【手続補正書】
【提出日】平成27年7月2日(2015.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理ガスが供給され所定圧力に減圧排気された処理室内にプラズマを生成するとともに前記処理室内に設けた試料台に高周波バイアスを印加して前記試料台に配置された試料を処理するプラズマ処理装置において、
前記高周波バイアスが印加される前記試料台の前記試料外周の外側に配置されその上面の高さが前記試料台上に配置された前記試料より高い導体リングであって前記高周波バイアスが印加されてその上面が前記試料と同電位にされる導体リングと、当該導体リングの上方及び内周側を覆ってその上方に形成されるプラズマイオンシースを実質的にプラズマ生成のみによるものとする誘電体カバーとを備え、前記試料の処理中の前記導体リング上面上方の前記プラズマイオンシースの高さが前記試料台に配置された試料上面のプラズマイオンシースの高さより低くされたことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
真空容器内に配置されその内部が減圧される処理室と、この処理室内に配置されその上面に載せられた処理対象のウエハを保持する試料台と、前記試料台内に配置され高周波電源と接続されて高周波バイアス電力が印加される電極とを有し、前記高周波バイアス電力を印加しつつ前記処理室内に形成したプラズマを用いて前記ウエハを処理するプラズマ処理装置であって、
前記試料台の前記ウエハを保持する面の外周側でこれを囲んで配置された段差部に配置され、前記試料台内の電極に印加された高周波バイアス電力が印加されその上面が前記試料と同電位にされる導電体製のリング状部材であって前記上面の高さが前記試料台上に載せられた前記ウエハ上面より高いリング状部材と、当該リング状部材の上面及び内周側を覆って前記段差部に配置され誘電体材料により構成されたカバーとを備え、前記プラズマが前記処理室内に形成された状態で前記リング状部材に印加される前記高周波バイアス電力は前記プラズマに印加されないものであって、前記ウエハの処理中の前記リング状部材の上面上方の前記プラズマイオンシースの高さが前記試料台上の前記ウエハの上面上方のプラズマイオンシースの高さより低くされたプラズマ処理装置。
【請求項３】
請求項２記載のプラズマ処理装置であって、前記リング状部材の上面が前記ウエハ上面より高く５.０mm以下の範囲で高くされているプラズマ処理装置。
【請求項４】
請求項２乃至３のいずれかに記載のプラズマ処理装置であって、前記リング状部材がその内周縁部に沿った表面にテーパー状の形状を有し、前記リング状部材の内周縁は前記ウエハの外周縁より１.０mm以上１０mm以下の範囲で大きいプラズマ処理装置。
【請求項５】
請求項２乃至４のいずれかに記載のプラズマ処理装置であって、前記リング状部材の上面の上方の前記カバーの誘電体材料の厚さが１.０mm以上５.０mm以下の範囲であるプラズマ処理装置。
【請求項６】
処理ガスが供給され所定圧力に減圧排気された処理室内にプラズマを生成するとともに前記処理室内に設けた試料台に高周波バイアスを印加して前記試料台に配置された試料を処理するプラズマ処理方法において、
前記高周波バイアスが印加される前記試料台の前記試料外周の外側に形成されるプラズマイオンシースを実質的にプラズマ生成のみによるプラズマイオンシース電位とし、前記試料の処理中において前記試料の外周の外側において形成されるプラズマイオンシース内の最下部の等電位面の高さを前記試料上面に形成されるプラズマイオンシースのものより高くし、最上部の等電位面の高さを前記試料上面に形成されるものより低くして、前記試料を処理することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項７】
内部が減圧される処理室内に配置された試料台の上面に処理対象のウエハを載せて保持し、前記処理室内にプラズマを形成し、高周波電源から高周波バイアス電力を前記試料台内に配置された電極に印加しつつ前記ウエハを処理するプラズマ処理方法であって、
前記試料台が、前記ウエハを保持する面の外周側でこれを囲んで配置された段差部に配置され、前記試料台内の電極に印加された高周波バイアス電力が印加されてその上面が前記試料台上面に載せられた前記ウエハと同電位にされる導電体製のリング状部材と、前記リング状部材の上面及び内周側を覆って前記段差部に配置され誘電体材料により構成されたカバーとを備え、かつ、前記リング状部材の上面が前記ウエハ上面より高くされたものであって、
前記プラズマが前記処理室内に形成された状態で前記リング状部材に印加される前記高周波バイアス電力は前記プラズマに印加されない状態で、前記リング状部材の上方に形成されるプラズマイオンシースの高さを前記ウエハ上面上方に形成されるプラズマイオンシースの高さより低くして前記ウエハを処理するプラズマ処理方法。
【請求項８】
請求項７記載のプラズマ処理方法であって、前記リング状部材の上面が前記ウエハ上面より高く５.０mm以下の範囲で高くされるプラズマ処理方法。
【請求項９】
請求項７乃至８のいずれかに記載のプラズマ処理方法であって、前記リング状部材がその内周縁部に沿った表面にテーパー状の形状を有し、前記リング状部材の内周縁は前記ウエハの外周縁より１.０mm以上１０mm以下の範囲で大きいプラズマ処理方法。
【請求項１０】
請求項７乃至９のいずれかに記載のプラズマ処理方法であって、前記リング状部材の上面の上方の前記カバーの誘電体材料の厚さが１.０mm以上５.０mm以下の範囲であるプラズマ処理方法。
【請求項１１】
処理ガスが供給され所定圧力に減圧排気された真空容器内にプラズマを生成するとともに、前記真空容器内で試料が配置される試料台及び該試料台の試料配置面より外側に前記試料を囲んで設けられその上面の高さが前記試料台上の前記試料上面より高くされた導体リングに高周波バイアスを印加し、前記試料を処理するプラズマ処理方法において、
前記導体リングを誘電体カバーで覆い前記高周波バイアス印加によって前記導体リングの上方に形成されるプラズマイオンシースを実質的にプラズマ生成のみによるものとし、該プラズマイオンシースの厚さを前記試料上面上方に形成されるプラズマイオンシースの厚さより薄くし、前記試料を処理することを特徴とするプラズマ処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
上記目的は、処理ガスが供給され所定圧力に減圧排気された処理室内にプラズマを生成するとともに前記処理室内に設けた試料台に高周波バイアスを印加して前記試料台に配置された試料を処理するプラズマ処理装置において、前記高周波バイアスが印加される前記試料台の前記試料外周の外側に配置されその上面の高さが前記試料台上に配置された前記試料より高い導体リングであって前記高周波バイアスが印加されてその上面が前記試料と同電位にされる導体リングと、当該導体リングの上方及び内周側を覆ってその上方に形成されるプラズマイオンシースを実質的にプラズマ生成のみによるものとする誘電体カバーとを備え、前記試料の処理中の前記導体リング上面上方の前記プラズマイオンシースの高さが前記試料台に配置された試料上面のプラズマイオンシースの高さより低くされたことにより達成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
また、上記目的は、真空容器内に配置されその内部が減圧される処理室と、この処理室内に配置されその上面に載せられた処理対象のウエハを保持する試料台と、前記試料台内に配置され高周波電源と接続されて高周波バイアス電力が印加される電極とを有し、前記高周波バイアス電力を印加しつつ前記処理室内に形成したプラズマを用いて前記ウエハを処理するプラズマ処理装置であって、前記試料台の前記ウエハを保持する面の外周側でこれを囲んで配置された段差部に配置され、前記試料台内の電極に印加された高周波バイアス電力が印加されその上面が前記試料と同電位にされる導電体製のリング状部材であって前記上面の高さが前記試料台上に載せられた前記ウエハ上面より高いリング状部材と、当該リング状部材の上面及び内周側を覆って前記段差部に配置され誘電体材料により構成されたカバーとを備え、前記プラズマが前記処理室内に形成された状態で前記リング状部材に印加される前記高周波バイアス電力は前記プラズマに印加されないものであって、前記ウエハの処理中の前記リング状部材の上面上方の前記プラズマイオンシースの高さが前記試料台上の前記ウエハの上面上方のプラズマイオンシースの高さより低くされたことにより達成される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
また、上記目的は、処理ガスが供給され所定圧力に減圧排気された処理室内にプラズマを生成するとともに前記処理室内に設けた試料台に高周波バイアスを印加して前記試料台に配置された試料を処理するプラズマ処理方法において、前記高周波バイアスが印加される前記試料台の前記試料外周の外側に形成されるプラズマイオンシースを実質的にプラズマ生成のみによるプラズマイオンシース電位とし、前記試料の処理中において前記試料の外周の外側において形成されるプラズマイオンシース内の最下部の等電位面の高さを前記試料上面に形成されるプラズマイオンシースのものより高くし、最上部の等電位面の高さを前記試料上面に形成されるものより低くして、前記試料を処理することにより達成される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
また、上記目的は、内部が減圧される処理室内に配置された試料台の上面に処理対象のウエハを載せて保持し、前記処理室内にプラズマを形成し、高周波電源から高周波バイアス電力を前記試料台内に配置された電極に印加しつつ前記ウエハを処理するプラズマ処理方法であって、前記試料台が、前記ウエハを保持する面の外周側でこれを囲んで配置された段差部に配置され、前記試料台内の電極に印加された高周波バイアス電力が印加されてその上面が前記試料台上面に載せられた前記ウエハと同電位にされる導電体製のリング状部材と、前記リング状部材の上面及び内周側を覆って前記段差部に配置され誘電体材料により構成されたカバーとを備え、かつ、前記リング状部材の上面が前記ウエハ上面より高くされたものであって、前記プラズマが前記処理室内に形成された状態で前記リング状部材に印加される前記高周波バイアス電力は前記プラズマに印加されない状態で、前記リング状部材の上方に形成されるプラズマイオンシースの高さを前記ウエハ上面上方に形成されるプラズマイオンシースの高さより低くして前記ウエハを処理することにより達成される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
また、上記目的は、処理ガスが供給され所定圧力に減圧排気された真空容器内にプラズマを生成するとともに、前記真空容器内で試料が配置される試料台及び該試料台の試料配置面より外側に前記試料を囲んで設けられその上面の高さが前記試料台上の前記試料上面より高くされた導体リングに高周波バイアスを印加し、前記試料を処理するプラズマ処理方法において、前記導体リングを誘電体カバーで覆い前記高周波バイアス印加によって前記導体リングの上方に形成されるプラズマイオンシースを実質的にプラズマ生成のみによるものとし、該プラズマイオンシースの厚さを前記試料上面上方に形成されるプラズマイオンシースの厚さより薄くし、前記試料を処理することにより達成される。