【事件の表示】
　平成７年特許願第３４４６９８号「酸化物層のエッチング方法」拒絶査定不服審判事件〔平成９年１月２８日出願公開、特開平９−２７４８３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本願は、平成７年１２月７日（パリ条約による優先権主張１９９４年１２月７日　米国）の出願であって、平成１８年５月８日付で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１８年８月１４日付で拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日付で手続補正がなされたものである。
　
II．平成１８年８月１４日付の手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１８年８月１４日付の手続補正を却下する。
　
［理　由］
１．補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は次のとおりとなった。
　「【請求項１】　基板上の酸化物層をエッチングする方法において、
　上記酸化物層上に感光層を形成するステップと、
　上記酸化物層の一部を露出させるための第１の開口を上記感光層に形成するステップと、
　上記基板をＣ２Ｈ２Ｆ４を含むプラズマに曝し、そのプラズマによって、上記ステップで露出させた上記酸化物層の部分をエッチングするとともに、上記感光層上に第１の層を形成するステップと、
を具備し、上記第１の層と感光層のトータル厚みが該感光層のみの厚みより厚いことを特徴とする方法。」
　なお、補正後の請求項１における「方法におて」は、「方法において」の誤記と認められるから、上記のとおり認定した。
　
　上記補正は、当該補正前の平成１７年１１月２４日付の手続補正書により補正された請求項１に記載の「プラズマ」を、「Ｃ２Ｈ２Ｆ４を含むプラズマ」に限定したものであり、特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
　そこで、補正後の請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明１」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるのか否か（同法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するものであるのか否か）について検討する。
　
２．引用刊行物とその摘記事項
　原査定の拒絶の理由に引用した本願の優先権主張日前に頒布された刊行物である特開昭５７−９９７４５号公報（以下、「刊行物」という。）には次の事項が記載されている。
（１ａ）「本発明はパターン形成すべき層を形成する工程、パターン形成すべき該層上に、ポリマレジスト層を被着する工程及び該パターン形成レジスト層をマスクとして用いて、パターン形成すべき該層をプラズマ補助エツチング工程中でドライエツチングする工程から成る集積回路デバイスの製造方法に係る。」（２頁左下欄２〜８行）
（１ｂ）「優れた線幅制御のサブミクロン精度が可能な特に有利なＶＬＳＩデバイス製作プロセスは、スリーレベルプロセスとして知られ、・・・・・スリーレベルプロセスにおいて、比較的薄い層が薄い高分解能レジストパターンをそのためのマスクとして用いて、選択的にエツチングされなければならない。・・・・・必要な薄い高分解能レジストパターンをその中に形成するために用いられる材料に、・・・電子感受性レジストあるいは・・・Ｘ線感受性レジストである。」（２頁左下欄９行〜右下欄１３行）
（１ｃ）「第１図は・・・製造周期中の、中間点における通常の集積回路構造・・・の一部分を示す。厚い有機物層１０がシリコン基板１２上に堆積されているように示されている。たとえば、層１０は・・・標準的なポリマレジストの、２．６μｍ厚の層から成る。層１０の最上部上に、たとえばプラズマ堆積二酸化シリコン（ＳｉＯ２）の０．１２μｍ厚の層からなる比較的薄い中間層１４がある。最後に、要素１６及び１８から成るマスクパターンが、中間層１４上に示されている。」（３頁左上欄末行〜右上欄１２行）
（１ｄ）「第２図はレジスト要素１６及び１８の側面部分のエツチングが、要素間で層１４から除去された領域は、第１図中に示されたあらかじめ決められた幅Ｗより大きい幅Ｗを有するようになることを示している。」（３頁右下欄８〜１２行）
（１ｅ）「本発明の一視点に従うと、プラズマエツチング中ポリマ物質は先に述べたレジスト要素１６及び１８上に形成及び維持されるが、層１４の露出した領域上には形成されない。これは先に述べた反応容器中に特定の一連のプロセス条件を形成することにより、実現される。
　具体的な一例において、レジストマスクされたＳｉＯ２層のプラズマエツチングは、レジストパターンをほとんど損うことなく行なわれた。・・・供給源５２から容器２２（第３図）中に導入される気体は、ＣＨＦ３、Ｈ２及びＮ２の混合物から成つた。・・・ＳｉＯ２層は１分当り約２１５オングストロームの速度でエツチングされた。エツチング工程中レジスト要素は事実上寸法的に完全なまま維持されたことは重要である。
　本発明のエツチングプロセス中、レジスト要素上のポリマ薄膜の選択的堆積が、第４図に示されている。薄い保護膜６０及び６２（典型的な場合約４００ないし５００オングストロームの厚さ）は、それぞれ先に述べたレジスト要素１６及び１８の最上表面を被覆するように示されている。非等方性プロセス中の中間点で、ＳｉＯ２堆積層１４の約半分が、処理される構造から除去されている。層１４の部分的に除去されたこれらの領域は、第４図中で１４ａ、１４ｂ及び１４ｃと印されている。第４図中に示されるように、エツチング中マスクされない領域１４ａ、１４ｂ及び１４ｃ上には、ポリマ薄膜は存在しない。
　続いて、上で具体的に述べたエツチングプロセスの結果、第４図に示されたＳｉＯ２領域１４ａ、１４ｂ及び１４ｃが完全に除去され、それにより下の層１０の指定された領域の表面がプロセスのために露出される。」（５頁左上欄７行〜左下欄１２行）
（１ｆ）「本発明の・・・先に述べた選択堆積現象の基本を説明する正確な理論はまだ定式化されていない。この現象に対するとりあえずの説明は、エツチング中プラズマ中のフツ素及び水素から生じるポリマ薄膜が、実際にはマスクレジスト要素及びマスクされないあるいは露出されたＳｉＯ２領域上に形成されるということである。この説明に従うと、ＳｉＯ２上に形成されやすい薄膜は、反応性及び非反応性スパツタリングにより露出された領域から連続的にエツチング除去され、それによりＳｉＯ２領域がプラズマエツチングプロセスを受ける。一方、レジスト材料・・・の表面上への薄膜の形成は、促進されるように起り、エツチング中薄膜の反応性及び非反応性スパツタリングが連続的に起るが、その上には正味の薄膜の厚さが残る。するとレジストパターン上に残ったポリマ薄膜の厚さは、そのための有効な保護層として働く。」（６頁左上欄４行〜右上欄３行）
　
３．当審の判断
３−１．刊行物記載の発明
　上記摘記（１ａ）、（１ｂ）、（１ｅ）、（１ｆ）に記載の、マスクとして用いられるパターン形成レジストには、ＳｉＯ２層をエツチングするために、あらかじめ、ＳｉＯ２層の一部を露出するように開口が形成されていることは明らかである。
　また、上記摘記（１ｅ）には、「エツチング工程中レジスト要素は事実上寸法的に完全なまま維持されたことは重要である。」と記載され、摘記（１ｆ）の記載も参酌すれば、プラズマエツチング中、パターン形成レジスト上に形成されたポリマ薄膜は、連続的にスパツタリングされるものの、その上にポリマ薄膜が堆積するため、レジストパターン上には正味の厚さのポリマ薄膜が残るから、ポリマ薄膜とレジストの厚さがレジストのみの厚さより厚いことも明らかである。
　
　そこで、上記摘記（１ａ）〜（１ｆ）の記載を総合すると、刊行物１には、「シリコン基板上のＳｉＯ２層をエツチングする方法において、ＳｉＯ２層上にパターン形成レジストを形成すること、ＳｉＯ２層の一部を露出させるために開口をパターン形成レジストに形成すること、ＣＨＦ３、Ｈ２及びＮ２の混合物からなるプラズマエツチングにより、露出したＳｉＯ２層をエツチングするとともに、パターン形成レジスト上にポリマ薄膜を形成すること、ポリマ薄膜とレジストの厚さがレジストのみの厚さより厚いことからなるエツチングする方法」（以下、「刊行物記載発明」という。）が記載されていることになる。
　
３−２．対比・判断
　本願補正発明１と刊行物記載発明とを対比すると、刊行物記載発明の「ＳｉＯ２層」及び「ポリマ薄膜」は、本願補正発明１の「酸化物層」及び「第１の層」に相当する。
　また、刊行物記載発明の「パターン形成レジスト」として、具体的には、電子感受性レジストあるいはＸ線感受性レジストが挙げられているから、刊行物記載発明の「パターン形成レジスト」は、本願補正発明１の「感光層」に相当する。
　
　そうすると、両者は、「基板上の酸化物層をエッチングする方法において、上記酸化物層上に感光層を形成するステップと、上記酸化物層の一部を露出させるための第１の開口を上記感光層に形成するステップと、上記基板をプラズマに曝し、そのプラズマによって、上記ステップで露出させた上記酸化物層の部分をエッチングするとともに、上記感光層上に第１の層を形成するステップと、を具備し、上記第１の層と感光層のトータル厚みが該感光層のみの厚みより厚い方法」の点で一致するものの、次の点で相違する。
　
相違点：本願補正発明１のエッチングのためのプラズマは、Ｃ２Ｈ２Ｆ４を含むプラズマであるのに対し、刊行物記載発明のエッチングのためのプラズマは、ＣＨＦ３、Ｈ２及びＮ２の混合物からなるプラズマである点。
　
　そこで、上記相違点について検討する。
　刊行物記載発明のプラズマエッチングガスは、上記摘記（１ｆ）によれば、エツチング中プラズマ中のフツ素及び水素からポリマ薄膜を生じさせるためにＣＨＦ３を含むフッ化炭化水素系ガスを使用しているものであるが、一般に、フッ化炭化水素系のプラズマエッチングガスとして、ＣＨＦ３とともに、Ｃ２Ｈ２Ｆ４を用いることは以下に示すとおり周知の事項である。
　
　周知例１：特開平６−１２０１７４号公報「【請求項２】酸化膜上に形成した多結晶シリコンあるいはポリサイドの異方性エッチング方法において、・・・、ＣａＨｂＦｃを含むガスのプラズマを該半導体基板に対し斜め方向より入射する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。」、「【請求項２０】該ＣａＨｂＦｃはＣＨＦ３であることを特徴とする請求項２・・記載の半導体装置の製造方法。」、「【請求項２５】該ＣａＨｂＦｃは、Ｃ２Ｈ２Ｆ４であることを特徴とする請求項２・・記載の半導体装置の製造方法。」、「【００５５】・・この結果側壁保護膜はＳｉＣｌＸのＣｌがＯと置換してＳｉＯｙ（０＜ｙ＜２）となる。・・・」、「【００６３】また、側壁保護膜エッチングに使用したＣＨＦ系ガスは、ＣＨＦ３・・Ｃ２Ｈ２Ｆ４などでも有効である。」
　
　周知例２：特開平６−２１０１６号公報「【請求項１】・・該トレンチ形成後の該半導体基板にしたＣｘＨｙＦｚ（ｘ、ｙ、ｚは自然数、ｙ＋ｚ＝２ｘ＋２）ガスのプラズマによるエッチングを加える工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。」、「【請求項８】該ＣｘＨｙＦｚはＣ２Ｈ２Ｆ４であることを特徴とする請求項１・・記載の半導体装置の製造方法。」、「【００１１】さらに、ＣｘＨｙＦｚはＣＨＦ３・・・あるいはＣ２Ｈ２Ｆ４であることを特徴としている。」
　
　周知例３：特開昭６２−１９８８７１号公報「導電性基体に存在するダストの大部分は、シリコン系化合物及び・・成膜する直前に導電性基体を、フッ化炭化系ガスと酸素ガスの混合ガスに、ＲＦ電力を印可することにより発生し持続したプラズマ中にさらすことにより、・・ダストの除去を行なった。」（２頁左下欄末行〜右下欄７行）、「なお、本発明において用いられるフッ化炭化系ガスとしては、・・ＣＨＦ３，Ｃ２Ｈ２Ｆ４等のフッ化炭化水素類を用いても良く」（２頁右下欄１８行〜３頁左上欄１行）
　
　そうすると、刊行物記載発明のプラズマエッチングガスであるＣＨＦ３に替えて、同じフッ化炭化水素系プラズマエッチングガスとして周知であるＣ２Ｈ２Ｆ４を使用する程度のことは、当業者ならば容易に想到し得ることである。
　
　そして、本願補正発明１において奏する効果も、刊行物１の記載、及び上記周知の事項から、予測しえる程度のことであって、格別顕著なものとは認められない。
　
　したがって、本願補正発明１は、刊行物１に記載された発明及び周知の技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 
　
４．むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
III．本願発明について 
１．本願発明 
　平成１８年８月１４日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜請求項５に係る発明は、平成１７年１１月２４日付の手続補正書の請求項１〜請求項５に記載された事項により特定されるとおりであるところ、そのうち請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、次のとおりのものである。
　「【請求項１】基板上の酸化物層をエッチングする方法において、
　上記酸化物層上に感光層を形成するステップと、
　上記酸化物層の一部を露出させるための第１の開口を上記感光層に形成するステップと、
　上記基板をプラズマに曝し、そのプラズマによって、上記ステップで露出させた上記酸化物層の部分をエッチングするとともに、上記感光層上に第１の層を形成するステップと、
を具備し、上記第１の層と感光層のトータル厚みが該感光層のみの厚みより厚いことを特徴とする方法。」
　なお、上記「II．１．補正後の本願発明」と同様に、「方法におて」は「方法において」の誤記と認められるから、上記のとおり認定した。
　
２．引用刊行物とその摘記事項
　平成１７年５月１６日付の拒絶理由通知の拒絶の理由に引用した本願の出願前に頒布された刊行物１とその摘記事項は、上記「II．２．引用刊行物とその摘記事項」に記載されたとおりである。
　
３．対比・判断
　本願発明１は、上記本願補正発明１の構成要件の一部である「Ｃ２Ｈ２Ｆ４を含むプラズマ」において、「Ｃ２Ｈ２Ｆ４を含む」という、「プラズマ」についての具体的な限定事項を削除したものである。
　そして、刊行物記載発明は、上記「II．３．３−１．刊行物記載の発明」に記載したとおりであるから、本願発明１と刊行物記載発明とを対比すると、両者においては相違点がなく、本願発明１は、刊行物１に記載された発明である。
　
４．むすび 
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、刊行物１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項の規定により特許を受けることができないものであり、本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。