(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
測定試料を加熱し原子化を行う黒鉛管を有する電気加熱炉と、当該原子化した試料に対して測定光を照射する光源と、前記電気加熱炉を通過した測定光を任意の波長毎に分光する分光器と、当該分光器により分光された波長について光度検出を行う検出器と、前記電気加熱炉と前記検出器間の測定光路上に設けられ、長方形状であり、測定光路上にあるときの鉛直方向をスリット高さ、水平方向をスリット幅としたスリットを備えた原子吸光光度計において、
前記スリットは、前記スリット高さの大きさが異なる複数のスリットが備えられ、
測定すべき波長に応じて前記スリットの高さの大きさを選択し、前記電気加熱炉と前記検出器との間の光軸上に切り替え配置することを特徴とする原子吸光光度計。
【請求項２】
請求項１おいて、
前記スリットを切り替え配置する際に、前記測定すべき波長に加え、前記電気加熱炉の加熱温度に応じて切り替えを行うことを特徴とする原子吸光光度計。
【請求項３】
請求項１及び２において、
前記スリット高さは、該スリット上に結像される前記測定光の直径よりも短いものと長いものとを含むことを特徴とする原子吸光光度計。
【請求項４】
請求項３において、
前記複数のスリットは、スリット高さが２mmと５mmの大きさのものを有することを特徴とする原子吸光光度計。
【請求項５】
請求項４において、
前記スリットの配置の切り替えは、測定すべき波長が３５０ｎｍ以上である場合には、高さ２mmのスリットが選択配置され、測定すべき波長が３５０ｎｍ未満である場合には、高さ５mmのスリットが選択配置されることを特徴とする原子吸光光度計。
【請求項６】
請求項４において、
前記スリットの配置の切り替えは、
測定すべき波長が３５０ｎｍ未満である場合には、高さ５mmのスリットが選択配置され、
測定すべき波長が３５０ｎｍ以上である場合には、電気加熱炉の加熱温度が２０００℃以上であれば高さ２mmのスリットが選択配置され、加熱温度が２０００℃未満であれば高さ５mmのスリットが選択配置されることを特徴とする原子吸光光度計。
【請求項７】
請求項１において、
前記複数のスリットは、前記分光器の前後の測定光光軸上にそれぞれ設けられたことを特徴とする原子吸光光度計。
【請求項８】
請求項１において、
前記複数のスリットの全ては、一つの部材上に形成されていることを特徴とする原子吸光光度計。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、試料を加熱し原子化させその原子を吸光分析することにより金属元素の分析を行う電気加熱炉分析法原子吸光光度計に係り、特に、分析精度を向上した電気加熱炉分析法原子吸光光度計に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図１に一般的な電気加熱炉分析法原子吸光光度計の概略構成図を示す。
【０００３】
電気加熱炉１の黒鉛管２内には測定対象である試料１０が置かれ、黒鉛管２を通電加熱して試料１０を原子化する。光源３は直径３ｍｍのものが一般的に用いられ、また少なくとも１９０〜９００ｎｍの波長を含む測定光４を照射する。照射された測定光４は、集光ミラー１２により集光され黒鉛管２の中心位置に結像する。黒鉛管２内では、試料の原子化により原子吸収が生じ、吸収を受けた測定光４は黒鉛管２を通過後、集光ミラー１３により再度集光され、入射スリット制御部５内の入射スリット位置に結像し、入射スリットにより光量の制限を受けて分光器６に導かれる。
【０００４】
ここで、入射スリット上の測定光４の結像の様子を図２に示す。２０は入射スリットであり、スリット幅により測定光４の制限を行う。像４１は、測定光４の像であり、直径３ｍｍの像である。光源３から照射された測定光４は直進性が高いため、入射スリット２０上においても光源３の直径３ｍｍとほぼ同一の直径３ｍｍで結像する。（但し、厳密には２５０ｎｍの波長においての結像となる。他の波長においては正確に３ｍｍとはならず、若干であるが惚けた像となる。しかし惚けた場合でも像の大きさは最大で直径５ｍｍ程度である。）入射スリット２０の高さは、測定光４の光量を減らさないようにするため、５ｍｍの高さを用いている。
【０００５】
分光器６では、測定光４が分光され、設定された測定波長の光のみが出射スリット制御部１１内の出射スリットに出力され、検知器８に導かれる。検知器８では、光の強度を電気信号に変換して中央処理装置７に出力する。中央処理装置７は、電気加熱炉１の温度制御，光源３の電流制御，入射スリット制御部５および出射スリット制御部１１の制御，分光器６の波長制御を行う。入力装置９は、測定波長および試料原子化時加熱温度，光源の電流値の設定を行う。
【０００６】
上記電気加熱炉分析法原子吸光光度計においては、測定時に黒鉛管２が加熱されることにより、黒鉛管２自体が発光するという現象を伴う。従って、測定光４以外にも、黒鉛管２から発光した光も入射スリット２０に入ってしまう。この黒鉛管からの発光は原子吸収測定に不要なバックグラウンド成分となり、原子吸収測定の分析精度を悪くしている。
【０００７】
そこで従来の原子吸光測定においては、バックグラウンド成分を除去する場合には、入射スリット２０の手前に黒鉛管の発光による光が入ってしまうことを制限する遮光板を固定し、バックグラウンド成分を制限していた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記遮光板を固定した構成では、黒鉛管の発光による光を制限すると同時に測定光をも制限するので、測定光の光量も同時に低下し、原子吸収測定のＳ／Ｎ比が低下するという問題があった。
【０００９】
特に、黒鉛管の発光が少ない測定（即ち、測定波長の短い試料、または原子化時加熱温度が低い試料の測定）においては、黒鉛管からの入射光を制限する必要性が低いにも関わらず、遮光板を備えたことにより検出器への光量が減り、分析精度が必要以上に低下してしまっていた。
【００１０】
本発明の目的は、上記遮光板を設けることなく、黒鉛管の発光の影響を適切に制限して、分析精度を向上することができる電気加熱炉分析法原子吸光光度計を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記目的における本発明の特徴は、測定試料を加熱し原子化を行う黒鉛管を有する電気加熱炉と、当該原子化した試料に対して測定光を照射する光源と、前記電気加熱炉を通過した測定光を任意の波長毎に分光する分光器と、当該分光器により分光された波長について光度検出を行う検出器と、前記電気加熱炉と前記検出器間の測定光路上に設けられ、長方形状であり、測定光路上にあるときの鉛直方向をスリット高さ、水平方向をスリット幅としたスリットを備えた原子吸光光度計において、前記スリットは、前記スリット高さの大きさが異なる複数のスリットが備えられ、測定すべき波長に応じて前記スリットの高さの大きさを選択し、前記電気加熱炉と前記検出器との間の光軸上に切り替え配置することである。
【００１４】
本発明では上記構成により、測定条件に応じた区分範囲を設定し、実際の測定波長が当該区分範囲の何れかに入るかを判定し、この判定結果に応じて適切な大きさの入射スリットを選択配置するものである。この様な処理を行うことにより、遮光板を設けることなく、黒鉛管の発光の影響を適切に制限して、分析精度を向上することが可能となる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例について、図３〜図８を用いて説明する。
【００１６】
図３に入射スリット制御部５内の入射スリット２０上における測定光４と黒鉛管２から発光した光の像の様子を示す。図３において、２０は入射スリット、
４１は測定光４が入射スリット２０上で結像する像、２１は黒鉛管２内面から発光した可視波長領域の像である。
【００１７】
黒鉛管２内面の発光の像２１は、黒鉛管２が加熱されたことにより発光する光によって生じたものであり、黒鉛管２が測定光４の光軸上である程度の長さを有していることと黒鉛管内面の反射光などによりドーナツ上に惚けた分布となる。像２１は、その分布領域中では発光強度は均一とはなっておらず、像の中心から半径方向にかけて異なる強度分布となる。
【００１８】
像２１の直径方向（破線Ａの部分）における強度分布の様子を図４に示す。図４の横軸ａ−ｂ間及びｃ−ｄ間が像２１に係る部分であり、ｂ−ｃ間はちょうど像２１中央の間隙部に該当する。このように、黒鉛管２から発光する光の発光強度は、像２１の間隙部の中央が一番弱く、像の外周に向かって強くなっていき、ある程度外に行ったところでピークを迎え、これより外になると徐々に弱くなっていくという分布傾向を有する。像２１の具体的な発光強度については、測定条件により異なり、測定光の波長や黒鉛管の加熱温度により様々であるが、像２１の分布範囲内における発光強度の変化状況は、どの測定状態においてもほぼ図４のような傾向となる。
【００１９】
上記の黒鉛管から発光した像２１は、測定光４の像４１の大きさに対し、内径・外径とも十分に大きく、図３に示すように像４１と重複する部分が多くなる。従来は、入射スリット２０の高さは５ｍｍ程であり、像２１よりも十分大きな高さを持ったものが使用されていたため、像２１は、像４１に対するバックグラウンド成分として強く影響していた。この影響は、測定条件が高波長・高温度になるほど顕著になる。
【００２０】
図５に、測定波長及び加熱温度と黒鉛管からの発光量との相関関係について示す。図５のグラフは、黒鉛管２を完全黒体と仮定し、測定光の波長と黒鉛管からの発光強度との関係を理論式をたて求めたものである。この図によれば、黒鉛管２の発光は、１００ｎｍから９００ｎｍの波長範囲において、短波長側では非常に小さいものの、波長が長くなるにつれて発光強度が増加する傾向が見られる。この傾向は加熱温度が高温になるほど顕著であり、加熱温度２０００℃までは波長全域において発光強度の変化は小さいものの、２０００℃を超えた温度であると、３００ｎｍ〜４００ｎｍより測定波長が長い領域で急激に発光強度が増える傾向が見られる。
【００２１】
測定に影響のない黒鉛管２からの発光量としては、発光強度が０．５０Ｅ＋１２  （ａｒｂ．ｕｎｉｔ）程度以下であれば、バックグラウンド成分として容易に補正できる。従って、発光強度が上記の範囲以内にある測定条件では、特に遮光板等の制限を行う手段は必要ないといえる。
【００２２】
そこで本発明では、上記の測定波長及び加熱温度と黒鉛管からの発光量との相関関係を基に、高さの異なる入射スリット２０を複数備え、黒鉛管２からの発光量に応じて入射スリット５１を切り替えるよう制御することとした。
【００２３】
表１に、各スリットの高さと黒鉛管２の発光成分についての関係を示す。
【００２４】
【表１】
0003591271.tif 000002
【００２５】
上記表１は、測定波長７６６．５ｎｍ  ，加熱温度２８００℃，光源の直径３ｍｍの時における実測データである。図５のグラフによれば、バックグラウンド成分として無視できない３．００Ｅ＋１２（ａｒｂ．ｕｎｉｔ）前後の発光強度があるときの測定条件となる。
【００２６】
表１によれば、スリットの高さが５ｍｍのときは、２ｍｍのときの１０倍以上の黒鉛管２の発光成分を透過させることとなり、完全に測定不可であった。従って、上記測定条件下では３ｍｍ以下であることが望ましいといえる。さらに、黒鉛管２からの発光成分量と測定光量との比から、２ｍｍの時が最も発光成分の影響が少ないことが分かる。
【００２７】
そこで本発明では、表１及び図２から、測定波長λ＝３５０ｎｍ，加熱温度Ｔ＝２０００℃を基準値とし、更に、入射スリット２０の高さを２ｍｍ及び５ｍｍのものを備えた。そして、実際に測定を行う際には、前記基準値に対して、測定条件がどのような関係にあるかを判定し、その判定の結果、発光の影響を受ける測定には２ｍｍ、発光の影響を受けにくい測定には５ｍｍの入射スリット２０を用いるようにする。これにより、黒鉛管２の発光に対して最も効率良い遮光を行うことができ、発光が測定に影響を与えないときには、測定光をより多く透過できるようになる。なお、出射スリットについても入射スリットに応じた２種類の高さを備える。これにより、より精度の高い測定が可能となる。
【００２８】
次に、図６及び図７において、測定開始前の最適スリット選択に関する実施例を示す。
【００２９】
図６は、測定波長の基準値を用いた場合の例である。なお、基準値としての波長λ＝３５０ｎｍの値は、予め入力装置９から中央処理装置７内のメモリ（図示せず）に格納されている。
【００３０】
まず、測定開始前に、入力装置９から光源３の電流値および測定波長λを入力する。
【００３１】
次いで、中央処理装置７において、メモリ内に格納されている基準値と入力された測定波長の値を比較する。入力された測定波長λが３５０ｎｍ未満ならば発光の影響を受けにくいと判断できるので、入射スリットの高さを５ｍｍ、出射スリットも入射スリットに応じた高さに設定する。
【００３２】
また、３５０ｎｍ以上ならば発光の影響を受けると判断できるので、入射スリットの高さを２ｍｍ、出射スリットも入射スリットに応じた高さに設定する。上記スリットの種類の変更は、入射スリット制御部５および出射スリット制御部１１で行う。
【００３３】
図７は、上記の例に加え、加熱温度も考慮した場合の例である。本例においても、基準値としての波長λ＝３５０ｎｍの値、及び温度Ｔ＝２０００℃の値は、予め入力装置９から中央処理装置７内のメモリ（図示せず）に格納されている。まず、測定開始前に、入力装置９から光源３の電流値および測定波長λ，試料原子化時加熱温度Ｔを入力し設定する。
【００３４】
次いで、中央処理装置７において、メモリ内に格納されている基準値（測定波長λ）と入力された測定波長の値を比較する。入力された測定波長が３５０ｎｍ未満ならば発光の影響を受けにくいと判断できるので、入射スリットの高さを５ｍｍ，出射スリットも入射スリットに応じた高さに設定する。
【００３５】
また、３５０ｎｍ以上ならば発光の影響を受ける可能性があるので、試料原子化時加熱温度によって比較判断を行う。入力された加熱温度が２０００℃未満ならば発光の影響を受けにくいと判断されるので、入射スリットの高さを５ｍｍ、出射スリットも入射スリットに応じた高さに設定する。加熱温度が２０００℃以上であれば発光の影響を受けると判断されるので、入射スリットの高さを２ｍｍ、出射スリットも入射スリットに応じた高さに設定する。
【００３６】
上記図６及び図７のように最適スリットを調整した後、中央処理装置７は分光器６への測定波長λの設定，光源３の電流制御を行う。その後、中央処理装置７により電気加熱炉１の温度が制御され、黒鉛管２内の試料１０を原子化させ、入射スリット制御部５にて制限された測定光４を分光器６に取り込み、測定波長の光のみを検知器８に導き中央処理装置７に出力する。出力結果より中央処理装置７にて原子吸収量を算出し、測定を終了する。
【００３７】
図８に、本発明に用いられる入射スリットの一例を示す。
【００３８】
図８においては、入射スリットと出射スリットを一つの部材により形成している。この例では、幅の異なるスリットを３種類有し、それぞれの幅で５ｍｍと２ｍｍのスリット高さを入射側，出射側共に備えている。そして、同一形状のスリットは入射側と出射側で対角線上に配置され、部材を回転させることにより、入射スリットと出射スリットを同時に変更するようにしたものである。
【００３９】
上記に示したように、本発明によれば、測定波長と黒鉛管の加熱温度の状態に基づいて、黒鉛管からの発光の影響を推定し、入射スリット及び出射スリットを適切な大きさのものに制御できるので、必要以上にＳ／Ｎ比を低下させることなく、精度の高い測定を行うことが可能となる。
【００４０】
【発明の効果】
本発明により、スリットを自動的に最適化して設定するので、短波長側の測定時に測定光の光を遮らず分光器に取り込める、Ｓ／Ｎ比が良くなり分析精度を向上した電気加熱炉分析法原子吸光光度計を提供することができる。また、長波長側でも原子化時加熱温度が低い試料については上記と同様の効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】一般的な原子吸光光度計の概念構成図である。
【図２】入射スリット上の測定光の像を示す図である。
【図３】入射スリット上の測定光の像と黒鉛管からの発光による像を示した図である。
【図４】黒鉛管からの発光による像の発光強度の分布を示す図である。
【図５】測定波長及び加熱温度と発光強度の相関関係を示した図である。
【図６】測定波長の基準値を用いた場合の最適スリット選択時のフローチャートである。
【図７】測定波長及び加熱温度の基準値を用いた場合の最適スリット選択時のフローチャートである。
【図８】入射スリット及び出射スリットの一実施例である。
【符号の説明】
１…電気加熱炉、２…黒鉛管、３…光源、４…測定光、５…入射スリット制御部、６…分光器、７…中央処理装置、８…検知器、９…入力装置、１０…試料、１１…出射スリット制御部、１２，１３…集光ミラー。
【図１】
0003591271.tif 000003
【図２】
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【図３】
0003591271.tif 000005
【図４】
0003591271.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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