(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の一連の工程からなる検査電極を有する配線回路基板の形成方法。
（ａ）ベース基板上に絶縁樹脂層を形成する工程。
（ｂ）前記絶縁樹脂層に開口部を形成する工程。
（ｃ）前記開口部に導体電極を形成する工程。
（ｄ）前記導体電極及び前記絶縁樹脂層上に導体薄膜層を形成する工程。
（ｅ）前記導体薄膜層上に第２絶縁樹脂層を形成する工程。
（ｆ）前記第２絶縁樹脂層に配線パターン状に第２開口部を形成する工程。
（ｇ）前記第２絶縁樹脂層の第２開口部に導体層を形成し、配線回路を形成する工程。
（ｈ）前記配線回路及び前記第２絶縁樹脂層上に第３絶縁樹脂層を形成する工程。
（ｉ）ベース基板及び絶縁樹脂層及び検査電極部以外の導体薄膜層を除去し、検査電極及び配線回路基板を形成する工程。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置や配線回路基板の導通検査をするために用いられる検査治具基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体装置や配線回路基板の導通検査には、ウェハプローブや布線検査で知られるように被検査体の電極部に針状の検査電極を接触させ導通テストを行っていた。また、比較的配線密度の低い配線回路基板では電極を有する検査用の配線回路基板を形成し、異方性導電シートを介して被検査体である配線回路基板との接触を採り、導通テストを行っている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
従来のウェハプローブや布線検査による半導体装置や配線回路基板の導通検査の方法では、針状の検査電極を接触させるため、被検査体に検査痕を残し損傷を与える可能性がある。また、配線密度の増加や高集積化によっては、検査用のプローブの形成が困難になってきた。検査基板を用いる方法では、異方性導電シートの導通ピッチの関係などから２００μｍピッチ程度の被検査体には対応できるが、それ以上の微細ピッチの検査には対応することが出来ない。本発明は上記問題を解決するためになされたもので、微細ピッチの検査に対応した検査電極及び形成方法を改良した検査電極を有する配線回路基板の形成方法を提供する。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明において上記課題を解決するため、配線回路に接続された検査電極であって、該検査電極の形状が電極先端部に向かうほど表面積が小さくなっており、且つ先端部が平坦になっていることを特徴とする検査電極を有する配線回路基板としたものである。上記の構造を採ることによって今まで対応することが出来なかった微細ピッチにも対応することができ、さらに電極先端部を平坦にしたことで、検査時の被検査体への損傷を防止することができる。
【０００５】
請求項１においては、下記の一連の工程からなる検査電極を有する配線回路基板の形成方法としたものである。
（ａ）ベース基板上に絶縁樹脂層を形成する工程。
（ｂ）前記絶縁樹脂層に開口部を形成する工程。
（ｃ）前記開口部に導体電極を形成する工程。
（ｄ）前記導体電極及び前記絶縁樹脂層上に導体薄膜層を形成する工程。
（ｅ）前記導体薄膜層上に第２絶縁樹脂層を形成する工程。
（ｆ）前記第２絶縁樹脂層に配線パターン状に第２開口部を形成する工程。
（ｇ）前記第２絶縁樹脂層の第２開口部に導体層を形成し、配線回路を形成する工程。
（ｈ）前記配線回路及び前記第２絶縁樹脂層上に第３絶縁樹脂層を形成する工程。
（ｉ）ベース基板及び絶縁樹脂層及び導体電極部以外の導体薄膜層を除去し、検査電極及び配線回路基板を形成する工程。
これらの工程によって微細ピッチで、電極先端部が平滑な検査電極を有する配線回路基板を形成することができる。
【０００６】
【発明の実施の形態】
本発明の検査電極を有する配線回路基板の構造は、ベース基板１１上に絶縁樹脂層１２を形成し、開口部１３を形成する。次に開口部１３に導体電極１４を形成する。さらに基板全面に導体薄膜層１５及び第２絶縁樹脂層１６を形成する。第２絶縁樹脂層１６に配線パターン状の第２開口部１７を形成する。さらに第２開口部１７に導体層を形成し、配線回路１８を形成する。配線回路１８及び第２絶縁樹脂層１６ａ上に第３絶縁樹脂層１９を形成する。その後ベース基板１１及び絶縁樹脂層１２ａ及び導体電極１４以外の導体薄膜層１５を除去することで本発明の検査電極を有する配線回路基板が得られる（図１参照）。
以下、検査電極を有する配線回路基板及びその形成方法について述べる。
【０００７】
ベース基板１１は、導体電極１４を形成するためのめっき電極として使用するので、導電性を有し、平滑性のある金属板が好ましく、具体的には、０．２〜１．０ｍｍ厚の銅板や鉄・ニッケル合金板が使用できる。
【０００８】
次に、ベース基板１１上に絶縁樹脂層１２を形成する（図１（ａ）参照）。絶縁樹脂層１２は絶縁性を有する樹脂層であれば特に制限はなく、後工程の開口部１３の形成方法によって選択する。開口部１３をフォトリソグラフィー法を用いて形成する場合は、感光性を有し、電極のピッチによって解像度の良いものを選択する必要がある。また、この場合はドライフィルムレジストを選択しても良い。厚みの均一なドライフィルムの使用によって電極高さの制御が容易になる。
【０００９】
次に、絶縁樹脂層１２に開口部１３を形成する（図１（ｂ）参照）。開口部１３の形成法としてはフォトリソグラフィー法、レーザー加工法等が使用でき、開口部の開口径、形状制御性、加工精度等により適宜選択することができるが微細加工性、形状制御性からレーザー加工法が好ましい。
レーザ加工の場合絶縁樹脂層１２としては特に感光性を必要としないため、幅広い材料の選択が可能である。レーザ加工には、エキシマレーザ加工あるいは短パルスの炭酸ガスレーザ加工などが使用できる。特にこれらに限定されるものではなく、有機物質が除去できるものであれば良い。また、加工法は開口部の加工精度（この場合は開口径）によって選択することが望ましい。開口径が１００〜２００μｍの場合には炭酸ガスレーザ加工が良いが、１００μｍ以下の場合にはエキシマレーザ加工が適している。レーザ加工の場合、光学系にマスクを入れることにより様々な形の開口部を形成できるため、これによって電極形状を選択することができる。
【００１０】
次に、開口部１３に導体電極１４を形成する（図１（ｃ）参照）。導体電極１４の形成法としては電解めっき法、無電解めっき法、導電ペーストを使った印刷法または注入法があるが、導体電極１４の形状再現性、配線回路基板との電気的導通信頼性等により適宜選択して使い分けることができる。ここでは、形状再現性及び導通信頼性に優れた電解めっき法にて導体電極１４を形成する。
さらに、検査電極の接触信頼性を向上させるために導体電極の先端に金めっき層２４を形成した電極構造もある（図２（ｂ）参照）。
【００１１】
次に、基板表面に導体薄膜層１５を形成する（図１（ｄ）参照）。導体薄膜層１５の形成法としては、スパッタ法、蒸着法、無電解めっき法及び電解めっき法等が使用できる。
【００１２】
次に、導体薄膜層１５上に配線回路を形成するための第２絶縁樹脂層１６を形成する（図１（ｅ）参照）。第２絶縁樹脂層１６は感光性の絶縁樹脂層か、非感光性の絶縁樹脂層の２種類に大別され、後工程の加工法によって適宜選択する。絶縁樹脂層の形成法としては、熱硬化型のエポキシ樹脂やポリイミド樹脂を主成分とする樹脂溶液または感光性樹脂溶液などをスクリーン印刷、スピンコート、ロールコートするかあるいはドライフィルムをラミネートすることにより形成される。
【００１３】
次に、第２絶縁樹脂層１６に配線パターン状の第２開口部１７を形成する（図１（ｆ）参照）。第２開口部１７の形成法としてはフォトリソグラフィー法またはレーザ加工法等が適用できる。
【００１４】
次に、第２開口部１７に、ベース基板を電極として、電解めっきにより導体層を形成し、配線回路１８を形成する（図１（ｇ）参照）。
【００１５】
次に、第３絶縁樹脂層１９を形成する（図１（ｈ）参照）。第３絶縁樹脂層は前記絶縁樹脂層及び第２絶縁樹脂層と同様のものを使用することができるが、電極が被検査体と接触した時に被検査体の凹凸を吸収するために、第３絶縁樹脂層１９に柔軟性を持たせることが望ましい。具体的には、上記の樹脂にゴムフィラーを入れることで改善が見られる。
【００１６】
次に、ベース基板１１をエッチングによって除去する。さらに絶縁樹脂層１２ａを除去し、さらに、導体電極１４と接触している部分１５ａ以外の導体薄膜層１５をエッチングで除去して、検査電極２０及び配線回路基板４０が形成される（図１（ｉ）参照）。
これらの工程によって、本発明の検査電極を有する配線回路基板を形成することができる。
【００１７】
【実施例】
以下、実施例について図を用いて詳細に説明する。
＜実施例１＞
ベース基板１１には、０．２ｍｍ厚の銅板を用いる。ベース基板１１上にドライフィルム（ＤＦＲ：日立化成工業（株）製）をラミネートによって形成し、加熱硬化して絶縁樹脂層１２を形成した（図１（ａ）参照）。
【００１８】
次に、絶縁樹脂層１２にエキシマレーザ加工機を用いて５０μｍφの開口部１３を形成した（図１（ｂ）参照）。エキシマレーザ加工の条件は、エネルギ密度１．０Ｊ／ｃｍ２  であった。
【００１９】
次に、開口部１３にベース基板１１をめっき電極にして電解銅めっき（電解銅めっき浴：硫酸銅２０ｇ／ｌ、硫酸７０ｇ／ｌ、塩酸５０ｐｐｍ、電流密度２Ａ／ｄｍ２  ）を行い、導体電極１４を形成した（図１（ｃ）参照）。
【００２０】
次に、基板表面上にスパッタリングにより銅をスパッタした後電解銅めっきして導体薄膜層１５を形成した（図１（ｄ）参照）。銅スパッタ層は３０００Å程度の膜厚で形成し、さらに電解銅めっきを行って、１〜３μｍ厚の導体薄膜層１５を形成した。
【００２１】
次に、導体薄膜層１５上に熱硬化型のエポキシ樹脂溶液をスクリーン印刷して塗膜を形成し、加熱硬化して第２絶縁樹脂層１６を形成した（図１（ｅ）参照）。
【００２２】
次に、第２絶縁樹脂層１６をエキシマレーザ加工にて配線パターン状に加工し、第２開口部１７を形成した（図１（ｆ）参照）。
【００２３】
次に、第２開口部１７にベース基板１１をめっき電極にして、電解銅めっき（電解銅めっき浴：硫酸銅２０ｇ／ｌ、硫酸７０ｇ／ｌ、塩酸５０ｐｐｍ、電流密度２Ａ／ｄｍ２  ）を行い、配線回路１８を形成した（図１（ｆ）参照）。
配線回路１８を形成した後、配線回路１８の表面を黒化（酸化）処理することで次に形成する第３絶縁樹脂層１９との密着性を向上することができる。
【００２４】
次に、熱硬化型のエポキシ樹脂溶液ををスクリーン印刷して塗膜を形成し、加熱硬化して、５０μｍ厚の第３絶縁樹脂層１９を形成した（図１（ｇ）参照）。
【００２５】
次に、ベース基板１１をエッチングによって除去した後、絶縁樹脂層１２ａを所定の剥離液によって剥離除去した。さらに、導体電極１４と接触している部分１５ａ以外の導体薄膜層１５をエッチングで除去して、検査電極２０及び配線回路基板４０を作製した（図１（ｉ）参照）。
これらの工程によって本発明の検査電極を有する配線基板を得ることができた。
【００２６】
＜実施例２＞
実施例１と同様の工程で、ベース基板２１として０．２ｍｍ厚のＣｕ板を用い、ベース基板２１上にめっきレジスト（ＰＭＥＲ：東京応化工業（  株）  製）をスピンコートによってコーティングし、絶縁樹脂層２２を形成した（図２（ａ）参照）。    次に、エキシマレーザ加工機を用いて３０μｍφの開口部２３を形成した。加工条件は実施例１と同様な工程で行った。
次に、開口部２３の底部に、ベース基板２１を電極とし、電解金めっきによって１μｍの金めっき層２４を形成した（図２（ｂ）参照）。
【００２７】
さらに、実施例１と同様な工程で、導体電極２５、導体薄膜層２６、第２絶縁樹脂層２７を形成し、第２絶縁樹脂層２７を配線パターン状に加工して第２開口部２８を形成し、第２開口部に電解銅めっきによって配線回路２９を形成し、第３絶縁樹脂層３０を形成した（図２（ｃ）〜図２（ｈ）参照）。
【００２８】
最後に、実施例１と同様な工程で、ベース基板２１をエッチングによって除去した後、絶縁樹脂層２２ａを所定の剥離液によって剥離除去した。さらに、導体電極２５と接触している部分２６ａ以外の導体薄膜層２６をエッチングで除去して、導体電極２５の先端に金めき層２４が形成された検査電極３１及び配線回路基板５０を作製した（図２（ｉ）参照）。
これらの工程によって、実施例２の検査電極を有する配線回路基板を得ることができた。
【００２９】
【発明の効果】
本発明の検査電極を有する配線回路基板を用いることにより、被検査基板との接触時に被検査基板を損傷させることなく導通をとることができる。また、本発明の検査電極の形成法では検査電極高さにバラツキがないため接触精度を上げることが可能である。基板自体が被検査体の凹凸を吸収するため従来のように異方性導電シートを必要としない。これによって微細ピッチの被検査体にも対応することが可能になる。また、電極の形状も比較的自由に設定できるため、従来よりも基板設計の自由度を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）〜（ｉ）は、本発明の検査電極を有する配線回路基板の実施例１の製造工程を示す部分断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｉ）は、本発明の検査電極を有する配線回路基板の実施例２の製造工程を示す部分断面図である。
【符号の説明】
１１、２１……ベース基板
１２、２２……絶縁樹脂層
１２ａ、２２ａ……開口部が形成された絶縁樹脂層
１３、２３……開口部
１４、２５……導体電極
１５、２６……導体薄膜層
１５ａ、２６ａ……エッチング処理された導体薄膜層
１６、２７……第２絶縁樹脂層
１６ａ、２７ａ……第２開口部が形成された第２絶縁樹脂層
１７、２８……第２開口部
１８、２９……配線回路
１９、３０……第３絶縁樹脂層
２０、３１……検査電極
２４……金めっき層
４０、５０……配線回路基板
【図１】
0003562166.tif 000002
【図２】
0003562166.tif 000003