(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
平板ヒーター上に基板を置いて加熱する基板加熱装置であって、
前記平板ヒーターを複数枚有し、各平板ヒーターが間隔を開けて重ねて配置され、
前記各平板ヒーターが上下動できるように構成されたことを特徴とする基板加熱装置。
【請求項２】
ハンドル上に乗せた基板を水平移動させる基板搬送ロボットの、前記ハンドルと前記各平板ヒーター間で基板を移し替えるように構成された基板加熱装置であって、
前記各平板ヒーター周囲に回転軸が鉛直に複数配置され、
前記各回転軸は上下動と中心軸線回りの回転動ができるように構成され、
前記各回転軸の下端には基板を引っかけるフックが設けられ、
前記各平板ヒーターは前記各フックの挿入と回転ができる切れ込み部を有し、前記各平板ヒーターと前記各回転軸の上下動と、前記各フックの回転動によって、前記ハンドルと前記各平板ヒーターの間で基板の移し替えができるように構成されたことを特徴とする請求項１記載の基板加熱装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は基板の脱ガスを行う装置に係り、特に、複数の基板を加熱しながら真空排気して脱ガス処理を行う基板加熱装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置や液晶装置等の生産に用いられる成膜装置では、バッチ式の成膜装置に替えて従来より、成膜室内を大気に曝さずに成膜処理が行える装置が広く用いられている。
【０００３】
そのような成膜装置には連続式のものと枚葉式のものとがあるが、まず、連続式インライン成膜装置の一般的な構成を説明する。図８を参照し、この図８は従来技術の連続式インライン方式の成膜装置１００の平面図であり、該成膜装置１００は、搬入室１０２と、脱ガス室１０６と、隔離室１０８と、成膜室１１０と、搬出室１１３とがこの順で配置されて構成されている。前記各室は、通常状態では閉じられている仕切バルブ１０５、１０７、１０９、１１２によってそれぞれ仕切られており、個別に真空排気できるように構成されている。
【０００４】
前記搬入室１０２と大気雰囲気との間には仕切バルブ１０３が設けられており、該仕切バルブ１０３が開けられて、キャリアに搭載された基板１０１が該搬入室１０２内に搬入され、前記仕切バルブ１０３が閉じられて真空排気された後、前記仕切バルブ１０５が開けられて前記基板１０１が前記脱ガス室１０６に移動される。
【０００５】
前記脱ガス室１０６には、図９に示すように、ピニオン１１７上に往復動自在に設けられたラック１１６を有する枠状ストッカー台車１１４が設けられており、該枠状ストッカー台車１１４上には複数枚の保持板１１５が所定間隔を隔てて平行に配置され、各保持板１１５の間に基板を１枚ずつ直立に保持できるように構成されている。
【０００６】
前記保持板１１５の間において、基板を保持しているところと空いているところがある場合、前記基板１０１が搬入されると前記ピニオン１１７が回転され、前記ストッカー台車１１４が移動されて搬入された基板１０１が前記各保持板１１５の間の空いたところに納められる。
【０００７】
前記脱ガス室１０６は、排気口１１９に接続された図示しない真空ポンプによって真空排気できるように構成されており、前記基板１０１を前記脱ガス室１０６内に搬入した後、前記仕切バルブ１０５を閉じておけば、前記成膜装置１００内に新しい基板を搬入するために前記搬入室１０２に大気を導入したときでも、前記脱ガス室１０６内には大気が侵入しないように構成されており、該脱ガス室１０６内の真空状態を保ったまま、前記枠状ストッカー台車１１４が満載されるまで該脱ガス室１０６内への基板の搬入動作が繰り返される。
【０００８】
そして、前記各保持板１１５の間に保持された基板のうち、所定の脱ガス時間が経過した基板については、搬送機構１１８によって後方の隔離室１０８に１枚ずつ搬送され、それにより開けられたスペースには前記搬入室１０２から搬入された新しい基板が納められる。
【０００９】
一方、前記隔離室１０８に基板が搬入されると、前記仕切バルブ１０７が閉じられ、該隔離室１０８が充分に真空排気された後、前記仕切バルブ１０９が開けられて、該隔離室１０８内の基板は前記成膜室１１０内に移動される。
【００１０】
前記成膜室１１０にはスパッタリングカソード１１１が設けられており、該成膜室１１０内に搬入された基板１０１は前記スパッタリングカソード１１１の間をゆっくりと移動している間、ターゲットがスパッタリングされ、薄膜の成膜が行われる。前記基板１０１表面に所望膜厚の薄膜が成膜されると、前記仕切バルブ１１２が開けられて、その基板１０１は前記成膜室１１０から前記搬出室１１３に搬送され、前記仕切バルブ１１２が閉められた後、前記搬出室１１３に大気が導入されて取り出される。
【００１１】
このように、前記成膜装置１００によれば、基板の脱ガス処理と成膜作業とを連続して行うことができ、生産性もよいことから実際の生産現場において広く使用されていた。
【００１２】
しかしながら近年では、成膜される薄膜の膜質を向上させることが求められており、単に基板を真空状態に置くだけでは脱ガス処理が不十分になって来た。また、真空雰囲気に置くだけで脱ガスをしようとすると処理に要する時間が長くなり、問題となっていた。
【００１３】
この場合、基板を加熱しながら真空排気すれば、脱ガス時間が短くなり、また、結晶性のよい薄膜を成膜することができるようになるが、基板を直立保持して赤外線ランプ等で加熱すると、基板のそりや歪みが生じ易く、特に大面積基板では問題となっていた。
【００１４】
ところで、上述した連続式のインライン成膜装置では搬送機構からダストが発生するという問題があり、また、多種類の薄膜を成膜しずらいことから、近年では連続式のインライン成膜装置に替え、複数の成膜室を有し、各成膜室で基板を１枚ずつ成膜処理する枚葉式の成膜装置が主流になってきた。
【００１５】
そしてこのような枚葉式の成膜装置では、複数の成膜室と搬出入室や基板加熱室との間で基板をやりとりするために、搬送機構に基板搬送ロボットが採用されており、基板が擦れて搬送機構からダストが発生せず、基板表面に欠陥なく薄膜を成膜することができるため、大面積基板に適用する場合には有利であるとされている。
【００１６】
図１０に、そのような枚葉式の成膜装置の一部分の断面図を示す。
その図１０を参照し、２００は従来技術の基板加熱装置を有する成膜装置であり、基板の搬出入を行うＬ／ＵＬ室２０２と、基板搬送ロボット２０７が設けられた搬送室２０８と、ヒーター２１０１、２１０２から成る基板加熱装置を有する加熱・脱ガス室２０６とがこの順で配置され、通常の状態では閉じられている仕切バルブ２０５、２０９でそれぞれ仕切られており、個別に真空排気できるように構成されている。
【００１７】
前記Ｌ／ＵＬ室２０２は扉２０３とカセット昇降機構２１４とを有しており、前記扉２０３を開けると成膜対象の基板が満載されたカセット２２０を装着できるように構成されている。
前記カセット２２０が装着され後、前記扉２０３が閉じられると、図示しない真空ポンプが起動され、前記搬入室２０２が真空排気される。そして所定の排気時間が経過すると、前記仕切バルブ２０５が開けられ、前記基板搬送ロボット２０７によって前記カセット２２０から基板が１枚ずつ取り出される。
【００１８】
次いで前記仕切バルブ２０９が開けられて、前記基板搬送ロボット２０７によって、前記加熱・脱ガス室２０６内に搬入され、昇降機構２１１によって、該加熱・脱ガス室２０６内で上下動可能に設けられた保持棒２０４上に基板２１２が乗せられる。
【００１９】
その基板２１２は前記ヒーター２１０１、２１０２の間に位置するようにされており、前記仕切バルブ２０９が閉じられた後、前記ヒーター２１０１、２１０２に通電され、同時に図示しない真空ポンプが起動されて、前記基板２１２に対して加熱と真空排気による脱ガス処理が行われる。
【００２０】
所定の脱ガス時間が経過し、脱ガス処理が終了すると前記仕切バルブ２０６が開けられて、前記基板搬送ロボット２０７によって、前記加熱・脱ガス室２０６から前記基板２１２が取り出され、図示しない成膜室内に移送され、成膜作業が開始される。
【００２１】
その際、前記仕切バルブ２０５が開けられて前記カセット２２０から新しい基板が取り出され、前記基板搬送ロボット２０７によって、前記保持棒２０４上に乗せられ、新しい基板の加熱・脱ガス処理が開始される。
【００２２】
このように、基板搬送ロボットに対応した従来技術の加熱・脱ガス装置では、基板を１枚ずつしか処理できず、処理能力が低かった。
また、保持棒上に基板を乗せてヒーターで加熱した場合には、基板にそりや歪みが生じることもあり、大面積基板に対応した基板加熱装置の開発が望まれていた。
【００２３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記従来技術の不都合を解決するために創作されたもので、その目的は、基板を効率よく加熱することができ、基板搬送ロボットに対応した設置面積の小さな基板加熱装置を提供することにある。
【００２４】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために請求項１記載の発明は、平板ヒーター上に基板を置いて加熱する基板加熱装置であって、前記平板ヒーターを複数枚有し、各平板ヒーターが間隔を開けて重ねて配置され、前記各平板ヒーターが上下動できるように構成されたことを特徴とし、
【００２５】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の基板加熱装置であって、ハンドル上に乗せた基板を水平移動させる基板搬送ロボットの、前記ハンドルと前記各平板ヒーター間で基板を移し替えるように構成された基板加熱装置であって、前記各平板ヒーター周囲に回転軸が鉛直に複数配置され、前記各回転軸は上下動と中心軸線回りの回転動ができるように構成され、前記各回転軸の下端には基板を引っかけるフックが設けられ、前記各平板ヒーターは前記各フックの挿入と回転ができる切れ込み部を有し、前記各平板ヒーターと前記各回転軸の上下移動と、前記各フックの回転動によって、前記ハンドルと前記各平板ヒーターの間で基板の移し替えができるように構成されたことを特徴とする。
【００２６】
このような基板加熱装置の構成によれば、平板ヒーター上に基板を置いて加熱するため、大型の基板を加熱する場合でも、そりや歪みが生じることがなく、また、複数枚の平板ヒーターを間隔を開けて重ねて配置したので設置面積が小さく、そして、各平板ヒーターを上下動できるように構成したので、基板搬送ロボットによって該基板加熱装置内に基板を搬入したときに、各平板ヒーター上に基板を収納することが可能となる。
【００２７】
また、前記各平板ヒーター周囲に回転軸を鉛直に複数個配置し、前記各回転軸の下端にフックを設け、前記各回転軸を上下動と中心軸線回りの回転ができるように構成しておき、前記各平板ヒーターに前記各フックが挿入でき、前記各フックの回転ができる切れ込み部を設けておくと、その基板加熱装置と、基板を乗せたハンドルを水平移動させて基板を移送する基板搬送ロボットとの間で基板の搬出入を行う際、前記各平板ヒーターと前記各回転軸の上下移動と、前記各フックの回転とによって、前記ハンドルと前記各フックの間と、前記各フックと前記各平板ヒーターとの間で基板の移しかえができて都合がよい。
【００２８】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を図面を用いて説明する。
図１を参照し、２は本発明の最良の実施の形態を示す基板加熱装置であり、加熱室４内に４枚の平板ヒーター３１〜３４を有している。
前記各平板ヒーター３１〜３４は矩形形状をしており、所定間隔を開けて重ねて配置され、各平板ヒーター３１〜３４の四隅は固定棒５１〜５４（固定棒５３は図示せず）に固定されている。
【００２９】
前記各固定棒５１〜５４の下端部と上端部には、取付板６１、６２がそれぞれ設けられており、前記取付板６２表面の中央にはガイド棒７が鉛直に立設され、前記取付板６１裏面の四隅付近には、前記加熱室４の外へ鉛直下方向に伸びるベローズ８１〜８４（ベローズ８３は図示せず）の上端部が気密に固定されている。
【００３０】
前記ベローズ８１〜８４の下端部にはベローズ取付板２９が取り付けられ、該ベローズ取付板２９には図示しないボールねじが取り付けられており、該ベローズ取付板２９によって、前記ボールねじの回転運動を直線運動に変えるように構成されている。
【００３１】
前記ボールねじは前記ベローズ取付板２９の下面に配置されたモーター１０の回転軸に取り付けられており、前記モーター１０が起動され、前記ボールねじが回転されると前記取付板２９によって前記各ベローズ８１〜８４が上下移動され、それによって前記各平板ヒーター３１〜３４が昇降されるように構成されている。
【００３２】
前記ベローズ取付板２９にはガイド棒１１１〜１１４（ガイド棒１１１、１１３は図示せず）が気密に挿通されており、また、前記取付板６２の上方に配置され、前記加熱室４に固定された天板１３には前記ガイド棒７が気密に挿通されているので、前記各平板ヒーター３１〜３４の昇降の際の動きが規制され、それらの動きが滑らかになるようにされている。
【００３３】
前記天板１３表面の、互いに平行な２辺の縁付近には、その縁に沿うように長方形の固定板２０ａ、２０ｂが配置されており、該固定板２０ａ、２０ｂは、それぞれ支持棒２８１、２８２（支持棒２８１は図示せず）と、支持棒２８３、２８４によって前記天板１３と平行に、間隔を存して固定されている。
【００３４】
前記各固定板２０ａ、２０ｂには、ねじ２１ａ、２１ｂが鉛直下方に伸びるように挿通され、ねじ部でないところが回転可能に保持されており、前記各ねじ２１ａ、２１ｂの、前記各固定板２０ａ、２０ｂの表面に出た上端部分には、それぞれプーリー２２ａ、２２ｂが設けられている。
【００３５】
前記各固定板２０ａ、２０ｂと前記天板１３との間には、取付板１９ａ、１９ｂが配置されており、該取付板１９ａ、１９ｂには、前記支持棒２８１、２８２と、前記支持棒２８３、２８４とがそれぞれ挿通されている。また、前記取付板１９ａ、１９ｂには前記ねじ２１ａ、２１ｂが取り付けられており、その取付部分はボールねじに形成され、滑らかに動けるように構成されている。
【００３６】
前記天板１３上にはモーター９が配置され、その回転軸２７と前記プーリー２２ａ、２２ｂとの間にはベルト２６が巻回されており、前記モーター９が起動されると前記ねじ２１ａ、２１ｂが回転され、前記取付板１９ａ、１９ｂが上下動されるように構成されている。
【００３７】
その取付板１９ａ、１９ｂは前記固定板２０ａ、２０ｂよりも長く形成されており、各固定板２０ａ、２０ｂの両端からはみ出た部分には、それぞれロータリーアクチュエーター１７１、１７２（ロータリーアクチュエーター１７１は図示せず）と、ロータリーアクチュエーター１７３、１７４とが設けられている。
【００３８】
前記各平板ヒーター３１〜３４の周囲のうち、各平板ヒーター３１〜３４の互いに平行となる２つの辺の近傍には、４本の回転軸１８１〜１８４のうちの２本ずつが鉛直に配置されており、各回転軸１８１〜１８４は前記天板１３に気密に挿通され、上端部分が前記各ロータリーアクチュエーター１７１〜１７４の回転軸に取り付けられている。
【００３９】
また、前記各回転軸１８１〜１８４の下端部分には、フック１６１〜１６４（フック１６３、１６４は図示せず）がそれぞれ取り付けられており、前記各ロータリーアクチュエーター１７１〜１７４の動作によって、前記各フック１６１〜１６４は、前記回転軸１８１〜１８４の中心軸線回りにそれぞれ９０度回転されるようにされている。また、前記モーター９が動作すると前記取付板１９ａ、１９ｂが上下移動され、各フック１６１〜１６４は、前記各回転軸１８１〜１８４と共に上下移動されるように構成されている。
【００４０】
前記各平板ヒーター３１〜３４のうちの任意の一枚の平板ヒーターを図２に示すと、その平板ヒーター３は上側の発熱板２３ａと、平面状に折り畳まれ、電流によって発熱するシースヒーター２５と、下側の発熱板２３ｂとがこの順で張り合わされたサンドイッチ状に形成されており、前記発熱板２３ｂの縁には、前記回転軸１８１〜１８４の中心軸線を中心とした略四分の一円だけ切れ込み部２４１〜２４４が形成されている。従って、前記各フック１６１〜１６４の高さを前記各切れ込み部２４１〜２４４の高さと同じにし、前記回転軸１８１〜１８４を回転させると前記各フック１６１〜１６４の出し入れができ、また、前記各フック１６１〜１６４は前記切れ込み部２４１〜２４４の厚みよりも薄く形成されており、前記各フック１６１〜１６４を前記各切れ込み部２４１〜２４４に入れたときには前記発熱板２３ｂ表面よりも前記フック１６１〜１６４の表面が低くできるようにされている。
【００４１】
この基板加熱装置２は、図７に示す枚葉式の成膜装置４２に用いられ、該基板加熱装置２は、前記成膜装置４２へのガラス基板の搬出入を行うＬ／ＵＬ室４４１、４４２と、ＩＴＯ薄膜の成膜を行うスパッタ室４３１〜４３３と共に、基板搬送ロボット３１が置かれた搬送室４５の周囲に配置されている。各室と前記基板搬送室４５との間には、開閉可能な仕切板が設けられており、図示しない真空ポンプによって、それぞれが独立に真空排気できるように構成されている。
【００４２】
この成膜装置４２で処理する基板は５５０×６５０ｍｍ２と大型のガラス基板であり、前記Ｌ／ＵＬ室４４１、４４２と大気雰囲気との間に設けられた仕切板を開け、そのような大型で未処理のガラス基板を一つのＬ／ＵＬ室内に置く際に、成膜が終了したガラス基板を同じＬ／ＵＬ室から取り出せるように構成されており、前記各Ｌ／ＵＬ室４４１、４４２内に置かれた未処理のガラス基板は、まず前記基板搬送ロボット３１の動作によって該基板搬送ロボット３１のハンドル３２上に載せられる。
【００４３】
前記ハンドル３２上に乗せられたガラス基板１４２は前記基板搬送ロボット３１の腕部３３の伸び縮みにより移動できるようにされているが、その前記基板搬送ロボット３１は上下移動は行わず、水平移動だけを行うように構成されているので、前記基板搬送室４５と前記基板加熱装置２との間の仕切板が開けられて、前記基板加熱室２内に搬入された前記ガラス基板１４２を前記平板ヒーター３１〜３４のいずれか一つに移しかえる際、前記フック１８１〜１８４の動作が必要となる。
【００４４】
その動作を図面を用いて説明すると、入れ換え準備状態を示す図３において、動作の説明に必要な部材には符号をつけ、一方、見やすいように、図４（ａ）〜（ｆ）と図５（ｇ）〜（ｌ）では符号を省略する。
【００４５】
まず、図３を参照し、ここでは、前記平板ヒーター３１〜３４のうち、最下層に位置する平板ヒーター３１上にガラス基板１４１が載せられており、その上に位置する平板ヒーター３２にはガラス基板が載せられていないものとする。また、前記各フック１６１〜１６４は前記平板ヒーター３２よりも上に位置するようにされており、その向きは前記平板ヒーター３２の近くにある縁と平行にされているものとする。
【００４６】
図４（ａ）〜（ｆ）を参照し、図３に示した入れ換え準備状態から前記各ロータリーアクチュエーター１７１〜１７３が動作して前記各フック１６１〜１６４が内側に向けられると（フックイン動作：図４（ａ））、前記基板搬送ロボット３１の前記アーム３３が伸ばされて、前記ハンドル３２が前記回転軸１８２と前記回転軸１８３の間を通って前記平板ヒーター３２上まで移動される（ハンドルイン動作：図４（ｂ））。
【００４７】
このとき、前記各フック１６１〜１６４は前記ハンドル３２上に乗せられた前記ガラス基板１４２と前記平板ヒーター３２との間に位置するようにされており、また、前記ハンドル３２は前記ガラス基板１４２よりも幅狭に形成されているので、前記モーター９が起動されて前記各回転軸１８１〜１８４が持ち上げられると、前記ガラス基板１４２の前記ハンドル３２からはみ出た部分が前記各フック１６１〜１６４に引っかけられ、前記ガラス基板１４２は前記ハンドル３２上から持ち上げられる（フックアップ動作：図４（ｃ））。
【００４８】
その後前記アーム３１が畳まれると、前記ハンドル３２は前記基板加熱装置２から抜き出され（ハンドルアウト動作：図４（ｄ））、次いで前記モーター１０が起動され、前記各平板ヒーター３１〜３４が上昇されると前記フック１６１〜１６４が前記平板ヒーター３２の表面に設けられた切れ込み部に入り、前記各フック１６１〜１６４の高さよりも前記平板ヒーター３２表面の高さが高くなったところで前記各フック１６１〜１６４上に置かれた前記ガラス基板１４２は前記平板ヒーター３２上に移し替えられる（ヒーターアップ動作：図４（ｅ））。
【００４９】
その状態から前記回転軸１８１〜１８４を回転させ、前記各フック１６１〜１６４を前記各切れ込み部から抜き出すと（フックアウト動作：図４（ｆ））、前記基板加熱装置２への一連の基板搬入動作は終了する。そして、前記基板加熱装置２と前記基板搬送室４５との間の仕切バルブを閉じ、前記平板ヒーター３２で前記ガラス基板１４２を加熱しながら図示しない真空ポンプによって真空排気して、前記ガラス基板１４２の脱ガス処理が行われる。
【００５０】
次に該基板加熱装置２からの基板搬出動作を説明すると、前記最下層の平板ヒーター３１上に載せられたガラス基板１４１は充分加熱されており（一例を示すと加熱時間は２分）、脱ガス処理が終了しているものとする。
【００５１】
まず、図４（ｆ）の状態から、前記モーター１０が起動され、前記ガラス基板１４１の底面が、前記各フック１６１〜１６４の表面よりもわずかに高くなるまで前記各平板ヒーター３１〜３４が持ち上げられる（ヒーターアップ動作：図５（ｇ））。
【００５２】
そして、前記各ロータリーアクチュエーター１７１〜１７４の動作により、前記各フック１６１〜１６４が前記平板ヒーター３１に設けられた切れ込み部に挿入され（フックイン動作：図５（ｈ））、次いで前記各平板ヒーター３１〜３４が降下されると、前記ガラス基板３１は前記各フック１６１〜１６４に引っかけられる（ヒーターダウン動作：図５（ｉ））。
【００５３】
前記平板ヒーター３１が充分に降下され、前記ガラス基板１４１と前記平板ヒーター３１との間に隙間が空いたところで、その隙間に前記ハンドル３２が挿入される（ハンドルイン動作：図５（ｊ））。
【００５４】
その状態から前記各フック１６１〜１６４を降下させると前記フック１６１〜１６４に引っかけられた前記ガラス基板１４１は前記ハンドル３２に移し替えられる（フックダウン動作：図５（ｋ））。次いで前記アーム３３を縮めると、前記ガラス基板１４１は前記基板加熱装置２の外部へと搬出され（ハンドルアウト動作：図５（ｌ））、前記スパッタ室４３１〜４３３のうち、空いているスパッタ室に搬入され、ＩＴＯ膜の成膜が行われる（一例を示すと、１０００Åの膜厚のＩＴＯ薄膜を成膜する場合には成膜時間は３分）。
【００５５】
最後に、前記各フック１６１〜１６４を前記平板ヒーター３１の切れ込み部から抜き出して（フックアウト動作：図６）、他のガラス基板の搬出入を行える状態にして一連の基板搬出状態は終了する。
【００５６】
このように基板を平板ヒーター上に置いて加熱するので、脱ガス時間が短く、大面積の基板を高温に加熱してもそりや歪みが生じることはない。
【００５７】
また、上述のような一連の処理を行う結果、基板を連続して処理できるようになるので、成膜処理に要する１枚当たりの時間が短くなる。
【００５８】
更に、１枚当たりの成膜時間が短い場合でも、加熱による脱ガス処理が間に合わなくなるということがなく、高価な成膜室を基板待ちの状態にせず、成膜装置を効率よく稼働させることができる。
【００５９】
更にまた、基板搬送ロボットに対応し、基板を擦らないで移し替えることができるので、ダストが発生することはない。
【００６０】
なお、前記加熱装置２では４枚の平板ヒーターを設けたが、２枚以上であればよく、加熱時間や成膜時間との関係で種々の枚数の平板ヒーターを設けることができる。また、本発明の加熱装置はスパッタリング法で薄膜を成膜する成膜装置ばかりでなく、ＣＶＤ法等、スパッタリング法以外の方法で薄膜を成膜する成膜装置に適用することが可能である。
【００６１】
【発明の効果】
基板１枚当たりの処理時間を短くでき、設置面積も小さくて済む。
また、加熱しても基板にそりや歪みが生じず、ダストが発生することはない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の基板加熱装置の好ましい実施の形態
【図２】その実施の形態に用いられる平板ヒーターの平面図と側面図
【図３】本発明の基板加熱装置の基板の入れ換え準備状態を示す図
【図４】（ａ）〜（ｆ）：本発明の基板加熱装置の基板搬入動作を説明するための図
【図５】（ｇ）〜（ｌ）：本発明の基板加熱装置の基板搬出動作を説明するための図
【図６】基板搬出後の準備状態に復帰した様子を示す図
【図７】本発明の基板加熱装置が用いられる成膜装置の一例を示す図
【図８】従来技術の成膜装置の一例の平面図
【図９】その成膜装置に設けられた脱ガス装置の動作を説明するための図
【図１０】従来技術の成膜装置の他の例の断面図
【符号の説明】
２……基板加熱装置    ３１〜３４……平板ヒーター
１４１、１４２……基板    １６１〜１６４……フック  １８１〜１８４……回転軸
２４１〜２４４……切れ込み部
３１……基板搬送ロボット    ３２……ハンドル
【図１】
0003580916.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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