(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
端子電極を形成すべき電子部品用素体をゴム部材で保持した状態で熱処理する熱処理工程と、
その後に、熱処理された前記素体に電極用ペーストを塗布する塗布工程と、
電極用ペーストが塗布された前記素体を乾燥させる乾燥工程とを有し、
前記ゴム部材がシリコーンゴムを主成分とする部材で構成してあり、
前記熱処理工程における加熱温度が１８０〜２５０°Ｃであり、その加熱処理時間が２分以上であることを特徴とする
端子電極を持つ電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記素体が、内部電極層と誘電体層とが交互に積層してあるコンデンサ素体である請求項１に記載の電子部品の製造方法。
【請求項３】
第１および第２端子電極を形成すべき電子部品用素体をゴム部材で保持した状態で熱処理する熱処理工程と、
その後に、熱処理された前記素体の第１端部に第１端子電極用ペーストを塗布する第１塗布工程と、
第１端子電極用ペーストが塗布された前記素体を乾燥させる第１乾燥工程と、
前記素体の第２端部に第２端子電極用ペーストを塗布する第２塗布工程と、
前記第２端部に第２端子電極用ペーストが塗布された前記素体を乾燥させる第２乾燥工程とを有し、
前記ゴム部材がシリコーンゴムを主成分とする部材で構成してあり、
前記熱処理工程における加熱温度が１８０〜２５０°Ｃであり、その加熱処理時間が２分以上であり、しかも、
前記第１乾燥工程における加熱温度が１８０〜２５０°Ｃであり、その加熱処理時間が２分以上であることを特徴とする
端子電極を持つ電子部品の製造方法。
【請求項４】
前記熱処理工程における加熱温度が、前記第１および第２乾燥工程における乾燥温度と略同一である請求項３に記載の電子部品の製造方法。
【請求項５】
前記素体が、内部電極層と誘電体層とが交互に積層してあるコンデンサ素体である請求項３に記載の電子部品の製造方法。
【請求項６】
端子電極を形成すべき電子部品用素体を、シリコーンゴムと共に熱処理する熱処理工程と、
その後に、熱処理された前記素体に電極用ペーストを塗布する塗布工程と、
電極用ペーストが塗布された前記素体を乾燥させる乾燥工程とを有し、
前記熱処理工程における加熱温度が１８０〜２５０°Ｃであり、熱処理時間が２分以上である
端子電極を持つ電子部品の製造方法。
【請求項７】
前記素体が、内部電極層と誘電体層とが交互に積層してあるコンデンサ素体である請求項６に記載の電子部品の製造方法。
【請求項８】
端子電極を形成すべき電子部品用素体を、シリコーン油を含む溶液に浸漬させる浸漬工程と、
その後、前記素体に電極用ペーストを塗布する塗布工程と、
電極用ペーストが塗布された前記素体を乾燥させる乾燥工程とを有する、
端子電極を持つ電子部品の製造方法。
【請求項９】
前記浸漬工程の後に、前記素体を乾燥させ、その後、前記塗布工程を行う請求項８に記載の電子部品の製造方法。
【請求項１０】
前記素体が、内部電極層と誘電体層とが交互に積層してあるコンデンサ素体である請求項８に記載の電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、端子電極を持つ電子部品の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
端子電極を持つ電子部品として代表的なものに積層セラミックコンデンサがある。この積層セラミックコンデンサの端子電極を形成するには、内部電極が積層されたコンデンサ素体を製造した後、このコンデンサ素体の両端に電極用ペーストを塗布して乾燥させる。
【０００３】
コンデンサ素体の両端に同時に電極用ペーストを塗布することは困難であることから、通常は、コンデンサ素体の一端に電極用ペーストを塗布して乾燥させて第１端部電極を形成し、その後、素体の他端に電極用ペーストを塗布して乾燥させて第２端部電極を形成している。
【０００４】
ところが、従来の方法では、コンデンサ素体の一端に最初に形成された第１端部電極の形状と、二回目に形成された第２端部電極の形状とに差異が生じ、外観上のアンバランスが生じる傾向にあった。近年、積層セラミックコンデンサは、一辺が１ｍｍ以下と、ますます小型化の傾向にあり、両端子電極の形状にアンバランスが生じると、両端子電極間の距離が狭まり、試験電圧印加時にスパークなどが生じ、内部欠陥がないのに不良品として廃棄処分にしなければならず、製造歩留まりが低下する。また、両端子電極の形状にアンバランスが生じると、積層セラミックコンデンサの基板への実装時に、電極の短絡や装着不良を生じやすいという課題もある。
【０００５】
特に、二回目に形成された第２端部電極のエッジ形状は、比較的真っ直ぐであるのに対し、最初に形成された第１端部電極のエッジ形状が波打ったり、丸みを帯び、エッジ形状の寸法バラツキが大きい傾向にあり、このことが、両端子電極形状のアンバランスを発生させる原因となっていた。
【０００６】
従来では、この端子電極形状のアンバランスの発生原因に対する正確な認識が得られず、様々な工夫が成されているが、十分な効果が得られるものではなかった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、積層セラミックコンデンサなどの端子電極を持つ電子部品の製造方法であって、端子電極のエッジ形状の寸法バラツキを小さくし、信頼性および耐久性を向上させた電子部品を、高生産効率で製造することができる電子部品の製造方法を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は、上記目的を達成するために鋭意検討した結果、二回目に形成された第２端部電極のエッジ形状が、比較的真っ直ぐであることに着目し、この原因が、端子電極を形成すべき素体が、二回目の電極用ペーストの塗布工程の前に、素体を保持するシリコーンゴムと共に乾燥工程により熱処理されることにあることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【０００９】
すなわち、本発明の第１の観点に係る端子電極を持つ電子部品の製造方法は、端子電極を形成すべき電子部品用素体をゴム部材で保持した状態で熱処理する熱処理工程と、熱処理された前記素体に電極用ペーストを塗布する塗布工程と、電極用ペーストが塗布された前記素体を乾燥させる乾燥工程とを有する。
【００１０】
本発明の第２の観点に係る端子電極を持つ電子部品の製造方法は、第１および第２端子電極を形成すべき電子部品用素体をゴム部材で保持した状態で熱処理する熱処理工程と、熱処理された前記素体の第１端部に第１端子電極用ペーストを塗布する第１塗布工程と、第１端子電極用ペーストが塗布された前記素体を乾燥させる第１乾燥工程と、前記素体の第２端部に第２端子電極用ペーストを塗布する第２塗布工程と、前記第２端部に第２端子電極用ペーストが塗布された前記素体を乾燥させる第２乾燥工程とを有する。
【００１１】
本発明では、前記ゴム部材は、シリコーンゴムを主成分とする部材で構成してあることが好ましい。ゴム部材としては、特に限定されず、平板形状、ブロック形状など、どのような形状でも良いが、好ましくは、素体を保持するための貫通孔が多数形成してある平板形状のゴム部材が好ましい。素体の端部に電極用ペーストを塗布する際には、素材の端部が貫通孔から露出するように、素体を貫通孔に装着することが好ましい。熱処理工程では、素体を貫通孔の内部に完全に埋め込んで熱処理しても良いが、素体の端部に電極用ペーストを塗布する際と同様に、素材の端部が貫通孔から露出するように、素体を貫通孔に装着した状態で、熱処理しても良い。
【００１２】
本発明の第３の観点に係る端子電極を持つ電子部品の製造方法は、端子電極を形成すべき電子部品用素体を、シリコーンゴムと共に熱処理する熱処理工程と、熱処理された前記素体に電極用ペーストを塗布する塗布工程と、電極用ペーストが塗布された前記素体を乾燥させる乾燥工程とを有する。本発明の第３の観点に係る製造方法では、素体とシリコーンゴムとは、必ずしも接触していなくても良いが、接触していることが好ましい。
【００１３】
本発明の第４の観点に係る端子電極を持つ電子部品の製造方法は、端子電極を形成すべき電子部品用素体を、シリコーン油を含む溶液に浸漬させる浸漬工程と、その後、前記素体に電極用ペーストを塗布する塗布工程と、電極用ペーストが塗布された前記素体を乾燥させる乾燥工程とを有する。本発明の第４の観点に係る製造方法では、前記浸漬工程の後に、前記素体を乾燥させ、その後、前記塗布工程を行うことが好ましい。
【００１４】
本発明の第１〜第３の観点に係る製造方法において、前記熱処理工程における加熱温度が、好ましくは８０°Ｃ〜３００°Ｃ、さらに好ましくは１５０〜３００°Ｃ、特に好ましくは１８０〜２５０°Ｃである。また、熱処理時間が、好ましくは２分以上、さらに好ましくは５．０〜１０．０分である。熱処理工程における熱処理温度は、乾燥工程における乾燥温度と略同程度であっても良い。
【００１５】
熱処理温度が低すぎると、本発明の効果が少なくなり、温度が高すぎても、本発明の効果の増大が小さく、作業効率も悪くなる。また、熱処理時間が短すぎると、本発明の効果が少なく、熱処理時間が長すぎると、生産効率が低下する傾向にある。なお、熱処理工程は、バッチ式に行っても良いし、連続的に行っても良い。素体を保持するゴム部材を搬送する手段としては、特に限定されず、ベルトコンベヤ、搬送ローラなどが用いられる。
【００１６】
前記素体としては、特に限定されないが、たとえば内部電極層と誘電体層とが交互に積層してあるコンデンサ素体である。
【００１７】
本発明の第１の観点に係る製造方法では、端子電極を形成すべき電子部品用素体をゴム部材で保持した状態で熱処理した後、電極用ペーストを塗布するため、素体表面の電極用ペーストに対する濡れ性が改善される。その結果、電極用ペーストの塗布エッジが、従来のように素体との表面張力により波形となったり丸みを帯びることなく、直線状になり、ペーストの塗布部分を乾燥させて形成される端子電極のエッジも直線状になる。このため、本発明の製造方法によれば、端子電極のエッジ形状の寸法バラツキを小さくし、信頼性および耐久性を向上させた電子部品を、高生産効率で製造することができる。
【００１８】
本発明の第２の観点に係る製造方法では、第１および第２端子電極を形成すべき電子部品用素体をゴム部材で保持した状態で熱処理した後、最初の第１端子電極用ペーストを塗布する。このため、最初の電極用ペーストの塗布工程ではあっても、素体表面の電極用ペーストに対する濡れ性が改善される。その結果、電極用ペーストの塗布エッジが、従来のように素体との表面張力により波形となったり丸みを帯びることなく、直線状になり、ペーストの塗布部分を乾燥させて形成される端子電極のエッジも直線状になる。このため、本発明の製造方法によれば、第１端子電極のエッジ形状の寸法バラツキを小さくすることができる。なお、第２端子電極のエッジ形状の寸法バラツキは、その前工程で行われる熱処理または第１乾燥工程での熱処理により、第１端子電極のエッジ形状の寸法バラツキと同様に抑制されている。したがって、本発明の第２の観点に係る製造方法によれば、信頼性および耐久性を向上させた電子部品を、高生産効率で製造することができる。
【００１９】
本発明の第３の観点に係る製造方法では、端子電極を形成すべき電子部品用素体を、シリコーンゴムと共に熱処理した後、電極用ペーストを塗布する。端子電極を形成すべき電子部品用素体を、シリコーンゴムに対して直接には接触させない状態で熱処理することでも、本発明の第１の観点に係る製造方法と同様な作用効果が期待できる。
【００２０】
本発明の第４の観点に係る製造方法では、端子電極を形成すべき電子部品用素体を、シリコーン油を含む溶液に浸漬させた後、電極用ペーストを塗布する。端子電極を形成すべき電子部品用素体を、シリコーン油を含む溶液に浸漬させることでも、本発明の第１の観点に係る製造方法と同様な作用効果を有する。
【００２１】
【発明の実施の形態】
次に、本発明のその他の目的および特徴を、添付図面を参照して詳細に説明する。ここにおいて、
図１は本発明の１実施形態に係る積層セラミックコンデンサの一部切り欠き斜視図、
図２は積層セラミックコンデンサの平面図、
図３は積層セラミックコンデンサの製造過程で用いる素体保持具の斜視図、
図４は素体保持具に保持されたコンデンサ素体の端部に電極用ペーストを塗布する工程を示す要部断面図、
図５は図４に示すＶ−Ｖ線に沿う要部断面図、
図６は図４に示す工程の続きの工程を示す要部断面図、
図７は図６に示す工程の続きの工程を示す要部断面図、
図８は本発明の他の実施形態に係る積層セラミックコンデンサの製造工程を示す概略図である。
【００２２】
（第１実施形態）
本実施形態では、端子電極を持つ電子部品として、図１および図２に示す積層セラミックコンデンサ２を例示し、その製造方法について説明する。
【００２３】
積層セラミックコンデンサの構造
図１および図２に示すように、積層セラミックコンデンサ２は、コンデンサ素体４と、第１端子電極６と第２端子電極８とを有する。コンデンサ素体４は、誘電体層１０と、第１内部電極層１２と、第２内部電極層１４とを有し、誘電体層１０の間に、第１内部電極層１２と第２内部電極層１４とが交互に積層してある多層構造を持つ。各第１内部電極層１２の一端は、コンデンサ素体４の第１端部４ａの外側に形成してある第１端子電極６の内側に対して電気的に接続してある。また、各第２内部電極層１４の一端は、コンデンサ素体４の第２端部４ｂの外側に形成してある第２端子電極８の内側に対して電気的に接続してある。
【００２４】
本実施形態では、内部電極層１２および１４は、たとえばニッケルまたはニッケル合金などの金属層で構成してある。ニッケル合金としては、特に限定されないが、９５重量％以上のニッケルと、マンガン、クロム、コバルト、アルミニウムなどの一種以上の合金であることが好ましい。また、ニッケルまたはニッケル合金中には微量成分として０．１重量％以下のリンなどが含有されていても良い。内部電極層１２および１４の厚みは、特に限定されないが、好ましくは１〜５μｍ、さらに好ましくは２〜３μｍである。
【００２５】
誘電体層１０の材質は、特に限定されず、たとえばチタン酸カルシウム、チタン酸ストロンチウムおよび／またはチタン酸バリウムなどの誘電体材料で構成される。誘電体層１０の厚みは、特に限定されないが、数μｍ〜数百μｍのものが一般的である。
【００２６】
端子電極６および８の材質も特に限定されないが、通常、銅や銅合金、ニッケルやニッケル合金などが用いられるが、銀や銀とパラジウムの合金なども使用することができる。端子電極６および８の厚みも特に限定されないが、通常１０〜５０μｍ程度である。
【００２７】
このような積層型セラミックコンデンサ２の形状やサイズは目的や用途に応じて適宜決定すればよい。積層セラミックコンデンサ２が直方体形状の場合は、通常、０．６〜３．２ｍｍ×０．３〜１．６ｍｍ×０．１〜１．２ｍｍ程度である。
【００２８】
積層セラミックコンデンサの製造方法
本実施形態の積層型セラミックコンデンサ１は、以下のようにして製造することができる。
【００２９】
まず、誘電体層用ペースト、内部電極用ペースト、端子電極用ペーストをそれぞれ製造する。
【００３０】
誘電体層用ペーストは、誘電体原料と有機ビヒクルとを混練して得られた有機溶剤系ペースト、または水溶性溶剤系ペーストで構成される。誘電体原料としては、複合酸化物や酸化物となる各種化合物、たとえば炭酸塩、硝酸塩、水酸化物、有機金属化合物などから適宜選択され、混合して用いることができる。
【００３１】
有機ビヒクルとは、バインダを有機溶剤中に溶解したものであり、有機ビヒクルに用いられるバインダとしては、特に限定されず、エチルセルロース、ポリビニルブチラール、ターピネオールなどの通常の各種バインダが用いられる。また、有機溶剤も特に限定されず、テルピネオール、ブチルカルビトール、アセトン、トルエンなどの有機溶剤が用いられる。
【００３２】
また、水溶性溶剤系ペーストに用いられる水溶性溶剤としては、水に水溶性バインダ、分散剤などを溶解させた溶剤が用いられる。水溶系バインダとしては特に限定されず、ポリビニルアルコール、セルロース、水溶性アクリル樹脂、エマルジョンなどが用いられる。
【００３３】
内部電極用ペーストは、上述した各種導電性金属や合金からなる導電材料、あるいは焼成後に上述した導電材料となる各種酸化物、有機金属化合物、レジネートなどと上述した有機ビヒクルとを混練して調製される。また、端子電極用ペーストも、この内部電極用ペーストと同様にして調製される。
【００３４】
上述した各ペーストの有機ビヒクルの含有量は特に限定されず、通常の含有量、たとえばバインダは１〜５重量％程度、溶剤は１０〜５０重量％程度とすればよい。また、各ペースト中には必要に応じて各種分散剤、可塑剤、ガラスフリット、誘電体、絶縁体などから選択される添加物が含有されても良い。
【００３５】
このようにして各ペーストを準備した後、まず、図１に示すコンデンサ素体４を製作する。コンデンサ素体４を製作するには、誘電体用ペーストと内部電極用ペーストとを用いて、印刷法、転写法、グリーンシート法などの方法により、誘電体層１０と内部電極層１２および１４とを交互に積層させた積層構造を得る。
【００３６】
印刷法を用いて積層構造を得る場合には、誘電体用ペーストおよび内部電極用ペーストをポリエチレンテレフタレートなどの支持体に積層印刷し、所定形状に切断した後、支持体から剥離することで、まず焼成前グリーンチップを得る。また、グリーンシート法を用いる場合は、誘電体用ペーストからドクターブレード法などによりグリーンシートを形成し、この上に内部電極ペーストを印刷した後、これらを積層し、切断することで焼成前グリーンチップを得る。
【００３７】
次に、このグリーンチップを脱バインダ処理および焼成処理を行う。脱バインダ処理は焼成前に行われ、通常の条件で行えばよいが、特に内部電極層の導電材としてニッケルやニッケル合金などの卑金属を用いる場合には、空気雰囲気において、昇温速度を５〜３００℃／時間、より好ましくは１０〜１００℃／時間、保持温度を１８０〜４００℃、より好ましくは２００〜３００℃、温度保持時間を０．５〜２４時間、より好ましくは５〜２０時間とする。
【００３８】
グリーンチップの焼成雰囲気は、内部電極層用ペースト中の導電材の種類に応じて適宜決定すればよいが、導電材としてニッケルやニッケル合金などの卑金属を用いる場合には、焼成雰囲気の酸素分圧を１×１０−８〜１×１０−１２  気圧とすることが好ましい。酸素分圧が低すぎると内部電極の導電材が異常焼結を起こして途切れてしまい、酸素分圧が高すぎると内部電極が酸化される傾向にある。また、焼成時の保持温度は１１００〜１４００℃、より好ましくは１２００〜１３８０℃である。この保持温度が低すぎると緻密化が不充分となり、保持温度が高すぎると内部電極の異常焼結による電極の途切れまたは内部電極材質の拡散により容量温度特性が悪化する傾向にある。
【００３９】
これ以外の焼成条件としては、昇温速度を５０〜５００℃／時間、より好ましくは２００〜３００℃／時間、温度保持時間を０．５〜８時間、より好ましくは１〜３時間、冷却速度を５０〜５００℃／時間、より好ましくは２００〜３００℃／時間とし、焼成雰囲気は還元性雰囲気とすることが望ましく、雰囲気ガスとしてはたとえば窒素ガスと水素ガスとの混合ガスを加湿して用いることが望ましい。
【００４０】
還元性雰囲気で焼成した場合は、コンデンサチップの焼結体にアニールを施すことが望ましい。上述した脱バインダ処理、焼成およびアニール工程において、窒素ガスや混合ガスを加湿するためには、たとえばウェッターなどを用いることができる。この場合の水温は５〜７５℃とすることが望ましい。
【００４１】
以上のようにして、図１および図２に示すコンデンサ素体４が得られる。この得られたコンデンサ素体４に、たとえばバレル研磨やサンドブラストにより端面研磨を施し、次に、以下に示す方法を用いて、端子電極６および８を形成する。
【００４２】
端子電極６および８が形成される前の各コンデンサ素体４は、図３に示す素体保持具２０により保持される。素体保持具２０は、多数の保持用貫通孔２６が形成してあるゴム板２２と、ゴム板２２の周囲を支持する枠２４とを有する。枠２４は、たとえばステンレスなどの金属で構成してある。
【００４３】
ゴム板２２は、シリコーンゴムを主成分とするゴム部材で構成してある。このゴム板２２の平坦性を保持するために、図４に示すように、ゴム板２２の内部には、貫通孔２６を避けるように、補強板２８が内蔵してあっても良い。補強板２８は、ゴム板２２の貫通孔２６よりも大きな内径の貫通孔が多数形成してある金属板などで構成してある。補強板２８は、図３に示す枠２４と一体に形成しても良いが、別部品であっても良い。補強板２８の厚みは、ゴム板２２の厚みよりも小さい。ゴム板２２の厚みは、素体４の大きさなどに応じて決定され、特に限定されない。また、ゴム板２２に形成してある貫通孔２６の断面形状は、図５に示すように、本実施形態では円形であるが、円形に限らず、楕円形、矩形、その他の多角形など、種々の形状を採り得る。この貫通孔２６の断面形状は、端子電極を形成すべき素体４の断面形状に応じて種々に変更することができる。
【００４４】
本実施形態では、まず、各素体４をゴム板２２の各貫通孔２６の内部に保持させる。各素体４は、貫通孔２６の内部に深く埋まるまで挿入しても良いが、図４に示すように、各素体４の第１端部４ａが貫通孔２６から飛び出す程度に貫通孔２６の内部に挿入しても良い。
【００４５】
その状態で、素体４が保持してある保持具２０を、バッチ式乾燥炉の内部に投入して熱処理を行う。熱処理温度は、たとえば１００〜３００°Ｃであり、熱処理時間は好ましくは２分以上である。この熱処理により、各素体４の表面における端部電極用ペーストとの濡れ性が改善される。
【００４６】
次に、図４に示すように、ゴム板２２の各貫通孔２６から素体４の第１端部４ａのみがゴム板２２の第１面２２ａから所定長Ｌ１の長さで突出した状態で、ゴム板２２を移動し、保持具２０に保持してある全ての素体４の第１端部を、ペースト塗布具３０に貯留してある端部電極用ペースト３２に浸漬する。なお、端部電極用ペースト３２は、前述した組成で構成してある。
【００４７】
第１端部４ａの所定長Ｌ１は、形成しようとする第１端部電極の大きさなどに依存して決定され、図２に示す完成後の第１端部電極６の幅をＷ１とした場合に、Ｗ１に対して、Ｌ１＞Ｗ１であればよい。また、ペースト塗布具３０に貯留される端部電極用ペースト３２の厚みＴ１は、所定長Ｌ１に対して、Ｔ１（＝Ｗ１）≦Ｌ１×０．９０であることが好ましい。
【００４８】
ペースト塗布具３０は、ペースト３２を、所定厚みＴ１以上で保持可能なものであれば特に限定されず、どのようなものであっても良い。たとえばペースト塗布具３０としては、単なる容器であっても良いが、図８に示すように、塗布ローラ４２であっても良い。塗布ローラ４２の外周面にも、所定厚みＴ１の端部電極用ペースト３２の層を形成することができるからである。ペースト塗布具３０では、ペースト３２と接触する部分は、ゴム部材などの弾力性を有する部材で構成することが好ましい。素体４の第１端部４ａが押し付けられることからである。
【００４９】
保持具２０により保持された全ての素体４の第１端部４ａがペースト３２の層に浸漬することにより、図６に示すように、各素体４の第１端部４ａには、第１端部電極用ペースト膜６ａが形成される。従来では、図２に示すように、この各素体４の第１端部４ａに形成されるペースト膜６ａのエッジ線６０’が、二点差線で示すように、波形形状になったり、丸みを帯びた形状になったりしていた。しかしながら、本実施形態では、第１端部４ａへのペースト塗布の前工程において、各素体４をゴム板２２と共に熱処理することで、素体４の表面におけるペースト３２に対する濡れ性が改善される。その結果、図２中の実線で示すエッジ線６０のように、ペースト膜６ａの境界線は、許容できるバラツキΔＷの範囲内で真っ直ぐになる。
【００５０】
その後、素体４が保持された状態の保持具２０を乾燥炉の内部に搬送し、各素体４の第１端部４ａに形成されたペースト膜６ａを乾燥させる。乾燥炉における乾燥温度は、各素体４をゴム板２２と共に熱処理するときの熱処理温度と略同一または低くても良い。
【００５１】
ペースト膜６ａの乾燥後には、図７に示すように、各素体４の第２端部４ｂが、ゴム板２２の第２面２２ｂから突出する位置まで、各素体４を、貫通孔２６の内部に沿って移動させる。第２面２２ｂからの第２端部４ｂの突出長さは、図４に示す所定長Ｌ１と略同等である。
【００５２】
図７に示す状態で、保持具２０の表裏面をひっくり返し、図４に示す状態と同じ状態とし、次に、前述した方法と同様にして、各素体４の第２端部４ｂに端部電極用ペースト３２を塗布し、その後に乾燥させる。
【００５３】
各素体４の両端に乾燥したペースト膜が形成された後に、各素体４を、ゴム板２２の各貫通孔２６から取り出す。その後、端子電極形成のための焼成を行う。その時の焼成条件は、たとえば空気中で６００〜８００℃にて１０分〜１時間程度とすることが好ましい。そして、必要に応じて端子電極の表面にメッキなどにより被覆層を形成する。このような焼成の結果、図１および図２に示すように、両端に端子電極６および８が形成された積層セラミックコンデンサ２が得られる。本実施形態の積層セラミックコンデンサ２は、はんだ付けなどによってプリント基板上に実装され、各種電子機器に用いられる。
【００５４】
本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ２の製造方法によれば、第１端子電極６のエッジ線６０の寸法バラツキを小さくすることができる。なお、第２端子電極８のエッジ線の寸法バラツキは、その前工程で行われる第１回目の乾燥工程での熱処理により、第１端子電極６のエッジ線６０の寸法バラツキと同様に抑制されている。したがって、本実施形態に係る製造方法によれば、信頼性および耐久性を向上させた積層セラミックコンデンサ２を、高生産効率で製造することができる。
【００５５】
（第２実施形態）
図８は、素体保持具２０に保持された素体４の端部への端子電極用ペーストの塗布および乾燥工程を連続して行うための装置の一例を示す。
【００５６】
図８に示すように、多数の素体４の端部が上向きに突出するように素体４を保持する素体保持具２０が、搬送用ローラ５０により、図８中、左側から右側へと搬送可能になっている。素体保持具２０は、最初に熱処理炉４０の内部に入り込む。熱処理炉４０は、乾燥炉４６と同じ構造を有し、両端にペーストが塗布される前の素体４が保持された保持具２０を熱処理する。熱処理条件は、前記第１実施形態の場合と同じである。
【００５７】
熱処理炉４０の右隣には、端部電極用ペーストを塗布するための塗布ローラ４２が配置してある。塗布ローラ４２の外周には、ペースト供給部４４から端部電極用ペーストが供給され、図４に示すペースト塗布具３０と同様に、ペースト３２の層が形成される。回転するローラ４２の下方外周部に保持具２０の上面が接触して通過することにより、保持具２０に保持された素体４の第１端部４ａには、図６に示すペースト膜６ａが形成される。その後、保持具２０は、搬送用ローラ５０により搬送されて、乾燥炉４６の内部に移動する。乾燥炉４６では、前記第１実施形態の場合と同様な条件で、ペースト膜６ａの乾燥を行う。
【００５８】
乾燥炉４６にて乾燥処理が成された後は、前記第１実施形態と同様にして、素体４の第２端部への端部電極用ペーストの塗布および乾燥処理を行う。ただし、素体４の第２端部４ｂへの端部電極用ペーストの塗布工程の前には、熱処理炉４０を通す必要がない。
【００５９】
本実施形態に係る積層セラミックコンデンサの製造方法においても、前記第１実施形態と同様に、第１端子電極６のエッジ線６０の寸法バラツキを小さくすることができる。なお、第２端子電極８のエッジ線の寸法バラツキは、乾燥炉４６における第１回目の乾燥工程での熱処理により、第１端子電極６のエッジ線６０の寸法バラツキと同様に抑制されている。したがって、本実施形態に係る製造方法によっても、前記第１実施形態と同様に、信頼性および耐久性を向上させた積層セラミックコンデンサ２を、高生産効率で製造することができる。
【００６０】
（第３実施形態）
本実施形態では、図４に示す素体４を素体保持具２０に取り付ける前に、各素体４を、シリコーンオイルの原液、またはシリコーンオイルの原液を溶剤で薄めた溶液中に浸し、その後、必要に応じて乾燥させて溶剤を蒸発させる。その後、各素体４を素体保持具２０に取り付け、熱処理を行うことなく各素体４の第１端部４ａに端部電極用ペーストを塗布する。その他の製造工程は、前記第１実施形態と同様である。
【００６１】
シリコーンオイルの原液を薄めるための溶剤としては、特に限定されないが、たとえばエタノールが好ましく用いられる。シリコーンオイル原液と溶剤との重量比は、特に限定されないが、１：１００〜１：１０００程度が好ましい。
【００６２】
本実施形態に係る積層セラミックコンデンサの製造方法においても、前記第１実施形態と同様に、第１端子電極６のエッジ線６０の寸法バラツキを小さくすることができる。なお、第２端子電極８のエッジ線の寸法バラツキは、乾燥炉４６における第１回目の乾燥工程での熱処理により、第１端子電極６のエッジ線６０の寸法バラツキと同様に抑制されている。したがって、本実施形態に係る製造方法によっても、前記第１実施形態と同様に、信頼性および耐久性を向上させた積層セラミックコンデンサ２を、高生産効率で製造することができる。
【００６３】
（その他の実施形態）
なお、本発明は、上述した実施形態に限定されず、種々に改変することができる。
【００６４】
たとえば上述した第１および第２実施形態では、コンデンサ素体４とゴム板２２とを接触させて熱処理したが、コンデンサ素体４とゴム板２２とを非接触状態で熱処理しても、本発明の効果が得られることが期待できる。
【００６５】
また、上述した実施形態では、端子電極を持つ電子部品として、積層セラミックコンデンサを例示したが、本発明の製造方法により製造される電子部品としては、積層セラミックコンデンサに限らず、チップバリスタ、チップサーミスタ、チップ抵抗、チップインダクター、その他の表面実装（ＳＭＤ）チップ型電子部品などの端子電極を持つ電子部品を製造する場合全てに適用することができる。
【００６６】
【実施例】
以下、本発明のさらに具体的な実施例を挙げ、本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は、これら実施例に限定されない。
【００６７】
実施例１
まず、図１に示すコンデンサ素体４を作成した。まず、チタン酸バリウムを主成分とする誘電体原料と、アクリル樹脂、塩化メチレン、酢酸エチル、ミネラルスピリットおよびアセトンとをボールミルにて混合し、ペースト化した誘電体層用ペーストを得た。
【００６８】
次に、内部電極用ペーストについては、平均粒径０．２〜０．８μｍのニッケル粒子と、有機ビヒクル（エチレンセルロース樹脂をブチルカルビトールに溶解したもの）と、ブチルカルビトールとをロールにより混練しペースト化したものを用いた。
【００６９】
端子電極用ペーストについては、平均粒径０．５μｍの銅粒子と、有機ビヒクル（エチレンセルロース樹脂をブチルカルビトールに溶解したもの）と、ブチルカルビトールとを混練しペースト化したものを用いた。
【００７０】
次に、上述した誘電体層用ペーストを用いてＰＥＴフィルム上に厚さ１５μｍのグリーンシートを形成し、この上に内部電極用ペーストを印刷した後、ＰＥＴフィルムからグリーンシートを剥離した。次いで、こうして得られた複数枚のグリーンシートを積層し、加圧圧着することでグリーンシートの積層体を作製した。内部電極を有するグリーンシートの積層数は４層とした。
【００７１】
次いで、グリーンシートの積層体を所定サイズに切断し、脱バインダ処理、焼成およびアニールを行って、積層セラミック焼成体から成るコンデンサ素体４を得た。コンデンサ素体４の寸法は、１．０×０．５×０．３ｍｍの直方体形状であった。
【００７２】
脱バインダ処理は、昇温時間１５℃／時間、保持温度２８０℃、保持時間８時間、空気雰囲気の条件で行った。また、焼成は、昇温速度２００℃／時間、保持温度１３８０℃、保持時間２時間、冷却速度３００℃／時間、還元性雰囲気の条件で行った。アニールは、保持温度９００℃、保持時間９時間、冷却速度３００℃／時間、酸化雰囲気の条件で行った。
【００７３】
次いで、これらのコンデンサ素体４の両端部４ａおよび４ｂをサンドブラストにて研磨した後、各素体４を、図３に示す素体保持具２０のゴム板２２に形成された各貫通孔２６の内部に完全に挿入した。ゴム板２２の材質は、シリコーンゴムであった。素体保持具２０としては、具体的には、パロマー社製のものを用いた。
【００７４】
その状態で、保持具２０を素体４と共に、乾燥炉へ入れて、１００°Ｃの雰囲気温度で熱処理した。熱処理時間は、５．０分であった。
【００７５】
次に、ゴム板２２の各貫通孔２６から素体４の第１端部４ａのみがゴム板２２の第１面２２ａから所定長Ｌ１（＝０．５ｍｍ）の長さで突出させ、その状態で、保持具２０を移動し、保持具２０に保持してある全ての素体４の第１端部を、ペースト塗布具３０に貯留してある端部電極用ペースト３２（厚みＴ１＝１００μｍ）に浸漬した。
【００７６】
その後、素体４が保持された状態の保持具２０を乾燥炉の内部に搬送し、各素体４の第１端部４ａに形成されたペースト膜６ａを乾燥させた。乾燥炉における乾燥温度は、１００°Ｃであり、乾燥時間は５．０分であった。
【００７７】
ペースト膜６ａの乾燥後には、図７に示すように、各素体４の第２端部４ｂが、ゴム板２２の第２面２２ｂから突出する位置まで、各素体４を、貫通孔２６の内部に沿って移動させた。第２面２２ｂからの第２端部４ｂの突出長さは、図４に示す所定長Ｌ１と略同等であった。
【００７８】
図７に示す状態で、保持具２０の表裏面をひっくり返し、図４に示す状態と同じ状態とし、次に、前述した方法と同様にして、各素体４の第２端部４ｂに端部電極用ペースト３２を塗布し、その後に乾燥させた。
【００７９】
各素体４の両端に乾燥したペースト膜が形成された後に、各素体４を、ゴム板２２の各貫通孔２６から取り出し、その後、端子電極形成のための焼成を行った。
【００８０】
焼成は、加湿した窒素ガスおよび水素ガス雰囲気中において、８００℃にて１０分間行い、図１に示す積層セラミックコンデンサ２を製造した。
【００８１】
こうして得られた積層セラミックコンデンサ２の３０個の試料について、図２に示す第１端部電極６のエッジ線６０の寸法バラツキΔＷを、顕微鏡により測定し、バラツキの最小値および最大値を求めた。結果を下記の表１に示す。表１に示すように、寸法バラツキΔＷは、９０〜１９０μｍであった。
【００８２】
【表１】
0003562629.tif 000002
【００８３】
実施例２
素体４の第１端部４ａに端部電極用ペーストを塗布する前の熱処理温度を１５０°Ｃとした以外は、前記実施例１と同様にして、積層セラミックコンデンサ２を製造した。
【００８４】
図２に示す第１端部電極６のエッジ線６０の寸法バラツキΔＷを、前記第１実施例と同様にして測定した。結果を下記の表１に示す。表１に示すように、寸法バラツキΔＷは、９０〜１００μｍであった。
【００８５】
実施例３
素体４の第１端部４ａに端部電極用ペーストを塗布する前の熱処理温度を２００°Ｃとした以外は、前記実施例１と同様にして、積層セラミックコンデンサ２を製造した。
【００８６】
図２に示す第１端部電極６のエッジ線６０の寸法バラツキΔＷを、前記第１実施例と同様にして測定した。結果を下記の表１に示す。表１に示すように、寸法バラツキΔＷは、１〜３８μｍであった。
【００８７】
実施例４
素体４の第１端部４ａに端部電極用ペーストを塗布する前の熱処理温度を２５０°Ｃとした以外は、前記実施例１と同様にして、積層セラミックコンデンサ２を製造した。
【００８８】
図２に示す第１端部電極６のエッジ線６０の寸法バラツキΔＷを、前記第１実施例と同様にして測定した。結果を下記の表１に示す。表１に示すように、寸法バラツキΔＷは、１〜４０μｍであった。
【００８９】
実施例５
素体４を素体保持具２０に取り付ける前に、各素体４を、シリコーンオイル（（株）東芝シリコン社製のＴＳＦタイプ）の原液中に浸し、その後、常温２５°Ｃで、５．０分間放置し、その後、素体４を素体保持具２０に取り付け、熱処理を行うことなく、各素体４の第１端部４ａに端部電極用ペーストを塗布した以外は、前記実施例１と同様にして、積層セラミックコンデンサ２を製造した。
【００９０】
図２に示す第１端部電極６のエッジ線６０の寸法バラツキΔＷを、前記第１実施例と同様にして測定した。結果を下記の表１に示す。表１に示すように、寸法バラツキΔＷは、１〜３５μｍであった。
【００９１】
実施例６
素体４を素体保持具２０に取り付ける前に、各素体４を、シリコーンオイル（（株）東芝シリコン社製のＴＳＦタイプ）の原液を溶剤で薄めた溶液中に浸し、その後、２００°Ｃで、５．０分間乾燥させて溶剤を蒸発させ、その後、素体保持具２０に取り付け、熱処理を行うことなく各素体４の第１端部４ａに端部電極用ペーストを塗布した以外は、前記実施例１と同様にして、積層セラミックコンデンサ２を製造した。シリコーンオイルの原液を薄めた溶剤としては、エタノールを用い、シリコーンオイル原液と溶剤との重量比は、１：２００であった。
【００９２】
図２に示す第１端部電極６のエッジ線６０の寸法バラツキΔＷを、前記第１実施例と同様にして測定した。結果を下記の表１に示す。表１に示すように、寸法バラツキΔＷは、０〜４２μｍであった。
【００９３】
実施例７
素体４を素体保持具２０に取り付ける前に、各素体４を、シリコーンオイル（（株）東芝シリコン社製のＴＳＦタイプ）の原液を溶剤で薄めた溶液中に浸し、その後、２００°Ｃで、５．０分間乾燥させて溶剤を蒸発させ、その後、素体保持具２０に取り付け、熱処理を行うことなく各素体４の第１端部４ａに端部電極用ペーストを塗布した以外は、前記実施例１と同様にして、積層セラミックコンデンサ２を製造した。シリコーンオイルの原液を薄めた溶剤としては、エタノールを用い、シリコーンオイル原液と溶剤との重量比は、１：５００であった。
【００９４】
図２に示す第１端部電極６のエッジ線６０の寸法バラツキΔＷを、前記第１実施例と同様にして測定した。結果を下記の表１に示す。表１に示すように、寸法バラツキΔＷは、０〜３６μｍであった。
【００９５】
比較例１
素体４の第１端部４ａに端部電極用ペーストを塗布する前に、何ら熱処理することなく、常温２５°Ｃに保持した以外は、前記実施例１と同様にして、積層セラミックコンデンサ２を製造した。
【００９６】
図２に示す第１端部電極６のエッジ線６０の寸法バラツキΔＷを、前記第１実施例と同様にして測定した。結果を下記の表１に示す。表１に示すように、寸法バラツキΔＷは、１００〜２００μｍであった。
【００９７】
比較例２
素体４を素体保持具２０に取り付ける前に、各素体４を単独で２００°Ｃに５．０分間熱処理し、その後、常温まで冷却された各素体４を、素体保持具２０に取り付け、第１端部４ａに端部電極用ペーストを塗布した以外は、前記実施例１と同様にして、積層セラミックコンデンサ２を製造した。
【００９８】
図２に示す第１端部電極６のエッジ線６０の寸法バラツキΔＷを、前記第１実施例と同様にして測定した。結果を下記の表１に示す。表１に示すように、寸法バラツキΔＷは、１１０〜１９０μｍであった。
【００９９】
評価
表１に示すように、実施例１〜７に係る製造方法によれば、比較例１および２に係る製造方法に比較し、端子電極のエッジ線のバラツキを抑制することができることが確認できた。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は本発明の１実施形態に係る積層セラミックコンデンサの一部切り欠き斜視図である。
【図２】図２は積層セラミックコンデンサの平面図である。
【図３】図３は積層セラミックコンデンサの製造過程で用いる素体保持具の斜視図である。
【図４】図４は素体保持具に保持されたコンデンサ素体の端部に電極用ペーストを塗布する工程を示す要部断面図である。
【図５】図５は図４に示すＶ−Ｖ線に沿う要部断面図である。
【図６】図６は図４に示す工程の続きの工程を示す要部断面図である。
【図７】図７は図６に示す工程の続きの工程を示す要部断面図である。
【図８】図８は本発明の他の実施形態に係る積層セラミックコンデンサの製造工程を示す概略図である。
【符号の説明】
２…  セラミックコンデンサ
４…  コンデンサ素体
６…  第１端子電極
８…  第２端子電極
１０…  誘電体層
１２…  第１内部電極層
１４…  第２内部電極層
２０…  素体保持具
２２…  ゴム板
２６…  貫通孔
２８…  補強板
３０…  ペースト塗布具
３２…  端部電極用ペースト
４２…  塗布ローラ
６０…  エッジ線
【図１】
0003562629.tif 000003
【図２】
0003562629.tif 000004
【図３】
0003562629.tif 000005
【図４】
0003562629.tif 000006
【図５】
0003562629.tif 000007
【図６】
0003562629.tif 000008
【図７】
0003562629.tif 000009
【図８】
0003562629.tif 000010