(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）基板上にシンナを供給する工程と、
（ｂ）前記工程（ａ）の後、所定の回転加速度で基板の回転を加速する第１の期間と、前記第１の期間の後に基板をほぼ一定の速度で回転する第２の期間と、前記第２の期間の後に所定の回転減速度で基板の回転を減速する第３の期間とを含むように基板を回転する工程と、
（ｃ）所定の供給加速度で基板上へのレジスト液の供給を加速する第４の期間と、前記第４の期間の後に基板上にほぼ一定の供給速度でレジスト液を供給する第５の期間と、前記第５の期間の後に所定の供給減速度で基板上へのレジスト液の供給を減速する第６の期間を含み、前記第１の期間中に開始され、更に前記第２の期間の始期と前記第５の期間の始期とがほぼ一致するように、前記基板の回転の開始から所定時間遅らせて、前記回転する基板上に第１の供給量でレジスト液を供給する工程と、
（ｄ）前記工程（ｃ）の後、基板上にレジスト液を前記第１の供給量よりも少ない第２の供給量で供給する工程と
を具備することを特徴とするレジスト液の供給方法。
【請求項２】
請求項１に記載のレジスト液の供給方法において、
前記第１の供給量は、前記第２の供給量のほぼ２倍〜ほぼ３倍であることを特徴とするレジスト液の供給方法。
【請求項３】
基板を保持し、回転する保持・回転部材と、
前記保持・回転部材により保持された基板上にシンナを供給するシンナ供給部と、
前記保持・回転部材により保持された基板上にレジスト液を供給するレジスト液供給部と、
前記保持・回転部材により保持された基板上にシンナを供給させた後に基板を回転させ、その回転の開始から所定時間遅らせて、前記回転する基板上に第１の供給量でレジスト液を供給させ、更にその後、基板上にレジスト液を前記第１の供給量よりも少ない第２の供給量で供給させるように上記の各部を制御する制御部と
を具備し、
前記制御部は、所定の回転加速度で基板の回転を加速する第１の期間と、前記第１の期間の後に基板をほぼ一定の速度で回転する第２の期間と、前記第２の期間の後に所定の回転減速度で基板の回転を減速する第３の期間を有するように、前記保持・回転部材を制御すると共に、所定の供給加速度で基板上へのレジスト液の供給を加速する第４の期間と、前記第４の期間の後に基板上にほぼ一定の供給速度でレジスト液を供給する第５の期間と、前記第５の期間の後に所定の供給減速度で基板上へのレジスト液の供給を減速する第６の期間を有するように前記レジスト液供給部を制御し、
更に前記第１の期間中に基板上への第１の供給量でのレジスト液の開始がなされるように前記レジスト液供給部を制御すると共に、前記第２の期間の始期と前記第５の期間の始期とがほぼ一致するように前記保持・回転部材及び前記レジスト液供給部を制御することを特徴とするレジスト液の供給装置。
【請求項４】
請求項３に記載のレジスト液の供給装置において、
前記制御部は、前記第１の供給量が前記第２の供給量のほぼ２倍〜ほぼ３倍となるようにレジスト液供給部を制御することを特徴とするレジスト液の供給装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば半導体ウエハ等の基板を回転させながらその上にレジスト液を供給してレジスト膜を形成するためのレジスト液の供給方法及びレジスト液の供給装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイス（ＩＣチップ）やＬＣＤの製造プロセスにおいては、フォトリソグラフィー技術を利用することで、半導体ウエハやガラス基板等の基板の表面に微細なパターンを高精度かつ高密度に形成している。
【０００３】
例えば、半導体デバイスの製造においては、半導体ウエハの表面にレジスト膜を形成した後、これを所定のパターンに露光し、さらに現像処理・エッチング処理することにより所定の回路パターンを形成するようにしている。
【０００４】
上述したレジスト膜の形成は、例えばスピンコーティング法によって行われる。このスピンコーティング法は、スピンチャック上にウエハを載せて回転させると共に、ウエハのほぼ中心にレジスト液の供給用のノズルからレジスト液を供給し、遠心力によりレジスト液をウエハ全面に均一に伸展させるものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、レジスト液が基板上を遠心力によって伸展していく最中の当該レジスト液の縁（液際）はできるだけ円の形状をしている方がレジスト液の消費量を削減する観点から好ましい。即ち、図１０に示すように上記のレジスト液１０１の縁がウエハＷとの接触角の関係で‘ギザギザ’とした形状、いわゆるストリエーションが発生しやすく、この場合‘ギザギザ’がウエハの外周よりも外側に消えるまでレジスト液を供給する必要があり、そのためレジスト液の消費量が増大する。
【０００６】
そこで、例えばレジスト液の供給に先立ちウエハ表面にシンナを供給して濡れ性を向上させることで、ストリエーションが極力発生しない技術が提案されているが、かかる技術によってもやはりストリエーションが発生する場合があり、そのためレジスト液の消費量を削減できない、という課題がある。
【０００７】
本発明は、このような事情に鑑みて成されたもので、レジスト液の消費量を更に削減することができるレジスト液の供給方法及びレジスト液の供給装置を提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
かかる目的を達成するため、本発明のレジスト液の供給方法は、（ａ）基板上にシンナを供給する工程と、（ｂ）前記工程（ａ）の後、所定の回転加速度で基板の回転を加速する第１の期間と、前記第１の期間の後に基板をほぼ一定の速度で回転する第２の期間と、前記第２の期間の後に所定の回転減速度で基板の回転を減速する第３の期間とを含むように基板を回転する工程と、（ｃ）所定の供給加速度で基板上へのレジスト液の供給を加速する第４の期間と、前記第４の期間の後に基板上にほぼ一定の供給速度でレジスト液を供給する第５の期間と、前記第５の期間の後に所定の供給減速度で基板上へのレジスト液の供給を減速する第６の期間を含み、前記第１の期間中に開始され、更に前記第２の期間の始期と前記第５の期間の始期とがほぼ一致するように、前記基板の回転の開始から所定時間遅らせて、前記回転する基板上に第１の供給量でレジスト液を供給する工程と、（ｄ）前記工程（ｃ）の後、基板上にレジスト液を前記第１の供給量よりも少ない第２の供給量で供給する工程とを具備することを特徴とする。
【０００９】
また、本発明のレジスト液の供給装置は、基板を保持し、回転する保持・回転部材と、前記保持・回転部材により保持された基板上にシンナを供給するシンナ供給部と、前記保持・回転部材により保持された基板上にレジスト液を供給するレジスト液供給部と、前記保持・回転部材により保持された基板上にシンナを供給させた後に基板を回転させ、その回転の開始から所定時間遅らせて、前記回転する基板上に第１の供給量でレジスト液を供給させ、更にその後、基板上にレジスト液を前記第１の供給量よりも少ない第２の供給量で供給させるように上記の各部を制御する制御部とを具備し、前記制御部は、所定の回転加速度で基板の回転を加速する第１の期間と、前記第１の期間の後に基板をほぼ一定の速度で回転する第２の期間と、前記第２の期間の後に所定の回転減速度で基板の回転を減速する第３の期間を有するように、前記保持・回転部材を制御すると共に、所定の供給加速度で基板上へのレジスト液の供給を加速する第４の期間と、前記第４の期間の後に基板上にほぼ一定の供給速度でレジスト液を供給する第５の期間と、前記第５の期間の後に所定の供給減速度で基板上へのレジスト液の供給を減速する第６の期間を有するように前記レジスト液供給部を制御し、更に前記第１の期間中に基板上への第１の供給量でのレジスト液の開始がなされるように前記レジスト液供給部を制御すると共に、前記第２の期間の始期と前記第５の期間の始期とがほぼ一致するように前記保持・回転部材及び前記レジスト液供給部を制御することを特徴とする。
【００１０】
本発明によれば、シンナの供給した後の基板の回転の開始から所定時間遅らせてレジスト液の供給を開始させることで、レジスト液がシンナに混ざることなく、レジスト液の縁（液際）が確実にシンナにより濡れた基板上を伸展する。加えて、最初に多量のレジストを供給することで、レジスト液の縁にレジスト液の大きな膨らみが発生し、その膨らんだレジスト液が確実にシンナにより濡れた基板上を伸展するので、レジスト液の縁に  ストリエーションが発生することはなく、そのためレジスト液の消費量を削減することができる。
【００１１】
本発明の更なる特徴と利点は、添付した図面及び発明の実施の形態の説明を参酌することによりより一層明らかになる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。
【００１３】
図１〜図３は本発明の一実施形態であるレジスト液供給装置が採用された半導体ウエハの塗布現像処理システム１の全体構成の図であって、図１は平面、図２は正面、図３は背面を夫々示している。
【００１４】
この塗布現像処理システム１は、被処理基板としてウエハＷをウエハカセットＣＲで複数枚、例えば２５枚単位で外部からシステムに搬入したり、あるいはシステムから搬出したり、ウエハカセットＣＲに対してウエハＷを搬入・搬出したりするためのカセットステーション１０と、塗布現像工程の中で１枚ずつウエハＷに所定の処理を施す枚葉式の各種処理ユニットを所定位置に多段配置してなる処理ステーション１１と、この処理ステーション１１に隣接して設けられる露光装置（図示せず）との間でウエハＷを受け渡しするためのインターフェース部１２とを一体に接続した構成を有している。
【００１５】
前記カセットステーション１０では、図１に示すように、カセット載置台２０上の位置決め突起２０ａの位置に、複数個例えば４個までのウエハカセットＣＲが、夫々のウエハ出入口を処理ステーション１１側に向けてＸ方向（図１中の上下方向）一列に載置され、このカセット配列方向（Ｘ方向）及びウエハカセッ卜ＣＲ内に収納されたウエハのウエハ配列方向（Ｚ方向；垂直方向）に移動可能なウエハ搬送体２１が各ウエハカセットＣＲに選択的にアクセスするようになっている。
【００１６】
さらにこのウエハ搬送体２１は、θ方向に回転自在に構成されており、後述するように処理ステーション１１側の第３の処理ユニット群Ｇ３  の多段ユニット部に属するアライメントユニット（ＡＬＩＭ）及びイクステンションユニット（ＥＸＴ）にもアクセスできるようになっている。
【００１７】
前記処理ステーション１１には、図１に示すように、ウエハＷを保持・搬送するピンセット４８を備えた垂直搬送型の主ウエハ搬送機構２２が設けられ、その周りに全ての処理ユニットが１組または複数の組に亙って多段に配置されている。主ウエハ搬送機構２２は、ピンセット４８を上下方向（Ｚ方向）に昇降自在に装備しており、筒状支持体４９はモータ（図示せず）の回転軸に接続されており、このモータの回転駆動力によって、前記回転軸を中心としてピンセット４８と一体に回転し、それによりこのピンセット４８は、θ方向に回転自在となっている。このような構成により各処理ユニット間での受け渡しを実現している。
【００１８】
また、この例では、５つの処理ユニット群Ｇ１  、Ｇ２  、Ｇ３  、Ｇ４  、Ｇ５  が配置可能な構成であり、第１及び第２の処理ユニット群Ｇ１  、Ｇ２  の多段ユニットは、システム正面（図１において手前）側に配置され、第３の処理ユニット群Ｇ３  の多段ユニットはカセットステーション１０に隣接して配置され、第４の処理ユニット群Ｇ４  の多段ユニットはインターフェース部１２に隣接して配置され、第５の処理ユニット群Ｇ５  の多段ユニットは背面側に配置されることが可能である。
【００１９】
図２に示すように、第１の処理ユニット群Ｇ１  では、カップＣＰ内でウエハＷをスピンチャックに載せて所定の処理を行う２台のスピンナ型処理ユニット、例えば本発明に係るレジスト液の供給装置（ＣＯＴ）と、現像ユニット（ＤＥＶ）とが下から順に２段に重ねられている。第２の処理ユニット群Ｇ２  でも、２台のスピンナ型処理ユニット、例えばレジスト液供給装置（ＣＯＴ）及び現像ユニット（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ねられている。これらレジスト液供給装置（ＣＯＴ）は、レジスト液の排液が機構的にもメンテナンスの上でも面倒であることから、このように下段に配置するのが好ましい。しかし、必要に応じて適宜上段に配置することももちろん可能である。更に、レジスト液供給装置（ＣＯＴ）の下部には、処理液としてのレジスト液などが設置されたケミカルエリア１３が設けられている。
【００２０】
図３に示すように、第３の処理ユニット群Ｇ３  では、ウエハＷを載置台に載せて所定の処理を行うオーブン型の処理ユニット、例えば冷却処理を行うクーリングユニット（ＣＯＬ）、レジストの定着性を高めるためのいわゆる疏水化処理を行うアドヒージョンユニット（ＡＤ）、位置合わせを行うアライメントユニット（ＡＬＩＭ）、イクステンションユニット（ＥＸＴ）、露光処理前の加熱処理を行うプリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）及び露光処理後の加熱処理を行うポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が、下から順に例えば８段に重ねられている。第４の処理ユニット群Ｇ４  でも、オーブン型の処理ユニット、例えばクーリングユニット（ＣＯＬ）、イクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）、イクステンションユニット（ＥＸＴ）、クーリングユニッ卜（ＣＯＬ）、プリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）及びポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が下から順に、例えば８段に重ねられている。
【００２１】
このように処理温度の低いクーリングユニット（ＣＯＬ）、イクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）を下段に配置し、処理温度の高いベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）、ポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）及びアドヒージョンユニット（ＡＤ）を上段に配置することで、ユニット間の熱的な相互干渉を少なくすることができる。もちろん、ランダムな多段配置としてもよい。
【００２２】
前記インターフェース部１２は、奥行方向（Ｘ方向）については、前記処理ステーション１１と同じ寸法を有するが、幅方向についてはより小さなサイズに設定されている。そしてこのインターフェース部１２の正面部には、可搬性のピックアップカセットＣＲと、定置型のバッファカセットＢＲが２段に配置され、他方背面部には周辺露光装置２３が配設され、さらにまた中央部にはウエハ搬送体２４が設けられている。このウエハ搬送体２４は、Ｘ方向、Ｚ方向に移動して両カセットＣＲ、ＢＲ及び周辺露光装置２３にアクセスするようになつている。前記ウエハ搬送体２４は、θ方向にも回転自在となるように構成されており、前記処理ステーション１１側の第４の処理ユニット群Ｇ４  の多段ユニットに属するイクステンションユニット（ＥＸＴ）や、さらには隣接する露光装置側のウエハ受渡し台（図示せず）にもアクセスできるようになっている。
【００２３】
またこの塗布現像処理システム１では、既述の如く主ウエハ搬送機構２２の背面側にも破線で示した第５の処理ユニット群Ｇ５  の多段ユニットが配置できるようになっているが、この第５の処理ユニット群Ｇ５  の多段ユニットは、案内レール２５に沿って主ウエハ搬送機構２２からみて、側方へシフトできるように構成されている。従って、この第５の処理ユニット群Ｇ５  の多段ユニットを図示の如く設けた場合でも、前記案内レール２５に沿ってスライドすることにより、空間部が確保されるので、主ウエハ搬送機構２２に対して背後からメンテナンス作業が容易に行えるようになっている。なお第５の処理ユニット群Ｇ５  の多段ユニッ卜は、そのように案内レール２５に沿った直線状のスライドシフトに限らず、図１中の一点鎖線の往復回動矢印で示したように、システム外方へと回動シフトさせるように構成しても、主ウエハ搬送機構２２に対するメンテナンス作業のスペース確保が容易である。
【００２４】
次に、図４及び図５につき本発明に係るレジスト液の供給装置としてのレジスト液供給装置（ＣＯＴ）を説明する。図４及び図５は、レジスト液供給装置（ＣＯＴ）の全体構成を示す略断面図及び略平面図である。
【００２５】
図４を参照してユニット底の中央部に環状のカップＣＰが配設され、その内側にスピンチャック５２が配置されている。スピンチャック５２は真空吸着によって半導体ウエハＷを固定保持した状態で、駆動モータ５４の回転駆動力で回転するように構成されている。駆動モータ５４は、ユニット底板５０に設けられた開口５０ａに昇降移動可能に配置され、例えばアルミニウムからなるキャップ状のフランジ部材５８を介して例えばエアシリンダからなる昇降駆動手段６０及び昇降ガイド手段６２に結合されている。
【００２６】
レジスト塗布時には、図４に示すように、フランジ部材５８の下端５８ａが開口５０ａの外周付近でユニット底板５０に密着し、ユニット内部が密閉されるようになっている。スピンチャック５２と主ウエハ搬送機構２２のピンセット４８との間で半導体ウエハＷの受け渡しが行われる時は、昇降駆動手段６０が駆動モータ５４ないしスピンチャック５２を上方へ持ち上げるため、フランジ部材５８の下端がユニット底板５０から浮くようになっている。
【００２７】
カップＣＰの中は、外周壁面、内周壁面及び底面によって１つの室が形成されており、底面に１つ又は複数のドレイン口５６が設けられており、このドレイン口５６はドレイン管７０を介して図示しないタンクに接続されている。レジスト塗布時においては、ウエハＷから四方へ飛散したレジスト液は、カップＣＰの中に回収され、廃液としてカップＣＰの底のドレイン口５６からドレイン管７０を通って図示しないタンクへ送られる。
【００２８】
ウエハＷのウエハ表面にレジスト液を供給するためのレジストノズル３６ａは、レジスト供給管３７ａ及びレジスト用ベローズポンプ３８ａを介してレジスト供給源３９ａに接続されている。また、レジスト塗布時にレジスト液とウエハ基板との濡れ性を向上させるためにウエハＷ表面にシンナを供給するシンナノズル３６ｂはシンナ供給管３７ｂ、及びシンナ用ベローズポンプ３８ｂを介してシンナ供給源３９ｂに接続されている。これらレジスト用ベローズポンプ３８ａ及びシンナ用ベローズポンプ３８ｂは、制御部１５によりその作動が制御されることによってウエハＷ上に供給されるレジスト液及びシンナの単位時間当たりの吐出量（以下、供給速度という。）が制御されるようになっている。この制御部１５は、駆動モータ５４の回転数、すなわちウエハＷの回転数をも制御している。
【００２９】
なお、上記レジスト用ベローズポンプ３８ａ及びシンナ用ベローズポンプ３８ｂ、レジスト供給源３９ａ及びシンナ供給源３９ｂは図２に示すケミカルエリア１３に内蔵されている。
【００３０】
レジストノズル３６ａは、カップＣＰの外側に配設されたレジストノズル待機部９０（図５）でノズルスキャンアーム７６の先端部において取付部材１００に着脱可能に取り付けられ、スピンチャック５２の上方に設定された所定のレジスト液吐出位置まで移送されるようになっている。また、シンナノズル３６ｂも取付部材１００に着脱可能に取り付けられている。ノズルスキャンアーム７６は、ユニット底板５０の上に一方向（Ｙ方向）に敷設されたガイドレール７４上で水平移動可能な垂直支持部材７５の上端部に取り付けられており、図示しないＹ方向駆動機構によって垂直支持部材７５と一体にＹ方向で移動するようになっている。また、ノズルスキャンアーム７６は、レジストノズル待機部９０でレジストノズル３６ａを選択的に取り付けるためにＹ方向と直角なＸ方向にも移動可能であり、図示しないＸ方向駆動機構によってＸ方向にも移動するようになっている。
【００３１】
なお、制御部１５は昇降駆動手段６０による昇降動作やノズルスキャンアーム７６の移動等をも制御するようにしている。
【００３２】
次に、この塗布現像処理システム１における一連の処理工程、及び本発明に係るレジスト液供給装置（ＣＯＴ）を説明する。
【００３３】
先ずカセットステーション１０において、ウエハ搬送体２１がカセット載置台２０上の処理前のウエハを収容しているカセットＣＲにアクセスして、そのカセットＣＲから１枚の半導体ウエハＷを取り出し、アライメントユニット（ＡＬＩＭ）に搬送される。このアライメントユニット（ＡＬＩＭ）にてウエハＷの位置合わせが行われた後、主ウエハ搬送機構２２によりアドヒージョンユニット（ＡＤ）へ搬送され疎水化処理が行われ、次いでクーリングユニット（ＣＯＬ）にて所定の冷却処理（第１冷却）が行われた後、レジスト液供給装置（ＣＯＴ）に搬送される。
【００３４】
このレジスト液供給装置（ＣＯＴ）においては、図４を参照して、ピンセット４８により保持されたウエハＷがカップＣＰの直上位置まで搬送されるとスピンチャック５２が上昇し、ウエハＷを真空吸着させた後に下降してウエハＷがカップＣＰ内の所定の位置（図４に示す状態）に収まる。このとき、ノズルスキャンアーム７６は、ウエハＷの受け渡しの妨げにならないようにカップＣＰの外側で待機している。続いてシンナノズル３６ｂがウエハＷ上の中心に位置するようにノズルスキャンアーム７６のスキャン機構により移動する。
【００３５】
ここで図６にウエハＷの回転数（符号３２）及びレジストの供給速度（ｍｌ／ｓｅｃ）（符号３１）と、時間（ｓｅｃ）Ｔとの関係を示す。以下この図６を参照しながらレジスト液の供給方法について説明する。
【００３６】
図７（ａ）を参照して、先ずウエハＷを静止させた状態で例えば０．２〜１．０（ｍｌ）のシンナＢをウエハＷ中心に供給する（図６に示す符号３０）。そしてノズルスキャンアーム７６の移動により、レジストノズル３６ａがシンナ吐出終了後約０．１秒の間にウエハＷの中心上の位置に移動するとともにウエハＷの回転を開始する（図７（ｂ）に示す。）。このウエハＷの回転開始時間をＴ＝０とし、回転加速度は例えば２０，０００（ｒｐｍ／ｓ）とする。そしてＴ＝０から所定時間経過後であって回転加速途中に、例えば、Ｔ＝０から０．１〜０．２秒経過後に所定の供給加速度でウエハＷ中心にレジスト液Ｒの塗布を開始する（図６においてＴＲ１、図７において（ｃ）に示す。）。そしてウエハ回転数が一定、例えば４０００（ｒｐｍ）になる（Ｔ１）とともに第１の供給速度として比較的高い一定の供給速度１．０（ｍｌ／ｓ）での吐出を開始して（ＴＲ４）、例えば０．１秒後所定の減速度で減速し、第２の供給速度として比較的低い一定の供給速度０．４（ｍｌ／ｓ）になった時点で減速を終了する（ＴＲ２）。減速を終了した後は上記第２の供給速度で吐出し（図７（ｄ））、例えば０．６〜０．７秒後に減速を開始し（ＴＲ５）、これと同時にこれまで一定速度で回転していたウエハＷの回転数の減速を開始し（Ｔ＝０から約１秒後（Ｔ２））、レジスト供給及びウエハ回転数を０にする（ＴＲ３及びＴ３）。
【００３７】
このようにシンナの供給した後のウエハＷの回転の開始から所定時間遅らせてレジスト液の供給を開始させることで、レジスト液がシンナに混ざることなく、レジスト液の縁（液際）が確実にシンナにより濡れた基板上を伸展する。そしてこの状態で第１段階として短時間にレジスト液の供給量を比較的多くして、第２段階として第１段階よりも長い時間に供給量を少なくして供給することにより、図８に示すように、レジスト液Ｒの伸展縁Ｒａの量が他の部位に比べ多くなるので膨らみが発生し、その膨らんだレジスト液が確実にシンナにより濡れた基板上を真円に近い状態で伸展するので、レジスト液の消費量を削減することができる。
【００３８】
また、第１の供給速度の始期ＴＲ４とウエハ回転数一定の始期Ｔ１とを同時として、更に第２の供給速度の終期ＴＲ５及びウエハ回転数一定の終期Ｔ２とを同時とすることにより、回転数制御及び供給速度の制御のシーケンスが容易になる。
【００３９】
レジスト液の供給が終了すると、次にプリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）において所定の加熱処理が行われ、クーリングユニット（ＣＯＬ）において冷却処理され、その後ウエハ搬送体２４によりインターフェース部１２を介して図示しない露光装置により露光処理が行われる。露光処理が終了した後は、定在波効果によるレジストパターンの変形を抑制するためポストエクスポージャーベーキングユニットで所定の加熱処理が行われる場合も有る。
【００４０】
その後クーリングユニット（ＣＯＬ）において冷却処理が行われ、ウエハＷは現像ユニット（ＤＥＶ）に搬送され、所定の現像処理が行われ、ポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）で所定の加熱処理が行われる。この加熱処理は例えば１００℃以上で加熱処理する。そしてクーリングユニット（ＣＯＬ）にて冷却処理が行われた後、カセットステーション１０に戻される。
【００４１】
図９に他の実施形態によるレジスト液の供給方法を示す。なお、供給方法以外については、装置等の構成及びその作用は上記実施形態と同一であるのでその説明を省略する。
【００４２】
本実施形態においては、上記実施形態と同様に、先ずウエハＷを静止させた状態で例えば０．２〜１．０（ｍｌ）のシンナＢをウエハＷ中心に供給する。（符号３０）。そしてノズルスキャンアーム７６の移動により、レジストノズル３６ａがシンナ吐出終了後約０．１秒の間にウエハＷの中心上の位置に移動するとともにウエハＷの回転を開始する。このウエハＷの回転開始時間をＴ＝０とし、回転加速度は例えば２０，０００（ｒｐｍ／ｓ）とする。そしてＴ＝０から所定時間経過後であって回転加速途中に、例えば、Ｔ＝０から０．１〜０．２秒経過後に所定の供給加速度でウエハＷ中心にレジスト液Ｒの塗布を開始する（ＴＲ１）。そしてウエハ回転数が一定、例えば４０００（ｒｐｍ）になる（Ｔ１）とともに第１の供給速度として比較的高い一定の供給速度１．０（ｍｌ／ｓ）で約０．１秒間吐出して、その後所定の減速度で供給速度を減速し、第２の供給速度として比較的低い一定の供給速度０．４（ｍｌ／ｓ）になった時点で減速を終了する（ＴＲ２´）。減速を終了した後は上記第２の供給速度で、例えば上記実施形態よりも短時間の約０．５秒間吐出して、その後減速を開始して（ＴＲ５´）レジスト供給を終了する（ＴＲ３´）。そしてその後にこれまで一定速度で回転していたウエハＷの回転数の減速を開始して（Ｔ＝０から約１秒後（Ｔ２））回転を停止する（Ｔ３）。
【００４３】
本実施形態の供給方法によれば上記実施形態と同様に、ストリエーションが発生することはなく、またウエハ回転が減速するＴ２の前にレジスト液の供給が終了しており、後は回転の遠心力により伸展するので更にレジスト液の消費量を削減できる。
【００４４】
なお、本発明は以上説明した実施形態には限定されない。
【００４５】
上記各実施形態では、半導体ウエハ基板上に供給するレジスト供給装置及びその方法について説明したが、これに代えて液晶ディスプレイ等に用いられるガラス基板上に供給するレジスト供給装置等にも適用可能である。
【００４６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、最初に多量のレジスト液を供給することで、レジスト液の縁にレジスト液の大きな膨らみが発生し、その膨らんだレジスト液が確実にシンナにより濡れた基板上を伸展するので、レジスト液の縁に  ‘ギザギザ’とした形状、いわゆるストリエーションが発生することはなく、そのためレジスト液の消費量を削減することができる。、
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のレジスト液の供給装置及びレジスト液の供給方法が適用される塗布現像処理システムの全体構成を示す平面図である。
【図２】図１に示す塗布現像処理システムの正面図である。
【図３】図１に示す塗布現像処理システムの背面図である。
【図４】本発明に係るレジスト液供給装置の断面図である。
【図５】図４に示すレジスト液供給装置の平面図である。
【図６】本発明の一実施形態による基板回転数及びレジスト供給速度と、時間との関係を示す図である。
【図７】基板に対するレジスト液及びシンナの供給作用を示す模式図である。
【図８】基板に対してレジスト液が伸展していく際のレジスト液の縁部分を示す模式的な断面図である。
【図９】本発明の他の実施形態による基板回転数及びレジスト供給速度と、時間との関係を示す図である。
【図１０】従来におけるレジスト液の基板に対する伸展状態を示す平面図である。
【符号の説明】
Ｗ…ウエハ
Ｂ…シンナ
Ｒ…レジスト液
Ｒａ…伸展縁
１５…制御部
３６ａ．．．レジストノズル
３６ｂ…シンナノズル
３８ａ…レジスト用ベローズポンプ
３８ｂ…シンナ用ベローズポンプ
３９ａ．．．レジスト供給源
３９ｂ…シンナ供給源
５２．．．スピンチャック
５４．．．駆動モータ
８３ａ．．．レジスト供給管
８３ｂ…シンナ供給管
９２．．．ノズルスキャンアーム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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