【事件の表示】
　特願２００２−３２０９１６「半導体素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　９月２６日出願公開、特開２００３−２７３４７３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１４年１１月５日（優先日平成１３年１１月５日、平成１４年１月９日）の出願であって、平成１９年５月１４日に手続補正がなされたところ、同年６月４日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年７月１２日に拒絶査定不服審判請求がなされるとともに同年８月７日付けで手続補正がなされたものである。
　
　
ＩＩ．平成１９年８月７日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１９年８月７日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１．補正の内容  
　平成１９年８月７日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の請求項１を、以下のように補正することを含むものである。
　
「窒化物半導体からなる量子井戸構造の活性層が、ｎ型窒化物半導体を有するｎ型層と、ｐ型窒化物半導体を有するｐ型層とで挟まれた構造を有する半導体素子において、
　前記活性層は、複数の井戸層を有する多重量子井戸構造であり、前記ｎ型層側に配置された第１の障壁層と、前記第１の障壁層よりバンドギャップエネルギーが小さくかつ前記ｐ型層の最も近くに配置された第２の障壁層と、前記第１の障壁層と前記第２の障壁層との間に設けられた内部障壁層を含み、前記内部障壁層のバンドギャップエネルギーが前記第１の障壁層より小さくかつ前記第２の障壁層よりも大きく設定され、前記第１の障壁層と前記第２の障壁層のバンドギャップエネルギー差が０．０２ｅＶ以上であり、
　前記ｐ型層が、前記第１の障壁層よりもバンドギャップエネルギーの大きいｐ型不純物がドープされたキャリア閉込め層を有することを特徴とする窒化物半導体素子。」
　
２．独立特許要件 
　本件補正は、補正前の請求項１の「活性層」が、「複数の井戸層を有する多重量子井戸構造であ」るとともに、「前記第１の障壁層と前記第２の障壁層との間に設けられた内部障壁層を含み、前記内部障壁層のバンドギャップエネルギーが前記第１の障壁層より小さくかつ前記第２の障壁層よりも大きく設定され、前記第１の障壁層と前記第２の障壁層のバンドギャップエネルギー差が０．０２ｅＶ以上であ」る、との限定を付加するものであるから、上記補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
 　 
（１）刊行物記載の発明  
　本願の優先日前に頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である特開平５−１１０１８５号公報（以下「引用刊行物」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
ア　「【特許請求の範囲】
【請求項１】  光発光層となる禁制帯幅の狭い量子井戸層を、前記量子井戸層より禁制帯幅の広い障壁層で挟んでキャリアを閉じ込めた量子井戸構造の活性層と、前記量子井戸活性層を光の閉じ込められる光導波層とクラッド層により挟んだ半導体層をもつ半導体レーザ装置において、前記障壁層の禁制帯幅を光導波層の禁制帯幅より広くしたことを特徴とする半導体レーザ装置。」
　
イ　「【００１３】
【作用】本発明の量子井戸構造の概念図の一例を図２に示す。・・・（略）・・・。
・・・（略）・・・。
【００１５】・・・（略）・・・例えば障壁層の構成元素の組成を光導波層のそれと変えることで、図２に示すように、障壁層の禁制帯幅を光導波層のそれよりも広いものにする・・・（略）・・・。」
　
ウ　「【００１７】
【実施例】本発明の実施例を図面を用いて説明する。
実施例１
図１は本発明の実施例を示すＡｌＧａＡｓ多波長半導体レーザの縦断面図である。この半導体レーザの製造手順を示す。
【００１８】まず、図３（ａ）に示すようにｎ側ＧａＡｓ基板１上にＳｅドープＡｌ０．６Ｇａ０．４Ａｓでなる厚さ１μｍのクラッド層２、ノンドープＡｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓでなる厚さ０．１μｍの光導波層３、ノンドープＡｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓでなる厚さ０．００３μｍの障壁層４、ノンドープＧａＡｓでなる厚さ０．０１μｍの量子井戸層５、ノンドープＡｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓでなる厚さ０．００３μｍの障壁層４、ノンドープＡｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓでなる厚さ０．１μｍの光導波層３、ＭｇドープＡｌ０．６Ｇａ０．４Ａｓでなる厚さ１μｍのクラッド層６、ＭｇドープＧａＡｓでなる厚さ０．１μｍのキャップ層７をＭＯＣＶＤ法により順次積層する。
・・・（略）・・・。
【００２３】本実施例においては量子井戸層５の厚みを０．０１μｍ、障壁層４の厚みを０．００３μｍと充分薄くしたので、光の閉じ込めは光導波層３とクラッド層２、６で行うことができる。
【００２４】また、障壁層４のアルミニウム（Ａｌ）の組成比を光導波層３のアルミニウムのそれとは僅かに大きくすることで、障壁層４のポテンシャルエネルギーを光導波層３より高めることができる。・・・（略）・・・。」
　
エ　「【００３６】本実施例１、２では、障壁層４、２４の組成が量子井戸層５、２５の組成に対して対称となる構造について述べたが、図７に示すようにｐ側の障壁層２４ａの禁制帯幅をｎ側の障壁層２４ｂの禁制帯幅より狭くすることによって、電子に比べて障壁層２４ａを通り抜けにくい正孔が量子井戸層２５に注入されやすくした構造にしてもよい。なお、障壁層２４ａの禁制帯幅を障壁層２４ｂのそれより小さくするためには障壁層２４ａのＡｌの混晶比を障壁層２４ｂのそれより小さくすればよい。」
　
オ　「【００３７】また、図８（ａ）に示すように量子井戸層５の層の厚さ方向に複数並べた多重量子井戸構造を持つ半導体レーザ装置においても、障壁層４の禁制帯幅を光導波層３のそれより広くすることによって、図８（ｂ）に示すような障壁層４’と光導波層３’に比べて、相互拡散により発光波長の変化の度合を容易に変えることができる。」
　
カ　上記ウ〜オの記載における量子井戸層５及びその上下の障壁層４とが、該量子井戸層５より禁制帯幅の広い障壁層４で挟んでキャリアを閉じ込めた「量子井戸構造の活性層」を構成する、といえることは明らかである。
　
キ　上記ウの記載における「半導体レーザ」は、前記「量子井戸構造の活性層」の上下を、それぞれ、光導波層３とＭｇドープＡｌ０．６Ｇａ０．４Ａｓクラッド層６、及び、光導波路層３とＳｅドープＡｌ０．６Ｇａ０．４Ａｓクラッド層２、とで挟んだ構造を有するものであることが図３（ａ）から見て取れる。
　
ク　「量子井戸構造の活性層」は、障壁層４、量子井戸層５、障壁層４、量子井戸層５、障壁層４、量子井戸層５、障壁層４の順に並べた多重量子井戸構造からなることが、図８（ａ）から見て取れる。
　
　上記摘記事項ア〜ウ、オ〜ク、図２、図３及び図８（ａ）の記載を総合すると、引用刊行物には、以下の発明（以下「引用発明Ａ」という。）が記載されている、と認められる。
　
「禁制帯幅の狭いノンドープＧａＡｓでなる量子井戸層５を、前記量子井戸層５より禁制帯幅の広いノンドープＡｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓでなる障壁層４で挟んでキャリアを閉じ込めた量子井戸構造の活性層と、前記量子井戸構造の活性層の上下を、それぞれ、光導波層３とＭｇドープＡｌ０．６Ｇａ０．４Ａｓクラッド層６、及び、光導波層３とＳｅドープＡｌ０．６Ｇａ０．４Ａｓクラッド層２とで挟んだ構造を有する半導体レーザ装置において、
　前記量子井戸構造の活性層を障壁層４、量子井戸層５、障壁層４、量子井戸層５、障壁層４、量子井戸層５、障壁層４の順に並べた多重量子井戸構造としたもの。」
　
　同じく、上記摘記事項ア〜エ、カ、キ、図２、図３及び図７の記載を総合すると、引用刊行物には、以下の発明（以下「引用発明Ｂ」という。）が記載されている、と認められる。
　
「禁制帯幅の狭いノンドープＧａＡｓでなる量子井戸層５を、前記量子井戸層５より禁制帯幅の広いノンドープＡｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓでなる障壁層４で挟んでキャリアを閉じ込めた量子井戸構造の活性層と、前記量子井戸構造の活性層の上下を、それぞれ、光導波層３とＭｇドープＡｌ０．６Ｇａ０．４Ａｓクラッド層６、及び、光導波層３とＳｅドープＡｌ０．６Ｇａ０．４Ａｓクラッド層２とで挟んだ構造を有する半導体レーザ装置において、
　ｐ側の障壁層４ａの禁制帯幅をｎ側の障壁層４ｂの禁制帯幅より狭くすることにより、電子に比べてｐ側の障壁層を通り抜けにくい正孔が量子井戸層に注入されやすくするもの。」
　
（２）対比  
　本願補正発明と引用発明Ａとを対比する。
　
ア　引用発明Ａの「量子井戸構造の活性層」及び「半導体レーザ装置」は、それぞれ、本願補正発明における「量子井戸構造の活性層」及び「半導体素子」に相当する。
　
イ　引用発明Ａの「量子井戸構造の活性層」が半導体からなることは明らかであるから、引用発明Ａの「量子井戸構造の活性層」は、本願補正発明の「窒化物半導体からなる量子井戸構造の活性層」と、「半導体からなる量子井戸構造の活性層」である点で一致する。
　
ウ　引用発明Ａの「ＳｅドープＡｌ０．６Ｇａ０．４Ａｓクラッド層２」はｎ型の半導体層であり、「ＭｇドープＡｌ０．６Ｇａ０．４Ａｓクラッド層６」はｐ型の半導体層であるといえるから、引用発明Ａの「光導波路層３とＳｅドープＡｌ０．６Ｇａ０．４Ａｓクラッド層２」及び「光導波層３とＭｇドープＡｌ０．６Ｇａ０．４Ａｓクラッド層６」は、それぞれ、本願補正発明の「ｎ型窒化物半導体を有するｎ型層」及び「ｐ型窒化物半導体を有するｐ型層」と、「ｎ型半導体を有するｎ型層」及び「ｐ型半導体を有するｐ型層」である点で一致する。
　
エ　引用発明Ａの「半導体レーザ装置」は、「量子井戸構造の活性層の上下を、それぞれ、光導波層３とＭｇドープＡｌ０．６Ｇａ０．４Ａｓクラッド層６、及び、光導波路層３とＳｅドープＡｌ０．６Ｇａ０．４Ａｓクラッド層２とで挟んだ構造を有する」から、引用発明Ａは、本願補正発明と、「量子井戸構造の活性層が、ｎ型半導体を有するｎ型層と、ｐ型半導体を有するｐ型層とで挟まれた構造を有する半導体素子」である点で一致する。
　
オ　引用発明Ａの「前記量子井戸構造の活性層を障壁層４、量子井戸層５、障壁層４、量子井戸層５、障壁層４、量子井戸層５、障壁層４の順に並べた多重量子井戸構造とした」なる事項と、本願補正発明の「前記活性層は、複数の井戸層を有する多重量子井戸構造であり、前記ｎ型層側に配置された第１の障壁層と、前記第１の障壁層よりバンドギャップエネルギーが小さくかつ前記ｐ型層の最も近くに配置された第２の障壁層と、前記第１の障壁層と前記第２の障壁層との間に設けられた内部障壁層を含み」なる事項とは、「前記活性層は、複数の井戸層を有する多重量子井戸構造であり、前記複数の井戸層のそれぞれのｎ型層側及びｐ型層側には障壁層が設けられ」た点で一致する。
　
　よって、本願補正発明と引用発明Ａとは、
「半導体からなる量子井戸構造の活性層が、ｎ型半導体を有するｎ型層と、ｐ型半導体を有するｐ型層とで挟まれた構造を有する半導体素子において、
　前記活性層は、複数の井戸層を有する多重量子井戸構造であり、前記複数の井戸層のそれぞれのｎ型層側及びｐ型層側には障壁層が設けられた半導体素子。」
の点で一致し、以下の各点で相違する。  
 　  
相違点
［相違点１］：活性層が、本願補正発明では、ｎ型層側に配置された第１の障壁層と、前記第１の障壁層よりバンドギャップエネルギーが小さくかつｐ型層の最も近くに配置された第２の障壁層と、前記第１の障壁層と前記第２の障壁層との間に設けられた内部障壁層を含み、前記内部障壁層のバンドギャップエネルギーが前記第１の障壁層より小さくかつ前記第２の障壁層よりも大きく設定され、前記第１の障壁層と前記第２の障壁層のバンドギャップエネルギー差が０．０２ｅＶ以上であるのに対し、引用発明Ａでは、そのような構造を有さない点。
　
［相違点２］：ｐ型層が、本願補正発明では、第１の障壁層よりもバンドギャップエネルギーの大きいｐ型不純物がドープされたキャリア閉込め層を有するのに対し、引用発明Ａでは、そのようなキャリア閉込め層を有さない点。
　
［相違点３］：本願補正発明は、量子井戸構造の活性層が窒化物半導体からなり、ｎ型層がｎ型窒化物半導体を有し、ｐ型層がｐ型窒化物半導体を有する窒化物半導体素子であるのに対し、引用発明Ａは、各層が窒化物半導体ではなく、窒化物半導体素子ではない点。
　
（３）判断  
　上記相違点につき検討する。
［相違点１］について
　引用刊行物には、上記ＩＩ．２．（１）に述べたとおりの引用発明Ｂが記載され、「量子井戸層５を・・・禁制帯幅の広い障壁層４で挟」む「構造を有する半導体レーザ装置において、（該量子井戸層５の）ｐ側の障壁層４ａの禁制帯幅をｎ側の障壁層４ｂの禁制帯幅より狭くすることにより、・・・正孔が量子井戸層に注入されやすくするもの」の発明が記載されているところ、この引用発明Ｂを引用発明Ａに適用して、複数の各々の量子井戸層５を挟むｐ側の障壁層及びｎ側の障壁層の禁制帯幅を、ｐ側の障壁層の禁制帯幅がｎ側の障壁層の禁制帯幅より狭くなるようになし、その結果、活性層の最もｎ側に配置された障壁層よりも最もｐ側に配置された障壁層の禁制帯幅を狭くし、前記最もｎ側に配置された障壁層と前記最もｐ側に配置された障壁層の間に設けられた他の障壁層の禁制帯幅を前記最もｎ側に配置された障壁層より狭くかつ前記最もｐ側に配置された障壁層よりも広くなるようになすことは、当業者が容易になし得ることである。そしてその際、前記最もｎ側に配置された障壁層と前記最もｐ側に配置された障壁層の禁制帯幅の差をいかほどにするかは当業者が設計上適宜に設定すべき事項であるところ、その値を０．０２ｅＶ以上と設定することは当業者が必要に応じて適宜になし得ることである。
　
［相違点２］について
　活性層、ｎ側層及びｐ側層を有する半導体発光素子において、ｐ側層に禁制帯幅の大きいｐ不純物をドープしたエレクトロンブロック層（本願補正発明の「ｐ型不純物がドープされたキャリア閉込め層」に相当。）を設けるものは本願の優先日前に周知であり（例えば、特開平１１−３４０５８０号公報（【０４３４】、図２９）、特開２０００−９１７０５号公報（【０００４】〜【０００６】、図１１〜図１３）、特開２０００−２６１１０６号公報（【００５１】、図４、図７の「ｐ型保護層１５３」参照。））、この周知技術を引用発明Ａに適用することは当業者が容易になし得ることであるところ、その際に、前記エレクトロンブロック層の禁制帯幅の大きさをいかほどにするかは当業者が設計上適宜に決めるべき事項であるところ、当該エレクトロンブロック層の禁制帯幅の大きさを前記最もｎ側に配置された障壁層の禁制帯幅より大きいものとなすことは当業者が適宜になし得ることである。
　
［相違点３］について
　多重量子井戸構造の活性層が窒化物半導体からなるとともに、ｎ型層がｎ型窒化物半導体を、ｐ型層がｐ型窒化物半導体をそれぞれ有するような窒化物半導体発光素子は、本願の優先日前に周知であり（必要なら、上記特開平１１−３４０５８０号公報（【０２２６】〜【０２３３】、図５）、上記特開２０００−９１７０５号公報（【０００５】、【０００６】、図１２、図１３）、上記特開２０００−２６１１０６号公報（【００４４】、図１、図２）参照。）、引用発明Ａの「半導体レーザ装置」の材料として上記周知の窒化物半導体を用いて上記［相違点３］に係る本願補正発明の構成となすことは、当業者が容易になし得ることである。
　
　そして、本願補正発明によってもたらされる効果は、引用発明Ａ、引用発明Ｂ及び各周知技術から予測し得る程度のものである。  
 　  
　したがって、本願補正発明は、引用刊行物記載の発明及び周知技術から当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。  
 　  
（４）むすび  
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年改正前法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
  
　
ＩＩＩ．本願発明について
１．本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１９年５月１４日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１〜１６に記載された事項によって特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明は次のとおりのものである。
　
「窒化物半導体からなる量子井戸構造の活性層が、ｎ型窒化物半導体を有するｎ型層と、ｐ型窒化物半導体を有するｐ型層とで挟まれた構造を有する半導体素子において、
　前記活性層は、少なくとも１つの井戸層を挟んで、前記ｎ型層側に配置された第１の障壁層と、前記第１の障壁層よりバンドギャップが小さくかつ前記ｐ型層の最も近くに配置された第２の障壁層とを有し、
　前記ｐ型層が、前記第１の障壁層よりもバンドギャップエネルギーの大きいｐ型不純物がドープされたキャリア閉込め層を有することを特徴とする窒化物半導体素子。」（以下「本願発明」という。）
　
２．刊行物記載の発明
　本願の出願前に頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された引用刊行物及び引用発明Ｂは、前記ＩＩ．２．（１）に記載したとおりである。
　
３．対比
　本願発明と引用発明Ｂとを対比する。
　
ア　引用発明Ｂの「量子井戸構造の活性層」及び「半導体レーザ装置」は、それぞれ、本願発明の「量子井戸構造の活性層」及び「半導体素子」に相当する。
　
イ　引用発明Ｂの「半導体レーザ装置」は、「量子井戸構造の活性層の上下を、それぞれ、光導波層３とＭｇドープＡｌ０．６Ｇａ０．４Ａｓクラッド層６、及び、光導波層３とＳｅドープＡｌ０．６Ｇａ０．４Ａｓクラッド層２とで挟んだ構造を有する」から、引用発明Ｂは、本願発明の「量子井戸構造の活性層が、ｎ型層と、ｐ型層とで挟まれた構造を有する」なる事項を備える。
　
ウ　引用発明Ｂは、その「量子井戸構造の活性層」が「禁制帯幅の狭いノンドープＧａＡｓでなる量子井戸層５を、前記量子井戸層５より禁制帯幅の広いノンドープＡｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓでなる障壁層４で挟ん」だものであり、「ｐ側の障壁層４ａの禁制帯幅をｎ側の障壁層４ｂの禁制帯幅より狭くすることにより、・・・ｐ側の障壁層を通り抜けにくい正孔が量子井戸層に注入されやすくするもの」であり、かつ、前記「ｐ側の障壁層４ａ」はｐ型の半導体層であるＭｇドープＡｌ０．６Ｇａ０．４Ａｓクラッド層６の最も近くに配置された層であるといえるから、引用発明Ｂの「量子井戸層５」、「ｎ側障壁層４」及び「ｐ側障壁層４」は、それぞれ、本願発明の「井戸層」、「ｎ型層側に配置された第１の障壁層」及び「第１の障壁層よりバンドギャップが小さくかつ前記ｐ型層の最も近くに配置された第２の障壁層」に相当するとともに、引用発明Ｂは、本願発明の「前記活性層は、少なくとも１つの井戸層を挟んで、・・・第１の障壁層と、・・・第２の障壁層とを有し」なる事項と、「前記活性層は、１つの井戸層を挟んで、・・・第１の障壁層と、・・・第２の障壁層とを有」する点で一致する。
　
　よって、本願発明と引用発明Ｂとは、
「量子井戸構造の活性層が、ｎ型層と、ｐ型層とで挟まれた構造を有する半導体素子において、
　前記活性層は、１つの井戸層を挟んで、前記ｎ型層側に配置された第１の障壁層と、前記第１の障壁層よりバンドギャップが小さくかつ前記ｐ型層の最も近くに配置された第２の障壁層とを有する半導体素子。」
の点で一致し、以下の各点で相違する。  
　
相違点
［相違点２´］：ｐ型層が、本願発明は、第１の障壁層よりもバンドギャップエネルギーの大きいｐ型不純物がドープされたキャリア閉込め層を有するのに対し、引用発明Ｂは、そのようなキャリア閉込め層を有さない点。
　
［相違点３´］：本願発明は、量子井戸構造の活性層が窒化物半導体からなり、ｎ型層がｎ型窒化物半導体を有し、ｐ型層がｐ型窒化物半導体を有する窒化物半導体素子であるのに対し、引用発明Ｂは、各層が窒化物半導体ではなく、窒化物半導体素子ではない点。
　
４．判断
　上記［相違点２´］及び［相違点３´］について検討するに、上記［相違点２´］及び［相違点３´］は、それぞれ、上記ＩＩ．２．（３）において［相違点２］及び［相違点３］について検討したのと同様の理由により、当業者が容易になし得るものである、といえる。
　したがって、本願発明は、引用発明Ｂ及び各周知技術から当業者が容易に発明をすることができたものである。  
　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。