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　特願２００３−４０１８７６「プラズマエッチング方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　６月２３日出願公開、特開２００５−１６６８２７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
［１］手続の経緯
　本願は、平成１５年１２月１日の出願であって、平成１９年３月２２日付けで拒絶理由通知がなされ、同年５月２３日付けで意見書および手続補正書が提出され、同年９月７日付けで平成１９年３月２２日付け拒絶理由通知の理由により拒絶査定がなされ、これに対し、同年１０月１１日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年１１月５日に手続補正書が提出されたものである。
　
［２］平成１９年１１月５日付け手続補正についての補正の却下の決定
　
＜結論＞
　平成１９年１１月５日付け手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　
＜理由＞
（２−１）補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲を、
「【請求項１】処理室内においてＳｉからなる被処理体をプラズマエッチングして深さの浅いトレンチを形成するプラズマエッチング方法であって、
ＣＦ４を主成分としたガスに希ガスを混合したエッチングガスを前記処理室内に導入し、前記エッチングガスをプラズマ化して前記被処理体をエッチングしてトレンチを形成し、前記処理室内に導入する希ガスの量は、前記エッチングガスの総流量に対して５０〜９０％を維持するよう制御することを特徴とするプラズマエッチング方法。
【請求項２】前記希ガスは、Ａｒであることを特徴とする請求項１に記載のプラズマエッチング方法。
【請求項３】処理室内においてＳｉからなる被処理体をプラズマエッチングして深さの浅いトレンチを形成するプラズマエッチング装置であって、ＣＦ４を主成分としたガスに希ガスを混合したエッチングガスを前記処理室内に導入し、前記エッチングガスをプラズマ化して前記被処理体をエッチングしてトレンチを形成し、前記処理室内に導入する希ガスの量は、前記エッチングガスの総流量に対して５０〜９０％を維持するよう制御することを特徴とするプラズマエッチング装置。」とする点を含むものである。
　
（２−２）補正の目的
　上記補正は、補正前の請求項１、３における「ＣＦ４及び希ガスを含むエッチングガス」を「ＣＦ４を主成分としたガスに希ガスを混合したエッチングガス」とするものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
（２−３）独立特許要件
　そこで、上記補正後の本願請求項１−３に係る発明が、特許出願の際独立して特許を受けられるものかどうかを検討する。
（１）補正後の本願発明
　補正後の本願請求項１−３に係る発明は、平成１９年１１月５日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１−３に記載された事項により特定されるとおりのものと認める（以下、それぞれ、「補正後の本願発明１」…「補正後の本願発明３」という。）。
　
（２）引用発明
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された特開平１１−１５０１８０号公報（以下、「引用刊行物」という。）には、以下の事項が記載されている。
「本発明の係る半導体装置の製造方法の具体例をより詳細に説明するならば、……その後、シリコン窒化膜のエッチングから素子分離用のトレンチ（溝）エッチングまでを、低圧高密度プラズマエッチング装置の１つである誘導結合型プラズマエッチング装置を用いて連続して行なう。……表出したシリコン基板（トレンチ形成部）５をテーパー角α（シリコン基板面と水平面とでなす角度）４５度以下、深さＨを５０ｎｍ程度に浅く等方性ドライエッチングして浅い溝５ａを形成する。このテーパー角αが最終的に得られるトレンチング条件としては、ＣＦ４ガスとＡｒガスの混合ガスを使用し、ＣＦ４ガス流量５ｓｃｃｍ、Ａｒガス流量１００ｓｃｃｍ、圧力２０ｍＴｏｒｒ、ソースパワー４００Ｗ、バイアスパワー５０Ｗであった。」（第４頁第５欄第４６行−同頁第６欄第２６行）
　そして、ＣＦ４ ガスとＡｒガスの混合ガスがプラズマ装置内に導入され、該混合ガスがプラズマ化してシリコン基板をエッチングしていることは技術的に明らかであるから、この点も含めて上記記載事項を整理すると、引用刊行物には、
「プラズマエッチング装置内においてシリコン基板をプラズマエッチングして深さ５０ｎｍ程度の浅いトレンチ（溝）を形成するプラズマエッチング方法であって、ＣＦ４ガスとＡｒガスの混合ガスを前記エッチング装置内に導入し、前記エッチングガスをプラズマ化して前記シリコン基板をエッチングしてトレンチを形成し、ＣＦ４ガス流量５ｓｃｃｍ、Ａｒガス流量１００ｓｃｃｍとすることを特徴とするプラズマエッチング方法。」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているといえる。
　
（４）対比・判断
　引用発明は、ＣＦ４ ガスとＡｒガスの混合ガスを使用するプラズマエッチングにより深さ５０ｎｍ程度の浅いトレンチを形成するために、ＣＦ４ガス流量５ｓｃｃｍ、Ａｒガス流量１００ｓｃｃｍ、すなわち、Ａｒガス量のＣＦ４ ガスとＡｒガスの混合ガス流量に対する割合が、１００／（５＋１００）＝９５．２％という特定の条件を採用するものであるが、製品間でトレンチの深さのバラツキが生じないように、該条件を維持するように制御することは当然に行っているものと認める。
　そして、上記事項も含めて補正後の本願発明１と引用発明とを対比すると、「プラズマエッチング装置」、「シリコン基板」、「深さ５０ｎｍ程度の浅いトレンチ（溝））」、「ＣＦ４ガスとＡｒガスの混合ガス」は、それぞれ、本願発明における「処理室」、「Ｓｉからなる被処理体」、「深さの浅いトレンチ」、「ＣＦ４を主成分としたガスに希ガスを混合したエッチングガス」に相当するから、両者は、
「処理室内においてＳｉからなる被処理体をプラズマエッチングして深さの浅いトレンチを形成するプラズマエッチング方法であって、ＣＦ４を主成分としたガスに希ガスを混合したエッチングガスを前記処理室内に導入し、前記エッチングガスをプラズマ化して前記被処理体をエッチングしてトレンチを形成し、前記処理室内に導入する希ガスの量を、エッチングガスの総流量に対して所定の割合を維持するよう制御することを特徴とするプラズマエッチング方法。」である点で一致し、
　本願発明１では「処理室内に導入する希ガスの量は、前記エッチングガスの総流量に対して５０〜９０％」であるのに対して、引用発明では、それが「９５．２％」である点でのみ相違する。
　そこで、上記相違点について検討すると、一般的に、製造フローにおいて、各工程の時間短縮化は共通の課題であり、引用発明におけるエッチングに要する時間も短縮した方が望ましいことは明らかである。
　そして、ＣＦ４ガスに希ガスを混合してプラズマエッチングを行う場合、希ガスの混合比が高くなるにつれ、エッチング速度が遅くなることは周知の事項である（例えば、特開昭６０−１９２３３４号公報：「まず、シリコン基板の表面に厚さ０．５μｍのポリシリコン絶縁膜を形成し、……これを円筒形プラズマエッチング装置に装入して、例えば４％の酸素（Ｏ２）を含むフレオン（ＣＦ４）ガスにヘリウム（Ｈｅ）ガスを混合した反応ガスを装置内に導入しフレオンガスに対するヘリウムガスの分圧比を変化させ、…フレオンガスに対するヘリウムガスの分圧比が高くなるにしたがってエッチング速度は遅くなるがサイドエッチ量は減少することがわかる。」（第２頁左下欄第１６行−同頁右下欄下第２行）、特開昭６１−２６６５８４号公報：「図示しないプラズマ室にＣＦ４、Ｏ２、及びＮ２を夫々１００ｓｃｃｍ、５０ｓｃｃｍ、５０ｓｃｃｍの条件で供給すると共に、Ｈｅを該ＣＦ４、Ｏ２に対して所定の比率で供給し、２．４５ＧＨｚのマイクロ波より該ガス励起した。ひきつづき、排気管１２にとって圧力を２０Ｐａとした真空チャンバ１内に前記Ｈｅで希釈された活性種をガス導入管１１を通して導入すると共に、…露出した多結晶シリコン膜２３をケミカルドライエッチングを行った。…また、Ｈｅの添加量に対する多結晶シリコン膜のエッチングレートを調べたところ、第５図のＡに示す特性線を得た。……第５図に示すようにＨｅの添加量の増大に伴ってエッチングレート２５０Å／ｍｉｎ以下となることから、そのＨｅ添加量を４００％以下にすることが望ましい。」（第２頁右下欄第９行−第３頁右上欄第３行））から、引用発明において、エッチング時間の短縮を目的として、希ガス量のエッチングガス総流量に対する割合を低下させることは当業者が容易に試みることであり、その際、サイドエッチも考慮して、希ガス量の割合の範囲を最適化することは設計的事項にすぎず（周知例の特開昭６０−１９２３３４号公報には、上記のとおり、ヘリウム分圧比の増加にともないサイドエッチが減ること、すなわち、ヘリウムの分圧比を減らせば、サイドエッチが増えることが記載されている）、「５０〜９０％」の上限、下限の値に臨界的意義も認められない。
　よって、補正後の本願発明１は引用刊行物の記載および周知技術に基き、当業者が容易に発明することができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により独立して特許を受けることができない。
　
（５）むすび
　したがって、補正後の本願発明２、３について検討するまでもなく、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
［３］本願発明
　平成１９年１１月５日付け手続補正は上記のとおり却下されたので、本願請求項１−３に係る発明は、平成１９年５月２３日付け手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１−３に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は以下のとおりである。
　
 「【請求項１】処理室内においてＳｉからなる被処理体をプラズマエッチングして深さの浅いトレンチを形成するプラズマエッチング方法であって、ＣＦ４及び希ガスを含むエッチングガスを前記処理室内に導入し、前記エッチングガスをプラズマ化して前記被処理体をエッチングしてトレンチを形成し、前記処理室内に導入する希ガスの量は、前記エッチングガスの総流量に対して５０〜９０％を維持するよう制御することを特徴とするプラズマエッチング方法。」
　
［４］引用発明
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物（特開平１１−１５０１８０号公報）には、上記［２］（２−３）（２）に記載のとおりの発明が記載されている。
　
［５］対比・判断
　補正後の本願発明１は、本願発明１における「ＣＦ４　及び希ガスを含むエッチングガス」を「ＣＦ４　を主成分としたガスに希ガスを混合したエッチングガス」とさらに限定したものである。
　そして、上記［２］（２−３）のとおり、補正後の本願発明１が引用刊行物記載事項および周知事項に基き、当業者が容易に発明することができたものであることから、本願発明１についても、引用刊行物記載事項および周知事項に基き、当業者が容易に発明できたものである。　
　
［６］むすび
　以上のとおりであるから、本願請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　そのため、本願の請求項２、３に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、上記のとおり審決する。