状に伸びた形で電極間にトラップされた。さらに、ＳＨ基と金は化学結合を形成するので、ＤＮＡ末端のＳＨ基と金電極の化学的結合が生成し、強固な固定と、当該固定による分子導線の配置を行うことができた。
【００７３】
ＤＮＡの結合した電極は純水、エタノールで洗浄した。
【００７４】
［３］ＤＮＡと電極との電気的接合の形成
上記電極をプローバに装着した状態でＤＮＡの結合した電極にＯリングをのせ、金メッキ液（田中貴金属工業株式会社製）を滴下した。次に、滴下されたメッキ液に直径１ｍｍの金線を浸漬し、電極とＤＮＡが接触した電極間に１．５Ｖの電圧を１５秒間印加してＤＮＡと電極を金メッキで被覆し、これにより金メッキによる電気的結合を得ることができた。
【００７５】
【発明の効果】
以上説明したように本発明に係る分子導線と金属電極の接続方法、およびそれらの接続構造を含んだ基板によれば、基板の所定位置の金属電極と分子導線それぞれの少なくとも一部を無電解メッキまたは電解メッキにより形成した金属により接続して電気的に結合させる簡便な手法により、多様な分子導線に対して適用可能な分子導線と金属電極との間に接触抵抗を無視できる良好な電気的接触をとることができ、非破壊的に分子導線と金属電極を結合させることができ、かつ、金属の種類を自由に選択することができる。したがって、本発明は、分子素子製造の要素技術として、必要不可欠な技術を提供するものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る分子導線と金属電極の接続方法の一実施形態を図式的に示す工程説明図である。
【図２】本発明に係る分子導線と金属電極の接続方法を適用可能な分子導線初期配置の一例を示した平面図である。
【図３】本発明に係る分子導線と金属電極の接続方法を適用可能な分子導線初期配置の別の例を示した平面図である。
【図４】本発明に係る分子導線と金属電極の接続方法を適用可能な分子導線初期配置の別の例を示した平面図である。
【図５】本発明に係る分子導線と金属電極の接続方法の一実施形態におけるメッキ工程の説明図である。
【図６】本発明に係る分子導線と金属電極の接続方法の実施例３における分子導線と金属電極の接続方法を示した工程説明図である。
【図７】本発明に係る分子導線と金属電極の接続方法の実施例３において、結晶シリコン表面に主鎖の片末端あるいは両末端で化学結合したポリシランの合成に用いた反応装置を示す側面図である。
【符号の説明】
１，７１  基板
２，３，６２，６３  電極
４，３４，４４  分子導線
７，８，６７，６８  金属メッキ
５０  陽極金属
５１  直流電圧源
５２  メッキ浴
７０  反応装置
【図１】
0003566167.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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