(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ光を発光する半導体レーザ（ＬＤ）と、
半導体レーザ（ＬＤ）に駆動電流を供給する電源回路（３）と、
電源回路（３）に直列に接続され、駆動電流を制御する電流制御素子と、
レーザ光を受光するモニタ用受光素子（ＰＤ）と、
モニタ用受光素子（ＰＤ）と、電流制御素子の間に直列に接続され、モニタ用受光素子（ＰＤ）の受光量が基準値を越えた際に、電流制御素子へ駆動電流をオフ制御する制御信号を出力する帰還制御回路とを備えた半導体レーザの駆動制御装置において、
電源回路（３）に、第１電流制御素子（４）と第２電流制御素子（５）を直列に接続するとともに、
モニタ用受光素子（ＰＤ）と、第１電流制御素子（４）及び第２電流制御素子（５）との間に、それぞれ第１帰還制御回路（６）と第２帰還制御回路（７）を並列に接続し、
モニタ用受光素子（ＰＤ）の受光量を表すモニタ用受光素子（ＰＤ）から出力される受光電流が、第１帰還制御回路（６）と第２帰還制御回路（７）にほぼ等しい電流値で分流されるように、第１帰還制御回路（６）と第２帰還制御回路（７）の回路定数を一致させ、
第１帰還制御回路（６）若しくは第２帰還制御回路（７）のいずれかに流れる受光電流が基準値を越えた際に、基準値を超えた第１帰還制御回路（６）若しくは第２帰還制御回路（７）に接続する第１電流制御素子（４）若しくは第２電流制御素子（５）へオフ制御する制御信号を出力することを特徴とする半導体レーザの駆動制御装置。
【請求項２】
第１帰還制御回路（６）と第２帰還制御回路（７）の少なくとも一方の帰還制御回路は、第１トランジスタ（８）（１１）のベースへ第２トランジスタ（９）（１２）のエミッタを接続し、第１トランジスタ（８）（１１）のエミッタを接地したトランジスタブリッジを有し、
第２トランジスタ（９）（１２）のベースをモニタ用受光素子（ＰＤ）へ接続するととともに、
第１トランジスタ（８）（１１）と第２トランジスタ（９）（１２）の共通するコレクタと電源回路（３）との接続点を、電源回路（３）にコレクタとエミッタを直列に接続したトランジスタのベースへ接続し、
トランジスタブリッジを有する帰還制御回路（６）（７）を、モニタ用受光素子（ＰＤ）と、電流制御素子（４）（５）の間に接続したことを特徴とする請求項１記載の半導体レーザの駆動制御装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、レーザダイオード等の半導体レーザの発光出力を安定化させる半導体レーザの駆動制御装置に関し、更に詳しくは、駆動制御回路の一部が故障しても、人体に危険なレーザ光を発光させることがない半導体レーザの駆動制御装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体レーザの駆動制御装置は、半導体レーザの近傍にレーザ光の光量を監視するモニタ用受光素子が備えられ、半導体レーザの駆動電流を制御する電流制御素子に接続する帰還回路で、モニタ用受光素子で検知される光量に応じて半導体レーザの駆動電流を制御し、発光出力を安定化させ、過大な出力が発生しないようにしている。
【０００３】
図２は、この従来用いられている半導体レーザの駆動制御装置１００の一例であり、以下、この駆動制御装置１００について説明する。
【０００４】
図中ＬＤは、半導体レーザであるレーザダイオードであり、＋３Ｖの正極と接地電位の負極間の定電圧電源回路１０１に流れる駆動電流に比例する光量で、レーザ光を発光する。
【０００５】
レーザダイオードＬＤを駆動する駆動電流は、レーザダイオードＬＤのカソード側で電源回路１０１に直列に接続された電流制御素子１０２により制御される。電流制御素子１０２は、コレクタをレーザダイオードＬＤのカソード側に、エミッタを抵抗Ｒ１０１を介して負極側に接続させたＮＰＮトランジスタで構成され、ベースは、後述するＰＮＰトランジスタ１０３のコレクタ側の接続点Ｊ１０１に接続している。
【０００６】
レーザダイオードＬＤの近傍には、レーザ光を受光するモニタ用受光素子となるフォトダイオードＰＤが配置され、フォトダイオードＰＤは、カソードを電源回路１０１の正極に、アノードを、抵抗Ｒ１０２と可変抵抗Ｒ１０３を介して負極に接続させ、レーザダイオードＬＤと並列に電源回路１０１接続されている。
【０００７】
フォトダイオードＰＤのアノードと抵抗Ｒ１０２の接続点Ｊ１０２は、更に、ＰＮＰトランジスタ１０３のベースに接続し、フォトダイオードＰＤの動作でスイッチング素子となるＰＮＰトランジスタ１０３をスイッチング制御している。ＰＮＰトランジスタ１０３のエミッタは、抵抗Ｒ１０４を介して電源回路１０１の正極に接続し、コレクタは、Ｒ−Ｃ並列回路１０４を介して負極側に接続している。
【０００８】
電源回路１０１の正極に接続することによりプルアップされたエミッタの電位は、ＰＮＰトランジスタ１０３と並列に、エミッタと負極間に接続されたツェナーダイオードＺＤによって、＋２．２Ｖの電位に保たれている。
【０００９】
ＰＮＰトランジスタ１０３は、帰還制御回路を構成するもので、コレクタとＲ−Ｃ並列回路１０４との接続点Ｊ１０１を、ＮＰＮトランジスタ１０２のベースへ接続させて、レーザダイオードＬＤの動作を制御するようにしている。
【００１０】
このように構成された半導体レーザの駆動制御装置１００は、レーザダイオードＬＤが消灯若しくは低い駆動電流で点灯している間は、レーザ光が発光されず、若しくは少ない光量で発光しているので、逆方向に電圧が加わっているフォトダイオードＰＤには、電流は僅かに流れるだけで、ＰＮＰトランジスタ１０３のベース電位は、ローレベルとなる。
【００１１】
その結果、ＰＮＰトランジスタ１０３のエミッタ、ベース間の電位差は、動作電位に達してオンとなり、Ｒ−Ｃ並列回路１０４に電流が流れ、ＲＣの時定数で定まる所定時間後に、ＮＰＮトランジスタ１０２のベースは、ＮＰＮトランジスタ１０２の動作電位に達し、レーザダイオードＬＤに駆動電流が流れる。
【００１２】
レーザダイオードＬＤの駆動電流が増加し、レーザ光の発光出力が増大すると、フォトダイオードＰＤに、レーザ光を受光することによる光起電力が発生じ、電源回路１０１の印加方向に電流が流れることにより、ＰＮＰトランジスタ１０３のベース電位は、ハイレベルとなる。
【００１３】
その結果、ＰＮＰトランジスタ１０３は、オフとなり、ＮＰＮトランジスタ１０２のベースに流れる電流も遮断され、レーザダイオードＬＤに流れる駆動電流も停止し、消灯する。
【００１４】
このように、レーザ光の出力が増大すれば、フォトダイオードＰＤが動作し、帰還制御回路１０３によりレーザダイオードＬＤへの駆動電流が停止し、レーザ光の出力が減少すると、逆にレーザダイオードＬＤへの駆動電流が増加し、安定したレーザダイオードＬＤの駆動制御が行われる。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
この従来の半導体レーザの駆動制御装置１００では、帰還制御回路を構成するＰＮＰトランジスタ１０３と、電流制御素子であるＮＰＮトランジスタ１０２により、上述のように、レーザ光の光量に応じた安定した制御が得られるが、異常動作に対する対処は、充分なものではなかった。
【００１６】
例えば、これらを構成する回路素子、ＮＰＮトランジスタ１０２のコレクタ、エミッタ間や、ＰＮＰトランジスタ１０３のコレクタ、エミッタ間がショートすると、レーザダイオードＬＤへの駆動電流が増加し続け、レーザ光の発光出力が増大し、事故を発生させる恐れがあった。
【００１７】
特に、リモコン送信機などに備えられるレーザポインタは、レーザ光を遠隔位置まで拡散させずに照射させることができることから、会議場などの大画面において特定の表示位置を発表者が指示するために用いられているが、その発光出力が制御素子の故障で増大すると、人体に危害を加えることとなるため、その安全性が、規格上厳しく要求されている。
【００１８】
本発明はこのような問題点に鑑みてなされたもので、回路素子の一部分が破損しても、安定してレーザ光の発光出力を制御できる半導体レーザの駆動制御装置を提供することにある。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
請求項１の半導体レーザの駆動制御装置は、レーザ光を発光する半導体レーザと、半導体レーザに駆動電流を供給する電源回路と、電源回路に直列に接続され、駆動電流を制御する電流制御素子と、レーザ光を受光するモニタ用受光素子と、モニタ用受光素子と、電流制御素子の間に直列に接続され、モニタ用受光素子の受光量が基準値を越えた際に、電流制御素子へ駆動電流をオフ制御する制御信号を出力する帰還制御回路とを備えた半導体レーザの駆動制御装置において、
電源回路に、第１電流制御素子と第２電流制御素子を直列に接続するとともに、モニタ用受光素子と、第１電流制御素子及び第２電流制御素子との間に、それぞれ第１帰還制御回路と第２帰還制御回路を並列に接続し、モニタ用受光素子の受光量を表すモニタ用受光素子から出力される受光電流が、第１帰還制御回路と第２帰還制御回路にほぼ等しい電流値で分流されるように、第１帰還制御回路と第２帰還制御回路の回路定数を一致させ、第１帰還制御回路若しくは第２帰還制御回路のいずれかに流れる受光電流が基準値を越えた際に、基準値を超えた第１帰還制御回路若しくは第２帰還制御回路に接続する第１電流制御素子（４）若しくは第２電流制御素子へオフ制御する制御信号を出力することを特徴とする半導体レーザの駆動制御装置。
【００２０】
モニター用受光素子の受光量が基準値を超えない場合には、第１、第２電流制御素子のいずれにも、駆動電流をオフ制御する制御信号は流れないので、半導体レーザは、駆動電流を受けてレーザ光を発光する。
【００２１】
モニター用受光素子の受光量が基準値を超えると、第１、第２帰還制御回路は、それぞれ駆動電流をオフ制御する制御信号を出力するので、駆動電流は、第１、第２電流制御素子で遮断され、半導体レーザは、発光を停止する。
【００２２】
第１、第２帰還制御回路を構成するいずれかの回路素子に故障があっても、他方の帰還制御回路に接続する電流制御素子で、駆動電流をオフ制御するので、半導体レーザの発光出力が増大しない。
【００２３】
また、モニタ用受光素子から出力される受光量に比例した電流が、いずれかの回路素子が短絡し、第１、第２帰還制御回路の一方に集中して流れると、受光量が基準値を超えなくても、オフ制御する制御信号が電流制御素子に出力され、半導体レーザの発光が停止する。半導体レーザは、通常の動作状態であっても、レーザ光が出力されないことにより、いずれかの素子の故障を発見できる。
【００２４】
逆に、モニタ用受光素子から出力される受光量に比例した電流が、第１、第２帰還制御回路を構成するいずれかの回路素子の故障により遮断されると、他方の帰還制御回路に集中して流れ、他方の帰還制御回路に接続する電流制御素子に、オフ制御する制御信号が出力される。その結果、受光量が基準値を超えない通常の動作状態であっても、半導体レーザからレーザ光が出力されないこととなり、いずれかの回路素子の故障を発見できる。
【００２５】
請求項２の半導体レーザの駆動制御装置は、第１帰還制御回路と第２帰還制御回路の少なくとも一方の帰還制御回路は、第１トランジスタのベースへ第２トランジスタのエミッタを接続し、第１トランジスタのエミッタを接地したトランジスタブリッジを有し、第２トランジスタのベースをモニタ用受光素子へ接続するととともに、第１トランジスタと第２トランジスタの共通するコレクタと電源回路との接続点を、電源回路にコレクタとエミッタを直列に接続したトランジスタのベースへ接続し、トランジスタブリッジを有する帰還制御回路を、モニタ用受光素子と、電流制御素子の間に接続したことを特徴とする。
【００２６】
トランジスタブリッジを構成する一方のトランジスタの端子間に短絡、開放等の故障があっても、他方のトランジスタの電流増幅、スイッチング機能が保たれるので、トランジスタブリッジ全体の帰還制御機能は、損なわれにくい。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施の形態について、図１を参照して詳細に説明する。図１は、本発明の一実施の形態に係る半導体レーザの駆動制御装置１の回路図である。
【００２８】
尚、この図１では、便宜上、遅延回路、調整用抵抗など、本実施の形態に係る説明と直接関係しない回路、回路素子について表示を省略している。
【００２９】
図に示すように、半導体レーザであるレーザダイオードＬＤと、モニタ用受光素子となるフォトダイオードＰＤは、レーザダイオードＬＤから発光されるレーザ光の一部をフォトダイオードＰＤが受光して監視できるように、適宜間隔をおいてワンチップ化されたパッケージ２内に収容されている。
【００３０】
レーザダイオードＬＤは、アノードを定電圧電源回路３の＋３Ｖの正極３ａに、カソードを、第１電流制御素子４と第２電流制御素子５を介して、定電圧電源回路３の接地電位である負極３ｂに接続し、定電圧電源回路３を駆動電源とし、第１電流制御素子４と第２電流制御素子５に流れる駆動電流にほぼ比例する光量でレーザ光を発光する。
【００３１】
従って、レーザダイオードＬＤの発光出力は、第１電流制御素子４と第２電流制御素子５によって制御されるものであり、ここでは、第１電流制御素子４と第２電流制御素子５を、コレクタを、正極３ａ側（レーザダイオードＬＤ側）に、エミッタを、負極３ｂ側として、それぞれ定電圧電源回路３に直列に接続した一対のＮＰＮトランジスタで構成している。
【００３２】
フォトダイオードＰＤは、カソードを電源回路３の正極３ａに、アノードを、抵抗Ｒ１を介して負極３ｂに接続し、フォトダイオードＰＤへ逆方向電圧をかけ、レーザダイオードＬＤと並列に電源回路３に接続している。
【００３３】
フォトダイオードＰＤは、レーザダイオードＬＤから発光されるレーザ光を受光して光電変換し、レーザ光の発光量を表す受光電流をアノードから出力するもので、受光電流で、上述の第１電流制御素子４と第２電流制御素子５を帰還制御している。
【００３４】
この為、フォトダイオードＰＤのアノード側で、抵抗Ｒ１との接続点Ｊ１には、帰還制御回路が接続されるが、本実施の形態では、それぞれ他端が第１電流制御素子４と第２電流制御素子５に接続する第１帰還制御回路６と第２帰還制御回路７とが、並列に接続されている。
【００３５】
第１帰還制御回路６は、一対のＮＰＮトランジスタ８、９をダーリントン接続したトランジスタブリッジ１０を有している。すなわち、一対のＮＰＮトランジスタ８、９のコレクタ間を接続するとともに、一方のＮＰＮトランジスタ８のエミッタを、他方のＮＰＮトランジスタ９のベースへ接続している。
【００３６】
一方のＮＰＮトランジスタ８のベースは、調整抵抗Ｒ２を介してフォトダイオードＰＤのアノード側の接続点Ｊ１に接続し、受光電流を入力するようにしている。また、他方のＮＰＮトランジスタ９のエミッタは、電源回路３の負極３ｂに接続し、接地されている。
【００３７】
一方、トランジスタブリッジ１０の共通するコレクタは、プルアップ抵抗Ｒ３を介して電源回路３の正極３ａに接続され、一定電位に保たれ、このコレクタとプルアップ抵抗Ｒ３との接続点Ｊ２は、更に、帰還抵抗Ｒ４を介して、第１電流制御素子であるＮＰＮトランジスタ４のベースに接続している。
【００３８】
第２帰還制御回路７は、第１帰還制御回路６の各構成とほぼ同一に構成されているもので、調整抵抗Ｒ５と、一対のＮＰＮトランジスタ１１、１２をダーリントン接続したトランジスタブリッジ１３と、プルアップ抵抗Ｒ６及び帰還抵抗Ｒ７とで構成されている。
【００３９】
これらの回路素子は、順に第１帰還制御回路６を構成する調整抵抗Ｒ２、トランジスタブリッジ１０を構成するＮＰＮトランジスタ８、９、プルアップ抵抗Ｒ３及び帰還抵抗Ｒ４に対応し、第１帰還制御回路６と同一の接続関係で、相互に接続されている。
【００４０】
第２帰還制御回路７では、帰還抵抗Ｒ７が、トランジスタブリッジ１３の共通するコレクタとプルアップ抵抗Ｒ６との接続点Ｊ３と、第２電流制御素子であるＮＰＮトランジスタ５のベースとの間に接続されている点でのみ相違している。
【００４１】
第１帰還制御回路６と第２帰還制御回路７で、対応するこれらの回路素子は、同一若しくはほぼ等しい回路定数を有することが好ましく、これにより、正常な動作状態において、接続点Ｊ１から第１帰還制御回路６と第２帰還制御回路７に流れる受光電流は、それぞれほぼ等しい値となる。
【００４２】
このように構成された半導体レーザの駆動制御装置１が正常に動作している状態では、レーザダイオードＬＤが消灯若しくは低い駆動電流で点灯している間は、レーザ光が発光されず、若しくは少ない光量で発光しているので、逆方向に電圧が加わっているフォトダイオードＰＤには、僅かな受光電流が流れるだけで、調整抵抗Ｒ２、Ｒ５を介して接続するＮＰＮトランジスタ８、１１のベース電位は、動作電位以下となる。
【００４３】
その結果、トランジスタブリッジ１０、１３には、いずれも電流が流れず、接続点Ｊ２、Ｊ３の電位は、電源回路３の正極３ａの電位に近く、それぞれのＮＰＮトランジスタ４、５のベース電位が動作電位に達し、帰還抵抗Ｒ４、Ｒ７に流れる電流に比例した駆動電流がレーザダイオードＬＤに流れる。
【００４４】
レーザダイオードＬＤの駆動電流が増加し、レーザ光の発光出力が増大すると、フォトダイオードＰＤに、レーザ光を受光することによる光起電力が発生し、接続点Ｊ１の電位が引き上げられる。これにより、ＮＰＮトランジスタ８、１１のベース電位が動作電位に達し、フォトダイオードＰＤに流れる受光電流の一部は、調整抵抗Ｒ２、Ｒ５を通り、トランジスタブリッジ１０、１３のエミッタから負極３ｂに流れる。
【００４５】
上述のように、第１帰還制御回路６と第２帰還制御回路７の対応する各回路素子の回路定数は、ほぼ等しい値となっているので、ＮＰＮトランジスタ８、１１のベースには、それぞれほぼ等しい大きさの受光電流が流れる。
【００４６】
トランジスタブリッジ１０、１３は、２個のＮＰＮトランジスタをダーリントン接続してなるものなので、電流増幅率は、各トランジスタの電流増幅率の積となり、調整抵抗Ｒ２、Ｒ５からベースに流れる受光電流は、大きく増幅されて共通するコレクタに流れる電流として表れる。
【００４７】
一方、上記ベースに流れる受光電流の値は、レーザ光の発光出力を表しているので、トランジスタブリッジ１０、１３の共通するコレクタに流れる電流は、発光出力の変化を大きく拡大して表すものとなる。
【００４８】
レーザ光の発光により、増加するコレクタ電流は、プルアップ抵抗Ｒ３、Ｒ６に流れるので、正極３ａ近くの電位にあった接続点Ｊ２、Ｊ３の電位は、引き下げられ、ＮＰＮトランジスタ４、５のベース電位は、動作電位以下となり、ベースに流れる電流が停止する。これにより、レーザダイオードＬＤに流れる駆動電流は、ＮＰＮトランジスタ４、５の２カ所の位置で遮断され、レーザダイオードＬＤは、消灯制御される。
【００４９】
このようにして、各回路素子が正常に動作する上記状態では、レーザダイオードＬＤの発光出力は、一定の範囲内で安定して制御されるが、以下、回路素子の一部が故障した場合について、説明する。
【００５０】
始めに、第１帰還制御回路６若しくは第２帰還制御回路７を構成する回路素子が故障し、特定箇所のショート若しくは絶縁すると、いずれかの帰還制御回路６、７に多大な電流が流れたり、流れるべき状態で遮断される。
【００５１】
例えば、ＮＰＮトランジスタ９のコレクタ、エミッタ間等が短絡したり、ＮＰＮトランジスタ８のコレクタ、エミッタ間（ＮＰＮトランジスタ９のベース、コレクタ間）が短絡すると、トランジスタブリッジ１０に多大な受光電流が流れることとなる。
【００５２】
特定箇所のショートにより、帰還制御回路６、７の一方（特に接続点Ｊ２、Ｊ３）に多大な電流が流れる場合には、消灯の制御を設定した基準値に受光電流の値が達する前に、その帰還制御回路に接続する電流制御素子が、駆動電流を遮断する。従って、レーザ光の発光出力が異常に増大することを防止できるとともに、低い発光出力で消灯してしまうことで、回路素子のショートを発見できる。
【００５３】
逆に、例えば、帰還抵抗Ｒ２とＮＰＮトランジスタ８のベース間等、帰還制御回路の一部が開放し、常時絶縁状態となると、絶縁された帰還制御回路６、７の一方には、受光電流が流れないが、他方の帰還制御回路に集中して流れ、消灯の制御を設定した基準値に受光電流の値が達する前に、他方の帰還制御回路に接続する電流制御素子が、駆動電流を遮断する。従って、この場合にも、レーザ光の発光出力が異常に増大することを防止できるとともに、低い発光出力で消灯してしまうことで、回路素子の絶縁を発見できる。
【００５４】
これに加えて、第１、第２帰還制御回路６、７に、それぞれ２個のトランジスタをダーリントン接続したトランジスタブリッジ１０、１３を用いているので、トランジスタブリッジを構成する一方のトランジスタの端子間に短絡、開放等の故障があっても、他方のトランジスタの電流増幅、スイッチング機能が保たれるので、レーザ光の異常発光出力を制御できる。
【００５５】
例えば、一方のＮＰＮトランジスタ８のベース、エミッタ間やベース、コレクタ間が故障し短絡すると、ＮＰＮトランジスタ８は、電流増幅機能を失うが、他方のＮＰＮトランジスタ９の電流増幅機能は保たれるので、受光電流が増加した場合に、Ｊ２の電位を低下させて、電流制御素子４をオフ制御し、発光出力の上昇を停止させることができる。
【００５６】
本実施の形態では、フォトダイオードＰＤに流れる受光電流は、抵抗Ｒ１で分流され、更に、第１帰還制御回路６と第２帰還制御回路７に分流されるので、その値の変化は小さいが、２個のトランジスタをダーリントン接続して増幅するので、その変化を大きく増幅して電流制御素子へ帰還させることができ、レーザダイオードＬＤの発光出力に対してきめ細かく応動制御できる。
【００５７】
以上の実施の形態では、第１、第２帰還制御回路６、７にダーリントン接続した２個のトランジスタからなるトランジスタブリッジを用いているが、受光電流の値により、電流制御素子を阻止できる回路であれば、必ずしもトランジスタブリッジを用いる必要はない。
【００５８】
また、トランジスタブリッジを構成する２個のトランジスタは、逆極性の回路に接続する２個のＰＮＰトランジスタであってもよい。
【００５９】
また、電流制御素子は、半導体レーザの駆動電流をオン、オフ制御できるものであれば、他のスイッチング素子で構成してもよい。
【００６０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、モニタ用受光素子の出力に、２つの帰還制御回路を並列に接続し、いずれかが故障しても、他方の帰還制御回路に接続する電流制御素子で、半導体レーザの駆動電流を停止させることができるので、レーザ光の発光出力を安定して制御できる。
【００６１】
また、設定した基準値に達する前に半導体レーザの駆動が停止することにより、いずれかの回路素子の故障を発見できる。
【００６２】
これに加えて、請求項２の発明では、トランジスタブリッジを構成するいずれかのトランジスタが故障しても、他方のトランジスタの電流増幅、スイッチング機能は、損なわれない場合があるので、更に、確実にレーザ光の発光出力を確実に制御できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態に係る半導体レーザＬＤの駆動制御装置１の回路図である。
【図２】従来の半導体レーザＬＤの駆動制御装置１００の回路図である。
【符号の説明】
３                      電源回路
４          第１電流制御素子（ＮＰＮトランジスタ）
５          第２電流制御素子（ＮＰＮトランジスタ）
６          第１帰還制御回路
７          第２帰還制御回路
８、１１    第１トランジスタ（ＮＰＮトランジスタ）
９、１２    第２トランジスタ（ＮＰＮトランジスタ）
ＬＤ        半導体レーザ（レーザダイオード）
ＰＤ        モニタ用受光素子（フォトダイオード）
【図１】
0003595532.tif 000002
【図２】
0003595532.tif 000003