【事件の表示】
　特願２００１−３４９３９１「半導体装置用テープキャリアおよびその製造方法ならびに半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　５月２３日出願公開、特開２００３−１５２０３２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
［１］手続の経緯
　本願は、平成１３年１１月１４日の出願であって、平成１８年１２月５日付で拒絶理由通知がなされ、同拒絶理由通知書に記載した理由によって、平成１９年４月２日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年５月２日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日付で手続補正書が提出され、再度、同年６月１日付で手続補正書が提出され、前置報告がなされたものである。
　　
［２］平成１９年５月２日付手続補正についての補正却下の決定
　　
＜補正却下の決定の結論＞
　平成１９年５月２日付手続補正を却下する。
　　
＜理由＞
（１）補正の内容
　平成１９年５月２日付手続補正は、出願当初の特許請求の範囲に記載されていた、
「【請求項１】ポリイミドテープ等の基板テープと、前記基板テープの上に所定のパターンを有して形成された配線層と、前記配線層の半田ボールランドに通じるように前記基板テープに形成されたビア穴と、一体化された前記基板テープおよび前記配線層がメッキ液に浸漬されることによって前記配線層に形成されたＡｕ／Ｎｉ等のメッキ膜を含み、
　前記半田ボールランドは、その表面に前記メッキ膜が形成されていないことを特徴とする半導体装置用テープキャリア。
【請求項２】前記半田ボールランドは、前記基板テープの表面に形成された樹脂層が前記ビア穴を塞ぐことにより前記メッキ液と接触しないことで、前記メッキ膜が形成されていないものであることを特徴とする請求項１項記載の半導体装置用テープキャリア。
【請求項３】前記樹脂層は、前記基板テープに貼り付けられた樹脂テープより構成されることを特徴とする請求項２項記載の半導体装置用テープキャリア。
【請求項４】前記樹脂テープは、積層されての運搬あるいは梱包などのときに隣接間のセパレータとして存在し、前記ビア穴を通して前記半田ボールランドに半田ボールが形成されるときに前記基板テープより剥がされて除去される存在であることを特徴とする請求項３項記載の半導体装置用テープキャリア。
【請求項５】前記樹脂テープは、前記基板テープへの貼り付けのための接着剤を片面に有することを特徴とする請求項４項記載の半導体装置用キャリアテープ。
【請求項６】銅箔をラミネートされ、所定の位置にビア穴を有するポリイミドテープ等の基板テープの前記銅箔に所定のパターンのフォトエッチング加工を施した後、前記基板テープおよび前記配線層をメッキ液に浸漬することによって前記配線層にＡｕ／Ｎｉ等のメッキ膜を形成する半導体装置用テープキャリアの製造方法において、
　前記メッキ膜は、前記基板テープに樹脂テープを貼り付けることによって前記ビア穴を塞いだ状態のもとに形成されることを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【請求項７】前記メッキ膜を形成するステップは、電解メッキ法あるいは無電解メッキ法によって行われることを特徴とする請求項６項記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【請求項８】ポリイミドテープ等の基板テープと、前記基板テープ上に所定のパターンを有して形成された配線層と、前記配線層の半田ポールランドに通じるように前記基板テープに形成されたビア穴と、一体化された前記基板テープおよび前記配線層がメッキ液に浸漬されることによって前記配線層に形成されたＡｕ／Ｎｉ等のメッキ膜と、前記配線層の所定の位置に電極を接続させて搭載された半導体チップと、前記ビア穴を通して前記半田ボールランドに形成された半田ボールを含み、
　前記半田ボールランドは、その表面に前記メッキ膜が形成されておらず、
　前記半田ボールは、前記半田ボールランドに直接接触して形成されていることを特徴とする半導体装置。」を、
「【請求項１】ポリイミドテープ等の基板テープと、前記基板テープの上に所定のパターンを有して形成された配線層と、前記配線層の半田ボールランドに通じるように前記基板テープに形成されたビア穴と、前記配線層の表面に形成されたＡｕ／Ｎｉ等のメッキ膜を含み、
　前記基板テープの裏面には前記ビア穴を塞ぐように樹脂テープが貼り付けられていることを特徴とする半導体装置用テープキャリア。
【請求項２】前記樹脂テープは、前記基板テープへの貼り付けのための接着剤を片面に有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置用テープキャリア。
【請求項３】銅箔がラミネートされ、所定の位置にビア穴を有するポリイミドテープ等の基板テープの前記銅箔上にレジスト膜を形成し、前記レジスト膜に配線層のパターンに応じた露光と現像を行った後、エッチング処理を施すことにより前記銅箔を所定のパターンの配線層に加工し、前記配線層の表面にＡｕ／Ｎｉ等のメッキ膜を形成する半導体装置用テープキャリアの製造方法において、
　前記エッチング処理を施す前に前記基板テープの裏面に前記ビア穴を塞ぐように樹脂テープを貼り付け、前記メッキ膜形成後も前記樹脂テープを残すことを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。」とする補正を含むものである。
　　
（２）補正の目的
　上記手続補正は、拒絶査定不服審判の請求の日から３０日以内にするものであって、特許請求の範囲についてする補正であるから、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項各号に掲げる事項を目的とするものか否かについて、以下検討する。
　まず、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮という目的に該当するか否かについてみる。
　「半導体装置用テープキャリア」に係る補正後の請求項１、２が、補正前即ち出願当初の特許請求の範囲のいずれの請求項に対応するかについて検討するに、出願当初の特許請求の範囲において物の発明である「半導体装置用テープキャリア」に係るのは請求項１〜５のみであるから、補正後の請求項１、２は、出願当初の請求項１〜５のいずれかに対応するものと考えざるをえない。
　しかしながら、出願当初の請求項１〜５に記載された「半導体装置用テープキャリア」はいずれも、「半田ボールランドは、その表面に前記メッキ膜が形成されていないこと」を特定事項としているのに対し、補正後の請求項１、２には、同様の記載はなく、「前記基板テープの裏面には前記ビア穴を塞ぐように樹脂テープが貼り付けられている」と記載されるものの、樹脂テープがそのように貼り付けられているからといって、半田ボールランドの表面に同様のメッキ膜が形成されていないとは限らない。例えば、該樹脂テープの貼り付け以前に同様のメッキ膜を形成することもでき、必ずしも「半田ボールランドは、その表面に前記メッキ膜が形成されていないこと」にはならない。そうすると、補正後の請求項１、２は、上記特定事項を具備しているとも、或いはそれをより限定しているともいえないから、出願当初の請求項１〜５のいずれかを減縮したものとは解されない。
　また、「前記メッキ膜形成後も前記樹脂テープを残す・・・半導体装置用テープキャリアの製造方法」に係る補正後の請求項３が、出願当初の特許請求の範囲のいずれの請求項に対応するかについても検討するに、出願当初の特許請求の範囲において方法の発明である「半導体装置用テープキャリアの製造方法」に係るのは請求項６、７のみであるから、補正後の請求項３は、出願当初の請求項６、７のいずれかに対応するものと考えざるをえない。
　しかしながら、出願当初の請求項６，７に記載された「半導体装置用テープキャリアの製造方法」はどちらも、メッキ膜形成後の樹脂テープ及びビア穴の状態について記載されておらず、メッキ膜形成後の樹脂テープ及びビア穴の状態は、同請求項６，７に記載された発明を特定するために必要な事項とはされていないから、補正後の請求項３に記載された「前記メッキ膜形成後も前記樹脂テープを残すこと」は、同請求項６，７に記載された発明を特定するために必要な事項を限定するものとはいえない。
　してみると、補正後の請求項１〜３を上記の記載とする補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものには該当しない。
　次に、その他の目的要件についてみるに、補正後の請求項１〜３を上記の記載とする補正は、同特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる請求項の削除、同項第３号に掲げる誤記の訂正を目的とするものに該当しないことは明らかであり、また、同項第４号に掲げる、拒絶理由通知に係る拒絶の理由に示す事項についてする明りょうでない記載の釈明を目的とするものともいえない。
　　
（３）むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　　
［３］平成１９年６月１日付手続補正についての補正却下の決定
　　
＜補正却下の決定の結論＞
　平成１９年６月１日付手続補正を却下する。
　　
＜理由＞
（１）補正の内容
　平成１９年５月２日付手続補正は上記のとおり却下されたので、平成１９年６月１日付手続補正は、出願当初の特許請求の範囲の記載を、
「【請求項１】ポリイミドテープ等の基板テープと、前記基板テープの上に所定のパターンを有して形成された配線層と、前記配線層の半田ボールランドに通じるように前記基板テープに形成されたビア穴と、前記配線層の表面に形成されたＡｕ／Ｎｉのメッキ膜を含み、
　前記基板テープの裏面には前記配線層の形成以前から前記ビア穴を塞ぐように樹脂テープが貼り付けられていることを特徴とする半導体装置用テープキャリア。
【請求項２】前記樹脂テープは、前記基板テープへの貼り付けのための接着剤を片面に有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置用テープキャリア。
【請求項３】銅箔がラミネートされ、所定の位置にビア穴を有するポリイミドテープ等の基板テープの前記銅箔上にレジスト膜を形成し、前記レジスト膜に配線層のパターンに応じた露光と現像を行った後、エッチング処理を施すことにより前記銅箔を所定のパターンの配線層に加工し、前記配線層の表面にＡｕ／Ｎｉのメッキ膜を形成する半導体装置用テープキャリアの製造方法において、
　前記エッチング処理を施す前に前記基板テープの裏面に前記ビア穴を塞ぐように樹脂テープを貼り付け、前記メッキ膜形成後も前記樹脂テープを残すことを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。」とする補正を含むものである。
　　
（２）補正の目的
　上記手続補正は、拒絶査定不服審判の請求の日から３０日以内にするものであって、特許請求の範囲についてする補正であるから、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項各号に掲げる事項を目的とするものか否かについて、以下検討する。
　まず、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮という目的に該当するか否かについてみる。
　「半導体装置用テープキャリア」に係る補正後の請求項１、２が、補正前即ち出願当初の特許請求の範囲のいずれの請求項に対応するかについて検討するに、出願当初の特許請求の範囲において物の発明である「半導体装置用テープキャリア」に係るのは請求項１〜５のみであるから、補正後の請求項１、２は、出願当初の請求項１〜５のいずれかに対応するものと考えざるをえない。
　しかしながら、出願当初の請求項１〜５に記載された「半導体装置用テープキャリア」はいずれも、「半田ボールランドは、その表面に前記メッキ膜が形成されていないこと」を特定事項としているのに対し、補正後の請求項１、２には、同様の記載はなく、「前記基板テープの裏面には前記配線層の形成以前から前記ビア穴を塞ぐように樹脂テープが貼り付けられている」と記載されるものの、樹脂テープがそのように貼り付けられているからといって、半田ボールランドの表面に同様のメッキ膜が形成されていないとは限らない。例えば、該樹脂テープの貼り付け以前に同様のメッキ膜を形成することもでき、必ずしも「半田ボールランドは、その表面に前記メッキ膜が形成されていないこと」にはならない。そうすると、補正後の請求項１、２は、上記特定事項を具備しているとも、或いはそれをより限定しているともいえないから、出願当初の請求項１〜５のいずれかを減縮したものとは解されない。
　また、「前記メッキ膜形成後も前記樹脂テープを残す・・・半導体装置用テープキャリアの製造方法」に係る補正後の請求項３が、出願当初の特許請求の範囲のいずれの請求項に対応するかについても検討するに、出願当初の特許請求の範囲において方法の発明である「半導体装置用テープキャリアの製造方法」に係るのは請求項６、７のみであるから、補正後の請求項３は、出願当初の請求項６、７のいずれかに対応するものと考えざるをえない。
　しかしながら、同請求項６，７に記載された「半導体装置用テープキャリアの製造方法」はどちらも、メッキ膜形成後の樹脂テープ及びビア穴の状態について記載されておらず、メッキ膜形成後の樹脂テープ及びビア穴の状態は、同請求項６，７に記載された発明を特定するために必要な事項とはされていないから、補正後の請求項３に記載された「前記メッキ膜形成後も前記樹脂テープを残すこと」は、同請求項６，７に記載された発明を特定するために必要な事項を限定するものとはいえない。
　してみると、補正後の請求項１〜３を上記の記載とする補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものには該当しない。
　次に、その他の目的要件についてみるに、補正後の請求項１〜３を上記の記載とする補正は、同特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる請求項の削除、同項第３号に掲げる誤記の訂正を目的とするものに該当しないことは明らかであり、また、同項第４号に掲げる、拒絶理由通知に係る拒絶の理由に示す事項についてする明りょうでない記載の釈明を目的とするものともいえない。
　　
（３）むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　　
［４］本願発明
　平成１９年５月２日付手続補正及び平成１９年６月１日付手続補正は上記のとおり却下されたので、本願請求項１〜８に係る発明は、出願当初の明細書の特許請求の範囲の請求項１〜８に記載された事項により特定されるものと認められるところ、その請求項１、６に係る発明（以下、「本願発明１」、「本願発明６」という。）は、それぞれ以下のとおりである。
「【請求項１】ポリイミドテープ等の基板テープと、前記基板テープの上に所定のパターンを有して形成された配線層と、前記配線層の半田ボールランドに通じるように前記基板テープに形成されたビア穴と、一体化された前記基板テープおよび前記配線層がメッキ液に浸漬されることによって前記配線層に形成されたＡｕ／Ｎｉ等のメッキ膜を含み、
　前記半田ボールランドは、その表面に前記メッキ膜が形成されていないことを特徴とする半導体装置用テープキャリア。」
「【請求項６】銅箔をラミネートされ、所定の位置にビア穴を有するポリイミドテープ等の基板テープの前記銅箔に所定のパターンのフォトエッチング加工を施した後、前記基板テープおよび前記配線層をメッキ液に浸漬することによって前記配線層にＡｕ／Ｎｉ等のメッキ膜を形成する半導体装置用テープキャリアの製造方法において、
　前記メッキ膜は、前記基板テープに樹脂テープを貼り付けることによって前記ビア穴を塞いだ状態のもとに形成されることを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。」
　　　 
［５］引用刊行物の記載事項
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特許第２９８３２１４号公報（以下、「引用刊行物１」という。）には、以下の事項が記載されている。
　　
引用刊行物１：.特許第２９８３２１４号公報
（ａ）「樹脂製テープ１表面に銅箔４がラミネートされ、該樹脂製テープ１裏面からハンダボール係合用孔２があけられたものを、化学処理して銅箔４を清浄化後に、銅箔４表面にフォトレジスト膜７を形成してパッド部等のパターンを露光・現像し、裏面をマスキング材６で裏止めして、エッチング処理にてパターン８を形成し、上記フォトレジスト膜７を剥離後に、Ｎｉ／Ａｕ等メッキ９を施して銅箔４の表面にボング用パッド部１０等を形成し、かつ銅箔４裏面にはハンダボール用パッド部１１を形成する工程をもつテープ形ＣＳＰの製造方法において、
　上記銅箔４を洗浄後でフォトレジスト膜７を形成する前の段階で、
　〈１〉少なくとも銅箔４の裏面にＳｎ等メッキ５を施し、
　〈２〉次に上記樹脂製テープ１の裏面からマスキング材６で裏止めするとともに、
　上記で銅箔４表面にもＳｎ等メッキ５を施した場合はそれを剥離する工程を入れ、
　かつ、上記Ｎｉ／Ａｕ等メッキ９を無電解で行うとともに、その後に上記樹脂製テープ１裏面の裏止め用マスキング材６を剥離するようにした・・・テープ形チップサイズパッケージの製造方法。」（【特許請求の範囲】【請求項１】）、
注１）当起案システムでは丸数字が使用できないため、丸数字の「１」、「２」を「〈１〉」、「〈２〉」と表記した。
（ｂ）「樹脂製テープ１上の銅箔４表面には、無電解によるＮｉ／Ａｕ等メッキが施されたボンディング用パッド部１０が形成されるとともに、
　ハンダボール係合用孔２を介して露呈する銅箔４裏面には、Ｓｎ等メッキ５が施されたハンダボール用パッド部１１が形成された・・・テープ形チップサイズパッケージ。」（【特許請求の範囲】【請求項２】）、
（ｃ）「Ｎｉ／Ａｕメッキ（Ｎｉメッキ上にＡｕメッキを施したものをいう）、・・・Ｎｉ／Ａｕ／Ａｕメッキ（Ｎｉメッキ上にＡｕメッキをし、さらにその上にＡｕメッキを施したものをいう）、あるいはＮｉ／Ｐｄ／Ａｕメッキ（Ｎｉメッキ上にＰｄメッキをし、さらにその上にＡｕメッキを施したものをいう）」（段落【０００４】）、
（ｄ）「【発明の実施の形態】本発明の上記構成おいて、Ｎｉ／Ａｕ等メッキ９というのは、Ｎｉ／Ａｕメッキ、Ｎｉ／Ａｕ／ＡｕまたはＮｉ／Ｐｄ／Ａｕメッキを指し、またＳｎ等メッキ５とは、ＳｎメッキやＳｎ合金（＝ハンダ）メッキを指すものとする。
　樹脂製テープ１にはポリイミド樹脂製のものを用いることが望ましい。上記で樹脂製テープ１表面に銅箔４がラミネートされ、該樹脂製テープ１裏面からハンダボール係合用孔２があけられたものとは、表面に接着剤３付きのポリイミド樹脂製テープ１に、プレスまたはドリルにて孔あけして銅箔４をラミネートした３層構造のものでよいし（・・・）、また予め銅箔４がラミネートされた樹脂製テープ１に裏面からレーザにより孔あけした２層構造のものでもよい（・・・）。」（段落【００１５】【００１６】）、
（ｅ）「樹脂製テープ１の裏面をマスキング材６にて裏止めするのは、表面に付着したＳｎ等メッキ５を剥離時や、フォトレジスト膜７の剥離時に、裏面のＳｎ等メッキ５を保護することと、ボンディング用パッド部１０のためのメッキ時に、裏面のＳｎメッキ５にＮｉ／Ａｕ等メッキが付着するのを防止する意味がある。
　このマスキング材６には、マスキング用テープの貼布やドライフィルムの貼布でもよいが、後で剥離する際の便宜上からは機械的に剥離可能なソルダーレジストインクを貼付することが望ましい。
　フォトレジスト膜７を形成して、パターンを露光し現像した後にエッチングするのは、従来の工程で行うのと同様であり、フォトレジスト膜７を剥離後に・・・Ｎｉ／Ａｕ等メッキを施す。
　上記によるＮｉ／Ａｕ等メッキにて、銅箔４の表面のボンディング用パッド部１０になる部分に、Ｎｉを含むメッキが施される。しかし銅箔４の裏面は、上記の如くマスキング材６が貼布または塗布されているので、Ｓｎ等メッキ５のままが維持されている。」（段落【００１９】〜【００２２】）、
（ｆ）「ｃ）また本発明では、銅箔裏面のハンダボール用パッド部へのハンダボールの接合が、従来のようなＮｉメッキ上へのハンダボールの接合ではなく、パッド部のＳｎ等メッキとハンダボールのＳｎ合金間の接合となっている。これで、ハンダボールの接合強度は大幅に向上しており、かつハンダボールを接合させる際にフラックスを必ずしも用いる必要がなくなる。
ｄ）さらに上記ハンダボール用パッド部のＳｎ等メッキは、ハンダボールを接合時の熱で溶融するから、ここでのハンダボールの接合は銅箔とＳｎ等との接合となり、間にＮｉメッキを介した従来のものと異なり、ハンダボールの接合強度をこの点でも大幅に向上させることができる。
ｅ）しかも、ボンディング用パッド部等への無電解によるＮｉ／Ａｕ等メッキは、ハンダボール用パッド部が裏止め被覆された状態で行われるから、ハンダボール用パッド部表面にＮｉ中に含まれるＰやＢ等の不純物の析出することが無くなるし、Ａｕメッキ中のＡｕがハンダボール中に拡散することも無くせる。これで、この面からもハンダボールの接合力が向上しシェアー強度を有するし、半田ボールの強度が弱くなることも無くすことができる。」（段落【００５１】〜【００５３】）が記載されている。
　　
［６］対比・判断
（１）本願発明１について
（ア）引用刊行物１には、摘記（ｂ）に記載されたとおりの「テープ形チップサイズパッケージ」が記載されており、また、該「テープ形チップサイズパッケージ」の構成に含まれる、「樹脂製テープ上の銅箔表面には、無電解によるＮｉ／Ａｕ等メッキが施されたボンディング用パッド部が形成されるとともに、ハンダボール係合用孔を介して露呈する銅箔裏面には、Ｓｎ等メッキが施されたハンダボール用パッド部が形成された」テープも記載されているといえる。そして、該テープは、当該「テープ形チップサイズパッケージ」の構成に含まれるテープキャリアであるといえる。
（イ）摘記（ｂ）及び（ｄ）によれば、上記「樹脂製テープ」には、ポリイミド樹脂製テープが含まれる。また、上記「ハンダボール係合用孔」とは、該樹脂製テープに銅箔がラミネートされ、その銅箔裏面が露呈するように該樹脂製テープに孔あけされ、該露呈する銅箔裏面にＳｎ等メッキが施されてハンダボール用パッド部が形成されており、該ハンダボール用パッド部に通じるように該樹脂製テープに形成されているものと解される。
（ウ）摘記（ｅ）及び（ｆ）によれば、上記銅箔をエッチングして銅箔パターンを形成した後、該銅箔パターンの表面のボンディング用パッド部にＮｉ／Ａｕ等メッキを施し、該Ｎｉ／Ａｕ等メッキ時には、上記樹脂製テープの裏面にマスキング材が貼布または塗布されているので、該銅箔パターン裏面のハンダボール用パッド部は、Ｓｎ等メッキのまま維持され、該Ｎｉ／Ａｕ等メッキが施されないものと理解できる。
　　
　上記（ア）〜（ウ）の事項を考慮し、摘記（ａ）〜（ｆ）を整理すると、引用刊行物１には、次の「テープ形チップサイズパッケージのテープキャリア」の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
　　
「ポリイミド樹脂等の樹脂製テープと、該樹脂製テープにラミネートされた銅箔のエッチングにより形成された銅箔パターンと、該銅箔裏面にＳｎ等メッキが施されて形成されたハンダボール用パッド部と、該ハンダボール用パッド部に通じるように該樹脂製テープに形成されたハンダボール係合用孔と、該銅箔パターンの表面のボンディング用パッド部に、無電解により施されたＮｉ／Ａｕ等メッキとを含み、該Ｎｉ／Ａｕ等メッキ時には、上記樹脂製テープの裏面にマスキング材が貼布または塗布されているので、該銅箔パターン裏面のハンダボール用パッド部は、Ｓｎ等メッキのまま維持され、該Ｎｉ／Ａｕ等メッキが施されない、テープ形チップサイズパッケージのテープキャリア。」
　　
　そこで、本願発明１と引用発明１とを対比すると、
（カ）引用発明１における「ポリイミド樹脂等の樹脂製テープ」、「該樹脂製テープにラミネートされた銅箔のエッチングにより形成された銅箔パターン」は、それぞれ本願発明１における「ポリイミドテープ等の基板テープ」、「前記基板テープの上に所定のパターンを有して形成された配線層」に相当する。
（キ）引用発明１における「該銅箔裏面にＳｎ等メッキが施されて形成されたハンダボール用パッド部」は、半田ボールランドに該当し、また、同「該ハンダボール用パッド部に通じるように該樹脂製テープに形成されたハンダボール係合用孔」は、基板テープに形成されたビア穴に該当する。
（ク）引用発明１における「該銅箔パターンの表面のボンディング用パッド部に、無電解により施されたＮｉ／Ａｕ等メッキ」は、摘記（ｃ）及び（ｄ）によれば、銅箔パターンの表面のボンディング用パッド部に、無電解により、Ｎｉメッキ上にＡｕメッキを施したもの、Ｎｉメッキ上にＡｕメッキをし、さらにその上にＡｕメッキを施したもの、あるいはＮｉメッキ上にＰｄメッキをし、さらにその上にＡｕメッキを施したものをいうのであり、無電解によるメッキでは、被メッキ物を無電解メッキ液に浸漬して該被メッキ物の所定の表面を無電解メッキすることが普通に行われており、当該「Ｎｉ／Ａｕ等メッキ」に、銅箔パターンをラミネートした樹脂製テープを無電解メッキ液に浸漬して無電解メッキする態様が含まれることは明らかである一方、本願発明１における「Ａｕ／Ｎｉ等のメッキ」も、本願の図２に示されるように、Ｎｉメッキ後、Ａｕメッキが行われるのであるから、本願発明１における「一体化された前記基板テープおよび前記配線層がメッキ液に浸漬されることによって前記配線層に形成されたＡｕ／Ｎｉ等のメッキ膜」と重複しているといえる。
（ケ）引用発明１における「テープ形チップサイズパッケージのテープキャリア」は、半導体装置用テープキャリアといえる。
　　
　してみると、両発明は、
「ポリイミドテープ等の基板テープと、前記基板テープの上に所定のパターンを有して形成された配線層と、前記基板テープに形成されたビア穴と、一体化された前記基板テープおよび前記配線層がメッキ液に浸漬されることによって前記配線層に形成されたＡｕ／Ｎｉ等のメッキ膜を含み、
　前記半田ボールランドは、その表面に前記メッキ膜が形成されていない半導体装置用テープキャリア」の点で一致し、次の点で相違する。
　　
相違点Ａ：本願発明１のビア穴は、配線層の半田ボールランドに通じるように、基板テープに形成されているのに対し、引用発明１のハンダボール係合用孔は、銅箔裏面にＳｎ等メッキが施されて形成されたハンダボール用パッド部に通じるように、樹脂製テープに形成されている点。
　　
　そこで、相違点Ａについて、以下検討する。
　半導体装置用テープキャリアのハンダボールを形成する孔内に予備的なメッキを施すことなくハンダボールを形成することは、下記周知例１、周知例２に記載されているように本出願前周知の技術と認められるから、引用発明１のハンダボール係合用孔に露呈する銅箔裏面にＳｎ等メッキを施すことなく、該銅箔裏面に通じるハンダボール係合用孔とすること、即ち、半田ボールを設けるビア穴を、配線層の半田ボールランドに通じるように形成することは、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　　
周知例１：特開平８−８８２４３号公報
（周１ａ）「（実施例１）まず、図２に示す３５mm幅のＴＡＢテープ２８を製作した。ベースフィルムは１２５μm 厚さのポリイミドに１９μm 厚さのエポキシ系の接着剤を貼り合わせたものを用い、始めに穴加工を施す。穴加工は、送り穴２３やデバイスホール２４と共にバイアホール１９を開口させる。バイアホール１９の直径は０．３mmφであり、送り穴２３、及びデバイスホール２４と一緒にパンチング金型により開口する。その後、全面に銅箔を貼り合わせた後に、ホトケミカルエッチング法によって配線パターン２を作る。配線パターン２にはテンティングパッド２０やインナーリード７等が含まれる。テンティングパッド２０は、ＴＡＢテープ２８に設けられたバイアホール１９の一方の開口を塞ぎ、バイアホール１９内に埋め込まれたハンダペースト等の導電体と接続される部分となる。配線パターン形成工程によりＴＡＢテープキャリアの製造は終わる。」（段落【００２４】）、
（周１ｂ）「その後、配線パターン２側と反対側から、印刷によりバイアホール４の穴の中にハンダペーストを埋め込んだ。・・・　　　
　印刷後、２３０℃のリフロー炉により、図４に示すようにハンダによる金属ボール３を形成させた。」（段落【００２６】、【００２７】）、
（周１ｃ）「【発明の効果】（１）請求項１に記載の発明によれば、ホール内に導電体を埋め込んで、導電体の直上に金属ボールを設けるようにしたので、ホール内にめっきを施したり、絶縁フィルム側に配線パターンを形成する必要がなく、構造が非常に簡単である。」（段落【００３２】）が記載されている。
　　
周知例２：国際出願公開ＷＯ９５／２６０４７号パンフレット
（周２ａ）「具体例１
　厚さ１２μｍの電解銅箔を片面に有する２層フレキシブル基板・・・銅箔をエッチング加工後、・・・所定の配線パターンを得た。次に、・・・絶縁基材側から配線パターン裏面に達する凹部（直径３００μｍ）を所定の位置に所定の数だけ形成した。・・・次に、無電解ニッケル、金めっき法によりワイヤボンド用端子部にニッケル／金めっきを施した。・・・続いて、前述の凹部に所定量のはんだを印刷塗布し、赤外線リフロー炉によりはんだを溶融させて外部接続用バンプを形成した。」（第２６頁１行〜第２７頁３行）、
（周２ｂ）「具体例２
　厚さ１２μｍの電解銅箔を片面に有する２層フレキシブル基材・・・銅箔をエッチング加工後、・・・所定の配線パターンを得た。次に、・・・絶縁基材側から配線パターン裏面に達する凹部（直径３００μｍ）を所定の位置に所定の数だけ形成した。・・・次に、無電解ニッケル、金めっき法によりワイヤボンド用端子部にニッケル／金めっきを施した。・・・続いて、前述の凹部に所定量のはんだを印刷塗布し、赤外線リフロー炉によりはんだを溶融させて外部接続用バンプを形成した。」（第２９頁３行〜第３０頁６行）が記載されている。
　上記（周２ａ）の具体例１、（周２ｂ）の具体例２において、「前述の凹部に所定量のはんだを印刷塗布し、・・・」の「前述の凹部」は、「絶縁基材側から配線パターン裏面に達する凹部（直径３００μｍ）」であるから、該「絶縁基材側から配線パターン裏面に達する凹部」に予備的なメッキを施すことなく、はんだを印刷塗布して外部接続用バンプを形成していることが明らかである。
　　
　そして、本願発明１の相違点Ａに係る特定事項によってもたらされる効果も、引用刊行物１に記載された発明及び上記周知技術から当業者が普通に予測し得る程度のものであって、格別なものとはいえない。 
　したがって、本願発明１は、引用刊行物１に記載された発明及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　
（２）本願発明６について
（サ）引用刊行物１には、摘記（ａ）の【請求項１】の「テープ形チップサイズパッケージの製造方法」が記載されている。
（シ）同【請求項１】に記載された「テープ形ＣＳＰの製造方法」の「ＣＳＰ」は、「チップサイズパッケージ」を略して表記したものと解される。
（ス）同【請求項１】に記載された「ボング用パッド部１０」は、「ボンディング用パッド部１０」の誤記と認められる。
（セ）同【請求項１】に記載された「テープ形チップサイズパッケージの製造方法」における「樹脂製テープ１表面に銅箔４がラミネートされ、該樹脂製テープ１裏面からハンダボール係合用孔２があけられたものを、化学処理して銅箔４を清浄化後に、銅箔４表面にフォトレジスト膜７を形成してパッド部等のパターンを露光・現像し、裏面をマスキング材６で裏止めして、エッチング処理にてパターン８を形成し、上記フォトレジスト膜７を剥離後に、Ｎｉ／Ａｕ等メッキ９を施して銅箔４の表面にボング用パッド部１０等を形成し、かつ銅箔４裏面にはハンダボール用パッド部１１を形成する工程」、「上記銅箔４を洗浄後でフォトレジスト膜７を形成する前の段階で、〈１〉少なくとも銅箔４の裏面にＳｎ等メッキ５を施し、〈２〉次に上記樹脂製テープ１の裏面からマスキング材６で裏止めするとともに、上記で銅箔４表面にもＳｎ等メッキ５を施した場合はそれを剥離する工程を入れ、かつ、上記Ｎｉ／Ａｕ等メッキ９を無電解で行うとともに、その後に上記樹脂製テープ１裏面の裏止め用マスキング材６を剥離する」工程は、「テープ形チップサイズパッケージ」のテープキャリアを製造する工程に該当し、当該「テープ形チップサイズパッケージの製造方法」は、当該テープキャリアを製造する工程を含むものといえる。
（ソ）摘記（ｄ）によれば、上記「樹脂製テープ」には、ポリイミド樹脂製テープが含まれる。また、摘記（ｅ）によれば、上記「マスキング材で裏止め」には、マスキング用テープ、ドライフィルムの貼布が含まれる。
　　
　上記（サ）〜（ソ）の事項を整理すると、引用刊行物１には、次の「テープ形チップサイズパッケージの製造方法」の発明（以下、「引用発明２」という。）が記載されているといえる。
　　
「ポリイミド樹脂等の樹脂製テープ表面に銅箔がラミネートされ、該樹脂製テープ裏面からハンダボール係合用孔があけられたものを、化学処理して銅箔を清浄化後に、銅箔表面にフォトレジスト膜を形成してパッド部等のパターンを露光・現像し、裏面をマスキング材で裏止めして、エッチング処理にてパターンを形成し、上記フォトレジスト膜を剥離後に、Ｎｉ／Ａｕ等メッキを施して銅箔の表面にボンディング用パッド部等を形成し、かつ銅箔裏面にはハンダボール用パッド部を形成する工程をもつテープ形チップサイズパッケージの製造方法において、
　上記銅箔を洗浄後でフォトレジスト膜を形成する前の段階で、
　〈１〉少なくとも銅箔の裏面にＳｎ等メッキを施し、
　〈２〉次に上記樹脂製テープの裏面からマスキング用テープ、ドライフィルム等の貼布により裏止めするとともに、
　上記で銅箔表面にもＳｎ等メッキを施した場合はそれを剥離する工程を入れ、
　かつ、上記Ｎｉ／Ａｕ等メッキを無電解で行うとともに、その後に上記樹脂製テープ裏面のマスキング用テープ、ドライフィルム等の裏止め用マスキング材を剥離するようにしたテープキャリアの製造工程を含む、テープ形チップサイズパッケージの製造方法。」
　　
　そこで、本願発明６と引用発明２とを対比すると、
（タ）本願発明６に係る請求項６の「前記基板テープおよび前記配線層」より前段には、「前記配線層」に相当する「配線層」という表記はないが、「銅箔をラミネートされ、所定の位置にビア穴を有するポリイミドテープ等の基板テープの前記銅箔に所定のパターンのフォトエッチング加工を施した後・・・」と記載されており、該「ラミネートされ、・・・所定のパターンのフォトエッチング加工を施した」銅箔は、「基板テープ」面上に形成された「配線層」といえる。そうすると、上記「前記配線層」は、前段の「ラミネートされ、・・・所定のパターンのフォトエッチング加工を施した」銅箔を配線層とみなし、該銅箔を「前記配線層」と表記しているものと解される。
（チ）引用発明２における「ポリイミド樹脂等の樹脂製テープ」、「ハンダボール係合用孔」、「ポリイミド樹脂等の樹脂製テープ表面に銅箔がラミネートされ、該樹脂製テープ裏面からハンダボール係合用孔があけられたもの」、「パッド部等」、「銅箔表面にフォトレジスト膜を形成してパッド部等のパターンを露光・現像し、裏面をマスキング材で裏止めして、エッチング処理にてパターンを形成し、上記フォトレジスト膜を剥離後に、」は、それぞれ本願発明６における「ポリイミドテープ等」（又は「ポリイミドテープ等の基板テープ」）、「ビア穴」、「銅箔をラミネートされ、所定の位置にビア穴を有するポリイミドテープ等の基板テープ」、「配線層」、「前記銅箔に所定のパターンのフォトエッチング加工を施した後、」に相当する。
（ツ）引用発明２における「Ｎｉ／Ａｕ等メッキを施して銅箔の表面にボンディング用パッド部等を形成し、・・・上記Ｎｉ／Ａｕ等メッキを無電解で行う」は、摘記（ｃ）及び（ｄ）によれば、当該「Ｎｉ／Ａｕ等メッキ」とは、銅箔パターンの表面のボンディング用パッド部に、無電解により、Ｎｉメッキ上にＡｕメッキを施すこと、Ｎｉメッキ上にＡｕメッキをし、さらにその上にＡｕメッキを施すこと、あるいはＮｉメッキ上にＰｄメッキをし、さらにその上にＡｕメッキを施すことをいうのであり、無電解によるメッキでは、被メッキ物を無電解メッキ液に浸漬して該被メッキ物の所定の表面を無電解メッキすることが普通に行われており、当該「Ｎｉ／Ａｕ等メッキ」に、銅箔パターンをラミネートした樹脂製テープを無電解メッキ液に浸漬して無電解メッキする態様が含まれることは明らかである一方、本願発明６における「Ａｕ／Ｎｉ等のメッキ」も、本願の図２に示されるように、Ｎｉメッキ後、Ａｕメッキが行われるのであるから、本願発明６における「前記基板テープおよび前記配線層をメッキ液に浸漬することによって前記配線層にＡｕ／Ｎｉ等のメッキ膜を形成する」と重複しているといえる。
（テ）引用発明２における「上記銅箔を洗浄後でフォトレジスト膜を形成する前の段階で、
・・・上記樹脂製テープの裏面からマスキング用テープ、ドライフィルム等の貼布により裏止めする・・・工程を入れ、かつ、上記Ｎｉ／Ａｕ等メッキを無電解で行うとともに、その後に上記樹脂製テープ裏面のマスキング用テープ、ドライフィルム等の裏止め用マスキング材を剥離する」は、本願発明６における「配線層にＡｕ／Ｎｉ等のメッキ膜を形成する半導体装置用テープキャリアの製造方法において、前記メッキ膜は、前記基板テープに樹脂テープを貼り付けることによって前記ビア穴を塞いだ状態のもとに形成される」に相当する。
　してみると、両発明は、
「銅箔をラミネートされ、所定の位置にビア穴を有するポリイミドテープ等の基板テープの前記銅箔に所定のパターンのフォトエッチング加工を施した後、前記基板テープおよび前記配線層をメッキ液に浸漬することによって前記配線層にＡｕ／Ｎｉ等のメッキ膜を形成する製造方法において、
　前記メッキ膜は、前記基板テープに樹脂テープを貼り付けることによって前記ビア穴を塞いだ状態のもとに形成される製造方法。」の点で一致し、次の点で相違する。
　　
相違点Ｂ：本願発明６が、半導体装置用テープキャリアの製造方法であるのに対し、引用発明２は、テープキャリアの製造工程を含む、テープ形チップサイズパッケージの製造方法である点。
相違点Ｃ：本願発明６が、化学処理して銅箔を清浄化する工程、少なくとも銅箔の裏面にＳｎ等メッキを施し、銅箔表面にもＳｎ等メッキを施した場合はそれを剥離する工程を含まないのに対し、引用発明２は、それらの工程を含む点。
　　
　そこで、相違点Ｂについてまず検討する。
　引用発明２における「テープキャリアの製造工程を含む、テープ形チップサイズパッケージの製造方法」は、半導体装置用テープキャリアの製造工程を含む、テープ形チップサイズパッケージの製造方法であるといえる。そして、該「半導体装置用テープキャリアの製造工程」が、チップを搭載して「テープ形チップサイズパッケージ」とする以前の半導体装置用テープキャリアの製造工程に該当し、該半導体装置用テープキャリアの製造方法を構成することは明らかである。
　そうすると、引用発明２における「テープ形チップサイズパッケージの製造方法」の上記「半導体装置用テープキャリアの製造工程」をもって「半導体装置用テープキャリアの製造方法」とすることは、当業者が容易に想到できたものと認められる。
　　
　次に、相違点Ｃについて検討する。
　本願発明６の半導体装置用テープキャリアの製造方法において、「化学処理して銅箔を清浄化する工程」、「少なくとも銅箔の裏面にＳｎ等メッキを施し、銅箔表面にもＳｎ等メッキを施した場合はそれを剥離する工程」等を付加的に行うことが排除されているわけではなく、本願発明６は、それらの工程を付加的に行う態様を包含していると解されるので、同態様において、引用発明２のテープ形チップサイズパッケージの製造方法と重複しているといえる。
　他方、引用発明２のテープ形チップサイズパッケージの製造方法において、「化学処理して銅箔を清浄化する工程」は、銅箔の状態等に応じて適宜に変更乃至省略できるものであるし、また、「少なくとも銅箔の裏面にＳｎ等メッキを施し、銅箔表面にもＳｎ等メッキを施した場合はそれを剥離する工程」は、上記「（１）本願発明１について」において、相違点Ａについての検討で述べたとおり、半導体装置用テープキャリアのハンダボールを形成する孔内に予備的なメッキを施すことなくハンダボールを形成することは本出願前周知の技術と認められるから、同様のハンダボールを形成するために、当業者が適宜に省略できるものと認められる。
　そうすると、相違点Ｃは、実質的な相違点を構成するものではないし、仮に実質的な相違点を構成するとしても、上記「（１）本願発明１について」の相違点Ａと同様、当業者が容易に想到できたものと認められる。
　そして、本願発明６の相違点Ｂ、Ｃに係る特定事項によってもたらされる効果も、引用刊行物１に記載された発明及び上記周知技術から当業者が普通に予測し得る程度のものであって、格別なものとはいえない。
　したがって、本願発明６は、引用刊行物１に記載された発明及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　
［７］むすび
　以上のとおり、本願発明１、６は、引用刊行物１に記載された発明及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができた発明であるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　また、上記のとおり本願発明１、６が特許を受けることができないため、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。