(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層を形成するとともに該絶縁層に埋め込みＣｕ（銅）配線を形成しさらに該絶縁層の表面を平坦化せしめる工程を複数回繰り返すことによって基材表面に多層埋め込みＣｕ配線を形成する多層埋め込みＣｕ配線形成方法において、
前記平坦化工程の後に、露出したＣｕ配線露出面を水溶液に浸漬することによりＡｇ（銀）保護膜を形成することを特徴とする多層埋め込みＣｕ配線形成方法。
【請求項２】
前記Ｃｕ配線露出面へのＡｇ保護膜の形成は、Ｃｕ配線露出面をＡｇで置換メッキすることによって行なうことを特徴とする請求項１記載の多層埋め込みＣｕ配線形成方法。
【請求項３】
前記絶縁層の表面の平坦化は化学機械研摩によって行なうことを特徴とする請求項１又は２記載の多層埋め込みＣｕ配線形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハなどの基材表面に設けられる多層埋め込みＣｕ配線の形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来半導体素子用の配線として一般にアルミニウム合金が用いられてきたが、半導体素子の高集積化に伴い、配線の低抵抗化，耐マイグレーション性向上の観点から、配線としてＣｕ（銅）を用いる埋め込みＣｕ配線（ダマシン法）、更にこれを多層化した多層埋め込みＣｕ配線が採用されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら多層埋め込みＣｕ配線を形成しようとした場合、以下のような問題点があった。
【０００４】
▲１▼図５（ａ）に示すように、Ｃｕ配線１１１を埋め込んだＳｉＯ２絶縁層１１０の表面に、多層化のため次のＣｕ配線用のＳｉＯ２絶縁層１２０を形成しようとした際に、Ｃｕ配線１１１の露出面１１１ａが酸化されてしまう。
【０００５】
▲２▼図５（ｂ）に示すように、Ｃｕ配線１１１を埋め込んだＳｉＯ２絶縁層１１０の表面に、多層化のために積層したＳｉＯ２絶縁層１２０内に該Ｃｕ配線１１１と接続するプラグ形成用の穴１２１を設けるために、ＳｉＯ２絶縁層１２０の表面に設けたレジスト層１３０の穴１３１からエッチャント（エッチングガス）にてＳｉＯ２絶縁層１２０をエッチングする際に、該エッチャントによってＣｕ配線１１１の露出面１１１ａが変質してしまう。
【０００６】
▲３▼図５（ｃ）に示すように、前記図５（ｂ）に示すレジスト層１３０を酸素を用いて取り除く際に、Ｃｕ配線１１１の露出面１１１ａが酸化されてしまう。
【０００７】
本発明は上述の点に鑑みてなされたものでありその目的は、埋め込みＣｕ配線を多層化する工程の途中に露出するＣｕ配線の露出面の酸化や変質を効果的に防止することができる多層埋め込みＣｕ配線形成方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記問題点を解決するため本発明は、絶縁層を形成するとともに該絶縁層に埋め込みＣｕ（銅）配線を形成しさらに該絶縁層の表面を平坦化せしめる工程を複数回繰り返すことによって基材表面に多層埋め込みＣｕ配線を形成する多層埋め込みＣｕ配線形成方法において、前記平坦化工程の後に、露出したＣｕ配線露出面を水溶液に浸漬することによりＡｇ（銀）保護膜を形成することとした。これによってＣｕ配線の酸化や変質が防止できる。
また本発明は、前記Ｃｕ配線露出面へのＡｇ保護膜の形成を、Ｃｕ配線露出面をＡｇで置換メッキすることによって行なうこととした。これによってＡｇ保護膜がＣｕ配線の露出面のみに選択的に形成でき、またＡｇ保護膜が厚膜化せずＣｕ中のＡｇの量を少なくでき、Ｃｕ−Ａｇ系は非固溶系なので相互拡散しても抵抗値が大きくなりにくい。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。
即ち本発明においては図１に示すように、半導体ウエハ表面に設けたＳｉＯ２絶縁層１０内に埋め込むようにＣｕ配線１５を形成し、このＣｕ配線１５の表面を含むＳｉＯ２絶縁層１０表面全体を、化学機械研摩法（ＣＭＰ法）によって平面化した後、この半導体ウエハをシアン化銀水溶液中に浸漬することによって、Ｃｕ配線１５の露出面のみを置換メッキし、該Ｃｕ配線１５の露出面のみに薄いＡｇ（銀）保護膜１７を形成する。なお図１では説明の都合上、Ａｇ保護膜１７の厚みを厚く記載しているが、実際はＣｕ配線１５の露出面の表層のみに形成され、極めて薄い。
【００１０】
Ａｇ保護膜１７を形成する置換メッキの反応式は図２に示す通りである。置換メッキは金属のみと反応するので、ＳｉＯ２絶縁層１０とは反応せず、従ってＣｕ配線１５の露出面のみに選択的にＡｇ保護膜１７を形成することができ、好適である。
【００１１】
また置換メッキなのでＡｇ保護膜１７は極めて薄くでき厚膜化する恐れはなく、Ａｇ保護膜１７を構成するＡｇ量が少なくて済む。
【００１２】
ここで図３は非固溶系であるＣｕ−Ａｇ共晶合金の組成割合と温度Ｔ０における抵抗率の関係を示す図である。同図に示すようにＣｕが１００〔％〕に近い場合（点ρＢ）は、抵抗値はＣｕ単体の場合とほとんど同一で小さいことが分かる。従って前述のようにＡｇ保護膜１７が薄くてＡｇ量が少ないと、ＡｇとＣｕ間で相互拡散したとしても全体としての抵抗値はほとんど上がらない。
【００１３】
そして図４（ａ）に示すように、Ａｇ保護膜１７を設けたＳｉＯ２絶縁層１０の上に、多層化のために次の埋め込みＣｕ配線形成用のＳｉＯ２絶縁層２０が形成されるが、その際にＡｇ保護膜１７がＣｕ配線１５の酸化を防止する。
【００１４】
また図４（ｂ）に示すようにＳｉＯ２絶縁層２０にプラグ形成用の穴２１を設けようとした場合は、ＳｉＯ２絶縁層２０上にレジスト層３０を設け、該レジスト層３０に設けた開口３１からＳｉＯ２絶縁層２０をフッ素や塩素からなるエッチャントによってエッチングするが、その際エッチャントはＡｇ保護膜１７に触れるだけでＣｕ配線１５には触れず、従ってＣｕ配線１５が変質することもない。
【００１５】
またさらに図４（ｂ）に示すレジスト層３０は、図４（ｃ）に示すようにアッシングで酸化されて除去されるが、その際にもＡｇ保護膜１７がＣｕ配線１５の酸化を防止する。
【００１６】
なお上側のＳｉＯ２絶縁層２０にプラグや図示しないＣｕ配線を埋め込んでＳｉＯ２絶縁層２０表面を化学機械研摩した後、更にその上にＣｕ埋め込み配線用のＳｉＯ２絶縁層を形成する場合は、再びＳｉＯ２絶縁層２０表面の図示しないＣｕ配線露出面に置換メッキによってＡｇ保護膜を形成すれば良い。
【００１７】
なお上記実施形態では化学機械研摩法によって埋め込みＣｕ配線の表面を平坦化したが、この平坦化工程は化学機械研摩法以外の各種方法によって行なっても良い。
【００１８】
また上記実施形態ではＣｕを置換メッキするためにシアン化銀水溶液を用いたが、その代りに硝酸銀水溶液など、他の液体を用いても良い。
【００１９】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように本発明によれば以下のような優れた効果を有する。
▲１▼Ｃｕ配線露出面にＡｇ保護膜を形成することとしたので、Ｃｕの酸化と変質が防止でき、スループットが向上する。
【００２０】
▲２▼Ｃｕ配線露出面へのＡｇ保護膜の形成を置換メッキで行なったので、別途マスクなどを設けなくても、Ａｇ保護膜がＣｕ配線露出面のみに選択的に形成できてその工程が簡単に行なえるばかりか、Ａｇ保護膜を極めて薄く形成できるので、Ｃｕ中に拡散するＡｇの量を極めて少なくでき、抵抗値が上昇しにくくなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ＳｉＯ２絶縁層１０内に形成したＣｕ配線１５にＡｇ保護膜１７を形成する方法を示す斜視図である。
【図２】Ａｇ保護膜１７を形成する置換メッキの反応式を示す図である。
【図３】Ｃｕ−Ａｇ共晶合金の組成割合と温度Ｔ０における抵抗率の関係を示す図である。
【図４】本発明にかかるＡｇ保護膜１７の作用を説明するための図である。
【図５】従来の多層埋め込みＣｕ配線の問題点を説明するための図である。
【符号の説明】
１０  ＳｉＯ２絶縁層
１５  Ｃｕ配線
１７  Ａｇ保護膜
２０  ＳｉＯ２絶縁層
【図１】
0003545177.tif 000002
【図２】
0003545177.tif 000003
【図３】
0003545177.tif 000004
【図４】
0003545177.tif 000005
【図５】
0003545177.tif 000006