(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
移載ヘッドのノズルに吸着された電子部品の辺から延出するリードにレーザセンサからレーザ光を照射してリードの形状の良否を検査するリード検査方法であって、
電子部品を吸着した移載ヘッドをレーザセンサに対してＸＹ方向に移動させながら、電子部品の各辺から延出する各リードの下面にレーザセンサからレーザ光を照射し、その反射光を受光して各リードの下面の高さを検出し、次に検出した各リードの下面の高さから各辺における隣りあうリードの下面の高さについてリード高差を求め、このリード高差をしきい値と比較して形状の良否を判定することを特徴とするリード検査方法。
【請求項２】
前記判定は、リード高差がしきい値以下であるときに良とすることを特徴とする請求項１記載のリード検査方法。
【請求項３】
前記判定は、リード高差がしきい値未満であるときに良とすることを特徴とする請求項１記載のリード検査方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、電子部品から延出するリードの形状の良否を検査するリード検査方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ＱＦＰ，ＳＯＰなどの電子部品の各辺から複数のリードが延出し、電子部品を基板に実装するに先立ち、これらのリードの形状の検査が行われる。
【０００３】
ここで従来のリード検査方法では、電子部品のリードを代表する３本のリードの高さを求め、この３点が存在する仮想平面を求め、この仮想平面に対する各リードの浮きを算出し、この浮きと所定の許容値とを比較し、許容値を越える浮きが存在したならば不良、存在しなければ良としていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら従来のリード検査方法では、仮想平面に対して各リードの浮き（距離）を求めるものであり、計算が複雑で処理時間が長いという問題点があった。ここでリード検査方法は、電子部品の実装工程の途中で行われるものであり、処理時間が長いと、実装工程全体のタクトタイムが伸びてしまい、一定時間内に基板に実装できる電子部品の個数が減るという問題点があった。
【０００５】
そこで本発明は、シンプルな計算によりリード形状の良否を判定できるリード検査方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明のリード検査方法は、電子部品を吸着した移載ヘッドをレーザセンサに対してＸＹ方向に移動させながら、電子部品の各辺から延出する各リードの下面にレーザセンサからレーザ光を照射し、その反射光を受光して各リードの下面の高さを検出し、次に検出した各リードの下面の高さから各辺における隣りあうリードの下面の高さについてリード高差を求め、このリード高差をしきい値と比較して形状の良否を判定する。
【０００７】
【作用】
上記構成により、リード高の引き算を行うことのみにより、良否判定を行うことができ、簡単な計算により迅速な検査が行える。
【０００８】
【実施例】
次に図面を参照しながら、本発明の実施例を説明する。図１は本発明の一実施例におけるリード検査方法を実施するための検査装置のブロック図である。図１中、１は図３、図４のフローチャートに沿った制御プログラムを記憶しているＲＯＭ（リードオンリーメモリ）、２は他の要素を制御するＣＰＵ（中央処理装置）、３は図５（本発明の一実施例におけるデータ構成図）に示した記憶領域が設けられているＲＡＭ（ランダムアクセスメモリ）、４は検査結果を作業者に表示するためのＣＲＴ（カソードレイチューブ）、５はＣＰＵ２に接続されるインターフェイス、６は各種アクチュエータを備えメカニカルな電子部品搬送部７により移動する移載ヘッド８のＸＹ方向の位置を検出するＸＹ位置検出部、８ａは電子部品９を吸着する移載ヘッド８のノズル、１０は電子部品９から延出するリードである。なお本実施例では、電子部品９としてＱＦＰを取扱うものであるから、リード１０は電子部品９の４辺全部から延出している。また１１はリード１０にレーザ光Ｌを照射し、その反射光を受光してリード１０の高さＺを検出するレーザセンサ、１２はレーザセンサ１１の出力をディジタル変換してインターフェイス５に出力するＡ／Ｄ変換器である。本実施例の検査装置は上記のような構成よりなりその動作を説明すると、レーザセンサ１１は定位置においてレーザ光Ｌを照射し、電子部品搬送部７は移載ヘッド８（即ちリード１０）をレーザセンサ１１に対する一定高さのＸＹ平面内において、ＸＹ方向に移動させる。その結果、各辺のリード１０のＸＹＺ座標がＲＡＭ３内に格納される。
【０００９】
図２は本発明の一実施例における電子部品とレーザセンサの拡大斜視図である。さて以下レーザ光Ｌを照射する軌跡は、図２にあらわれている第１辺（幅Ｗ１）、第２辺（幅Ｗ２）、第１辺に対向する第３辺（幅Ｗ１）、第２辺に対向する第４辺（幅Ｗ２）からなる長方形（水平面内）とし、第３辺と第４辺とが交わる点を原点０、原点０から第４辺と平行にＹ軸、原点０から第３辺と平行にＸ軸、原点０から垂直上方にＺ軸をとるものとする。なお幅Ｗ１，Ｗ２は既知データである。
【００１０】
次に図３を参照しながら、本実施例の検査装置における処理の概要を説明する。図３は本発明の一実施例における検査装置の動作フローチャートである。まずステップ１にて第１辺〜第４辺の各辺に存在するリードの下面（基板に着地する面）のＸＹＺ座標の計測データを取得し、図５に示すような構成でＲＡＭ３に格納する。次にＣＰＵ２は、後に詳述するリード浮き検出処理を行い（ステップ２）、不良がなければ、作業（電子部品９の移載工程）を行い（ステップ４）、不良があれば、ノズル８ａに吸着した電子部品９を廃棄する（ステップ５）。以上の処理を終了するまでくり返す（ステップ６）。
【００１１】
図６は本発明の一実施例におけるリードの拡大図、図４は本発明の一実施例におけるリード検査方法を示すフローチャートである。図６において、Ｘｉ−３〜Ｘｉ＋２は各リード１０のＸ座標、Ｚｉ−３〜Ｚｉ＋２は同Ｚ座標である。なお図６に示すリード１０は、第１辺又は第３辺のものであり、第１辺ではＹ座標は全てＷ２、第２辺では全て０である。なお、第２辺、第４辺では、上記したところにおいて、Ｘ→Ｙ，Ｗ２→Ｗ１とした関係にある。またこれらのＸＹＺ座標は、ステップ１において既に得られている。
【００１２】
次に図４に沿って、本発明の一実施例におけるリード検査方法の各過程を説明する。まず、ステップ１０において第１辺〜第４辺の辺数を示す辺数カウンタｊに１を代入する。なお辺数カウンタｊ＝１ならば第１辺を取扱うことを意味する。次にステップ１１にて第１辺において隣りあうリード１０の下面の高さについてリード高差Ｋを算出する（ステップ１１）。図６に示すように、リード高差Ｋｉ＝｜Ｚｉ−Ｚｉ＋１｜の引き算により簡単に求めることができる。そしてリード高差Ｋｉと予め設定されたしきい値とを比較する。この比較は、リード高差Ｋｉがしきい値以下であれば適、そうでなければ不適としてもよいし、リード高差Ｋｉがしきい値未満であれば適、そうでなければ不適としてもよい。いずれにしても、引き算により得たリード高差Ｋｉとしきい値を比較するだけで良否を判定するものであるので、迅速に判定を行うことができ、電子部品実装工程のタクトタイムを短縮することができる。
【００１３】
さてステップ１２の判定において不適が１つでもあれば、不良判定を行い（ステップ１７）、結果をＣＲＴ４に表示する（ステップ１６）。一方、第１辺について不適が全くなければ、辺数カウンタｊをインクリメントしながら（ステップ１４）、第４辺まで上記処理をくり返す。そして第４辺まで不適がなければ、ＣＰＵ２は良と判定し（ステップ１５）その旨ＣＲＴ４（ステップ１６）に表示する。
【００１４】
【発明の効果】
本発明のリード検査方法は、隣りあうリード高差を求め、このリード高差をしきい値と比較して形状の良否を判定するので、簡単な演算により迅速にリード形状の検査を行うことができ、電子部品実装工程のタクトタイムを短縮できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例におけるリード検査方法を実施するための検査装置のブロック図
【図２】本発明の一実施例における電子部品とレーザセンサの拡大斜視図
【図３】本発明の一実施例における検査装置の動作フローチャート
【図４】本発明の一実施例におけるリード検査方法を示すフローチャート
【図５】本発明の一実施例におけるデータ構成図
【図６】本発明の一実施例におけるリードの拡大図
【符号の説明】
９  電子部品
１０  リード
Ｋ  リード高差
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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