【事件の表示】
　平成　９年特許願第２８２４２３号「液晶表示装置及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　５月１５日出願公開、特開平１０−１２３５７２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成９年１０月１５日（パリ条約による優先権主張１９９６年１０月１８日、大韓民国）の出願であって、平成１９年５月７日に手続補正がなされ、同年６月８日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年９月１１日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年１０月１１日に手続補正がなされたものである。
　
第２　平成１９年１０月１１日付け手続補正についての補正却下の決定
　
〔補正却下の決定の結論〕
　平成１９年１０月１１日付け手続補正を却下する。
　
〔理由〕
１．本件補正の内容
　平成１９年１０月１１日付け手続補正（以下「本件補正」という。）は、特許請求の範囲の請求項１について、補正前のものを、
「基板上に形成された複数の走査線と、前記走査線に交差する複数のデータ線と、
　前記走査線上に絶縁層を介して重畳されて形成され、前記データ線と同一層に形成された金属セグメント層と、
　前記金属セグメント層上に設けられ、少なくとも一つのコンタクトホールが形成された保護層と、
　少なくとも一つの突出部を有し、前記突出部において前記コンタクトホールを通して前記金属セグメント層に接触する画素電極とを備え、
　前記金属セグメント層は、その線幅が前記絶縁層を介して重畳している前記走査線の線幅に等しいか又はそれよりも小さい構造となっており、
　前記画素電極は、前記走査線を挟んで隣接する画素電極との間隔が、前記突出部における間隔よりも前記突出部以外における間隔のほうが大きいことを特徴とする液晶表示装置。」と補正する内容を含むものである。 
　 
２．補正の目的
　上記補正内容は、本件補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「金属セグメント層」について、基板上に形成されていることが自明である「前記走査線に交差する複数のデータ線」と「同一層に形成された」ものであり、かつ「その線幅が前記絶縁層を介して重畳している前記走査線の線幅に等しいか又はそれよりも小さい構造となっており」との限定を付加するものであって、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下「旧特許法」という。）１７条の２第４項２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（旧特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するか）について以下に検討する。 
　 
３．先願明細書に記載された発明
（１）本願の出願日前（かつ優先日前）の他の出願であって、その優先日後に出願公開された特願平８−１７５２６号（特開平９−９６８３９号公報参照。）の願書に最初に添付した明細書及び図面（以下「先願明細書１」という。）には、次の事項が図とともに記載されている。
　ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、トランジスタマトリクス装置及びその駆動方法に係り、特にラップトップパソコンや壁掛けＴＶとして用いられるＴＦＴマトリクス型液晶ディスプレー装置及びその駆動方法に関する。・・・（略）・・・。」
　
　イ　「【００６３】・・・（略）・・・
［第３の実施形態］本発明の第３の実施形態による薄膜トランジスタマトリクス装置を図６乃至図８を用いて説明する。図６はパターンレイアウトを示し、図７（ａ）はＥ−Ｅ′線断面を示し、図７（ｂ）はＦ−Ｆ′線断面を示し、図７（ｃ）はＧ−Ｇ′線断面を示し、図８は等価回路を示す。
【００６４】透明絶縁基板１０上に、図６の横方向に延びるゲートバスライン１６ｎ、１６ｎ＋１、１６ｎ＋２、…が平行に複数本設けられ、図６の縦方向に延びるドレインバスライン１８ｍ、１８ｍ＋１、…が平行に複数本設けられている。ゲートバスライン１６ｎ、１６ｎ＋１、１６ｎ＋２、…には、ドレインバスライン１８ｍ、１８ｍ＋１、…に沿って下方に延びる補助パターン３０ｎ、３０ｎ＋１、３０ｎ＋２、…が形成されている。
【００６５】薄膜トランジスタ１４は、この補助パターン３０ｎ、３０ｎ＋１、３０ｎ＋２、…の下端近傍に設けられている。薄膜トランジスタ１４のゲート電極３２は補助パターン３０ｎ、３０ｎ＋１、３０ｎ＋２、…を介してゲートバスライン１６ｎ、１６ｎ＋１、１６ｎ＋２、…により共通接続され、ドレイン電極３４はドレインバスライン１８ｍ、１８ｍ＋１、…により共通接続されている。薄膜トランジスタ１４のソース電極３６はコンタクトホール３８を介して画素電極１２に接続されている。
【００６６】本実施形態における各画素電極１２は、次の列のゲートバスライン１６ｎ、１６ｎ＋１、１６ｎ＋２、…を越えた位置に形成されている。例えば、ゲートバスライン１６ｎに薄膜トランジスタ１４を介して接続された画素電極１２は、全体がゲートバスライン１６ｎ＋１とゲートバスライン１６ｎ＋２との間に位置している。薄膜トランジスタ１４は、ゲートバスライン１６ｎの補助パターン３０ｎの下端に設けられ、ソース電極３６がゲートバスライン１６ｎ＋１上まで延びて、画素電極１２の上端に接続されている。
【００６７】画素電極１２の下端には、補助容量Ｃsを形成するための中間電極４０が形成されている。中間電極４０は、コンタクトホール４２を介して画素電極１２に接続されている。本実施形態による薄膜トランジスタマトリクス装置の構造を図７（ａ）、図７（ｂ）、図７（ｃ）を用いて説明する。
【００６８】図７（ａ）のＥ−Ｅ′線断面図に示すように、薄膜トランジスタ１４では、透明絶縁基板１０上にゲート電極３２が形成され、ゲート電極３２上にゲート絶縁膜２２が形成されている。ゲート絶縁膜２２上には、薄膜トランジスタ１４のチャネル層となるアモルファスシリコン層４４が形成されている。アモルファスシリコン層４４上の中央のチャネル領域の両側には、ドレイン電極３４とソース電極３６が形成されている。薄膜トランジスタ１４全体は保護膜２４により覆われている。
【００６９】図７（ｂ）のＦ−Ｆ′線断面図に示すように、薄膜トランジスタ１４の下部では、透明絶縁基板１０上にゲートバスライン１６ｎ＋１が形成され、ゲートバスライン１６ｎ＋１上にゲート絶縁膜２２が形成されている。ゲート絶縁膜２２上には、薄膜トランジスタ１４のチャネル層となるアモルファスシリコン層４４が形成されている。アモルファスシリコン層４４上にソース電極３６が形成されている。ソース電極３６全体は保護膜２４により覆われている。保護膜２４上には画素電極１２が形成されている。画素電極１２は、保護膜２４に形成されたコンタクトホール３８を介してソース電極３６に接続されている。
【００７０】図７（ｃ）のＧ−Ｇ′線断面図に示すように、画素電極１２の下端近傍では、透明絶縁基板１０上にゲートバスライン１６ｎ＋２が形成され、ゲートバスライン１６ｎ＋２上にゲート絶縁膜２２が形成されている。ゲート絶縁膜２２上には、ソース電極３６と同一層の中間電極４０が形成されている。中間電極４０全体は保護膜２４により覆われている。保護膜２４上には画素電極１２が形成されている。画素電極１２は、保護膜２４に形成されたコンタクトホール４２を介して中間電極４０に接続されている。
【００７１】図８は、特定の画素電極１２に注目した場合の等価回路である。ゲートバスライン１６ｎとドレインバスライン１８ｍの交差位置からゲートバスライン１６ｎ＋１に近い位置に薄膜トランジスタ１４が設けられている。薄膜トランジスタ１４のゲート電極はゲートバスライン１６ｎに接続され、ドレイン電極はドレインバスライン１８ｍに接続され、ソース電極は下方に延びて画素電極１２に接続されている。その結果、薄膜トランジスタ１４のソース電極には液晶による容量である液晶容量Ｃlcが接続されている。
【００７２】また、ソース電極３６がゲートバスライン１６ｎ＋１上を覆うように大きく形成されているので、画素電極１２とゲートバスライン１６ｎ＋１の間に補助容量Ｃs′が形成される。ソース電極３６がゲートバスライン１６ｎ＋１と重なる面積を変化することにより、補助容量Ｃsの容量値を調整することができる。更に、画素電極１２に接続された中間電極４０がゲートバスライン１６ｎ＋２上を覆うように形成されているので、画素電極１２とゲートバスライン１６ｎ＋２の間に補助容量Ｃs″が形成される。中間電極４０がゲートバスライン１６ｎ＋２と重なる面積を変化することにより、補助容量Ｃs″を調整することができる。
【００７３】このように、本実施形態によれば、画素電極間の隙間をゲートバスラインにより遮光するようにしたので、この部分を遮光するためのブラックマトリクスを形成する必要がない。しかも、遮光するために設けた全ての膜が補助容量を形成するためにも用いられているので、パターンの無駄がなく、極めて高い開口率と、高い製造歩留まりを実現することができる。・・・（略）・・・。」
　
　ウ　先願明細書１の図６及び図７の記載から、
　複数のゲートバスラインと複数のドレインバスラインは交差しており、
　ゲートバスライン１６ｎの補助パターン３０ｎの下端近傍（Ｅ−Ｅ’切断線付近）において、ドレインバスライン１８ｍは、同じ層に形成されたドレイン電極３４とソース電極３６を備えた薄膜トランジスタ１４及び第１のコンタクトホール３８を介して画素電極１２の左上の第１の突出部に接続され、
　該画素電極１２は右下に第２の突出部を有し、第２の突出部において、第２のコンタクトホール４２を介して中間電極４０に接続されており、
　前記中間電極４０は、ゲートバスライン１６ｎ＋２上にゲート絶縁膜２２を介して重畳されて形成され、その線幅は前記ゲートバスライン１６ｎ＋２の線幅よりも小さく、その上に形成された保護膜２４によって覆われ、
　前記第２のコンタクトホール４２はこの保護膜２４に形成されており、
　前記画素電極１２は、前記ゲートバスライン１６ｎ＋２を挟んで隣接する下隣の画素電極との間隔が、第２の突出部における間隔よりも第２の突出部以外における間隔のほうが大きい
　ことが見てとれる。
　
　エ　以上ア〜ウから、先願明細書１には次の発明（以下「先願発明１」という。）が記載されているものと認められる。
　「透明絶縁基板上に、横方向に延びるゲートバスラインが平行に複数本設けられ、該ゲートバスライン上にゲート絶縁膜が形成され、該ゲート絶縁膜上に、前記ゲートバスラインと交差して縦方向に延びるドレインバスラインが平行に複数本設けられ、前記各ゲートバスラインには、前記各ドレインバスラインに沿って下方に延びる補助パターンが形成され、この補助パターンの下端近傍に薄膜トランジスタが設けられ、該薄膜トランジスタのゲート電極は前記補助パターンを介して前記ゲートバスラインにより共通接続され、前記薄膜トランジスタのドレイン電極は前記ドレインバスラインにより共通接続され、前記薄膜トランジスタのソース電極は第１のコンタクトホールを介して画素電極の第１の突出部に接続され、
　該画素電極は右下に第２の突出部を有し、第２の突出部において、第２のコンタクトホールを介して補助容量を形成するための中間電極に接続されているＴＦＴマトリクス型液晶ディスプレー装置において、
　前記中間電極は、前記ゲートバスライン上にゲート絶縁膜を介して重畳されて、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と同一層に形成され、その線幅は前記ゲートバスラインの線幅よりも小さく、その上に形成された保護膜によって覆われ、前記第２のコンタクトホールはこの保護膜に形成されており、
　前記画素電極は、前記ゲートバスラインを挟んで隣接する下隣の画素電極との間隔が、第２の突出部における間隔よりも第２の突出部以外における間隔のほうが大きいＴＦＴマトリクス型液晶ディスプレー装置。」
　 
（２）本願の出願日前（優先日前）の他の出願であって、その優先日後に出願公開された特願平８−１６６９４４号（特開平９−２２０２８号公報参照。）の願書に最初に添付した明細書及び図面（以下「先願明細書２」という。）には、次の事項が図とともに記載されている。
　ア　「【００１９】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の実施例として、アクティブ・マトリックス液晶ディスプレイ２（ＡＭＬＣＤ）のアレイ内の４個のピクセルの平面図である。並べたものの平面図である。本ディスプレイのこの部分には、ピクセル電極３、ドレイン・アドレス線５、ゲート・アドレス線７、アレイされた４個の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）９、各ピクセルと連結された補助記憶コンデンサ１１が配置されている。各記憶コンデンサの一方の側はゲート線で規定され、他方の側は記憶コンデンサ電極１２で規定されている。記憶コンデンサ電極１２がドレイン電極１３に沿って形成されている。図で示したように、ＬＣＤのピクセル口径比（または、ピクセル開口サイズ）を増加させる目的で、各ピクセル３の延長末端は長手方向においてドレイン線５、ゲート線７とそれぞれその先端部が重なるように配置している。」
　
　イ　「【００２３】図３は、アレイされたＡＭＬＣＤ２のピクセル電極３（それらの延長部分３８は表示していない）を示した平面図である。図２、３は、図１の理解を深めるために用意したものである。」
　
　ウ　「【００２４】図４は、本発明の好適な実施例における、ＡＭＬＣＤ２にアレイされている薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のうちの一個であるＴＦＴ９の側面の断面正面図であいり、各ＴＦＴは実質的にすべて同じものである。…（略）…各ＴＦＴ９は、実質的に透明な基板１９（例えば、ガラス製）、金属ゲート電極１７、ゲート絶縁層またはフィルム２１、半導体層２３（例えば、真正アモルファスシリコン）、ドーピングを施した半導体コンタクト層２５、ドレイン電極１３、ソース電極１５、実質的に透明な絶縁層３３、これらのそれぞれに対応するピクセル電極３から構成されている。長さが「Ｌ」であるチャネル２７はソース電極１５とドレイン電極１３で規定される。
【００２５】図４で示したように、ドレイン電極１３は、ドーピングを施したコンタクト層２５の先端上部の基板１９に蒸着・形成されたドレイン金属層２９（例：モリブデン）から成っている。このコンタクトフィルムまたはコンタクト層２５は、例えば、リン（例：ｎ＋ ａーＳｉ）のような不純物でドーピングされたアモルファスシリコンから成り、半導体層２３とドレイン金属層２９の間に挟まれた状態で配置されている。ソース電極１５は、ドーピング済みの半導体コンタクト層２５、ソース金属層３１を含む。金属層２９と３１は同一の金属から成り、本発明の実施例においては、蒸着・形成およびパターン成形されたものである。代わりの方法として、ドレイン金属層がある種類の金属（例：モリブデン）で構成され、ソース金属層３１が別の種類の金属（例：クロム）で構成されるように、ドレイン金属層２９とソース金属層３１とを別々に蒸着・形成させパターン成形してもよい。誘電率がおよそ５以下の実質的に透明な絶縁層３３は、各ＴＦＴ９、アドレス線５と７を覆うように、基板１９の上にシート状に蒸着・形成される。絶縁層３３は、「Ｆｕｊｉ・Ｃｌｅａｒ（商標）」のようなフォトイメージ形成可能型材料またはフォトイメージ形成可能な種類のＢＣＢで構成されている。絶縁層３３は、ディスプレイの表示部分において、ピクセル電極３が、それと対応するＴＦＴソース電極と記憶コンデンサ電極にそれぞれ接触できるように形成されたコンタクトバイアスまたはコンタクトホール３５、３６の部分は除いて、連続してつながった構造になっている。（各ピクセルはその絶縁層３３内に２個のコンタクトバイアス（３５、３６）が作り込まれており、そのうちの一つはソース電極用であり、もうひとつは記憶コンデンサ用である）。…（略）…。」
　
　エ　「【００３６】好適な実施例では、図９の構造物にＴＦＴアイランドを形成させた後、半導体層２３およびコンタクト層２５の先端部を覆っている基板１９上に、ソース／ドレイン金属シートまたは層（これは、後で、ドレイン金属層２９、ソース金属層３１になる）を形成させる。本発明の実施例においては、このソース／ドレイン金属層はクロム（Ｃｒ）またはモリブデン（Ｍｏ）である。本実施例では、クロムの場合の層の厚さは、約５００〜２，０００オングストローム、好ましくは、約１，０００である。モリブデンの場合には、層の厚さは約２，０００〜７，０００オングストローム、好ましくは、約５，０００オングストロームである。ここで形成されたソース／ドレイン層は、その後、パターン成形されてソース、ドレイン、記憶コンデンサ電極が作製される。ＴＦＴソース電極、ドレイン電極のパターン成形の後、図１０のＴＦＴ構造物が得られる。
【００３７】代わりの方法として、最初の金属層を形成させてパターン成形してドレイン電極部２９、記憶コンデンサ電極１２を作製した後、第二の金属層を形成させてパターン成形しソース電極部３１を作製する方法もある。本発明の実施例においては、例えば、ソース金属層３１はクロムであり、ドレイン金属２９、記憶コンデンサ電極層がモリブデンである。ソース、ドレイン金属として使用できる金属としては、ほかに、チタニウム、アルミニウム、タングステン、タンタル、銅、などがある。」
　
　オ　先願明細書２の図１から、複数のドレイン・アドレス線５と金属ゲート電極１７でもある複数のゲート・アドレス線７とが交差していること、記憶コンデンサ電極１２とゲート・アドレス線７とは重畳していること、記憶コンデンサ電極１２の線幅がゲート・アドレス線７の線幅よりも小さいこと、ピクセル電極３の延長部分３８は突出していること、ピクセル電極３が記憶コンデンサ用コンタクトホール３６を介して記憶コンデンサ電極１２と接続している箇所がこの突出している延長部３８においてであること、図で下側に位置する第１ピクセル電極とゲート・アドレス線７を挟んで上側に隣接して位置する第２ピクセル電極との間隔は、第１ピクセル電極の突出している延長部３８における間隔よりも前記延長部以外の間隔のほうが大きいことが見てとれる。
　
　カ　以上ア〜オから、先願明細書２には次の発明（以下「先願発明２」という。）が記載されているものと認められる。
「基板上に、金属ゲート電極１７でもある複数のゲート・アドレス線７、ゲート絶縁層２１、半導体層２３、ドーピングを施した半導体コンタクト層２５を形成し、ソース／ドレイン金属層を蒸着・形成した後、パターン成形して前記ゲート・アドレス線７に交差する複数のドレイン・アドレス線５、ドレイン電極のドレイン金属層２９、ソース電極のソース金属層３１及び記憶コンデンサ電極１２が作製され、該記憶コンデンサ電極１２にピクセル電極３が接触できるようにコンタクトホール３６の部分は除いて作り込まれた絶縁層３３を形成して多数の薄膜トランジスタを構成し、これらのそれぞれに対応し、前記コンタクトホール３６を通して前記記憶コンデンサ電極１２に連結されているピクセル電極３が構成されたアクティブ・マトリックス液晶ディスプレイにおいて、
　前記記憶コンデンサ電極１２は、前記ゲート・アドレス線７と重畳しており、その線幅が前記ゲート・アドレス線７の線幅よりも小さくなっており、
　前記ピクセル電極３の延長部分３８は突出していて、該突出している延長部３８において、前記ピクセル電極３が前記コンタクトホール３６を介して前記記憶コンデンサ電極１２と接続しており、
　前記ピクセル電極は、前記ゲート・アドレス線７を挟んで隣接するピクセル電極との間隔が、突出している延長部３８における間隔よりも前記延長部以外の間隔のほうが大きいアクティブ・マトリックス液晶ディスプレイ。」
　
（３）本願の出願日前（優先日前）の他の出願であって、その出願後に出願公開された特願平８−２５１５５１号（特開平１０−９６９５５号公報参照。）の願書に最初に添付した明細書及び図面（以下「先願明細書３」という。）には、次の事項が図とともに記載されている。
　ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置に係わり、特にアクティブマトリクス型の液晶表示装置に関する。」
　
　イ　「【００１４】まず、実施例に使用するＴＦＴアレイ基板の概略を説明する。図１に示すように、ガラス基板のような透明な絶縁基板７上に、複数本のアドレス配線８と複数本のデータ配線９とが交差して形成され、その交差した各区画の画素ごとに、スイッチング素子としてＴＦＴ１０が形成されている。また、アドレス配線８と平行に補助容量配線１１が形成されている。そして、各画素において、ＴＦＴ１０のゲート電極１２はアドレス配線８に突出して形成され、電気的に接続されており、ドレイン電極１３はデータ配線９に突出して形成され、電気的に接続されている。さらに、ソース電極１４には、液晶容量１５と補助容量１６とがそれぞれ接続形成されている。
【００１５】次に、このようなＴＦＴアレイ基板の構造を説明する。
【００１６】実施例のＴＦＴアレイ基板では、図２および図３にそれぞれ示すように、絶縁基板７上に酸化シリコン等からなるアンダーコート膜（図示を省略。）を介して、Ａｌ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、Ｔｉ等の金属からなるアドレス配線８とゲート電極１２とが一体的に形成され、それらの上に、酸化シリコン等からなる表面が平坦化されたゲート絶縁膜１７が形成されている。また、ゲート電極１２の上方のゲート絶縁膜１７上に、チッ化ケイ素等からなる絶縁膜（図示を省略。）を介して、ａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）層１８とコンタクト層１９、およびチッ化ケイ素等からなるチャネル保護層２０とが順に設けられており、コンタクト層１９に接続してドレイン電極１３およびデータ配線９が形成されている。さらに、ドレイン電極１３の表面に酸化被膜１３ａが設けられ、それらの上に、表面が平坦化されかつ所定の位置にコンタクトホール２１が形成された絶縁膜（層間絶縁膜）２２が設けられている。またさらに、この層間絶縁膜２２上に、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）等の透明材料からなる画素電極２３が形成されており、さらにコンタクトホール２１部においてソース電極１４が形成され、このソース電極１４により、画素電極２３とコンタクト層１９とが電気的に接続されている。
【００１７】また、このようなＴＦＴアレイ基板の補助容量部では、図４に示すように、アドレス配線８上に、ゲート絶縁膜１７を介して、データ配線９と同層に形成された補助容量用電極２４が配置されており、この補助容量用電極２４と下層のアドレス配線８とにより、補助容量が形成されている。また、このような補助容量１６部の層間絶縁膜２２には、コンタクトホール２５が形成されており、このコンタクトホール２５部において、層間絶縁膜２２上に形成された画素電極２３と補助容量用電極２４とが電気的に接続されている。」
　
　ウ　「【００２７】次に、スパッタリング法によりＡｌ膜を成膜しパタ−ニングして、データ配線９とドレイン電極１３、およびデータ配線と同層の補助容量用電極２４をそれぞれ形成した。なお、ドレイン電極１３は、一方のコンタクト層１９上に形成した後、表面に陽極酸化処理により酸化被膜１３ａを形成し、後工程で形成される画素電極２３との層間絶縁性を向上させておいた。」
　
　エ　先願明細書３の図２の記載は、上記イの記載及び図３の記載からみて、「ソース電極」を示す符号「１３」及び「ドレイン電極」を示す符号「１４」は、それぞれ、「１４」及び「１３」の誤記であることが明らかであり、符号「２１」で示されている「コンタクトホール」は、「図において上側の画素電極２３とソース電極１４（訂正後の符号）とが重なる領域内」に記載すべきところを誤って「ドレイン電極１３（訂正後の符号）に重なる位置」に記載したものであることが明らかである。
　
　オ　先願明細書３の上記エの誤記を訂正した図２及び図４の記載から、
　補助容量用電極２４は、その線幅がゲート絶縁膜１７を介して重畳しているアドレス配線８の線幅よりも小さいこと、
　および、
　画素電極２３は、図において上へ突出した第１の突出部と図において下に突出した第２の突出部とを少なくとも有し、前記第１の突出部においてコンタクトホール２５を通して上記補助容量用電極２４に接触しており、アドレス配線８を挟んで隣接する２つの画素電極の間隔が、前記突出部における間隔よりも前記突出部以外における間隔のほうが大きいことが見てとれる。
　
　カ　以上ア〜オから、先願明細書３には次の発明（以下「先願発明３」という。）が記載されているものと認められる。
　
「絶縁基板上に複数本のアドレス配線と複数本のデータ配線とが交差して形成されたＴＦＴアレイ基板であって、前記絶縁基板上にアンダーコート膜を介して、前記アドレス配線及びゲート電極が一体的に形成され、それらの上に、ゲート絶縁膜が形成され、該ゲート絶縁膜上に、チッ化ケイ素等からなる絶縁膜を介して、アモルファスシリコン層とコンタクト層およびチャネル保護層とが順に設けられ、前記コンタクト層に接続して成膜したＡｌ膜をパタ−ニングして、前記データ配線、ドレイン電極、およびデータ配線と同層の補助容量用電極をそれぞれ形成し、さらに、前記ドレイン電極の表面に酸化被膜が設けられ、それらの上に、第１のコンタクトホールが形成された層間絶縁膜が設けられ、該層間絶縁膜上に画素電極が形成されており、さらに前記第１のコンタクトホール部においてソース電極が形成され、該ソース電極により、前記画素電極と前記コンタクト層とが電気的に接続されているＴＦＴアレイ基板を備えた液晶表示装置において、
　前記ＴＦＴアレイ基板の補助容量部では、前記アドレス配線上に、前記ゲート絶縁膜を介して、前記データ配線と同層に形成された補助容量用電極が配置され、該補助容量用電極と下層の前記アドレス配線とにより補助容量が形成され、前記補助容量部の前記層間絶縁膜には第２のコンタクトホールが形成されており、該第２のコンタクトホール部において、前記層間絶縁膜上に形成された前記画素電極と前記補助容量用電極とが電気的に接続されており、
　前記補助容量用電極は、その線幅が前記ゲート絶縁膜を介して重畳しているアドレス配線の線幅よりも小さく、
　前記画素電極は、第１の突出部と第２の突出部とを少なくとも有し、前記第１の突出部において前記第２のコンタクトホールを通して前記補助容量用電極に接触しており、アドレス配線を挟んで隣接する画素電極との間隔が、前記突出部における間隔よりも前記突出部以外における間隔のほうが大きい液晶表示装置。」
　
４．先願発明１との対比・判断
（１）本願補正発明と先願発明１とを対比すると、先願発明１における「透明絶縁基板」、「ゲートバスライン」、「ドレインバスライン」、「ゲート絶縁膜」、「画素電極」、「第２の突出部」、「保護膜」、「第２のコンタクトホール」、「ＴＦＴマトリクス型液晶ディスプレー装置」及び「ゲートバスラインを挟んで隣接する下隣の画素電極との間隔」は、それぞれ、本願補正発明の「基板」、「走査線」、「データ線」、「絶縁層」、「画素電極」、「突出部」、「保護層」、「コンタクトホール」、「液晶表示装置」及び「走査線を挟んで隣接する画素電極との間隔」に相当する。
（２）先願発明１において、ソース電極及びドレイン電極は一般に金属からなっており、これらと同一層に形成される補助容量を形成するための中間電極は、金属からなるものであることが明らかである。よって、先願発明１の「補助容量を形成するための中間電極」は本願補正発明の「金属セグメント層」に相当する。
（３）先願発明１において、「走査線」は「基板」上に設けられ、「走査線」及び「データ線」は交差しているから、先願発明１と本願補正発明とは「基板上に形成された複数の走査線と、前記走査線に交差する複数のデータ線と、」を備えている点で一致する。
（４）先願発明１において、「金属セグメント層」は、「走査線」上に「絶縁層」を介して重畳されているから、先願発明１の「金属セグメント層」と本願補正発明の「金属セグメント層」とは、「前記走査線上に絶縁層を介して重畳されて形成され」ている点で一致する。
（５）先願発明１において、「金属セグメント層」はソース電極及びドレイン電極と同一層に形成されており、かつ、ドレイン電極は「データ線」により共通接続されていることから、前記「金属セグメント層」は前記「データ線」と同一層に形成されていることが明らかである。よって、先願発明１の「金属セグメント層」と本願補正発明の「金属セグメント層」とは、「前記データ線と同一層に形成された」点でも一致する。
（６）先願発明１において、「金属セグメント層」は、その上に形成された「保護層」によって覆われ、「コンタクトホール」は、この「保護層」に形成されているから、先願発明１の「保護層」と本願補正発明の「保護層」とは、「前記金属セグメント層上に設けられ、少なくとも一つのコンタクトホールが形成された」点で一致する。
（７）先願発明１の「画素電極」は、右下に「突出部」を有し、「突出部」において、「コンタクトホール」を介して「金属セグメント層」に接続されているから、先願発明１の「画素電極」と本願補正発明の「画素電極」とは、「少なくとも一つの突出部を有し、前記突出部において前記コンタクトホールを通して前記金属セグメント層に接触する」点で一致する。
（８）先願発明１の「前記中間電極は、前記ゲートバスライン上にゲート絶縁膜を介して重畳されて、…その線幅は前記ゲートバスラインの線幅よりも小さく、」との事項は、本願補正発明の「前記金属セグメント層は、その線幅が前記絶縁層を介して重畳している前記走査線の線幅に等しいか又はそれよりも小さい構造となっており、」との事項と、「前記金属セグメント層は、その線幅が前記絶縁層を介して重畳している前記走査線の線幅よりも小さい構造となっており、」の点で一致することが明らかである。
（９）先願発明１の「前記画素電極は、前記ゲートバスラインを挟んで隣接する下隣の画素電極との間隔が、第２の突出部における間隔よりも第２の突出部以外における間隔のほうが大きい」との事項は、本願補正発明の「前記画素電極は、前記走査線を挟んで隣接する画素電極との間隔が、前記突出部における間隔よりも前記突出部以外における間隔のほうが大きい」との事項に相当することが明らかである。
（１０）上記（１）〜（９）から、先願発明１と本願補正発明とは、
「基板上に形成された複数の走査線と、前記走査線に交差する複数のデータ線と、前記走査線上に絶縁層を介して重畳されて形成され、前記データ線と同一層に形成された金属セグメント層と、前記金属セグメント層上に設けられ、少なくとも一つのコンタクトホールが形成された保護層と、少なくとも一つの突出部を有し、前記突出部において前記コンタクトホールを通して前記金属セグメント層に接触する画素電極とを備え、前記金属セグメント層は、その線幅が前記絶縁層を介して重畳している前記走査線の線幅よりも小さい構造となっており、前記画素電極は、前記走査線を挟んで隣接する画素電極との間隔が、前記突出部における間隔よりも前記突出部以外における間隔のほうが大きい液晶表示装置。」
である点で一致し、相違するところはない。
（１１）したがって、本願補正発明は、先願明細書１に記載された発明と同一であり、しかも、本願補正発明の発明者が上記先願明細書１に記載された発明の発明者と同一であるとも、また、本願の出願時に、その出願人が上記他の出願の出願人と同一であるとも認められないので、本願補正発明は、特許法第２９条の２の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。 
　
５．先願発明２との対比・判断
（１）本願補正発明と先願発明２とを対比すると、先願発明２における「基板」、「ゲート・アドレス線７」、「ドレイン・アドレス線５」、「ゲート絶縁層２」、「記憶コンデンサ電極１２」、「コンタクトホール３６」、「絶縁層３３」、「突出している延長部３８」、「ピクセル電極３」及び「アクティブ・マトリックス液晶ディスプレイ」は、それぞれ、本願補正発明の「基板」、「走査線」、「データ線」、「絶縁層」、「金属セグメント層」、「コンタクトホール」、「保護層」、「突出部」、「画素電極」及び「液晶表示装置」に相当する。
（２）先願発明２においては、「基板」上に、金属ゲート電極１７でもある複数の「走査線」、「絶縁層」、半導体層２３、ドーピングを施した半導体コンタクト層２５を形成し、ソース／ドレイン金属層を蒸着・形成した後、パターン成形して前記「走査線」に交差する複数の「データ線」、ドレイン電極のドレイン金属層２９、ソース電極のソース金属層３１及び「金属セグメント層」が作製されるとともに、前記「金属セグメント層」は、前記「走査線」と重畳しているから、先願発明２は、本願補正発明の「基板上に形成された複数の走査線と、前記走査線に交差する複数のデータ線と、前記走査線上に絶縁層を介して重畳されて形成され、前記データ線と同一層に形成された金属セグメント層とを備え」との事項を有している。
（３）先願発明２の「保護層」は、「金属セグメント層」が作製された後に、該「金属セグメント層」に「画素電極」が接触できるように「コンタクトホール」の部分は除いて作り込まれているから、「前記金属セグメント層上に設けられ、少なくとも一つのコンタクトホールが形成された」ものである点で、本願補正発明の「保護層」と一致する。
（４）先願発明２において、「画素電極」の「突出部」において、「画素電極」が「コンタクトホール」介して「金属セグメント層」と接続しているから、先願発明２は、本願補正発明の「少なくとも一つの突出部を有し、前記突出部において前記コンタクトホールを通して前記金属セグメント層に接触する画素電極とを備え」との事項を備えている。
（５）先願発明２において、「金属セグメント層」は、「走査線」と重畳しており、その線幅が前記「走査線」の線幅よりも小さくなっており、かつ、上記（２）によれば、先願発明２の「金属セグメント層」は、「走査線」上に「絶縁層」を介して重畳しているから、先願発明２は、本願補正発明の「前記金属セグメント層は、その線幅が前記絶縁層を介して重畳している前記走査線の線幅よりも小さい構造となっており、」との事項を備えている。
（６）先願発明２の「画素電極」は、「走査線」を挟んで隣接する「画素電極」との間隔が、「突出部」における間隔よりも前記「突出部」以外の間隔のほうが大きいものであるから、先願発明２の「画素電極」と本願補正発明の「画素電極」とは、「前記走査線を挟んで隣接する画素電極との間隔が、前記突出部における間隔よりも前記突出部以外における間隔のほうが大きい」点で一致する。
（７）以上から、先願発明２と本願補正発明とは、「基板上に形成された複数の走査線と、前記走査線に交差する複数のデータ線と、前記走査線上に絶縁層を介して重畳されて形成され、前記データ線と同一層に形成された金属セグメント層と、前記金属セグメント層上に設けられ、少なくとも一つのコンタクトホールが形成された保護層と、少なくとも一つの突出部を有し、前記突出部において前記コンタクトホールを通して前記金属セグメント層に接触する画素電極とを備え、前記金属セグメント層は、その線幅が前記絶縁層を介して重畳している前記走査線の線幅よりも小さい構造となっており、前記画素電極は、前記走査線を挟んで隣接する画素電極との間隔が、前記突出部における間隔よりも前記突出部以外における間隔のほうが大きい液晶表示装置。」の点で一致し、相違するところはない。
（８）よって、本願補正発明は、先願明細書２に記載された発明と同一であり、しかも、本願補正発明の発明者が上記先願明細書２に記載された発明の発明者と同一であるとも、また、本願の出願時に、その出願人が上記他の出願の出願人と同一であるとも認められないので、本願補正発明は、特許法第２９条の２の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。 
　
６．先願発明３との対比・判断
（１）本願補正発明と先願発明３とを対比すると、先願発明３における「絶縁基板」、「アドレス配線」、「データ配線」、「ゲート絶縁膜」、「『Ａｌ膜をパタ−ニングして』形成した『補助容量用電極』」、「第２のコンタクトホール」、「層間絶縁膜」、「突出部」、「画素電極」及び「液晶表示装置」は、それぞれ、本願補正発明の「基板」、「走査線」、「データ線」、「絶縁層」、「金属セグメント層」、「コンタクトホール」、「保護層」、「突出部」、「画素電極」及び「液晶表示装置」に相当する。　
（２）先願発明３においては、「基板」上に複数本の「走査線」と複数本の「データ線」とが交差して形成されているから、先願発明３は、本願補正発明の「基板上に形成された複数の走査線と、前記走査線に交差する複数のデータ線と」を備えるとの事項を有している。
（３）先願発明３の「金属セグメント層」は、「データ線」と同層であり、「走査線」とは「絶縁層」を介して重畳しており、「走査線」上に、「絶縁層」を介して配置されているから、「前記走査線上に絶縁層を介して重畳されて形成され、前記データ線と同一層に形成された」との点で本願補正発明の「金属セグメント層」と一致する。
（４）先願発明３の「保護層」は、「データ線」、ドレイン電極及び「金属セグメント層」をそれぞれ形成し、さらに、前記ドレイン電極の表面に酸化被膜が設けられ、それらの上に設けられたものであり、第１及び第２のコンタクトホールが形成されているから、「前記金属セグメント層上に設けられ、少なくとも一つのコンタクトホールが形成された」との点で本願補正発明の「金属セグメント層」と一致する。
（５）先願発明３の「画素電極」は、第１の「突出部」と第２の「突出部」とを少なくとも有し、前記第１の「突出部」において「コンタクトホール（第２のコンタクトホール）」を通して「金属セグメント層」に接触しているから、「少なくとも一つの突出部を有し、前記突出部において前記コンタクトホールを通して前記金属セグメント層に接触する」との点で本願補正発明の「画素電極」と一致する。
（６）先願発明３の「前記補助容量用電極は、その線幅が前記ゲート絶縁膜を介して重畳しているアドレス配線の線幅よりも小さく、」との事項と、本願補正発明の「前記金属セグメント層は、その線幅が前記絶縁層を介して重畳している前記走査線の線幅に等しいか又はそれよりも小さい構造となっており、」との事項とは、「前記金属セグメント層は、その線幅が前記絶縁層を介して重畳している前記走査線の線幅よりも小さい構造となっており、」との点で一致する。
（７）先願発明３の「前記画素電極は、…アドレス配線を挟んで隣接する画素電極との間隔が、前記突出部における間隔よりも前記突出部以外における間隔のほうが大きい」との事項は、本願補正発明の「前記画素電極は、前記走査線を挟んで隣接する画素電極との間隔が、前記突出部における間隔よりも前記突出部以外における間隔のほうが大きい」との事項に相当する。
（８）上記（１）〜（７）から、先願発明３と本願補正発明とは、
「基板上に形成された複数の走査線と、前記走査線に交差する複数のデータ線と、前記走査線上に絶縁層を介して重畳されて形成され、前記データ線と同一層に形成された金属セグメント層と、前記金属セグメント層上に設けられ、少なくとも一つのコンタクトホールが形成された保護層と、少なくとも一つの突出部を有し、前記突出部において前記コンタクトホールを通して前記金属セグメント層に接触する画素電極とを備え、前記金属セグメント層は、その線幅が前記絶縁層を介して重畳している前記走査線の線幅よりも小さい構造となっており、前記画素電極は、前記走査線を挟んで隣接する画素電極との間隔が、前記突出部における間隔よりも前記突出部以外における間隔のほうが大きい液晶表示装置。」
である点で一致し、相違するところはない。
（９）したがって、本願補正発明は、先願明細書３に記載された発明と同一であり、しかも、本願補正発明の発明者が上記先願明細書３に記載された発明の発明者と同一であるとも、また、本願の出願時に、その出願人が上記他の出願の出願人と同一であるとも認められないので、本願補正発明は、特許法２９条の２の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
７．補正却下の決定のむすび 
　以上のとおり、本件補正は、旧特許法１７条の２第５項で準用する同法１２６条４項の規定に違反するものであり、同法１５９条１項で読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下されるべきものである。
　
第３　本願発明について
１．本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１９年５月７日付けの手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし７に記載された事項によって特定されるものであるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
　
「基板上に形成された走査線と絶縁層を介して重畳されて形成された金属セグメント層と、
　前記金属セグメント層上に設けられ、少なくとも一つのコンタクトホールが形成された保護層と、
　少なくとも一つの突出部を有し、前記突出部において前記コンタクトホールを通して前記金属セグメント層に接触する画素電極とを備え、
　前記画素電極は、前記走査線を挟んで隣接する画素電極との間隔が、前記突出部における間隔よりも前記突出部以外における間隔のほうが大きいことを特徴とする液晶表示装置。」
　
２．引用例
　
　原査定の拒絶の理由に引用された本願の出願前（かつ優先日前）に頒布された刊行物である特開平８−１６０４５１号公報（以下「引用例」という。）には、次の事項が図とともに記載されている。
　ア　「【００７０】〔実施例１〕図１〜６を用いて実施例１のアクティブマトリクス液晶表示素子を説明する。液晶表示素子は、第１の基板と、これに対向して離間して配置される第２の基板と、これら第１の基板と第２の基板の間に介在する液晶とから概略構成される。第２の基板ならびに液晶等の構成は、通常一般に用いられる構成が使用され、本発明は以下に説明するように、第１の基板に特徴がある。第１の基板には、ガラスなどの透明な基板上に、図６に示すように複数の走査電極線Ｇと信号電極線Ｓとが格子状に配線される。これら走査電極線Ｇや信号電極線Ｓは、例えば、Ｔａ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｒなどの遮光性の導電性金属材料からなる。
【００７１】そして、図１に示すように、走査電極線Ｇと信号電極線Ｓとで区画される各部分には画素電極１５が形成される。画素電極１５は透光性のもので、例えば、ＩＴＯなどが使用される。図１には示していないが、画素電極上には配向膜が形成され、また、この第１の基板に対向して配置される第２の基板には、画素電極１５に対向した対向電極が形成される。走査電極線Ｇ及び信号電極線Ｓと、画素電極１５とは薄膜トランジスタ３６で接続される。」
　
　イ　「【００７９】走査電極線Ｇの周辺部について図１，５を参照して説明する。本実施例のアクティブマトリクス液晶表示素子においては、走査電極線Ｇの上方に、アルミニウムなどの遮光性の金属からなる蓄積容量用電極５２が形成されている。この蓄積容量用電極５２は走査電極線Ｇに沿って、かつ図５に示すように、走査電極線Ｇを被覆したゲート絶縁層９上に形成される。この蓄積容量用電極５２はパシベーション層２８で被覆され、そのパシベーション層２８上には、画素電極１５および隣接する画素電極１５'''が形成される。蓄積容量用電極５２の幅は走査電極線Ｇの幅よりも広く、蓄積容量用電極５２の少なくとも一部分は画素電極１５，１５'''の周部とパシベーション層２８を介して重なっている。さらに、パシベーション層２８に形成されたコンタクトホール５４を通じて、隣接した画素電極１５'''と蓄積容量用電極５２は接続され、同電位とされている。この構成によれば、走査電極線Ｇの周辺においては、画素電極１５と、隣接した画素電極１５'''との間には、蓄積容量用電極５２が介在するようになっている。」
　
　ウ　図１及び図５の記載から、画素電極１５、１５’、１５''、１５'''の形状は、薄膜トランジスタ３６付近の凹部及びコンタクトホール５４付近の凸部を除いて概略正方形であって、画素電極１５'''は、その凸部において、パッシベーション層に形成されたコンタクトホール５４を通じて、蓄積容量用電極５２に接続されており、図１において、走査電極線Ｇを介して隣接する画素電極１５と画素電極１５'''との間隔は、画素電極１５'''の凸部において最も狭くなっていることが見て取れる。
　
　エ　上記アないしウから、引用例には、
「第１の基板と、これに対向して離間して配置される第２の基板と、これら第１の基板と第２の基板の間に介在する液晶とから構成され、前記第１の基板は、透明な基板上に、複数の走査電極線Ｇと信号電極線Ｓとが格子状に配線され、走査電極線Ｇと信号電極線Ｓとで区画される各部分には画素電極が形成され、走査電極線Ｇ及び信号電極線Ｓと、画素電極とは薄膜トランジスタで接続されているアクティブマトリクス液晶表示素子であって、
　走査電極線Ｇの上方の走査電極線Ｇを被覆したゲート絶縁層上に、遮光性の金属からなる蓄積容量用電極が形成され、この蓄積容量用電極はパシベーション層で被覆され、そのパシベーション層上には、画素電極１５および隣接する画素電極１５'''が形成されていて、前記蓄積容量用電極の少なくとも一部分は画素電極１５，１５'''の周部とパシベーション層を介して重なっており、画素電極１５'''は、その凸部において、パッシベーション層に形成されたコンタクトホールを通じて、蓄積容量用電極に接続され、走査電極線Ｇを介して隣接する画素電極１５と画素電極１５'''との間隔は、画素電極１５'''の凸部において最も狭くなっているアクティブマトリクス液晶表示素子。」の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
３．対比・判断
　本願発明と引用発明とを対比する。
（１）引用発明の「透明な基板」、「走査電極線Ｇ」、「ゲート絶縁層」、「遮光性の金属からなる蓄積容量用電極」、「コンタクトホール」、「パシベーション層」、「凸部」、「接続され」、「画素電極」、「隣接する画素電極１５と画素電極１５'''との間隔」及び「アクティブマトリクス液晶表示素子」は、それぞれ、本願発明の「基板」、「走査線」、「絶縁層」、「金属セグメント層」、「コンタクトホール」、「保護層」、「突出部」、「接触する」、「画素電極」、「隣接する画素電極との間隔」及び「液晶表示装置」に相当する。
　
（２）引用発明の第１の基板は「透明な基板上に、複数の走査電極線Ｇと信号電極線Ｓとが格子状に配線され」たものであるから、引用発明の「走査線（走査電極線Ｇ）」と本願発明の「走査線」とは「基板上に形成された」ものである点で一致する。
　
（３）引用発明の「金属セグメント層（蓄積容量用電極）」は「走査電極線Ｇの上方の走査電極線Ｇを被覆したゲート絶縁層上に形成され」ているから、引用発明の「金属セグメント層（蓄積容量用電極）」と本願発明の「金属セグメント層」とは「走査線と絶縁層を介して重畳されて形成された」ものである点で一致する。
　
（４）引用発明の「コンタクトホール」は「パッシベーション層に形成された」ものであり、引用発明の「金属セグメント層（蓄積容量用電極）」は「パシベーション層で被覆され」ているから、引用発明の「保護層（パッシベーション層）」と本願発明の「保護層」とは「金属セグメント層上に設けられ、少なくとも一つのコンタクトホールが形成された」ものである点で一致する。
　
（５）引用発明の「その凸部」とは「画素電極１５'''」の凸部であるから、引用発明の「画素電極」と本願発明の「画素電極」とは「少なくとも一つの突出部（凸部）を有し」ている点で一致する。
　
（６）引用発明において「画素電極１５'''は、その凸部において、パッシベーション層に形成されたコンタクトホールを通じて、蓄積容量用電極５２に接続され」ているから、引用発明の「画素電極」と本願発明の「画素電極」とは「前記突出部において前記コンタクトホールを通して前記金属セグメント層に接触する」点で一致する。
　
（７）引用発明の「画素電極」は、「走査電極線Ｇを介して隣接する画素電極１５と画素電極１５'''との間隔は、画素電極１５'''の凸部において最も狭くなっている」から、引用発明の「画素電極」と本願発明の「画素電極」とは「走査線を挟んで隣接する画素電極との間隔が、突出部における間隔よりも前記突出部以外における間隔のほうが大きい」点で一致することが明らかである。
　
（８）引用発明の「液晶表示装置（アクティブマトリクス液晶表示素子）」は、「金属セグメント層（蓄積容量用電極）」が形成され、「保護層（パシベーション層）」で被覆され、「画素電極」が形成されたものであるから、「金属セグメント層」と、「保護層」と、「画素電極」とを備えている点で、本願発明の「液晶表示装置」と一致する。
　
（９）上記（１）ないし（８）からみて、本願発明と引用発明とは、
「基板上に形成された走査線と絶縁層を介して重畳されて形成された金属セグメント層と、
　前記金属セグメント層上に設けられ、少なくとも一つのコンタクトホールが形成された保護層と、
　少なくとも一つの突出部を有し、前記突出部において前記コンタクトホールを通して前記金属セグメント層に接触する画素電極とを備え、
　前記画素電極は、前記走査線を挟んで隣接する画素電極との間隔が、前記突出部における間隔よりも前記突出部以外における間隔のほうが大きい液晶表示装置。」で一致し、相違するところはない。
　したがって、本願発明は、引用例に記載された発明である。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。