(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
フッ素系洗浄用流体を用いて洗浄されＬＰ−ＣＶＤ半導体製造装置のガス導入管である半導体製造装置用部材において、この部材をかさ密度が３．９８ｇ／ｃｍ3 以上で、かつ平均結晶粒径が５μｍ〜３０μｍである多結晶アルミナセラミックスで形成し、さらに、水素雰囲気で焼成され、かつアルミナ純度が９９．９重量％以上、不純物としてＳｉが１００ｐｐｍ以下、Ｎａ、Ｃａ、Ｋが各々５０ｐｐｍ以下であることを特徴とする半導体製造装置用部材。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体製造装置用部材に係わり、特に多結晶アルミナセラミックスを用いた半導体製造装置用部材に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体製造装置用部材、例えばＬＰ−ＣＶＤ装置内に原料ガスやキャリアガスを導入するためのガス導入管には一般に石英ガラスが用いられていた。ＬＰ−ＣＶＤ装置を用いてウェーハの表面に保護膜としてホウ酸−リンケイ酸ガラス膜（ＢＰＳＧ膜）やリンケイ酸ガラス質（ＰＳＧ膜）を形成する場合、原料ガス等を導入するガス導入管にもＢＰＳＧ膜が堆積するため、ＢＰＳＧ成膜工程終了後にガス導入管をフッ酸溶液で洗浄し、堆積したＢＰＳＧ膜を除去している。
【０００３】
この洗浄工程で石英ガラス製のガス導入管はフッ酸溶液により浸食されてガス導入孔が大きくなり、導入ガス量が変化しプロセスが安定しないため、一度使用されたガス導入管は廃棄されており、不経済であった。
【０００４】
また、ウェーハの表面にポリシリコン膜を形成する場合、ガス導入管はじめ半導体製造装置用部材にポリシリコン膜が堆積するため、成膜工程終了後に半導体製造装置用部材をＣｌＦ３  ガスでガスクリーニングし、堆積したポリシリコン膜を除去していた。
【０００５】
このガスクリーニング工程において、ＣｌＦ３  ガスをガス導入管はじめ半導体製造装置用部材に流し込むが、これら各部材はＣｌＦ３  ガスにより浸食される。従って、ガス導入管にあっては、導入ガス量に変化をもたらす不都合をきたし、ガス導入管を含む半導体製造装置用部材にあっては、これら各部材自体が肉薄になるため、各部材を構成する石英ガラスの熱膨脹率と例えばポリシリコン膜の生成時に各部材に堆積したＳｉの熱膨脹率の差により、以降の成膜工程において、これら部材が破損することがしばしばあった。
【０００６】
この破損対策として、ガス導入管はじめ半導体製造装置用部材にアルミナセラミックスを用いることが試みられてきた。
【０００７】
しかし、汎用のアルミナセラミックスは常圧酸化雰囲気で焼成されるため、残留気泡が存在し、真密度に達しない。この理由は、大気での焼成において焼成体の粒子間の気泡を構成しているものは窒素、二酸化炭素であるため、気泡の移動速度、すなわち拡散速度が低く、また焼結後にも残留するためである。
【０００８】
セラミックスの気孔は移動が遅すぎて、逆に移動した粒界に集まる。このため気孔が大きくなりすぎて気孔移動の駆動力となる表面張力が働かなくなり、気孔は完全に除去できない。
【０００９】
上述の従来の常圧酸化雰囲気で焼成したアルミナセラミックスの密度は、最高で３．９６ｇ／ｃｍ３  であり、理論密度の９９．０％〜９９．２％である。このアルミナセラミックス製品は結晶粒子間に気孔が残っており、吸水性を持つため、洗浄時に吸着した洗浄水をプロセスに持ち込みやすく、真密度により近いアルミナセラミックスが求められている。
【００１０】
このように、従来のアルミナセラミックスは純度的にも、清浄度的にも問題があり、上述成膜工程において、アルミナ製ガス導入管から飛散する不純物元素による装置および製品汚染が避けられなかった。
【００１１】
つまり、フッ素系ガスまたはフッ酸溶液を用いて洗浄しても浸食されず、製品形状が自由でありガス放出による製品、装置汚染のない半導体製造装置用部材が要望されていた。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上述した事情を考慮してなされたもので、フッ素系ガスまたはフッ酸溶液を用いて洗浄しても浸食されず、製品形状が自由でガス放出による製品、装置汚染のない半導体製造装置用部材を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するためになされた本願請求項１の発明は、フッ素系洗浄用流体を用いて洗浄されＬＰ−ＣＶＤ半導体製造装置のガス導入管である半導体製造装置用部材において、この部材をかさ密度が３．９８ｇ／ｃｍ３以上で、かつ平均結晶粒径が５μｍ〜３０μｍである多結晶アルミナセラミックスで形成し、さらに、水素雰囲気で焼成され、かつアルミナ純度が９９．９重量％以上、不純物としてＳｉが１００ｐｐｍ以下、Ｎａ、Ｃａ、Ｋが各々５０ｐｐｍ以下であることを特徴とする半導体製造装置用部材であることを要旨としている。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係わる半導体製造装置用部材の実施の形態について説明する。
【００１７】
図１に示される半導体製造装置は、例えばＬＰ−ＣＶＤ半導体製造装置１で、このＬＰ−ＣＶＤ半導体製造装置１は石英ガラス製の反応外管２と内側の反応管３の二重構造で構成される装置本体４を有し、この装置本体４はステンレス製のマニホールド５に固定されている。
【００１８】
このマニホールド５には、原料ガス導入用のガス導入管６および排気管７が設けられている。装置本体４の外部には、排気管７に連通するガス排気用の真空ポンプ８と、装置本体４を外部から加熱する抵抗加熱ヒータ９が配設されている。
【００１９】
マニホールド５の下部開口部に対接するように配設されたキャッピングフランジ１０上には、ウェーハボート回転機構１１に取り付けられた保温筒１２が設けられ、さらにこの保温筒１２にはボート１３が固定され、このボート１３には上部に数枚のダミーウェーハ１４と多数のウェーハ１５が載置されている。
【００２０】
上述反応管３、ガス導入管６、ボート１３およびダミーウェーハ１４は本発明に係わる半導体製造装置用部材であり、高純度多結晶アルミナセラミックス製である。
【００２１】
次に、半導体製造装置用部材に用いられる高純度多結晶アルミナセラミックスの製造方法について説明する。
【００２２】
高純度多結晶アルミナセラミックスの原料としては高純度アルミナが用いられ、硫酸アルミニウムや硝酸アルミニウムの液体から再結晶させて得られたγアルミナを焙焼によりα化し、平均粒子径が１μｍ以下に粉砕された粉末原料を用いる。
【００２３】
上述した原料の製法のほかに水酸化アルミニウムから生成する製法もある。
【００２４】
高純度アルミナセラミックスを製造する際は、アルミナ粉末原料にＭｇＯを結晶粒子成長抑制剤として添加する。ＭｇＯ添加量は通常の高純度アルミナセラミックスと同様に、ＭｇＯ成分で１００ｐｐｍから１０００ｐｐｍの範囲で用いられる。
【００２５】
ＭｇＯを添加した原料は、通常、ポリビニルアルコールやメチルセルロースなどのバインダーを加え、スプレードライヤーで造粒し、ラバ−プレス法で加圧成形する。この成形はラバープレス法以外に、金型プレス、押出成形、射出成形、鋳込成形でも可能である。
【００２６】
成形体を加工することにより製品形状に近づける。水素雰囲気で焼成するとバインダーに含まれる炭素を除去できないため、８００℃から１３００℃で脱脂を行う。焼成雰囲気に使用する水素は、露点が−２０℃以下であれば特に問題ない。
【００２７】
水素雰囲気焼成炉は熱源として、タングステンやモリブデンの電気ヒーターが使用される。水素雰囲気焼成炉の断熱材や焼成治具はアルミナ耐火物およびタングステンやモリフデンで構成される。１７００℃以上の水素雰囲気中で焼成を行うと、真密度のセラミックスが得られる。この得られた焼成体に寸法精度が要求される場合、ダイヤモンド砥石を用いて仕上加工を行う。
【００２８】
一般にセラミックス製の半導体製造装置用部材は装置に設置して使用するため、部材の精度が要求され、止め穴加工や外周部、平坦面は焼成後に研削加工が行われる。
【００２９】
また、アルミナセラミックスは残留気孔が多いと密度が低下する。この密度低下対策として、１７００℃以上の高温で焼成することにより、結晶粒子成長に伴い、気孔の移動と除去を行い密度を高める。高温での焼成は、ヒーターが酸化するため、電気炉より、ＬＰガスとエアーを混合したガスバーナーを熱源とするガス炉が主流である。
【００３０】
雰囲気に水素を使用したアルミナセラミックスはサファイアと同等の３．９８ｇ／ｃｍ３  の密度が得られ、同時に光の透過性を阻止する気泡がないため、透光性も得られる。この透光性アルミナセラミックスを半導体製造装置用部材、特に反応管などに用いる場合には、この半導体製造装置用部材に付着する膜などの状態を把握し易いため、洗浄やガスクリーニングをタイミング良く行うことができる。
【００３１】
焼成中のセラミックスに含まれるＳｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｆｅ等の元素は、高温の水素雰囲気中において、蒸気庄が酸化雰囲気より高くなる。このため、被焼成体から、これらの元素が蒸発飛散し、焼成後のセラミックスは純化される。
【００３２】
添加したＭｇ成分も同様に水素雰囲気焼成により蒸発除去され、含有量が減少する。製品に含まれるＭｇが１００ｐｐｍ以下となる場合もあり得る。この高純度、高密度のアルミナセラミックスは、従来の大気常圧酸化雰囲気で焼成した高純度アルミナセラミックスと比較して、Ｓｉ、Ｎａ、Ｃａ、Ｋ、Ｆｅ等の不純物含有量が減少し、また気孔を含まないため、高温での脱ガスが極めて少なくなる。
【００３３】
これらの元素のうち、Ｓｉが多いと選択的にエッチングされてアルミナセラミックスの粒子が脱落する。
【００３４】
ＳｉはＣｌＦ３  ガス洗浄やフッ酸溶液洗浄での耐食性の面から１００ｐｐｍ以下、より好ましくは１０ｐｐｍ以下であることが望ましい。また、Ｎａ、Ｋ、Ｆｅ含有量も、ＬＰ−ＣＶＤプロセスにおけるウェーハでの生成膜に悪影響を及ぼすため、５０ｐｐｍ以下が望ましい。
【００３５】
透光性アルミナは、平均結晶粒径が５μｍ〜３０μｍであるのが最適である。５μｍ以下である場合、結晶粒界に残留気孔が残りやすく、吸水性を持つため、洗浄時に洗浄水を逆に吸着し、これによってＬＰ−ＣＶＤプロセスに悪影響を及ぼす虞がある。また３０μｍ以上では焼成体の強度が低下し、半導体製造装置用部材には適さない。なお、平均結晶粒径は、焼結体の任意の場所を顕微鏡観察し、各々の結晶の最大径をその結晶径とし、この平均径を採ったものである。
【００３６】
上述のように製造された高純度多結晶アルミナセラミックス製の半導体製造装置用部材が組み込まれた図１に示すようなＬＰ−ＣＶＤ半導体製造装置１を用いて、ＰＳＧ膜をウェーハ１５に被覆する工程を説明する。
【００３７】
ＬＰ−ＣＶＤ半導体製造装置１外で、ボート１３の上部に数枚のダミーウェーハ１４を装填し、他の部分には多数のウェーハ１５を装填する。ダミーウェーハ１４を用いる理由は、ボート１３の上部に装填されたウェーハは汚染され易く、また均一な膜が被覆しにくいためで、ダミーウェーハ１４は何度も使用される。
【００３８】
ダミーウェーハ１４およびウェーハ１５が装填されたボート１３をＬＰ−ＣＶＤ半導体製造装置１に収納し、保温筒１２に固定する。
【００３９】
しかる後、ウェーハボート回転機構１１を付勢してボート１３を回転させ、抵抗加熱ヒータ９を付勢して、装置本体４内を加熱する。
【００４０】
次に、ガス導入管６を介して、原料ガス、例えばテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）を装置本体４内に供給する。ＴＥＯＳは加熱され、内側の反応管３内を通り、ボート１３に載置されたウェーハ１５およびダミーウェーハ１４にＰＳＧ膜を形成する。
【００４１】
この成膜工程において、半導体製造装置用部材は高純度多結晶アルミナセラミックスで作られているので、気孔率の少ない真密度であり、さらに高純度でアルカリなどの不要成分が少なく、蒸気圧が低く汚染源になりにくい。
【００４２】
従って、半導体製造装置用部材に高純度多結晶アルミナセラミックスを用いたＬＰ−ＣＶＤ半導体製造装置１で成膜されたウェーハ１５には、汚染のないきれいなＰＳＧ膜が形成される。
【００４３】
上述のような成膜工程を数回繰り返すと半導体製造装置用部材、すなわち反応管３、ガス導入管６、ボート１３およびダミーウェーハ１４にはＰＳＧが堆積して膜を形成する。半導体製造装置用部材に堆積してＰＳＧ膜が次回以降の成膜工程で剥離し、ウェーハに膜不良を発生させる原因となる。
【００４４】
そこで、ＰＳＧ膜が被覆された製品のおのおのを装置からとり外し、フッ酸溶液に浸しクリーニングする。
【００４５】
このクリーニングにより、ガス導入管６はじめ半導体製造装置用部材に堆積したＰＳＧ膜は除去される。クリーニング時、ガス導入管６はじめ半導体製造装置用部材は高純度多結晶アルミナセラミックス製であるので、フッ酸溶液により浸食されることがなく、ガス導入管６は当初の寸法を維持するため、ＬＰ−ＣＶＤ半導体製造装置１に適正量の原料ガスを供給することができ、また他の半導体製造装置用部材は当初の肉厚を維持するため、各部材の熱膨脹率と堆積したＰＳＧ膜の熱膨脹率の差により以降の成膜工程で部材が破損することがなく、また、きれいな状態で何回も使用できる。
【００４６】
次に本発明に係わる半導体製造装置用部材を用いた第２の実施の形態について説明する。
【００４７】
図２に示される半導体製造装置、例えばウェーハ２０の表面にポリシリコンの保護膜を形成する常圧の化学蒸着装置２１で、この化学蒸着装置２１は気密性の装置本体２２とこの装置本体２２に収納された半導体製造装置用部材、例えば表面部が平坦な高純度多結晶アルミナセラミックス製でディスク状のサセプタ２３と、このサセプタ２３の下方に加熱を目的とした抵抗発熱体２４を有している。
【００４８】
さらに、装置本体２２には半導体製造装置用部材を構成する原料ガス供給用のガス導入管２５と排気管２６が設けられて、これらガス導入管２５と排気管２６は高純度多結晶アルミナセラミックス製で形成されている。
【００４９】
本実施の形態の化学蒸着装置２１は上述のような構造になっているので、ウェーハ２０の表面にポリシリコンを成膜するには、ウェーハ２０をサセプタ２３に載置し、しかるのち、抵抗発熱体２４によりサセプタ２３を加熱するとともに化学蒸着装置２１に原料ガスとして例えばモノシランと水素を体積比で１：４の割合で供給する。サセプタ２３の温度を４００℃近傍の比較的低温である４１０±５℃に調節保持し、０．１μｍ／ｍｉｎ以下の膜形成速度で化学蒸着を行い、アモルファスポリシリコン膜をシリコンウェーハ２０の片面に形成する。
【００５０】
この成膜工程において、上述した第１の実施の形態と同様に半導体製造装置用部材、すなわちサセプタ２３、ガス導入管２５および排気管２６は高純度多結晶アルミナセラミックスで作られているので、気孔率の少ない真密度であり、さらに高純度でアルカリなどの不要成分が少なく、蒸気圧が低く汚染源になりにくい。
【００５１】
従って、半導体製造装置用部材に高純度多結晶アルミナセラミックスを用いた化学蒸着装置２１で成膜されたウェーハ２０には、汚染のないきれいなアモルファスシリコン膜が形成される。上述のような成膜工程を数回繰り返すと半導体製造装置用部材、すなわちサセプタ２０、ガス導入管２５および排気管２６にはポリシリコンが堆積して膜を形成する。これら半導体製造装置用部材に堆積してアモルファスシリコン膜が次回以降の成膜工程で剥離し、ウェーハに膜不良を発生させる原因となり、また各部材の熱膨脹率と堆積したアモルファスシリコン膜の熱膨脹率の差により以降の成膜工程で部材が破損する虞もある。
【００５２】
そこで、成膜工程終了後、アモルファスシリコン膜被覆された製品のウェーハ２０を化学蒸着装置２１から取り出した状態、すなわち、半導体製造装置用部材であるサセプタ２３、ガス導入管２５および排気管２６が化学蒸着装置２１に収納され、あるいは取付けられた状態で、ガス導入管２５からＣｌＦ３  ガスを供給して、これら半導体製造装置用部材をガスクリーニングする。
【００５３】
このガスクリーニングにより、ガス導入管２５はじめサセプタ２３、排気管２６に堆積したアモルファスシリコン膜は剥離除去される。ガスクリーニング時、半導体製造装置用部材であるガス導入管２５はじめサセプタ２３、排気管２６は高純度多結晶アルミナセラミックス製であるので、ＣｌＦ３  ガスにより浸食されることがなく、ガス導入管２５は当初の寸法を維持するため、化学蒸着装置２１に適正量の原料ガスを供給することができ、またガス導入管２５はじめ他の半導体製造装置用部材は当初の肉厚を維持するため、各部材の熱膨脹率と堆積したアモルファスシリコン膜の熱膨脹率の差により以降の成膜工程で部材が破損することがない。
【００５４】
さらに本発明に係わる半導体製造装置用部材を用いた第３の実施の形態について説明する。
【００５５】
図３に示される半導体製造装置、例えば大口径ウェーハ３０の表面にアモルファスシリコン膜を形成する化学蒸着装置３１で、この装置３１は加熱装置３２で加熱される気密性の装置本体３３とこの装置本体３３に収納されモータ駆動される回転軸３４に取り付けられた半導体製造装置用部材、例えば表面部が平坦な高純度多結晶アルミナセラミックス製でディスク状のサセプタ３４と、このサセプタ３４に載置されたウェーハ３０方向に原料ガスを放出するノズルを兼ねたガス導入管３５が設けられている。
【００５６】
上述のような構造を有する化学蒸着装置３１にノズルを兼ねたガス導入管３５から原料ガスのモノシランと水素を供給し、上述した第２の実施の形態と同様に無欠陥なアモルファスシリコン膜を有するウェーハ３０を得ることができる。
【００５７】
またガスクリーニング時、半導体製造装置用部材であるガス導入管３５はじめサセプタ３４は高純度多結晶アルミナセラミックス製であるので、ＣｌＦ３  ガスにより浸食されることがなく、ガス導入管３５は当初の寸法を維持するため、化学蒸着装置３１に適正量の原料ガスを供給することができ、またガス導入管３５、サセプタ３４は当初の肉厚を維持するため、各部材の熱膨脹率と堆積したポリシリコン膜の熱膨脹率の差により以降の成膜工程で部材が破損することがない。
【００５８】
さらに、本発明に係わる半導体製造装置用部材を用いた第４の実施の形態について説明する。
【００５９】
例えば第１の実施の形態で説明したＬＰ−ＣＶＤ半導体製造装置を用いて、図４に示すようにＢＰＳＧ膜が形成されたウェーハ４０をボート４１から取り出し、次工程の半導体製造装置４２に移載するが、この移載には前後伸縮および回転自在に移載装置４３に設けられた半導体製造装置用部材、例えばフォーク４４により行われる。フォーク４４は高純度多結晶アルミナセラミックスで作られているので、気孔率の少ない真密度であり、さらに高純度でアルカリなどの不要成分が少なく、汚染源になりにくく、移載時ウェーハ４０を汚染することがない。
【００６０】
フォーク４４によるウェーハ４０の繰り返しの移載で、フォーク４４にはＢＰＳＧが付着し、このＢＰＳＧはウェーハ４０汚染の原因になるので、定期的にフッ素系洗浄用流体例えばフッ酸溶液を用いて洗浄する必要がある。
【００６１】
そこで、フォーク４４をフッ酸溶液により洗浄しても、フォーク４４は高純度多結晶アルミナセラミックスで作られているので、フォーク４４はフッ酸溶液により浸食されず当初の肉厚を維持するので、ウェーハ４０移載中にフォーク４４が破損するようなことはない。
【００６２】
【実施例】
実施例１：  純度９９．９９％、平均粒子径０．３μｍの高純度アルミナ粉を用い、これに結晶成長抑制剤としてＭｇＯを５００ｐｐｍ添加し、成形助剤としてメチルセルロース１０％、ポリエチレングリコール２％、純水８％を加え、混合した。
【００６３】
その後、真空混練押出成形機にて、厚さ１．２ｍｍ、幅２５０ｍｍのシートを押出成形した。
【００６４】
焼成収縮率２０％を考慮し、１００ｍｍφ×１ｍｍのウェーハ焼成体が取れるようにシートを切り出し、大気中で９００℃、２時間脱脂を行い、その後、各種温度、水素雰囲気で焼成を実施し、焼成体の試料（実施例）を得た。
【００６５】
実施例とは一部原料組成ないし製造条件を変えた試料（比較例１〜３）および石英ガラスよりなる試料（従来例）を作製した。
【００６６】
これらの試料を図５に示すように、シリコンウェーハでサンドイッチにし、１１００℃で３時間加熱後、冷却し、シリコンウェーハの表面を誘導結合型プラズマ質量分析装置（ＩＣＰ−ＭＳ）により分析し、アルミナセラミックスからシリコンウェーハに転写した元素量を測定した。
【００６７】
試験結果を表１に示す。
【００６８】
【表１】
0003568773.tif 000002
【００６９】
実施例は不純物も少なく、Ｓｉウェーハの汚染も比較例１ないし比較例３に比べて少ない。なお、従来例はＳｉウェーハの汚染は少ないが、上述各実施の形態で説明したように、フッ素系洗浄用流体であるフッ素系ガスまたはフッ酸溶液により浸食された。
【００７０】
実施例２：  純度９９．９９％、平均粒子径０．３μｍの高純度アルミナ粉を用い、これに結晶成長抑制剤としてＭｇＯを５００ｐｐｍ添加し、成形助剤として、メチルセルロース１０％、ポリエチレングリコール２％、純水８％を加え、混合した。
【００７１】
その後、真空混練押出成形機にて、内径５ｍｍφ、外径８ｍｍφのパイプを押出成形した。押出した成形体は乾燥前に、図６に示すようなＬ字のブロー成形型に装填し、成形型をセットした後、成形体の一端部を封じ、他端部から成形体に圧縮空気を送り、空気圧によりＬ字に押出成形体を膨脹させブロー成形した。
【００７２】
得られた成形体を１００℃で乾燥し、水分を蒸発させた後、孔加工を行い、９００℃で脱脂し、１８００℃の水素雰囲気で焼成した。
【００７３】
このガス導入ノズルを用いて、成膜を行い、数回の成膜工程後、ＣｌＦ３  ガスによりガス洗浄を行ったが、ガス導入ノズルは浸食を受けず、孔径も変化せず、安定した成膜ができた。実施例は耐用が伸び半永久的になった。
【００７４】
【発明の効果】
半導体製造装置用部材はかさ密度が３．９８ｇ／ｃｍ３  以上で、かつ平均結晶粒径が５μｍ〜３０μｍの高純度多結晶アルミナセラミックスで形成したので、フッ素系洗浄用流体であるフッ素系ガスまたはフッ酸溶液を用いて洗浄しても浸食されず、かつ製品形状が自由でありガス放出による製品、装置汚染のない半導体製造装置用部材を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係わる半導体製造装置用部材の実施の形態を用いた半導体製造装置の説明図。
【図２】本発明に係わる半導体製造装置用部材の他の実施の形態を用いた半導体製造装置の説明図。
【図３】本発明に係わる半導体製造装置用部材の他の実施の形態を用いた半導体製造装置の説明図。
【図４】本発明に係わる半導体製造装置用部材の他の実施の形態の使用説明図。
【図５】試料の試験に用いられる試験方法の説明図。
【図６】試料の製造に用いられるブロー型の説明図。
【符号の説明】
１  ＬＰ−ＣＶＤ半導体製造装置
２  反応外管
３  反応管
４  装置本体
５  マニホールド
６  ガス導入管
７  排気管
８  真空ポンプ
９  抵抗加熱ヒータ
１０  キャッピングフランジ
１１  ウェーハボート回転機構
１２  保温筒
１３  ボート
１４  ダミーウェーハ
１５  ウェーハ
２０  ウェーハ
２１  化学蒸着装置
２２  装置本体
２３  サセプタ
２４  抵抗発熱体
２５  ガス導入管
２６  排気管
３０  大口径ウェーハ
３１  化学蒸着装置
３２  加熱装置
３３  装置本体
３４  サセプタ
３５  ガス導入管
４０  ウェーハ
４１  ボート
４２  半導体製造装置
４３  移載装置
４４  フォーク
【図１】
0003568773.tif 000003
【図２】
0003568773.tif 000004
【図３】
0003568773.tif 000005
【図４】
0003568773.tif 000006
【図５】
0003568773.tif 000007
【図６】
0003568773.tif 000008