(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
計測領域を中心にして上下方向に対向して配置された上部超電導磁石及び下部超電導磁石と、前記両磁石の対向面に設置された傾斜磁場コイル及び照射用高周波コイルと、被検者を載置して前記計測領域に挿入されるテーブルと、前記被検者からの磁気共鳴信号を受信する受信用高周波コイルと、これらを操作する操作表示部とを具備する磁気共鳴イメージング装置本体を電波シールド又は電波及び電磁シールドを施したシールドルーム内に配置し、該磁気共鳴イメージング装置本体と、該シールドルーム外に設置した、前記磁気共鳴イメージング装置本体を構成する機器に電力を供給する電源装置及び前記磁気共鳴イメージング装置本体を操作・制御する操作卓との間を、前記シールドルームの外壁に設けたフィルタを介して配線接続する開放型磁気共鳴イメージング装置において、前記配線を上部超電導磁石側配線と下部超電導磁石側配線とに２分割し、前記上部超電導磁石側配線を前記シールドルームの天井側に設けたフィルタより導入し、前記下部超電導磁石側配線を前記シールドルームの下部側面に設けたフィルタより導入して、前記磁気共鳴イメージング装置本体を構成する機器に配線接続したことを特徴とする開放型磁気共鳴イメージング装置。
【請求項２】
計測領域を中心にして上下方向に対向して配置された上部超電導磁石及び下部超電導磁石と、前記上部超電導磁石を支持する支柱と、前記両磁石の対向面に設置された傾斜磁場コイル及び照射用高周波コイルと、被検者を載置して前記計測領域に挿入されるテーブルと、前記被検者からの磁気共鳴信号を受信する受信用高周波コイルと、これを操作する操作表示部とを具備する磁気共鳴イメージング装置本体を電波シールド又は電波及び電磁シールドを施したシールドルーム内に配置し、該シールドルーム外に設置した、前記磁気共鳴イメージング装置本体を構成する機器に電力を供給する電源装置及び前記磁気共鳴イメージング装置本体を操作・制御する操作卓と、前記磁気共鳴イメージング装置本体との間を、前記シールドルームの外壁に設けたフィルタを介して配線接続する開放型磁気共鳴イメージング装置において、全配線を前記シールドルームの下部側面に設けたフィルタより一括して導入し、前記シールドルーム内において上部超電導磁石側配線と下部超電導磁石側配線とに２分割し、前記上部超電導磁石側配線については、前記支柱の外周に沿って、前記下部超電導磁石側から前記上部超電導磁石側に配線接続したことを特徴とする開放型磁気共鳴イメージング装置。
【請求項３】
請求項１及び２記載の開放型磁気共鳴イメージング装置において、前記上部超電導磁石部位並びに下部超電導磁石部位、及び／又は前記支柱部位での配線に、ダクトとダクトカバーからなる静電シールドを施したことを特徴とする開放型磁気共鳴イメージング装置。
【請求項４】
請求項１及至３記載の開放型磁気共鳴イメージング装置において、前記傾斜磁場コイルの前記上部超電導磁石部位並びに下部超電導磁石部位、及び／又は前記支柱部位での配線を導電性の高い金属材料からなるブスバー形態の導電体としたことを特徴とする開放型磁気共鳴イメージング装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、円筒形又は円柱形の開放型超電導磁石を用いた磁気共鳴イメージング装置（以下、ＭＲＩ装置という。）に係り、特に、開放感を損わないように配線を行ったＭＲＩ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
超電導磁石を用いたＭＲＩ装置は一般に円筒形構造のものであり、開放形ではない。このため、ＭＲＩ装置の配線上考慮すべき点は雑音の排除が主体になっている。開放型ＭＲＩ装置は永久磁石又は常電導磁石を用いた比較的静磁場強度の低い装置で実用化されているが、いずれも設置場所の環境温度により特性の変動が大きく、この対策のため、例えば永久磁石のものでは５０〜１００ｍｍの保温カバー用スペースが設けられている。このため、ＭＲＩ装置への配線はこの保温カバー用スペースの内側で十分な処理がなされている。これに対し、超電導磁石では保温カバー用スペースを必要としないために、新たに配線のためのスペース及び処理が必要である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
超電導磁石を使用した開放型ＭＲＩ装置では、その特徴点である装置の開放度をどのような手段で確保するかが課題となる。開放型ＭＲＩ装置では、２個の超電導磁石を計測領域を中心にして対向して配置し、両超電導磁石を支柱で支持している。このため、ＭＲＩ装置の開放度を確保するために、超電導磁石の直径を極力小さくし、前記支柱の本数を最小にし、支柱の径をより小さくすることが効果的である。しかし、超電導磁石としてこれらのことを実現しても、超電導磁石に取付ける機器への配線について十分な配慮をしないと、上記で確保した開放度を狭める可能性がある。また、ＭＲＩ装置の取扱う電力に基づき、配線のケーブルの引きまわしの仕方によっては、磁石相互間の対向距離を大きくしなければならない。
従って、本発明では、これらの課題を解決し、開放度を損わない配線を施したＭＲＩ装置を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明の目的は、次の解決手段によって達成される。
本発明の開放型ＭＲＩ装置は、計測領域を中心にして上下方向に対向して配置された上部超電導磁石及び下部超電導磁石と、前記両磁石の対向面に設置された傾斜磁場コイル及び照射用高周波コイルと、被検者を載置して前記計測領域に挿入されるテーブルと、前記被検者からの磁気共鳴信号を受信する受信用高周波コイルと、これらを操作する操作表示部とを具備するＭＲＩ装置本体を電波シールド又は電波及び電磁シールドを施したシールドルーム内に配置し、該ＭＲＩ装置本体と、該シールドルーム外に設置した、前記ＭＲＩ装置本体を構成する機器に電力を供給する電源装置及び前記ＭＲＩ装置本体を操作・制御する操作卓との間を、前記シールドルームの外壁に設けたフィルタを介して配線接続する開放型ＭＲＩ装置において、前記配線を上部超電導磁石側配線と下部超電導磁石側配線とに２分割し、前記上部超電導磁石側配線を前記シールドルームの天井側に設けたフィルタより導入し、前記下部超電導磁石側配線を前記シールドルームの下部側面に設けたフィルタより導入して、前記ＭＲＩ装置本体を構成する機器に配線接続したものである（請求項１）。
この構成では、シールドルーム内に配置されたＭＲＩ装置本体と、シールドルーム外に配置された電源装置等との配線が、ＭＲＩ装置本体を構成する上部超電導磁石と下部超電導磁石を基準にして２分割して別々に行われるので、計測領域の周辺には配線は存在しなくなり、高磁場強度の超電導磁石を使用したＭＲＩ装置においても、永久磁石等を使用したＭＲＩ装置と同等の開放感を得ることができる。
【０００５】
本発明の開放型ＭＲＩ装置は、計測領域を中心にして上下方向に対向して配置された上部超電導磁石及び下部超電導磁石と、前記上部超電導磁石を支持する支柱と、前記両磁石の対向面に設置された傾斜磁場コイル及び照射用高周波コイルと、被検者を載置して前記計測領域に挿入されるテーブルと、前記被検者からの磁気共鳴信号を受信する受信用高周波コイルと、これを操作する操作表示部とを具備するＭＲＩ装置本体を電波シールド又は電波及び電磁シールドを施したシールドルーム内に配置し、該シールドルーム外に設置した、前記ＭＲＩ装置本体を構成する機器に電力を供給する電源装置及び前記ＭＲＩ装置本体を操作・制御する操作卓と、前記ＭＲＩ装置本体との間を、前記シールドルームの外壁に設けたフィルタを介して配線接続する開放型ＭＲＩ装置において、全配線を前記シールドルームの下部側面に設けたフィルタより一括して導入し、前記シールドルーム内において上部超電導磁石側配線と下部超電導磁石側配線とに２分割し、前記上部超電導磁石側配線については、前記支柱の外周に沿って、前記下部超電導磁石側から前記上部超電導磁石側に配線接続したものである（請求項２）。
この構成では、シールドルーム内に配置されたＭＲＩ装置本体と、シールドルーム外に配置された電源装置等との配線が一括してシールドルーム内に導入された後に、上部超電導磁石側配線を分離して配線接続しているが、この配線を支柱に沿って行うことにより、ＭＲＩ装置としての開放感を損なうことなく配線が行われている。
【０００６】
本発明の開放型ＭＲＩ装置では更に、前記上部超電導磁石部位並びに下部超電導磁石部位、及び／又は前記支柱部位での配線に、ダクトとダクトカバーからなる静電シールドを施したものである（請求項３）。
この構成では、超電導磁石及び支柱の部分における配線にダクトとダクトカバーからなる静電シールドを施すことにより、計測信号への雑音の侵入の低減と外観の向上を図っている。
【０００７】
本発明の開放型ＭＲＩ装置では更に、前記傾斜磁場コイルの前記上部超電導磁石部位並びに下部超電導磁石部位、及び／又は前記支柱部位での配線を導電性の高い金属材料からなるブスバー形態の導電体としたものである（請求項４）。
この構成では、傾斜磁場コイルへの配線をブスバー形態の導電体として、パルス波形の大電力供給時の、計測信号への雑音の侵入の低減を図っている。
【０００８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例を添付図面に従って説明する。
図１は、本発明の超電導磁石を用いた開放型ＭＲＩ装置の構成例を示したものである。図１（Ａ）は本発明のＭＲＩ装置本体１の超電導磁石２とテーブル３を上部側から見た図で、ＭＲＩ装置本体１はこのような配置でシールドルーム４内に配置されている。超電導磁石２を冷却するための冷凍機５に接続される圧縮機６はシールドルーム４外に設置される。図１（Ｂ）は静電又は静電と電磁シールドを施したシールドルーム４内に超電導磁石２とテーブル３とを設置した状態の一例を示す。図１（Ｂ）において、超電導磁石２は磁石（上）２Ａと磁石（下）２Ｂとからなり、両磁石の対向空間の中心部が計測領域７である。テーブル３には被検者が載置され、更に受信用高周波コイル（以下、ＲＦコイルという。）８が取付けられて、超電導磁石内部の計測領域７に送り込まれる。磁石（上）２Ａと磁石（下）２Ｂの対向面には、傾斜磁場コイル（以下、ＧＣという。）（上）、（下）９Ａ、９Ｂと照射用高周波コイル（上）、（下）（以下、ＲＦ（上）、（下）という。）１０Ａ、１０Ｂとが取付けられており、ＭＲＩ装置として一連の計測を行う。
【０００９】
図１（Ｂ）から明らかなように被検者は磁石（上）２Ａと磁石（下）２Ｂの中間の計測領域７に、操作表示部１１の操作によってセットされるため、対向空間には何も存在しないように構成されるのが望ましい。しかし、磁石（上）２Ａを支える支柱１２は最低２本を必要とし、これを極力細くすることが重要である。なお、支柱１２の内部は通常超電導磁石２を冷却するための寒剤或いは冷却構造体及び線材を通す構造になっている。
【００１０】
図１（Ｂ）中の機器に対しては、図１（Ｃ）に示す各種のユニットが存在し、これらのユニットと機器との間に配線（フレキシブルホースを含む。）１３が施されている。図１（Ｃ）において、電源ユニット１４は各機器への交流電源を分配して供給する役割を有し、外部から装置全体として一括した支流電圧ＶＡＣ１（接地電位を含む。）を受電し、これを絶縁トランスを介して必要な交流電圧ＶＡＣ２〜ＶＡＣ６に変換・分配し、更に、操作卓１５とは指示信号Ｃ１を介して接続され、正常時異常時の順序動作機能を有する。ＲＦユニット１６は被検者に高周波（以下、ＲＦという。）を照射するための電源で、増幅器（数ｋＷ〜数十ｋＷ）を中心に増幅器への供給電源、制御回路、状態管理回路とから構成され、操作卓１５とは指示信号Ｃ２をもって接続される。ＧＣユニット１７はＧＣの電源で、更に被検者の計測点を指定する機能を持ち、増幅器（数十ｋＷ）を中心に増幅器への供給電源、制御回路、状態管理回路とから構成され、操作卓１５とは指示信号Ｃ３を介して接続される。
【００１１】
操作卓１５はＲＦコイル８からの受信信号の取り込み機能を含み（受信信号はＲＦユニット１６を介す場合もある。）総括的な動作をつかさどり、操作、画像処理、表示機能を含め、計算機とその入出力表示機器より構成される。ＲＦユニット１６からの信号ＣＲＦ、ＧＣユニット１７からの信号ＣＧＣ、操作卓１５からの信号ＣＯ、及びテーブル照明電圧ＶＡＣ５などは全てシールドルーム４内に取り込むべき性質のものであるので、シールドルーム４の天井１８及び側面下部に設けられたフィルタ（上）１９Ａ又はフィルタ（下）１９Ｂのいずれかを介してシールドルーム４内に導かれる。また、圧縮機６から超電導磁石２の冷凍機５までのフレキシブルホース２０とバルブモータケーブル２１もフィルタ（上）１９Ａ又はフィルタ（下）１９Ｂのいずれかを介して冷凍機５と接続される。
【００１２】
以上の構成例において、シールドルーム内にある超電導磁石を用いたＭＲＩ装置への配線処理例を図２に示す。図２において、シールドルーム４の天井１８に設けられたフィルタ（上）１９Ａを介してシールドルーム４に取り込まれた配線は磁石（上）２Ａ側に接続されるもの、シールドルーム４の側面下部に設けられたフィルタ（下）１９Ｂを介してシールドルーム４に取り込まれた配線は磁石（下）２Ｂ及びテーブル３に接続されるものであり、２つのグループに分割されるものであるので、シールドルーム４外でもそれに見合った接続を行っておくことが適当である。図２の例では、磁石（上）２Ａに取付けられる冷凍機５及びヘリウムレベル計２２、ＧＣ（上）９Ａ、ＲＦ（上）１０Ａ、操作表示部１１、シールドルーム内照明２３への配線がフィルタ（上）１９Ａを介して、ＲＦ（下）１０Ｂ、ＧＣ（下）９Ｂ、ＲＦコイル８、テーブル３、シールドルーム内コンセント２４への配線はフィルタ（下）１９Ｂを介してシールドルーム４内に導入されている。また、フィルタ（上）、（下）１９Ａ、１９Ｂは個々の配線ごとに設けたフィルタ素子２５から構成されている。
【００１３】
次に、上記の如く２つのグループに分割した配線がシールドルーム４内のＭＲＩ装置本体１にどのように接続されるかの具体例を図３を用いて説明する。図３において問題となるのは、磁石（上）、（下）２Ａ、２Ｂの対向面に取り付けられたＧＣ（上）、（下）９Ａ、９Ｂ、ＲＦ（上）、（下）１０Ａ、１０Ｂのケーブル処理である。ＲＦ（上）、（下）１０Ａ、１０Ｂは静磁場の磁場強度により決定される数十ＭＨＺの高周波であり、同軸ケーブルを用いるのが一般的であり、対向部曲面に見合う特殊ケーブル処理をもっての配線は可能であるが、ＧＣ（上）、（下）９Ａ、９Ｂの配線は例えば外径５０ｍｍのツイストペア線３組（Ｘ、Ｙ、Ｚ方向）を必要とし、大きな外径の配線となるので、今回の配線上最大の問題点となる。これらの問題点を解決するため、本発明では図３（Ａ）、（Ｂ）に示すダクト２６を設けたものである。ダクト２６はＲＦ（上）、（下）用、ＧＣ（上）、（下）用、操作表示部用等に各々独立して設け、これらのダクト２６は最終的には磁石カバー２７で覆われることになるので外部からは見えなくなる。図３（Ａ）、（Ｂ）において、ダクト（上）、（下）２６Ａ、２６Ｂが磁石（上）、（下）２Ａ、２Ｂの外周側面に設けられ、磁石（上）２Ａの側にはＲＦ（上）用ダクト２８Ａ、ＧＣＸ（上）用ダクト２９ＡＸ、ＧＣＹ（上）用ダクト２９ＡＹ、ＧＣＺ（上）用ダクト２９ＡＺ、操作表示部用ダクト３０、及び予備用ダクト３１が３個所の位置に別れて設けられ、磁石（下）２Ｂの側にはＲＦ（下）用ダクト２８Ｂ、ＧＣＸ（下）用ダクト２９ＢＸ、ＧＣＹ（下）用ダクト２９ＢＹ、ＧＣＺ（下）用ダクト２９ＢＺ、及び予備用ダクト３１が２個所の位置に別れて設けられている。また、磁石（下）２Ｂの側のダクトには、床面３２の下に設けたピット３２から配線が接続されている。
【００１４】
また、本発明では、ダクト２６に配設されたＧＣＸ９Ｘ、ＧＣＹ９Ｙ、ＧＣＺ９Ｚの配線についてブスバー方式の構造を採っている。その構造の詳細を図４（Ａ）、（Ｂ）にて説明する。図４（Ａ）、（Ｂ）において、ＧＣＸ９Ｘ、ＧＣＹ９Ｙ、ＧＣＺ９Ｚの配線のダクト２６は磁石の形状に合った静電シールド箱となっており、この静電シールド箱の中にＧＣ９の配線が銅板（又はアルミニウム板）のブスバー方式の構造で格納されている。
【００１５】
図４（Ａ）、（Ｂ）において、シールドルーム４の天井１８のフィルタ（上）１９Ａを介して導入されたＧＣリードケーブル３３は、磁石（上）２Ａにケーブルクランプ３４で一度固定された後に、ＧＣケーブル貫通穴３５を通ってダクト２６内に固定されたブスバー３６に接続される。ブスバー３６はダクト２６内に２段に配置されており、段間は絶縁スペーサ３７で絶縁され、ブスバー止めねじ３８で固定されている。ブスバー３６の他端はＧＣ（上）９ＡのＧＣリードケーブル３３に接続される。ブスバー３６とＧＣリードケーブル３３との接続部は配線ねじ４０で固定されている。ダクト２６は磁石（上）２Ａにダクト止めねじ４１で固定されている。ダクト２６にブスバー３６を固定した後に、ダクトカバー４２をかぶせて、カバー止めねじ４３で固定する。図４（Ｃ）はブスバー３６の端部を拡大して示したもので、２枚のブスバー３６のうち上部のブスバー３６Ａには切欠きを設けて、下部のブスバー３６Ｂを上方からねじで固定できるスペースを設け、ブスバー３６Ａ、３６Ｂをねじで固定した後は配線カバー４４で覆う構造になっている。ブスバー３６の両端部とも同様な構造になっている。
【００１６】
ＧＣ９への配線では、シールドルーム４に取付けられたフィルタ１９からの配線用ケーブル３９の接続は勿論のこと、ＧＣリードケーブル３３の接続も、接続作業完了後に静電シールドが施されており、ＧＣ９へのパルス電力の供給に伴う雑音を排除する。これと同時に、ＧＣリードケーブル３３側の端末はＧＣ９への配線とＲＦ１０への配線とを合わせた厚さよりも薄く端末処理できる構造になっている。
【００１７】
図５は、上記のＭＲＩ装置本体の配線を磁石〔上〕２Ａの上側及び磁石（下）２Ｂの下側から見た図である。図５（Ａ）は磁石（上）２Ａの上側より見た図で、磁石（上）２Ａには中心に近い部分に冷凍機５、バルブモータ４５、ヘリウムレベル計２２へのフレキシブルホース２０やケーブル２１、３９が、周辺部にＲＦ（上）１０Ａ、ＧＣＸ（上）９ＡＸ、ＧＣＹ（上）９ＡＹ、ＧＣＺ（上）９ＡＺ、操作表示部１１へのダクト２８Ａ、２９ＡＸ、２９ＡＹ、２９ＡＺ、３０、及び予備用ダクト３１、ケーブル３９、ブスバー３６が配置されている。更に、ＧＣ用の各ブスバー３６にはＧＣリードケーブル３３が接続されている。また、配線全体は磁石カバー２７で覆われている。図５（Ｂ）は磁石（下）２Ｂの下側より見た図で、周辺部にＲＦ（下）１０Ｂ、ＧＣＸ（下）９ＢＸ、ＧＣＹ（下）９ＢＹ、ＧＣＺ（下）９ＢＺへのダクト２８Ｂ、２９ＢＸ、２９ＢＹ、２９ＢＺ、及び予備用ダクト３１、ケーブル３９、ブスバー３６が配置されている。更に、ＧＣ用の各ブスバー３６にはＧＣリードケーブル３３が接続されている。また、配線全体は磁石（上）２Ａと同様に磁石カバー２７で覆われている。
【００１８】
以上説明した如く、超電導磁石２の冷凍機５の配線を含め全配線を２分割し、シールドルーム４の天井１８と側面下部とからＭＲＩ装置本体１の磁石（上）２Ａと磁石（下）２Ｂに配線処理を行うことにより、理想に近い開放型ＭＲＩ装置が構成される。
【００１９】
これに対し、シールドルーム４の天井部１８からの配線が建屋の関係で不都合な場合の配線処理例を次に説明する。図６は、図２と同様にシールドルーム４内にあるＭＲＩ装置本体１への配線処理例を示したものであるが、配線のシールドルーム４への導入をシールドルーム４の側面下部の１個所に纏めて行っている点で図２の例と相違する。フィルタ（下）１９Ｂから導入した配線はシールドルーム４内で各機器間の接続が可能となるので、フィルタ（下）１９Ｂを経由する際のフィルタ素子２５の数が減少している。図６では、ＲＦ（上）１０ＡとＲＦ（下）１０Ｂ、ＧＣ（上）９ＡとＧＣ（下）９Ｂ、シールドルーム内照明２３とシールドルーム内コンセント２４の配線がシールドルーム４内で分配されている。
【００２０】
図６の配線処理例での配線用ダクトの配置及び構造を図７に示す。全ての配線は床ピット３２から磁石２の上部へ向かって導かれる。磁石（上）２Ａへの配線は全て支柱１２を通ることになる。図７においては、磁石（下）２Ｂから磁石（上）２Ａに通じる一体形ダクト４６が図３に示したＲＦ、ＧＣ用配線のダクト２６以外に設けられており、磁石（上）２Ａの天井１８に近い側に設置された冷凍機５、操作表示部１１、ヘリウムレベル計２２等への配線の通路となっている。しかも、一体形ダクト４６は、ＲＦ、ＧＣ用ダクト２６の外周側に取付ける構造になっており、支柱１２の太さ内に納まる構成をとっている。図７の例では一体形ダクト４６は２本の支柱１２に沿って２個所設けられている。
【００２１】
次に、ＲＦ１０とＧＣ９の配線についてであるが、ＲＦ１０の配線は図３と同様に行われるのに対し、ＧＣ９の配線はブスバー方式で行われる。ＧＣ９の配線例を図８（Ａ）、（Ｂ）に示す。床ピット３２から磁石（下）２Ｂのダクト（下）２６ＢにＧＣ（下）９ＢとＧＣ（上）９Ａの配線としてＧＣリードケーブル３３が導かれ、磁石（下）２Ｂのダクト（下）２６Ｂ内はＧＣ（下）９ＢとＧＣ（上）９Ａ用のブスバー３６が配線され、ＧＣ（下）９Ｂ用のブスバー３６はＧＣ（下）９Ｂと接続され、ＧＣ（上）９Ａ用のブスバー３６は支柱１２を通って、磁石（上）２Ａのダクト（上）２６Ａに通され、磁石（上）２Ａのダクト（上）２６Ａの端部でＧＣ（上）９Ａに接続される。ダクト２６の支柱部の幅は２組のＧＣ（例えばＧＣＸ（上）９ＡＸとＧＣＹ（上）９ＡＹ）ダクトを取付けた状態で支柱１２の太さ内に納まる寸法とし、図４の場合と同様、ダクト２６を静電シールド箱とし、銅板（又はアルミニウム板）を用いたブスバー３６をもって配線する。
【００２２】
図９は上記のＭＲＩ装置本体での配線状況を磁石（下）２Ｂの下側から見た図である。この場合、支柱１２にもカバーを付加しＲＦ用やＧＣ用のダクト２６を覆うため、図５の場合よりもＭＲＩ装置の開放度合を阻害することになるが、支柱１２の部分のみであるので、ＭＲＩ装置の開放感を大きく損なうことはない。いずれの場合においても、ＧＣＸ、ＧＣＹ、ＧＣＺ９Ｘ、９Ｙ、９Ｚの配線をブスバー方式で行うことにより、磁石の構造に合った合理的な配線が実現できるので、所期の目的を十分満足させることができる。
【００２３】
従来の永久磁石又は常電導磁石を用いたＭＲＩ装置と比較した場合、これらの装置では支柱が鉄で作られていてしかも寸法も大きく、更に特性安定上保温等の処理を施す場合があるので、配線のスペースが取り易くなっている。これに対し、超電導磁石を用いた対向型ＭＲＩ装置では、配線のスペースが取りにくかったばかりでなく、静磁場強度が一般に高いため、この高磁場を十分に活用した計測を実行するためにはＧＣやＲＦへの供給電力は大きくなり、それだけ配線ケーブルも太くなると共に雑音も大きくなっている。従って、この雑音の排除のためには、本発明の如きダクト構造の静電シールド箱やブスバーの採用は非常に効果がある。また、本発明を適用したＭＲＩ装置での支柱の太さについても、従来の永久磁石等を用いたものと同等レベルに抑えることができるので、配線の影響が外部に現われることなく、ＭＲＩ装置全体としてはコンパクトにまとめることができる。
【００２４】
【発明の効果】
以上説明した如く、本発明によれば、配線方式の改善により超電導磁石を上下に対向させた開放型ＭＲＩ装置において、計測領域のまわりに支柱以外に目に入る物がないので、被検者にとって大きな開放感が得られる。また、最も大きな雑音源となる可能性のあるＧＣの配線を完全にシールドを施す構成にしたので、計測値への雑音の侵入はほとんど零となっている。また、ＧＣ関係の配線が構造的に定形化されるので作業者に左右されなくなり、配線作業の特性への影響は微小となり、均質なＭＲＩ装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】超電導磁石を用いた開放型ＭＲＩ装置本体の構成例。
【図２】シールドルーム内にある超電導磁石を用いたＭＲＩ装置本体への配線処理例。
【図３】傾斜磁場コイルと照射用高周波コイルの配線処理例。
【図４】傾斜磁場コイル用ダクト並びにブスバーの第１の構成例。
【図５】本発明によるＭＲＩ装置本体への配線の第１の具体例。
【図６】ＭＲＩ装置本体への配線を２分割し１個所から導入した場合の配線処理例。
【図７】配線ダストを支柱に設けた場合の構造例。
【図８】傾斜磁場コイル用ダクト並びにブスバーの第２の構成例。
【図９】本発明によるＭＲＩ装置本体への配線の第２の具体例。
【符号の説明】
１  ＭＲＩ装置本体
２  超電導磁石
２Ａ  磁石（上）
２Ｂ  磁石（下）
３  テーブル
４  シールドルーム
５  冷凍機
６  圧縮機
７  計測領域
８  受信用高周波コイル（ＲＦコイル）
９  傾斜磁場コイル
９Ｘ  ＧＣＸ
９Ｙ  ＧＣＹ
９Ｚ  ＧＣＺ
９Ａ  ＧＣ（上）
９ＡＸ  ＧＣＸ（上）
９ＡＹ  ＧＣＹ（上）
９ＡＺ  ＧＣＺ（上）
９Ｂ  ＧＣ（下）
９ＢＸ  ＧＣＸ（下）
９ＢＹ  ＧＣＹ（下）
９ＢＺ  ＧＣＺ（下）
１０  照射用ＲＦコイル
１０Ａ  ＲＦ（上）
１０Ｂ  ＲＦ（下）
１１  操作表示部
１２  支柱
１３  配線
１４  電源ユニット
１５  操作卓
１６  ＲＦユニット
１７  ＧＣユニット
１８  天井
１９  フィルタ
１９Ａ  フィルタ（上）
１９Ｂ  フィルタ（下）
２０  フレキシブルホース
２１  バルブモータケーブル
２２  ヘリウムレベル計
２３  シールドルーム内照明
２４  シールドルーム内コンセント
２５  フィルタ素子
２６  ダクト
２６Ａ  ダクト（上）
２６Ｂ  ダクト（下）
２７  磁石カバー
２８Ａ  ＲＦ（上）用ダクト
２８Ｂ  ＲＦ（下）用ダクト
２９  ＧＣ用ダクト
２９ＡＸ  ＧＣＸ（上）用ダクト
２９ＡＹ  ＧＣＹ（上）用ダクト
２９ＡＺ  ＧＣＺ（上）用ダクト
２９ＢＸ  ＧＣＸ（下）用ダクト
２９ＢＹ  ＧＣＹ（下）用ダクト
２９ＢＺ  ＧＣＺ（下）用ダクト
３０  操作表示部用ダクト
３１  予備用ダクト
３２  ピット
３３  ＧＣリードケーブル
３６  ブスバー
３９  ケーブル
４２  ダクトカバー
４４  配線カバー
４５  バルブモータ
４６  一体形ダクト。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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