【事件の表示】
　平成　８年特許願第２２２６８１号「透明導電積層体およびこれを用いたタッチパネル」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　３月　６日出願公開、特開平１０−　６３４２９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯 ・本願発明 
　 
　本願は，平成８年８月２３日の出願であって，平成１８年１月５日付けで拒絶査定がされ，これに対して同年２月９日に拒絶査定不服審判が請求されたものである。そして，その請求項１に係る発明は，平成１７年１２月１２日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載から見て，特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。（以下「本願発明」という。）  
　 
「電気絶縁性の透明基材と，この透明基材上に形成された透明導電膜とを有し，前記透明導電膜が，インジウム（Ｉｎ），亜鉛（Ｚｎ），ガリウム（Ｇａ）および酸素（Ｏ）を構成元素とし，インジウム（Ｉｎ）と亜鉛（Ｚｎ）の合量に占めるインジウム（Ｉｎ）の原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が２０〜９０at％，ガリウム（Ｇａ）の原子比Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｇａ）が５〜４０at％である酸化物膜からなり，該透明導電膜における可視光の平均透過率が９５％以上であることを特徴とする透明導電積層体。」 
　 
　 
２　引用刊行物記載の発明 
　 
　これに対して，原査定の拒絶の理由に引用された，本願の出願の日前である平成７年１２月２２日に頒布された「特開平７−３３５０４６号公報 」（以下「引用例」という。）には，以下のような記載がある。 
　 
（イ）「【請求項１】  酸化インジウムと酸化亜鉛とを含有する組成物からなる焼結体ターゲットを用いたスパッタリング法により，主要カチオン元素としてインジウム（Ｉｎ）および亜鉛（Ｚｎ）を含有する非晶質酸化物からなる透明導電膜を透明基材上に形成するにあたり，
前記透明導電膜の形成に先立って，不活性ガス雰囲気下で前記ターゲットをプラズマ処理することを特徴とする導電性透明基材の製造方法。」（第２頁第１欄第２〜９行）
　
（ロ）「【請求項６】  透明導電膜におけるＩｎとＺｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が０．５５〜０．９０の範囲内である，請求項１〜請求項５のいずれか一項に記載の方法。
　
【請求項７】  透明導電膜が，ＩｎおよびＺｎ以外のカチオン元素として正三価以上の原子価を有する第３元素を１種または複数種含み，全カチオン元素に占める前記第３元素の合量の原子比（全第３元素）／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋全第３元素）が０．２以下である，請求項１〜請求項６のいずれか一項に記載の方法。」（第２頁第１欄第２９〜３８行）
　 
（ハ）「第３元素の具体例としてはＡｌ，Ｓｂ，Ｇａ，Ｇｅ等が挙げられる。」（第３頁第３欄第４６〜４８行） 
　 
（ニ）「また，上記（１）および（２）の酸化物焼結体におけるＩｎとＺｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）は，前述のように，得られる透明導電膜におけるＩｎとＺｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が０．５５〜０．９０の範囲内の所望値となる値とする。これは，透明導電膜における前記の原子比が０．５５未満では当該透明導電膜の導電性が低くなり易く，０．９０を超えると当該透明導電膜の耐湿熱性が低下し易くなるからである。また，上記（２）の酸化物焼結体における第３元素の合量の原子比（全第３元素）／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋全第３元素）も，前述のように，得られる透明導電膜における第３元素の合量の原子比（全第３元素）／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋全第３元素）が０．２以下の所望値となる値とする。これは，透明導電膜における前記第３元素の合量の原子比が０．２を超えると，当該透明導電膜においてイオンの散乱が起こり易くなり，イオンの散乱が起こると導電性が低下するからである。」（第３頁第４欄第１２〜２８行）
　
（ホ）「このときの透明基材としては目的に応じて種々の物質あるいは部材を用いることができが，例えば電気絶縁性の透明ガラスまたは透明高分子からなるものを使用することが好ましい。」（第５頁第７欄第９〜１２行） 
　 
（ヘ）「本発明の方法により得られる導電性透明基材は，主要カチオン元素としてインジウム（Ｉｎ）および亜鉛（Ｚｎ）を含有する非晶質酸化物からなる透明導電膜を利用した導電性透明基材であって，導電性の面からみた耐熱性がより向上したものである。この導電性透明基材は，実用上十分な導電性および光透過性を有するとともにＩＴＯ膜よりも耐湿性に優れている。このような特徴を有する当該導電性透明基材は，液晶表示素子用透明電極，ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示素子用透明電極，太陽電池用透明電極等，種々の用途の透明電極の材料等として有用である。」（第６頁第９欄第２０〜３０行） 
　 
（ト）「実施例１
透明基材としてコーニング社製のガラス基板（＃７０５９；以下，ＣＧ＃７０５９と略記する）を用い，ターゲットとしてＩｎ2 Ｏ3 （ＺｎＯ）4 で表される六方晶層状化合物と酸化インジウム（Ｉｎ2 Ｏ3 ）とからなる焼結体（ＩｎとＺｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．８５，相対密度９０％）を用いて，以下の要領で導電性透明基材を製造した。」（第６頁第９欄第３３〜４０行）
　
（チ）「実施例１１
ターゲットとして，Ｉｎ2 Ｏ3 （ＺｎＯ）4 で表される六方晶層状化合物を含むＩｎ2 Ｏ3 とＧａ（第３元素に相当）の混合物からなる焼結体（ＩｎとＺｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．８４，Ｇａの原子比Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｇａ）＝０．０２，相対密度９０％）を用い，他の条件は実施例１と同一としてプレスパッタリングおよびスパッタリングを行って，ＣＧ＃７０５９の片面に膜厚１００ｎｍの透明導電膜を成膜した。このようにして得られた導電性透明ガラス基材では，透明導電膜におけるＩｎとＺｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）は０．８７であり，Ｇａの原子比Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｇａ）はターゲットと同一の０．０２であった。また，Ｘ線回折により透明導電膜の結晶性を調べた結果，非晶質であることが判明した。」（第８頁第１３欄第４９行〜第１４欄第３５行）
　
　
　これらの記載事項によると，引用例には， 
「電気絶縁性の透明基材と，透明基材上に形成された非晶質酸化物からなる透明導電膜とを有し，
透明導電膜におけるＩｎとＺｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が０．５５〜０．９０の範囲内であり，
透明導電膜が，ＩｎおよびＺｎ以外のカチオン元素として正三価以上の原子価を有する第３元素を１種または複数種含み，全カチオン元素に占める前記第３元素の合量の原子比（全第３元素）／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋全第３元素）が０．２以下であり，
第３元素の具体例としてはＡｌ，Ｓｂ，Ｇａ，Ｇｅ等が挙げられ，実用上十分な導電性および光透過性を有する，導電性透明基材，
の実施例であって，
ガラス基板の片面に透明導電膜を成膜して得られた，透明導電膜におけるＩｎとＺｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）は０．８７であり，Ｇａの原子比Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｇａ）は０．０２である，導電性透明ガラス基材。」 
の発明（以下，「引用発明」という。）が記載されていると認められる。 
　 
　 
３　対比 
　 
　本願発明を引用発明と比較すると，引用発明における「導電性透明基材」は，電気絶縁性の透明基材上に透明導電膜を形成，すなわち積層したものであるから，本願発明における「電気絶縁性の透明基材と，この透明基材上に形成された透明導電膜とを有」する「透明導電積層体」に相当する。
　 
　引用発明における「非晶質酸化物からなる透明導電膜」は，構成元素としてインジウム（Ｉｎ），亜鉛（Ｚｎ），及び第３元素を含むものであり，さらに酸素（Ｏ）を含むことは明らかであるから，「インジウム（Ｉｎ），亜鉛（Ｚｎ），」第３の元素「および酸素（Ｏ）を構成元素とし，」「酸化物膜からな」る点において，本願発明における「透明導電膜」と一致する。 
　 
　よって，両者は「電気絶縁性の透明基材と，この透明基材上に形成された透明導電膜とを有し，前記透明導電膜が，インジウム（Ｉｎ），亜鉛（Ｚｎ），第３の元素および酸素（Ｏ）を構成元素とし，酸化物膜からなる透明導電積層体。」である点で一致し，次のＡ乃至Ｃの点で相違する。 
　 
Ａ．本願発明においては，透明導電膜における「インジウム（Ｉｎ）と亜鉛（Ｚｎ）の合量に占めるインジウム（Ｉｎ）の原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が２０〜９０at％」であるのに対して，引用発明においては，透明導電膜における「ＩｎとＺｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が０．５５〜０．９０の範囲内」である点。
　
Ｂ．本願発明においては，透明導電膜の構成元素である第３の元素は「ガリウム（Ｇａ）」であり，かつ，透明導電膜における「ガリウム（Ｇａ）の原子比Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｇａ）が５〜４０at％である」のに対して，引用発明においては，透明導電膜の構成元素である第３の元素は，「ＩｎおよびＺｎ以外のカチオン元素として」，「具体例としてはＡｌ，Ｓｂ，Ｇａ，Ｇｅ等が挙げられる」，「正三価以上の原子価を有する第３元素を１種または複数種含」み，かつ，透明導電膜における「全カチオン元素に占める前記第３元素の合量の原子比（全第３元素）／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋全第３元素）が０．２以下」であり，実施例の透明導電膜における「Ｇａの原子比Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｇａ）は０．０２である」点。 
　 
Ｃ．本願発明においては，「透明導電膜における可視光の平均透過率が９５％以上である」のに対して，引用発明における透明導電膜は「実用上十分な」「光透過性を有する」ものではあるが，本願発明と同じ条件で測定した可視光の平均透過率については明らかでない点。　 
　 
　
４　当審の判断 
　 
・相違点Ａについて 
　引用発明において，原子比は単なる数値として表記されているが，透明導電膜における「ＩｎとＺｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が０．５５〜０．９０の範囲内」であることは，物質を形成する原子の総量を１００at％としたときの特定の原子の割合を意味する表記として慣用されている「at％」（必要であれば，例えば特開平７−２８２９７９号公報の段落【００１２】を参照。）を用いて，「ＩｎとＺｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が５５〜９０at％の範囲内」であることと書き換えられるから，本願発明の透明導電膜における「インジウム（Ｉｎ）と亜鉛（Ｚｎ）の合量に占めるインジウム（Ｉｎ）の原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が２０〜９０at％」に含まれる。
　したがって，本願発明と引用発明とは，透明導電膜におけるインジウム（Ｉｎ）と亜鉛（Ｚｎ）の合量に占めるインジウム（Ｉｎ）の原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が５５〜９０at％である点において一致しているから，相違点Ａは実質的な相違点ではない。
　
　ただし，引用発明は，インジウム（Ｉｎ）と亜鉛（Ｚｎ）の原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）について，本願発明の２０at％以上５５未満at％の範囲を備えていないので，この相違についても検討する。
　引用例の上記（ニ）（段落【００１０】）には，「上記（１）および（２）の酸化物焼結体におけるＩｎとＺｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）は，前述のように，得られる透明導電膜におけるＩｎとＺｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が０．５５〜０．９０の範囲内の所望値となる値とする。これは，透明導電膜における前記の原子比が０．５５未満では当該透明導電膜の導電性が低くなり易く，０．９０を超えると当該透明導電膜の耐湿熱性が低下し易くなるからである。」と記載されている。
　しかしながら，酸化物からなる透明導電膜は，液晶ディスプレイ，エレクトロルミネッセンスディスプレイ，太陽電池，タッチパネル等入力装置，電磁波遮蔽膜など広い分野で使用されており，使用目的によって抵抗値，透明度は種々のものが要求され，特に，タッチパネルの導電膜において２００〜３０００Ω／□程度の高いシート抵抗が要求されることは当業者に周知（ 例えば，特開平６−１５７０３６号公報の段落【０００２】，【０００４】，特開平８−１１９６７５号公報の段落【０００２】を参照。また，特開平８−１３２５５４号公報の段落【０００２】〜【０００４】には，アナログ方式タッチパネルでは２００〜１０００Ω／□のシート抵抗が用いられることが記載されている。）であって，さらに，例えば，原査定の拒絶の理由に引用された，特開平６−３１８４０６号公報の段落【００８１】において，「このようにして得られた導電性透明フィルムについて透明導電膜の組成をＩＣＰにより測定したところ，Ｉｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）は０．１２であった。」と記載されているように，インジウム（Ｉｎ）の原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が０．５５（すなわち５５at％）未満である透明導電膜は周知である。
　一方，本願明細書の段落【００２４】には，「透明性と入力安定性の両方の特性に優れたタッチパネルを得るという観点からは，上記インジウム（Ｉｎ）の原子比を５０〜９０at％とすることがより好ましい。」と記載されていることから，インジウムの原子比を２０at％以上５５at％未満の範囲を含むようにしたことによる，格別の効果は認められない。
　以上のことからみて，引用発明及び周知技術に基づいて，透明導電膜におけるインジウム（Ｉｎ）と亜鉛（Ｚｎ）の合量に占めるインジウム（Ｉｎ）の原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）を２０〜９０at％とすることは，当業者が適宜なし得ることである。
　
・相違点Ｂについて
　引用発明において，「全カチオン元素に占める第３元素の合量の原子比（全第３元素）／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋全第３元素）が０．２以下」であることは，「（全第３元素）／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋全第３元素）が２０at％以下」であることを意味することは，上記「・相違点Ａについて」に記載したとおりであり，また，引用発明に記載された実施例には第３元素としてガリウム（Ｇａ）のみを選択することも記載されているから，引用発明において，「ＩｎおよびＺｎ以外のカチオン元素として正三価以上の原子価を有する第３元素」を選択する際に，ガリウム（Ｇａ）のみを選定し，かつ，透明導電膜におけるガリウム（Ｇａ）の原子比Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｇａ）を，本願発明と重複する５〜２０at％の範囲を含むようにすることは，引用発明に示唆されており，当業者が適宜なし得たことと言える。
　
　ただし，引用発明には，Ｇａの原子比Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｇａ）について，本願発明の２０at％を超えて４０at％以下の範囲とすることが示唆されていないので，この相違についても検討する。
　引用例の上記（ニ）（段落【００１０】）には，「上記（２）の酸化物焼結体における第３元素の合量の原子比（全第３元素）／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋全第３元素）も，前述のように，得られる透明導電膜における第３元素の合量の原子比（全第３元素）／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋全第３元素）が０．２以下の所望値となる値とする。これは，透明導電膜における前記第３元素の合量の原子比が０．２を超えると，当該透明導電膜においてイオンの散乱が起こり易くなり，イオンの散乱が起こると導電性が低下するからである。」と記載されている。
　しかしながら，酸化物からなる透明導電膜の抵抗値，透明度は，使用目的によって種々のものが要求され，特に，タッチパネルの導電膜において２００〜３０００Ω／□程度の高いシート抵抗が要求されることは当業者に周知（例えば，上記特開平６−１５７０３６号公報の段落【０００２】，【０００４】，上記特開平８−１１９６７５号公報の段落【０００２】，上記特開平８−１３２５５４号公報の段落【０００２】〜【０００４】を参照。）であって，また，酸化物からなる透明導電膜において，添加物としてのガリウム（Ｇａ）の含有率を所定範囲とした場合に，透明導電膜の比抵抗（「抵抗率」とも呼ばれる。）が高くなることも周知（例えば，上記特開平６−１５７０３６号公報の段落【０００９】，【００１３】，【００１６】，特開平６−２９０６４１号公報の段落【０００７】，【００１０】，特開平２−１８１３０４号公報第４頁右上欄第１０行乃至第１９行，第５図，特開昭６１−２１４３０６号公報第５頁左上欄第７行乃至第１６行，第４図を参照。）である。
　一方，本願明細書の段落【００２５】には，「上記ガリウム（Ｇａ）の原子比は３〜２５at％であることが好ましく，５〜１５at％であることがより好ましい。」と記載されていることから，ガリウム（Ｇａ）の原子比Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｇａ）を，２０at％を超えて４０at％以下の範囲を含むようにしたことによる，格別の効果は認められない。
　以上のことからみて，透明導電膜の構成元素である第３の元素をガリウム（Ｇａ）とするとともに，透明導電膜におけるガリウム（Ｇａ）の原子比Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｇａ）を５〜４０at％とすることは，引用発明及び周知技術に基づいて，当業者が容易になし得たことである。 
　 
・相違点Ｃについて 
　例えば，特開平７−２２４３８４号公報の段落【００１７】乃至【００２２】には，「透明基板１」上に「ＩＴＯ薄膜３」を形成した後，酸素プラズマ処理を施して得られた「透明導電性基板７」について，「光の波長４００〜５００ｎｍの領域の光透過率が８５％以上，同じく５５０〜７００ｎｍの領域の光透過率が９５％以上である」と記載されており，酸化物透明導電膜である前記「ＩＴＯ薄膜３」について，光の波長４００〜５００ｎｍの領域の光透過率は８５％以上，同じく５５０〜７００ｎｍの領域の光透過率が９５％以上であると認められる。 
　また，特開平５−３４２９１５号公報の段落【００４２】乃至【００４５】には，脂環式ポリカーボネート樹脂を成形したフィルム上にＩｎ2Ｏ3（酸化インジウム）及びＳｎＯ2（酸化錫）をスパッタリングして得られた導電層について，「可視光の平均透過率は９０％」以上であることが記載されており，フィルムを除いた導電膜部分について，可視光の平均透過率は９０％であると認められる。 
　このように，酸化物であって，可視光の平均透過率がおおよそ８５％を超える透明導電膜は周知であり，引用発明においても，透明導電膜の光透過率は高い方が望ましいことは明らかであるから，引用発明に基づいて，可視光の平均透過率が９５％以上となるような透明導電膜を得ることは，当業者が容易になし得たことである。
　 
　 
　そして，本願発明のように構成したことによる効果も引用発明，及び上記周知技術から予測できる程度のものである。 
　 
　 
５　むすび 
　 
　以上のとおり，本願発明は，上記引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。 
　 
　したがって，本願は他の請求項について論及するまでもなく，拒絶すべきものである。
　 
　よって，結論のとおり審決する。