(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも光取り出し側の材料を光学的に透明なものにて構成したエレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、発光層母体材料となるII族原料のガス、III族原料のガスのうち少なくとも一種のガスとVI族原料のガスとを反応炉内で反応させ、
さらに前記母体材料中に発光中心を添加してなる発光層を気相成長法を用いて形成する際に、
原料を反応炉に送り込むための輸送ガスが脱水ガスであり、
前記輸送ガスに含まれる水分が１００ｐｐｂ以下である、もしくは前記輸送ガスの露点が一１２０℃以上、一９０℃以下である脱水ガスであって、
前記脱水ガスを用いて原料を反応炉に輸送することであり、
前記II族原料が、ストロンチウム（Ｓｒ）、カルシウム（Ｃａ）、バリウム（Ｂａ）のいずれかに有機体を付加した物質であり、
該物質に対する原料加熱温度が、２３０℃を越え２５５℃未満であることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項２】
前記輸送ガスが、前記原料の容器より上流に設置される脱水手段により脱水されることを特徴とする請求項１に記載のエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項３】
前記輸送ガスが、不活性ガス、水素（Ｈ２）、または窒素（Ｎ２）であることを特徴とする請求項１に記載のエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項４】
前記III族原料が、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、アルミニウム（Ａｌ）に有機体を付加した物質のうち一種または二種以上からなることを特徴とする請求項１に記載のエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、例えば計器類の自発光型のセグメント表示やマトリクス表示、或いは各種情報端末機器のディスプレイなどに利用されるエレクトロルミネッセンス素子（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ、以下ＥＬ素子と記す）に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ＥＬ素子は硫化亜鉛（ＺｎＳ）  等の蛍光体に電界を印加した時に発光する現象を利用したもので、自発光型の平面ディスプレイを構成するものとして注目されている。図３は従来のＥＬ素子１０の典型的な断面構造を示した模式図である。ＥＬ素子１０は、絶縁性基板であるガラス基板１上に、光学的に透明なＩＴＯ膜から成る第一電極２、五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）  等から成る第一絶縁層３、発光層４、第二絶縁層５およびＩＴＯ膜から成る第二電極６を順次積層して形成されている。
【０００３】
ＩＴＯ膜は、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）  に錫（Ｓｎ）をドープした透明の導電膜で、低抵抗率であることから従来より透明電極として広く使用されている。発光層４としては、例えば硫化亜鉛（ＺｎＳ）  中の添加物の種類によって決まり、例えば発光中心としてテルビウム（Ｔｂ）、を添加した場合には黄緑色、サマリウム（Ｓｍ）を添加した場合には赤橙色、ツリウム（Ｔｍ）を添加した場合には青色、さらに硫化ストロンチウム（ＳｒＳ）  中に添加する発光中心としてセリウム（Ｃｅ）を添加した場合、青緑色の発光が得られる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上述の構造から成るＥＬ素子１０において、発光輝度を向上させるために発光層４の構成材料として例えばテルビウム（Ｔｂ）を添加した硫化亜鉛やセレン化亜鉛等き硫黄化合物やセレン化合物がＥＢ（電子ビーム）  蒸着法やスパッタリング法等で検討されており、近年ではＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）での検討も成されるようになってきた。
【０００５】
ＣＶＤ  法としては、例えばハロゲン元素ガス輸送によるものや、ハロゲン化合物を高温で気化させて反応炉内に輸送する方法等があげられる。しかし上記方法によれば、気化温度が高く、蒸気量の制御が困難であり、反応炉内に供給されるＩＩ族ガスとＶＩ族ガス、発光中心物質との比が変化する可能性が大きく、安定して高品質な発光層を得ることができない。
【０００６】
この問題を解決するために、有機金属、例えばジピバロイルメタン化合物を用いた有機金属気相成長（Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ，ＭＯＣＶＤ）法が注目されている。ＭＯＣＶＤ  法においては、一般に液体状の有機金属に水素（Ｈ２）をバブリングさせて、水素（Ｈ２）中に有機金属を含有させ、これを反応炉内に供給する方法をとっている。しかし希土類元素やアルカリ土類金属元素の有機金属は一般に常温で粉体（固体）であり、その融点も１５０  ℃以上である。そのため原料ガスの供給方法として希土類元素やアルカリ土類金属元素の有機金属を充填した原料容器内を加熱オーブン等で加熱し、水素（Ｈ２）等の輸送ガス（キャリアガス）を導入して、水素（Ｈ２）中に気化した有機金属を含有させ、これを反応炉内に供給する方法をとっている。
【０００７】
しかし有機金属が固体の場合には、熱による原料の分解等が発生するため、昇華によって原料ガスを多量に得ることは非常に困難である。そのため発光層母材を形成するにあたって、原料に固体の有機金属を用いた場合、１９９１年米国材料学会（ＭＲＳ）  シンポジウムのプロシーディング第２２２  巻Ｐ．３１５  〜Ｐ．３２０  に記載されているように、ある原料加熱温度を越えると原料が分解し始め、原料の持つ特性が変化し、発光層成長速度が大きくばらつくと報告されている。また発光層の形成速度についても、上記論文の記述事項から算出すると、実用的な膜厚の発光層を得るためには、生産には不向きな長時間の成膜が必要になり、問題である。このように原料である有機金属の昇華ガスを多量に得ようとして原料を加熱しても、実用的なガス量が得られる前に原料が熱分解をしてしまうため、原料供給量が非常に少量しか得られず、実用的な形成速度を得ることができなかった。
【０００８】
本発明は上記の課題を解決するために成されたものであり、ＥＬ素子を短時間で製造できる製造方法および製造装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため本発明の構成は、少なくとも光取り出し側の材料を光学的に透明なものにて構成したエレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、発光層母体材料となるII族原料のガス、III族原料のガスのうち少なくとも一種のガスとVI族原料のガスとを反応炉内で反応させ、さらに前記母体材料中に発光中心を添加してなる発光層を気相成長法を用いて形成する際に、原料を反応炉に送り込むための輸送ガスが脱水ガスであり、輸送ガスに含まれる水分が１００ｐｐｂ以下である、もしくは輸送ガスの露点が１２０℃以上、−９０℃以下である脱水ガスであり、前記脱水ガスを用いて原料を反応炉に輸送することであり、前記II族原料が、ストロンチウム（Ｓｒ）、カルシウム（Ｃａ）、バリウム（Ｂａ）のいずれかに有機体を付加した物質であり、該物質に対する原料加熱温度が、２３０℃を越え２５５℃未満であることを要旨とする。また関連発明の構成は前記輸送ガスが、前記原料の容器より上流に設置される脱水手段により脱水されることを特徴とする。本発明の特徴ある構成はさらに、前記輸送ガスが、不活性ガス、水素（Ｈ２）、または窒素（Ｎ２）であること、その他、前記III族原料が、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、アルミニウム（Ａｌ）に有機体を付加した物質のうち、一種または二種以上となっていることである。
【００１１】
【作用および発明の効果】
本発明によれば、発光中心元素を添加したＩＩ、ＩＩＩ  、ＶＩ族元素のうち少なくとも二種の元素から成る発光層を気相成長法を用いて形成する際に、ガス化した有機金属を反応炉まで輸送するための輸送ガス中に含まれる水分を除去することにより、水分による原料の分解を防ぐことができ、安定した原料供給が可能になる。さらに前述のように、反応炉まで原料を輸送するための輸送ガス中の水分を除去することにより、従来報告されていた原料の分解開始温度に達しても原料は安定して供給でき、従来分解開始温度とされていた温度を越えた温度に原料を加熱しても分解は生じず、実用的な膜厚の発光層をより短時間で形成することがわかる。その結果、高速で成膜できることから膜内に不純物が混入する割合が減り、成膜した発光層の性能が向上し、発光輝度が従来の３倍以上の強度を有するようになった。
【００１２】
【実施例】
以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説明する。
（構成）
図２は、本発明に係わるＥＬ素子１００の断面を示した模式図である。なお、図２の薄膜ＥＬ素子１００では矢印の方向に光を取り出している。薄膜ＥＬ素子１００は、絶縁性基板であるガラス基板１１上に順次以下の薄膜が積層形成され構成されている。なお以下、各層の膜厚はその中央部分を基準として述べてある。
【００１３】
ガラス基板１１上には、光学的に透明な酸化亜鉛（ＺｎＯ）  から成る第一透明電極（第一電極）１２が形成され、その上面には光学的に透明な五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）  から成る第一絶縁層１３、発光中心としてセリウム（Ｃｅ）を添加した硫化ストロンチウム（ＳｒＳ）  からなる発光層１４、光学的に透明な五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）  から成る第二絶縁層１５、光学的に透明な酸化亜鉛（ＺｎＯ）  から成る第二透明電極（第二電極）１６が形成されている。
【００１４】
このＥＬ素子１００を形成する装置として、特に発光層１４を形成するＭＯＣＶＤ  装置を図４に示す。このＭＯＣＶＤ  装置は基本的に通常よく知られたＭＯＣＶＤ  装置と機能構成は同じである。ただしＥＬ素子の発光層の形成装置として、図に示すように発光層を形成する原料となるビスジピバロイルメタン化ストロンチウム（Ｓｒ（Ｃ１１Ｈ１９Ｏ２）２）  の容器４１およびトリジピバロイルメタン化セリウム（Ｃｅ（Ｃ１１Ｈ１９Ｏ２）３）  の容器４２の上流側に輸送ガス（ここではアルゴン（Ａｒ））の流路が設けられると共に脱水手段として脱水フィルタ２８が設けられている。なお、それぞれの材料導入流路にはガス流量調節器（ＭＦＣ、マスフローコントローラ）５１、５２、５３が取り付けられている。そしてこのＭＯＣＶＤ  装置はプロセスガスをガラス基板２６の前面より供給し、反応生成後のプロセスガス（輸送ガス）は基板２６後方より各排気ポンプ２２、２１で排気できる構造としてある。
【００１５】
また、図４に示すノズルの実際の装置における配置は、ストロンチウム原料供給ノズル３１を中央に配置し、そのノズルの高さは他の硫黄（Ｓ）  原料供給ノズル３２の高さより高くしてある。またストロンチウム原料供給ノズル３１の外周を取り巻くように硫黄（Ｓ）  原料供給ノズル３２を配置してある。さらにストロンチウム原料供給ノズル３１は、ガラス基板２６の近くに位置している方が、原料供給に対する膜形成効率が高く、高速成長が可能である。ただしこの時、余りにもガラス基板２６に近すぎると、ガラス基板２６を加熱する温度でストロンチウム原料供給ノズル３１内にてストロンチウム原料が分解してしまうことがある。従ってストロンチウム原料供給ノズル３１とガラス基板２６とのクリアランスは、ガラス基板２６の加熱温度や硫化ストロンチウム（ＳｒＳ）  薄膜形成時の反応炉２４内の圧力にもよるが、本発明に関わる実験条件および実験設備によれば、概ね５０〜１５０ｍｍ  が良い。また図４中の成膜基板は、調温器付きのサセプタ２５に固定されており、熱電対を用いてフィードバック制御にて温度を管理した。また反応炉内の圧力は圧力計２７でモニタした。
【００１６】
次に、上述の薄膜ＥＬ素子１００の製造方法を以下に述べる。
（ａ）  まず上述のガラス基板１１上に第一透明電極１２を成膜した。蒸着材料としては、酸化亜鉛（ＺｎＯ）  粉末に酸化ガリウム（Ｇａ２Ｏ３）  を加えて混合し、ペレット状に成形したものを用い、成膜装置としてはイオンプレーティング装置を用いた。具体的には、上記ガラス基板１１の温度を一定に保持したままイオンプレーティング装置内を真空に排気し、その後アルゴン（Ａｒ）ガスを導入して圧力を一定に保ち、成膜速度が  ６〜１８ｎｍ／ｍｉｎの範囲となるようビーム電力及び高周波電力を調整した。
（ｂ）  次に、上記第一透明電極１２上に、五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）  から成る第一絶縁層１３をスパッタ法により形成した。具体的には、上記ガラス基板１１の温度を一定に保持し、スパッタ装置内にアルゴン（Ａｒ）ガスと酸素（Ｏ２）ガスの混合ガスを導入し、１ｋＷ  の高周波電力で成膜を行った。
（ｃ）  上記第一絶縁層１３上に、硫化ストロンチウム（ＳｒＳ）  を母体材料とし、発光中心としてセリウム（Ｃｅ）を添加した硫化ストロンチウム：セリウム（ＳｒＳ：Ｃｅ）発光層１４を、図４の概略図に示すＭＯＣＶＤ  装置を用いて形成した。
（ｄ）  発光層の形成方法として、前記ガラス基板１１を４００  ℃の温度に保持し、成膜室内を１．０Ｔｏｒｒ  の減圧雰囲気になるように、図４には図示しない圧力調節器にて圧力を調節した。ストロンチウム原料は、塩化物やフッ化物より昇華温度が格段に低く、温度制御性が優れていることからビスジピバロイルメタン化ストロンチウム（Ｓｒ（Ｃ１１Ｈ１９Ｏ２）２）  を用い、この原料を充填した原料容器４１を２１０  〜２６０  ℃の範囲内にて±１  ℃以内の精度で一定温度に保持した。
【００１７】
（ｅ）  ガス化したビスジピバロイルメタン化ストロンチウム（Ｓｒ（Ｃ１１Ｈ１９Ｏ２）２）  を反応炉に輸送するために用いたアルゴン（Ａｒ）ガスは、原料容器４１内に導入される直前に水分を除去するための脱水フィルタ２８を通して、水分が１ｐｐｂ  未満になるようにした。ただしこの時のアルゴン（Ａｒ）ガス中の水分量が１００ｐｐｂ未満の範囲であっても、ストロンチウム原料であるビスジピバロイルメタン化ストロンチウム（Ｓｒ（Ｃ１１Ｈ１９Ｏ２）２）  の分解開始温度は数℃低下するが、実用的な膜厚の発光層を短時間で得るためには支障のない範囲である。またこの脱水フィルタ２８の設置場所は、水分によって分解し易いストロンチウム原料（Ｓｒ（Ｃ１１Ｈ１９Ｏ２）２）  やセリウム原料（Ｃｅ（Ｃ１１Ｈ１９Ｏ２）３）  を反応炉２４内に輸送するための輸送ガス中の水分を除去することを目的としているため、この脱水フィルタ２８は各々の原料の上流でなければならない。
（ｆ）  脱水フィルタ２８を通過したアルゴン（Ａｒ）ガスにてビスジピバロイルメタン化ストロンチウム（Ｓｒ（Ｃ１１Ｈ１９Ｏ２）２）  を反応炉２４内に導入し、同時にアルゴン（Ａｒ）希釈した硫化水素（Ｈ２Ｓ）  を所定量流し、硫化ストロンチウム（ＳｒＳ）  薄膜を形成した。なおＶＩ族原料である硫黄（Ｓ）  の供給ガスとしては、硫黄（Ｓ）  に有機体を付加した物質でも構わず、この輸送ガスであるアルゴン（Ａｒ）ガスについても脱水フィルタで脱水しておくことが望ましい。
【００１８】
（ｇ）  同時に発光中心の添加方法としては、まず発光中心供給原料であるトリジピバロイルメタン化セリウム（Ｃｅ（Ｃ１１Ｈ１９Ｏ２）３）  を原料容器４２に充填し、この原料容器４２を１０５  ℃の一定温度に保持した。その際に昇華した原料ガスをアルゴン（Ａｒ）ガスを用いて反応炉２４に輸送した。発光中心を輸送するために用いるアルゴン（Ａｒ）ガスについても、脱水フィルタ２８を通すことにより１ｐｐｂ  未満の水分量とすることができる。
（ｈ）  次に、ジエチル亜鉛（Ｚｎ（Ｃ２Ｈ５）２）  と硫化水素（Ｈ２Ｓ）  を用いて、硫化亜鉛（ＺｎＳ）  薄膜を１００ｎｍ  形成し、上記セリウム添加硫化ストロンチウム（ＳｒＳ：Ｃｅ）と合わせて発光層１４とした。
（ｉ）  上記発光層１４上に五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）  から成る第二絶縁層１５を、上述の第一絶縁層１３と同様の方法で形成した。そして第二絶縁層１５上に、酸化亜鉛（ＺｎＯ）  膜から成る第二透明電極１６を、上述の第一透明電極１２と同様の方法により形成した。
【００１９】
なお各層の膜厚は、第一透明電極１２、第二透明電極１６が３００ｎｍ  、第一絶縁層１３、第二絶縁層１５が４００ｎｍ  、発光層１４が８００ｎｍ  であり、この発光層１４は１００ｎｍ  の硫化亜鉛（ＺｎＳ）  と７００ｎｍ  のセリウム添加硫化ストロンチウム（ＳｒＳ：Ｃｅ）から形成されている。
【００２０】
上記方法を用いて作成したセリウム添加硫化ストロンチウム（ＳｒＳ：Ｃｅ）薄膜の形成速度とストロンチウム原料であるビスジピバロイルメタン化ストロンチウム（Ｓｒ（Ｃ１１Ｈ１９Ｏ２）２）  をガス化させるときの原料加熱温度との関係を図１に示した。図１中に示す黒丸●印は本発明によるもので、原料加熱温度に対するセリウム添加硫化ストロンチウム（ＳｒＳ：Ｃｅ）薄膜形成速度の平均値を表し、白丸○印は従来法（脱水フィルタ無し）による原料加熱温度に対するセリウム添加硫化ストロンチウム（ＳｒＳ：Ｃｅ）薄膜形成速度の平均値を表している。また印の上限を示すラインは前記薄膜形成速度のばらつきの最大値を示し、下のラインはばらつきの同最小値を示している。
【００２１】
図１に示すように、従来法（白丸○印）の、水分を除去していないアルゴン（Ａｒ）ガスを用いた場合、２３０  ℃のストロンチウム原料加熱温度を超過すると原料供給が不安定になり硫化ストロンチウム（ＳｒＳ）  薄膜形成速度が大きくばらつく。ただし図１中に記されている従来法は、脱水フィルタで水分を除去しなかったアルゴン（Ａｒ）ガスを用いて、本実施例と同様の成膜を行った時のものであり、実際にはアルゴン（Ａｒ）ガスの露点が−６５  ℃であった。つまりそれはかなり水分を含んでいると言える。
【００２２】
露点が−９０  ℃のアルゴン（Ａｒ）ガスをプロセスガス（輸送ガス）として用いた場合には、上記従来法にて記載した特性より改善され、２５０  ℃をはるかに越えたあたりの温度で初めて、原料であるビスジピバロイルメタン化ストロンチウム（Ｓｒ（Ｃ１１Ｈ１９Ｏ２）２）  の分解が始まり、硫化ストロンチウム（ＳｒＳ）  薄膜の形成にばらつきが生じた。
【００２３】
本発明によれば、図１に記されているように、ストロンチウムの原料であるビスジピバロイルメタン化ストロンチウム（Ｓｒ（Ｃ１１Ｈ１９Ｏ２）２）  を加熱する温度が２５０  ℃までは成長速度が対数比例して増加し、２５０  ℃を越えるあたり、例えば２５５  ℃では、原料の分解による変質のため、硫化ストロンチウム（ＳｒＳ）  の成長速度は減少した。実際の硫化ストロンチウム（ＳｒＳ）  薄膜成長速度はストロンチウムの原料であるビスジピバロイルメタン化ストロンチウム（Ｓｒ（Ｃ１１Ｈ１９Ｏ２）２）  を加熱する温度が２５０  ℃の時に平均して  ８ｎｍ／ｍｉｎの成長速度を有し、７００ｎｍ  の硫化ストロンチウム（ＳｒＳ）  発光層を形成するために要する時間は１．５  時間足らずで、従来より大幅に短縮されており、またこの薄膜中の不純物成分を分析すると、混入した酸素（Ｏ）  原子は検出限界値を下回った。
【００２４】
またビスジピバロイルメタン化ストロンチウム（Ｓｒ（Ｃ１１Ｈ１９Ｏ２）２）  を加熱する温度が２３０  ℃以下の場合には、硫化ストロンチウム（ＳｒＳ）  薄膜の成長速度が遅く、例えば、φ１００ｍｍ  の範囲に７００ｎｍ  の厚さの硫化ストロンチウム（ＳｒＳ）  薄膜を形成するためには７時間以上かかり、実用上製造工程に時間が掛かりすぎる。さらにこのような形成速度では薄膜内に不純物の混入が問題であり、実際に２３０  ℃で形成した硫化ストロンチウム（ＳｒＳ）  薄膜中の成分を分析すると、ストロンチウム（Ｓｒ）や硫黄（Ｓ）  以外に酸素（Ｏ）  だけでなく炭素（Ｃ）  やその他同定できない不純物が検出されている。
【００２５】
従来では、先に示した文献においても硫化ストロンチウム（ＳｒＳ）  は水分に敏感である旨、触れられているが、ＥＬ素子製造の際に水分に対して注意を払った例はなく、本発明を適用することによって、初めてその効果が明確にされたものである。このように本発明による装置および方法を用いることにより、セリウム添加硫化ストロンチウム（ＳｒＳ：Ｃｅ）薄膜形成速度が著しく向上し、さらにこの薄膜の不純物汚染が減少し、優れた発光層を形成できることになった。
【００２６】
上記発光層形成技術を用いてＥＬ素子を作成し、その発光輝度と印加電圧との関係を図５に示した。この時の測定条件は、６０Ｈｚのパルス電圧を印加、最大電圧は２５０Ｖとした。図５に示した従来法とは、低速で、即ちビスジピバロイルメタン化ストロンチウム（Ｓｒ（Ｃ１１Ｈ１９Ｏ２）２）  の加熱温度を２３０  ℃以下で昇華させた原料ガスを用いた時の成長速度での硫化ストロンチウム（ＳｒＳ）  薄膜を形成した発光層を持つＥＬ素子の発光特性を示すものである。図５から判るように、従来法に比べて著しい輝度向上が認められ、さらにしきい電圧でも低電圧側に移動しており、扱い易いＥＬ素子が実現している。
【００２７】
このように、セリウム添加硫化ストロンチウム（ＳｒＳ：Ｃｅ）発光層を作製するにあたって、成長速度が発光特性に大きく影響を及ぼしていることが明らかとなり、この成長速度を本発明によって高めることができ、従来の成膜速度のおよそ５倍で成膜できる。従ってこの硫化ストロンチウム（ＳｒＳ）  薄膜の製造工程を著しく短縮させ、製造コストを大幅に減少させることができた。
【００２８】
（第二実施例）
また本実施例では、セリウム（Ｃｅ）を添加した硫化ストロンチウム（ＳｒＳ）  薄膜、即ち硫化ストロンチウム：セリウム（ＳｒＳ：Ｃｅ）から成る二元系発光母材について示したが、本発明の効果は二元系発光母材に限定されるものではない。例えば、本実施例のＭＯＣＶＤ  装置において、ＩＩＩ  族元素の材料であるトリメチルガリウム（Ｇａ（ＣＨ３）３，ＴＭＧ）の供給ラインを追加することによって、セリウム添加の四硫化二ガリウムストロンチウム（ＳｒＧａ２Ｓ４：Ｃｅ）等の三元系発光母材を形成することができる。三元系発光母材は例えば、ディスプレイ情報学会国際会議技術論文ダイジェスト（ＳＩＤ  ９３  ＤＩＧＥＳＴ，ｐｐ．７６１−７６４）などにその例が示されているが、このようなＩＩ−ＩＩＩ  −ＶＩ族元素から成る三元系発光層を持つＥＬ素子においても本発明を適用することで本実施例と同様な効果が得られる。
【００２９】
なおその他、ＶＩ族元素としては硫黄（Ｓ）  の他に、セレン（Ｓｅ）の水素化物もしくはセレン（Ｓｅ）に有機体が付加した物質で成膜する場合もあるが、やはり同様に本発明の適用で同様の効果がある。
【００３０】
請求項でいう脱水手段とは、輸送ガス中に含まれる水蒸気を物理的手段もしくは化学的手段により除去するということである。具体的には脱水フィルタとして市販されているものや液体窒素による水分トラップ、乾燥剤によるトラップなどがあげられるが、輸送ガスから水分が除去でき輸送ガス自体が変質しない脱水手段であればどのような手段によっても構わない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例に係るＥＬ素子の発光層形成速度と原料加熱温度との関係を表した説明図である。
【図２】本発明の実施例に係るＥＬ素子の縦断面を示した模式図である。
【図３】従来のＥＬ素子の縦断面を示した模式図である。
【図４】本発明の実施例に係るＥＬ素子の発光層を形成するために用いる有機金属気相成長装置の概略図である。
【図５】本発明の実施例に係るＥＬ素子の発光輝度と印加電圧との関係を示した説明図である。
【符号の説明】
１０、１００  ＥＬ素子
１、１１  ガラス基板
２、１２  第一透明電極（第一電極）
３、１３  第一絶縁層
４、１４  発光層
５、１５  第二絶縁層
６、１６  第二透明電極（第二電極）
２１  ロータリポンプ
２２  メカニカルブースタポンプ
２３  ゲートバルブ
２４  反応炉
２５  ヒータ付きサセプタ
２６  ガラス基板
２７  圧力計
２８  脱水フィルタ（脱水手段）
３１  ビスジピバロイルメタン化ストロンチウム（Ｓｒ（Ｃ１１Ｈ１９Ｏ２）２）  及びトリジピバロイルメタン化セリウム（Ｃｅ（Ｃ１１Ｈ１９Ｏ２）３）  供給ノズル
３２  硫化水素（Ｈ２Ｓ）  供給ノズル
４１  （Ｓｒ（Ｃ１１Ｈ１９Ｏ２）２）  加熱容器
４２  （Ｃｅ（Ｃ１１Ｈ１９Ｏ２）３）  加熱容器
５１  （Ｓｒ（Ｃ１１Ｈ１９Ｏ２）２）  用流量調節器
５２  硫化水素（Ｈ２Ｓ）  用流量調節器
５３  （Ｃｅ（Ｃ１１Ｈ１９Ｏ２）３）  用流量調節器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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