【事件の表示】
　平成１１年特許願第　８６５３３号「基板ホルダ付きリソグラフィー投影装置とその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年３月３日出願公開、特開２０００−６８１９８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１，手続の経緯
　
　本願は、平成１１年３月２９日（パリ条約による優先権主張１９９８年３月３１日、ヨーロッパ特許庁）の出願であって、平成１８年４月１７日付け拒絶理由通知がなされ、これに対し、同年７月１４日に手続補正がされたが、同年１０月２５日付けで拒絶査定がなされた。
　これに対して、平成１９年１月２５日に拒絶査定不服審判の請求がされ、同年２月１５日付けで手続補正がされたものである。
　
２．本願発明  
　平成１９年２月１５日付け手続補正は、補正前の特許請求の範囲の請求項１を削除し、補正前の特許請求の範囲の請求項３を、新たに請求項１とするものであるから、請求項の削除と認められ、当該補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項の規定に適合するものである。
　したがって、本願の請求項１乃至８に係る発明は、平成１９年２月１５日付手続補正書により補正された明細書及び図面の記載から見て、その特許請求の範囲の請求項１、２に記載されたとおりのものであるところ、その請求項１に記載された発明（以下、「本願発明」という。）は、以下のとおりである。
　
「【請求項１】　放射の投影ビームを供給する放射システムと、
　マスクを保持するマスク・ホルダを備えたマスク・テーブルと、
　基板を保持する基板ホルダを備えた基板テーブルと、
　前記マスクの照射された部分を前記基板のターゲット部分に映写する投影システムと、を含み、
　前記基板ホルダが、突出部のマトリクス配列を備えた面を有するプレートを含み、各突出部が前記面から離れた先端を有し、それにより前記突出部が全て前記面よりも高さＨだけ上にある単一の実質的に平らな面上にあるように実施され、前記基板ホルダが、前記面から突出する、前記マトリクス配列を実質的に囲む、実質的に一様な高さｈだけ前記面よりも上にある一つの壁をさらに含み、それによりｈ＜Ｈであり、前記壁の内側の前記面が、前記プレートを貫通して延伸する少なくとも一つの開口を備え、該開口を通じて前記壁で囲まれた領域へアクセス可能である、リソグラフィー投影装置において、
　前記マトリクス配列が一連の同心円からなり、それにより、前記突出部が各円に沿って、実質的に規則的な弓形の間隔で配置され、
　前記壁が、実質的に円形であって、前記複数の円と同心であり、
　前記壁とそれに最も近い前記円との間の半径方向距離ｘが０．３＜ｘ／ｄ＜０．６の関係を満足し、ここで、ｄは前記壁に最も近い二つの円の相互の半径方向間隔であり、
　一つの円の一対の隣接する突出部と隣接する円の対応する最も近い一対の隣接する突出部とにより画定される四辺形の領域が、マトリクス分布の前記四辺形の位置に関係なく実質的に一定なサイズを有し、
　隣接する円のいずれかの対の相互半径方向間隔が実質的にｄに等しいことを特徴とする、リソグラフィー投影装置。」
　　　　
３．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開平８−３７２２７号公報（以下、「引用例１」という。）には、以下の技術事項が記載されている。
　
記載事項ア
「【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例を、図面に基づいて詳細に説明する。
【００１６】（実施例１）図１は本発明の一実施例であるウエハチャックが用いられた露光装置を示す概略図、図２はそのウエハチャックと半導体ウエハとを示す斜視図、図３は図２のウエハチャックの平面図、図４は図３のIV−IV線に沿う断面図である。
【００１７】図１に示すように、本実施例によるウエハチャック１が用いられた露光装置は、露光光源としてたとえばＨｇランプ２が用いられている。このＨｇランプ２からのｇ線（光）３は楕円ミラー４により収束されてリフレクタ５で屈折され、インテグレータ６に入射されるようになっている。インテグレータ６で所定の面域における照度が均一化されたｇ線３は、再びリフレクタ７によって屈折されてコンデンサレンズ８で凝縮される。このような照明系を経た後、ｇ線３はレチクル９に形成された回路パターンを取り込んで縮小レンズ１０によって縮小され、最後にウエハチャック１に保持された半導体ウエハ１１上に投影される。これによってレジストが塗布された半導体ウエハ１１上にレチクル９の回路パターンが転写されることになる。
【００１８】ここで、図２に示すように、経時変化や熱膨張による変形を防止するためにたとえばセラミックにより形成され、半導体ウエハ１１を保持するウエハチャック１は、外周壁１２に囲まれた吸引室１３がチャック本体１４に形成されているものである。図３に示すように、外周壁１２は半導体ウエハ１１よりもやや小さく形成されて、半導体ウエハ１１の裏面に回り込むように塗布されたレジスト液の付着が防止されている。
【００１９】外周壁１２の上面の４箇所には、所定の間隔をおいて吸気溝１２ａが形成され、載置された半導体ウエハ１１の裏面と外周壁１２の上面との間に微小な空間が形成されるようになっている。よって、半導体ウエハ１１が載置された状態でも、吸引室１３は外部とはこの吸気溝１２ａを介して連通されていることになる。
【００２０】吸引室１３内には半導体ウエハ１１を裏面から支持する複数本の支持ピン１５が設けられている。この支持ピン１５は外周壁１２と同一の高さとされており、支持ピン１５および外周壁１２によって半導体ウエハ１１が裏面から支持されるようになっている。
【００２１】吸引室１３からチャック本体１４の側面に貫通して、真空ポンプ（図示せず）などの真空源に接続された吸引孔１６（図４）が開設されている。したがって、真空引きして吸引室１３を負圧にすることによって、支持された半導体ウエハ１１がウエハチャック１に吸着保持される。
【００２２】このようなウエハチャック１により半導体ウエハ１１を吸着した状態を示しているのが図４である。
【００２３】図示するように、半導体ウエハ１１に覆われた吸引室１３を真空ポンプにより真空引きすると、吸引室１３と外部との圧力差により半導体ウエハ１１の裏面が支持ピン１５に密着される。また、これと同時に、外周壁１２の上面に形成された吸気溝１２ａから半導体ウエハ１１の裏面に沿って外部の気体が高速で吸引室１３内に吸引される。
【００２４】このように、半導体ウエハ１１の裏面に沿って気体が流れることにより、内平面が支持ピン１５に密着されることによって反ろうとする半導体ウエハ１１の外周部には、ベンチュリー効果によってこれを阻止しようとする力Ｆが発生する。したがって、半導体ウエハ１１の外周部は、支持ピン１５と同一の高さにされた外周壁１２に密着されて平坦な状態に保持されることになる。
【００２５】よって、本実施例に示すウエハチャック１によれば、保持された半導体ウエハ１１の外周部における反りの発生が防止されて完全に平坦な状態になるので、焦点距離が狂うことなく良好な解像度の回路パターンを半導体ウエハ１１に転写することが可能になる。これにより、半導体ウエハ１１の外周部領域においても良品の半導体チップを得ることができ、歩留まりの向上を図ることが可能になる。」
　
記載事項イ
「【００２６】（実施例２）図５は本発明の他の実施例によるウエハチャックと半導体ウエハとを示す斜視図、図６はそのウエハチャックによる半導体ウエハの吸着保持状態を示す断面図である。
【００２７】本実施例のウエハチャック２１は、
外周壁２２が支持ピン１５よりも僅かに低く形成されたものであり
【００２８】図６に示すように、本実施例によるウエハチャック２１によれば、載置された半導体ウエハ１１は支持ピン１５によってのみ支持され、外周壁２２の上面と半導体ウエハ１１との間には微小な空間が形成されることになる。
【００２９】したがって、吸引室１３を真空引きすると、この吸引室１３と外部との圧力差により半導体ウエハ１１の裏面が支持ピン１５に密着されると同時に、外周壁２２の上面と半導体ウエハ１１とで形成された空間から外部の気体が高速で吸引室１３内に吸引されるようになる。よって、半導体ウエハ１１の裏面に沿って気体が流れるベンチュリー効果が発生し、半導体ウエハ１１の外周部には反りを阻止しようとする力Ｆが作用してこれが平坦な状態に保持されることになる。
【００３０】このように、本実施例に示すウエハチャック２１によっても、保持された半導体ウエハ１１の外周部における反りの発生が防止されて完全に平坦な状態に保持されるので、焦点距離が狂うことなく良好な解像度の回路パターンを半導体ウエハ１１に転写することが可能になる。
【００３１】以上、本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。」
　
　以上の記載から、引用例１には、以下の点がそれぞれ記載されている。
　
（１）「露光装置」として、「露光光源」としての「Ｈｇランプ２」、回路パターンが形成された「レクチル９」、該「レクチル９」で形成された回路パターンを取り込んで、「半導体ウエハ１１」上に縮小投影する「縮小レンズ１０」を有する点。
　
（２）「半導体ウエハ１１」を保持する「ウエハチャック２１」と、該「ウェハチャック２１」が、「吸引室１３」、該「吸引室１３」の底面から突出した「複数本の支持ピン１５」、該「複数本の支持ピン１５」を囲む「外周壁２２」、及び、該「外周壁２２」の内側面に少なくとも１つの「吸引口１６」を有する点。
　
（３）前記「外周壁２２」が、前記「支持ピン１５」よりも僅かに低く形成されている点。
　
（４）前記「吸引口１６」を通じて、前記「外周壁２２」で囲まれた領域へアクセス可能である点。
　
　以上、記載事項ア、イ、及び引用例１の図面と、上記（１）〜（４）から、引用例１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「露光光源としてのＨｇランプ２と、
回路パターンが形成されたレクチル９と、
半導体ウエハ１１を保持するウエハチャック２１と
レクチル９で形成された回路パターンを取り込んで、半導体ウエハ１１上に縮小投影する縮小レンズ１０と、を含み、
前記ウエハチャック２１が、吸引室１３を有し、該吸引室１３の底面から突出した複数本の支持ピン１５と、該複数本の支持ピン１５を囲む外周壁２２を有し、かつ、外周壁２２が、支持ピン１５よりも僅かに低く形成されており、
さらに、前記外周壁２２の内側面に、少なくとも１つの吸引口１６を有し、該吸引口１６を通じて、前記外周壁２２で囲まれた領域へアクセス可能である露光装置。」
　
　また、原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開昭６０−９１２５号公報（以下、「引用例２」という。）には、以下の技術事項が記載されている。
　
記載事項ウ（第２頁左上欄第１行目乃至右上欄第７行目）
「これを解決するため、ウェハチャック表面を凹凸状にし、凸部の面積の占める割合をウェハに比較して小さくすると良く、方法が種々、考案されている。
  第１図は、ウェハを載置する真空保持装置の斜視図である。第２図は第１図の構造体の斜視図。第３図は第２図の縦断面図。以下、図を用いて説明する。円状のベース板１の側面を包被する立上りリム２、立上りリム２の上端に埋込まれたエツジ３、ベース板１に取付けられそして実質上これと垂直になって、複数の一定間隔を置いた先端にテーパを有する円筒状ピン４、ベース板１の中央部には、真空用通路５があり真空ポンプ（図示せず）と連結されている。円筒状ピン４の先端６とエツヂ３の上端７の高さは、面一になる様、機械加工・研摩を施してある。この様な構成において、この面上にウェハ８を載置し、真空用通路５に真空を供給するとウェハ保持装置内の室部９が負圧となりウェハ８は吸着固定される。ウェハに比較して、ウェハの裏面に接する複数個のピンの面積が小さいので、前記異物１０をはさむ確率を小さくでき効果的である。ここで注意する点は、ピンとピンとの間隔を必要以上に大きくすると、吸着力によって生ずるウェハの局所たわみが増し、ウェハの平坦度が悪化することである。これで異物に対する問題は解決された訳である。」
　
３．対比
　
　本願発明と引用発明とを対比する。
　
（１）引用発明の「露光光源としてのＨｇランプ２」、「回路パターンが形成されたレクチル９」、「半導体ウエハ１１を保持するウエハチャック２１」、及び「レクチル９で形成された回路パターンを取り込んで、半導体ウエハ１１上に縮小投影する縮小レンズ１０」は、それぞれ、本願発明の「放射の投影ビームを供給する放射システム」、「マスク」、「基板を保持する基板ホルダ」、及び「前記マスクの照射された部分を前記基板のターゲット部分に映写する投影システム」に相当する。
　
（２）引用発明の「吸引室１３の底面」、「該吸引室１３の底面から突出した複数本の支持ピン１５」、「複数本の支持ピン１５を囲む外周壁２２」は、それぞれ、本願発明の「面」、「マトリクス配列」の「突出部」、「マトリクス配列を実質的に囲む」「一つの壁」に相当する。
　
（３）引用発明の「ウエハチャック２１」は、「吸引室１３の底面」を含むものであるので、本願発明の「プレート」部を包含するものであると言える。
　
（４）引用発明の「該吸引室１３の底面から突出した複数本の支持ピン１５」は、引用例１の図６で示された断面形状から、各支持ピン１５はそれぞれ先端部を有し、かつ、全ての支持ピン１５の先端面が吸引室１３の底面から一定の高さだけ上にあり、単一の実質的に平らな面をなしていること、は明らかであるので、該「複数本の支持ピン１５」は、本願発明の「各突出部が前記面から離れた先端を有し、それにより前記突出部が全て前記面よりも高さＨだけ上にある単一の実質的に平らな面上にあるように実施され」たものであると言える。
　
（５）引用発明の「複数本の支持ピン１５を囲む外周壁２２」は、引用例１の図５及び図６で示されたウエハチャック２１の全体形状及び断面形状からみて、吸引室１３の底面から、実質的に一様な高さだけ、吸引室１３の底面よりも上に突出した一つの壁であることは明らかであるから、本願発明の「前記面から突出する、前記マトリクス配列を実質的に囲む、実質的に一様な高さｈだけ前記面よりも上にある一つの壁」に相当すると言える。
　
（６）上記（４）、（５）より、引用発明の「外周壁２２が、支持ピン１５よりも僅かに低く形成されており、」は、本願発明の「それによりｈ＜Ｈであり、」に相当する。
　
（７）引用発明の「前記外周壁２２の内側面に、少なくとも１つの吸引口１６を有し、該吸引口１６を通じて、前記外周壁２２で囲まれた領域へアクセス可能である」と、本願発明の「前記壁の内側の前記面が、前記プレートを貫通して延伸する少なくとも一つの開口を備え、該開口を通じて前記壁で囲まれた領域へアクセス可能である」とは、「前記壁の内側から、前記プレートを貫通して延伸する少なくとも一つの開口を備え、該開口を通じて前記壁で囲まれた領域へアクセス可能である」点で一致する。
　
（８）　引用発明の「露光装置」は、本願発明の「リソグラフィー投影装置」に相当する。
　
　以上（１）〜（８）の対比考察から、引用発明と本願発明とは、
「放射の投影ビームを供給する放射システムと、
　マスクと、
　基板を保持する基板ホルダと、
　前記マスクの照射された部分を前記基板のターゲット部分に映写する投影システムと、を含み、
　前記基板ホルダが、突出部のマトリクス配列を備えた面を有するプレートを含み、各突出部が前記面から離れた先端を有し、それにより前記突出部が全て前記面よりも高さＨだけ上にある単一の実質的に平らな面上にあるように実施され、前記基板ホルダが、前記面から突出する、前記マトリクス配列を実質的に囲む、実質的に一様な高さｈだけ前記面よりも上にある一つの壁をさらに含み、それによりｈ＜Ｈであり、前記壁の内側から、前記プレートを貫通して延伸する少なくとも一つの開口を備え、該開口を通じて前記壁で囲まれた領域へアクセス可能である、リソグラフィー投影装置。」である点一致し、以下の点で相違する。
　
相違点１
　マスク及び基板ホルダを保持する構造として、本願発明は、それぞれ「マスクテ−ブル」及び「基板テ−ブル」を有するのに対し、引用発明には、その旨、明記されていない点。
　
相違点２
　壁の内側に設けられたプレートを貫通して延伸する少なくとも一つの開口の位置が、本願発明では、「壁の内側の前記（突出部のマトリックス配列を備えた）面」であるのに対して、引用発明では、「外周壁２２の内側面」である点。
　
相違点３
　突出部のマトリックス配列構造、及び同配列と壁との配置関係が、本願発明では、「前記マトリクス配列が一連の同心円からなり、それにより、前記突出部が各円に沿って、実質的に規則的な弓形の間隔で配置され、
　前記壁が、実質的に円形であって、前記複数の円と同心であり、
前記壁とそれに最も近い前記円との間の半径方向距離ｘが０．３＜ｘ／ｄ＜０．６の関係を満足し、ここで、ｄは前記壁に最も近い二つの円の相互の半径方向間隔であり、
　一つの円の一対の隣接する突出部と隣接する円の対応する最も近い一対の隣接する突出部とにより画定される四辺形の領域が、マトリクス分布の前記四辺形の位置に関係なく実質的に一定なサイズを有
し
　
４．当審の判断
　
　前記相違点について検討する。
　
（１）相違点１について
　半導体露光装置の分野において、マスク及び基板ホルダを固定するためのテ−ブルを各々設けることは、従来周知の構造であるので、引用例１の半導体露光装置においても、これらのテーブルを備えることは、当業者にとって単なる周知手段を採用した程度の事項にすぎない（例えば、特開平８−１３０１７９号公報の【図４】を参照）。
　したがって、相違点１は実質的なものではない。
　
（２）相違点２について
　引用発明の「開口」は、「開口を通じて前記壁で囲まれた領域へアクセス可能である」という、本願発明の「開口」と同等の機能を有するものであるから、「開口」の位置を、「壁の内側面」に設けるか、「壁の内側の前記（突出部のマトリックス配列を備えた）面」に設けるかは、当業者であれば適宜選択する程度の設計的事項にすぎない。
　したがって、相違点２は実質的なものではない。
　
（３）相違点３について
　以下、ア、イの２点に分けて検討する。
　
ア、突出部のマトリックス配列構造について
　
　引用例２の記載事項ウ及び第２図には、基板保持用の、突出部マトリックス配列構造の周知例として、以下の点が開示されていると認められる（第２図から読み取れるものである）。
　
・半導体基板を支える複数個のピン（本願発明の「突出部」に相当）のマトリクス配列が、一連の同心円からなり、それにより、前記ピンが各円に沿って、実質的に規則的な弓形の間隔で配置されている点。
　
・立上りリム（本願発明の「壁」に相当）が、前記複数の円と同心である点。
　
・一つの円の一対の隣接するピンと隣接する円の対応する最も近い一対の隣接するピンとにより画定される四辺形の領域が、マトリクス分布の前記四辺形の位置に関係なく実質的に一定なサイズを有する点。
　
・前記隣接する円のいずれかの対の相互半径方向間隔が実質的に等間隔である点。
　
　したがって、同じく基板保持用の突出部のマトリックス配列に関する、引用発明のマトリックス配列構造を、上記周知のマトリックス配列構造に置き換えることは、当業者にとって格別な困難性は認められない。
　
イ、突出部のマトリックス配列と壁との配置関係について
　
　上記「前記壁とそれに最も近い前記円との間の半径方向距離ｘが０．３＜ｘ／ｄ＜０．６の関係を満足し、」という相違部分について、その数値限定が有する技術的な臨界的意義については、本願の当初明細書の段落【００３２】、及び図４に記載されたとおり、「ウエハ１９の垂直変形△」を「許容範囲」内に治める、という点にある。
（「【００３２】実施形態３
　
図４は、２００ｍｍのウエハ１９の垂直変形△（単位ｎｍ）を、実施形態１で説明したプレート２のウエハ半径ｒ（単位ｍｍ）の関数として、壁８から突出部６の最も外側の円１２までの半径方向距離ｘの種々の値について示す。半径ｒは共通の中心１４から測定される。
【００３３】△の最大値は３７ｎｍ（曲線ａ）であり、また、△の最小値は約４ｎｍ（曲線ｆ）である。
図中の△の全ての値は１００ｎｍの許容範囲内に充分に収まる（また、大部分は５０ｎｍの許容範囲内に収まる）
　
　しかしながら、たとえ本願発明のｘ／ｄの値を、上記数値範囲に設定するとしても、基板ウエハの大きさによっては、該ウエハが壁８からどれだけ突出するかが異なるので、上記技術的効果（ウエハ１９の垂直変形Δの値が許容範囲内に収まること）を有するものとは、必ずしも言えない。
（つまり、ウエハ端部の垂直変形Δ（たわみ量）は、ウエハ半径ｒの値（中心１４からウエハの最端部までの半径方向の距離）と、中心１４から壁８までの半径方向の距離、との差分の長さ（つまり、突起部の支えが存在しない部分の基板端部の長さ）にも依存する（該差分値が大きくなれば、ウエハ端部の垂直変形Δ（たわみ量）も大きくなる）ことは自明であるから、同差分値の設定によっては、ウエハの垂直変形Δ（たわみ量）も「許容範囲」を超えてしまう場合もありうる。）
　したがって、ｘ／ｄの値をどのように設定するかは、当業者にとって単なる設計的事項にすぎない。
　
　よって、相違点３については、引用例１、２に記載された発明、及び周知技術に基いて、当業者は容易に想到する程度のものであると認める。
　
　また、本願発明によってもたらされる効果は引用例１、２の記載及び周知の事項から当業者が予測し得る範囲内のものである。　
　
５．むすび
　
　以上のとおり、本願発明は、当業者からみて、原査定の拒絶の理由に引用された引用例１、２に記載された発明、及び周知の事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条２項の規定により特許を受けることができないものである。
　したがって、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は、拒絶すべきものである。
　　
　よって結論のとおり審決する。