【事件の表示】
　平成　９年特許願第１７９５９８号「ダイアフラム式センサチップを利用したセンサ」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　１月２９日出願公開、特開平１１−　２３６１３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成９年７月４日の出願であって、平成１９年５月３１日付け（発送日：同年６月５日）で拒絶査定がなされ、これに対して、同年７月５日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、同月９日付けで手続補正がなされたものである。
　
第２　平成１９年７月９日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　　平成１９年７月９日付けの手続補正を却下する。
［理由］
１　平成１９年７月９日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）の内容
　本件補正は、以下の（１）に示される本件補正前の特許請求の範囲を、以下の（２）に示される本件補正後の特許請求の範囲に補正することを含むものである。
（１）本件補正前の特許請求の範囲
　「【請求項１】　
　ダイパッドを備えるリードフレームと、前記ダイパッドに接着剤を介して軟接着されたダイアフラム式センサチップと、前記センサチップの周囲に空間を確保しつつ前記リードフレームを全体的にモールドするモールド材とを備えるセンサであって、前記モールド材は、線膨張係数が１．４×１０−５／℃〜１．８×１０−５／℃かつ弾性率が１００×１０３ kg／cm２ 〜１３０×１０３ kg／cm２　であることを特徴とするダイアフラム式センサチップを利用したセンサ。
　　【請求項２】　
　ダイパッドを備えるリードフレームと、前記ダイパッドに接着剤を介して軟接着されたダイアフラム式センサチップと、前記センサチップの周囲に空間を確保しつつ前記リードフレームを全体的にモールドするモールド材とを備えるセンサであって、前記モールド材は、線膨張係数が１．６×１０−５／℃〜１．７×１０−５／℃かつ弾性率が１０５×１０３ kg／cm２ 〜１１５×１０３ kg／cm２ であることを特徴とするダイアフラム式センサチップを利用したセンサ。
　　【請求項３】　
　前記センサチップはシリコンチップであり、前記リードフレームは厚さが０．２５mm〜０．５mmの４２アロイ製リードフレームであり、前記接着剤は軟接着が可能なシリコーンゴム系の接着剤であることを特徴とする請求項１または２に記載のダイアフラム式センサチップを利用したセンサ。」
　
（２）本件補正後の特許請求の範囲
　「【請求項１】　
　ダイパッドを備えるリードフレームと、前記ダイパッドに
基板を介することなく
によって直接
　　【請求項２】　
　ダイパッドを備えるリードフレームと、前記ダイパッドに
基板を介することなく
によって直接
　　【請求項３】　
　前記センサチップはシリコンチップであり、前記リードフレームは厚さが０．２５mm〜０．５mmの４２アロイ製リードフレームであり、前記接着剤は軟接着が可能なシリコーンゴム系の接着剤であることを特徴とする請求項１または２に記載のダイアフラム式センサチップを利用したセンサ。」
　なお、アンダーラインは、補正箇所を示すために請求人が付したものである。
　
２　本件補正についての当審の判断
　本件補正は、補正前の請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である「ダイパッドに接着剤を介して軟接着されたダイアフラム式センサチップ」に関して、これを「ダイパッドに基板を介することなく接着剤によって直接軟接着されたダイアフラム式センサチップ」と補正することにより、「基板を介することなく」及び「直接」との限定を
付加するものであり、補正前の請求項２についても同様の限定を付加するものである。
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものと認められる。
　
（１）本願補正発明
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された事項により特定される発明（以下、「本願補正発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかどうか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する特許法第１２６条第５項の規定に適合するか）について、以下検討する。
　
（２）引用刊行物
（２−１）引用刊行物１
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平９−６１２７１号公報（以下、「引用刊行物１」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
　１ａ　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体式圧力センサ、半導体式加速度センサ等の半導体式センサ及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体式圧力センサ、半導体式加速度センサ等の各種半導体式センサが広く用いられているが、かかる従来の半導体式センサは、一般に、半導体からなるセンサ素子例えばシリコンチップが樹脂製のパッケージ（プラスチックパッケージ）によって覆われた構造とされている。・・・・・
【０００３】そして、かかる従来の半導体式センサにおいては、その組み立て時にセンサ素子とパッケージとの間の線膨張係数（熱膨張率）の差（一般に、樹脂の線膨張係数はセンサ素子の線膨張係数よりも大きい）に起因して発生する熱応力、あるいは組み立て後の温度変化に伴って発生する熱応力により、センサ素子に不正な歪みが発生することがある。そして、センサ素子にかかる不正な歪みが発生した場合、該半導体式センサの圧力あるいは加速度の検出精度が低下してしまうといった問題があった。
【０００４】そこで、センサ素子がパッケージ内に配置されている従来の半導体式センサにおいては、パッケージが、センサ素子（例えば、シリコンチップ）と線膨張係数が比較的近い低線膨張係数のエポキシ樹脂又はフェノール樹脂で形成され、これにより組み立て時あるいは組み立て後に生じる熱応力が低減されて、上記問題が解決されるようになっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来より用いられているこれらのエポキシ樹脂あるいはフェノール樹脂は、いずれもトランスファー成形あるいはコンプレッション成形等の複雑な（コストのかかる）成形手法を必要とする熱硬化性樹脂であるため、インジェクション成形等の簡素な（コストのかからない）成形手法を用いることが可能な熱可塑性樹脂に比べて、パッケージの製造コストがかなり高くなるといった問題がある。
【０００６】そこで、パッケージの製造コストを低減すべく、インジェクション成形等の簡素な成形手法を用いることができる熱可塑性樹脂の中で比較的線膨張係数が小さいポリフェニレンサルファイド樹脂（以下、これを「ＰＰＳ樹脂」という。）、ポリブチレンテレフタレート樹脂（以下、これを「ＰＢＴ樹脂」という。）等をパッケージ材料として用いるといった対応が検討されているされているが、これらの熱可塑性樹脂はいずれも極性が低く、また結晶性が高いので、センサ素子、リードフレーム等の他の部材との接着性が乏しく、このため半導体式センサの接着部の信頼性が低下するという問題が生じる。
・・・・・
【０００８】本発明は、上記従来の問題を解決するためになされたものであって、半導体式センサのパッケージの材料に、線膨張係数が小さくかつ成形が容易な熱可塑性樹脂、例えばＰＰＳ樹脂、ＰＢＴ樹脂等を用いた場合に、パッケージと、該パッケージに接着される他の部材との間の接着性を十分に高めることができ、もって信頼性が高く製造コストの低い半導体式センサを得ることができる手段を提供することを解決すべき課題とする。」
　
　１ｂ　「【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を具体的に説明する。
＜実施の形態１＞図１は、センサ素子１がプラスチックパッケージ（キャップ５及びベース６）によって覆われている半導体式センサＰ1の立面断面構造を示す図である。この半導体式センサＰ1は、大気圧を検出する半導体式圧力センサである。・・・・・
【００２１】図１に示すように、大気圧を検出するための半導体式圧力センサＰ1においては、シリコン（半導体）で形成された圧力（又は加速度）を検出するセンサ素子１が、導電性の高い金属材料からなるリードフレーム２に接着剤３を用いて接着（ダイボンド）されている。そして、センサ素子１とリードフレーム２とは、導電性の高い金属材料からなるボンディングワイヤ４を介して電気的に接続されている。さらに、実質的にセンサ素子１とリードフレーム２とボンディングワイヤ４とからなる組立体は、キャップ５とベース６とで構成されるプラスチックパッケージによって覆われている。ここで、キャップ５及びベース６は、その線膨張係数がセンサ素子１の線膨張係数に近い、熱可塑性のＰＰＳ樹脂又はＰＢＴ樹脂で形成されている。なお、プラスチックパッケージを構成する熱可塑性樹脂には、線膨張係数が小さく安価であれば、ＰＰＳ樹脂、ＰＢＴ樹脂以外のもの用いてもよいのはもちろんである。」
　
　１ｃ　「【００２２】そして、キャップ５の下面の一部に形成されたキャップ下面接着部５ａと、リードフレーム２の上面の一部に形成されたリードフレーム上面接着部２ａとは接着剤３を用いて接着されている。また、ベース６の上面の一部に形成されたベース上面接着部６ａと、リードフレーム２の下面の一部に形成されたリードフレーム下面接着部２ｂとは接着剤３を用いて接着されている。なお、キャップ５には穴部７が形成され、プラスチックパッケージ内に形成された空間部８は、該穴部７を介して大気に開放されている。そして、後で詳しく説明するように、キャップ下面接着部５ａとベース上面接着部６ａとは紫外線照射により改質されてその接着性が高められた上で、それぞれリードフレーム上面接着部２ａとリードフレーム下面接着部２ｂとに、強固に接着している。」
　
　１ｄ　「【００２３】このように、キャップ下面接着部５ａ及びベース上面接着部６ａを紫外線照射により改質してその接着性を高める所以はおよそ次のとおりである。すなわち、半導体式圧力センサＰ1は、前記のとおり、センサ素子１とリードフレーム２とが接着されるとともに、リードフレーム２とプラスチックパッケージ（キャップ５及びベース６）とが接着された構造である。このため、従来の技術の欄にも記載したように、プラスチックパッケージの材料として線膨張係数がセンサ素子１の線膨張係数と大きく異なる樹脂を用いると、接着後の熱応力によりセンサ素子１に不正な歪みが生じ、あるいは半導体式圧力センサＰ1の完成後の外部の温度変化に起因する熱応力によりセンサ素子１に不正な歪みが生じることがある。その結果、センサ素子１の不正な歪みが、半導体式圧力センサＰ1の出力（以下、これを「オフセット出力」という。）として検出され、測定しようとしている圧力（あるいは加速度）の測定精度を低下させる。
【００２４】この問題を解決するために、この実施の形態１においては、プラスチックパッケージの材料として、低コストで成形することが可能であり、かつその線膨張係数が小さくしたがってオフセット出力を小さくすることができるＰＰＳ樹脂又はＰＢＴ樹脂を用い、さらにキャップ下面接着部５ａ及びベース上面接着部６ａを紫外線照射により改質してその接着性を高め、もってプラスチックパッケージとリードフレーム２との接着部分の信頼性を高めるようにしている。」
　
　・上記摘記事項１ｂの「【００２１】図１に示すように、大気圧を検出するための半導体式圧力センサＰ1においては、シリコン（半導体）で形成された圧力（又は加速度）を検出するセンサ素子１が、導電性の高い金属材料からなるリードフレーム２に接着剤３を用いて接着（ダイボンド）されている。・・・・・実質的にセンサ素子１とリードフレーム２とボンディングワイヤ４とからなる組立体は、キャップ５とベース６とで構成されるプラスチックパッケージによって覆われている。」との記載から、リードフレーム２と、リードフレーム２に接着剤３を用いて接着されたセンサ素子１、センサ素子１とリードフレーム２とボンディングワイヤ４とからなる組立体を覆うキャップ５とベース６とで構成されるプラスチックパッケージとを有する半導体式圧力センサＰ1が読み取れる。
　・上記摘記事項１ｃの「なお、キャップ５には穴部７が形成され、プラスチックパッケージ内に形成された空間部８は、該穴部７を介して大気に開放されている。」との記載及び図面の図１の記載から、プラスチックパッケージ内にはセンサ素子１の上部及び側面を囲む空間部８が形成されていることが読み取れる。       
　そして、図面の図１の記載から、大気に開放された前記空間部８に接するセンサ素子１の上部には薄膜状の部分が形成されていることが見て取れ、当該技術分野における技術常識を勘案すれば、上記薄膜状の部分がダイヤフラムであることは明らかである。
　・上記摘記事項１ｂの「ここで、キャップ５及びベース６は、その線膨張係数がセンサ素子１の線膨張係数に近い、熱可塑性のＰＰＳ樹脂又はＰＢＴ樹脂で形成されている。なお、プラスチックパッケージを構成する熱可塑性樹脂には、線膨張係数が小さく安価であれば、ＰＰＳ樹脂、ＰＢＴ樹脂以外のもの用いてもよいのはもちろんである。」との記載から、キャップ５及びベース６は、樹脂で形成されていること、その線膨張係数がセンサ素子１の線膨張係数に近いものであることが読み取れる。
　
　したがって、引用刊行物１には、次の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されているものと認められる。
　「リードフレーム２と、リードフレーム２に接着剤３を用いて接着されたダイヤフラムを有するセンサ素子１と、前記センサ素子１の上部及び側面を囲む空間部８が形成され前記センサ素子１とリードフレーム２とボンディングワイヤ４とからなる組立体を覆う樹脂で形成されたキャップ５とベース６とで構成されるプラスチックパッケージとを備え、前記樹脂は、その線膨張係数がセンサ素子１の線膨張係数に近いものであることを特徴とする半導体式圧力センサＰ１。」
　
（２−２）引用刊行物２
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平７−２０１４６号公報（以下、「引用刊行物２」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
　２ａ　「【００３１】図３は、本発明に従う他の実施例の半導体加速度センサを示す部分切欠斜視図である。図３を参照して、シリコンセンサチップ２１は図１に示す実施例と同様の構造であるので、同一の参照番号を付して説明を省略する。シリコンセンサチップ２１のリム部２４は、シリコンゴム接着剤層４０により、ＰＰＳ樹脂から形成された樹脂基板４１に接着されている。シリコンゴム接着剤層４０には、粒径２０μｍ程度のシリカフィラーが混入されている。ＰＰＳ樹脂基板４１のシリコンゴム接着剤層４０で接着される内側の領域には貫通孔４２が形成されている。この貫通孔４２は、シリコンゴム接着剤層４０から発生するガスを抜くために形成されている。ＰＰＳ樹脂基板４１に設けられた金属端子４３とアルミ配線２６との間には金ワイヤー２９が接続されている。
【００３２】図３に示す実施例の半導体加速度センサでは、ＰＰＳ樹脂基板４１とシリコンセンサチップ２１の間にゴム弾性を有するシリコンゴム接着剤層４０が設けられているため、ＰＰＳ樹脂基板４１とシリコンセンサチップ２１の熱膨張係数の差に基づく応力をこのシリコンゴム接着剤層４０で緩和し吸収することができる。従って、熱ヒステリシス特性を改善することができる。また、ＰＰＳ樹脂基板４１上に直接シリコンセンサチップ２１を接着剤層を介して設けた構造であるため、製造工程をさらに簡単にすることができる。」
　
　したがって、引用刊行物２には、次の発明（以下、「引用発明２」という。）が記載されているものと認められる。
　「半導体加速度センサにおいて、ＰＰＳ樹脂基板４１上に直接シリコンセンサチップ２１をゴム弾性を有するシリコンゴム接着剤層４０を介して接着することにより、ＰＰＳ樹脂基板４１とシリコンセンサチップ２１の熱膨張係数の差に基づく応力をこのシリコンゴム接着剤層４０で緩和し吸収すること。」
　
（３）対比・判断
　本願補正発明と引用発明１とを対比する。
　・引用発明１の「リードフレーム２」、「接着剤３」、「ダイヤフラムを有するセンサ素子１」、「半導体式圧力センサＰ１」は、それぞれ、本願補正発明の「リードフレーム」、「接着剤」、「ダイアフラム式センサチップ」、「センサ」に相当する。
　・引用発明１の「リードフレーム２に接着剤３を用いて接着された」は、リードフレームに基板等を介することなく接着剤によって直接接着されたことを意味することは明らかであるから、本願補正発明の「前記ダイパッドに基板を介することなく接着剤によって直接軟接着された」と、「前記リードフレームに基板を介することなく接着剤によって直接接着された」点で共通する。
　・引用発明１の「前記センサ素子１の上部及び側面を囲む空間部８が形成され前記センサ素子１とリードフレーム２とボンディングワイヤ４とからなる組立体を覆う樹脂で形成されたキャップ５とベース６とで構成されるプラスチックパッケージ」と、本願補正発明の「前記センサチップの周囲に空間を確保しつつ前記リードフレームを全体的にモールドするモールド材」とは、ともに、「前記センサチップの周囲に空間を確保しつつ前記リードフレームを覆う樹脂」である点で共通する。
　
　したがって、本願補正発明と引用発明１とは、
　「リードフレームと、前記リードフレームに基板を介することなく接着剤によって直接接着されたダイアフラム式センサチップと、前記センサチップの周囲に空間を確保しつつ前記リードフレームを覆う樹脂とを備えるダイアフラム式センサチップを利用したセンサ。」
である点で一致し、次の相違点１ないし３で相違する。
　
［相違点１］　ダイアフラム式センサチップのリードフレームへの接着について、本願補正発明のリードフレームがダイパッドを備え、ダイパッドに軟接着されるのに対し、引用発明１のリードフレームはダイパッドを備えるか否か不明であり、接着についても軟接着との限定がない点。
［相違点２］　センサチップの周囲に空間を確保しつつリードフレームを覆う樹脂について、本願補正発明は、リードフレームを全体的にモールドするモールド材であるのに対し、引用発明１は、そのようなものではない点。
［相違点３］　樹脂の線膨張係数等について、本願補正発明では、線膨張係数が１．４×１０−５／℃〜１．８×１０−５／℃かつ弾性率が１００×１０３ kg／cm２ 〜１３０×１０３ kg／cm２ であるのに対し、引用発明１では、線膨張係数がセンサ素子１の線膨張係数に近いものではあるものの数値範囲については限定がなく、弾性率についても特定されていない点。
　
　上記相違点１ないし３について検討する。
［相違点１］について
　半導体技術分野において、チップをリードフレームのダイパッドに接着することは、例を挙げるまでもなく本願出願前周知（以下、「周知技術１」という。）である。
　そして、引用刊行物２には、半導体加速度センサにおいて、ＰＰＳ樹脂基板４１上に直接シリコンセンサチップ２１をゴム弾性を有するシリコンゴム接着剤層４０を介して接着することにより、ＰＰＳ樹脂基板４１とシリコンセンサチップ２１の熱膨張係数の差に基づく応力をこのシリコンゴム接着剤層４０で緩和し吸収すること（引用発明２）が記載されており、この引用発明２は、センサチップとその周辺の部材との熱膨張係数の差に基づく応力を緩和することを目的とするものである点で引用発明１と共通するから、引用発明１に上記周知技術１と引用発明２とを適用して、上記相違点１に係る本願補正発明のごとく構成することは当業者が容易になし得たことである。
［相違点２］について
　半導体技術分野において、リードフレームを全体的にモールドするモールド材によりパッケージを形成することは、例を挙げるまでもなく本願出願前周知（以下、「周知技術２」という。）であるから、該周知技術２を引用発明１に適用して、上記相違点２に係る本願補正発明のごとく構成することは当業者が容易になし得たことである。
［相違点３］について
　ア　線膨張係数について
　本願補正発明において、モールド材の線膨張係数に着目した趣旨は、本願明細書の記載を参照すると、その段落【０００４】、【００１１】、【００４５】に、「【０００４】　ところで、センサを構成している材料は、それぞれ固有の熱歪量を有している。また、センサチップやリードフレームに用いられる金属材料は線膨張係数が比較的小さく、モールド材や接着剤に用いられる樹脂材料はそれよりも線膨張係数が大きい。このような材料間で熱歪量差が大きいと、周囲の温度変化に起因してダイアフラム部に熱応力が加わりやすくなる。すると、ダイアフラム部のエッジ領域にある歪みゲージに歪みが生じ、抵抗値が変化してしまう。そして、これが原因となって感度が変化する結果、センサの温度特性が悪化するという問題があった。」、「【００１１】　以下、本発明の「作用」を説明する。　まず、請求項１に記載の発明の作用を説明する。センサを構成している材料の中で容積的に最も大きな割合を占めているのはモールド材である。従って、ダイアフラム部に加わる熱応力の大きさは、モールド材に加わる熱応力の大きさに強く支配される。本発明ではかかる事実に鑑みて使用するモールド材の物性の適正化、特に線膨張係数及び弾性率の適正化を図っている。その結果、材料間の熱歪量差が小さくなり、ダイアフラム部に加わる熱応力の低減が図られる。従って、ダイアフラム部の歪みが解消され、感度変化率も小さな値に抑えられる。ゆえに、温度特性に優れたセンサとすることができる。」、「【００４５】　さて、以下に本実施形態において特徴的な作用効果を列挙する。　（イ）本実施形態では、モールド材２の線膨張係数及び弾性率を上記好適範囲内に設定することによる適正化を図っている。よって、材料間の熱歪量差が小さくなり、ダイアフラム部６ｂに加わる熱応力の低減が図られている。従って、ダイアフラム部６ｂの歪みが解消され、感度変化率も±３％以内という小さな値に抑えられる。ゆえに、温度特性に優れた加速度センサ１とすることができる。」と記載されており、これらの記載によると、センサチップの線膨張係数に比べてモールド材に用いられる樹脂材料は線膨張係数が大きく、このような材料間で熱歪量差が大きいと周囲の温度変化に起因してダイアフラム部に熱応力が加わりやすくなるためセンサの温度特性が悪化するという問題点に鑑み、センサを構成している材料の中で容積的に最も大きな割合を占めダイアフラム部に加わる熱応力の大きさを強く支配するモールド材の物性の適正化、特に線膨張係数及び弾性率の適正化を図ることにより、材料間の熱歪量差を小さくし、ダイアフラム部に加わる熱応力の低減を図るというものである。
　一方、引用発明１において、樹脂の線膨張係数をセンサ素子１の線膨張係数に近いものとした趣旨は、上記「第２」の「２」の「（２）」の「（２−１）」の引用刊行物１の摘記事項１ａ、１ｂ、１ｄの記載によれば、センサ素子とパッケージとの間の線膨張係数（熱膨張率）の差（一般に、樹脂の線膨張係数はセンサ素子の線膨張係数よりも大きい）に起因して発生する熱応力、あるいは組み立て後の温度変化に伴って発生する熱応力により、センサ素子に不正な歪みが発生することになるので、パッケージの材料として線膨張係数がセンサ素子１の線膨張係数に近い樹脂を用いることにより上記熱応力及び不正な歪みを低減するというものである。
　してみると、本願補正発明と引用発明１とは、センサと樹脂との間の線膨張係数の差に起因して発生する熱応力を低減するために、樹脂の線膨張係数の適正化を図るものである点で共通しており、このように低減すべき熱応力がセンサと樹脂との間の線膨張係数の差に起因して発生するものである以上、本願補正発明におけるモールド材の線膨張係数の適正化が、引用発明１と同様に、モールド材の線膨張係数をセンサの線膨張係数に近いものにすることを意味することは明らかである。
　次に、本願補正発明がモールド材の線膨張係数を１．４×１０−５／℃〜１．８×１０−５／℃としたことに格別の技術的意義があるか否かについて検討する。
　半導体素子において通常用いられているモールド材の線膨張係数は、１０−５／℃程度のオーダーであるから（例えば、原査定の拒絶の理由に引用された特開平７−３０２８６３号公報の段落【００１４】の「通常用いられているモールド樹脂１５は、線膨張係数が１．５×１０−５／Ｋ程度である。」との記載参照。）、本願補正発明におけるモールド材の線膨張係数の数値範囲は通常用いられるモールド材の線膨張係数の数値と同程度のものである。
　そして、本願補正発明においてこの数値範囲を選択した理由について、本願明細書の記載を参照すると、段落【００２１】には、「【００２１】　ところで、この加速度センサ１に使用されるモールド材２は、線膨張係数が１．４×１０−５／℃〜１．８×１０−５／℃かつ弾性率が１００×１０３ kg／cm２ 〜１３０×１０３ kg／cm２ であることが必要とされる。なお、前記線膨張係数は１．６×１０−５／℃〜１．７×１０−５／℃であることがより好ましい。同じく弾性率は１０５×１０３ kg／cm２ 〜１１５×１０３ kg／cm２ であることがより好ましい。その理由は、かかる事実が後述する比較試験において確認されているからである。」と記載され、段落【００２８】〜【００４１】及び図面の図５には、モールド材の線膨張係数が異なるサンプルＡ〜Ｇを用いて、「ＴＳＳ値」（特定の温度幅を設定したときの感度変化率（％））を判定の指標とした比較実験結果が示され、そのうち、本願補正発明における上記数値範囲内にあり好適範囲内であるとされたサンプルＣ〜Ｆの線膨張係数は、いずれも、好適範囲外であるとされたサンプルＡ、Ｂ、Ｇの線膨張係数より若干小さい値となっている。
　これらの記載によれば、本願補正発明において上記数値範囲は特段の理論的根拠に基づいて選択されたものではなく、比較実験結果に基づいて定められたものであり、しかも、その比較実験結果において好適範囲内であるとされたサンプルの線膨張係数は、いずれも、好適範囲外であるとされたサンプルよりも若干小さい、すなわち、センサチップの線膨張係数により近いものであるから（この点について、上記各サンプルの線膨張係数の値と、本願明細書の段落【００２２】に記載されたセンサチップの線膨張係数の値を参照。）、上述した引用発明１における線膨張係数の選択の考え方とその方向性において軌を一にするものである。
　以上のことから、本願補正発明における線膨張係数の数値範囲は、通常用いられるモールド材の線膨張係数の数値と同程度のものにすぎず、しかも、その選択に当たり特段の理論的根拠は見いだせず、引用発明１と同様、センサの線膨張係数に近いものであるということができるから、上記数値範囲に格別の技術的意義は認められない。
　
　イ　弾性率について
　部材間の線膨張係数に差があったとしても、一方の部材の弾性率が低ければ該一方の部材は容易に変形可能であるから、他方の部材は該一方の部材からさしたる拘束力を受けることなく比較的自由に熱膨張することができ、その応力が低減されることは熱膨張のメカニズムからみて明らかなことである。
　したがって、センサと樹脂との間の線膨張係数の差に起因して発生する熱応力を低減することを目的とする引用発明１において、樹脂の弾性率に着目し、これを適正な値とすることは当業者が当然に配慮することである。
　そして、半導体素子において通常用いられているモールド材の弾性率は、１０５kg／ｃｍ２程度のオーダーであるから（例えば、特開平７−５０３６５号公報の段落【００３０】の「【００３０】以下に封止樹脂を示す。・・・・・
（３０）「ＭＰ１５０ＳＧＣ  日東電工社製」
・・・・・弾性率  １２００ｋｇ／ｍｍ２である。
（３１）「ＭＰ１０ＸＬ  日東電工社製」
・・・・・弾性率  １２００ｋｇ／ｍｍ２ である」、特開平７−９４６４０号公報の【請求項７】の「 前記封止用樹脂組成物の・・・・・硬化後の室温における弾性率が５００〜２０００ｋｇ／ｍｍ２」との記載参照。）、本願補正発明におけるモールド材の弾性率の数値範囲は通常用いられるモールド材の弾性率の数値と同程度のものにすぎず、該数値範囲に格別の技術的意義は認められない。
　
　ウ　まとめ
　以上、上記「ア」、「イ」の点を勘案すると、引用発明１において、線膨張係数及び弾性率について上記相違点３に係る本願補正発明のような数値範囲とすることは当業者が容易に想到し得たことである。
　
　そして、本願補正発明の奏する効果は、引用発明１、２及び周知技術１、２から当業者が予測し得る範囲内のものであり、格別のものではない。
　したがって、本願補正発明は、引用発明１、２及び周知技術１、２に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（４）むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する特許法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
　平成１９年７月９日付けの手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし３に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成９年８月７日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、上記「第２」の「１」の「（１）」の本件補正前の特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりのものである。
　
第４　引用刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用された引用刊行物１、２の記載事項及び引用発明１、２は、上記「第２」の「２」の「（２）」に記載したとおりのものである。
　
第５　本願発明と引用刊行物に記載された発明との対比・判断
　本願発明は、上記「第２」で検討した本願補正発明の発明特定事項から発明を特定するために必要な事項についての上記限定を省いたものである。
　そうすると、本願発明の発明特定事項をすべて含み、さらに他の限定事項を付加したものに相当する本願補正発明が前記「第２」の「２」の「（２）」に記載したとおり、引用発明１、２及び周知技術１、２に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用発明１、２及び周知技術１、２に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第６　むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　そして、本願発明（請求項１に係る発明）が特許を受けることができないものであるから、その余の請求項２、３に係る発明について検討するまでもなく、本願は、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。