(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体又は半導体からなるベース基板と、
上記ベース基板の一方の面に形成されたモジュール入出力用マイクロストリップ線路と、
上記モジュール入出力用マイクロストリップ線路に接続されたオープンスタブと、
誘電体又は半導体からなる高周波集積回路基板と、
上記高周波集積回路基板の一方の面に設けられた高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路と、
上記高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路に接続されたオープンスタブと、
上記高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路に接続された高周波回路部と、
上記ベース基板の他の面と上記高周波集積回路基板の他の面との接合面に形成された結合孔を有する地導体と、
上記高周波集積回路基板の上記高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路と同一面に設けられたバイアス端子と、
バイアス用気密貫通端子と、
上記高周波集積回路基板の上記バイアス端子とバイアス用気密貫通端子を接続する導体ワイヤとで構成し、
上記高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路に接続されたオープンスタブと上記モジュール入出力用マイクロストリップ線路に接続されたオープンスタブとは、上記結合孔により高周波信号に対し電磁結合で接続されることを特徴とする高周波気密モジュール。
【請求項２】
誘電体又は半導体からなるベース基板と、
上記ベース基板の一方の面に形成されたモジュール入出力用マイクロストリップ線路と、
上記モジュール入出力用マイクロストリップ線路に接続されたオープンスタブと、
上記モジュール入出力用マイクロストリップ線路の両側に設けられたグラウンド端子と、
誘電体又は半導体からなる高周波集積回路基板と、
上記高周波集積回路基板の一方の面に設けられた高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路と、
上記高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路に接続されたオープンスタブと、
上記高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路に接続された高周波回路部と、
上記ベース基板の他の面と上記高周波集積回路基板の他の面との接合面に形成された結合孔を有する地導体と、
上記グラウンド端子と上記地導体を接続するスルーホールと、
上記高周波集積回路基板の上記高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路と同一面に設けられたバイアス端子と、
バイアス用気密貫通端子と、
上記高周波集積回路基板の上記バイアス端子とバイアス用気密貫通端子を接続する導体ワイヤとで構成し、
上記高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路に接続されたオープンスタブと上記モジュール入出力用マイクロストリップ線路に接続されたオープンスタブとは、上記結合孔により高周波信号に対し電磁結合で接続されることを特徴とする高周波気密モジュール。
【請求項３】
誘電体又は半導体からなるベース基板と、
上記ベース基板の一方の面に形成されたモジュール入出力用マイクロストリップ線路と、
上記モジュール入出力用マイクロストリップ線路に接続されたオープンスタブと、
上記モジュール入出力用マイクロストリップ線路に接続されたコプレーナ線路中心導体と、
上記コプレーナ線路中心導体の両側に設けられたコプレーナ線路地導体と、
誘電体又は半導体からなる高周波集積回路基板と、
上記高周波集積回路基板の一方の面に設けられた高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路と、
上記高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路に接続されたオープンスタブと、
上記高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路に接続された高周波回路部と、
上記ベース基板の他の面と上記高周波集積回路基板の他の面との接合面に形成された結合孔を有する地導体と、
上記コプレーナ線路地導体と上記地導体を接続するスルーホールと、
上記高周波集積回路基板の上記高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路と同一面に設けられたバイアス端子と、
バイアス用気密貫通端子と、
上記高周波集積回路基板の上記バイアス端子とバイアス用気密貫通端子を接続する導体ワイヤとで構成し、
上記高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路に接続されたオープンスタブと上記モジュール入出力用マイクロストリップ線路に接続されたオープンスタブとは、上記結合孔により高周波信号に対し電磁結合で接続されることを特徴とする高周波気密モジュール。
【請求項４】
導体フレームと、上記導体フレームに設けられた入出力用矩形導波管と、誘電体又は半導体からなるベース基板と、上記ベース基板の一方の面に形成されたモジュール入出力用マイクロストリップ線路と、上記モジュール入出力用マイクロストリップ線路に接続されたオープンスタブと、上記ベース基板の他の面に形成された結合孔を有する地導体と、誘電体又は半導体からなる導波管−マイクロストリップ変換基板と、上記導波管−マイクロストリップ変換基板の一方の面に形成されたマイクロストリップ線路と、上記導波管−マイクロストリップ変換基板の他の面に形成された地導体と、誘電体又は半導体からなる高周波集積回路基板と、上記高周波集積回路基板の一方の面に設けられた高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路と、上記高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路に接続されたオープンスタブと、上記高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路に接続された高周波回路部と、上記高周波集積回路基板の上記高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路と同一面に設けられたバイアス端子と、上記高周波集積回路基板の他の面に形成された結合孔を有する地導体と、上記導体フレームと上記ベース基板及び上記導波管−マイクロストリップ変換基板の上記地導体を貼り合わせるロウ材と、上記導体フレームと上記ベース基板の上記地導体を貼り合わせるロウ材と、上記ベース基板及び上記高周波集積回路基板の上記結合孔どうしの位置を合わせ上記地導体どうしを貼り合わせるロウ材と、バイアス用気密貫通端子と、上記導波管−マイクロストリップ変換基板の上記マイクロストリップ線路と上記ベース基板の上記モジュール入出力用マイクロストリップ線路を接続する導体ワイヤと、上記高周波集積回路基板の上記バイアス端子とバイアス用気密貫通端子を接続する導体ワイヤと、上記導体フレームにロウ付けまたは熔接された気密カバーとで構成したことを特徴とする高周波気密モジュール。
【請求項５】
導体フレームと、上記誘電体フレームに設けられた入出力用矩形導波管と、上記導体フレームに設けれた導波管インピーダンス変成器と、誘電体又は半導体からなるベース基板と、上記ベース基板の一方の面に形成されたモジュール入出力用マイクロストリップ線路と、上記モジュール入出力用マイクロストリップ線路に接続されたオープンスタブと、上記ベース基板の他の面に形成された結合孔を有する地導体と、誘電体又は半導体からなる高周波集積回路基板と、上記高周波集積回路基板の一方の面に設けられた高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路と、上記高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路に接続されたオープンスタブと、上記高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路に接続された高周波回路部と、上記高周波集積回路基板の上記高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路と同一面に設けられたバイアス端子と、上記高周波集積回路基板の他の面に形成された結合孔を有する地導体と、上記導体フレームと上記ベース基板の上記地導体を貼り合わせるロウ材と、上記ベース基板及び上記高周波集積回路基板の上記結合孔どうしの位置を合わせ上記地導体どうしを貼り合わせるロウ材と、バイアス用気密貫通端子と、上記導波管インピーダンス変成器と上記ベース基板の上記モジュール入出力用マイクロストリップ線路を接続する導体ワイヤと、上記高周波集積回路基板の上記バイアス端子とバイアス用気密貫通端子を接続する導体ワイヤと、上記導体フレームにロウ付けまたは熔接された気密カバーとで構成したことを特徴とする高周波気密モジュール。
【請求項６】
導体フレームと、誘電体又は半導体からなるベース基板と、上記ベース基板の一方の面に形成されたモジュール入出力用マイクロストリップ線路と、上記モジュール入出力用マイクロストリップ線路に接続されたオープンスタブと、上記ベース基板の他の面に形成された結合孔を有する地導体と、誘電体又は半導体からなる高周波集積回路基板と、上記高周波集積回路基板の一方の面に設けられた高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路と、上記高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路に接続されたオープンスタブと、上記高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路に接続された高周波回路部と、上記高周波集積回路基板の上記高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路と同一面に設けられたバイアス端子と、上記高周波集積回路基板の他の面に形成された結合孔を有する地導体と、上記導体フレームと上記ベース基板の上記地導体を貼り合わせるロウ材と、上記ベース基板及び上記高周波集積回路基板の上記結合孔どうしの位置を合わせ上記地導体どうしを貼り合わせるロウ材と、バイアス用気密貫通端子と、長期高周波集積回路基板の上記バイアス端子とバイアス用気密貫通端子を接続する導体ワイヤと、上記ベース基板の上記モジュール入出力用マイクロストリップ線路を有する面に、上記入出力用マイクロストリップ線路および上記モジュール入出力用マイクロストリップ線路に接続された上記オープンスタブにかからないように取り付けられた金属、誘電体または樹脂等からなる補強フレームと、上記導体フレームにロウ付けまたは熔接された気密カバーとで構成したことを特徴とする高周波気密モジュール。
【請求項７】
導体フレームと、一方の面に補強のための隆起を有し、誘電体又は半導体からなる補強構造ベース基板と、上記補強構造ベース基板の隆起を有する面の隆起のない部分に形成されたモジュール入出力用マイクロストリップ線路と、上記モジュール入出力用マイクロストリップ線路に接続されたオープンスタブと、上記補強構造ベース基板の他の面に形成された結合孔を有する地導体と、誘電体又は半導体からなる高周波集積回路基板と、上記高周波集積回路基板の一方の面に設けられた高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路と、上記高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路に接続されたオープンスタブと、上記高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路に接続された高周波回路部と、上記高周波集積回路基板の上記高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路と同一面に設けられたバイアス端子と、上記高周波集積回路基板の他の面に形成された結合孔を有する地導体と、上記導体フレームと上記補強構造ベース基板の上記地導体を貼り合わせるロウ材と、上記補強構造ベース基板及び上記高周波集積回路基板の上記結合孔どうしの位置を合わせ上記地導体どうしを貼り合わせるロウ材と、バイアス用気密貫通端子と、上記高周波集積回路基板の上記バイアス端子とバイアス用気密貫通端子を接続する導体ワイヤと、上記導体フレームにロウ付けまたは熔接された気密カバーとで構成したことを特徴とする高周波気密モジュール。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、耐環境性向上のため気密を保った高周波気密モジュールに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
図２３は従来の高周波気密モジュールを示す平面透視図、図２４は図２３のＡ８−Ａ８断面図、図２５は図２３のＢ８視図である。これらの図において１は導体フレーム、２は地導体、３は高周波集積回路基板、４はバイアス端子、５はロウ材、６は導体ワイヤ、７は気密カバー、８は導体ベース、９は入出力用フィードスルー基板、１０は入出力用パターン、１１は誘電体ブロック、１２はバイアス用フィードスルー基板、１３バイアス用パターン、１４は高周波集積回路入出力端子である。
【０００３】
ここで、入出力用フィードスルー基板９の地導体２とバイアス用フィードスルー基板１２の地導体２はそれぞれロウ材５により導体ベース８にロウ付けされている。また、入出力用フィードスルー基板９の入出力用パターン１０の上に誘電体ブロック１１を貼り合わせ、その周りを導体ベース８及び導体フレーム１で囲むことによりトリプレートのフィードスルーを構成し、同様にバイアス線路もバイアス用フィードスルー基板１２のバイアス用パターン１３の上に誘電体ブロック１１を貼り合わせ、その周りを導体ベース８及び導体フレーム１で囲むことにより気密のフィードスルーを構成している。これらのフィードスルーのパターンと高周波集積回路基板３の高周波集積回路入出力端子１４及びバイアス端子４を導体ワイヤ６で接続し、気密カバー７をロウ付け又は熔接することにより、モジュール内の気密を保ち高周波集積回路基板３の耐環境性を高めている。
【０００４】
このように、従来の高周波気密モジュールでは、トリプレート型のフィードスルーによりモジュール内の気密を保ちながら高周波集積回路基板３と高周波信号およびバイアスをインタフェースしていた。例えば高周波集積回路基板３が増幅器の場合には、入出力用フィードスルー基板９から入力された高周波信号はトリプレートのフィードスルーを通過し高周波集積回路基板３に入力される。入力された信号は高周波集積回路基板３で電力増幅されトリプレートのフィードスルーを通過し入出力用フィードスルー基板９から出力される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
図２３、図２４、図２５に示すような高周波気密モジュールでは入出力用フィードスルー基板９やバイアス用フィードスルー基板１２は加工の実現性から高温焼成厚膜基板が使用されている。高温焼成厚膜基板の線路パターンは一般に下地にタングステン等の電気抵抗の大きい金属を用い厚みも７〜１５μｍと薄膜基板の線路パターンに比べ厚いため、マイクロストリップ線路を伝送する信号が高周波になると表皮効果のため抵抗の大きい下地金属にほとんどの電流が流れ損失が大きくなるという問題点があった。
【０００６】
また、高周波においては高次モードの発生を防ぐために基板厚を薄くする必要があり、必然的にマイクロストリップ線路のパターン幅も狭くなる。更にトリプレート線路部においてはマイクロストリップ線路部と同一の特性インピーダンスにするためにはパターン幅はより狭くなるためパターン精度がいっそう厳しくなる。厚膜のパターン寸法精度は薄膜に比べ悪いため、寸法誤差により特性インピーダンスが大きくずれてしまうという問題点があった。
【０００７】
更に、高周波集積回路基板３と入出力用フィードスルー基板９とは組立作業性や基板の寸法精度を考慮して隙間をあけて取り付けられ、高周波信号は導体ワイヤやリボンにより接続されるため、これらの導体ワイヤやリボンのインダクタンスによりモジュールの性能を劣化させるという問題点があった。
【０００８】
この発明は上記ような課題を解決するためになされたもので、高周波気密モジュールの入出力端子の高周波信号伝搬特性を改善することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
この発明に係わる実施の形態１の高周波気密モジュールは高周波信号が伝搬するトリプレート型フィードスルーの代わりに、オープンスタブにより先端を開放したマイクロストリップ線路の地導体どうしを貼り合わせその地導体に設けた結合孔を介して電磁結合により高周波信号を伝搬させることにより、高周波集積回路基板の高周波信号の入出力を導体ワイヤや導体リボンで接続することなく気密モジュールを実現したものである。
【００１０】
また、実施の形態２の高周波気密モジュールは実施の形態１の高周波気密モジュールにおいて、入出力のインタフェースを表面にグラウンド端子を設けたマイクロストリップ線路としたものである。
【００１１】
また、実施の形態３の高周波気密モジュールは実施の形態１の高周波気密モジュールにおいて、入出力のインタフェースをコプレーナ線路としたものである。
【００１２】
また、実施の形態４の高周波気密モジュールは実施の形態１の高周波気密モジュールにおいて、Ｅ面プローブ型導波管−マイクロストリップ線路変換器を付加することにより入出力のインタフェースを矩形導波管としたものである。
【００１３】
また、実施の形態５の高周波気密モジュールは実施の形態１の高周波気密モジュールにおいて、ステップ変成器を用いた導波管−マイクロストリップ線路変換器を付加することにより入出力のインタフェースを矩形導波管としたものである。
【００１４】
また、実施の形態６の高周波気密モジュールは実施の形態１の高周波気密モジュールにおいて、ベース基板に補強フレームを取り付けることによりモジュールの機械強度を向上させたものである。
【００１５】
また、実施の形態７の高周波気密モジュールは実施の形態１のベース基板の代わりに補強用の隆起を有する補強構造ベース基板とすることによりモジュールの機械強度を向上させたものである。
【００１６】
【発明の実施の形態】
実施の形態１．
図１はこの発明の実施の形態１を示す高周波気密モジュールの平面図、図２は図１におけるＡ１−Ａ１断面図、図３は図２におけるＢ１方向からの透視図である。図において１は導体フレーム、２は地導体、３は高周波集積回路基板、４はバイアス端子、５はロウ材、６は導体ワイヤ、７は気密カバー、１５はベース基板、１６はモジュール入出力用マイクロストリップ線路、１７はオープンスタブ、１８は結合孔、１９は高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路、２０は高周波回路部、２１はバイアス用気密貫通端子である。
【００１７】
ここで、ベース基板１５は導体フレーム１にロウ材５により取付けられている。ベース基板１５には表面にモジュール入出力用マイクロストリップ線路１６とモジュール入出力用マイクロストリップ線路１６に接続されたオープンスタブ１７が二組設けられている。また、裏面には結合孔１８を有する地導体２が設けられており、結合孔１８はモジュール入出力用マイクロストリップ線路１６とオープンスタブ１７の接続部の真裏にモジュール入出力用マイクロストリップ線路１６の信号伝搬方向と結合孔１８の長手方向が直交するように位置する。高周波集積回路基板３には表面に高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路１９と高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路１９に接続されたオープンスタブ１７、高周波回路部２０及びバイアス端子１１が設けられている。また、裏面には結合孔１８を有する地導体２が設けられている。ベース基板１５と高周波集積回路基板３はそれぞれの地導体２に設けられた結合孔１８の部分を合致させロウ材５により地導体２どうしを貼り合わせている。バイアス用気密貫通端子２１は導体フレーム１の側面に隙間なく埋め込めれている。また、バイアス端子１１とバイアス用気密貫通端子２１間は導体ワイヤ６によりボンディングされている。気密カバー７は導体フレーム１に隙間なくロウ付けまたは熔接されている。
【００１８】
これにより、モジュール入出力用マイクロストリップ線路１６と高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路１９は、オープンスタブ１７及び結合孔１８の効果による電磁結合で高周波信号に対して接続される。モジュール入出力用マイクロストリップ線路１６から入力された高周波信号は結合孔１８を介して高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路１９に伝搬され、高周波回路部２０へ入力される。一方、高周波回路部２０から出力された高周波信号は、高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路１９に伝搬され、結合孔１８を介してモジュール入出力用マイクロストリップ線路１６に伝搬され出力される。このような気密モジュールにおいては、モジュールを構成する基板にパターン精度にすぐれ、パターン下地の金属の電気抵抗が小さい薄膜基板を用いることができる。このため、高周波気密モジュールの入出力線路が低損失になり、性能が改善される。また、モジュール入出力用マイクロストリップ線路１６と高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路１９とは導体ワイヤや導体リボン等で接続されていないため導体ワイヤや導体リボンのインダクタンス成分による性能の劣化がない。更に電磁結合部は導体により接続されていないため高周波信号線路から直流を遮断することができる。
【００１９】
実施の形態２．
図４は上記実施の形態１においてモジュールどうしを接続した際の高周波特性を改善するために、上記モジュール入出力用マイクロストリップ線路の両側にスルーホールにより地導体と導通がとられたグラウンド端子を設けた高周波気密モジュールの平面図、図５は図４におけるＡ２−Ａ２断面図、図６は図５におけるＢ２方向からの透視図である。図において１は導体フレーム、２は地導体、３は高周波集積回路基板、４はバイアス端子、５はロウ材、６は導体ワイヤ、７は気密カバー、１５はベース基板、１６はモジュール入出力用マイクロストリップ線路、１７はオープンスタブ、１８は結合孔、１９は高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路、２０は高周波回路部、２１はバイアス用気密貫通端子、２２はグラウンド端子、２３はスルーホールである。
【００２０】
この場合にも、ベース基板１５は導体フレーム１にロウ材５により取付けられている。ベース基板１５には表面にモジュール入出力用マイクロストリップ線路１６とモジュール入出力用マイクロストリップ線路１６に接続されたオープンスタブ１７が二組設けられている。また、裏面には結合孔１８を有する地導体２が設けられており、結合孔１８はモジュール入出力用マイクロストリップ線路１６とオープンスタブ１７の接続部の真裏にモジュール入出力用マイクロストリップ線路１６の信号伝搬方向と結合孔１８の長手方向が直交するように位置する。高周波集積回路基板３には表面に高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路１９と高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路１９に接続されたオープンスタブ１７が設けられている。また、裏面には結合孔１８を有する地導体２が設けられており、結合孔１８はモジュール入出力用マイクロストリップ線路１６とオープンスタブ１７の接続部の真裏にモジュール入出力用マイクロストリップ線路１６の信号伝搬方向と結合孔１８の長手方向が直交するように位置する。高周波集積回路基板３には表面に高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路１９と高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路１９に接続されたオープンスタブ１７、高周波回路部２０及びバイアス端子１１が設けられている。また、裏面には結合孔１８を有する地導体２が設けられている。ベース基板１５と高周波集積回路基板３はそれぞれの地導体２に設けられた結合孔１８の部分を合致させロウ材５により地導体２どうしを貼り合わせている。バイアス用気密貫通端子２１は導体フレーム１の側面に隙間なく埋め込めれている。また、バイアス端子１１とバイアス用気密貫通端子２１間は導体ワイヤ６によりボンディングされている。気密カバー７は導体フレーム１に隙間なくロウ付けまたは熔接されている。
【００２１】
これにより、モジュール入出力用マイクロストリップ線路１６と高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路１９は、オープンスタブ１７及び結合孔１８の効果による電磁結合で高周波信号に対して接続される。モジュール入出力用マイクロストリップ線路１６から入力された高周波信号は結合孔１８を介して高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路１９に伝搬され、高周波回路部２０へ入力される。一方、高周波回路部２０から出力された高周波信号は、高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路１９に伝搬され、結合孔１８を介してモジュール入出力用マイクロストリップ線路１６に伝搬され出力される。このような気密モジュールにおいては、モジュールを構成する基板にパターン精度にすぐれ、パターン下地の金属の電気抵抗が小さい薄膜基板を用いることができる。このため、高周波気密モジュールの入出力線路が低損失になり、性能が改善される。また、モジュール入出力用マイクロストリップ線路１６と高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路１９とは導体ワイヤや導体リボン等で接続されていないため導体ワイヤや導体リボンのインダクタンス成分による性能の劣化がない。更に電磁結合部は導体により接続されていないため高周波信号線路から直流を遮断することができる。
【００２２】
また、モジュール入出力用マイクロストリップ線路１６の両側にスルーホール２３により地導体２と導通がとられたグラウンド端子２２を設けているため、モジュールどうしの入出力の接続においてグラウンド端子２２どうしを接続することによりグラウンドを流れる電流の経路を短くすることができるため、モジュールどうしの接続部の高周波特性が改善できる。
【００２３】
実施の形態３．
図７は上記実施の形態１においてモジュールどうしを接続した際の高周波特性を改善するために、上記入出力マイクロストリップ線路の両側にスルーホールによりマイクロストリップ−コプレーナ変換を行うことにより入出力のインタフェースをコプレーナ線路とした高周波気密モジュールの平面図、図８は図７におけるＡ３−Ａ３断面図、図９は図８におけるＢ３方向からの透視図である。図において１は導体フレーム、２は地導体、３は高周波集積回路基板、４はバイアス端子、５はロウ材、６は導体ワイヤ、７は気密カバー、１５はベース基板、１６はモジュール入出力用マイクロストリップ線路、１７はオープンスタブ、１８は結合孔、１９は高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路、２０は高周波回路部、２１はバイアス用気密貫通端子、２３はスルーホール、２４はコプレーナ線路中心導体、２５はコプレーナ線路地導体である。
【００２４】
この場合にも、ベース基板１５は導体フレーム１にロウ材５により取付けられている。ベース基板１５には表面にモジュール入出力用マイクロストリップ線路１６とモジュール入出力用マイクロストリップ線路１６に接続されたオープンスタブ１７が二組設けられている。また、裏面には結合孔１８を有する地導体２が設けられており、結合孔１８はモジュール入出力用マイクロストリップ線路１６とオープンスタブ１７の接続部の真裏にモジュール入出力用マイクロストリップ線路１６の信号伝搬方向と結合孔１８の長手方向が直交するように位置する。高周波集積回路基板３には表面に高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路１９と高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路１９に接続されたオープンスタブ１７が設けられている。また、裏面には結合孔１８を有する地導体２が設けられており、結合孔１８はモジュール入出力用マイクロストリップ線路１６とオープンスタブ１７の接続部の真裏にモジュール入出力用マイクロストリップ線路１６の信号伝搬方向と結合孔１８の長手方向が直交するように位置する。高周波集積回路基板３には表面に高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路１９と高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路１９に接続されたオープンスタブ１７、高周波回路部２０及びバイアス端子１１が設けられている。また、裏面には結合孔１８を有する地導体２が設けられている。ベース基板１５と高周波集積回路基板３はそれぞれの地導体２に設けられた結合孔１８の部分を合致させロウ材５により地導体２どうしを貼り合わせている。バイアス用気密貫通端子２１は導体フレーム１の側面に隙間なく埋め込めれている。また、バイアス端子１１とバイアス用気密貫通端子２１間は導体ワイヤ６によりボンディングされている。気密カバー７は導体フレーム１に隙間なくロウ付けまたは熔接されている。
【００２５】
これにより、モジュール入出力用マイクロストリップ線路１６と高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路１９は、オープンスタブ１７及び結合孔１８の効果による電磁結合で高周波信号に対して接続される。モジュール入出力用マイクロストリップ線路１６から入力された高周波信号は結合孔１８を介して高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路１９に伝搬され、高周波回路部２０へ入力される。一方、高周波回路部２０から出力された高周波信号は、高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路１９に伝搬され、結合孔１８を介してモジュール入出力用マイクロストリップ線路１６に伝搬され出力される。このような気密モジュールにおいては、モジュールを構成する基板にパターン精度にすぐれ、パターン下地の金属の電気抵抗が小さい薄膜基板を用いることができる。このため、高周波気密モジュールの入出力線路が低損失になり、性能が改善される。また、モジュール入出力用マイクロストリップ線路１６と高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路１９とは導体ワイヤや導体リボン等で接続されていないため導体ワイヤや導体リボンのインダクタンス成分による性能の劣化がない。更に電磁結合部は導体により接続されていないため高周波信号線路から直流を遮断することができる。
【００２６】
また、モジュール入出力用マイクロストリップ線路１６に接続されたコプレーナ線路中心導体２４、コプレーナ線路中心導体２４の両側に設けられたコプレーナ線路地導体２５及びコプレーナ線路地導体２５とベース基板１５の地導体２を接続するスルーホール２３によりマイクロストリップ−コプレーナ変換を行っている。このため、モジュールどうしの入出力の接続においてコプレーナ線路中心導体２４及びコプレーナ線路地導体１８どうしを接続することによりコプレーナ線路のインタフェースとなるため、モジュールどうしの接続部の高周波特性を更に改善できる。
【００２７】
実施の形態４．
図１０は上記実施の形態１においてモジュールどうしの接続部高周波特性を改善するために、モジュール内でＥ面プローブ型の導波管−マイクロストリップ変換を行うことにより入出力のインタフェースを矩形導波管とした高周波気密モジュールの平面図、図１１は図１０におけるＡ４−Ａ４断面図、図１２は図１１におけるＢ４方向からの透視図である。図において１は導体フレーム、２は地導体、３は高周波集積回路基板、４はバイアス端子、５はロウ材、６は導体ワイヤ、７は気密カバー、１５はベース基板、１６はモジュール入出力用マイクロストリップ線路、１７はオープンスタブ、１８は結合孔、１９は高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路、２０は高周波回路部、２１はバイアス用気密貫通端子、２６は入出力用矩形導波管、２７は導波管−マイクロストリップ変換基板、２８はプローブ用マイクロストリップ線路である。
【００２８】
この場合にも、ベース基板１５は導体フレーム１にロウ材５により取付けられている。ベース基板１５には表面にモジュール入出力用マイクロストリップ線路１６とモジュール入出力用マイクロストリップ線路１６に接続されたオープンスタブ１７が二組設けられている。また、裏面には結合孔１８を有する地導体２が設けられており、結合孔１８はモジュール入出力用マイクロストリップ線路１６とオープンスタブ１７の接続部の真裏にモジュール入出力用マイクロストリップ線路１６の信号伝搬方向と結合孔１８の長手方向が直交するように位置する。高周波集積回路基板３には表面に高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路１９と高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路１９に接続されたオープンスタブ１７が設けられている。また、裏面には結合孔１８を有する地導体２が設けられており、結合孔１８はモジュール入出力用マイクロストリップ線路１６とオープンスタブ１７の接続部の真裏にモジュール入出力用マイクロストリップ線路１６の信号伝搬方向と結合孔１８の長手方向が直交するように位置する。高周波集積回路基板３には表面に高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路１９と高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路１９に接続されたオープンスタブ１７、高周波回路部２０及びバイアス端子１１が設けられている。また、裏面には結合孔１８を有する地導体２が設けられている。ベース基板１５と高周波集積回路基板３はそれぞれの地導体２に設けられた結合孔１８の部分を合致させロウ材５により地導体２どうしを貼り合わせている。バイアス用気密貫通端子２１は導体フレーム１の側面に隙間なく埋め込めれている。また、バイアス端子１１とバイアス用気密貫通端子２１間は導体ワイヤ６によりボンディングされている。気密カバー７は導体フレーム１に隙間なくロウ付けまたは熔接されている。
【００２９】
これにより、モジュール入出力用マイクロストリップ線路１６と高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路１９は、オープンスタブ１７及び結合孔１８の効果による電磁結合で高周波信号に対して接続される。モジュール入出力用マイクロストリップ線路１６から入力された高周波信号は結合孔１８を介して高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路１９に伝搬され、高周波回路部２０へ入力される。一方、高周波回路部２０から出力された高周波信号は、高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路１９に伝搬され、結合孔１８を介してモジュール入出力用マイクロストリップ線路１６に伝搬され出力される。このような気密モジュールにおいては、モジュールを構成する基板にパターン精度にすぐれ、パターン下地の金属の電気抵抗が小さい薄膜基板を用いることができる。このため、高周波気密モジュールの入出力線路が低損失になり、性能が改善される。また、モジュール入出力用マイクロストリップ線路１６と高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路１９とは導体ワイヤや導体リボン等で接続されていないため導体ワイヤや導体リボンのインダクタンス成分による性能の劣化がない。更に電磁結合部は導体により接続されていないため高周波信号線路から直流を遮断することができる。
【００３０】
また、モジュール入出力用マイクロストリップ線路１６に接続された導波管−マイクロストリップ変換基板２７、プローブ用マイクロストリップ線路２８、入出力用矩形導波管２６により導波管−マイクロストリップ変換をおこなっている。このため、モジュールどうしの入出力の接続において入出力用矩形導波管２６どうしを接続することにより矩形導波管のインタフェースとなるため、モジュールどうしの接続部の高周波特性をよりいっそう改善できる。
【００３１】
実施の形態５．
図１３は上記実施の形態１においてモジュールどうしの接続部高周波特性を改善するために、モジュール内で導波管インピーダンス変成器を用いた導波管−マイクロストリップ変換を行うことにより入出力のインタフェースを矩形導波管とした高周波気密モジュールの平面図、図１４は図１３におけるＡ５−Ａ５断面図、図１５は図１４におけるＢ５方向からの透視図、図１６は図１３におけるＣ５視図である。図において１は導体フレーム、２は地導体、３は高周波集積回路基板、４はバイアス端子、５はロウ材、６は導体ワイヤ、７は気密カバー、１５はベース基板、１６はモジュール入出力用マイクロストリップ線路、１７はオープンスタブ、１８は結合孔、１９は高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路、２０は高周波回路部、２１はバイアス用気密貫通端子、２６は入出力用矩形導波管、２９は導波管インピーダンス変成器である。
【００３２】
この場合にも、ベース基板１５は導体フレーム１にロウ材５により取付けられている。ベース基板１５には表面にモジュール入出力用マイクロストリップ線路１６とモジュール入出力用マイクロストリップ線路１６に接続されたオープンスタブ１７が二組設けられている。また、裏面には結合孔１８を有する地導体２が設けられており、結合孔１８はモジュール入出力用マイクロストリップ線路１６とオープンスタブ１７の接続部の真裏にモジュール入出力用マイクロストリップ線路１６の信号伝搬方向と結合孔１８の長手方向が直交するように位置する。高周波集積回路基板３には表面に高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路１９と高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路１９に接続されたオープンスタブ１７が設けられている。また、裏面には結合孔１８を有する地導体２が設けられており、結合孔１８はモジュール入出力用マイクロストリップ線路１６とオープンスタブ１７の接続部の真裏にモジュール入出力用マイクロストリップ線路１６の信号伝搬方向と結合孔１８の長手方向が直交するように位置する。高周波集積回路基板３には表面に高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路１９と高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路１９に接続されたオープンスタブ１７、高周波回路部２０及びバイアス端子１１が設けられている。また、裏面には結合孔１８を有する地導体２が設けられている。ベース基板１５と高周波集積回路基板３はそれぞれの地導体２に設けられた結合孔１８の部分を合致させロウ材５により地導体２どうしを貼り合わせている。バイアス用気密貫通端子２１は導体フレーム１の側面に隙間なく埋め込めれている。また、バイアス端子１１とバイアス用気密貫通端子２１間は導体ワイヤ６によりボンディングされている。気密カバー７は導体フレーム１に隙間なくロウ付けまたは熔接されている。
【００３３】
これにより、モジュール入出力用マイクロストリップ線路１６と高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路１９は、オープンスタブ１７及び結合孔１８の効果による電磁結合で高周波信号に対して接続される。モジュール入出力用マイクロストリップ線路１６から入力された高周波信号は結合孔１８を介して高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路１９に伝搬され、高周波回路部２０へ入力される。一方、高周波回路部２０から出力された高周波信号は、高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路１９に伝搬され、結合孔１８を介してモジュール入出力用マイクロストリップ線路１６に伝搬され出力される。このような気密モジュールにおいては、モジュールを構成する基板にパターン精度にすぐれ、パターン下地の金属の電気抵抗が小さい薄膜基板を用いることができる。このため、高周波気密モジュールの入出力線路が低損失になり、性能が改善される。また、モジュール入出力用マイクロストリップ線路１６と高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路１９とは導体ワイヤや導体リボン等で接続されていないため導体ワイヤや導体リボンのインダクタンス成分による性能の劣化がない。更に電磁結合部は導体により接続されていないため高周波信号線路から直流を遮断することができる。
【００３４】
また、モジュール入出力用マイクロストリップ線路１６に接続された導波管インピーダンス変成器２９、入出力用矩形導波管２６により広帯域な導波管−マイクロストリップ変換をおこなっている。このため、モジュールどうしの入出力の接続において入出力用矩形導波管２６どうしを接続することにより矩形導波管のインタフェースとなるため、モジュールどうしの接続部の高周波特性を広帯域によりいっそう改善できる。
【００３５】
実施の形態６．
図１７は上記実施の形態１においてモジュールの機械強度を改善するために、上記ベース基板の上記モジュール入出力用マイクロストリップ線路を有する面に、上記入出力用マイクロストリップ線路および上記モジュール入出力用マイクロストリップ線路に接続されたオープンスタブにかからないように金属、誘電体または樹脂等からなる補強フレームを取り付けた高周波気密モジュールの平面図、図１８は図１７におけるＡ６−Ａ６断面図、図１９は図１８におけるＢ６方向からの透視図である。図において１は導体フレーム、２は地導体、３は高周波集積回路基板、４はバイアス端子、５はロウ材、６は導体ワイヤ、７は気密カバー、１５はベース基板、１６はモジュール入出力用マイクロストリップ線路、１７はオープンスタブ、１８は結合孔、１９は高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路、２０は高周波回路部、２１はバイアス用気密貫通端子、３０は補強フレームである。
【００３６】
この場合にも、ベース基板１５は導体フレーム１にロウ材５により取付けられている。ベース基板１５には表面にモジュール入出力用マイクロストリップ線路１６とモジュール入出力用マイクロストリップ線路１６に接続されたオープンスタブ１７が二組設けられている。また、裏面には結合孔１８を有する地導体２が設けられており、結合孔１８はモジュール入出力用マイクロストリップ線路１６とオープンスタブ１７の接続部の真裏にモジュール入出力用マイクロストリップ線路１６の信号伝搬方向と結合孔１８の長手方向が直交するように位置する。高周波集積回路基板３には表面に高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路１９と高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路１９に接続されたオープンスタブ１７が設けられている。また、裏面には結合孔１８を有する地導体２が設けられており、結合孔１８はモジュール入出力用マイクロストリップ線路１６とオープンスタブ１７の接続部の真裏にモジュール入出力用マイクロストリップ線路１６の信号伝搬方向と結合孔１８の長手方向が直交するように位置する。高周波集積回路基板３には表面に高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路１９と高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路１９に接続されたオープンスタブ１７、高周波回路部２０及びバイアス端子１１が設けられている。また、裏面には結合孔１８を有する地導体２が設けられている。ベース基板１５と高周波集積回路基板３はそれぞれの地導体２に設けられた結合孔１８の部分を合致させロウ材５により地導体２どうしを貼り合わせている。バイアス用気密貫通端子２１は導体フレーム１の側面に隙間なく埋め込めれている。また、バイアス端子１１とバイアス用気密貫通端子２１間は導体ワイヤ６によりボンディングされている。気密カバー７は導体フレーム１に隙間なくロウ付けまたは熔接されている。
【００３７】
これにより、モジュール入出力用マイクロストリップ線路１６と高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路１９は、オープンスタブ１７及び結合孔１８の効果による電磁結合で高周波信号に対して接続される。モジュール入出力用マイクロストリップ線路１６から入力された高周波信号は結合孔１８を介して高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路１９に伝搬され、高周波回路部２０へ入力される。一方、高周波回路部２０から出力された高周波信号は、高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路１９に伝搬され、結合孔１８を介してモジュール入出力用マイクロストリップ線路１６に伝搬され出力される。このような気密モジュールにおいては、モジュールを構成する基板にパターン精度にすぐれ、パターン下地の金属の電気抵抗が小さい薄膜基板を用いることができる。このため、高周波気密モジュールの入出力線路が低損失になり、性能が改善される。また、モジュール入出力用マイクロストリップ線路１６と高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路１９とは導体ワイヤや導体リボン等で接続されていないため導体ワイヤや導体リボンのインダクタンス成分による性能の劣化がない。更に電磁結合部は導体により接続されていないため高周波信号線路から直流を遮断することができる。
【００３８】
また、ベース基板１５のモジュール入出力用マイクロストリップ線路１６を有する面に、モジュール入出力用マイクロストリップ線路１６およびモジュール入出力用マイクロストリップ線路１６に接続されたオープンスタブ１７にかからないように金属、誘電体または樹脂等からなる補強フレーム３０を取り付けているため、ベース基板１５が補強され、モジュールの機械強度を改善できる。
【００３９】
実施の形態７．
図２０は上記実施の形態１においてモジュールの機械強度を改善するために、上記ベース基板の代わりに、上記モジュール入出力用マイクロストリップ線路を有する面に補強用の隆起を有する補強構造ベース基板を用いた高周波気密モジュールの平面図、図２１は図２０におけるＡ７−Ａ７断面図、図２２は図２１におけるＢ７方向からの透視図である。図において１は導体フレーム、２は地導体、３は高周波集積回路基板、４はバイアス端子、５はロウ材、６は導体ワイヤ、７は気密カバー、１６はモジュール入出力用マイクロストリップ線路、１７はオープンスタブ、１８は結合孔、１９は高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路、２０は高周波回路部、２１はバイアス用気密貫通端子、３１は補強構造ベース基板である。
【００４０】
ここで、補強構造ベース基板３１は導体フレーム１にロウ材５により取付けられている。補強構造ベース３１には表面にモジュール入出力用マイクロストリップ線路１６とモジュール入出力用マイクロストリップ線路１６に接続されたオープンスタブ１７が二組設けられている。また、裏面には結合孔１８を有する地導体２が設けられており、結合孔１８はモジュール入出力用マイクロストリップ線路１６とオープンスタブ１７の接続部の真裏にモジュール入出力用マイクロストリップ線路１６の信号伝搬方向と結合孔１８の長手方向が直交するように位置する。高周波集積回路基板３には表面に高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路１９と高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路１９に接続されたオープンスタブ１７が設けられている。また、裏面には結合孔１８を有する地導体２が設けられており、結合孔１８はモジュール入出力用マイクロストリップ線路１６とオープンスタブ１７の接続部の真裏にモジュール入出力用マイクロストリップ線路１６の信号伝搬方向と結合孔１８の長手方向が直交するように位置する。高周波集積回路基板３には表面に高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路１９と高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路１９に接続されたオープンスタブ１７、高周波回路部２０及びバイアス端子１１が設けられている。また、裏面には結合孔１８を有する地導体２が設けられている。補強構造ベース基板３１と高周波集積回路基板３はそれぞれの地導体２に設けられた結合孔１８の部分を合致させロウ材５により地導体２どうしを貼り合わせている。バイアス用気密貫通端子２１は導体フレーム１の側面に隙間なく埋め込めれている。また、バイアス端子１１とバイアス用気密貫通端子２１間は導体ワイヤ６によりボンディングされている。気密カバー７は導体フレーム１に隙間なくロウ付けまたは熔接されている。
【００４１】
これにより、モジュール入出力用マイクロストリップ線路１６と高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路１９は、オープンスタブ１７及び結合孔１８の効果による電磁結合で高周波信号に対して接続される。モジュール入出力用マイクロストリップ線路１６から入力された高周波信号は結合孔１８を介して高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路１９に伝搬され、高周波回路部２０へ入力される。一方、高周波回路部２０から出力された高周波信号は、高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路１９に伝搬され、結合孔１８を介してモジュール入出力用マイクロストリップ線路１６に伝搬され出力される。このような気密モジュールにおいては、モジュールを構成する基板にパターン精度にすぐれ、パターン下地の金属の電気抵抗が小さい薄膜基板を用いることができる。このため、高周波気密モジュールの入出力線路が低損失になり、性能が改善される。また、モジュール入出力用マイクロストリップ線路１６と高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路１９とは導体ワイヤや導体リボン等で接続されていないため導体ワイヤや導体リボンのインダクタンス成分による性能の劣化がない。更に電磁結合部は導体により接続されていないため高周波信号線路から直流を遮断することができる。
【００４２】
また、補強構造ベース基板３１のモジュール入出力用マイクロストリップ線路１６を有する面に、モジュール入出力用マイクロストリップ線路１６およびモジュール入出力用マイクロストリップ線路１６に接続されたオープンスタブ１７にかからない部分に補強用の隆起を有するため基板の強度が高くなり、部品点数を増やすことなくモジュールの機械強度を改善できる。
【００４３】
【発明の効果】
以上のようにこの発明による実施の形態１の高周波気密モジュールは、オープンスタブにより先端を開放にしたマイクロストリップ線路の地導体どうしを貼り合わせその地導体に設けた結合孔を介して電磁結合により高周波信号を伝搬させることにより気密モジュールを実現しているため、圧膜基板を用いたトリプレート型フィードスルーが不要になり入出力線路の伝搬特性を改善でき、しかも、モジュール入出力用マイクロストリップ線路と高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路とは導体ワイヤや導体リボン等で接続されていないため導体ワイヤや導体リボンのインダクタンス成分による性能の劣化もなく、更に不要な直流成分を遮断することができる。
【００４４】
また、実施の形態２の高周波気密モジュールは、オープンスタブにより先端を開放にしたマイクロストリップ線路の地導体どうしを貼り合わせその地導体に設けた結合孔を介して電磁結合により高周波信号を伝搬させることにより気密モジュールを実現しているため、圧膜基板を用いたトリプレート型フィードスルーが不要になり入出力線路の伝搬特性を改善でき、しかも、モジュール入出力用マイクロストリップ線路と高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路とは導体ワイヤや導体リボン等で接続されていないため導体ワイヤや導体リボンのインダクタンス成分による性能の劣化もなく、更に不要な直流成分を遮断することができる。そして、入出力のインタフェースにおいて、入出力マイクロストリップ線路の両側にスルーホールにより地導体と導通がとられたグラウンド端子を設け、モジュールどうしのグラウンドを接続できるようにしているため、モジュールどうしの接続部の高周波特性が改善できる。
【００４５】
また、実施の形態３の高周波気密モジュールは、オープンスタブにより先端を開放にしたマイクロストリップ線路の地導体どうしを貼り合わせその地導体に設けた結合孔を介して電磁結合により高周波信号を伝搬させることにより気密モジュールを実現しているため、圧膜基板を用いたトリプレート型フィードスルーが不要になり入出力線路の伝搬特性を改善でき、しかも、モジュール入出力用マイクロストリップ線路と高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路とは導体ワイヤや導体リボン等で接続されていないため導体ワイヤや導体リボンのインダクタンス成分による性能の劣化もなく、更に不要な直流成分を遮断することができる。そして、入出力のインタフェースをマイクロストリップ線路からコプレーナ線路に変換して行っているため、モジュールどうしの接続部の高周波特性が更に改善できる。
【００４６】
また、実施の形態４の高周波気密モジュールは、オープンスタブにより先端を開放にしたマイクロストリップ線路の地導体どうしを貼り合わせその地導体に設けた結合孔を介して電磁結合により高周波信号を伝搬させることにより気密モジュールを実現しているため、圧膜基板を用いたトリプレート型フィードスルーが不要になり入出力線路の伝搬特性を改善でき、しかも、モジュール入出力用マイクロストリップ線路と高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路とは導体ワイヤや導体リボン等で接続されていないため導体ワイヤや導体リボンのインダクタンス成分による性能の劣化もなく、更に不要な直流成分を遮断することができる。そして、入出力のインタフェースをマイクロストリップ線路からＥ面プローブ型の導波管−マイクロストリップ変換器により矩形導波管に変換して行っているため、モジュールどうしの接続部の高周波特性がよりいっそう改善できる。
【００４７】
また、実施の形態５の高周波気密モジュールは、オープンスタブにより先端を開放にしたマイクロストリップ線路の地導体どうしを貼り合わせその地導体に設けた結合孔を介して電磁結合により高周波信号を伝搬させることにより気密モジュールを実現しているため、圧膜基板を用いたトリプレート型フィードスルーが不要になり入出力線路の伝搬特性を改善でき、しかも、モジュール入出力用マイクロストリップ線路と高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路とは導体ワイヤや導体リボン等で接続されていないため導体ワイヤや導体リボンのインダクタンス成分による性能の劣化もなく、更に不要な直流成分を遮断することができる。そして、入出力のインタフェースをマイクロストリップ線路から導波管インピーダンス変成器を用いた導波管−マイクロストリップ変換器により矩形導波管に変換して行っているため、モジュールどうしの接続部の高周波特性が広帯域によりいっそう改善できる。
【００４８】
また、実施の形態６の高周波気密モジュールは、オープンスタブにより先端を開放にしたマイクロストリップ線路の地導体どうしを貼り合わせその地導体に設けた結合孔を介して電磁結合により高周波信号を伝搬させることにより気密モジュールを実現しているため、圧膜基板を用いたトリプレート型フィードスルーが不要になり入出力線路の伝搬特性を改善でき、しかも、モジュール入出力用マイクロストリップ線路と高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路とは導体ワイヤや導体リボン等で接続されていないため導体ワイヤや導体リボンのインダクタンス成分による性能の劣化もなく、更に不要な直流成分を遮断することができる。そして、ベース基板に補強フレームを取り付けているため、モジュールの機械強度を改善できる。
【００４９】
また、実施の形態７の高周波気密モジュールは、オープンスタブにより先端を開放にしたマイクロストリップ線路の地導体どうしを貼り合わせその地導体に設けた結合孔を介して電磁結合により高周波信号を伝搬させることにより気密モジュールを実現しているため、圧膜基板を用いたトリプレート型フィードスルーが不要になり入出力線路の伝搬特性を改善でき、しかも、モジュール入出力用マイクロストリップ線路と高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路とは導体ワイヤや導体リボン等で接続されていないため導体ワイヤや導体リボンのインダクタンス成分による性能の劣化もなく、更に不要な直流成分を遮断することができる。そして、ベース基板に補強用の隆起を有する補強構造ベース基板を用いているため、部品点数を増やすことなくモジュールの機械強度を改善できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明による高周波気密モジュールの実施の形態１における平面図である。
【図２】この発明による高周波気密モジュールの実施の形態１を示す図１におけるＡ１−Ａ１断面図である。
【図３】この発明による高周波気密モジュールの実施の形態１を示す図２におけるＢ１方向からの透視図である。
【図４】この発明による高周波気密モジュールの実施の形態２における平面図である。
【図５】この発明による高周波気密モジュールの実施の形態２を示す図４におけるＡ２−Ａ２断面図である。
【図６】この発明による高周波気密モジュールの実施の形態２を示す図５におけるＢ２方向からの透視図である。
【図７】この発明による高周波気密モジュールの実施の形態３における平面図である。
【図８】この発明による高周波気密モジュールの実施の形態３を示す図７におけるＡ３−Ａ３断面図である。
【図９】この発明による高周波気密モジュールの実施の形態３を示す図８におけるＢ３方向からの透視図である。
【図１０】この発明による高周波気密モジュールの実施の形態４における平面図である。
【図１１】この発明による高周波気密モジュールの実施の形態４を示す図１０におけるＡ４−Ａ４断面図である。
【図１２】この発明による高周波気密モジュールの実施の形態４を示す図１１におけるＢ４方向からの透視図である。
【図１３】この発明による高周波気密モジュールの実施の形態５における平面図である。
【図１４】この発明による高周波気密モジュールの実施の形態５を示す図１３におけるＡ５−Ａ５断面図である。
【図１５】この発明による高周波気密モジュールの実施の形態５を示す図１４におけるＢ５方向からの透視図である。
【図１６】この発明による高周波気密モジュールの実施の形態５を示す図１３におけるＣ５視図である。
【図１７】この発明による高周波気密モジュールの実施の形態６における平面図である。
【図１８】この発明による高周波気密モジュールの実施の形態６を示す図１７におけるＡ６−Ａ６断面図である。
【図１９】この発明による高周波気密モジュールの実施の形態６を示す図１８におけるＢ６方向からの透視図である。
【図２０】この発明による高周波気密モジュールの実施の形態７における平面図である。
【図２１】この発明による高周波気密モジュールの実施の形態７を示す図２０におけるＡ７−Ａ７断面図である。
【図２２】この発明による高周波気密モジュールの実施の形態７を示す図２１におけるＢ７方向からの透視図である。
【図２３】従来の高周波気密モジュールにおける平面透視図である。
【図２４】従来の高周波気密モジュールを示す図２３におけるＡ８−Ａ８断面図である。
【図２５】従来の高周波気密モジュールを示す図２３におけるＢ８視図である。
【符号の説明】
１  導体フレーム、２  地導体、３  高周波集積回路基板、４  バイアス端子、５  ロウ材、６  導体ワイヤ、７気密カバー、８  導体ベース、９  入出力用フィードスルー基板、１０  入出力用パターン、１１  誘電体ブロック、１２  バイアス用フィードスルー基板、１３  バイアス用パターン、１４  高周波集積回路入出力端子、１５  ベース基板、１６  モジュール入出力用マイクロストリップ線路、１７  オープンスタブ、１８  結合孔、１９  高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路、２０  高周波回路部、２１  バイアス用気密貫通端子、２２  グラウンド端子、２３  スルーホール、２４  コプレーナ線路中心導体、２５  コプレーナ線路地導体、２６  入出力用矩形導波管、２７  導波管−マイクロストリップ変換基板、２８  プローブ用マイクロストリップ線路、２９導波管インピーダンス変成器、３０  補強フレーム、３１  補強構造ベース基板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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