(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
内面反射型の第１オプティカルインテグレータと、
光源からの光を前記第１オプティカルインテグレータの光入射部に集光する第１の集光系と、
振幅分割型の第２オプティカルインテグレータと、
前記第２オプティカルインテグレータからの複数の光束を被照明面上に互いに重ねる第２の集光系と、
前記内面反射型オプティカルインテグレータの光出射部を前記振幅分割型オプティカルインテグレータ上に結像する結像系と、
前記内面反射型オプティカルインテグレータの前記光出射部を、前記第２の集光系の光軸と交差する方向に動かすことにより、前記第２のオプティカルインテグレータと前記結像系に対して変位させる駆動手段とを備えることを特徴とする照明装置。
【請求項２】
前記駆動手段は、前記光出射部を光軸に対して直交する方向に移動させることを特徴とする請求項１記載の照明装置。
【請求項３】
前記駆動手段は、前記第１のオプティカルインテグレータに入射する光の損失がない範囲で前記第１のオプティカルインテグレータを前記直交する方向に移動させることを特徴とする請求項２記載の照明装置。
【請求項４】
前記第１の集光系の少なくとも一部の光学素子を前記第１のオプティカルインテグレータの移動に連動して光軸に対して直交する方向に移動させることを特徴とする請求項１記載の照明装置。
【請求項５】
前記駆動手段は、前記第１のオプティカルインテグレータを前記光軸と直交する軸のまわりに回転させることを特徴とする請求項１記載の照明装置。
【請求項６】
互いに異なる条件で被照明面を照明する複数の照明モードを有し、照明モード毎の前記第１のオプティカルインテグレータの駆動量を記憶する記憶手段を有し、前記照明モードの変更に際して前記記憶手段に記憶された情報に基づいて前記第１のオプティカルインテグレータを駆動することを特徴とする請求項１記載の照明装置。
【請求項７】
前記第１のオプティカルインテグレータからの光が入射する透明な平行平板を有し、前記平行平板の光軸に対する傾きを変えることによって前記第２のオプティカルインテグレータの光入射面上の光強度分布を変化させることを特徴とする請求項１記載の照明装置。
【請求項８】
内面反射型の第１オプティカルインテグレータと、
光源からの光を前記第１オプティカルインテグレータの光入射部に集光する第１の集光系と、
振幅分割型の第２オプティカルインテグレータと、
前記第２オプティカルインテグレータからの複数の光束を被照明面上に互いに重ねる第２の集光系と、
前記内面反射型オプティカルインテグレータの光出射部を前記振幅分割型オプティカルインテグレータ上に結像する結像系とを備え、
前記内面反射型オプティカルインテグレータの前記光出射部は、前記第２の集光系の光軸と交差する方向に、前記第２のオプティカルインテグレータと前記結像系に対して変位していることを特徴とする照明装置。
【請求項９】
パターンが形成されたレチクルを照明する請求項１乃至８のいずれか一つに記載された照明装置と、前記パターンをウエハに投影する投影光学系とを有することを特徴とする投影露光装置。
【請求項１０】
前記照明装置のテレセントリック性を検出する検出手段を更に備え、
該検出手段の検出結果に基づいて前記第１のオプティカルインテグレータを駆動することを特徴とする請求項９記載の投影露光装置。
【請求項１１】
ウエハにフォトレジストを塗布する工程と、
請求項９又は１０記載の投影露光装置を使用して前記ウエハをレチクル上のパターンで露光転写する工程と、
前記パターンが露光されたウエハを現像する工程とを含むことを特徴とするデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明が属する技術分野】
本発明は、照明装置、投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法に関し、特に、半導体素子等のデバイスの製造の際のリソグラフィ工程に用いられる投影露光装置に好適に用いられる照明装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
最近の超ＬＳＩ等の高集積化を図った半導体素子の製造用の投影露光装置には回路パターンの焼き付けの際に照度分布の均一性とともに、ウエハ（基板）上に入射する光束のテレセントリック性の高いものが要求されている。
【０００３】
一般に半導体素子は複数回のリソグラフィ工程を経て製造される。従って、ウエハに入射する光束のテレセントリック性が崩れてくると、前回のリソグラフィ工程によって段差が生じたウエハの表面に、今回の工程で別の回路パターンを重ね合わせて露光する際に像ズレが生じ、結果として高精度の半導体素子が得られないという問題があるためである。ウエハに入射する光束のテレセントリック性が崩れる原因としては、たとえば、
ｉ）投影系の製造時誤差による幾何光学的ずれに起因するもの
ｉｉ）投影系の光学素子の誘電体多層膜の透過率の不均一性による光量重心のずれに起因するもの
ｉｉｉ）照明系の製造時誤差、照明系の開口数と投影系の開口数の比で表される値σ（シグマ）を変更する際や、照明方法（通常照明か斜入射照明か）を変更する際の可動部の移動誤差による幾何光学的ずれに起因するもの
ｉｖ）照明系の光学素子の誘電体多層膜の透過率の不均一性による光量重心のずれに起因するもの
等がある。もちろんこれらが単独でおこるのみならず、これらのいくつかが同時に発生する場合もある。
【０００４】
この被照明面上でのテレセントリック性の崩れを補正するために、例えば特開平０９−０２６５５４号公報に開示された投影露光装置では、照明系の光路内に振幅分割オプティカルインテグレータであるハエの目レンズを２つ直列に配置し、前段のハエの目レンズの出射光で後段のハエの目レンズの光入射面をケーラー照明し、後段のハエの目レンズを前群と後群の２群構成として、後群を前群に対して光軸と垂直な平面内に平行移動させることで後段のハエの目レンズからの出射光束の方向を変化させることにより投影系の像面上での光束のテレセントリック性を調整している。
【０００５】
またこの公報の従来例として示された技術においては、ハエの目レンズ以降の光学系の一部を光軸と垂直な方向または光軸方向に移動させることにより投影系の像面でのテレセントリック性を調整している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記公報に開示された調整方法では、後段のハエの目レンズの後群のシフトによって後段のハエの目レンズからの出射光束の進行方向が変化するが、その際、後段のハエの目レンズによって被照明面をケーラー照明する形態であるため、照明光による照明領域が横ずれすることになる。そのためテレセントリック性の調整を可能にするためには、必要な照明領域よりも大きな範囲を照明光で照明する必要があり、照明光の利用効率の低下を招いていた。それは、結果として、スループットの低下へつながることになる。
【０００７】
また上記公報の従来例に示された技術においても同様に、半導体素子製造用の装置としては、必要な被照射領域よりも大きな範囲を照明光で照明しなければならないという問題がある。
【０００８】
そこで、本発明は、照明光の利用効率を低下させることなく、像面上のテレセントリック性を調整することが出来る照明装置を提供することを課題としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するための第１の発明は、内面反射型の第１オプティカルインテグレータと、
光源からの光を前記第１オプティカルインテグレータの光入射部に集光する第１の集光系と、
振幅分割型の第２オプティカルインテグレータと、
前記第２オプティカルインテグレータからの複数の光束を被照明面上に互いに重ねる第２の集光系と、
前記内面反射型オプティカルインテグレータの光出射部を前記振幅分割型オプティカルインテグレータ上に結像する結像系と、
前記内面反射型オプティカルインテグレータの前記光出射部を、前記第２の集光系の光軸と交差する方向に動かすことにより、前記第２のオプティカルインテグレータと前記結像系に対して変位させる駆動手段とを備えることを特徴とする照明装置である。
第２の発明は、第１の発明において、前記駆動手段は、前記光出射部を光軸に対して直交する方向に移動させることを特徴とする照明装置である。
第３の発明は、第２の発明において、前記駆動手段は、前記第１のオプティカルインテグレータに入射する光の損失がない範囲で前記第１のオプティカルインテグレータを前記直交する方向に移動させることを特徴とする照明装置である。
第４の発明は、第１の発明において、前記第１の集光系の少なくとも一部の光学素子を前記第１のオプティカルインテグレータの移動に連動して光軸に対して直交する方向に移動させることを特徴とする照明装置である。
第５の発明は、第１の発明において、前記駆動手段は、前記第１のオプティカルインテグレータを前記光軸と直交する軸のまわりに回転させることを特徴とする照明装置である。
第６の発明は、第１の発明において、互いに異なる条件で被照明面を照明する複数の照明モードを有し、照明モード毎の前記第１のオプティカルインテグレータの駆動量を記憶する記憶手段を有し、前記照明モードの変更に際して前記記憶手段に記憶された情報に基づいて前記第１のオプティカルインテグレータを駆動することを特徴とする照明装置である。
第７の発明は、第１の発明において、の前記第１のオプティカルインテグレータからの光が入射する透明な平行平板を有し、前記平行平板の光軸に対する傾きを変えることによって前記第２のオプティカルインテグレータの光入射面上の光強度分布を変化させることを特徴とする照明装置である。
第８の発明は、内面反射型の第１オプティカルインテグレータと、
光源からの光を前記第１オプティカルインテグレータの光入射部に集光する第１の集光系と、
振幅分割型の第２オプティカルインテグレータと、
前記第２オプティカルインテグレータからの複数の光束を被照明面上に互いに重ねる第２の集光系と、
前記内面反射型オプティカルインテグレータの光出射部を前記振幅分割型オプティカルインテグレータ上に結像する結像系とを備え、
前記内面反射型オプティカルインテグレータの前記光出射部は、前記第２の集光系の光軸と交差する方向に、前記第２のオプティカルインテグレータと前記結像系に対して変位していることを特徴とする照明装置である。
第９の発明は、パターンが形成されたレチクルを照明する第１乃至８のいずれか一つの発明の照明装置と、前記パターンをウエハに投影する投影光学系とを有することを特徴とする投影露光装置である。
第１０の発明は、第９の発明において、前記照明装置のテレセントリック性を検出する検出手段を更に備え、
該検出手段の検出結果に基づいて前記第１のオプティカルインテグレータを駆動することを特徴とする投影露光装置である。
第１１の発明は、ウエハにフォトレジストを塗布する工程と、
第９又は１０の発明の投影露光装置を使用して前記ウエハをレチクル上のパターンで露光転写する工程と、
前記パターンが露光されたウエハを現像する工程とを含むことを特徴とするデバイスの製造方法である。
【００１０】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の実施形態１の照明装置をレチクルを照明するための照明系として用いた投影露光装置の要部概略図である。同図の装置はＬＳＩやＶＬＳＩ等の半導体チップやＣＣＤ、磁気センサ、液晶素子等のデバイスを製造するステップ＆リピート型、またはステップ＆スキャン型投影露光装置の場合を示している。
【００１１】
図１において、１はＡｒＦエキシマレーザやＫｒＦエキシマレーザ等のレーザ光源である。２は光源１からのコヒーレントなレーザ光束をインコヒーレント化し、基板（ウエハ）１３上で干渉縞によるスペックルが生じないようにするためのインコヒーレント化光学系（干渉性低減手段）、３はインコヒーレント化光学系２からの光束を所望のビーム形状に整形するための光束整形光学系、４は射出角度保存用の光学素子であり、それに入射する光束の変位にかかわらず、射出角度を一定とする光学作用を有している。
【００１２】
５は集光光学系であり、光学素子４からの光束を集光してオプティカルパイプ（光束混合手段）６の光入射面６ａに導光している。パイプ６は、正三角形、正方形、正六角形の断面を持つ柱状であり、入射光をその側面で多数回反射させることで、集光光学系５からの光束を混合しつつ、多数の虚光源を作りだすことでその光出射面６ｂに均一な照度分布を形成している。このパイプ６を内面反射型のオプティカルインテグレータとも言う。
【００１３】
７は駆動手段であり、光束混合手段６を光軸と直交する方向に移動させることで、光出射面６ｂでの光束の光強度分布を同直交方向に変位させる。これによって結像系８を介してに、多光束発生手段９の光入射面９ａ上での光強度分布の重心位置が変位することにより、基板１３上での光束の（軸上結像光束の）テレセントリック性が調整される。
【００１４】
８はズーム光学系（結像光学系）であり、パイプ６からの光束を多光束発生手段９の光入射面９ａに種々の倍率で投影できる。このパイプ６の光出射面６ｂと多光束発生手段９の光入射面９ａとは略共役な関係となっている。
【００１５】
多光束発生手段９は多数の素子レンズからなるハエの目レンズであり、その光出射面９ｂに複数の２次光源像より成る有効光源を形成している。２０はその有効光源の大きさや形状を決める開口絞りである。この開口絞り２０の開口の大きさ（σ値）や開口の形状を変更することで、先に述べた照明モードの変更を行っている。
【００１６】
１０はコンデンサーレンズ等を含む照射手段であり、多光束発生手段９の各素子レンズからの光束をマスク（レチクル）１１上で重畳することによりマスク１１を均一にケーラー照明している。多光束発生手段９を波面分割型オプティカルインテグレータとも言う。
【００１７】
１２は投影光学系であり、光出射側がテレセントリックな系より成りレチクル１１面上のパターンをウエハ（基板）１３面上に縮小投影している。１４は検出器であり、入射光束の光量分布の重心を検出することによって基板１３面上に入射する光束のテレセントリック性を検出している。
【００１８】
出射角度保存用の光学素子４は、例えば図８（Ａ）に示すようにアパーチャ（絞り）２１とレンズ系２２からなる。そして入射光束が例えば光束２７Ａ（光束中心２７ａ）から光束２８Ａ（光束中心２８ａ）と光軸と直交する方向に微小変動して入射したとしても、この光学素子４より出射される光束の出射角度２９ａが一定となる。
【００１９】
また出射角度保存用の光学素子４は、図８（Ｂ）に示すように、複数の微小レンズ２３より成るハエの目レンズで構成しても良く、この場合は光束の出射角度２９ｂはハエの目レンズ２３の形状により決定される。この場合も入射光束が微小変動して光束２７Ｂ（光束中心２７ｂ）又は、光束２８Ｂ（光束中心２８ｂ）の状態で入射したとしても、素子４から出射される光束の出射角度２９ｂが一定となる。
【００２０】
図２は、本発明の第１の実施形態でのテレセントリック性を調整する際の動作の説明図である。
【００２１】
図２（Ａ）は基準状態であり、オプティカルパイプ６、ズーム光学系８、ハエの目レンズ９の中心位置が全て光軸上に配置されている。
【００２２】
その際のハエの目レンズ９の光入射面９ａでの光強度分布を９ａＡとして示す。光強度分布９ａＡは、光軸に対し対称な照度分布となっている。
【００２３】
図２（Ｂ）はテレセントリック性の調整動作を行った場合であり、オプティカルパイプ６が図中矢印の方向へ基準状態から移動している。このようにオプティカルパイプ６を移動させた結果ハエの目レンズ９の光入射面９ａでの光強度分布は９ａＢで示す様になり、結果として、ハエの目レンズ９の光出射面９ｂに形成される有効光源の重心位置が変わるので、基板１３上でのテレセントリック性を調整することができる。このような調整は投影露光装置自身の製造時や出荷時、又投影露光装置を稼動している際の照明モードの変更時や光学部品の経時変化が生じた場合等、テレセントリック性が変化したと思われる際に随時行われるものである。
【００２４】
図３には、オプティカルパイプ６の光入射面６ａの部分の拡大図を示す。
【００２５】
オプティカルパイプ６の初期位置（中心が光軸に一致する位置）を６＿０とし、テレセントリック性の調整のために駆動した位置の例を６＿１、６＿２とすると、集光光学系５により集光されてオプティカルパイプ６の光入射面６ａを目指す光束は、オプティカルパイプ６が最大量変位してもオプティカルパイプ６に入射せずに洩れ出す光がないような光入射面６ａ内の範囲のみを照射するよう構成している。従ってテレセントリック性の調整のためオプティカルパイプ６を移動させたとしても照度の低下は生じない。
【００２６】
上記のテレセントリック性の調整は、検出器１４の結果を駆動手段７にフィードバックして自動的に所望の良好な状態となるように行ってもよいし、検出器の結果により作業者が調整作業として行ってもよい。
【００２７】
又、あらかじめ照明モード毎に最適とされた調整位置を図示しない記憶手段に記憶しておき、照明モードの切り替え時に記憶された位置情報に基づいてオプティカルパイプ６の駆動を行ってもよい。
【００２８】
また、予め期間を定めておき、その期間が経過した後で、かつ装置の基板への露光を妨げないときに、上記の照明モード毎に最適な調整位置を求めて記憶する作業を行ってもよい。
【００２９】
次に本発明の実施形態２について説明する。
【００３０】
図４は、図３と同様に、オプティカルパイプ６の光入射面６ａ付近の拡大図であり、実施形態２の実施形態１との差異はこの図で示される範囲内のみで、他の要部の構成及び機能は同一であるので説明を省く。図４中、４１は光学素子４の駆動手段であり、５１は集光光学系５の駆動手段である。
【００３１】
内面反射型のオプティカルインテグレータであるオプティカルパイプ６の性質として出射端での照度分布の均一化度合はオプティカルパイプ内での反射回数に略比例する。オプティカルパイプに入射する光束の発散角又は収束角を一定とするならば、光入射面（すなわちオプティカルパイプの径）が小さい（細い）ほど反射回数は多くなり、またオプティカルパイプの全長（光軸方向）が長いほど反射回数は多くなる。
【００３２】
しかし装置の寸法や得られる硝材の長さ、透過率の低下等からオプティカルパイプの全長を際限なく伸ばすことは不可能であり、実現可能な長さを定めた後は径を小さくすることで反射回数を多くする様に努める。従ってともすればこの径は小さくなりがちである。
【００３３】
実施形態１ではオプティカルパイプ６の移動の際の光の損失をなくすために、オプティカルパイプ６の光入射面６ａよりも小さい範囲に入射光を集光させたが、オプティカルパイプの光入射面が小さい場合、それよりもさらに小さい範囲に光を集中させるため、光入射面での光強度が高くなって硝材を劣化させて透過率を落とす懸念がある。
【００３４】
そこで、本実施形態では上の懸念に対し、光学素子４及び集光光学系５をもオプティカルパイプ６の移動と連動して移動させることで、オプティカルパイプ６の光入射面６ａに可能なかぎり広く入射光を照射することで光入射面での光強度を低下させ、硝材の劣化を防ぐようにしている。
【００３５】
尚、図４では光学素子４、集光光学系５、オプティカルパイプ７は各々個別に駆動手段を持っているが、一体に連結してまとめて駆動してもよい。
【００３６】
次に本発明の実施形態３について説明する。
【００３７】
図５は、本実施形態の投影露光装置の要部概略図であり実施形態１との差異は、オプティカルパイプ（光束混合手段）６０が駆動手段７１により光入射面６０ａ付近を回転中心として微小角度回転可能なことである。この構成によりオプティカルパイプ６０の光出射面６０ｂは、光軸と垂直な平面内において移動したこととほぼ同じように光軸直交方向へ変位することになり、実施形態１で既に述べた様にハエの目レンズの光入射面９ａ上での光強度分布が光軸直交方向へ移動することにより、基板１３上でのテレセントリック性が調整される。
【００３８】
一般にオプティカルパイプは光出射部での照度分布の均一化を高めるために、その径に比べて長さが極端に長くなっている。そのためテレセントリック性の調整に必要なオプティカルパイプの回転量は微小であるので、回転させてもオプティカルパイプの前後での光束の発散角又は収束角の変化は微小であり、この回転による光学諸性能の変化は無視することが出来る。
【００３９】
本実施形態においてはオプティカルパイプ６０の光入射面６０ａが光軸に対してほとんど移動しないため、光入射面６０ａへの集光光学系５からの光束の集光度を下げることができ、オプティカルパイプ６０の劣化を防ぐことができる。
【００４０】
次に本発明の実施形態４について説明する。
【００４１】
図６は本実施形態４の投影露光装置の要部概略図であり、実施形態１との差異は、オプティカルパイプ６とズーム光学系８の間に第２の調整手段７２があることである。
【００４２】
図７は第２の調整手段付近の拡大図である。第２調整手段７２は例えば透明な平行平板からなり、駆動手段７３により照明系の光軸に対し傾けられる様に構成されている。
【００４３】
図７（Ａ）は基準状態であり、オプティカルパイプ（光束混合手段）６、ズーム光学系（結像系）８、ハエの目レンズ（多光束発生手段）９の光中心が全て光軸に一致する一直線上に配置されており、また第２調整手段７２の光入射面７２ａ及び光出射面７２ｂは光軸と垂直に成っている。
【００４４】
この場合のハエの目レンズ９の光入射面９ａでの光強度分布９ａＡ６は、光軸に対し対称な照度分布となっている。
【００４５】
これに対し図７（Ｂ）はオプティカルパイプ６の位置は基準状態のまま第２調整手段のみを駆動した場合を示す。第２調整手段７２によりオプティカルパイプ６からの光束は光軸と垂直な平面内で水平移動し、それがズーム光学系８を経てハエの目レンズ９の光入射面９ａ上に結像する。その結果、ハエの目レンズ９の光入射面９ａでの光強度分布９ａＢ６は、光強度分布９ａＡ６を光軸に垂直な方向に移動した分布となり、基板１３上でのテレセントリック性を調整することができる。
【００４６】
このテレセントリック性を調整する手段を２つ用いる系では、例えばオプティカルパイプ６が大きく且つ重く照明モード毎の駆動に不適な場合などでも、オプティカルパイプ６の移動によるテレセントリック性の調整は全照明モードのバランスを取る位置とし、残った照明モード毎の微調整を第２調整手段７２で行う等して、照明モード毎のテレセン調整を行うことができる。
【００４７】
また、例えばオプティカルパイプ６によるテレセントリック性の調整は工場製造時にのみ行い、以後のテレセントリック性の自動調整は第２の調整手段で行うことにすれば、オプティカルパイプ６の駆動手段７を省略することができる。
【００４８】
また、第２の調整手段７２はオプティカルパイプの径とさほど違わない径とすることが出来るので、駆動手段等を簡易に設計することができる。
【００４９】
さらに、オプティカルパイプ６の移動はテレセントリック性に対する敏感度が高いが、第２の調整手段７２を本実施形態のように平行平板の傾きを変化させることで実現した場合は比較的敏感度を低くすることができる。
【００５０】
図６ではオプティカルパイプ６を光軸と垂直平面内で水平移動させる場合を示しているが、実施形態３の様にその光入射部にある光軸と直交する軸の周りでオプティカルパイプを回転させる構成でも構わない。
【００５１】
上記の第２調整手段７２によるテレセントリック性の調整は、検出器１４の結果により自動的に所望の良好な状態となるように行ってもよいし、検出器１４の結果により作業者が調整作業として行ってもよい。
【００５２】
又、あらかじめ照明モード毎に最適とされた調整位置を記憶しておき、照明モードの切り替え時に記憶された位置情報に基づいてオプティカルパイプ６や第２調整手段７２の駆動を行ってもよい。
【００５３】
また、予め期間を定めておき、その期間が経過した後で、かつ装置の基板への露光を妨げないときに、上記の照明モード毎に最適な調整位置を求めて記憶する作業を行ってもよい。
【００５４】
次に、上記説明した種々の露光装置を利用した半導体デバイスの製造方法の実施形態を説明する。
【００５５】
図９は、半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、あるいは液晶パネルやＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。ステップ１（回路設計）では、半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）では、設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ３（ウエハ製造）では、シリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は、前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）では、ステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ステップ７）される。
【００５６】
図１０は、図９のステップ４のウエハプロセスの詳細なフローチャートである。ステップ１１（酸化）では、ウエハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）では、ウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）では、ウエハ上に電極を蒸着等によって形成する。ステップ１４（イオン打ち込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）ではウエハに感光材を塗布する。ステップ１６（露光）では、上記説明した露光装置によってマスクの回路パターンをウエハに露光する。ステップ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ１８（エッチング）では、現像したレジスト像以外の部部を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウエハに多重に回路パターンが形成される。
【００５７】
本実施形態の製造方法を用いれば、従来は製造が難しかった高精度の半導体デバイスを製造することができる。
【００５８】
【発明の効果】
以上説明した各実施形態によれば、被照明面へ至る照明光の効率を低下させることなく、基板上へのテレセントリック性のずれを適切に調整することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態１の投影露光装置の要部概略図である。
【図２】本発明の実施形態１でのテレセントリック性の調整の動作の説明図である。
【図３】本発明の実施形態１でのオプティカルパイプの光入射面６ａ付近の拡大図である。
【図４】本発明の実施形態２でのオプティカルパイプの光入射面６ａ付近の拡大図である。
【図５】本発明の実施形態３の投影露光装置の要部概略図である。
【図６】本発明の実施形態４の投影露光装置の要部概略図である。
【図７】本発明の実施形態４での第２調整手段の動作の説明図である。
【図８】出射角度保存用光学素子４の説明図である。
【図９】半導体デバイス製造のフローチャートである。
【図１０】図９のウエハプロセスのフローチャートである。
【符号の説明】
１  レーザ
２  干渉性低減手段
３  ビーム整形手段
４  光束振動抑制手段
５  集光光学系
６  光束混合手段
７  テレセン調整手段
８  結像系（ズーム）
９  多光束発生手段
１０  照射手段
１１  被照射面（レチクル）
１３  投影光学系
１２  基板（ウエハ）
１３  検出器
【図１】
0003599648.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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