(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン原盤が収容された反応容器にエッチングガスを供給し、当該反応容器内のエッチングガスに高周波電圧を印加して、当該原盤を所定のパターンに沿ってドライエッチングするための樹脂板製造用鋳型の製造装置において、
前記原盤に化学的作用を及ぼすガスを、前記反応容器に供給可能に充填した第１のタンクと、
前記原盤に物理的作用を及ぼすガスを、前記反応容器に供給可能に充填した第２のタンクと、
を備え、
化学的作用より物理的作用が相対的に強いエッチングにより少なくとも前記シリコン原盤表面の自然酸化膜を除去する第１のエッチング工程と、
物理的作用より化学的作用が相対的に強いエッチングによる第２のエッチング工程と、
を制御する制御装置をさらに備えたことを特徴とする樹脂板製造用鋳型の製造装置。
【請求項２】
前記制御装置は少なくとも前記第２のタンクから前記反応容器に供給する物理的作用を及ぼすガスの流量を時系列的に変化させることを特徴とする請求項１に記載の樹脂板製造用鋳型の製造装置。
【請求項３】
前記制御装置は、前記第１のエッチング工程において前記反応容器に前記物理的作用を及ぼすガスを供給し、前記第２のエッチング工程においては前記物理的作用を及ぼすガスを供給しないことを特徴とする請求項２に記載の樹脂板製造用鋳型の製造装置。
【請求項４】
前記制御装置は、前記第１のエッチング工程においてエッチング開始から徐々に前記物理的作用を及ぼすガスの流量を減少させていき、前記第２のエッチング工程に切り替えることを特徴とする請求項２に記載の樹脂板製造用鋳型の製造装置。
【請求項５】
前記制御装置は、前記第１のエッチング工程においてエッチング開始から段階的に前記物理的作用を及ぼすガスの流量を減少させていき、前記第２のエッチング工程に切り替えることを特徴とする請求項２に記載の樹脂板製造用鋳型の製造装置。
【請求項６】
前記制御装置は、さらに前記化学的作用を及ぼすガスの流量を時系列的に変化させることを特徴とする請求項２に記載の樹脂板製造用鋳型の製造装置。
【請求項７】
前記制御装置は、前記第２のエッチング工程において前記化学的作用を及ぼすガスの供給を開始することを特徴とする請求項６に記載の樹脂板製造用鋳型の製造装置。
【請求項８】
前記制御装置は、前記第１のエッチング工程においてエッチング開始から徐々に前記化学的作用を及ぼすガスの流量を増加させていき、前記第２のエッチング工程に切り替えることを特徴とする請求項６に記載の樹脂板製造用鋳型の製造
装置。
【請求項９】
前記制御装置は、前記第１のエッチング工程においてエッチング開始から段階的に前記化学的作用を及ぼすガスの流量を増加させていき、前記第２のエッチング工程に切り替えることを特徴とする請求項６に記載の樹脂板製造用鋳型の製造装置。
【請求項１０】
前記制御装置は、前記第１のエッチング工程において高周波電圧を時系列的に変化させ、第２のエッチング工程に切り替えることを特徴とする請求項１に記載の樹脂板製造用鋳型の製造装置。
【請求項１１】
前記制御装置は、前記第１のエッチング工程においてエッチング開始から徐々に前記高周波電圧を減少させていき、前記第２のエッチング工程に切り替えることを特徴とする請求項１０に記載の樹脂板製造用鋳型の製造装置。
【請求項１２】
前記制御装置は、前記第１のエッチング工程においてエッチング開始から段階的に前記高周波電圧を減少させていき、前記第２のエッチング工程に切り替えることを特徴とする請求項１０に記載の樹脂板製造用鋳型の製造装置。
【請求項１３】
前記物理的作用を及ぼすガスは、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｋｒ、若しくはＸｅ等の不活性ガス、またはＣｌ、Ｂｒ若しくはＩのいずれか一種以上の元素を含有するハロゲン系ガスのうちいずれかである請求項１乃至請求項１２のいずれか一項に記載の樹脂板製造用鋳型の製造装置。
【請求項１４】
前記化学的作用を及ぼすガスは、ＳＦ6、ＣＦ4またはＣＨＦ3等のフッ素系ガスである請求項１乃至請求項１３のいずれか一項に記載の樹脂板製造用鋳型の製造装置。
【請求項１５】
記録面に形成された凹凸形状を樹脂板に転写するための樹脂板製造用鋳型の製造方法であって、
シリコン原盤にレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、
前記レジストパターンが形成された前記シリコン原盤をドライエッチングするエッチング工程と、
を備え、
前記エッチング工程は、化学的作用より物理的作用が相対的に強いエッチングにより少なくとも前記シリコン原盤表面の自然酸化膜を除去する第１のエッチング工程と、
物理的作用より化学的作用が相対的に強いエッチングによる第２のエッチング工程と、
を有することを特徴とする樹脂板製造用鋳型の製造方法。
【請求項１６】
前記エッチング工程では、化学的作用を及ぼすガスと物理的作用を及ぼすガスとをともに前記シリコン原盤に供給し、かつ、少なくとも前記物理的作用を及ぼすガスの流量を時系列的に変化させることを特徴とする請求項１５に記載の樹脂板製造用鋳型の製造方法。
【請求項１７】
前記第１のエッチング工程では、前記シリコン原盤に前記物理的作用を及ぼすガスを供給し、前記第２のエッチング工程では前記物理的作用を及ぼすガスを供給しないことを特徴とする請求項１６に記載の樹脂板製造用鋳型の製造方法。
【請求項１８】
前記第１のエッチング工程においてエッチング開始から徐々に前記物理的作用を及ぼすガスの流量を減少させていき、前記第２のエッチング工程に切り替えることを特徴とする請求項１６に記載の樹脂板製造用鋳型の製造方法。
【請求項１９】
前記第１のエッチング工程においてエッチング開始から段階的に前記物理的作用を及ぼすガスの流量を減少させていき、前記第２のエッチング工程に切り替えることを特徴とする請求項１６に記載の樹脂板製造用鋳型の製造方法。
【請求項２０】
前記エッチング工程では、さらに前記化学的作用を及ぼすガスの流量を時系列的に変化させることを特徴とする請求項１９に記載の樹脂板製造用鋳型の製造方法。
【請求項２１】
前記第２のエッチング工程において前記化学的作用を及ぼすガスの供給を開始することを特徴とする請求項１９に記載の樹脂板製造用鋳型の製造方法。
【請求項２２】
前記エッチング工程では、前記第１のエッチング工程においてエッチング開始から徐々に前記化学的作用を及ぼすガスの流量を増加させていくことにより前記第２のエッチング工程に切り替えることを特徴とする請求項１９に記載の樹脂板製造用鋳型の製造方法。
【請求項２３】
前記第１のエッチング工程においてエッチング開始から段階的に前記化学的作用を及ぼすガスの流量を増加させていき、前記第２のエッチング工程に切り替えることを特徴とする請求項１９に記載の樹脂板製造用鋳型の製造方法。
【請求項２４】
前記エッチング工程では、化学的作用を及ぼすガスと物理的作用を及ぼすガスとをともに前記シリコン原盤に供給し、前記反応容器内のエッチングガスに印加する高周波電圧を時系列的に変化させることを特徴とする請求項１５に記載の樹脂板製造用鋳型の製造方法。
【請求項２５】
前記第１のエッチング工程においてエッチング開始から徐々に前記高周波電圧を減少させていき、前記第２のエッチング工程に切り替えることを特徴とする請求項２４に記載の樹脂板製造用鋳型の製造方法。
【請求項２６】
前記第１のエッチング工程においてエッチング開始から段階的に前記高周波電圧を減少させていき、前記第２のエッチング工程に切り替えることを特徴とする請求項２４に記載の樹脂板製造用鋳型の製造方法。
【請求項２７】
前記物理的作用を及ぼすガスは、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｋｒ、若しくはＸｅ等の不活性ガス、またはＣｌ、Ｂｒ若しくはＩのいずれか一種以上の元素を含有するハロゲン系ガスのうちいずれかである請求項１５乃至請求項２６のいずれか一項に記載の樹脂板製造用鋳型の製造方法。
【請求項２８】
前記化学的作用を及ぼすガスは、ＳＦ6、ＣＦ4、またはＣＨＦ3等のフッ素系ガスである請求項１５乃至請求項２６のいずれか一項に記載の樹脂板製造用鋳型の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光記録媒体のように、表面に凹凸形状が形成された樹脂板を製造するための鋳型に係り、特に、シリコン等、表面に硬い酸化膜が形成されやすい材料を原盤に使用した場合に有効なエッチング技術の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】
シリコン又は石英を鋳型、例えば光記録媒体のスタンパとして使用する技術が特開平５−２２０７５１号公報に記載されている。シリコン等を鋳型の材料に使用すると高い精度で加工ができるため、この技術は高密度記録用のスタンパを製造する上で好ましい。
【０００３】
スタンパの製造において、高精度にシリコン原盤をエッチングする技術が必要となる。シリコンをエッチングするための代表的な方法として、ウェットエッチングおよびドライエッチングといわれる方法がある。ウェットエッチングは、ふっ酸等のエッチング液による化学反応によってシリコン表面をエッチングしていくものである。ドライエッチングは、真空にした容器内にエッチングガスを導入し、高周波等により発生したガスプラズマ（イオンまたは中性ラジカル）を電界で加速し、被エッチング材にあてることによってエッチングする方法である。
【０００４】
このうちドライエッチングは、側壁を浸食してしまうことにより生ずる、いわゆるサイドエッチングの少ない異方性の高いエッチングが可能であるため、高密度記録用のスタンパを製造するエッチング法に適している。ドライエッチングでは、使用するエッチングガスやエッチング条件により、被エッチング材に及ぼされる物理的作用や化学的作用が異なり、目的に応じて両者を使い分けることになる。
【０００５】
ところが、シリコン原盤表面は、図４（ａ）に示すように、自然酸化膜が成長しやすく、それは不均一な厚さとなる。
【０００６】
化学的作用の強いエッチングを行った場合、図４（ｂ）に示すように、こうした自然酸化膜が成長した表面を均一にエッチングすることができない。そして、残存する自然酸化膜がシリコン原盤に対する微細なマスクとして働き、図４（ｃ）に示すように、エッチング面の粗さを増大させる原因となる。表面粗さの大きいスタンパから製造された光記録媒体では、その記録再生信号が安定せず、高密度記録には適さない。
【０００７】
一方、物理的作用の強いエッチングを行った場合、図５（ｂ）に示すように、シリコン原盤上に成長した自然酸化膜を効果的に除去することが可能であり、その結果、エッチング面を平滑にすることができる。しかしながら、物理的作用の強いエッチングでは、シリコン原盤とともにマスク材のエッチングの進行も速い。エッチングでマスク材が削られて消失しないようにするには、マスク材、すなわちフォトレジスト層を当初から厚く形成すればよいとも考えられる。ところが、フォトレジスト層を露光し、微細なレジストパターンを形成するためには、開口数（ＮＡ）の大きな対物レンズが必要とされる。そして、対物レンズのＮＡが大きくなると、焦点深度が浅くなり、フォトレジスト層が厚いと層全体にわたって十分に露光できないという問題があった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、上記問題に鑑み、本発明は、自然酸化膜が成長しやすいシリコンにおいて高密度記録が可能なスタンパを形成するために適するエッチング方法を提供することを目的とする。
【０００９】
すなわち、本発明の第１の課題は、物理的作用の強いエッチングガスを初期に多く作用させ、原盤表面に成長した自然酸化膜を効率的に除去することにより、エッチング面の表面粗さの増大を防止し、もってエッチング面の表面を平滑にすることにより、樹脂板製造用鋳型の高密度記録を可能とする樹脂板製造用鋳型の製造技術を提供することである。
【００１０】
本発明の第２の課題は、化学的作用の強いエッチングガスを、物理的作用の強いエッチングガスを及ぼした後に主として作用させることにより原盤の効果的なエッチングを可能とし、かつ、レジストパターンの過度のエッチングを防止し、もってマスク材を薄くすることのできる樹脂板製造用鋳型の製造技術を提供することである。
【００１１】
本発明の第３の課題は、印加する電界を制御することによって、エッチングガスの物理的作用を初期に多く作用させ、化学的作用を後期に多く作用させ、もって原盤表面に成長した自然酸化膜を効果的に除去することにより、エッチングの表面粗さの増大を防止し、かつ、マスク材の過度のエッチングを防止することにより、樹脂板製造用鋳型の高密度記録を可能とする樹脂板製造用鋳型の製造技術を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の課題を解決する発明は、原盤が収容された反応容器にエッチングガスを供給し、当該反応容器内のエッチングガスに高周波電圧を印加して、当該原盤を所定のパターンに沿ってドライエッチングするための樹脂板製造用鋳型の製造装置および製造方法に関する。
【００１３】
この発明では、原盤に化学的作用を及ぼすガスと、原盤に物理的作用を及ぼすガスと、をともに用いる。前記エッチング工程は、化学的作用より物理的作用が相対的に強いエッチングにより少なくとも前記シリコン原盤表面の自然酸化膜を除去する第１のエッチング工程と、物理的作用より化学的作用が相対的に強いエッチングによる第２のエッチング工程と、を有することを特徴とする。また、物理的作用を及ぼすガスの流量を時系列的に変化させることを特徴とする。
【００１４】
物理的作用を及ぼすガスは、シリコン等の原盤と、その表面に成長した自然酸化膜とのエッチングレートの差が小さいので、このガスにより自然酸化膜が効率よくエッチングされるが、レジストパターン等のマスク材のエッチングの進行も速い。一方、化学的作用を及ぼすガスは、シリコン等の原盤と、その表面に成長した自然酸化膜とのエッチングレートの差が大きいので、自然酸化膜が不均一に存在すると、それがマスクとして作用し、原盤表面が滑らかにエッチングできない。本発明によれば、物理的作用を及ぼすガスの流量を時系列的に変化させるので、マスク材のエッチングを抑制し、かつ原盤表面の自然酸化膜を効率的に除去することができる。
【００１５】
そのため、本発明は、エッチング開始から一定時間だけ物理的作用を及ぼすガスを供給し、それ以後の供給を禁止する。
【００１６】
本発明によれば、ガスの供給が禁止された後は、化学的作用を及ぼすガスによるエッチングが継続し、マスク材に対して高い選択性をもって原盤がエッチングされるため、マスク材の過度なエッチングが防止される。
【００１７】
なお、本明細書において「物理的作用を及ぼすガス」というときは、化学的作用に比べて物理的作用が相対的に強く及ぼされるガスのことをいい、「化学的作用を及ぼすガス」というときは、物理的作用に比べて化学的作用が相対的に強く及ぼされるガスのことをいう。エッチングガスは、その構成分子が化学的作用を有するとともに、一定の質量を有し物理的な作用も及ぼすことができるため、化学的作用と物理的作用をともに及ぼしうるという二面性を有する。このため、双方の作用を比較した場合、どちらの作用がより強く及ぼされるか、という観点から、エッチングガスを使い分ける必要があるからである。
【００１８】
一定時間とは、原盤の自然酸化膜が除去されるに十分な程度の時間をいう。
【００１９】
また、本発明は、エッチング開始から徐々に物理的作用を及ぼすガスの流量を減少させていく。本発明によれば、自然酸化膜が除去されるにしたがって物理的作用を及ぼすガスの流量が減少するので、マスク材の過度のエッチングが防止される。
【００２０】
また、本発明は、エッチング開始から段階的に物理的作用を及ぼすガスの流量を減少させていく。本発明によれば、段階的に流量を変化させるので、ガスの流量制御が容易である。
【００２１】
本発明の第２の課題を解決する発明は、さらに化学的作用を及ぼすガスの流量を時系列的に変化させる。
【００２２】
本発明によれば、化学的作用を及ぼすガスの流量を、物理的作用を及ぼすガスの流量に比べ、相対的に変化させるので、自然酸化膜が除去された後、原盤を効率的にエッチング可能であり、マスク材のエッチングを抑制することができる。
【００２３】
すなわち、本発明は、エッチング開始から一定時間経過後に化学的作用を及ぼすガスの供給を開始する。本発明によれば、物理的作用を及ぼすガスにより自然酸化膜が除去された後、化学的作用を及ぼすガスが供給されるので、自然酸化膜が除去された原盤をマスク材に対して高い選択性をもってエッチング可能であり、一方マスク材のエッチングは防止される。一定時間とは、自然酸化膜が除去されるに十分な程度の時間をいう。
【００２４】
また、本発明は、エッチング開始から徐々に化学的作用を及ぼすガスの流量を増加させていく。
【００２５】
また、本発明は、エッチング開始から段階的に化学的作用を及ぼすガスの流量を増加させていく。本発明によれば、段階的に流量を変化させるので、ガスの流量制御が容易である。
【００２６】
本発明の第３の課題を解決する発明は、原盤が収容された反応容器にエッチングガスを供給し、当該反応容器内のエッチングガスに高周波電圧を印加して、当該原盤を所定のパターンに沿ってドライエッチングするための樹脂板製造用鋳型の製造装置および製造方法に関する。
【００２７】
本発明は、原盤に化学的作用を及ぼすガスと、原盤に物理的作用を及ぼすガスと、をともに用いるものである。そして、本発明は、反応容器内のエッチングガスに印加する高周波電圧を時系列的に変化させることを特徴とする。
【００２８】
高周波電圧を変化させれば、原盤におよぼされるガスプラズマの物理的作用を制御できるので、マスク材のエッチングを抑制し、かつ原盤表面の自然酸化膜を効率的に除去することができる。
【００２９】
すなわち、本発明は、エッチング開始から徐々に高周波電圧を減少させていく。本発明によれば、自然酸化膜が除去されるにしたがってエッチングガスの物理的作用が減少するので、マスク材の過度のエッチングが防止される。
【００３０】
また、本発明は、エッチング開始から段階的に高周波電圧を減少させていく。本発明によれば、段階的に高周波電圧を変化させるので、高周波電圧の制御が容易である。
【００３１】
なお、本発明における物理的作用を及ぼすガスは、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｋｒ、若しくはＸｅ等の不活性ガス、またはＣｌ、Ｂｒ若しくはＩのいずれか一種以上の元素を含有するハロゲン系ガスのうちいずれかである。これらの不活性ガスや質量の大きなハロゲン元素を有するガスによれば、電界による加速によって、自然酸化膜を効率的にエッチングできる。
【００３２】
本発明における化学的作用を及ぼすガスは、ＳＦ６、ＣＦ４、ＣＨＦ３等のフッ素系ガスである。これらの分子によれば、シリコンと反応性の高いフッ素ラジカルを生じやすく、シリコンの効率的なエッチングがおこなえる。
【００３３】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の好適な実施の形態を、図面を参照して説明する。
【００３４】
（実施形態１）
本実施形態１は、本発明の製造装置の実施例とエッチングガスの制御方法を提供するものである。
【００３５】
図１に、本実施形態１の製造装置のブロック図を示す。同図に示すように、樹脂板の製造用鋳型であるスタンパの製造装置は、反応容器１０，高周波電極１１、発振器１２、真空ポンプ１３、電磁バルブ１４、接地電極１５、電磁バルブ１６，１７、タンク１８、１９およびシーケンサ２０を備えている。
【００３６】
本製造装置は、図３で後述するスタンパの製造工程において、エッチング工程（同図（ｅ））を処理するための装置である。反応容器１０に収納されるシリコン原盤１００は、現像工程（同図（ｄ））処理後の原盤に相当する。
【００３７】
反応容器１０は、シリコン原盤１００を取り替え可能に収納し、真空ポンプ１３による真空引きにより一定の気圧に制御可能に、かつタンク１８および１９からのエッチングガスを流通可能に、かつ排気可能に構成されている。
【００３８】
高周波電極１１および接地電極１５は、シリコン原盤１００を挟んで反応容器１０の上下に配置され、反応容器内部のエッチングガスを電離可能に構成されている。
【００３９】
発振器１２は、高周波（ＲＦ）電圧を発生し、波形成形した後、これを高周波電極１１に印加可能に構成されている。
【００４０】
真空ポンプ１３は、反応容器１０内部の空気を抜き、一定の気圧に維持可能に構成され、電磁バルブ１４は、シーケンサ２０の制御により、真空ポンプ１３と反応容器１０との間を開閉可能に構成されている。
【００４１】
タンク１８は、原盤に化学的作用を強く及ぼすガスを充填する容器である。電磁バルブ１６は、シーケンサ２０の制御により、タンク１８から反応容器１０に供給するガスの流量を制御可能に構成されている。
【００４２】
タンク１９は、原盤に物理的作用を強く及ぼすガスを充填する容器である。電磁バルブ１７は、シーケンサ２０の制御により、タンク１９から反応容器１０に供給するガスの流量を制御可能に構成されている。
【００４３】
シーケンサ２０は、コンピュータ装置であって、内部に図示しないＣＰＵ、メモリ、インターフェース回路等を備えて構成されている。シーケンサ２０として汎用のパーソナルコンピュータを適用してもよい。ただし、シーケンサ２０は、図５乃至図１５に示すようなガスの流量制御を行うプログラムを実行可能に構成されている。シーケンサ２０は、プログラムに従い、電磁バルブ１４、１６および１７を開閉したり、その絞り具合を変えたりできる。また、発振器１２に任意のタイミングで、任意の周波数および振幅の高周波電圧を発生させることもできる。
【００４４】
なお、物理的作用を強く及ぼすガスとしては、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｋｒ、Ｘｅ等の不活性ガス、またはＣｌ、Ｂｒ若しくはＩのいずれか一種以上の元素を含有するハロゲン系ガスのうちいずれかのガスを用いる。化学的作用が少なく、質量が比較的大きな元素を含むガスである。質量の比較的大きな分子の衝突という物理的作用により、自然酸化膜と原盤とをほぼ同じエッチングレートでエッチング可能とするガスである。
【００４５】
また、化学的作用を強く及ぼすガスとしては、ＳＦ６、ＣＦ４、ＣＨＦ３等のフッ素系ガスを使用する。これらのガスに高周波電圧を印加すると、電離によりイオンとフッ素ラジカルが発生する。フッ素ラジカルはシリコンと強く反応し、ＳｉＦ４となるため、シリコンに対するエッチングが選択的に進行する。一方、レジスト材料に対しては、これらのガスは大きな作用を及ぼさない。
【００４６】
図２に、本発明の製造装置および製造方法で製造されるスタンパの斜視図を示す。同図に示すように、本実施形態で製造されるスタンパ１は、単結晶あるいは非結晶のシリコンを円盤状に研削し、その情報記録面を一定の表面粗さ以下に精密研磨したものに、本発明の製造方法によって、所定の情報に対応した凹凸形状を形成して製造される。製品となる光記録媒体、すなわち光ディスクの製造には、このスタンパ１の情報記録面に形成された凹凸形状を樹脂に転写したものを基板として用いる。
【００４７】
なお、スタンパの材料は、高密度記録用の光記録媒体を製造するためには、精密加工が可能なシリコンを用いるのが好ましいが、精密加工が可能であれば、他の材料であっても本発明を適用可能である。
【００４８】
（スタンパ製造方法）
次に、図３を参照してスタンパの製造方法について説明する。本図は、図２におけるａ−ａ切断面から各製造工程の層構造を見た製造工程断面図である。
【００４９】
研削工程（図３（ａ））：  まず、高純度のシリコンを円盤形状に研削し、その情報記録面を一定の表面粗さ以下に精密研磨して、シリコン原盤１００を製造する。同図の上面を精密研磨された記録面とする。例えば、原盤として、直径８インチのシリコンウェハが用いられる。
【００５０】
レジスト層形成工程（同図（ｂ））：  シリコン原盤１００の記録面にフォトレジスト１０１を塗布する。フォトレジストは、ネガ型といわれるものでは、一定強度以上の光の照射により現像液に対して不溶性の物質に変化する材料であり、ポジ型といわれるものでは、一定強度以上の光の照射により現像液に対して易溶性の物質に変化する材料である。したがって、フォトレジストを薄膜化し、パターン状に露光した後に、現像液により処理することでパターン形成が可能である。フォトレジストは、ポジ型であってもネガ型であってもよい。フォトレジストは、例えば、シリコン原盤１００上にスピンコート法により１００ｎｍ程度の厚さで塗布され、熱処理して固定される。
【００５１】
露光工程（同図（ｃ））：  露光工程では、所定のパターンに合わせてレーザ光等により露光する。例えば、レジスト層を形成したシリコン原盤に対し、３５１ｎｍの波長を有するレーザビームを開口数０．９の対物レンズで絞り、レジスト層上に集光し、円盤の中心から外側に向けて螺旋状に露光をする。露光するパターンは、光記録媒体に記録させたい情報を、光記録媒体の信号フォーマットに従って変調したものである。ネガ型のフォトレジストを用いた場合、光が照射された領域のレジストが硬化しレジストパターン１０２となる。
【００５２】
現像工程（同図（ｄ））：  現像工程では、レジストパターン１０２以外のフォトレジスト１０１を現像液に溶かして除去し、レジストパターン１０２のみを残す。現像液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム、リン酸ナトリウムとケイ酸ナトリウムの混合液、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）等のアルカリ性水溶液、またはキシレン、酢酸ブチル等の有機溶剤等が挙げられる。
【００５３】
エッチング工程（同図（ｅ））：  このエッチング工程が本発明の特徴となるものである。エッチング工程を処理するために、シリコン原盤１００を本実施形態の製造装置に収納する。エッチング工程の詳細説明については後述する。エッチング後、シリコン原盤１００には、情報に対応した凹凸形状が形成される。
【００５４】
レジスト除去工程（同図（ｆ））：  レジスト除去工程では、エッチング後のレジストパターン１０２を、溶剤に溶かすか、アッシング（灰化）するかして除去する。次いで、原盤を洗浄し、乾燥すると、スタンパ１が完成する。
【００５５】
（樹脂板製造工程）
スタンパ１ができたら、樹脂にシリコン原盤の凹凸形状を転写することにより、樹脂板、すなわち光記録媒体を製造する。図１９に、樹脂板の製造工程図を示す。
【００５６】
成形樹脂層形成工程（同図（ｂ））：  上記のようにして製造されたスタンパ１（同図（ａ））の記録面に成形樹脂を塗布し、硬化性樹脂層１０４を形成する。成形樹脂としては、ポリカーボネート樹脂、アモルファスポリオレフィン樹脂、アクリル樹脂等の熱可塑性樹脂や紫外線硬化性樹脂等、各種樹脂を用いることができる。例えば、成形樹脂層１０４は、熱可塑性樹脂等を射出成形することにより、また、紫外線硬化性樹脂等を加圧成形することにより形成される。熱可塑性樹脂を使用する場合は、成形後、冷却して樹脂を硬化させる。紫外線硬化性樹脂を使用する場合は、紫外線を照射して材料を硬化させる。成形樹脂層１０４は、光記録媒体の外形形状に成形される。成形樹脂層１０４の表面には、スタンパ１の記録面に設けられた凹凸形状が転写される。
【００５７】
貼り合わせ工程（同図（ｃ））：  成形樹脂層１０４が形成されたら、硬化性樹脂層１０４の背面（同図では上面）にフラット基板１０５を貼り合わせる。フラット基板１０５は、樹脂層１０４の機械的強度等の信頼性を高めるための補助材として、あるいは、基板の生産性を向上させるための補助材として働き、製造しようとする光記録媒体の基板に要求される信頼性、生産性が確保できれば、必ずしも必要ではない。フラット基板の材質としては、例えば、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン、ポリメチルメタクリレート等の樹脂、ガラス、金属、セラミック等が利用できる。そして、フラット基板１０５を貼り合わせた後に成形樹脂層１０４を硬化させると、フラット基板１０５と成形樹脂層１０４とが密着される。
【００５８】
剥離工程（同図（ｄ））：  フラット基板１０５を貼り合わせた成形樹脂層１０４をスタンパ１から剥離する。剥離された成形樹脂層１０４は、すなわち光記録媒体の基板そのものである。
【００５９】
（エッチング工程の詳細説明）
シリコン原盤１００は、空気に触れると、すぐに表面が酸化し、自然酸化膜（ＳｉＯ２）が成長する。例えば図４（ａ）に示すように、自然酸化膜１０３は、シリコン原盤１００の表面から内部に向けて不均一の厚み（例えば１０Å〜５０Å程度の厚み）で発生する。ある程度成長すると、自然酸化膜の成長は停止する。図６（図７乃至図１８も同じ）に、この自然酸化膜成長領域を示す。
【００６０】
自然酸化膜１０３が不均一な厚みで成長したシリコン原盤１００の表面に、化学的作用を及ぼすエッチングガスを供給すると、自然酸化膜１０３が徐々にエッチングされる。自然酸化膜の厚みが不均一であれば、自然酸化膜が除去されてシリコンが露出する部分も不均一に発生する（図４（ｂ））。化学的作用によるドライエッチングでは、一般に、シリコンに対するエッチングレートは大きいが、自然酸化膜に対するエッチングレートは小さい。シリコンが露出した部分では、化学的作用が及ぼされるため、大きなエッチングレートでシリコンのエッチングが進行する。一方シリコンが露出せず自然酸化膜が残存した部分では、エッチングレートが小さく、エッチングの進行が遅い。したがって、エッチング時間が経過するに連れて、エッチングされるシリコンの深さに大きな差が生じ（図４（ｃ））、例えば、中心線平均粗さで１０〜２０Å程度の表面粗さが生じてしまう。これでは高密度記録用のスタンパとして使用できない。
【００６１】
そこで、本実施形態では、図５に示すように、エッチングの初期に、物理的作用の強いガスを供給してシリコン原盤１００の表面を一定の深さまでエッチングし、自然酸化膜を除去する（図５（ｂ））。次いで供給するエッチングガスを、物理的作用の強いガスから化学的作用の強いガスに切り替えて、レジストパターン１０２のエッチングを抑制しつつ、シリコンをエッチングし、必要とされる深さまでエッチングする（図５（ｃ））。
【００６２】
そこで、本実施形態１では、シーケンサ２０は、図６に示すようなエッチング制御を行う。まず、シーケンサ２０は、エッチング条件を整える。真空ポンプ１３を駆動させ、電磁バルブ１４を開放し、真空引きする。シリコン原盤１００の温度は、２０℃程度に維持する。
【００６３】
次いで、エッチングガスを流通させ、圧力を１０Ｐａ程度に維持する。初期には電磁バルブ１６を閉じ、電磁バルブ１７を開放させて物理的作用を及ぼすエッチングガスを反応容器１０内に流通させる。ガスの流量は、５０ＳＣＣＭ程度とする。そして、発振器１２に、周波数１３．５６ＭＨｚ程度の高周波電圧源を用い、出力３００Ｗ程度で発振させる。物理的作用の強いガスの供給時間は、物理的作用を及ぼすガスにより自然酸化膜１０３が十分に除去される程度の時間であって、レジストパターン１０２が過度にエッチングされない程度の時間、例えば、自然酸化膜のエッチングレートが５００Å／ｍｉｎ程度のガスを使用した場合、エッチング時間は１０秒程度にする。
【００６４】
物理的作用の強いガスの供給後、シーケンサ２０は電磁バルブ１７を締め、電磁バルブ１６を開放して化学的作用の強いガスを反応容器１０内に流通させる。ガスの流量は、７０ＳＣＣＭ程度とする。化学的作用の強いガスによるエッチング時間は、シリコン原盤が所望の深さ、例えばピットと同程度の深さである８００Å程度にまでエッチングできる時間とし、エッチングレートとの関係で決まる。例えば、エッチングレートが２０００Å／ｍｉｎであるガスを使用し、物理的作用の強いガスにより８０Å程度エッチングされている場合、エッチング時間は２０秒程度にする。
【００６５】
本実施形態１によれば、最初に物理的作用の強いガスを一定時間に限って流通させ、自然酸化膜を除去されてから化学的作用を及ぼすガスによるエッチングに切り替えるので、自然酸化膜が発生する原盤であっても均一かつ効率的なエッチングが可能である。また、レジストパターンが十分な厚みを有しているうちに物理的作用の強いガスによるエッチングを停止するので、レジストパターンを過度に厚くしなくてもよく、露光時の精度を上げることができる。したがって、本実施形態により製造されるスタンパは、高密度記録用の鋳型として適する。
【００６６】
特に、本実施形態では各ガスの開閉のみで調整するので、制御が簡単ですむ。また、異なる機能を備えたガスを、時間で区切って作用させるので、表面粗さが効率よく低減できる。
【００６７】
（実施形態２）
本発明の実施形態２は、実施形態１と同様に物理的作用の強いガスを初期に供給する他に、化学的作用の強いガスを連続して変化させるものである。
【００６８】
本実施形態２に使用する製造装置は、実施形態１と同様のものを使用する。ただし、シーケンサ２０は、図７に示すようなタイミングでエッチング制御を行う。
【００６９】
さて、上記構成において、シーケンサ２０は、本実施形態のためのエッチング条件を整える。真空ポンプ１３を駆動させ、電磁バルブ１４を開放し、真空引きする。シリコン原盤１００の温度は、２０℃程度に維持する。
【００７０】
次いで、エッチングガスを流通させる。電磁バルブ１７を開放させて物理的作用の強いエッチングガスを反応容器１０内に流通させる。ガスの流量は、５０ＳＣＣＭ程度とする。そして、発振器１２に、周波数１３．５６ＭＨｚ程度の高周波電圧源を用い、出力３００Ｗ程度で発振させ、プラズマを発生させる。物理的作用の強いガスの供給時間は、物理的作用の強いガスにより自然酸化膜１０３が十分に除去される程度の時間であって、レジストパターン１０２が過度にエッチングされない程度の時間、例えば、エッチングレートが５００Å／ｍｉｎ程度のガスを使用した場合、エッチング時間は１０秒程度にする。
【００７１】
物理的作用の強いガスの供給と併行して、シーケンサ２０は電磁バルブ１６を徐々に開放していき化学的作用の強いガスの流量を上げていく。流量を上げる速度は、５ＳＣＣＭ／ｓｅｃ程度とする。化学的作用の強いガスの供給時間は、シリコン原盤が所望の深さ、例えばピットと同程度の深さである８００Å程度にまでエッチングできる時間とし、エッチングレートとの関係で決まる。
【００７２】
本実施形態２によれば、最初に物理的作用の強いガスを流通させて、自然酸化膜を除去し、レジストパターンが十分な厚みを有しているうちに、その流通を停止する。一方で、化学的作用の強いガスの流量を徐々に上げていくので、自然酸化膜が発生する原盤であっても均一かつ効率的なエッチングが可能である。また、物理的作用の強いガスによるエッチングを一定時間に限るので、レジストパターンを過度に厚くしなくてもよく、露光時の精度を上げることができる。したがって、本実施形態により製造されるスタンパは、高密度記録用の鋳型として適する。
【００７３】
なお、化学的作用の強いガスは、直線的に増加させる他に、曲線的に増加させるものでも断続して供給しつつその流量を増加させていくものでもよい。
【００７４】
また、図８に示すように、化学的作用の強いガスを段階的に増加させるものであってもよい。段階的に増加させれば、電磁バルブ１６の流量調整がより容易になるので、制御を簡単にする上では好ましい。
【００７５】
また、図９に示すように、化学的作用の強いガスを、最初一定の流量流してから、その流量をさらに徐々に増加させていくものでもよい。流量が余りに低いと制御しにくく、またその作用が少なすぎることがあるからである。
【００７６】
（実施形態３）
本発明の実施形態３は、実施形態１とは異なり、物理的作用の強いガスの流量を徐々に減少させるものである。
【００７７】
本実施形態３に使用する製造装置は、実施形態１と同様のものを使用する。ただし、シーケンサ２０は、図１０に示すようなタイミングでエッチング制御を行う。
【００７８】
さて、上記構成において、シーケンサ２０は、本実施形態のためのエッチング条件を整える。真空ポンプ１３を駆動させ、電磁バルブ１４を開放し、真空引きをする。シリコン原盤１００の温度は、２０℃程度に維持する。
【００７９】
次いで、エッチングガスを流通させる。電磁バルブ１７を開放させて物理的作用の強いエッチングガスを反応容器１０内に流通させ、圧力を１０Ｐａ程度に維持する。そして、発振器１２に、周波数１３．５６ＭＨｚ程度の高周波電圧源を用い、出力３００Ｗ程度で発振させる。ガスの流量は、最初は８０ＳＣＣＭ程度とするが、時間の経過とともにガスの流量を下げていく。流量を下げる速度は、５ＳＣＣＭ／ｓｅｃ程度とする。物理的作用の強いガスの供給時間は、物理的作用の強いガスにより自然酸化膜１０３が十分に除去される程度の時間であって、レジストパターン１０２が過度にエッチングされない程度の時間にする。
【００８０】
物理的作用の強いガスを供給して一定時間経過後に、電磁バルブ１６を開放して化学的作用の強いガスを反応容器１０内に流通させる。ガスの流量は、７０ＳＣＣＭ程度とする。化学的作用の強いガスを供給するタイミングは、物理的作用の強いガスに自然酸化膜が十分に除去される程度の時間経過後とする。化学的作用の強いガスの供給時間は、シリコン原盤が所望の深さ、例えばピットと同程度の深さである８００Å程度にまでエッチングできる時間とし、エッチングレートとの関係で決まる。
【００８１】
本実施形態３によれば、レジストパターンが十分な厚みを保持できる程度に、物理的作用の強いガスを徐々に減少させながら流通させて自然酸化膜を除去し、自然酸化膜が除去されるあたりで化学的作用の強いガスを供給する。したがって、自然酸化膜が発生する原盤であっても均一かつ効率的なエッチングが可能である。また、物理的作用の強いガスの流量を減少させていくので、レジストパターンを過度に厚くしなくてもよく、露光時の精度を上げることができる。したがって、本実施形態により製造されるスタンパは、高密度記録用の鋳型として適する。
【００８２】
なお、物理的作用の強いガスは、直線的に減少させる他に、曲線的に減少させるものでも断続して供給しつつその流量を減少させていくものでもよい。
【００８３】
また、図１１に示すように、物理的作用の強いガスを段階的に減少させるものであってもよい。段階的に減少させれば、電磁バルブ１７の流量調整がより容易になるので、制御を簡単にする上では好ましい。
【００８４】
また、図１２に示すように、物理的作用の強いガスを一定量一定期間流してからその流量を徐々に減少させていくものでもよい。
【００８５】
（実施形態４）
本発明の実施形態４は、実施形態２における化学的作用の強いガスの供給方法と実施形態３における物理的作用の強いガスの供給方法を併せたものである。
【００８６】
本実施形態４に使用する製造装置は、実施形態１と同様のものを使用する。ただし、シーケンサ２０は、図１３に示すようなタイミングでエッチング制御を行う。
【００８７】
さて、上記構成において、まず、シーケンサ２０は、本実施形態のためのエッチング条件を整える。真空ポンプ１３を駆動させ、電磁バルブ１４を開放し、真空引きする。シリコン原盤１００の温度は、２０℃程度に維持する。
【００８８】
次いで、エッチングガスを流通させる。電磁バルブ１７を開放させて物理的作用の強いエッチングガスを反応容器１０内に流通させ、圧力を１０Ｐａ程度に維持する。そして、発振器１２に、周波数１３．５６ＭＨｚ程度の高周波電圧源を用い、出力３００Ｗ程度で発振させ、プラズマを発生させる。ガスの流量は、最初は８０ＳＣＣＭ程度とするが、時間の経過とともにガスの流量を下げていく。流量を下げる速度は、５ＳＣＣＭ  ／ｓｅｃ程度とする。物理的作用の強いガスの供給時間は、物理的作用の強いガスにより自然酸化膜１０３が十分に除去される程度の時間であって、レジストパターン１０２が過度にエッチングされない程度の時間にする。
【００８９】
物理的作用の強いガスの供給と併行して、シーケンサ２０は電磁バルブ１６を徐々に開放していき化学的作用の強いガスの流量を上げていく。流量を上げる速度は、５ＳＣＣＭ  ／ｓｅｃ程度とする。化学的作用の強いガスの供給時間は、シリコン原盤が所望の深さ、例えばピットと同程度の深さである８００Å程度にまでエッチングできる時間とし、エッチングレートとの関係で決まる。
【００９０】
本実施形態４によれば、レジストパターンが十分な厚みを保持できる程度に、物理的作用の強いガスを徐々に減少させながら流通させて自然酸化膜を除去する。一方、物理的作用の強いガスにより自然酸化膜が除去されるに従って化学的作用の強いガスの流量が増加していく。したがって、自然酸化膜が発生する原盤であっても均一かつ効率的なエッチングが可能である。また、物理的作用の強いガスの流量を減少させるので、レジストパターンを過度に厚くしなくてもよく、露光時の精度を上げることができる。したがって、本実施形態により製造されるスタンパは、高密度記録用の鋳型として適する。
【００９１】
なお、化学的作用の強いガスおよび物理的作用の強いガスの流量は、直線的に増減させる他に、曲線的に増減させるものでも断続して供給しつつその流量を増減させていくものでもよい。
【００９２】
また、図８に示したように、化学的作用の強いガスを段階的に増加させて供給しても、図１１に示したように、物理的作用の強いガスを段階的に減少させて供給してもよい。段階的に増減させれば、電磁バルブ１６および１７の流量調整がより容易になるので、制御を簡単にする上では好ましい。
【００９３】
さらに、図９に示したように、化学的作用の強いガスを一定量一定期間流してから徐々に増加させて供給しても、図１２に示したように、物理的作用の強いガスを一定量一定期間流してから徐々に減少させて供給してもよい。
【００９４】
（実施形態５）
本発明の実施形態５は、上記各実施形態とは異なり、物理的作用の強いガスのみ流量を制御するものである。
【００９５】
本実施形態４に使用する製造装置は、実施形態１と同様のものを使用する。ただし、シーケンサ２０は、図１４に示すようなタイミングでエッチング制御を行う。化学的作用の強いガスには流量制御が不要なので、シーケンサ２０により電磁バルブ１６を制御可能に構成しなくてもよい。
【００９６】
さて、上記構成において、シーケンサ２０は、本実施形態のためのエッチング条件を整える。真空ポンプ１３を駆動させ、電磁バルブ１４を開放し、真空引きする。シリコン原盤１００の温度は、２０℃程度に維持する。
【００９７】
次いで、エッチングガスを流通させる。まず、電磁バルブ１６を開放して化学的作用の強いガスを反応容器１０内に流通させる。ガスの流量は、５０ＳＣＣＭ程度とする。化学的作用の強いガスの供給時間は、シリコン原盤が所望の深さ、例えばピットと同程度の深さである８００Å程度にまでエッチングできる時間とし、エッチングレートとの関係で決まる。
【００９８】
化学的作用の強いガスの供給と併行して、電磁バルブ１７を開放させて物理的作用の強いエッチングガスを反応容器１０内に流通させ、圧力を１０Ｐａ程度に維持する。ガスの流量は、２０ＳＣＣＭ程度とする。そして、発振器１２に、周波数１３．５６ＭＨｚ程度の高周波電圧源を用い、出力３００Ｗ程度で発振させ、プラズマを発生させる。物理的作用の強いガスの供給時間は、物理的作用の強いガスにより自然酸化膜１０３が十分に除去される程度の時間であって、レジストパターン１０２が過度にエッチングされない程度の時間にする。
【００９９】
本実施形態５によれば、化学的作用の強いガスが流通する収納容器内に、初期に物理的作用の強いガスを流通させて、レジストパターンが十分な厚みを有しているうちに、その流通を停止する。自然酸化膜が除去されるに連れ、化学的作用の強いガスがシリコンに作用するので、自然酸化膜が発生する原盤であっても均一かつ効率的なエッチングが可能である。また、物理的作用の強いガスによるエッチングを一定時間に限るので、レジストパターンを過度に厚くしなくてもよく、露光時の精度を上げることができる。したがって、本実施形態により製造されるスタンパは、高密度記録用の鋳型として適する。
【０１００】
特に、化学的作用の強いガスの流量を制御しなくてすむので、製造条件の調整がさらに簡単となる。
【０１０１】
なお、物理的作用の強いガスは、一定期間、同一流量を供給する他に、図１５に示すように、直線的に減少させていってもよい。また、曲線的に減少させるものでも断続して供給しつつその流量を減少させていくものでもよい。
【０１０２】
また、図１１に示したように、物理的作用の強いガスの流量を段階的に減少させるものであってもよい。段階的に減少させれば、電磁バルブ１７の流量調整がより容易になるので、制御を簡単にする上でさらに好ましい。
【０１０３】
また、図１２に示すように、物理的作用の強いガスを一定量一定期間流してから徐々に減少させていってもよい。
【０１０４】
（実施形態６）
本発明の実施形態６は、上記各実施形態とは異なり、ガスの流量を一定に設定する代わりに、印加する高周波電圧を制御するものである。
【０１０５】
本実施形態６に使用する製造装置は、実施形態１と同様のものを使用する。ただし、反応容器１０に流通させるガスを複数種類使用せず、一種類のガスを用いる。例えば、ＳＦ６、ＣＦ４、ＣＨＦ３等のフッ素ガス、Ｃｌ２、ＳｉＣｌ４、ＨＢｒ、ＨＩ等のガスを用いる。このガスは、化学的作用と物理的作用をともにシリコン原盤に及ぼすものである。すなわち、印加する高周波電圧の振幅によって電離したイオンに掛けられる電界の強さが変動する。この電界の強さは、イオンに与えられるエネルギーに比例する。したがって高周波電圧がイオンの物理的作用におけるエネルギーに比例する。
【０１０６】
ガスの流量は一定流量に固定される。ガスが一種類のみなので、タンク１８または１９のいずれか一方のみあればよく、シーケンサ２０による電磁バルブ１６または１７の制御も必要ない。ここでは、便宜上、タンク１８にエッチングガスが格納され、電磁バルブ１６のみでガスを流通させるものとする。
【０１０７】
また、シーケンサ２０は、発振器１２の高周波電圧の振幅値を時系列的に調整可能に構成される。その制御特性は、図１６に示すような特性に従って行うものとする。
【０１０８】
さて、上記構成において、シーケンサ２０は、本実施形態のためのエッチング条件を整える。真空ポンプ１３を駆動させ、電磁バルブ１４を開放し、真空引きする。シリコン原盤１００の温度は、２０℃程度に維持する。また、電磁バルブ１６を開放させてエッチングガスを反応容器１０内に流通させる。ガスの流量は、８０ＳＣＣＭ程度とする。
【０１０９】
次に、シーケンサ２０は、発振器１２に、周波数１３．５６ＭＨｚ程度の高周波電圧源を用い、最初に出力５００Ｗ程度で発振させ、その後その振幅を、図１６の特性に従って減少させていく。電圧を降下させる速度は、５Ｗ／ｓｅｃ程度にする。当初の電圧値および下降速度は、ガスの物理的作用により自然酸化膜１０３が十分に除去される程度の時間であって、レジストパターン１０２が過度にエッチングされない程度の時間にする。
【０１１０】
本実施形態６によれば、最初に高い高周波電圧を印加するため、エッチングガスに与えられるエネルギーが強く、速度が大きい。このためエッチングガスの物理的作用が大きく、自然酸化膜を効率的にエッチングする。しかし、レジストパターンが十分な厚みを有しているうちに、高周波電圧の振幅を減少させるので、レジストパターンを過度に厚くしなくてもよく、露光時の精度を上げることができる。したがって、本実施形態により製造されるスタンパは、高密度記録用の鋳型として適する。
【０１１１】
またエッチングガスの物理的作用が相対的に小さくなる一方、化学的作用が相対的に大きくなるので、自然酸化膜が発生する原盤であっても均一かつ効率的なエッチングが可能である。
【０１１２】
なお、高周波電圧の出力は、直線的に減少させる他に、曲線的に減少させるものでも断続して供給しつつその出力を減少させていくものでもよい。また、図１７に示すように、出力を段階的に減少させていくものであってもよい。
【０１１３】
さらに、図１８に示すように、高周波電圧を、一定出力で一定期間印加後、徐々に減少させていくものであってもよい。
【０１１４】
（その他の変形例）
なお、本発明は上記実施形態に関わらず種々に変形して適用することが可能である。
【０１１５】
製造装置は、ドライエッチングが可能な構成を備えていれば、上記実施形態によらず、異なる構成を備えていてもよい。例えば、上記実施形態の製造装置は、上記のような平行平板型のエッチング装置の他に、例えば誘導結合型（ＩＣＰ）方式、エレクトロンサイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）、ヘリコン波励起方式等のプラズマ発生機構を備えた装置等であってもよい。
【０１１６】
接地電極の材質をテフロン、カーボン等にしてもよい。テフロンやカーボンを用いると、フッ素ラジカルが除去され、シリコンとの選択比が向上する。
【０１１７】
また、エッチングガスには、上記組成によらず物理的反応と化学的反応の強いものであれば、他の組成のものを適用できる。例えば、ＣＦ４にＣ２Ｈ４やＨ２を混合することにより、選択性を向上させてもよい。リン（Ｐ）や硼素（Ｂ）をドープして、エッチング速度を速めたものであってもよい。
【０１１８】
また、上記実施形態では、原盤に形成する凹凸形状は、記録情報に基づいたものであったが、情報の記録を目的としない装飾的なあるいは他の目的に使用するための凹凸形状であってもよい。また、上記実施形態では、原盤は円盤形状としたが、方形等他の形状であっても無論よい。
【０１１９】
【発明の効果】
本発明によれば、物理的作用の強いエッチングガスを初期に多く作用させ、物理的作用を及ぼす程度を抑えることにより、レジストパターンの過度のエッチングを防止する。したがって、パターンを薄く形成することにより樹脂板製造用鋳型の高密度記録を可能とすることができる。
【０１２０】
本発明によれば、化学的作用の強いエッチングガスを物理的作用の強いエッチングガスを及ぼした後に供給する。したがって自然酸化膜の効果的なエッチングが可能となり、自然酸化膜が残存することによるエッチング面の表面粗さの増大を抑えることができる。
【０１２１】
本発明によれば、印加する電界を制御することによって、エッチングガスの物理的作用を初期に多く作用させ、化学的作用を後期に多く作用させる。したがって、レジストパターンの過度のエッチングを防止し、かつ、レジストパターンを薄く形成することにより樹脂板製造用鋳型の高密度記録を可能とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施形態におけるスタンパの製造装置の構成図である。
【図２】本実施形態におけるスタンパの斜視図である。
【図３】シリコン製スタンパの製造工程断面図である。（ａ）はシリコン原盤の原形、（ｂ）はレジスト層形成工程、（ｃ）は露光工程、（ｄ）は除去工程、（ｅ）はエッチング工程およびＦはレジスト除去工程である。
【図４】従来におけるエッチングの問題を説明するシリコン原盤の製造工程断面図である。（ａ）はエッチング前の断面図、（ｂ）はエッチングされている状態における断面図、（ｃ）はさらにエッチングが進んだ状態における断面図である。
【図５】シリコン原盤の製造工程断面図である。（ａ）はエッチング前の断面図、（ｂ）は本実施形態におけるエッチングを説明するエッチング状態における断面図、（ｃ）はさらにエッチングが進んだエッチング状態における断面図である。
【図６】実施形態１におけるエッチング特性図である。
【図７】実施形態２におけるエッチング特性図である。
【図８】実施形態２におけるエッチング特性図の変形例である。
【図９】実施形態２におけるエッチング特性図の別の変形例である。
【図１０】実施形態３におけるエッチング特性図である。
【図１１】実施形態３におけるエッチング特性図の変形例である。
【図１２】実施形態３におけるエッチング特性図の別の変形例である。
【図１３】実施形態４におけるエッチング特性図である。
【図１４】実施形態５におけるエッチング特性図である。
【図１５】実施形態５におけるエッチング特性図の変形例である。
【図１６】実施形態６におけるエッチング特性図である。
【図１７】実施形態６におけるエッチング特性図の変形例である。
【図１８】実施形態６におけるエッチング特性図の別の変形例である。
【図１９】スタンパから樹脂板を製造する製造工程断面図であり、（ａ）はスタンパ原型、（ｂ）は硬化性樹脂塗布工程、（ｃ）はフラット基板貼り合わせ工程、（ｄ）は剥離工程および（ｅ）は完成した光記録媒体の断面図である。
【符号の説明】
１…スタンパ
１０…反応容器
１１…高周波電極
１２…発振器
１３…真空ポンプ
１４、１６、１７…電磁バルブ
１５…接地電極
１８、１９…タンク
２０…シーケンサ（制御装置）
１００…シリコン原盤
１０１…レジスト層
１０２…レジストパターン
１０３…自然酸化膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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