(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁テープに金属配線パターン及び上記金属配線パターンを絶縁被覆する絶縁保護膜が設けられたテープキャリアと、液晶パネルを駆動する駆動用半導体素子とを有するテープキャリアパッケージ半導体装置の上記テープキャリアと同等の構造の試験用テープキャリアを断線試験する断線試験方法において、
上記試験用テープキャリアの一端は液晶パネルに接続されると共に他端は液晶パネル駆動用の信号を出力する回路基板に接続され、上記液晶パネルと上記回路基板とが対向するように上記試験用テープキャリアを湾曲させた状態で、一定の周期で変化する温度環境に曝して上記試験用テープキャリアの試験用金属配線パターンが断線する周期数を求めることを特徴とする断線試験方法。
【請求項２】
絶縁テープにスリットが形成されるとともに金属配線パターン及び上記金属配線パターンを絶縁被覆する絶縁保護膜が設けられたテープキャリアと、液晶パネルを駆動する駆動用半導体素子とを有するテープキャリアパッケージ半導体装置の上記テープキャリアと同等の構造の試験用テープキャリアを断線試験する断線試験方法において、
上記試験用テープキャリアの一端は液晶パネルに接続されると共に他端は液晶パネル駆動用の信号を出力する回路基板に接続され、上記液晶パネルと上記回路基板とが対向するように上記試験用テープキャリアを上記スリットの部分で湾曲させた状態で、一定の周期で変化する温度環境に曝して上記試験用テープキャリアの試験用金属配線パターンが断線する周期数を求めることを特徴とする断線試験方法。
【請求項３】
上記温度環境が８５℃と−３０℃とを３０分ずつ繰り返す周期を有することを特徴とする請求項１または２に記載の断線試験方法。
【請求項４】
上記絶縁保護膜が１種類のソルダレジストであることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の断線試験方法。
【請求項５】
上記ソルダレジストのヤング率が５ｋｇｆ／ｍｍ２  〜７０ｋｇｆ／ｍｍ２  の範囲にあることを特徴とする請求項４に記載の断線試験方法。
【請求項６】
上記ソルダレジストの厚みが５μｍ〜４５μｍの範囲にあることを特徴とする請求項４または５に記載の断線試験方法。
【請求項７】
上記ソルダレジストが、その粘度を決定するフィラーを１０ｗｔ％〜４０ｗｔ％の範囲で含有することを特徴とする請求項４ないし６のいずれかに記載の断線試験方法。
【請求項８】
上記ソルダレジストが、ゴム系、ポリイミド系、エポキシ系、シリコーン系、あるいはウレタン系のうちいずれかの材料からなることを特徴とする請求項４ないし７のいずれかに記載の断線試験方法。
【請求項９】
上記テープキャリアと上記駆動用半導体素子とが電気的に接続された部分の周囲は、絶縁性を有する液状樹脂によって上記液状樹脂の端部が上記ソルダレジストの上面と７０°以下の角度をなすように覆われることを特徴とする請求項４ないし８のいずれかに記載の断線試験方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、適正な柔軟性を有するソルダレジストを使用したＴＣＰ半導体装置の配線パターンの断線試験方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
柔軟な折り曲げ性を有するＴＣＰ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ）半導体装置をフレックスＴＣＰ半導体装置と呼ぶ。フレックスＴＣＰ半導体装置は、特に額縁サイズの小さい液晶パネルのドライバ半導体のパッケージとして使用されている。
【０００３】
液晶パネルは年々大型化される傾向にあり、現在はノートＰＣ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｃｏｍｐｕｔｅｒ  ）用に１３インチを越えるものも生産されている。従って、大型液晶パネル用のフレックスＴＣＰ半導体装置の開発が望まれている。
【０００４】
図７（ａ）に、現行技術でのフレックスＴＣＰ半導体装置１０１の平面構造、同図（ｂ）にそのＡ−Ａ’線断面図をそれぞれ示す。
【０００５】
フレックスＴＣＰ半導体装置１０１は、フィルム状のポリイミド基材１０２を用いて作製したテープキャリア１０３にドライバＩＣチップ１０４を電気的に接合した構成である。
【０００６】
テープキャリア１０３は、スリット１０５・１０５と、インナーリード１０６…、入力側アウターリード１０７…、出力側アウターリード１０８…及びテストパッド１０９を形成する銅配線パターンと、上記スリット１０５・１０５及び銅配線パターンを絶縁被覆するエポキシ系ソルダレジスト１１０…、ポリイミド系ソルダレジスト１１１・１１１、ポリイミド系ソルダレジスト１１２・１１２と、ポリイミド基材１０２の引出し・位置合わせに使用されるスプロケットホール１１３…とから構成される。
【０００７】
特に、銅配線パターン上には、ヤング率が３８０±８０ｋｇｆ／ｍｍ２  の硬いエポキシ系ソルダレジスト１１０…と、ヤング率が５０±２０ｋｇｆ／ｍｍ２  の柔軟性を有するポリイミド系ソルダレジスト１１１・１１１との２種類のソルダレジストを使用する。エポキシ系ソルダレジスト１１０…は、ヤング率が大きいことを利用してポリイミド系ソルダレジスト１１１・１１１のブリード（印刷後に溶剤成分を主体にソルダレジストが流れ出したもの）の発生を阻止する役割と、後述するテープキャリア１０３作製時のスズメッキ形成工程において、ポリイミド系ソルダレジスト１１１・１１１のエッジが剥がれることを防止する役割とを持つ。これにより、ポリイミド系ソルダレジスト１１１・１１１のパターニング精度を向上させる。
【０００８】
また、スリット１０５・１０５の下面（銅配線パターンが形成されている面の裏側）には、ポリイミド系ソルダレジスト１１２・１１２が形成される。
【０００９】
一方、ドライバＩＣチップ１０４は、Ａｕバンプ１１４…を介してインナーリード１０６…に電気的に接続されており、その接続点の周辺は樹脂１１５によって封止されている。
【００１０】
次に、図８を用いて、上記の構造のフレックスＴＣＰ半導体装置１０１におけるテープキャリア１０３の作製プロセスを説明する。
【００１１】
まず、ポリイミド基材１０２（ユーピレックス；宇部興産の商標）の表面に接着剤を塗布し（工程１）、デバイスホール、スリット１０５・１０５、スプロケットホール１１３…等を形成すべく上記ポリイミド基材１０２を金型で打ち抜く（工程２）。
【００１２】
次に、１８μｍ、２５μｍ、３５μｍ厚の銅箔のうち、いずれかをポリイミド基材１０２にラミネートする（工程３）。スリット１０５・１０５には、まず、後に銅配線パターンが形成される面に対して反対側からポリイミド系ソルダレジスト１１２・１１２を形成する（工程４）。そして、エッチングマスクとしてのフォトレジストを銅箔表面に塗布し（工程５）、露光によって目的のパターンを焼き付け（工程６）て現像する（工程７）。デバイスホールにもエッチングマスクとしてのフォトレジストを形成し（工程８）た後、銅箔エッチング液に浸漬して所望の銅配線パターンを形成する（工程９）。このようにして銅配線パターンを形成した後、全てのフォトレジストを有機溶剤あるいはドライエッチングによって剥離する（工程１０）。
【００１３】
次に、ポリイミド基材１０２の銅配線パターンを形成した面上において、後で形成するポリイミド系ソルダレジスト１１１・１１１を両側から挟む位置に、２５μｍ厚程度のエポキシ系ソルダレジスト１１０…を印刷して形成する（工程１１）。その後、折り曲げ部であるスリット１０５・１０５を覆うように２５μｍ厚程度のポリイミド系ソルダレジスト１１１・１１１を印刷して形成する（工程１２）。
【００１４】
次いで、露出している銅箔表面に、無電解メッキ法により０．２μｍ〜０．６μｍ厚程度のスズメッキを形成し、スズメッキ後はホイスカが発生しないようにキュア（熱処理）を施す（工程１３）。
【００１５】
最後に、以上の工程により作製されたテープキャリア１０３を出荷する（工程１４）。
【００１６】
また、従来のフレックスＴＣＰ半導体装置として、図７とは異なる構造のものがある。これは、ヤング率が２００±５０ｋｇｆ／ｍｍ２  の硬い１種類のエポキシ系ソルダレジストのみを銅配線パターンに形成するものである。このフレックスＴＣＰ半導体装置は、上記のようにヤング率が大きいソルダレジストを使用しているため、図７の構造のフレックスＴＣＰ半導体装置１０１と比較して、実装時の折り曲げに対する柔軟性に劣る。
【００１７】
次に、図１０（ａ）を用いてフレックスＴＣＰ半導体装置１０１…の液晶パネル２０１及びＰＷＢ（Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｗｉｒｉｎｇ  Ｂｏａｒｄ）基板２０２への実装方法について説明する。一般に、フレックスＴＣＰ半導体装置のＴＦＴ液晶への実装に際しては、解像度にもよるが、例えば１２．１インチサイズで１０２４ドット×７６８ドットの液晶パネルの場合、１３個程度のフレックスＴＣＰ半導体装置をドライバとして片側パネルの額縁のソース側に設ける。
【００１８】
まず、液晶パネル２０１に、異方性・導電性接着剤であるＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ  ）を仮圧着する。ＡＣＦは、１．２ｍｍから３ｍｍ程度までの種類の幅があり、液晶パネルの額縁のサイズに合わせて適宜選択される。従って、例えば、額縁の幅が狭ければ、ＡＣＦも幅の狭いものを選択する。ＡＣＦを仮圧着するには、ＡＣＦを液晶パネルに貼り付けたまま、９０℃に加熱したツールを２秒程度押し当てる。このとき、ＡＣＦは熱によって反応して硬化するが、後に本圧着することができるようにするため、完全には硬化させない。
【００１９】
ＡＣＦの仮圧着が終了した時点で、ＡＣＦに付着させていたスペーサを剥がし、そこにフレックスＴＣＰ半導体装置１０１…の出力側アウターリード１０８…を仮圧着する。このとき、フレックスＴＣＰ半導体装置１０１…と液晶パネル２０１とを、それぞれに形成されたアライメントマークを用いて位置合わせする。
【００２０】
フレックスＴＣＰ半導体装置１０１…は、この仮圧着前に、リール状につながった状態にあるため、金型で打ち抜いて個片にしておく。そして、仮圧着時には、１００℃に加熱したツールを１０ｋｇｆ／ｃｍ２  の荷重で３秒押し当てるが、ＡＣＦを完全には硬化させない。
【００２１】
フレックスＴＣＰ半導体装置１０１…の仮圧着後に本圧着を行う。本圧着は、全てのフレックスＴＣＰ半導体装置１０１…に一括して、２００℃に加熱したツールを３５ｋｇｆ／ｃｍ２  の荷重で２０秒押し当てて実施する。
【００２２】
液晶パネル２０１にフレックスＴＣＰ半導体装置１０１…を実装すると、今度はフレックスＴＣＰ半導体装置１０１…の入力側アウターリード１０７…をＰＷＢ基板２０２に実装する。ＰＷＢ基板２０２への実装方法として、ハンダ付けによる方法とＡＣＦによる方法とがある。ＡＣＦによる実装方法では、ＰＷＢ基板２０２をアライメントし、全てのフレックスＴＣＰ半導体装置１０１…を一括して実装する。このとき、ＰＷＢ基板２０２と、液晶パネル２０１を構成するガラス基板との熱膨張係数の違いによって、フレックスＴＣＰ半導体装置１０１…に熱応力が集中する。
【００２３】
フレックスＴＣＰ半導体装置１０１…は、このような熱応力が加わった状態で、ＰＷＢ基板２０２が液晶パネル２０１の裏側へ配置されるべく折り曲げられるため、さらにフレックスＴＣＰ半導体装置１０１…の銅配線パターンに応力が集中する。この熱応力は、特に液晶パネル２０１が大型になるにつれて大きくなる。
【００２４】
また、図９に示すようなスリットのないストレート型のＴＣＰ半導体装置１２１を、図１０（ｂ）に示すように折り曲げないで実装する方法がある。但し、この方法では、フレックスＴＣＰ半導体装置１０１の場合のように液晶パネル２０１の額縁サイズを小さくすることができない。従って、ノートＰＣのような決められた大きさの機器内に少しでも大きな液晶パネルを搭載しようとする場合に不利となる。
【００２５】
次に、フレックスＴＣＰ半導体装置１０１の銅配線パターンの断線試験方法について図１１（ａ）（ｂ）を用いて説明する。従来は、図１１（ａ）に示すようなテスト用パターンであるＴＥＧ（Ｔｅｓｔ  Ｅｌｅｍｅｎｔ  Ｇｒｏｕｐ）１３１を作製し、同図（ｂ）に示すＭＩＴ（Ｍａｓｓａｃｈｕｓｅｔｔｓ  Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ  ｏｆ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  ）試験方法で上記ＴＥＧ１３１を折り曲げ、銅配線パターン１３２の断線を試験していた。
【００２６】
この試験方法では、例えば、両端を治具１３５・１３５で挟んだＴＥＧ１３１に１００ｇの錘を載せ、１ｍｍ幅のスリット１３３の部分を折り曲げ半径０．３ｍｍ〜０．４ｍｍで９０°から０°に折り曲げ、さらに１８０°に戻して折り曲げる。０°から１８０°に折り曲げたらそれを一回の折り曲げとカウントし、スリット１３３上に形成された銅配線パターン１３２が断線するまで繰り返し、断線に到る折り曲げ回数を求める。断線するまでの折り曲げ回数が多い程、折り曲げに対する耐性が良好であると判定する。上記耐性はＴＥＧ１３１に使用するソルダレジスト１３４によって変化し、これまでは、このＭＩＴ試験方法で２０回以上断線しないようなソルダレジスト１３４を使用していた。
【００２７】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、図７に示すような２種類のソルダレジストを使用するフレックスＴＣＰ半導体装置１０１では、最初に形成するエポキシ系ソルダレジスト１１０…のパターニング精度が±０．２ｍｍであり、その後に形成するポリイミド系ソルダレジスト１１１・１１１のパターニング精度が±０．３ｍｍである。従って、２種類のソルダレジストが接触する部分のパターニング精度は±０．５ｍｍと悪かった。
【００２８】
また、フレックスＴＣＰ半導体装置１０１では、硬いエポキシ系ソルダレジスト１１０…を使用するため、フレックスＴＣＰ半導体装置１０１自身が硬くなり、柔軟性を損なうことになる。その上、フレックスＴＣＰ半導体装置１０１上に硬いソルダレジストを形成すると、フレックスＴＣＰ半導体装置１０１に反りが発生するため、フレックスＴＣＰ半導体装置１０１をアセンブリ工程で順調に搬送することができなかった。この反りは、特にフレックスＴＣＰ半導体装置１０１の幅が４８ｍｍ以上のときに発生しやすい。
【００２９】
さらに、フレックスＴＣＰ半導体装置１０１では、２種類のソルダレジストを形成するため、テープキャリア１０３の作製工程が複雑になって歩留りが低下すると共に、ソルダレジスト工程を２回繰り返すことで、テープキャリア１０３の作製に要する時間が長くなっていた。従って、テープキャリア１０３の作製コストが高くなっていた。
【００３０】
ソルダレジストとしてポリイミド系ソルダレジストのみをフレックスＴＣＰ半導体装置上に形成すると、フレックスＴＣＰ半導体装置の反りと、テープキャリアの作製コストが高くなることとを解決することができる。しかし、ポリイミド系ソルダレジストはチクソ性が低いため、図１２に示すように、パターンエッジ１４１にブリード１４２が発生してしまう。チクソ性とは、撹拌によって粘度が低下し、放置すると粘度が増大する性質の尺度である。例えばソルダレジストのチクソ性が高いと、印刷時には粘度が低いためパターニング精度が良く、印刷後には粘度が増大するためブリードが発生しにくくなる。
【００３１】
従って、チクソ性が低いとソルダレジスト１４３のパターンエッジ１４１が正確に印刷されず、テープキャリアの作製に支障を来す。さらには、テープキャリアのデバイスホール内のインナーリード１４４…へソルダレジスト１４３が流れ出し、ＩＬＢ（Ｉｎｎｅｒ  Ｌｅａｄ    Ｂｏｎｄｉｎｇ  ）工程でボンディングすることができないという不都合も生じる。
【００３２】
また、ソルダレジストとしてポリイミド系ソルダレジストのみを用いたフレックスＴＣＰ半導体装置のインナーリードを樹脂封止する工程において、ポリイミド系ソルダレジストはエポキシ系の液状樹脂に対する密着性が低く、フレックスＴＣＰ半導体装置を作製することが困難である。
【００３３】
以上の問題点に加え、フレックスＴＣＰ半導体装置１０１の銅配線パターンの断線を試験するＭＩＴ試験方法にも問題点がある。すなわち、ＭＩＴ試験では、断線箇所は図１１（ｂ）に示すようにスリット１３３のエッジ付近であるが、フレックスＴＣＰ半導体装置１０１…を液晶パネル２０１及びＰＷＢ基板２０２に実装した後、折り曲げることによって発生する断線箇所とは異なる。実装して折り曲げた場合に発生する断線箇所は、図１３に示すように、液晶パネル２０１とフレックスＴＣＰ半導体装置１０１…とが接合する部分のエッジ付近である。
【００３４】
また、大型液晶パネルになる程、液晶パネル２０１とＰＷＢ基板２０２との熱膨張係数の差によって起こるフレックスＴＣＰ半導体装置１０１…への応力が増大し、銅配線パターンにこの応力が集中して断線しやすくなる。例えば、断線不良は、１０．４インチ液晶パネルを用いる際にはほとんど発生しないが、１１．３インチ以上の大型の液晶パネルを用いる際には顕在化してくる。
【００３５】
つまり、ＭＩＴ試験では、スリット１３３における断線不良を検出することはできても、フレックスＴＣＰ半導体装置１０１…の実装時の折り曲げ耐性を適正に評価することはできない。従って、例えば、１種類のエポキシ系ソルダレジストを使用するフレックスＴＣＰ半導体装置の方が、２種類のソルダレジストを使用するフレックスＴＣＰ半導体装置よりＭＩＴ試験では良好な結果が得られているにも係わらず、実際に液晶パネルに実装すると１種類のエポキシ系ソルダレジストを使用したものの方が断線しやすいといったようなことが起こる。
【００３６】
このように、従来の断線試験方法では、大型液晶パネルに最適なフレックスＴＣＰ半導体装置の製造方法を決定することができない。また、フレックスＴＣＰ半導体装置を液晶パネルに実装して評価していたのでは、通常液晶パネル実装工程で発生する断線不良はＰＰＭオーダーで低く、短時間で合理的に評価することができない。従って、断線不良が顕在化すると予想される１５インチ以上の大型液晶パネル表示装置を、高い歩留りで製造する方法を簡便に求めることができない。
【００３７】
本発明は上記従来の問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、フレックスＴＣＰ半導体装置の実用的な断線試験方法を提供することにある。
【００３８】
【課題を解決するための手段】
請求項１に係る発明の断線試験方法は、上記課題を解決するために、絶縁テープに金属配線パターン及び上記金属配線パターンを絶縁被覆する絶縁保護膜が設けられたテープキャリアと、液晶パネルを駆動する駆動用半導体素子とを有するテープキャリアパッケージ半導体装置の上記テープキャリアと同等の構造の試験用テープキャリアを断線試験する断線試験方法において、上記試験用テープキャリアの一端は液晶パネルに接続されると共に他端は液晶パネル駆動用の信号を出力する回路基板に接続され、上記液晶パネルと上記回路基板とが対向するように上記試験用テープキャリアを湾曲させた状態で、一定の周期で変化する温度環境に曝して上記試験用テープキャリアの金属配線パターンが断線する周期数を求めることを特徴としている。
【００３９】
上記の発明では、テープキャリアパッケージ半導体装置を構成するテープキャリアの金属配線パターンの断線試験方法として、テープキャリアと同等の構造の試験用テープキャリアを作製し、これを液晶パネルと回路基板とが対向するように湾曲させた状態で、一定の周期で変化する温度環境に曝して断線する周期数を求めるという手法をとる。
【００４０】
試験用テープキャリアを上記のように湾曲させることにより、テープキャリアパッケージ半導体装置を実際に液晶パネルに実装した状態に近づけることができる。この状態で、試験用テープキャリアを一定の周期で変化する温度環境に曝すと、断線する箇所が液晶パネル実装工程で発生する断線箇所と一致すると共に、断線不良発生が加速される。
【００４１】
従って、テープキャリアパッケージ半導体装置の液晶パネル実装工程で発生する断線不良を、上記の断線試験を行うことで短時間で確実に確認することができる。
【００４２】
請求項２に係る発明の断線試験方法は、上記課題を解決するために、絶縁テープにスリットが形成されるとともに金属配線パターン及び上記金属配線パターンを絶縁被覆する絶縁保護膜が設けられたテープキャリアと、液晶パネルを駆動する駆動用半導体素子とを有するテープキャリアパッケージ半導体装置の上記テープキャリアと同等の構造の試験用テープキャリアを断線試験する断線試験方法において、上記試験用テープキャリアの一端は液晶パネルに接続されると共に他端は液晶パネル駆動用の信号を出力する回路基板に接続され、上記液晶パネルと上記回路基板とが対向するように上記試験用テープキャリアを上記スリットの部分で湾曲させた状態で、一定の周期で変化する温度環境に曝して上記試験用テープキャリアの試験用金属配線パターンが断線する周期数を求めることを特徴としている。
【００４３】
上記の発明では、テープキャリアパッケージ半導体装置を構成するテープキャリアの金属配線パターンの断線試験方法として、テープキャリアと同等の構造の試験用テープキャリアを作製し、これを液晶パネルと回路基板とが対向するようにスリットの部分で湾曲させた状態で、一定の周期で変化する温度環境に曝して断線する周期数を求めるという手法をとる。
【００４４】
試験用テープキャリアを上記のように湾曲させることにより、テープキャリアパッケージ半導体装置を実際に液晶パネルに実装した状態に近づけることができる。この状態で、試験用テープキャリアを一定の周期で変化する温度環境に曝すと、断線する箇所が液晶パネル実装工程で発生する断線箇所と一致すると共に、断線不良発生が加速される。
【００４５】
従って、テープキャリアパッケージ半導体装置の液晶パネル実装工程で発生する断線不良を、上記の断線試験を行うことで短時間で確実に確認することができる。
【００４６】
請求項３に係る発明の断線試験方法は、上記課題を解決するために、請求項１または２に記載の断線試験方法において、上記温度環境が８５℃と−３０℃とを３０分ずつ繰り返す周期を有することを特徴としている。
【００４７】
請求項４に係る発明の断線試験方法は、上記課題を解決するために、請求項１ないし３のいずれかに記載の断線試験方法において、上記絶縁保護膜が１種類のソルダレジストであることを特徴としている。
【００４８】
請求項５に係る発明の断線試験方法は、上記課題を解決するために、請求項４に記載の断線試験方法において、上記ソルダレジストのヤング率が５ｋｇｆ／ｍｍ２  〜７０ｋｇｆ／ｍｍ２  の範囲にあることを特徴としている。
【００４９】
請求項６に係る発明の断線試験方法は、上記課題を解決するために、請求項４または５に記載の断線試験方法において、上記ソルダレジストの厚みが５μｍ〜４５μｍの範囲にあることを特徴としている。
【００５０】
請求項７に係る発明の断線試験方法は、上記課題を解決するために、請求項４ないし６のいずれかに記載の断線試験方法において、上記ソルダレジストが、その粘度を決定するフィラーを１０ｗｔ％〜４０ｗｔ％の範囲で含有することを特徴としている。
【００５１】
請求項８に係る発明の断線試験方法は、上記課題を解決するために、請求項４ないし７のいずれかに記載の断線試験方法において、上記ソルダレジストが、ゴム系、ポリイミド系、エポキシ系、シリコーン系、あるいはウレタン系のうちいずれかの材料からなることを特徴としている。
【００５２】
請求項９に係る発明の断線試験方法は、上記課題を解決するために、請求項４ないし８のいずれかに記載の断線試験方法において、上記テープキャリアと上記駆動用半導体素子とが電気的に接続された部分の周囲は、絶縁性を有する液状樹脂によって上記液状樹脂の端部が上記ソルダレジストの上面と７０°以下の角度をなすように覆われることを特徴としている。
【００５３】
【発明の実施の形態】
本発明の断線試験方法の実施の形態について図１に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【００５４】
図１（ａ）に、本実施の形態の断線試験方法に用いられるテープキャリアとしてのＴＥＧ１を示す。ＴＥＧ１は、実際に実装されるＴＣＰ半導体装置の代わりに断線試験用に用いるテストパターンである。ＴＥＧ１は、絶縁テープとしてのポリイミド基材２、スリット３、金属配線パターンとしての銅配線パターン４、電極パッド５・５、及び絶縁保護膜としてのソルダレジスト６から構成される。
【００５５】
また、スリット３の裏側には同図（ｃ）に示すように、ポリイミド系ソルダレジスト７が塗布されている。
【００５６】
上記ＴＥＧ１の主要部の寸法は図１（ａ）に示すとおりであるが、これに限定されるものではなく、ＴＥＧ１の実デバイスに相当するＴＣＰ半導体装置の寸法に応じて適宜変更される。但し、ＴＥＧ１を形成するにあたり、銅配線パターン４に使用される銅箔の種類・厚み、ポリイミド基材２と銅箔とを接着する接着剤の種類・厚み、ソルダレジスト６の種類・厚み、スリット３の寸法等は、実際に使用されるＴＣＰ半導体装置と等しくした。特に、銅箔には電解銅箔を使用し、厚みは１／２オンス、配線パターン幅は３５μｍ、配線パターンピッチは７０μｍである。また、接着剤には東レ（株）の＃７１００（商品名）を使用した。
【００５７】
電極パッド５・５は、銅配線パターン４が断線すると、これをすぐに確認できるようにするために設けてある。断線不良を確認するには、断線試験の後にオープンチェッカを電極パッド５・５に接触させるだけでよい。
【００５８】
なお、工程を簡略化する目的で、ＴＥＧ１へのドライバＩＣチップのアセンブリを省略してある。
【００５９】
次に、図１（ｂ）（ｃ）に示すように上記の構成のＴＥＧ１…を液晶パネル１１と回路基板としてのＰＷＢ基板１２とに接合して折り曲げる。接合工程は以下のようになる。
【００６０】
まず、液晶パネル１１にＡＣＦ１３を仮圧着する。この仮圧着では、９０℃に加熱したツールを１０ｋｇｆ／ｃｍ２  の荷重をかけて２秒間、ＡＣＦ１３に押し当てる。その後、ＡＣＦ１３に付着しているスペーサを剥がし、ＴＥＧ１…をアライメントして仮圧着する。この仮圧着は、上述の仮圧着と同様の条件で行う。
【００６１】
次いで、２００℃に加熱したツールを３５ｋｇｆ／ｃｍ２  の荷重をかけて２０秒間ＴＥＧ１…に押し当て、ＴＥＧ１…と液晶パネル１１とを本圧着する。
【００６２】
液晶パネル１１は１３．８インチ大で厚みが１．１ｍｍのガラスを用いて作製されている。また、圧着装置は全て市販されているものである。
【００６３】
次に、ＰＷＢ基板１２にＡＣＦ１３を接合する。このとき、液晶パネル１１と同様の条件でＡＣＦ１３を仮圧着し、その後、ＡＣＦ１３のスペーサを剥がしてＴＥＧ１…とＰＷＢ基板１２とをアライメントし、全てのＴＥＧ１…を一括して本圧着する。ＰＷＢ基板１２の厚みは０．５ｍｍである。
【００６４】
ＴＥＧ１…を液晶パネル１１とＰＷＢ基板１２とに接合した後、液晶パネル１１とＰＷＢ基板１２とが所定の間隔で対向するようにＴＥＧ１…を湾曲させ、断線試験用のサンプルを数個作製する。このサンプルを側面から見た図が図１（ｃ）である。
【００６５】
上記のように湾曲させた状態で、温度サイクル槽に入れて銅配線パターン４の断線試験を行う。温度サイクル槽を、８５℃と−３０℃との２通りの温度を３０分ずつ繰り返すように設定し、１時間で１サイクル（周期）とカウントする。様々なソルダレジストの場合についてサンプルを作製してこの断線試験方法を適用し、それぞれのサンプルにおいて断線が発生するサイクル数を求めた結果の一例を表１に示す。
【００６６】
【表１】
0003545178.tif 000002
【００６７】
試験を行ったサンプルは、ヤング率が２００ｋｇｆ／ｍｍ２  のエポキシ系ソルダレジストを形成したＴＥＧ（サンプル１）、ヤング率が５０ｋｇｆ／ｍｍ２  のポリイミド系ソルダレジストの両端にヤング率が３８０ｋｇｆ／ｍｍ２  のエポキシ系ソルダレジストを形成したＴＥＧ（サンプル２）、ヤング率が１５ｋｇｆ／ｍｍ２  のポリイミド系ソルダレジストを形成したＴＥＧ（サンプル３）、ヤング率が３３ｋｇｆ／ｍｍ２  のウレタン系ソルダレジストを形成したＴＥＧ（サンプル４）、及びヤング率が２００ｋｇｆ／ｍｍ２  のエポキシ系ソルダレジストを形成したＴＣＰ半導体装置（サンプル５）である。
【００６８】
なお、サンプル５は、サンプル１ないし４のＴＥＧと異なり、実際に液晶パネル表示装置に使用されるＴＣＰ半導体装置である。また、ソルダレジストの厚みは全て２５μｍに統一してある。
【００６９】
表１において、断線に到る温度サイクル数の欄中に示されている分数は、分母が試験を行ったサンプル数を、分子がそのうち断線が発生したサンプル数を表す。まず、全ての断線箇所は、実デバイスであるＴＣＰ半導体装置の場合と一致した。また、サンプル１が２０サイクルで断線するのに対して、サンプル５が５００サイクルで断線することから、本実施の形態の断線試験方法の加速係数は２５倍であることが分かる。従って、この断線試験方法によれば、実デバイスの断線モードを短時間で再現することができる。
【００７０】
一方、実用的な耐断線性として、２００サイクル以内で断線が発生しないことが必要であるが、表１よりサンプル３・４がこの条件を満たしていることが分かる。さらに、ヤング率の小さいソルダレジストを使用する方が断線しにくい結果となっている。なお、サンプル２では、試験中にブリードが発生し、パターニング精度が悪化することが判明した。従って、上記の耐断線性を確保しながらブリードが発生しないようなソルダレジストを使用する必要がある。
【００７１】
そこで、このようなソルダレジストの条件を求めるため、チクソ性を決定するフィラー量を変えたサンプルを作製して、断線試験を行った。この結果、フィラー量が１０ｗｔ％〜４０ｗｔ％のソルダレジストを使用すれば、２００サイクル以上でも上記の耐断線性とブリードの阻止とが両立することが分かった。
【００７２】
フィラー量が１０ｗｔ％より少ないソルダレジストでは、断線試験において５００サイクル以上で大きなブリードが発生し、フィラー量が４０ｗｔ％より多いソルダレジストではヤング率が大きくなり、ソルダレジストの柔軟性が低下して２００サイクル以内で断線してしまう。フィラー量が１０ｗｔ％〜４０ｗｔ％のソルダレジストのヤング率は５ｋｇｆ／ｍｍ２  〜７０ｋｇｆ／ｍｍ２  であった。
【００７３】
なお、ヤング率を５ｋｇｆ／ｍｍ２  〜７０ｋｇｆ／ｍｍ２  の範囲に設定するには、ソルダレジスト内の重合成分からなる主材料のヤング率を１ｋｇｆ／ｍｍ２  以下にするのが効果的である。
【００７４】
以上の断線試験結果より、ヤング率が５ｋｇｆ／ｍｍ２  〜７０ｋｇｆ／ｍｍ２  の範囲内にあり、フィラー量が１０ｗｔ％〜４０ｗｔ％の範囲内にあるソルダレジストを使用すれば、実用に耐え得るＴＣＰ半導体装置を製造できる効果のあることが分かった。
【００７５】
また、ヤング率とフィラー量を上記範囲内に設定すれば、ゴム系・ポリイミド系・エポキシ系・シリコーン系・ウレタン系ソルダレジストのうちいずれかを１種類だけ使用することで上記の効果が得られる。さらに、上記の断線試験においては形成する絶縁保護膜の厚みを２５μｍとしたが、これに限らず、５μｍ〜４５μｍの範囲内であれば同等の効果が得られることも分かった。
【００７６】
次に、本実施の形態の断線試験方法に対する比較例として、表２にＭＩＴ試験方法による耐断線性の試験結果を示す。
【００７７】
【表２】
0003545178.tif 000003
【００７８】
試験を行ったサンプルは、ヤング率が２００ｋｇｆ／ｍｍ２  のエポキシ系ソルダレジストを形成したＴＥＧ（サンプル１’）、ヤング率が５０ｋｇｆ／ｍｍ２  のポリイミド系ソルダレジストの両端にヤング率が３８０ｋｇｆ／ｍｍ２  のエポキシ系ソルダレジストを形成したＴＥＧ（サンプル２’）、ヤング率が１５ｋｇｆ／ｍｍ２  のポリイミド系ソルダレジストを形成したＴＥＧ（サンプル３’）、及びヤング率が３３ｋｇｆ／ｍｍ２  のウレタン系ソルダレジストを形成したＴＥＧ（サンプル４’）である。サンプルは各々１０個ずつ作製し、これらのサンプルに対して断線に到る折り曲げ回数の平均値を求めた。
【００７９】
各ＴＥＧは、本実施の形態の断線試験方法におけるＴＥＧ１と形状が異なっているが、ソルダレジストの種類はサンプル１’ないし４’がそれぞれサンプル１ないし４に相当する。
【００８０】
このＭＩＴ試験方法では、断線箇所がスリット上に設けられている銅配線パターンに限られ、実デバイスとしてのＴＣＰ半導体装置の断線箇所に一致しない結果となった。また、サンプル１’はサンプル２’よりも耐断線性が高い結果となっており、本実施の形態の断線試験方法においてサンプル２がサンプル１より高い耐断線性を示すことと逆の結果である。
【００８１】
このことは、折り曲げてもソルダレジストに亀裂が入ったり割れたりしないサンプル１’がサンプル２’よりもＭＩＴ試験の結果が良好であるにも係わらず、これらに用いるソルダレジストを実際にＴＣＰ半導体装置に適用して液晶パネル及びＰＷＢ基板に実装すると、サンプル１’のソルダレジストを適用したものの方がサンプル２’のソルダレジストを適用したものより断線しやすいという事実に一致する。
【００８２】
このように、ＭＩＴ試験方法では、実デバイスにおける断線モードを再現することができない。
【００８３】
次に、テープキャリアパッケージ半導体装置について図２ないし図５を用いて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜上、前記の図面に示した構成要素と同一の機能を有する構成要素については、同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００８４】
本実施の形態におけるＴＣＰ半導体装置（テープキャリアパッケージ半導体装置）はフレックスＴＣＰ半導体装置である。図２（ａ）に、フレックスＴＣＰ半導体装置２１の平面構造、同図（ｂ）にそのＣ−Ｃ’線断面図をそれぞれ示す。
【００８５】
フレックスＴＣＰ半導体装置２１は、絶縁テープとしてのポリイミド基材２２を用いて作製したテープキャリア２３に駆動用半導体素子としてのドライバＩＣチップ２４を電気的に接合した構成である。
【００８６】
テープキャリア２３は、スリット２５・２５と、インナーリード２６…、入力側アウターリード２７…、出力側アウターリード２８…、及びテストパッド２９からなる金属配線パターンとしての銅配線パターンと、スリット２５・２５及び上記銅配線パターンを絶縁被覆する絶縁保護膜としてのポリイミド系ソルダレジスト３０及びポリイミド系ソルダレジスト３１・３１と、ポリイミド基材２２の送り出し・位置合わせに用いられるスプロケットホール３２…とから構成される。
【００８７】
また、ドライバＩＣチップ２４は、Ａｕバンプ３３…を介してインナーリード２６…と電気的に接続されると共に、この接続部周辺が樹脂３４によって封止されている。
【００８８】
次に、図３を用いて、上記の構造のフレックスＴＣＰ半導体装置２１におけるテープキャリア２３の作製プロセスを説明する。
【００８９】
まず、ポリイミド基材２２（ユーピレックス；宇部興産の商標）の表面に接着剤を塗布し（工程１）、デバイスホール、スリット２５・２５、スプロケットホール３２…を形成すべくポリイミド基材２２を金型で打ち抜く（工程２）。
【００９０】
次に、１８μｍ、２５μｍ、３５μｍ厚の銅箔のうち、いずれかをポリイミド基材２２にラミネートする（工程３）。スリット２５・２５には、まず、後に銅配線パターンが形成される面に対して反対側からポリイミド系ソルダレジスト３１・３１を形成する（工程４）。
【００９１】
そして、エッチングマスクとしてのフォトレジストを銅箔表面に塗布し（工程５）、露光によって目的のパターンを焼き付け（工程６）て現像する（工程７）。デバイスホールにもエッチングマスクとしてのフォトレジストを形成し（工程８）た後、銅箔エッチング液に浸漬して所望の銅配線パターンを形成する（工程９）。このようにして銅配線パターンを形成した後、全てのフォトレジストを有機溶剤あるいはドライエッチングによって剥離する（工程１０）。
【００９２】
次に、ポリイミド基材２２の銅配線パターンを形成した面上において、折り曲げ部であるスリット２５・２５を覆うように、フィラー量が３０ｗｔ％、ヤング率が１５ｋｇｆ／ｍｍ２  で２５μｍ厚のポリイミド系ソルダレジスト３０を印刷し、２時間程度キュアを行う（工程１１）。
【００９３】
この工程１１においては、フィラー量が１０ｗｔ％〜４０ｗｔ％の範囲にあり、ヤング率が５ｋｇｆ／ｍｍ２  〜７０ｋｇｆ／ｍｍ２  の範囲にあるソルダレジストを１種類だけ使用するため、前述の断線試験結果より、銅配線パターンが断線しにくくなると共に、図４に示すようにブリードの発生がなくパターニング精度を±０．２ｍｍに向上させることができる。また、フレックスＴＣＰ半導体装置２１の反りを１ｍｍ以下に抑制し、後のアセンブリ工程でフレックスＴＣＰ半導体装置２１を順調に搬送することができる。
【００９４】
さらに、ソルダレジストを１回だけ形成するため、ソルダレジストを２回形成する場合と比較してテープキャリア２３の作製日数を１日短縮することができ、ＱＴＡＴ（Ｑｕｉｃｋ  Ｔｕｒｎ  Ａｒｏｕｎｄ  Ｔｉｍｅ）に大きく貢献できるようになる。その上、テープキャリア２３の作製コストを１０％〜２０％低く抑えることができる。
【００９５】
次いで、露出している銅箔表面に、無電解メッキ法により０．２μｍ〜０．６μｍ厚のスズメッキを形成し、スズメッキ後はホイスカが発生しないようにキュアを施す（工程１２）。
【００９６】
次に、以上の工程により作製されたテープキャリア２３のインナーリード２６…にドライバＩＣチップ２４をＡｕバンプ３３…を介して接合する（工程１３）。そして、この接合部の周辺を樹脂３４で封止し（工程１４）、フレックスＴＣＰ半導体装置２１が完成する。
【００９７】
樹脂封止を行う工程１４において、樹脂３４はポリイミド系ソルダレジスト３０のエッジ部分を覆うように形成される。このとき、樹脂３４とポリイミド系ソルダレジスト３０との密着性が問題になる。液状樹脂の溶剤成分を変化させてこの密着性との相関を調べたところ、レベリング剤としてシリコーン等を混入させ、溶剤成分を１０ｗｔ％以下としたときに、図５に示すように液状樹脂がポリイミド系ソルダレジストに接触する接触角が７０°以下となって、密着性が良好になることが分かった。しかも、このように溶剤成分を低減しても、樹脂を所望の位置に流し込むことができる。
【００９８】
また、絶縁保護膜に、ゴムあるいはエポキシ系・シリコーン系・ウレタン系ソルダレジストのいずれを使用しても、液状樹脂の接触角が７０°以下のときに密着性が良好であった。
【００９９】
従って、工程１４において、ポリイミド系ソルダレジスト３０への接触角が７０°以下となるように樹脂３４を形成することで、フレックスＴＣＰ半導体装置２１の製造歩留りが大きく向上する。
【０１００】
次に、液晶パネル表示装置について図６を用いて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜上、前記の図面に示した構成要素と同一の機能を有する構成要素については、同一の符号を付し、その説明を省略する。
【０１０１】
図６に示すように、本実施の形態における液晶パネル表示装置５１は、前述したフレックスＴＣＰ半導体装置２１…、液晶パネル５２、ＰＷＢ基板５３、バックライト５４、及びベゼル５５から構成される。
【０１０２】
以下に、液晶パネル表示装置５１を製造する手順について説明する。
【０１０３】
まず、液晶パネル５２に、ＡＣＦを仮圧着する。ＡＣＦは、１．２ｍｍから３ｍｍ程度までの種類の幅があり、液晶パネル５２の額縁のサイズに合わせて適宜選択される。従って、例えば、額縁の幅が狭ければ、ＡＣＦも幅の狭いものを選択する。ＡＣＦを仮圧着するには、ＡＣＦを液晶パネル５２に貼り付けたまま、９０℃に加熱したツールを２秒程度押し当てる。このとき、ＡＣＦは熱によって反応して硬化するが、後に本圧着することができるようにするため、完全には硬化させない。
【０１０４】
ＡＣＦの仮圧着が終了した時点で、ＡＣＦに付着していたスペーサを剥がし、そこにフレックスＴＣＰ半導体装置２１…の出力側アウターリード２８…を仮圧着する。このとき、フレックスＴＣＰ半導体装置２１…と液晶パネル５２とを、それぞれに形成されたアライメントマークを用いて位置合わせする。フレックスＴＣＰ半導体装置２１…は、この仮圧着前に、リール状につながった状態にあるため、金型で打ち抜いて個片にしておく。そして、仮圧着時には、１００℃に加熱したツールを１０ｋｇｆ／ｃｍ２  の荷重で３秒押し当てるが、ＡＣＦを完全には硬化させない。
【０１０５】
フレックスＴＣＰ半導体装置２１…の仮圧着が終了すると次に本圧着を行う。
【０１０６】
本圧着は、全てのフレックスＴＣＰ半導体装置２１…に一括して、２００℃に加熱したツールを３５ｋｇｆ／ｃｍ２  の荷重で２０秒押し当てて実施する。
【０１０７】
液晶パネル５２にフレックスＴＣＰ半導体装置２１…を実装すると、今度はフレックスＴＣＰ半導体装置２１…の入力側アウターリード２７…を回路基板としてのＰＷＢ基板５３に実装する。ＰＷＢ基板５３への実装方法として、ハンダ付けによる方法とＡＣＦによる方法とがある。ＡＣＦによる実装方法では、ＰＷＢ基板５３をアライメントし、全てのフレックスＴＣＰ半導体装置２１…を一括して実装する。
【０１０８】
その後、液晶パネル５２の裏側に光源となるバックライト５４を実装し、フレックスＴＣＰ半導体装置２１…、液晶パネル５２、ＰＷＢ基板５３、及びバックライト５４からなるユニット全体をベゼル５５で覆う。
【０１０９】
以上のようにして液晶パネル表示装置５１が製造される。この液晶パネル表示装置５１には、前述したように、耐断線性が高く、製造歩留りの良いフレックスＴＣＰ半導体装置２１…を使用している。従って、１５インチ以上の大型液晶パネル表示装置を歩留り良く低コストで製造することができる。
【０１１０】
（１）なお、テープキャリアパッケージ半導体装置は、絶縁テープに金属配線パターン及び上記金属配線パターンを絶縁被覆する絶縁保護膜が設けられたテープキャリアと、液晶パネルを駆動する駆動用半導体素子とを有すると共に、一端が上記液晶パネルに接続され、他端が液晶パネル駆動用の信号を出力する回路基板に接続されるテープキャリアパッケージ半導体装置において、上記絶縁保護膜が、前述の断線試験方法によって、上記試験用金属配線パターンが所定の周期数以下で断線しないと特定された材料からなるようにすることができる。
【０１１１】
これによれば、テープキャリアに形成される絶縁保護膜は、前述の断線試験方法によって、試験用金属配線パターンが所定の周期数以下で断線しないと特定された材料からなる。
【０１１２】
これにより、テープキャリアパッケージ半導体装置を液晶パネルに実装しても、金属配線パターンは断線しにくいものとなる。
【０１１３】
（２）また、テープキャリアパッケージ半導体装置は、（１）のテープキャリアパッケージ半導体装置において、上記絶縁保護膜が、８５℃と−３０℃とを３０分ずつ繰り返す周期を有する前述の断線試験方法によって上記試験用金属配線パターンが２００周期以下で断線しないと特定された１種類のソルダレジストであるようにすることができる。
【０１１４】
これによれば、絶縁テープ上に形成された絶縁保護膜は、１種類のソルダレジストである。このソルダレジストは、８５℃と−３０℃とを３０分ずつ、すなわち６０分の周期を持つ温度環境に曝される断線試験によって、金属配線パターンが２００周期数以下で断線しないような柔軟性を有する。
【０１１５】
従って、テープキャリアパッケージ半導体装置を液晶パネルに実装しても金属配線パターンは断線しにくい。さらには、テープキャリアパッケージ半導体装置に反りが発生しにくくなると共に、絶縁保護膜の形成を１回の工程で終了させるため、テープキャリアの製造コストを低く抑えることができる。
【０１１６】
（３）また、テープキャリアパッケージ半導体装置は、（２）のテープキャリアパッケージ半導体装置において、上記ソルダレジストのヤング率が５ｋｇｆ／ｍｍ２  〜７０ｋｇｆ／ｍｍ２  の範囲にあるようにすることができる。
【０１１７】
これによれば、ヤング率が５ｋｇｆ／ｍｍ２  〜７０ｋｇｆ／ｍｍ２  の範囲にあれば、ソルダレジストは非常に柔軟な絶縁保護膜として機能する。
【０１１８】
従って、テープキャリアパッケージ半導体装置を液晶パネルに実装しても金属配線パターンは非常に断線しにくい。さらには、テープキャリアパッケージ半導体装置に反りが発生しにくくなると共に、テープキャリアの製造コストを低く抑えることができる。
【０１１９】
（４）また、テープキャリアパッケージ半導体装置は、（３）のテープキャリアパッケージ半導体装置において、上記ソルダレジストの厚みが５μｍ〜４５μｍの範囲にあるようにすることができる。
【０１２０】
これによれば、ヤング率が５ｋｇｆ／ｍｍ２  〜７０ｋｇｆ／ｍｍ２  の範囲にあり、厚みが５μｍ〜４５μｍの範囲内にあれば、ソルダレジストは非常に柔軟な絶縁保護膜として機能する。
【０１２１】
（５）また、テープキャリアパッケージ半導体装置は、（２）ないし（４）のいずれかのテープキャリアパッケージ半導体装置において、上記ソルダレジストが、その粘度を決定するフィラーを１０ｗｔ％〜４０ｗｔ％の範囲で含有するようにすることができる。
【０１２２】
これによれば、ソルダレジストは、フィラーを１０ｗｔ％〜４０ｗｔ％の範囲で含有しており、印刷時に粘度が低いものとなる。
【０１２３】
従って、ソルダレジストのチクソ性が高まり、印刷時にソルダレジストのエッジにブリードが発生しにくく、パターニング精度が向上する。
【０１２４】
（６）また、テープキャリアパッケージ半導体装置は、（２）ないし（５）のいずれかのテープキャリアパッケージ半導体装置において、上記ソルダレジストは、ゴム系、ポリイミド系、エポキシ系、シリコーン系、あるいはウレタン系のうちいずれかの材料からなるようにすることができる。
【０１２５】
これによれば、ソルダレジストは、ゴム系、ポリイミド系、エポキシ系、シリコーン系、あるいはウレタン系のうちいずれかの材料からなる柔軟性の高い絶縁保護膜となる。
【０１２６】
（７）また、テープキャリアパッケージ半導体装置は、（２）ないし（６）のいずれかのテープキャリアパッケージ半導体装置において、上記テープキャリアと上記駆動用半導体素子とが電気的に接続された部分の周囲は、絶縁性を有する液状樹脂によって上記液状樹脂の端部が上記ソルダレジストの上面と７０°以下の角度をなすように覆われるようにすることができる。
【０１２７】
これによれば、テープキャリアと上記駆動用半導体素子とが電気的に接続された部分の周囲は、絶縁性を有する液状樹脂によって覆われる。この状態で、液状樹脂は端部が上記ソルダレジストの上面と７０°以下の角度をなすように形成される。
【０１２８】
これにより、液状樹脂とソルダレジストとの密着性が高まり、テープキャリアパッケージ半導体装置を歩留り良く製造することができる。
【０１２９】
（８）また、液晶パネル表示装置は、絶縁テープに金属配線パターン及び上記金属配線パターンを絶縁被覆する絶縁保護膜が設けられたテープキャリアと、液晶パネルを駆動する駆動用半導体素子とを有すると共に、一端が上記液晶パネルに接続され、他端が液晶パネル駆動用の信号を出力する回路基板に接続されるテープキャリアパッケージ半導体装置を備える液晶パネル表示装置において、上記絶縁保護膜が、前述の断線試験方法によって、上記試験用金属配線パターンが所定の周期数以下で断線しないと特定された材料からなるようにすることができる。
【０１３０】
これによれば、テープキャリアに形成される絶縁保護膜は、前述の断線試験方法によって、試験用金属配線パターンが所定の周期数以下で断線しないと特定された材料からなる。
【０１３１】
これにより、テープキャリアパッケージ半導体装置を大型の液晶パネルに実装しても、金属配線パターンは断線しにくいものとなり、歩留り良く大型の液晶パネル表示装置を提供することができる。
【０１３２】
（９）また、液晶パネル表示装置は、（８）の液晶パネル表示装置において、上記絶縁保護膜が、８５℃と−３０℃とを３０分ずつ繰り返す周期を有する前述の断線試験方法によって上記試験用金属配線パターンが２００周期以下で断線しないと特定された１種類のソルダレジストであるようにすることができる。
【０１３３】
これによれば、絶縁テープ上に形成された絶縁保護膜は、１種類のソルダレジストである。このソルダレジストは、８５℃と−３０℃とを３０分ずつ、すなわち６０分の周期を持つ温度環境に曝される断線試験によって、金属配線パターンが２００周期数以下で断線しないような柔軟性を有する。
【０１３４】
従って、テープキャリアパッケージ半導体装置を大型の液晶パネルに実装しても金属配線パターンは断線しにくい。さらには、テープキャリアパッケージ半導体装置に反りが発生しにくくなると共に、絶縁保護膜の形成を１回の工程で終了させるため、テープキャリアの製造コストを低く抑えることができる。
【０１３５】
この結果、歩留り良く大型の液晶パネル表示装置を提供することができる。
【０１３６】
（１０）また、液晶パネル表示装置は、（９）の液晶パネル表示装置において、上記ソルダレジストのヤング率が５ｋｇｆ／ｍｍ２  〜７０ｋｇｆ／ｍｍ２  の範囲にあるようにすることができる。
【０１３７】
これによれば、ヤング率が５ｋｇｆ／ｍｍ２  〜７０ｋｇｆ／ｍｍ２  の範囲にあれば、ソルダレジストは非常に柔軟な絶縁保護膜として機能する。
【０１３８】
従って、テープキャリアパッケージ半導体装置を液晶パネルに実装しても金属配線パターンは非常に断線しにくい。さらには、テープキャリアパッケージ半導体装置に反りが発生しにくくなると共に、テープキャリアの製造コストを低く抑えることができる。
【０１３９】
この結果、歩留り良く大型の液晶パネル表示装置を提供することができる。
【０１４０】
（１１）また、液晶パネル表示装置は、（１０）の液晶パネル表示装置において、上記ソルダレジストの厚みが５μｍ〜４５μｍの範囲にあるようにすることができる。
【０１４１】
これによれば、ヤング率が５ｋｇｆ／ｍｍ２  〜７０ｋｇｆ／ｍｍ２  の範囲にあり、厚みが５μｍ〜４５μｍの範囲にあれば、ソルダレジストは非常に柔軟な絶縁保護膜として機能する。
【０１４２】
従って、テープキャリアパッケージ半導体装置を液晶パネルに実装しても金属配線パターンは非常に断線しにくい。さらには、ＴＣＰ半導体装置に反りが発生しにくくなると共に、テープキャリアの製造コストを低く抑えることができる。
【０１４３】
この結果、歩留り良く大型の液晶パネル表示装置を提供することができる。
【０１４４】
（１２）また、液晶パネル表示装置は、（９）ないし（１１）のいずれかの液晶パネル表示装置において、上記ソルダレジストが、その粘度を決定するフィラーを１０ｗｔ％〜４０ｗｔ％の範囲で含有するようにすることができる。
【０１４５】
これによれば、ソルダレジストは、フィラーを１０ｗｔ％〜４０ｗｔ％の範囲で含有しており、印刷時に粘度が低いものとなる。
【０１４６】
従って、ソルダレジストのチクソ性が高まり、印刷時にソルダレジストのエッジにブリードが発生しにくく、パターニング精度が向上する。
【０１４７】
この結果、歩留り良く液晶パネル表示装置を提供することができる。
【０１４８】
（１３）また、液晶パネル表示装置は、（９）ないし（１２）のいずれかの液晶パネル表示装置において、上記ソルダレジストが、ゴム系、ポリイミド系、エポキシ系、シリコーン系、あるいはウレタン系のうちいずれかの材料からなるようにすることができる。
【０１４９】
これによれば、ソルダレジストは、ゴム系、ポリイミド系、エポキシ系、シリコーン系、あるいはウレタン系のうちいずれかの材料からなる柔軟性の高い絶縁保護膜となる。
【０１５０】
従って、テープキャリアパッケージ半導体装置の金属配線パターンが断線しにくくなり、歩留り良く大型の液晶パネル表示装置を提供することができる。
【０１５１】
（１４）また、液晶パネル表示装置は、（９）ないし（１３）のいずれかの液晶パネル表示装置において、上記テープキャリアと上記駆動用半導体素子とが電気的に接続された部分の周囲は、絶縁性を有する液状樹脂によって上記液状樹脂の端部が上記ソルダレジストの上面と７０°以下の角度をなすように覆われるようにすることができる。
【０１５２】
これによれば、テープキャリアと上記駆動用半導体素子とが電気的に接続された部分の周囲は、絶縁性を有する液状樹脂によって覆われる。この状態で、液状樹脂は端部が上記ソルダレジストの上面と７０°以下の角度をなすように形成される。
【０１５３】
これにより、液状樹脂とソルダレジストとの密着性が高まり、テープキャリアパッケージ半導体装置を歩留り良く製造することができる。従って、歩留り良く液晶パネル表示装置を提供することができる。
【０１５４】
【発明の効果】
請求項１に係る発明の断線試験方法は、以上のように、絶縁テープに金属配線パターン及び上記金属配線パターンを絶縁被覆する絶縁保護膜が設けられたテープキャリアと、液晶パネルを駆動する駆動用半導体素子とを有するテープキャリアパッケージ半導体装置の上記テープキャリアと同等の構造の試験用テープキャリアを断線試験する断線試験方法において、上記試験用テープキャリアの一端は液晶パネルに接続されると共に他端は液晶パネル駆動用の信号を出力する回路基板に接続され、上記液晶パネルと上記回路基板とが対向するように上記試験用テープキャリアを湾曲させた状態で、一定の周期で変化する温度環境に曝して上記試験用テープキャリアの試験用金属配線パターンが断線する周期数を求めるものである。
【０１５５】
それゆえ、テープキャリアを上記のように湾曲させることにより、テープキャリアと駆動用半導体素子とから構成されるテープキャリアパッケージ半導体装置を、実際に液晶パネルに実装した状態に近づけることができる。この状態で、テープキャリアを一定の周期で変化する温度環境に曝すと、断線する箇所が液晶パネル実装工程で発生する断線箇所と一致すると共に、断線不良発生が加速される。
【０１５６】
この結果、液晶パネル実装工程で発生する断線不良を、上記の断線試験を行うことで短時間で確実に確認することができるという効果を奏する。
【０１５７】
請求項２に係る発明の断線試験方法は、以上のように、絶縁テープにスリットが形成されるとともに金属配線パターン及び上記金属配線パターンを絶縁被覆する絶縁保護膜が設けられたテープキャリアと、液晶パネルを駆動する駆動用半導体素子とを有するテープキャリアパッケージ半導体装置の上記テープキャリアと同等の構造の試験用テープキャリアを断線試験する断線試験方法において、上記試験用テープキャリアの一端は液晶パネルに接続されると共に他端は液晶パネル駆動用の信号を出力する回路基板に接続され、上記液晶パネルと上記回路基板とが対向するように上記試験用テープキャリアを上記スリットの部分で湾曲させた状態で、一定の周期で変化する温度環境に曝して上記試験用テープキャリアの試験用金属配線パターンが断線する周期数を求めるものである。
【０１５８】
それゆえ、テープキャリアを上記のように湾曲させることにより、テープキャリアと駆動用半導体素子とから構成されるテープキャリアパッケージ半導体装置を、実際に液晶パネルに実装した状態に近づけることができる。この状態で、テープキャリアを一定の周期で変化する温度環境に曝すと、断線する箇所が液晶パネル実装工程で発生する断線箇所と一致すると共に、断線不良発生が加速される。
【０１５９】
この結果、液晶パネル実装工程で発生する断線不良を、上記の断線試験を行うことで短時間で確実に確認することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）は、本発明の実施の形態における断線試験方法を説明する説明図である。
【図２】本発明の実施の形態におけるテープキャリアパッケージ半導体装置の構造を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ’線断面図である。
【図３】図２のテープキャリアパッケージ半導体装置を製造する工程を説明するフロー図である。
【図４】図２のテープキャリアパッケージ半導体装置においてブリードが発生しないことを説明する説明図である。
【図５】図２のテープキャリアパッケージ半導体装置において液状樹脂とソルダレジストとの密着性を説明する説明図である。
【図６】本発明の実施の形態における液晶パネル表示装置の構造を示す構造図である。
【図７】従来のテープキャリアパッケージ半導体装置の構造を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線断面図である。
【図８】図７のテープキャリアパッケージ半導体装置のテープキャリアを作製する工程を説明するフロー図である。
【図９】従来のテープキャリアパッケージ半導体装置の構造を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ’線断面図である。
【図１０】（ａ）は図７のテープキャリアパッケージ半導体装置の実装時の状態、（ｂ）は図９のテープキャリアパッケージ半導体装置の実装時の状態をそれぞれ説明する説明図である。
【図１１】（ａ）及び（ｂ）は、従来の断線試験方法を説明する説明図である。
【図１２】従来のテープキャリアパッケージ半導体装置においてブリードが発生することを説明する説明図である。
【図１３】図７のテープキャリアパッケージ半導体装置の実装時における断線発生箇所を説明する説明図である。
【符号の説明】
１          ＴＥＧ（テープキャリア）
２          ポリイミド基材（絶縁テープ）
３ スリット
４          銅配線パターン（金属配線パターン）
６          ソルダレジスト（絶縁保護膜）
１１        液晶パネル
１２        ＰＷＢ基板（回路基板）
２１        フレックスＴＣＰ半導体装置（テープキャリアパッケージ半導
体装置）
２２        ポリイミド基材（絶縁テープ）
２３        テープキャリア
２４        ドライバＩＣチップ（駆動用半導体素子）
２５ スリット
２６        インナーリード（金属配線パターン）
２７        入力側アウターリード（金属配線パターン）
２８        出力側アウターリード（金属配線パターン）
２９          テストパッド（金属配線パターン）
３０ ポリイミド系ソルダレジスト（ソルダレジスト、絶縁保護膜）
３４        樹脂（液状樹脂）
５１        液晶パネル表示装置
５２        液晶パネル
５３        ＰＷＢ基板（回路基板）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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