【事件の表示】
　特願２００３−１２９１１６「光起電力素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年１１月２５日出願公開、特開２００４−３３５７１１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、平成１５年５月７日に特許出願したものであって、平成１９年６月１８日付けで手続補正がなされたが、同年８月９日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年９月１３日付けで拒絶査定不服審判請求がなされるとともに、同年１０月１５日付けで手続補正（以下「本件補正」という。）がなされたものである。
　
２　本件補正についての却下の決定
（１）結論
　本件補正を却下する。
　
（２）理由
　ア　補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１につき、補正前の
「ｐｉｎ接合を３組直列に設ける光起電力素子において、光入射側からｉ型非晶質半導体を有する第１のｐｉｎ接合と、次にｉ型微結晶半導体を有する第２と第３のｐｉｎ接合とにより構成され、前記第２のｉ型微結晶半導体を有するｐｉｎ接合で発生する光電流が隣接する第１および第３のｐｉｎ接合で発生する光電流より０．８ｍＡ／ｃｍ2以上２ｍＡ／ｃｍ2以下少ないことを特徴とする光起電力素子。」
を
「ｐｉｎ接合を３組直列に設ける光起電力素子において、光入射側からｉ型非晶質半導体を有する第１のｐｉｎ接合と、次にｉ型微結晶半導体を有する第２と第３のｐｉｎ接合とにより構成され、前記第２のｉ型微結晶半導体を有するｐｉｎ接合で発生する光電流が隣接する第１および第３のｐｉｎ接合で発生する光電流より０．８ｍＡ／ｃｍ2以上
１．６
に補正する内容を含むものである。
　
　イ　補正の目的
　上記アの補正の内容は、「第２のｉ型微結晶半導体を有するｐｉｎ接合で発生する光電流が隣接する第１および第３のｐｉｎ接合で発生する光電流より」少ない値の範囲について、補正前の請求項１の「０．８ｍＡ／ｃｍ2以上２ｍＡ／ｃｍ2以下」から「０．８ｍＡ／ｃｍ2以上１．６ｍＡ／ｃｍ2以下」に減縮するものであるから、上記アの補正の内容に係る本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当すると認められる。
　
　ウ　独立特許要件
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて検討する。
　
（ア）刊行物の記載
　ａ　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された特開平１１−２４３２１８号公報（以下「引用例１」という。）には、以下の記載がある。
　
「【特許請求の範囲】
【請求項１】  シリコン系非単結晶半導体からなるｐ型層、ｉ型層、ｎ型層を有するｐｉｎ接合の構成素子を複数積層した積層型光起電力素子において、
光入射側から第一のｐｉｎ接合のｉ型層として非晶質シリコンを用い、第二のｐｉｎ接合のｉ型層として微結晶シリコンを用い、第三のｐｉｎ接合のｉ型層として微結晶シリコンを用いていることを特徴とする積層型光起電力素子。」
　
　ｂ　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された特開平１１−２４３２１９号公報（以下「引用例２」という。）には、以下の記載がある。
　
「【０００５】本発明は、第一のｐｉｎ接合の構成素子のｉ型層に微結晶半導体を用い、第二のｐｉｎ接合の構成素子のｉ型層にアモルファス半導体を用いて、光電変換効率が高く、長時間の光照射によっても光電変換効率の変化のより少ない積層型光起電力素子を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するために、本発明の積層型光起電力素子は、支持体上に、微結晶半導体をｉ型層に有するｐｉｎ接合の構成素子と、アモルファス半導体をｉ型層に有するｐｉｎ接合の構成素子とを少なくとも積層してなる積層型光起電力素子において、微結晶半導体をｉ型層に有するｐｉｎ接合の構成素子によって電流値が律速されているものである。
【０００７】また、微結晶半導体をｉ型層に有するｐｉｎ接合の構成素子の短絡電流が、アモルファス半導体をｉ型層に有するｐｉｎ接合の構成素子の短絡電流よりも小さく設定されていることが好ましい。」、
　
「【００３５】また、このようなｐｉｎ接合を有する光起電力素子を２つ積層したダブル構造の光起電力素子の他に、ｐｉｎ接合を有する光起電力素子を３つ積層したトリプル構造、およびそれ以上の積層型光起電力素子においても本発明を適用することができるものである。」
　
（イ）引用発明
　上記（ア）ａによれば、引用例１には、次の発明が記載されているものと認められる。
　
「 シリコン系非単結晶半導体からなるｐ型層、ｉ型層、ｎ型層を有するｐｉｎ接合の構成素子を複数積層した積層型光起電力素子において、
光入射側から第一のｐｉｎ接合のｉ型層として非晶質シリコンを用い、第二のｐｉｎ接合のｉ型層として微結晶シリコンを用い、第三のｐｉｎ接合のｉ型層として微結晶シリコンを用いている積層型光起電力素子。」（以下「引用発明」という。）
　
（ウ）対比
　本願補正発明と引用発明とを対比すると、引用発明は、「光入射側から第一のｐｉｎ接合のｉ型層として非晶質シリコンを用い、第二のｐｉｎ接合のｉ型層として微結晶シリコンを用い、第三のｐｉｎ接合のｉ型層として微結晶シリコンを用い」た「ｐｉｎ接合の構成素子」を「積層した積層型光起電力素子」であるから、本願発明の「ｐｉｎ接合を３組直列に設ける光起電力素子」、「光入射側からｉ型非晶質半導体を有する第１のｐｉｎ接合と、次にｉ型微結晶半導体を有する第２と第３のｐｉｎ接合とにより構成され」との構成を備えることが明らかである。
　よって、両者は、
「ｐｉｎ接合を３組直列に設ける光起電力素子において、光入射側からｉ型非晶質半導体を有する第１のｐｉｎ接合と、次にｉ型微結晶半導体を有する第２と第３のｐｉｎ接合とにより構成される光起電力素子」
である点で一致し、
「本願補正発明は、第２のｉ型微結晶半導体を有するｐｉｎ接合で発生する光電流が隣接する第１および第３のｐｉｎ接合で発生する光電流より０．８ｍＡ／ｃｍ2以上１．６ｍＡ／ｃｍ2以下少ないのに対し、引用発明は、そのようなものであるかどうか不明である点」（以下「相違点」という。）
で相違するものと認められる。
　
（エ）判断
　ａ　前記（ア）ｂによれば、引用例２には、光電変換効率が高く、長時間の光照射によっても光電変換効率の変化のより少ない積層型光起電力素子を提供するために、支持体上に、微結晶半導体をｉ型層に有するｐｉｎ接合の構成素子と、アモルファス半導体をｉ型層に有するｐｉｎ接合の構成素子とを少なくとも積層してなる積層型光起電力素子において、微結晶半導体をｉ型層に有するｐｉｎ接合の構成素子の短絡電流が、アモルファス半導体をｉ型層に有するｐｉｎ接合の構成素子の短絡電流よりも小さく設定し、微結晶半導体をｉ型層に有するｐｉｎ接合の構成素子によって電流値が律速されるようにする技術が記載されており、当該技術は、ｐｉｎ接合を有する光起電力素子を３つ積層したトリプル構造、およびそれ以上の積層型光起電力素子においても適用できることが記載されているものと認められる。
　
　ｂ　引用例２でいう「ｐｉｎ接合の構成素子の短絡電流」は、本願補正発明でいう「ｐｉｎ接合で発生する光電流」に相当する。
　してみると、光起電力素子において、光入射側からｉ型非晶質半導体を有する第１のｐｉｎ接合と、次にｉ型微結晶半導体を有する第２と第３のｐｉｎ接合とにより構成され、ｐｉｎ接合を３組直列に設ける光起電力素子である引用発明において、第２のｉ型微結晶半導体を有するｐｉｎ接合で発生する光電流が、ｉ型非晶質半導体を有する第１のｐｉｎ接合で発生する光電流より少ないものとすることは、当業者が容易になし得る程度のことである。
　また、その際に、第２のｉ型微結晶半導体を有するｐｉｎ接合で発生する光電流が、ｉ型非晶質半導体を有する第１のｐｉｎ接合で発生する光電流よりどの程度少ないものとするかは、設計上の必要に応じて、当業者が適宜実験的に定め得るものというべきである。
　ｃ　さらに、第３のｉ型微結晶半導体を有するｐｉｎ接合で発生する光電流についても、設計上当然定まるべきものというべきところ、第２のｉ型微結晶半導体を有するｐｉｎ接合で発生する光電流との関係においてみるに、これより多い、少ない、あるいは、同程度の３種類しかないから、第２のｉ型微結晶半導体を有するｐｉｎ接合で発生する光電流を、第３のｉ型微結晶半導体を有するｐｉｎ接合で発生する光電流より少ないものとすることに格別の困難性を要するものとはいえない。
　
　ｄ　しかるところ、本願明細書（本件補正後のもの。）には、「表４の結果からわかるように、第２のｐｉｎ接合で発生する光電流が最少で、隣接するｐｉｎ接合で発生する光電流との差が０．８ｍＡ／ｃｍ2以上の場合に変換効率が向上しており、また、長時間にわたり特性に変化が少なく信頼性が高い。」（【００７５】）との記載がある。
　しかし、表４をみると、第２のｐｉｎ接合で発生する光電流が、第１及び第３のｐｉｎ接合で発生する光電流より、それぞれ、０．９ｍＡ／ｃｍ2及び０．８ｍＡ／ｃｍ2少ない「実施例２」の初期変換効率及び劣化後変換効率は、それぞれ、１２．３％及び１１．８％であるところ、第２のｐｉｎ接合で発生する光電流が、第１のｐｉｎ接合で発生する光電流より０．５ｍＡ／ｃｍ2少なく、第３のｐｉｎ接合で発生する光電流と差がない「比較例１」の初期変換効率及び劣化後変換効率は、それぞれ、１２．３％及び１１．７％であり、初期変換効率については全く差がなく、本願補正発明が、初期変換効率を向上させたものということはできない。また、劣化後変換効率についても、０．１ポイントの、いわば微差があるにとどまり、加えて、実施例１ないし実施例３と比較例２及び比較例３とは、劣化後変換効率が初期変換効率から０．５ポイント低下するものである点において全く差がないことに照らせば、表４の結果をもって、本願補正発明が、格別、「長時間にわたり特性に変化が少なく」したものということはできない。
　そうすると、本願補正発明が、第２のｐｉｎ接合で発生する光電流を最少としたこと、さらには、隣接するｐｉｎ接合で発生する光電流との差が０．８ｍＡ／ｃｍ2以上としたことによって、変換効率を格別向上させたものともいえないし、長時間にわたり特性の変化を格別少なくしたものともいえず、本願補正発明において、第２のｐｉｎ接合で発生する光電流を最少とし、隣接するｐｉｎ接合で発生する光電流との差が０．８ｍＡ／ｃｍ2以上としたことに格別の技術的意義があるものと認めるに到らない。
　
　ｅ　また、本願明細書には、「なお、本発明における上記電流差は、０．８ｍＡ／ｃｍ2以上２ｍＡ／ｃｍ2以下が好ましく、より好ましくは０．８ｍＡ／ｃｍ2以上１．６ｍＡ／ｃｍ2以下であり、０．８ｍＡ／ｃｍ2以上１．４ｍＡ／ｃｍ2以下が特に好ましい。上記の電流差が２ｍＡ／ｃｍ2を超える場合には、短絡電流が著しく低下し、変換効率の向上が見込めなくなる。」（【００２１】）との記載があるが、同記載をもって、本願補正発明において、第２のｐｉｎ接合で発生する光電流と、隣接する第１および第３のｐｉｎ接合で発生する光電流との差を１．６ｍＡ／ｃｍ2以下とした点に、設計的事項の域を超えるほどの技術的意義があるものとは認められない。
　
　ｆ　以上の検討に照らせば、引用発明において、相違点に係る本願補正発明の構成とすることは、引用例２記載の技術に基づき、当業者が設計的に適宜定め得る程度のことといわざるを得ない。
　
（オ）まとめ
　以上の検討によれば、本願補正発明は、引用例１に記載された発明及び引用例２記載の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
　エ　小括
　以上のとおり、本願補正発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであって、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３　本願発明について
（１）本願発明
　上記のとおり、本件補正は却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１９年６月１８日付けで補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし請求項２に記載された事項によって特定されるものであって、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、前記２（２）アにおいて、補正前のものとして示したとおりのものである。
　
（２）判断
　前記２（２）イのとおり、本件補正は、特許請求の範囲の減縮を目的としたものと認められる。
　しかるところ、前記２（２）ウで検討したとおり、本願発明に係る特許請求の範囲を減縮したものである本願補正発明が、引用例１に記載された発明及び引用例２記載の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである以上、減縮前の本願発明も、本願補正発明と同様の理由により、引用例１に記載された発明及び引用例２記載の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１に記載された発明及び引用例２記載の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。