【事件の表示】
　平成　６年特許願第２５５９０８号「タングステン形成プロセス」拒絶査定不服審判事件〔平成　７年　７月１４日出願公開、特開平　７−１７６５３２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成６年１０月２１日（優先権主張　１９９３年１０月２２日、米国）の出願であって、平成１７年８月３１日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年１２月５日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年１２月２８日付けで手続補正がなされ、その後当審において、平成１９年１１月８日付けで拒絶の理由が通知され、その指定期間内である平成２０年５月１２日に意見書と手続補正書が提出されたものである。
　
第２　本願発明 
　１．平成２０年５月１２日付け手続補正（以下、「本件補正」という。）の適法性 
（１）本件補正の内容 
　本件補正は、補正前の請求項１を補正後の請求項１と補正し、なおかつ、補正前の図３を補正後の図３と補正するものであって、補正後の請求項１は以下のとおりのものである。
　
「【請求項１】
　基板（たとえば１１）上に形成されたシリサイド（たとえば３７）を形成する工程；
　前記基板及び前記シリサイド上に誘電体（たとえば１３）を形成する工程；
　前記誘電体中に開孔を形成し、前記シリサイドの表面を露出させる工程
を含む半導体集積回路の作製方法において、
　前記シリサイド上及び前記開孔内で、前記誘電体上に、ポリシリコン及びアモルファスシリコンから成る類から選択された材料の層（たとえば１５）を形成する工程；
　前記材料の層をＷＦ６　に露出させ、それによって前記開孔内に、タングステンプラグを形成し、前記シリサイドに電気的に接触する工程を含むことを
特徴とする方法。」
　
（２）補正事項の整理 
（ａ）補正事項１
　補正事項１−１
　補正前の請求項１の「基板（たとえば１１）上に自己整合的に形成されたシリサイド（たとえば３７）を形成する工程」を、補正後の請求項１の「基板（たとえば１１）上に形成されたシリサイド（たとえば３７）を形成する工程」と補正すること。
　補正事項１−２
　補正前の請求項１の「前記シリサイドに接触する工程」を、補正後の「前記シリサイドに電気的に接触する工程」と補正すること。
（ｂ）補正事項２
　補正前の図３を補正後の図３と補正すること
　
（３）補正の内容の検討 
（ａ）補正事項１について 
　補正事項１−１について
　補正事項１−１についての補正は、特許法第３６条第５項第２号及び第６項に規定する要件を満たしていないとする、当審での拒絶の理由（「（１）請求項１に記載された「自己整合的に形成されたシリサイド」とは、何に対して「自己整合的に形成」されているのかが不明であるから、当該記載は発明を不明りょうにするものである。（「自己整合的」の意味を説明されたい。また、そのような意味に解釈できる根拠となる出願当初明細書の記載を指摘されたい。）」）に対して、当該拒絶の理由を解消するために、「自己整合的に」なる記載を削除する補正であるから、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内でなされたものであり、かつ、特許法第１７条の２第３項第４号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　
　補正事項１−２について
　補正事項１−２についての補正は、特許法第３６条第５項第２号及び第６項に規定する要件を満たしていないとする、当審での拒絶の理由（「（２）請求項１には、「それによって前記開孔内に、タングステンプラグを形成し、前記シリサイドに接触する」との記載があり、請求項１を引用する請求項３には、「前記基板及び前記材料層の間に、耐熱性金属層又は障壁／固着層からなる類から選択される少くとも１つの追加された材料層が形成される」ことが記載されている。そうすると、請求項１で示される、タングステンプラグがシリサイドに接触することと、請求項３で示される、タングステンプラグとシリサイドの間には材料層が形成されることとは、明らかに矛盾するものであるから、請求項３に係る発明は不明りょうである。また、請求項３を引用する請求項４ないし６についても同様の理由により発明が不明りょうである。」）に対して、当該拒絶の理由を解消するために、「電気的に」を追加する補正であるから、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内でなされたものであり、かつ、特許法第１７条の２第３項第４号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
（ｂ）補正事項２について
　補正事項２についての補正は、図３中の参照番号「３０」を「１５」に補正するものであって、本願明細書の【００１５】に、「アモルファス又はポリシリコンを含む層１５は、層２７上の開孔１９内に堆積させる。」と記載されているから、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内においてなされたものであることは明らかである。
　
　したがって、補正事項１及び２についての補正を含む本件補正は、特許法第１７条の２第２項において準用する同法第１７条第２項及び同法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。 
　
　２．本願発明について 
　本願の請求項１ないし８に係る発明は、平成２０年５月１２日付け手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その請求項１ないし８に記載された事項により特定されるとおりのものであり、その請求項１に係る発明は、第２　１．（１）に記載したとおりのものである。
　
第３　刊行物発明 
　刊行物１．特開平４−２８８８２４号公報
　当審の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張の日前に日本国内で頒布された特開平４−２８８８２４号公報（以下、「刊行物１」という。）には、「ブランケットタングステンによるプラグ形成方法」（発明の名称）に関して、図２とともに以下の事項が記載されている。 
「【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ブランケットタングステンによるプラグ形成方法に係り、特に微細コンタクトホールの埋め込み技術としてのＣＶＤ法によるブランケットタングステンによるプラグ形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】超ＬＳＩあるいは次世代以降の超々ＬＳＩにおいて、微細コンタクトホール（例えば０．３５μｍ径）やビアホールを埋め込む技術としてカバレージが良く、しかも従来のポリシリコンプラグ等と比較してコンタクト抵抗が低いブランケットタングステンＣＶＤ（化学的気相成長）法が挙げられ注目を集めている。」
「【００１８】図２は、本発明の第２の実施例を示す工程断面図である。
【００１９】まず、図２（ａ）に示すように、シリコン（Ｓｉ）基板１表面を熱酸化して厚さ５０オングストロームのＳｉＯ２膜９を形成し、その上にＴｉ層（図示せず）を形成した後、９００℃で１０〜２０秒間アニールを行い、所定のＴｉ層をＴｉＳｉ２に代え、それ以外のＴｉ層をエッチング除去して耐熱層としてのＴｉＳｉ２膜１０を形成する。
【００２０】次に、図２（ｂ）に示すように、全面に実施例１と同じようにＳｉＯ２層間絶縁膜４をＣＶＤ法により形成し、更にその上に厚さ１０００オングストロームのＴｉＮ膜１１を順次形成する。ＴｉＮ膜１１上にリソグラフィー技術によりレジスト（図示せず）をパターニング形成した後、レジストをマスクとしてＴｉＮ膜１１をエッチング除去する。・・・次に、ＳｉＯ２層間絶縁膜４をエッチング除去し、ＴｉＳｉ２膜１０を露出させるコンタクトホール５を形成する。・・・次に、ＳｉＯ２層間絶縁膜４上のレジストを除去した後、減圧ＣＶＤ法によりコンタクトホール５の内壁面を含む全面に多結晶シリコン（ｐｏｌｙ−Ｓｉ）を堆積させて厚さ１００オングストロームのｐｏｌｙ−Ｓｉ膜１２を形成する。・・・
【００２１】次に、図２（ｃ）に示すように、全面にタングステン（Ｗ）（ブランケットタングステン）をＣＶＤ法により堆積してＷ層１３を形成する。Ｗ層１３の形成では、まず第１ステップ（シリコン還元法）としてＷＦ６ガスのみをその流量を２５ＳＣＣＭとして用い、次に第２ステップ（水素還元法）としてＷＦ６／Ｈ２の混合ガスをその流量を３０／３００ＳＣＣＭとして用いた。
その際の成長温度、圧力は第１ステップ、第２ステップと共に、４７５℃、８０Ｔｏｒｒとした。上記第１ステップでｐｏｌｙ−Ｓｉ膜１２はＷに置換されて消失する。Ｗ層１３形成後エッチバックを行い、密着層としてＴｉＮ膜１１を用いた低コンタクトでステップカバレージが良好なブランケットタングステンプラグを得ることができる。なお、本実施例では第１ステップを行なわず直接第２ステップからでも可能である。
【００２２】また、上記第２の実施例において、減圧ＣＶＤ法によりｐｏｌｙ−Ｓｉ膜１２を形成する代わりに、プラズマＣＶＤ法により非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）膜を形成する第３の実施例によっても実施例２と同等の良好なブランケットタングステンプラグが得られる。」
　
　したがって、刊行物１には、以下の発明が記載されている。 
「シリコン（Ｓｉ）基板１表面を熱酸化して厚さ５０オングストロームのＳｉＯ２膜９を形成し、その上にＴｉ層を形成した後、９００℃で１０〜２０秒間アニールを行い、所定のＴｉ層をＴｉＳｉ２に代え、それ以外のＴｉ層をエッチング除去して耐熱層としてのＴｉＳｉ２膜１０を形成する工程と、全面にＳｉＯ２層間絶縁膜４を形成する工程と、ＳｉＯ２層間絶縁膜４をエッチング除去し、ＴｉＳｉ２膜１０を露出させるコンタクトホール５を形成する工程とを含む超ＬＳＩあるいは次世代以降の超々ＬＳＩのブランケットタングステンによるプラグ形成方法において、
コンタクトホール５の内壁面を含む全面に多結晶シリコン（ｐｏｌｙ−Ｓｉ）或いは非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）膜を形成する工程と、第１ステップ（シリコン還元法）としてＷＦ６ガスのみをその流量を２５ＳＣＣＭとして用い、次に第２ステップ（水素還元法）としてＷＦ６／Ｈ２の混合ガスをその流量を３０／３００ＳＣＣＭとして用い、全面にタングステン（Ｗ）（ブランケットタングステン）をＣＶＤ法により堆積してＷ層１３を形成し、上記第１ステップでｐｏｌｙ−Ｓｉ膜１２或いは非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）膜はＷに置換されて消失する工程を含む超ＬＳＩあるいは次世代以降の超々ＬＳＩのブランケットタングステンによるプラグ形成方法。」
　
第４　当審の判断 
　（１）対比 
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）と刊行物１に記載された発明（以下、「刊行物発明」という。）とを対比検討する。 
（ａ）刊行物発明の「シリコン（Ｓｉ）基板１」、「ＴｉＳｉ２膜１０」、「ＳｉＯ２層間絶縁膜４」、「コンタクトホール５」は、本願発明の「基板」、「シリサイド」、「誘電体膜」、「開孔」に相当する。
（ｂ）刊行物発明の「シリコン（Ｓｉ）基板１表面を熱酸化して厚さ５０オングストロームのＳｉＯ２膜９を形成し、その上にＴｉ層を形成した後、９００℃で１０〜２０秒間アニールを行い、所定のＴｉ層をＴｉＳｉ２に代え、それ以外のＴｉ層をエッチング除去して耐熱層としてのＴｉＳｉ２膜１０を形成する工程」は、本願発明の「基板（たとえば１１）上に形成されたシリサイド（たとえば３７）を形成する工程」に相当する。
（ｃ）刊行物発明の「全面にＳｉＯ２層間絶縁膜４を形成する工程」は、「ＴｉＳｉ２膜１０」を形成した後に行われているから、本願発明の「前記基板及び前記シリサイド上に誘電体（たとえば１３）を形成する工程」に相当する。
（ｄ）刊行物発明の「ＳｉＯ２層間絶縁膜４をエッチング除去し、ＴｉＳｉ２膜１０を露出させるコンタクトホール５を形成する工程」は、本願発明の「前記誘電体中に開孔を形成し、前記シリサイドの表面を露出させる工程」に相当する。
（ｅ）刊行物発明の「コンタクトホール５の内壁面を含む全面に多結晶シリコン（ｐｏｌｙ−Ｓｉ）或いは非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）膜を形成する工程」は、本願発明の「前記シリサイド上及び前記開孔内で、前記誘電体上に、ポリシリコン及びアモルファスシリコンから成る類から選択された材料の層（たとえば１５）を形成する工程」に相当する。
（ｆ）刊行物発明の「第１ステップ（シリコン還元法）としてＷＦ６ガスのみをその流量を２５ＳＣＣＭとして用い、次に第２ステップ（水素還元法）としてＷＦ６／Ｈ２の混合ガスをその流量を３０／３００ＳＣＣＭとして用い、全面にタングステン（Ｗ）（ブランケットタングステン）をＣＶＤ法により堆積してＷ層１３を形成し、上記第１ステップでｐｏｌｙ−Ｓｉ膜１２或いは非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）膜はＷに置換されて消失する工程」は、Ｗ層１３は、ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜１２或いは非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）膜を置換することで形成されており、Ｗ層１３がＴｉＳｉ２膜１０に電気的に接触していることは明らかであるから、本願発明の「前記材料の層をＷＦ６に露出させ、それによって前記開孔内に、タングステンプラグを形成し、前記シリサイドに電気的に接触する工程」に相当する。
　
　したがって、本願発明と刊行物発明は、「基板（たとえば１１）上に形成されたシリサイド（たとえば３７）を形成する工程；
　前記基板及び前記シリサイド上に誘電体（たとえば１３）を形成する工程；
　前記誘電体中に開孔を形成し、前記シリサイドの表面を露出させる工程
を含む作製方法において、
　前記シリサイド上及び前記開孔内で、前記誘電体上に、ポリシリコン及びアモルファスシリコンから成る類から選択された材料の層（たとえば１５）を形成する工程；
　前記材料の層をＷＦ６に露出させ、それによって前記開孔内に、タングステンプラグを形成し、前記シリサイドに電気的に接触する工程を含むことを
特徴とする方法。」である点で一致し、以下の点で相違している。
　
　相違点
　本願発明は、「半導体集積回路の作成方法」であるのに対して、刊行物発明は、「超ＬＳＩあるいは次世代以降の超々ＬＳＩのブランケットタングステンによるプラグ形成方法」である点。
　
　（２）判断 
　以下、相違点について検討する。 
　刊行物発明は、「超ＬＳＩあるいは次世代以降の超々ＬＳＩのブランケットタングステンによるプラグ形成方法」であって、集積回路を形成する方法の一部を開示するものであるから、当該プラグ形成方法を半導体集積回路の作製方法全体の一部として包含させることで、「半導体集積回路の作製方法」とすることは当業者が容易になし得たものである。
　
　よって、本願発明は、刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　
第５　むすび 
　以上のとおりであるから、本願は、請求項２ないし８に係る発明について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。