【手続補正書】
【提出日】平成27年1月21日(2015.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換部と、第１のトランジスタと、第２のトランジスタとを半導体基板に有する固体撮像装置の製造方法において、
前記光電変換部と前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタの上に第１の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜のうち前記第２のトランジスタの上に設けられた部分を除去する工程と、
前記第２のトランジスタにシリサイド領域を形成する工程と、
前記シリサイド領域が形成された前記第２のトランジスタの上に第２の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜とを覆う第３の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタのそれぞれに対して、電気的な接続を行うためのコンタクトプラグを形成する工程と、を有し、
前記コンタクトプラグを形成する工程は、前記第３の絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程を有し、
前記第３の絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程において、前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜は前記第３の絶縁膜をエッチングする際のエッチングストップ膜として機能することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項２】
更に、前記シリサイド領域を形成する工程の前に、前記光電変換部と前記第１のトランジスタの上に第４の絶縁膜を形成する工程を有し、
前記シリサイド領域を形成する工程は、前記第４の絶縁膜と前記第２のトランジスタの上に金属膜を形成し、熱処理を行うことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１の絶縁膜のうち前記第２のトランジスタの上に設けられた部分を除去する工程において、前記第２のトランジスタのゲート電極の側面に位置するスペーサーが前記第１の絶縁膜から形成されることを特徴とする請求項１または２に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項４】
前記第２のトランジスタのソース領域及びドレイン領域の少なくとも一方は、第１の半導体領域と、前記第１の半導体領域よりも不純物濃度が高い第２の半導体領域とを有することを特徴とする請求項３に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１の絶縁膜は酸化シリコン膜と窒化シリコン膜の積層膜であり、
前記第２の絶縁膜は酸化シリコン膜と窒化シリコン膜の積層膜であり、
前記第３の絶縁膜は酸化シリコン膜であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項６】
前記第２の絶縁膜は、前記第１のトランジスタの上には形成されないことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項７】
前記コンタクトホールを形成する工程は、前記第１のトランジスタに対応して設けられる第１のコンタクトホールを形成する工程と、前記第２のトランジスタに対応して設けられる第２のコンタクトホールを形成する工程とを有し、前記第１のコンタクトホールを形成する工程と前記第２のコンタクトホールを形成する工程は別に行われることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項８】
前記コンタクトプラグを形成する工程の後に、前記光電変換部に対応して設けられた導波路を形成する工程を更に有することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項９】
前記導波路を形成する工程は、前記第３の絶縁膜の上に第５の絶縁膜を形成する工程と、前記第５の絶縁膜の前記光電変換部と対応した部分に開口を形成する工程とを含み、
前記第２の絶縁膜を形成する工程において、前記第２の絶縁膜は前記光電変換部を覆うように形成され、前記開口を形成する工程におけるエッチングストップ膜として機能することを特徴とする請求項８に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１０】
前記導波路を形成する工程は、前記開口にコアとなる部材を形成する工程を有し、
前記第２の絶縁膜と前記部材は、同一の材料からなることを特徴とする請求項９に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第２の絶縁膜と前記部材が接することを特徴とする請求項１０に記載の固体撮像装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】固体撮像装置の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、固体撮像装置の製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の固体撮像装置の製造方法は、光電変換部と、第１のトランジスタと、第２のトランジスタとを半導体基板に有する固体撮像装置の製造方法において、前記光電変換部と、前記第１のトランジスタと、前記第２のトランジスタの上に第１の絶縁膜を形成する工程と、前記第１の絶縁膜のうち前記第２のトランジスタの上に設けられた部分を除去する工程と、前記第２のトランジスタにシリサイド領域を形成する工程と、前記シリサイド領域が形成された前記第２のトランジスタの上に第２の絶縁膜を形成する工程と、前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜とを覆う第３の絶縁膜を形成する工程と、前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタのそれぞれに電気的な接続のためのコンタクトプラグを形成する工程と、を有し、前記コンタクトプラグを形成する工程は、前記第３の絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程を有し、前記コンタクトホールを形成する工程において、前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜はエッチングストップ膜として機能する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
そして、図１７（ｃ）に示すような絶縁膜１７１３とスペーサー１７１４を形成する。絶縁膜１７１３は画素部１０１１にのみに形成される。絶縁膜１７１３はＰＤの反射防止膜として機能できるように、その材料及び厚みが設定される。スペーサー１７１４は周辺回路部１０１６の各トランジスタのゲート電極の側壁に形成されている。絶縁膜１７１３は酸化シリコンの膜の上に窒化シリコンの膜が積層した構造を有し、スペーサー１７１４は酸化シリコンの膜の上に窒化シリコンの膜が積層した構造となっている。なお、スペーサー１７１４は窒化シリコンの部材とゲート電極との間に酸化シリコンの部材があるともいえる。これらは、主面３０２の上のゲート絶縁膜とゲート電極と第１絶縁部材１７０８と第２絶縁部材１７０９を覆うように、すなわち図１７（ｂ）の状態で酸化シリコンからなる膜をＣＶＤ法で形成した後、ＣＶＤ法で窒化シリコンからなる膜を形成する。その後、画素部１０１１を覆うフォトレジストパターンを形成する。そして、フォトレジストパターンをマスクとして画素部１０１１及び周辺回路部１０１６に渡って異方性のエッチングを行い、周辺回路部１０１６の酸化シリコンからなる膜と窒化シリコンからなる膜とを除去する。周辺回路部１０１６の各ゲート電極の側面に接して、酸化シリコンからなる膜と窒化シリコンからなる膜とからなるスペーサー１７１４が形成され、図１７（ｃ）の構成となる。ここで、絶縁膜１７１３とスペーサー１７１４とを同一膜から形成するため、工程を削減することが可能となる。また、スペーサー１７１４のみを形成する場合には、ＰＤの上に形成されたスペーサー用の絶縁膜をエッチングすることになるため、ＰＤにエッチングダメージが生じうる。しかし、絶縁膜１７１３とスペーサー１７１４とを同一膜から形成するため、ＰＤへのダメージの発生を抑制可能である。