(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
上下一対の基板と、誘電率異方性が負である液晶分子を有し、前記上下一対の基板の間に挟持された液晶層と、前記上下一対の基板の外側に配置された一対の偏光板とを備える液晶素子であって、
前記液晶分子は、
電圧が印加されたとき、前記一対の偏光板のいずれかの偏光板の透過軸と前記液晶分子の方向が平行となるような第１の方向に傾斜し、
さらに電圧が印加されたとき、前記基板の表面に平行な面内の方向で、前記第１の方向とは異なる第２の方向に動くことを特徴とする液晶素子。
【請求項２】
上下一対の基板と、誘電率異方性が正である液晶分子を有し、前記上下一対の基板の間に挟持された液晶層とを備える液晶素子であって、
前記液晶分子は、
電圧が印加されたとき、前記基板の表面と前記液晶分子の長軸とのなす角が増加するような第１の方向に傾斜し、
さらに電圧が印加されたとき、前記基板の表面に平行な面内の方向で、前記第１の方向とは異なる第２の方向に動くことを特徴とする液晶素子。
【請求項３】
液晶分子は、第１の方向から第２の方向へ円弧状に動くことを特徴とする請求項１または２に記載の液晶素子。
【請求項４】
基板表面に凹凸が設けられた請求項１〜３のいずれかに記載の液晶素子。
【請求項５】
基板にラビング処理が施された請求項４記載の液晶素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶素子の製造方法及び駆動方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
液晶素子はワードプロセッサーやコンピューターなどのモニター、投写型ＴＶや、携帯用の小型テレビ、また光スイッチング素子など光を制御する素子として幅広く利用されている。このような液晶素子の代表例として、ツイステッドネマティック（ＴＮ）液晶や、垂直配向（ＶＡ）液晶を用いた液晶表示素子がある。
【０００３】
このＴＮ液晶は分子配列の方位性により素子を見る角度によって光の透過率や反射率が大きく変わり色付きや、コントラストの低下を招くという視野角特性であり、これを補正するために、素子表面に位相差フィルムや、散乱フィルムを配置しなければならなかった。またリバースチルトドメインや、界面付近の液晶の配向方向性によりコントラストが低いという欠点があった。
【０００４】
またＶＡ液晶はＴＮ液晶同様、見る角度によって光の透過率や反射率が大きく変化し色付き、コントラスト低下等の視野角特性を有する。そこで画素内を２分割、４分割するなどして視野角を拡大する方法が近年用いられているが、効率の低下や液晶の応答時間の低下、またプロセスの煩雑性などの問題がある。またＶＡ液晶は一般的に高コントラストが得られると考えられているが、黒表示寺の液晶分子のわずかな傾きによる光漏れにより最高レベルのコントラストを得ることができなかった。
【０００５】
さらに最近視野角特性を向上させる目的でインプレインスイッチング（ＩＰＳ）という方法が注目されており、これは基板面内で液晶を駆動させるため視野角特性が非常によい。しかし同一基板の同一面内に両電極を形成するため、電極間の短絡防止のための絶縁層が電極上に必要になってくる。そのため長時間固定パターンを表示したときの焼き付き現象が問題となっている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
このように従来の液晶液晶モードであるＴＮ、ＶＡにおいては視野角依存性が大きく、見る方向によって色付きや、コントラストの低下、階調反転などの問題があり、応答速度も満足のいくものではなかった。またＩＰＳにおいては視野角は改善されるものの焼き付きの発生、電極構造の複雑化など多くの問題が存在する。
【０００７】
本発明は、これらの現状の液晶素子における問題点をすべて解決するものであり、高コントラストで広い視野角特性を有し高速応答する液晶素子を提供するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成する本発明の請求項１記載の液晶素子は、上下一対の基板と、誘電率異方性が負である液晶分子を有し、前記上下一対の基板の間に挟持された液晶層と、前記上下一対の基板の外側に配置された一対の偏光板とを備える液晶素子であって、前記液晶分子は、電圧が印加されたとき、前記一対の偏光板のいずれかの偏光板の透過軸と前記液晶分子の方向が平行となるような第１の方向に傾斜し、さらに電圧が印加されたとき、前記基板の表面に平行な面内の方向で、前記第１の方向とは異なる第２の方向に動くことを特徴とする液晶素子である。
また、前記目的を達成する本発明の請求項２記載の液晶素子は、上下一対の基板と、誘電率異方性が正である液晶分子を有し、前記上下一対の基板の間に挟持された液晶層とを備える液晶素子であって、前記液晶分子は、電圧が印加されたとき、前記基板の表面と前記液晶分子の長軸とのなす角が増加するような第１の方向に傾斜し、さらに電圧が印加されたとき、前記基板の表面に平行な面内の方向で、前記第１の方向とは異なる第２の方向に動くことを特徴とする液晶素子である。
また、本発明の液晶素子の製造方法は電圧を印加して液晶分子を第１の方向に傾斜させるための配向情報を与える第１の工程と、さらに電圧を印加して前記第１の方向に傾斜している前記液晶分子を前記第１の方向とは異なる第２の方向に傾斜させるための配向情報を与える第２の工程を有する。
【０００９】
また、本発明の液晶素子の製造方法は、第１の工程、第２の工程のうち少なくとも一方に基板表面に凹凸をつけることを特徴とする。凹凸を形成する方法としては感光性樹脂によりパターンニングする方法が最も容易である。フォトマスクでのパターンニング、レーザーの２光束干渉を用いてパターンニング、電子ビームを用いてパターンニング、レーザーアブレーションによりパターンニングのいずれであっても良い。またこの時感光性樹脂が導電性であればなお良い。また別の方法として無機物、または有機物を基板上に膜形成し、延伸またはひっかき、擦り等の物理的接触を加えて一方向に凹凸を形成しても良い。この時凹凸が帯状に規則正しく配列する必要はない。またこの時の無機物、有機物の膜が導電性であればさらによい。さらに別の方法として、別の基板等に予め凹凸のパターンを形成しておき、それを転写して基板表面に凹凸を付加してもよい、転写の方法としてはロールコーターのようなもので回転させて転写する方法、版画のように平板を用い貼りあわせて転写してもよい、また基板全面一度に転写する必要はなく、はんこのように、小さな領域に分けて何度も転写して全面に凹凸を付けてもよい。
【００１０】
また、本発明の液晶素子の製造方法は、第１の工程、第２の工程のうち少なくとも一方に紫外線を照射することを特徴とする。紫外線としては直線偏光されたものされてないものどちらでも良いが直線偏光されたものの方がより良く、基板に対して角度を付けて照射することも可能である。また照射する前の基板表面に紫外線により反応する化学結合等が存在すれば、紫外線照射により結合、分解等が生じるため配向情報として与えやすい。ポリイミドやシロキサン系の配向膜は市販されているため最も用いやすい。
【００１１】
また、本発明の液晶素子の製造方法は、第１の工程、第２の工程のうち少なくとも一方にラビング処理を行うことを特徴とする。ラビングに使用する布は何でもよく、レーヨンやコットンが一般的である。
【００１３】
【発明の実施の形態】
まず、本発明の第一の液晶素子について図１を用いて説明する。図１は上基板１０１と下の基板１０２に挟まれた誘電率異方性が負の液晶分子１０３を模式的に描いたものである。例えば液晶分子１０３が電圧印加前は基板に対してほぼ垂直に配列していてその後電圧印加とともに液晶分子１０３は傾斜し図１（ｂ）のようになる。そしてさらに電圧を印加することによって最初液晶分子１０３が動いた方向とは違う方向に動き、図１（ｃ）のようになる。液晶分子がこのような異なる２方向の応答をすることによって、液晶素子特性が向上することになる。例えば偏光板１０４と偏光板１０５をそれぞれ透過軸１０６、透過軸１０７を矢印に示すとおり配置する。図１（ａ）の状態においては光が上または下方向から入射した時には偏光板の透過軸が直交しているため光は全く透過しない。そして図１（ｂ）の状態になった時も液晶分子１０３は偏光板１０４の透過軸１０６と平行に傾斜しているため、やはり光は全く透過しない。次に図１（ｃ）の状態になった時液晶分子は偏光板１０４に対してほぼ４５度に配列しているため、適当な液晶層厚に設定してやることによって光が透過することとなる。従来のＴＮやＶＡモードと違うところは、液晶分子が基板面内で動くことにより光の透過と遮断を制御するところである。つまりＩＰＳモードの様に面内でスイッチングするため広視野角特性が得られる。
【００１４】
またコントラストに関しては、図１（ａ）の状態から図１（ｂ）の状態に液晶分子１０３を傾斜させるために通常初期状態（図１（ａ））でラビング等の方法で透過軸１０６の方向にわずかに傾斜させておく必要がある。ここで従来法であるＶＡ液晶モードではこの傾く方向に対して４５度に偏光板の透過軸を配置するため黒表示時においても若干の光漏れがありコントラストの低下を招いていた。しかし本発明はこの液晶分子１０３を傾斜させる方向と偏光板１０４の透過軸１０６の方向が平行であるため、液晶分子により光が変調されることは全くなく偏光板１０４と偏光板１０５のみで生じる光遮断（黒表示）と同等の光遮断が得られ、非常に高いコントラストが得られる。本発明の液晶分子の動きが変化する方向は２方向のみでなく２方向以上であればよい。また段階的に液晶分子が動く方向が変化するのではなく、方向１から方向２へなめらかに変化しても良く、また円弧状に動いても良い。しかし段階的に動く方が素子の特性としては優れている。
【００１５】
次に電圧無印加時に液晶分子が基板に対して平行配向している場合を図２を用いて説明する。図２は上基板２０１と下の基板２０２に挟まれた誘電率異方性が正の液晶分子２０３を模式的に描いたものである。例えば液晶分子２０３が電圧印加前は基板に対してほぼ平行に配列していてその後電圧印加とともに液晶分子２０３は立ち上がり図２（ｂ）のようになる。そしてさらに電圧を印加することによって最初液晶分子２０３が動いた方向とは違う方向である基板表面と平行な面内方向に動き、図２（ｃ）のようになる。液晶分子がこのような異なる２方向の応答をすることによって、液晶素子特性が向上することになる。例えば偏光板２０４と偏光板２０５をそれぞれ透過軸２０６、透過軸２０７を矢印に示すとおり配置する。図２（ａ）の状態においては光が上または下方向から入射した時には偏光板の透過軸が直交し、液晶分子が透過軸２０６に対して４５度に傾いているため液晶層厚を適当に設定してやると光は完全に通過する。そして図２（ｂ）の状態になった時は液晶分子２０３は若干傾斜が残ったままほぼ垂直に配列するため僅かしか光は通過しない。次に図２（ｃ）の状態になった時液晶分子は偏光板２０４の透過軸２０６に平行になるため完全に光が遮断される。従来のＴＮモードと違うところは、光を遮断する状態（黒表示）においてすべての液晶分子が偏光板の透過軸の方向と平行に配列しているため完全な光遮断が達成でき高コントラストが得られることである。本発明の液晶分子の動きが変化する方向は２方向のみでなく２方向以上であればよい。また段階的に液晶分子が動く方向が変化するのではなく、方向１から方向２へなめらかに変化しても良く、また円弧状に動いても良い。
【００１６】
これらの２方向以上の液晶分子の応答を可能にするには、液晶パネルの２枚の基板のうちの少なくとも一方の基板表面に２方向以上の液晶の配向を制御する情報を与えてやることにより達成できる。この時両方の基板に２方向以上の配向情報を与えてもいいし、片方のみでもかまわないが、両方の基板に配向情報を与えた方が配向安定性が増すためより良い。
【００１７】
例えば両方の基板ともそれぞれ２方向の配向情報を与える場合を考える。液晶材料は例えば誘電率異方性が負の場合を考える。まず２枚の電極を有する基板の電極上に感光性樹脂を１００Å〜５μｍ塗布し０．１μｍピッチ〜５μｍピッチの帯状のストライプパターンのフォトマスクを用いてパターンニングする。この時の帯状の遮光領域と露光領域の比は必ずしも１：１でなくて良い。また帯状に完全にパターンが抜けなくても、例えばポジレジストであれば露光部分のレジストが残っても良い。またこの凹凸を作る方法としては、感光性樹脂を用いてレーザーの２光束干渉を用いて帯状のパターンニングをしても良い。また、レーザビームやレーザーアブレーションを用いても良い。さらに、感光性樹脂を用いず、別の材料の無機物、有機物、または電極そのものを膜形成し、延伸、ひっかき、擦り等の物理的接触を加えて一方向に凹凸を形成しても良い。さらに印刷の要領で、他の基板やローラーに凹凸物質を形成しておいてそれを転写しても良い。
【００１８】
またこれらの電極３０１上の凹凸３０２を形成する物質が絶縁物であった場合は、図３に示すように電極３０１上に形成された凹凸３０２部のさらに上層に導電層３０３を設け、電極３０１と導電層３０３を導電性物質３０４で繋ぐと、電極状の絶縁物による焼き付き現象や、駆動電圧の高電圧化が避けられるためより良い。
【００１９】
このようにして形成された凹凸４０１、電極４０２を有する基板４０３とさらに同様の方法で作成した凹凸４０４、電極４０５を有する基板４０６をそれぞれ準備し、基板４０３、４０６ともに垂直配向性の配向膜を塗布する。そして基板４０３は矢印４０７の方向にラビングし、基板４０６は矢印４０８の方向にラビング処理を行う。図４に示すように２枚の基板を配置し通常の方法で液晶セルを組立、誘電率異方性が負の液晶４０９を注入して、偏光板４１０、４１１を透過軸がそれぞれ４１２、４１３になるように配置し液晶セルを完成させる。この液晶セルは基板の凹凸の方向の配向情報とラビングの方向の配向情報２つを持つものとなる。図４（ａ）は電圧を印加していないときの液晶の配向を示している。液晶分子は長軸の端で基板表面と接しており液晶分子４０９が受け取る配向情報としてはラビングという配向情報であり、ラビング方向に僅かに傾いている。この時上または、下から光を透過させても、液晶分子は偏光板の透過軸方向に傾いているため完全遮断される。次に電極４０２、４０５間に電圧を印加していくと液晶分子４０９はさらにラビング方向に傾斜し、図４（ｂ）のようになる。この時もまだ光は遮断である。さらに電圧を印加すると、液晶分子の長軸の側面が基板表面と接するようになり、液晶分子４０９が基板形状の配向情報を受け取り、図４（ｃ）に示すように基板表面の凹凸４０１、４０４の方向に向きを変える。この時液晶分子は偏光板４１０、４１１の透過軸方向４１２、４１３と４５度の角度をなすように配列されているため入射させた光は、液晶分子による変調を受けて透過する。
【００２０】
このように２段階に液晶分子の方向を変化させるためコントラストが非常に高く、また基板面内の液晶分子の移動で光の透過、遮断を行うため視野角特性が非常によい。この例においては液晶分子が上下方向に傾く段階１と面内で向きを変える段階２が段階的に行われているが、液晶分子が上下方向に傾きながら、面内でも角度を変えるというような段階１と段階２が区別なく発生しても良い。またこの例では両方の基板表面ともに垂直配向の配向膜を塗布して液晶分子を垂直配向させたが、片方の基板に水平配向用の配向膜を塗布してハイブリッドタイプとして駆動しても良い。
【００２１】
駆動方法としては液晶分子が偏光板の透過軸方向に傾き始めるしきい値電圧部分は用いずさらにその電圧を超えて、液晶分子が面内で角度を変える始める電圧以上を用いて光のスイッチングを行うのが最も良い。なぜならば液晶の応答速度は電圧が高いほど速いため、高電圧領域のみでスイッチングを行う方が高速に応答する領域を用いることができるためである。
【００２２】
次に液晶材料を誘電率異方性が正の液晶を用いた場合を考える。例えば２方向の配向情報は前記例と同様の基板の凹凸とラビングを用いる。基板に凹凸を形成するまでは同様の方法で行う。このようにして形成された凹凸５０１、電極５０２を有する基板５０３とさらに同様の方法で作成した凹凸５０４、電極５０５を有する基板５０６をそれぞれ準備し、基板５０３、５０６ともに水平配向性の配向膜（ＴＮ用配向膜）を塗布する。そして基板５０３は矢印５０７の方向にラビングし、基板５０６は矢印５０８の方向にラビング処理を行う。図５に示すように２枚の基板を配置し通常の方法で液晶セルを組立、誘電率異方性が正の液晶５０９を注入して、偏光板５１０、５１１を透過軸がそれぞれ５１２、５１３になるように配置し液晶セルを完成させる。この液晶セルは基板の凹凸の方向の配向情報とラビングの方向の配向情報２つを持つものとなる。図５（ａ）は電圧を印加していないときの液晶の配向を示している。液晶分子の長軸は基板表面と接しており非常に強い配向規制力を持つ水平配向性配向膜のラビング方向に支配されて液晶分子５０９はラビング方向にほぼ水平に（０゜〜１０゜）配向している。この時上または、下から光を透過させてると、液晶分子は偏光板の透過軸方向に対し４５゜傾いているため完全に透過する。次に電極５０２、５０５間に電圧を印加していくと液晶分子５０９はさらにラビング方向に傾斜したまま、図５（ｂ）のように立ち上がってくる（基板表面と、液晶分子の長軸のなす角度が増加）。この角度の増加に従って光はだんだん遮断されてくる。さらに電圧を印加すると、液晶分子５０９とラビングの相互作用が少なくなり液晶分子５０９が基板形状の配向情報を受け取り、図５（ｃ）に示すように基板表面の凹凸５０１、５０４の方向に向きを変える。この時液晶分子は偏光板５１０、５１１の透過軸方向５１２、５１３と平行に配列しているため入射させた光は、液晶分子による変調を全く受けずに完全遮光となる。このように２段階に液晶分子の方向を変化させ、光を遮断する状態においては液晶分子をほとんどすべて偏光板の透過軸方向に配列させることから非常に高いコントラストが得られる。この例においては液晶分子が上下方向に傾く段階１と面内で向きを変える段階２が段階的に行われているが、液晶分子が上下方向に傾きながら、面内でも角度を変えるというような段階１と段階２が区別なく発生しても良い。またこの例では両方の基板表面ともに水平配向の配向膜を塗布して液晶分子を垂直配向させたが、片方の基板に垂直配向用の配向膜を塗布してハイブリッドタイプとして駆動しても良い。以上のように誘電率異方性が負、正どちらにおいても液晶素子として非常に高い特性を示す。またこの２方向以上の配向情報としては例として示した基板の凹凸やラビングだけでなく、偏光もしくは無偏光の紫外線照射、また紫外線の斜め照射でもよい。また電極表面に電極のない部分を存在させ、液晶層内で斜め電界を発生させる方法、２枚の基板のそれぞれの電極以外に第３の電極を形成させ斜め電界を発生させる方法を用いて液晶分子を２段階に応答させても良い。
【００２３】
また２方向以上の配向情報はそれぞれ同じもの、例えばラビングとラビングでもよいが異なるのもの同士、例えば基板の凹凸と紫外線照射のほうが配向規制力の差が形成し易いため、配向方向１から配向方向２への移動が起こりやすいためより良い。
【００２４】
また液晶材料としては自発分極を持つ液晶でもかまわない。
【００２５】
さらに基板の凹凸に関しては図６（ａ）に示すように凹凸６０１は帯状である必要はなく図６（ｂ）に示すように途中で分断されててもよい。
【００２６】
また配向情報の一つ、特に光を透過する状態の液晶の配向状態を決める配向情報が２方向または４方向に面内で分割されているとさらに視野角が向上して良い。
【００２７】
図７を用いて２方向に分割する場合を詳しく説明する。図７は液晶セル上面からみた概略図であり基板７０１、凹凸７０２、誘電率異方性が負の液晶分子７０３、ラビング方向７０４、第一の偏光板の透過軸７０５、第２の偏光板の透過軸７０６のみ記載している。偏光板は液晶セルのを挟むように上下に２枚配置されている。配向膜は垂直配向用配向膜を塗布しており電圧無印加の状態（図７（ａ））では液晶分子は基板表面（紙面）に対してほぼ垂直に配向している。次に電圧を印加すると図７（ｂ）に示すようにラビング方向に液晶分子が傾斜する。さらに電圧を印加すると図７（ｃ）に示すように基板の凹凸に沿って液晶分子が再配列する。この時基板の凹凸はジグザグ構造（２方向に分割）になっているため液晶分子は微小領域毎に９０゜異なる方向を向く。このように配列することにより光が透過ししかも視野角が広がり対称性も増す。
【００２８】
本発明の液晶素子は反射タイプでも透過タイプでも良く、また偏光板を用いた直視モニターやテレビだけでなく、偏光ビームスプリッター等の光学素子を用いてプロジェクターなどの表示素子として使用可能である。また光の透過と遮断、反射と遮断を利用した光スイッチング素子としての利用可能である。
【００２９】
また視野角に関しては本発明の液晶素子は非常に優れているが、位相差フィルムや、散乱板等を用いることによってさらに特性は向上する。
【００３０】
（実施の形態）
（１）図８に示すように光学研磨したガラス基板８０１（１２ｍｍ×１７ｍｍ×１．１ｍｍ）に透明導電膜８０２としてインジウム・ティン・オキサイド（以下ＩＴＯと称す）をスパッタ法によって１０００Å成膜する。その後ポジ型のレジストを１μｍ塗布しフォトリソグラフィーによって、ピッチ１μｍの帯状で凹凸のレジストパターン８０３とした。１５０℃３０分の熱処理を行い硬化させた後、垂直配向膜を２００Åで塗布し、２００℃で硬化後、凹凸に対して４５゜の方向にコットン布を用いてラビングをした。
【００３１】
（２）同様の方法で同じものを作製し、図８（ｂ）に示すように、凹凸のピッチの方向が平行になるよう、またラビングの方向が反平行になるように３μｍビーズ８０７を含有したシール樹脂８０８で貼り合わせた。誘電率異方性が−４．１で複屈折率が０．１２の液晶材料８０９を真空注入した。
【００３２】
（３）このセルの上下に偏光板を配置しコントラストを測定してところ、３０００：１のコントラストが得られた。また視野角特性を測定したところ上下、左右１６０゜以上でコントラスト１０：１が得られた。
【００３３】
【発明の効果】
本発明によれば、電圧印加によって液晶分子を２方向以上に段階的に応答させることにより、高コントラスト、広視野角、高速応答を有する液晶素子が作製でき、従来のＴＮ、ＶＡ、ＩＰＡモードのすべての問題を解決するというという優れたものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態である液晶素子の概念斜視図
【図２】本発明の一実施形態である液晶素子の概念斜視図
【図３】本発明の一実施形態である液晶素子の概念断面図
【図４】本発明の第一の実施例である液晶素子の概念斜視図
【図５】本発明の第二の実施例である液晶素子の概念斜視図
【図６】本発明の第三の実施例である液晶素子の概念投影図
【図７】本発明の第四の実施例である液晶素子の概念斜視図
【図８】本発明の第五の実施例である液晶素子の概念断面図
【符号の説明】
１０１    基板
１０２    基板
１０３    液晶分子
１０４    偏光板
１０５    偏光板
１０６    透過軸
１０７    透過軸
２０１    基板
２０２    基板
２０３    液晶分子
２０４    偏光板
２０５    偏光板
２０６    透過軸
２０７    透過軸
３０１    電極
３０２    凹凸
３０３    導電層
３０４    導電性物質
４０１    凹凸
４０２    電極
４０３    基板
４０４    凹凸
４０５    電極
４０６    基板
４０７    ラビング方向
４０８    ラビング方向
４０９    液晶
４１０    偏光板
４１１    偏光板
４１２    透過軸
４１３    透過軸
５０１    凹凸
５０２    電極
５０３    基板
５０４    凹凸
５０５    電極
５０６    基板
５０７    ラビング方向
５０８    ラビング方向
５０９    液晶
５１０    偏光板
５１１    偏光板
５１２    透過軸
５１３    透過軸
６０１    凹凸
７０１    基板
７０２    凹凸
７０３    液晶分子
７０４    ラビング方向
７０５    透過軸
７０６    透過軸
８０１    ガラス基板
８０２    透明導電膜
８０３    凹凸のレジストパターン
８０４    ガラス基板
８０５    透明導電膜
８０６    凹凸のレジストパターン
８０７    ３μｍビーズ
８０８    シール樹脂
８０９    液晶材料
【図１】
0003591479.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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