(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像を材料上に転写する移相マスクを設計する方法であって、前記画像は第１のピッチを有する第１の形態と、該第１のピッチとは異なる第２のピッチを有する第２の形態とを含んでおり、
前記方法は、前記移相マスクにおける前記第１の形態及び前記第２の形態のうちの少なくとも１つを修正して任意の透過率をエミュレートする、少なくとも１つの非減衰、中間調、移相形態を含めるようにし、これによって、前記移相マスクにおける前記第１の形態及び前記第２の形態が異なる透過率をエミュレートして、前記第１の形態及び前記第２の形態が共通の露出寛容度と、一致する焦点深度とを共有することを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、前記第１の形態及び前記第２の形態の少なくとも１つが等しいライン／スペースのクロムレスパターンを含み、前記修正の工程がこの等しいライン／スペースのクロムレスパターン上に実施されて、照明されたとき前記パターンがゼロでない大きさを有する０次回折を作るようになっている方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の方法において、前記修正の工程が、修正された形態が回折パターンと、任意の透過率を有する、部分的に透明な減衰移相マスクに相当する空中の画像とを作るように、実施される方法。
【請求項４】
請求項１から３までのいずれか１つに記載の方法において、前記非減衰、中間調、移相形態が主要な形態である方法。
【請求項５】
請求項１から３までのいずれか１つに記載の方法において、前記非減衰、中間調、移相形態が補助的な形態である方法。
【請求項６】
画像を材料上に転写する移相マスクを製作する方法であって、この方法は請求項１から５までのいずれか１つに記載の方法よって設計され、この設計に従ってマスクが製作されることを特徴とする方法。
【請求項７】
デバイス製造方法であって、
少なくとも部分的に放射線感応性材料の層で覆われた基板を提供する段階と、
放射線システムを用いて放射線の投影ビームを提供する段階と、
該投影ビームにマスクの断面におけるパターンを与えるためにマスク上のパターンを用いる段階と、
この放射線のパターン化したビームを前記放射線感応性材料の層の目標部分上に投影する段階とを含む、前記デバイス製造方法において、
前記マスクは第１のピッチを有する第１の形態と、第２のピッチを有する第２の形態とを含み、前記第１の形態及び前記第２の形態のうちの少なくとも１つが修正されていて、任意の透過率をエミュレートする少なくとも１つの非減衰、中間調、移相形態を含んでおり、これによって、前記移相マスクにおける前記第１の形態及び前記第２の形態が異なる透過率をエミュレートして、前記第１の形態と前記第２の形態とが共通の露出寛容度と、一致する焦点深度とを共有することを特徴とする製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載の製造方法において、前記マスクは前記放射線システムによって軸外し照明される製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般的にはリソグラフィに関し、更に詳しくは半導体およびその他のデバイスの製造に使用できる、移相マスクの設計、レイアウトおよび製作に関する。
【０００２】
本発明は、そのようなマスクを、例えば：
−    放射線の投影ビームを供給するための放射線システム；
−    マスクを保持するためのマスクテーブル；
−    基板を保持するための基板テーブル；および
−    このマスク上のパターンの少なくとも一部をこの基板の目標部分上に投影するための投影システム；
を含むリソグラフィ装置で使用することに関する。
【０００３】
【従来の技術】
リソグラフィ投影装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使うことができる。そのような場合、このマスクがこのＩＣの個々の層に対応する回路パターンを含んでもよく、およびこのパターンを感光材料（レジスト）の層で塗被した基板（シリコンウエハ）上の目標部分（例えば、一つ以上のダイを含む）上に結像することができる。一般的に、単一ウエハが隣接目標部分の全ネットワークを含み、それらをこの投影システムを介して、一度に一つずつ、逐次照射する。一つの型式のリソグラフィ投影装置では、各目標部分を、マスクパターン全体をこの目標部分に一度に露出することによって照射し；そのような装置を普通ウエハステッパと呼ぶ。代りの装置では  −  それを普通ステップアンドスキャン装置と呼ぶ  −  、各目標部分を、このマスクパターンを投影ビームの下で与えられた基準方向（“走査”方向）に連続的に走査することによって照射し、同時に基板テーブルをこの方向と平行または逆平行に同期して走査し；一般的に、この投影システムは倍率Ｍ（一般的に＜１）を有するので、この基板テーブルを走査する速度Ｖは、倍率Ｍ掛けるマスクテーブルを走査する速度である。ここに説明したようなリソグラフィ装置に関する更なる情報は、例えば、ＵＳ６，０４６，７９２から集めることができ、それを参考までにここに援用する。
【０００４】
リソグラフ投影装置を使う製造プロセスでは、マスクのパターンを、少なくとも部分的に放射線感応性材料（レジスト）の層で覆われた基板上に結像する。この結像工程の前に、この基板は、下塗り、レジスト塗被およびソフトベーキングのような、種々の処理を受けてもよい。露出後、この基板は、露出後ベーキング（ＰＥＢ）、現像、ハードベーキングおよび結像形態の測定／検査のような、他の処理を受けてもよい。この多数の処理は、デバイス、例えば、ＩＣの個々の層のパターン化の基礎として使用する。そのようなパターン化した層は、次に、エッチング、イオン注入（ドーピング）、金属化、酸化処理、化学機械的研磨等のような、全て個々の層の仕上げを意図した、種々の処理を受けるかも知れない。もし、幾つかの層が必要ならば、全処理、またはその変形を各新層に対して繰返さねばならないだろう。結局、デバイスのアレイが基板（ウェーハ）にできるだろう。次に、これらの素子を、ダイシングまたは鋸引のような手法によって互いから分離し、それから個々のデバイスをキャリヤに取付け、ピンに結合し等出来る。そのようなプロセスは、例えば、単行本“マイクロチップ製造：半導体加工への実用ガイド”、第３版、ピータ・ファン・ザント著、マグロウヒル出版社、１９９７年、ＩＳＢＮ０−０７−０６７２５０−４に詳述されているので参考とされたい。
【０００５】
簡単のために、この投影システムを以後“レンズ”と呼ぶかも知れないが；しかし、この用語は、例えば、屈折光学素子、反射光学素子、および反射屈接システムを含む、種々の型式の投影システムを包含すると広く解釈すべきである。この放射線システムは、放射線の投影ビームを指向、成形または制御するためにこれらの設計形式の何れかによって動作する部品も含んでよく、それでそのような部品も以下に、集合的または単独に、“レンズ”と呼ぶかも知れない。更に、このリソグラフィ装置は二つ以上の基板テーブル（および／または二つ以上のマスクテーブル）を有する型式でもよい。そのような“多段”装置では、追加のテーブルを並列に使ってもよく、または準備工程を一つ以上のテーブルで行い、一方他の一つ以上のテーブルを露出に使ってもよい。二段階リソグラフィ装置は、例えば、ＵＳ５，９６９，４４１およびＷＯ９８／４０７９１に記載されており、詳細についてはこれを参照されたい。
【０００６】
この本文では、ＩＣの製造に於けるリソグラフィ装置およびマスクの使用を特に参照しているが、そのような装置には多くの他の可能な用途があることをはっきり理解すべきである。例えば、それを集積光学システム、磁区メモリ用案内および検出パターン、液晶ディスプレーパネル、薄膜磁気ヘッド等の製造に使ってもよい。当業者には、そのような代替用途の関係で、この本文での“レチクル”、“ウェーハ”または“ダイ”という用語の使用を、それぞれ、更に一般的な用語“マスク”、“基板”および“目標部分”で置換えて考えるべきであることが分るだろう。
【０００７】
本文書では、“放射線”および“ビーム”という用語は、紫外放射線（例えば、３６５、２４８、１９３、１５７または１２６ｎｍの波長の）およびＥＵＶ（例えば、５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する超紫外放射線）を含むあらゆる種類の電磁放射線を包含するものとする。
【０００８】
リソグラフィマスクは、典型的には所定のパターンに作った不透明および透明領域を含むかも知れない。露出放射線がこのマスクパターンを基板上に作ったレジストの層上に露出する。次に、ポジレジスト用にレジストの露出した部分か、またはネガレジスト用にレジストの未露出部分を除去するように、このレジストを現像する。これが基板上にレジストパターンを形成する。マスクは、典型的には、パターンを形成するために使う板の上に不透明（クロム）要素を有する透明板（例えば、溶融シリカの）を含んでもよい。放射線源が周知の方法に従ってこのマスクを照明する。このマスクおよびリソグラフィ装置の投影光学系を横切る放射線がこのフォトレジスト上にこのマスク形態の回折限界潜像を作る。そこで、これを、非常に小さな形態を有する集積回路およびその他のデバイスを作るために、蒸着、エッチング、またはイオン注入プロセスのような、その後の製作プロセスで使うことが出来る。
【０００９】
半導体製造が超大規模集積（ＵＬＳＩ）へ発展すると、半導体ウエハ上のデバイスがサブミクロン次元に収縮し、回路密度がダイ当り数百万トランジスタへ増加する。この高デバイス充填密度を達成するためには、次第に小さな形態サイズが必要である。これは、相互接続する線の幅および間隔並びに種々の形態の角および縁のような表面形状を含むかも知れない。
【００１０】
公称最小形態サイズが減少し続けるので、これらの形態サイズのばらつきの管理がより重要になる。例えば、パターン化した形態の与えられた重要寸法の、レジストおよび薄膜プロセスは勿論、露出ツールおよびマスク製造欠陥に対する影響具合が更に重要になる。露出ツールおよびマスク製造パラメータのばらつきを減少するための限られた能力を考えて製造可能プロセスを発展させ続けるためには、これらのパラメータに対するパターン化した形態の重要寸法の影響の程度を低減することが望ましい。
【００１１】
形態サイズが減少すると、半導体デバイスは、典型的には製造が安く上がり、高性能を有する。小さな形態サイズを生産するためには、適当な解像度および少なくともフォトレジストの厚さと同じ深さの焦点深度を有する露出ツールが望ましい。従来のまたは傾斜照明を使う露出ツール用では、露出放射線の波長を下げることによって、またはリソグラフ露出装置の開口数を増すことによって良好な解像度が得られる。
【００１２】
当業者は、解像度が露出波長に比例して変動し、且つ投影光学系の開口数（ＮＡ）に逆比例して変動することは自明である。このＮＡは、マスクから分散した放射線を集めてそれをウエハ上に投影するためのレンズの性能の尺度である。縮小露出法を使うフォトリソグラフィ技術での解像限界Ｒ（ｎｍ）は、以下の式で記述する：
Ｒ＝ｋ１λ／（ＮＡ）
但し：
λは、露出放射線の波長（ｎｍ）；
ＮＡは、レンズの開口数；および
ｋ１は、とりわけ使用するレジストの種類に依る定数である。
【００１３】
この解像限界を増すための一つの方法は、開口数を増す（高ＮＡ）ということになる。しかし、この方法は、付随する焦点深度の減少、レンズ設計の難点、およびレンズ製作それ自体の複雑さに基づく欠点を有する。代替アプローチは、例えば、ＬＳＩ（大規模集積）デバイスの集積密度の増加を支持するために、微細パターンを形成するために露出放射線の波長を減少することである。例えば、１ＧビットＤＲＡＭは、０．２μｍパターンを要するが、４ＧビットＤＲＡＭは、０．１μｍパターンを要する。これらのパターンを実現するために、短い波長を有する露出放射線を使うことが出来る。
【００１４】
しかし、マスク上のパターン複雑さの増加、およびパターン充填密度の増加という結果となる半導体デバイス複雑さの増加のために、任意の二つの不透明マスク領域間の距離が減少している。不透明領域間の距離の減少によって、開口が小さくなり、それがこの開口を通過する放射線を回折する。この回折した放射線は、放射線をそれが通過するとき拡げまたは曲げがちな効果を生ずる結果となり、それで二つの不透明領域間の間隔を解像せず；この様に、回折が光学的フォトリソグラフィのための厳しい制限要因となる。
【００１５】
光学的フォトリソグラフィで回折効果を扱う従来の方法は、移相マスクの使用に関係し、それが先に議論したマスクに置き換わる。一般的に、波動と見做す放射線で、移相は、透明材料を伝播する放射波の規則的正弦波形のパターンのタイミング（位相）の変化である。この議論の残りは、一般的に透過性の移相マスクに集中するだろうが、反射性の移相マスクも（例えば、ＥＵＶ放射線に関連する波長に使うために）考えられることを理解すべきである。本発明は、これらの両概念を包含する。
【００１６】
典型的に、移相は、放射線を異なる厚さの透明材料の領域か、または異なる屈折率の材料か、またはその両方に通し、それによって放射波の位相または周期的パターンを変えることによって達成する。移相マスクは、建設的干渉と破壊的干渉が都合よく起るように、回折した放射線と移相回折した放射線を組合わせることによって回折効果を減少する。概して、移相マスクを使用して解像するパターンの最小幅は、普通のマスクを使用して解像するパターンの幅の約半分である。
【００１７】
幾つかの異なる型式の移相構造体がある。これらの型式には：交互開口移相構造体、解像度以下の移相構造体、リム移相構造体、およびクロムレス移相構造体がある。“交互移相”は、移相層によって交互に覆われた形態のパターンに特徴がある空間周波数低下概念である。“解像度以下の移相”は、解像度以下の形態を主形態に隣接して配置し、それを移相層で覆うことによってエッジ強度カットオフを促進する。“リム移相”は、移相器をクロムマスクパターンの上に張出す。
【００１８】
透過性マスクの場合、これらの移相構造体を一般的に材料の三つの異なる層を有するマスクに作る。不透明層をパターン化して露出放射線を全く透過させない遮断領域を形成する。透明層、典型的には基板（例えば、石英または弗化カルシウム製の）を透過性領域でパターン化し、それが露出放射線の１００％近くを透過させる。移相層は、露出放射線の１００％近くを透過させる移相領域でパターン化するが、１８０°（π）だけ移相する。この透過性および移相領域は、各領域を通って回折した露出放射線をそれらの間の暗くなった領域で相殺するように位置する。これは、明暗領域のパターンを創り、それを使って形態をはっきり描くことが出来る。これらの形態は、典型的には不透明領域によって（即ち、不透明形態）またはこの不透明形態の開口によって（透明形態）形成する。
【００１９】
半導体（およびその他のデバイス）製造用に、交互開口移相マスクは、典型的に密に詰めた不透明形態の多数の対がある場合に使ってもよい。しかし、形態が隣接する形態から遠く離れ過ぎていて移相が生じない場合は、典型的に解像度以下の移相構造体を使用してもよい。解像度以下の移相構造体は、典型的に接触孔および線開口のような孤立した形態用に使ってもよく、その場合この解像度以下の移相構造体は、形態の脇に補助スロットまたは張出し構造体を含んでもよい。解像度以下の移相構造体は、リソグラフィシステムの解像限界以下にあり、従って基板上にプリントしない。解像度以下の移相構造体の一つの欠点は、マスク上に比較的多くの用地を要することである。
【００２０】
リム移相マスクは、マスクの不透明領域が形成する形態のリムに作った移相構造体を含む。リム移相構造体の一つの問題は、製造が困難なことである。リム移相構造体の場合、それをリム移相器の領域にエッチング除去出来るように不透明層を外すためには多数のリソグラフィ工程を使わねばならない。この工程は、リソグラフィ工程に使用するレジストが不透明層だけでなく、基板に蝕刻したトレンチも覆うので困難である。
【００２１】
一般的に、近年半導体集積回路の集積密度の改善は、主として種々の回路パターンのサイズの縮小によって達成された。これらの回路パターンは、現在主としてウエハステッパまたはステップアンドスキャン装置を使うリソグラフィプロセスによって作る。
【００２２】
図１は、そのような先行技術のリソグラフィ装置の構造を示す。マスク１０８を照明システム１０２から出る放射線によって照明する。マスク１０８の画像を、投影システム１１０を介して露出されるべき基板であるウエハ１２０上に塗被したフォトレジストフィルム上に投影する。図１に示すように、照明システム１０２は、発生源１００、コンデンサレンズ１０４、および有効発生源の形状および大きさを指定するための開口１０６を含む。投影システム１１０は、投影レンズ１１２、瞳フィルタ１１４、および集束レンズ１１８の瞳平面またはその近くにこのレンズの開口数（ＮＡ）を設定するために配置した開口１１６を含む。
【００２３】
先に議論したように、光学系によって伝達可能なパターンの最小形態サイズＲは、露出に使用する放射線の波長λにほぼ比例し、投影光学系の開口数（ＮＡ）に逆比例する。従って、ＲをＲ＝ｋ１λ／（ＮＡ）として表し、但しｋ１は、実験的定数であり、ｋ１＝０．６１をレイリーリミットと呼ぶ。
【００２４】
一般的に、パターン寸法がこのレイリーリミットに近付くとき、投影した画像は、もうマスクパターン形状の忠実な再現ではない。この現象は、所謂光学的近接効果（ＯＰＥ）によって生じ、とりわけ、角の丸まり、先端の短縮、および線幅の誤差という結果となる。この問題を解決するために、投影した画像の形状が所望の形状を採るようにマスクパターンを予め歪めるために使えるアルゴリズムが提案されている。
【００２５】
更に、与えられた光学系の解像限界を改善し、効果的にｋ１値の減少という結果となるアプローチが記載されている。上に説明したような、移相マスクの採用は、このアプローチの典型的例である。移相マスクを使って従来のマスクの隣接する開口間に位相差を与える。
【００２６】
クロムレス移相マスク法は、例えば、論理ＬＳＩデバイスのゲートパターン用に必要な、微細な孤立した不透明ラインパターンの転写に適する移相法として知られている。
【００２７】
軸外し照明および瞳フィルタリングは、画像改善のために付加的に知られる方法である。この軸外し照明法によれば、開口１０６の透過率を図１（先行技術）の照明システム１０２で修正する。この方法の一つの特別な実施例は、縁での透過率が中央部のそれより大きくなるように照明強度分布を変え、それは、焦点深度は勿論、周期的パターンの解像度を改善するために特に有効である。この瞳フィルタリング法は、透過した放射線の振幅および／または位相を局部的に変えるために、投影レンズの瞳位置にあるフィルタ（瞳フィルタ）を通して露出を行う方法である。例えば、このアプローチは、孤立したパターンの焦点深度を大きく増すことを可能にする。その上、この軸外し照明法とこの瞳フィルタリング法を組合わせることによって、周期的パターンの解像度を更に改善できることが周知である。
【００２８】
それにも拘らず、上に述べたもののような、従来の透過マスクに固有の問題は、微細なパターンを得るように露出放射線源から出る放射線の波長が減少すると、基板が一般的に透過率の減少を経験することである。例えば、放射線源の波長が減少すると、特に波長が２００ｎｍ未満のとき、石英材料基板がより不透明になる。この透過率の減少は、微細な解像度パターンを得る性能に影響する。この理由のために、短い波長を有する放射線に関して高透過率が得られる透過移相マスク用の材料が必要である。しかし、短波長露出放射線に関して高透過率を有するそのような材料を見付けまたは製造することは、困難である。
【００２９】
フォトマスクパターンの例を図２（先行技術）に示す。図示する形態の周りの放射線の通過は、この放射線の個々の明暗領域への回折を生ずる。明領域は、複数次回折として知られ、それらが作る集合パターンは、集合的不透明および透明領域のフーリェ変換をとることによって数学的に記述可能である。その最も単純に具体化した形で観察するパターンは、それ程強くない次数の回折によって対称的態形で囲まれた、０次と呼ばれる、強い回折を有する。これらのそれ程強くない回折をプラス／マイナス１次、プラス／マイナス２次等々と無限大次まで呼ぶ。同じ形態幅に対して、密で孤立した形態には異なる回折パターンが出来る。図３（Ａ）（先行技術）は、相対電場の大きさおよび密な形態に対する複数次回折のそれぞれの瞳位置（Ｘ）を示し、一方図３（Ｂ）（先行技術）は、孤立したものに対する複数次回折の大きさを示す。各グラフで観察する中央ピークは、０次である。
【００３０】
この０次は、それを生じたパターンについての情報を何も含まない。このパターンについての情報は、非０次に含まれる。しかし、この０次は、高次と空間的にコヒーレントであり、それでビームを焦点へ向け直すと、それらが干渉し、そうする状態で不透明および透明物体の元のパターンの画像を構築する。もし、全ての次数の回折を集めると、出発物体の完全な表現が得られる。しかし、小ピッチ形態の高解像度リソグラフィでは、ピッチが不透明および透明物体の幅の和であり、投影レンズが０次と±１次だけを集めて画像を作る。これは、高次が高角度で回折されて開口数（ＮＡ）が定めるレンズ瞳外に落ちるからである。
【００３１】
図４（Ａ）（先行技術）に描くように、０次４０２および±１次４０４は、レンズ瞳４０６内にある。更に図４（Ａ）に描くように、±２次４０８は、レンズ瞳４０６外にある。更に、図４（Ｂ）（先行技術）で分るように、対応する空中画像は、露出中に作られる（Ｉは強度を示し、Ｈは水平位置を示す）。次にフォトレジストパターンをこの空中画像から描く。
【００３２】
この画像を作るためには、０次と少なくとも一つの高回折次か、または単純に０次以外の二つの高次のように、二つの次数の回折だけを集めればよいことが永い間知られている。
【００３３】
図５（Ａ）（先行技術）に描くように、集束レンズ５０２を通る放射線は、物体（図示せず）に垂直なものと集束レンズ５０２の縁５０６、５０８を通るものによって表される。放射線は、レンズ５０２の全表面に亘って連続的に通るが、異なる放射線経路の位相整合を図解するために三つの放射線経路５０４〜５０８を表す。点５１０に、三つの放射線経路５０４〜５０８が集束し、互いに同相である。しかし、三つの放射線経路５０４、５１２、および５１４が点５１６に互いに集束するとき、それらは同相でない。５１２および５１４の経路長のそれぞれの経路長５０６および５０８からの変化による位相誤差は、このシステムの有限焦点深度ＤｏＦに帰着する。
【００３４】
図５（Ａ）に描く焦点ずれのような収差によって生ずる相対位相誤差の変動に対する許容度を改善できるかも知れない。図５（Ｂ）（先行技術）は、物体に垂直な放射線経路を除去することによって、如何に位相誤差に対する変動を減少できるかも知れないことを表す。再び、放射線は、レンズ５０２の表面を連続的に通るが、異なる放射線経路の位相整合を図解するために二つの放射線経路５０６および５０８を表す。点５１０に、二つの放射線経路５１２および５１４が集束し、互いに同相である。二つの放射線経路５１２および５１４が点５１６に互いに集束するとき、それらは同相である。図５（Ａ）に見られるような放射線経路５０４がなければ、それぞれの経路長５０６および５０８より長くなった５１２および５１４の経路長からの位相誤差がなくなり、このシステムの有限焦点深度ＤｏＦに帰着する。この物体に垂直な放射線経路の除去は、放射線源の中心に掩蔽物を置くことによって達成してもよく、それによって図６（Ｂ）に描くように、物体に垂直な放射線を除去し且つ傾斜照明だけを可能にする。
【００３５】
図６（Ａ）（先行技術）は、照明構造６０２が物体に垂直な放射線の透過を許容するような、リソグラフィ“軸上”投影システム（“Ｃ”は従来を示す）を描く。この図で、放射線は、石英基板６０４およびクロムパターン６０６を含むレチクルを通り、レンズ開口６０８を通ってレンズ６１０の方へ通過し、領域６１２に集束される。図６（Ｂ）（先行技術）は、環状（Ａ）照明構造６１４、または四重極（Ｑ）照明構造６１６が物体に垂直な放射線の透過を禁止する、例示的リソグラフィ“軸外し”投影システムを描く。この図で、放射線は、ガラス基板６０４を通り、クロムパターン６０６を通過し、レンズ開口６０８を通ってレンズ６１０の方へ通過し、領域６１８の方に集束される。図６（Ａ）と図６（Ｂ）を比べて、図６（Ａ）の焦点深度ＤｏＦが図６（Ｂ）のそれより小さいことに気付く。
【００３６】
０次の大きさを１次のそれ以下に下げることは、この二ビーム結像システムの結像許容度を改善する。複数次回折の大きさを調整するための一つの方法は、弱い移相マスクを使うことである。強い移相マスクと弱い移相マスクは、作用と効果が異なる。
【００３７】
強い移相マスクは、０次回折を除去し、周波数倍増の手法によって解像度を倍加する。如何に強い移相器が作動するかを理解するためには、主不透明形態に隣接して交互する透明領域を有するような臨界ピッチを考えると良い。これらの交互する位相領域のために、同じ位相領域間のピッチが倍増する。この倍増は、これらの複数次回折がこの臨界ピッチに対して別の方法で投影レンズを通過する位置を半分にし、それによって従来の結像で許容されるピッチの半分で形態を結像することが可能である。最終画像を作るために、二つの反対位相領域を破壊的干渉によって加えるとき、それらそれぞれの０次放射線は、大きさが等しいが反対位相であり、それで相殺する。結像は、周波数倍増した高次でのみ行われる。他方、弱い移相マスクは、０次放射線を減衰し、高次を強調する。弱い移相マスクは、不均等な大きさで反対位相の電場を作り、この電場がより小さな大きさの臨界形態に直ぐ隣接することで、それらの移相を隣接する形態間に作る。この正味電場が適当な位相を維持しながら０次の大きさを減少する。
【００３８】
弱い移相マスクは、移相した領域間の電場に不均衡を有しながら、コヒーレントに連結した点間に位相差を生ずるような方法で、ある量の露出放射線に物体を通過させる。図７（Ａ）（先行技術）は、基板７０２および移相させないマスクパターン７０４を描く。図７（Ｃ）（先行技術）は、図７（Ａ）に描く非移相マスクからの０次の大きさが±１次の大きさより如何に大きいかを示すグラフである。図７（Ｂ）（先行技術）は、基板７０２および移相させるマスクパターン７０６を描く（この図で、φは位相、ｔは厚さ、ｎは屈折率およびλは波長である）。図７（Ｄ）（先行技術）は、図７（Ｂ）に描く移相マスクからの０次の大きさが±１次の大きさに匹敵する程に如何に減少したかを示すグラフである。
【００３９】
リム、減衰または埋込式（または不当に中間調の）、および非減衰またはクロムレス（または透明）位相器−シャッタ移相マスクのような、幾つかの型式の移相マスクがこの技術で知られている。
【００４０】
図８（Ａ）（先行技術）は、放射線透過部８０４および放射線阻止部８０６を含むリム移相マスク８０２の断面図である。図８（Ｂ）（先行技術）は、図８（Ａ）に描くマスクの使用から生ずる、このマスクでの電場の振幅（Ｅ）を表すグラフであるのに対して、図８（Ｃ）（先行技術）は、０次回折８１０および±１次回折８１２、８１４の大きさを表す線図である。
【００４１】
図９（Ａ）（先行技術）は、放射線減衰部９０４を含み、５％の減衰を有する減衰または埋込式移相マスク９０２の断面図である。図９（Ｂ）（先行技術）は、図９（Ａ）に描くマスクの使用から生ずる、このマスクでの電場の振幅を表すグラフであるのに対して、図９（Ｃ）（先行技術）は、０次回折および±１次回折の大きさを表す線図である。図９（Ｄ）（先行技術）は、放射線減衰部９１４を含み、１０％の減衰を有する減衰または埋込式移相マスク９１２の断面図である。図９（Ｅ）（先行技術）は、図９（Ｄ）に描くマスクの使用から生ずる、このマスクでの電場の振幅を表すグラフであるのに対して、図９（Ｆ）（先行技術）は、０次回折および±１次回折の大きさを表す線図である。
【００４２】
図１０（Ａ）（先行技術）は、放射線移相部１００４を含む非減衰またはクロムレス（または透明）位相器−シャッタ移相マスク１００２の断面図である。図１０（Ｂ）（先行技術）は、図１０（Ａ）に描くマスクの使用から生ずる、このマスクでの電場の振幅を表すグラフであるのに対して、図１０（Ｃ）（先行技術）は、図１０Ａに示すマスクの使用により生ずる０次回折１００６および±１次回折１００８、１０１０の大きさを表す線図である。
【００４３】
典型的に、図８ないし図１０の移相マスクは、それらの移相を別の仕方であるが、それらの非移相対応部に対して作り、それらは全て、電場に関して小さい振幅の０次回折と大きい振幅の１次回折を生ずる。０次回折に対する１次回折のどの比が最適かは、照明構造の形状および現像したフォトレジストでの所望のプリントサイズに加えて、結像する形態のピッチに依る。次にこれらの調整した回折パターンを軸外し照明と共に使い、小さいピッチを結像プロセスの変動に対してより良い許容度で結像する。
【００４４】
１次回折に対する０次の振幅比の操作の概念は、従来、バイアス形態および解像度以下の補助形態を備える、ある弱い移相技術を使うことに限られている。
【００４５】
図１１（Ａ）（先行技術）は、所望の形態を解像するために使用する、従来のバイアス技術を描く。図１１（Ａ）で分るように、バイアス（Ｂ）バー１１０２および１１０４が主形態のマスク１１０６に隣接して位置する。図１１（Ｂ）は、所望の形態を解像するために使用する、本出願の出願人の知り得る米国特許ＵＳ６，１１４，０７１（参考までにここに援用する）に開示の中間調バイアス（ＨＢ）技術を描く。図１１（Ｂ）で分るように、中間調バイアスバー１１０８および１１１０が所望の形態のマスク１１１２に隣接して位置する。図１２（先行技術）は、従来のフォトレジストマスク１２０２を描く。このフォトレジストマスク１２０２は、複数の散乱バー１２０４、セリフ１２０６、およびクロムシールド１２０８を含む。
【００４６】
従来の減衰移相器用に、典型的にはこの移相器材料の透明度を調整し、バイアスおよび解像度以下の補助形態と共に使ってもよい。この移相器の透明度は、典型的に３％から１０％まで変動するが、１０％から１００％までのような高透明度は、形態間の間隔が移相した線より大きいピッチに最適であると報告されている。図１３（先行技術）は、５２５ｎｍピッチ（図１３（Ａ））および１０５０ｎｍピッチ（図１３（Ｂ））についての１７５ｎｍ線に対するその移相した材料の変動する透過率（Ｔ）に関する、正規化画像対数傾斜（ＮＩＬＳ）によって定義した画像コントラストの依存性を示す。この図の各曲線は、異なる焦点（Ｆ）設定を表す。最大ＮＩＬＳの曲線は、最も集束したものであり、Ｆ値がゼロであり；更に、焦点の各変化で、各それぞれの曲線のＮＩＬＳが減少する。図１３（Ａ）は、５２５ｎｍピッチ構造で１７５ｎｍ線に対する最大透過率が０．３５ないし０．４５であることを示す。図１３（Ｂ）は、１０５０ｎｍピッチ構造で１７５ｎｍ線に対する最大透過率が０．２５ないし０．３５であることを示す。
【００４７】
１００％透明な減衰移相技術の例は、図１０に描くような、先に述べたクロムレス移相器−シャッタである。クロムレス移相器−シャッタを使うので、パターンの位相エッジは、０．２ないし０．３掛ける露出波長λ割る投影レンズの開口数ＮＡである領域内に置いてもよい。これより大きなまたは小さな線に対して、この破壊的干渉は、露出されない領域内の露出を防ぐに不十分である。これより大きいプリント形態は、二つの方法の一つで達成する。第１は、不透明層を、形態エッジが不透明またはリムシフトして暗のままである領域に置く（図１４；先行技術）。第２は、図１５（先行技術）に描くように、サイズがクロムレス技術を使って不透明線１５０６をプリントするための規準に合う、一連の形態１５０４を置くことによって暗格子１５０２を創る。図１４および図１５で、ＩＭは画像を意味し、ＣＰＳＭはクロムレス移相マスクを意味し、ＯＰは不透明を示し、およびＰＳは移相を意味する。
【００４８】
従来、クロムレス移相マスクは、移相器（形態）サイズとシャッタ（間隔）サイズが互いに接近するので、軸外し露出ではうまくいかなかった。図１６（Ａ）ないし図１６（Ｃ）は、従来のクロムレス移相マスクを描く。図１６（Ａ）（先行技術）で、１６０２は、移相器１６０４、およびシャッタ１６０６を含み、この移相器の長さがシャッタの長さと実質的に等しい、従来のクロムレス移相マスクの一部の断面図である。図１６（Ｂ）（先行技術）は、このマスク１６０２での電場の振幅を表すグラフである。図１６（Ｃ）（先行技術）は、図１６（Ａ）のマスクに対する±１次回折１６０８および１６１０の大きさを表す線図である。図１６（Ｃ）で分るように、０次回折がない。従来のクロムレス移相マスクの移相器とシャッタの相対サイズの機能的限界は、二つの反対の移相した領域の統合した電場が等しいことから生ずる。この平衡状態が０次回折を相殺し、軸外し照明を使うために必要な、必須の０次回折を得ることを不可能にする。
【００４９】
要約すると、上に説明した、従来の弱い移相技術の各々は、ある画像問題を解決する。しかし、各技術は、付随する欠点を有する。例えば、リム、減衰または埋込式、および非減衰またはクロムレス（または透明）位相器−シャッタ移相マスクは、±１次回折に対する０次回折の大きな比をもたらす。これらの比を操作するための先行技術の試みは、減衰移相マスクと結合したバイアス技術を使うことを含む。しかし、これらの先行技術の試みは、複雑な製造工程を含み、減衰の結果として効率の悪いマスクをもたらす。更に、非減衰位相器−シャッタ移相マスクは、移相器とシャッタのサイズが互いに接近するので、その上、軸外し照明で正確な画像を生ずることが出来ない。
【００５０】
【発明が解決しようとする課題】
この発明の目的は、１次回折に対する０次回折の比を操作できる効率的移相マスクを製作するための簡単なシステムおよび方法を提供することである。
【００５１】
この発明のもう一つの目的は、１次回折に対する０次回折の比を操作できる非減衰移相マスクを製作するためのシステムおよび方法を提供することである。
【００５２】
この発明のその上もう一つの目的は、移相器とシャッタのサイズが互いに接近するとき、軸外し照明に使用可能なクロムレス（または透明）位相器−シャッタ移相マスクを製作するためのシステムおよび方法を提供することである。
【００５３】
この発明の更にもう一つの目的は、最適結像のために高次回折放射線に対する０次回折の正しい比を達成するために主形態を中間調にするためのシステムおよび方法を提供することである。
【００５４】
この発明のその上もう一つの目的は、最適結像のために高次回折放射線に対する０次回折の正しい比を達成するために補助形態を中間調にするためのシステムおよび方法を提供することである。
【００５５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、画像を材料上に転写する移相マスクを設計する方法であって、前記画像は第１のピッチを有する第１の形態と、該第１のピッチとは異なる第２のピッチを有する第２の形態とを含んでおり、
前記方法は、前記移相マスクにおける前記第１の形態及び前記第２の形態のうちの少なくとも１つを修正して任意の透過率をエミュレートする、少なくとも１つの非減衰、中間調、移相形態を含めるようにし、これによって、前記移相マスクにおける前記第１の形態及び前記第２の形態が異なる透過率をエミュレートして、前記第１の形態及び前記第２の形態が共通の露出寛容度と、一致する焦点深度とを共有することを特徴とする。
【００５６】
本発明による方法は、更に、最終的に所望の投影画像を構成するために、中間調化構造体を使って複数次回折の相対的大きさを操作する。マスク製作装置の解像限界で、これは、０次回折がなく、等線および間隔のクロムレス相エッジの強い移相を幾らかの０次回折を有する弱い回折へ変換するために特に有用である。中間調化は、移相した領域間の電場に不均衡を創り、従って０次回折を導入する結果となる。それで、中間調化で、これらの従来強く移相した形態が弱い移相器に変り、従来の半導体回路を作る際に使用した複数の物体の間に典型的に見られる他の移相器−シャッタクロムレス形態と互換性がある。
【００５７】
従来のマスク製作技術同様、非常に密な形態用の主形態のサイズの減少は、限られた範囲で回折次数の修正を達成できる。干渉効果のために、従来のマスク制作方法を使って、解像度以下の補助形態より小さいマスク幅を確実に作れることを保証することは、可能でない。しかし、本発明によれば、主形態にバイアスを掛けることによって、形態幅を解像度以下の補助形態より小さく減少できる。
【００５８】
更に、クロムレス移相マスクの使用は、軸外し照明の使用と組合わせるとき、強力な結像方法であることが知られるが、それは深刻な光学的近接効果を有する。この発明は、効果的な光学的近接解決方法を提供する。
【００５９】
【発明の実施の形態】
一般的に、一つの態様で、この発明は、０次回折および±１次回折を含む画像を材料上に転写する方法において、少なくとも一つの非減衰、中間調、移相形態を含む移相マスクを製作する工程、および放射線がこの材料の上へこのマスクを通過するように、このマスクを軸外し照明する工程を含む方法を特徴とする。
【００６０】
もう一つの態様で、この発明は、０次回折および±１次回折を含む画像を材料上に転写する方法において、少なくとも一つの形態を含み、上記少なくとも一つの形態が中間調、移相、透明形態を含む、移相マスクを製作する工程；および放射線がこの材料の上へこのマスクを通過するように、このマスクを軸外し照明する工程を含む方法を特徴とする。上記一つの形態は、更に、半／透明形態を含むのが好ましい。更に、上記少なくとも一つの形態は、不透明形態を含むのが好ましい。
【００６１】
その上もう一つの態様で、この発明は、幅ｗを有する、少なくとも二つの非減衰、中間調、位相形態を含む移相マスクに於いて、これらの形態が幅ｗによって分離され、それでこのマスクが、照明されたとき、０次回折および±１次回折を含む画像をもたらすマスクを特徴とする。
【００６２】
更にもう一つの態様で、この発明は、幅ｗを有する、少なくとも二つの中間調、位相、透明形態を含む移相マスクに於いて、これらの形態が幅ｗによって分離され、それでこのマスクが、照明されたとき、０次回折および±１次回折を含む画像をもたらすマスクを特徴とする。これらの少なくとも二つの形態は、更に、半／透明形態を含むのが好ましい。これらの少なくとも二つの形態は、更に、不透明形態を含むのが一層好ましい。このマスクの所定のレジスト線幅を維持するための合焦−露出プロセスウィンドウが類似のピッチの減衰、移相マスクと共通であるのが更に一層好ましい。
【００６３】
【発明の効果】
以下に更に詳しく説明するように、本発明は、先行技術より有意な利点をもたらす。最も重要なことは、本発明の非減衰移相フォトマスクが、０次回折および±１次回折を維持しながら、高解像で形態のプリントを可能にすることである。
【００６４】
その上、本発明の非減衰移相マスクは、先行技術のものより増加した線幅サイズを維持するための合焦−露出プロセスウィンドウを提供する。
【００６５】
本発明の付加的利点は、当業者には本発明の実施例の以下の詳細な説明から明白となろう。この発明それ自体は、更なる目的および利点と共に、以下の詳細な説明およびてんんぷの概略図を参照することによってより良く理解できる。
【００６６】
この明細書に組込まれ、その一部を形成する添付の概略図は、本発明の実施例を示し、この説明と共に、この発明の原理を説明する役をする。
これらの図で、類似の参照記号は、類似の部品を指す。
【００６７】
【実施例】
以下の説明文に、説明の目的で、本発明の更に完全な理解をもたらすために多数の特定の詳細を示す。しかし、当業者には、本発明をこれらの特定事項に限定せずに実施することも明白だろう。
【００６８】
特に、本発明の非減衰移相マスクの以下の詳細な説明は、マスクそれ自体とこのマスクを作る方法の両方に関係する。本発明の理解を容易にするために、以下の説明が、この非減衰移相マスクを今日の最新技術の半導体デバイスの一部の形態となすように利用できる方法を詳述することにつとめている。しかし、本発明は、半導体デバイスに使うことに限定されず実際、本発明は、高解像度画像の投影を含む、多数の異なる種類の設計およびプロセスに利用できる。
【００６９】
本発明の第１実施例は、クロムレス移相器−シャッタ移相マスクの主形態を中間調にすることを含む。図１７は、最適０次ないし１次回折振幅を有するように、クロムレス移相器−シャッタ移相マスクを使う主形態の中間調化を示す。図１７Ａは、中間調化前の主形態１７０２を示し、一方図１７Ｂは、中間調化後の主形態１７０４を示す。図１７Ｃおよび図１７Ｄは、図１７Ａおよび図１７Ｂのそれぞれの構造体のパターンに対する等線／間隔クロムレスパターンの回折パターンを描く。図１７Ｃで分るように、中間調化がなければ、±１次回折１７０６および１７０８はあるが；０次回折はない。他方、図１７Ｄで分るように、主形態の中間調化、およびそれによるこれらの密な形態に対する軸外し照明が可能のために、±１次回折１７１０、１７１２、および０次回折１７１４がある。これらの図で、“ＣＰＥ”はクロムレス位相エッジを意味し、“ＨＣＰＥ”は中間調ＣＰＥを意味する。
【００７０】
本発明の第２実施例は、クロムレス移相器−シャッタ移相マスクの散乱バー補助形態を中間調にすることを含む。図１８は、中間調化した散乱バー補助形態１８０４、および主形態１８０６を含むクロムレス移相器−シャッタ移相マスクの例１８０２を描く。散乱バー補助形態の中間調化は、クロムレス移相器−シャッタ移相マスクを使ってその関連する主形態が最適０次ないし１次回折振幅を持つことを可能にする。
【００７１】
移相マスクを使って結像した可変ピッチサイズの形態を調べると、与えられた露出条件に対して同じサイズのレジスト画像を得るために最も良く適した透過率へのピッチ依存性が分る。図１９Ａおよび図１９Ｂは、  −  サイズが１００ｎｍから８００ｎｍに及ぶ間隔によって分離された１００ｎｍの線に対する−  各ピッチに対して１００ｎｍの線を作るために要する移相の透過率を示す。
【００７２】
更に詳しくは、図１９Ａは、減衰移相マスク透過率と１０ｎｍ形態間の間隔サイズの異なる組合せに対する結像結果を示す。図１９Ａで分るように、透過率と間隔サイズの各条件の交点の図形１９０２は、０．７０ＮＡ、２４８ｎｍ露出ツールを使って四重極照明で２２ｍＪ／ｃｍ２および−０．１５μｍの焦点に露出した、現像したフォトレジスト画像の断面をシミュレートする。四角形で囲んだ画像１９０４は、レジスト画像サイズが９０ｎｍと１１０ｎｍの間である。ここではこれらのサイズを使って許容サイズのための下限および上限を任意に誘導する。これらの四角形で囲んだ領域外の画像は、この基準を満たさない。この図で、“ＰＳＭ１Ｔ”は、ＰＳＭ形態＃１透過率を意味し、“ＰＳＭ２Ｗ”は、ＰＳＭ形態＃２幅を意味する。図１９Ｂは、図１９Ａに表したのと同じデータのグラフ表現である。図１９Ａおよび図１９Ｂで分るように、２０ないし３０％透過率の範囲で、各々１００％の透過率を有する４００ｎｍピッチサイズおよび６００ｎｍピッチサイズに対して、これらの図形が、２２ｍＪ／ｃｍ２および−０．１５μｍの合焦の露出条件に対する１００ｎｍの±１０％の露出サイズ基準を満たす。
【００７３】
図１９Ｃは、各々１００％の透過率を有する６００ｎｍおよび４００ｎｍピッチ移相マスクに対して指定された線幅サイズを維持するための合焦−露出プロセスウィンドを示すグラフである。図１９Ｃで分るように、６００ｎｍおよび４００ｎｍピッチに対し１００ｎｍ線を達成するための照射線量Ｄおよび合焦Ｆの条件は、共通のプロセス回廊がなく、完全に別である。図１９Ｄは、各々１００％の透過率を有する、６００ｎｍおよび４００ｎｍピッチ移相マスクに対する露出寛容度（ＥＬ）対焦点深度（ＤｏＦ）を示すグラフである。この露出寛容度は、±１０％形態サイズを維持する露出の範囲、割るこの形態をサイズするための照射線量、掛ける１００である。この露出寛容度が減少すると、各ピッチに対して焦点深度が増すことは明らかである。しかし、図１９（Ｄ）で分るように、６００ｎｍと４００ｎｍの両ピッチ移相マスクが共通の露出寛容度および対応する焦点深度を共有する点は一つもない。それで、本発明による補正がなければ、６００ｎｍと４００ｎｍピッチは、同じ露出および合焦条件を使って１００ｎｍレジスト線をサイズできない。
【００７４】
図１９Ａ〜図１９Ｄは、フォトマスクに対応するシミュレートデータを表す。一般的に、５〜１０％減衰ＰＳＭは、従来商業的用途に利用できるが、高透過率は、特注生産かも知れない。それで、マスクを作るために利用できる材料は、制限される。更に、異なるピッチ構造体は、そのような限られた利用可能度の材料では最適に機能しないかも知れない。その上更に、一つの材料が単一の従来のマスク上にある１組のパターン上に存在する複数の構造体に決して最適ではないだろう。従って、本発明は、先行技術の移相マスクのどの回折パターンもエミュレートするために主および補助形態を中間調にする方法を提供するので、本発明がこれらの障害を除去する。特に、本発明は、異なるピッチ構造体が単一マスク上で最適に機能することを可能にする。
以下は、図１９Ａないし図１９Ｄに関して説明した問題を解決するためのこの発明の方法を説明する。
【００７５】
中間調化は、非減衰、１００％クロムレスマスクに、２６％透明、減衰移相マスクに相当する回折パターンおよび結果として生じる空中画像をエミュレートする回折パターンおよび結果として生じる空中画像を作らせるために使用してもよい。これは、２６％減衰材料が大量には商業的に存在しないので、仮定的例である。それにも拘らず、それは、ある形態用に最適の透過率であり、本発明は、２６％減衰材料の性能に匹敵する中間調クロムレス移相マスクを作る。それで、最適透過率は、画像を先行技術の減衰マスクで減衰することなしに達成可能である。
【００７６】
図２０Ａないし図２０Ｄは、この例では、４００ｎｍピッチ形態の１００ｎｍ線を、あたかも非減衰、クロムレス移相マスクを使ったのと同じ方法で結像するために、非減衰、クロムレス移相マスクから如何に減衰移相マスクを製作するかを表す。図２０Ａは、２６％透過率減衰移相マスク用のマスクレイアウト２００２の一部２００４にある主形態２００６を描く。図２０Ｂは、中間調化し、それによって回折パターンを図２０Ａの２６％減衰マスクのそれとほぼ完全に類似にする、非減衰、クロムレス移相マスク用マスクレイアウト２００８の一部２０１０にある中間調化物体２０１２を描く。図２０Ｃは、それぞれこの減衰および中間調化した非減衰マスクの部分２００４および部分２０１０の両方によって作った複数次回折を比較するグラフであり（二つの異なる状況から生ずるグラフの重複は、ほぼ完全である）；ＮＡは開口数である。図２０Ｄは、図２０Ｂの中間調マスクの空中画像であり、この空中画像は、個々の中間調化物体の徴候は何も示さない。
【００７７】
図２０Ｅおよび図２０Ｆは、それぞれ、図２０Ａの２６％透過率減衰マスク（ａｔｔＰＳＭ）、および図２０Ｂの中間調非減衰、クロムレス移相マスク（ＨＴＰＳＭ）で９０ｎｍないし１１０ｎｍレジスト線幅サイズを維持するための合焦−露出プロセスウィンドウを示すグラフである。図２０Ｇは、図２０Ａおよび図２０Ｂの両マスクの特定線幅サイズを維持するための合焦プロセスウインドウグラアス表示である。図２０Ｇで分るように、図２０Ａおよび図２０Ｂの両マスク用にグラフの重複部分（ＯＶ）がある。更に、図２０Ｈで分るように、両マスク用パーセント露出寛容度が比較的似ている。従って、図２０Ｇおよび図２０Ｈで明らかなように、図２０Ｂの中間調非減衰、クロムレス移相マスクを使って図２０Ａの２６％透過率減衰移相マスクをエミュレートしてもよい。
【００７８】
この実施例で、図２０Ａに描くような、２６％減衰状移相マスクを、図２０Ｂに描くような、１００％クロムレス移相マスクでエミュレートすることは、１０ｎｍ線の幅を１１５ｎｍに増加することおよびこの線を１８０ｎｍ中間調ピッチ（ｈｔｐ）を使って、１８０°移相器対非移相器領域の６７％デューティサイクルで中間調化することを含んだ。この中間調は、ずらさない領域に対してずらした領域を有する。この実施例で、６７％中間調デューティサイクルとは、６７％、または１２０ｎｍが１８０°移相へ修正され、３３％、または６０ｎｍが非修正０°基準領域であることを意味する。
【００７９】
図２１Ａないし図２１Ｊは、異なる最適透過率を有する二つの形態を、同じ減衰移相材料を使って、それらが最適結像性能を有するように如何に中間調化できるかを示す。図２１Ａは、６００ｎｍピッチクロムレス移相マスク用マスクレイアウト２１０２の一部２１０４にある主形態２１０６を描く。図２１Ｂは、４００ｎｍピッチクロムレス移相マスク用マスクレイアウト２１０８の一部２１１０にある主形態２１１２を描く。
【００８０】
図２１Ｃは、６００ｎｍピッチ非減衰移相マスク用マスクレイアウト２１１４の一部２１１６にある主形態２１１８および中間調化散乱バー２１２０を描く（ＣｒＳＢは、散乱バーを意味する）。主形態２１１８の線幅は、図２１Ａの主形態２１０６のそれよりも増加している。同様に、図２１Ｄは、４００ｎｍピッチ非減衰移相マスク用マスクレイアウト２１２２の一部２１２４にある中間調（ＨＴ）主形態２１２６を描き、中間調主形態２１２６の線幅は、図２１Ｂの主形態２１２２のそれよりも増加している。図２１Ａおよび図２１Ｂに描くマスクを修正してその結果、それぞれ、図２１Ｃおよび図２１Ｄに描くマスクになる。
【００８１】
図２１Ｅないし図２１Ｈは、それぞれ図２１Ａないし図２１Ｄのマスクパターンに対応する回折パターンを示す。図２１Ｇおよび図２１Ｈは、図２１Ｃおよび図２１Ｄのマスクパターンに対応する修正した回折パターンを示す。図２１Ｅおよび図２１Ｆに示す回折パターンに比較すると、これらの回折パターンは、図２１Ａおよび図２１Ｂに示す元のマスクパターンを、それぞれ、図２１Ｃおよび図２１Ｄに示すマスクパターンになるように修正するとき、修正される。
【００８２】
図２１Ｉは、図２１Ｃおよび図２１Ｄの両マスクパターン用に共通の合焦−露出回廊があることを示す。図２１Ｉで分るように、図２１Ｃのマスク用のこの合焦−露出プロセスウィンドウ２１３０は、共通の合焦−露出プロセスウィンドウ２１３４で図２１Ｄのマスク用合焦−露出プロセスウィンドウ２１３２に重なる。このシミュレーション例は、中間調化した非減衰クロムレスマスクが低透過率の減衰移相マスクをエミュレートしてもよいことを示す。図２１Ｊは、共通の合焦−露出領域２１３４用の焦点深度の変化する量に対する露出寛容度を示す。
【００８３】
図２２Ａないし図２２Ｄは、０次回折を抑制するために散乱バーを使って合焦−露出プロセスウィンドウを如何に向上させるかを示す。図２２Ａは、６００ｎｍピッチの非補正減衰移相１００ｎｍ線用複数次回折グラフを描く。図２２Ｂは、補正した中間調非減衰クロムレスレイアウトに対する複数次回折を描く。図２２Ｃは、図２２Ａの６００ｎｍピッチの非補正減衰移相１００ｎｍ線用のプロセスウィンドウを示すグラフである。図２２Ｄは、図２２Ｂの補正した中間調非減衰クロムレスレイアウト用のプロセスウィンドウを示すグラフである。この補正したマスクは、非補正マスクの４倍の焦点深度（ＤｏＦ）を有することを注記する。
【００８４】
図２３Ａないし図２３（Ｆ）は、主形態に中間調（ＨＴ）構造体を使って、与えられたパターンの角を如何に正確に補償できるかを示す。図２３Ａは、主形態２３０４を含むパターン２３０２の包括的レイアウト（非補正）を示す。図２３Ｂは、曲った主形態の中間調補正部２３０６を示す。図２３Ｃおよび図２３Ｄは、それぞれ、図２３Ａおよび図２３Ｂに示すそれぞれの形態のための空中画像である。図２３（Ｅ）および図２３（Ｆ）は、それぞれ、図２３Ｃおよび図２３Ｄの曲った主形態および中間調補正した曲った主形態の空中画像の拡大図である。図２３（Ｅ）で分るように、この主形態の空中画像は、回折パターンで破壊的干渉の結果として複数次回折が減少するホットスポット２３１０を含む。しかし、図２３（Ｆ）で分るように、この主形態の空中画像は、ホットスポットを含まず、それによってこの主形態のより正確な空中画像が得られる。
【００８５】
その上、図２３は、これらの中間調構造体を使って複数のサイズ、形状およびピッチを、出来た画像がそれらそれぞれの所望のサイズおよび形状を十分な画像プロセス許容度で作るようにすることを示す。これらの画像は、典型的には同じ露出条件の下で作るが、単一露出条件には限定されない。これらの中間調化構造体は、補助形態として主形態の外部に、または所要形態の内部に使うことが出来る。これらの構造体は、透過率が０％から１００％に及んでもよく、それらは主形態に対して移相してもしなくてもよい。
【００８６】
本発明の非減衰移相マスクの変形も可能である。例えば、上に示した実施例で開示したハイブリッドは、２６％減衰移相マスクをエミュレートするかも知れないが、代替案が可能である。
【００８７】
上の実施例では、６００ｎｍピッチと４００ｎｍピッチが共通の合焦−露出プロセスウィンドウを有するが、そのような関係を一般化してもよい。複数の所定のピッチサイズに共通の合焦−露出プロセスウィンドウを開発する一般的方法を、図２４の論理流れ図で説明するように達成してもよい。
【００８８】
図２４は、その対応する回折パターンが減衰移相マスクに対応する回折パターンをエミュレートし且つその合焦−露出プロセスウィンドウが所定のピッチサイズに共通する、非減衰移相マスクパターンを設計するための方法を説明する論理流れ図である。
【００８９】
内部カウンタｎを１にセットして（ステップＳ１）から、この目標サイズのレジスト画像を作るために必要な露出エネルギーの線量である、サイズ線量、並びに弱い移相マスク透過率に対する、関心のある型式、サイズ、およびピッチを含む異なる形態のための線幅制御を決定する（ステップＳ２）。この決定は、例えば、リソグラフィシミュレータ（ＰｒｏＬｉｔｈＴＭまたはＳｏｌｉｄ−ＣＴＭのような）を使って行ってもよい。次に、露出、合焦および収差に最も敏感な形態を決定する（ステップＳ３）。この決定も、例えば、リソグラフィシミュレータを使って行ってもよい。次に、内部カウンタｎが１より大きいかどうかを測定し、それによってステップＳ２およびステップＳ３を繰返したかどうかを示す（ステップＳ４）。もし、ｎが１より大きくなければ（ステップＳ４）、この結像プロセスに修正を与え、それがこのパターンの露出、合焦、および収差への感度を低める（ステップＳ５）。この修正は、別の透過率の弱い移相マスク、露出装置条件、およびレジストプロセスの使用を含んでもよい。再び、これらの修正を、例えば、リソグラフィシミュレータを使って行ってもよい。次に、内部カウンタを１だけ進める（ステップＳ６）。この点でステップＳ２およびステップＳ３を繰返し、ステップＳ５中に与えた新しいプロセス条件がステップＳ２およびステップＳ３の最初の適用後に観察されたものを変えなかったことを保証する（ステップＳ７）。
【００９０】
ステップＳ３の二回目の実行後、内部カウンタｎが１より大きいことを測定し、ステップＳ２およびステップＳ３を繰返したことを示す（ステップＳ４）。それで、ステップＳ２およびステップＳ３の最初の実行並びにステップＳ２およびステップＳ３の二回目の実行中に行った決定の結果をそれぞれ比較する（ステップＳ８）。もし、ステップＳ２およびステップＳ３の先の二つの実行中に提供した決定間の比較が所定の閾値内になければ、即ち、ステップＳ５で導入した新しいプロセス条件が先の二つのステップＳ２およびステップＳ３の最初の実行で観察されたものを変えたなら、この結像プロセスに新しい修正を与える（ステップＳ５へ戻る）。しかし、もし、ステップＳ２およびステップＳ３の先の二つの実行中に提供した決定間の比較が所定の閾値内ならば、即ち、ステップＳ５で導入した新しいプロセス条件が先の二つのステップＳ２およびステップＳ３の最初の実行で観察されたものを変えなかったなら、このプロセスをステップ９へ進める。
【００９１】
露出レンズの瞳面にある回折パターンのゼロ周波数での電場の振幅を最初に整合し、および各孤立した形態に対するサイドローブの最大振幅をこの基準形状の周波数に置く、関心のある他の形態用マスクレイアウト条件を次に決定する（ステップ９）。関心のある他の形態に対するマスクレイアウト条件を達成するための非限定的方法には、各形態の中間調化、各形態のバイアス掛け、または孤立した形態への散乱バーの付加がある。もし、散乱バーを使うなら、これらの散乱バーの回折画像に加えてそれらそれぞれの主形態を調整する基準形態の回折画像と整合させるために、これらの散乱バーを調整する形態から１基準ピッチ離して置くべきである。更に、散乱バーは、そのようなパターンを製作するために使う製作技術が定めるように、反対位相に中間調化しおよび／またはバイアスを掛けてもよい。
【００９２】
次に、包絡ｓｉｎｃ［ｓｉｎｃ（ｘ）＝ｓｉｎ（ｘ）／ｘ］関数を、それらが全て同じ形状を有するように、全ての形態に対して調整する（ステップＳ１０）。ｓｉｎｃ関数は、孤立した形態または一連の線および間隔に対して非離散的回折パターンに関係する。孤立した形態散乱バーを加えることは、ある周波数でこの画像を減衰しおよび他の周波数でこの画像を増幅することによって、そのｓｉｎｃ関数を修正する。出来た回折パターンは、ｓｉｎｃ関数の結果であるが、個々の次数に似ることが出来る。一連の線および間隔の全ての複数次回折は、λ／ピッチだけ離れ、および、このｓｉｎｃ包絡なしに、同じ大きさである。この一連の線および間隔の内の単一間隔に対するｓｉｎｃ関数は、各次数の振幅を変える。もし、散乱バーを使うなら、この間隔は、最大振幅をリソグラフィ装置の数値開口の外部に置きおよびサイドローブの側部だけがレンズの内部にあるように、サイドローブを動かすための調整が必要かも知れない。これは、主形態の散乱バー構造体ピッチを減らすことによって達成してもよい。
【００９３】
次に、全ての形態が同じ空中画像形状属性、例えば、Ｉ−ＭＡＸ（最大強度レベル）、Ｉ−ＭＩＮ（最小強度レベル）、および正規化画像対数傾斜（ＮＩＬＳ）を有するかどうか、およびこれらの形態の各々のプロセスウィンドウが重複するかどうかを決める（ステップＳ１１）。もし、全ての形態が同じ空中画像形状属性を有しないか、またはこれらの形態の各々のプロセスウィンドウが重複しないならば、この包絡ｓｉｎｃ関数へ新しい修正を加えてステップＳ９を繰返す。もし、全ての形態が同じ空中画像形状属性を有し、およびこれらの形態の各々のプロセスウィンドウが重複するならば、このプロセスを停止し、最適移相マスクが得られる。
【００９４】
図２５は、この発明によるマスクを使用できるリソグラフィ投影装置を概略的に描く。この装置は：
−    放射線（例えば、ＵＶ線）の投影ビームＰＢを供給するための放射線システムＥｘ、ＩＬ。この特別な場合、この放射線システムは放射線源ＬＡも含む；
−    マスクＭＡ（例えば、レチクル）を保持するためのマスクホルダを備え、このマスクを部材ＰＬに関して正確に位置決めするために第１位置決め手段に結合された第１物体テーブル（マスクテーブル）ＭＴ；
−    基板Ｗ（例えば、レジストを塗被したシリコンウエハ）を保持するための基板ホルダを備え、この基板を部材ＰＬに関して正確に位置決めするために第２位置決め手段に結合された第２物体テーブル（基板テーブル）ＷＴ；
−    マスクＭＡの被照射部分を基板Ｗの目標部分Ｃ（例えば、一つ以上のダイを含む）上に結像するための投影システム（“レンズ”）ＰＬ（例えば、屈折、反射または反射屈折システム）；を含む。
ここに描くように、この装置は、透過型である（即ち、透過性のマスクを有する）。しかし、一般的に、それは、例えば、（反射性のマスクを備える）反射型でもよい。その代りに、この装置は、プログラム可能ミラーアレイのような、他の種類のパターニング手段を使ってもよい。
【００９５】
この放射源ＬＡ（例えば、ランプまたはエキシマレーザ）が放射線のビームを作る。このビームを直接か、または、例えば、ビーム拡大器Ｅｘのような、状態調節手段を通してから、照明システム（照明器）ＩＬの中へ送る。この照明器ＩＬは、このビームの強度分布の外側および／または内側半径方向範囲（それぞれ、普通σ外側およびσ内側と呼ぶ）を設定するための調整手段ＡＭを含む。その上、それは、一般的に、積分器ＩＮおよびコンデンサＣＯのような、種々の他の部品を含む。更に、この照明器は、環状、四重極、二重極および／または軟質多重極構造のような、軸外し照明構造を発生するための手段を含んでもよく；それらを、例えば、ヨーロッパ特許出願ＥＰ０９４９５４１（参考までにここに援用する）に詳述してあるような、多種多様な方法で発生してもよい。この様にして、マスクＭＡに入射するビームＰＢは、その断面で所望の均一性および強度分布を有する。
【００９６】
図２５に関して、放射源ＬＡは、（この放射源ＬＡが、例えば、水銀ランプである場合によくあることだが）このリソグラフィ投影装置のハウジング内にあっても良いが、このリソグラフィ投影装置から遠く離れていて、作った放射線ビームをこの装置に（例えば、適当な指向ミラーを使って）導いても良いことに注意すべきで；この後者のシナリオは、放射源ＬＡがエキシマレーザである場合によくあることである。
【００９７】
ビームＰＢは、次に、マスクテーブルＭＴ上にマスクホルダで保持されたマスクＭＡを横切る。マスクＭＡを横断してから、ビームＰＢは、レンズＰＬを通過し、それがこのビームを基板Ｗの目標部分Ｃ上に集束する。第２位置決め手段（および干渉計測定手段ＩＦ）の助けをかりて、基板テーブルＷＴを、例えば、異なる目標部分ＣをビームＰＢの経路に配置するように、正確に動かすことができる。同様に、例えば、マスクＭＡをマスクライブラリから機械的に抽出してから、または走査中に、第１位置決め手段を使ってマスクＭＡをビームＰＢの経路に関して正確に配置することができる。一般的に、物体テーブルＭＴ、ＷＴの運動は、図２５にはっきりは示さないが、長ストロークモジュール（粗位置決め）および短ストロークモジュール（微細位置決め）の助けをかりて実現する。しかし、ウエハステッパの場合は（ステップアンドスキャン装置と違って）、マスクテーブルＭＴを短ストロークアクチュエータに結合するだけでもよく、または固定してもよい。
【００９８】
図示する装置は、二つの異なるモードで使うことができる：
−    ステップモードでは、マスクテーブルＭＴを本質的に固定して保持し、全マスク画像を目標部分Ｃ上に一度に（単一“フラッシュ”で）投影する。次に基板テーブルＷＴをｘおよび／またはｙ方向に移動して異なる目標部分ＣをビームＰＢで照射できるようにする；
−    走査モードでは、与えられた目標部分Ｃを単一“フラッシュ”では露出しないことを除いて、本質的に同じシナリオを適用する。その代りに、マスクテーブルＭＴが与えられた方向（所謂“走査方向”、例えば、ｙ方向）に速度νで動き得て、それで投影ビームＰＢがマスク画像の上を走査させられ；同時に、基板テーブルＷＴがそれと共に同じまたは反対方向に速度Ｖ＝Ｍνで動かされ、このＭはレンズＰＬの倍率（典型的には、Ｍ＝１／４または１／５）である。この様にして、比較的大きい目標部分Ｃを、解像度について妥協する必要なく、露出できる。
【００９９】
本発明のある特定の実施例を開示したが、本発明は、その精神または本質的特徴から逸脱することなく、他の形で実施できることを注記する。従って、本実施例は、あらゆる点で例示であって限定ではないと考えるべきで、この発明の範囲は、前記請求項が示し、従ってこれらの請求項の意味および範囲に入るあらゆる変更は、その中に包含する意図である。
【図面の簡単な説明】
【図１】先行技術のウエハステッパシステムを描く。
【図２】散乱バーおよびセリフのような、光学的近接補正形態を備えるフォトマスクを描く。
【図３Ａ】等線および等間隔の回折パターンを描く。
【図３Ｂ】孤立した線の回折パターンを描く。
【図４Ａ】大きさが露出エネルギーの波長に近い物体の回折スペクトルを描く。
【図４Ｂ】図４Ａの回折スペクトルの空中画像を描く。
【図５Ａ】従来のマスク製作システムでの三ビーム露出の効果を描く。
【図５Ｂ】従来のマスク製作システムでの二ビーム露出の効果を描く。
【図６Ａ】マスク製作用の従来の軸上露出技術を描く。
【図６Ｂ】照明構造が環状形、または四重極形を有する、マスク製作用の従来の軸外し露出技術を描く。
【図７Ａ】従来の非移相マスクの断面図を描く。
【図７Ｂ】従来の移相マスクの断面図を描く。
【図７Ｃ】図７Ａの従来の非移相マスク用の対応する回折スペクトルを描く。
【図７Ｄ】図７Ｂの従来の移相マスク用の対応する回折スペクトルを描く。
【図８Ａ】従来のリム型移相マスクの断面図を描く。
【図８Ｂ】図８Ａの従来のリム型移相マスクでの電場の振幅のグラフを描く。
【図８Ｃ】図８Ａの従来のリム型移相マスク用の対応する回折スペクトルを描く。
【図９Ａ】５％の減衰率を有する、従来の減衰型移相マスクの断面図を描く。
【図９Ｂ】図９Ａの従来の減衰型移相マスクでの電場の振幅のグラフを描く。
【図９Ｃ】図９Ａの従来の減衰型移相マスク用の対応する回折スペクトルを描く。
【図９Ｄ】１０％の減衰率を有する、従来の減衰型移相マスクの断面図を描く。
【図９Ｅ】図９Ｄの従来の減衰型移相マスクでの電場の振幅のグラフを描く。
【図９Ｆ】図９Ｄの従来の減衰型移相マスク用の対応する回折スペクトルを描く。
【図１０Ａ】従来の透明またはクロムレス移相器−シャッタ型移相マスクの断面図を描く。
【図１０Ｂ】図１０Ａの従来の透明またはクロムレス移相器−シャッタ型移相マスクでの電場の振幅のグラフを描く。
【図１０Ｃ】図１０Ａの従来の透明またはクロムレス移相器−シャッタ型移相マスク用の対応する回折スペクトルを描く。
【図１１Ａ】従来のバイアス式フォトマスクを描く。
【図１１Ｂ】中間調バイアス式フォトマスクを描く。
【図１２】従来の減衰移相リソグラフィマスクを描く。
【図１３Ａ】異なるピッチおよび合焦設定に対して、画像コントラストを透過率（Ｔ）の関数としてグラフで描く。
【図１３Ｂ】異なるピッチおよび合焦設定に対して、画像コントラストを透過率（Ｔ）の関数としてグラフで描く。
【図１４Ａ】
【図１４Ｂ】
【図１５】不透明形態としての従来のクロムレス暗格子、およびその対応する画像を描く。
【図１６Ａ】従来のクロムレス相エッジマスクの断面図を描く。
【図１６Ｂ】図１６Ａの従来の透明またはクロムレス相エッジマスクでの電場の振幅のグラフを描く。
【図１６Ｃ】図１６Ａの従来のクロムレス相エッジマスク用の対応する回折スペクトルを描く。
【図１７Ａ】相エッジマスクにある主形態を描く。
【図１７Ｂ】本発明による相エッジマスクにある中間調主形態を描く。
【図１７Ｃ】図１７Ａの相エッジマスク用の対応する回折スペクトルを描く。
【図１７Ｄ】図１７Ｂの相エッジマスク用の対応する回折スペクトルを描く。
【図１８】本発明による中間調散乱バー補助形態を描く。
【図１９Ａ】ピッチおよび透過率の複数の条件に対するシミュレートしたレジスト画像を描く線図である。
【図１９Ｂ】図１９Ａに表すデータのグラフ表現である。
【図１９Ｃ】９０ｎｍと１１０ｎｍの間の１００ｎｍレジスト画像をサイズするための照射線量（縦軸）と合焦（横軸）の組を示す閉曲線グラフであり、二つのプロセスウィンドは、４００ｎｍピッチ用（上の閉曲線）および６００ｎｍピッチ用（下の閉曲線）で、これらのプロセスウィンドは重ならない。
【図１９Ｄ】図１９Ｃに示すのと同じ情報の別の分析であり、ある焦点深度（横軸）のためのプロセスウィンドウ内にどの位の露出寛容度があるかを示し、上の曲線は４００ｎｍピッチ用で、下の曲線は６００ｎｍピッチ用である。
【図２０Ａ】２６％透過率減衰移相マスク用レイアウトを描く。
【図２０Ｂ】その回折パターンを図２０Ａの２６％減衰マスクのそれと類似にするために、本発明によって、中間調化した、非減衰、クロムレス移相マスク用マスクレイアウトを描く。
【図２０Ｃ】図２０Ａのマスクおよび図２０Ｂのマスクによって作った複数次回折のグラフによる比較である。
【図２０Ｄ】図２０Ｂのマスクの一部の空中画像である。
【図２０Ｅ】図２０Ａのマスクで指定した線幅サイズを維持するための合焦−露出プロセスウィンドウのグラフ表現である。
【図２０Ｆ】図２０Ｂのマスクで指定した線幅サイズを維持するための合焦−露出プロセスウィンドウのグラフ表現である。
【図２０Ｇ】それぞれ図２０Ａおよび図２０Ｂの両マスク用のパーセント露出寛容度のグラフ表現である。
【図２０Ｈ】それぞれ、図２０Ａおよび図２０Ｂの両マスク用のパーセント露出寛容度の代替グラフ表現である。
【図２１Ａ】従来のクロムレス移相パターンを描く。
【図２１Ｂ】従来のクロムレス移相パターンを描く。
【図２１Ｃ】図２１Ａおよび図２１Ｂ移相パターンに対応する、本発明による中間調クロムレス移相パターンを描く。
【図２１Ｄ】図２１Ａおよび図２１Ｂ移相パターンに対応する、本発明による中間調クロムレス移相パターンを描く。
【図２１Ｅ】それぞれ図２１Ａないし図２１Ｄの移相マスクの物体パターンのための回折パターン（複数次回折のグラフ）を描く。
【図２１Ｆ】それぞれ図２１Ａないし図２１Ｄの移相マスクの物体パターンのための回折パターン（複数次回折のグラフ）を描く。
【図２１Ｇ】それぞれ図２１Ａないし図２１Ｄの移相マスクの物体パターンのための回折パターン（複数次回折のグラフ）を描く。
【図２１Ｈ】それぞれ図２１Ａないし図２１Ｄの移相マスクの物体パターンのための回折パターン（複数次回折のグラフ）を描く。
【図２１Ｉ】類似の露出および合焦でこの形態サイズを作るために適当な中間調化（４００ｎｍピッチ用図２１Ｄおよび６００ｎｍピッチ用図２１Ｃ）を使ったマスクのためのピッチ４００ｎｍ（２１３４および２１３２）並びに６００ｎｍ（２１３０）で１００ｎｍ線用の合焦−露出プロセスウィンドウを示し、４００ｎｍピッチ用に全プロセスウィンドウが領域２１３４および２１３２を含み、２１３４が６００ｎｍピッチプロセスウィンドウ２１３０と重複する。
【図２１Ｊ】共通の合焦−露出領域２１３４用の焦点深度の変化量に対する露出寛容度を示す。
【図２２Ａ】従来の移相マスクの物体パターンの回折パターンを描く。
【図２２Ｂ】本発明による中間調移相マスクの物体パターンの回折パターンを描く。
【図２２Ｃ】図２２Ａのマスク用に指定した線幅サイズを維持するための合焦−露出プロセスウィンドウのグラフ表現である。
【図２２Ｄ】図２２Ｂのマスク用に指定した線幅サイズを維持するための合焦−露出プロセスウィンドウのグラフ表現である。
【図２３Ａ】従来の主形態の包括的レイアウトを描く。
【図２３Ｂ】本発明による中間調主形態の包括的レイアウトを描く。
【図２３Ｃ】図２３Ａの包括的レイアウトの空中画像である。
【図２３Ｄ】図２３Ｂの包括的レイアウトの空中画像である。
【図２３Ｅ】図２３Ｃの拡大した部分である。
【図２３Ｆ】図２３Ｄの拡大した部分である。
【図２４】本発明に従って異なる移相マスクをエミュレートするパターンを設計するための方法を説明する論理流れ図である。
【図２５】リソグラフィ投影装置を描く。
【符号の説明】
Ｃ  基板の目標部分
Ｅｘ  ビーム拡大器
ＩＬ  照明器
ＬＡ  放射源
ＭＡ  マスク
ＰＢ  投影ビーム
Ｗ  基板
【図１】
0003574417.tif 000002
【図２】
0003574417.tif 000003
【図３Ａ】
0003574417.tif 000004
【図３Ｂ】
0003574417.tif 000005
【図４Ａ】
0003574417.tif 000006
【図４Ｂ】
0003574417.tif 000007
【図５Ａ】
0003574417.tif 000008
【図５Ｂ】
0003574417.tif 000009
【図６Ａ】
0003574417.tif 000010
【図６Ｂ】
0003574417.tif 000011
【図７Ａ】
0003574417.tif 000012
【図７Ｂ】
0003574417.tif 000013
【図７Ｃ】
0003574417.tif 000014
【図７Ｄ】
0003574417.tif 000015
【図８Ａ】
0003574417.tif 000016
【図８Ｂ】
0003574417.tif 000017
【図８Ｃ】
0003574417.tif 000018
【図９Ａ】
0003574417.tif 000019
【図９Ｂ】
0003574417.tif 000020
【図９Ｃ】
0003574417.tif 000021
【図９Ｄ】
0003574417.tif 000022
【図９Ｅ】
0003574417.tif 000023
【図９Ｆ】
0003574417.tif 000024
【図１０Ａ】
0003574417.tif 000025
【図１０Ｂ】
0003574417.tif 000026
【図１０Ｃ】
0003574417.tif 000027
【図１１Ａ】
0003574417.tif 000028
【図１１Ｂ】
0003574417.tif 000029
【図１２】
0003574417.tif 000030
【図１３Ａ】
0003574417.tif 000031
【図１３Ｂ】
0003574417.tif 000032
【図１４Ａ】
0003574417.tif 000033
【図１４Ｂ】
0003574417.tif 000034
【図１５】
0003574417.tif 000035
【図１６Ａ】
0003574417.tif 000036
【図１６Ｂ】
0003574417.tif 000037
【図１６Ｃ】
0003574417.tif 000038
【図１７Ａ】
0003574417.tif 000039
【図１７Ｂ】
0003574417.tif 000040
【図１７Ｃ】
0003574417.tif 000041
【図１７Ｄ】
0003574417.tif 000042
【図１８】
0003574417.tif 000043
【図１９Ａ】
0003574417.tif 000044
【図１９Ｂ】
0003574417.tif 000045
【図１９Ｃ】
0003574417.tif 000046
【図１９Ｄ】
0003574417.tif 000047
【図２０Ａ】
0003574417.tif 000048
【図２０Ｂ】
0003574417.tif 000049
【図２０Ｃ】
0003574417.tif 000050
【図２０Ｄ】
0003574417.tif 000051
【図２０Ｅ】
0003574417.tif 000052
【図２０Ｆ】
0003574417.tif 000053
【図２０Ｇ】
0003574417.tif 000054
【図２０Ｈ】
0003574417.tif 000055
【図２１Ａ】
0003574417.tif 000056
【図２１Ｂ】
0003574417.tif 000057
【図２１Ｃ】
0003574417.tif 000058
【図２１Ｄ】
0003574417.tif 000059
【図２１Ｅ】
0003574417.tif 000060
【図２１Ｆ】
0003574417.tif 000061
【図２１Ｇ】
0003574417.tif 000062
【図２１Ｈ】
0003574417.tif 000063
【図２１Ｉ】
0003574417.tif 000064
【図２１Ｊ】
0003574417.tif 000065
【図２２Ａ】
0003574417.tif 000066
【図２２Ｂ】
0003574417.tif 000067
【図２２Ｃ】
0003574417.tif 000068
【図２２Ｄ】
0003574417.tif 000069
【図２３Ａ】
0003574417.tif 000070
【図２３Ｂ】
0003574417.tif 000071
【図２３Ｃ】
0003574417.tif 000072
【図２３Ｄ】
0003574417.tif 000073
【図２３Ｅ】
0003574417.tif 000074
【図２３Ｆ】
0003574417.tif 000075
【図２４】
0003574417.tif 000076
【図２５】
0003574417.tif 000077