(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持した状態で回転させる回転手段と，基板上を水平方向で基板中心を含む所定方向に移動可能で，かつ基板に現像液を供給する現像液供給手段とを有する現像処理装置であって，
前記現像液供給手段は，前記所定方向と所定角度をなす方向に並んで設けられた複数の供給口を有し，その現像液供給手段の一端付近が前記基板中心上を通過するように位置されており，
さらに，前記現像液供給手段は，複数ある前記供給口の径が，前記現像液供給手段の前記一端側から他端側に向かうにつれて次第に大きくなり，途中から同じ径に形成されていることを特徴とする，現像処理装置。
【請求項２】
前記現像液供給手段は，少なくとも前記基板の半径程度の長さを有することを特徴とする，請求項１に記載の現像処理装置。
【請求項３】
前記現像液供給手段は，少なくとも前記基板の一端から他端まで移動可能であることを特徴とする，請求項１又は２のいずれかに記載の現像処理装置。
【請求項４】
前記回転手段は，前記基板の回転速度を変更自在であることを特徴とする，請求項１，２又は３のいずれかに記載の現像処理装置。
【請求項５】
回転された基板上を所定の水平方向に現像液供給手段を移動させることによって，前記基板に現像液を供給して，基板を現像処理する方法であって，
前記現像液供給手段は，現像液を供給しながら前記基板の一端から他端まで移動し，
前記現像液供給手段は，前記基板の中心部で一旦停止し，
前記基板の回転速度は，少なくとも前記現像液供給手段が前記基板の一端から中心部に到達するまでは，所定の速度に維持され，前記現像液供給手段が前記基板の中心部で停止している時に前記所定の速度よりも遅い他の所定の速度に減速され，前記現像液供給手段が前記基板中心部から他端に移動する際に，前記他の所定の速度から所定の減速率で減速され，
前記基板の中心部における回転速度の減速率は，前記中心部から前記他端に移動するまでの前記回転速度の減速率よりも大きいことを特徴とする，現像処理方法。
【請求項６】
請求項１，２，３又は４のいずれかに記載の現像処理装置を用いた現像処理方法であって，
前記現像液供給手段は，現像液を供給しながら前記基板の一端から他端まで移動し，
前記現像液供給手段は，前記基板の中心部で一旦停止し，
前記基板の回転速度は，少なくとも前記現像液供給手段が前記基板の一端から中心部に到達するまでは，所定の速度に維持され，前記現像液供給手段が前記基板の中心部で停止している時に前記所定の速度よりも遅い他の所定の速度に減速され，前記現像液供給手段が前記基板中心部から他端に移動する際に，前記他の所定の速度からさらに減速され，
前記基板の中心部における回転速度の減速率は，前記中心部から前記他端に移動するまでの前記回転速度の減速率よりも大きいことを特徴とする，現像処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，基板の現像処理装置及び現像処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では，ウェハ表面にレジスト液を塗布し，レジスト膜を形成するレジスト塗布処理，ウェハにパターンを露光する露光処理，露光後のウェハに対して現像を行う現像処理等が順次行われ，ウェハに所定の回路パターンを形成する。
【０００３】
上述した現像処理は，通常，現像処理装置によって行われる。この現像処理装置は，ウェハの下面を吸着保持し，回転させるスピンチャックと，ウェハ上を所定方向に移動し，長手方向に沿って同一径の供給口が複数個形成されている細長の現像液供給ノズルとを有している。そして，先ずウェハを所定速度で回転させておき，そのウェハ上の一端からウェハ中心部まで，現像液を吐出しながら現像液供給ノズルを移動させる。そして，現像液供給ノズルがウェハの中心部で停止した状態で，さらに現像液を供給し続けることによって，ウェハの全面に現像液の液盛りを形成している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで，回転するウェハ上にウェハ面内において均等に現像液を供給するには，ウェハの外周部のよりも供給面積の小さい中心部の方の供給量を減少させる必要があるが，従来の現像処理装置では，複数の供給口が同じ径に統一されているため，ウェハの外周部に比べてウェハ中心部に多量の現像液が供給される傾向があった。
【０００５】
一方，ウェハの全面に現像液が供給できれば足りるため，上述したように現像液供給ノズルをウェハ上の中心付近まで移動させ，そこで停止させて回転しているウェハに現像液を吐出するようにしていたが，このように現像液供給ノズルをウェハ上で停止させて，そのまま最後まで吐出すると，前述したようにウェハ外周部に比べてウェハ中心部により多くの現像液が供給されてしまう原因となる。
【０００６】
本発明は，かかる点に鑑みてなされたものであり，ウェハ等の基板を現像処理する際に，基板に供給される現像液の量が，基板面内において均一になるような現像処理装置とその現像処理装置を用いた現像処理方法を提供することをその目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明によれば，基板を保持した状態で回転させる回転手段と，基板上を水平方向で基板中心を含む所定方向に移動可能で，かつ基板に現像液を供給する現像液供給手段とを有する現像処理装置であって，前記現像液供給手段は，前記所定方向と所定角度をなす方向に並んで設けられた複数の供給口を有し，その現像液供給手段の一端付近が前記基板中心上を通過するように位置されており，さらに，前記現像液供給手段は，複数ある前記供給口の径が，前記現像液供給手段の前記一端側から他端側に向かうにつれて次第に大きくなり，途中から同じ径に形成されていることを特徴とする現像処理装置が提供される。
【０００８】
このように，複数ある前記供給口の径が，前記現像液供給手段の一端側から他端側に向かうにつれて次第に大きくなり，途中から同じ径になるように前記現像液供給手段を形成することにより，各供給口から吐出される現像液の流量を調節し，最終的に基板上に供給される現像液の量を基板面内において均一にすることができる。かかる場合，全ての供給口に径の差を付ける必要はなく，途中から同径となるものを採用することが可能である。特に，基板中心付近に供給される現像液の量が過量となることが問題であるため，基板の外周部に対応する供給口の径が同じであっても差し支えない。なお，径を変える供給口の大きさ，位置，数等は，現像処理装置によって異なるため，各装置に個別に対応したものを採用する。また，所定角度は，０゜〜３０゜程度をいう。
【０００９】
参考例として，前記供給口が，前記現像液供給手段が基板中心上に位置した際に前記基板中心に向かうにつれて径が小さくなるように形成するようにしてもよい。前述したように回転する基板に現像液を供給する場合，基板の中心の方が外周部に比べて供給面積が小さいため，最終的に基板面内において同量の現像液を供給するには，基板中心に行くにつれて供給量を少なくする必要がある。そこで，径の異なる供給口を配置することにより，基板中心付近に供給される現像液を外周部の現像液よりも少なくなるようにする。
【００１０】
また，別の参考例として，前記現像液供給手段の一端付近が基板中心上を通過するように現像液供給手段を位置し，さらに，複数ある前記供給口の径が前記現像液供給手段の一端側から他端側に向かうにつれて次第に大きくなるように前記現像液供給手段を形成するようにしてもよい。この場合においても，基板の中心付近に供給される現像液の量を外周部のものよりも少なくすることができるので，最終的に基板面内に供給される現像液を均一にすることができる。なお，現像液供給手段の一端付近とは，現像液供給手段の一端から他端側にずれた部分をも含むことを意味する。
【００１２】
前記本発明の現像処理装置において，前記現像液供給手段は，少なくとも前記基板の半径程度の長さを有するようにしてもよい。このように，基板の半径程度の長さがあれば，回転している基板の半径部分に対して複数個の供給口から同時に現像液を供給し，基板全面に迅速に現像液を供給することができる。また，現像液供給手段の長さを基板の半径程度以上とするよりも，小さくても同程度の効果が得られる。
【００１３】
また，本発明の現像処理装置において，前記現像液供給手段が，少なくとも前記基板の一端から他端まで移動可能であるようにしてもよい。このように，基板の一端から他端まで移動可能にすることにより，従来のように，現像液の供給が終了するまで現像液供給手段を基板中心部に停止させて，基板に現像液を供給することが無くなり，現像液供給手段を基板中心部から他端まで移動させながら供給することができるため，基板中心部に供給される現像液の量を減少させることができる。
【００１４】
さらに，前記回転手段は，前記基板の回転速度を変更自在であるようにしてもよい。このように，回転速度を変更自在とすることにより，例えば現像液供給手段が移動しながら基板に現像液を供給している際に，回転速度を変更させることにより，単位面積あたりに供給される現像液の量が変更されるので，現像液供給手段の位置に応じて，現像液の供給量を変えることができる。これによって，基板面内の現像液の供給量がより均一になるように調節することができる。
【００１５】
本発明によれば，回転された基板上を所定の水平方向に現像液供給手段を移動させることによって，前記基板に現像液を供給して，基板を現像処理する方法であって，前記現像液供給手段は，現像液を供給しながら前記基板の一端から他端まで移動し，前記現像液供給手段は，前記基板の中心部で一旦停止し，前記基板の回転速度は，少なくとも前記現像液供給手段が前記基板の一端から中心部に到達するまでは，所定の速度に維持され，前記現像液供給手段が前記基板の中心部で停止している時に前記所定の速度よりも遅い他の所定の速度に減速され，前記現像液供給手段が前記基板中心部から他端に移動する際に，前記他の所定の速度から所定の減速率で減速され，前記基板の中心部における回転速度の減速率は，前記中心部から前記他端に移動するまでの前記回転速度の減速率よりも大きいことを特徴とする現像処理方法が提供される。
【００１６】
本発明によれば，現像液供給手段が基板の一端から他端まで移動するため，従来のように，長い間基板の中心に現像液供給手段を停止させた状態で，基板上に現像液を供給することが無く，中心から他端に向けて移動しながら現像液を供給できる。したがって，現像液供給手段が基板中心上で停止した状態で，現像液を供給する時間が短縮されるため，供給面積の小さい基板中心部に相対的に多量の現像液が供給されてしまうことが抑制される。また，基板の回転速度を変更することにより，低速にすれば，基板上の同じ部分により多くの現像液が供給され，逆に高速にすれば，より少量になることから，現像液の供給量を変更し，制御することができる。したがって，基板上に最終的に供給される現像液の量を，基板面内において均一にすることができる。
【００１７】
また，前記現像液供給手段が前記基板の中心部で一旦停止して，その後さらに続けて他端まで移動させることにより，回転している基板の中心部に現像液を供給し，その中心部から現像液を拡散させて，基板に満遍なく現像液を供給することができる。
【００１８】
前記基板の回転速度は，少なくとも前記現像液供給手段が前記基板の一端から中心部に到達するまでは，所定の速度に維持するので，基板上に斑のない現像液の薄い膜を形成することができる。したがって，基板全面において，時間差無く現像処理を開始することができ，さらに，いきなり多量の現像液を供給した場合に比べて，現像液が基板に与える衝撃を最小限に抑えることもできる。なお，所定の速度は，現像液の粘性によって定められるが，できる限り短時間で基板上に薄膜を形成する必要があることから，少なくとも５００ｒｐｍ以上である。
【００１９】
また，請求項１１のように前記基板の回転速度は，現像液供給手段が前記基板の一端から中心部に到達するまでの間に，前記基板の回転速度が減速されるようにしてもよい。すなわち，回転速度を減速したとしても，請求項１０に記載したように迅速に薄い膜が形成されればよい。
【００２０】
また，前記基板の回転速度は，前記現像液供給手段が前記基板の中心部で停止している時に前記所定の速度よりも遅い他の所定の速度に減速されるので，基板上に所定の膜厚の現像液の液盛りを形成する際の効率が上がると共に，基板の現像処理に必要な適量の現像液を供給することができる。
【００２１】
さらに，前記基板の回転速度は，前記現像液供給手段が前記基板中心部から他端に移動する際に，前記他の所定の速度から所定の減速率で減速されるので，基板上に所定の膜厚の現像液の液盛りを形成する際の効率が上がると共に，最終的に基板全面において適量の現像液が均一に液盛りされる。なお，前記現像液供給手段が前記基板中心部から他端に移動する際とは，前記現像液供給手段が，前記基板の中心部から動き出してから，前記基板の他端に達するまでをいう。
【００２２】
前記基板の中心部における回転速度の減速率は，前記中心部から前記他端に移動するまでの前記回転速度の減速率よりも大きくなるので，短時間で他の所定の速度に変更することができ，一方基板の中心部から他端に移動するまでの回転速度の減速率を小さくすることにより，動作の比較的安定した基板上に現像液を供給し，最終的に均一な現像液の液盛りを形成することができる。なお，参考例として，前記基板の回転速度は，現像液供給手段が前記基板の一端から中心部に到達するまでの間に，前記基板の回転速度が減速されるようにしてもよい。
【００２３】
本発明によれば，請求項１，２，３又は４のいずれかに記載の現像処理装置を用いた現像処理方法であって，前記現像液供給手段は，現像液を供給しながら前記基板の一端から他端まで移動し，前記現像液供給手段は，前記基板の中心部で一旦停止し，前記基板の回転速度は，少なくとも前記現像液供給手段が前記基板の一端から中心部に到達するまでは，所定の速度に維持され，前記現像液供給手段が前記基板の中心部で停止している時に前記所定の速度よりも遅い他の所定の速度に減速され，前記現像液供給手段が前記基板中心部から他端に移動する際に，前記他の所定の速度からさらに減速され，前記基板の中心部における回転速度の減速率は，前記中心部から前記他端に移動するまでの前記回転速度の減速率よりも大きいことを特徴とする現像処理方法が提供される。かかる場合，基板上に迅速に現像液の薄い膜を形成して現像開始時期の差を減少し，基板の中心部上方で回転数を減速させて基板中心部に適量の現像液を供給し，その後，さらに減速した基板上に，基板の中心部から他端に移動させながら現像液を供給して基板上に均一で適量の液盛りを形成することができる。
【００２４】
特に，単に回転数を減速させて現像液供給手段を基板の中心部から他端に移動させるよりも，供給口の径を現像液の膜が均一に形成されるように変えて用いた方が，より斑のない現像液の液盛りが形成される。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下，本発明の好ましい実施の形態について説明する。図１は，本実施の形態にかかる現像処理装置を有する塗布現像処理システム１の平面図であり，図２は，塗布現像処理システム１の正面図であり，図３は，塗布現像処理システム１の背面図である。
【００２６】
塗布現像処理システム１は，図１に示すように，例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部から塗布現像処理システム１に対して搬入出したり，カセットＣに対してウェハＷを搬入出したりするカセットステーション２と，塗布現像処理工程の中で枚葉式に所定の処理を施す各種処理装置を多段配置してなる処理ステーション３と，この処理ステーション３に隣接して設けられている図示しない露光装置との間でウェハＷの受け渡しをするインターフェイス部４とを一体に接続した構成を有している。
【００２７】
カセットステーション２では，載置部となるカセット載置台５上の所定の位置に，複数のカセットＣをＸ方向（図１中の上下方向）に一列に載置自在となっている。そして，このカセット配列方向（Ｘ方向）とカセットＣに収容されたウェハＷのウェハ配列方向（Ｚ方向；鉛直方向）に対して移送可能なウェハ搬送体７が搬送路８に沿って移動自在に設けられており，各カセットＣに対して選択的にアクセスできるようになっている。
【００２８】
ウェハ搬送体７は，ウェハＷの位置合わせを行うアライメント機能を備えている。このウェハ搬送体７は後述するように処理ステーション３側の第３の処理装置群Ｇ３に属するエクステンション装置３２に対してもアクセスできるように構成されている。
【００２９】
処理ステーション３では，その中心部に主搬送装置１３が設けられており，この主搬送装置１３の周辺には各種処理装置が多段に配置されて処理装置群を構成している。該塗布現像処理システム１においては，４つの処理装置群Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４が配置されており，第１及び第２の処理装置群Ｇ１，Ｇ２は現像処理システム１の正面側に配置され，第３の処理装置群Ｇ３は，カセットステーション２に隣接して配置され，第４の処理装置群Ｇ４は，インターフェイス部４に隣接して配置されている。さらにオプションとして破線で示した第５の処理装置群Ｇ５を背面側に別途配置可能となっている。前記主搬送装置１３は，これらの処理装置群Ｇ１，Ｇ３，Ｇ４，Ｇ５に配置されている後述する各種処理装置に対して，ウェハＷを搬入出可能である。
【００３０】
第１の処理装置群Ｇ１では，例えば図２に示すように，ウェハＷにレジスト液を塗布するレジスト塗布装置１７と，露光後のウェハＷを現像する現像処理装置１８とが下から順に２段に配置されている。処理装置群Ｇ２の場合も同様に，レジスト塗布装置１９と，本実施の形態にかかる現像処理装置２０とが下から順に２段に積み重ねられている。
【００３１】
第３の処理装置群Ｇ３では，例えば図３に示すように，ウェハＷを冷却処理するクーリング装置３０，レジスト液とウェハＷとの定着性を高めるためのアドヒージョン装置３１，ウェハＷを受け渡しするためのエクステンション装置３２，レジスト液中の溶剤を乾燥させるプリベーキング装置３３，３４及び現像処理後の加熱処理を施すポストベーキング装置３５，３６等が下から順に例えば７段に重ねられている。
【００３２】
第４の処理装置群Ｇ４では，例えばクーリング装置４０，載置したウェハＷを自然冷却させるエクステンション・クーリング装置４１，エクステンション装置４２，クーリング装置４３，露光処理後の加熱処理を行うポストエクスポージャーベーキング装置４４，４５，ポストベーキング装置４６，４７等が下から順に例えば８段に積み重ねられている。
【００３３】
インターフェイス部４の中央部にはウェハ搬送体５０が設けられている。このウェハ搬送体５０はＸ方向（図１中の上下方向），Ｚ方向（垂直方向）の移動とθ方向（Ｚ軸を中心とする回転方向）の回転が自在にできるように構成されており，第４の処理装置群Ｇ４に属するエクステンション・クーリング装置４１，エクステンション装置４２，周辺露光装置５１及び図示しない露光装置に対してアクセスして，各々に対してウェハＷを搬送できるように構成されている。
【００３４】
次に，上述した現像処理装置２０の構造について詳しく説明する。現像処理装置２０内中央には，図４，５に示すようにウェハＷを吸着し，載置するスピンチャック６０が設けられている。スピンチャック６０の下方には，このスピンチャック６０を回転させて，所定回転速度に維持し又は変更自在とする例えばモータ等を備えた回転手段としての回転機構６１が設けられている。
【００３５】
また，このスピンチャック６０の外周を取り囲むようにして，上面が開口した略筒状の容器６２が設けられている。また，この容器６２は，スピンチャック６０上にウェハＷが載置されたときに，その容器６２の上端部とウェハＷ外周部裏面との間に隙間Ｇが形成されるようになっている。この容器６２の下面には，不活性気体等を噴出する噴出口６３が設けられており，この容器６２内に不活性気体が供給され，前記隙間Ｇから排気されるようになっている。したがって，ウェハＷ外周部裏面には，容器６２内から外側方向に流れる気流が形成され，ウェハＷ上の現像液がウェハＷ外周部裏面に回り込まないようになっている。また，容器６２の側壁上部には，前記隙間Ｇの大きさを適当な大きさにするため，リング部材６５が設けられている。
【００３６】
更に，容器６２の外周を取り囲むようにして，上面が開口し，２重の構造を有する環状のカップ７０が設けられており，前記スピンチャック６０上に吸着保持され，回転されたウェハＷから遠心力によりこぼれ落ちた現像液等を受け止め，周辺の装置が汚染されないようになっている。カップ７０の底部には，前記ウェハＷ等からこぼれ落ちた現像液等を排液するドレイン管７３が設けられている。
【００３７】
一方，スピンチャック６０上方には，ウェハＷに現像液を供給するための現像液供給ノズル７５が水平方向に移動自在に設けられている。この現像液供給ノズル７５は，垂直支持棒７６とジョイント部材７７とを介して水平方向に伸びる水平支持棒７８に支持されている。また，この水平支持棒７８には，水平支持棒７８を所定方向（図４，５中のＸ方向）に移動自在とするノズル移動機構７９が結合されており，水平支持棒７８を介して現像液供給ノズル７５をカップ７０の一端外方に位置するノズル待機部８０からカップ７０の他端まで移動自在になっている。なお，ノズル待機部８０は，ウェハＷの現像処理の合間に，現像液供給ノズル７５が待機するところであり，必要に応じて現像液供給ノズル７５先端に付着した現像液を排除するためにダミーディスペンス等が行われる。
【００３８】
現像液供給ノズル７５は，略直方体状で，ウェハＷの半径程度の長さに形成されており，水平方向に長くなるように，前記水平支持棒７８に支持されている。
【００３９】
現像液供給ノズル７５の上面には，図示しない現像液供給源からの現像液が現像液供給ノズル７５に供給されるための供給管８２が２箇所設けられており，この供給管８２には，図示しない温度調節機能が取り付けられている。
【００４０】
そして，現像液供給ノズル７５の内部には，図６に示すように長手方向に伸びる細長の空間である貯留部７５ａが設けられており，前記供給管８２からの現像液が一旦貯留されるようになっている。また，この貯留部７５ａの下方，すなわち現像液供給ノズル７５の下部には，現像液をウェハＷに供給する複数個，例えば１１個の供給口８５ａ〜８５ｋが，長手方向に沿って等間隔にノズル待機部８０側に向けて，言いかえれば，ウェハＷの周辺方向に向けて設けられている。また，これらの供給口８５ａ〜８５ｋは，前記貯留部７５ａとの間を各々対応する供給経路８６ａ〜８６ｋによって連通されている。したがって，貯留部７５ａの現像液は，各供給経路８６ａ〜８６ｋを通って，供給口８５ａ〜８５ｋから吐出されるようになっている。また，供給口８５ａ〜８５ｋは，図４に示すように，垂直下方向と所定角度θ，例えば４５度をなすように設けられており，現像液は各供給口８５ａ〜８５ｋから所定角度θの方向に同時に吐出されるようになっている。
【００４１】
また，図７に示すように前記供給口８５ａ〜８５ｋの径の大きさは，供給口８５ａから供給口８５ｇまでは次第に大きくなっていくように設定され，供給口８５ｈから供給口８５ｋまでの径の大きさは，供給口８５ｇと同じになるように設定されている。具体的には，供給口８５ａの径を１ｍｍ程度とし，供給口８５ｇの径を２ｍｍ程度とする。
【００４２】
これらの供給口８５ａ〜８５ｋを有する現像液供給ノズル７５は，ウェハＷ上を水平方向でかつ所定方向に移動するが，供給口８５ｂがウェハＷの中心上方を通過するように現像液供給ノズル７５を設ける。従って，ウェハＷの中心部付近には，比較的径の小さい供給口８５ａ〜８５ｆが通過し，ウェハＷの外周部付近には，比較的径の大きい供給口８５ｇ〜８５ｋが通過するため，各供給口８５ａ〜８５ｋから同圧力で現像液が吐出されたときには，その吐出量はウェハＷ中心部の方が少なくなり，さらに中心付近に行くに従って少なくなる。
【００４３】
現像液供給ノズル７５は，図５に示すように現像液供給ノズル７５の移動方向（Ｘ方向）と直角方向（図５中のＹ方向）に対して，所定角度φ，例えば０°〜３０°をなすように水平支持棒７８に取り付けられている。また，供給口８５の先端とウェハＷとの距離が適当な間隔，例えば１０ｍｍ程度になるように調節し，近すぎて供給口８５がウェハＷ上に供給された現像液に接触したり，逆に遠すぎて現像液のウェハＷに対するインパクトが大きくなったりすることを防止する。
【００４４】
なお，スピンチャック６０上方には，現像液供給ノズル７５とは別に図示しない洗浄液供給ノズルが設けられており，ウェハＷの現像処理後にこの洗浄液供給ノズルからウェハＷ上に洗浄液が供給され，ウェハＷを洗浄できるように構成されている。
【００４５】
次に，以上のように構成されている現像処理装置２０の作用について，塗布現像処理システム１で行われるフォトリソグラフィー工程のプロセスと共に説明する。
【００４６】
先ず，ウェハ搬送体７がカセットＣから未処理のウェハＷを１枚取りだし，第３の処理装置群Ｇ３に属するアドヒージョン装置３１に搬入する。このアドヒージョン装置３１において，レジスト液との密着性を向上させるＨＭＤＳなどの密着強化剤を塗布されたウェハＷは，主搬送装置１３によって，クーリング装置３０搬送され，所定の温度に冷却される。その後，ウェハＷは，レジスト塗布装置１７又１９，プリベーキング装置３４又は３５に順次搬送され，所定の処理が施される。その後，ウェハＷは，エクステンション・クーリング装置４１に搬送される。
【００４７】
次いで，ウェハＷはエクステンション・クーリング装置４１からウェハ搬送体５０によって取り出され，その後，周辺露光装置５１を経て露光装置（図示せず）に搬送される。露光処理の終了したウェハＷは，ウェハ搬送体５０によりエクステンション装置４２に搬送された後，主搬送装置１３に保持される。次いで，このウェハＷはポストエクスポージャベーキング装置４４又は４５，クーリング装置４３に順次搬送され，これらの処置装置にて所定の処理が施された後，現像処理装置１８又は２０に搬送される。
【００４８】
そして，現像処理の終了したウェハＷは，主搬送装置１３によりポストベーキング装置３５，クーリング装置３０と順次搬送される。その後，ウェハＷは，エクステンション装置３２を介して，ウェハ搬送体７によってカセットＣに戻され，一連の所定の塗布現像処理が終了する。
【００４９】
上述した現像処理装置２０の作用について詳しく説明すると，先ず，クーリング装置４３において，所定温度に冷却されたウェハＷが主搬送装置１３により，現像処理装置２０内に搬入され，スピンチャック６０上に載置される。
【００５０】
そして，ウェハＷの現像処理工程が開始され，先ず，図４に示すように現像液供給ノズル７５がノズル待機部８０からウェハＷの周縁部上の位置Ｐ１に移動する。なお，この移動した後の位置を図８に示す。このとき，スピンチャック６０の回転も開始され，所定の速度としての第１の速度Ｖ１，例えば１０００ｒｐｍに維持される。なお，現像液供給ノズル７５の移動に伴うスピンチャック６０の回転速度の推移を図９に示す。
【００５１】
次いで，現像液供給ノズル７５からカップ７０に向けて所定流量の現像液が吐出される（図８）。このとき，温度調節された現像液が，供給管８２から溜め部７５ａに流入し，さらに溜め部７５ａから各供給経路８６に流れ込み，各供給口８５ａ〜８５ｋから同時に吐出される。
【００５２】
そして，このような，いわゆる試し出しが現像液の流量が安定するまで行われ，所定時間経過後，現像液供給ノズル７５の移動が開始される。
【００５３】
そして，ウェハＷの回転速度を第１の速度Ｖ１に維持した状態で，現像液供給ノズル７５が現像液を吐出しながら，ウェハＷ上の前記位置Ｐ１からウェハＷの中心部上方の所定位置Ｐ２まで，所定の移動速度，例えば１００ｍｍ／ｓで移動する。このとき，ウェハＷが高速回転されているため，ウェハＷには，現像液が偏り無く供給され，薄い現像液の膜が迅速に形成され，これによってウェハＷの現像処理が開始される（図１０）。なお，前記所定位置Ｐ２は，供給口８５ｂから吐出された現像液がウェハＷの中心Ｃに供給される位置である。
【００５４】
そして，現像液供給ノズル７５は所定位置Ｐ２に到達し，一旦停止した状態で，スピンチャック６０の回転速度が，第１の速度Ｖ１から他の所定の速度としての第２の速度Ｖ２，例えば１００ｒｐｍに減速される。このときの第１の減速率は，大きすぎると向心力が過大となって既にウェハＷ上に供給されている現像液が中心部に引き寄せられてしまい，逆に小さすぎるとトータル現像時間が長くなってしまうため，適当な減速率，例えば１０００ｒｐｍ／ｓで行うようにする。
【００５５】
そして，所定時間，回転速度を１００ｒｐｍに維持したまま，現像液を供給し，ウェハＷ上により厚い現像液の膜が形成され始める（図１１）。その後，再び現像液供給ノズル７５が動き始め，位置Ｐ２からウェハＷの他端の位置Ｐ３に移動する（図１２）。このときの移動速度は，位置Ｐ１から位置Ｐ２に移動するときよりも遅い，５０ｍｍ／ｓである。また，この移動中に，ウェハＷの回転速度が第２の減速率で第２の速度Ｖ２から第３の速度Ｖ３，例えば３０ｒｐｍに減速される。このように，移動速度が遅くなり，また回転速度も遅くなることにより，ウェハＷ上に厚く，偏りの無い適量の現像液の膜が形成される。なお，このときの回転速度の第２の減速率は，減速すべき回転速度の差が小さいうえに，均一に液盛りする必要があることから，上述した第１の減速率よりも小さい値にする。
【００５６】
その後，現像液供給ノズル７５がウェハＷの他端の外方の位置Ｐ３に達したところで停止し，現像液の供給が停止される（図１３）。そして，ウェハＷの回転も一旦停止され，ウェハＷが所定時間現像に付される。
【００５７】
その後，現像液供給ノズル７５は，ノズル待機部８０に移動され，一方ウェハＷは，再び回転され，洗浄・乾燥される。
【００５８】
以上の実施の形態では，現像液供給ノズル７５の供給口８５ａ〜８５ｋの径の大きさをウェハＷの中心付近に行くに従って小さくなるように設けたため，ウェハＷの中心付近に供給される現像液の総量がウェハＷの外周部のものよりも少なくなった。その結果，図１４に示すように，従来に比べウェハＷ中心付近における単位面積あたりの供給量のばらつきが減少し，ウェハＷ面内において現像液が均一に供給された。したがって，ウェハＷに最終的に形成される線幅の均一性が向上し，歩留まりの向上が図られる。
【００５９】
また，現像液供給ノズル７５が位置Ｐ１からＰ２まで移動する間に，ウェハＷの回転速度を第１の速度Ｖ１に維持させたため，素早くウェハＷ上に現像液が満遍なく供給され，最小限の時間差で現像を開始することができる。なお，上記効果が得られる限り，第１の速度Ｖ１を変更させてもよい。
【００６０】
また，位置Ｐ２において，ウェハＷの回転速度を第１の速度Ｖ１から第２の速度Ｖ２に減速するようにしたため，位置Ｐ２において本格的な現像液の供給が開始される。そして，その後，位置Ｐ２からＰ３に移動することにより，ウェハＷ中心への現像液の供給量が減少され，さらに回転速度を第３の速度Ｖ３に減速することにより，より多量の現像液を，より斑のないようにウェハＷ上に液盛りすることができる。
【００６１】
以上の実施の形態においては，現像液供給ノズル７５の供給口８５の径を供給口８５ａから供給口８５ｇまでは次第に大きくし，供給口８５ｇから供給口８５ｋまでを同じ径としたが，供給口８５ａから供給口８５ｋまでを次第に大きくするようにしてもよい。これは，ウェハＷ上に均一な現像液の液盛りを形成するためには，ウェハＷの外周部においても，より外縁部に近づくにつれ，より多くの現像液を供給しなければならないためであり，径を変えることにより，ウェハＷ周辺部においてもより均一な現像液の膜が形成される。
【００６２】
また，ウェハＷに最終的に形成される現像液の液盛りの厚みを調査し，供給口８５を設計する際にその調査結果に基づき，各供給口８５の径の大きさを決定するようにしてもよい。すなわち，所定位置の供給口の径だけが大きくなっていたり，他種類の径を有する複数の供給口が前記調査に基づいた位置に並べられるような構成になっていてもよい。
【００６３】
以上の実施の形態では，所定の現像液供給ノズル７５を用いて現像処理を行ったが，他の形状の現像液供給ノズル，例えば図１５，１６に示すような，ほぼウェハＷの直径の長さを有し，ウェハＷ中心に行くに従って供給口１１５の径が小さくなるような現像液供給ノズル１１０を用いてもよい。このような場合においても，ウェハＷ中心部に供給される現像液の量が減少されるため，ウェハＷ全面において，現像液の量が均一になる。
【００６４】
先に説明した実施の形態は，半導体ウェハデバイス製造プロセスのフォトリソグラフィー工程におけるウェハＷの現像処理装置についてであったが，本発明は半導体ウェハ以外の基板例えばＬＣＤ基板の現像処理装置においても応用できる。
【００６５】
【発明の効果】
本発明によれば，現像液供給手段により基板上に供給される現像液の量が基板面内において均一になるため，基板面内における現像処理が均一に行われ，その結果，最終的に形成される線幅が均一になり，歩留まりの向上が図られる，
【００６６】
特に，供給口の径の大きさを変えて，基板中心に供給される現像液の量を減少させるように設けることにより，従来懸念されていた基板中心付近の供給量のばらつきを抑制した。
【００６７】
また，現像液供給手段を基板中心部から基板の他端部に移動させながら現像液を供給することにより，基板中心付近に供給される現像液の量を減少させ，基板面内における現像液の均一性を図った。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施の形態にかかる現像処理装置が組み込まれている塗布現像処理システムの構成の概略を示す平面図である。
【図２】図１の塗布現像処理システムの正面図である。
【図３】図１の塗布現像処理システムの背面図である。
【図４】本実施の形態にかかる現像処理装置の構成の概略を示した説明図である。
【図５】図４の現像処理装置の構成を示した平面の説明図である。
【図６】本実施の形態にかかる現像処理装置に用いられる現像液供給ノズルを示す斜視図である。
【図７】現像液供給ノズルの供給口の径の大きさを示す説明図である。
【図８】本実施の形態にかかる現像処理装置における現像処理工程で現像液供給ノズルが位置Ｐ１にある状態を示す略側面図である。
【図９】ウェハＷの現像処理におけるスピンチャックの回転速度の推移を示すグラフである。
【図１０】図８の現像処理工程で現像液供給ノズルが位置Ｐ２にある状態を示す略側面図である。
【図１１】図８の現像処理工程で現像液供給ノズルが位置Ｐ２にある状態を示す略側面図である。
【図１２】図８の現像処理工程で現像液供給ノズルが位置Ｐ２から位置Ｐ３に移動している状態を示す略側面図である。
【図１３】図８の現像処理工程で現像液供給ノズルが位置Ｐ３にある状態を示す略側面図である。
【図１４】従来の現像液供給ノズルと本実施の形態の現像液供給ノズルを使用した場合のウェハＷ上の各位置における現像液の供給量を示したグラフである。
【図１５】他の形態の現像液供給ノズルを用いた場合の現像処理装置の平面を示す説明図である。
【図１６】図１５の現像液供給ノズルの供給口の径の大きさを示す説明図である。
【符号の説明】
１    塗布現像処理システム
２０    現像処理装置
６０    スピンチャック
７５    現像液供給ノズル
７８    水平支持棒
７９    ノズル移動機構
８５    供給口
Ｗ    ウェハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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