(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック基板上に厚膜抵抗を印刷し、焼成する厚膜抵抗形成工程と、前記厚膜抵抗及び前記セラミック基板の表面に複数層の絶縁層を順次、印刷、焼成する絶縁層形成工程と、前記絶縁層上に配線パタンを印刷、焼成する配線形成工程と、前記厚膜抵抗をレーザートリミングするレーザートリミング工程とを備える厚膜多層基板の製造方法において、
前記絶縁層形成工程は、前記複数層の絶縁層のうちの一部の層として前記厚膜抵抗の表面に位置して窓を有する絶縁層を形成し、前記複数層の絶縁層のうちの二層以上の残部の層を前記一部の層の上に形成する工程であり、
前記レーザートリミング工程は、前記一部の層の焼成後でかつ前記二層以上の残部の層の焼成前に前記窓を通じて行う工程であり、
前記二層以上の残部の層は、前記窓を被覆することを特徴とする厚膜多層基板の製造方法。
【請求項２】
セラミック基板上に厚膜抵抗を印刷し、焼成する厚膜抵抗形成工程と、前記厚膜抵抗及び前記セラミック基板の表面に複数層の絶縁層を順次、印刷、焼成する絶縁層形成工程と、前記絶縁層上に配線パタンを印刷、焼成する配線形成工程と、前記厚膜抵抗をレーザートリミングするレーザートリミング工程とを備える厚膜多層基板の製造方法において、
前記絶縁層形成工程は、
前記複数層の絶縁層の一つとして第一の絶縁層を印刷、焼成した後、前記第一の絶縁層の上に前記複数層の絶縁層の一つとして窓を有する第二の絶縁層を印刷、焼成し、更にその後、前記第二の絶縁層の上に前記窓を被覆する第三の絶縁層を前記複数層の絶縁層の一つとして印刷、焼成する工程を含み、
前記レーザートリミング工程は、前記第二の絶縁層の印刷、焼成後で前記第三の絶縁層の印刷、焼成前に前記窓を通じて前記第一の絶縁層を透過して行う工程であることを特徴とする厚膜多層基板の製造方法。
【請求項３】
前記一部の層は、前記残部の層よりも高温で焼成される請求項１記載の厚膜多層基板の製造方法。
【請求項４】
前記一部の層は、前記厚膜抵抗上の最下層の絶縁層である請求項１記載の厚膜多層基板の製造方法。
【請求項５】
前記複数層の絶縁層の内の最下層は、前記厚膜抵抗の一部あるいは全部を露出する窓を有する請求項１記載の厚膜多層基板の製造方法。
【請求項６】
前記レーザートリミング直後の前記厚膜抵抗の抵抗値と、残りの絶縁層形成後の前記厚膜抵抗の抵抗値との比率を記憶し、前記比率に基づいて目標抵抗値を予め補正して抵抗値に基づいてレーザートリミングを実施する請求項１又は２記載の厚膜多層基板の製造方法。
【請求項７】
前記厚膜抵抗又は前記絶縁層に含まれるガラスを前記厚膜抵抗又は前記絶縁層の焼成により結晶化ガラスとする請求項１記載の厚膜多層基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は厚膜多層基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来技術】
従来、セラミック基板上に厚膜抵抗を印刷、焼成し、このセラミック基板上に複数層のガラス絶縁層を順次、印刷、焼成し、ガラス絶縁層上に配線パタンを印刷、焼成した厚膜多層基板において、厚膜抵抗のレーザートリミングは下記の時点で実施している。
【０００３】
まず第一の従来技術では全ガラス絶縁層の焼成前に実施する。第二の従来技術では全ガラス絶縁層の焼成後に全ガラス絶縁層を透過して実施する。第三に全ガラス絶縁層を開口して設けた窓を通して実施する。第四に上部のガラス絶縁層に設けた窓を通しかつ最下層のガラス絶縁層を透過して実施する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記したレーザートリミング方法は、それぞれ下記の問題点を有している。
まず上記第一の従来技術では、レーザートリミング後に全ガラス絶縁層及び配線の焼成を行うためにそれらの熱的影響により、厚膜抵抗の抵抗値が変動してしまう。図１２に同一基板上に設けた３個の厚膜抵抗の各工程毎の抵抗値変動の従来例を示す。図に見るように抵抗体のシート抵抗値あるいは抵抗体形状によって抵抗体の抵抗変動量は異なる。
【０００５】
上記第二の従来技術では、厚い全ガラス絶縁層を透過してレーザートリミングを行うために、各ガラス絶縁層及びその界面における吸収、散乱、反射が生じ、厚膜抵抗トリミングのためにレーザー出力を増大させる必要がある。しかし、このレーザー出力の増大は周辺部への熱的影響の増大により周辺の配線や回路素子に熱ストレスなどの悪影響を与える可能性が危惧される。
【０００６】
上記第三、第四の従来技術では、窓部に配線を布設できないので、多数のレーザートリミング厚膜抵抗を要する場合、配線パタンの設計が複雑となり、配線長が必要以上に長くなり、更に厚膜抵抗が露出するので耐外部環境性に不安が生じる。
本発明は上記問題点に鑑みなされたものであり、レーザートリミング後の厚膜抵抗の抵抗値変動の低減、レーザー出力増大の抑止、配線布設自由度の確保、厚膜抵抗の保護といった望ましい効果を実現可能な厚膜多層基板の製造方法を提供することを、その目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の厚膜多層基板の製造方法は、セラミック基板上に厚膜抵抗を印刷し、焼成する厚膜抵抗形成工程と、前記厚膜抵抗及び前記セラミック基板の表面に複数層の絶縁層を順次、印刷、焼成する絶縁層形成工程と、前記絶縁層上に配線パタンを印刷、焼成する配線形成工程と、前記厚膜抵抗をレーザートリミングするレーザートリミング工程とを備える厚膜多層基板の製造方法において、以下に記載する２つの厚膜多層基板の製造方法を含む。
請求項１の発明では特に、前記絶縁層形成工程は、前記複数層の絶縁層のうちの一部の層として前記厚膜抵抗の表面に位置して窓を有する絶縁層を形成し、前記複数層の絶縁層のうちの二層以上の残部の層を前記一部の層の上に形成する工程であり、前記レーザートリミング工程は、前記一部の層の焼成後でかつ前記二層以上の残部の層の焼成前に前記窓を通じて行う工程であり、前記二層以上の残部の層は、前記窓を被覆することを特徴とする。
請求項２の発明では特に、前記絶縁層形成工程は、前記複数層の絶縁層の一つとして第一の絶縁層を印刷、焼成した後、前記第一の絶縁層の上に前記複数層の絶縁層の一つとして窓を有する第二の絶縁層を印刷、焼成し、更にその後、前記第二の絶縁層の上に前記窓を被覆する第三の絶縁層を前記複数層の絶縁層の一つとして印刷、焼成する工程を含み、
前記レーザートリミング工程は、前記第二の絶縁層の印刷、焼成後で前記第三の絶縁層の印刷、焼成前に前記窓を通じて前記第一の絶縁層を透過して行う工程であることを特徴とする。
【０００８】
好適な態様において、前記一部の層は、前記残部の層よりも高温で焼成される。
好適な態様において、前記一部の層は、前記厚膜抵抗上の最下層の絶縁層である。
好適な態様において、前記複数層の絶縁層の内の最下層は、前記厚膜抵抗の一部あるいは全部を露出する窓を有する。
【０００９】
好適な態様において、前記レーザートリミング直後の前記厚膜抵抗の抵抗値と、残りの絶縁層形成後の前記厚膜抵抗の抵抗値との比率を記憶し、前記比率に基づいて目標抵抗値を予め補正して抵抗値に基づいてレーザートリミングを実施する。
【００１０】
【発明の効果】
本発明の厚膜多層基板の製造方法では、セラミック基板上の厚膜抵抗の上に一部の絶縁層を形成した後、窓を通じてまたは絶縁層を透過してレーザートリミングを実施し、その後、残部の絶縁層を形成するので、以下の効果を奏することができる。
【００１１】
（１）レーザートリミング後の厚膜抵抗の抵抗値変動を低減することができる。すなわち、厚膜抵抗焼成後におけるその抵抗値の変動は、その後の高温工程（絶縁層焼成、配線（回路パタン及びビヤーホール充填導体）焼成）における厚膜抵抗と絶縁層との相互拡散や熱ストレスなどによって生じる。
ところが本発明者らの実験によれば、これら高温工程の内、最初の（厚膜抵抗上の最下層の）絶縁層の焼成工程における抵抗値変動がその大部分を占めることがわかった（例えば図６参照）。したがって、厚膜抵抗上の最下層の絶縁層の焼成後に、レーザートリミングを行えば、その後の高温工程による抵抗値変動は小さいので、厚膜抵抗の抵抗値ばらつきを大幅に縮小することができる。
【００１２】
（２）本発明では全絶縁層を透過してレーザートリミングを行う必要がなく、レーザー出力増大を抑制できる。特に、厚膜抵抗上の最下層の絶縁層を透過してレーザートリミングを実施すれば、レーザー出力増大は殆ど要求されない。また、厚膜抵抗のレーザートリミング領域上において最下層のまたは最下層を含む一部の絶縁層に窓を設けてレーザートリミングすればレーザー出力の増大を回避することができる。
【００１３】
（３）本発明では厚膜抵抗上の少なくとも最上層を含む残部の絶縁層に窓を開口しないので、この上に配線パタンを布設することができ、また厚膜抵抗を外部環境（例えば湿度）から保護することができる。
【００１４】
【実施例】
（実施例１）
本発明の厚膜多層基板の一実施例を図１を参照して説明する。
図１は、アルミナ基板１上に３層のガラス絶縁層２〜４を有する厚膜多層基板を示す。
【００１５】
基板１上には配線５、厚膜抵抗６が印刷、焼成されていおり、その上にガラス絶縁層２〜４が形成され、ガラス絶縁層４上には配線７、保護ガラス７１が形成されている。また、ガラス絶縁層４上には回路部品８がはんだ付けされている。９はビアホールに充填された孔部充填導体である。
以下、この厚膜多層基板の製造方法を説明する。
（厚膜抵抗形成工程）
まず、図２に示すように、Ａｇ粉末にバインダとしてのエチルセルロースと溶剤としてのテルビネオールなどとを混練して導体ペーストを作成し、次に約１６００℃で焼成されたアルミナ基板１上にこの導体ペーストを印刷し、空気中、８００〜９５０℃で１０分間保持する焼成プロファイルにて焼成して配線５を形成する。
【００１６】
次に、１２００〜１５００℃で溶融後、水中急冷し、粉砕した所定の混合比率のＰｂＯ、Ａｌ２  Ｏ３  、ＳｉＯ２  、Ｂ２  Ｏ３  混合物などからなる平均粒径２〜５μｍのガラス粉末５０〜８０ｖｏｌ％にＲｕ０２  粉末所定ｖｏｌ％を混合した混合粉末を形成し、この混合粉末に溶剤（例えばテルピネオール）、バインダ（例えばエチルセルロース）を入れて混練して抵抗体ペーストを作成し、この抵抗体ペーストをアルミナ基板１の表面に印刷し、空気中、８００〜９５０℃で１０分間保持する焼成プロファイルにて焼成して厚膜抵抗６を形成する。
（ガラス絶縁層の最下層を厚膜抵抗上に形成する工程）
次に、図３に示すように、１２００〜１５００℃で溶融後、水中急冷し、粉砕した所定の混合比率のＣａＯ、Ａｌ２  Ｏ３  、ＳｉＯ２  、ＺｒＯ、ＰｂＯなどの混合物からなる平均粒径２〜５μｍのガラス粉末に、溶剤（例えばテルピネオール）、バインダ（例えばエチルセルロース）を所定量加え、混練してガラスペーストを作成する。このガラスペーストをアルミナ基板１上に印刷し、空気中、８００〜９５０℃で１０分間保持する焼成プロファイルにて焼成してガラス絶縁層２を形成する。
（レーザートリミング工程）
次に、図４に示すように、厚膜抵抗６の抵抗値をモニタしながら、厚膜抵抗６のレーザートリミング領域にガラス絶縁層２を透過してレーザー光を照射し、厚膜抵抗をトリミングする。
（残部のガラス絶縁層及び内部配線形成工程）
次に、図５に示すように、上記したガラス絶縁層２の製造工程と同じ工程でガラス絶縁層３を形成し、次に、上記導体ペーストをガラス絶縁層２、３の互いに連通するビアホールにスクリーン印刷して充填し、空気中、８００〜９５０℃で１０分間保持する焼成プロファイルにて焼成して孔部充填導体９の下部を形成する。
【００１７】
次に、上記したガラス絶縁層２の製造工程と同じ工程でガラス絶縁層４を形成し、次に、上記ビアホールに連通するガラス絶縁層４のビアホールに導体ペーストをスクリーン印刷して充填し、空気中、８００〜９５０℃で１０分間保持する焼成プロファイルにて焼成して孔部充填導体９の上部を形成する。
（表層回路形成工程）
次に、図５に示す様に導体ペーストをガラス絶縁層４表面に印刷し、８５０〜９５０℃で１０分間保持する焼成プロファイルにて焼成して配線７を形成し、その上に保護ガラスペーストを印刷し、空気中、５００〜６００℃をピーク温度とする焼成プロファイルにて焼成して保護ガラス層７１を形成した。
【００１８】
保護ガラスペーストは、１２００〜１５００℃で溶融後、水中急冷し、粉砕した所定の混合比率のＰｂＯ、ＳｉＯ２  、Ｂ２  Ｏ３  混合物からなる平均粒径２〜５μｍのガラス粉末に、溶剤（例えばテルピネオール）、バインダ（例えばエチルセルロース）を所定量加え、混練して作成した。
（回路部品装着工程）
次に、図１に示すように、ガラス絶縁層４の表面の導体ペースト表面に、回路部品８をはんだ付けして工程を完了した。
【００１９】
また、基板形成プロセスにて導体ペーストのＡｇ粉末の代わりにＡｇとＰｄあるいはＡｇとＰｔとの混合粉を用いてもよい。またＣｕを用いることもできるがこの場合には酸化防止のため、焼成をＮ２  雰囲気で行なう必要がある。
さらに、表層回路形式工程において、導体ペーストを用いて配線形成後、この配線間に抵抗体を形成する事もできる。
【００２０】
次に、厚膜抵抗６の抵抗値の変化を各製造工程終了毎にモニターした結果を図６に示す。図６からわかるように、厚膜抵抗６の抵抗値は、最下層のガラス絶縁層２の焼成時に大幅に変化するが、その後の焼成工程ではほとんど変化しない。したがって、抵抗値Ｒの変化δＲを大幅に低減することができる。
試料１０点を試作した結果、レーザートリミング後の抵抗値Ｒの最大値と最小値との差δＲはＲ３に対して約５％となった。これに対し、レーザートリミング後、ガラス絶縁層２〜４を形成する従来例では、レーザートリミング後の抵抗値変動は格段に大幅であり、使用に耐えない。
【００２１】
図１１に、レーザートリミング跡によるガラス絶縁層４の表面における残留段差について調べた結果を示す。
すなわち、図１１は深さ２０μｍ、直径１００μｍのレーザートリミング跡をガラス絶縁層２に形成した場合に、このレーザートリミング跡をガラス絶縁層３、４により補修される様子を示す説明図である。ガラス絶縁層３、４の厚さはそれぞれ２０μｍとする。試験サンプルは２０点、図１１にそのばらつきを実線で示す。図１１から、２層のガラス絶縁層３、４のオーバーコートによりレーザートリミング跡は殆ど修復されることがわかる。
【００２２】
なお上記実施例において、ガラス絶縁層３の表面に配線を形成することもできる。
また、ガラス絶縁層３、４を２回続けて印刷し、その後、ガラス絶縁層３、４を同時に焼成することもできる。
更に、ガラス絶縁層２、３を透過してレーザートリミングし、その後でガラス絶縁層４を厚膜抵抗６の全面に形成することもできる。
（実施例２）
他の実施例を図７で説明する。
【００２３】
この実施例は、ガラス絶縁層２の印刷時に、焼成後の、厚膜抵抗５上のガラス絶縁層２の厚さを約１５μｍ以下とするものである。このようにすれば、抵抗値変動が少なく、かつレーザー出力を低減することができる。
すなわち、厚膜抵抗６上のガラス絶縁層２の厚さが１０μｍを超過すると、ガラス絶縁層２が吸収するレーザエネルギ量が大きくなって必要レーザー出力が増大し、約１５μｍを超えると周辺への悪影響が生じる可能性が増大する。
（実施例３）
他の実施例を図８で説明する。
【００２４】
この実施例は、ガラス絶縁層２の印刷、焼成後に、その上に窓３１を有するガラス絶縁層３を印刷、焼成する。そして、窓３１を通じてガラス絶縁層２を透過してレーザートリミングを行う。その後、ガラス絶縁層４（図１参照）を印刷、焼成する。
このようにすれば、ガラス絶縁層３の形成をレーザートリミング前に行うので実施例１よりも抵抗値ばらつきが小さくなる。また、窓は中間のガラス絶縁層３にだけ設けられるので、窓３１によるガラス絶縁層４表面における残留段差が小さくなり、また、厚膜抵抗６の保護も良好となる。レーザー出力も実施例１と同じである。
（実施例４）
他の実施例を図９で説明する。
【００２５】
この実施例は、厚膜抵抗６の印刷、焼成後に、その上に窓２１を有するガラス絶縁層２を印刷、焼成する。そして、この窓２１を通じてガラス絶縁層直接、レーザートリミングを行う。その後、ガラス絶縁層３、４（図１参照）を印刷、焼成する。
このようにすれば、直接のレーザートリミングであるのでレーザー出力を低減でき、その後に、窓２１をガラス絶縁層３、４で被覆するので、窓２１によるガラス絶縁層４表面における残留段差が小さくなり、また、厚膜抵抗６の保護も良好となる。
（実施例５）
他の実施例を図１０で説明する。
【００２６】
この実施例は、実施例１において、ガラス絶縁層２の形成前に、ガラス絶縁層２０を印刷、焼成するものである。
ここで、ガラス絶縁層２は厚膜抵抗６のレーザートリミング領域上において窓３１を有し、また、ガラス絶縁層２０は厚膜抵抗６を収容する窓を有している。ここではガラス絶縁層２０の厚さを厚膜抵抗６の厚さとほぼ等しくしている。そして窓３１を通して厚膜抵抗６を直接レーザートリミングし、その後、ガラス絶縁層４（図１参照）を印刷、焼成する。
【００２７】
このようにすれば、レーザー出力の低減、窓３１の被覆、抵抗値のばらつき低減を行うことができる。
（実施例６）
他の実施例を図１で説明する。
この実施例は、実施例１において、ガラス絶縁層２を、９００℃で約１０分間保持するプロファイルにて焼成し、このガラス絶縁層２を透過して又は厚膜抵抗６のレーザートリミング領域に開口した窓を通じてこの厚膜抵抗６をレーザートリミングし、その後、厚膜抵抗６の全面にわたってガラス絶縁層３、４をそれぞれ８５０℃で約１０分間保持するプロファイルにて焼成したものである。
【００２８】
このようにすると、ガラス絶縁層２の焼成温度が実施例１よりも約５０℃高いために、厚膜抵抗６に対するその後の高温工程の影響が減少し、抵抗値の変動が減少する。
試料１０点を試作した結果、抵抗Ｒの最大値と最小値との差δＲはＲ３に対して２％となり、レーザートリミング後の抵抗値変動を低減できることがわかった。
（実施例７）
他の実施例を説明する。
【００２９】
この実施例は、実施例１において、厚膜抵抗６のレーザートリミング後の抵抗値Ｒ３と、製造工程完了後の上記厚膜抵抗６の抵抗Ｒ４との変化率Ｒｒ＝Ｒ４／Ｒ３について多数のサンプルの平均変化率Ｒｒｍを計算し、レーザートリミング時にこの平均変化率Ｒｒｍを利用して所望の抵抗値Ｒ４が得られる様にレーザートリミング時の抵抗値Ｒ３を決定する。
【００３０】
例えば厚膜抵抗６の目標抵抗値をＲｘとする。そこでレーザートリミングにより厚膜抵抗６のレーザートリミング設定抵抗値Ｒ３をＲ３＝Ｒｘ／Ｒｒｍとしてレーザートリミングを行う。このようにすれば、レーザートリミング後にガラス絶縁層焼成などを行い、厚膜抵抗６に熱履歴が加えられる場合でも、この熱履歴による厚膜抵抗６の抵抗値変動を最小限に抑制することが可能となる。
【００３１】
これは図６に示すように、レーザートリミング後のガラス絶縁層や配線の焼成工程が一定であり、それによる抵抗値変動も本質的に一定範囲内に収まるためである。
（実施例８）
実施例７の変形態様を以下に説明する。
【００３２】
この実施例では、レーザートリミングにおける抵抗値比較（モニタ抵抗と記憶する目標抵抗との比較）を行うコンピュータのメモリに、回路基板上の全部の厚膜抵抗６に対してそれぞれ、平均変化率Ｒｒｍを個別に記憶しておく。
これは、回路基板上の位置や、各厚膜抵抗６の抵抗値などにより微妙に平均変化率Ｒｒｍが異なるのを補償するためである。
【００３３】
このようにすれば、回路基板上の位置や、各厚膜抵抗６の抵抗値などにより微妙に平均変化率Ｒｒｍが異なる場合でも、熱履歴による各厚膜抵抗６の抵抗値変動を最小化することができる。
（実施例９）
実施例８の変形態様を以下に説明する。
【００３４】
回路基板は複数枚（例えば４枚）を１ロットとして同じハンドリング用のボート（たとえばアルミナ製）に載置して、各工程を実施する。この実施例では、レーザートリミングにおける抵抗値比較（モニタ抵抗と記憶する目標抵抗との比較）を行うコンピュータのメモリに、上記ボート上の各回路基板上のレーザートリミングが必要な各厚膜抵抗６の全数に対して、それぞれ平均変化率Ｒｒｍを個別に記憶しておく。そしてレーザートリミングが必要な全厚膜抵抗６に対して各抵抗値Ｒ３を目標抵抗Ｒｘ／Ｒｒｍとして個別にレーザートリミングする。
【００３５】
これは、上記セラミックボート上の回路基板の載置位置により、回路基板毎に微妙に温度などが変化し、そのために回路基板上の同一位置に形成される厚膜抵抗６でも上記微妙な温度変化により抵抗値が変動するためである。
この実施例によれば、更に一層の抵抗値変動抑制が可能となる。
（変形態様）
以下、他の変形態様を説明する。
【００３６】
変形態様１
実施例７において、厚膜抵抗６の膜厚と熱履歴後の平均変化率Ｒｒｍとは一定の関係をもつので、この関係を示すグラフを記憶しておけば、厚膜抵抗６の膜厚を変える度にこのグラフから平均変化率Ｒｒｍをサーチすることができ、厚膜抵抗６の膜厚を変える度に一々、平均変化率Ｒｒｍを実験的に導出しなくてもよい。
【００３７】
変形態様２
この態様では、厚膜抵抗６形成後でかつガラス絶縁層２形成前に、厚膜抵抗６とガラス絶縁層４との間の固相拡散を防止又は低減するバリア層を少なくとも厚膜抵抗６上に形成する。                                            このバリア層はレーザートリミング前に形成してもよく、その後に形成してもよい。このバリア層の条件としては、厚膜抵抗６との固相拡散が少なく、厚膜抵抗６とガラス絶縁層４との間の固相拡散を低減し、厚膜抵抗６形成後の熱履歴に対して相変化しない絶縁性材料であり、例えば、窒化シリコン膜やアルミナ膜などを採用することができ、製造プロセスとしてはＣＶＤ法やＰＶＤ法や印刷焼成法などを採用できる。なお、レーザートリミング前に形成する場合には、レーザートリミングにより溶断可能な厚さとする必要がある。
【００３８】
変形態様３
この態様では、厚膜抵抗６形成後でかつガラス絶縁層２形成前に又はガラス絶縁層２として、直上のガラス絶縁層よりも軟質又は高弾性の緩衝層を少なくとも厚膜抵抗６上に形成する。この緩衝層はレーザートリミング前に形成してもよく、その後に形成してもよい。この緩衝層の条件としては、厚膜抵抗６との固相拡散が少なく、厚膜抵抗６とガラス絶縁層４との間の固相拡散を低減し、厚膜抵抗６形成後の熱履歴に対して相変化しない絶縁性材料であり、製造プロセスとしてはＣＶＤ法やＰＶＤ法や印刷焼成法などを採用できる。なお、レーザートリミング前に形成する場合には、レーザートリミングにより溶断可能な厚さとする必要がある。
【００３９】
このようにすれば、厚膜抵抗６とガラス絶縁層２又は３との熱膨張係数の差に起因する熱応力をこの緩衝層で緩和することができ、それにより上記熱応力による厚膜抵抗６の抵抗値の変動を低減することができる。
変形態様４この態様では、厚膜抵抗６形成後でかつガラス絶縁層２形成前に又はガラス絶縁層２として、直上のガラス絶縁層の熱膨張率と厚膜抵抗６の熱膨張率との中間の熱膨張率を有する緩衝層を設ける。この緩衝層はレーザートリミング前に形成してもよく、その後に形成してもよい。この緩衝層の条件としては、厚膜抵抗６との固相拡散が少なく、厚膜抵抗６とガラス絶縁層４との間の固相拡散を低減し、厚膜抵抗６形成後の熱履歴に対して相変化しない絶縁性材料であり、製造プロセスとしてはＣＶＤ法やＰＶＤ法や印刷焼成法などを採用できる。なお、レーザートリミング前に形成する場合には、レーザートリミングにより溶断可能な厚さとする必要がある。
【００４０】
このようにすれば、厚膜抵抗６とガラス絶縁層２又は３との熱膨張係数の差に起因する熱応力をこの緩衝層で緩和することができ、それにより上記熱応力による厚膜抵抗６の抵抗値の変動を低減することができる。
変形態様５
この態様では、厚膜抵抗６に含まれるガラスの主成分を結晶化ガラスとする。
【００４１】
このようにすれば、厚膜抵抗６の内部のガラスが厚膜抵抗６の焼成時に結晶化し、結晶化ガラスの融点が高くなる。好適には、結晶化状態で非晶質状態のときより融点が１００℃以上上昇する組成が好ましい。したがって、その後の絶縁層の焼成工程における絶縁層と厚膜抵抗６との相互反応をより良好に抑止することができる。
【００４２】
なお、ガラス絶縁層２に含まれるガラスの主成分を結晶化ガラスとしても同様の効果が生じる。すなわち、ガラス絶縁層２に含まれるガラスの主成分が結晶化ガラスとなることにより、焼成後の各高温工程におけるガラス絶縁層２とそれに隣接する厚膜抵抗６との相互反応が抑制される。
これにより、厚膜抵抗６の抵抗値変動を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１、６の厚膜多層基板を示す模式断面図である。
【図２】実施例１の製造工程を示す模式断面図である。
【図３】実施例１の製造工程を示す模式断面図である。
【図４】実施例１の製造工程を示す模式断面図である。
【図５】実施例１の製造工程を示す模式断面図である。
【図６】実施例１における各工程後の厚膜抵抗の抵抗値の変動を示す図である。
【図７】実施例２のセラミック積層基板を示す模式断面図である。
【図８】実施例３のセラミック積層基板を示す模式断面図である。
【図９】実施例４のセラミック積層基板を示す模式断面図である。
【図１０】レーザートリミング直上のガラス絶縁層表面の残留段差を示す図である。
【図１１】レーザートリミング穴の修復状態を示す説明図である。
【図１２】従来の厚膜多層基板の各部に形成された３個の抵抗の各工程後の抵抗値の変動を示す図である。
【符号の説明】
１は基板、２〜４はガラス絶縁層、６は厚膜抵抗である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0003605837.tif 000008
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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