【事件の表示】
　平成　８年特許願第５３４０６９号「窒化ガリウム活性層を有する二重ヘテロ接合発光ダイオード」拒絶査定不服審判事件〔平成　８年１１月１４日国際公開、ＷＯ９６／３６０８０、平成１１年　４月２７日国内公表、特表平１１−５０４７６４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成８年４月１５日（パリ条約による優先権主張１９９５年５月８日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成１８年６月１２日に手続補正がなされ、平成１９年５月８日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年８月１３日に拒絶査定不服審判請求がなされるとともに同年９月１２日に手続補正がなされたものである。
　
　そして、その請求項に係る発明は、平成１９年９月１２日付け手続補正書で補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜１４に記載された事項により特定されるものであると認められるところ、請求項１に係る発明は次のものである。
　
「【請求項１】
可視スペクトルの青色部分に発光し、
　基体（２１）、
　前記基体上の緩衝層（２２）、および
　前記緩衝層上の二重ヘテロ構造（２４）
を含む二重ヘテロ構造発光ダイオードにおいて、
　前記二重ヘテロ構造が、
　　約２Ｅ１８の正味ドーピング密度を有するｎ型窒化アルミニウムガリウム層（２５）、
　　前記ｎ型窒化アルミニウムガリウム層（２５）上の約１Ｅ１８〜４Ｅ１８の正味ドーピング密度を有する補償ｎ型窒化ガリウム活性層（２６）、および
　　前記窒化ガリウム層上の約１Ｅ１９の正味ドーピング密度を有するｐ型窒化アルミニウムガリウム層（２７）
を含み、前記ｐ型窒化アルミニウムガリウム層及び前記ｎ型活性層がｐ−ｎ接合を形成する二重ヘテロ構造発光ダイオード。」（以下「本願発明」という。）
　
　
２．刊行物の記載事項
　本願の優先日前に頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である特開平７−７１８２号公報（以下「引用刊行物」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
ア　「【特許請求の範囲】
【請求項１】  ｎ型Ｇａ１−ＹＡｌＹＮ（０＜Ｙ＜１）層とｐ型Ｇａ１−ＺＡｌＺＮ（０＜Ｚ＜１）層との間に、ｎ型ドーパントとｐ型ドーパントとがドープされたｎ型Ｇａ１−ＸＡｌＸＮ（０≦Ｘ＜１、Ｘ＜Ｙ、Ｘ＜Ｚ）層を発光層として具備することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
【請求項２】  前記ｎ型Ｇａ１−ＸＡｌＸＮ層の電子キャリア濃度は１×１０１７／ｃｍ３〜１×１０２２／ｃｍ３の範囲にあることを特徴とする請求項１に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。」
　
イ　「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は窒化ガリウム系化合物半導体を用いた発光素子に係り、特にｐ−ｎ接合を有するダブルへテロ構造の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子に関する。」 
　
ウ　「【０００５】・・・本発明は・・・、その目的とするところは、ｐ−ｎ接合の窒化ガリウム系化合物半導体を用いて発光素子の輝度、および発光出力を向上させることにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】・・・（略）・・・本発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子はｎ型Ｇａ１−ＹＡｌＹＮ（０＜Ｙ＜１）層とｐ型Ｇａ１−ＺＡｌＺＮ（０＜Ｚ＜１）層との間に、ｎ型ドーパントとｐ型ドーパントとがドープされたｎ型Ｇａ１−ＸＡｌＸＮ（０≦Ｘ＜１、Ｘ＜Ｙ、Ｘ＜Ｚ）層を発光層として具備することを特徴とする。
【０００７】本発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、クラッド層であるｎ型Ｇａ１−ＹＡｌＹＮ層（以下、ｎクラッド層という。）とは、ＧａＡｌＮに例えばＳｉ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｔｅ等のｎ型ドーパントをドープしてｎ型特性を示すように成長させた層をいう。また、ＧａＡｌＮの場合ノンドープでもｎ型になる性質がある。」
　
エ　「【０００９】また、同じくクラッド層であるｐ型Ｇａ１−ＺＡｌＺＮ層（以下、ｐクラッド層という。）とは、ＧａＡｌＮにＺｎ、Ｍｇ、Ｃｄ、Ｂｅ、Ｃａ等のｐ型ドーパントをドープして、ｐ型特性を示すように成長した層をいう。・・・（略）・・・。」
　
オ　「【００１１】一方、発光層であるｎ型Ｇａ１−ＸＡｌＸＮ層（以下、ｎ発光層という）中の電子キャリア濃度は１×１０１７／ｃｍ３〜１×１０２２／ｃｍ３の範囲に調整することが好ましい。電子キャリア濃度が１×１０１７／ｃｍ３より少ないか、または１×１０２２／ｃｍ３よりも多いと、実用的に十分な発光出力が得られない傾向にある。また、電子キャリア濃度と抵抗率とは反比例し、その濃度がおよそ１×１０１５／ｃｍ３以下であると、ｎ発光層は高抵抗なｉ型となる傾向にあり、電子キャリア濃度測定不能となる。電子キャリア濃度は、ｎ発光層にドープするｎ型ドーパントとｐ型ドーパントのドープ量を適宜調整するか、あるいは成長条件を適宜調整することにより調整することができる。・・・（略）・・・。」
　
カ　「【００１７】［実施例１］サファイア基板１を反応容器内に設置し、・・・（略）・・・、サファイア基板上にＧａＮバッファ層２を約２００オングストロームの膜厚で成長させる。
【００１８】バッファ層２成長後、・・・（略）・・・、Ｓｉをドープしたｎ型ＧａＮ層３を４μｍ成長させる。
【００１９】ｎ型ＧａＮ層３成長後、・・・（略）・・・、ｎクラッド層４としてＳｉドープＧａ０．８Ａｌ０．２Ｎ層を０．１５μｍ成長させる。
【００２０】ｎクラッド層４成長後、・・・（略）・・・、ｎ発光層５としてＳｉ、ＺｎドープＧａ０．９９Ａｌ０．０１Ｎ層を５００オングストローム成長させる。なお、このｎ発光層５層の電子キャリア濃度は１×１０１９／ｃｍ３であった。
【００２１】次に、・・・（略）・・・、ｐクラッド層６として、Ｍｇをドープしたｐ型Ｇａ０．８Ａｌ０．２Ｎ層を０．２μｍ成長させる。
【００２２】さらにｐクラッド層６成長後、・・・（略）・・・、ｐコンタクト層７として、Ｍｇをドープしたｐ型ＧａＮ層を０．５μｍ成長させる。
【００２３】成長後、・・・（略）・・・、最上層のｐコンタクト層７と、ｐクラッド層６とをさらに低抵抗化し、それぞれ抵抗率１０Ω・ｃｍ以下にする。
【００２４】以上のようにして得られたウエハーのｐコンタクト層７、ｐクラッド層６、ｎ発光層５、およびｎクラッド層４の一部をエッチングにより取り除き、ｎ型ＧａＮ層３を露出させ、ｐコンタクト層７と、ｎ型ＧａＮ層３とにそれぞれオーミック電極８、９を設け、５００μｍ角のチップにカットした・・・（略）・・・。」
　
キ　「【００３４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、ｐ型ドーパントおよびｎ型ドーパントをドープしたｎ型Ｇａ１−ＸＡｌＸＮ層を発光層とするダブルへテロ構造としているため、従来のＭＩＳ構造の発光素子に比して、格段に発光出力が増大する。また、ｐコンタクト層をｐクラッド層の上に積層することにより発光素子の順方向電圧が下がり、発光効率が向上する。これにより、ＳｉＣ、ＭＩＳ構造ＧａＮしか利用されていなかった従来の青色発光素子にとってかわり、本発明の発光素子が十分に実用可能となり、平面ディスプレイ、フルカラー発光ダイオード等が実現できる。」
 　 
　よって、これらの記載を総合すると、引用刊行物には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。 
 　 
「サファイア基板、
　前記サファイア基板上にＧａＮバッファ層、
　前記ＧａＮバッファ層上にｎ型ＧａＮ層、ｎ型ドーパントがドープされたｎ型Ｇａ１−ＹＡｌＹＮ（０＜Ｙ＜１）層、ｎ型ドーパントとｐ型ドーパントとがドープされたｎ型Ｇａ１−ＸＡｌＸＮ（０≦Ｘ＜１、Ｘ＜Ｙ、Ｘ＜Ｚ）発光層及びｐ型ドーパントがドープされたｐ型Ｇａ１−ＺＡｌＺＮ（０＜Ｚ＜１）層
を成長させた、従来の青色発光素子にとってかわる窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。」 
　
　
３．対比、判断
　本願発明と引用発明を対比する。
　
ア　引用発明の「サファイア基板」、「ＧａＮバッファ層」、「ｎ型ドーパントがドープされたｎ型Ｇａ１−ＹＡｌＹＮ（０＜Ｙ＜１）層」及び「ｐ型ドーパントがドープされたｐ型Ｇａ１−ＺＡｌＺＮ（０＜Ｚ＜１）層」は、それぞれ、本願発明の「基体」、「緩衝層」、「ｎ型窒化アルミニウムガリウム層（２５）」及び「（窒化ガリウム層上の）ｐ型窒化アルミニウムガリウム層（２７）」に相当する。
　
イ　引用発明の「ｎ型ドーパントとｐ型ドーパントとがドープされたｎ型Ｇａ１−ＸＡｌＸＮ（０≦Ｘ＜１、Ｘ＜Ｙ、Ｘ＜Ｚ）発光層」は、Ｘ＝０の場合、本願発明の「（ｎ型窒化アルミニウムガリウム層（２５）上の）補償ｎ型窒化ガリウム活性層（２６）」に相当する。
　
ウ　引用発明の「ＧａＮバッファ層」上に成長される「ｎ型ドーパントがドープされたｎ型Ｇａ１−ＹＡｌＹＮ（０＜Ｙ＜１）層、ｎ型ドーパントとｐ型ドーパントとがドープされたｎ型Ｇａ１−ＸＡｌＸＮ（０≦Ｘ＜１、Ｘ＜Ｙ、Ｘ＜Ｚ）発光層及びｐ型ドーパントがドープされたｐ型Ｇａ１−ＺＡｌＺＮ（０＜Ｚ＜１）層」は、該ｎ型Ｇａ１−ＸＡｌＸＮ（０≦Ｘ＜１、Ｘ＜Ｙ、Ｘ＜Ｚ）発光層を発光層とするダブルヘテロ構造をなすものであるから（上記摘記事項キ【００３４】参照。）、引用発明は、本願発明の「（緩衝層上の）二重ヘテロ構造（２４）」を備えるものである。
　
エ　上記３．ウより、引用発明の「窒化ガリウム系化合物半導体発光素子」は、二重ヘテロ構造を備えるものであるから、本願発明の「二重ヘテロ構造発光ダイオード」に相当する。また、本願発明の「二重ヘテロ構造発光ダイオード」は、「基体（２１）、前記基体上の緩衝層（２２）、および前記緩衝層上の二重ヘテロ構造（２４）を含む」ものであるといえる。
　
オ　引用発明の「窒化ガリウム系化合物半導体発光素子」は、従来の青色発光素子にとってかわるものであるから、本願発明の「可視スペクトルの青色部分に発光し」なる事項を備えるものといえる。
　
カ　引用発明の「ｎ型ドーパントとｐ型ドーパントとがドープされたｎ型Ｇａ１−ＸＡｌＸＮ（０≦Ｘ＜１、Ｘ＜Ｙ、Ｘ＜Ｚ）発光層」と「ｐ型ドーパントがドープされたｐ型Ｇａ１−ＺＡｌＺＮ（０＜Ｚ＜１）層」とは、それぞれ導電性が異なるものであるから、引用発明は、「前記ｐ型窒化アルミニウムガリウム層及び前記ｎ型活性層がｐ−ｎ接合を形成する」なる事項を備えるものといえる。
　
　したがって、両者は、　  
「可視スペクトルの青色部分に発光し、
　基体、
　前記体上の緩衝層、および
　前記緩衝層上の二重ヘテロ構造
を含む二重ヘテロ構造発光ダイオードにおいて、
　前記二重ヘテロ構造が、
　　ｎ型窒化アルミニウムガリウム層、
　　前記ｎ型窒化アルミニウムガリウム層上の補償ｎ型窒化ガリウム活性層、および
　　前記窒化ガリウム層上のｐ型窒化アルミニウムガリウム層
を含み、前記ｐ型窒化アルミニウムガリウム層及び前記ｎ型活性層がｐ−ｎ接合を形成する二重ヘテロ構造発光ダイオード。」　  
である点で一致し、次の点で相違する。　  
 　  
相違点
　本願発明は、ｎ型窒化アルミニウムガリウム層が約２Ｅ１８の正味ドーピング密度を有し、補償ｎ型窒化ガリウム活性層が約１Ｅ１８〜４Ｅ１８の正味ドーピング密度を有し、ｐ型窒化アルミニウムガリウム層が約１Ｅ１９の正味ドーピング密度を有するのに対し、引用発明は、前記各層の正味ドーピング密度が不明な点。 
　
　上記相違点につき検討する。
　ダブルヘテロ構造を有する発光ダイオードにおいて、活性層及びこれを挟む各クラッド層のドーパントのドープ量を調整してその発光効率を高める等することは、本願の優先日前にこの分野では広く慣用されている技術である（例えば、特開平６−５９１８号公報（【００１０】）、特開平０５−１９８８３７号公報（【０００９】）、特開平５−９０６３８号公報（【０００６】、【００１０】、【００２０】）参照。）から、引用発明において発光素子の動作特性を改善するために、ｎ型窒化アルミニウムガリウム層、補償ｎ型窒化ガリウム活性層及びｐ型窒化アルミニウムガリウム層の正味ドーピング密度を適宜調整して本願発明のような値に規定することは、当業者が必要に応じて容易に行うことができることである。
　
　そして、本願発明によってもたらされる効果は、引用発明及び上記慣用手段から当業者が予測し得る程度のものである。
　
　
　
４．むすび
　したがって、本願発明は、引用発明及び慣用手段から当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。