(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に処理液を供給して処理する液処理ユニットを複数備えると共に，各液処理ユニット内の雰囲気を排気する共通の排気装置と，各液処理ユニットと排気装置とを接続する排気回路とを備えた液処理システムであって，
前記排気回路は，各液処理ユニットに接続された複数の分岐回路と，各分岐回路と前記排気装置を接続する共通回路とを備え，各分岐回路には開閉弁が設けられていることを特徴とする，液処理システム。
【請求項２】
前記各液処理ユニットは，基板を回転自在に保持する保持手段を備えることを特徴とする，請求項１に記載の液処理システム。
【請求項３】
基板の回転数が所定の設定値を超えた時に，前記開閉弁が開き，基板の回転数が所定の回転数以下になった時に，前記開閉弁が閉じる制御手段を有することを特徴とする，請求項２に記載の液処理システム。
【請求項４】
基板を所定の回転数以下で回転させ，もしくは基板を停止させて基板の表面に第１の処理液を供給して処理する第１の工程と，
基板を所定の回転数を超える回転数で回転させて基板の表面に第２の処理液を供給して処理する第２の工程と，基板を所定の回転数を超える回転数で回転させて基板の表面を乾燥させる第３の工程とを備えた液処理方法であって，
前記第２の工程と前記第３の工程において前記基板の雰囲気を排気することを特徴とする，液処理方法。
【請求項５】
複数の液処理ユニットにて，請求項４に記載の液処理方法をそれぞれ行う液処理方法であって，
一の液処理ユニットにて前記第１の工程が行われる際に，他の処理ユニットにて前記第２及び／又は第３の工程が行われることを特徴とする，液処理方法。
【請求項６】
基板を回転自在に保持する保持手段と，
前記保持手段に保持された基板を収容するカップと，
前記カップに収容された基板に処理液を供給する処理液供給手段と，を具備する液処理システムにおいて，
前記カップに接続され，前記カップ内の雰囲気を排気する回路と，
この回路に設けられた開閉弁と，
前記保持手段に保持された基板の回転数が所定の設定値を超えた時に，前記開閉弁が開くように制御する制御手段と，を備えたことを特徴とする，液処理システム。
【請求項７】
基板を回転自在に保持する保持手段と，
前記保持手段に保持された基板を収容するカップと，
前記カップに収容された基板に第１の処理液を供給する第１の処理液供給手段と，
前記カップに収容された基板に第２の処理液を供給する第２の処理液供給手段と，を具備する液処理システムにおいて，
前記カップに接続され，前記カップ内の雰囲気を排気する回路と，
この回路に設けられた開閉弁と，
前記保持手段に保持された基板の回転数が所定の設定値を超えた時に，前記開閉弁が開くように制御する制御手段と，を備え，
前記第１の処理液供給手段から基板に第１の処理液を供給して処理する第１の工程時における基板の回転数よりも，前記所定の設定値は高く設定され，かつ前記第２の処理液供給手段から基板に第２の処理液を供給して処理する第２の工程時における基板の回転数よりも，前記所定の設定値は低く設定されていることを特徴とする，液処理システム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，基板の液処理システム及び液処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイスの製造においては，例えば半導体ウェハ（以下，「ウェハ」という。）等の表面にパターンを形成するフォトリソグラフィ工程が行われている。このフォトリソグラフィ工程は，レジスト塗布や露光処理等のウェハに対する各種処理工程を有しており，かかる一連の処理は従来から塗布現像処理装置によって行われている。
【０００３】
塗布現像処理装置にはレジスト塗布装置や加熱装置等の各種処理装置が個別に装備されており，これらの各処理装置においてウェハに対する所定の処理が行われている。このうち現像処理装置におけるウェハの現像処理にあっては，先ずウェハ上に現像液を盛り上げた状態でウェハをしばらく停止させてパターンを現像するパドル現像工程が行われる。次いで，パドル現像後のウェハを高速で回転させながら純水等の洗浄液を供給して現像液を洗い流すリンス工程が行われ，最後にリンス工程後のウェハをより高速で回転させて洗浄液を振り切り乾燥させる乾燥工程が順次行われている。
【０００４】
ところで，リンス工程時や乾燥工程時にはウェハを高速で回転させるために，ウェハ上に供給された現像液等はミスト化して周囲に飛散する場合があった。そしてこの場合には，現像液のミストが，例えばウェハに再付着する等して現像処理の不良を招く場合が生じていた。そこで従来より，ウェハに現像処理を施す際には，例えばカップに接続する排気管からカップ内のミストを含んだ雰囲気を常時排気することが行われてきた。
【０００５】
特に最近では，ウェハの処理枚数を向上させるために，１台の塗布現像処理装置に複数台の現像処理装置を装備した，いわゆるマルチユニットが採用されている。かかるマルチユニットにあっては，各現像処理装置のカップと集合排気装置とを排気管を介して夫々接続し，これらの排気管からミストを含んだカップ内の雰囲気を集合排気装置に常時導入し，他の処理装置等で発生した処理後の雰囲気と共に一括処理するようにしている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら，現像処理時にカップ内でミストが多く発生するのはウェハを高速で回転させるリンス工程時と乾燥工程時であって，ウェハを停止させるパドル現像時にはミストが発生しない。従って従来のように，パドル現像工程から乾燥工程に至るまでカップ内の雰囲気を常時排気したのでは，ミストが含まれないパドル現像時のカップ内の雰囲気まで排気してしまうため，徒に排気量が多くなり，集合排気装置等の省エネルギー化を図ることが困難になる。また塗布現像処理装置がマルチユニットの場合には，各カップに排気管を各々接続するために，排気管の本数が増えると共に，排気管の総延長が長くなるために現像処理装置の複雑化を招いてしまう。
【０００７】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり，省エネルギー化を図ることができ，かつ構造の複雑化を防止可能な液処理システム及び液処理方法を提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために，請求項１によれば，基板の表面に処理液を供給して処理する液処理ユニットを複数備えると共に，各液処理ユニット内の雰囲気を排気する共通の排気装置と，各液処理ユニットと排気装置とを接続する排気回路とを備えた液処理システムであって，前記排気回路は，各液処理ユニットに接続された複数の分岐回路と，各分岐回路と前記排気装置を接続する共通回路とを備え，各分岐回路には開閉弁が設けられていることを特徴とする，液処理システムが提供される。
【０００９】
請求項１に記載の液処理システムにあっては，開閉弁の開放によって，各液処理ユニット内の雰囲気は各分岐回路を流通する。そして，各分岐回路を流通する各液処理ユニット内部の雰囲気は全て共通回路に導入され，この共通回路を通じて排気装置に供給され排気される。従って，各液処理ユニットと排気装置とを個々に接続していた従来の液処理システムよりも排気回路の総延長距離が短くなる。また，開閉弁の開閉を切り換えることによって液処理ユニット毎の排気の制御が可能となる。
【００１０】
請求項２に記載の発明は，請求項１に記載の液処理システムにおいて，前記各液処理ユニットは，基板を回転自在に保持する保持手段を備えることを特徴としている。
【００１１】
請求項２に記載の液処理システムにあっては，保持手段に保持させた基板を回転させた状態で処理しながら，液処理ユニット内の雰囲気を排気することができる。従って，基板の回転時に発生して周囲に飛散する処理液のミスト等を排気することが可能となる。
【００１２】
請求項３に記載の発明は，請求項２に記載の液処理システムにおいて，基板の回転数が所定の設定値を超えた時に，前記開閉弁が開き，基板の回転数が所定の回転数以下になった時に，前記開閉弁が閉じる制御手段を有することを特徴としている。
【００１３】
請求項３に記載の液処理システムにあっては，基板の回転数が所定の回転数を超えた際にはミストが発生し，所定の回転数以下ではミストが殆ど発生しない。そして，基板の回転数が所定の回転数以上になった際には，開閉弁を開いて液処理ユニット内部で発生したミストを排気装置から排気するようにし，また基板の回転数が所定の回転数以下の場合には，開閉弁を閉じて上記ミストを排気装置で排気しないようにする。その結果，各液処理ユニット内における基板の回転数に応じて，液処理ユニット毎に排気を切り換えることにより，従来よりも効率的な排気が可能となる。
【００１４】
請求項４によれば，基板を所定の回転数以下で回転させ，もしくは基板を停止させて基板の表面に第１の処理液を供給して処理する第１の工程と，基板を所定の回転数を超える回転数で回転させて基板の表面に第２の処理液を供給して処理する第２の工程と，基板を所定の回転数を超える回転数で回転させて基板の表面を乾燥させる第３の工程とを備えた液処理方法であって，前記第２の工程と前記第３の工程において前記基板の雰囲気を排気することを特徴とする，液処理方法が提供される。
【００１５】
請求項４に記載の液処理方法にあっては，基板を所定の回転数以下で回転するか，もしくは基板の回転が停止する第１の工程時には，基板から飛散する第１の処理液のミストがほとんど発生せず，この場合には排気を停止する。一方，基板を所定の回転数を超える回転数で回転させる第２もしくは第３の工程時には，基板から飛散する各処理液のミストが多く発生する。そこで，第２または第３の工程時には排気を行うことにより，基板の回転数に応じた上記ミストの効率的な排気が可能となる。
【００１６】
請求項５によれば，複数の液処理ユニットにて，請求項４に記載の液処理方法をそれぞれ行う液処理方法であって，一の液処理ユニットにて前記第１の工程が行われる際に，他の処理ユニットにて前記第２及び／又は第３の工程が行われることを特徴とする，液処理方法が提供される。
【００１７】
請求項５に記載の液処理方法にあっては，一の処理ユニットに対する基板の搬入時間と，他の処理ユニットに対する基板の搬入時間とのズレを利用して，一の液処理ユニットで第１の工程を行う際に，他の処理ユニットで第２及び／又は第３の工程を行うようにする。そして，第１の工程を行う一の液処理ユニットにあっては，基板が所定の回転数以上で回転しないために排気を行わず，第２の工程を行う他の液処理ユニットにあっては，基板が所定の回転数以上で回転するために排気を行う。一の処理ユニットと他の処理ユニットとの間でこのような排気の切り換えを行うことにより，従来よりも少ない排気量で複数の液処理ユニットを排気することができる。
請求項６の発明によれば，基板を回転自在に保持する保持手段と，前記保持手段に保持された基板を収容するカップと，前記カップに収容された基板に処理液を供給する処理液供給手段と，を具備する液処理システムにおいて，前記カップに接続され，前記カップ内の雰囲気を排気する回路と，この回路に設けられた開閉弁と，前記保持手段に保持された基板の回転数が所定の設定値を超えた時に，前記開閉弁が開くように制御する制御手段と，を備えたことを特徴とする液処理システムが提供される。
請求項７の発明によれば，基板を回転自在に保持する保持手段と，前記保持手段に保持された基板を収容するカップと，前記カップに収容された基板に第１の処理液を供給する第１の処理液供給手段と，前記カップに収容された基板に第２の処理液を供給する第２の処理液供給手段と，を具備する液処理システムにおいて，前記カップに接続され，前記カップ内の雰囲気を排気する回路と，この回路に設けられた開閉弁と，前記保持手段に保持された基板の回転数が所定の設定値を超えた時に，前記開閉弁が開くように制御する制御手段と，を備え，前記第１の処理液供給手段から基板に第１の処理液を供給して処理する第１の工程時における基板の回転数よりも，前記所定の設定値は高く設定され，かつ前記第２の処理液供給手段から基板に第２の処理液を供給して処理する第２の工程時における基板の回転数よりも，前記所定の設定値は低く設定されていることを特徴とする液処理システムが提供される。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下，本発明の実施の形態について説明する。図１〜３は本実施の形態にかかる現像処理システムを有する塗布現像処理装置の外観を示しており，図１は平面図，図２は正面図，図３は背面図である。
【００１９】
塗布現像処理装置１は図１に示すように，例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部から塗布現像処理装置１に対して搬入出したり，カセットＣに対してウェハＷを搬入出したりするためのカセットステーション２と，塗布現像処理工程の中で枚葉式に所定の処理を施す各種処理装置を多段配置してなる処理ステーション３と，この処理ステーション３に隣接して設けられる露光装置（図示せず）との間でウェハＷの受け渡しをするためのインターフェイス部４とを一体に接続した構成を有している。
【００２０】
カセットステーション２では，載置部となるカセット載置台５上の位置決め突起６の位置に例えば４個の各カセットＣがウェハＷの出入口を処理ステーション３側に向けてＸ方向（図１中の上下方向）一列に載置自在である。そして，このカセット配列方向（Ｘ方向）及びカセットＣに収容されたウェハＷのウェハ配列方向（Ｚ方向；垂直方向）に移動可能なウェハ搬送体７が搬送路８に沿って移動自在であり，各カセットＣに対して選択的にアクセスできるようになっている。
【００２１】
ウェハ搬送体７はθ方向（Ｚ軸を中心とする回転方向）にも回転自在に構成されており，後述するように処理ステーション３側の第３の処理装置群Ｇ３の多段ユニット部に属するアライメント装置３２及びエクステンション装置３３に対してもアクセスできるように構成されている。
【００２２】
処理ステーション３では，ウェハＷを保持するピンセット１０，１１，１２を上中下３本備えた主搬送装置１３が中心部に配置されており，主搬送装置１３の周囲には各種処理装置が多段に配置されて処理装置群を構成している。塗布現像処理装置１においては，５つの処理装置群Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４，Ｇ５が配置可能であり，第１及び第２の処理装置群Ｇ１，Ｇ２は塗布現像処理装置１の正面側に配置されており，第３の処理装置群Ｇ３はカセットステーション２に隣接して配置されており，第４の処理装置群Ｇ４はインターフェイス部４に隣接して配置されており，破線で示した第５の処理装置群Ｇ５は背面側に配置されている。
【００２３】
第１の処理装置群Ｇ１では図２に示すように，２種類のスピンナ型処理装置，例えばウェハＷに対してレジストを塗布して処理するレジスト塗布装置１５と，ウェハＷに対して現像液を供給して処理する現像処理装置１６が下から順に２段に配置されている。第２の処理装置群Ｇ２の場合も同様に，レジスト塗布装置１７と，現像処理装置１８とが下から順に２段に積み重ねられている。
【００２４】
第３の処理装置群Ｇ３では図３に示すように，ウェハＷを載置台に載せて所定の処理を施すオーブン型の処理装置，例えば冷却処理を行うクーリング装置３０，レジストとウェハＷとの定着性を高めるためのアドヒージョン装置３１，ウェハＷの位置合わせを行うアライメント装置３２，ウェハＷを待機させるエクステンション装置３３，露光処理前の加熱処理を行うプリベーキング装置３４，３５及び現像処理後の加熱処理を施すポストベーキング装置３６，３７等が下から順に例えば８段に重ねられている。
【００２５】
第４の処理装置群Ｇ４では，例えばクーリング装置４０，載置したウェハＷを自然冷却させるエクステンション・クーリング装置４１，エクステンション装置４２，クーリング装置４３，露光処理後のウェハＷを加熱処理するポストエクスポージャーベーキング装置４４，４５，ポストベーキング装置４６，４７等が下から順に例えば８段に積み重ねられている。
【００２６】
インタフェイス部４の中央部にはウェハ搬送体５０が設けられている。このウェハ搬送体５０はＸ方向（図１中の上下方向），Ｚ方向（垂直方向）の移動及びθ方向（Ｚ軸を中心とする回転方向）の回転が自在にできるように構成されており，第４の処理装置群Ｇ４に属するエクステンション・クーリング装置４１，エクステンション装置４２，周辺露光装置５１及び露光装置（図示せず）に対してアクセスできるように構成されている。
【００２７】
塗布現像処理装置１は以上のように構成されている。次に，液処理システムとしての現像処理装置１６，１８について説明する。なお，現像処理装置１６，１８は基本的に同様の構成を有しているため，現像処理装置１６について以下に説明する。
【００２８】
現像処理装置１６は図４に示すように，適宜のケーシング材からなる側板５２，５３，天板５４，底板５５で覆われたケーシング５６を有している。
ケーシング５６の内部にはウェハＷを収容するカップ５７と，カップ５７内に収容されたウェハＷに現像液を供給する現像液供給手段５８と，純水等の洗浄液を供給する洗浄液供給手段５９とが備えられている。
【００２９】
カップ５７の下部には排液管６０が設けられており，現像液供給手段５８や洗浄液供給手段５９からウェハＷに対して供給された現像液や洗浄液が排液管６０を通じて，ケーシング５６の下方に設置されたドレインタンク６１に排出されるようになっている。
【００３０】
カップ５７の内部にはウェハＷを真空吸着して保持するスピンチャック６２が装備されており，スピンチャック６２はモータ６３によって回転自在となっている。このモータ６３の回転数は制御装置６４に常時入力されるようになっている。この制御装置６４はケーシング５６外部に設置されており，制御装置６４には後述する所定の回転数Ｘを設定することができるようになっている。
カップ５７の底部側壁には分岐回路としての分岐管６５が接続されており，この分岐管６５には開閉弁６６が設けられている。そして，制御装置６４に設定した回転数とモータ６３の回転数とによって，制御装置６４は後述するように開閉弁６６の開閉動作を制御することができるようになっている。
【００３１】
現像液供給手段５８は，ウェハＷに現像液を吐出する現像液吐出ノズル６７と，現像液吐出ノズル６７を保持するノズルホルダ６８とを備えており，現像液吐出ノズル６７には現像液供給源（図示せず）に接続する送液管６９を通じて現像液が送液されるようになっている。
洗浄液供給手段５９は，ウェハＷに洗浄液を吐出する洗浄液吐出ノズル７０と，洗浄液吐出ノズル７０を保持するノズルホルダ７１とを備えており，洗浄液吐出ノズル７０には洗浄液供給源（図示せず）に接続する送液管７２を通じて現像液が送液されるようになっている。
【００３２】
ノズルホルダ６８，７１は側壁５２，５３を結ぶレール７３に取り付けられており，これらのノズルホルダ６８，７１には駆動機構（図示せず）が夫々内蔵されている。そしてこれらの駆動機構（図示せず）によって，ノズルホルダ６８，７１はそれぞれ往復矢印で示す水平方向に移動自在である。かかる構成により，現像液供給手段５８及び洗浄液供給手段５９はそれぞれ，ウェハＷに対して現像液または洗浄液を供給しない待機位置と，ウェハＷに対して現像液または洗浄液を供給する動作位置との間を水平方向に移動自在となっている。
【００３３】
上述の現像処理装置１６と同様の構成を有する現像処理装置１８にあっても同様に，図５に示すように，カップ７５と，スピンチャック７６と，モータ７７とが備えられており，カップ７５の底部側壁には開閉弁７８を介装した分岐管７９が接続されている。このカップ７５に接続する分岐管７９と，現像処理装置１６のカップ５７に接続する分岐管６５とは共に共通回路としての共通管８０に接続しており，さらに共通管８０は，レジスト塗布装置１５，１７等の他の処理装置の雰囲気をあわせて排気する集合排気装置８１と接続している。
【００３４】
本実施の形態にかかる現像処理装置１６，１８は以上のように構成されており，ウェハ搬送体７がカセットＣから未処理のウェハＷを１枚取り出し，第３の処理装置群Ｇ３に属するアライメント装置３２に搬入する。次いで，アライメント装置３２にて位置合わせの終了したウェハＷは，主搬送装置１３によって，アドヒージョン装置３１，クーリング装置３０，レジスト塗布装置１５またはレジスト塗布装置１７，プリベーキング装置３３またはプリベーキング装置３４に順次搬送され，所定の処理が施される。その後，ウェハＷはエクステンション・クーリング装置４１に搬送される。
【００３５】
次いで，ウェハＷはエクステンション・クーリング装置４１からウェハ搬送体５０によって取り出され，その後，周辺露光装置５１を経て露光装置（図示せず）に搬送される。露光処理の終了したウェハＷは，ウェハ搬送体５０によりエクステンション装置４２に搬送された後，主搬送装置１３のピンセット１１に保持される。次いで，このウェハＷはポストエクスポージャーベーキング装置４４またはポストエクスポージャーベーキング装置４５，クーリング装置４３に順次搬送され，これらの処理装置にて所定の処理が施された後，現像処理装置１６または現像処理装置１８に搬送される。
【００３６】
現像処理装置１６に搬入されたウェハＷはスピンチャック６２に吸着保持された後，図６に示すように例えば３０ｒｐｍで１秒間回転する。そして，現像液供給手段５８より供給された現像液をウェハＷ上に拡散させる。その後，ウェハＷを例えば６０秒間停止させてウェハＷのパドル現像を行う（図６に示す工程Ｓ１）。
【００３７】
次いで，パドル現像の終了したウェハＷを例えば２０００ｒｐｍで５秒間回転させながら，このウェハＷに洗浄液供給手段５９から洗浄液を供給する。そして，このウェハＷを５００ｒｐｍで１５秒間回転させてリンスすることによりウェハＷ上から余分な現像液を洗い流す（図６に示す工程Ｓ２）。その後，リンス工程の終了したウェハＷを，例えば３０００ｒｐｍで１５秒間回転させることにより，ウェハＷ上の洗浄液を振り切って乾燥させる（図６に示す工程Ｓ３）。
なお，現像処理装置１８においても上述した現像処理装置１６の場合と同様に，パドル現像工程Ｓ１，リンス工程Ｓ２，乾燥工程Ｓ３からなるウェハＷの現像処理が行われる。
【００３８】
ところで，現像処理装置１６，１８におけるリンス工程Ｓ２や乾燥工程Ｓ３ではウェハＷを回転させるために現像液のミストや洗浄液のミストがカップ５７，７５内に飛散するが，パドル現像工程Ｓ１ではウェハＷの回転が殆ど停止しているために現像液のミストがカップ５７，７５内に飛散することがない。従って従来のように，パドル現像工程Ｓ１の際にも，現像液や洗浄液のミストを含まないカップ５７，７５内の雰囲気を排気したのでは排気量が徒に多くなってしまう。
【００３９】
そこで本実施の形態にあっては，現像処理装置１６に装備されたモータ６３の回転数と現像処理装置１８に装備されたモータ７７の回転数を，制御装置６４に設定した前記所定の回転数Ｘ，例えば３０ｒｐｍよりも高く５００ｒｐｍよりも低い回転数と比較することよって，各開閉弁６６，７８の開閉動作を以下のようにして制御している。
【００４０】
先ず，レジスト塗布処理後のウェハＷが現像処理装置１６に搬入されると，現像処理装置１６にてパドル現像が行われる。この際，制御装置６４にはパドル現像工程Ｓ１時の最高回転数である３０ｒｐｍよりも高い所定の回転数Ｘが設定されているために，制御装置６４は開閉弁６６を閉じる信号を開閉弁６６に送信する。従って，開閉弁６６は閉じ，カップ５７内の雰囲気は集合排気装置８１にて排気されない。
【００４１】
そして，現像処理装置１６におけるパドル現像工程Ｓ１の開始後３０秒〜５０秒経過後に，次に処理されるウェハＷが現像処理装置１８に搬入され，現像処理装置１８にてパドル現像工程Ｓ１が行われる。この際，現像処理装置１８では，現像処理装置１６の場合と同様に，開閉弁７８は閉じた状態となる。
【００４２】
次いで，現像処理装置１６にウェハＷが搬入されてから６０秒経過後に，現像処理装置１６におけるパドル現像工程Ｓ１が終了する。そして，現像処理装置１６内のウェハＷに対して２０秒間のリンス工程Ｓ２，１５秒間の乾燥工程Ｓ３が引き続き行われる。この際，ウェハＷは制御装置６４に設定された所定の回転数Ｘよりも高い回転数で回転するために，制御装置６４は開閉弁６６を開く信号を開閉弁６６に送信する。このため開閉弁６６が開いて，カップ５７内の現像液のミストや洗浄液のミストを含んだ雰囲気が，分岐管６５及び共通管８０を介して集合排気装置８１にて排気される。
なお，現像処理装置１６にて乾燥工程Ｓ３が終了するまでは，現像処理装置１８ではパドル現像工程Ｓ１が行われているために，開閉弁７８は閉じた状態となっている。従って，カップ７５内の雰囲気は集合排気装置８１で排気されない。
【００４３】
その後，現像処理装置１６にて乾燥工程Ｓ３の終了したウェハＷを取り出すために，モータ６３の駆動を停止させる。そのため，モータ６３の回転数は制御装置６４に設定された所定の回転数Ｘよりも低くなり，制御装置６４から送信される信号によって開閉弁６６が閉じる。従って，現像処理装置１６のカップ５７内の雰囲気は集合排気装置８１にて排気されなくなる。
【００４４】
次いで，現像処理装置１６にて乾燥工程Ｓ３が終了したウェハＷを主搬送装置１３が取り出す。その後，主搬送装置１３はこのウェハＷを，例えばポストベーキング装置４６に搬入する。また，現像処理装置１６からウェハＷが搬出されると，次のウェハＷが現像処理装置１６に搬入され，同様にパドル現像が施される。
【００４５】
一方，現像処理装置１６における乾燥工程Ｓ３の終了後，現像処理装置１８にてパドル現像工程Ｓ１の終了したウェハＷを回転させて，リンス工程Ｓ２と乾燥工程Ｓ３が順次行われる。この時，モータ７７の回転数が上昇するため，制御装置６４から送信される信号により開閉弁７８が開き，カップ７５内のミストを含んだ雰囲気が分岐管７９及び共通管８０を介して集合排気装置８１で排気される。
【００４６】
その後，現像処理装置１８にて乾燥工程Ｓ３の終了したウェハＷを取り出すために，モータ７７の駆動を停止させる。そのため，モータ７７の回転数は制御装置６４に設定された所定の回転数Ｘよりも低くなり，制御装置６４から送信される信号によって開閉弁７８が再び閉じる。従って，現像処理装置１８のカップ７５内の雰囲気は集合排気装置８１にて排気されなくなる。
【００４７】
次いで，現像処理装置１８にて乾燥工程Ｓ３の終了したウェハＷは主搬送装置１３に取り出された後，例えばポストベーキング装置４７に搬入されて，所定の加熱処理が施される。そして，現像処理装置１８における乾燥工程Ｓ３の終了に前後して，現像処理装置１６ではリンス工程Ｓ２が開始される。そして，モータ６３の回転数の上昇によって，開閉弁６６が再び開いて，カップ５７内の雰囲気が分岐管６６及び共通管８０を介して集合排気装置８１にて排気される。
以下，かかる一連の開閉弁６６，７８の開閉動作を順次繰り返しながら，カップ５７，７５内の雰囲気を交互に排気するようにする。
【００４８】
以上のように本実施の形態にあっては，現像処理装置１６，１８に対するウェハＷの搬入時間のズレを利用すると共に，制御装置６４に設定された回転数及びモータ６３，７７の回転数に基づいて，開閉弁６６，７８の開放と閉鎖をそれぞれ図７に示すように交互に行う。従って，図８に示すように現像処理装置１６でパドル現像工程Ｓ１が行われる際には，現像処理装置１８でリンス工程Ｓ２あるいは乾燥工程Ｓ３が行われるようになる。逆に現像処理装置１６でリンス工程Ｓ２または乾燥工程Ｓ３が行われる際には，現像処理装置１８でパドル現像工程Ｓ１が行われる。
【００４９】
このように現像処理装置１６，１８にて，リンス工程Ｓ２あるいは乾燥工程Ｓ３時にのみ，カップ５７，７５内の雰囲気を集合排気装置８１にて効率よく排気することにより，従来よりも排気量が少なくなり，集合排気装置８１等の省エネルギー化を図ることが可能となる。
【００５０】
また，カップ５７と集合排気装置８１とを分岐管６５及び共通管８０を介して接続すると共に，カップ７５と集合排気装置８１とを分岐管７９及び共通管８０を介して接続する。従って，従来のマルチユニットのように，各現像処理装置に備えられた各カップと集合排気装置とを排気管を介して個々に接続することが不要となる。従って排気管の総延長が短くなり，現像処理装置１６，１８の複雑化を防止することが可能となる。
【００５１】
なお前記実施の形態にあっては，２台の現像処理装置１６，１８を例に挙げて説明したが，本発明ではこれに限らず，例えば３台の現像処理装置に夫々開閉弁を設けて，これらを切り換えるようにしてもよい。
また基板にウェハＷを使用した例を挙げて説明したが，本発明に適用可能な基板はウェハＷには限定されず，例えばＬＣＤ基板やＣＤ基板等についても応用が可能である。
【００５２】
【発明の効果】
請求項１〜７によれば，開閉弁の開閉によって各液処理ユニット毎の排気の制御が可能となり，排気装置による排気量が従来よりも減少する。従って，排気装置等の負担が軽減化して，省エネルギー化を図ることが可能となる。
【００５３】
特に請求項１〜３によれば，各分岐回路を流通する液処理ユニットからの雰囲気は全て共通回路を通じて排気装置に供給されるために，従来よりも排気回路の総延長が短縮化する。その結果，液処理ユニットの構造複雑化を防止することが可能となる。
【００５４】
特に請求項３〜５によれば，基板が所定の回転数以下で回転する際にはミストが殆ど発生しないために排気を停止し，基板が所定の回転数を超えて回転する際にはミストが多く発生するために排気を行うようにする。従って，発生する処理液のミスト等を効率よく排気することが可能となる。さらに請求項５によれば，液処理ユニットに対する基板の搬入時間のズレを利用した排気が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施の形態にかかる現像処理装置を備えた塗布現像処理装置の外観を示す平面図である。
【図２】図１の塗布現像処理装置の正面図である。
【図３】図１の塗布現像処理装置の背面図である。
【図４】本発明の実施の形態にかかる現像処理装置の構成を示す断面図である。
【図５】図４の現像処理装置を２台備えたマルチユニットと，集合排気装置との配置を説明する説明図である。
【図６】図４の現像処理装置におけるウェハの処理時間と，ウェハの回転数とを示すグラフである。
【図７】図５の２台の現像処理装置に設けられた開閉弁の開閉動作を示すタイミングチャートである。
【図８】一の現像処理装置の開閉弁が閉じている際に，他の現像処理装置の開閉弁が開いている様子を示す説明図である。
【符号の説明】
１        塗布現像処理装置
１３        主搬送装置
１６，１８        現像処理装置
５７，７５        カップ
６２，７６        スピンチャック
６３，７７        モータ
６４        制御装置
６５，７９        分岐管
６６，７８        開閉弁
８０        共通管
８１        集合排気装置
Ｃ        カセット
Ｗ        ウェハ
【図１】
0003561644.tif 000002
【図２】
0003561644.tif 000003
【図３】
0003561644.tif 000004
【図４】
0003561644.tif 000005
【図５】
0003561644.tif 000006
【図６】
0003561644.tif 000007
【図７】
0003561644.tif 000008
【図８】
0003561644.tif 000009