(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
中央部にデバイスホールを有する樹脂製絶縁フィルムの一方面に、半田ボールパッド部、ボンディングパッド部及び引き回しリード部を含む導体回路パターンを有し、前記ボンディングパッド部が前記デバイスホールの周辺に位置するＴＡＢテープであって、前記ＴＡＢテープの樹脂製絶縁フィルムの導体回路パターンを有しない他方面に対し、接着剤を介して、中央部に半導体チップ搭載用の凹部を設けてあるスティフナと貼り合わせた放熱板兼補強板付きＴＡＢテープにおいて、前記デバイスホール周辺の前記ボンディングパッド部の端部を含む領域に、前記引き回しリード部の存在する領域のソルダーレジストとほぼ同じ高さにソルダーレジストを塗布したことを特徴とする放熱板兼補強板付きＴＡＢテープ。
【請求項２】
中央部にデバイスホールを有する樹脂製絶縁フィルムの一方面に、半田ボールパッド部、ボンディングパッド部及び引き回しリード部を含む導体回路パターンを有し、前記ボンディングパッド部が前記デバイスホールの周辺に位置するＴＡＢテープであって、前記ＴＡＢテープの樹脂製絶縁フィルムの導体回路パターンを有しない他方面に対し、接着剤を介して、中央部に半導体チップ搭載用の凹部を設けてあるスティフナと貼り合わせ、そのスティフナの凹部に半導体チップを設け、その半導体チップの電極と前記ボンディングパット部をボンディングワイヤにて結線した半導体装置において、前記ＴＡＢテープにおける前記デバイスホール周辺の前記ボンディングパッド部の端部を含む領域に、前記引き回しリード部の存在する領域のソルダーレジストとほぼ同じ高さにソルダーレジストを塗布したことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、スティフナと称される放熱板兼補強板の付いたＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）テープ及びこれを用いたテープＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ  ）半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来のＴ−ＢＧＡ（Ｔａｐｅ  ＢＧＡ）構造の半導体装置を図５に示す。これは、図６の如くポリイミド樹脂製絶縁フィルム１の片面に、半田ボールパッド部２１、ボンディングパッド部３及び引き回しリード部２２を含む導体回路パターン２を付けたＴＡＢテープ２０を、接着剤５を介して、中央部に半導体チップ搭載用の凹部６ａを設けてあるスティフナ６と貼り合わせた構造を有する。そして、上記スティフナ６の凹部６ａに接着剤を用いて半導体チップ９を貼り付け、この半導体チップ９の電極と前記ボンディングパッド部３とをボンディングワイヤ８にて結線し、さらに前記半導体チップ９とボンディングワイヤ８とを封止樹脂１０によって封止することで構成される。なお、半田ボールパッド部２１上には半田ボール７が搭載される。
【０００３】
図６の斜線部は、ＴＡＢテープ２０の表面のうち、ソルダーレジスト４の設けられている領域を示す。配線の保護を目的とした絶縁材料からなるソルダーレジスト４は、図示するようにＴＡＢテープ２０の全域に設けられるのではない。中央のデバイスホール２６の周辺に集約的に位置するインナーリードから成るボンディングパッド部３及びそれよりデバイスホール２６側の領域には、ソルダーレジスト４が設けられていない。また、ハンダボールパッド部２１はソルダーレジスト４の存在しない領域によって円形状に形成されている。
【０００４】
このように、現在のところＴ−ＢＧＡ構造の半導体装置に用いられるＴＡＢテープには、ボンディングパッド部３から内側（凹部６ａによるキャビティ側）の領域にはソルダーレジストが塗布されていない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ＴＡＢテープのボンディングパッド部３から内側（キャビティ側）にソルダーレジストが塗布されていないことに起因して、次のような課題が存在している。即ち、従来の半導体装置では、図７に示すように、ＴＡＢテープ２０とスティフナ６を接着する際、上記ソルダーレジスト４が塗布されていないところでは段差面となる。このために、ラミネートロール１７から十分に圧力がかからず、圧着不足によりＴＡＢテープ２０とスティフナ６との間に存在する空気が十分逃げられず、ボイドが入ってしまい、基板への表面実装時のリフローによる熱がかかった時、ボイドが膨張しＴＡＢテープ２０とスティフナ６の間で剥離が生じる可能性がある。
【０００６】
そこで、本発明の目的は、上記課題を解決し、ＴＡＢテープとスティフナとの接合面での剥離を防ぎ、更なる信頼性の向上を実現した放熱板兼補強板付きＴＡＢテープ及びＴ−ＢＧＡ半導体装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明は、次のように構成したものである。
【０００８】
（１）請求項１に記載の放熱板兼補強板付きＴＡＢテープは、中央部にデバイスホールを有する樹脂製絶縁フィルムの片面に、半田ボールパッド部、ボンディングパッド部及び引き回しリード部を含む導体回路パターンを有し、前記ボンディングパッド部が前記デバイスホールの周辺に位置するＴＡＢテープであって、前記ＴＡＢテープの樹脂製絶縁フィルムの導体回路パターンを有しない他方面に対し、接着剤を介して、中央部に半導体チップ搭載用の凹部を設けてあるスティフナと貼り合わせた放熱板兼補強板付きＴＡＢテープにおいて、前記デバイスホール周辺の前記ボンディングパッド部の端部を含む領域に、前記引き回しリード部の存在する領域のソルダーレジストとほぼ同じ高さにソルダーレジストを塗布した構成のものである。
【０００９】
（２）請求項２に記載の半導体装置は、中央部にデバイスホールを有する樹脂製絶縁フィルムの片面に、半田ボールパッド部、ボンディングパッド部及び引き回しリード部を含む導体回路パターンを有し、前記ボンディングパッド部が前記デバイスホールの周辺に位置するＴＡＢテープであって、前記ＴＡＢテープの樹脂製絶縁フィルムの導体回路パターンを有しない他方面に対し、接着剤を介して、中央部に半導体チップ搭載用の凹部を設けてあるスティフナと貼り合わせ、そのスティフナの凹部に半導体チップを設け、その半導体チップの電極と前記ボンディングパット部をボンディングワイヤにて結線した半導体装置において、前記ＴＡＢテープにおける前記デバイスホール周辺の前記ボンディングパッド部の端部を含む領域に、前記引き回しリード部の存在する領域のソルダーレジストとほぼ同じ高さにソルダーレジストを塗布した構成のものである。
【００１０】
上記請求項１、２に記載する本発明の特徴は、通常はソルダーレジストを塗布しないデバイスホール周辺のボンディングパッド部の端部を含む領域に、前記引き回しリード部の存在する領域のソルダーレジストと同様にソルダーレジストを塗布することにより少なくともボンディングパッド部の端部にも厚みを持たせ、厚みの差による部分的な圧着不足を解消したことにある。これにより、ＴＡＢテープをスティフナとの接合面でのボイドの発生による剥離を防ぐことができ、放熱板兼補強板付きＴＡＢテープ及びＴ−ＢＧＡ半導体装置の更なる信頼性の向上を実現することができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図示の実施形態に基づいて説明する。
【００１２】
図１に、本発明のＴ−ＢＧＡ構造の半導体装置の形態を示す。
【００１３】
中央にデバイスホールが形成された厚さ１００μｍ以下のポリイミド樹脂製絶縁フィルム１から成るＴＡＢ基材の片面に、導体回路パターン２として厚さ３５μｍ以下の回路基板の役割を持つ銅箔を貼り付け、これによりＴＡＢテープ２０が構成されている。この実施形態の場合、厚さ５０μｍのユーピレックス（宇部興産株式会社のポリイミドフィルムの商品名）の片面に、熱硬化性接着剤で厚さ２５μｍの銅箔による導体回路パターン２を接着している。この導体回路パターン２は、図６に示すように外部接続用の半田ボールパッド部２１と、半導体チップ９の電極と接続するためのボンディングパッド部３及び両者間を結ぶ引き回しリード部２２を具備している。
【００１４】
ＴＡＢテープ２０の表面領域のうち、ボンディングパッド部３より外側の領域は、全てソルダーレジスト４で覆われている。また、デバイスホール２６周辺のボンディングパッド部３の端部を含む領域２５（図６参照）も他の領域と同様にソルダーレジスト４０が塗布され、少なくともボンディングパッド部３の端部の高さを図２のＡ部に示す如く引き回しリード部の存在する領域のソルダーレジスト４とほぼ同じにしてボンディングパッド部３内外の領域での段差をなくしている。
【００１５】
次に、上記ＴＡＢテープ２０は、接着剤５を介して、中央部に半導体チップ搭載用の凹部６ａを設けてあるスティフナ６と貼り合わせられる。これは図３に示すように、ラミネートロール１７でＴＡＢテープ２０をスティフナ６に圧着することで行われる。この圧着に際し、デバイスホール２６周辺のボンディングパッド部３の端部を含む領域２５（図６）にも、導体回路パターン２における引き回しリード部の存在する領域のソルダーレジスト４と同様にソルダーレジスト４０が塗布され、少なくともボンディングパッド部３の端部の高さが導体回路パターン２の存在する領域における引き回しリード部のソルダーレジスト４とほぼ同じになっているので、ボンディングパッド部３より外側の領域と内側の領域２５との間の段差がなくなってラミネートロール１７から十分に圧力がかかり、ボイドの発生が防止される。
【００１６】
上記スティフナ６と貼り合わせたＴＡＢテープ２０を用いて、Ｔ−ＢＧＡ半導体装置が次のようにして製造される。即ち、図１の如くスティフナ６の凹部６ａに接着剤で貼り付けて半導体チップ９を搭載する。そして、この半導体チップ９の電極と上記ボンディングパッド部３とをボンディングワイヤ８にて結線し、さらに上記半導体チップ９とボンディングワイヤ８とを封止樹脂１０によって封止する。さらに、格子状に設けてある半田ボールパッド部２１上に半田ボール７をそれぞれ搭載する。これによりＴ−ＢＧＡ半導体装置が製造される。
【００１７】
実際に、図４に示すように、ワイヤボンディングパッド部３の露出幅Ｗを０．２〜１．２ｍｍとし、パッド側のソルダーレジスト塗布部幅Ｄを０．１ｍｍ以上取った構造としたところ、ボイドの発生によるＴＡＢテープ２０とスティフナ６間での剥離は皆無となり、極めて高い信頼性を得ることができた。
【００１８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の放熱板兼補強板付きＴＡＢテープ及び半導体装置によれば、ＴＡＢテープの樹脂性絶縁フィルムの導体回路パターンを有しない他方面をスティフナに貼り合わせ、樹脂性絶縁フィルムの一方面のボンディングパッド部の端部を含む領域に、引き回しリード部の存在する領域のソルダーレジストとほぼ同じ高さのソルダーレジストを塗布したため、厚みの差による部分的な圧着不足を解消したのでＴＡＢテープとスティフナとの接合面でのボイドの発生が防止され、剥離をなくすことができる。従って、放熱板兼補強板付きＴＡＢテープ及びＴ−ＢＧＡ半導体装置の更なる信頼性の向上を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のＴ−ＢＧＡ半導体装置の断面図である。
【図２】本発明の放熱板兼補強板付きＴＡＢテープの断面図である。
【図３】本発明の放熱板兼補強板付きＴＡＢテープの圧着工程を示す断面図である。
【図４】図３の部分拡大図である。
【図５】従来のＴ−ＢＧＡ半導体装置の断面図である。
【図６】従来の放熱板兼補強板付きＴＡＢテープの部分平面図である。
【図７】従来の放熱板兼補強板付きＴＡＢテープの圧着工程を示す断面図である。
【符号の説明】
１  ポリイミド樹脂製絶縁フィルム
２  導体回路パターン
３  ボンディングパッド部
４、４０  ソルダーレジスト
５  接着剤
６  スティフナ
６ａ  凹部
７  半田ボール
８  ボンディングワイヤ
９  半導体チップ
１０  封止樹脂
２０  ＴＡＢテープ
【図１】
0003589093.tif 000002
【図２】
0003589093.tif 000003
【図３】
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【図４】
0003589093.tif 000005
【図５】
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【図６】
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【図７】
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