【事件の表示】
　平成　７年特許願第１７３６５３号「量子効果半導体装置とその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　９年　１月２８日出願公開、特開平　９−　２７６１２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成７年７月１０日の出願であって、平成１８年４月７日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年５月１８日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに同日付けで手続補正がなされ、その後当審において、平成２０年７月４日付けで審尋がなされ、その後同年９月１１日に回答書が提出されたものである。
　
第２　平成１８年５月１８日付けの手続補正の却下について
1.補正却下の決定の結論
　平成１８年５月１８日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
2.理由
2-1.本件補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲を補正するとともに、明細書の００２２段落及び００２３段落を補正するものであって、補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし１６は以下のとおりである。
「【請求項１】
　一定の面方位を有する基板表面上に開口を有するマスクを形成する工程と、
　前記マスクの開口を通して基板表面をエッチングし、倒立した角錐形状を有し深さと共に頂部に向かって収束する側面を有する凹みを形成するエッチング工程と、
　前記凹み内に混晶半導体の成長を行う工程であって、前記頂部上に成長した混晶半導体と頂部を囲む前記側面上に成長した混晶半導体とでキャリアのバンド構造が異なる連続した混晶半導体層の成長を行う量子効果層成長工程とを含み、
　前記基板が（１１１）Ｂ表面を有する閃亜鉛型結晶構造を有する化合物半導体基板であり、前記凹みが３つの（１１１）Ａ面を側面とする３回対称の三角錐側面である量子効果半導体装置の製造方法。
【請求項２】
　前記エッチング工程が、前記マスクの開口に外接する底面を有する角錐形状を、１体積％の臭素を含むエタノール溶液で異方性エッチングする請求項１記載の量子効果半導体装置の製造方法。
【請求項３】
　さらに、前記量子効果層成長工程前に、前記混晶半導体よりもバンドギャップの広い半導体層を凹み内に成長するバリア層成長工程を含み、前記混晶半導体層の頂部が量子箱ないし量子細線を形成する請求項１または２に記載の量子効果半導体装置の製造方法。
【請求項４】
　さらに、前記バリア層成長工程と前記量子効果層成長工程とを繰り返す繰り返し工程を含む請求項３記載の量子効果半導体装置の製造方法。
【請求項５】
　一定の面方位の表面を有する基板と、
　前記基板の表面に形成され、倒立した角錐形状を有し深さと共に頂部に向かって収束する側面を有する凹みと、
　前記凹み内に形成され、前記頂部上に形成された混晶半導体と頂部を囲む前記側面上に形成された混晶半導体とでキャリアのバンド構造が異なる連続した第１の混晶半導体層とを有し、
　前記基板が（１１１）Ｂ表面を有する閃亜鉛型結晶構造を有する化合物半導体基板であり、前記凹みが３つの（１１１）Ａ面を側面とする３回対称の三角錐側面である量子効果半導体装置。
【請求項６】
　さらに、前記混晶半導体層と前記基板との間に形成され、混晶半導体層よりもバンドギャップの広い第１のバリア層を有する請求項５記載の量子効果半導体装置。
【請求項７】
　さらに、前記混晶半導体層の上に形成された第２のバリア層と前記第２のバリア層の上に形成され、前記頂部上に形成された混晶半導体と頂部を囲む前記側面上に形成された混晶半導体とでキャリアのバンド構造が異なる連続した第２の混晶半導体層とを少なくとも１周期有する請求項６記載の量子効果半導体装置。
【請求項８】
　前記第１の混晶半導体層の上に、混晶半導体層よりもバンドギャップの広いキャップ層を有する請求項５〜７のいずれかに記載の量子効果半導体装置。
【請求項９】
　前記第２の混晶半導体層の上に、混晶半導体層よりもバンドギャップの広いキャップ層を有する請求項７に記載の量子効果半導体装置。
【請求項１０】
　前記第１または第２の混晶半導体層の少なくとも１つの前記側面上の厚さがボーア半径の２倍より小さい請求項７記載の量子効果半導体装置。
【請求項１１】
　前記第１または第２の混晶半導体層の少なくとも１つが不純物をドープされ、量子ドットまたは量子細線を構成する請求項７または１０記載の量子効果半導体装置。
【請求項１２】
　前記基板がＧａＡｓで、前記混晶半導体層がＩｎＧａＡｓ層である請求項７記載の量子効果半導体装置。
【請求項１３】
　前記バリア層がＡｌＧａＡｓまたはＩｎＧａＰである請求項１２記載の量子効果半導体装置。
【請求項１４】
　前記基板がＩｎＰで、前記混晶半導体層がＩｎＧａＡｓＰ層である請求項７記載の量子効果半導体装置。
【請求項１５】
　前記バリア層がＩｎＰまたはＩｎＡｌＧａＡｓＰである請求項１４記載の量子効果半導体装置。
【請求項１６】
　さらに一対の電極を含み、前記量子ドットまたは量子細線が電極間に結合された請求項１１に記載の量子効果半導体装置。」
　
2-2.補正事項の整理
・補正事項１
　補正前の請求項１の「量子効果層成長工程とを含む」を、補正後の請求項１の「量子効果層成長工程とを含み、　前記基板が（１１１）Ｂ表面を有する閃亜鉛型結晶構造を有する化合物半導体基板であり、前記凹みが３つの（１１１）Ａ面を側面とする３回対称の三角錐側面である」と補正すること。
・補正事項２
　補正前の請求項２の「角錐形状を」の直後に、補正後の請求項２の「、１堆積％の臭素を含むエタノール溶液で異方性」を加入すること。
・補正事項３
　補正前の請求項３を削除すること。
・補正事項４
　補正前の請求項４を、補正後の請求項３に繰り上げると共に、引用する請求項を補正前の「請求項１〜３のいずれか」から補正後の「請求項１または２」とすること。
・補正事項５
　補正前の請求項５を、補正後の請求項４に繰り上げると共に、引用する請求項を補正前の「請求項４」から補正後の「請求項３」とすること。
・補正事項６
　補正前の請求項６を、補正後の請求項５に繰り上げる（補正事項６-１）と共に、補正前の請求項６の「第１の混晶半導体層とを有する」を補正後の請求項５の「第１の混晶半導体層とを有し、　前記基板が（１１１）Ｂ表面を有する閃亜鉛型結晶構造を有する化合物半導体基板であり、前記凹みが３つの（１１１）Ａ面を側面とする３回対称の三角錐側面である」と補正（補正事項６-２）すること。
・補正事項７
　補正前の請求項７を、補正後の請求項６に繰り上げると共に、引用する請求項を補正前の「請求項６」から補正後の「請求項５」とすること。
・補正事項８
　補正前の請求項８を、補正後の請求項７に繰り上げると共に、引用する請求項を補正前の「請求項７」から補正後の「請求項６」とすること。
・補正事項９
　補正前の請求項９を、補正後の請求項８に繰り上げると共に、引用する請求項を補正前の「請求項６〜８のいずれか」から補正後の「請求項５〜７のいずれか」とすること。
・補正事項１０
　補正前の請求項１０を、補正後の請求項９に繰り上げると共に、引用する請求項を補正前の「請求項８」から補正後の「請求項７」とすること。
・補正事項１１
　補正前の請求項１１を、補正後の請求項１０に繰り上げると共に、引用する請求項を補正前の「請求項８」から補正後の「請求項７」とすること。
・補正事項１２
　補正前の請求項１２を、補正後の請求項１１に繰り上げると共に、引用する請求項を補正前の「請求項８または１１」から補正後の「請求項７または１０」とすること。
・補正事項１３
　補正前の請求項１３を削除すること。
・補正事項１４
　補正前の請求項１４を、補正後の請求項１２に繰り上げると共に、引用する請求項を補正前の「請求項１３」から補正後の「請求項７」とすること。
・補正事項１５
　補正前の請求項１５を、補正後の請求項１３に繰り上げると共に、引用する請求項を補正前の「請求項１４」から補正後の「請求項１２」とすること。
・補正事項１６
　補正前の請求項１６を、補正後の請求項１４に繰り上げると共に、引用する請求項を補正前の「請求項１３」から補正後の「請求項７」とすること。
・補正事項１７
　補正前の請求項１７を、補正後の請求項１５に繰り上げると共に、引用する請求項を補正前の「請求項１６」から補正後の「請求項１４」とすること。
・補正事項１８
　補正前の請求項１８を、補正後の請求項１６に繰り上げると共に、引用する請求項を補正前の「請求項１２〜１７のいずれか」から補正後の「請求項１１」とすること。
・補正事項１９
　明細書の００２２段落及び００２３段落を補正すること。
　
2-3.本件補正についての検討
2-3-1.補正の目的の適否及び新規事項の追加の有無について
・補正事項１及び６-２について
　補正前の請求項１及び請求項６に記載された「基板」について、「（１１１）Ｂ表面を有する閃亜鉛型結晶構造を有する化合物半導体基板であ」るものと限定し、補正前の請求項１及び請求項６に記載された「凹み」について、「３つの（１１１）Ａ面を側面とする３回対称の三角錐側面である」ものと限定する補正であるから、補正事項１及び６-２についての補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　また、補正事項１および６-２についての補正は、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面の記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものであるから、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内でなされたものである。よって、補正事項１および６-２についての補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
・補正事項２について
　補正前の請求項２に記載された「エッチング工程」について、「１堆積％の臭素を含むエタノール溶液で異方性エッチング」を行うものであると限定する補正であるから、補正事項２についての補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　また、補正事項２についての補正は、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面の記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものであるから、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内でなされたものである。よって、補正事項２についての補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
・補正事項３及び１３について
　補正前の請求項３及び１３を削除するものであるから、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものである。
・補正事項４ないし６-１、補正事項７ないし１２、及び補正事項１４ないし１９について
　補正前の請求項３及び１３の削除に伴い、補正前の請求項４以降の各請求項の番号を繰り上げると共に、前記各請求項が引用する請求項を修正するものであるから、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第４号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　
　上記のとおり、本件補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むから、以下において、本件補正が、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか否かについて更に検討する。
　
2-3-2.独立特許要件についての検討
2-3-2-1．刊行物に記載された発明
・刊行物１：特開平６−３３４２６８号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願出願前に日本国内において頒布された、特開平６−３３４２６８号公報（以下、刊行物１という）には、図１ないし図６とともに、以下の事項が記載されている。
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体埋め込み構造、特に高効率の半導体レーザなどの活性層の材料となる量子ドット、量子箱構造とその製造方法に関する。」
「【００１０】本発明の第３の半導体埋め込み構造では、III −Ｖ族半導体のＶ族元素が表面原子となる（−１−１−１）面を主面とする半導体基板と、この半導体基板上に形成された正三角形の凹部と、この凹部を含む前記半導体基板上に形成された第１の閉じ込め層と、この第１の閉じ込め層上に形成されて少なくとも２つ以上のIII族元素Ａ，Ｂを含む活性層と、この活性層の上に形成された第２の閉じ込め層とを備え、前記活性層の禁制帯幅が前記第１の閉じ込め層と前記第２の閉じ込め層のいずれよりも小さく、前記正三角形の各々の辺が３つの劈開面（１−１０）、（１０−１）、（０１−１）に垂直であり、前記凹部の側面上に形成された前記活性層が前記Ａ，Ｂの構成元素のうちいずれか一方をほとんど含まないことを特徴とする。
【００１１】本発明の第３の半導体埋め込み構造の製造方法では、III −Ｖ族半導体のＶ族元素が表面原子となる（−１−１−１）面を主面とする基板上に、正三角形の凹部を形成する工程と、この凹部を含む前記半導体基板上に第１の閉じ込め層を結晶成長する工程と、この第１の閉じ込め層上に少なくとも２つ以上のIII族元素Ａ，Ｂを含む活性層を結晶成長する工程と、この活性層の上に第２の閉じ込め層を結晶成長する工程を備え、前記活性層の禁制帯幅が前記第１の閉じ込め層と前記第２の閉じ込め層のいずれよりも小さく、前記正三角形の各々の辺が３つの劈開面（１−１０）、（１０−１）、（０１−１）に垂直であり、前記凹部の側面上に形成された前記活性層が前記Ａ，Ｂの構成元素の内いずれか一方をほとんど含まないことを特徴とする。」
「【００１４】
【作用】まず最初に本発明の半導体埋め込み構造について説明する。一例として、ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ材料を用いて、量子箱構造を形成する場合について説明する。本発明の半導体構造では、微細な三角形状の凹部や突起部が形成されたＧａＡｓ基板上に、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓダブルへテロ構造を形成する。このときに、成長条件や、三角形パターンの結晶方位を適当に選ぶことによって、ＧａＡｓ活性層が凹部側面あるいは突起側面で段切れて形成された構造となっている。このため、ＧａＡｓ活性層がＡｌＧａＡｓ閉じ込め層で埋め込まれた埋め込み構造が形成される。この様な埋め込み構造の形成では、ＳｉＯ2 の選択マスクなどを用いる必要がないために、一回の結晶成長で良好な埋め込み構造を得ることが出来る。また、Ａｌ組成の高いＡｌＧａＡｓ閉じ込め層も容易に形成できるため、強いキャリアの閉じ込めも容易に得られる特徴がある。
　　　・・・
【００１６】本発明の半導体埋め込み構造の製造方法では、この実験事実に基づいて、量子箱の様な微細な半導体埋め込み構造を形成する方法を提供するものである。すなわち、本発明では、（１１１）Ｂ面を半導体基板に選び、この半導体基板の３つの異なる劈開面に垂直な方向の３辺を有する正三角形の凹部および、突起を形成する。このときに、マスクの向きを適当に選ぶことによって、順メサの（１１１）Ａ面あるいは（１ｎｎ）Ａ面（ただし、ｎ≧２、ｎ：整数）を側面に有する三角形凹部や三角形突起が得られる。つぎに、ＭＢＥ法によって、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓダブルへテロ構造を形成する。このときに、ＧａＡｓの再蒸発が顕著となる７２５゜Ｃ以上の成長温度でＭＢＥ成長すると、（１１１）Ａ面などのＡ面でのＧａＡｓの成長速度が零となる。このため、三角形凹部においては、凹部の底部と平坦部でＧａＡｓが途切れて成長する。また、三角形突起では、突起頂部と平坦部でＧａＡｓが途切れて成長する。一方、ＡｌＧａＡｓは、非平坦基板の基板形状を保存するように側面でも一様な厚さで成長する。このような成長上の特性を利用することによって、三角形突起の頂部、または三角形凹部の底部にＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ埋め込み構造が形成される。また、ＡｌＧａＡｓの成長では、Ａｌ組成が高いほど、非平坦基板の基板形状保存の性質が強いために、埋め込み構造を形成するのに適している。この理由として、Ａｌ原子の表面マイグレーション距離がＧａ原子よりも小さいために、Ａｌ組成が高いほど凹凸を保存する傾向が強くなると考えられる。このため、高いＡｌ組成のＡｌＧａＡｓを用いて、容易にＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ埋め込み構造を形成することが出来る。また、本発明を用いれば、このような埋め込み構造を一度の結晶成長で形成できる特長がある。
【００１７】
【実施例】次に本発明の実施例について図面を用いて詳細に説明する。
【００１８】図１（ａ），（ｂ）は、本発明の第１の実施例の半導体埋め込み構造の平面図及び断面構造を示している。なお図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ′断面である。
【００１９】本実施例は、三角形凹部上に、ＧａＡｓからなる活性層を形成する場合である。図中、１はＧａＡｓ基板、２は第１閉じ込め層（Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ、０．２≦ｘ≦１、典型的には０．８≦ｘ≦１）、３は活性層（ＧａＡｓ）、４は第２閉じ込め層（Ａｌ組成は第１閉じ込め層と同じ範囲）、５は（１１１）Ｂ底面、６，７は（１１１）Ａ側面、８は（０１１）劈開面（Ａ−Ａ′断面）、９は埋め込み活性層、１０は三角形凹部、ｄは三角形凹部１０の深さ、θ1 は（１１１）Ａ側面６と（１１１）Ｂ底面５とのなす角、θ2 は（１１１）Ａ側面７と（０１１）劈開面８との交線が（１１１）Ｂ底面５とのなす角である。この場合に、埋め込み活性層９の１辺の長さＷB と、三角形凹部１０の上辺の長さＷM との間には、以下の関係がある。
【００２０】
      ＷB ＝ＷM −Ｃ・ｄ                                      （１）
      Ｃ＝２・√３／ｔａｎθ1                                 （２）
実際のＣ及びθ1 の値を、一例として表１に示す。
【００２１】
【表１】
【００２２】量子箱のような小さな幅のＷB の、埋め込み活性層９を形成する場合には、Ｃ・ｄの分だけ幅が小さくなるため有利である。例えば、側面が（１１１）Ａ面で、ＷM が１μｍ、ｄが０．３μｍの場合にはＷB が０．６３μｍとなる。また、側面が（１１１）Ａ面で、ＷM が１００ｎｍ、ｄが５０ｎｍの場合には、ＷB が３９ｎｍとなる。第１閉じ込め層２の厚さは、三角形凹部１０の断面形状を保存できる範囲内で、任意に決めることが出来る。ただし、三角形凹部１０の深さｄに比べて、非常に厚い第１閉じ込め層２の形成は、三角形凹部１０の断面形状が崩れる可能性があるため、余り好ましくない。また、活性層３の厚みに関しては、（１１１）Ａ側面６，７で段切れて成長する範囲内で任意に決めることが出来る。上限の厚さとして、三角形凹部１０の深さｄが目安となる。ｄよりも薄い活性層３では、成長の技術的な問題は少ない。例えば量子箱などを狙ってＷM を１００ｎｍ、ｄを５０ｎｍとした場合には、活性層３の厚さも薄くして、２０ｎｍ以下が好ましいと考えられる。第２の閉じ込め層４の厚さは、任意の厚みで形成することが出来るが、充分厚く成長した方が、表面の平坦化の観点からは好ましい。以上説明した、三角形凹部１０上に形成された、半導体構造においては、ＳｉＯ2 などが内在しないために、半導体通しの良好な界面を有し、発光特性の優れたＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ埋め込み構造を実現できる。
【００２３】次に、第１の実施例の半導体埋め込み構造の製造方法について、図２を用いて説明する。
【００２４】まず図２（ａ）に示すように、（１１１）Ｂ面を主面に有するＧａＡｓ基板１を用意する。このＧａＡｓ基板１の面方位は、必ずしも（１１１）Ｂ面ＪＵＳＴである必要はない。（１１１）Ｂ面からわずかに（０．５〜５゜）オフ角をつけた方が、成長表面形態が良好となることが知られている。
【００２５】次に、図２（ｂ）に示すように、このＧａＡｓ基板１上に、通常のホトリソグラフィ技術、あるいは電子ビーム露光技術を用いて、三角形の開口部２２を有するエッチングマスク２１を形成する。エッチングマスク２１の材料としては、ホトレジストや、電子ビーム露光用レジスト等のレジスト材料の他に、ＳｉＯ2 ，ＳｉＮなどの材料を用いることが出来る。ここで、ＳｉＯ2 やＳｉＮの材料は、熱ＣＶＤ技術やプラズマＣＶＤ技術で成膜するために、ＧａＡｓ基板１との密着性がレジスト材料よりも良好である。このため、サイドエツチングが小さく、大きな側面角θ1が得られやすい。一方、小さなθ1 を必要とする場合には、レジスト材料がマスクとして適している。この場合には、（１１１）Ａの側面ではなく、もっと高次のＡ面の（１２２）Ａ面や（１３３）Ａ面などが出現する。このように、三角形凹部や三角形突起の側面の結晶面については、（１１１）Ａ面の他に（１２２）Ａ面、（１３３）Ａ面などの高次の面も利用できる。高次の面を利用した場合には、表１に示す係数Ｃの値が大きくなるために、大きなＷM で小さなＷB を容易に得られる利点がある。しかしながら、ＭＢＥ成長上の特性から、この高次の面での成長速度は（１１１）Ａ面よりもやや早くなるという問題もある。
【００２６】また、マスクパターンの形成時には、溝及び突起の側面が（１１１）Ａ面の順メサ形状が出現するように注意する必要がある。この事情を、図３で説明する。いま（１１１）Ｂ面として（−１−１−１）面３１と表した場合を考える。この場合に、（−１−１−１）Ｂ面３１に垂直な劈開面は、（１−１０）、（０１−１）、（１０−１）の３つがある。これらの劈開面の１つである（１−１０）面３２に垂直なメサストライプをブロムメタノール等をエッチング液として用いたウェット化学エッチング法を用いて形成すると、図３（ａ）に示すような非対称な断面形状が得られる。この場合の側面で、順メサ形状が得られた側面は、（−１−１１）Ａ面３３である。この面を側面となるような向きに、三角形のエッチングマスクを形成する。結晶指数でいうと、図３（ｂ）〜（ｃ）に示す結晶指数の方向にマスクを形成すれば良い。三角形突起を形成する場合には、図３（ｂ）に示すように、結晶の方向指数が［１−１０］→［０１−１］→［１−０１］の時計回りで規定される３辺を有する正三角形のマスクが必要となる。一方、三角形凹部を形成する場合には、図３（ｃ）に示すように、方向指数が［１−１０］→［−１０１］→［０１−１］の反時計回りで３辺が規定される正三角形の開口部を有するマスクが必要である。
【００２７】次に図２（ｃ）に示すように、エッチングマスク２１をＧａＡｓ基板１上に形成し、ブロムメタノールや燐酸系のエッチング液を用いてエッチングすることによって、順メサの（１１１）Ａ側面６，７を側面に有する三角形凹部１０を形成できる。この場合に、他のエッチング方法、例えばドライエッチング方なども、所望の結晶面（（１１１）Ａ面〜（１５５）Ａ面）がでれば利用できる。
【００２８】次に、図２（ｄ）に示すように、エッチングマスク２１を除去する。
【００２９】次に、図２（ｅ）に示すように、ＭＢＥ法によって結晶成長する。結晶成長では、通常の固体ソース材料を用いたＭＢＥ装置で成長できる。ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ材料の場合には、ソース材料として、金属Ａｌ、金属Ｇａ、金属ＡｓをＰＢＮ（パイロティックボロンナイトライド）ルツボに装填して、ヒータ加熱によってソース材料を超高真空中で蒸発させて結晶成長を行っている。このような固体ソースの他に、Ａｓ材料として、アルシン（ＡＳＨ3 ）等のハイドライドガスや、ＧａやＡｌの材料として、トリメチルガリウム（Ｇａ（ＣＨ3 ）3 ）や、トリメチルアルミニウム（Ａｌ（ＣＨ3 ）3 ）の有機金属などを用いることが出来る。このように、ＭＢＥ法においてガスなどをソースとして用いる場合には、一般に、ガスソースＭＢＥ法やケミカルビームエピタクシー法（ＣＢＥ法）などと呼ばれる。
【００３０】ＭＢＥ成長装置にＧａＡｓ基板１を導入した後、通常の脱ガス工程を行いＧａＡｓの自然酸化膜を除去する。この後、ＧａＡｓの再蒸発が顕著になる温度（本発明者のＭＢＥ装置では７２５゜Ｃ）以上で、第１閉じ込め層２（ＡｌＧａＡｓ）、活性層３（ＧａＡｓ）、第２閉じ込め層４（ＡｌＧａＡｓ）からなるダブルへテロ構造を成長する。この場合に、ＡｌＧａＡｓは、ＧａＡｓ基板１の凹凸をそのまま保存するように成長するのに比べて、ＧａＡｓは（１１１）Ａ側面６，７で成長速度が極端に遅く、７２５゜Ｃ以上では零となる。このため、活性層３が、（１１１）Ａ側面６，７で途切れて成長して、埋め込み活性層９が形成される。埋め込み活性層９は、回りを全てＧａＡｓよりも禁制帯幅の大きなＡｌＧａＡｓで囲まれているため、良好な埋め込み構造が実現する。また、埋め込み活性層９の近傍にはＳｉＯ2 などがなく、全て半導体通しの界面となっているため、極めて非発光再結合の少ない埋め込み構造が得られる。また、閉じ込め層材料となるＡｌＧａＡｓについては、Ａｌ組成が高い方が凹凸を保存する傾向が強くなるため好ましい。特に、量子箱を狙って１００ｎｍ以下の微細な凹凸上に成長する場合には、ＡｌＡｓなどを用いるのが適している。ＭＢＥ成長後、成長装置から取り出すと、製作工程は完了する。」
「【００３４】図５（ａ），（ｂ）は、本発明の第３の実施例の半導体埋め込み構造の平面図及び断面構造を示している。なお、図５（ｂ）は、図５（ａ）のＣ−Ｃ′断面である。
【００３５】本実施例は、三角形凹部上に、ＩｎＧａＡｓからなる活性層を形成する場合である。図中、５１ａは活性層（ＩｎxaＧａ1-xaＡｓ、０．０５＜ｘａ≦０．３５）、５１ｂは活性層（ＩｎxbＧａ1-xbＡｓ、ｘｂ〜０）、５２は埋め込み活性層（ＩｎxcＧａ1-xcＡｓ、ｘａ＜ｘｃ）である。構造的には、活性層を除いて、第１の実施例の場合とほとんど同じである。この場合には、活性層の材料として、ＩｎＧａＡｓ材料を用いている。そのために、活性層は三角溝１０の側面６，７で連続して成長している。ＭＢＥ成長について説明すると、Ｉｎの再蒸発が顕著となる５７５゜Ｃ以上で成長するとＩｎ原子は、（１１１）Ａ側面６，７に全く付着しないために、（１１１）Ａ側面６，７上では、ほとんどＧａＡｓからなる活性層５１ｂが形成される。一方、（１１１）Ｂ底部５においては、（１１１）Ａ側面６，７からのＩｎ原子の流入があるために、平坦部の活性層５１ａよりもＩｎ組成の高い埋め込み活性層５２が得られる。従って、ＩｎxcＧａ1-xcＡｓからなる埋め込み活性層５２が、横方向でＧａＡｓからなる活性層５１ｂに埋め込まれることとなる。」
　
　また、図５（ａ）及び図５（ｂ）には、３つの側面６，７を有する三角形凹部が示されている。さらに、図５（ａ）及び図５（ｂ）からは、（１１１）Ｂ底部５を上面から見たときに、埋め込み活性層５２とほぼ同じ大きさを有することも見て取れる。
　
　ここで、００３４段落及び００３５段落に記載された、「本発明の第３の実施例」においては、「構造的には、活性層を除いて、第１の実施例の場合とほとんど同じである」から、三角形凹部側面の面方位が（１１１）Ａである（００３５段落）とともに、ＧａＡｓ基板（００１４段落ないし００１６段落、及び００２４段落）及び三角形凹部底面（００１９段落）の面方位がともに（１１１）Ｂであることは明らかである。また、埋め込み活性層５２についても、第１の実施例の場合と同様に、三角形凹部底面に「量子箱のような小さな幅ＷBの、埋め込み活性層」「を形成する場合」、「Ｃ・ｄの分だけ幅が小さくなるため有利である」（００２２段落）ことは明らかである。
　
　したがって、刊行物１には以下の発明（以下、「刊行物発明」という。）が記載されている。
「（１１１）Ｂの面方位を有するＧａＡｓ基板１と、前記ＧａＡｓ基板１に形成された、順メサの（１１１）Ａ面の３つの側面６，７及び（１１１）Ｂ面の底面５を有する三角形凹部１０と、前記三角形凹部１０内の前記底面５に形成されたＩｎxcＧａ1-xcＡｓ（ｘａ＜ｘｃ：０．０５＜ｘａ≦０．３５）からなる埋め込み活性層５２、及びこれと連続して前記三角形凹部１０内の前記側面６，７に形成されたＩｎxbＧａ1-xbＡｓ（ｘｂ〜０）からなる活性層５１ｂとを有する半導体埋め込み構造。」
　
2-3-2-2．対比・判断
　上記2-1．に示した補正後の請求項５に係る発明（以下、「補正発明」という。）と、上記2-3-2-1．に示した刊行物発明とを対比する。
（ア）ＧａＡｓが閃亜鉛型結晶構造を有する化合物半導体であることは、明らかであるから、刊行物発明の「（１１１）Ｂの面方位を有するＧａＡｓ基板１」は、補正発明における「一定の面方位の表面を有する基板」であって「（１１１）Ｂ表面を有する閃亜鉛型結晶構造を有する化合物半導体基板」に相当する。
（イ）刊行物発明が有する、順メサの（１１１）Ａ面の３つの側面６，７は、（１１１）Ａ面を側面とする３回対称の側面であるから、刊行物発明の「前記ＧａＡｓ基板１に形成された、順メサの（１１１）Ａ面の３つの側面６，７及び（１１１）Ｂ面の底面５を有する三角形凹部１０」は、補正発明の「前記基板の表面に形成され、倒立した角錐形状を有し深さと共に頂部に向かって収束する側面を有する凹み」であって、「３つの（１１１）Ａ面を側面とする３回対称の三角錐側面である」ものとは、基板の表面に形成された凹みであって、３つの（１１１）Ａ面を側面とする３回対称の側面を有するものである点で共通する。
（ウ）刊行物発明が有する、「前記三角形凹部１０内の前記底面５に形成されたＩｎxcＧａ1-xcＡｓ（ｘａ＜ｘｃ：０．０５＜ｘａ≦０．３５）からなる埋め込み活性層５２、及びこれと連続して前記三角形凹部１０内の前記側面６，７に形成されたＩｎxbＧａ1-xbＡｓ（ｘｂ〜０）からなる活性層５１ｂ」は、ＩｎxcＧａ1-xcＡｓ及びＩｎxbＧａ1-xbＡｓが混晶半導体であるから、補正発明の「前記凹み内に形成され、前記頂部上に形成された混晶半導体と頂部を囲む前記側面上に形成された混晶半導体とでキャリアのバンド構造が異なる連続した第１の混晶半導体層」とは、凹み内の側面を含む全面に連続して形成された混晶半導体層である点で共通する。
（エ）刊行物発明に係る「半導体埋め込み構造」と、補正発明に係る「量子効果半導体装置」とは、ともに半導体からなる構造である点で共通する。
　したがって、補正発明と刊行物発明とは、
「一定の面方位の表面を有する基板と、
　前記基板の表面に形成された凹みと、
　前記凹み内の側面を含む全面に連続して形成された混晶半導体層とを有し、
　前記基板が（１１１）Ｂ表面を有する閃亜鉛型結晶構造を有する化合物半導体基板であり、前記凹みが３つの（１１１）Ａ面を側面とする３回対称の側面を有する、半導体からなる構造。」
である点で一致する。
　
　一方、両者は、以下の各点で相違する。
・相違点１
　補正発明においては、「倒立した角錐形状を有し深さと共に頂部に向かって収束する側面を有する凹み」であって、「３つの（１１１）Ａ面を側面とする３回対称の三角錐側面」が形成されているのに対して、刊行物発明においては、三角形凹部１０には、３つの（１１１）Ａ面を側面とする３回対称の側面６，７の他に（１１１）Ｂ面の底面５を有するため、「倒立した角錐形状を有し深さと共に頂部に向かって収束」してはおらず、前記３つの（１１１）Ａ面を側面とする３回対称の側面６，７が「三角錐側面」とはなっていない点。
・相違点２
　補正発明においては、「前記凹み内に形成され、前記頂部上に形成された混晶半導体と頂部を囲む前記側面上に形成された混晶半導体とでキャリアのバンド構造が異なる連続した第１の混晶半導体層とを有し」ているのに対して、刊行物発明においては、「前記三角形凹部１０内の前記底面５に形成された」混晶半導体である「ＩｎxcＧａ1-xcＡｓ（ｘａ＜ｘｃ：０．０５＜ｘａ≦０．３５）からなる埋め込み活性層５２、及びこれと連続して前記三角形凹部１０内の前記側面６，７に形成された」混晶半導体である「ＩｎxbＧａ1-xbＡｓ（ｘｂ〜０）からなる活性層５１ｂとを有する」点。
・相違点３
　補正発明は「量子効果半導体装置」であるのに対して、刊行物発明は「半導体埋め込み構造」である点。
　
　以下、上記各相違点について検討する。
・相違点１について
　刊行物発明においては、ＩｎxcＧａ1-xcＡｓ（ｘａ＜ｘｃ：０．０５＜ｘａ≦０．３５）からなる埋め込み活性層５２が、横方向でＩｎxbＧａ1-xbＡｓ（ｘｂ〜０）からなる活性層５１ｂに埋め込まれた構造を有している（００３５段落）。刊行物発明は、この構造を用いて、「半導体埋め込み構造、特に高効率の半導体レーザなどの活性層の材料となる量子ドット、量子箱構造」（０００１段落）を構成しようとするものであり、その際、前記埋め込み活性層５２が「量子ドット、量子箱」に当たることは明らかである。そして、刊行物発明における「三角形凹部１０」は、埋め込み活性層の１辺の長さＷBに関して、「量子箱のような小さな幅ＷBの、埋め込み活性層」「を形成する場合」、「Ｃ・ｄの分だけ幅が小さくなるため有利である」（００２２段落）と記載されているから、刊行物１に記載された式（１）及び式（２）（００２０段落）、並びに表１（００２１段落）を参照して、形成しようとする量子箱の幅ＷBに応じて、三角形凹部１０の上辺の長さＷM及び前記「Ｃ・ｄ」の値を設定すればよいことも明らかである。
　ところで、刊行物１においては、前記ＷBの値を３９ｎｍとしたものが記載されてはいるが（００２２段落）、量子箱の大きさを１０ｎｍ程度とすることは、いずれも本願の出願前に日本国内で頒布された、以下の周知文献１及び２にも示されているような周知技術である。
　
　周知文献１：特開平７−１４７３９２号公報には、図１及び図１０ないし図１２と共に以下の記載がある。
「【００４６】図１に示すように、この第１実施例による量子素子においては、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に、障壁層としてのｉ型ＡｌＡｓ層２が設けられている。このｉ型ＡｌＡｓ層２中には、量子井戸部としての、例えば直方体の形状を有するｉ型ＡｌxＧａ1-x Ａｓ層３が所定の配置でｘ−ｙ面内に二次元的に複数個埋め込まれている。そして、障壁層としてのｉ型ＡｌＡｓ層２により量子井戸部としてのｉ型Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ層３の周囲が取り囲まれた構造によりＡｌＡｓ／Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓヘテロ接合による量子ドットＱＤが形成され、この量子ドットＱＤがｘ−ｙ面内に二次元的に複数個配列されて二次元の量子ドット・アレイが形成されている。ここで、量子ドットＱＤの大きさや隣接する量子ドットＱＤ間の間隔は、例えばそれぞれ１０ｎｍ程度に選ばれる。・・・」
「【００６３】図１２に示すように、この第２実施例による量子素子においては、ｎ型ＧａＡｓ基板２１上に、障壁層としてのｉ型Ａｌy Ｇａ1-y Ａｓ層２２が設けられている。このｉ型Ａｌy Ｇａ1-y Ａｓ層２２中には、量子井戸部としての、例えば四面体の形状を有するｉ型ＧａＡｓ層２３が所定の配置でｘ−ｙ面内に二次元的に複数個埋め込まれている。そして、障壁層としてのｉ型Ａｌy Ｇａ1-y Ａｓ層２２により量子井戸部としてのｉ型ＧａＡｓ層２３の周囲が取り囲まれた構造によりＡｌy Ｇａ1-y Ａｓ／ＧａＡｓヘテロ接合による量子ドットＱＤが形成され、この量子ドットＱＤがｘ−ｙ面内に二次元的に複数個配列されて二次元の量子ドット・アレイが形成されている。ここで、量子ドットＱＤの大きさは例えば１０ｎｍ程度に選ばれ、隣接する量子ドットＱＤ間の間隔はその最大値と最小値との平均値で例えば１０ｎｍ程度に選ばれる。・・・」
　周知文献２：特開平３−１５９２８７号公報には、第１図及び第２図と共に以下の記載がある。
「このような成長過程を経て１０ナノメータサイズのＧａＡｓ正四面体構造がＡｌＧａＡｓ層の中に埋め込まれ、３次元量子井戸構造ができる。」（第３頁左上欄第４−６行）
　
　また、刊行物発明において、埋め込み活性層５２の１辺の長さＷBを１０ｎｍ程度とすることに格別な困難は見出せないから、刊行物発明において、１０ｎｍ程度の大きさの量子箱構造を得るべく、前記三角形凹部１０の上辺の長さＷM及び前記「Ｃ・ｄ」の値を設定して、埋め込み活性層５２の１辺の長さＷB、すなわち、これとほぼ等しい長さである、前記三角形凹部１０内の（１１１）Ｂ面を有する前記底面５の１辺の長さを１０ｎｍ程度とすることは当業者が容易になし得ることである。
　ここで、本願明細書の発明の詳細な説明の欄を見ると、【発明の実施の形態】として、「面方位が徐々に変化する三角錐の頂部は、ほぼ２０ｎｍ以下の寸法となる。この部分においては、面方位は（１１１）Ａ面ではなく、基板表面と同様の（１１１）Ｂ面が支配的となる。」（００２９段落）、及び、「ただし、凹み１４の頂部１６は、厳密に（１１１）Ａ面のみで形成されるわけではなく、面方位が徐々に変化したなだらかな曲線となる。頂部１６においては、基板面方位である（１１１）Ｂ面が支配的な面となる。」（００５０段落）なる記載があることから、補正発明における「倒立した角錐形状を有し深さと共に頂部に向かって収束する側面を有する凹み」の「頂部」には、ほぼ２０ｎｍ以下の大きさの（１１１）Ｂ面が支配的な面を有するものも含まれると解される。
　そうすると、前述の、刊行物発明について、前記三角形凹部１０内の（１１１）Ｂ面を有する前記底面５の１辺の長さを１０ｎｍ程度としたものにおいては、前記底面５が本願発明の「頂部」に相当するから、前記三角形凹部１０は、全体として、補正発明の「倒立した角錐形状を有し深さと共に頂部に向かって収束する側面を有する凹み」であるということができる。また、このとき、「倒立した角錐形状を有」する前記三角形凹部１０が有する３つの側面６，７は、いずれも（１１１）Ａ面を側面とする３回対称の側面であるから、これらは補正発明の「３つの（１１１）Ａ面を側面とする３回対称の三角錐側面」と変わるところがない。
　したがって、相違点１は、刊行物発明および従来周知の技術に基づいて当業者が容易になし得る範囲内の事項である。
　
・相違点２について
　上記「・相違点１について」において示したとおり、刊行物発明において、前記三角形凹部１０内の（１１１）Ｂ面を有する前記底面５の１辺の長さを１０ｎｍ程度としたものにおいても、補正発明の「倒立した角錐形状を有し深さと共に頂部に向かって収束する側面を有する凹み」を備えているということができるから、凹み内の頂部上と該頂部を囲む前記側面上に連続した混晶半導体層を形成する点は、刊行物発明および従来周知の技術に基づいて当業者が容易になし得る範囲内の事項である。
　また、上記「・相違点１について」において記載したとおり、刊行物発明においては、前記三角形凹部１０内の前記底面５に形成された、混晶半導体であるＩｎxcＧａ1-xcＡｓ（ｘａ＜ｘｃ：０．０５＜ｘａ≦０．３５）からなる埋め込み活性層５２、及びこれと連続して前記側面６，７に形成された、埋め込み活性層５２よりもＩｎの組成比が小さい混晶半導体であるＩｎxbＧａ1-xbＡｓ（ｘｂ〜０）からなる活性層５１ｂにより、埋め込み活性層５２を量子箱として形成しようとするものであるから、Ｉｎの組成比の差を利用して量子箱内にキャリアを閉じ込めるものであること、すなわち、キャリアのバンド構造が異なることは明らかであり、この点においては実質的に相違しない。
　
・相違点３について
　上記「・相違点１について」において記載したとおり、刊行物発明においては、前記三角形凹部１０内の前記底面５に形成された、混晶半導体であるＩｎxcＧａ1-xcＡｓ（ｘａ＜ｘｃ：０．０５＜ｘａ≦０．３５）からなる埋め込み活性層５２、及びこれと連続して前記側面６，７に形成された、埋め込み活性層５２よりもＩｎの組成比が小さい混晶半導体であるＩｎxbＧａ1-xbＡｓ（ｘｂ〜０）からなる活性層５１ｂにより、埋め込み活性層５２を量子箱として構成しようとするものであるから、埋め込み活性層５２を含む「半導体埋め込み構造」が「量子効果」を有することは明らかである。また、刊行物１には、「【産業上の利用分野】本発明は、半導体埋め込み構造、特に高効率の半導体レーザなどの活性層の材料となる量子ドット、量子箱構造とその製造方法に関する。」（０００１段落）と記載されているから、刊行物発明の「量子効果」を有する「半導体埋め込み構造」を用いて、「半導体レーザなど」の「量子効果半導体装置」を構成することは当業者が適宜になし得ることである。
　
2-3-2-3．小括
　よって、補正発明は、刊行物１及び従来周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
3．むすび
　したがって、本件補正による補正後の請求項５に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合せず、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明
　平成１８年５月１８日付け手続補正は上記の通り却下されたので、本願の請求項１ないし１８に係る発明は、平成１７年１１月２１日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし１８に記載された事項により特定されるとおりのものであり、その請求項６に係る発明は、その請求項６に記載されている事項により特定される以下のとおりのものである。
「【請求項６】
　一定の面方位の表面を有する基板と、
　前記基板の表面に形成され、倒立した角錐形状を有し深さと共に頂部に向かって収束する側面を有する凹みと、
　前記凹み内に形成され、前記頂部上に形成された混晶半導体と頂部を囲む前記側面上に形成された混晶半導体とでキャリアのバンド構造が異なる連続した第１の混晶半導体層とを有する量子効果半導体装置。」
　
第４　刊行物に記載された発明
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物１、及びその記載事項は、上記の「第２　2-3-2-1.」に記載したとおりである。
　 
第５　対比・判断
　本願の請求項６に係る発明（以下、「本願発明」という。）と、刊行物発明とを比較する。
（カ）刊行物発明の「（１１１）Ｂの面方位を有するＧａＡｓ基板１」は、本願発明における「一定の面方位の表面を有する基板」に相当する。
（キ）刊行物発明の「前記ＧａＡｓ基板１に形成された、順メサの（１１１）Ａ面の３つの側面６，７及び（１１１）Ｂ面の底面５を有する三角形凹部１０」は、本願発明の「前記基板の表面に形成され、倒立した角錐形状を有し深さと共に頂部に向かって収束する側面を有する凹み」とは、基板の表面に形成された凹みである点で共通する。
（ク）刊行物発明が有する、「前記三角形凹部１０内の前記底面５に形成されたＩｎxcＧａ1-xcＡｓ（ｘａ＜ｘｃ：０．０５＜ｘａ≦０．３５）からなる埋め込み活性層５２、及びこれと連続して前記三角形凹部１０内の前記側面６，７に形成されたＩｎxbＧａ1-xbＡｓ（ｘｂ〜０）からなる活性層５１ｂ」は、ＩｎxcＧａ1-xcＡｓ及びＩｎxbＧａ1-xbＡｓが混晶半導体であるから、本願発明の「前記凹み内に形成され、前記頂部上に形成された混晶半導体と頂部を囲む前記側面上に形成された混晶半導体とでキャリアのバンド構造が異なる連続した第１の混晶半導体層」とは、凹み内の側面を含む全面に連続して形成された混晶半導体層である点で共通する。
（ケ）刊行物発明に係る「半導体埋め込み構造」と、本願発明に係る「量子効果半導体装置」とは、ともに半導体からなる構造である点で共通する。
　したがって、補正発明と刊行物発明とは、
「一定の面方位の表面を有する基板と、
　前記基板の表面に形成された凹みと、
　前記凹み内の側面を含む全面に連続して形成された混晶半導体層とを有する、半導体からなる構造。」
である点で一致する。
　
　一方、両者は、以下の各点で相違する。
・相違点１
　本願発明においては、「倒立した角錐形状を有し深さと共に頂部に向かって収束する側面を有する凹み」が形成されているのに対して、刊行物発明においては、三角形凹部１０には、順メサの（１１１）Ａ面の側面６，７の他に（１１１）Ｂ面の底面５を有するため、「倒立した角錐形状を有し深さと共に頂部に向かって収束」してはいない点。
・相違点２
　本願発明においては、「前記凹み内に形成され、前記頂部上に形成された混晶半導体と頂部を囲む前記側面上に形成された混晶半導体とでキャリアのバンド構造が異なる連続した第１の混晶半導体層とを有し」ているのに対して、刊行物発明においては、「前記三角形凹部１０内の前記底面５に形成された」混晶半導体である「ＩｎxcＧａ1-xcＡｓ（ｘａ＜ｘｃ：０．０５＜ｘａ≦０．３５）からなる埋め込み活性層５２、及びこれと連続して前記三角形凹部１０内の前記側面６，７に形成された」混晶半導体である「ＩｎxbＧａ1-xbＡｓ（ｘｂ〜０）からなる活性層５１ｂとを有する」点。
・相違点３
　本願発明は「量子効果半導体装置」であるのに対して、刊行物発明は「半導体埋め込み構造」である点。
　
　以下、上記各相違点について検討する。
・相違点１について
　刊行物発明においては、ＩｎxcＧａ1-xcＡｓ（ｘａ＜ｘｃ：０．０５＜ｘａ≦０．３５）からなる埋め込み活性層５２が、横方向でＩｎxbＧａ1-xbＡｓ（ｘｂ〜０）からなる活性層５１ｂに埋め込まれた構造を有している（００３５段落）。刊行物発明は、この構造を用いて、「半導体埋め込み構造、特に高効率の半導体レーザなどの活性層の材料となる量子ドット、量子箱構造」（０００１段落）を構成しようとするものであり、その際、前記埋め込み活性層５２が「量子ドット、量子箱」に当たることは明らかである。そして、刊行物発明における「三角形凹部１０」は、埋め込み活性層の１辺の長さＷBに関して、「量子箱のような小さな幅ＷBの、埋め込み活性層」「を形成する場合」、「Ｃ・ｄの分だけ幅が小さくなるため有利である」（００２２段落）と記載されているから、刊行物１に記載された式（１）及び式（２）（００２０段落）、並びに表１（００２１段落）を参照して、形成しようとする量子箱の幅ＷBに応じて、三角形凹部１０の上辺の長さＷM及び前記「Ｃ・ｄ」の値を設定すればよいことも明らかである。
　ところで、刊行物１においては、前記ＷBの値を３９ｎｍとしたものが記載されてはいるが（００２２段落）、量子箱の大きさを１０ｎｍ程度とすることは、上記「2-3-2-2．対比・判断　・相違点１について」において示したように周知技術である。
　また、刊行物発明において、埋め込み活性層５２の１辺の長さＷBを１０ｎｍ程度とすることに格別な困難は見出せないから、刊行物発明において、１０ｎｍ程度の大きさの量子箱構造を得るべく、前記三角形凹部１０の上辺の長さＷM及び前記「Ｃ・ｄ」の値を設定して、埋め込み活性層５２の１辺の長さＷB、すなわち、これとほぼ等しい長さである、前記三角形凹部１０内の（１１１）Ｂ面を有する前記底面５の１辺の長さを１０ｎｍ程度とすることは当業者が容易になし得ることである。
　ここで、本願明細書の発明の詳細な説明の欄を見ると、【発明の実施の形態】として、「面方位が徐々に変化する三角錐の頂部は、ほぼ２０ｎｍ以下の寸法となる。この部分においては、面方位は（１１１）Ａ面ではなく、基板表面と同様の（１１１）Ｂ面が支配的となる。」（００２９段落）、及び、「ただし、凹み１４の頂部１６は、厳密に（１１１）Ａ面のみで形成されるわけではなく、面方位が徐々に変化したなだらかな曲線となる。頂部１６においては、基板面方位である（１１１）Ｂ面が支配的な面となる。」（００５０段落）なる記載があることから、本願発明における「倒立した角錐形状を有し深さと共に頂部に向かって収束する側面を有する凹み」の「頂部」には、ほぼ２０ｎｍ以下の大きさの（１１１）Ｂ面が支配的な面を有するものも含まれると解される。
　そうすると、前述の、刊行物発明について、前記三角形凹部１０内の（１１１）Ｂ面を有する前記底面５の１辺の長さを１０ｎｍ程度としたものにおいては、前記底面５が本願発明の「頂部」に相当するから、前記三角形凹部１０は、全体として、本願発明の「倒立した角錐形状を有し深さと共に頂部に向かって収束する側面を有する凹み」であるということができる。
　したがって、相違点１は、刊行物発明および従来周知の技術に基づいて当業者が容易になし得る範囲内の事項である。
　
・相違点２について
　上記「第５　対比・判断　・相違点１について」において示したとおり、刊行物発明において、前記三角形凹部１０内の（１１１）Ｂ面を有する前記底面５の１辺の長さを１０ｎｍ程度としたものにおいても、本願発明の「倒立した角錐形状を有し深さと共に頂部に向かって収束する側面を有する凹み」を備えているということができるから、凹み内の頂部上と該頂部を囲む前記側面上に連続した混晶半導体層を形成する点は、刊行物発明および従来周知の技術に基づいて当業者が容易になし得る範囲内の事項である。
　また、上記「第５　対比・判断　・相違点１について」において記載したとおり、刊行物発明においては、前記三角形凹部１０内の前記底面５に形成された、混晶半導体であるＩｎxcＧａ1-xcＡｓ（ｘａ＜ｘｃ：０．０５＜ｘａ≦０．３５）からなる埋め込み活性層５２、及びこれと連続して前記側面６，７に形成された、埋め込み活性層５２よりもＩｎの組成比が小さい混晶半導体であるＩｎxbＧａ1-xbＡｓ（ｘｂ〜０）からなる活性層５１ｂにより、埋め込み活性層５２を量子箱として形成しようとするものであるから、Ｉｎの組成比の差を利用して量子箱内にキャリアを閉じ込めるものであること、すなわち、キャリアのバンド構造が異なることは明らかであり、この点においては実質的に相違しない。
　
・相違点３について
　上記「第５　対比・判断　・相違点１について」において記載したとおり、刊行物発明においては、前記三角形凹部１０内の前記底面５に形成された、混晶半導体であるＩｎxcＧａ1-xcＡｓ（ｘａ＜ｘｃ：０．０５＜ｘａ≦０．３５）からなる埋め込み活性層５２、及びこれと連続して前記側面６，７に形成された、埋め込み活性層５２よりもＩｎの組成比が小さい混晶半導体であるＩｎxbＧａ1-xbＡｓ（ｘｂ〜０）からなる活性層５１ｂにより、埋め込み活性層５２を量子箱として構成しようとするものであるから、埋め込み活性層５２を含む「半導体埋め込み構造」が「量子効果」を有することは明らかである。また、刊行物１には、「【産業上の利用分野】本発明は、半導体埋め込み構造、特に高効率の半導体レーザなどの活性層の材料となる量子ドット、量子箱構造とその製造方法に関する。」（０００１段落）と記載されているから、刊行物発明の「量子効果」を有する「半導体埋め込み構造」を用いて、「半導体レーザなど」の「量子効果半導体装置」を構成することは当業者が適宜になし得ることである。
　
　よって、本願発明は、刊行物１及び従来周知の技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　 
第６　むすび
　以上のとおりであるから、本願は、請求項１ないし５、及び請求項７ないし１８に係る発明について検討するまでもなく、特許法第２９条第２項の規定により拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。