【事件の表示】
　特願２００４−３３５１５９「電磁波遮蔽手段を含む能動素子表示装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　６月　９日出願公開、特開２００５−１４８７５７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、成１６年（２００４年）１１月１８日（パリ条約による優先権主張、平成１５年１１月１９日、大韓民国）の出願（特願２００４−３３５１５９号）であって、平成１９年６月２７日付で拒絶査定がなされ、これに対して、平成１９年１０月１日付で拒絶査定不服審判の請求がなされ、同日付で手続補正がなされ、平成２０年７月３０日付で当審において拒絶理由の通知をし、これに対して平成２０年１１月５日付で意見書が提出され、同日付で手続補正がなされたものである。
　
 第２　本願発明  
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２０年１１月５日付手続補正により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
　
「素子が一列に配置され又はデルタ構造で配列されてデータ信号に従って発光する画素領域と、一定のスイッチング信号を一つ目のスイッチング素子のゲート電極に印加するスキャンドライバと、一定のデータ情報を一つ目のスイッチング素子のソース電極に印加するデータドライバと、画素領域に第１の電源電圧を印加する導電特性を有する第１の電源電圧ラインと、を含む能動素子表示装置にあって、
　電界や磁界の特性を有する電磁波を遮蔽する手段を備え、
　前記電界や磁界の特性を有する電磁波を遮蔽する手段は、前記第１の電源電圧と反対の極性を有する電源電圧を発生させる電磁波遮蔽手段を含み、
　前記電磁波遮蔽手段は、前記第１の電源電圧ラインと平行に配線された電導性配線であり、
　前記第１の電源電圧ラインは、前記スキャンドライバおよび前記画素領域の外側に配線された上部第１の電源電圧ラインと、前記スキャンドライバおよび前記画素領域と、前記データドライバとの間に配線された下部第１の電源電圧ラインとを備え、
　前記電磁波遮蔽手段は、前記上部第１の電源電圧ラインと平行に配線された第１の電導性配線と、前記下部第１の電源電圧ラインと平行に配線された第２の電導性配線とを備えることを特徴とする能動素子表示装置。」
　
第３　引用例
１　引用例１
　当審で通知した拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００２−４０９６１号公報（以下、「引用例１」という）には、次の事項が記載されている。（後述の「２　引用発明の認定」において直接引用した記載に下線を付した。） 
 　 
「【００３２】図１は、発明の表示装置の第１の実施の形態を示すブロック図を表すと共に、本発明の表示装置を構成する構成要素の概略的なレイアウトを示す概略レイアウト図を表す。また、図６と共通の構成要素には共通の参照文字／数字を付してある。 
 【００３３】図１に示す表示装置は、アノード６１Ａと一定電圧にバイアスされたカソード６１Ｋとを有するＥＬ素子６１と、ＥＬ素子６１のアノードとバイアス配線６７間に接続されたＴＦＴ６２と、ＴＦＴ６２のゲートとデータ線６５間に接続されスイッチとして動作するＴＦＴ６３と、ＴＦＴ６２のゲートとバイアス配線６７間に接続された容量６４とをマトリクス状に配置している。 
 【００３４】また発明の表示装置は、データ線６５を駆動するデータ線駆動回路６８と、走査線６６を駆動する走査線駆動回路６９と、バイアス配線６７を駆動するバイアス電圧生成回路１１とを備えている。 
 【００３５】さらに
発明の表示装置は、ＥＬ素子６１とＴＦＴ６２，６３と容量６４とを含む画素をマトリクス状に配列した画素領域１２の外側に、リング状に配置した周回バイアス配線１３を備えている。
 【００３６】
周回バイアス配線１３とバイアス電圧生成回路１１の出力端子とは、共通バイアス配線１３Ｃにより接続され、画素領域１２内部のバイアス配線６７と周回バイアス配線１３とは、節点１３１Ａ，１３１Ｂおよび節点１３２Ａ，１３２Ｂ・・・により接続されている。 
上下２箇所の節点
 【００３８】
走査線駆動回路６９により走査線６６が活性化されると、活性化された走査線６６に接続しているＴＦＴ６３は導通状態となり、データ線駆動回路６８からデータ線６５とＴＦＴ６３を介して容量６４に電流が流れ容量６４が充電される。
 【００３９】
一方走査線駆動回路６９により走査線６６が非活性化されると、非活性化された走査線６６に接続しているＴＦＴ６３は非導通状態となり、容量６４に充電された電荷は保持されＴＦＴ６２のゲートに接続する容量６４の端子電圧は一定となる。そして、この端子電圧がＴＦＴ６２のゲートにバイアスされ、ＴＦＴ６２のゲート電圧がしきい値よりも高くなるとＴＦＴ６２が導通し、バイアス電圧生成回路１１から共通バイアス配線１１Ｃと周回バイアス配線１３さらにバイアス配線６７を介して、ＥＬ素子６１に電流が供給され、ＥＬ素子６１は電流値に応じた輝度で発光する。
 【００４０】ＥＬ素子６１に流れ込む電流Ｉｅｌは、ＴＦＴ４２のゲート電圧とソース・ドレイン間の電圧により定まるが、特許公報第２７８４６１５号または特開平１１−２３１８３５号公報に記載されている技術を用いて、ゲートに印加するパルス幅を変えて多階調を実現する場合、ＴＦＴ６２のソース・ドレイン間電圧は高々０．１〜０．２Ｖ程度となり、ＥＬ素子６１のアノード６１Ａの電圧は、バイアス電圧生成回路１１から出力される出力電圧ＶｂからＴＦＴ６２のソース・ドレイン間電圧（０．１〜０．２Ｖ）を引いた値となる。従って、パルス幅変調方式により階調を制御する場合、電流Ｉｅｌはバイアス電圧生成回路１１から出力される出力電圧Ｖｂにより制御される。 
 【００４１】言い換えるとパルス幅変調方式を用いた本発明の表示装置において、データ線６５を介して入力する画像信号に対応する階調は、ＴＦＴ６２のゲートに印加されるパルス幅により制御され、階調の基準となる輝度についてはバイアス電圧生成回路１１から出力される電圧Ｖｂにより制御される。 
 【００４２】図１において、周回バイアス配線１３は、配線抵抗を小さくするために低抵抗率の配線材料を主として用い、配線幅は画素領域１２内部の配線である走査線４６，バイアス配線４７よりも太くして配線される。 
 【００４３】従って、各画素からバイアス配線６７および周回バイアス配線１３を介してのバイアス電圧生成回路１１の出力端子までの配線抵抗は、周回バイアス配線１３の配線抵抗が小さいこと、１本のバイアス配線６７が上下２箇所の節点で周回バイアス配線で接続されていることから、従来の表示装置を構成する各画素からバイアス電圧源６１０までの配線抵抗よりも大幅に小さくなる。 
 【００４４】一例を挙げて具体的に説明すると、バイアス電圧生成回路１１の出力端子から低抵抗の共通バイアス配線１３Ｃと、周回バイアス配線１３を介して節点１３１Ａおよび節点１３３１Ｂを通ってバイアス配線６７に電流が流れ込み、さらにこのバイアス配線６７に接続し活性化されている画素を構成する発光素子に電流が供給される。 
 【００４５】従って、バイアス配線６７における電圧勾配が大幅に緩和され、発光素子に流れる電流の不均一に起因する輝度ムラが大幅に改善される。 
 【００４６】言い換えると、バイアス電圧生成回路１１から出力される出力電圧と、画素領域１２内部の画素の輝度、すなわちこの画素を構成する発光素子の輝度に対応する電流とが与えられた場合、これらの値を満足するように、周回バイアス配線１３と共通バイアス配線１３Ｃの配線抵抗が算出され、算出された配線抵抗値になるように周回バイアス配線１３と共通バイアス配線１３Ｃが配線される。 」 
 　 
２　引用発明の認定
 　上記記載から、引用例１には、 表示装置に関し、
「表示装置は、ＥＬ素子６１とＴＦＴ６２，６３と容量６４とを含む画素をマトリクス状に配列した画素領域１２の外側に、リング状に配置した周回バイアス配線１３を備え、周回バイアス配線１３とバイアス電圧生成回路１１の出力端子とは、共通バイアス配線１３Ｃにより接続され、画素領域１２内部のバイアス配線６７と周回バイアス配線１３とは、上下２箇所の節点である節点１３１Ａ，１３１Ｂおよび節点１３２Ａ，１３２Ｂ・・・により接続され、走査線駆動回路６９により走査線６６が活性化されると、活性化された走査線６６に接続しているＴＦＴ６３は導通状態となり、データ線駆動回路６８からデータ線６５とＴＦＴ６３を介して容量６４に電流が流れ容量６４が充電され、一方走査線駆動回路６９により走査線６６が非活性化されると、非活性化された走査線６６に接続しているＴＦＴ６３は非導通状態となり、容量６４に充電された電荷は保持されＴＦＴ６２のゲートに接続する容量６４の端子電圧は一定となり、この端子電圧がＴＦＴ６２のゲートにバイアスされ、ＴＦＴ６２のゲート電圧がしきい値よりも高くなるとＴＦＴ６２が導通し、バイアス電圧生成回路１１から共通バイアス配線１１Ｃと周回バイアス配線１３さらにバイアス配線６７を介して、ＥＬ素子６１に電流が供給され、ＥＬ素子６１は電流値に応じた輝度で発光する表示装置。 」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているといえる。 
　
３　引用例２
　また、当審で通知した拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００３−２７１０７５号公報（以下、「引用例２」という）には、次の事項が記載されている。（後述の「第５　当審の判断」の引用発明２の認定において直接引用した記載に下線を付した。）
　
「【００１２】図１は本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を概略的に示す平面図であり、図２は図１に示す有機ＥＬ表示装置のＡ−Ａ線に沿った断面図である。また、図３は、図１及び図２に示す有機ＥＬ表示装置のアレイ基板の一例を概略的に示す平面図である。なお、図２では、図１に示す有機ＥＬ表示装置の一部のみが描かれている。
【００１３】図１〜図３に示す有機ＥＬ表示装置１は、アレイ基板２と封止基板３とをシール層４を介して対向させた構造を有している。シール層４は封止基板３の周縁に沿って設けられており、それにより、アレイ基板２と封止基板３との間に密閉された空間を形成している。この空間は、例えば希ガスのような不活性ガスで満たされている。
【００１４】アレイ基板２は、表示領域６と駆動回路領域７ａ，７ｂとを含んでいる。表示領域６には、表示画素８がアレイ状に配列されるとともに、表示画素の縦横の配列に沿って走査線９ａ及び信号線９ｂが配置されている。他方、駆動回路領域７ａ，７ｂには、走査線９ａに走査信号に対応した電圧を印加する走査線ドライバ１０ａ及び信号線９ｂに映像信号を印加する信号線ドライバ１０ｂがそれぞれ配置されている。以下、アレイ基板２の構造について、さらに詳しく説明する。
【００１５】アレイ基板２は、ガラス基板のような基板１１を有している。基板１１上には、例えば、ＳｉＮＸなどからなるアンダーコート層１２及びＳｉＯ２などからなるアンダーコート層１３が順次積層されている。アンダーコート層１３上には、チャネル及びソース・ドレインが形成されたポリシリコン層のような半導体層１４、ゲート絶縁膜１５、及びゲート電極１６が順次積層されており、それらはトップゲート型のＴＦＴ２０ａ〜２０ｃを構成している。なお、ＴＦＴ２０ａ，２０ｂはそれぞれｐチャネル型及びｎチャネル型のＴＦＴであり、インバータを構成している。
【００１６】ゲート絶縁膜１５及びゲート電極１６上には、ＳｉＯ２などからなる層間絶縁膜２１が設けられている。層間絶縁膜２１上には電極配線（ここでは、陰極配線とする）２２、信号線９ｂ及びソース・ドレイン電極２３等が設けられており、それらは、ＳｉＮＸなどからなるパッシベーション膜２４で埋め込まれている。なお、ソース・ドレイン電極２３は、層間絶縁膜２１に設けられたコンタクトホールを介してＴＦＴ２０ａ〜２０ｃのソース・ドレインに電気的に接続されている。
【００１７】パッシベーション膜２４上には、第１導電層（ここでは陽極）２５及びポリイミドなどのような樹脂からなる隔壁層２６が配置されている。第１導電層２５は表示画素毎に独立島状に形成され、隔壁層２６によりそれぞれ電気的に絶縁されている。隔壁層２６には、それぞれの第１導電層２５に対応して開口が設けられており、それら開口内で露出した第１導電層２５上には、例えば、赤色、緑色、または青色の蛍光性有機化合物を含んだ薄膜である発光層２７が設けられている。隔壁層２６及び発光層２７上には各表示画素に共通に連続して配置される共通電極として第２導電層（ここでは陰極）２８が設けられており、第２導電層２８はパッシベーション膜２４及び隔壁層２６に設けられたコンタクトホールを介して電極配線２２に電気的に接続されている。それぞれの有機ＥＬ素子３０は、これら第１導電層２５，発光層２７，第２導電層２８で構成されている。
【００１８】なお、隔壁層２６には、シール層４の位置に、底面がパッシベーション膜２４の上面で構成された溝が設けられ外部に接する隔壁層２６がシール層４によって有機ＥＬ素子と不連続となるよう構成されている。このような構造によると、水蒸気などが隔壁層２６を透過して上記空間内へと侵入するのを良好に抑制することができる。
【００１９】本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１では、第２導電層２８は表示領域６だけでなく駆動回路領域７ａ，７ｂをも覆うように設けられている。そのため、駆動回路領域７ａ，７ｂ内のＴＦＴ２０ａ，２０ｂなどでなる駆動回路１０ａ、１０ｂは、第２導電層２８によって静電遮蔽される。したがって、本実施形態によると、アレイ基板２と封止基板３との貼り合わせを完了する前のいずれかの段階で、駆動回路が静電気によって破壊されるのを防止することができる。
【００２０】また、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１では、駆動回路にトップゲート型のＴＦＴ２０ａ，２０ｂを使用している。すなわち、陰極として利用する第２導電層２８とチャネルとの間にゲート電極１６を介在させている。そのため、導電層２８の電位に応じてＴＦＴ２０ａ，２０ｂの閾値電圧が変動するのを防止することができ、それゆえ、ゲート電極１６に電圧を印加していない場合においても電流が流れるのを防止することができる。したがって、本実施形態によると、不要な電力消費を抑制することが可能である。
【００２１】このように、本実施形態では、第２導電層２８が駆動回路領域７ａ，７ｂを覆った構造とトップゲート型のＴＦＴ２０ａ，２０ｂとを組み合わせることにより、駆動回路の静電気による破壊を防止すること及び不要な電力消費を削減することの双方が可能となる。
【００２２】また、本実施形態では、
表示領域６だけでなく駆動回路領域７ａ，７ｂをも覆うように導電層２８を設けるため、図１及び図２に示すように、表示領域６及び駆動回路領域７ａ，７ｂを含む領域の外側に電極配線２２を配置することができる。そのため、各種構成要素のレイアウトの自由度が増し、設計が容易になる。なお、電極配線２２は他の位置に配置してもよい。例えば、電極配線２２の少なくとも一部を表示領域６と駆動回路領域７ａ，７ｂとの間に介在させてもよい。
　
４　引用例３
　また、当審で通知した拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平１１−２０２３６７号公報（以下、「引用例３」という）には、次の事項が記載されている。（後述の「第５　当審の判断」の引用発明３の認定において直接引用した記載に下線を付した。）
「【００５５】本実施の形態では特に、図１及び図２に示すように、
ＴＦＴアレイ基板１には、負電源ＶＳＳＹ用の配線ＶＳＳＹを兼ねた定電位のシールド線８０、負電源ＶＳＳＸ用の配線ＶＳＳＸを兼ねた定電位のシールド線８０’、正電源ＶＤＤＸ用の配線ＶＤＤＸを兼ねた定電位のシールド線８２、及び正電源ＶＤＤＹ用の配線ＶＤＤＹを兼ねた定電位のシールド線８６が配線されている。
【００５６】しかも、図１及び図２に示したように、第１画像信号線群の一例を構成する奇数番目の画像信号線ＶＩＤ１、３、５、７、９及び１１は、ＴＦＴアレイ基板１上をＸ方向に見てデータ線駆動回路１０１の右側へ引き回されており、第２画像信号線群の一例を構成する偶数番目の画像信号線ＶＩＤ２、４、６、８、１０及び１２は、ＴＦＴアレイ基板１上でデータ線駆動回路１０１の左側へ引き回されている。従って、例えば１２相展開というように比較的多相の相展開数を行うことにより、サンプリング回路３０１に供給される画像信号ＶＩＤ１〜１２の周波数を下げつつ、多数の配線ＶＩＤ１〜１２については、データ線駆動回路１０１の両側にバランス良く配置できる。この結果、サンプリング回路３０１及びデータ線駆動回路１０１からなるデータ信号供給手段を形成する領域をＴＦＴアレイ基板１上に容易に確保することができる。従って、限られた基板サイズにおける画面の大型化が図られる。
【００５７】本実施の形態では特に、図２に示したように、定電位のシールド線８０’により、画像信号線たる配線ＶＩＤ１〜１２は、前述の高周波制御信号に属するクロック信号ＣＬＸ及びＣＬＸ’並びにイネーブル信号ＥＮＢ１及びＥＮＢ２を供給する高周波制御信号線たる配線ＣＬＸ及びＣＬＸ’並びに配線ＥＮＢ１及びＥＮＢ２から電気的にシールドされている。従って、クロック信号の周波数が高い場合でも、これらの高周波制御信号線から配線ＶＩＤ１〜１２への高周波のクロックノイズ等の飛び込みを低減できる。他方、前述の低周波制御信号に属するスタート信号ＤＸ及びＤＹ、並びにクロック信号ＣＬＹ及びＣＬＹ’については、配線ＶＩＤ１〜１２上の画像信号や、これに基づいて供給されたデータ線３５上のデータ信号中の高周波ノイズの原因とはならない。このため、低周波制御信号線たる配線ＤＸ、ＤＹ、ＣＬＹ及びＣＬＹ’は、定電位のシールド線によりシールドしてもよく、シールドしなくてもよい。本実施の形態では、図２に示したように、右側では配線ＶＩＤ１、３、…、１１は、定電位の配線ＶＤＤＹからなるシールド線８６により配線ＤＹ、ＣＬＹ及びＣＬＹ’からシールドされており、左側では配線ＶＩＤ２、４、…、１２は定電位の配線ＶＳＳＹからなるシールド線８０により配線ＤＹからシールドされている。また、配線ＤＸからは、シールド線８０’により配線ＶＩＤ１〜１２はシールドされている。
【００５８】更に本実施の形態では特に、右側（奇数番目）の画像信号線群の中で高周波制御信号線たる配線ＣＬＸ及びＣＬＸ’に近い側に位置する配線ＶＩＤ１１は、配線ＶＳＳＸ及びＶＤＤＸから夫々なる２本のシールド線８０’及び８２の存在により、これらの配線ＣＬＸ及びＣＬＸ’から離間されており、且つ電気的にシールドされている。また、左側（偶数番目）の画像信号線群の中で高周波制御信号線たる配線ＣＬＸ及びＣＬＸ’に近い側に位置する配線ＶＩＤ１２は、配線ＶＳＳＸからなる１本のシールド線８０’及び低周波制御信号線たる配線ＤＸの存在により、これらの配線ＣＬＸ及びＣＬＸ’から離間されており、且つ電気的にシールドされている。即ち、画像信号やデータ信号中の高周波ノイズの原因とはならない低周波制御信号線に属する配線ＤＸを、高周波制御信号線たる配線ＣＬＸ及びＣＬＸ’と配線ＶＩＤ１２との間に、シールド線８０’と共に配置することにより、配線ＣＬＸ及びＣＬＸ’のＶＩＤ１２に対するクロックノイズ等の悪影響を更に低減できる。一般に距離及び障害物の介在に応じて電磁波は減少するので、配線ＣＬＸ及びＣＬＸ’や配線ＥＮＢ１及びＥＮＢ２と配線ＶＩＤ１〜１２との間にシールド線（配線８０、８０’、８２、８６等の定電位の配線）や低周波制御信号線（配線ＤＸ、ＤＹ、ＣＬＹ、ＣＬＹ’等の低周波制御信号が供給される配線）をなるべく多く配線する構成により、クロックノイズを発生させる電磁波が減少して、クロックノイズ等が低減する。このように、シールド線以外に低周波制御信号線を高周波制御信号線と画像信号線との間に介在させることはＴＦＴ基板１上スペースの有効利用及びノイズ低減の観点から見て有利である。
【００５９】また図２に示したように本実施の形態では、ＴＦＴアレイ基板１の周辺部上において、配線ＶＩＤ１〜１２に夫々接続された外部入力端子１０２は両側に配置されており、その間に配線ＥＮＢ１、ＥＮＢ２、ＣＬＸ’及びＣＬＸに接続された外部入力端子１０２が集中配置されている。そして、配線ＶＩＤ１２に接続された外部入力端子１０２と配線ＥＮＢ１に接続された外部入力端子１０２との間に、シールド線８０’（配線ＶＳＳＸ）に接続された外部入力端子１０２が配置されている。また、配線ＶＩＤ１１に接続された外部入力端子１０２と配線ＣＬＸに接続された外部入力端子１０２との間に、シールド線８０’（配線ＶＳＳＸ）に接続された外部入力端子１０２が配置されている。従って、配線ＶＩＤ１〜１２と配線ＥＮＢ１、ＥＮＢ２、ＣＬＸ’及びＣＬＸとの間にシールド線８０’を配線する構成を容易に得ることができる。特に、液晶装置２００に入力される前段階で、例えば、表示情報処理回路等の外部回路から液晶装置２００への配線中で、クロック信号ＣＬＸ等が、画像信号ＶＩＤ１〜１２に対しクロックノイズ等を発生させてしまう事態を効果的に阻止し得る。このように本実施の形態によれば、液晶装置２００に入力される前後において、クロック信号用の配線から画像信号用の配線への高周波のクロックノイズの飛び込み等を低減できる。尚、より好ましくは、ＴＦＴアレイ基板１の周辺部において外部入力端子１０２を形成可能な領域において、配線ＶＩＤ１〜１２用の外部入力端子１０２を可能な限り両側（右側及び左側）に寄せて配置すると共に、中央に集中配置される配線ＣＬＸ’等用の外部入力端子１０２との間に可能な限り間隔を空けて、この間隔にシールド線８０’等用の外部入力端子１０２を配置する。
【００６０】本実施の形態では、配線ＶＳＳＹ、ＶＳＳＸ、ＶＤＤＸ及びＶＳＳＹを夫々延設してシールド線８０、８０’、８２及び８６とすることにより、外部入力端子や配線を共用することが可能となり、装置構成の簡略化と省スペース化を図ることが出来る。また、
シールド線８０、８０’、８２及び８６の電位は、このように定電位線との共用化により、容易に定電位とされる。但し、電源用の配線とシールド線を別個に配線してもよい。
【００６１】本実施の形態では、図２に示すように、負電源ＶＳＳＸが入力される外部入力端子１０２が２つ設けられている。そして、配線ＶＩＤ１〜ＶＩＤ１２は、負電源ＶＳＳＸの電位（負電位）とされたシールド線８０’により、ＴＦＴアレイ基板１上で囲まれている。特に、シフトレジスタ回路１０１ａと波形制御回路１０１ｂとの間にも、データ線３５と同じＡｌ等の金属層から形成されたシールド線８０’は延設されている。そして、延設されたシールド線８０’の先端部は、後述のように第１層間絶縁層を介してＡｌ等の金属層の下方において、例えば走査線３１と同じポリシリコン等の導電性層から形成されたシールド線接続部８１を介して、波形制御回路１０１ｂ及びバッファ回路１０１ｃを囲むようにしてシールド線８０’に接続されている。
【００６２】他方、図２に示すように、配線ＣＬＸ及びＣＬＸ’は、データ線駆動回路１０１に隣接する部分においては、正電源ＶＤＤＸの電位（正電位）とされたシールド線８２により、ＴＦＴアレイ基板１上で囲まれている。特に、波形制御回路１０１ｂとバッファ回路１０１ｃとの間にも、データ線３５と同じＡｌ等の金属層から形成されたシールド線８２は延設されており、その先端部は、例えば走査線３１と同じポリシリコン等の導電性層から形成されたシールド線接続部８３を介して波形制御回路１０１ｂ及びシフトレジスタ回路１０１ａを囲むようにしてシールド線８２に接続されている。
【００６３】従って、配線ＶＩＤ１〜ＶＩＤ１２は、ＴＦＴアレイ基板１上で配線ＣＬＸ及びＣＬＸ’並びに配線ＥＮＢ１及びＥＮＢ２から２重にシールドされた構成が採られており、シフトレジスタ回路１０１ａ並びに波形制御回路１０１ｂ及びバッファ回路１０１ｃに対するシールドも信頼性が高いものとされている。但し、このように囲む構成を採らなくても、配線ＣＬＸ、ＣＬＸ’、ＥＮＢ１及びＥＮＢ２と配線ＶＩＤ１〜ＶＩＤ１２との間にシールド線８０、８０’、８２及び８６が少なくとも一本介在するように構成すれば、シールドの効果は多少なりとも得られる。」
　
「【００７３】ところで、本実施の形態では、液晶を直流駆動により劣化させないためや表示画面上のフリッカを防止するため等に、液晶駆動電圧を反転させる各種の方式、例えば、フィールド又はフレーム反転駆動、走査線反転駆動（所謂１Ｈ反転駆動）、データ線反転駆動（所謂１Ｓ反転駆動）、ドット反転駆動などを採用可能である。ここで特に、１Ｓ反転やドット反転といった相隣接するデータ線間で電圧極性を反転させて液晶駆動を行う場合には、図８（ａ）に示したように一本の配線ＶＩＤ１〜１２毎に櫛歯状にするよりも、図８（ｂ）に示すように、相隣接する２本のデータ線３５に対応する２本の配線ＶＩＤ１及び２、５及び６等を夫々一対として２本おきに一方の側（例えば右側）から引き回すと共に、それら以外の相隣接する２本のデータ線３５に対応する２本の配線ＶＩＤ３及び４、７及び８等を夫々一対として２本おきに逆側（例えば左側）から引き回すと共に、データ線駆動回路１０１とサンプリング回路３０１の間で２本の配線を一対として夫々両側から櫛歯状にするのがより好ましい。
このように配線すれば、ＴＦＴアレイ基板１上で相隣接する各対の配線１及び２、３及び４、…から供給される画像信号は夫々逆極性とされてデータ線３５に供給されるので、これらの信号中に存在する同一のノイズ源に起因したノイズ成分については、これら各対をなす両者間で打ち消し合う効果が働くので、ノイズを低減するのに役立つ。
 　 
（４）また、当審で通知した拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平９−２６９８４６号公報（以下、「引用例４」という）には、次の事項が記載されている。 
 「【００２４】 
 【発明の効果】以上説明したように本発明は、電磁波放射ノイズの発生源であるクロック信号の配線に、そのクロック信号と１８０°位相差のある反転クロック信号の配線を平行かつ同長に配設して、両配線に流れる電流を逆向きとしたため、両配線の電磁波放射ノイズを互いに相殺することができるので、電子回路から放射される高周波の電磁波放射ノイズを減少させて、電子回路自身および周辺機器の誤作動を防止し、機器の信頼性を向上させるという効果があり、さらに電子回路内のクロック信号配線の専有面積を小形化することができるという効果がある。」 
 　 
 （５）また、当審で通知した拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平１１−２５１７７９号公報（以下、「引用例５」という）には、次の事項が記載されている。 
 「【００１９】ここで、一般的な高速信号伝送方式として、メイン配線の片側に高速信号の反転信号が伝搬するサブ配線を形成する方法があるが、本実施形態ではメイン配線２の両側にサブ配線３を形成している。 
 【００２０】これはメイン配線２の両側にサブ配線３を形成し、メイン配線２に後述するような反転信号を印加した場合には、メイン配線の片側に形成された１本のサブ配線に反転信号を印加した場合よりも放射ノイズを１０ｄＢμＶ以上低くできるからである。」
　
第４　対比
１　対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
　
　引用発明の「画素領域１２」は、供給された電流値に応じた輝度で発光するＥＬ素子を含むものであるから、本願発明の、素子が一列に配置され又はデルタ構造で配列されてデータ信号に従って発光する「画素領域」に相当する。
　
　引用発明の「走査線駆動回路６９」及び「データ線駆動回路６８」は、走査線駆動回路６９により走査線６６が活性化されると、活性化された走査線６６に接続しているＴＦＴ６３は導通状態となり、データ線駆動回路６８からデータ線６５とＴＦＴ６３を介して容量６４に電流が流れ容量６４が充電されるものであるから、それぞれ、本願発明の、一定のスイッチング信号を一つ目のスイッチング素子のゲート電極に印加する「スキャンドライバ」及び、一定のデータ情報を一つ目のスイッチング素子のソース電極に印加する「データドライバ」に相当する。
　
　引用発明の「周回バイアス配線１３」は、バイアス配線６７を介してＥＬ素子６１に電流を供給するものであるから、本願発明の、画素領域に第１の電源電圧を印加する導電特性を有する「第１の電源電圧ライン」に相当する。
　
　引用発明の「ＥＬ素子６１は電流値に応じた輝度で発光する表示装置」は、本願発明の「能動素子表示装置」に相当する。
　
２　一致点
　したがって、本願発明と引用発明は、
「素子が一列に配置され又はデルタ構造で配列されてデータ信号に従って発光する画素領域と、一定のスイッチング信号を一つ目のスイッチング素子のゲート電極に印加するスキャンドライバと、一定のデータ情報を一つ目のスイッチング素子のソース電極に印加するデータドライバと、画素領域に第１の電源電圧を印加する導電特性を有する第１の電源電圧ラインと、を含む能動素子表示装置。」の発明である点で一致し、次の点で相違している。
　
３　相違点
　
（１）相違点１； 
 　第１の電源電圧ラインが、本願発明においては「前記スキャンドライバおよび前記画素領域の外側に配線された上部第１の電源電圧ラインと、前記スキャンドライバおよび前記画素領域と、前記データドライバとの間に配線された下部第１の電源電圧ライン」からなるのに対し、引用発明においては、「ＥＬ素子６１とＴＦＴ６２，６３と容量６４とを含む画素をマトリクス状に配列した画素領域１２の外側に、リング状に配置」した周回バイアス配線からなる点。 
 　 
 （２）相違点２； 
 　本願発明においては、「電界や磁界の特性を有する電磁波を遮蔽する手段を備え、前記電磁波遮蔽手段は、前記上部第１の電源電圧ラインと平行に配線された第１の電導性配線と、前記下部第１の電源電圧ラインと平行に配線された第２の電導性配線とを備える」のに対し、引用発明においてはその点の限定がない点。 
 　 
 （３）相違点３； 
 　本願発明においては、「前記電界や磁界の特性を有する電磁波を遮蔽する手段は、前記第１の電源電圧と反対の極性を有する電源電圧を発生させる電磁波遮蔽手段を含」むのに対し、引用発明においてはその点の限定がない点。 
  
　
第５　当審の判断
１　上記の相違点について検討する。
　
（１）相違点１について
　電源電圧ラインを基板上にどのように配線するかは、当業者が必要に応じて適宜設定し得る事項である。
　特に、有機ＥＬ表示装置の発明である引用例２には、表示領域及び駆動回路領域の外側に設けられた電極配線２２に関して
「なお、電極配線２２は他の位置に配置してもよい。例えば、電極配線２２の少なくとも一部を表示領域６と駆動回路領域７ａ，７ｂとの間に介在させてもよい。」（【００２２】段落）
と記載されており、配線の設計として、表示領域及び表示回路領域との関係で、一部を表示領域及び表示回路領域の外側に配線し、他の一部を表示領域と表示回路領域の間に配線することが記載されているといえる。
　引用発明の電源電圧ラインの配線に関しても、上記引用例２に記載の配線の設計を参酌して、電源電圧ラインの一部をスキャンドライバと画素領域の外側に配線し、残りの一部をデータドライバと画素領域の間に配線する構成を採用することは、当業者が容易に想到し得た事項である。すなわち、上記相違点１に係る事項は、引用例２の記載を参酌して当業者が容易に想到し得た事項に過ぎない。
　
　
（２）相違点２について 
 　引用例３には、
「ＴＦＴアレイ基板１には、負電源ＶＳＳＹ用の配線ＶＳＳＹを兼ねた定電位のシールド線８０、負電源ＶＳＳＸ用の配線ＶＳＳＸを兼ねた定電位のシールド線８０’、正電源ＶＤＤＸ用の配線ＶＤＤＸを兼ねた定電位のシールド線８２、及び正電源ＶＤＤＹ用の配線ＶＤＤＹを兼ねた定電位のシールド線８６が配線されている」（【００５５】段落）こと、及び、
「シールド線８０、８０’、８２及び８６の電位は、このように定電位線との共用化により、容易に定電位とされる。但し、電源用の配線とシールド線を別個に配線してもよい。」（【００６０】段落）こと
が記載されており、引用例３には、電源用配線をシールド配線と兼用することと共に、電源用配線と別個にシールド配線を設けることが記載されているといえる。
　引用発明においても、上記引用例３に記載の技術を適用して、電源用配線である周回バイアス配線とは別個に、周回バイアス配線に沿ってシールド線である導電性配線を設ける構成を採用し、上記相違点２に係る本願発明の発明特定事項を得ることは当業者が容易に想到し得た事項に過ぎない。 
 　 
 （３）相違点３について 
 　電磁波遮蔽手段において、導電性配線の極性を電圧供給ラインの極性と反対の極性として電磁波の影響を相殺することは、引用例３の【００７３】段落の他、引用例４，５にも記載されているように周知の技術である。上記相違点２において導電性配線を採用するに際して、上記周知技術を採用して、導電性配線の極性を電圧供給ラインの極性と反対とすることは当業者が容易に想到し得た事項である。すなわち、上記相違点３に係る事項は、上記周知技術に基づいて当業者が容易に想到し得た事項に過ぎない。 
　
２　本願発明の奏する作用効果について
　そして、本願発明によってもたらされる効果は、引用発明及び上記引用例２−５に記載された発明から、当業者が予測し得る程度のものである。　
　
３　まとめ
 　以上より、本願発明は、引用例１に記載された発明及び上記引用例２−５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
 　 
第６　むすび
　以上より、本願発明は、引用例１ないし５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。