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【手続補正書】
【提出日】平成27年4月22日(2015.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁体を介して積層された複数の導体層を備えたプリント配線板において、
前記複数の導体層は、
第１の信号配線パターン及び第２の信号配線パターンが形成された第１の導体層と、
前記プリント配線板の一方の表面に位置し、前記第１の信号配線パターンに第１のヴィアを介して電気的に接続され、外部の第１の接続端子に接続される第１のパッドと、前記第２の信号配線パターンに、前記第１のヴィアに隣接する第２のヴィアを介して電気的に接続され、前記第１のパッドと隣接して配置された、外部の第２の接続端子に接続される第２のパッドと、が形成された第２の導体層と、
前記第１の導体層と前記第２の導体層との間に前記絶縁体を介して配置された第３の導体層と、を含んでおり、
前記第３の導体層には、前記第１のヴィアに電気的に接続された第１のヴィアパッドが形成されており、
前記第１のヴィアパッドの一部と前記第２のパッドの一部とは、前記絶縁体を介して互いに対向し、前記一方の表面に垂直な方向から見て重なり合って、容量結合により結合していることを特徴とするプリント配線板。
【請求項２】
前記第１のヴィアパッドは、前記一方の表面に垂直な方向から見て、前記第１のパッドに対向しない形状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載のプリント配線板。
【請求項３】
前記第２の導体層には、前記第１のヴィアと前記第１のパッドとを電気的に接続する第３の信号配線パターンが形成されており、
前記第１のヴィアパッドは、前記一方の表面に垂直な方向から見て、前記第３の信号配線パターンに対向しない形状に形成されていることを特徴とする請求項２に記載のプリント配線板。
【請求項４】
前記第３の導体層には、前記第２のヴィアに電気的に接続され、前記第１のヴィアパッドと間隔をあけて配置された第２のヴィアパッドが形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のプリント配線板。
【請求項５】
前記複数の導体層は、
前記第１の導体層と前記第３の導体層との間に前記絶縁体を介して配置された第４の導体層を更に含んでおり、
前記第４の導体層には、前記第２のヴィアに電気的に接続された第２のヴィアパッドが形成され、
前記第１のヴィアパッドの一部と前記第２のヴィアパッドの一部とは、前記絶縁体を介して互いに対向し、前記一方の表面に垂直な方向から見て互いに重なり合って、容量結合により結合していることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のプリント配線板。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載のプリント配線板と、
前記プリント配線板に実装され、前記第１の信号配線パターンに接続された第１の信号端子、及び前記第２の信号配線パターンに接続された第２の信号端子を有する半導体素子と、を備えたことを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項７】
請求項６に記載の半導体パッケージと、
前記半導体パッケージが実装され、前記第１のパッドが前記第１の接続端子で接続された第１のメイン基板側パッド、及び前記第２のパッドが前記第２の接続端子で接続された第２のメイン基板側パッドを有するメイン基板と、を備えたことを特徴とするプリント回路板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明のプリント配線板は、絶縁体を介して積層された複数の導体層を備えたプリント配線板において、前記複数の導体層は、第１の信号配線パターン及び第２の信号配線パターンが形成された第１の導体層と、前記プリント配線板の一方の表面に位置し、前記第１の信号配線パターンに第１のヴィアを介して電気的に接続され、外部の第１の接続端子に接続される第１のパッドと、前記第２の信号配線パターンに、前記第１のヴィアに隣接する第２のヴィアを介して電気的に接続され、前記第１のパッドと隣接して配置された、外部の第２の接続端子に接続される第２のパッドと、が形成された第２の導体層と、前記第１の導体層と前記第２の導体層との間に前記絶縁体を介して配置された第３の導体層と、を含んでおり、前記第３の導体層には、前記第１のヴィアに電気的に接続された第１のヴィアパッドが形成されており、前記第１のヴィアパッドの一部と前記第２のパッドの一部とは、前記絶縁体を介して互いに対向し、前記一方の表面に垂直な方向から見て重なり合って、容量結合により結合していることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明によれば、第１のヴィアパッドの一部と第２のパッドの一部とが絶縁体を介して互いに対向しているので、第１のヴィアを含む信号配線と、第２のヴィアを含む信号配線との間の容量性結合を増加させることができる。これにより、誘導性結合によるノイズ成分と容量性結合によるノイズ成分とが相殺され、その結果、信号配線間に発生するクロストークノイズを低減することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月8日(2015.1.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハの欠陥を分類する半導体欠陥分類装置であって、
表示部と、
前記半導体ウェハ上の検査対象部分を含む検査画像と、複数の製造工程からなる前記半導体ウェハの設計レイアウト情報と、前記設計レイアウト情報が製造工程毎に分割された複数の第１のレイアウトデータと、前記第１のレイアウトデータに対応する製造工程の誤差情報を含む第１の重ね合わせ情報とを格納する記憶部と、
前記検査画像と前記設計レイアウト情報とを前記表示部に表示する演算部と
を備え、
前記演算部は、少なくとも１つの第１のレイアウトデータと前記検査画像とを前記記憶部から取得し、前記第１の重ね合わせ情報を反映させた前記第１のレイアウトデータと前記検査画像とを前記表示部に重ねて表示することを特徴とする半導体欠陥分類装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１のレイアウトデータに対応する製造工程が、複数の処理工程を含み、
前記記憶部は、前記第１のレイアウトデータを処理工程毎に更に分割して、複数の第２のレイアウトデータとして格納しており、
前記演算部は、少なくとも１つの第２のレイアウトデータと前記検査画像とを前記記憶部から取得し、前記第２のレイアウトデータと前記検査画像とを前記表示部に重ねて表示することを特徴とする半導体欠陥分類装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記記憶部が、前記第２のレイアウトデータの重ね合わせに関する第２の重ね合わせ情報を格納しており、
前記演算部は、前記第２の重ね合わせ情報を反映させた前記第２のレイアウトデータと、前記検査画像とを前記表示部に重ねて表示することを特徴とする半導体欠陥分類装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記第２の重ね合わせ情報は、前記第２のレイアウトデータに対応する処理工程によって生成されるパターンの誤差情報と、前記パターンの幅情報との少なくとも１つを含むことを特徴とする半導体欠陥分類装置。
【請求項５】
請求項１において、
ユーザが前記第１のレイアウトデータを選択するための入力部を更に備え、
前記演算部は、前記入力部によって選択された第１のレイアウトデータと前記検査画像とを前記表示部に重ねて表示することを特徴とする半導体欠陥分類装置。
【請求項６】
請求項１において、
前記演算部は、検査対象の前記半導体ウェハの次の製造工程に対応する第１のレイアウトデータを取得し、前記次の工程に対応する第１のレイアウトデータを前記検査画像に更に重ねて表示することを特徴とする半導体欠陥分類装置。
【請求項７】
表示部と記憶部と演算部とを備える情報処理装置に、半導体ウェハの欠陥を分類するための処理を実行させるためのプログラムであって、
前記記憶部は、前記半導体ウェハ上の検査対象部分を含む検査画像と、複数の製造工程からなる前記半導体ウェハの設計レイアウト情報と、前記設計レイアウト情報が製造工程毎に分割された複数の第１のレイアウトデータと、前記第１のレイアウトデータに対応する製造工程の誤差情報を含む第１の重ね合わせ情報とを格納しており、
前記演算部により、少なくとも１つの第１のレイアウトデータと前記検査画像とを前記記憶部から取得する処理と、
前記演算部により、前記第１の重ね合わせ情報を反映させた前記第１のレイアウトデータと前記検査画像とを前記表示部に重ねて表示する処理と
を実行させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月11日(2014.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録磁界を発生する記録磁極、前記記録磁極の記録ギャップ内に設けられ高周波磁界を発生する高周波発振素子、垂直磁気記録媒体から情報を読み取る磁気再生素子、及び前記高周波発振素子と垂直磁気記録媒体とのクリアランスを調整するＴＦＣ素子を備える磁気ヘッドによって、垂直磁気記録媒体に、記録フットプリントが実質的に無視できる大きさであり、記録磁化の総量が実質的にゼロであるシームレスパターンからなる位置決め情報を提供するサーボシーケンスを含むサーボ関連情報を記録する方法であって、
前記記録磁界を発生させるための第１の電流の値と前記高周波磁界を発生させるための第２の電流の値の組合せを変えて前記垂直磁気記録媒体にサーボ情報の記録再生を行なって、高い記録再生特性が得られる前記第１の電流の値と前記第２の電流の値の組合せを決定する第１のステップと、
前記第１のステップで決定した前記第１の電流の値と前記第２の電流の値によって前記垂直磁気記録媒体に記録再生を行なう際に、前記第１の電流の値を変えることによって、隣接トラック消磁効果の最も少ない前記第２の電流値との組合せを決定する第２のステップと、
前記ＴＦＣ素子への投入電力を制御する手段によって前記クリアランスが所定の値になるまで投入電力を変えながら、前記第２のステップで決定した前記第１の電流の値を可変して前記垂直磁気記録媒体にサーボ情報の記録再生を行なって、高い記録再生特性が得られる、前記第１の電流の値と前記第２の電流の値の組合せを決定する第３のステップと、
を有することを特徴とするサーボ情報記録方法。
【請求項２】
請求項１記載のサーボ情報記録方法において、
前記磁気ヘッドとして、磁気記憶装置製造時に最も高い装置歩留りを与えると予測されるパラメータを有する記録ヘッドを用い、所定のトラックピッチでサーボ情報を記録することを特徴とするサーボ情報記録方法。
【請求項３】
請求項１記載のサーボ情報記録方法において、
前記磁気ヘッドを、その記録トラック幅よりも小さなピッチで移動することで所定のサーボ情報を形成することを特徴とするサーボ情報記録方法。
【請求項４】
請求項１記載のサーボ情報記録方法において、
前記第２の電流を前記第１の電流より少なくとも０．３ｎｓ以前に通電することを特徴とするサーボ情報記録方法。
【請求項５】
請求項１記載のサーボ情報記録方法において、
前記サーボ関連情報が、少なくとも略均一な幅のマルチスパイラルパターンを含むことを特徴とするサーボ情報記録方法。
【請求項６】
記録磁界を発生する記録磁極、前記記録磁極の記録ギャップ内に設けられ高周波磁界を発生する高周波発振素子、垂直磁気記録媒体から情報を読み取る磁気再生素子、及び前記高周波発振素子と垂直磁気記録媒体とのクリアランスを調整するＴＦＣ素子を備える磁気ヘッドと、
前記磁気ヘッド毎に前記記録磁極及び前記高周波発振素子による記録動作、並びに前記磁気再生素子による再生動作を同時に制御・処理するサーボ情報記録再生制御部と、
前記磁気ヘッド毎に前記ＴＦＣ素子の動作を同時に制御するＴＦＣ制御部と、
サーボ情報記録時に前記磁気ヘッド、垂直磁気記録媒体、及び機構部を含む環境にＨｅを充填する機構とを有し、
垂直磁気記録媒体に、記録フットプリントが実質的に無視できる大きさであり、記録磁化の総量が実質的にゼロであるシームレスパターンからなる位置決め情報を提供するサーボシーケンスを含むサーボ情報を記録するサーボトラックライタ。
【請求項７】
請求項６記載のサーボトラックライタにおいて、
前記サーボ情報記録再生制御部は、前記ＴＦＣ素子に投入する電力の値、前記高周波発振素子を駆動する信号の値、前記記録磁界を発生する信号の値、及びこれらの動作タイミングの値を保持するレジスタを、磁気ヘッドの数だけ備えることを特徴とするサーボトラックライタ。
【請求項８】
位置決め情報を提供するサーボシーケンスを含む磁化パターンが記録されたサーボ領域を有し、
前記サーボシーケンスはシームレスパターンからなり、記録フットプリントが実質的に無視できる大きさであり、
前記サーボシーケンスの記録磁化の総量が実質的にゼロであり、
前記磁化パターンはトラック方向に互いに直接隣接する正負の磁化パターンで構成されていることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項９】
請求項８記載の垂直磁気記録媒体において、
前記サーボ領域の磁化パターンは実質的に等トラックピッチで記録されていることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項１０】
請求項８記載の垂直磁気記録媒体において、
前記サーボ領域における全ての磁化パターンがシームレスでかつその記録磁化の総量が実質的にゼロである複数の磁化情報で構成され、実質的に等トラックピッチで設置されるゾーンを少なくとも有することを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項１１】
請求項８記載の垂直磁気記録媒体において、
前記サーボ領域が形成されたサーボトラックのトラックピッチは、実質的に等トラックピッチで記録されるデータトラックのトラックピッチの１．０６倍以上、１．１２倍以下であることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項１２】
請求項８記載の垂直磁気記録媒体において、
前記サーボ領域が形成されたサーボトラックのトラックピッチは、実質的に等トラックピッチで記録されるデータトラックのトラックピッチの１倍以上、１．０６倍以下であることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項１３】
垂直磁気記録媒体と、
前記垂直磁気記録媒体を駆動する媒体駆動部と、
記録磁界を発生する記録磁極部と高周波磁界を発生する高周波発振素子を備える記録ヘッド部、及び再生素子を備える再生ヘッド部を有し、前記垂直磁気記録媒体に対して記録・再生動作を行う磁気ヘッドと、
前記磁気ヘッドを前記垂直磁気記録媒体上のトラックに対して位置決めするヘッド駆動部とを備え、
前記垂直磁気記録媒体は、位置決め情報を提供するサーボシーケンスを含む磁化パターンが記録されたサーボ領域を有し、前記サーボシーケンスはシームレスパターンからなり、かつ記録フットプリントが実質的に無視できる大きさであり、前記サーボシーケンスの記録磁化の総量が実質的にゼロであり、前記磁化パターンはトラック方向に互いに直接隣接する正負の磁化パターンで構成されていることを特徴とする磁気記憶装置。
【請求項１４】
請求項１３記載の磁気記憶装置において、
前記高周波発振素子は、前記垂直磁気記録媒体のデータトラックピッチよりも広いトラック幅を有することを特徴とする磁気記憶装置。
【請求項１５】
請求項１３記載の磁気記憶装置において、
前記磁気ヘッドの記録磁極部は、記録ギャップ部に主たる記録磁界成分が集中するリング型磁気コアを形成していることを特徴とする磁気記憶装置。
【請求項１６】
請求項１３記載の磁気記憶装置において、
前記磁気ヘッドの記録磁極部は、前記高周波発振素子と同じトラック幅の突起部、あるいは前記高周波発振素子のトラック幅より広い凹部を有することを特徴とする磁気記憶装置。
【請求項１７】
請求項１３記載の磁気記憶装置において、
回転中心を中心とし、サーボトラック中心から偏心した同心円状セクタからなるデータトラックを有する垂直磁気記録媒体を有することを特徴とする磁気記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月19日(2015.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
太陽光パネルの出力電圧を昇圧する昇圧チョッパ回路と、該昇圧チョッパ回路の出力電力を入力として交流電力を系統へ出力するインバータ回路を備えた太陽光発電用電力変換装置において、
前記太陽光パネルの出力電圧が、第一の所定の値より高くなる場合には、前記昇圧チョッパ回路のスイッチングを停止させ、
前記太陽光パネル電圧が、前記第一の所定の値よりも低くなる場合には、前記インバータ回路と前記昇圧チョッパ回路双方のスイッチングを行わせる制御部を備えることを特徴とする太陽光発電用電力変換装置。
【請求項２】
請求項１記載の太陽光発電用電力変換装置において、
前記第一の所定の値は、前記インバータ回路の交流出力電圧から決まる前記インバータ回路の最低入力直流電圧であることを特徴とする太陽光発電用電力変換装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の太陽光発電用電力変換装置において、
前記制御部は、直流電流と直流電圧を検出して最大電力点追従制御を実施させる制御手段を備えることを特徴とする太陽光発電用電力変換装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか1項に記載の太陽光発電用電力変換装置において、
前記制御部は、前記太陽光パネルの出力電圧が、前記第一の所定の値より高い場合には、前記インバータ回路の入力直流電圧を可変させることで、前記太陽光パネルの出力電圧を可変させることを特徴とする太陽光発電用電力変換装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか1項に記載の太陽光発電用電力変換装置において、
前記制御部は、前記太陽光パネルの出力電圧が、前記第一の所定の値よりも低い場合には、前記インバータ回路の入力直流電圧を固定し、前記昇圧チョッパ回路の昇圧比を調整することで、前記太陽光パネルの出力電圧を可変させることを特徴とする太陽光発電用電力変換装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか1項に記載の太陽光発電用電力変換装置において、
前記太陽光パネルの出力電圧が、前記第一の所定の値より低くなる場合には、前記昇圧チョッパ回路の入力直流電圧を可変とすることにより最大電力点追従制御を実施することを特徴とする太陽光発電用電力変換装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月13日(2014.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、複数の光源に電力を供給する電源と、
入力される画像信号に応じて前記複数の光源の各々の輝度を決定するとともに、当該輝度に基づき、前記複数の光源の各々の点灯期間の長さを、光源駆動条件として決定する決定手段と、
光源駆動条件に基づき、前記複数の光源の各々の点灯基準タイミングにおける前記電源の消費電力を算出する算出手段と、
前記算出手段により算出される消費電力が所定の閾値を超える場合、点灯基準タイミングにおける消費電力が前記閾値以下となるように前記複数の光源のうちの少なくとも一部の輝度を低くする補正を前記光源駆動条件に対して行う補正手段と、
を備える光源制御装置である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、複数の光源を制御する光源制御装置の制御方法であって、
入力される画像信号に応じて前記複数の光源の各々の輝度を決定するとともに、当該輝度に基づき、前記複数の光源の各々の点灯期間の長さを、光源駆動条件として決定する決定工程と、
光源駆動条件に基づき、前記複数の光源の各々の点灯基準タイミングにおける、前記複数の光源に電力を供給する電源の消費電力を算出する算出工程と、
前記算出工程により算出される消費電力の最大値が所定の閾値を超える場合、全ての点灯基準タイミングにおける消費電力が前記閾値以下となるように前記複数の光源のうちの少なくとも一部の輝度を低くする補正を前記光源駆動条件に対して行う補正工程と、
を有する光源制御装置の制御方法である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の光源に電力を供給する電源と、
入力される画像信号に応じて前記複数の光源の各々の輝度を決定するとともに、当該輝度に基づき、前記複数の光源の各々の点灯期間の長さを、光源駆動条件として決定する決定手段と、
光源駆動条件に基づき、前記複数の光源の各々の点灯基準タイミングにおける前記電源の消費電力を算出する算出手段と、
前記算出手段により算出される消費電力が所定の閾値を超える場合、点灯基準タイミングにおける消費電力が前記閾値以下となるように前記複数の光源のうちの少なくとも一部の輝度を低くする補正を前記光源駆動条件に対して行う補正手段と、
を備える光源制御装置。
【請求項２】
前記補正手段は、前記複数の光源の全ての輝度を低くする補正を行う請求項１に記載の光源制御装置。
【請求項３】
前記補正手段は、前記複数の光源のうち輝度が最も高い光源については輝度を変更せず、それ以外の光源の輝度を低くする補正を行う請求項１に記載の光源制御装置。
【請求項４】
前記補正手段は、前記算出手段により算出される消費電力の最大値と前記閾値との比に基づいて算出される補正係数を用いて前記複数の光源の輝度を低くする補正を行う請求項１に記載の光源制御装置。
【請求項５】
前記補正手段は、予め定められる補正係数を用いて前記複数の光源の輝度を低くする補正を行う請求項１に記載の光源制御装置。
【請求項６】
前記補正手段は、前記算出手段により算出される消費電力の最大値が前記閾値を超えた後、前記算出手段により算出される消費電力の最大値が前記閾値より小さい所定の補正解除電力以下になるまで、前記算出手段により算出される消費電力の最大値が前記閾値を超えたか否かにかかわらず前記光源駆動条件に対する補正を解除しない請求項１〜５のいずれか１項に記載の光源制御装置。
【請求項７】
複数の光源を備え、請求項１〜６のいずれか１項に記載の光源制御装置により前記複数の光源が制御されるバックライトと、
前記バックライトの前面に配置され、入力される画像信号に応じて前記バックライトからの光の透過率を調節することにより画像を表示する液晶表示パネルと、
を備える液晶表示装置。
【請求項８】
前記複数の光源は、前記液晶表示パネルの画像表示領域を分割する複数の分割領域の各々に対応しており、
前記決定手段は、各分割領域に表示される画像に対応する画像信号に応じて各分割領域に対応する光源の輝度を決定する請求項７に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記点灯基準タイミングは、点灯期間の開始タイミングまたは点灯期間の終了タイミングである請求項１〜８のいずれか１項に記載の光源制御装置。
【請求項１０】
複数の光源を制御する光源制御装置の制御方法であって、
入力される画像信号に応じて前記複数の光源の各々の輝度を決定するとともに、当該輝度に基づき、前記複数の光源の各々の点灯期間の長さを、光源駆動条件として決定する決定工程と、
光源駆動条件に基づき、前記複数の光源の各々の点灯基準タイミングにおける、前記複数の光源に電力を供給する電源の消費電力を算出する算出工程と、
前記算出工程により算出される消費電力の最大値が所定の閾値を超える場合、全ての点灯基準タイミングにおける消費電力が前記閾値以下となるように前記複数の光源のうちの少なくとも一部の輝度を低くする補正を前記光源駆動条件に対して行う補正工程と、
を有する光源制御装置の制御方法。
【請求項１１】
複数の光源と、
入力される画像信号に応じて、前記複数の光源の各々の点灯期間の長さを制御する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、同時点灯する光源の数が閾値以下となるように、前記複数の光源の各々の点灯期間の長さを決定する光源装置。
【請求項１２】
前記制御手段は、入力される画像信号に応じて前記複数の光源の各々の輝度を決定するとともに、当該輝度に基づき、前記複数の光源の各々の点灯期間の長さを決定する請求項１１に記載の光源装置。
【請求項１３】
前記制御手段は、前記複数の光源の各々の点灯基準タイミングにおいて同時点灯する光源の数が閾値以下となるように、前記複数の光源の各々の点灯期間の長さを決定する請求項１１または１２に記載の光源装置。
【請求項１４】
前記点灯基準タイミングは、点灯期間の開始タイミングまたは点灯期間の終了タイミングである請求項１３に記載の光源装置。
【請求項１５】
請求項１１〜１４のいずれか１項に記載の光源装置と、
前記複数の光源の前面に配置され、入力される画像信号に応じて前記複数の光源からの光の透過率を調節することにより画像を表示する液晶表示パネルと、
を備える液晶表示装置。
【請求項１６】
複数の光源を備える光源装置の制御方法であって、
入力される画像信号に応じて、前記複数の光源の各々の点灯期間の長さを制御する工程と、
同時点灯する光源の数が閾値以下となるように、前記複数の光源の各々の点灯期間の長さを決定する工程と、
を有する光源装置の制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月20日(2015.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
次に、学習過程において情報処理装置（ＣＰＵ１０２）が行う処理について、同処理のフローチャートを示す図２Ａを用いて説明する。学習過程では、図２Ａの処理の中で図２Ｂの処理を再帰的に呼び出すことで、後述する学習パターンの集合を再帰的に分割して木構造の生成を行う。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８９】
処理がステップＳ１００４に進んだ時点で、Ｃチャネルのそれぞれの部分画像について信頼度が求まっていることになるため、ステップＳ１００４では、最大の信頼度を求めたチャネルを選択する。なお、あるチャネルの信頼度が閾値以上であるときにはそのチャネルを用い、閾値未満であるときには別のチャネルを使うようにしてもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれ異なる取得手法で得られる画像セットを複数セット取得する取得手段と、
前記画像セットのそれぞれの画像から対応する部分画像を抽出して部分画像のセットを生成する生成手段と、
前記生成手段で生成された部分画像のセットを木構造のルートノードに割り当てる第１割り当て手段と、
前記木構造における各ノードにおいて、該ノードに割り当てられている部分画像の各セットに対して複数の画素の位置を設定し、それぞれのセットの部分画像中の該設定された位置の画素値に基づいて、前記それぞれ異なる取得手法のうち１つを選択する選択手段と、
前記各ノードにおいて、前記割り当てられている部分画像の各セットについて、前記選択手段が選択した取得手法で取得した部分画像における前記設定された位置の画素値に基づいて、該セットを下位のノードのいずれかに割り当てる第２割り当て手段と、
前記木構造の末端ノードに割り当てられているセットに関する情報を出力する出力手段と
を備えることを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記取得手段は、
輝度画像と距離画像とをそれぞれ異なる取得手法で得られる画像とし、該輝度画像と該距離画像の画像セットを、複数セット取得し、
前記第１割り当て手段は、
前記画像セットに含まれている輝度画像及び距離画像から前記部分画像を抽出し、該輝度画像から抽出した部分画像及び該距離画像から抽出した部分画像のセットを木構造のルートノードに割り当てる
ことを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記選択手段は、
前記各セットに対して２つの画素の位置を設定し、それぞれのセット中の距離画像の部分画像における２つの画素の何れかの画素値が０であるか否かを判断する手段と、
前記２つの画素の何れかの画素値が０であれば輝度画像を選択し、前記２つの画素の何れの画素値も０でない場合は距離画像を選択する手段と
を備えることを特徴とする請求項２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記選択手段は、
前記各セットに対して２つの画素の位置を設定し、それぞれのセット中の輝度画像の部分画像における２つの画素の画素値を用いて該輝度画像の部分画像に対する信頼度を求めると共に、前記セット中の距離画像の部分画像における２つの画素の画素値を用いて該距離画像の部分画像に対する信頼度を求め、求めたそれぞれの信頼度から、前記輝度画像及び前記距離画像のうちいずれか１つを選択する
ことを特徴とする請求項２に記載の情報処理装置。
【請求項５】
更に、
前記第１割り当て手段、前記選択手段、前記第２割り当て手段、の各手段を複数回動作させることで複数の木構造を生成させる手段を備えることを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の情報処理装置。
【請求項６】
更に、
前記それぞれ異なる取得方法で得られる入力画像セットを取得し、該入力画像セットのそれぞれの入力画像中の部分領域内の画像を入力部分画像として取得する手段と、
それぞれの入力部分画像中の前記複数の画素の画素値を用いて、前記それぞれ異なる取得手法のうち１つを選択し、前記それぞれの入力部分画像のうち該選択した取得手法の入力部分画像を対象入力部分画像とする手段と、
前記木構造における各ノードにおいて、現在参照しているノードより下位のノードのうち、前記対象入力部分画像中の前記複数の画素の画素値に応じたノードを、次の参照先として選択する手段と、
前記現在参照しているノードが前記木構造の末端ノードである場合、該末端ノードに割り当てられている情報から、前記入力画像セットの識別結果を決定する決定手段と
を備えることを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の情報処理装置。
【請求項７】
前記複数の画素の位置は、ノードごとに異なることを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載の情報処理装置。
【請求項８】
情報処理装置が行う情報処理方法であって、
前記情報処理装置の取得手段が、それぞれ異なる取得手法で得られる画像セットを複数セット取得する取得工程と、
前記情報処理装置の生成手段が、前記画像セットのそれぞれの画像から対応する部分画像を抽出して部分画像のセットを生成する生成工程と、
前記情報処理装置の第１割り当て手段が、前記生成工程で生成された部分画像のセットを木構造のルートノードに割り当てる第１割り当て工程と、
前記情報処理装置の選択手段が、前記木構造における各ノードにおいて、該ノードに割り当てられている部分画像の各セットに対して複数の画素の位置を設定し、それぞれのセットの部分画像中の該設定された位置の画素値に基づいて、前記それぞれ異なる取得手法のうち１つを選択する選択工程と、
前記情報処理装置の第２割り当て手段が、前記各ノードにおいて、前記割り当てられている部分画像の各セットについて、前記選択工程で選択した取得手法で取得した部分画像における前記設定された位置の画素値に基づいて、該セットを下位のノードのいずれかに割り当てる第２割り当て工程と、
前記情報処理装置の出力手段が、前記木構造の末端ノードに割り当てられているセットに関する情報を出力する出力工程と
を備えることを特徴とする情報処理方法。
【請求項９】
コンピュータを、請求項１乃至７の何れか１項に記載の情報処理装置の各手段として機能させるためのコンピュータプログラム。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９Ａ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９Ａ】
2013225175.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月12日(2015.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップが搭載されるチップ搭載部、及び前記チップ搭載部の周辺に配置された外部接続端子となる端子部、を備えたリードフレームと、
前記チップ搭載部に搭載され、前記端子部と電気的に接続された半導体チップと、
前記端子部を前記半導体チップ側の面である一方の面から他方の面に厚さ方向に貫通する貫通溝と、
前記端子部の前記一方の面側の前記貫通溝の端部を塞ぐ蓋部と、
前記端子部の前記他方の面及び前記貫通溝の内側面を露出するように前記半導体チップを封止する樹脂部と、を有し、
前記端子部は、前記チップ搭載部側を向く内面と、前記内面の反対面である外面と、を備え、前記外面は前記樹脂部から露出し、
前記貫通溝は、前記端子部の前記外面から前記内面側に向かって入り込む形で形成され、
前記蓋部は、前記貫通溝側の下面と、前記下面の反対面である上面と、を備え、前記上面の少なくとも一部は前記樹脂部により封止され、
前記端子部の前記他方の面及び前記貫通溝の前記内側面がめっき膜で被覆されている半導体パッケージ。
【請求項２】
前記端子部を複数有し、
複数の前記端子部に前記貫通溝が設けられ、
複数の前記貫通溝各々に対して１つずつ前記蓋部が設けられている請求項１記載の半導体パッケージ。
【請求項３】
前記端子部を複数有し、
複数の前記端子部に前記貫通溝が設けられ、
隣接する少なくとも２つの前記貫通溝に対して１つの前記蓋部が設けられている請求項１記載の半導体パッケージ。
【請求項４】
前記蓋部は樹脂材料で形成されている請求項１乃至３の何れか一項記載の半導体パッケージ。
【請求項５】
前記蓋部の上面には粗化処理が施されている請求項１乃至４の何れか一項記載の半導体パッケージ。
【請求項６】
個片化される複数の領域を備え、
前記領域に配置された、半導体チップが搭載されるチップ搭載部と、
前記チップ搭載部の周辺に、隣接する前記領域との境界線を跨いで配置された、外部接続端子となる端子部と、
前記境界線上に配置され、前記端子部を支持する支持部と、
前記端子部を前記半導体チップが搭載される側の面である一方の面から他方の面に厚さ方向に貫通する貫通孔と、
前記端子部の前記一方の面側の前記貫通孔の端部を塞ぐ蓋部と、を有し、
前記貫通孔は、隣接する前記領域を個片化する際の、前記境界線に沿った切断ラインを跨ぐ位置に形成されているリードフレーム。
【請求項７】
前記貫通孔は、前記境界線の軸方向を短径とする楕円形である請求項６記載のリードフレーム。
【請求項８】
前記貫通孔は、前記境界線の軸方向とは垂直な方向に複数並んで配置されている請求項６又は７記載のリードフレーム。
【請求項９】
前記端子部の前記他方の面及び前記貫通孔の内側面がめっき膜で被覆されている請求項６乃至８の何れか一項記載のリードフレーム。
【請求項１０】
前記端子部を複数有し、
複数の前記端子部に前記貫通孔が設けられ、
複数の前記貫通孔各々に対して１つずつ前記蓋部が設けられている請求項６乃至９の何れか一項記載のリードフレーム。
【請求項１１】
前記端子部を複数有し、
複数の前記端子部に前記貫通孔が設けられ、
隣接する少なくとも２つの前記貫通孔に対して１つの前記蓋部が設けられている請求項６乃至９の何れか一項記載のリードフレーム。
【請求項１２】
前記蓋部は樹脂材料で形成されている請求項６乃至１１の何れか一項記載のリードフレーム。
【請求項１３】
前記蓋部の上面には粗化処理が施されている請求項６乃至１２の何れか一項記載のリードフレーム。
【請求項１４】
請求項６乃至１３の何れか一項記載のリードフレームの前記チップ搭載部に前記半導体チップを搭載する工程と、
前記半導体チップと前記端子部とを電気的に接続する工程と、
前記めっき膜で被覆された前記端子部の前記他方の面及び前記貫通孔の前記内側面を露出するように前記半導体チップを樹脂で封止する工程と、
前記貫通孔を含む領域を前記切断ラインに沿って厚さ方向に切断して、前記端子部に内側面がめっき膜で被覆されている貫通溝を形成する工程と、を有し、
前記蓋部は、前記貫通溝側の下面と、前記下面の反対面である上面と、を備え、前記上面の少なくとも一部は前記樹脂により封止される半導体パッケージの製造方法。
【請求項１５】
金属板を加工し、個片化される複数の領域を備え、前記領域に配置された、半導体チップが搭載されるチップ搭載部、
前記チップ搭載部の周辺に、隣接する前記領域との境界線を跨いで配置された、外部接続端子となる端子部であって前記半導体チップが搭載される側の面である一方の面から他方の面に厚さ方向に貫通する貫通孔を有する端子部、
及び前記境界線上に配置され、前記端子部を支持する支持部、を形成する工程と、
前記端子部の前記一方の面側に前記貫通孔の端部を塞ぐ蓋部を設ける工程と、を有し、
前記貫通孔は、隣接する前記領域を個片化する際の、前記境界線に沿った切断ラインを跨ぐ位置に形成されるリードフレームの製造方法。
【請求項１６】
前記端子部の前記他方の面及び前記貫通孔の内側面にめっき膜を形成する工程を更に有する請求項１５記載のリードフレームの製造方法。
【請求項１７】
前記蓋部を設ける工程では、前記蓋部を樹脂材料で形成する請求項１５又は１６記載のリードフレームの製造方法。
【請求項１８】
前記蓋部の上面に粗化処理を施す工程を有する請求項１５乃至１７の何れか一項記載のリードフレームの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本半導体パッケージは、半導体チップが搭載されるチップ搭載部、及び前記チップ搭載部の周辺に配置された外部接続端子となる端子部、を備えたリードフレームと、前記チップ搭載部に搭載され、前記端子部と電気的に接続された半導体チップと、前記端子部を前記半導体チップ側の面である一方の面から他方の面に厚さ方向に貫通する貫通溝と、前記端子部の前記一方の面側の前記貫通溝の端部を塞ぐ蓋部と、前記端子部の前記他方の面及び前記貫通溝の内側面を露出するように前記半導体チップを封止する樹脂部と、を有し、前記端子部は、前記チップ搭載部側を向く内面と、前記内面の反対面である外面と、を備え、前記外面は前記樹脂部から露出し、前記貫通溝は、前記端子部の前記外面から前記内面側に向かって入り込む形で形成され、前記蓋部は、前記貫通溝側の下面と、前記下面の反対面である上面と、を備え、前記上面の少なくとも一部は前記樹脂部により封止され、前記端子部の前記他方の面及び前記貫通溝の前記内側面がめっき膜で被覆されていることを要件とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月29日(2015.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
芯材と、前記芯材を覆うようにして対向する外包材とを有し、対向する前記外包材の周縁同士が封止された真空断熱材を製造する真空断熱材の製造方法であって、
表面に凹凸形状を有する転写版を用いて前記外包材を押圧し、前記外包材に折り目線部を形成する折り目線部形成工程と、
前記折り目線部が形成された前記外包材を用いて芯材を覆い、次に内部を減圧し密封する封止工程と、
を有することを特徴とする真空断熱材の製造方法。
【請求項２】
前記封止工程では、前記折り目線部形成工程で折り目線部が形成された前記外包材と、折り目線部が形成されていない前記外包材とを対向させるように配置して前記芯材を覆うことを特徴とする請求項１に記載の真空断熱材の製造方法。
【請求項３】
前記折り目線部形成工程では、二枚以上の前記外包材が重ねられた状態で折り目線部が形成されることを特徴とする請求項１に記載の真空断熱材の製造方法。
【請求項４】
前記折り目線部形成工程では、二枚の前記外包材がそれぞれの周縁のうち少なくとも一辺で接着された状態で折り目線部が形成されることを特徴とする請求項３に記載の真空断熱材の製造方法。
【請求項５】
前記外包材は、矩形状であり、
前記折り目線部形成工程では、前記二枚の外包材における対向する二辺が接着され、筒状とされた状態で折り目線部が形成され、
前記封止工程では、前記折り目線部形成工程の後、前記対向する二辺以外の一辺が接着されて袋状とされた前記二枚の外包材の中に前記芯材が挿入され、内部を減圧し密封するものであることを特徴とする請求項４に記載の真空断熱材の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月30日(2015.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１材料及び第２材料の複合物からなる試料を薄膜化する際に加工終点を検出する方法であって、
薄膜化する前記試料と同じ第１材料及び第２材料の複合物からなるキャリブレーション用試料を用い、薄膜化されている前記キャリブレーション用試料について所望の電子ビーム電圧で、前記第１材料及び第２材料に関する暗視野信号の交差点となるＴＥＭ又はＳＴＥＭの像コントラスト値を決定する手順によって、キャリブレーションデータを取得し、
前記試料に関する前記暗視野信号を決定するために、前記ＴＥＭ又はＳＴＥＭを用いて、前記試料を前記所望の電子ビーム電圧で画像化し、
前記試料を薄膜化し、
前記第１材料及び第２材料に関する前記像コントラスト値が、所望の膜厚における前記キャリブレーション用試料の暗視野信号の交差点と一致するとき、前記試料の薄膜化を停止することを特徴とする加工終点検出方法。
【請求項２】
前記薄膜化されている前記キャリブレーション用試料について所望の電子ビーム電圧で、前記第１材料及び第２材料に関する暗視野信号の交差点となるＴＥＭ又はＳＴＥＭの像コントラスト値を決定する手順は、
前記試料が薄膜化されるときの前記第１材料及び第２材料に関する暗視野コントラスト値を取得する手順と、
前記第１材料及び第２材料に関する前記暗視野コントラスト値が等しいとき、前記試料の膜厚を決定する手順と、を備えることを特徴とする請求項１に記載の加工終点検出方法。
【請求項３】
第１材料及び第２材料の複合物からなる試料を薄膜化する際に加工終点を検出する方法であって、
薄膜化する前記試料と同じ第１材料及び第２材料の複合物からなるキャリブレーション用試料を用い、異なる膜厚のキャリブレーション用試料について異なる電子ビーム電圧で、前記第１材料及び第２材料に関する暗視野信号の交差点となるＴＥＭ又はＳＴＥＭの像コントラスト値を決定する手順によって、キャリブレーションデータを取得し、
所望の電子ビーム電圧を選択し、その電子ビーム電圧に関する暗視野信号の交差点に関する前記像コントラスト値を決定し、
前記試料に関する前記暗視野信号を決定するために、前記ＴＥＭ又はＳＴＥＭを用いて、前記試料を前記所望の電子ビーム電圧で画像化し、
前記試料を薄膜化し、
前記第１材料及び第２材料に関する前記像コントラスト値が、所望の膜厚における前記キャリブレーション用試料の暗視野信号の交差点と一致するとき、前記試料の薄膜化を停止することを特徴とする加工終点検出方法。
【請求項４】
前記暗視野信号の交差点となるＴＥＭ又はＳＴＥＭの像コントラスト値を決定する手順は、
前記第１材料及び第２材料に関する暗視野信号コントラスト値対試料膜厚の曲線を取得する手順と、
前記第１材料及び第２材料に関する前記暗視野信号コントラスト値が等しくなる前記試料膜厚を決定する手順と、を備えることを特徴とする請求項１又は３に記載の加工終点検出方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月28日(2015.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シャフトの軌跡θにおける角度位置を測定するための絶対位置磁気センサであって、前記シャフトは前記センサを貫通しており、前記センサは前記シャフトの位置を検出するための少なくとも２つの検出システムを備え、
前記検出システムのうちの少なくとも１つは、前記シャフトに連結される入力軸の運動を連続的に変換するための機械的システムを含み、周期θ／ｎの「周期」関数に従って信号を生成して前記シャフトの周期的な角度位置を提供し、
前記検出システムのうちの少なくとも１つは、前記シャフトの軌跡θにおける絶対信号を生成し、
θおよびｎは、θ／ｎ＝３６０（ｎ＞１）の関係を満たし、
前記検出システムのうちの１つは、前記シャフトに連結される第１の磁石を有し、
前記連続的に変換するための機械的システムは、前記第１の磁石に隣接する平面に配置される、絶対位置磁気センサ。
【請求項２】
周期θ／ｎの「周期」関数に従って信号を生成して前記シャフトの周期的な角度位置を提供する前記検出システムは、位相が略９０度ずれた２つの正弦波信号を供給するために、磁石によって生成される磁界の接線成分、動径成分、または軸方向成分と、磁界の動径成分、軸方向成分、または接線成分とを測定する、略同位置に配置された少なくとも２つの磁石感知要素を含む、請求項１に記載の絶対位置磁気センサ。
【請求項３】
前記シャフトの軌跡θにおける絶対信号を生成する前記検出システムは、少なくとも運動を連続的に変換するための前記機械的システムの出力軸上の前記第１の磁石を含むとともに、少なくとも１つの磁石感知要素を含む、請求項２に記載の絶対位置磁気センサ。
【請求項４】
前記シャフトの軌跡θにおける絶対信号を生成する前記検出システムは、位相が略９０度ずれた２つの正弦波信号を供給するために、磁界の接線成分、動径成分、または接線成分と、磁界の動径成分、軸方向成分、または接線成分とを測定する、略同位置に配置された少なくとも２つの磁石感知要素を含む、請求項３に記載の絶対位置磁気センサ。
【請求項５】
周期θ／ｎの「周期」関数に従って信号を生成して前記シャフトの周期的な角度位置を提供する前記検出システムの磁石感知要素と、前記シャフトの軌跡θにおける絶対信号を
生成する前記検出システムの１つ以上の磁石感知要素とは、同一平面上にある、請求項４に記載の絶対位置磁気センサ。
【請求項６】
前記磁石感知要素は、同一の接続平面に接続される、請求項５に記載の絶対位置磁気センサ。
【請求項７】
運動を連続的に変換するための前記機械的システムは、ホイールまたはウォームの減速機である、請求項５に記載の絶対位置磁気センサ。
【請求項８】
運動を連続的に変換するための前記機械的システムは、少なくとも２つの多極磁石を備える非接触減速機であり、前記多極磁石のうちの少なくとも１つは前記シャフトに連結されている前記第1の磁石である、請求項５に記載の絶対位置磁気センサ。
【請求項９】
前記シャフトに連結された前記減速機の多極磁石は、周期θ／ｎの「周期」関数に従って信号を生成して前記シャフトの周期的な角度位置を提供する前記検出システムの磁石でもある、請求項７に記載の絶対位置磁気センサ。
【請求項１０】
運動を連続的に変換するための前記システムに連結された前記減速機の多極磁石は、前記シャフトの軌跡θにおける絶対信号を生成する前記検出システムの磁石でもある、請求項８に記載の絶対位置磁気センサ。
【請求項１１】
信号を処理する回路は、両検出システムからの電気信号を用いて、前記シャフトの軌跡θ全体における絶対位置を高精度に計算する、請求項１に記載の絶対位置磁気センサ。
【請求項１２】
両検出システムは、１つのハウジングに組み込まれるように互いに接近して配置される、請求項１に記載の絶対位置磁気センサ。
【請求項１３】
ステアリングコラムのねじれ検出用の位置センサのアセンブリであって、
トーションバーにかかるねじれトルクを推定するために、トーションバーによって同軸に接続された入力軸および出力軸の相対的角度位置±Ψ（Ψ＞２０）を検出するための少なくとも１つの検出システムと、同検出システムは、放射状に配向された複数の磁石を含む第１のロータ磁気構造と、近傍に少なくとも１つの磁石感知要素が配置された歯によって拡張される２つのリングを含む第２のステータ構造とからなることと；
入力軸または出力軸の軌跡θにおける角度位置を測定するための、請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の絶対位置を検出するための少なくとも１つの検出システムと；
少なくとも１つの信号処理システムと、を含み、
少なくとも１つの検出システムは、周期θ／ｎの「周期」関数に従って信号を生成して前記シャフトの周期的な角度位置を提供し；
少なくとも１つの検出システムは、前記シャフトの軌跡θにおける絶対信号を生成し；
θ、Ψ、およびｎは、θ／ｎ＝３６０（θ／Ψ＞２０、ｎ≧１）の関係を満たし；
前記検出システムの前記シャフトは、トルクセンサの入力軸または出力軸でもある、アセンブリ。
【請求項１４】
前記トルクセンサは、少なくとも１つの間隙を形成する２つのフロー閉鎖部から成る第３の固定コレクタ構造を含み、前記間隙には、少なくとも１つの磁石感知要素が配置される、請求項１３に記載のアセンブリ。
【請求項１５】
前記トルクセンサのフロー閉鎖部、およびステータリングは、互いの間において、ステータ表面およびコレクタ表面の両方の径方向の相対位置から独立した一定な位置に収集表面を形成する、請求項１４に記載のアセンブリ。
【請求項１６】
請求項２乃至１１のうちのいずれか一項に記載の絶対位置磁気センサを含む、請求項１３に記載のアセンブリ。
【請求項１７】
周期θ／ｎの「周期」関数に従って信号を生成して前記シャフトの周期的な角度位置を提供する前記検出システムの磁石感知要素と、前記シャフトの軌跡θにおける絶対信号を生成する前記検出システムの１つ以上の磁石感知要素とのうちの１つ以上は、ねじれ検出用の前記センサの磁石感知要素と同一平面上にある、請求項１３に記載のアセンブリ。
【請求項１８】
少なくとも１つのシールドが、ねじれ測定用の前記センサと前記シャフトの位置検出システムとの間に組み込まれる、請求項１３に記載のアセンブリ。
【請求項１９】
トルクおよび位置センサの磁気サブアセンブリはキャスト成形される、請求項１３に記載のアセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月2日(2015.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１質量％以上、８９質量％以下のヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート（Ａ）由来の構造単位（ａ）、
１０質量％以上、９８質量％以下のカルボキシル基含有単量体（Ｂ）由来の構造単位（ｂ）、
及び、１質量％以上、８９質量％以下の下記一般式（Ｃ１）で表されるスルホン酸基含有単量体（Ｃ）由来の構成単位（ｃ）、を必須構造単位として有し、重量平均分子量が１１０００〜２０万である共重合体。
【化１】
2015038227.tif 000001
一般式（Ｃ１）において、Ｒ１は、単結合、ＣＨ２、ＣＨ２ＣＨ２のいずれかの構造を表し、Ｒ２は、水素原子又はメチル基を表し、Ｘ、Ｙは、水酸基又はＳＯ３Ｍ基を表し、ＳＯ３Ｍ基において、Ｍは、水素原子、Ｌｉ、Ｎａ又はＫを表し、但し、Ｘ、Ｙのいずれか一方は、ＳＯ３Ｍ基を表す。
【請求項２】
全単量体１００質量％に対して、１質量％以上、８９質量％以下のヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート（Ａ）、
１０質量％以上、９８質量％以下のカルボキシル基含有単量体（Ｂ）、
及び、１質量％以上、８９質量％以下の下記一般式（Ｃ１）で表されるスルホン酸基含有単量体（Ｃ）、を必須として共重合し、重量平均分子量が１１０００〜２０万である共重合体を製造することを特徴とする共重合体の製造方法。
【化２】
2015038227.tif 000002
一般式（Ｃ１）において、Ｒ１は、単結合、ＣＨ２、ＣＨ２ＣＨ２のいずれかの構造を表し、Ｒ２は、水素原子又はメチル基を表し、Ｘ、Ｙは、水酸基又はＳＯ３Ｍ基を表し、ＳＯ３Ｍ基において、Ｍは、水素原子、Ｌｉ、Ｎａ又はＫを表し、但し、Ｘ、Ｙのいずれか一方は、ＳＯ３Ｍ基を表す。
【請求項３】
請求項１に記載の共重合体からなる洗剤ビルダー。
【請求項４】
界面活性剤を１０〜６０質量％の割合で含む洗剤組成物であって、洗剤ビルダーとして、請求項１に記載の共重合体を含んでなる洗剤組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１８】
＜比較例２＞
還流冷却管、攪拌機を備えた容量３００ｍＬのガラス製セパラブルフラスコに純水４５．０ｇおよびモール塩０．００５３ｇを仕込み、攪拌下７０℃に昇温した後、メタクリル酸２−ヒドロキシエチル（以下、ＨＥＭＡと称す。）２４．０ｇ、８０重量％アクリル酸水溶液（以下、８０％ＡＡと称す。）７０．０ｇ、４８重量％水酸化ナトリウム水溶液（以下、４８％ＮａＯＨと称す。）３．２ｇ、純水２２．７ｇ、１５重量％過硫酸ナトリウム（以下、１５％ＮａＰＳと称す。）１９．２ｇ、および、３５重量％亜硫酸水素ナトリウム（以下、３５％ＳＢＳと称す。）８．２ｇをそれぞれ別の滴下口より滴下した。それぞれの滴下時間は、ＨＥＭＡが１５０分間、８０％ＡＡ、４８％ＮａＯＨ、３５％ＳＢＳ、および純水が１８０分間、１５％ＮａＰＳが２００分間とした。なお滴下開始はすべて同時とした。ＨＥＭＡ、８０％ＡＡ、４８％ＮａＯＨ、３５％ＳＢＳ、および純水の滴下終了までの間、温度は７０℃を維持した。さらに同温度を１５％ＮａＰＳの滴下終了後、３０分間にわたって維持して熟成を行い、重合を完結した。重合の完結後、反応溶液を放冷してから、４８％ＮａＯＨ５９．６ｇを加えて中和した。このようにして、固形分濃度４１重量％、最終中和度９７ｍｏｌ％の共重合体を得た。
重合処方を表１に、重合結果を表２にまとめた。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月28日(2015.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の第４の態様では、前記課題を解決する為に、スキャンＢＩＳＴのＬＦＳＲを被検査回路のスキャンＦＦにおけるスキャンパス長分時間展開して構成したＸＯＲネットワークと、前記被検査回路の組合せ回路部分と、前記組合せ回路部分を複製した第２の組合せ回路部分とを備え、前記ＸＯＲネットワーク出力を前記組合せ回路部分の入力に接続し、前記ＸＯＲネットワーク出力と前記組合せ回路部分出力とを前記第２の組合せ回路部分の入力に接続してシード生成モデルを形成する手順と、前記シード生成モデルに対して対象故障のテスト生成を行って、前記ＬＦＳＲのシードを形成する手順と、をコンピュータに実行させるためのプログラムを記憶する、記憶媒体を提供する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１６】
スキャンＢＩＳＴのＬＦＳＲを被検査回路のスキャンＦＦにおけるスキャンパス長分時間展開して構成したＸＯＲネットワークと、前記被検査回路の組合せ回路部分と、前記組合せ回路部分を複製した第２の組合せ回路部分とを備え、前記ＸＯＲネットワーク出力を前記組合せ回路部分の入力に接続し、前記ＸＯＲネットワーク出力と前記組合せ回路部分出力とを前記第２の組合せ回路部分の入力に接続してシード生成モデルを形成する手順と、
前記シード生成モデルに対して対象故障のテスト生成を行って、前記ＬＦＳＲのシードを形成する手順と、をコンピュータに実行させるためのプログラムを記憶する、記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月11日(2015.8.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アミノ酸配列が配列番号９で表されるポリペプチド。
【請求項２】
カルボキシル末端がアミド化されている、請求項１記載のポリペプチド。
【請求項３】
アミノ末端がアセチル化されている、請求項１または２記載のポリペプチド。