【事件の表示】
　平成８年特許願第１９６３３７号「半導体デバイス」拒絶査定不服審判事件〔平成９年２月１４日出願公開，特開平９−４５８９１〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯 
　本願は，平成８年７月２５日（パリ条約による優先権主張１９９５年７月２７日，独国）の出願であって，平成２０年４月１８日付けで拒絶査定がなされ，これに対し，同年７月１７日に拒絶査定不服審判が請求されたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項１〜４に係る発明は，願書に添付した明細書及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された事項により特定されるものであり，その内の請求項１に係る発明（以下，「本願発明」という。）は，次のとおりのものである。
「【請求項１】　担体，該担体上に設けた少なくとも１個の半導体部品及び該半導体部品と前記担体との間に多層のメタライゼーション層を具えている半導体デバイスにおいて，前記半導体部品の担体側の表面上にアルミニウム，金又は金合金の第１金属層を設け，該第１金属層の上にチタンの第２金属層を設け，該第２金属層の上にニッケルの第３金属層を設け，且つ該第３金属層の上に二成分又は三成分の金−ゲルマニウム合金製の第４金属層を設けたことを特徴とする半導体デバイス。」
　
３．刊行物の記載
（１）これに対し，原査定の拒絶の理由において引用された特開平１−１６００２５号公報（平成１年６月２２日出願公開，以下，「刊行物１」という。）には，次の記載がある。
ア　［産業上の利用分野］として，「　本発明は，
半導体装置
イ　［従来の技術］として第２図を参照し，「　第２図は例えば，特開昭６１−２９１４２号公報に示された従来の半導体装置を示す断面図であり，図において，１はシリコン半導体素子２がマウントされるマウント部，３は後述する金ワイヤ９がボンディングされるリード部であり，一部には銀層４が被覆されている。５は半導体素子２の上面に蒸着されたベース，エミッタなどのアルミニウム電極，
６は銅，バナジウム，アルミニウム，チタニウム，クロム，モリブデン，クロム合金から選ばれる１種または２種以上の金属からなる金属層，７はニッケルもしくはコバールなどのニッケル合金からなる第２金属層，８はゲルマニウムを５〜２０％含む金及びゲルマニウムを主成分とし，ろう材の構成材となる第３金属層
半導体素子２はアイランド部ｌの上面に第３金属層８，第２金属層７，第１金属層６を介してマウント
　従来の装置は上記のように構成されており，第１及び第２金属層６，７は，マウント時の熱処理に際し，半導体素子２を構成するシリコンと第３金属層８とが反応するのを阻止するものであり，半導体素子２とアイランド部ｌの接合部に硬くて脆く，かつ熱抵抗の劣るＡｕ−Ｃｕ−Ｓｉの金属間化合物が形成されるのを防止する役目を有する。特に，第１金属層６はバリア効果の他に半導体素子２と第２金属層７とを良好に接着する機能を有する。また，第２金属層７は，バリア効果の他に第１金属層６と第３金属層８とを良好に接着する機能があり，半導体素子２に対して，ろう材を一体的に接着できる。」（１頁右下欄４行〜２頁左上欄１５行）
ウ　［発明が解決しようとする問題点］として，「　従来の半導体装置は以上のように構成されているので，半導体素子裏面より電極を取り出す半導体装置（例えば小信号トランジスタ）のうち裏面の不純物濃度が低い素子では，
半導体素子と第１金属層とのオーミックコンタクト性が良好でないという問題点
　この発明は，上記のような問題点を解消するためになされたもので，いかなる素子においても，
良好なオーミックコンタクト性が良好となる半導体装置を得ることを目的
エ　［問題点を解決するための手段」として，「　この発明に係る半導体装置は，
半導体素子におけるマウント面側に
アンモチンを０．０１ｗｔ％〜３０ｗｔ％含む金合金からなる第１金属層と，ニッケル
からなる第２合金属と，ゲルマニウムを５〜２０％含む金及びゲルマニウムを主成分とする合金層からなる第３金属層とを順次積層した三層構造のろう材
基材に上記半導体素子をマウント
オ　第１図を参照して，「　第１図は本発明の半導体装置のマウント後の状態の断面図であり，図において，
１０は
半導体素子２の
マウント面に
アンチモン（Ｓｂ）を０．０４ｗｔ％含む
金被膜を構成する第１金属層，（１１）は
ニッケル層からなる第２金属層，（１２）はゲルマニウム１２ｗｔ％の
金とゲルマニウム合金層からなる第３金属層
半導体素子２は第１金属層ｌ０，第２金属層１１，第３金属層１２の順で積層し，
リードフレームのアイランド部１に
マウント
カ　第１図を参照して，「　上記のように構成されたものにおいては，まず，銅製薄片板をプレス加工して銅単体からなるリードフレームを作製する。つづいて複数個のＮＰＮバイポーラトランジスタが形成された
シリコン基板のマウント面に
金・アンチモン（Ｓｂ０．０４ｗｔ％）合金層からなる第１金属層（ｌＯ）
ニッケル層からなる第２金属層（１１），
金，ゲルマニウム（Ｇｅ１２ｗｔ％）合金層からなる第３金属層（１２）を順次，
積層
半導体素子２を作製
リードフレームのアイランド部ｌにマウント
樹脂封止を施して半導体装置を造る
キ　「　このように製造した半導体装置は，組立て直後においても，また，
２気圧１５０℃５００時間の苛酷なテストを実施したあとでも十分良好な電気特性を保持
（２）また，原査定の拒絶の理由において引用された特開昭６１−１２１４３５号公報（昭和６１年６月９日出願公開，以下，「刊行物２」という。）には，次の記載がある。
ア　「　
シリコン半導体上に
Ａｕを主体とし不純物を含有する層，Ｔｉ層及びＮｉ層を被着
イ　（産業上の利用分野）として，「　本発明は半導体装置の製造方法，特に
電極と半導体とのオーミック工程に関するもの
ウ　（従来の技術）として，「　従来，電極形成は主として拡散層上にＮｉメッキ，Ａｌ蒸着，Ａｕ蒸着，更にはＮｉ，Ｎｉ−Ａｇ蒸着などを行い熱処理を行ってオーム接触を形成と，このチップをハンダ付けや，ボンディングを行うことにより外部リードと接続し，市販されている半導体装置としている。
　この
電極の系として要求される性質は
動作試験や環境試験などの信頼性試験に対し安定
エ　「このための一方法としてＡｕがシリコンと低い温度で共晶を作ることを利用して
Ａｕの中に例えばＳｂのような不純物を含ませて
Ｓｉ−Ａｕ（Ｓｂ）−Ｎｉ−Ａｇといった蒸着系
オ　（発明が解決しようとする問題点）として，「　
この系の問題点としては，ＡｕがＳｉと反応しＡｕ−Ｎｉの界面までＳｉが容易に到達し，又ＮｉはＳｉと低温度でシリサイドを形成するためＮｉｘＳｉｙの合金化の反応も進み，又Ｎｉ中へのＡｕの拡散も起る
　
本発明の目的は信頼性の高いオーム性接触を容易に得る
カ　（問題点を解決するための手段）として，「　本発明によれば，
ＡｕとＮｉの層間に，Ａｕ，Ｎｉのいづれとも反応しにくく，又Ｓｉとも比較的反応のしにくい金属を介在
Ａｕ層とＮｉ層の間にＴｉ（チタン）層を介在させることにより，オーム性接触をとるためのＳｉ−Ａｕ（Ｓｂ）の系とソルダーとの接続に使うＮｉ
を分離
　
４．刊行物１に記載された発明
（１）上記３．（１）アによれば，刊行物１に記載された発明は，「半導体装置」であるから，「半導体デバイス」に関するものである。
（２）上記３．（１）エ及びオによれば，刊行物１には，半導体素子におけるマウント面側に第１金属層ｌ０と第２金属層１１と第３金属層１２とを順次積層した三層構造のろう材を用い，リードフレームのアイランド部１に半導体素子２をマウントすることが記載されているから，リードフレームのアイランド部１，該アイランド部１上に設けた半導体素子２及び該半導体素子２と前記アイランド部１との間に三層構造のろう材を具えている構成が開示されている。
（３）上記３．（１）エ〜カによれば，刊行物１には，半導体素子２のマウント面（すなわち，アイランド部１側の表面上）に，アンモチンを含む金合金からなる第１金属層１０と，ニッケルからなる第２金属層１１と，金及びゲルマニウムを主成分とする合金層からなる第３金属層１２とを順次積層することが記載されているから，半導体素子２のアイランド部１側の表面上にアンモチンを含む金合金からなる第１金属層１０を設け，該第１金属層１０の上にニッケルの第２金属層１１を設け，且つ該第２金属層１１の上に金及びゲルマニウムを主成分とする合金層からなる第３金属層１２を設けたことが開示されている。
（４）よって，刊行物１には，以下の発明が記載されている。
「リードフレームのアイランド部１，該アイランド部１上に設けた半導体素子２及び該半導体素子２と前記アイランド部１との間に三層構造のろう材を具えている半導体装置において，前記半導体素子２のアイランド部１側の表面上にアンモチンを含む金合金からなる第１金属層１０を設け，該第１金属層１０の上にニッケルの第２金属層１１を設け，且つ該第２金属層１１の上に金及びゲルマニウムを主成分とする合金層からなる第３金属層１２を設けたことを特徴とする半導体デバイス。」
　
５．本願発明と刊行物１に記載された発明との対比
（１）上記３．（１）エ〜カの記載によれば，刊行物１に記載された発明の「半導体素子２」及び「三層構造のろう材」は，本願発明の「半導体部品」及び「多層のメタライゼーション層」にそれぞれ相当する。
（２）本願発明の「担体」は，各チップを「電気接続線を設けて
担体
（３）刊行物１に記載された発明の「ニッケルの第２金属層１１」は，本願発明の「ニッケルの第３金属層」に対応し，本願発明では「該第１金属層の上にチタンの第２金属層を設け，該第２金属層の上にニッケルの第３金属層を設け」ることは別にして，本願発明と刊行物１に記載された発明とは，少なくとも「該第１金属層の上にニッケルの第３金属層を設け」る点で共通する。
（４）刊行物１に記載された発明の「金及びゲルマニウムを主成分とする合金層からなる第３金属層１２」が，少なくとも金及びゲルマニウムの二成分からなることは明らかであるから，刊行物１に記載された発明の「該第２金属層１１の上に金及びゲルマニウムを主成分とする合金層からなる第３金属層１２を設けたこと」は，本願発明の「該第３金属層の上に二成分又は三成分の金−ゲルマニウム合金製の第４金属層を設けたこと」に相当する。
（５）以上のことを踏まえると，本願発明と刊行物１に記載された発明とは，
「担体，該担体上に設けた少なくとも１個の半導体部品及び該半導体部品と前記担体との間に多層のメタライゼーション層を具えている半導体デバイスにおいて，前記半導体部品の担体側の表面上にアルミニウム，金又は金合金の第１金属層を設け，該第１金属層の上にニッケルの第３金属層を設け，且つ該第３金属層の上に二成分又は三成分の金−ゲルマニウム合金製の第４金属層を設けたことを特徴とする半導体デバイス。」
である点で一致し，次の点で相違する。
相違点：本願発明は，「該第１金属層の上にチタンの第２金属層を設け，該第２金属層の上にニッケルの第３金属層を設け」るのに対し，刊行物１に記載された発明では，「該第１金属層１０の上にニッケルの第２金属層１１を設け」ている点。
　
６．当審の判断
（１）上記相違点について検討すると，上記３．（２）ア，エ〜カの記載によれば，刊行物２に記載された発明は，従来のＳｉ−Ａｕ（Ｓｂ）−Ｎｉ−Ａｇといった蒸着系の問題点として，「ＡｕがＳｉと反応しＡｕ−Ｎｉの界面までＳｉが容易に到達し，又ＮｉはＳｉと低温度でシリサイドを形成するためＮｉｘＳｉｙの合金化の反応も進み，又Ｎｉ中へのＡｕの拡散も起る」ため，「ＡｕとＮｉの層間に，Ａｕ，Ｎｉのいづれとも反応しにくく，又Ｓｉとも比較的反応のしにくい」「Ｔｉ（チタン）層を介在させることにより，オーム性接触をとるためのＳｉ−Ａｕ（Ｓｂ）の系とソルダーとの接続に使うＮｉ」とを分離することで，「信頼性の高いオーム性接触を容易に得る」ものである。そうすると，刊行物１に記載された発明と刊行物２に記載された発明は，共に半導体と金属とのオーミックコンタクトに関するものであり（上記３．（１）ウ及び（２）イの記載参照），また，オーミックコンタクト性を改善するという共通の課題を有することから（上記３．（１）ウ及び（２）オの記載参照），刊行物２に記載された発明のＡｕ（Ｓｂ）層とＮｉ層の間にＴｉ（チタン）層を介在させる技術を，刊行物１に記載された発明の「アンモチンを含む金合金からなる第１金属層１０」と「ニッケルの第２金属層１１」の間に適用し，第１金属層１０の上にチタンの金属層を設け，該チタンの金属層の上にニッケルの第２金属層１１を設ける構成とすることは，当業者が容易になし得ることである。
（２）そして，本願明細書に，製品寿命に関する本願発明の効果については，次の記載がある。
ア　「【０００８】
　　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら，上述したような接続層では，メタライゼーション層のそれぞれの拡散処理が障害をまねき，特に高い動作温度でのこれらの層そのものの
寿命をかなり短くする
【０００９】
　本発明の目的は，担体と，この担体の上に設けた少なくとも１個の半導体部品と，半導体部品と担体との間における多層のメタライゼーション層とを具えており，且つ半導体部品と，メタライゼーション層と，担体との間の電気的，機械的及び熱的接触を
長期にわたり安定な永続性のあるものとする
イ　「【００１１】
　このような半導体デバイスは
その有効寿命が極めて長くなる
【００１２】
　本発明による好適例によれば，前記半導体部品をＰＮＰトランジスタとし，且つ前記第１金属層を金製とする。このようにすれば，半導体デバイスの接点層のオーム抵抗が低くなり，しかも
有効寿命が著しく延びる
ウ　【発明の実施の形態】として，「【００２３】
　本発明による構成では，実際には均質ではないが，それにも拘らず熱力学的に準平衡状態となる金属系を設ける。これにより，酸素の拡散及び金属同士及び半導体材料との間の相互拡散による酸化が抑制される。従って，
温度負荷のもとでの長期挙動が十分に改善
促進寿命試験（ＡＬＴ）では，従来の半導体デバイスに比べて製品寿命が６〜７倍に延びる
エ　〔実施例１〕として，「【００２７】
　これらのＮＰＮトランジスタは優秀な電気特性を呈する。
これらのトランジスタはかなり改善された長期安定性を呈し
寿命試験での不良率も低減
接触抵抗は１５０℃での高温貯蔵試験で，３０００時間の経過後においても依然変化しなかった
オ　〔実施例２〕として，「【００３０】
　これらのＰＮＰトランジスタは優秀な電気特性を呈する。
これらのトランジスタはかなり改善された長期安定性を呈し
寿命試験での不良率も低減
接触抵抗は１５０℃での高温貯蔵試験で，３０００時間の経過後においても依然変化しなかった
カ　〔実施例３〕として，「【００３３】
　これらのＰＮダイオードは優秀な電気特性を呈する。
これらのＰＮダイオードは明らかに改善された長期安定性を呈し
寿命試験での不良率も低減
接触抵抗は１５０℃での高温貯蔵試験で，３０００時間の経過後においても依然変化しなかった
　これらの記載によれば，本願明細書には，本願発明により，従来の半導体デバイスに比べて
製品寿命が６〜７倍
１５０℃での高温貯蔵試験で３０００時間の経過後においても依然変化しなかった
　これに対し，上記３．（１）キの記載によれば，刊行物１に記載された発明は，２気圧
１５０℃５００時間の苛酷なテスト
信頼性試験に対し安定
信頼性の高いオーム性接触
５００時間を越える
　
７．むすび
　以上検討したとおり，本願発明は，刊行物１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　以上のとおりであるから，本願は，他の請求項に係る発明について審理するまでもなく，拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。