(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を第１の速度で搬送する第１搬送手段を有するとともに、当該第１搬送手段によって搬送される前記基板に処理液による処理を施す処理部と、
前記処理部よりも前記基板の搬送に関し下流側に設けられ、当該基板を第２の速度で搬送する第２搬送手段を有するとともに、当該第２搬送手段によって搬送される前記基板に付着した前記処理液を除去して前記基板の仕上げ処理を行う仕上げ部と、
前記第１搬送手段の搬送速度である前記第１の速度を、前記第２搬送手段の搬送速度である前記第２の速度と異なる速度を含む所定範囲で可変設定する速度制御手段と、
前記処理部から前記仕上げ部にかけての境界領域に、前記基板を前記第１の速度以上である第４の速度で搬送する第４搬送手段と、
前記仕上げ部における仕上げ処理の前処理のため、前記第４搬送手段によって搬送される前記基板に付着している前記処理液の液切りを行う液切り手段と、
を備え、
前記処理部が、
前記第１搬送手段に前記基板を受け渡す前に当該基板を前記第１の速度以上である第３の速度で搬送する第３搬送手段と、
当該第３搬送手段によって搬送されている前記基板に前記処理液を供給する供給手段と、
を備え、
前記第３の速度と前記第４の速度をほぼ一致するようにすることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記速度制御手段は、前記第１の速度を前記第２の速度以上の所定範囲で設定することを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
基板を第１の搬送手段によって第１の速度で搬送しつつ当該基板に処理液による処理を施す工程と、当該処理液による処理を終了した前記基板を第２搬送手段によって第２の搬送速度で搬送しつつ前記基板に付着した前記処理液を除去して前記基板の仕上げ処理を行う工程と、
前記第１搬送手段に前記基板を受け渡す前に、当該基板を前記第１の速度以上である第３の速度で第３搬送手段によって搬送しつつ、当該第３搬送手段によって搬送されている前記基板に前記処理液を供給する工程と、
前記処理液による処理を終了した前記基板を前記第１の速度以上である第４の速度で搬送しつつ、前記仕上げ部における仕上げ処理の前処理として、前記基板に付着している前記処理液の液切りを行う工程と、
を備え、
前記処理液を用いて前記基板を処理する工程において、前記第１搬送手段の搬送速度である前記第１の速度を、前記第２搬送手段の搬送速度である前記第２の速度と異なる速度を含む所定範囲で可変設定するとともに、
前記液切りを行う工程において、前記第４の速度を前記第３の速度とほぼ一致するようにすることを特徴とする基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示パネル用あるいはプラズマ表示パネル用ガラス基板、半導体ウェハ等の基板に現像等の処理を行うための基板処理装置及び方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来存在する連続枚葉式のウエット処理装置のうち、コロやコンベア等を用いて基板を一定速度で搬送しつつこれに現像等の諸処理を施す装置では、最終的仕上げのため、エアナイフ等で水切りして基板を乾燥させる必要があるが、基板の搬送速度があまり速いと、十分な水切りが達成できない。したがって、基板の搬送速度の上限は、エアナイフ等による水切りが十分に達成できる範囲に制限され、これ以上搬送速度を速くすることはできなかった。また、このような装置では、搬送される前後の基板を相互に干渉させないため、処理すべき基板のサイズと許容されるスループットとから、基板の搬送速度の下限が定まる。したがって、このような装置における基板の搬送速度は、上記の下限及び上限の間で必要に応じて適宜設定されていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来の装置では、基板の搬送速度が上述のように制限されるので、処理時間の設定も非常に限られた範囲でしか変更することができなかった。つまり、ウエット処理における処理時間は、処理槽の大きさと基板の搬送速度とによって決定されるので、搬送速度の設定に自由度がない場合、これに対応して、処理時間の設定範囲の変更も大きく制限されている。
【０００４】
特に、近年この処理時間を広範囲に亘って任意に変更することが望まれているが、当初予定されている上記のような範囲を超えて処理時間の設定を変更しようとすると、処理槽の大きさを変更するなど、非常な困難を伴っていた。
【０００５】
また、現像やエッチングなどのウエット処理を行う場合、従来の装置では、搬送されてくる基板に対してスプレー状或いはカーテン状に処理液を供給して処理を開始するとともに、処理中の基板に対してリンス液を供給するかエアナイフを作用させることで処理液を除去する液切りを行って処理の進行を終了していた。ところが、これら処理液の供給や処理液の除去は、基板全面に対して同時に作用するものではなく、また処理時間や処理特性が基板の面内において完全に均一になることも期待できないため、処理ムラができる原因となっていた。
【０００６】
そこで、この発明は、処理時間を広い範囲で任意かつ簡単に変更することができる基板処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【０００７】
また、この発明は、さらに基板面内での処理ムラの発生を低減することができる基板処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、請求項１の基板処理装置は、基板を第１の速度で搬送する第１搬送手段を有するとともに、この第１搬送手段によって搬送される基板に処理液による処理を施す処理部と、処理部よりも基板の搬送に関し下流側に設けられ、この基板を第２の速度で搬送する第２搬送手段を有するとともに、この第２搬送手段によって搬送される基板に付着した処理液を除去して基板の仕上げ処理を行う仕上げ部と、第１搬送手段の搬送速度である第１の速度を、第２搬送手段の搬送速度である第２の速度と異なる速度を含む所定範囲で可変設定する速度制御手段と、処理部から仕上げ部にかけての境界領域に、基板を第１の速度以上である第４の速度で搬送する第４搬送手段と、仕上げ部における仕上げ処理の前処理のため、第４搬送手段によって搬送される基板に付着している処理液の液切りを行う液切り手段とを備え、処理部が、第１搬送手段に基板を受け渡す前に当該基板を第１の速度以上である第３の速度で搬送する第３搬送手段と、当該第３搬送手段によって搬送されている基板に処理液を供給する供給手段とを備え、第３の速度と第４の速度をほぼ一致するようにする。
【０００９】
また、請求項２の基板処理装置は、速度制御手段が、第１の速度を第２の速度以上の所定範囲で設定することを特徴とする。
【００１１】
また、請求項３の基板処理方法は、基板を第１の搬送手段によって第１の速度で搬送しつつこの基板に処理液による処理を施す工程と、この処理液による処理を終了した基板を第２搬送手段によって第２の搬送速度で搬送しつつ基板に付着した処理液を除去して基板の仕上げ処理を行う工程と、第１搬送手段に基板を受け渡す前に、当該基板を第１の速度以上である第３の速度で第３搬送手段によって搬送しつつ、当該第３搬送手段によって搬送されている基板に処理液を供給する工程と、処理液による処理を終了した基板を第１の速度以上である第４の速度で搬送しつつ、仕上げ部における仕上げ処理の前処理として、基板に付着している処理液の液切りを行う工程とを備え、処理液を用いて基板を処理する工程において、第１搬送手段の搬送速度である第１の速度を、第２搬送手段の搬送速度である第２の速度と異なる速度を含む所定範囲で可変設定するとともに、液切りを行う工程において、第４の速度を第３の速度とほぼ一致するようにすることを特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の一実施形態である基板洗浄装置を説明する図である。この装置は、洗浄前の基板が投入される投入部１０と、投入された基板に現像処理を施す処理部である現像部３０と、現像後の基板に付着した現像液を純水で置換して洗浄する水洗部５０と、純水による洗浄後の基板の表面から純水を除去して乾燥させる仕上げ乾燥部７０とを備える。なお、投入部１０側からこの装置内に投入された基板は、直線状の搬送経路ＰＡに沿ってローラＲ上を搬送され、仕上げ乾燥部７０側まで移動し、ここから装置外に取り出される。
【００１４】
現像部３０は、投入部１０から搬送されてきた基板ＷＦの表面に前処理として現像液を供給するプリウエット部３１と、前処理後の基板ＷＦを現像液に浸漬してディップ現像するディップ部３３と、浸漬後の基板ＷＦの表面から現像液の簡易な液切りを行う液切り部３５とを備える。
【００１５】
水洗部５０には、現像後の基板ＷＦを段階的に水洗するため、第１段階の循環水洗を行う第１水洗部５１と、第２段階の循環水洗を行う第２水洗部５３と、最終の直液水洗を行う第３水洗部５５とを備える。
【００１６】
プリウエット部３１には、基板の上側表面側に位置して後述するノズル４２から吐出される現像液を基板表面へ分散させるローラ４１と、このローラ４１に現像液を吐出するノズル４２とが設けられている。ノズル４２には、下部タンク４３からの現像液がポンプＰ１を介して供給されている。
【００１７】
ディップ部３３には、基板を浸漬させつつこれに現像処理を施すディップ槽４５が設けられている。なお、ディップ現像に代えてシャワー現像を行うこともできる。この場合、ディップ槽４５に代えて、搬送経路ＰＡの上方に、下部タンク４３からの現像液をポンプＰ２を介して基板に噴射するシャワーノズル４６を配置する。
【００１８】
液切り部３５には、搬送経路ＰＡの上下に一対の液切りローラ４７が配置されている。これらの液切りローラ４７に挟まれて搬送経路ＰＡを通過した基板の上下表面からは、現像液が概ね除去される。
【００１９】
第１及び第２水洗部５１、５３には、それぞれ水洗水噴射ノズル６３が設けられている。各水洗水噴射ノズル６３には、循環水タンク６１とポンプＰ３とがそれぞれ付設されており、ポンプＰ３を介して循環水タンク６１の洗浄水が供給される。
【００２０】
第３水洗部５５には、基板に対し仕上げの洗浄を行うため純水源からの直純水を噴射する直液ノズル６４が設けられている。この直液ノズル６４は、流量計６５とエアー弁６７とを介して純水源に接続されている。
【００２１】
仕上げ乾燥部７０には、高圧の窒素ガスを基板の上下表面に噴射して基板の上下表面の純水を吹き飛ばすことによって基板の水切りを行うための、エアナイフ７１が設けられている。
【００２２】
図２は、図１の基板洗浄装置の要部を説明するための図である。投入部１０は、搬送経路ＰＡの直下に複数の搬送ローラ（図示省略）を備えており、これらの搬送ローラは、モータＭ１によって同期して回転駆動され、搬送手段として、投入部１０にある基板を所定の速度で搬送する。なお、投入部１０の入り口には、基板の有無を検出するため、機械的機構である振り子型素子の変位を電磁的に検出する第１振り子センサＳ１が配置されている。
【００２３】
プリウエット部３１も、搬送経路ＰＡの直下に複数の搬送ローラ（図示省略）を備えており、これらの搬送ローラは、モータＭ２によって同期して回転駆動され、搬送手段として、プリウエット部３１にある基板を所定の速度で搬送する。なお、プリウエット部３１の出口には、基板の有無を検出するため、第１振り子センサＳ１と同一構造の第２振り子センサＳ２が配置されている。
【００２４】
ディップ部３３も、搬送経路ＰＡの直下に複数の搬送ローラ（図示省略）を備えており、これらの搬送ローラは、モータＭ３、Ｍ４によって同期して回転駆動され、搬送手段として、ディップ部３３にある基板を所定の速度で搬送する。
【００２５】
液切り部３５も、搬送経路ＰＡの直下に複数の搬送ローラ（図示省略）を備えており、これらの搬送ローラは、モータＭ５によって同期して回転駆動され、搬送手段として、液切り部３５にある基板を所定の速度で搬送する。なお、液切り部３５の入り口には、基板の有無を検出するため、第３振り子センサＳ３が配置されている。
【００２６】
第１水洗部５１は、搬送経路ＰＡの直下に複数の搬送ローラ（図示省略）を備えており、これらの搬送ローラは、モータＭ６によって同期して回転駆動され、搬送手段として、第１水洗部５１にある基板を所定の速度で搬送する。なお、第１水洗部５１の出口には、基板の有無を検出するため、第４振り子センサＳ４が配置されている。
【００２７】
第１〜第４振り子センサＳ１〜Ｓ４は、それぞれの設置位置に基板があるときＯＮ，ないときＯＦＦの信号を出力する。そしてその検出信号は、速度制御部９０でモニタされている。また、モータＭ１〜Ｍ６の回転速度は、速度制御部９０によって制御されている。これにより、基板の位置に応じて搬送手段であるモータＭ１〜Ｍ６すなわち搬送ローラの動作を制御することができ、結果的に、基板の位置に応じて基板の移動速度を制御することができる。
【００２８】
なお、第２水洗部５３，第３水洗部５５，仕上げ乾燥部７０にも同様の搬送ローラ（図示省略）がモータＭ７〜Ｍ９によって回転駆動される（図３参照）。
【００２９】
図３は、図１及び図２に示す装置の内部における基板の速度移動を説明する図であり、横軸は基板洗浄装置内の位置を示し、縦軸は時間の経過を示す。なお、実線Ｌ１は、最初に投入される基板の先端の移動を示し、実線Ｌ２は、次に投入される基板の先端の移動を示す。
【００３０】
投入部１０に先端が入った基板は、モータＭ１の速度に対応して当初搬送速度Ｖ１で移動する。
【００３１】
次に、第１振り子センサＳ１の検出出力がＯＦＦに切り替わって基板全体が投入部１０中に取り込まれたと判断した段階で、モータＭ１を加速し、モータＭ１、Ｍ２を同時に高速回転させる。これにより、基板は比較的高速の搬送速度Ｖ２で移動し、これにプリウェット現像が施されることになる。
【００３２】
次に、第２振り子センサＳ２の検出出力がＯＮに切り替わって基板の先端部がプリウエット部３１を出てディップ部３３に入ったと判断した段階で、モータＭ２〜Ｍ５を低速回転させる。これにより、基板は上記の搬送速度Ｖ２に比較して低速の搬送速度Ｖ３（処理速度）で移動し、これにディップ現像が施されることになる。なお搬送速度Ｖ３は、図示の実線Ｌ１に示す場合、当初の搬送速度Ｖ１と等しくなっている。
【００３３】
次に、第３振り子センサＳ３の検出出力がＯＦＦに切り替わって基板の後端部がディップ部３３を出たと判断した段階で、モータＭ５、Ｍ６を同時に高速回転させる。これにより、基板は比較的高速の搬送速度Ｖ４で移動し、これに対し現像液の液切りと純水置換が行われることになる。なお搬送速度Ｖ４は、この場合、プリウエット現像時の搬送速度Ｖ２と等しくなっている。
【００３４】
次に、第４振り子センサＳ４の検出出力がＯＮに切り替わって基板全体が第１水洗部５１に取り込まれたと判断した段階で、モータＭ６を減速し、モータＭ６〜Ｍ９を同時に低速回転させる。これにより、基板は比較的低速の搬送速度Ｖ５で移動し、第２水洗部５３，第３水洗部５５を通って仕上げ乾燥部７０まで運ばれて水洗及び乾燥が行われることになる。なお搬送速度Ｖ５は、当初の搬送速度Ｖ１と等しくなっている。
【００３５】
以上のような動作により、先端がプリウエット部３１に達してモータＭ１、Ｍ２によって高速で移動する状態の基板に対し、現像液の供給を実行することができるとともに、後端がディップ部３３を脱してモータＭ５、Ｍ６によって高速で移動する状態の基板に対し、現像液の液切りと純水置換を実行することができる。したがって、基板全体に対する現像液の供給と基板全体からの現像液の液切り、純水置換とが迅速なものとなり、基板先端部に現像液が供給されてから基板後端部に現像液が供給されるまでの時間差、基板先端部に液切りと純水置換がなされてから基板後端部に液切りと純水置換がなされるまでの時間差がともに短くできて、現像処理の開始と終了のタイミングを基板の各部でほぼ一致させることができ、基板の表面に発生する現像ムラを低減できる。さらに、搬送速度Ｖ２とＶ４とをほぼ一致させることにより、基板先端部に現像液が供給されてから液切りと純水置換がなされるまでの時間と基板後端部に現像液が供給されてから液切りと純水置換がなされるまでの時間とをほぼ一致させることができ、基板先端部に現像液が作用する時間と基板後端部に現像液が作用する時間とをほぼ一致させることができ、より効果的に現像ムラを低減できる。また、仕上げ乾燥部７０ではエアナイフ７１による乾燥処理がなされるが、このときの基板の移動速度はＶ５であり、十分に遅くでき、確実に乾燥処理がなされる。
【００３６】
しかも、基板がディップ部３３にかかっている際、基板の搬送速度Ｖ３は、Ｖ１〜Ｖ２の広範囲に亘って変更できる。よって、現像処理の時間も比較的広範囲に亘って変更できる。
【００３７】
以下、具体的な数値例を用いて搬送速度を説明する。処理しようとする基板の搬送方向の長さを７００ｍｍとすると、約１００ｍｍ程度の間隔をあけないと、前後の基板が重なる搬送不良を起こしやすい。したがって、３２ｓ／枚の能力で基板を処理するとすると、基板の搬送速度は、８００／３２＝２５ｍｍ／ｓ以上としなければならない。一方、仕上げ乾燥部７０でエアナイフ７１によって基板の十分な水切りを行うためには、基板の搬送速度は、３３．３ｍｍ／ｓ以下とする必要があるものとする。以上の条件を満たすため、搬送速度の範囲は、２５ｍｍ／ｓ〜３３．３ｍｍ／ｓとする必要がある。
【００３８】
この実施例では、投入時は搬送速度Ｖ１＝２５ｍｍ／ｓとなるようにモータＭ１を制御し、搬送経路ＰＡのうち現像に関係する領域で搬送速度Ｖ２、Ｖ３、Ｖ４を上記Ｖ１＝２５ｍｍ／ｓ以上になるようにモータＭ１〜Ｍ６を制御し、搬送経路ＰＡのうち洗浄に関係する搬送速度Ｖ５を上記Ｖ１＝２５ｍｍ／ｓに等しくなるようにモータＭ７〜Ｍ９を制御する。
【００３９】
搬送経路ＰＡのうち現像に関係する領域での搬送速度について具体的に説明すると、現像液の供給及び液切り時の搬送速度をＶ２＝Ｖ４＝１６７ｍｍ／ｓとし、水洗時の洗浄速度をＶ５＝２５ｍｍ／ｓとする。そして、ディップ現像時の搬送速度を可変として、Ｖ３＝２５ｍｍ／ｓ〜１６７ｍｍ／ｓとする。基板処理装置の寸法を図３に示すものとすると、最長の現像処理時間Ｔ１は、図３の寸法を参考にして、Ｔ１＝１０００（ｍｍ）／１６７（ｍｍ／ｓ）＋２５００（ｍｍ）／２５（ｍｍ／ｓ）＝１０６ｓであり、最短の現像処理時間Ｔ２は、Ｔ２＝１０００（ｍｍ）／１６７（ｍｍ／ｓ）＋２５００（ｍｍ）／１６７（ｍｍ／ｓ）＝２１ｓである。よって、現像処理時間は、２１ｓ〜１０６ｓの範囲で調節可能である。なお、図中の点線Ｌ３は、ディップ現像時の搬送速度Ｖ３＝３３ｍｍ／ｓの場合を示し、点線Ｌ４は、ディップ現像時の搬送速度Ｖ３＝１６７ｍｍ／ｓの場合を示す。
【００４０】
なお、上記説明では現像液の供給及び液切り時の搬送速度Ｖ２、Ｖ４を一定値１６７ｍｍ／ｓとしたが、これらをディップ現像時の搬送速度と同様に可変として、Ｖ２＝Ｖ３＝Ｖ４＝２５ｍｍ／ｓ〜１６７ｍｍ／ｓの範囲で調節することも可能である。この場合、最長の現像処理時間Ｔ１は、Ｔ１＝３５００（ｍｍ）／２５（ｍｍ／ｓ）＝１４０ｓであり、最短の現像処理時間Ｔ２は、Ｔ２＝３５００（ｍｍ）／１６７（ｍｍ／ｓ）＝２１ｓである。よって、現像処理時間は、２１ｓ〜１４０ｓの範囲で調節可能である。ただし、この場合、プリウエット部３１における現像液の供給及び液切り部３５、第１水洗部５１における液切り、純水置換時の搬送速度が比較的遅くなる場合があり、基板の表面に発生する現像ムラを低減するという観点で幾分不利である。
【００４１】
なお、装置内での搬送速度を一定とする従来の基板洗浄装置の場合、上記と同じ条件では、搬送速度の変更範囲を２５ｍｍ／ｓ〜３３．３ｍｍ／ｓとせざるを得ないので、現像中の基板の搬送経路ＰＡが３５００ｍｍとすると、処理時間は１０５ｓ〜１４０ｓの範囲でのみ調節可能である。
【００４２】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、請求項１の基板処理装置によれば、第１搬送手段によって第１の速度で搬送される基板に処理液による処理を施す処理部と、処理部よりも基板の搬送に関し下流側に設けられ、この第２搬送手段によって第２の速度で搬送される基板に付着した処理液を除去して基板の仕上げ処理を行う仕上げ部と、第１搬送手段の搬送速度である第１の速度を第２搬送手段の搬送速度である第２の速度と異なる速度を含む所定範囲で可変設定する速度制御手段とを備え、前記処理部から前記仕上げ部にかけての境界領域に、前記基板を前記第１の速度以上である第４の速度で搬送する第４搬送手段と、前記仕上げ部における仕上げ処理の前処理のため、前記第４搬送手段によって搬送される前記基板に付着している前記処理液の液切りを行う液切り手段とを備え、前記処理部が、前記第１搬送手段に前記基板を受け渡す前に当該基板を前記第１の速度以上である第３の速度で搬送する第３搬送手段と、当該第３搬送手段によって搬送されている前記基板に前記処理液を供給する供給手段とを備え、前記第３の速度と前記第４の速度をほぼ一致するようにするので、仕上げ処理における基板の搬送速度、すなわち第２の速度に一定の制限がある場合であっても、この制限を超えて第１の速度を設定することができる。よって、基板の搬送行程の長さ等を変更することなく、処理液による処理時間を比較的広い範囲に亘って簡易かつ任意に設定することができる。
【００４３】
また、この第３搬送手段によって比較的高速で搬送されている際に基板に処理液を供給することができ、この第４搬送手段によって比較的高速で搬送されている際に基板に付着している処理液を液切りすることができる。したがって、基板全体に対する処理液の供給と基板全体からの処理液の液切りとが比較的迅速なものとなり、第１の速度が小さくなった場合に基板の各部で発生しやすい処理ムラの発生を防止することができる。
また、基板先端部に処理液が供給されてから液切りと純水置換がなされるまでの時間と、基板後端部に処理液が供給されてから液切りと純水置換がなされる時間とをほぼ一致させることができ、基板先端部に処理液が作用する時間と、基板後端部に処理液が作用する時間とをほぼ一致させることができる。したがって、より効果的に処理ムラを低減できる。
【００４４】
また、請求項２の基板処理装置によれば、速度制御手段が、第１の速度を第２の速度以上の所定範囲で設定するので、仕上げ処理における基板の搬送速度である第２の速度に上限がある場合であっても、仕上げ処理における基板の搬送速度をその上限以下としたままで処理部における基板の搬送速度としてこの上限を超えて第１の速度を設定することができ、処理液による処理時間を短い側で比較的広い範囲に亘って簡易かつ任意に設定することができる。
【００４５】
また、請求項３の基板処理方法によれば、基板を第１の搬送手段によって第１の速度で搬送しつつこの基板に処理液による処理を施す工程と、この処理液による処理を終了した基板を第２搬送手段によって第２の搬送速度で搬送しつつ基板に付着した処理液を除去して基板の仕上げ処理を行う工程と、第１搬送手段に基板を受け渡す前に、当該基板を第１の速度以上である第３の速度で第３搬送手段によって搬送しつつ、当該第３搬送手段によって搬送されている基板に処理液を供給する工程と、処理液による処理を終了した基板を前記第１の速度以上である第４の速度で搬送しつつ、仕上げ部における仕上げ処理の前処理として、基板に付着している処理液の液切りを行う工程とを備え、処理液を用いて基板を処理する工程において、第１搬送手段の搬送速度である第１の速度を、第２搬送手段の搬送速度である第２の速度と異なる速度を含む所定範囲で可変設定するとともに、液切りを行う工程において、第４の速度を第３の速度とほぼ一致するようにするので、仕上げ処理における第２の速度に一定の制限がある場合であっても、この制限を超えて第１の速度を設定することができ、基板の搬送行程の長さ等を変更することなく、処理液による処理時間を比較的広い範囲に亘って簡易かつ任意に設定することができる。
【００４６】
また、この第３搬送手段によって比較的高速で搬送されている際に基板に処理液を供給することができ、この第４搬送手段によって比較的高速で搬送されている際に基板に付着している処理液を液切りすることができる。したがって、基板全体に対する処理液の供給と基板全体からの処理液の液切りとが迅速なものとなり、第１の速度が小さくなった場合に基板の各部で発生しやすい処理ムラの発生を防止することができる。
また、基板先端部に処理液が供給されてから液切りと純水置換がなされるまでの時間と、基板後端部に処理液が供給されてから液切りと純水置換がなされる時間とをほぼ一致させることができ、基板先端部に処理液が作用する時間と、基板後端部に処理液が作用する時間とをほぼ一致させることができる。したがって、より効果的に処理ムラを低減できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施形態の基板洗浄装置を説明する図である。
【図２】図１の装置の要部を説明する図である。
【図３】図１の装置の動作を説明する図である。
【符号の説明】
１０  投入部
３０  現像部
３１  プリウエット部
３３  ディップ部
３５  液切り部
４１  ローラ
４２  ノズル
４５  ディップ槽
４７  ローラ
５０  水洗部
５１  第１水洗部
５３  第２水洗部
６１  循環水タンク
６３  水洗水噴射ノズル
６４  直液ノズル
７０  仕上げ乾燥部
７１  エアーナイフ
【図１】
0003552187.tif 000002
【図２】
0003552187.tif 000003
【図３】
0003552187.tif 000004