【手続補正書】
【提出日】平成27年1月16日(2015.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板であって、
ビアおよび配線パターンが形成された配線基板と、
前記配線基板の前記第１の面上に配置され、半導体素子と前記配線基板とを接合する接合部であって、前記配線基板側に配置されている第１接合層と、前記半導体素子側に配置されている第２接合層とからなる接合部と、を備え、
前記第１接合層は、
無機系材料を主成分とする第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の、前記ビアに対応する部位に形成されている少なくとも一つの貫通孔と、
前記貫通孔内に配置され、前記半導体素子に形成されている電極部と前記配線基板とを導通するための導電接合部と、を備え、
前記配線基板と接合を開始する温度である第１の接合開始温度を有し、
前記第２接合層は、
無機系材料を主成分とする第２絶縁層と、
前記貫通孔と連通し、前記半導体素子を配置するための開口部と、を備え、
前記半導体素子と接合を開始する温度であって、前記第１の接合開始温度とは異なる第２の接合開始温度を有する、
回路基板。
【請求項２】
請求項１に記載の回路基板において、
前記第１の接合開始温度は、前記第２の接合開始温度よりも低いことを特徴とする、
回路基板。
【請求項３】
請求項１に記載の回路基板において、
前記第１の接合開始温度は、前記第２の接合開始温度よりも高いことを特徴とする、
回路基板。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の回路基板において、
前記第１の接合開始温度は、前記第１接合層を構成する材料の少なくとも一部が焼結反応を開始する温度以上の温度であり、
前記第２の接合開始温度は、前記第２接合層を構成する材料の少なくとも一部が焼結反応を開始する温度以上の温度であることを特徴とする、
回路基板。
【請求項５】
半導体モジュールであって、
ビアおよび配線パターンが形成された配線基板と、
前記配線基板の第１の面側に配置される半導体素子と、
前記配線基板の前記第１の面上に配置され、半導体素子と前記配線基板とを接合する接合部であって、前記配線基板側に配置されている第１接合層と、前記半導体素子側に配置されている第２接合層とからなる接合部と、を備え、
前記第１接合層は、
無機系材料を主成分とする第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の、前記ビアに対応する部位に形成されている少なくとも一つの貫通孔と、
前記貫通孔内に配置され、前記半導体素子に形成されている電極部と前記配線基板とを導通するための導電接合部と、を備え、
前記配線基板と接合を開始する温度である第１の接合開始温度を有し、
前記第２接合層は、
無機系材料を主成分とする第２絶縁層と、
前記貫通孔と連通し、前記半導体素子を配置するための開口部と、を備え、
前記半導体素子と接合を開始する温度であって、前記第１の接合開始温度とは異なる第２の接合開始温度を有する、
半導体モジュール。
【請求項６】
請求項５記載の半導体モジュールであって、
前記第１の接合開始温度は、前記第２の接合開始温度よりも低いことを特徴とする、
半導体モジュール。
【請求項７】
請求項５記載の半導体モジュールにおいて、
前記第１の接合開始温度は、前記第２の接合開始温度よりも高いことを特徴とする、
半導体モジュール。
【請求項８】
請求項５ないし請求項７のいずれかに記載の半導体モジュールにおいて、
前記第１の接合開始温度は、前記第１接合層を構成する材料の少なくとも一部が焼結反応を開始する温度以上の温度であり、
前記第２の接合開始温度は、前記第２接合層を構成する材料の少なくとも一部が焼結反応を開始する温度以上の温度であることを特徴とする、
半導体モジュール。
【請求項９】
半導体モジュールの製造方法であって、
ビアおよび配線パターンを有する第１の配線基板を作製する工程と、
表面配線を有する第２の配線基板を作製する工程と、
第１接合層および第２接合層からなる無機系材料を主成分とする接合部と、前記第１の配線基板とを接合する工程であって、
前記第１接合層の前記ビアに対応する部位に少なくとも一つの貫通孔を形成すること、
前記貫通孔と連通し、前記半導体素子を配置するための開口部を前記第２接合層に形成すること、
前記半導体素子の表側に形成されている第１の電極と前記第１の配線基板とを導通するための導電接合部を前記貫通孔内に配置すること、および、
前記第１接合層が前記第１の配線基板に対向するように、前記第１接合層および前記第２接合層を積層配置すること、を含む工程と、
前記第１の電極と前記導電接合部とが導通可能となるように、前記半導体素子を前記開口部内に配置する工程と、
前記第１の配線基板、前記接合部および前記半導体素子を、前記第１接合層が前記配線基板と接合を開始する温度である第１の接合開始温度で加熱圧着して第１の拡散接合を行う工程と、
前記半導体素子の裏側に形成されている第２の電極と前記第２の配線基板の前記表面配線とが導通可能となるように、前記第２の配線基板を配置する工程と、
前記第２の配線基板、前記接合部および前記半導体素子を、前記第２接合層が前記半導体素子と接合を開始する温度であって、前記第１の接合開始温度とは異なる第２の接合開始温度を有する第２の接合開始温度で加熱圧着して第２の拡散接合を行う工程と、を備える半導体モジュールの製造方法。
【請求項１０】
請求項９記載の半導体モジュールの製造方法であって、
前記第１の接合開始温度は、前記第２の接合開始温度よりも低いことを特徴とする、
半導体モジュールの製造方法。
【請求項１１】
請求項９記載の半導体モジュールの製造方法において、
前記第１の接合開始温度は、前記第２の接合開始温度よりも高いことを特徴とする、
半導体モジュールの製造方法。
【請求項１２】
請求項９ないし請求項１１のいずれかに記載の半導体モジュールの製造方法において、
前記第１の接合開始温度は、前記第１接合層を構成する材料の少なくとも一部が焼結反応を開始する温度以上の温度であり、
前記第２の接合開始温度は、前記第２接合層を構成する材料の少なくとも一部が焼結反応を開始する温度以上の温度であることを特徴とする、
半導体モジュールの製造方法。
【請求項１３】
請求項９ないし請求項１２のいずれかに記載の半導体モジュールの製造方法において、
前記第１の拡散接合において、前記第１接合層は、前記第１の接合開始温度で加熱圧着されることにより軟化し、前記貫通孔と前記第１の電極との間の空隙を充填する、
半導体モジュールの製造方法。
【請求項１４】
請求項９ないし請求項１３のいずれかに記載の半導体モジュールの製造方法において、
前記第２の拡散接合において、前記第２接合層は、前記第２の接合開始温度で加熱圧着されることにより軟化し、前記開口部と前記半導体素子との間の空隙を充填する、
半導体モジュールの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
［形態１］
回路基板であって、ビアおよび配線パターンが形成された配線基板と、前記配線基板の前記第１の面上に配置され、半導体素子と前記配線基板とを接合する接合部であって、前記配線基板側に配置されている第１接合層と、前記半導体素子側に配置されている第２接合層とからなる接合部と、を備え、前記第１接合層は、無機系材料を主成分とする第１絶縁層と、前記第１絶縁層の、前記ビアに対応する部位に形成されている少なくとも一つの貫通孔と、前記貫通孔内に配置され、前記半導体素子に形成されている電極部と前記配線基板とを導通するための導電接合部と、を備え、前記配線基板と接合を開始する温度である第１の接合開始温度を有し、前記第２接合層は、無機系材料を主成分とする第２絶縁層と、前記貫通孔と連通し、前記半導体素子を配置するための開口部と、を備え、前記半導体素子と接合を開始する温度であって、前記第１の接合開始温度とは異なる第２の接合開始温度を有する、回路基板。
ここから
［形態２］
半導体モジュールであって、ビアおよび配線パターンが形成された配線基板と、
前記配線基板の第１の面側に配置される半導体素子と、前記配線基板の前記第１の面上に配置され、半導体素子と前記配線基板とを接合する接合部であって、前記配線基板側に配置されている第１接合層と、前記半導体素子側に配置されている第２接合層とからなる接合部と、を備え、前記第１接合層は、無機系材料を主成分とする第１絶縁層と、前記第１絶縁層の、前記ビアに対応する部位に形成されている少なくとも一つの貫通孔と、前記貫通孔内に配置され、前記半導体素子に形成されている電極部と前記配線基板とを導通するための導電接合部と、を備え、前記配線基板と接合を開始する温度である第１の接合開始温度を有し、前記第２接合層は、無機系材料を主成分とする第２絶縁層と、前記貫通孔と連通し、前記半導体素子を配置するための開口部と、を備え、前記半導体素子と接合を開始する温度であって、前記第１の接合開始温度とは異なる第２の接合開始温度を有する、半導体モジュール。