(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ランドアクセス用開孔部が設けられたポリイミド絶縁層とそれに接する導体回路層とからなるフレキシブル配線板の製造方法において、以下の
工程（ａ）〜（ｄ）：
（ａ）  導体回路用金属箔の片面にポリイミド前駆体ワニスを塗布し、残存揮発分含有量が３０〜５０重量％の範囲に収まるように乾燥してポリイミド前駆体層を形成する工程；
（ｂ）  ポリイミド前駆体層にフォトリソグラフ法によりランドアクセス用開孔部を設ける工程；
（ｃ）  導体回路用金属箔をサブトラクト法によりパターニングして導体回路層を形成する工程；  及び
（ｄ）  ポリイミド前駆体層をイミド化してポリイミド絶縁層を形成する工程
を含んでなることを特徴とする製造方法。
【請求項２】
工程（ａ）において、乾燥後のポリイミド前駆体層のイミド化率が５０％以下である請求項１記載の製造方法。
【請求項３】
ランドアクセス用開孔部がそれぞれ設けられた第１ポリイミド絶縁層及び第２ポリイミド絶縁層と、それらの間に挟持された導体回路層とからなるフレキシブル配線板の製造方法において、以下の工程（ａａ）〜（ｆｆ）：
（ａａ）  導体回路用金属箔の片面にポリイミド前駆体ワニスを塗布し、乾燥後のポリイミド前駆体層のイミド化率が５０％以下となるように乾燥して第１ポリイミド前駆体層を形成する工程；
（ｂｂ）  ポリイミド前駆体層にフォトリソグラフ法によりランドアクセス用開孔部を設ける工程；
（ｃｃ）  導体回路用金属箔をサブトラクト法によりパターニングして導体回路層を形成する工程；
（ｄｄ）  導体回路層上にポリイミド前駆体層ワニスを塗布し、乾燥後のポリイミド前駆体層のイミド化率が５０％以下となるように乾燥して第２ポリイミド前駆体層を形成する工程；
（ｅｅ）  第２ポリイミド前駆体層にフォトリソグラフ法によりランドアクセス用開孔部を設ける工程；  及び
（ｆｆ）  第１ポリイミド前駆体層及び第２ポリイミド前駆体層をイミド化してそれぞれ第１ポリイミド絶縁層及び第２ポリイミド絶縁層を形成する工程
を含んでなることを特徴とする製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ランドアクセス用開孔部が設けられたポリイミド絶縁層が、導体回路層の片面もしくは両面に設けられてなるフレキシブル配線板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
フレキシブル配線板は、片面フレキシブル配線板と、それよりも高密度実装が可能となる両面フレキシブル配線板とに大きく二つに分けられる。
【０００３】
一般に、片面フレキシブル配線板は、ランドアクセス用開孔部が設けられた絶縁層とそれに支持された導体回路層とからなる構造を有する。必要に応じて導体回路上に保護層が積層されている。この構造を有する配線板は、その片面から接続を確保しているのでシングルアクセス配線板と称されている。
【０００４】
このような片面フレキシブル配線板は、通常、次に説明するように作製されている。即ち、ポリイミドサポートフィルムに銅箔が貼り合わされた片面銅張りフィルムの当該銅箔を、サブトラクト法によりパターニングして導体回路層を形成し、その導体回路層上にカバーレイを積層することにより作製されている。ここで、カバーレイの積層は、１）予め金型などを使用してランドアクセス用開孔部が形成された接着剤付きのカバーレイフィルムを貼り合わせることにより、２）エポキシ系レジストインクをランドアクセス用開孔部パターンに印刷することにより、あるいは３）ポリイミド樹脂フィルムを貼り合わせた後に、エッチング液処理やレーザー光照射処理によりポリイミド樹脂フィルムにランドアクセス用開孔部を形成することにより行われている。
【０００５】
一方、両面フレキシブル配線板は、ランドアクセス用開孔部が設けられた一対のカバーレイが、上層導体回路層、絶縁層及び下層導体回路層とからなる積層体を挟持している構造を有する。この構造を有する配線板は、その両面から接続を確保しているのでダブルアクセス配線板と称されている。
【０００６】
このような両面フレキシブル配線板は、通常、次に説明するように作製されている。即ち、ポリイミドフィルムの両面に銅箔が貼り合わされた両面銅張りフィルムにＮＣドリルで貫通孔を開け、ランドとなる領域以外をレジストフィルムで被覆した後に貫通孔内壁面に無電解銅メッキ薄膜を形成し、更に電解銅メッキで銅を厚付けしてスルーホールとする。次に、レジストフィルムを剥がした後、スルーホールの内壁を保護しつつ、両面の銅箔をサブトラクト法によりそれぞれパターニングして上層導体回路層と下層導体回路層とを形成し、次にそれらの表面に、シングルアクセスタイプの片面フレキシブル配線板の場合と同様にカバーレイを積層する。これによりダブルアクセスタイプの両面フレキシブル配線板が作製されている。
【０００７】
また、最近、片面フレキシブル配線板をダブルアクセス配線板とすることも試みられており、次に説明するように作製されている。即ち、銅箔にポリアミック酸ワニスを塗布し乾燥してポリアミック酸層を形成し、当該ポリアミック酸層をフォトリソグラフ法によりパターニングしてランドアクセス用開孔部を設け、さらにイミド化してポリイミド絶縁層とし、その銅箔をサブトラクト法によりパターニングして導体回路層を形成し、その導体回路層上に、シングルアクセスタイプの片面フレキシブル配線板の場合と同様にカバーレイを積層する。これによりダブルアクセスタイプの片面フレキシブル配線板が作製されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のシングルアクセスタイプの片面フレキシブル配線板の製造において、予めランドアクセス用開孔部を設ける際に金型を使用したカバーレイフィルムを積層する場合、微細な配線パターニング加工が困難であり、位置精度も十分ではなく、しかも開孔部の形状が実質的に丸型に限定され、形状の自由度が低く、そのためにはんだ付け面積（ランド面積）の拡大が困難であるという問題がある。また、カバーレイフィルムを導体回路層上に積層するときに、接着剤がランドにはみ出し、ランドの導通信頼性を低下させるという問題がある。特に、微細ランドの場合にはランドが接着剤で完全に塞がれ、導通が確保できないという状況も生じうる。
【０００９】
また、エポキシ系レジストインクをランドアクセス用開孔部パターンにスクリーン印刷することによりカバーレイを積層する場合、エポキシ系樹脂を主成分とするために、得られるフィルムの柔軟性が十分でないという問題がある。ポリイミド系レジストインクを使用することも考えられるが、吸湿性が高いために印刷作業性が低く、印刷厚さのコントロール性が不十分であるという問題がある。しかも、印刷では開孔部パターンを今まで以上に十分に微細化することは非常に困難であるという問題もある。
【００１０】
また、カバーレイを積層するために、ポリイミド樹脂フィルムを貼り合わせた後にそのフィルムにランドアクセス用開孔部をエッチング液処理により形成する場合、エッチング液として高価な強塩基性の試薬（アルカリ系ヒドラジン水溶液）を使用する必要があり、エッチング廃液の処理も含めたエッチングコストを低減し難いという問題がある。また、レーザー光照射処理によりランドアクセス用開孔部を形成する場合、単孔処理であるため生産性が低く、また、ランドに焼成異物が付着しやすいために過マンガン酸カリ溶液処理を施す必要があり、生産コストが上昇するという問題もある。
【００１１】
一方、ダブルアクセスタイプの両面フレキシブル配線板の製造において、両面銅張りフィルムにＮＣドリルで貫通孔を開ける場合、ＮＣドリル装置の導入に大きな設備投資が必要となり、しかも貫通孔を一つずつ開孔するために生産性が低いという問題がある。しかも、貫通孔の開孔端表面にバリが発生し易く、開孔形状も一定しないという問題もある。更に、切削粉が貫通孔内壁に付着し、スルーホールの導通信頼性を低下させるという問題もある。更に、両面フレキシブル配線板の総厚が厚くなりすぎると言う問題もある。
【００１２】
このため、ダブルアクセスタイプのフレキシブル配線板として、両面フレキシブル配線板を前述した片面フレキシブル配線板に置き換えることが試みられているが、ポリアミック酸層のイミド化後に銅箔をパターニングするので、銅箔のパターン除去に伴って導体回路層とポリイミド膜とからなる積層体にカールが生じるという問題がある。また、カバーレイを積層するに際し、上述のシングルアクセスタイプの片面フレキシブル配線板の場合と同様な問題がある。
【００１３】
本発明は、以上の従来の技術の課題を解決しようとするものであり、シングルアクセスタイプあるいはダブルアクセスタイプの片面のフレキシブル配線板を、低い生産コスト、微細配線パターンで且つ良好な位置精度でカールも抑制しながら製造できるようにし、しかも開孔部の形状の自由度を高めてはんだ付け面積（ランド面積）の拡大を可能にすると共に、ランドの導通信頼性を低下させずにカバーレイフィルムもしくはそれに相当する絶縁層を導体回路層上に形成できるようにすることを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、i)ポリアミック酸等のポリイミド前駆体が、安価なアルカリエッチング液を利用するフォトリソグラフ法により、低いコスト、微細配線パターン、良好な位置精度、高い自由度でパターニングできること、ii)ポリイミド前駆体が銅箔のパターニング条件に耐性を有すること、iii)従って、ポリイミド前駆体をイミド化したポリイミド膜をシングルアクセスもしくはダブルアクセスタイプの片面フレキシブル配線板の絶縁層として利用した場合、ポリイミド前駆体層のイミド化前に銅箔をパターニングでき、結果的にランドの導通信頼性を低下させずにカバーレイフィルムに相当するポリイミド絶縁層を導体回路層上に形成できることを見出し、上記の目的を達成する本発明を完成させるに至った。
【００１５】
即ち、本発明は、ランドアクセス用開孔部が設けられたポリイミド絶縁層とそれに接する導体回路層とからなるフレキシブル配線板の製造方法において、以下の
工程（ａ）〜（ｄ）：
（ａ）  導体回路用金属箔の片面にポリイミド前駆体ワニスを塗布し、残存揮発分含有量が３０〜５０重量％の範囲に収まるように乾燥してポリイミド前駆体層を形成する工程；
（ｂ）  ポリイミド前駆体層にフォトリソグラフ法によりランドアクセス用開孔部を設ける工程；
（ｃ）  導体回路用金属箔をサブトラクト法によりパターニングして導体回路層を形成する工程；  及び
（ｄ）  ポリイミド前駆体層をイミド化してポリイミド絶縁層を形成する工程
を含んでなることを特徴とする製造方法を提供する。
【００１６】
また、本発明は、ランドアクセス用開孔部がそれぞれ設けられた第１ポリイミド絶縁層及び第２ポリイミド絶縁層と、それらの間に挟持された導体回路層とからなるフレキシブル配線板の製造方法において、以下の工程（ａａ）〜（ｆｆ）：
（ａａ）  導体回路用金属箔の片面にポリイミド前駆体ワニスを塗布し、乾燥後のポリイミド前駆体層のイミド化率が５０％以下となるように乾燥して第１ポリイミド前駆体層を形成する工程；
（ｂｂ）  ポリイミド前駆体層にフォトリソグラフ法によりランドアクセス用開孔部を設ける工程；
（ｃｃ）  導体回路用金属箔をサブトラクト法によりパターニングして導体回路層を形成する工程；
（ｄｄ）  導体回路層上にポリイミド前駆体層ワニスを塗布し、乾燥後のポリイミド前駆体層のイミド化率が５０％以下となるように乾燥して第２ポリイミド前駆体層を形成する工程；
（ｅｅ）  第２ポリイミド前駆体層にフォトリソグラフ法によりランドアクセス用開孔部を設ける工程；  及び
（ｆｆ）  第１ポリイミド前駆体層及び第２ポリイミド前駆体層をイミド化してそれぞれ第１ポリイミド絶縁層及び第２ポリイミド絶縁層を形成する工程
を含んでなることを特徴とする製造方法を提供する。
【００１７】
【発明の実施の形態】
まず、シングルアクセスタイプの本発明のフレキシブル配線板の製造方法について、図１を参照しながら工程毎に説明する。
【００１８】
工程（ａ）
導体回路用金属箔１の片面にポリイミド前駆体ワニスを塗布し、乾燥してポリイミド前駆体層２を形成する（図１（ａ））。
【００１９】
具体的には、導体回路用金属箔１の片面に、ポリイミド前駆体をＮ−メチル−２−ピロリドン等に溶解したポリイミド前駆体ワニスを、コンマコーター、ナイフコーター、ロールコーター、リップコーター、ダイコーター等により塗工し、層間密着強度の低下や後工程での発泡の発生を防止するために残存揮発分（溶剤、縮合により生ずる水など）含有量（ポリイミド前駆体膜中の全揮発成分の重量百分率（重量％））を３０〜５０重量％の範囲内に収まるように、加熱乾燥してポリイミド前駆体膜２を作製する。
【００２０】
なお、この乾燥中に、ポリイミド前駆体の一部がイミド化するが、乾燥後のポリイミド前駆体層２のイミド化率が５０％を超えないようにする。５０％を超えると、アルカリエッチング液を利用するフォトリソグラフ法でポリイミド前駆体層２を、微細、高精度且つ低コストでパターニングすることが困難になる。
【００２１】
ポリイミド前駆体層２の厚みは、薄すぎると機械的強度が弱くなり、厚すぎるとイミド化後のポリイミド絶縁層が硬くなり、フレキシブル配線板を所定の大きさのロール巻きにできなくなるので、好ましくは１０〜７５μｍである。
【００２２】
また、ポリイミド前駆体層２を構成するポリイミド前駆体としては、フレキシブル配線板のカールを防止するために、イミド化後のポリイミド絶縁膜の熱線膨張係数が、イミド化条件下でアニールされた導体回路用金属箔１の熱線膨張係数と略同一となるようなものを使用することが好ましい。
【００２３】
ここで、ポリイミド前駆体としては、酸二無水物とジアミンとから得られるポリアミック酸類（特開昭６０−１５７２８６号公報、特開昭６０−２４３１２０号公報、特開昭６３−２３９９９８号公報、特開平１−２４５５８６号公報、特開平３−１２３０９３号公報、特開平５−１３９０２７号公報参照）、過剰な酸二無水物とジアミンとから合成した末端が酸二無水物であるポリアミック酸プレポリマーとジイソシアネート化合物とから得られるイミド環を有するポリアミック酸類（ポリアミド樹脂ハンドブック，日刊工業新聞社発行（５３６頁，１９８８年）；高分子討論集，４７（６），１９９０参照）等を使用することができる。中でも、酸二無水物とジアミンとから得られるポリアミック酸類を好ましく使用することができる。
【００２４】
ここで、酸二無水物の例としては、ピロメリット酸二無水物（ＰＭＤＡ）、３，４，３′，４′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）、３，４，３′，４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物（ＢＴＤＡ）、３，３′，４，４′−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物（ＤＳＤＡ）が好ましく挙げられる。また、ジアミンの例としては、４，４′−ジアミノジフェニルエーテル（ＤＰＥ）、パラフェニレンジアミン（ＰＤＡ）、４，４′−ジアミノベンズアニリド（ＤＡＢＡ）、４，４′−ビス（ｐ−アミノフェノキシ）ジフェニルスルホン（ＢＡＰＳ）が好ましく挙げられる。
【００２５】
導体回路用金属箔１としては、従来のフレキシブル配線板で用いられているものと同様のものを使用することができる、例えば、電解銅箔、ＳＵＳ３０４箔、ＳＵＳ４３０箔、アルミニウム箔、ベリリウム箔、リン青銅箔等を挙げることができる。
【００２６】
なお、導体回路用金属箔１の厚みは、通常、８〜３５μｍである。
【００２７】
工程（ｂ）
次に、ポリイミド前駆体層２に、微細で且つ良好な位置精度でパターニングが可能なフォトリソグラフ法によりランドアクセス用開孔部３を設ける（図１（ｂ））。
【００２８】
具体的には、ポリイミド前駆体層２上に、ランドアクセス用開孔部パターンレジスト層を形成し、アルカリエッチング液でポリイミド前駆体層２をエッチングしてランドアクセス用開孔部３を設け、その後でランドアクセス用開孔部パターンレジスト層を剥離すればよい。
【００２９】
工程（ｃ）
次に、導体回路用金属箔１を、微細で且つ良好な位置精度でパターニングが可能なフォトリソグラフ技術を利用するサブストラクト法によりパターニングして導体回路層４を形成する（図１（ｃ））。具体的には、ランドアクセス用開孔部３が設けられたポリイミド前駆体層２の表面を保護フィルム（好ましくは軽剥離性の弱粘着テープ）で被覆した後、導体回路用金属箔１上に導体回路パターンレジスト層を形成し、塩化第２銅水溶液等のエッチング液で導体回路用金属箔１をエッチングして導体回路層４を形成し、その後、導体回路パターンレジスト層と保護フィルムとを剥離すればよい。
【００３０】
本発明において、ポリイミド前駆体層２のイミド化（後述する工程（ｄ））の前に導体回路用金属箔１をパターニングする理由は、以下の通りである。
【００３１】
即ち、ポリイミド前駆体層２のイミド化（後述する工程（ｄ））後に導体回路用金属箔１をパターニングした場合には、導体回路用金属箔１のパターンレジスト層除去に伴って導体回路とポリイミド膜とからなる積層体にカールが生じる。しかし、ポリイミド前駆体層２をイミド化する前に導体回路用金属箔１をパターニングすることにより、導体回路用金属箔１のパターニングにより熱可塑性のポリイミド前駆体層２にストレスがかかっても、イミド化のための加熱処理時に先ずそのストレスが緩和されつつイミド化され、しかもポリイミド前駆体層２に接している導体回路層４の面積が相対的に小さくなり、その結果導体回路層４の熱膨張係数の影響も相対的に小さくなる。従って、そのようなカールの発生を防止もしくは大幅に抑制することができる。
【００３２】
工程（ｄ）
次に、ポリイミド前駆体層２をイミド化してポリイミド絶縁層５を形成する。一応、この段階の構造でダブルアクセス用配線板としても使用可能であるが、ポリイミド絶縁層５の形成後に、導体回路層上に公知の絶縁性保護層６を形成してシングルアクセス用配線板とすることが好ましい（図１（ｅ））。
【００３３】
このように、シングルアクセスタイプのフレキシブル配線板が、低い生産コストで、微細配線パターンで且つ良好な位置精度で製造できる。しかもランドアクセス用開孔部の形状の自由度が高く、そのためはんだ付け面積（ランド面積）の拡大が可能となる。結果的に、ランドの導通信頼性を低下させずにカバーレイフィルムに相当するポリイミド絶縁層を導体回路層上に形成できる。
【００３４】
次に、ダブルアクセスタイプの本発明のフレキシブル配線板の製造方法について、図２を参照しながら工程毎に説明する。
【００３５】
工程（ａａ）
図１（ａ）に示したシングルアクセスタイプのフレキシブル配線板の製造工程（ａ）に準じ、導体回路用金属箔２１の片面にポリイミド前駆体ワニスを塗布し、第１ポリイミド前駆体層２２を形成する（図２（ａａ）。
【００３６】
工程（ｂｂ）
図１（ｂ）に示したシングルアクセスタイプのフレキシブル配線板の製造工程（ｂ）に準じ、第１ポリイミド前駆体層２２に微細で且つ良好な位置精度でパターニングが可能なフォトリソグラフ法によりランドアクセス用開孔部２３を設ける（図２（ｂｂ））。
【００３７】
工程（ｃｃ）
図１（ｃ）に示したシングルアクセスタイプのフレキシブル配線板の製造工程（ｃ）に準じ導体回路用金属箔を、微細で且つ良好な位置精度でパターニングが可能なフォトリソグラフ技術を利用するサブトラクト法によりパターニングして導体回路層２４を形成する（図２（ｃｃ））。
【００３８】
工程（ｄｄ）
図１（ａ）に示したシングルアクセスタイプのフレキシブル配線板の製造工程（ａ）に準じ、導体回路層２４上（第１ポリイミド前駆体層２２が形成されている面とは反対側面）にポリイミド前駆体層ワニスを塗布して第２ポリイミド前駆体層２５を形成する（図２（ｄｄ））。
【００３９】
なお、第１ポリイミド前駆体層２２及び第２ポリイミド前駆体層２５のイミド化率は、それぞれ５０％以下が好ましい。これにより、それらの間の密着強度を非常に高めることができ、配線板の信頼性も向上する。
【００４０】
工程（ｅｅ）
図１（ｂ）に示したシングルアクセスタイプのフレキシブル配線板の製造工程（ｂ）に準じ、第２ポリイミド前駆体層２５に、微細で且つ良好な位置精度でパターニングが可能なフォトリソグラフ法によりランドアクセス用開孔部２６を設ける（図２（ｅｅ））。
【００４１】
工程（ｆｆ）
図１（ｄ）に示したシングルアクセスタイプのフレキシブル配線板の製造工程（ｄ）に準じ、第１ポリイミド前駆体層２２及び第２ポリイミド前駆体層２５をイミド化してそれぞれ第１ポリイミド絶縁層２７及び第２ポリイミド絶縁層２８を形成する（図２（ｆｆ））。
【００４２】
これにより、ダブルアクセスタイプのフレキシブル配線板が、低い生産コスト、微細配線パターンで且つ良好な位置精度で製造できる。しかも開孔部の形状の自由度が高く、そのためはんだ付け面積（ランド面積）の拡大が可能となる。結果的に、ランドの導通信頼性を低下させずにカバーレイフィルムを導体回路層上に積層できる。更に、導体回路層２４の両側のポリイミド絶縁層の熱線膨張係数を略同一にすることにより、導体回路層２４の熱線膨張係数の大きさによらず、配線板のカールの発生を防止もしくは大幅に抑制することができる。
【００４３】
【実施例】
以下、本発明を具体的に説明する。
【００４４】
参考例Ａ１
温度コントロラーとジャケット付きの６０リットルの反応釜に、パラフェニレンジアミン（ＰＤＡ、三井化学社製）１．０５ｋｇ（１１．２モル）と、４，４′−ジアミノジフェニルエーテル（ＤＰＥ、和歌山精化社製）０．８６ｋｇ（４．８モル）とを、窒素ガス雰囲気下で溶剤Ｎ−メチル−ピロリドン（ＮＭＰ、三菱化学社製）約４５ｋｇに溶解した。その後、５０℃において、ピロメリット酸二無水物（ＰＭＤＡ、三菱瓦斯化学社製）３．５２３ｋｇ（１６．１４モル）を徐々に加えながら、３時間反応させた。これにより、固形分約１２％、粘度２５Ｐａ・Ｓ（２５℃）のポリアミック酸ワニスを調製した。
【００４５】
得られたポリアミック酸ワニスを銅箔の上に塗布し、８０〜１７０℃の連続炉で溶剤を飛散させた後、雰囲気温度を２３０〜３５０℃まで昇温し、３５０℃で３０分間処理してイミド化した。そして銅箔を塩化第２銅水溶液でエッチング除去することにより２５μｍ厚の単層ポリイミドフィルムを得た。得られたポリイミドフィルムの熱線膨張係数（使用測定装置：サーマルメカニカルアナライザー（ＴＭＡ／ＳＣＣ１５０ＣＵ、ＳＩＩ社製（引張法：使用荷重２．５ｇ〜５ｇ））は２２×１０-6／Ｋであった。
【００４６】
参考例Ａ２
パラフェニレンジアミン（ＰＤＡ、三井化学社製）を５．１７５ｋｇ（７．２モル）使用し、且つ４，４′−ジアミノジフェニルエーテル（ＤＰＥ、和歌山精化社製）を１．５７７ｋｇ（８．８モル）使用する以外は、参考例Ａ１の操作を繰り返すことによりポリアミック酸ワニスを調整した。このポリアミック酸ワニスから得られる単層ポリイミドフィルムの熱線膨張係数は３１×１０-6／Ｋであった。
【００４７】
実施例１
（シングルアクセスタイプのフレキシブル配線板の製造）
１８μｍ厚，５４０ｍｍ幅の電解銅箔（ＣＦ−Ｔ９−ＬＰ、福田金属社製）上に、参考例Ａ１のポリアミック酸ワニスを乾燥厚２５μｍとなるように塗布し、２３０℃の連続炉中で加熱処理することにより乾燥し、ポリイミド前駆体層を形成した。このポリイミド前駆体層の残存揮発分含量は３８．５％であり、赤外線スペクトル分析によるイミド化率は２０．５％であった。
【００４８】
次に、このポリイミド前駆体層上に、良好な耐アルカリ性のフォトレジスト（ＮＲ−４１，ソニーケミカル社製）を、溶剤乾燥後の厚さが１０μｍとなるように塗布し、ランドアクセス用開孔部パターンに対応したパターンに露光現像してエッチングレジスト層を形成し、１０％水酸化カリウム水溶液と温水とで、ポリイミド前駆体層を銅箔が露出するまでエッチングし、種々の形状（円形、矩形等）のランドアクセス用開孔部を形成した。その後、常法によりエッチングレジスト層を除去した。
【００４９】
なお、ランドアクセス用開孔部の底部の銅箔を光学顕微鏡で観察したところ、溶解しなかったポリアミック酸樹脂は存在しなかった。
【００５０】
次に、ランドアクセス用開孔部が設けられたポリイミド前駆体層の表面を、保護フィルムとして軽剥離性の弱粘着テープ（ＰＥＴ８１８４、ソニーケミカル社製）で被覆した後、銅箔面にフォトレジストフィルム（ＳＰＧ１５２、旭化成社製）をラミネートし、フォトリソグラフ法により導体回路パターンに対応したエッチングレジストパターンを形成し、塩化第２銅エッチング液で銅箔をパターニングし、エッチングレジストパターンを除去することにより、導体回路層を形成した。
【００５１】
次に、ポリイミド前駆体層表面の保護フィルムを剥離し、参考例Ａ１のポリアミック酸ワニスを導体回路層上に乾燥厚２５μｍとなるように塗布した。８０〜１７０℃の連続炉中で加熱処理し、更に窒素雰囲気（酸素濃度０．１％以下）のバッチオーブン中に投入し、１時間かけて３５０℃まで昇温し、３５０℃で１５分間保持することによりイミド化してポリイミド絶縁層を形成した。その後、窒素雰囲気下で２００℃まで降温し大気中で冷却し、シングルアクセスタイプのフレキシブル配線板が得られた。この配線板にはカールの発生はなかった。
【００５２】
得られたフレキシブル配線板を、ソフトエッチングによりランド表面の酸化膜を取り除いた後に、３００℃のはんだ浴に浸漬したところ、フクレや収縮による変形異常は生じず、ランドへのはんだ付け性も良好であった。
【００５３】
また、フレキシブル配線板のランドに無電解スズメッキ（６０℃、１５分、１μｍ厚）を行ったところ、良好な密着性でスズメッキ層を形成できた。このとき、ランド周辺のポリイミド絶縁層と導体回路層との界面へのメッキ液の浸入は認められなかった。
【００５４】
なお、ポリイミド絶縁層と導体回路層との密着強度も実用上何ら問題のない強度であった。
【００５５】
実施例２
（ダブルアクセスタイプのフレキシブル配線板の製造）
１８μｍ厚，５４０ｍｍ幅の電解銅箔（ＣＦ−Ｔ９−ＬＰ、福田金属社製）上に、参考例Ａ２のポリアミック酸ワニスを乾燥厚２５μｍとなるように塗布し、２３０℃の連続炉中で加熱処理することにより乾燥し、第１ポリイミド前駆体層を形成した。第１ポリイミド前駆体層の残存揮発分含量は３４．０％であり、赤外線スペクトル分析によるイミド化率は１８．５％であった。
【００５６】
次に、第１ポリイミド前駆体層上に、良好な耐アルカリ性のフォトレジスト（ＮＲ−４１，ソニーケミカル社製）を、溶剤乾燥後の厚さが１０μｍとなるように塗布し、ランドアクセス用開孔部パターンに対応したパターンに露光現像してエッチングレジスト層を形成し、１０％水酸化カリウム水溶液と温水とで、第１ポリイミド前駆体層を銅箔が露出するまでエッチングし、種々の形状（円形、矩形等）のランドアクセス用開孔部を形成した。その後、常法によりエッチングレジスト層を除去した。
【００５７】
なお、第１ポリイミド前駆体層に設けられたランドアクセス用開孔部の底部の銅箔を光学顕微鏡で観察したところ、溶解しなかったポリアミック酸樹脂は存在しなかった。
【００５８】
次に、ランドアクセス用開孔部が設けられた第１ポリイミド前駆体層の表面を、保護フィルムとして軽剥離性の弱粘着テープ（ＰＥＴ８１８４、ソニーケミカル社製）で被覆した後、銅箔面にフォトレジストフィルム（ＳＰＧ１５２、旭化成社製）をラミネートし、フォトリソグラフ法により導体回路パターンに対応したエッチングレジストパターンを形成し、塩化第２銅エッチング液で銅箔をパターニングし、エッチングレジストパターンを除去することにより、導体回路層を形成した。
【００５９】
次に、第１ポリイミド層形成面とは反対側の導体回路層上に、参考例Ａ２のポリアミック酸ワニスを乾燥厚２５μｍとなるように塗布し、８０〜１７０℃の連続炉中で加熱処理することにより乾燥し、第２ポリイミド前駆体層を形成した。赤外線スペクトル分析によるイミド化率は１９．０％であった。
【００６０】
次に、第２ポリイミド前駆体層上に、良好な耐アルカリ性のフォトレジスト（ＮＲ−４１，ソニーケミカル社製）を溶剤乾燥後の厚さが１０μｍとなるように塗布し、フォトレジストをランドアクセス用開孔部パターンに対応したパターンに露光現像してエッチングレジスト層を形成し、１０％水酸化カリウム水溶液と温水とで、第２ポリイミド前駆体層を銅箔が露出するまでエッチングし、種々の形状（円形、矩形等）のランドアクセス用開孔部を形成した。その後、常法によりエッチングレジスト層を除去した。
【００６１】
なお、第２ポリイミド前駆体層に設けられたランドアクセス用開孔部の底部の銅箔を光学顕微鏡で観察したところ、溶解しなかったポリアミック酸樹脂は存在しなかった。
【００６２】
次に、第１ポリイミド前駆体層表面の保護フィルムを剥離し、窒素雰囲気（酸素濃度０．１％以下）のバッチオーブン中に投入し、１時間かけて３５０℃まで昇温し、３５０℃で１５分間保持することによりイミド化して第１ポリイミド前駆体層及び第２ポリイミド前駆体層からそれぞれ第１ポリイミド絶縁層と第２ポリイミド絶縁層形成した。その後、窒素雰囲気下で２００℃まで降温し、大気中で冷却した。これにより、ダブルアクセスタイプの片面フレキシブル配線板が得られた。この配線板にはカールの発生はなかった。
【００６３】
得られたフレキシブル配線板を、ソフトエッチングによりランド表面の酸化膜を取り除いた後に、３００℃のはんだ浴に浸漬したところ、フクレや収縮による変形異常は生じず、ランドへのはんだ付け性も良好であった。
【００６４】
また、フレキシブル配線板のランドに無電解スズメッキ（６０℃、１５分、１μｍ厚）を行ったところ、良好な密着性でスズメッキ層を形成できた。このとき、ランド周辺のポリイミド絶縁層と導体回路層との界面のへのメッキ液の浸入は認められなかった。
【００６５】
なお、ポリイミド絶縁層と導体回路層との密着強度も実用上何ら問題のない強度であった。
【００６６】
【発明の効果】
本発明の製造方法によれば、低い生産コスト、微細配線パターンで良好な位置精度で、カールが抑制されたシングルアクセスタイプもしくはダブルアクセスタイプのフレキシブル配線板が得られる。しかも開孔部の形状の自由度が高く、そのためはんだ付け面積（ランド面積）の拡大が可能であるので、ランドの導通信頼性も向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のシングルアクセスタイプのフレキシブル配線板の製造工程図である。
【図２】本発明のダブルアクセスタイプのフレキシブル配線板の製造工程図である。
【符号の説明】
１  導体回路用金属箔、２  ポリイミド前駆体層、３  ランドアクセス用開孔部、４  導体回路層、５  ポリイミド絶縁層
【図１】
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【図２】
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