(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィ投影装置であって、
約５０ｎｍ未満の波長を有する電磁放射線の投影ビームを供給するための照明システムと、
マスクを保持するための第１物体ホルダを備える第１物体テーブルと、
基板を保持するための第２物体ホルダを備える第２物体テーブルと、
上記マスクの被照射部分を上記基板の目標部分上に結像するための投影システムとを含む装置において、
前記照明システムの光学路に沿って配置された積分要素を更に含み、
この積分要素は中空導波管を含み、
この中空導波管はほぼ矩形の断面を有し、この断面は前記光学路に沿って一定であり、
上記中空導波管が一般的にＬ形構成に接合した２対のミラーを含み、上記導波管の断面を調整するために各対の一つのミラーの自由縁が他の対のミラーの反射面にほぼ垂直に当接し且つそれに対して摺動できることを特徴とする装置。
【請求項２】
請求項１による装置に於いて、この中空導波管を、この放射線がこの導波管の内壁にすれすれ入射して反射をするように、放射線の入来ビームに関して配置した装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２による装置に於いて、この中空導波管の内壁の少なくとも一部分が、Ｍｏ，Ｗ，Ｒｕ，Ａｌおよびそれらの合金によって構成された群から選択された金属の層を含む装置。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３の何れか一つによる装置に於いて、前記照明システムは８から２０ｎｍの範囲、特に１３．４ｎｍの波長を有する、超紫外線の投影ビームを作るようにされている装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、リソグラフィ投影装置に使用するための積分器で、その投影装置が：
約５０ｎｍ未満の波長を有する電磁放射線の投影ビームを供給するための照明システム；
マスクを保持するための第１物体ホルダを備える第１物体テーブル；
基板を保持するための第２物体ホルダを備える第２物体テーブル；および
上記マスクの被照射部分を上記基板の目標部分上に結像するための投影システムを含む装置に関する。
更に詳しくは、この発明は、この電磁放射線が、典型的には波長が約１５ｎｍ以下の、超紫外線光（ＥＵＶ）である、そのようなデバイスに関する。リソグラフィ産業でかなりの関心を得つつあるＥＵＶ領域の波長の例は、１３．４ｎｍであるが、例えば、１１ｎｍのように、この領域に他の有望な波長もある。
【０００２】
【従来の技術】
簡単のために、この投影システムを、以後“レンズ”と呼ぶかも知れないが；この用語は、例えば、屈折性光学素子、反射性光学素子、および射屈折性光学素子を含む、種々の型式の投影システムを包含するように広く解釈すべきである。この放射線システムもこれらの原理の何れかに従って放射線の投影ビームを指向し、成形しまたは制御するために作用する素子を含んでもよく、そのような素子も以下で集合的または単独に“レンズ”と呼ぶかも知れない。その上、この第１および第２物体テーブルを、それぞれ、“マスクテーブル”および“基板テーブル”と呼ぶかも知れない。更に、このリソグラフィ装置は、二つ以上のマスクテーブルおよび／または二つ以上の基板テーブルを有する型式のものでもよい。そのような“多段”装置では、追加のテーブルを並列に使ってもよく、または準備工程を一つ以上のテーブルで実施し、一方、一つ以上の他のテーブルを露出用に使ってもよい。
リソグラフィ投影装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使うことができる。そのような場合、マスク（レチクル）がこのＩＣの個々の層に対応する回路パターンを含んでもよく、このパターンを、エネルギー感応性材料（レジスト）の層で塗被した基板（シリコンウエハ）の露出領域（ダイ）上に結像することができる。一般的に、１枚のウエハが隣接するダイの全ネットワークを含み、それらをレチクルを経て、一度に一つずつ、順次照射する。リソグラフィ投影装置の一つの型式では、全レチクルパターンをダイ上に一度に露出することによって照射し；そのような装置を普通ウエハステッパと呼ぶ。代替装置−それを普通ステップ・アンド・スキャン装置と呼ぶ−では、このレチクルパターンを投影ビームで与えられた基準方向（“走査”方向）に順次走査し、一方、一般的に、この投影システムが倍率Ｍ（一般的に＜１）であり、ウエハテーブルを走査する速度Ｖが、倍率Ｍ掛けるレチクルテーブルを走査する速度であるので、ウエハテーブルをこの方向に平行または逆平行に同期して走査することによって各ダイを照射する。ここに説明したようなリソグラフィ装置に関する更なる情報は、例えば、国際特許出願ＷＯ９７／３３２０５から収集することができる。
【０００３】
極最近まで、リソグラフィ装置は、単一マスクテーブルおよび単一基板テーブルを含んだ。しかし、今や少なくとも二つの独立に可動の基板テーブルがある機械が利用可能である；例えば、国際特許出願ＷＯ９８／２８６６５およびＷＯ９８／４０７９１に記載されている多段装置参照。そのような多段装置の背後の基本動作原理は、第１基板テーブルがその上にある第１基板を露出するために投影システムの下にある間に、第２基板テーブルが載荷位置へ移動でき、先に露出した基板を排出し、新しい基板を取上げ、この新しい基板に幾つかの初期測定を行い、および次に第１基板の露出が完了するとすぐ、この新しい基板を投影システムの下の露出位置へ移送するために待機し；以上のこのサイクルを繰返すことである。この様にして、機械のスループットをかなり向上することが可能であり、それが次にこの機械の所有コストを改善する。同じ原理を露出位置と測定位置の間を動く一つだけの基板テーブルに使えることを理解すべきである。
【０００４】
ＥＵＶ範囲の電磁放射線を包含する、現在の発明の場合、投影システムは、一般的にミラーのアレーから成り、マスクは、反射性である；例えば、ＷＯ９９／５７５９６（Ｐ−０１１１）で議論されている装置を参照されたい。この場合の放射線は、次のような種々の既知の手段によって作ることができる：
−  気体、液体または固体の適当なレーザ照射による；
−  プラズマ源に基づく；
−  シンクロトロンまたは貯蔵リングに於ける電子ビームの経路の周りに設けた
アンジュレータ／ウィグラの助けをかりる。
この照明システムに含まれ、そのような放射線に使うのに適した照明器の例は、ヨーロッパ特許出願第００３００７８４．６号（Ｐ−０１２９）に記載されている。
一般的に、この照明システムに積分要素を組込み、その要素がマスクの前の投影ビームの断面全体に亘る強度均一性を改善するのに役立つのが望ましいだろう。ＵＶリソグラフィの場合、そのような積分要素（“積分器”）は、所謂蠅の目レンズ、または（石英棒のような）屈折棒を含むかも知れない。しかし、そのような積分器は、ＥＵＶ範囲の放射線に使うには適さず、従って代替手段が求められている。これまで、リップル板、多層ミラーおよびウィグラのような代替手段を使うことが提案されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
この発明の目的は、波長５０ｎｍ以下の電磁放射線に使うための、特にＥＵＶに使うための代替積分器を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
これらおよびその他の目的は、リソグラフィ投影装置で：
約５０ｎｍ未満の波長を有する電磁放射線の投影ビームを供給するための照明システム；
マスクを保持するための第１物体ホルダを備える第１物体テーブル；
基板を保持するための第２物体ホルダを備える第２物体テーブル；および
上記マスクの被照射部分を上記基板の目標部分上に結像するための投影システム；を含む装置であって：
この照明システムの放射線の経路に配置され、中空導波管を含む積分要素に特徴がある装置で達成される。
【０００７】
本発明者は、そのような積分器が驚くべき高効率および透過率を有することができ、多くの種々の用途に適していることを実証した。この発明の好適実施例を請求項に更に詳しく記し、これらの実施例を多数以下に実施態様および図面で説明する。
【０００８】
この発明は、リソグラフィ投影装置を使うデバイスの製造方法であり、その投影装置が：
約５０ｎｍ未満の波長を有する電磁放射線の投影ビームを供給するための照明システム；
マスクを保持するための第１物体ホルダを備える第１物体テーブル；
基板を保持するための第２物体ホルダを備える第２物体テーブル；および
上記マスクの被照射部分を上記基板の目標部分上に結像するための投影システムを含む装置であり；この方法が：
パターンを坦持するマスクを上記第１物体テーブルに設ける工程；
放射線感応層を有する基板を上記第２物体テーブルに設ける工程；
このマスクの部分を上記投影ビームで照射する工程；および
このマスクの被照射部分をこの基板の目標部分上に結像する工程を含む方法に於いて、このマスクに向ける前に、この投影ビームを、中空導波管を含む積分要素に通すことを特徴とする方法にも関する。
【０００９】
【発明の実施の形態】
この発明によるリソグラフィ投影装置を使う製造プロセスでは、マスクのパターンを、少なくとも部分的にエネルギー感応性材料（レジスト）で覆われた基板上に結像する。この結像工程の前に、この基板は、例えば、下塗り、レジスト塗布およびソフトベークのような、種々の処理を受けるかも知れない。露出後、基板は、例えば、露出後ベーク（ＰＥＢ）、現像、ハードベークおよび結像形態の測定／検査のような、他の処理を受けるかも知れない。この一連の処理は、デバイス、例えばＩＣの個々の層をパターン化するための基礎として使用する。そのようにパターン化した層は、次に、エッチング、イオン注入（ドーピング）、金属化処理、酸化処理、化学・機械的研磨等のような、全て個々の層の仕上げを意図した種々の処理を受けるかも知れない。もし、幾つかの層が必要ならば、全処理またはその変形を各新しい層に反復しなければならないだろう。結局、デバイス（ダイ）のアレーが基板（ウエハ）上にできる。次に、これらのデバイスをダイシングまたは鋸引のような手法によって互いから分離し、そこから個々のデバイスをキャリヤに取付け、ピンに接続し等できる。そのようなプロセスに関する更なる情報は、例えば、ピータ・バン・ザントの“マイクロチップの製作：半導体加工の実用ガイド”、第３版、マグロウヒル出版社、１９９７年、ＩＳＢＮ０−０７−０６７２５０−４という本から得ることができる。
【００１０】
この本文では、この発明による装置をＩＣの製造に使うことに特別の参照をしてもよいが、そのような装置に多くの他の用途の可能性があることを明確に理解すべきである。例えば、それを集積光学系、磁区メモリ用誘導検出パターン、液晶ディスプレーパネル、薄膜磁気ヘッド等の製造に使ってもよい。当業者は、そのような代替用途の関係では、この本文で使う“レチクル”、“ウエハ”または“ダイ”という用語のどれも、それぞれ、より一般的な用語“マスク”、“基板”および“露出領域”で置換えられると考えるべきであることが分るだろう。
本明細書では、この発明を直交Ｘ、ＹおよびＺ方向の基準方式を使って説明し、Ｉ方向に平行な軸周りの回転をＲｉで表す。更に、前後関係で別の要求をされるのでなければ、ここで使う“垂直”（Ｚ）という用語は、この装置の何れかの特定の向きを意味するのではなく、基板またはマスク面の法線方向を指すことを意図する。
この発明およびそれに付随する利点を実施例および添付の図面を参照して更に説明する。
これらの図面で、類似の部品には、類似の参照番号を付ける。
【００１１】
【実施例１】
図１は、この発明によるリソグラフィ投影装置を概略的に示す。この装置は：
●  放射線（例えば、ＵＶまたはＥＵＶ線）の投影ビームＰＢを供給するための放射線システムＬＡ、ＩＬ；
●  マスクＭＡ（例えば、レチクル）を保持するためのマスク、または第１物体、ホルダを備え、このマスクを部材ＰＬに関して正確に位置決めするための第１位置決め手段に結合された第１物体テーブル（マスクテーブル）ＭＴ；
●  基板Ｗ（例えば、レジストを塗被したシリコンウエハ）を保持するための基板、または第２物体、ホルダを備え、この基板を部材ＰＬに関して正確に位置決めするための第２位置決め手段に結合された第２物体テーブル（基板またはウエハテーブル）ＷＴ；
●  このマスクＭＡの被照射部分を基板テーブルＷＴに保持された基板Ｗの露出領域Ｃ（ダイ）上に結像するための投影システム（“レンズ”）ＰＬ（例えば、屈折若しくは反射屈折性のシステム、ミラーグループまたは視界偏向器アレー）；
を含む。
ここに描くように、この装置は反射型（即ち、反射性マスクを有する）である。しかし、一般的に、それは、例えば、透過型でもよい。
この放射線システムは、ＥＵＶ放射線のビームを作る線源ＬＡ（例えば、貯蔵リング若しくはシンクロトロンの電子ビームの経路の周りに設けたアンジュレータ若しくはウィグラ、またはプラズマ源）を含む。このビームは、例えば、出来たビームＰＢを成形しおよび／または平行にし、および／またはその断面全体に亘って均一な強度にする目的で、照明システムＩＬに含まれる種々の光学部品に通される。
【００１２】
このビームＰＢは、続いてマスクテーブルＭＴ上のマスクホルダに保持されているマスクＭＡと交差する。マスクＭＡを透過してから、ビームＰＢは、レンズＰＬを通過し、そのレンズがビームＰＢを基板Ｗの露出領域Ｃ上に集束する。干渉形変位測定手段ＩＦを使って、基板テーブルＷＴを、例えば、異なる露出領域ＣをビームＰＢの経路内に配置するように、第２位置決め手段によって正確に動かすことができる。同様に、第１位置決め手段を使って、例えば、マスクＭＡをマスクライブラリーから機械的に取出してから、このマスクＭＡをビームＰＢの経路に関して正確に配置することができる。一般的に、物体テーブルＭＴ、ＷＴの移動は、図１にはっきりは示さないが、長ストロークモジュール（粗位置決め）および短ストロークモジュール（微細位置決め）を使って実現する。ウエハステッパの場合は（ステップ・アンド・スキャン装置とは違って）、レチクルテーブルをマスクの向きおよび位置の微細調整をするために、短ストローク位置決め装置にだけ接続してもよい。
【００１３】
図示する装置は、二つの異なるモードで使用出来る：
１．  ステップ・アンド・リピート（ステップ）モードでは、マスクテーブルＭＴを本質的に固定し、全マスク画像を露出領域Ｃ上に一度に（即ち、単一“フラッシュ”で）投影する。次に、基板テーブルＭＴをＸおよび／またはＹ方向に移動して異なる露出領域ＣをビームＰＢによって照射できるようにし；
２．  ステップ・アンド・スキャン（走査）モードでは、与えられた露出領域Ｃを単一“フラッシュ”で露出しないことを除いて、本質的に同じシナリオを適用する。その代りに、マスクテーブルＭＴが与えられた方向（所謂“走査”方向、例えば、Ｙ方向）に速度ｖで動き得て、それで投影ビームＰＢにマスク画像上を走査させ；同時に、基板テーブルＷＴを同じまたは反対方向にＶ＝Ｍｖの速度で動かし、但し、ＭはレンズＰＬの倍率（例えば、Ｍ＝１／４または１／５）である。この様にして、比較的大きな露出領域Ｃを、解像度に妥協することなく、露出することが出来る。
【００１４】
図２は、照明システムＩＬに組込んだ積分器１０を示す。それは、図２に示すように相互に対向して配置した、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｕ、Ａｌおよびそれらの合金のような、金属で作った２対の平行ミラー１１、１２を含む。この金属の選択は、少なくとも一部、この積分器に使うべき波長に依る。例えば、Ｗが波長１３．４ｎｍの放射線に最善であり、Ｒｕも１１．４ｎｍに許容でき、一方Ａｌは、４０ｎｍに好ましい。ＥＵＶ源ＬＡが、例えば、図２のように放射し、入射ＥＵＶ放射線ＰＢがすれすれ入射でミラーに当る。その結果の繰返し反射が、図３に示すように、仮想源ＬＡ’（標準ＵＶリソグラフィの石英棒に類似する）を作る。これは、次の二つの要因により、積分器の出口端で線量均一性を増す結果になる：
ａ．  この端が源から遠くにある
ｂ．  源の有効数が増す。
特別な場合、上に説明した積分器は、１０ｃｍ×０．６ｃｍ（マスクレベルでの照明スリットの寸法に対応する）の大きさの均一な矩形断面を有し、この源から１３．７ｃｍの距離にあり；これは最大入射角２０°に相当する。もし、この積分器壁がＭｏ（少なくともその表面が）から成るならば、入射角θが０°ないし２０°の範囲の反射率Ｒが、図４に示すように、１ないし０．７５で変動するだろう。もし、今度は積分器の長さを最大で３回の反射が可能になるように選択し、それによって１２の追加の源を作るならば、このシステムの積分透過率が元の値の７８％になることを期待するだろう。図５は、線量不均一性Ｕ対露出スリットに沿う距離Ｘを示し、元（入口）の線量分布の線Ｃとこのシステムの出口での線量分布の走査した線Ａおよび走査しない線Ｂの両方との比較を提示する。初期の１０％以上の不均一性が１％未満の遙かに望ましいレベルに改善される。もし、この初期不均一性が高ければ、一般的に更に多くの反射が必要だろう。
【００１５】
この様にして、このシステムは、積分器としてだけでなく、収集器としても使われる。もし、入射角が１０°に限定されるならば、このシステムの積分透過率は約９０％だろう。
矩形（何れかのサイドレシオの）である他に、この積分器の断面は、丸または楕円でもよく；これが出来る仮想源の形態を変えるだろう。このシステムは、取出しスリットの形状を変える、集束性でもよい。その上、このスリットは、コンデンサとして使え、一般的に多層収集器より汚染（例えば、レジストくずによる）に鈍感だろう。
図示するすれすれ入射システムの値段は、多層ベースのシステムのそれより遙かに低くできる。大雑把に言えば、どんな種類の材料でもこの発明による積分器に使える。Ｍｏは、その高反射率のために好ましい選択肢であるが、ＳｉＯ２でさえ、１°未満の入射角に対し９０％以上の反射を送出できる。
この入射角が小さければ小さいほど、システム透過率が高く、許容される反射が多いほど、発生する線量均一性が高い。
【００１６】
【実施例２】
光ファイバをＸ線システムに於いてＸ線の集束およびコリメーションのために使うことができ、それで中空ファイバを使用する。これらの微細毛管のサイズは、約３ないし５０μｍに及ぶが、他のサイズの毛管の生産も可能である。一般的に、これらの毛管は、ＳｉＯ２で作る。
この発明によれば、そのようなファイバをＥＵＶ用途にも使える。
もし、入射角が十分小さければ（換言すれば、もし毛管直径が入射角を小さくするに十分小さければ）、高反射率のすれすれ入射内部反射が起る。図６は、ＳｉＯ２（ガラスまたは石英）およびＭｏに対する、入射角θの関数としての反射率Ｒのグラフを示す。この入射角が小さければ小さいほど、反射率が高い。更に、毛管が長ければ長いほど、同じ全損失に対して許容される内部反射が多い。原理上は、広範囲の材料をそのようなファイバに使うことができ；特に、そのようなファイバの内面を、例えば、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｕ、Ａｌおよびそれらの合金の金属層で塗被してもよい。
【００１７】
発生する強度損失の特別な原因は、これらの毛管が典型的に円形断面である結果として、それらを一緒に詰込む際の死空間によるものである。この場合の損失は、約５〜２５％（包装および壁厚に依る）になり得る。この問題を多少とも解決するためには、充填密度を改善するように、毛管を異なる断面形状（例えば、ハニカム形）にしてもよい。
【００１８】
このシステムの全透過率は、反射数（ｎｒｅｆ）、毛管直径（ｄ）、入射角（Ｒ（θ））の関数としての反射率および収集角（α）の関数である。反射数ｎｒｅｆは、ファイバの長さ（Ｌ）、ｄおよびαの関数として表すことができる。そこで全透過率を次のように書ける：
【数１】
0003598045.tif 000002
例えば、もし、ｄ＝０．１ｍｍ、α＝１°並びにＭｏに対してＲ（０．５°）＝０．９９６およびＳｉＯ２に対してＲ（０．５°）＝０．９６３、全て波長１３．４ｎｍであれば、導波管の長さＬ（ｍ）の関数としての全透過率Ｔは、図７に示す通りである。ガラスファイバに対して、Ｍｏの場合、全損失５０％に約２２ｃｍで達するが、１ｍ後でも全透過率は、まだ約７０％である。小さい角度では、ファイバを数メートルの長さに作ることができるが、まだ同じ全透過率値が得られる（ガラスに対して０．２°−＞５．５ｍ）。
ある用途では、毛管を曲げ、それによって追加のすれすれ角を導入するのが有用かも知れない。そのような曲げを行えば次のようになる：
−  滑らかに曲げれば、反射当りの曲げが小さく、多くの反射を生じ；
−  急激に曲げれば、反射当りの曲げが大きく、少しの反射しか生じない。
全曲げ透過率（Ｔｂｅｎｄ）を次のように表すことができる。
【数２】
0003598045.tif 000003
但し、αｒｅｆｌは、各入射での反射角である。図８は、各入射での角度θの関数としての毛管の（１０°の曲げに対する）曲げ透過率Ｔｂｅｎｄを示す。ガラスを使用することは、勿論、まだ可能であるが、Ｍｏ（または大抵の多の金属、または金属被覆をしたガラス）は、一般的に単純なガラスより遙かに良く機能する。
【００１９】
もし、線源からの元の放射線分布Ｉが均一でなければ、それを、図９に示すように、１組の絡み合わせたファイバに集めることができる。これらのファイバは、所望の放射線分布Ｉ’を作るようなパターンに絡み合わせる。元の放射線を別々のファイバに分けることによって導入される、高空間周波数線量変動は、図１０に示すように、異なるファイバから生ずる放射線円錐３０が交差するために、ファイバの出口端からのある距離で平滑化できる。ステップ・アンド・スキャン装置の場合のもう一つの可能性は、図１１に示すように、ファイバ２１を各行が走査方向、例えばＹに垂直な方向に僅かにずれるように詰めることである。この様にして、非直交充填装置を得る。
【００２０】
もし、線源範囲（この‘範囲’という用語は、線源の大きさと立体放射角の積を指す）がリソグラフィシステムが要するより遙かに小さければ、図１２に示すように、同じ種類の幾つかの線源ＬＡ１〜ＬＡ４をファイバ２２を使い、絡み合わせて多重化することができる。ファイバ２２のシステムは、図１３に示すように、収集器としても使うことができる。そのような収集器は、ファイバの出口端にくずがなく、十分安ければ、線源端で容易に置換してもよいが；しかし、線源にくずがなければ、そのような交換は必要なかろう。
上に議論したくずは、差圧排気を使って容易に排出できる。
【００２１】
【実施例３】
以下に説明することを除いて、第１実施例と同じである、第３実施例では、導波管が走査方向、例えばＹまたはそれに垂直な方向、例えばＸに調整可能である。この第３実施例のこれら二つの変形を図１４および図１５に示し、それらは、アーチ形（断面で）投影ビームを作るように湾曲した１対のミラーを有する、この発明による積分導波管を示す。この第３実施例の原理を他の形状、例えば、矩形の積分器にも使ってよい。
この第３実施例の第１変形の、ＸＹ平面での導波管の断面である図１４に示すように、中空導波管を構成する四つのミラー３１ないし３４を対で互いに接合し、一般的にＸＺ平面に平行なミラー３１を、一般的にＹＺ平面に平行なミラー３２に接合し、一方ミラー３３に対向するミラー３１をミラー３２に対向するミラー３４に接合する。ミラー３１の自由縁がミラー３４の反射面に当接し、摺動可能であり、ミラー３３の自由縁が同様にミラー３２に当接し、摺動可能である。それで、接合したミラー３１、３２を、接合したミラー３３、３４に対してＹ方向に動かしてもよい。従って、投影ビームの走査方向の幅が変るだろう。
【００２２】
図１５は、この第３実施例の第２変形の、図１４に類似する、断面図である。再びミラーを対で  ―  ３５を３６におよび３７を３８に接合する。しかし、この第２変形では、一般的にＹＺ平面に平行なミラー３６の自由縁が、一般的にＸＺ平面に平行なミラー３７の反射面に当接し、摺動する。同様に、ミラー３８の自由縁がミラー３５に当接し、摺動する。この第２変形では、接合したミラー対３５、３６および３７、３８がミラー３５および３７の面に平行な円弧に沿って互いに対して、ほぼＸ方向に動き得る。この様にして、導波管、従って照明ビームの幅を、走査方向に垂直な方向に調整する。
この第３実施例の両変形では、ミラーの接合した対の一つまたは両方を、露出間か露出中に、照明ビームの大きさを必要に応じて制御するために、適当なアクチュエータ（図示せず）で動かすことができる。付随する制御システムの詳細は勿論、これらのアクチュエータの形式、数および性能を、ミラーの大きさおよび質量、運動の所望範囲および精度並びに必要な応答速度のような要因に従って、この発明の特定の用途のために選択することができる。
この発明の特定の実施例を上に説明したが、この発明を説明した以外の方法で実施してもよいことが分るだろう。この説明は、この発明を限定するつもりはない。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１実施例によるリソグラフィ投影装置を示す。
【図２】現在の発明の積分器として使用できる中空管を示す。
【図３】図２に示すような積分器によって作るような仮想源構成を示す。
【図４】１３．４ｎｍでのＭｏの反射率をすれすれ入射角の関数としてグラフで示す。
【図５】図２に示すような実施例を使って得られる線量均一性の改善をグラフで示す。
【図６】ＭｏまたはＳｉＯ２内面を有する光ファイバの場合の、１３．４ｎｍでのＭｏおよびＳｉＯ２の反射率をすれすれ入射角の関数としてグラフで示す。
【図７】図６に関連し、そのような積分器の全透過率をその長さの関数として示す。
【図８】図６に関連し、曲げたファイバに関する。
【図９】絡み合った光ファイバを使用する、この発明による積分器の実施例を示す。
【図１０】光ファイバの束の出口端からある距離での光の混合効果を示す。
【図１１】この発明による積分器のもう一つの実施例に於ける光ファイバの非直交充填装置を示す。
【図１２】多重化装置としても作用する積分器を示す。
【図１３】収集器としても作用する積分器を示す。
【図１４】この発明によるもう一つの積分器の断面図である。
【図１５】この発明によるもう一つの積分器の断面図である。
【符号の説明】
１０  積分要素（積分器）
１１  ミラー
１２  ミラー
２１  光ファイバ
２２  光ファイバ
３１  ミラー
３２  ミラー
３３  ミラー
３４  ミラー
Ｃ  基板の目標部分
ＩＬ  照明システム
ＬＡ  線源
ＬＡ１  線源
ＬＡ４  線源
ＭＡ  マスク
ＭＴ  第１物体テーブル
ＰＢ  投影ビーム
ＰＬ  投影システム
Ｗ  基板
ＷＴ  第２物体テーブル
【図１】
0003598045.tif 000004
【図２】
0003598045.tif 000005
【図３】
0003598045.tif 000006
【図４】
0003598045.tif 000007
【図５】
0003598045.tif 000008
【図６】
0003598045.tif 000009
【図７】
0003598045.tif 000010
【図８】
0003598045.tif 000011
【図９】
0003598045.tif 000012
【図１０】
0003598045.tif 000013
【図１１】
0003598045.tif 000014
【図１２】
0003598045.tif 000015
【図１３】
0003598045.tif 000016
【図１４】
0003598045.tif 000017
【図１５】
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