(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂フィルムの表面に形成された導体パターン層と、樹脂フィルムの他面側から前記導体パターン層に達するように設けられたビアホールと、前記導体パターン層上に形成された電気ニッケルめっき層と、前記電気ニッケルめっき層上に形成された電気金めっき層とを有する半導体装置用テープキャリアにおいて、
ビアホール面側の金めっき膜厚が導体パターン面側の金めっき膜厚の３分の２以下であり、且つビアホール面側の金めっき膜厚が０．５μｍ未満で、導体パターン面側の金めっき膜厚が０．５μｍ以上であることを特徴とする半導体装置用テープキャリア。
【請求項２】
樹脂フィルムの表面に形成された導体パターン層と、樹脂フィルムの他面側から前記導体パターン層に達するように設けられたビアホールと、前記導体パターン層上に形成された無電解ニッケルめっき層と、前記無電解ニッケルめっき層上に形成された無電解金めっき層とを有する半導体装置用テープキャリアにおいて、
ビアホール面側の金めっき膜厚が導体パターン面側の金めっき膜厚の３分の２以下であり、且つビアホール面側の金めっき膜厚が０．５μｍ未満、導体パターン面側の金めっき膜厚が０．５μｍ以上であることを特徴とする半導体装置用テープキャリア。
【請求項３】
樹脂フィルムの片面側に導体パターン層を形成し、他面側からビアホールを設けたテープキャリアをめっき処理することにより、導体パターン層の表面上にニッケルめっき層と金めっき層を順次形成する半導体装置用テープキャリアの製造方法において、
前記ニッケルめっき層が形成されたテープキャリアを、金めっき処理槽内に設けたロールの周面に巻き掛けて折り返すことにより、前記ビアホール面側のめっき時間を導体パターン面側よりも少なくすることを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【請求項４】
樹脂フィルムの片面側に導体パターン層を形成し、他面側からビアホールを設けたテープキャリアをめっき処理するため、ニッケルめっき処理槽と金めっき処理槽とをテープキャリアの搬送方向に順次設けた半導体装置用テープキャリアの製造装置において、
前記金めっき処理槽内にロールを配置し、該ロールの周面に前記ニッケルめっき層が形成されたテープキャリアを、そのビアホール面側が内側になるように巻き掛けて構成した折り返し部を設けたことを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造装置。
【請求項５】
請求項４記載の製造装置において、テープキャリアのビアホール面側がロール面に接している時間と接していない時間が２：１になるようにしたことを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体チップを搭載して半導体パッケージを構成するための半導体装置用テープキャリア、及びその製造方法及び製造装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の半導体装置用テープキャリアは、ポリイミドフィルムに代表される樹脂フィルム上に施された銅箔の導体パターン層上に下地層としてのニッケルめっき層を形成し、このニッケルめっき層の上層として金めっき層を設けることにより構成される。このテープキャリアを用いて半導体装置を製造する際には、半導体チップの電極部とテープキャリアの導体パターンとを金ワイヤボンディングし、更にビアホールにはんだボールを搭載するなどして、半導体パッケージに加工される。
【０００３】
従来の半導体装置用テープキャリアの構造例を図６に示す。図６において、ポリイミドフィルム１３の表面には導体パターン層１４が形成されている。この導体パターン層１４上には下地層としてのニッケルめっき層１５が、またニッケルめっき層１５の上層には金めっき層１６が形成されている。このテープキャリア１７に搭載される半導体チップ８（図４参照）における電極部と、導体パターン層１４上に金めっき層１６を施したボンディングパッド部１９とが金ワイヤ１０（図４参照）によりボンディングされ、更にビアホール１１にははんだボール１２（図４参照）が接合される。
【０００４】
従来の半導体装置用テープキャリア上へのめっき製造装置を図７に示す。図７において、めっき製造装置の構造はテープキャリア１７がめっき処理槽１８内をリール・ツー・リール方式により直進移動し、めっき処理槽内に満たされためっき液中を移動する時間に対応する膜厚で、電気めっき法または無電解めっき法によるめっきが施される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来例の図７に示す構造の金めっき処理装置によると、テープキャリア１７がめっき液中を単純に直進移動して行く方式であるため、テープキャリアにおける、金ワイヤボンディングされる導体パターン面側と、はんだボールの搭載されるビアホール面側（図６のビアホール（１１）の存する面側）のめっき時間は、当然の如く同じである。そのため、ビアホール面側の金めっき厚さは薄くても導体パターン面側と同じかそれ以上の厚さとなりやすく、特に電気めっきの場合では、露出面積の小さいビアホール面側に電流が集中し易いため、金めっき厚さは最大で２倍程度まで厚くなるのが一般的である。また、無電解めっきの場合では、導体パターンの形状によらず、めっき膜厚はめっき時間に比例するため、導体パターン面とビアホール面の金めっき厚さは同じである。
【０００６】
しかし、半導体装置用テープキャリアに要求される金ワイヤボンディング性及びはんだボール接合性のためには前述のようなめっき厚さ構成は宜しくない。良好な金ワイヤボンディング性のためには、下地ニッケルが金めっき膜表面へ熱拡散するのを防止する必要があり、そのため金めっき膜厚を厚くする必要がある。一方、はんだボール接合性に関しては、脆い金−スズ共晶化合物の生成を防止するため、金めっき膜厚を薄くする必要がある。したがって、理想的なめっき厚さ構成としては、導体パターン面側の金めっきを厚く、ビアホール面側の金めっきを薄くするのが良い。
【０００７】
前述したように、金ワイヤボンディング性のためには金めっき膜の厚さは厚く、また、はんだボール接合性のためには金めっき膜の厚さを薄くする必要がある。具体的には、金ワイヤボンディング性のためには導体パターン面側の金めっき厚さを０．５μｍ以上に、また、はんだボール接合性のためにはビアホール面側の金めっき厚さを０．５μｍ未満にするべきであるが、従来例における構造の金めっき装置により製造された半導体装置用テープキャリアによると、前述した理由によりそのようなめっき構成は不可能である。
【０００８】
そこで、本発明の目的は、金ワイヤボンディング性とはんだボール接合性の双方に優れる金めっき構成の半導体装置用テープキャリア及びそのための製造方法、製造装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明では、導体パターン面側の金めっき厚さを０．５μｍ以上、ビアホール面側の金めっき層の厚さを０．５μｍ未満のめっき構成とし、金ワイヤボンディング性とはんだボール接合性の双方に優れる半導体装置用テープキャリアを提供すると共に、そのようなめっき処理を可能とする製造方法及び製造装置をも提供するものである。具体的には次のように構成する。
【００１０】
（１）請求項１に記載の発明は、樹脂フィルムの表面に形成された導体パターン層と、樹脂フィルムの他面側から前記導体パターン層に達するように設けられたビアホールと、前記導体パターン層上に形成された電気ニッケルめっき層と、前記電気ニッケルめっき層上に形成された電気金めっき層とを有する半導体装置用テープキャリアにおいて、ビアホール面側の金めっき膜厚が導体パターン面側の金めっき膜厚の３分の２以下であり、且つビアホール面側の金めっき膜厚が０．５μｍ未満で、導体パターン面側の金めっき膜厚が０．５μｍ以上であることを特徴とする。
【００１１】
また、請求項２に記載の発明は、樹脂フィルムの表面に形成された導体パターン層と、樹脂フィルムの他面側から前記導体パターン層に達するように設けられたビアホールと、前記導体パターン層上に形成された無電解ニッケルめっき層と、前記無電解ニッケルめっき層上に形成された無電解金めっき層とを有する半導体装置用テープキャリアにおいて、ビアホール面側の金めっき膜厚が導体パターン面側の金めっき膜厚の３分の２以下であり、且つビアホール面側の金めっき膜厚が０．５μｍ未満、導体パターン面側の金めっき膜厚が０．５μｍ以上であることを特徴とする。
【００１２】
（２）請求項３に記載の発明は、樹脂フィルムの片面側に導体パターン層を形成し、他面側からビアホールを設けたテープキャリアをめっき処理することにより、導体パターン層の表面上にニッケルめっき層と金めっき層を順次形成する半導体装置用テープキャリアの製造方法において、前記ニッケルめっき層が形成されたテープキャリアを、金めっき処理槽内に設けたロールの周面に巻き掛けて折り返すことにより、前記ビアホール面側のめっき時間を導体パターン面側よりも少なくすることを特徴とする。
【００１３】
（３）請求項４に記載の発明は、樹脂フィルムの片面側に導体パターン層を形成し、他面側からビアホールを設けたテープキャリアをめっき処理するため、ニッケルめっき処理槽と金めっき処理槽とをテープキャリアの搬送方向に順次設けた半導体装置用テープキャリアの製造装置において、前記金めっき処理槽内にロールを配置し、該ロールの周面に前記ニッケルめっき層が形成されたテープキャリアを、そのビアホール面側が内側になるように巻き掛けて構成した折り返し部を設けたことを特徴とする。
【００１４】
本発明の製造装置において、好ましくは、テープキャリアのビアホール面側がロール面に接している時間と接していない時間が２：１になるようにする（請求項５）。
【００１５】
＜本発明の要点＞
本発明における半導体装置用テープキャリア（請求項１、２）は、ビアホール面側（図２のビアホール（１１）の存する面側）の金めっき膜厚が導体パターン面側の金めっき膜厚の３分の２以下であることを特徴とする。特に、金ワイヤボンディング性とはんだボール接合性の双方に優れる半導体装置用テープキャリアを提供するためには、導体パターン面側の金めっき膜厚は少なくとも０．５μｍ以上、ビアホール面側のめっき膜層は０．５μｍ未満であることが望ましい。
【００１６】
ニッケルめっきの膜厚ははんだボール接合性には影響は少ないと思われるが、ワイヤボンディング性を加味すると１．０μｍ程度に厚い方が良好である。もちろん、ワイヤボンディング方式を取らないパッケージではニッケルめっき層の厚さは不問であり、省略することも可能である。
【００１７】
ニッケルめっき層及び金めっき層は、電気めっき法（請求項１）または無電解めっき法（請求項２）による成膜とする。
【００１８】
次に、本発明による半導体装置用テープキャリアの製造方法（請求項３）は、金めっき処理槽内のロールの周面にテープキャリアを巻き掛けて折り返すことにより、テープキャリアのビアホール面側のめっき時間を導体パターン側よりも少なくする。この方法によれば、極めて容易に、導体パターン面側の金めっき膜厚を０．５μｍ以上、ビアホール面側のめっき膜層を０．５μｍ未満とすることができ、所望する金ワイヤボンディング性とはんだボール接合性を持つ半導体装置用テープキャリアが得られる。
【００１９】
更に、本発明による半導体装置用テープキャリアの製造装置（請求項４）は、金めっき処理槽内にロールを配置し、該ロールの周面に前記ニッケルめっき層が形成されたテープキャリアを、そのビアホール面側が内側になるように巻き掛けて構成した折り返し部を設けものであるので、導体パターン面側の金めっき膜厚を０．５μｍ以上、ビアホール面側のめっき膜層を０．５μｍ未満とした半導体装置用テープキャリアを製造することができる。
【００２０】
図１に上記の折り返し部（３０）を示す。テープキャリア（１）は金めっき処理槽（２）内で折り返す構造となる。折り返し部（３０）にはロール（３）を配置し、金めっき処理槽（２）内でテープキャリア（１）のビアホール面側（図２のビアホール（１１）の存する面側）がこれに接する。したがって、テープキャリア（１）がロール（３）の周面に接しているときはめっき液（２ａ）がビアホール（１１）に入らず、めっき反応は進行しないことになる。
【００２１】
上記の構造のめっき製造装置を用いることにより、テープキャリア（１）における導体パターン層（５）の導体パターン面側と、ビアホール（１１）の存するビアホール面側とのめっき時間に差が生じ、そのめっき時間に応じためっき厚さの形成が可能となるため、金ワイヤボンディング性とはんだボール接合性の双方に優れる半導体装置用テープキャリアを製造することが可能となる。
【００２２】
単にテープキャリアの表面と裏面のめっき厚さを変えるだけで良いという観点であれば、ロールの大きさ等、装置構造を変えることで、表と裏のめっき厚さはさまざまな構成にすることが可能である。
【００２３】
このうち請求項５の発明においては、上記半導体装置用テープキャリアの製造装置において、テープキャリアのビアホール面側がロール面に接している時間と接していない時間が２：１になるような構造を提案する。このとき、電気めっきの場合では、ビアホール面の金めっき厚さは導体パターン面の金めっき厚さの最大で２倍程度まで厚くなることがあるため、ビアホール面のめっき厚さは導体パターン面の厚さの３分の２になる計算である。また、無電解めっき法では、導体パターンの形状によらず、めっき膜厚はめっき時間に比例するため、この装置の構造では、ビアホール面のめっき厚さは導体パターン面の厚さの３分の１になる。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図示の実施形態に基づいて説明する。
【００２５】
本発明の半導体装置用テープキャリアを得るための金めっき製造装置を図５に示す。図示するように、テープ送り出し部２０、折り返し部３０及びテープ巻取部４０を、テープキャリア１が横Ｕ字状に折り返されるように配置した構成を有する。テープ送り出し部２０から折り返し部３０までのテープキャリア１の搬送路中には、そのテープ搬送方向に見て順次に、前処理槽２２、ニッケルめっき処理槽２３が配置されている。また、折り返し部３０には、テープキャリア１を金めっき処理するための金めっき処理槽２が配置されていると共に、折り返し部３０とテープ巻取部４０との間には、後処理槽２４が配置されている。
【００２６】
テープ送り出し部２０から送り出されるテープキャリア１は、図２に示すように、ポリイミドフィルム４から成る樹脂フィルムの片面側に導体パターン層５を設け、他面側から導体パターン層５に達するようにビアホール１１を設けた構造を有する。しかし、ビアホール１１は他面側から導体パターン層５に達しない構成であってもよい。
【００２７】
テープキャリア１はテープ送り出し部２０のリール２１から横方向に送り出され、前処理槽２２、ニッケルめっき処理槽２３を順次通過して折り返し部３０に至り、金めっき処理槽２のめっき液２ａに浸される。この折り返し部３０において、テープキャリア１は金めっき処理槽２を通過しつつ表面が平らなロール３で折り返され、その後、後処理槽２４を経て、テープ巻取部４０のリール４１で巻き取られる。
【００２８】
図１に上記の折り返し部３０を抜き出して示す。折り返し部３０では、金めっき処理槽２内に置かれたロール３の平らな周面に、テープキャリア１のビアホール面側（図２のビアホール１１の存する面側）が接する。したがって、テープキャリア１がロール３の周面に接しているときはめっき液２ａがビアホール１１に入らず、めっき反応は進行しないことになる。
【００２９】
上記構造のめっき製造装置を用いることにより、テープキャリア１における導体パターン面側（導体パターン層５の存する面側）の金めっき層７と、ビアホール面側（ビアホール１１の存する面側）の金めっき層７とのめっき時間に差が生じ、外周側の金めっき層７のめっき時間の方が長くめっき液２ａに浸されるため、そのめっき時間に応じためっき厚さの形成が可能となる。このため、金ワイヤボンディング性とはんだボール接合性の双方に優れる半導体装置用テープキャリアを製造することができる。
【００３０】
本実施形態の場合、ロール３の大きさ及び金めっき処理槽２の大きさを、テープキャリア１のビアホール面側がロール面に接している時間と接していない時間が２：１になるように構成する。このとき、電気めっきの場合では、ビアホール面の金めっき厚さは導体パターン面の金めっき厚さの最大で２倍程度まで厚くなることがあるため、ビアホール面のめっき厚さは導体パターン面の厚さの３分の２になる計算である。また、無電解めっき法では、パターン形状によらずめっき膜厚はめっき時間に比例するため、この装置の構造ではビアホール面のめっき厚さは導体パターン面の厚さの３分の１になる。
【００３１】
しかし、単にテープキャリアの表面と裏面のめっき厚さを変えるだけで良いという観点であれば、上記の限りではなく、ロールの大きさ等、装置構造を変えることで、表と裏のめっき厚さはさまざまな構成にすることが可能である。
【００３２】
上記めっき処理の終わったテープキャリアの断面構造を図３に示す。
【００３３】
図３において、ポリイミドフィルム４の表面には、導体パターン層５が形成されている。この導体パターン層５上にはニッケルめっき層６が形成され、更にこのニッケルめっき層５上には金めっき層７が形成されている。そして、ポリイミドフィルム４の裏面のビアホール１１にも、ニッケルめっき層６と金めっき層７が形成されている。
【００３４】
ここで、本発明の金めっき製造装置によれば、ビアホール１１のビアホール面の金めっき層７の厚さは、導体パターン面の金めっき層７の厚さの、電気金めっきでは３分の２以下、無電解金めっきでは３分の１となる。
【００３５】
図３のめっき構成のテープキャリア１に半導体チップ８を実装した状態を図４に示す。図４において、このテープキャリア１に搭載される半導体チップ８の電極部と導体パターン層５上に金めっき層７を施したボンディングパッド部９が金ワイヤ１０によりワイヤボンディングされ、更にビアホール１１の金めっき層７にははんだボール１２が接合される。
【００３６】
【実施例】
本発明のめっき装置により作製した金／ニッケルめっきテープキャリアの実施例を以下に述べる。
【００３７】
（ａ）電気めっき法による実施例
電気めっき処理を行ったテープキャリアは、銅箔１８μｍ／接着剤１２μｍ／ポリイミドテープ５０μｍの一般的な３層構造である。めっき条件を以下に示す。
【００３８】
最初にニッケルめっきを行った。めっき液にはスルファミン酸ニッケル浴を用い、めっき液温を５５℃、電流密度を４Ａ／dm2 （平方デシメートル当たりの電流）とし、膜厚は１μｍとした。次に、金ストライクめっきを行った。金めっき液にはオーロボンドＴＮ（ＥＥＪＡ）を用い、めっき液温は５０℃、電流密度は０．２Ａ／dm2 とした。最後に、金めっきを行った。金めっき液にはテンペレックス８４００（ＥＥＪＡ）を用い、めっき液温は７０℃とし、電流密度は０．５Ａ／dm2 及び膜厚は各々変化させた。
【００３９】
以上の条件で作製した電気金／ニッケルめっきサンプルについて、金ワイヤボンディング性及びはんだボール接合性を評価した。評価方法を以下に示す。
【００４０】
各金めっき膜厚のＴＡＢテープサンプルについて、金ワイヤピール試験及びはんだボール接合性試験を行った。金ワイヤピール試験に関しては、めっきサンプルを１５０℃で３時間の予備加熱処理を行い、その後直径φ３０μｍの金ワイヤをボンディングした。更にワイヤ中央部を垂直方向に引っ張り試験した。測定数は各々４０本とした。一方、はんだボール接合性試験に関しては、はんだボールを接合後、１５０℃で５００時間の熱処理を行った。ＴＡＢテープサンプルのビア径は３５０μｍであり、接合するはんだボール径は４００μｍである。接合強度の測定方法は、接合したはんだボールをシェアツールによって横方向にせん断するというものであり、せん断時のツール高さは５０μｍの位置で統一させた。測定数は１条件につき４０個とした。評価結果を表１に示す。
【００４１】
【表１】
0003541769.tif 000002
【００４２】
表１の本実施例１〜３は、本発明によるめっき装置により金めっきを施した例であり、ビアホール面の金めっき膜厚は導体パターン面の金めっき膜厚の３分の２以下となっている。
【００４３】
また比較例１は、本発明によるめっき装置により金めっきを施した例であり、ビアホール面の金めっき膜厚は導体パターン面の金めっき膜厚の３分の２以下ではあるが、導体パターン面の金めっき厚さが０．４μｍであり、良好な金ワイヤボンディング性を保証する金めっき厚さ０．５μｍよりはやや薄い場合である。
【００４４】
比較例２は、本発明によるめっき装置により金めっきを施した例であり、ビアホール面の金めっき膜厚は導体パターン面の金めっき膜厚の３分の２以下ではあるが、ビアホール面の金めっき厚さが０．６μｍであり、良好なはんだボール接合性を保証する金めっき厚さの上限である０．５μｍよりはやや厚い場合である。
【００４５】
一方、従来例１〜５では、従来のめっき装置により金めっきを施した例で、ビアホール面の金めっき膜厚は導体パターン面の金めっき膜厚の１〜２倍になっている。
【００４６】
これらの各金めっき厚のサンプルに対し、金ワイヤピール強度平均値及びはんだボールシェア強度の平均値を示した。
【００４７】
表１より、金ワイヤボンディング性に関しては、導体パターン面の金めっき厚さが０．５μｍ以上（実施例１〜３、比較例２、従来例３〜５）の場合、加熱処理後においても良好なピール強度値（９．０gf以上）が得られることが分かる。一方、導体パターン面の金めっき厚さが、０．４μｍ以下（比較例１、従来例１〜２）の場合は、加熱処理後のピール強度が７．５gf以下に低下することが分かる。
【００４８】
また、はんだボール接合性に関しては、ビアホール面の金めっき厚さが０．５μｍ未満（実施例１〜３、比較例１、従来例１〜２）の場合、加熱処理後においても良好なはんだボールシェア強度値（５００gf以上）が得られることが分かる。一方、ビアホール面の金めっき厚さが、０．６μｍ以上（比較例２、従来例３〜５）の場合は加熱処理後のシェア強度が４１０gf以下に低下することが分かる。
【００４９】
以上のことから、金ワイヤボンディング性及びはんだボール接合性の双方について良好な結果が得られたのは、本発明の実施例１〜３だけであることが分かる。また、比較例１、２は本発明のめっき装置により作製したものであるが、導体パターン面の金めっき厚さが０．５μｍ未満またはビアホール面の金めっき厚さが０．６μｍ以上のため、双方の特性を同時に満足することができなかった。
【００５０】
（ｂ）無電解めっき法による実施例
無電解めっき処理を行ったテープキャリアについても、銅箔１８μｍ／接着剤１２μｍ／ポリイミドテープ５０μｍの同じものを用いた。めっき条件を以下に示す。
【００５１】
最初にニッケルめっきを行った。めっき液にはトップニコロンＳＰ−１５（奥野製薬）を用い、めっき液温は９０℃とした。また、膜厚は１．０μｍとした。次に金めっきを行った。金めっき液にはムデンゴールド（上村工業）を用い、めっき液温は８０℃とし、膜厚を変化させた。ただし、無電解金めっきでは０．８μｍを超える膜厚は困難なため、最大めっき膜厚は０．８μｍとした。
【００５２】
以上の条件で作製した無電解金／ニッケルめっきサンプルについて、金ワイヤボンディング性及びはんだボール接合性を評価した。評価方法は、電気めっき方の場合と同様である。評価結果を表２に示す。
【００５３】
【表２】
0003541769.tif 000003
【００５４】
表２の実施例４〜６は、本発明によるめっき装置により金めっきを施した例であり、ビアホール面の金めっき膜厚は導体パターン面の金めっき膜厚の３分の１となっている。また、比較例３は本発明によるめっき装置により金めっきを施した例であり、ビアホール面の金めっき膜厚は導体パターン面の金めっき膜厚の３分の１ではあるが、導体パターン面の金めっき厚さが０．４μｍであり、良好な金ワイヤボンディング性を保証する金めっき厚さ０．５μｍよりはやや薄い場合である。一方、従来例６〜９では、従来のめっき装置により金めっきを施した例で、ビアホール面の金めっき膜厚は導体パターン面の金めっき膜厚と同じになっている。これらの各金めっき厚のサンプルに対し、金ワイヤピール強度平均値及びはんだボールシェア強度の平均値を示す。
【００５５】
表２より、金ワイヤボンディング性に関しては、導体パターン面の金めっき厚さが０．５μｍ以上（実施例４〜６、従来例８〜９）の場合、加熱処理後においても良好なピール強度値（９．０gf以上）が得られることが分かる。一方、導体パターン面の金めっき厚さが、０．４μｍ以下（比較例３、従来例６〜７）の場合は、加熱処理後ピール強度が８．０gf以下に低下することが分かる。
【００５６】
はんだボール接合性に関しては、ビアホール面の金めっき厚さが０．５μｍ未満（実施例４〜６、比較例３、従来例６〜７）の場合、加熱処理後においても良好なはんだボールシェア強度値（５００gf以上）が得られることが分かる。一方、ビアホール面の金めっき厚さが、０．６μｍ以上（従来例８〜９）の場合は、加熱処理後のシェア強度が４１０gf以下に低下することが分かる。
【００５７】
以上のことから、金ワイヤボンディング性及びはんだボール接合性の双方が良好な結果が行られたのは本発明の実施例４〜６だけであることが分かる。また、比較例３は本発明のめっき装置により作製したものであるが、導体パターン面の金めっき厚さが０．５μｍ未満のため、双方の特性を同時に満足することができなかった。
【００５８】
＜他の応用例＞
本実施形態のめっき製造装置においては、テープキャリアのビアホール面側がロール面に接している時間と接していない時間が２：１になるような構造とした。そのため、電気めっきの場合では、ビアホール面の金めっき厚さは導体パターン面の金めっき厚さの３分の２以下になり、また、無電解めっきの場合では、ビアホール面の金めっき厚さは導体パターン面の金めっき厚さの３分の１になる。しかし、本発明においては、テープキャリアのビアホール面側がロール面に接している時間と接していない時間の比を変化させた装置構造とすることができ、これにより、さまざまなめっき厚さの制御が可能になる。
【００５９】
以上より明らかな如く、本実施形態の構造のめっき装置及びめっき方法によれば、電気めっきでは、ビアホール面の金めっき膜厚は導体パターン面の金めっき膜厚の３分の２以下にすることができる。また、無電解めっきでは、ビアホール面の金めっき膜厚は導体パターン面の金めっき膜厚の３分の１以下にすることができる。更に、めっき膜厚を適正範囲内にすることで、電気めっき、無電解めっきいずれの場合においても金ワイヤボンディング性、はんだボール接合性の双方に優れる半導体装置用テープキャリアの提供が可能となる。
【００６０】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、次のような優れた効果が得られる。
【００６１】
（１）請求項１又は２に記載の半導体装置用テープキャリアによれば、ビアホール面側の金めっき膜厚が導体パターン面側の金めっき膜厚の３分の２以下であり、且つビアホール面側の金めっき膜厚が０．５μｍ未満で、導体パターン面側の金めっき膜厚が０．５μｍ以上であるので、金ワイヤボンディング性とはんだボール接合性の双方に優れる半導体装置用テープキャリアが得られる。
【００６２】
（２）請求項３に記載の導体装置用テープキャリアの製造方法では、金めっき処理槽内のロールの周面にテープキャリアを巻き掛けて折り返すことにより、テープキャリアのビアホール面側のめっき時間を導体パターン面側よりも少なくしているので、この方法によれば、極めて容易に、導体パターン面側の金めっき膜厚を０．５μｍ以上、ビアホール面側のめっき膜層を０．５μｍ未満とすることができ、金ワイヤボンディング性とはんだボール接合性の双方に優れる半導体装置用テープキャリアを得ることができる。
【００６３】
（３）請求項４に記載の半導体装置用テープキャリアの製造装置によれば、金めっき処理槽内にロールを配置し、該ロールの周面にテープキャリアをそのビアホール面側が内側になるように巻き掛けて構成した折り返し部を設けているので、テープキャリアがロールの周面に接しているときはめっき液がビアホールに入らず、めっき反応は進行しないことになる。従って、この製造装置によれば、極めて容易に、導体パターン面側の金めっき膜厚を０．５μｍ以上、ビアホール面側のめっき膜層を０．５μｍ未満とすることができ、金ワイヤボンディング性とはんだボール接合性の双方に優れる半導体装置用テープキャリアを得ることができる。
【００６４】
（４）請求項５の半導体装置用テープキャリアの製造装置によれば、テープキャリアのビアホール面側がロール面に接している時間と接していない時間が２：１になるような構造としているので、電気めっきの場合では、ビアホール面側のめっき厚さを導体パターン面側の厚さの３分の２以下に、また、無電解めっき法では、ビアホール面側のめっき厚さを導体パターン面側の厚さの３分の１以下にすることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体装置用テープキャリアの製造装置における金めっき槽部分を示す図である。
【図２】本発明の半導体装置用テープキャリアのめっき処理前の断面構造を示した図である。
【図３】本発明の半導体装置用テープキャリアのめっき処理後の断面構造を示した図である。
【図４】本発明の半導体装置用テープキャリアに半導体チップを実装した状態の断面構造を示した図である。
【図５】本発明の半導体装置用テープキャリアの製造装置の全体を示す図である。
【図６】従来の半導体装置用テープキャリアの断面構造を示した図である。
【図７】従来のめっき処理装置の構造を示した図である。
【符号の説明】
１  テープキャリア
２  金めっき処理槽
２ａ  めっき液
３  ロール
４  ポリイミドフィルム
５  導体パターン層
６  ニッケルめっき層
７  金めっき層
８  半導体チップ
９  ボンディングパッド部
１０  金ワイヤ
１１  ビアホール
１２  はんだボール
１３  ポリイミドフィルム
１４  導体パターン層
１５  ニッケルめっき層
１６  金めっき層
１７  テープキャリア
１８  めっき処理槽
２０  テープ送り出し部
２１  リール
２２  前処理槽
２３  ニッケルめっき処理槽
２４  後処理槽
３０  折り返し部
４０  テープ巻取部
４１  リール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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