(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に第１のノンドープポリシリコン膜を形成する工程と、
第１のノンドープポリシリコン膜に第１の開口部を形成することによって、前記第１のノンドープポリシリコン膜からなる第１のパターンを形成する工程と、
前記第１の開口部における前記第１のパターンの側壁に第２のノンドープポリシリコン膜を形成することによって、前記第２のノンドープポリシリコン膜からなる第２のパターンを形成する工程と、
前記第１及び前記第２のパターンに不純物を注入する工程と、
前記不純物が注入された前記第１及び前記第２のパターンをマスクとして、前記絶縁膜に第２の開口部を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記不純物として、燐または砒素を用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１のノンドープポリシリコン膜は、１５０ｎｍ〜３００ｎｍの間の厚さで前記絶縁膜上に形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、特に異方性エッチング法を用いて微細な開口部を形成する工程を含む半導体装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体集積回路装置は、その高集積化が著しい速度で進んでいる。この高集積化を進めるために、回路パターンの微細化は必須要件であり、現在、微細な回路パターンを形成するために、種々の微細加工技術が開発されている。
【０００３】
微細加工技術の中で、回路パターンを形成するためのエッチングにおいて、微細でアスペクト比（開口部の直径に対する開口部の深さの比）の高い回路パターンを形成する場合、一般にアスペクト比が増加するのに伴いエッチングの速度が低下する。
【０００４】
しかし、真空度の高い条件でエッチングを行えば、アスペクト比の増加に伴うエッチング速度の低下の抑制することができるので、より高真空度で、安定したプラズマ放電の可能なエッチング技術がこれまでに開発されてきた。例えば、電子サイクロトロン共鳴（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ  Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ  ：  ＥＣＲ）方式、誘導結合プラズマ方式、ヘリコン波プラズマ方式等の高真空度（例えば、１０ｍＴｏｒｒ以下）で、かつ高密度のプラズマを発生させることができる装置が開発され、より微細な回路パターンを形成するためのエッチングが可能になった。
【０００５】
以上のエッチング方法は、溶液を使用せずに行うので、ドライエッチングと呼ばれる。このドライエッチングと呼ばれる方法は、導入ガスに高周波電界を印加することにより発生させたプラズマ中の活性粒子とエッチング対象物との化学反応を利用した方法である。この方法により、微細な回路パターンを精度良く加工することができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のパターン形成方法には、以下のような課題が生じる。
微細で高アスペクト比のコンタクトホール等の開口部を、高真空度かつ高密度プラズマという条件下で異方性エッチングすることにより形成すると、エッチング用マスクの表面付近が帯電し、エッチングにより形成される開口部にボウイング（ｂｏｗｉｎｇ）と呼ばれる形状異常が発生する。これは、開口部の中腹部が弓状に膨らむ現象である。
【０００７】
また、コンタクトホール等の開口部をエッチングすることにより形成する場合、エッチング中に開口部内のある深さのところでエッチングが停止してしまう、エッチストップと呼ばれる現象が発生する。
【０００８】
本発明は、上記の課題を解決するために、アスペクト比が高く、かつ形状の良好なコンタクトホール等の微細パターンを形成する工程を含む半導体装置の製造方法を提供するものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明では、以下に述べるような手段を用いて上記の課題を解決する。
コンタクトホール等の開口部の異常発生を防止するために、半導体基板上の絶縁膜に開口部等のパターンを形成する方法において、まず、前記絶縁膜上に第１の導電膜を形成し、前記第１の導電膜に第１の開口部を形成する。次に、前記第１の開口部を覆うように、前記第１の導電膜と実質的に同程度の導電性を有する第２の導電膜を形成した後、前記第１の開口部の側壁にのみ前記第２の導電膜を残すように前記第２の導電膜を除去する。そして、前記第１及び第２の導電膜の中に不純物を注入し、前記第１及び第２の導電膜をマスクとして、前記絶縁膜に第２の開口部を形成する。
【００１０】
コンタクトホール等の開口部を形成する時にエッチングが停止してしまうのを防止するために、前記絶縁膜上に生成される、開口部を形成するためのマスクの厚さを６００ｎｍより薄くする。あるいは、前記第１の導電膜に、傾斜状の側壁を有する開口部を形成する。
【００１１】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を、半導体基板上の絶縁膜に微細な開口部を形成する場合において、以下に図を参照しながら説明する。
【００１２】
図１に、本発明の第１の実施の形態を示す。
図１（ａ）に示すように、シリコン基板１１の表面上に、ＣＶＤ法により膜厚が５００〜１５００ｎｍのＣＶＤ絶縁膜１２及び膜厚が１５０〜３００ｎｍのノンドープの第１ポリシリコン膜１３を順に堆積させる。この第１ポリシリコン膜１３は、ノンドープなので、ドープされたポリシリコンよりも導電性が低い。ドープされたポリシリコンでは、ノンドープのポリシリコンよりもエッチング速度が速くなりエッチングの制御性が低下する。従って、エッチングの制御性を低下させないように、例えば、ドープされたポリシリコンよりも導電性の低いノンドープのポリシリコンを堆積させるのである。その後、フォトリソグラフィプロセスにより、開口部１４Ａを有するフォトレジストマスクパターン１４Ｂを得る。
【００１３】
次に、図１（ｂ）に示すように、フォトレジストマスクパターン１４Ｂを用いて高真空度かつ高密度のプラズマにより異方性エッチングを施して、第１ポリシリコン膜１３に開口部１３Ａを形成する。この開口部１３Ａはフォトレジストマスク１４の開口部１４Ａと同じ寸法である。その結果、マスクパターン１３Ｂが得られる。また、現在のフォトレジストプロセスにより形成可能な開口部１３Ａの最小口径は約２５０ｎｍである。
【００１４】
次に、図１（ｃ）に示すように、レジスト除去プロセスによりフォトレジストマスクパターン１４Ｂを除去した後、開口部１３Ａを覆うようにノンドープの第２ポリシリコン膜１５を、第１ポリシリコン１３を堆積させる時と同じデポジション条件で、１００〜１５０ｎｍの厚さで堆積させる。この第２ポリシリコン膜１５も、それに対するエッチングの制御性の低下を防止するために、不純物がドープされたポリシリコンよりも導電性の低いノンドープのポリシリコン膜になっている。
【００１５】
次に、図１（ｄ）に示すように、第２ポリシリコン膜１５の主表面に対して垂直方向に異方性エッチングを行う。この時のエッチングは、図１（ｂ）で示した開口部１３Ａを形成した時と同様に、高真空度かつ高密度のプラズマを発生させて行う。このエッチングにより、マスクパターン１３Ｂにおける開口部１３Ａの側壁にのみ第２ポリシリコン膜１５が残るように、第２ポリシリコン膜１５を除去する。この結果、第１ポリシリコン膜１３から成るマスクパターン１３Ｂ及び第２ポリシリコン膜１５から成るマスクパターン１５Ｂによって構成された、開口部１５Ａを有するマスクパターン１６が得られる。また、この開口部１５Ａの口径は、開口部１３Ａを最小口径の約２５０ｎｍに形成し、かつ第２ポリシリコン膜１５を約１００ｎｍの厚さで堆積させたとすれば約５０ｎｍとなる。
【００１６】
次に、図１（ｅ）に示すように、マスクパターン１６に不純物を含ませる。この不純物としては、例えば燐（Ｐ）または砒素（Ａｓ）が用いられる。燐（Ｐ）の場合は約５０ｋｅＶの加速度エネルギーを与え、砒素（Ａｓ）の場合は約７０ｋｅＶの加速度エネルギー与えることにより、約１×１０１６原子／ｃｍ２の注入量でイオン注入する。その後、窒素ガス雰囲気中で温度を８５０℃にして熱処理を行う。このイオン注入により、マスクパターン１６の導電性が高くなる。
【００１７】
最後に、図１（ｆ）に示すように、マスクパターン１６を用いて高真空度かつ高密度のプラズマにより異方性エッチングを行い、ＣＶＤ絶縁膜１２に開口部１２Ａを形成する。
【００１８】
以上のように開口パターンを形成することにより、次のような効果が現われる。
図１（ａ）及び（ｃ）に示したように、第１ポリシリコン膜１３及び第２のポリシリコン膜１６は、同じノンドープであり、かつ同じデポジション条件で堆積させているので工程の複雑化を招くことはない。
【００１９】
また、図１（ｅ）に示したように、不純物イオンを注入することによりマスクパターン１６の導電性を高くしているので、エッチング時に発生するプラズマによりマスクパターン１６が帯電することはない。従って、帯電したマスクパターン１６はエッチングイオンに対して影響を与えない。つまり、エッチングイオンの進行方向が曲げられることはないので、後の図１（ｆ）に示した工程では、ボウイング等の形状異常がない開口部１２ＡをＣＶＤ絶縁膜１２に形成することができる。
【００２０】
一般に、エッチングにより絶縁膜に形成された開口部の口径の最大値（中腹部の口径）をＴｂ、開口部の口径が最大となる位置の絶縁膜とマスクパターンとの境界面からの距離をＨとすると、開口径の最大値Ｔｂと距離Ｈとの関係は、エッチング条件によって変化する。例えば、エッチング圧力を高くすると開口径の最大値Ｔｂは小さくなり、距離Ｈは大きくなる。マスクパターン表面の開口径Ｔｍが比較的大きい（例えば、３００ｎｍ以上）場合には、エッチング条件を適切に設定することにより、ボウイングを実用上問題がない程度に抑えることができる。
【００２１】
しかし、開口径Ｔｍが比較的小さい（例えば、２００ｎｍ以下）場合には、開口径Ｔｍに対する開口径の最大値Ｔｂの相対寸法比が大きくなってしまい、隣接して形成された開口部同士が接近するので、開口部に埋め込んで形成される電極同士が接触してしまう。
【００２２】
そこで、上述した本発明の第１の実施の形態のように開口部を形成すれば、以上の課題を解決することができ、アスペクト比が高く、かつ形状の良好な開口部を形成することができる。
【００２３】
図２は、燐（Ｐ）をイオン注入したポリシリコンから成るマスクパターンを用いた場合の、絶縁膜に形成した開口部のボウイングの発生の変化を示した結果である。図２において、横軸はマスクパターンの開口部の口径を、縦軸はボウイングが発生する位置の絶縁膜上面からの距離を表わしている。この図からわかるように、本発明の第１の実施の形態の燐（Ｐ）をイオン注入したマスクパターンを用いた場合、ボウイングが発生する位置の絶縁膜上面からの距離は、従来のノンドープのポリシリコンのマスクパターンを用いた場合よりも大きくなっている。つまり、開口部の深い位置においてボウイングが発生している。そして、今回特に、燐（Ｐ）または砒素（Ａｓ）のマスクパターンに対する注入量を１×１０１６原子／ｃｍ２以上にすることによって、ボウイングは実用上問題のない程度に抑制できることを見い出した。この１×１０１６原子／ｃｍ２という注入量の値はポリシリコンマスクパターンにおける５×１０２０ｃｍ−３という燐（Ｐ）または砒素（Ａｓ）の濃度に相当するので、ポリシリコンマスクパターンにおける不純物濃度を５×１０２０ｃｍ−３以上にすることにより、ボウイングの発生を実用上問題がない程度に抑制することができる。
【００２４】
図３は、本発明の第２の実施の形態を示す。
図３（ａ）に示すように、シリコン基板３１の表面上にＣＶＤ法により膜厚が５００〜１５００ｎｍのＣＶＤ絶縁膜３２を堆積させる。次に、膜厚が３００ｎｍのノンドープの第１ポリシリコン膜３３を堆積させる。その後、フォトリソグラフィプロセスにより、開口部３４Ａを有するフォトレジストマスクパターン３４Ｂを得る。
【００２５】
次に、図３（ｂ）に示すように、フォトレジストマスクパターン３４Ｂを用いて高真空度かつ高密度のプラズマにより異方性エッチングを施して、第１ポリシリコン膜３３に開口部３３Ａを形成する。この開口部３３Ａはフォトレジストマスク３４の開口部３４Ａと同じ寸法である。その結果、マスクパターン３３Ｂが得られる。
【００２６】
次に、図３（ｃ）に示すように、レジスト除去プロセスによりフォトレジストマスクパターン３４Ｂを除去した後、開口部３３Ａを覆うようにノンドープの第２ポリシリコン膜３５を堆積させる。
【００２７】
次に、図３（ｄ）に示すように、第２ポリシリコン膜３５の主表面に対して垂直方向に異方性エッチングを行う。この時のエッチングは、図３（ｂ）で示した開口部３３Ａを形成した時と同様に、高真空度かつ高密度のプラズマを発生させて行う。このエッチングにより、マスクパターン３３Ｂにおける開口部３３Ａの側壁にのみ第２ポリシリコン膜３５が残るように、第２ポリシリコン膜３５を除去する。この結果、第１ポリシリコン膜３３から成るマスクパターン３３Ｂ及び第２ポリシリコン膜３５から成るマスクパターン３５Ｂによって構成された、開口部３５Ａを有するマスクパターン３６が得られる。
【００２８】
次に、図３（ｅ）に示すように、マスクパターン３６を用いて高真空度かつ高密度のプラズマにより異方性エッチングを行い、ＣＶＤ絶縁膜３２に開口部３２Ａを形成する。
【００２９】
以上のように、マスクパターン３６の膜厚を６００ｎｍよりも薄く（第２の実施の形態においては３００ｎｍ）形成したことにより、以下のような効果が現われる。
【００３０】
図４は、図３（ｅ）に示した開口部形成のためのエッチングを行った時の、エッチング時間に対する開口部の深さの変化を表わした図である。
【００３１】
従来技術との比較のために、図５に、本発明の第２の実施の形態と同じ開口部形成工程で、ポリシリコン膜から成るマスクパターンの膜厚が６００ｎｍの場合の、エッチング時間に対する開口部の深さの変化を示す。
【００３２】
開口部の口径は、０．０７μｍ、０．１０μｍ、０．１２μｍ、０．１４μｍの場合について、エッチング時間に対する開口部の深さの変化を調べた。
【００３３】
従来技術では、図５からわかるように、口径が０．０７μｍ、０．１０μｍである微細な開口部を形成する場合、エッチング時間が１分を超えると、エッチングできる深さが約１．０μｍ以下になってしまい、後に配線を形成することができなくなってしまう。
【００３４】
それに対して、本発明の第２の実施の形態では、図４からわかるように、エッチングにより形成した開口部の深さは、開口部の全口径において、エッチング時間にほぼ比例して深くなっており、エッチストップが発生しない。以上のように、第１ポリシリコン膜及び第２ポリシリコン膜から成るマスクの厚さを６００ｎｍより薄く形成することにより、図５で示したエッチストップ発生という課題を解決することができる。
【００３５】
図６は、本発明の第３の実施の形態を示す。
第３の実施の形態では、開口部の形成工程において、ＣＶＤ絶縁膜に対するエッチング速度（Ｒ絶縁膜）と、第１ポリシリコン膜及び第２ポリシリコン膜からマスクパターンに対するエッチング速度（Ｒｐｏｌｙ−Ｓｉ）との比率が低い、すなわち、選択比（＝Ｒ絶縁膜／Ｒｐｏｌｙ−Ｓｉ）が低い条件でＣＶＤ絶縁膜をエッチングしなければならない場合でも所定寸法の開口部が得られるように、以下の形成工程にしたがってＣＶＤ絶縁膜に開口を形成した。
【００３６】
この第３の実施の形態は、第１ポリシリコン膜及び第２ポリシリコン膜から成るマスクの厚さをある程度厚く（例えば、５００ｎｍ）しても、エッチストップの発生を防止することができるエッチング方法を提供するものである。
【００３７】
まず、図６（ａ）に示すように、ＣＶＤ法によりシリコン基板６１の表面上に膜厚が５００〜１５００ｎｍのＣＶＤ絶縁膜６２及び膜厚が約５００ｎｍのノンドープの第１ポリシリコン膜６３を順に堆積させる。その後、フォトリソグラフィプロセスにより開口部６４Ａを有するフォトレジストマスクパターン６４Ｂを形成する。
【００３８】
次に、図６（ｂ）に示すように、フォトレジストマスクパターン６４Ｂを用いて、高真空度のプラズマを発生させ、第１ポリシリコン膜６３に開口部６３Ａをエッチングすることにより形成して第１ポリシリコン膜６３から成るマスクパターン６３Ｂを得る。ここで、このマスクパターン６３Ｂは、その開口部６３Ａの側壁が傾斜を有するように、すなわち、テーパー状に形成される。このようなテーパー状の開口部６３Ａを形成するためのエッチングは、例えば、ＥＣＲ方式のエッチング装置を用いて、５ｍＴｏｒｒの圧力、１００ｓｃｃｍの塩素ガス、５０Ｗ以上の比較的高い高周波バイアスという条件の下で行うことにより可能である。また、テーパー角（マスクパターンの主表面と開口部の側壁面とのなす角）θの大きさは、エッチング装置の電極の温度や高周波バイアスの出力をコントロールすることにより、容易に制御できる。そして、第１ポリシリコン膜６３の膜厚が５００ｎｍである場合、エッチストップの発生を抑制できるテーパー角θの適当な大きさは約８０°である。
【００３９】
次に、図６（ｃ）に示すように、レジスト除去プロセスによりフォトレジストマスクパターン６４Ｂを除去した後、テーパー状の開口部６３Ａを覆うようにノンドープの第２ポリシリコン膜６５を、第１ポリシリコン６３を堆積させる時と同じデポジション条件で、１００〜１５０ｎｍの厚さで堆積させる。この第２ポリシリコン膜６５も、それに対するエッチングの制御性の低下を防止するために、不純物がドープされたポリシリコンよりも導電性の低いノンドープのポリシリコン膜になっている。
【００４０】
次に、図６（ｄ）に示すように、第２ポリシリコン膜６５の主表面に対して垂直方向に異方性エッチングを行う。この時のエッチングも、図１（ｂ）で示した開口部１３Ａを形成した時と同様に、高真空度かつ高密度のプラズマを発生させて行う。このエッチングにより、マスクパターン６３Ｂにおける開口部６３Ａの側壁にのみ第２ポリシリコン膜６５が残るように、第２ポリシリコン膜６５を除去する。この結果、第１ポリシリコン膜６３から成るマスクパターン６３Ｂ及び第２ポリシリコン膜６５から成るマスクパターン６５Ｂによって構成された、開口部６５Ａを有するマスクパターン６６が得られる。このマスクパターン６６において、その開口部６５Ａの側壁の形状は、マスクパターン６３Ｂの開口部６３Ａのテーパー状の側壁の形状を反映した形状、すなわちテーパー状になっている。
【００４１】
最後に、図６（ｅ）に示すように、マスクパターン６６を用いて、高真空度かつ高密度のプラズマにより異方性エッチングを行い、ＣＶＤ絶縁膜６２に開口部６２Ａを形成する。
【００４２】
以上のように、ポリシリコン膜から成るマスクパターンの開口部の側壁に傾斜を持たせることによって得られる効果について、図７を参照しながら以下に説明する。
【００４３】
図７は、絶縁膜に口径が０．１μｍの開口部を形成するためのエッチングをする時の、エッチング時間に対するエッチングされた開口部の深さの関係を表わしている。ここでは、ポリシリコン膜から成るマスクパターンの厚さが５００ｎｍで、テーパー角が８０°と９０°の場合について比較する。
【００４４】
図７から明らかなように、マスクパターンのテーパー角が９０°の場合、エッチング時間が１分を超えると、エッチングされた開口部の深さの増加率が減少し、エッチング時間が２分以上になると、エッチングされた開口部の深さは０．７５μｍから変化しなくなってしまう。すなわち、エッチストップが起きてしまう。これに対して、マスクパターンのテーパー角が８０°の場合は、エッチストップが生じることなく、エッチング時間の経過に伴ってエッチングされた開口部の深さは直線的に増加している。
【００４５】
以上のように、ポリシリコン膜から成るマスクパターンの開口部の側壁に傾斜を持たせることによりエッチストップの発生を防止することができる。この要因として推定されることは次の通りである。
【００４６】
マスクパターン開口部の側壁をテーパー状に形成することにより、側壁をマスクパターンの主表面に対して垂直に形成した時よりも、帯電したマスクパターン部の占有領域が減少する。すると、エッチング粒子と帯電したマスクパターン部との距離が大きくなり、帯電したマスクパターン部のエッチング粒子に対する影響が小さくなる。従って、エッチング粒子の進行方向が曲げられることはなく、確実に開口部形成のためのエッチングを行うことができる。
【００４７】
また、マスクパターンのテーパー角の最適値、つまりエッチストップの発生を防止することができる時の値は、マスクパターンの厚さや、エッチング条件に大きく左右されるが、テーパー角が４５°以上９０°未満の範囲内であれば、エッチストップの発生を防止することができるという効果が実験により確認されている。
【００４８】
【発明の効果】
本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、ノンドープのポリシリコン膜から成るマスクパターンに、濃度が５×１０２０ｃｍ−３以上の燐（Ｐ）または砒素（Ａｓ）をイオン注入することによりマスクパターンの導電性をその形成時よりも高くしているので、ボウイング等の形状異常がない開口部をＣＶＤ絶縁膜に形成することができる。
【００４９】
また、本発明に係る半導体装置の製造方法では、ノンドープのポリシリコン膜から成るマスクパターンの膜厚を６００ｎｍより薄くする、例えば３００ｎｍにすることにより、微細なコンタクトホールをエッチングして形成する際のエッチストップ発生を防止することができる。その結果、高アスペクト比の開口パターンの形成が可能となる。
【００５０】
また、本発明に係る半導体装置の製造方法では、ノンドープのポリシリコン膜から成るマスクパターンの開口部の側壁の形状をテーパー状に形成することにより、マスクパターンの膜厚を厚く、例えば５００ｎｍに形成しても、エッチストップの発生を防止することができる。また、マスクパターンの膜厚を厚めに設定できるので、微細なコンタクトホール形成のためのエッチング時にマスクパターンの開口部が拡大したり、マスクパターン自体がなくなってしまうことがなくなる。その結果、高アスペクト比の開口パターンの形成が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態におけるノンドープのポリシリコン膜から成るマスクパターンに不純物をイオン注入する工程を含む半導体装置の製造方法を表わした図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態における、燐（Ｐ）をイオン注入したポリシリコンから成るマスクパターンを用いた場合の、絶縁膜に形成した開口部のボウイングの発生の変化を示した図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態における、ノンドープのポリシリコンから成るマスクパターンの膜厚を３００ｎｍにした場合の半導体装置の製造方法を表わした図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態における、エッチング時間に対する開口部の深さの変化を表わした図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態と同じ開口部形成工程で、マスクパターンの膜厚が６００ｎｍの場合の、エッチング時間に対する開口部の深さの変化を表わした図である。
【図６】本発明の第３の実施の形態における、ポリシリコン膜から成るマスクパターンの開口部の側壁をテーパー状に形成した場合の半導体装置の製造方法を表わした図である。
【図７】本発明の第３の実施の形態において絶縁膜に口径が０．１μｍの開口部を形成するためのエッチングをする時の、エッチング時間に対するエッチングされた開口部の深さの関係を表わした図である。
【符号の説明】
１１，３１，６１：シリコン基板
１２，３２，６２：ＣＶＤ絶縁膜
１３，３３，６３：第１ポリシリコン膜
１３Ａ，３３Ａ，６３Ａ：開口部（第１ポリシリコン膜）
１３Ｂ，３３Ｂ，６３Ｂ：マスクパターン（第１ポリシリコン膜）
１４Ａ，３４Ａ，６４Ａ：開口部（フォトレジスト）
１４Ｂ，３４Ｂ，６４Ｂ：フォトレジストマスクパターン
１５，３５，６５：第２ポリシリコン膜
１５Ａ，３５Ａ，６５Ａ：開口部（第２ポリシリコン膜）
１５Ｂ，３５Ｂ，６５Ｂ：マスクパターン（第２ポリシリコン膜）
１６，３６，６６：マスクパターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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