(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂封止型半導体装置の製造方法において、
（ａ）スクライブラインで個別に区切られてなる複数個の半導体素子が設けられ、それぞれの半導体素子の電極には突起電極が設けられたウエハを用意する工程と、
（ｂ）該ウエハのスクライブラインに対応して設計されているカットラインによって区切られ、前記ウエハ上の複数個の半導体素子に対応して設計されている、複数個の配線基板本体部分を有し、前記基板のカットライン上には円状の樹脂注入孔が基板本体部のコーナーの４箇所に設けられ、それぞれの配線基板本体部分には、半導体素子の突起電極に対応したインナーパッドが設けられ、該インナーパッドは基板内部の配線によって基板の反対面の外部接続用パッドに接続されている基板を用意する工程と、
（ｃ）前記ウエハ上の半導体素子の突起電極と前記基板上のインナーパッドを合致させる工程と、
（ｄ）合致させた突起電極とインナーパッドを接続する工程と、
（ｅ）前記基板のカットライン上にある複数個の樹脂注入孔から樹脂を注入し充填する工程と、
（ｆ）前記樹脂を硬化させる工程と、
（ｇ）前記基板のカットラインとウエハのスクライブラインを一度に切削する工程とを施すことによって、
（ｈ）半導体素子と基板の端面を完全に一致させた複数の封止樹脂型半導体装置を同時に得ることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、前記工程（ｃ）は、ウエハと基板の位置合わせを位置決め治具を用いて機械的に合致させることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、前記工程（ｃ）は、ウエハ上のスクライブラインと基板上のカットラインを、画像認識処理を用いて合致させることによって位置合わせを行うを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、前記工程（ｃ）は、ウエハ上のスクライブラインに設けられている認識用マークと基板上のカットラインに設けられている樹脂注入孔を、画像認識処理を用いて合致させることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１、２、３又は４記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、前記工程（ｃ）は、同時に樹脂注入孔から樹脂を注入し充填することを特徴とする製造方法。
【請求項６】
樹脂封止型半導体装置の製造方法において、
表面に突起電極が形成された半導体素子領域を有するウエハの該突起電極と、表面にインナーパッドが形成された基板本体領域と該基板本体領域を囲むカットライン領域とを有する基板の該インナーパッドとを接続する工程と、
前記カットライン領域に設けた貫通孔を介して、前記ウエハと前記基板との間に樹脂を充填する工程と、
前記カットライン領域に沿って、前記ウエハと前記基板との接合体を切断する工程とを備えたことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項７】
樹脂封止型半導体装置の製造方法において、
（ａ）それぞれの表面に突起電極が形成された矩形形状をなす複数個の半導体素子が形成されたウエハの前記突起電極を、前記突起電極に対応するインナーパッドがその表面に形成された基板の前記インナーパッドに接続する工程と、
（ｂ）前記ウエハと前記基板との間に前記基板に設けられるとともに、前記半導体素子のコーナー部に対応する位置に設けられる開口部を介して注入される樹脂を充填する工程と、
（ｃ）前記半導体素子および基板を個別に分割する工程と、
を備えたことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、前記基板に設けられた開口部は、所定の時間差をもって注入が開始される少なくとも２つの開口部を含むことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項７記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、前記基板の中央部分に形成された前記開口部からの樹脂注入を開始した後に、前記基板の周辺部分に形成された前記開口部からの樹脂注入を開始することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項７記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、前記基板の一方の端部近傍に設けられた前記開口部からの樹脂注入を開始した後に、前記基板の中央部分に設けられた開口部からの樹脂注入を開始し、その後、前記基板の他方の端部近傍に設けられた前記開口部からの樹脂注入を開始することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、樹脂封止型半導体装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、広く採用されている樹脂封止型半導体装置の断面図を図１３に示す。この図１３は、一般に、ＬＧＡ（Ｌａｎｄ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）と呼ばれるパッケージ形態を示している。
【０００３】
図１３に示す構造のＬＧＡパッケージは、半導体素子１０２の上に存在する電極パッド１０３上に設けられた突起電極１０４と、銅張積層板等から構成されたプリント配線基板等の絶縁基板からなる基板（本体部）１０７上に設けられたインナーパッド１０９が接続される。
【０００４】
ここで、突起電極１０４の形成方法としては、一般にバンプと呼ばれるウエハプロセスの最終段階で、金や半田等のメッキ処理を施し形成する方法や、超音波併用熱圧着方式等でボールを形成して突起電極とする方法等が広く採用されている。
【０００５】
また、このようにして形成された突起電極１０４と、基板１０７上のインナーパッド部１０９との接続は、高温処理による金属接合方式、又は樹脂による接着法等が広く採用されている。ただ、このままの状態では半導体素子１０２と基板１０７、及び突起電極１０４の接合部のそれぞれの熱膨張係数が異なることから、動作環境時の熱サイクルによって接合性が劣化する場合があることが知られている。
【０００６】
その対策として、接合性、耐湿性等の製品品質を高めるために、図１３に示すように、液状熱硬化性エポキシ系樹脂等の樹脂１１２によって、半導体素子１０２と基板１０７の間を樹脂充填する方法が多く採用されている。
【０００７】
外部接続用端子としては基板裏面にあらかじめ印刷された接続用パッド１１１が設けられている。〔この接続用パッド１１１にさらに半田ボールを接続するとＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）と呼ばれるパッケージ形態となり、広く採用されている。〕
また、図示しないが、インナーパッド１０９部分と接続用パッド１１１は配線、及びスルーホール等によって、基板１０７内で接続されていることは言うまでもない。
【０００８】
ところで、近年、周知の通り、電子機器の小型化が進んでおり、半導体素子に対して搭載するパッケージの外形サイズを極力小型化することが強く要求されてきており、そのパッケージを総称して、ＣＳＰ〔Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  （ｏｒ  Ｓｃａｌｅ）  Ｐａｃｋａｇｅ〕と呼ぶことがある。
【０００９】
そして、図１３に示すように、基板１０７の端面と半導体素子１０２の端面までの距離ｄを小さくする、または同一面にすることが必要となってきている。
【００１０】
その対応策としては、通常、一つ一つに分割された半導体素子に設けられた複数の突起電極を単体、又は複数個フレーム状に存在させた基板上のインナーパッドに、上述の方法で接合し、次に、基板と半導体素子の間に樹脂を充填する。
【００１１】
その方法としては、図１４に示すように、樹脂をディスペンス方式で滴下し、広く知られている毛細管現象で充填する方法が採用されていた。具体的には、図１４（ａ）に示すように、充填する樹脂１１２をディスペンサ１１３で基板１０７に滴下すると、図１４（ｂ）に示すように、毛細管現象で樹脂１１２が基板１０７と半導体素子１０２の隙間に充填され、図１３に示すパッケージ形態が完成する。なお、図１３、図１４は単体基板の場合を図示している。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記した従来の方式では、パッケージの小型化に際して以下に示す問題があった。
【００１３】
上記ディスペンス方式では、その樹脂充填の際の作業性を良くするために、図１４に示すように、基板１０７を半導体素子１０２より０．１〜０．３ｍｍ程度大きくしていることが多く、その結果、完全に半導体素子と一致していないこととなり、小型化要求を完全に満足できないことが多かった。また、寸法を一致させるために、樹脂充填後に切削する等の加工を採用することもあるが、これは、コストアップの要因となっていた。
【００１４】
本発明は、上記問題点を除去し、複数の本体部を持つ基板と同一個数の半導体素子を形成したウエハを一度に組立てることが可能で、大量生産が容易であり、コストの低減化及び小型化を図ることができる樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するために、
〔１〕樹脂封止型半導体装置の製造方法において、（ａ）スクライブラインで個別に区切られてなる複数個の半導体素子が設けられ、それぞれの半導体素子の電極には突起電極が設けられたウエハを用意する工程と、（ｂ）このウエハのスクライブラインに対応して設計されているカットラインによって区切られ、前記ウエハ上の複数個の半導体素子に対応して設計されている複数個の配線基板本体部分を有し、前記基板のカットライン上には円状の樹脂注入孔が基板本体部のコーナーの４箇所に設けられ、それぞれの配線基板本体部分には、半導体素子の突起電極に対応したインナーパッドが設けられ、このインナーパッドは基板内部の配線によって基板の反対面の外部接続用パッドに接続されている基板を用意する工程と、（ｃ）前記ウエハ上の半導体素子の突起電極と前記基板上のインナーパッドを合致させる工程と、（ｄ）合致させた突起電極とインナーパッドを接続する工程と、（ｅ）前記基板のカットライン上にある複数個の樹脂注入孔から樹脂を注入し充填する工程と、（ｆ）前記樹脂を硬化させる工程と、（ｇ）前記基板のカットラインとウエハのスクライブラインを一度に切削する工程とを施すことによって、（ｈ）半導体素子と基板の端面を完全に一致させた複数の封止樹脂型半導体装置を同時に得るようにしたものである。
【００１６】
〔２〕上記〔１〕記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、前記工程（ｃ）は、ウエハと基板の位置合わせを位置決め治具を用いて機械的に合致させるようにしたものである。
【００１７】
〔３〕上記〔１〕記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、前記工程（ｃ）は、ウエハ上のスクライブラインと基板上のカットラインを、画像認識処理を用いて合致させることにより位置合わせを行うようにしたものである。
【００１８】
〔４〕上記〔１〕記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、前記工程（ｃ）は、ウエハ上のスクライブラインに設けられている認識用マークと基板上のカットラインに設けられている樹脂注入孔を、画像認識処理を用いて合致させるようにしたものである。
【００１９】
〔５〕上記〔１〕、〔２〕、〔３〕又は〔４〕記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、前記工程（ｃ）は、同時に樹脂注入孔から樹脂を注入し充填するようにしたものである。
【００２０】
〔６〕樹脂封止型半導体装置の製造方法において、表面に突起電極が形成された半導体素子領域を有するウエハのこの突起電極と、表面にインナーパッドが形成された基板本体領域とこの基板本体領域を囲むカットライン領域とを有する基板のこのインナーパッドとを接続する工程と、前記カットライン領域に設けた貫通孔を介して、前記ウエハと前記基板との間に樹脂を充填する工程と、前記カットライン領域に沿って、前記ウエハと前記基板との接合体を切断する工程とを備えるようにしたものである。
【００２１】
〔７〕樹脂封止型半導体装置の製造方法において、それぞれの表面に突起電極が形成された矩形形状をなす複数個の半導体素子が形成されたウエハの前記突起電極を、前記突起電極に対応するインナーパッドがその表面に形成された基板の前記インナーパッドに接続する工程と、前記ウエハと前記基板との間に前記基板に設けられるとともに、前記半導体素子のコーナー部に対応する位置に設けられる開口部を介して注入される樹脂を充填する工程と、前記半導体素子および基板を個別に分割する工程と、を備えたことを特徴とする。
【００２２】
〔８〕上記〔７〕記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、前記基板に設けられた開口部は、所定の時間差をもって注入が開始される少なくとも２つの開口部を含むことを特徴としたものである。
【００２３】
〔９〕上記〔７〕記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、前記基板の中央部分に形成された前記開口部からの樹脂注入を開始した後に、前記基板の周辺部分に形成された前記開口部からの樹脂注入を開始することを特徴としたものである。
【００２４】
〔１０〕上記〔７〕記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、前記基板の一方の端部近傍に設けられた前記開口部からの樹脂注入を開始した後に、前記基板の中央部分に設けられた前記開口部からの樹脂注入を開始し、その後、前記基板の他方の端部近傍に設けられた開口部からの樹脂注入を開始することを特徴としたものである。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【００２６】
図１は本発明の第１実施例を示す半導体素子を形成するウエハプロセスが完了したウエハの構成図であり、図１（ａ）はそのウエハの上面図、図１（ｂ）はそのウエハの断面図である。
【００２７】
この図において、１はウエハ、２は半導体素子、３は電極、４は突起電極、５はスクライブラインである。
【００２８】
図２は本発明に使用する基板の構成図であり、図２（ａ）は半導体素子搭載側を上面から見た平面図、図２（ｂ）はその基板の断面図、図２（ｃ）はその半田付け側を上面から見た平面図である。
【００２９】
これらの図において、６は基板、７は基板本体部、８はカットライン、９はインナーパッド、１０は樹脂注入孔、１１は接続用パッドである。
【００３０】
この基板６と図１に示した半導体素子２からなるウエハ１は１対１で対応していることが本発明の一つの特徴となっている。
【００３１】
また、図１に示すように、この場合、半導体素子２はウエハ１上に同一のものが９個形成されており、この半導体素子２は、それぞれ５０〜２００μｍ程度の幅を持ったスクライブライン５で区切られている。さらに、半導体素子２に設けられた電極３の上には突起電極４が形成されている。ここで、突起電極４の形成方法については、前述の方法等で実施されており、詳細は省略する。
【００３２】
本発明の特徴として、基板６は、ウエハ１、及びウエハ１に形成される半導体素子２の設計値に合わせて設計、製作される。従って、基板６は、半導体素子２を搭載する基板本体部７（半導体パッケージとなる部分）と樹脂充填完了後に切断される部分によって構成され、１枚の基板となっている。
【００３３】
具体的には、図１及び図２に示すように、半導体素子２に対応した９個の基板本体部分７が存在し、それらはスクライブライン５と同一寸法の幅を持ったカットライン８によって分割されている。それぞれの基板本体部７には、対応する半導体素子２の突起電極４を接合する部分にインナーパッド９が設けられている。
【００３４】
そして、カットライン８上には、樹脂注入孔１０が設けられている。この実施例では、基板本体部７のコーナー部４箇所にカットライン８の幅より若干小さい樹脂注入孔１０が設けられている（樹脂注入孔の大きさは最終的に切断されるため、カットライン幅を超えなければ任意でかまわないが、樹脂充填の際にディスペンサが挿入可能な径、例えば１５０μｍ程度が望ましい。また、ライン幅を０．１ｍｍ程度超えていても基板のパターン設計に問題が生じなければ、採用可能である。）
こうして準備された基板６のインナーパッド９と半導体素子２の突起電極４を接合する工程に入る。基板６とウエハ１の方向と位置を合わせて、合致させ、突起電極４とそれに対応するインナーパッド９を接合させる。この接合方法についても、上述のように、一般に広く知られている方法（高温処理による金属接合方式、又は樹脂による接着法等）で接合すれば良い。
【００３５】
図３は上記したウエハの基板への実装工程断面図である。
【００３６】
（１）まず、図３（ａ）に示すように、突起電極４とインナーパッド９の接合を行う。
【００３７】
（２）次に、図３（ｂ）に示すように、樹脂注入孔１０を介して、ディスペンサ１３から樹脂１２を注入し、図３（ｃ）に示すように次第に樹脂１２が注入され、図３（ｄ）に示すように、ウエハ１と基板６の間に樹脂１２を充填し、その樹脂１２を硬化させる。
【００３８】
このように、基板６上に設けられた樹脂注入孔１０から、樹脂１２をディスペンス方式で注入し、毛細管現象で充填する。充填完了後、その樹脂１２を硬化させる。
【００３９】
（３）その後、図３（ｅ）に示すように、基板６に設けられたカットライン８を半導体素子２を分割するスクライブ工程と同様の方法で基板６側からウエハ１（半導体素子２）まで切削する。ここでは、切り刃１４で切削する方法を示している。このとき、ウエハ１のスクライブライン５と基板６のカットライン８は合致しているため、半田付け側から容易に位置合わせができ、切削が可能である。
【００４０】
また、通常のウエハのスクライブ工程と同様に、個々のパッケージに分割された際にバラバラにならないようにウエハ１の裏面に紫外線硬化型の粘着テープ等で固定し、切断後に個別に分離する方法を採用することがより良いが、ここでは図は省略する。こうして分割され、図４に示すようなパッケージを得ることができる。
【００４１】
このように構成したので、半導体素子２の電気信号は、電極３から突起電極４を介して基板本体部７上のインナーパッド９に接合され、さらに、基板本体部７内の配線を通って、外部端子に至り、外部へ伝わる。
【００４２】
このように構成したので、第１実施例によれば、
（１）複数の本体部を持つ基板と同一個数の半導体素子を形成したウエハを一度に組立てることが可能となるため、大量生産が容易であり、その結果、コストダウンがはかれる。
【００４３】
（２）基板の切断と半導体素子の切断を同時に実施可能なため、工程数が少なくなり、その結果、コストダウンが図れる。同時に、半導体素子と基板の端面は完全に一致し、小型化要求を満足できる。
【００４４】
上記したように、本発明の製造方法によれば、半導体素子と同一サイズ（小型）で、大量生産可能な品質の高い装置を提供することが可能となる。
【００４５】
次に、本発明の第２実施例について説明する。
【００４６】
図５は本発明の第２実施例を示す樹脂封止型半導体装置の第１の工程を示す図であり、図５（ａ）は上から見た状態図、図５（ｂ）はその断面図である。図６は本発明の第２実施例を示す樹脂封止型半導体装置の第２の工程を示す図であり、図６（ａ）は上から見た状態図、図６（ｂ）はその断面図である。
【００４７】
第２実施例の製造方法の概要は、第１実施例と同一であるが、この実施例は、基板とウエハを機械的に位置を合わせ、セットするようにしたものである。なお、第１実施例と同じ部分については、同じ符号を付してそれらの説明は省略する。
【００４８】
まず、第１実施例と同様に、準備された基板のインナーリードとウエハ上の半導体素子の突起電極を接合する工程に入る。図５に示すように、ウエハ位置決め治具１５の上にウエハ１をセットする。
【００４９】
次に、図６に示すように、基板位置決め治具１７を図５の状態になっているウエハ位置決め治具１５の上に載せて、その後、基板６を基板位置決め治具１７にセットすると、図６（ｂ）に示すように、突起電極４とそれに対応するインナーパッド９を合致させることができる。ウエハ位置決め治具１５とウエハ１、また、基板位置決め治具１７と基板６、ウエハ位置決め治具１５と基板位置決め治具１７、それぞれの位置を決めて固定する。
【００５０】
具体的には、機械的に固定する方法、例えば、形状によって位置を決める方法や、一方に穴をあけ、もう一方にピンを立てて嵌め込み位置を決める方法等があるが、ここでは、図６に示すように、ウエハ位置決め治具１５と基板位置決め治具１７を、ウエハ位置決め治具１５上に設けられているピン１６を基板位置決め治具１７上の位置決め穴１８に挿入することによって、位置を決めるようにしている。
【００５１】
このようにして、合致した突起電極とそれに対応するインナーパッドを接合させる。これ以降は、第１実施例と同様の工程を施し、パッケージ構造を得る。
【００５２】
このように、第２実施例によれば、第１実施例で述べた効果の他に、基板とウエハの位置合わせが容易で、かつ、精度が向上するため、組立歩留まりが高くなり、品質が向上する。
【００５３】
また、半導体素子と同一サイズ（小型）で、品質の高い樹脂封止型半導体装置とその実装構造を得ることができる。
【００５４】
次に、本発明の第３実施例について説明する。
【００５５】
図７は本発明の第３実施例を示すウエハを示す図であり、図７（ａ）はそのウエハの全体平面図、図７（ｂ）は図７（ａ）のＡ1 部拡大平面図である。また、図８は本発明の第３実施例を示すウエハと基板との位置合わせの説明図であり図８（ａ）はそのウエハへの基板の実装状態図、図８（ｂ）は図８（ａ）のＢ1 部拡大平面図である。
【００５６】
この実施例の製造方法の概要は第１実施例と同一であるが、基板とウエハを画像処理によって、位置を合わせを行い、セットするようにしたものである。なお、第１実施例と同じ部分については同じ符号を付してそれらの説明は省略する。
【００５７】
まず、第１実施例と同様に、準備された基板のインナーリードと半導体素子の突起電極を接合する工程に入る。図７（ａ）に示すようにウエハ１上の最外コーナー対角にあるスクライブライン５の交点Ａ1 ，Ａ2 の２箇所をカメラ等を使用して画像認識する。
【００５８】
その後、図８（ａ）に示すように、上述した交点Ａ1 ，Ａ2 に該当する基板の最外コーナー対角にあるカットライン８の交点Ｂ1 ，Ｂ2 を同様に画像認識し、先のウエハの認識データと形状が合致するような位置に基板６をセットすると、突起電極４とそれに対応するインナーパッド９を合致させることができる。
【００５９】
この方法は、半導体装置の組立工程（例えば、スクライブ工程、ダイスボンド工程等）で位置合わせとして広く採用されている方法と同等であるため、容易に導入可能である。また、実際には、ウエハ１や基板６の搬送が必要となるが、その機構については省略する。このようにして、合致した突起電極４とそれに対応するインナーパッド９を接合させる。それ以降は、第１実施例と同様の工程を施し、パッケージ構造を得る。
【００６０】
このように第３実施例によれば、第１実施例で述べた効果の他に、第２実施例と同様に、基板とウエハの位置合わせが容易で、かつ、精度が向上するため、組立歩留まりが高くなり、品質が向上する。
【００６１】
つまり、この実施例の製造方法によれば、半導体素子と同一サイズ（小型）で、品質の高い装置を提供することが可能となる。
【００６２】
次に、本発明の第４実施例について説明する。
【００６３】
図９は本発明の第４実施例を示すウエハを示す図であり、図９（ａ）はそのウエハの全体平面図、図９（ｂ）は図９（ａ）のＡ1 部拡大平面図である。また、図１０は本発明の第４実施例を示すウエハと基板基板との位置合わせの説明図であり、図１０（ａ）はそのウエハへの基板の実装状態図、図１０（ｂ）は図１０（ａ）のＢ1 部拡大平面図である。なお、第３実施例と同じ部分については、同じ番号を付してそれらの説明は省略する。
【００６４】
この実施例の製造方法の概要は、第１実施例と同一であるが、基板とウエハを画像処理によって、位置を合わせ、セットするようにしたものである。
【００６５】
まず、第１実施例と同様に、準備された基板のインナーリードと半導体素子の突起電極を接合する工程に入る。図９（ａ）に示すように、ウエハ１のスクライブライン５上の交点に、位置合わせのための認識用マーク１９がウエハ処理の段階で設けられている。この認識用マーク１９はアルミ等で構成され、認識し易いようにスクライブライン５とは明らかに異なっているパターンとすることが重要である。ここでは、円状のマークとしているが、基板に設けられている樹脂注入孔の形状と大きさに対応して設計される。
【００６６】
具体的には、樹脂注入孔１０の形状、及び大きさと同一か、樹脂注入孔より０．１ｍｍ程度小さく設定する。こうして設けられたマークの中で最外コーナー対角にあるスクライブライン５の交点Ａ1 ，Ａ2 の２箇所のマークをカメラ等を使用して画像認識する。
【００６７】
その後、図１０に示すように、上述のウエハ１上のマークに該当する基板６の最外コーナー対角にあるカットライン８の交点Ｂ1 ，Ｂ2 を同様に画像認識し、先のウエハ１の認識データと合致するように基板６をセットすると、突起電極４とそれに対応するインナーパッド９を合致させることができる。
【００６８】
図１０（ｂ）は位置合わせ完了後の交点Ｂ1 の拡大図を示しており、基板６の樹脂注入孔１０と認識用マーク１９が合致している状態を示している。この方法は、半導体装置の組立工程（例えば、スクライブ工程、ダイスボンド工程、等）で位置合わせとして広く採用されている方法と同等であるため、容易に導入可能である。また、実際には、ウエハや基板の搬送が必要となるが、その機構については省略する。
【００６９】
こうして、合致した突起電極とそれに対応するインナーパッドを接合させる。これ以降は、第１実施例と同様の工程を施し、パッケージ構造を得る。
【００７０】
このように構成したので、第４実施例によれば、第１実施例で述べた効果の他に、第２実施例と同様に、基板とウエハの位置合わせが容易で、かつ、精度が向上するため、組立歩留まりが高くなり、品質が向上する。
【００７１】
また、半導体素子と同一サイズ（小型）で、品質の高い装置を提供することが可能となる。
【００７２】
次に、本発明の第５実施例について説明する。
【００７３】
この実施例の製造方法の概要は、第１実施例と同一であるが、第５実施例の特徴は、基板とウエハの間隙に樹脂を充填する方法を限定したところにある。
【００７４】
基板上に設けられた樹脂注入孔から、樹脂をディスペンス方式で個別に注入する。この場合は、中央部の樹脂注入孔から、徐々に周辺部の樹脂注入孔に放射線状に充填する方法をとっている。
【００７５】
図１１に樹脂注入孔からのディスペンスの順番の一例を示す。充填終了後、樹脂を硬化し、個別に分割され、図４に示すようなパッケージが完成する。
【００７６】
このように、第５実施例によれば、第１実施例で述べた効果に加え、樹脂を基板上に設けられている中央の樹脂注入孔（１〜４）からまず最初に充填し、徐々に周辺部の樹脂注入孔（５〜１６）へと充填していく方法をとっている。これにより樹脂の充填の際に発生する気泡を外側に逃すことが可能となり、容易に充填性が向上し、ボイド（気泡）の発生を抑制できるという効果が得られる。
【００７７】
従って、樹脂充填の歩留まり・品質の向上が期待できる。
【００７８】
また、半導体装置と同一サイズ（小型）で、品質の高い装置を提供することが可能となる。
【００７９】
次に、本発明の第６実施例について説明する。
【００８０】
この実施例の製造方法の概要は、第１実施例と同一であるが、第６実施例の特徴は、基板とウエハの間隙に樹脂を充填する方法を限定したところにある。
【００８１】
基板上に設けられた樹脂注入孔から、順次樹脂注入孔へと樹脂をディスペンス方式で個別に注入する。この場合は、最外部にあたる１コーナーから中央、そして対角コーナーへ扇状に充填する方法をとっている。
【００８２】
図１２に樹脂注入孔からのディスペンスの順番の一例を示す。充填終了後、樹脂を硬化し、個別に分割され、図４に示すようなパッケージが完成する。
【００８３】
このように、第６実施例によれば、第１実施例で述べた効果に加え、樹脂を基板上に設けられている最外部のコーナーの樹脂注入孔（１、２，３）からまず最初に充填し、次第に扇状にある樹脂注入孔（４，５，６）から充填していく方法をとっている。これにより、樹脂の充填の際に発生する気泡を扇状に逃すことが可能となり、容易に充填性が向上し、ボイド（気泡）の発生を抑制できるという効果が得られる。従って、樹脂充填の歩留り・品質の向上が期待できる。
【００８４】
また、半導体装置と同一サイズ（小型）で、品質の高い装置を提供することが可能となる。
【００８５】
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これらを本発明の範囲から排除するものではない。
【００８６】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、次のような効果を奏することができる。
【００８７】
（Ａ）複数の本体部を持つ基板と同一個数の半導体素子を形成したウエハを一度に組立てることが可能となるため、大量生産が容易であり、その結果、コストダウンがはかれる。
【００８８】
（Ｂ）基板の切断と半導体素子の切断を同時に実施可能なため、工程数が少なくなり、その結果、コストダウンが図れる。同時に、半導体素子と基板の端面は完全に一致し、小型化要求を満足できる。
【００８９】
（Ｃ）基板とウエハの位置合わせが容易で、かつ、精度が向上するため、組立歩留まりが高くなり、品質が向上する。
【００９０】
（Ｄ）樹脂の充填の際に発生する気泡を逃すことが可能となるため、容易に充填性が向上し、ボイド（気泡）の発生を抑制できる。それに伴い、樹脂充填の歩留り・品質の向上が期待できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例を示す半導体素子を形成するウエハプロセスが完了したウエハの構成図である。
【図２】本発明の第１実施例に使用する基板の構成図である。
【図３】本発明の第１実施例を示すウエハの基板への実装工程断面図である。
【図４】本発明の第１実施例を示すパッケージの断面図である。
【図５】本発明の第２実施例を示す樹脂封止型半導体装置の第１の工程を示す図である。
【図６】本発明の第２実施例を示す樹脂封止型半導体装置の第２の工程を示す図である。
【図７】本発明の第３実施例を示すウエハを示す図である。
【図８】本発明の第３実施例を示すウエハと基板との位置合わせの説明図である。
【図９】本発明の第４実施例を示すウエハを示す図である。
【図１０】本発明の第４実施例を示すウエハと基板との位置合わせの説明図である。
【図１１】本発明の第５実施例を示す樹脂注入孔からのディスペンスの順番の一例を示した図である。
【図１２】本発明の第６実施例を示す樹脂注入孔からのディスペンスの順番の一例を示した図である。
【図１３】従来の樹脂封止型半導体装置の断面図である。
【図１４】従来の樹脂封止型半導体装置の樹脂封止状態を示す図である。
【符号の説明】
１    ウエハ
２    半導体素子
３    電極
４    突起電極
５    スクライブライン
６    基板
７    基板本体部
８    カットライン
９    インナーパッド
１０    樹脂注入孔
１１    接続用パッド
１２    樹脂
１３    ディスペンサ
１４    切り刃
１５    ウエハ位置決め治具
１６    ピン
１７    基板位置決め治具
１８    位置決め穴
１９    認識用マーク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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