【手続補正書】
【提出日】平成26年12月9日(2014.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の金属を含有する第１の原料ガスに基板を晒し、当該基板を、前記第１の原料ガスと反応する反応ガスに晒す第１のサイクルを行って第１の金属化合物の膜を前記基板に成膜する第１の成膜ステップと、
前記第１の金属化合物の膜が成膜された前記基板を、前記第１の原料ガスに晒し、前記第１の金属化合物の膜に前記第１の原料ガスを吸着させる吸着ステップと、
前記第１の原料ガスが吸着された前記基板を、第２の金属を含有する第２の原料ガスに晒し、当該基板を、前記第２の原料ガスと反応する前記反応ガスに晒す第２のサイクルを行って第２の金属化合物の膜を前記基板に成膜する第２の成膜ステップと
を含む成膜方法。
【請求項２】
前記第２の成膜ステップの後に、前記第１の成膜ステップが再び行われる、請求項１に記載の成膜方法。
【請求項３】
前記第１の成膜ステップ、前記吸着ステップ、及び前記第２の成膜ステップがこの順に繰り返される、請求項１又は２に記載の成膜方法。
【請求項４】
前記第１の成膜ステップにおいて、前記第１のサイクルが１回以上繰り返される、請求項１から３のいずれか一項に記載の成膜方法。
【請求項５】
前記第１の金属がジルコニウムであり、前記第２の金属がアルミニウムである、請求項１から４のいずれか一項に記載の成膜方法。
【請求項６】
前記第１の原料ガスがジルコニウムの有機金属を含み、前記第２の原料ガスがアルミニウムの有機金属を含む、請求項１から５のいずれか一項に記載の成膜方法。
【請求項７】
前記ジルコニウムの有機金属がテトラキス・エチルメチル・アミノジルコニウムであり、前記アルミニウムの有機金属がトリメチル・アルミニウムである、請求項６に記載の成膜方法。
【請求項８】
前記反応ガスが酸素を含む、請求項５から７のいずれか一項に記載の成膜方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
処理容器４の下端の開口部を通して、半導体ウエハＷが複数段に載置される石英製のウエハボート１２が搬入出される。本実施形態において、ウエハボート１２の支柱１２Ａには、例えば５０〜１００枚の直径が３００ｍｍのウエハＷを略等ピッチで多段に支持するための溝（不図示）が形成されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
また、図７に示すとおり、凸状部４００の周方向中央部には、回転テーブル２００の半径方向に沿って延びる溝部４３０が形成されており、ここに上述の分離ガスノズル４２０が収容されている。もう一つの凸状部４００にも同様に溝部４３０が形成され、ここに分離ガスノズル４１０が収容されている。分離ガスノズル４２０からＮ２ガスが供給されると、このＮ２ガスは、分離空間Ｈを通して空間４８１及び空間４８２へ向かって流れる。このとき、分離空間Ｈの容積は空間４８１及び４８２の容積よりも小さいため、Ｎ２ガスにより分離空間Ｈの圧力を空間４８１及び４８２の圧力に比べて高くすることができる。すなわち、空間４８１及び４８２の間において、分離空間Ｈは圧力障壁を提供することができる。しかも、分離空間Ｈから空間４８１及び４８２へ流れ出るＮ２ガスは、第１の処理領域Ｐ１へ供給され、凸状部４００に向かって流れるＴＥＭＡＺガス及び／又はＴＭＡガスと、第２の領域Ｐ２へ供給され、凸状部４００に向かって流れるＯ３ガスとに対するカウンターフローとして働く。したがって、第１の処理領域Ｐ１のＴＥＭＡＺガス及び／又はＴＭＡガスと、第２の領域Ｐ２のＯ３ガスとを分離空間Ｈにより確実に分離することができ、よって、真空容器１１０内においてＴＥＭＡＺガス及び／又はＴＭＡガスとＯ３ガスとが混合して反応することが抑制される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
また、図４に示すように、真空容器１１０の天板１１１の中心部には分離ガス供給管５１０が接続されていて、天板１１１とコア部２１０との間の空間５２０に分離ガスであるＮ２ガスを供給するように構成されている。この空間５２０に供給された分離ガスは、突出部５００と回転テーブル２００との狭い空間５３０を介して回転テーブル２００のウエハ載置領域側の表面に沿って周縁に向けて吐出される。空間５３０は、分離ガスにより空間４８１及び空間４８２よりも高い圧力に維持され得る。したがって、空間５３０により、第１の処理領域Ｐ１に供給されるＴＥＭＡＺガス及び／又はＴＭＡガスと、第２の処理領域Ｐ２に供給されるＯ３ガスとが、中心領域Ｃを通って混合することが抑制される。すなわち、空間５３０（又は中心領域Ｃ）は分離空間Ｈ（又は分離領域Ｄ）と同様に機能することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
続いてゲートバルブを閉じ、真空ポンプ６４０により真空容器１１０を最高到達真空度まで排気した後、分離ガスノズル４１０、４２０から分離ガスであるＮ２ガスを所定の流量で吐出し、分離ガス供給管５１０及びパージガス供給管７２０からもＮ２ガスを所定の流量で吐出する。これに伴い、圧力調整器６５０により真空容器１１０内を予め設定した処理圧力に調整する。次いで、回転テーブル２００を時計回りに例えば最大で２４０ｒｐｍの回転速度で回転させながら、ヒータユニット７００によりウエハＷを例えば２５０℃から３５０℃までの範囲の温度に加熱する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
ＴＥＭＡＺガスとＯ３ガスとが同時に供給される間、回転テーブル２００の回転によりウエハＷが第１の処理領域Ｐ１を通過すると、ウエハＷがＴＥＭＡＺガスに晒され（ステップＳ１（図３）、ウエハＷの表面にＴＥＭＡＺガスが吸着し、第２の処理領域Ｐを通過すると、ウエハＷがＯ３ガスに晒され（ステップＳ２（図３）、ウエハＷの表面に吸着したＴＥＭＡＺガスがＯ３ガスにより酸化される。これにより、ウエハＷの表面にＺｒＯ膜が成膜される。以下、所望の膜厚を有するＺｒＯ膜が形成されるまで所定の回数だけ回転テーブル２００を回転し（ステップＳ３）、ＴＥＭＡＺガスとＯ３ガスとの供給を停止することにより、第１のＺｒＯ膜の成膜を終了する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
続けて、反応ガスノズル３１０からＴＭＡガスを供給する。このとき、反応ガスノズル３２０からは、Ｏ３ガスも他の反応性ガスも供給しない。ただし、反応ガスノズル３２０からＡｒやＨｅなどの希ガスや窒素ガスなどの不活性ガスを流しても良い。ここで、回転テーブル２００の回転により第１の処理領域Ｐ１をウエハＷが通過すると、ウエハＷ（第１のＺｒＯ膜）の表面にＴＭＡガスが吸着する。これにより、第１のＺｒＯ膜の表面には、ＴＥＭＡＺガス及びＴＭＡガスが吸着していることとなる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
次に、反応ガスノズル３１０からのＴＭＡガスの供給を停止し、反応ガスノズル３２０からＯ３ガスを真空容器１１０（第２の処理領域Ｐ２）に供給する。ここで、ウエハＷが第２の処理領域Ｐ２に至ると、ウエハＷがＯ３ガスに晒され（ステップＳ６（図３））、ウエハＷの表面に吸着したＴＥＭＡＺガス及びＴＭＡガスがＯ３ガスにより酸化される。そして、回転テーブル２００の回転によってウエハＷが第２の処理領域Ｐ２を複数回通過することにより、ウエハＷの表面に吸着したほぼ全てのＴＥＭＡＺガス及びＴＭＡガスが酸化され、ウエハＷ（第１のＺｒＯ膜）の表面全体にＺｒＡｌＯ膜が成膜される。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
以下、上述の第１のＺｒＯ膜の成膜の手順と同様の手順が行われ（ステップＳ７からＳ９）、第２のＺｒＯ膜が成膜される。この後、真空容器１１０へのガスの供給が停止され、回転テーブル２００の回転が停止され、真空容器１１０内にウエハＷを搬入したときの手順と逆の手順により、真空容器１１０内からウエハＷが搬出される。これにより成膜工程が終了する。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2014017354.tif 000001
【手続補正１１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2014017354.tif 000002