【事件の表示】
　特願２００１−３８２９７３「低窒素濃度黒鉛材料、低窒素濃度炭素繊維強化炭素複合材料、低窒素濃度膨張黒鉛シート、及び、低窒素濃度炭素系材料の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　９月　６日出願公開、特開２００２−２４９３７６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯 
　本願は、平成１３年１２月１７日の出願であって、平成１８年３月２３日付けで拒絶査定が起案され、これに対し、同年４月２６日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年５月２６日付けで手続補正がなされ、平成２０年７月１５日付けで特許法第１６４条第３項に基づく報告書を引用した審尋が起案され、同年９月２２日付けで回答書が提出されたものである。
　
 ２．平成１８年５月２６日付けの手続補正についての補正却下の決定
　［補正却下の決定の結論］
　　平成１８年５月２６日付けの手続補正を却下する。
　［理由］ 
　（１）補正後の本願発明
　平成１８年５月２６日付けの手続補正（以下、「本件補正」という）は、平成１８年２月８日付け手続補正により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項４、５において特定された「希ガス雰囲気下において室温まで冷却を行う」を、「希ガス雰囲気下において圧力１００Ｐａ以下で室温まで冷却を行う」 とする補正を含むものである。
　（２）本件補正の適否に対する判断
　本件補正の内の上記補正事項は、形式的には、特許請求の範囲の限定的減縮に該当するものである。
　審判請求人は、平成１８年５月２６日付け手続補正書により補正された審判請求書の「（３）−２　補正の根拠の明示」において「また、補正された請求項４、５に係る発明において、「圧力１００Ｐａ以下で室温まで冷却を行う」という補正事項は、段落００２０の記載から自明な事項です。」と主張している。そして、平成２０年９月２２日付けで回答書「（２−２）補正の根拠 」において、「上述の請求項４，５に記載の「希ガス雰囲気下において圧力１００Ｐａ以下で室温まで冷却を行う」ことは、本願の当初明細書の段落００１１の「冷却時は、圧力１００Ｐａ以下、好ましくは１Ｐａ以下、で所定温度まで冷却した後、希ガスを導入して室温まで冷却する。あるいは、窒素ガスを放出する熱処理後に希ガスを導入し、希ガス雰囲気下において室温まで冷却を行う。」という記載、及び、段落００２０の「冷却時においても、できるだけ、窒素ガスを使用せずに、圧力１００Ｐａ以下、好ましくは１Ｐａ以下、若しくはアルゴンガスやヘリウムガス等の希ガス雰囲気下で冷却処理を行う。」という記載を出願時の技術常識に照らすと、自明であると思料します。
　なお、前置報告書において、審査官殿は、段落００２０の圧力１００Ｐａ以下と希ガス雰囲気下は、選択的に記載されていると指摘されましたが、この記載は圧力１００Ｐａ以下と希ガス雰囲気下との両方を満たす場合のみの解釈を避ける表現として使用したものであり、この記載によって圧力１００Ｐａ以下と希ガス雰囲気下との両方の要件を満たすことを否定しているものではありません。
　また、段落００２７，００２９には、０．１Ｐａ（強減圧化）で冷却した後に室温まで冷却することが記載されています。この記載から、本発明に関わる当業者であれば、室温までの冷却も強減圧化で行っていると理解し得ると思料します。」と主張している。
　しかしながら、当初明細書には、「冷却」に関しては、「さらに、冷却時においても、できるだけ、窒素ガスを使用せずに、圧力１００Ｐａ以下、好ましくは１Ｐａ以下、若しくはアルゴンガスやヘリウムガス等の希ガス雰囲気下で冷却処理を行う。この一連の工程は、同一炉で連続的に行うことも、また、各工程を夫々別の炉で行うこともできる。」（【００２０】）、「そして、所定時間熱処理を行うと、容器内圧力を０．１Ｐａに保持したまま２００℃まで冷却する。２００℃に到達した時点で、容器内に希ガスとしてアルゴンガスを導入し、室温まで冷却する。」（【００２７】）及び「そして、所定時間熱処理を行うと、容器内に希ガスとしてアルゴンガスを導入し、室温まで冷却する。」（【００２９】）とあるだけで、「若しくは」によって選択的に記載された「圧力１００Ｐａ以下」と「希ガス雰囲気下」との両方の要件を同時に満たすことを表現した記載はない。また、これらの要件を同時に満たすことを示唆する記載は認められない。
　さらに、請求人は、「出願時の技術常識」について具体的に証拠を挙げて説明していないので、「希ガス雰囲気下において圧力１００Ｐａ以下で室温まで冷却を行う」ことが自明であるとする請求人の主張を採用することはできない。
　付言すれば、審判請求人が上記回答書の「（２−３）希ガス雰囲気での強減圧について 」において「「希ガス雰囲気での強減圧」とは、炉内を希ガス雰囲気とし、少量の希ガスを導入しながらも強減圧の状態にすることです。なお、強減圧にできない程の希ガスを炉内に導入することではなく、上述の表現は、本発明に関する技術を取り扱う当業者であれば出願時の技術水準と同等のものであると思料します。
　そして、本願において、このような状態で冷却することによって、炭素材料中への窒素ガス等の侵入を確実に制御することができます。」と、追加された態様における有利な効果を主張している以上、この「希ガス雰囲気での強減圧」が「自明である」と解することはできない。
　したがって、本件補正における「希ガス雰囲気下において圧力１００Ｐａ以下で室温まで冷却を行う」ことは、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された事項ではないばかりか、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された事項から自明のこととも認められないから、本件補正は、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内においてしたものとはいえない。
　
（３）むすび 
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
　平成１８年５月２６日付けの手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項４に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１８年２月８日付け手続補正により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項４に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「ハロゲンガス雰囲気下で高純度処理した炭素系材料を、窒素ガスにさらされていない雰囲気下において、圧力１００Ｐａ以下、１８００℃以上で熱処理し、炭素系材料中の窒素を放出させた後、圧力１００Ｐａ以下で所定温度まで冷却し、その後、希ガス雰囲気下において室温まで冷却を行うグロー放電質量分析法による窒素濃度が１００ｐｐｍ以下である低窒素濃度炭素系材料の製造方法。」
（１）引用例 
　原査定の拒絶の理由に引用された本願の出願の日前に頒布された刊行物である特開平１０−７４８８号公報（以下、「引用例１」という。）及び特開平１−１９７３６３号公報（以下、「引用例２」という。）には、以下の事項が記載されている。 
　（１−１）引用例１ 
（ア）「 請求項２記載の高純度黒鉛材料の製造方法であって、少なくともハロゲンガスを用いた減圧下の高純度化処理工程、前記減圧より更に低い強減圧下の冷却工程、材料内部に残存する前記ハロゲンガスを不活性ガスと置換する置換工程とを含んでなる高純度黒鉛材料の製造方法。」（【請求項３】）
（イ）「特に注目すべき工程として、炉を冷却する工程の途中、約２０００°Ｃに於いて容器内圧力を１０−２乃至１０−４Ｔｏｒｒに強減圧し、冷却することにより、アウトガスの少ない高純度炭素材を得ることが出来る。通電を停止、容器内にＮ２ガスを充填、置換し乍ら常圧、常温に戻す。これにより、前記高純度化の処理時に内部に残存するハロゲンガス等の処理ガスがＮ２ガス等の不活性ガスと置換され、アウトガス性が改善される。」（【００２２】）
（ウ）「【発明の効果】本発明においては、全灰分５ｐｐｍ以下に高純度化され、前記高純度化の処理時に内部に残存する処理ガスを不活性ガスと置換した高純度黒鉛材料、又は、その全部において全灰分が５ｐｐｍ以下あるとともに、深層部の全灰分が１ｐｐｍ以下に高純度化された高純度黒鉛材料を用いることにより、前述した様に、引上単結晶の品質に影響を与える黒鉛部材のアウトガス性等の性質が改良されるという効果がある。また、このような高純度黒鉛材料は常法に、強減圧下の冷却工程、材料内部に残存する前記ハロゲンガスを不活性ガスと置換する置換工程を付加するだけで得られる。
　強減圧及び不活性ガス置換を行わない常法にあっては、冷却時にハロゲンガス等に含まれる不純物が再び吸着され、物理的且つ化学的に吸着している物質が若干残る。単結晶引上装置のように減圧且つ高温の使用条件では、材料内部の不純物がアウトガスとして放出され、このガスが拡散されて溶融体中に取り込まれ、単結晶中の純度に影響を与える。
　ところが、強減圧下冷却と不活性ガス置換を行うと、材料表面及び内部は物理的吸着による不活性ガスで覆われる。この不活性ガスは単結晶引上装置の昇温時の比較的低温域で容易に黒鉛材料から抜ける。そのため、シリコン単結晶引き上げ時にあまり影響を与えない。
　実際に全灰分５ｐｐｍ以下に高純度化され、前記高純度化の処理時に内部に残存する処理ガスを不活性ガスと置換した高純度黒鉛材料、又は、その全部において全灰分が５ｐｐｍ以下あるとともに、深層部の全灰分が１ｐｐｍ以下に高純度化された高純度黒鉛材料と、従来のように全灰分が５ｐｐｍ前後であっても強減圧冷却及び不活性ガス置換をしない黒鉛材と比較すると、シリコン単結晶引上を行ったところ、単結晶の品位確保や結晶欠陥発生防においてその結果に顕著な差があることがわかった。」（【００３９】〜【００４２】）
　（１−２）引用例２
（ア）「このようにして黒鉛微粉を反応除去した黒鉛製部材は、次いで再度Ｎ２、Ｈ２、Ｈｅ、Ａｒ等の清浄化ガスで洗浄して、黒鉛製部材表面や気孔内に残存する酸化性ガスや黒鉛と酸化性ガスとの反応生成ガスを完全に除去する。なお、この場合の清浄化ガスとしては、黒鉛製部材の使用目的に応じて、使用時に悪影響を及ぼすことのないガスを用いる。例えば、ＣＶＤプロセスにおいて用いる黒鉛製部材であれば、清浄化ガスとしては、Ｎ２、Ｈ２、Ｈｅ、Ａｒを用いるのが好ましい。その他の用途に用いる黒鉛製部材であれば、他の清浄化ガスも採用可能である。」（第２頁右下欄第４〜１５行）
（２）対比 
　引用例１の記載事項（ア）には「ハロゲンガスを用いた減圧下の高純度化処理工程、前記減圧より更に低い強減圧下の冷却工程、材料内部に残存する前記ハロゲンガスを不活性ガスと置換する置換工程とを含んでなる高純度黒鉛材料の製造方法。」が記載され、及び同（イ）には、「炉を冷却する工程の途中、約２０００°Ｃに於いて容器内圧力を１０−２乃至１０−４Ｔｏｒｒに強減圧し、冷却することにより、アウトガスの少ない高純度炭素材を得ることが出来る。通電を停止、容器内にＮ２ガスを充填、置換し乍ら常圧、常温に戻す。これにより、前記高純度化の処理時に内部に残存するハロゲンガス等の処理ガスがＮ２ガス等の不活性ガスと置換され、アウトガス性が改善される。」ことが、そして同（ウ）には、「高純度化の処理時に内部に残存する処理ガスを不活性ガスと置換した高純度黒鉛材料」であることが記載されているから、これら引用例１に記載された事項を本願発明に則して整理すると、「ハロゲンガスを用いた減圧下の高純度化処理工程、約２０００°Ｃに於いて容器内圧力を１０−２乃至１０−４Ｔｏｒｒに強減圧し、冷却する冷却工程によりアウトガスの少ない高純度炭素材を得て、Ｎ２ガス等を充填、置換し乍ら常圧、常温に戻す不活性ガスと置換する置換工程とを含んでなる、内部に残存する処理ガスを不活性ガスと置換した高純度黒鉛材料の製造方法。」（以下「引用例１発明」という。）が記載されていると認められる。
　そこで、本願発明と引用例１発明とを対比すると、引用例１発明の「ハロゲンガスを用いた減圧下の高純度化処理工程」、「冷却する冷却工程」及び「ガスを充填、置換し乍ら常圧、常温に戻す不活性ガスと置換する置換工程」は、本願発明の「ハロゲンガス雰囲気下で高純度処理」すること、「所定温度まで冷却」すること及び「不活性ガス雰囲気下において室温まで冷却を行う」ことに相当し、引用例１発明の「１０−２乃至１０−４Ｔｏｒｒ」は、１Ｔｏｒｒが１３３Ｐａであるから、「１．３３Ｐａ乃至０．０１３３Ｐａ」となり、本願発明の「圧力１００Ｐａ以下」と１．３３Ｐａから０．０１３３Ｐａでの範囲で重複し、本願発明の実施例における強減圧が全て「０．１Ｐａ」であるから、強減圧の圧力範囲は共通するといえる。そして、引用例１発明の「約２０００°Ｃ」は、本願発明の「１８００℃以上」に相当するということができ、引用例１発明の「アウトガスの少ない高純度炭素材を得て」は、「アウトガス」が本願発明の「炭素系材料中の窒素を放出させた後」における「窒素」と「ガス」である点で共通するから、「炭素系材料のガスを放出させた後」に相当するということができ、引用例１発明の「ガスを充填、置換し乍ら常圧、常温に戻す不活性ガスと置換する置換工程」は、本願発明の「その後、不活性ガス雰囲気下において室温まで冷却を行う」ことに相当するということができる。
　これらを総合すると、両者は、「ハロゲンガス雰囲気下で高純度処理した炭素系材料を、圧力１００Ｐａ以下、１８００℃以上で熱処理し、炭素系材料中のガスを放出させた後、圧力１００Ｐａ以下で所定温度まで冷却し、その後、不活性ガス雰囲気下において室温まで冷却を行う炭素系材料の製造方法。」の点で一致し、以下の点で相違している。
　［相違点１］本願発明は、「窒素ガスにさらされていない雰囲気下において」熱処理して「窒素を放出させ」ているのに対し、引用例１発明では熱処理の雰囲気については記載されておらず、「アウトガス」を放出している点。
　［相違点２］本願発明は、不活性ガスが「希ガス」であるのに対し、引用例１発明は、「Ｎ２ガス等」である点。
　［相違点３］本願発明は、「グロー放電質量分析法による窒素濃度が１００ｐｐｍ以下である低窒素濃度」炭素系材料であるのに対し、引用例１発明は、「内部に残存する処理ガスを不活性ガスと置換した高純度黒鉛材料」である点。
（３）判断
　［相違点１］及び［相違点２］について
　引用例２の記載事項（ア）に記載されるように、「黒鉛製部材は、次いで再度Ｎ２、Ｈ２、Ｈｅ、Ａｒ等の清浄化ガスで洗浄して、黒鉛製部材表面や気孔内に残存する酸化性ガスや黒鉛と酸化性ガスとの反応生成ガスを完全に除去する。なお、この場合の清浄化ガスとしては、黒鉛製部材の使用目的に応じて、使用時に悪影響を及ぼすことのないガスを用いる。」ことが周知であり、引用例１発明は、「高純度化の処理時に内部に残存するハロゲンガス等の処理ガスがＮ２ガス等の不活性ガスと置換され、アウトガス性が改善される」とする以上、引用例１発明においてもＮ２ガスは不活性ガスの一例として挙げられるのみであって、黒鉛製部材の使用目的で苛酷な環境下でより不活性なガスとしてＨｅやＡｒという希ガスを採用することは当業者であれば容易に想到しうるということができる。そして、そのような環境下では、ＨｅやＡｒに比して窒素は活性であり、半導体製造に悪影響を及ぼすことになるから、「窒素ガスにさらされていない雰囲気下において」熱処理して「窒素を放出させ」ることは当業者であれば必然的に採用する操業事項にすぎない。
　一方、本願発明が「窒素ガスにさらされていない雰囲気下において」熱処理して「窒素を放出させ」ていること及び不活性ガスが「希ガス」である理由は、当初明細書の段落【００３７】に記載されるように、「黒鉛化処理あるいは高純度化処理時に、希ガスを用いるか、若しくは、高純度処理後に脱窒素ガス工程を経ることによって低窒素濃度炭素系材料とすることができ、これによって、化合物系半導体等の製造用治具として用いた場合であっても、半導体デバイスへの窒素の侵入を抑制でき、半導体デバイスの結晶欠陥を抑制できる効果を奏する。」というものであって、化合物半導体と密接な関連を有すると認められるところ、本願発明には化合物半導体についての記載はなく、一般的な炭素系材料の製造方法の発明である。
　［相違点３］について
　本願発明が「窒素濃度」を特定するために「グロー放電質量分析法」を採用した意義は、当初明細書には「黒鉛材料中の窒素濃度を低減でき、ＧＤＭＳによる窒素濃度が１００ｐｐｍ以下、好ましくは５０ｐｐｍ以下、より好ましくは１０ｐｐｍ以下、さらに好ましくは５ｐｐｍ以下の黒鉛材料とすることができる。ここで、ＧＤＭＳによる窒素濃度の測定は、グロー放電質量分析装置（ＶＧ９０００、ＶＧ  Ｅｌｅｍｅｎｔａｌ社製）を用い、到達圧力が１０−４Ｐａ以下に保たれた容器内で、黒鉛材料の表面や気孔中に含まれる窒素ガスを十分に排気した後に行った。」（【００２２】）とあるだけで、格別な技術的意義を有することが述べられておらず、しかも、不純物の測定方法として周知のものと認められるので、相違点３に係る特定事項は、引用例１発明における不活性ガスと置換した高純度黒鉛材料に対して当業者であれば適宜付し得る程度の不純物の上限の設定にすぎないものということができる。
　してみれば、引用例１発明に、相違点３に係る構成を採用することは、当業者が容易になし得ることである。
　したがって、上記相違点１〜３に係る本願発明の構成は、引用例１発明及び引用例２に記載された周知技術に基づいて当業者が容易に想到し得たものであり、得られた効果も格別顕著とも認められない。
　
（４）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１に記載された発明及び引用例２に記載された周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。