(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部から印加された電界によって膜内部に応力が生じ、当該応力に起因して結晶構造が相転移することで歪みを生じる相転移膜と、前記相転移膜に電界を印加する電極と、前記相転移膜をキュリー点ＴC付近の温度Ｔに調整する発熱体と、を備えるアクチュエータ。
【請求項２】
外部から印加された電界によって膜内部に応力が生じ、当該応力に起因して、正方晶系と菱面体晶系との間、又は、菱面体晶系或いは正方晶系と立方晶系との間で転移する相転移膜と、前記相転移膜に電界を印加する電極と、前記相転移膜をキュリー点ＴC付近の温度Ｔに調整する発熱体と、を備えるアクチュエータ。
【請求項３】
前記相転移膜の最大歪みの方向は、膜厚方向に概略一致することを特徴とする請求項１又は２に記載のアクチュエータ。
【請求項４】
前記相転移膜の最大歪みの方向は、膜面方向に概略一致することを特徴とする請求項１又は２に記載のアクチュエータ。
【請求項５】
前記温度Ｔは、ＴC−１０≦Ｔ≦ＴC−５の温度範囲であることを特徴とする請求項１乃至請求項４のうち何れか１項に記載のアクチュエータ。
【請求項６】
前記温度Ｔは、ＴC＋５≦Ｔ≦ＴC＋１０の温度範囲であることを特徴とする請求項１乃至請求項４のうち何れか１項に記載のアクチュエータ。
【請求項７】
前記キュリー点ＴCは、５０℃以上９０℃以下の温度範囲であることを特徴とする請求項１乃至請求項６のうち何れか１項に記載のアクチュエータ。
【請求項８】
前記相転移膜は、多成分系から構成されることを特徴とする請求項１乃至請求項７のうち何れか１項に記載のアクチュエータ。
【請求項９】
前記相転移膜の組成は、チタン酸バリウム、ジルコニウム酸鉛、チタン酸バリウム・ストロンチウム、チタン酸バリウム・スズのうち何れかであることを特徴とする請求項１乃至請求項８のうち何れか１項に記載のアクチュエータ。
【請求項１０】
前記発熱体は、ジュール熱により発熱する薄膜抵抗体であることを特徴とする請求項１乃至請求項９のうち何れか１項に記載のアクチュエータ。
【請求項１１】
上部電極／相転移膜／下部電極／層間絶縁膜／発熱体の積層構造を有することを特徴とする請求項１乃至請求項１０のうち何れか１項に記載のアクチュエータ。
【請求項１２】
加圧室を複数備えた加圧室基板と、前記加圧室に対応して設けられた請求項１乃至請求項１１のうち何れか１項に記載のアクチュエータと、を備えるインクジェット式記録ヘッド。
【請求項１３】
前記加圧室と前記アクチュエータの間に振動板膜を介在させたことを特徴とする請求項１２に記載のインクジェット式記録ヘッド。
【請求項１４】
請求項１２又は請求項１３に記載のインクジェット式記録ヘッドを備えたインクジェットプリンタ。
【請求項１５】
請求項４に記載のアクチュエータと、略台形状の電圧変化特性を有する駆動信号で前記アクチュエータを駆動する制御回路と、を備えたインクジェットプリンタ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は結晶構造の相転移に起因する薄膜の体積変化を利用してアクチュエータ（ａｃｔｕａｔｏｒ）を構成する技術に係わる。特に、オンデマンド方式のインクジェット式記録ヘッドに好適なアクチュエータの構造に係わる。
【０００２】
【従来の技術】
オンデマンド方式のインクジェット式記録ヘッドは、一般的に、多数の個別インク通路（インクキャビティ、インク溜り等）が形成された加圧室基板と、インク通路を覆うようにヘッド基台に取付けた振動板膜と、振動板膜の個別インク通路上に対応して被着形成された圧電アクチュエータ（圧電体素子）を備えて構成されている。圧電アクチュエータはインクジェット式記録ヘッドのインク吐出駆動源として機能する電気機械変換素子であり、チタン酸ジルコン酸鉛、ジルコニウム酸鉛、チタン酸鉛ランタン、ジルコン酸チタン酸鉛ランタン、マグネシウムニオブ酸ジルコニウムチタン酸鉛等の圧電性セラミックスを主成分とする。中心対称性を持たない結晶点群に属する物質、特に、ペロブスカイト結晶構造を有する圧電性セラミックスはこの作用を顕著に示すものが多いため、圧電アクチュエータに用いられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、チタン酸バリウム、ジルコン酸鉛等は圧力や温度条件に応じて相転移を示すことが知られている。このような相転移膜の体積歪みと縦歪みには下式に示す関係がある。
【０００４】
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ここで、Ｖは相転移膜の単位格子の体積であり、ａは結晶系（立方晶系）の一辺の長さである。このため、Ｖ＝ａ３の関係を満たす。εは縦方向の歪みであり、νはポアソン比である。ε２、ε３≪１であるから上式のε２項、ε３項を無視すると、体積歪み（ΔＶ／Ｖ）と縦歪み（ε）の間には、
ΔＶ／Ｖ＝（１−２ν）ε
の関係がある。相転移に伴う体積歪みは０．３％〜０．４％程度であるから、体積歪みを効率良く縦歪みに変換したとすると、縦歪みは０．７５％〜１．０％程度になる（但し、νを０．３程度で計算）。圧電体膜の逆圧電効果で得られる縦歪みはせいぜい０．４％程度であるから、相転移膜の変位量は圧電体膜の変位量を大きく上回る。このため、インク吐出駆動源として相転移膜を利用したアクチュエータを用いることで、従来よりもインク吐出特性に優れたインクジェット式記録ヘッドを提供することができると考えられる。
【０００５】
また、圧電性セラミックスには鉛を含有しているものが多く、自然環境への影響等を考慮すると鉛を含有していない材料でアクチュエータを実現することが望まれる。
【０００６】
そこで、本発明は従来の圧電アクチュエータよりも変位量が大きく、駆動特性に優れたアクチュエータ、インクジェット式記録ヘッド及びインクジェットプリンタを提供することを課題とする。更には、鉛を含有しない材料でアクチュエータを実現することを課題とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するべく、本発明のアクチュエータは電極、相転移膜及び発熱体を備える。かかる相転移膜は、電極によって印加された電界によって膜内部に応力が生じ、当該応力に起因して結晶構造が相転移（強誘電的相転移）することで歪みを生じる薄膜である。発熱体は相転移膜をキュリー点ＴC付近の温度Ｔに調整する。このような構成によれば、相転移膜をキュリー点付近に温度調整し、電界を印加すると、相転移膜には応力が掛かる。相転移膜に引っ張り応力が掛かるように構成すれば、キュリー点は高温側へシフトし、圧縮応力が掛かるように構成すれば、キュリー点は低温側へシフトする。この結果、相転移膜は結晶構造が相転移し、歪みを生じる。かかる歪みによってアクチュエータを実現できる。
【０００８】
ここで、相転移とは、多形（ｐｏｌｙｍｏｒｐｈｉｓｍ）のことをいい、化学組成が同一で結晶構造が異なる現象をいう。同質多形、同質異形、同質多像ともいう。多形の原因は主に温度、圧力等の物理的化学的条件による。
【０００９】
好ましくは、相転移膜の歪み方向（最大歪み方向）を、膜厚方向に概略一致するように構成する。かかる構成によれば、相転移膜の体積変化は効率良く縦歪みに変換できるため、従来の圧電アクチュエータよりも大きな変位を得ることができる。
【００１０】
また、相転移膜の歪み方向（最大歪み方向）を、膜面方向（膜厚方向に直交する方向）に概略一致させるように構成してもよい。かかる構成によれば、後述するように、簡易な駆動制御信号でいわゆる“引き打ち”を実現できる。
【００１１】
発熱体は、相転移膜の温度Ｔを、ＴＣ−１０≦Ｔ≦ＴＣ−５の温度範囲、或いは、ＴＣ＋５≦Ｔ≦ＴＣ＋１０の温度範囲に調整することが好ましい。相転移膜の温度をキュリー点付近に調整することで電界による相転移膜の歪み制御（相転移制御）を容易にできる。また、かかる構成により低電圧でアクチュエータを駆動できるため、消費電力を抑えることができる。
【００１２】
相転移膜のキュリー点ＴＣは、５０℃以上９０℃以下の温度範囲であることが好ましい。キュリー点ＴＣが必要以上に高温であるとインク特性に悪影響を及ぼす可能性があるためである。多成分系から構成される相転移膜はかかる温度範囲にキュリー点ＴＣをもつため、本発明に好適である。
【００１３】
相転移膜の組成は、チタン酸バリウム、ジルコニウム酸鉛、チタン酸バリウム・ストロンチウム、チタン酸バリウム・スズのうち何れかが好適である。かかる構成によれば、鉛を含む材料を使用しなくてもアクチュエータを実現できるため、環境に対する悪影響を極力低減することができる。発熱体は、ジュール熱により発熱する薄膜抵抗体が好適である。かかる薄膜抵抗体は公知の薄膜プロセスで成膜することができる。
【００１４】
本発明のインクジェット式記録ヘッドは、加圧室を複数備えた加圧室基板と、加圧室に対応して設けられた本発明のアクチュエータと、を備える。好ましくは、加圧室とアクチュエータの間に振動板膜を介在させる。
【００１５】
本発明のインクジェットプリンタは、本発明のインクジェット式記録ヘッドを備えている。更には、略台形状の電圧変化特性を有する駆動信号で本発明のアクチュエータを駆動する制御回路（インク吐出制御回路）を備える。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、各図を参照して本実施の形態について説明する。図１にインクジェットプリンタの構成図を示す。インクジェットプリンタは、主にインクジェット式記録ヘッド１００、本体１０２、トレイ１０３、ヘッド駆動機構１０６を備えて構成されている。インクジェット式記録ヘッド１００は、イエロー、マゼンダ、シアン、ブラックの計４色のインクカートリッジ１０１を備えており、フルカラー印刷が可能なように構成されている。また、このインクジェットプリンタは、内部にイメージ生成部、ワークメモリ、プリントエンジン部等を備えている。イメージ生成部等は図示していないが、専用のコントローラボード等で構成されている。イメージ生成部は外部から供給された印刷ジョブデータをワークメモリにバッファリングし、ラスタイメージデータを生成する。プリントエンジン部はラスタイメージデータを基に、インクジェット式記録ヘッド１００のインク吐出タイミング、及び、ヘッド駆動機構１０６の走査を制御し、高精度なインクドット制御、ハーフトーン処理等を実現する。また、本体１０２は背面にトレイ１０３を備えるとともに、その内部にオートシードフィーダ（自動連続給紙機構）１０５を備え、記録用紙１０７を自動的に送り出し、正面の排出口１０４から記録用紙１０７を排紙する。記録用紙１０７として、普通紙、専用紙、推奨ＯＨＰシート、光沢紙、光沢フィルム、レベルシート、官製葉書等が利用できる。
【００１７】
次に、インクジェット式記録ヘッドの分解斜視図を図２に示す。ここではインクの共通通路が加圧室基板内に設けられるタイプを示す。同図に示すように、インクジェット式記録ヘッドは加圧室基板１、ノズルプレート２及び基体３から構成される。加圧室基板１はシリコン単結晶基板がエッチング加工された後、各々に分離される。加圧室基板１には複数の短冊状の加圧室１０が設けられ、全ての加圧室１０にインクを供給するための共通通路１２を備える。加圧室１０の間は側壁１１により隔てられている。加圧室基板１の基体３側にはインク吐出駆動源としてアクチュエータが設けられている。また、各アクチュエータからの配線はフレキシブルケーブルである配線基板４に収束され、インク吐出制御回路（図示せず）に接続される。インク吐出制御回路はプリントエンジン部により制御され、所定の駆動信号でアクチュエータを駆動する。駆動信号の詳細については後述する。
【００１８】
ノズルプレート２は加圧室基板１に貼り合わされる。ノズルプレート２における加圧室１０の対応する位置にはインク滴を吐出するためのノズル２１が形成されている。ノズル２１間のピッチは印刷精度に応じて適宜設定される。例えば、１４４０ｄｐｉ×７２０ｄｐｉの解像度を設定すると、ノズル径は極細になるため、超微少のインクドットにより高精細な印字が可能になる。各色のノズル数は、カラー印字精度に応じて定められ、例えば、黒色３２ノズル、カラー各色３２ノズル等が設定される。基体３はプラスチック等で形成されており、加圧室基板１の取付台となる。
【００１９】
インクジェット式記録ヘッドの主要部の断面図を図３に示す。加圧室基板１には加圧室１０がエッチング加工により形成されている。加圧室１０の上面には振動板膜５を介してアクチュエータ１３が形成されている。アクチュエータ１３は発熱体６、層間絶縁膜７、下部電極８１、相転移膜９及び上部電極８２を備えて構成されている。振動板膜５はアクチュエータ１３の振動を加圧室１０に伝達する役割を担う薄膜である。振動板膜５は加圧室１０内のインク圧を瞬時に高めることでインク滴をノズル２１から吐出する。発熱体６は電流の印加等によって発熱し、後述する相転移膜９を適当な温度範囲に設定する役割を担う薄膜抵抗体である。薄膜抵抗体は窒化タンタル、酸化ルビジウム、酸化錫、ニクロム合金等で構成される。層間絶縁膜７は発熱体６と後述する下部電極８１を電気的に分離する役割を担う薄膜である。同図に図示してないが、上部電極８２、相転移膜９及び表面に露出している下部電極８１の全面を覆うようにパッシベーション膜で被覆してもよい。パッシベーション膜としてフッ素樹脂、シリコン酸化膜、エポキシ樹脂等が好適である。
【００２０】
同図に示すアクチュエータ１３は、膜内部に生じる応力（引張り応力又は圧縮応力）に起因して結晶構造が相転移する薄膜、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3）、ジルコニウム酸鉛（ＰｂＺｒＯ3）、チタン酸バリウム・ストロンチウム（（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ3）、チタン酸バリウム・スズ（Ｂａ（Ｔｉ，Ｓｎ）Ｏ3）等を相転移膜９として備えている。相転移膜９の種類としては、例えば、正方晶系から菱面体晶系へ（或は菱面体晶系から正方晶系へ）、又は、菱面体晶系或いは正方晶系から立方晶系へ（或は立方晶系から菱面体晶系若しくは正方晶系へ）転移する薄膜を用いることができる。特に、後者の相転移は強誘電体と常誘電体間の相転移に相当する。また、キュリー点を境に存在する強誘電相（ferroelectric phase）と常誘電相（paraelectric phase）の間で相転移する強誘電体も使用することができる。
【００２１】
ここで、本明細書における膜応力の定義をする。薄い基板に膜が成膜されると、基板には膜応力による反りが現れるのが一般的である。この反りの基板に対する方向により引張り応力と圧縮応力を区別する。例えば、図９（Ａ）に示すように、基板が膜を内側にして反る場合を膜内に引張り応力（Ｔ応力）が存在すると定義し、同図（Ｂ）に示すように、基板が膜を外側にして反る場合を膜内に圧縮応力（Ｃ応力）が存在すると定義する。基板を加圧室に喩えると、膜に引張り応力が存在する場合には膜は加圧室を加圧する方向に反り、膜に圧縮応力が存在する場合には膜は加圧室を減圧する方向に反ることになる。以上の定義は、“薄膜の力学的特性評価技術（株）リアライズ社  第２１８頁〜２１９頁  平成４年３月１９日発行”に基づいている。
【００２２】
本発明のアクチュエータ１３の駆動方法について図５を参照して説明する。同図は相転移膜９の比誘電率の温度特性を示している。縦軸は比誘電率（ε）、横軸は温度（Ｔ）を表している。同図（Ａ）に示す曲線１５は膜内部に応力が存在しない状態での相転移膜９の比誘電率対温度特性曲線であり、曲線１６は膜内部に引張り応力が存在する場合の比誘電率対温度特性曲線である。比誘電率対温度特性曲線１５のキュリー点はＴＣであり、比誘電率対温度特性曲線１６のキュリー点はＴＣ´である。相転移膜９のキュリー点は５０℃〜９０℃の範囲にあるものが好ましい。キュリー点が必要以上に高温であると、相転移膜９の温度制御の際に加圧室１０内のインクの特性が劣化する等の問題が生じるためである。多成分系の相転移膜９を選ぶと、キュリー点が比較的低温になる特性を備えているため好ましい。アクチュエータ１３を駆動する際にまず、発熱体６を加熱し、相転移膜９の温度を制御温度ＴＨに設定する。制御温度ＴＨは、
ＴＣ＋５≦ＴＨ≦ＴＣ＋１０
の条件を満たすことが好ましい。制御温度ＴＨをキュリー点ＴＣ付近に設定することで以降の相転移膜９の電界制御が容易になる。次に、相転移膜９に電圧を印加すると、相転移膜９の膜面方向（膜厚方向と垂直方向）に引張り応力が生じ、振動板膜５は加圧室１０を加圧する方向に撓む。引張り応力の存在下ではキュリー点は高温度側にシフトするため、相転移膜９の比誘電率対温度特性曲線は曲線１５（点線）から曲線１６（実線）にシフトする。すると、相転移層９は立方晶系から正方晶系へと相転移する。正方晶系の結晶構造が（００１）配向するように配向処理をすることで相転移膜９は膜厚方向に延びる向きに歪みが生じる。振動板膜５はさらに引張り応力を受けるので加圧室１０側へより多く変位する。相転移膜９の体積変化は効率良く縦歪みに変換できるため、従来の圧電アクチュエータよりも大きな変位を得ることができる。
【００２３】
一方、正方晶系の結晶構造が（１００）配向するように配向処理をすることで、いわゆる“引き打ち”を実現することができる。“引き打ち”とは、インク滴を吐出する前に一旦加圧室を減圧する方向に振動板膜を変位させ、次の瞬間に加圧室を加圧してインク滴を吐出することをいう。従来の圧電アクチュエータで“引き打ち”を実現するためには、図６（Ｃ）に示す駆動波形で圧電アクチュエータを駆動していた。圧電アクチュエータの“引き打ち”動作を図８と併せて説明する。同図に示すように、圧電アクチュエータ１４は上部電極８５と下部電極８３に挟持固定される圧電体膜８４を備えて構成されている。また、加圧室内にはインク６６が充填されている。時刻０≦Ｔ≦Ｔ１では、圧電アクチュエータ１４にオフセット電圧Ｖ０が印加されており、振動板膜５は微少距離ｄｘだけ変位した位置でインク吐出の待機状態になっている（図８（Ａ））。インク吐出の直前、即ち、時刻Ｔ１≦Ｔ≦Ｔ２では、圧電アクチュエータ１４に印加される電圧を０Ｖにまで減少させ、加圧室内の圧力を瞬時に低下させる。このステップにより、振動板膜５は元の位置に戻り、変位量は０になる。このときノズル２１近傍にはメニスカス６１が形成される（同図（Ｂ））。時刻Ｔ２≦Ｔ≦Ｔ３では、印加電圧をＶＨまで瞬時に上昇させることで、圧電アクチュエータ１４は膜厚方向に延びる。すると、振動板膜５は引張り応力により、加圧室側に撓み、インク滴６２を吐出する（同図（Ｃ））。時刻Ｔ３≦Ｔ≦Ｔ４において圧電アクチュエータ１４の印加電圧ＶＨを保持した後、時刻Ｔ４≦Ｔ≦Ｔ５において再び印加電圧をオフセット電圧Ｖ０に戻す。
【００２４】
次に、簡単な駆動波形で“引き打ち”を容易に実現する本実施の形態のアクチュエータの駆動方法について図６（Ａ）及び図７を参照して説明する。時刻Ｔ≦Ｔ１においてはアクチュエータ１３には電圧が印加されておらず、インク吐出待機時にある（図７（Ａ））。加圧室１０内にはインク７０が充填されている。このとき、前述したように、相転移膜９の温度を上記ＴＨに設定しておく。時刻Ｔ１≦Ｔ≦Ｔ２において印加電圧を０からＶＰまで上昇させると、相転移膜９には膜面方向に引張り応力が生じ、振動板膜５は加圧室１０側へ撓む（同図（Ｂ））。さらに印加電圧を上昇させると、時刻Ｔ２≦Ｔ≦Ｔ４において、相転移膜９は立方晶系から正方晶系へと相転移する。正方晶系の結晶構造が（１００）配向するように配向処理されているため、相転移膜９は膜厚方向に縮む向き（膜面方向に延びる向き）に歪みが生じる。この結果、相転移膜９には膜面方向に圧縮応力が掛かり、振動板膜５は加圧室１０を減圧する方向に撓む（同図（Ｃ））。このとき、ノズル２１にメニスカス７１が形成される。時刻Ｔ４≦Ｔ≦Ｔ５において、印加電圧を０にすると、振動板膜５等に掛かっている圧縮応力が開放され、振動板膜５は元の状態に戻る（同図（Ｄ））。このとき加圧室１０内のインク圧は瞬時に高められ、ノズル２１からインク滴７２が吐出する。
【００２５】
このように、本実施の形態のアクチュエータによれば、“引き打ち”のような複雑な制御を略台形状の電圧変化特性を有する駆動信号で実現することができる。このため、制御回路の部品点数を減少させることができ、インクジェットプリンタの製造コストを下げることができる。また、従来のようにインク吐出の待機時にオフセット電圧を印加する必要はないため、アクチュエータの寿命が短くなる問題を解消できる。また、従来の圧電アクチュエータの電気的特性（例えば、容量、絶縁性等）の変化が制御回路に与える影響を考慮する必要が無く、回路設計が容易になる。また、従来のようにアクチュエータの電気的特性の変化が無いため、安定したインク吐出特性を得ることができる。
【００２６】
以上の説明においては相転移膜９の制御温度をキュリー点以上に設定したが、制御温度をキュリー点以下に設定しても、アクチュエータ１３は上記と同様の動作特性を示す。図５（Ｂ）は相転移膜９の比誘電率対温度特性曲線を示しており、曲線１７（点線）は膜内部に応力が掛かっている状態の比誘電率対温度特性曲線であり、曲線１８（実線）は膜内部に応力が掛かっていない状態の比誘電率対温度特性曲線である。曲線１７のキュリー点はＴCであり、曲線１８のキュリー点はＴC′である。アクチュエータ１３を駆動するには、まず、発熱体６の温度を調整し、相転移膜９の温度を制御温度ＴLに設定する。制御温度ＴLは、ＴC−１０≦ＴL≦ＴC−５の条件を満たすことが好ましい。制御温度ＴLをキュリー点ＴC付近に設定することで相転移膜９の電界制御が容易になる。相転移膜９の温度を上記の範囲に設定した場合のアクチュエータ１３の駆動方法を 図６（Ｂ）及び 図７（Ｂ）〜同図（Ｄ）を参照して説明する。時刻Ｔ≦Ｔ1においてアクチュエータ１３はインク吐出待機状態にあり、相転移膜９には一定電圧ＶRが印加されたままの状態にある。このとき相転移膜９は膜面方向に引張り応力が生じており、振動板膜５は加圧室１０を加圧する方向に撓んだ状態になっている（図７（Ｂ））。インク滴を吐出するとき、時刻Ｔ1≦Ｔ≦Ｔ2において印加電圧をＶRからＶSへ減少させることで、相転移膜９に生じていた引っ張り応力は解除され、圧縮応力側へシフトする。圧縮応力の存在下ではキュリー点は低温度側にシフトするため、相転移膜９の比誘電率対温度特性曲線は曲線１７（点線）から曲線１８（実線）にシフトする。すると、相転移層９は正方晶系から立方晶系へと相転移する。正方晶系の結晶構造が（００１）配向するように配向処理をすることで、相転移膜９には膜厚方向に縮む向き（膜面方向に延びる向き）に歪みが生じ、振動板膜５は加圧室１０を減圧する方向に撓む（同図（Ｃ））。すると、次の瞬間、時刻Ｔ2≦Ｔ≦Ｔ3において振動板膜５は加圧室１０を加圧する方向に撓み、インク滴を吐出する（同図（Ｄ））。時刻Ｔ4≦Ｔ≦Ｔ5において印加電圧を０からＶRに戻すことで、再びインク吐出待機状態に復帰する。
【００２７】
尚、上記の場合において、正方晶系の結晶構造が（１００）配向するように配向処理をすれば、相転移膜９には膜厚方向に延びる向きに歪みが生じ、振動板膜５は加圧室１０を加圧する方向に撓むため、通常のインク吐出動作をすることができる。また、相転移膜９を複数に分割することで、吐出されるインク滴の速度、重量等を調整することができる。また、本発明のアクチュエータはインクジェット式記録ヘッドのインク吐出駆動源の他に、マイクロポンプ、マイクロスイッチ等の各種精密機器のアクチュエータとして使用することもできる。
【００２８】
次に、図４を参照してインクジェット式記録ヘッドの製造プロセスについて説明する。まず、同図（Ａ）に示すように、加圧室基板１に振動板膜５、発熱体６、層間絶縁膜７、下部電極８１、相転移膜９及び上部電極８２を成膜する。加圧室基板として、例えば、直径１００ｍｍ、厚さ２２０μｍのシリコン単結晶基板を用いる。振動板膜５は、例えば、１１００℃の炉の中で、乾燥酸素を流して２２時間程度熱酸化させ、約１μｍの膜厚の熱酸化膜とすることで成膜する。或いは、１１００℃の炉の中で、水蒸気を含む酸素を流して５時間程度熱酸化させ、約１μｍの膜厚の熱酸化膜を形成してもよい。その他、ＣＶＤ法等の成膜法を適宜選択して成膜してもよい。振動板膜５として、二酸化珪素膜に限られず、酸化ジルコニウム膜、酸化タンタル膜、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜でもよい。次に、発熱体６として例えば薄膜抵抗体を成膜する。窒化タンタルを成膜する場合は、タンタルをターゲットとし、窒素ガスの導入による反応性スパッタリング法等を適用できる。ニクロム金属皮膜を成膜する場合は、真空蒸着法を適用できる。次に、層間絶縁膜７を成膜する。層間絶縁膜７として二酸化珪素膜等の上述した絶縁膜を成膜すればよい。下部電極８１は、白金、金又はアルミニウム等の導電性物質をターゲットとして層間絶縁膜７の全面にスパッタ成膜する。膜厚は０．３μｍ程度とする。この場合、下部電極８１と層間絶縁膜７間の密着力を高めるために、極薄のチタン、クロム等を中間層として介在させてもよい。
【００２９】
次に、下部電極８１上に相転移膜９を成膜する。本例では、チタン酸バリウムをＭＯＤ法で成膜する方法を説明する。まず、相転移膜８の前駆体となるゾルを調整する。酢酸バリウム（Ｂａ（ＣＨ３ＣＯＯＨ）２）を酢酸に溶解させた溶液と、テトライソプロポキシチタン（Ｔｉ（Ｏ−ｉ−Ｃ３Ｈ７）４）をブトキシエタノールに溶解させた溶液とを混合し、溶質濃度を１Ｍ、ＢａとＴｉのモル比を１：１としたゾルを調整する。このゾルを１５００ｒｐｍで０．１μｍの厚さにスピンコーティングし、４００℃の温度環境下で脱脂する。この工程を５回繰り返し、膜厚０．５μｍのゲルとする。最後にＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）で結晶化する。この処理は６５０℃で５分、又は、９００℃で１分とする。以上の工程を経て下部電極８１上に膜厚０．５μｍの相転移膜９が成膜される。次に、相転移膜９上に白金をスパッタ成膜して上部電極８２を得る。
【００３０】
次に、同図（Ｂ）に示すように、上部電極８２上にレジストをスピンコートし、加圧室が形成されるべき位置に合わせて露光・現像してパターニングする。残ったレジストをマスクとして上部電極８２及び相転移膜９をエッチングしてアクチュエータ１３を形成する。次に、同図（Ｃ）に示すように、加圧室が形成されるべき位置に合わせてエッチングマスク（図示せず）を施し、平行平板型反応性イオンエッチング等の活性気体を用いたドライエッチング、或は、５重量％〜４０重量％の水酸化カリウム水溶液等の高濃度アルカリ水溶液によるウエットエッチングで加圧室１０を形成する。エッチングされずに残った部分は側壁１１となる。同図（Ｄ）に示すように、樹脂等を用いてノズルプレート２を加圧室基板１に接合する。このとき、各ノズル２１が加圧室１０の各々の空間に対応して配置されるよう位置合せする。ノズルプレート２を接合した加圧室基板１を基体３に取り付ければ、インクジェット式記録ヘッドが完成する。
【００３１】
【発明の効果】
本発明によれば、相転移膜の温度をキュリー点付近に設定し、電界を印加することで相転移膜を相転移させ、このときの歪みを利用してアクチュエータを駆動するため、従来の圧電アクチュエータよりも大きな変位を得ることができる。また、相転移膜の歪み方向を膜面方向になるように配向処理すれば、簡単な駆動信号波形で"引き打ち"を実現することができる。また、応答速度が速く、変位量が大きいため、印字スピードの向上を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】インクジェットプリンタの構成図である。
【図２】インクジェット式記録ヘッドの分解斜視図である。
【図３】本発明のインクジェット式記録ヘッドの主要部の断面図である。
【図４】本発明のインクジェット式記録ヘッドの主要部の製造工程断面図である。
【図５】相転移膜の誘電率対温度特性曲線のグラフである。
【図６】アクチュエータの駆動信号波形である。
【図７】本発明のアクチュエータの“引き打ち”の説明図である。
【図８】従来の圧電アクチュエータの“引き打ち”の説明図である。
【図９】膜応力の説明図である。
【符号の説明】
１…加圧室基板、２…ノズルプレート、３…基体、４…配線基板、５…振動板膜、６…発熱体、７…層間絶縁膜、８１…下部電極、９…相転移膜、８２…上部電極、１０…加圧室、１１…側壁、１２…共通流路、１３…アクチュエータ、１４…圧電アクチュエータ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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