【事件の表示】
　特願２００２−　４１７２２「液晶表示素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　８月２７日出願公開、特開２００３−２４１２２６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　
第１　手続の経緯
　
　本願は、平成１４年２月１９日の出願であって、平成１９年６月８日に手続補正がなされ、同年７月９日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年８月１６日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年９月１８日に手続補正がなされたものである。
　
第２　平成１９年９月１８日付けの手続補正についての補正却下の決定
　
〔補正却下の決定の結論〕
　
　平成１９年９月１８日付けの手続補正を却下する。
　
〔理由〕
　平成１９年９月１８日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、発明の名称、特許請求の範囲及び発明の詳細な説明についてするものであって、特許請求の範囲については、平成１９年６月８日付け手続補正後の特許請求の範囲に、
　
「　【請求項１】  対向する２枚の基板間に自発分極を有する液晶物質を有し、該液晶物質に電圧を印加するための電極及び該電極に接続されたスイッチング素子を設けてあり、前記液晶物質は、電圧を印加しない場合にその分子ダイレクタの平均分子軸が略一方向に存在する単安定化された状態を示し、第１の極性の電圧を印加した場合にその平均分子軸が印加電圧の大きさに応じた角度で単安定化した位置から一方の側にチルトし、前記第１の極性と逆特性の第２の極性の電圧を印加した場合にその平均分子軸が単安定化した位置を維持するかまたは単安定化した位置から前記第１の極性の電圧印加時とは逆側にチルトする液晶表示素子において、液晶分子の平均分子軸がコーン角の間であり、前記第１の極性の電圧を印加した場合のチルト角が前記第２の極性の電圧を印加した場合のチルト角より大きく、前記第１の極性の電圧を印加した場合の最大のチルト角が４５°以上であり、前記スイッチング素子のスイッチングにより各画素に蓄えられる最大電荷量をＱ、前記電極の面積をＡ、前記自発分極の単位面積あたりの大きさをＰｓとした場合に、２Ｐｓ・Ａ＞Ｑの関係を満たすことを特徴とする液晶表示素子。
　　【請求項２】  前記第２の極性の電圧を印加した場合の最大のチルト角が１０°以下である請求項１に記載の液晶表示素子。
　　【請求項３】  実際に駆動している際の前記第１の極性の電圧を印加した場合の最大のチルト角が４５°以下である請求項１に記載の液晶表示素子。
　　【請求項４】  前記スイッチング素子のスイッチングにより各画素に蓄えられる最大電荷量が、前記液晶物質の自発分極の完全反転に伴う各画素あたりの反転電流の総電荷量より小さい請求項１〜３のいずれかに記載の液晶表示素子。
　　【請求項５】  前記スイッチング素子の前記液晶物質駆動電極側に蓄積付加容量を具備する請求項１〜４のいずれかに記載の液晶表示素子。
　　【請求項６】  前記液晶物質の光透過率が最大となるときの前記液晶物質への印加電圧をＶとした場合、０〜±Ｖの印加電圧範囲にて前記液晶物質の駆動を行うようにした請求項１〜５のいずれかに記載の液晶表示素子。
　　【請求項７】  前記印加電圧が＋Ｖまたは−Ｖであるときに前記各画素に注入される電荷量をｑとした場合、＋Ｖまたは−Ｖでの前記印加電圧による前記液晶物質の応答によって流れる電流の電荷量がｑ以下である請求項６記載の液晶表示素子。
　　【請求項８】  ３原色を発光する光源を有するバックライトを備えており、前記スイッチング素子のオン／オフ駆動に同期して前記光源の発光色を時分割的に切換えることによって、カラー表示を行うべくなしてある請求項１〜７のいずれかに記載の液晶表示素子。」とあったものを、　
　
「　【請求項１】　対向する２枚の基板間に自発分極を有する単安定型の液晶物質を有し、該液晶物質に電圧を印加するための電極及び該電極に接続されたスイッチング素子を設けてあり、前記液晶物質は、電圧を印加しない場合にその分子ダイレクタの平均分子軸が略一方向に存在する単安定化された状態を示し、第１の極性の電圧を印加した場合にその平均分子軸が印加電圧の大きさに応じた角度で単安定化した位置から一方の側にチルトし、前記第１の極性と逆特性の第２の極性の電圧を印加した場合にその平均分子軸が単安定化した位置を維持するかまたは単安定化した位置から前記第１の極性の電圧印加時とは逆側にチルトするアクティブマトリクス型液晶表示素子の駆動方法において、
　液晶分子の平均分子軸がコーン角の間であり、前記第１の極性の電圧を印加した場合のチルト角が前記第２の極性の電圧を印加した場合のチルト角より大きいときに、前記第１の極性の電圧を印加した場合の最大のチルト角が４５°以上であり、前記スイッチング素子のスイッチングにより各画素に蓄えられる最大電荷量をＱ、前記電極の面積をＡ、前記自発分極の単位面積あたりの大きさをＰｓとした場合に、２Ｐｓ・Ａ＞Ｑの関係を満たすことを特徴とする液晶表示素子の駆動方法。
　　【請求項２】　前記第２の極性の電圧を印加した場合の最大のチルト角が１０°以下である請求項１に記載の液晶表示素子の駆動方法。
　　【請求項３】　実際に駆動している際の前記第１の極性の電圧を印加した場合の最大のチルト角が４５°以下である請求項１に記載の液晶表示素子の駆動方法。
　　【請求項４】　前記スイッチング素子のスイッチングにより各画素に蓄えられる最大電荷量が、前記液晶物質の自発分極の完全反転に伴う各画素あたりの反転電流の総電荷量より小さい請求項１〜３のいずれかに記載の液晶表示素子の駆動方法。
　　【請求項５】　前記スイッチング素子の前記液晶物質駆動電極側に蓄積付加容量を具備する請求項１〜４のいずれかに記載の液晶表示素子の駆動方法。
　　【請求項６】　前記液晶物質の光透過率が最大となるときの前記液晶物質への印加電圧をＶとした場合、０〜±Ｖの印加電圧範囲にて前記液晶物質の駆動を行うようにした請求項１〜５のいずれかに記載の液晶表示素子の駆動方法。
　　【請求項７】　前記印加電圧が＋Ｖまたは−Ｖであるときに前記各画素に注入される電荷量をｑとした場合、＋Ｖまたは−Ｖでの前記印加電圧による前記液晶物質の応答によって流れる電流の電荷量がｑ以下である請求項６記載の液晶表示素子の駆動方法。
　　【請求項８】　３原色を発光する光源を有するバックライトを備えており、前記スイッチング素子のオン／オフ駆動に同期して前記光源の発光色を時分割的に切換えることによって、カラー表示を行うべくなしてある請求項１〜７のいずれかに記載の液晶表示素子の駆動方法。」に補正するものである。
　
　上記請求項１ないし８に係る補正は、いずれも、発明のカテゴリーを「物の発明」から「方法の発明」に変更するものであって、これが平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下「旧特許法」という。）第１７条の２第４項各号に掲げる事項のいずれをも目的としたものでもないことは明らかである。
　
　したがって、本件補正は、旧特許法第１７条の２第４項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
　
１．本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１９年６月８日付けの手続補正により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜８に記載された事項によって特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記「第２　〔理由〕」に本件補正前の請求項１として記載のとおりのものである。
　
２．刊行物記載の発明
　
（１）原査定の拒絶の理由に引用された本願出願前に頒布された刊行物である特開２００１−１３３７５１号公報（以下「引用例１」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
　
ア　「【０００５】・・・・（略）・・・・また、安定状態が一つの強誘電性液晶とアクティブ素子とを組み合わせたカイラルスメクチック液晶素子も提案されている（特許第２６８１５２８号）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】アクティブ素子を組み合わせたカイラルスメクチック液晶素子においては、長時間駆動において液晶の焼き付きや配向状態の変化を生じ、表示特性が劣化するという問題があった。
【０００７】本発明の目的は、上記問題を解決し、アクティブマトリクスタイプのカイラルスメクチック液晶素子において長時間安定して良好な階調表示を実現することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、対向する一対の基板と、該基板間に挟持されたカイラルスメクチック液晶と、画素毎に配置されたアクティブ素子と、該アクティブ素子を介して液晶をマトリクス駆動するための電極と、を備え、電圧無印加時の安定状態が一つである液晶素子の駆動方法であって、実駆動時の最大チルト角が上記液晶の飽和チルト角未満である範囲でのみ駆動することを特徴とする液晶素子の駆動方法である。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明者等のこれまでのカイラルスメクチック液晶の検討によれば、液晶の焼き付きは基板界面近傍の液晶分子がオン・オフ時に反転する配向モードにおいて著しく観測された。これはドメインウォールの反転（ドメイン反転）を伴ったスイッチング、即ち基板側から観察すると、白領域と黒領域とが、境界線（ウォール）を境に区分された状態で、白黒いずれかの領域が広くなったり狭くなったりするスイッチングであり、特にここでは図７に示すような表面転傾を伴った反転を意味している。電圧無印加時の安定状態が１状態のみの単安定液晶素子においても、過度の電圧を印加することで基板との界面付近まで液晶の反転が行われてしまい、焼き付きの原因を作ってしまう。」
　
イ　「【００１２】本発明者等は、液晶のチルト角が飽和チルト角の９５％を超えるような高電圧の場合に上記現象が著しくなることを見出し、本発明を達成した。即ち、本発明においては、実駆動時の最大チルト角が液晶の飽和チルト角未満、好ましくは９５％以下となる範囲で駆動することにより、液晶への過度の電界印加を防止し、焼き付きや層構造の変形を防止して安定した表示を実現したのである。尚、ここでいう飽和チルト角とは電圧無印加時の分子位置と、電圧印加時の分子位置とのなす角（これをチルト角とする）の最大値を表す。
【００１３】本発明において最大チルト角が飽和チルト角未満とする場合とは、即ち液晶素子を駆動、言いかえれば実駆動させる場合に行われるものである。実駆動させる場合とは、例えば液晶素子をユーザーが表示装置として本発明の液晶素子を用いている場合のことである。
【００１４】また、この液晶素子を有する表示装置には、最大チルト角を飽和チルト角未満で駆動させる場合に、特別な制御手段が必ずしも設けられなくても良い。本発明の液晶素子は、液晶分子が飽和チルト角にまで動かない環境に設定されたものである。
【００１５】さらには、液晶分子のコーンを幅広にできるような工夫をすることで、液晶分子を飽和チルト角にまで動かさなくても十分輝度を稼ぐことができる。
【００１６】以下に本発明により駆動する液晶素子について説明する。
【００１７】本発明にかかる液晶素子は、電圧無印加時の安定状態が一つである（単安定）カイラルスメクチック液晶素子である。図１にその一例の断面模式図を、図２に該液晶素子に周辺駆動回路を組み込んだ状態のアクティブマトリクス基板の平面模式図を示す。図中、１１，１２は基板、１３は画素電極、１４はＴＦＴ、１６は共通電極、１５，１７は配向制御層、１８は液晶層、１９はスペーサー、２０はシール材、２１は走査信号線ドライバ、２２は情報信号線ドライバ、２３は走査信号線、２４は走査信号線端部、２５は情報信号線、２６は情報信号線端部である。
【００１８】本発明にかかる液晶素子は、一対の基板１１，１２間に液晶層１８を挟持してなる。基板１１側はアクティブマトリクス基板であり、基板１２側は対向基板である。基板１１，１２は通常ガラスやプラスチック等の透明基板が用いられるが、反射型の液晶素子を構成する場合には、基板１１をシリコン基板等で構成する場合もある。基板１１上には、透明な画素電極１３と該画素電極１３に接続されたアクティブ素子とがマトリクス状に形成されている。本実施形態においてはアクティブ素子としてＴＦＴ１４が用いられている。アクティブ素子として好適なトランジスタとしては、アモルファスシリコンベース、ポリシリコンタイプ、或いはマイクロクリスタルシリコンベース、単結晶シリコン等の半導体が用いられる。ＴＦＴは通常、基板上に形成されたゲート電極と、該ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜の上に形成された半導体層と、該半導体層の上に形成されたソース電極及びドレイン電極とから構成される。
・・・・（略）・・・・。
【００２５】液晶層１８に用いるカイラルスメクチック液晶等の液晶としては、素子に組み込んだ際に電圧無印加で一つの安定状態を示すものであれば特に限定されない。例えば、強誘電性液晶や反強誘電性液晶が好ましく用いられる。好ましくは、駆動時の最大チルト角が４５°となるよう、飽和チルト角が４５°以上の液晶を用いる。
・・・・（略）・・・・
【００２８】また、電圧無印加の時には単安定化された第一の配向状態で第一の透過率を示し、所定の電圧値±Ｖ０を印加した場合には、印加した電圧の極性に応じて得られる透過率が異なるような片側Ｖ字型応答特性を示す液晶素子も本発明においては好ましく適用される。尚、上記の片側Ｖ字型応答特性を示す液晶素子において、一の極性の電圧を印加した際に得られる最大透過率の値Ｔ２と他の極性の電圧を印加した際に得られる最大透過率の値Ｔ３との関係は、Ｔ２≧５×Ｔ３であることが好ましい。また、Ｔ３が実質的にゼロであることも好ましい。
【００２９】尚、片側Ｖ字型応答特性を示す液晶においては、図１４（ｂ）に示すように、電圧無印加時には液晶分子はコーンの片側のエッジ近傍に位置し、一の極性の電圧印加時にはＰ＋に、他の極性の電圧印加時にはＰ−にチルトする。この時Ｐ０とＰ＋もしくはＰ０とＰ−との間の角度の最大値は異なる値を示す。よって、片側Ｖ字応答を示す液晶における飽和チルト角は、例えば図１４（ｂ）に示す液晶においてはＰ０とＰ＋との間の角度の最大値をもって飽和チルト角を示すものとする。また、図１４（ｂ）においては電圧無印加時の液晶分子がコーンの片側エッジ近傍に位置し、他の極性の電圧印加時にＰ−にチルトする例を図示しているが、電圧無印加時の分子位置Ｐ０と他の極性の電圧印加時の分子位置Ｐ−が一致しても（他の極性の電圧印加によって分子がチルトしない）かまわない。」
　
ウ　「【００４７】（実施例３）下記液晶性化合物を混合して液晶組成物ＬＣ−１を調整した。構造式に併記した数値は混合の際の重合比率を示す。
【００４８】
・・・・（略）・・・・
【００５０】上記液晶組成物ＬＣ−１の物性パラメータを以下に示す。
【００５１】
・・・・（略）・・・・
Ｐｓ（３０℃）：４．４ｎＣ／ｃｍ２コーン角（３０℃）：５４．８°
【００５２】〔液晶セルの作製〕厚さ１．１ｍｍの液晶素子用ガラス基板２枚を用意し、それぞれ透明電極としてＩＴＯ膜を厚さ１２００Åに形成した。その後、該ガラス基板のＩＴＯ膜上にＴＦＴ用ポリイミド配向膜（日産化学社製「ＳＥ−７９９２」）を厚さ５００Åとなるようにスピンナー塗布し、８０℃で５分間の前乾燥を行った後、２００℃で１時間加熱焼成を施し、ポリイミド膜を形成した。続いて、当該ガラス基板上のポリイミド膜に対しては一軸配向処理としてナイロン布によるラビング処理を施した。ラビングの条件は、直径１０ｃｍのロールにナイロン（帝人社製「ＮＦ−７７」）を貼り合わせたラビングロールを用い、押し込み量０．３ｍｍ、送り速度１０ｃｍ／ｓｅｃ、回転数１０００ｒｐｍ、送り回数４回とした。続いて、上記基板の一方に平均粒径が約１．５μｍのビーズスペーサーを分散し、ラビング方向が上下基板で互いに反平行となるように対向させて貼り合わせ、均一なセルギャップのセルを得た。
【００５３】上記のプロセスで作製したセルに液晶組成物ＬＣ−１をＣｈ相の温度で注入し、液晶をカイラルスメクチック液晶相を示す温度まで冷却速度１℃／ｍｉｎで冷却し、この冷却の際、Ｃｈ−ＳｍＣ*相転移前後±２℃において、−２Ｖのオフセット電圧（直流）を印加して冷却を行う処理を施し、液晶セルＢ−１、Ｂ−２を作製した。
【００５４】この液晶セルＢ−１、Ｂ−２の液晶の配向状態について偏光顕微鏡観察を行った。その結果、室温（３０℃）では、電圧無印加で最暗軸がラビング方向と若干ずれた状態であり、且つ、層法線方向がセル全体で一方向しかないほぼ均一な配向状態であった。
【００５５】次に、液晶素子が示す電気光学応答を測定するために、液晶セルＢ−１、Ｂ−２についてそれぞれセルをクロスニコル下の偏光顕微鏡に、電圧無印加状態で最暗状態となるように配置した。これに３０℃で±６Ｖ、０．２Ｈｚの三角波を印加した際の光学応答を観測すると、正極性の電圧印加に対しては、印加電圧の大きさに応じて徐々に透過率が増加していった。一方、負極性の電圧印加の際の光学応答の様子は、電圧レベルに対して透過率が変化しているものの、その最大光量は、正極性電圧印加の際の最大透過率と比較すると、１／１０以下であった。結果を図１１に示す。
【００５６】上記液晶の電圧無印加時の平均分子位置は片側のコーンエッジから約３°内側に位置していた。従って、この液晶素子における飽和チルト角は５１．８°となる（コーン角５４．８°からコーンエッジからの角度３°を引いた値）。
【００５７】上液晶セルＢ−１を用いて実施例１と同様に図５に示すアクティブマトリクス液晶素子を構成した。図中５１は単結晶シリコントランジスタ（オン抵抗：５０Ω）、５２は上記液晶セルＢ−１（面積：０．９ｃｍ２）、５３は保持容量でセラミックコンデンサ（容量：２ｎＦ）を用いた。
【００５８】上記素子に走査信号線２３から選択期間（ゲートオン期間）が３０μｓｅｃとなるようなゲート信号（走査信号）を与え、情報信号線２５からは情報信号ＶＯＰを与えた。
【００５９】上記ＶＯＰの最大値をチルト角が飽和チルト角の８７％（４５°）となる６Ｖとし、５００時間当該電圧値を印加する耐久駆動試験を行った後、Ｖ−Ｔ特性を測定した。また、上記液晶セルＢ−２を電圧無印加の状態で５００時間保持した後にＶ−Ｔ特性を測定し、耐久駆動試験後のＶ−Ｔ特性と比較したところ、透過率の差は最大でも４．５％であった。正極性の電圧印加時のＶ−Ｔ特性の結果を図１２に示す。
【００６０】
・・・・（略）・・・・
【００６１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、長時間駆動においても焼き付きや配向状態変化による表示特性の劣化が改善され、長時間安定して良好なアナログ階調表示が実現する。」
　
エ　図１１から、実施例３の液晶セルＢ−１における印加電圧（Ｖ）と光透過率（Ｔ）の関係として、正極性の電圧印加に対しては、１Ｖ付近から３Ｖ付近にかけての低電圧域では電圧印加の増加により透過光強度が線形に近い状態で大きくなっており、それより高電圧域では電圧印加の増加による透過光強度の変化の割合が小さくなる印加電圧と光透過率の関係が見てとれる。
　
オ　上記アないしエから、引用例１には、
　
「対向する一対の基板と、該基板間に挟持されたカイラルスメクチック液晶と、画素毎に配置されたアクティブ素子と、該アクティブ素子を介して液晶をマトリクス駆動するための電極と、を備え、
　前記カイラルスメクチック液晶としては、そのコーン角が５４．８°であり、電圧無印加時の平均分子位置は安定状態で第１のコーンエッジＰ−から約３°内側の位置Ｐ０に位置しており、正極性の電圧印加時の平均分子位置は最大で第２のコーンエッジＰ＋まで移動し、負極性の電圧印加時の平均分子位置は最大で前記第１のコーンエッジＰ−まで移動し、前記Ｐ０と前記Ｐ＋との間の角度の最大値である飽和チルト角が５１．８°の強誘電性液晶が用いられ、
　電圧無印加状態で最暗状態となるようになし、
　電圧無印加時の安定状態が一つである液晶素子において、
　情報信号ＶＯＰの最大値をチルト角が飽和チルト角の８７％（４５°）となる６Ｖとして、実駆動時の最大チルト角が前記飽和チルト角未満である範囲でのみ駆動し、
　正極性の電圧印加に対しては、印加電圧の大きさに応じて徐々に透過率が増加し、低電圧域では電圧印加の増加により透過光強度が線形に近い状態で大きくなっており、高電圧域では電圧印加の増加による透過光強度の変化の割合が小さくなる印加電圧と光透過率の関係を有し、負極性の電圧印加の際は、電圧レベルに対して透過率が変化しているものの、その最大光量は、正極性の電圧印加の際の最大透過率と比較すると、１／１０以下であり、
　良好なアナログ階調表示を実現する液晶素子。」の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されているものと認められる。
　
（２）原査定の拒絶の理由に引用された本願出願前に頒布された刊行物である特開平５−１０７５４１号公報（以下「引用例２」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
　
ア　「【請求項１】  電圧印加によって液晶のダイレクタの傾きを連続的に変化させて透過光強度を変化させる液晶表示素子と、
上記液晶表示素子に対し、三原色の各光を継時的に切り換え照射させるバックライトとを有して成ることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】  上記請求項１に記載の液晶表示装置において、
液晶表示素子が、
一軸配向処理が施された一対の第１及び第２の基板が、配向処理方向が互いにほぼ平行となるように対向配置されるとともに、これら基板間にカイラルスメクティックＣ相を有する液晶材料が充填されてなり、上記カイラルスメクティックＣ相を有する液晶材料の液晶分子が描くコーンの軸方向の基板への投影成分及び液晶分子自身の分子軸方向の基板への投影成分がそれぞれ基板の配向処理方向と同一とされ、この状態が初期状態として単安定化されて成る構成が採られ、各画素に対応してスイッチング素子が設けられたアクティブマトリクス駆動が行われるようにしたことを特徴とする液晶表示装置。」
　
イ　「【００８５】モノドメイン化した液晶セルでは、コントラスト比８１が達成され、またアナログ階調性は、図１５に示すように低電圧域で線形性の良好なものであった。このように、モノドメイン化することにより、低電圧（４Ｖ以下）駆動で高コントラスト、応答時間１ミリ秒前後の特性を有するアナログ階調表示デバイスが実現された。
【００８６】以上の説明からも明らかなように、カイラルスメクチックＣ相を有する液晶材料を用いた液晶表示素子ではアナログ階調表示が可能であり、また優れた高速応答性をも得ていることから、完全なフレーム表示、フィールド表示が可能となり、特に液晶材料をモノドメイン化することにより、コントラスト比を大幅に向上することができ、また低電圧域でのアナログ階調の線形性を著しく改善することができるものである。
【００８７】またこの場合、カイラルスメクチックＣ相のピッチ長の長いものにも適用でき、液晶分子の配向が容易であって、量産性に非常に有利である。更にまた、駆動波形として電気的中性条件を保ったもので使用でき、またこの駆動波形はＴＮ型ＴＦＴディスプレイの場合と同様であることから、ＴＦＴアクティブマトリクス駆動による振幅変調により高速アナログ階調表示を達成することが可能である。」
　
ウ　上記イを踏まえて図１５をみると、モノドメイン化した液晶セルにおける印加電圧と光透過率の関係として、４Ｖ以下の低電圧域では線形性が良好で電圧印加の増加による透過光強度の変化の割合が大きく、それより高電圧域では電圧印加の増加による透過光強度の変化の割合が小さくなる印加電圧と光透過率の関係が見てとれる。
　
エ　上記アないしウから、引用例２には、
「電圧印加によって液晶のダイレクタの傾きを連続的に変化させて透過光強度を変化させるようにした液晶表示素子と、上記液晶表示素子に対し、三原色の各光を継時的に切り換え照射させるバックライトとを有して成る液晶表示装置において、前記液晶表示素子として、低電圧域では線形性が良好で電圧印加の増加による透過光強度の変化の割合が大きく、高電圧域では電圧印加の増加による透過光強度の変化の割合が小さくなる印加電圧と光透過率の関係を有する液晶セルを用い、各画素に対応してスイッチング素子が設けられたＴＦＴアクティブマトリクス駆動による低電圧駆動での振幅変調により高コントラストで線形性が良好な高速アナログ階調表示を達成する液晶表示装置。」の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されているものと認められる。
　
３．対比　
　本願発明と引用発明１とを対比する。
（１）引用発明１の「対向する一対の基板」、「『強誘電性液晶』である『カイラルスメクチック液晶』」、「基板間に挟持」、「アクティブ素子を介して液晶をマトリクス駆動するための電極」、「画素毎に配置されたアクティブ素子」、「備え」、「液晶素子」、「コーン角」、「正極性の電圧印加」、「負極性の電圧印加」、「第２のコーンエッジＰ＋まで移動し」、「第１のコーンエッジＰ−まで移動し」及び「前記Ｐ０と前記Ｐ＋との間の角度の最大値である飽和チルト角」は、それぞれ、本願発明の「対向する２枚の基板」、「自発分極を有する液晶物質」、「『基板間に』『有し』」、「該液晶物質に電圧を印加するための電極」、「電極に接続されたスイッチング素子」、「設け」、「液晶表示素子」、「コーン角」、「第１の極性の電圧を印加」、「第１の極性と逆特性の第２の極性の電圧を印加」、「単安定化した位置から一方の側にチルト」、「第１の極性の電圧印加時とは逆側にチルトする」及び「第１の極性の電圧を印加した場合の最大のチルト角」に相当する。
（２）上記（１）に照らせば、引用発明１の「液晶表示素子（液晶素子）」は、「対向する２枚の基板」間に、「自発分極を有する液晶物質」を「有」し、「該液晶物質に電圧を印加するための電極」及び「該電極に接続されたスイッチング素子」を「設け」ているから、「対向する２枚の基板間に自発分極を有する液晶物質を有し、該液晶物質に電圧を印加するための電極及び該電極に接続されたスイッチング素子を設けてあ」るとの点で本願発明の「液晶表示素子」と一致する。
（３）引用発明１の「液晶物質」は、「電圧無印加時の平均分子位置は安定状態で第１のコーンエッジＰ−から約３°内側の位置Ｐ０に位置しており」、「電圧無印加時の安定状態が一つである」から、本願発明の「液晶物質」の「電圧を印加しない場合にその分子ダイレクタの平均分子軸が略一方向に存在する単安定化された状態を示し」との事項を備えているといえる。
（４）引用発明１の「液晶物質」は、「電圧無印加時の平均分子位置は安定状態で第１のコーンエッジＰ−から約３°内側の位置Ｐ０に位置しており、正極性の電圧印加時の平均分子位置は最大で第２のコーンエッジＰ＋まで移動し、負極性の電圧印加時の平均分子位置は最大で前記第１のコーンエッジＰ−まで移動し、前記Ｐ０と前記Ｐ＋との間の角度の最大値である飽和チルト角が５１．８°」であるから、「第１の極性の電圧を印加した場合にその平均分子軸が単安定化した位置から一方の側にチルトし、前記第１の極性と逆特性の第２の極性の電圧を印加した場合にその平均分子軸が単安定化した位置から前記第１の極性の電圧印加時とは逆側にチルトする」点で、本願発明の「液晶物質」と一致する。
　また、引用発明１の「液晶表示素子」が、「正極性の電圧印加に対しては、印加電圧の大きさに応じて徐々に透過率が増加」することから、引用発明１の「液晶物質」は、第１の極性の電圧を印加した場合に「その平均分子軸が印加電圧の大きさに応じた角度で」チルトすることが明らかである。
　よって、引用発明１の「液晶物質」は、第１の極性の電圧を印加した場合に「その平均分子軸が印加電圧の大きさに応じた角度で」単安定化した位置から一方の側にチルトする点でも本願発明の「液晶物質」と一致する。
（５）引用発明１の「液晶物質」は、そのコーン角は５４．８°であり、正極性の電圧印加時の平均分子位置は最大でも第２のコーンエッジＰ＋まで、負極性の電圧印加時の平均分子位置は最大でも前記第１のコーンエッジＰ−までしか移動しないのであるから、「液晶分子の平均分子軸がコーン角の間であ」ることは明らかであり、この点で、本願発明の「液晶物質」と一致する。
（６）引用発明１の「液晶物質」は、「第１の極性の電圧を印加した場合に、その平均分子軸が印加電圧の大きさに応じた角度で、単安定化した位置から一方の側にチルトする」ものであって（上記（４）参照。）、「第１の極性の電圧印加時の平均分子位置は最大で第２のコーンエッジＰ＋まで移動し、第１の極性とは逆の第２の極性の電圧印加時の平均分子位置は最大で前記第１のコーンエッジＰ−まで移動」するものであり、かつ、電圧無印加時の平均分子位置Ｐ０から、第２のコーンエッジＰ＋までは「５１．８°」で大きく、第１のコーンエッジＰ−までは「約３°」しかないのであるから、引用発明１の「液晶物質」に第１の極性の電圧を印加した場合のチルト角が第２の極性の電圧を印加した場合のチルト角より大きいことが明らかである。
　よって、引用発明１の「液晶物質」と本願発明の「液晶物質」とは「前記第１の極性の電圧を印加した場合のチルト角が前記第２の極性の電圧を印加した場合のチルト角より大き」い点でも一致している。
（７）引用発明１の「液晶物質」は、電圧無印加時にＰ０に位置していた平均分子位置が、第１の極性の電圧印加時に最大で第２のコーンエッジＰ＋まで移動するものであって、前記Ｐ０と前記Ｐ＋との間の角度の最大値である飽和チルト角は「５１．８°」であるから、引用発明１は、本願発明の「前記第１の極性の電圧を印加した場合の最大のチルト角が４５°以上であり」との事項を備えている。
（８）上記（１）ないし（７）から、本願発明と引用発明１とは、
「対向する２枚の基板間に自発分極を有する液晶物質を有し、該液晶物質に電圧を印加するための電極及び該電極に接続されたスイッチング素子を設けてあり、前記液晶物質は、電圧を印加しない場合にその分子ダイレクタの平均分子軸が略一方向に存在する単安定化された状態を示し、第１の極性の電圧を印加した場合にその平均分子軸が印加電圧の大きさに応じた角度で単安定化した位置から一方の側にチルトし、前記第１の極性と逆特性の第２の極性の電圧を印加した場合にその平均分子軸が単安定化した位置から前記第１の極性の電圧印加時とは逆側にチルトする液晶表示素子において、液晶分子の平均分子軸がコーン角の間であり、前記第１の極性の電圧を印加した場合のチルト角が前記第２の極性の電圧を印加した場合のチルト角より大きく、前記第１の極性の電圧を印加した場合の最大のチルト角が４５°以上である液晶表示素子。」である点で一致し、次の点で相違している。
　
相違点：
　本願発明においては、「前記スイッチング素子のスイッチングにより各画素に蓄えられる最大電荷量をＱ、前記電極の面積をＡ、前記自発分極の単位面積あたりの大きさをＰｓとした場合に、２Ｐｓ・Ａ＞Ｑの関係を満たす」のに対して、引用発明１はそのような関係を満たすか不明である点。
　
４．判断
　上記相違点について検討する。
（１）本願明細書（平成１９年６月８日付け手続補正後のもの）には、次の記載がある。
　「【００１３】
　第１発明にあっては、図１４に示すように、自発分極を有する液晶物質は、電圧を印加しない場合に液晶分子ダイレクタの平均分子軸が略一方向に存在する（言い換えると液晶分子の長軸方向が略一方向である）単安定化された状態を示し（図１４（ａ））、第１の極性の電圧を印加した場合にその平均分子軸が印加電圧の大きさに応じた角度で単安定化した位置から一方の側にチルトし（図１４（ｂ））、第１の極性と逆特性の第２の極性の電圧を印加した場合にその平均分子軸が単安定化した位置を維持するかまたは単安定化した位置から他方の側にチルトし（図１４（ｃ））、第１の極性の電圧を印加したときのチルト角が第２の極性の電圧を印加したときのチルト角より大きくて、第１の極性の電圧を印加したときの最大のチルト角を４５°以上としている。光透過率Ｔは、第１の極性の電圧を印加したときのチルト角θに依存し、下記（１）の条件を満たす。但し、ｋは比例定数である。
　　　Ｔ＝ｋ・ｓｉｎ２２θ　　　　…（１）
よって、チルト角θを４５°以上とすることにより、高い光透過率が得られる。
　第１の極性の電圧を印加した場合の最大のチルト角を４５°以上にすることにより、図１５に示すような印加電圧−透過光強度の関係において、チルト角θ＝４５°における極大値が存在する。よって、高い光透過率を実現できる。
　また、第１発明にあっては、２Ｐｓ・Ａ＞Ｑの関係を満たしている。従来では、自発分極の大きさＰｓが２Ｐｓ・Ａ≦Ｑの条件を満たすように液晶物質等を設計し、電圧印加によって自発分極が完全に反転するように液晶物質を駆動していた。本発明者等は、自発分極を有する液晶物質、特に強誘電性液晶のＴＦＴ駆動による挙動を詳細に検討した結果、上記条件とは逆となる、スイッチング素子のスイッチングにより各画素に注入される最大電荷量が液晶物質の自発分極の完全反転に伴う反転電流の総電荷量より小さくなる条件、つまり２Ｐｓ・Ａ＞Ｑの条件でも、ＴＦＴによる強誘電性液晶の駆動が可能であることを知見した。
　そこで、第１発明にあっては、２Ｐｓ・Ａ＞Ｑの条件を満たすように、液晶物質等の設計を行い、自発分極を大きくすることにより応答性の向上を図る。また、自発分極を完全反転させない範囲で表示を行うことにより、自発分極のスイッチングの終わり近傍での電圧印加の増加による透過光強度の変化の割合が小さくなる部分を表示に利用しないようにして、印加電圧の低減化を図る。この際、２Ｐｓ・Ａ≦Ｑを満たして液晶物質の最大のチルト角を４５°とした従来の液晶表示素子に比べて、２Ｐｓ・Ａ＞Ｑを満たして液晶物質の最大のチルト角を４５°以上とした本発明の液晶表示素子では、自発分極のスイッチングの終わり近傍での電圧印加の増加による透過光強度の変化の割合が小さくなる部分を表示に利用しないので、印加電圧の低減化を図れる。」
（２）上記（１）からみて、本願発明における「前記スイッチング素子のスイッチングにより各画素に蓄えられる最大電荷量をＱ、前記電極の面積をＡ、前記自発分極の単位面積あたりの大きさをＰｓとした場合に、２Ｐｓ・Ａ＞Ｑの関係を満たす」との発明特定事項は、「第１の極性の電圧を印加した場合の最大のチルト角が４５°以上であり」との発明特定事項により、チルト角θ＝４５°に存在する光透過率の極大値まで表示に利用できるようにしたうえで、自発分極を大きくすることにより応答性の向上を図るとともに、あえて、チルト角θ＝４５°近傍の電圧印加の増加による透過光強度の変化の割合が小さくなる部分を表示に利用せず、印加電圧の低減化を図ったものと解される。
（３）しかるところ、引用例２には、「電圧印加によって液晶のダイレクタの傾きを連続的に変化させて透過光強度を変化させるようにした液晶表示素子と、上記液晶表示素子に対し、三原色の各光を継時的に切り換え照射させるバックライトとを有して成る液晶表示装置において、前記液晶表示素子として、低電圧域では線形性が良好で電圧印加の増加による透過光強度の変化の割合が大きく、高電圧域では電圧印加の増加による透過光強度の変化の割合が小さくなる印加電圧と光透過率の関係を有する液晶セルを用い、各画素に対応してスイッチング素子が設けられたＴＦＴアクティブマトリクス駆動による低電圧駆動での振幅変調により高コントラストで線形性が良好な高速アナログ階調表示を達成する液晶表示装置。」である引用発明２が記載されており、引用発明１の第１の極性の電圧を印加した場合の印加電圧と光透過率の関係も、引用発明２と同様に「印加電圧の大きさに応じて徐々に透過率が増加し、低電圧域では電圧印加の増加により透過光強度が線形に近い状態で大きくなっており、高電圧域では電圧印加の増加による透過光強度の変化の割合が小さくなる」関係であるから、引用発明１においても引用発明２と同様に、低電圧駆動での振幅変調により高コントラストで線形性が良好な高速アナログ階調表示を達成するようになすことは当業者が引用発明２に基づいて容易に想到することができた程度のことである。
（４）引用発明１を上記（３）のように低電圧駆動とした場合、スイッチング素子のスイッチングにより各画素に蓄えられる最大電荷量Ｑは、駆動電圧の上限が小さくされることから、駆動電圧として高電圧域までも使う場合よりも小さな値になることは明らかであるが、その最大電荷量Ｑ、液晶の自発分極の単位面積あたりの大きさＰｓ及び電極の面積Ａをどの程度の値にするかは設計上の事項であるところ、それらの値が２Ｐｓ・Ａ＞Ｑの関係を満たすことの技術上の意義は、引用発明１が有する技術上の意義、引用発明２が有する技術上の意義及び設計事項以上の格別のものとは認められないから、前記最大電荷量Ｑの値を「２Ｐｓ・Ａ」未満となす点は、当業者が適宜なし得た設計上の事項にすぎない。
（５）したがって、引用発明１において、上記相違点に係る本願発明の構成となすことは、引用発明２に基づいて当業者が容易に想到することができた程度のことである。
（６）また、本願発明の奏する効果は、引用発明１の奏する効果及び引用発明２の奏する効果から、当業者が予測可能なことである。
　
５．むすび
　したがって、本願発明は、引用例１に記載された発明及び引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。