(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（II）：
Ｒ1−Ｎ＝ＣＨＲ2          ・・・・（II）
［式（II）中、Ｒ1は、ジフェニルメチル基またはアルコキシフェニル基を示 し、Ｒ2はアルキル基、シクロアルキル基またはアリール基含有炭化水素基を示すか、ハロゲン原子またはアルコキシ基で置換されてもよいアリール基を示す。］で表されるイミンと、
一般式（III）：
（Ｒ3Ｏ）2Ｐ（Ｏ）Ｈ      ・・・・（III）
［式（III）中、Ｒ3は、アルキル基、シクロアルキル基、アリル基、アリール基またはアリール基含有炭化水素基を示す。］で表されるホスホン酸エステルとを、
一般式（Ａ）：
Ｌｎ−Ｘ−（Ｒ）／（Ｓ）−ビナフトール錯体    ・・・・（Ａ）
［式（Ａ）中、Ｌｎは、希土類元素を示し、Ｘは、アルカリ金属を示す。］で表される不斉合成用触媒の存在下に反応させて、
一般式（IVa）または一般式（IVb）：
【化１】
0003574715.tif 000016
［式（IVa）および式（IVb）中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は、前記に同じ。］で表さ れるホスホネート系化合物を合成し、
次いで、得られた上記化合物（IVa）もしくは化合物（IVb）を、酸と接触させて化合物（IVa）もしくは化合物（IVb）のアミノ基の脱保護とＯＲ3基の加水分解を行うか、
または化合物（IVa）もしくは化合物（IVb）を水素と接触させて化合物（IVa）もしくは化合物（IVb）のアミノ基の脱保護を行い、次いで酸でＯＲ3基の加水分解を行うことを特徴とする、
一般式（Ia）または一般式（Ib）：
【化２】
0003574715.tif 000017
［式（Ia）、（Ib）中、Ｒ2は、前記に同じ。］で表される光学活性１-アミノホスホン酸誘導体の製造方法。
【請求項２】
一般式（IVa）または一般式（IVb）：
【化３】
0003574715.tif 000018
［式（IVa）および式（IVb）中、Ｒ1は、ジフェニルメチル基またはアルコキシフェニル基を示し、Ｒ2は、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基含有炭化水素基を示すか、またはハロゲン原子またはアルコキシ基で置換されてもよいアリール基を示し、Ｒ3は、アルキル基を示す。（但し、Ｒ1がp−メトキシフェニル基であり、Ｒ2がベンジル基であり、Ｒ3がメチル基であるものを除く。）］で表される新規なホスホネート系化合物
。
【請求項３】
上記式（IVa）および式（IVb）中、Ｒ1がジフェニルメチル基であり、Ｒ2 が イソプロピル基であり、Ｒ3がメチル基である光学活性１-ジフェニルメチルアミノ-２-メチルプロピルホスホン酸ジメチルエステル。
【請求項４】
上記式（IVa）および式（IVb）中、Ｒ1がジフェニルメチル基であり、Ｒ2 が ｎ-ペンチル基であり、Ｒ3がメチル基である光学活性１-ジフェニルメチルアミノヘキシルホスホン酸ジメチルエステル。
【請求項５】
上記式（IVa）および式（IVb）中、Ｒ1がジフェニルメチル基であり、Ｒ2 が エチル基であり、Ｒ3がメチル基である光学活性１-ジフェニルメチルアミノプロピルホスホン酸ジメチルエステル。
【請求項６】
上記式（IVa）および式（IVb）中、Ｒ1がジフェニルメチル基であり、Ｒ2 が （Ｅ）-スチリル基であり、Ｒ3がメチル基である光学活性（Ｅ）-１-ジフェニルメチルアミノ-３-フェニル-２-プロペニルホスホン酸ジメチルエステル。
【請求項７】
上記式（IVa）および式（IVb）中、Ｒ1がp-メトキシフェニル基であり、Ｒ2 がシクロヘキシル基であり、Ｒ3がメチル基である光学活性１-ｐ-メトキシフェニルアミノシクロヘキシルメチルホスホン酸ジメチルエステル。
【請求項８】
上記式（IVa）および式（IVb）中、Ｒ1がジフェニルメチル基であり、Ｒ2 がメチル基であり、Ｒ3がメチル基である光学活性１-ジフェニルメチルアミノエチルホスホン酸ジメチルエステル。
【請求項９】
上記式（IVa）および式（IVb）中、Ｒ1がジフェニルメチル基であり、Ｒ2 がｎ-プロピル基であり、Ｒ3がメチル基である光学活性１-ジフェニルメチルアミノブチルホスホン酸ジメチルエステル。
【請求項１０】
上記式（IVa）および式（IVb）中、Ｒ1がジフェニルメチル基であり、Ｒ2 がｎ-ブチル基であり、Ｒ3がメチル基である光学活性１-ジフェニルメチルアミノペンチルホスホン酸ジメチルエステル。
【請求項１１】
上記式（IVa）および式（IVb）中、Ｒ1がジフェニルメチル基であり、Ｒ2 がドデシル基であり、Ｒ3がメチル基である光学活性１-ジフェニルメチルアミノトリデシルホスホン酸ジメチルエステル。
【請求項１２】
上記式（IVa）および式（IVb）中、Ｒ1がジフェニルメチル基であり、Ｒ2 がイソブチル基であり、Ｒ3がメチル基である光学活性１-ジフェニルメチルアミノ-３-メチルブチルホスホン酸ジメチルエステル。
【請求項１３】
上記式（IVa）および式（IVb）中、Ｒ1がジフェニルメチル基であり、Ｒ2 がフェニル基であり、Ｒ3がメチル基である光学活性ジフェニルメチルアミノフェニルメチルホスホン酸ジメチルエステル。
【請求項１４】
上記式（IVa）および式（IVb）中、Ｒ1がジフェニルメチル基であり、Ｒ2 がｐ-クロロフェニル基であり、Ｒ3がメチル基である光学活性ジフェニルメチルアミノ-ｐ-クロロフェニルメチルホスホン酸ジメチルエステル。
【請求項１５】
上記式（IVa）および式（IVb）中、Ｒ1がジフェニルメチル基であり、Ｒ2 がｐ-フルオロフェニル基であり、Ｒ3がメチル基である光学活性ジフェニルメチルアミノ-ｐ-フルオロフェニルメチルホスホン酸ジメチルエステル。
【請求項１６】
上記式（IVa）および式（IVb）中、Ｒ1がジフェニルメチル基であり、Ｒ2 がｐ-メトキシフェニル基であり、Ｒ3がメチル基である光学活性ジフェニルメチルアミノ-ｐ-メトキシフェニルメチルホスホン酸ジメチルエステル。
【請求項１７】
上記式（IVa）および式（IVb）中、Ｒ1がジフェニルメチル基であり、Ｒ2 がベンジル基であり、Ｒ3がメチル基である光学活性１-ジフェニルメチルアミノ-２-フェニルエチルホスホン酸ジメチルエステル。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の技術分野】
本発明は、光学活性１−アミノホスホン酸誘導体の製造方法および不斉合成用  触媒の製造方法並びに新規なホスホネート系化合物に関する。
【０００２】
【従来の技術】
１−アミノアルキルホスホン酸またはそのペプチド類縁誘導体は、グラム陽性  菌およびグラム陰性菌に対して抗菌作用を有し、かつ抗生物質（例えば、ペニシリン、セファロスポリンおよびＤ−シクロセリン）の活性を高めること、Ｌ−アラニンおよびＬ−アミノエチルホスホン酸からのジペプチドであるアラフォスファリンが特に重要であること、一般に光学活性１−アミノアルキルホスホン酸の誘  導体および特にＬ体（Ｒ体）からの誘導体は大きな生物学的活性を示すことが知られている（特開昭６１−８８８９５号公報）。
【０００３】
酵素的不斉合成法により光学活性１−アミノアルキルホスホン酸を得る方法と  しては、テトラヘドロン  アシンメトリー第４巻第１９６５頁１９９３年、特開昭６  １−８８８９５号公報等に記載されているものが挙げられる。
【０００４】
例えば、特開昭６１−８８８９５号公報には、
１−アミノ−アルキルホスホン酸または１−アミノ−アルキルホスホン酸のラセミ体であるＮ−アシル誘導体を酵素分割し、次いで、脱アシル化することによりその  立体異性体を製造する方法において、酵素分割をペニシリン−Ｇ−アミダーゼを用いて、
【０００５】
【化５】
0003574715.tif 000002
【０００６】
［式中、Ｒ２は、場合により例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素原子１〜３個  のアルコキシ基、フェニル基および／またはフェノキシ基により置換されていてもよい炭素原子１〜６個、特に１〜４個を有する分枝鎖状か、または有利には直鎖状のアルキル基を表すか、またはフェニル基を表す。］の１−アミノアルキルホスホン酸の立体異  性体を得る製造法が記載されている。
【０００７】
しかしながら、これら酵素的不斉合成では、基質が限定されてしまうとの問題点がある。
また、非酵素的不斉合成法としては、従来下記▲１▼〜▲４▼に示すような種々の方法が知られている。
【０００８】
すなわち、
▲１▼  ラセミ体の１−アミノアルキルホスホン酸を、無水ジベンゾイル−Ｌ−酒石酸に  よって分割する方法＜収率７０〜８７％＞（カナディアン・ジャーナル・オブ・ケミカル・エンジニアリング第６１巻第２４２５頁、１９８３年）、
▲２▼  光学活性アミノホスホン酸エステルへの不斉アルキル化反応によって合成す  る方法＜収率５０〜８６％、光学純度２５〜７６％＞（テトラヘドロン・レターズ第３３巻第６１２７頁、１９９２年）
▲３▼  光学活性イミンへのホスホン酸エステルのジアステレオ選択的付加反応によ  って合成する方法＜収率３０〜９０％、光学純度７１〜９９％＞（ジャーナル・オブ・アメリカン・ケミカル・ソサエテー第１１６巻第９３７７頁、１９９４年）
▲４▼  不斉触媒を用いたオレフィンの不斉水素化反応によって合成する方法＜収率９２％、光学純度６３〜９６％＞（シンセティック・コミュニケーションズ第２６巻  第７７７頁、１９９６年）など。
【０００９】
しかしながら上記文献▲１▼に記載の方法では、工程数が多く、操作が煩雑であるとの問題点があり、上記文献▲２▼および文献▲３▼に記載の方法では、光学活性な原料を化学量論量必要とするなどの問題点があり、また、上記文献▲４▼に記載の方法では、原料であるオレフィン体を合成するのに工程数が多く、また原料も限定されてしまうなど、従来の方法は工業的に有利な方法ではない。
【００１０】
このため、従来の光学活性１−アミノホスホン酸誘導体の合成法に比べて小量  の不斉化合物源を用いて大量の光学活性体を得ることが可能であり、しかも短い工程で上記光学活性体が得られるような光学活性１−アミノホスホン酸誘導体の  製造方法および不斉合成用触媒の製造方法並びに新規なホスホネート系化合物の出現が求められている。
【００１１】
なお、「リービッヒ  アナーレン  デル  ケミー第１１５３頁〜第１１５５頁、１９９０年」  には、不斉合成法に関するものではないが、一般式：Ｒ１ＣＨ（ＮＨＣＯＲ２）２  ［式中、Ｒ１は、スチリル基などを示し、Ｒ２は、アルキリデン基を示す  。］で表  されるＮ，Ｎ’−アルキリデンビスアミドとＰＣｌ３と酢酸とを６０〜８０℃で、１時間反応させた後、加水分解して、一般式：Ｒ１ＣＨＮＨ２Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）２  ［式中、Ｒ１は、スチリル基などを示す。］で表される化合物（収率３９〜９９  ％）の製造方法が記載されている。
【００１２】
また、特開平６−１５４６１８号公報には、不斉合成用触媒として下記の触媒が記載されている。
すなわち、式（ＡＲ）もしくは式（ＡＳ）：
【００１３】
【化６】
0003574715.tif 000003
【００１４】
で表される光学活性１，１’−ビ−２−ナフトールのジアルカリ金属塩（ただし、式中、ＭはＬｉ、ＫもしくはＮａである）、ＬａＸ３（ＸはＦ、Ｃｌ  、Ｂｒ、Ｉ、ＮＯ３もしくはＣＨ３ＣＯ２である）で表されるランタン化合物、お  よびＭＯＲもしくはＭＯＨ（ＭはＬｉ、ＫもしくはＮａであり、Ｒはイソプロピルもしくはｔ−ブチルである）で表されるアルカリ金属アルコキシドもしくは水酸化アルカリ金属から、含水溶媒存在下で調製された不斉合成用触媒、
または、
【００１５】
【化７】
0003574715.tif 000004
【００１６】
で表される光学活性１，１’−ビ−２−ナフトールおよびＬａ（ＯＲ）３（Ｒはイソプロピル基もしくはｔ−ブチル基である）で表されるランタンアルコキシドからエーテル系溶媒中で得られる活性種を塩化リチウム、含水溶媒の存在下で用いることを特徴とする不斉合成用触媒。
【００１７】
【発明の目的】
本発明は、上記のような従来技術に伴う問題点を解決しようとするものであって、光学活性な原料を少量で用いて、少ない工程数の簡単な操作で、大量の光学活性１−アミノホスホン酸誘導体を製造しうるような光学活性１−アミノホスホン酸誘導体の製造方法を提供することを目的としている。
【００１８】
本発明は、このような光学活性１−アミノホスホン酸誘導体の製造に使用しう  るような触媒の製造方法を提供することを目的としている。
本発明は、光学活性１−アミノホスホン酸誘導体を製造する際に好適に使用さ  れる新規な光学活性ホスホネート系化合物を提供することを目的としている。
【００１９】
【発明の概要】
本発明に係る光学活性１−アミノホスホン酸誘導体の製造方法は、
一般式（ＩＩ）：
Ｒ１−Ｎ＝ＣＨＲ２          ・・・・（ＩＩ）
［式（ＩＩ）中、Ｒ１は、ジフェニルメチル基またはアルコキシフェニル基を示し、Ｒ２は、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基含有炭化水素基を示すか、またはハロゲン原子またはアルコキシ基で置換されてもよいアリール基を示す。］で表されるイミンと、
一般式（ＩＩＩ）：
（Ｒ３Ｏ）２Ｐ（Ｏ）Ｈ            ・・・・（ＩＩＩ）
［式（ＩＩＩ）中、Ｒ３は、アルキル基、シクロアルキル基、アリル基、アリール基またはアリール基含有炭化水素基を示す。］で表されるホスホン酸エステルとを、
一般式（Ａ）：
Ｌｎ−Ｘ−（Ｒ）／（Ｓ）−ビナフトール錯体    ・・・・（Ａ）
［式（Ａ）中、Ｌｎは、希土類元素を示し、Ｘは、アルカリ金属を示す。］で表される不斉合成用触媒の存在下に反応させて、
一般式（ＩＶａ）または一般式（ＩＶｂ）：
【００２０】
【化８】
0003574715.tif 000005
【００２１】
［式（ＩＶａ）および式（ＩＶｂ）中、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、前記に同じ。］で表さ  れるホスホネート系化合物を合成し、
次いで、得られた上記化合物（ＩＶａ）または化合物（ＩＶｂ）を、水素と接触させて化合物（ＩＶａ）または化合物（ＩＶｂ）のアミノ基の脱保護を行い、次いで酸でＯＲ３基の加水分解とを行うことにより、下記化合物（Ｉａ）または（Ｉｂ）を得ることを特徴としている。
【００２２】
一般式（Ｉａ）または一般式（Ｉｂ）：
【００２３】
【化９】
0003574715.tif 000006
【００２４】
［式（Ｉａ）、（Ｉｂ）中、Ｒ２は、前記に同じ。］
本発明に係る不斉合成用触媒の製造方法は、
一般式（Ａ）：
Ｌｎ−Ｘ−（Ｒ）／（Ｓ）−ビナフトール錯体      ・・・・（Ａ）
［式中、Ｌｎは希土類元素を示し、Ｘはアルカリ金属を示す。］で表される不斉合成用触媒を得るのに、
チッ素雰囲気下、
（１）下記式（ＶＲ）で表される（Ｒ）−（＋）−１，１’−ビ−２−ナフトールまたは、下記式（ＶＳ）で表される（Ｓ）−（−）−１，１’−ビ−２−ナフトールと、
【００２５】
【化１０】
0003574715.tif 000007
【００２６】
（２）一般式（ＶＩ）：
Ｌｎ（ＯＲ）３                ・・・・（ＶＩ）
［式（ＶＩ）中、Ｌｎは希土類元素を示し、Ｒはアルキル基を示す。］
で表される希土類金属アルコキシドと、
（３）下記一般式（ＶＩＩ）、（ＶＩＩＩ）および（ＩＸ）の内から選ばれる１種のアルカリ金属化合物と、
を非水溶媒または含水溶媒中で反応させることを特徴としている。
【００２７】
一般式（ＶＩＩ）：
ＬｉＡ                    ・・・・（ＶＩＩ）
［式（ＶＩＩ）中、Ａはアルキル基を示す。］
で表される化合物、
一般式（ＶＩＩＩ）：
［（ＣＨ３）３Ｓｉ］２ＮＫ            ・・・・（ＶＩＩＩ）
で表される化合物、
一般式（ＩＸ）：
ＺＯＲ                      ・・・・（ＩＸ）
［式（ＩＸ）中、Ｚはアルカリ金属を示し、Ｒはアルキル基を示す。］
で表されるアルカリ金属アルコキシド。
【００２８】
本発明に係る新規なホスホネート系化合物は、例えば上記本発明に係る光学活性１−アミノホスホン酸誘導体の製造方法で原料として好適に使用され、下記一般式（ＩＶａ）または一般式（ＩＶｂ）で表される。
【００２９】
【化１１】
0003574715.tif 000008
【００３０】
［式（IVa）および式（IVb）中、Ｒ1は、ジフェニルメチル基またはアルコキシフェニル基を示し、Ｒ2は、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基含有炭化水素基を示すか、またはハロゲン原子またはアルコキシ基で置換されてもよいアリール基を示し、Ｒ3は、アルキル基を示す。（但し、Ｒ1がp−メトキシフェニル基であり、Ｒ2がベンジル基であり、Ｒ3がメチル基であるものを除く。）］
このような新規なホスホネート系化合物としては、例えば、上記式（IVa）お よび式（IVb）中、Ｒ1がジフェニルメチル基であり、Ｒ2がイソプロピル基であ り、Ｒ3がメチル基である光学活性１-ジフェニルメチルアミノ-２-メチルプロピルホスホン酸ジメチルエステルに加えて、
このＲ2がエチル基に置換された光学活性１-ジフェニルメチルアミノプロピルホスホン酸ジメチルエステル、
このＲ2がｎ-ペンチル基に置換された光学活性１-ジフェニルメチルアミノヘキシルホスホン酸ジメチルエステル、
このＲ2が（Ｅ）-スチリル基に置換された光学活性（Ｅ）-１-ジフェニルメチルアミノ-３-フェニル-２-プロペニルホスホン酸ジメチルエステル、
このＲ2がメチル基に置換された光学活性１-ジフェニルメチルアミノエチルホスホン酸ジメチルエステル、
このＲ2がｎ-プロピル基に置換された光学活性１-ジフェニルメチルアミノブチルホスホン酸ジメチルエステル、
このＲ2がｎ-ブチル基に置換された光学活性１-ジフェニルメチルアミノペンチルホスホン酸ジメチルエステル、
このＲ2がドデシル基に置換された光学活性１-ジフェニルメチルアミノトリデシルホスホン酸ジメチルエステル、
このＲ2がイソブチル基に置換された光学活性１-ジフェニルメチルアミノ-３-メチルブチルホスホン酸ジメチルエステル、
このＲ2がフェニル基に置換された光学活性ジフェニルメチルアミノフェニルメチルホスホン酸ジメチルエステル、
このＲ2がｐ-クロロフェニル基に置換された光学活性ジフェニルメチルアミノ-ｐ-クロロフェニルメチルホスホン酸ジメチルエステル、
このＲ2がｐ-フルオロフェニル基に置換された光学活性ジフェニルメチルアミノ-ｐ-フルオロフェニルメチルホスホン酸ジメチルエステル、
このＲ2がｐ-メトキシフェニル基に置換された光学活性ジフェニルメチルアミノ-ｐ-メトキシフェニルメチルホスホン酸ジメチルエステル、
このＲ2がベンジル基に置換された光学活性１-ジフェニルメチルアミノ-２-フェニルエチルホスホン酸ジメチルエステルの他に、
上記式（IVa）および式（IVb）中、Ｒ1がp-メトキシフェニル基であり、Ｒ2がシクロヘキシル基であり、Ｒ3がメチル基である光学活性１-ｐ-メトキシフェニルアミノシクロヘキシルメチルホスホン酸ジメチルエステルが挙げられる。
【００３１】
このような本発明によれば、光学活性な原料を少量用いて、少ない工程数の簡単な操作で、大量の光学活性１−アミノホスホン酸誘導体を製造できる。
【００３２】
【発明の具体的説明】
以下、本発明に係る光学活性１−アミノホスホン酸誘導体の製造方法および不  斉合成用触媒の製造方法並びに新規なホスホネート系化合物について具体的に説明する。
［光学活性１−アミノホスホン酸誘導体の製造方法］
本発明では、式（Ｉａ）または式（Ｉｂ）で表される光学活性１−アミノホスホン  酸誘導体を、以下の反応経路で合成している。
【００３３】
【化１２】
0003574715.tif 000009
【００３４】
すなわち、式（ＩＶａ）または式（ＩＶｂ）で示される化合物は、好ましくは後述するような光学活性な希土類元素−アルカリ金属−ビナフトール錯体（Ａ）からなる不斉合成用触媒の存在下に、式（ＩＩ）で表されるイミンと式（ＩＩＩ）で表され  るホスホン酸エステルとの反応により合成される。
【００３５】
ここで、式（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶａ）、（ＩＶｂ）、（Ｉａ’）、（Ｉｂ’）、（Ｉａ）および（Ｉｂ）中、Ｒ１は、ジフェニルメチル基、アルコキシフェニル基を示し、Ｒ２はアルキル基、  シクロアルキル基またはアリール基含有炭化水素基を示すか、ハロゲン原子またはアルコキシ基で置換されてもよいアリール基を示す。また、Ｒ３は、アルキル基、シクロアルキル基、アリル基、アリール基またはアリール基含有炭化水素基を示す。
［式（ＩＩ）で表されるイミンの合成］
このような反応の出発原料となる式（ＩＩ）で表される化合物（イミン）は公知化合物であり、従来より公知の方法により合成することができる。例えばジフェニルメチル基、アルコキシフェニル基の場合には、特開昭６２−２８９５５８号公報などに示される方法によって、それぞれジフェニルメチルアミン、アルコキシフェニルアミンを用いて合成すればよい。
【００３６】
式（ＩＩ）で表されるイミンにおいて、Ｒ１がアルコキシフェニル基の場合、この基のベンゼン環に置換基として結合しているアルコキシ基の例としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、イソブトキシ基、イソヘキシルオキシ基などが挙げられる。
【００３７】
式（ＩＩ）で表されるイミンにおいて、Ｒ２がアルキル基である場合、このよう  なアルキル基としては、炭素数１〜１３のアルキル基が挙げられ、直鎖状または分岐状であってもよく、このようなアルキル基として具体的には、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ドデシル基、トリデシル基等が挙げられる。
【００３８】
Ｒ２がシクロアルキル基である場合、このようなシクロアルキル基としては、  具体的には、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。
Ｒ２がアリール基である場合、アリール基の芳香環に結合する水素は、塩素、臭素、ヨウ素、フッ素のハロゲン原子、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、イソヘキシルオキシ基などのアルコキシ基で置換されていてもよい。
【００３９】
このようなアリール基としては、具体的には、  例えば、フェニル基、ｐ−クロロフェニル基、ｐ−フルオロフェニル基、ｐ−メトキシフェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基などが挙げられる。
【００４０】
Ｒ２がアリール基含有炭化水素基である場合、上記と同様にアリール基は、置換されていてもよく、このようなアリール基含有炭化  水素基としては、具体的には、ベンジル基、フェネチル基などのアリールアルキル基；（Ｅ）−スチリル基、ｐ−メチルフェニルビニル基（ＣＨ３−Ｃ６Ｈ４−ＣＨ＝ＣＨ−）などのアリールビニル基が挙げられる。
【００４１】
このようなＲ２の内では、アルキル基が好ましく、その内ではエチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、イソプロピル基が好ましい。
このような式（ＩＩ）で表されるイミンとしては、具体的には、例えば、次のものが挙げられる。
【００４２】
Ｎ−エチリデンジフェニルメチルアミンの他にエチリデンをプロピリデン、ブチリデン、２−メチルプロピリデン、ペンチリデン、３−メチルブチリデン、ネオペンチリデン、ヘキシリデン、４−メチルペンチリデン、ネオヘキシリデン、トリデシリデン、テトラデシリデン、シクロペンチルメチリデン、シクロヘキシルメチリデン、フェニルメチリデン、ｐ−クロロフェニルメチリデン、ｐ−フルオロフェニルメチリデン、ｐ−メトキシフェニルメチリデン、２−フェニルエチリデンあるいは（Ｅ）−３−フェニル−２−プロペニリデンにそれぞれ置換した化合物が挙げられる。
【００４３】
またＮ−エチリデンジフェニルメチルアミンのジフェニルメチルをｐ−メトキシベンゼンに置換し、エチリデンをプロピリデン、ブチリデン、２−メチルプロピリデン、ペンチリデン、３−メチルブチリデン、ネオペンチリデン、ヘキシリデン、４−メチルペンチリデン、ネオヘキシリデン、トリデシリデン、テトラデシリデン、シクロペンチルメチリデン、シクロヘキシルメチリデン、フェニルメチリデン、ｐ−クロロフェニルメチリデン、ｐ−フルオロフェニルメチリデン、ｐ−メトキシフェニルメチリデン、２−フェニルエチリデンあるいは（Ｅ）−３−フェニル−２−プロペニリデンにそれぞれ置換した化合物が挙げられる。
【００４４】
これらのイミンのうちでは、Ｎ−エチリデンジフェニルメチルアミン、Ｎ−プロピリデンジフェニルメチルアミン、Ｎ−ブチリデンジフェニルメチルアミン、Ｎ−２−メチルプロピリデンジフェニルメチルアミンが好ましく用いられる。
［式（ＩＩＩ）で表されるホスホン酸エステルの合成］
式（ＩＩＩ）で表されるホスホン酸エステルは従来より公知の化合物であり、従  来より公知の方法によって得られる。
【００４５】
式（ＩＩＩ）で表されるホスホン酸エステルにおいて、Ｒ３のアルキル基としては、炭素数１〜５のアルキル基が挙げられ、直鎖状または分岐状であってもよく、このようなアルキル基として具体的には、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プ  ロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられ、これらの内では、メチル基が好ましい。
【００４６】
Ｒ３がシクロアルキル基である場合、このようなシクロアルキル基としては、具体的には、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。Ｒ３がアリール基である場合、このようなアリール基としては、具体的には、例えば、フェニル基、ｐ−トリル基、パラクロルフェニル基などが挙げられる。
【００４７】
Ｒ３がアリール基含有炭化水素基である場合、このようなアリール基含有炭化水素基としては、前記Ｒ２の場合と同様に、具体的には、例えば、ベンジル基、フェネチル基などのアリールアルキル基；スチリル基、ｐ−メチルフェニルビニル基（ＣＨ３−Ｃ５Ｈ４−ＣＨ＝ＣＨ−）などのアリールビニル基が挙げられる。
【００４８】
このような式（ＩＩＩ）で表されるホスホン酸エステルとしては、具体的には、  例えば、次のものが挙げられる。
ジメチルホスファイト、ジエチルホスファイト、ジ−ｎ−プロピルホスファイト、ジ−ｎ−ブチルホスファイト、ジ−ｎ−ペンチルホスファイト、ジフェニルホスファイト、ジベンジルホスファイト、ジ−ｐ−トリルホスファイト、ジ−ｐ−クロルフェニルホスファイト、ジシクロヘキシルホスファイト、ジアリルホスファイトなど。
【００４９】
これらのホスホン酸エステルの内では、ジメチルホスファイトが好ましく用いられる。
［式（Ａ）で表される不斉合成用触媒およびその合成］
本発明で用いられる不斉合成触媒は、下記式（Ａ）で示され、好ましくは次のようにして合成される。
【００５０】
一般式（Ａ）：
Ｌｎ−Ｘ−（Ｒ）／（Ｓ）−ビナフトール錯体    ・・・・（Ａ）
［式（Ａ）中、Ｌｎは希土類元素を示し、Ｘはアルカリ金属を示す。］
すなわち、この希土類元素−アルカリ金属−（Ｒ）／（Ｓ）ビナフトール錯体（Ａ）は、
通常、不活性ガス雰囲気下、好ましくはチッ素（ガス）雰囲気下で、
（１）下記式（ＶＲ）で表される（Ｒ）−（＋）−１，１’−ビ−２−ナフトールまたは、下記式（ＶＳ）で表される（Ｓ）−（−）−１，１’−ビ−２−ナフトールと、
【００５１】
【化１３】
0003574715.tif 000010
【００５２】
（２）一般式（ＶＩ）：
Ｌｎ（ＯＲ）３                ・・・・（ＶＩ）
［式（ＶＩ）中、Ｌｎは希土類元素を示し、Ｒはアルキル基を示す。］で表される希土類金属アルコキシドと、（３）下記一般式（ＶＩＩ）、（ＶＩＩＩ）および（ＩＸ）の内から選ばれる１種のアルカリ金属化合物と、
を非水溶媒または含水溶媒中で反応させることにより得られる。
【００５３】
一般式（ＶＩＩ）：
ＬｉＡ                    ・・・・（ＶＩＩ）
［式（ＶＩＩ）中、Ａはアルキル基を示す。］で表される化合物、
一般式（ＶＩＩＩ）：
［（ＣＨ３）３Ｓｉ］２ＮＫ            ・・・・（ＶＩＩＩ）
で表される化合物、
一般式（ＩＸ）：
ＺＯＲ                      ・・・・（ＩＸ）
［式（ＩＸ）中、Ｚはアルカリ金属を示し、Ｒはアルキル基を示す。］で表されるアルカリ金属アルコキシド。
【００５４】
上記式（ＶＲ）で示される（Ｒ）−（＋）−１，１’−ビ−２−ナフトールおよび、上記式（ＶＳ）で示される（Ｓ）−（−）−１，１’−ビ−２−ナフトールは、何れも、公知物質であり、従来より公知の方法（ジャーナル  オブ  オーガニック  ケミストリー（Ｊ．  Ｏｒｇ．  Ｃｈｅｍ．  第７３１７頁、１９９３年  参照）により合成される。
【００５５】
また式（ＶＩ）で示される化合物である希土類金属アルコキシドは公知物質であり、公知の方法により合成される。希土類元素としては、スカンジウム、イットリウム、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、プロメチウム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテチウムが挙げられる。
【００５６】
希土類金属アルコキシドとしては、ランタントリイソプロポキシド、ランタントリｔ−ブトキシド、ガドリニウムトリイソプロポキシドなどが挙げられ、ランタントリイソプロポキシド、ガドリニウムトリイソプロポキシドが好ましく用いられる。
【００５７】
式（ＶＩＩ）で示されるリチウム化合物中のＡは、アルキル基を示し、このよう  なアルキル基としては、具体的には、例えば、メチル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基などが挙げられ、ｎ−ブチル基が好ましい。
【００５８】
このような式（ＶＩＩ）で示される化合物としては、具体的には、例えば、ＣＨ３Ｌｉ、ＣＨ３（ＣＨ２）３Ｌｉ、（ＣＨ３）３ＣＬｉなどが挙げられ、ＣＨ３（ＣＨ２  ）３Ｌｉが好ましく用いられる。
【００５９】
式（ＶＩＩＩ）で示される化合物は、公知物質である。
また式（ＩＸ）で示されるアルカリ金属アルコキシドは公知の化合物であり、公知の方法（ジャーナル  オブ  アメリカン  ケミカル  ソサイエティ  Ｊ．  Ａ．  Ｃ．，  Ｓ  第４３６４頁、１９５６年）により合成できる。
【００６０】
式（ＩＸ）中、Ｚで示されるアルカリ金属としては、具体的には、例えば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓが挙げられ、Ｎａ、Ｋが好ましく用いられる。
このような式（ＩＸ）で示されるアルカリ金属アルコキシドとしては、具体的には、例えば、ＬｉＯ（ＣＨ３）３Ｃ、ＮａＯ（ＣＨ３）３Ｃ、ＫＯ（ＣＨ３）３Ｃ、ＲｂＯ（ＣＨ３）３Ｃ、ＣｓＯ（ＣＨ３）３Ｃ、ＬｉＯ（ＣＨ３）２ＣＨ、ＮａＯ（ＣＨ３）２ＣＨ、ＫＯ（ＣＨ３）２ＣＨ、ＲｂＯ（ＣＨ３）２ＣＨ、ＣｓＯ（ＣＨ３）２ＣＨ等が挙げられ、ＬｉＯ（ＣＨ３）３Ｃ、ＮａＯ（ＣＨ３）３Ｃ、ＫＯ（ＣＨ３）３Ｃ、ＲｂＯ（ＣＨ３）３Ｃ、ＣｓＯ（ＣＨ３）３Ｃが好ましく用いられる。
【００６１】
本発明に係る不斉合成用触媒の製造方法においては、上記式（ＶＲ）または（ＶＳ）で示される（Ｒ）／（Ｓ）−１，１’−ビ−２−ナフトール（１）と、式（ＶＩ）で示される希土類金属アルコキシド（２）と、「式（ＶＩＩ）、式（ＶＩＩＩ）または（ＩＸ）で示されるアルカリ金属化合物（３）」とのモル比［（１）：（２）：（３）］は通常、１：１：１〜１０：１：１０であり、好ましくは１：１：１〜３：１：３の量で用いられることが望ましい。また、このような反応は通常０〜５０℃、好ましくは０〜２０℃の温度で、通常０．１〜１００時間、好ましくは０．１〜２４時間行うことが望ましい。
【００６２】
本発明においては、このような反応の際には、非水溶媒または含水溶媒が用いられる。
溶媒としては、具体的には、例えば、テトラヒドロフラン（以下「ＴＨＦ」という）、エーテルなどが挙げられ、ＴＨＦが好ましく用いられる。不斉合成反応でＴＨＦ以外の溶媒を用いるときには、触媒調製時に用いられた溶媒（例：ＴＨＦ）を２０℃以下の温度で留去させ、前記式（ＩＩ）で示されるイミンと（ＩＩＩ）  で示されるホスホン酸エステルとの不斉合成反応の際に使用される溶媒を加えて溶媒交換しておくことが好ましい。
【００６３】
含水溶媒としては、具体的には、例えば、含水ＴＨＦ、含水エーテル、含水ジオキサン、含水ジエチルエーテルなどが挙げられ、含水ＴＨＦ、含水エーテルが好ましく用いられる。
【００６４】
触媒調製時に含水溶媒を使用する場合には、水は式（ＶＩ）のランタン化合物１モルに対して、通常、０．１〜１０モルの量で、好ましくは０．１〜１モルの量で用いられる。
【００６５】
このようにして得られる式（Ａ）で示される不斉合成用触媒は、下記式（イ）または（ロ）：
【００６６】
【化１４】
0003574715.tif 000011
【００６７】
［式（イ）および式（ロ）中、Ｌｎは希土類元素を示し、Ｘはアルカリ金属を示す。］で表される。
このような式（Ａ）（さらに具体的には、式（イ）または式（ロ））で表される不斉合成用触媒として、具体的には、例えば、Ｌａ−Ｌｉ−（Ｒ）−ビナフトール錯体（以下「（Ｒ）−ＬＬＢ」という）、Ｌａ−Ｋ−（Ｒ）−ビナフトール  錯体（以下「（Ｒ）−ＬＰＢ」という）、Ｌａ−Ｎａ−（Ｒ）−ビナフトール錯  体（以下「（Ｒ）−ＬＳＢ」という）、Ｌａ−Ｒｂ−（Ｒ）−ビナフトール錯体  （以下「（Ｒ）−ＬＲＢ」という）、Ｌａ−Ｃｓ−（Ｒ）−ビナフトール錯体（  以下「（Ｒ）−ＬＣＢ」という）の他に、これらの化合物のＬａをＳｃ，Ｙ，Ｃ  ｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，あるいはＬｕに置換し、（Ｒ）−ビナフトールを（Ｓ）−ビナフトールにそれぞれ置換した化合物等が挙げられる。また、本発明の反応に用いられる不斉合成用触媒は、（Ｒ）または（Ｓ）−ＬＬＢ、（Ｒ）  または（Ｓ）−ＬＲＢ、（Ｒ）または（Ｓ）−ＬＣＢよりも、（Ｒ）または（Ｓ）−ＬＳ  Ｂの方が活性が高く、さらに、（Ｒ）または（Ｓ）−ＬＳＢよりも（Ｒ）または（Ｓ）−ＬＰＢの方がより活性が高いため好ましく用いられる［（Ｒ）または（Ｓ）−ＬＬＢ→（Ｒ）または（Ｓ）−ＬＳＢ→（Ｒ）または（Ｓ）−ＬＰＢ（高活性）］。
【００６８】
［式（ＩＶａ）または式（ＩＶｂ）で示される化合物の合成］
本発明においては、上記のような式（ＩＩ）で示されるイミンと、式（ＩＩＩ）で  示されるホスホン酸エステルとを、上記式（Ａ）で示される不斉合成用触媒の存在下で反応させて式（ＩＶａ）および／または式（ＩＶｂ）で示される化合物を得る。
【００６９】
このような反応において、式（ＩＩ）で示されるイミンと、式（ＩＩＩ）で示され  るホスホン酸エステルと、不斉合成用触媒（Ａ）とは、そのモル比［イミン：ホスホン酸エステル：不斉合成用触媒］が通常、１：１：０．０１〜１：５：１であり、好ましくは１：１：０．０１〜１：５：０．  ２の  量で用いられることが望ましい。
【００７０】
このような反応は、通常、−８０〜８０℃、好ましくは２０〜５０℃の温度で、通常、０．１〜１００時間、好ましくは６０〜８０時間行うことが望ましい。また反応の際には、通常、溶媒が用いられ、このような反応溶媒として、具体的には、例えば、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、トルエン、エーテル、ジオキサン、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ヘキサメチルホスホルアミド（ＨＭＰＡ）などが挙げられ、ＴＨＦ、トルエン、エーテルが好ましく用いられる。
【００７１】
また、本発明においては、これらの溶媒を１種単独で用いてもよく、また２種以上組み合わせて混合溶媒として用いてもよい。混合溶媒として、具体的には、例えば、トルエン−ＴＨＦ混合溶媒、ＴＨＦ−ジオキサン混合溶媒などが挙げられ、トルエン−ＴＨＦ混合溶媒が好ましく、特にＴＨＦ１体積に対して通常トルエンを１〜１０体積、好ましくは６〜８体積で混合してなるトルエン−ＴＨＦ混合溶媒が好ましい。
【００７２】
上記のような反応は、通常、反応溶液の１〜１０倍量の水を反応溶液に加えることにより、停止させることができる。
本発明においては、このような反応終了後に、得られた反応液（式（ＩＶａ）ま  たは式（ＩＶｂ）で示される化合物含有物）に通常、食塩水を加えて洗浄し、水層と有機層とに層分離させ、次いでこのように洗浄して得られた有機層から溶媒を留去することにより粗生成物を得る。このようにして得られた粗生成物を例えば、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製することにより、式（ＩＶａ）または式（ＩＶｂ）で示される化合物が得られる。
【００７３】
式（ＩＶａ）または式（ＩＶｂ）で示される化合物の具体例を次に示す。
（Ｒ）または（Ｓ）−１−ジフェニルメチルアミノエチルホスホン酸ジメチルエステルの他に、
この化合物のジフェニルメチル基をｐ−メトキシフェニル基に、
エチル基をプロピル、ブチル、２−メチルプロピル、ペンチル、３−メチルブチル、ネオペンチル、ヘキシル、４−メチルペンチル、ネオヘキシル、トリデシル、テトラデシル、シクロペンチルメチル、シクロヘキシルメチル、フェニルメチル、ｐ−クロロフェニルメチル、ｐ−フルオロフェニルメチル、ｐ−メトキシフェニルメチル、２−フェニルエチルあるいは、（Ｅ）−３−フェニル−２−プロペニルの何れかの基に置換し、
ジメチル基をジエチル、ジ−ｎ−プロピル、ジイソプロピル、ジ−ｎ−ブチル、ジイソブチル、ジ−ｓｅｃ−ブチル、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル、ジ−ｎ−ペンチル、ジイソペンチル、ジネオペンチル、ジシクロペンチル、ジシクロヘキシル、ジフェニル、ジベンジル、ジ−ｐ−トリルまたはジ−ｐ−クロルフェニルの何れかの基にそれぞれ置換した化合物が挙げられる。
［式（Ｉａ）または式（Ｉｂ）化合物の合成］
次に光学活性１−アミノホスホン酸誘導体［式（Ｉａ）または式（Ｉｂ）］の合成  について述べる。
【００７４】
上記式（Ｉａ）または式（Ｉｂ）で示される化合物は、式（ＩＶａ）または式（ＩＶｂ）で示される化合物に水素を接触させてアミノ基の脱保護反応を行うことにより上記式（Ｉａ’）または式（Ｉｂ’）で示される化合物を得、引き続き式（Ｉａ’）または式（Ｉｂ’）で示される化合物に酸を加えてＯＲ３基の加水分解反応を行うことにより得られる。
【００７５】
アミノ基の脱保護反応は、接触水添による方法で行い、水酸化パラジウムオンカーボンもしくはパラジウム黒を式（ＩＶａ）または式（ＩＶｂ）で示される化合物の重量に対して通常、０．１〜１０倍量で、好ましくは０．１〜１倍量で用いることが望ましい。このような接触水添の際には、反応溶媒を用いることができ、このような反応溶媒としては、具体的には、例えば、酢酸、メタノール、エタノールなどが挙げられ、メタノールが好ましく用いられる。反応温度は通常、２０〜１００℃、好ましくは２０〜５０℃であることが望ましい。反応時間は通常、１〜５０時間、好ましくは３〜１０時間であることが望ましい。通常、反応終了後に、反応液から水酸化パラジウムオンカーボンもしくはパラジウム黒を除去し、溶媒留去後に水を加えて目的物を溶解させ、これにヘキサンを加えて洗浄し、水層を減圧下に留去することにより式（Ｉａ’）または式（Ｉｂ’）で示される化合物が得られる。
【００７６】
また、ＯＲ３基の加水分解反応には酸が用いられる。酸は、式（Ｉａ’）または式（Ｉｂ’）で示される化合物１モルに対して５〜１００モルの量で、好ましくは５〜１０モルの量で用いられる。このような酸としては、具体的には、例えば、濃度３５％の濃塩酸あるいは濃硫酸、濃度１００％の酢酸などが挙げられ、濃塩酸、酢酸が好ましく用いられる。
【００７７】
このような反応は、溶媒の非存在下に行うこともでき（無溶媒）、また溶媒中で行うこともできる。溶媒としては、具体的には、例えば、メタノール、クロロホルム、酢酸、アセトンなどが挙げられ、メタノール、酢酸が好ましく用いられる。無溶媒の条件下で反応を行う場合には、通常、２０〜１００℃、好ましくは６０〜１００℃で、溶媒中で反応を行う場合には、通常２０〜１００℃、好ましくはその還流温度で行うことが望ましい。反応時間は、無溶媒の条件下では、１〜１０時間、好ましくは８〜１０時間であり、溶媒中では１〜５０時間、好ましくは１０〜２０時間であることが望ましい。通常、反応終了後に、反応液を減圧下に溶媒留去することにより、式（Ｉａ）または式（Ｉｂ）で示される化合物が得られる。
【００７８】
また、（ＩＶａ）または（ＩＶｂ）の化合物に酸を接触させて（ＩＶａ）または（ＩＶｂ）の化合物のアミノ基の脱保護とＯＲ３基の加水分解を行い、（Ｉａ）または（Ｉｂ）の化合物が得られる。この反応条件は（Ｉａ’）または（Ｉｂ’）の化合物を（ＩＶａ）または（ＩＶｂ）の化合物に代えた以外は上記の（Ｉａ’）または（Ｉｂ’）の化合物のＯＲ３基の加水分解反応と同様である。
【００７９】
このようにして得られた式（Ｉａ）または式（Ｉｂ）で示される化合物としては、（Ｒ）または（Ｓ）−１−アミノエチルホスホン酸の他にこの化合物のエチル基をプロピル基、ブチル基、２−メチルプロピル基、ペンチル基、３−メチルブチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、４−メチルペンチル基、ネオヘキシル基、トリデシル基、テトラデシル基、シクロペンチルメチル基、シクロヘキシルメチル基、フェニルメチル基、ｐ−クロロフェニルメチル基、ｐ−フルオロフェニルメチル基、ｐ−メトキシフェニルメチル基、２−フェニルエチル基あるいは（Ｅ）−３−フェニル−２−プロペニル基に代えた化合物が挙げられる。
【００８０】
【発明の効果】
本発明によれば、従来の光学活性１−アミノホスホン酸誘導体の合成法に比べ  て小量の不斉化合物の原料を用いて大量の光学活性体を得ることが可能であり、しかも短い工程で上記光学活性体が得られるなどの利点がある。
【００８１】
【実施例】
以下、本発明を実施例に基づいてさらに具体的に説明するが、本発明は、かかる実施例により何等制限されるものではない。
【００８２】
鏡像体過剰率（ｅｅ）
以下の実施例および比較例における鏡像体過剰率（ｅｅ）の算出法は、下記のとおり。
【００８３】
図１に示すように、クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）により求めた（Ｒ）体の面積（Ａ）と（Ｓ）体の面積（Ｂ）との面積比ｒ＝Ａ／Ｂ（エナンチオマー比）とするとき、
【００８４】
【数１】
0003574715.tif 000012
【００８５】
で表される。
【００８６】
【実施例１】
（１）（Ｒ）−ＬＰＢ（Ｌａ−Ｋ−（Ｒ）−ビナフトール錯体）の調製
窒素雰囲気下、（Ｒ）−（＋）−１，１’−ビ−２−ナフトール４．２９ｇ（５×３ｍｍｏｌ）に、０．２ＭのＬａ（Ｏ（ＣＨ３）２ＣＨ）３・ＴＨＦ溶液２５ｍｌ（５ｍｍｏｌ）、０．５Ｍのビス（トリメチルシリル）カリウムアミド・トルエン溶液３０ｍｌ（５  ×３ｍｍｏｌ）、水９０ｍｇ（５ｍｍｏｌ）、ＴＨＦ４５ｍｌを加え、室温（２０℃）下で１時間攪拌し、（Ｒ）−ＬＰＢ（Ｌａ−Ｋ−（Ｒ）−ビナフトール錯体）（約０．  ０５ｍｏｌ／リットル、収率１００％）を調製した。
【００８７】
この（Ｒ）−ＬＰＢ・ＴＨＦ溶液を２０℃以下の温度で減圧下（圧力：５ｍｍＨｇ）に溶媒留去し、次いで、ＴＨＦ・トルエン混合溶液［ＴＨＦ：トルエン＝１：７（体積比）の混合物］１００ｍｌ（（Ｒ）−ＬＰＢ含有量：約０．０５ｍｏｌ／リットル）を加えた。
（２）（Ｒ）−ＬＰＢによる（Ｒ）−１−ジフェニルメチルアミノ−２−メチルプロピルホスホン酸ジメチルエステルの合成［式（ＩＶａ）化合物］
Ｎ−２−メチルプロピリデンジフェニルメチルアミン０．３０ｇ（１．２５ｍｍｏｌ）、ジメチルホスファイト０．２１ｇ（１．２５×１．５ｍｍｏｌ）に、上記により得られた（Ｒ）−  ＬＰＢ含有量が０．０５ｍｏｌ／リットル［ＴＨＦ：トルエン＝１：７（体積比）混合液］の（Ｒ）−ＬＰＢ溶液５ｍｌ（１．２５×０．２ｍｍｏｌ、２０ｍｏｌ％）を加えた。
【００８８】
得られた反応混合物を２０℃で５６時間攪拌した後、この反応混合物に１０ｍｌの水を加えて反応を停止させた。
次いで、通常の後処理を行った後（すなわち、反応混合物を食塩水で洗浄し、水層と有機層とに層分離させ、得られる有機層から溶媒を留去した後）、得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（長さ３０ｃｍ×直径２ｃｍ）を用い、酢酸エチル：ヘキサン＝１：１（体積比）の混合溶媒により精製し、４００ｍｇの（Ｒ）−１−ジフェニルメチルアミノ−２−メチルプロピルホスホン酸ジメチルエステルを得た。（収率９２％）
得られた（Ｒ）−１−ジフェニルメチルアミノ−２−メチルプロピルホスホン酸ジメチルエステルの鏡像体過剰率（ｅｅ）は、ＨＰＬＣ測定結果から、９７％であった。
［測定条件はカラム：ＤＡＩＣＥＬ  ＣＨＩＲＡＬＰＡＫ  ＡＤ  ダイセル化学工業（株）製、
移動層：イソプロピルアルコール−ヘキサン（１：９）］
【００８９】
［α］Ｄ−５９．８゜（ｃ＝１．４、ＣＨＣｌ３）。
（Ｒ）−１−ジフェニルメチルアミノ−２−メチルプロピルホスホン酸ジメチルエステルの１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）のピーク値：
δ：７．３８−７．４５（ｍ，４Ｈ），７．１７−７．３４（ｍ，６Ｈ），５．２２（ｄ，Ｊ＝３．３Ｈｚ，１Ｈ），３．７７（ｄ，Ｊ＝１０．２Ｈｚ，３Ｈ），３．７２（ｄ，Ｊ＝１０．６Ｈｚ，３Ｈ），２．７８（ｂｒｄ，Ｊ＝１３．５Ｈｚ，１Ｈ），２．０８−２．１３（ｍ，１Ｈ），１．８８（ｂｒｓ，１Ｈ），１．００−１．０５（ｍ，６Ｈ）。
（３）（Ｒ）−１−アミノ−２−メチルプロピルホスホン酸の合成［式（Ｉａ）化合物］
（Ｒ）−１−ジフェニルメチルアミノ−２−メチルプロピルホスホン酸ジメチルエステル１．７４ｇ（５ｍｍｏｌ）に、水酸化パラジウムオンカーボン１７４ｍｇメタノール１０ｍｌを加え、２０℃で水素を吹き込み４時間撹拌した。得られた反応液をメンブランフィルターにより濾過を行い、濾液を溶媒留去した。この溶媒留去品に水１０ｍｌを加え、ヘキサン１０ｍｌにより洗浄した後、分離された水層から、減圧下に水を留去し、（Ｒ）−１−アミノ−２−メチルプロピルホスホン酸ジメチルエステルを得た。（収量９０６ｍｇ、収率１００％）
（Ｒ）−１−アミノ−２−メチルプロピルホスホン酸ジメチルエステルを９０６ｍｇ（５ｍｍｏｌ）に３５％塩酸２０ｍｌを加え、１００℃８時間撹拌した後減圧下に水を留去し、粗結晶を得た。得られた粗結晶を水１０ｍｌを用いることにより再結晶させて、（Ｒ）−１−アミノ−２−メチルプロピルホスホン酸を得た。（収量６８９ｍｇ、収率９０％）
得られた（Ｒ）−１−アミノ−２−メチルプロピルホスホン酸の鏡像体過剰率（ｅｅ）は、ＨＰＬＣ測定結果から９９％以上であった。［測定条件はカラム：ＳＵＭＩＣＨＩＲＡＬ  ＯＡ−５０００（（株）住化分析センター製）、移動相：２ｍＭ  ｃｏｐｐｅｒ（ＩＩ）ｓｕｌｆａｔｅ  ｉｎ  ｗａｔｅｒ／ＣＨ３ＣＮ（９：１）］
［α］Ｄ−２．４゜（ｃ＝２．４、Ｈ２Ｏ）；文献値［α］Ｄ−２．１゜（ｃ＝１．９、Ｈ２Ｏ）。
【００９０】
【実施例２】
実施例１において、式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される光学活性１−アミノ  ホスホン酸誘導体の製造条件を表１に示すように変えた以外は、実施例１と同様にして、式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される化合物を合成した。
【００９１】
なお、式（Ｉａ）または（Ｉｂ）中のＲ２は、表中の（ＩＩ）欄のＲ２に同じであり、記載を省略する（以下同様）。
【００９２】
【実施例３】
実施例１において、式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される光学活性１−アミノ  ホスホン酸誘導体の製造条件を表１に示すように変えた以外は、実施例１と同様にして、式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される化合物を合成した。
【００９３】
この光学活性１−アミノホスホン酸誘導体製造過程で得られる式（ＩＶａ）で  示されるホスホネート系化合物［化合物（ＩＶａ）］の物性値を以下に示す。
（Ｒ）−１−ジフェニルメチルアミノヘキシルホスホン酸ジメチルエステルの物性値：
［α］Ｄ−１６８．６゜（ｃ＝０．７、ＣＨＣｌ３）
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）のピーク値
δ：７．１７−７．４５（ｍ，１０Ｈ），５．２３（ｓ，１Ｈ），３．７９（ｄ，Ｊ＝１０．２Ｈｚ，３Ｈ），３．７４（ｄ，Ｊ＝１０．２Ｈｚ，３Ｈ），２．８０−２．９２（ｍ，１Ｈ），１．１３−１．８７（ｍ，９Ｈ），０．８７（ｔ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，３Ｈ）
【００９４】
【実施例４】
実施例１において、式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される光学活性１−アミノ  ホスホン酸誘導体の製造条件を表１に示すように変えた以外は、実施例１と同様にして、式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される化合物を合成した。
【００９５】
この光学活性１−アミノホスホン酸誘導体製造過程で得られる式（ＩＶａ）で  示されるホスホネート系化合物［化合物（ＩＶａ）］の物性値を以下に示す。
（Ｒ）−１−ジフェニルメチルアミノプロピルホスホン酸ジメチルエステルの物性値：
［α］Ｄ−３４．８゜（ｃ＝１．７、ＣＨＣｌ３）
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）のピーク値
δ：７．３８−７．５０（ｍ，４Ｈ），７．１４−７．３６（ｍ，６Ｈ），５．２０（ｂｒｓ，１Ｈ），３．８０（ｄ，Ｊ＝１０．２Ｈｚ，３Ｈ），３．７４（ｄ，Ｊ＝１０．２Ｈｚ，３Ｈ），２．８４（ｄｔ，Ｊ＝１３．９，６．９Ｈｚ，１Ｈ），１．７２−１．９９（ｍ，２Ｈ），１．６０（ｂｒｓ，１Ｈ），１．０２（ｔ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，３Ｈ）
【００９６】
【実施例５】
実施例１において、触媒を下記のようにして得られる「（Ｓ）−ＬＰＢ（Ｌａ−Ｋ−（Ｓ）−ビナフトール錯体）」に変え、また式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される光学活性１−アミノホスホン酸誘導体の製造条件を表１に示すように変  えた以外は、実施例１と同様にして、式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される化合物を合成した。
【００９７】
実施例５の（Ｓ）−ＬＰＢで示す不斉合成触媒は次のとおり調製した。
（１）（Ｓ）−ＬＰＢ（Ｌａ−Ｋ−（Ｓ）−ビナフトール錯体）の調製
窒素雰囲気下、（Ｓ）−（−）−１，１’−ビ−２−ナフトール４．２９ｇ（５×３ｍｍｏｌ）に、０．２ＭのＬａ（Ｏ（ＣＨ３）２ＣＨ）３・ＴＨＦ溶液２５ｍｌ（５ｍｍｏｌ）、０．５Ｍのビス（トリメチルシリル）カリウムアミド・トルエン溶液３０ｍｌ（５  ×３ｍｍｏｌ）、水９０ｍｇ（５ｍｍｏｌ）、ＴＨＦ４５ｍｌを加え、室温（２０℃）下で１時間攪拌し、（Ｓ）−ＬＰＢ（Ｌａ−Ｋ−（Ｓ）−ビナフトール錯体）（約０．  ０５ｍｏｌ／リットル、収率１００％）を調製した。
【００９８】
この（Ｓ）−ＬＰＢ・ＴＨＦ溶液を２０℃以下の温度で減圧下（圧力：５ｍｍＨｇ）に溶媒留去し、次いで、ＴＨＦ・トルエン混合溶液［ＴＨＦ：トルエン＝１：７（体積比）の混合物］１００ｍｌ（（Ｓ）−ＬＰＢ含有量：約０．０５ｍｏｌ／リ  ットル）を加えた。
【００９９】
【実施例６〜７】
実施例１において、触媒を下記のようにして得られる「（Ｒ）−ＧｄＰＢ（Ｇｄ−Ｋ−（Ｒ）−ビナフトール錯体）」に変え、また式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される光学活性１−アミノホスホン酸誘導体の製造条件を表１に示すように  変えた以外は、実施例１と同様にして、式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される化合物を合成した。
【０１００】
この光学活性１−アミノホスホン酸誘導体製造過程で得られる式（ＩＶａ）で  示されるホスホネート系化合物［化合物（ＩＶａ）］の物性値を以下に示す。
（Ｒ）−（Ｅ）−１−ジフェニルメチルアミノ−３−フェニル−２−プロペニルホスホン酸ジメチルエステルの物性値：
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）のピーク値
δ：７．１２−７．４８（ｍ，１５Ｈ），６．５１（ｄｄ，Ｊ＝１５．８，４．０Ｈｚ，１Ｈ），６．１５（ｄｄｄ，Ｊ＝１５．８，９．０，５．９Ｈｚ，１Ｈ），５．０３（ｓ，１Ｈ），３．８９（ｄ，Ｊ＝１０．６Ｈｚ，３Ｈ），３．７６（ｄ，Ｊ＝１０．６Ｈｚ，３Ｈ），３．６４（ｄｄ，Ｊ＝２１．０，９．０Ｈｚ，１Ｈ），２．１７（ｂｒｓ，１Ｈ）
実施例６〜７の（Ｒ）−ＧｄＰＢで示す不斉合成触媒は次のとおり調製した。
（１）（Ｒ）−ＧｄＰＢ（Ｇｄ−Ｋ−（Ｒ）−ビナフトール錯体）の調製
窒素雰囲気下、（Ｒ）−（＋）−１，１’−ビ−２−ナフトール４．２９ｇ（５×３ｍｍｏｌ）に、０．２ＭのＧｄ（Ｏ（ＣＨ３）２ＣＨ）３・ＴＨＦ溶液２５ｍｌ（５ｍｍｏｌ）、０．５Ｍのビス（トリメチルシリル）カリウムアミド・トルエン溶液３０ｍｌ（５  ×３ｍｍｏｌ）、水９０ｍｇ（５ｍｍｏｌ）、ＴＨＦ４５ｍｌを加え、室温（２０℃）下で１時間攪拌し、（Ｒ）−ＧｄＰＢ（Ｇｄ−Ｋ−（Ｒ）−ビナフトール錯体）（約０．０５ｍｏｌ／リットル、収率１００％）を調製した。
【０１０１】
この（Ｒ）−ＧｄＰＢ・ＴＨＦ溶液を２０℃以下の温度で減圧下（圧力：５ｍｍＨｇ）に溶媒留去し、次いで、ＴＨＦ・トルエン混合溶液［ＴＨＦ：トルエン＝１：７（体積比）の混合物］１００ｍｌ（（Ｒ）−ＧｄＰＢ含有量：約０．０５ｍｏｌ  ／リットル）を加えた。
【０１０２】
【実施例８】
実施例１において、触媒を下記のようにして得られる「（Ｒ）−ＰｒＰＢ（Ｐｒ−Ｋ−（Ｒ）−ビナフトール錯体）」に代え、また式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される光学活性１−アミノホスホン酸誘導体の製造条件を表１に示すように  変えた以外は、実施例１と同様にして、式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される化合物を合成した。
【０１０３】
この光学活性１−アミノホスホン酸誘導体製造過程で得られる式（ＩＶａ）で  示されるホスホネート系化合物［化合物（ＩＶａ）］の物性値を以下に示す。
（Ｒ）−１−ｐ−メトキシフェニルアミノシクロヘキシルメチルホスホン酸ジメチルエステルの物性値：
［α］Ｄ＋１４．９゜（ｃ＝２．０、ＣＨＣｌ３）
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）のピーク値
δ：６．７６（ｄ，Ｊ＝８．９Ｈｚ，２Ｈ），６．６１（ｄ，Ｊ＝８．９Ｈｚ，２Ｈ），３．７４（ｓ，３Ｈ），３．７１（ｄ，Ｊ＝１０．６Ｈｚ，３Ｈ），３．６７（ｄ，Ｊ＝１０．６Ｈｚ，３Ｈ），３．５３（ｄｄ，Ｊ＝１８．８，３．６Ｈｚ，１Ｈ），１．０９−２．０２（ｍ，１２Ｈ）
また、実施例８の（Ｒ）−ＰｒＰＢで示す不斉合成触媒は次のとおり調製した。
（１）（Ｒ）−ＰｒＰＢ（Ｐｒ−Ｋ−（Ｒ）−ビナフトール錯体）の調製
窒素雰囲気下、（Ｒ）−（＋）−１，１’−ビ−２−ナフトール４．２９ｇ（５×３ｍｍｏｌ）に、０．２ＭのＰｒ（Ｏ（ＣＨ３）２ＣＨ）３・ＴＨＦ溶液２５ｍｌ（５ｍｍｏｌ）、０．５Ｍのビス（トリメチルシリル）カリウムアミド・トルエン溶液３０ｍｌ（５  ×３ｍｍｏｌ）、水９０ｍｇ（５ｍｍｏｌ）、ＴＨＦ４５ｍｌを加え、室温（２０℃）下で１時間攪拌し、（Ｒ）−ＰｒＰＢ（Ｐｒ−Ｋ−（Ｒ）−ビナフトール錯体）（約０．０５ｍｏｌ／リットル、収率１００％）を調製した。
【０１０４】
この（Ｒ）−ＰｒＰＢ・ＴＨＦ溶液を２０℃以下の温度で減圧下（圧力：５ｍｍＨｇ）に溶媒留去し、次いで、ＴＨＦ・トルエン混合溶液［ＴＨＦ：トルエン＝１：７（体積比）の混合物］１００ｍｌ（（Ｒ）−ＰｒＰＢ含有量：約０．０５ｍｏｌ  ／リットル）を加えた。
【０１０５】
【実施例９】
実施例１において、式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される光学活性１−アミノホスホン酸誘導体の製造条件を表１に示すように変えた以外は、実施例１と同様にして式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される化合物を合成した。
【０１０６】
この光学活性１−アミノホスホン酸誘導体製造過程で得られる式（ＩＶａ）で示されるホスホネート系化合物［化合物（ＩＶａ）］の物性値を以下に示す。
（Ｒ）−１−ジフェニルメチルアミノエチルホスホン酸ジメチルエステルの物性値：
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）のピーク値
δ：７．１６−７．４５（ｍ，１０Ｈ），５．２３（ｄ，１Ｈ），３．７９（ｄ，３Ｈ），３．７４（ｄ，３Ｈ），２．８０−２．９２（ｍ，１Ｈ），１．０２−１．４０（ｑ，３Ｈ）
【０１０７】
【実施例１０】
実施例１において、式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される光学活性１−アミノホスホン酸誘導体の製造条件を表１に示すように変えた以外は、実施例１と同様にして式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される化合物を合成した。
【０１０８】
この光学活性１−アミノホスホン酸誘導体製造過程で得られる式（ＩＶａ）で示されるホスホネート系化合物［化合物（ＩＶａ）］の物性値を以下に示す。
（Ｒ）−１−ジフェニルメチルアミノブチルホスホン酸ジメチルエステルの物性値：
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）のピーク値
δ：７．１０−７．４６（ｍ，１０Ｈ），５．２２（ｄ，１Ｈ），３．７８（ｄ，３Ｈ），３．７４（ｄ，３Ｈ），３．００−３．２０（ｍ，１Ｈ），１．４０−２．００（ｍ，４Ｈ），０．９５（ｔ，３Ｈ）
【０１０９】
【実施例１１】
実施例１において、式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される光学活性１−アミノホスホン酸誘導体の製造条件を表１に示すように変えた以外は、実施例１と同様にして式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される化合物を合成した。
【０１１０】
この光学活性１−アミノホスホン酸誘導体製造過程で得られる式（ＩＶａ）で示されるホスホネート系化合物［化合物（ＩＶａ）］の物性値を以下に示す。
（Ｒ）−１−ジフェニルメチルアミノペンチルホスホン酸ジメチルエステルの物性値：
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）のピーク値
δ：７．１０−７．５３（ｍ，１０Ｈ），５．２０（ｄ，１Ｈ），３．７９（ｄ，３Ｈ），３．７２（ｄ，３Ｈ），２．９２−３．０５（ｍ，１Ｈ），１．１０−１．９０（ｍ，６Ｈ），０．９０（ｔ，３Ｈ）
【０１１１】
【実施例１２】
実施例１において、式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される光学活性１−アミノホスホン酸誘導体の製造条件を表１に示すように変えた以外は、実施例１と同様にして式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される化合物を合成した。
【０１１２】
この光学活性１−アミノホスホン酸誘導体製造過程で得られる式（ＩＶａ）で示されるホスホネート系化合物［化合物（ＩＶａ）］の物性値を以下に示す。
（Ｒ）−１−ジフェニルメチルアミノトリデシルホスホン酸ジメチルエステルの物性値：
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）のピーク値
δ：７．０５−７．５０（ｍ，１０Ｈ），５．２０（ｄ，１Ｈ），３．８０（ｄ，３Ｈ），３．７４（ｄ，３Ｈ）、２．８０−２．９２（ｍ，１Ｈ），１．１０−２．１０（ｍ，２２Ｈ），０．８８（ｔ，３Ｈ）
【０１１３】
【実施例１３】
実施例１において、式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される光学活性１−アミノホスホン酸誘導体の製造条件を表１に示すように変えた以外は、実施例１と同様にして式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される化合物を合成した。
【０１１４】
この光学活性１−アミノホスホン酸誘導体製造過程で得られる式（ＩＶａ）で示されるホスホネート系化合物［化合物（ＩＶａ）］の物性値を以下に示す。
（Ｒ）−１−ジフェニルメチルアミノ−３−メチルブチルホスホン酸ジメチルエステルの物性値：
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）のピーク値
δ：７．１７−７．４５（ｍ，１０Ｈ），５．２４（ｄ，１Ｈ），３．７８（ｄ，３Ｈ），３．７４（ｄ，３Ｈ），２．８０−２．９２（ｍ，１Ｈ），２．０５−２．４０（ｍ，１Ｈ），１．５２−１．７０（ｍ，２Ｈ），１．００−１．０５（ｄ，６Ｈ）
【０１１５】
【実施例１４】
実施例１において、式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される光学活性１−アミノホスホン酸誘導体の製造条件を表１に示すように変えた以外は、実施例１と同様にして式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される化合物を合成した。
【０１１６】
この光学活性１−アミノホスホン酸誘導体製造過程で得られる式（ＩＶａ）で示されるホスホネート系化合物［化合物（ＩＶａ）］の物性値を以下に示す。
（Ｒ）−ジフェニルメチルアミノフェニルメチルホスホン酸ジメチルエステルの物性値：
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）のピーク値
δ：７．１０−７．６０（ｍ，１５Ｈ），５．２０（ｄ，１Ｈ），４．５０（ｓ，１Ｈ），３．７９（ｄ，３Ｈ），３．７４（ｄ，３Ｈ）
【０１１７】
【実施例１５】
実施例１において、式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される光学活性１−アミノホスホン酸誘導体の製造条件を表１に示すように変えた以外は、実施例１と同様にして式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される化合物を合成した。
【０１１８】
この光学活性１−アミノホスホン酸誘導体製造過程で得られる式（ＩＶａ）で示されるホスホネート系化合物［化合物（ＩＶａ）］の物性値を以下に示す。
（Ｒ）−ジフェニルメチルアミノ−ｐ−クロロフェニルメチルホスホン酸ジメチルエステルの物性値：
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）のピーク値
δ：７．１０−７．７５（ｍ，１４Ｈ），５．２５（ｄ，１Ｈ），４．３０（ｓ，１Ｈ）、３．７５（ｄ，３Ｈ），３．７０（ｄ，３Ｈ）
【０１１９】
【実施例１６】
実施例１において、式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される光学活性１−アミノホスホン酸誘導体の製造条件を表１に示すように変えた以外は、実施例１と同様にして式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される化合物を合成した。
【０１２０】
この光学活性１−アミノホスホン酸誘導体製造過程で得られる式（ＩＶａ）で示されるホスホネート系化合物［化合物（ＩＶａ）］の物性値を以下に示す。
（Ｒ）−ジフェニルメチルアミノ−ｐ−フルオロフェニルメチルホスホン酸ジメチルエステルの物性値：
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）のピーク値
δ：７．０５−７．６０（ｍ，１４Ｈ），５．２３（ｄ，１Ｈ），４．５０（ｓ，１Ｈ），３．７５（ｄ，３Ｈ）、３．７０（ｄ，３Ｈ）
【０１２１】
【実施例１７】
実施例１において、式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される光学活性１−アミノホスホン酸誘導体の製造条件を表１に示すように変えた以外は、実施例１と同様にして式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される化合物を合成した。
【０１２２】
この光学活性１−アミノホスホン酸誘導体製造過程で得られる式（ＩＶａ）で示されるホスホネート系化合物［化合物（ＩＶａ）］の物性値を以下に示す。
（Ｒ）−ジフェニルメチルアミノ−ｐ−メトキシフェニルメチルホスホン酸ジメチルエステルの物性値：
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）のピーク値
δ：７．１０−７．７０（ｍ，１４Ｈ），５．２０（ｄ，１Ｈ），４．５０（ｓ，１Ｈ），３．８５（ｓ，３Ｈ），３．７５（ｄ，３Ｈ），３．６８（ｄ，３Ｈ）
【０１２３】
【実施例１８】
実施例１において、式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される光学活性１−アミノホスホン酸誘導体の製造条件を表１に示すように変えた以外は、実施例１と同様にして式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される化合物を合成した。
【０１２４】
この光学活性１−アミノホスホン酸誘導体製造過程で得られる式（ＩＶａ）で示されるホスホネート系化合物［化合物（ＩＶａ）］の物性値を以下に示す。
（Ｒ）−１−ジフェニルメチルアミノ−２−フェニルエチルホスホン酸ジメチルエステルの物性値：
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）のピーク値
δ：７．１１−７．５５（ｍ，１５Ｈ），５．２０（ｄ，１Ｈ），３．８０（ｄ，３Ｈ），３．７５（ｄ，３Ｈ），３．１５−３．３７（ｍ，２Ｈ），２．８０−２．９２（ｍ，１Ｈ）
注）＊条件  Ｘ：水酸化パラジウムオンカーボン（１０ｗｔ％）／Ｈ２（１３０ｍｌ）２０℃、４時間／３５％塩酸（２０ｍｌ）１００℃、８時間。
【０１２５】
【表１】
0003574715.tif 000013
【０１２６】
【表２】
0003574715.tif 000014
【０１２７】
【表３】
0003574715.tif 000015
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、鏡像体過剰率（ｅｅ）の測定法を示すＨＰＬＣチャートである。
【図１】
0003574715.tif 000019