【事件の表示】
　特願２００２−３５８６１７「ＭＩＬＣを利用した多重ゲート薄膜トランジスタ及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　７月１８日出願公開、特開２００３−２０３９２８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１４年１２月１０日（パリ条約による優先権主張２００１年１２月１９日、韓国）の出願であって、平成１８年３月１５日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年６月２６日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日付け、及び、同年７月１２日付けで手続補正がなされ、その後、当審において、平成２０年７月４日付けで審尋がなされ、同年１０月７日に回答書が提出されたものである。
　
第２の１　平成１８年６月２６日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１８年６月２６日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲を補正するものであり、補正前の請求項１ないし１９（平成１６年１１月２４日付けの手続補正）を、補正後の請求項１ないし１８と補正しているが、そのうち、補正後の請求項１についての補正は、以下のとおりである。
補正事項ａ
　補正前の請求項１を、補正後の請求項１の
「【請求項１】
　絶縁基板上に複数の矩形形状の半導体領域が非直線的に相互連結された構造を有する半導体層と；前記半導体層と交差するように形成されたゲート電極とを含み；前記半導体層は、前記ゲート電極と交差しない部分にＭＩＬＣ面を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。」と補正したこと。
　
２　本件補正についての検討
２−１　補正事項の整理
　補正事項ａについての補正は、補正前の請求項１の「複数の矩形形状の半導体領域が相互連結された構造」を、補正後の請求項１の「複数の矩形形状の半導体領域が非直線的に相互連結された構造」と補正したものである。
　
２−２　補正の目的の適否及び新規事項の追加の有無についての検討
　補正事項ａについての補正は、補正前の請求項１の「複数の矩形形状の半導体領域が」と「相互連結された構造」の間に、「非直線的に」を加えて、請求項１を限定的に減縮しようという補正であり、特許請求の範囲の減縮を目的とする補正に該当する。
　しかし、補正後の請求項１の「複数の矩形形状の半導体領域が非直線的に相互連結された構造」における「非直線的に相互連結された構造」には、「直線的に相互連結された構造」を除くすべての「相互連結された構造」が含まれる。
　そして、補正後の請求項１の「複数の矩形形状の半導体領域が非直線的に相互連結された構造」が、本願の明細書の発明の詳細な説明の、例えば、【００２０】段落に記載の、「“コ”字型構造」、「“Ｅ”字」「の構造」、「“己”字の構造」、「及びこれらの組み合わせでなされて複数のボディー部」「を備える場合」の上位概念化に対応するものであるとしても、「“コ”字型構造」、「“Ｅ”字」「の構造」、「“己”字の構造」、「及びこれらの組み合わせでなされて複数のボディー部」「を備える場合」以外の構造、例えば、「“Ｌ”字型に相互連結された構造」なども含まれることになる。
　よって、補正後の請求項１の「複数の矩形形状の半導体領域が非直線的に相互連結された構造」は、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載されているものとは認められず、また、自明な事項でもないので、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入するものである。
　したがって、補正事項ａについての補正は、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものではない。
　
２−３　補正の目的の適否及び新規事項の追加の有無についてのむすび
　以上のとおり、上記補正事項ａについての補正を含む本件補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。
　
３　本件補正の独立特許要件についての検討
　次に、補正事項ａについての補正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるから、仮に、本件補正が、平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものとして、本件補正の独立特許要件についての検討をする。
　
３−１　本願の補正後の請求項に係る発明について
　本願の補正後の請求項１ないし１８に係る発明のうち、本願の補正後の請求項１に係る発明は、「第２の１　１」に掲げた補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、次のとおりのものである。
「【請求項１】
　絶縁基板上に複数の矩形形状の半導体領域が非直線的に相互連結された構造を有する半導体層と；前記半導体層と交差するように形成されたゲート電極とを含み；前記半導体層は、前記ゲート電極と交差しない部分にＭＩＬＣ面を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。」
　
３−２　特許法第３６条第６項第２号について
　補正後の請求項１には、「複数の矩形形状の半導体領域が非直線的に相互連結された構造」が記載されているが、この「非直線的に相互連結された構造」に関しては、本願の明細書の発明の詳細な説明の、例えば、【００２０】段落に、「“コ”字型構造」、「“Ｅ”字」「の構造」、「“己”字の構造」、「及びこれらの組み合わせでなされて複数のボディー部」「を備える場合」の記載があるだけであり、この「非直線的に相互連結された構造」が、「“コ”字型構造」、「“Ｅ”字」「の構造」、「“己”字の構造」、「及びこれらの組み合わせでなされて複数のボディー部」「を備える場合」以外に、具体的にどのような形状を含むのか、その範囲を特定することができず、明確ではない。
　したがって、補正後の請求項１は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
　
３−３　特許法第２９条第２項について
３−３−１　引用刊行物に記載された発明
刊行物１．特開平７−１５３６８９号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物１（特開平７−１５３６８９号公報）には、図１、図２とともに、「半導体およびその作製方法」（発明の名称）に関して、以下の事項が記載されている。
ア　「【００３９】上記構成の具体的な例を図１に示す。図１（Ａ）には、島状に形成された非晶質珪素半導体膜１３の端部１６（島状領域の側面）に結晶化を助長する金属元素であるニッケルを含んだ膜（珪化ニッケル膜）１５が形成された状態が示されている。そして（Ｂ）には、加熱処理により１６の領域にニッケルシリサイド層を形成し、さらに珪化ニッケル膜を取り除き、さらに加熱処理を施すことにより、１６の領域より基板１１に並行な方向に矢印１７で示されるような結晶成長が行われる様子が示されている。そして（Ｃ）の工程において、１８に示されるニッケルシリサイドが形成された部分、即ち結晶成長開始部分を除去する様子が示されている。
【００４０】図１に示す例においては、結晶成長開始部分１８を取り除く構成が示されているが、１０で示されるような結晶成長終期部分（１８からの結晶成長は１０の部分でぶつかり、そこで結晶成長は停止する）を取り除くことはさらに有効である。これは、結晶成長開始部分１８と結晶成長終期部分１０には、高濃度でニッケル元素が含まれているからである。またこのような構成を採用することによって、ニッケルの濃度の少ない領域を活性層とした半導体装置を得ることができる。」
イ　「【００４２】本明細書開示する他の発明の構成は、結晶性珪素膜よりなる活性層を有し、前記活性層はその側面より結晶成長が行われており、前記結晶成長の結晶成長開始部分および／または結晶成長終期部分は除去されていることを特徴とする。」
ウ　「【００５３】
【実施例】
〔実施例１〕本実施例は、ガラス基板上に形成された結晶性珪素膜を用いたＰチャネル型ＴＦＴ（ＰＴＦＴという）とＮチャネル型ＴＦＴ（ＮＴＦＴという）とを相補型に組み合わせた回路を形成する例である。本実施例の構成は、アクティブ型の液晶表示装置の画素電極のスイッチング素子や周辺ドライバー回路、さらにはイメージセンサや集積回路に利用することができる。また本実施例で示す基本的な構成は、絶縁ゲイト型電界効果半導体装置に限らず、バイポーラトランジスタやダイオードに利用することができる。また、これらの半導体装置と抵抗やキャパシタとを集積化した回路に応用することもできる。
【００５４】図１及び図２に本実施例の作製工程の断面図を示す。まず、基板（コーニング７０５９）１１上にスパッタリング法によって厚さ２０００Åの酸化珪素の下地膜１２を形成する。つぎにプラズマＣＶＤ法により公知の非晶質珪素膜１３を１０００Å（５００〜１５００Å）の厚さに形成する。つぎに酸化珪素膜１４を１０００Å（２００〜２０００Å）の厚さにスパッタリング法によって形成する。ここでパターニングを行ない、非晶質珪素膜１３と酸化珪素膜１４とが積層され、島状にパターニングされた形状を形成する。（図１（Ａ））
【００５５】上記工程の後、スパッタリング法によって、厚さ５〜２００Å、例えば１００Åの珪化ニッケル膜（化学式ＮｉＳｉx 、０．４≦ｘ≦２．５、例えば、ｘ＝２．０）１５を形成する。この珪化ニッケル膜は、非晶質珪素膜の側面に成膜されることが重要である。またその成膜方法も、蒸着法、ＣＶＤ法、プラズマ処理による方法を採用することができる。こうして、図１（Ａ）の形状を得る。また、結晶化を助長する金属として、ニッケル以外のものを用いる場合には、それらの材料を用いたスパッタリング法や蒸着法、さらにはプラズマ処理やＣＶＤ法を用いて薄膜１５を形成すればよい。
【００５６】次に加熱処理を行ない、１６の領域にニッケルシリサイドの領域を形成する。この加熱処理は、４５０度、１時間の条件で行った。この加熱処理は、３００〜６００度で行えばよい。そして、珪化ニッケル膜１５を除去する。これを水素還元雰囲気下（好ましくは、水素の分圧が０．１〜１気圧），５５０℃、または不活性雰囲気化（大気圧），５５０℃、で４時間アニールして結晶化させる。この際、基板１１に対して平行な方向に１７で示されるような結晶成長が行われる。（図１（Ｂ））
【００５７】また、上記工程において、ニッケルシリサイドを形成することなしに、５５０度、４時間の熱アニールを行ない、直接非晶質珪素膜１３の側面（１６で示される部分）から結晶成長を行わせ、しかる後に珪化ニッケル膜１５を取り除いてもよい。このような工程を採用した場合、ニッケルシリサイド１６を形成するのと同時に結晶化を行わすことになる。ただしこの場合、熱アニールの際にニッケルが拡散するという懸念がある。
【００５８】上記のような工程の結果、非晶質珪素膜を結晶化させて、結晶性珪素膜（図１（Ｃ）の１３で示される）を得ることができる。その後、等方性のエッチングを行ない、結晶化された珪素膜１３の側面１８をサイドエッチングする。これは、この部分はニッケルシリサイドとなっており、ニッケルの濃度が高い（濃度でいえば、１０21／ｃｍ3 以上）からである。このように、ニッケルシリサイドとなっている領域を除去することは、ＴＦＴ等のデバイスを形成する際には非常に重要である。例えば、この工程の後にソース／ドレイン領域形成のためのイオン注入工程や、ソース／ドレイン領域の活性化の工程等があるが、この工程で珪素膜１３に熱が不可避に加わるので、珪素膜中のニッケル濃度が高い領域からニッケルがさらに拡散することが考えられる。特にニッケルシリサイドが形成されている場合は、この部分からかなりのニッケルが拡散するものと考えられ、このことはＴＦＴの動作に影響を与えるものと考えられる。従って、上記のようにニッケルシリサイド部分を結晶化の後に取り除くことは有用である。
【００５９】つぎに、酸化珪素膜１４を取り除き、図１（Ｄ）の形状を得る。この状態で結晶化された珪素膜１３の中央部には、両側から結晶成長した先端部が重なり合う部分が存在する。この部分には、ニッケルが高濃度で存在しているので、この部分をＴＦＴのチャネル形成領域に利用することは好ましくない。
【００６０】つぎに、図２（Ａ）に示すように、スパッタリング法によって厚さ１０００Åの酸化珪素膜２０１をゲイト絶縁膜として成膜する。スパッタリングには、ターゲットとして酸化珪素を用い、スパッタリング時の基板温度は２００〜４００℃、例えば３５０℃、スパッタリング雰囲気は酸素とアルゴンで、アルゴン／酸素＝０〜０．５、例えば０．１以下とする。
【００６１】次に、スパッタリング法によって、厚さ６０００〜８０００Å、例えば６０００Åのアルミニウム（０．１〜２％のシリコンを含む）を成膜する。そして、アルミニウム膜をパターニングして、ゲイト電極１９、２１を形成する。さらに、このアルミニウムの電極の表面を陽極酸化して、表面に酸化物層２０、２２を形成する。この陽極酸化は、酒石酸が１〜５％含まれたエチレングリコール溶液中で行う。得られた酸化物層２０、２２の厚さは２０００Åである。なお、この酸化物層２０と２２とは、後のイオンドーピング工程において、オフセットゲイト領域を形成する厚さとなるので、オフセットゲイト領域の長さを上記陽極酸化工程で決めることができる。
【００６２】次に、イオン注入によって、活性層領域（ソース／ドレイン、チャネルを構成する）に一導電型を付与する不純物を添加する。このドーピング工程において、ゲイト電極１９とその周囲の酸化層２０、ゲイト電極２１とその周囲の酸化層２２をマスクとして不純物（燐およびホウ素）を注入する。ドーピングガスとして、フォスフィン（ＰＨ3 ）およびジボラン（Ｂ2 Ｈ6 ）を用い、前者の場合は、加速電圧を６０〜９０ｋＶ、例えば８０ｋＶ、後者の場合は、４０〜８０ｋＶ、例えば６５ｋＶとする。ドース量は１×１０15〜８×１０15ｃｍ-2、例えば、燐を２×１０15ｃｍ-2、ホウ素を５×１０15ｃｍ-2とする。ドーピングに際しては、一方の領域をフォトレジストで覆うことによって、それぞれの元素を選択的にドーピングする。この結果、Ｎ型の不純物領域２６と２８、Ｐ型の不純物領域２３と２５が形成され、Ｐチャネル型ＴＦＴ（ＰＴＦＴ）の領域とＮチャネル型ＴＦＴ（ＮＴＦＴ）との領域を形成することができる。」
エ　「【図面の簡単な説明】
【図１】  実施例の作製工程を示す。
【図２】  実施例の作製工程を示す。
【図３】  実施例の作製工程を示す。
【図４】  珪素膜中のニッケル濃度を示す。
【符号の説明】
１１・・・・ガラス基板
１２・・・・下地膜（酸化珪素膜）
１３・・・・珪素膜
１４・・・・酸化珪素膜
１５・・・・珪化ニッケル膜
１６・・・・ニッケルシリサイド
１７・・・・結晶化方向
１８・・・・サイドエッチング部分
１９・・・・ゲイト電極
２０・・・・酸化物層
２０１・・・ゲイト絶縁膜
２１・・・・ゲイト電極
２２・・・・酸化物層
２３・・・・ソース／ドレイン領域
２４・・・・チャネル形成領域
２５・・・・ドレイン／ソース領域
２６・・・・ドレインソース領域
２７・・・・チャネル形成領域
２８・・・・ソース／ドレイン領域
２９・・・・層間絶縁物
３０・・・・ソース／ドレイン電極
３１・・・・ドレインソース電極
３２・・・・ソース／ドレイン電極
３０・・・・ゲイト電極
３０１・・・ゲイト絶縁膜
３３・・・・ソース／ドレイン領域
３４・・・・チャネル形成領域
３５・・・・ドレイン／ドレイン領域
３６・・・・層間絶縁物
３７・・・・ＩＴＯ電極（画素電極）
３８・・・・ソース／ドレイン電極
３９・・・・ドレイン／ソース電極」
オ　【００５９】段落の「酸化珪素膜１４を取り除き、図１（Ｄ）の形状を得る。この状態で結晶化された珪素膜１３の中央部には、両側から結晶成長した先端部が重なり合う部分が存在する。」という記載における、「両側から結晶成長した先端部が重なり合う部分」は、【００４０】段落に記載の「結晶成長終期部分１０」のことである。
　そして、【００５９】段落の「この部分には、ニッケルが高濃度で存在しているので、この部分をＴＦＴのチャネル形成領域に利用することは好ましくない。」という記載から、「結晶成長終期部分１０」は、「ＴＦＴのチャネル形成領域に利用することは好ましくな」く、図１（Ｂ）と図２（Ａ）とを参照すると、「結晶成長終期部分１０」は、相補型ＴＦＴのＰチャネル型ＴＦＴとＮチャネル型ＴＦＴとが接する部分の近傍にあることが示唆されており、また、Ｐチャネル型ＴＦＴのチャネル形成領域２４とＮチャネル型ＴＦＴのチャネル形成領域２７には、「結晶成長終期部分１０」が存在しないことも、示唆されている。
　すなわち、【００５９】段落と【００４０】段落の記載から、「結晶成長終期部分１０」は、Ｐチャネル型ＴＦＴのチャネル形成領域２４とＮチャネル型ＴＦＴのチャネル形成領域２７以外の部分に形成されていることが、示されている。
　
　以上の記載から、刊行物１には、以下の発明が記載されている。
「Ｐチャネル型ＴＦＴとＮチャネル型ＴＦＴからなる相補型ＴＦＴであり、ガラス基板上に形成された結晶性珪素膜と、前記結晶性珪素膜上に形成された前記Ｐチャネル型ＴＦＴ用のゲイト電極と、前記結晶性珪素膜上に形成された前記Ｎチャネル型ＴＦＴ用のゲイト電極とを含み、前記結晶性珪素膜は前記Ｐチャネル型ＴＦＴと前記Ｎチャネル型ＴＦＴのそれぞれのチャネル形成領域以外の部分に形成された結晶成長終期部分を有することを特徴とする相補型ＴＦＴ。」
　
刊行物２．特開平６−２２４４３４号公報
　本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物２（特開平６−２２４４３４号公報）には、図１、図２とともに、「薄膜トランジスタ及びその製造方法」（発明の名称）に関して、以下の事項が記載されている。
ア　「【００３１】
【実施例】本発明の一実施例について図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の一実施例に係る薄膜トランジスタの平面説明図であり、図２は、図１のＡ−Ａ′部分の断面説明図である。尚、図１４と同様の構成をとる部分については同一の符号を付して説明する。本実施例の薄膜トランジスタは、図１に示すように、ガラス等の絶縁性基板１上に、コの字状にパターニングされた多結晶シリコン（poly-Si）から成る半導体活性層２と、酸化シリコン（ＳｉＯ2）から成るゲート絶縁層３とが順次積層され、図１のpoly-Siのコの字の上辺と底辺を横切るようにタンタル（Ｔａ）から成るゲート電極４が形成され、更に層間絶縁層５を介して図１中のゲート電極４の左側にソース電極６とドレイン電極７が形成される構造となっている。
【００３２】また、半導体活性層２の内で、ゲート電極４の真下となる部分が不純物を含まないチャネル領域２ｃ，２ｃ′で、ソース電極６及びドレイン電極７が接続する部分がソース領域２ａ及びドレイン領域２ｂで、チャネル領域２ｃ，２ｃ′とソース領域２ａ及びドレイン領域２ｂとの間の部分が不純物濃度の低いオフセット領域２ｄ，２ｅで、従ってゲートオフセット構造のデュアルゲート薄膜トランジスタとなっている。
【００３３】次に、本実施例の薄膜トランジスタの各部について図１及び図２を使って具体的に説明する。本実施例の薄膜トランジスタの特徴部分は、コの字状に形成された半導体活性層２の終端の両端部にソース領域２ａとドレイン領域２ｂが形成され、ソース領域２ａとドレイン領域２ｂがゲート電極４に対して同じ側（図１では左側）に設けられ、同様にオフセット領域２ｄ，２ｅがゲート電極４に対して同じ側（図１では左側）に設けられている点である。
【００３４】コの字状の半導体活性層２は、上辺部１２と、底辺部１３と、それらをつなぐ架橋部１１とで構成されている。そして、半導体活性層２の内、上辺部１２は、左からソース領域２ａ、オフセット領域２ｄ、チャネル領域２ｃ、ゲート電極４の右側の低抵抗領域２ｆから構成されており、上辺部１２だけで一つのＴＦＴとして作用するものである。
【００３５】また、底辺部１３は、ドレイン領域２ｂ、オフセット領域２ｅ、チャネル領域２ｃ′、低抵抗領域２ｇから構成されており、上辺部１２と同様に一つのＴＦＴとして作用するものである。従って、本実施例の薄膜トランジスタは、上辺部１２と底辺部１３に形成された２個の薄膜トランジスタを架橋部１１で接続した構成と等価となっている。
【００３６】架橋部１１は、不純物イオンが高濃度で注入されたpoly-Siから成る低抵抗の領域であり、上辺部１２の低抵抗領域２ｆと底辺部１３の低抵抗領域２ｇとを接続するもので、低抵抗領域２ｆ，２ｇと同じ工程で一体的にパターニングされ、一体的にイオン注入されて形成されるものである。」
　
３−３−２　対比
　本願の補正後の請求項１に係る発明（以下、「本願補正後発明１」という。）と刊行物１に記載された発明（以下、「刊行物１発明」という。）とを対比する。
（ａ）刊行物１発明の「ガラス基板」、「結晶性珪素膜」は、それぞれ、本願補正後発明１の「絶縁基板」、「半導体層」に相当するので、刊行物１発明の「ガラス基板上に形成された結晶性珪素膜」は、本願補正後発明１の「絶縁基板上」の「半導体層」に相当する。
（ｂ）刊行物１発明の「前記Ｐチャネル型ＴＦＴ用のゲイト電極」と「前記Ｎチャネル型ＴＦＴ用のゲイト電極」は、いずれも、本願補正後発明１の「ゲート電極」に相当し、一般に、「ゲイト電極」は、「結晶性珪素膜」と交差するものであるから、刊行物１発明の「前記結晶性珪素膜上に形成された前記Ｐチャネル型ＴＦＴ用のゲイト電極」と「前記結晶性珪素膜上に形成された前記Ｎチャネル型ＴＦＴ用のゲイト電極」は、いずれも、本願補正後発明１の「前記半導体層と交差するように形成されたゲート電極」に相当する。
（ｃ）刊行物１発明の「結晶成長終期部分」は、本願補正後発明１の「ＭＩＬＣ面」に相当し、また、刊行物１の図２にも示されているとおり、一般に、ＴＦＴの「チャネル形成領域」は、「ゲイト電極」と重なる領域であることは明らかであるから、刊行物１発明の「前記結晶性珪素膜は前記Ｐチャネル型ＴＦＴと前記Ｎチャネル型ＴＦＴのそれぞれのチャネル形成領域以外の部分に形成された結晶成長終期部分を有する」ことは、本願補正後発明１の「前記半導体層は、前記ゲート電極と交差しない部分にＭＩＬＣ面を有する」ことに相当する。
（ｄ）刊行物１発明の「相補型ＴＦＴ」は、本願補正後発明１の「薄膜トランジスタ」に相当する。
　すると、本願補正後発明１と刊行物１発明とは、
「絶縁基板上の半導体層と；前記半導体層と交差するように形成されたゲート電極とを含み；前記半導体層は、前記ゲート電極と交差しない部分にＭＩＬＣ面を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
　相違点１
　本願補正後発明１は、「絶縁基板上に複数の矩形形状の半導体領域が非直線的に相互連結された構造を有する半導体層」を有するのに対して、刊行物１発明は、「ガラス基板上に形成された結晶性珪素膜」を有するものの、本願補正後発明１の「複数の矩形形状の半導体領域が非直線的に相互連結された構造」を有していない点。
　
３−３−３　判断
　以下において、相違点１について検討する。
（ａ）刊行物２の摘記事項アにおいて、【００３１】段落には、「コの字状にパターニングされた多結晶シリコン（poly-Si）から成る半導体活性層２」、「図１のpoly-Siのコの字の上辺と底辺を横切るようにタンタル（Ｔａ）から成るゲート電極４」、「図１中のゲート電極４の左側にソース電極６とドレイン電極７」が、記載されており、また、【００３２】段落には、「半導体活性層２の内で、ゲート電極４の真下となる部分が不純物を含まないチャネル領域２ｃ，２ｃ′で、ソース電極６及びドレイン電極７が接続する部分がソース領域２ａ及びドレイン領域２ｂで、チャネル領域２ｃ，２ｃ′とソース領域２ａ及びドレイン領域２ｂとの間の部分が不純物濃度の低いオフセット領域２ｄ，２ｅで、従ってゲートオフセット構造のデュアルゲート薄膜トランジスタとなっている。」ことが、記載されており、また、【００３４】段落には、「コの字状の半導体活性層２は、上辺部１２と、底辺部１３と、それらをつなぐ架橋部１１とで構成されている。そして、半導体活性層２の内、上辺部１２は、左からソース領域２ａ、オフセット領域２ｄ、チャネル領域２ｃ、ゲート電極４の右側の低抵抗領域２ｆから構成されており、上辺部１２だけで一つのＴＦＴとして作用するものである。」ことが、記載されており、また、【００３５】段落には、「また、底辺部１３は、ドレイン領域２ｂ、オフセット領域２ｅ、チャネル領域２ｃ′、低抵抗領域２ｇから構成されており、上辺部１２と同様に一つのＴＦＴとして作用するものである。従って、本実施例の薄膜トランジスタは、上辺部１２と底辺部１３に形成された２個の薄膜トランジスタを架橋部１１で接続した構成と等価となっている。」ことが、記載されている。
（ｂ）そして、刊行物２に記載の「コの字状にパターニングされた多結晶シリコン（poly-Si）から成る半導体活性層２」は、「上辺部１２」と「底辺部１３」と「架橋部１１」とを有しており、刊行物２に記載の、「上辺部１２」と「底辺部１３」と「架橋部１１」は、刊行物２の図１を参照すると、いずれも、矩形形状であるから、刊行物２に記載の、矩形形状の「上辺部１２」と「底辺部１３」と「架橋部１１」は、本願補正後発明１の「複数の矩形形状の半導体領域」に相当し、刊行物２に記載の「コの字状」は、本願補正後発明１の「非直線的に相互連結された構造」に相当し、かつ、刊行物２に記載の「半導体活性層２」は、本願補正後発明１の「半導体層」に相当するので、刊行物２に記載の、矩形形状の「上辺部１２」と「底辺部１３」と「架橋部１１」を有する、「コの字状にパターニングされた多結晶シリコン（poly-Si）から成る半導体活性層２」は、本願補正後発明１の「複数の矩形形状の半導体領域が非直線的に相互連結された構造を有する半導体層」に相当する。
（ｃ）すると、刊行物１発明の「ガラス基板上に形成された結晶性珪素膜」に、刊行物２に記載の、矩形形状の「上辺部１２」と「底辺部１３」と「架橋部１１」とを有する、「コの字状にパターニングされた多結晶シリコン（poly-Si）から成る半導体活性層２」を適用して、本願補正後発明１のごとく、「絶縁基板上に複数の矩形形状の半導体領域が非直線的に相互連結された構造を有する半導体層」を有するようになすことは、最終的に求める回路構成、レイアウト、素子特性等の条件に応じて、当業者が適宜なし得た程度のことと認められる。
　
　したがって、本願の補正後の請求項１に係る発明は、刊行物１及び２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
３−４　独立特許要件についてのむすび
　以上のとおり、補正後の請求項１に係る発明は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしておらず、特許出願の際独立して特許を受けることができないとともに、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないので、補正後の他の請求項に係る発明についての検討をするまでもなく、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものである。
　
４　まとめ
　よって、本件補正は、上記「２−３」及び上記「３−４」に記載のとおり、平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていないとともに、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第２の２　平成１８年７月１２日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１８年７月１２日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲を補正するものであり、また、上記「第２の１」の［補正却下の決定の結論］のとおり、平成１８年６月２６日付けの手続補正は却下されたので、本件補正は、補正前の請求項１ないし１９（平成１６年１１月２４日付けの手続補正）を、補正後の請求項１ないし１８と補正しているが、そのうち、補正後の請求項１は、補正却下となった平成１８年６月２６日付けの手続補正の請求項１と同じ内容であり、補正後の請求項１についての補正は、以下のとおりである。
補正事項ｂ
　補正前の請求項１を、補正後の請求項１の
「【請求項１】
　絶縁基板上に複数の矩形形状の半導体領域が非直線的に相互連結された構造を有する半導体層と；前記半導体層と交差するように形成されたゲート電極とを含み；前記半導体層は、前記ゲート電極と交差しない部分にＭＩＬＣ面を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。」と補正したこと。
　
２　本件補正についての検討
　補正事項ｂについての補正は、上記「第２の１　２」での検討と同様の理由により、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものではないから、補正事項ｂについての補正を含む本件補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。
　
３　本件補正の独立特許要件についての検討
　本件補正の独立特許要件については、上記「第２の１　３」での検討と同様の理由により、補正後の請求項１に係る発明が、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしておらず、特許出願の際独立して特許を受けることができないとともに、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないので、補正後の他の請求項に係る発明についての検討をするまでもなく、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものである。
　
４　まとめ
　よって、本件補正は、上記「２」及び上記「３」に記載のとおり、平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていないとともに、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
　平成１８年６月２６日付けの手続補正及び平成１８年７月１２日付けの手続補正は、いずれも、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし１９に係る発明は、平成１６年１１月２４日付けの手続補正書の特許請求の範囲の請求項１ないし１９に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、そのうち、本願の請求項１に係る発明は、以下のとおりのものである。
「【請求項１】
　絶縁基板上に複数の矩形形状の半導体領域が相互連結された構造を有する半導体層と；前記半導体層と交差するように形成されたゲート電極とを含み；前記半導体層は、前記ゲート電極と交差しない部分にＭＩＬＣ面を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。」
　
第４　引用刊行物に記載された発明
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物１の記載事項及び記載された発明は、上記「第２の１　３−３−１」に刊行物１として記載したとおりである。
　
第５　対比
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）と刊行物１発明とを対比する。
（ａ）刊行物１発明の「ガラス基板」、「結晶性珪素膜」は、それぞれ、本願発明１の「絶縁基板」、「半導体層」に相当するので、刊行物１発明の「ガラス基板上に形成された結晶性珪素膜」は、本願発明１の「絶縁基板上」の「半導体層」に相当する。
（ｂ）刊行物１発明の「前記Ｐチャネル型ＴＦＴ用のゲイト電極」と「前記Ｎチャネル型ＴＦＴ用のゲイト電極」は、いずれも、本願発明１の「ゲート電極」に相当し、一般に、「ゲイト電極」は、「結晶性珪素膜」と交差するものであるから、刊行物１発明の「前記結晶性珪素膜上に形成された前記Ｐチャネル型ＴＦＴ用のゲイト電極」と「前記結晶性珪素膜上に形成された前記Ｎチャネル型ＴＦＴ用のゲイト電極」は、いずれも、本願発明１の「前記半導体層と交差するように形成されたゲート電極」に相当する。
（ｃ）刊行物１発明の「結晶成長終期部分」は、本願発明１の「ＭＩＬＣ面」に相当し、また、刊行物１の図２にも示されているとおり、一般に、ＴＦＴの「チャネル形成領域」は、「ゲイト電極」と重なる領域であることは明らかであるから、刊行物１発明の「前記結晶性珪素膜は前記Ｐチャネル型ＴＦＴと前記Ｎチャネル型ＴＦＴのそれぞれのチャネル形成領域以外の部分に形成された結晶成長終期部分を有する」ことは、本願発明１の「前記半導体層は、前記ゲート電極と交差しない部分にＭＩＬＣ面を有する」ことに相当する。
（ｄ）刊行物１発明の「相補型ＴＦＴ」は、本願発明１の「薄膜トランジスタ」に相当する。
　すると、本願発明１と刊行物１発明とは、
「絶縁基板上の半導体層と；前記半導体層と交差するように形成されたゲート電極とを含み；前記半導体層は、前記ゲート電極と交差しない部分にＭＩＬＣ面を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。」である点で一致し、以下の点で一応相違する。
　
　相違点２
　本願発明１は、「絶縁基板上に複数の矩形形状の半導体領域が相互連結された構造を有する半導体層」を有するのに対して、刊行物１発明は、「ガラス基板上に形成された結晶性珪素膜」を有するものの、本願発明１の「複数の矩形形状の半導体領域が相互連結された構造」を有することが明記されていない点。
　
第６　当審の判断
　以下において、相違点２について検討する。
（ａ）本願の発明の詳細な説明の【００１９】段落には、「図１Ａ及び図２Ａを参照すると、ガラス基板のような絶縁基板１０上にバッファ層１１を形成して、かつ非晶質シリコン膜を蒸着した後に第１マスク（図面上には図示せず）を利用して非晶質シリコン膜をパターニングする。これによって、非晶質シリコン膜からなった半導体層１２ａが形成されるが、前記非晶質シリコン膜からなった半導体層１２ａはボディー部１２Ｌ１、１２Ｌ２と、前記ボディー部１２Ｌ１、１２Ｌ２を連結するための連結部１２Ｂを備えた“コ”字構造を有する。」ことが記載されており、さらに、図２Ａを参照すると、「半導体層１２ａ」の「ボディー部１２Ｌ１」、「ボディー部１２Ｌ２」、「連結部１２Ｂ」は、いずれも、「矩形形状」であるから、「半導体層１２ａ」の「ボディー部１２Ｌ１」、「ボディー部１２Ｌ２」、「連結部１２Ｂ」は、いずれも、本願発明１の「矩形形状の半導体領域」に対応していることが、理解できる。
（ｂ）また、本願の図２Ａないし図２Ｄを参照すると、各「ボディー部１２Ｌ１」、「ボディー部１２Ｌ２」には、それぞれ、薄膜トランジスタが形成されていることが、見て取れる。
（ｃ）刊行物１の図２（Ａ）には、向かって左側に、「Ｐチャネル型ＴＦＴ（ＰＴＦＴ）の領域」（【００６２】段落）、向かって右側に、「Ｎチャネル型ＴＦＴ（ＮＴＦＴ）の領域」（【００６２】段落）が、示されており、平面図は示されていないものの、「Ｐチャネル型ＴＦＴ（ＰＴＦＴ）の領域」と「Ｎチャネル型ＴＦＴ（ＮＴＦＴ）の領域」の結晶性珪素膜の形状が、いずれも、一般的に、矩形形状であることは、周知である。そして、刊行物１で示唆されている、矩形形状の「Ｐチャネル型ＴＦＴ（ＰＴＦＴ）の領域」と、同じく矩形形状である「Ｎチャネル型ＴＦＴ（ＮＴＦＴ）の領域」の各々は、いずれも「ＴＦＴの領域」、すなわち、薄膜トランジスタが形成される領域であるから、上記（ｂ）の記載を参照すると、本願の発明の詳細な説明に記載の「ボディー部１２Ｌ１」、「ボディー部１２Ｌ２」に代表される「ボディー部」に相当し、また、上記（ａ）の記載を参照すると、本願発明１の「矩形形状の半導体領域」に相当する。よって、刊行物１発明も本願発明１の「複数の」「矩形形状の半導体領域」との構成を備えていることになる。
（ｄ）同じく、刊行物１の図２（Ａ）には、「Ｐチャネル型ＴＦＴ（ＰＴＦＴ）の領域」と「Ｎチャネル型ＴＦＴ（ＮＴＦＴ）の領域」とが、接続されていることが、示されており、刊行物１に記載の、「Ｐチャネル型ＴＦＴ（ＰＴＦＴ）の領域」と「Ｎチャネル型ＴＦＴ（ＮＴＦＴ）の領域」とが、接続されていることは、本願発明１の「半導体領域が相互連結された構造」に相当する。
（ｅ）すると、刊行物１発明の「Ｐチャネル型ＴＦＴとＮチャネル型ＴＦＴからなる相補型ＴＦＴであり、ガラス基板上に形成された結晶性珪素膜」は、矩形形状である「Ｐチャネル型ＴＦＴ（ＰＴＦＴ）の領域」と、同じく矩形形状である「Ｎチャネル型ＴＦＴ（ＮＴＦＴ）の領域」とを有することが示唆されており、かつ、「Ｐチャネル型ＴＦＴ（ＰＴＦＴ）の領域」と「Ｎチャネル型ＴＦＴ（ＮＴＦＴ）の領域」とが、接続されているものであるから、上記（ｃ）の記載、及び、上記（ｄ）の記載を考慮すると、刊行物１発明の「Ｐチャネル型ＴＦＴとＮチャネル型ＴＦＴからなる相補型ＴＦＴであり、ガラス基板上に形成された結晶性珪素膜」は、実質的に、本願発明１の「絶縁基板上に複数の矩形形状の半導体領域が相互連結された構造を有する半導体層」のことであり、相違点２には、格別な相違が認められない。
　
　したがって、本願の請求項１に係る発明は、刊行物１に記載された発明である。
　
第７　むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないものであるから、本願の他の請求項に係る発明についての検討をするまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。