【事件の表示】
　特願２００２−　８３７１２「弾性表面波装置及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年１０月　３日出願公開、特開２００３−２８３２９５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１４年３月２５日の出願であって、平成１９年３月９日付けで拒絶理由通知がなされ、同年５月１１日付けで手続補正がなされたが、同年１０月５日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１１月１５日に拒絶査定不服審判の請求がなされたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項１に係る発明は、平成１９年５月１１日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりの次のものと認める。（以下、「本願発明」という。）
「ベース基板と、
　前記ベース基板上に配置された突起電極と、
　前記突起電極を介して前記ベース基板上に実装された弾性表面波素子と、
　前記弾性表面波素子上に配置された第１樹脂部と、
　前記弾性表面波素子周囲の前記ベース基板上に配置された第２樹脂部とを有し、
　前記第２樹脂部の上面は前記第１樹脂部の上面よりも前記ベース基板から見て低く、前記ベース基板の外周における前記第２樹脂部の上面と前記第１樹脂部の上面との前記ベース基板から見た高低差を１とした場合、前記第１樹脂部の上面の前記ベース基板から見た高さは１０乃至１５であることを特徴とする弾性表面波装置。」
　
３．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平１０−１２５８２５号公報（以下、「引用例」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
　
Ａ．「【００１５】図１を参照すると、弾性表面波デバイスなどのチップ型デバイス１（審決注：この「チップ型デバイス
１
２
【００１６】封止用フィルム１は、絶縁性で且つ疎水性であり、室温でフレキシブルな性質を示すものを用いる。材料としては、エポキシ系樹脂、シリコーン樹脂、ビスフェノール系樹脂、ウレタン系樹脂などの高分子材料の単独、あるいは組み合わせによる適用などがある。
【００１７】封止用フィルム１と誘電体基板４との接着は、封止用フィルム１に高分子材料としての硬化前の接着性を残す方法と、封止用フィルム１には硬化後も可塑性を有する材料を用い、接着剤を用いて誘電体基板４と接着する方法とがある。」
　
Ｂ．「【００２３】図１を参照すると、本発明の実施例は、誘電体基板４に厚さ１ｍｍのガラスエポキシ基板、チップ型デバイス２に厚さ０．４ｍｍの弾性表面波デバイス、電極に厚さ０．８μｍの金導体、バンプ３に直径５０μｍのはんだボール、封止用フィルム１に厚さ０．３ｍｍのフィルム状に成形され、硬化前の可塑性と接着性とを有したエポキシ系樹脂、パッド１０および配線導体に厚さ２０μｍの銅箔下地に厚さ０．３μｍの金メッキをかけたもので構成される。」
　
　上記Ａの段落【００１５】の「封止は、フリップチップ実装されたチップ型デバイス２を上方（チップ型デバイスの裏面側）から封止用フィルム１を被せ、封止用フィルム１の外周に設けた接着部６をチップ型デバイス２の外側の範囲で誘電体基板４に押しつけ、その箇所で封止用フィルム１と誘電体基板４とを接着させることにより行なわれる。」との記載及び図１から、引用例のものにおける「チップ型デバイス２」周囲の「誘電体基板４」上の「封止用フィルム１」の上面が、「チップ型デバイス２」上の「封止用フィルム１」の上面よりも「誘電体基板４」から見て低くなっていることは明らかである。
　
　よって、上記Ａ，Ｂの記載及び関連する図面を参照すると、引用例には、次の発明が記載されているものと認められる。（以下、「引用例記載の発明」という。）
「誘電体基板４と、
　前記誘電体基板４上に配置されたバンプ３と、
　前記バンプ３を介して前記誘電体基板４上に実装された弾性表面波デバイスなどのチップ型デバイス２と、
　前記チップ型デバイス２上及び前記チップ型デバイス２周囲の前記誘電体基板４上に配置された封止用フィルム１とを有し、
　前記チップ型デバイス２周囲の前記誘電体基板４上の前記封止用フィルム１の上面は前記チップ型デバイス２上の前記封止用フィルム１の上面よりも前記誘電体基板４から見て低いチップ型デバイスの封止構造。」
　
４．対比
　本願発明と引用例記載の発明とを対比すると、次のことがいえる。
　
（あ）引用例記載の発明における「誘電体基板４」は、本願発明における「ベース基板」に相当する。
　
（い）引用例記載の発明における「バンプ３」は、本願発明における「突起電極」に相当する。
　
（う）引用例記載の発明における「弾性表面波デバイスなどのチップ型デバイス２」は、本願発明における「弾性表面波素子」に相当する。
　
（え）引用例記載の発明における「封止用フィルム１」は、エポキシ系樹脂などの「樹脂」で構成されるものである。
　また、引用例のものは、上記Ａの段落【００１５】に記載されるように、「封止は、フリップチップ実装されたチップ型デバイス２を上方（チップ型デバイスの裏面側）から封止用フィルム１を被せ、封止用フィルム１の外周に設けた接着部６をチップ型デバイス２の外側の範囲で誘電体基板４に押しつけ、その箇所で封止用フィルム１と誘電体基板４とを接着させることにより行なわれ」るものであるから、「封止用フィルム１」は、「チップ型デバイス２」上に配置される部分と、「チップ型デバイス２」周囲の「誘電体基板４」上に配置される部分とを有するものである。
　したがって、引用例記載の発明における「封止用フィルム１」のうち、「チップ型デバイス２」上に配置される部分、「チップ型デバイス２」周囲の「誘電体基板４」上に配置される部分は、それぞれ、本願発明における「第１樹脂部」、「第２樹脂部」に相当する。
　
（お）引用例記載の発明は、弾性表面波デバイスなどのチップ型デバイスの封止構造に係るものであるから、該デバイスを封止することによって製造されるものは、「弾性表面波装置」であるということができる。
　
　上記（あ）〜（お）の事項を踏まえると、本願発明と引用例記載の発明とは、次の点で一致し、また、相違するものと認められる。
　
（一致点）
　本願発明と引用例記載の発明とは、ともに、
「ベース基板と、
前記ベース基板上に配置された突起電極と、
　前記突起電極を介して前記ベース基板上に実装された弾性表面波素子と、
　前記弾性表面波素子上に配置された第１樹脂部と、
　前記弾性表面波素子周囲の前記ベース基板上に配置された第２樹脂部とを有し、
　前記第２樹脂部の上面は前記第１樹脂部の上面よりも前記ベース基板から見て低い弾性表面波装置。」
である点。
　
（相違点）
　本願発明は、「ベース基板の外周における第２樹脂部の上面と第１樹脂部の上面との前記ベース基板から見た高低差を１とした場合、前記第１樹脂部の上面の前記ベース基板から見た高さは１０乃至１５である」のに対し、引用例記載の発明においては、そのような設定はされていない点。
　
５．当審の判断
　そこで、上記相違点について検討する。
　引用例の上記Ｂの記載を参酌すると、引用例のものにおいて、「封止用フィルム１」のうち「チップ型デバイス２」上に配置される部分の上面の「誘電体基板４」から見た高さは、「チップ型デバイス２」の厚さ、「電極」の厚さ、「バンプ３」の直径、「封止用フィルム１」の厚さ、及び「パッド１０」の厚さにより決定されるものであり、「封止用フィルム１」のうち「チップ型デバイス２」周囲の「誘電体基板４」上に配置される部分の上面の「誘電体基板４」から見た高さは、「封止用フィルム１」の厚さ及び「パッド１０」の厚さにより決定されるものである。
　また、「封止用フィルム１」のうち「チップ型デバイス２」周囲の「誘電体基板４」上に配置される部分の上面と「封止用フィルム１」のうち「チップ型デバイス２」上に配置される部分の上面との「誘電体基板４」から見た高低差は、「チップ型デバイス２」の厚さ、「電極」の厚さ、及び「バンプ３」の直径により決定されるものである。
　そして、引用例のものにおいては、「チップ型デバイス２」の厚さ、「電極」の厚さ、「バンプ３」の直径、「封止用フィルム１」の厚さ、及び「パッド１０」の厚さについて、具体的な値が規定されているが、弾性表面波装置を構成する各構成要素の厚さや直径をどのような値とするかは、当業者が適宜になし得ることである。
　ところで、本願の明細書中の段落【００３５】には、「ベース基板４の外周における第２樹脂部５ｂの上面７と第１樹脂部５ａの上面６とのベース基板４から見た高低差（ｔ）を１とした場合、第１樹脂部５ａの上面６のベース基板４から見た高さ（Ｔ）は１０乃至１５であることが望ましい。より望ましくは、高低差（ｔ）を１とした場合、第２樹脂部５ｂの幅（Ｗ）は４乃至２０であることである。なお、高低差（ｔ）は５０乃至８０μｍであり、高さ（Ｔ）は４００乃至５００μｍであり、幅（Ｗ）は２００乃至１６００μｍである。樹脂部５の上面（６、７）の寸法を上記数値範囲に設計することで、弾性表面波装置の耐環境性が向上して環境不良率が減少する。また、ｆｏ変動を抑えることもできる。これは、総ての条件を満足する必要はなく、各条件を満足する数が増えるに従い、その効果をより有効に得ることができる。」と記載されており、「樹脂部５の上面（６、７）の寸法」を所定の「数値範囲」に設計することにより、「弾性表面波装置の耐環境性が向上して環境不良率が減少」し、「ｆｏ変動を抑えることもできる」という効果を奏するとされている。
　しかし、「樹脂部５の上面（６、７）の寸法」について、「高低差（ｔ）は５０乃至８０μｍであり、高さ（Ｔ）は４００乃至５００μｍ」という数値範囲において、「弾性表面波装置の耐環境性が向上して環境不良率が減少」し、「ｆｏ変動を抑えることもできる」という効果を奏することの根拠が不明であり、また、上記数値範囲とすることにより、上記数値範囲以外とした場合と比べて、どの程度、「弾性表面波装置の耐環境性が向上して環境不良率が減少」し、「ｆｏ変動を抑えることもできる」のか不明である。
　さらに、「高低差（ｔ）」の「５０乃至８０μｍ」という数値範囲と「高さ（Ｔ）」の「４００乃至５００μｍ」という数値範囲から、「高低差（ｔ）」と「高さ（Ｔ）」との比率について検討すると、最大限広く考えたとしても、「高低差（ｔ）」を１とした場合に「高さ（Ｔ）」は５乃至１０となり、「ベース基板４の外周における第２樹脂部５ｂの上面７と第１樹脂部５ａの上面６とのベース基板４から見た高低差（ｔ）を１とした場合、第１樹脂部５ａの上面６のベース基板４から見た高さ（Ｔ）は１０乃至１５である」という記載と矛盾した値となっている。したがって、仮に、「高低差（ｔ）は５０乃至８０μｍであり、高さ（Ｔ）は４００乃至５００μｍ」という数値範囲にした場合に、「弾性表面波装置の耐環境性が向上して環境不良率が減少」し、「ｆｏ変動を抑えることもできる」という効果を奏するとしても、「ベース基板４の外周における第２樹脂部５ｂの上面７と第１樹脂部５ａの上面６とのベース基板４から見た高低差（ｔ）を１とした場合、第１樹脂部５ａの上面６のベース基板４から見た高さ（Ｔ）は１０乃至１５」とすることにより、「弾性表面波装置の耐環境性が向上して環境不良率が減少」し、「ｆｏ変動を抑えることもできる」という効果を奏することにはならない。
　以上を踏まえると、「ベース基板４の外周における第２樹脂部５ｂの上面７と第１樹脂部５ａの上面６とのベース基板４から見た高低差（ｔ）を１とした場合、第１樹脂部５ａの上面６のベース基板４から見た高さ（Ｔ）は１０乃至１５」としたことにより、「弾性表面波装置の耐環境性が向上して環境不良率が減少」し、「ｆｏ変動を抑えることもできる」という効果を奏することの根拠が不明である。
　よって、「ベース基板４の外周における第２樹脂部５ｂの上面７と第１樹脂部５ａの上面６とのベース基板４から見た高低差（ｔ）を１とした場合、第１樹脂部５ａの上面６のベース基板４から見た高さ（Ｔ）は１０乃至１５」とすることにより、「弾性表面波装置の耐環境性が向上して環境不良率が減少」し、「ｆｏ変動を抑えることもできる」という効果を奏するとはいえず、引用例のものにおいて、「チップ型デバイス２」の厚さ、「電極」の厚さ、「バンプ３」の直径、「封止用フィルム１」の厚さ、及び「パッド１０」の厚さをどのような値とするか、すなわち、引用例記載の発明において、「チップ型デバイス２」周囲の「誘電体基板４」上の「封止用フィルム１」の上面と「チップ型デバイス２」上の「封止用フィルム１」の上面の「誘電体基板４」から見た高低差と、「チップ型デバイス２」上の「封止用フィルム１」の上面の「誘電体基板４」から見た高さとの比率をどのような値とするかは、当業者が適宜になし得ることである。
　
６．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例記載の発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　したがって、本願は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。