(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に貴金属から成る配線導体が形成された電気回路基板上に、前記配線導体との間にチタン・クロム・ニオブ・タングステン・モリブデンおよびタンタルの少なくとも一種から成る金属層を介在させて、水酸基あるいはアルキル基を有する有機系光学材料から成る層を下部クラッド層とした光導波路を形成し、前記金属層の表面の水酸基と前記下部クラッド層の水酸基あるいはアルキル基とを脱水重合あるいは脱アルコール重合によって結合したことを特徴とする光電気回路基板。
【請求項２】
上面に貴金属から成る配線導体が形成された電気回路基板上に、前記配線導体との間にチタン・クロム・ニオブ・タングステン・モリブデンおよびタンタルの少なくとも一種から成る金属層と該金属層上に形成した酸化珪素または珪素から成る中間層とを介在させて、水酸基あるいはアルキル基を有する有機系光学材料から成る層を下部クラッド層とした光導波路を形成し、前記中間層の表面の水酸基と前記下部クラッド層の水酸基あるいはアルキル基とを脱水重合あるいは脱アルコール重合によって結合したことを特徴とする光電気回路基板。
【請求項３】
前記有機系光学材料がシロキサン系ポリマであることを特徴とする請求項１または請求項２記載の光電気回路基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光通信モジュール等に用いられる光電気回路基板に関し、より詳細には、電気回路基板上に光導波路が形成された光電気回路基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、光通信モジュール等には、例えばシリコン基板に配線導体を用いた電気回路と光導波路を用いた光回路とを形成した光電気回路基板に各種の光デバイスを搭載したものが使われている。また、シリコン基板よりも電気的な高周波特性や機械的強度に優れ、さらに多層化による高い電気配線密度が実現できるセラミック回路基板に光導波路を形成した光電気回路基板が提案されている。
【０００３】
一方、光導波路としては、例えば石英ガラス基板やシリコン基板上に火炎堆積法により成膜したシリカ膜を利用して３次元形状のクラッド部およびコア部を形成したシリカ系光導波路や、ニオブ酸リチウム単結晶基板をクラッド部とし、この基板上にチタンを熱拡散して３次元導波路形状にコア部を形成した光導波路等がある。
【０００４】
しかしながら、これらのシリカ系光導波路等を形成するには約１０００℃以上の高温の熱処理が必要であるため、電気回路基板上にこれら光導波路による光回路を形成する際に下地となる電気回路基板に損傷を与えることとなってしまう。
【０００５】
これに対し、作製時に高温処理が必要なこれら従来のシリカ系光導波路等に代えて、低温形成が可能な有機系光学材料による光導波路が検討されている。この光導波路に利用される有機系光学材料としては、ＰＭＭＡ（ポリメチルメタアクリレート）・ポリカーボネート・ポリイミド・ポリシロキサン・ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）・フッ素樹脂等が検討されている。
【０００６】
これら有機系光学材料から成る光導波路の作製方法としては、シリコン基板やガラス基板上に下部クラッド層を形成し、次に、この下部クラッド層よりも高い屈折率を持つコア層を形成して、薄膜微細加工技術を用いてコア層をＲＩＥ（リアクティブイオンエッチング）等により加工してコア部を形成した後、コア部よりも低い屈折率を有する上部クラッド層を被覆して３次元形状の光導波路を形成する方法が行なわれている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、有機系光学材料による光導波路をセラミック回路基板等の電気回路基板上に形成しようとする場合、光導波路用の有機系光学材料と電気回路基板の電気配線である金属等から成る配線導体との密着強度が低いため、光導波路の作製工程やその後のデバイス実装等の後工程において、光導波路用の有機系光学材料から成る下部クラッド層が電気回路基板の配線導体から剥がれたり、下部クラッド層にクラックが発生するという問題点があった。
【０００８】
このような問題を解決する手段として、本発明者は特願２０００−４３１２８号において、上面に配線導体が形成された電気回路基板上に、配線導体との間に酸化珪素または珪素から成る中間層を介在させて、水酸基あるいはアルキル基を有する有機系光学材料から成る層を下部クラッド層とした有機系の光導波路を形成した光電気回路基板を提案した。これによれば、中間層表面の終端の水酸基と下部クラッド層の水酸基およびアルキル基とが脱水重合や脱アルコール重合によって結合することから、両者の密着強度を向上できるというものである。
【０００９】
この特願２０００−４３１２８号に提案した光電気回路基板における光導波路は、基板に対する密着強度の向上は見られたが、特に配線導体の表面が金や白金等の貴金属であり、配線導体の線幅が１００μｍを超えるような大きな面積を持つような場合では、光導波路形成後のビアホール形成工程等の光導波路層に過度の負荷がかかるような工程を通した際に、剥がれが生じることがあるというさらに改善すべき点があった。
【００１０】
本発明は上記従来技術の問題点に鑑みて案出されたものであり、その目的は、電気回路基板の配線導体上に十分な密着強度で有機系光導波路を形成した光電気回路基板を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の光電気回路基板は、上面に貴金属から成る配線導体が形成された電気回路基板上に、前記配線導体との間にチタン・クロム・ニオブ・タングステン・モリブデンおよびタンタルの少なくとも一種から成る金属層を介在させて、水酸基あるいはアルキル基を有する有機系光学材料から成る層を下部クラッド層とした光導波路を形成し、前記金属層の表面の水酸基と前記下部クラッド層の水酸基あるいはアルキル基とを脱水重合あるいは脱アルコール重合によって結合したことを特徴とするものである。
【００１２】
また、本発明の光電気回路基板は、上面に貴金属から成る配線導体が形成された電気回路基板上に、前記配線導体との間にチタン・クロム・ニオブ・タングステン・モリブデンおよびタンタルの少なくとも一種から成る金属層とこの金属層上に形成した酸化珪素または珪素から成る中間層とを介在させて、水酸基あるいはアルキル基を有する有機系光学材料から成る層を下部クラッド層とした光導波路を形成し、前記中間層の表面の水酸基と前記下部クラッド層の水酸基あるいはアルキル基とを脱水重合あるいは脱アルコール重合によって結合したことを特徴とするものである。
【００１３】
また、本発明の光電気回路基板は、上記各構成において、前記有機系光学材料がシロキサン系ポリマであることを特徴とするものである。
【００１４】
本発明の光電気回路基板によれば、電気回路基板の金や白金等の貴金属から成る配線導体上に、間にチタン・クロム・ニオブ・タングステン・モリブデンおよびタンタルの少なくとも一種から成る金属層を介在させて、水酸基あるいはアルキル基を有する有機系光学材料から成る層を下部クラッド層とした光導波路を形成し、金属層の表面の水酸基と下部クラッド層の水酸基あるいはアルキル基とを脱水重合あるいは脱アルコール重合によって結合したことにより、配線導体の金や白金等の貴金属とチタン・クロム・ニオブ・タングステン・モリブデンおよびタンタルの少なくとも一種から成る金属層とは金属結合により強固に接合するとともに、下部クラッド層は金属層の表面終端の水酸基と光導波路の下部クラッド層の水酸基やアルキル基とが脱水重合や脱アルコール重合によって強固に結合することから、貴金属から成る配線導体上にも十分な密着強度で有機系光導波路を形成した光電気回路基板を得ることができる。
【００１５】
また、電気回路基板の貴金属から成る配線導体上に、間にチタン・クロム・ニオブ・タングステン・モリブデンおよびタンタルの少なくとも一種から成る金属層とこの金属層上に形成した酸化珪素または珪素から成る中間層とを介在させて、水酸基あるいはアルキル基を有する有機系光学材料から成る層を下部クラッド層とした光導波路を形成し、中間層の表面の水酸基と下部クラッド層の水酸基あるいはアルキル基とを脱水重合あるいは脱アルコール重合によって結合した場合には、配線導体の貴金属とチタン・クロム・ニオブ・タングステン・モリブデンおよびタンタルの少なくとも一種から成る金属層とが金属結合により強固に接合するとともに、金属層上に形成される酸化珪素または珪素から成る中間層が、例えばスパッタリング法や電子ビーム蒸着法・イオンビーム蒸着法・レーザアブレーション成膜法・ＣＶＤ法等の周知の方法により形成されることにより、活性の高い状態で金属層表面に中間層が形成されることによる化学的な結合が行なわれることと、配線導体表面への成膜材料粒子の打ち込みによる物理的なアンカー効果が得られることから、配線導体表面へのより大きな密着強度が得られるとともに、中間層の表面終端の水酸基と光導波路の下部クラッド層の水酸基やアルキル基とが脱水重合や脱アルコール重合によって強固に結合することから、貴金属から成る配線導体上にもより大きな密着強度で有機系光導波路を形成した光電気回路基板を得ることができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の光電気回路基板について図面を参照しつつ説明する。
【００１７】
図１は本発明の光電気回路基板の実施の形態の一例を示す断面図である。図１において、１は基板、２は基板１の上面に形成された配線導体であり、これらにより電気回路基板が構成されている。３は金属層、４は光導波路の有機系光学材料から成る下部クラッド層、５は光導波路のコア部、６は光導波路の上部クラッド層である。
【００１８】
基板１は電気回路および光回路を形成して光電気回路基板を構成するための基板であり、光集積回路基板や光電子混在基板等の光信号を扱う基板として使用される種々の基板、例えばシリコン基板やアルミナ基板・ガラスセラミック基板・多層セラミック電気回路基板・薄膜多層電気回路が形成されたセラミック電気回路基板・プラスチック電気配線基板等が使用できる。
【００１９】
配線導体２は、基板１の表面や内部において所定の電気回路を形成して電気回路基板を構成するものであり、少なくとも最表面が金（Ａｕ）や白金（Ｐｔ）等の貴金属から成るものである。この配線導体２は、例えばスパッタリング法・電子ビーム蒸着法・イオンビーム蒸着法・レーザアブレーション成膜法・ＣＶＤ法等の金属薄膜形成技術や、フォトリソグラフィ等の薄膜加工技術を用いて所望の配線パターンに加工すればよい。また、スクリーン印刷等による周知のセラミック基板へのメタライジング技術等を利用して所望の配線パターンに形成してもよい。
【００２０】
金属層３は、基板１の上面の少なくとも配線導体２の表面に形成された、チタン・クロム・ニオブ・タングステン・モリブデンおよびタンタルの少なくとも一種から成る層である。この金属層３の形成方法としては、スパッタリング法・電子ビーム蒸着法・イオンビーム蒸着法・レーザアブレーション成膜法・ＣＶＤ法等を利用することができる。中でも、スパッタリング法やイオンビーム蒸着法は、配線導体２表面への成膜材料粒子の打ち込み効果が大きいので、アンカー効果によって金属層３と配線導体２との密着強度が大きくなることから好適である。
【００２１】
本発明において金属層３としてチタン・クロム・ニオブ・タングステン・モリブデンおよびタンタルの少なくとも一種から成る金属もしくは合金を用いるのは、配線導体２と金属層３との、および金属層３とその上に形成する下部クラッド層４との密着強度を十分に大きくすることができるためである。その理由は、金属層３と配線導体２とは金属結合により強固に接合できるとともに、金属層３の表面は水酸基で終端することができることと、有機系光学材料から成る下部クラッド層４に水酸基やアルキル基が含まれることから、金属層３の表面の水酸基と下部クラッド層４の水酸基やアルキル基とが脱水重合や脱アルコール重合によって強固に結合し、両層の間で大きな密着強度が得られるためである。
【００２２】
金属層３の厚さとしては、金属層３による十分な被覆性を得るためには１０ｎｍ以上の厚さとすることが好ましい。一方、金属層３をスパッタリング法・電子ビーム蒸着法・イオンビーム蒸着法・レーザアブレーション成膜法・ＣＶＤ法等で成膜した場合は、膜応力が１００ＭＰａ以上であることが普通であり、層の厚さが厚い場合には、膜応力によって基板１を大きく反らせたり、基板１表面から層が剥がれたり、クラックが生じたりする問題がある。これに対し、金属層３の厚さが５００ｎｍ以下であれば、有機系光学材料から成る下部クラッド層４と同程度の膜応力に抑えることができるので、そのような問題が生じることはない。
【００２３】
また、図示しないが、金属層３の上に酸化珪素または珪素から成る中間層を形成することによって密着強度をより大きくすることができる。この中間層を形成する方法としては、スパッタリング法・電子ビーム蒸着法・イオンビーム蒸着法・レーザアブレーション成膜法・ＣＶＤ法等を用いればよい。この場合、活性の高い状態で金属層３表面に層が形成されることによる化学的な結合と、配線導体２表面への成膜材料粒子の打ち込みによる物理的なアンカー効果が得られることからより大きな密着強度が得られるとともに、中間層の表面は水酸基で終端することができることと、有機系光学材料から成る下部クラッド層４に水酸基やアルキル基が含まれることから、中間層の表面の水酸基と下部クラッド層４の水酸基やアルキル基とが脱水重合や脱アルコール重合によって強固に結合し、両層の間で大きな密着強度が得られるためである。
【００２４】
配線導体２表面を含む基板１上面に、少なくとも配線導体２との間に金属層３を介在させて形成される光導波路は、下部クラッド層４および上部クラッド層６から成るクラッド部４・６中にコア部５が形成された三次元導波路形状の光導波路である。その形成材料としては、例えばポリイミド・フッ化ポリイミド・シロキサン系ポリマ・ＰＭＭＡ・オレフィン系樹脂等から成り、末端基として水酸基およびアルキル基を有している有機系の光学材料から成る光導波路を用いる。
【００２５】
光導波路の作製方法としては、まず下部クラッド層４を形成する。これにはポリイミド・フッ化ポリイミド・シロキサン系ポリマ・ＰＭＭＡ・オレフィン系樹脂等の有機系光学材料の有機溶媒溶液を、金属層３が形成された基板１にスピンコート法等により所定厚みに塗布し、熱処理することにより形成する。
【００２６】
コア部５は、ポリイミド・フッ化ポリイミド・シロキサン系ポリマ・ＰＭＭＡ・オレフィン系樹脂等の有機系光学材料の有機溶媒溶液を下部クラッド層４が形成された基板１に例えばスピンコート法等により所定厚みに塗布し、熱処理することにより層形成した後、フォトリソグラフィやＲＩＥ等の周知の薄膜微細加工技術を用いて、下部クラッド層４上に所定の形状で形成すればよい。ここで、コア部５は下部クラッド層４よりも高い屈折率を有する材料とする。
【００２７】
上部クラッド層６は、コア部５を形成した後に、ポリイミド・フッ化ポリイミド・シロキサン系ポリマ・ＰＭＭＡ・オレフィン系樹脂等の有機系光学材料の有機溶媒溶液を下部クラッド層４およびコア部５が形成された基板１に例えばスピンコート法等により所定厚みに塗布し、熱処理することにより形成する。
【００２８】
ここで、コア部５の高さや幅・屈折率、下部クラッド層４の厚さ・屈折率、上部クラッド層６の厚さ・屈折率は、周知の光導波路理論を用いて所望の仕様で設計すればよい。
【００２９】
以上のようにして、埋め込み型の三次元導波路形状の光導波路を作製する。
【００３０】
本発明の光電気回路基板において、下部クラッド層４を形成する有機系光学材料としてシロキサン系ポリマを用いた場合には、例えばシロキサン系ポリマの有機溶媒をスピンコート法等により基板１に塗布した後、１００℃から３００℃程度の低温熱処理によって下部クラッド層４を形成することができ、また、屈折率を制御するために金属アルコキシドを混合して金属を含有したシロキサン系ポリマを容易に作製することができ、それにより所望の屈折率に精度良く制御できるので、光導波路の作製が容易となる。さらに、層形成の際の収縮が小さいので、基板１表面に形成した層の表面の平坦化性・平滑化性に優れており、基板１として表面粗さが大きな基板１や配線導体２による大きな起伏がある電気回路基板を用いた場合でもその上にも精度良く光導波路を作製することができる。
【００３１】
また、シロキサン系ポリマはシロキサン結合を有しているため優れた熱的安定性を有する光導波路を形成することができる。さらに、水酸基やアルキル基を末端基とすることが容易であり、金属層３上に下部クラッド層４となる膜を形成した場合に、金属層３の表面の水酸基との脱水重合や脱アルコール重合によって金属層３との大きな密着強度が得られる。
【００３２】
このような光導波路のクラッド部４・６およびコア部５に用いるシロキサン系ポリマとしては、基本的にポリマの骨格にシロキサン結合が含まれている樹脂であればよく、例えばポリフェニルシルセスキオキサン・ポリジフェニルシルセスキオキサン・ポリメチルフェニルシルセスキオキサン等を用いることができる。
【００３３】
【実施例】
次に、本発明の光電気回路基板について具体例を説明する。
【００３４】
＜実施例１＞
まず、シリコンから成る基板１上にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ（厚さ：１０００ｎｍ／５００ｎｍ／５０００ｎｍ）の３層構造を有する最表面がＡｕから成る電源用配線となる広面積の配線導体２を基板１全面に形成した。その後、基板１上全面に電子ビーム蒸着法を用いて厚さ５ｎｍのチタンから成る金属層３を形成した。次に、過酸化水素水溶液で親水化処理を施した後、クラッド部４・６がシロキサン系ポリマ、コア部５がチタン含有シロキサン系ポリマから成るステップインデックス型光導波路を形成した。このときコア部５およびクラッド部４・６の屈折率をそれぞれ１．４４４および１．４４０として、コア部５の幅を８μｍ、高さを８μｍとし、コア部５の上部の上部クラッド層６の厚さを４μｍとした。また、基板１とコア部５との間の下部クラッド層４の厚さは１２μｍとした。
【００３５】
このとき、作製中に光導波路層の剥がれやクラックの発生は見られなかった。また、光導波路形成後のダイシングによるチップ切り分けにおいても光導波路層の剥がれの発生は見られなかった。さらに、光導波路の導波路特性にも何ら問題は見られなかった。
【００３６】
＜実施例２＞
まず、シリコンから成る基板１上にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ（厚さ：１０００ｎｍ／５００ｎｍ／５０００ｎｍ）の３層構造を有する最表面がＡｕから成る電源用配線となる広面積の配線導体２を基板１全面に形成した。その後、基板１上の全面に電子ビーム蒸着法を用いて厚さ５ｎｍのチタンから成る金属層３を形成した。次に、基板１上の全面に、スパッタリング法を用いて厚さ１０ｎｍの酸化珪素層から成る中間層を形成した。次に、クラッド部４・６がシロキサン系ポリマから、コア部５がチタン含有シロキサン系ポリマから成るステップインデックス型光導波路を形成した。このときコア部５およびクラッド部の屈折率をそれぞれ１．４４４および１．４４０として、コア部５の幅を８μｍ、高さを８μｍとし、コア部５の上部に位置する上部クラッド層６の厚さを４μｍとした。また、基板１とコア部５との間の下部クラッド層４の厚さは１２μｍとした。
【００３７】
このとき、作製中に光導波路層の剥がれやクラックの発生は見られなかった。また、光導波路形成後のダイシングによるチップ切り分けにおいても光導波路層の剥がれの発生は見られなかった。さらに、光導波路の導波路特性にも何ら問題は見られなかった。
【００３８】
＜実施例３＞
まず、シリコンから成る基板１上にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ（厚さ：１０００ｎｍ／５００ｎｍ／５０００ｎｍ）の３層構造を有する最表面がＡｕから成り、所定の回路配線にパターン加工された配線導体２を形成した。その後、配線導体２を露出したフォトレジストパターンを形成し、基板１上全面に電子ビーム蒸着法を用いて厚さ５ｎｍのチタンから成る金属層を形成し、リフトオフ法によってフォトレジストを除去して、配線導体２表面上にチタンから成る金属層３を形成した。次に、過酸化水素水溶液で親水化処理を施した後、クラッド部４・６がシロキサン系ポリマ、コア部５がチタン含有シロキサン系ポリマから成るステップインデックス型光導波路を形成した。このときコア部５およびクラッド部４・６の屈折率をそれぞれ１．４４４および１．４４０として、コア部５の幅を８μｍ、高さを８μｍとし、コア部５の上部に位置する上部クラッド層６の厚さを４μｍとした。また、基板１とコア部５との間の下部クラッド層４の厚さは１２μｍとした。
【００３９】
このとき、作製中に光導波路層の剥がれやクラックの発生は見られなかった。また、光導波路形成後のダイシングによるチップ切り分けにおいても光導波路層の剥がれの発生は見られなかった。さらに、光導波路の導波路特性にも何ら問題は見られなかった。
【００４０】
＜実施例４＞
まず、シリコンから成る基板１上にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ（厚さ：１０００ｎｍ／５００ｎｍ／５０００ｎｍ）の３層構造を有する最表面がＡｕから成り、所定の回路配線にパターン加工された配線導体２を形成した。その後、配線導体２を露出したフォトレジストパターンを形成し、基板１上全面に電子ビーム蒸着法を用いて厚さ５ｎｍのチタンから成る金属層を形成し、リフトオフ法によってフォトレジストを除去して、配線導体２表面上にチタンから成る金属層３を形成した。次に、基板１上の全面に、スパッタリング法を用いて厚さ１０ｎｍの酸化珪素層から成る中間層を形成した。次に、クラッド部４・６がシロキサン系ポリマ、コア部５がチタン含有シロキサン系ポリマから成るステップインデックス型光導波路を形成した。このときコア部５およびクラッド部４・６の屈折率をそれぞれ１．４４４および１．４４０として、コア部５の幅を８μｍ、高さを８μｍとし、コア部５の上部に位置する上部クラッド層６の厚さを４μｍとした。また、基板１とコア部５との間の下部クラッド層４の厚さは１２μｍとした。
【００４１】
このとき、作製中に光導波路層の剥がれやクラックの発生は見られなかった。また、光導波路形成後のダイシングによるチップ切り分けにおいても光導波路層の剥がれの発生は見られなかった。さらに、光導波路の導波路特性にも何ら問題は見られなかった。
【００４２】
＜実施例５＞
本発明との比較のため、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ（厚さ：１０００ｎｍ／５００ｎｍ／５０００ｎｍ）の３層構造を有する最表面がＡｕから成る配線導体２を全面に形成したシリコン基板上に、実施例１と同様に、クラッド部４・６がシロキサン系ポリマから、コア部５がチタン含有シロキサン系ポリマから成るステップインデックス型光導波路の形成を試みた。金属層３を形成しない本実施例の場合では、コア部５の形成工程で光導波路層が基板１から全面的に剥がれた。
【００４３】
＜実施例６＞
さらに、本発明との比較のため、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕの３層構造を有する最表面がＡｕから成る配線導体２を形成したシリコン基板上に、クラッド部４・６がシロキサン系ポリマ、コア部５がチタン含有シロキサン系ポリマから成るステップインデックス型光導波路を形成した。このとき、実施例１と同様に、コア部５およびクラッド部４・６の屈折率をそれぞれ１．４４４および１．４４０として、コア部５の幅を８μｍ、高さを８μｍとし、コア部５の上部に位置する上部クラッド層６の厚さを４μｍとした。また、基板１とコア部５との間の下部クラッド層４の厚さは１２μｍとした。
【００４４】
中間層を形成しない本実施例の場合では、配線導体２がない部分では光導波路層がシリコン基板１表面と十分な強度で密着しているので、実施例５の場合のように全面が剥がれるということはなかったが、配線導体２の部分において光導波路層の剥がれやクラックが見られた。
【００４５】
以上のように、本発明によれば、電気回路基板の配線導体上にも十分な密着強度で有機系光導波路を形成した光電気回路基板を提供できることが確認できた。
【００４６】
なお、本発明は以上の実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更・改良を加えることは何ら差し支えない。例えば、配線導体２のＡｕの表面上に金属層３を形成する場合、Ａｕと金属層３との拡散を抑制するために、Ｐｔ等の拡散抑制層をＡｕと金属層３との間に介在させてもよい。
【００４７】
【発明の効果】
以上のように、本発明の光電気回路基板によれば、電気回路基板の貴金属から成る配線導体上に、配線導体との間にチタン・クロム・ニオブ・タングステン・モリブデンおよびタンタルの少なくとも一種から成る金属層を介在させて、水酸基あるいはアルキル基を有する有機系光学材料から成る層を下部クラッド層とした光導波路を形成し、金属層の表面の水酸基と下部クラッド層の水酸基あるいはアルキル基とを脱水重合あるいは脱アルコール重合によって結合したことにより、配線導体の貴金属とチタン・クロム・ニオブ・タングステン・モリブデンおよびタンタルの少なくとも一種から成る金属層とは金属結合により強固に接合するとともに、下部クラッド層は金属層の表面終端の水酸基と光導波路の下部クラッド層の水酸基やアルキル基とが脱水重合や脱アルコール重合によって強固に結合することから、貴金属から成る配線導体上にも十分な密着強度で有機系光導波路を形成した光電気回路基板を得ることができた。
【００４８】
また、本発明の光電気回路基板によれば、電気回路基板の貴金属から成る配線導体上に、配線導体との間にチタン・クロム・ニオブ・タングステン・モリブデンおよびタンタルの少なくとも一種から成る金属層とこの金属層上に形成した酸化珪素または珪素から成る中間層とを介在させて、水酸基あるいはアルキル基を有する有機系光学材料から成る層を下部クラッド層とした光導波路を形成し、中間層の表面の水酸基と下部クラッド層の水酸基あるいはアルキル基とを脱水重合あるいは脱アルコール重合によって結合したことから、配線導体の貴金属とチタン・クロム・ニオブ・タングステン・モリブデンおよびタンタルの少なくとも一種から成る金属層とが金属結合により強固に接合するとともに、金属層上に形成される酸化珪素または珪素から成る中間層が、例えばスパッタリング法や電子ビーム蒸着法・イオンビーム蒸着法・レーザアブレーション成膜法・ＣＶＤ法等の周知の方法により形成されることにより、活性の高い状態で金属層表面に中間層が形成されることによる化学的な結合が行なわれることと、配線導体表面への成膜材料粒子の打ち込みによる物理的なアンカー効果が得られることから、配線導体表面へのより大きな密着強度が得られるとともに、中間層の表面終端の水酸基と光導波路の下部クラッド層の水酸基やアルキル基とが脱水重合や脱アルコール重合によって強固に結合することから、貴金属から成る配線導体上にもより大きな密着強度で有機系光導波路を形成した光電気回路基板を得ることができた。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光電気回路基板の実施の形態の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
１・・・基板
２・・・配線導体
３・・・金属層
４・・・光導波路の下部クラッド層（クラッド部）
５・・・光導波路のコア部
６・・・光導波路の上部クラッド層（クラッド部）
【図１】
0003559528.tif 000002