(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の厚みの誘電体基板上に、マイクロストリップラインからなるフィルタ部が形成され、さらに、前記フィルタ部の入力側及び出力側に、前記フィルタ部が挿入接続される伝送系の特性インピーダンスと前記フィルタ部の特性インピーダンスとの整合条件を充たすマイクロストリップラインが形成されており、
前記誘電体基板は、周波数分散効果による影響で帯域外減衰特性が劣化して前記フィルタ部がフィルタとして実用性がなくなる厚み以下となる厚みであり、
前記フィルタ部は、前記伝送系の特性インピーダンスよりも低い特性インピーダンスとなるように形成されている、
マイクロストリップライン・フィルタ。
【請求項２】
所定の厚みの誘電体基板上に、マイクロストリップラインでフィルタ部が形成され、さらに、前記フィルタ部の入力側及び出力側に、それぞれ所定の高周波用電子回路とのインピーダンスを整合させるインピーダンス整合回路が配備されており、
前記誘電体基板の厚みは０．１ｍｍであり、
前記フィルタ部は、前記フィルタ部が挿入接続され且つ前記高周波用電子回路の周波数特性の影響を受ける伝送系の特性インピーダンスよりも低い特性インピーダンスとなるように形成されている、
マイクロストリップライン・フィルタ。
【請求項３】
前記高周波用電子回路が高周波信号を増幅する増幅回路であり、
前記インピーダンス整合回路は、前記フィルタ部と各々の高周波用電子回路とのインピーダンス整合条件を充たすマイクロストリップラインである、
請求項２記載のマイクロストリップライン・フィルタ。
【請求項４】
前記フィルタ部の入力側に存在する高周波用電子回路が、中間周波信号を送信用高周波信号に変換するアップコンバータに組み込まれるミクサであり、
前記フィルタ部の出力側に存在する高周波用電子回路が、フィルタリングされた高周波信号を増幅する増幅回路である、
請求項２記載のマイクロストリップライン・フィルタ。
【請求項５】
前記フィルタ部の入力側に存在する高周波用電子回路が受信用高周波増幅回路であり、
前記フィルタ部の出力側に配備される高周波用電子回路が、フィルタリングされた受信用高周波信号を中間周波信号に変換するダウンコンバータに組み込まれるミクサである、
請求項２記載のマイクロストリップライン・フィルタ。
【請求項６】
マイクロストリップライン・フィルタと、このマイクロストリップライン・フィルタの入力側及び出力側にそれぞれ接続される一対の高周波用電子回路とを一つの筐体に収容してなるパッケージ部品であって、
前記マイクロストリップライン・フィルタは、
所定の厚みの誘電体基板上に、マイクロストリップラインでフィルタ部が形成され、さらに、前記フィルタ部の入力側に前記一対の高周波用電子回路の一方とのインピーダンスを整合させる第１インピーダンス整合回路、前記フィルタ部の出力側に前記一対の高周波用電子回路の他方とのインピーダンスを整合させる第２のインピーダンス整合回路が配備されており、
前記誘電体基板の厚みは０．１ｍｍであり、
前記フィルタ部は、前記フィルタ部が挿入接続され且つ前記高周波用電子回路の周波数特性の影響を受ける伝送系の特性インピーダンスよりも低い特性インピーダンスとなるように形成されている、
パッケージ部品。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高周波帯で動作する電子機器に配備されるマイクロストリップライン・フィルタ及びそれを用いたパッケージ部品に関する。
【０００２】
【発明の背景】
マイクロ波帯ないしミリ波帯で動作する通信機器の送信系及び受信系のフィルタとして、マイクロストリップライン・フィルタが多用されている。
図６は、この種のマイクロストリップライン・フィルタの一例となる１／４波長結合型フィルタの外観斜視図である。このような１／４波長結合型フィルタでは、要求性能に応じて、使用する基板の材質又はセクション数が決められる。
ここでは、ミリ波帯域によく使用される厚さ０．２５ｍｍのアルミナ基板（比誘電率εｒ＝９．７、誘電正接ｔａｎδ＝０．００３＠１０ＧＨｚ）Ｂ２を用い、その上にマイクロストリップラインによるバンド・パス・フィルタ（以下、「ＢＰＦ」と称する）を形成した例について説明する。
【０００３】
図６に示した従来の１／４波長結合型フィルタは、主伝送モードでミリ波のような高い周波数領域では、周波数分散効果と放射特性により、ＢＰＦの帯域外減衰特性が大幅に劣化することが知られている。その対策として、図７に例示した導電性カバーＣをＢＰＦの空間開放側に配置し、主に放射特性による帯域外減衰劣化を改善している。このような導電性カバーＣによるシールドの効果を図８に示す。
図８の横軸は測定周波数［ＧＨｚ］、縦軸は通過損失と反射減衰量であり、Ｄはシールドされたときの反射減衰量特性、Ｅはシールドなしのときの反射減衰量特性、Ｆはシールドされたときの通過損失特性、Ｇはシールドなしのときの通過損失特性である。
図８から明らかなように、導電性カバーＣを配置してシールドすることにより、帯域外の周波数での減衰劣化が防止される。
【０００４】
導電性カバーＣによるシールド対策は、放射特性に対しては有効であるが、分散効果に対しては効果がさほど高くない。
すなわち、シールドされたとしても、周波数分散効果によって、マイクロストリップラインの主伝送モードである準ＴＥＭモードの他に周波数が高い領域で伝送可能となる表面波（ＴＥモード、ＴＭモード）が発生し、この伝送特性のために、ＢＰＦの帯域外減衰が劣化してしまう。従って、導電性カバーＣで帯域外減衰特性が改善される周波数領域は、アルミナ基板（Ａｌ２０３  ９９．５％  ｔ＝０．２５ｍｍ）を用いた場合、３０ＧＨｚ未満である。
【０００５】
従って、３０ＧＨｚ以上の周波数帯域で良好なフィルタ特性を実現しようとすると、分散効果のために帯域外減衰特性は劣化し、そのフィルタを使用する電子機器が必要とする特性を得ることはできない。
そこで、さらなる対策として、劣化した帯域外減衰量を補うに充分なＢＰＦを縦続に追加配置する方法（第１方法）や、分散効果を軽減するために基板の厚さを薄くする方法（第２方法）などが考えられる。
【０００６】
しかしながら、第１の方法は、ＢＰＦ数が増加するために、挿入損失がＢＰＦの数量に比例して増加するばかりか、サイズが大きくなり、コストアップの要因になる。また、第２の方法は、基板厚を薄くしたまま伝送系の特性インピーダンスを保とうすると、ＢＰＦを構成するマイクロストラップラインの線路幅が狭くなり、導体損失が増大する。
図６に示した基板におけるマイクロストリップラインの特性インピーダンスは５０Ωで、マイクロストリップラインの線路幅は、基板厚が０．２５ｍｍの場合、約０．２５ｍｍである。もし、基板厚を０．１ｍｍとするならば、線路幅もまた約０．１ｍｍとなる。そのため導体損失が増大し、これを用いた電子機器の性能を充たすことができない。
【０００７】
本発明は、上記諸問題を解消し、分散効果による帯域外減衰特性の劣化や薄い誘電体基板を使用することに起因する導体損失の増加を防ぐことができる、改善されたマイクロストリップライン・フィルタを提供することを、その課題とする。
本発明の他の課題は、上記のようなマイクロストリップライン・フィルタを有するパッケージ部品を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明のマイクロストリップライン・フィルタは、所定の厚みの誘電体基板上に、マイクロストリップラインからなるフィルタ部が形成され、さらに、前記フィルタ部の入力側及び前記出力側に、前記フィルタ部が挿入接続される伝送系の特性インピーダンスと前記フィルタ部の特性インピーダンスとの整合条件を充たすマイクロストリップラインが形成されたものである。前記誘電体基板は、周波数分散効果による影響で帯域外減衰特性が劣化して前記フィルタ部がフィルタとして実用性がなくなる厚み以下となる厚みであり、前記フィルタ部は、前記伝送系の特性インピーダンスよりも低い特性インピーダンスとなるように形成されていることを特徴とする。「周波数分散効果による影響度合いが所定値以下となる厚み」とは、その厚みがフィルタとして動作させる上で実用性に耐え得る厚みかどうかにより決まる。通常は、それ以上厚くすると周波数分散効果による影響が出て帯域外減衰特性の劣化につながり、フィルタとしての実用性がなくなるという厚みが、上記の所定値となる。
【０００９】
本発明の他のマイクロストリップライン・フィルタは、所定の厚みの誘電体基板上に、マイクロストリップラインでフィルタ部が形成され、さらに、前記フィルタ部の入力側及び前記出力側に、それぞれ所定の高周波用電子回路とのインピーダンスを整合させるインピーダンス整合回路が配備されたものである。前記誘電体基板の厚みは０．１ｍｍであり、前記フィルタ部は、前記フィルタ部が挿入接続され且つ前記高周波用電子回路の周波数特性の影響を受ける伝送系の特性インピーダンスよりも低い特性インピーダンスとなるように形成されている。
【００１０】
本発明のパッケージ部品は、マイクロストリップライン・フィルタと、このマイクロストリップライン・フィルタの入力側及び出力側にそれぞれ接続される一対の高周波用電子回路とを一つの筐体に収容してなるパッケージ部品であって、マイクロストリップライン・フィルタは、所定の厚みの誘電体基板上に、マイクロストリップラインでフィルタ部が形成され、さらに、前記フィルタ部の入力側に前記一対の高周波用電子回路の一方とのインピーダンスを整合させる第１インピーダンス整合回路、前記フィルタ部の出力側に前記一対の高周波用電子回路の他方とのインピーダンスを整合させる第２のインピーダンス整合回路が配備されており、前記誘電体基板の厚みは０．１ｍｍであり、前記フィルタ部は、前記フィルタ部が挿入接続され且つ前記高周波用電子回路の周波数特性の影響を受ける伝送系の特性インピーダンスよりも低い特性インピーダンスとなるように形成されていることを特徴とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、図を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。
＜第１実施形態＞
本発明の第１実施形態を図１及び図２に基づいて説明する。
図１は、本発明のマイクロストリップライン・フィルタの一例となる１／４波長結合型フィルタの平面図であり、図２は、図１の１／４波長結合型フィルタの電気的な構成図である。図１及び図２の対応する部分には同一符号を付している。
【００１２】
図１の１／４波長結合型フィルタは、誘電体基板（比誘電率εｒ＝９．７、誘電正接ｔａｎδ＝０．００３＠１０ＧＨｚ）Ｂ１上に、ＢＰＦ１を形成し、信号入力端４とＢＰＦ１の入力端との間に両者のインピーダンスを整合させるためのインピーダンス変換部２を形成し、さらに、信号出力端６とＢＰＦ１の出力端との間に両者のインピーダンスを整合させるためのインピーダンス変換部３を形成して構成される。
【００１３】
基板Ｂ１は、図６に示した従来の基板Ｂ２よりも薄い、０．１ｍｍの厚みのアルミナ基板を用いている。そのため、０．２５ｍｍの厚みの基板を用いている従来のマイクロストリップライン・フィルタよりも周波数分散効果による影響を受けにくくなり、影響度合いを軽減することができる。
【００１４】
ＢＰＦ１は、それが挿入接続される伝送系の特性インピーダンスである５０Ωよりも低い３０Ωの特性インピーダンスとなるように構成されている。そのため、導体損失の増大が抑えられるようになっている。
【００１５】
インピーダンス変換部２，３は、ＢＰＦ１の特性インピーダンス（３０Ω）と伝送系の特性インピーダンス（５０Ω）のインピーダンス変換を行う。
より具体的には、インピーダンス変換部２はＢＰＦ１と信号入力端４とを結ぶ、特性インピーダンスＺのマイクロストリップラインであり、インピーダンス変換部３はＢＰＦ１と信号出力端５とを結ぶ、特性インピーダンスＺのマイクロストリップラインである。
ＢＰＦ１の特性インピーダンスをＺ１、伝送系の特性インピーダンスをＺｏとすると、両者を整合させるための条件は、マイクロストリップラインの特性インピーダンスＺが、√（Ｚｏ・Ｚ１）の値であって、その長さが使用周波数の１／４波長とすることである。
図１２は、このことを模式的に表している。伝送系の特性インピーダンスＺｏが５０Ω、ＢＰＦ１の特性インピーダンスＺ１が３０Ωなので、インピーダンス変換部２，３の特性インピーダンスＺは、約３９Ωとなる。
【００１６】
このような１／４波長結合型フィルタでは、伝送系から信号入力端４を通じて入力された高周波信号が、インピーダンス変換部２を経てＢＰＦ１に入力され、ここでフィルタリングされた後、インピーダンス変換部３を介して信号出力端５から伝送系に送出される。
【００１７】
次に、本実施形態の１／４波長結合型フィルタにおいて、基板厚を０．１ｍｍにするとともに、ＢＰＦ１の特性インピーダンスＺ１を伝送系の特性インピーダンスＺｏよりも低い３０Ωとした根拠を、より詳細に説明する。
【００１８】
［基板厚］
基板厚と周波数分散効果との影響を表す場合、実効誘電率εｅｆｆという指標が用いられる。周波数分散効果と実効誘電率εｅｆｆとの関係は、図９のように表され、基板厚が従来のように０．２５ｍｍの場合は、高周波信号の周波数が高くなるほど一定値から離れ、増大していくことがわかる。つまり、高周波信号の周波数が高くなって実効誘電率εｅｆｆが増大するほど、周波数分散効果が大きくなる。この傾向は、基板厚が厚くなるほど顕著になる。
結局、図９は、基板厚０．２５ｍｍよりも基板厚０．１ｍｍの方が周波数分散効果の小さいこと、つまり、基板厚が薄いほど周波数分散効果による影響度合いが軽減されることを示している。
【００１９】
［特性インピーダンス］
マイクロストリップラインのような線路の損失には、導体損失、誘電体損失、放射損失がある。一般に、線路幅が狭くなるにつれて、その導体損失は増大する。これは、線路幅が狭くなるにつれて線路のバルク抵抗が大きくなるためである。本実施形態で用いるマイクロストリップラインの線路幅が０．２５ｍｍの場合、バルク抵抗は０．２８Ω／１０ｍｍであるが、線路幅を０．１ｍｍとすると、バルク抵抗は０．７１Ω／１０ｍｍというように、約２．５倍に増加する。これを防ぐために、本実施形態では、ＢＰＦ１の特性インピーダンスを従来例の５０Ωから３０Ωに低下させることで、線路幅を０．２５ｍｍに保ち、マイクロストリップラインの導体損失の増大を防いでいる。
【００２０】
特性インピーダンスＺｏと線路幅Ｗとの関係は、一般に図１０のように表される。すなわち、低い特性インピーダンスＺｏにおいては、線路幅Ｗが広くならざるを得ないことがわかる。特性インピーダンスＺｏの相違は、通過損失、反射減衰量の変化にも現れる。このことを図１１に従って説明する。
図１１は、特性インピーダンスＺｏとＢＰＦ１の特性との関係説明図であり、（ａ）のＡ部の拡大図が（ｂ）となる。図１１の縦軸は通過損失と反射減衰量、横軸は測定周波数［ＧＨｚ］である。
これらの図は、基板厚０．１ｍｍのアルミナ基板Ｂ１に対して、マイクロストリップラインの特性インピーダンスＺｏを５０Ωにした場合と３０Ωにした場合のＢＰＦ１の特性を示している。図中、Ｈは５０Ωのときの反射減衰量特性、Ｉは３０Ωのときの反射減衰量特性、Ｊは５０Ωのときの通過損失特性、Ｋは３０Ωのときの通過損失特性である。
【００２１】
このように、第１実施形態の１／４波長結合型フィルタでは、基板厚を従来のものよりも薄くして分散効果による影響を小さくするとともに、薄い基板による導体損失の増大を防ぐために伝送系の特性インピーダンスＺｏよりも低い特性インピーダンスＺ１でＢＰＦ１を形成し、さらに、ＢＰＦ１の入出力端に、伝送系の特性インピーダンスＺｏとの整合をとるインピーダンス変換部２，３を配備したので、分散効果による帯域外減衰特性の劣化及び導体損失の増加を防ぐことができるようになるのである。
【００２２】
＜第２実施形態＞
本発明の第２実施形態を説明する。第２実施形態は、第１実施形態のマイクロストリップライン・フィルタを含むパッケージ部品として使用する場合の例を示す。このパッケージ部品は、マイクロストリップライン・フィルタの入力側及び出力側の双方にＭＭＩＣで構成される増幅回路を配備するとともに、このマイクロストリップライン・フィルタとＭＭＩＣとを一つの筐体に収容したものである。
【００２３】
図３は、このパッケージ部品の構成図である。パッケージ入力端２０の後段に増幅回路８を配備し、この増幅回路８とＢＰＦ１の入力端との間に、信号入力端４を介して第１整合回路６を配備するとともに、パッケージ出力端２１の前段に増幅回路９を配備し、この増幅回路９とＢＰＦ１の出力端との間に、信号出力端５を介して第２整合回路７を配備している。ＢＰＦ１は、第１実施形態で説明した特徴を持つＢＰＦである。
【００２４】
図３において、ＺＡＭＰｏｕｔは増幅回路６の出力端の特性インピーダンス、ＺＢＰＦｉｎはＢＰＦ１の入力端の特性インピーダンス、ＺＢＰＦｏｕｔはＢＰＦ１の出力端の特性インピーダンス、ＺＡＭＰｉｎは増幅回路９の入力端の特性インピーダンスである。
第１整合回路６及び第２整合回路７は、伝送系の特性インピーダンスのみならず、増幅回路８，９の周波数特性をも考慮したインピーダンス整合を行う。すなわち、第１整合回路６は特性インピーダンスＺＡＭＰｏｕｔとＺＢＰＦｉｎとを整合させるための整合回路であり、整合回路７は特性インピーダンスＺＢＰＦｏｕｔとＺＡＭＰｉｎとを整合させるための整合回路である。
【００２５】
このように構成されるパッケージ部品では、伝送系からパッケージの入力端２０を通じて入力され、増幅回路８で増幅された高周波信号が、第１整合回路６を経てＢＰＦ１に入力され、ここでフィルタリングされた後、第２整合回路７を経て増幅回路９で増幅され、パッケージ出力端２１から伝送系に送出される。
【００２６】
このパッケージ部品では、基板厚を従来のものよりも薄くして周波数分散効果による影響度合いを軽減させるとともに、薄い基板による導体損失の増大を防ぐために伝送系の特性インピーダンスＺｏよりも低い特性インピーダンスＺ１でＢＰＦ１を形成し、さらに、ＢＰＦ１の入力端に第１整合回路６を介して増幅回路８を配備し、ＢＰＦ１の出力端に第２整合回路７を介して増幅回路９を配備したので、周波数分散効果による帯域外減衰特性の劣化及び導体損失の増加を防ぐことができ、さらに、増幅回路８、９の周波数特性を考慮したフィルタ設計ができるようになり、このパッケージ部品を用いる伝送システムの要求に、より柔軟に対応することができるようになるという利点が生じる。
【００２７】
＜第３実施形態＞
本発明の第３実施形態を説明する。
第３実施形態では、通信機の送信系に用いられるパッケージ部品について説明する。このパッケージ部品は、第１実施形態のマイクロストリップライン・フィルタの入力側にアップコンバータに組み込まれるミクサを配備し、その出力側に、ＭＭＩＣで構成される増幅回路を配備するとともに、これらを一つの筐体に収容して構成される。
【００２８】
図４は、この実施形態のパッケージ部品の構成図である。
このパッケージ部品は、パッケージ入力端２０の後段に、中間周波信号を送信用の高周波信号に変換するアップコンバータに組み込まれるミクサ１０を配備し、このミクサ１０とＢＰＦ１の入力端との間に、信号入力端４を介して第１整合回路６を配備するとともに、パッケージ出力端２１の前段に増幅回路９を配備し、この増幅回路９とＢＰＦ１の出力端との間に、信号出力端２１を介して第２整合回路７を配備している。
ＢＰＦ１は、第１実施形態で説明した特徴を持つＢＰＦである。増幅回路９と第２整合回路７は、第２実施形態と同じものである。第１整合回路６は、厳密には第２実施形態のものとは異なるが、ここでは、便宜上、第２実施形態のものと同じ符号を付している。
【００２９】
図４において、ＺＭＩＸｏｕｔはミクサ１０の高周波出力端の特性インピーダンス、ＺＢＰＦｉｎはＢＰＦ１の入力端の特性インピーダンス、ＺＢＰＦｏｕｔはＢＰＦ１の出力端の特性インピーダンス、ＺＡＭＰｉｎは増幅回路９の入力端の特性インピーダンスである。
【００３０】
第１整合回路６及び第２整合回路７は、伝送系の特性インピーダンスのみならず、ミクサ１０及び増幅回路９の周波数特性をも考慮したインピーダンス整合を行う。すなわち、第１整合回路６は特性インピーダンスＺＭＩＸｏｕｔとＺＢＰＦｉｎの整合回路であり、第２整合回路７は特性インピーダンスＺＢＰＦｏｕｔとＺＡＭＰｉｎの整合回路である。
【００３１】
このように構成されるパッケージ部品は、伝送系からパッケージ入力端２０を通じて入力され、ミクサ１０で周波数変換された高周波信号が、第１整合回路６を経てＢＰＦ１に入力され、ここでフィルタリングされた後、第２整合回路７を経て増幅回路９で増幅され、パッケージ出力端２１から伝送系に送出される。
【００３２】
第３実施形態のパッケージ部品では、基板厚を従来のものよりも薄くして分散効果による影響を小さくするとともに、薄い基板による導体損失の増大を防ぐために伝送系の特性インピーダンスＺｏよりも低い特性インピーダンスＺ１でＢＰＦ１を形成し、さらに、ＢＰＦ１の入力端に第１整合回路６を介してミクサ１０を配備し、ＢＰＦ１の出力端に第２整合回路７を介して増幅回路９を配備したので、分散効果による帯域外減衰特性の劣化及び導体損失の増加を防ぐことができ、さらに、ミクサ１０及び増幅回路９の周波数特性を加味したフィルタ設計ができるようになり、送信系で必要となるスプリアス特性、特に局発波抑圧をより少ないフィルタの数と段数で実現することができる。
【００３３】
＜第４実施形態＞
本発明の第４実施形態を説明する。
第４実施形態では、通信機の受信系に用いられるパッケージ部品について説明する。このパッケージ部品は、第１実施形態のマイクロストリップライン・フィルタの入力側に低雑音高周波増幅器の代表例であるローノイズアンプを配備し、その出力側にミクサ回路を配備するとともに、これらを一つの筐体に収容して構成される。
【００３４】
すなわち、図５に示されるように、パッケージ出力端２１（受信系では、これが入力となる）の後段に高周波信号の受信用増幅回路であるローノイズアンプ１１を配備し、このローノイズアンプ１１とＢＰＦ１の入力端との間に、信号出力端５を介して第２整合回路７を配備するとともに、パッケージ入力端２０の前段に、高周波信号を中間周波信号に変換するダウンコンバータに組み込まれるミクサ１０を配備し、このミクサ１０とＢＰＦ１の出力端との間に、信号入力端４を介して第１整合回路６を配備している。ＢＰＦ１は、第１実施形態で説明した特徴を持つＢＰＦである。
第２整合回路７及び第１整合回路６は、第２実施形態と同じものとすることができる。
【００３５】
図５において、ＺＭＩＸｉｎはミクサの高周波入力端の特性インピーダンス、ＺＢＰＦｏｕｔはＢＰＦ１の出力端の特性インピーダンス、ＺＢＰＦｉｎはＢＰＦの入力端の特性インピーダンス、ＺＡＭＰｏｕｔはローノイズアンプ１１の出力端の特性インピーダンスである。
第１整合回路６は特性インピーダンスＺＭＩＸｉｎとＺＢＰＦｏｕｔの整合回路であり、第２整合回路７はＺＢＰＦｉｎとＺＡＭＰｏｕｔの整合回路である。
【００３６】
このように構成されるパッケージ部品では、パッケージ出力端２１を通じて入力され、ローノイズアンプ１１で増幅された高周波信号が、第２整合回路７を経てＢＰＦ１に入力され、ここでフィルタリングされた後、第１整合回路７を経てミクサ１０で周波数変換され、パッケージ入力端２０から受信系に送出される。
【００３７】
第４実施形態のパッケージ部品では、基板厚を従来のものよりも薄くして分散効果による影響を小さくするとともに、薄い基板による導体損失の増大を防ぐために伝送系の特性インピーダンスＺｏよりも低い特性インピーダンスＺ１でＢＰＦ１を形成し、さらに、ＢＰＦ１の入力端に第２整合回路７を介して低雑音増幅回路１１を配備し、ＢＰＦ１の出力端に第１整合回路６を介してミクサ１０を配備したので、周波数分散効果の影響による帯域外減衰特性の劣化及び導体損失の増加を防ぐことができる。また、ミクサ１０及びローノイズアンプ１１の周波数特性を加味したフィルタの設計ができるようになり、受信系で必要となるスプリアス特性をより少ないフィルタ段数で実現することができ、イメージ周波数による雑音特性の劣化を防ぐことができる。さらに、損失を少なくすることができるので、雑音特性を良くすることができる。このように、通信器の受信系に本発明を適用することによる効果には充分なものがある。
【００３８】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、周波数分散効果による帯域外減衰特性の劣化を防ぐことができ、また、薄い基板を使用することに起因する導体損失の増大をも防ぐことができるという、特有の効果を奏することができる。
また、フィルタ部の前後に高周波用電子部品を配するとともに、これらの電子部品とフィルタ部との間にインピーダンス整合を図る回路を介在させるようにしたので、本発明の適用用途に柔軟に対応できるようになるという効果も生じる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態による１／４波長結合型フィルタの平面図。
【図２】第１実施形態の１／４波長結合型フィルタの電気的な構成図。
【図３】本発明の第２実施形態によるパッケージ部品の電気的な構成図。
【図４】本発明の第３実施形態によるパッケージ部品の電気的な構成図。
【図５】本発明の第４実施形態によるパッケージ部品の電気的な構成図。
【図６】従来の１／４波長結合型フィルタの外観斜視図。
【図７】図６における１／４波長結合型フィルタの特性を向上させるために導電性カバーでシールドした状態を示す説明図。
【図８】導電性カバーによるシールドの有無の変化を示した特性説明図。
【図９】実効誘電率εｅｆｆの周波数特性図。
【図１０】線路の特性インピーダンスＺｏと線路幅Ｗとの関係説明図。
【図１１】（ａ）は線路の特性インピーダンスＺｏとＢＰＦの特性の関係説明図、（ｂ）は部分拡大図。
【図１２】インピーダンス変換の原理説明図。
【符号の説明】
１      ＢＰＦ
２，３  インピーダンス変換部
４      信号入力端
５      信号出力端
６，７  整合回路
８，９  増幅回路
１０    ミクサ
１１    低雑音増幅器
２０    パッケージ入力端
２１    パッケージ出力端
【図１】
0003560588.tif 000002
【図２】
0003560588.tif 000003
【図３】
0003560588.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0003560588.tif 000008
【図８】
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【図９】
0003560588.tif 000010
【図１０】
0003560588.tif 000011
【図１１】
0003560588.tif 000012
【図１２】
0003560588.tif 000013