(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに平行するメインパス部とこれらメインパス部を接続する接続パス部とを備えエレメントがサドル形状に構成されたＭＲＩ用ＲＦコイルであって、
接続パス部とメインパス部との接続領域近傍にスリットを有することを特徴とするＭＲＩ用ＲＦコイル。
【請求項２】
複数のメインパス部とこれらメインパス部を接続する接続パス部とを備えエレメントがサドル形状に構成されたＭＲＩ用ＲＦコイルであって、
隣接するメインパス部同士の間隔が端部と中央部で異なるように構成されたことを特徴とするＭＲＩ用ＲＦコイル。
【請求項３】
互いに平行するメインパス部とこれらメインパス部を接続する接続パス部とを備えエレメントがサドル形状に構成されたＭＲＩ用ＲＦコイルであって、
メインパス部の長さが、接続パス部間の間隔より大きくなるように延長されて構成されたことを特徴とするＭＲＩ用ＲＦコイル。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明が属する技術分野】
本発明は磁気共鳴イメージング（ＭＲＩ（Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ  Ｉｍａｇｉｎｇ））装置に用いるＲＦコイル及びＭＲＩ装置に関し、特にサドルコイル形式のＭＲＩ用ＲＦコイル及びこの種のコイルを用いたＭＲＩ装置の磁場均一領域の改善及び開放性の改善並びに周波数調整の改善に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＭＲＩ装置は、核磁気共鳴現象を利用して被検体中の所望の検査部位における原子核スピンの密度分布，緩和時間分布等を計測して、その計測データから被検体の断面を画像表示するものである。
【０００３】
均一で強力な静磁場発生装置内に置かれた被検体の原子核スピンは、静磁場の強さによって定まる周波数（ラーモア周波数）で静磁場の方向を軸として歳差運動を行う。そこで、このラーモア周波数に等しい周波数の高周波パルスを外部より照射すると、スピンが励起されて高いエネルギー状態に遷移する。これを核磁気共鳴現象と言う。この高周波パルスの照射を打ち切ると、スピンはそれぞれの状態に応じた時定数で元の低いエネルギー状態に戻り、この時に外部に電磁波を照射する。これをその周波数に同調した高周波受信コイル（ＲＦコイル）で検出する。このとき、空間内に位置情報を付加する目的で、三軸の傾斜磁場を静磁場空間に印加する。この結果、空間内の位置情報を周波数情報として捕らえることができる。
【０００４】
このようなＭＲＩ装置において、被検体に高周波回転磁場を印加するため、または被検体で発生する電磁波を受信するために用いられるＲＦコイルは、その中に被検体を収容し、被検体の周囲の線輪（エレメント）部分に高周波電流を流している。
【０００５】
このＲＦコイルの構造の一種にサドル形状（鞍型）のものがある。このようなサドル構造のＲＦコイル（以下、単にサドルコイルという）１の一例を図２４に示す。このサドルコイル１は２組のサドル（鞍）を用いて、それぞれのサドルの山とみなせる部分を互いに外側になるようにして、全体として筒形状になるように組み合わされて構成されている。
【０００６】
そして、このようなサドルコイル１では、このサドルコイル１に囲まれた空間内に被検体が載置されるようになっている。ここで、図２４に示すようにＺ方向の隣接するメインパス部１ａ及び１ｂは同一電流方向になるように構成されている。
【０００７】
そして、同様に隣接するメインパス部１ｃ及び１ｄは、前述のメインパス部１ａ及び１ｂとは逆向きの電流方向になるように構成されている。また、これらメインパス部同士を接続するための接続パス部１ｅ，１ｆ，１ｇ，１ｈが円弧若しくはコ字状に形成されている。
【０００８】
そしてこのようにメインパス部１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄを流れる電流により、Ｘ方向に磁場Ｂ１  が発生している。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
＜第１の課題＞
このようなサドルコイルにおいて、所望の励起を行うのに必要な高周波パワーを減少させるためにエレメント幅を広げる手法が存在している。このようにエレメント幅を広げることで高周波パワーが少なくて済む理由としては、幅広エレメント自体のシールド効果でサドルコイル周囲のシールド部材に生じる渦電流からの磁場の影響を抑制できることが挙げられる。
【００１０】
しかし、幅広エレメントを使用することで別な問題が生じる。すなわち、幅広エレメント内で最短距離を電流が流れようとするため、図２４に図示したサドル形状の場合にはエレメント各部の内側付近に強く電流分布が生じるようになる。
【００１１】
図２５はＹ方向からサドルコイル１を見た場合の構成を示す図であり、メインパス部１ａと接続パス１ｅ，１ｇの電流分布と、メインパス部１ｂと接続パス１ｆ，１ｈの電流分布とを示している。
【００１２】
そして、前述した理由により対向するメインパス部１ａ及び１ｂのそれぞれの内側で電流分布が最大となっている。この図では、電流分布が最大となる付近に矢印を示しているが、それ以外の部分でも電流が流れており、それぞれの電流路の外側（対向している位置）にかけて電流値が小さくなっている。
【００１３】
図２６はメインパス部１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄにより生じる磁場Ｂ１  の磁場強度を示す特性図であり、メインパス部１ａ〜１ｄから等距離にある位置のＺ軸方向の各点での磁場強度を測定している。
【００１４】
ここでは図２７に示したように、幅広エレメント（エレメント幅Ｗ２  ）でメインパス部１ａ，１ｂと、接続パス部１ｅ，１ｆ，１ｇ，１ｈとを構成したもの（図２７（ａ））と、通常の細エレメント（エレメント幅Ｗ１  ）でメインパス部１ａ，１ｂと、接続パス部１ｅ，１ｆ，１ｇ，１ｈとを構成したもの（図２７（ｂ））とについて、メインパス長Ｚ０  が等しくなるようにして比較を行った。
【００１５】
そして、得られた磁場強度の結果について、それぞれの最大ピーク部分を０ｄＢとなるように正規化した相対的な値で示している。
例えば、磁場強度が０ｄＢ〜−３ｄＢとなる範囲を磁場均一領域として定めた場合、通常の細エレメントの場合にＺ１  であった磁場均一領域が、幅広エレメントを使用することでＺ２  （＜Ｚ１  ）のように狭い範囲になる。
【００１６】
このようになるは、前述の図２５で示したように電流分布が内側に偏ることで、磁場Ｂ１  を形成するサドルコイルが実質的に小さくなったように作用するからである。
【００１７】
このように、実際のサドルコイル１の大きさに比べると、サドルコイル１によって得られる均一領域が非常に狭くなるという問題を有していた。そして、均一領域が狭いことにより、イメージにシェーディングが現れる問題も生じていた。
【００１８】
＜第２の課題＞
ところで、ＭＲＩ装置において被検体周囲の開放性を改善するために、図２８に示すようなマグネットアッセンブリ２０を備えた装置が提案されている。
【００１９】
この図２８に示すＭＲＩ装置では、上下に対向して設けるベースヨーク２２ａ及び２２ｂと、このベースヨークを周縁で支える柱ヨーク２３ａ及び２３ｂと、上下のベースヨークの対向面にそれぞれ対向して設ける永久磁石２８ａ（図示せず）及び２８ｂと、永久磁石の磁場を整える整磁板２９ａ（図示せず）及び２９ｂとから構成されている。
【００２０】
そして、このようにベースヨーク２２ａ及び２２ｂの周縁において柱ヨーク２３ａ及び２３ｂの２本柱で支える構造にしたことで、従来の４本柱のＭＲＩ装置のマグネットアッセンブリより開放性が高まっている。
【００２１】
しかし、このような開放性の高いマグネットアッセンブリを用いる場合においても、既に図２４に示したサドルコイル１を配置することにより、２本柱のマグネットアセンブリの開放性が損なわれるという問題を発生することになる。
【００２２】
＜第３の課題＞
ＭＲＩ用ＲＦコイルにおいては、使用する周波数に同調させるためのコンデンサ（同調用コンデンサ）をエレメント中に備えているものがある。
【００２３】
このようなＭＲＩ用ＲＦコイルにおいて、ＭＲＩ用ＲＦコイルの設置の状況によっては周囲（ＲＦシールド等）とＭＲＩ用ＲＦコイルの間隔が予期していたものと異なる値となることがあり、このために同調周波数が予期していた値からずれることがある。
【００２４】
この場合にはＭＲＩ用ＲＦコイルの同調用コンデンサの容量をトリマコンデンサなどの可変容量コンデンサを用いて微調整することで周波数のずれを修正して対処している。
【００２５】
しかし、以上のような周波数のずれが大きくなった場合には、トリマコンデンサ等の可変容量コンデンサにより微調整できる周波数範囲を超えてしまう可能性もある。
【００２６】
また、上述したＭＲＩ用ＲＦコイルとＲＦシールドとの間隔の違いに基づく周波数のずれは、ＭＲＩ装置を設置した後に判明するものであり、トリマコンデンサでの調整が不可能であることが判明した後に外付けのコンデンサを設ける（若しくは取り外す）といった作業をすることはできない。従って、周波数のずれが大きい場合には調整することが困難になる。
【００２７】
本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、第１の目的は、サドルコイルにおいて電流分布を最適化して磁場均一領域を広げることができるＭＲＩ用ＲＦコイル実現することである。
【００２８】
また、本発明の第２の目的は、エレメントの電流分布を最適化して磁場均一領域を広げたサドルコイルを用いて開放性にも優れたＭＲＩ用ＲＦコイルを実現することである。
【００２９】
また、本発明の第３の目的は、大きな周波数範囲について調整容易なＭＲＩ用ＲＦコイルを実現することである。
そして、本発明の第４の目的は、上記の第１〜第３の目的を達成するＭＲＩ用ＲＦコイルを用いることで、開放性に優れ、大きな周波数範囲について調整容易なＭＲＩ装置を実現することである。
【００３０】
【課題を解決するための手段】
本件出願の発明者は、従来のＭＲＩ用ＲＦコイルの磁場均一領域に関する問題を改良すべく鋭意研究を行った結果、幅広エレメントを使用したＭＲＩ用ＲＦコイルの電流分布の位置を調整して磁場均一領域を最適化する手法を新たに見い出して、第１の目的を達成する発明を完成させたものである。
【００３１】
＜第１の目的を達成する発明＞
すなわち、第１の目的を達成する発明は以下の（１）〜（３）に説明するようなものである。
【００３２】
（１）前記の第１の目的を達成する第１の発明は、互いに平行するメインパス部とこれらメインパス部を接続する接続パス部とを備えエレメントがサドル形状に構成されたＭＲＩ用ＲＦコイルであって、接続パス部とメインパス部との接続領域近傍にスリットを有することを特徴とするＭＲＩ用ＲＦコイルである。
【００３３】
このＭＲＩ用ＲＦコイルでは、接続パス部とメインパス部との接続領域近傍にスリットを有することにより、メインパス部の電流分布についてスリットの周囲に広がることになる。従って、電流分布の位置が調整されて磁場均一領域が広がる。
【００３４】
（２）前記の第１の目的を達成する第２の発明は、複数のメインパス部とこれらメインパス部を接続する接続パス部とを備えエレメントがサドル形状に構成されたＭＲＩ用ＲＦコイルであって、隣接するメインパス部同士の間隔が端部と中央部で異なるように構成されたことを特徴とするＭＲＩ用ＲＦコイルである。
【００３５】
このＭＲＩ用ＲＦコイルでは、隣接するメインパス部同士の間隔が端部と中央部で異なるように構成されたことにより、メインパス部の電流分布についてメインパス部末端部で間隔が狭まることになる。従って、メインパス部末端部で磁場が強められることになり、磁場均一領域が広がる。
【００３６】
（３）前記の第１の目的を達成する第３の発明は、互いに平行するメインパス部とこれらメインパス部を接続する接続パス部とを備えエレメントがサドル形状に構成されたＭＲＩ用ＲＦコイルであって、メインパス部の長さが、接続パス部間の間隔より大きくなるように延長されて構成されたことを特徴とするＭＲＩ用ＲＦコイルである。
【００３７】
このＭＲＩ用ＲＦコイルでは、メインパス部の長さが、接続パス部間の間隔より大きくなるように延長されて構成されたことにより、メインパス部の電流分布についてメインパス部方向に広がることになる。従って、メインパス部末端部で磁場が広げられることになり、磁場均一領域が広がる。
【００３８】
また、上述した第１の目的を達成する発明としては、上述した（１）〜（３）の発明以外にも以下に示すような（４）〜（１０）に説明するような発明も含まれる。
【００３９】
（４）前記の第１の目的を達成する第４の発明は、互いに平行するメインパス部とこれらメインパス部を接続する接続パス部とを備えエレメントがサドル形状に構成されたＭＲＩ用ＲＦコイルであって、接続パス部とメインパス部との接続領域近傍にメインパス部と平行するスリットを有することを特徴とするＭＲＩ用ＲＦコイルである。
【００４０】
このＭＲＩ用ＲＦコイルでは、接続パス部とメインパス部との接続領域近傍にメインパスに平行したスリットを有することにより、メインパス部の電流分布についてメインパス部方向に広がることになる。従って、電流分布の位置が調整されて磁場均一領域が広がる。
【００４１】
（５）前記の第１の目的を達成する第５の発明は、互いに平行するメインパス部とこれらメインパス部を接続する接続パス部とを備えエレメントがサドル形状に構成されたＭＲＩ用ＲＦコイルであって、メインパス部と垂直な方向のスリットをメインパス部に有することを特徴とするＭＲＩ用ＲＦコイルである。
【００４２】
このＭＲＩ用ＲＦコイルでは、メインパス部にメインパスに垂直なスリットを有することにより、メインパス部の電流分布についてメインパス部末端部で間隔が狭まることになる。従って、メインパス部末端部で磁場が強められることになり、磁場均一領域が広がる。
【００４３】
（６）前記の第１の目的を達成する第６の発明は、互いに平行するメインパス部とこれらメインパス部を接続する接続パス部とを備えエレメントがサドル形状に構成されたＭＲＩ用ＲＦコイルであって、接続パス部とメインパス部との接続領域近傍にメインパス部と平行するスリット及びメインパス部に垂直な方向のスリットを組み合わせたスリットを有することを特徴とするＭＲＩ用ＲＦコイルである。
【００４４】
このＭＲＩ用ＲＦコイルでは、接続パス部とメインパス部との接続領域近傍にメインパスに平行したスリット及びメインパスに垂直なスリットとを組み合わせたスリットを有することにより、メインパス部の電流分布についてメインパス部方向に広がると共に、メインパス部末端部で間隔が狭まることになる。従って、メインパス部末端部で磁場が広げられると共に強められることになり、磁場均一領域が広がる。
【００４５】
（７）前記の第１の目的を達成する第７の発明は、互いに平行するメインパス部とこれらメインパス部を接続する接続パス部とを備えエレメントがサドル形状に構成されたＭＲＩ用ＲＦコイルであって、メインパス部と平行するスリット及びメインパス部に垂直な方向のスリットを有することを特徴とするＭＲＩ用ＲＦコイルである。
【００４６】
このＭＲＩ用ＲＦコイルでは、接続パス部とメインパス部との接続領域近傍にメインパスに平行したスリット及びメインパスに垂直なスリットを有することにより、メインパス部の電流分布についてメインパス部方向に広がると共に、メインパス部末端部で間隔が狭まることになる。従って、メインパス部末端部で磁場が広げられると共に強められることになり、磁場均一領域が広がる。
【００４７】
（８）前記の第１の目的を達成する第８の発明は、互いに平行するメインパス部とこれらメインパス部を接続する接続パス部とを備えエレメントがサドル形状に構成されたＭＲＩ用ＲＦコイルであって、接続パス部とメインパス部との接続領域近傍にメインパス部と接続パス部とがなす角を略２等分するような方向のスリットを有することを特徴とするＭＲＩ用ＲＦコイルである。
【００４８】
このＭＲＩ用ＲＦコイルでは、接続パス部とメインパス部との接続領域近傍にメインパス部と接続パス部とがなす角を略２等分するような方向のスリットを有することにより、メインパス部の電流分布についてメインパス部方向に広がると共に、メインパス部末端部で間隔が狭まることになる。従って、メインパス部末端部で磁場が広げられると共に強められることになり、磁場均一領域が広がる。
【００４９】
（９）前記の第１の目的を達成する第９の発明は、複数のメインパス部とこれらメインパス部を接続する接続パス部とを備えエレメントがサドル形状に構成されたＭＲＩ用ＲＦコイルであって、隣接するメインパス部同士の間隔が端部と中央部で異なるように構成され、接続パス部とメインパス部との接続領域近傍にスリットを有することを特徴とするＭＲＩ用ＲＦコイルである。
【００５０】
このＭＲＩ用ＲＦコイルでは、隣接するメインパス部同士の間隔が端部と中央部で異なるように構成され、接続パス部とメインパス部との接続領域近傍にスリットを有するよう構成されたことにより、メインパス部の電流分布についてスリットの周囲に広がると共に、メインパス部の電流分布についてメインパス部末端部で間隔が狭まることになる。従って、メインパス部末端部で磁場が広げられると共に強められることになり、磁場均一領域が広がる。
【００５１】
（１０）前記の第１の目的を達成する第１０の発明は、互いに平行するメインパス部とこれらメインパス部を接続する接続パス部とを備えエレメントがサドル形状に構成されたＭＲＩ用ＲＦコイルであって、メインパス部の長さが、接続パス部間の間隔より大きくなるように延長されて構成され、接続パス部とメインパス部との接続領域近傍にスリットを有することを特徴とするＭＲＩ用ＲＦコイルである。
【００５２】
このＭＲＩ用ＲＦコイルでは、メインパス部の長さが、接続パス部間の間隔より大きくなるように延長されて構成され、接続パス部とメインパス部との接続領域近傍にスリットを有するよう構成されたことにより、メインパス部の電流分布についてメインパス部方向に広がると共に、メインパス部末端部で間隔が狭まることになる。従って、メインパス部末端部で磁場が広げられると共に強められることになり、磁場均一領域が広がる。
【００５３】
＜第２の目的を達成する発明＞
また、本件出願の発明者は、従来のサドルコイルの開放性に関する問題を改良すべく鋭意研究を行った結果、サドルコイルの接続パス部の形状を最適化して、磁場の均一性を犠牲にすることなく上述した第２の目的を達成する発明を完成させたものである。
【００５４】
すなわち、第２の目的を達成する発明は以下の（１１）〜（１４）に説明するようなものである。
（１１）前記の第２の目的を達成する第１１の発明は、互いに平行するメインパス部とこれらメインパス部を接続する接続パス部とからなるエレメントがサドルコイル形式に構成されたＭＲＩ用ＲＦコイルであって、前記接続パス部は、対向するエレメント同士が平行する等間隔接続パス部と、メインパス部の端部から前記等間隔接続パス部へ接続を行う不等間隔接続パス部とから構成され、前記等間隔接続パス部間の間隔が前記メインパス部の長さより狭くなるように構成され、上下に対向するマグネットが設けられるベースヨークを周縁で２本の柱ヨークで支えるマグネットアセンブリの柱ヨークに沿って前記等間隔接続パス部が設けられて構成されることを特徴とするＭＲＩ用ＲＦコイルである。
【００５５】
このＭＲＩ用ＲＦコイルでは、メインパス部の長さが、接続パス部間の間隔より大きくなるように延長されて構成されたことにより、メインパス部の電流分布についてメインパス部方向に広がることになる。従って、メインパス部末端部で磁場が広げられることになり、磁場均一領域が広がる。
【００５６】
また、２本の柱ヨークで支えるマグネットアセンブリにおいて、柱ヨークに沿って前記等間隔接続パス部が設けられて構成されているので、従来のサドルコイルより開放性に優れ、２本柱のマグネットアッセンブリの開放性を損なうことがない。
【００５７】
（１２）前記第２の目的を達成する第１２の発明は、上述の（１１）の発明において、上下に対向するマグネットに沿ってメインパス部及び不等間隔接続パス部が設けられ、前記マグネットが設けられるベースヨークを周縁で支える２本の柱ヨークに沿って前記等間隔接続パス部が設けられて構成されることを特徴とするものである。
【００５８】
このＭＲＩ用ＲＦコイルでは、メインパス部の長さが、接続パス部間の間隔より大きくなるように延長されて構成されたことにより、メインパス部の電流分布についてメインパス部方向に広がることになる。従って、メインパス部末端部で磁場が広げられることになり、磁場均一領域が広がる。
【００５９】
また、２本の柱ヨークで支えるマグネットアセンブリにおいて、上下に対向するマグネットに沿ってメインパス部及び不等間隔パス部が設けられ、柱ヨークに沿って前記等間隔接続パス部が設けられて構成されているので、従来のサドルコイルより開放性に優れ、２本柱のマグネットアッセンブリの開放性を損なうことがない。
【００６０】
（１３）前記第２の目的を達成する第１３の発明は、上述の（１１）の発明において、上下に対向するマグネットに沿ってメインパス部，不等間隔接続パス部及び等間隔接続パス部の端部が設けられ、前記マグネットが設けられるベースヨークを周縁で支える２本の柱ヨークに沿って前記等間隔接続パス部の中央部が設けられて構成されることを特徴とするものである。
【００６１】
このＭＲＩ用ＲＦコイルでは、メインパス部の長さが、接続パス部間の間隔より大きくなるように延長されて構成されたことにより、メインパス部の電流分布についてメインパス部方向に広がることになる。従って、メインパス部末端部で磁場が広げられることになり、磁場均一領域が広がる。
【００６２】
また、２本の柱ヨークで支えるマグネットアセンブリにおいて、上下に対向するマグネットに沿ってメインパス部及び不等間隔パス部並びに等間隔パス部の端部が設けられ、柱ヨークに沿って前記等間隔接続パス部の中央部が設けられて構成されているので、従来のサドルコイルより開放性に優れ、横方向に広がって構成された２本柱のマグネットアッセンブリの開放性を損なうことがない。
【００６３】
（１４）尚、以上の（１１）〜（１３）の発明のＭＲＩ用ＲＦコイルの隣接するメインパス部同士の間隔を端部と中央部で異なるように構成することも可能であり、磁場均一領域を更に広げることが可能である。
【００６４】
更に、これら（１１）〜（１３）の発明のＭＲＩ用ＲＦコイルの接続パス部とメインパス部との接続領域近傍にスリットを設けることも可能であり、磁場均一領域を更に広げることが可能である。
【００６５】
＜第３の目的を達成する発明＞
そして、本件出願の発明者は、従来のＭＲＩ用ＲＦコイルの周波数調整に関する問題を改良すべく鋭意研究を行った結果、同調用コンデンサの容量を変化させる新たな手法を見い出して、第３の目的を達成できる発明を完成させたものである。
【００６６】
すなわち、第３の目的を達成する発明は以下の（１５）〜（１６）に説明するようなものである。
（１５）第３の目的を達成する第１５の発明は、同調用コンデンサをエレメントに備えたＭＲＩ用ＲＦコイルであって、エレメント間で電気的に接続された同調用コンデンサと、エレメントに対して切断可能な状態の配線パターンと、前記エレメント間の同調用コンデンサと並列になるように前記配線パターン間に接続された同調用コンデンサと、を備えたことを特徴とするＭＲＩ用ＲＦコイルである。
【００６７】
このＭＲＩ用ＲＦコイルでは、予めエレメント間に接続された同調用コンデンサの他に、エレメントに対して切断可能な状態の配線パターンの同調用コンデンサも接続されている。
【００６８】
従って、切断可能な状態の配線パターンをエレメントから電気的に切断することで、同調用コンデンサの容量を調整することができ、大きな周波数範囲について調整容易なＭＲＩ用ＲＦコイルを実現できる。
【００６９】
（１６）第３の目的を達成する第１６の発明は、同調用コンデンサをエレメントに備えたＭＲＩ用ＲＦコイルであって、エレメント間で電気的に接続された同調用コンデンサと、エレメントに対して電気的に開閉可能なスイッチ手段を介して前記エレメント間の同調用コンデンサと並列になるように配置された同調用コンデンサと、を備えたことを特徴とするＭＲＩ用ＲＦコイルである。
【００７０】
このスイッチ手段としては、ジャンパピンとジャンパスイッチとの組合わせ、トグルスイッチ、ディップスイッチ又はリレー等の各種のスイッチを用いることができる。
【００７１】
このＭＲＩ用ＲＦコイルでは、予めエレメント間に接続された同調用コンデンサの他に、エレメントに対して電気的に開閉可能なスイッチ手段を介して、電気的に接続及び切断可能な状態のコンデンサも接続されている。
【００７２】
従って、スイッチ手段の開閉により、同調用コンデンサの実質的な容量を調整することができ、大きな周波数範囲について調整容易なＭＲＩ用ＲＦコイルを実現できる。
【００７３】
＜第４の目的を達成する発明＞
また、第４の目的を達成する発明は以下の（１７）〜（１８）に説明するようなものである。
【００７４】
（１７）第４の目的を達成する第１７の発明は、上下に対向するマグネットが設けられる上下のベースヨークと、これら上下のベースヨークを周縁で支える２本の柱ヨークとから構成されるマグネットアセンブリと、互いに平行するメインパス部とこれらメインパス部を接続する接続パス部とからなるエレメントがサドルコイル形式に構成されてマグネットアセンブリ内部に設けられたＭＲＩ用ＲＦコイルとを備え、前記ＭＲＩ用ＲＦコイルの接続パス部は、対向するエレメント同士が平行する等間隔接続パス部と、メインパス部の端部から前記等間隔接続パス部へ接続を行う不等間隔接続パス部とから構成され、前記等間隔接続パス部間の間隔が前記メインパス部の長さより狭くなるように構成されて前記マグネットアセンブリの柱ヨークに沿って設けられたことを特徴とするＭＲＩ装置である。
【００７５】
このＭＲＩ装置では、エレメントのメインパス部の長さが、接続パス部間の間隔より大きくなるように延長されて構成されたことにより、メインパス部の電流分布についてメインパス部方向に広がることになる。従って、メインパス部末端部で磁場が広げられることになり、磁場均一領域が広がる。
【００７６】
また、２本の柱ヨークで支えるマグネットアセンブリにおいて、柱ヨークに沿って前記等間隔接続パス部が設けられて構成されているので、従来のサドルコイルを用いたＭＲＩ装置より開放性に優れ、２本柱のマグネットアッセンブリの開放性を損なうことがない。
【００７７】
（１８）第４の目的を達成する第１８の発明は、上下に対向するマグネットが設けられる上下のベースヨークと、これら上下のベースヨークを周縁で支える２本の柱ヨークとから構成されるマグネットアセンブリと、互いに平行するメインパス部とこれらメインパス部を接続する接続パス部とからなるエレメントがサドルコイル形式に構成されてマグネットアセンブリ内部に設けられたＭＲＩ用ＲＦコイルと、前記エレメントのいずれかの位置に配置された同調用コンデンサと、前記エレメントに対して切断可能な状態の配線パターン若しくは電気的に開閉可能なスイッチ手段を介して前記エレメント間の同調用コンデンサと並列になるように前記配線パターン間に接続された同調用コンデンサとを備え、前記ＭＲＩ用ＲＦコイルの接続パス部は、対向するエレメント同士が平行する等間隔接続パス部と、メインパス部の端部から前記等間隔接続パス部へ接続を行う不等間隔接続パス部とから構成され、前記等間隔接続パス部間の間隔が前記メインパス部の長さより狭くなるように構成されて前記マグネットアセンブリの柱ヨークに沿って設けられたことを特徴とするＭＲＩ装置である。
【００７８】
このスイッチ手段としては、ジャンパピンとジャンパスイッチとの組合わせ、トグルスイッチ、ディップスイッチ又はリレー等の各種のスイッチを用いることができる。
【００７９】
このＭＲＩ装置では、予めエレメント間に接続された同調用コンデンサの他に、エレメントに対して電気的に切断可能な同調用コンデンサも接続されている。従って、切断可能な状態の配線パターン若しくはスイッチ手段により電気的に切断することで、同調用コンデンサの実質的な容量を調整することができ、大きな周波数範囲について調整容易なＭＲＩ装置を実現できる。
【００８０】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態例を詳細に説明する。
＜第１の目的を達成する実施の形態例：メインパスの変形＞
以下、本発明の目的を達成するために、メインパスにスリットを設けるか、若しくはメインパスに変形を加えた実施の形態例について、以下の（１）〜（８）に説明する。
【００８１】
（１）接続パス部にメインパス方向のスリットを入れた場合：
図１は本発明の第１の実施の形態例の構成を示す構成図であり、図２５と同一物には同一番号を付している。
【００８２】
この構成では、メインパス部１ａと接続パス部１ｇとの接続領域付近の接続パス部からメインパス部１ａと平行したスリット２ｇを設け、メインパス部１ａと接続パス部１ｅとの接続領域付近の接続パス部からメインパス部１ａと平行したスリット２ｅを設けている。これらスリット２ｇ及び２ｅは互いに外側に向かう方向に形成されている。
【００８３】
尚、この明細書内においては、図１の破線で囲まれたメインパス部１ａ（幅Ｗ２  ）の末端方向の領域であって、接続パス部１ｅと１ｇ（幅Ｗ２  ）とが接続される縦Ｗ２  横Ｗ２  の矩形の領域を「接続パス部とメインパス部との接続領域」と言うことにする。メインパス部１ｂについても、図示されていないメインパス部１ｃ，１ｄについても同様であるとする。
【００８４】
そして、メインパス部１ｂと接続パス部１ｈとの接続領域近傍にメインパス部１ｂと平行したスリット２ｈを設け、メインパス部１ｂと接続パス部１ｆとの接続領域近傍にメインパス部１ｂと平行したスリット２ｆを設けている。これらスリット２ｈ及び２ｆは互いに外側に向かう方向に形成されている。
【００８５】
従って、前述したように最短経路で電流分布が最大になるよう流れるため、このようなスリットを設けることにより、電流分布はスリットを設けた近傍の最短経路で最大となる。
【００８６】
このため、値が最大となる分布は図１矢印で示すような形になり、メインパス部方向に電流分布が広がることになる。従って、図２５に示した幅広エレメントを使用したコイルと比較して、電流分布がメインパス部末端で広がっていることがわかる。
【００８７】
この結果、磁場強度が０ｄＢ〜−３ｄＢとなる範囲を磁場均一領域として定めた場合、図２に示すように、スリット無しの幅広エレメントの場合にＺ２  であった磁場均一領域が、メインパス部と平行する方向に電流分布が広がったことにより、スリット有り幅広エレメントを使用した場合にはＺ３  （＞Ｚ２  ）のように広い範囲になる。
【００８８】
また、この場合の各スリット２ｇ，２ｅ，２ｈ，２ｆは幅の狭いもので良いので、エレメントのシールド効果に対する影響は小さい。このため、高周波パワーを低減できるという効果は従来と変わりはない。
【００８９】
（２）メインパス部に接続パス部方向のスリットを入れた場合：
図３は本発明の第２の実施の形態例の構成を示す構成図であり、図１と同一物には同一番号を付している。
【００９０】
この構成では、メインパス部１ａと接続パス部１ｇとの接続領域近傍に接続パス部１ｇと平行したスリット２ａを設け、メインパス部１ａと接続パス部１ｅとの接続領域近傍に接続パス部１ｅと平行したスリット３ａを設けている。
【００９１】
また、メインパス部１ａのエレメント長の中央部付近において、他のメインパス部１ｂと向かい合った側から接続パス部１ｇ（１ｅ）方向にスリット４ａを設けている。
【００９２】
そして、メインパス部１ｂと接続パス部１ｈとの接続領域近傍に接続パス部１ｈと平行したスリット２ｂを設け、メインパス部１ｂと接続パス部１ｆとの接続領域近傍に接続パス部１ｆと平行したスリット３ｂを設けている。
【００９３】
また、メインパス部１ｂのエレメント長の中央部付近において、他のメインパス部１ａと向かい合った側から接続パス部１ｈ（１ｆ）方向にスリット４ｂを設けている。
【００９４】
これにより、図２５に示した幅広エレメントを使用したコイルと比較すると、電流分布はスリットを設けた近傍の最短経路で最大となるので図３矢印に示すようにメインパス部の末端部で対向するメインパスとの間隔が狭まるような電流分布になる。
【００９５】
この結果、メインパス部の末端付近で対向するメインパス部１ａ及び１ｂの距離が縮まることになって、この末端部によって形成される磁場が強くなる。更に、メインパス部の中央部付近で対向する電流分布の距離が遠ざかることで、この中央部の磁場が若干弱くなる。
【００９６】
従って、図４に示すように、磁場強度が０ｄＢ〜−３ｄＢとなる範囲を磁場均一領域として定めた場合、スリット無しの幅広エレメントの場合にＺ２  であった磁場均一領域は、メインパス末端部近くの磁場強度が上昇して、スリット有り幅広エレメントを使用した場合にはＺ４  （＞Ｚ２  ）のように広い範囲になる。
【００９７】
また、この場合の各スリット２ａ〜４ａ及び２ｂ〜４ｂは幅の狭いもので良いので、エレメントのシールド効果に対する影響は小さい。このため、高周波パワーを低減できるという効果は従来と変わりはない。
【００９８】
（３）接続パス部にメインパス方向のスリット、及びメインパス部に接続パス部方向のスリットを入れた場合：
図５は本発明の第３の実施の形態例の構成を示す構成図であり、図１及び図３と同一物には同一番号を付している。
【００９９】
この構成では、メインパス部１ａと接続パス部１ｇとの接続領域近傍に、メインパス部１ａと平行したスリット２ｇと、接続パス部１ｇと平行したスリット２ａとを設けている。
【０１００】
また、メインパス部１ａと接続パス部１ｅとの接続領域近傍に、メインパス部１ａと平行したスリット２ｅと、接続パス部１ｅと平行したスリット３ａとを設けている。
【０１０１】
更に、メインパス部１ａのエレメント長の中央部付近において、他のメインパス部１ｂと向かい合った側から接続パス部１ｇ（１ｅ）方向にスリット４ａを設けている。
【０１０２】
そして、メインパス部１ｂと接続パス部１ｈとの接続領域近傍に、メインパス部１ｂと平行したスリット２ｈと、接続パス部１ｈと平行したスリット２ｂとを設けている。
【０１０３】
また、メインパス部１ｂと接続パス部１ｆとの接続領域近傍に、メインパス部１ｂと平行したスリット２ｆと、接続パス部１ｆと平行したスリット３ｂとを設けている。
【０１０４】
更に、メインパス部１ｂのエレメント長の中央部付近において、他のメインパス部１ａと向かい合った側から接続パス部１ｈ（１ｆ）方向にスリット４ｂを設けている。
【０１０５】
これにより、図２５に示した幅広エレメントを使用したコイルと比較して、電流分布はスリットを設けた近傍の最短経路で最大となるので図５矢印に示すようにメインパス部方向に電流分布が広がると共に、メインパス部の末端部で対向するメインパスとの間隔が狭まるような電流分布になる。
【０１０６】
この結果、メインパス部と平行する方向に電流分布が広がったことと、メインパス部の末端付近で対向するメインパス部１ａ及び１ｂの距離が縮まることとによって、図６に示すように、この末端部によって形成される磁場が広がると共に強くなる。更に、メインパス部の中央部付近で対向する電流分布の距離が遠ざかることで、この中央部の磁場が若干弱くなる。
【０１０７】
従って、磁場強度が０ｄＢ〜−３ｄＢとなる範囲を磁場均一領域として定めた場合、スリット無しの幅広エレメントの場合にＺ２  であった磁場均一領域は、メインパス末端部近くの磁場強度が上昇すると共に広がり、スリット有り幅広エレメントを使用した場合にはＺ５  （＞Ｚ２  ）のように広い範囲になる。
【０１０８】
また、この場合の各スリット２ｇ，２ｅ，２ｈ，２ｆ、並びに各スリット２ａ〜４ａ及び２ｂ〜４ｂは幅の狭いもので良いので、各エレメントのシールド効果に対する影響は小さい。このため、高周波パワーを低減できるという効果は従来と変わりはない。
【０１０９】
（４）接続パス部にメインパス方向及び円弧方向を組み合わせたＬ字形のスリットを入れた場合：
図７は本発明の第４の実施の形態例の構成を示す構成図であり、図１，図３，図５と同一物には同一番号を付している。
【０１１０】
この構成では、メインパス部１ａと接続パス部１ｇとの接続領域近傍にメインパス部１ａと平行して外側に向かう溝を設け、更にこの溝の先端から接続パス部に平行して他のメインパス部１ｂに向かう方向の溝を設けた、Ｌ字形のスリット５ａを形成している。
【０１１１】
同じ様にして、メインパス部１ａと接続パス部１ｅとの接続領域近傍にメインパス部１ａと平行して外側に向かう溝を設け、更にこの溝の先端から接続パス部に平行して他のメインパス部１ｂに向かう方向の溝を設けた、Ｌ字形のスリット６ａを形成している。
【０１１２】
また、メインパス部１ｂと接続パス部１ｈとの接続領域近傍にメインパス部１ｂと平行して外側に向かう溝を設け、更にこの溝の先端から接続パス部に平行して他のメインパス部１ａに向かう方向の溝を設けた、Ｌ字形のスリット５ｂを形成している。
【０１１３】
そして、メインパス部１ｂと接続パス部１ｆとの接続領域近傍にメインパス部１ｂと平行して外側に向かう溝を設け、更にこの溝の先端から接続パス部に平行して他のメインパス部１ａに向かう方向の溝を設けた、Ｌ字形のスリット６ｂを形成している。
【０１１４】
また、メインパス部１ａのエレメント長の中央部付近において、他のメインパス部１ｂと向かい合った側から接続パス部１ｇ（１ｅ）方向にスリット４ａを設けている。
【０１１５】
また、メインパス部１ｂのエレメント長の中央部付近において、他のメインパス部１ａと向かい合った側から接続パス部１ｈ（１ｆ）方向にスリット４ｂを設けている。
【０１１６】
これにより、図２５に示した幅広エレメントを使用したコイルと比較して、電流分布はスリットを設けた近傍の最短経路で最大となるので図７矢印に示すようにメインパス部方向に電流分布が広がると共に、メインパス部の末端部で対向するメインパスとの間隔が狭まるような電流分布になる。
【０１１７】
この結果、メインパス部と平行する方向に電流分布が広がったことと、メインパス部の末端付近で対向するメインパス部１ａ及び１ｂの距離が縮まることとによって、この末端部によって形成される磁場が広がると共に強くなる。更に、メインパス部の中央部付近で対向する電流分布の距離が遠ざかることで、この中央部の磁場が若干弱くなる。
【０１１８】
従って、磁場強度が０ｄＢ〜−３ｄＢとなる範囲を磁場均一領域として定めた場合、スリット無しの幅広エレメントの場合にＺ２  であった磁場均一領域は、図８に示すように、メインパス末端部近くの磁場強度が上昇すると共に広がり、スリット有り幅広エレメントを使用した場合にはＺ６  （＞Ｚ２  ）のように広い範囲になる。
【０１１９】
また、この場合の各スリット５ａ，５ｂ，６ａ，６ｂ，４ａ，４ｂは幅の狭いもので良いので、各エレメントのシールド効果に対する影響は小さい。このため、高周波パワーを低減できるという効果は従来と変わりはない。
【０１２０】
この場合は、前述の図５の場合と比較しても更に外側に接続パス部方向のスリットが位置することとなるため、メインパス部の更に末端付近で対向するメインパス部１ａ及び１ｂの距離が縮まることになり、大きな効果が得られる。従って、磁場均一領域の広がりも大きい。
【０１２１】
（５）メインパス部に斜め方向と接続パス部方向のスリットを入れた場合：
図９は本発明の第５の実施の形態例の構成を示す構成図であり、図１，図３，図５，図７と同一物には同一番号を付している。
【０１２２】
この構成では、メインパス部１ａと接続パス部１ｇとの接続領域近傍に、メインパス部１ａ及び接続パス部１ｇとがなす角を略２等分するような方向に内側からスリット７ａを形成している。同じ様にして、メインパス部１ａと接続パス部１ｅとの接続領域近傍に、メインパス部１ａ及び接続パス部１ｅとがなす角を略２等分するような方向に内側からスリット８ａを形成している。
【０１２３】
また、メインパス部１ｂと接続パス部１ｈとの接続領域近傍に、メインパス部１ｂ及び接続パス部１ｈとがなす角を略２等分するような方向にスリット７ｂを内側から形成している。
【０１２４】
同じようにして、メインパス部１ｂと接続パス部１ｆとの接続領域近傍に、メインパス部１ｂ及び接続パス部１ｆとがなす角を略２等分するような方向に内側からスリット８ｂを形成している。
【０１２５】
また、メインパス部１ａのエレメント長の中央部付近において、他のメインパス部１ｂと向かい合った側から接続パス部１ｇ（１ｅ）方向にスリット４ａを設けている。
【０１２６】
また、メインパス部１ｂのエレメント長の中央部付近において、他のメインパス部１ａと向かい合った側から接続パス部１ｈ（１ｆ）方向にスリット４ｂを設けている。
【０１２７】
これにより、図２５に示した幅広エレメントを使用したコイルと比較して、電流分布はスリットを設けた近傍の最短経路で最大となるので図９矢印に示すようにメインパス部方
向に電流分布が広がると共に、メインパス部の末端部で対向するメインパスとの間隔が狭まるような、前述の図７と同じ様な電流分布になる。
【０１２８】
この結果、メインパス部と平行する方向に電流分布が広がったことと、メインパス部の末端付近で対向するメインパス部１ａ及び１ｂの距離が縮まることとによって、この末端部によって形成される磁場が広がると共に強くなる。更に、メインパス部の中央部付近で対向する電流分布の距離が遠ざかることで、この中央部の磁場が若干弱くなる。
【０１２９】
従って、磁場強度が０ｄＢ〜−３ｄＢとなる範囲を磁場均一領域として定めた場合、スリット無しの幅広エレメントの場合にＺ２  であった磁場均一領域は、図１０に示すように、メインパス末端部近くの磁場強度が上昇すると共に広がり、スリット有り幅広エレメントを使用した場合にはＺ７  （＞Ｚ２  ）のように広い範囲になる。
【０１３０】
また、この場合の各スリット７ａ，７ｂ，８ａ，８ｂ、並びに各スリット４ａ及び４ｂは幅の狭いもので良いので、各エレメントのシールド効果に対する影響は小さい。このため、高周波パワーを低減できるという効果は従来と変わりはない。
【０１３１】
この場合は、前述の図５の場合と比較しても更に外側に接続パス部方向のスリットが位置することとなるため、メインパス部の更に末端付近で対向するメインパス部１ａ及び１ｂの距離が縮まることになり、図７の場合と同様な大きな効果が得られる。従って、磁場均一領域の広がりも大きい。
【０１３２】
（６）メインパス部を変形させて間隔を変更した場合：
図１１は本発明の第６の実施の形態例の構成を示す構成図であり、図１以降と同一物には同一番号を付している。
【０１３３】
この構成では、メインパス部１ａ及びメインパス部１ｂ自体を変形させることで電流分布を変更した場合の構成を示している。この図１１に示したものは、前述の図３の電流分布と略同じ分布になるように構成したものである。
【０１３４】
すなわち、図３の構成で設けたスリットを用いる代わりに、メインパス部１ａ′及び１ｂ′の末端部で対向する距離を近づけると共に、メインパス部１ａ′及び１ｂ′の中央部付近で距離を離すように構成している。
【０１３５】
尚、ここでは、く字形状のメインパス部にしたが、これを円弧形状にしても良い。また、多角形の一部の形状になるようにしても良く、更に、円弧形状や多角形の一部の形状を組合わせた形状であっても良い。
【０１３６】
これにより、図２５に示した幅広エレメントを使用したコイルと比較すると、電流分布は変形したエレメントの最短経路で最大となるので図１１矢印に示すようにメインパス部の末端部で対向するメインパスとの間隔が狭まるような電流分布になる。
【０１３７】
この結果、メインパス部の末端付近で対向するメインパス部１ａ′及び１ｂ′の距離が縮まることになって、この末端部によって形成される磁場が強くなる。更に、メインパス部の中央部付近で対向する電流分布の距離が遠ざかることで、この中央部の磁場が若干弱くなる。
【０１３８】
従って、図１２に示すように、磁場強度が０ｄＢ〜−３ｄＢとなる範囲を磁場均一領域として定めた場合、メインパス部変形無しの幅広エレメントの場合にＺ２  であった磁場均一領域は、メインパス末端部近くの磁場強度が上昇して、メインパス部変形の幅広エレメントを使用した場合にはＺ８  （＞Ｚ２  ）のように広い範囲になる。
【０１３９】
また、この場合はスリットを設けていないので、エレメントのシールド効果は従来のものと全く同じであり、高周波パワーを低減できるという効果は従来と変わりはない。
【０１４０】
（７）メインパス部を延長した場合：
図１３は本発明の第７の実施の形態例の構成を示す構成図であり、図１１と同一物には同一番号を付している。
【０１４１】
この構成では、メインパス部１ａ及びメインパス部１ｂ自体を延長して接続パス部間の間隔（一対の接続パスを構成するエレメント間の間隔（以下、これを接続パス部間の間隔と呼ぶ））よりメインパス部のエレメント長が大きくなるようにすると共に、接続パス部を変形することで電流分布を変更した場合の構成を示している。
【０１４２】
この図１３に示したものは、前述の図１の電流分布と略同じ分布になるように構成したものである。すなわち、図１の構成で設けたスリットを用いる代わりに、メインパス部１ａ及び１ｂを延長すると共に、接続パス部１ｇ′，１ｅ′，１ｈ′，１ｆ′のメインパス部との接続部を広げるように構成している。
【０１４３】
これにより、図２５に示した幅広エレメントを使用したコイルと比較して、図１３中に矢印により示すように、メインパス部方向に電流分布が広がったことになる。
【０１４４】
この結果、磁場強度が０ｄＢ〜−３ｄＢとなる範囲を磁場均一領域として定めた場合、図１４に示すように、メインパス部延長なしの幅広エレメントの場合にＺ２  であった磁場均一領域が、メインパス部と平行する方向に電流分布が広がったことにより、メインパス部延長有り幅広エレメントを使用した場合にはＺ９  （＞Ｚ２  ）のように広い範囲になる。
【０１４５】
また、この場合はスリットを設けていないので、エレメントのシールド効果は従来のものと全く同じであり、高周波パワーを低減できるという効果は従来と変わりはない。
【０１４６】
尚、このメインパス部を延長したエレメントを使用したサドルコイル形式のＭＲＩ用ＲＦコイルの全体の様子を図１５に示す。
（８）尚、以上の各実施の形態例ではスリットを設けたものと、メインパス部の延長若しくは変形によるものとの大きく分けて２種類の構成を説明したが、メインパス部の延長若しくは変形のものにスリットを組み合わせることも可能である。このように各構成を組み合わせた場合には、それぞれの効果が合わされたものとなる。
【０１４７】
また、スリットを設けたりメインパス部を変形させることで、従来の単純形状の幅広エレメントのものに比較して実質的なＬ成分が増える。このような場合に同じ同調周波数であればＣ成分を減らせるようになる。
【０１４８】
この結果、ブロッキングインピーダンスＱ（＝ωＬ／Ｒ＝１／ωＣＲ，ここで、Ｒは全体の抵抗成分）を高くすることができるため、ブロッキングの効率が高まり、ＲＦパワーの損失を低減することができる。
【０１４９】
そして、このブロッキングの効率が高まる効果と、前述の磁場均一範囲が広がる効果との相乗効果で、ＭＲＩ装置で得られるイメージの品質が従来のものより一層向上するようになる。
【０１５０】
尚、以上の各実施の形態例において、メインパス部と接続パス部のエレメント幅についてＷ２  として説明を行ったが、メインパス部と接続パス部とで同一幅でなくとも従来の幅Ｗ１  より幅広であれば構わない。
【０１５１】
また、以上のＭＲＩ用ＲＦコイルを使用してＭＲＩ用装置を構成することにより、電流分布を最適化して磁場均一領域を広げたサドルコイルを用いたＭＲＩ装置を実現することができる。従って、本発明の第４の目的を達成することができる。
【０１５２】
＜第２の目的を達成する実施の形態例：接続パス部の改良＞
次に、本発明の第２の目的を達成するために、接続パス部の形状に工夫を加えることで開放性に配慮したＭＲＩ用ＲＦコイルの実施の形態例について、以下の（９）〜（１３）に説明する。
【０１５３】
（９）メインパス部を延長し、メインパス部の長さより狭い間隔の接続パス部を２本柱マグネットアッセンブリの柱ヨークに沿わせた場合：
上述の図１３及び図１５に示したサドルコイル形式のＭＲＩ用ＲＦコイルの接続パス部を更に変形させ、等間隔接続パス部を図２８に示したマグネットアッセンブリ２０の２本の柱ヨークに対して沿わせるように構成する。このように構成した本実施の形態例のサドルコイル形式のＭＲＩ用ＲＦコイル１０を図１６に示す。
【０１５４】
このＭＲＩ用ＲＦコイル１０では２組のサドル（鞍）を用いて、それぞれのサドルの山とみなせる部分を互いに外側になるようにして、かつ、間隔を狭めて平行になるようにして、Ｘ−Ｙ方向の空間が矩形になるように組み合わされて構成している。
【０１５５】
従って、この図１６に示すＭＲＩ用ＲＦコイル１０は、電気的には図２４に示した従来のサドルコイルと同等な働きをするものである。尚、このＭＲＩ用ＲＦコイル１０は給電部１５から給電を行うよう構成されている。
【０１５６】
そして、このようなＭＲＩ用ＲＦコイル１０では、このＭＲＩ用ＲＦコイル１０に囲まれた空間内にＺ軸方向を長手方向にして被検体が載置されるようになっている。
【０１５７】
ここで、Ｚ方向の隣接するメインパス部１１ａ及び１１ｂは同一電流方向になるように構成されている。そして、同様に隣接するメインパス部１１ｃ及び１１ｄは、前述のメインパス部１１ａ及び１１ｂとは逆向きの電流方向になるように構成されている。
【０１５８】
そして、このようにメインパス部１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄのエレメントを流れる電流により、図のＸ方向に磁場Ｂ１  が発生している。
また、これらメインパス部同士を接続するための接続パス部は、対向するエレメント同士が平行する等間隔接続パス部１３ａ及び１３ａ′並びに１３ｂ及び１３ｂ′と、メインパス部の端部から前記等間隔接続パス部へ接続を行う不等間隔接続パス部１２ａ〜１２ｄ′とから構成されている。そして、不等間隔パス部とメインパス部とで半円形若しくは三角形を構成するように形成されている。
【０１５９】
これにより、既に図１４に示したように、メインパス部延長なしの幅広エレメントの場合にＺ２  であった磁場均一領域が、メインパス部と平行する方向に電流分布が広がったことにより、メインパス部延長有り幅広エレメントを使用した場合にはＺ９  （＞Ｚ２  ）のように広い範囲になる。
【０１６０】
すなわち、このＭＲＩ用ＲＦコイル１０では、メインパス部の長さが、接続パス部間の間隔より大きくなるように延長されて構成されたことにより、メインパス部の電流分布についてメインパス部方向に広がることになる。従って、メインパス部末端部で磁場が広げられることになり、磁場均一領域が広がる。
【０１６１】
尚、メインパス部の端部に接続された不等間隔パス部は、メインパス部と直角に接続されることが好ましい。このように接続部分で直角にして、狭い間隔の等間隔接続パス部に接続するために、図１６に示したように円弧を用いることが好ましい。
【０１６２】
このようにメインパス部と等間隔接続パス部とを直角に近い接続とすることで、互いに磁気的な結合がなくなるため、不等間隔接続パス部の発生する磁束がメインパス部に影響を及ぼすことが無くなる。
【０１６３】
従って、図１７に示すように、マグネットアッセンブリ２０のベースヨーク２２ａ側の整磁板に沿うようにメインパス部１１ａ及び１１ｂを配置し、ベースヨーク２２ｂ側の整磁板２９ｂに沿うようにメインパス部１１ｃ及び１１ｄを配置し、柱ヨーク２３ａに沿うように等間隔接続パス部１３ａ及び１３ａ′を配置し、柱ヨーク２３ｂに沿うように等間隔接続パス部１３ｂ及び１３ｂ′を配置する。
【０１６４】
すなわち、２本の柱ヨーク２３ａ及び２３ｂで上下のベースヨーク２２ａ及び２２ｂを支えるマグネットアセンブリ２０において、２本の柱ヨーク２３ａ及び２３ｂに沿って前記等間隔接続パス部１３ａ及び１３ａ′並びに１３ｂ及び１３ｂ′が設けられて構成されていることにより、外形が円筒型のサドルコイルより開放性に優れ、２本柱のマグネットアッセンブリ２０の開放性を損なうことがなくなる。
【０１６５】
従って、電流分布を最適化して磁場均一領域を広げたサドルコイルを用いて開放性に優れたＭＲＩ用ＲＦコイルを実現できる。
尚、図１６の構成においては不等間隔接続パス部１２ｃ′及び１２ｄ′が重なる部分が生じているが、この重なり部分で不要な静電容量が発生しないようにするために、この部分を細く構成することが好ましい。また、細くすることで電気抵抗が増加することを防止するために、この部分を厚みのある材質で構成することも好ましい。
【０１６６】
（１０）また、上述した（９）のＭＲＩ用ＲＦコイル１０の接続パス部とメインパス部との接続領域近傍に図１，図３，図５，図７及び図９に示したようなスリットを設けることも可能であり、磁場均一領域を広げることに有効である。
【０１６７】
（１１）また、上述した（９）のＭＲＩ用ＲＦコイル１０の隣接するメインパス部同士の間隔（１１ａと１１ｂとの間隔、並びに、１１ｃと１１ｄとの間隔）について、図１１に示したように端部と中央部で異なるように構成することも可能であり、磁場均一領域を広げることに有効である。
【０１６８】
（１２）また、不等間隔接続パス部１２ａ〜１２ｄ′を円弧とする代わりに直線で構成し、図１８に示したようにメインパス部と不等間隔接続パス部とで三角形を形成するようなＭＲＩ用ＲＦコイルとすることも可能である。
【０１６９】
すなわち、マグネットアッセンブリ２０の上下のベースヨークの形状に合わせて構成することが可能である。従って、この場合にも、電流分布を最適化して磁場均一領域を広げたサドルコイルを用いて開放性に優れたＭＲＩ用ＲＦコイルを実現できる。
【０１７０】
また、この図１８のＭＲＩ用ＲＦコイルにおいても、メインパス部の間隔の中央部と端部との変更や、メインパス部と不等間隔接続パス部との接続部分にスリットを設けることが可能であり、磁場均一領域を更に広げる効果が得られる。
【０１７１】
（１３）また、図１９に示すように、柱ヨーク２３ａ及び２３ｂが横方向（Ｘ軸方向）に広がったマグネットアッセンブリ２０′の形状に応じて、ＭＲＩ用ＲＦコイル１０′の等間隔接続パス部をＸ軸方向にも設けて、このＸ軸方向の等間隔接続パス部をベースヨーク側に沿わせることも可能である。
【０１７２】
すなわち、基本的には、メインパス部の長さより間隔を狭めた等間隔接続パス部の中央部をマグネットアッセンブリの柱ヨークに沿わせた点では上述の（９）の実施の形態例と同じである。
【０１７３】
このような構成にすることで、外形が円筒型のサドルコイルより開放性に優れ、２本柱のマグネットアッセンブリ２０′の開放性を損なうことがなくなる。従って、電流分布を最適化して磁場均一領域を広げたサドルコイルを用いて開放性に優れたＭＲＩ用ＲＦコイルを実現できる。
【０１７４】
また、図１８に示したＭＲＩ用ＲＦコイルにおいても等間隔接続パス部をＸ軸方向に延長した構成とすることも可能であり、電流分布を最適化して磁場均一領域を広げたサドルコイルを用いて開放性に優れたＭＲＩ用ＲＦコイルを実現できる。
【０１７５】
尚、以上のＭＲＩ用ＲＦコイルを２本柱のマグネットアッセンブリ２０に使用することで、電流分布を最適化して磁場均一領域を広げたサドルコイルを用いて開放性に優れたＭＲＩ装置を実現することができる。従って、本発明の第４の目的を達成することができる。
【０１７６】
＜第３の目的を達成する実施の形態例：周波数調整の改良＞
次に、従来のＭＲＩ用ＲＦコイルの周波数調整に関する問題を改善するために、周波数調整のための新たな構成を備えたＭＲＩ用ＲＦコイルの実施の形態例について、以下の（１４）〜（１６）に説明する。
【０１７７】
（１４）切断可能な配線パターンを備えた場合：
この例を図２０により説明する。ここでは、図１６に示したＭＲＩ用ＲＦコイルのコンデンサ部１４ａ付近を拡大して説明する。尚、他のコンデンサ部１４ａ′，１４ｂ，１４ｂ′も同様な構成である。
【０１７８】
この図２０に示した例では、等間隔接続パス部１３ａのエレメント間に同調用コンデンサとして３個のコンデンサ１４０が並列に配置されている。尚、ここではチップ部品を例にしているので、端子部１４０ａ及び１４０ｂが等間隔接続パス部１３ａにはんだ付けされている。
【０１７９】
そして、等間隔接続パス部１３ａにおいて、長手方向に直角に延長パス部１３０Ａ及び１３０Ｂが設けられている。そして、この延長パス部１３０Ａ及び１３０Ｂの間に４個の同調用コンデンサが、前記３個の同調用コンデンサと更に並列になるようにはんだ付けされている。
【０１８０】
また、この延長パス部１３０Ａ及び１３０Ｂについて、破線のいずれかの位置で切断することで電気的に接続されているコンデンサの合成容量を変化させることが可能になる。
【０１８１】
そこで、予想される値より大きな静電容量となるように予め同調用コンデンサを配置しておいて、調整の段階で延長パス部１３０Ａ及び１３０Ｂのいずれかの破線の位置でパターンを切断することで、コンデンサの容量を小さく調整することが可能である。
【０１８２】
この結果、トリマコンデンサ等の可変容量コンデンサより大きな調整範囲が得られることとなり、大きな周波数範囲について調整容易なＭＲＩ用ＲＦコイルを実現できる。
【０１８３】
尚、ここに示したコンデンサの個数は一例であり、必要に応じて変えることが可能である。また、延長パス部１３０Ａ及び１３０Ｂは薄い銅箔パターンで構成することで、カッターナイフのようなもので容易に切断することが可能である。従って、調整操作も容易である。
【０１８４】
尚、図２１に示すように、並列接続されたコンデンサ群（図２０においては７個）を直列接続できるように、ランド部１３１Ａ〜１３１Ｃを設けることも可能である。この図２１ではコンデンサを配置していない状態を示しており、この例では７個の並列接続されたコンデンサ群を４直列接続することが可能である。この場合には、並列接続と直列接続との組合わせになっているため、組合わせの結果により細かな容量の調整が可能になる。
【０１８５】
（１５）スイッチ手段を備えた場合：
このスイッチ手段としてジャンパピン及びジャンパスイッチを用いた例を図２２により説明する。ここでは、図１６に示したＭＲＩ用ＲＦコイルのコンデンサ部１４ａ付近を拡大して説明する。尚、他のコンデンサ部１４ａ′，１４ｂ，１４ｂ′も同様な構成である。
【０１８６】
この図２２に示した例では、等間隔接続パス部１３ａのエレメント間に同調用コンデンサとして３個のコンデンサ１４０が並列に配置されている。ここではチップ部品を例にしており、コンデンサ１４０の両端の端子部が等間隔接続パス部１３ａにはんだ付けされている。
【０１８７】
そして、等間隔接続パス部１３ａにおいて、長手方向に直角な位置にランド部１３２Ａ及び１３２Ｂが設けられている。尚、このランド部１３２Ａ及び１３２Ｂは等間隔接続パス部１３ａとは電気的に接続されておらず、ランド部１３２Ａ及び１３２Ｂ間にはコンデンサ１４０がはんだ付けされている。
【０１８８】
ここで、ランド部１３２Ａにはジャンパピン１３３Ａが接続されている。また、ジャンパピン１３３Ａに対向する側の等間隔接続パス部１３ａ上にジャンパピン１３３Ａ′が接続されている。
【０１８９】
同様に、ランド部１３２Ｂにはジャンパピン１３３Ｂが接続されている。また、ジャンパピン１３３Ｂに対向する側の等間隔接続パス部１３ａ上にジャンパピン１３３Ｂ′が接続されている。
【０１９０】
そして、ジャンパスイッチ１３４Ａによりジャンパピン１３３Ａ及び１３３Ａ′を導通させ、ジャンパスイッチ１３４Ｂによりジャンパピン１３３Ｂ及び１３３Ｂ′を導通させることで、合計４個のコンデンサ１４０が並列接続されたことになる。
【０１９１】
従って、予めエレメント間に接続された３個のコンデンサの他に、ジャンパピン及びジャンパスイッチにより電気的に接続及び切断可能な状態のコンデンサも接続されており、ジャンパスイッチを取り付ける若しくは取り外すことで、同調用コンデンサの容量を調整することができ、大きな周波数範囲について調整容易なＭＲＩ用ＲＦコイルを実現できる。
【０１９２】
尚、この場合には、上述の切り離しの場合とは異なり、自由に接続と切り離しとを繰り返すことが可能である。また、ジャンパピンの抜き差しであるので、調整操作も極めて容易である。
【０１９３】
尚、図２３に示すように更に多くの同調用コンデンサを並列に接続するために、ランド部とジャンパピンを設けることも可能である。このようにすることで、更に調整範囲が広がる。また、このような並列接続されたコンデンサ群を直列接続するように構成することも可能である。
【０１９４】
尚、スイッチ手段としては、ここに示したジャンパピン及びジャンパスイッチ以外にも、トグルスイッチ、ディップスイッチ又はリレー等の各種スイッチを用いることができる。
【０１９５】
この場合に、ＭＲＩ装置で使用する高周波磁場の周波数（ラーモア周波数）において使用可能な各種スイッチであれば、ここに例示した以外のスイッチを使用することも可能である。
【０１９６】
（１６）スルーホールを設けた場合：
上述の（１４）の切断可能なパターンや（１５）のジャンパによる周波数調整の場合において、図２０〜図２３における等間隔接続パス部１３ａの裏面側が調整に際して操作性が良い場合には、等間隔接続パス部１３ａからスルーホールを設けて裏面側に切断可能なパターンやジャンパを設けて同調用コンデンサを配置（増設）することも可能である。
【０１９７】
すなわち、操作性を良くするために、固定された同調用コンデンサに対して裏側において切断可能なパターンやジャンパと共に同調用コンデンサを設けるようにする。
【０１９８】
また、延長パス部の同調用コンデンサやランド部の同調用コンデンサについては、等間隔接続パス部１３ａの同調用コンデンサと同じ側に設けておいて、切断のためだけパターンやジャンパピンを裏面側に設けるように構成することも可能である。
【０１９９】
更に、延長パス部やランド部を両面に設け、増設のための同調用コンデンサの個数を増やすことも可能である。このようにすることで、調整範囲が更に大きくなる。
【０２００】
（１７）尚、上述した（１４）〜（１６）の同調用コンデンサの容量の調整においては、図１６に示す４箇所（１４ａ〜１４ｂ′）の夫々においてＲＦシールドとの間隔などに応じて個別に調整することも可能である。
【０２０１】
（１８）また、以上のＭＲＩ用ＲＦコイルを使用してＭＲＩ装置を構成することで、大きな周波数範囲について調整容易なＭＲＩ装置を実現することができる。従って、本発明の第４の目的を達成することができる。
【０２０２】
尚、以上の説明では、２本柱のマグネットアセンブリを用いた場合であり、柱ヨークの中央付近で同調用コンデンサの調整を行なえるため、作業性は良好である。
【０２０３】
すなわち、ＭＲＩ装置を設置した後であっても、２本の柱ヨークの中央付近の外カバーにそれぞれ蓋等を設けておき、同調用コンデンサの調整を行うことが可能である。従って、蓋は各柱ヨークに１ヶ所で済むため、構成も簡素化できる。この場合、延長パス部の切断やスイッチの操作により同調用コンデンサの調整が可能であるので、設ける蓋も小さなもので済む。
【０２０４】
また、従来の４本の柱ヨークを用いたマグネットアセンブリやその他の形式のマグネットアセンブリにおいても、本発明の実施の形態例のＭＲＩ用ＲＦコイルを用いて、延長パス部やスイッチ手段を用いた同調用コンデンサの調整を行うことにより、周波数範囲の拡大や作業性の向上といった効果が得られる。
【０２０５】
【発明の効果】
以上実施の形態例と共に詳細に説明したように、本発明によれば、以下に示すような効果が得られる。
【０２０６】
（１）互いに平行するメインパス部とこれらメインパス部を接続する接続パス部とを備えエレメントがサドル形状に構成されたＭＲＩ用ＲＦコイルで、接続パス部とメインパス部との接続領域近傍にスリットを設けることで、メインパス部の電流分布についてスリットの周囲に広がることになる。従って、電流分布の位置が調整されて磁場均一領域が広がる。
【０２０７】
（２）また、複数のメインパス部とこれらメインパス部を接続する接続パス部とを備えエレメントがサドル形状に構成されたＭＲＩ用ＲＦコイルで、隣接するメインパス部同士の間隔が端部と中央部で異なるようにメインパス部を構成することで、メインパス部の電流分布についてメインパス部末端部で間隔が狭まることになる。従って、メインパス部末端部で磁場が強められることになり、磁場均一領域が広がる。
【０２０８】
（３）また、互いに平行するメインパス部とこれらメインパス部を接続する接続パス部とを備えエレメントがサドル形状に構成されたＭＲＩ用ＲＦコイルで、メインパス部の長さが、接続パス部間の間隔より大きくなるように延長されるように構成することで、メインパス部の電流分布についてメインパス部方向に広がることになる。従って、メインパス部末端部で磁場が広げられることになり、磁場均一領域が広がる。
【０２０９】
また、互いに平行するメインパス部とこれらメインパス部を接続する接続パス部とを備えエレメントがサドル形状に構成されたＭＲＩ用ＲＦコイルで、接続パス部とメインパス部との接続領域近傍にメインパス部と平行するスリットを設けることで、メインパス部の電流分布についてメインパス部方向に広がることになる。従って、電流分布の位置が調整されて磁場均一領域が広がる。
【０２１０】
また、互いに平行するメインパス部とこれらメインパス部を接続する接続パス部とを備えエレメントがサドル形状に構成されたＭＲＩ用ＲＦコイルで、メインパス部と垂直な方向のスリットをメインパス部に設けることで、メインパス部の電流分布についてメインパス部末端部で間隔が狭まることになる。従って、メインパス部末端部で磁場が強められることになり、磁場均一領域が広がる。
【０２１１】
また、互いに平行するメインパス部とこれらメインパス部を接続する接続パス部とを備えエレメントがサドル形状に構成されたＭＲＩ用ＲＦコイルで、接続パス部とメインパス部との接続領域近傍にメインパスに平行したスリット及びメインパスに垂直なスリットとを組み合わせたスリットを設けることにより、メインパス部の電流分布についてメインパス部方向に広がると共に、メインパス部末端部で間隔が狭まることになる。従って、メインパス部末端部で磁場が広げられると共に強められることになり、磁場均一領域が広がる。
【０２１２】
また、複数のメインパス部とこれらメインパス部を接続する接続パス部とを備えエレメントがサドル形状に構成されたＭＲＩ用ＲＦコイルで、メインパス部を延長するように構成することで、メインパス部の電流分布についてメインパス部方向に広がることになる。従って、電流分布の位置が調整されて磁場均一領域が広がる。
【０２１３】
また、互いに平行するメインパス部とこれらメインパス部を接続する接続パス部とを備えエレメントがサドル形状に構成されたＭＲＩ用ＲＦコイルで、メインパス部の長さが接続パス部間の間隔より大きくなるように延長して構成し、接続パス部とメインパス部との接続領域近傍にスリットを設けることにより、メインパス部の電流分布についてメインパス部方向に広がると共に、メインパス部末端部で間隔が狭まることになる。従って、メインパス部末端部で磁場が広げられると共に強められることになり、磁場均一領域が広がる。
【０２１４】
尚、スリットを設けたりメインパス部を変形させることで、従来の単純形状の幅広エレメントのものに比較して実質的なＬ成分が増えてＣ成分を減らせるようになってブロッキングインピーダンスを高くすることができる。このため、ブロッキングの効率が高まり、ＲＦパワーの損失を低減することができる。
【０２１５】
そして、このブロッキングの効率が高まる効果と、前述の磁場均一範囲が広がる効果との相乗効果で、ＭＲＩ装置で得られるイメージの品質が従来のものより一層向上させることができる。
【０２１６】
（４）また、互いに平行するメインパス部とこれらメインパス部を接続する接続パス部とからなるエレメントがサドルコイル形式に構成されたＭＲＩ用ＲＦコイルにおいて、接続パス部を、対向するエレメント同士が平行する等間隔接続パス部と、メインパス部の端部から前記等間隔接続パス部へ接続を行う不等間隔接続パス部とから構成し、等間隔接続パス部間の間隔が前記メインパス部の長さより狭くなるように構成し、上下に対向するマグネットが設けられるベースヨークを周縁で２本の柱ヨークで支えるマグネットアセンブリの柱ヨークに沿って前記等間隔接続パス部を設けるようにすることで、メインパス部の長さが接続パス部間の間隔より大きくなるように延長されたことにより、メインパス部の電流分布についてメインパス部方向に広がることになってメインパス部末端部で磁場が広げられることになり、磁場均一領域が広がる。
【０２１７】
また、２本の柱ヨークで支えるマグネットアセンブリにおいて、柱ヨークに沿って等間隔接続パス部が設けられて構成されているので、従来のサドルコイルより開放性に優れ、２本柱のマグネットアッセンブリの開放性を損なうことがない。
【０２１８】
（５）また、ＭＲＩ用ＲＦコイルにおいて、上下に対向するマグネットに沿ってメインパス部及び不等間隔接続パス部を設け、マグネットが設けられるベースヨークを周縁で支える２本の柱ヨークに沿って等間隔接続パス部を設けることで、磁場均一領域が広がると共に、従来のサドルコイルより開放性に優れ、２本柱のマグネットアッセンブリの開放性を損なうことがない。
【０２１９】
尚、以上のＭＲＩ用ＲＦコイルの隣接するメインパス部同士の間隔を端部と中央部で異なるように構成することも可能であり、磁場均一領域を更に広げることが可能である。更に、ＭＲＩ用ＲＦコイルの接続パス部とメインパス部との接続領域近傍にスリットを設けることも可能であり、磁場均一領域を更に広げることが可能である。
【０２２０】
（６）また、ＭＲＩ用ＲＦコイルにおいて、上下に対向するマグネットに沿ってメインパス部，不等間隔接続パス部及び等間隔接続パス部の端部を設け、マグネットが設けられるベースヨークを周縁で支える２本の柱ヨークに沿って等間隔接続パス部の中央部を設けることで、磁場均一領域が広がると共に、従来のサドルコイルより開放性に優れ、横方向に広がって構成された２本柱のマグネットアッセンブリの開放性をも損なうことがない。
【０２２１】
尚、以上のＭＲＩ用ＲＦコイルの隣接するメインパス部同士の間隔を端部と中央部で異なるように構成することも可能であり、磁場均一領域を更に広げることが可能である。更に、ＭＲＩ用ＲＦコイルの接続パス部とメインパス部との接続領域近傍にスリットを設けることも可能であり、磁場均一領域を更に広げることが可能である。
【０２２２】
（７）同調用コンデンサをエレメントに備えたＭＲＩ用ＲＦコイルにおいて、エレメント間で電気的に接続された同調用コンデンサと、エレメントに対して切断可能な状態の配線パターンと、エレメント間の同調用コンデンサと並列になるように配線パターン間に接続された同調用コンデンサとを備え、切断可能な状態の配線パターンをエレメントから電気的に切断することで、同調用コンデンサの容量を調整することができ、大きな周波数範囲について調整容易なＭＲＩ用ＲＦコイルを実現できる。
【０２２３】
（８）同調用コンデンサをエレメントに備えたＭＲＩ用ＲＦコイルにおいて、エレメント間で電気的に接続された同調用コンデンサと、エレメントに対して電気的に開閉可能なスイッチ手段を介して前記エレメント間の同調用コンデンサと並列になるように配置された同調用コンデンサとを備え、スイッチ手段の開閉により、同調用コンデンサの容量を調整することができ、大きな周波数範囲について調整容易なＭＲＩ用ＲＦコイルを実現できる。
【０２２４】
（９）上下のベースヨークに沿ってメインパス部と不等間隔接続パス部を設け、上下のベースヨークを周縁部で支える２本の柱ヨークに沿って等間隔接続パス部を設けることで、磁場均一領域も広がり、従来のサドルコイルを用いたＭＲＩ装置より開放性に優れ、２本柱のマグネットアッセンブリの開放性を損なうことのないＭＲＩ装置を実現できる。
【０２２５】
（１０）２本柱のマグネットアセンブリの上下のベースヨークに沿ってエレメントのメインパス部と不等間隔接続パス部を設け、上下のベースヨークを周縁部で支える２本の柱ヨークに沿ってエレメントの等間隔接続パス部を設け、エレメントに対して切断可能な状態の配線パターン若しくは電気的に開閉可能なスイッチ手段を介してエレメントのいずれかの位置に配置された同調用コンデンサに対して並列になるように接続された同調用コンデンサとを備え、切断可能な状態の配線パターン若しくはスイッチ手段により電気的に切断することで、同調用コンデンサの容量を調整することができ、大きな周波数範囲について調整容易なＭＲＩ装置を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】メインパス部と平行なスリットを用いた本発明の第１の実施の形態例のサドルコイルの構成を示す構成図である。
【図２】図１の構成のサドルコイルにおける磁場均一領域に関する特性を従来例との比較において示す特性図である。
【図３】接続パス部と平行なスリットを用いた本発明の第２の実施の形態例のサドルコイルの構成を示す構成図である。
【図４】図３の構成のサドルコイルにおける磁場均一領域に関する特性を従来例との比較において示す特性図である。
【図５】メインパス部と平行なスリットと、接続パス部と平行なスリットとを用いた本発明の第３の実施の形態例のサドルコイルの構成を示す構成図である。
【図６】図５の構成のサドルコイルにおける磁場均一領域に関する特性を従来例との比較において示す特性図である。
【図７】メインパス部と垂直及び平行なスリットを用いた本発明の第４の実施の形態例のサドルコイルの構成を示す構成図である。
【図８】図７の構成のサドルコイルにおける磁場均一領域に関する特性を従来例との比較において示す特性図である。
【図９】メインパス部と接続パス部との接続部の角を等分するスリットを用いた本発明の第５の実施の形態例のサドルコイルの構成を示す構成図である。
【図１０】図９の構成のサドルコイルにおける磁場均一領域に関する特性を従来例との比較において示す特性図である。
【図１１】メインパス部の間隔を変えた構成を用いた本発明の第６の実施の形態例のサドルコイルの構成を示す構成図である。
【図１２】図１１の構成のサドルコイルにおける磁場均一領域に関する特性を従来例との比較において示す特性図である。
【図１３】メインパス部を延長した構成を用いた本発明の第７の実施の形態例のサドルコイルの構成を示す構成図である。
【図１４】図１３の構成のサドルコイルにおける磁場均一領域に関する特性を従来例との比較において示す特性図である。
【図１５】メインパス部を延長した構成を用いた本発明の第７の実施の形態例のサドルコイルの構成の全体を示す構成図である。
【図１６】メインパス部を延長して等間隔接続パス部を狭めた構成を用いた本発明の第９の実施の形態例におけるコイルの構成を示す構成図である。
【図１７】メインパス部を延長して等間隔接続パス部を狭めた構成を用いた本発明の第９の実施の形態例におけるコイルを２本柱マグネットアセンブリと共に示す構成図である。
【図１８】メインパス部を延長して等間隔接続パス部を狭めた構成を用いた本発明の第１２の実施の形態例におけるコイルの構成を示す構成図である。
【図１９】メインパス部を延長して等間隔接続パス部を狭めた構成を用いた本発明の第１３の実施の形態例におけるコイルを２本柱マグネットアセンブリと共に示す構成図である。
【図２０】切断可能な配線パタ−ンを備えた本発明の第１４の実施の形態例におけるコイルの主要部の構成を示す構成図である。
【図２１】切断可能な配線パタ−ンを備えた本発明の第１４の実施の形態例におけるコイルの主要部の構成を示す構成図である。
【図２２】ジャンパを備えた本発明の第１５の実施の形態例におけるコイルの主要部の構成を示す構成図である。
【図２３】ジャンパを備えた本発明の第１５の実施の形態例におけるコイルの主要部の構成を示す構成図である。
【図２４】従来のサドルコイルの全体構成を示す斜視図である。
【図２５】従来のサドルコイルの構成を示す構成図である。
【図２６】従来の構成におけるサドルコイルの磁場均一領域に関する特性をエレメント幅の違いの比較において示す特性図である。
【図２７】従来の構成におけるサドルコイルでエレメント幅の違うものを比較する場合の様子を示す説明図である。
【図２８】２本柱マグネットアセンブリと共に従来のサドルコイルを示す構成図である。
【符号の説明】
１  ＭＲＩ用ＲＦコイル（サドルコイル）
１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ  メインパス部
１ａ′，１ｂ′  メインパス部
１ｅ，１ｆ，１ｇ，１ｈ  接続パス部
１ｅ′，１ｆ′，１ｇ′，１ｈ′  接続パス部
２ｅ，２ｆ，２ｇ，２ｈ  スリット
２ａ，２ｂ，３ａ，３ｂ  スリット
４ａ，４ｂ  スリット
５ａ，５ｂ，６ａ，６ｂ  スリット
７ａ，７ｂ，８ａ，８ｂ  スリット
１ｅ′，１ｆ′，１ｇ′，１ｈ′  接続パス部
１０  ＭＲＩ用ＲＦコイル
１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄ  メインパス部
１２ａ〜１２ｄ′  不等間隔接続パス部
１３ａ〜１３ｂ′  等間隔接続パス部
１４ａ〜１４ｂ′  同調用コンデンサ部
１５  給電部
１３０Ａ，１３０Ｂ  延長パス部
１４０  コンデンサ
１４０ａ，１４０ｂ  端子部
１３１（１３１Ａ〜１３１Ｃ）  ランド部
１３２Ａ，１３２Ｂ  ランド部
１３３Ａ〜１３Ｂ′  ジャンパピン
１３４Ａ，１３４Ｂ  ジャンパスイッチ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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