【事件の表示】
　特願２００２−１９６９３０「薄膜製造装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　２月　５日出願公開、特開２００４−　３５９７１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯・本願発明
　本願は、平成１４年７月５日の出願であって、平成１７年１２月２７日付けで拒絶理由の発送がなされ、平成１８年２月２７日に意見書及び明細書の記載に係る手続補正書の提出がなされ、平成１８年５月２日付けで拒絶査定が発送され、平成１８年５月３１日に拒絶査定不服の審判請求がなされ、平成１８年６月３０日に前記審判に係る請求書の手続補正書および明細書の記載に係る手続補正書の提出がなされ、平成２０年９月９日付けで特許法第１６４条第３項に基づく報告を引用した審尋が発送され、平成２０年１１月５日に回答書の提出がなされたものである。
　そして、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１８年２月２７日付けで提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「原料ガスと反応ガスとの混合用ガス混合室と、該ガス混合室に接続された成膜室と、該成膜室の上面に配設されたシャワーヘッドと、該成膜室内に配設された、被処理基板を載置する昇降自在のステージとを有し、該ガス混合室から該シャワーヘッドへ供給される混合ガスの供給口を該ガス混合室の底面の周縁部に設けて、該ガス混合室から供給される混合ガスがシャワーヘッド上面の周縁部から中心部へ向かって流れて該シャワーヘッドを介して該成膜室内へ導入できるようにして、該被処理基板上に薄膜が形成され得るように構成すると共に、該成膜室内の排ガスを排気するための排気口を成膜室側壁の成膜時ステージ位置より下方部分に設けて、該成膜室内の排ガスが成膜室の側壁方向へ向かって流れて、側壁に設けた排気口から排気され得るように構成してなり、薄膜製造方法を実施するために使用する薄膜製造装置であって、
　薄膜製造方法を実施する際に、該ステージが、該シャワーヘッド(Ｓ)と該被処理基板(Ｓ)との間の距離を２５ｍｍ〜３５ｍｍとし、次式：
　　(Ｓ／Ｓ間距離)×５ ≦ シャワーヘッド径 ≦ (Ｓ／Ｓ間距離)×１０の関係を満足するように昇降自在に構成されていることを特徴とする薄膜製造装置。」
　
２．引用発明の認定
（１）原査定の拒絶の理由に引用された特開昭６３−２４６８２９号公報（以下、「引用文献」という。）には次の事項が記載されている。
（ア）「単個ウェーハリアクターは一定の利点を有し、例えばバッチ内均一性の問題がなく、それがそのようなリアクタ−を、殊に大きい高価なウェーハ例えば直径５〜８インチのウェーハに対して魅力的にする。」（第８頁右下欄第８〜１２行）、
（イ）「二酸化ケイ素の蒸着に関連する１プロセスの適用において、酸素、ＴＥＯＳおよび担体ガスがマニホールド２６から室１４へ、０．５〜２００トルの室圧力で装入され蒸着用反応物種が形成される。
・・・
　重ねて記載すると、プロセスガス流は流路９１に沿って入口孔８８を通ってマニホールド室９０中へ、バッフル９４の縁部へ半径方向に外方へ、そしてバッフル周辺を回ってその底部へ、次いでバッフル９４とマニホールドプレート９６との間を半径方向に内方へ、孔９６−９６を出てウェーハ１５上のプラズマ処理領域１４中へ規定される。孔９６−９６から出る蒸着ガスの流路は一般にウェーハを半径方向に外方へ横切る。」（第１５頁右下第１３行〜第１６頁左上欄第１６行）、
（ウ）「この〜６inマニホールド直径は〜６in程度の大きさのウェーハ直径に適合する。大きいマニホールド２６、サセプター１６、大直径サセプター１６およびウェーハ支持フィンガ配列に変えることにより、またランプモジュール３０を前記のように変更することにより一層大きいウェーハを処理することができる。」（第１６頁左下欄第１２〜１８行）、
（エ）「また第１図を参照すると、プレート１１４は環状パターンの孔１１６を有し、その中に環状ガス出口溝１１８が配列される。この溝は出口孔１２１を経て普通の真空ポンプ装置（図示なし）に連結され、それが室内の真空を確立し、使用済ガスおよび連行生成物を室から排除する。」（第１７頁左上欄第１４〜２０行）、
（オ）「ウェーハ輸送設備
　１軸ロボツトサセプター／ウェーハ支持および輸送設備が外部ロボットブレード上およびそれからの室内の選択位置におけるウェーハの装荷および装脱に適応される。この輸送設備はサセプター／ウェーハと上方にあるガスマニホールドとの間に可変平行密間隔を与え、関連サセプター支持フィンガの垂直移動およびサセプターエレベータ−設備の簡単な選択により可変間隔を与える。」（第２０頁右下欄第１２〜２０行）、
（カ）「Ａ．共形Ｓｉ０２の低温熱ＣＶＤ
　高度に共形の二酸化ケイ素の熱化学蒸着はＴＥＯＳおよび酸素の熱分解を用いる方法の改良である。この熱ＣＶＤ発明は一部は改良された高度に共形の（〜１００％）二酸化ケイ素コーティングが、ランプ放射加熱を用いて約２００〜５００℃のウェーハ温度を与える比較的低い温度および高い圧力で反応物ＴＥＯＳおよびオゾンの熱化学蒸着により形成されることを見出したことに基く。オゾンは反応速度論の活性化エネルギーを低下し、約２００〜５００℃の比較的低い温度でＴＥＯＳとともに二酸化ケイ素を形成する。市販の高圧、コロナ放電オゾン発生器を用いて酸素中（４〜８）重量％オゾンの混合物をガス配分装置に対して供給する。ヘリウム担体ガスを液体ＴＥＯＳに通してＴＥＯＳを蒸発させ、Ｈｅ担体中の希薄ガス状ＴＥＯＳをガス整流装置へ供給する。
　殊に、熱化学蒸着プロセスは反応物オゾン（Ｏ３）、酸素およびテトラエチルオルトシリケート（ＴＥＯＳ）を約２００〜５００℃の範囲内の低温度で、約１０〜２００トル、好ましくは約４０〜１２０トルの範囲内の圧力で用いてボイド、カスプおよび他のトポグラフィ−の不規則性中を満たす非常に共形の二酸化ケイ素を蒸着させ、それにより実質的に平坦な表面を与える。現存好ましい態様において、オゾンは２〜３ｓ１ｍの流量で供給され、ヘリウム担体ガス流量は５０ｓｃｃｍ〜１．５ｓ１ｍの流量であり、室圧力は４０〜１２０トルであり、ウェーハ温度は３７５±２０℃であり、それにより３．０００オングストロ一ム／分の蒸着速度で高度に共形の非ドープ二酸化ケイ素コーティングを与える。
　前記のように、リアクター１０のガス整流マニホールド（ガス整流装置２６）は流路を循環する２０〜５０℃の温度の脱イオン水により制御してガス整流装置２６の内面を約３５〜７５℃の狭い範囲内、すなわちＴＥＯＳの分解およびＴＥＯＳとオゾンとの間の反応を防ぐため約７５℃以下の温度に、またガス整流装置内部のＴＥＯＳの凝縮を防ぐため３５℃以上に維持する。
　温度制御ガス整流装置から基板の表面までの距離ｄは好ましくは約１ｃｍまたはそれ以下である。ｌｃｍまたはそれ以下の距離がプラズマまたはガス状反応物をガス整流装置２６とウェーハ１５との間に幽閉する。これは反応効率を高め、反応（蒸着）の速度を増大し、ウェーハ上を除くすべての場所の蒸着を防止する。
　本発明の熱ＣＶＤプロセスは通常高い蒸着室圧力を用い：少くとも≧１０トル、約２０〜２００トルの好ましい圧力が使用される。この範囲の低部でもＴＥＯＳを用いるプロセスに通常使用される全圧より２０倍以上大きい。高い圧力は有効反応性種の密度を増し、従って高い蒸着速度を与える。」（第２２頁右上欄第１５行〜第２３頁左上欄第７行）、
（キ）「さらに、高い圧力の使用は有効なパージを可能にする。高いパージ流量は廃ガス、連行微粒子などを、室表面上の好ましくない蒸着なく除去することを可能にする。前記底部パージ流がサセプターウェーハの底側を横切り半径方向に外方へ洗い流す。底部流はウェーハの周辺で下方へ向う上部パージ流により合流される。合流した流れはウェーハの周辺から半径方向に外方へ流れ、蒸着ガスを半径方向に外方へ、次いで非常に高い流量で室の排出装置を通して流れさせる。」（第２３頁左上欄第８〜１７行）。
　引用文献には、記載事項（イ）に「酸素、ＴＥＯＳおよび担体ガスがマニホールド２６から室１４へ、０．５〜２００トルの室圧力で装入され」ること及び「プロセスガス流は流路９１に沿って入口孔８８を通ってマニホールド室９０中へ、バッフル９４の縁部へ半径方向に外方へ、そしてバッフル周辺を回ってその底部へ、次いでバッフル９４とマニホールドプレート９６との間を半径方向に内方へ、孔９６−９６を出てウェーハ１５上のプラズマ処理領域１４中へ規定される。孔９６−９６から出る蒸着ガスの流路は一般にウェーハを半径方向に外方へ横切る」ことが記載されている。そして、記載事項（オ）には、「ウェーハ輸送設備はサセプター／ウェーハと上方にあるガスマニホールドとの間に可変間隔を与える」ことが記載され、記載事項（キ）に「ウェーハの周辺で下方へ向う・・・流れはウェーハの周辺から半径方向に外方へ流れ、蒸着ガスを半径方向に外方へ、次いで非常に高い流量で室の排出装置を通して流れさせる」ことが記載され、記載事項（エ）に「出口孔１２１を経て普通の真空ポンプ装置（図示なし）に連結され、それが室内の真空を確立し、使用済ガスおよび連行生成物を室から排除する」ことが記載され、記載事項（カ）に「ガス整流マニホールド（ガス整流装置２６）」であることや「ガス整流装置から基板の表面までの距離ｄは好ましくは約１ｃｍまたはそれ以下である」ことが記載され、さらに、記載事項（ウ）に「〜６inマニホールド直径は〜６in程度の大きさのウェーハ直径に適合する」こと及び「大きいマニホールド２６・・・に変更することにより一層大きいウェーハを処理することができる」ことが記載されている。　
　これらの記載を本願発明の記載振りに則して整理すると、引用文献には、「酸素、ＴＥＯＳおよび担体ガスは、マニホールド室中へ装入され、バッフル周辺を回ってバッフルとマニホールドプレートとの間を半径方向に内方へ、孔を出て室へ装入され、蒸着ガスの流路はウェーハを半径方向に外方へ横切り、ウェーハの周辺で下方へ向う流れは出口孔を経て室から排除され、サセプター／ウェーハと上方にあるガスマニホールドとの間に可変間隔を与えるウェーハ輸送設備を有し、ガス整流マニホールドから基板の表面までの距離は好ましくは約１ｃｍまたはそれ以下であり、６inマニホールド直径は６in程度の大きさのウェーハ直径に適合し、大きいマニホールドに変更することにより一層大きいウェーハを処理することができる蒸着装置。」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
３．対比・判断
　本願発明と引用発明を対比すると、引用発明における「酸素」及び「ＴＥＯＳおよび担体ガス」が、それぞれ、熱分解反応ガス及び二酸化ケイ素原料ガスであるから、本願発明における「反応ガス」及び「原料ガス」に相当し、また、引用発明の「マニホールド室」は、「酸素」及び「ＴＥＯＳおよび担体ガス」が装入されるから、本願発明の「ガス混合室」と「ガス室」である点で共通し、引用発明の「マニホールド」(manifold)は日本語に訳せば「分岐管」でありＦＩＧ．１０にも示されるように多数の「孔９６」を有した「整流装置」（記載事項（カ）参照）であるから、本願発明の「シャワーヘッド」に相当するということができ、引用発明の「蒸着」は、「成膜」の一態様であり、引用発明の「室」では、蒸着が行われるから、本願発明の「成膜室」に相当することは明らかである。引用発明の「マニホールド室中へ装入され、バッフル周辺を回ってバッフルとマニホールドプレートとの間を半径方向に内方へ、孔を出て室へ装入され、蒸着ガスの流路はウェーハを半径方向に外方へ横切り、ウェーハの周辺で下方へ向う流れは出口孔を経て室から排除され」は、「蒸着ガス」が本願発明の「混合ガス」に相当し、「ウェーハの周辺で下方へ向う流れ」が本願発明の「排気ガス」ということができ、「出口孔」がリアクターの天井や底面でなく、側壁に設けられていることは通常であり、引用文献のＦＩＧ．２にもそのように示されているので、本願発明の「該ガス混合室から該シャワーヘッドへ供給される混合ガスの供給口を該ガス混合室の底面の周縁部に設けて、該ガス混合室から供給される混合ガスがシャワーヘッド上面の周縁部から中心部へ向かって流れて該シャワーヘッドを介して該成膜室内へ導入できるようにして」及び「該成膜室内の排ガスが成膜室の側壁方向へ向かって流れて、側壁に設けた排気口から排気され得るように構成してなり」に相当する。本願発明の「被処理基板上に薄膜が形成され得るように構成する」ことや「薄膜製造方法を実施するために使用する薄膜製造装置」については、「蒸着装置」である引用発明に記載されているに等しい事項であると認められる。さらに、引用発明の「ウェーハ」が本願発明の「被処理基板」に相当することは云うまでもなく、引用発明の「ウェーハ輸送設備」は「サセプター／ウェーハと上方にあるガスマニホールドとの間に可変間隔を与える」から、本願発明の「被処理基板を載置する昇降自在のステージ」に相当する。これらを総合すると、両者は、「原料ガスと反応ガスのガス室に接続された成膜室と、該成膜室の上面に配設されたシャワーヘッドと、該成膜室内に配設された、被処理基板を載置する昇降自在のステージとを有し、該ガス室から該シャワーヘッドへ供給される混合ガスの供給口を該ガス室の底面の周縁部に設けて、該ガス室から供給される混合ガスがシャワーヘッド上面の周縁部から中心部へ向かって流れて該シャワーヘッドを介して該成膜室内へ導入できるようにして、該被処理基板上に薄膜が形成され得るように構成すると共に、該成膜室内の排ガスを排気するための排気口を成膜室側壁の成膜時ステージ位置より下方部分に設けて、該成膜室内の排ガスが成膜室の側壁方向へ向かって流れて、側壁に設けた排気口から排気さ��得るように構成してなり、薄膜製造方法を実施するために使用する薄膜製造装置。」である点で一致し、次の点で相違する。
相違点ａ：本願発明は「混合用」ガス室であるのに対して、引用発明のガス室は「混合用」であることについては記載がない点
相違点ｂ：本願発明は「薄膜製造方法を実施する際に、該ステージが、該シャワーヘッド(Ｓ)と該被処理基板(Ｓ)との間の距離を２５ｍｍ〜３５ｍｍとし、次式：
　　(Ｓ／Ｓ間距離)×５ ≦ シャワーヘッド径 ≦ (Ｓ／Ｓ間距離)×１０の関係を満足するように昇降自在に構成されている」のに対して、引用発明は「ガス整流マニホールドから基板の表面までの距離は好ましくは約１ｃｍまたはそれ以下であり、６inマニホールド直径は６in程度の大きさのウェーハ直径に適合し、大きいマニホールドに変更することにより一層大きいウェーハを処理することができる」ものの、シャワーヘッド径とシャワーヘッドと被処理基板間の距離を不等式で関係づけることについては記載がない点
　まず、上記相違点ａについて検討する。
　引用発明の「マニホールド室」には、「酸素」及び「ＴＥＯＳおよび担体ガス」が装入されることは上記したとおりである。上記記載事項（カ）に「市販の高圧、コロナ放電オゾン発生器を用いて酸素中（４〜８）重量％オゾンの混合物をガス配分装置に対して供給する。ヘリウム担体ガスを液体ＴＥＯＳに通してＴＥＯＳを蒸発させ、Ｈｅ担体中の希薄ガス状ＴＥＯＳをガス整流装置へ供給する」旨の記載があり、引用発明では、蒸着装置の外でこれらのガスを混合していると認められる。一方、本願発明において「ガス混合室」を設けることの技術的意義については、「この混合ガス供給系は、気化器２３を経て原料ガスを混合室２４へ供給する原料ガス供給系と、反応ガス（Ｏ２）供給系とからなる。そして、これらのガス供給系から供給されたガスは混合室２４で混合され、混合ガスはシャワーヘッド２５を介して成膜室３内に導入される。」（本願明細書段落【００１７】）としか記載されておらず、何ら技術的意義があるとは認められないから、引用発明において「混合室」を薄膜製造装置に設けるようにすることは格別の相違ではなく、当業者であれば適宜なし得る設計事項の変更にすぎないというべきである。
　次に、相違点ｂについて検討する。
　記載事項（カ）のように、「温度制御ガス整流装置から基板の表面までの距離ｄは好ましくは約１ｃｍまたはそれ以下である」ことは、「共形Ｓｉ０２の低温熱ＣＶＤ」における好適範囲であって、その他の反応条件においてもこの範囲に限定する意図は認められず、記載事項（オ）に「この輸送設備はサセプター／ウェーハと上方にあるガスマニホールドとの間に可変平行密間隔を与え、関連サセプター支持フィンガの垂直移動およびサセプターエレベータ−設備の簡単な選択により可変間隔を与える。」とあるように１ｃｍ以上においても適宜な間隔の選択が可能であるということができる。そして、例えば、特開平３−２０７８６５号公報に記載されるように「反応ガスにより反応生成膜が表面に形成される基板を保持するステージ、このステージに設けられて上記基板を加熱するヒータ、上記ステージの下方にこれと対向して設けられ、上記基板との間隔を８〜２５ｍｍに調整できるように上記ステージに対して相対的に上下方向へ移動可能なガス供給ヘッド」（【特許請求の範囲】）を設けることが知られており、本願発明が属する技術分野においても、「基板との間隔を８〜２５ｍｍに調整できるよう」することが周知であることが窺える（２５ｍｍ以上の間隔の選択については、特開平１−２７８７１６号公報の特に第５図、第６図及び明細書の関連する記載を参照されたい。）。よって、当業者であれば、ステージと基板との間隔として２５ｍｍ以上を選択すること、その際にシャワーヘッド径として、引用発明の６in即ち１５ｃｍあるいはそれ以上の径を選択することで、不等式；２５ｍｍ×５ ≦１５０ｍｍ以上 ≦２５ｍｍ×１０も併せて満足するように昇降自在に設定することは、容易に想到し得る条件設定ことにすぎないというべきである。
　してみると、引用発明において、相違点ｂに係る特定事項を採用することは、当業者であれば容易になし得ることである。
　そして、上記相違点ａ及び相違点ｂに係る特定事項を採用することにより奏される効果も当業者であれば予測し得る範囲内のものである。
　したがって、本願発明は、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、本願出願前に頒布された刊行物である引用文献に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。