(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＧａＮからなる窒化物基板(６)の表面に窒化物成長層(７)を形成すると共に、前記窒化物基板(６)の裏面に電極(５)を形成してなる窒化物系半導体素子において、前記電極(５)が形成された前記窒化物基板(６)の裏面が、前記窒化物基板(６)のＣ面に対して０.０３°〜１０°の傾斜角度を有していることを特徴とする窒化物系半導体素子。
【請求項２】
前記窒化物基板(６)の裏面の傾斜角度は、０.１°以上である請求項１に記載の窒化物系半導体素子。
【請求項３】
前記窒化物基板(６)には、ｐドーパントが１×１０18ｃｍ-3以上、ドープされている請求項１又は請求項２に記載の窒化物系半導体素子。
【請求項４】
前記ｐドーパントはＭｇである請求項３に記載の窒化物系半導体素子。
【請求項５】
前記窒化物基板(６)の裏面に形成された前記電極(５)は、ｐ電極であって、Ｎｉ系、Ｐｔ系、若しくはＣｏ系の材料から形成されている請求項４に記載の窒素物系半導体素子。
【請求項６】
前記窒化物基板(６)の裏面に形成された前記電極(５)は、Ｎｉ層、Ｐｔ／Ｔｉ層、Ｐｄ層、若しくはＡｕ／Ｃｏ層から構成されている請求項５に記載の窒化物系半導体素子。
【請求項７】
前記窒化物基板(６)には、ｎドーパントが１×１０17ｃｍ-3以上、ドープされている請求項１又は請求項２に記載の窒化物系半導体素子。
【請求項８】
前記ｎドーパントはＳｉ又はＧｅである請求項７に記載の窒化物系半導体素子。
【請求項９】
前記窒化物基板(６)の裏面に形成された前記電極(５)は、ｎ電極であって、Ａｌ系若しくはＰｔ系の材料から形成されている請求項８に記載の窒素物系半導体素子。
【請求項１０】
前記窒化物基板(６)の裏面に形成された前記電極(５)は、Ａｌ／Ｔｉ層、Ｐｔ／Ｔｉ層、Ａｕ／Ｎｉ／Ｓｉ／Ａｌ層、若しくはＡｌ／Ｖ層から構成される請求項９に記載の窒化物系半導体素子。
【請求項１１】
前記窒化物基板(６)の裏面に形成された前記電極(５)は、Ａｕ／Ｓｎ層、Ｐｂ／Ｓｎ層、Ａｇ／Ｓｎ層、Ｉｎ／Ｓｎ層、若しくはＡｇペースト層を用いて基台に融着固定される請求項１乃至請求項１０の何れかに記載の窒化物系半導体素子。
【請求項１２】
前記窒化物成長層(７)は、レーザ発振機能を発揮すべきダブルヘテロ接合構造を有している請求項１乃至請求項１１の何れかに記載の窒化物系半導体素子。
【請求項１３】
ＧａＮからなる窒化物基板(６)の表面に窒化物成長層(７)を形成すると共に、前記窒化物基板(６)の裏面に電極(５)を形成してなる窒化物系半導体素子の製造方法において、
前記電極(５)を形成すべき前記窒化物基板(６)の裏面を、前記窒化物基板(６)のＣ面に対して０.０３°〜１０°の傾斜角度に形成する工程と、
前記窒化物基板(６)の表面に前記窒化物成長層(７)を形成する工程と、
前記窒化物基板(６)の裏面に前記電極(５)を形成する工程とを有することを特徴とする窒化物系半導体素子の製造方法。
【請求項１４】
前記窒化物基板(６)のＣ面に対して傾斜した面で研磨を施すことによって、前記窒化物基板(６)を形成すべき裏面を傾斜させる請求項１３に記載の窒化物系半導体素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、青色半導体レーザの如く、ＧａＮの窒化物基板の表面に窒化物成長層を形成してなる窒化物系半導体素子、及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の青色半導体レーザチップは、サファイア基板の表面に、ｐ型クラッド層／ｐ型活性層／ｎ型クラッド層のダブルヘテロ接合構造を有する窒化物成長層を形成して構成されているが（例えば「日経エレクトロニクス」１９９６．１．１５（ｎｏ．６５３）ｐｐ．１３〜１５参照）、サファイア基板の格子定数が０．２７５ｎｍであるのに対してＧａＮの格子定数は０．３１９ｎｍであって、サファイア基板上にクラッド層となるＧａＮの単結晶膜を成長させる過程で、上記格子定数の差などに起因して、ＧａＮ膜の欠陥密度が大きくなり、良質のクラッド層を得ることが困難である問題があった。
【０００３】
そこで、窒化物成長層を有する青色半導体レーザチップの基板として、ＧａＮ基板を用いることが検討されている（例えば「日経エレクトロニクス」１９９８．１０．５（ｎｏ．７２７）ｐｐ．３１〜３２参照）。ＧａＮの単結晶を成長させることは極めて困難であるが、近年、ＨＶＰＥ法や横方向成長法などを用いてＧａＮ基板を得ることが可能になりつつある。
ＧａＮ基板を得る方法としては、例えば、サファイア基板上にＧａＮ膜を成長させた後、ＳｉＯ２ストライプを形成し、更にその上にＧａＮ膜を１５０μｍ〜２００μｍの厚さに成長させた後、サファイア基板の部分を研磨、削除する方法が採用可能である。
【０００４】
図１６は、窒化物基板（６０）を用いた窒化物系半導体素子の構造を模式的に表わしたものであって、窒化物基板（６０）の表面に窒化物成長層（７０）が形成されており、窒化物基板（６０）の裏面には、電極（５０）が形成されている。又、窒化物成長層（７０）の最上層にも電極（図示省略）が形成されている。
図１７及び図１８は、窒化物基板（６０）を用いた半導体レーザチップの具体的な構造を表わしたものであって、図１７はセルフアライン型、図１８は導波型の半導体レーザチップを表わしている。
【０００５】
半導体レーザチップをディスクプレーヤなどに光学部品として搭載するときは、例えば図１５に示す如く、ステム（１）に突設された支持ブロック（１ａ）の側面にヒートシンク（２）を介して半導体レーザチップ（２１）を固定し、更にこれをキャップ（１０）で被うことによって、光学部品としての半導体レーザが構成される。
ここで、半導体レーザチップ（２１）の表面に設けられた電極にはワイヤボンディングが施される。又、ステム（１）上には、半導体レーザチップ（２１）の発光強度をモニターするための受光素子（２２）が配備されている。
【０００６】
上述の如く、ＧａＮ基板上に窒化物成長層を成長させて半導体レーザを作製する方法によれば、欠陥密度の極めて低い窒化物成長層を得ることが出来、然も、共振面を劈開によって形成することが出来るので、エッチング法によって劈開面を形成していた従来に比べて製造コストを大幅に低減させることが可能である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ＧａＮ基板を用いた青色半導体レーザにおいては、所定の出力を得るために必要な電圧（動作電圧）が時間の経過と共に徐々に増大することが問題となっている。
そこで本発明の目的は、ＧａＮ等の窒化物基板を用いた窒化物系半導体素子において、動作電圧の経時変化が少ない安定性の高い素子構造を提供することである。
【０００８】
【課題を解決する為の手段】
本発明者らは、上記目的を達成するべく種々の素子構造を有する多数の青色半導体レーザを試作し、その性能を比較、分析する実験を行なった結果、電極を形成すべき窒化物基板の裏面を窒化物基板のＣ面に対して傾斜させることによって、動作電圧の安定を図ることが可能であることを発見し、本発明の完成に至った。
即ち、本発明に係る窒化物系半導体素子は、ＧａＮからなる窒化物基板(６)の表面に窒化物成長層(７)を形成すると共に、窒化物基板(６)の裏面及び窒化物成長層(７)の表面に電極(５)(８)を形成してなり、電極(５)が形成された窒化物基板(６)の裏面は、窒化物基板(６)のＣ面に対して０.０３°〜１０°の傾斜角度を有していることを特徴とする。
尚、従来は、電極を形成すべき窒化物基板の裏面は傾斜させることなく、窒化物基板のＣ面を用いていた。
【０００９】
ここで、窒化物基板（６）としてＧａＮ基板を採用し、窒化物成長層（７）としてレーザ発振機能を発揮すべきダブルヘテロ接合構造を設ければ、青色半導体レーザチップが構成される。
【００１０】
上記本発明の窒化物系半導体素子によれば、窒化物基板（６）の裏面と電極（５）の間のオーミックコンタクト抵抗が安定したものとなり、長時間の通電によっても動作電圧が大きく変動することはない。
窒化物基板（６）の裏面の傾斜角度としては、０．１°以上が更に好ましい。これによって、動作電圧の変動を更に効果的に抑制することが出来る。
【００１１】
ＧａＮからなる窒化物基板（６）は、例えばＭｇ等のｐドーパントを１×１０１８ｃｍ−３以上、ドーピングすることが好ましい。この場合、窒化物基板（６）の裏面に配置すべき電極（５）としては、Ｎｉ系、Ｐｔ系、若しくはＣｏ系の材料を用いたｐ電極を形成することが出来る。具体的には、Ｎｉ層、Ｐｔ／Ｔｉ層（Ｔｉが基板側であって、以下、同様の標記方式による）、Ｐｄ層、若しくはＡｕ／Ｃｏ層から電極（５）を構成することが出来る。
【００１２】
又、ＧａＮからなる窒化物基板（６）は、例えばＳｉ、Ｇｅ等のｎドーパントを１×１０１７ｃｍ−３以上、ドーピングすることが好ましい。この場合、窒化物基板（６）の裏面に配置すべき電極（５）としては、Ａｌ系若しくはＰｔ系の材料を用いたｎ電極を形成することが出来る。具体的には、Ａｌ／Ｔｉ層、Ｐｔ／Ｔｉ層、Ａｕ／Ｎｉ／Ｓｉ／Ａｌ層、若しくはＡｌ／Ｖ層から電極（５）を構成することが出来る。
又、上記本発明の半導体素子を用いて図１５に示す如き光学部品を構成する場合において、半導体素子をヒートシンク等の基台に固定する際、窒化物基板（６）の裏面に形成された電極（５）は、Ａｕ／Ｓｎ層、Ｐｂ／Ｓｎ層、Ａｇ／Ｓｎ層、Ｉｎ／Ｓｎ層、若しくはＡｇペースト層を用いて基台表面に融着することが出来る。
【００１４】
上記本発明の窒化物系半導体素子の製造方法は、
電極（５）を形成すべき窒化物基板（６）の裏面を、窒化物基板（６）のＣ面に対して０．０３°〜１０°の傾斜角度に形成する工程と、
窒化物基板（６）の表面に窒化物成長層（７）を形成する工程と、
窒化物基板（６）の裏面及び窒化物成長層（７）の表面に電極（５）（８）を形成する工程
とを有している。
ここで、窒化物基板（６）を形成すべき裏面は、窒化物基板（６）のＣ面に研磨を施すことによって、Ｃ面に対して所定角度だけ傾斜させることが出来る。
【００１５】
【発明の効果】
本発明に係る窒化物系半導体素子及びその製造方法によれば、窒化物基板（６）と電極（５）の間のオーミックコンタクト抵抗の経時変化が抑制されて動作電圧の安定した窒化物系半導体素子が得られる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明に係る青色半導体レーザの構造を模式的に表わしたものであって、ＧａＮからなる窒化物基板（６）の表面に、レーザ発振機能を発揮すべきダブルヘテロ接合構造（図１７及び図１８参照）を有する窒化物成長層（７）が形成され、窒化物基板（６）の裏面（図では下面）及び窒化物成長層（７）の表面（図では上面）には電極（５）（８）が設けられて、半導体レーザチップが構成されている。
該半導体レーザチップは、ステム（１）上のヒートシンク（２）の表面に配置されており、窒化物基板（６）の裏面に形成された電極（５）が、ヒートシンク（２）の表面に形成されたメタライズ層（３）に融着金属（４）を用いて固定されている。又、窒化物成長層（７）の表面に形成された電極（８）には、金ワイヤ（９）がボンディングされている。
【００１７】
ここで、窒化物基板（６）は、図２に示す如く電極（５）の形成された裏面がＣ面に対して所定角度θだけ傾斜している。該傾斜角度θとしては０．０３°〜１０°の範囲が好ましく、更に好ましくは０．１°以上に設定される。
又、傾斜方向としては、ＧａＮの六方晶系構造において図５（ａ）に示す方向若しくは同図（ｂ）に示す方向の何れを採用することも可能である。
【００１８】
窒化物基板（６）の裏面を所定角度θだけ傾斜させる方法としては、例えば、先ず基板裏面をＣ面に形成した後、ラッピング装置などを用いてＣ面に対して斜め方向に研磨を施す方法が採用可能である。
【００１９】
又、図３は、本発明に係る青色半導体レーザの他の構造を模式的に表わしたものであって、図１に示す半導体レーザチップを上下逆転させて、ヒートシンク（２）のメタライズ層（３）上に固定したものである。窒化物基板（６）の裏面に電極（５）が形成され、該電極（５）に金ワイヤ（９）がボンディングされている。
ここで、窒化物基板（６）は、図４に示す如く電極（５）の形成された裏面（図では上面）がＣ面に対して所定角度θだけ傾斜している。該傾斜角度θとしては０．０３°〜１０°の範囲が好ましく、更に好ましくは０．１°以上に設定される。又、傾斜方向としては、ＧａＮの六方晶系構造において図５（ａ）に示す方向若しくは同図（ｂ）に示す方向の何れを採用することも可能である。
【００２０】
図６（ａ）（ｂ）は、上記本発明に係る青色半導体レーザの性能評価に用いた評価素子の具体的構造の一例を表わしている。同図（ｂ）に示す活性層（１５）の詳細構造において、下方がｎ側、上方がｐ側である。
ｎ電極（１８）としては、Ａｌ（５０００Å）／Ｔｉ（２００Å）層、Ｐｔ（５０００Å）／Ｔｉ（２０Å）層、Ａｕ（５０００Å）／Ｎｉ（５００Å）／Ｓｉ（３０Å）／Ａｌ（４０Å）層、若しくはＡｌ（５０００Å）／Ｖ（５００Å）層を形成した。又、ｐ電極（１９）としては、Ｎｉ（３０００Å）層、Ｐｔ（５０００Å）／Ｔｉ（２０Å）層、Ｐｄ（５０００Å）層、Ａｕ（５０Å）／Ｃｏ（４０Å）層を形成した。尚、Ｐｔ／Ｔｉ層に代えてＰｔの単層を形成することも可能である。
【００２１】
図７は、Ｓｉを２×１０１８ｃｍ−３の量だけドーピングしたＧａＮ基板を用いると共に、該基板の裏面に形成する電極として、Ａｌ／Ｔｉ電極を採用した場合において、該電極を形成すべき基板裏面を従来の如くＣ面とした素子（基板裏面ｊｕｓｔ）と、基板裏面をＣ面に対して０．１°だけ図５（ｂ）の方向に傾斜させた素子（基板裏面０．１°ｏｆｆ）についての動作電圧の経時変化を表わしている。尚、動作電圧は、素子に３０ｍＡの一定電流を流すために必要な電圧を測定したものである。
図示の如く基板裏面ｊｕｓｔの素子では、動作電圧が徐々に増大し、１０００時間経過時点での電圧増大値ΔＶｆは約０．０５Ｖに達している。これに対し、基板裏面０．１°ｏｆｆの素子では、動作電圧の増大は僅かであり、１０００時間経過時点での電圧増大値ΔＶｆは０．０１Ｖ以下に抑えられている。
【００２２】
図８は、Ｓｉを２×１０１８ｃｍ−３の量だけドーピングしたＧａＮ基板を用いると共に、該基板の裏面に形成する電極として、Ａｌ／Ｔｉ電極を採用した場合において、該電極を形成すべき基板裏面の傾斜方向（オフ方向）が図示する３方向に異なるｏｆｆ基板を具えた３つの素子と、ｊｕｓｔ基板を具えた３つの素子について、夫々の電圧増大値ΔＶｆを比較したものである。
図示の如く、ｏｆｆ基板を具えた３つの素子においては、何れもｊｕｓｔ基板の素子よりも電圧増大値ΔＶｆが大きく低下しており、図５（ｂ）のオフ方向を有する素子において最も高い効果が得られているが、オフ方向の違いによって大きな差はない。
【００２３】
図９は、ＳｉをドーピングしたＧａＮ基板を用いると共に、該基板の裏面に形成する電極として、Ａｌ／Ｔｉ電極を採用した場合において、Ｓｉのドーピング量を４×１０１６ｃｍ−３、１×１０１７ｃｍ−３、及び２×１０１８ｃｍ−３の３種類に変化させた３つの素子について、オフ角度と電圧増大値ΔＶｆの関係を表わしたものである。尚、基板のオフ方向は図５（ｂ）に示す方向である。又、図中のオフ角度０．００１°はｊｕｓｔ基板の場合を表わしている。
図示の如く、何れの素子においても、オフ角度の増大に伴って電圧増大値ΔＶｆが減少しているが、特にＳｉのドーピング量が１×１０１７ｃｍ−３と２×１０１８ｃｍ−３の２つの素子において、オフ角度が０．０１°〜１０°の範囲で電圧増大値ΔＶｆが大きく低下しており、更にオフ角度が０．１°を越えることによって、電圧増大値ΔＶｆは極めて小さくなっている。
この結果から、Ｓｉのドーピング量としては１×１０１７ｃｍ−３以上が好ましいと言える。又、オフ角度としては、０．０１°〜１０°の範囲が好ましく、更に０．１°以上に設定することがより好ましいと言える。
【００２４】
これに対し、図１０は、ＭｇをドーピングしたＧａＮ基板を用いると共に、該基板の裏面に形成する電極として、Ｎｉ電極を採用した場合において、Ｍｇのドーピング量を２×１０１７ｃｍ−３、１×１０１８ｃｍ−３、及び３×１０２０ｃｍ−３の３種類に変化させた３つの素子について、オフ角度と電圧増大値ΔＶｆの関係を表わしたものである。尚、基板のオフ方向は図５（ｂ）に示す方向である。又、図中のオフ角度０．００１°はｊｕｓｔ基板の場合を表わしている。
図示の如く、何れの素子においても、オフ角度の増大に伴って電圧増大値ΔＶｆが減少しているが、特にＭｇのドーピング量が１×１０１８ｃｍ−３と３×１０２０ｃｍ−３の２つの素子において、オフ角度が０．０１°〜１０°の範囲で電圧増大値ΔＶｆが大きく低下しており、更にオフ角度が０．１°を越えることによって、電圧増大値ΔＶｆは極めて小さくなっている。
この結果から、Ｍｇのドーピング量としては１×１０１８ｃｍ−３以上が好ましいと言える。又、オフ角度としては、０．０１°〜１０°の範囲が好ましく、更に０．１°以上に設定することがより好ましいと言える。
【００２５】
また図１１は、Ｓｉを２×１０１８ｃｍ−３の量だけドーピングしたＧａＮ基板を用いた場合において、オフ角度０．１°のｏｆｆ基板を具えた素子と、ｊｕｓｔ基板を具えた素子につき、基板裏面に形成すべきｎ電極材料、Ａｌ／Ｔｉ層、Ｐｔ／Ｔｉ層、Ａｕ／Ｎｉ／Ｓｉ／Ａｌ層、及びＡｌ／Ｖ層の４種類に変更したときの電圧増大値ΔＶｆを比較したものである。尚、基板のオフ方向は図５（ｂ）に示す方向である。
図示の如く、電極材料に拘わらず、ｏｆｆ基板を具えた素子においてはｊｕｓｔ基板を具えた素子よりも電圧増大値ΔＶｆが大きく低下しており、何れの電極材料も有効であることがわかる。
【００２６】
これに対し、図１２は、Ｍｇを３×１０２０ｃｍ−３の量だけドーピングしたＧａＮ基板を用いた場合において、オフ角度０．１°のｏｆｆ基板を具えた素子と、ｊｕｓｔ基板を具えた素子につき、基板裏面に形成すべきｎ電極材料を、Ｎｉ層、Ｐｔ／Ｔｉ層、Ｐｄ層、及びＡｕ／Ｃｏ層の４種類に変更したときの電圧増大値ΔＶｆを比較したものである。尚、基板のオフ方向は図５（ｂ）に示す方向である。
図示の如く、電極材料に拘わらず、ｏｆｆ基板を具えた素子においてはｊｕｓｔ基板を具えた素子よりも電圧増大値ΔＶｆが大きく低下しており、何れの電極材料も有効であることがわかる。
【００２７】
更に図１３は、Ｓｉを２×１０１８ｃｍ−３の量だけドーピングしたＧａＮ基板を用いると共に、基板裏面に形成すべきｎ電極材料として、Ａｌ／Ｔｉ層を採用した場合において、オフ角度０．１°のｏｆｆ基板を具えた素子と、ｊｕｓｔ基板を具えた素子につき、素子をヒートシンク等の基台上に固定するための融着材を、Ａｕ／Ｓｎ層、Ｐｂ／Ｓｎ層、Ａｇ／Ｓｎ層、Ｉｎ／Ｓｎ層、及びＡｇペースト層の５種類に変更したときの電圧増大値ΔＶｆを比較したものである。尚、基板のオフ方向は図５（ｂ）に示す方向である。
図示の如く、融着材の種類に拘わらず、ｏｆｆ基板を具えた素子においてはｊｕｓｔ基板を具えた素子よりも電圧増大値ΔＶｆが大きく低下しており、何れの融着材も有効であることがわかる。
【００２８】
これに対し、図１４は、Ｍｇを３×１０２０ｃｍ−３の量だけドーピングしたＧａＮ基板を用いると共に、基板裏面に形成すべきｎ電極材料として、Ｎｉ層を用いた場合において、オフ角度０．１°のｏｆｆ基板を具えた素子と、ｊｕｓｔ基板を具えた素子につき、素子をヒートシンク等の基台上に固定するための融着材を、Ａｕ／Ｓｎ層、Ｐｂ／Ｓｎ層、Ａｇ／Ｓｎ層、Ｉｎ／Ｓｎ層、及びＡｇペースト層の５種類に変更したときの電圧増大値ΔＶｆを比較したものである。尚、基板のオフ方向は図５（ｂ）に示す方向である。
図示の如く、融着材の種類に拘わらず、ｏｆｆ基板を具えた素子においてはｊｕｓｔ基板を具えた素子よりも電圧増大値ΔＶｆが大きく低下しており、何れの融着材も有効であることがわかる。
【００２９】
上述の如く、本発明に係る窒化物系半導体素子によれば、従来の窒化物系半導体素子よりも安定した動作電圧を得ることが出来、特に青色半導体レーザの構成に有効である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る窒化物系半導体素子の構造を表わす模式図である。
【図２】該素子において、基板裏面の傾斜を表わす模式図である。
【図３】本発明に係る窒化物系半導体素子の他の構造を表わす模式図である。
【図４】該素子において、基板裏面の傾斜を表わす模式図である。
【図５】基板裏面の傾斜方向を説明する図である。
【図６】本発明に係る窒化物系半導体素子の評価に用いた評価素子の構造を表わす模式図である。
【図７】動作電圧の経時変化を表わすグラフである。
【図８】基板裏面のオフ方向と動作電圧増大値の関係を表わすグラフである。
【図９】ＧａＮ基板にＳｉをドーピングした素子におけるオフ角度と動作電圧増大値の関係を表わすグラフである。
【図１０】ＧａＮ基板にＭｇをドーピングした素子におけるオフ角度と動作電圧増大値の関係を表わすグラフである。
【図１１】種々のｎ電極材料を用いた素子における動作電圧増大値を表わすグラフである。
【図１２】種々のｐ電極材料を用いた素子における動作電圧増大値を表わすグラフである。
【図１３】ＧａＮ基板にＳｉをドーピングした素子の固定に種々の融着材を用いた場合の動作電圧増大値を表わすグラフである。
【図１４】ＧａＮ基板にＭｇをドーピングした素子の固定に種々の融着材を用いた場合の動作電圧増大値を表わすグラフである。
【図１５】半導体レーザチップを具えた光学部品の一部破断斜視図である。
【図１６】従来の窒化物系半導体素子の構造を模式的に表わす図である。
【図１７】従来の青色半導体レーザチップの具体的構造を表わす図である。
【図１８】従来の青色半導体レーザチップの他の具体的構造を表わす図である。
【符号の説明】
（１）  ステム
（２）  ヒートシンク
（４）  融着金属
（５）  電極
（６）  窒化物基板
（７）  窒化物成長層
（８）  電極
（９）  金ワイヤ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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