【事件の表示】
　平成１０年特許願第２１７７８３号「光電変換装置及びその駆動方法及びＸ線撮像装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　２月１８日出願公開、特開２０００−　４６６４６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１０年７月３１日の出願であって、平成１９年３月１３日付けで拒絶査定がされ、これに対し、同年４月１６日に拒絶査定不服審判の請求がされるとともに、同年５月１５日付けで手続補正（以下、「本件補正」という。）がなされたものである。
　
　
第２　本件補正の補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１９年５月１５日付けの手続補正を却下する。
［理由］
１．補正後の本願発明
　本件補正は、特許請求の範囲を補正するものであって、平成１８年８月１１日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１を、
「　【請求項１】　光電変換素子と該素子に接続される薄膜トランジスタを含む画素が複数配列された光電変換装置において、
　前記光電変換素子への光またはＸ線の入射のないダーク状態において、前記光電変換素子の前記薄膜トランジスタが接続されていない側の電極に印加する電圧を、
前記薄膜トランジスタはオフ状態で、
、複数の前記画素の
共通に
　
前記通常の読み取りが行われ
　上記補正は、発明特定事項の「制御可能な電源」を「
複数の前記画素の
共通に
　そこで、本願補正発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
２．引用刊行物記載の発明
（１）原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された特開平１０−１０２３７号公報（以下、「引用例１」という。）には、下記の記載がある。
［１ａ］「【請求項１】  検出面に配列された複数の画素の各画素に対応して設けられ入射したＸ線を電荷に変換する電荷変換手段と、
この各電荷変換手段に対応して設けられ前記電荷変換手段により変換された電荷を蓄積する電荷蓄積手段と、
この各電荷蓄積手段に対応して設けられ前記電荷蓄積手段により蓄積された電荷を読み出す電荷読出手段と、
この各電荷読出手段に対応して設けられ、前記電荷読出手段の入力側に接続され、印加される電圧が電荷読出手段を破壊する電圧未満の所定の電圧以上となった時に前記電荷蓄積手段に蓄積されている電荷を掃き出す掃き出し手段と、を備えることを特徴とするＸ線平面検出器。」
［１ｂ］「【００１６】近年、前記フィルム−スクリーン系やイメージング・プレートの様な携帯性や、高解像度特性を有し、且つＩ．Ｉ．−ＴＶシステムの持つリアルタイム性を備える次世代Ｘ線撮像装置として、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：thin film transistor）をスイッチングゲートに用いたＸ線平面検出器が考えられている（以下、Ｘ線平面検出器と呼ぶ）。
【００１７】Ｘ線平面検出器は、現在、以下の２つの構成が考えられている。第１の構成のＸ線平面検出器は、平板上の検出面にＸ線を光に変換する蛍光体とその光を電荷に変換するフォトダイオードアレイ，電荷を蓄積するコンデンサ，電荷を読み出すＳＷから構成される。
【００１８】第２の構成のＸ線平面検出器は、平板上の検出面にＸ線を直接電荷に変換する半導体層からなる画素部と、電荷を蓄積するコンデンサからなる電荷蓄積部と、電荷を読み出すため読み出しスイッチ（読み出しＳＷと称する。）とから構成される。
【００１９】どちらもフィルム同様に等倍像を得る電気的撮像装置であり、従来のＩ．Ｉ．−ＴＶ装置と同様に画像の即時表示性に優れ、電気的画像保管が容易である。更に、構造的に薄型であることから、フィルム−スクリーン系やイメージング・プレートを用いたカセッテに置き換わることも可能である。
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記第２の構成のＸ線平面検出器においては、各画素のＸ線入射量に比例して増加する電荷が増加し、電荷蓄積部には高電圧が印加されることがある。この印加された電圧が、Ｘ線曝射中においては、読み出しＳＷの入力側に印加されることになる。
【００２１】しかし、Ｘ線曝射中に前記印加された電圧が一定電圧を越えると、読み出しＳＷが破壊する可能性があった。」
［１ｃ］「【００３８】＜実施の形態１＞まず、図１に、本発明のＸ線平面検出器の一例を示す。図１において、Ｘ線平面検出器１０、ゲートドライバ１９、読み出しアンプ２３ａ〜２３ｅ、マルチプレクサ（ＭＵＸ）２５が設けられる。
【００３９】Ｘ線平面検出器１０の検出面には複数の画素からなる電荷変換手段としての複数の画素部１１が２次元状に配列されている。各画素部１１毎に、電荷蓄積手段としての電荷蓄積部１３、電荷読出手段としてのＴＦＴ１７、掃き出し手段としてのツェナーダイオード１７が設けられている。
【００４０】図２にＸ線平面検出器の単一の画素の断面図を示す。図２において、前記画像部１１は、基板３１の上部であって、かつ、上部電極３３と下部電極３５との間に設けられ、その画素に入射されたＸ線を電荷に変換する。
【００４１】ここでは、画素部１１であるＸ線検出半導体として、例えば、アモルファス−セレン（以下、ａ−Ｓｅと称する。）を用いる。ａ−Ｓｅの上部電極３３には高電位が印加され、上部電極３３から下部電極３５に向けて電界Ｅが発生している。Ｘ線曝射によりａ−Ｓｅ内に発生した負電荷は、上部電極３３に集められ、正電荷は下部電極３５に集められる。
【００４２】下部電極３５には直列に電荷蓄積用の容量からなる前記電荷蓄積部１３が設けられており、ａ−Ｓｅ内で発生した電荷を蓄積する。
【００４３】下部電極３５を介して電荷蓄積部１３にはＴＦＴ１５が接続される。ＴＦＴ１５は、電荷蓄積部１３により蓄積された電荷を読み出しアンプ２３ａ〜２３ｅに読み出す読み出しＳＷである。
【００４４】ＴＦＴ１５は、Ｘ線曝射終了後に、ゲートドライバ１９からのゲート制御信号がゲートＧに入力されることによりドレインＤ・ソースＳ間がオンしてスイッチとして動作する。Ｘ線曝射終了後、各画素部１１に蓄積されたＸ線像情報を有する電荷は、ＴＦＴ１５を介して外部の読み出しアンプ２３ａ〜２３ｅに読み出される。
【００４５】ゲートドライバ１９は、ゲート制御信号を出力する４つの制御線２１ａ〜２１ｄを有し、各制御線２１ａ〜２１ｄは、自己の制御線に対応する行の４つのＴＦＴ１５のゲートＧに接続される。
【００４６】各読み出しアンプ２３ａ〜２３ｄは、自己の読み出しアンプに対応する列の４つのＴＦＴ１５のソースＳに接続され、対応する列の４つのＴＦＴ１５の電荷を読み出してＭＵＸ２５に出力する。
【００４７】ＭＵＸ２５は、各読み出しアンプ２３ａ〜２３ｄからのパラレル出力をシリアル出力に変換し、図示しないアナログ／ディジタル（Ａ／Ｄ）変換器に送る。」
　
　上記［１ａ］〜［１ｃ］の記載によれば、引用例１には、
「検出面に配列された複数の画素の各画素に対応して設けられ入射したＸ線を電荷に変換する電荷変換手段と、この各電荷変換手段に対応して設けられ前記電荷変換手段により変換された電荷を蓄積する電荷蓄積手段と、この各電荷蓄積手段に対応して設けられ前記電荷蓄積手段により蓄積された電荷を読み出す電荷読出手段としての薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）と、を備え、画素部であるＸ線検出半導体アモルファス−セレンの上部電極には高電位が印加されることを特徴とするＸ線平面検出器。」の発明（以下、「引用例１発明」という。）が記載されていると認めることができる。
　
（２）原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された特開平２−１６２２８７号公報（以下、「引用例２」という。）には、下記の記載がある。
［２ａ］「２．特許請求の範囲
　放射線に感応するセンサ手段と、前記センサ手段の出力を増幅する増幅手段と、前記増幅手段の出力を波高弁別する比較手段と、前記比較手段出力をカウントする計数手段と、前記センサ手段に印加するバイアス手段と、前記バイアス手段の出力電圧を制御する電圧制御手段を有することを特徴とする放射線受像装置。」（第１頁左下欄第４〜１１行）
［２ｂ］「第５図は従来の放射線受像装置のブロック図である。第５図において、１はセンサアレイ、２は増幅器、３１〜３ｎは比較器であり、この比較器はｎ個存在する。４１〜４ｎはカウンタ、５１〜５ｎはラッチ回路、６はセレクト回路、７はＣＰＵ、８はデータ信号、９はセレクト回路、１０はバイアス電源、１１は比較レベル設定回路である。
　上記構成について以下にその動作を説明する。センサアレイ１に放射線が入射し、発生した電荷はバイアス電源１０の電界により一方向に収集される。この結果、入射放射線が微小パルスとして検出され、増幅器２で増幅後、比較器３１〜３ｎに入力される。比較器３１〜３ｎでは比較レベル設定回路１１の出力と比較され、入力条件を満足したときに、２値化されたパルスとして出力されてカウンタ４１〜４ｎでカウントされる。その後一定期間カウントしてからラッチ回路５１〜５ｎに一時的に貯えられる。なお波高弁別を行うため、比較器３１〜３ｎに供給される比較レベル設定回路１１の出力は、各々の比較器３１〜３ｎで違っておりｎ個存在する。このようにして得られた値は、ＣＰＵ７によりセレクト回路６で選択され、データ信号８として取り込まれる。」（第１頁右下欄第６行〜第２頁左上欄第８行）
［２ｃ］「発明が解決しようとする課題
　しかしながら，このような放射線受像装置ではセンサをアレイ状に並べており、各センサ毎もしくは数個に１つずつ増幅器や比較器が付随している。このためこれら多数のセンサ及び回路の動作をチェックする自己診断機能が必要になってくる。」（第２頁左上欄第９〜１４行）
［２ｄ］「　本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、簡易な構成で高精度な自己診断機能を有する放射線受像装置を提供することを目的とする。」（第２頁右上欄第５〜７行）
［２ｅ］「課題を解決するための手段
　本発明は上記課題を解決するため、放射線に感応するセンサ手段と、前記センサ手段の出力を増幅する増幅手段と、前記増幅手段の出力を波高弁別する比較手段と、前記比較手段出力をカウントする計数手段と、前記センサ手段に印加するバイアス手段と、前記バイアス手段の出力電圧を制御する電圧制御手段を備えたものである。」（第２頁右上欄第８〜１５行）
［２ｆ］「作用
　本発明は上記した構成により、バイアス手段の出力電圧を変動させると、センサから信号が出力されて増幅器において増幅される、放射線光子が入射したのとほぼ等価な信号が得られ、後段の比較器・カウンタまで含めたデータ異常を確認することができる。」（第２頁右上欄第１６行〜同頁左下欄第２行）
［２ｇ］「実施例
　第１図は本発明の放射線受像装置の一実施例のブロック図、第２図はバイアス電源の出力電圧の変化を示す図である。第１図において、第５図と同一の構成要素については同一参照符号を付して説明を省略する。２０はバイアス電源で、２１は電圧制御回路である。電圧制御回路２０は、ＣＰＵ７からのデータをＤ／Ａ変換してバイアス電源２０に供給している。バイアス電源２０はリモートコントロール可能なものが市販されており、Ｄ／Ａコンバータ等の信号を接続することにより所望の電圧を実現している。センサアレイ１は高インピーダンス化された、Ｓｉ、ＣｄＴｅ等の半導体検出器、シンチレータ等で構成されている。
　第２図（ａ）では、電圧はＶｌとＶ１＋ΔＶ間を変動する信号であり、同図（ｂ）では０からＶ１までをΔＶずつ上昇していく信号である。第２図（ａ），（ｂ）に示すようなバイアス電源２０の変化が存在すれば、第１図における増幅器２には殆ど同じ信号が検出される。つまり，センサアレイ１は高インピーダンスのため，コンデンサと考えることが出来るのである。したがって、これらの信号は比較器３、カウンタ４、ラッチ回路５を通してＣＰＵ７に取り込まれる。この結果、以上に示したセンサないし回路系に異常が存在すればＣＰＵ７で発見することが出来る。」
［２ｈ］「発明の効果
以上述べてきたように本発明によれば、極めて簡易な構成でかつ放射線未照射状態でセンサ及び回路の異常を判断する自己診断機能が得られるため、経済的効果が大きいばかりでなく、放射線受像装置におけるメンテナンス信頼性を向上でき、実用上極めて有用である。」
　
　上記［２ａ］、［２ｃ］、［２ｅ］〜［２ｈ］の記載によれば、引用例２には、
「多数のセンサ及び回路の動作をチェックするために、センサ手段に印加するバイアス手段の出力電圧を変動させることにより放射線光子が入射したのとほぼ等価な信号を得て、検出された信号をＣＰＵ７に取り込んで、放射線未照射状態でセンサ及び回路の異常を判断する、Ｘ線を検出するセンサをアレイ状に並べた放射線受像装置。」の発明（以下、「引用例２発明」という。）が記載されていると認めることができる。
　
３．対比
　本願補正発明と引用例１発明とを対比する。
　引用例１発明の「Ｘ線を電荷に変換する電荷変換手段」は、本願補正発明の「光電変換素子」に相当する。また、引用例１発明の「薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）」は、本願補正発明の「薄膜トランジスタ」に相当する。そして、引用例１発明の「画素」および各画素に対応して設けられた「Ｘ線を電荷に変換する電荷変換手段」、「電荷蓄積手段」、および「薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）」からなる構成は、本願補正発明の「光電変換素子と該素子に接続される薄膜トランジスタを含む画素」に相当する。さらに、引用例１発明の「Ｘ線平面検出器」は、複数の画素が検出面に配列されているものであるから、本願補正発明の「光電変換素子と該素子に接続される薄膜トランジスタを含む画素が複数配列された光電変換装置」に相当する。加えて、引用例１発明のＸ線平面検出器は、「画素部であるＸ線検出半導体アモルファス−セレンの上部電極には高電位が印加される」ことから、「電源」を備えているものである。
　したがって、両者は、
「光電変換素子と該素子に接続される薄膜トランジスタを含む画素が複数配列された光電変換装置において、電源を有する光電変換装置。」である点で一致し、以下の点で相違している。
［相違点１］本願補正発明では、電源が、光電変換素子への光またはＸ線の入射のないダーク状態において、光電変換素子の薄膜トランジスタが接続されていない側の電極に印加する電圧を、薄膜トランジスタはオフ状態で、通常の読み取り時に印加される第１の電圧から第２の電圧へ変化させて印加して光電変換素子を電気的に充電するよう接続された制御可能であり、さらに通常の読み取りが行われ充電された光電変換素子から読み出された出力を予め定められたしきい値と比較することにより欠陥画素を検出する比較手段を有するのに対し、引用例１発明では、電源が上記機能を有さず、比較手段も有さない点。
［相違点２］電源が、本願補正発明では複数の画素の電極に共通に接続されているのに対し、引用例１発明では電源と上部電極がどのように接続されているのか不明である点。
　
４．判断
（１）［相違点１］について
　引用例１の［１ｂ］には、電荷を読み出すＳＷを備えたＸ線平面検出器において、Ｘ線曝射中に薄膜トランジスタからなる読み出しＳＷが破壊されることが記載されている。このような検出器において、破壊されるおそれのある各素子および素子に設けられた回路の動作をチェックすることは、当業者が当然に認識している課題である。
　一方、引用例２には、薄膜トランジスタを用いるものではないものの、引用例１発明と同様にＸ線を検出するセンサをアレイ状に並べた放射線受像装置である引用例２発明が記載されている。ここで、引用例２発明のバイアス手段は、センサ手段に出力する電圧を変動させていることから制御可能な電源であり、出力電圧を変動させることにより放射線光子が入射したのとほぼ等価な信号を得るものであるから通常のバイアス電圧から変化させて印加するものであり、放射線未照射状態でセンサ及び回路の異常を判断するものであるからセンサへの光またはＸ線の入射のないダーク状態において印加を行うものであるといえる。
　そして、Ｘ線平面検出器に備えられた回路である薄膜トランジスタの動作をチェックするために、同じ放射線受像装置において回路の動作をチェックするために従来より用いられている構成を採用することは、当業者が容易に想到しうることである。ここで、引用例１発明のＸ線平面検出器は、電荷蓄積手段に電荷を蓄積し、薄膜トランジスタからなる電荷読出手段で蓄積された電荷を読み出すよう作動するものであるから、このような検出器において放射線光子が入射したのとほぼ等価な信号が得られるように電圧を印加するために、薄膜トランジスタが接続されていない側の電極に、薄膜トランジスタをオフ状態として、電荷蓄積手段に充電されるように、印加を行うことは、当業者ならば当然に採用することである。また、信号から異常を判断するために信号値をしきい値と比較することは周知であるから、ＣＰＵ７においてしきい値と比較を行うことは当業者が適宜なし得ることである。
　したがって、引用例１発明において、破壊されるおそれのある薄膜トランジスタのチェックをするために、引用例２発明の構成を採用して、相違点１における本願補正発明の構成とすることは、当業者が容易に想到しうることである。
　
（２）［相違点２］について
　バイアス電位を印加する電極を複数の画素の電極に共通に接続させることは周知である。例えば、特開平１０−１１６９７１号公報の段落【００２７】および【図２】には、電源４３が、各画素４４の電源電極３８と共通に接続されることが記載されている。また、特開平５−１６０３７８号公報の段落【００１４】および【図４】には、各画素に対しホトダイオードのバイアス電源１２が共通に接続することが記載されている。さらに、特表平７−５０８３９０号公報の第６頁右上欄第２０〜２２行には、アレイ２４内のすべてのホトダイオード４６のアノードＡが一緒に、負のバイアス電圧−Ｖｂに接続されていることが記載されている。
　したがって、引用例１発明において、電源が各画素部の上部電極に共通に接続されるように構成することは、当業者が適宜設計しうることである。
　
（３）本願補正発明の効果について
　本願の明細書の段落【００５５】によれば、本願補正発明は「簡単な構成で精度良く・・・機器に取り付けた後でも、動作中に発生する欠陥画素を検出することが可能」という効果を奏するものであるが、引用例２の［２ｄ］には、「簡易な構成で高精度な自己診断機能を有する放射線受像装置を提供することを目的とする。」と記載されており、さらに［２ｈ］にも、「極めて簡易な構成でかつ放射線未照射状態でセンサ及び回路の異常を判断する自己診断機能が得られるため、経済的効果が大きいばかりでなく、放射線受像装置におけるメンテナンス信頼性を向上でき」と記載されている。このように、簡単な構成で、動作中に発生する欠陥を検出することができるという効果は引用例２に記載されたものである。
　したがって、本願補正発明の効果は、引用例１および引用例２に記載された発明および周知技術から当業者が予測できる範囲のものであって、格別なものであるとはいえない。
　
　なお、請求人は、審判請求理由において、引用例２について「各センサ毎に増幅器と比較器を付随させる形態であれば、欠陥が発生したセンサの位置情報を特定することは可能であるが、増幅器や比較器の数が多くなり構成が複雑となってしまう」と主張しているが、本願補正発明も各光電変換素子毎に薄膜トランジスタを含むものであるから、同程度の複雑さを有するものであり、格別な効果の差異があるとはいえない。
　また、請求人は、審判請求理由および平成２０年１１月２８日付けの回答書において、欠陥画素の位置情報を特定することが可能になるという本願発明の格別な効果は得られないと主張しているのでこの点について検討すると、引用例２に記載された発明は、センサアレイの各センサの構成について特定するものであるが、引用例２の［２ｂ］に記載されているように、センサをアレイ状に並べた放射線受像装置において、センサアレイ１で検出された信号は、従来より、増幅器、比較器、カウンタに入力され、ラッチ回路に一時的に貯えられ、ＣＰＵによりセレクト回路で選択されて、データ信号として取り込まれることが行われている。このように、センサをアレイ状に並べた放射線受像装置では、従来より、各画素の信号は選択されて別々に取り込まれるものであるから、多数のセンサ及び各センサ毎もしくは数個に１つずつ付随している回路の動作をチェックする際に、比較器３、カウンタ４、ラッチ回路５を通してＣＰＵ７に取り込（［２ｇ］）む操作を、従来と同様に選択してＣＰＵに取り込むと解釈するのが自然であり、多数のセンサ及び回路の動作をチェックするという目的を鑑みても、センサを特定せずに検出を行うと解釈するのは不自然である。そして、引用例１発明も、電荷読出手段により画素毎に電荷を読み出すものであるから、引用例１発明に引用例２に記載された構成を適用しても、画素の位置情報を特定できるものであることは自明である。
　
　よって、本願補正発明は、引用例１および引用例２に記載された発明および周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
５．むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３　本願発明
１．本願発明の認定
　本件補正は上記のとおり却下されることとなったので、本願の請求項１〜１６に係る発明は、平成１８年８月１１日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１〜１６に記載された事項により特定されるとおりのものと認められ、その請求項１に係る発明は以下のとおりである。
「　光電変換素子と該素子に接続される薄膜トランジスタを含む画素が複数配列された光電変換装置において、
　前記光電変換素子への光またはＸ線の入射のないダーク状態において、前記光電変換素子の前記薄膜トランジスタが接続されていない側の電極に印加する電圧を、通常の読み取り時に印加される第１の電圧から第２の電圧へ変化させて印加して前記光電変換素子を電気的に充電するよう前記電極に接続された制御可能な電源と、
　前記充電された光電変換素子から読み出された出力を予め定められたしきい値と比較することにより欠陥画素を検出する比較手段とを有し、
　前記光電変換素子に印加する電圧を前記第１の電圧から前記第２の電圧へ変化させる際、前記薄膜トランジスタはオフ状態であることを特徴とする光電変換装置。」（以下、「本願発明」という。）
　
２．引用刊行物記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例およびその記載事項は、前記「第２　２．引用刊行物記載の発明」に記載したとおりである。
　
３．対比・判断
　本願発明は、本願補正発明における「制御可能な電源」についての限定を省いたものである。
　そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み、さらに限定を付加したものに相当する本願補正発明が、前記「第２　４．判断」に記載したとおり、引用例１および引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１および引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その他の請求項に係る発明について言及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。
　
５．付言
　請求人は、平成２０年１１月２８日付けで提出した回答書において、特許請求の範囲の補正案を提示しているので、以下に検討する。特許請求の範囲の補正案の請求項１に係る発明は以下のとおりである（下線部は補正箇所を示す。）。
「　　［請求項１］　光電変換素子と該素子に接続される薄膜トランジスタを含む画素が複数配列された光電変換装置において、 
 　前記光電変換素子への光またはＸ線の入射のないダーク状態において、前記光電変換素子の前記薄膜トランジスタが接続されていない側の電極に印加する電圧を、前記薄膜トランジスタはオフ状態で、通常の読み取り時に印加される第１の電圧から第２の電圧へ変化させて印加して前記光電変換素子を電気的に充電するよう、複数の前記画素の前記電極に共通に接続された制御可能な電源と、 
 　前記
第２の電圧が印加された状態で薄膜トランジスタがオン状態とされることにより
　新たな本願発明と引用例１発明とを対比すると、新たな本願発明は、本願補正発明の「通常の読み取りが行われ」て読み出された出力を、「第２の電圧が印加された状態で薄膜トランジスタがオン状態とされることにより」読み出された出力と補正したものであるから、［相違点１］が以下に示すものとなり、［一致点］および、［相違点２］は、前記「第２　３．対比」に記載したとおりである。
［新たな相違点１］新たな本願発明では、電源が、光電変換素子への光またはＸ線の入射のないダーク状態において、光電変換素子の薄膜トランジスタが接続されていない側の電極に印加する電圧を、薄膜トランジスタはオフ状態で、通常の読み取り時に印加される第１の電圧から第２の電圧へ変化させて印加して光電変換素子を電気的に充電するよう接続された制御可能であり、さらに
第２の電圧が印加された状態で薄膜トランジスタがオン状態とされることにより
　新たな相違点１と［相違点１］とは、比較手段において用いられる「通常の読み取りが行われ」て読み出された出力を、「第２の電圧が印加された状態で薄膜トランジスタがオン状態とされることにより」読み出された出力した点以外は共通するものであるので、読み出された出力が「第２の電圧が印加された状態で薄膜トランジスタがオン状態とされることにより」読み出されたものである点について検討すると、引用例１発明は比較手段を有さないものの、出力は電荷読出手段としての薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）をオンすることにより読み出されるものである。「第２　４．（１）［相違点１］について」で述べたように、Ｘ線平面検出器に備えられた回路である薄膜トランジスタが破壊されるという問題を解決するために、引用例２に記載された同じ放射線受像装置において回路の動作をチェックするために従来より用いられている構成を採用することは、当業者が容易に想到しうることである。そして、引用例１発明に比較手段を設ける際に、比較手段で用いる信号を通常の信号と同様に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）をオンすることにより読み出されたものを用いることは自明である。
　よって、新たな本願発明も、引用例１および引用例２に記載された発明および周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。