(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
シール部を有する弁体をハウジング内の開弁位置と閉弁位置との間で移動させることによりゲート部の開閉を行なう構成とされた弁装置のリーク検出装置において、
前記弁体が前記ハウジング内の開弁位置にある時、前記シール部に対し圧力媒体を印加する加圧装置と、
前記シール部に印加する圧力媒体の圧力を検出する圧力検出装置と、
前記圧力検出装置が検出する前記圧力媒体の圧力に基づき、前記シール部のリークを検出するリーク検出手段と
を具備することを特徴とする弁装置のリーク検出装置。
【請求項２】
請求項１記載の弁装置のリーク検出装置において、
前記シール部に印加した前記圧力媒体の放出量を制御する放出量制御手段を設けたことを特徴とする弁装置のリーク検出装置。
【請求項３】
請求項１または２記載の弁装置のリーク検出装置において、前記ゲート部を半導体製造装置のチャンバーに設けると共に、前記圧力検出装置を前記チャンバーに配設したことを特徴とする弁装置のリーク検出装置。
【請求項４】
シール部を有する弁体をハウジング内の開弁位置と閉弁位置との間で移動させることによりゲート部の開閉を行なう構成とされた弁装置のリーク検出方法において、
前記弁体を前記ハウジング内の開弁位置に移動させ、
次に前記弁体に形成されたシール部に対し圧力媒体を印加し、
前記圧力媒体の圧力を検出すると共に、検出される圧力変化に基づき前記シール部のリークを検出することを特徴とする弁装置のリーク検出方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は弁装置のリーク検出装置及びリーク検出方法に係り、特に圧力媒体を用いてシール部のリーク検出を行なう弁装置のリーク検出装置及びリーク検出方法に関する。
【０００２】
例えば、ドライエッチャー等の半導体製造装置には真空処理装置が接続されており、この半導体製造装置と真空処理装置とが接続されるゲート部には各装置を気密に画成する弁装置（ゲートバルブ）が配設されている。また、一般にゲートバルブはシール部材としてＯリングを用いており、ゲートバルブが閉弁した状態においてＯリングによりゲート部はシールされ、これにより各装置は気密に画成される構成とされている。
【０００３】
一方、半導体製造装置は半導体の製造過程において腐食性ガスを使用するため、この腐食性ガスによりＯリングが劣化することが知られている。Ｏリングが劣化すると、ゲートバルブが閉弁した際に腐食性ガスのリークが発生し、製造される半導体集積回路に異常が発生するおそれがある。よって、Ｏリング（シール部材）の劣化を確実に検出し、腐食性ガスのリークによる影響を最小限に抑える必要がある。
【０００４】
【従来の技術】
図３は、弁装置１（ゲートバルブ）を設けた半導体製造装置２（ドライエッチャー）を示している。半導体製造装置２は、大略するとゲートバルブ１，チャンバー３，真空圧センサ４，ターボポンプ５，及び図示しない真空排気装置等により構成されている。
【０００５】
チャンバー３は下部にゲート部６が形成されており、このゲート部６にはゲートバルブ１が配設されている。また、ゲートバルブ１の下部にはターボポンプ５及び真空排気装置（以下、これらを合わせていう場合には真空系という）が配設されており、ゲートバルブ１が開弁した状態においてゲート部６を介してチャンバー３に対して真空引きを行い、チャンバー３内を所定の真空度とする構成とされている。
【０００６】
また、チャンバー３には真空圧センサ４が配設されており、チャンバー３内の真空圧を検出しうる構成となっている。そして、ドライエッチングが行なわれる半導体基板は、上記構成とされたチャンバー３内に装着され、図示しない導入配管より反応ガス（腐食性ガス）が導入されることにより所定のエッチング処理が実施される。
【０００７】
また、ゲートバルブ１は、ハウジング７内に図中矢印Ａ１，Ａ２方向に移動する弁体１０を有しており、この弁体１０をシリンダー８で駆動するとによりゲート部６を開閉する構成とされている。また、弁体１０にはシール部材としてＯリング９が配設されており、弁体１０が閉弁位置（図３に示す状態）に移動した状態においてＯリング９はゲート部６をシールし、これによりチャンバー３は真空系に対して気密に画成された状態となる。
【０００８】
このように、ゲート部６がＯリング９によりシールされた状態においてハウジング７内に反応ガス（腐食性ガス）が供給されると、Ｏリング９は反応ガス（腐食性ガス）に触れた状態となり、経時的にＯリング９には劣化が発生する。ここで、Ｏリング９に劣化が発生した場合に半導体製造装置２に発生する不都合について説明する。
【０００９】
ゲートバルブ１がゲート部６を閉弁する時として、チャンバー３のリーク検査時が挙げられる。このチャンバー３のリーク検査は、チャンバー３内を真空系を用いて所定の真空圧にした後、ゲートバルブ１によりゲート部６を閉弁し、その後に真空圧センサ４によりチャンバー３内の圧力変化を検出する。
【００１０】
仮にチャンバー３にリークがある場合には、真空圧センサ４により検出される圧力は上昇するため、これによりチャンバー３にリークが発生しているか否かを検出することができる。尚、このリーク検査時においても真空系は駆動した状態を維持しており、検査終了した後に直ちにチャンバー３の真空引き処理が行ないうる構成とされている。
【００１１】
ところで、Ｏリング９が劣化しリークが発生していると、ゲートバルブ１は完全にゲート部６を閉弁していないため、真空系が発生する負圧によりチャンバー３が真空引きされてしまい、本来のチャンバー３の外部リークを検出できなくなってしまう。
【００１２】
よって、実際にはチャンバー３に外部リークがあるにも拘わらず、Ｏリング９の劣化に起因して正常であると誤判定された場合には、ドライエッチング処理時において所定の真空度が実現できず、また外部リークにより大気等の不純物が混入するため、加工処理される半導体基板に異常が発生するおそれがある。
【００１３】
また、半導体基板をチャンバー３に出し入れする時や、後述する従来のゲートバルブ１のリーク検査時（後に詳述する）においては、図４に示されるように、ゲートバルブ１を閉弁した状態でチャンバー３を大気開放する。しかるに、この大気開放状態では、チャンバー３内には水分を含む大気が入り込む。更に、大気開放状態においても真空系は駆動した状態を維持している。
【００１４】
従って、Ｏリング９が劣化しリークが発生していると、水分を含む大気がターボポンプ５等の真空系に侵入し真空系を構成する装置を腐食させたり、またリーク量が多い場合にはターボポンプ５を破損してしまうおそれがある。
よって、半導体基板に対する加工処理を精度良く行なうと共に、真空系の損傷を防止するためには、Ｏリング９の劣化を早期にかつ正確に検出することが重要となる。
【００１５】
ここで、従来実施されていたＯリング９の劣化を検出する方法の一例を図４を用いて説明する。
従来実施されていたＯリング９の劣化検出方法は、ターボポンプ５の排出側配管に圧力センサ１１を取り付けると共に、ゲートバルブ１を閉弁した状態でチャンバー３を大気開放する。そして、この状態において真空系を駆動して真空引きを実施する。いま、Ｏリング９が劣化しゲートバルブ１にリークが発生している場合を想定すると、大気はＯリング９を介して真空系側にリークするため、圧力センサ１１の検出値は上昇する。よって、圧力センサ１１の検出値の変動を見ることによりＯリング９の劣化を検出することが行なわれていた。
【００１６】
また、他のＯリング９の劣化検出方法としては、半導体製造装置２を停止させた上でゲートバルブ１を分解してＯリング９を取り外し、検査者が直接目視によりＯリング９の劣化を判定する検査が行なわれていた。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】
しかるに、上記したチャンバー３を大気圧にしてＯリング９の劣化を検出する方法は、半導体基板に対する加工処理を停止させる必要があり、加工処理の効率が低下してしまう。また、チャンバー３を大気開放する際、チャンバー３内に流入する空気により塵が舞い上がってしまい、検査終了後に半導体基板をチャンバー３に装着した際にこの塵が半導体基板に付着するおそれがある。更に、検査を行ない再び半導体製造装置２を復旧させるまでに約１〜２時間程度の長い時間が必要となり、半導体装置の製造効率を考慮すると日常的にＯリング９の劣化検出を行なうことができなかった。
【００１８】
また、ゲートバルブ１を分解してＯリング９を取り外して点検を行なう方法では、ゲートバルブ１の分解作業に半日〜１日程度の時間が必要となり、これを日常点検するのは非現実的であり、この点検方法は殆ど実施されていなかった。
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、弁装置のリーク検出を容易かつ正確に行ないうる弁装置のリーク検出装置及びリーク検出方法を提供することを目的とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明では、次の手段を講じたことを特徴とするものである。
請求項１記載の発明では、
シール部を有する弁体をハウジング内の開弁位置と閉弁位置との間で移動させることによりゲート部の開閉を行なう構成とされた弁装置のリーク検出装置において、
前記弁体が前記ハウジング内の開弁位置にある時、前記シール部に対し圧力媒体を印加する加圧装置と、
前記シール部に印加する圧力媒体の圧力を検出する圧力検出装置と、
前記圧力検出装置が検出する前記圧力媒体の圧力に基づき、前記シール部のリークを検出するリーク検出手段とを設けたことを特徴とするものである。
【００２０】
また、請求項２記載の発明では、
前記請求項１記載の弁装置のリーク検出装置において、
前記シール部に印加した前記圧力媒体の放出量を制御する放出量制御手段を設けたことを特徴とするものである。
【００２１】
また、請求項３記載の発明では、
前記請求項１または２記載の弁装置のリーク検出装置において、
前記ゲート部を半導体製造装置のチャンバーに設けると共に、前記圧力検出装置を前記チャンバーに配設したことを特徴とするものである。
【００２２】
また、請求項４記載の発明では、
シール部を有する弁体をハウジング内の開弁位置と閉弁位置との間で移動させることによりゲート部の開閉を行なう構成とされた弁装置のリーク検出方法において、
前記弁体を前記ハウジング内の開弁位置に移動させ、
次に前記弁体に形成されたシール部に対し圧力媒体を印加し、
前記圧力媒体の圧力を検出すると共に、検出される圧力変化に基づき前記シール部のリークを検出することを特徴とするものである。
【００２３】
上記した手段は、次のように作用する。
請求項１記載の発明によれば、
加圧装置は、弁装置の弁体がハウジング内の開弁位置にある時、シール部に対して圧力媒体を印加する。また、圧力検出装置は、シール部に印加される圧力媒体の圧力を検出する。更に、リーク検出手段は圧力検出装置が検出する圧力媒体の圧力に基づきシール部のリークを検出する。
【００２４】
ところで、シール部にリークが発生している場合には、圧力媒体はシール部を通過するためシール部の上流側における圧力媒体の圧力は低下する。この圧力媒体の圧力低下は、圧力検出装置により検出することができる。
従って、リーク検出手段は圧力検出装置が出力する圧力媒体の圧力変化に基づき、シール部にリークが発生しているか否かを検出することができる。また、この検査は人手を必要としないため、弁装置のリーク検出を自動的に行なうことが可能となる。
【００２５】
更に、シール部のリーク検出は、弁体がハウジング内の開弁位置にある状態で行なわれるため、弁装置が取り付けられた装置・機器を稼働した状態を維持しつつリーク検出を行なうことができる。従って、弁装置のリーク検査を日常的に実施することが可能となり、弁装置が配設される装置・機器の稼働効率を向上させることができる。
【００２６】
また、請求項２記載の発明によれば、
シール部に印加した圧力媒体の放出量を制御する放出量制御手段を設けたことにより、リーク検出処理の終了直後に弁体を移動させる必要が生じても、圧力媒体は放出量制御手段によりその放出量が制御されるため、圧力媒体が急激に弁体に印加されることを防止することができる。これにより、リーク検出処理の終了直後における弁体の移動を円滑に行なうことができる。
【００２７】
また、請求項３記載の発明によれば、
ゲート部を半導体製造装置のチャンバーに設けると共に、圧力検出装置をチャンバーに配設したことにより、通常時（リーク検出を行なわない時）において圧力検出装置をチャンバー内の圧力検出センサとして用いることができ、またリーク検出時においては圧力検出装置をリーク検出用センサとして用いることができる。このように、圧力検出装置に二つのセンサ機能を持たせることにより、半導体製造装置の構成を簡単化することができる。
【００２８】
また、請求項４記載の発明によれば、
弁装置のリーク検出を行なうに際し、先ず弁体をハウジング内の開弁位置に移動させ、次に弁体に形成されたシール部に対し圧力媒体を印加し、続いて圧力媒体の圧力を検出すると共に検出される圧力変化に基づきシール部のリークを検出することにより、人手を必要とすることなく弁装置のリーク検出を実施できるため、リーク検出の自動化を図ることができ、よってリーク検出を容易に行なうことが可能となる。
【００２９】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態について図面と共に説明する。
図１は本発明の第１実施例である弁装置のリーク検出装置を適用した半導体製造装置２０を示す概略構成図である。半導体製造装置２０は、大略すると弁装置であるゲートバルブ２１，加圧装置２２，チャンバー２３，圧力検出装置となる圧力センサ２４，リーク検出手段となる監視制御ユニット２５，放出量制御手段となる放出量制御弁２６，ターボポンプ２７，及び図示しない真空排気装置等により構成されている。
【００３０】
チャンバー２３は下部にゲート部２８が形成されており、ゲートバルブ２１はこのゲート部２８に配設されている。また、ゲートバルブ２１の下部にはターボポンプ２７及び真空排気装置（以下、これらを合わせていう場合には真空系という）が配設されており、ゲートバルブ２１が開弁した状態においてゲート部２８を介してチャンバー２３に対して真空引きを行い、チャンバー２３内を所定の真空度とする構成とされている。また、チャンバー２３には真空圧センサ２９が配設されており、チャンバー２３内の真空圧を検出しうる構成となっている。
【００３１】
加工処理（例えばドライエッチング）が行なわれる半導体基板は、上記構成とされたチャンバー２３内に装着され、図示しない導入配管より反応ガス（腐食性ガス）が供給されることにより所定のエッチング処理が実施される。
また、ゲートバルブ２１は、ハウジング３０内に図中矢印Ａ１，Ａ２方向に移動する弁体３１を有しており、この弁体３１をシリンダー３２で駆動することによりゲート部２８を開閉する構成とされている。このシリンダー３２は、例えばエアシリンダーであり、後述する監視制御ユニット２５からゲートバルブ開閉命令が送信されることにより弁体３１開弁方向（Ａ１方向）または閉弁方向（Ａ２方向）に選択的に移動させる構成となっている。
【００３２】
一方、上記した弁体３１にはシール部材としてＯリング３３が配設されており、弁体３１が閉弁位置に移動した状態においてＯリング３３はゲート部２８をシール（閉弁）し、これによりチャンバー２３は真空系に対して気密に画成された状態となる。尚、図１は弁体３１が開弁位置にある状態を示している。
【００３３】
加圧装置２２は、大略すると圧力媒体供給装置（図示せず），バルブ３４，供給配管３５等により構成されている。圧力媒体供給装置は圧力媒体を圧送する装置であり、例えばピストンポンプ等の使用が考えられる。また、本実施例では圧力媒体としてヘリウム（Ｈｅ）ガスを用いている。圧力媒体供給装置で加圧されたＨｅガスは、供給配管３５に向け圧送される。
【００３４】
また、圧力媒体供給装置と供給配管３５との間にはバルブ３４が配設されている。このバルブ３４は例えば電磁弁として構成されており、監視制御ユニット２５から送信されるバルブ開閉信号により開閉する構成とされている。従って、バルブ３４が監視制御ユニット２５からの信号に基づき開弁することにより、Ｈｅガスは供給配管３５に流入する。
【００３５】
供給配管３５は、一端部が前記のようにバルブ３４に接続されると共に、他端部が前記したゲートバルブ２１のハウジング３０に接続されている。また、供給配管３５がハウジング３０に接続される位置は、弁体３１が開弁位置にある状態において、一対のＯリング３３の間位置となるよう構成されている。
【００３６】
従って、バルブ３４が開弁し高圧のＨｅガスが供給配管３５に流入すると、このＨｅガスは一対のＯリング３３の間位置に供給されることとなる。ハウジング３０と弁体３１との間には微小な隙間が形成されており、この隙間が一対のＯリング３３によりシールされた構成とされているため、供給された高圧のＨｅガスは一対のＯリング３３に印加されることとなる。
【００３７】
一方、供給配管３５には圧力センサ２４が配設されている。この圧力センサ２４は供給配管３５内の圧力を検出する構成とされており、また圧力センサ２４で検出された供給配管内圧力は圧力信号として監視制御ユニット２５に送信される構成とされている。
【００３８】
更に、供給配管３５にはゲート部２８と接続された放出配管３６が接続されており、この放出配管３６の途中には放出制御弁２６が配設されている。放出配管３６は供給配管３５に供給された高圧のＨｅガスを放出する（逃がす）ために設けられており、放出制御弁２６が開弁することにより供給配管３５内のＨｅガスは放出配管３６を通りゲート部２８に放出される。
【００３９】
上記した放出制御弁２６は監視制御ユニット２５に接続されており、監視制御ユニット２５から送信される流量制御信号によりその開弁度が制御される構成とされている。尚、上記構成において、放出配管３６の接続位置はゲート部２８に限定されるものではなく、他の部位（例えばターボポンプ２７の下流側）に配設してもよい。
【００４０】
一方、監視制御ユニット２５はマイクロコンピュータにより構成されており、前記した放出量制御弁２６，シリンダー３２，及びバルブ３４の駆動制御を行なうと共に、圧力センサ２４から供給される圧力信号に基づきＯリング３３にリークが発生しているか否か（即ち、Ｏリング３３に劣化が発生しているか否か）を検出する処理（以下、この処理をリーク検出処理という）を行なう。
【００４１】
以下、本実施例において監視制御ユニット２５が実施するリーク検出処理について説明する。
半導体製造装置２０がリーク検出処理モードとなると、監視制御ユニット２５は、先ずゲートバルブ２１の弁体３１が閉弁状態にある場合にはシリンダー３２を駆動して弁体３１を開弁方向（Ａ１方向）に移動させる。尚、半導体製造装置２０がリーク検出処理モードとなった時点で弁体３１が開弁状態にある場合には、この処理は行なわない。
【００４２】
弁体３１が開弁位置にあることを確認すると、続いて監視制御ユニット２５はバルブ３４を開弁すると共に、放出量制御弁２６を閉弁する。これにより、圧力媒体供給装置から高圧のＨｅガスはバルブ３４を介して供給配管３５に供給され、更に前記したようにハウジング３０と弁体３１との間の隙間を介して一対のＯリング３３に印加される。この際、放出量制御弁２６は閉弁されているため、Ｈｅガスが放出配管３６を通りゲート部２８に放出されることはない。
【００４３】
この弁体３１が開弁された状態において、監視制御ユニット２５は圧力センサ２４から送信される圧力信号に基づき、供給配管３５内の圧力変化を監視する。いま、シール部となるＯリング３３が劣化することによりリークが発生している場合には、高圧のＨｅガス（圧力媒体）はＯリング３３を通過し、このためＯリング３３の上流側に位置する供給配管３５内の圧力は低下する。この供給配管３５内におけるＨｅガスの圧力低下は、圧力センサ２４により検出することができる。
【００４４】
従って、リーク検出手段となる監視制御ユニット２５は圧力センサ２４から送信されてくるＨｅガスの圧力変化に基づき、Ｏリング３３にリークが発生しているか否かを検出することができる。また、この検査は人手を必要としないため、弁装置のリーク検出を自動的にかつ正確に行なうことが可能となる。
【００４５】
また、上記のようにリーク検出処理は弁体３１がハウジング３０内の開弁位置にある状態で行なわれる。この弁体３１が開弁した状態は、チャンバー２３内で半導体基板に対し加工処理を行なう状態と同じである。
更に、ターボポンプ２７及び真空排気装置により構成される真空系は、リーク検出処理には影響を及ぼさないため、稼働させた状態を維持することができる。即ち、本実施例の構成では、チャンバー２３内で半導体基板に対し加工処理を実施しつつ、Ｏリング３３に対するリーク検出処理を実施することができる。
【００４６】
これにより、半導体基板に対する加工処理を停止することなくＯリング３３に対するリーク検出処理を実施できるため、リーク検出処理を日常的に実施することが可能となり、ゲートバルブ２１が配設される半導体製造装置２０の稼働効率を向上させることができる。
【００４７】
続いて、リーク検出処理が終了した後の動作について説明する。いま、リーク検出処理が終了した直後に弁体３１を移動させる必要が生じたとする。リーク検出処理が終了することにより、監視制御ユニット２５から送信されるバルブ開閉信号によりバルブ３４は閉弁するが、リーク検出処理の終了直後では弁体３１にはまだ高圧のＨｅガスが作用している。従って、この状態において弁体３１を移動させると高圧のＨｅガスにより弁体３１が急激に移動し、ゲートバルブ２１を損傷するおそれがある。更に、大量のＨｅガスによりターボポンプ２７を損傷するおそれがある。
【００４８】
しかるに本実施例では、リーク検出処理が終了した後に監視制御ユニット２５は放出量制御弁２６を開弁制御することによりＨｅガスをゲート部２８に排出する。よって、高圧のＨｅガスが急激に弁体３１に印加されることを防止することができ、これによりリーク検出処理の終了直後における弁体３１の移動を円滑に行なうことができる。
【００４９】
また、Ｈｅガスをゲート部２８に排出することにより、チャンバー２３内の圧力が急激に変化するおそれがあるが、監視制御ユニット２５はチャンバー２３内の圧力が急激に変化しないように放出量制御弁２６を開弁制御する処理も行なう。尚、弁体３１に印加されるＨｅガスの圧力が高い間は、監視制御ユニット２５からシリンダー３２に対しゲートバルブ閉弁信号は送信されないようロックされる構成とされており、ゲートバルブ２１やターボポンプ２７の損傷を確実に防止できる構成とされている。
【００５０】
続いて、本発明の第２実施例について説明する。
図２は本発明の第２実施例であるリーク検出装置を適用した半導体製造装置２０Ａを示している。尚、図２において、図１に示した第１実施例に係るリーク検出装置を適用した半導体製造装置２０と同一構成については同一符号を附してその説明を省略する。
【００５１】
前記した第１実施例に係るリーク検出装置を適用した半導体製造装置２０は、チャンバー２３内の真空度を検出するセンサとして真空圧センサ２９を設けると共に、リーク検出処理を行なうのに用いる圧力センサ２４を別個設けた構成としていた。
【００５２】
しかるに、真空圧センサ２９も圧力センサであるため、真空圧センサ２９をリーク検出処理を行なう圧力センサとして用いることも可能である。そこで、本実施例では真空圧センサ２９Ａをリーク検出処理を行なう圧力センサとしても用いる構成としたことを特徴とするものである。このため、真空圧センサ２９Ａが検出する真空圧は、真空圧信号として監視制御ユニット２５に送信される構成となっている。
【００５３】
ここで、リーク検出処理においてＯリング３３に高圧のＨｅガスを印加した際、Ｏリング３３にリークが発生した場合を想定する。Ｏリング３３にリークが発生していると、高圧のＨｅガスはＯリング３３を通過してゲート部２８に供給され、これによりチャンバー２３内の圧力は上昇する現象が発生する。
【００５４】
このチャンバー２３内の圧力上昇は、チャンバー２３に配設された真空圧センサ２９Ａにより検出することができる。従って、監視制御ユニット２５は、真空圧センサ２９Ａから送信される真空圧信号に基づきチャンバー２３内の圧力変化を監視することにより、Ｏリング３３にリークが発生しているか否かを判定することができる。
【００５５】
上記のように、本実施例の構成によれば、通常時（リーク検出処理を行なわない時）においては、真空圧センサ２９Ａを本来的なチャンバー２３内の圧力検出センサとして用いることができ、またリーク検出処理時においては真空圧センサ２９Ａをリーク検出用センサとして用いることができる。このように、真空圧センサ２９Ａに二つのセンサ機能を持たせることにより、半導体製造装置２０Ａの構成を簡単化することができる。
【００５６】
尚、上記した実施例においては、ゲートバルブ２１を半導体製造装置２０，２０Ａのゲート部２８に配設した構成を示したが、半導体基板の搬送通路の途中に配設されるゲートバルブについても本願発明を適用することができる。
また、本実施例では圧力媒体としてＨｅガスを用いたが、圧力媒体はＨｅガスに限定されるものではなく、例えは窒素（Ｎ２  ）  ガス，アルゴン（Ａｒ）ガス等の他の不活性ガスを用いることも可能である。
【００５７】
更に、本実施例ではシール部となるＯリング３３に高圧媒体を印加する構成としたが、逆にＯリング３３に高い負圧を印加し、この負圧の変化を検出することによりリークの検出を行なう構成とすることも可能である。
【００５８】
【発明の効果】
上述の如く本発明によれば、次に述べる種々の効果を実現することができる。請求項１または請求項４記載の発明によれば、リーク検出手段は圧力検出装置が出力する圧力媒体の圧力変化に基づき、シール部にリークが発生しているか否かを検出することができる、またこの検査は人手を必要としないため、弁装置のリーク検出を自動的に行なうことが可能となる。
【００５９】
また、シール部のリーク検出は、弁体がハウジング内の開弁位置にある状態で行なわれるため、弁装置が取り付けられた装置・機器を稼働した状態を維持しつつリーク検出を行なうことができ、従って弁装置のリーク検査を日常的に実施することが可能となり、弁装置が配設される装置・機器の稼働効率を向上させることができる。
【００６０】
また、請求項２記載の発明によれば、リーク検出処理の終了直後に弁体を移動させる必要が生じても、圧力媒体は放出量制御手段によりその放出量が制御されるため、圧力媒体が急激に弁体に印加されることを防止することができ、これによりリーク検出処理の終了直後における弁体の移動を円滑に行なうことが可能となる。
【００６１】
また、請求項３記載の発明によれば、通常時（リーク検出を行なわない時）において圧力検出装置をチャンバー内の圧力検出センサとして用いることができ、またリーク検出時においては圧力検出装置をリーク検出用センサとして用いることができるため、圧力検出装置は二つのセンサ機能を持つこととなり、リーク検出機能を有する半導体製造装置の構成を簡単化することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例である弁装置のリーク検出装置を適用した半導体製造装置を示す概略構成図である。
【図２】本発明の第２実施例である弁装置のリーク検出装置を適用した半導体製造装置を示す概略構成図である。
【図３】従来の弁装置を有した半導体製造装置を示す概略構成図である。
【図４】従来の弁装置のリーク検査を説明するための図である。
【符号の説明】
２０，２０Ａ  半導体製造装置
２１  ゲートバルブ
２２  加圧装置
２３  チャンバー
２４  圧力センサ
２５  監視制御ユニット
２６  放出量制御弁
２７  ターボポンプ
２８  ゲート部
２９，２９Ａ  真空圧センサ
３０  ハウジング
３１  弁体
３２  シリンダー
３３  Ｏリング
３４  バルブ
３５  供給配管
３６  放出配管
【図１】
0003588198.tif 000002
【図２】
0003588198.tif 000003
【図３】
0003588198.tif 000004
【図４】
0003588198.tif 000005