(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャビティ表面あるいはキャビティ表面から成形型冷却路までの間に、熱伝導率の異なる複数の材質を組み合わせた断熱部を設け、該断熱部の熱伝導率をキャビティ内の位置によって変化させて成形することを特徴とするプラスチック成形方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記断熱部に焼結金属による部材を用い、該部材の空隙率をキャビティ内の位置によって変化させて成形することを特徴とするプラスチック成形方法。
【請求項３】
スタンパ下面にキャビティ表面あるいはキャビティ表面から成形型冷却路までの間に、熱伝導率の異なる複数の材質を組み合わせた断熱部を設け、該断熱部の熱伝導率をキャビティ内の位置によって変化させて成形することを特徴とする光ディスクの製造方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記断熱部に焼結金属による部材を用い、該部材の空隙率をキャビティ内の位置によって変化させて成形することを特徴とする光ディスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プラスチック成形方法及びその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
プラスチック射出成形において、成形転写性の向上を図る一つの方法として、金型キャビティに充填される溶融樹脂のキャビティ表面に接する部分を高温でかつ該部分全域にわたって均一に保持することが挙げられる。具体的な温度条件としては、充填樹脂と金型キャビティ表面との境界面温度を成形樹脂の熱変形温度以上、場合によってはガラス転移点温度以上に保持する必要がある。
【０００３】
光ディスク基板の成形においては、サブミクロンオーダの情報ピットやレーザ案内溝の精密転写が最重要課題である。一般に、光ディスク基板の射出成形では、図１に示すように情報ピットやレーザ案内溝の成形転写のためのニッケル製のスタンパを金型キャビティ内に装着し、キャビティの中心に設けたゲートより溶融樹脂を注入・充填し、冷却・固化したあと離型して成形を完了する。
【０００４】
射出成形においては、溶融樹脂は充填中に金型によって冷却される（後述の成形条件では、約２０〜３０℃低下）ため、ポリカーボネート樹脂による光ディスク基板の従来技術では、図８中の▲１▼に示されるようにスタンパの溝深さに対してほとんど転写しておらず、しかもゲートから遠ざかるに従って転写量が減少する傾向を示す。
【０００５】
光ディスク基板成形の場合、光学歪み（複屈折）の増大を避けるために圧力を大きくしないで転写性を向上させるための技術として、（１）溶融樹脂を高速充填する、（２）金型温度を高くして成形される。
【０００６】
上記した従来技術（１）の高速充填成形では、図８▲２▼に示されるように転写性はある程度改善されるものの完全な成形転写を得ることはできない。しかも、ゲートから遠ざかるに従って転写性が低下するという問題も解決されない。射出成形機の性能から云うと図８に示した例よりも高速充填は可能であるが、バリ等の発生などのために高速充填化には限界がある。
【０００７】
従来技術の（２）においても、離型時の成形品の変形防止の点から金型温度はせいぜい成形樹脂の熱変形温度近くまで（熱変形温度以下：ポリカーボネート樹脂の熱変形温度は１２６℃）しか上げられないため、上記と同様に転写性は図８▲３▼に示すように満足できるものでなく、しかも従来技術（１）と同様にゲートから遠ざかるに従って転写性が低下するという問題は残されたままとなっている。
【０００８】
転写性の低下を防止する方法として、特開平１ー２７８３２２号公報に記載されているように、ゲートから遠い部分の金型温度（キャビティ温度）を高くして成形する方法が提案されている。しかし、この方法では基板を離型して取り出す時も金型温度が高い（転写性向上のために熱変形温度以上に設定してある）ので基板の変形を生じ、光ディスク基板としてのチルト（基板反り）の仕様を満足しない。しかも、設備的にも複数の金型温度調節機構が必要である。さらに、この問題を解決する方法の一つとして、樹脂充填時には金型温度を熱変形温度以上にし、離型時には金型温度を熱変形温度以下にするという金型温度冷熱サイクル法が開発されている。しかし、この方法では、さらに設備上複雑になり、しかも成形サイクルが長くなるという問題が新たに発生する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
上記したように従来技術では、均一な転写性を得るには複数の金型温度調節機構が必要で、しかも得られる成形品は離型・取り出しによる変形を余儀なくされる。本発明の課題はこれらの問題を解決することにある。
【００１０】
【問題を解決するための手段】
前記課題を解決するために、温度的に不均一な状態で充填完了された溶融樹脂の冷却速度を遅くするとともに均一な冷却速度を実現するために、金型キャビティ表面あるいは金型キャビティ表面から金型冷却路までの間に断熱部を設け、かつ熱伝達効率を金型キャビティ内の場所によって変化させ、冷却速度が遅くかつ均一な成形を実現する。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明にかかる実施例を光ディスク基板成形型を例に図面を用いて説明する。
【００１２】
実施例１：先ず、セラミックス断熱材１３を用い、該厚みをゲートからの距離に応じて変化させた本発明による実施例を図２に示す。
【００１３】
事前に、成形転写性を決定する主要因子である充填された樹脂とスタンパ４の表面での温度が、断熱材の厚みによってどう変化するかをシミュレートした。シミュレーションに用いた各々の諸元は表１の通りで、その結果を図３に示した。
【００１４】
【表１】
0003550461.tif 000002
【００１５】
図３に示した計算結果をもとに、樹脂温度３８０℃、離型時に変形を生じない金型温度１１０℃という条件で、樹脂充填直後の樹脂とスタンパ４の表面との境界温度が熱変形温度（１２６℃）以上の温度として１３０℃とすると、該温度なる断熱材の厚みは０．１３ｍｍとなる。一方、樹脂流動解析によるとゲートから遠い基板外周部までに約３０℃の低下がある。そこで、外周部の樹脂温度を３５０℃とすると、断熱材の厚みは０．６ｍｍとなる。この結果に基づいて、断熱材の厚みをゲートから遠ざかるに従って厚くして、基板内周部で０．１３ｍｍ，外周部で０．６ｍｍとした。該断熱材１３は可動型コア５にエポキシ系接着材により取り付け・固定される。
これによって、充填直後の溶融樹脂温度がゲートに近い基板内周部より低くなる基板外周部でも、樹脂充填直後のスタンパとの境界面温度が樹脂の熱変形温度以上となり、しかも基板内周部と外周部とで同じ温度となる。このような成形型で成形することによって、図８中▲４▼に示すように内・外周部とも良好な転写性を得ることができる。しかも、この成形型では樹脂の冷却速度が遅くなっているので、成形品の内部応力（複屈折）も小さく抑えることができる。
【００１６】
実施例１では、断熱材としてジルコニアを用いたが、表２に示すように熱伝導率の小さいチタニア系でもよい。ちなみに、断熱層として一般によく用いられる樹脂材料に比べ、本発明で採用したセラミックスは樹脂材料よりもはるかに硬度が高く、射出成形圧による変形もなく成形品の平面精度を低下させることがない。
【００１７】
実施例２：次に、熱伝導率の大きいものと小さいものの２種類の材料を組み合わせて、断熱材層の熱伝導率をゲートからの距離に応じて変化させた本発明による実施例を図４に示す。実施例の図２では、断熱材の厚みが内周部と外周部が異なるため、該断熱材を取り付ける可動型コア５は円錐形状となり、加工上の問題が生じる。そこで、図４に示す実施例では、内周部では熱伝導率の大きいセラミックス材１４を、熱伝導率が小さいセラミックス断熱材１３よりも厚み構成比率を大にし、外周部ではその逆になるように構成して、該構成体の厚みが一様になるようにする。このことによって、可動型コアを円錐状に加工しなくとも該断熱材の取り付けが可能で、しかも基板内周部では熱伝導率が大きく、外周部では熱伝導率が小さい断熱層が構成される。これによって、充填された溶融樹脂の冷却効果は前述の実施例と同様で、光ディスク基板成形において内外周部とも転写性の均一な基板を得ることができる。特に、可動型コア材より熱伝導率の大きい窒化珪素系のセラミックス（表２）を用い、
【００１８】
【表２】
0003550461.tif 000003
【００１９】
熱伝導率の小さい断熱材１３として前出のジルコニアを用いれば、熱伝導の計算値から該ジルコニア断熱材の厚み仕様は実施例と同様で良い。また、熱伝導率の小さい断熱材１３としてチタニア系を用いても良い。このような成形型で成形することによっても、実施例１と同様に図８中▲４▼に示すように内・外周部とも良好な転写性を得ることができる。
【００２０】
実施例３：次に、断熱層として空気断熱部を設けた実施例を図５に示す。図５に示すように、キャビティ表面から冷却回路までの間に空気断熱部を設け、しかも該空気断熱部をゲートからの距離に対応して大きくして金型冷却路までの断熱効果を大きくする。これによって、図１で実施例１として示した同様の効果を得ることができる。
【００２１】
実施例４：さらに、断熱材として空隙部をもつ焼結金属による実施例を図６に示す。焼結金属を実施例１に示したように、該焼結金属の厚みをゲートからの距離に対応して厚くする。
【００２２】
実施例５：また、図７に示すように焼結合金の空隙率をゲートからの距離に応じて大きくして断熱効果を大きくする。
【００２３】
これらにより、先にのべてた実施例１と同様の効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来技術によるプラスチック成形型の断面図である。
【図２】本発明による第１の実施例によるプラスチック成形型の可動型コア部の断面図である。
【図３】本発明の第１の実施例の基礎となる断熱材の厚みとスタンパ表面温度との関係を示す図である。
【図４】本発明による第２の実施例によるプラスチック成形型の可動型コア部の断面図である。
【図５】本発明による第３の実施例によるプラスチック成形型の可動型コア部の断面図である。
【図６】本発明による第４の実施例によるプラスチック成形型の可動型コア部の断面図である。
【図７】本発明による第５の実施例によるプラスチック成形型の可動型コア部の断面図である。
【図８】従来技術及び本発明による光ディスク基板の成形転写性を示す図である。
【符号の説明】
１、…光ディスク基板成形型、２…固定型、３…可動型、４…スタンパ、５…可動型コア、６…光ディスク基板、７…スタンパ内周ホルダ、８…スタンパ外周ホルダ、９…中心穴形成ポンチ、１０…エジェクタ、１１…情報ピット及びレーザ光案内溝、１２…冷却回路、１３…セラミックス断熱材、１４…セラミックス材、１５…空気断熱部、１６、１６´…焼結金属断熱材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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