【事件の表示】
　平成１０年特許願第２４５４００号「液晶表示装置及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　５月２１日出願公開、特開平１１−１３３４５０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本願は、平成１０年８月３１日（パリ条約による優先権主張１９９７年９月５日、大韓民国）の出願であって、平成１９年６月７日に手続補正がなされ、その後同年７月９日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１０月１５日に拒絶査定不服審判請求がなされるとともに同年１１月１３日に手続補正がなされたものである。
　
　
　
ＩＩ．平成１９年１１月１３日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１９年１１月１３日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
１．補正の内容  
　本件補正は、本件補正前の請求項１を、以下のように補正することを含むものである。  
「【請求項１】
　基板上にダミードレイン電極を形成し、
　前記ダミードレイン電極上に絶縁物質を蒸着し、
　前記絶縁物質をパターニングして前記ダミードレイン電極を露出させるゲート絶縁層を形成し、
　前記ダミードレイン電極に接触するドレイン電極を形成する段階と、
　前記基板を覆う有機絶縁物質から成る保護層を形成し、
前記ドレイン電極及び前記ダミードレイン電極を露出させるドレインコンタクトホールを形成し、
　前記保護層上に前記ドレインコンタクトホールを通して前記ドレイン電極及び前記ダミードレイン電極に接触する画素電極を形成する段階とを含み、
　前記ドレイン電極は前記ダミードレイン電極を完全に覆うように形成されることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。」
 　 
 　 
２．新規事項
　上記本件補正の内容は、補正前の請求項１において「前記ドレイン電極は前記ダミードレイン電極を覆うように形成される」際に、ドレイン電極がダミードレイン電極を「完全に」覆うことを追加すること（以下「本件補正事項」という。）を含むものである。 
 　 
　この点について検討する。
　上記本件補正事項に関して、願書に最初に添付した明細書または図面（以下「当初明細書等」という。）には、以下の記載がある。
　
ア　「【特許請求の範囲】
　【請求項１】・・・前記ダミードレイン電極に接触するドレイン電極を形成する段階・・・。」 
　
イ　「【請求項９】
　・・・前記ダミードレイン電極を覆うドレイン電極と、・・・。」
　
ウ　「【請求項１７】
　・・・前記ダミー電極に接触するドレイン電極と、・・・。」
　
エ　「【請求項２４】
　・・・前記ダミー電極に接触するドレイン電極を形成し、・・・。」
　
オ　「【００２２】
　・・・前記ダミードレイン電極に接触するドレイン電極を形成する段階と・・・。」
　
カ　「【００２３】
　・・・前記基板上に形成されたダミードレイン電極と、前記ダミードレイン電極を覆うドレイン電極と、・・・。」
　
キ　「【００２４】
　・・・前記ダミー電極に接触するドレイン電極と、・・・」
　
ク　「【００２５】」
　・・・前記ダミー電極と接触するドレイン電極を形成する段階・・・。
　
ケ　「【００２８】
　図１２に示すように、前記基板１０１及び前記低抵抗ゲート配線１１３ａ上にクローム(Ｃｒ)、モリブデン(Ｍｏ)、タンタル(Ｔａ)、又はアンチモン(Ｓｂ)の中の一つを含む金属層を蒸着する（図示せず）。前記金属層を第２マスク工程でパターンしてゲート電極１１１、ゲート配線１１３、そしてダミードレイン電極１３９を形成する。・・・（略）・・・。前記ダミードレイン電極１３９は、今後に形成されるドレイン電極の位置に形成されている。
　【００２９】
　図１３に示すように、前記基板１０１及び前記ゲート配線１１３上に窒化シリコン、又は酸化シリコンのような第１無機物質を蒸着してゲート絶縁層１１７を形成する。その上に純粋アモルファスシリコンのような真性半導体物質と、不純物が添加されたアモルファスシリコンのような不純物半導体物質を連続に蒸着する。そして、第３マスク工程で前記真性、不純物半導体物質をパターンして半導体層133及び不純物半導体層１３５を形成する。前記ダミードレイン電極１３９を完全に露出させる。・・・（略）・・・。
　【００３０】
　図１４に示すように、前記基板１０１及び前記不純物半導体層１３５上にクローム層を蒸着する。第４マスク工程で前記クローム層をパターンしてソース電極１２１、ドレイン電極１３１、補助容量電極１５１及びソース配線１２３を形成する。・・・（略）・・・。前記ドレイン電極１３１は、前記ソース電極１２１と対向し、前記ゲート電極１１１の他方に重畳されて前記ダミードレイン電極１３９を覆っている。・・・（略）・・・。
　【００３１】
　全基板上にＢＣＢ(BenzoCycloButene)のような有機絶縁物質を塗布して保護層１３７を形成する。第５マスク工程で前記保護層１３７をパターンしてドレインコンタクトホール１７１及び補助容量コンタクトホール１８１を形成する。前記ドレインコンタクトホール１７１は前記ドレイン電極１３１の表面の一部を露出させ、前記補助容量コンタクトホール１８１は前記補助容量電極１５１の表面の一部を露出させる。前記ドレインコンタクトホール１７１が形成される時、前記ドレイン電極１３１は、前記保護層１３７のエッチングに使用されるエッチャントによってエッチングされる場合があるため、前記ドレイン電極１３１のエッチングされた面だけ露出させる。図１５に示すように、前記ダミードレイン電極１３９の表面も露出される。
　【００３２】
　前記保護層１３７上にＩＴＯ(Indium Tin Oxide)層を蒸着し、第６マスク工程でパターンして画素電極１４１を形成する。前記画素電極１４１は、前記ドレイン電極１３１と連結され、又前記ドレインコンタクトホール１７１を通して前記ダミードレイン電極１３９に連結されている。・・・（略）・・・。
　【００３３】
　図１７に示すように、前記ドレイン電極１３１の表面が除去されている。前記ダミードレイン電極１３９の表面と前記ドレイン電極１３１の食刻された側面は、前記画素電極１４１に接触されている。従って、ドレイン電極と画素電極の接触面積は大きくなり、接触部分は低い接触抵抗を有する。」
　
コ　ドレーン電極１３１は、ダミードレイン電極１３９の上部面の一部と４つの側面のうち２つの側面を覆うように形成されること、が図１０、図１６から見て取れる。
　
　しかしながら、上記本件補正事項（ドレイン電極はダミードレイン電極を完全に覆うこと）については記載がされておらず、また、該本件補正事項が当初明細書等の記載から自明な事項である、ということもできないから、本件補正事項が、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものであるということはできない。
　
　よって、上記本件補正事項を含む本件補正は、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてなされたものとはいえない。
　
３．むすび  
　したがって、本件補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。 
　
　
　
ＩＩＩ．本願発明について
１．本願発明
　平成１９年１１月１３日付けの手続補正は、上記ＩＩで検討したとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１９年６月７日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１〜２９に記載された事項によって特定されるものであるところ、その請求項１７に係る発明は次のとおりのものである。
「基板と、
　前記基板上に形成されたゲート電極及びダミー電極と、
　前記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁層と、
　前記ゲート絶縁層上に形成されたトランジスタ半導体層と、
　前記ゲート絶縁層及び前記トランジスタ半導体層上に形成されたソース電極、前記ダミー電極に接触するドレイン電極と、
　前記基板、前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に形成された有機絶縁物質から成る保護層と、
　前記ドレイン電極及び前記ダミードレイン電極を露出させるドレインコンタクトホールと、
　前記保護層上に、前記ドレインコンタクトホールを通して前記ドレイン電極及び前記ダミー電極に接触する画素電極とを備え、
　前記ドレイン電極は前記ダミードレイン電極を覆うように形成されていることを特徴とする液晶表示装置。」（以下、「本願発明」という。）
　
２．刊行物記載の発明
　本願の優先日前に頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である特開平９−１５２５９７号公報（以下「引用刊行物」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、入射光を反射することによって表示をおこなう反射型液晶表示装置及びその製造方法に関する。」
　
イ　「【００５６】（実施の形態１）図１は、本発明の１つの実施の形態である反射型液晶表示装置３０の一部の断面を示している。液晶表示装置３０は、スイッチング素子（ＴＦＴ）が形成された下側基板（アクティブマトリクス基板）３０ａ、上側基板（対向基板）３０ｂ、及び両基板間に挟持された液晶層４９を有している。・・・（略）・・・。
【００５７】まず、下側基板３０ａの構成を述べる。図１及び２に示されるように、ガラス等の絶縁性の基板３１上には、クロム、タンタルなどから成る複数のゲートバス配線３２が互いに平行に設けられ、ゲートバス配線３２からはゲート電極３３が分岐して設けられている。・・・（略）・・・。
【００５８】図２に示されるように、ゲートバス配線３２を覆うように、基板３１上の全面に、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）などから成るゲート絶縁膜３４が形成されている。ゲート電極３３の上方には、ゲート絶縁膜３４を介して、非晶質シリコン（以下、ａ−Ｓｉと記す）、多結晶シリコン、ＣｄＳｅなどから成る半導体層３５が形成されている。半導体層３５の両端部には、ａ−Ｓｉ、多結晶シリコン、ＣｄＳｅなどからなるｎ+あるいはｐ+のコンタクト層４１が各々形成されている。
【００５９】また、コンタクト層４１が重畳された半導体層３５の一方の端部には、チタン、モリブデン、アルミニウムなどから成るソース電極３６が重畳形成されている。また、コンタクト層４１が重畳された半導体層３５の他方の端部には、ソース電極３６と同様にチタン、モリブデン、アルミニウムなどから成るドレイン電極３７及び引き回し電極３７ａが重畳形成されている。ドレイン電極３７及び引き回し電極３７ａは、一体的に形成されていても良い。引き回し電極３７ａの他方の端部は、基板３１上に形成されたパッド５０上に重畳している。パッド５０は、コンタクトホール４３部分における引き回し電極３７ａの下層金属層であり、少なくともコンタクトホール４３よりも広い面積を有する。本実施例においては、パッド５０をゲート電極３３と同じ材料で形成している。
【００６０】また、ゲート絶縁膜３４は、従来例（図１２）で説明したのと同様に、ゲートバス配線３２の入力端子上の部分が除かれている。この工程において、図２に示すように、パッド５０上のゲート絶縁膜３４も同時に除かれる。
【００６１】ゲート電極３３、半導体層３５、ソース電極３６、及びドレイン電極３７によって、スイッチング素子４０としてのａ−ＳｉＴＦＴが形成される。
【００６２】スイッチング素子が形成された基板３１上全面には、有機絶縁膜４２が形成されている。有機絶縁膜４２の引き回し電極３７ａ部分にはコンタクトホール４３が形成されている。・・・（略）・・・。
【００６３】〜【００６５】
　・・・（略）・・・。
【００６６】パッド５０は、コンタクトホール部における下層金属層となり、本実施例においては、ＴＦＴのゲートバス配線３２と同じ材料、好ましくはタンタルをを用いて形成している。このことにより、ゲートバス配線３２、ゲート電極３３、及びパッド５０を同時にパターニングして形成することができる。また、引き回し電極３７ａは、コンタクトホール部における上層金属層となり、ＴＦＴのソース電極３６及びドレイン電極３７と同じ材料を用い、好ましくはチタンを用いている。ソース電極３６、ドレイン電極３７、及び引き回し電極３７ａは同時にパターニングしても良い。このようにして、図４（ａ）に示されるように、コンタクトホールが形成される部分は、異なる金属からなる少なくとも２つの層が積層される。
【００６７】上記のように各素子が形成された基板３１の上に、図３（ａ）に示すように、感光性樹脂をスピンコート方式により塗布し、有機絶縁樹脂層１２を形成する。・・・（略）・・・。」
　
ウ　「【００７２】次に、有機絶縁膜１５が形成された基板３１を、例えば９０℃で３０秒プリベークする。続いて、図３（ｆ）に示すように、フォトマスク１６を有機絶縁膜１５の上方に配置し、フォトマスク１６の上方から光線を照射して露光を行う。フォトマスク１６は、例えば、図６に示すように、板体１６ｃにコンタクトホール１６ａのパターンが形成されているものを用いる。凸部１４ａ’及び１４ｂ’を形成する工程と同様にして、有機絶縁膜１５にコンタクトホール４３が形成される。
【００７３】次に、コンタクトホール４３が形成された基板３１を、２００℃で６０秒加熱処理し、凸部１４ａ’及び１４ｂ’を軟化させて上端部が丸い凸部１４ａ及び１４ｂを形成した工程と同様にして、コンタクトホール４３の縁の角部を丸くする。
【００７４】・・・（略）・・・。
【００７５】次に、基板３１を、コンタクトホール部に積層した少なくとも２層の金属層の最上層をエッチングするエッチング液に浸積する。」
　
エ　「【００７８】その後、上層金属層のチタンのエッチングが進み、下層金属層（パッド５０）のタンタルまで達する。このエッチング処理工程において、有機絶縁膜の現像残渣がない部分の上層金属層は急速にエッチングされることになるが、上層金属と下層金属とのエッチング選択比により、下層金属表面においてエッチングを実質的に停止させることができる。例えば、チタン／タンタルの積層の場合、エッチングの選択比は５００：１以上であるため、タンタル表面でエッチングが停止する。このことにより、コンタクトホール底部を平滑な形状とすることができる。尚、ゲートバス配線３２（ゲート電極３３及び引き回し電極３７ａ）の材料としては、上記の他に、タンタル中にモリブデン、タングステン、ニオブ等を不純物として添加した材料や、アルミをタンタルで被覆した多層構造などを用いることができる。タンタルに不純物を添加した場合は、チタンとのエッチング選択比の変化は僅かであり、また、多層構造のゲート配線を用いる場合は、バッド５０の表面がタンタルであればチタンとの選択的エッチングを良好に行うことができる。」
　
オ　「【００８３】上述のようにして、図４（ｂ）に示すように、有機絶縁膜４２にコンタクトホール４３を形成し、エッチング処理を行った後、図４（ｃ）に示すように有機絶縁膜４２の上の所定の領域にアルミニウムからなる反射電極３８を形成する。反射電極３８は、例えば本実施例ではスパッタリング法により形成した。反射電極３８に使用する材料は、光を反射する導電性材料であれば良く、例えば、銀等を用いることができる。」
　
カ　以下の（ア）及び（イ）が、図１及び図４から見て取れる。
（ア）反射電極３８は、コンタクトホール４３を通して引き回し電極３７ａ及びパッド５０に接触すること。
（イ）ドレイン電極と一体的に形成された引き回し電極３７ａは、パッド５０を覆うように形成されること。
 　 
　したがって、上記記載事項を総合すると、引用刊行物には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。 
 　 
「基板３１上に、クロム、タンタルなどから成る複数のゲートバス配線３２とそれから分岐するゲート電極３３、及び該ゲート電極３３と同じ材料でパッド５０を形成し、
　前記基板３１上の全面にゲート絶縁膜３４を形成したのち、パッド５０の上の部分は除き、
　前記ゲート電極３３の上方には、ゲート絶縁膜３４を介して、非晶質シリコンなどから成る半導体層３５を形成し、該半導体層３５の両端部には、ａ−Ｓｉなどからなるｎ+あるいはｐ+のコンタクト層４１を各々形成し、
　前記コンタクト層４１が重畳された半導体層３５の一方の端部にはソース電極３６が重畳形成され、また、コンタクト層４１が重畳された半導体層３５の他方の端部には、チタン、モリブデン、アルミニウムなどから成るドレイン電極３７及び引き回し電極３７ａが重畳形成され、ドレイン電極３７及び引き回し電極３７ａは一体的に形成され、
　引き回し電極３７ａの他方の端部は、基板３１上に形成された前記パッド５０上に重畳され、
　前記ゲート電極３３、半導体層３５、ソース電極３６、及びドレイン電極３７によって、スイッチング素子４０が形成され、
　前記スイッチング素子が形成された基板３１上全面には、有機絶縁膜４２が形成され、
　該有機絶縁膜４２の引き回し電極３７ａ部分にはコンタクトホール４３が形成され、パッド５０は、コンタクトホール部における下層金属層となり、引き回し電極３７ａは、コンタクトホール部における上層金属層となり、
　前記有機絶縁膜４２の上の所定の領域にアルミニウムからなる反射電極３８を形成し、前記コンタクトホール４３を通して前記反射電極３８が前記引き回し電極３７ａ及び前記パッド５０に接触するようになし、
　前記ドレイン電極と一体的に形成された引き回し電極３７ａは、パッド５０を覆うように形成される反射型液晶表示装置。」 
 　 
３．対比
  本願発明と引用発明とを対比する。
　
ア　引用発明の「基板３１」、「ゲート電極３３」、「パッド５０」、「コンタクトホール４３」及び「反射型液晶表示装置」は、それぞれ本願発明の「基板」、「ゲート電極」、「ダミー（ドレイン）電極」、「ドレインコンタクトホール」及び「液晶表示装置」に相当する。 
　
イ　引用発明の「ゲート絶縁膜３４」は、ゲート電極３３が形成された基板３１上の全面に形成されるから、本願発明の「前記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁層」に相当する。
　
ウ　引用発明の「半導体層３５」は、半導体層３５の一方の端部に重畳形成されるものであるから、本願発明の「前記ゲート絶縁層上に形成されたトランジスタ半導体層」に相当する。
　
エ　引用発明の「ソース電極３６」は、半導体層３５の一方の端部に重畳形成されるから、本願発明の「前記ゲート絶縁層及び前記トランジスタ半導体層上に形成されたソース電極」に相当する。
　
オ　引用発明の「（一体的に形成された）ドレイン電極３７及び引き回し電極３７ａ」は、引き回し電極３７ａの他方の端部が、基板３１上に形成されたパッド５０上に重畳されるから、本願発明の「前記ダミー電極に接触するドレイン電極」に相当する。
　
カ　引用発明の「有機絶縁膜４２」は、スイッチング素子が形成された基板３１上全面に形成されるから、本願発明の「前記基板、前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に形成された有機絶縁物質から成る保護層」に相当する。
　
キ　引用発明の「コンタクトホール４３」は、パッド５０がコンタクトホール部における下層金属層となり、引き回し電極３７ａがコンタクトホール部における上層金属層となるから、引用発明は、本願発明の「前記ドレイン電極及び前記ダミードレイン電極を露出させるドレインコンタクトホール」を備える。
　
ク　引用発明は、「有機絶縁膜４２の上の所定の領域にアルミニウムからなる反射電極３８を形成し、前記コンタクトホール４３を通して前記反射電極３８が前記引き回し電極３７ａ及び前記パッド５０に接触するようにな」すから、本願発明の「前記保護層上に、前記ドレインコンタクトホールを通して前記ドレイン電極及び前記ダミー電極に接触する画素電極とを備え」なる事項を備える。
　
　したがって、両者は、　  
「基板と、
　前記基板上に形成されたゲート電極及びダミー電極と、
　前記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁層と、
　前記ゲート絶縁層上に形成されたトランジスタ半導体層と、
　前記ゲート絶縁層及び前記トランジスタ半導体層上に形成されたソース電極、前記ダミー電極に接触するドレイン電極と、
　前記基板、前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に形成された有機絶縁物質から成る保護層と、
　前記ドレイン電極及び前記ダミードレイン電極を露出させるドレインコンタクトホールと、
　前記保護層上に、前記ドレインコンタクトホールを通して前記ドレイン電極及び前記ダミー電極に接触する画素電極とを備え、
　前記ドレイン電極は前記ダミードレイン電極を覆うように形成されている液晶表示装置。」 
である点で一致し、相違する点はない。
　
４．まとめ
　してみると、本願発明は引用発明と同一であり、本願発明は引用刊行物に記載された発明であるので、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　
５．付言
　なお、審判請求人は、平成２０年１０月２３日付けの回答書において、「前記ドレーン電極は前記ダミードレーン電極の上部面の一部と側面を覆うように形成される」旨の補正案を提案しているが、上記引用刊行物には、ドレイン電極３７と一体的に形成された引き回し電極３７ａが、パッド５０の上部面の一部を覆うように形成する反射型液晶表示装置が示されており（図１及び図２の引き回し電極３７ａ、及びパッド５０の配置関係を参照。）、該引き回し電極３７ａが、前記パッド５０の上部面の一部と側面をも覆うように形成することは当業者が必要に応じて適宜になし得る程度のことであるから、上記補正案を受け入れる余地はない。
　
　よって、結論のとおり審決する。