(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品と基板とを絶縁樹脂で接合しつつ封止する電子部品の実装方法において、
上記絶縁樹脂との密着力向上用の密着力向上剤を、上記電子部品と上記基板との互いに対向する２つの面のうち少なくともいずれか一方の面に配置し、
上記電子部品の電極と上記基板の電極とのうちのいずれか一方の電極に形成したバンプを上記電子部品の電極と上記基板の電極とのうちのいずれか他方の電極に接合するとともに、上記電子部品と上記基板との間を上記絶縁樹脂で封止し、上記絶縁樹脂と上記密着力向上剤とを接触させて上記密着力向上剤により上記絶縁樹脂と上記電子部品又は上記基板との間の密着力を向上させるとともに、
上記電子部品が矩形のＩＣチップであり、上記密着力向上剤を、上記基板に実装されるべき上記矩形のＩＣチップの実装部と、上記ＩＣチップが実装されるべき上記基板のＩＣチップ実装部のうちのいずれか一方の実装部の四隅に配置する電子部品の実装方法。
【請求項２】
電子部品と基板とを絶縁樹脂で接合しつつ封止する電子部品の実装方法において、
上記絶縁樹脂との密着力向上用の密着力向上剤を、上記電子部品と上記基板との互いに対向する２つの面のうち少なくともいずれか一方の面に配置し、
上記電子部品の電極と上記基板の電極とのうちのいずれか一方の電極に形成したバンプを上記電子部品の電極と上記基板の電極とのうちのいずれか他方の電極に接合するとともに、上記電子部品と上記基板との間を上記絶縁樹脂で封止し、上記絶縁樹脂と上記密着力向上剤とを接触させて上記密着力向上剤により上記絶縁樹脂と上記電子部品又は上記基板との間の密着力を向上させるとともに、
上記電子部品がＩＣチップであり、上記密着力向上剤を、上記基板に実装されるべき上記ＩＣチップの実装部と、上記ＩＣチップが実装されるべき上記基板のＩＣチップ実装部とのうちのいずれか一方の実装部の縁部にドット状に配置する電子部品の実装方法。
【請求項３】
電子部品と基板とを絶縁樹脂で接合しつつ封止する電子部品の実装方法において、
上記絶縁樹脂との密着力向上用の密着力向上剤を、上記電子部品と上記基板との互いに対向する２つの面のうち少なくともいずれか一方の面に配置し、
上記電子部品の電極と上記基板の電極とのうちのいずれか一方の電極に形成したバンプを上記電子部品の電極と上記基板の電極とのうちのいずれか他方の電極に接合するとともに、上記電子部品と上記基板との間を上記絶縁樹脂で封止し、上記絶縁樹脂と上記密着力向上剤とを接触させて上記密着力向上剤により上記絶縁樹脂と上記電子部品又は上記基板との間の密着力を向上させるとともに、
上記電子部品がＩＣチップであり、上記密着力向上剤を、上記基板に実装されるべき上記ＩＣチップの実装部と、上記ＩＣチップが実装されるべき上記基板のＩＣチップ実装部とのうちのいずれか一方の実装部の縁部に枠状でかつ帯状に配置する電子部品の実装方法。
【請求項４】
電子部品と基板とを絶縁樹脂で接合しつつ封止する電子部品の実装方法において、
上記絶縁樹脂との密着力向上用の密着力向上剤を、上記電子部品と上記基板との互いに対向する２つの面のうち少なくともいずれか一方の面に配置し、
上記電子部品の電極と上記基板の電極とのうちのいずれか一方の電極に形成したバンプを上記電子部品の電極と上記基板の電極とのうちのいずれか他方の電極に接合するとともに、上記電子部品と上記基板との間を上記絶縁樹脂で封止し、上記絶縁樹脂と上記密着力向上剤とを接触させて上記密着力向上剤により上記絶縁樹脂と上記電子部品又は上記基板との間の密着力を向上させるとともに、
上記密着力向上剤は、マイクロカプセルの球形でかつ水分を吸収しにくい材料からなる外皮内に封入され、かつ、所定圧力以上の圧力又は所定温度以上の温度が作用すると上記外皮が破壊されて上記密着力向上剤の密着力向上機能を発揮する電子部品の実装方法。
【請求項５】
電子部品と基板とを絶縁樹脂で接合しつつ封止して構成される基板モジュールにおいて、
上記絶縁樹脂との密着力向上用の密着力向上剤を、上記電子部品と上記基板との互いに対向する２つの面のうち少なくともいずれか一方の面に配置し、
上記電子部品の電極と上記基板の電極とのうちのいずれか一方の電極に形成したバンプを上記電子部品の電極と上記基板の電極とのうちのいずれか他方の電極に接合し、上記電子部品と上記基板との間を上記絶縁樹脂で封止し、上記絶縁樹脂と上記密着力向上剤とが接触して上記密着力向上剤により上記絶縁樹脂と上記電子部品又は上記基板との間の密着力が向上し、
上記電子部品が矩形のＩＣチップであり、上記密着力向上剤を、上記基板に実装されるべき上記矩形のＩＣチップの実装部と、上記ＩＣチップが実装されるべき上記基板のＩＣチップ実装部のうちのいずれか一方の実装部の四隅に配置する基板モジュール。
【請求項６】
電子部品と基板とを絶縁樹脂で接合しつつ封止して構成される基板モジュールにおいて、
上記絶縁樹脂との密着力向上用の密着力向上剤を、上記電子部品と上記基板との互いに対向する２つの面のうち少なくともいずれか一方の面に配置し、
上記電子部品の電極と上記基板の電極とのうちのいずれか一方の電極に形成したバンプを上記電子部品の電極と上記基板の電極とのうちのいずれか他方の電極に接合し、上記電子部品と上記基板との間を上記絶縁樹脂で封止し、上記絶縁樹脂と上記密着力向上剤とが接触して上記密着力向上剤により上記絶縁樹脂と上記電子部品又は上記基板との間の密着力が向上し、
上記電子部品がＩＣチップであり、上記密着力向上剤を、上記基板に実装されるべき上記ＩＣチップの実装部と、上記ＩＣチップが実装されるべき上記基板のＩＣチップ実装部とのうちのいずれか一方の実装部の縁部にドット状に配置する基板モジュール。
【請求項７】
電子部品と基板とを絶縁樹脂で接合しつつ封止して構成される基板モジュールにおいて、
上記絶縁樹脂との密着力向上用の密着力向上剤を、上記電子部品と上記基板との互いに対向する２つの面のうち少なくともいずれか一方の面に配置し、
上記電子部品の電極と上記基板の電極とのうちのいずれか一方の電極に形成したバンプを上記電子部品の電極と上記基板の電極とのうちのいずれか他方の電極に接合し、上記電子部品と上記基板との間を上記絶縁樹脂で封止し、上記絶縁樹脂と上記密着力向上剤とが接触して上記密着力向上剤により上記絶縁樹脂と上記電子部品又は上記基板との間の密着力が向上し、
上記電子部品がＩＣチップであり、上記密着力向上剤を、上記基板に実装されるべき上記ＩＣチップの実装部と、上記ＩＣチップが実装されるべき上記基板のＩＣチップ実装部とのうちのいずれか一方の実装部の縁部に枠状でかつ帯状に配置する基板モジュール。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子回路用プリント基板（本明細書では、代表例として「基板」と称するが、この「基板」にはインタポーザや電子部品が装着される他の部品などの被装着体を意味する。）に電子部品例えばＩＣチップ、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）、ＭＣＭ（Ｍｕｌｔｉ  Ｃｈｉｐ  Ｍｏｄｕｌｅ）、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）や表面弾性波（ＳＡＷ）デバイスなどを単体（ＩＣチップの場合にはベアＩＣ）状態で実装する回路基板への電子部品の実装方法及び上記実装方法により上記電子部品が上記基板に実装された基板モジュールに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
今日、電子回路基板は、あらゆる製品に使用されるようになり、日増しにその性能が向上し、回路基板上で用いられる周波数も高くなっており、インピーダンスが低くなるフリップチップ実装は高周波を使用する電子機器に適した実装方法となっている。また、携帯機器の増加から、回路基板にＩＣチップをパッケージではなく裸のまま搭載するフリップチップ実装が求められている。このために、ＩＣチップそのまま単体で回路基板に搭載したときのＩＣチップや、電子機器及びフラットパネルディスブレイへ実装したＩＣチップには、一定数の不良品が混在している。また、上記フリップチップ以外にもＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）等が用いられるようになってきている。
【０００３】
従来の電子機器の回路基板へＩＣチップを接合する方法としては特公平０６−６６３５５号公報等により開示されたものがある。これを図２１に示す。図２１に示すように、バンプ７３を形成したＩＣチップ７１にＡｇペースト７４を転写して回路基板７６の電極７５に接続したのちＡｇペースト７４を硬化し、その後、封止材７８をＩＣチップ７１と回路基板７６の間に流し込む方法が一般的に知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記構造のものでは、特に、矩形のＩＣチップの四隅の部分（図２１の参照符号１００で示す部分）でかつバンプが無い部分や、回路基板のバンプが無い部分（図２１の参照符号１０１で示す部分）では、バンプを介して接合されている他の部分と比較して、密着力が不足し、ＩＣチップと基板との接合工程では両者の接合が良好のように見えても、リフロー工程やヒートサイクル試験工程において、上記密着力の不足から絶縁樹脂とＩＣチップ又は基板との間で剥離が生じてしまい、剥離部分から水分が侵入して短絡又は腐食が生じてしまい、信頼性が低下するといった問題が生じうる可能性がある。
【０００５】
従って、本発明の目的は、上記問題を解決することにあって、リフロー工程やヒートサイクル試験工程においても絶縁樹脂と電子部品又は基板との間で剥離が生じにくく、短絡又は腐食が防止でき、信頼性を高めることができる電子部品の実装方法及び基板モジュールを提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は以下のように構成する。
【０００７】
本発明の第１態様によれば、電子部品と基板とを絶縁樹脂で接合しつつ封止する電子部品の実装方法において、
上記絶縁樹脂との密着力向上用の密着力向上剤を、上記電子部品と上記基板との互いに対向する２つの面のうち少なくともいずれか一方の面に配置し、
上記電子部品の電極と上記基板の電極とのうちのいずれか一方の電極に形成したバンプを上記電子部品の電極と上記基板の電極とのうちのいずれか他方の電極に接合するとともに、上記電子部品と上記基板との間を上記絶縁樹脂で封止し、上記絶縁樹脂と上記密着力向上剤とを接触させて上記密着力向上剤により上記絶縁樹脂と上記電子部品又は上記基板との間の密着力を向上させるようにしたことを特徴とする電子部品の実装方法を提供する。
【０００８】
本発明の第２態様によれば、上記電子部品が矩形のＩＣチップであり、上記密着力向上剤を、上記基板に実装されるべき上記矩形のＩＣチップの実装部と、上記ＩＣチップが実装されるべき上記基板のＩＣチップ実装部のうちのいずれか一方の実装部の四隅に配置するようにした第１態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。
【０００９】
本発明の第３態様によれば、上記電子部品がＩＣチップであり、上記密着力向上剤を、上記基板に実装されるべき上記ＩＣチップの実装部と、上記ＩＣチップが実装されるべき上記基板のＩＣチップ実装部とのうちのいずれか一方の実装部の縁部にドット状に配置するようにした第１態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。
【００１０】
本発明の第４態様によれば、上記電子部品がＩＣチップであり、上記密着力向上剤を、上記基板に実装されるべき上記ＩＣチップの実装部と、上記ＩＣチップが実装されるべき上記基板のＩＣチップ実装部とのうちのいずれか一方の実装部の縁部に枠状でかつ帯状に配置するようにした第１態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。
【００１１】
本発明の第５態様によれば、上記電子部品がＩＣチップであり、上記密着力向上剤を、上記基板に実装されるべき上記ＩＣチップの実装部と、上記ＩＣチップが実装されるべき上記基板のＩＣチップ実装部とのうちのいずれか一方の実装部の全面に配置するようにした第１態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。
【００１２】
本発明の第６態様によれば、上記密着力向上剤の入った液槽内に、上記電子部品と上記基板との互いに対向する２つの面のうち少なくともいずれか一方の面を浸漬させることにより、当該面に上記密着力向上剤を配置するようにした第１，４，５のいずれかの態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。
【００１３】
本発明の第７態様によれば、上記密着力向上剤を、上記電子部品と上記基板との互いに対向する２つの面のうち少なくともいずれか一方の面に塗布又は印刷することにより配置するようにした第１〜５のいずれかの態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。
【００１４】
本発明の第８態様によれば、上記密着力向上剤を、上記電子部品と上記基板との互いに対向する２つの面の両方の面に塗布又は印刷することにより配置するようにした第１〜５のいずれかの態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。
【００１５】
本発明の第９態様によれば、上記電子部品と上記基板との互いに対向する２つの面のうち少なくとも上記いずれか一方の面に対向する面に上記密着力向上剤を備えかつ上記絶縁樹脂より構成される絶縁樹脂シートを、上記電子部品と上記基板との間に配置することにより、上記密着力向上剤を、上記電子部品と上記基板との互いに対向する２つの面のうち少なくとも上記いずれか一方の面に配置するようにした第１〜５のいずれかの態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。
【００１６】
本発明の第１０態様によれば、上記電子部品と上記基板との互いに対向する２つの面のそれぞれに上記密着力向上剤を備えかつ上記絶縁樹脂より構成される絶縁樹脂シートを上記電子部品と上記基板との間に配置することにより、上記密着力向上剤を、上記電子部品と上記基板との互いに対向する２つの面のそれぞれの面に配置するようにした第１〜５のいずれかの態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。
【００１７】
本発明の第１１態様によれば、上記密着力向上剤は上記絶縁樹脂シートに形成された固体層より構成されるようにした第９又は１０態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。
【００１８】
本発明の第１２態様によれば、上記密着力向上剤は上記絶縁樹脂シートに混合配置された液体又は半固体状であるようにした第９又は１０態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。
【００１９】
本発明の第１３態様によれば、上記電子部品と上記基板との互いに対向する２つの面のうち少なくとも上記いずれか一方の面に上記密着力向上剤を配置するとともに、上記絶縁樹脂より構成されるシートを上記電子部品と上記基板との間に配置したのち、上記電子部品と上記基板との接合及び上記電子部品と上記基板との間の上記絶縁樹脂による封止を行うようにした第１〜８のいずれかの態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。
【００２０】
本発明の第１４態様によれば、上記電子部品と上記基板との互いに対向する２つの面の両方に上記密着力向上剤をそれぞれ配置するとともに、上記絶縁樹脂より構成されるシート又は液体を上記電子部品と上記基板との間に配置したのち、上記電子部品と上記基板との接合及び上記電子部品と上記基板との間の上記絶縁樹脂による封止を行うようにした第１〜８のいずれかの態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。
【００２１】
本発明の第１５態様によれば、上記絶縁樹脂シートは、その中央部よりもその表面側に多くの上記密着力向上剤が存在するような濃度分布を持つ第９〜１２のいずれかの態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。
【００２２】
本発明の第１６態様によれば、上記絶縁樹脂シートは、シート自体の線膨張係数を低下させる無機フィラーを含む第９，１０，１１，１２，１５のいずれかの態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。
【００２３】
本発明の第１７態様によれば、上記絶縁樹脂シートは、上記バンプと上記電極とを電気的に接続させる導電粒子を有する異方性導電膜より構成される第９，１０，１１，１２，１５のいずれかの態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。
【００２４】
本発明の第１８態様によれば、上記密着力向上剤は、マイクロカプセルの球形でかつ水分を吸収しにくい材料からなる外皮内に封入され、かつ、所定圧力以上の圧力又は所定温度以上の温度が作用すると上記外皮が破壊されて上記密着力向上剤の密着力向上機能を発揮するようにした第１〜１７のいずれかの態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。
【００２５】
本発明の第１９態様によれば、上記密着力向上剤は、エポキシ系、アミノ系、アルキル系、メルカプト系、メトキシ系、若しくは、メタクリロ系のシランカップリング剤、又は、チタネートカップリング剤より構成される第１〜１８のいずれかの態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。
【００２６】
本発明の第２０態様によれば、上記絶縁樹脂は、その体積が、上記電子部品と上記基板との間の空間の体積より大きい第１〜１９のいずれかの態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。
【００２７】
本発明の第２１態様によれば、第１〜２０のいずれかの態様に記載の電子部品の実装方法により上記電子部品が上記基板に実装された基板モジュールを提供する。
【００２８】
本発明の第２２態様によれば、電子部品と基板とを接合したのち上記電子部品と上記基板との間を絶縁樹脂で封止して構成される基板モジュールにおいて、
上記電子部品の電極と上記基板の電極とのうちのいずれか一方の電極に形成したバンプを上記電子部品の電極と上記基板の電極とのうちのいずれか他方の電極に接合し、上記電子部品と上記基板との互いに互いに対向する２つの面のうち少なくともいずれか一方の面に配置された密着力向上剤が上記絶縁樹脂と接触して上記密着力向上剤により上記絶縁樹脂と上記電子部品又は上記基板との間の密着力が向上するようにしたことを特徴とする基板モジュールを提供する。
【００２９】
本発明の第２３態様によれば、上記電子部品が矩形のＩＣチップであり、上記密着力向上剤が、上記基板に実装されるべき上記矩形のＩＣチップの実装部と、上記ＩＣチップが実装されるべき上記基板のＩＣチップ実装部のうちのいずれか一方の実装部の四隅に配置されて上記絶縁樹脂と接触し、上記密着力向上剤により上記絶縁樹脂と上記電子部品又は上記基板との間の密着力が向上しているようにした第２２態様に記載の基板モジュールを提供する。
【００３０】
本発明の第２４態様によれば、上記電子部品がＩＣチップであり、上記密着力向上剤を、上記基板に実装されるべき上記ＩＣチップの実装部と、上記ＩＣチップが実装されるべき上記基板のＩＣチップ実装部とのうちのいずれか一方の実装部の縁部にドット状に配置されて上記絶縁樹脂と接触し、上記密着力向上剤により上記絶縁樹脂と上記電子部品又は上記基板との間の密着力が向上しているようにした第２２態様に記載の基板モジュールを提供する。
【００３１】
本発明の第２５態様によれば、上記電子部品がＩＣチップであり、上記密着力向上剤を、上記基板に実装されるべき上記ＩＣチップの実装部と、上記ＩＣチップが実装されるべき上記基板のＩＣチップ実装部とのうちのいずれか一方の実装部の縁部に枠状でかつ帯状に配置されて上記絶縁樹脂と接触し、上記密着力向上剤により上記絶縁樹脂と上記電子部品又は上記基板との間の密着力が向上しているようにした第２２態様に記載の基板モジュールを提供する。
【００３２】
本発明の第２６態様によれば、上記電子部品がＩＣチップであり、上記密着力向上剤を、上記基板に実装されるべき上記ＩＣチップの実装部と、上記ＩＣチップが実装されるべき上記基板のＩＣチップ実装部とのうちのいずれか一方の実装部の全面に配置されて上記絶縁樹脂と接触し、上記密着力向上剤により上記絶縁樹脂と上記電子部品又は上記基板との間の密着力が向上しているようにした第２２態様に記載の基板モジュールを提供する。
【００３３】
本発明の第２７態様によれば、電子部品と基板とを接合したのち上記電子部品と上記基板との間を絶縁樹脂で封止して構成される基板モジュールにおいて、
上記電子部品の電極と上記基板の電極とのうちのいずれか一方の電極に形成したバンプを上記電子部品の電極と上記基板の電極とのうちのいずれか他方の電極に接合し、上記電子部品と上記基板との互いに互いに対向する２つの面のうち少なくともいずれか一方の面に配置されかつメルカプト系、アミノ系、又はチタネートカップリング剤より構成する密着力向上剤が上記絶縁樹脂と接触して上記密着力向上剤により上記絶縁樹脂と上記電子部品又は上記基板との間の密着力が向上し、上記絶縁樹脂の反応速度を高めるようにしたことを特徴とする基板モジュールを提供する。
【００３４】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明にかかる実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００３５】
本発明の第１実施形態にかかる電子部品の実装方法は、図１（Ａ），（Ｂ）に示すように、電子部品、例えば、矩形のＩＣチップ１と基板、例えば接合表面に無機質材料が存在する矩形の回路基板４とを接合したのち、ＩＣチップ１と回路基板４との間を絶縁樹脂６で封止する電子部品の実装方法において、上記絶縁樹脂６との密着力向上用の密着力向上剤７を、上記ＩＣチップ１と上記回路基板４との互いに対向する２つの面、例えば、上記回路基板４に実装されるべき上記矩形のＩＣチップ１の矩形の実装部１ａと、上記ＩＣチップ１が実装されるべき上記回路基板４の矩形のＩＣチップ実装部４ａとのうちの少なくともいずれか一方の実装部（例えば、ＩＣチップ１の実装部１ａ）に配置するとともに、液体状の上記絶縁樹脂６を上記回路基板４の矩形のＩＣチップ実装部４ａに配置し、上記ＩＣチップ１の電極２，…，２と上記回路基板４の電極５，…，５とのうちのいずれか一方の電極（例えば、ＩＣチップ１の電極２，…，２）に形成したバンプ３，…，３を上記ＩＣチップの電極２，…，２と上記回路基板４の電極５，…，５とのうちのいずれか他方の電極（例えば、回路基板４の電極５，…，５）に、レベリングせずに、接合し、その後、上記ＩＣチップ１と上記回路基板４との間を上記絶縁樹脂６で封止し、上記絶縁樹脂６と上記密着力向上剤７とを接触させて上記密着力向上剤７により上記絶縁樹脂６と上記ＩＣチップ１又は上記回路基板４（例えば、上記絶縁樹脂６と上記ＩＣチップ１）との間の密着力を向上させるようにしている。なお、図１（Ａ），（Ｂ）において、８はＩＣチップ１を吸着保持及び加熱、加圧する接合ツールであり、９は回路基板４が載置されるステージである。なお、実装部１ａの形状は矩形に限られるものではない。
【００３６】
上記ＩＣチップ１の電極２，…，２と上記回路基板４の電極５，…，５とのうちのいずれか一方の電極に形成したバンプ３，…，３を上記ＩＣチップ１の電極２，…，２と上記回路基板４の電極５，…，５とのうちのいずれか他方の電極に接合する一例として、図１（Ａ），（Ｂ）においては、上記ＩＣチップ１の電極２，…，２に、例えばワイヤボンディングなどの公知の方法で予め形成したバンプ３，…，３を、上記回路基板４の電極５，…，５に接合したものを示している。しかしながら、逆に、本発明の第２実施形態にかかる電子部品の実装方法として図２（Ａ），（Ｂ）に示すように、上記回路基板４の電極５，…，５に形成されたバンプ３，…，３を、上記ＩＣチップ１の電極２，…，２に接合するようにしてもよい。また、図２（Ｃ）に示すように、液体状の上記絶縁樹脂６を、回路基板４の矩形のＩＣチップ実装部４ａではなく、上記ＩＣチップ１の矩形の実装部１ａに配置するようにしてもよい。
【００３７】
上記絶縁樹脂６は、例えば、絶縁性熱硬化性樹脂（例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミドなど）、又は絶縁性熱可塑性樹脂（例えば、ポニフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリカーボネイト、変性ポリフェニレンオキサイド（ＰＰＯ）など）、又は、絶縁性熱硬化性樹脂に絶縁性熱可塑性樹脂を混合したものなどが使用できるが、ここでは、代表例として絶縁性熱硬化性樹脂として説明を続ける。この熱硬化性樹脂のガラス転移点は一般に１２０〜２００℃程度である。なお、熱可塑性樹脂のみを使用する場合には、最初は加熱して一旦軟化させたのち、加熱を停止して自然冷却させることにより硬化させる一方、絶縁性熱硬化性樹脂に熱可塑性樹脂を混合したものを使用する場合には、熱硬化性樹脂のほうが支配的に機能するため、熱硬化性樹脂のみと場合と同様に加熱することにより硬化する。
【００３８】
上記第１実施形態にかかる電子部品の実装方法においては、図１（Ａ）に示すように、回路基板４のＩＣチップ実装部４ａに、回路基板４とＩＣチップ１との接合後の隙間間に配置される硬化された絶縁樹脂６ｓ（図１（Ｂ）参照）の体積に大略相当するか又はそれ以上の体積を持つ液体状の絶縁樹脂６を回路基板４のＩＣチップ実装部４ａの中央部に配置する。
【００３９】
次いで、図８に示すような電子部品搭載装置６００において、部品保持部材６０１の先端の熱せられた接合ツール８により、前工程でバンプ３が各電極２上に形成されたＩＣチップ１をトレー６０２から吸着保持しつつ、該ＩＣチップ１を、上記前工程で準備されかつステージ９上に載置された回路基板４に対して、ＩＣチップ１の各電極２が対応する回路基板４の各電極５上に位置するように位置合わせしたのち、上記熱せられた接合ツール８によりＩＣチップ１を回路基板４に押圧する。この位置合わせは、公知の位置認識動作を使用する。例えば、図９（Ｃ）に示すように、回路基板４に形成された位置認識マーク６０５又はリード若しくはランドパターンを、電子部品搭載装置６００の回路基板認識用カメラ６０４で認識して、図９（Ｄ）に示すようにカメラ６０４で得られた画像６０６を基に、回路基板４のステージ９上での直交するＸＹ方向のＸＹ座標位置とＸＹ座標の原点に対する回転位置とを認識して回路基板４の位置を認識する。一方、図９（Ａ）に示すように、接合ツール８に吸着保持されたＩＣチップ１の位置認識用マーク６０８又は回路パターンをＩＣチップ用位置認識カメラ６０３で認識して、図９（Ｂ）に示すようにカメラ６０３で得られた画像６０７を基に、ＩＣチップ１の上記ＸＹ方向のＸＹ座標位置とＸＹ座標の原点に対する回転位置とを認識してＩＣチップ１の位置を認識する。そして、上記回路基板４とＩＣチップ１との位置認識結果を基に、接合ツール８又はステージ９を移動させて、ＩＣチップ１の各電極２が対応する回路基板４の各電極５上に位置するように位置合わせしたのち、上記熱せられた接合ツール８によりＩＣチップ１を回路基板４に押圧する。このとき、各バンプ３は、その先端頭部が、絶縁樹脂６や密着力向上剤７を掻き分けながら回路基板４の各電極５に接触して、回路基板４の各電極５上で変形されながら押しつけられていく。よって、絶縁樹脂６や密着力向上剤７が電極上に配置されていても、バンプ３が電極に必ず接触するようにしているため、電気的接続において、何ら問題とはならない。
【００４０】
このとき、ＩＣチップ１を介してバンプ３側に印加する荷重は、バンプ３の外径により異なるが、折れ曲がって重なり合うようになっているバンプ３の頭部が、回路基板４の電極５に接触して必ず変形する程度の荷重を加えることが必要である。
【００４１】
なお、セラミックヒータ又はパルスヒータなどの内蔵ヒータ８ａにより熱せられた接合ツール８により、上記前工程でバンプ３が電極２上に形成されたＩＣチップ１を、上記前工程で準備された回路基板４に対してＩＣチップ１の電極２が対応する回路基板４の電極５上に位置するように位置合わせする位置合わせ工程と、位置合わせしたのち押圧接合する工程とを、１つの位置合わせ兼押圧接合装置で行うようにしてもよい。しかしながら、別々の装置、例えば、多数の回路基板を連続生産する場合において位置合わせ作業と押圧接合作業とを同時的に行うことにより生産性を向上させるため、上記位置合わせ工程は位置合わせ装置（図示せず）で行い、上記押圧接合工程は接合装置（図示せず）で行うようにしてもよい。
【００４２】
上記回路基板４としては、例えばセラミック多層基板、樹脂多層基板（ガラエポ、松下電器産業株式会社製登録商標「アリブ」（ＡＬＩＶＨ）の基板）などが用いられる。このような回路基板４は、熱履歴や、裁断、加工により反りやうねりを生じていることがあり、必ずしも完全な平面ではないことがある。そこで、例えば約１０μｍ以下に調整されるように平行度がそれぞれ管理された接合ツール８とステージ９とにより、接合ツール８側からステージ９側に向けて熱と荷重をＩＣチップ１を通じて回路基板４に局所的に印加することにより、その印加された部分の回路基板４の反りが矯正せしめられる。また、ＩＣチップ１は、アクティブ面の中心を凹として反っているが、これを接合時に１バンプあたり２０ｇｆ以上の強い荷重で加圧することで、回路基板４とＩＣチップ１の両方の反りやうねりを矯正することができる。このＩＣチップ１の反りは、ＩＣチップ１を形成するとき、Ｓｉに薄膜を形成する際に生じる内部応力により発生するものである。バンプの変形量は１０〜２５μｍ程度であり、この程度の回路基板が当初から持っている内層銅箔から表面に現れるうねりの影響にバンプ３の変形でそれぞれのバンプ３が順応することで許容できるようになる。
【００４３】
こうして回路基板４の反りが矯正された状態で、例えば１４０〜２３０℃の熱がＩＣチップ１と回路基板４の間の絶縁樹脂６の例である熱硬化性樹脂６に例えば数秒〜２０秒程度印加され、この熱硬化性樹脂６が硬化される。このとき、最初は熱硬化性樹脂６が流れてＩＣチップ１のエッジまで封止する。また、樹脂であるため、加熱されたとき、当初は自然に軟化するため、このようにエッジまで流れるような流動性が生じる。熱硬化性樹脂の体積はＩＣチップ１と回路基板４との間の空間の体積より大きくすることにより、この空間からはみ出すように流れ出て、封止効果を奏することができる。このとき、同時に、ＩＣチップ１の実装部１ａに配置されていた密着力向上剤７が絶縁樹脂６と基板又はＩＣ表面で反応して、ＩＣチップ１の実装部１ａと絶縁樹脂６との間の密着力を向上させる。なお、図１（Ｂ）では、理解しやすくするため、ＩＣチップ１の実装部１ａと絶縁樹脂６との間で密着力が向上した部分を参照符号１４により誇張して明示しているが、実際には、このように明確な層として見えるものではない。
【００４４】
この後、加熱されたツール８が上昇することにより、加熱源がなくなるためＩＣチップ１と熱硬化性樹脂６の温度が急激に低下して、熱硬化性樹脂６は流動性を失い、図１（Ｂ）に示すように、ＩＣチップ１は硬化した熱硬化性樹脂６ｓにより回路基板４上に固定される。また、回路基板４側をステージ９のヒータ９ａなどにより加熱しておくと、接合ツール８の温度をより低く設定することができる。なお、図中、参照符号６ｓは、絶縁樹脂の例としての熱硬化性樹脂６のうち接合ツール８の熱により溶融した溶融中の熱硬化性樹脂が溶融後に熱硬化された樹脂である。
【００４５】
上記密着力向上剤７の例としては、エポキシ系、アミノ系、アルキル系、メルカプト系、メトキシ系、若しくは、メタクリロ系のシランカップリング剤、又は、チタネートカップリング剤である。なお、密着力向上剤７としては絶縁性は必要である。
【００４６】
ここで、密着力向上剤７の一例としてのシランカップリング剤の構造は化学構造式ＸＳｉ（ＯＲ）３で表され、一分子中に少なくとも２種類の反応性の異なる官能基を持っている。上記化学構造式中、Ｘは各種合成樹脂などの有機質材料と化学結合する反応基であり、ここでは絶縁樹脂６と化学結合する反応基となる。上記化学構造式中、ＯＲはガラス又は金属などの無機質材料と化学結合する反応基であり、ここではＩＣチップ１の表面の材料又は回路基板４の表面の材料と化学結合する反応基となる。よって、シランカップリング剤のアルコキシシリル基（Ｓｉ−ＯＲ）が水あるいは湿気により加水分解されるとシラノール基になる。接合工程において水分を加えることにより、空気中の水分と反応して加熱ツールにより圧着する際に水は除去される。又は、ＩＣ等に塗布する場合は、水希釈した密着性向上剤を用いる。これを炉に入れて、例えば１２０℃３０分の熱処理を行う。このシラノール基と無機質表面（ＩＣチップ１の表面又は回路基板４の表面）とが縮合反応により、Ｓｉ−Ｏ−Ｍ結合を形成する。また、一方の反応基［Ｘ−］は有機質（絶縁樹脂６）と結合あるいは相溶化し、結果的に無機質と有機質を化学的に結合させる、言い換えれば、ＩＣチップ１の表面又は回路基板４の表面と絶縁樹脂６とを化学的に結合させることができる。一方、チタネートカップリング剤は、Ｔｉを含む親水基と樹脂と相互作用する疎水基とからなっており、これが無機物の表面に有機質の被膜を作り出して密着性及び流れ性を改善する。
【００４７】
なお、絶縁樹脂６がエポキシ系の場合には、上記密着力向上剤７としてはメルカプト系、又は、アミノ系のシランカップリング剤が好ましく、その理由は、メルカプト系、又は、アミノ系のシランカップリング剤の上記密着力向上剤７がエポキシ系の絶縁樹脂６に接触すると急激に反応して密着力を高めるため、密着力向上剤を使用しない場合と比較して、密着力は２〜３倍向上し、かつ、半分の時間で接合を完了することができるためである。
【００４８】
エポキシ系シランカップリング剤の具体例としては、β−（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシランがある。また、アミノ系シランカップリング剤の具体例としては、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ，Ｎ’−ビス［３−（トリメトキシシリル）プロピル］エチレンジアミン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−（２−アミノエチル）アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−（２−アミノエチル）アミノプロピルメチルジメトキシシラン、アミノシラン［特殊アミノシラン配合物（メタノール溶液又は水希釈）］、アミノシラン［特殊アミノシラン配合物（ＩＰＡ溶液又は水希釈）］である。また、アルキル系シランカップリング剤の具体例としては、ジメチルジメトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、ｎ−ヘキシルトリエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシランである。また、メルカプト系シランカップリング剤の具体例としては、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシランである。また、メトキシ系シランカップリング剤の具体例としては、γ−クロロプロピルトリメトキシシランである。また、メタクリロ系シランカップリング剤の具体例としては、
、γ−（メタクリロキシプロピル）トリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシランである。また、シラン系とは異なる、チタネート系シランカップリング剤の具体例としては、表１に掲げるものを使用することができる。
【００４９】
【表１】
0003598245.tif 000002
【００５０】
また、回路基板４又はＩＣチップ１側に窒化膜がある場合には、上記シランカップリング剤のうち、特に、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシランが好ましい。
【００５１】
上記第１実施形態によれば、密着力向上剤７により、絶縁樹脂６と、ＩＣチップ１又は回路基板４との密着力を向上させることができるため、リフロー工程やヒートサイクル試験工程においても絶縁樹脂６とＩＣチップ１又は回路基板４との間で剥離が生じにくく、短絡又は腐食が防止でき、信頼性を高めることができる。また、ＩＣチップ１と回路基板４との間に配置される液体状の絶縁樹脂６の体積をＩＣチップ１と回路基板４との間の空間の体積より大きくするようにすれば、この空間から絶縁樹脂６がはみ出すように流れ出て、ＩＣチップ１と回路基板４との間の封止効果を奏することができる。よって、ＩＣチップと回路基板４を接合すると同時に絶縁樹脂６による封止を行うことができて、ＩＣチップと回路基板４を接合した後にＩＣチップの下に封止樹脂（アンダーフィルコート）による封止工程を行う必要がなく、工程を短縮することができる。又は、数十秒の短時間で生産でき、基板の反り、うねりが吸収できるので、安価な基板が使用できる。
【００５２】
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その他種々の態様で実施できる。なお、以下の図では、理解しやすくするため、ＩＣチップ１の実装部１ａと絶縁樹脂６との間又は回路基板４のＩＣチップ実装部４ａと絶縁樹脂６との間で密着力が向上した部分を参照符号１４により誇張して明示しているが、実際には、このように明確な層として見えるものではない。また、密着力が向上した部分はシートに均一に混ざり込んでいても良い。
【００５３】
例えば、上記図１では、上記密着力向上剤７を、ＩＣチップ１の実装部１ａの全面に図３（Ｄ）に示すように配置するようにして、ＩＣチップ１の実装部１ａ全体において密着力の向上を図るようにしているが、これに限らず、図３（Ｈ）に示すように、上記回路基板４のＩＣチップ実装部４ａの全面に配置するようにして、回路基板４のＩＣチップ実装部４ａ全体において密着力の向上を図るようにしてもよい。なお、図中、４ｂは回路基板４のＩＣチップ実装部４ａのリードである。また、実装部４ａの形状は矩形に限られるものではない。
【００５４】
また、これに限らず、本発明の第３実施形態にかかる電子部品の実装方法として、図３（Ａ）に示すように、上記密着力向上剤７を、上記ＩＣチップ１の実装部１ａと上記回路基板４のＩＣチップ実装部４ａのうちのいずれか一方の実装部、一例として図３（Ａ）ではＩＣチップ１の実装部１ａの四隅のみに配置するようにして、ＩＣチップ１の実装部１ａの四隅部分において密着力の向上を図るようにしてもよい。実装部の形状は矩形に限られるものではなく、さらに、各密着力向上剤７の配置された形状も円形に限らず任意の形状でよく、寸法もこれに限られるものではない。なお、ＩＣチップ１の実装部１ａの四隅に代えて、図３（Ｅ）に示すように回路基板４のＩＣチップ実装部４ａの四隅に配置して、回路基板４のＩＣチップ実装部４ａの四隅部分において密着力の向上を図るようにしてもよい。また、全面に塗布ものに比べて密着力向上剤の塗布が短時間で可能となる。
【００５５】
また、これに限らず、本発明の第４実施形態にかかる電子部品の実装方法として、上記密着力向上剤７を、上記ＩＣチップの実装部１ａと上記回路基板４のＩＣチップ実装部４ａのうちのいずれか一方の実装部、例えば、図３（Ｂ）ではＩＣチップ１の実装部１ａの縁部にドット状に図３（Ｂ）に示すように配置するようにして、ＩＣチップ１の実装部１ａの縁部において密着力の向上を図ることもできる。実装部の形状は矩形に限られるものではなく、さらに、配置個数は図３（Ｂ）に限らず、これより多くしてもよいし、少なくしても良いとともに、各密着力向上剤７の配置された形状も円形に限らず任意の形状でよく、寸法もこれに限られるものではない。なお、ＩＣチップ１の実装部１ａの縁部にドット状に配置する代わりに、図３（Ｆ）に示すように回路基板４のＩＣチップ実装部４ａの縁部にドット状に配置して、回路基板４のＩＣチップ実装部４ａの縁部において密着力の向上を図るようにしてもよい。また、密着力向上剤７を全面に配置するよりも短時間で済み、密着力向上剤７の使用量を減らすことができる。
【００５６】
また、本発明の第５実施形態にかかる電子部品の実装方法として、上記密着力向上剤７を、上記ＩＣチップ１の矩形の実装部１ａと上記回路基板４の矩形のＩＣチップ実装部４ａのうちのいずれか一方の実装部、例えば、図３（Ｃ）ではＩＣチップ１の実装部１ａの縁部に矩形枠状でかつ帯状に図３（Ｃ）に示すように配置するようにして、ＩＣチップ１の実装部１ａの縁部において密着力の向上を図ることもできる。実装部の形状は矩形に限られるものではなく、さらに、各密着力向上剤７の配置された形状は均一幅の帯状に限らず任意の形状でよく、寸法もこれに限られるものではない。なお、ＩＣチップ１の実装部１ａの縁部に帯状に配置する代わりに、図３（Ｇ）に示すように回路基板４のＩＣチップ実装部４ａの縁部に帯状に配置して、回路基板４のＩＣチップ実装部４ａの縁部において密着力の向上を図るようにしてもよい。
【００５７】
また、図２２のようにＩＣチップ１の中心部分のみにポリイミド６が配置され外周部にＳｉＮパッシベイションが露出したようなＩＣパターンの場合には、ＳｉＮ部で剥離が起きやすいが、ＩＣチップ１の実装部１ａの縁部に矩形枠状でかつ帯状に上記密着力向上剤７を配置することにより、上記剥離を防止することができる。
【００５８】
上記図３（Ａ）〜（Ｈ）における上記密着力向上剤７の厚さは、絶縁樹脂６と反応として密着力向上を図ることができる程度の厚さがあれば十分である。
【００５９】
また、上記密着力向上剤７を配置する面は、ＩＣチップ１の実装部１ａに限らず、本発明の第６実施形態にかかる電子部品の実装方法として、図４（Ａ），（Ｂ）に示すように、上記回路基板４のＩＣチップ実装部４ａにのみ配置するようにしてもよい。このようにすれば、密着力向上剤７により、絶縁樹脂６と回路基板４との間での密着力を向上させることができるため、リフロー工程やヒートサイクル試験工程においても絶縁樹脂６と回路基板４との間で剥離が生じにくく、短絡又は腐食が防止でき、信頼性を高めることができる。特に、密着力向上剤７により樹脂の流れ性及びヌレ性を向上させることができ、樹脂に混ぜたフィラーとの密着性も向上し、樹脂の強度を向上させることができる。
【００６０】
また、本発明の第７実施形態にかかる電子部品の実装方法として、図５（Ａ），（Ｂ）に示すように、上記ＩＣチップ１の実装部１ａと上記回路基板４のＩＣチップ実装部４ａとの両方に上記密着力向上剤７を配置するようにしてもよい。このようにすれば、密着力向上剤７により、絶縁樹脂６と、ＩＣチップ１と回路基板４との両方の間での密着力を向上させることができるため、リフロー工程やヒートサイクル試験工程においても絶縁樹脂６とＩＣチップ１との間及び絶縁樹脂６と回路基板４との間で剥離が生じにくく、短絡又は腐食がより確実に防止でき、信頼性をより高めることができる。特に、密着力向上剤７により樹脂の流れ性及びヌレ性を向上させることができ、樹脂に混ぜたフィラーとの密着性も向上し、樹脂の強度を向上させることができる。
【００６１】
第７実施形態及び他の実施形態において、上記密着力向上剤７を回路基板側とＩＣチップ側の両方に対して配置する場合には、回路基板側では回路基板４に適した密着力向上剤７を配置させる一方、ＩＣチップ側ではＩＣチップ１に適した密着力向上剤７を配置させるようにして、回路基板側とＩＣチップ側とでは異なる種類の密着力向上剤７を使用するようにしてもよい。
【００６２】
また、上記密着力向上剤７の配置方法の一例としては、例えばメルカプト系又はアミノ系のシランカップリング剤などの上記密着力向上剤７をアルコール、水等で希釈した液体の入った密着力向上液槽内に、上記ＩＣチップ１と上記回路基板４との互いに対向する２つの面のうち少なくともいずれか一方の面を浸漬させ、例えばＩＣチップ１全体を浸漬させたのち、オーブンなどで乾燥させることにより、図３（Ｄ）に示すように当該面全体に上記密着力向上剤７を配置するようにしている。このように、ＩＣチップ１全体を密着力向上液槽内に浸漬させたのち乾燥させるだけで、ＩＣチップ１の上記面に上記密着力向上剤７を配置させることができるため、簡単でかつ短時間で配置処理が行える。また、均一な膜を形成することが可能となり、ＩＣチップ側がＳｉＮで基板側が有機材料の場合、最適な密着力向上剤を使用することが可能となる。
【００６３】
また、このような浸漬方法に限らず、塗布ノズルから液体状の又はペーストなどの半固体状の密着力向上剤７を所定個所に塗布する塗布方法又はスクリーン印刷などの印刷方法により、図３（Ａ）〜（Ｄ）に示すように上記密着力向上剤７を配置するようにしてもよい。一例として、本発明の第８実施形態にかかる電子部品の実装方法として、図６（Ａ），（Ｂ）には、液体状の絶縁樹脂６を回路基板４のＩＣチップ実装部４ａの中央部に電極５，…，５を覆わないように山状に塗布配置したのち、さらに液体状の絶縁樹脂６の外面に、液体の密着力向上剤７を塗布する。その後、ＩＣチップ１と回路基板４とを押圧接合することにより、ＩＣチップ１と回路基板４との間で液体状の絶縁樹脂６が広がると同時にＩＣチップ１の実装部１ａ全体に液体の密着力向上剤７が広がったのち、加熱して絶縁樹脂６を硬化させるようにして、図１（Ｂ）と同様に、密着力向上剤７により、硬化した絶縁樹脂６ｓとＩＣチップ１の実装部１ａ全体とにおいて密着力の向上を図るようにしてもよい。なお、この場合、ＩＣチップ１と回路基板４との間で液体状の絶縁樹脂６が広がるとき、液体の密着力向上剤７の一部が絶縁樹脂６内に入り込み、ＩＣチップ１の実装部１ａの近傍に位置しなくなるものもあるが、そのような密着力向上剤７はＩＣチップ１の実装部１ａとの密着力の向上機能には寄与しないだけで、硬化後の絶縁樹脂６ｓの絶縁性を阻害するとはならない。また、密着力向上剤７が液体の場合、ＭＣＭのように基板のあちこちにＩＣがある場合や、ＩＣのサイズが異なっている場合でも、１台のディスペンサーで密着力向上剤７の液体を吐出制御することにより、密着力向上剤７の塗布が可能となる。
【００６４】
また、本発明の第９実施形態にかかる電子部品の実装方法として、図７（Ａ），（Ｂ）に示すように、まず始めに、液体状の密着力向上剤７を回路基板４のＩＣチップ実装部４ａの例えば全面に塗布したのち、液体状の絶縁樹脂６を回路基板４のＩＣチップ実装部４ａの中央部に電極５，…，５をなるべく覆わないように塗布し、さらにその後、液体状の絶縁樹脂６の外面に、液体の密着力向上剤７を塗布する。その後、ＩＣチップ１と回路基板４とを押圧接合することにより、ＩＣチップ１と回路基板４との間で液体状の絶縁樹脂６が広がると同時に回路基板４のＩＣチップ実装部４ａ全体とＩＣチップ１の実装部１ａ全体とに液体の密着力向上剤７がそれぞれ広がったのち、加熱して絶縁樹脂６を硬化させるようにして、密着力向上剤７により、硬化した絶縁樹脂６ｓと回路基板４のＩＣチップ実装部４ａ全体とＩＣチップ１の実装部１ａ全体とのそれぞれにおいて密着力の向上を図るようにしてもよい。また、液体の密着力向上剤７と接着剤である液体状の絶縁樹脂６とを別々に保存しておくことができるので、封止材のポットライフ（保存性）を長くすることができる。
【００６５】
また、液体状の上記絶縁樹脂６に対して、ＩＣチップ側、又は回路基板側、又はＩＣチップ側及び回路基板側に、固体シート状の密着力向上剤７を上記第７及び第８実施形態のように配置するようにしてもよい。
【００６６】
また、液体の上記密着力向上剤７を浸漬、塗布、又は印刷などの方法で所定個所に配置するものに限らず、固体の上記密着力向上剤７を使用することもできる。なお、絶縁樹脂６も固体又は半固体の絶縁樹脂シート６ｂとし、かつ、ＩＣチップ１と回路基板４との間の絶縁樹脂シート６ｂの体積をＩＣチップ１と回路基板４との間の空間の体積より大きくするようにすれば、この空間から絶縁樹脂シート６ｂの絶縁樹脂がはみ出すように流れ出て、ＩＣチップ１と回路基板４との間の封止効果を奏することができる。よって、ＩＣチップと回路基板４を接合すると同時に絶縁樹脂シート６ｂの絶縁樹脂による封止を行うことができて、ＩＣチップと回路基板４を接合した後にＩＣチップの下に封止樹脂（アンダーフィルコート）による封止工程を行う必要がなく、工程を短縮することができる。
【００６７】
例えば、本発明の第１０実施形態にかかる電子部品の実装方法を図１０（Ａ），（Ｂ）に示す。この電子部品の実装方法では、図１１に示すように、ベースフィルム６ｘの上に、シランカップリング剤をベースフィルム６ｘとは反対側の面に混入させて固体の密着力向上層７ｂを形成した絶縁性熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂シート６ｂを配置し、さらにその上を耐湿性のカバーシート６ｙで覆うことにより、封止用樹脂シート１１を予め形成する。そして、この封止用樹脂シート１１を使用するときには、カバーシート６ｙを取り外し、ベースフィルム６ｘから密着力向上層７ｂ付きのエポキシ樹脂シート６ｂを取り外して、回路基板４とＩＣチップ１との間の所定位置に位置決めして使用する。このとき、上記絶縁樹脂より構成される絶縁樹脂シート６ｂの密着力向上層７ｂが、上記矩形のＩＣチップ１の実装部１ａと上記回路基板４のＩＣチップ実装部４ａのうちの上記いずれか一方の面、例えば、図１０（Ａ）では上記ＩＣチップ１の実装部１ａに対向するように配置し、ＩＣチップ１を回路基板４に押圧して、上記密着力向上層７ｂにより、上記ＩＣチップ１の実装部１ａと絶縁樹脂シート６ｂの絶縁樹脂との密着力を向上させるようにしてもよい。上記封止用樹脂シート１１の具体例としては、厚さ５０μｍのベースフィルム６ｘに、例えば、シランカップリング剤をベースフィルム６ｘとは反対側の面に混入させて密着力向上層７ｂを形成した絶縁性熱硬化性樹脂である厚さ４０〜５０μｍのエポキシ樹脂シート６ｂを配置し、さらにその上を厚さ３０μｍのカバーシート６ｙで覆うことにより形成される。
【００６８】
このように、密着力向上剤７を固体にすれば、液体のものより取り扱いが簡単になるとともに、液体の場合よりも、より均一に密着力向上剤７を配置することができる。また、電子部品組立工程において、基板やＩＣチップに密着力向上剤７を塗布するといったような新たな工程が増えず、上記したように取り扱いが簡単になる。
【００６９】
逆に、密着力向上層７ｂを回路基板４のＩＣチップ実装部４ａ側に配置するようにしてもよい。すなわち、本発明の第１１実施形態にかかる電子部品の実装方法を図１２（Ａ），（Ｂ）に示す。この電子部品の実装方法では、第１０実施形態で使用した図１１に示す封止用樹脂シート１１を使用し、カバーシート６ｙを取り外し、ベースフィルム６ｘから密着力向上層７ｂ付きのエポキシ樹脂シート６ｂを取り外して、回路基板４とＩＣチップ１との間の所定位置に位置決めして使用する。このとき、上記絶縁樹脂より構成される絶縁樹脂シート６ｂの密着力向上層７ｂが、上記回路基板４の矩形のＩＣチップ実装部４ａに対向するように配置し、ＩＣチップ１を回路基板４に押圧して、上記密着力向上層７ｂにより、上記回路基板４のＩＣチップ実装部４ａと絶縁樹脂シート６ｂの絶縁樹脂との間での密着力を向上させるようにしてもよい。このように、密着力向上剤７を固体にすれば、液体のものより取り扱いが簡単になるとともに、液体の場合よりも、より均一に密着力向上剤７を配置することができる。また、電子部品組立工程において、基板やＩＣチップに密着力向上剤７を塗布するといったような新たな工程が増えず、上記したように取り扱いが簡単になる。
【００７０】
また、第１０実施形態と第１１実施形態とを組み合わせたもの、すなわち、第１２実施形態にかかる電子部品の実装方法として、図１４（Ａ），（Ｂ）に示すように、上記ＩＣチップ１の実装部１ａと上記回路基板４のＩＣチップ実装部４ａとのそれぞれに上記密着力向上層７ｂを備えかつ上記絶縁樹脂より構成される図１３の封止用樹脂シート１３を使用するようにしてもよい。すなわち、図１３に示すように、ベースフィルム６ｘの上に、シランカップリング剤をベースフィルム６ｘに接触する面と当該面とは反対側の面すなわち上下両面にそれぞれ混入させて密着力向上層７ｂ，７ｂを形成した絶縁性熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂シート６ｂを配置し、さらにその上を耐湿性のカバーシート６ｙで覆うことにより、封止用樹脂シート１３を予め形成する。そして、この封止用樹脂シート１３を使用するときには、カバーシート６ｙを取り外し、ベースフィルム６ｘから上下に密着力向上層７ｂ，７ｂ付きのエポキシ樹脂シート６ｂを取り外して、回路基板４とＩＣチップ１との間の所定位置に位置決めして使用する。このとき、上記絶縁樹脂より構成される絶縁樹脂シート６ｂの上下２つの密着力向上層７ｂ，７ｂが、上記ＩＣチップ１の実装部１ａと上記回路基板４のＩＣチップ実装部４ａとにそれぞれ対向するように配置し、ＩＣチップ１を回路基板４に押圧して、上記密着力向上層７ｂ，７ｂにより、上記ＩＣチップ１の実装部１ａと絶縁樹脂シート６ｂの絶縁樹脂との密着力を向上させるとともに、上記回路基板４のＩＣチップ実装部４ａと絶縁樹脂シート６ｂの絶縁樹脂との密着力を向上させるようにしてもよい。
【００７１】
このように、密着力向上剤７を固体にすれば、液体のものより取り扱いが簡単になるとともに、液体の場合よりも、より均一に密着力向上剤７を配置することができる。また、電子部品組立工程において、基板やＩＣチップに密着力向上剤７を塗布するといったような新たな工程が増えず、上記したように取り扱いが簡単になる。
【００７２】
また、上記絶縁樹脂シート６ｂにおいて密着力向上層７ｂを形成するとき、明確に区分けされた層を形成するものに限らず、絶縁樹脂シート６ｂ全体に密着力向上剤７を含浸させ、絶縁樹脂シート６ｂの中央部よりも上下両端部での密着力向上剤７の濃度を高くするようにしてもよい。すなわち、図１５（Ａ），（Ｂ）に示すように、本発明の第１３実施形態にかかる電子部品の実装方法においては、図１５（Ａ）中にグラフで示すように、密着力向上剤７を、絶縁樹脂シート６ｂの中央部よりも、回路基板４に対向する表面とＩＣチップ１に対向する表面とに多く配合した封止用樹脂シート１５を使用することにより、回路基板４の表面での絶縁樹脂シート６ｂの絶縁樹脂６との結合に寄与する密着力向上剤７の量を多くして、より高い密着強度を得るとともに、ＩＣチップ１に対向する表面での絶縁樹脂シート６ｂの絶縁樹脂６との結合に寄与する密着力向上剤７の量を多くして、より高い密着強度を得ることができる。
【００７３】
この密着力向上剤７は、絶縁樹脂シート６ｂの作製時には均一に配合されるように形成しても、硬化反応後に上記したような分布になるものであっても効果は同様である。
【００７４】
また、本発明の第１４実施形態にかかる電子部品の実装方法として、図１６（Ａ），（Ｂ）に示すように、絶縁樹脂シート６ｂの所望の個所、例えば、ＩＣチップ１の実装部１ａに対向する部分に液体状又は半固体状（ペースト状）の密着力向上剤７を塗布又は印刷又は浸漬により配置して、密着力向上剤７により、ＩＣチップ１の実装部１ａと絶縁樹脂シート６ｂの絶縁樹脂との密着力を向上させるようにしてもよい。上記絶縁樹脂シート６ｂの所望の個所は、回路基板４のＩＣチップ実装部４ａに対向する部分として、そこに液体状の密着力向上剤７を塗布又は印刷又は浸漬により配置し、回路基板４のＩＣチップ実装部４ａと絶縁樹脂シート６ｂの絶縁樹脂との密着力を向上させるようにしてもよい。また、ＩＣチップ１の実装部１ａと回路基板４のＩＣチップ実装部４ａとの両方に対向する部分にそれぞれ液体状の密着力向上剤７を塗布又は印刷又は浸漬により配置し、ＩＣチップ１の実装部１ａと絶縁樹脂シート６ｂの絶縁樹脂との密着力を向上させると同時に、回路基板４のＩＣチップ実装部４ａと絶縁樹脂シート６ｂの絶縁樹脂との密着力を向上させるようにしてもよい。また、ＳｉＮに最適な密着力向上剤と、Ａｌ２Ｏ３などセラミック基板又は樹脂基板に最適な密着力向上剤とを組み合わせて使用することもできる。
【００７５】
また、本発明の第１５実施形態にかかる電子部品の実装方法として、図１７（Ａ），（Ｂ）に示すように、ＩＣチップ１の実装部１ａ又は回路基板４のＩＣチップ実装部４ａに、液体状の密着力向上剤７を塗布又は印刷又は浸漬により配置し、絶縁樹脂シート６ｂをＩＣチップ１の実装部１ａと回路基板４のＩＣチップ実装部４ａとの間に挟みこんだのち、ＩＣチップ１を回路基板４に押圧接合して、密着力向上剤７により、ＩＣチップ１の実装部１ａと絶縁樹脂シート６ｂの絶縁樹脂との密着力を向上させるとともに、回路基板４のＩＣチップ実装部４ａと絶縁樹脂シート６ｂの絶縁樹脂との密着力を向上させるようにしてもよい。
【００７６】
また、本発明の第１６実施形態にかかる電子部品の実装方法として、図１８（Ａ），（Ｂ）に示すように、上記絶縁樹脂シート６ｂ全体又は表面に密着力向上剤７を含侵させた絶縁樹脂シート６ｂに、無機フィラー１６を配合して、上記密着力向上剤７による密着力向上の効果に加えて、無機フィラー１６の存在により絶縁樹脂シート６ｂの線膨張係数を低下させることができ、より長寿命化させることができて、信頼性を向上させることができるようにしてもよい。
【００７７】
このような絶縁樹脂シート６ｂを形成する場合、最初、絶縁樹脂シート６ｂの中央部では多くＩＣチップ１側及び回路基板４側ではそれぞれ少なく無機フィラー１６を配置するとともに絶縁樹脂シート６ｂの全体に大略均一に密着力向上剤７を含侵させても、絶縁樹脂シート６ｂの上下両側に比較してその中央部で無機フィラー１６と密着力向上剤７とが活発に反応してしまい、結果的に密着力向上剤７が絶縁樹脂シート６ｂの中央部よりも上下両端部の濃度が高くなるように配合された図１５（Ａ）の場合と同様の濃度分布状態となり、同様な効果を奏することができる。
【００７８】
以下に、無機フィラー１６が配合されかつ密着力向上剤７が上下両面に配置されている絶縁樹脂シート６ｂを使用して電子部品を実装する方法について説明する。
【００７９】
まず、回路基板４のＩＣチップ実装部４ａ上に、ＩＣチップ１の大きさより若干大きな寸法にてカットされた無機フィラー１６を配合した固体又は半固体の絶縁樹脂層の一例としての熱硬化性樹脂より構成される絶縁樹脂シート６ｂを配置し、例えば８０〜１２０℃に熱せられた貼付けツール（図９（Ａ）の接合ツールと同様に対象物を吸着保持可能なツール）により、例えば５〜１０ｋｇｆ／ｃｍ２程度の圧力で絶縁樹脂シート６ｂをステージ９上の基板４の電極５上に貼り付けて、回路基板４の準備工程が完了する。ここで、絶縁樹脂シート６ｂは、球状又は破砕シリカ、アルミナ等のセラミクスなどの無機系フィラー１６を絶縁樹脂中に分散させて混合し、これをドクターブレード法などにより平坦化し溶剤成分を気化させ固体化したものが好ましいとともに、後工程のリフロー工程での高温に耐えうる程度の耐熱性（例えば、２４０℃に１０秒間耐えうる程度の耐熱性）を有することが好ましい。上記絶縁樹脂は、例えば、絶縁性熱硬化性樹脂（例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミドなど）、又は絶縁性熱可塑性樹脂（例えば、ポニフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリカーボネイト、変性ポリフェニレンオキサイド（ＰＰＯ）など）、又は、絶縁性熱硬化性樹脂に絶縁性熱可塑性樹脂を混合したものなどが使用できるが、ここでは、代表例として絶縁性熱硬化性樹脂として説明を続ける。この熱硬化性樹脂のガラス転移点は一般に１２０〜２００℃程度である。なお、熱可塑性樹脂のみを使用する場合には、最初は加熱して一旦軟化させたのち、加熱を停止して自然冷却させることにより硬化させる一方、絶縁性熱硬化性樹脂に熱可塑性樹脂を混合したものを使用する場合には、熱硬化性樹脂のほうが支配的に機能するため、熱硬化性樹脂のみと場合と同様に加熱することにより硬化する。
【００８０】
次に、図１８（Ａ）に示すように、図８の電子部品搭載装置６００において、部品保持部材６０１の先端の熱せられた接合ツール８により、上記前工程で各バンプ３が各電極２上に形成されたＩＣチップ１をトレー６０２から吸着保持しつつ、該ＩＣチップ１を、上記前工程で準備されかつステージ９上に載置された回路基板４に対して、ＩＣチップ１の各電極２が対応する回路基板４の各電極５上に位置するように位置合わせしたのち、上記熱せられた接合ツール８によりＩＣチップ１を回路基板４に押圧する。この位置合わせは、公知の位置認識動作を使用する。例えば、図９（Ｃ）に示すように、回路基板４に形成された位置認識マーク６０５又はリード若しくはランドパターンを、電子部品搭載装置６００の基板認識用カメラ６０４で認識して、図９（Ｄ）に示すようにカメラ６０４で得られた画像６０６を基に、回路基板４のステージ９上での直交するＸＹ方向のＸＹ座標位置とＸＹ座標の原点に対する回転位置とを認識して基板４の位置を認識する。一方、図９（Ａ）に示すように、接合ツール８に吸着保持されたＩＣチップ１の位置認識用マーク６０８又は回路パターンをＩＣチップ用位置認識カメラ６０３で認識して、図９（Ｂ）に示すようにカメラ６０３で得られた画像６０７を基に、ＩＣチップ１の上記ＸＹ方向のＸＹ座標位置とＸＹ座標の原点に対する回転位置とを認識してＩＣチップ１の位置を認識する。そして、上記回路基板４とＩＣチップ１との位置認識結果を基に、接合ツール８又はステージ９を移動させて、ＩＣチップ１の各電極２が対応する回路基板４の各電極５上に位置するように位置合わせしたのち、上記熱せられた接合ツール８によりＩＣチップ１を回路基板４に押圧する。
【００８１】
このとき、各バンプ３は、その頭部３ａが、回路基板４の各電極５上で変形されながら押しつけられていく。このとき、熱硬化性樹脂中の無機フィラー１６は、接合開始当初に熱硬化性樹脂中に入り込んできた尖っているバンプ３により、バンプ３の外側方向へ押し出される。また、この外側方向への押し出し作用によりバンプ３と基板電極５の間に無機フィラー１６が入り込まないことにより、接続抵抗値を低下させる効果を発揮する。このとき、もし、バンプ３と回路基板電極５の間に無機フィラー１６が多少入り込んだとしても、バンプ３と回路基板電極５とが直接接触していることにより、全く問題はない。このとき、ＩＣチップ１を介してバンプ３側に印加する荷重は、バンプ３の外径により異なるが、折れ曲がって重なり合うようになっているバンプ３の頭部３ａが、必ず図１８（Ｂ）のように変形する程度の荷重を加えることが必要である。この荷重は、最低で２０（ｇｆ／バンプ１ケあたり）を必要とする。２０（ｇｆ／バンプ１ケあたり）未満では抵抗値１００ｍｍΩ／バンプより大きくなって抵抗値が大きくなりすぎて実用上問題があるため、２０（ｇｆ／バンプ１ケあたり）以上であることが好ましい。また、８０μｍ，４０μｍのそれぞれの外径のバンプと最低荷重との関係に基づき信頼性の高い領域を検討すると、４０μｍ以上の外径のバンプでは最低荷重は２５（ｇｆ／バンプ１ケあたり）以上であることが好ましく、４０μｍ未満の外径のバンプでは最低荷重は２０（ｇｆ／バンプ１ケあたり）以上ぐらいが信頼性が高いことが推定される。なお、今後、リードの狭ピッチ化とともにバンプ外径が４０μｍ未満と小さくなった場合、バンプの投影面積に応じて、その２乗に比例して荷重が減少する傾向があることが推定される。よって、ＩＣチップ１を介してバンプ３側に印加する最低荷重は、最低で２０（ｇｆ／バンプ１ケあたり）を必要とするのが好ましい。上記ＩＣチップ１を介してバンプ３側に印加する荷重の上限は、ＩＣチップ１、バンプ３、回路基板４などが損傷しない程度とする。場合によって、その最大荷重は１５０（ｇｆ／バンプ１ケあたり）を越えることもある。
【００８２】
なお、セラミックヒータ又はパルスヒータなどの内蔵ヒータ８ａにより熱せられた接合ツール８により、上記前工程でバンプ３が電極２上に形成されたＩＣチップ１を、上記前工程で準備された回路基板４に対してＩＣチップ１の電極２が対応する回路基板４の電極５上に図１８（Ａ）に示すように位置するように位置合わせする位置合わせ工程と、位置合わせしたのち図１８（Ｂ）に示すように押圧接合する工程とを、１つの位置合わせ兼押圧接合装置で行うようにしてもよい。しかしながら、別々の装置、例えば、多数の基板を連続生産する場合において位置合わせ作業と押圧接合作業とを同時的に行うことにより生産性を向上させるため、上記位置合わせ工程は位置合わせ装置で行い、上記押圧接合工程は接合装置で行うようにしてもよい。
【００８３】
回路基板４は、一般に、熱履歴や、裁断、加工により反りやうねりを生じており、必ずしも完全な平面ではないことが多い。そこで、例えば約１０μｍ以下に調整されるように平行度がそれぞれ管理された接合ツール８とステージ９とにより、接合ツール８側からステージ９側に向けて熱と荷重をＩＣチップ１を通じて回路基板４に局所的に印加することにより、その印加された部分の回路基板４の反りが矯正せしめられる。また、ＩＣチップ１は、アクティブ面の中心を凹として反っているが、これを接合時に１バンプあたり２０ｇｆ以上の強い荷重で加圧することで、回路基板４とＩＣチップ１の両方の反りやうねりを矯正することができる。このＩＣチップ１の反りは、ＩＣチップ１を形成するとき、Ｓｉに薄膜を形成する際に生じる内部応力により発生するものである。バンプの変形量は１０〜２５μｍ程度であり、この程度の回路基板が当初から持っている内層銅箔から表面に現れるうねりの影響にバンプ３の変形でそれぞれのバンプ３が順応することで許容できるようになる。
【００８４】
こうして回路基板４の反りが矯正された状態で、例えば１４０〜２３０℃の熱がＩＣチップ１と回路基板４の間の絶縁樹脂シート６ｂに例えば数秒〜２０秒程度印加され、この絶縁樹脂シート６ｂが硬化される。このとき、最初は絶縁樹脂シート６ｂを構成する熱硬化性樹脂が流れてＩＣチップ１のエッジまで封止する。また、樹脂であるため、加熱されたとき、当初は自然に軟化するため、このようにエッジまで流れるような流動性が生じる。熱硬化性樹脂の体積はＩＣチップ１と回路基板４との間の空間の体積より大きくすることにより、この空間からはみ出すように流れ出て、封止効果を奏することができる。この後、加熱されたツール８が上昇することにより、加熱源がなくなるためＩＣチップ１と絶縁樹脂シート６ｂの温度が急激に低下して、絶縁樹脂シート６ｂは流動性を失い、図１８（Ｂ）に示すように、ＩＣチップ１は硬化した熱硬化性樹脂６ｓにより回路基板４上に固定される。また、回路基板４側をステージ９のヒータ９ａなどにより加熱しておくと、接合ツール８の温度をより低く設定することができる。
【００８５】
なお、無機フィラー１６を絶縁樹脂シート６ｂにその５〜９０ｗｔ％程度配合することにより、絶縁樹脂シート６ｂの絶縁樹脂の弾性率、熱膨張係数を回路基板４に最適なものにコントロールすることができる。これに加えて、通常のメッキバンプでこれを利用すると、バンプと回路基板４の間に無機フィラーが入り込み、接合信頼性が低くなる。しかしながら、本実施形態のようにスタッドバンプ（ワイヤーボンディングを応用した形成方法）を用いるようにすれぱ、接合開始当初に絶縁樹脂中に入り込んできた尖っているバンプにより、無機フィラー１６を、よって、絶縁樹脂を、バンプの外側方向へ押し出さすことにより、バンプが変形していく過程で無機フィラー１６と絶縁樹脂をバンプと電極の間から押し出し、不要な介在物を存在させないようにすることができ、より信頼性を向上させることができる。
【００８６】
また、同じ重量の無機フィラー１６を配合する場合には、平均粒径が３μｍ以上の大きな無機フィラーを用いるようにするか、複数の異なる平均粒径を持つ無機フィラーを用いるようにするか、一方の無機フィラーの平均粒径は、他方の無機フィラーの平均粒径の２倍以上異なっている無機フィラーを用いるようにするか、少なくとも２種類の無機フィラーのうちの一方の無機フィラーは３μｍを超える平均粒径を持ち、他方の無機フィラーは３μｍ以下の平均粒径を持つ無機フィラーを用いるようにすれば、無機フィラーの周りにおける吸湿量を減らしめることができ、耐湿性を向上させることが可能となるとともに、無機フィラーの量を増加させることができて、フィルム化（固体化）することが容易になる上に、絶縁樹脂シートの線膨張係数を低下させることができ、より長寿命化させることができて、信頼性を向上させることができる。。
【００８７】
さらに、平均粒径の大きい一方の無機フィラーは上記絶縁樹脂と同一材料からなるようにすれば、応力緩和作用を奏するようにすることができ、又、平均粒径の大きい一方の無機フィラーは上記絶縁樹脂であるエポキシ樹脂よりも柔らかく、上記一方の無機フィラーが圧縮されるようにすれば、応力緩和作用を奏するようにすることもできる。
【００８８】
また、ＩＣチップ１又は上記回路基板４と絶縁樹脂シート６ｂとの接合界面では無機フィラーが存在しないかその量を少なくすれば、絶縁樹脂シート６ｂの絶縁樹脂本来の接着性が発揮されて、上記接合界面で接着性の高い絶縁樹脂が多くなり、ＩＣチップ１又は上記回路基板４と絶縁樹脂との密着強度を向上させることができて、無機フィラー１６による線膨張係数を下げる効果を持たせたまま、ＩＣチップ１又は上記回路基板４との接着性が向上する。これにより、各種信頼性試験での寿命が向上するとともに、曲げに対しての剥離強度が向上する。
【００８９】
さらに、上記ＩＣチップ１に接触する部分では、ＩＣチップ１表面に用いられる膜素材に対して密着性を向上させる絶縁樹脂を用いる一方、上記回路基板４に接触する部分では、回路基板表面の材料に対して密着性を向上させる絶縁樹脂を用いるようにすれば、さらに密着性を向上させることができる。
【００９０】
また、本発明の第１７実施形態にかかる電子部品の実装方法として、図１９（Ａ）に示すように、ＩＣチップ１と基板４との接合において、上記密着力向上剤７を有するＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ：異方性導電膜）２０を使用するようにしてもよい。このＡＣＦ２０を使用する場合には、ＡＣＦ２０中に多数存在しかつ上記バンプ３と上記電極５とを電気的に接続させる導電粒子２１をバンプ３と基板電極５との間に必ず挟む必要があること以外は、上記絶縁樹脂シート６ｂを使用する場合と同様な作用効果を奏する。
【００９１】
また、本発明の第１８実施形態にかかる電子部品の実装方法として、図２０（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）に示すように、上記第１〜第１７の各実施形態において、上記密着力向上剤７を液体状又は半固体状の絶縁樹脂６又は固体の絶縁樹脂シート６ｂに配置するとき、上記密着力向上剤７をそのまま配置するのではなく、図２０（Ａ）に示すように、数ミクロンから数十ミクロンの直径の球形でかつ水分を吸収しにくい材料からなる外皮３１内に上記密着力向上剤７を封入して構成したマイクロカプセル３０として配置するようにして、ＩＣチップ１と回路基板４とを接合するときには、所定圧力以上の加圧動作又は所定温度（例えば１５０℃）以上の加熱動作により上記マイクロカプセル３０の外皮３１が破壊されるようにして、破壊されたマイクロカプセル３０中の上記密着力向上剤７が加水分解反応して密着力向上機能を発揮できるようにする。例えば、上記密着力向上剤７がシランカップリング剤の場合のマイクロカプセルの硬化のメカニズムは以下の通りである。数種類のアミン成分とエポキシ樹脂とをある程度反応させて樹脂化し、次いで、上記密着力向上剤７であるシランカップリング剤アミン等の活性基をポリマーの三次元構造中に封じ込めることにより、マイクロカプセル３０を形成している。このように形成されたマイクロカプセル３０が例えばエポキシ樹脂の絶縁樹脂６又は絶縁樹脂シート６ｂに接触すると、最初は、マイクロカプセル３０の表面は一部反応するが、ここで反応がストップし、次いで、所定圧力以上の加圧又は所定温度以上の加熱により、マイクロカプセル３０が溶融及び溶解すると、マイクロカプセル３０の外皮３１すなわちポリマーの三次元構造中に封じ込められていた上記密着力向上剤７であるシランカップリング剤の活性基が現れ、活性基により一斉に加水分解反応が開始される。なお、図２０（Ｃ）において、３２は破壊された外皮３１である。
【００９２】
このようにすれば、密着力向上剤７を含む固体の絶縁樹脂シート６ｂを保存しておくとき、又は、上記密着力向上剤７を液体状又は半固体状の絶縁樹脂６に配置したのち接合までに時間がかかるときなどにおいて、上記密着力向上剤７が水分を吸うことにより加水分解反応が進んで密着力向上機能が劣化するのを防止することができる。
【００９３】
また、上記密着力向上剤７を回路基板側とＩＣチップ側の両方に対して配置する場合に、回路基板側では回路基板４に適した密着力向上剤７を封入したマイクロカプセル３０を配置させる一方、ＩＣチップ側ではＩＣチップ１に適した密着力向上剤７を封入したマイクロカプセル３０を配置させるようにして、回路基板側とＩＣチップ側とでは異なる種類の密着力向上剤７を封入したマイクロカプセル３０を使用するようにしてもよい。
【００９４】
ここで、密着力向上剤７がシランカップリング剤である場合のマイクロカプセル３０の製造方法を説明する。まず、二重ノズルを利用して、上記密着力向上剤７である一定量のカップリング剤を中心側から吐出させると同時に、その周囲から外皮３１を形成するための一定量のエポキシ樹脂を管状に吐出させて、硬化材溶液中に滴下させる。この結果、硬化材溶液中において、密着力向上剤７の周囲がエポキシ樹脂で全て覆われ、このエポキシ樹脂が硬化材により架橋されて硬化されて外皮３１となるため、密着力向上剤７の周囲がエポキシ樹脂の外皮３１で全て覆われたマイクロカプセル３０が形成される。
【００９５】
また、別の製造方法として、フィラー系材料やガラス繊維などを表面処理することによりマイクロカプセル３０を形成する方法には、乾式処理法、湿式処理法、インテグラルブレンド法の３方法が知られている。以下に、その概要を述べる。
【００９６】
まず、乾式処理法は、へンシェル・ミキサーのような高速攪拌可能な機械の中に無機フィラー系材料を仕込み、高速攪拌しながら、この中にシランそのもの或いは希釈液をゆっくり滴下或いはスプレー処理してマイクロカプセル３０を形成する方法である。必要ならば、窒素ガスを流しても良いし、処理後、加熱処理しても良い。この他に流動槽のような装置も使用することができるが、装置的に大規模になるという欠点がある。上記乾式処理法は、湿式処理法と比較して均一な処理が難しいという欠点があるものの、多量の処理が短時間で出来る点及び処理に熱源を余り必要としない点などの利点もある。
【００９７】
次に、湿式処理法は、無機フィラー系材料或いはガラス繊維などをシラン溶液中で処理し、その後、乾燥させてマイクロカプセル３０を形成する方法である。シラン溶液は水溶液でも良いし、アルコール性溶液を使用しても良い。アルコール性溶液を使用する場合、あらかじめ部分加水分解させてから使用しても良い。この方法は乾燥時多量の熱源を必要とするため、工業的には不利である。但し、フィラー系材料を湿式法で製造する場合には、乾燥前にシラン溶液を添加するだけで済むためメリットはある。この方法で処理すると、均一に処理出来る。
【００９８】
最後に、インテグラルブレンド法は、フィラー材料等を直接処理する方法ではなくて、有機樹脂中でシランとフィラー材料を間接的に処理する方法である。即ち、有機樹脂中にシランを分散させておき、ここにフィラー材料を添加・混合することにより一段階でコンパウディングすることすなわちマイクロカプセル３０を形成することが出来る。こうした利点のため、工業的にはしばしば利用されている。但し、シランと有機樹脂とが反応する可能性のある場合には、この方法は適用することは出来ない。
【００９９】
【発明の効果】
本発明によれば、密着力向上剤により、絶縁樹脂と、電子部品例えばＩＣチップ又は基板例えば回路基板との密着力を向上させることができるため、リフロー工程やヒートサイクル試験工程においても絶縁樹脂と電子部品又は基板との間で剥離が生じにくく、短絡又は腐食が防止でき、信頼性を高めることができる。また、上記絶縁樹脂と上記電子部品又は上記基板との間の密着力を向上させることができる結果、耐湿性も向上させることができる。
【０１００】
また、電子部品と基板との間に配置される液体状の絶縁樹脂の体積を電子部品と基板との間の空間の体積より大きくするようにすれば、この空間から絶縁樹脂がはみ出すように流れ出て、電子部品と基板との間の封止効果を奏することができる。よって、電子部品と基板を接合すると同時に絶縁樹脂による封止を行うことができて、電子部品と基板を接合した後に電子部品の下に封止樹脂（アンダーフィルコート）による封止工程を行う必要がなく、工程を短縮することができる。
【０１０１】
また、本発明において、電子部品全体を密着力向上液槽内に浸漬させたのち乾燥させることにより密着力向上剤を配置する場合には、簡単でかつ短時間で配置処理が行える。
【０１０２】
また、本発明において、密着力向上剤を固体にすれば、液体のものより取り扱いが簡単になるとともに、液体の場合よりも、より均一に密着力向上剤を配置することができる。
【０１０３】
また、本発明において、基板の表面での絶縁樹脂との結合に寄与する密着力向上剤の量を多くすれば、より高い密着強度を得ることができるとともに、電子部品に対向する表面での絶縁樹脂の絶縁樹脂との結合に寄与する密着力向上剤の量を多くすれば、より高い密着強度を得ることができる。
【０１０４】
また、本発明において、上記絶縁樹脂シートに無機フィラーを配合させれば、上記密着力向上剤による密着力向上の効果に加えて、無機フィラーの存在により絶縁樹脂シートの線膨張係数を低下させることができ、より長寿命化させることができて、信頼性を向上させることができる。
【０１０５】
また、本発明において、上記密着力向上剤は、マイクロカプセルの球形でかつ水分を吸収しにくい材料からなる外皮内に封入されるようにすれば、所定圧力以上の圧力又は所定温度以上の温度が作用すると、上記外皮が破壊されて上記密着力向上剤の密着力向上機能を発揮することができ、上記密着力向上剤が水分を吸うことにより加水分解反応が進んで密着力向上機能が劣化するのを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（Ａ），（Ｂ）はそれぞれ本発明の第１実施形態にかかる電子部品の実装方法において、密着力向上剤をＩＣチップの実装部１ａ側に配置しかつバンプがＩＣチップの電極に形成された状態及びＩＣチップと回路基板との接合後の状態を説明するためのＩＣチップと回路基板の一部断面図である。
【図２】（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）はそれぞれ本発明の第２実施形態にかかる電子部品の実装方法において、密着力向上剤をＩＣチップの実装部１ａ側に配置しかつバンプが回路基板の電極に形成された状態及びＩＣチップと回路基板との接合後の状態を説明するためのＩＣチップと回路基板の一部断面図、及び、上記第２実施形態の変形例にかかる電子部品の実装方法において、絶縁樹脂をＩＣチップの実装部１ａ側に配置した状態を説明するためのＩＣチップと回路基板の一部断面図である。
【図３】（Ａ），（Ｂ），（Ｃ），（Ｄ），（Ｅ），（Ｆ），（Ｇ），（Ｈ）はそれぞれ本発明の第３〜第５実施形態にかかる電子部品の実装方法において密着力向上剤をＩＣチップの実装部１ａの四隅のみに配置した状態の裏面図、ＩＣチップの実装部１ａの縁部にドット状に配置した状態の裏面図、ＩＣチップの実装部１ａの縁部に矩形枠状でかつ帯状に配置した状態の裏面図、上記第１実施形態にかかる電子部品の実装方法において密着力向上剤をＩＣチップの実装部１ａの全面に配置した状態の裏面図、密着力向上剤を回路基板のＩＣチップ実装部４ａの四隅のみに配置した状態の裏面図、回路基板のＩＣチップ実装部４ａの縁部にドット状に配置した状態の裏面図、回路基板のＩＣチップ実装部４ａの縁部に矩形枠状でかつ帯状に配置した状態の裏面図、上記第１実施形態にかかる電子部品の実装方法において密着力向上剤を回路基板のＩＣチップ実装部４ａの全面に配置した状態の裏面図である。
【図４】（Ａ），（Ｂ）はそれぞれ本発明の第６実施形態にかかる電子部品の実装方法において、密着力向上剤を回路基板のＩＣチップ実装部４ａ側に配置した状態及びＩＣチップと回路基板との接合後の状態を示すＩＣチップと回路基板の一部断面図である。
【図５】（Ａ），（Ｂ）はそれぞれ本発明の第７実施形態にかかる電子部品の実装方法において、密着力向上剤をＩＣチップの実装部１ａ側と上記回路基板のＩＣチップ実装部４ａ側との両方に配置した状態及びＩＣチップと回路基板との接合後の状態を示すＩＣチップと回路基板の一部断面図である。
【図６】（Ａ），（Ｂ）はそれぞれ本発明の第８実施形態にかかる電子部品の実装方法の接合工程でのＩＣチップと回路基板の配置状態及びＩＣチップと回路基板との接合後の状態を説明するためのＩＣチップと回路基板の一部断面図である。
【図７】（Ａ），（Ｂ）はそれぞれ本発明の第９実施形態にかかる電子部品の実装方法の接合工程でのＩＣチップと回路基板の配置状態及びＩＣチップと回路基板との接合後の状態を説明するためのＩＣチップと回路基板の一部断面図である。
【図８】上記第１実施形態で使用される電子部品搭載装置の斜視図である。
【図９】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）はそれぞれ図８の電子部品搭載装置での部品側での位置認識動作を示す斜視図、部品の位置認識画像の図、基板側での位置認識動作を示す斜視図、基板の位置認識画像の図である。
【図１０】（Ａ），（Ｂ）はそれぞれ本発明の第１０実施形態にかかる電子部品の実装方法の接合工程でのＩＣチップと回路基板の配置状態及び接合後の状態を説明するためのＩＣチップと回路基板の一部断面図である。
【図１１】図１０（Ａ）で使用する封止用樹脂シートの一例の部分断面図である。
【図１２】（Ａ），（Ｂ）はそれぞれ本発明の第１１実施形態にかかる電子部品の実装方法の接合工程でのＩＣチップと回路基板の配置状態及び接合後の状態を説明するためのＩＣチップと回路基板の一部断面図である。
【図１３】図１２（Ａ）で使用する封止用樹脂シートの一例の部分断面図である。
【図１４】（Ａ），（Ｂ）はそれぞれ本発明の第１２実施形態にかかる電子部品の実装方法の接合工程でのＩＣチップと回路基板の配置状態及び接合後の状態を説明するためのＩＣチップと回路基板の一部断面図である。
【図１５】（Ａ），（Ｂ）はそれぞれ本発明の第１３実施形態にかかる電子部品の実装方法の接合工程でのＩＣチップと回路基板の配置状態及び接合後の状態を説明するためのＩＣチップと回路基板の一部断面図である。
【図１６】（Ａ），（Ｂ）はそれぞれ本発明の第１４実施形態にかかる電子部品の実装方法の接合工程でのＩＣチップと回路基板の配置状態及び接合後の状態を説明するためのＩＣチップと回路基板の一部断面図である。
【図１７】（Ａ），（Ｂ）はそれぞれ本発明の第１５実施形態にかかる電子部品の実装方法の接合工程でのＩＣチップと回路基板の配置状態及び接合後の状態を説明するためのＩＣチップと回路基板の一部断面図である。
【図１８】（Ａ），（Ｂ）はそれぞれ本発明の第１６実施形態にかかる電子部品の実装方法の接合工程でのＩＣチップと回路基板の配置状態及び接合後の状態を説明するためのＩＣチップと回路基板の一部断面図である。
【図１９】（Ａ），（Ｂ）はそれぞれ本発明の第１７実施形態にかかる電子部品の実装方法の接合工程でのＩＣチップと回路基板の配置状態及び接合後の状態を説明するためのＩＣチップと回路基板の一部断面図である。
【図２０】（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）はそれぞれ本発明の第１８実施形態にかかる電子部品の実装方法の接合工程において使用するマイクロカプセルの拡大断面図、マイクロカプセルを有する絶縁樹脂シートを使用する接合工程でのＩＣチップと回路基板の配置状態及び接合後の状態を説明するためのＩＣチップと回路基板の一部断面図である。
【図２１】従来の電子機器の回路基板へＩＣチップを接合する方法により接合された回路基板とＩＣチップとの状態を示す一部断面図である。
【図２２】本発明の第５実施形態の変形例にかかる電子部品の実装方法において、外周部にＳｉＮパッシベイションが露出したようなＩＣパターンの場合にＩＣチップの縁部に矩形枠状でかつ帯状に密着力向上剤を配置してＳｉＮ部での剥離を防止する状態を示すＩＣチップと回路基板の断面図である。
【符号の説明】
１…ＩＣチップ、１ａ…実装部、２，５…電極、３…バンプ、４…回路基板、４…ＩＣチップ実装部、６…絶縁樹脂、６ｂ…絶縁樹脂シート、６ｘ…ベースフィルム、６ｙ…カバーシート、７…密着力向上剤、７ｂ…密着力向上層、８…接合ツール、８ａ…ヒータ、９…ステージ、９ａ…ヒータ、１１，１３，１５…封止用樹脂シート、１４…密着力が向上した部分、１６…無機フィラー、２０…ＡＣＦ、２１…導電粒子、３０…マイクロカプセル、３１…外皮。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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