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　特願２００２−２５１１７３号「電子デバイスの洗浄方法及び製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　３月２５日出願公開、特開２００４−９５６２５号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件に係る出願（以下「本願」という。）は、平成１４年８月２９日の特許出願であって、平成１８年７月２５日付けで平成１８年２月３日付け手続補正書でした補正について補正の却下の決定がなされるとともに、同日付けで拒絶査定がなされ（発送日：同年８月１日）、これに対し、同年８月３１日に拒絶査定不服審判が請求され、同年９月２８日付けで手続補正がなされたものである。
　
第２　平成１８年９月２８日付け手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］ 
　平成１８年９月２８日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。 
　 
１．補正の目的について
　本件補正は、本件補正前の平成１７年８月３日付け手続補正書で補正された特許請求の範囲の請求項７「基板上にレジストパターンを形成する工程と、
　アッシングにより前記レジストパターンを除去する工程と、
　前記レジストパターンを除去する工程よりも後に、前記基板に対して、機能水を用いて洗浄を行なった後、シリコン又は酸化シリコンに対するエッチング力を持つ洗浄液を用いて洗浄を行ない、それによって前記基板からレジスト残さを除去する工程とを備え、
　前記機能水は、炭酸水、水素水又は窒素含有水であることを特徴とする電子デバイスの製造方法。」を引用する請求項９「前記レジストパターンを形成する工程と前記レジストパターンを除去する工程との間に、前記レジストパターンをマスクとして前記基板に対してエッチングを行なう工程を備えていることを特徴とする請求項７に記載の電子デバイスの製造方法。」を、新たな請求項２として、次のとおりのものとすることを含むものである。
「基板上にレジストパターンを形成する工程と、
　前記レジストパターンをマスクとして前記基板に対してエッチングを行なう工程と、
　アッシングにより前記レジストパターンを除去する工程と、
　前記レジストパターンを除去する工程よりも後に、前記基板に対して、機能水を用いて洗浄を行なった後、シリコン又は酸化シリコンに対するエッチング力を持つ洗浄液を用いて洗浄を行ない、
前記機能水を用いた洗浄及び前記洗浄液を用いた洗浄
　前記機能水は、炭酸水、水素水又は窒素含有水であることを特徴とする電子デバイスの製造方法。」
　
　上記補正事項は、本件補正前の平成１７年８月３日付け手続補正書で補正された特許請求の範囲の請求項９で引用する請求項７に記載された発明を特定するために必要な事項である「それによって前記基板からレジスト残さを除去する工程」とあったところを、「
前記機能水を用いた洗浄及び前記洗浄液を用いた洗浄
　しかしながら、本件補正前の「それによって」とは、「基板からレジスト残さを除去する工程」における「機能水を用いて洗浄を行なった後、シリコン又は酸化シリコンに対するエッチング力を持つ洗浄液を用いて洗浄を行な」うことをさすものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当しない。
　また、請求項の削除、誤記の訂正を目的とするものに該当しないことは明らかであり、さらに、本件補正前の記載自体明りょうであるとともに、平成１８年１月１３日付け拒絶理由通知書、平成１８年７月２５日付け拒絶査定において、明りょうでない記載を理由として含むものではないことから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものでもない。
　それ故に、上記補正事項は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項各号のいずれにも該当しない。
　
　以上のとおりであるから、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定に違反する。
　
２．独立特許要件について
(1)補正後の本願発明 
　前記１．で述べたとおりであるが、さらに、本件補正後の請求項２（上記１．参照）に記載された発明（以下「本件補正発明」という。）が独立して特許を受けることができるか否か（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に適合するか）について検討する。
　
(2)刊行物
(2-1)本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００１−２３７２１２号公報（以下「刊行物１」という。）には、図面と共に次の事項が記載されている。
　
ア．「本発明は、レジスト除去装置、半導体基板洗浄装置、液晶用ガラス基板洗浄装置、半導体基板平坦化装置などへ電子線照射装置を応用した装置及び方法に関する。初めに基板洗浄装置を電子線照射装置によって構成する、あるいはレジスト除去（アッシング）装置を電子線照射装置によって構成する、叉は基板平坦化装置を電子線照射装置によって構成するということ、あるいは、これら３つの機能を一つの電子線照射装置によって共通に行うようにした装置を提供する。だから本発明は装置についていえば、
１．電子線照射装置を使ったレジスト除去（アッシング）装置
２．電子線照射装置を使った基板洗浄装置
３．電子線照射装置を使った基板平坦化装置
４．電子線照射装置を使った洗浄、アッシング、平坦化装置
の４つの発明を含むことになる。方法についても同様であるが重複になるから方法については列挙しない。」（段落【0001】、【0002】）
　
イ．「半導体デバイスの製造工程において、アッシング、基板洗浄、平坦化処理はそれぞれ重要な工程である。Ｓｉウエハ−の上にウエハ−プロセスによってデバイスを作製する際フォトリソグラフィの技術が用いられる。ウエハ−、金属膜、半導体膜、誘電体膜などの一部をレジストによって被覆（マスク）して残りの露呈部分をエッチングしたり、残りの露呈部分に半導体、誘電体、金属を選択的に成長させたりするものである。そのような処理をした後はレジストを除去する必要がある。
　レジストは有機物であるから燃焼させて除去する。それがアッシングである。アッシングの後にもレジストの一部が幾分残存しているので基板表面を洗浄する。洗浄はＳｉ基板の場合に自然にできる表面の自然酸化膜を除去するという目的もある。ウエハ−プロセスを重ねるとウエハ−の表面が凹凸を帯びるようになりフォトリソグラフィの精度も悪くなる。それで表面を平坦にする必要がある。これが平坦化処理である。これらの従来技術について述べる。
　１．アッシング（灰化処理）
二つの方法が知られている。一つはＲＦプラズマ装置、マイクロ波プラズマ装置に基板を置いて酸素ガスを導入し、ＲＦ電力或いはマイクロ波によって酸素プラズマを生成し酸素プラズマによってレジストを酸化し二酸化炭素と水（ＣＯ２＋Ｈ２Ｏ）として除去するものである。レジストは有機物であるから酸素プラズマによって燃焼する。生成物のＣＯ２、Ｈ２Ｏはガスであるから容易に排除される。ヒ−タによって基板を加熱するようにしたものもある。基板加熱によってレジスト灰化処理は促進される。
　もう一つはＵＶランプ（紫外線ランプ）とオゾンを利用する方法である。ＵＶランプを備えた反応室に基板（Ｓｉ、ガラス）を置いて、酸素ガスを導入しつつＵＶランプで基板を照射する。酸素がＵＶランプによってオゾンを発生する。オゾンが有機物であるレジストと酸化反応して、レジストを二酸化炭素と水に変える。さらに最終的にオゾン水と水素水で処理することもある。
　２．洗浄
基板洗浄というのは、半導体ウエハ−（基板）の洗浄、液晶用ガラス基板の洗浄などを意味する。Ｓｉ基板の場合は表面酸化膜を除去するという事もある。また、レジスト残渣をより完全に除くという目的もある。Ｓｉウエハ−の場合は、複数枚のＳｉウエハ−をキャリヤに入れ、過酸化水素水とアンモニア水（Ｈ２Ｏ２＋ＮＨ４ＯＨ＋Ｈ２Ｏ）を含む洗浄水槽につけて洗浄する。表面酸化膜や汚れなどが除去される。液晶用ガラス基板の場合も同様の洗浄液に漬けて表面の汚れを除くようになっている。さらに基板をＨＣｌ＋Ｈ２Ｏ２水溶液で処理するということもある。化学的な反応によって基板表面の汚れやレジストの残渣を排除できる。」（段落【0003】〜【0007】）
　
　上記ア．及びイ．の記載事項を総合すると、刊行物１には、次の発明が記載されている。 
　
「基板の一部をレジストによって被覆（マスク）する工程と、
　残りの露呈部分をエッチングする工程と、
　アッシングによりレジストを燃焼させて除去し、最終的にオゾン水と水素水で基板を処理する工程と、
　過酸化水素水とアンモニア水（Ｈ２Ｏ２＋ＮＨ４ＯＨ＋Ｈ２Ｏ）を含む洗浄水槽に漬けて洗浄し、基板表面のレジスト残渣を排除する工程とを備えた
　半導体デバイスの製造工程。」
　
(2-2)同じく、特開２００１−２８３５９号公報（以下「刊行物２」という。）には、図面と共に次の事項が記載されている。
　
ア．「半導体ウェーハの半導体が露出した表面を洗浄水で洗浄する方法であって、前記洗浄水は、水素水であることを特徴とする半導体ウェーハの洗浄方法。」（段落【特許請求の範囲】）
　
イ．「本発明は、研磨後のシリコンウェーハ表面における異物の除去に好適な半導体ウェーハの洗浄方法に関する。
　【従来の技術】シリコンウェーハの製造工程において、表面の異物を除去するために種々の洗浄工程が必要とされる。例えば、メカノケミカルポリッシング（ＣＭＰ）等の研磨後のシリコンウェーハ表面は、コロイダルシリカ、有機アミンや無機アルカリ等の異物が付着している。このため、ウェーハ表面から早く上記異物を取り除かなくては面荒れ、傷、ケミカル等の不良を発生させてしまう原因となることから、研磨後に直ちに純水等による洗浄が行われる。
　従来の洗浄工程では、研磨後に、純水リンス処理または純水＋界面活性剤処理を行い、その後、純水保管によるＳＣ−１洗浄（Ｈ２Ｏ−Ｈ２Ｏ２−ＮＨ４ＯＨ混合液による洗浄）またはスクラビングしてＳＣ−１洗浄等を行っている。」（段落【0001】〜【0003】）
　
ウ．「しかしながら、上記従来の洗浄方法には、以下のような課題が残されている。すなわち、純水保管によるＳＣ−１洗浄を行う場合では、純水中での金属不純物（メタルパーティクル）汚染の影響を大きく受けやすく、またスクラビング後にＳＣ−１洗浄を行う場合には、スクラブの不完全性による傷およびケミカル等が発生し易いという不都合がある。また、金属不純物、研磨剤（コロイダルシリカ等）やケミカル等が多く残っていると、これらを除去するために次工程のＳＣ−１洗浄等における負荷が大きくなってしまう。また、次工程では除去が困難なまたは不可能なケミカルや研磨剤等の残りを、その前の洗浄時にできるだけ除去することが要望されている。
　本発明は、前述の課題に鑑みてなされたもので、ウェーハ表面の異物の除去効果を高めることができ、ＳＣ−１洗浄等の次工程の負荷を低減することができる半導体ウェーハの洗浄方法を提供することを目的とする。」（段落【0004】、【0005】）
　
エ．「本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。すなわち、請求項１記載の半導体ウェーハの洗浄方法では、半導体ウェーハの半導体が露出した表面を洗浄水で洗浄する方法であって、前記洗浄水は、水素水である技術が採用される。
　この半導体ウェーハの洗浄方法では、洗浄水が水素水であるので、ウェーハ表面の異物を単なる純水で洗浄する場合に比べて高い除去効果を有することができる。すなわち、水素水中の水素が半導体表面のダングリングボンドに結合するとともに、水素水の還元性により、金属不純物が表面の半導体に付着することを防止することができる。」（段落【0006】、【0007】）
　
オ．「なお、前記リンス工程は洗浄水ですすぎを行う工程であり、前記スクラビング工程は、一般的にはシリコンウェーハ表面に洗浄水をジェットスプレーしながら回転するブラシで洗浄を行う機械的洗浄工程であり、他に超音波振動を洗浄水に与えて発生させた気泡の破裂による洗浄工程等も含まれるものである。また、前記水素水は、純水中に水素がリッチに溶け込んでいるものであり、本実施形態では水素が１ｐｐｍ程度のものを使用している。
　本実施形態では、研磨後のシリコンウェーハを水素水（ｐＨ中性領域の水素水）を用いて所定時間洗浄した後、通常の洗浄工程に従ってＳＣ−１洗浄等を行う。すなわち、研磨直後のシリコンウェーハ表面には、シリコンの活性面が露出した状態であり、シリコンのダングリングボンドにメタルパーティクルが結合しやすい状態となっている。しかしながら、本実施形態では、水素水でシリコンウェーハを洗浄することにより、シリコンのダングリングボンドに水素水中の水素を結合させてＳｉ−Ｈ結合を形成し、メタルパーティクルの付着を防止することができる。
　このように、水素水でシリコンウェーハ表面を洗浄するので、シリコンウェーハ表面の異物（メタルパーティクル等）を単なる純水で洗浄する場合に比べて高い除去効果を有することができる。」（段落【0014】〜【0016】）
　
カ．「上記実施形態によって、実際に洗浄を行った具体例を以下に示す。洗浄したシリコンウェーハにおいて、洗浄後の異物除去効果を評価する方法は、洗浄後におけるエッチング量（ＳＣ−１洗浄時のエッチング）とエッチング後にウェーハ表面に残ったパーティクル数との関係を比較することにより行った。」（段落【0021】）
　
　上記記載事項及び図面の記載内容を総合すると、刊行物２には、次の発明が記載されている。 
　
「Ｈ２Ｏ−Ｈ２Ｏ２−ＮＨ４ＯＨ混合液による（ＳＣ１）洗浄の負荷を低減し異物の除去効果を高めることを目的として、
　半導体ウェーハを水素水を用いて洗浄し、
　その後Ｈ２Ｏ−Ｈ２Ｏ２−ＮＨ４ＯＨ混合液による（ＳＣ１）洗浄を行い、
　水素水を用いた洗浄とＨ２Ｏ−Ｈ２Ｏ２−ＮＨ４ＯＨ混合液による（ＳＣ１）洗浄によって半導体ウェーハ表面から異物を除去した
　半導体ウェーハの洗浄方法。」
　
(3)対比 
　本件補正発明と刊行物１に記載された発明とを対比する。　
　刊行物１に記載された発明の「一部をレジストによって被覆（マスク）する」は、本件補正発明の「上にレジストパターンを形成する」と同義であり、同様に、
　「残りの露呈部分をエッチングする」は「レジストパターンをマスクとして基板に対してエッチングを行なう」と同義である。
　刊行物１に記載された発明の「アッシングによりレジストを燃焼させて除去し、最終的にオゾン水と水素水で処理する工程」のうち、「アッシングによりレジストを燃焼させて除去」することは、本件補正発明の「アッシングによりレジストパターンを除去する工程」に相当する。
　刊行物１に記載された発明の「最終的に」は、レジストを燃焼させて除去した後を意味することから、本件補正発明の「レジストパターンを除去する工程よりも後に」に相当する。
　刊行物１に記載された発明の「オゾン水と水素水」には「水素水」が含まれ、「水素水」は本件補正発明において、「機能水は、炭酸水、水素水又は窒素含有水である」と定義されていることから、刊行物１に記載された発明の「オゾン水と水素水」は、本件補正発明の「機能水」を含むものである。
　刊行物１に記載された発明の「オゾン水と水素水で基板を処理する」は、本件補正発明の「機能水」と同一の処理液である水素水を用いた処理であることから、本件補正発明の「基板に対して、機能水（水素水）を用いて洗浄を行なった」と、機能水を含む液で処理を行った点で共通する。
　刊行物１に記載された発明の「過酸化水素水とアンモニア水（Ｈ２Ｏ２＋ＮＨ４ＯＨ＋Ｈ２Ｏ）を含む洗浄液」は、いわゆる、ＡＰＭ溶液、ＳＣ１溶液のことであり、シリコン又は酸化シリコンに対するエッチング力を持つ洗浄液であることから、本件補正発明の「シリコン又は酸化シリコンに対するエッチング力を持つ洗浄液」に相当する。
　刊行物１に記載された発明の「洗浄水槽に漬けて洗浄し」は、本件補正発明の「洗浄液を用いて洗浄を行い」と同義である。
　刊行物１に記載された発明の「基板表面のレジスト残渣を排除する」は、本件補正発明の「基板からレジスト残さを除去する」と同義である。
　刊行物１に記載された発明の「半導体デバイスの製造工程」は、本件補正発明の「電子デバイスの製造方法」に相当する。
　
　したがって、上記本件補正発明と刊行物１に記載された発明との一致点及び相違点は、次のとおりである。 
　 
［一致点］ 
「基板上にレジストパターンを形成する工程と、
　レジストパターンをマスクとして基板に対してエッチングを行なう工程と、
　アッシングによりレジストパターンを除去する工程と、
　レジストパターンを除去する工程よりも後に、基板に対して、機能水を含む液を用いて処理を行なった後、シリコン又は酸化シリコンに対するエッチング力を持つ洗浄液を用いて洗浄を行ない、洗浄液を用いた洗浄によって基板からレジスト残さを除去する工程とを備え、
　機能水は、水素水である電子デバイスの製造方法。」
　
［相違点］
　機能水について、
　本件補正発明では、レジストパターンを除去する工程よりも後に、基板に対して機能水を用いて洗浄を行うものであって、機能水は、炭酸水、水素水又は窒素含有水であり、機能水を用いた洗浄及び洗浄液を用いた洗浄によって基板からレジスト残さを除去するのに対して、
　刊行物１に記載された発明では、機能水を含む液として、オゾン水と水素水とを用い、レジストパターンを除去する工程よりも後に、基板に対して、オゾン水と水素水で基板を処理するものの、基板からレジスト残さを除去するか否か明らかでない点。　
　
(4)当審の判断
　以下、上記相違点について検討する。
　本件補正発明と刊行物２に記載された発明を対比する。 
　刊行物２に記載された発明の「半導体ウェーハ」は、その構成及び機能からみて、本件補正発明の「基板」に相当し、同様に、
　「水素水」は「機能水」に相当する。
　刊行物２に記載された発明の「Ｈ２Ｏ−Ｈ２Ｏ２−ＮＨ４ＯＨ混合液」は、いわゆるＡＰＭ溶液、ＳＣ１溶液のことであり、シリコン又は酸化シリコンに対するエッチング力を持つ洗浄液であることから、本件補正発明の「シリコン又は酸化シリコンに対するエッチング力を持つ洗浄液」に相当する。
　刊行物２に記載された発明の「半導体ウェーハの洗浄方法」は、半導体ウェーハから電子デバイスを製造する際の工程の一部をなすものであるから、本件補正発明の「電子デバイスの製造方法」に含まれる概念である。
　
　したがって、刊行物２に記載された発明は、
「シリコン又は酸化シリコンに対するエッチング力を持つ洗浄液による洗浄の負荷を低減し、異物の除去効果を高めることを目的として、
　基板を機能水である水素水を用いて洗浄し、
　その後、シリコン又は酸化シリコンに対するエッチング力を持つ洗浄液による洗浄を行い、
　機能水を用いた洗浄とシリコン又は酸化シリコンに対するエッチング力を持つ洗浄液による洗浄によって半導体ウェーハ表面の異物を除去した
　電子デバイスの製造方法。」と言い換えることができる。
　
　刊行物１及び２に記載された発明は、共に、電子デバイスの製造過程における基板の洗浄方法という同一の技術分野に属する発明であるから、刊行物１に記載された発明において、シリコン又は酸化シリコンに対するエッチング力を持つ洗浄液による洗浄の負荷を低減し、異物の除去効果を高めることを目的として、刊行物２に記載された発明を適用し、機能水として水素水を用い、水素水を用いた洗浄及びシリコン又は酸化シリコンに対するエッチング力を持つ洗浄液を用いた洗浄によって基板からレジスト残さを除去するようにすることは、当業者が容易に想到し得たものである。さらに言えば、刊行物１に記載された発明も、その目的は明確でないものの、基板に対して本件補正発明の機能水である水素水を含む液を用いて処理を行うものであって、本件補正発明と同様の処理を行うものと言え、刊行物２に記載された発明を適用することに困難性はない。
　そして、本件補正発明の奏する効果についてみても、刊行物１及び２に記載された発明により奏される効果から当業者が予測できる範囲内のものである。
　
　よって、本件補正発明は、刊行物１及び２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項に規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
(5)まとめ  
　以上のとおりであるから、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反する。
　
３．むすび
　以上、第２　１及び２で検討したとおりであるから、本件補正は、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について 
１．本願発明 
　平成１８年９月２８日付け手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項９に係る発明（以下「本願発明」という。）は、本件補正前の平成１７年８月３日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項７を引用する請求項９に記載されたものであり（第２　１．参照。）、両者を併せた次のとおりのものである。 
　 
「基板上にレジストパターンを形成する工程と、
　前記レジストパターンをマスクとして前記基板に対してエッチングを行なう工程と、
　アッシングにより前記レジストパターンを除去する工程と、
　前記レジストパターンを除去する工程よりも後に、前記基板に対して、機能水を用いて洗浄を行なった後、シリコン又は酸化シリコンに対するエッチング力を持つ洗浄液を用いて洗浄を行ない、それによって前記基板からレジスト残さを除去する工程とを備え、
　前記機能水は、炭酸水、水素水又は窒素含有水であることを特徴とする電子デバイスの製造方法。」
　 
２．刊行物 
　原査定の拒絶の理由に引用した刊行物２、刊行物２の記載事項及び刊行物２に記載された発明は、前記「第２　１．(2)刊行物(2-2)」に記載したとおりである。
　
３．対比 
　本願発明と刊行物２に記載された発明とを対比する。 
　刊行物２に記載された発明の「半導体ウェーハ」は、その構成及び機能からみて、本願発明の「基板」に相当し、同様に、
　「水素水」は「機能水」に相当する。
　刊行物２に記載された発明の「Ｈ２Ｏ−Ｈ２Ｏ２−ＮＨ４ＯＨ混合液」は、いわゆる、ＡＰＭ溶液、ＳＣ１溶液のことであり、シリコン又は酸化シリコンに対するエッチング力を持つ洗浄液であることから、本願発明の「シリコン又は酸化シリコンに対するエッチング力を持つ洗浄液」に相当する。
　刊行物２に記載された発明の「半導体ウェーハの洗浄方法」は、半導体ウェーハから電子デバイスを製造する際の工程の一部をなすものであるから、本願発明の「電子デバイスの製造方法」に含まれる概念であって、本願発明の工程を備えているといえる。
　
　したがって、本願発明と刊行物２に記載された発明との一致点及び相違点は、次のとおりである。 
　 
［一致点］ 
「基板に対して、機能水を用いて洗浄を行なった後、シリコン又は酸化シリコンに対するエッチング力を持つ洗浄液を用いて洗浄を行ない、それによって基板から異物を除去する工程とを備え、
　機能水は、水素水である電子デバイスの製造方法。」
　
［相違点］
　本願発明では、基板上にレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンをマスクとして基板に対してエッチングを行なう工程と、アッシングによりレジストパターンを洗浄を行い除去する工程と、レジストパターンを除去する工程よりも後に、基板に対して洗浄を行いレジスト残さを除去する工程とを備えているのに対して、
　刊行物２に記載された発明では、基板から洗浄によって異物を除去する工程を備えているのみである点。
　
４．当審の判断
　以下、上記相違点について検討する。
　電子デバイスの製造の技術分野において、基板上にレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンをマスクとして基板に対してエッチングを行なう工程と、アッシングによりレジストパターンを除去する工程と、レジストパターンを除去する工程よりも後に行う、基板に対して洗浄を行いレジスト残さを除去する工程とを備えることは、本願出願前周知の技術事項である（例えば、刊行物１（段落【0003】〜【0007】）、特開２００２−１５８２０６号公報（段落【0020】、【0024】）、特開２００２−１６２７５５号公報（段落【0004】、【0008】）、特開２００２−９３７４４号公報（【請求項1】）参照のこと。）
　そして、刊行物２に記載された発明と、上記周知の技術事項は、電子デバイスの製造という共通の技術分野に属するものであるから、レジスト残さ除去のためにエッチング力を持つ洗浄液を用いて洗浄を行うという周知の電子デバイスの製造方法に、刊行物２に記載された発明の基板の異物除去のための洗浄方法を適用して、水素水を用いて洗浄を行なった後、シリコン又は酸化シリコンに対するエッチング力を持つ洗浄液を用いて洗浄を行なうことによりレジスト残さを除去するようにすることは、当業者が容易になし得たものである。
　
　そして、本願発明の奏する効果についてみても、刊行物２に記載された発明並びに周知の技術事項により奏される効果から当業者が予測できる範囲内のものである。
　
４．むすび 
　以上のとおりであるから、本願発明は、刊行物２に記載された発明並びに周知の技術事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　したがって、本願のその他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。 
　 
　よって、結論のとおり審決する。