(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板（１）と、
前記基板の上面において所定間隔を隔てた位置に第１のアンカー部（３ａ〜３ｄ）によって支持され、可動電極（７ａ〜７ｄ、８ａ〜８ｄ）を有し、力学量により変位する梁構造体（２）と、
前記基板の上面に第２のアンカー部（１０ａ〜１０ｄ、１２ａ〜１２ｄ、１４ａ〜１４ｄ、１６ａ〜１６ｄ）によって固定され、前記梁構造体の前記可動電極に対向して配置された固定電極（９ａ〜９ｄ、１１ａ〜１１ｄ、１３ａ〜１３ｄ、１５ａ〜１５ｄ）とを備えた半導体力学量センサの製造方法であって、
第１の半導体基板（６０）上に、犠牲層用薄膜（６２）および絶縁体薄膜（６４）を積層した後、前記第１、第２のアンカー部を形成する領域に開口部（６５ａ’〜６５ｃ’）を形成する工程と、
前記開口部および前記絶縁体薄膜の上に前記第１、第２のアンカー部を構成する膜（６６）およびポリシリコン薄膜（６８）を形成するとともに、前記ポリシリコン薄膜の表面を平坦化する工程と、
前記平坦化されたポリシリコン薄膜の表面と第２の半導体基板とを貼り合わせる工程と、
この後、所定領域の前記前記犠牲層用薄膜をエッチング除去して、前記第１の半導体基板に前記梁構造体および前記固定電極を形成する工程とを有し、
前記開口部を形成する工程は、前記第１のアンカー部を形成する領域に、所定幅の複数の開口部を形成するとともに、前記第２のアンカー部を形成する領域にも、前記所定幅と同一幅の複数の開口部を形成するものであることを特徴とする半導体力学量センサの製造方法。
【請求項２】
前記固定電極は、棒状部を有し、前記棒状部が第３のアンカー部（３２ａ〜３２ｄ、３３ａ〜３３ｄ）によって前記基板の上面に固定されており、前記開口部を形成する工程は、前記第３のアンカー部を形成する領域にも、前記所定幅と同一幅の開口部を形成するものであることを特徴とする請求項１に記載の半導体力学量センサの製造方法。
【請求項３】
前記アンカー部を構成する膜を介して前記固定電極部と電気的に接続される電極取り出し部（２７ａ〜２７ｄ）が、第４のアンカー部（２８ａ〜２８ｄ）によって前記基板の上面に固定されており、前記開口部を形成する工程は、前記第４のアンカー部を形成する領域にも、前記所定幅の複数の開口部を形成するものであることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体力学量センサの製造方法。
【請求項４】
前記第１の半導体基板における所定領域に溝（６１）を形成した後に、前記犠牲層用薄膜および前記第１の絶縁体薄膜を積層し、前記貼り合わせ工程の後に、前記第１の半導体基板を前記溝が露呈するまで研磨し、この後、前記溝内の前記犠牲層用薄膜をエッチング除去して、前記梁構造体および前記固定電極を形成することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１つに記載の半導体力学量センサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、梁構造の可動部を有し、例えば、加速度、ヨーレート、振動等の力学量を検出する半導体力学量センサの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
本出願人は、梁構造の可動部を有する半導体力学量センサとして、貼り合わせ基板を用いたサーボ制御式の差動容量型加速度センサを先に提案した（特願平８−１９１９２号）。
図１１に、その加速度センサの平面図を示す。また、図１２乃至図１５に、図１１におけるＡ−Ａ断面図、Ｂ−Ｂ断面図、Ｃ−Ｃ断面図、Ｄ−Ｄ断面図をそれぞれ示す。
【０００３】
図１１、図１２において、基板１の上面には、単結晶シリコン（単結晶半導体材料）よりなる梁構造体２が配置されている。梁構造体２は、基板１側から突出する４つのアンカー部３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄにより架設されており、基板１の上面において所定間隔を隔てた位置に配置されている。
アンカー部３ａ〜３ｄは、ポリシリコン薄膜よりなる。アンカー部３ａとアンカー部３ｂとの間には、梁部４が架設されており、アンカー部３ｃとアンカー部３ｄとの間には、梁部５が架設されている。
【０００４】
また、梁部４と梁部５との間において、長方形状をなす質量部（マス部）６が架設されており、質量部６には、上下に貫通する透孔６ａが設けられている。さらに、質量部６における一方の側面（図１１においては左側面）からは４つの可動電極７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄが突出している。また、質量部６における他方の側面（図１１においては右側面）からは４つの可動電極８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄが突出している。可動電極７ａ〜７ｄ、８ａ〜８ｄは、等間隔で平行に延びる櫛歯状の形状になっている。
【０００５】
基板１の上面には第１の固定電極９ａ、９ｂ、９ｃ、９ｄおよび第２の固定電極１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄが固定されている。第１の固定電極９ａ〜９ｄは、基板１側から突出するアンカー部１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄによりその根元部が支持され、棒状部が基板１の上面に所定間隔を隔てた位置に配置されて梁構造体２の各可動電極７ａ〜７ｄの一方の側面と対向している。また、第２の固定電極１１ａ〜１１ｄは、基板１側から突出するアンカー部１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄによりその根元部が支持され、棒状部が基板１の上面に所定間隔を隔てた位置に配置されて梁構造体２の各可動電極７ａ〜７ｄの他方の側面に対向している。
【０００６】
同様に、基板１の上面には第１の固定電極１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄおよび第２の固定電極１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、１５ｄが固定されている。第１の固定電極１３ａ〜１３ｄは、基板１側から突出するアンカー部１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄによりその根元部が支持され、棒状部が基板１の上面に所定間隔を隔てた位置に配置されて梁構造体２の各可動電極８ａ〜８ｄの一方の側面と対向している。また、第２の固定電極１５ａ〜１５ｄは、基板１側から突出するアンカー部１６ａ、１６ｂ、１６ｃ、１６ｄによりその根元部が支持され、棒状部が基板１の上面に所定間隔を隔てた位置に配置されて梁構造体２の各可動電極８ａ〜８ｄの一方の側面と対向している。
【０００７】
基板１は、図１２に示すように、シリコン基板１７の上に、ポリシリコン薄膜１８、下層側絶縁体薄膜１９と導電性薄膜２０と上層側絶縁体薄膜２１とを積層した構造となっている。下層側絶縁体薄膜１９は、シリコン酸化膜よりなり、上層側絶縁体薄膜２１は、シリコン窒化膜よりなる。また、導電性薄膜２０はリン等の不純物をドーピングしたポリシリコン薄膜よりなる。
【０００８】
また、図１１、図１２に示すように、導電性薄膜２０により、４つの配線パターン２２、２３、２４、２５、および下部電極２６が形成されている。配線パターン２２〜２５は、それぞれ、固定電極９ａ〜９ｄ、１１ａ〜１１ｄ、１３ａ〜１３ｄおよび１５ａ〜１５ｄの配線であり、帯状をなし、かつ、Ｌ字状に延設されている。
【０００９】
さらに、基板１の上面には、電極取出部２７ａ、２７ｂ、２７ｃ、２７ｄが形成されている。これら電極取出部２７〜２７ｄは、基板１から突出するアンカー部２８ａ、２８ｂ、２８ｃ、２８ｄにより支持されている。そして、電極取出部２７ａは、図１３、図１４に示すように、アンカー部２８ａを介して配線パターン２２と電気的に接続されている。同様に、電極取出部２７ｂ、２７ｃ、２７ｄは、それぞれアンカー部２８ｂ、２８ｃ、２８ｄを介して配線パターン２３、２４、２５と電気的に接続されている。なお、アンカー部３ａの上方、電極取出部２７ａ、２７ｂ、２７ｃ、２７ｄの上面には、図示しないが、アルミ薄膜よりなる電極（ボンディングパッド）がそれぞれ設けられている。
【００１０】
上記した構成において、梁構造体２の可動電極７ａ〜７ｄと第１の固定電極９ａ〜９ｄとの間に第１のコンデンサが、また、梁構造体２の可動電極７ａ〜７ｄと第２の固定電極１１ａ〜１１ｄとの間に第２のコンデンサが形成されている。同様に、梁構造体２の可動電極８ａ〜８ｄと第１の固定電極１３ａ〜１３ｄとの間に第１のコンデンサが、また、梁構造体２の可動電極８ａ〜８ｄと第２の固定電極１５ａ〜１５ｄとの間に第２のコンデンサが形成されている。
【００１１】
ここで、可動電極７ａ〜７ｄ（８ａ〜８ｄ）は、両側の固定電極９ａ〜９ｄ（１３ａ〜１３ｄ）と１１ａ〜１１ｄ（１５ａ〜１５ｄ）の中心に位置し、可動電極と固定電極間の静電容量Ｃ１、Ｃ２は等しい。また、可動電極７ａ〜７ｄ（８ａ〜８ｄ）と固定電極９ａ〜９ｄ（１３ａ〜１３ｄ）間には電圧Ｖ１が、可動電極７ａ〜７ｄ（８ａ〜８ｄ）と固定電極１１ａ〜１１ｄ（１５ａ〜１５ｄ）間には電圧Ｖ２が印加されている。
【００１２】
加速度が生じていないときには、Ｖ１＝Ｖ２であり、可動電極７ａ〜７ｄ（８ａ〜８ｄ）は、固定電極９ａ〜９ｄ（１３ａ〜１３ｄ）と１１ａ〜１１ｄ（１５ａ〜１５ｄ）から等しい静電気力で引かれている。
そして、加速度が基板表面に平行な方向に作用し、可動電極７ａ〜７ｄ（８ａ〜８ｄ）が変位すると、可動電極と固定電極との間の距離が変わり静電容量Ｃ１、Ｃ２が等しくなくなる。このとき、静電気力が等しくなるように、例えば可動電極７ａ〜７ｄ（８ａ〜８ｄ）が固定電極９ａ〜９ｄ（１３ａ〜１３ｄ）側に変位したとすると、電圧Ｖ１が下がり、電圧Ｖ２が上がる。これにより静電気力で固定電極１１ａ〜１１ｄ（１５ａ〜１５ｄ）側に可動電極７ａ〜７ｄ（８ａ〜８ｄ）は引かれる。可動電極７ａ〜７ｄ（８ａ〜８ｄ）が中心位置に戻り静電容量Ｃ１、Ｃ２が等しくなれば、加速度と静電気力が等しく釣り合っており、このときの電圧Ｖ１、Ｖ２から加速度の大きさを求めることができる。
【００１３】
このように、第１のコンデンサと第２のコンデンサにおいて、力学量の作用による変位に対して、可動電極が変位しないように第１と第２のコンデンサを形成している固定電極の電圧を制御し、その電圧の変化で加速度を検出する。
次に、上記した加速度センサの製造方法について、図１１中のＥ−Ｅ断面を用いた工程図に従って説明する。
【００１４】
まず、図１６に示すように、単結晶シリコン基板（第１の半導体基板）６０を用意し、このシリコン基板６０に溝６１をパターン形成する。そして、シリコン基板６０に対し静電容量検出を行うための電極とするためにリン拡散等により不純物を導入する。その後、図１７に示すように、シリコン基板６０の上に犠牲層用薄膜としてのシリコン酸化膜６２を成膜し、さらに、シリコン酸化膜６２の表面を平坦化する。
【００１５】
次に、図１８に示すように、シリコン酸化膜６２の一部をエッチングして凹部６３を形成した後、犠牲層エッチング時のエッチングストッパとなるシリコン窒化膜（第１の絶縁体薄膜）６４を成膜する。そして、シリコン窒化膜６４とシリコン酸化膜６２との積層体に対し、アンカー部を形成する領域に、開口部６５ａ、６５ｂ、６５ｃを形成する。
【００１６】
引き続き、図１９に示すように、開口部６５ａ〜６５ｃおよびシリコン窒化膜６４の上にポリシリコン薄膜６６を成膜し、その後、リン拡散等により不純物を導入し、さらに、フォトリソグラフィを経て配線パターン６６ａと下部電極６６ｂとアンカー部６６ｃを形成する。
そして、図２０に示すように、ポリシリコン薄膜６６およびシリコン窒化膜６４の上にシリコン酸化膜（第２の絶縁体薄膜）６７を成膜する。さらに、図２１に示すように、シリコン酸化膜６７の上に貼り合わせ用薄膜としてのポリシリコン薄膜６８を成膜し、貼り合わせのためにポリシリコン薄膜６８の表面を機械的研磨等により平坦化する。
【００１７】
次に、図２２に示すように、シリコン基板６０とは別の単結晶シリコン基板（第２の半導体基板）６９を用意し、ポリシリコン薄膜６８の表面と第２の半導体基板としてのシリコン基板６９とを貼り合わせる。
さらに、図２３に示すように、シリコン基板６０、６９を表裏逆にして、シリコン基板６０側を機械的研磨等により溝６１が露呈するまで研磨する。
【００１８】
この後、アンカー部３ａの上方、電極取出部２７ａ、２７ｂ、２７ｃ、２７ｄの上面に、アルミ薄膜よりなる金属電極（電極部）を形成した後、図２４に示すように、ＨＦ系のエッチング液によりシリコン酸化膜６２をエッチング除去、すなわちエッチング液を用いた犠牲層エッチングにより、シリコン基板６０を可動構造とし、可動電極を有する梁構造体を形成する。
【００１９】
このようにして、貼り合わせ基板を用いた加速度センサを形成することができる。
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明者等が、上述した加速度センサの製造方法について、さらに検討を進めたところ、次のような問題があることが判明した。すなわち、図２１に示すポリシリコン薄膜（貼り合わせ用薄膜）６８の成膜工程において、図２５に示すように、アンカー部形成領域に形成された開口部６５ａ、６５ｂ、６５ｃの大きさが異なるため、ポリシリコン薄膜６８の表面を機械的研磨等により平坦化しても、開口部６５ａ上で段差が残ってしまう。このような段差が残っていると、シリコン基板６９との貼り合わせを良好に行うことができない。
【００２１】
なお、図２５において、シリコン酸化膜（犠牲層用薄膜）６２の膜厚は２〜３μｍ、シリコン酸化膜６７の膜厚は０．５〜１μｍ、ポリシリコン薄膜６６の膜厚は３〜５μｍ、開口部６５ｂ、６５ｃの大きさは〜３μｍ、開口部６５ａの大きさは〜２０μｍであり、第１の絶縁体薄膜としてのシリコン窒化膜６４は省略してある。
【００２２】
このような段差の問題を解決する一方法として、ポリシリコン薄膜６８を厚くすればよいが、ポリシリコン薄膜６８の成膜には時間がかかるため、それによって製造時間が長くなるという問題が生じる。
本発明は上記問題に鑑みたもので、貼り合わせ基板を用いて力学量センサを形成する場合に、貼り合わせ用のポリシリコン薄膜を厚くすることなく、かつアンカー部形成領域上に段差を生じることなくポリシリコン薄膜の平坦化が行えるようにすることを目的とする。
【００２３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため、請求項１乃至４に記載の発明においては、開口部を形成する工程において、梁構造体（２）を支持するための第１のアンカー部（３ａ〜３ｄ）を形成する領域に、所定幅の複数の開口部（６５ａ’）を形成するとともに、梁構造体の可動電極に対向して配置された固定電極（９ａ〜９ｄ、１１ａ〜１１ｄ、１３ａ〜１３ｄ、１５ａ〜１５ｄ）を固定するための第２のアンカー部（１０ａ〜１０ｄ、１２ａ〜１２ｄ、１４ａ〜１４ｄ、１６ａ〜１６ｄ）を形成する領域にも、前記所定幅と同一幅の複数の開口部（６５ｂ’、６５ｃ’）を形成することを特徴としている。
【００２４】
このように、第１、第２のアンカー部形成領域に複数の開口部を形成することによって、１つの開口部の大きさを小さくすることができ、従って、その上に貼り合わせ用のポリシリコン薄膜を形成し平坦化しても第１、第２のアンカー部領域上で段差が生じないため、ポリシリコン薄膜の平坦化を良好に行うことができる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図に示す実施形態について説明する。
図１に、本発明の一実施形態にかかる加速度センサの平面図を示す。なお、加速度センサは、図１１に示すように左右対象となっているため、この図１には、加速度センサの左半分の平面構成を示している。
【００２６】
また、図２乃至図５に、図１におけるＡ−Ａ断面図、Ｂ−Ｂ断面図、Ｃ−Ｃ断面図、Ｄ−Ｄ断面図をそれぞれ示す。
この実施形態においては、基本的に図１１に示すものと同様の構成であるが、以下の点で相違する。
図１１に示すアンカー部３ａ、３ｃ、２８ａ、２８ｃを、図中の点線で示すように、４つの一定線幅のポリシリコン薄膜部を有する構成とし、また図１１に示すアンカー部１０ａ〜１０ｄ、１２ａ〜１２ｄを、図中の点線で示すように、２つの一定線幅のポリシリコン薄膜部を有する構成としている。
【００２７】
また、第１の固定電極９ａ〜９ｄ、第２の固定電極１１ａ〜１１ｄにおいて、それぞれの棒状部にもポリシリコン薄膜からなる一定線幅のアンカー部３２ａ〜３２ｄ、３３ａ〜３３ｄを形成している。
なお、アンカー部３ａ、３ｃ、２８ａ、２８ｃ、１０ａ〜１０ｄ、１２ａ〜１２ｄ、３２ａ〜３２ｄ、３３ａ〜３３ｄにおいて、ポリシリコン薄膜で形成された部分は全て同じ線幅のものとなっている。
【００２８】
また、加速度センサの右半分においても、左半分と同様に、図１１に示すアンカー部３ｂ、３ｄ、２８ｂ、２８ｄをそれぞれ４つの一定線幅のポリシリコン薄膜部を有して構成し、アンカー部１４ａ〜１４ｄ、１６ａ〜１６ｄをそれぞれ２つの一定線幅のポリシリコン薄膜部を有して構成し、さらに第１の固定電極１３ａ〜１３ｄ、第２の固定電極１５ａ〜１５ｄにも、アンカー部３２ａ〜３２ｄ、３３ａ〜３３ｄと同様のアンカー部を形成している。
【００２９】
次に、この実施形態に係る加速度センサの製造方法について説明する。
まず、図１６、図１７に示すのと同様の工程にて、溝６１が形成されたシリコン基板６０上にシリコン酸化膜６２を成膜し、その表面を平坦化する。この後、シリコン酸化膜６２の一部をエッチングして凹部６３を形成し、犠牲層エッチング時のエッチングストッパとなるシリコン窒化膜６４を成膜する。
【００３０】
そして、図６に示すように、シリコン窒化膜６４とシリコン酸化膜６２との積層体に対しアンカー部形成領域に開口部６５ａ’、６５ｂ’、６５ｃ’を形成する。ここで、開口部６５ａ’については、図に示すように一定の線幅でストライプ状に４つの開口部を形成する。また、開口部６５ｂ’、６５ｃ’のそれぞれについては、図中に示されていないが、紙面の表裏方向に、開口部６５ａ’と同一の線幅でストライプ状に２つの開口部を形成する。また、この図中に示されないが、それぞれの固定電極の棒状部にも、アンカー部を形成するための開口部を形成する。
【００３１】
この後、図７に示すように、開口部６５ａ’〜６５ｃ’およびシリコン窒化膜６４の上にポリシリコン薄膜６６を成膜し、その後、リン拡散等により不純物を導入し、フォトリソグラフィを経て配線パターン６６ａと下部電極６６ｂとアンカー部６６ｃを形成する。そして、図８に示すように、ポリシリコン薄膜６６およびシリコン窒化膜６４の上にシリコン酸化膜６７を成膜する。さらに、図９に示すように、シリコン酸化膜６７の上に貼り合わせ用薄膜としてのポリシリコン薄膜６８を成膜し、貼り合わせのためにポリシリコン薄膜６８の表面を機械的研磨等により平坦化する。これら図７乃至図９に示す工程は、図１９乃至図２１と同じである。
【００３２】
ここで、上述したように、開口部６５ａ’〜６５ｃ’をそれぞれ一定の線幅にてストライプ状に形成しているため、開口部６５ａ’〜６５ｃ’上に、ポリシリコン薄膜６６、シリコン酸化膜６７、ポリシリコン薄膜６８を成膜したとき、図１０に示すように、それぞれの開口部上に十分なポリシリコン薄膜６８を形成することができ、ポリシリコン薄膜６８の表面を平坦化したときに、開口部６５ａ’上で段差が残らないようにすることができる。なお、この図１０は、図２５と対応した形で図示している。
【００３３】
この後、図２２乃至図２４に示すのと同様に、ポリシリコン薄膜６８の表面とシリコン基板６９とを貼り合わせ、シリコン基板６０、６９を表裏逆にし、シリコン基板６０側を機械的研磨等を行って薄膜化し、電極形成を行った後、ＨＦ系のエッチング液によりシリコン酸化膜６２を除去してシリコン基板６０を可動構造とする。
【００３４】
このようにして、埋め込みＳＯＩ基板を用いた加速度センサを構成することができる。
なお、本実施形態においては、図１に示すように、固定電極９ａ〜９ｄ、１１〜１１ｄの棒状部にアンカー部３２ａ〜３２ｄを形成し、固定電極１１ａ〜１１ｄの棒状部にアンカー部３３ａ〜３３ｄを形成している。これは、犠牲層エッチングした後の乾燥工程において、固定電極９ａ〜９ｄ、１１ａ〜１１ｄが、横方向に移動して可動電極あるいは固定電極と付着するのを防止するためであり、このことによって、固定電極９ａ〜９ｄ、１１ａ〜１１ｄを所望の位置に保持することができる。
【００３５】
なお、上記実施形態では、シリコン基板６０に予め梁構造体形成用の溝６１を形成して、その溝６１内に犠牲層用薄膜としてのシリコン酸化膜６２を形成しておき、最後の工程にて溝６１内を含むシリコン酸化膜６２をエッチング除去してシリコン基板６０を可動構造とするものを示したが、シリコン基板６０に予め梁構造体形成用の溝６１を形成しないようにし、シリコン基板６０とシリコン基板４０を貼り合わせて、金属電極を形成した後に、シリコン基板６０に梁構造体形成用の溝を形成し、その溝を介して犠牲層用薄膜をエッチング除去するようにしてもよい。この場合、シリコン基板６０に予めアライメント用の溝を形成しておけば、梁構造体形成用の溝の形成を容易に行うことができる。
【００３６】
また、本発明は、上記実施形態のような、埋め込みＳＯＩ基板を用いた加速度センサに限らず、埋め込みＳＯＩ基板を用いたヨーレートセンサなどの力学量センサに用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態によって製造された加速度センサの部分的な平面構成を示す図である。
【図２】図１中のＡ−Ａ断面図である。
【図３】図１中のＢ−Ｂ断面図である。
【図４】図１中のＣ−Ｃ断面図である。
【図５】図１中のＤ−Ｄ断面図である。
【図６】図１に示す加速度センサの製造方法を示す工程図である。
【図７】図６に続く工程図である。
【図８】図７に続く工程図である。
【図９】図８に続く工程図である。
【図１０】図９に示す工程において、ポリシリコン薄膜６８を成膜した状態を示す図である。
【図１１】本出願人が先に提案した貼り合わせ基板を用いた加速度センサの平面構成を示す図である。
【図１２】図１１中のＡ−Ａ断面図である。
【図１３】図１１中のＢ−Ｂ断面図である。
【図１４】図１１中のＣ−Ｃ断面図である。
【図１５】図１１中のＤ−Ｄ断面図である。
【図１６】図１１に示す加速度センサの製造方法を示す工程図である。
【図１７】図１６に続く工程図である。
【図１８】図１７に続く工程図である。
【図１９】図１８に続く工程図である。
【図２０】図１９に続く工程図である。
【図２１】図２０に続く工程図である。
【図２２】図２１に続く工程図である。
【図２３】図２２に続く工程図である。
【図２４】図２３に続く工程図である。
【図２５】図１１に示す加速度センサの製造方法における問題点を説明するための図である。
【符号の説明】
１…基板、２…梁構造体、４、５…梁部、６…質量部、
７ａ〜７ｄ、８ａ〜８ｄ…可動電極、
９ａ〜９ｄ、１１ａ〜１１ｄ、１３ａ〜１３ｄ、１５ａ〜１５ｄ…固定電極、
３ａ〜３ｄ、１０ａ〜１０ｄ、１２ａ〜１２ｄ、１４ａ〜１４ｄ、１６ａ〜１６ｄ、３２ａ〜３２ｄ、３３ａ〜３３ｄ…アンカー部、
６０…第１の半導体基板、６１…溝、
６２…犠牲層用薄膜としてシリコン酸化膜、
６４…絶縁体薄膜としてのシリコン窒化膜、６５ａ’〜６５ｃ’…開口部、
６６…ポリシリコン薄膜、６７…シリコン酸化膜、
６８…貼り合わせ用薄膜としてのポリシリコン薄膜。
【図１】
0003562233.tif 000002
【図２】
0003562233.tif 000003
【図３】
0003562233.tif 000004
【図４】
0003562233.tif 000005
【図５】
0003562233.tif 000006
【図６】
0003562233.tif 000007
【図７】
0003562233.tif 000008
【図８】
0003562233.tif 000009
【図９】
0003562233.tif 000010
【図１０】
0003562233.tif 000011
【図１１】
0003562233.tif 000012
【図１２】
0003562233.tif 000013
【図１３】
0003562233.tif 000014
【図１４】
0003562233.tif 000015
【図１５】
0003562233.tif 000016
【図１６】
0003562233.tif 000017
【図１７】
0003562233.tif 000018
【図１８】
0003562233.tif 000019
【図１９】
0003562233.tif 000020
【図２０】
0003562233.tif 000021
【図２１】
0003562233.tif 000022
【図２２】
0003562233.tif 000023
【図２３】
0003562233.tif 000024
【図２４】
0003562233.tif 000025
【図２５】
0003562233.tif 000026