【事件の表示】
　特願２００４−　４４０６７「焼成用定盤およびその使用方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　９月　２日出願公開、特開２００５−２３５６１２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、平成１６年２月２０日の出願であって、平成１８年１０月１０日付け（発送日：平成１８年１０月１３日）で拒絶査定がなされ、これに対して平成１８年１１月１３日に拒絶査定不服審判の請求がなされたものである。
　
２　本願発明について
　本願の請求項１に係る発明は、平成１８年５月３０日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲に記載された以下のとおりのものと認める。（以下「本願発明」という。）
　
「【請求項１】　プラズマディスプレイパネル用ガラス基板を載置して焼成処理に付すために用いられる、プラズマディスプレイパネル焼成用定盤であって、前記基板と接する側の表面のＪＩＳに基づく算術平均粗さＲａが、１．０μｍ≦Ｒａ≦４．９μｍであり、かつ、ＪＩＳに基づく最大高さＲｙが、７μｍ≦Ｒｙ≦１９μｍである、プラズマディスプレイパネル焼成用定盤。」
　
３　引用刊行物に記載された発明
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００２−１１４５３７号公報（以下、「引用刊行物１」という。）には、「ガラス基板熱処理用セッター」の発明に関して、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
＜記載事項１＞
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、大型のガラス基板熱処理用セッターに関し、特に、プラズマディスプレイパネル（以下ＰＤＰと称す）等に使用される大型のガラス基板を、その表面に直接載置して加熱炉に導入する平板状のガラス基板熱処理用セッターに関する。」
　
＜記載事項２＞
「【０００２】
【従来の技術】…ＰＤＰ用のガラス基板には、一般に厚さ３ｍｍ程度の肉薄平板状のソーダライム系板ガラスが用いられるが、この板ガラスの上には電極や絶縁層を形成するためにペーストが塗布され、塗布されたペーストを板ガラスに定着させるために加熱炉において４５０℃〜６００℃の温度域で熱処理が施される。」
　
＜記載事項３＞
「【００１４】本発明では、平坦度はＪＩＳ　Ｒ　３２０２に規定された単位長さ当たりの反りの大きさの割合を、表面粗さＲａはＪＩＳ　Ｂ　０６０１に規定された算術平均粗さであって、測定カットオフ値が０．８ｍｍ、測定長が４ｍｍの条件で測定した場合の値をそれぞれ意味する。」
　
＜記載事項４＞
「【００１７】さらに、本発明のガラス基板熱処理用セッターは、大型のガラス基板を直接載置する載置面の表面粗さがＲａ値で０．１〜１μｍの範囲にあるので、大型のガラス基板の軟化した表面にセッターの表面のパターンが転写されることがなく、しかも大型のガラス基板をセッターの載置面に載置する際に、大型のガラス基板がセッターの載置面を上滑りせず、熱処理後に大型のガラス基板をセッターの載置面から容易に分離することができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明のガラス基板熱処理用セッターは、結晶化ガラスからなり、熱処理される大型のガラス基板を直接載置する載置面が所定の平坦度と表面粗さとを有するように加工されてなるものである。
【００１９】図１は、本発明のガラス基板熱処理用セッターの載置面に被処理物である大型のガラス基板を載置した状態を示す斜視図、とその断面図であり、１はガラス基板熱処理用セッター（以下セッターと称す）を、Ｇは大型のガラス基板をそれぞれ示している。
【００２０】本発明に係るセッター１は、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｌｉ2Ｏ、Ｐ2Ｏ5、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2を主成分とするガラス生地をロールアウト製板法により厚さ６．２ｍｍの板状に成形し、これを再加熱して結晶化することにより得られた結晶化ガラスからなるものであり、この結晶化ガラスの熱膨張係数は１５×１０-7／Ｋ以下の、例えば５×１０-7／Ｋである。
【００２１】上記の結晶化ガラスを所定の大きさ、例えば、表示画面が４２インチのＰＤＰ用の大型のガラス基板Ｇを載置するためのものであれば、短辺９００ｍｍ、長辺１３００ｍｍの矩形に切断して、この表面をダイヤモンドジェネレータを用いて厚さ約５．５ｍｍの板厚に研削した後、＃６００の研磨砥粒を用いて片面ずつ研磨機でラッピングして表面および裏面が平坦かつ平滑に加工されている。このような加工により、セッター１の表裏両表面は、０．３％以下の平坦度で、Ｒａ値の範囲で０．１〜１．０μｍ、例えば０．５μｍの表面粗さとされている。上記の平坦度および表面粗さは、少なくともガラス基板Ｇが直接載置されるセッター１の載置面において実現されていれば足りる。
【００２２】上記のように作製されたセッター１の表面に、短辺５５４ｍｍ、長辺９８０ｍｍ、厚さ２．７ｍｍのガラス基板Ｇを載置し、加熱炉に導入し、５８０〜６００℃の温度で３０分間ガラス基板Ｇを保持した後、加熱炉から取出したところ、次のような結果が得られた。
【００２３】まず、熱処理の準備としてガラス基板Ｇをセッター１の載置面に載置するのに、ガラス基板Ｇとセッター１との間にエアクッション作用がなく、ガラス基板Ｇを容易に載置することができた。
【００２４】また、熱処理中および熱処理後において、セッター１には反りが見られず、高い平坦性を維持した。同様に、ガラス基板Ｇにも反りは認められなかった。
【００２５】さらに、熱処理が完了した後に、ガラス基板Ｇをセッター１の載置面から分離するに際しても、ガラス基板Ｇがセッター１と融着するようなこともなく円滑に分離することができた。また、熱処理後のガラス基板Ｇの表面は、セッター１の載置面のパターンが転写されることなく高い平滑性が維持されており、擦傷は認められなかった。」
　
＜記載事項５＞
「【００２６】比較例１として、上記実施の形態のセッターと同寸法で熱膨張率が約７１×１０-7／Ｋのアルミナセラミックス板を、その表面をダイヤモンド砥粒を用いて研削して平坦度が０．５％、表面粗さがＲａ値で１０μｍの載置面を有するセッターを作製した。
【００２７】比較例１のセッターを用いて上記と同条件で前記のガラス基板Ｇを熱処理したところ、熱処理中および熱処理後に、このセッターに反りが見られ、ガラス基板Ｇにはセッターの反りに倣った反りが認められた。また、熱処理後においてガラス基板Ｇの表面には、セッター表面のパターンと同じパターンが形成されており、また、セッターとの摩擦による擦傷の存在が認められた。」
　
＜記載事項６＞
「【００２８】さらに、比較例２として、上記実施の形態のセッターと同じ結晶化ガラス板の表面をポリッシングして平坦度が０．２％、表面粗さがＲａ値で０．０５μｍの載置面を有するセッターを作製した。
【００２９】比較例２のセッターを用いて上記と同条件で前記のガラス基板Ｇを熱処理したところ、熱処理中および熱処理後に、このセッターには反りが見られず、ガラス基板Ｇの平坦性を損なうような影響は認められなかったが、ガラス基板Ｇをセッターの載置面に載置するに際して、ガラス基板Ｇとセッターとの間にエアクッション作用が働いてガラス基板Ｇが水平方向に滑り、ガラス基板Ｇをセッターの所定位置に安定させるのに手間が掛かった。また、熱処理後にガラス基板をセッターから分離するに際して、ガラス基板とセッターとの間にほとんど空隙がなく、両者の表面同士が密着状態にあるため、ガラス基板Ｇがセッターから容易に分離しなかった。」
　
　したがって、上記記載事項１乃至４に基づけば、引用刊行物１には、
「プラズマディスプレイパネル用のガラス基板を載置して加熱炉に導入するプラズマディスプレイパネル用のガラス基板熱処理用セッターであって、前記ガラス基板を載置する載置面の表面粗さがＪＩＳ　Ｂ　０６０１に規定された算術平均粗さであるＲａ値で０．１〜１μｍの範囲にあるプラズマディスプレイパネル用のガラス基板熱処理用セッター。」
の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されている。
　
４　対比
（１）本願発明と引用発明１とを対比すると、引用発明１における「プラズマディスプレイパネル用のガラス基板」は、本願発明における「プラズマディスプレイパネル用ガラス基板」に相当する。
　
（２）引用発明１における「プラズマディスプレイパネル用のガラス基板熱処理用セッター」は、板状の結晶化ガラスを矩形に切断して、その表面及び裏面を平坦かつ平滑に加工されたもの、すなわち定盤であり（記載事項４の【００２０】−【００２１】）、またガラス基板を熱処理に付すために用いられるものであるから、本願発明の「焼成処理に付すために用いられる、プラズマディスプレイパネル焼成用定盤」と引用発明１の「プラズマディスプレイパネル用のガラス基板熱処理用セッター」とは、熱処理に付すために用いられるプラズマディスプレイパネル熱処理用定盤である点で共通する。
　また、本願発明の対象である「プラズマディスプレイパネル焼成用定盤」と、引用発明１の対象である「プラズマディスプレイパネル用のガラス基板熱処理用セッター」とは、プラズマディスプレイパネル熱処理用定盤の点で共通する。
　
（３）引用発明１の「ガラス基板を載置する載置面」、「表面粗さがＪＩＳ　Ｂ　０６０１に規定された算術平均粗さであるＲａ値で」は、それぞれ本願発明の「前記基板と接する側の表面」、「ＪＩＳに基づく算術平均粗さＲａが」に相当する。
　そして、本願発明の「１．０μｍ≦Ｒａ≦４．９μｍであり」と引用発明１の「０．１〜１μｍの範囲にある」とは、Ｒａが所定の数値範囲内である点で共通する。
　
　したがって、本願発明と引用発明１とは以下の点で一致し、以下の点で相違する。
　
＜一致点＞
「プラズマディスプレイパネル用ガラス基板を載置して熱処理に付すために用いられるプラズマディスプレイパネル熱処理用定盤であって、前記基板と接する側の表面のＪＩＳに基づく算術平均粗さＲａが、所定の数値範囲内にある、プラズマディスプレイパネル熱処理用定盤。」
　
＜相違点１＞
　熱処理に付すために用いられるプラズマディスプレイパネル熱処理用定盤が、本願発明では、焼成処理に付すために用いられるプラズマディスプレイパネル焼成用定盤であるのに対して、引用発明１では、そのように限定されていない点。
　
＜相違点２＞
　本願発明では、プラズマディスプレイパネル焼成用定盤の前記基板、即ちプラズマディスプレイ用ガラス基板と接する側の表面のＪＩＳに基づく算術平均粗さＲａの所定の数値範囲が、１．０μｍ≦Ｒａ≦４．９μｍであるのに対して、引用発明１では、プラズマディスプレイパネル熱処理用セッターの前記ガラス基板を載置する載置面の表面粗さがＪＩＳ　Ｂ　０６０１に規定された算術平均粗さであるＲａ値で、０．１〜１μｍの範囲にある点。
　
＜相違点３＞
　本願発明では、プラズマディスプレイパネル焼成用定盤の前記基板、即ちプラズマディスプレイ用ガラス基板と接する側の表面のＪＩＳに基づく最大高さＲｙが７μｍ≦Ｒｙ≦１９μｍであるのに対して、引用発明１では、そのように限定されていない点。
　
５　判断
（１）相違点１
　引用発明１において、プラズマディスプレイ用ガラス基板に熱処理を施すのは、電極や絶縁層を形成するために塗布されたペーストをガラス基板に定着させるためであるが（上記記載事項２）、そのような熱処理を施して塗布されたペーストを定着させることは、本願出願前に頒布された刊行物である特開２００１−２８２３９号公報の【０００７】に記載されているように、当該技術分野において「焼成処理」と呼ばれているものであるから、引用発明１の「ガラス基板熱処理用セッター」における「熱処理」は、本願発明の「焼成処理」に相当する。
　また、上記した「熱処理」と「焼成処理」の関係、及び「４（２）」の項で述べた「セッター」と「定盤」との関係からみて、引用発明１の「プラズマディスプレイパネル用のガラス基板熱処理用セッター」は、本願発明の「プラズマディスプレイパネル焼成用定盤」に相当する。
　
　したがって、上記相違点１は実質的な相違点ではない。
　
（２）相違点２
　引用発明１の「プラズマディスプレイパネル用のガラス基板熱処理用セッター」が、本願発明の「プラズマディスプレイパネル焼成用定盤」に相当することは、「（１）相違点１」で述べた。
　
　引用刊行物１には、セッターの載置面の表面粗さがＲａ値で１０μｍのとき、セッターとの摩擦によりガラス基板に擦傷の存在が認められること（上記記載事項５）が記載されている。そして、Ｒａ値がより大きくなるほど、より上記摩擦が大きくなり、上記擦傷が大きくなることから、Ｒａ値を１０μｍより小さくした方が、ガラス基板の擦傷防止に好ましいことは明らかである。
　
　また、引用刊行物１には、セッターの載置面の表面粗さがＲａ値で０．０５μｍのとき、ガラス基板とセッターとの間に空隙がなく密着状態にあるため、熱処理後にガラス基板がセッターから容易に分離しなかったこと（上記記載事項６）が記載されている。そして、Ｒａ値がより小さくなるほど、より空隙がなくなり密着状態となり、ガラス基板がセッターから容易に分離できなくなってしまうことから、Ｒａ値で０．０５μｍより大きくした方がセッターに対するガラス基板の取扱容易性について好ましいことは明らかである。
　
　してみると、引用発明１において、セッター（プラズマディスプレイパネル焼成用定盤）の載置面の表面粗さＲａ値をどのくらいとするかは、０．０５μｍ＜Ｒａ＜１０μｍの範囲内において、ガラス基板（プラズマディスプレイ用ガラス基板）の擦傷防止、セッターに対するガラス基板の取扱容易性等を考慮して、当業者が適宜に決定し得る設計事項に過ぎず、Ｒａ値の範囲を本願発明のように１．０μｍ≦Ｒａ≦４．９μｍと規定することは、引用発明１に基づいて当業者が容易に想到し得ることである。
　
　したがって、上記相違点２に係る本願発明の発明特定事項は、引用発明１に基づいて当業者が容易に想到し得ることである。
　
（３）相違点３
　引用発明１の「プラズマディスプレイパネル用のガラス基板熱処理用セッター」が、本願発明の「プラズマディスプレイパネル焼成用定盤」に相当することは、「（１）相違点１」で述べた。
　
　表面粗さの程度を定量的に示すものとして代表的な指標である最大高さＲｙと算術平均粗さＲａとの関係について、表面粗さの加工対象となる材料、表面を加工する手段に関わらず、一般的に最大高さＲｙが算術平均粗さＲａの大概約４倍程度の関係にあることは技術常識である（例えば、特開平５−２０４４３４号公報の【００１７】−【００１８】、【００２８】−【００３２】、図４、９参照。）。
　よって、引用発明１においてセッターの載置面を算術平均粗さＲａが所望の範囲になるように加工する際においても、表面粗さを示す最大高さＲｙが算術平均粗さＲａの４倍程度であるといえる。
　
　そして、上記「（２）相違点２」で検討したことから、Ｒａ値の範囲を本願発明の「１．０μｍ≦Ｒａ≦４．９μｍ」の範囲に規定することは、引用発明１に基づいて容易に想到し得ることである以上、最大高さＲｙは算術平均粗さＲａの範囲に応じて、４μｍ≦Ｒｙ≦１９．６μｍとなり、本願発明の最大高さＲｙの範囲と相当程度重複した範囲となる。
　
　また、本願発明は、Ｒｙの範囲の下限値を７μｍ、上限値を１９μmとしているが、本願明細書の記載を参酌しても上記限定した点に臨界的な意義を認めることはできない。
　
　したがって、本願発明のように最大高さＲｙの範囲を７μｍ≦Ｒｙ≦１９μｍと規定することも、当業者が引用発明１に基づいて容易に想到し得ることである。
　
　よって、上記相違点３に係る本願発明の発明特定事項は、引用発明１に基づいて当業者であれば容易に想到し得るものである。　
　
　そして、本願発明の効果は、引用発明１の記載から当業者が予測し得る程度のものに過ぎない。
　
　したがって、本願発明は、引用発明１に基づいて当業者であれば容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
６　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明１に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。