【事件の表示】
　特願２００２−　２７９８１「窒化物系化合物半導体発光素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　８月１５日出願公開、特開２００３−２２９６３８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１４年２月５日の出願であって、平成１７年２月３日及び平成１９年１２月２５日に手続補正がなされたところ、平成２０年１月２４日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２０年２月２７日に拒絶査定不服審判請求がなされるとともに、同年３月２６日付けで手続補正がなされたものである。
　
　
第２　平成２０年３月２６日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２０年３月２６日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１　補正の内容  
　平成２０年３月２６日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の請求項１を、以下のように補正することを含むものである。
　
「半導体結晶基板上に、窒化物系化合物半導体の積層構造を備える窒化物系化合物半導体発光素子であって、
　前記半導体結晶基板は単結晶からなる低密度欠陥領域と当該低密度欠陥領域内に前記半導体結晶基板面内に周期的に配列された高密度欠陥領域とからなり、
　前記高密度欠陥領域は多結晶、前記低密度欠陥領域に対して微傾斜した単結晶または前記低密度欠陥領域に対してＣ軸が反転している単結晶からなり、
　前記高密度欠陥領域は前記半導体結晶基板を貫通し、
　前記積層構造及び前記半導体結晶基板を挟む１対の電極が形成され、当該１対の電極の一方の電極は前記半導体結晶基板の裏面の前記低密度欠陥領域上に前記高密度欠陥領域と接触しないように設けられ、他方の電極は前記半導体結晶基板の前記低密度欠陥領域上の前記積層構造上に設けられ、
　前記１対の電極で挟まれた前記積層構造内に活性領域が形成されていることを特徴とする窒化物系化合物半導体発光素子。」
　
　本件補正は、補正前の「低密度欠陥領域」が「単結晶からなる」との限定を行うとともに、同じく補正前の「高欠陥密度領域」が「多結晶、前記低密度欠陥領域に対して微傾斜した単結晶または前記低密度欠陥領域に対してＣ軸が反転している単結晶からな」るとの限定を行うものであるから、上記補正は、平成１４年法律第２４号による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　
２　独立特許要件 
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１４年法律第２４号による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するか）について以下に検討する。
 　 
（１）引用刊行物
　本願の出願前に頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である特開平１１−２３３８９３号公報（以下「引用刊行物１」という。）には、図とともに以下の事項が記載されている。
　
ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体発光素子に関し、特に、基板上に基板とは格子定数または熱膨張係数の異なる半導体材料にて形成された信頼性の高い半導体発光素子に関する。」
　
イ　「【０００２】
　・・・図８に、サファイア基板８００上に、ＧａＮ層を厚く結晶成長させて連続膜半導体層を形成し、その上に青色発光ダイオード（ＬＥＤ）を形成した従来技術による例を示す。
【０００３】この従来例のＬＥＤの作製方法を説明する。サファイア基板８００上に、まずハライド気相成長法（ＨＶＰＥ法）によりＧａＮ層８０１を５μｍ厚に厚く成長させる。次に、ＧａＮ層８０１表面にＳｉＯ２からなる選択成長マスク８０２を格子状（２００μｍピッチの２０μｍ幅のＳｉＯ２ストライプが互いに直交する形）に形成する。以上までに作製された工程断面図を図８（ａ）に示す。
【０００４】次に、このサファイア基板８００上にＨＶＰＥ法によりｎ型ＧａＮ連続膜半導体層８０３を３００μｍ厚成長させる。この時、ＨＶＰＥ工程により成長されたｎ型ＧａＮ連続膜半導体層８０３は、サファイア基板８００が露出した部分から成長が始まるが、その厚さが増すに伴い、ＳｉＯ２からなる選択成長用マスク８０２上へ張り出すように左右へも成長し、最終的には２０μｍ幅のＳｉＯ２からなる選択成長マスク８０２上を覆った。このようにして、表面が平坦なｎ型ＧａＮ連続膜半導体層８０３が形成された。
【０００５】次に、このサファイア基板８００上にｎ型ＧａＮ連続膜半導体層８０３が形成されたウェハーに、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）によりｎ−ＧａＮクラッド層８０４、ＩｎＧａＮ活性層８０５、ｐ−ＧａＮコンタクト層８０６が形成された。以上までに作製された工程断面図を図８（ｂ）に示す。
　・・・
【０００９】さらに従来例素子の結晶解析を行った結果、選択成長マスク直上領域８１１に位置するＩｎＧａＮ活性層８０５には、厚さ３００μｍのｎ型ＧａＮ連続膜半導体層８０３を貫通して結晶転移が集中して導入されていることが明確になった。図１０にＩｎＧａＮ活性層８０５における結晶転移の密度を、選択成長マスク８０２端からの距離をパラメータとして測定した結果を示す。幅２０μｍの選択成長マスク直上領域８１１のＩｎＧａＮ活性層８０５には密度１０１２ｃｍ−２の結晶転移が集中しており、さらに選択成長マスク８０２の端から１０μｍ離れた位置でも１０１１ｃｍ−２の転移が観測された。選択成長マスク８０２の端から離れるにつれて結晶転移は減少し、３０μｍ以上離れた場所のＩｎＧａＮ活性層８０５では結晶転移は１０７〜１０８ｃｍ−３にまで減少した。このような傾向は、上記のように作製されたウェハーのいずれの部分でも観測された。」
　
ウ　「【００１７】
【発明の実施の形態】以下に本発明を実施した例を用いて説明する。
（実施の形態１）図１に本発明を実施した半導体レーザ素子の一例を示す。本半導体レーザ素子は、ｎ−ＧａＮ連続膜半導体層１０２、ｎ−ＧａＮバッファ層１０３、ｎ−Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ｎクラッド層１０４、多重量子井戸活性層１０５、ｐ−Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ｎクラッド層１０６、ｐ−ＧａＮコンタクト層１０７から構成されており、リッジ導波路としてレーザの発光領域を規定するためのメサストライプ１１０、さらには、電流注入用のｐ型電極１１１、ｎ型電極１１２から構成されている。」
　
エ　「【００１８】次に、図２を用いて本実施例素子の作製工程を説明する。まず、サファイア基板１００の上にＭＯＣＶＤ法によりＧａＮバッファ層１０１を１μｍ厚成長させる。次に、ＧａＮバッファ層１０１の表面上に通常のスパッタ法によりＳｉＯ２膜を０．４μｍ厚形成させた後、通常のフォトリソグラフィ技術とエッチング技術により幅１０μｍでピッチ１５０μｍの周期的ＳｉＯ２からなる選択成長マスク１５０と幅１０μｍでピッチ５００μｍの周期的ＳｉＯ２からなる選択成長マスク１５１とが互いに直交する形状に形成した。以上までに作製された半導体レーザ素子の工程断面図を図２（ａ）に示す。
【００１９】続いて、このウェハー上にＨＶＰＥ法により、ｎ−ＧａＮ連続膜半導体層１０２を１５０μｍ厚成長させた。基板温度は１０２０℃として３５分の成長により１５０μｍ厚の成長が完了した。この成長時、選択成長マスク１５０、１５１が成長抑制構造として働くため、従来例にて説明のように、成長初期にはＧａＮバッファ膜１０１が露出した領域でのみ成長は起こり、次第に、選択成長マスク１５０、１５１上に横方向に成長が進み、最終的に１５０μｍ厚の成長が終了した段階では、ｎ−ＧａＮ連続膜半導体層１０２は連続膜を呈しており、その表面はスムースになった。
【００２０】次に、引き続きＭＯＣＶＤ法により、このｎ−ＧａＮ連続膜半導体層１０２の上に、ｎ−ＧａＮバッファ層１０３を０．５μｍ厚、ｎ−Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ｎクラッド層１０４を０．２μｍ厚、４ｎｍ厚のＩｎ０．２５Ｇａ０．７５Ｎ井戸層２層と３ｎｍ厚のＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎバリア層３層からなる多重量子井戸活性層１０５、ｐ−Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ｎクラッド層１０６を０．２μｍ厚、ｐ−ＧａＮコンタクト層１０７を０．７μｍ厚成長させた。以上までに作製された半導体レーザ素子の工程断面図を図２（ｂ）に示す。
【００２１】続いて、幅２μｍ、高さ０．７μｍのメサストライプ１１０を選択成長マスク１５０の直上領域１５２以外の領域に選択成長マスク１５０とほぼ平行に形成した。この時、メサストライプ１１０が素子の上方から観察して隣り合う選択成長マスク１５０のほぼ中央に位置するようにした。このメサストライプ１１０の形成には通常のフォトリソグラフィ技術とドライエッチング技術を適用した。この後、メサストライプ１１０を上面にストライプ状のｐ型電極１１１を形成した後、ウェハー裏面を研磨することによりウェハー厚さを約１２０μｍとし（すなわち、サファイア基板１００、ＧａＮバッファ層１０１、選択成長マスク１５０、１５１を完全に除去し、ｎ−ＧａＮ連続膜半導体層１０２がウェハー裏面に露出するようにし）、ｎ−ＧａＮ連続膜半導体層１０２の露出した裏面の全面にｎ型電極１１２を形成した。以上までに作製された半導体レーザ素子の工程断面図を図２（ｃ）に示す。
【００２２】次に、劈開によりレーザ共振器を構成するミラー面を形成した。この劈開工程は以下のようにして実施した。まず、ウェハー裏面（すなわちｎ−ＧａＮ連続膜層１０３側）の隅近傍の２箇所にけがき傷を入れ、このけがき傷の位置において、選択成長マスク１５１を形成した方向と平行方向に劈開してレーザ共振器ミラーを形成した。この時、２箇所のけがき傷は互いに隣接する選択成長マスク１５１のエッジ部分から５０μｍ離れた位置に形成し、選択成長マスク１５１の直上領域１５３がレーザ素子に含まれないようにした。従って、レーザ共振器長は４００μｍであった。最後に、選択成長マスク１５０の直上領域１５２の部分をスクライブし、個々のレーザチップに分割した。以上の工程を経て図１に示すレーザ素子が完成する。」
　
オ　「【００２３】以上のようにして作製したレーザ素子は、閾値電流２５ｍＡでレーザ発振が実現できた。また、本レーザ素子を５０℃雰囲気、３ｍＷ出力の条件下において信頼性試験を実施した結果、初期の５０時間以内に故障に至るレーザ素子を除いて、ほとんどの素子において１０００時間以上の寿命が確認でき、メディアン寿命（試験した半分の素子が故障する時間）は１５００時間であった。この信頼性は当該素子を光ディスク用光源として利用する場合にでも十分な特性である。この信頼性の改善は、本レーザ素子では、ｎ−ＧａＮ連続膜半導体層１０２を成長させるために形成した成長抑制構造である選択成長マスク１５０、１５１上において結晶欠陥が集中する直上領域１５２、１５３がレーザ素子の発光領域（この場合は活性層１０５に電流が選択的に注入されるメサストライプ１１０が形成されている部分）に含まれないように、選択成長マスク１５０、１５１の形状と、選択成長マスク１５０に対するメサストライプ１１０の相対位置、および選択成長マスク１５１に対するレーザ共振器ミラーの劈開のための相対位置を設定したことによるものと理解できる。」
　
　上記摘記事項の記載を総合すると、引用刊行物１には、以下の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されている、と認められる。
　
「ｎ−ＧａＮ連続膜半導体層１０２、ｎ−ＧａＮバッファ層１０３、ｎ−Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ｎクラッド層１０４、多重量子井戸活性層１０５、ｐ−Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ｎクラッド層１０６、ｐ−ＧａＮコンタクト層１０７から構成されており、リッジ導波路としてレーザの発光領域を規定するためのメサストライプ１１０、さらには、電流注入用のｐ型電極１１１、ｎ型電極１１２から構成される半導体レーザ素子であって、
　サファイア基板１００の上にＧａＮバッファ層１０１を成長させ、次に、ＧａＮバッファ層１０１の表面上にＳｉＯ２膜を形成させた後、通常のフォトリソグラフィ技術とエッチング技術により周期的ＳｉＯ２からなる選択成長マスク１５０と選択成長マスク１５１とが互いに直交する形状となるように形成し、
　続いて、このウェハー上にＨＶＰＥ法（ハライド気相成長法）により、ｎ−ＧａＮ連続膜半導体層１０２を成長させ、この成長時、選択成長マスク１５０、１５１が成長抑制構造として働くため、成長初期にはＧａＮバッファ膜１０１が露出した領域でのみ成長は起こり、次第に、選択成長マスク１５０、１５１上に横方向に成長が進み、
　次に、このｎ−ＧａＮ連続膜半導体層１０２の上に、ｎ−ＧａＮバッファ層１０３、ｎ−Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ｎクラッド層１０４、Ｉｎ０．２５Ｇａ０．７５Ｎ井戸層２層とＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎバリア層３層からなる多重量子井戸活性層１０５、ｐ−Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ｎクラッド層１０６、ｐ−ＧａＮコンタクト層１０７を成長させ、
　続いて、メサストライプ１１０を選択成長マスク１５０の直上領域１５２以外の領域に選択成長マスク１５０とほぼ平行に形成し、この時、メサストライプ１１０が素子の上方から観察して隣り合う選択成長マスク１５０のほぼ中央に位置するようにし、この後、メサストライプ１１０上面にストライプ状のｐ型電極１１１を形成した後、
　サファイア基板１００、ＧａＮバッファ層１０１、選択成長マスク１５０、１５１を完全に除去し、ｎ−ＧａＮ連続膜半導体層１０２がウェハー裏面に露出するようにし、ｎ−ＧａＮ連続膜半導体層１０２の露出した裏面の全面にｎ型電極１１２を形成し、
　次に、ウェハー裏面の隅近傍の２箇所に互いに隣接する選択成長マスク１５１のエッジ部分から５０μｍ離れた位置にけがき傷を入れ、選択成長マスク１５１を形成した方向と平行方向に劈開してレーザ共振器ミラーを形成し、結晶欠陥が集中する選択成長マスク１５１の直上領域１５３がレーザ素子の発光領域に含まれないようにし、
　最後に、結晶欠陥が集中する選択成長マスク１５０の直上領域１５２の部分をスクライブし、個々のレーザチップに分割して作製される、
　半導体レーザ素子。」
　
　また、本願の出願前に頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である特開２００１−２７４５２１号公報（以下「引用刊行物２」という。）には、図とともに以下の事項が記載されている。
　
カ　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、青紫色半導体レーザ等の窒化物半導体発光素子に関する。」
　
キ　「【０００２】
【従来の技術】窒化物半導体は青紫色レーザ素子の材料としてたいへん有望であり、・・・（略）・・・。図４にそのレーザの断面構造図を示す。一般に、レーザ素子の寿命を長くするためには転位密度を低減することが不可欠であり、図４のレーザ素子においては、サファイア基板１０１上のＧａＮ膜１０２上に、ストライプ状のＳｉＯ２膜（マスク）１０３を形成し、その上にＧａＮを成長することによって選択成長させ、マスク上に横方向成長した低転位密度のＧａＮを形成し、その低転位密度領域１０４の上にｐ電極１０５が形成されるようにレーザ素子を作製している。
【０００３】・・・（略）・・・、ＳｉＯ２マスクの無い部分（窓領域）の上部では、サファイア基板上ＧａＮ膜の高密度の貫通転位がそのまま引き継がれて膜が成長するために、高い（１０１２ｍ−２以上）転位密度となっているが、ＳｉＯ２マスクの上部ではマスクによって転位の伝播がさえぎられるために、低い（１０１１ｍ−２未満）転位密度が実現している。ただし、ＳｉＯ２マスクの中心付近では両側の窓領域から横方向成長してきたＧａＮがぶつかるため、転位が新たに発生し高い転位密度となっている。
【０００４】そして、低転位領域（ＳｉＯ２マスク上で中心から離れた部分：図中でドット模様を付していない領域）１０４の上部にｐ電極１０５が形成されるようにレーザ素子を作製すると、活性層内の低転位密度領域に電流が注入されるため、転位に起因した素子の劣化が起こりにくくなり、素子の寿命が長くなると考えられる。
【０００５】図４のレーザ素子は、Ｓｉドープｎ型ＧａＮ−ＥＬＯＧ基板１０６上にＳｉドープｎ型Ｉｎ０．１Ｇａ０．９Ｎ層１０７、１２０周期のＳｉドープｎ型ＧａＮ層（厚さ２．５ｎｍ）とアンドープＡｌ０．１４Ｇａ０．８６Ｎ層（厚さ２．５ｎｍ）からなるｎ型クラッド層１０８、Ｓｉドープｎ型ＧａＮ（厚さ０．１μｍ）からなるｎ型光閉じ込め層１０９、Ｓｉドープｎ型Ｉｎ０．１５Ｇａ０．８５Ｎ量子井戸層（厚さ３．５ｎｍ）とＳｉドープｎ型Ｉｎ０．０２Ｇａ０．９８Ｎ障壁層（厚さ１０．５ｎｍ）からなる多重量子井戸活性層２１０、Ｍｇドープｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎキャップ層（厚さ２０ｎｍ）１１１、Ｍｇドープｐ型ＧａＮ（厚さ０．１μｍ）からなるｐ型光閉じ込め層１１２、１２０周期のＭｇドープｐ型ＧａＮ層（厚さ２．５ｎｍ）とアンドープＡｌ０．１４Ｇａ０．８６Ｎ層（厚さ２．５ｎｍ）からなるｐ型クラッド層１１３、Ｍｇドープｐ型ＧａＮ（厚さ０．０５μｍ）からなるｐ型コンタクト層１１４を順に成長した後に、ドライエッチングなどにより図４に示すようなリッジ構造を形成し、最後にＮｉとＡｕからなるｐ電極１０５とＴｉとＡｌからなるｎ電極１１５を蒸着して作製されている。」
　
　上記摘記事項の記載を総合すると、引用刊行物２には、以下の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されている、と認められる。
　
「サファイア基板１０１上のＧａＮ膜１０２上に、ストライプ状のＳｉＯ２膜（マスク）１０３を形成し、その上にＧａＮを選択成長させ、ＳｉＯ２マスクの無い部分（窓領域）の上部では、サファイア基板上ＧａＮ膜の高密度の貫通転位がそのまま引き継がれて膜が成長するために、高い転位密度となっているが、ＳｉＯ２マスクの上部ではマスクによって転位の伝播がさえぎられるために、低い転位密度が実現しており、ただし、ＳｉＯ２マスクの中心付近では両側の窓領域から横方向成長してきたＧａＮがぶつかるため、転位が新たに発生し高い転位密度となっており、
　前記ＳｉＯ２マスク上で中心から離れた部分である低転位領域１０４の上部にｐ電極１０５を形成するようにして、活性層内の低転位密度領域に電流が注入され、転位に起因した素子の劣化が起こりにくくなるようにした、青紫色半導体レーザ等の窒化物半導体発光素子。」
　
（２）対比  
　本願補正発明と引用発明１とを対比する。
　
ア　引用発明１の「ｎ−ＧａＮ連続膜半導体層１０２」は、「サファイア基板１００の上にＧａＮバッファ層１０１を成長させ、次に、ＧａＮバッファ層１０１の表面上にＳｉＯ２膜を形成させた後、通常のフォトリソグラフィ技術とエッチング技術により周期的ＳｉＯ２からなる選択成長マスク１５０と選択成長マスク１５１とが互いに直交する形状となるように形成し、続いて、このウェハー上にＨＶＰＥ法（ハライド気相成長法）により」成長されたものであるから、引用発明１の「ｎ−ＧａＮ連続膜半導体層１０２」は、本願補正発明の「半導体結晶基板」に相当するといえる。
　
イ　引用発明１の「半導体レーザ素子」は、「ｎ−ＧａＮ連続膜半導体層１０２の上に、ｎ−ＧａＮバッファ層１０３、ｎ−Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ｎクラッド層１０４、Ｉｎ０．２５Ｇａ０．７５Ｎ井戸層２層とＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎバリア層３層からなる多重量子井戸活性層１０５、ｐ−Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ｎクラッド層１０６、ｐ−ＧａＮコンタクト層１０７を成長させ」、「続いて、メサストライプ１１０を形成」したものであるから、本願補正発明の「半導体結晶基板上に、窒化物系化合物半導体の積層構造を備える窒化物系化合物半導体発光素子」に相当する。
　
ウ（ア）引用発明１の「ｎ−ＧａＮ連続膜半導体層１０２」は、「サファイア基板１００の上にＧａＮバッファ層１０１を成長させ、次に、ＧａＮバッファ層１０１の表面上に・・・周期的ＳｉＯ２からなる選択成長マスク１５０と選択成長マスク１５１とが互いに直交する形状となるように形成し、続いて、・・・ＨＶＰＥ法（ハライド気相成長法）により」成長されるものであり、「この成長時、選択成長マスク１５０、１５１が成長抑制構造として働くため、成長初期にはＧａＮバッファ膜１０１が露出した領域でのみ成長は起こり、次第に、選択成長マスク１５０、１５１上に横方向に成長が進」むものであるから、上記（１）イ（【０００３】、【０００４】及び【０００９】）の記載（特に、【０００９】の「選択成長マスク直上領域８１１に位置するＩｎＧａＮ活性層８０５には、・・・ｎ型ＧａＮ連続膜半導体層８０３を貫通して結晶転移が集中して導入されていることが明確になった。・・・幅２０μｍの選択成長マスク直上領域８１１のＩｎＧａＮ活性層８０５には密度１０１２ｃｍ−２の結晶転移が集中しており、・・・。選択成長マスク８０２の端から離れるにつれて結晶転移は減少し、３０μｍ以上離れた場所のＩｎＧａＮ活性層８０５では結晶転移は１０７〜１０８ｃｍ−３にまで減少した。」）に照らすと、
（イ）引用発明１の「選択成長マスク１５０の直上領域１５２」及び「選択成長マスク１５１の直上領域１５３」は、前記「ｎ−ＧａＮ連続膜半導体層１０２」を貫通して結晶転移が集中して導入される領域であるから、本願補正発明の「高密度欠陥領域」に相当する。
（ウ）上記「ｎ−ＧａＮ連続膜半導体層１０２」の「メサストライプ１１０が形成され、素子の上方から観察して隣り合う選択成長マスク１５０のほぼ中央に位置する、『選択成長マスク１５０の直上領域１５２以外の領域』」は、前記「選択成長マスク１５０の直上領域１５２」に比べて結晶転移が低い領域であるといえるから、本願補正発明の「低密度欠陥領域」に相当する。
（エ）引用発明１の「ｎ−ＧａＮ連続膜半導体層１０２」は、「選択成長マスク１５０の直上領域１５２以外の領域」と「選択成長マスク１５０の直上領域１５２」とからなるといえるから、引用発明１は、本願補正発明の「前記半導体結晶基板は低密度欠陥領域と高密度欠陥領域とからなり」との事項を備える。
（オ）上記（イ）より、引用発明１は、本願補正発明の「前記高密度欠陥領域は前記半導体結晶基板を貫通し」との事項を備える。
　
エ　引用発明１は、「メサストライプ１１０上面にストライプ状のｐ型電極１１１を形成し」、かつ、「ｎ−ＧａＮ連続膜半導体層１０２の露出した裏面の全面にｎ型電極１１２を形成」するものであり、しかも上記ウ（ウ）より、引用発明１の「メサストライプ１１０」は、素子の上方から観察して隣り合う選択成長マスク１５０のほぼ中央に位置する、選択成長マスク１５０の直上領域１５２以外の結晶転移が低い領域に形成されるものであるから、引用発明１の「ｎ型電極１１２」及び「ｐ型電極１１１」は、それぞれ、本願補正発明の「１対の電極の一方の電極」及び「（１対の電極の）他方の電極」に相当するとともに、引用発明１は、本願補正発明の「前記積層構造及び前記半導体結晶基板を挟む１対の電極が形成され、当該１対の電極の一方の電極は前記半導体結晶基板の裏面の前記低密度欠陥領域上に前記高密度欠陥領域と接触しないように設けられ、他方の電極は前記半導体結晶基板の前記低密度欠陥領域上の前記積層構造上に設けられ」との事項と、「前記積層構造及び前記半導体結晶基板を挟む１対の電極が形成され、当該１対の電極の一方の電極は前記半導体結晶基板の裏面の前記低密度欠陥領域上に設けられ、他方の電極は前記半導体結晶基板の前記低密度欠陥領域上の前記積層構造上に設けられ」の点で一致する。
　
オ　引用発明１の「半導体レーザ素子」は、「ｎ−ＧａＮ連続膜半導体層１０２、ｎ−ＧａＮバッファ層１０３、ｎ−Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ｎクラッド層１０４、多重量子井戸活性層１０５、ｐ−Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ｎクラッド層１０６、ｐ−ＧａＮコンタクト層１０７」及び「リッジ導波路としてレーザの発光領域を規定するためのメサストライプ１１０」が成長され、「ｎ−ＧａＮ連続膜半導体層１０２の露出した裏面の全面にｎ型電極１１２を形成し」、「メサストライプ１１０上面にストライプ状のｐ型電極１１１を形成」するものであるから、引用発明１は、本願補正発明の「前記１対の電極で挟まれた前記積層構造内に活性領域が形成されている」との事項を備える。
　
　よって、本願補正発明と引用発明１とは、
「半導体結晶基板上に、窒化物系化合物半導体の積層構造を備える窒化物系化合物半導体発光素子であって、
　前記半導体結晶基板は低密度欠陥領域と高密度欠陥領域とからなり、
　前記高密度欠陥領域は前記半導体結晶基板を貫通し、
　前記積層構造及び前記半導体結晶基板を挟む１対の電極が形成され、当該１対の電極の一方の電極は前記半導体結晶基板の裏面の前記低密度欠陥領域上に設けられ、他方の電極は前記半導体結晶基板の前記低密度欠陥領域上の前記積層構造上に設けられ、
　前記１対の電極で挟まれた前記積層構造内に活性領域が形成されている窒化物系化合物半導体発光素子。」
の点で一致し、以下の各点で相違する。  
 　  
相違点
［相違点１］
　半導体結晶基板の低密度欠陥領域が、本願補正発明では、単結晶からなるのに対し、引用発明１では、単結晶かどうか明確でない点。
　
［相違点２］
　半導体結晶基板の高密度欠陥領域が、本願補正発明では、低密度欠陥領域内に前記半導体結晶基板面内に周期的に配列されているのに対し、引用発明１では、そのように配列されてはいない点。
　
［相違点３］
　半導体結晶基板の高密度欠陥領域が、本願補正発明では、多結晶、前記低密度欠陥領域に対して微傾斜した単結晶または前記低密度欠陥領域に対してＣ軸が反転している単結晶からなるのに対し、引用発明１では、そのようなものであるかどうか明確でない点。
　
［相違点４］
　半導体結晶基板の裏面に設けられた１対の電極の一方の電極が、本願補正発明では、低密度欠陥領域上に前記高密度欠陥領域と接触しないように設けられるのに対し、引用発明１では、半導体結晶基板の裏面全面すなわち低密度欠陥領域及び高密度欠陥領域とに設けられている点。
　
（３）判断  
　上記相違点につき検討する。
　
ア　［相違点１］について
　本願補正発明の「単結晶からなる低密度欠陥領域」に関して、本願明細書には、次のように記載されている。
（ア）「【００１３】ここで、ＧａＮ単結晶基板の作製方法を説明する。ＧａＮ単結晶の基本的な結晶成長メカニズムは、ファセット面からなる斜面を有して成長し、そのファセット面斜面を維持して、成長することで、転位を伝播させ、所定の位置に転位を集合させる。このファセット面により成長した領域は、転位の移動により、低欠陥領域となる。」
（イ）「【００１７】ＧａＮ単結晶基板の具体的な製造方法としては、次の通りである。まず、ＧａＮ層を成長させる下地基板を用いる。下地基板は、必ずしも特定せず、一般的なサファイア基板でも良いが、後工程で下地基板を除去することを考慮すると、ＧａＡｓ基板等が好ましい。下地基板の上に、例えば、ＳｉＯ２層からなる種を規則的に、例えば周期的に形成する。種の形状は、高密度欠陥領域の配列、形状に従って、ドット状、あるいはストライプ状である。その後、Hydride Vapor Phase Epitaxy(ＨＶＰＥ)にて、ＧａＮを厚膜成長する。成長後、表面には、種のパターン形状に応じた、ファセット面が形成される。例えば、種がドット状のパターンの場合は、ファセット面からなるピットが規則正しく形成され、種がストライプ状の場合は、プリズム状のファセット面が形成される。
【００１８】ＧａＮ層を成長させた後、下地基板を除去し、さらに、ＧａＮの厚膜層を、研削加工、研磨加工して表面を平坦化する。それによって、ＧａＮ基板を製造することができる。ＧａＮ基板の厚さは、自由に設定出来る。この様にして作製された、ＧａＮ基板は、Ｃ面が主面であり、その中に、所定のサイズのドット状あるいはストライプ状の高欠陥密度領域が規則正しく、形成された基板となっている。高欠陥密度領域以外の単結晶領域は、高欠陥密度領域に比べ、転位密度が著しく低い低転位密度領域となっている。」
　
　上記（ア）及び（イ）の記載から、本願補正発明の「単結晶からなる低密度欠陥領域」とは、「サファイア基板等の下地基板の上に、例えば、ＳｉＯ２層からなる種を周期的に形成し、その後、Hydride Vapor Phase Epitaxy(ＨＶＰＥ)にてＧａＮを厚膜成長し、該ＧａＮ層を成長させた後、下地基板を除去し、さらに、該ＧａＮの厚膜層を、研削加工、研磨加工して表面を平坦化して製造されたＧａＮ基板の中に、規則正しく形成された高欠陥密度領域以外の、該高欠陥密度領域に比べ、転位密度が著しく低い低転位密度領域」であると理解される。
　一方、引用発明１の「半導体結晶基板の低密度欠陥領域」（「ｎ−ＧａＮ連続膜半導体層１０２」の「メサストライプ１１０が形成され、素子の上方から観察して隣り合う選択成長マスク１５０のほぼ中央に位置する、『選択成長マスク１５０の直上領域１５２以外の領域』」）も、「サファイア基板１００の上にＧａＮバッファ層１０１を成長させ、次に、ＧａＮバッファ層１０１の表面上に・・・周期的ＳｉＯ２からなる選択成長マスク１５０と選択成長マスク１５１とが互いに直交する形状となるように形成し、続いて、このウェハー上にＨＶＰＥ法により、ｎ−ＧａＮ連続膜半導体層１０２を成長させ」て形成されるものであって、本願補正発明と同様の製造方法、すなわち、サファイア基板の下地基板の上に、ＳｉＯ２層を周期的に形成し、その後、ＨＶＰＥにてＧａＮを厚膜成長させること、により形成されるものといえるから、引用発明１の「半導体結晶基板の低密度欠陥領域」も、本願補正発明の「半導体結晶基板の低密度欠陥領域」と同様、単結晶からなるものということができる。よって、この［相違点１］は実質的な相違点とはいえない。
　
イ　［相違点２］について
　引用発明１は、「結晶欠陥が集中する選択成長マスク１５０の直上領域１５２の部分をスクライブし」て、個々のレーザチップを分割しているが、半導体レーザにおいて、転位の多い領域（高密度欠陥領域）と転位の少ない領域（低密度欠陥領域）とを交互に複数配列させるもの自体は本願出願前に周知であり（例えば、特開２００１−３０８４６２号公報（【０００７】、図７）、特開２００２−９００４号公報（特に、【０１０４】、【０１０９】、図１〜６）、特開２００１−３５２１３３号公報（【００２０】、【００２６】、図１及び図４から、図１に示された半導体レーザの「ｎ側コンタクト層１３」には、「貫通転位Ｍ１」及び「貫通転位Ｍ２」が伝搬されていることが理解できる。））、引用発明１において、個々のレーザチップを分割するスクライブを、半導体結晶基板の高密度欠陥領域が低密度欠陥領域内に周期的に配列するような位置で行い、上記［相違点２］に係る本願補正発明の構成となすことは、当業者が容易になし得ることである。
　
ウ　［相違点３］について
　本願補正発明の「半導体結晶基板の高密度欠陥領域」に関して、本願明細書には、次のように記載されている。
「【００１３】ここで、ＧａＮ単結晶基板の作製方法を説明する。ＧａＮ単結晶の基本的な結晶成長メカニズムは、ファセット面からなる斜面を有して成長し、そのファセット面斜面を維持して、成長することで、転位を伝播させ、所定の位置に転位を集合させる。このファセット面により成長した領域は、転位の移動により、低欠陥領域となる。一方、そのファセット面斜面下部には、明確な境界を持った高密度の欠陥領域を有して成長が行われ、転位は、高密度の欠陥領域の境界あるいはその内部に集合し、ここで消滅あるいは蓄積する。
【００１４】この高密度の欠陥領域の形状によって、ファセット面の形状も異なる。欠陥領域が、ドット状の場合は、そのドットを底として、ファセット面が取り巻き、ファセット面からなるピットを形成する。また、欠陥領域が、ストライプ状の場合は、ストライプを谷底として、その両側にファセット面傾斜面を有し、横に倒した３角形のプリズム状のファセット面となる。
【００１５】この高密度の欠陥領域は、いくつかの状態があり得る。例えば、多結晶からなる場合がある。また、単結晶であるが、周りの低欠陥領域に対して、微傾斜している場合もある。また、周りの低欠陥領域に対して、Ｃ軸が反転している場合もある。こうして、この高密度の欠陥領域は、明確な、境界を有しており、周りと区別される。この高欠陥密度領域を有して成長することにより、その周りの、ファセット面を埋め込むことなく、ファセット面を維持して成長を進行することができる。その後、ＧａＮ成長層の表面を研削、研磨を施すことにより、表面を平坦化し、基板として、使用できる形態とすることができる。
【００１６】この高密度の欠陥領域を形成する方法は、下地基板上に、ＧａＮを結晶成長する際に、高密度欠陥領域を形成する場所に、種を予め形成しておくことにより、発生させることができる。その種としては、種となる微小領域に非晶質、あるいは多結晶の層を形成する。その上から、ＧａＮを成長することで、丁度その種の領域に、高密度の欠陥領域を形成することが出来る。
【００１７】ＧａＮ単結晶基板の具体的な製造方法としては、次の通りである。まず、ＧａＮ層を成長させる下地基板を用いる。下地基板は、必ずしも特定せず、一般的なサファイア基板でも良いが、後工程で下地基板を除去することを考慮すると、ＧａＡｓ基板等が好ましい。下地基板の上に、例えば、ＳｉＯ２層からなる種を規則的に、例えば周期的に形成する。種の形状は、高密度欠陥領域の配列、形状に従って、ドット状、あるいはストライプ状である。その後、Hydride Vapor Phase Epitaxy(ＨＶＰＥ)にて、ＧａＮを厚膜成長する。成長後、表面には、種のパターン形状に応じた、ファセット面が形成される。例えば、種がドット状のパターンの場合は、ファセット面からなるピットが規則正しく形成され、種がストライプ状の場合は、プリズム状のファセット面が形成される。
【００１８】ＧａＮ層を成長させた後、下地基板を除去し、さらに、ＧａＮの厚膜層を、研削加工、研磨加工して表面を平坦化する。それによって、ＧａＮ基板を製造することができる。ＧａＮ基板の厚さは、自由に設定出来る。この様にして作製された、ＧａＮ基板は、Ｃ面が主面であり、その中に、所定のサイズのドット状あるいはストライプ状の高欠陥密度領域が規則正しく、形成された基板となっている。」
　
　以上の記載から、本願補正発明の「多結晶、前記低密度欠陥領域に対して微傾斜した単結晶または前記低密度欠陥領域に対してＣ軸が反転している単結晶からなる『半導体結晶基板の高密度欠陥領域』」は、「サファイア基板等の下地基板の上に、例えば、ＳｉＯ２層からなる種を周期的に形成し、その後、ＨＶＰＥにてＧａＮを厚膜成長し、該ＧａＮ層を成長させた後、下地基板を除去」することにより形成されるものと理解される。
　一方、引用発明１の「半導体結晶基板の高密度欠陥領域」（「選択成長マスク１５０の直上領域１５２」）も、「サファイア基板１００の上にＧａＮバッファ層１０１を成長させ、次に、ＧａＮバッファ層１０１の表面上に・・・周期的ＳｉＯ２からなる選択成長マスク１５０と選択成長マスク１５１とが互いに直交する形状となるように形成し、続いて、このウェハー上にＨＶＰＥ法により、ｎ−ＧａＮ連続膜半導体層１０２を成長させ、・・・サファイア基板１００、ＧａＮバッファ層１０１、選択成長マスク１５０、１５１を完全に除去し」て形成されるものであり、本願補正発明と同様の製造方法、すなわち、サファイア基板の下地基板の上に、ＳｉＯ２層を周期的に形成し、その後、ＨＶＰＥにてＧａＮを厚膜成長させることにより形成されるもの、といえるから、引用発明１の「半導体結晶基板の高密度欠陥領域」も、本願補正発明の「半導体結晶基板の高密度欠陥領域」と同様、「多結晶、前記低密度欠陥領域に対して微傾斜した単結晶または前記低密度欠陥領域に対してＣ軸が反転している単結晶からなる」ものと推認される。よって、この［相違点３］は実質的な相違点とはいえない。
　
エ　［相違点４］について
　引用刊行物２には、上記２（１）で述べたとおり、「・・・ＳｉＯ２マスク上で中心から離れた部分である低転位領域１０４の上部にｐ電極１０５を形成するようにして、活性層内の低転位密度領域に電流が注入され、転位に起因した素子の劣化が起こりにくくなるようにした、青紫色半導体レーザ等の窒化物半導体発光素子」の発明（引用発明２）が記載され、窒化物半導体発光素子において、活性層内の低転位密度領域に電流が注入されるようになし、転位に起因した素子の劣化が起こりにくくなるようにするために、低転位領域部に電極を形成することが示されているところ、引用発明１の「半導体レーザ素子」において、活性層内の低転位密度領域に電流が注入されるようにし、転位に起因した素子の劣化が起こりにくくなるようにするために上記引用発明２を適用し、ｎ型電極を結晶欠陥が集中する選択成長マスク１５０の直上領域１５２と接触しないようにして、上記［相違点４］に係る本願補正発明の構成となすことは、当業者が容易になし得ることである。
　
　そして、本願補正発明によってもたらされる効果は、引用発明１、２及び上記周知技術から予測し得る程度のものである。  
 　  
　したがって、本願補正発明は、引用刊行物１、２記載の発明及び周知技術から当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。  
 　  
（４）むすび  
　以上のとおり、本件補正は、平成１４年法律第２４号による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１９年１２月２５日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１〜１３に記載された事項によって特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明は次のとおりのものである。
　
「半導体結晶基板上に、窒化物系化合物半導体の積層構造を備える窒化物系化合物半導体発光素子であって、
　前記半導体結晶基板は低密度欠陥領域と当該低密度欠陥領域内に前記半導体結晶基板面内に周期的に配列された高密度欠陥領域とからなり、
　前記高密度欠陥領域は前記半導体結晶基板を貫通し、
　前記積層構造及び前記半導体結晶基板を挟む１対の電極が形成され、当該１対の電極の一方の電極は前記半導体結晶基板の裏面の前記低密度欠陥領域上に前記高密度欠陥領域と接触しないように設けられ、他方の電極は前記半導体結晶基板の前記低密度欠陥領域上の前記積層構造上に設けられ、
　前記１対の電極で挟まれた前記積層構造内に活性領域が形成されていることを特徴とする窒化物系化合物半導体発光素子。」（以下「本願発明」という。）
　
２　刊行物記載の発明
　本願の出願前に頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された引用刊行物１、２及び引用発明１、２は、上記第２の２（１）に記載したとおりである。
　
３　対比・判断
　本願発明は、上記第２の２（２）及び（３）で検討した本願補正発明における、「低密度欠陥領域」が「単結晶からなる」との限定を省くとともに、「高欠陥密度領域」が「多結晶、前記低密度欠陥領域に対して微傾斜した単結晶または前記低密度欠陥領域に対してＣ軸が反転している単結晶からな」るとの限定を省いたものである。そうすると、本願発明の発明特定事項をすべて含み、さらに限定を付加したものに相当する本願補正発明が、上記第２の２（２）及び（３）で検討したとおり、引用刊行物１、２に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明することができたものであるから、本願発明も同様の理由により、引用刊行物１、２に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物１、２に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。