【事件の表示】
　特願２００３−４０１９６４「液晶表示装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　６月２３日出願公開、特開２００５−１６４８５４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１５年１２月１日に特許出願したものであって、平成１９年２月２２日に手続補正がなされ、同年５月２４日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年７月４日に拒絶査定不服審判請求がなされるとともに同年８月３日に手続補正がなされたものである。
　
　
　
ＩＩ．平成１９年８月３日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１９年８月３日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１．補正の内容  
　平成１９年８月３日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の請求項２を、以下のように補正することを含むものである。  
「【請求項２】
　透明絶縁基板上に、互いに略直交する下層側の第１の配線と上層側の第２の配線とが配設され、前記第１の配線と前記第２の配線とで囲まれる各々の領域に薄膜トランジスタが形成されてなる液晶表示装置において、
　前記第２の配線と交差する領域近傍における前記第１の配線の少なくとも一方の側部に、前記第２の配線の延在方向に窪む１以上の凹部が、前記第２の配線の幅以上の奥行きで形成されていることによって、前記第１の配線は前記凹部が形成された部分でそれ以外の部分よりも幅が小さくなっていることを特徴とする液晶表示装置。」
 　 
 　 
２．独立特許要件 
　本件補正は、補正前の請求項２の「（凹部が形成されている）第１の配線」について、「前記凹部が形成された部分でそれ以外の部分よりも幅が小さくなっている」、との限定を付加するものであって、平成１８年改正前特許法（以下、単に「特許法」という。）第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そこで、本件補正後の請求項２に記載された発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
 　 
（１）刊行物記載の発明  
　本願の出願前に頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である特開平５−２５９３００号公報（以下「引用刊行物１」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
ア　「【特許請求の範囲】
【請求項１】下層配線と、上層配線と、これらの間に形成された絶縁層とを備えた半導体装置であって、下層配線と上層配線の重なった部分の下層配線は、少なくとも２カ所に折り曲げ点を有することを特徴とする半導体装置。」
イ　「【００１０】・・・本発明の目的は、上層配線に断線を生じ難い配線構造を有する半導体装置を提供することにある。」
ウ　「【００１５】
【作用】本発明の半導体装置においては、下層配線に少なくとも２カ所に折り曲げ点が設けられている。それ故、たとえ、上層配線上の第２の絶縁層にクラックが発生しても、かかるクラックは、下層配線に沿って延びるものの、下層配線の折り曲げ点に概ね対応する第２の絶縁層の部分を越えて延びることがない。その結果、第２の絶縁層に発生したクラックは上層配線を横切ることがなく、クラックが２カ所の折り曲げ点の間の上方に存在する第２の絶縁層中を延びることが防止でき、後の工程でウエットエッチングを行っても、上層配線が断線することが無くなる。同様に、２カ所の折り曲げ点の間に相当する第２の絶縁層と上層配線の界面、あるいは又２カ所の折り曲げ点の間の絶縁層と上層配線の界面には、後の工程でウエットエッチングを行っても、エッチング液が滲み込むことを防止でき、上層配線が断線することが無くなる。
【００１６】
【実施例】以下、ＴＦＴの製造に関する実施例に基づき、本発明を図面を参照して説明する。この実施例においては、下層配線、絶縁層、上層配線は、それぞれ、ポリシリコン、ＰＳＧ、アルミニウムから成る。
【００１７】図１の模式的な一部断面図に示すように、ガラスから成る基板１０の上に、従来のプラズマＣＶＤ法によって第１のポリシリコン層３０を形成し、その上に従来のプラズマＣＶＤ法でゲート酸化膜３２を形成した。更に、その上に従来のプラズマＣＶＤ法で第２のポリシリコン層を形成した。次に、第２のポリシリコン層を従来の方法でパターニングして、ゲート電極領域３４を形成した。このゲート電極領域３４は、第２のポリシリコン層から成る下層配線１２によって、外部の電源（図示せず）に電気的に接続されている。この状態を、図２の模式的な一部断面図に示す。
【００１８】次いで、第１のポリシリコン層にイオン注入を行い、ソース・ドレイン領域３６，３８を形成した。その後、ゲート酸化膜３２及びゲート電極領域３４上に、従来の常圧ＣＶＤ法によって、例えばＰＳＧから成り厚さ６００ｎｍの絶縁層１４を形成した。そして、ソース・ドレイン領域上の絶縁膜１４及びゲート酸化膜３２に、フォトリソグラフィ法及びエッチング法にて開口部を形成した。その後、かかる開口部及び絶縁膜１４上に、例えばスパッタ法で厚さ６００ｎｍのアルミニウムを堆積させ、このアルミニウムをパターニングすることによって、ソース電極４０、ドレイン電極４２を形成した。例えば、ソース電極は、かかるスパッタ法で堆積されたアルミニウムから成りパターニングされた上層配線１８によって外部の電源（図示せず）に接続されている。図２に示すように、上層配線１８は、絶縁層１４によって下層配線１２と電気的に絶縁されている。次いで、絶縁層１４、ソース電極４０、ドレイン電極４２、上層配線１８の上に、例えばＰＳＧから成り厚さ４００ｎｍの第２の絶縁層２０を常圧ＣＶＤ法で堆積させた。
【００１９】図３に模式的な一部平面図を示すように、下層配線１２と上層配線１８の重なった部分の下層配線には、各辺に４カ所ずつ、折り曲げ点５０，５０Ａ，５２，５２Ａが設けられている。これらの折り曲げ点は、下層配線を従来のフォトリソグラフィ法及びエッチング法にて形成することができる。・・・（略）・・・。
【００２０】第２の絶縁層２０に、絶縁層１４の段差部分１６の影響を受けて、図３にＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄで示す第２の絶縁層２０にクラック２２が生じ、クラック２２が下層配線１２に沿って延びたとしても（図６の模式的な断面図を参照）、このクラック２２は、図３に示した、下層配線１２の折り曲げ点５０と５０Ａ及び５２と５２Ａの上方に位置する第２の絶縁層の部分で止まる。その結果、第２の絶縁層２０に発生したクラック２２は上層配線１８を横切ることがなく、クラックが折り曲げ点５０と５２との間の上方に存在する第２の絶縁層中を延びることを防止できた。それ故、後の工程でウエットエッチングを行っても、上層配線１８が断線することを防止できた。同様に、後の工程でウエットエッチングを行っても、折り曲げ点５０と５２との間に相当する第２の絶縁層２０と上層配線１８の界面（図６の２４Ａ参照）、あるいは又折り曲げ点５０と５２との間の絶縁層１４と上層配線１８の界面（図６の２４Ｂ参照）には、エッチング液が滲み込むことがなく、上層配線１８が断線することを防止できた。
【００２１】下層配線に設けられる折り曲げ点は、図３に示したものに限られず、図４及び図５に下層配線及び上層配線のみを示すが、各種の折り曲げ点でも同様の効果を奏する。尚、下層配線１２には斜線を付し、上層配線１８を破線で示した。尚、折り曲げ点は小さな曲率を有していてもよい。図４の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）及び（Ｆ）においては、下層配線は４カ所の折り曲げ点を有する。・・・（略）・・・。」
エ　以下の（ア）、（イ）の事項が、図４（Ａ）から見て取れる。
（ア）下層配線１２と上層配線１８とは、互いに略直交して配設されること。
（イ）上層配線１８と重なった部分の下層配線１２の側部に、前記上層配線１８の延在方向に窪む凹部が形成され、前記下層配線１２は前記凹部が形成された部分でそれ以外の部分よりも幅が小さくなっていること。
　
　したがって、上記記載事項を総合すると、引用刊行物１には次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されている、と認められる。
　
「ガラスから成る基板上に、互いに略直交する下層配線と上層配線とが配設され、前記下層配線はＴＦＴのゲート電極領域に電気的に接続され、前記上層配線はＴＦＴのソース電極に接続されてなる半導体装置において、
　前記上層配線と重なった部分の前記下層配線の側部に、前記上層配線の延在方向に窪む凹部が形成され、前記下層配線は前記凹部が形成された部分でそれ以外の部分よりも幅が小さくなっている半導体装置。」
　
　
　また、本願の出願前に頒布され、同じく原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である特開平４−３６０５３４号公報（以下「引用刊行物２」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
キ　「【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、多層配線を必要とする電子デバイスの断線をなくすための効果的な手法を提供し、電子デバイスの製造歩留及び信頼性の向上を目的としている。」
ク　「【０００６】この発明は・・・（中略）・・・下層配線と上層配線が交差する部分の下層配線のパタ−ンを工夫することにより、上層配線の断線を防ぐことを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係る多層配線においては、下層配線と上層配線が交差する部分の下層配線をジグザグ形状とするものである。
【０００８】
【作用】上記のように構成された多層配線は、ジグザグ部分のジグザグ形状に沿った長さが上層配線の長さより長いので、下層配線のエッジ部の上の上層配線が脆弱であって、上層配線形成時のエッチングにおいて、マウスホ−ルができたとしても、そのマウスホ−ルが上層配線の幅方向に占める割合は小さい。したがって断線する確率もきわめて小さくなる。またその後の工程で受ける熱履歴やデバイスとなったときに生じるストレスマイグレ−ションやエレクトロマイグレ−ションに対しても、段差部の長さが長いために断線の発生する確立はかなり低下する。・・・（略）・・・。
【０００９】
【実施例】
実施例１．図１及び図２はこの発明の一実施例であり、図１は部分平面図、そして図２は図１のＡ−Ａ線断面図である。図において、１はＳｉウェハ−等の半導体基板あるいはガラス等の透明絶縁基板、２は電子デバイスの構成する絶縁膜や半導体膜、３はＣｒやＡｌ等の金属で構成された下層配線、４はＳｉＮやＳｉＯ２等の層間絶縁膜、５はＣｒやＡｌ等の金属で構成成された上層配線、６は上層配線５の脆弱な部分である。
【００１０】以下、製造方法について説明する。まず半導体基板あるいは透明絶縁基板１上に電子デバイスを構成する絶縁膜あるいは半導体膜２を形成する。次に下層配線となる金属膜３を成膜し、フォトエッチング法等の方法でパタ−ン形成する。このとき上層配線５と交差する部分の下層配線を、図１に示すようにジグザグ形状にし、しかもこのジグザグ部分のジグザグ形状に沿った長さを、上層配線５の幅に比べて十分長く、例えば上層配線５の幅の２倍以上にする。その後、層間絶縁膜４を形成し、その上に上層配線５を同様の方法で形成する。以上でこの発明の主要部が形成される。
【００１１】実施例２．なお、この発明においては、下層配線３と上層配線５が交差する部分における下層配線の形状がジグザグ形状になっていればよく、図１に示した形状の他に、図３、図４及び図５に示した形状でもよく、さらに図１、図３、図４、及び図５の組み合わせでもよく、そのジグザグ部の長さが、上層配線の幅に対して長ければ上記実施例と同様の効果が得られる。」
ケ　下層配線と上層配線とが交差する部分における前記下層配線の側部を、窪んだジグザグ形状にすること、が図５から見て取れる。
　
　したがって、上記記載事項を総合すると、引用刊行物２には次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されている、と認められる。
　
「透明絶縁基板上に下層配線及び上層配線を交差して設ける多層配線において、下層配線と上層配線とが交差する部分における前記下層配線の側部を窪んだジグザグ形状にするとともに、そのジグザグ形状に沿った長さを前記上層配線の幅に比べて十分に長くすることにより、上層配線の断線を防ぐもの。」
　
　
（２）対比
  本願補正発明と引用発明１を対比する。
ア　引用発明１の「ガラスから成る基板」、「下層配線」、「上層配線」、「ＴＦＴ」、「側部」及び「（延在方向に窪む）凹部」は、それぞれ本願補正発明の「透明絶縁基板」、「（下層側の）第１の配線」、「（上層側の）第２の配線」、「薄膜トランジスタ」、「側部」及び「（延在方向に窪む）凹部」に相当する。
イ　引用発明１の「半導体装置」と本願補正発明の「液晶表示装置」とは、どちらも「透明絶縁基板上に薄膜トランジスタを形成した半導体装置」である点で一致する。
ウ　引用発明１の「前記上層配線と重なった部分の前記下層配線の側部に、前記上層配線の延在方向に窪む凹部が形成され」なる事項は、本願補正発明の「前記第２の配線と交差する領域近傍における前記第１の配線の少なくとも一方の側部に、前記第２の配線の延在方向に窪む１以上の凹部が形成され」なる事項を備えるものである。
　
　したがって、両者は、　  
 「透明絶縁基板上に、互いに略直交する下層側の第１の配線と上層側の第２の配線とが配設され、前記透明絶縁基板上に薄膜トランジスタを形成した半導体装置において、
　前記第２の配線と交差する領域近傍における前記第１の配線の少なくとも一方の側部に、前記第２の配線の延在方向に窪む１以上の凹部が形成されていることによって、前記第１の配線は前記凹部が形成された部分でそれ以外の部分よりも幅が小さくなっている、透明絶縁基板上に薄膜トランジスタを形成した半導体装置。」
である点で一致し、以下の点において相違する。
　
相違点
〔相違点１〕：本願補正発明は、第１の配線と第２の配線とで囲まれる各々の領域に薄膜トランジスタが形成されてなる液晶表示装置であるのに対し、引用発明１は、透明絶縁基板上に薄膜トランジスタを形成した半導体装置ではあるが、第１の配線と第２の配線とで囲まれる各々の領域に薄膜トランジスタが形成されてなる液晶表示装置であるのかどうか不明な点。
〔相違点２〕：第１の配線の側部に形成され、第２の配線の延在方向に窪む１以上の凹部が、本願補正発明では、前記第２の配線の幅以上の奥行きで形成されているのに対し、引用発明では、そのような奥行きで形成されてはいない点。
　
（３）判断  
　上記相違点につき検討する。
〔相違点１〕について
　透明絶縁基板上に薄膜トランジスタを形成した半導体装置として、第１の配線と第２の配線とで囲まれる各々の領域に薄膜トランジスタを形成してなる液晶表示装置は本願出願前に周知のものであり、この周知技術を引用発明１に適用して上記〔相違点１〕に係る本願補正発明の構成となすことは、当業者が容易になし得ることである。
〔相違点２〕について
　「透明絶縁基板上に下層配線及び上層配線を交差して設ける多層配線において、下層配線と上層配線とが交差する部分における前記下層配線の側部を窪んだジグザグ形状にするとともに、そのジグザグ形状に沿った長さを前記上層配線の幅に比べて十分に長くすることにより、上層配線の断線を防ぐもの」の発明（引用発明２）は引用刊行物２に記載されているから、引用発明１において、上層配線の断線を防止するためにジグザグ形状に沿った長さを前記上層配線の幅に比べて十分に長くすることは当業者が容易になし得ることであり、その際、第１の配線の側部に形成され、第２の配線の延在方向に窪む１以上の凹部を、前記第２の配線の幅以上の奥行きで形成することは当業者が適宜なし得ることというべきであるから、上記〔相違点２〕に係る本願補正発明の構成とすることは、当業者が容易になし得ることである。
　
　そして、本願補正発明によってもたされる効果は、引用刊行物１、２に記載された発明及び周知技術から当業者が予測し得る程度のものである。
　
　したがって、本願補正発明は、引用刊行物１、２に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（４）むすび  
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
　
ＩＩＩ．本願発明について
１．本願発明
　平成１９年８月３日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１９年２月２２日付け手続補正によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜６に記載されたものであるところ、その請求項２は次の事項によって特定されるものである。
　
「【請求項２】
　透明絶縁基板上に、互いに略直交する下層側の第１の配線と上層側の第２の配線とが配設され、前記第１の配線と前記第２の配線とで囲まれる各々の領域に薄膜トランジスタが形成されてなる液晶表示装置において、
　前記第２の配線と交差する領域近傍における前記第１の配線の少なくとも一方の側部に、前記第２の配線の延在方向に窪む１以上の凹部が、前記第２の配線の幅以上の奥行きで形成されていることを特徴とする液晶表示装置。」（以下「本願発明」という。）
　
２．刊行物記載の発明
　原査定の拒絶の理由で引用された引用刊行物１、２及び引用発明１、２は、前記ＩＩ．２．（１）において記載したとおりである。
　
３．対比・判断
　本願発明は、前記ＩＩ．で検討した本願補正発明における「（凹部が形成されている）第１の配線」が、「前記凹部が形成された部分でそれ以外の部分よりも幅が小さくなっている」、との限定を省いたものである。そうすると、本願発明の発明特定事項をすべて含み、さらに限定を付加したものに相当する本願補正発明が、上記ＩＩ．２．で検討したとおり、引用刊行物１、２に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明することができたものであるから、本願発明も同様の理由により、引用刊行物１、２に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物１、２に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。