【事件の表示】
　平成　８年特許願第２１００６２号「薄膜デバイスの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　２月２４日出願公開、特開平１０−　５６１７９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成８年８月８日の出願であって、平成１８年２月２７日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年５月３１日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年６月２９日付けで手続補正がなされ、平成２０年７月４日付けで審尋がなされ、同年１０月７日に回答書が提出されたものである。
　
　
２．平成１８年６月２９日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）について
　
（１）本件補正の内容
　本件補正は、補正前の特許請求の範囲の請求項１ないし４を、補正後の特許請求の範囲の請求項１と補正するものであって、補正後の特許請求の範囲の請求項１は以下のとおりである。 
「【請求項１】
　積層構造をもつトップゲート型薄膜トランジスタの製造方法において、高解像度及び高つなぎ精度の必要な層をパターニングするときにミラープロジェクション露光装置またはステッパー方式露光装置とスピンコータを用い、その他の層をパターニングするときにプロキシミティ露光装置と、ロールコータ、スピンコータ及びランドコータのいずれかを選択的に用い、特にガラス基板上に形成されるトップゲート型薄膜トランジスタの最初の層であるライトシールドをパターニングするとき、前記ロールコータを用いることを特徴とするトップゲート型薄膜トランジスタの製造方法。」
　
（２）補正事項の整理
　補正事項１
　補正前の請求項１ないし３を削除すること。
　補正事項２
　補正前の請求項４を、独立請求項として記載して、補正後の請求項１と補正すること。
　
（３）本件補正についての検討
　補正事項１について
　補正事項１についての補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものに該当する。
　補正事項２について
　補正事項２についての補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第４号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たすものであるから、適法になされたものである。
　
　
３．本願発明
　平成１８年６月２９日付けの手続補正は、上記２．において検討したとおり、適法になされたものであるから、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１８年６月２９日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載から見て、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。
　
「積層構造をもつトップゲート型薄膜トランジスタの製造方法において、高解像度及び高つなぎ精度の必要な層をパターニングするときにミラープロジェクション露光装置またはステッパー方式露光装置とスピンコータを用い、その他の層をパターニングするときにプロキシミティ露光装置と、ロールコータ、スピンコータ及びランドコータのいずれかを選択的に用い、特にガラス基板上に形成されるトップゲート型薄膜トランジスタの最初の層であるライトシールドをパターニングするとき、前記ロールコータを用いることを特徴とするトップゲート型薄膜トランジスタの製造方法。」
　
　
４．刊行物に記載された発明
　
　刊行物１：特開平７−１６２００７号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に日本国内で頒布された特開平７−１６２００７号公報（以下、「刊行物１」という。）には、図１とともに、以下の事項が記載されている。
「【特許請求の範囲】
【請求項１】  絵素電極がマトリクス状に形成された絵素電極を制御する薄膜トランジスタが、ソース電極およびドレイン電極の各々の上にｎ+アモルファスシリコンコンタクト層が形成され、一方のコンタクト層の上から他方のコンタクト層の上にわたる領域にアモルファスシリコン膜が形成され、該アモルファスシリコン膜の上に、間にゲート絶縁膜を介してゲート電極が設けられた構成となっているアクティブマトリクス基板の製造方法において、
絶縁性基板上に、各々が透明導電膜からなる該絵素電極、該ソース電極および該ドレイン電極を形成する工程と、
該ソース電極およびドレイン電極に選択的にリンイオンを注入する工程と、
リンイオンが注入されたソース電極およびドレイン電極を覆ってアモルファスシリコン膜を形成し、該アモルファスシリコン膜にリンを拡散させることにより、ｎ+アモルファスシリコンコンタクト層を自己整合的に形成する工程とを含むアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項２】  前記絶縁性基板上に遮光膜を形成した後に、該遮光膜の上方に前記ソース電極および前記ドレイン電極を形成し、その後、該ソース電極および該ドレイン電極が形成された基板上にネガレジストを形成して該遮光膜側から該ネガレジストを露光して現像し、これによりレジストパターンを形成し、該レジストパターン側から前記リンイオンを注入する請求項１に記載のアクティブマトリクス基板の製造方法。」
「【００１７】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明する。
【００１８】（実施例１）図１（ｅ）に、本発明を用いて作製したアクティブマトリクス基板のＴＦＴ部分の断面図を示す。このアクティブマトリクス基板は、ガラスからなる絶縁性基板１０１の上に遮光膜１０２が形成され、遮光膜１０２を覆って絶縁膜１０３が形成されている。絶縁膜１０３の上には、共に透明な導電性のＩＴＯからなる絵素電極１０４、ソース電極１０５およびドレイン電極１０６が形成されている。ソース電極１０５はソースバスライン（図示せず）に接続され、ドレイン電極１０６は、絵素電極１０４と接続された状態で形成されている。ソース電極１０５およびドレイン電極１０６の上には、第１および第２のｎ+ａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）コンタクト層１０８および１０９が形成され、両コンタクト層１０８および１０９に掛け渡した状態で、ＴＦＴのチャネルとなるａ−Ｓｉ膜１０７が形成されている。ａ−Ｓｉ膜１０７の上には、ゲート絶縁膜１１０を間に介してゲート電極１１１が形成されている。ゲート電極１１１は、ゲートバスライン（図示せず）に接続されている。
【００１９】このアクティブマトリクス基板は以下のようにして作製した。
【００２０】まず、図１（ａ）に示すように、絶縁性基板１０１上にスパッタによりクロムを厚み５００オングストロームに成膜し、これをパターニングして遮光膜１０２を形成した。
【００２１】次に、図１（ｂ）に示すように、遮光膜１０２と薄膜トランジスタとを絶縁させるための絶縁膜１０３として酸化シリコン膜を厚み４５００オングストロームに成膜した。その上に、ＩＴＯ膜を厚み６００オングストロームに成膜し、これをパターニングして絵素電極１０４、ソース電極１０５およびドレイン電極１０６形成した。
【００２２】その後、基板の電極形成側（図の上側）表面にネガレジストを塗布し、遮光膜１０２をマスクとして基板の電極形成側とは反対側（図の下側）から露光、現像することにより、図１（ｃ）に示すように、自己整合的にレジストパターン１２０を形成した。このレジストパターン１２０側から、例えばイオンドーピング法によりリンイオンを注入した。この時の注入条件は、加速電圧１０ｋＶ、ドーズ量２×１０15ｃｍ-2で行った。これにより、ＩＴＯパターンのソース電極１０５およびドレイン電極１０６部分に選択的にリンイオンが注入され、ソースバスラインや絵素電極１０４部分には注入されない。このように、遮光膜１０２をマストクとして利用し、レジストパターン１２０を形成する場合には、その形成にホトマスクなどの別途の遮光手段を必要とせず、また、その遮光手段の位置合わせを要しないので、工程の簡略化が図れる利点がある。但し、本発明は、遮光膜１０２をマスクとして用いることなく、レジストパターン１２０を形成してもよいことはもちろんである。
【００２３】次に、プラズマＣＶＤ法によりａ−Ｓｉ膜１０７を厚み６００オングストロームに成膜し、リンを拡散させた。このことにより、図１（ｄ）に示すように、ソース電極１０５上に第１のｎ+ａ−Ｓｉコンタクト層１０８が自己整合的に形成され、ドレイン電極１０６上に第２のｎ+ａ−Ｓｉコンタクト層１０９が自己整合的に形成される。続いて、レジストを除去する。
【００２４】次に、図１（ｅ）に示すように、ゲート絶縁膜１１０として、例えば窒化シリコン膜を厚み３０００オングストロームに成膜した。その上に、例えばスパッタによりモリブデンを厚み３０００オングストロームに成膜し、これをパターニングしてゲート電極１１１を形成し、アクティブマトリクス基板とした。」
　
　００１８段落の記載から、「アクティブマトリクス基板のＴＦＴ部分」として、「ガラスからなる絶縁性基板１０１の上に遮光膜１０２」が、「遮光膜１０２を覆って絶縁膜１０３」が、「絶縁膜１０３の上には、共に透明な導電性のＩＴＯからなる絵素電極１０４、ソース電極１０５およびドレイン電極１０６」が、「ソース電極１０５およびドレイン電極１０６の上には、第１および第２のｎ+ａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）コンタクト層１０８および１０９」が、「両コンタクト層１０８および１０９に掛け渡した状態で、ＴＦＴのチャネルとなるａ−Ｓｉ膜１０７」が、「ａ−Ｓｉ膜１０７の上には、ゲート絶縁膜１１０を間に介してゲート電極１１１」が、それぞれ形成された構造が記載されている。
　また、具体的な「アクティブマトリクス基板」の作製方法としては、００２０段落の「絶縁性基板１０１上にスパッタによりクロムを厚み５００オングストロームに成膜し、これをパターニングして遮光膜１０２を形成した。」という記載、００２１段落の「遮光膜１０２と薄膜トランジスタとを絶縁させるための絶縁膜１０３として酸化シリコン膜を厚み４５００オングストロームに成膜した。その上に、ＩＴＯ膜を厚み６００オングストロームに成膜し、これをパターニングして絵素電極１０４、ソース電極１０５およびドレイン電極１０６形成した。」という記載、００２２段落の「その後、基板の電極形成側（図の上側）表面にネガレジストを塗布し、遮光膜１０２をマスクとして基板の電極形成側とは反対側（図の下側）から露光、現像することにより、・・・、自己整合的にレジストパターン１２０を形成した。このレジストパターン１２０側から、例えばイオンドーピング法によりリンイオンを注入した。・・・但し、本発明は、遮光膜１０２をマスクとして用いることなく、レジストパターン１２０を形成してもよいことはもちろんである。」という記載、００２３段落の「プラズマＣＶＤ法によりａ−Ｓｉ膜１０７を厚み６００オングストロームに成膜し、リンを拡散させた。」という記載、００２４段落の「ゲート絶縁膜１１０として、例えば窒化シリコン膜を厚み３０００オングストロームに成膜した。その上に、例えばスパッタによりモリブデンを厚み３０００オングストロームに成膜し、これをパターニングしてゲート電極１１１を形成し、アクティブマトリクス基板とした。」という記載より、「絶縁性基板１０１上に」「クロムを」「成膜」する工程と、「これをパターニングして遮光膜１０２を形成」する工程と、「遮光膜１０２と薄膜トランジスタとを絶縁させるための絶縁膜１０３として酸化シリコン膜を」「成膜」する工程と、「ＩＴＯ膜を」「成膜」する工程と、「これをパターニングして絵素電極１０４、ソース電極１０５およびドレイン電極１０６」を形成する工程と、「レジストを塗布」し、「露光、現像することにより」「レジストパターン１２０を形成」する工程と、「このレジストパターン１２０側から」「リンイオンを注入」する工程と、「ａ−Ｓｉ膜１０７を」「成膜」する工程と、「リンを拡散させ」る工程と、「ゲート絶縁膜１１０として」「窒化シリコン膜を」「成膜」する工程と、「その上に」「モリブデンを」「成膜」する工程と、「これをパターニングしてゲート電極１１１を形成」する工程が記載されている。
　
　したがって、刊行物１には、以下の発明（以下、「刊行物発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「ガラスからなる絶縁性基板１０１の上に遮光膜１０２が、遮光膜１０２を覆って絶縁膜１０３が、絶縁膜１０３の上には、共に透明な導電性のＩＴＯからなる絵素電極１０４、ソース電極１０５およびドレイン電極１０６が、ソース電極１０５およびドレイン電極１０６の上には、第１および第２のｎ+ａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）コンタクト層１０８および１０９が、両コンタクト層１０８および１０９に掛け渡した状態で、ＴＦＴのチャネルとなるａ−Ｓｉ膜１０７が、ａ−Ｓｉ膜１０７の上には、ゲート絶縁膜１１０を間に介してゲート電極１１１が、それぞれ形成されたアクティブマトリクス基板のＴＦＴの製造方法において、絶縁性基板１０１上にクロムを成膜する工程と、これをパターニングして遮光膜１０２を形成する工程と、遮光膜１０２と薄膜トランジスタとを絶縁させるための絶縁膜１０３として酸化シリコン膜を成膜する工程と、ＩＴＯ膜を成膜する工程と、これをパターニングして絵素電極１０４、ソース電極１０５およびドレイン電極１０６を形成する工程と、レジストを塗布し、露光、現像することによりレジストパターン１２０を形成する工程と、このレジストパターン１２０側からリンイオンを注入する工程と、ａ−Ｓｉ膜１０７を成膜する工程と、リンを拡散させる工程と、ゲート絶縁膜１１０として窒化シリコン膜を成膜する工程と、その上にモリブデンを成膜する工程と、これをパターニングしてゲート電極１１１を形成する工程と、を有するＴＦＴの製造方法。」
　
　刊行物２：特開平４−２８３７２８号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に日本国内で頒布された特開平４−２８３７２８号公報（以下、「刊行物２」という。）には、図１及び図２とともに、以下の事項が記載されている。
「【００１２】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、周辺駆動回路部分を同一基板内に含むマトリクス表示型液晶ディスプレイ装置の液晶表示パネルの製造方法において、パターン精度の要求度に従って、液晶表示パネルを複数の区域に分割し、分割した区域に対して、フォトレジストへのパターン精度に応じた少なくとも２種以上の露光法を選択して用い、露光工程を行なうことを特徴とする液晶表示パネルの製造方法である。
【００１３】マトリクス回路部（画素部分等表示関連部）は、ガラス基板の中央部をかなりの広い面積を占有し、周辺駆動回路部とは周辺の接続部分で重なる。大面積になると回路の線幅、精度の仕様はゆるくなる。例えば画素のサイズは一般的に大きくなるし、アレイ部の面積占有率を一定とすれば線幅は太くなってもよい。
【００１４】例えば対角２０インチのディスプレイであれば、一番寸法の小さなゲート幅も１０〜２０μｍでよい、位置精度、アライメント精度も±１〜２μｍあればよい。また端子電極配線部分も１０μｍ以上の線巾で充分であり、位置精度アライメント精度も±１〜２μｍで充分である。これらの部分の露光には１：１の密着露光法またはプロキシミティー露光法またはミラープロジェクション露光法を用い、全面を一度に露光する。これに使用する露光用マスクは線幅、位置精度ともに電子ビーム露光装置を用いて作った高価なマスクでなくて、レーザ作画機等の光ビーム作画機で作成した安価なものを使用できる。
【００１５】一方、周辺駆動回路は一般的に前に述べたように、回路特性上パターン線幅が狭いほど好ましく、アライメント機構付縮少投影露光機で露光することが好ましい。この周辺駆動回路部分は表示部の周辺に数個〜十数個のブロックに分離して存在させることができ、しかも同一パターンを使用できる割合が非常に高いことおよび、相互の位置関係についての精度はマトリクス回路部や端子電極周辺部と接続が確保できる程度（１〜２μｍ）で充分であることに着目し、縮少投影露光装置で露光できる様パターンを設計し、個別にアライメントを行ないながら、縮少投影露光を行なった。
【００１６】使用するアライメント機構付縮少投影露光機は、ガラス基板のステージをガラス基板が載る大きさとしたもので、一回の露光面積は大略１５ｍｍ角と通常の光学系を用いたものである。ディスプレイが大面積になっても周辺駆動回路部の線巾、精度はほとんど変化しないので、通常のＬＳＩ製造に用いるステッパーの基板定盤を大きくし、大面積のガラス基板が載せられるようにしたものを用いた。
【００１７】
【作用】マトリクス回路部および端子電極配線部のパターンの露光と周辺駆動回路部のパターンの露光を別工程で行なうことにより、それぞれの要求仕様精度に適したパターン露光方法と装置を用いることができ、更に駆動回路部をブロック単位毎に個別にアライメントを行ないながらパターンを露光することにより、大面積ガラス基板の伸縮、タワミ等、およびパターン形成装置自体の伸縮等による重ね合わせ位置のズレに対する対応が大幅に容易になったり、大面積表示パネルの製造が実際的に行なえる様になり、製造コストも低下した。」
「【００２０】
【実施例】＜実施例１＞対角２０インチの表示パネルを作成した。画素数は６４０×４００であり、マトリクス表示部のＴＦＴのゲート線巾の設計値は２０μｍである。周辺駆動回路部は、縮少投影露光機で、露光しやすいようにブロック単位とした設計を行なった。
【００２１】図１は、本発明を説明するための模式平面図である。同図において、表示回路部分１０１は、マトリクス状に配したＴＦＴ及び画素からなり、周辺駆動回路部分は、表示データ側の駆動回路３０１乃至３０８、走査側の駆動回路２０１乃至２０６、および周辺配線部である表示データおよび走査データ信号配線およびコントロール信号の配線４０１乃至４０４からなる。図１に示すように１枚の絶縁性透明基板１０の中央部にマトリクス表示回路部分１０１が、周辺部に駆動回路の一部が形成される。
【００２２】図２は、図１中の点線Ａ１〜Ａ４で示した部分の拡大回路図であり、表示部の画素２２０乃至２２２、走査（ゲート）配線２５１乃至２５４、表示データ（ソース）信号配線３５１乃至３５６がそれぞれ形成されている。以上よりマトリクス状のＴＦＴと画素表示部が構成される。また、８０１乃至８０６はＴＦＴ、薄膜抵抗と薄膜コンデンサからなるバッファとサンプルホールド回路であり、６５１乃至６５６はホールド用コンデンサである。７０１乃至７０６はＴＦＴよりなるアナログスイッチであり、６０１、６０２、６０３は映像（表示）データ線でカラー表示の場合のＲ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）に対応して３本ある。また、各々のアナログスイッチの開閉をシフトレジスタ５０１乃至５０６の出力信号で順次制御している。
【００２３】１走査ラインのデータが全てサンプルホールド回路によって保持されると、次に３６１のトリガ入力にＯＮ信号が流れサンプルホールドしてあった出力が一斉にＯＮし、表示回路部へ電圧を印加する。以上より表示データ側の駆動回路が構成される。また、バッファ８５０乃至８５３はＴＦＴ、薄膜抵抗、薄膜コンデンサからなり、ラッチ回路７５１乃至７５４はＴＦＴよりなり、また、シフトレジスタ５５１乃至５５４は、ＴＦＴよりなる。以上より走査側駆動回路を構成する。
【００２４】図１の端子電極配線部とマトリクス状の表示回路部分は、線幅が最小２０μｍで位置精度は±２μｍである。この部分のパターンを１：１大型プロキシミティ露光機を用いてレジストへ全面を一度に露光した。
【００２５】一方、周辺駆動回路部にある走査側の駆動回路部は、隣接する２単位の駆動回路部を一つのブロックとして縮小投影露光機（ステッパー）でパターンを順次アライメントしながら露光していった。一方、表示データ側の駆動回路部は、１単位ずつを同じく縮小投影露光機（ステッパー）を用いてパターンを順次各ブロック内にあるアライメントマークを基準としてアライメントしながら露光していった。最小線巾は３μｍ、位置精度は各ブロック内で±０．３μｍであった。なお、パターンは一面全部に必要なだけ露光した後、現像は一括して行ない、レジストパターン形成した。」
　
　刊行物３：特開平８−１１０６３４号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に日本国内で頒布された特開平８−１１０６３４号公報（以下、「刊行物３」という。）には、以下の事項が記載されている。
「【０００２】
【従来の技術】液晶ディスプレイの電極素子等を形成するためのフォトレジストは塗布によって基板表面にフォトレジストの皮膜を形成し、フォトリソ法によって該皮膜を所定のパターンに加工する手法が使われている。さらに、そのパターンをマスクにして導電膜や絶縁層をエッチングして電極素子等を作製する。できあがった液晶ディスプレイの品質の良否はフォトレジストの塗布技術とフォトリソ並びにエッチング技術に集約される。しかるに、この塗布条件は極めて複雑である。工程を追ってみると、レジストパターンは一層づつ逐次形成されるため最初の１層目は平滑な電極材等を有したガラス基板上に塗布されるが、２層目からは最初のレジストによりエッチング形成された凹凸の電極パターン等を有したガラス基板上に塗布しなければならない。パターンの線幅の均一性は僅かな膜厚変動により影響を受けるために塗布膜厚の均一性が要求される。
【０００３】フォトレジストの塗布方式としては、スピンコーターやロールコーターあるいは特願昭６３−３２８６６６号明細書に開示されているバーコーター等が用いられている。ロールコーターやバーコーターによる塗布方式は、塗布液量が少なくて済み、廃液量が少なく、また連続塗布が可能で大量生産に向いている等の利点を有するものの、しばしばうろこ雲状あるいはゆずはだ状の乾燥ムラが発生する。このようなうろこ雲状あるいはゆずはだ状の乾燥むらは、液晶ディスプレイの電極素子等を形成するためのフォトレジスト膜の高い膜厚精度が要求される分野において特に重要となる。これはロールコーターあるいはバーコーター等で塗布された液膜は自由表面からの乾燥であり、溶剤の蒸発によって液膜表面の温度が下がると液膜に温度差が生じ、液膜の内部で対流が発生し、ムラが発生するものと推定される。従って、ロールコーターあるいはバーコーターに限らず、基板表面に液膜を形成した後、自由表面から常圧で乾燥する塗布方式では常にこの問題と直面する。これに対し、スピンコーターで塗布したときは、前記うろこ雲状あるいはゆずはだ状の乾燥むらはほとんど観察されない。これは、スピンコーターは塗布後、液膜の流動性が無くなる段階まで回転を続けているため、液膜の表面に常に一定の遠心力が働いて液面の平坦性を維持するとともに、この回転中に溶剤の乾燥が完了して乾燥に伴う不安定な流動が抑制されるためと推察される。しかし、スピンコーターは高精度の塗布ができることに加え、機構が単純であるため長い間これらの用途に使われてきたが、この塗布方式は必要とする液量の十数倍の液量を使うため、高価な材料をむだに使い、多量の廃液を発生させるため、材料費と廃液処理コストがかさむ。一方において、フォトレジスト塗布液の溶剤組成から塗布性を改良する技術が特開平５−９４０１２号公報に開示されている。しかしながら、基板上の塗れ広がり速度を向上させる事はできても、最も重大な問題である塗布ムラを抑制するという点においては未だ満足できるものではない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】以上説明したように、スピンコーターによる塗布では、膜厚の均一なフォトレジスト膜を成膜できるものの、高コストとなる。これに対し、ロールコーターやバーコーターによる塗布では安価で、処理効率に優れているものの、乾燥に伴い膜厚変動が発生し易いという欠点をもつ。」
　
　
５．対比
　本願発明と刊行物発明とを対比・検討する。
　
（ａ）刊行物発明の「ＴＦＴ」は、「ガラスからなる絶縁性基板１０１の上に」「遮光膜１０２」、「絶縁膜１０３」、「絵素電極１０４、ソース電極１０５およびドレイン電極１０６」、「ａ−Ｓｉ膜１０７」、「ゲート絶縁膜１１０」及び「ゲート電極１１１」が順に積層されているから、積層構造を備えており、しかも、「ａ−Ｓｉ膜１０７の上には、ゲート絶縁膜１１０を間に介してゲート電極１１１が」形成された構造であるから、トップゲート型である。よって、刊行物発明の「ＴＦＴ」は、本願発明の「積層構造をもつトップゲート型薄膜トランジスタ」に相当する。
　
（ｂ）刊行物発明の「ガラスからなる絶縁性基板１０１」及び「遮光膜１０２」は、本願発明の「ガラス基板」及び「ライトシールド」に相当するから、刊行物発明の「ガラスからなる」「絶縁性基板１０１上にクロムを成膜する工程と、これをパターニングして遮光膜１０２を形成する工程」は、本願発明の「ガラス基板上に形成されるトップゲート型薄膜トランジスタの最初の層であるライトシールドをパターニングする」工程に相当する。
　
（ｃ）刊行物発明では、「遮光膜１０２」、「絵素電極１０４、ソース電極１０５およびドレイン電極１０６」及び「ゲート電極１１１」を形成するために「パターニング」工程を有しており、具体的な「パターニング」の方法については明記されていないものの、必要なマスクパターンを形成するために、「レジストを塗布し、露光、現像することによりレジストパターン」「を形成する工程」を備えることは、半導体装置製造の技術分野における常套手段であるから、上記「遮光膜１０２」、「絵素電極１０４、ソース電極１０５およびドレイン電極１０６」及び「ゲート電極１１１」を形成するための「パターニング」工程においても、塗布装置を用いてレジスト塗布する工程及び露光装置を用いて露光する工程を有していることは、明らかである。また、本願発明における「ミラープロジェクション露光装置」、「ステッパー方式露光装置」及び「プロキシミティ露光装置」はいずれも露光装置に属するものであり、本願発明における「ロールコータ」、「スピンコータ」及び「ランドコータ」はいずれも塗布装置に属するものである。よって、本願発明と刊行物発明とは、「パターニング」工程において塗布装置及び露光装置を用いる点で共通する。
　
　したがって、本願発明と刊行物発明とは、
「積層構造をもつトップゲート型薄膜トランジスタの製造方法において、層をパターニングするときに露光装置と塗布装置を用い、特にガラス基板上に形成されるトップゲート型薄膜トランジスタの最初の層であるライトシールドをパターニングするとき、塗布装置を用いることを特徴とするトップゲート型薄膜トランジスタの製造方法。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
　
　相違点１
　本願発明は、「高解像度及び高つなぎ精度の必要な層をパターニングするときにミラープロジェクション露光装置またはステッパー方式露光装置とスピンコータを用い、その他の層をパターニングするときにプロキシミティ露光装置と、ロールコータ、スピンコータ及びランドコータのいずれかを選択的に用い」るのに対し、刊行物発明は、各々の「パターニング」において、具体的にどのような露光装置及び塗布装置を用いるのかについて明らかでない点。
　
　相違点２
　本願発明は、「特にガラス基板上に形成されるトップゲート型薄膜トランジスタの最初の層であるライトシールドをパターニングするとき、前記ロールコータを用いる」のに対して、刊行物発明は、「パターニングして遮光膜１０２を形成する」ときに、具体的にどのような塗布装置を用いるのかについて明らかでない点。
　
　
６．当審の判断
　以下、上記各相違点について、それぞれ検討する。
　
　相違点１について
　刊行物２には、００１２段落の「パターン精度の要求度に従って」「フォトレジストへのパターン精度に応じた少なくとも２種以上の露光法を選択して用い、露光工程を行なう」との記載、００１５段落の「回路特性上パターン線幅が狭いほど好ましく、アライメント機構付縮少投影露光機で露光することが好ましい。」との記載、００１３段落の「回路の線幅、精度の仕様はゆるくなる。」及び００１４段落の「これらの部分の露光には１：１の密着露光法またはプロキシミティー露光法またはミラープロジェクション露光法を用い、全面を一度に露光する。」との記載から、「パターン精度の要求度に従って」「フォトレジストへのパターン精度に応じた少なくとも２種以上の露光法を選択して用い、露光工程を行」い、「回路特性上パターン線幅が狭いほど好まし」い場合、すなわち、高い露光精度が求められる場合には、「アライメント機構付縮少投影露光機で露光」し、逆に「回路の線幅、精度の仕様はゆる」い場合、すなわち、それほどの露光精度が求められない場合には、「これらの部分の露光には１：１の密着露光法またはプロキシミティー露光法またはミラープロジェクション露光法を用い」ることが記載されている。
　また、刊行物２には、具体的な実施例として、００２５段落の「縮小投影露光機（ステッパー）を用いて」「露光していった。最小線巾は３μｍ、位置精度は各ブロック内で±０．３μｍであった。」との記載、００２４段落の「線幅が最小２０μｍで位置精度は±２μｍである。この部分のパターンを」「プロキシミティ露光機を用いてレジストへ全面を一度に露光した。」との記載から、高い露光精度が求められる場合に「縮小投影露光機（ステッパー）を用い」、それほどの露光精度が求められない場合に「プロキシミティ露光機を用い」ることが記載されている。
　一方、刊行物発明のＴＦＴの製造方法においても、各々の層ごとに求められるパターニングの精度が異なるのは自明であり、それに対応して、解像度及びつなぎ精度を含む露光精度の要求される程度が各々の層ごとに異なるのも自明である。
　よって、刊行物発明における各々の層をパターニングする際の露光装置の選択において、刊行物２に記載された、「パターン精度の要求度に従って」「フォトレジストへのパターン精度に応じた少なくとも２種以上の露光法を行」い、高い露光精度が求められる場合に縮小投影露光機（ステッパー）を用い、それほどの露光精度が求められない場合にプロキシミティ露光機を用いるという技術思想を採用し、本願発明のごとく、「高解像度及び高つなぎ精度の必要な層をパターニングするときにミラープロジェクション露光装置またはステッパー方式露光装置」「を用い、その他の層をパターニングするときにプロキシミティ露光装置」を「用い」ることは、当業者であれば容易になし得たことである。
　そしてその際に、レジスト塗布装置として何を用いるかは、各々の層ごとに当業者が適宜選択すべきことであって、例えば刊行物３の０００４段落に記載された「スピンコーターによる塗布では、膜厚の均一なフォトレジスト膜を成膜できるものの、高コストとなる。これに対し、ロールコーターやバーコーターによる塗布では安価で、処理効率に優れているものの、乾燥に伴い膜厚変動が発生し易いという欠点をもつ。」という技術常識を考慮しつつ、高い露光精度が求められる場合に「膜厚の均一なフォトレジスト膜を成膜できる」「スピンコーター」を採用し、それほどの露光精度が求められない場合に「安価で、処理効率に優れている」「ロールコーター」等を採用すること、すなわち、本願発明のごとく、「高解像度及び高つなぎ精度の必要な層をパターニングするときに」「スピンコータを用い、その他の層をパターニングするときに」「ロールコータ、スピンコータ及びランドコータのいずれかを選択的に用い」ることは、単なる設計的事項にすぎない。
　
　相違点２について
　例えば、刊行物３の０００４段落にも「スピンコーターによる塗布では、膜厚の均一なフォトレジスト膜を成膜できるものの、高コストとなる。これに対し、ロールコーターやバーコーターによる塗布では安価で、処理効率に優れているものの、乾燥に伴い膜厚変動が発生し易いという欠点をもつ。」と記載されているように、レジスト塗布手段として「ロールコーター」を「スピンコーター」と比較すると、「ロールコーター」が処理効率に優れているものの、膜厚の均一性に劣っていることは、当業者における技術常識である。
　また、刊行物３の０００２段落に、「レジストパターンは一層づつ逐次形成されるため最初の１層目は平滑な電極材等を有したガラス基板上に塗布されるが、２層目からは最初のレジストによりエッチング形成された凹凸の電極パターン等を有したガラス基板上に塗布しなければならない。パターンの線幅の均一性は僅かな膜厚変動により影響を受けるために塗布膜厚の均一性が要求される。」と記載されているとおり、同じ塗布装置を用いても、「凹凸の電極パターン等を有したガラス基板上」への塗布となる「２層目から」の層に対するものと比較すれば、「平滑な電極材等を有したガラス基板上」への塗布となる「最初の１層目」の層に対するものの方が、より均一なレジスト塗布を可能とすることも、当業者における技術常識であるから、「最初の１層目」の層に対するレジスト塗布であれば、膜厚の均一性が劣るレジスト塗布装置を用いても、膜厚の均一性の劣化を相対的に小さく抑えることができることは、当業者にとって自明な事項である。
　よって、刊行物発明の、「パターニングして遮光膜１０２を形成する工程」におけるレジスト塗布装置の選択において、パターニングの対象が「絶縁性基板１０１上」の「クロム」であること、すなわち平滑な最初の１層目であることを考慮して、膜厚の均一性は劣るものの処理効率に優れたレジスト塗布手段である「ロールコーター」を採用することにより、本願発明のごとく、「特にガラス基板上に形成されるトップゲート型薄膜トランジスタの最初の層であるライトシールドをパターニングするとき、前記ロールコータを用いる」ことは、当業者が処理効率の要請等に応じて適宜なし得た程度のことである。
　
　したがって、本願発明は、刊行物１ないし３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　
　
７．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、特許法第２９条第２項の規定により拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。