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　平成　７年特許願第１２１８７９号「マイクロメカニズム構造体を形成する方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　７年１２月　８日出願公開、特開平　７−３２１３４５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成７年５月１９日（パリ条約による優先権主張１９９４年５月２５日　ドイツ連邦共和国）の出願であって、平成１９年２月８日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年５月１６日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものであって、「マイクロメカニズム構造体を形成する方法」に関するものである。
　
２．本願発明の認定
　本願の請求項１ないし１３に係る発明は、平成１９年１月１６日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし１３に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、その内の請求項１３に係る発明（以下、「本願発明という。」）は、以下のとおりのものである。
　
「【請求項１３】　少なくとも１つのマイクロメカニズム構造体を備えた半導体構成素子において、
−当該半導体構成素子が、少なくとも１つのウェーハ（１２）と、センサ用のコンタクトパッド（１６）と、所定の範囲に設けられた金属層（２２）とを有しており、
−該金属層（２２）の少なくとも一部が、センサ用のコンタクトパッド（１６）と共に導電接続を有しており、
−マイクロメカニズム構造体が電気メッキにより成長させられており、
−当該半導体構成素子が電気メッキ素子（３４）を有しており、該電気メッキ素子（３４）が前記金属層（２２）に結合されており、
−当該半導体構成素子が、少なくとも１つの集積回路（ＩＣ）を有しており、マイクロメカニズム構造体と該集積回路（ＩＣ）とが、ウェーハ（１２）上に少なくとも部分的に上下に重なり合って配置されている、
ことを特徴とする、半導体構成素子。」
　
３．刊行物に記載された発明
刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された特開平４−２６８７２５号公報（以下、「刊行物」という。）には、「半導体装置および製造方法」（発明の名称）に関して、図１及び２とともに、以下の事項が記載されている。
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＳｉを含む基板上に例えば加速度や圧力等の力学量を検知するセンサを有する半導体装置および製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、情報機器，コンシューマー機器，制御機器の進歩に伴い、半導体を用いたセンサの需要が増加してきている。光，電気，磁気，音波，化学，力学等の測定対象に応じて種々のセンサが開発されているが、ロボット開発の著しい進歩等に伴い、性能の良い力学量検知・制御用のセンサの開発が求められている。その中でも加速度センサや圧力センサは、例えば不純物濃度依存性エッチング，ボンディング，犠牲層エッチングなどの特異プロセス分野におけるマイクロメカニクス技術の進歩により小型化複合化が進んでいる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述したマイクロメカニクス技術を用いた従来型の加速度センサは異方性エッチングおよび犠牲層エッチングや結晶と結晶との接合技術などを用いており、製造プロセスが複雑であった。
【０００４】また、信号処理回路や制御回路をセンサの周辺に配置するが、その回路素子とセンサとの結合関係が複雑になるという欠点があった。
【０００５】また、電極材料として、従来型のアモルファスの電極材料やエピタキシャルではない電極材料を用いる場合においては、検知用電極としての充分な機械的特性が得られないという欠点もあった。
【０００６】一方、Ｓｉ基板上へ電極材料をエピタキシャル成長させる技術について、最近著しい進歩を遂げ始めているが、上記マイクロメカニスク技術を用いた加速度センサや圧力サンセなどの半導体を用いたセンサに応用している例は報告されていない。
【０００７】本発明の目的は、製造プロセスが簡単であり、信号処理回路や制御回路との接続を容易に行え、かつコンパクトで高性能のセンサを備えた半導体装置および製造方法を提供することにある。」（０００１〜０００７段落）、
「【００１２】
【作用】本発明による半導体装置における導電体膜は導電性の下地表面からエピタキシャル成長させて形成したものであるので、その導電体膜を検知用電極として用いるに充分の機械的強度を有する。また、導電体膜は信号処理・制御回路用の素子との電気的接触を容易に行うことができるので、半導体装置としての信頼性向上に寄与する。
【００１３】また、本発明による半導体装置の製造方法においては、基板にＩＣを作成した後、選択的に電極を形成するだけの簡単な工程で半導体装置を作成でき、歩留り等が上がり、コストも低減できる。
【００１４】
【実施例】以下に、本発明の一実施態様を挙げて本発明をさらに詳細に説明する。
【００１５】図１は本発明の半導体装置の概略構成図である。符号１は基板である。基板１はこの例において単結晶Ｓｉが用いられ、その一部分にＭＯＳ構造のトランジスタが形成されている。ソース３ａおよびドレイン３ｂは拡散等により形成され、ゲート用の熱酸化膜２が形成されている。この熱酸化膜２の上には、フォトリソグラフィにより所望の形状にパターン化された低抵抗の電極層４および５が形成されている。その上に、パシベーション層６が形成されている。パシベーション層６には、フォトリソグラフィを用いてパターン化された２つの開口部が形成されている。これらの開口部からは上記電極層４および５がそれぞれ露出している。固定検知電極７および可動検知電極８は上記開口部を通して電極層４および５から基板面に対して垂直にエピタキシャル成長により形成されている。これら固定検知電極７と可動検知電極８は、容量型の加速度センサを構成している。
【００１６】電極層４に加えた電圧は、可動検知電極８の変位に応じた容量変化に応じて変わる。これにより、ゲート電極７の電圧変化が誘起され、ソースの拡散層３ａからドレインの拡散層３ｂに流れる電流が変化する。この電流変化から、加速度に応じた可動検知電極８の変位が外部で検出できる。
【００１７】本発明の半導体装置において、例えば基板としてはｎ型の単結晶Ｓｉが用いられ、拡散層としてはボロンを用いてｐ型層を形成する。低抵抗の電極層４および５としては、ドープしたポリＳｉ、ドープした単結晶Ｓｉ、Ｗ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｍｏなどの高融点金属、Ａｕ，Ｐｄ，Ｐｔ，ＴｉＮ，ＡｌＳｉなどが用いられる。また、上述したメタルのメタルシリサイド等も用いることが可能である。上記電極層４および５の製法には、ＬＰＣＶＤ（低圧ＣＶＤ），常圧ＣＶＤ，スパッタ，蒸着などが用いられる。パシベーション層６としては絶縁性の材料であればほとんど何でも使用可能であり、具体的にはＳｉＯ2 ，Ｓｉ3 Ｎ4 ，ａ−Ｓｉ：Ｎ：Ｈ，タンタルオキサイドの他、セラミックスなども用いられる。パシベーション層６の製法にはＣＶＤ，スパッタなどが好適である。
【００１８】固定検知電極７と可動検知電極８の材料はＡｌ，Ｗ，Ａｎ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，ＴｉＮ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ｐｄ，Ｐｔ，単結晶Ｓｉおよび多結晶Ｓｉなどから選ばれる。好適な材料としては、Ａｌ，Ｗ，Ｍｏ，Ａｕ，単結晶Ｓｉおよび多結晶Ｓｉの中から選ばれ、最適な材料としてはＡｌ，Ｗ，Ｓｉが使われる。
【００１９】図１においては、ＭＯＳトラジスタ以外の例えばバイポーラトラジスタ等の周辺処理回路（図示略）を同一の基板１に組み込むことも勿論可能である。同じく図１には示していないが、図１の半導体装置の電極７および８の上部に可撓性の部材を配置することにより、上部より圧力が加わった際に、可動検知電極７が撓みを生じ、電極７と電極８との間隔が変化して容量が変化することを検知する圧力センサとして用いることもできる。」（００１２段落〜００１９段落）、
「【００２３】電極層７および８を選択的に堆積する方法について概略説明する。電極層７および８の材料としてはＡｌ，Ｗ，Ｓｉが最適なものとして選ばれる。Ａｌの場合には例えば原料ガスとしてジメチルアルミニウムハイドライド（ＤＭＡＨ）、またはモノメチルアルミニウムハイドライド（ＭＭＡＨ2 ）などと反応ガスとしてＨ2 の混合ガスによる気相成長を用いる。また、ＤＭＡＨとＭＭＡＨ2 を混合させて用いてもよい。堆積装置（不図示）としては一般的に用いられるＬＰＣＶＤ装置が好適である。但し、上記原料ガスは液体であるので、キャリアガスとしてＨ2 もしくはＡｒ（もしくは他の不活性ガス）でバブリングを行い、気体状のＤＭＡＨまたはＭＭＡＨ2 を生成し、これを混合器（不図示）に輸送し、別経路から導入したＨ2 と混合し、装置に導入する。」（００２３段落）
　
（ａ）００１５段落の「図１は本発明の半導体装置の概略構成図である。符号１は基板である。基板１はこの例において単結晶Ｓｉが用いられ、その一部分にＭＯＳ構造のトランジスタが形成されている。ソース３ａおよびドレイン３ｂは拡散等により形成され、ゲート用の熱酸化膜２が形成されている。この熱酸化膜２の上には、フォトリソグラフィにより所望の形状にパターン化された低抵抗の電極層４および５が形成されている。その上に、パシベーション層６が形成されている。パシベーション層６には、フォトリソグラフィを用いてパターン化された２つの開口部が形成されている。これらの開口部からは上記電極層４および５がそれぞれ露出している。固定検知電極７および可動検知電極８は上記開口部を通して電極層４および５から基板面に対して垂直にエピタキシャル成長により形成されている。これら固定検知電極７と可動検知電極８は、容量型の加速度センサを構成している。」との記載から、刊行物に記載された「半導体装置」は、以下の（ａ−１）、（ａ−２）の構成を有することは明らかである。
（ａ−１）「基板１」に「ＭＯＳ構造のトランジスタが形成され」、「所望の形状にパターン化された」「電極層４および５」が「形成され」ている。
（ａ−２）「固定検知電極７および可動検知電極８は」、「パシベーション層６」の「開口部を通して電極層４および５から基板面に対して垂直にエピタキシャル成長により形成され」、「容量型の加速度センサを構成している」。
（ｂ）００１７段落の「電極層４および５としては、ドープしたポリＳｉ、ドープした単結晶Ｓｉ、Ｗ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｍｏなどの高融点金属、Ａｕ，Ｐｄ，Ｐｔ，ＴｉＮ，ＡｌＳｉなどが用いられる。」との記載から、「Ｗ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｍｏなどの高融点金属、Ａｕ，Ｐｄ，Ｐｔ」「などが用いられる」「電極層４および５」が記載されていることは明らかである。
（ｃ）００２３段落の「電極層７および８の材料としてはＡｌ，Ｗ，Ｓｉが最適なものとして選ばれる。」との記載から、「電極層７および８」の「材料として」「Ａｌ，Ｗ」などが「選ばれる。」ことは明らかである。
　
　したがって、刊行物には、以下の発明が記載されている。
「固定検知電極７および可動検知電極８を備えた半導体装置において、
　当該半導体装置が、基板１と、所望の形状にパターン化された、Ｗ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｍｏなどの高融点金属、Ａｕ，Ｐｄ，Ｐｔなどが用いられる電極層４および５とを有しており、
　半導体装置の基板１にＭＯＳ構造のトランジスタが形成され、所望の形状にパターン化された電極層４および５が形成されており、
　材料としてＡｌ，Ｗなどが選ばれる固定検知電極７および可動検知電極８は、パシベーション層６の開口部を通して電極層４および５から基板面に対して垂直にエピタキシャル成長により形成され、容量型の加速度センサを構成している、
半導体装置。」（以下、「刊行物発明」という。）
　
４．対比・判断
本願発明と刊行物発明とを対比する。
（ａ）刊行物発明の「固定検知電極７および可動検知電極８」は、マイクロメカニズム技術を用いて形成した非常に小さい機械の構造体であるから、本願発明の「マイクロメカニズム構造体」に相当する。
（ｂ）刊行物発明の「半導体装置」、「基板１」は、本願発明の「半導体構成素子」、「ウェーハ」にそれぞれ相当する。
（ｃ）刊行物発明の「所望の形状にパターン化されたＷ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｍｏなどの高融点金属、Ａｕ，Ｐｄ，Ｐｔなどが用いられる電極層４および５」は、「所望の形状にパターン化」されていることにより、所定の範囲に設けられていることは明らかであるから、本願発明の「所定の範囲に設けられた金属層」に相当する。
（ｄ）刊行物発明において、「固定検知電極７および可動検知電極８は、パシベーション層６の開口部を通して電極層４および５から基板面に対して垂直にエピタキシャル成長により形成され、容量型の加速度センサを構成している」ことから、固定検知電極７および可動検知電極８からなるマイクロメカニズム構造体により形成される素子が、電極層４および５に結合されていることは明らかである。よって、刊行物発明の「固定検知電極７および可動検知電極８は、パシベーション層６の開口部を通して電極層４および５から基板面に対して垂直にエピタキシャル成長により形成され、容量型の加速度センサを構成している」という構成は、本願発明の「当該半導体構成素子が」「素子」「を有しており、」「該」「素子」「が前記金属層」「に結合されて」いる点で本願発明と一致する。
　
　したがって、本願発明と刊行物発明とは、
　「少なくとも１つのマイクロメカニズム構造体を備えた半導体構成素子において、
−当該半導体構成素子が、少なくとも１つのウェーハ（１２）と、所定の範囲に設けられた金属層（２２）とを有しており、
−マイクロメカニズム構造体が成長させられており、
−当該半導体構成素子が素子を有しており、該素子が前記金属層（２２）に結合されている、
ことを特徴とする、半導体構成素子。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
　
相違点１
　本願発明では、半導体構成素子が、「センサ用のコンタクトパッド（１６）」を有し、「該金属層（２２）の少なくとも一部が、センサ用のコンタクトパッド（１６）と共に導電接続を有して」いるのに対し、刊行物発明では、センサ用のコンタクトパッドが記載されていない点。
　
相違点２
　本願発明では、「マイクロメカニズム構造体が電気メッキにより成長させられており、　−当該半導体構成素子が電気メッキ素子（３４）を有しており、」「該電気メッキ素子（３４）が前記金属層（２２）に結合されて」いるのに対し、刊行物発明では、「マイクロメカニズム構造体が成長させられており、当該半導体構成素子が素子を有しており、該素子が前記金属層に結合され」るとの構成を備えているものの、該成長が「電気メッキ」による成長ではなく、該素子が「電気メッキ素子」ではない点。
　
相違点３
　本願発明では、半導体構成素子が、「少なくとも１つの集積回路（ＩＣ）」を有し、「マイクロメカニズム構造体と該集積回路（ＩＣ）とが、ウェーハ（１２）上に少なくとも部分的に上下に重なり合って配置されている」のに対し、刊行物発明では、そのような記載がされていない点。
　
相違点について検討する。
相違点１について
（ａ）まず、本願発明の「センサ用のコンタクトパッド」について、本願の願書に最初に添付された明細書又は図面の記載を参酌すると、００１３段落の「コンタクトパッド１６はシリコンウェーハ１２に組み込まれた電子集積回路と、あとから被着されるべきセンサ素子との間に導電接続を形成する。」との記載から、本願発明の「コンタクトパッド１６」は、「シリコンウェーハ１２に組み込まれた電子集積回路と、あとから被着されるべきセンサ素子との間に導電接続を形成」するものと認められる。
（ｂ）一方で、刊行物発明の「電極層４および５」は、「固定検知電極７および可動検知電極８は、パシベーション層６の開口部を通して電極層４および５から基板面に対して垂直にエピタキシャル成長により形成され、容量型の加速度センサを構成している」ことから、刊行物発明の「電極層４および５」は、「固定検知電極７および可動検知電極８」、すなわち、「加速度センサ」と導電接続を形成していることは明らかである。
（ｃ）また、刊行物の００１３段落の「本発明による半導体装置の製造方法においては、基板にＩＣを作成した後、」との記載、００１６段落の「電極層４に加えた電圧は、可動検知電極８の変位に応じた容量変化に応じて変わる。これにより、ゲート電極７の電圧変化が誘起され、ソースの拡散層３ａからドレインの拡散層３ｂに流れる電流が変化する。この電流変化から、加速度に応じた可動検知電極８の変位が外部で検出できる。」との記載、００１９段落の「図１においては、ＭＯＳトラジスタ以外の例えばバイポーラトラジスタ等の周辺処理回路（図示略）を同一の基板１に組み込むことも勿論可能である。」との記載から、刊行物発明の「電極層４および５」は、集積回路の一部を構成していることは明らかである。
（ｄ）したがって、刊行物発明の「電極層４および５」は、集積回路の一部であると同時に「固定電極７および可動検知電極８」にも接続されているから、当該「電極層４および５」は、本願発明の「センサ用のコンタクトパッド（１６）」としても機能していることは明らかである。したがって、刊行物発明も実質的に本願発明の如く、「センサ用のコンタクトパッド（１６）」を有し、「該金属層（２２）の少なくとも一部が、センサ用のコンタクトパッド（１６）と共に導電接続を有して」いるものであるから、相違点１は実質的な相違点ではない。
　
相違点２について
（ａ）金属からなるマイクロメカニズム構造体を備えた半導体構成素子に関する技術分野おいて、加速度センサとしての金属からなるマイクロメカニズム構造体を電気メッキにより成長させ、電気メッキ素子として形成する技術は、例えば、以下の周知文献１、周知文献２に記載されているように、従来周知である。
（ａ−１）周知文献１．特表平２−５００４７５号公報の第４図ないし第７図及び「第４図は、半導体技術の公知方法により電子接続回路４４、酸化物層４２および導体路４３がつくられているシリコンウエーハ４１の一部を斜視図で示す。ウエーハ上には、たとえば窒化ケイ素からなる絶縁層４５を設ける。半導体技術から公知のリソグラフィ一工程およびエツチング工程によつて、センサ構造と接続回路との間の結合用接触開口４６をつくる。そこで、たとえば蒸着によつて、全基板を覆う伝導層４７を、たとえばニッケルからなるめつき電極として、保護層４５を備える基板上に設ける。次いで、Ｘ線レジストの厚さ約１０００μｍの層４８を設ける。レジスト層４８は、吸収体構造４１０を有するＸ線マスク４９を介して、たとえばシンクロトロンからの極端に平行で強力な放射線４１１で露光する。この場合、Ｘ線マスク４９はウエーハ４１に対して、製造すべきセンサ構造が相応する接触開口４６の上方に生じるように調整する。照射の際に、吸収体構造４１０により遮蔽されないレジスト層４８の範囲４８ａは放射線化学的に変化する。照射後、現像する際に放射線にさらされたレジスト層４８の範囲４８ａは溶出されるので、センサ構造のネガチブ４１２（第５図）が生じる。このネガチブ４１２中へ、伝導層４７をめつき電極として使用して、金属４１３、たとえばニツケルをめつきにより析出させる（第６図）。金属のセンサ構造４１３を製造した後、残留レジスト４８を条片形にし、伝導層４７の露出した範囲をたとえば乾式エツチング除去する（第７図）。このプロセスは、その上に設けられたセンサ構造を有するウエーハを、たとえば切断線４１４に沿ってダイヤモンド円鋸を用いて個々の機能ユニット（チップ）に分割することで終了する。」（第３頁右上欄第５行〜第３頁左下欄第９行）
（ａ−２）周知文献２．特開平５−９４９３７号公報の図１ないし図３及び「【００１０】　【実施例】実施例１　この発明に従って加速度センサを形成する方法について図を参照しながら以下に説明する。なお、図において向かって左側は断面、右側は平面を模式的に示す。　【００１１】図１（ａ）を参照して、まず、Ｓｉ基板１上にスパッタリングにより厚さ約２０００ÅのＮｉ層２を形成する。次にレジスト層を形成した後、フォトリソグラフィによってレジストパターン３を形成する（図１（ｂ））。図１（ｃ）に示すように、エッチングによりＮｉ層２を所望のパターンとした後、図１（ｄ）に示すようにレジストパターンを除去してＮｉパターン５を得る。続いて、Ｎｉパターン５上にＰＭＭＡをベースとするレジスト層６を形成した後、所望のパターンに加工された吸収材７を有するマスク膜８を用いてＳＲ光によるリソグラフィを行なう（図２（ａ））。次に現像を行なった後、基板全体をめっき液に付け、電気めっきを行なって、レジストパターン９の谷間にＮｉ構造体１０を堆積する（図２（ｂ））。洗浄および乾燥を行なった後、スパッタリングにより厚さ約１μｍのＮｉ層１１を堆積する（図２（ｃ））。Ｎｉ層１１上にフォトリソグラフィを用いてレジストパターンを形成した後、エッチングを行なってＮｉパターン１２を形成する。その後、Ｎｉパターン１２上にＰＭＭＡをベースとするレジスト層を形成した後、再びＳＲ光によるリソグラフィを行なって、レジストパターン１３を形成する（図３（ａ））。次いで、基板全体を再びめっき液につけて電気めっきを行なった後、レジストを除去してＮｉ構造体１４を得る（図３（ｂ））。さらに、Ｎｉ構造体１４上にＰＭＭＡをベースとするレジスト層を形成した後、ＳＲ光によるリソグラフィを行なって、レジストパターン１５を形成する（図３（ｃ））。その後、基板全体を再びめっき液につけて電気めっきを行なった後、レジストを除去してＮｉ構造体１６を得る（図３（ｄ））。」（００１０〜００１１段落）
（ｂ）ここで、刊行物発明は、金属からなるマイクロメカニズム構造体を備えた半導体構成素子に関する発明であるから、前記（ａ）において検討した従来周知の技術と、共通する技術分野に属する。
（ｃ）したがって、刊行物発明において、加速度センサとしての金属からなるマイクロメカニズム構造体、すなわち、「固定検知電極７および可動検知電極８」の形成に際し、刊行物発明のエピタキシャル成長に代えて、技術分野の共通する従来周知である、電気メッキにより成長させ、電気メッキ素子を形成する技術を採用することは、当業者が容易になし得るものである。
　
相違点３について
（ａ）まず、前記「相違点１について　（ｃ）」における検討から、刊行物発明の「電極層４および５」は、集積回路の一部を構成していることは明らかである。
（ｂ）また、刊行物発明において、「固定検知電極７および可動検知電極８」は、「電極層４および５から基板面に対して垂直にエピタキシャル成長」していることから、本願発明のマイクロメカニズム構造体と集積回路に各々相当する刊行物発明の「固定検知電極７および可動検知電極８」と「電極層４および５」は、基板上に少なくとも部分的に上下に重なり合って配置されていることは明らかである。
（ｃ）よって、相違点３は実質的な相違点ではない。
　
　よって、本願発明は、刊行物に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、請求項１ないし１２について検討するまでもなく、特許法第２９条第２項の規定により拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。