(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
オゾン水による洗浄工程を経た後におけるオゾンを含む排水（以下「オゾン水排水」という）に、電解カソード水による洗浄工程を経た後における電解カソード水を含む排水（以下「カソード水排水」という）及び／又は電解カソード水原水を混合することにより該オゾン水排水中のオゾン濃度を低下させることを特徴とするオゾン水排水の処理方法。
【請求項２】
前記オゾン水排水及びカソード排水は、
オゾン水による洗浄工程、
電解イオン水によるブラシ洗浄工程、
電解イオン水による高圧ジェット洗浄工程、
電解イオン水に３０ｋＨｚ以上の超音波を照射して行う超音波洗浄工程、
電解イオン水による洗浄工程、
乾燥工程、
を有するウエット処理方法から生ずるオゾン水排水及びカソード排水であることを特徴とする請求項１記載のオゾン水排水の処理方法。
【請求項３】
オゾン水排水に、アンモニア水を混合することにより該オゾン水排水中のオゾン濃度を低下させることを特徴とするオゾン水排水の処理方法。
【請求項４】
オゾン水による洗浄工程を行うオゾン水洗浄槽のオゾン水排水の排出口と、電解カソード水による洗浄工程を行うカソード水洗浄槽のカソード水排水の排出口及び／又は電解イオン水装置とに排水処理槽が接続されていることを特徴とするオゾン水排水処理システム。
【請求項５】
前記オゾン水洗浄槽は、オゾン水を供給するためのオゾン水用ノズルと、
超純水を供給するための超純水用ノズルと、
電解イオン水を供給するための電解イオン水供給用ノズルと、
被処理物をブラッシングするためのブラシと、
を少なくとも有する第１の槽であり、
前記カソード水洗浄槽は、次の第２の槽、第３の槽、第４の槽のいずれか一つであることを特徴とする請求項４記載のオゾン水排水システム。
被処理物に電解イオン水を高圧噴射するための電解イオン水高圧ジェットノズルと、超純水を被処理物に供給するための超純水用ノズルと、
を少なくとも有する第２の槽。
電解イオン水を導入するための手段と、該電解イオン水に３０ｋＨｚ以上の超音波を照射するための手段と、
を少なくとも有する第３の槽。
電解イオン水を導入するためのノズルを有する被処理物の乾燥を行うための第４の槽。
【請求項６】
オゾン水による洗浄工程を行うオゾン水洗浄槽のオゾン水排水の排出口と、アンモニア水源とに排水処理槽が接続されていることを特徴とするオゾン水排水処理システム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば、液晶表示装置用ガラス基板や半導体基板のような極めて清浄な表面を得ることが求められる分野において、従来よりも清浄度の高い表面を得るために用いられるオゾン水による洗浄工程を経て生じるオゾン水排水の処理方法及び処理システムに関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示装置用ガラス基板のウエット処理は、例えば以下の技術を用いて行われている。
【０００３】
すなわち、有機溶媒、水溶性界面活性剤溶液、超純水および紫外線やオゾン等を組み合わせ用い、基板表面に付着している有機物、微粒子を主に除去する工程により行われる。
【０００４】
例えば、浸漬処理式では次の手順で洗浄が行われる。
（１）界面活性剤／超音波洗浄１／５分
（２）界面活性剤／超音波洗浄２／５分
（３）超純水／超音波洗浄１／５分
（４）超純水／超音波洗浄２／５分
（５）超純水／浸漬洗浄／５分
（６）乾燥／ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）ベーパー乾燥
また、枚葉式では次の手順で洗浄が行われる。
（１）界面活性剤／ブラシスクラブ／０．５分
（２）超純水すすぎ／０．５分
（３）超純水高圧ジェット／０．５分
（４）超純水／超音波シャワー洗浄／０．５分
（５）紫外線オゾン洗浄／０．５分
（６）乾燥／スピン乾燥／０．５分
しかし、現在のような高集積化が進む半導体の分野ではより清浄度の高い洗浄技術が求められている。
【０００５】
そこで、本発明者は、従来よりもより高清浄な洗浄が可能なウエット処理方法及び図９に示す処理装置を別途開発している。
【０００６】
すなわち、オゾン水による洗浄工程、
電解イオン水によるブラシ洗浄工程、
電解イオン水による高圧ジェット洗浄工程、
電解イオン水に３０ｋＨｚ以上の超音波を照射して行う超音波洗浄工程、
電解イオン水による洗浄工程、
乾燥工程、
を順に有するウエット処理方法である。
【０００７】
また、オゾン水を供給するためのオゾン水用ノズルと、
超純水を供給するための超純水用ノズルと、
電解イオン水を供給するための電解イオン水供給用ノズルと、
被処理物をブラッシングするためのブラシと、
を少なくとも有する第１の槽５０３と、
被処理物に電解イオン水を高圧噴射するための電解イオン水高圧ジェットノズルと、超純水を被処理物に供給するための超純水用ノズルと、
を少なくとも有する第２の槽５０４と、
電解イオン水を導入するための手段と、該電解イオン水に３０ｋＨｚ以上の超音波を照射するための手段と、
を少なくとも有する第３の槽５０５と、
電解イオン水を導入するためのノズルを有する被処理物の乾燥を行うための第４の槽５０６と、
を少なくとも有するウエット処理装置である。
【０００８】
ところが、上記ウエット処理方法を含め、オゾン水を使用するウエット処理方法においては、洗浄後のオゾン水排水の処理が問題となる。
【０００９】
一般に洗浄後の排水を排出する排出配管には塩化ビニール製の配管が用いられる。ところが、塩化ビニール製の排出配管をオゾン水排水を流すために用いると排出配管はアッタクされてしまう。
【００１０】
そこで、図９に示すようにオゾン水排水を排出配管へ排出する前にオゾン水排水を大量の水で希釈しオゾン濃度を低減せしめてから塩化ビニール製の排出配管に排出することが行われる。また、活性炭素層を通したてから塩化ビニール製の排出配管に排出することが試みられる。
【００１１】
しかし、かかる処理方法では大量の水を必要とするし、また、活性炭素の使用によるコストアップを招いてしまう。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、オゾン水排水中のオゾン濃度を低コストで希釈することが可能であり塩化ビニール製の排出配管への排出をも可能としたオゾン水排水の処理方法及び処理システムを提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
請求項１に係るオゾン水排水処理方法は、オゾン水排水に、カソード水排水及び／又は電解カソード水原水を混合することにより該オゾン水排水中のオゾン濃度を低下させるため、塩化ビニール製の排出配管へのオゾン水排水の排出を排出配管の腐食などを伴わずに可能となる。
請求項２に係るオゾン水排水処理方法は、前記オゾン水排水及びカソード排水は、
オゾン水による洗浄工程、
電解イオン水によるブラシ洗浄工程、
電解イオン水による高圧ジェット洗浄工程、
電解イオン水に３０ｋＨｚ以上の超音波を照射して行う超音波洗浄工程、
電解イオン水による洗浄工程、
乾燥工程、
を有するウエット処理方法から生ずるオゾン水排水及びカソード排水であるため、洗浄工程において高い洗浄性が得られるともに塩化ビニール製の排出配管へのオゾン水排水の排出を排出配管の腐食などを伴わずに可能となる。また、本来排水として破棄されるカソード水排水の有効利用を図ることができる。
【００１４】
請求項３に係るオゾン水排水処理方法は、オゾン水排水に、アンモニア水を混合することにより該オゾン水排水中のオゾン濃度を低下させるため、塩化ビニール製の排出配管へのオゾン水排水の排出を排出配管の腐食などを伴わずに可能となる。
【００１５】
請求項４に係るオゾン水排水処理システムは、オゾン水による洗浄工程を行うオゾン水洗浄槽のオゾン水排水の排出口と、電解カソード水による洗浄工程を行うカソード水洗浄槽のカソード水排水の排出口及び／又は電解イオン水装置とに排水処理槽が接続されているため、塩化ビニール製の排出配管へのオゾン水排水の排出を排出配管の腐食などを伴わずに可能となる。
【００１６】
請求項５に係るオゾン水排水処理システムは、
前記オゾン水洗浄槽は、オゾン水を供給するためのオゾン水用ノズルと、
超純水を供給するための超純水用ノズルと、
電解イオン水を供給するための電解イオン水供給用ノズルと、
被処理物をブラッシングするためのブラシと、
を少なくとも有する第１の槽であり、
前記と、カソード水洗浄槽は、次の第２の槽、第３の槽、第４の槽のいずれか一つであるため、高い洗浄性が得られるともに塩化ビニール製の排出配管へのオゾン水排水の排出を排出配管の腐食などを伴わずに可能となる。また、本来排水として破棄されるカソード水排水の有効利用を図ることができる。
【００１７】
被処理物に電解イオン水を高圧噴射するための電解イオン水高圧ジェットノズルと、超純水を被処理物に供給するための超純水用ノズルと、
を少なくとも有する第２の槽。
【００１８】
電解イオン水を導入するための手段と、該電解イオン水に３０ｋＨｚ以上の超音波を照射するための手段と、
を少なくとも有する第３の槽。
【００１９】
電解イオン水を導入するためのノズルを有する被処理物の乾燥を行うための第４の槽。
【００２０】
請求項６に係るオゾン水排水処理システムは、オゾン水による洗浄工程を行うオゾン水洗浄槽のオゾン水排水の排出口と、アンモニア水源とに排水処理槽が続されているため、塩化ビニール製の排出配管へのオゾン水排水の排出を排出配管の腐食などを伴わずに可能となる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。
【００２２】
図１に一つの実施の形態を示す。
【００２３】
図１に示すオゾン水排水処理システムは、オゾン水による洗浄工程を行うオゾン水洗浄槽（第１の槽５０３）のオゾン水排水の排出口と、電解カソード水による洗浄工程を行うカソード水洗浄槽（第２の槽５０４、第３の槽５０５、第４の槽５０５）のカソード水排水の排出口及び／又は電解イオン水装置とに排水処理槽５５０が接続されている。
【００２４】
第１の槽はオゾン水による洗浄工程を行うオゾン水洗浄槽であり、その排出口５２０ａと排水処理槽５５０とは配管５３０（ａ）により接続されている。
【００２５】
第１の槽５０３の内部は、図２に示すように、オゾン水を供給するためのオゾン水用ノズル１１６，１２１と、
超純水を供給するための超純水用ノズル１１７，１２０と、
電解イオン水を供給するための電解イオン水供給用ノズル１２２〜１２５と、
被処理物をブラシングするブラシ１０２，１０３とを有する。
【００２６】
また、超純水を供給するための超純水用ノズル１１７，１２０は超純水導出配管１０９を介して、超純水供給源（図示せず）に接続されている。
【００２７】
また、電解イオン水を供給するための電解イオン水供給用ノズル１２２〜１２５は電解イオン水導出配管１１１，１１２を介して、電解イオン水製造装置５０８に接続されている。
【００２８】
さらに、本例では上下に一対のブラシが設けてある。このブラシ１０２，１０３は被処理物１１５の表面及び裏面をブラッシングする。
【００２９】
そして、上記ノズルの一端は、被処理物１１５の面に各純水あるいはオゾン水が供給され得る位置に配置されている。
【００３０】
なお、本例では、界面活性剤を供給するためのノズル１１８，１１９を単独で設けてある。この界面活性剤を供給するためのノズル１１８，１１９を設けず、オゾン水あるいは超純水に添加することにより界面活性剤を供給してもよい。
【００３１】
また、本例では、上側のブラシ１０２を洗浄するための上ブラシ超音波洗浄槽１０４と下側のブラシ１０３を洗浄するための下ブラシ超音波洗浄槽１０５を設けてある。上ブラシ超音波洗浄槽１０４と下ブラシ超音波洗浄槽１０５にはそれぞれ、超音波発振子１０６，１０７が設けられている。なお、この超音波発振子は７５０ｋＨｚ〜４ＭＨｚの発振が可能である。ブラシ１０２，１０３の洗浄が必要なときは、上ブラシ超音波洗浄槽１０４、下ブラシ超音波洗浄槽１０５内に適宜の処理水（例えば、オゾン水、電解イオン水、超純水）を配管１１３，１１４を介して供給し、ブラシ１０２，１０３を上ブラシ超音波洗浄槽１０４、下ブラシ超音波洗浄槽１０５内に移動させ（移動させるための手段は特に図示はしていないが適宜の手段によればよい）、超音波を与えつつ洗浄を行えばよい。
【００３２】
なお、第１の槽１０１の内面は、鉄酸化物のないクロム酸化物からなる不動態膜が表面に形成されたステンレス鋼により形成することが好ましい。
【００３３】
また、被処理物が回動可能な構成とすることが好ましい。被処理物を回転し、かつ、表面（裏面）に洗浄液を供給すればより一層清浄度の高い洗浄が可能となる。
【００３４】
第１の槽１０１は主に、オゾン水による洗浄、電解イオン水（カソード水、アノード水）によるブラシ洗浄を行うための槽である。これらの洗浄を行うことにより、有機物、１０μｍ以上の大きさのパーティクル、金属の除去が可能となる。
【００３５】
なお、ブラシは、被洗浄物表面を傷つけず、また、汚染源とならにものであればよく、例えばナイロン製のものが用いることができる。
【００３６】
第２の槽では、被処理物に電解イオン水を高圧噴射するための電解イオン水高圧ジェットノズル２１０，２１１が電解イオン水高圧ジェット導出配管２０１に接続されている。
【００３７】
第２の槽５０４は、図３に示すように被処理物に電気分解イオンを高圧噴射するための電解イオン水高圧ジェットノズル２１０，２１１と、超純水を被処理物１１５に供給するための超純水用ノズル２０６，２０９とを少なくとも有する。
【００３８】
第２の槽２０４は、主に、電解イオン水を高圧噴射するための槽であり、これにより、１０μｍ以下１μｍ以上の大きさのパーティクルの除去が可能となる。
【００３９】
なお、噴射圧力としては、５ｋｇｗ／ｃｍ２〜５０ｋｇｗ／ｃｍ２が洗浄効果をより一層高める上から好ましい。
【００４０】
本例では、さらに、超純水を導入するためのノズル２０６，２０９と、他の電解イオン水を導入するための電解イオン水導入ノズル２０７，２０８を設けてある。これらのノズルから導入される超純水あるいは電解イオン水はリンスのために使用することができる。
【００４１】
なお、ノズル２１０，２１１は、クロム酸化物を主成分とする不動態膜が表面に形成されたステンレス鋼により構成することがノズルからのパーティクルの発生を防止でき、また、耐食性の点から好ましい。
【００４２】
一方、超純水導入ノズル２０６，２０９、電解イオン水導入ノズル２０７，２０８には、白金を用いることが、純水の帯電防止の点から好ましい。
【００４３】
第３の槽５０５は、図４に示すように電解イオン水を導入するための手段と、該電解イオン水に３０ｋＨｚ以上の超音波を照射するための手段である超音波振動子３０３，３０４とを少なくとも有する。
【００４４】
第３の槽３０９は、主に、電解イオン水を用いて超音波洗浄を行うための槽である。電解イオン水を用いて超音波洗浄を行うことにより、１ミクロン以下の大きさのパーティクルの除去が行われる。
【００４５】
図４に示す本例では、第３の槽３０９の内部にさらに石英製超音波洗浄槽３０１が設けられており、その中には電解イオン水３０６が電解イオン水導出配管３０７を介して供給されている。この超音波洗浄槽３０１は、超音波伝達用液体３０５を介して超音波槽３０２内に収納されている。３０３，３０４は超音波振動子であり、本例では、被処理物に対し水平方向に超音波が付与される。超音波振動子３０３からの超音波は、超音波伝達用液体３０５を介して超音波洗浄槽３０１内の電解イオン水３０６内に浸漬された被処理物１１５に伝達される。
【００４６】
また、第４の槽５０６は、図５に示すように、電解イオン水を導入するためのノズル４１５を少なくとも有し、被処理物１１５の乾燥が行われる。
【００４７】
第４槽４０２は、主に、電解イオン水による仕上げ洗浄（主に金属の除去、パーティクルの除去）及び乾燥を行うための槽である。４０１、４０４、４１２、４０３は上記の仕上げ洗浄を行うための超音波洗浄機である。４０４は超音波が印加された処理水を導出するための超音波処理水導出部である。この超音波処理水導出部４０４の長さａは被処理物（基板）の対角線の長さより大きくすることが好ましい。これにより、被処理物が回転したときであっても常に噴射水が基板全体にかかるようにすることができ、パーティクルの再付着等を防止することができる。
【００４８】
また、乾燥は、表面に酸化膜が形成されることを防止するため、不活性ガスを被処理物の表面に吹き付けながら行うことが好ましい。本例でも不活性ガスを導入するためのガス導入口４０５を設けてある。このガスは水分等の不純物濃度が数ｐｐｂ以下のガスを用いることが好ましい。経済的観点からは窒素ガスが好ましい。
【００４９】
なお、乾燥速度を速めるために、ガスをヒータ４０６で加熱することが好ましい。
【００５０】
また、電解イオン水による洗浄工程と乾燥工程との間に超純水によるリンスを超音波しながら行うことが清浄度を高める観点から好ましい。
【００５１】
なお、各槽において、被処理物をスピン回転させながら洗浄を行うと、洗浄液が面を均一に覆うとともに、被洗浄面には絶えず新しい洗浄液が供給され、しかも汚染物質は遠心力により面上から持ち去られるため、非常に清浄な洗浄を行うことができる。従って、各槽において、被処理物を回動可能な構成とすることが好ましい。
【００５２】
第１の槽５０３はオゾン水による洗浄を行うオゾン水洗浄槽であり、第２の槽５０４、第３の槽５０５、第４の槽５０６は電解カソード水による洗浄工程を行うカソード水洗浄槽であり、その各排出口５２０ｂ，５２０ｃ，５２０ｄと排水処理槽とは配管５３０ｂ，５３０ｃ，５３０ｄにより接続されている。
【００５３】
また、本例では、カソード水原水を直接排水処理槽５５０に供給できるように電解イオン水装置５０８と排水処理槽５５０とを配管５３０ｅにより接続してある。
【００５４】
電解イオン水による洗浄により、金属、有機物、酸化膜の除去が行われる。
【００５５】
排水処理槽５５０を図６に示す。図６（ａ）は正面断面図であり、図６（ｂ）は側面図である。排水処理槽５５０は、オゾン水排水を内部に導入するためのオゾン水排水導入口６０１とカソード水排水を内部に導入するためのカソード水排水導入口６０２と、導出口６０５とを有している。
【００５６】
本例では、内部は仕切板６０６ａ，６０６ｂ，６０６ｃでいくつかの空間に仕切られており、導入口から導出口に向かい仕切板６０６ａ，６０６ｂ，６０６ｃの高さは低くなっている。なお、６０３はオゾン水排水、カソード水排水を内部に導入しやすくするための通気口６０３である。
【００５７】
次に排水処理手順を説明する。
【００５８】
排水処理槽の例として、槽容量２０Ｌ（リットル）、処理水量１５Ｌ（リットル）の排水処理槽を用いるとする。
【００５９】
まず、第２の槽、第３の槽で生じたカソード水排水を排水処理槽５５０内に、カソード水導入口６０２を介して２Ｌほど貯める。
【００６０】
次にオゾン水排水を２Ｌ／ｍｉｎの割合でオゾン水排水導入口６０１を介して排水処理槽５５０内に導入する。さらに第２の槽、第３の槽から合計で３Ｌ／ｍｉｎの流量でカソード水排水を排水処理槽５５０内に導入すると処理が行われる。
【００６１】
なお、排水する際は排水処理槽５５０内に前日の処理水が一定量（例えば２０Ｌタンクの場合１５Ｌ）残っているのでカソード水原水あるいはカソード水排水を最初貯めずに流してもよい。
【００６２】
図７に他の実施形態例を示す。
【００６３】
図１に示した形態例と異なる点は、第２の槽、第３の槽、第４の槽と排水処理槽とは接続されてはおらず、その代わりに、アンモニア水源５７０と排水処理槽５５０とが配管５３０ｆにより接続されている。
【００６４】
【実施例】
図面に示すウエット処理装置を用いて液晶表示基板の洗浄を行った。手順は次の通りである。
【００６５】
第１槽
▲１▼オゾン水による洗浄
オゾン濃度：７ｐｐｍ
洗浄時間：３０ｓｅｃ
純水リンス  ５ｓｅｃ
この処理により有機物、金属が除去されていた。
【００６６】
▲２▼電解イオン水によるブラシ洗浄
電解イオン水
カソード水
ｐＨ８
酸化還元電位：−５００ｍＶ
洗浄時間：２０ｓｅｃ
ブラシは専用の超音波洗浄槽により洗浄して使用した。超音波洗浄には７５０ｋＨｚ以上のメガヘルツ帯を使用し、数μｍから１μｍ以下の大きさのパーティクルを十分に除去しておき、基板表面の比較的大きなパーティクルを除去した。
【００６７】
大きなパーティクルは処理水の効果により（すなわち、ｐＨコントロール及び酸化還元電位コントロールにより、パーティクルの極性をブラシ材の極性と同じ極性とすることができるため）ブラシへの再付着は起こらなかった。
【００６８】
この処理によりパーティクル１０μｍ以上の大きさのパーティクルは除去された。
【００６９】
第２槽
▲１▼電解イオン水による高圧ジェット洗浄  ５０ｓｅｃ
電解イオン水
カソード水
ｐＨ８
酸化還元電位−５００ｍＶ
洗浄時間：５０ｓｅｃ
▲２▼純水リンス：１０ｓｅｃ
この処理により１０μｍ以下１μｍ以上の大きさのパーティクルは除去された。
【００７０】
静電気は電解イオン水により帯電除去を実施した。
【００７１】
第３の槽
▲１▼電解イオン水による超音波洗浄
電解イオン水
カソード水
ｐＨ８
酸化還元電位−５００ｍＶ
洗浄時間：５０ｓｅｃ
この処理により１ミクロン以下の大きさのパーティクルが除去された。
【００７２】
第４槽
▲１▼電解イオン水による洗浄
電解イオン水
アノード水
ＨＦ添加
ｐＨ３
酸化還元電位：１０００ｍＶ
ＨＦ添加  ｐＨ３  酸化還元電位１０００ｍＶ
▲２▼超音波リンス
リンス時間：２０ｓｅｃ
超音波：９５０ｋＨｚ
▲３▼スピン乾燥：窒素ブロー（中心部）
この処理により金属、有機物、酸化膜が除去された。
【００７３】
以上の洗浄処理終了後Ａｌ２Ｏ３粒子（１μｍ）について清浄度を調べた。
【００７４】
【表１】
0003579850.tif 000002
上記洗浄により生じたオゾン水排水を排水処理槽５５０を用いてカソード水排水により処理を行った。
【００７５】
排水処理槽に、第１の槽から排出されたオゾン水排水１０Ｌ（リットル）を排水処理槽内にオゾン水排水導入口６０１を介して槽内に導入した。このオゾン水排水中におけるオゾン濃度は６ｐｐｍであった。
【００７６】
次に、第２の槽と第３の槽から排出された１０Ｌのカソード水排水をカソード水導入口６０２を介して排水処理槽５５０の槽内に導入した。導入したカソード水排水のｐＨは８であった。
【００７７】
カソード水排水導入後オゾン濃度を経時に測定した。その結果を●印で図８に示す。
（実施例２）
本例では、第２槽における洗浄にアンモニアイオンを添加したｐＨ１０のカソード水を用いた。
【００７８】
排水処理装置５５０へのカソード水排水は第２槽において排出されたカソード水排水のみを用いた。
【００７９】
その他の点は実施例１と同様とした。
【００８０】
本例における測定結果を▲印として図８に示す。
【００８１】
（実施例３）
本例では、図７に示す装置を用いて洗浄及びオゾン水排水の処理を行った。
【００８２】
洗浄工程は実施例１と同様とした。
【００８３】
本例では、排水処理槽５５０にアンモニア水源５７０からアンモニア水を導入した。アンモニア水の導入量は１ＬでありｐＨ＝８，ｐＨ＝１０に調製した。
【００８４】
他の点は実施例１と同様とした。
【００８５】
その結果を△印（ｐＨ＝１０）と○印（ｐＨ＝８）で図８に示す。
【００８６】
なお、図８には無処理の場合を□印で示してある。
【００８７】
図８から明かなように、カソード水排水を混合することにより極めて短時間でオゾン濃度を０．１ｐｐｍのレベルに低減せしめることができる。
【００８８】
（実施例４）
本例では、カソード水排水ではなく、カソード水原水を、電解イオン水装置５０８から配管５３０ｅを介して排水処理槽に導入した。
【００８９】
他の点は実施例１と同様とした。本例においても実施例１と同様の結果が得られた。
【００９０】
【発明の効果】
（請求項１、請求項３、請求項４、請求項６）
短時間でオゾン含有量を低減せしめることができ、塩化ビニール製の排出配管へのオゾン水排水の排出を排出配管の腐食などを伴わずに可能となる。
【００９１】
（請求項２、請求項５）
洗浄工程において高い洗浄性が得られるともに塩化ビニール製の排出配管へのオゾン水排水の排出を排出配管の腐食などを伴わずに可能となる。また、本来排水として破棄されるカソード水排水の有効利用を図ることができる。
【００９２】
また、請求項３及び請求項６に係るオゾン水排水処理方法及び処理システムは、オゾン水排水に、アンモニア水を混合することにより該オゾン水排水中のオゾン濃度を低下させるため、塩化ビニール製の排出配管へのオゾン水排水の排出を排出配管の腐食などを伴わずに可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態を示す洗浄システム図である。
【図２】図１における第１槽の内部を示す断面図である。
【図３】図１における第２槽の内部を示す断面図である。
【図４】図１における第３槽の内部を示す断面図である。
【図５】図１における第４槽の内部を示す断面図である。
【図６】図１における排水処理槽を示す正面断面図（ａ）と側面図（ｂ）である。
【図７】本発明の他の実施形態を示す洗浄システム図である。
【図８】実施例１〜実施例４における実験結果を示すグラフである。
【図９】先行例に係る洗浄システム図である。
【符号の説明】
１０１  第１槽、
１０２  上ブラシ、
１０３  下ブラシ、
１０４  上ブラシ超音波洗浄槽、
１０５  下ブラシ超音波洗浄槽、
１０６、１０７  超音波発振子、
１０８  オゾン水導出配管系、
１０９  超純水導出配管系、
１１０  界面活性剤導出配管系、
１１１  電解イオン水・アノード水導出配管系、
１１２  電解イオン水・カソード水導出配管系、
１１３、１１４  ブラシ洗浄槽超純水導入配管系、
１１５  被処理物（ガラス基板）
１１６〜１２５  処理水、静電気除去用配管系、
２０１  電解イオン水高圧ジェット導出配管系、
２０２  超純水導出配管系、
２０３  電解イオン水導出配管系、
２０４  第２槽、
２０６〜２０９  処理水、静電気除去用配管系、
３０１  超音波洗浄槽、
３０２  超音波槽、
３０３、３０４  超音波振動子、
３０５  超音波伝達用液体、
３０６  処理水（電解イオン水、カソード水、アノード水、超純水）、
３０７  電解イオン水導出配管系、
３０８  超純水導出配管系、
３０９  第３槽、
３１０  排水配管系、
３１１  被処理物上下機構、
３１３  超音波伝達用液体導出配管系、
４０１  超純水導出配管系、
４０２  第４槽、
４０３  超音波振動子、
４０４  超音波印加処理水導出部、
４０５  ウルトラクリーンＮ２ガス導入口、
４０６  Ｎ２温度コントロール用ヒーター、
４０７  被処理物回転乾燥機構ホルダー部、
４０８  被処理物回転乾燥機構軸部、
４１０  超純水導出配管系、
４１１  電解イオン水、アノード水、
４１３〜４１６  処理水、静電気帯電防止用配管系、
４１７  オゾン水導出配管系、
５０１  ウエット処理装置本体、
５０２  ローダー、
５０３  第１槽、
５０４  第２槽、
５０５  第３槽、
５０６  第４槽、
５０７  アンローダー、
５０８  電解イオン水製造装置、
５０９  オゾン水製造装置、
５１０  電解イオン供給配管系、
５１１、５１３  ウエット処理装置からの戻り用配管系、
５１２  オゾン水供給配管系。
５２０Ａ阿、５２０ｂ、５２０ｃ、５２０ｄ  排出口、
５３０ａ，５３０ｂ，５３０ｃ，５３０ｄ，５３０ｅ，５３０ｆ  配管、
５５０  排水処理槽、
５６０  排水配管、
５７０  アンモニア水源、
６０１  オゾン水排水導入口、
６０２  カソード水導入口、
６０３  通気口、
６０５  排出口、
６０６ａ，６０６ｂ，６０６ｃ  仕切板、
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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