【手続補正書】
【提出日】平成26年11月27日(2014.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１絶縁樹脂層の上に、第１カップリング剤層に第１銅・錫合金層及び銅層が順に配置された積層体を得る工程と、
前記銅層の上にシード層を形成する工程と、
開口部が設けられためっきレジストを前記シード層の上に形成する工程と、
前記シード層をめっき給電経路に利用する電解めっきにより、前記めっきレジストの開口部に金属めっき層を形成する工程と、
前記めっきレジストを除去する工程と、
前記金属めっき層をマスクにして前記シード層、前記銅層及び前記第１銅・錫合金層をエッチングすることにより、前記第１カップリング剤層の上に第１配線層を形成する工程とを有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記第１配線層を形成する工程の後に、
前記第１配線層の露出面に第２銅・錫合金層を形成する工程と、
前記第１配線層の前記第２銅・錫合金層を被覆する第２カップリング剤層を形成する工程と、
前記第２カップリング剤層の上に第２絶縁樹脂層を形成する工程とをさらに有することを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記第２絶縁樹脂層を形成する工程の後に、
前記第２絶縁樹脂層、前記第２カップリング剤層、及び第２銅・錫合金層を加工することにより、前記第１配線層に到達するビアホールを形成する工程と、
前記ビアホールを介して前記第１配線層に接続される第２配線層を前記第２絶縁樹脂層の上に形成する工程とをさらに有することを特徴とする請求項２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記第２配線層を形成する工程の後に、
前記第２配線層の露出面に第３銅・錫合金層を形成する工程と、
前記第２配線層の前記第３銅・錫合金層を被覆する第３カップリング剤層を形成する工程と、
前記第３カップリング剤層の上に、前記第２配線層の接続部に対応する部分に開口部が設けられた保護絶縁層を形成する工程と、
前記保護絶縁層の開口部内の前記第３カップリング剤層及び前記第３銅・錫合金層を除去する工程とをさらに有することを特徴とする請求項３に記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記積層体を得る工程は、
支持体の上に、剥離できる状態で前記銅層及び前記第１銅・錫合金層が順に形成された構造体を用意し、前記第１銅・錫合金層の上に前記第１カップリング剤層を形成することにより金属層転写基材を得る工程と、
前記金属層転写基材の前記第１カップリング剤層の面を前記第１絶縁樹脂層の上に積層する工程と、
前記金属層転写基材から前記支持体を除去する工程とを含むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記金属層転写基材を得る工程は、
前記支持体の上に前記銅層を形成する工程と、
前記銅層の上に錫層を形成し、加熱処理することにより前記銅層から前記錫層に銅を拡散させて前記第１銅・錫合金層を得る工程とを含むことを特徴とする請求項５に記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記積層体を得る工程において、下層配線層の上に前記第１絶縁樹脂層が形成されており、
前記積層体を得る工程の後に、
前記銅層から前記第１絶縁樹脂層まで厚み方向に加工することにより、前記下層配線層に到達するビアホールを形成する工程をさらに有し、
前記シード層を形成する工程において、前記シード層は前記ビアホール内から前記銅層の上に形成され、
前記めっきレジストを形成する工程において、前記めっきレジストの開口部は前記ビアホールを含む部分に形成され、
前記金属めっき層を形成する工程において、前記金属めっき層は前記ビアホール及び前記めっきレジストの開口部に形成され、
前記第１配線層を形成する工程において、前記第１配線層は前記ビアホールを介して前記下層配線層に接続されることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記第１カップリング剤層はシランカップリング剤からなり、官能基として、アミノ基、エポキシ基、メルカプト基、イソシアネート基、メタクリロキシ基、アクリロキシ基、ウレイド基、又はスルフィド基を含むことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項９】
第１絶縁樹脂層と、
前記第１絶縁樹脂層の上に形成された第１カップリング剤層と、
前記第１カップリング剤層の上に形成された第１銅・錫合金層と、前記第１銅・錫合金層の上に形成された銅層と、前記銅層の上に形成されたシード層と、前記シード層の上に形成された金属めっき層とを含む第１配線層とを有することを特徴とする配線基板。
【請求項１０】
前記第１配線層の上面及び側面に形成された第２銅・錫合金層と、
前記第１配線層の前記第２上側銅・錫合金層を被覆する第２カップリング剤層と、
前記第２カップリング剤層の上に形成された第２絶縁樹脂層とをさらに有することを特徴とする請求項９に記載の配線基板。
【請求項１１】
前記第１絶縁樹脂層の下に形成された下層配線層と、
前記第１絶縁樹脂層に形成され、前記下層配線層に到達するビアホールとをさらに有し、
前記第１カップリング剤層は前記ビアホールを除く前記第１絶縁樹脂層の上に形成され、
前記シード層は、前記ビアホールの内面から前記銅層の上に延在し、
前記第１配線層は前記ビアホールを介して前記下層配線層に接続されていることを特徴とする請求項９又は１０に記載の配線基板。
【請求項１２】
前記第２絶縁樹脂層、前記第２カップリング剤層、及び第２銅・錫合金層に形成され、前記第１配線層に到達するビアホールと、
前記第２絶縁樹脂層の上に形成され、前記ビアホールを介して前記第１配線層に接続される第２配線層とをさらに有することを特徴とする請求項１０に記載の配線基板。
【請求項１３】
前記第２配線層の上面及び側面に形成された第３銅・錫合金層と、
前記第２配線層の前記第３銅・錫合金層を被覆する第３カップリング剤層と、
前記第３カップリング剤層の上に形成され、前記第２配線層の接続部に対応する部分に開口部が設けられた保護絶縁層とを有し、
前記保護絶縁層の開口部内の前記第３カップリング剤層及び前記第３銅・錫合金層が除去されていることを特徴とする請求項１２に記載の配線基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
次いで、図３（ｂ）に示すように、スパッタ法、蒸着法、イオンプレーティング法、又はＣＶＤ法などにより、支持体１０の上に銅（Ｃｕ）層１２を形成する。銅層１２の厚みは、１０〜５０００ｎｍ、好適には１００〜１０００ｎｍに設定される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
シランカップリング剤において、樹脂などの有機材料と化学結合する官能基としては、アミノ基、エポキシ基、メルカプト基、イソシアネート基、メタクリロキシ基、アクリロキシ基、ウレイド基、又はスルフィド基を含むものが好ましい。シランカップリング剤と化学結合する樹脂の種類に応じて最適な官能基が選択される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
コア基板２０はガラスエポキシ樹脂などの絶縁材料やシリコンなどから形成される。コア基板２０としてシリコン基板を使用する場合は、コア基板２０の両面側及びスルーホールＴＨの内面にシリコン酸化層などの絶縁層が形成される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
第１銅・錫合金層１６は第１カップリング剤層１８（シランカップリング剤）によって第１絶縁樹脂層４０（エポキシ樹脂など）に信頼性よく接着される特性を有する。本実施形態の金属層転写基材１の転写層Ｔを転写する方法を使用することにより、第１絶縁樹脂層４０と第１銅・錫合金層１６とを第１カップリング剤層１８を介して信頼性よく接着させることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
金属めっき層５４の厚みは所望の配線抵抗が得られるように任意に設定できるが、例えば第１配線層の線幅が１０μｍの場合は１０〜２０μｍ程度の厚みに設定される。第１ビアホールＶＨ１内では、その内面に形成されたシード層５２から内側に向かって金属めっきが施されて第１ビアホールＶＨ１にビア導体が充填される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８９】
なお、本実施形態では、第1配線層５０が第１ビアホールＶＨ１を介して下層配線層３０に接続されているが、第１ビアホールＶＨ１が形成されていない第１絶縁樹脂層４０の上に第１配線層５０を前述した方法で形成してもよい。つまり、第１配線層５０はビアホールに接続されていてもよいし、接続されていなくてもよい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１２】
このようにして、第１配線層５０は上下側及び側方において第１、第２絶縁樹脂層４０，４２との十分な密着性が得られる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６５】
さらに、半導体チップ７０の下側の隙間にアンダーフィル樹脂７４が充填される。また、下面側の下層配線層３０のコンタクト層Ｃにはんだボールを搭載するなどして外部接続端子７６が設けられる。