(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
テスタによって検出された半導体ウェハの中の不良の群に関するデータと、欠陥検査装置によって検出された半導体ウェハの中の欠陥の群に関するデータとにもとづいて、前記不良の群の座標値と前記欠陥の群の座標値とを照合することにより、不良原因の推定を行うための不良解析装置において、
許容範囲と照合率基準値とを設定する初期設定手段と、
前記不良の群の各不良ごとに、当該不良に一致する欠陥、すなわち、当該不良の座標値から前記許容範囲以内に座標値が存在する欠陥を、前記欠陥の群の中から検索する照合手段と、
前記不良の群の中で、一致する欠陥が見出された不良が占める割合である照合率を算出するとともに、当該照合率を前記照合率基準値と比較する照合率判定手段と、
前記不良の群の中で、一致する欠陥が見出された不良の各々に対して、当該各々から一致する欠陥までの変位を算出する変位算出手段と、
補正変数として、前記変位の平均値を算出する平均値算出手段と、
前記欠陥の群の座標値を前記補正変数で差し引くことにより、補正欠陥位置座標を算出する補正欠陥位置座標算出手段と、
前記補正欠陥位置座標で、前記欠陥の群の座標値を更新する欠陥位置座標更新手段と、
前記照合率判定手段による比較の結果、前記照合率が前記照合率基準値を超えるときに限って、前記欠陥位置座標更新手段による前記欠陥の群の座標値の更新を実行させる制御手段と、を備える不良解析装置。
【請求項２】
テスタによって検出された半導体ウェハの中の不良の群に関するデータと、欠陥検査装置によって検出された半導体ウェハの中の欠陥の群に関するデータとにもとづいて、前記不良の群の座標値と前記欠陥の群の座標値とを照合することにより、不良原因の推定を行うための不良解析装置において、
許容範囲と照合率基準値とを設定する初期設定手段と、
前記不良の群の各不良ごとに、当該不良に一致する欠陥、すなわち、当該不良の座標値から前記許容範囲以内に座標値が存在する欠陥を、前記欠陥の群の中から検索する照合手段と、
前記不良の群の中で、一致する欠陥が見出された不良の各々に対して、当該各々から一致する欠陥までの変位を算出する変位算出手段と、
補正変数として、前記変位の最頻値を算出する最頻値算出手段と、
前記欠陥の群の座標値を前記補正変数で差し引くことにより、補正欠陥位置座標を算出する補正欠陥位置座標算出手段と、
前記補正欠陥位置座標で、前記欠陥の群の座標値を更新する欠陥位置座標更新手段と、を備える不良解析装置。
【請求項３】
テスタによって検出された半導体ウェハの中の不良の群に関するデータと、欠陥検査装置によって検出された半導体ウェハの中の欠陥の群に関するデータとにもとづいて、前記不良の群の座標値と前記欠陥の群の座標値とを照合することにより、不良原因の推定を行うための不良解析装置において、
許容範囲と照合率基準値とを設定する初期設定手段と、
前記不良の群の各不良ごとに、当該不良に一致する欠陥、すなわち、当該不良の座標値から前記許容範囲以内に座標値が存在する欠陥を、前記欠陥の群の中から検索する照合手段と、
前記不良の群の中で、一致する欠陥が見出された不良の各々に対して、当該各々から一致する欠陥までの変位を算出する変位算出手段と、
補正変数として、前記変位の平均値を算出する平均値算出手段と、
補正変数として、前記変位の最頻値を算出する最頻値算出手段と、
前記平均値と前記最頻値とのいずれかを選択する選択手段と、
前記欠陥の群の座標値を、選択された前記補正変数で差し引くことにより、補正欠陥位置座標を算出する補正欠陥位置座標算出手段と、
前記補正欠陥位置座標で、前記欠陥の群の座標値を更新する欠陥位置座標更新手段と、を備える不良解析装置。
【請求項４】
請求項３に記載の不良解析装置において、
前記選択手段が、前記変位の頻度分布にもとづいて、前記平均値と前記最頻値とのいずれが、前記不良の群と前記欠陥の群との間の位置の誤差を正しく反映するかを判定し、誤差を正しく反映すると判定された側を前記補正変数として選択する不良解析装置。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の不良解析装置において、
前記変位算出手段は、
前記不良の群の中の線状不良に対しては、前記線状不良の延在方向に直交する方向の変位を前記変位として算出する不良解析装置。
【請求項６】
請求項２ないし請求項４のいずれかに記載の不良解析装置において、
前記不良の群の中で、一致する欠陥が見出された不良が占める割合である照合率を算出するとともに、当該照合率を前記照合率基準値と比較する照合率判定手段と、
前記照合率判定手段による比較の結果、前記照合率が前記照合率基準値を超えるときに限って、前記欠陥位置座標更新手段による前記欠陥の群の座標値の更新を実行させる制御手段と、をさらに備える不良解析装置。
【請求項７】
請求項１または請求項６に記載の不良解析装置において、
前記制御手段は、前記欠陥位置座標更新手段による、前記欠陥の群の座標値の更新が行われた後に、前記照合手段による欠陥の検索が再び行われるように、前記照合手段を制御する不良解析装置。
【請求項８】
請求項２ないし請求項５のいずれかに記載の不良解析装置において、
前記欠陥位置座標更新手段による、前記欠陥の群の座標値の更新が行われた後に、前記照合手段による欠陥の検索が再び行われるように、前記照合手段を制御する制御手段を、さらに備える不良解析装置。
【請求項９】
請求項７または請求項８に記載の不良解析装置において、
前記補正欠陥位置座標算出手段で用いられた前記補正変数が、一定値よりも大きいか否かを判定する再照合判定手段を、さらに備え、
前記制御手段は、前記再照合判定手段によって、前記補正変数が、前記一定値よりも大きいと判定されたときに限って、前記欠陥の群の座標値の更新が行われた後に、前記照合手段による欠陥の検索が再び行われるように、前記照合手段を制御する不良解析装置。
【請求項１０】
請求項７ないし請求項９のいずれかに記載の不良解析装置において、
前記補正欠陥位置座標算出手段で用いられた前記補正変数に対する増加関数の値を算出し、前記許容範囲を前記増加関数の値で更新する許容範囲算出手段を、さらに備える不良解析装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の不良解析装置において、
前記許容範囲算出手段は、前記増加関数を、点状不良、および、直交する二種類の線状不良の不良種別ごとに個別に設定することにより、前記許容範囲を前記不良種別ごとに個別に更新し、
前記照合手段は、欠陥の検索を再び行うときに、前記不良の群の中の各不良に対して、当該各不良が、点状不良、および、直交する二種類の線状不良のいずれであるかに応じて、対応する前記許容範囲を個別に用いて、検索を行う不良解析装置。
【請求項１２】
請求項７ないし請求項９のいずれかに記載の不良解析装置において、
前記変位算出手段で算出された前記変位の分散を算出する分散算出手段と、
前記分散に対する増加関数の値を算出し、前記許容範囲を前記増加関数の値で更新する許容範囲算出手段を、さらに備える不良解析装置。
【請求項１３】
請求項１ないし請求項１２のいずれかに記載の不良解析装置において、
前記半導体ウェハを複数の領域に分割する領域分割手段を、さらに備え、
前記補正変数の算出が、前記複数の領域ごとに個別に行われる不良解析装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体装置の不良原因を解析する不良解析装置に関し、特に、精度の高い欠陥の座標値を得るとともに、解析の精度を高めるための改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】
複数のメモリセル（一般に行および列のマトリックス状に配置されている）を有する半導体チップが複数個形成されている半導体ウェハの不良解析方法として、テスタ（「ＬＳＩテスタ」とも称される）を用いる方法が知られている。この方法は、半導体ウェハ内のすべてのメモリセルに対して電気的特性に関するテストを行い、その結果検出された不良を、行方向に沿ったｘ座標および列方向に沿ったｙ座標で規定される座標空間内に、不良パターン（一般にフェイルビットマップ（以下、ＦＢＭと略称する）と呼ばれている）の形式で表示し、このＦＢＭを用いて不良原因を推定するものである。
【０００３】
しかしながら、ＦＢＭによって直接に得られるのは、不良の三次元位置と、そこでの電気的異常現象に関する知見、すなわちどこで何（リーク／オープン／ショートなど）が起きているかという不良現象に関する知見であり、不良原因が直接に示されるわけではない。製造や検査の現場で、不良箇所の改善を行うためには、ＦＢＭだけでは不十分であり、不良現象を引き起こす製造プロセス上の原因を明確にする必要がある。
【０００４】
このような考えにもとづいて提案された方法として、特開平６−２７５６８８号公報に開示される方法が知られている。この方法では、複数の工程を有する製造ラインの各工程毎の、半導体ウェハの表面における異物、欠陥など（本明細書を通じて、不良原因となり得るこれらの異常を代表して「欠陥」と表現する）の物理的な検査結果が、欠陥検査装置を用いることによって得られる。同時に、製造ラインを通じて製造された半導体ウェハの中の各メモリセルに対して、電気的特性に関するテストがテスタを用いて行われる。そして、テスト結果にもとづいて得られるＦＢＭと、各工程ごとの欠陥に関する物理的な検査結果とが照合され、それによって、不良原因が各製造工程中で発生した欠陥に起因するものか否かが推定される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
検査結果とＦＢＭとの照合は、各工程毎に、欠陥検査装置によって得られた欠陥の中で、ＦＢＭに属する各不良を中心とする所定の許容範囲の中に存在する欠陥を検索することによって行われる。そして、この許容範囲が適性な大きさであれば、その中に存在する欠陥が不良原因であると推定される。ＦＢＭの各不良について、その位置と欠陥検査装置によって得られた欠陥の位置が近い程、その欠陥が不良の原因である可能性が高いといえる。
【０００６】
欠陥の位置の精度が十分に高ければ、ＦＢＭの各不良の位置と、その原因である欠陥の位置とは、理想的には一致する。しかし、検査結果は、そのデータ形式においても、また、欠陥の位置の精度においても、各工程で使用される欠陥検査装置ごとに異なっている。欠陥の位置の精度には、例えば、検査対象としての半導体ウェハを載置するステージの位置の精度などが反映される。
【０００７】
位置の精度の低い検査結果に対しては許容範囲を広げる必要があり、そのため、照合の信頼性は低下する。また位置の精度の高い検査結果と低い検査結果とを同一処理にて照合する場合には、許容範囲を位置精度の悪いものに合わせなければならず、全体的に信頼性が低下してしまう。図２８および図２９は、この事情を説明する説明図である。
【０００８】
図２８に示すように、ＦＢＭの一つであるｘｙ座標系の中の点状不良２０と欠陥２３との照合は、点状不良２０から許容範囲ｒ１（またはｒ２）内に存在する欠陥２３を検索することによって行われる。すなわち、点状不良２０を中心とし、許容範囲ｒ１（またはｒ２）を半径とする領域２１（または２２）の中に存在する欠陥２３が検索される。このとき、位置精度の高い欠陥検査装置で得られた検査結果との照合を行う場合の許容範囲ｒ１と、位置精度の低い欠陥検査装置で得られた検査結果との照合を行う場合の許容範囲ｒ２との間には、
ｒ１  ＜  ｒ２  ・・・・・・・・・・（数式１）
、の関係が存在する。
【０００９】
図２９に示すように、点状不良に代わる線状不良２５と欠陥２３との照合も、線状不良２５から許容範囲ｒ１（またはｒ２）内に存在する欠陥２３を検索することによって行われる。すなわち、線状不良２５からの距離が許容範囲ｒ１（またはｒ２）以内である領域２６（または２７）の中に存在する欠陥２３が検索される。したがって、低い位置精度に合わせて許容範囲を広く設定すると、点状不良２０あるいは線状不良２５とは関係のない欠陥２３が、照合されてしまう。その結果、照合結果の信頼性、すなわち、不良原因の解析の精度は、低いものとなってしまう。
【００１０】
また、欠陥の位置精度が良好でないときに、もしも、欠陥の座標値を適切に補正することによって、精度の高い欠陥の座標値を得ることができれば、照合結果の信頼性を高めることができるだけでなく、座標リンケージ機能が付加されているＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）などの他の解析装置への利用に欠陥の座標値を供することによって、欠陥を素早く発見し、解析することも可能となる。
【００１１】
この発明は、従来の装置における上記した問題点を解消するためになされたもので、精度の高い欠陥の座標値を得るとともに、照合結果の精度、信頼性を高めることのできる不良解析装置を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明の装置は、テスタによって検出された半導体ウェハの中の不良の群に関するデータと、欠陥検査装置によって検出された半導体ウェハの中の欠陥の群に関するデータとにもとづいて、前記不良の群の座標値と前記欠陥の群の座標値とを照合することにより、不良原因の推定を行うための不良解析装置に関する。
そして、第１の発明の装置は、許容範囲と照合率基準値とを設定する初期設定手段と、前記不良の群の各不良ごとに、当該不良に一致する欠陥、すなわち、当該不良の座標値から前記許容範囲以内に座標値が存在する欠陥を、前記欠陥の群の中から検索する照合手段と、前記不良の群の中で、一致する欠陥が見出された不良が占める割合である照合率を算出するとともに、当該照合率を前記照合率基準値と比較する照合率判定手段と、前記不良の群の中で、一致する欠陥が見出された不良の各々に対して、当該各々から一致する欠陥までの変位を算出する変位算出手段と、補正変数として、前記変位の平均値を算出する平均値算出手段と、前記欠陥の群の座標値を前記補正変数で差し引くことにより、補正欠陥位置座標を算出する補正欠陥位置座標算出手段と、前記補正欠陥位置座標で、前記欠陥の群の座標値を更新する欠陥位置座標更新手段と、前記照合率判定手段による比較の結果、前記照合率が前記照合率基準値を超えるときに限って、前記欠陥位置座標更新手段による前記欠陥の群の座標値の更新を実行させる制御手段と、を備える。
【００１３】
第２の発明の装置は、許容範囲と照合率基準値とを設定する初期設定手段と、前記不良の群の各不良ごとに、当該不良に一致する欠陥、すなわち、当該不良の座標値から前記許容範囲以内に座標値が存在する欠陥を、前記欠陥の群の中から検索する照合手段と、前記不良の群の中で、一致する欠陥が見出された不良の各々に対して、当該各々から一致する欠陥までの変位を算出する変位算出手段と、補正変数として、前記変位の最頻値を算出する最頻値算出手段と、前記欠陥の群の座標値を前記補正変数で差し引くことにより、補正欠陥位置座標を算出する補正欠陥位置座標算出手段と、前記補正欠陥位置座標で、前記欠陥の群の座標値を更新する欠陥位置座標更新手段と、を備える。
【００１４】
第３の発明の装置は、許容範囲と照合率基準値とを設定する初期設定手段と、前記不良の群の各不良ごとに、当該不良に一致する欠陥、すなわち、当該不良の座標値から前記許容範囲以内に座標値が存在する欠陥を、前記欠陥の群の中から検索する照合手段と、前記不良の群の中で、一致する欠陥が見出された不良の各々に対して、当該各々から一致する欠陥までの変位を算出する変位算出手段と、補正変数として、前記変位の平均値を算出する平均値算出手段と、補正変数として、前記変位の最頻値を算出する最頻値算出手段と、前記平均値と前記最頻値とのいずれかを選択する選択手段と、前記欠陥の群の座標値を、選択された前記補正変数で差し引くことにより、補正欠陥位置座標を算出する補正欠陥位置座標算出手段と、前記補正欠陥位置座標で、前記欠陥の群の座標値を更新する欠陥位置座標更新手段と、を備える。
【００１５】
第４の発明の装置は、第３の発明の不良解析装置において、前記選択手段が、前記変位の頻度分布にもとづいて、前記平均値と前記最頻値とのいずれが、前記不良の群と前記欠陥の群との間の位置の誤差を正しく反映するかを判定し、誤差を正しく反映すると判定された側を前記補正変数として選択する。
【００１６】
第５の発明の装置は、第１ないし第４のいずれかの発明の不良解析装置において、前記変位算出手段は、前記不良の群の中の線状不良に対しては、前記線状不良の延在方向に直交する方向の変位を前記変位として算出する。
【００１７】
第６の発明の装置は、第２ないし第４のいずれかの発明の不良解析装置において、前記不良の群の中で、一致する欠陥が見出された不良が占める割合である照合率を算出するとともに、当該照合率を前記照合率基準値と比較する照合率判定手段と、前記照合率判定手段による比較の結果、前記照合率が前記照合率基準値を超えるときに限って、前記欠陥位置座標更新手段による前記欠陥の群の座標値の更新を実行させる制御手段と、をさらに備える。
【００１８】
第７の発明の装置は、第１または第６の発明の不良解析装置において、前記制御手段は、前記欠陥位置座標更新手段による、前記欠陥の群の座標値の更新が行われた後に、前記照合手段による欠陥の検索が再び行われるように、前記照合手段を制御する。
【００１９】
第８の発明の装置は、第２ないし第５のいずれかの発明の不良解析装置において、前記欠陥位置座標更新手段による、前記欠陥の群の座標値の更新が行われた後に、前記照合手段による欠陥の検索が再び行われるように、前記照合手段を制御する制御手段を、さらに備える。
【００２０】
第９の発明の装置は、第７または第８の発明の不良解析装置において、前記補正欠陥位置座標算出手段で用いられた前記補正変数が、一定値よりも大きいか否かを判定する再照合判定手段を、さらに備え、前記制御手段は、前記再照合判定手段によって、前記補正変数が、前記一定値よりも大きいと判定されたときに限って、前記欠陥の群の座標値の更新が行われた後に、前記照合手段による欠陥の検索が再び行われるように、前記照合手段を制御する。
【００２１】
第１０の発明の装置は、第７ないし第９のいずれかの発明の不良解析装置において、前記補正欠陥位置座標算出手段で用いられた前記補正変数に対する増加関数の値を算出し、前記許容範囲を前記増加関数の値で更新する許容範囲算出手段を、さらに備える。
【００２２】
第１１の発明の装置は、第１０の発明の不良解析装置において、前記許容範囲算出手段は、前記増加関数を、点状不良、および、直交する二種類の線状不良の不良種別ごとに個別に設定することにより、前記許容範囲を前記不良種別ごとに個別に更新し、前記照合手段は、欠陥の検索を再び行うときに、前記不良の群の中の各不良に対して、当該各不良が、点状不良、および、直交する二種類の線状不良のいずれであるかに応じて、対応する前記許容範囲を個別に用いて、検索を行う。
【００２３】
第１２の発明の装置は、第７ないし第９のいずれかの発明の不良解析装置において、前記変位算出手段で算出された前記変位の分散を算出する分散算出手段と、前記分散に対する増加関数の値を算出し、前記許容範囲を前記増加関数の値で更新する許容範囲算出手段を、さらに備える。
【００２４】
第１３の発明の装置は、第１ないし第１２のいずれかの発明の不良解析装置において、前記半導体ウェハを複数の領域に分割する領域分割手段を、さらに備え、前記補正変数の算出が、前記複数の領域ごとに個別に行われる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
＜１．実施の形態１＞
はじめに、実施の形態１の不良解析装置について説明する。
【００２６】
＜１−１．システム＞
図２は、各実施の形態の不良解析装置を含むシステムの全体構成を示すブロック図である。図２に示すように、このシステムには、例えば２種類の欠陥検査装置１，２、テスタ３、および、それらにＬＡＮ４を通じて結合するエンジニアリングワークステーション（ＥＷＳ）５が備わっている。各製造工程ごとに、欠陥検査装置１，２のいずれかが設置され、製造工程の最終段にテスタ３が配置される。
【００２７】
欠陥検査装置１には、本体部６およびＥＷＳ７が備わっており、ＥＷＳ７にはデータベースを格納する磁気ディスクなどの記憶媒体８が備わっている。同様に、欠陥検査装置２には、本体部９およびＥＷＳ１０が備わっており、ＥＷＳ１０には記憶媒体１１が備わっている。また、テスタ３には、本体部１２およびＥＷＳ１３が備わっている。
【００２８】
図３は、半導体ウェハの製造ラインに沿った工程の流れを示す説明図である。図３に示すように、未処理の半導体ウェハのロットが投入された後に、工程Ａ，Ｂ，Ｃ・・・・と例示される、各種の製造工程を経ることによって、半導体ウェハの中に、所定の集積回路が順次作り込まれて行く。そして、工程Ａ，Ｂ，Ｃ・・・・の各々ごとに、欠陥の検査が行われる。例えば、工程Ａの後には、欠陥検査装置２を用いた検査Ａが行われ、工程Ｂの後には、欠陥検査装置１を用いた検査Ｂが行われる。また、工程Ｃの後には、欠陥検査装置２を用いた検査Ｃが行われる。
【００２９】
工程Ａ，Ｂ，Ｃ・・・・を経ることによって半導体ウェハの中に集積回路が作り込まれた後に、テスタ解析工程が実施される。すなわち、テスタ３を用いたテスタ解析が実行される。その後、半導体ウェハは、個々の半導体チップへと分割され、さらに、半導体デバイスとして完成された後に出荷される。
【００３０】
図２に戻って、欠陥検査装置１に備わる本体部６は、検査対象である半導体ウェハへと働きかけて、所定の種類の欠陥を検出する。ＥＷＳ７は、本体部６で検出された欠陥の座標値、検出された欠陥のｘあるいはｙ座標軸に沿った方向のサイズなどを内容とする欠陥データを作成する。そして、この欠陥データは、データベースとして、ＥＷＳ７の内部に備わる記憶媒体８へと格納される。
【００３１】
同様に、欠陥検査装置２に備わる本体部９は、半導体ウェハへと働きかけて、本体部６が検出する欠陥とは別の種類の欠陥を検出する。ＥＷＳ１０は、本体部９で検出された欠陥に関する欠陥データを作成する。そして、この欠陥データは、データベースとして、記憶媒体１１へと格納される。
【００３２】
また、テスタ３に備わる本体部１２は、半導体ウェハの各部（例えばメモリセル）の動作テストを実行することにより、それらの動作上の良否を判定する。ＥＷＳ１３は、本体部１２で得られた判定結果にもとづいて、テストされた各部の座標値および良（Ｐａｓｓ）／不良（Ｆａｉｌ）を内容とするテストデータを作成する。なお、テスタ３で判定された不良を、「ＦＢＭ（Ｆａｉｌ  Ｂｉｔ  Ｍａｐ）不良」、あるいは、単に「不良」と称し、ＦＢＭ不良に関するテストデータを「ＦＢＭ不良データ」と称する。
【００３３】
欠陥検査装置１，２で得られた欠陥データ、および、テスタ３で得られたＦＢＭ不良データは、ＬＡＮ４を通じてＥＷＳ５へと送出される。ＥＷＳ５には、データフォーマット変換部１４、記憶媒体１５、および、データ処理部１６が備わっている。このデータ処理部１６が、不良解析装置に相当する。ＥＷＳ５へ送られた欠陥データおよびＦＢＭ不良データは、データフォーマット変換部１４を経由して記憶媒体１５へデータベースとして格納される。
【００３４】
データフォーマット変換部１４では、いわゆるデータフォーマット変換が行われるとともに、ＦＢＭ不良データに含まれる座標値に対する物理位置変換も実行される。すなわち、ＦＢＭ不良の座標値が基準とする座標系が、欠陥検査装置１，２で得られた欠陥の座標値が基準とする座標系、すなわち物理位置座標系へと変換される。言い替えると、ＦＢＭ不良データの座標系が、欠陥データの座標系へと統一される。このことにより、欠陥の位置とＦＢＭ不良の位置とが共通の座標系の下で表現されることとなり、それらの位置を、相互に比較することが可能となる。
【００３５】
データフォーマット変換部１４では、さらに、ＦＢＭ不良の種別、すなわち、図２８に示した点状不良２０であるか、あるいは、図２９に示した線状不良２５であるかの判別（いわゆる、不良パターン認識）が行われ、このようなＦＢＭ不良の種別に関する情報もＦＢＭ不良データに加えられる。あるいは、このような種別に関する情報は、テスタ３に備わるＥＷＳ１３が、ＦＢＭ不良データを作成する段階で、すでに付加されていてもよい。データフォーマット変換部１４で所定の処理が施された欠陥データとＦＢＭ不良データは、記憶媒体１５へ格納され、データ処理部１６等による利用に供される。
【００３６】
＜１−２．不良解析装置の構成と動作＞
図４は、データ処理部１６の内部構成を示すブロック図である。図４に示すように、データ処理部１６には制御部３０が備わっている。信号線を略しているが、この制御部３０は、初期設定部３１をはじめとするデータ処理部１６に備わるその他の装置部分が後述する所定の流れに沿って処理を実行するように、動作時期を調整するなど各装置部分の動作を制御する働きをなす。なお、図４に描かれる矢印は、信号線と信号の流れの方向とを同時に表現している。
【００３７】
図１は、データ処理部１６を含むシステム（図２）の動作の流れを示すフローチャートである。システムの動作が開始されると、まずステップＳ１において、欠陥検査装置１，２によって検査が実行される。つづいて、ステップＳ２において、検査によって得られた欠陥データ（欠陥位置の座標を含む）が、ＥＷＳ５へと送出され、データフォーマット変換部１４を経て記憶媒体１５へと登録される。これらのステップＳ１，２は、すでに述べたように、工程Ａ，Ｂ，Ｃ・・・・の各々ごとに、検査Ａ，Ｂ，Ｃ・・・・として実行される。
【００３８】
つぎに、ステップＳ３において、テスタ３によるテスタ解析が実行される。その後、ステップＳ４において、テスタ解析で得られたＦＢＭ不良データが、ＥＷＳ５へと送出され、データフォーマット変換部１４を経て記憶媒体１５へと登録される。すでに述べたように、登録されるＦＢＭ不良データにはＦＢＭ不良の種別、および、物理位置座標系における座標値が含まれる。
【００３９】
ステップＳ５以下の処理は、データ処理部１６によって実行される。したがって、ステップＳ５以下の処理については、図１と図４とを同時に参照しつつ説明を行う。ステップＳ５の処理は、ステップＳ１〜Ｓ４と前後して実行される。ステップＳ５では、初期設定が行われる。すなわち、許容範囲Ｒ０の値、および、照合率基準値Ｓ０の値が設定される。この処理は、初期設定部３１によって実行され、設定された値は、記憶部３２へ格納される。
【００４０】
許容範囲Ｒ０は、図２８および図２９に例示した許容範囲ｒ１（またはｒ２）に相当する概念であり、各種の要因に由来するＦＢＭ不良と欠陥との間の位置の誤差よりも大きな値、例えば、３００μｍ〜５００μｍの範囲の値に設定される。照合率基準値Ｓ０は、後述する照合率の比較対象とされる基準値である。
【００４１】
つぎに、ステップＳ６において、ＦＢＭ不良の位置の座標値と欠陥の位置の座標値とが照合される。この処理は照合部３３によって実行される。すなわち、照合部３３は、記憶部３２に記憶される許容範囲Ｒ０と、記憶媒体１５に記憶されるＦＢＭ不良および欠陥の座標値とにもとづいて、各ＦＢＭ不良ごとに、ＦＢＭ不良から許容範囲Ｒ０の範囲内に存在する欠陥を探し出す。
【００４２】
このとき、工程Ａ，Ｂ，Ｃ・・・・の後にそれぞれ行われる検査Ａ，Ｂ，Ｃ・・・・の中のいずれか一つが選択され、選択された検査で得られた欠陥が、照合の対象とされる。すなわち、ステップＳ６〜Ｓ１２の処理は、工程Ａ，Ｂ，Ｃ・・・・の各々ごとに行われる。あるいは、ステップＳ５の処理も、工程Ａ，Ｂ，Ｃ・・・・の各々ごとに行われてもよい。後者の場合には、許容範囲Ｒ０および照合率基準値Ｓ０も、工程Ａ，Ｂ，Ｃ・・・・の各々ごとに個別に設定される。照合部３３は、制御部３０の指示にもとづいて、いずれかの工程に関する欠陥データを、照合の対象として選択的に記憶媒体１５から読み出す。
【００４３】
つぎに、ステップＳ７において、照合率Ｓと照合率基準値Ｓ０との間で比較が行われる。この処理は、照合率判定部３４で行われる。照合率判定部３４は、照合部３３で行われた照合の結果にもとづいて、まず照合率Ｓを算出する。図５は、照合率Ｓを算出する動作を説明する説明図である。
【００４４】
図５の例では、半導体ウェハの中に４個の点状不良２０ａ〜２０ｄが見出されており、それらの中で点状不良２０ｃ，２０ｄの２個に関してのみ、座標値の一致する欠陥２３が存在する。ここで、ＦＢＭ不良と欠陥の一致、あるいはそれらの座標値の一致とは、ＦＢＭ不良からの距離が許容範囲Ｒ０以内である領域の中に欠陥２３が存在することを意味する。一般には、一つのＦＢＭ不良に複数の欠陥が一致する場合もある。
【００４５】
すなわち、点状不良２０ａ，２０ｂからの距離がそれぞれ許容範囲Ｒ０以内である領域２４ａ，２４ｂの中には、欠陥２３は見出されず、２個の点状不良２０ｃ，２０ｄにそれぞれ付随する領域２４ａ，２４ｂの中にのみ、欠陥２３が見出されている。見出される欠陥２３の個数は、点状不良２０ｃに関しては複数となっている。このとき、照合率Ｓは、
Ｓ＝２／４＝１／２  ・・・・・・・・・・・（数式２）
、と算出される。すなわち、照合率Ｓは、欠陥との一致が見出されたＦＢＭ不良の数と、ＦＢＭ不良の総数との比率として定義される。
【００４６】
照合率判定部３４は、つぎに、記憶部３２に格納される照合率基準値Ｓ０を読み出して、読み出された照合率基準値Ｓ０と算出された照合率Ｓとの比較を行う。許容範囲Ｒ０は、ＦＢＭ不良と欠陥との間の位置の誤差よりも大きな値に設定されているので、照合の対象とされる工程が、あるＦＢＭ不良の原因を含む工程であれば、そのＦＢＭ不良に対しては、一致する欠陥が見出される。ただし、許容範囲Ｒ０を大きく設定しているために、一致する欠陥の中には、正しくは一致しない欠陥が含まれる可能性がある。
【００４７】
照合率判定部３４で行われた比較の結果は、制御部３０へと送出される。照合率Ｓが照合率基準値Ｓ０よりも大きければ、制御部３０は、Ｄｉ算出部３６などを起動し、ステップＳ８以下の処理を実行させる。逆に、照合率Ｓが照合率基準値Ｓ０よりも大きくなければ、照合結果出力部３５が起動され、処理はステップＳ１３へと移行する。
【００４８】
ステップＳ８では、変位Ｄｉが算出される。この処理は、Ｄｉ算出部３６によって実行される。図６は、変位Ｄｉを算出する動作を説明する説明図である。図６に示すように、変位Ｄｉは、互いに一致するＦＢＭ不良と欠陥との間の、物理位置座標系におけるｘ成分の差、および、ｙ成分の差として定義される。すなわち、点状不良２０のｘ，ｙ成分を、それぞれ、ｘ１，ｙ２とし、一致する欠陥２３のｘ，ｙ成分を、それぞれ、ｘ２，ｙ２とすると、変位Ｄｉのｘ成分は、ｘ２−ｘ１，で与えられ、ｙ成分は、ｙ２−ｙ１，で与えられる。Ｄｉ算出部３６は、欠陥との一致が得られたＦＢＭ不良のすべてに対して、変位Ｄｉを算出する。
【００４９】
つぎに、ステップＳ９において、変位Ｄｉの平均値ｄが算出される。この処理は、ｄ（平均値）算出部３７によて実行される。図６の最下部に記載するように、ｄ算出部３７は、Ｄｉ算出部３６で算出された変位Ｄｉの値にもとづいて、これらすべての変位Ｄｉの平均値ｄを、ｘ，ｙ成分ごとに算出する。すなわち、平均値ｄのｘ成分は、すべての変位Ｄｉのｘ成分の平均値として算出され、ｙ成分は、すべての変位Ｄｉのｙ成分の平均値として算出される。
【００５０】
つぎに、ステップＳ１０において、補正欠陥位置座標が算出される。この処理は、補正欠陥位置座標算出部３９によって実行される。すなわち、補正欠陥位置座標算出部３９は、照合の対象とされる工程に関するすべての欠陥に対して、それらの座標値を平均値ｄで、ｘ，ｙ成分ごとに補正する。すなわち、各欠陥の座標値のｘ成分から平均値ｄのｘ成分が差し引かれ、ｙ成分から平均値ｄのｙ成分が差し引かれる。このようにして得られた補正欠陥位置座標の値は、欠陥位置座標更新部４０へと送出される。
【００５１】
つぎに、処理はステップＳ１１へと移行し、記憶媒体１５に格納される欠陥データに含まれる座標値が、補正欠陥位置座標の値へと更新される。この処理は、欠陥位置座標更新部４０によって実行される。すなわち欠陥の座標値が再登録される。
【００５２】
つづいて、処理はステップＳ１２へと移行し、補正欠陥位置座標で新たに更新された欠陥データにもとづく照合、すなわち再照合を行うか否かが判定される。この処理は、再照合判定部３８によって実行される。判定は、例えば、平均値ｄにもとづいて行われる。一例として、平均値ｄが所定の基準値よりも大きいときには、再照合を行うべしと判定され、逆に基準値以下であるときには、再照合を行うべきでないと判定される。
【００５３】
あるいは、照合回数ｍ（≧２）をあらかじめ設定しておき、照合の回数が照合回数ｍに達したか否かに応じて、再照合を行うか否かを判定するように、再照合判定部３８を構成することも可能である。このときには、ステップＳ７での判定結果が”Ｎｏ”とならない限り、照合すなわちステップＳ６の処理は、ｍ回反復して行われる。
【００５４】
判定の結果は、再照合判定部３８から制御部３０へと送出される。再照合をおこなうべしと判定されると、制御部３０は再び照合部３３を起動する。その結果、処理はステップＳ６へと戻り、ステップＳ６以下の処理が反復される。すなわち、補正欠陥位置座標で更新された最新の欠陥データにもとづく照合が実行される。
【００５５】
逆に、再照合を行うべきでないと判定されると、制御部３０は、照合結果出力部３５を起動する。その結果、処理はステップＳ１３へと移行する。ステップＳ１３において、照合結果出力部３５は、照合部３３によって得られた照合の結果に関するデータ、すなわち各ＦＢＭ不良の座標値、それらに一致する欠陥の有無などに関するデータを、例えば記憶媒体１５へと出力する。
【００５６】
＜１−３．不良解析装置の利点＞
この実施の形態の不良解析装置では、欠陥検査装置１，２で得られ、記憶媒体１５に登録される欠陥の座標値が、平均値ｄによって補正され、補正された値によって更新される。欠陥検査装置１，２には、検査対象としての半導体ウェハを載置する図示しないステージが備わる。欠陥の座標値が平均値ｄによって補正されることにより、ステージのずれ等に由来する座標値の誤差が、減殺ないし解消される。すなわち、精度の高い欠陥の座標値が得られる。
【００５７】
記憶媒体１５に再登録された精度の高いデータベースを、他の解析装置、例えば、座標リンケージ機能が付加されているＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）やＦＩＢ（フォーカスト・イオン・ビーム装置）など、欠陥の座標を利用する装置に利用することで、欠陥を素早く発見し、解析することが可能となる。
【００５８】
また、この実施の形態の不良解析装置では、照合率判定部３４によって照合率Ｓと照合率基準値Ｓ０との比較が行われ、照合率Ｓが照合率基準値Ｓ０よりも大きいときに限って、欠陥の座標値の補正が行われる。このため、許容範囲Ｒ０内に、本来一致しない欠陥が偶発的に存在するときに、この欠陥にもとづく誤った補正を回避することが可能となる。すなわち、偶然に一致する欠陥に由来する補正の精度の劣化を抑えることができるので、欠陥の座標値が高い精度で得られるという利点がある。
【００５９】
この実施の形態の不良解析装置では、さらに、所定の条件のもとで、補正欠陥位置座標にもとづいて、照合が再び行われる。一般に、欠陥の座標値の精度が悪い欠陥検査装置、例えば３００μｍ〜５００μｍの誤差を生じる欠陥検出装置では、欠陥の位置における誤差に関して、
（絶対誤差）＞（相対誤差）・・・・・・・・・・・・（数式３）
、の関係が成立する。ここで、絶対誤差とは、物理位置座標系に対する誤差を意味し、相対誤差とは、欠陥に相対的な誤差を意味する。
【００６０】
図７は、数式３の関係を例示する説明図である。図７の例では、点状不良２０ｐからの距離が許容範囲Ｒ０以内である領域２２ｐの中に、欠陥２３ａが見出されており、点状不良２０ｑからの距離が許容範囲Ｒ０以内である領域２２ｑの中に、欠陥２３ｂが見出されている。すなわち、点状不良２０ｐ，２０ｑには、それぞれ欠陥２３ａ，２３ｂが一致している。
【００６１】
このとき、点状不良２０ｐに対する欠陥２３ａの変位Ｄ１、点状不良２０ｑに対する欠陥２３ｂの変位Ｄ２、点状不良２０ｐ，２０ｑ同士のベクトルとしての距離Ｌ１、および、欠陥２３ａ，２３ｂ同士のベクトルとしての距離Ｌ２の間には、図７に記すような関係が、通常において成り立つ。変位Ｄ１、および、変位Ｄ２の大きさ（絶対値）が、数式３における絶対誤差であり、距離Ｌ２と距離Ｌ１の差（ベクトルとしての差）の大きさ（絶対値）が、相対誤差に相当する。
【００６２】
このような関係が成り立つときには、欠陥２３ａ，２３ｂの座標値から平均値ｄを差し引いて得られる補正欠陥位置座標は、ＦＢＭ不良の座標値に近接した値となる。したがって、ＦＢＭ不良と本来一致する欠陥の中で、許容範囲Ｒ０の外に存在していたものが、補正欠陥位置座標にもとづいて照合を再度行うことによって、許容範囲Ｒ０の中に適正に引き戻される。また、本来一致しない欠陥でありながら許容範囲Ｒ０の中に存在していたものが、許容範囲Ｒ０の外へと適正に排除される。このように、補正欠陥位置座標にもとづいて照合を再度行うことによって、高い精度、信頼性をもった照合結果が得られる。
【００６３】
＜２．実施の形態２＞
図８は、実施の形態２の不良解析装置の構成を示すブロック図である。この装置は、Ｒ０算出部４１が備わっている点において、図４に示した実施の形態１の装置とは特徴的に異なっている。図９は、この装置を含むシステムの動作の流れを示すフローチャートである。以下に、図８と図９とを同時に参照しつつ説明を行う。
【００６４】
ステップＳ１２において、再照合を行うべしと判定されると、ステップＳ６の処理が開始される前に、ステップＳ１５の処理が行われる。この処理は、Ｒ０算出部４１によって実行される。Ｒ０算出部４１は、ｄ算出部３７で算出された平均値ｄにもとづいて、新たに設定すべき許容範囲Ｒ０を算出し、この新たな許容範囲Ｒ０の値で、記憶部３２に記憶される許容範囲Ｒ０を更新する。後続するステップＳ６における再照合は、この新たに更新された許容範囲Ｒ０にもとづいて行われる。
【００６５】
許容範囲Ｒ０の更新に用いられる平均値ｄは、ｄ算出部３７で算出された平均値ｄの大きさ（絶対値）でもよく、あるいは、平均値ｄのｘ成分、もしくは、ｙ成分であってもよい。あるいは、それらの中のいずれかを、オペレータ（操作者）が選択できるようにしてもよい。
【００６６】
新たな許容範囲Ｒ０の値は、平均値ｄの関数Ｆを用いて、一般に、
Ｒ０＝Ｆ（ｄ）・・・・・・・・・・（数式４）
、で表される。関数Ｆは、変数ｄに対する増加関数であり、最も単純には、一次関数、すなわち、
Ｆ（ｄ）＝ｕ・ｄ＋ｖ，（ただし、ｕ＞０）・・・・・・・・・・（数式５）
、で与えられる。
【００６７】
このように、許容範囲Ｒ０が平均値ｄに依存した値とされ、平均値ｄが大きいほど許容範囲Ｒ０が大きくなり、欠陥がＦＢＭ不良に一致するとみなされる領域が拡大され、逆に、平均値ｄが小さいほど許容範囲Ｒ０が小さくなって、一致とみなされる領域が縮小される。すなわち、最初の照合は、オペレータ（操作者）によって大きめに設定された許容範囲Ｒ０の初期値にもとづいて行われるが、第２回目以降の照合は、平均値ｄに応じて適切に設定された許容範囲Ｒ０にもとづいて行われる。このため、照合結果の精度、信頼性が一層高められるという利点が得られる。
【００６８】
＜３．実施の形態３＞
図１０は、実施の形態３の不良解析装置の構成を示すブロック図である。この装置は、Ｄｉ算出部３６に代わってＤｉ算出部５１が備わり、ｄ算出部３７に代わってｄ算出部５２が備わり、Ｒ０算出部４１に代わってＲ０算出部５３が備わり、補正欠陥位置座標算出部３９に代わって補正欠陥位置座標算出部５４が備わる点において、図８に示した実施の形態２の装置とは特徴的に異なっている。図１１は、この装置を含むシステムの動作の流れを示すフローチャートである。以下に、図１０と図１１とを同時に参照しつつ説明を行う。
【００６９】
ステップＳ７において照合率Ｓが照合率基準値Ｓ０よりも大きいと判定されると、処理はステップＳ２１へと移行する。ステップＳ２１の処理は、Ｄｉ算出部５１によって実行される。Ｄｉ算出部５１は、ＦＢＭ不良の種別ごとに、変位を個別に算出する。すなわち、ＦＢＭ不良が点状不良であるか線状不良であるかに応じて、しかも、線状不良については、ｙ座標軸に沿った（したがって、ｘ座標値が一定の）Ｘライン不良であるか、ｘ座標軸に沿った（したがって、ｙ座標値が一定の）Ｙライン不良であるかに応じて、個別に変位が算出される。
【００７０】
なお、半導体ウェハに作り込まれる集積回路のレイアウトは、ｘ，ｙ座標軸に沿って行われる。例えば、メモリセルはｘ，ｙ座標軸に沿ったマトリクス状に配列するようにレイアウトされ、配線もｘ，ｙ座標軸に沿うようにレイアウトされる。したがって、通常においては、ｘ，ｙ座標軸に対して斜めに傾斜した線状不良は存在しないので、線状不良としては、Ｘライン不良およびＹライン不良のみを考慮すれば足りる。
【００７１】
点状不良であるＦＢＭ不良に対しては、図６に示した方法で変位Ｄｉが算出される。図１２は、線状不良であるＦＢＭ不良に対する変位の算出方法を示す説明図である。図１２には、線状不良２５がＸライン不良である例が示されている。この線状不良２５の座標値は、（ｘ１，ｙ１），（ｘ１，ｙ２），・・・・（ｘ１，ｙｎ）で与えられている。
【００７２】
線状不良２５からの距離が初期に設定された許容範囲Ｒ０以内である領域（点線で囲まれた領域）の中に見出された欠陥２３、すなわち、線状不良２５に一致する欠陥２３の座標値を（Ｘ，Ｙ）とすると、Ｘライン不良からの欠陥２３の変位Ｄｉｘとして、
Ｄｉｘ＝Ｘ  −  ｘ１，・・・・・・・・・・（数式６）
、が算出される。Ｙライン不良に対しても同様に、変位Ｄｉｙが算出される。すなわち、線状不良２５に対しては、線状不良２５の延在方向に直交する方向の変位Ｄｉｘ，Ｄｉｙが、変位として算出される。
【００７３】
このようにして、ステップＳ２１では、Ｄｉ算出部５１によって、点状不良に対する変位Ｄｉ、Ｘライン不良に対する変位Ｄｉｘ、および、Ｙライン不良に対する変位Ｄｉｙが算出される。ステップＳ２１の処理が完了すると、処理はステップＳ２２へと移行する。
【００７４】
ステップＳ２２の処理は、ｄ算出部５２によって実行される。ｄ算出部５２は、Ｄｉ算出部５１で算出された変位Ｄｉ，Ｄｉｘ，Ｄｉｙにもとづいて、それらの平均値を算出する。点状不良に対する変位Ｄｉの平均値ｄの算出は、図６に示した要領で行われる。これに対して、Ｘライン不良に対する変位Ｄｉｘの平均値ｄｘの算出は、図１２に示す要領で行われる。
【００７５】
すなわち、平均値ｄｘは、欠陥２３との一致が見出されたｊ（ｊ≧１）個のＸライン不良に対する変位Ｄｉｘ（ｉ＝１，２，・・・・，ｊ）の平均値として算出される。同様に、平均値ｄｙは、欠陥２３との一致が見出されたｋ（ｋ≧１）個のＹライン不良に対する変位Ｄｉｙ（ｉ＝１，２，・・・・，ｋ）の平均値として算出される。このように、点状不良、Ｘライン不良、および、Ｙライン不良というＦＢＭ不良の種別に応じて、個別に変位およびその平均値が算出される。
【００７６】
ステップＳ２２の処理が終了すると、処理は、ステップＳ２３へと移行する。この処理は、補正欠陥位置座標算出部５４によって実行される。補正欠陥位置座標算出部５４は、ＦＢＭ不良の種別ごとに、ＦＢＭ不良に一致する欠陥の位置の座標値を個別に補正する。
【００７７】
すなわち、点状不良に一致する欠陥に対しては、その座標値のｘ，ｙ成分は、それぞれ、平均値ｄのｘ，ｙ成分だけ差し引かれる。Ｘライン不良に一致する欠陥に対しては、その座標値のｘ成分は平均値ｄｘだけ差し引かれ、ｙ成分は補正されない。Ｙライン不良に一致する欠陥に対しては、その座標値のｙ成分は平均値ｄｙだけ差し引かれ、ｘ成分は補正されない。
【００７８】
補正欠陥位置座標算出部５４で得られた補正欠陥位置座標は、欠陥位置座標更新部４０へと入力される。そして、欠陥位置座標更新部４０は、記憶媒体１５に格納される欠陥データに含まれる座標値を、入力された補正欠陥位置座標の値へと更新する。
【００７９】
ステップＳ１２において、再照合を行うべしと判定されると、ステップＳ６の処理が開始される前に、ステップＳ２４の処理が行われる。この処理は、Ｒ０算出部５３によって実行される。Ｒ０算出部５３は、ｄ算出部５２で算出された平均値ｄ、ｄｘ，ｄｙにもとづいて、新たに設定すべき許容範囲を算出し、この新たな許容範囲の値で、記憶部３２に記憶される許容範囲Ｒ０を更新する。しかも、新たな許容範囲の値は、ＦＢＭ不良の種別ごとに個別に与えられる。
【００８０】
すなわち、点状不良に対する許容範囲Ｒ０、Ｘライン不良に対する許容範囲ＲＸ、および、Ｙライン不良に対する許容範囲ＲＹが、個別に与えられる。点状不良に対する許容範囲Ｒ０は、ステップＳ１５（図９）と同様に、平均値ｄの関数Ｆ（ｄ）で与えられる。これに対して、Ｘライン不良に対しては、図１３に示すように、許容範囲Ｒ０とは必ずしも一致しない許容範囲ＲＸが設定され、しかもこの許容範囲ＲＸは、平均値ｄｘの関数Ｆ（ｄｘ）で与えられる。同様に、許容範囲ＲＹは、平均値ｄｙの関数Ｆ（ｄｙ）で与えられる。
【００８１】
なお、関数Ｆ（）は、いずれも増加関数であり、最も単純には、数式５で例示される一次関数である。ただし、３つの関数Ｆ（）は、互いに同一の関数ではなくてもよい。
【００８２】
後続するステップＳ６における再照合は、これらの新たに更新された許容範囲にもとづいて行われる。すなわち、点状不良に対しては、許容範囲Ｒ０にもとづいて、Ｘライン不良に対しては許容範囲ＲＸにもとづいて、また、Ｙライン不良に対しては許容範囲ＲＹにもとづいて、それぞれ照合が行われる。
【００８３】
以上のように、この実施の形態の不良解析装置では、ＦＢＭ不良の種別に応じて、欠陥の位置の補正が適正に行われるので、点状不良と線状不良とが混在するときにおいても、精度の高い補正欠陥位置座標が得られる。また、この精度の高い座標値とともに、ＦＢＭ不良の種別に応じた許容範囲にもとづいて、再照合が行われるので、点状不良と線状不良とが混在する場合においても、照合結果に高い精度、信頼性が得られる。
【００８４】
＜４．実施の形態４＞
図１４は、実施の形態４の不良解析装置の構成を示すブロック図である。この装置は、領域分割部５５が備わる点において、図４に示した実施の形態１の装置とは特徴的に異なっている。図１５は、この装置を含むシステムの動作の流れを示すフローチャートである。以下に、図１４と図１５とを同時に参照しつつ説明を行う。
【００８５】
ステップＳ８の処理が終了すると、処理はステップＳ９へと移行する。このステップＳ９には、ステップＳ３１と後続するステップＳ３２とが含まれている。ステップＳ３１の処理は、領域分割部５５によって実行される。領域分割部５５は、検査対象としての半導体ウェハを、観念上、ｎ（≧２）個の領域に分割する。図１６は、分割の一例を示す説明図である。この例では、検査対象としての半導体ウェハＷＨが、４個の領域１〜４へと分割されている。すなわち、この例では、ｎ＝４である。しかも、領域１〜４は、半導体ウェハＷＨの中心を原点とするｘ，ｙ座標系（物理位置座標系）の第１〜第４象限に、各々相当している。
【００８６】
ステップＳ３１が終了すると、ｄ算出部３７によって、ステップＳ３２の処理が実行される。ｄ算出部３７は、領域分割部５５によって分割された領域１〜ｎに対して、変位Ｄｉの平均値ｄ１〜ｄｎを、それぞれ個別に算出する。すなわち、領域１の中で、変位Ｄｉの平均値ｄ１が算出され、同様に、領域２の中で、変位Ｄｉの平均値ｄ２が算出される。以下、他の領域３〜ｎに対しても同様である。
【００８７】
ステップＳ３２の処理が終了すると、補正欠陥位置座標算出部３９によって、ステップＳ３３の処理が実行される。補正欠陥位置座標算出部３９は、領域分割部５５によって分割された領域１〜ｎに対して、ｄ算出部３７で算出された平均値ｄ１〜ｄｎをそれぞれ用いて、補正欠陥位置座標を算出する。
【００８８】
すなわち、領域１に対しては、各欠陥の座標値のｘ，ｙ成分が、平均値ｄ１のｘ，ｙ成分でそれぞれ差し引かれることによって、補正欠陥位置座標が得られる。また、領域２に対しては、各欠陥の座標値のｘ，ｙ成分が、平均値ｄ２のｘ，ｙ成分でそれぞれ差し引かれることによって、補正欠陥位置座標が得られる。以下、他の領域３〜ｎに対しても同様である。
【００８９】
このようにして得られた補正欠陥位置座標の値は、補正欠陥位置座標算出部３９から欠陥位置座標更新部４０へと送出される。そして、ステップＳ１１では、欠陥位置座標更新部４０によって、記憶媒体１５に格納される欠陥データに含まれる座標値が、補正欠陥位置座標で更新される。
【００９０】
以上のように、この実施の形態の不良解析装置では、検査対象としての半導体ウェハＷＨが複数の領域に分割され、各領域毎に平均値ｄが算出され、これらにもとづいて、各領域毎に補正欠陥位置座標が算出される。このため、欠陥検査装置１，２に備わるステージの一方向へのずれに起因する欠陥の座標値の誤差だけでなく、回転をともなうずれに起因する誤差も、効果的に減殺されるという利点が得られる。また、分割される領域の個数ｎが高いほど、補正欠陥位置座標の精度は高まる。
【００９１】
図１６の例で説明すると、例えば半導体ウェハＷＨの中心の周りに、ステージの回転のずれθがあるときに、欠陥２３の位置のずれの大きさは、中心部と周辺部との間で差異があるものの、領域１〜４の各々の中でのずれの方向は比較的共通している。したがって、半導体ウェハＷＨ全体にわたって、算出された平均値ｄにもとづいて補正された座標値よりは、領域１〜４の中で個別に算出された平均値ｄ１〜ｄ４にもとづいて補正された座標値の方が、はるかに、精度は高くなる。また、この図１６の例でも、分割数ｎを高くするほど、補正欠陥位置座標の精度は高まる。
【００９２】
＜５．実施の形態５＞
図１７は、実施の形態５の不良解析装置の構成を示すブロック図である。この装置は、σ（分散）算出部６１が備わり、Ｒ０算出部４１に代えてＲ０算出部６２が備わる点において、図８に示した実施の形態２の装置とは特徴的に異なっている。図１８は、この装置を含むシステムの動作の流れを示すフローチャートである。以下に、図１７と図１８とを同時に参照しつつ説明を行う。
【００９３】
ステップＳ８の処理が終了すると、処理はステップＳ４１へと移行する。ステップＳ４１の処理は、ｄ算出部３７とσ算出部６１とによって実行される。ｄ算出部３７は、すでに述べたように、Ｄｉ算出部３６で算出された変位Ｄｉの値にもとづいて、変位Ｄｉの平均値ｄを算出する。それと同時に、あるいは、前後して、σ算出部６１が、変位Ｄｉの分散σを算出する。平均値ｄ、分散σのいずれも、ｘ，ｙ成分ごとに算出される。
【００９４】
すなわち、平均値ｄのｘ成分は、すべての変位Ｄｉのｘ成分の平均値として算出され、ｙ成分は、すべての変位Ｄｉのｙ成分の平均値として算出される。同様に、分散σのｘ成分は、すべての変位Ｄｉのｘ成分の分散として算出され、ｙ成分は、すべての変位Ｄｉのｙ成分の分散として算出される。算出された平均値ｄは、補正欠陥位置座標算出部３９へと送出され、分散σは、Ｒ０算出部６２へと送出される。ステップＳ４１の処理が完了すると、処理はステップＳ１０へと移行する。
【００９５】
ステップＳ１２において再照合を行うべしとの判定が行われると、処理はＲ０算出部６２によって実行されるステップＳ４２へと移行する。Ｒ０算出部６２は、σ算出部６１で算出された分散σにもとづいて、新たに設定すべき許容範囲Ｒ０を算出し、この新たな許容範囲Ｒ０の値で、記憶部３２に記憶される許容範囲Ｒ０を更新する。後続するステップＳ６における再照合は、更新された許容範囲Ｒ０にもとづいて行われる。
【００９６】
許容範囲Ｒ０の更新に用いられる分散σは、σ算出部６１で算出された分散σの大きさ（絶対値）でもよく、あるいは、分散σのｘ成分、もしくは、ｙ成分であってもよい。あるいは、それらの中のいずれかを、オペレータ（操作者）が選択できるようにしてもよい。
【００９７】
新たな許容範囲Ｒ０の値は、分散σの関数Ｆを用いて、一般に、
Ｒ０＝Ｆ（σ）・・・・・・・・・・（数式７）
、で表される。関数Ｆは、変数σに対する増加関数であり、最も単純には、比例関数、すなわち、
Ｆ（σ）＝ｗ・σ，（ただし、ｗ＞０）・・・・・・・・・・（数式８）
、で与えられる。定数ｗは、例えば、ｗ＝３に設定される。
【００９８】
このように、許容範囲Ｒ０が分散σに依存した値とされ、分散σが大きいほど許容範囲Ｒ０が大きくなり、欠陥がＦＢＭ不良に一致するとみなされる領域が拡大され、逆に、分散σが小さいほど許容範囲Ｒ０が小さくなって、一致とみなされる領域が縮小される。
【００９９】
すなわち、最初の照合は、オペレータ（操作者）によって大きめに設定された許容範囲Ｒ０の初期値にもとづいて行われるが、第２回目以降の照合は、変位のばらつきの度合いに応じて適切に設定された許容範囲Ｒ０にもとづいて行われる。このため、本来一致しない欠陥を不当に一致とみなす誤りを抑えることができるので、照合結果の精度、信頼性が一層高められるという利点が得られる。
【０１００】
＜６．実施の形態６＞
図１９は、実施の形態６の不良解析装置の構成を示すブロック図である。この装置は、ｄ算出部３７に代えてｈ（モード）算出部７１が備わり、補正欠陥位置座標算出部３９に代えて、補正欠陥位置座標算出部７３が備わり、Ｒ０算出部４１に代えてＲ０算出部７２が備わっている点において、図８に示した実施の形態２の装置とは特徴的に異なっている。図２０は、この装置を含むシステムの動作の流れを示すフローチャートである。以下に、図１９と図２０とを同時に参照しつつ説明を行う。
【０１０１】
ステップＳ８の処理が終了すると、処理はステップＳ４５へと移行する。このステップＳ４５の処理は、ｈ算出部７１によって実行される。ｈ算出部７１は、Ｄｉ算出部３６で算出された変位Ｄｉの値にもとづいて、変位Ｄｉのモード（最頻値）ｈを算出する。モードｈは、ｘ，ｙ成分ごとに算出される。すなわち、モードｈのｘ成分は、すべての変位Ｄｉのｘ成分の最頻値として算出され、ｙ成分は、すべての変位Ｄｉのｙ成分の最頻値として算出される。算出されたモードｈは、補正欠陥位置座標算出部７３へと送出される。
【０１０２】
つぎに、処理はステップＳ４６へと移行し、補正欠陥位置座標算出部７３によって、補正欠陥位置座標が算出される。補正欠陥位置座標算出部７３は、各欠陥の座標値をモードｈで、ｘ，ｙ成分ごとに補正する。すなわち、各欠陥の座標値のｘ成分からモードｈのｘ成分が差し引かれ、ｙ成分からモードｈのｙ成分が差し引かれる。
【０１０３】
このようにして得られた補正欠陥位置座標の値は、欠陥位置座標更新部４０へと送出される。後続するステップＳ１１において、欠陥位置座標更新部４０が、記憶媒体１５に格納される欠陥データに含まれる座標値を、補正欠陥位置座標で更新する点は、実施の形態２の装置と同様である。
【０１０４】
ステップＳ１２において再照合を行うべしとの判定が行われると、処理はＲ０算出部７２によって実行されるステップＳ４７へと移行する。Ｒ０算出部７２は、ｈ算出部７１で算出されたモードｈにもとづいて、新たに設定すべき許容範囲Ｒ０を算出し、この新たな許容範囲Ｒ０の値で、記憶部３２に記憶される許容範囲Ｒ０を更新する。後続するステップＳ６における再照合は、この新たに更新された許容範囲Ｒ０にもとづいて行われる。
【０１０５】
許容範囲Ｒ０の更新に用いられるモードｈは、ｈ算出部７１で算出されたモードｈの大きさ（絶対値）でもよく、あるいは、モードｈのｘ成分、もしくは、ｙ成分であってもよい。あるいは、それらの中のいずれかを、オペレータ（操作者）が選択できるようにしてもよい。
【０１０６】
新たな許容範囲Ｒ０の値は、モードｈの関数Ｆを用いて、一般に、
Ｒ０＝Ｆ（ｈ）・・・・・・・・・・（数式９）
、で表される。関数Ｆは、変数σに対する増加関数であり、最も単純には、一次関数、すなわち、
Ｆ（ｈ）＝α・σ＋β，（ただし、α＞０）・・・・・・・・・・（数式１０）
、で与えられる。すなわち、最初の照合は、オペレータ（操作者）によって大きめに設定された許容範囲Ｒ０の初期値にもとづいて行われるが、第２回目以降の照合は、モードｈに応じて適切に設定された許容範囲Ｒ０にもとづいて行われる。
【０１０７】
図２１は、平均値ｄに代えて、モードｈで欠陥の座標値を補正することの利点を説明するために、変位Ｄｉに対する欠陥の個数の分布の一例を示すグラフである。図２１の例では、曲線にピークが２箇所存在しており、この中で左側のピークは、本来はＦＢＭ不良に一致せず、偶然に一致とみなされた欠陥群Ｆによって形成されたピークである。そして、ＦＢＭ不良に対する欠陥の位置の正しいずれの値は、右側のピークを形成する欠陥群の中心に相当する”ｔ”の位置である。
【０１０８】
しかしながら、変位Ｄｉの平均値ｄは、欠陥群Ｆの存在のために、真のずれの値”ｔ”からは、左側に大きくシフトしてしまう。これに対して、モードｈは最も大きな右側のピークの位置に相当するために、比較的”ｔ”に近い値となる。
【０１０９】
このように、図２１に例示するような欠陥の分布では、平均値ｄよりもモードｈの方が、ずれの値を、より精度よく反映する。このような場合には、平均値ｄを用いて欠陥の座標値を補正するよりも、モードｈを用いた方が、より精度の高い補正欠陥位置座標が得られる。
【０１１０】
また、新たに設定される許容範囲Ｒ０の値についても、図２１に例示するような欠陥の分布に対しては、真のずれの値”ｔ”に近いモードｈにもとづいて決定された許容範囲Ｒ０の方が、本来一致しない欠陥を排除し、一致すべき欠陥のみを見出す上で、より適切であるといえる。以上のように、この実施の形態の不良解析装置では、モードｈが、ずれの値を、より精度よく反映するように、欠陥の変位Ｄｉが分布する場合に、欠陥の座標値の精度、および、照合結果の精度、信頼性が高められるという利点が得られる。
【０１１１】
＜７．実施の形態７＞
図２１に例示した変位Ｄｉの分布では、平均値ｄよりもモードｈの方が、欠陥の位置の真のずれ”ｔ”に近くなることは、既述のとおりである。しかしながら、変位Ｄｉのどのような分布に対しても、平均値ｄに比べてモードｈの方が、真のずれを常に適正に反映するとは限らない。
【０１１２】
図２２は、図１６に例示したように、半導体ウェハＷＨの中心点の周りに回転のずれが存在するときの、半導体ウェハＷＨ全体にわたる、変位Ｄｉの例えばｘ成分の分布を示すグラフである。図２２に示すように、このときには、略対称に二つのピークが現れる。これらのピークは、いずれも、図２１に示した偶然に一致とみなされた欠陥群Ｆに由来するものではなく、当然に一致とみなされるべき欠陥群によって形成されたピークである。
【０１１３】
このときに、モードｈは、二つのピークのいずれかの中心点へと偏在することとなる。一方、平均値ｄは、おおよそ原点の近傍に位置する。このような分布では、欠陥の座標値の補正が、モードｈで行われるよりも、平均値ｄで行われる方が、より精度の高い補正欠陥位置座標が得られる。また、新たな許容範囲Ｒ０についても、モードｈよりも平均値ｄにもとづいて設定される方が、適切な値が得られる。図２３に例示するような、変位Ｄｉの分布が、平坦なピークを有する曲線で表示されるときにも、同様の議論が成り立つ。
【０１１４】
以上のことから、変位Ｄｉの分布の形態に応じて、モードｈと平均値ｄとの間でいずれか一方を選択して利用することができることが、より望ましい。この実施の形態の不良解析装置は、このような要請に応えるべく構成されている。
【０１１５】
図２４は、この実施の形態の不良解析装置の構成を示すブロック図である。この装置は、ｄ算出部３７と並んでｈ算出部７１が備わり、さらに、ｄ／ｈ判定部（選択手段）８１が備わっている点において、図４に示した実施の形態１の装置とは特徴的に異なっている。図２５は、この装置を含むシステムの動作の流れを示すフローチャートである。以下に、図２４と図２５とを同時に参照しつつ説明を行う。
【０１１６】
ステップＳ８の処理が終了すると、処理はステップＳ５１へと移行する。このステップＳ５１の処理は、ｄ／ｈ判定部８１によって実行される。ｄ／ｈ判定部８１は、Ｄｉ算出部３６で算出された変位Ｄｉにもとづいて、その分布を判別し、その結果に応じて、平均値ｄとモードｈのいずれを利用すべきかを決定する。それには、例えば、変位Ｄｉの分布に対する類型をあらかじめ準備し、各類型ごとに平均値ｄとモードｈのいずれを選択すべきかを決定しておき、Ｄｉ算出部３６で算出された変位Ｄｉの分布がいずれの類型に属するかを、判別すればよい。
【０１１７】
例えば、図２１に例示したように、ピークの位置が明瞭で、しかも他とは抜きん出て高いピークが存在するときには、モードｈを選択すべく設定するとよい。それに反して、図２２に例示したように、ピークの位置は明瞭であっても、互いに背を並べるような他のピークが存在するとき、あるいは、図２３に例示したように、ピークの位置が明瞭でないときには、平均値ｄを選択するように設定するとよい。Ｄｉ算出部３６で算出された変位Ｄｉの分布が、いずれの類型に属するかは、従来周知の技術を用いて判定可能である。
【０１１８】
ステップＳ５１において、平均値ｄを利用すべき旨の判定結果が得られれば、処理はステップＳ５２へと移行し、逆に、モードｈを利用すべき旨の判定結果が得られれば、ステップＳ５３へと移行する。ステップＳ５２では、ｄ算出部３７によって、変位Ｄｉの平均値ｄが算出される。その演算の要領は、実施の形態１の装置のｄ算出部３７（図４）における演算と同様である。平均値ｄが算出されると、この平均値ｄの値が、新たに定義される変数（補正変数）ｇへ付与される。
【０１１９】
これに対して、ステップＳ５３では、ｈ算出部７１によって、変位Ｄｉのモードｈが算出される。その演算の要領は、実施の形態６の装置のｈ算出部７１（図１９）における演算と同様である。モードｈが算出されると、このモードｈの値が、新たに定義される変数ｇへ付与される。
【０１２０】
ステップＳ５２、または、Ｓ５３の処理が完了すると、処理はステップＳ５４へと移行する。ステップＳ５４の処理は、補正欠陥位置座標算出部３９によって実行される。補正欠陥位置座標算出部３９は、各欠陥の座標値のｘ成分から変数ｇのｘ成分を差し引き、ｙ成分から変数ｇのｙ成分を差し引く演算を実行する。したがって、ステップＳ５４に先だって、ステップＳ５２が実行されているときには、補正欠陥位置座標算出部３９は、実施の形態１の補正欠陥位置座標算出部３９と全く同等に機能し、ステップＳ５３が実行されているときには、実施の形態６の補正欠陥位置座標算出部７３と同等に機能する。
【０１２１】
その結果、ステップＳ５１で選択された平均値ｄまたはモードｈにもとづいて、欠陥の座標値が補正されることによって、補正欠陥位置座標が得られる。このようにして得られた補正欠陥位置座標の値は、欠陥位置座標更新部４０へと送出される。欠陥位置座標更新部４０は、後続するステップＳ１１において、記憶媒体１５に格納される欠陥データに含まれる座標値を、補正欠陥位置座標の値へと更新する。
【０１２２】
さらに、ステップＳ１２において、再照合判定部３８は、例えば、変数ｇ、すなわちｄ算出部３７で算出された平均値ｄまたはｈ算出部７１で算出されたモードｈのいずれかにもとづいて、再照合を行うべきか否かに関する判定を行う。一例として、変数ｇが所定の基準値よりも大きいときには、再照合を行うべしと判定され、逆に基準値以下であるときには、再照合を行うべきでないと判定される。
【０１２３】
以上のように、この実施の形態の不良解析装置では、変位Ｄｉの分布に応じて適切に選択された平均値ｄまたはモードｈにもとづいて、欠陥の座標値の補正が行われる。このため、より精度の高い欠陥の座標値が得られる。
【０１２４】
＜８．実施の形態８＞
実施の形態７の装置において、許容範囲Ｒ０を変数ｇにもとづいて再設定することができれば、さらに望ましい。この実施の形態の不良解析装置は、このような要請に応えるべく構成されている。
【０１２５】
図２６は、この実施の形態の不良解析装置の構成を示すブロック図である。この装置は、Ｒ０算出部８５が備わっている点において、図２４に示した実施の形態７の装置とは特徴的に異なっている。図２７は、この装置を含むシステムの動作の流れを示すフローチャートである。以下に、図２６と図２７とを同時に参照しつつ説明を行う。
【０１２６】
ステップＳ１２において再照合を行うべしとの判定が行われると、処理はステップＳ５５へと移行する。ステップＳ５５の処理は、Ｒ０算出部８５によって実行される。Ｒ０算出部８５は、変数ｇ、すなわちｄ算出部３７で算出された平均値ｄまたはｈ算出部７１で算出されたモードｈにもとづいて、新たに設定すべき許容範囲Ｒ０を算出する。そして、記憶部３２に記憶される許容範囲Ｒ０が、算出された新たな許容範囲Ｒ０の値で更新される。後続するステップＳ６における再照合は、この新たに更新された許容範囲Ｒ０にもとづいて行われる。
【０１２７】
許容範囲Ｒ０の更新に用いられる変数ｇは、変数ｇの大きさ（絶対値）でもよく、あるいは、変数ｇのｘ成分、もしくは、ｙ成分であってもよい。あるいは、それらの中のいずれかを、オペレータ（操作者）が選択できるようにしてもよい。
【０１２８】
新たな許容範囲Ｒ０の値は、モードｈの関数Ｆを用いて、一般に、
Ｒ０＝Ｆ（ｇ）・・・・・・・・・・（数式１１）
、で表される。関数Ｆは、変数ｇに対する増加関数であり、最も単純には、一次関数、すなわち、
Ｆ（ｈ）＝γ・ｇ＋δ，（ただし、γ＞０）・・・・・・・・・・（数式１２）
、で与えられる。すなわち、最初の照合は、オペレータ（操作者）によって大きめに設定された許容範囲Ｒ０の初期値にもとづいて行われるが、第２回目以降の照合は、変数ｇ、すなわち平均値ｄまたはモードｈの中から適切に選択された一方に応じて適切に設定された許容範囲Ｒ０にもとづいて行われる。
【０１２９】
以上のように、この実施の形態の不良解析装置では、第２回目以降の照合は、変位Ｄｉの分布に応じて適切に選択された平均値ｄまたはモードｈに応じて適切に設定された許容範囲Ｒ０にもとづいて行われる。このため、照合結果の精度、信頼性が一層高められるという利点が得られる。
【０１３０】
なお、実施の形態７，８の装置は、ｄ／ｈ判定部８１が、Ｄｉ算出部３６で得られた変位Ｄｉにもとづいて、平均値ｄまたはモードｈのいずれかを選択するように構成されていた。しかしながら、オペレータの指示にもとづいて、いずれかを選択するように構成することも可能である。例えば、欠陥検査装置１，２の種別によって、平均値ｄあるいはモードｈのいずれを選択するのが適切であるかが、あらかじめ解っているとき等には、このように構成された装置においても、実施の形態７，８と同等の効果が得られる。
【０１３１】
【発明の効果】
第１の発明の装置では、変位の平均値にもとづいて算出された補正欠陥位置座標で、欠陥の座標値が更新されるので、検査装置に備わる半導体ウェハを載置するためのステージのずれ等に由来する誤差が減殺された精度の高い欠陥の座標値が得られる。また、照合率が照合率基準値よりも大きいときに限って、欠陥の座標値の補正が行われる。このため、本来一致すべきでなく単に偶然に一致するに過ぎない欠陥に由来する補正の精度の劣化を抑えることができるので、欠陥の座標値がさらに高い精度で得られる。
【０１３２】
第２の発明の装置では、変位の最頻値にもとづいて算出された補正欠陥位置座標で、欠陥の座標値が更新されるので、ステージのずれ等に由来する誤差が減殺された精度の高い欠陥の座標値が得られる。特に、変位の平均値が誤差を正しく反映しないときに、精度の高い欠陥の座標値を得ることができる。
【０１３３】
第３の発明の装置では、変位の平均値または最頻値にもとづいて算出された補正欠陥位置座標で、欠陥の座標値が更新されるので、ステージのずれ等に由来する誤差が減殺された精度の高い欠陥の座標値が得られる。特に、平均値と最頻値のいずれかを補正変数として選択可能であるために、誤差を正しく反映した方を適切に選択することによって、より精度の高い欠陥の座標値を得ることができる。
【０１３４】
第４の発明の装置では、変位の分布にもとづいて、平均値と最頻値のいずれかが適切に選択されるので、オペレータが選択する必要がない。
【０１３５】
第５の発明の装置では、線状不良の変位として、その延在方向に直交する方向の変位が算出される。その結果、不良の種別に応じて算出された変位にもとづいて、補正欠陥位置座標が算出される。したがって、点状不良と線状不良とが混在するときにおいても、精度の高い欠陥の座標値が得られる。
【０１３６】
第６の発明の装置では、照合率が照合率基準値よりも大きいときに限って、欠陥の座標値の補正が行われる。このため、本来一致すべきでなく単に偶然に一致するに過ぎない欠陥に由来する補正の精度の劣化を抑えることができるので、欠陥の座標値がさらに高い精度で得られる。
【０１３７】
第７の発明の装置では、欠陥の群の座標値の更新が行われた後に、更新された座標値にもとづいて欠陥の検索が再び行われる。すなわち、精度の高い座標値にもとづいて、再照合が行われる。このため、高い精度、信頼性をもった照合結果が得られる。
【０１３８】
第８の発明の装置では、欠陥の群の座標値の更新が行われた後に、更新された座標値にもとづいて欠陥の検索が再び行われる。すなわち、精度の高い座標値にもとづいて、再照合が行われる。このため、高い精度、信頼性をもった照合結果が得られる。
【０１３９】
第９の発明の装置では、補正変数が一定値以下になると再照合は行われない。このため、欠陥の座標値の精度が十分に高く、補正変数が十分に小さいときに、不必要に再照合を反復することを防止することができる。
【０１４０】
第１０の発明の装置では、許容範囲が、補正変数の増加関数の値で更新されるので、補正変数が小さくなるほど、より小さい許容範囲にもとづいて再照合が行われる。すなわち、欠陥の座標値が真の座標値に接近するほど、許容範囲が狭まることによって、本来一致しない欠陥を不当に一致とみなす誤りを抑えることができる。したがって、照合結果の精度、信頼性が向上する。
【０１４１】
第１１の発明の装置では、不良の種別に応じて更新された許容範囲にもとづいて、再照合が行われるので、点状不良と線状不良とが混在する場合においても、照合結果に高い精度、信頼性が得られる。
【０１４２】
第１２の発明の装置では、許容範囲が、変位の分散の増加関数の値で更新されるので、変位のばらつきの度合いに応じた適切な許容範囲にもとづいて、再照合が行われる。このため、本来一致しない欠陥を不当に一致とみなす誤りを抑えることができ、照合結果の精度、信頼性を高めることができる。
【０１４３】
第１３の発明の装置では、半導体ウェハが複数の領域に分割され、補正変数の算出が、複数の領域ごとに個別に行われるので、ステージのずれに、回転のずれが含まれるときにおいても、精度の高い欠陥の座標値を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施の形態１の装置を含むシステムのフローチャートである。
【図２】各実施の形態の装置を含むシステムのブロック図である。
【図３】図２のシステムの動作の流れを示す説明図である。
【図４】実施の形態１の装置のブロック図である。
【図５】実施の形態１の装置の動作を説明する説明図である。
【図６】実施の形態１の装置の動作を説明する説明図である。
【図７】実施の形態１の装置の動作を説明する説明図である。
【図８】実施の形態２の装置のブロック図である。
【図９】実施の形態２の装置を含むシステムのフローチャートである。
【図１０】実施の形態３の装置のブロック図である。
【図１１】実施の形態３の装置を含むシステムのフローチャートである。
【図１２】実施の形態３の装置の動作を説明する説明図である。
【図１３】実施の形態３の装置の動作を説明する説明図である。
【図１４】実施の形態４の装置のブロック図である。
【図１５】実施の形態４の装置を含むシステムのフローチャートである。
【図１６】実施の形態４の装置の動作を説明する説明図である。
【図１７】実施の形態５の装置のブロック図である。
【図１８】実施の形態５の装置を含むシステムのフローチャートである。
【図１９】実施の形態６の装置のブロック図である。
【図２０】実施の形態６の装置を含むシステムのフローチャートである。
【図２１】実施の形態６の装置の動作を説明する説明図である。
【図２２】実施の形態７の装置の動作を説明する説明図である。
【図２３】実施の形態７の装置の動作を説明する説明図である。
【図２４】実施の形態７の装置のブロック図である。
【図２５】実施の形態７の装置を含むシステムのフローチャートである。
【図２６】実施の形態８の装置のブロック図である。
【図２７】実施の形態８の装置を含むシステムのフローチャートである。
【図２８】許容範囲の概念を説明する説明図である。
【図２９】許容範囲の概念を説明する説明図である。
【符号の説明】
１，２  欠陥検査装置、３  テスタ、１６  データ処理部（不良解析装置）、２０，２０ａ〜２０ｄ，２０ｐ，２０ｑ  点状不良（不良）、２３，２３ａ，２３ｂ  欠陥、２５  線状不良（不良）、３０  制御部（制御手段）、３１  初期設定部（初期設定手段）、３３  照合部（照合手段）、３４  照合率判定部（照合率判定手段）、３６，５１  Ｄｉ算出部（変位算出手段）、３７  ｄ算出部（平均値算出手段）、３８  再照合判定部（再照合判定手段）、３９，５４，７３補正欠陥位置座標算出部（補正欠陥位置座標算出手段）、４０  欠陥位置座標更新部（欠陥位置座標更新手段）、４１，５３，６２，７２，８５  Ｒ０算出部（許容範囲算出手段）、５５  領域分割部（領域分割手段）、６１  σ算出部（分散算出手段）、７１  ｈ算出部（最頻値算出手段）、８１  ｄ／ｈ判定部（選択手段）、Ｄｉ，Ｄｉｘ，Ｄｉｙ  変位、Ｆ  増加関数、Ｒ０  許容範囲、Ｓ０照合率基準値、Ｓ  照合率、ＷＨ  半導体ウェハ、ｄ  平均値、ｇ  変数（補正変数）、ｈ  モード（最頻値）、σ  分散。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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