【事件の表示】
　特願２００１−　９５２９５「多層回路基板」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年１０月１１日出願公開、特開２００２−２９９８２５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
［１］手続の経緯
　本願は、平成１３年３月２９日の出願であって、平成１８年１０月２日付けで拒絶理由通知がなされ、同年１２月４日付けで意見書および手続補正書が提出され、平成１８年１０月２日付け拒絶理由通知書に記載した理由によって、平成１９年４月２日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成１９年５月２日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、平成１９年６月１日付けで手続補正書が提出されたものである。
　
［２］平成１９年６月１日付け手続補正について
＜結論＞
　上記手続補正を却下する。
　
＜理由＞
（２−１）補正の内容
　上記手続補正は、補正前の特許請求の範囲に記載された、
「【請求項１】下層回路基板の導体回路と上層回路基板の導体回路の間が、ビア形成用凹孔に銅めっき材のみを充填して成るビアホールで電気的に接続されている多層回路基板であって、前記凹孔の開口径が２００μｍ以下であり、かつ、次式：
　１００×ｈ／（ｔ１＋ｔ２）  （ただし、ｈは銅めっき材の最小充填厚み、ｔ１は下層回路基板の上の絶縁層の厚み、ｔ２は上層回路基板の導体回路の厚みを表す）で示される前記銅めっき材の前記凹孔内における充填率（％）が７０％以上であることを特徴とする多層回路基板。
　
【請求項２】前記ビアホールが直列に積層された構造になっている請求項１の多層回路基板。」を、
　
「【請求項１】表面に導体回路が形成されている下層回路基板の前記表面に、絶縁樹脂を塗布して前記導体回路が埋設された絶縁層を形成し、前記絶縁層の表面のうち、ビアホールを形成すべき箇所にレーザ照射して、前記導体回路の表面に至るまでの深さを有し、開口径が２００μｍ以下である凹孔を形成し、ついで、無電銅めっきを行なって、前記絶縁層の全面に導電性を付与したのち、硫酸銅１８０〜２４０ｇ／Ｌ、硫酸４５〜９０ｇ／Ｌ、塩素イオン４０〜８０ｇ／Ｌ、更に、キューブライトＶＦ―ＭＶ（商品名、荏原ユージライト社製）を含む銅めっき液を用い、浴温２０〜３０℃、電流密度１〜４Ａ／ｄｍ２の条件の電解銅めっきを行なって、前記凹孔に銅めっき材を充填するとともに前記絶縁層の表面に厚み２０〜４０μｍの銅めっき層を形成し、ついで前記銅めっき層にパターニングとエッチングを行なって導体回路を形成して上層回路基板にする際に、次式：
　１００×ｈ／（ｔ１＋ｔ２ ）　　（ただし、ｈは銅めっき材の最小充填厚み、ｔ１ は下層回路基板の上の絶縁層の厚み、ｔ２は上層回路基板の導体回路の厚みを表す）で示される前記銅めっき材の前記凹孔内における充填率（％）が７０％以上であることを特徴とする多層回路基板の製造方法。
　
【請求項２】前記ビアホールが直列に積層された構造になっている請求項１の多層回路基板の製造方法。」に補正するものである。
　
（２−２）補正の適否
　そして、上記補正について検討すると、補正前の請求項１、２に係る発明は「多層回路基板」の発明であるのに対し、補正後の請求項１、２に係る発明は「多層回路基板の製造方法」の発明であることから、該補正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものでないことは明らかであり、特許法第１７条の２第４項第２号の規定に該当しない。
　また、上記補正は、特許法第１７条の２第４項第１号の請求項の削除、同項第３号の誤記の訂正、同項第４号の明りょうでない記載の釈明を目的とするもののいずれにも該当しない。
　
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。    
　
［３］本願発明
　平成１９年６月１日付け手続補正は上記のとおり却下されたので、本願請求項１−２に係る発明は、平成１８年１２月４日付け手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１−２に記載された事項により特定されるものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は以下のとおりである。
　
「【請求項１】下層回路基板の導体回路と上層回路基板の導体回路の間が、ビア形成用凹孔に銅めっき材のみを充填して成るビアホールで電気的に接続されている多層回路基板であって、前記凹孔の開口径が２００μｍ以下であり、かつ、次式：
　１００×ｈ／（ｔ１＋ｔ２）  （ただし、ｈは銅めっき材の最小充填厚み、ｔ１は下層回路基板の上の絶縁層の厚み、ｔ２は上層回路基板の導体回路の厚みを表す）で示される前記銅めっき材の前記凹孔内における充填率（％）が７０％以上であることを特徴とする多層回路基板。」
　
［４］引用刊行物の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願日前の平成１２年７月１８日に頒布された、特開２０００−２００９７５号公報（以下、「引用刊行物」という。）には、以下の事項が記載されている。
　
（ａ）「図２は第２の実施の形態を示す。……この後の工程は、上記第１の実施の形態における図１の（ｃ）図以降の工程と同じである……図１（ｄ）のブラインドビア孔４０を形成した後、無電解銅めっきを施し、さらに電解めっき被膜４４を形成する同図（ｅ）の工程の際、以下のようなめっき条件下でめっきを行うことによって、図３に示すように、ブラインドビア孔４０をほぼ電解めっき被膜４４によって埋め尽くすようなめっきが可能であった。すなわち、電解銅めっきを行う際の電流密度を通常の電流密度（２〜３ＡＳＤ）よりも低くするのである。……上記のように電流密度を低くすることにより、ブラインドビア孔４０の開口径が５０μｍ、深さ４０μｍのとき、金属箔３６（厚さ５μｍ程度）の厚さとめっき被膜の厚さｔ１   （無電解めっき被膜と電解めっき被膜とを併せた厚さ）とを含めた厚さが２０μｍ程度となった時点でブラインドビア孔４０内をめっき被膜でほぼ埋めることができた。」（第５頁左欄第２２行−同頁右欄第１０行）
　
（ｂ）「図４は、ブラインドビア孔４０内をめっき被膜によって充填する方法により多層配線基板を製造する実施形態を示す。図４（ａ）、（ｂ）は配線パターン３０が形成された基材３２に接着用の樹脂層３４が片面側に形成された銅箔等の金属箔３６を重ね、加圧、加熱して樹脂層を硬化させ、基材３２と金属箔３６とを固着した工程である。次に、金属箔３６をエッチングして樹脂層３４の表面を露出させる（同図（ｃ））。……次に、レーザー加工により配線パターン３０が底面に露出するブラインドビア孔４０を形成する（同図（ｄ））。本実施の形態ではブラインドビア孔４０の径寸法等を適当に選択することにより、ブラインドビア孔４０がめっき被膜によって完全に充填され、めっきによって形成されるブラインドビア孔４０の導体と樹脂層３４の表面に形成される配線パターンの導体の表面が均一面になるようにすることを特徴とする。このようなめっきを施すには、電解めっきを施す際の電流密度等のめっき条件の他に、ブラインドビア孔４０の形状が問題となる。」（第５頁右欄第３２行−第６頁左欄第６行）
　
（ｃ）「ブラインドビア孔４０をめっき被膜で充填するに好適なブラインドビア孔４０の形状について実験したところ、ブラインドビア孔４０の開口径
をｒ、深さをｈとして、次の条件を満足するときにブラインドビア孔４０がめっき被膜によって好適に充填できることが確かめられた。
　ビア開口径　　ｒ：２０〜１００μｍ
　ビア深さ　　　ｈ：２０〜１００μｍ
　アスペクト比　ｈ／ｒ＝０．５〜１．５」（第６頁左欄第７−１５行）
　
（ｄ）「本発明に係る多層配線基板の製造方法によれば、…また、ブラインドビア孔を小径に形成できて同時にブラインドビア孔を電解めっき被膜によって完全に充填できることからビアの上にビアを配置することが可能となり、ビアを高密度に配置することができて、…」（第７頁左欄第１７行−同頁右欄第４行）
　
［５］引用刊行物記載の発明
　上記記載事項［４］（ｄ）によれば、引用刊行物記載のものは、多層配線基板において、下層の回路基板のビアの上に上層の回路基板のビアを配置可能とすることにより、ビアの面内分布密度を高くするものである。
　そして、そのために、上記記載事項［４］（ａ）によれば、ビア孔内を含む下層基板表面に無電解銅めっきを形成し、さらに電解めっきを施す際、低めの電流密度を採用することにより、ビア孔内のほぼ完全なめっき充填を行い、上記記載事項［４］（ｃ）、（ｄ）によれば、ビア開口径を２０〜１００μｍとする等のビア形状を特定することにより、ビア孔内の完全な充填およびビア孔のめっき導体表面と配線パターン導体表面との面一化を図るものである。
　したがって、これらをまとめると、引用刊行物には、「下層回路基板の導体配線パターンと上層回路基板の導体配線パターンの間が、ビア孔に銅めっきを充填してなるビアによって電気的に接続されている多層回路基板であって、前記ビア孔の開口径が２０〜１００μｍであり、かつビア孔のめっき導体表面と配線パターン導体表面が可及的に面一なことを特徴とする多層回路基板。」（以下、「引用発明」という。）が記載されており、それにより、下層の回路基板のビアの上に上層の回路基板のビアを配置可能とし、ビアの面内分布密度を高くするものである。
　
［６］対比・判断
　本願発明と引用発明を対比すると、引用発明における「導体配線パターン」、「ビア孔」、「ビア」は、それぞれ、本願発明における「導体回路」、「ビア形成用凹孔」、「ビアホール」に相当する。したがって、両者は、
　下層回路基板の導体回路と上層回路基板の導体回路の間が、ビア形成用凹孔に銅めっき材のみを充填して成るビアホールで電気的に接続されている多層回路基板であって、前記凹孔の開口径が２００μｍ以下であることを特徴とする多層回路基板である点で一致し、
　本願発明では、次式：１００×ｈ／（ｔ１＋ｔ２）  （ただし、ｈは銅めっき材の最小充填厚み、ｔ１は下層回路基板の上の絶縁層の厚み、ｔ２は上層回路基板の導体回路の厚みを表す）で示される前記銅めっき材の前記凹孔内における充填率（％）が７０％以上であるのに対し、引用発明では、ビア孔上のめっき導体表面と配線パターン導体表面が可及的に面一である点で相違する。
　そこで、上記相違点について検討すると、引用発明における「ビア孔のめっき導体表面と配線パターン導体表面が可及的に面一」な状態とは、引用刊行物の図３、４を勘案すると、銅めっき材の最小充填厚みと、下層回路基板上の絶縁層の厚みと上層回路基板の導体回路の厚みの合計の比、すなわち数式で表現すると、
　１００×ｈ／（ｔ１＋ｔ２）  （ただし、ｈは銅めっき材の最小充填厚み、ｔ１は下層回路基板の上の絶縁層の厚み、ｔ２は上層回路基板の導体回路の厚みを表す）の値が可及的に１００に近い状態を意味することは明らかであり、
　下層の回路基板のビアの上に上層の回路基板のビアを配置可能にするという目的のもとに、上記値の下限をどの程度に設定するかは、設計的事項にすぎない。
　そして、本願発明が引用刊行物の記載事項から予想しえない効果を奏するものとも認められない。
　
［７］むすび
　よって、本願請求項１に係る発明は、引用刊行物に記載された発明に基き、当業者が容易に発明することができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願請求項２に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。