【事件の表示】
　特願２００２−　８３０７５「ガス検出装置及びガス検出方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年１０月　２日出願公開、特開２００３−２７９５１７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成１４年３月２５日の出願であって，平成１９年７月６日付けで拒絶査定がされ，これに対し，同年８月１０日に拒絶査定不服審判の請求がされるとともに，同年９月１０日付けで手続補正がされたものである。
　
第２　平成１９年９月１０日付けの手続補正についての補正の却下の決定
　
　［補正却下の決定の結論］
　　平成１９年９月１０日付けの手続補正を却下する。
　
　［理由］
１　補正後の本願発明
　平成１９年９月１０日付けの手続補正（以下，「本件補正」という。）は，明細書を補正するものであって，そのうち特許請求の範囲の請求項１についてする補正は，補正前（平成１８年１０月２３日付け手続補正書。以下同様。なお，本願については，平成１９年６月１８日付けで手続補正がされたが，これは同年７月６日付けの補正の却下の決定により却下された。）の特許請求の範囲の
「【請求項１】　検出対象ガスが含有された被検出ガスを除湿する除湿部と、前記検出対象ガスとの接触により電気抵抗が変化する半導体型ガスセンサを備え且つ前記除湿部にて除湿された前記被検出ガスが導入可能に構成されたセンサ部と、前記半導体型ガスセンサの電気抵抗の変化に基づいて前記被検出ガスに含有された前記検出対象ガスを検出する検出部とを設けたガス検出装置であって、
　前記検出対象ガスを、前記被検出ガスに０．０５ｐｐｍ以上１ｐｐｍ以下の濃度で含まれる揮発性の有機化合物のガスとし、且つ、前記半導体型ガスセンサの動作温度を、前記検出対象ガスに対する検出感度が空気に対して有意に得られる高温側の限界温度よりも低い温度範囲に維持する温度維持手段が設けられているガス検出装置。」
を，
「【請求項１】　検出対象ガスが含有された被検出ガスを除湿する除湿部と、前記検出対象ガスとの接触により電気抵抗が変化する
酸化スズからなるｎ型半導体
ｎ型半導体
、
　前記
ｎ型半導体
、
　前記検出対象ガスを、前記被検出ガスに０．０５ｐｐｍ以上１ｐｐｍ以下の濃度で含まれる
エチルアルコールガス
　
前記除湿部が前記センサ部に導入される前記被検出ガスの露点を０℃以下に除湿するとともに、前記温度維持手段が前記動作温度を０℃以上１５０℃以下の温度範囲に維持する
　
　上記補正は，補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「半導体型ガスセンサ」を，「
酸化スズからなるｎ型半導体
エチルアルコールガス
前記センサ部に導入される前記被検出ガスの露点を０℃以下に除湿する
前記動作温度を０℃以上１５０℃以下の温度範囲に維持する
　
　そこで，本願補正発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について検討する。
　
２　引用例
（１）引用例１
　原査定の拒絶の理由に引用した，本願出願日前に頒布された刊行物である，特開平１１−６４２６４号公報（以下「引用例１」という。）には，図面とともに，次の事項が記載されている（下線は当審にて付加した）。
　
ア　「【特許請求の範囲】
【請求項１】  
濃度検出対象の可燃性ガスが含有される被検出ガスが導入されるセンサ室内に、前記可燃性ガスとの接触により電気抵抗が変化する半導体型ガスセンサを備え、前記半導体型ガスセンサの電気抵抗の変化を検出して、前記被検出ガスに含有される可燃性ガスの濃度を検出するガス濃度検出装置であって、
前記被検出ガスを前記センサ室に導く導入路に、前記被検出ガス内の水蒸気を導入路外へ奪うとともに、前記センサ室への前記可燃性ガスの移流を許容して除湿する除湿装置を備えたガス濃度検出装置
【請求項２】  
酸化スズ半導体をガス検知部に備えた半導体型ガスセンサを備え、２０ｐｐｍ以下の前記可燃性ガスとしてのメタンガスの濃度を検出対象とし、前記除湿装置が、前記センサ室へ導入される被検出ガスの露点を０℃以下にする請求項１記載のガス濃度検出装置
　
イ　「【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、
被検出ガス中に含まれる可燃性ガスの濃度を検出するガス濃度検出技術に関するものであり、例えば数ｐｐｍオーダーの低濃度域のガス濃度を、好適に検出するガス濃度検出技術に関する
【０００２】
【従来の技術】ガス濃度の検出技術に関して、
可燃性ガスの代表例であるメタンを例に採って、以下、説明する。メタンのガス濃度検出にあっては、所謂、酸化物半導体である酸化スズをガス検知部に備え、メタンガスのガス検知部への接触による抵抗変化を検出して、濃度を検出する。ここで、従来、検出対象とされていたガス濃度は、数１０ｐｐｍから％オーダーの濃度域である
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】さて、発明者らのグループは、
一般環境中のメタン濃度を検出して環境保護に役立てようとするプロジェクトに参画する機会があった。このプロジェクトは、湿原地帯から大気中に発生するメタンの濃度を個別に検出しようとするものであり、検出対象となるメタン濃度領域は、数ｐｐｍ域から２０ｐｐｍ域程度である
このような濃度域においては、センサ感度が小さいために、メタンに対する感度域が、機器のノイズレベルとなってしまい、ガスを識別検知できなかった
本発明の目的は、例えばメタンの場合には、数ｐｐｍ程度から２０ｐｐｍ以下という低濃度域に於けるガスを定量的且つ再現性良く、検出することができるガス濃度検出方法を得るとともに、このような方法を使用するガス濃度検出装置を得ることにある
【０００４】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するための本発明による濃度検出対象の可燃性ガスが含有される被検出ガスが導入されるセンサ室内に、前記可燃性ガスとの接触により電気抵抗が変化する半導体型ガスセンサを備え、前記半導体型ガスセンサの電気抵抗の変化を検出して、前記被検出ガスに含有される可燃性ガスの濃度を検出するガス濃度検出装置の特徴構成は、被検出ガスをセンサ室に導く導入路に、被検出ガス内の水蒸気を導入路外へ奪うとともに、センサ室への可燃性ガスの移流を許容して除湿する除湿装置を備えることにある。発明者らは、低濃度域に於ける可燃性ガスのガス感度を上昇させることに関して、鋭意、研究を行った結果、所謂、半導体をガス検知部に備えたガスセンサにあっては、湿度が低い程、ガス感度が向上することを見出して、本願を完成した。また、この効果は、低濃度の検知対象ガス程顕著となる。したがって、ガス濃度検出装置としては、ガスセンサが配設されるセンサ室に、被検出ガスを導く導入路に除湿装置を備えることで、低濃度域に於けるガスセンサの感度を上げることができ、低濃度域を検出対象としても、ガス濃度を定量性よく検出できるようになった。
【０００５】さて、酸化スズ半導体をガス検知部に備えた半導体型ガスセンサをセンサ室内に備えたものを使用して、数ｐｐｍから２０ｐｐｍ以下のメタン濃度を、検出対象とする場合に、除湿装置が、センサ室へ導入される被検出ガスの露点を０℃以下にするものであることが好ましい。
センサ室に導入される被検出ガスの露点を０℃以下とすることで、従来のノイズレベルに対して可燃性ガスに対するセンサ感度が高い状態で、検出を行えるためである
ｐｐｍオーダーから２０ｐｐｍ程度までのメタンガス濃度を、定量的且つ再現性良く、検出できる
　
ウ　「【００１１】
【発明の実施の形態】本願のガス濃度検出装置及びガス濃度検出方法に関して、以下、図面を参照しながら説明する。図１は、本願のガス濃度検出装置１の概略基本構成を示している。装置１は、濃度検出対象の可燃性ガスが含有される被検出ガスが導入されるセンサ室２と、このセンサ室２に被検出ガスを導入するための吸引ポンプ３を備えた導入路４とを備えて構成されている。前記センサ室２内には、可燃性ガスとの接触により電気抵抗が変化する半導体型ガスセンサ５が備えられており、センサ室２内に導入された可燃性ガスがガスセンサのガス検知部６に接触することにより、この部位６の電気抵抗が変わることとなる。この半導体型ガスセンサの検出端７は、このセンサの電気抵抗を計測するための検知回路の所定部位８に接続されており、この検知回路８に備えられる出力端９からの出力を計測することで、センサの抵抗値を得ることができる。
【００１２】図３に、
半導体型ガスセンサ５の一例として使用する、薄膜タイプのセンサ基本構成
このタイプのセンサは、所謂、酸化物半導体（具体的には、メタンを濃度検出対象とする場合は酸化スズ）の薄膜からなるガス検知部６を加熱可能なシリコンウエハー基板１０上に備えて構成されており、薄膜６上に一対の白金櫛形薄膜電極１１を備えるとともに、基板１０の裏面側に加熱用の薄膜ヒータ１２を備える構成とされている
薄膜ヒータ１２の端子は、加熱用電源１３に接続されることで、センサを３５０℃〜４５０℃程度のガス検知温度に維持するように構成されている
　
エ　「【００２０】〔別実施の形態例〕本願の別実施の形態例に関して以下説明する。
１  本願が適応できる半導体型ガスセンサの例
上記の実施形態にあっては、ガス検知部の構成材料として、これが酸化スズからなるものである例について説明したが、このような構成材料としては
所謂金属酸化物を使用したものを使用しても、各金属酸化物に対応する可燃性ガスの濃度検出にあって、低濃度域で、有効に働くことができる。従って、上記のメタンの他、エタン、プロパン、ブタン等の炭化水素類、水素等を含む所謂、可燃性ガスに対して本願の技術思想は有効に適応できる
・・・」
　
　以上の記載を総合すると，引用例１には，
「濃度検出対象の可燃性ガスが含有される被検出ガスが導入されるセンサ室内に、前記可燃性ガスとの接触により電気抵抗が変化する酸化スズ半導体をガス検知部に備えた半導体型ガスセンサを備え、
前記半導体型ガスセンサの電気抵抗の変化を検出して、前記被検出ガスに含有される可燃性ガスの濃度を検出し、
半導体型ガスセンサは加熱用の薄膜ヒータ１２を備え、センサをガス検知温度に維持し、
前記被検出ガスを前記センサ室に導く導入路に、前記被検出ガス内の水蒸気を導入路外へ奪うとともに、前記センサ室への前記可燃性ガスの移流を許容して除湿し、前記センサ室へ導入される被検出ガスの露点を０℃以下にする除湿装置を備え、
２０ｐｐｍ以下の前記可燃性ガスとしてのメタンガスの濃度を検出対象とし
数ｐｐｍオーダーの低濃度域のガス濃度を、好適に検出する、
ガス濃度検出装置。」（以下，「引用発明」という。）
が記載されているものと認められる。
　
（２）周知例１
　本願出願日前に頒布された刊行物である，特開平５−３０２９０４号公報（以下「周知例１」という。）には，図面とともに，次の事項が記載されている（下線は，当審にて付加した）。
　
ア　「【０００１】
【発明の利用分野】この発明はアルコールセンサに関し、特に
１ppm程度の低濃度のアルコールを検出できるセンサ
【０００２】
【従来技術】出願人は、ＳｎＯ2にＺｎ,Ｐｂ,Ａｇ等の元素を添加したガスセンサを提案した（特開昭６３−３１３,０４８号公報）。このガスセンサでは、ＳｎＯ2に例えば０.５〜５atm％のＰｂＯを添加し、Ｈ2Ｓ感度を増感する。
ＳｎＯ2にＰｂＯを添加したガスセンサの特性は前記の従来技術の第１１図に示され、２００℃程度〜３３０℃までの全温度範囲で、Ｈ2Ｓ感度の方がエタノール感度よりも高い
【０００３】これとは別に低濃度のアルコールを選択的に検出したいという要求がある。この場合の検出目標は、例えば呼気中のエタノールであり、口臭に含まれるＨ2ＳやＣＨ3ＳＨ等の影響を受けずに、エタノールのみを検出することが重要となる。このため、Ｈ2Ｓに対するアルコールの相対感度を高めることが必要となる。また
検出下限濃度の点では、１ppm程度のエタノールを検出し得る
【０００４】
【発明の課題】この発明の課題は、(1)  低抵抗で、(2)  
アルコールに高感度で、１ppm程度のアルコールを検出でき
【０００５】
【発明の構成】
この発明のアルコールセンサは、ＳｎＯ2 １００モル％に対し、Ｐｂ酸化物を０．５〜１５モル％と、Ｓｂ酸化物をＳｂ2Ｏ5に換算して０.０５〜２.５モル％添加した混合物を主成分とすることを特徴とする
　
（３）周知例２
　本願出願日前に頒布された刊行物である，特開平４−２０８５４号公報（以下「周知例２」という。）には，図面とともに，次の事項が記載されている（下線は，当審にて付加した）。
　
ア　「〔構　　成〕
　現在、汎用されているガス検知装置は、金属酸化物半導体の内部に電極を兼ねたヒーターコイルを内蔵させた形式が採用されている。
この形式におけるガス検知は、前記ヒーターコイルにより、通常３００〜４５０℃に加熱された金属酸化物半導体の抵抗値が表面でのガス吸着により変化することを利用して行われている
　一方、前記したように金属酸化物半導体をある温度に加熱しているのは、雰囲気中に存在する被検ガスと金属酸化物半導体に吸着している酸素とを反応させるためである。そのため被検ガスの接触酸化活性度の違いにより、ガスセンサの最適動作温度が異なる。
　
前記最適動作温度については、たとえばエタノールでは２５０℃付近で最大感度を持つが、イソブタンでは４５０℃付近で最大感度を持つ。メタンに対してはイソブタンよりさらに高温側に最大感度を有する
　なお、図中ガス感度（Ｒａ／Ｒｇ）のＲａは空気中抵抗値、Ｒｇはガス中抵抗値であり、曲線１−ａがエタノール１０００ｐｐｍ、曲線１−ｂがイソブタン３５００ｐｐｍのときのセンサ温度との関係を示している。」（第２頁左上欄第４行目から右上欄第８行目。）
　
イ　「〔実施例〕
　
金属酸化物半導体を酸化スズとする
　まず４５０℃程度で動作させておくと、その抵抗値は１００ＫΩ程度となっている。
ガスを検知し
　ガス種がイソブタンあるいはメタンの場合には、抵抗値は５０ＫΩよりも増加する。
エタノールの場合には
　
（４）周知例３
　本願出願日前に頒布された刊行物である，特開平１１−３２６２５８号公報（以下「周知例３」という。）には，図面とともに，次の事項が記載されている（下線は，当審にて付加した）。
　
ア　「【０００２】
【従来の技術】
ガスセンサーは水素やエタノールなどの可燃性ガスの漏洩検知に広く使用される
【０００３】
ガスセンサー中でも市場規模の大きい都市ガス警報機などに用いられる可燃性ガスセンサーでは、メタンガスなどの都市ガスの検知を行い
　
（５）周知例４
　本願出願日前に頒布された刊行物である，特開平１１−２８７７７７号公報（以下「周知例４」という。）には，図面とともに，次の事項が記載されている（下線は，当審にて付加した）。
　
ア　「【００２２】以下に本発明の実施例を図面に基づいて説明する。所定濃度の四塩化スズ水溶液に、所定割合で塩化アンチモンを添加した水溶液を調整しておく。この水溶液にアンモニア水を滴下して水酸化スズの沈殿物を得る。前記沈殿物を水洗、乾燥後、電気炉で焼成して酸化スズを得る。前記酸化スズを粉砕して微粉末にし、水で練って酸化スズペーストを得る。また、アルミナ製基板５の一面に白金を主成分とする櫛形電極３を設けるとともに他面に白金を主成分とする抵抗体４を形成して素子基体を形成しておく。前記酸化スズのペーストを前記基体の前記櫛形電極３を覆うように塗布し、乾燥後、７００℃で２時間焼成することにより、前記基体に
酸化スズ半導体層２を形成
同様な手順で素子を作製し
１２００℃で２時間焼成することにより
ガス検知素子ｃを得る
　
イ　「【００３２】以下に本発明の実施例を図面に基づいて説明する。ガス漏れ警報機、一酸化炭素中毒防止用警報機等を想定し、ガス濃度変化手段８を特別に設けず、自然に変化している被検知ガスを測定した。一酸化炭素、水素、
メタン、エタノール等の可燃性ガスについてガス種の判別を行った。半導体式ガス検知素子としては前記ガス検知素子ｃを用い、素子作動温度は４５０℃である
　
３　対比
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
　
（１）引用発明の「前記センサ室への前記可燃性ガスの移流を許容して除湿し、前記センサ室へ導入される被検出ガスの露点を０℃以下にする除湿装置」は，下記（２）に示すように引用発明の「センサ室」が本願補正発明の「センサ部」に相当することを踏まえ，本願補正発明の「検出対象ガスが含有された被検出ガスを除湿する除湿部」であって，「前記除湿部が前記センサ部に導入される前記被検出ガスの露点を０℃以下に除湿する」ことに相当する。
（２）引用発明の「濃度検出対象の可燃性ガスが含有される被検出ガスが導入されるセンサ室内に、前記可燃性ガスとの接触により電気抵抗が変化する酸化スズ半導体をガス検知部に備えた半導体型ガスセンサを備え」たことについて，「前記可燃性ガスとの接触により電気抵抗が変化する酸化スズ半導体をガス検知部に備えた半導体型ガスセンサ」は，「酸化スズ半導体」がガスセンサにおいてｎ型半導体として用いられるものであるからして，本願補正発明の「前記検出対象ガスとの接触により電気抵抗が変化する酸化スズからなるｎ型半導体ガスセンサ」に相当する。また，引用発明の「濃度検出対象の可燃性ガスが含有される被検出ガスが導入されるセンサ室」はその室内に上記「半導体型ガスセンサ」を備えており，上記（１）で示したように，「センサ室へ導入される被検出ガス」は「除湿装置」により「除湿」されているのであるから，引用発明の「半導体型ガスセンサを備え」た「センサ室」は，本願補正発明の「前記検出対象ガスとの接触により電気抵抗が変化する酸化スズからなるｎ型半導体ガスセンサを備え且つ前記除湿部にて除湿された前記被検出ガスが導入可能に構成されたセンサ部」に相当する。
（３）引用発明の「前記半導体型ガスセンサの電気抵抗の変化を検出して、前記被検出ガスに含有される可燃性ガスの濃度を検出」するための構成について，ガスの濃度を検出することは，すなわちガス自体を検出していることであるから，本願補正発明の「前記ｎ型半導体ガスセンサの電気抵抗の変化に基づいて前記被検出ガスに含有された前記検出対象ガスを検出する検出部」に相当する。
（４）引用発明の「半導体型ガスセンサは加熱用の薄膜ヒータ１２を備え、センサをガス検知温度に維持」するための構成は，ガス検知温度というガス検知のための所定の温度にセンサの動作温度を維持する構成であると言えるから，本願補正発明の「前記ｎ型半導体ガスセンサの動作温度を、前記検出対象ガスに対する検出感度が空気に対して有意に得られる高温側の限界温度よりも低い温度範囲に維持する温度維持手段」であって，「前記温度維持手段が前記動作温度を０℃以上１５０℃以下の温度範囲に維持する」ものと，「前記ｎ型半導体ガスセンサの動作温度を、ガス検知のための所定温度に維持する温度維持手段」である点で共通する。
（５）引用発明の「２０ｐｐｍ以下の前記可燃性ガスとしてのメタンガスの濃度を検出対象と」することは，本願補正発明の「前記検出対象ガスを、前記被検出ガスに０．０５ｐｐｍ以上１ｐｐｍ以下の濃度で含まれるエチルアルコールガスと」することと，「前記検出対象ガスを、所定の濃度のガスと」する点で共通する。
（６）引用発明の「ガス濃度検出装置」について，ガスの濃度を検出することは，すなわちガス自体を検出していることであるから，本願補正発明の「ガス検出装置」に相当する。
　
　そうすると，本願補正発明と引用発明とは，
「検出対象ガスが含有された被検出ガスを除湿する除湿部と、前記検出対象ガスとの接触により電気抵抗が変化する酸化スズからなるｎ型半導体ガスセンサを備え且つ前記除湿部にて除湿された前記被検出ガスが導入可能に構成されたセンサ部と、前記ｎ型半導体ガスセンサの電気抵抗の変化に基づいて前記被検出ガスに含有された前記検出対象ガスを検出する検出部とを設けたガス検出装置であって、　
　前記ｎ型半導体ガスセンサの動作温度を、ガス検知のための所定温度に維持する温度維持手段が設けられ、　
　前記検出対象ガスを、所定の濃度で含まれるガスとし、
　前記除湿部が前記センサ部に導入される前記被検出ガスの露点を０℃以下に除湿するガス検出装置。」
である点で一致しており，次の点で相違する。
　
相違点１：温度維持手段が維持するガス検知のための所定温度が，本願補正発明では「前記検出対象ガスに対する検出感度が空気に対して有意に得られる高温側の限界温度よりも低い温度範囲」であって，「０℃以上１５０℃以下の温度範囲」であるのに対し，引用発明では単に「ガス検知温度」としている点。
　
相違点２：所定の濃度の被検出ガスが，本願補正発明では「被検出ガスに０．０５ｐｐｍ以上１ｐｐｍ以下の濃度で含まれるエチルアルコールガス」であるのに対し，引用発明では「２０ｐｐｍ以下の前記可燃性ガスとしてのメタンガス」である点。
　
４　判断
　上記各相違点について判断する。
（１）相違点２について
　まず，相違点２について判断する。
　引用例１には，次のような記載がある。「可燃性ガスの代表例であるメタンを例に採って、以下、説明する。メタンのガス濃度検出にあっては、所謂、酸化物半導体である酸化スズをガス検知部に備え、メタンガスのガス検知部への接触による抵抗変化を検出して、濃度を検出する。ここで、従来、検出対象とされていたガス濃度は、数１０ｐｐｍから％オーダーの濃度域である」（摘記事項（１）イ【０００２】），「一般環境中のメタン濃度を検出・・・検出対象となるメタン濃度領域は、数ｐｐｍ域から２０ｐｐｍ域程度である」（摘記事項（１）イ【０００３】），「本発明の目的は、例えばメタンの場合には、数ｐｐｍ程度から２０ｐｐｍ以下という低濃度域に於けるガスを定量的且つ再現性良く、検出する」（摘記事項（１）イ【０００３】），「ｐｐｍオーダーから２０ｐｐｍ程度までのメタンガス濃度を、定量的且つ再現性良く、検出できる」（摘記事項（１）イ【０００５】）。これらの記載からすると，引用例１では，可燃性ガスのうち特にメタンを例にとって説明されているが，メタンのみに限定して記載されているものではない。
　そして，引用例１の「上記の実施形態にあっては、ガス検知部の構成材料として、これが酸化スズからなるものである例について説明したが、このような構成材料としては、酸化亜鉛、・・・、酸化クロム等の所謂金属酸化物を使用したものを使用しても、各金属酸化物に対応する可燃性ガスの濃度検出にあって、低濃度域で、有効に働くことができる。従って、上記のメタンの他、エタン、プロパン、ブタン等の炭化水素類、水素等を含む所謂、可燃性ガスに対して本願の技術思想は有効に適応できる」（摘記事項（１）エ【００２０】）との記載からすると，メタン以外の可燃性ガスについての検出ができることを示唆しているものである。
　ここで，酸化スズをガス検知部に用いたガスセンサで，エチルアルコール（エタノール）を検出できることは，例えば周知例１及び周知例２（摘記事項（３）イ）それぞれに記載されるように，周知である。また，ガスセンサにおいて，可燃性ガスを検出する場合に，可燃性ガスとしてメタンの他にエチルアルコール（エタノール）を含むことは，例えば周知例３及び周知例４（摘記事項（５）イ）それぞれに記載されるように，周知である。
　してみると，引用発明において，被検出ガスである可燃性ガスとして，メタンではなく，エチルアルコールを検出対象とすることは，周知の技術に基づいて，当業者であれば容易に為し得たものである。
　一方，被検出ガスの濃度について，引用例１にはメタンについてであるが，従来検出対象とされていた数１０ｐｐｍから％オーダーの濃度域に対して，ｐｐｍオーダーから２０ｐｐｍ程度のメタンガスを検出可能とすること（摘記事項（１）【０００２】，【０００３】），周知例１には１ppm程度のエタノールを検出すること（摘記事項（２）ア【０００２】）が，それぞれ記載されている。そして引用例１には，「各金属酸化物に対応する可燃性ガスの濃度検出にあって、低濃度域で、有効に働くことができる。従って、上記のメタンの他、エタン、プロパン、ブタン等の炭化水素類、水素等を含む所謂、可燃性ガスに対して本願の技術思想は有効に適応できる」（摘記事項（１）エ【００２０】）と記載されていることからすると，上記のように，引用発明において，エチルアルコールを検出対象とした際に，低濃度域で有効に検出できるようにすることは，当業者であれば容易に為し得たものであり，そのような低濃度域として，周知例１において実現されている１ｐｐｍより低い濃度領域のエチルアルコールを検出可能なものであるとすることは，当業者において容易に為し得た範囲内のものである。
　
（２）相違点１について
　ガスセンサにおいて，その動作温度については，引用例１にメタンを検出する場合において，「センサを３５０℃〜４５０℃程度のガス検知温度に維持する」（摘記事項（１）ウ【００１２】）ことが，周知例１には「ＳｎＯ2にＰｂＯを添加したガスセンサの特性は・・・、２００℃程度〜３３０℃までの全温度範囲で、Ｈ2Ｓ感度の方がエタノール感度よりも高い」（摘記事項（２）ア【０００２】）ことが，周知例２には「通常３００〜４５０℃に加熱された金属酸化物半導体」及び「前記最適動作温度については、たとえばエタノールでは２５０℃付近で最大感度を持つが、イソブタンでは４５０℃付近で最大感度を持つ。メタンに対してはイソブタンよりさらに高温側に最大感度を有する」（摘記事項（３）ア）ことが，周知例４には「メタン、エタノール等の可燃性ガスについてガス種の判別を行った。半導体式ガス検知素子としては前記ガス検知素子ｃを用い、素子作動温度は４５０℃である」（摘記事項（５）イ）ことが，それぞれ記載されている。これらの記載，特に，周知例２の最適動作温度についての記載を参照すると，ガスセンサの動作温度は，酸化スズにどのような物質が添加されているか，検出対象のガスがどのようなガスであるか，また，検出対象のガスの濃度がどの程度のものであるかに応じて，その最適の温度が変わりうることは，当業者であれば当然に理解し得たものである。そして，上記相違点２について示したような低濃度域のガスを検出するために，そのガスに対する検出感度が，検出可能な程度に高くなくてはならないこと，すなわち，空気に対して有意に検出できなくてはならないことは明らかであるから，引用発明において，温度維持手段が維持するガス検知のための所定温度を，そのような温度範囲，すなわち，検出対象ガスに対する検出感度が空気に対して有意に得られる高温側の限界温度よりも低い温度範囲とすることは，当業者であれば容易に為し得たものである。さらに，そのような温度範囲が具体的にどの程度の温度となるかは，上記の通り，ガスセンサがどのようなものであるか，検出対象のガスがどのようなものであって，その濃度がどの程度になるか，また，引用発明においては除湿装置を備えて低濃度のガスの検出を達成しているように，被検出ガス中の水分がどの程度のものとなるか，などに応じて変わりうるものであるから，上記の具体的な温度範囲については，当業者において実験的に求めるべきものである。そして，その温度範囲を例えば「０℃以上１５０℃以下の温度範囲」と限定したことによる特段有利な効果は認められない。
　
（３）まとめ
　本願補正発明の作用効果は，引用発明及び周知の技術から，当業者であれば予測できる範囲のものである。
　以上の通り，本願補正発明は，引用発明及び周知の技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
（４）補正案について
　請求人は，当審における平成２１年１月２１日付けの審尋に対する，同年３月２３日付けの回答書において，補正案を示すとともに主張している。当該補正案のうち，請求項１についての補正案は，本願補正発明において，「前記ｎ型半導体ガスセンサの電気抵抗の変化に基づいて、
前記電気抵抗が１ＭΩ以下であるとともに、前記被検出ガス中に前記検出対象ガスが存在しない場合の電気抵抗に対して前記電気抵抗が１／２以下となる形態で、
　すると，請求人の示す補正案によっても，その進歩性を認めることはできない。
　
５　むすび
　上記のとおり，本件補正は，平成１８年改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成１９年９月１０日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので，本願の請求項１乃至７に係る発明は，平成１８年１０月２３日付け手続補正書の請求項１乃至７に記載された事項により特定されるとおりのものであって，その請求項１に係る発明は，上記第２，１に記載のとおりのものである（以下，「本願発明」という。）。
　
２　引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例及びその記載事項は，上記第２，２（１）に記載したとおりである。
　
３　対比・判断
　本願発明は，上記第２で検討した本願補正発明において，「酸化スズからなるｎ型半導体ガスセンサ」と限定されていたものを「半導体型ガスセンサ」とし，「検出対象ガス」が「エチルアルコールガス」に限定されていたものを「揮発性の有機化合物のガス」とし，「除湿部」及び「温度維持手段」について，それぞれ付されていた「前記センサ部に導入される前記被検出ガスの露点を０℃以下に除湿する」及び「前記動作温度を０℃以上１５０℃以下の温度範囲に維持する」との限定を省いたものである。
　そうすると，本願発明の構成要件をすべて含み，さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が，上記第２，４に述べたとおり，引用発明及び周知の技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も同様の理由により，引用発明及び周知の技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　
４　むすび
　以上のとおり，本願発明は，引用発明及び周知の技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　したがって，その余の請求項に係る発明について審理するまでもなく，本件出願は拒絶されるべきものである。
　
　よって，結論のとおり審決する。