【事件の表示】
　特願２００２−　２９１９６「金属材料の腐食低減方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　８月２２日出願公開、特開２００３−２３２８８６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ　手続の経緯 
　本願は、平成１４年２月６日の出願であって、平成１９年７月５日付け拒絶理由通知に対して同年９月６日付けで手続補正がなされたものの、同年１２月２８日付けで拒絶査定がなされた。本件はこれを不服として、平成２０年２月７日に請求された拒絶査定不服審判事件であって、同年３月７日付けで手続補正がなされている。
　
II　平成２０年３月７日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２０年３月７日付けの手続補正を却下する。
［理由］
１　平成２０年３月７日付け手続補正（以下「本件補正」という。）の内容
　本件補正は、明細書を補正するものであって、以下の補正事項を含むものである。
１−１　補正事項１
　特許請求の範囲の記載を、
「【請求項１】　原子力または火力発電所における高温水に晒される金属材料面に熱励起により電流が発生するｎ型半導体を塗布または付着させる金属材料の腐食低減方法であって、
　前記ｎ型半導体は１５０℃以上の高温水に晒された場合において、前記金属材料がステンレス鋼の場合に腐食電位が−１５０ｍＶ（ＳＨＥ）以下に、また、前記金属材料がニッケル基合金の場合、腐食電位が０ｍＶ（ＳＨＥ）以下になる、ＴｉＯ2、ＰｂＯ、ＢａＴｉＯ3、Ｂｉ2Ｏ3、ＺｎＯ、ＷＯ3、ＳｒＴｉＯ3、Ｆｅ2Ｏ3、ＦｅＴｉＯ3、ＫＴａＯ3、ＭｎＴｉＯ3、ＳｎＯ2、ＺｒＯ2、ＣｅＯ2、Ｉｎ2Ｏ3から選択された少なくとも１種の化合物であることを特徴とする金属材料の腐食低減方法。
【請求項２】　原子力または火力発電所における高温水に晒される金属材料面に熱励起により電流が発生するｎ型半導体を塗布または付着させる金属材料の腐食低減方法であって、
　前記ｎ型半導体は１５０℃以上の高温水に晒された場合において、前記金属材料がステンレス鋼の場合に腐食電位が−１５０ｍＶ（ＳＨＥ）以下に、また、前記金属材料がニッケル基合金の場合、腐食電位が０ｍＶ（ＳＨＥ）以下になるＴｉＯ2からなり、前記ＴｉＯ2の付着または塗布させる付着量はステンレス鋼面には６０μｇ／ｃｍ2以上とすることを特徴とする金属材料の腐食低減方法。
【請求項３】　前記金属材料は鉄鋼、非鉄鋼材、非鉄金属または溶接金属から選択された少なくとも１種の金属であることを特徴とする請求項１又は２記載の金属材料の腐食低減方法。
【請求項４】　前記電流はアノード電流であることを特徴とする請求項１乃至３いずれか１項記載の金属材料の腐食低減方法。」に補正する。
１−２　補正事項２
　上記補正された特許請求の範囲の記載と整合させるため、段落【００１２】の記載を、
「【００１２】
【課題を解決するための手段】
　請求項１に係る発明は、原子力または火力発電所における高温水に晒される金属材料面に熱励起により電流が発生するｎ型半導体を塗布または付着させる金属材料の腐食低減方法であって、前記ｎ型半導体は１５０℃以上の高温水に晒された場合において、前記金属材料がステンレス鋼の場合に腐食電位が−１５０ｍＶ（ＳＨＥ）以下に、また、前記金属材料がニッケル基合金の場合、腐食電位が０ｍＶ（ＳＨＥ）以下になる、ＴｉＯ2、ＰｂＯ、ＢａＴｉＯ3、Ｂｉ2Ｏ3、ＺｎＯ、ＷＯ3、ＳｒＴｉＯ3、Ｆｅ2Ｏ3、ＦｅＴｉＯ3、ＫＴａＯ3、ＭｎＴｉＯ3、ＳｎＯ2、ＺｒＯ2、ＣｅＯ2、Ｉｎ2Ｏ3から選択された少なくとも１種の化合物であることを特徴とする。　
　請求項２に係る発明は、原子力または火力発電所における高温水に晒される金属材料面に熱励起により電流が発生するｎ型半導体を塗布または付着させる金属材料の腐食低減方法であって、前記ｎ型半導体は１５０℃以上の高温水に晒された場合において、前記金属材料がステンレス鋼の場合に腐食電位が−１５０ｍＶ（ＳＨＥ）以下に、また、前記金属材料がニッケル基合金の場合、腐食電位が０ｍＶ（ＳＨＥ）以下になるＴｉＯ2からなり、前記ＴｉＯ2の付着または塗布させる付着量はステンレス鋼面には６０μｇ／ｃｍ2以上とすることを特徴とする。」に補正する。
　
２　補正事項についての検討 
２−１　新規事項の追加について
　上記補正事項について検討すると、補正事項１，２によって、特許請求の範囲、段落【００１２】はいずれも、「ｎ型半導体は１５０℃以上の高温水に晒された場合において、前記金属材料がステンレス鋼の場合に腐食電位が−１５０ｍＶ（ＳＨＥ）以下に、また、前記金属材料がニッケル基合金の場合、腐食電位が０ｍＶ（ＳＨＥ）以下になる」との記載を含むものとなるので、その記載内容について検討する。
２−１−１　本願の願書に最初に添付した明細書又は図面の記載
　本願の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、「当初明細書等」という。）には、金属材料がステンレス鋼およびニッケル基合金の場合の腐食電位、ならびに、金属材料が晒される高温水の温度について、以下の記載がある。
「金属材料は150℃以上の高温水に晒される金属である」（【請求項２】、【００１２】）
「金属材料がステンレス鋼の場合に、腐食電位が−150ｍＶ（ＳＨＥ）以下になる」（【請求項８】、【００１６】）
「金属材料がニッケル基合金の場合、腐食電位が０ｍＶ（ＳＨＥ）以下になる」（【請求項９】、【００１６】）
「例えば、288℃の高温水中におけるステンレス鋼と腐食電位の関係には多くの研究があり、−230ｍＶ（ＳＨＥ）以下であれば、低歪応力腐食割れ試験（以下、ＳＳＲＴと記す）の結果より、応力腐食割れが発生しないとされている。」（【００１９】）
「（実施例２）
　図２および図３により本発明の実施例２を説明する。
　図２は実施例１と同様に鋭敏化したＳＵＳ３０４鋼に、ＴｉＯ2を付着した場合と、しない場合のＳＵＳ３０４鋼試験片のアノード分極曲線を比較して示している。図３はＴｉＯ2付着の有無による腐食電位の変化を示すエバンス図で、酸素のカソード分極曲線を合わせ示している。
　実施例２において、図２に示した280℃水中におけるＳＵＳ３０４鋼のアノード電流曲線から明らかなように、ｎ型半導体であるＴｉＯ2を付着させた場合と、付着させていない場合のアノード電流はＴｉＯ2を付着させた場合がその電流密度が大きくなっていることが認められる。」（【００３１】〜【００３２】）
「（実施例３）
　図４により本発明の実施例３を説明する。
　図４はＳＵＳ３０４鋼にＴｉＯ2を付着した場合と付着しない場合の温度変化が腐食電位の変化に及ぼす影響を示したものである。この実施例３ではＴｉＯ2の付着量は200μｇ／ｃｍ2である。腐食電位は温度を上昇させるとともに低下する傾向が認められ、280℃においては約−250ｍＶ（ＳＨＥ）である。一方、図４中に示したＴｉＯ2を付着させていないＳＵＳ３０４の腐食電位は温度の上昇とともに低下する電位幅は小さく280℃においても＋100ｍＶ（ＳＨＥ）以上の電位を示すことが認められる。
（実施例４）
　図５により本発明の実施例４を説明する。
　本実施例は金属材料にニッケル基合金であるインコネル合金を使用した例である。図５はインコネル６００合金にＴｉＯ2を付着した場合と付着しない場合の温度変化が腐食電位の変化に及ぼす影響を示したものである。この実施例４ではＴｉＯ2の付着量は50μｇ／ｃｍ2である。ＴｉＯ2を付着した場合の腐食電位が温度を上昇させるとともに低下する傾向が認められ、280℃においては約−100ｍＶ（ＳＨＥ）となっていることが認められる。一方、図５中に示したＴｉＯ2を付着させていないインコネル６００の腐食電位は温度の上昇とともに低下する電位幅は小さく280℃においても＋100ｍＶ（ＳＨＥ）以上の電位を示すことが認められる。」（【００３４】〜【００３５】）
「（実施例５）
　図６および図７により本発明の実施例５を説明する。
　図６はＳＵＳ３０４鋼にＴｉＯ2を付着させたものと付着無しの腐食電位の温度依存性を比較して示したものであり、図７はインコネル６００合金に同様の処理を行なった試験体の腐食電位温度依存性を比較して示している。
　図６および図７から明らかなように、腐食電位の温度依存性は高温になれば電位は低下することが確認されるが、150℃におけるそれぞれのＴｉＯ2付着による電位低下量を内挿するとＳＵＳ３０４でΔ180ｍＶ、インコネル６００合金でΔ80ｍＶの電位低下が起こると考えられ、この電位低下の効果は腐食低減において有効な範囲と考えられる。」（【００３６】〜【００３７】）
「（実施例６）
　図８により本発明の実施例６を説明する。
　図８はＴｉＯ2を付着させたステンレス鋼の280℃高温水中における腐食電位とＴｉＯ2の付着量の関係を示し、光照射なしの場合である。図８から明らかなように、腐食電位はＴｉＯ2の付着量が増加するに従い低下する傾向を示す。例えば25μｇ／ｃｍ2程度の付着量の場合は０ｍＶ（ＳＨＥ）以上の電位であるが、付着量を増加するに従い低下し、200μｇ／ｃｍ2の付着量では−200ｍＶ（ＳＨＥ）以下の電位を示す。
　280℃の高温水中におけるステンレス鋼のＩＧＳＣＣ発生の閾電位値は前述したように−230ｍＶ（ＳＨＥ）との報告があり、例えばこの閾値を達成させるためには200μｇ／ｃｍ2以上のＴｉＯ2付着量があればよいことが図８から認められる。」（【００３８】〜【００３９】）
「請求項８に係る発明において、ステンレス鋼の場合、腐食の程度を表す指針である腐食電位が−150ｍＶ（ＳＨＥ）以下と定めた根拠は、閾値−230ｍＶ（ＳＨＥ）を達成していなくても、腐食低減ということを考えると十分効果がみられると判断してこの値に決定したことに基いている。
　また、請求項９に係る発明において、ニッケル基合金の場合について、同様に、閾値は−50ｍＶ（ＳＨＥ）と報告されているが、低減効果がみられるという範囲で、０ｍＶ（ＳＨＥ）以下にしたことの根拠に基いている。
　さらに、請求項10に係る発明のＴｉＯ2の付着量については、図８において最小付着量（25μｇ／ｃｍ2)とＴｉＯ2の付着無し(腐食電位は100ｍＶとする)の電位間で推定でき、ステンレス鋼では−150ｍＶ（ＳＨＥ）となる付着量60μｇ／ｃｍ2、ニッケル基合金では０ｍＶ（ＳＨＥ）となる30μｇ／ｃｍ2を内挿により求めたことの根拠に基いている。」（【００４０】〜【００４２】）
「（実施例７）
　図９により本発明の実施例７を説明する。
　図９は、ＴｉＯ2を付着させたステンレス鋼の280℃高温水中での腐食電位と光照射量の関係を示し、○印は25μｇ／ｃｍ2、■印は200μｇ／ｃｍ2の付着量である。図９から明らかなように、光照射により腐食電位の低下が観測され、25μｇ／ｃｍ2の付着量においても光が存在する状況では、200μｇ／ｃｍ2のＴｉＯ2を付着させ光が存在しない場合と同様の腐食電位に低下することが認められる。
　すなわち、原子炉構造材のように、原子炉炉心で発生するチェレンコフ光が構造材に照射している場合は、ＴｉＯ2の付着量が少ない場合でも腐食電位を低減させる効果が得られるということである。
　本実施例では、ＴｉＯ2付着量が25μｇ／ｃｍ2、光量が５ｍＷ／ｃｍ2までの例を示したが、光量がより高くなればＴｉＯ2の付着量が少なくとも腐食電位は低下することは容易に推定できることである。また、図９に示した光量とＴｉＯ2の付着量の腐食電位に及ぼす関係を用いれば、目的とする腐食電位値を達成させるための条件が推定できる。
　原子炉構造材表面における光量がわかれば、ＴｉＯ2の付着量をどれほどに設定すればよいかが推定できる。また、光存在しない場合は十分なＴｉＯ2を付着させれば、目的の腐食電位に制御できることは明らかである。」（【００４３】〜【００４６】）
「（実施例８）
　図10により本発明の実施例８を説明する。
　図10は光照射下での、ＴｉＯ2を付着させたステンレス鋼の280℃高温水中における腐食電位とＴｉＯ2の付着量の関係を示したものである。図10から明らかなように、ＴｉＯ2の付着量が増加すると腐食電位は低下しているが、その低下幅は光照射無し条件と比較すると小さい。このことからも光照射下においては少量のＴｉＯ2付着量で電位低下効果が現れることが認められる。
　請求項11に係る発明では、図10に示すＴｉＯ2付着量25μｇ／ｃｍ2における腐食電位と、ＴｉＯ2の付着量無しにおける腐食電位100ｍＶ（ＳＨＥ）を用い、ステンレス鋼の場合は−150ｍＶ（ＳＨＥ）となる付着量20μｇ／ｃｍ2、ニッケル基合金の場合は０ｍＶ（ＳＨＥ）となる10μｇ／ｃｍ2を内挿により求めた。
　また、原子炉内の場合においては、放射線やチェレンコフ光による励起により電流が発生するため、熱励起により電流が発生する物質の付着量はＴｉＯ2の場合、ステンレス鋼面上には20μｇ／ｃｍ2以上、ニッケル基合金面上には10μｇ／ｃｍ2以上とすることが望ましい。」（【００４７】〜【００４９】）
　そして、腐食電位の温度依存性を示している【図６】、【図７】の図示内容からして、ＴｉＯ2を付着せしめたステンレス鋼であるＳＵＳ３０４ならびにニッケル基合金であるインコネル６００合金の150℃における腐食電位は、それぞれ、約80ｍＶ（ＳＨＥ）、約150ｍＶ（ＳＨＥ）であることが見て取れる。
２−１−２　新規事項の追加についての判断
　上記の記載ならびに図示内容からして、当初明細書等には、ＴｉＯ2を付着せしめたステンレス鋼であるＳＵＳ３０４ならびにニッケル基合金であるインコネル６００合金の
280℃高温水中における
１５０℃以上の高温水に晒された場合において
　してみると、上記補正事項１，２は、いわゆる新規事項に該当する事項を含むものであるので、補正事項１，２を含む本件補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に違反してなされたものである。
　
２−２　独立特許要件違反について 
　本件補正が特許法第１７条の２第３項の規定に違反することは上述のとおりであるが、念のため、上記本件補正後の請求項１に係る発明に関する補正が、新規事項の追加に該当せず、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるとして、本件補正後の請求項１に係る発明（「以下、「本件補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２（以下、単に「特許法第１７条の２」という。）第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について、以下に検討する。 
２−２−１　本件補正発明 
　本件補正発明は、平成２０年３月７日付け手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次の事項により特定されるとおりのものと認める。 
「原子力または火力発電所における高温水に晒される金属材料面に熱励起により電流が発生するｎ型半導体を塗布または付着させる金属材料の腐食低減方法であって、
　前記ｎ型半導体は１５０℃以上の高温水に晒された場合において、前記金属材料がステンレス鋼の場合に腐食電位が−１５０ｍＶ（ＳＨＥ）以下に、また、前記金属材料がニッケル基合金の場合、腐食電位が０ｍＶ（ＳＨＥ）以下になる、ＴｉＯ2、ＰｂＯ、ＢａＴｉＯ3、Ｂｉ2Ｏ3、ＺｎＯ、ＷＯ3、ＳｒＴｉＯ3、Ｆｅ2Ｏ3、ＦｅＴｉＯ3、ＫＴａＯ3、ＭｎＴｉＯ3、ＳｎＯ2、ＺｒＯ2、ＣｅＯ2、Ｉｎ2Ｏ3から選択された少なくとも１種の化合物であることを特徴とする金属材料の腐食低減方法。」
２−２−２　引用刊行物 
　原査定の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００１−４７８９号公報（以下、「引用例」という。）には、「原子炉構造体及び原子炉構造材の腐食低減方法」に関し、図面とともに次の事項が記載されている。
（ア）【特許請求の範囲】の欄
「【請求項１】　原子炉内に存在する光や放射線の照射により起電する光触媒物質、原子炉内の温度圧力条件下で前記光触媒物質を形成する金属、金属化合物又はこれらの表面にＰｔ、Ｒｈ、Ｒｕ若しくはＰｄの１種以上を付着させた物質を、表面に有することを特徴とする原子炉構造材。
……
【請求項３】　前記光触媒物質が、ｎ型半導体としての性質を有することを特徴とする請求項１又は２記載の原子炉構造材。
……
【請求項９】　原子炉内に存在する光や放射線の照射により起電する光触媒物質、原子炉内の温度圧力条件下で前記光触媒物質を形成する金属、金属化合物又はこれらの表面にＰｔ、Ｒｈ、Ｒｕ若しくはＰｄの１種以上を付着させた物質を、原子炉構造材の表面に付着させ、または原子炉構造材の表面に皮膜として形成することにより前記原子炉構造材の腐食電位を制御することを特徴とする原子炉構造材の腐食低減方法。
……
【請求項１１】　前記光触媒物質が、ＴｉＯ2 、ＺｒＯ2 、ＰｂＯ、ＢａＴｉＯ3 、Ｂｉ2 Ｏ3 、ＺｎＯ、ＷＯ3 、ＳｒＴｉＯ3 、Ｆｅ2 Ｏ3 、ＦｅＴｉＯ3 、ＫＴａＯ3 、ＭｎＴｉＯ3 及びＳｎＯ2 から選ばれた１種又は２種以上の化合物からなることを特徴とする請求項９又は１０記載の原子炉構造材の腐食低減方法。
……」
（イ）段落【０００２】〜【００１８】
「【０００２】
【従来の技術】ＢＷＲ発電所においては、放射線場で水の放射線分解により生成した酸素や過酸化水素が原子炉水中に存在しており、原子炉の高温高圧水環境下で原子炉構造材であるステンレス鋼やニッケル基金属はこれらの酸素や過酸化水素により粒界応力腐食割れ（ＩＧＳＣＣ）を起こすことが知られている。
……
【００１８】本発明は、かかる従来の問題を解決すべくなされたもので、応力腐食割れ防止のための水素の注入量及び貴金属の注入量を少なくし、これによって、タービン系への放射能の移行を低減させ、オフガス系の過剰水素の量を低減させ、燃料材料表面上への貴金属の付着量を極力小さくし、さらには燃料表面上に生成するルースな粒子状の鉄の生成を抑制して燃料材料の酸化および水素化を増大することなく、原子炉一次系材料の腐食電位を低減させた原子炉構造材及び原子炉構造材の腐食低減方法を提供することを目的とする。」
（ウ）段落【００１９】〜【００２６】
「【００１９】
【課題を解決するための手段】本発明の原子炉構造材は、原子炉内に存在する光や放射線の照射により起電する光触媒物質、原子炉内の温度圧力条件下で前記光触媒物質を形成する金属、金属化合物又はこれらの表面にＰｔ、Ｒｈ、Ｒｕ若しくはＰｄの１種以上を付着させた物質を、表面に有することを特徴としている。
【００２０】上記の原子炉内に存在する光は、水冷却原子炉内での燃料材料の核分裂に伴って発生するチェレンコフ光として知られる主として紫外線からなるものである。また、原子炉内に存在する放射線としてはα線、β線、γ線、中性子線等の燃料材料の核分裂に伴って発生する電磁波、粒子線等が挙げられる。
【００２１】上記光触媒物質としては、ｎ型半導体としての性質を有する物質が挙げられ、具体的には、ＴｉＯ2 、ＺｒＯ2 、ＰｂＯ、ＢａＴｉＯ3 、Ｂｉ2 Ｏ3 、ＺｎＯ、ＷＯ3 、ＳｒＴｉＯ3 、Ｆｅ2 Ｏ3 、ＦｅＴｉＯ3 、ＫＴａＯ3 、ＭｎＴｉＯ3 及びＳｎＯ2 等の化合物が例示される。
【００２２】これらの化合物は、高温・高圧・放射線環境で安定であり、タービン系への放射能の移行を増大させたり、燃料材料の酸化および水素化を促進したりすることが少なく、これらを原子炉構造材に付着、若しくは皮膜として形成するとともに、好ましくは水質制御を併せて行うことにより、原子炉一次系材料の腐食電位を制御し、燃料材料やこれらの物質そのものによる放射化による放射能も少ないという利点がある。
【００２３】これらの化合物の内、ＴｉＯ2 およびＺｒＯ2 は光触媒物質としてより好ましい物質である。
【００２４】これらの化合物は、上述した酸化物の形態で用いてもよいが、原子炉内の温度圧力条件下、具体的には２８５℃、７０ａｔｍの高圧水条件下で、上記酸化物を形成し得る光触媒形成物質、すなわち金属や金属水和物のような化合物の形態で用いてもよい。具体的な光触媒形成物質の〇としては、金属Ｔｉ、金属Ｚｒ、Ｔｉ水和物、Ｚｒ水和物等を挙げることができる。
【００２５】これらの光触媒物質又は光触媒形成物質は、Ｐｔ等の貴金属に代わる物質であるが、これらの表面に、さらに部分的にＰｔ、Ｒｈ、Ｒｕ若しくはＰｄの１種以上を付着させて用いることもできる。
【００２６】これらの光触媒物質、光触媒形成物質又はこれらの表面にＰｔ等の貴金属を付着させた物質は、原子炉構造材の表面に付着され、または皮膜として原子炉構造材表面に形成される。」
（エ）段落【００５３】〜【００５７】
「【００５３】
【発明の実施の形態】図１は、光触媒物質として知られているＴｉＯ2 をＳＵＳ３０４鋼の溶接熱影響部に溶射して皮膜中にＴｉＯ2 を形成させた試料について紫外線照射によるその部位の腐食電位の変化を示したものである。
【００５４】なお、同図には、溶射した部位と溶射していない部位の腐食電位の変化を併せて示してある。溶射によりＴｉＯ2 を皮膜中に含む溶接熱影響部は、紫外線照射により電位が低下していることが認められる。
【００５５】一方、ＴｉＯ2 の溶射を施していない部位では腐食電位の低下は認められず、溶射によりＴｉＯ2 が存在することにより電位が低下することが認められる。
【００５６】図２は、光触媒物質であるｎ型半導体１をステンレスや溶接材であるインコネルなどの金属母材２に付着させ、紫外線等の光線を照射したときに生ずる反応を模式的に示したものである。ｎ型半導体１の内部には局部的に結合していない余剰電子３が存在しており、ｎ型半導体１に紫外線などの有効な光線４が照射されると、ｎ型半導体が励起されて電子が移動し易くなり母材２に移動して消費される。
【００５７】この反応によってアノード電流が流れやすくなり、腐食電位が低下する。」
（オ）段落【００６６】
「【００６６】この方法は、直接半導体成分を原子炉構造材に塗布させるのではなく、原子炉水中に半導体成分を溶解または懸濁させて一定時間放置することにより、半導体成分を付着させる方法である。……」
（カ）【図１】
　【図１】には、ＳＵＳ３０４鋼ならびに同鋼にＴｉＯ2 を溶射した試料について、紫外線照射による腐食電位の変化が示されており、ＴｉＯ2 を溶射した試料は、紫外線照射によって−０．２Ｖ（ＳＨＥ）近傍に腐食電位が低下していることが見て取れる。
　
　これらの記載からして、引用例に記載された発明は必ずしも光触媒物質を形成する金属、金属化合物の表面にＰｔ、Ｒｈ、Ｒｕ若しくはＰｄの１種以上を付着させることを要件としていないものであるから、引用例には次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認めることができる。
「ＢＷＲ発電所原子炉内の温度圧力条件下で光や放射線の照射により励起されて起電し、ステンレスやインコネルなどの金属母材にアノード電流を流れやすくするｎ型半導体としての性質を有する光触媒物質であるＴｉＯ2 、ＺｒＯ2 、ＰｂＯ、ＢａＴｉＯ3 、Ｂｉ2 Ｏ3 、ＺｎＯ、ＷＯ3 、ＳｒＴｉＯ3 、Ｆｅ2 Ｏ3 、ＦｅＴｉＯ3 、ＫＴａＯ3 、ＭｎＴｉＯ3 及びＳｎＯ2 から選ばれた１種又は２種以上の化合物を原子炉構造材の表面に付着させ、前記原子炉構造材の粒界応力腐食割れを抑制できる程度に腐食電位を低下させる原子炉構造材の腐食低減方法。」
　
２−２−３　本件補正発明と引用発明との対比
　本件補正発明と引用発明とを対比する。 
　引用発明の「ＢＷＲ発電所」が、本件補正発明の「原子力発電所」に相当することは明らかであり、また、引用発明の「原子炉構造材」は「金属材料」からなり、その「原子炉構造材」が「原子炉内の温度圧力条件下」において「高温水に晒される」ものであることは当業者の技術常識である。
　そして、引用発明の「光や放射線の照射により励起されて起電し、金属母材にアノード電流を流れやすくするｎ型半導体としての性質を有する光触媒物質」と本件補正発明の「熱励起により電流が発生するｎ型半導体」とは、「励起により電流が発生するｎ型半導体」である点で一致し、また、引用発明の「ｎ型半導体としての性質を有する光触媒物質であるＴｉＯ2 、ＺｒＯ2 、ＰｂＯ、ＢａＴｉＯ3 、Ｂｉ2 Ｏ3 、ＺｎＯ、ＷＯ3 、ＳｒＴｉＯ3 、Ｆｅ2 Ｏ3 、ＦｅＴｉＯ3 、ＫＴａＯ3 、ＭｎＴｉＯ3 及びＳｎＯ2 から選ばれた１種又は２種以上の化合物」と本件補正発明の「ｎ型半導体は」「ＴｉＯ2、ＰｂＯ、ＢａＴｉＯ3、Ｂｉ2Ｏ3、ＺｎＯ、ＷＯ3、ＳｒＴｉＯ3、Ｆｅ2Ｏ3、ＦｅＴｉＯ3、ＫＴａＯ3、ＭｎＴｉＯ3、ＳｎＯ2、ＺｒＯ2、ＣｅＯ2、Ｉｎ2Ｏ3から選択された少なくとも１種の化合物である」とは、「ｎ型半導体は」「ＴｉＯ2、ＰｂＯ、ＢａＴｉＯ3、Ｂｉ2Ｏ3、ＺｎＯ、ＷＯ3、ＳｒＴｉＯ3、Ｆｅ2Ｏ3、ＦｅＴｉＯ3、ＫＴａＯ3、ＭｎＴｉＯ3、ＳｎＯ2、ＺｒＯ2から選択された少なくとも１種の化合物である」点において一致している。
　さらに、上記（オ）に摘記した事項からして、引用発明の「付着」が「塗布」を含む概念であることも明らかである。
　してみると、両者は、
 ＜一致点＞ 
 「原子力発電所における高温水に晒される金属材料面に励起により電流が発生するｎ型半導体を塗布または付着させる金属材料の腐食低減方法であって、
前記ｎ型半導体は、ＴｉＯ2、ＰｂＯ、ＢａＴｉＯ3、Ｂｉ2Ｏ3、ＺｎＯ、ＷＯ3、ＳｒＴｉＯ3、Ｆｅ2Ｏ3、ＦｅＴｉＯ3、ＫＴａＯ3、ＭｎＴｉＯ3、ＳｎＯ2、ＺｒＯ2から選択された少なくとも１種の化合物である金属材料の腐食低減方法。」 
 である点で一致し、次の点で相違する。
＜相違点１＞ 
　「励起により電流が発生するｎ型半導体」が、
本件補正発明は「熱励起」によって電流が発生するのに対し、
引用発明は「光や放射線の照射により励起されて」電流が発生する点、ならびに、
本件補正発明は「火力発電所」も発明の対象とするのに対し、引用発明は火力発電所を対象として含んでいない点。
＜相違点２＞
　「ｎ型半導体」が、
本件補正発明は「１５０℃以上の高温水に晒された場合において、前記金属材料がステンレス鋼の場合に腐食電位が−１５０ｍＶ（ＳＨＥ）以下に、また、前記金属材料がニッケル基合金の場合、腐食電位が０ｍＶ（ＳＨＥ）以下になる」ものであるのに対し、
引用発明は「ステンレスやインコネルなどの金属母材にアノード電流を流れやすく」して「原子炉構造材の粒界応力腐食割れを抑制できる程度に腐食電位を低下させる」ものであるものの、高温水に晒された場合の腐食電位について記載がなく、具体的な腐食電位についても明示がない点。
　
２−２−４　検討・判断
　上記各相違点について検討する。  
（１）＜相違点１＞について
　「半導体」が「電気伝導度が絶対零度では０に近いが、高温では相当に大きくなる」物質であって、「高温では熱的に励起されて伝導帯に電子が上がるか、荷電子帯の電子が励起されて正孔を残すことによって、電子、正孔を担体とする電気伝導が生ずる」物質であることは周知の事項（必要ならば、「理化学事典」（株式会社岩波書店発行）の「半導体」の項を参照）であって、本件補正発明の実施例に用いられているＴｉＯ２がｎ型半導体と同じ振る舞いをする要因となる結晶内Ｏ（酸素）欠陥は、
外部からの紫外線や加熱などのエネルギー供給によって生じる
　そして、ＢＷＲ型原子炉内の運転時の温度が２８０℃程度であることは当業者の技術常識であることを勘案すると、引用発明において、原子炉構造物に付着している「ｎ型半導体としての性質を有する光触媒物質」が原子炉内の運転温度条件に晒された場合には、チェレンコフ光由来の紫外線や放射線の照射に因らずとも、「熱励起」によって原子炉構造物に電流が流れて腐食電位が低下し、原子炉構造材の腐食低減を図り得ることは当業者に明らかである。
　してみると、引用発明の原子炉構造材に付着しているｎ型半導体としての性質を有する光触媒物質の「熱励起」を利用して腐食低減を図ることは当業者が容易になし得る事項であって、さらに、前記「熱励起」を利用すれば、放射線環境下にない、火力発電所の高温下に晒される金属材料面の腐食低減を図り得ることも当業者に明らかである。
（２）＜相違点２＞について
　上述のとおり、ＢＷＲ型原子炉の運転時には原子炉構造材が１５０℃以上の高温水に晒されることは技術常識であって、引用発明の光触媒物質がそのような高温に晒された場合には、金属母材の腐食電位の低下をもたらすことも明らかである。
　そして、電解質溶液中における金属の腐食が腐食電位に依存することは技術常識である一方、本件補正発明において、「金属材料がステンレス鋼の場合に腐食電位が−１５０ｍＶ（ＳＨＥ）以下に、また、金属材料がニッケル基合金の場合、腐食電位が０ｍＶ（ＳＨＥ）以下になる」ようにしたのは、本願明細書の段落【００４０】〜【００４１】の記載からして、腐食電位が閾値を達成していなくても、腐食低減の十分な効果がみられると判断されることから決定したにすぎない。
　してみると、引用発明において、原子炉構造材を構成する金属母材として周知のステンレス鋼あるいはニッケル基合金の腐食防止のため、それら金属母材の腐食電位を定めることは、求める腐食防止効果を勘案して当業者が適宜設定しうる事項であって、相違点２のごとく腐食電位を定める点に格別の困難性を見いだすことはできない。
　
　そして、上記相違点１、２によって奏される作用効果が、引用発明ならびに当業者の技術常識から想定することができない格別のものと認めることもできない。
　
２−２−５　独立特許要件についてのむすび  
　したがって、本件補正後の請求項１に係る発明に係る補正が、新規事項の追加に該当せず、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるとしても、本件補正発明は引用発明、ならびに、当業者の技術常識および周知の技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものであり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しない。  
 　 
３　本件補正についてのむすび 
　以上のとおりであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に違反するものであり、また、本件補正が特許法第１７条の２第３項に違反せず、請求項１に係る補正が特許法第１７条の２第４項第２号に該当するものであるとしても、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反する。
　したがって、本件補正は特許法第１５９条１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　
III　本願発明について
１　本願発明 
　平成２０年３月７日付け手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし８に係る発明は、本件補正前の、平成１９年９月６日付け手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし８に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりである。 
「原子力または火力発電所における高温水に晒される金属材料面に熱励起により電流が発生するｎ型半導体を塗布または付着させることを特徴とする金属材料の腐食低減方法。」 
　
２　引用刊行物 
　原査定の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００１−４７８９号公報（以下、引き続き「引用例」という。）に記載された事項ならびに引用例に記載された発明である引用発明は、前記「２−２−２」に記載したとおりである。
　
３　本願発明と引用発明との対比
　本願発明と引用発明とを対比する。 
　引用発明の「ＢＷＲ発電所」が、本件発明の「原子力発電所」に相当することは明らかであり、また、引用発明の「原子炉構造材」は「金属材料」からなり、その「原子炉構造材」が「原子炉内の温度圧力条件下」において「高温水に晒される」ものであることは当業者の技術常識である。
　そして、引用発明の「光や放射線の照射により励起されて起電し、」「金属母材にアノード電流を流れやすくするｎ型半導体としての性質を有する光触媒物質」と本願発明の「熱励起により電流が発生するｎ型半導体」とは、「励起により電流が発生するｎ型半導体」である点で一致する。
　さらに、上記（オ）に摘記した事項からして、引用発明の「付着」が「塗布」を含む概念であることも明らかである。
　してみると、両者は、
 ＜一致点＞ 
 「原子力発電所における高温水に晒される金属材料面に励起により電流が発生するｎ型半導体を塗布または付着させる金属材料の腐食低減方法。」 
 である点で一致し、次の点で相違する。
＜相違点＞ 
　「励起により電流が発生するｎ型半導体」が、本願発明は「熱励起」によって電流が発生するのに対し、引用発明は「光や放射線の照射により励起されて」電流が発生する点、ならびに、本願発明は「火力発電所」も発明の対象とするのに対し、引用発明は火力発電所を対象として含んでいない点。
　
４　検討・判断
　上記＜相違点＞について検討する。
　「半導体」が「電気伝導度が絶対零度では０に近いが、高温では相当に大きくなる」物質であって、「高温では熱的に励起されて伝導帯に電子が上がるか、荷電子帯の電子が励起されて正孔を残すことによって、電子、正孔を担体とする電気伝導が生ずる」物質であることは周知の事項（必要ならば、「理化学事典」（株式会社岩波書店発行）の「半導体」の項を参照）であって、本願発明の実施例に用いられているＴｉＯ２がｎ型半導体と同じ振る舞いをする要因となる結晶内Ｏ（酸素）欠陥は、
外部からの紫外線や加熱などのエネルギー供給によって生じる
　そうすると、引用発明において、原子炉構造物に付着している「ｎ型半導体としての性質を有する光触媒物質」が原子炉内の温度条件にさらされた場合には、チェレンコフ光由来の紫外線や放射線に因らずとも、「熱励起」によって原子炉構造物に電流が流れて腐食電位が低下し、原子炉構造材の腐食低減を図り得ることは当業者が容易に想到し得る事項である。
　してみると、引用発明の原子炉構造材に付着しているｎ型半導体としての性質を有する光触媒物質の「熱励起」を利用して腐食低減を図ることは当業者が容易になし得る事項であって、さらに、前記「熱励起」を利用すれば、放射線環境下にない、火力発電所の高温下に晒される金属材料面の腐食低減をも図り得ることは当業者に明らかな事項である。
　そして、上記相違点による作用効果も、引用発明ならびに周知事項から想定できる作用効果の域を出るものでもないので、本願発明は、引用発明ならびに周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　なお、請求人は、本願発明に用いるＴｉＯ２と引用例に記載されたＴｉＯ２とは製造工程の違いによって特性の異なるものである旨の主張をするが、本願の明細書ならびに図面には、本願発明に用いているＴｉＯ２が如何なる製造工程によって製造されたものであるのか何ら開示がない上、ＴｉＯ２が紫外光のみならず熱によっても励起されることは前述のとおりであるので、請求人の前記主張を採用する余地はない。
　
５　むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。