【事件の表示】
　平成　９年特許願第２２７６０３号「太陽電池モジュール及び光触媒フィルムの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　３月　９日出願公開、特開平１１−　６８１３４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成９年８月８日の出願であって、平成１８年９月５日付けで手続補正がなされたが、平成１９年３月９日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年４月１２日付けで拒絶査定不服審判請求がなされるとともに、同年４月２７日付けで手続補正（以下「本件補正」という。）がなされたものである。
　
第２　本件補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
［理由］
１．本件補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項４について、本件補正前の
「　互いに対向するターゲット間のスパッタ空間の側方に基材を配置し、該基材上にスパッタ膜を形成する対向ターゲット式スパッタリング法にて、ターゲットとしてチタンを使用すると共に、酸素分子を有するガスを含有する不活性ガス中でリアクティブスパッタリングを行うことによって、前記基材の一面に直接又は下地膜を介して光触媒膜としての酸化チタン膜を形成し、かつ前記基材の他面に粘着剤層を形成することを特徴とする太陽電池モジュールの表面材貼着用光触媒フィルムの製造方法。」
を
「　フッ素樹脂フィルム基材にコロナ放電処理を行い、その上に透明の酸化物、金属酸化物、窒化物、ホウ化物又は炭化物を下地膜として気相めっき法にて形成し、得られた基材を互いに対向するターゲット間のスパッタ空間の側方に配置し、該基材の下地膜上にスパッタ膜を形成する対向ターゲット式スパッタリング法にて、ターゲットとしてチタンを使用すると共に、酸素分子を有するガスを含有する不活性ガス中でリアクティブスパッタリングを行うことによって、前記基材の一面に下地膜を介して光触媒膜としての酸化チタン膜を形成し、かつ前記基材の他面に粘着剤層を形成することを特徴とする太陽電池モジュールの表面材貼着用光触媒フィルムの製造方法。」（以下「本願補正発明」いう。）
に補正する内容を含むものである、
　
　上記補正は、本件補正前の請求項４に係る発明を特定するために必要な事項である「下地膜」の形成について、「フッ素樹脂フィルム基材にコロナ放電処理を行い、その上に透明の酸化物、金属酸化物、窒化物、ホウ化物又は炭化物を下地膜として気相めっき法にて形成」するとの限定を付加し、同じく「対向ターゲット式スパッタリング法」のスパッタ膜を形成する位置について、「下地膜上」であるとの限定を付加し、同じく「酸化チタン膜」の形成について、「下地膜を介して」形成するものに限定するものであるから、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　
　そこで、本件補正後の上記請求項４に記載された発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
２．引用例
（１）原査定の拒絶の理由に引用された特開平８−３０９２０４号公報（以下「引用例１」という。）には、図面と共に、以下の事項が記載されている。
　
ア．「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、水浄化、空気浄化、消臭、油分の分解等に有効に用いられる光触媒に関する。」
　
イ．「【０００３】本発明は上記事情に鑑みなされたもので、担持する基材の種類を選ばず、取扱性に優れ、触媒効率が良好な光触媒を提供することを目的とする。」
　
ウ．「【０００６】以下、本発明につき更に詳述すると、本発明の光触媒は、上述したように、リアクティブスパッタリング法により得られた金属酸化物膜よりなるものであるが、このリアクティブスパッタリング法で用いる金属ターゲットとしては、所望する金属酸化物ＭｅＯX（ＭｅはＡｌ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｉｎ，Ｍｇ，Ｓｎ，Ｔｉ，Ｚｎ等の金属を示し、ｘは金属の種類によって異なるが、０〜１０、好ましくは０〜５の範囲の正数であり、ｘは必ずしも金属の価数に相当していなくともよい）に対応した金属である。この場合、特には光触媒として優れたＴｉＯ2，ＺｎＯ，ＷＯ3，Ｆｅ2Ｏ3，ＳｒＴｉＯ3等に対応した金属である。また、本発明においては、酸素分子を有するガス（酸化性ガス）を含有する不活性ガスの存在下で上記金属ターゲットにより金属をスパッタさせ、所望の基材上にこのスパッタされた金属の酸化物膜を形成するものであるが、上記酸化性ガスとしては、酸素、オゾン、空気、水等が挙げられ、通常は酸素が用いられる。一方、スパッタリング用の不活性ガスとしては、ヘリウム、アルゴン等が用いられるが、工業的に安価なアルゴンが好ましい。なお、上記不活性ガスと酸化性ガスとの流量比（容量比）は適宜選定されるが、不活性ガス：酸化性ガス＝１００：０．１〜１００：１００の範囲とすることが好ましい。
【０００７】本発明において、リアクティブスパッタリング装置、スパッタリング圧力等のスパッタリング条件などは特に制限されず、公知の装置、条件を採用することができる。例えば、ＤＣマグネトロンスパッタリング、対向スパッタリングなどの装置を用いることができ、またスパッタリング時の圧力は高真空下から大気圧下とすることができるが、通常１ｍＴｏｒｒ〜１Ｔｏｒｒの真空下で行われる。」
　
エ．「【０００８】以上のようにして得られる金属酸化物膜からなる光触媒は、公知の光触媒と同様にして使用することができ、例えばこの光触媒に光を照射することによって光触媒が励起し、殺菌、脱臭等の作用を発揮するもので、水浄化、空気浄化、消臭、油分の分解などに用いることができる。」
　
オ．「【００１１】〔実施例，比較例〕光触媒の作製法として、実施例ではガラス板とポリエステルフィルムの基材の３０ｍｍ×４０ｍｍの面に対し、それぞれマグネトロンスパッタリング法（タ−ゲット  Ｔｉ）で、酸化用ガスとして酸素１０ｍｌ／分をアルゴンガスとともにスパッタ装置内に流し、ガス圧１０ｍＴｏｒｒ、ターゲット投入パワー４００Ｗで３０分成膜を行った。また、比較例では、実施例と同様の基材に対し、ゾル−ゲル法によりチタンアルコキシド溶液を基材にコーティング後、５００℃で加熱した。但し、ポリエステル基材については、基材が高温に耐えられないため加熱温度を１５０℃とした。
【００１２】これらの光触媒を、トリクロロエチレン１０ｐｐｍを含む３０ｍｌの水中に浸し、５００Ｗ超高圧水銀灯（３００ｎｍ以下をカット）を照射した。
【００１３】照射６０分後のトリクロロエチレンの濃度を測定し、分解率６０％以上のものをＡ、３０％以上６０％未満のものをＢ、３０％未満のものをＣと評価した。結果を表１及び表２に示す。」
　
カ．上記イの「担持する基材の種類を選ばず」との記載、上記ウの「所望の基材上にこのスパッタされた金属の酸化物膜を形成する」との記載、及び、上記オの「ポリエステルフィルムの基材」を用いた実施例の記載があり、また、上記ウの「【０００７】・・・本発明において、リアクティブスパッタリング装置・・・等のスパッタリング条件などは特に制限されず、公知の装置、条件を採用することができる。例えば、ＤＣマグネトロンスパッタリング、対向スパッタリングなどの装置を用いることができ」との記載があることから、引用例１には、ＤＣマグネトロンスパッタリング、対向スパッタリングなどのリアクティブスパッタリング装置で作成される光触媒の基材として、「ポリエステルフィルム」が記載されていることは明らかである。
　
　以上の記載事項からみて、引用例１には、次の発明が記載されていると認められる。
「リアクティブスパッタリング装置として対向スパッタリングの装置を用い、酸素分子を有するガスを含有する不活性ガスの存在下でＴｉからなる金属ターゲットによりＴｉをリアクティブスパッタリングさせ、ポリエステルフィルムの基材上にＴｉの酸化物膜を形成する光触媒の製造方法。」（以下「引用例１発明」という。）
　
（２）原査定の拒絶の理由に引用された特開平９−８３００５号公報（以下「引用例２」という。）には、図面と共に、以下の事項が記載されている。
　
ア．「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、太陽電池に係り、より詳しくは、自己浄化性の保護カバーを備えた太陽電池に関する。」
　
イ．「【０００８】
【発明の実施の形態】図１はアモルファスシリコンからなる太陽電池に本発明を適用した実施例を示し、太陽電池１０は、ガラス基板１２と透明電極１４とｐ型、ｉ型、ｎ型の３層からなるアモルファスシリコン層１６と金属電極１８とで構成されている。しかし、本発明は結晶シリコンからなる太陽電池にも適用することができる。図示した実施例では、ガラス基板１２は強化ガラスなどからなる保護カバー２０によって保護されている。保護カバー２０はガラス基板１２に接着してもよいし、ガラス基板１２から離間してもよい。
【０００９】図２に示したように、保護カバー２０の表面は半導体光触媒を含有する透明層２２によって被覆されている。ガラス基板１２が保護カバーを兼ねる場合には保護カバー２０は省略することができ、その場合には光触媒層２２は直接にガラス基板１２に形成してもよい。さらに、ガラス基板１２に代えて耐候性樹脂からなる透明な保護カバーを備えた太陽電池の場合には、光触媒層２２は直接に耐候性樹脂カバーに被覆することができる。
【００１０】光触媒としては、TiO2、ZnO、SnO2、SrTiO3、WO3、Bi2O3、Fe2O3、CdTe、MoS2、CdS、又はそれらの混合物を使用することができる。・・・（略）・・・
【００１１】・・・（略）・・・
【００１２】光触媒層２２は、光触媒の粒子を含有するゾルを保護カバー２０に塗布し、ガラスの軟化点以下の温度で焼結することにより形成することができる。この場合には、ガラス層２０中のナトリウムのようなアルカリ網目修飾イオンがガラス層から光触媒層２２中に拡散するのを防止するため、保護カバー２０の表面を予めシリカ等の中間層２４で被覆しておくのが好ましい。・・・（略）・・・」
　
ウ．「【００２１】実施例１
エタノールの溶媒86重量部に、テトラエトキシシランSi(OC2H5)4（和光純薬）６重量部と純水６重量部とテトラエトキシシランの加水分解抑制剤として36％塩酸２重量部を加えて混合し、シリカコーティング溶液を調製した。混合により溶液は発熱するので、混合液を約１時間放置冷却した。この溶液をフローコーティング法により１０cm四角のソーダライムガラス板の表面に塗布し、80℃の温度で乾燥させた。乾燥に伴い、テトラエトキシシランは加水分解を受けて先ずシラノールSi(OH)4になり、続いてシラノールの脱水縮重合により無定形シリカの薄膜がガラス板の表面に形成された。
【００２２】次に、テトラエトキシチタンTi(OC2H5)4（Merck）１重量部とエタノール９重量部との混合物に加水分解抑制剤として36％塩酸を０.１重量部添加してチタニアコーティング溶液を調製し、この溶液を前記ガラス板の表面に乾燥空気中でフローコーティング法により塗布した。塗布量はチタニアに換算して45μｇ/cm2とした。テトラエトキシチタンの加水分解速度は極めて早いので、塗布の段階でテトラエトキシチタンの一部は加水分解され、水酸化チタンTi(OH)4が生成し始めた。
【００２３】次に、このガラス板を１〜１０分間約150℃の温度に保持することにより、テトラエトキシチタンの加水分解を完了させると共に、生成した水酸化チタンを脱水縮重合に付し、無定形チタニアを生成させた。こうして、無定形シリカの上に無定形チタニアがコーティングされたガラス板を得た。このガラス板を500℃の温度で焼成して、無定形チタニアをアナターゼ型チタニアに変換させた。」
　
３．対比
　本願補正発明と引用例１発明とを対比する。
（１）引用例１発明の「Ｔｉ」及び「Ｔｉの酸化物膜」は、本願補正発明の「チタン」及び「酸化チタン膜」にそれぞれ相当する。
　
（２）引用例１発明の「ポリエステルフィルムの基材」と本願補正発明の「フッ素樹脂フィルム基材」とは「フィルム基材」である点で一致するとともに、引用例１発明の「ポリエステルフィルムの基材」と本願補正発明の「得られた基材」とは「『フィルム基材』から『得られた基材』」である点で一致する。
　
（３）引用例１発明は、「リアクティブスパッタリング装置として対向スパッタリングの装置を用い、酸素分子を有するガスを含有する不活性ガスの存在下でリアクティブスパッタリングさせ」ており、対向スパッタリングが、対向するターゲット間のスパッタ空間の側方に基材を配置するものであることは技術上明らかであるから、引用例１発明の「リアクティブスパッタリング」と本願補正発明において行う「リアクティブスパッタリング」とは、「基材を互いに対向するターゲット間のスパッタ空間の側方に配置し」、基材に「スパッタ膜を形成する対向ターゲット式スパッタリング法」にて、「酸素分子を有するガスを含有する不活性ガス中」で行う「リアクティブスパッタリング」である点で一致する。
　
（４）引用例１発明は、「Ｔｉからなる金属ターゲット」を用いるものであるので、本願補正発明の「ターゲットとしてチタンを使用する」点を備える。
　
（５）引用例１発明は「ポリエステルフィルム基材上にＴｉの酸化物膜を形成する光触媒の製造方法」であるから、引用例１発明と本願補正発明とは、「基材の一面に光触媒膜としての酸化チタン膜を形成する光触媒フィルムの製造方法」である点で一致する。
　
　したがって、引用例１発明と本願補正発明とは、
「フイルム基材から得られた基材を互いに対向するターゲット間のスパッタ空間の側方に配置し、該基材上にスパッタ膜を形成する対向ターゲット式スパッタリング法にて、ターゲットとしてチタンを使用すると共に、酸素分子を有するガスを含有する不活性ガス中でリアクティブスパッタリングを行うことによって、前記基材の一面に光触媒膜としての酸化チタン膜を形成する光触媒フィルムの製造方法。」
である点で一致し、以下の点で相違するものと認められる。
　
相違点１
　本願補正発明により製造される光触媒フィルムは、「太陽電池モジュールの表面材貼着用」であって、「基材の他面に粘着剤層を形成」するものであるのに対し、引用例１発明により製造される光触媒フィルムは、太陽電池モジュールの表面材に貼着されるか否か不明であり、また粘着剤層が形成されるか否か不明である点。
　
相違点２
　本願補正発明は、フィルム基材の材質が「フッ素樹脂」であって、フィルム基材から得られた基材は、該フィルム基材に「コロナ放電処理を行い」、コロナ放電処理を行ったフィルム基材上に「透明の酸化物、金属酸化物、窒化物、ホウ化物又は炭化物を下地膜として気相めっき法にて形成し、得られた」ものであるのに対し、引用例１発明はそうではない点。
　
４．判断
　上記相違点について検討する。
（１）相違点１について
ア．上記２．（２）ア〜ウによれば、引用例２には、以下の発明が記載されている。
「保護カバーの表面には、シリカ等の中間層とTiO2の光触媒層を形成された、太陽電池のガラス基板に接着される自己浄化性の保護カバー」（以下「引用例２発明」という。）
　
イ．そして、光触媒が、浄化作用や防汚作用を有していることは、引用例２だけでなく、特開平９−７８５４１号公報（【００１３】−【００１４】を参照。）、特開平９−５７９１１号公報（【０００７】を参照。）、特開平８−１０１０号公報（【０００２】〜【０００５】を参照。）に見られるように技術常識であるから、引用例１発明により製造される光触媒フィルムも、引用例２発明と同じく、光触媒によってその表面の汚れを防止する作用を有していることは、当業者であれば容易に理解できることである。
　
ウ．したがって、引用例１発明により製造された光触媒フィルムを、引用例２発明の光触媒層を形成された保護カバーのように、太陽電池の表面に接着するように構成することは、当業者であれば容易になし得ることである。
　
エ．また、その際、基板の裏面に粘着剤層を設けることは、当業者であれば適宜なし得る程度の事項にすぎない。
　
オ．上記ア〜エからして、上記相違点１は、引用例１発明及び引用例２発明に基づいて、当業者が容易になし得たものである。
　
（２）相違点２について、
ア．太陽電池の表面を保護するために、太陽電池の表面に、フッ素系樹脂フィルムを接着することは、特開平６−３１８７２８号公報（【０００５】〜【０００６】、【００３０】、図１、図６を参照。）、特開平４−９９１６５号公報（特許請求の範囲、第２頁左上欄第２行〜同頁右上欄第２０行を参照。）に見られるように、本願出願前に周知（以下「周知技術１」という。）である。
　
イ．フッ素樹脂フィルム基材の一面に酸化チタンの光触媒膜を形成する前に、光触媒による樹脂フィルム基材の劣化を防ぐため、ＳｉＯ２（透明酸化物）や酸化金属の下地膜を形成することは、例えば、上記特開平９−５７９１１号公報（【００１３】、【００１６】、【００１９】〜【００２２】、【００２６】〜【００２７】、図６（ｃ）を参照。）、特開平９−１８７７２１号公報（【０００８】、【００１０】、【００１１】、図１（ハ）を参照。）に見られるように、本願出願前に周知である（以下「周知技術２」という。）。
　
ウ．また、フッ素系樹脂フィルムに、スパッタリング法や真空蒸着法等の気相めっき法を用いてＳｉＯ２（透明酸化物）や酸化金属の膜を形成する前に、フッ素系樹脂フィルムの表面にコロナ放電処理を行うことは、例えば、上記特開平６−３１８７２８号公報（【００２１】、【００２４】〜【００２８】を参照。）、上記特開平４−９９１６５号公報（第３頁右上欄第第９〜第８行、同頁左下欄１９行〜同頁右下欄第４行を参照。）に見られるように、本願出願前に周知（以下「周知技術３」という。）である。
　
エ．さらに、スパッタリング法により酸化チタン膜が形成されるフィルム基材から得られた基材として、フッ素系樹脂フィルム基材から得られたものをを用い得ることは、本願出願前に頒布された刊行物である特開平９−１９２４９８号公報（【００１１】〜【００１６】を参照。）に記載されているように、本願出願前に知られているものにすぎない。
　
オ．上記ア〜エに照らせば、引用例１発明において、フィルム基材の材質をフッ素系樹脂となし、フッ素系樹脂フィルム基材の一面に酸化チタンの光触媒膜を形成する前に、フィルム基材の劣化を防ぐため、ＳｉＯ２（透明酸化物）や酸化金属の下地膜を、コロナ放電処理を行った上で、気相めっき法にて形成して、上記相違点２に係る本願補正発明の構成とすることは、上記周知技術１，２，３に基づいて、当業者が容易に想到し得たものであり、そうすることに格別困難な点はない。
　
（５）そして、本願補正発明の作用効果も、引用例１発明、引用例２発明及び周知技術１〜３から当業者が予測できる範囲のものである。
　
（６）したがって、本願補正発明は、引用例１発明、引用例２発明及び周知技術１〜３に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
５．むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１．本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項４に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成１８年９月５日付けの手続補正により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項４に記載された事項により特定される、前記「第２　１」において、本件補正前のものとして、示したとおりのものである。
　
２．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例１，２及びその記載事項は、上記「第２　２」に記載したとおりである。
　
３．対比・判断
　本願発明は、上記第２で検討した本願補正発明から、本件補正後の請求項４に係る発明を特定するために必要な事項である「下地膜」の形成について、「フッ素樹脂フィルム基材にコロナ放電処理を行い、その上に透明の酸化物、金属酸化物、窒化物、ホウ化物又は炭化物を下地膜として気相めっき法
にて形成」するとの限定を削除し、同じく「対向ターゲット式スパッタリング法」のスパッタ膜を形成する位置について、「下地膜上」であるとの限定を削除し、同じく「酸化チタン膜」の形成について、「下地膜を介して」形成するとの限定を削除するものである。
　そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、上記「第２　４」で検討したとおり、引用例１発明、引用例２発明（上記「第２　４（１）ア」参照。）及び周知技術１〜３に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、引用例１発明、引用例２発明及び周知技術１〜３に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１発明、引用例２発明及び周知技術１〜３に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。