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　特願２００５−　２３８９８「シリコン単結晶ウエーハの結晶欠陥の評価方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　８月１０日出願公開、特開２００６−２０８３１４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１７年１月３１日の出願であって、平成１９年９月１１日付けで拒絶査定がされ、これに対し、同年１０月１７日に拒絶査定不服審判の請求がされるとともに、同年１１月１５日付けで手続補正（以下、「本件補正」という。）がなされたものである。
　
　
第２　本件補正の補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１９年１１月１５日付けの手続補正を却下する。
［理由］
１．補正後の本願発明
　本件補正は、特許請求の範囲の補正を含み、出願当初の特許請求の範囲の請求項１を、「シリコン単結晶ウエーハの結晶欠陥を赤外散乱トモグラフ法により評価する方法であって、少なくとも、シリコン単結晶ウエーハに
強度を３００ｍＷ以上とする
　上記補正は、発明特定事項であるレーザー光について、「強度を３００ｍＷ以上とする」という限定を付加するものであるから、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本願補正発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
２．引用刊行物記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前の昭和６１年６月に頒布された刊行物である応用物理, 第５５巻, 第６号, 第５４２〜５６９頁（以下、「引用例」という。）には、以下の記載がある。
［１ａ］「　ここではまず，光散乱トモグラフィーによる種々の欠陥の観察法，および解析方法について述べる．次に観察例として，赤外線レーザーを用いた半導体結晶の欠陥観察について触れる．最後にフォトルミネッセンスなどによるトモグラフィーについての展望を述べる．」（第５４２頁右欄第４〜８行）
［１ｂ］「　半導体結晶を光散乱法で観察する試みは，１９５７年に Kaiser によって行なわれてる．しかし，欠陥の検出感度，および分解能の点で問題があった．そこで，種々の半導体結晶中の欠陥を解明するために，Fig.３に示すような，赤外線レーザー，赤外線テレビカメラ，およびコンピュータによる画像処理系を備えた赤外線レーザートモグラフィーが開発された．
　光源には，波長1.06μｍ，1.32μｍ のＹＡＧ レーザー（出力５ｗ）を用い，散乱された光は赤外ビシコンで受光し，フレームメモリーによりＡ／Ｄ変換後記憶する．観察した散乱像はコンピュータによって蓄積し，観察終了後に画像処理を行ない，フレームメモリーに出力し，ビデオモニターに表示する．この装置は赤外線（波長　2μｍ）までの受光感度があり，散乱像の他に透過吸収像および偏光像，さらにＰＬ像（フォトルミネッセンス）が撮れる．Fig.４に三井金属鉱業で制作されているレーザートモグラフィーの実際の装置の外観を示す．」（第５４３頁右欄第２５行〜第５４４頁左欄第１６行）
［１ｃ］「　赤外光の観察で問題となるのは，可視光のシステムに比べて，光の散乱能と受光感度が低いことである．光の散乱能は，後で示すように，微小欠陥では波長の４乗に逆比例するので，赤外線レーザー（1.06μｍ）での散乱強度は，可視レーザー（0.5145μｍ）の場合の約1/18に減少する．また，可視域には受光感度の高い撮像管，およびフィルムがあるのに対し，赤外域では種類も少なく感度も低い．これを補うためには，入射するレーザー強度の増大，観察系の光学的明るさの確保，さらに電気的な処理による感度の増加が必要である．」（第５４４頁左欄第１７〜２６行）
［１ｄ］「５．さまざまな結晶欠陥による散乱
５．１　微小欠陥の検出
　結晶内には，点欠陥として空孔，あるいは不純物原子が存在する．このなかで，不純物は固溶体として均一に分布している場合と，析出物として集合している場合とがある．空孔の場合には，ボイドもしくは転位ループを形成していることもある．
　これらを微小欠陥と呼んでいるが，これまでの観察では，数百Å程度の大きさのものは電子顕微鏡で，数μｍ以上では，Ｘ線トポグラフィー，あるいはエッチング法によっても行なわれてきた．しかし，１μｍ以下の微小欠陥の空間分布を直接観察することは，これまでの方法では大変難しかった．
　レーザートモグラフィーは，光線を結晶内部で走査することによって自由に観察場所を選べ，非常に微小な欠陥に対し高い感度を持つことから，微小欠陥の三次元的分布の非破壊観察が可能である．」（第５４８頁左欄第１〜１７行）
［１ｅ］「　光散乱トモグラフィーによる微小欠陥の検出感度は，他の観察法に比べて格段に高い．これは，Ｘ線や光の散乱現象が，sinθ／λをパラメーターに持っているためである．すなわち，２θが散乱角，λが光の波長であるから，光の90°散乱は，Ｘ線の数十秒程度の散乱角の場合に対応する．したがって，Ｘ線小角散乱，あるいはＸ線散漫散乱の測定を行えば，同様な結果が得られる．
　ここで，まず最も単純な散乱体である均一球状粒子（半径ａ）による散乱能を計算してみよう．・・・
したがって，半径ａが波長に比べて十分小さい（ａ＜0.1λ）場合には，散乱強度σ（90°）は，
となり，散乱体の体積Ｖの２乗に比例し，波長λの４乗に逆比例する．このような散乱は“Rayleigh 散乱”と呼ばれている．
　光散乱法による微小欠陥に対する厳密な検出感度を計算することは難しいが，
程度である．ただし，この値は最低受光感度を１０−１２Ｗ，入射レーザー強度１Ｗ，ビーム径20μｍとして見積もったものである．Δεを１とすると，直径約４０ｎｍの粒子が観察できることになるが，これは単一粒子の場合で，Fig.９に示したように散乱粒子の密度が高ければ，もっと小さな欠陥を見ることが可能である．」（第５４９頁左欄第４行〜同頁右欄第１５行）
［１ｆ］「６．シリコン結晶中の欠陥
　現在，ＬＳＩ基盤として用いられているシリコンウエーハの大部分は，ＣＺ法により育成された結晶である．この結晶内には，多量の酸素が存在しているために，高温熱処理を行なうと，シリコン酸化物や転位ループが発生し，素子の特性を劣化させる事が知られている．Ｔａｂｌｅ　１は，井上らの報告による熱処理温度と析出物の状態，さらにＦｉｇ．２１は，熱処理時間に対する析出物の大きさを示したものである．
　これらの析出物の形成原因についてはいまだに不明な点もある．このことから，赤外線レーザートモグラフィーによって as-grown Si 結晶および熱処理による析出物の形成過程の観察が行われた．」（第５５３頁左欄第１〜１３行）
　上記［１ａ］、［１ｂ］、［１ｄ］および［１ｆ］の記載によれば、引用例には、
「光源に出力５ｗのＹＡＧレーザーを用い、散乱された光を受光し、結晶内に存在する析出物やボイドなどの微小欠陥に対し高い感度を持つ赤外線レーザートモグラフィーによって、ＣＺ法により育成された結晶であるシリコンウエーハの析出物を光散乱法で観察する方法。」の発明（以下、「引用例発明」という。）が記載されていると認められる。
　
３．対比
　本願補正発明と引用例発明とを対比する。
（ア）引用例発明の「ＣＺ法により育成された結晶であるシリコンウエーハ」は、本願補正発明の「シリコン単結晶ウエーハ」に相当する。また、引用例発明の「析出物やボイドなどの微小欠陥」は、本願補正発明の「結晶欠陥」に相当する。さらに、引用例発明の「光散乱法」は、赤外線レーザートモグラフィーによるものであるから、本願補正発明の「赤外散乱トモグラフ法により評価する方法」に相当する。
（イ）引用例発明の「光源に出力５ｗのＹＡＧレーザーを用い」ることと、本願補正発明の「少なくとも、シリコン単結晶ウエーハに強度を３００ｍＷ以上とするレーザー光を照射」することとは、「少なくとも、シリコン単結晶ウエーハにレーザー光を照射」する点で共通する。
（ウ）引用例発明の「散乱された光を受光」することは、本願補正発明の「該シリコン単結晶ウエーハの内部に侵入した光を結晶欠陥で散乱させ、該散乱光を検出すること」に相当する。
　したがって、両者は、
「シリコン単結晶ウエーハの結晶欠陥を赤外散乱トモグラフ法により評価する方法であって、少なくとも、シリコン単結晶ウエーハにレーザー光を照射し、該シリコン単結晶ウエーハの内部に侵入した光を結晶欠陥で散乱させ、該散乱光を検出することにより、前記シリコン単結晶ウエーハ内部の欠陥を評価するシリコン単結晶ウエーハの結晶欠陥の評価方法。」である点で一致し、以下の点で相違する。
［相違点１］レーザー光の強度が、本願補正発明では３００ｍＷ以上であるのに対し、引用例発明では５ｗである点。
［相違点２］評価される結晶欠陥が、本願補正発明ではシリコン単結晶ウエーハ内部のＤＳＯＤ及び該ＤＳＯＤより小さなＶｏｉｄ欠陥であるのに対し、引用例発明ではボイドなどの微小欠陥に対し高い感度を持つ赤外線レーザートモグラフィーを用いるもののシリコン単結晶ウエーハ内部の析出物を評価しておりＤＳＯＤ及び該ＤＳＯＤより小さなＶｏｉｄ欠陥を評価していない点。
　
４．判断
　上記相違点について検討する。
［相違点１］について
　引用例発明の「光源に出力５ｗのＹＡＧレーザーを用い」ることは、本願補正発明の「少なくとも、シリコン単結晶ウエーハに強度を３００ｍＷ以上とするレーザー光を照射」することに包含されている。
　また、引用例の［１ｅ］には、散乱強度σ（90°）は、散乱体の体積Ｖの２乗に比例すること、および、その関係式が式（１５）として記載されており、入射レーザー強度を１Ｗとすることも記載されている。さらに、［１ｃ］には、赤外光の観察における問題を補うために、入射するレーザー強度の増大による感度の増加が必要であることも記載されており、特定の大きさの散乱体を検出する場合に必要となるレーザ光の強度は、装置の最低受光感度等に基づいて適宜算出することができるものである。そして、用いることのできるレーザー光に下限値があることは明らかであり、下限値を求めることは当業者にとって通常の技術的行為であるから、レーザ光の強度の下限値を定めることは、測定しようとする対象に応じて当業者が適宜なし得ることである。
　したがって、引用例発明において、レーザー光の強度を３００ｍＷ以上とすることは、当業者が適宜なし得たことである。
　
［相違点２］について
　引用例発明の赤外線レーザートモグラフィーは、引用例の［１ｄ］の記載によると、非常に微小な欠陥に対し高い感度を持つものであり、ボイドを含む１μｍ以下の微小欠陥の非破壊観察が可能なものである。また、［１ｅ］には、入射レーザー強度１Ｗとして見積もると単一粒子の場合で直径約４０ｎｍの粒子が観察でき、散乱粒子の密度が高ければ、もっと小さな欠陥を見ることが可能であることが記載されており、［１ｃ］には赤外光の観察における問題を補うために、入射するレーザー強度の増大などが必要であることが記載されているのであるから、入射するレーザー強度等の条件を整えることによりＤＳＯＤおよびＤＳＯＤより小さなＶｏｉｄ欠陥を観察することができることは、当業者が十分予測し得ることである。
　したがって、引用例発明において、析出物を評価する代わりにＤＳＯＤ及び該ＤＳＯＤより小さなＶｏｉｄ欠陥を評価することは、当業者が容易に想到しうることである。
　
　そして、本願補正発明の効果は、引用例に記載された発明から当業者が予測できる範囲のものであって、格別なものであるとはいえない。
　
　なお、請求人は、審尋に対する平成２１年３月２４日付けの回答書において、引用例には、「微小体積のものを検出するためにはその分入射光強度を強めなければならない」ことについて一切記載も示唆もしていないと主張しているが、上記［１ｅ］には散乱強度が散乱体の体積の２乗に比例することが記載されており、上記［１ｃ］には、光の散乱能と受光感度が低いという問題を補うために入射するレーザー強度の増大が必要であることも記載されているのであるから、微小体積のものを検出するためにレーザーの入射光強度を強める必要があることは、容易に理解できることである。また、上記［１ｂ］に記載されているように、引用例発明の赤外線レーザートモグラフィーは出力５ｗのＹＡＧレーザーを用いるものであるから、入射光強度を３００ｍＷ以上とすることは当業者が適宜なし得たものである。
　
　以上より、本願補正発明は、引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
５．むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３　本願発明
１．本願発明の認定
　本件補正は、上記のとおり、却下されることとなったので、本願の請求項１〜６に係る発明は、出願当初の特許請求の範囲の請求項１〜６に記載された事項により特定されるとおりのものと認められ、その請求項１に係る発明は以下のとおりである。
「シリコン単結晶ウエーハの結晶欠陥を赤外散乱トモグラフ法により評価する方法であって、少なくとも、シリコン単結晶ウエーハにレーザー光を照射し、該シリコン単結晶ウエーハの内部に侵入した光を結晶欠陥で散乱させ、該散乱光を検出することにより、前記シリコン単結晶ウエーハ内部のＤＳＯＤ及び該ＤＳＯＤより小さなＶｏｉｄ欠陥を評価することを特徴とするシリコン単結晶ウエーハの結晶欠陥の評価方法。」（以下、「本願発明」という。）
　
２．引用刊行物記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例およびその記載事項は、前記「第２　２．引用刊行物記載の発明」に記載したとおりである。
　
３．対比・判断
　本願発明は、本願補正発明におけるレーザー光について、「強度を３００ｍＷ以上とする」という限定を省いたものである。
　そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み、さらに限定を付加したものに相当する本願補正発明が、前記「第２　４．判断」に記載したとおり、引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その他の請求項に係る発明について言及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。