(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに相対移動自在に対向して配設され、いずれか一方のプレートの対向面に基板が装着され、他方のプレートの対向面に薄膜を有するシートフィルムが装着される第１、第２のプレートと、
前記基板とシートフィルムの少なくとも一方を加熱する加熱手段と、
前記第１のプレートまたは第２のプレートの少なくともいずれか一方を移動させて前記基板と前記シートフィルムを所定の時間押し付けて前記薄膜を基板に転写する加重機構と、
前記シートフィルムを保持するフィルム保持機構と、
前記フィルム保持機構によって保持されたシートフィルムを放射方向に押圧し緊張させるフィルム緊張機構とを備えたことを特徴とする薄膜形成装置。
【請求項２】
請求項１記載の薄膜形成装置において、
シートフィルムが円形で、フィルム緊張機構は、シートフィルムの外周部を押圧する押えリングと、この押えリングを前記シートフィルムに押し付ける複数個のアクチュエータとで構成されていることを特徴とする薄膜形成装置。
【請求項３】
請求項１または２記載の薄膜形成装置において、
第１、第２のプレートが上下に対向して配設されるとともに、前記第１のプレートの前記第２のプレートに対向する下面に基板が装着され、前記第２のプレートの上面にシートフィルムが装着されることを特徴とする薄膜形成装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、薄膜形成装置、詳しくは基板と薄膜が形成されたシートフィルムを押し付けて薄膜を基板に転写する薄膜形成装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
電子部品に関わる薄膜形成法は、主に、スパッタリング法、化学気相成長法、蒸着法、塗布法、メッキ法などに大別することができる。薄膜形成を行いたい基板の面積が小さい場合は、これらの方法のうちのいずれかを選択すれば、およそ実現したい電子部品について対応可能であった。
しかし、近年、半導体基板は、例えば、２００ｍｍから３００ｍｍへと大口径化の一途を辿っており、ＬＳＩの製造に用いるウエハの大口径化や液晶パネルなどの大面積化に伴い、大面積に適合した薄膜形成法が必要となってきた。
また、ＬＳＩ製造技術における多層配線技術の分野においては、多層配線を実現するために絶縁膜の表面を高い精度で平坦化する必要があり、大面積化に加えて、薄膜形成における表面の平坦化技術への要求も高まってきている。
【０００３】
これまでに、この平坦化法の代表的な技術として、
（１）ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ−Ｏｎ‐Ｇｌａｓｓ）法やＰＩＱ法（Ｋ．Ｓａｔｏ，Ｓ．Ｈａｒａｄａ，Ａ．Ｓａｉｋｉ，Ｔ．Ｋｉｔａｍｕｒａ，Ｔ．Ｏｋｕｂｏ，ａｎｄ  Ｋ．Ｍｕｋａｉ，”Ａ  Ｎｏｖｅ１  Ｐｌａｎａｒ  ＭｕｌｔｉｌｅｖｅｌＩｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  Ｕｔｉｌｉｚｉｎｇ  Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ”，ｌＥＥＥ  Ｔｒａｎｓ．Ｐａｒｔ  ＨｙｂｒｉｄＰａｃｋａｇｅ．，”ＰＨＰ‐９，１７６（１９７３））
（２）エッチバック法（Ｐ．Ｅｌｉｋｉｎｓ，Ｋ．Ｒｅｉｎｈａｒｄｔ，ａｎｄ  Ｒ．Ｌａｙｅｒ，”Ａ  ｐｌａｎａｒｉｚａｔｉｏｎ  Ｐｒｏｃｅｓｓ  ｆｏｒ  ｄｏｕｂｌｅ  ｍｅｔａｌ  ＣＭＯＳ  ｕｓｉｎｇ  Ｓｐｉｎ−ｏｎ  Ｇｌａｓｓ  ａｓａ  Ｓａｃｒｉｆｉｃｉａｌ  Ｌａｙｅｒ，”Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇ  ｏｆ  ３ｒｄ  ｌｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  ＩＥＥＥ  ＶＭＩＣ  Ｃｏｎｆ．、１００（１９８６））
（３）リフトオフ法（Ｋ．Ｅｈａｒａ，Ｔ．Ｍｏｒｉｍｏｔｏ，Ｓ．Ｍｕｒａｍｏｔｏ，ａｎｄ  Ｓ．Ｍａｔｓｕｏ，”Ｐｌａｎａｒ  ｌｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  ｆｏｒ  ＬＳＩ  Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ  ＵｔｉｌｉｚｉｎｇＬｉｆｔ−ｏｆｆ  Ｐｒｏｃｅｓｓ”，Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ”Ｖｏｌ．１３１，Ｎｏ．２，４１９（１９８４））
（４）バイアススパッタ法（Ｃ．Ｙ．Ｔｉｎｇ，Ｖ．Ｊ．Ｖｉｖａｌｄａ  ａｎｄ  Ｈ．Ｇ．Ｓｃｈａｅｆｅｒ，”Ｓｔｕｄｙ  ｏｆ  Ｐｌａｎａｒｉｚｅｄ  Ｓｐｕｔｔｅｒ‐Ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ  ‐ＳｉＯ２”，Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．１５，１１０５（１９７８））。
（５）バイアスＥＣＲ法（Ｋ．Ｍａｃｈｉｄａ  ａｎｄ  Ｈ．０ｉｋａｗａ，”ＳｉＯ２  ＰｌａｎａｒｉｚａｔｉｏｎＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  ｗｉｔｈ  Ｂｉａｓｉｎｇ  ａｎｄ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ  Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ  ＰｌａｓｍａＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ  ｆｏｒ  Ｓｕｂｍｉｃｒｏｎ  Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎｓ，”Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ｂ４，８１８（１９８６））
（６）研磨法（Ｗ．Ｊ．Ｐａｔｒｉｃｋ，Ｗ．Ｌ．Ｇｕｔｈｒｉｅ，Ｃ．Ｌ．Ｓｔａｎｄｌｅｙ，Ｐ．Ｍ．Ｓｃｈｉａｂｌｅ，”Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ  ｔｏ  ｔｈｅ  Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ  ｏｆＶＬＳＩ  Ｃｉｒｃｕｉｔ  Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎｓ”，Ｊ．Ｅ１ｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，  Ｖｏｌ．１３８，Ｎｏ．６，Ｊｕｎｅ，１７７８（１９９１））。
などが検討された。
【０００４】
しかしながら、上記の従来技術のうち、ＳＯＧ法は平坦化を実現することが困難である。エッチバック法はダスト発生の問題がありダスト管理が難しい。リフトオフ法は、リフトオフ時に使用するステンシル材が完全に溶解しない。バイアススパッタ法およびバイアスＥＣＲ法は、スループットが低いことや素子へのダメージが大きい。研磨法は絶縁膜の膜質が悪いと、良好な研磨特性が得られないといった問題があり、いずれも実用化されていない。また、上記の従来技術を大面積の半導体基板に適用する場合は、いずれも制御性の観点から表面の平坦性や膜厚の均一性の確保が困難である。その結果、大面積化に対処するために複雑な工程を追加しなければならず、コスト的に高くなるという問題があった。
【０００５】
そこで、このような問題を解決するものとして、加圧転写方法によって基板に薄膜を形成する薄膜形成装置が提案されている（例えば、特開平１０−１８９５６６号公報）。この薄膜形成装置は、図６および図７に示すように、薄膜形成対象の基板３が装着されるとともに前記基板３を所定の温度で加熱する加熱手段としての加熱ヒータ４を備えた試料台２と、この試料台２の下方に対向配置され、シートフィルム６が装着されるとともに内部にシートフィルム６を所定温度で加熱する加熱ヒータ８を備えた転写板５を真空ポンプ９によって真空排気される薄膜形成室１内に配設し、前記転写板５を加重機構としての加重モータ１２によって所定の位置まで上昇させ（図７（ｂ））、前記試料台２を加重モータ１１によって下降させて（図７（ｃ））前記基板３をシートフィルム６に所定の時間押し付けることにより（図７（ｄ））、シートフィルム６の表面に形成されている薄膜を基板３の表面に転写するものである。また、転写板５と支え板１３を複数個の圧縮コイルばね１４によって結合し、転写板５に試料台２が押し付けられるときに加重圧力が均一になるようにしている。さらに、試料台２と転写板５の加熱ヒータ４，８をヒータ制御部１５によって制御し、シートフィルム６の外周縁部をフィルム保持機構１６によって保持するようにしている。
【０００６】
前記フィルム保持機構１６は、図７（ａ）に示すようにシートフィルム６の外周縁部の表裏面を挟持する一対の挾持体１７ａ，１７ｂと、これらの挾持体１７ａ，１７ｂを上下動させるエアシリンダ等のアクチュエータ１８Ａ，１８Ｂとを備え、シートフィルム６が適宜な供給機構によって供給されてフィルム仮置き台１９上に載置されると、アクチュエータ１８Ａ，１８Ｂが作動して挾持体１７ａ，１７ｂによりシートフィルム６を挟持するように構成されている。挾持体１７ａ，１７ｂはそれぞれリング状に形成され、アクチュエータ１８Ａ，１８Ｂはシートフィルム６の周方向に等間隔をおいて複数個設けられ、前記挾持体１７ａ，１７ｂをそれぞれ保持している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記した従来の薄膜形成装置においては、フィルム保持機構１１６によってシートフィルム６を緊張した状態で保持しているだけであるため、シートフィルム６が加熱ヒータ８によって加熱されると、図７（ｃ）に示すように熱膨張によって伸張して波状に弛み、この状態で薄膜が転写されると薄膜の表面に皺が生じ、表面が平坦で均一な膜厚の薄膜を形成することができないという問題があった。
また、従来の装置はいずれもロール状に巻回したシートフィルムを連続的に供給する方式を採用したものばかりであるため、基板に応じた大きさのシートフィルムを一枚ずつ供給する枚葉方式を採用した装置の開発が要望されている。その場合、シートフィルムは円形に形成されるが、このような円形のシートフィルムを波状の弛みが生じないように緊張した状態で保持する機構の開発が不可欠とされる。
【０００８】
本発明は上記した従来の問題を解決するためになされたもので、その目的とするところは、熱膨張により発生したシートフィルムの弛みを確実に取り除くことができ、大面積の基板に対してシートフィルムに形成した薄膜を表面が平坦で均一な膜厚をもって転写することができるようにした薄膜形成装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上述の目的を達成するために、第１の発明に係る薄膜形成装置は、互いに相対移動自在に対向して配設され、いずれか一方のプレートの対向面に基板が装着され、他方のプレートの対向面に薄膜を有するシートフィルムが装着される第１、第２のプレートと、前記基板とシートフィルムの少なくとも一方を加熱する加熱手段と、前記第１のプレートまたは第２のプレートの少なくともいずれか一方を移動させて前記基板と前記シートフィルムを所定の時間押し付けて前記薄膜を基板に転写する加重機構と、前記シートフィルムを保持するフィルム保持機構と、このフィルム保持機構によって保持された前記シートフィルムを放射方向に押圧し緊張させるフィルム緊張機構とを備えたものである。
【００１０】
第２の発明は上記第１の発明において、シートフィルムが円形で、フィルム緊張機構を、シートフィルムの外周部を押圧する押えリングと、この押えリングを前記シートフィルムに押し付ける複数個のアクチュエータとで構成したものである。
第３の発明は上記第１または第２の発明において、第１、第２のプレートが上下に対向して配設されるとともに、前記第１のプレートの前記第２のプレートに対向する下面に基板が装着され、前記第２のプレートの上面にシートフィルムが装着されるように構成したものである。
【００１１】
本発明において、シートフィルムは加熱手段によって加熱されると伸張して波状の弛みが生じるが、フィルム緊張機構によって放射方向に押圧され一定の張力が付与されることにより緊張するので波状の弛みが取り除かれる。フィルム緊張機構の押えリングはシートフィルムの外周部を全周にわたって均一に押圧する。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
図１は本発明の一実施の形態に係る薄膜形成装置の構成を示す概略断面図、図２（ａ）〜（ｄ）は同装置の動作を示す図、図３はウエハの断面図、図４はシートフィルムの断面図、図５（ａ）〜（ｃ）は絶縁膜を半導体基板に転写する工程を示す図である。なお、図中従来技術の欄で示した構成部材と同等のものにつては同一符号をもって示す。
【００１３】
図１および図２において、薄膜形成装置２０は、内部が真空排気可能な薄膜形成室１を形成するチャンバー２１を備え、このチャンバー２１内に第１、第２のプレート２，５が上下に対向して収容されている。前記薄膜形成室１は、真空ポンプ９によって排気口２２から真空排気できるようになっている。
【００１４】
前記第１のプレート２は、第２のプレート５と対向する下面に薄膜形成対象であるウエハ（基板）３が装着されることにより試料台を形成している。このため、第１のプレート２の下面は、平坦性を確保するために研磨された石英板２Ａが設けられており、この石英板２Ａに前記ウエハ３が装着される。石英は、ウエハ３を汚染する物質を含まないこと、および加工性がよく、必要とする平坦性が容易に得られることなどから、ウエハ３を装着する材料として優れている。また、第１のプレート２は、内部に加熱手段として加熱ヒータ４を具備している。この加熱ヒータ４はヒータ制御部１５によって制御され、２５°Ｃ〜３００°Ｃの間で加熱制御される。そして、第１のプレート２は前記チャンバー２１内に吊設され、加重モータ１１によって昇降されるように構成されている。
【００１５】
前記第２のプレート５は、前記第１のプレート２の下方に軸線を一致させて配設され、上面にシートフィルム６が装着されることにより転写板を構成している。また、この第２のプレート５は前記シートフィルム６が載置される石英製のステージ５ａと、シートフィルム６を加熱する加熱台５ｂとで構成されている。前記加熱台５ｂは、内部に加熱手段として加熱ヒータ８を具備している。この加熱ヒータ８はヒータ制御部１５によって制御され、２５°Ｃ〜３００°Ｃの間で加熱制御される。
【００１６】
また、第２のプレート５は、支え板１３上に複数の圧縮コイルばね１４によって弾性支持されて配設されることにより、基板３とシートフィルム６を押し付けたとき加重圧力が均一になるようにしている。前記支え板１３は、支柱２３によって上下動自在に保持され、加重モータ１２によって昇降されるように構成されている。
【００１７】
図３において、ウエハ３は、円板状に形成された半導体基板２６と、この半導体基板２６上に電極配線２７としてＡｌ配線を形成した構造を有する。本実施の形態において、電極配線２７は、Ａｌをスパッタ法で５０００オングストロームの膜厚に形成した後、フォトリソグラフィ工程によりパターニングを行い、次に、ドライエッチングにより加工を行った。
【００１８】
図４において、シートフィルム６は前記ウエハ３より大きい円形に形成され、表面には薄膜となる絶縁膜３０が形成されている。本実施の形態においては、シートフィルム６として熱可塑性樹脂フィルムを用いている。薄膜としてはＳＯＧ材料の絶縁膜形成用塗布液を用い、これをシートフィルム６上に塗布することにより１μｍ以上の厚さで絶縁膜３０を形成した。
【００１９】
また、薄膜形成装置２０は、絶縁膜３０の転写時にシートフィルム６を保持するフィルム保持機構１６と、シートフィルム６を緊張させるフィルム緊張機構３１を備えている。前記フィルム保持機構１６は、図２（ａ）に示すように、シートフィルム６の外周縁部の表裏面を挟持する一対の挾持体１７ａ，１７ｂと、これらの挾持体１７ａ，１７ｂを上下動させるエアシリンダ等のアクチュエータ１８Ａ，１８Ｂとを備え、チャンバー２１内に固定されたフレーム３２上に設置されている。一対の挾持体１７ａ，１７ｂはリング状に形成されている。アクチュエータ１８Ａ，１８Ｂは、それぞれ複数個（例えば４個）からなり、シートフィルム６の外周部に周方向に等配されて配設され、その可動ロッドの先端に前記各挾持体１７ａ，１７ｂが取付けられている。このようなフィルム保持機構１６は、図７に示した従来のフィルム保持機構と同一である。
【００２０】
前記フィルム緊張機構３１は、前記フィルム保持機構１６によって保持され加熱によって熱膨張したシートフィルム６に所望の張力を加えて緊張させるためのもので、前記フレーム３２に下向きに取付けられたアクチュエータとしてのエアシリンダ３４と、このアクチュエータ３４の作動によって下降することによりシートフィルム６の外周部、厳密には前記一対の挾持体１７ａ，１７ｂより内側部分を押圧する円形の押えリング３５とで構成されている。前記エアシリンダ３４はシートフィルム６の外周部に周方向に等間隔をおいて複数個配設され、その可動ロッドの先端に前記押えリング３５が取付けられている。なお、全てのエアシリンダ３４は制御部からに駆動信号によって同期して作動するように構成されている。
【００２１】
次に、上記した薄膜形成装置２０を使用した薄膜形成手順について説明する。本実施の形態においては、第１のプレート２の下面に図３に示したウエハ３が電極配線２７を下に向けて装着される。また、第２のプレート５のステージ５ａの上方には、図４に示したシートフィルム６が絶縁膜３０を上に向けて供給され、外周縁部がフィルム保持機構１６によって保持される。図２（ａ）はこの状態を示す。この状態において、フィルム緊張機構３１は未だ作動せず、押えリング３５をシートフィルム６の上方に待機させている。
【００２２】
このような状態から絶縁膜３０をウエハ３に転写する際の薄膜形成装置２０の動作は以下のようなものである。
（１）まず、真空ポンプ１０によって薄膜形成室１内が所望の真空度となるように真空排気する。
（２）所望の真空度になった後、ヒータ制御部１５からの制御信号によって加熱ヒータ４に通電して第１のプレート２を２００°Ｃ程度に加熱し、ウエハ３を所望の温度に加熱する。同様に加熱ヒータ８に通電して第２のプレート５を２００°Ｃ程度に加熱するとともに制御部より加重モータ１２に信号が送られ、加重操作を開始する。これによって第２のプレート５がシートフィルム６の位置まで上昇してステージ５ａをシートフィルム６に接触させる（図２（ｂ））。したがって、シートフィルム６は加熱されて伸張し波状の弛みが発生する。
（３）次に、フィルム緊張機構３１のアクチュエータ３４を作動させて押えリング３５を下降させるとともに加重モータ１１の駆動によって第１のプレート２を下降させてウエハ３をシートフィルム６に押し付ける（図２（ｃ）、（ｄ）、図５（ａ））。押えリング３５は下降することによりシートフィルム６の外周部を下方に押し下げ、シートフィルム６を緊張させる。したがって、熱膨張による波状の弛みが取り除かれる。ウエハ３をシートフィルム６に押し付けるタイミングは、シートフィルム６が押えリング３５によって押し下げられ緊張した後とされる。
（４）ウエハ３とシートフィルム６は、所定の加重で一定時間加圧される。その間もウエハ３とシートフィルム６は所定の温度となるように加熱されている。
本発明の実施において、薄膜形成室１内の真空度として１０Ｔｏｒｒ以下に設定し、薄膜転写は加重５Ｋｇ、加熱温度２００°Ｃ、加熱時間１０分で行った。（５）一連の加重操作が終了すると、加重の状態が零となるように制御部から加重モータ１１，１２に信号を送り、第１、第２のプレート２，５を元の初期位置に復帰させる。このとき真空排気も停止するように制御される。
（６）しかる後に絶縁膜３０を挟んでシートフィルム６と一体となった状態のウエハ３を薄膜形成室１から取り出し、図５（ｂ）に示すようにシートフィルム６を剥離することによって、図５（ｃ）に示すような絶縁膜３０が形成されたウエハ３を得る。
（１）シートフィルム６を剥離した後、さらに熱処理工程を実施して絶縁膜３０を焼成する。本実施の形態では、温度４００°Ｃ、時間３０分
で熱処理を行なった。
【００２３】
このように本発明に係る薄膜形成装置２０にあっては、フィルム保持機構１６に加えてフィルム緊張機構３１を備え、これにより加熱されて伸張しているシートフィルム６を放射方向に押圧して一定の張力を付与することにより緊張させるように構成したので、シートフィルム６に波状の弛みが生じず、大面積のウエハ３であっても表面が平坦で均一な膜厚の薄膜をウエハ３に転写することができる。
【００２４】
また、フィルム緊張機構３１によってシートフィルム６を予め緊張させておくと、ウエハ３とシートフィルム６を押し付けたとき、シートフィルム６が動いたりすることがない。さらに、シートフィルム６はフィルム緊張機構３１によって張力が付与されているため、厚み方向の弾性変形量を少なくすることができる。
【００２５】
なお、上記した実施の形態では、第１のプレート２にウエハ３を装着することにより試料台として用い、第２のプレート５にシートフィルム６を装着することにより転写板として用いた例を示したが、本発明はこれに何等限定されるものではなく、第１のプレート２を転写板として用い、第２のプレート５を試料台として用いてもよい。
また、上記した実施の形態においては、シートフィルム６を円板状に形成し、一枚ずつ第１、第２のプレート２，５間に供給し、押えリングによってシートフィルム６を押圧するようにした薄膜形成装置に適用したが、ロール状のシートフィルムを用いた薄膜形成装置にもそのまま適用することができる。
また、上記した実施の形態では、第１のプレート２と第２のプレート５を加重モータ１１，１２によって昇降させるようにしたが、いずれか一方のみが昇降する構成とすることも可能である。
また上記した実施の形態においては、加重機構としてモータ１１，１２を用いて加重するようにしているが、これに限らず、第１、第２のプレート２，５を加圧する機構であれば他の手段であってもよい。
また、上記した実施の形態では、熱可塑性合成樹脂フィルムによるシートフィルム６を用いたが、これに限らず、金属系フィルムなどでもよいことはいうまでもない。
【００２６】
また、シートフィルム６に絶縁膜を形成するようにしたが、シートフィルム上に形成可能な薄膜であれば絶縁膜に限るものではなく、他の薄膜、例えば金属系の薄膜を形成してもよい。
さらに、上記した実施の形態では、半導体基板に薄膜を形成する例を示したが、これに限らず、電子部品材料関係であればマルチチップモジュール等の実装関係の基板や液晶関係の基板にも適用できることはいうまでもない。
【００２７】
【発明の効果】
以上説明したように本発明に係る薄膜形成装置によれば、フィルム緊張機構によってシートフィルムを緊張させるように構成したので、熱膨張によって生じた波状の弛みを取り除くことができる。したがって、大面積の基板であってもその表面に皺が生じず高い平坦性をもった薄膜を容易にかつ低コストで形成することができる。
【００２８】
また、押えリングによってシートフィルムを押さえるようにしているので、フィルム全面に均一な張力を付与することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態に係る薄膜形成装置の構成を示す概略断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は同装置の動作を示す図である。
【図３】ウエハの断面図である。
【図４】絶縁膜が形成されたシートフィルムの断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は絶縁膜を半導体基板に転写する工程を示す図である。
【図６】従来の薄膜形成装置の構成を示す概略断面図である。
【図７】（ａ）〜（ｄ）は同装置の動作を示す図である。
【符号の説明】
１…薄膜形成室、２…第１のプレート、３…ウエハ、４…加熱ヒータ、５…第２のプレート、６…シートフィルム、８…加熱ヒータ、１１，１２…加重モータ、１６…フィルム保持機構、２０…薄膜形成装置、３１…フィルム緊張機構、３４…アクチュエータ、３５…押えリング。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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