(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の温度に設定されて被処理基板に所定の処理を施す第１の処理ユニットと、
前記第１の処理ユニット内を排気する第１の排気経路と、
前記第１の温度より高い第２の温度に設定されて被処理基板に所定の処理を施す第２の処理ユニットと、
前記第２の処理ユニット内を排気する第２の排気経路と
を具備し、
前記第１の排気経路と前記第２の排気経路とは、一方が他方に内蔵されているか、またはこれらが接触していることで、これらの少なくとも一部が一体的になるように構成されていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記第１の排気経路と前記第２の排気経路とが一体的に構成された部位には断熱材が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記第１の排気経路の少なくとも一部を前記第２の排気経路で加熱または冷却することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
被処理基板に所定の液を供給し処理を施す液処理ユニットと、
前記液処理ユニット内の排気および／または前記所定の液の排液を行う液処理ユニット系排気排液経路と、
被処理基板に所定の熱処理を施す熱処理ユニットと、
前記熱処理ユニット内を排気する熱処理ユニット系排気経路と
を具備し、
前記液処理ユニット系排気排液経路と前記熱処理ユニット系排気経路とは、一方が他方に内蔵されているか、またはこれらが接触していることで、これらの少なくとも一部が一体的になるように構成されていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
被処理基板に所定の液を供給し処理を施す液処理ユニットと、
前記液処理ユニット内の排気および／または前記所定の液の排液を行う液処理ユニット系排気排液経路と、
被処理基板に所定の熱処理を施す熱処理ユニットと、
前記熱処理ユニット内を排気する熱処理ユニット系排気経路と
を具備し、
前記液処理ユニット系排気排液経路と前記熱処理ユニット系排気経路とは、これらの少なくとも一部が一体的になるように構成され、
前記液処理ユニット系排気排液経路と前記熱処理ユニット系排気経路とを一体的に構成した後の排気経路の内側または／および外側の温度を検出する温度検出手段と、
前記温度検出手段により検出された温度が所定の温度範囲より高いまたは低い場合に、所定の警告を発する警告手段と、
前記所定の温度範囲より高いまたは低い前記液処理ユニット系排気排液経路に接続された前記液処理ユニットでの被処理基板の処理を停止する制御手段と
をさらに具備することを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
被処理基板に所定の液を供給し処理を施す液処理ユニットと、
前記液処理ユニット内の排気および／または前記所定の液の排液を行う液処理ユニット系排気排液経路と、
被処理基板に所定の熱処理を施す熱処理ユニットと、
前記熱処理ユニット内を排気する熱処理ユニット系排気経路と
を具備し、
前記液処理ユニット系排気排液経路と前記熱処理ユニット系排気経路とは、これらの少なくとも一部が一体的になるように構成され、
前記液処理ユニット系排気排液経路と前記熱処理ユニット系排気経路とを一体的に構成した後の排気経路の温度を検出する温度検出手段と、
前記温度検出手段により検出された温度が、所定の温度範囲より高いまたは低い場合に、前記液処理ユニット系排気排液経路および／または前記熱処理ユニット系排気経路の少なくとも一部の温度を調節する温度調節手段と、
前記温度調節手段で温度調節した後に前記温度検出手段により再度検出された温度が、あらかじめ設定された温度範囲より高いまたは低い場合に、所定の警告を発する警告手段と、
前記再度検出された温度が所定の温度範囲より高いまたは低い前記液処理ユニット系排気排液経路に接続された前記液処理ユニットでの被処理基板の処理を停止する制御手段と
をさらに具備することを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
前記液処理ユニット系排気排液経路と前記熱処理ユニット系排気経路とが一体的に構成された部位は、前記液処理ユニット系排気排液経路および前記熱処理ユニット系排気経路の一方が他方に内蔵されているか、またはこれらが接触していることを特徴とする請求項５または請求項６に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記液処理ユニット系排気排液経路と前記熱処理ユニット系排気経路とが一体的に構成された部位には断熱材が設けられていることを特徴とする請求項５ないし請求項７のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記液処理ユニット系排気排液経路の少なくとも一部を前記熱処理ユニット系排気経路で加熱または冷却することを特徴とする請求項５ないし請求項８のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記液処理ユニット系排気排液経路に気液分離機構および／またはミスト除去機構を設けたことを特徴とする請求項５ないし請求項９のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記警告手段による警告の内容を表示する表示手段をさらに有することを特徴とする請求項５または請求項６に記載の基板処理装置。
【請求項１２】
被処理基板に所定の液を供給し処理を施す液処理ユニットと、前記液処理ユニット内の排気および／または前記所定の液の排液を行う液処理ユニット系排気排液経路と、被処理基板に所定の熱処理を施す熱処理ユニットと、前記熱処理ユニット内を排気する熱処理ユニット系排気経路とを具備し、前記液処理ユニット系排気排液経路と前記熱処理ユニット系排気経路とは、これらの少なくとも一部が一体的に構成されている基板処理装置を用いて基板処理を行う基板処理方法であって、
前記一部を一体に構成した後の前記液処理ユニット系排気排液経路の温度を検出する第１の工程と、
前記温度が所定の温度範囲より高いまたは低い場合に警告を発する第２の工程と、
前記所定の温度範囲より高いまたは低い前記液処理ユニット系排気排液経路に接続された前記液処理ユニットでの被処理基板の処理を停止する第３の工程と
を具備することを特徴とする基板処理方法。
【請求項１３】
被処理基板に所定の液を供給し処理を施す液処理ユニットと、前記液処理ユニット内の排気および／または前記所定の液の排液を行う液処理ユニット系排気排液経路と、被処理基板に所定の熱処理を施す熱処理ユニットと、前記熱処理ユニット内を排気する熱処理ユニット系排気経路とを具備し、前記液処理ユニット系排気排液経路と前記熱処理ユニット系排気経路とは、これらの少なくとも一部が一体的に構成されている基板処理装置を用いて基板処理を行う基板処理方法であって、
前記一部を一体に構成した後の前記液処理ユニット系排気排液経路の温度を検出する第１の工程と、
前記第１の工程で検出された温度が所定の温度以上の場合に、前記液処理ユニット系排気排液経路および／または前記熱処理ユニット系排気排液経路の少なくとも一部を温調制御する第２の工程と、
前記一部を一体に構成された後の前記液処理ユニット系排気排液経路の温度を再度検出する第３の工程と、
前記第３の工程で検出された温度が所定の温度範囲より高いまたは低い場合に警告を発する第４の工程と、
前記所定の温度より高いまたは低い前記液処理ユニット系排気排液経路に接続された前記液処理ユニットでの被処理基板の処理を停止する第５の工程と
を具備することを特徴とする基板処理方法。
【請求項１４】
前記警告の内容を記憶する工程をさらに具備することを特徴とする請求項１２または請求項１３に記載の基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば半導体ウエハやＬＣＤ基板等の被処理基板に対してレジスト塗布、現像等の処理を行う基板処理装置および基板処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体デバイス等を製造するために塗布現像処理システムとしては、例えば特公平２−３０１９４号公報や特開平９−４５６４９号公報等に開示されたものがある。この塗布現像処理装置は、例えば、被処理基板である半導体ウエハにレジスト液の塗布を行うレジスト処理ユニット、レジスト液塗布後のウエハを所定の温度雰囲気においてレジスト膜を硬化させるための熱処理ユニット、露光後のウエハを所定の温度雰囲気におくための熱処理ユニット、露光後のウエハを所定の温度雰囲気におくための熱処理ユニット、露光後の基板に現像液を供給して現像する現像処理ユニット等の複数の処理ユニットを備えている。
【０００３】
これら処理ユニットのうち、レジスト処理ユニットや現像処理ユニットといった液処理ユニットでは、ウエハの高速回転に伴って余剰の処理液が飛散するため、カップ状の処理室内で液処理を行うよう構成されている。そして、この処理室下端から余剰の処理液を排液管を通して排出するとともに、処理室下端から処理室内雰囲気を排気管を通して排気することにより、ミスト状になった処理液成分（以下ミストという）をユニット内から速やかに排出し、ミストがウエハに付着したり外部に漏洩したりすることを防止するよう構成されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の技術において、排気管等の占めるスペースが大きく、装置の小型化を図ることが困難であるといった問題があった。また、熱処理ユニットの排気管は高温の気体が通流するがこれを有効に活用することが望まれている。
【０００５】
さらに、排気中に含まれるミストを十分に除去することが困難で、排気を行うための真空ポンプ内にミストが入ったり、工場排気系等の他の部位にミストが付着して故障の原因となったり、装置のランニング時間が短縮されてしまうという問題があった。
【０００６】
また、ミストが排気管内側に付着して堆積するため、排気管が詰まり排気量が一定とならないという問題があり、排気管内側に付着したミストが処理室内に逆流し、パーティクル発生の原因となり、そのパーティクルがウエハに付着するという問題があった。さらにこれらの結果として、基板間でレジスト膜の厚さや線幅に不均一が生じ、結果として製品歩留まりの低下をきたすという問題があった。
【０００７】
一方、排気管に飛散、混入してきた処理液のミストを除去する手段として、例えば実公昭６０−１３７３６号公報や特開平９−６３９４１号公報等に開示されているように、排気経路にミスト除去機構を設ける技術がある。しかし、これら技術においては、ミストを完全に除去することが困難であった。また、上記ミスト除去機構によるミスト除去性能を向上させるためには、ミスト除去機構の構造を複雑にする必要があり、そのために排気効率を低下させてしまうという問題があった。
【０００８】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、排気経路の省スペース化を図ることができ、排気経路を通る気体の熱を有効に活用することができる基板処理装置を提供することを目的とする。また、排気中に含まれるミストの量を減らして他の部位へのミスト付着を抑制することができ、さらに、排気管内側へのミスト付着量を減らして排気効率の低下およびミストの処理室内への逆流を抑制することができる基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の第１の観点では、第１の温度に設定されて被処理基板に所定の処理を施す第１の処理ユニットと、前記第１の処理ユニット内を排気する第１の排気経路と、前記第１の温度より高い第２の温度に設定されて被処理基板に所定の処理を施す第２の処理ユニットと、前記第２の処理ユニット内を排気する第２の排気経路とを具備し、前記第１の排気経路と前記第２の排気経路とは、一方が他方に内蔵されているか、またはこれらが接触していることで、これらの少なくとも一部が一体的になるように構成されていることを特徴とする基板処理装置を提供する（請求項１）。
【００１０】
このような構成によれば、第１の温度に設定された第１の処理ユニット内を排気する第１の排気経路と、第１の温度より高い第２の温度に設定された第２の処理ユニット内を排気する第２の排気経路とを、これらの少なくとも一部が一体的になるように構成したので、排気系路の省スペース化を図ることができ、装置内に占める排気経路領域の割合を少なくして装置を小型化することができる。また、第１の排気経路と第２の排気経路とが一体化された部位において、第１の排気経路に対し、温度が高い第２の排気経路からその温度差分に相当する熱を作用させることができ、排気経路を通る気体の熱を有効に活用することができる。
【００１１】
本発明の第２の観点では、被処理基板に所定の液を供給し処理を施す液処理ユニットと、前記液処理ユニット内の排気および／または前記所定の液の排液を行う液処理ユニット系排気排液経路と、被処理基板に所定の熱処理を施す熱処理ユニットと、前記熱処理ユニット内を排気する熱処理ユニット系排気経路とを具備し、前記液処理ユニット系排気排液経路と前記熱処理ユニット系排気経路とは、一方が他方に内蔵されているか、またはこれらが接触していることで、これらの少なくとも一部が一体的になるように構成されていることを特徴とする基板処理装置を提供する（請求項４）。
【００１２】
このような構成によれば、液処理ユニット系排気排液経路と熱処理ユニット系排気経路とを、これらの少なくとも一部が一体的になるように構成したので、排気系路の省スペース化を図ることができ、装置内に占める排気経路領域の割合を少なくして装置を小型化することができる。また、液処理ユニット系排気排液経路の任意の部位に必要に応じて熱処理ユニット系排気経路の熱を作用させることができ、排気経路を通る気体の熱を有効に活用することができる。また、液処理ユニット系排気排液経路上にヒーター、クーラー等の装置を別途に設けず、熱処理ユニット系から出される排気の熱を作用させるため、ヒーター、クーラー等の装置を別途設けた場合に消費される電力等を節減することができる。
【００１３】
本発明の第３の観点では、被処理基板に所定の液を供給し処理を施す液処理ユニットと、前記液処理ユニット内の排気および／または前記所定の液の排液を行う液処理ユニット系排気排液経路と、被処理基板に所定の熱処理を施す熱処理ユニットと、前記熱処理ユニット内を排気する熱処理ユニット系排気経路とを具備し、前記液処理ユニット系排気排液経路と前記熱処理ユニット系排気経路とは、これらの少なくとも一部が一体的になるように構成され、前記液処理ユニット系排気排液経路と前記熱処理ユニット系排気経路とを一体的に構成した後の排気経路の内側または／および外側の温度を検出する温度検出手段と、前記温度検出手段により検出された温度が所定の温度範囲より高いまたは低い場合に、所定の警告を発する警告手段と、前記所定の温度範囲より高いまたは低い前記液処理ユニット系排気排液経路に接続された前記液処理ユニットでの被処理基板の処理を停止する制御手段とをさらに具備することを特徴とする基板処理装置を提供する（請求項５）。
【００１４】
このような構成によれば、熱処理ユニット系排気経路とを一体的に構成した後の液処理ユニット系排気排液経路の温度を、あらかじめ設定された温度に基づいて管理し、検出手段で検出された温度が設定温度から所定値以上ずれた場合は、液処理ユニットでの被処理基板の処理を停止させるため、排気管内側へのミスト付着による排気量のばらつきがなく、さらにミストの処理室内への逆流を抑制することができる。したがって、液処理ユニットによりレジスト塗布を行う場合に膜厚のばらつきが少なく、その後の露光・現像を経た後に線幅等が不良になるおそれが小さい。
【００１５】
本発明の第４の観点では、被処理基板に所定の液を供給し処理を施す液処理ユニットと、前記液処理ユニット内の排気および／または前記所定の液の排液を行う液処理ユニット系排気排液経路と、被処理基板に所定の熱処理を施す熱処理ユニットと、前記熱処理ユニット内を排気する熱処理ユニット系排気経路とを具備し、前記液処理ユニット系排気排液経路と前記熱処理ユニット系排気経路とは、これらの少なくとも一部が一体的になるように構成され、前記液処理ユニット系排気排液経路と前記熱処理ユニット系排気経路とを一体的に構成した後の排気経路の温度を検出する温度検出手段と、前記温度検出手段により検出された温度が、所定の温度範囲より高いまたは低い場合に、前記液処理ユニット系排気排液経路および／または前記熱処理ユニット系排気経路の少なくとも一部の温度を調節する温度調節手段と、前記温度調節手段で温度調節した後に前記温度検出手段により再度検出された温度が、あらかじめ設定された温度範囲より高いまたは低い場合に、所定の警告を発する警告手段と、前記再度検出された温度が所定の温度範囲より高いまたは低い前記液処理ユニット系排気排液経路に接続された前記液処理ユニットでの被処理基板の処理を停止する制御手段とをさらに具備することを特徴とする基板処理装置を提供する（請求項６）。
【００１６】
このような構成によれば、熱処理ユニット系排気経路とを一体的に構成した後の液処理ユニット系排気排液経路の温度を、あらかじめ設定された温度に基づいて制御するため、当該液処理ユニット系排気排液経路の温度を所定の温度に維持することができる。また、温度調節手段により制御された後に検出手段で検出された温度が設定温度から所定値以上ずれた場合は、液処理ユニットでの被処理基板の処理を停止させる。よって、排気管内側へのミスト付着による排気量のばらつきがなく、さらにミストの処理室内への逆流を抑制することができる。したがって、液処理ユニットによりレジスト塗布を行う場合に膜厚のばらつきが少なく、その後の露光・現像を経た後に線幅等が不良になるおそれが小さい。
【００１７】
上記基板処理装置において、前記液処理ユニット系排気排液経路と前記熱処理ユニット系排気経路とが一体的に構成された部位は、一方が他方に内蔵されているか、またはこれらが接触しているように構成することができる（請求項７）。
【００１８】
このように、一方の経路が他方の経路に内蔵する場合には、経路同士の接する面積が大きく、熱交換をより行いやすい。一方の経路が他の経路に接触する場合には、一方の経路と他方の経路とを容易に取り付けおよび取り外しができるため、装置の立ち上げの際におよびメンテナンスの際の作業効率を向上させることができる。
【００１９】
また、上記基板処理装置において、前記第１の排気経路と前記第２の排気経路とが一体的に構成された部位、または前記液処理ユニット系排気排液経路と前記熱処理ユニット系排気経路とが一体的に構成された部位には断熱材を設けてもよい（請求項２、８）。
【００２０】
このように断熱材を設けることにより、その部分の温度変動が少なく、かつ熱が外へ散逸し難いので、一方の経路から他方の経路への熱の供給を一層効率良く行うことができる。
【００２１】
さらに、上記基板処理装置において、前記第１の排気経路または前記液処理ユニット系排気排液経路の少なくとも一部を前記第２の排気経路または前記熱処理ユニット系排気経路で加熱または冷却することができる（請求項３、９）。
【００２２】
このような構成によれば、第１の排気経路または液処理ユニット系排気排液経路の任意の部位を必要に応じて第２の排気経路または熱処理ユニット系排気経路の熱で加熱することができ、さらに別の部位を別に第２の排気経路または熱処理ユニット系排気経路の冷熱で冷却することもできる。すなわち、液処理ユニット系排気排液経路内側においてミストが付着し易い部位だけを局所的に熱処理ユニット系排気経路の熱で加熱するので、その部位においてミストが気化し、ミスト付着量を低減することができる。また、液処理ユニット系排気排液経路上のメンテナンスを行い易い部位だけを局所的に熱処理ユニット系排気経路の冷熱で冷却すれば、排気中の気化した処理液成分をその部位でミスト化できるので、ミストの捕捉および除去を効率良く実施することができる。さらに、上記構成によれば、熱処理ユニット系排気経路の熱が液処理ユニット系排気排液経路に作用する際に、熱処理ユニット系排気経路の熱が一部奪われるため、従来高温度のまま基板処理装置外へ出されていた熱処理ユニット系排気の温度を低下することができる。
【００２３】
さらにまた、上記基板処理装置において、前記液処理ユニット系排気排液経路に気液分離機構および／またはミスト除去機構を設けた構成にしてもよい（請求項１０）。
【００２４】
このような構成によれば、処理液が気液分離機構において気液分離され、ミスト除去機構においてミストが捕捉されるため、排気経路へのミスト流入を低減することができる。さらに、気液分離機構、ミスト除去機構だけを局所的に熱処理ユニット系排気経路の冷熱で冷却するので、気化した処理液成分を気液分離機構、ミスト除去機構内だけでミスト化することができ、他部へのミスト流入を防止することができる。
【００２５】
上記本発明の第３および第４の観点において、前記警告手段による警告の内容を表示する表示手段をさらに有するようにすることができる（請求項１１）。これにより、必要に応じて警告手段による警告の内容を確認することができる。
【００２６】
本発明の第５の観点では、被処理基板に所定の液を供給し処理を施す液処理ユニットと、前記液処理ユニット内の排気および／または前記所定の液の排液を行う液処理ユニット系排気排液経路と、被処理基板に所定の熱処理を施す熱処理ユニットと、前記熱処理ユニット内を排気する熱処理ユニット系排気経路とを具備し、前記液処理ユニット系排気排液経路と前記熱処理ユニット系排気経路とは、これらの少なくとも一部が一体的に構成されている基板処理装置を用いて基板処理を行う基板処理方法であって、前記一部を一体に構成した後の前記液処理ユニット系排気排液経路の温度を検出する第１の工程と、前記温度が所定の温度範囲より高いまたは低い場合に警告を発する第２の工程と、前記所定の温度範囲より高いまたは低い前記液処理ユニット系排気排液経路に接続された前記液処理ユニットでの被処理基板の処理を停止する第３の工程とを具備することを特徴とする基板処理方法を提供する（請求項１２）。
【００２７】
このような構成によれば、熱処理ユニット系排気経路とを一体的に構成した後の液処理ユニット系排気排液経路の温度を、あらかじめ設定された温度に基づいて管理し、検出手段で検出された温度が設定温度から所定値以上ずれた場合は、液処理ユニットでの被処理基板の処理を停止させるため、排気管内側へのミスト付着による排気量のばらつきがなく、さらにミストの処理室内への逆流を抑制することができる。したがって、液処理ユニットによりレジスト塗布を行う場合に膜厚のばらつきが少なく、その後の露光・現像を経た後に線幅等が不良になるおそれが小さい。
【００２８】
本発明の第６の観点では、被処理基板に所定の液を供給し処理を施す液処理ユニットと、前記液処理ユニット内の排気および／または前記所定の液の排液を行う液処理ユニット系排気排液経路と、被処理基板に所定の熱処理を施す熱処理ユニットと、前記熱処理ユニット内を排気する熱処理ユニット系排気経路とを具備し、前記液処理ユニット系排気排液経路と前記熱処理ユニット系排気経路とは、これらの少なくとも一部が一体的に構成されている基板処理装置を用いて基板処理を行う基板処理方法であって、前記一部を一体に構成した後の前記液処理ユニット系排気排液経路の温度を検出する第１の工程と、前記第１の工程で検出された温度が所定の温度以上の場合に、前記液処理ユニット系排気排液経路および／または前記熱処理ユニット系排気排液経路の少なくとも一部を温調制御する第２の工程と、前記一部を一体に構成された後の前記液処理ユニット系排気排液経路の温度を再度検出する第３の工程と、前記第３の工程で検出された温度が所定の温度範囲より高いまたは低い場合に警告を発する第４の工程と、前記所定の温度より高いまたは低い前記液処理ユニット系排気排液経路に接続された前記液処理ユニットでの被処理基板の処理を停止する第５の工程とを具備することを特徴とする基板処理方法を提供する（請求項１３）。
【００２９】
このような構成によれば、熱処理ユニット系排気経路と一部一体に構成された後の液処理ユニット系排気排液経路の温度を、あらかじめ設定された温度に基づいて制御するため、当該液処理ユニット系排気排液経路の温度を所定の温度に維持できる。また、温調手段により制御された後に検出手段で検出された温度が設定温度から所定値以上ずれた場合は、液処理ユニットでの被処理基板の処理を停止させる。よって、排気管内側へのミスト付着による排気量のばらつきがなく、さらにミストの処理室内への逆流を制御でき、膜厚および線幅等が不良な基板を生産することがない。
【００３０】
上記本発明の第５の観点および第６の観点の基板処理方法において、前記警告の内容を記憶する工程をさらに具備するようにすることができる（請求項１４）。これにより、必要に応じて警告の内容を確認することができる。
【００３１】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
図１〜図４は、本発明の一実施例による基板処理装置を含むレジスト塗布現像処理システムの全体構成を示しおり、図１は概略斜視図、図２は概略平面図、図３は概略正面図、図４は概略側面図である。
【００３２】
このレジスト塗布現像処理システム１は、被処理基板例えば半導体ウエハ（以下「ウエハ」という）ＷをウエハカセットＣＲで複数枚例えば２５枚単位で外部から基板処理装置に搬入または基板処理装置から搬出したり、ウエハカセットＣＲに対してウエハＷを搬入・搬出したりするためのカセットステーション１０と、塗布現像工程の中で１枚ずつウエハＷに所定の処理を施す枚葉式の各種処理ユニットを所定位置に多段配置してなる処理ステーション１２と、このステーション１２と隣接して設けられる露光装置（図示せず）との間でウエハＷを受け渡しするためのインターフェース部１４とを一体に接続した構成を有している。
【００３３】
カセットステーション１０は、表示部１６とカセット載置台２０とＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向に移動可能でθ方向に回転可能なウエハ搬送用アーム２２ａを有するウエハ搬送機構２２によって構成されており、カセット載置台２０上には、複数個例えば４個のウエハカセットＣＲが載置可能である。
【００３４】
処理ステーション１２は、カップＣＰ内でウエハＷをスピンチャックに載せて所定の処理を行う液処理ユニットを多段に配置した第１の処理ユニット群Ｇ１、第２の処理ユニット群Ｇ２と、ウエハＷを載置台ＳＰに載せて所定の処理を行う熱処理ユニットを多段に配した第３の処理ユニット群Ｇ３、第４の処理ユニット群Ｇ４と、垂直搬送型の主ウエハ搬送機構２４とで構成されている。
【００３５】
主ウエハ搬送機構２４は、図４に示すように、筒状支持体９１の内側に、ウエハ搬送装置９０を上下方向（Ｚ方向）に昇降自在に装備している。筒状支持体９１はモータ（図示せず）の回転駆動力によって回転可能となっており、それにともなってウエハ搬送装置９０も一体的に回転可能となっている。
【００３６】
ウエハ搬送装置９０は、搬送基台９２の前後方向に移動自在な複数本の保持部材（ピンセット）９３を備え、これらの保持部材９３によって各処理ユニット間でのウエハＷの受け渡しを実現している。
【００３７】
第１の処理ユニット群Ｇ１では、液処理ユニットとして例えばスピンコート法によりウエハ表面にレジスト膜を塗布形成するレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）、露光後の回路パターンを現像する現像ユニット（ＤＥＶ）が多段、例えば２段に重ねられている。第２の処理ユニット群Ｇ２でも、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）および現像ユニット（ＤＥＶ）が多段、例えば２段に重ねられている。
【００３８】
第３の処理ユニット群Ｇ３、第４の処理ユニット群Ｇ４では、熱処理ユニットとして例えばウエハＷを所定の温度に冷却するクーリングユニット（ＣＯＬ）、ウエハＷにフォトレジストを塗布する前にこれを疎水化処理するアドヒージョンユニット（ＡＤ）、ウエハＷの位置調整を行うためのアライメントユニット（ＡＬＩＭ）、各ステーション間でウエハＷの受け渡しを行うためのエクステンションユニット（ＥＸＴ）、ウエハＷを所定の温度に加熱するベーキングユニット（ＨＰ）等が多段、例えば８段に重ねられている。
【００３９】
インタフェース部１４の正面部には可搬性のピックアップカセットＣＲが配置され、背面部には周辺露光装置２８が配置され、中央部にはウエハ搬送機構２６が設けられている。このウエハ搬送機構２６はウエハ搬送用アーム２６ａを有しており、このウエハ搬送用アーム２６ａはＸ方向、Ｚ方向に移動してカセットＣＲおよび周辺露光装置２８にアクセス可能となっている。また、このウエハ搬送用アーム２６ａは、θ方向に回転可能であり、処理ステーション１２側の第４の処理ユニット群Ｇ４の多段ユニットに属するエクステンションユニット（ＥＸＴ）にも、隣接する露光装置側のウエハ受渡し台（図示せず）にもアクセスできるようになっている。
【００４０】
このように構成されるレジスト塗布現像処理システム１においては、ウエハカセットＣＲから処理前のウエハＷを１枚ずつウエハ搬送機構２２によって搬出し、アライメントユニット（ＡＬＩＭ）へ搬入する。次いで、ここで位置決めされたウエハＷを主ウエハ搬送機構２４により搬出し、アドヒージョンユニット（ＡＤ）に搬入してアドヒージョン処理を施す。このアドヒージョン処理の終了後、ウエハＷを主ウエハ搬送機構２４により搬出し、クーリングユニット（ＣＯＬ）に搬送して、ここで冷却する。次いで、ウエハＷをレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）に搬送してレジスト塗布を行い、さらに、ベーキングユニット（ＨＰ）でプリベーク処理を行って、エクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）を介して、インタフェース部１４に搬送し、そこから隣接する露光装置に搬送する。さらに、露光装置にて露光処理のなされたウエハＷを、ウエハ搬送機構２６によりインタフェース部１４、エクステンションユニット（ＥＸＴ）を介して処理ステーション１２に搬送する。処理ステーション１２において、主ウエハ搬送機構２４によりウエハＷをベーキングユニット（ＨＰ）に搬送してポストエクスポージャー処理を施し、さらに現像ユニット（ＤＥＶ）に搬送して現像処理を施した後、ベーキングユニット（ＨＰ）でポストベーク処理を行い、クーリングユニット（ＣＯＬ）において冷却した後、エクステンションユニット（ＥＸＴ）を介してカセットステーション１０に搬送する。以上のようにして所定の処理がなされたウエハを、ウエハ搬送機構２２がウエハカセットＣＲに収納する。
【００４１】
次に、本発明の実施の形態に係る、排気排液経路を備えた液処理ユニットの構成について説明する。ここでは、液処理ユニットの例として、第１の処理ユニット群Ｇ１および第２の処理ユニット群Ｇ２に配置されたレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）の構造について説明する。図５に示すように、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）には、処理室を構成するようにコーターカップＣＰが設けられており、このコーターカップＣＰ内には、例えば真空チャック等によってウエハＷを保持し、駆動機構３０によってウエハＷを高速回転可能に構成されたウエハ載置台３１が設けられている。
【００４２】
また、ウエハ載置台３１の上部には、ウエハＷ表面に所定の処理液を供給するためのノズル３２が設けられており、コーターカップＣＰの底部には、気液分離手段としてのセパレータ３５が設けられている。当該セパレータ３５は、垂下壁３５ａと立設壁３５ｂによって、いわばラビリンス構造を呈しており、慣性衝突による気液分離機能を有するものである。コーターカップＣＰ内の雰囲気は、前記セパレータ３５において液体成分が一部取り除かれた後、排気口３４から液処理系排気管３６へ排出され、工場排気系（図示せず）へ導かれるように構成されている。また、立設壁３５ｂは、処理液が直接排気口３４に流入するのを防ぐ機能も兼ねている。
【００４３】
一方、コーターカップＣＰに飛散した余剰の処理液、およびセパレータ３５において排気雰囲気から分離された液体成分は、排液口３３から排液管３７へと排出され、工場排液系（図示せず）へ導かれるように構成されている。
【００４４】
そして、液処理系排気管３６は、図５に示すようにその途中において、熱処理ユニットであるベーキングユニット（ＨＰ）内の雰囲気を排気する熱処理系排気管４２に一部内蔵され、熱処理系排気管４２と一体化した構成となっている。したがって、その分だけ排気系路の省スペース化を図ることができ、装置内に占める排気経路領域の割合を少なくして装置を小型化することができる。
【００４５】
次に、本発明の実施の形態に係る、排気排液経路を備えた液処理ユニットとしてのレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）における排気、排液処理手順について説明する。
【００４６】
まず、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）のコータカップＣＰ内にウエハＷが搬入され、ウエハ載置台３１上に保持される。次に、ノズル３２から所定量の処理液をウエハＷ表面のほぼ中央部分に滴下するとともに、駆動機構３０によってこのウエハ高速回転させることによりウエハＷ表面全体に均一に処理液としてのレジスト液を塗布する。この時、コータカップＣＰ内雰囲気は、気液分離手段としてのセパレータ３５において液体形成部分が一部取り除かれた後、排気口３４から液処理系排気管３６へ排気される。一方、コーターカップＣＰに飛散した余剰の処理液、およびセパレータ３５において排気雰囲気から分離された液体成分は、立設壁３５ｂにより排気口３４への流入を妨げられ、排液口３３から排液管３７へと排出され、工場排液系（図示せず）へ導かれる。
【００４７】
排気口３４から液処理系排気管３６へ排気されたコータカップＣＰ内雰囲気は、熱処理系排気管４２と一体化した部位４２ａを通過する。この熱処理系排気管４２内には、ベーキングユニット（ＨＰ）内の雰囲気温度例えば９０℃の熱排気が流れている。一方、コータカップＣＰ内雰囲気は、ベーキングユニット（ＨＰ）内の雰囲気温度よりも低い温度例えば２３℃に設定されている。このため、上記熱処理系排気管４２と一体化した部位４２ａにおいて熱排気温度が液処理系排気管３６に作用し、液処理系排気管３６と熱処理系排気管４２とにおいて熱交換が行われ、液処理系排気管３６および液処理系排気管３６内を流れるコータカップＣＰ内雰囲気は加熱される。
【００４８】
したがって、排気中の処理液成分が液処理系排気管３６内で液化し、液処理系排気管３６内壁にミストとして付着することを抑制することができる。また、上記加熱においては、別途にヒーター等の装置を使用せず、装置内にて従来から使用している熱処理系ユニットの熱を利用しているため、別途にヒーター等の装置を使用する場合に比べ電気使用量等のコストダウンにも有効である。さらに、従来高温のまま工場排気系（図示せず）に排気されていた熱処理系排気管４２内を流れる熱処理系排気温度も、上記熱交換により、従来よりも低温度にて工場排気系に流すことができ、工場排気系での火災等を抑制して安全性を高めることができる。
【００４９】
なお、上記実施形態において、液処理系排気管３６が熱処理系排気管４２に内蔵され、熱処理系排気管４２と一体化した構成としたが、熱処理系排気管４２を液処理系排気管３６に接触させることで一体化した構成としてもよい。
【００５０】
また、液処理系排気管３６は、上記熱処理系排気管４２と一体化した部位４２ａの後に、ミストトラップ３８を有する構成としてもよい。当該ミストトラップ３８は、底部に設けられた立設壁４１および着脱自在のフィルタ４０によって排液室３８ａと排気室３８ｂに分けられており、排液室３８ａ底部には排液管３７が、排気室３８ｂ底部には液処理系排気管３６がそれぞれ延設されている。なお、ミストトラップ３８と各排気管３６、排液管３７との接続部は、各接続治具３９によりそれぞれ着脱自在に構成されている。
【００５１】
したがって、液処理系排気管３６内を流下してきた排気中の処理液成分は、ミストトラップ３８内の排液室３８ａにおいて液化し、排液として排液管３７から工場排液系（図示せず）へと導かれる。また、液化せずに排気中に残存した処理液成分は、フィルタ４０によって捕捉されるため、排気室３８ｂに流入する排気中の処理液成分をさらに減少させることができる。
【００５２】
さらに、上記ミストトラップ３８は、熱処理ユニットであるクーリングユニット（ＣＯＬ）内の雰囲気を排気する熱処理系排気管４３に内蔵され、熱処理系排気管４３と一体化した構成としてもよい。この熱処理系排気管４３内には、クーリングユニット（ＣＯＬ）内の雰囲気温度例えば２３℃の排気が流れている。一方、上記のように、液処理系排気管３６を介してミストトラップ３８内に流入している排気は、少なくとも２３℃よりも高い温度に加熱される。したがって、この液処理系排気管３６を介してミストトラップ３８内に流入してくる排気は、この熱処理系排気管４３と一体化した部位４３ａすなわちミストトラップ３８内において、熱処理系排気管４３内を流れる排気により冷却される。
【００５３】
したがって、このような構成によれば、液処理系排気管３６内を流下してきた排気中の処理液成分が排液室３８ａにおいて液化することを促進し、排気中の処理液成分がさらに低減された状態の排気フィルタ４０、排気室３８ｂおよびそれに続く排気管３６へ送ることができる。また、フィルタ４０にて捕捉されるミスト量を減少させ、フィルタ４０の交換頻度を減少させ、メンテナンス性能の向上を図ることができる。さらに、排気量を一定に保ち、排気効率を低下させることなく、簡単な構成のミスト除去機構で十分なミスト除去を行うことができる。
【００５４】
また、このような構成によれば、排気温度を下げて十分に排気中の処理液成分が取り除かれた状態で工場排気系（図示せず）へと排気するので、工場排気系においての安全性を高め、工場排気系内壁へのミスト付着を低減し、メンテナンス性の向上を図ることができる。さらに、上記冷却において、別途に冷却器等の装置を使用せず、装置内にて従来から使用されている熱処理系ユニットの冷熱を利用しているため、別途に冷却器等の装置を使用する場合に比べ電気使用量等をコストダウンにも有効である。
【００５５】
なお、上記ミストトラップ３８は、液処理系排気管３６上のメンテナンスを行い易く位置、例えば液処理系排気管３６が基板処理装置内から外部へ出る直前の位置に配置されることが好ましい。また、この例においては、ミストトラップ３８が熱処理系排気管４３に内蔵され、熱処理系排気管４３と一体化した構成としたが、熱処理系排気管４３をミストトラップ３８に接触させることで一体化した構成としてもよい。
【００５６】
さらに、液処理系排気管３６が上記熱処理系排気管４２と一体化した部位４２ａの後で、熱処理ユニットであるクーリングユニット（ＣＯＬ）内の雰囲気を排気する熱処理系排気管４３に一部内蔵され、熱処理系排気管４３と一体化する部位は、上記例のごとくミストトラップ上だけに限定されるものではない。また、排気経路上にミストトラップを配置しない基板処理装置においても有効である。
【００５７】
上記実施形態にあっては、図６（ａ）の断面図に示すように熱処理系排気管４２または４３内に液処理系排気管３６を一部内蔵し、一部一体化した構成とすることで、熱処理系排気管４２または４３の熱を液処理系排気管３６に作用させている。このように、一方の排気管が他方の排気管を内蔵することで、一方の排気管の熱を他方の排気へ十分にかつ均一に伝導することができる。
【００５８】
一方、この熱作用効果を増大させるために図６（ｂ）のように熱処理系排気管４２または４３の外側を断熱材６０で被覆する構成としても良く、図６（ｃ）に示すように液処理系排気管３６が熱処理系排気管４２または４３を一部内蔵することにより一部一体化した構成としても良い。このような構成とすることで、その中が外部雰囲気温度に左右され難く、また、熱処理系排気管４２または４３の熱が外部雰囲気中へ散逸することもない。よって、熱処理系排気管４２または４３の熱を液処理系排気管３６へ効率良く供給することができる。
【００５９】
さらに、図６（ｄ）示すように液処理系排気管３６と熱処理系排気管４２または４３とを一部接触させ、一部一体化した構成としてもよい。このような構成とすることで、一方の排気管と他方の排気管とを容易に取り付けおよび取り外しができるため、装置の立ち上げの際におよびメンテナンスの際の作業効率を向上させることができる。
【００６０】
一方、上記実施形態にあっては、コーターカップＣＰに飛散した余剰の処理液、およびセパレータ３５において排気雰囲気から分離された液体成分は、排液口３３から排液管３７へと排出され、工場排液系（図示せず）へ導かれるように構成したが、これに代えて例えば図７に示すように排液管３７の下端部を容量が例えば２０リットル程度のドレインタンク７０に接続し、排液を貯留する構成とすることもできる。
【００６１】
また、ドレインタンク７０とミストトラップ３８とは、補助排気管７１により接続し、ドレインタンク７０内上部の雰囲気を直接排気すると共に、コーターカップＣＰ内の雰囲気も排液管３７、ドレインタンク７０および補助排気管７１を介して排気し得るように構成することもできる。
【００６２】
さらに、ドレインタンク７０は、熱処理ユニットであるクーリングユニット（ＣＯＬ）内の雰囲気を排気する熱処理系排気管４３に内され、熱処理系排気管４３と一体化した構成とすることもできる。
【００６３】
このような構成とすることで、ドレインタンク７０内での処理液中に含まれる有機溶媒の気化を抑制することができ、補助排気管７１へと流出する排気中のミスト含有割合を低減することができる。
【００６４】
さらに、補助排気管７１は、熱処理ユニットであるベーキングユニット（ＨＰ）内の雰囲気を排気する熱処理系排気管４２に一部内蔵され、熱処理系排気管４２と一体化した構成としてもよい。この場合、熱処理系排気管４２と一体化した部位４２ｂにおいて、熱排気温度が補助排気管７１に作用し、補助排気管７１と熱処理系排気管４２との間において熱交換が行われ、補助排気管７１および補助排気管７１内を流れるコーターカップＣＰ内雰囲気は加熱される。
【００６５】
したがって、このような構成とすることで、排気中の処理液成分が補助排気管７１内で液化し、補助排気管７１内壁にミストとして付着固化することを抑制することができる。また、上記加熱においては、別途にヒーター等の装置を使用せず、装置内にて従来から使用している熱処理系ユニットの熱を利用しているため、別途にヒーター等の装置を使用する場合に比べて電気使用量等のコストダウンにも有効である。
【００６６】
なお、上記構成において、ドレインタンク７０が熱処理系排気管４３に内蔵され、熱処理系排気管４３と一体化した構成としたが、熱処理系排気管４３をドレインタンク７０に接触させることで一体化した構成としてもよい。また、上記例においては、補助排気管７１が熱処理系排気管４２に内蔵され、熱処理系排気管４２と一体化した構成としたが、熱処理系排気管４２を補助排気管７１に接触させることで一体化した構成としてもよい。
【００６７】
図８に示すように各排気管の温度を制御装置（ＣＰＵ）８３で制御するようにすることもできる。ミストトラップ３８の排気室３８ｂ底部に接続された排気管３６と、ミストトラップ３８が熱処理系排気管４３に内蔵され、熱処理系排気管４３と一体化した部位４３ａに接続された熱処理系排気管４３と、ドレインタンク７０が熱処理系排気管４３に内蔵され、熱処理系排気管４３と一体化した部位４３ｂに接続された熱処理系排気管４３とに温度センサ８１を取り付ける。温度センサ８１は、温度検出機構８２に接続されており、各排気管内部または外部の温度を検出できるように構成されている。
【００６８】
図９の（ａ）は、本発明の実施形態に係る基板処理装置での制御手順を示したフローチャートである。
まず、温度センサ８１を取り付けた各排気管の温度すなわち各排気管内を流れる排気の温度が、温度検出機構８２により検出される（ＳＴＥＰ１０１）。温度検出機構８２で検出された温度データは、制御装置（ＣＰＵ）８３に伝達され、あらかじめ設定された所定の温度以下であるか判断される（ＳＴＥＰ１０２）。
【００６９】
検出された温度データが、所定の温度以下である場合には、基板処理装置は通常動作としての所定の処理を続行する（ＳＴＥＰ１０３）。検出された温度データが所定温度より高い値である場合には、制御装置（ＣＰＵ）８３からアラーム発生装置８４に警告信号が発せられ、所定のアラームが発せられる（ＳＴＥＰ１０４）。アラームは、アラーム音でもよいし、シグナルタワー（図示せず）の所定の色の点滅でもよいし、それらの組み合わせでもよい。また、アラームの発生と同時にカセットステーション１０に取り付けられた表示部１６において、アラーム内容を表示させてもよいし、制御装置（ＣＰＵ）８３内の記憶部にアラーム内容を記憶させ、必要に応じて表示部１６でアラーム内容を確認できるようにしてもよい。
【００７０】
このように警告を発した後、さらに、異常温度が検出された排気管が接続された液処理ユニット、熱処理ユニットでのウエハＷの処理を停止するように、制御装置（ＣＰＵ）８３により制御することもできる（ＳＴＥＰ１０５）。
【００７１】
また、図８に示すようにミストトラップ３８が熱処理系排気管４３に内蔵され、熱処理系排気管４３と一体化した部位４３ａに温調器８０を取り付ける構成としてもよい。温度検出機構８２で検出された温度データがあらかじめ設定された温度より高い値である場合には、温調器８０で温度制御するようにしてもよい。
【００７２】
図９の（ｂ）は、温調器８０を取り付けた場合の制御の工程を示したフローチャートである。
上記例と同様に、温度センサ８１を取り付けた各排気管の温度すなわち各排気管内を流れる排気の温度が、温度検出機構８２により検出される（ＳＴＥＰ２０１）。検出された温度データは、制御装置（ＣＰＵ）８３に伝達され、あらかじめ設定された所定の温度以下であるか判断される（ＳＴＥＰ２０２）。
【００７３】
検出された温度データが、所定の温度以下である場合には、基板処理装置は通常動作として所定の処理続行する（ＳＴＥＰ２０３）。検出された温度データが所定温度より高い値である場合には、制御装置（ＣＰＵ）８３から温調器８０に対し制御信号を出力し、制御信号を受けた温調器８０は、直ちに冷却を開始する（ＳＴＥＰ２０４）。
【００７４】
所定の時間経過後、再度温度データを検出する（ＳＴＥＰ２０５）。検出された温度が所定温度以下であれば、制御装置（ＣＰＵ）８３は温調器８０に対して停止信号を出力し、基板処理装置は通常動作としての所定の処理を続行する（ＳＴＥＰ２０３）。一方、所定の時間経過後に検出した温度データが所定温度より高い値である場合には、アラーム発生装置８４に警告信号が発せられ、所定のアラームが発せられる（ＳＴＥＰ２０６）。上述の例と同様に、アラームは、アラーム音でもよいし、シグナルタワー（図示せず）の所定の色の点滅でもよいし、それらの組み合わせでもよい。また、アラームの発生と同時にカセットステーション１０に取り付けられた表示部１６において、アラーム内容を表示させてもよい。制御装置（ＣＰＵ）８３内の記憶部にアラーム内容を記憶させ、必要に応じて表示部１６でアラーム内容を確認できるようにしてもよい。
【００７５】
このように警告を発した後、さらに、異常温度が検出された排気管が接続された液処理ユニット、熱処理ユニットでのウエハＷの処理を停止するように、制御装置（ＣＰＵ）８３により制御することもできる（ＳＴＥＰ２０７）。
【００７６】
上記の構成により各排気管の温度を制御することで、液処理系排気経路が熱処理系排気経路によって過昇温されることなく、各排気管内を流れる排気の温度を所望の温度に保持することができる。
【００７７】
なお、上記実施例においては、温度センサ８１を各排気管の外側に取り付ける構成としたが、温度センサ８１は各排気管の内側に取り付けてもよい。また、各排気管を取り付ける温度センサ８１の位置、数は上記実施例に限定されず、温度管理が必要となる排気経路上に必要な数だけ取り付けることができる。同様に、温調器８０についても温度管理が必要な数だけ取り付けることができる。このようにすることで、各排気経路上の所望の部位において各排気経路内を流れる排気の温度を管理できるので、液処理系排気経路を流れる排気中の処理液成分の気化、液化を所望の部位においてコントロールすることができる。
【００７８】
また、上記実施形態においては、液処理ユニットの排気、排液処理手順についてレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）を例に説明したが、同様の処理は現像ユニット（ＤＥＶ）等の他の液処理ユニットにおいても行うことができる。
【００７９】
さらに、上記した実施形態における基板処理装置はウエハに所定の処理を施すものであったが、本発明は他の被処理基板例えばＬＣＤ基板などに所定の処理を施す装置にも適用することができる。
【００８０】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、第１の温度に設定された第１の処理ユニット内を排気する第１の排気経路と、第１の温度より高い第２の温度に設定された第２の処理ユニット内を排気する第２の排気経路とを、これらの少なくとも一部が一体的になるように構成したので、排気系路の省スペース化を図ることができ、装置内に占める排気経路領域の割合を少なくして装置を小型化することができる。また、第１の排気経路と第２の排気経路とが一体化された部位において、第１の排気経路に対し、温度が高い第２の排気経路からその温度差分に相当する熱を作用させることができ、排気経路を通る気体の熱を有効に活用することができる。
【００８１】
また、液処理ユニット系排気排液経路と熱処理ユニット系排気経路とを、これらの少なくとも一部が一体的になるように構成したので、排気系路の省スペース化を図ることができ、装置内に占める排気経路領域の割合を少なくして装置を小型化することができる。また、液処理ユニット系排気排液経路の任意の部位に必要に応じて熱処理ユニット系排気経路の熱を作用させることができ、排気経路を通る気体の熱を有効に活用することができる。また、液処理ユニット系排気排液経路上にヒーター、クーラー等の装置を別途に設けず、熱処理ユニット系から出される排気の熱を作用させるため、ヒーター、クーラー等の装置を別途設けた場合に消費される電力等を節減することができる。
【００８２】
さらに、熱処理ユニット系排気経路とを一体的に構成した後の液処理ユニット系排気排液経路の温度を、あらかじめ設定された温度に基づいて管理し、検出手段で検出された温度が設定温度から所定値以上ずれた場合は、液処理ユニットでの被処理基板の処理を停止させるため、排気管内側へのミスト付着による排気量のばらつきがなく、さらにミストの処理室内への逆流を抑制することができる。したがって、液処理ユニットによりレジスト塗布を行う場合に膜厚のばらつきが少なく、その後の露光・現像を経た後に線幅等が不良になるおそれが小さい。
【００８３】
さらにまた、熱処理ユニット系排気経路とを一体的に構成した後の液処理ユニット系排気排液経路の温度を、あらかじめ設定された温度に基づいて制御するため、当該液処理ユニット系排気排液経路の温度を所定の温度に維持することができる。また、温度調節手段により制御された後に検出手段で検出された温度が設定温度から所定値以上ずれた場合は、液処理ユニットでの被処理基板の処理を停止させる。よって、排気管内側へのミスト付着による排気量のばらつきがなく、さらにミストの処理室内への逆流を抑制することができる。したがって、液処理ユニットによりレジスト塗布を行う場合に膜厚のばらつきが少なく、その後の露光・現像を経た後に線幅等が不良になるおそれが小さい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る基板処理装置が適用されるレジスト塗布現像処理システムの全体構成を示す概略斜視図。
【図２】本発明の一実施形態に係る基板処理装置が適用されるレジスト塗布現像処理システムの全体構成を示す概略平面図。
【図３】本発明の一実施形態に係る基板処理装置が適用されるレジスト塗布現像処理システムの全体構成を示す概略正面図。
【図４】本発明の一実施形態に係る基板処理装置が適用されるレジスト塗布現像処理システムの全体構成を示す概略側面図。
【図５】本発明の一実施形態に係る基板処理装置としての液処理ユニットを示す模式図。
【図６】本発明の一実施形態に係る基板処理装置に用いられる排気、排液経路の概略断面図。
【図７】本発明の他の実施形態に係る基板処理装置としての液処理ユニットを示す模式図。
【図８】本発明のさらに他の実施形態に係る基板処理装置としての液処理ユニットを示す模式図。
【図９】図８に示す基板処理装置としての液処理ユニットにおける排気経路での温度制御方法を示す説明図。
【符号の説明】
１６；  表示部（表示する手段）
３３；  排液口（液処理ユニット系排気排液経路）
３４；  排気口（液処理ユニット系排気排液経路）
３５；  セパレータ（気液分離機構）
３５ａ；  垂下壁
３５ｂ；  立設壁
３６；  液処理系排気管（液処理ユニット系排気排液経路）
３７；  排液管（液処理ユニット系排気排液経路）
３８；  ミストトラップ（ミスト除去機構）
３８ａ；  排液室
３８ｂ；  排気室
４２、４３；  熱処理系排気管
６０；  断熱材
７０；  ドレインタンク（気液分離機構）
７１；  補助排気管
８０；  温調器（温調手段）
８１；  温度センサ
８２；  温度検出機構
８３；  制御装置（ＣＰＵ）（制御手段）
８４；  アラーム発生装置（アラームを発生する手段）
Ｗ；  半導体ウエハ（被処理基板）
ＣＯＴ；  レジスト塗布ユニット（液処理ユニット）
ＤＥＶ；  現像ユニット（液処理ユニット）
ＨＰ；  ベーキングユニット（熱処理ユニット）
ＣＯＬ；  クーリングユニット（熱処理ユニット）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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