【手続補正書】
【提出日】平成26年11月17日(2014.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極に接するゲート絶縁膜を形成する工程と、
Ｉｎ（ａ）Ｇａ（ｂ）Ｚｎ（ｃ）Ｏ（ｄ）（ａ≧０，ｂ≧０，ｃ≧０，ａ＋ｂ＋ｃ＝１，ｄ＞０）で表され、ｂ≦１／３、かつ、ｂ≧−１０ａ／７＋１  を満たす第１の領域、及び、Ｉｎ（ｅ）Ｇａ（ｆ）Ｚｎ（ｇ）Ｏ（ｈ）（ｅ≧０，ｆ≧０，ｇ≧０，ｅ＋ｆ＞０，ｈ＞０）で表され、前記ゲート電極に対して前記第１の領域よりも遠くに位置する第２の領域を有し、前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極に対向配置されている酸化物半導体層を液相法によって形成する工程と、
互いに離間して配置されており、前記酸化物半導体層を介して導通可能なソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、
を含む薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項２】
前記酸化物半導体層を形成する工程において、金属アルコキシド、βジケトン錯体、及び硝酸塩から選ばれる少なくとも一種と溶媒とを含む原料溶液を用いて前記酸化物半導体層を形成する請求項１に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項３】
前記酸化物半導体層を形成する工程において、金属アルコキシド及びβジケトン錯体から選ばれる少なくとも一種と溶媒とを含む原料溶液を用いて前記酸化物半導体層を形成する請求項１に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項４】
前記酸化物半導体層を形成する工程において、金属アルコキシドと溶媒とを含む原料溶液を用いて前記酸化物半導体層を形成する請求項１に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項５】
前記原料溶液が、前記溶媒としてアミノエタノール類を含む請求項４に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項６】
前記酸化物半導体層を形成する工程において、βジケトン錯体と溶媒とを含む原料溶液を用いて前記酸化物半導体層を形成する請求項１に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項７】
前記原料溶液が、前記溶媒としてβジケトンを含む前記酸化物半導体層を形成する請求項６に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項８】
前記第１の領域が、さらに下記式を満たす組成範囲内にある請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
ｂ≦ａ／２−１／１０、かつ、
ｂ≧−３ａ／２＋１１／１０
【請求項９】
前記第１の領域が、さらに下記式を満たす組成範囲内にある請求項８に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
ｂ≧１／２０、かつ、
ｃ≧１／２０
【請求項１０】
前記第２の領域が、ｆ／（ｅ＋ｆ）＞０．２５０を満たす組成を有する請求項１〜請求項９のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１１】
前記酸化物半導体の前記第２の領域は、ｆ／（ｅ＋ｆ）＜０．８７５を満たす組成を有する請求項１〜請求項１０のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１２】
前記第２の領域の膜厚は、１０ｎｍ超、７０ｎｍ未満である請求項１〜請求項１１のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１３】
前記酸化物半導体層は非晶質である請求項１〜請求項１２のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１４】
前記酸化物半導体層を形成する工程において、金属アルコキシド及びβジケトン錯体から選ばれる少なくとも一種の金属有機化合物を含む酸化物前駆体膜を形成し、前記酸化物前駆体膜を前記金属有機化合物の熱分解温度以上の温度で熱処理する工程を含む請求項１〜請求項１３のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１５】
前記熱処理工程は４００℃以上である請求項１４に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１６】
請求項１〜請求項１５のいずれか１項に記載の製造方法を用いて製造された薄膜トランジスタ。
【請求項１７】
請求項１６に記載の薄膜トランジスタを備えた表示装置。
【請求項１８】
請求項１６に記載の薄膜トランジスタを備えたイメージセンサー。
【請求項１９】
請求項１６に記載の薄膜トランジスタを備えたＸ線センサー。
【請求項２０】
請求項１９に記載のＸ線センサーを備えたＸ線デジタル撮影装置。
【請求項２１】
動画撮影が可能である請求項２０に記載のＸ線デジタル撮影装置。  
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記目的を達成するため、以下の発明が提供される。
＜１＞  ゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極に接するゲート絶縁膜を形成する工程と、
Ｉｎ（ａ）Ｇａ（ｂ）Ｚｎ（ｃ）Ｏ（ｄ）（ａ≧０，ｂ≧０，ｃ≧０，ａ＋ｂ＋ｃ＝１，ｄ＞０）で表され、ｂ≦１／３、かつ、ｂ≧−１０ａ／７＋１  を満たす第１の領域、及び、Ｉｎ（ｅ）Ｇａ（ｆ）Ｚｎ（ｇ）Ｏ（ｈ）（ｅ≧０，ｆ≧０，ｇ≧０，ｅ＋ｆ＞０，ｈ＞０）で表され、前記ゲート電極に対して前記第１の領域よりも遠くに位置する第２の領域を有し、前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極に対向配置されている酸化物半導体層を液相法によって形成する工程と、
互いに離間して配置されており、前記酸化物半導体層を介して導通可能なソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、
を含む薄膜トランジスタの製造方法。
＜２＞  前記酸化物半導体層を形成する工程において、金属アルコキシド、βジケトン錯体、及び硝酸塩から選ばれる少なくとも一種と溶媒とを含む原料溶液を用いて前記酸化物半導体層を形成する＜１＞に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
＜３＞  前記酸化物半導体層を形成する工程において、金属アルコキシド及びβジケトン錯体から選ばれる少なくとも一種と溶媒とを含む原料溶液を用いて前記酸化物半導体層を形成する＜１＞に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
＜４＞  前記酸化物半導体層を形成する工程において、金属アルコキシドと溶媒とを含む原料溶液を用いて前記酸化物半導体層を形成する＜１＞に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
＜５＞  前記原料溶液が、前記溶媒としてアミノエタノール類を含む＜４＞に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
＜６＞  前記酸化物半導体層を形成する工程において、βジケトン錯体と溶媒とを含む原料溶液を用いて前記酸化物半導体層を形成する＜１＞に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
＜７＞  前記原料溶液が、前記溶媒としてβジケトンを含む前記酸化物半導体層を形成する＜６＞に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
＜８＞  前記第１の領域が、さらに下記式を満たす組成範囲内にある＜１＞〜＜７＞のいずれかに記載の薄膜トランジスタの製造方法。
ｂ≦ａ／２−１／１０、かつ、
ｂ≧−３ａ／２＋１１／１０
＜９＞  前記第１の領域が、さらに下記式を満たす組成範囲内にある＜８＞に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
ｂ≧１／２０、かつ、
ｃ≧１／２０
＜１０＞  前記第２の領域が、ｆ／（ｅ＋ｆ）＞０．２５０を満たす組成を有する＜１＞〜＜９＞のいずれかに記載の薄膜トランジスタの製造方法。
＜１１＞  前記酸化物半導体の前記第２の領域は、ｆ／（ｅ＋ｆ）＜０．８７５を満たす組成を有する＜１＞〜＜１０＞のいずれかに記載の薄膜トランジスタの製造方法。
＜１２＞  前記第２の領域の膜厚は、１０ｎｍ超、７０ｎｍ未満である＜１＞〜＜１１＞のいずれかに記載の薄膜トランジスタの製造方法。
＜１３＞  前記酸化物半導体層は非晶質である＜１＞〜＜１２＞のいずれかに記載の薄膜トランジスタの製造方法。
＜１４＞  前記酸化物半導体層を形成する工程において、金属アルコキシド及びβジケトン錯体から選ばれる少なくとも一種の金属有機化合物を含む酸化物前駆体膜を形成し、前記酸化物前駆体膜を前記金属有機化合物の熱分解温度以上の温度で熱処理する工程を含む＜１＞〜＜１３＞のいずれかに記載の薄膜トランジスタの製造方法。
＜１５＞  前記熱処理工程は４００℃以上である＜１４＞に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
＜１６＞  ＜１＞〜＜１５＞のいずれかに記載の製造方法を用いて製造された薄膜トランジスタ。
＜１７＞  ＜１６＞に記載の薄膜トランジスタを備えた表示装置。
＜１８＞  ＜１６＞に記載の薄膜トランジスタを備えたイメージセンサー。
＜１９＞  ＜１６＞に記載の薄膜トランジスタを備えたＸ線センサー。
＜２０＞  ＜１９＞に記載のＸ線センサーを備えたＸ線デジタル撮影装置。
＜２１＞  動画撮影が可能である＜２０＞に記載のＸ線デジタル撮影装置。