(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被パターン形成下地上に、アルコキシ基を有するポリ（シロキサン）誘導体であるポリ（アルコキシシロキサン）と、露光によって酸を発生する酸発生剤とを有してなる感光性樹脂組成物を塗布して樹脂組成物層を形成し、続いて、この樹脂組成物層に第一の露光処理、第一の加熱処理、フッ酸による処理、第二の加熱処理を順次行うことを特徴とする感光性樹脂組成物を用いたパターン形成方法。
【請求項２】
被パターン形成下地上に、アルコキシ基を有するポリ（シロキサン）誘導体であるポリ（アルコキシシロキサン）と、露光によって酸を発生する酸発生剤とを有してなる感光性樹脂組成物を塗布して樹脂組成物層を形成し、続いて、この樹脂組成物層に第一の露光処理、第一の加熱処理、フッ酸による処理、第二の露光処理、第二の加熱処理を順次行うことを特徴とする感光性樹脂組成物を用いたパターン形成方法。
【請求項３】
前記ポリ（アルコキシシロキサン）が、以下の式（１）で表される化合物か、式（２）で表される化合物か、もしくは式（１）で表される化合物と式（２）で表される化合物との共重合体である、
【化１】
0003563138.tif 000007
（ただし、式（１）、式（２）中のＲ１  、Ｒ２  、Ｒ３  、Ｒ４  はアルキル基を表し、これらは単位中において互いに同一であっても異なっていてもよく、また繰り返し間において同一であっても異なっていてもよい。また、ｍ、ｎは重合度を表す正の整数である。）
ことを特徴とする請求項１又は２記載の感光性樹脂組成物を用いたパターン形成方法。
【請求項４】
前記フッ酸による処理が、フッ酸溶液との直接接触またはフッ酸蒸気との接触によってなされることを特徴とする請求項１、２又は３記載の感光性樹脂組成物を用いたパターン形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、半導体装置などの製造、特に能動素子や配線パターンなどの基板加工に適用される、感光性樹脂組成物を用いたパターン形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置を製造するにあたり、その基板加工を行うには、例えばＬＳＩを製造するにあたってその金属配線パターンを形成する場合、被加工基板の全面に配線用金属膜を形成し、この上にレジスト膜を形成した後露光によるパターニングを行う。そして、このレジストパターンをマスクとして金属膜をエッチングし、レジストを除去することにより、所定パターンの金属配線を得る。
ところで、近年ではＬＳＩの高集積化、高速化に伴い、配線パターンの超微細化や多層抵抗を下げるためアスペクト比を大きくする傾向にあり、さらにこのような高アスペクト比となることから、多層配線を行うと被加工基板上の段差が著しく大きくなっている。
【０００３】
しかし、このように被加工基板上の段差が著しく大きくなると、被加工基板上にレジストパターンを形成するにあたって以下に述べる不都合が生ずる。
すなわち、目的とする寸法のレジストパターンを、縮小投影露光装置を用いて形成しようとした場合、被加工基板上の段差が大きいと、許容焦点深度の範囲以内で段差上に精度よく形成することが困難になる。特に、サブミクロンの領域においては、開口数の大きいレンズを装備した縮小投影露光装置では焦点深度が浅くなるため、従来のような一層のレジストのみではパターンが形成できなくなる恐れがある。
【０００４】
このような不都合を解決する方法として、例えば、文献「Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆＥｌｅｃｔｒｏｃｈｍｉｃａｌ  Ｓｏｃｉｅｔｙ：ＳＯＬＩＤ−ＳＴＡＴＥ  ＳＣＩＥＮＣＥ  ＡＮＤ  ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ，ＶＯＬ．１３２，Ｎｏ．５，  １９８５，Ｐ．Ｐ．１１７８  〜１１８２」に開示された技術が知られている。この技術は、二層レジストプロセス法と称されるレジストパターン形成技術についてのものである。
二層レジストプロセス法について以下に説明する。
まず、段差を有する被加工基板上に熱硬化性樹脂を、膜厚が１．５〜３μｍ程度となるように厚く塗布し、これを熱硬化させた後、基板を平坦化する。次に、この熱硬化性樹脂膜上に、酸素プラズマによるエッチングに対して高い耐性を有する放射線感応性樹脂層を、膜厚が０．２〜０．３μｍ程度となるように薄く塗布し、その後露光によって放射線感応性樹脂層のパターンを形成する。
【０００５】
次いで、得られたパターンをマスクとし、反応性酸素ガスを用いた反応性イオンエッチング（Ｏ２  −ＲＩＥ）により熱硬化性樹脂層をエッチングし、先の放射線感応性樹脂層から形成されたパターンと合わせて高アスペクト比の二層レジストパターンを得る。
そして、得られた二層レジストパターンをマスクとし、被加工基板上の下地金属層をエッチングする。なお、前記放射線感応性樹脂層を形成する樹脂については、露光源に応じて適宜なレジストに変えることができるのはもちろんである。
【０００６】
このような二層レジストプロセス法にあっては、厚い平坦化層（熱硬化性樹脂層）の上に放射線感応性樹脂層のパターンを形成するため、被加工基板からの影響を受けることなく、したがって寸法変動なしに高アスペクト比の微細パターンを形成することができる。
なお、この二層レジストプロセス法において放射線感応性樹脂層に用いられるレジストとしては、ポリ（シロキサン）誘導体などが用いられる。例えば、上記文献においてはポリ（トリメチルシリルメチルメタクリレート−３−オキシミノ−２−ブタノン共重合体が用いられており、このレジストは、遠紫外線に対して２５０ｍＪ／ｃｍ２  の感度を有し、１μｍの解像力を有するとされている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記文献にあるレジストパターン形成技術では、用いられたレジスト、すなわちポリ（トリメチルシリルメチルメタクリレート−３−オキシミノ−２−ブタノン共重合体では、ケイ素含有率が９．６重量％と低いため、Ｏ２  −ＲＩＥによるエッチング速度が１５ｎｍ／ｍｉｎと速く、したがってＯ２  −ＲＩＥ耐性が低いという問題がある。
【０００８】
本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、特に前記二層レジストプロセス法に好適に採用することができ、しかもＯ２  −ＲＩＥ耐性の高いパターンを形成し得る、感光性樹脂組成物を用いたパターン形成方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の感光性樹脂組成物を用いたパターン形成方法では、被パターン形成下地上に、アルコキシ基を有するポリ（シロキサン）誘導体であるポリ（アルコキシシロキサン）と、露光によって酸を発生する酸発生剤とを有してなる感光性樹脂組成物を塗布して樹脂組成物層を形成し、続いて、この樹脂組成物層に第一の露光処理、第一の加熱処理、フッ酸による処理、第二の加熱処理を順次行うことを前記課題の解決手段とした。また、フッ酸による処理の後、第二の加熱処理に先立って第二の露光処理を行ってもよい。
【００１０】
前記ポリ（アルコキシシロキサン）としては、以下の式（１）で表される化合物か、式（２）で表される化合物か、もしくは式（１）で表される化合物と式（２）で表される化合物との共重合体が好適とされる。
【化２】
0003563138.tif 000002
（ただし、式（１）、式（２）中のＲ１  、Ｒ２  、Ｒ３  、Ｒ４  アルキル基を表し、これらは単位中において互いに同一であっても異なっていてもよく、また繰り返し間において同一であっても異なっていてもよい。また、ｍ、ｎは重合度を表す正の整数である。）
【００１１】
ここで、前記式（１）、式（２）においては、ポリマーの末端基については特に限定されることなく、例えば水酸基、アルコキシ基などが末端基として導入されている。なお、このようなポリ（アルコキシシロキサン）の例としては、本出願に係る発明者らによって先に特願昭０４−０１７５８８号で提案した化合物が挙げられる。
【００１２】
また、酸素発生剤としては、露光により酸を発生する物質であるならば特に限定されることなく、例えば以下の式（３）で表されるヨードニウム塩および式（４）で表されるスルホニウム塩等のオニウム塩、式（５）で表されるｐ−トルエンスルホナート、式（６）で表されるトリクロロメチル置換トリアジン、式（７）で表されるトリクロロメチル置換ベンゼンが挙げられる。
【化３】
0003563138.tif 000003
【化４】
0003563138.tif 000004
【００１３】
これらの酸発生剤については、市販されているものか、またはＪ．Ｖ．Ｃｒｉｖｅｌｌｏらによる方法（例えば「Ｊ．Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｓｃｉ．，Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｃｈｅｍ．Ｅｄ，１８，２６７７（１９８０）」）や、Ｔ．Ｅｎｄｏらによる方法（例えば「Ｊ．Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｓｃｉ．，Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｃｈｅｍ．Ｅｄ，２３，３５９（１９８５）  」）における記載にしたがって合成したものを用いることができる。
【００１４】
そして、これら酸発生剤の一種あるいは複数種を適宜選択し、前記ポリ（アルコキシシロキサン）に加えることにより、得られた感光性樹脂組成物は種々の露光源に対応可能となるのである。
酸発生剤としては、用いる樹脂、すなわち前記ポリ（アルコキシシロキサン）を１００重量部とした場合に、０．０１〜５０重量部、好ましくは０．１〜３０重量部の範囲内で加えるのが望ましい。０．０１重量部未満であると、成膜に高温が必要となり、また５０重量部を越えると、塗布膜が脆弱になる恐れがあるからである。
【００１５】
また、本発明に用いられる感光性樹脂組成物にあっては、前記ポリ（アルコキシシロキサン）と酸発生剤とに適宜な架橋剤を混合してもよく、架橋剤を加えることにより、加えない場合に比較してより高感度なものにすることができる。
加えることのできる架橋剤としては、例えば以下の式（８）で表されるものが挙げられる。
【化５】
（Ｒ５  Ｏ）ａ  Ｒ６  ｂ  Ｓｉｃ  Ｏ  ｄ      （８）
ただし、式（９）中のＲ５  は水素、アルキル基、アリール基、アルケニル基を表し、ｋ個のＲ５  は同一であっても異なっていてもよい。また、Ｒ６  は１価の炭化水素基または水素を表し、ｂ個のＲ６  は同一であっても異なっていてもよい。さらに、ａ、ｂ、ｃ、ｄは、２≦ａ≦２（ｃ＋１）、ｂ＝２（ｃ＋１）−ａ、１≦ｃ≦５、ｄ＝ｃ−１を満足する正の整数を表す。
【００１６】
このような架橋剤を加える場合には、用いる樹脂、すなわち前記ポリ（アルコキシシロキサン）を１００重量部とした場合に、０．０５〜５０重量部、好ましくは０．０５〜３０重量部の範囲内とするのが望ましい。０．０５重量部未満であると、成膜に高温が必要となり、また５０重量部を越えると、塗布膜が脆弱になる恐れがあるからである。そして、このように架橋剤を添加することにより、前述したように樹脂と酸発生剤との二成分系では達成できない高感度が実現できるのである。
【００１７】
このようにして得られた感光性樹脂組成物を用い、本発明では、以下のようにしてパターン形成を行う。
まず、図１（ａ）に示すように、シリコンウエハやこれの上に形成された配線層等からなる被パターン形成下地１の上に、前記感光性樹脂組成物を適宜な溶媒に溶解して調製した塗布液（レジスト液）を塗布し、樹脂組成物層２を形成する。
次に、適宜な露光源を用いて図１（ｂ）に示すように所望するパターン露光（第一の露光）を行い、さらに露光後加熱処理を施す。
【００１８】
次いで、加熱処理後樹脂組成物層２をフッ酸により処理し、図１（ｃ）に示すようにパターン露光部分を除去し、樹脂組成物からなるポジパターン３を得る。ここで、フッ酸による処理としては、具体的にはフッ酸溶液との直接接触、すなわち前記被パターン形成下地１ごと樹脂組成物層２をフッ酸あるいはこれの希釈液中に浸漬するか、フッ酸あるいはこれの希釈液を樹脂組成物層２に直接スプレーするといった方法や、樹脂組成物層２をフッ酸蒸気に接触させるといった方法が採用される。
【００１９】
その後、再度加熱（第二の加熱）し、図１（ｄ）に示すようにレジストパターン４を得る。また、この第二の加熱に先立ち、前記ポジパターン３を全面露光（第二の露光）してもよく、その場合には、この全面露光を行わなかったときに比べて、第二の加熱における加熱温度を低くすることができる。さらに、第二の加熱後、必要に応じてさらに加熱を行ってもよい。
そして、このようにしてレジストパターン４を形成した後、このパターン４を用いて被パターン形成下地１をエッチングし、該下地１を所望のパターンに形成する。
【００２０】
なお、図１（ｂ）に示した、第一の露光処理および第一の加熱処理の後の樹脂組成物層２に対し、有機溶剤による現像を行えば、樹脂組成物層２における露光部分以外の箇所を除去することができ、これによりネガ型のレジストパターンを形成することもできる。
【００２１】
【作用】
本発明の感光性樹脂組成物を用いたパターン形成方法は、ポリ（アルコキシシロキサン）と酸発生剤とを有した感光性樹脂組成物によって被パターン形成下地上に樹脂組成物層を形成し、続いて、この樹脂組成物層に第一の露光処理、第一の加熱処理、フッ酸による処理を行った後、第二の加熱処理のみを、あるいは第二の露光処理および第二の加熱処理を行うものである。したがって、第一の露光による分解によって酸発生剤から酸が発生し、この酸がアルキル基の脱離、シラノールの縮合を行い、これによって露光部分がＳｉＯ２  となる。そして、このＳｉＯ２  をフッ酸処理によって除去することにより、ポジパターンが得られる。さらに、このポジパターンに第二の加熱、あるいは第二の露光、第二の加熱を施すことにより、前記露光部分が安定なＳｉＯ２  となり、これによってＳｉＯ２  からなるポジパターンが得られる。
【００２２】
よって、このような本発明のパターン形成方法を、例えば以下に述べるように二層レジストプロセス法に適用することが可能になるのである。
すなわち、まず、樹脂成分である前記ポリ（アルコキシシロキサン）と酸発生剤とをパターン形成条件に合わせて適宜に配合し、さらに必要に応じて架橋剤を添加し、これらを溶剤に溶かして調製し塗布液とする。
次に、シリコン基板上に熱硬化性のフォトレジストを回転塗布し、加熱硬化させて下層レジスト層（被パターン形成下地）を形成する。次いで、この下層レジスト層の上に前記塗布液を回転塗布して上層レジスト層を形成し、さらに適宜な放射線源により露光した後、加熱を行う。このようにして露光し、加熱を行うと、塗布膜中の酸発生剤は露光により酸を発生、該塗布膜は、そのポリ（シロキサン）中のアルキル基が酸と加熱とによって脱離し、これにより生成したシラノールが縮合することによって露光部分がＳｉＯ２  となる。
【００２３】
次いで、得られたＳｉＯ２  にフッ酸による接触（液接触または蒸気接触）処理を施すことによって露光部分を除去する。その後、残った樹脂組成物部分を再度加熱処理するか、あるいは再度露光処理し、さらに加熱処理することによってポジ型のＳｉＯ２  からなるレジストパターンを得る。
そして、得られたパターンをマスクとし、Ｏ２  −ＲＩＥにより下層レジスト層をエッチングすることにより、該下層レジスト層からなるパターンと前記上層レジスト層からなるパターンによる、高アスペクト比の二層レジストパターンを得る。
【００２４】
ここで、樹脂組成物からなる上層レジスト層をパターン化するに際しては、第一の露光処理後の第一の加熱処理における加熱温度を４０〜３００℃、好ましくは６０〜２００℃とする。４０℃未満では加熱による反応が進まず、また４０℃未満で容易に反応する酸発生剤の系はレジスト保存時に問題があるからである。一方、加熱温度が３００℃を越えると、酸発生剤が熱分解し、パターンが劣化する恐れがあるからである。
【００２５】
また、フッ酸処理に用いられるフッ酸については、その水溶液濃度を５％以上とすることが、露光部分の十分な現像（除去）を可能にし、かつ処理時間を短縮化するうえで望ましい。さらに、このフッ酸処理としては、前記基板を直接フッ酸溶液中に浸漬する方法、スプレーすることによって前記上層レジスト層にフッ酸を直接接触させる方法、前記基板をフッ酸蒸気中にさらし、その上層レジスト層をフッ酸蒸気に接触させる方法等が採用される。
【００２６】
また、第二の露光処理を行った場合には、これに続く第二の加熱処理として、前記第一の加熱処理と同等あるいはそれ以上の加熱温度が採用される。なお、第二の露光処理についても、その露光条件については第一の露光条件と同じ条件が採られる。一方、第二の露光処理を行うことなく第二の加熱処理を行った場合には、その加熱温度は２５０℃以上とされる。
【００２７】
【実施例】
以下、本発明のパターン形成方法を実施例により更に具体的に説明する。なお、以下の説明に述べる使用材料とその量、処理時間、温度など条件については、一例を示したものに過ぎず、したがって本発明がこれらの条件に限定されないのはもちろんである。
【００２８】
（実施例１）
樹脂成分となるポリ（ジ−ｔ−ブトキシシロキサン）１９０ｇ〔１ｍｏｌ〕と、酸発生剤であるトリフェニルスルホニウムトリフレート（Ｐｈ３  Ｓ＋  ＯＴｆ−  ）８．２５ｇ（０．０２ｍｏｌ）とをメチルイソブチルケトン１７８０ｇに溶解し、０．２μｍ孔メンブレンフィルターで濾過してレジスト溶液（塗布液）を調製した。
なお、ポリ（ジ−ｔ−ブトキシシロキサン）の構造を以下の式（９）に、またトリフェニルスルホニウムトリフレートの構造を以下の式（１０）に示す。
【化６】
0003563138.tif 000005
【００２９】
次に、ＫＢｒ（臭化カリウム）からなる基板上に、前記レジスト溶液を膜厚が０．４μｍとなるようにして回転塗布した。次いで、これをホットプレート上にて８０℃で１分間プリベークしてレジスト層を形成し、さらにＸｅ−Ｈｇランプ（ＣＭ２５０コールドミラー装着）によってマスク露光を行った。このときの露光量については９ｍＪ／ｃｍ２  とした。
次いで、この基板をホットプレート上にて１００℃で２分間加熱し、さらにこの基板を濃度３０％のフッ酸水溶液中に室温で５分間浸漬した。続いて、この基板を引き上げて水で洗浄し、ポジパターンを得た。
その後、前記Ｘｅ−Ｈｇランプを用いて残ったレジスト部分に全面露光処理を施し、さらにこの基板をホットプレート上にて１００℃で２分間加熱し、安定したポジ型のレジストパターンを得た。なお、ここでの露光量についても９ｍＪ／ｃｍ２  とした。
このようにして得られたポジ型のレジストパターンをＩＲスペクトルにより調べたところ、ＳｉＯ２  のみであることが確認された。
【００３０】
（実施例２）
シリコン基板上にフォトレジスト（シプレー社製  ＭＰ２４００）を回転塗布し、オーブン中にて２００℃で１時間加熱し硬化させて膜厚１．５μｍの下層レジスト層を形成した。次に、この下層レジスト層の上に、実施例１で調製したレジスト溶液を膜厚が０．２μｍとなるようにして回転塗布し、続いてこの基板をホットプレート上にて８０℃で１分間プリベークして上層レジスト層を形成し、さらにＸｅ−Ｈｇランプ（ＣＭ２５０コールドミラー装着）によってマスク露光（第一の露光）を行った。このときの露光量については９ｍＪ／ｃｍ２  とした。次いで、この基板をホットプレート上にて１００℃で２分間加熱し、さらにこの基板を濃度３０％のフッ酸水溶液中に室温で５分間浸漬した。続いて、これを引き上げて水で洗浄し、ポジパターンを得た。
【００３１】
その後、前記Ｘｅ−Ｈｇランプを用いて残ったレジスト部分に全面露光処理（第二の露光）を施した。なお、ここでの露光量についても９ｍＪ／ｃｍ２  とした。さらに、この基板をホットプレート上にて１００℃で２分間加熱し、ポジ型のレジストパターンを得た。
得られたポジ型のレジストパターンを調べたところ、最小寸法である０．５μｍＬ／Ｓが得られていることが確認された。
【００３２】
（実施例３）
実施例２において、前記レジスト溶液からなる上層レジスト層に対する、第一の露光における露光源を電子線露光装置とし、これ以外は全て実施例２と同様にして上層レジスト層をパターン化した。用いた電子線露光装置の感度（Ｄｎ  ０．５  ）は１．５μＣ／ｃｍ２  であり、０．３μｍＬ／Ｓが解像可能であった。
【００３３】
（実施例４）
実施例３で得られたポジ型のレジストパタ−ンを有する基板に、ＤＥＭ４５１平行平板型ドライエッチャー（アネルバ製）を用いてＯ２  −ＲＩＥを２０分間行った。このときのエッチング条件については、Ｏ２  ガス圧１．０Ｐａ、Ｏ２  ガス流量２０ＳＣＣＭ、ＲＦパワー密度０．１２Ｗ／ｃｍ２  とした。
このようにして下層レジスト層のパターン化を行ったところ、先に形成したポジ型のレジストパターンと合わせて、０．３μｍＬ／Ｓの二層レジストパターンをアスペクト比３で形成することができた。
【００３４】
（実施例５）
実施例３におけるレジスト溶液の成分となる樹脂として、ポリ（ジ−ｔ−ブトキシシロキサン）に代えて、ポリ（ジ−ｔ−ブトキシシルセスキオキサン）〔１ｍｏｌ〕を用い、他の成分については実施例３と同様にしてレジスト溶液を調製した。
そして、このレジスト溶液を用い、実施例３と同様のプロセスにより二層レジストパターンを得た。第一の露光に用いた電子線露光装置の感度を８μＣ／ｃｍ２  とすることにより、０．３μｍＬ／Ｓが解像可能であった。なお、ポリ（ジ−ｔ−ブトキシシルセスキオキサン）の構造を以下の式（１１）に示す。
【化７】
0003563138.tif 000006
【００３５】
（実施例６）
実施例２において、ポジパターンを得た後、全面露光処理（第二の露光）を施すことなく直接２５０℃で１時間加熱した。そして、これ以外は全て実施例２に同様にしてポジ型のレジストパターンを得た。
得られたポジ型のレジストパターンを調べたところ、０．５μｍＬ／Ｓが解像可能であった。
【００３６】
（実施例７）
実施例２において、ポジパターンを得た後、全面露光処理（第二の露光）を施すことなく直接４００℃で１時間加熱した。そして、これ以外は全て実施例２に同様にしてポジ型のレジストパターンを得た。
得られたポジ型のレジストパターンを調べたところ、０．５μｍＬ／Ｓが解像可能であった。
【００３７】
（実施例８）
実施例３において、樹脂と酸発生剤とに加え、架橋剤としてテトラフェノキシシラン〔（ＰｈＯ）４  Ｓｉ〕を添加し、レジスト溶液を調製した。
そして、このレジスト溶液を用い、実施例３と同様のプロセスにより二層レジストパターンを得た。第一の露光に用いた電子線露光装置の感度を７．２μＣ／ｃｍ２  とすることにより、０．３μｍＬ／Ｓが解像可能であった。
【００３８】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の感光性樹脂組成物を用いたパターン形成方法は、被パターン形成下地上に、アルコキシ基を有するポリ（シロキサン）誘導体であるポリ（アルコキシシロキサン）と、露光によって酸を発生する酸発生剤とを有してなる感光性樹脂組成物を塗布して樹脂組成物層を形成し、続いて、この樹脂組成物層に露光処理、加熱処理、フッ酸による処理、さらに加熱処理または露光処理・加熱処理を行うことにより、ＳｉＯ２  からなるパターンを得るものである。したがって、高いＯ２  −ＲＩＥ耐性を有するパターンを得ることができることから、例えばこのパターン形成方法を二層レジストプロセス法に適用することにより、被加工基板からの影響を受けることなく、寸法変動なしに高アスペクト比の微細パターンを形成することができる。
また、レジスト中の酸発生剤を適宜に選択することにより、種々の露光源に対応することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）〜（ｄ）は本発明の感光性樹脂組成物を用いたパターン形成方法を工程順に説明するための要部断面図である。
【符号の説明】
１  被パターン形成下地
２  樹脂組成物層
３  ポジパターン
４  レジストパターン
【図１】
0003563138.tif 000008