(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体との対向面に、補助磁極層と主磁極層とが間隔を開けて位置し、前記対向面よりもハイト方向後方に前記補助磁極層と前記主磁極層とに記録磁界を与えるコイル層が設けられ、前記主磁極層に集中する垂直磁界によって、前記記録媒体に磁気データを記録する垂直磁気記録ヘッドにおいて、
前記主磁極層の上には、非磁性層が形成されており、
前記対向面よりもハイト方向後方では前記補助磁極層から立ち上がる接続層が設けられ前記接続層の周囲を前記コイル層が巻回形成されており、前記主磁極層と前記接続層間が磁気的に接続され、
前記対向面に現れている前記主磁極層の前端面は、下面から上面に向けてトラック幅方向の幅寸法が広がる形状で形成されていることを特徴とする垂直磁気記録ヘッド。
【請求項２】
前記主磁極層と接続層間はヨーク層によって磁気的に接続されている請求項１記載の垂直磁気記録ヘッド。
【請求項３】
前記主磁極層の飽和磁束密度が、前記ヨーク層の飽和磁束密度よりも高い請求項２記載の垂直磁気記録ヘッド。
【請求項４】
前記補助磁極層上には絶縁層が形成され、この絶縁層内に前記コイル層が埋設され、前記接続層の上面は前記絶縁層の上面と同一平面で形成され、
前記絶縁層上面及び接続層上面に前記ヨーク層が形成され、前記ヨーク層の前端面は、前記対向面よりもハイト方向後方に位置しており、
前記主磁極層及び非磁性層は、前記ヨーク層の前記前端面と前記対向面間に位置する前記絶縁層上面から前記ヨーク層上面にかけて形成されている請求項２または３に記載の垂直磁気記録ヘッド。
【請求項５】
前記ヨーク層の前端面は下面から上面にかけてハイト方向に傾く傾斜面あるいは湾曲面で形成されている請求項４記載の垂直磁気記録ヘッド。
【請求項６】
前記補助磁極層上には絶縁層が形成され、この絶縁層内に前記コイル層が埋設され、前記接続層の上面は前記絶縁層の上面と同一平面で形成され、
前記絶縁層上面及び接続層上面に前記ヨーク層が形成され、前記ヨーク層の前端面は、前記対向面よりもハイト方向後方に位置しており、
前記ヨーク層の前記前端面と前記対向面間には第２の絶縁層が形成され、前記ヨーク層の上面と前記第２の絶縁層の上面とが同一平面で形成され、
前記主磁極層及び非磁性層は、前記第２の絶縁層の上面から前記ヨーク層の上面にかけて形成されている請求項２または３に記載の垂直磁気記録ヘッド。
【請求項７】
前記ヨーク層の前端面は上面から下面にかけてハイト方向に傾く傾斜面あるいは湾曲面で形成されている請求項６記載の垂直磁気記録ヘッド。
【請求項８】
前記ヨーク層と主磁極層とが重なる位置での前記ヨーク層の前記対向面と平行な方向からの断面積は、前記主磁極層の前記対向面と平行な方向からの断面積よりも大きい請求項４ないし７のいずれかに記載の垂直磁気記録ヘッド。
【請求項９】
前記非磁性層は非磁性金属材料で形成されている請求項１ないし８のいずれかに記載の垂直磁気記録ヘッド。
【請求項１０】
前記主磁極層と前記非磁性層とは、メッキで形成されている請求項９記載の垂直磁気記録ヘッド。
【請求項１１】
前記主磁極層の前端面の両側端面は、傾斜面あるいは湾曲面で形成されている請求項１ないし１０のいずれかに記載の垂直磁気記録ヘッド。
【請求項１２】
前記主磁極層は磁性材料からなるメッキ下地層上に形成され、前記メッキ下地層のトラック幅方向における両側端面の少なくとも一部は、前記主磁極層の下面のトラック幅方向の端部よりもトラック幅方向へはみ出して形成されており、そのはみ出し量は、記録媒体への記録時にスキュー角が生じたときに、前記記録媒体に記録される記録トラック幅Ｔｗ１からはみ出さない長さである請求項１ないし１１のいずれかに記載の垂直磁気記録ヘッド。
【請求項１３】
前記主磁極層は磁性材料からなるメッキ下地層上に形成され、前記メッキ下地層のトラック幅方向における両側端面は、前記主磁極層のトラック幅方向における両側端面と連続面とされ、前記メッキ下地層のトラック幅方向への幅寸法は、前記主磁極層の下面のトラック幅方向への幅寸法以下で形成される請求項１ないし１１のいずれかに記載の垂直磁気記録ヘッド。
【請求項１４】
前記主磁極層は非磁性金属材料からなるメッキ下地層上に形成される請求項１ないし１１のいずれかに記載の垂直磁気記録ヘッド。
【請求項１５】
前記非磁性金属材料からなるメッキ下地層のトラック幅方向の幅寸法が、前記主磁極層の下面のトラック幅方向の幅寸法よりも大きい請求項１４記載の垂直磁気記録ヘッド。
【請求項１６】
以下の工程を有することを特徴とする垂直磁気記録ヘッドの製造方法。
（ａ）磁性材料で補助磁極層を形成する工程と、
（ｂ）前記補助磁極層上であって、記録媒体との対向面よりもハイト方向後方に接続層を形成し、次に前記対向面と接続層間に、前記補助磁極層上に絶縁下地層を介してコイル層を形成した後、前記コイル層上を絶縁層で埋める工程と、
（ｃ）前記絶縁層の表面を削り、前記絶縁層上面と前記接続層上面を同一面とする工程と、
（ｄ）前記絶縁層上に前端面が前記対向面よりもハイト方向後方に位置し且つ前記接続層上にまで延びるヨーク層を形成する工程と、
（ｅ）前記絶縁層上及びヨーク層上にメッキ下地層を形成し、さらに前記メッキ下地層上にレジスト層を形成し、前記レジスト層に前記対向面での絶縁層上から前記ヨーク層上にまで延びる抜きパターンを形成し、このとき、少なくとも前記対向面でのトラック幅方向の内幅寸法が、下面から上面にかけて広がる抜きパターンを前記レジスト層に形成する工程と、
（ｆ）前記抜きパターン内に主磁極層と非磁性金属材料から成る非磁性層を連続メッキした後、前記レジスト層を除去する工程と、
（ｇ）前記主磁極層と非磁性層のトラック幅方向における両側側面をミリングで削る工程。
【請求項１７】
前記（ｇ）工程において、前記主磁極層下の前記メッキ下地層を残し、それ以外のメッキ下地層をミリングで削る請求項１６記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項１８】
前記（ｄ）工程を除き、前記（ｅ）工程で、メッキ下地層を絶縁層上に形成し、さらに前記メッキ下地層上にレジスト層を形成し、前記レジスト層に前記対向面での絶縁層から前記接続層上にまで延びる抜きパターンを形成する請求項１６または１７に記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項１９】
前記（ｅ）工程に代えて、以下の工程を有する請求項１６または１７に記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。
（ｈ）前記ヨーク層の周囲を第２の絶縁層で埋め、前記第２の絶縁層の表面を削り、前記第２の絶縁層の上面と前記ヨーク層の上面とを同一面にする工程と、
（ｉ）前記第２の絶縁層及びヨーク層上にメッキ下地層を形成し、さらに前記メッキ下地層上にレジスト層を形成し、前記レジスト層に前記対向面での前記第２の絶縁層上から前記ヨーク層上にまで延びる抜きパターンを形成し、このとき、少なくとも前記対向面でのトラック幅方向の内幅寸法が、下面から上面にかけて広がる抜きパターンを前記レジスト層に形成する工程。
【請求項２０】
前記メッキ下地層を非磁性金属材料で形成する請求項１６ないし１９のいずれかに記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ハード膜を有するディスクなどの記録媒体に対して垂直磁界を与えて記録を行う垂直磁気記録ヘッドに係り、主磁極層の高さ寸法及びトラック幅方向の寸法を適切に所定値内で形成することが可能な垂直磁気記録ヘッド及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ディスクなどの記録媒体に磁気データを高密度で記録する装置として垂直磁気記録方式がある。図２８は前記垂直磁気記録方式の装置に使用される垂直磁気記録ヘッドの一般的な構造を示す断面図である。
【０００３】
図２８に示すように、垂直磁気記録方式の垂直磁気記録ヘッドＨは、記録媒体上を浮上して移動しまたは摺動するスライダ１の側端面に設けられるものであり、例えばスライダ１の側端面１ａにおいて、前記垂直磁気記録ヘッドＨは、非磁性膜２と、非磁性の被覆膜３との間に配置される。
【０００４】
前記垂直磁気記録ヘッドＨは、強磁性材料で形成された補助磁極層４と、前記補助磁極層４の上に間隔を開けて形成された同じく強磁性材料で形成された主磁極層５とを有しており、前記補助磁極層４の端面４ａと前記主磁極層５の端面５ａとが、記録媒体Ｍとの対向面Ｈａに現れている。前記対向面Ｈａよりも奥側において、前記補助磁極層４と前記主磁極層５は、磁気接続部６において磁気的に接続されている。
【０００５】
前記補助磁極層４と前記主磁極層５との間にはＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２などの無機材料による非磁性絶縁層７が位置しており、前記対向面Ｈａでは、この非磁性絶縁層７の端面７ａが、前記補助磁極層４の端面４ａと前記主磁極層５の端面５ａとの間に現れている。
【０００６】
そして、前記非磁性絶縁層７内には、Ｃｕなどの導電性材料で形成されたコイル層８が埋設されている。
【０００７】
図２８に示すように、主磁極層５の端面５ａの厚みｈｗは、補助磁極層４の端面４ａの厚みｈｒよりも小さくなっている。また前記主磁極層５のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の端面５ａの幅寸法はトラック幅Ｔｗであり、この幅寸法は、前記補助磁極層４のトラック幅方向の端面４ａの幅寸法よりも十分に小さくなっている。
【０００８】
前記垂直磁気記録ヘッドＨにより磁気記録が行われる記録媒体Ｍは、垂直磁気記録ヘッドＨに対してＺ方向へ移動するものであり、その表面にハード膜Ｍａが内方にソフト膜Ｍｂが設けられている。
【０００９】
前記コイル層８に通電されることにより補助磁極層４と主磁極層５とに記録磁界が誘導されると、補助磁極層４の端面４ａと、主磁極層５の端面５ａとの間での漏れ記録磁界が、記録媒体Ｍのハード膜Ｍａを垂直に通過し、ソフト膜Ｍｂを通る。ここで、前記のように主磁極層５の端面５ａの面積が、補助磁極層４の端面４ａでの面積よりも十分に小さくなっているため、主磁極層５の端面５ａの対向部分で磁束φが集中し、端面５ａが対向する部分での前記ハード膜Ｍａに対し、前記磁束φにより磁気データが記録される。
【００１０】
図２９は、図２８に示す垂直磁気記録ヘッドの製造方法を示す一工程図である。
【００１１】
前記主磁極層５は、図示しないレジスト層によって図のようにメッキ形成された後、前記非磁性絶縁層７の上面に形成されたメッキ下地層９のうち、前記主磁極層５の下以外に形成されたメッキ下地層９ａ，９ａをミリングにて除去する。このように不必要な前記メッキ下地層９ａを除去することで、膜内では、例えば前記コイル層８に電流を導くためのリード層と前記メッキ下地層９ａとが接触するのを防止でき、電気特性を良好に保つことができる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら図２９に示すように、不必要なメッキ下地層９ａをミリングにて除去している最中、前記主磁極層５の上面も前記ミリングの影響を受けて削られ、前記主磁極層５の高さ寸法がＬ１からＬ２に減少してしまう。前記主磁極層５の高さ寸法が小さくなり、前端面５ａの面積が小さくなるとオーバーライト特性等の低下を招き好ましくない。
【００１３】
しかも前記メッキ下地層９ａを除去すると、前記メッキ下地層９ａの構成材料が前記主磁極層５の両側端面５ｂ，５ｂに付着し（矢印Ｂ）、トラック幅Ｔｗが大きくなるため、前記両側端面５ｂに付着した付着膜９ｂを除去しなければならない。
【００１４】
ところが、前記付着膜９ｂを図２９に示す斜め方向Ａからのミリングで除去すると、それと共に前記主磁極層５の上面も削られ、さらに前記前端面５ａの高さ寸法は減少してしまう。
【００１５】
また今後の高記録密度化に伴い狭トラック化を図ることが必要であるが、前記主磁極層５の前端面５ａの両側端面５ｂを斜め方向からのミリングで削りトラック幅Ｔｗを小さくしても同時に前記前端面５ａの上面も削られて高さ寸法が小さくなるため、前記前端面５ａの面積を所定値内に収めることが非常に難しく、オーバーライト特性等の記録特性の低下を招く。
【００１６】
このように図２８、２９に示す従来の垂直磁気記録ヘッドの構造では、前記主磁極層５の高さ寸法を一定に保ったまま、前記主磁極層５の両側端面５ｂに付着した付着膜９ｂを除去できず、また前記主磁極層５の狭トラック化を図ることができず、すなわちトラック幅方向の幅寸法の制御と、高さ寸法の制御とを独立して行うことが不可能であった。
【００１７】
そこで本発明は上記従来の課題を解決するものであり、主磁極層上に非磁性層を重ねて形成することで、前記主磁極層５の高さ寸法を一定に保ったまま、前記主磁極層の両側端面に付着した付着膜を除去でき、さらに前記主磁極層の狭トラック化を図ることが可能な垂直磁気記録ヘッド及びその製造方法を提供することを目的としている。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、記録媒体との対向面に、補助磁極層と主磁極層とが間隔を開けて位置し、前記対向面よりもハイト方向後方に前記補助磁極層と前記主磁極層とに記録磁界を与えるコイル層が設けられ、前記主磁極層に集中する垂直磁界によって、前記記録媒体に磁気データを記録する垂直磁気記録ヘッドにおいて、
前記主磁極層の上には、非磁性層が形成されており、
前記対向面よりもハイト方向後方では前記補助磁極層から立ち上がる接続層が設けられ前記接続層の周囲を前記コイル層が巻回形成されており、前記主磁極層と前記接続層間が磁気的に接続され、
前記対向面に現れている前記主磁極層の前端面は、下面から上面に向けてトラック幅方向の幅寸法が広がる形状で形成されていることを特徴とするものである。
【００１９】
本発明では、上記のように主磁極層の上に非磁性層が重ねて形成されている。前記非磁性層は、ミリングの際に前記主磁極層を保護すべきカバー層の役割を有し、前記主磁極層の高さ寸法を一定値に保ちながら、製造工程の際に前記主磁極層の両側端面に付着したメッキ下地層の付着膜を適切に除去でき、また前記主磁極層のトラック幅Ｔｗを小さくすることができ、トラック幅方向の幅寸法の制御と高さ寸法の制御とを独立して行うことが可能になっている。
【００２０】
従って本発明では、前記主磁極層の前端面を所定のトラック幅Ｔｗ及び高さ寸法で形成でき、よって前記前端面の面積を所定値内に収めやすく、オーバーライト特性等の諸特性を向上させることが可能である。
【００２１】
また本発明では、前記非磁性層は非磁性金属材料で形成されていることが好ましく、さらに前記主磁極層と前記非磁性層とは、メッキで形成されていることが好ましい。これにより前記主磁極層と非磁性層とを連続メッキ形成でき、製造工程の簡略化を図ることができる。
【００２２】
また本発明では、前記主磁極層と接続層間はヨーク層によって磁気的に接続されていることが好ましい。
【００２３】
また本発明では、前記主磁極層の前端面の両側端面は、傾斜面あるいは湾曲面で形成されていることが好ましい。
【００２４】
また本発明では、前記主磁極層は磁性材料からなるメッキ下地層上に形成され、前記メッキ下地層のトラック幅方向における両側端面の少なくとも一部は、前記主磁極層の下面のトラック幅方向の端部よりもトラック幅方向へはみ出して形成されており、そのはみ出し量は、記録媒体への記録時にスキュー角が生じたときに、前記記録媒体に記録される記録トラック幅Ｔｗ１からはみ出さない長さであることが好ましい。これによりフリンジングの発生を防止でき、オフトラック性能の向上を図ることができる。ただし前記主磁極層の前端面の形状は、下面から上面に向けてトラック幅方向の幅寸法が広がる形状に限定される。
【００２５】
また本発明では、前記主磁極層は磁性材料からなるメッキ下地層上に形成され、前記メッキ下地層のトラック幅方向における両側端面は、前記主磁極層のトラック幅方向における両側端面と連続面とされ、前記メッキ下地層のトラック幅方向への幅寸法は、前記主磁極層の下面のトラック幅方向への幅寸法以下で形成されることが好ましい。これにより適切にフリンジングの発生を抑制できる。なおかかる場合、前記主磁極層の前端面の形状は、下面から上面に向けてトラック幅方向の幅寸法が広がる形状で形成されていなくても、記録時にスキュー角が発生しなければ、例えば前記前端面が正方形や長方形等で形成されていても、記録時にフリンジングが発生せず、オフトラック性能を向上させることができる。
【００２６】
また本発明では、前記主磁極層は非磁性金属材料からなるメッキ下地層上に形成されることが好ましい。かかる場合、前記非磁性金属材料からなるメッキ下地層のトラック幅方向の幅寸法が、前記主磁極層の下面のトラック幅方向の幅寸法よりも大きくてもよい。前記メッキ下地層が非磁性金属材料で形成されている場合には、前記メッキ下地層が記録トラック幅Ｔｗ１からはみ出す程度に長く形成されてもフリンジングの発生はなく、オフトラック性能の向上を図ることが可能である。
【００２７】
また本発明では前記主磁極層の飽和磁束密度が、前記ヨーク層の飽和磁束密度よりも高いことが好ましい。本発明では、前記主磁極層とヨーク層とを別工程で形成することが可能であるため、前記主磁極層とヨーク層とを異なる磁性材料で形成でき、前記主磁極層に高い飽和磁束密度を有する磁性材料を選択することが可能である。
【００２８】
また本発明では、前記補助磁極層上には絶縁層が形成され、この絶縁層内に前記コイル層が埋設され、前記接続層の上面は前記絶縁層の上面と同一平面で形成され、
前記絶縁層上面及び接続層上面に前記ヨーク層が形成され、前記ヨーク層の前端面は、前記対向面よりもハイト方向後方に位置しており、
前記主磁極層及び非磁性層は、前記ヨーク層の前記前端面と前記対向面間に位置する前記絶縁層上面から前記ヨーク層上面にかけて形成されていることが好ましい。
【００２９】
このとき前記ヨーク層の前端面は下面から上面にかけてハイト方向に傾く傾斜面あるいは湾曲面で形成されていることが好ましい。この実施形態は図１に示されている。
【００３０】
あるいは本発明では、前記補助磁極層上には絶縁層が形成され、この絶縁層内に前記コイル層が埋設され、前記接続層の上面は前記絶縁層の上面と同一平面で形成され、
前記絶縁層上面及び接続層上面に前記ヨーク層が形成され、前記ヨーク層の前端面は、前記対向面よりもハイト方向後方に位置しており、
前記ヨーク層の前記前端面と前記対向面間には第２の絶縁層が形成され、前記ヨーク層の上面と前記第２の絶縁層の上面とが同一平面で形成され、
前記主磁極層及び非磁性層は、前記第２の絶縁層の上面から前記ヨーク層の上面にかけて形成されていることが好ましい。このとき、前記ヨーク層の前端面は上面から下面にかけてハイト方向に傾く傾斜面あるいは湾曲面で形成されていることが好ましい。この実施形態は図２に示されている。
【００３１】
また本発明では、前記ヨーク層と主磁極層とが重なる位置での前記ヨーク層の前記対向面と平行な方向からの断面積は、前記主磁極層の前記対向面と平行な方向からの断面積よりも大きいことが好ましい。これにより前記ヨーク層から主磁極層への磁束の流れを良好にでき、磁束の通過効率を向上させることが可能である。
【００３２】
また本発明における垂直磁気記録ヘッドの製造方法は、以下の工程を有することを特徴とするものである。
（ａ）磁性材料で補助磁極層を形成する工程と、
（ｂ）前記補助磁極層上であって、記録媒体との対向面よりもハイト方向後方に接続層を形成し、次に前記対向面と接続層間に、前記補助磁極層上に絶縁下地層を介してコイル層を形成した後、前記コイル層上を絶縁層で埋める工程と、
（ｃ）前記絶縁層の表面を削り、前記絶縁層上面と前記接続層上面を同一面とする工程と、
（ｄ）前記絶縁層上に前端面が前記対向面よりもハイト方向後方に位置し且つ前記接続層上にまで延びるヨーク層を形成する工程と、
（ｅ）前記絶縁層上及びヨーク層上にメッキ下地層を形成し、さらに前記メッキ下地層上にレジスト層を形成し、前記レジスト層に前記対向面での絶縁層上から前記ヨーク層上にまで延びる抜きパターンを形成し、このとき、少なくとも前記対向面でのトラック幅方向の内幅寸法が、下面から上面にかけて広がる抜きパターンを前記レジスト層に形成する工程と、
（ｆ）前記抜きパターン内に主磁極層と非磁性金属材料から成る非磁性層を連続メッキした後、前記レジスト層を除去する工程と、
（ｇ）前記主磁極層と非磁性層のトラック幅方向における両側側面をミリングで削る工程。
【００３３】
本発明では、前記（ｆ）工程で、レジスト層に形成された抜きパターン内に主磁極層と非磁性層を連続メッキしている。このため次の（ｇ）工程で、前記主磁極層の両側端面をミリングで削る時、前記主磁極層の上面は前記非磁性層に守られているので、前記主磁極層の高さ寸法を一定値に保ったまま前記メッキ下地層の除去が可能である。前記主磁極層の両側端面を削ることで、前記主磁極層のトラック幅を狭くして狭トラック化に対応可能な垂直磁気記録ヘッドを製造できる。
【００３４】
また前記（ｇ）工程において、前記主磁極層下の前記メッキ下地層を残し、それ以外のメッキ下地層をミリングで削ることが好ましい。このときも、前記非磁性層の上面はミリングで削られるが、前記主磁極層の上面は前記非磁性層に守られているので、前記主磁極層の高さ寸法を一定値に保ったまま前記メッキ下地層の除去を行うことが可能である。
【００３５】
また前記メッキ下地層を除去したとき、前記主磁極層の両側端面に付着した付着膜を前記主磁極層の高さ寸法を一定値に保ったまま除去することが可能である。
【００３６】
以上のように本発明における製造方法によれば、前記主磁極層の高さ寸法を所定値に保ったまま、狭トラック化を図ることができ、また前記主磁極層の両側端面に付着した付着膜を除去できるため、本発明ではトラック幅方向の幅寸法の制御と高さ寸法の制御とを独立して行うことが可能である。
【００３７】
また本発明では、前記（ｄ）工程を除き、前記（ｅ）工程で、メッキ下地層を絶縁層上に形成し、さらに前記メッキ下地層上にレジスト層を形成し、前記レジスト層に前記対向面での絶縁層から前記接続層上にまで延びる抜きパターンを形成してもよい。
【００３８】
また本発明では、前記（ｅ）工程に代えて、以下の工程を有するものであってもよい。
（ｈ）前記ヨーク層の周囲を第２の絶縁層で埋め、前記第２の絶縁層の表面を削り、前記第２の絶縁層の上面と前記ヨーク層の上面とを同一面にする工程と、
（ｉ）前記第２の絶縁層及びヨーク層上にメッキ下地層を形成し、さらに前記メッキ下地層上にレジスト層を形成し、前記レジスト層に前記対向面での前記第２の絶縁層上から前記ヨーク層上にまで延びる抜きパターンを形成し、このとき、少なくとも前記対向面でのトラック幅方向の内幅寸法が、下面から上面にかけて広がる抜きパターンを前記レジスト層に形成する工程。
【００３９】
本発明では、前記（ｅ）工程あるいは（ｉ）工程において、少なくとも前記対向面でのトラック幅方向の内幅寸法が、下面から上面にかけて広がる抜きパターンを前記レジスト層に形成する。
【００４０】
これによって、前記主磁極層の前端面を下面から上面に向けて徐々にトラック幅方向の幅寸法が広がる形状で形成できる。
【００４１】
また本発明では、前記メッキ下地層を非磁性金属材料で形成することが好ましい。非磁性金属材料の場合は前記メッキ下地層に磁性材料を使用する場合に比べてエッチング制御を容易にすることができる。
【００４２】
【発明の実施の形態】
図１は本発明の第１実施形態の垂直磁気記録ヘッドを備えた磁気ヘッドの構造を示す縦断面図である。
【００４３】
図１に示す垂直磁気記録ヘッドＨは記録媒体Ｍに垂直磁界を与え、記録媒体Ｍのハード膜Ｍａを垂直方向に磁化させるものである。
【００４４】
前記記録媒体Ｍはディスク状であり、その表面に残留磁化の高いハード膜Ｍａが、内方に磁気透過率の高いソフト膜Ｍｂを有しており、ディスクの中心が回転軸中心となって回転させられる。
【００４５】
前記垂直磁気記録ヘッドＨのスライダ１１はＡｌ２Ｏ３・ＴｉＣなどのセラミック材料で形成されており、スライダ１１の対向面１１ａが前記記録媒体Ｍに対向し、記録媒体Ｍが回転すると、表面の空気流によりスライダ１１が記録媒体Ｍの表面から浮上し、またはスライダ１１が記録媒体Ｍに摺動する。図１においてスライダ１１に対する記録媒体Ｍの移動方向は図示Ｚ方向である。垂直磁気記録ヘッドＨはスライダ１１のトレーリング側端面に設けられる。
【００４６】
前記スライダ１１の側端面１１ｂには、Ａｌ２Ｏ３またはＳｉＯ２などの無機材料による非磁性絶縁層５４が形成されて、この非磁性絶縁層の上に読取り部ＨＲが形成されている。
【００４７】
前記読取り部ＨＲは、下から下部シールド層５２、ギャップ層５５、磁気抵抗効果素子５３、および上部シールド層５１から成る。前記磁気抵抗効果素子５３は、異方性磁気抵抗効果（ＡＭＲ）素子、巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）素子、トンネル型磁気抵抗効果（ＴＭＲ）素子などである。
【００４８】
前記上部シールド層５１の上には、Ａｌ２Ｏ３またはＳｉＯ２などの無機材料による非磁性絶縁層１２が形成されて、前記非磁性絶縁層１２の上に本発明の記録用の垂直磁気記録ヘッドＨが設けられている。そして垂直磁気記録ヘッドＨは無機非磁性絶縁材料などで形成された保護層１３により被覆されている。そして前記垂直磁気記録ヘッドＨの記録媒体との対向面Ｈ１ａは、前記スライダ１１の対向面１１ａとほぼ同一面である。
【００４９】
前記垂直磁気記録ヘッドＨでは、パーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ）などの強磁性材料がメッキされて補助磁極層２１が形成されている。なお前記上部シールド層５２が前記補助磁極層２１として兼用されていてもよい。前記非磁性絶縁層１２は、前記補助磁極層２１の下（補助磁極層２１とスライダ１１の側端面１１ｂとの間）および前記補助磁極層２１の周囲に形成されている。そして図１に示すように、補助磁極層２１の表面（上面）２１ａと前記非磁性絶縁層１２の表面（上面）１２ａとは同一の平面上に位置している。
【００５０】
図１に示すように、前記対向面Ｈ１ａよりもハイト方向後方（図示Ｙ方向）では、前記補助磁極層２１の表面２１ａ上にＮｉ−Ｆｅなどの接続層２５が形成されている。
【００５１】
前記接続層２５の周囲において、前記補助磁極層２１の表面２１ａおよび前記非磁性絶縁層１２の表面１２ａ上に、Ａｌ２Ｏ３などの絶縁下地層２６が形成されて、この絶縁下地層２６の上にＣｕなどの導電性材料によりコイル層２７が形成されている。このコイル層２７はフレームメッキ法などで形成されたものであり、前記接続層２５の周囲に所定の巻き数となるように螺旋状にパターン形成されている。コイル層２７の巻き中心側の接続端２７ａ上には同じくＣｕなどの導電性材料で形成された底上げ層３１が形成されている。
【００５２】
前記コイル層２７および底上げ層３１は、レジスト材料などの有機材料の絶縁層３２で被覆されており、さらに絶縁層３３で覆われている。
【００５３】
前記絶縁層３３は無機絶縁材料で形成されることが好ましく、前記無機絶縁材料としては、ＡｌＯ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ、ＡｌＮ、ＡｌＳｉＮ、ＴｉＮ、ＳｉＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＮｉＯ、ＷＯ、ＷＯ３、ＢＮ、ＣｒＮ、ＳｉＯＮのうち少なくとも１種以上を選択できる。
【００５４】
そして前記接続層２５の表面（上面）２５ａ、底上げ層３１の表面（上面）３１ａ、および絶縁層３３の表面（上面）３３ａは、同一面となるように加工されている。このような平坦化加工は後述の製造方法で説明するように、ＣＭＰ技術などを用いて行なわれる。
【００５５】
この第１実施形態では、前記絶縁層３３の上に、ヨーク層３５が形成されている。図１に示すように前記ヨーク層３５の前端面３５ａは、前記対向面Ｈ１ａよりもハイト方向（図示Ｙ方向）後方に形成されている。また前記ヨーク層３５の基端部３５ｃは、前記接続層２５の上面に形成され、前記基端部３５ｃと接続層２５とが磁気的に接続された状態になっている。前記ヨーク層３５の下の絶縁層３３は平坦化面で形成されているので、前記ヨーク層３５をパターン精度良く形成することができる。
【００５６】
またこの実施形態では前記前端面３５ａは、下面から上面にかけて（図示Ｚ方向）、ハイト方向（図示Ｙ方向）に傾く傾斜面あるいは湾曲面となっている。これによって後述する主磁極層２４を対向面側Ｈ１ａの絶縁層３３上から前記ヨーク層３５上にかけてメッキ形成しやすく、また前記ヨーク層３５から主磁極層２４に磁束の流れを緩やかにでき、磁束の通過効率を良好にできる。
【００５７】
また図１に示すように、前記底上げ層３１の表面３１ａにはリード層３６が形成され、リード層３６から前記底上げ層３１およびコイル層２７に記録電流の供給が可能となっている。なお、前記リード層３６は、前記ヨーク層３５と同じ材料で形成でき、前記ヨーク層３５とリード層３６を、同時にメッキで形成することが可能である。
【００５８】
また図１に示すように、前記ヨーク層３５よりも前記対向面Ｈ１ａ側に位置する絶縁層３３上から前記ヨーク層３５上にかけてＮｉＦｅ等の磁性材料で形成された主磁極層２４が形成されている。さらに非磁性層４０が、前記主磁極層２４上に重ねられて形成されている。そして前記主磁極層２４及び非磁性層４０の前端面２４ａ，４０ａは共に前記対向面Ｈ１ａから現れている。
【００５９】
なお図１に示す実施形態では、前記主磁極層２４及び非磁性層４０は、前記対向面Ｈ１ａからハイト方向にかけてＬ３の長さ寸法で形成されているが、前記主磁極層２４とヨーク層３５とが一部で重なり、磁気的に接続されていれば、前記長さ寸法Ｌ３は限定されない。したがって、前記主磁極層２４及び非磁性層４０は、ハイト方向にさらに長く形成され、例えば前記ヨーク層３５の後端面３５ｂと同一位置まで延ばされていても良い。
【００６０】
なお図１に示すように前記非磁性層４０上及びヨーク層３５上が前記保護層１３によって覆われている。
【００６１】
図２は本発明における別の実施形態を示す垂直磁気記録ヘッドを装備した磁気ヘッドの縦断面図である。
【００６２】
図１との違いは、特にヨーク層３５の構造にある。図２では、前記絶縁層３３の上面３３ａに前記ヨーク層３５が形成され、前記ヨーク層３５の基端部３５ｃは、前記接続層２５の上面２５ａに形成され、前記基端部３５ｃと前記接続層２５とが磁気的に接続された状態になっている。
【００６３】
また図２に示すように前記ヨーク層３５の前端面３５ａは、前記対向面Ｈ１ａよりもハイト方向（図示Ｙ方向）後方に位置し、前記前端面３５ａは前記対向面Ｈ１ａから現れない。
【００６４】
また前記前端面３５ａは、上面から下面にかけて（図示Ｚ方向とは逆方向）ハイト方向に傾く傾斜面あるいは湾曲面となっている。前記前端面３５ａと上面間の外角θは、９０°以上であることが好ましい。これによって後述の主磁極層２４から前記ヨーク層３５に向けて漏れる磁界を少なくでき前記主磁極層２４により磁界を集中させることができる。
【００６５】
また図２に示すように、前記前端面３５ａと前記対向面Ｈ１ａ間には第２の絶縁層５７が埋められている。なお前記第２の絶縁層５７は、前記ヨーク層３５のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側、および後端側にも形成されている。
【００６６】
従って図２では、前記ヨーク層３５の前端面３５ａよりも前方に位置する前記第２の絶縁層５７が前記対向面Ｈ１ａから現れる。
【００６７】
本発明では、前記第２の絶縁層５７の上面と前記ヨーク層３５の上面はＣＭＰ技術などを用いて平坦化加工が成されている。
【００６８】
また前記第２の絶縁層５７は無機絶縁材料で形成されることが好ましく、前記無機絶縁材料としては、ＡｌＯ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ、ＡｌＮ、ＡｌＳｉＮ、ＴｉＮ、ＳｉＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＮｉＯ、ＷＯ、ＷＯ３、ＢＮ、ＣｒＮ、ＳｉＯＮのうち少なくとも１種以上を選択できる。
【００６９】
そして本発明では前記平坦化された前記第２の絶縁層５７上からヨーク層３５上にかけて主磁極層２４が形成されている。このように前記主磁極層２４を平坦化面上に形成できることから、前記主磁極層２４をパターン精度良く形成することが可能である。なお前記主磁極層２４の前端面２４ａは前記対向面Ｈ１ａに現れている。また図２に示す実施形態では前記主磁極層２４は、前記ヨーク層３５の後端面３５ｂ上にまで延ばされて形成されているが、これより短く形成されていてもかまわない。前記ヨーク層３５と主磁極層２４が一部で重ねられて、磁気的に接続されていれば良い。
【００７０】
また図２に示すように、前記主磁極層２４上には非磁性層４０が重ねて形成されている。この非磁性層４０も前記主磁極層２４と同様に前記ヨーク層３５の後端面３５ｂにまで延ばされて形成されている。
【００７１】
図３は本発明における第３実施形態の垂直磁気記録ヘッドを装備した磁気ヘッドの縦断面図である。
【００７２】
図３では、図１及び図２と異なり、平坦化された絶縁層３３上に主磁極層２４が形成され、この上に非磁性層４０が重ねられて形成されている。図１及び図２に示したヨーク層３５は、この実施形態では、前記主磁極層２４と一体化し、前記主磁極層２４の後方領域がヨーク層３５として機能している。そして前記ヨーク層３５と接続層２５とが磁気的に接続されている。
【００７３】
次に本発明における主磁極層２４及び非磁性層４０の前端面２４ａ，４０ａの形状について説明する。図４及び図５は、本発明の図１ないし図３の垂直磁気記録ヘッドの部分正面図である。
【００７４】
図４，５に示すように、前記絶縁層３３あるいは第２の絶縁層５７と主磁極層２４との間にはメッキ下地層７１が形成されている。前記主磁極層２４は前記メッキ下地層７１上からメッキ成長して形成されたものであり、前記主磁極層２４の高さ寸法Ｈ１はある所定値に設定されている。
【００７５】
図４，５に示すように、前記主磁極層２４の前端面２４ａの両側端面２４ｄ，２４ｄは、下面から上面に向かう（図示Ｚ方向）にしたがってトラック幅方向（図示Ｘ方向）の幅寸法が徐々に広がる形状で形成されている。図４のように前記両側端面２４ｄ，２４ｄは傾斜面、あるいは図５に示すような湾曲面で形成されていることが好ましい。
【００７６】
さらに図４，５に示すように、前記主磁極層２４上に形成された非磁性層４０の前端面４０ａも下面から上面に向かうにしたがってトラック幅方向の幅寸法が徐々に広がる形状で形成されている。また図４，５に示すように前記前端面４０ａの両側端面４０ｄ，４０ｄは、前記主磁極層２４の両側端面２４ｄ，４０ｄと連続面とされ、よって図４では前記非磁性層４０の前端面４０ａの両側端面４０ｄは傾斜面となっており、また図５では前記前端面４０ａの両側端面４０ｄは湾曲面となっている。
【００７７】
なお図４，５に示すように前記主磁極層２４の上面２４ｇ（トレーリング側の端面）のトラック幅方向の幅寸法でトラック幅Ｔｗが規制される。
【００７８】
ところで本発明では、非磁性層４０が前記主磁極層２４の上に重ねられて形成されている点に特徴がある。
【００７９】
ここで前記非磁性層４０は前記主磁極層２４の高さ寸法がミリングによって減少しないようにするためのカバー層としての役割を有する。
【００８０】
後述する製造方法で説明するように、本発明では、前記主磁極層２４をメッキ形成するため、その下にメッキ下地層７１を敷かなければならないが、前記メッキ下地層７１は、前記主磁極層２４の下以外にも形成されるため、前記主磁極層２４の下以外に形成された前記メッキ下地層７１を後から除去する工程が必要になる。前記メッキ下地層７１はミリングなどによって除去される。
【００８１】
不必要なメッキ下地層７１を除去するときのミリング時、本発明では、前記主磁極層２４の上に非磁性層４０が形成されているため、前記メッキ下地層７１と共にミリングによって削られるのは前記非磁性層４０の上面であり、前記主磁極層２４の高さ寸法Ｈ１が減少することはなく、従って前記高さ寸法Ｈ１を一定値に保ったまま、前記メッキ下地層７１の除去を行うことができる。
【００８２】
また前記不必要なメッキ下地層７１を除去すると、そのとき前記主磁極層２４のトラック幅方向（図示Ｘ方向）における両側端面２４ｄ，２４ｄには、前記メッキ下地層７１の構成材料が付着するが、この付着膜を除去するために斜め方向からミリングしても、前記付着膜とともに削られるのは非磁性層４０の上面であり、前記主磁極層２４の高さ寸法Ｈ１が減少することはなく、前記高さ寸法Ｈ１を一定に保ったまま、前記付着膜の除去を行うことができる。
【００８３】
また斜め方向からのミリングによって前記主磁極層２４の両側端面２４ｄを削ると、前記主磁極層２４の上面２４ｇ（トレーリング側の端面）の幅寸法で規制されるトラック幅Ｔｗが小さくなり、狭トラック化に対応可能な垂直磁気記録ヘッドを製造することができるが、このミリングによって、前記両側端面２４ｄとともに削られるのは前記非磁性層４０の上面であり、前記主磁極層２４の高さ寸法Ｈ１が減少することはなく、前記高さ寸法Ｈ１を一定に保ったまま、狭トラック化を図ることができる。
【００８４】
このように本発明では、主磁極層２４の高さ寸法を一定値に保ったまま、前記主磁極層２４の両側端面２４ｄ，２４ｄに付着したメッキ下地層７１の付着膜の除去、および狭トラック化を図ることが可能である。
【００８５】
すなわち本発明では、前記主磁極層２４の高さ寸法と、トラック幅方向における幅寸法をそれぞれ独立に制御できるものである。前記主磁極層２４の高さ寸法の制御は、前記主磁極層２４をメッキ成長させたときの高さ寸法で規制でき、またトラック幅方向の幅寸法は、上記のミリング工程で制御することができる。
【００８６】
このように本発明では、主磁極層２４の高さ寸法Ｈ１及びトラック幅Ｔｗを所定値に設定できるため、前記主磁極層２４の前端面２４ａの面積を所定値内に適切に収めることができ、狭トラック化とともにオーバーライト特性等の諸特性を向上させることが可能である。
【００８７】
また本発明では、前記非磁性層４０は非磁性金属材料で形成されていることが好ましい。前記非磁性金属材料には、ＮｉＰ、ＮｉＣｕ、ＮｉＭｎ、ＮｉＷ、ＮｉＢ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ａｕ、Ｃｕを選択できる。この中でもＮｉＰを選択することが好ましい。
【００８８】
上記非磁性金属材料を選択する理由は、メッキ形成される主磁極層２４上に前記非磁性層４０を連続してメッキ形成でき、製造工程の簡略化を図ることができるからである。
【００８９】
また前記非磁性層４０をメッキで形成すると前記非磁性層４０の膜厚を適切に調整しやすい。すなわち上記で述べたように前記非磁性層４０の上面はミリング工程に曝され削られるため、ある程度の膜厚を確保しておく必要があるが、メッキ形成であると前記非磁性層４０の膜厚を所定膜厚で形成しやすい。
【００９０】
また前記非磁性層４０はＮｉＰであると、製造上の連続メッキ容易性に加えて、耐熱性に優れ主磁極層２４との密着性も良い。また主磁極層２４との硬さも同等とすることができるので、後述するイオンミリング等による非磁性層４０と主磁極層２４の加工量も同等とすることができ加工性を向上させることができる。
【００９１】
ただし本発明では前記非磁性層４０として、Ａｌ２Ｏ３などの一般的な非磁性材料を選択しても良い。かかる場合、前記非磁性層４０をスパッタで成膜することになる。
【００９２】
また本発明では、図１及び図２に示す垂直磁気記録ヘッドにおいては、いずれも主磁極層２４とヨーク層３５を別々に形成することができる。よって前記主磁極層２４とヨーク層３５とを異なる磁性材料で形成することが可能である。かかる場合、前記主磁極層２４の飽和磁束密度が、ヨーク層３５の飽和磁束密度よりも高くなるように磁性材料を選択することが好ましい。主磁極層２４をヨーク層３５よりも飽和磁束密度の高い磁性材料で形成しておくと、幅寸法Ｔｗと膜厚の小さい主磁極層２４からハード膜Ｍａに対して密度の高い磁束φを垂直方向へ与えることが可能となり、オーバーライト特性が向上するようになる。
【００９３】
なお前記主磁極層２４及びヨーク層３５には、Ｎｉ−Ｆｅ、Ｃｏ−Ｆｅ、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏなどの磁性材料が選択されるが、主磁極層２４及びヨーク層３５に同じ磁性材料を選択する場合には、組成比を変えることで飽和磁束密度に差を出すことが可能である。
【００９４】
また本発明では、図４及び図５で示したように前記主磁極層２４の前端面２４ａは、トラック幅方向の幅寸法が下面から上面にかけて徐々に広がる形状で形成されている。例えば前記前端面２４ａの両側端面２４ｄ，２４ｄは傾斜面あるいは湾曲面となっており、前記前端面２４ａの形状は略逆台形状である。このように前記主磁極層２４の前端面２４ａの両側端面２４ｄ，２４ｄが傾斜面あるいは湾曲面とされ、前記前端面２４ａの形状が略逆台形状であると、実際に記録媒体に記録を行うとき、図１１の破線で示すように記録媒体の移動接線方向（図示Ｚ方向）に対してスキュー角を生じたとしても、（ｉｉｉ）で示す前記端面２４ｄが記録トラック幅Ｔｗ１から側方へ斜めに大きくはみ出すことがない。よって前記両側端面２４ｄによるフリンジングを防止できるようになり、オフトラック性能の向上を図ることができる。
【００９５】
一方、図３０は図２８に示す従来の主磁極層５の正面図であるが、図３０のように前記主磁極層５の端面５ａが正方形または長方形であると、主磁極層５の端面５ａが、記録媒体の移動接線方向（図示Ｚ方向）に対してスキュー角を有すると、破線で示すように主磁極層の側辺５ｂがトラック幅Ｔｗ１内に斜めの漏れ磁界を与えてフリンジングＦが発生し、オフトラック性能の低下を招いてしまう。
【００９６】
よって本発明のように前記主磁極層２４の前端面２４ａは略逆台形状であることが良い。
【００９７】
次に図４及び図５に示すメッキ下地層７１の材質及び形状について以下に説明する。
【００９８】
前記メッキ下地層７１をＮｉＦｅなどの磁性材料で形成するとき、図５に示すように、前記メッキ下地層７１の両側端面７１ｂが前記主磁極層２４の両側端面２４ｄと連続面とされ、前記メッキ下地層７１のトラック幅方向への幅寸法が前記主磁極層２４の下面２４ｉのトラック幅方向への幅寸法以下で形成されていることが好ましい。
【００９９】
かかる場合、前記主磁極層２４の前端面２４ａが下面から上面にかけてトラック幅方向への幅寸法が広がる形状で形成されていれば、スキュー角を生じたとしてもより適切にフリンジングの発生を防止できる。またスキュー角が生じない場合には、前記主磁極層２４の前端面２４ａが図３０に示す正方形あるいは長方形で形成されていても、フリンジングの発生を防止することができる。
【０１００】
一方図４のように、前記メッキ下地層７１のトラック幅方向（図示Ｘ方向）における両側端面７１ｂが、前記主磁極層２４のトラック幅方向における両側端面２４ｄと連続面で形成されても、ミリング精度により、前記メッキ下地層７１の前記両側端面７１ｂの少なくとも一部が前記主磁極層２４の下面２４ｉのトラック幅方向の端部２４ｊから、トラック幅方向へはみ出して形成されることがある。
【０１０１】
あるいは図４の点線で示すように、前記メッキ下地層７１の両側端面７１ｂ全体が、前記主磁極層２４の下面２４ｉの端部２４ｊからトラック幅方向へはみ出して形成されることがある。
【０１０２】
上記の場合、本発明では前記主磁極層２４の前端面２４ａが下面から上面にかけてトラック幅方向の幅寸法が広がるように形成されていても、記録時にスキュー角が生じ、前記メッキ下地層７１が記録トラック幅Ｔｗ１（図１１を参照のこと）よりもはみ出しているときは、そのはみ出した部分がフリンジングとなる不具合が発生する。
【０１０３】
図２６は、メッキ下地層７１が磁性材料を用いて形成され主磁極層２４以外の領域にもメッキ下地層７１が残存した垂直磁気記録ヘッドの磁気記録特性をマイクロトラックプロファイル法によって測定した結果を示している。
【０１０４】
マイクロトラックプロファイル法とは、記録媒体上に微小トラックである信号を記録しておき、磁気抵抗効果素子などの再生素子を記録トラック上でトラック幅方向に走査させて再生出力を読み取ることにより、記録トラック上のトラック幅方向の記録信号強度分布を測定するものである。
【０１０５】
図２６に示されるように、磁性材料を用いて形成されたメッキ下地層７１が主磁極層２４以外の領域に残存しているとき、スキュー角によって、記録トラック上には主信号Ｓｍのピーク以外にサイド信号Ｓｓのピークが現れる。このサイド信号Ｓｓは、記録トラック幅Ｔｗ１よりもはみ出したメッキ下地層７１によって書き込まれた、フリンジングである。
【０１０６】
このように、メッキ下地層７１が磁性材料で形成され、図４のように前記メッキ下地層７１の両側端面７１ｂが主磁極層２４の下面２４ｉの端部２４ｊからトラック幅方向にはみ出していると、フリンジングは発生しやすくなるが、ただしそのはみ出し量が、記録時にスキュー角が生じても、記録トラック幅Ｔｗ１からはみ出さなければ、フリンジングの発生を防止することができる。
【０１０７】
従って、前記メッキ下地層７１を磁性材料で形成するときは、できる限り前記メッキ下地層７１のはみ出し量を少なくし、前記はみ出し量が記録時にスキュー角が生じたとき、記録トラック幅Ｔｗ１内に収まるように、ミリング精度を適切に制御する必要がある。
【０１０８】
一方、前記メッキ下地層７１がＣｕなどの非磁性金属材料で形成される場合、上記のような前記メッキ下地層７１のはみ出し量を考慮する必要性はない。すなわちメッキ下地層７１を非磁性金属材料で形成する場合、スキュー角が生じ、記録トラック幅Ｔｗ１から前記メッキ下地層７１がはみ出したとしても、前記メッキ下地層７１の部分で記録は行なわれないので、前記メッキ下地層７１のはみ出しによるフリンジングが発生することはなく、オフトラック性能の向上を図ることができる。
【０１０９】
図２７は、メッキ下地層７１が非磁性材料を用いて形成され主磁極層２４以外の領域にもメッキ下地層７１が残存した垂直磁気記録ヘッドの磁気記録特性をマイクロトラックプロファイル法によって測定した結果を示している。
【０１１０】
図２７に示されるように、非磁性材料を用いて形成されたメッキ下地層７１が主磁極層２４以外の領域に残存し、前記メッキ下地層７１が記録トラック幅Ｔｗ１からはみ出していても、記録トラック上には主信号Ｓｍのピークのみが現れ、サイド信号Ｓｓ、すなわちフリンジグは検出されない。
【０１１１】
従って前記メッキ下地層７１に非磁性金属材料を使用した方がミリング制御を容易にできて好ましい。
【０１１２】
次に前記主磁極層２４及びヨーク層３５を真上から見た平面形状について以下に説明する。なお以下に説明する平面図は図１及び図２に示す垂直磁気記録ヘッドのいずれにも適用できるものである。
【０１１３】
図６の平面図に示すように、前記ヨーク層３５は、対向面Ｈ１ａ側である前方領域３５ｄでトラック幅方向の幅寸法Ｗｙが細くなり、後方領域３５ｅでトラック幅方向の幅寸法が徐々に大きくなる平面形状である。そして、前記前方領域３５ｄ上に主磁極層２４が重ねられている。なお前記前方領域３５ｄのトラック幅方向（図示Ｘ方向）における幅寸法Ｗｙは、トラック幅Ｔｗよりも広い幅寸法で形成される。
【０１１４】
図６に示すように前記主磁極層２４は前端面２４ａの上面（トレーリング側の端面）がトラック幅Ｔｗで規制され、その幅寸法を保ってあるいはやや幅広になってハイト方向後方に向けて短い長さ寸法で形成されている。
【０１１５】
なお本発明では、前記対向面Ｈ１ａに露出する前記主磁極層２４の前端面２４ａが、前記補助磁極層２１の前端面２１ｂの面積よりも大きいことが必要で、例えば図６に示すように、補助磁極層２１のトラック幅方向の幅寸法Ｗｒは、前記トラック幅Ｔｗよりも十分に大きい幅寸法で形成されることが好ましい。
【０１１６】
図７では、前記ヨーク層３５が前記前方領域３５ｄを有することなく、奥側に至るにしたがって幅寸法Ｗｙが徐々に広がる形状である。そして前記ヨーク層３５上に主磁極層２４が重ねられている。
【０１１７】
図７に示すように前記主磁極層２４は前端面２４ａの上面（トレーリング側の端面）がトラック幅Ｔｗで規制され、その幅寸法を保ってあるいはやや幅広になってハイト方向後方に向けて短い長さ寸法で形成されている。
【０１１８】
図８では、前記ヨーク層３５の形状は図７と同じであるが、前記主磁極層２４の後方領域２４ｅが幅寸法が徐々に広がる形状であり、この後方領域２４ｅとヨーク層３５とが重なり合っている。ただし、前記ヨーク層３５がさらに対向面側Ｈ１ａに寄って形成され、前記主磁極層２４の幅細形状の前方領域２４ｆの一部も前記ヨーク層３５と重なり合っていてもよい。
【０１１９】
また前記ヨーク層３５に図６に示すような前方領域３５ｄが形成されていても良い。
【０１２０】
図９では、前記ヨーク層３５の形状は、図７及び図８と同じであるが、前記主磁極層２４の後方領域２４ｅが幅寸法が徐々に広がる形状であり、さらにこの後方領域２４ｅは、ハイト方向（図示Ｙ方向）に長く延びて形成されている。前記後方領域２４ｅの後端は、図２のように前記ヨーク層３５の後端面３５ｂと同一面にまで延ばされていても良い。
【０１２１】
また前記ヨーク層３５に図６に示すような前方領域３５ｄが形成されていても良い。さらには前記主磁極層２４には、漸次的に幅寸法が広がる後方領域２４ｅが形成されず、ハイト方向に向けてトラック幅Ｔｗを保って、あるいはハイト方向に向けて前記トラック幅Ｔｗよりもやや幅広になった幅細の前方領域２４ｆがハイト方向に長く延ばされていても良い。
【０１２２】
上記した図６ないし図９に示す平面図では、いずれも前記ヨーク層３５にはハイト方向に至るにしたがって幅寸法Ｗｙが漸次的に広がる領域が形成されており、特に前記ヨーク層３５と主磁極層２４とが重なる位置において、前記ヨーク層３５のトラック幅方向の幅寸法が、前記主磁極層２４のトラック幅方向の幅寸法よりも広くなっている。
【０１２３】
また前記ヨーク層３５の膜厚は前記主磁極層２４の膜厚と同程度か、あるいは図２に示すように前記ヨーク層３５の膜厚Ｈ６が前記主磁極層２４の膜厚Ｈ５よりも大きく形成されている。
【０１２４】
従って前記ヨーク層３５と主磁極層２４とが重なる位置において、前記ヨーク層３５の前記対向面Ｈ１ａと平行な方向への断面積は、前記主磁極層２４の前記対向面Ｈ１ａと平行な方向への断面積よりも大きくなっている。これにより前記ヨーク層３５から前記主磁極層２４に適切に記録磁界を導くことができ、磁束の通過効率が良くなって、オーバーライト特性を向上できる。
【０１２５】
また図１及び図２のように主磁極層２４とヨーク層３５とを別々に形成し、前記ヨーク層３５の上に主磁極層２４を重ねる構造である場合、前記主磁極層２４の幅細で形成された前方領域２４ｆを長く延ばして形成する方が、前記前方領域２４ｆの全体の幅寸法をほぼトラック幅Ｔｗでパターン精度良く形成できて好ましい。さらにかかる場合、前記ヨーク層３５をできる限り対向面Ｈ１ａ側に寄せて形成することで、前記主磁極層２４の磁気飽和を抑制でき、前記主磁極層２４に磁束を集中させることができる。
【０１２６】
なお図６ないし図９は一例であり、主磁極層２４及びヨーク層３５の平面形状がこれら平面形状に限定されるものではない。本発明では、前記主磁極層２４とヨーク層３５とが重なる位置において、前記ヨーク層３５の前記対向面Ｈ１ａと平行な方向への断面積が、前記主磁極層２４の前記対向面Ｈ１ａと平行な方向への断面積よりも大きくなっていれば、如何なる平面形状で形成されていてもよい。
【０１２７】
また図１０は図３に示す垂直磁気記録ヘッドの平面図であり、前端面２４ａがトラック幅で形成され、この幅寸法を保ってあるいはこの幅寸法よりもやや幅広にされた幅細領域が主磁極層２４であり、この主磁極層２４の基端からトラック幅方向（図示Ｘ方向）における幅寸法が漸次的に広がる領域がヨーク層３５となっている。
【０１２８】
図１ないし図３に示す垂直磁気記録ヘッドでは、リード層３６を介してコイル層２７に記録電流が与えられると、コイル層２７を流れる電流の電流磁界によって補助磁極層２１とヨーク層３５に記録磁界が誘導される。図１ないし図３に示すように、対向面Ｈ１ａでは、前記主磁極層２４の前端面２４ａと補助磁極層２１の前端面２１ｂからの漏れ記録磁界が、記録媒体Ｍのハード膜Ｍａを貫通しソフト膜Ｍｂを通過する。前記主磁極層２４の前端面２４ａの面積が補助磁極層２１の前端面２１ｂの面積よりも十分に小さいために、前記主磁極層２４の前端面２４ａに洩れ記録磁界の磁束φが集中し、この集中している磁束φにより前記ハード膜Ｍａが垂直方向へ磁化されて、磁気データが記録される。
【０１２９】
次に本発明の垂直磁気記録ヘッドの製造方法について以下に説明する。図１２から図２５は本発明における垂直磁気記録ヘッドの製造工程を示す工程図である。なお図１２から図１４は図１ないし図３に示す垂直磁気記録ヘッドの共通の製造工程を示している。
【０１３０】
図１２に示す工程では、非磁性絶縁層１２上に磁性材料製の補助磁極層２１を形成した後、前記補助磁極層２１のハイト方向後方も前記非磁性絶縁層１２で埋め、さらに前記補助磁極層２１および非磁性絶縁層１２の上面をＣＭＰ技術などを用いて平坦化加工する。
【０１３１】
次に前記補助磁極層２１のハイト方向後方に、磁性材料製の接続層２５をメッキ形成し、さらに前記補助磁極層２１上面から接続層２５の上面にかけて無機絶縁材料をスパッタして絶縁下地層２６を形成する。
【０１３２】
次に図１３に示すように前記絶縁下地層２６の上にフレームメッキ法によりコイル層２７を形成し、さらに底上げ層３１を同じくメッキにより形成する。このときコイル層２７は、前記接続層２５の高さよりも十分に低い位置に形成する。そして前記コイル層２７と底上げ層３１を有機材料の絶縁層３２で覆い、さらに、無機絶縁材料をスパッタして、全ての層を覆う絶縁層３３を形成する。
【０１３３】
次に、図１３の状態に成膜された各層に対して、図示上方からＣＭＰ技術などを用いて研磨加工を行なう。この研磨加工は、前記絶縁層３３、接続層２５および底上げ層３１の全てを横断する水平面（Ｌ−Ｌ面）の位置まで行なう。
【０１３４】
前記研磨加工の結果、図１４に示すように、接続層２５の表面２５ａ、絶縁層３３の表面３３ａおよび底上げ層３１の表面３１ａが全て同一面となるように加工される。
【０１３５】
ここまでが各実施形態において共通する製造工程である。次に図１に示す構造の垂直磁気記録ヘッドの製造方法について説明する。
【０１３６】
図１５は平面図でありこの工程では、前記絶縁層３３の上にレジスト層７３を形成する。さらに前記レジスト層７３にヨーク層３５の平面形状となる抜きパターン７３ａを露光現像により形成する。前記抜きパターン７３ａは、ヨーク層３５が形成される領域のヨークパターン７３ｃと、その後方に位置するコモンパターン７３ｄとで構成される。前記抜きパターン７３ａは、その前端面７３ｂが前記対向面Ｈ１ａよりもハイト方向（図示Ｙ方向）後方に位置し、また前記抜きパターン７３ａのヨークパターン７３ｃは前記接続層２５にまで延びて形成されている。
【０１３７】
そして、前記抜きパターン７３ａ内にメッキ下地層７２をスパッタ成膜し、前記レジスト層７３を除去する。
【０１３８】
図１６に示す工程では前記コモンパターン７３ｄ上にレジスト層７４を形成し、前記レジスト層７４に覆われていない前記ヨークパターン７３ｃ上に形成されたメッキ下地層７２上にヨーク層３５をメッキ成長させる。そして前記レジスト層７４を除去、さらにコモンパターン７３ｄ上のメッキ下地層７２を除去すると、この時点での垂直磁気記録ヘッドの縦断面図は図１７のようになる。
【０１３９】
図１７に示すように、前記メッキ下地層７２上にメッキ形成されたヨーク層３５は、その前端面３５ａがだれて、下面から上面にかけてハイト方向（図示Ｙ方向）に傾く傾斜面あるいは湾曲面で形成される。このように前記前端面３５ａにだれが生じるのは、前記ヨークパターン７３ｃよりも前方が前記レジスト層７４によって覆われておらず開放されているからである。
【０１４０】
そして前記前端面３５ａが下面から上面にかけてハイト方向に傾く傾斜面あるいは湾曲面で形成されることで、後工程で形成される主磁極層２４をメッキ形成しやすくできると共に、前記ヨーク層３５から主磁極層２４への磁束の流れを良好にでき、磁束の通過効率が向上させることができる。
【０１４１】
また図１７には示されていないが、前記底上げ層３１の上面３１ａにも図１５及び図１６に示す工程と同じ工程時にリード層３６をメッキ形成することが好ましい。
【０１４２】
次に図１８は平面図であり、この工程では、前記ヨーク層３５及びその周囲に広がる絶縁層３３上にメッキ下地層７１をスパッタ成膜し、その上にレジスト層７５を形成し、前記レジスト層７５に主磁極層２４の形成のための抜きパターン７５ａを露光現像により形成する。
【０１４３】
図１８に示すように前記抜きパターン７５ａの前端面７５ｂは前記対向面Ｈ１ａと同一面上に形成され、さらに前記抜きパターン７５ａは、前記ヨーク層３５上にまで延びて形成されている。またこの工程では前記抜きパターン７５ａは、その後端面７５ｄが一点鎖線で示すようにさらにハイト方向（図示Ｙ方向）後方に延びて形成されていてもかまわない。
【０１４４】
本発明における前記レジスト層７５は、前記対向面Ｈ１ａ側から見ると図１９に示す形状となっている。
【０１４５】
図１９に示すように、前記レジスト層７５に形成された抜きパターン７５ａの内側側面７５ｅ，７５ｅは、下面から上面にかけて（図示Ｚ方向）、トラック幅方向（図示Ｘ方向）の幅寸法が徐々に広がって形成されている。前記内側側面７５ｅは、図１９に示すように湾曲面で形成されていてもよいし、傾斜面で形成されていてもよい。
【０１４６】
このような形状の抜きパターン７５ａを前記レジスト層７５に形成するには、前記レジスト層７５を塗布した後、露光現像で前記抜きパターン７５ａを形成し、さらに熱処理によって前記抜きパターン７５ａの内側側面７５ｅをだれさせることで、前記内側側面７５ｅを傾斜面あるいは湾曲面に形成できる。
【０１４７】
次に図２０に示すように、前記抜きパターン７５ａ内に露出した前記メッキ下地層７１上に主磁極層２４をメッキ成長させる。このとき前記主磁極層２４をある所定の膜厚Ｈ１までメッキ成長させる。
【０１４８】
さらに本発明では前記主磁極層２４上にＮｉＰ等の非磁性金属材料からなる非磁性層４０をメッキ成長させる。そして前記レジスト層７５を除去する。
【０１４９】
なお、非磁性層４０はＮｉＰ合金であって元素Ｐの濃度は８質量％以上で１５質量％以下であることが好ましい。これにより例えば発熱等の外的要因に対しても安定して非磁性であることが可能である。また、ＮｉＰ合金等の非磁性層４０の合金組成の測定は、ＳＥＭやＴＥＭ等の組合わされたＸ線分析装置や波形分散形線分析装置等で特定可能である。
【０１５０】
図２１は、前記レジスト層７５を除去した状態を示す図である。図２１に示すように、前記メッキ下地層７１の上には、トラック幅方向の幅寸法が下面から上面にかけて徐々に広がるように両側端面が傾斜面あるいは湾曲面とされた主磁極層２４及び非磁性層４０が積層されている。
【０１５１】
図２１に示すように、前記主磁極層２４の下のみならず他の領域にも前記メッキ下地層７１が形成されているため、前記メッキ下地層７１を除去しなければならない。
【０１５２】
図２１に示す工程では、異方性のイオンミリングによって、前記主磁極層２４の下以外に形成された前記メッキ下地層７１を除去する。このとき前記非磁性層４０の上面４０ｅも前記イオンミリングの影響を受けて削られていく。
【０１５３】
また図２２に示すように、除去された前記メッキ下地層７１ａの一部は、前記主磁極層２４及び非磁性層４０の両側端面２４ｄ，４０ｄに再付着するため（矢印方向Ｃ）、前記両側端面に付着した付着膜７６，７６を異方性のイオンミリングで除去する（図２２に示す点線領域）。このときも前記非磁性層４０の上面４０ｅは前記イオンミリングの影響を受けて削られていく。
【０１５４】
上記のように本発明では主磁極層２４の上に非磁性層４０が形成されているため、イオンミリングでメッキ下地層７１及びその付着膜７６を除去するときに、前記非磁性層４０の上面４０ｅが削れるだけで前記主磁極層２４の高さ寸法Ｈ１は減少しない。
【０１５５】
また図２２の一点鎖線で示すように、前記主磁極層２４の両側端面２４ｄ，及び非磁性層４０の両側端面４０ｄを異方性のイオンミリングでさらに削って、前記主磁極層２４の上面２４ｇ（トレーリング側の端面）の幅寸法で決まるトラック幅Ｔｗを小さくする場合でも、イオミリングで非磁性層４０の上面４０ｅは削られるものの、前記主磁極層２４の高さ寸法Ｈ１は減少しない。
【０１５６】
したがって本発明の製造方法によれば、主磁極層２４の高さ寸法Ｈ１を減少させることはなく一定値に保った状態で、メッキ下地層７１ａ、付着膜７６の除去や狭トラック化を実現することが可能である。
【０１５７】
なお本発明では前記イオンミリングは、メッキ下地層７１に対して垂直方向から４５°から７０°前後傾いた角度で行なわれることが好ましい。
【０１５８】
また４５°から６０°の範囲内とするとメッキ下地層７１ａ、付着膜７６の除去、さらには狭トラック化を１回のイオンミリング工程で行うことが可能であり、製造工程を簡略化できる。
【０１５９】
また前記主磁極層２４の両側側面２４ｄのみをミリングで削りたい場合には、ミリング角度をメッキ下地層７１に対して垂直方向から６０°以上で７０°以下に傾けて行う。
【０１６０】
なお本発明では、前記主磁極層２４の高さ寸法Ｈ１は０．２５μｍ以上で０．５μｍ以下程度であることが好ましい。本発明では、この高さ寸法Ｈ１を図２０に示す主磁極層２４のメッキ成長工程で調整できる。
【０１６１】
また本発明では、前記主磁極層２４のトラック幅Ｔｗは０．７μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは０．５μｍ以下である。なお図２０に示すレジスト層７５に形成された抜きパターン７５ａの内幅寸法を所定のトラック幅Ｔｗ程度に狭くできれば、前記主磁極層２４のメッキ成長工程で前記トラック幅Ｔｗを決定することが可能であるが、そうではない場合には図２２に示すようにイオンミリング工程で主磁極層２４の両側端面２４ｄを削って、所定のトラック幅Ｔｗに調整する。なお主磁極層２４をレジスト層７５の抜きパターン７５ａ内にメッキ成長させる工程でトラック幅Ｔｗを決定できたとしても、図２２に示すように、メッキ下地層７１ａの除去、および両側端面２４ｄに付着した付着膜７６の除去のためのミリング工程が必要であることは言うまでもない。
【０１６２】
このように本発明では、前記主磁極層２４の高さ寸法Ｈ１の調整とトラック幅Ｔｗの調整を独立して行うことが可能であり、所定の高さ寸法Ｈ１及びトラック幅Ｔｗに容易に調整することができる。
【０１６３】
また本発明では前記メッキ下地層７１は、磁性メッキ材料であってもよいし、非磁性メッキ材料であってもよい。前記メッキ下地層７１に非磁性の例えばＣｕなどの非磁性金属材料を用いた場合、前記メッキ下地層７１が前記主磁極層２４下の周囲に若干延出し、前記メッキ下地層７１が記録時にスキュー角が生じたときに、記録媒体に記録した記録トラック幅Ｔｗ１からはみ出していてもかまわないので、前記メッキ下地層７１に磁性メッキ材料を用いる場合に比べてエッチング制御を容易にすることができる。
【０１６４】
なお前記メッキ下地層７１が非磁性メッキ材料である場合、前記主磁極層２４の両側端面２４ｄに付着した付着膜７６を除去しなくても良い。前記付着膜７６が付いたままでもトラック幅Ｔｗの大きさはかわらないからである。ただしかかる場合でも前記主磁極層２４の両側端面２４ｄを削ることで狭トラック化に対応可能な垂直磁気記録ヘッドを製造することが可能である。
【０１６５】
図２３ないし図２５は、図２に示す垂直磁気記録ヘッドの製造方法を示す工程図である。
【０１６６】
図２３に示す工程では、前記絶縁層３３の上面３３ａ、接続層２５の上面２５ａ、および底上げ層３１の上面３１ａの全体にレジスト層６４を形成し、露光現像により、ヨーク層３５の抜きパターン６４ａを形成する。
【０１６７】
図２３に示すように前記抜きパターン６４ａの前端面６４ｂを前記対向面Ｈ１ａよりもハイト方向奥側に形成する。また前記前端面６４ｂと前記対向面Ｈ１ａ間に残されたレジスト層６４の後端面６４ｃは、下面から上面にかけて前記対向面Ｈ１ａ側に傾く傾斜面となっているが、この傾斜面は前記レジスト層６４に熱処理を施し、だれを発生させることにより形成することが可能である。また前記抜きパターン６４ａを前記接続層２５上にまで形成する。
【０１６８】
そして前記抜きパターン６４ａ内にヨーク層３５をメッキ形成し、その後前記レジスト層６４を除去する。これによって前端面３５ａが前記対向面Ｈ１ａよりもハイト方向奥側に位置する前記ヨーク層３５を形成することができる。また前記前端面３５ａは下面から上面にかけてハイト方向後方に傾く傾斜面あるいは湾曲面であることが好ましい。また前記前端面３５ａと上面間の外角θは９０°以上であることが好ましい。また前記ヨーク層３５は前記接続層２５上に磁気的に接続された状態になっている。
【０１６９】
なお前記レジスト層６４を除去した後、前記ヨーク層３５の下以外の部分に形成されたメッキ下地層（図示しない）をエッチングで除去する。
【０１７０】
次に図２４に示す工程では、前記ヨーク層３５上及び絶縁層３３上に、無機絶縁材料による第２の絶縁層５７を形成する。さらに図２４に示すＭ−Ｍ線から前記第２の絶縁層５７をＣＭＰ技術により研磨加工し、これにより前記第２の絶縁層５７の上面とヨーク層３５の上面とを同一平坦化面にできる。
【０１７１】
次に図２５に示す工程では、図１８ないし図２０と同様の方法により主磁極層２４及び非磁性層４０をメッキ形成する。図２５に示すように、前記第２の絶縁層５７の上、および前記ヨーク層３５の上にレジスト層７５を形成し、前記レジスト層７５に主磁極層２４の抜きパターン７５ａを形成する。前記レジスト層７５下の第２の絶縁層５７及びヨーク層３５上面が平坦化されているので、前記抜きパターン７５ａを高精度に形成することができる。
【０１７２】
図２５に示すように、前記レジスト層７５の膜厚を、図２３工程でのレジスト層６４の膜厚よりも小さくし、しかも前記レジスト層７５の抜きパターン７５ａの前端面７５ｂを、対向面Ｈ１ａと同一面となるように形成する。前記抜きパターン７５ａの後端面７５ｄに関しては、図２５のように、ヨーク層３５の後端面と同一面上にまで形成すれば、主磁極層２４の形状を図２のように形成できるが、前記抜きパターン７５の後端面７５ｄを対向面Ｈ１ａ側に短く形成してもよい。
【０１７３】
そして前記抜きパターン７５ａ内に主磁極層２４をメッキ形成し、さらにその上に非磁性層４０をメッキ形成し、その後前記レジスト層７５を除去する。これにより、前端面２４ａが対向面Ｈ１ａに現れ、膜厚がヨーク層３５よりも薄い主磁極層２４を前記ヨーク層３５の上に重ねて形成することができる。
【０１７４】
次に図２１及び図２２と同様に、イオンミリングを用いてメッキ下地層７１ａを除去し、付着膜７６を除去し、さらに主磁極層２４の両側端面２４ｄ，２４ｄを削って狭トラック化を図る。
【０１７５】
なお図３に示す垂直磁気記録ヘッドの製造は、図１４に示す工程後、図１３以降の工程を施すことで行うことができる。
【０１７６】
なお本発明では、図１９に示すレジスト層７５は、前記対向面Ｈ１ａでのトラック幅方向（図示Ｘ方向）の内幅寸法が、下面から上面にかけて広がるように形成されていなくても良く、前記主磁極層２４の前端面２４ａが従来と同様に正方形や長方形等の形状で形成されていても本発明の効果を得ることが可能である。
【０１７７】
また図１及び図２に示す実施形態では、読取り部ＨＲが形成されているが、これが形成されていなくても良い。
【０１７８】
【発明の効果】
以上のように本発明では、主磁極層の上に非磁性層が重ねて形成されている。そして前記非磁性層は、ミリングの際に前記主磁極層を保護すべきカバー層の役割を有するため、前記主磁極層の高さ寸法を一定値に保ちながら、製造工程の際に前記主磁極層の両側端面に付着したメッキ下地層の付着膜を適切に除去でき、また前記主磁極層のトラック幅Ｔｗを小さくすることができ、トラック幅方向の幅寸法の制御と高さ寸法の制御とを独立して行うことが可能である。
【０１７９】
従って本発明では、前記主磁極層の前端面を所定のトラック幅Ｔｗ及び高さ寸法で形成でき、よって前記前端面の面積を所定値内に収めやすく、オーバーライト特性等の諸特性を向上させることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明における第１実施形態の垂直磁気記録ヘッドを備えた磁気ヘッドの縦断面図、
【図２】本発明における第２実施形態の垂直磁気記録ヘッドを備えた磁気ヘッドの縦断面図、
【図３】本発明における第３実施形態の垂直磁気記録ヘッドを備えた磁気ヘッドの縦断面図、
【図４】本発明における垂直磁気記録ヘッドの部分正面図、
【図５】本発明における垂直磁気記録ヘッドの別の部分正面図、
【図６】図１あるいは図２の垂直磁気記録ヘッドの平面図、
【図７】図１あるいは図２の垂直磁気記録ヘッドの別の平面図、
【図８】図１あるいは図２の垂直磁気記録ヘッドの別の平面図、
【図９】図１あるいは図２の垂直磁気記録ヘッドの別の平面図、
【図１０】図３の垂直磁気記録ヘッドの平面図、
【図１１】本発明における磁気ヘッドにスキュー角が発生した状態を示す説明図、
【図１２】本発明における垂直磁気記録ヘッドの製造方法を示す一工程図、
【図１３】図１２に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図１４】図１３に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図１５】図１４に示す工程の次に行なわれ、図１に示す垂直磁気記録ヘッドの製造方法を示す一工程図、
【図１６】図１５に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図１７】図１６に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図１８】図１７に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図１９】図１８に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図２０】図１９に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図２１】図２０に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図２２】図２１に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図２３】図１４に示す工程の次に行なわれ、図２に示す垂直磁気記録ヘッドの製造方法を示す一工程図、
【図２４】図２３に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図２５】図２４に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図２６】主磁極層以外の領域に磁性材料からなるメッキ下地層が残存した垂直磁気記録ヘッドの磁気記録特性を示すグラフ、
【図２７】主磁極層以外の領域に非磁性金属材料からなるメッキ下地層が残存した垂直磁気記録ヘッドの磁気記録特性を示すグラフ、
【図２８】従来の垂直磁気記録ヘッドの構造を示す縦断面図、
【図２９】図２８の一製造工程を示す正面図、
【図３０】従来における磁気ヘッドにスキュー角が発生した状態を示す説明図、
【符号の説明】
Ｈ  垂直磁気記録ヘッド
Ｈ１ａ  対向面
Ｍ  記録媒体
Ｍａ  ハード膜
Ｍｂ  ソフト膜
１１  スライダ
２１  補助磁極層
２４  主磁極層
２５  接続層
２７  コイル層
３３  絶縁層
３５  ヨーク層
４０  非磁性層
６４、７３、７４、７５  レジスト層
７１、７２  メッキ下地層
【図１】
0003593312.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
0003593312.tif 000011
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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