(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯおよびＲＯａからなり、前記Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯおよびＲＯａが、組成式ｘＡｌＯ３／２―ｙＭｇＯ―ｚＲＯａにより表示して、ｘ≧５５、ｙ≧０．５、ｚ≧０．５およびｘ＋ｙ＋ｚ＝１００となるように含まれることを特徴とする誘電体磁器組成物。
ただし、Ｒは、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、ＳｍおよびＧｄから選ばれる少なくとも一種の元素であり、ａは、前記Ｒの価数に応じて化学量論的に定まる数値である。
【請求項２】
請求項１に記載の誘電体磁器組成物からなる結晶相に加え、ＳｉＯ２およびＢ２Ｏ３から選ばれる少なくとも一種を含むガラス相を含むことを特徴とする誘電体磁器。
【請求項３】
前記ガラス組成物が、７０重量％以下の割合で添加したガラス組成物から形成された請求項２に記載の誘電体磁器。
【請求項４】
前記ガラス組成物が、さらに、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯ、ＭｇＯ、Ｌａ２Ｏ３、ＰｂＯ、ＺｎＯ、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、およびＫ２Ｏから選ばれる少なくとも一種の酸化物を含む請求項３に記載の誘電  体磁器。
【請求項５】
前記ガラス組成物が、２０〜７０重量％のＳｉＯ２、０〜３５重量  ％のＢ２Ｏ３、１〜３５重量％のＡｌ２Ｏ３、０〜５０重量％のＭＯにより構成される請求項４に記載の誘電体磁器。
ただし、ＭはＣａ、ＳｒおよびＢａから選ばれる少なくとも一種の元素である。
【請求項６】
前記ガラス組成物が、３０〜６０重量％のＳｉＯ２、２〜８重量％  のＢ２Ｏ３、２〜１０重量％のＡｌ２Ｏ３、２０〜５０重量％のＭＯ、５〜１５重量％のＬａ２Ｏ３により構成される請求項４に記載の誘電体磁器。
ただし、ＭはＣａ、ＳｒおよびＢａから選ばれる少なくとも一種の元素である。
【請求項７】
前記ガラス組成物が、３０〜７０重量％のＳｉＯ２、１０〜３５重  量％のＢ２Ｏ３、５〜３０重量％のＡｌ２Ｏ３、２〜１５重量％のＭＯ、０．５〜１３重量％のＺｒＯ２から構成される請求項４に記載の誘電体磁器。
ただし、ＭはＣａ、ＳｒおよびＢａから選ばれる少なくとも一種の元素である。
【請求項８】
ＲがＬａ、ＮｄおよびＳｍから選ばれる少なくとも１種の元素である請求項１に記載の誘電体磁器組成物。
【請求項９】
前記結晶相がマグネトプランバイト相を含み、前記マグネトプランバイト相がＡｌ２Ｏ３を含む請求項２に記載の誘電体磁器。
【請求項１０】
前記結晶相が、さらに、コランダム相、スピネル相、トリジマイト相、クリストバライト相およびペロブスカイト相から選ばれる少なくとも一つの相を含む請求項９に記載の誘電体磁器。
【請求項１１】
結晶相とガラス相からなり、前記結晶相がマグネトプランバイト相を含み、前記マグネトプランバイト相がＡｌ２Ｏ３を含むことを特徴とする誘電体磁器。
【請求項１２】
前記結晶相が、さらに、コランダム相、スピネル相、トリジマイト相、クリストバライト相およびペロブスカイト相から選ばれる少なくとも一つの相を含む請求項１１に記載の誘電体磁器。
【請求項１３】
ＭｇＯと、ＲＯａと、ＳｉＯ２およびＢ２Ｏ３から選ばれる少なくとも一種とを含有する請求項１１に記載の誘電体磁器組成物。
ただし、Ｒは、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、ＳｍおよびＧｄから選ばれる少なくとも一種の元素であり、ａは、前記Ｒの価数に応じて化学量論的に定まる数値で  ある。
【請求項１４】
請求項１もしくは８に記載の誘電体磁器組成物、または請求項２〜７および９〜１３から選ばれるいずれかに記載の誘電体磁器を含むことを特徴とする通信機器用デバイス。
【請求項１５】
請求項１もしくは８に記載の誘電体磁器組成物、または請求項２〜７および９〜１３から選ばれるいずれかに記載の誘電体磁器からなる誘電体層と、Ａｇ、Ａｕ、ＣｕおよびＰｄから選ばれる少なくとも一種の金属を主成分とする導体層とを積層して形成した積層体を含むことを特徴とする通信機器用デバイス。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、特にマイクロ波、ミリ波などの高周波帯域で、共振器、フィルタ、アンテナ、コンデンサ、インダクタ、回路基板などとして使用されるデバイスに有用な誘電体磁器組成物、誘電体磁器、およびこのような誘電体磁器組成物または誘電体磁器を用いて構成した通信機器用デバイスに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、移動体通信などの普及に伴い、通信機器のフィルタ用材料として誘電体磁器が広く用いられている。このような誘電体磁器には、比誘電率（εｒ）が高いこと、誘電損失（ｔａｎδ）が低い、すなわちその逆数のＱ値が高いこと、さらに共振周波数の温度係数（ＴＣＦ）の絶対値が小さいことが求められている
今後、通信システムではさらに高周波化が進展し、使用される電波の波長が短くなってくると予想される。従って、加工精度や導体損失を考慮すると、比誘電率の低い誘電体に対する需要が大きくなってくると考えられる。従来の誘電体磁器組成物で比誘電率の低いものとしては、例えば特開平６−９２７２７号公報に開示されているようなＭｇＴｉＯ３−ＣａＴｉＯ３系やＡｌ２Ｏ３系などが知られている。また、比誘電率が低く、１１００℃以下の低温でＡｇなどの高い導電率を有する導体と同時に焼結できる積層デバイス用の誘電体磁器組成物として、Ａｌ２Ｏ３にガラスを添加した系などが知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、ＭｇＴｉＯ３−ＣａＴｉＯ３系誘電体磁器組成物は、低損失でＴＣＦもゼロに近いが比誘電率が２０程度と高い。またＡｌ２Ｏ３系誘電体磁器組成物は、低損失で比誘電率も１０程度と小さいが、ＴＣＦが負に大きい値を有する。同様に、Ａｌ２Ｏ３にガラスを添加した系も、比誘電率は１０以下と小さいがＴＣＦが負に大きな値を有する。このような事情から、ＭｇＴｉＯ３−ＣａＴｉＯ３系よりも比誘電率が低く、実用的な損失とＴＣＦを有する誘電体磁器組成物や、前記Ａｌ２Ｏ３にガラスを添加した系と比誘電率は同程度でこの系よりもＴＣＦがゼロに近い誘電体磁器組成物が望まれている。
【０００４】
本発明は、かかる事情に鑑みて為されたものであって、比誘電率が低く低損失で、しかも共振周波数の温度係数（ＴＣＦ）の絶対値が小さい誘電体磁器組成物、誘電体磁器、およびこの誘電体磁器（組成物）を利用した、ミリ波やマイクロ波などの高周波帯域における使用に適した通信機器用デバイスを提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の誘電体磁器組成物は、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯおよびＲＯａからなり、前記Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯおよびＲＯａが、組成式ｘＡｌＯ３／２―ｙＭｇＯ―ｚＲＯａにより表示して、ｘ≧５５、ｙ≧０．５、ｚ≧０．５およびｘ＋ｙ＋ｚ＝１００となるように含まれることを特徴とする。
【０００６】
ただし、Ｒは、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、ＳｍおよびＧｄから選ばれる少なくとも一種の元素であり、ａは、選択されたＲの価数に応じて化学量論的に定まる数値である。ａは、一般にはＲの価数をｎとしてｎ／２と表され、例えばＲが３価である場合には３／２、Ｒが４価である場合には２となる。
【０００７】
このような誘電体磁器組成物とすることにより、比誘電率が低く低損失で、しかも共振周波数の温度係数（ＴＣＦ）の絶対値が小さい各種デバイスを構成することが可能となる。
【０００８】
一方、上記誘電体磁器組成物は、ガラス組成物を添加した状態で使用してもよい。この場合は、上記誘電体磁器組成物からなる結晶相に加え、ＳｉＯ２およびＢ２Ｏ３から選ばれる少なくとも一種を含むガラス相を含む誘電体磁器とすることが好ましい。このガラス相は、７０重量％以下の割合で添加したガラス組成物から形成するとよい。また、このガラス組成物は、さらに、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯ、ＭｇＯ、Ｌａ２Ｏ３、ＰｂＯ、ＺｎＯ、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、およびＫ２Ｏから選ばれる少なくとも一種の酸化物を含むことが好ましい。
【０００９】
さらに具体的には、上記ガラス組成物は、以下の組成Ｉ〜組成ＩＩＩのいずれかの組  成を有することが好ましい。なお、以下の表示％は全て重量％である。
［組成Ｉ］ＳｉＯ２：２０〜７０％、Ｂ２Ｏ３：０〜３５％、Ａｌ２Ｏ３：１〜３５％、ＭＯ：０〜５０％
［組成ＩＩ］ＳｉＯ２：３０〜６０％、Ｂ２Ｏ３：２〜８％、Ａｌ２Ｏ３：２〜１０％、ＭＯ：２０〜５０％、Ｌａ２Ｏ３：５〜１５％
［組成ＩＩＩ］ＳｉＯ２：３０〜７０％、Ｂ２Ｏ３：１０〜３５％、Ａｌ２Ｏ３：５〜３０％、ＭＯ：２〜１５％、ＺｒＯ２：０．５〜１３％
ここで、ＭはＣａ、ＳｒおよびＢａから選ばれる少なくとも一種の元素である。
【００１０】
なお、上記Ｒは、特に限定するものではないが、Ｌａ、ＮｄおよびＳｍから選ばれる少なくとも１種の元素であることが好ましい。
【００１１】
また、上記誘電体磁器は、上記結晶相がマグネトプランバイト相を含み、上記マグネトプランバイト相がＡｌ２Ｏ３を含むことが好ましい。
【００１２】
このような観点から、本発明の誘電体磁器の別の構成は、結晶相とガラス相からなり、前記結晶相がマグネトプランバイト相を含み、前記マグネトプランバイト相がＡｌ２Ｏ３を含むことを特徴とする。
【００１３】
上記結晶相は、さらに、コランダム相、スピネル相、トリジマイト相、クリストバライト相およびペロブスカイト相から選ばれる少なくとも一つの相を含むことが好ましい。また、この組成物は、上記に説明したように、ＭｇＯと、ＲＯａと、ＳｉＯ２およびＢ２Ｏ３から選ばれる少なくとも一種とを含有することが好ましい。ここで、Ｒおよびａは、上記と同様である。
【００１４】
また、本発明の通信機器用デバイスは、上記誘電体磁器組成物または上記誘電体磁器を含むことを特徴とする。このデバイスは、特にマイクロ波、ミリ波などのＧＨｚ帯域における使用に適したものである。また、このデバイスは適宜金属導体と組み合わされて構成される。例えば上記誘電体磁器（組成物）は、金属導体と積層されて積層デバイスとして用いられる。この積層デバイスは、上記誘電体磁器組成物または上記誘電体磁器からなる誘電体層と、Ａｇ、Ａｕ、ＣｕおよびＰｄから選ばれる少なくとも一種の金属を主成分とする導体層とを積層して形成した積層体を含むことを特徴とする。本発明の通信機器用デバイスには、誘電体フィルタ、誘電体共振器、誘電体アンテナ、コンデンサ、インダクタ、回路基板などが含まれる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の誘電体磁器組成物からなる成型体または誘電体磁器を得るための方法の例について説明する。
【００１６】
本発明の誘電体磁器（組成物）を製造するための出発原料としては、各構成元素の酸化物、炭酸塩、硝酸塩、有機金属塩などを用いる。純度は９９％以上が望ましいが特に限定されない。これらの原料を、上記組成範囲になるように秤量し、混合する。混合は、ボールミル、媒体撹拌ミル、乳鉢などで行い、湿式、乾式いずれにより混合してもよい。湿式の場合、溶媒としては、水、アルコール、エーテルなどを用いることできる。必要に応じて乾燥させた混合物を、るつぼに入れ、熱処理する。るつぼとしては、ムライト、アルミナ、白金などからなるものがよい。熱処理温度は８００℃〜１５００℃が好ましい。
【００１７】
ガラス化が必要な場合には溶融物を急冷する。急冷は、加熱により溶融させた原料を、水中に滴下させる、金属板に滴下させるなどの方法により行うことができる。得られた熱処理物は、上記混合と同様の方法により、粉砕する。粉砕に際しては、必要に応じて乾燥を施してもよい。このようにして誘電体結晶粉末および／またはガラス粉末を得る。誘電体結晶粉末とガラス粉末は、必要に応じて上記混合と同様の方法により混合し、乾燥する。
【００１８】
次に得られた粉末を造粒する。造粒方法としては、バインダを加えて混練し、メッシュを通して造粒する方法、スプレードライなどで市販の造粒装置を用いて造粒する方法などが挙げられる。バインダとしては、ポリビニルアルコール系、ワックス系、アクリル系などを用いることができる。またバインダの添加量としては、粉末に対して１〜１５重量％が好ましい。なお、上記メッシュの開口径としては、１００〜１０００μｍの範囲が好ましい。
【００１９】
引き続いて造粒粉末をプレス成型する。成型法としては、金型を用いた一軸加圧成型、静水圧成型などが好ましい。成型圧は、１００〜２０００ｋｇ／ｃｍ２の範囲がよい。得られた成型体を、大気中などの酸化性雰囲気中３５０℃〜８００℃で熱処理することによりバインダ成分を飛散させ、さらに８００℃〜１７００℃の範囲で焼成する。焼成雰囲気は、中性であっても酸化性であってもよく特に限定されない。
【００２０】
以上に説明したような方法により、焼結体とした誘電体磁器（組成物）を得ることができる。この誘電体磁器は、従来から用いられてきた方法により、適宜金属導体などと組み合わされて各種通信機器用デバイスとされる。
【００２１】
【実施例】
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明する。
なお、以下の実施例において、特性評価は、比誘電率、誘電損失（Ｑ値）および共振周波数の温度係数（ＴＣＦ）について実施した。比誘電率と誘電損失（Ｑ値）とは、ネットワークアナライザを用いて誘電体共振器法により求めた。このときの共振周波数は、３〜１０ＧＨｚとした。また、ＴＣＦは、焼結体をインバー製のキャビティに入れたときの共振周波数を８５℃から−２５℃まで測定し、最小二乗法により算出した。
【００２２】
（実施例１）
出発原料として、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、Ｌａ２Ｏ３、ＣｅＯ２、Ｐｒ６Ｏ１１、Ｎｄ２Ｏ３、Ｓｍ２Ｏ３およびＧｄ２Ｏ３を用いた。これらの出発原料を、組成式：ｘＡｌＯ３／２―ｙＭｇＯ―ｚＲＯａ（Ｒ：Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ）により表したときのｘ、ｙ、ｚが表１の種々の値になるように適宜配合した。
【００２３】
全量が１００ｇとなるように配合し、これを純水１３０ｃｃ、直径１０ｍｍのジルコニア製玉石６００ｇとともに、容量６００ｃｃのポリエチレン製ポットに入れ、１８時間回転させて混合、粉砕を行った。スラリー状の混合物を金属製のバットに入れて１５０℃で乾燥させた。乾燥物をアルミナ製るつぼに入れ、ふたをし、１４５０℃で４時間仮焼した。この仮焼物を混合と同様の方法により粉砕し、乾燥させた。得られた誘電体粉末に、６重量％のポリビニルアルコール系のバインダを加え、混練し、開口径５００μｍのメッシュを通して造粒した。造粒粉を金型に充填し、１０００ｋｇ／ｃｍ２の圧力で一軸加圧して成型した。この成型体を空気中６５０℃で２時間保持してバインダ成分を飛散させた後、１５００〜１７００℃の温度範囲で焼成した。焼結体の寸法は、直径約１１ｍｍ、高さ約５ｍｍとなった。上記範囲内における種々の温度で焼成して得た焼結体のうち、密度が最高となったものについて誘電特性の評価を上記記載の方法により実施した。
【００２４】
【表１】
0003552906.tif 000002
【００２５】
表１に示した試料Ｎｏ．１からＮｏ．１８のうち、＃印を付した試料（Ｎｏ．１、Ｎｏ．３、Ｎｏ．７、Ｎｏ．１０およびＮｏ．１３）を除いては、比誘電率が１２前後で、Ｑ値と共振周波数との積であるＱｆ積が１００００ＧＨｚ以上と高く、ＴＣＦは−６０ｐｐｍ／℃以上（絶対値が６０ｐｐｍ／℃以下）と良好な特性となることがわかった。このように、上記組成式により示される酸化物を用いた誘電体磁器組成物によれば、低い誘電率と実用的なＱｆ積およびＴＣＦとを実現できた。
【００２６】
（実施例２）
実施例１と同様の方法により誘電体粉末を得た。この誘電体粉末の組成は、９０Ａｌ２Ｏ３−８ＭｇＯ−２ＲＯａとした。Ｒは表３に記載の元素を選択した。
【００２７】
次にガラス粉末を以下の方法により作製した。出発原料として、ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、ＣａＣＯ３、ＳｒＣＯ３、ＢａＣＯ３、Ｌａ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２、ＭｇＯ、ＰｂＯ、ＺｎＯ、Ｌｉ２ＣＯ３、Ｎａ２ＣＯ３およびＫ２ＣＯ３を用いた。これらの出発原料を、全量が６０ｇで、表２に示した割合となるように適宜選択して配合した。エタノール１３０ｃｃ、直径１０ｍｍのジルコニア製玉石６００ｇとともに、容量６００ｃｃのポリエチレン製ポットに入れ、１８時間回転させて混合、粉砕を行った。スラリー状の混合物を金属製のバットに入れ、１５０℃で乾燥させた。乾燥物を白金製るつぼに入れ、ふたをし、１３００℃で溶融させた後、溶融物を水中に入れ急冷した。得られたガラスを混合と同様の方法にて粉砕し、乾燥させ、ガラス粉末を得た。
【００２８】
上記誘電体粉末（第一成分）とガラス粉末（第二成分）とを合計８０ｇ、所定の割合に配合し、前記ガラス粉末の混合と同様の方法にて混合し、乾燥させた。得られた混合粉末から、実施例１と同様の方法にて焼結体を作製し、特性の評価を行った。焼結温度は、８００〜１１００℃の範囲で行った。作製したガラスの組成と状態を表２に、得られた焼結体の組成と特性を表３にそれぞれ示す。
【００２９】
【表２】
0003552906.tif 000003
【００３０】
【表３】
0003552906.tif 000004
【００３１】
表３に示した試料Ｎｏ．１７からＮｏ．３９のうち、７０重量％を超えるガラス組成物を添加したＮｏ．２０及びＮｏ．２７については、Ｑｆ積が低くなって誘電特性の測定ができなくなった。なお、Ｎｏ．２８については第二成分自体が溶融せずガラス組成物を得ることができなかった。一方、その他の誘電体磁器については、１１００℃以下の低温で焼結し、６〜８の比誘電率、３０００ＧＨｚ以上のＱｆ積、−５０ｐｐｍ／℃よりも高い（絶対値が５０ｐｐｍ／℃以下である）ＴＣＦ値という良好な特性を得ることができた。このように、上記組成式により示される酸化物にガラス組成物を７０重量以下の割合で加えた誘電体磁器によれば、低い誘電率と実用的なＱｆ積およびＴＣＦとを実現できた。
【００３２】
また、これら良好な特性を得られた誘電体磁器のうち、さらにＮｏ．１７からＮｏ．１９を除いたものについては、１０００℃以下の温度で焼結することができた。特に、ＺｒＯ２を含む上記組成ＩＩＩに属するガラス組成を用いたＮｏ．３４からＮｏ．３７については、９５０℃以下の低温で焼結することができた。ただし、ＺｒＯ２が０．５重量％より少ないか１３重量％よりも多いと焼結温度を９５０℃以下とすることができなかった（＃＃印を付したＮｏ．３８およびＮｏ．３９）。
【００３３】
また、Ｌａ２Ｏ３を含む上記組成ＩＩに属するガラス組成を用いたＮｏ．２９からＮｏ．３１については、Ｑｆ積が５０００ＧＨｚ以上と高い値を示した。ただし、＃＃印を付したＮｏ．３２およびＮｏ．３３から明らかなように、Ｌａ２Ｏ３量が５重量％より少ないかまたは１５重量％よりも多いとＱｆ積を５０００ＧＨｚ以上とすることができなかった。
【００３４】
また、ガラス相を形成するために添加する組成物を構成するその他成分の一般的な好ましい範囲は以下のとおりである。すなわち、表２に示した組成物Ｉ〜Ｍから明らかなように、ＳｉＯ２が２０重量％よりも少なくなると組成物がガラス化せず、一方、７０重量％よりも多くなると溶解しにくくなる。Ｂ２Ｏ３が３５重量％よりも多くなると吸湿性が高くなり過ぎる。Ａｌ２Ｏ３が３５重量％よりも多くなると、ガラスは得られるものの、焼結体が焼成のさやにくっついてしまう。また、ＭＯの量が５０重量％よりも多くなると溶融しにくくなる。
【００３５】
また、本実施例で作製した焼結体の生成相を、Ｘ線回折により解析した結果、マグネトプランバイト相、コランダム相、スピネル相、およびガラス相が検出された。マグネトプランバイト相は、一般にＰＯ・６Ｑ２Ｏ３（Ｐは２価イオン、Ｑは３価イオン）で表示される。本発明の誘電体磁器の場合は、Ｑ２Ｏ３としてＡｌ２Ｏ３が含まれている。
【００３６】
上記実施例で作製した誘電体粉末をグリーンシートにし、Ａｇペーストを印刷して、加圧圧着し、個片に切断したものを焼成すると、良好な積層体が得られた。このように、本発明で得られる誘電体磁器（組成物）は、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｄ等の金属からなる層と積層した積層構造を有するデバイスとして用いることができる。また、上記実施例からも明らかなように、上記各誘電体磁器（組成物）は、上記のような金属と適宜組み合わせることにより、特性評価帯域としたＧＨｚ帯域において特に優れた高周波デバイスとして利用できる。
【００３７】
なお、上記に説明したような製造方法によれば、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃａ等の元素が製造中に混入したり、出発原料に混入している場合が考えられる。しかし、このような不純物は、本発明の上記目的が達成される限り混入しても構わない。ただし、不純物濃度は、酸化物換算で全量中０．２重量％以下とすることが好ましい。
【００３８】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明によれば、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯおよびＲＯａからなり、前記Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯおよびＲＯａが、組成式ｘＡｌＯ３／２―ｙＭｇＯ―ｚＲＯａ（Ｒは、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、ＳｍおよびＧｄから選ばれる少なくとも一種の元素；ａは、Ｒの価数に応じて化学量論的に定まる数値）により表示して、ｘ≧５５、ｙ≧０．５、ｚ≧０．５およびｘ＋ｙ＋ｚ＝１００となるように含まれる誘電体磁器組成物、またはこの組成物からなる結晶相を含む誘電体磁器とすることにより、低い比誘電率と実用的な誘電損失と絶対値が小さい共振周波数温度係数（ＴＣＦ）とを兼ね備えた誘電体磁器（組成物）を提供することができる。このような誘電体磁器（組成物）により、マイクロ波やミリ波などの帯域における使用に適した通信機器用デバイスを構成することができる。この通信機器用デバイスは、例えば、導体層との積層体を含む積層型のデバイスとして用いることもできる。