【事件の表示】
　特願２００１−　１７７２６「半導体マイクロアクチュエータ」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　８月　６日出願公開、特開２００２−２１９６９６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は，平成１３年１月２６日の出願であって，平成１９年１１月１２日付けで手続補正がなされ，平成２０年２月１４日付けで拒絶査定がなされ，これに対し，同年３月２１日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに，同日付けで明細書を補正対象とする手続補正（以下，同手続補正を「本件補正」という。）がなされたものである。
　
第２．本件補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
本件補正を却下する。
［理由］
（１）補正後の本願発明
　本件補正により，特許請求の範囲は，
「【請求項１】半導体よりなる矩形枠状の支持部と、支持部の内側に配置され支持部の厚み方向に変位可能であって当接面によって移動範囲が規制される半導体よりなる可動子と、前記支持部と前記可動子とを連結するように前記支持部の１辺から延長され拡散抵抗が形成されたシリコンよりなる撓み層と金属膜からなる撓み層とを積層して形成したバイメタルを備えた可撓部を有する可撓部材と、可撓部材に設けられ可動子が当接面に当たるときに当接面に対する可動子の傾きをなくすように弾性変形する変形部とを備え、前記可動子の周縁が前記支持部の各辺に平行な矩形状であって、前記可撓部材を２つ備え、前記各可撓部材は、一端部が前記支持部の前記１辺に連結され前記可動子と前記支持部との対向する２辺に平行な方向に延長されて他端部が前記可動子と前記支持部との間に位置し前記一端部に熱絶縁部を有する腕片と、前記可動子と前記支持部との対向する２辺に直交する方向において腕片の前記他端部と可動子とを連結する連結片とを有し、前記各連結片は、前記可動子を挟んで同一直線上に配置されてなり、前記腕片は、前記熱絶縁部が形成された部位において幅方向の端部に前記拡散抵抗に通電するためのシリコンよりなる部分が設けられてなることを特徴とする半導体マイクロアクチュエータ。
【請求項２】前記変形部は、ポリイミド樹脂よりなることを特徴とする請求項１記載の半導体マイクロアクチュエータ。」
と，補正された。
　
（２）補正事項
　上記特許請求の範囲の補正は，以下の事項からなる。
　
ア．補正事項１
　請求項１に記載された発明を特定する事項である「前記支持部と前記可動子とを連結するように前記支持部の１辺から延長され熱膨張係数の異なる複数の撓み層が重ねられた可撓部を有する可撓部材」を，「前記支持部と前記可動子とを連結するように前記支持部の１辺から延長され拡散抵抗が形成されたシリコンよりなる撓み層と金属膜からなる撓み層とを積層して形成したバイメタルを備えた可撓部を有する可撓部材」と補正する。
　
イ．補正事項２
　請求項１に記載された発明を特定する事項である「一端部が前記支持部の前記１辺に連結され前記可動子と前記支持部との対向する２辺に平行な方向に延長されて他端部が前記可動子と前記支持部との間に位置する腕片」を，「一端部が前記支持部の前記１辺に連結され前記可動子と前記支持部との対向する２辺に平行な方向に延長されて他端部が前記可動子と前記支持部との間に位置し前記一端部に熱絶縁部を有する腕片」と補正する。
　
ウ．補正事項３
　請求項１に記載された発明を特定する事項である「腕片」について，「前記腕片は，前記熱絶縁部が形成された部位において幅方向の端部に前記拡散抵抗に通電するためのシリコンよりなる部分が設けられてなる」と補正する。
　
（３）補正の目的
　補正事項１，２，３は，「可撓部材」が，「拡散抵抗が形成されたシリコンよりなる撓み層と金属膜からなる撓み層とを積層して形成したバイメタル」を備えたものであること，及び，「腕片」が「一端部に熱絶縁部を有し」，かつ，「前記熱絶縁部が形成された部位において幅方向の端部に前記拡散抵抗に通電するためのシリコンよりなる部分が設けられてなる」ことを限定するものであって，これは，平成１８年法律第５５号による改正前の特許法（以下、「改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
（４）請求項１に係る発明について
　そこで，本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下，「本願補正発明１」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（改正前特許法第１７条の２第５項において準用する特許法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（４−１）引用例
○引用例１
　原査定の拒絶の理由に引用された特開２０００−３０９０００号公報（以下，「引用例１」という。）には，「半導体装置及びこれを用いた半導体マイクロアクチュエータ及び半導体マイクロバルブ及び半導体マイクロリレー並びに半導体装置の製造方法及び半導体マイクロアクチュエータの製造方法」に関して，図面とともに，以下のとおり記載されている。
　
ア．【特許請求の範囲】
「【請求項１】半導体基板と、温度変化により前記半導体基板に対して変位する可撓領域と、前記半導体基板と前記可撓領域との間に設けられ前記半導体基板と前記可撓領域を連結する樹脂製の熱絶縁領域とから構成されることを特徴とする半導体装置。
・・・
【請求項３】前記熱絶縁領域を構成する材料がポリイミドであることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】前記熱絶縁領域を構成する材料がフッ素化樹脂であることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
・・・
【請求項９】請求項１から請求項８のいずれかに記載の半導体装置と、前記可撓領域に連設された可動エレメントとを備え、前記可撓領域の温度が変化したときに、前記可動エレメントが前記半導体基板に対して変位することを特徴とする半導体マイクロアクチュエータ。
【請求項１０】前記可撓領域は片持ち梁構造を有していることを特徴とする請求項９記載の半導体マイクロアクチュエータ。
【請求項１１】前記可動エレメントは、複数の可撓領域により支持されていることを特徴とする請求項９記載の半導体マイクロアクチュエータ。
・・・
【請求項１５】前記可撓領域は、異なる熱膨張係数を有する少なくとも２つの領域からなり熱膨張係数差に応じて変位をすることを特徴とする請求項９から請求項１４のいずれかに記載の半導体マイクロアクチュエータ。
【請求項１６】前記可撓領域はシリコンにより構成される領域と、アルミニウムにより構成される領域とを備えていることを特徴とする請求項１５記載の半導体マイクロアクチュエータ。
【請求項１７】前記可撓領域はシリコンにより構成される領域と、ニッケルにより構成される領域とを備えていることを特徴とする請求項１５記載の半導体マイクロアクチュエータ。
【請求項１８】前記可撓領域を構成する領域の少なくとも１つの領域は前記熱絶縁領域と同一材料により構成されていることを特徴とする請求項１５記載の半導体マイクロアクチュエータ。
【請求項１９】前記可撓領域はシリコンにより構成される領域を備えるとともに、前記熱絶縁領域と同一材料により構成されている領域としてポリイミドにより構成される領域を備えていることを特徴とする請求項１８記載の半導体マイクロアクチュエータ。
【請求項２０】前記可撓領域はシリコンにより構成される領域を備えるとともに、前記熱絶縁領域と同一材料により構成されている領域としてフッ素化樹脂により構成される領域を備えていることを特徴とする請求項１８記載の半導体マイクロアクチュエータ。
・・・
【請求項２５】前記可撓領域を加熱するための加熱手段に電力を供給する配線が前記熱絶縁領域を介さずに形成されていることを特徴とする請求項９から請求項２４のいずれかに記載の半導体マイクロアクチュエータ。
・・・
【請求項３０】請求項９から請求項２９のいずれかに記載の半導体マイクロアクチュエータと、前記半導体マイクロアクチュエータに接合され、前記可動エレメントの変位に応じて流れる流体量が変化する流路を有する流体エレメントとを備えたことを特徴とする半導体マイクロバルブ。
・・・
【請求項３５】請求項９から請求項２９のいずれかに記載の半導体マイクロアクチュエータと、前記可動エレメントに可動接点が設けられ、その対応する位置に前記可動接点と接触可能な固定接点を有し前記半導体マイクロアクチュエータに接合される固定エレメントとを備えたことを特徴とする半導体マイクロリレー。
・・・」
　
イ．段落【０００１】
「【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板と、半導体基板から切り離され温度変化により変位する可撓領域と、両者の間に設けられた熱絶縁領域から構成される半導体装置及びこれを用いた半導体マイクロアクチュエータ及び半導体マイクロバルブ及び半導体
マイクロリレー及び半導体マイクロアクチュエータの製造方法に関するものである。」
　
ウ．段落【００７０】〜【００７３】
「【００７０】
【発明の実施の形態】（実施形態１）本発明の実施形態１を説明する。図１は本発明に係わる半導体装置を用いた半導体マイクロアクチュエータの構造を示す一部破断の斜視図、図２（ａ）は断面図、図２（ｂ）は上面図である。
【００７１】図示したように、半導体マイクロアクチュエータ１は、中空で略四角形状の枠体となる半導体基板３と、半導体基板３より切り離され半導体基板３の各辺の略中央より内方向に熱絶縁領域７を介して一端が連結される略四角片状の４つの薄肉部２Ｓと、上面が四角形状に開口し下方に向かうにつれて幅が狭くなる中空の四角錐台形状に形成され、上記各薄肉部２Ｓの他端に上面の開口部周縁が連設される可動エレメント５と、上記各薄肉部２Ｓの上面に設けられ、薄肉部２Ｓとともに可撓領域２を構成するアルミニウム薄膜またはニッケル薄膜などの薄膜２Ｍにより構成されている。
【００７２】上記半導体基板３、薄肉部２Ｓ、および可動エレメント５は、例えばシリコン基板などの半導体基板を加工して形成される。また、薄肉部２Ｓの表面には加熱手段である不純物拡散抵抗６（以下、拡散抵抗６という）が形成されており、この拡散抵抗６は半導体基板３の４隅に設けられた電極パッド４と接続された配線４ａにより電力が供給されて温度が上昇し、薄肉部２Ｓと薄膜２Ｍにより構成される可撓領域２を加熱する。薄膜２Ｍは上述したようにアルミニウムまたはニッケルなどにより構成され、また薄肉部２Ｓはシリコンなどにより構成され、両者は異なる熱膨張係数を有している。
【００７３】半導体基板３と可撓領域２を連結する熱絶縁領域７は、薄肉部２Ｓと略同じ厚さであり、フッ素化樹脂、ポリイミド等の熱絶縁材料により構成されており、半導体基板３と可撓領域２を熱絶縁している。なお、半導体基板３の４隅に設けられた電極パッド４は図２（ｂ）における右上の電極パッド４と左下の電極パッド４が外部電源に接続され、電源に対して２つの拡散抵抗６の直列回路が並列に接続されている。」
　
エ．段落【０１６２】〜【０１６８】
「【０１６２】（実施形態６）次に、本発明の第６の実施形態を説明する。図２３は本実施形態の半導体マイクロアクチュエータの構造を示す斜視図である。本実施形態の半導体マイクロアクチュエータ４１は、中空で略四角形状の枠体となる半導体基板４３と、半導体基板４３より切り離され半導体基板４３の一辺より熱絶縁領域４７を介して一端が連結される略四角片状の薄肉部４２Ｓと、上面が四角形状に開口し下方に向かうにつれて幅が狭くなる中空の四角錐台形状に形成され、上記薄肉部４２Ｓの他端に上面の開口部周縁が連設される可動エレメント４５と、上記薄肉部４２Ｓの上面に設けられ、薄肉部４２Ｓとともに可撓領域４２を構成するアルミニウム薄膜またはニッケル薄膜などの薄膜４２Ｍにより構成されている。
【０１６３】上記半導体基板４３、薄肉部４２Ｓ、および可動エレメント４５は、例えばシリコン基板などの半導体基板を加工して形成される。また、薄肉部４２Ｓの表面には加熱手段である不純物拡散抵抗４６（以下、拡散抵抗４６という）が形成されており、この拡散抵抗４６は半導体基板４３上に設けられ外部電源に接続された電極パッド４４と接続された配線４４ａにより電力が供給されて温度が上昇し可撓領域４２を加熱する。薄膜４２Ｍは上述したようにアルミニウムまたはニッケルなどにより構成され、また薄肉部４２Ｓはシリコンなどにより構成され、両者は異なる熱膨張係数を有している。
【０１６４】半導体基板４３と可撓領域４２を連結する熱絶縁領域４７は、薄肉部４２Ｓと略同じ厚さであり、フッ素化樹脂、ポリイミド等の熱絶縁材料により構成されており、半導体基板４３と可撓領域４２を熱絶縁している。ここで、半導体基板４３と可撓領域４２とその間の熱絶縁領域４７とで半導体装置４８が構成される。また上記半導体マイクロアクチュエータ４１は、可撓領域４２が半導体基板４３に一端で支持される片持ち梁構造を有している。
【０１６５】半導体マイクロアクチュエータ４１は、拡散抵抗４６に電力が加えられると温度上昇し可撓領域４２が加熱され、可撓領域４２を構成する薄膜４２Ｍと薄肉部４２Ｓの熱膨張係数の違いによる熱応力が発生する。例えば薄膜４２Ｍとしてアルミニウム、ニッケル等の金属薄膜が形成させている場合には、薄肉部４２Ｓを構成するシリコンよりも熱膨張係数が大きいため、可撓領域４２は図中下方向へ曲げられる。そして、可撓領域４２に連設された可動エレメント４５は、可撓領域４２の熱応力を受けて、半導体基板４３に対して下方向に変位する。
【０１６６】本実施形態では、可撓領域４２を片持ち梁構造としているため、可撓領域４２の自由度を大きくとれ、加熱時の可撓領域４２の変位が大きくなる。そのため、可動エレメント４５の変位が大きくなり、大きな力が得られる。ここで、半導体装置４８は実施形態１で説明した図３、図６、図９のいずれの構成としてもよく、同様の効果を有する半導体マイクロアクチュエータが得られる。
【０１６７】（実施形態７）次に、第７の実施形態を説明する。図２４は本実施形態の半導体マイクロアクチュエータ４１ａの構造を示す斜視図であり、本実施形態において、実施形態６と異なる点は、可撓領域４２と可動エレメント４５がその間に設けられたポリイミド又はフッ素化樹脂などの樹脂からなる熱絶縁領域４７ａにより連結されている点である。
【０１６８】このように新たに熱絶縁領域４７ａを設けることで、可撓領域４２と可動エレメント４５の間の熱絶縁性が高まり、拡散抵抗４６より発生する熱が可動エレメント４５に逃げるのを防ぐことができ、実施形態６に比べてより可撓領域４２の加熱を効果的に行い消費電力の低減が図れる。」
　
オ．段落【０１９０】〜【０１９４】
「【０１９０】（実施形態１１）次に、本発明の第１１の実施形態を説明する。図３２は本実施形態における半導体マイクロリレーの構造を示す一部破断の斜視図である。図３２における半導体マイクロリレーは、表面に固定接点６７，６８が設けられた固定エレメントである固定片６５と、その上部に陽極接合、共晶接合などにより接合されたアクチュエータ部とにより構成されており、このアクチュエータ部は、図２３で示した半導体マイクロアクチュエータ４１で構成される。
【０１９１】半導体マイクロアクチュエータ４１の可動エレメント４５の下面には、可動接点６６が設けられており、固定片６５上の固定接点６７，６８は可動接点６６と対応する位置に可動接点６６と接触可能に離間して設けられている。
【０１９２】ここで、拡散抵抗４６に電流が流れ可撓領域４２が加熱されると、薄肉部４２Ｓと薄膜４２Ｍの熱膨張差により可撓領域４２が変位し、可動エレメント４５が変位する。この変位により可動エレメント４５の下面に設けられた可動接点６６と固定接点６７，６８が接触し、固定接点６７，６８が可動接点６６を介して導通してリレーがオンする。
【０１９３】本実施形態の半導体マイクロリレーのアクチュエータ部は半導体マイクロアクチュエータ４１で構成されており、実施形態６で説明したように可撓領域４２と半導体基板４３の熱絶縁効果が高く、消費電力の少ない半導体マイクロリレーが得られる。また、半導体マイクロアクチュエータ４１は半導体基板４３を固定端とする片持ち梁構造をしており、接点圧力の大きい半導体マイクロリレーが得られる。
【０１９４】（実施形態１２）次に、第１２の実施形態を説明する。図３３は本実施形態における半導体マイクロリレーの構造を示す斜視図であり、図３２で示したアクチュエータ部を図２５で示した半導体マイクロアクチュエータ４１ｂで構成したものである。」
　
カ．段落【０２１１】〜【０２１２】
「【０２１１】（実施形態１３）次に、本発明の第１３の実施形態を説明する。図４１は本実施形態の半導体マイクロリレーの構造を示す斜視図である。図４１に示す半導体マイクロリレーは、図３３で示した半導体マイクロリレーのアクチュエータ部を図２３で示した半導体マイクロアクチュエータ４１で構成したものであり、図３３と異なる点は、可撓領域４２の薄膜４２Ｍがアルミニウム薄膜あるいはニッケル薄膜などの金属薄膜により構成されている点である。
【０２１２】本実施形態の半導体マイクロリレーにおいても、可動エレメント４５に凹部４５Ｈが形成されており、図４８に示す半導体マイクロリレーのように凹部が形成されていない場合に比べて、可撓領域４２の温度上昇を急速に行える点、可動エレメントの重量（体積）が小さくなるので、外部からの衝撃に対して誤動作を防止できる点は実施形態１２と同様である。」
　
　以上によれば，引用例１には，
「略四角形状の枠体となる半導体基板と、半導体基板の内側に配置され半導体基板の厚み方向に変位可能であって固定接点によって移動範囲が規制される半導体よりなる可動エレメントと、前記半導体基板と前記可動エレメントとを連結するように前記半導体基板の１辺から延長され拡散抵抗が形成されたシリコンよりなる撓み層と金属膜からなる撓み層とを積層して備えた可撓部を有する可撓領域と、可撓領域に設けられた熱絶縁領域とを備え、前記可動エレメントの周縁が前記半導体基板の各辺に平行な四角錐台形状であり、拡散抵抗は配線により電力が供給される半導体マイクロアクチュエータ。」
　との発明（以下，「引用例発明１」という。）が開示されていると認められる。
　
　更に，引用例１には，熱絶縁領域７の形成方法として，
　
キ．段落【００８４】〜【００８６】
「【００８４】ここで、熱絶縁領域７の形成方法例を図５を用いて説明する。まず、図５（ａ）に示すように半導体基板１７の表面の熱絶縁領域に対応する部分をＫＯＨなどによりエッチングして溝１５を形成する。その後、図５（ｂ）に示すように、ポリイミド薄膜１６をコータ等により回転塗布し、溝１５を埋め尽くすように形成する。次に、図５（ｃ）に示すように半導体のフォトリソ工程などにより溝１５を埋め尽くした部分のポリイミド薄膜１６を残し、その他の部分を除去するようにパターニングし、４００℃程度に加熱してポリイミド中に含まれる有機溶剤などを蒸発させ固化させる。次に、図５（ｄ）に示すように半導体基板１７の裏面よりＫＯＨなどによりエッチングを行う。このとき、１９は枠体となる半導体基板、２０は可撓領域を示している。このような工程を経て熱絶縁領域７が形成される。
【００８５】以上のように、熱絶縁領域７は、ポリイミド、フッ素化樹脂等の樹脂材料が高い熱絶縁性（熱伝導率：０．４Ｗ／（ｍ・℃）以下、二酸化ケイ素の約８０倍）を有し、さらに液状で加工し易くスピンコートなどの半導体製造工程により所望の厚さ（数μｍ〜数十μｍ）の薄膜を容易に得ることができるという性質をうまく利用して、可撓領域２と半導体基板３の間に形成されるので、従来例に比べて熱絶縁効果が優れかつ強度をもつ半導体装置を、半導体製造工程を用い容易に実現できる。また、上記したように熱絶縁領域７を可撓領域２の薄肉部２Ｓとほぼ同じ厚さにすることで、半導体基板３と可撓領域２の連結を確実にし、その連結部分の強度を強くできる。
【００８６】このような効果を備えた半導体装置８を用いた半導体マイクロアクチュエータ１は、製造プロセスが簡単であり、また熱絶縁性が高いため拡散抵抗６により発生した熱の逃げを防いで低消費電力で駆動可能となり、電池で駆動できるので小型化が可能となる。」
　
との記載があり，また，配線の作成方法に関して，
　
ク．段落【０１３５】〜【０１３６】
「【０１３５】ここで、図１１、図１２に示したように、可撓領域と半導体基板の間、および可撓領域と可動エレメントの間に熱絶縁領域が設けられている半導体マイクロアクチュエータにおける他の構成例を図１３に示し、その作成方法を説明する。
【０１３６】図示したように、半導体基板３ａと可撓領域２ａとは熱絶縁領域７ａを介して連結しており、可撓領域２ａと可動エレメント５ａは熱絶縁領域７ｂを介して連結している。また、可撓領域２ａは互いに熱膨張係数の異なる薄膜２ｍと薄肉部２ｓにより構成され、薄肉部２ｓの表面には拡散抵抗６ａが設けられている。また、拡散抵抗６ａに電力を供給するための配線１３ａが、半導体基板３ａ上の電極パッド（図示せず）より熱絶縁領域７ａの下面を通って拡散抵抗６ａに接続されている。また、９ａ，９ｂは保護薄膜である。」
　
ケ．段落【０１４２】〜【０１４３】
「【０１４２】そして、単結晶シリコン基板８０の上面にアルミニウムをスパッタリング又はＥＢ蒸着により形成して、拡散抵抗６ａに接続される配線１３ａ（アルミ配線）を形成する（図１５（ａ））。
【０１４３】次に、上記溝８３ａ，８３ｂにポリイミド等の有機物８５を埋め込む（図１５（ｂ））。このようにして有機物８５の下部面に配線１３ａが形成された構造となる。またここで、ポリイミド等の有機物８５は半導体リソグラフィ工程を用いて所定の部分のみに形成する。」
　
コ．段落【０１４６】〜【０１５０】
「【０１４６】ところで、図１３に示す構成例では、配線１３ａが熱絶縁領域７ａの下部面に設けられているが、図１６に示すように配線（アルミ配線）１３ｂが熱絶縁領域７ａの上面と下面の略中間、すなわち熱絶縁領域７ａの内部に設けられるようにしてもよい。
【０１４７】このように配線１３ｂを形成するには、図１４（ｅ）に示す保護膜８４の形成工程の後、図１４（ｄ）の工程で形成された溝８３ａに、図１５（ｂ）に示すポリイミド等の有機物８５を埋め込む工程により略中央部までポリイミドを埋め込み、図１５（ａ）に示す配線の形成工程を行い、再度図１５（ｂ）に示す埋め込み工程により溝８３ａを埋めるようにすればよい。
【０１４８】このように配線１３ｂが熱絶縁領域７ａの内部に形成されているため、後工程のエッチング工程等でのアルミの保護効果があり、信頼性の高い配線構造が実現できる。
【０１４９】また、上記配線構造において、配線が熱絶縁領域の上面に設けられる（図１２（ａ））ようにしてもよく、配線を可撓領域、熱絶縁領域、半導体基板が面一である側の面上に形成することで、配線が熱絶縁領域７ａの内部あるいは下面部に設けられる場合に比べて配線の段差が小さくなり断線防止効果がある。
【０１５０】このように熱絶縁領域の上面に配線を形成するには、図１４（ｅ）に示す保護膜８４の形成工程の後、図１４（ｄ）の工程で形成された溝８３ａに、図１５（ｂ）に示すポリイミド等の有機物８５を埋め込む工程によりポリイミドを埋め込み、その後図１５（ａ）に示す配線の形成工程にてポリイミドの上面に配線を形成すればよい。」
　
サ．段落【０１５１】
「【０１５１】（実施形態３）次に、第３の実施形態を説明する。図１７は本実施形態における半導体マイクロアクチュエータの構造を示す斜視図であり、図１８はその上面図である。本実施形態において、実施形態２と異なる点は、実施形態２では拡散抵抗６に電力を供給する配線４ａが熱絶縁領域７の上部を通って拡散抵抗６に接続されているのに対して、本実施形態では半導体基板３と可撓領域２の薄肉部２Ｓに跨る部位（いわゆる入り隅の部位）に例えば有機材料からなる隅肉部２９を形成し、この隅肉部２９の上部を通って配線４ａが形成されている点である。すなわち、本実施形態では、配線４ａが熱絶縁領域７を介さずに形成されている。」
　
との記載がある。
　
○引用例２
　同じく，原査定の拒絶の理由に引用された特開２０００−１１３７９２号公報（以下，「引用例２」という。）には，「静電マイクロリレー」に関して，図面とともに，以下のとおり記載されている。
　
シ．【特許請求の範囲】【請求項１】
「固定基板の固定電極と、固定基板に弾性支持部を介して支持した可動基板の可動電極との間に発生させる静電引力に基いて可動基板を駆動し、固定基板に形成した少なくとも２つの信号線にそれぞれ設けた固定接点に、前記可動基板に絶縁膜を介して形成した可動接点を接離することにより、前記信号線を電気的に開閉するようにした静電マイクロリレーにおいて、
　前記固定電極を、信号線の両側に等距離で設けると共に、高周波ＧＮＤ電極と共用したことを特徴とする静電マイクロリレー。」
　
ス．段落【０００１】
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、静電引力により駆動して接点を開閉する静電マイクロリレーに関するものである。」
　
セ．段落【００１６】
「【００１６】図１は、本実施形態に係る静電マイクロリレーを示す。この静電マイクロリレーは、固定基板１０の上面に可動基板２０を一体化した構成である。」
　
ソ．段落【００２２】〜【００２６】
「【００２２】前記可動基板２０は、略矩形板状のシリコン基板を、アンカ２１ａ，２１ｂにより、第１弾性支持部２２を介して可動電極２３を弾性支持し、その中央部に第２弾性支持部２４を介して可動接点部２５を弾性支持する構成としたものである。
【００２３】前記アンカ２１ａ，２１ｂは、固定基板１０の上面２箇所にそれぞれ立設され、一方のアンカ２１ｂは固定基板１０の上面に設けた配線１５ａを介して接続パッド１５ｂに電気接続されている。
【００２４】前記第１弾性支持部２２は、可動基板２０の両側縁部に沿って設けたスリット２２ａにより形成され、端部下面に前記各アンカ２１ａ，２１ｂが一体化されている。
【００２５】前記可動電極２３は、前記固定電極１２に対向し、両電極１２，２３間に電圧を印加することにより発生する静電引力によって固定電極１２に吸引されるようになっている。また、可動電極２３は、少なくとも信号線１３，１４に対向する部分が除去されている。したがって、可動電極２３を介した信号線１３，１４間の容量結合が存在しないため、アイソレーション特性が向上する。
【００２６】前記第２弾性支持部２４及び可動接点部２５は、可動基板２０の両端縁部中央から中央部に向かって設けた切欠部２６により形成される。第２弾性支持部２４は、可動電極２３と可動接点部２５とを連結する幅狭の梁であり、接点閉成時、前記第１弾性支持部２２よりも大きな弾性力を得られるように構成されている。可動接点部２５は、第２弾性支持部２４に支持される平坦部２５ａの下面に絶縁膜２７を介して可動接点２８を設けたものである。可動接点２８は、前記各固定接点１３ａ，１４ａに対向し、両固定接点１３ａ，１４ａと閉成することにより、信号線１３，１４を電気的に接続するようになっている。」
　
タ．段落【００３４】
「【００３４】可動基板２０は、図７（ｃ）に示すように、可動接点２８が固定接点１３ａ，１４ａに当接した後も、可動電極２３が固定電極１２に当接するまで移動を続ける。このため、可動接点２８が固定接点１３ａ，１４ａに対して第２弾性支持部２４の撓み量に応じた弾性力を作用させて接触圧を高め、片当たりを発生させない。したがって、接点閉成時、所望の接触信頼性が得られる。」
　
　上記摘記事項，及び図７の記載によれば，可動電極２３と第１弾性支持部２２は２つずつあり，静電引力によって可動電極２３が吸引されると，可動接点部２５が各固定接点１３ａ，１４ａを閉成し，その際，可動接点部２５は第２弾性支持部２４により弾性支持されていることが明らかである。
　また，図１，２の記載から，各第１弾性支持部２２は互いに平行であって，固定基板１０の長手方向に向いており，２つの第２弾性支持部２４は可動接点部２５を挟んで，各第１弾性支持部２２の向きとは直交する，固定基板１０の幅方向の同一直線上に配置されていることも明らかである。
　
　以上によれば，引用例２には，
「第１弾性支持部と可動電極を２つずつ備え，前記各第１弾性支持部は，一端部がアンカに支持され可動接点とアンカとの対向する２辺に平行な方向に延長されて他端部が前記可動接点と前記アンカとの間に位置する可動電極を支持し，前記可動接点と前記アンカとの対向する２辺に直交する方向において可動電極の前記他端部と可動接点とを連結する第２弾性支持部とを有し，前記各第２弾性支持部は，前記可動接点を挟んで同一直線上に配置されてなる静電マイクロリレー。」
　との発明（以下，「引用例発明２」という。）が開示されていると認められる。
　
○周知例１
　同じく，原査定の拒絶理由において周知例として示された特開平８−１５６２１号公報（以下，「周知例１」という。）には，「光スイッチ」に関して，図面とともに，以下のとおり記載されている。
　
チ．【特許請求の範囲】の【請求項１】
「シリコン基板に凹部が形成され、前記凹部の表面に反射鏡および上部電極を有するシリコン製片持ち梁の偏向素子が設けられると共に前記凹部の底面に下部電極が形成され、前記上部電極および下部電極間に電荷を加えて前記梁にたわみを生じさせ前記反射鏡を傾斜させることにより、反射鏡からの出射光の光路を切り替え得るように構成したことを特徴とする光スイッチ。」
　
ツ．段落【０００９】〜【０００１０】
「【０００９】このような光スイッチの詳細を以下に説明する。図１は本発明に係る光スイッチの構成を示す斜視図、図２はその寸法の一例を示す図である。
【００１０】片持ち梁２は、Ｓi 基板１に異方性エッチングにより形成された窪み状の凹部６の中に選択エピタキシャル法と異方性エッチングを利用して作られる。片持ち梁２の表面の反射鏡３の部分（ほぼ２０μｍ×２０μｍ）は歪みが生じないように梁の部分（厚さ２μｍ）に比べて板厚が厚くなっている（５μｍ）。反射鏡３は梁（２本であり、それぞれ５μｍの幅を有する）で支持されており、ねじれに対する安定性を確保した構造となっている。」
　
○周知例２
　同じく，原査定の拒絶理由において周知例として示された特開平７−９０４３６号公報（以下，「周知例２」という。）には，「ＴｉＮｉ系形状記憶合金堆積膜」に関して，図面とともに，以下のとおり記載されている。
　
テ．段落【０００１】〜【０００２】
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＴｉＮｉ系形状記憶合金堆積膜に関し、特に微細化に適すると期待される形状記憶合金（以下ＳＭＡと呼ぶ）でアナログ的な屈曲や変位が可能な堆積膜に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体微細加工技術を応用した種々のセンサやアクチュエータが提案され、小型化、集積化、ＩＣとの一体化の方向で技術蓄積が行われている。マイクロマシンの分野はこれらを包含する広い技術領域であり、特に微小化に適するアクチュエータの開発が重要課題の１つになっている。」
　
ト．段落【００３６】
「【００３６】（実施例７）この実施例７は光スキャナとしての応用：電流で直接加熱の場合であり、図７を参照する。図７（Ａ）はＳＭＡ堆積膜を光スキャナーに応用する例を示す斜視図である。71は例えばシリコン基板であり、72はシリコン基板71上に形成される絶縁膜で例えば熱酸化膜やポリイミド膜である。73はＳＭＡ堆積膜、74，75は電気的にコンタクトを取るためのパッド、76はＳＭＡ堆積膜による光の反射面である。77，78はコンタクトパッド74，74と反射面76とを接続するためにＳＭＡ堆積膜で形成される抵抗体である。前記ＳＭＡ堆積膜73は、下方向に屈曲するように形状記憶されているものとする。図７（Ｂ）は図７（Ａ）のＸ−Ｘでの断面をＹ方向から見た断面図である。図７（Ａ）と対応する部材については同符号を記し説明を省略する。」
　
　そして，図７を参照すれば，抵抗体77，78は，シリコン基板71に片持ち状に取り付けられていることが示されている。
　
　周知例１，２によれば，
「マイクロアクチュエータにおいて，可動子を支持する２つの平行な可撓部材の腕片が，矩形枠状の支持部の同じ１辺に連結されるもの。」
が，本件の出願前に周知事項であったことが示されている。
　
（４−２）対比
　そこで，本願補正発明１と引用例発明１とを比較すると，引用例発明１は「半導体マイクロアクチュエータ」である限りにおいて，本願補正発明１の「半導体マイクロアクチュエータ」と一致している。
　そして，マイクロアクチュエータ全体の機能・作用からして、
引用例発明１の「枠体となる半導体基板４３（図３３）」は，本願補正発明１の「支持部」に相当し，以下同様に，「可動エレメント４５Ｈ（図３３）」は，「可動子」に，「可撓領域４２（図３３）」は，「可撓部材」に，夫々相当していることは明らかである。
　そして、「枠体となる半導体基板（支持部）」が矩形枠状である点、「可動エレメント（可動子）」が、厚み方向に変位可能であって固定接点によって移動範囲が規制される点、
「可撓領域（可撓部材）」が、拡散抵抗が形成されたシリコンよりなる撓み層と金属膜からなる撓み層とを積層して備えた可撓部を有する点、可動子の周縁が前記支持部の各辺に平行な矩形状である点も、両者とも共通している。
　また、引用例発明１の「熱絶縁領域４７（図３３）」は，枠体となる半導体基板と可撓領域を熱的に絶縁しているから、本願補正発明１の「熱絶縁部」に相当しており、その位置が枠体となる半導体基板（支持部）に連結される可撓領域（可撓部材）の一端部である点も共通している。
　更に、「熱絶縁領域４７ａ（図３３）」についてみると，これは，熱絶縁領域４７と同様に形成されるものであるところ，本願補正発明の「変形部」も，「熱絶縁部」と同様に形成される（本願明細書の段落【００１８】）ものであることを鑑みれば，この「熱絶縁領域４７ａ）」が，固定接点に対する可動エレメントの傾きをなくしているのは明らかである。
　
　以上の通りであるから，両者は，
　
＜一致点＞
「半導体よりなる矩形枠状の支持部と，支持部の内側に配置され支持部の厚み方向に変位可能であって当接面によって移動範囲が規制される半導体よりなる可動子と，前記支持部と前記可動子とを連結するように前記支持部の１辺から延長され拡散抵抗が形成されたシリコンよりなる撓み層と金属膜からなる撓み層とを積層して形成したバイメタルを備えた可撓部を有する可撓部材と，可撓部材に設けられ可動子が当接面に当たるときに当接面に対する可動子の傾きをなくすように弾性変形する変形部とを備え，前記可動子の周縁が前記支持部の各辺に平行な矩形状であり，前記各可撓部材の腕片は，前記支持部に連結される一端部に熱絶縁部を有する半導体マイクロアクチュエータ。」
　の点で一致し，以下の点で相違している。
　
＜相違点１＞
　本願補正発明１では，「前記可撓部材を２つ備え，前記各可撓部材は，一端部が前記支持部の前記１辺に連結され前記可動子と前記支持部との対向する２辺に平行な方向に延長されて他端部が前記可動子と前記支持部との間に位置する腕片と，前記可動子と前記支持部との対向する２辺に直交する方向において腕片の前記他端部と可動子とを連結する連結片とを有し，前記各連結片は，前記可動子を挟んで同一直線上に配置されて」なるものであるのに対し，引用例発明１の「可撓領域」は，そのようなものではない点。
　
＜相違点２＞
　本願補正発明１では，「前記腕片は，前記熱絶縁部が形成された部位において幅方向の端部に前記拡散抵抗に通電するためのシリコンよりなる部分が設けられてなる」のに対して，引用例発明１において同様に通電するための配線４４ａは，そのようなものではない点。
　
（４−３）判断
○相違点１について
　相違点１における，「前記各可撓部材は，一端部が前記支持部の前記１辺に連結され前記可動子と前記支持部との対向する２辺に平行な方向に延長されて他端部が前記可動子と前記支持部との間に位置する腕片と，・・・（中略）・・・連結片とを有し」との点について検討すると，これは，各可撓部材は腕片と連結片を有し，更に，腕片が「一端部が前記支持部の前記１辺に連結され」るものであるということであり，この中の「前記１辺」についてみると，前記においては，可撓部材がそこから延長される１辺としか限定されていないから，以下の通り，２通りの解釈を含むものと解される。
　解釈１．
「２つの可撓部材の腕片が，矩形枠状のそれぞれ別個の支持部の１辺に連結されたもの」
　解釈２．
「２つの可撓部材の腕片が，矩形枠状の支持部の同じ１辺に連結されるもの」
　解釈１によるならば，引用例発明２にて示された「アンカ」は，本願補正発明１の「支持部」に，「第２弾性支持部」は，「連結片」に，「第１弾性支持部と可動電極」の組が，本願補正発明１の「可撓部材」にそれぞれ相当しており，本願補正発明１の「腕片」に相当する「第１弾性支持部」が，それぞれ別個の１辺のアンカに連結されているから，相違点１は引用例発明２にて示されていることになる。
　また，請求人が平成１９年１１月１２日付け意見書で主張するように，解釈２．によるものであると限定的に解釈するとしても，この点は，周知例１，２に見られるように，マイクロアクチュエータにおいても周知事項である。
　
　してみれば，相違点１に係る構成の違いは，引用例発明１に引用例発明２，及び周知事項を適用したにすぎないものであり，当業者が容易に想到し得たものである。
　
○相違点２について
　相違点２について検討すると，前置報告書において周知例として示された特開平４−２５７６４号公報（以下，「周知例イ」という。）には，「半導体加速度センサ」に関して，図面とともに，以下のとおり記載されている。
　
ナ．公報第２頁右下欄第２〜１６行
「第１図（ａ），（ｂ）に示すように、本実施例はカンチレバー２を形成した加速度検出基板１と、ｐ型半導休基板７とを有している。まず、カンチレバー２は加速度検出基板１中にマイタロマシーニング加工により形成し、次にこのカンチレバー２の上部にゲート電極３を、アルミニウム等の導電性物質により形成し、さらに外部から配線６によりバイアス電圧を印加できるようにする。一方、Ｐ型半導体基板７に形成されるソース電極８とドレイン電極９は、Ｐ型の半導体基板７にりん等の不純物を拡散して形成する。また、これらソース電極８とドレイン電極９もアルミニウム等の導電性物質により形成された配線４，５により外部と接続する。尚、カンチレバー２はその周囲に溝１０が形成される。」
　
ニ．公報第３頁右上欄第７行〜左下欄第７行
「第３図（ａ），（ｂ）はそれぞれ本発明の第二の実施例を示す半導体加速度センサの平面図およびそのＢ−Ｂ線である。
　第３図（ａ），（ｂ）に示すように、本実施例もカンチレバー２を加速度検出基板１にマイクロマシーニング技術により形成し、このカンチレバー２の上郡にゲート電極３を形成する。形成方法は蕪着もしくはスパッタリングにより金属膜を付けるか、イオン注入もしくは熱拡散により不純物を拡散して形成する。また、ソース電極８およびドレイン電極９は、Ｎ型半導体羞板１７にボロン等を拡散して形成し、さらにこれらソース電極８およびドレイン電極９を効能度のボロン拡散により形成された配線４，５によりパッド１８と接続する。
　本実施例は前述した第一の実施例に比較し、Ｐ型の半導体基板の代りにＮ型の半導体基板１７を使用していること、および配線４にアルミニウム等の金属の代りに高濃度拡散配線を使用していることの２点が構造的に異なりており、その動作原理は同様である。」
　
　周知例イによれば，「半導体集積回路製造における拡散層として設けられたシリコンを配線として利用すること。」が，本件の出願前に周知事項であったことが示されている。
　
　そして，半導体集積回路製造技術を利用しているマイクロアクチュエータの製造においても，同様に拡散層シリコンを配線として利用することは周知事項であって，引用例１に記載の配線を「通電するためのシリコンよりなる部分」としたのは，単なる周知事項の置き換えにすぎない。
　
　更に，「熱絶縁部が形成された部位において幅方向の端部」について検討すると，シリコンよりなる部分の厚み（上方から見た場合の幅）がゼロということはあり得ず，小なりといえども何らかの寸法は有するのであるから，「幅方向の端部」が数学的に厳密な意味での端部ではないことは明らかである。
　そして，引用例１の，「隅肉２９（図１８）」に関する記載について見ると，隅肉は，熱絶縁部と同じ有機材料からなるものであり，熱絶縁部が形成された部位の幅方向に見た場合の端部であることは示され，この隅肉部の上部を通って配線が形成されていることが示されている。
　そして，引用例１には，上記（４−１）の摘記事項ク．〜サ．にみられるように，配線を熱絶縁部の下面，内部，上面，あるいは隅肉部の上部に設けるものが記載されており，これらのいずれかを採用するのは設計的事項であるから，「熱絶縁部が形成された部位において幅方向の端部」に通電部分を設けたと限定したのは，設計的事項の限定にすぎない。
　
　してみれば，相違点２に係る構成の違いは，引用例発明１に周知事項，及び設計的事項を適用したにすぎないものであり，当業者が容易に想到し得たものである。
　
　以上のとおりであるから，本願補正発明１は，引用例発明１，引用例発明２，及び，周知事項に基いて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（５）むすび
　以上のとおり，本件補正は，改正前特許法第１７条の２第５項において準用する特許法第１２６条第５項の規定に違反するので，改正前特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
第３．本願発明について
（１）本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので，本願の請求項１，２に係る発明は，平成１９年１１月１２日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１，２に記載されたとおりのものと認められるところ，請求項１，２に係る発明（以下，「本願発明１」，「本願発明２」という。）は，以下のとおりのものである。
「【請求項１】半導体よりなる矩形枠状の支持部と、支持部の内側に配置され支持部の厚み方向に変位可能であって当接面によって移動範囲が規制される半導体よりなる可動子と、前記支持部と前記可動子とを連結するように前記支持部の１辺から延長され熱膨張係数の異なる複数の撓み層が重ねられた可撓部を有する可撓部材と、可撓部材に設けられ可動子が当接面に当たるときに当接面に対する可動子の傾きをなくすように弾性変形する変形部とを備え、前記可動子の周縁が前記支持部の各辺に平行な矩形状であって、前記可撓部材を２つ備え、前記各可撓部材は、一端部が前記支持部の前記１辺に連結され前記可動子と前記支持部との対向する２辺に平行な方向に延長されて他端部が前記可動子と前記支持部との間に位置する腕片と、前記可動子と前記支持部との対向する２辺に直交する方向において腕片の前記他端部と可動子とを連結する連結片とを有し、前記各連結片は、前記可動子を挟んで同一直線上に配置されてなることを特徴とする半導体マイクロアクチュエータ。
【請求項２】前記変形部は、ポリイミド樹脂よりなることを特徴とする請求項１記載の半導体マイクロアクチュエータ。」
　
（２）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例，および，その記載事項，ならびに周知事項は，前記第２．に記載したとおりである。
　
（３）対比・判断
　本願発明１は，前記第２．で検討した本願補正発明１から，前記第２．（２）に記載した補正事項の特定事項を省いたものである。
　そうすると，本願発明１の特定事項を全て含み，さらに他の特定事項を付加したものに相当する本願補正発明１が，前記第２．（４），（５）に記載したとおり，引用例発明１，引用例発明２，周知事項，及び，設計的事項に基いて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明１も，同様の理由により，引用例発明１，引用例発明２，周知事項，及び，設計的事項に基いて，当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（４）むすび
　以上のとおり，本願発明１は，引用例発明１，引用例発明２，周知事項，及び，設計的事項に基いて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができず，他の請求項についてみるまでもなく，本願は拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。