【事件の表示】
　平成　７年特許願第１３６６８１号「酸化膜を形成する方法、改良された酸化膜を形成する方法、高品質の酸化膜を形成する方法、ならびにトンネルおよびゲート酸化膜を形成する方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　８年　６月２５日出願公開、特開平　８−１６７６６４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成７年６月２日の出願（パリ条約による優先権主張　１９９４年６月３日、米国）であって、平成１９年３月３０日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年６月２９日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年７月３０日付けで手続補正がなされたものである。
　　
第２　平成１９年７月３０日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）について
　［補正却下の決定の結論］
　平成１９年７月３０日付けの手続補正を却下する。
　［理由］
　１．本件補正の内容      　
　本件補正は、特許請求の範囲を補正するものであって、補正前及び補正後の特許請求の範囲の請求項１、２及び１０に係る発明は以下のとおりである。
（補正前）
「【請求項１】　化学蒸着プロセスで酸化物を形成するステップと、
　酸化物層をＮＯを含む雰囲気にさらし、それによって窒素を含む領域を酸化物層に形成するステップとを含む、酸化膜を形成する方法。
【請求項２】　半導体装置を製造するプロセスにおいて、
　化学蒸着によって半導体基板の表面上に酸化物層を形成するステップと、
　体積にして５％より多くのＮＯを含む雰囲気で酸化物層を有する半導体基板をアニ−リングするステップとを含む、酸化膜を形成する方法。」
「【請求項１０】　酸化膜は化学蒸着（ＣＶＤ）システムを使用して半導体基板上に形成され、
　アニーリングステップをＣＶＤシステムで行なって酸化物層に隣接して第２の酸化物層を形成し、第２の酸化物層は窒素を含む、請求項２に記載の方法。」
　
（補正後）
「【請求項１】　プラズマ増速化学蒸着プロセスで酸化物を形成するステップと、
　酸化物層をＮＯを含む雰囲気にさらし、それによって窒素を含む領域を酸化物層に形成するステップとを含む、酸化膜を形成する方法。
【請求項２】　半導体装置を製造するプロセスにおいて、
　プラズマ増速化学蒸着によって半導体基板の表面上に酸化物層を形成するステップと、
　体積にして５％より多くのＮＯを含む雰囲気で酸化物層を有する半導体基板をアニ−リングするステップとを含む、酸化膜を形成する方法。」
「【請求項１０】　半導体装置を製造するプロセスにおいて、
　化学蒸着によって半導体基板の表面上に酸化物層を形成するステップと、
　体積にして５％より多くのＮＯを含む雰囲気で酸化物層を有する半導体基板をアニーリングするステップとを備え、
　酸化膜は化学蒸着（ＣＶＤ）システムを使用して半導体基板上に形成され、
　アニーリングステップをＣＶＤシステムで行なって前記半導体基板と前記酸化物層との間に第２の酸化物層を形成し、第２の酸化物層は窒素を含む、酸化膜を形成する方法。」
　
　２．補正事項の整理
　補正事項１
　補正前の請求項１の「化学蒸着プロセス」を、補正後の請求項１の「プラズマ増速化学蒸着プロセス」と補正すること。
　補正事項２
　補正前の請求項２の「化学蒸着」を、補正後の請求項２の「プラズマ増速化学蒸着」と補正すること。
　補正事項３
　補正前の請求項２を引用する補正前の請求項１０を、独立請求項である補正後の請求項１０と補正する（補正事項３−１）とともに、補正前の請求項１０の「酸化物層に隣接して第２の酸化物層を形成し」を、補正後の請求項１０の「前記半導体基板と前記酸化物層との間に第２の酸化物層を形成し」と補正する（補正事項３−２）こと。
　
　３．補正事項の検討（その１）
　補正事項１について
　補正事項１についての補正は、補正前の請求項１の「化学蒸着プロセス」を、補正後の請求項１の「プラズマ増速化学蒸着プロセス」と技術的に限定するものであるから、平成６年法律第１１６号改正附則第６条によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　補正事項２について
　上記補正事項１についてにおいて検討したと同様の理由により、補正事項２についての補正は、平成６年法律第１１６号改正附則第６条によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　補正事項３について
　補正事項３−１についての補正は、引用形式の請求項を独立形式の請求項とするものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであり、平成６年法律第１１６号改正附則第６条によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項第４号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　補正事項３−２についての補正は、補正前の請求項１０の「酸化物層に隣接して第２の酸化物層を形成し」の「第２の酸化物層」と他の構成要素との位置関係を明りょうとするために、補正後の請求項１０の「前記半導体基板と前記酸化物層との間に第２の酸化物層を形成し」と補正するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであって、平成６年法律第１１６号改正附則第６条によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項第４号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　
　したがって、本件補正は、平成６年法律第１１６号改正附則第６条によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　
　４．補正事項についての検討（その２）
　ここで、補正前の請求項１及び２についての補正が、平成６年法律第１１６号改正附則第６条によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するから、本件補正が、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか否かについて更に検討する。
　
　（１）刊行物に記載された発明
　刊行物１：特開平５−３０４１４５号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に日本国内で頒布された特開平５−３０４１４５号公報（以下、「刊行物１」という。）には、図１ないし図３とともに、以下の事項が記載されている。
「【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、絶縁膜形成方法、特に膜厚が薄くかつ特性の優れた絶縁膜の形成方法に関する。」
「【０００３】絶縁膜としてはシリコン酸化膜（ＳｉＯ2 ）がその安定性によって依然として主要な材料である。代表的な超ＬＳＩであるダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（ＤＲＡＭ）では、微細化にともない、ゲート絶縁膜やメモリセルキャパシタ絶縁膜としての酸化膜の膜厚も着実に減少し続けている。また、不揮発性メモリ、例えば、薄い酸化膜のファウラー・ノルドハイム（Ｆｏｗｌｅｒ−Ｎｏｒｄｈｅｉｍ）トンネル電流を利用したＥＥＰＲＯＭの酸化膜は、薄く、かつ、高品質であることが望まれる。」
「【００１０】
【課題を解決するための手段】この目的の達成を図るため、この発明によれば、下地としての、酸化シリコン膜から成る第１絶縁膜を、窒素含有酸化性ガス中で熱処理を行って第２絶縁膜に置換する工程と、この第２絶縁膜形成により得られた構造体を不活性ガス中で熱処理する工程とを含むことを特徴とする。
【００１１】この発明の好適実施例によれば、窒素含有酸化性ガスを一酸化窒素、一酸化二窒素および二酸化窒素のガス群から選ばれた一種または二種以上のガスとするのが良い。」
「【００１３】
【作用】このように構成すると、まず、窒素含有酸化性ガス中で熱処理によって、第１絶縁膜としての酸化シリコン膜を第２絶縁膜としての酸窒化膜に変える。この酸窒化膜では、膜中の結合部分に窒素原子が侵入し、または、その結合部分が窒素原子で置換されるので、不対結合、弱い結合の数が減少し、その結果、絶縁耐性の向上が図れる。しかし、シリコン（Ｓｉ）と酸窒化膜との界面近傍には、依然として、窒素原子がパイルアップして窒素密度の高い領域が存在するので、この第２絶縁膜の形成後に、この第２絶縁膜を備えた構造体に対して不活性ガス中で熱処理を行うと、前述したシリコンと酸窒化膜との界面付近での領域で原子の再配列が起こる。その結果、その領域における圧縮ストレスが緩和される。よって、界面準位の生成が抑制される。従って、不活性ガス中での熱処理後に得られた、第２絶縁膜からなる絶縁膜は、この熱処理前の絶縁膜よりも更に絶縁耐性が向上する。」
「【００２８】次に、この発明の絶縁膜の形成方法の実施例につき、図１、図２及び図３を参照しながら説明する。
【００２９】図１は、この発明の実施例の説明に供する、熱処理工程の、熱サイクルを説明するための図である。同図において、横軸に処理時間を取り、縦軸に温度を取って示してある。図３は、この熱サイクルで成膜工程の説明図で、各工程段階で得られる構造体の断面図で示してある。
【００３０】この発明では、下地１８としての、酸化シリコン膜から成る第１絶縁膜１００上に、窒素含有酸化性ガス中で熱処理を行って第２絶縁膜２００を形成する。
【００３１】そのため、第１絶縁膜１００の形成工程につき、まず、説明する。反応炉１０内に基板１８を設置した後、この反応炉１０内を、例えば、１０-3〜１０-5トール（Ｔｏｒｒ）の範囲内の適当な真空度にまで排気する（図１のＳ１）。次に窒素を含まない（すなわち窒素非含有）酸化性ガス雰囲気中で、加熱処理を行って、シリコン（Ｓｉ）基板１８上に、第１絶縁膜となるシリコン（Ｓｉ）酸化膜１００を形成する。そのため、この窒素非含有酸化性ガスとして、例えば、酸素（Ｏ2 ）ガスを反応炉１０内に導入する（図１のＳ２）。この時、反応炉内の圧力は、例えば常圧（７６０Ｔｏｒｒ）とする。
【００３２】次に、加熱部１６を用いて、基板１８を加熱して基板表面にＳｉ酸化膜１００を形成する。基板１８の加熱は、基板表面温度を温度測定手段２６で測定しながら一定の昇温速度、例えば、１００℃／秒で行う。・・・
【００３３】次に、このようにして成膜された、酸化シリコン膜から成る第１絶縁膜１００上に、窒素含有酸化性ガス中で熱処理を行って第２絶縁膜２００として酸窒化膜を形成する（図３の（Ｂ））。この成膜は、第１絶縁膜１００の電気的絶縁破壊耐性の向上を図るために形成する。」
「【００３５】次に、加熱部１６を用いた加熱処理によって、Ｓｉ酸化膜１００が酸窒化膜２００に置換される。・・・加熱温度及び時間を適当に制御することによって第２酸化膜としての酸窒化膜の膜厚を数Ａ°〜数十Ａ°とすることができる。この実施例では、この酸窒化膜はＳｉＯｘＮｙ（但し、ｘ≧０、及びｙ≧０）である。この第２絶縁膜の形成後、一旦、基板１８を酸窒化が進行しない温度まで冷却する。」
「【００５０】また、上述した実施例では、この発明の第１絶縁膜の形成方法として窒素非含有酸化性ガスを用いて加熱処理を行って成膜する例につき説明したが、それ以外の方法、例えば、従来周知のＣＶＤ法等の化学的堆積法によって第１絶縁膜を成膜しても良いし、あるいは、従来周知の多結晶Ｓｉを、例えば窒素を含まない酸化性ガス中で加熱処理して、酸化して第１絶縁膜を成膜する方法であっても良い。
【００５１】また、上述した実施例においては、窒素含有酸化性ガスとしてＮ2 Ｏを用いた例につき説明したが、これに限定されるものではなく、一酸化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯ2 ）を用いることはもとより、これらの各ガスの任意の種類を適当に混合したガスであっても良い。」
　
（ａ）００５０段落には、第１絶縁膜の形成方法について、「従来周知のＣＶＤ法等の化学的堆積法によって第１絶縁膜を成膜しても良い」と記載され、また、００１０段落、００１１段落及び００５１段落には、第１絶縁膜の「窒素含有酸化性ガス中」での「熱処理」について、窒素含有酸化性ガスとして「一酸化窒素（ＮＯ）」を用いてもよいと記載されている。
　
　したがって、刊行物１には、以下の発明が記載されている。
「ＣＶＤ法等の化学堆積法により酸化膜を形成する工程と、
　前記酸化膜を一酸化窒素（ＮＯ）を含む窒素含有酸化性ガス中で熱処理して酸窒化膜を形成する工程とを含むことを特徴とする絶縁膜の形成方法。」
　
　（２）対比・判断
　上記１．の（補正後）の請求項１に記載された、本件補正後の請求項１に係る発明（以下、「補正発明」という。）と刊行物１に記載された発明（以下、「刊行物発明」という。）とを対比する。
（ａ）刊行物発明の「ＣＶＤ法等の化学堆積法」、「酸化膜」及び「一酸化窒素（ＮＯ）を含む窒素含有酸化性ガス中」は、それぞれ、補正発明の「化学蒸着プロセス」、「酸化物」及び「ＮＯを含む雰囲気」に相当する。
（ｂ）刊行物発明の「酸窒化膜」が「酸化膜」中に窒素を含むことは明らかであるから、刊行物発明の「酸窒化膜を形成する工程」は、補正発明の「窒素を含む領域を酸化物層に形成するステップ」に相当し、また、刊行物発明の「前記酸化膜を一酸化窒素（ＮＯ）を含む窒素含有酸化性ガス中で熱処理して酸窒化膜を形成する工程」は、補正発明の「酸化物層をＮＯを含む雰囲気にさらし、それによって窒素を含む領域を酸化物層に形成するステップ」に相当する。
　そして、「酸化膜」が「絶縁膜」であることは明らかであるから、刊行物発明の「絶縁膜の形成方法」は、補正発明の「酸化膜を形成する方法」に相当する。　
　
　よって、補正発明と刊行物発明とは、
「化学蒸着プロセスで酸化物を形成するステップと、
　酸化物層をＮＯを含む雰囲気にさらし、それによって窒素を含む領域を酸化物層に形成するステップとを含む、酸化膜を形成する方法。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　相違点
　補正発明は、「プラズマ増速化学蒸着プロセスで酸化物を形成するステップ」を備えているのに対して、
　刊行物発明は、「ＣＶＤ法等の化学堆積法により酸化膜を形成する工程」を備えた点。
　
　以下において、相違点について検討する。
　酸化膜をプラズマ雰囲気中でＣＶＤにより形成すること、言い換えると、プラズマＣＶＤ（Plasma　Enhanced　ＣＶＤ（ＰＣＶＤ））（プラズマ増速ＣＶＤ）により酸化膜を形成することは、例えば以下の周知文献１に記載されているように、本願の出願当時において、半導体分野において従来周知の技術であったことは明らかである。
　
　周知文献１：麻蒔立男、薄膜作成の基礎（第２版）、日本、日刊工業新聞社、１９８７年１月３０日、第２版４刷、１９６頁及び１９７頁、には、表９・４（１９７頁）とともに、以下の記載がある。
　「９・２　プラズマＣＶＤ−Plasma　Enhanced　ＣＶＤ（ＰＣＶＤ）
　常圧ＣＶＤ法も減圧ＣＶＤ法も,高温に加熱された表面での化学反応により薄膜を形成する．したがって,数百度Ｃ以上の高温度が不可欠である．プラズマＣＶＤ法は,常圧ＣＶＤや減圧ＣＶＤの反応空間にプラズマを導入することにより,その空間に存在する気体を活性化してやれば・・・もっと低い温度で薄膜を形成できようという意図から生まれた．
　この要請は，半導体プロセスに最も強く,窒化膜・酸化膜・ＰＳＧ薄膜などを低温（２００〜４００℃）で形成する研究がすすめられ,実用化されてきた．例えばＳｉ３Ｎ４の場合ＮＰあるいはＬＰＣＶＤでは１０００℃を要した・・・が,この方法では３００℃程度で薄膜をつけることができるようになった．その他酸化物などについても同様である（表９・４）．」（第１９６頁第１行ないし第１１行）
　
　したがって、刊行物発明の「ＣＶＤ法等の化学堆積法により酸化膜を形成する工程」において、酸化膜を形成するための手法として、「ＣＶＤ法等の化学堆積法」に代えて、半導体技術分野において、酸化膜等の薄膜を形成する手法として従来周知の「プラズマＣＶＤ（Plasma　Enhanced　ＣＶＤ（ＰＣＶＤ））（プラズマ増速ＣＶＤ）」を用いることにより、刊行物発明が、本願発明の如く、「プラズマ増速化学蒸着プロセスで酸化物を形成するステップ」を備えたものとすることは、当業者が容易になし得たものである。
　　
　（３）小むすび
　よって、補正発明は、刊行物１に記載された発明及び従来周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
　５．むすび
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　　
第３　本願発明　
　平成１９年７月３０日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし１３に係る発明は、平成１８年１０月１８日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし１３に記載された事項により特定されるものであり、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、請求項１に記載されている事項により特定される以下のとおりのものである。　
　
　「【請求項１】　化学蒸着プロセスで酸化物を形成するステップと、
　酸化物層をＮＯを含む雰囲気にさらし、それによって窒素を含む領域を酸化物層に形成するステップとを含む、酸化膜を形成する方法。」
　
第４　刊行物に記載された発明
　刊行物１の特開平５−３０４１４５号公報に記載された事項は、「第２　４．（１）刊行物に記載された発明」に記載されるとおりであり、また、刊行物１に記載される発明は、以下のとおりである。
　
　「ＣＶＤ法等の化学堆積法により酸化膜を形成する工程と、
　前記酸化膜を一酸化窒素（ＮＯ）を含む窒素含有酸化性ガス中で熱処理して酸窒化膜を形成する工程とを含むことを特徴とする絶縁膜の形成方法。」
　
第５　対比・判断
　本願発明と刊行物発明とを対比する。
（ａ）刊行物発明の「ＣＶＤ法等の化学堆積法」、「酸化膜」及び「一酸化窒素（ＮＯ）を含む窒素含有酸化性ガス中」は、それぞれ、本願発明の「化学蒸着プロセス」、「酸化物」及び「ＮＯを含む雰囲気」に相当する。
（ｂ）刊行物発明の「酸窒化膜」が「酸化膜」中に窒素を含むことは明らかであるから、刊行物発明の「酸窒化膜を形成する工程」は、本願発明の「窒素を含む領域を酸化物層に形成するステップ」に相当し、また、刊行物発明の「前記酸化膜を一酸化窒素（ＮＯ）を含む窒素含有酸化性ガス中で熱処理して酸窒化膜を形成する工程」は、本願発明の「酸化物層をＮＯを含む雰囲気にさらし、それによって窒素を含む領域を酸化物層に形成するステップ」に相当する。
　そして、「酸化膜」が「絶縁膜」であることは明らかであるから、刊行物発明の「絶縁膜の形成方法」は、本願発明の「酸化膜を形成する方法」に相当する。　　
　
　したがって、本願発明と刊行物発明とは、
「化学蒸着プロセスで酸化物を形成するステップと、
　酸化物層をＮＯを含む雰囲気にさらし、それによって窒素を含む領域を酸化物層に形成するステップとを含む、酸化膜を形成する方法。」である点で一致する。
　
　よって、本願発明と刊行物発明とは相違点がなく、本願発明は、刊行物１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　
第６　むすび
　以上のとおりであるから、本願は、請求項２ないし１３に係る発明について検討するまでもなく、特許法第２９条第１項第３号の規定により拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。