【手続補正書】
【提出日】平成27年10月8日(2015.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の半導体層、活性層、及び第２の半導体層を含む複数の発光領域を含む発光構造物；
前記複数の発光領域のうちいずれか一つの第１の半導体層上に配置される第１の電極部；
前記複数の発光領域のうち他のいずれか一つの第２の半導体層上に配置される第２の電極部；
前記複数の発光領域のうち少なくとも更に他の一つの第２の半導体層上に配置される中間パッド；及び
前記複数の発光領域を順次直列に連結する連結電極；を含み、
前記直列に連結される複数の発光領域は第１のグループ〜第ｉのグループの発光領域に区分され、互いに異なるグループに属する発光領域の面積は互いに異なる発光素子（１＜ｉ≦ｊ、ｉとｊのそれぞれは自然数であり、ｊは最後の発光領域グループである）。
【請求項２】
第１の半導体層、活性層、及び第２の半導体層を含む複数の発光領域を含む発光構造物；
前記複数の発光領域のうちいずれか一つの第１の半導体層上に配置される第１の電極部；
前記複数の発光領域のうち他のいずれか一つの第２の半導体層上に配置される第２の電極部；
前記複数の発光領域のうち少なくとも更に他の一つの第１の半導体層上に配置される中間パッド；及び
前記複数の発光領域を順次直列に連結する連結電極；を含み、
前記直列に連結される複数の発光領域は、第１のグループ〜第ｉのグループの発光領域に区分され、互いに異なるグループに属する発光領域の面積は互いに異なる発光素子（１＜ｉ≦ｊ、ｉとｊのそれぞれは自然数であり、ｊは最後の発光領域グループである）。
【請求項３】
前記第１の電極部は、
前記第１のグループに含まれる各発光領域のうち１番目の発光領域の第１の半導体層上に配置される、請求項１に記載の発光素子。
【請求項４】
前記第２の電極部は、
前記第ｊのグループに含まれる各発光領域のうち最後の発光領域の第２の半導体層上に配置される、請求項３に記載の発光素子。
【請求項５】
前記第１の電極部は、
前記第ｊのグループに含まれる各発光領域のうち最後の発光領域の第１の半導体層上に配置される、請求項２に記載の発光素子。
【請求項６】
前記第２の電極部は、
前記第１のグループに含まれる各発光領域のうち１番目の発光領域の第２の半導体層上に配置される、請求項５に記載の発光素子。
【請求項７】
同一のグループに属する各発光領域の面積は互いに同一である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項８】
前記互いに異なるグループに属する発光領域の横の長さ及び縦の長さのうち少なくとも一つは互いに異なる、請求項１〜７のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項９】
第ｉ―１のグループに含まれる発光領域の面積は、第ｉのグループに含まれる発光領域の面積より大きい、請求項１〜８のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１０】
第１のグループから第ｊのグループに行くほど、各グループに含まれる発光領域の面積は減少する、請求項１〜９のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１１】
前記発光領域の横の長さ及び縦の長さのうちいずれか一つが減少する、請求項１０に記載の発光素子。
【請求項１２】
前記中間パッドは、
前記第ｊのグループを除いた残りのグループのそれぞれに属する各発光領域のうち最後の発光領域の第２の半導体層上に配置される、請求項１、３、４及び７〜１１のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１３】
前記中間パッドは、
前記第ｊのグループを除いた残りのグループのそれぞれに属する各発光領域のうち最後の発光領域の第１の半導体層上に配置される、請求項２、５、６及び７〜１１のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１４】
前記第１の電極部及び前記第２の電極部のそれぞれは、電源が供給されるパッドを含む、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１５】
前記中間パッドは、同一の発光領域内に位置する連結電極と電気的に連結される、請求項１、３、４、７〜１１、１２及び１４のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１６】
前記中間パッドは、同一の発光領域内に位置する連結電極と電気的に連結されない、請求項２、５、６、７〜１１、１３及び１４のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１７】
前記複数の発光領域上に配置される絶縁層をさらに含み、前記連結電極は前記絶縁層上に配置される、請求項１〜１６のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１８】
前記連結電極は、
前記絶縁層を貫通して前記隣接する各発光領域のうちいずれか一つの第１の半導体層と接触する第１の部分を含む、請求項１７に記載の発光素子。
【請求項１９】
前記絶縁層、前記第２の半導体層、及び前記活性層を貫通して前記隣接する各発光領域のうち残りの他の一つの第２の半導体層と接触する第２の部分をさらに含み、
前記絶縁層は、前記第２の部分と前記第２の半導体層との間、及び前記第２の部分と前記活性層との間に配置される、請求項１７又は１８に記載の発光素子。
【請求項２０】
前記発光構造物の下側に配置される基板；及び
前記各発光領域と前記絶縁層との間に配置される伝導層；をさらに含む、請求項１７〜１
９のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項２１】
第１の半導体層、活性層、及び第２の半導体層を含む複数の発光領域を含む発光構造物；
前記複数の発光領域のそれぞれの第２の半導体層の下側に配置される各金属層；
前記複数の発光領域のうちいずれか一つの第１の半導体層上に配置される第１の電極部；
前記複数の発光領域のうち他のいずれか一つの第２の半導体層の下側に配置された金属層と電気的に連結される第２の電極部；
前記複数の発光領域を順次直列に連結する連結電極；
前記複数の発光領域のうち少なくとも更に他の一つの第１の半導体層上に配置される中間パッド；及び
前記各金属層の相互間を電気的に絶縁させる絶縁層；を含み、
前記直列に連結される複数の発光領域は、第１のグループ〜第ｉのグループの発光領域に区分され、互いに異なるグループに属する発光領域の面積は互いに異なる発光素子（１＜ｉ≦ｊ、ｉとｊのそれぞれは自然数であり、ｊは最後の発光領域グループである）。
【請求項２２】
前記第２の電極部は、前記第１のグループの各発光領域のうち１番目の発光領域の金属層と連結される、請求項２１に記載の発光素子。
【請求項２３】
前記第１の電極部は、前記第ｊのグループの各発光領域のうち最後の発光領域の第１の半導体層上に配置される、請求項２１又は２２に記載の発光素子。
【請求項２４】
同一のグループに属する各発光領域の面積は互いに同一である、請求項２１〜２３のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項２５】
第ｉ―１のグループに含まれる発光領域の面積は、第ｉのグループに含まれる発光領域の面積より大きい、請求項２１〜２３のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項２６】
第１のグループから第ｊのグループに行くほど、各グループに含まれる発光領域の面積は減少する、請求項２１〜２５のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項２７】
前記中間パッドは、
前記第ｊのグループを除いた残りのグループのうち少なくとも一つのグループに属する各発光領域のうち最後の発光領域の第１の半導体層上に配置される、請求項２１〜２６のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項２８】
前記各金属層は、
オーミック層及び反射層のうち少なくとも一つを含む、請求項２１〜２７のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項２９】
前記複数の発光領域上に配置されるパッシベーション層をさらに含み、前記連結電極は
前記パッシベーション層上に配置される、請求項２１〜２８のいずれか１項に記載の発光
素子。
【請求項３０】
前記第２の電極部は、
前記複数の発光領域のうち前記他のいずれか一つの金属層と電気的に連結されるバリア層；及び
前記バリア層の下側に配置される支持層；を含む、請求項２１〜２９のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項３１】
前記連結電極は、
前記パッシベーション層、前記第１の半導体層、及び前記活性層を貫通して前記隣接する各発光領域のうちいずれか一つの第２の半導体層と接触する少なくとも一つの第１の部分；及び
前記パッシベーション層を貫通して前記隣接する各発光領域のうち残りの他の一つの第１の半導体層と接触する少なくとも一つの第２の部分；を含み、
前記パッシベーション層は、前記第１の部分と前記第１の半導体層との間、及び前記第１の部分と前記活性層との間に配置される、請求項２９に記載の発光素子。
【請求項３２】
前記絶縁層は、
前記第２の電極部と電気的に連結される前記他のいずれか一つの金属層を除いた残りの金属層と前記第２の電極部の相互間を電気的に絶縁させる、請求項２１〜３１のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項３３】
前記第２の部分の下面は、前記活性層の下面より下側に位置する、請求項１９〜２０のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項３４】
前記第２の部分は、ホール又は溝に電極物質が充填された形態である、請求項１９、２０及び３３のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項３５】
前記第１の部分の下面は、前記活性層の下面より下側に位置する、請求項３１〜３２のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項３６】
前記第１の部分は、ホール又は溝に電極物質が充填された形態である、請求項３１、３２及び３５のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項３７】
前記第１の半導体層の上面は凹凸（ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）を含む、請求項２１〜３２のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項３８】
確率的に使用頻度数の高い前記発光領域の面積は、確率的に使用頻度数の低い前記発光領域の面積より広い、請求項１〜３７のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項３９】
前記連結電極は前記伝導層と点接触する、請求項２０に記載の発光素子。
【請求項４０】
前記連結電極は前記第１の半導体層と点接触する、請求項１〜２０のいずれか１項に記載の発光素子。