(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
レジスト供給源からレジストが供給されその先端部からレジストが吐出されるレジストホ−スと、前記レジストホ−スを保持するレジストホ−ス保持手段と、このレジストホ−ス保持手段を吸引保持する吸引保持手段を備えたことを特徴とするレジスト塗布装置。
【請求項２】
吸引保持手段は電磁石であることを特徴とする請求項１記載のレジスト塗布装置。
【請求項３】
吸引保持手段は真空吸引手段であることを特徴とする請求項１記載のレジスト塗布装置。
【請求項４】
吸引保持手段は電磁石および真空吸引手段で構成されることを特徴とする請求項１記載のレジスト塗布装置。
【請求項５】
レジストホ−ス保持手段の材料はポリテトラフルオロエチレン(４フッ化エチレン樹脂)であることを特徴とする請求項１記載のレジスト塗布装置。
【請求項６】
レジストホ−ス保持手段の材料は金属であることを特徴とする請求項１記載のレジスト塗布装置。
【請求項７】
金属は強磁性体であることを特徴とする請求項６記載のレジスト塗布装置。
【請求項８】
レジストホ−ス保持手段は金属とこの金属の表面に形成されたポリテトラフルオロエチレン(４フッ化エチレン樹脂)で構成されることを特徴とする請求項１記載のレジスト塗布装置。
【請求項９】
真空吸引手段は一端に真空発生手段が接続されると共に他端に吸引凹部が形成される穴部を有することを特徴とする請求項３記載のレジスト塗布装置。
【請求項１０】
穴部はその開口部近傍で３本に分岐することを特徴とする請求項９記載のレジスト塗布装置。
【請求項１１】
レジスト供給源からレジストが供給されその先端部からレジストが吐出されるレジストホ−スと、前記レジストホ−スを保持するレジストホ−ス保持手段と、このレジストホ−ス保持手段を吸引保持し一端に真空発生手段が接続されると共に他端に吸引凹部が形成される穴部を設けた吸引保持手段と、この吸引保持手段に吸引嵌合されると共に前記レジストホ−ス保持手段に設けられる嵌合凸部を備えたことを特徴とするレジスト塗布装置。
【請求項１２】
嵌合凸部はそれぞれの中心を結ぶ線が三角形をなす３の円錐台で構成されることを特徴とする請求項１１記載のレジスト塗布装置。
【請求項１３】
レジストホ−ス保持手段はその吸引保持される側の主面にそれぞれの中心を結ぶ線が三角形をなす３の円錐台を有することを特徴とする請求項１記載のレジスト塗布装置。
【請求項１４】
嵌合凸部はそれぞれの中心を結ぶ線が三角形をなす３の半球体で構成されることを特徴とする請求項１１記載のレジスト塗布装置。
【請求項１５】
レジストホ−ス保持手段はその吸引保持される側の主面にそれぞれの中心を結ぶ線が三角形をなす３の半球体を有することを特徴とする請求項１記載のレジスト塗布装置。
【請求項１６】
嵌合凸部は、その横断面が円形でありその頂部の直径がこの嵌合凸部を吸引嵌合する吸引凹部の頂部の直径よりも大であることを特徴とする請求項１１記載のレジスト塗布装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は半導体装置の写真製版工程に使用されるレジスト塗布装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図５は、従来のレジスト塗布装置を示す斜視図である。図において、１はその主面にレジストが塗布される半導体ウエハ、２はレジストホ−スでありその一端が図示しないレジストタンクに接続されると共に、その他端がレジストノズル２ａに接続される。３は金属板製のレジストホ−ス保持板でありその一端部には貫通穴３ａが形成されると共に、その他端部には金属製の四角柱でつくられた支柱３ｂが植立される。貫通穴３ａにはレジストホ−ス２の他端が挿入固定されると共に、レジストホ−ス２の他端に接続されたレジストノズル２ａは少なくとも一部がレジストホ−ス保持板の一方の主面から突出するようにレジストホ−ス保持板３に固定される。４は支柱３ｂを挟持しレジストホ−ス保持板３に固定されたレジストノズル２ａを半導体ウエハ１上の所定位置に移動させる金属製のピックアップ機構である。
【０００３】
従来装置の動作
このような従来のレジスト塗布装置においては、半導体ウエハ１上にレジストを塗布するに際してレジストホ−ス保持板３に固定されたレジストノズル２ａを半導体ウエハ１上の所定位置に移動させるために、レジストホ−ス保持板３に植立された支柱３ｂがピックアップ機構４により挟持される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上記のような従来のレジスト塗布装置はピックアップ機構４により支柱３ｂを挟持する際、これらの部材の相互の摺動により金属粉末がウエハ１の表面に付着するという問題があった。
【０００５】
発明の目的
この発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、第一の目的はレジストホ−ス保持手段を吸引保持手段により吸引保持してもこれら両手段の摺動による塵埃の発生が極めて少ないレジスト塗布装置を得ることである。
また、第二の目的は、レジストホ−ス保持手段が吸引保持手段に対して容易に位置あわせできることである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
この発明に係るレジスト塗布装置においては、レジストホ−ス保持手段を吸引保持する吸引保持手段を設けたものである。
【０００７】
また、吸引保持手段に電磁石を設けたものである。
【０００８】
また、吸引保持手段に真空吸引手段を設けたものである。
【０００９】
また、吸引保持手段に電磁石および真空吸引手段を設けたものである。
【００１０】
また、材料がポリテトラフルオロエチレン(４フッ化エチレン樹脂)であるレジストホ−ス保持手段を設けたものである。
【００１１】
また、材料が金属であるレジストホ−ス保持手段を設けたものである。
【００１２】
また、材料が強磁性体であるレジストホ−ス保持手段を設けたものである。
【００１３】
また、金属板とこの金属板の表面に被覆されたポリテトラフルオロエチレン(４フッ化エチレン樹脂)で構成されたレジストホ−ス保持手段を設けたものである。
【００１４】
また、真空発生手段に接続される穴部を設けたものである。
【００１５】
また、３本に分岐する穴部を設けたものである。
【００１６】
また、レジストホ−ス保持手段に吸引保持手段によって吸引嵌合される嵌合凸部を設けたものである。
【００１７】
また、それぞれの中心を結ぶ線が三角形をなす３の円錐台で構成される嵌合凸部を設けたものである。
【００１８】
また、レジストホ−ス保持手段にそれぞれの中心を結ぶ線が三角形をなす３の円錐台を設けたものである。
【００１９】
また、それぞれの中心を結ぶ線が三角形をなす３の半球体で構成される嵌合凸部を設けたものである。
【００２０】
また、レジストホ−ス保持手段にそれぞれの中心を結ぶ線が三角形をなす３の半球体を設けたものである。
【００２１】
【発明の実施の形態】
実施の形態１．
図１はこの発明の実施の形態１であるレジスト塗布装置を示す縦断面図、図２はこのレジスト塗布装置の部分横断面図である。図において、２はレジストホ−スでありその一端が図示しないレジストタンクに接続されると共に、その他端にレジストノズル２ａが接続される。３０はレジストホ−ス保持手段であって、本体がポリテトラフルオロエチレン(４フッ化エチレン樹脂)板で作られ、このポリテトラフルオロエチレン(４フッ化エチレン樹脂)板の長手方向の一端の近傍部には貫通穴３０ｈが設けられる。この貫通穴３０ｈにレジストノズル２ａがレジストホ−ス保持手段３０の主面３０ｓ1 から突出するように挿入された後、貫通穴３０ｈにレジストホ−ス２は固着される。また、レジストホ−ス保持手段３０の本体であるポリテトラフルオロエチレン(４フッ化エチレン樹脂)板の内部には鉄板または電磁石３０ｍが埋め込まれる。ここでポリテトラフルオロエチレン(４フッ化エチレン樹脂)板にかえ金属板または金属板にポリテトラフルオロエチレン(４フッ化エチレン樹脂)を被覆したものでも良い。また、レジストホ−ス保持手段２の鉄板または電磁石３０ｍが埋め込まれ位置に対応する主面３０ｓ2 に３の円錐台３０ｐがそれぞれの中心を結ぶ線が正三角形をなすように設けられる。４０は吸引保持手段の金属製の本体であってレジストホ−ス保持手段３０を図示しないレジスト供給源からレジストを塗布すべき半導体ウエハまで移動させる。４０ａは吸引保持手段４０の本体内に設けられた穴部であって、その一端は図示しない真空発生手段に接続されると共に、他端は前記本体から開口して、この部分でレジストホ−ス保持手段２を吸引保持する。穴部４０ａはその開口部近傍で３本に分岐し、この開口部先端は円錐台３０ｐに合致するテ−パ部４０ｔが設けられる。吸引保持手段４０の本体の３本に分岐した穴部４０ａで囲繞される部分に電磁石４０ｍが設けられる。
【００２２】
このように構成されたレジスト塗布装置においては、レジスト塗布に際してレジストホ−ス２に予め図示しないレジストを供給し、図示しない真空発生手段，電磁石４０ｍおよび電磁石３０ｍを付勢させて吸引保持手段４０にレジストホ−ス保持手段３０を吸引保持する。次に、吸引保持手段４０を水平方向に作動させることによりレジストホ−ス保持手段３０に設けられたレジストノズル２ａを図示しない半導体ウエハ上に移動する。このようなレジスト塗布装置の吸引保持手段４０によるレジストホ−ス保持手段３０の吸引保持では金属の機械的摺動を生じないので発塵はなく、また、レジストホ−ス保持手段３０の本体または、本体の表面の被覆にポリテトラフルオロエチレン(４フッ化エチレン樹脂)を使用することによりレジストホ−ス保持手段３０の化学的安定性を高めることができ、半導体ウエハプロセスの歩留が向上する。
【００２３】
実施の形態２．
吸引保持手段４０の吸引部材として真空発生手段に接続される穴部４０ａのみを用いたものでも発塵は少なく、また、レジストホ−ス保持手段３０の主面３０ｓ２  及びその周辺に付着した塵埃を真空吸引により除去することができる。
【００２４】
実施の形態３．
吸引保持手段４０の吸引部材として電磁石４０ｍのみを用いたものでも発塵は少ない。
【００２５】
実施の形態４．
レジストホ−ス保持手段３０に３の円錐台３０ｐが設けられないものでも発塵少ない。
【００２６】
実施の形態５．
レジストホ−ス保持手段３０の本体が強磁性体材料で作成されたものであっても発塵は少なく、かつ、機械加工が容易にできる。
【００２７】
実施の形態６．
レジストホ−ス保持手段３０に３の円錐台３０ｐを設けると共に吸引保持手段４０のレジストホ−ス保持手段３０に対向する表面に３の円錐台３０ｐが接するように吸引保持手段４０を動作させるようにしたものでも発塵は少なく、また、円錐台３０ｐの数を安定的接触のための必要最小限の３個にすることにより、さらに発塵を少なくすることができる。
【００２８】
実施の形態７．
レジストホ−ス保持手段３０に嵌合凸部である３の円錐台３０ｐを設ける共に吸引保持手段４０に嵌合凹部であるテ−パ部４０ｔを設け、レジストホ−ス保持手段３０を吸引保持手段４０により吸引保持する際、円錐台３０ｐをテ−パ部４０ｔに嵌合させることによりレジストホ−ス保持手段３０の位置合わせが容易にできる。
【００２９】
実施の形態８．
図３，図４に示すように、レジストホ−ス保持手段３０に３の半球体３０ｑを設けると共に吸引保持手段４０のレジストホ−ス保持手段３０に対向する表面に３の半球体３０ｑが接するように吸引保持手段４０を動作させるようにしたものでも発塵は少なく、また、半球体３０ｑの数を安定的接触のための必要最小限の３個にすることにより、さらに発塵を少なくすることができる。
【００３０】
実施の形態９．
図３，図４に示すように、レジストホ−ス保持手段３０に嵌合凸部である３の半球体３０ｑを設ける共に吸引保持手段４０に嵌合凹部である半球状凹部４０ｕを設け、レジストホ−ス保持手段３０を吸引保持手段４０により吸引保持する際、半球体３０ｑを半球状凹部４０ｕに嵌合させることによりレジストホ−ス保持手段３０の位置合わせが容易にできる。
【００３１】
実施の形態１０．
嵌合凸部である３の円錐台３０ｐの頂部の直径を嵌合凹部であるテ−パ部４０ｔの頂部の直径よりも大にすることにより嵌合部の接触面積を少なくすることができ、さらに、発塵の防止に寄与する。
【００３２】
実施の形態１１．
図３，図４に示すように、レジストホ−ス保持手段３０に嵌合凸部である３の半球体３０ｑを形成し、これらの半球体３０ｑのそれぞれの頂部の直径を、吸引保持手段４０の穴部４０ａの開口部に形成された前記半球体３０ｑと嵌合する嵌合凹部である半球状凹部４０ｕの頂部の直径よりも大にすることにより嵌合部の接触面積を少なくすることができさらに発塵の防止に寄与する。
【００３３】
【発明の効果】
この発明は以上説明したように構成されているので、以下に示すような効果を奏する。
【００３４】
レジストホ−ス保持手段を吸引保持する吸引保持手段を設けたので、レジスト塗布時に半導体ウエハに付着する塵埃を防止することができ、半導体ウエハプロセスの歩留を向上することができる。
【００３５】
吸引保持手段として電磁石を設けたので、塵埃を防止することができ、半導体ウエハプロセスの歩留を向上することができる。
【００３６】
吸引保持手段として真空吸引手段を設けたので、塵埃を防止することができ、半導体ウエハプロセスの歩留を向上することができる。
【００３７】
レジストホ−ス保持手段の材料としてポリテトラフルオロエチレン(４フッ化エチレン樹脂)を使用することにより、半導体ウエハ表面の化学的安定度を高めることができ、半導体ウエハプロセスの歩留を向上することができる。
【００３８】
レジストホ−ス保持手段の材料として強磁性体を使用することにより、機械加工が容易となり、装置の価格を下げることができる。
【００３９】
レジストホ−ス保持手段に３の半球体を設けたので、磁力による吸引に際し必要最小限の数の半球体による接触となるためさらに、塵埃を防止することがでる。
【００４０】
レジストホ−ス保持手段に吸引保持手段に吸引嵌合される吸引嵌合部を設けたので、レジストホ−ス保持手段に設けられたレジストノズルの位置合わせが容易にできる。
【００４１】
嵌合凸部の頂部の直径を嵌合凹部の頂部の直径よりも大にしたので、接触面積を少なくすることができ、さらに、塵埃を防止することがでる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施の形態１〜７，１０のレジスト塗布装置を示す縦断面図である。
【図２】この発明の実施の形態１，４，６，７，１０のレジスト塗布装置を示す部分横断面図である。
【図３】この発明の実施の形態８，９，１１のレジスト塗布装置を示す縦断面図である。
【図４】この発明の実施の形態８，９，１１のレジスト塗布装置を示す部分横断面図である。
【図５】従来のレジスト塗布装置を示す斜視図である。
【符号の説明】
２  レジストホ−ス              ４０  吸引保持手段
３０  レジストホ−ス保持手段    ３０ｐ，３０ｑ  吸引嵌合部
【図１】
0003563211.tif 000002
【図２】
0003563211.tif 000003
【図３】
0003563211.tif 000004
【図４】
0003563211.tif 000005
【図５】
0003563211.tif 000006