【事件の表示】
　特願２００３−　５０１２４「薄膜型コモンモードチョークコイル及びコモンモードチョークコイルアレイ」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　９月１６日出願公開、特開２００４−２６００１７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１５年２月２６日の出願であって、平成１８年６月１９日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年７月２７日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年８月２８日付けで手続補正がなされ、その後、当審において平成２０年８月１４日付けで審尋がなされたが、その指定期間内に回答書が提出されなかったものである。
　
第２　平成１８年８月２８日付けの手続補正についての補正却下の決定
　
　［補正却下の決定の結論］
　　平成１８年８月２８日付けの手続補正を却下する。
　
　［理由］
　１　補正後の本願発明
　平成１８年８月２８日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）により、補正前の請求項１は補正後の請求項１として、
「【請求項１】　磁性基板上に樹脂絶縁層、導体層を厚み方向に積み重ねた積層構造体で、少なくとも２個のコイル導体を形成し、
　そのうち２層の導体層はスパイラル形状の導体パターンであり、該２層の導体層間に１層の樹脂絶縁層が介在しており、該スパイラル形状の導体パターンは導体幅（Ｗ１）が
　Ｗ１≦３６μｍ
であり、前記スパイラル形状の導体パターンの導体厚（Ｔ）と導体間スペース（Ｗ２）の関係が 
　Ｗ２＜Ｔ×２
であり、
　前記スパイラル形状の導体パターンが、薄膜で形成された下地導体とその上の厚付け導体とからなり、該厚付け導体がＣｕめっき層であり、
　前記下地導体の下層がＣｒで上層がＣｕであるか、あるいは下層がＴｉで上層がＣｕであり、
　前記スパイラル形状の導体パターン表面がＮｉめっき膜で覆われており、
　前記積層構造体の上面を磁性材料で覆ったことを特徴とする薄膜型コモンモードチョークコイル。」と補正された。
　上記補正は、補正前の請求項１の「少なくとも２層の導体層」を補正後の請求項１の「２層の導体層」と限定するとともに、「該２層の導体層間に１層の樹脂絶縁層が介在しており、」との構成を付加するものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、補正後の請求項１に記載された事項により特定される発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
　２　独立特許要件について
（１）刊行物に記載された発明
　（ア）刊行物１：特開平８−２０３７３７号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物１には、「コイル部品」（発明の名称）に関して、図１とともに以下の事項が記載されている。（なお、下線は、引用箇所のうち特に強調する部分に付加した。以下、同様。）
「【要約】
【目的】　生産性が高く、電気的特性が優れた小型のコイル部品を得る。
【構成】　
コモンモードチョークコイル１は磁性体基板２，３とこの磁性体基板２，３の間に挟まれた積層体１４とで構成されている。積層体１４は磁性体基板２の上面にフォトリソグラフィ等の薄膜形成手段を利用して形成された絶縁体層４〜７とコイル導体１０，１１と引出し電極８，９，１２，１３とからなる
「【請求項１】　第１の磁性体基板と、
前記第１の磁性体の表面に薄膜形成手段にて形成された、絶縁体層とコイルパターンを厚み方向に積み重ねた積層体と、
前記第１の磁性体基板との間に前記積層体を挟む第２の磁性体基板とを備え、
前記コイルパターンが少なくとも２個のコイルを構成していること、
を特徴とするコイル部品。」
「【００１３】
【実施例】以下、本発明に係るコイル部品の一実施例について添付図面を参照して説明する。実施例ではコイル部品を単品で製造する場合について説明するが、量産の際には複数個のコイル部品を備えたマザー基板を使用して効率良く生産する。また、コモンモードチョークコイルを例にして説明するが、必らずしもこれに限るものではなく、トランス等であってもよい。
【００１４】図１に示すように、
コモンモードチョークコイル１は、磁性体基板２，３とこの磁性体基板２，３の間に挟まれた積層体１４とで構成されている。積層体１４は絶縁体層４，５，６，７とコイル導体１０，１１と引出し電極８，９，１２，１３を厚み方向に積み重ねたものである
【００１５】絶縁体層４の表面には引出し電極８，９が設けられ、引出し電極８，９の一方の端部は絶縁体層４の手前側の縁部に露出している。
絶縁体層５の表面には渦巻状コイル導体１０が設けられ
絶縁体層６の表面には渦巻状コイル導体１１が設けられ
【００１６】引出し電極８，９，１２，１３及びコイル導体１０，１１の材料としては、導電性に優れた金属、例えばＡｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｌあるいはこれらの合金等が採用される。
絶縁体層４〜７の材料としては、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、環状オレフィン樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂等の樹脂
本実施例では感光性ポリイミド樹脂を使用した
【００１７】積み重ねられた状態では、引出し電極８は絶縁体層５に設けたビアホール１５を介してコイル導体１０に電気的に接続され、引出し電極９は絶縁体層５，６に設けたビアホール１６ａ，１６ｂを介してコイル導体１１に電気的に接続される。
コイル導体１０と１１は磁気的に密接に結合した一対のコイルを構成している
【００１８】そして、磁性体基板２と３の間隔は、なるべく狭い方が磁気抵抗が低く、より大きなインダクタンスが得られる。また、コイルの巻き回数は多い方がより大きなインダクタンスが得られる。一方、
チョークコイル１のサイズは小型の方が望ましく、使用材料の観点からも低コストが図れる
コイル導体１０，１１の導体幅は１００μｍ以下が好ましい
コイル導体１０，１１の厚みは、コイル部品の仕様に合わせた直流抵抗にするため、任意に設定される
絶縁体層４〜７やコイル導体１０，１１や引出し電極８，９，１２，１３の形成にはフォトリソグラフィ等の薄膜形成手段を用いる
「【００２７】こうして得られたチョークコイル１は、磁性体基板２の表面に薄膜形成手段にて積層体１４を形成するので、積層体１４を精度良く形成することができ、チョークコイル１の小型化を図ることができる。また、
積層体１４を構成する絶縁体層４〜７やコイル導体１０，１１、引出し電極８，９，１２，１３は磁性体を含まないので、複数のコイルの磁気的結合が優れたチョークコイル１を得ることができる
　さらに、図１には、「
磁性体基板２上に絶縁体層４，５，６，７、渦巻状コイル導体１０，１１を厚み方向に積み重ねた積層体１４で、２層のコイル導体１０，１１間に１層の絶縁体層６が介在しており、積層体１４の上面を磁性体基板３で覆ったコモンモードチョークコイル１
　以上から、刊行物１には、「磁性体基板２上に樹脂からなる絶縁体層４，５，６，７、渦巻状コイル導体１０，１１を厚み方向に積み重ねた積層体１４で、２層のコイル導体１０，１１間に１層の樹脂からなる絶縁体層６が介在しており、コイル導体１０，１１の導体幅は１００μｍ以下であり、絶縁体層４，５，６，７とコイル導体１０，１１は、フォトリソグラフィ等の薄膜形成手段を利用して形成され、積層体１４の上面を磁性体基板３で覆ったコモンモードチョークコイル１。」（以下、「引用発明１」という。）が記載されている。
　
　（イ）刊行物２：特開２０００−１７３８２４号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物２には、「電子部品」（発明の名称）に関して、図１ないし図６とともに以下の事項が記載されている。
「【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の種々の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。まず、図１〜６を参照して、本発明の第１の実施形態について述べる。図１は、本発明の第１の実施形態に係る電子部品を示す斜視図である。また、図２は、図１の電子部品における外部電極端子部を除いた電子部品本体の完成図である。本実施の形態による電子部品１は、図１に示すように、電子部品本体１０と、この電子部品本体１０の両端面及び側面の一部を覆うように形成された外部電極端子部を備えている。図１を参照すると、外部電極端子部は、４つの外部電極端子２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄから構成され、外部電極端子２ａ、２ｃの一対と外部電極端子２ｂ、２ｄの一対とをそれぞれ入出力端子対とする
コモンモードチョークコイルを示している
【００１３】図３は、図２に示した電子部品本体１０の絶縁樹脂層と導体パターンの積層体の各層を分離して模式的に示した斜視図であり、また、図４は、本実施の形態による電子部品１の断面図である。電子部品本体１０は、図３に示すように、セラミックス基板１１とこのセラミックス基板１１上に形成された積層体１６とを備えている。尚、電子部品本体１０は、上述した従来の電子部品１００と同様に、大寸法のセラミックス基板１１上に複数同時に形成され、例えば、ダイシングソーを用いて個々に切出された後に、端子構造を付加される。
【００１４】図３及び図４をも参照すると、
電子部品本体１０は、セラミックス基板１１上に形成された絶縁樹脂層１３ａ上に交互に積層した、導体パターン１４ａ、１４ｂ、及び１４ｃと絶縁樹脂層１３ｂ、１３ｃ、及び１３ｄとを有し、また、絶縁樹脂層１３ｄ上に形成した磁性体層１２と、この磁性体層１２上にそれぞれ積層された絶縁樹脂層１３ｅと導体パターン１４ｄを有する積層体１６を形成することによって得られている
【００１５】また、絶縁樹脂層１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄ、１３ｅには、平坦化が容易であり、紫外線感光性のべンゾシクロブテン（ＢＣＢ）樹脂を用いている。上述した従来例では、絶縁樹脂層１０２の材料としてポリイミド樹脂を用いているので、導体パターン層間の絶縁樹脂表面に、下地の導体パターンの凹凸が反映してしまい、次に積層される導体パターンが波打ち、所望する電気的特性を得られないという問題があったのに対し、本実施形態においては、絶縁樹脂層１３ａ等の材料として、ＢＣＢ樹脂を用いているので、絶縁樹脂層の平坦性が充分に確保される結果、表面の凹凸が無く平坦な積層体を得ることが可能であり、良好な電気的特性を得られる。更に、
導体パターン１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄは、下地層としてＴｉ膜又はＣｒ膜をスパッタリングにより形成し、その上に、電解めっきによってＣｕめっき膜を形成して成る
【００１６】以下、積層体１６の具体的な形成方法について説明する。まず、セラミックス基板１１を有機洗浄し、更にプラズマアッシングによるドライ洗浄後、スピンコーティングによって、上述した紫外線感光型のＢＣＢ樹脂を塗布して、絶縁樹脂層を得た。フォトリソグラフィを用い、マスクを介して露光することにより、絶縁樹脂層１３ａと、絶縁樹脂層１３ｂ以降の絶縁樹脂層に形成される貫通孔１５を形成した。続いて、加熱してハーフキュアすることで、絶縁樹脂層１３ａを得た。
【００１７】次に、
絶縁樹脂層１３ａ上に導体パターン１４ａの下地層としてＴｉ膜、或いはＴｉ膜上に更にＣｕ膜をスパッタリングによって形成する。ここで、Ｔｉ膜の代わりにＣｒ膜を用いても良い
電解Ｃｕメッキによって、下地層上に電解Ｃｕメッキ層を得る
基板上に形成された孤立した導体パターン１４ａを得る
導体パターン１４ａは、下地層と、電解Ｃｕメッキ層から成り、その厚さは約４〜１５μｍ、その幅は約１０〜３０μｍであった
「【００２２】しかしながら、例えば、比較的ノイズの強い場合の対策で、信号の周波数が高く、できるだけコンデンサを使用したくない場合等にコモンモードチョークコイルを使用する場合でも、−（５〜１５）［ｄＢ］の減衰量が得られれば充分であり、むしろ、このようなレベルの減衰量がよりより広い周波数帯域で得られるのが望ましい場合が多い。従来例では、図６に示すように、この−（５〜１５）［ｄＢ］の減衰量が得られるのは、略３００ＭＨｚから１．８ＧＨｚの範囲であるのに対し、
本実施形態の電子部品では、同図に示すように、略２５０ＭＨｚから２ＧＨｚの範囲
「【００４１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、例えば、
コモンモードチョークコイルとして使用した場合、小型且つ簡単な構成で製造が容易でありながら高インダクタンスと低抵抗とによって高いＱ特性が得られ
　さらに、図３には、「
セラミック基板１１上に絶縁樹脂層１３ａ〜１３ｅ、導体パターン１４ａ〜１４ｄを厚み方向に積み重ねた積層体１６で、そのうち２層の導体パターン１４ａ，１４ｂはスパイラル形状の導体パターンであり、該２層の導体パターン１４ａ，１４ｂ間に１層の絶縁樹脂層１３ｂが介在しているコモンモードチョークコイル
　以上から、刊行物２には、「セラミック基板１１上に絶縁樹脂層１３ａ〜１３ｅ、導体パターン１４ａ〜１４ｄを厚み方向に積み重ねた積層体１６で、そのうち２層の導体パターン１４ａ，１４ｂはスパイラル形状の導体パターンであり、該２層の導体パターン１４ａ，１４ｂ間に１層の絶縁樹脂層１３ｂが介在しており、スパイラル形状の導体パターン１４ａ，１４ｂは、Ｔｉ膜又はＣｒ膜上に更にＣｕ膜を形成した下地層と、Ｃｕメッキ層から成り、その厚さは約４〜１５μｍ、その幅は約１０〜３０μｍであるコモンモードチョークコイル。」（以下、「引用発明２」という。）が記載されている。
　
　（ウ）刊行物３：特開平１０−１４４５５２号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物３には、「薄膜導電パターンの形成方法およびこれを用いた薄膜インダクタ」（発明の名称）に関して、以下の事項が記載されている。
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は薄膜導電パターンの形成方法およびこれを用いた薄膜インダクタに関し、さらに詳しくは、
ラインアンドスペースパターンのスペース間隔を狭めたスパイラル状の薄膜インダクタ等の薄膜導電パターンの形成方法およびこれを用いた小型薄膜インダクタに関する
「【００２４】本実施の形態例によれば、
スペース幅０．８μｍ、ライン幅４μｍ、厚さ５μｍのラインアンドスペース状の薄膜導電パターンを制御性高く形成することができる
小型、省占有面積で、かつ高周波特性であるＱ値に優れた薄膜インダクタ等が実現できる
【００２５】なお本実施の形態例ではスペース幅のみを縮小したが、他の実施の形態例として、ライン幅をも１μｍ程度あるいはそれ以下に迄縮小することができる。したがって、薄膜導電パターンのスペース幅およびライン幅ともに設計の自由度が拡がり、使用目的に合った薄膜導電パターンを形成することができる。
【００２６】以上本発明の薄膜導電パターンの形成方法およびこれを用いた薄膜インダクタにつき詳細な説明を加えたが、本発明はこれら実施の形態例によりなんら限定されるものではない。例えば、絶縁膜や薄膜導電パターンあるいは通電膜の材料はＳｉＯ２やＡｕ、あるいはＴｉ／Ａｕの他に各種変更が可能である。例えば
薄膜導電パターンとしてＣｕメッキは好適に用いることができる
本発明の薄膜導電パターンの形成方法は、例示した薄膜インダクタの他に、薄膜コイルや薄膜トランス、薄膜磁気ヘッドあるいはマイクロマシンアクチュエータ等にも適用することができる
【００２７】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明の薄膜導電パターンの形成方法によれば、
膜厚を確保したまま、スペース幅やライン幅を縮小したラインアンドスペースパターンを制御性良く形成することができる
【００２８】またこの薄膜導電パターンの形成方法を例えば薄膜インダクタに適用することにより、
小型化、省占有面積化、そして高周波特性にすぐれた素子が得られ
　以上から、刊行物３には、「スパイラル状の薄膜インダクタ等の薄膜導電パターンを、スペース幅０．８μｍ、ライン幅４μｍ、厚さ５μｍとして、ラインアンドスペースパターンのスペース間隔を狭めることにより、小型化、省占有面積化を図ること」が記載されている。
　
　（エ）刊行物４：特開平８−２５０９６２号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物４には、「ＬＣフィルタ」（発明の名称）に関して、図１とともに以下の事項が記載されている。
「【００１４】（３）この集合基板のメッキ密着力を向上させるために表面エッチングを施した後に、
無電解銅メッキ、電解銅メッキの順でメッキ処理を行い基板の表面に導体膜を形成する
【００１５】（４）導体膜を形成した集合基板に対して非露光部がパターンとなる電着レジスト法により
図１に示したような導体膜のパターンを形成する
インダクタンスを形成する渦巻状の導体パターン２ａ、２ｂ
基板の表面に形成された渦巻状の導体パターン２ａと裏面に形成された渦巻状の導体パターン２ａ’
【００１７】更に、
酸化防止のためパターンを形成した銅の表面に、ニッケルメッキ
　以上から、刊行物４には、「酸化防止のため、インダクタンスを形成する渦巻状の導体パターンの銅の表面に、ニッケルメッキを施こすこと」が記載されている。
　
（２）本願補正発明と引用発明１との対比・判断
　本願補正発明と引用発明１とを対比する。
（ａ）引用発明１の「磁性体基板２」、「樹脂からなる絶縁体層４，５，６，７」、「渦巻状コイル導体１０，１１」、「積層体１４」は、それぞれ本願補正発明の「磁性基板」、「樹脂絶縁層」、「導体層」、「積層構造体」に相当する。
（ｂ）引用発明１の「磁性体基板２上に樹脂からなる絶縁体層４，５，６，７、渦巻状コイル導体１０，１１を厚み方向に積み重ねた積層体１４」は、渦巻状コイル導体１０，１１を形成しているので、本願補正発明の「磁性基板上に樹脂絶縁層、導体層を厚み方向に積み重ねた積層構造体で、少なくとも２個のコイル導体を形成し」ていることに相当する。
（ｃ）引用発明１の「渦巻状コイル導体１０，１１」は、本願補正発明の「そのうち２層の導体層はスパイラル形状の導体パターン」に相当する。
（ｄ）引用発明１の「２層のコイル導体１０，１１間に１層の樹脂からなる絶縁体層６が介在して」いることは、本願補正発明の「２層の導体層間に１層の樹脂絶縁層が介在して」いることに相当する。
（ｅ）引用発明１の「積層体１４の上面を磁性体基板３で覆った」ことは、本願補正発明の「積層構造体の上面を磁性材料で覆った」ことに相当する。
（ｆ）引用発明１では、「絶縁体層４，５，６，７とコイル導体１０，１１は、フォトリソグラフィ等の薄膜形成手段を利用して形成され」ているので、引用発明１の「コモンモードチョークコイル１」は、本願補正発明の「薄膜型コモンモードチョークコイル」に相当する。
　よって、両者は、
「磁性基板上に樹脂絶縁層、導体層を厚み方向に積み重ねた積層構造体で、少なくとも２個のコイル導体を形成し、
　そのうち２層の導体層はスパイラル形状の導体パターンであり、該２層の導体層間に１層の樹脂絶縁層が介在しており、
　前記積層構造体の上面を磁性材料で覆ったことを特徴とする薄膜型コモンモードチョークコイル。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
［相違点１］本願補正発明は、「スパイラル形状の導体パターンは導体幅（Ｗ１）が　Ｗ１≦３６μｍ」であるとの構成を備えているのに対して、引用発明１は、「コイル導体の導体幅は１００μｍ以下」であるとの構成を備えている点。
［相違点２］本願補正発明は、「スパイラル形状の導体パターンの導体厚（Ｔ）と導体間スペース（Ｗ２）の関係が　Ｗ２＜Ｔ×２」であるとの構成を備えているのに対して、引用発明１は、そのような記載がない点。
［相違点３］本願補正発明は、「スパイラル形状の導体パターンが、薄膜で形成された下地導体とその上の厚付け導体とからなり、該厚付け導体がＣｕめっき層であり、前記下地導体の下層がＣｒで上層がＣｕであるか、あるいは下層がＴｉで上層がＣｕ」であるとの構成を備えているのに対して、引用発明１は、そのような構成を備えていない点。
［相違点４］本願補正発明は、「スパイラル形状の導体パターン表面がＮｉめっき膜で覆われて」いるとの構成を備えているのに対して、引用発明１は、そのような構成を備えていない点。
　
　そこで、上記相違点について検討する。
［相違点１について］
　引用発明１では、「コイル導体の導体幅は１００μｍ以下」であるから、本願補正発明の導体幅３６μｍ以下も含んでいる。
　刊行物２には、ＧＨｚオーダーでの使用を前提としたコモンモードチョークコイルにおいて、導体パターンの幅を約１０〜３０μｍとすることが記載されており、本願補正発明の導体幅３６μｍ以下に含まれる。
　また、上下に積層された導体パターン間に浮遊容量があり、浮遊容量は導体パターンの導体幅に比例すること、また使用する周波数帯域が高周波になるほど、浮遊容量を減らす必要があることは、当業者に自明なことである。
　よって、引用発明１のコモンモードチョークコイルを、ＧＨｚオーダーで使用すべく、コイル導体の導体幅を３６μｍ以下とすることは、当業者が実験などにより適宜決定し得たことである。
　
［相違点２について］
　刊行物３には、「スパイラル状の薄膜インダクタ等の薄膜導電パターンを、スペース幅０．８μｍ、ライン幅４μｍ、厚さ５μｍとして、ラインアンドスペースパターンのスペース間隔を狭めることにより、小型化、省占有面積化を図ること」が記載されており、スペース幅０．８μｍ＜厚さ５μｍ×２となっている。
　また、導体間スペースは、スペース効率を考慮すれば、できるだけ小さい方が好ましいことは、明らかである。
　よって、引用発明１において、導体間スペースをできるだけ小さくして、引用発明１が、本願補正発明のごとく、「スパイラル形状の導体パターンの導体厚（Ｔ）と導体間スペース（Ｗ２）の関係が　Ｗ２＜Ｔ×２」であるとの構成を備えるようにすることは、当業者が適宜なし得たことである。
　
［相違点３について］
　刊行物２には、「スパイラル形状の導体パターン１４ａ，１４ｂは、Ｔｉ膜又はＣｒ膜上に更にＣｕ膜を形成した下地層と、Ｃｕメッキ層から成・・・るコモンモードチョークコイル。」が記載されており、この導体パターンの構成を引用発明１のコイル導体として採用し、引用発明１が、本願補正発明のごとく、「スパイラル形状の導体パターンが、薄膜で形成された下地導体とその上の厚付け導体とからなり、該厚付け導体がＣｕめっき層であり、前記下地導体の下層がＣｒで上層がＣｕであるか、あるいは下層がＴｉで上層がＣｕ」であるとの構成を備えるようにすることは、当業者が適宜なし得たことである。
　
［相違点４について］
　刊行物４には、「酸化防止のため、インダクタンスを形成する渦巻状の導体パターンの銅の表面に、ニッケルメッキを施こすこと」が記載されており、引用発明１においても、酸化防止のためコイル導体にニッケルメッキを施こし、引用発明１が、本願補正発明のごとく、「スパイラル形状の導体パターン表面がＮｉめっき膜で覆われて」いるとの構成を備えるようにすることは、当業者が適宜なし得たことである。
　
　また、本願補正発明の効果についても、刊行物１ないし刊行物４に記載された発明から予測された範囲内のものであり、格別のものとは認められない。
　
　したがって、本願補正発明は、刊行物１ないし刊行物４に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（３）本願補正発明と引用発明２との対比・判断
　本願補正発明と引用発明２とを対比する。
（ａ）引用発明２の「絶縁樹脂層１３ａ〜１３ｅ」、「導体パターン１４ａ〜１４ｄ」、「積層体１６」は、それぞれ本願補正発明の「樹脂絶縁層」、「導体層」、「積層構造体」に相当する。
（ｂ）引用発明２の「セラミック基板１１」と本願補正発明の「磁性基板」は、「基板」である点で共通する。
（ｃ）引用発明２では、「２層の導体パターン１４ａ，１４ｂはスパイラル形状の導体パターンであ」るから、引用発明２の「２層の導体パターン１４ａ，１４ｂ」は、本願補正発明の「少なくとも２個のコイル導体を形成し」たものに相当する。
（ｄ）引用発明２の「スパイラル形状の導体パターン」「の幅は約１０〜３０μｍ」は、本願補正発明の「スパイラル形状の導体パターンは導体幅（Ｗ１）が　Ｗ１≦３６μｍ」に含まれる。
（ｅ）引用発明２の「スパイラル形状の導体パターン１４ａ，１４ｂは、Ｔｉ膜又はＣｒ膜上に更にＣｕ膜を形成した下地層と、Ｃｕメッキ層から成」ることは、本願補正発明の「スパイラル形状の導体パターンが、薄膜で形成された下地導体とその上の厚付け導体とからなり、該厚付け導体がＣｕめっき層であり、前記下地導体の下層がＣｒで上層がＣｕであるか、あるいは下層がＴｉで上層がＣｕであ」ることに相当する。
（ｆ）引用発明２の「コモンモードチョークコイル」は、その製造方法から、薄膜型であることは明らかであるから、本願補正発明の「薄膜型コモンモードチョークコイル」に相当する。
　よって、両者は、
「基板上に樹脂絶縁層、導体層を厚み方向に積み重ねた積層構造体で、少なくとも２個のコイル導体を形成し、
　そのうち２層の導体層はスパイラル形状の導体パターンであり、該２層の導体層間に１層の樹脂絶縁層が介在しており、該スパイラル形状の導体パターンは導体幅（Ｗ１）が
　Ｗ１≦３６μｍ
であり、
　前記スパイラル形状の導体パターンが、薄膜で形成された下地導体とその上の厚付け導体とからなり、該厚付け導体がＣｕめっき層であり、
　前記下地導体の下層がＣｒで上層がＣｕであるか、あるいは下層がＴｉで上層がＣｕであることを特徴とする薄膜型コモンモードチョークコイル。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
［相違点１］本願補正発明は、「磁性基板」であるとの構成を備えているのに対して、引用発明２は、「セラミック基板」であるとの構成を備えている点。
［相違点２］本願補正発明は、「スパイラル形状の導体パターンの導体厚（Ｔ）と導体間スペース（Ｗ２）の関係が　Ｗ２＜Ｔ×２」であるとの構成を備えているのに対して、引用発明２は、そのような記載がない点。
［相違点３］本願補正発明は、「スパイラル形状の導体パターン表面がＮｉめっき膜で覆われて」いるとの構成を備えているのに対して、引用発明２は、そのような構成を備えていない点。
［相違点４］本願補正発明は、「積層構造体の上面を磁性材料で覆った」との構成を備えているのに対して、引用発明２は、そのような構成を備えていない点。
　
　そこで、上記相違点について検討する。
［相違点１，相違点４について］
　刊行物１には、コモンモードチョークコイルにおいて、「磁性基板」を積層体の上下に設けることが記載されており、引用発明２においても、「磁性基板」を積層体の上下に設け、引用発明２が、本願補正発明のごとく、「磁性基板」とし「積層構造体の上面を磁性材料で覆った」との構成を備えるようにすることは、当業者が適宜なし得たことである。
　
［相違点２について］
　刊行物３には、「スパイラル状の薄膜インダクタ等の薄膜導電パターンを、スペース幅０．８μｍ、ライン幅４μｍ、厚さ５μｍとして、ラインアンドスペースパターンのスペース間隔を狭めることにより、小型化、省占有面積化を図ること」が記載されており、スペース幅０．８μｍ＜厚さ５μｍ×２となっている。
　また、導体間スペースは、スペース効率を考慮すれば、できるだけ小さい方が好ましいことは、明らかである。
　よって、引用発明２において、導体間スペースをできるだけ小さくして、引用発明２が、本願補正発明のごとく、「スパイラル形状の導体パターンの導体厚（Ｔ）と導体間スペース（Ｗ２）の関係が　Ｗ２＜Ｔ×２」であるとの構成を備えるようにすることは、当業者が適宜なし得たことである。
　
［相違点３について］
　刊行物４には、「酸化防止のため、インダクタンスを形成する渦巻状の導体パターンの銅の表面に、ニッケルメッキを施こすこと」が記載されており、引用発明２においても、酸化防止のためコイル導体にニッケルメッキを施こし、引用発明２が、本願補正発明のごとく、「スパイラル形状の導体パターン表面がＮｉめっき膜で覆われて」いるとの構成を備えるようにすることは、当業者が適宜なし得たことである。
　
　また、本願補正発明の効果についても、刊行物１ないし刊行物４に記載された発明から予測された範囲内のものであり、格別のものとは認められない。
　
　したがって、本願補正発明は、刊行物１ないし刊行物４に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
　３　むすび
　以上のとおり、請求項１についての補正を含む本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明
　平成１８年８月２８日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１８年５月１２日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「【請求項１】　磁性基板上に樹脂絶縁層、導体層を厚み方向に積み重ねた積層構造体で、少なくとも２個のコイル導体を形成し、
　そのうち少なくとも２層の導体層はスパイラル形状の導体パターンであり、該スパイラル形状の導体パターンは導体幅（Ｗ１）が 
　Ｗ１≦３６μｍ
であり、前記スパイラル形状の導体パターンの導体厚（Ｔ）と導体間スペース（Ｗ２）の関係が 
　Ｗ２＜Ｔ×２
であり、
　前記スパイラル形状の導体パターンが、薄膜で形成された下地導体とその上の厚付け導体とからなり、該厚付け導体がＣｕめっき層であり、
　前記下地導体の下層がＣｒで上層がＣｕであるか、あるいは下層がＴｉで上層がＣｕであり、
　前記スパイラル形状の導体パターン表面がＮｉめっき膜で覆われており、
　前記積層構造体の上面を磁性材料で覆ったことを特徴とする薄膜型コモンモードチョークコイル。」
　
第４　刊行物に記載された発明
　刊行物１ないし４の記載事項及び刊行物１，２に記載された発明は、上記「第２　２（１）」に記載したとおりである。　
　
第５　本願発明と引用発明１との対比・判断
　本願発明と引用発明１とを対比する。
（ａ）引用発明１の「磁性体基板２」、「樹脂からなる絶縁体層４，５，６，７」、「渦巻状コイル導体１０，１１」、「積層体１４」は、それぞれ本願発明の「磁性基板」、「樹脂絶縁層」、「導体層」、「積層構造体」に相当する。
（ｂ）引用発明１の「磁性体基板２上に樹脂からなる絶縁体層４，５，６，７、渦巻状コイル導体１０，１１を厚み方向に積み重ねた積層体１４」は、渦巻状コイル導体１０，１１を形成しているので、本願発明の「磁性基板上に樹脂絶縁層、導体層を厚み方向に積み重ねた積層構造体で、少なくとも２個のコイル導体を形成し」ていることに相当する。
（ｃ）引用発明１の「渦巻状コイル導体１０，１１」は、本願発明の「そのうち少なくとも２層の導体層はスパイラル形状の導体パターン」に相当する。
（ｄ）引用発明１の「積層体１４の上面を磁性体基板３で覆った」ことは、本願発明の「積層構造体の上面を磁性材料で覆った」ことに相当する。
（ｅ）引用発明１では、「絶縁体層４，５，６，７とコイル導体１０，１１は、フォトリソグラフィ等の薄膜形成手段を利用して形成され」ているので、引用発明１の「コモンモードチョークコイル１」は、本願発明の「薄膜型コモンモードチョークコイル」に相当する。
　よって、両者は、
「磁性基板上に樹脂絶縁層、導体層を厚み方向に積み重ねた積層構造体で、少なくとも２個のコイル導体を形成し、
　そのうち少なくとも２層の導体層はスパイラル形状の導体パターンであり、
　前記積層構造体の上面を磁性材料で覆ったことを特徴とする薄膜型コモンモードチョークコイル。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
［相違点１］本願発明は、「スパイラル形状の導体パターンは導体幅（Ｗ１）が　Ｗ１≦３６μｍ」であるとの構成を備えているのに対して、引用発明１は、「コイル導体の導体幅は１００μｍ以下」であるとの構成を備えている点。
［相違点２］本願発明は、「スパイラル形状の導体パターンの導体厚（Ｔ）と導体間スペース（Ｗ２）の関係が　Ｗ２＜Ｔ×２」であるとの構成を備えているのに対して、引用発明１は、そのような記載がない点。
［相違点３］本願発明は、「スパイラル形状の導体パターンが、薄膜で形成された下地導体とその上の厚付け導体とからなり、該厚付け導体がＣｕめっき層であり、前記下地導体の下層がＣｒで上層がＣｕであるか、あるいは下層がＴｉで上層がＣｕ」であるとの構成を備えているのに対して、引用発明１は、そのような構成を備えていない点。
［相違点４］本願発明は、「スパイラル形状の導体パターン表面がＮｉめっき膜で覆われて」いるとの構成を備えているのに対して、引用発明１は、そのような構成を備えていない点。
　
　そこで、上記相違点について検討する。
［相違点１について］
　引用発明１では、「コイル導体の導体幅は１００μｍ以下」であるから、本願発明の導体幅３６μｍ以下も含んでいる。
　刊行物２には、ＧＨｚオーダーでの使用を前提としたコモンモードチョークコイルにおいて、導体パターンの幅を約１０〜３０μｍとすることが記載されており、本願発明の導体幅３６μｍ以下に含まれる。
　また、上下に積層された導体パターン間に浮遊容量があり、浮遊容量は導体パターンの導体幅に比例すること、また使用する周波数帯域が高周波になるほど、浮遊容量を減らす必要があることは、当業者に自明なことである。
　よって、引用発明１のコモンモードチョークコイルを、ＧＨｚオーダーで使用すべく、コイル導体の導体幅を３６μｍ以下とすることは、当業者が実験などにより適宜決定し得たことである。
　
［相違点２について］
　刊行物３には、「スパイラル状の薄膜インダクタ等の薄膜導電パターンを、スペース幅０．８μｍ、ライン幅４μｍ、厚さ５μｍとして、ラインアンドスペースパターンのスペース間隔を狭めることにより、小型化、省占有面積化を図ること」が記載されており、スペース幅０．８μｍ＜厚さ５μｍ×２となっている。
　また、導体間スペースは、スペース効率を考慮すれば、できるだけ小さい方が好ましいことは、明らかである。
　よって、引用発明１において、導体間スペースをできるだけ小さくして、引用発明１が、本願発明のごとく、「スパイラル形状の導体パターンの導体厚（Ｔ）と導体間スペース（Ｗ２）の関係が　Ｗ２＜Ｔ×２」であるとの構成を備えるようにすることは、当業者が適宜なし得たことである。
　
［相違点３について］
　刊行物２には、「スパイラル形状の導体パターン１４ａ，１４ｂは、Ｔｉ膜又はＣｒ膜上に更にＣｕ膜を形成した下地層と、Ｃｕメッキ層から成・・・るコモンモードチョークコイル。」が記載されており、この導体パターンの構成を引用発明１のコイル導体として採用し、引用発明１が、本願発明のごとく、「スパイラル形状の導体パターンが、薄膜で形成された下地導体とその上の厚付け導体とからなり、該厚付け導体がＣｕめっき層であり、前記下地導体の下層がＣｒで上層がＣｕであるか、あるいは下層がＴｉで上層がＣｕ」であるとの構成を備えるようにすることは、当業者が適宜なし得たことである。
　
［相違点４について］
　刊行物４には、「酸化防止のため、インダクタンスを形成する渦巻状の導体パターンの銅の表面に、ニッケルメッキを施こすこと」が記載されており、引用発明１においても、酸化防止のためコイル導体にニッケルメッキを施こし、引用発明１が、本願発明のごとく、「スパイラル形状の導体パターン表面がＮｉめっき膜で覆われて」いるとの構成を備えるようにすることは、当業者が適宜なし得たことである。
　
　また、本願発明の効果についても、刊行物１ないし刊行物４に記載された発明から予測された範囲内のものであり、格別のものとは認められない。
　
　したがって、本願発明は、刊行物１ないし刊行物４に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第６　本願発明と引用発明２との対比・判断
　本願発明と引用発明２とを対比する。
（ａ）引用発明２の「絶縁樹脂層１３ａ〜１３ｅ」、「導体パターン１４ａ〜１４ｄ」、「積層体１６」は、それぞれ本願発明の「樹脂絶縁層」、「導体層」、「積層構造体」に相当する。
（ｂ）引用発明２の「セラミック基板１１」と本願発明の「磁性基板」は、「基板」である点で共通する。
（ｃ）引用発明２では、「２層の導体パターン１４ａ，１４ｂはスパイラル形状の導体パターンであ」るから、引用発明２の「２層の導体パターン１４ａ，１４ｂ」は、本願発明の「少なくとも２個のコイル導体を形成し」たものに相当する。
（ｄ）引用発明２の「２層の導体パターン１４ａ，１４ｂはスパイラル形状の導体パターン」は、本願発明の「そのうち少なくとも２層の導体層はスパイラル形状の導体パターン」に相当する。
（ｅ）引用発明２の「スパイラル形状の導体パターン」「の幅は約１０〜３０μｍ」は、本願発明の「スパイラル形状の導体パターンは導体幅（Ｗ１）が　Ｗ１≦３６μｍ」に含まれる。
（ｆ）引用発明２の「スパイラル形状の導体パターン１４ａ，１４ｂは、Ｔｉ膜又はＣｒ膜上に更にＣｕ膜を形成した下地層と、Ｃｕメッキ層から成」ることは、本願発明の「スパイラル形状の導体パターンが、薄膜で形成された下地導体とその上の厚付け導体とからなり、該厚付け導体がＣｕめっき層であり、前記下地導体の下層がＣｒで上層がＣｕであるか、あるいは下層がＴｉで上層がＣｕであ」ることに相当する。
（ｇ）引用発明２の「コモンモードチョークコイル」は、その製造方法から、薄膜型であることは明らかであるから、本願発明の「薄膜型コモンモードチョークコイル」に相当する。
　よって、両者は、
「基板上に樹脂絶縁層、導体層を厚み方向に積み重ねた積層構造体で、少なくとも２個のコイル導体を形成し、
　そのうち少なくとも２層の導体層はスパイラル形状の導体パターンであり、該スパイラル形状の導体パターンは導体幅（Ｗ１）が 
　Ｗ１≦３６μｍ
であり、
　前記スパイラル形状の導体パターンが、薄膜で形成された下地導体とその上の厚付け導体とからなり、該厚付け導体がＣｕめっき層であり、
　前記下地導体の下層がＣｒで上層がＣｕであるか、あるいは下層がＴｉで上層がＣｕであることを特徴とする薄膜型コモンモードチョークコイル。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
［相違点１］本願発明は、「磁性基板」であるとの構成を備えているのに対して、引用発明２は、「セラミック基板」であるとの構成を備えている点。
［相違点２］本願発明は、「スパイラル形状の導体パターンの導体厚（Ｔ）と導体間スペース（Ｗ２）の関係が　Ｗ２＜Ｔ×２」であるとの構成を備えているのに対して、引用発明２は、そのような記載がない点。
［相違点３］本願発明は、「スパイラル形状の導体パターン表面がＮｉめっき膜で覆われて」いるとの構成を備えているのに対して、引用発明２は、そのような構成を備えていない点。
［相違点４］本願発明は、「積層構造体の上面を磁性材料で覆った」との構成を備えているのに対して、引用発明２は、そのような構成を備えていない点。
　
　そこで、上記相違点について検討する。
［相違点１，相違点４について］
　刊行物１には、コモンモードチョークコイルにおいて、「磁性基板」を積層体の上下に設けることが記載されており、引用発明２においても、「磁性基板」を積層体の上下に設け、引用発明２が、本願発明のごとく、「磁性基板」とし「積層構造体の上面を磁性材料で覆った」との構成を備えるようにすることは、当業者が適宜なし得たことである。
　
［相違点２について］
　刊行物３には、「スパイラル状の薄膜インダクタ等の薄膜導電パターンを、スペース幅０．８μｍ、ライン幅４μｍ、厚さ５μｍとして、ラインアンドスペースパターンのスペース間隔を狭めることにより、小型化、省占有面積化を図ること」が記載されており、スペース幅０．８μｍ＜厚さ５μｍ×２となっている。
　また、導体間スペースは、スペース効率を考慮すれば、できるだけ小さい方が好ましいことは、明らかである。
　よって、引用発明２において、導体間スペースをできるだけ小さくして、引用発明２が、本願発明のごとく、「スパイラル形状の導体パターンの導体厚（Ｔ）と導体間スペース（Ｗ２）の関係が　Ｗ２＜Ｔ×２」であるとの構成を備えるようにすることは、当業者が適宜なし得たことである。
　
［相違点３について］
　刊行物４には、「酸化防止のため、インダクタンスを形成する渦巻状の導体パターンの銅の表面に、ニッケルメッキを施こすこと」が記載されており、引用発明２においても、酸化防止のためコイル導体にニッケルメッキを施こし、引用発明２が、本願発明のごとく、「スパイラル形状の導体パターン表面がＮｉめっき膜で覆われて」いるとの構成を備えるようにすることは、当業者が適宜なし得たことである。
　
　また、本願発明の効果についても、刊行物１ないし刊行物４に記載された発明から予測された範囲内のものであり、格別のものとは認められない。
　
　したがって、本願発明は、刊行物１ないし刊行物４に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第７　むすび
　以上のとおり、本願発明は、刊行物１ないし刊行物４に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができず、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。