(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
レジストが塗布された基板を温度調整しつつ露光する露光装置に接続される基板処理装置において、
前記基板にレジストを塗布する塗布部と、
露光後の基板を現像処理する現像部と、
前記塗布部及び前記現像部と前記露光装置との間に配置され、前記基板処理装置と前記露光装置との間で基板を受け渡しするためのインターフェース部と、
前記塗布部と前記現像部とインターフェース部との間で基板を搬送するための搬送手段と、
前記インターフェース部内に配置され、前記露光される前の基板が保持される第１の保持部と、
前記インターフェース部内に配置され、前記露光された後の基板が保持される第２の保持部と、
前記露光装置における温度調整に応じて、前記第１の保持部に保持された基板を温度調整する温度調整手段とを備え、
前記第１の保持部及び第２の保持部が、それぞれ、
基板を多段に収容する収容部と、
前記収容部を覆うとともに、前記インターフェース部から前記収容部に多段に収容された各基板に対してアクセス可能とする第１の開口部及び前記露光装置から前記収容部に多段に収容された各基板に対してアクセス可能とする第２の開口部が設けられたカバー部材と
を具備することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記第１の開口部に対して開閉可能に配置された第１の扉と、
前記第１の扉を開閉する第１の開閉機構と、
前記第２の開口部に対して開閉可能に配置された第２の扉と、
前記第２の扉を開閉する第２の開閉機構と
を具備することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記カバー部材により覆われた空間を排気する排気手段を更に具備することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
レジストが塗布された基板を温度調整しつつ露光する露光装置に接続される基板処理装置において、
前記基板にレジストを塗布する塗布部と、
露光後の基板を現像処理する現像部と、
前記塗布部及び前記現像部と前記露光装置との間に配置され、前記基板処理装置と前記露光装置との間で基板を受け渡しするためのインターフェース部と、
前記塗布部と前記現像部とインターフェース部との間で基板を搬送するための搬送手段と、
前記インターフェース部内に配置され、前記露光される前の基板が保持される第１の保持部と、
前記インターフェース部内に配置され、前記露光された後の基板が保持される第２の保持部と、
前記露光装置における温度調整に応じて、前記第１の保持部に保持された基板を温度調整する温度調整手段とを備え、
前記第１の保持部及び第２の保持部が、それぞれ、
基板を多段に収容する収容部と、
前記収容部を覆うとともに、前記インターフェース部から前記収容部に多段に収容された少なくとも１枚の基板に対してアクセス可能とする第１の開口部及び前記露光装置から前記収容部に多段に収容された少なくとも１枚の基板に対してアクセス可能とする第２の開口部が設けられたカバー部材と、
前記収容部を昇降する昇降機構と
を具備することを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
前記露光装置が、基板を露光する際の温度を検出し、検出結果に応じた信号を出力する温度検出部を有し、
前記温度調整手段が、前記温度検出部から出力された信号に応じて前記第１の保持部に保持された基板を温度調整することを特徴とする請求項１から請求項４のうちいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項６】
当該基板処理装置が、前記露光装置において基板を露光する際の温度を検出し、検出結果に応じた信号を出力する温度検出部を有し、
前記温度調整手段が、前記温度検出部から出力された信号に応じて前記第１の保持部に保持された基板を温度調整することを特徴とする請求項１から請求項４のうちいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記温度検出部から出力された信号を前記温度調整手段による温度調整に適合するように補償する手段を有し、
前記温度調整手段が、前記補償された信号に応じて前記第１の保持部に保持された基板を温度調整することを特徴とする請求項５又は請求項６に記載の基板処理装置。
【請求項８】
レジストが塗布された基板を温度調整しつつ露光する露光装置と、
前記基板にレジストを塗布する塗布部と、
露光後の基板を現像処理する現像部と、
前記塗布部及び前記現像部と前記露光装置との間に配置され、前記基板処理装置と前記露光装置との間で基板を受け渡しするためのインターフェース部と、
前記塗布部と前記現像部とインターフェース部との間で基板を搬送するための搬送手段と、
前記インターフェース部内に配置され、前記露光される前の基板が保持される第１の保持部と、
前記インターフェース部内に配置され、前記露光された後の基板が保持される第２の保持部と、
前記露光装置における温度調整に応じて、前記第１の保持部に保持された基板を温度調整する温度調整手段とを備え、
前記第１の保持部及び第２の保持部が、それぞれ、
基板を多段に収容する収容部と、
前記収容部を覆うとともに、前記インターフェース部から前記収容部に多段に収容された各基板に対してアクセス可能とする第１の開口部及び前記露光装置から前記収容部に多段に収容された各基板に対してアクセス可能とする第２の開口部が設けられたカバー部材と
を具備することを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】
レジストが塗布された基板を温度調整しつつ露光する露光装置と、
前記基板にレジストを塗布する塗布部と、
露光後の基板を現像処理する現像部と、
前記塗布部及び前記現像部と前記露光装置との間に配置され、前記基板処理装置と前記露光装置との間で基板を受け渡しするためのインターフェース部と、
前記塗布部と前記現像部とインターフェース部との間で基板を搬送するための搬送手段と、
前記インターフェース部内に配置され、前記露光される前の基板が保持される第１の保持部と、
前記インターフェース部内に配置され、前記露光された後の基板が保持される第２の保持部と、
前記露光装置における温度調整に応じて、前記第１の保持部に保持された基板を温度調整する温度調整手段とを備え、
前記第１の保持部及び第２の保持部が、それぞれ、
基板を多段に収容する収容部と、
前記収容部を覆うとともに、前記インターフェース部から前記収容部に多段に収容された少なくとも１枚の基板に対してアクセス可能とする第１の開口部及び前記露光装置から前記収容部に多段に収容された少なくとも１枚の基板に対してアクセス可能とする第２の開口部が設けられたカバー部材と、
前記収容部を昇降する昇降機構と
を具備することを特徴とする基板処理装置。
【請求項１０】
レジストが塗布された基板を温度調整しつつ露光する露光装置に接続される基板処理装置において、
前記基板にレジストを塗布する塗布部と、
露光後の基板を現像処理する現像部と、
前記塗布部及び前記現像部と前記露光装置との間に配置され、前記基板処理装置と前記露光装置との間で基板を受け渡しするためのインターフェース部と、
前記塗布部と前記現像部とインターフェース部との間で基板を搬送するための搬送手段と、
前記インターフェース部内に配置され、前記露光される前の基板が保持される第１の保持部と、
前記インターフェース部内に配置され、露光された後の基板が保持される第２の保持部と、
前記第１及び第２の保持部に対して温度調整された気体を供給する気体供給部と、
前記第１の保持部と前記気体供給部との間に介挿され、前記気体供給部から供給される気体を更に温度調整する温度調整部と
を具備することを特徴とする基板処理装置。
【請求項１１】
前記第１の保持部及び第２の保持部は、前記基板を保持するステージをそれぞれ多段に構成した収容部を備えたことを特徴とする請求項１０に記載の基板処理装置。
【請求項１２】
前記第１の保持部及び第２の保持部は、それぞれ複数の前記基板を保持可能とされたバッファカセットで構成されることを特徴とする請求項１０に記載の基板処理装置。
【請求項１３】
複数の前記基板を保持可能とされたバッファカセットを有し、このバッファカセットを仕切り板によって上段室と下段室とに区切り、前記第１の保持部が上段室であり、前記第２の保持部が下段室であることを特徴とする請求項１０に記載の基板処理装置。
【請求項１４】
前記バッファカセットが、複数の前記基板をそれぞれが略平行となる載置可能に構成され、
前記バッファカセットに載置された前記基板の間に当該基板と略平行に温度調整された気体が流されることを特徴とする請求項１２又は請求項１３に記載の基板処理装置。
【請求項１５】
レジストが塗布された基板を温度調整しつつ露光する露光装置と、
前記基板にレジストを塗布する塗布部と、
露光後の基板を現像処理する現像部と、
前記塗布部及び前記現像部と前記露光装置との間に配置され、前記基板処理装置と前記露光装置との間で基板を受け渡しするためのインターフェース部と、
前記塗布部と前記現像部とインターフェース部との間で基板を搬送するための搬送手段と、
前記インターフェース部内に配置され、前記露光される前の基板が保持される第１の保持部と、
前記インターフェース部内に配置され、露光された後の基板が保持される第２の保持部と、
前記第１及び第２の保持部に対して温度調整された気体を供給する気体供給部と、
前記第１の保持部と前記気体供給部との間に介挿され、前記気体供給部から供給される気体を更に温度調整する温度調整部と
を具備することを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば半導体ウエハやＬＣＤ基板等にレジスト塗布処理、現像処理等を施す基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、例えば、半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程においては、半導体ウエハの表面にレジスト膜を形成するレジスト塗布処理と、レジスト塗布後の半導体ウエハに対して露光処理を行った後に当該半導体ウエハに対して現像を行う現像処理とが行われるが、従来からこれらレジスト塗布処理と現像処理は、例えば日本国特公平２−３０１９４号公報によっても公知なように、対応する各種処理ユニットが１つのシステム内に装備された複合処理システム内で、露光プロセスを挟んで所定のシーケンスに従って行われている。
【０００３】
ところで、半導体デバイスにおいては、近年その回路パターンが微細化され、高集積化が図られている。このため、例えば、ステッパ等の露光装置によって半導体ウエハに所定の回路パターンを露光する場合、微細な回路パターンを正確に転写するため、厳密な位置合わせが行われているとともに、僅かな温度差による熱膨張および熱収縮による位置ずれも防止する必要があるため、厳密な温度調整等が行われている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上述したとおり、半導体デバイス等の回路パターンの転写を行うフォトリソグラフィーの工程においては、露光装置において、半導体ウエハ等の厳密な温度調整が行われている。
【０００５】
しかしながら、半導体デバイス等においては、さらに高集積化が図られており、その回路パターンは、微細化されつつある。このため、フォトリソグラフィーの工程においても、さらに厳密な温度制御および処理の高速化によるスループットの向上を図ることが当然要求される。
【０００６】
本発明の目的は、従来に比べてさらに厳密な温度制御を行うことができ、正確な回路パターンの転写を行うことができるとともに、処理の高速化によるスループットの向上を図ることのできる基板処理装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上述した目的を達成するため、本発明の第１の観点は、レジストが塗布された基板を温度調整しつつ露光する露光装置と、前記基板にレジストを塗布する塗布部と、露光後の基板を現像処理する現像部と、前記塗布部及び前記現像部と前記露光装置との間に配置され、前記基板処理装置と前記露光装置との間で基板を受け渡しするためのインターフェース部と、前記塗布部と前記現像部とインターフェース部との間で基板を搬送するための搬送手段と、前記インターフェース部内に配置され、前記基板が保持される保持部と、前記露光装置における温度調整に応じて、前記保持部に保持された基板を温度調整する温度調整手段とを具備する。
【０００８】
本発明では、インターフェース部に、前記露光装置における温度調整に応じて、保持部に保持された基板を温度調整する温度調整手段が設けられているので、インターフェース部で、基板を露光装置において要求される温度により近い温度に温度調整した状態で基板を露光装置に受け渡すことができる。したがって、露光装置において基板をより正確に、短時間に温調することが可能となり、正確な回路パターンの転写を行うことができるとともに、処理の高速化によるスループットの向上を図ることができる。
【０００９】
本発明の一の実施形態では、前記露光装置が、基板を露光する際の温度を検出し、検出結果に応じた信号を出力する温度検出部を有し、前記温度調整手段が、前記温度検出部から出力された信号に応じて前記保持部に保持された基板を温度調整することを特徴とする。
【００１０】
本発明の一の実施形態では、当該基板処理装置が、前記露光装置において基板を露光する際の温度を検出し、検出結果に応じた信号を出力する温度検出部を有し、前記温度調整手段が、前記温度検出部から出力された信号に応じて前記保持部に保持された基板を温度調整することを特徴とする。
【００１１】
本発明の一の実施形態では、前記温度検出部から出力された信号を前記温度調整手段による温度調整に適合するように補償する手段を有し、前記温度調整手段が、前記補償された信号に応じて前記保持部に保持された基板を温度調整することを特徴とする。
【００１２】
本発明の一の実施形態では、前記保持部が、複数の前記基板を保持可能とされたバッファカセットを有することを特徴とする。
【００１３】
本発明の一の実施形態では、前記バッファカセットが、複数の前記基板を夫々が略平行になるよう載置可能に構成され、前記温度調整手段が、前記バッファカセットに載置された前記基板の間に当該基板と略平行に温度調整した気体を流すことを特徴とする。
【００１４】
本発明の一の実施形態では、前記保持部が、前記基板を前記露光装置との間で受け渡しする部位に配置され、前記基板を載置可能とされたステージを有することを特徴とする。
【００１５】
本発明の一の実施形態では、前記温度調整手段が、前記ステージを温度調整する手段を有することを特徴とする。
【００１６】
本発明の一の実施形態では、前記ステージは、前記露光される前の基板が載置される第１の載置部と露光された後の基板が載置される第２の載置部とを有することを特徴とする。
【００１７】
本発明の一の実施形態では、前記第１載置部及び前記第２の載置部が、それぞれ、基板を多段に収容する収容部と、前記収容部を覆うとともに、前記インターフェース部から前記収容部に多段に収容された各基板に対してアクセス可能とする第１の開口部及び前記露光装置から前記収容部に多段に収容された各基板に対してアクセス可能とする第２の開口部が設けられたカバー部材とを具備することを特徴とする。
【００１８】
本発明の一の実施形態では、前記第１の開口部に対して開閉可能に配置された第１の扉と、前記第１の扉を開閉する第１の開閉機構と、前記第２の開口部に対して開閉可能に配置された第２の扉と、前記第２の扉を開閉する第２の開閉機構とを具備することを特徴とする。
【００１９】
本発明の一の実施形態では、前記カバー部材により覆われた空間を排気する排気手段を更に具備することを特徴とする。
【００２０】
本発明の一の実施形態では、前記第１載置部及び前記第２の載置部が、それぞれ、基板を多段に収容する収容部と、前記収容部を覆うとともに、前記インターフェース部から前記収容部に多段に収容された少なくとも１枚の基板に対してアクセス可能とする第１の開口部及び前記露光装置から前記収容部に多段に収容された少なくとも１枚の基板に対してアクセス可能とする第２の開口部が設けられたカバー部材と、前記収容部を昇降する昇降機構とを具備することを特徴とする。
【００２１】
本発明の第２の観点は、レジストが塗布された基板を温度調整しつつ露光する露光装置に接続される基板処理装置において、前記基板にレジストを塗布する塗布部と、露光後の基板を現像処理する現像部と、前記塗布部及び前記現像部と前記露光装置との間に配置され、前記基板処理装置と前記露光装置との間で基板を受け渡しするためのインターフェース部と、前記塗布部と前記現像部とインターフェース部との間で基板を搬送するための搬送手段と、前記インターフェース部内に配置され、前記露光される前の基板が保持される第１の保持部と、前記インターフェース部内に配置され、露光された後の基板が保持される第２の保持部と、前記第１及び第２の保持部に対して温度調整された気体を供給する気体供給部と、前記第１の保持部と前記気体供給部との間に介挿され、前記気体供給部から供給される気体を更に温度調整する温度調整部とを具備することを特徴とする。
【００２２】
本発明では、露光される前の基板が保持される第１の保持部に対して気体供給部から供給される気体を更に温度調整して供給するようにしたので、インターフェース部で、基板を露光装置において要求される温度により近い温度に温度調整し、状態で基板を露光装置に受け渡すことができる。したがって、露光装置において基板をより正確に、短時間に温調することが可能となり、正確な回路パターンの転写を行うことができるとともに、処理の高速化によるスループットの向上を図ることができる。
【００２３】
本発明は、露光装置も含めた基板処理装置として把握することも可能である。
従って、本発明の第３の観点は、レジストが塗布された基板を温度調整しつつ露光する露光装置と、前記基板にレジストを塗布する塗布部と、露光後の基板を現像処理する現像部と、前記塗布部及び前記現像部と前記露光装置との間に配置され、前記基板処理装置と前記露光装置との間で基板を受け渡しするためのインターフェース部と、前記塗布部と前記現像部とインターフェース部との間で基板を搬送するための搬送手段と、前記インターフェース部内に配置され、前記基板が保持される保持部と、前記露光装置における温度調整に応じて、前記保持部に保持された基板を温度調整する温度調整手段とを具備することを特徴とする。
【００２４】
また、本発明の第４の観点は、レジストが塗布された基板を温度調整しつつ露光する露光装置と、前記基板にレジストを塗布する塗布部と、露光後の基板を現像処理する現像部と、前記塗布部及び前記現像部と前記露光装置との間に配置され、前記基板処理装置と前記露光装置との間で基板を受け渡しするためのインターフェース部と、前記塗布部と前記現像部とインターフェース部との間で基板を搬送するための搬送手段と、前記インターフェース部内に配置され、前記露光される前の基板が保持される第１の保持部と、前記インターフェース部内に配置され、露光された後の基板が保持される第２の保持部と、前記第１及び第２の保持部に対して温度調整された気体を供給する気体供給部と、前記第１の保持部と前記気体供給部との間に介挿され、前記気体供給部から供給される気体を更に温度調整する温度調整部とを具備することを特徴とする。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。
図１乃至図３は、本発明の基板処理装置の実施形態にかかるウエハの塗布現像処理システムの概略構成を示しており、図１はその平面図、図２はその正面図、図３はその背面図である。
【００２６】
図１に示すように、この塗布現像処理システム１００では、被処理体としてのウエハＷをウエハカセットＣＲで複数枚、例えば２５枚単位で外部からシステムに搬入・搬出したり、ウエハカセットＣＲに対してウエハＷを搬入・搬出したりするためのカセットステーション１０と、塗布現像工程の中で１枚ずつウエハＷに所定の処理を施す枚葉式の各種処理ユニットを所定位置に多段配置した処理ステーション１１と、塗布現像処理システム１００に隣接して配設された露光装置２００との間でウエハＷを受け渡しするためのインターフェース部１２とが一体的に接続されている。上記カセットステーション１０では、カセット載置台２０上の位置決め突起２０ａの位置に、複数個例えば４個までのウエハカセットＣＲが、各々ウエハ出入り口を処理ステーション１１側に向けてＸ方向に一列に載置され、このカセット配列方向（Ｘ方向）及びウエハカセットＣＲ内に収納されたウエハＷのウエハ配列方向（Ｚ方向：垂直方向）に移動可能なウエハ搬送体２１が各ウエハカセットＣＲに選択的にアクセスする。
【００２７】
このウエハ搬送体２１はθ方向に回転自在であり、後述するように処理ステーション１１側の第３の処理ユニット群Ｇ３の多段ユニット部に配設されたアライメントユニット（ＡＬＩＭ）やイクステンションユニット（ＥＸＴ）にもアクセスできる。
【００２８】
処理ステーション１１には、ウエハ搬送装置を備えた垂直搬送型の主ウエハ搬送機構２２が設けられ、その周りに全ての処理ユニットが１組または複数の組に亙って多段に配置されている。
【００２９】
なお、この塗布現像処理システム１００の近傍には、この塗布現像処理システム１００との間で薬液の供給や廃液の処理・収容などを行う図示しないケミカルキャビネットが配設される。
【００３０】
図２に示すように、第１の処理ユニット群Ｇｌでは、カップＣＰ内でウエハＷをスピンチャックに載せて所定の処理を行う２台のスピンナ型処理ユニット、例えばレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）および現像ユニット（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ねられている。第２の処理ユニット群Ｇ２では、２台のスピンナ型処理ユニット、例えばレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）および現像ユニット（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ねられている。これらレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）は、レジスト液の排液が機構的にもメンテナンスの上でも面倒であることから、このように下段に配置するのが好ましい。しかし、必要に応じて適宜上段に配置することももちろん可能である。
【００３１】
図３に示すように、主ウエハ搬送機構２２では、筒状支持体４９の内側に、ウエハ搬送装置４６が上下方向（Ｚ方向）に昇降自在に装備されている。筒状支持体４９はモータ（図示せず）の回転軸に接続されており、このモータの回転駆動力によって、前記回転軸を中心としてウエハ搬送装置４６と一体に回転し、それによりこのウエハ搬送装置４６はθ方向に回転自在となっている。なお筒状支持体４９は前記モータによって回転される別の回転軸（図示せず）に接続するように構成してもよい。
【００３２】
ウエハ搬送装置４６には、搬送基台４７の前後方向に移動自在な複数本の保持部材４８が配設されており、これらの保持部材４８は各処理ユニット間でのウエハＷの受け渡しを可能にしている。
【００３３】
また、図１に示すようにこの塗布現像処理システム１００では、５つの処理ユニット群Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４、Ｇ５が配置可能であり、第１および第２の処理ユニット群Ｇｌ、Ｇ２の多段ユニットは、システム正面側に配置され、第３の処理ユニット群Ｇ３の多段ユニットはカセットステーション１０に隣接して配置され、第４の処理ユニット群Ｇ４の多段ユニットはインターフェース部１２に隣接して配置され、第５の処理ユニット群Ｇ５の多段ユニットは背面側に配置されることが可能である。
【００３４】
図３に示すように、第３の処理ユニット群Ｇ３では、ウエハＷを保持台（図１に示すＳＰ）に載せて所定の処理を行うオープン型の処理ユニット、例えば冷却処理を行うクーリングユニット（ＣＯＬ）、レジストの定着性を高めるためのいわゆる疏水化処理を行うアドヒージョンユニット（ＡＤ）、位置合わせを行うアライメントユニット（ＡＬＩＭ）、イクステンションユニット（ＥＸＴ）、露光処理前の加熱処理を行うプリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）および露光処理後の加熱処理を行うポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が、下から順に例えば８段に重ねられている。第４の処理ユニット群Ｇ４でも、オープン型の処理ユニット、例えばクーリングユニット（ＣＯＬ）、イクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）、イクステンションユニット（ＥＸＴ）、クーリングユニット（ＣＯＬ）、プリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）およびポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が下から順に、例えば８段に重ねられている。
【００３５】
このように処理温度の低いクーリングユニット（ＣＯＬ）、イクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）を下段に配置し、処理温度の高いプリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）、ポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）およぴアドヒージョンユニット（ＡＤ）を上段に配置することで、ユニット間の熱的な相互干渉を少なくすることができる。もちろん、ランダムな多段配置としてもよい。
【００３６】
図１に示すように、インターフェース部１２では、奥行方向（Ｘ方向）は前記処理ステーション１１と同じ寸法を有するが、幅方向（Ｙ方向）はより小さなサイズである。
【００３７】
上記インターフェース部１２の正面部には、図２に示すように、可搬性のピックアップ型のウエハカセットＣＲと、定置型のバッファカセットＢＲとが２段に配置されている。これらのカセットのうち、バッファカセットＢＲには、図４に示すように、ウエハＷの温度調整を行う温度調整手段が設けられている。
【００３８】
すなわち、図４に示す例では、バッファカセットＢＲ内に温度調整された空気を導入するためのダクト６０が設けられており、バッファカセットＢＲの背面側に設けられた空気流路６１から、多数の透孔６２を介して正面側（ウエハＷの出入り口側）に向けて温度調整された空気を流し、バッファカセットＢＲ内に配置されたウエハＷの温度調整を行うよう構成されている。
【００３９】
このウエハＷの温度調整手段は、図５に示すように、空気の加熱および冷却を行う加熱器、冷却器、温度検出器等からなるＢＲ温調用空気温度調整機構１０１と、このＢＲ温調用空気温度調整機構１０１を制御するＢＲ温調制御装置１０２等から構成されている。
【００４０】
また、図５に示すように、露光装置２００には、ウエハＷの温調を行うための機構として、例えば、ウエハＷを載置可能とされた温調プレート２０１が設けられており、この温調プレート２０１は、加熱器、冷却器等によって温調を行う温調部２０２ａと温度検出器等からなる温度検出部２０２ｂとを有する露光装置基板温度調整機構２０２、この露光装置基板温度調整機構２０２を制御する露光装置温度制御装置２０３等を具備している。
【００４１】
そして、前述したＢＲ温調制御装置１０２は、露光装置基板温度調整機構２０２の温度検出部２０２ｂの温度検出信号又は、露光装置温度制御装置２０３から露光装置基板温度調整機構２０２に発せられる制御信号を入力し、その信号の傾向により、ＢＲ温調用空気温度調整機構１０１に対する制御信号を調整するよう構成されている。
【００４２】
すなわち、通常、ＢＲ温調制御装置１０２において設定されるウエハＷの制御目標温度は、露光装置温度制御装置２０３における制御目標温度と同一の温度に設定される。
【００４３】
しかしながら、例えば温度制御特性の相違や、バッファカセットＢＲにおける温調の後のウエハＷ搬送工程の影響等により、バッファカセットＢＲにおける温調の後、露光装置２００の温調プレート２０１において、例えば更にウエハＷを主として、加熱方向に制御するようになる場合と、冷却方向に制御するようになる場合とが生じる。
【００４４】
このため、例えば、露光装置２００の温調プレート２０１において、ウエハＷを主として、加熱方向に制御するようになる場合は、バッファカセットＢＲにおける温調の温度設定を、若干上昇させ、一方、露光装置２００の温調プレート２０１において、ウエハＷを主として、冷却方向に制御するようになる場合は、バッファカセットＢＲにおける温調の温度設定を、若干下降させるように、ＢＲ温調制御装置１０２において、ＢＲ温調用空気温度調整機構１０１に対する制御信号を調整する。なお、このような調整は後述する補償回路によって行うことも可能である（図１２参照）。
【００４５】
以上のようなバッファカセットＢＲにおけるウエハＷの温調を行うことにより、露光装置２００の温調プレート２０１におけるウエハＷの温調を、より短時間に、かつ、正確に行うことができる。
【００４６】
また、図１に示すように、インターフェース部１２の背面部には周辺露光装置２３が配設されている。
【００４７】
図１に示すように、インターフェース部１２の中央部には、基板搬送装置２４が配設されている。この基板搬送装置２４は、Ｘ方向、Ｚ方向に移動して両カセットＣＲ、ＢＲおよび周辺露光装置２３にアクセスする。
【００４８】
また、基板搬送装置２４は、θ方向にも回転自在であり、処理ステーション１１側の第４の処理ユニット群Ｇ４の多段ユニットに配設されたイクステンションユニット（ＥＸＴ）や、隣接する露光装置２００側のウエハ受渡し台（図示せず）にもアクセスできる。
【００４９】
ここで、基板搬送装置２４として、処理ステーション１１に設けられた主ウエハ搬送機構２２と同様な搬送機構を設け、第４の処理ユニット群Ｇ４の多段ユニットに、インターフェース部１２側からアクセスできるようにすれば、主ウエハ搬送機構２２の負担を軽減することができ、ウエハＷの搬送能力の向上による処理の迅速化を図ることもできる。
【００５０】
また塗布現像処理システム１００では、既述の如く主ウエハ搬送機構２２の背面側にも図５中破線で示した第５の処理ユニット群Ｇ５の多段ユニットを配置できるが、この第５の処理ユニット群Ｇ５の多段ユニットは、案内レール２５に沿ってＹ方向へ移動可能である。従って、この第５の処理ユニット群Ｇ５の多段ユニットを図示の如く設けた場合でも、前記案内レール２５に沿って移動することにより、空間部が確保されるので、主ウエハ搬送機構２２に対して背後からメンテナンス作業が容易に行える。
【００５１】
次に、この塗布現像処理システム１００によるウエハＷの処理の流れについて説明する。
【００５２】
まずカセットステーション１０において、ウエハ搬送体２１がカセット載置台２０上の処理前のウエハＷを収容しているカセットＣＲにアクセスして、そのカセットＣＲから１枚のウエハＷを取り出す。その後、ウエハ搬送体２１は、第３の処理ユニット群Ｇ３のアライメントユニット（ＡＬＩＭ）等を介して処理ステーション１１側の主ウエハ搬送機構２２にウエハＷを受け渡す。
【００５３】
主ウエハ搬送機構２２は、上記アライメントユニット（ＡＬＩＭ）にてオリフラ合わせ及びセンタリングが完了したウエハＷを取り出し、第３の処理ユニット群Ｇ３のアドヒージョンユニット（ＡＤ）にウエハＷを搬入して疎水化処理を行う。
【００５４】
疎水化処理を終えたウエハＷは、その後主ウエハ搬送機構２２によって所定のプリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）に搬入されてベーキングされた後、所定のクーリングユニット（ＣＯＬ）に搬入される。このクーリングユニット（ＣＯＬ）内でウエハＷはレジスト塗布処理前の設定温度例えば２３℃まで冷却される。
【００５５】
冷却処理が終了すると、ウエハＷは主ウエハ搬送機構２２によって所定のレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）へ搬入され、このレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）内でウエハＷ表面へのレジスト塗布が行われる。
【００５６】
レジスト塗布処理が終了すると、主ウエハ搬送機構２２はウエハＷをレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）から取り出し、再び所定のプリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）内へ搬入する。ウエハＷはここで所定温度例えば１００℃で所定時間加熱され、これによりウエハＷ上の塗布膜から残存溶剤が蒸発除去される。
【００５７】
この後、ウエハＷは主ウエハ搬送機構２２によってイクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）へ搬入される。ここで、ウエハＷは、次工程つまり周辺露光装置２３による周辺露光処理に適した温度例えば２４℃まで冷却される。
【００５８】
この後、インターフェース部１２に設けられた前述した基板搬送装置２４がイクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）からウエハＷを取り出すことによって、ウエハＷが基板搬送装置２４に受け渡される。
【００５９】
次に、基板搬送装置２４は当該ウエハＷをインターフェース部１２内の周辺露光装置２３へ搬入する。ここで、ウエハＷはその周縁部に露光処理を受ける。
【００６０】
周辺露光処理が終了すると、基板搬送装置２４は、ウエハＷを周辺露光装置２３から搬出し、隣接する露光装置２００側のウエハ受取り台（図示せず）へ移送する。この場合、ウエハＷは、露光装置２００へ渡される前に、必要に応じてバッファカセットＢＲに一時的に格納される。
【００６１】
そして、バッファカセットＢＲに一時的に格納されたウエハＷは、前述したとおり、露光装置２００における温調の状態を参照して、温調される。
【００６２】
したがって、高精度なウエハＷの温調を必要とする露光装置２００側において、ウエハＷの温調をより短時間に、正確に行うことが可能となる。
【００６３】
上述したように、ウエハＷが露光装置２００に受け渡された後、露光装置２００により、レティクルを用いた露光が行われる。露光装置２００でのウエハＷ全面への露光処理が完了すると、ウエハＷは、再度インターフェース部１２の基板搬送装置２４に受け渡される。
【００６４】
そして、ウエハＷは、さらに基板搬送装置２４から処理ステーション１１側へ受け渡される。なおこの場合、ウエハＷを、処理ステーション１１側へ渡される前に、必要に応じてインターフェース部１２内のバッファカセットＢＲに一時的に格納するようにしてもよい。
【００６５】
この後、処理ステーション１１の主ウエハ搬送機構２２は、受け取ったウエハＷを所定のポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）に搬入する。このポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）において、ウエハＷは熱板上に載置されて所定時間ベーク処理される。
【００６６】
この後、ベーキングされたウエハＷは主ウエハ搬送機構２２によっていずれかのクーリングユニット（ＣＯＬ）に搬入され、このクーリングユニット（ＣＯＬ）内でウエハＷは常温に戻される。続いて、ウエハＷは主ウエハ搬送機構２２によって所定の現像ユニット（ＤＥＶ）に搬入される。
【００６７】
この現像ユニット（ＤＥＶ）内では、ウエハＷはスピンチャックの上に載せられ、例えばスプレー方式により、ウエハＷ表面のレジストに現像液が均一にかけられて現像が行われる。そして現像後、ウエハＷ表面にリンス液がかけられ、現像液の洗い落しが行われ、この後ウエハＷが高速回転されて乾燥が行われる。
【００６８】
この後、主ウエハ搬送機構２２は、ウエハＷを現像ユニット（ＤＥＶ）から搬出して、次に所定のポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）ヘウエハＷを再び搬入する。このポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）において、ウエハＷは例えば１００℃で所定時間だけ加熱され、これによって、現像で膨潤したレジストが硬化し、耐薬品性が向上する。
【００６９】
ポストベーキングが終了すると、主ウエハ搬送機構２２はウエハＷをポストベーキングユニットから搬出し、次に所定のクーリングユニット（ＣＯＬ）ヘウエハＷを搬入して冷却処理が行われる。
【００７０】
ウエハＷが常温に戻った後、主ウエハ搬送機構２２は、ウエハＷをカセットステーション１０側に受け渡し、カセットステーション１０側のウエハ搬送体２１は、受け取ったウエハＷをカセット載置台２０上の処理済みウエハ収容用のカセットＣＲの所定のウエハ収容溝に入れる。
【００７１】
図６は、他の実施形態の構成を示すもので、この実施形態では、インターフェース部１２内に、露光装置２００との間でウエハＷの受け渡しを行うための受け渡しステージとして、入口側受け渡しステージ２８、出口側受け渡しステージ２９が設けられている。
【００７２】
そして、基板搬送装置２４によって、ウエハＷを入口側受け渡しステージ２８に載置し、図示しない露光装置２００側の搬送機構により、この入口側受け渡しステージ２８上のウエハＷを受け取ることによって、ウエハＷを露光装置２００に受け渡し、逆の手順で、出口側受け渡しステージ２９を介して露光装置２００から塗布現像処理システム１００へウエハＷを受け渡す構成となっている。
【００７３】
また、ウエハＷを露光装置２００側に受け渡すための入口側受け渡しステージ２８には、ウエハＷを温調するための温度調整手段が設けられている。この温度調整手段は、図７に示すように、入口側受け渡しステージ２８の加熱および冷却を行う加熱器、冷却器、温度検出器等からなるステージ温度調整機構１１１と、このステージ温度調整機構１１１を制御するステージ温調制御装置１１２等から構成されている。
【００７４】
そして、ステージ温調制御装置１１２は、前述したＢＲ温調制御装置１０２と同様に、露光装置基板温度調整機構２０２の温度検出部２０２ｂの温度検出信号又は、露光装置温度制御装置２０３から露光装置基板温度調整機構２０２に発せられる制御信号を入力し、その信号の傾向により、ステージ温度調整機構１１１に対する制御信号を調整するよう構成されている。
【００７５】
すなわち、前述したとおり、例えば、露光装置２００の温調プレート２０１において、ウエハＷを主として、加熱方向に制御するようになる場合は、温度設定を、若干上昇させ、一方、露光装置２００の温調プレート２０１において、ウエハＷを主として、冷却方向に制御するようになる場合は、温度設定を、若干下降させるように、ステージ温調制御装置１１２において、ステージ温度調整機構１１１に対する制御信号を調整する。
【００７６】
以上のような入口側受け渡しステージ２８におけるウエハＷの温調を行うことにより、露光装置２００にウエハＷを受け渡しする部位において、露光装置２００にウエハＷを受け渡しする直前までウエハＷの温調を行うことができ、さらに、前述したとおり、露光装置２００におけるウエハＷの温調の状態を参照して温調を行っているため、露光装置２００の温調プレート２０１におけるウエハＷの温調を、より短時間に、かつ、正確に行うことができる。
【００７７】
なお、この場合、前述した実施形態におけるバッファカセットＢＲにおける温調と伴用し、バッファカセットＢＲにおけるウエハＷの温調と入口側受け渡しステージ２８におけるウエハＷの温調の双方を行うようにして、さらに効率よく、正確な温調を行えるようにすることもできる。
【００７８】
また、この実施形態においては、図６に示すように、インターフェース部１２内に、周辺露光装置を配置しない構成となっており、このため、インターフェース部１２のＸ方向の長さが前述した図１の構成の場合に比べて短くなっている。このため、露光装置２００に対するメンテナンス等の際のアクセスを容易に行える。
【００７９】
特に、露光装置２００においては、露光ステージに対するメンテナンス等を頻繁に行う必要があり、このため、従来においては、塗布現像処理システム１００のインターフェース部１２を前方に引き出す等して、露光装置２００の塗布現像処理システム１００側から、その内部の露光ステージにアクセスする等の必要があったが、図６に示す構成の場合、インターフェース部１２のＸ方向の長さが短くなっているので、インターフェース部１２を引き出すことなく、背面側から露光装置２００の側面（塗布現像処理システム１００側）に対して容易にアクセスすることができる。
【００８０】
上記構成の場合、周辺露光装置は、前述した処理ステーション１１の中の処理ユニット群のいずれかの部位に配置する。
【００８１】
以上のとおり、上述した各実施形態によれば、バッファカセットＢＲ、または露光装置２００にウエハＷを受け渡しする部位である入口側受け渡しステージ２８、あるいはこれら双方において、露光装置２００におけるウエハＷの温調の状態を参照して温調を行っているため、露光装置２００の温調プレート２０１におけるウエハＷの温調を、より短時間に、かつ、正確に行うことができる。
【００８２】
したがって正確な回路パターンの転写を行うことができるとともに、処理の高速化によるスループットの向上を図ることができる。
【００８３】
次に本発明の別の実施形態を説明する。
【００８４】
図６に示した実施形態では、インターフェース部１２内に、入口側受け渡しステージ２８、出口側受け渡しステージ２９を設けていたが、本実施形態では、図８及び図９に示すように示すように、これらのステージをそれぞれ多段に構成した入口側受け渡し収容部４０１、出口側受け渡し収容部４０２としている。入口側受け渡し収容部４０１には、露光装置２００へ受け渡されるウエハＷが収容される。出口側受け渡し収容部４０２には、露光装置２００から受け渡されたウエハＷが収容される。
【００８５】
入口側受け渡し収容部４０１及び出口側受け渡し収容部４０２はカバー４０３により覆われている。また、カバー４０３のインターフェース部１２側には、基板搬送装置２４が入口側受け渡し収容部４０１及び出口側受け渡し収容部４０２に収容されたウエハＷに対してアクセスができるように開口部４０４、４０５がそれぞれ設けられている。また、カバー４０３の露光装置２００側には、露光装置２００の搬送アーム３６７が入口側受け渡し収容部４０１及び出口側受け渡し収容部４０２に収容されたウエハＷに対してアクセスができるように開口部４０６、４０７がそれぞれ設けられている。各開口部４０４〜４０７には、駆動機構４０８により開閉される扉４０９が設けられている。この扉４０９は、ウエハＷが入口側受け渡し収容部４０１または出口側受け渡し収容部４０２に搬入出される際に開き、それ以外の時には閉じている。
【００８６】
またカバー４０３内は仕切板４１２により２つの第１及び第２の室４１３、４１４に区切られており、第１の室４１３には入口側受け渡し収容部４０１が配置され、第２の室４１４には出口側受け渡し収容部４０２が配置されている。
【００８７】
図８において符号７１０は第１及び第２の室４１３、４１４に温度調整された清浄気体を供給する気体供給部である。そして、本実施形態では、気体供給部７１０から供給された清浄気体は出口側受け渡し収容部４０２が配置された第２の室４１４の上部より第２の室４１４に直接供給されるが、第１の室４１３に対しては入口側受け渡し収容部４０１が配置された第１の室４１３の上部より温度調整装置６１１を介して供給されるようになっている。
【００８８】
また第１の室４１３の下部には排気口４１５が設けられ、第２の室４１４の下部には排気口４１６が設けられている。排気口４１５、４１６には排気装置４１７が接続され、排気装置４１７によって第１及び第２の室４１３，４１４内が排気されるようになっている。
【００８９】
本実施形態では、図６に示したインターフェース部１２内の入口側受け渡しステージ２８、出口側受け渡しステージ２９に代えてこれらのステージをそれぞれ多段に構成した入口側受け渡し収容部４０１、出口側受け渡し収容部４０２としたことで、インターフェース部１２内にバッファカセットＢＲを設けることを不要としている。これにより、装置の小型化を図ることができ、また作業員による装置内部へのアクセスが容易となり、メンテナンス等が容易となる。
【００９０】
また、カバー４０３の各開口部４０４〜４０７に扉４０９を設け、ウエハＷが入口側受け渡し収容部４０１または出口側受け渡し収容部４０２に搬入出される際以外の時には扉４０９を閉じるようにすることで、露光装置２００側にパーティクルが流出することを防止できる。
【００９１】
更に、現像処理ユニット（ＤＥＶ）に比べて露光装置２００の温度調整がより精密さが要求される。そこで、本実施形態では、上記のように露光前のウエハＷが収容される第１の室４１３へは温度調整装置６１１によってより正確に温度調整された清浄気体を供給することによって、露光装置２００における露光処理をより精密にかつ短時間で行うことが可能となる。
【００９２】
図１０は図８及び図９に示した実施形態の変形例の説明図である。
図１０に示す実施形態では、カバー５０３の各開口部５０４〜５０７を少なくともウエハＷを１枚出し入れできる大きさにすると共に、入口側受け渡し収容部５０１及び出口側受け渡し収容部５０２を昇降する昇降機構５２０、５２１を例えば入口側受け渡し収容部５０１及び出口側受け渡し収容部５０２の下部にそれぞれ設けている。そして、昇降機構５２０、５２１の昇降動作によって、入口側受け渡し収容部５０１及び出口側受け渡し収容部５０２おける受け渡しが必要な部位を開口部５０４〜５０７に合わせるようにしている。
【００９３】
本実施形態では、開口部５０４〜５０７が非常に小さくなるので、露光装置２００側にパーティクルが流出することを更に強力に防止できる。
【００９４】
次に更に別の実施形態を説明する。
図１１はこの実施形態に係るバッファカセットＢＲの説明図である。
【００９５】
図１１に示すように、このバッファカセットＢＲはその内部が仕切り板７０１によって上段室７０２と下段室７０３とに区切られている。上段室７０２には、露光装置２００へ受け渡されるウエハＷが収容される。下段室７０３には、露光装置２００から受け渡されたウエハＷが収容される。
【００９６】
符号７０４は上段室７０２及び下段室７０３に温度調整された清浄気体を供給する気体供給部である。そして、本実施形態では、気体供給部７０４から供給された清浄気体は露光装置２００から受け渡されたウエハＷが収容される下段室７０３に直接供給されるが、露光装置２００へ受け渡されるウエハＷが収容される上段室７０２に対しては温度調整装置７０５を介して供給されるようになっている。
【００９７】
本実施形態においても、露光装置２００における露光処理をより精密にかつ短時間で行うことが可能となる。
【００９８】
なお、図５に示した実施形態では、露光装置２００側の検出信号を直接塗布現像処理システム１００側に送っていたが、図１２に示すように露光装置２００側の検出信号を補償する補償回路９０１を介して塗布現像処理システム１００側へ送るようにしてもよい。この補償回路９０１は露光装置２００側の検出信号を塗布現像処理システム１００側での温度調整に適合するように補償するものである。
【００９９】
このように補償回路を設けることによって例えば従来構成の露光装置であっても塗布現像処理システム１００側において本発明に係る技術を実現することが可能となる。
【０１００】
また露光装置２００側から検出信号が出力されないような場合には、例えば図１３に示すように塗布現像処理システム１００の露光装置２００側に、露光装置２００に向けて突出する温度検出機構９１０を設けてもよい。例えば温度検出機構９１０の先端には温度検出部が設けられており、塗布現像処理システム１００と露光装置２００とが接続されると、温度検出機構９１０が露光装置２００内の温度を測定することが可能となっている。そして、温度検出機構９１０により検出された結果に基づきカセットバッファやステージの温度制御を行う。
【０１０１】
本発明は基板としてはウエハに限らず、フォトリソグラフィ技術が適用される基板であれば如何なる基板でもよく、例えば液晶ディスプレイ用のガラス基板であってもよい。
【０１０２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、露光装置において基板をより正確に、短時間に温調することが可能となり、正確な回路パターンの転写を行うことができるとともに、処理の高速化によるスループットの向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る塗布現像処理システムの平面図である。
【図２】図１に示した塗布現像処理システムの正面図である。
【図３】図１に示した塗布現像処理システムの背面図である。
【図４】図１に示したバッファカセットの断面図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る温度調整手段の説明図である。
【図６】本発明の他の実施形態に係る塗布現像処理システムの平面図である。
【図７】本発明の他の実施形態に係る温度調整手段の説明図である。
【図８】本発明のまた別の実施形態に係るステージの側面図である。
【図９】図８に示したステージの正面図である。
【図１０】図８及び図９に示した実施形態の変形例に係るステージの側面図である。
【図１１】本発明の更に別の実施形態に係るバッファカセットの説明図である。
【図１２】図５に示した実施形態の変形例の説明図である。
【図１３】更に別の変形例の説明図である。
【符号の説明】
Ｗ    半導体ウエハ（基板）
ＢＲ    バッファカセット
１００    塗布現像システム
２００    露光装置
１１    処理ステーション
１２    インターフェース部
【図１】
0003552600.tif 000002
【図２】
0003552600.tif 000003
【図３】
0003552600.tif 000004
【図４】
0003552600.tif 000005
【図５】
0003552600.tif 000006
【図６】
0003552600.tif 000007
【図７】
0003552600.tif 000008
【図８】
0003552600.tif 000009
【図９】
0003552600.tif 000010
【図１０】
0003552600.tif 000011
【図１１】
0003552600.tif 000012
【図１２】
0003552600.tif 000013
【図１３】
0003552600.tif 000014