【事件の表示】
　特願２００２−２０２１５４「流体チャネルを有する基板及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　２月２６日出願公開、特開２００３−　５３９７９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成１４年７月１１日（パリ条約による優先権主張：２００１年７月３１日、米国）に出願したものであって、平成１７年６月８日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年９月１４日付けで拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日付けで明細書についての手続補正がなされたものである。
　
第２．平成１７年９月１４日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１７年９月１４日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
１．補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲についての補正であり、本件補正により、特許請求の範囲は、以下のように補正された。
＜補正前＞（平成１７年４月２５日日付け手続補正書参照。）
「　【請求項1】　流体射出装置を製造する方法であって、
　基板の表側に流体滴生成器を形成し、
　前記基板の表側と反対側である裏側の露出した部分をエッチングし、
　前記基板のエッチングされた部分をコーティングし、
　基板に表側まで貫通するスロットが形成されるまで、前記エッチングと前記コーティングを交互に繰り返すことを含む方法。
　　【請求項２】　流体射出装置を製造する方法であって、
　基板の表側に流体滴生成器を形成し、
　前記基板の表側と反対側である裏側の露出した部分をエッチングし、
　前記基板のエッチングされた部分をコーティングし、
　前記基板の裏側にトレンチが形成されるまで、前記エッチングと前記コーティングを交互に繰り返し、
　前記トレンチを貫通し前記基板を貫通するスロットが形成されるまで、前記基板の表側をエッチングすることを含む方法。
　　【請求項３】　基板にマイクロ流体チャネルを製造する方法であって、
　基板の表側に流体滴生成器を形成し、
　前記基板の表側と反対側である裏側の露出した部分をエッチングし、
　前記基板のエッチングされた部分に沿って、一時的なエッチストップを形成し、
　前記基板を貫通するマイクロ流体チャネルが形成されるまで、前記エッチングと前記形成を交互に繰り返すことを含む方法。
　　【請求項４】　基板にマイクロ流体チャネルを製造する方法であって、
　基板の表側に流体滴生成器を形成し、
　前記基板の裏側の露出した部分をドライエッチングし、
　前記エッチングされた部分をコーティングし、
　前記エッチングと前記コーティングを交互に繰り返して、前記基板の裏側からトレンチを形成し、
　前記基板の表側に貫通するスロットが形成されるまで、前記トレンチをウェットエッチングすることを含む方法。
　　【請求項５】　流体射出装置を製造する方法であって、
　基板の表側に流体滴生成器を形成し、
　前記基板の表側の露出した部分をエッチングし、
　前記基板のエッチングされた部分をコーティングし、
　前記基板の表側にトレンチが形成されるまで、前記エッチングと前記コーティングを交互に繰り返し、
　前記トレンチを貫通し前記基板を貫通するスロットが形成されるまで、前記トレンチと反対側の領域にある前記基板の裏側をエッチングすることを含む方法。
　　【請求項６】　前記コーティングには、ポリマー、酸化物、金属、窒化金属、及び酸化金属のうちの少なくとも１つを用いて前記基板のエッチングされた部分をコーティングすることが含まれる、請求項１から５のいずれか１項に記載の方法。
　　【請求項７】　前記流体滴生成器は複数の抵抗器を有し、スロットの縁と前記複数の抵抗器との間にその上を流体が流れる棚状部分が形成され、前記スロットの縁はそれぞれの抵抗器の位置に対応する、請求項１から６のいずれか１項に記載のスロットの設けられた基板。
　　【請求項８】　請求項１から６のいずれか１項に記載の方法によって形成される、スロットの設けられた基板。
　　【請求項９】　前記スロットは、略弓形の壁、略曲線の壁、略直線の壁、凹んだ断面を有する先細形状、及び略波形の壁のうちの少なくとも１つを有する、請求項１から８のいずれか１項に記載のスロットの設けられた基板。
　　【請求項１０】　前記スロットは、前記基板の前記第１の表面に隣接する第１の部分と、前記基板の前記第１の表面と反対側である第２の表面に隣接する第２の部分とを有し、前記第１の部分は先細であり前記第２の部分は略直線である、請求項１から９のいずれか１項に記載のスロットの設けられた基板。」
　
＜補正後＞
「　【請求項１】　流体射出装置を製造する方法であって、
　基板の表側に流体滴生成器を形成し、
　
前記基板の裏側にその一部分を露出する開口を有するフォトイメージャブル材料の層を設け、
　前記基板
の裏
異方性
　前記基板のエッチングされた部分をコーティングし、
　　基板に表側まで貫通するスロットが形成されるまで、前記エッチングと前記コーティングを交互に繰り返すことを含む
、前記
　　【請求項２】　流体射出装置を製造する方法であって、
　基板の表側に流体滴生成器を形成し、
　前記基板の裏側にその一部分を露出する開口を有するフォトイメージャブル材料の層を設け、
　前記基板の裏側の露出した部分を異方性エッチングし、
　前記基板のエッチングされた部分をコーティングし、
　前記基板の裏側にトレンチが形成されるまで、前記エッチングと前記コーティングを交互に繰り返し、
　アッシングにより前記基板の裏側から前記フォトイメージャブル材料を取り除き、
　前記トレンチを貫通し前記基板を貫通するスロットが形成されるまで、前記基板の表側からエッチングすることを含む、前記方法。
　　【請求項３】　基板にマイクロ流体チャネルを製造する方法であって、
　基板の表側に流体滴生成器を形成し、
　前記基板の裏側にその一部分を露出する開口を有するフォトイメージャブル材料の層を設け、
　前記基板の表側と反対側である裏側の露出した部分を異方性エッチングし、
　前記基板のエッチングされた部分に沿って、一時的なエッチストップを形成し、
　前記基板を貫通するマイクロ流体チャネルが形成されるまで、前記エッチングと前記形成を交互に繰り返すことを含む、前記方法。
　　【請求項４】　基板にマイクロ流体チャネルを製造する方法であって、
　基板の表側に流体滴生成器を形成し、
　前記基板の裏側にその一部分を露出する開口を有するフォトイメージャブル材料の層を設け、
　前記基板の裏側の露出した部分を異方性ドライエッチングし、
　前記エッチングされた部分をコーティングし、
　前記エッチングと前記コーティングを交互に繰り返して、前記基板の裏側からトレンチを形成し、
　アッシングにより前記基板の裏側から前記フォトイメージャブル材料を取り除き、
　前記基板の表側に貫通するスロットが形成されるまで、前記トレンチをウェットエッチングすることを含む方法。
　　【請求項５】　前記コーティングには、ポリマー、酸化物、金属、窒化金属、及び酸化金属のうちの少なくとも１つを用いて前記基板のエッチングされた部分をコーティングすることが含まれる、請求項１から４のいずれかに記載の方法。
　　【請求項６】　前記流体滴生成器は複数の抵抗器を有し、スロットの縁と前記複数の抵抗器との間にその上を流体が流れる棚状部分が形成され、前記スロットの縁はそれぞれの抵抗器の位置に対応する、請求項１から４のいずれかに記載の方法。
　　【請求項７】　前記スロットは、略弓形の壁、略曲線の壁、略直線の壁、凹んだ断面を有する先細形状、及び略波形の壁のうちの少なくとも１つを有する、請求項１から４のいずれかに記載の方法。
　　【請求項８】　前記スロットは、前記基板の前記第１の表面に隣接する第１の部分と、前記基板の前記第１の表面と反対側である第２の表面に隣接する第２の部分とを有し、前記第１の部分は先細であり前記第２の部分は略直線である、請求項１から４のいずれかに記載の方法。」
（請求項１についての下線は、補正箇所を示すために当審で付した。）
　
２．補正目的についての検討
　上記補正前後の請求項を比較すると、補正前の請求項１〜６は、「方法」を請求するものであり、請求項７〜１０は、「基板」を請求するものであるのに対し、補正後の請求項１〜８は、いずれも「方法」を請求するものである。
　「方法」を請求する補正前の請求項１〜６と、補正後の請求項１〜８を対比すると、補正前の独立請求項１〜４が補正後の独立請求項１〜４に対応し、補正前の従属請求項６が補正後の従属請求項５に対応することが明らかである。補正前の請求項５の「前記基板の表側の露出した部分をエッチングし」という特定は、補正後の請求項１〜８のいずれにもないから、補正前の請求項５は削除されたものと解される。
　そうすると、「方法」についての請求項６〜８は、新たに追加したものといわざるを得ない。このような請求項を新たに追加する補正が、特許請求の範囲の減縮を目的とするものでないことは明らかであり、また、請求項の削除、誤記の訂正又は明りょうでない記載の釈明を目的とするものでもない。
　したがって、本件補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　
３．独立特許要件について
　上記のように、本件補正は、補正目的に違反しているが、補正後の請求項１は、補正前の請求項１に対応していることが明らかであり、請求項１についての補正は、表現を変更しているところはあるものの、補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「エッチング」について、「前記基板の裏側にその一部分を露出する開口を有するフォトイメージャブル材料の層を設け」、「異方性」と限定する主旨と解することができるので、念のため、独立特許要件（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）についても検討しておく。
　
（１）本願補正発明
　補正後の請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）を再掲すると、以下の通りである。
「流体射出装置を製造する方法であって、
　基板の表側に流体滴生成器を形成し、
　前記基板の裏側にその一部分を露出する開口を有するフォトイメージャブル材料の層を設け、
　前記基板の裏側の露出した部分を異方性エッチングし、
　前記基板のエッチングされた部分をコーティングし、
　　基板に表側まで貫通するスロットが形成されるまで、前記エッチングと前記コーティングを交互に繰り返すことを含む、前記方法。」
　
（２）引用刊行物
　（ａ）原査定の拒絶の理由に引用され、本願優先権主張日前に頒布されたた特開平６−２３８９０４号公報（以下、「刊行物１」という。）には、以下の記載が図示とともにある。
　ア．【請求項１】熱インクジェットプリントヘッドのインク供給溝により流体的に連絡するインク充填スロットを形成する方法であって、
結晶方位100または110を有し、一次面および二次面を規定するほぼ平行な二つの対向主面を備えたシリコン基板を準備する段階と、
前記両面上に絶縁誘電体層を形成する段階と、
前記二次面上の前記絶縁誘電体層をパターン化して前記シリコン基板の表面部分を露出させる段階と、
前記露出部分で異方性エッチング剤を用いて前記シリコン基板を通して途中までエッチングを行い、前記インク充填スロットの一部を形成する段階と、
前記一次面上の前記絶縁誘電体層の上に薄膜抵抗器要素および導電線路を形成し規定する段階と、
前記一次面から前記インク充填スロットの前記部分に接続するまで精密にエッチし、これにより前記インク充填スロットを完全に形成すると共に前記一次面で終わっている前記インク充填スロットの部分を前記インク供給溝の方に制御可能に拡張して広げる段階と、
前記誘電体材料の主面上に障壁層を形成し、その中に開口を規定して前記抵抗器要素を露出させて小滴発射室を画定すると共に前記インク供給溝を、前記各抵抗器要素から、前記インク充填スロットと流体的に連結してインクをインク溜めから前記小滴発射室に導入する終端領域まで設ける段階と、
を備えて成る方法。
　イ．【００２２】図5A〜図5Dはインクを、この場合は方位が110である基板12の底部から、供給する最終構造の同様の断面図を示す。ここで、100の場合と同じエッチング剤を使用して、基板10を通して中途までまたは全部をエッチするのに異方性エッチングを行うことができる。この実施例のプロセスと図4A〜図4Dに示したものとの唯一の相違は異なる結晶方位のシリコンを使用することである。
　ウ．【００２３】図6A〜図6Dに示す他の実施例では、ウェーハを一次面について既知の熱インクジェットプロセスにより処理して抵抗器16をパッシベーション層26の表面に形成している。こうしてから適切な写真形成マスキング層（図示せず）を適用し結像して、精密エッチングを行うべき区域を露出させる。このようなマスキング層の例にはデュポン社のVACREL、またはそれぞれHoechst AZ4906またはOCG SC900 のような、陽または陰のフォトレジストがある。この場合には、一次面12aだけを絶縁誘電体層26により保護すればよい。
【００２４】エッチングは、ＣＦ４＋Ｏ２、ＳＦ６、またはフルオロカーボンと貴ガスとの混合物を利用する良く文書化されている乾式プロセスにより行われ、部分18aが形成される。エッチ輪郭は、動作圧力および／またはエッチング構成を反応性イオンエッチング体制（約50乃至150ミリトールの圧力および約400乃至1000ボルトの有効バイアス）の異方性エッチングから高圧平面状エッチング体制（約340乃至700ミリトールの圧力および０乃至約100ボルトの有効バイアス）の等方性エッチングまたはプロセスの或る巧妙且つ有益な組合わせに変えることにより制御することができる。インク充填スロット18の主要部分18'は次に二次面12bから、機械的研磨、たとえば、サンドブラスト、またはレーザ除去、または電気機械加工のような、マイクロ加工を行うことにより形成される。障壁層17は、ウェーハのハンドリング（ウェーハを強くする）および部品の流れ（ウェーハが処理のためクリーンルームに戻されることがないようにする）に関する理由から、一般に主要部18'の最終形成の前に形成される。
　
　上記ウ．に実施例において、抵抗器16を形成する側、即ち、一次面側を表側と称することができ、その反対側の面、即ち、二次面側を裏側と称することができるので、上記記載及び図面を含む刊行物１全体の記載から、刊行物１には、以下の発明が開示されていると認められる。
「熱インクジェットプリントヘッドを製造する方法であって、
　ウェーハの表側のパッシベーション層26の表面に抵抗器16を形成し、
　その後、前記ウェーハの表側の部分18aをエッチングし、
　その後、前記ウェーハの裏側から機械的研磨を行うことにより、インク充填スロット18の主要部分18'を形成し、
　前記主要部18'の最終形成の前に障壁層17を形成するステップを有する、
　方法。」（以下、「引用発明」という。）
　
　（ｂ）原査定の拒絶の理由に引用され、本願優先権主張日前に頒布されたた特開昭６１−２６３２２５号公報（以下、「刊行物２」という。）には、以下の記載が図示とともにある。
　エ．「〔作用〕
　すなわち、所定のマスクパターンを有する被膜をマスクとして反応性イオンエッチング法により、上記基板をエッチングし、第２図に示すようなアンダーカット状のふくらみができないうちにエッチングを一旦停止し、次いで、形成されたエッチング溝の内面にうすい保護膜を形成する。次に、再び上記のエッチングを行うと、溝側面は形成された保護膜で覆われているため、エッチングが進行しない。一方、溝底面は、プラズマ中のイオンの衝撃によりエッチングが進行する。したがって、溝側面にアンダーカット状のふくらみを生じさせないで、垂直な深い溝を形成することができる。このようにして、エッチング工程と保護膜形成工程とを交互に所定の回数繰返すことにより所定の深さの溝を形成するものである。」（第２頁左下欄第４〜１９行）
　オ．「〔実施例〕
　第１図（Ａ）〜（Ｆ）は本発明の一実施例を示すものである。まず、第１図（Ａ）に示すようにシリコン基板１上にシリコンエッチングの際にドライエッチ耐性のある被膜、例えばシリコン酸化膜２を形成し、パターニングしたレジスト３をマスクとして、シリコン酸化膜２をエッチングする。本実施例では上記被膜がシリコン酸化膜であるので、例えばＣＦ４とＨ２との混合ガスによる反応性イオンエッチング法を用いる。次に、レジスト３を除去すると、第１図（Ｂ）に示すようになる。レジスト３のレジストパターンが転写されたシリコン酸化膜２は、次の工程であるシリコン基板１への溝形成におけるエッチングマスクとなる。すなわち、開口したシリコン酸化膜２をマスクとしてシリコン基板１を第２の反応性イオンエッチング法によりエッチングする。本実施例の第２の反応性イオンエッチング法では反応ガスにＣｌ２を用い、圧力４Ｐａ、ＲＦ電力密度０．４Ｗ／ｃｍ２で４分間エッチングすると第１図（Ｃ）に示すような垂直な断面形状が得られる。このときの溝４の深さはおよそ１．２μｍであった。このように比較的短時間のエッチングでは第２図に示すような溝でのふくらみはみられない。一方、素子間分離に必要な５μｍ程度の深い溝を形成する場合に、エッチングを継続して行うと溝側面上部は長時間にわたって活性種にさらされるため、第２図のようなアンダーカット状のふくらみが形成される。そこで、第１図（Ｃ）に示す状態のまま一旦エッチングを停止し、かわりに反応ガスをＯ２に切り替えて、圧力８Ｐａ、ＲＦ電力密度０．４Ｗ／ｃｍ２のプラズマ雰囲気中で３０秒間処理するとシリコンとの反応により、第１図（Ｄ）に示すような、うすい酸化膜５が溝４の内面に形成される。これは、Ｃｌ２ＲＩＥ中にＳｉ溝側面部に形成されたＳｉＣｌｘがＯ２プラズマにより発生した活性な酸素と次式のように反応して形成されるものと考えられる。
　２ＳｉＣｌｘ＋２Ｏ２→２ＳｉＯ２＋ＸＣｌ２　　（１）
この状態で再びＯ２をＣｌ２に切り替えて、前述した条件でエッチングすると溝側面は形成されたうすい酸化膜で保護されるためエッチングが進行しない。一方、溝底面部についてはプラズマ中のイオンの衝撃によりエッチングが進行して、第１図（Ｅ）に示すように（Ｄ）の場合に比べて更に深い溝が形成される。このようにエッチングと酸化保護膜形成とを交互に繰返すことにより、更に深い溝を垂直にエッチングすることが可能である。」（第２頁左下欄末行〜第３頁右上欄第６行）
　
　上記オ．に「本実施例の第２の反応性イオンエッチング法では反応ガスにＣｌ２を用い、圧力４Ｐａ、ＲＦ電力密度０．４Ｗ／ｃｍ２で４分間エッチングすると第１図（Ｃ）に示すような垂直な断面形状が得られる。」と記載されており、方向性を有し、サイドエッチが少ないことは明らかであるから、該エッチングを異方性エッチングと称することができる。上記オ．に「次いで、形成されたエッチング溝の内面にうすい保護膜を形成する」と記載されているから、エッチングされた部分をコーティングしているものと認められる。上記オ．に「このようにエッチングと酸化保護膜形成とを交互に繰返すことにより、更に深い溝を垂直にエッチングする」と記載されているから、エッチングとコーティングを交互に繰り返すものと認められる。
　よって、上記記載及び図面を含む刊行物２全体の記載から、刊行物２には、以下の事項が開示されていると認められる。
「基板の露出した部分を異方性エッチングし、
　前記基板のエッチングされた部分をコーティングし、
　前記エッチングと前記コーティングを交互に繰り返し、垂直にエッチングする方法。」
　
（３）対比
　本願補正発明と引用発明とを比較すると、引用発明の「熱インクジェットプリントヘッド」及び「ウェーハ」は、それぞれ本願補正発明の「流体射出装置」及び「基板」に相当する。
　引用発明の「ウェーハの表側のパッシベーション層26の表面に抵抗器16を形成」と、本願補正発明の「基板の表側に流体滴生成器を形成」は、いずれも「基板の表側に流体滴生成に係わる部分を形成」する点で共通する。
　引用発明の「前記ウェーハの裏側から機械的研磨を行うことにより、インク充填スロット18の主要部分18'を形成」と、本願補正発明の「前記基板の裏側にその一部分を露出する開口を有するフォトイメージャブル材料の層を設け、前記基板の裏側の露出した部分を異方性エッチングし、前記基板のエッチングされた部分をコーティングし、基板に表側まで貫通するスロットが形成されるまで、前記エッチングと前記コーティングを交互に繰り返す」は、いずれも「前記基板の裏側から基板の一部を除去することにより、貫通するスロットを形成」する点で共通するから、両者は、
「流体射出装置を製造する方法であって、
　基板の表側に流体滴生成に係わる部分を形成し、
　前記基板の裏側から基板の一部を除去することにより、貫通するスロットを形成することを含む、前記方法。」
の点で一致し、以下の点で相違している。
［相違点１］流体滴生成に係わる部分に関し、本願補正発明は、「流体滴生成器」と特定されているのに対し、引用発明は、本願補正発明のような特定がない点。
［相違点２］基板の裏側から基板の一部を除去することにより、貫通するスロットを形成する点に関し、本願補正発明は、「前記基板の裏側にその一部分を露出する開口を有するフォトイメージャブル材料の層を設け、前記基板の裏側の露出した部分を異方性エッチングし、前記基板のエッチングされた部分をコーティングし、基板に表側まで貫通するスロットが形成されるまで、前記エッチングと前記コーティングを交互に繰り返す」と特定されているのに対し、引用発明は、本願補正発明のような特定がない点。
　
（４）判断
　上記相違点１について検討する。
　本願補正発明の「流体滴生成器」は、抵抗器のみを意味するのか、射出チャンバを画定するバリア層も含んでいるのか、また、流体滴生成器を形成するステップと貫通するスロットを形成するステップの順序が規定されているのか否か必ずしも明らかではないが、本願明細書の段落【００２６】に「（用途に応じて、層１１２が存在しない実施形態もある。別の実施形態では、用途に応じて、スロットの形成後基板に対してさらに追加の層が堆積される。）」と記載され、段落【００２８】に「層１１２はスロットの完成後に形成されなければならない場合もあり得る。」と記載され、段落【００２９】に「この実施形態では、ステップ７３０で、スロットの形成後に層１２０に対して層１１２が形成される。」と記載され、段落【００３１】に「図６Ｂに示しステップ８２０で説明するように、本明細書において説明する堆積／エッチングプロセスを用いて、ウエーハを貫通するスロット１２６がエッチングされる。一実施形態では、ステップ８３０で説明するように、裏側をテーピングして、ウエーハ貫通エッチング後のハンドリング中の保護を行う。ステップ８４０において、図６Ｄに示すように、他の薄膜層（この場合、層１１２）が堆積されパターニングされエッチングされる。」と記載されているから、貫通するスロットを形成するステップの前に、射出チャンバを画定するバリア層１１２が形成されず、流体滴生成の主要な部分である抵抗器が形成されていれば足りるものと解することができる。
　引用発明は、「ウェーハの表側の部分18aをエッチングし、その後、前記ウェーハの裏側から機械的研磨を行うことにより、インク充填スロット18の主要部分18'を形成」前に、ウェーハの表側に抵抗器16が形成され、主要部18'の最終形成の前に障壁層17（射出チャンバを画定する層であることは明らか。）も形成されているから、上記相違点１は、実質的な相違点ではない。
　本願補正発明が、流体滴生成器を形成するステップが先で、貫通するスロットを形成するステップが後であると規定されており、「流体滴生成器」が射出チャンバを画定するバリア層も含んでいるものと解するとしても、貫通するスロットを形成するステップの前に、バリア層も含んだ流体滴生成器を形成することは、例えば、特開平１１−９９６５２号公報（以下、「周知例１」という。特に、【００１９】〜【００２２】、【図５】、【図６】参照。）に記載されているように周知技術であるから、該周知技術を適用して、相違点１に係るものとすることは当業者が容易になし得る程度のことである。
　
　上記相違点２について検討する。
　引用発明は、熱インクジェットプリントヘッドを製造する方法であって、熱インクジェットプリントヘッドを製造する際に、高密度に成形することは、自明の課題である。（刊行物１のイ．の記載からも裏付けられる。）そうであれば、引用発明において、基板の裏側から基板の一部を除去することにより、貫通するスロットを形成する際に、できるだけ垂直な壁面を形成しようとすることは、当業者が当然想起し得ることである。上記周知例１（特に、段落【００２２】参照。）に示すように、貫通する孔を形成する際にエッチングを採用することは周知技術であり、垂直な壁面を形成するエッチング技術として、基板の露出した部分を異方性エッチングし、前記基板のエッチングされた部分をコーティングし、前記エッチングと前記コーティングを交互に繰り返すことは、上記刊行物２、特開２０００−２９９３１０号公報（特に、段落【００４３】〜【００４５】参照。）にも記載されているように周知技術であるから、それらの周知技術を引用発明に適用し、基板の裏側の露出した部分を異方性エッチングし、前記基板のエッチングされた部分をコーティングし、基板に表側まで貫通するスロットが形成されるまで、前記エッチングと前記コーティングを交互に繰り返すことは当業者が容易になし得る程度のことである。
　基板の裏側にその一部分を露出する開口を有するフォトイメージャブル材料の層を設ける点に関し、上記刊行物１のウ．段落【００２３】の「フォトレジスト」、上記周知例１の段落【００２１】の「フォトレジスト層」、刊行物２のカ．の「レジスト３」に示すように、エッチングに際し、一部分を露出する開口を有するフォトイメージャブル材料の層を設けることは、周知技術であり、引用発明にエッチングを採用する際に、該周知技術を適用することは当業者が容易になし得る程度のことである。
　よって、本願補正発明の上記相違点２に係るものとすることは当業者が容易になし得る程度のことである。
　
　そして、本願補正発明の作用効果も、刊行物１記載の発明及び周知技術から当業者が予測できる範囲のものである。
　
　以上、本願補正発明は、本願優先権主張日前に頒布された刊行物１記載の発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（５）むすび
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３．本願発明について
　平成１７年９月１４日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明は、平成１７年４月２５日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるものであり、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、以下のとおりである。
　
「流体射出装置を製造する方法であって、
　基板の表側に流体滴生成器を形成し、
　前記基板の表側と反対側である裏側の露出した部分をエッチングし、
　前記基板のエッチングされた部分をコーティングし、
　基板に表側まで貫通するスロットが形成されるまで、前記エッチングと前記コーティングを交互に繰り返すことを含む方法。」
　
１．引用刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物及びその記載事項は、前記「第２．３．（２）」に記載したとおりである。
　
２．対比・判断
　本願発明は、前記第２．３．で検討した本願補正発明から「エッチング」についての限定事項である「前記基板の裏側にその一部分を露出する開口を有するフォトイメージャブル材料の層を設け」、「異方性」との限定を省いたものである。
　そうすると、実質的に本願発明の発明を特定する事項を全て含み、さらに他の発明を特定する事項を付加したものに相当する本願補正発明が、前記「第２．３．（４）」に記載したとおり、刊行物１記載の発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、刊行物１記載の発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
３．むすび
　以上のとおり、本願発明は、本願優先権主張日前に頒布された刊行物１記載の発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明を検討するまでもなく、本願は、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。