【事件の表示】
　上記当事者間の特許第３７３６２４９号「半導体装置の製造に用いる化学機械研磨用水系分散体」の特許無効審判事件についてされた平成２０年　６月２７日付け審決に対し、知的財産高等裁判所において審決取消の決定（平成２０年行ケ第１０３０１号平成２０年１０月２０日決定言渡）があったので、さらに審理のうえ、次のとおり審決する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３７３６２４９号の請求項１ないし４に係る発明についての特許を無効とする。
　審判費用は、被請求人の負担とする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　
平成１２年　１月１２日　本件出願
平成１７年１１月　４日　設定登録（特許第３７３６２４９号）
平成１９年　４月２７日　請求人齋藤智成無効審判請求
平成１９年　７月２３日　被請求人ＪＳＲ株式会社訂正請求書（本件訂正請求書による訂正を、以下、「第１訂正」という。）、答弁書提出
平成１９年　９月１０日　参加人日立化成工業株式会社参加申請、実験成績証明書等提出書提出
平成１９年　９月１０日　請求人齋藤智成弁駁書提出
平成２０年　２月１４日　請求人齋藤智成口頭審理陳述要領書提出
平成２０年　２月１４日　被請求人ＪＳＲ株式会社口頭審理陳述要領書提出
平成２０年　２月１４日　口頭審理
平成２０年　３月３１日　被請求人ＪＳＲ株式会社上申書提出
平成２０年　３月３１日　参加人日立化成工業株式会社上申書提出
平成２０年　６月２７日　審決（以下、当該審決を「一次審決」という。）
平成２０年　８月　７日　出訴（平成２０年行ケ第１０３０１号）
平成２０年　９月３０日　被請求人ＪＳＲ株式会社訂正審判請求（審判２００８−３９０１０６号）
平成２０年１０月２０日　審決取消決定（平成２０年行ケ第１０３０１号の決定）
平成２０年１１月　６日　被請求人ＪＳＲ株式会社訂正請求書（本件訂正請求書による訂正を、以下、「本件訂正」という。）、上申書提出
平成２０年１２月１５日　請求人齋藤智成弁駁書提出
平成２０年１２月１５日　参加人日立化成工業株式会社弁駁書提出
平成２１年　１月３０日　被請求人ＪＳＲ株式会社答弁書提出
　
　
第２　訂正請求について
　
１　訂正請求の内容
　本件無効審判で被請求人ＪＳＲ株式会社が求めた本件訂正の内容は、平成２０年１１月６日付けの訂正請求書（以下「本件訂正請求書」という。）によると、つぎのとおりのものである。（なお、下線は、訂正箇所を明らかにするために、当審において付したものである。）
　
ア　＜訂正事項ａ＞
　特許第３７３６２４９号（以下「本件特許」という。）における特許請求の範囲を、訂正前の
「【請求項１】　研磨剤、水、
及び
　前記研磨剤が、シリカ、及び無機有機複合粒子のうち少なくとも１種であり、
　かつ、前記研磨速度調整成分がマレイン酸イオンであり、該マレイン酸イオンの濃度が０．００５〜１モル／リットルであ
ることを特徴とする
【請求項２】　ｐＨが８〜１１である請求項１に記載の化学機械研磨用水系分散体。
【請求項３】　前記マレイン酸イオンの対の陽イオンは、カリウムイオンであり、前記研磨速度調整成分はマレイン酸カリウム由来であることを特徴とする請求項１又は２に記載の化学機械研磨用水系分散体。
【請求項４】　前記無機有機複合粒子がポリメチルメタクリレート系粒子の表面にシリカ粒子が付着してなることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の化学機械研磨用水系分散体。
【請求項５】
銅膜、バリアメタル膜、並びに絶縁膜を同一条件により研磨した場合に、上記銅膜の研磨速度（Ｒ
Ｃｕ
）と上記バリアメタル膜の研磨速度（Ｒ
ＢＭ
）との比（Ｒ
Ｃｕ
／Ｒ
ＢＭ
）が０．５〜２であり、上記銅膜の研磨速度（Ｒ
Ｃｕ
）と上記絶縁膜の研磨速度（Ｒ
Ｉｎ
）との比（Ｒ
Ｃｕ
／Ｒ
Ｉｎ
）が０．５〜２であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の化学機械研磨用水系分散体。
から、
「【請求項１】
　研磨剤、水、研磨速度調整成分
、及び酸化剤
　前記研磨剤が、シリカ、及び無機有機複合粒子のうち少なくとも１種であり、
　
前記酸化剤が過酸化水素であり、
　かつ、前記研磨速度調整成分がマレイン酸イオンであり、該マレイン酸イオンの濃度が０．００５〜１モル／リットルであ
り、
　
配線材が銅であるダマシン配線の形成工程を含む
ことを特徴とする
【請求項２】
　ｐＨが８〜１１である請求項１に記載の化学機械研磨用水系分散体。
【請求項３】
　前記マレイン酸イオンの対の陽イオンは、カリウムイオンであり、前記研磨速度調整成分はマレイン酸カリウム由来であることを特徴とする請求項１又は２に記載の化学機械研磨用水系分散体。
【請求項４】
　前記無機有機複合粒子がポリメチルメタクリレート系粒子の表面にシリカ粒子が付着してなることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の化学機械研磨用水系分散体。」
に訂正する。
　
　なお、平成１９年７月２３日付けの訂正請求による第１訂正は、登録時の請求項５の削除を伴うものであるところ、平成２０年６月２７日付けの一次審決中、請求項５の削除に係る訂正を認めた部分については、請求人、及び参加人は出訴していないことから出訴期間を徒過したことにより、また、被請求人は請求項５の削除に係る訂正を認めた部分についての取消訴訟を提起する原告適格を有しないというべきであるから、同審決の送達により、第１訂正のうち、登録時の請求項５を削除した部分は、形式的に確定している。
　
イ　＜訂正事項ｂ＞
　本件特許の明細書（以下「本件特許明細書」という。）の段落【０００６】を訂正前の、
「請求項１の発明は、研磨剤、水、
及び
ることを特徴とする
　請求項２の発明は、請求項１に記載のものにおいて、ｐＨが８〜１１であることを特徴とする。
　請求項３の発明は、請求項１又は２に記載のものにおいて、前記マレイン酸イオンの対の陽イオンは、カリウムイオンであり、前記研磨速度調整成分はマレイン酸カリウム由来であることを特徴とする。
　請求項４の発明は、請求項１乃至３のいずれかに記載のものにおいて、前記無機有機複合粒子がポリメチルメタクリレート系粒子の表面にシリカ粒子が付着してなることを特徴とする。
　
請求項５の発明は、
する。
　本発明の化学機械研磨用水系分散体は、ダマシン配線形成工程における、特に二段階目の研磨に用いる水系分散体として有用である。
　上記『銅膜』を形成する銅は、純銅ばかりでなく、銅−シリコン、銅−アルミニウム等、９５重量％以上の銅を含有する合金をも含むものとする。また、上記『バリアメタル層』を形成する金属は、タンタル、チタン等があり、またそれらの窒化物、酸化物であってもよい。例えば、窒化物として窒化タンタル、窒化チタンがある。また、上記『タンタル、チタン等』は純タンタル、純チタンに限られず、例えばタンタル−ニオブ等のタンタル、チタン等を含有する合金をも含むものとする。更に、上記『窒化タンタル、窒化チタン』も純品に限定はされない。
　上記バリアメタル層は、好ましくは、タンタル及び／又は窒化タンタルである。」
から、
「請求項１の発明は、研磨剤、水、研磨速度調整成分
、及び酸化剤
　前記研磨剤が、シリカ、及び無機有機複合粒子のうち少なくとも１種であり、
　
前記酸化剤が過酸化水素であり、
　かつ、前記研磨速度調整成分がマレイン酸イオンであり、該マレイン酸イオンの濃度が０．００５〜１モル／リットルであ
り、
　
配線材が銅であるダマシン配線の形成工程を含む
ことを特徴とする
　請求項２の発明は、請求項１に記載のものにおいて、ｐＨが８〜１１であることを特徴とする。
　請求項３の発明は、請求項１又は２に記載のものにおいて、前記マレイン酸イオンの対の陽イオンは、カリウムイオンであり、前記研磨速度調整成分はマレイン酸カリウム由来であることを特徴とする。
　請求項４の発明は、請求項１乃至３のいずれかに記載のものにおいて、前記無機有機複合粒子がポリメチルメタクリレート系粒子の表面にシリカ粒子が付着してなることを特徴とする。
　請求項１乃至４のいずれかに記載のものにおいて、銅膜、バリアメタル層、及び絶縁膜を同一条件により研磨した場合に、上記銅膜の研磨速度（ＲＣｕ）と上記バリアメタル層の研磨速度（ＲＢＭ）との比（ＲＣｕ／ＲＢＭ）が０．５〜２であり、上記銅膜の研磨速度（ＲＣｕ）と上記絶縁膜の研磨速度（ＲＩｎ）との比（ＲＣｕ／ＲＩｎ）が０．５〜２であることを特徴と
してもよい
　本発明の化学機械研磨用水系分散体は、ダマシン配線形成工程における、特に二段階目の研磨に用いる水系分散体として有用である。
　上記『銅膜』を形成する銅は、純銅ばかりでなく、銅−シリコン、銅−アルミニウム等、９５重量％以上の銅を含有する合金をも含むものとする。また、上記『バリアメタル層』を形成する金属は、タンタル、チタン等があり、またそれらの窒化物、酸化物であってもよい。例えば、窒化物として窒化タンタル、窒化チタンがある。また、上記『タンタル、チタン等』は純タンタル、純チタンに限られず、例えばタンタル−ニオブ等のタンタル、チタン等を含有する合金をも含むものとする。更に、上記『窒化タンタル、窒化チタン』も純品に限定はされない。
　上記バリアメタル層は、好ましくは、タンタル及び／又は窒化タンタルである。」
に訂正する。
　
ウ　＜訂正事項ｃ＞
　本件特許明細書の段落【０００９】を訂正前の、
「
請求項５における
から、
「
上記の
に訂正する。
　
エ　＜訂正事項ｄ＞
　本件特許明細書の段落【００１０】を訂正前の、
「また、
請求項５における
から、
「また、
上記の
に訂正する。
　
　
２　訂正の可否に対する判断
ア　＜訂正事項ａ＞について
ア−１　新規事項の有無についての検討
　訂正事項ａにおいて、請求項１の訂正は、訂正前の請求項１に係る発明特定事項に、「酸化剤」としての「過酸化水素」を追加するとともに、「配線材が銅であるダマシン配線の形成工程を含む」という限定を付加するものであるが、本件特許の願書に添付した明細書（以下、「当初明細書」という。）の段落【００２２】には、「本発明の水系分散体は、酸化剤を含有することが好ましい。酸化剤を含有することで、研磨速度が向上する。」と記載され、段落【００２３】には、「前記『酸化剤』として、とくに過酸化水素が好ましい。過酸化水素は、その少なくとも一部が解離し、過酸化水素イオンが生成する。」と記載されていることから、水系分散体に酸化剤としての過酸化水素を加えることは、当初明細書に記載されたものである。
　また、当初明細書の段落【０００４】には、「充分に平坦化された精度の高い仕上げ面が得られ、良好なダマシン配線を形成することができる、半導体装置の製造において有用な化学機械研磨用水系分散体、及びそれを用いた化学機械研磨方法を提供することを目的とする。」と記載され、段落【０００５】には、「半導体基板上に設けられる被加工膜の研磨において、仕上げ面を十分に平坦化することができる化学機械研磨用水系分散体を得ることを目的として検討した結果、銅膜、バリアメタル層、及び絶縁膜を同一条件により研磨した場合に、それらの研磨速度の比が特定の値を取る水系分散体を使用した場合に十分に平坦化された精度の高い仕上げ面が得られることを見出し、本発明に到達した」と記載されていることから、「配線材が銅であるダマシン配線の形成工程を含む」と限定することは、当初明細書に記載されたものである。
　したがって、上記訂正事項ａは、特許法第１３４条の２第５項において準用する同法第１２６条第３項の規定を満たす。
ア−２　訂正の目的、及び実質上特許請求の範囲の拡張又は変更の存否についての検討
　上記訂正事項ａは、水系分散体に「酸化剤」としての「過酸化水素」を追加し、また、「配線材が銅であるダマシン配線の形成工程を含む」という限定を付加するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　したがって、上記訂正事項ａは、特許法第１３４条の２第１項ただし書きの規定に適合し、同条第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定を満たす。
　
イ　＜訂正事項ｂ＞、＜訂正事項ｃ＞、＜訂正事項ｄ＞について
　訂正事項ｂ、ｃ、及びｄの訂正は、特許明細書の発明の詳細な説明の段落【０００６】、【０００９】、及び【００１０】における訂正前の記載を、訂正された特許請求の範囲に整合させるための訂正である。そして、アで言及したとおり、特許請求の範囲の訂正が当初明細書に記載されたものであることから、訂正事項ｂ、ｃ、及びｄも同様に当初明細書に記載されたものであって、かつ、明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正に該当するものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないことは明らかである。
　したがって、上記訂正事項ｂ、ｃ、及びｄは、特許法第１３４条の２第１項ただし書きの規定に適合し、同条第５項において準用する同法第１２６条第３項及び第４項の規定を満たす。
　
ウ　以上のとおり、前記訂正事項ａ乃至ｄは、いずれも、特許法第１３４条の２第１項ただし書きの規定に適合し、同条第５項において準用する特許法第１２６条第３項及び第４項の規定を満たすため、当該訂正を認める。
　
　
第３　本件特許の請求項１乃至４に係る発明
　本件特許の請求項１乃至４に係る発明（以下「本件特許発明１」乃至「本件特許発明４」という。）は、訂正明細書の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１乃至４に記載された次のとおりのものと認める。
「【請求項１】
　研磨剤、水、研磨速度調整成分、及び酸化剤を含有する化学機械研磨用水系分散体であって、
　前記研磨剤が、シリカ、及び無機有機複合粒子のうち少なくとも１種であり、
　前記酸化剤が過酸化水素であり、
　かつ、前記研磨速度調整成分がマレイン酸イオンであり、該マレイン酸イオンの濃度が０．００５〜１モル／リットルであり、
　配線材が銅であるダマシン配線の形成工程を含む半導体装置の製造に用いることを特徴とする化学機械研磨用水系分散体。
【請求項２】
　ｐＨが８〜１１である請求項１記載の化学機械研磨用水系分散体。
【請求項３】
　前記マレイン酸イオンの対の陽イオンは、カリウムイオンであり、前記研磨速度調整成分はマレイン酸カリウム由来であることを特徴とする請求項１又は２に記載の化学機械研磨用水系分散体。
【請求項４】
　前記無機有機複合粒子がポリメチルメタクリレート系粒子の表面にシリカ粒子が付着してなることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の化学機械研磨用水系分散体。」
　
　
第４　当事者の主張
　
１　請求人齋藤智成の主張
　請求人齋藤智成は、審判請求書において、本件特許の請求項１乃至５に係る発明についての特許を無効とする、との審決を求め、その無効理由として、特許法第２９条第１項第３号に係る無効理由１、特許法第２９条第２項に係る無効理由２、特許法第２９条の２に係る無効理由３、特許法第３６条第６項第２号に係る無効理由４、特許法第３６条第６項第１号、同第４項に係る無効理由５を主張した。
　その後、請求人齋藤智成は、平成２０年２月１４日付け口頭審理陳述要領書において、無効審判請求時に主張していた理由のうち特許法第２９条第１項第３号に係る無効理由１は、平成１９年７月２３日付けの訂正請求による第１訂正が認められる場合には撤回するとしていたが、当該第１訂正は本件訂正により取り下げられることとなった。
　また、特許法第３６条第６項第２号に係る無効理由４は、登録時の請求項５に関する研磨速度比に対するものであったが、研磨速度比に関する登録時の請求項５は、削除されており、他の請求項１ないし４には、研磨速度比に関する限定はなされていない。
　したがって、特許法第３６条第６項第２号に係る無効理由４は、存在しないこととなった。
　以上のとおり、請求人齋藤智成の主張する無効理由は、審判請求書、平成１９年９月１０日付けの弁駁書、平成２０年１２月１５日付け弁駁書の記載を総合すると、概略以下の無効理由１乃至３、及び５のとおりである。
　
（１）無効理由１
　審判請求書において、請求人齋藤智成は、請求項１ないし３に係る発明は、本件出願時に頒布された甲第１号証に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反し、その特許は無効とされるべきものであると主張していたが、平成２０年１２月１５日付け弁駁書において、訂正発明１は、甲第５号証に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反し、その特許は無効とされるべきものであるとの主張を追加した。なお、甲第５号証は、後記するように、平成１９年９月１０日付けの弁駁書において追加されたものである。
（２）無効理由２
　本件特許発明１〜４は、本件出願前に頒布された甲第１号証、甲第２号証および甲第５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に該当し、その特許は無効とされるべきである。
（３）無効理由３
　本件特許発明１ないし３は、甲第３号証に記載された発明と同一であり、しかも、本件特許発明１ないし３の発明者が上記甲第３号証に記載された発明の発明者と同一であるとも、また、本件出願時に、その出願人が上記甲第３号証の出願人と同一であるとも認められないので、特許法第２９条の２の規定に該当し、その特許は無効とされるべきである。 
（４）無効理由５
　本件特許発明１〜４は、研磨対象及びｐＨの範囲が特定されていないから、特許を受けようとする発明が発明の詳細な説明に記載されたものではなく、発明の詳細な説明には本件特許発明１〜４を当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されていないから、特許法第３６条第６項第１号、および同第４項の規定に違反し、その特許は無効とされるべきである。
　
　また、証拠方法として以下の甲第１号証乃至甲第５号証が提出されている。
　なお、甲第５号証は、平成１９年９月１０日付けの弁駁書において追加されたものであるが、特許の訂正が請求されたことに起因して必要となったものである。
　
甲第１号証　特開平１１−８０７０８号公報
甲第２号証　特開平１１−１１４８０８号公報
甲第３号証　特願平１１−３７４４８７号（特開２００１−１８９２９６号公報）
甲第４号証　深水克郎編、「Ｃｕ配線技術の最新の展開」、株式会社リアライズ社、平成１０年５月３０日発行、ｐ．１１７〜１１９
甲第５号証　特開平１０−６７９８６号公報
　
　
２　参加人日立化成工業株式会社の主張
　参加人日立化成工業株式会社は、参加申請書とともに実験成績証明書等提出書を提出し、銅、バリアメタル膜および絶縁膜のそれぞれの研磨速度比に、化学機械研磨用水系分散体のｐＨの範囲が大きな影響を与える旨主張していた。
　その後、平成２０年１２月１５日付け弁駁書において、請求人齋藤智成の主張する無効理由３、無効理由５についての主張を行った。
　
　
３　被請求人ＪＳＲ株式会社の主張
　被請求人ＪＳＲ株式会社は、本件特許発明１〜４は、甲第１号証、または甲第５号証に記載された発明ではなく、甲第１号証、甲第２号証、および甲第５号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではなく、甲第３号証に記載された発明と同一ではなく、本件特許の特許請求の範囲の記載は、発明の詳細な説明に記載したものであり、本件特許の発明の詳細な説明には本件特許発明１〜４を当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されている旨主張している。
　また、証拠方法として以下の乙第１号証乃至乙第３号証を提出している。
　
乙第１号証　精密工学会「プラナリゼーション加工／ＣＭＰ応用技術専門委員会」編、「ＣＭＰ用語辞典」、初版、グローバルネット株式会社、平成１２年５月２９日、ｐ．９７、ｐ．１３６
乙第２号証　平成２０年１月２４日作成　実験成績証明書
乙第３号証　平成２０年３月１７日作成　実験成績証明書
　
　
第５　無効理由についての検討
　
１　無効理由１、及び無効理由２について
（１）甲第１号証（特開平１１−８０７０８号公報）の記載事項
　甲第１号証には、次の事項が記載されている。
ア　請求項１
「（１）水、（２）研磨材、（３）硝酸、亜硝酸、塩酸、過塩素酸、塩素酸、亜塩素酸、次亜塩素酸、ホウ酸、過ホウ酸、硫酸、亜硫酸、過硫酸、リン酸、亜リン酸、次亜リン酸、ケイ酸、有機酸、およびそれらの水素酸のイオン、またはそれらの混合物、からなる群から選ばれる、少なくとも１種類の陰イオン、（４）アンモニウムイオン、アルカリ金属イオン、およびアルカリ土類金属イオンからなる群から選ばれる、少なくとも１種類の陽イオン。を含んでなる研磨用組成物であって、（４）の陽イオンの総量が０．００１〜０．１５モル／リットルであることを特徴とする研磨用組成物。」
イ　請求項３
「研磨材が、二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化セリウム、酸化チタン、窒化ケイ素、酸化ジルコニウム、および二酸化マンガンからなる群より選ばれる少なくとも１種類の研磨材である、請求項１または２のいずれかに記載の研磨用組成物。」
ウ　段落【０００２】
「さらに詳しくは、本発明は、従来よりＣＭＰ技術（詳細後記）が適用されている、層間絶縁膜および素子分離のための絶縁膜である二酸化ケイ素膜の研磨において、大きな研磨速度が得られると同時に、ウェーハ内の均一性が優れた研磨表面を形成させることができ、高度なデバイス形成技術に適用可能な研磨用組成物に関するものである。」
エ　段落【００２５】
「＜陰イオン＞本発明の研磨用組成物は、硝酸、・・・、有機酸、およびそれらの水素酸のイオン、またはそれらの混合物、からなる群より選ばれる少なくとも１種類の陰イオンを含んでなる。これらの陰イオンは、水に溶解して前記の特定の陰イオンを放出する酸化合物、すなわち、酸、またはその塩、を溶解することにより研磨用組成物中に生成させるのが普通である。・・・」
オ　段落【００２６】
「用いる酸化合物は、本発明の効果を損なわないものであれば任意のものを用いることができる。具体的には、（１）硝酸、・・・、または有機酸、例えばカルボン酸（例えば、ギ酸、・・・、マレイン酸、・・・、または吉草酸）、（２）（１）の酸のアンモニウム塩、ナトリウム塩、カリウム塩、リチウム塩、ベリリウム塩、マグネシウム塩、またはカルシウム塩（３）（１）の酸の内、塩基度が２以上の酸の水素塩、が挙げられる。これらの中で、硝酸、・・・、マレイン酸、・・・、プロピオン酸、およびこれらの酸のアンモニウム塩ならびにカリウム塩、あるいはホウ酸、・・・、マレイン酸、・・・、またはコハク酸と、アンモニウムイオンまたはカリウムイオンとからなる水素酸塩、が特に好ましい。これらの酸化合物は任意の割合で併用することもできる。」
カ　段落【００４１】〜【００４２】
「【発明の実施の形態】
＜研磨用組成物の内容および調製＞まず、研磨材としてフュームドシリカ（一次粒子径５０ｎｍ、二次粒子径２００ｎｍ）を撹拌機を用いて水に分散させて、研磨材濃度１５重量％のスラリーを調製した。次いでこのスラリーに表１に記載した濃度または含有量となるように酸化合物およびアンモニア（塩基性化合物）を添加して実施例１〜８および比較例１〜２の試料を調製した。
　ここで、酸濃度とは、研磨用組成物中に溶存している酸化合物の濃度をモル濃度で表したものであり、アンモニア含有量とは研磨用組成物中に溶存しているアンモニアの総量をモル濃度で表したものである。」
キ　表１には、実施例７として、マレイン酸を０．００８６モル／リットル含有するものが記載されている。
　
　上記摘記事項ア〜カ、および認定事項キから、甲第１号証には、
「研磨剤、水、マレイン酸イオンを含有する研磨用組成物であって、
前記研磨剤が、シリカであり、
かつ、マレイン酸の濃度が０．００８６モル／リットルであり、
デバイス形成技術に適用可能なＣＭＰ研磨用組成物。」の発明（以下「甲第１号証に記載された発明」という。）が記載されていると認められる。
　
　
（２）甲第５号証（特開平１０−６７９８６号公報）の記載事項
　甲第５号証には、次の事項が記載されている。
ア　特許請求の範囲
「【請求項１】　(a) 酸化剤、(b) 研磨剤、及び(c) フッ化物含有添加剤を含んでなることを特徴とする水系の化学的・機械的研磨用スラリー。
・・・
【請求項１４】　研磨材が金属酸化物である請求項１に記載の化学的・機械的研磨用スラリー。
【請求項１５】　金属酸化物研磨材が、アルミナ、セリア、ゲルマニア、シリカ、チタニア、ジルコニア、及びそれらの混合物からなる群より選択された請求項１４に記載の化学的・機械的研磨用スラリー。
・・・
【請求項２２】　有機系酸、有機系酸の塩、及びそれらの混合物から選択された配合物をさらに含んでなる請求項１に記載の化学的・機械的研磨用スラリー。
・・・」
イ　段落【０００３】〜【０００４】
「・・・。金属バイアスと接触は、一般に、タングステンを充填され、一般に、タングステン金属層のような金属層をＳｉＯ２に接着するため、窒化チタン（ＴｉＮ）及び／又はチタンのような接着層を使用する。接触レベルにおいて、接着層は、タングステンとＳｉＯ２が反応するのを防ぐ拡散バリアとして作用する。
　・・・典型的なプロセスにおいて、バイアスホールは、中間レベル誘電体（ＩＬＤ）を介して相互接続ライン又は半導体基板までエッチングされる。次いで窒化チタン又はチタンのような薄い接着層が中間レベル誘電体を覆って形成され、エッチングされたバイアスホールの中に導かれる。次いでタングステン膜が、接着層とバイアスの中にブランケット堆積される。堆積は、バイアスホールがタングステンで満たされるまで継続される。最後に余剰の金属が化学的・機械的研磨（ＣＭＰ）によって除去され、金属バイアスを形成する。・・・」
ウ　段落【００１１】
「本発明のもう１つの課題は、チタン接着層に関係するバイアス(vias)を露出されるため、中間層誘電体の上に化学的・機械的研磨用スラリーを用いる方法である。・・・」
エ　段落【００１４】〜【００１５】
「本発明の化学的・機械的研磨用スラリーは、高いチタン（Ｔｉ）研磨速度を有すると同時に、高いタングステン（Ｗ）と窒化チタン（ＴｉＮ）の研磨速度を有することが見出されている。さらに、この化学的・機械的研磨用スラリーは、誘電体絶縁層については望ましい低い研磨速度を呈する。・・・
　本化学的・機械的研磨用スラリーに有用な酸化剤は、金属層をその酸化物又はイオンに酸化させることを助長するために、化学的・機械的研磨用スラリーに混和される。例えば、本発明において、酸化剤は金属層をその酸化物に酸化する、即ち、例えばチタンを酸化チタンに、タングステンを酸化タングステンに、銅を酸化銅に酸化させるために使用される。本発明の酸化剤は、研磨用スラリーに混和されたときに有用であり、チタン、窒化チタン、タンタル、銅、タングステン、及びそれらの種々の混合物や組み合わせなどの金属や金属ベースの成分を研磨するために、機械的に個々の酸化層を除去して研磨するのに有用である。」
オ　段落【００１６】
「本発明の化学的・機械的研磨用スラリーの中に広範囲な酸化剤が使用されることができる。適切な酸化剤は、フッ化物含有添加剤と適合性のあるものであり、酸化性金属塩、酸化性金属錯体、非金属系酸の例えば過酢酸、過ヨウ素酸、鉄塩の例えば硝酸塩、硫酸塩、ＥＤＴＡ、シトレート、フェリシアン化カリウム、過酸化水素、重クロム酸カリウム、ヨウ素酸カリウム、臭素酸カリウム、三酸化バナジウムなど、アルミニウム塩、ナトリウム塩、カリウム塩、アンモニウム塩、第四アンモニウム塩、ホスホニウム塩、又はその他の過酸化物、塩素酸塩、過塩素酸塩、硝酸塩、過マンガン酸塩、過硫酸塩のカチオン塩、及びそれらの混合物が挙げられる。」
カ　段落【００１８】
「本発明の化学的・機械的研磨用スラリーは、有効量のフッ化物含有添加剤を含む。フッ化物含有添加剤は、研磨用スラリーに混和された場合、従来技術の化学的・機械的研磨用スラリーに比較して、チタンが研磨される速度を改良する。フッ化物含有添加剤のフッ化物成分は、フッ化物が存在せずに生成した酸化物層よりも容易に研磨される水和酸化層をチタンに生成させると考えられる。」
キ　段落【００２４】
「化学的・機械的研磨用スラリーに使用されるフッ化物含有添加剤の量と種類は、場合により、選択される酸化剤と、研磨される金属の組み合わせによって決まることがある。化学的・機械的研磨用スラリーのｐＨは約１．０〜５．０に維持することが望ましく、これはタングステン腐食の問題が約５．０より高いスラリーｐＨで生じ得るからである。使用される酸化剤が硝酸第二鉄の場合、化学的・機械的研磨用スラリーのｐＨを約１．５〜約３．０の範囲に維持することが好ましい。選択される酸化剤にかかわらず、タングステンの腐食と浸蝕を防ぐためには、研磨用スラリーのｐＨを約５．０未満に維持することが好ましい。ここで、タングステン以外の金属の例えば銅を研磨するために化学的・機械的研磨用スラリーが使用される場合は、化学的・機械的研磨用スラリーのｐＨが５．０より高いことが望ましいことがある。」
ク　段落【００３３】〜【００３４】
「本発明の化学的・機械的研磨用スラリーの中に、酸化物の研磨速度の選択性を高めるために、広範囲な通常の有機系酸、無機系酸の塩、及びそれらの混合物が含められることができ、例えば、一官能価酸、二官能価酸、ヒドロキシル／カルボキシレート酸、キレート化剤の酸、非キレート化剤の酸、及びそれらの塩が挙げられる。好ましくは、有機系酸は、酢酸、アジピン酸、酪酸、カプリン酸、カプロン酸、カプリル酸、クエン酸、グルタル酸、グリコール酸、ギ酸、乳酸、ラウリン酸、リンゴ酸、マレイン酸、マロン酸、ミリスチン酸、シュウ酸、パルミチン酸、フタル酸、プロピオン酸、ピルビン酸、ステアリン酸、コハク酸、酒石酸、バレアリン酸、及びそれらの塩を含む誘導体の群より選択される。
　使用する場合、有機系酸又は塩は、最終的な化学的・機械的研磨用スラリー中に、化学的・機械的研磨用スラリーの安定性に悪影響を及ぼすことなく酸化物選択性を高めるのに十分な量で、単独で又は別な有機系酸又は塩と組み合わせて存在すべきである。そのようなものとして、有機系酸は、一般に約０．０５〜１５重量％、好ましくは０．５〜５．０重量％の範囲でスラリー中に存在する。有機系酸とその塩を含む化学的・機械的研磨用スラリーの例は、米国特許出願第０８／６４４５０９号に開示されており、この記載事項は本願でも参考にして取り入れられている。」
ケ　段落【００４１】
「・・・また、本研磨用スラリーは、チタンや窒化チタンなどの現状の集積回路技術で下地層やバリヤ膜として使用されるその他の薄膜材料に対して制御された研磨選択性を提供するために、効果的に使用されることができる。・・・」
コ　ここで、上記摘記事項キから、タングステンの代わりに銅を用いることができることが理解できる。
　
　上記摘記事項ア〜ケ、及び認定事項コから、甲第５号証には、
「研磨剤、水、マレイン酸、酸化剤、及びフッ化物含有添加剤を含有する化学的・機械的研磨用スラリーであって、
　前記研磨剤が、シリカであり、
　前記酸化剤が過酸化水素であり、
　かつ、マレイン酸の濃度が約０．０５〜１５重量％であり、
　バイアスホールが、中間レベル誘電体（ＩＬＤ）を介して相互接続ライン又は半導体基板までエッチングされ、次いで窒化チタン又はチタンのような薄い接着層が中間レベル誘電体を覆って形成され、エッチングされたバイアスホールの中に導かれ、次いでタングステン膜が、接着層とバイアスの中にブランケット堆積され、堆積は、バイアスホールがタングステンで満たされるまで継続され、最後に余剰の金属が化学的・機械的研磨（ＣＭＰ）によって除去され、金属バイアスを形成する工程を含む半導体の製造に用いる化学的・機械的研磨用スラリー。」の発明（以下「甲第５号証に記載された発明」という。）が記載されていると認められる。
　
　
（３）本件特許発明１と甲第１号証に記載された発明との対比
　本件特許発明１と甲第１号証に記載された発明とを対比すると、本件特許発明１は、化学機械研磨用水系分散体が酸化剤としての過酸化水素を含んでいるのに対し、甲第１号証に記載された発明は、酸化剤の含有について不明な点、及び、本件特許発明１は、配線材が銅であるダマシン配線の形成工程を含む半導体装置の製造に用いる化学機械研磨用水系分散体であるのに対し、甲第１号証に記載された発明は、半導体装置の製造に用いるものであるものの、ダマシン配線形成工程を含む半導体装置の製造に用いるものではない点、で相違している。
　したがって、本件特許発明１は、甲第１号証に記載された発明であるとすることはできず、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反するものとはいえない。
　
　
（４）本件特許発明２、３と甲第１号証に記載された発明との対比
　本件特許発明２ないし３は請求項１を引用したものである。
　したがって、甲第１号証に記載された発明であるとすることができない本件特許発明１を引用する本件特許発明２ないし３についても同様の理由により、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反するものとはいえない。
　
　
（５）本件特許発明１と甲第５号証に記載された発明との対比
　本件特許発明１と甲第５号証に記載された発明とを対比すると、バイアスホールが配線の一種であることは明らかであるから、甲第５号証に記載された発明の「バイアスホールがタングステンで満たされるまで継続され、・・・金属バイアスを形成する工程」は、「配線材が金属であるダマシン配線の形成工程」という限りで、本件特許発明１の「配線材が銅であるダマシン配線の形成工程」と共通する。
　甲第５号証に記載された発明の「スラリー」は、本件特許発明１の「水系分散体」に相当する。
　甲第５号証に記載された発明の「窒化チタン又はチタンのような薄い接着層」は、本件特許発明１の「バリアメタル」に、甲第５号証に記載された発明の「中間レベル誘電体」は、本件特許発明１の「絶縁膜」に、それぞれ相当し、
　甲第５号証に記載された発明のマレイン酸の濃度「約０．０５〜１５重量％」は、「０．００５〜１モル／リットル」と重なる部分があることは明らかであるから、両者は、
「研磨剤、水、研磨速度調整成分、及び酸化剤を含有する化学機械研磨用水系分散体であって、
　前記研磨剤が、シリカであり、
　前記酸化剤が過酸化水素であり、
　かつ、前記研磨速度調整成分がマレイン酸イオンであり、該マレイン酸イオンの濃度が０．００５〜１モル／リットルであり、
　配線材が金属であるダマシン配線の形成工程を含む半導体装置の製造に用いる化学機械研磨用水系分散体。」で一致しているものの、以下の点で相違している。
＜相違点１＞
　本件特許発明１では、化学機械研磨用水系分散体に、フッ化物含有添加剤を含んでいないのに対して、甲第５号証に記載された発明では、さらに「フッ化物含有添加剤」を含んでいる点。
＜相違点２＞
　ダマシン配線の配線材としての金属について、本件特許発明１では、「銅」としているのに対して、甲第５号証に記載された発明では、タングステンとしている点。
　上記相違点について検討すると、甲第５号証に記載された発明が、フッ化物含有添加剤を含むことを要件としているところ、本件特許明細書には、フッ化物含有添加剤に関する記載が一切存在しないことから、本件特許発明１は、フッ化物含有添加剤を必要としないものであることは明らかである。
　したがって、本件特許発明１を甲第５号証に記載された発明であるとすることはできない。
　よって、本件特許発明１は甲第５号証に記載された発明であるとすることはできず、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反するものとはいえない。
　
　
（６）本件特許発明１に対する特許法第２９条第２項について
ア　対比
　本件特許発明１と甲第５号証に記載された発明とを対比すると、前記（５）に記載されたとおりの一致点を有し、かつ、相違点を有している。
イ　当審の判断
＜相違点１＞について
　甲第５号証に記載された発明において、当該化学的・機械的研磨用スラリーがフッ化物含有添加剤を含んでいるのは、前記（２）のカに摘記したように、チタンが研磨される速度を改良するためである。してみると、バリアメタルとしてチタンを用いない場合には、甲第５号証に記載された発明における化学的・機械的研磨用スラリーにおいて、フッ化物含有添加剤を含めないようにすることは、当業者が容易になし得たものである。
＜相違点２＞について
　前記（２）のキに摘記されたように、甲第５号証に記載された発明では、研磨対象物として、タングステン以外に銅を研磨する場合についても示唆されている。そして、配線材として銅を用いることは例示するまでもなく周知の事項であるから、甲第５号証に記載された発明において、当該化学的・機械的研磨用スラリーを、配線材が銅であるダマシン配線の形成工程を含む半導体装置の製造に用いることは、当業者が容易になし得たものである。
　なお、被請求人は、平成２０年１１月６日付けの上申書において、「本件特許発明１の構成によって、銅膜、バリアメタルおよび絶縁膜である被加工膜を適度な速度で同程度に研磨することができ、スクラッチやディッシングを生じさせることがなく、配線材が銅である良好なダマシン配線の形成ができる等の効果（本件特許明細書の実施例、段落【００４７】等）が発揮されることも、甲第５号証に記載された発明からは到底予測できない。」（第８頁下から２行目〜第９頁第３行。）と主張している。
　しかしながら、本件特許明細書の表１には、バリアメタル膜がＴａ、ＴａＮの場合の実施例が示されており、また、被請求人ＪＳＲ株式会社の提出した平成２０年３月３１日付け上申書に添付された乙第３号証（平成２０年３月１７日作成の実験成績証明書）の表１には、実験４、５として、バリアメタル膜がＴｉ、ＴｉＮの場合の実験結果が記載されている。
　ここで、研磨剤及び研磨速度調整成分の条件において上記乙第３号証に示された実験４と共通している、本件特許明細書の表１の実施例１、７、９についてみてみると、酸化剤である過酸化水素の含有量は０．１または３重量部となっており、含有量において実施例７は、実施例１又は９と比較して１桁違う値となっている。
　さらに、上記乙第３号証に示された実験４の結果によれば、過酸化水素（酸化剤）の含有量は０．０１重量部となっており、上記実施例１、７、９に比べ１桁乃至２桁違う値となっている。
　また、上記乙第３号証に記載されている、実験４と実験５、すなわち、バリアメタル膜がＴｉの場合と、ＴｉＮの場合で、水系分散体のｐＨを前者が９．５、後者が７．５と変更しており、なおかつ、Ｃｕ／絶縁膜の研磨速度比は、実験４の０．６０と実験５の１．３６で２倍近く値が異なっている。
　また、参加人日立化成工業株式会社の提出した平成２０年３月３１日付け上申書に添付された平成２０年３月２８日報告の実験成績証明書における追試１１において、水系分散体のｐＨが９．５の場合で、Ｃｕ／ＴａＮの研磨速度比が０．１２、Ｃｕ／Ｔｉの研磨速度比が０．７２、Ｃｕ／ＴｉＮの研磨速度比が０．２７、追試１２において、水系分散体のｐＨが３．０の場合で、Ｃｕ／ＴａＮの研磨速度比が０．４９、Ｃｕ／Ｔｉの研磨速度比が３６．３０、Ｃｕ／ＴｉＮの研磨速度比が４．０３と、バリアメタル膜の材質によって研磨速度比が大きく変化している。
　さらに、上記実験成績証明書の実験結果から、同じ材質のバリアメタル膜であっても、ｐＨが変われば研磨速度比が大きく変化していることが理解できる。
　以上の点から、銅膜、バリアメタルおよび絶縁膜である被加工膜を適度な速度で同程度に研磨するという効果を満たすためには、本件特許発明１において特定されている成分以外に、バリアメタル膜の材質如何によって、化学機械研磨用水系分散体に含まれる酸化剤の濃度や、該水系分散体のｐＨを調整する必要があることは十分窺える。
　一方、参加人日立化成工業株式会社の提出した平成１９年９月１０日付け実験成績証明書等提出書によれば、研磨装置のテーブル、ヘッドの回転数により、研磨速度比が２倍近く変化することが示され、また、被請求人ＪＳＲ株式会社の提出した乙第３号証の実験５では、Ｃｕ／絶縁膜の研磨速度比１．３６が本件特許発明１で特定された範囲の上限値１．５に近い事を参酌すれば、ある特定の組成の化学機械研磨用水系分散体が、研磨条件によって、大きく異なる事が十分窺える。
　してみると、本件特許発明１が、研磨対象であるバリアメタル膜の材質如何によって、あるいは、研磨条件によって、銅膜、バリアメタルおよび絶縁膜である被加工膜を適度な速度で同程度に研磨するという効果を満たさないことも十分あり得るものであるから、本件特許発明１によってでは、必ずしも銅膜、バリアメタルおよび絶縁膜である被加工膜を適度な速度で同程度に研磨するという効果を奏するものであるとすることはできない。
　したがって、被請求人の上記主張は採用することができない。
　
　
（７）本件特許発明２に対する特許法第２９条第２項について
ア　対比
　本件特許発明２と甲第５号証に記載された発明とを対比すると、両者は、（５）において前記したとおりの一致点、及び相違点を有し、さらに以下の点で相違している。
＜相違点３＞
　本件特許発明２は、化学機械研磨用水系分散体のｐＨを８〜１１と特定しているのに対して、甲第５号証に記載された発明では、スラリーのｐＨについて特定していない点。
イ　当審の判断
＜相違点１＞、及び＜相違点２＞について
　相違点１、及び相違点２についての当審の判断は、（６）で前記したとおりである。
＜相違点３＞について
　甲第５号証の摘記事項キには、「タングステン以外の金属の例えば銅を研磨するために化学的・機械的研磨用スラリーが使用される場合は、化学的・機械的研磨用スラリーのｐＨが５．０より高いことが望ましいことがある。」の記載があり、このことからすれば、配線材として銅を用いれば、機械的研磨用スラリーのｐＨを５より大きくすることが示唆されている。そして、一般に、スラリーのｐＨをどのくらいに設定するかは、目標とする研磨状態を得るために、適宜変更すべきものであり、また、当該ｐＨを８〜１１と特定することの臨界的意義も格別見当たらない。
　そうすると、甲第５号証に記載された発明において、そのスラリーをｐＨ８〜１１とすることは、当業者が容易になし得たものであると考えざるを得ない。
　
　
（８）本件特許発明３に対する特許法第２９条第２項について
ア　対比
　本件特許発明３と甲第５号証に記載された発明とを対比すると、両者は、（５）及び（７）において前記したとおりの一致点、及び相違点を有し、さらに以下の相違点を有している。
＜相違点４＞
　本件特許発明３は、マレイン酸イオンの対の陽イオンは、カリウムイオンであり、研磨速度調整成分はマレイン酸カリウム由来であると特定しているのに対して、甲第５号証に記載された発明では、研磨速度調整成分のマレイン酸の対の陽イオンについて、不明な点。
イ　当審の判断
＜相違点１＞、＜相違点２＞、及び＜相違点３＞について
　相違点１ないし相違点３についての当審の判断は、（６）及び（７）で前記したとおりである。
＜相違点４＞について
　甲第５号証の摘記事項クには、「本発明の化学的・機械的研磨用スラリーの中に、酸化物の研磨速度の選択性を高めるために、広範囲な通常の有機系酸、無機系酸の塩、及びそれらの混合物が含められることができ、」の記載があることから、マレイン酸を塩の形で用いることが示唆されている。そして、一般に、化学機械研磨用水系分散体に加える塩の元素としてカリウムを用いることは、甲第５号証の段落【００３２】に記載されている（段落【００３２】には、「有用な無機系塩には、・・・カリウム塩・・・が挙げられる。」の記載がある。）ように周知の事項であることからすれば、甲第５号証に記載された発明において、マレイン酸を塩の形で用い、かつ、その塩の陽イオンをカリウムイオンとすることは、当業者が容易になし得たものである。
　
　
（９）本件特許発明４に対する特許法第２９条第２項について
ア　対比
　本件特許発明４と甲第５号証に記載された発明とを対比すると、両者は、（５）、（７）及び（８）において前記したとおりの一致点、及び相違点を有し、さらに以下の相違点を有している。
＜相違点５＞
　研磨剤に関して、本件特許発明４は、ポリメチルメタクリレート系粒子の表面にシリカ粒子が付着してなる無機有機複合粒子としているのに対して、甲第５号証に記載された発明では、単に、シリカである点。
イ　当審の判断
＜相違点１＞、＜相違点２＞、＜相違点３＞、及び＜相違点４＞について
　相違点１ないし相違点４についての当審の判断は、（６）、（７）、及び（８）で前記したとおりである。
＜相違点５＞について
　研磨剤として、ポリメチルメタクリレート系粒子の表面にシリカ粒子が付着してなる無機有機複合粒子は、甲第２号証に記載されているように周知の事項であり（特許請求の範囲の請求項１、４、及び５を参照。）、この周知の無機有機複合粒子からなる研磨剤を甲第５号証に記載された発明に適用できないとする阻害要因は特段存在せず、また、上記周知の無機有機複合粒子からなる研磨剤を用いたことによる効果も予想を超える格別のものが存在しないことからすれば、甲第５号証に記載された発明において、研磨剤として、シリカに代えて、ポリメチルメタクリレート系粒子の表面にシリカ粒子が付着してなる無機有機複合粒子を用いることは、当業者が容易になし得たものである。
　
　
（１０）特許法第２９条第２項に関するまとめ
　以上のとおり、本件特許発明１ないし４は、甲第５号証に記載された発明に、甲第２号証に記載された周知の事項を採用することにより、当業者が容易になし得たものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　
２　無効理由３について
（１）甲第３号証（特願平１１−３７４４８７号（特開２００１−１８９２９６号公報））の記載事項
　甲第３号証には、次の事項が記載されている。
ア　請求項１
「基板上に形成された絶縁膜に凹部を形成する工程と、該絶縁膜上にバリア金属膜を形成する工程と、前記凹部を埋め込むように全面に配線用金属膜を形成する工程と、この基板表面を化学的機械的研磨法により研磨する工程を有する金属配線形成方法において、
前記研磨工程は、配線用金属膜が前記凹部以外の表面上に部分的に残るように研磨する第１の研磨工程と、バリア金属に対する配線用金属の研磨速度比が１以上３以下となる研磨用スラリーを用いて前記凹部以外の絶縁膜表面がほぼ完全に露出するまで研磨する第２の研磨工程を有することを特徴とする金属配線形成方法。」
イ　請求項７
「第２の研磨工程では、シリカ研磨材と下記一般式（２）又は（３）で示されるカルボン酸を含有する研磨用スラリーを用いて研磨を行う請求項１〜６のいずれか１項に記載の金属配線形成方法。
・・・」
ウ　請求項１９
「前記配線用金属膜が銅又は銅合金膜である請求項１〜１８のいずれか１項に記載の金属配線形成方法。」
エ　段落【００４５】〜【００４６】
「次に、第１及び第２の研磨方法の第２の研磨工程に好適な研磨用スラリーについて説明する。
　本発明の金属配線形成方法において、第２の研磨工程に用いる研磨用スラリーは、第１の研磨方法では研磨速度比（配線用金属／バリア金属）が１以上３以下、第２の研磨方法では１以下に制御できるものを用いる。また、第２の研磨工程に用いる研磨用スラリーは、第１及び第２の研磨方法のいずれにおいても、バリア金属に対する絶縁膜の研磨速度比が０．０１以上０．５以下に制御できるものであることが好ましい。」
オ　段落【００４８】〜【００４９】
「このような研磨用スラリーとしては２つのタイプがあり、まず、第１のスラリーについて説明する。
　第１のスラリーは、シリカ研磨材と、上記（２）式又は（３）式で示されるカルボン酸（以下『多価カルボン酸』という）と、水を含む。また、バリア金属膜上に形成された配線用金属膜の研磨を促進するためには、酸化剤を含有させることが好ましい。」
カ　段落【００５３】
「第１のスラリーに用いられる多価カルボン酸としては、１分子中に２以上のカルボキシル基を有するカルボン酸であり、例えば、シュウ酸、マロン酸、酒石酸、リンゴ酸、グルタル酸、クエン酸、及びマレイン酸、又はこれらの塩、或いはこれらの２種以上からなる混合物を用いることできる。」
キ　段落【００５４】
「上記多価カルボン酸の含有量は、タンタル系金属膜の研磨速度向上の点から、スラリー組成物全量に対して０．０１質量％以上が好ましく、０．０５質量％以上がより好ましい。研磨用スラリーのチクソトロピック性の発生を抑える点から、１質量％以下が好ましく、０．８質量％以下がより好ましい。」
ク　段落【００７８】
「研磨用スラリーのｐＨは、研磨速度や腐食、スラリー粘度、研磨剤の分散安定性等の点から、ｐＨ４以上が好ましく、ｐＨ５以上がより好ましく、またｐＨ９以下が好ましく、ｐＨ８以下がより好ましい。」
ケ　段落【００８０】〜【００８１】
「研磨用スラリーには、バリア金属膜上に形成される配線用金属膜の研磨を促進するために酸化剤を添加することが好ましい。但し、第２の研磨方法においては、第１の研磨工程で凹部以外のバリア金属膜上の配線用金属膜が完全に除去された場合、第２の研磨工程で用いる研磨用スラリーに酸化剤を含有させなくてもよい。
　酸化剤としては、導電性金属膜の種類や研磨精度、研磨能率を考慮して適宜、公知の水溶性の酸化剤から選択して用いることができる。例えば、重金属イオンのコンタミネーションを起こさないものとして、Ｈ２Ｏ２、Ｎａ２Ｏ２、Ｂａ２Ｏ２、（Ｃ６Ｈ５Ｃ）２Ｏ２等の過酸化物、次亜塩素酸（ＨＣｌＯ）、過塩素酸、硝酸、オゾン水、過酢酸やニトロベンゼン等の有機過酸化物を挙げることができる。なかでも、金属成分を含有せず、有害な複生成物を発生しない過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）が好ましい。・・・」
コ　段落【０１０７】
「（実施例１〜６：第２の研磨方法、アルカノールアミン含有スラリー）表１に示すように、住友化学工業社製θアルミナ（ＡＫＰ−Ｇ００８）を５質量％、関東化学社製クエン酸を１．５質量％、関東化学社製Ｈ２Ｏ２を２．５質量％、関東化学社製トリエタノールアミンを０．０１〜１０質量％含有し、ＫＯＨによりｐＨを５．５に調整した研磨用スラリー（アルカノールアミン含有スラリー）を調製し、・・・」
サ　上記摘記事項コの「ＫＯＨによりｐＨを５．５に調整した研磨用スラリー」という記載から、陽イオンは、カリウムイオンであるものと認められる。
　
　よって、上記摘記事項ア〜コ、および認定事項サから、甲第３号証には、
「研磨材、水、マレイン酸、及び酸化剤を含有するｐＨ５〜９の化学的機械的研磨法用スラリーであって、
　前記研磨材が、シリカであり、
　前記酸化剤が過酸化水素であり、
　かつ、前記マレイン酸の含有量が０．０１〜１質量％であり、
　基板上に形成された絶縁膜に凹部を形成する工程と、該絶縁膜上にバリア金属膜を形成する工程と、前記凹部を埋め込むように全面に銅からなる配線用金属膜を形成する工程と、この基板表面を化学的機械的研磨法により研磨する工程を有する金属配線形成方法に用いる化学的機械的研磨法用スラリー。」の発明（以下「甲第３号証に記載された発明」という。）が記載されていると認められる。
　
　
（２）本件特許発明１について
ア　対比
　本件特許発明１と甲第３号証に記載された発明とを対比すると、後者の「研磨材」、及び「基板上に形成された絶縁膜に凹部を形成する工程と、該絶縁膜上にバリア金属膜を形成する工程と、前記凹部を埋め込むように全面に銅からなる配線用金属膜を形成する工程と、この基板表面を化学的機械的研磨法により研磨する工程を有する金属配線形成方法」は、前者の「研磨剤」、及び「配線材が銅であるダマシン配線の形成工程」に相当し、後者の「化学的機械的研磨法用スラリー」は、前者の「化学機械研磨用水系分散体」に相当する。
　また、甲第３号証に記載された発明のマレイン酸を０．０１〜１質量％含有した化学的機械的研磨法用スラリーにおけるマレイン酸イオン濃度は、マレイン酸の式量が１１６．１ｇ／モルなので、スラリーの密度を１．０３ｋｇ／リットル（経験値）とすると、およそ０．０００８８７モル／リットル〜０．０８８７モル／リットルと計算されるから、本件特許発明で特定される範囲である０．００５〜１モル／リットルに一部含まれるものと認められる。
　したがって、本件特許発明１と甲第３号証に記載された発明とは、
「研磨剤、水、研磨速度調整成分、及び酸化剤を含有する化学機械研磨用水系分散体であって、
　前記研磨剤が、シリカであり、
　前記酸化剤が過酸化水素であり、
　かつ、前記研磨速度調整成分がマレイン酸イオンであり、該マレイン酸イオンの濃度が０．００５〜１モル／リットルであり、
　配線材が銅であるダマシン配線の形成工程を含む半導体装置の製造に用いる化学機械研磨用水系分散体。」である点で一致し、相違する点はない。
　なお、被請求人は、平成２０年１１月６日付けの上申書において、「甲第３号証に記載された第１のスラリーは、シリカ研磨材および多価カルボン酸を含有する研磨用スラリーを用いることによって、従来の研磨用スラリーを用いた場合よりも、バリア金属膜と配線用金属膜との間の研磨速度差を小さくし、こうすることで良好な埋め込み配線（ダマシン配線）を形成する、という技術的思想に基づいているところ、本件特許明細書に示されるように、『シリカ、マレイン酸および水を含むスラリー』を用いて研磨を行うと、マレイン酸を含まないスラリーを用いた場合と比べて、バリア金属膜と配線用金属膜との間の研磨速度差はむしろ大きくなってしまうのだから、甲第３号証において、第１のスラリーのうち、『シリカ研磨材と、マレイン酸と、水とを含有する、配線材が銅であるダマシン配線の形成工程用の研磨用スラリー』は、最高裁判決で言うような具体的・客観的なものとして構成された、完成された発明とは言えない。」（第２４頁第６行〜第１６行。）と主張している。
　しかしながら、本件特許発明１が甲第３号証に記載されていることは前記のとおりであることから、特段の発明特定事項を付加することなく、一方を完成された発明であるとし、他方を完成された発明でないとすることは、合理性がないと言わざるを得ない。
　したがって、上記被請求人の主張は採用することができない。
　以上のとおり、本件特許発明１は、甲第３号証に記載された発明と実質的に同一であり、しかも、本件特許発明１の発明者が上記甲第３号証に記載された発明の発明者と同一であるとも、また、本件特許の出願時に、その出願人が上記甲第３号証に記載された出願の出願人と同一であるとも認められないので、本件特許発明１は、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができないものである。
　
　
（３）本件特許発明２について
ア　対比
　本件特許発明２は、本件特許発明１の化学機械研磨用水系分散体であって、さらに水系分散体の「ｐＨが８〜１１である」と特定するものであるが、甲第３号証に記載された発明においても、ｐＨを５〜９とするものであるから、ｐＨにおいて重なっている。したがって、本件特許発明２は、甲第３号証に記載された発明と実質的に同一であり、しかも、本件特許発明２の発明者が上記甲第３号証に記載された発明の発明者と同一であるとも、また、本件特許の出願時に、その出願人が上記甲第３号証に記載された出願の出願人と同一であるとも認められないので、本件特許発明２は、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができないものである。
　
　
（４）本件特許発明３について
ア　対比
　本件特許発明３と甲第３号証に記載された発明とを対比すると、以下の点で一応相違し、その余の点で一致する。
　
＜相違点６＞　本件特許発明３は、「マレイン酸イオンの対の陽イオンは、カリウムイオンであり、研磨速度調整成分はマレイン酸カリウム由来である」のに対し、甲第３号証に記載された発明は、陽イオンの種類、研磨速度調整成分の由来について不明な点。
　
イ　当審の判断
　上記＜相違点６＞について検討する。
　甲第３号証には、化学的機械的研磨法用スラリーに含まれる多価カルボン酸として「マレイン酸、又はこれらの塩」（第５の２（１）の摘記事項カ）と記載されているが、カリウム塩と特定されてはいない。
　しかしながら、マレイン酸のカリウム塩が周知であること、前記第５の２（１）の認定事項サから、上記スラリーがカリウムイオンを含んでいることを鑑みれば、上記スラリーを調整する際にカリウムを用い、塩をマレイン酸カリウムとして、研磨速度調整成分であるマレイン酸イオンを、マレイン酸カリウム由来と特定することは、具体化手段における微差にすぎない。
　そして、当該微差により格別の効果を奏するものでもない。
　よって、本件特許発明３は、甲第３号証に記載された発明と実質的に同一であり、しかも、本件特許発明３の発明者が上記甲第３号証に記載された発明の発明者と同一であるとも、また、本件特許の出願時に、その出願人が上記甲第３号証に記載された出願の出願人と同一であるとも認められないので、本件特許発明３は、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができないものである。
　
　
（５）特許法第２９条の２に関するまとめ
　以上のとおり、本件特許発明１ないし３は、甲第３号証に記載された発明と実質的に同一であり、しかも、本件特許発明１ないし３の発明者が上記甲第３号証に記載された発明の発明者と同一であるとも、また、本件特許の出願時に、その出願人が上記甲第３号証に記載された出願の出願人と同一であるとも認められないので、本件特許発明１ないし３は、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができないものである。
　
　
３　無効理由５について
　無効理由５は、特許法第３６条第６項第１号違反と、同第４項違反を主張している。そして、特許法第３６条第６項第１号の規定と、第３６条第４項の規定とは別の規定であるので、両者を別々に検討する。
　
（１）特許法第３６条第６項第１号について
　特許法第３６条第６項第１号は、特許発明が発明の詳細な説明に記載したものであることを要件とするものである。
　本件特許発明１ないし４は、第３に記載されたとおりのものである。ここで、特許発明１は、「化学機械研磨用水系分散体」が（１）「シリカ、及び無機有機複合粒子のうち少なくとも１種である研磨剤」、（２）「水」、（３）「濃度が０．００５〜１モルリットルであるマレイン酸イオンからなる研磨速度調整成分」、（４）「過酸化水素からなる酸化剤」を含み、（５）「配線材が銅であるダマシン配線の形成工程を含む半導体装置の製造に用いる」ことを要件とするものである。
　ここで、本件特許明細書の発明の詳細な説明において、（１）研磨剤としてシリカ及び無機有機複合粒子のうちの少なくとも１種を用いることは、段落【００１１】、【００２８】〜【００３２】に記載され、（２）水を含むことは、段落【００２８】〜【００３２】に記載され、（３）研磨速度調整成分として濃度が０．００５〜１モルリットルであるマレイン酸イオンを用いることは、段落【００１８】〜【００２０】、【００３３】に記載され、（４）酸化剤としての過酸化水素を用いることは、段落【００２２】〜【００２３】、【００３３】に記載され、（５）配線材が銅であるダマシン配線の形成工程を含む半導体装置の製造に用いることは、段落【０００４】、【０００９】〜【００１０】に記載されている。
　すなわち、本件特許発明１が、本件特許明細書の発明の詳細な説明の段落【０００４】に記載されたとおりの「充分に平坦化された精度の高い仕上げ面が得られ、良好なダマシン配線を形成することができる、半導体装置の製造において有用な化学機械研磨用水系分散体を提供する」という発明の目的を達成するかどうか、あるいは、段落【００４７】に記載されたとおりの「被加工膜を適度な速度で同程度に研磨することができ」るという効果を明確に奏するかどうかはともかく、本件特許発明１は、発明の詳細な説明に記載されたものである。
　なお、参加人日立化成工業株式会社は、平成２０年１２月１５日付け審判事件弁駁書において、「本件の訂正された請求項１に係る発明は、銅膜、バリアメタル膜、ならびに絶縁膜の研磨速度比に関する規定が削除されており、銅膜、バリアメタル膜、ならびに絶縁膜との間の研磨速度の比が問題とはならないとしても、本件の訂正された請求項１に係る化学機械研磨用水系分散体の発明が、銅膜、バリアメタル膜、ならびに絶縁膜である被加工膜を適度な速度で同程度に研磨することにより、スクラッチやディッシングを生じさせることなく、配線材が銅であるダマシン配線の形成を行うことができるというものである以上（審判事件答弁書４頁３〜７行、本件明細書段落番号『００４７』）、本件発明の目的を達成するためには、単に研磨できるというだけでは足りず、銅膜、バリアメタル膜および絶縁膜に対して、ほぼ同様な研磨速度を有していることが必要であることに変わりはない。」（第１０頁下から３行目〜第１１頁第７行。）と主張している。
　しかしながら、本件特許発明１は、第５の１の（６）のイ、＜相違点２＞について、で言及したように、本件特許発明１によってでは、必ずしも銅膜、バリアメタル膜、及び絶縁膜である被加工膜を適度な速度で同程度に研磨するという効果を奏するものではないことから、本件特許発明１を、銅膜、バリアメタル膜、及び絶縁膜に対して、ほぼ同様な研磨速度を有することが必要であるとすることはできない。
　したがって、参加人の上記主張は採用できない。
　特許発明２は、特許発明１に加え、（６）化学機械研磨用水系分散体の「ｐＨが８〜１１」と特定するものであるが、本件特許明細書の発明の詳細な説明において、（６）水系分散体のｐＨを８〜１１とすることは、段落【００２５】、【００３３】、【００３９】の表１に記載されている。
　したがって、本件特許発明２は、発明の詳細な説明に記載されたものである。
　特許発明３は、特許発明１又は２に加え、（７）マレイン酸イオンの「対の陽イオンは、カリウムイオンであり、研磨速度調整成分はマレイン酸カリウム由来である」と特定するものであるが、本件特許明細書の発明の詳細な説明において、（７）マレイン酸イオンの対の陽イオンをカリウムイオンとすることは、段落【００３３】、【００３９】の表１に記載されている。
　したがって、本件特許発明３は、発明の詳細な説明に記載されたものである。
　特許発明４は、特許発明１又は２又は３に加え、（８）無機有機複合粒子が「ポリメチルメタクリレート系粒子の表面にシリカ粒子が付着してなる」ものであると特定するものであるが、本件特許明細書において、（８）無機有機複合粒子をポリメチルメタクリレート系粒子の表面にシリカ粒子が付着してなるものとすることは、段落【００３０】〜【００３２】、【００３９】の表１に記載されている。
　したがって、本件特許発明４は、発明の詳細な説明に記載されたものである。
　
　
（２）特許法第３６条第４項について
　特許法第３６条第４項は、いわゆる実施可能要件である。
　前記第５の３（１）に記載したように、本件特許発明１は、配線材が銅であるダマシン配線の形成工程を含む半導体装置の製造に用いる化学機械研磨用水系分散体である。
　ここで、本件特許発明１が、本件特許明細書の発明の詳細な説明の段落【０００４】に記載されたとおりの「充分に平坦化された精度の高い仕上げ面が得られ、良好なダマシン配線を形成することができる、半導体装置の製造において有用な化学機械研磨用水系分散体を提供する」という発明の目的を達成するかどうか、あるいは、段落【００４７】に記載されたとおりの「被加工膜を適度な速度で同程度に研磨することができ」るという効果を奏するかどうかはともかく、本件特許発明１に記載されたとおりの化学機械研磨用水系分散体を得ることは明らかに可能である。
　また、本件特許発明２ないし４についても、同様に、本件特許発明２ないし４に記載されたとおりの化学機械研磨用水系分散体を得ることが可能なことも明らかである。
　したがって、本件特許明細書は、当業者が、本件特許発明１ないし４の実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されたものである。
　
　
（３）まとめ
　以上のとおりであるから、特許法第３６条第６項第１号違反、及び同第４項違反を理由として本件特許を無効とする無効理由５は成り立たない。
　
　
第６　むすび
　以上のとおりであるから、本件特許発明１ないし４は、甲第５号証に記載された発明、及び甲第２号証に記載された周知の事項から当業者が容易になし得た発明であり、
　本件特許発明１ないし３は、甲第３号証に記載された発明と実質的に同一であり、しかも、本件特許発明１ないし３の発明者が上記甲第３号証に記載された発明の発明者と同一であるとも、また、本件特許の出願時に、その出願人が上記甲第３号証に記載された発明の出願人と同一であるとも認められないので、本件特許発明１ないし３は、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができないものである。
　
　審判に関する費用については、特許法第１６９条第２項の規定で準用する民事訴訟法第６１条の規定により、被請求人が負担すべきものとする。
　よって、結論のとおり審決する。