(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気記録媒体の読取り及び／又は磁気記録媒体への書込みをするための、少なくとも１つのトランスデューサ、
前記トランスデューサを含み、磁気記録媒体の表面に近接して又は接触するように位置されたスライダ、及び
前記トランスデューサの磨耗を検出する磨耗検出手段、
を含み、前記磨耗検出手段が、
前記スライダの少なくとも１つの側面上に、前記トランスデューサの磨耗と共に磨耗を受けるよう形成され及び数ｋΩ乃至１０ｋΩの電気抵抗値を有する、金属ストリップからなるセンサ、及び
前記センサの電気抵抗またはコンダクタンスの変化を検出する検出手段を含み、
前記センサの少なくとも１つのリード線が前記トランスデューサの少なくとも１つのリード線に接続され、前記リード線を介して前記電気抵抗またはコンダクタンスの変化を検出する検出手段に接続されている、
磁気変換アセンブリ。
【請求項２】
前記センサが、前記トランスデューサを実質的に囲むように、前記スライダの少なくとも３つの側面上に亘って形成される、請求項１記載の磁気変換アセンブリ。
【請求項３】
前記ストリップが、前記トランスデューサの磨耗限界に達したときに断線するような位置に形成されている、請求項１または２記載の磁気変換アセンブリ。
【請求項４】
前記センサが１対のリード線を有し、及び、前記トランスデューサが、各々１対のリード線を有する読取りトランスデューサ及び書込みトランスデューサからなり、前記センサのリード線の一つが前記読取りトランスデューサのリード線のいずれか１つに、及び、及び前記センサの他のリード線が前記書込みトランスデューサのリード線のいずれか１つに接続されている、請求項１〜３のいずれか１項記載の磁気変換アセンブリ。
【請求項５】
磁気記録媒体の読取り及び／又は磁気記録媒体への書込みをするための、少なくとも１つのトランスデューサ、
前記トランスデューサを含み、磁気記録媒体の表面に近接して又は接触するように位置されたスライダ、及び
前記トランスデューサの磨耗を検出する磨耗検出手段、
を含み、前記磨耗検出手段が、
ループ状の金属からなるプローブと、前記プローブと前記磁気記録媒体との間の静電容量の変化を検出する検出手段とを含み、
前記プローブのリード線が前記トランスデューサの少なくとも１つのリード線に接続され、前記リード線を介して前記静電容量の変化を検出する検出手段に接続されている、
磁気変換アセンブリ。
【請求項６】
前記プローブが、前記トランスデューサの磨耗限界より上の位置に形成されている、請求項５記載の磁気変換アセンブリ。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項記載の磁気変換アセンブリ、及び
前記アセンブリに含まれるスライダに結合され、前記スライダを自らの１つの端部で支えるサスペンション部材、
を含む、サスペンション・アセンブリ。
【請求項８】
データを受信するための複数のトラックを有する磁気記録媒体、
前記磁気記録媒体を動かす駆動手段、
前記磁気記録媒体上の信号を読取り及び／又は前記磁気記録媒体上に信号を書込む磁気変換手段、
前記磁気記録媒体表面上での、前記磁気変換手段の移動を制御するアクチュエータ手段、及び
前記駆動手段、前記磁気変換手段、及び前記アクチュエータ手段の動作を管理する制御手段、
を備え、
前記磁気変換手段が、請求項１〜６のいずれか１項記載の磁気変換アセンブリを含み、及び、前記制御手段が、前記磁気変換アセンブリの磨耗検出手段の動作をも管理する、磁気記憶システム。
【請求項９】
請求項１〜４のいずれか１項記載の磁気変換アセンブリを用いて、センサの電気抵抗またはコンダクタンスの変化をモニタすることによって、前記磁気変換アセンブリに含まれる前記トランスデューサの磨耗を検知する方法。
【請求項１０】
請求項５又は６記載の磁気アセンブリを用いて、前記プローブと前記磁気記録媒体の間の、静電容量の変化をモニタすることにより、前記磁気変換アセンブリに含まれる前記トランスデューサの磨耗を検知する方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気データ記憶システムの磁気トランスデューサに関し、特に磁気記憶システムの信頼性、使用可能性及び保守性を改良する摩耗表示機構を有する磁気トランスデューサに関する。
【０００２】
【従来の技術】
磁気ディスク駆動装置は情報記憶装置であり、情報を有する同心のデータ・トラックを有する少なくとも１つの回転可能なディスクと、様々なトラックに対してデータの読み書きを行う１つ以上のトランスデューサ（すなわち「ヘッド」）と、トランスデューサをデータの読み書きの動作中に所望のトラックへ移動させ、トラックの中央線上に保持するトランスデューサに接続されたヘッド位置決めアクチュエータとを使用する。図１を参照すると、従来技術のヘッド・サスペンション・アセンブリが示されており、トランスデューサ２０はディスク２４のデータ表面に押し付けられているスライダ２６に取り付けられている。他の従来技術のアセンブリでは、スライダはディスクの回転によって生ずるエア・ベアリングに支えられてディスク表面上を僅かに浮遊する。スライダ２６は位置決めアクチュエータ（図示なし）の支持アームのサスペンション２５に取り付けられている。サスペンション２５は、スライダ２６とアクチュエータとの間の次元的安定性を与え、スライダが回転している磁気ディスク表面に対して相対運動中にスライダの縦横の揺れ（ジンバル運動）及び垂直方向の僅かな高さに対する柔軟性を制御する。
【０００３】
高データ密度化（ディスクに記録できるデータ量）の傾向により、ディスク表面により多くのデータ・トラックを設けるために狭いデータ・トラック幅及び狭いデータ・トラック間隔をディスク表面にフォーマットする必要性が生じた。高データ密度化の重要な制限は、トランスデューサとディスク表面との間隔である。一般に、トランスデューサとディスクとの間隔が狭いほど高データ密度化が可能である。これはトランスデューサの磁束がディスク表面の小さい領域により多く集められてデータ分解能を改良するからである。前述のように磁気ディスク記憶システムのある種のトランスデューサは、エア・クッションすなわち回転するディスクが生むエア・ベアリングに乗るように、及びディスク表面に密接に近接させたスライダに取り付けられるように設計されている。他の型のトランスデューサはトランスデューサが回転しているディスク表面に接触するようにスライダに取り付けられている。この型のトランスデューサは一般に接触型トランスデューサと呼ばれる。他の要素を考慮しないのであれば、エア・ベアリング型トランスデューサよりも接触型トランスデューサを使用すると高データ密度を得ることができる。
【０００４】
接触型トランスデューサには限界がある。図１を参照すると、接触型トランスデューサ２０はチップ２２（概略図）を有し、チップ２２はトランスデューサ２０が磁気ディスク２４上を移動して磁気ディスク２４からデータを読出す時に磁束変化を検知するように、又は磁気ディスク２４にデータを書込む時に磁束変化を生じさせるように構成されている。このチップ２２は、数ミクロン程度の使用可能な厚さＴを有する。接触型トランスデューサの本質上、チップ２２は一度、ディスク駆動機構が作動すると磁気ディスク２４によって擦られ必然的に摩耗を受ける。チップ２２よりも硬い材料でできているスライダ２６は、ある程度まで摩耗プロセスを遅くすることができる。しかしながら、トランスデューサ２０のチップ２２の長期間にわたる摩耗によりトランスデューサの変換機能は不十分または信頼性が欠けるようになり、最終結果として故障し、ディスク駆動システムの読み書きの故障となって使用不能となる。トランスデューサの故障はデータの完全性に影響を及ぼす。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的はユーザがディスク駆動システムの動作中において、トランスデューサの「浮遊中（ｏｎ−ｔｈｅ−ｆｌｙ）」に接触型トランスデューサの摩耗による故障を予測でき、データはトランスデューサが故障するよりも前に安全にアーカイブでき、故障のトランスデューサ或いはディスク駆動システム全体を通常のディスク駆動動作を最小時間の中断で且つ都合のよい時に適時に取り替えることができるディスク駆動システムを提供することである。以上のことを実現する際には、トランスデューサ、スライダまたはサスペンション・アセンブリへの構造体の付加は最小にするのが好ましい。付加を最小にすることによりスライダ及びサスペンション・アセンブリに対する重さ及び慣性の付加を少なくできる。そうでなければディスク駆動システムの機械的性能に影響を与え、製作の複雑性を増す。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明はデータ記憶システムにおいてトランスデューサの摩耗状態を動作中の浮遊中に検知する、スライダに組み込まれた簡単な摩耗インジケータを提供できる。この新規な機構はスライダ及びサスペンションにそれほどの重さを加えずにかなり容易に組み込まれ、また製作時における複雑性もそれほどではない。摩耗インジケータから記憶システムの制御プログラムへのフィードバックは、記憶システムの信頼性と使用可能性を高める。概念的な本発明の新規な機構は、トランスデューサが磁気ディスク媒体によって擦り減らされて摩耗を起こしたときに生じる電気回路構造体の１つ以上の電気特性の変化をモニタする。
【０００７】
特に本発明の特徴として、電気回路の抵抗（またはコンダクタンス）は、ディスク駆動動作中にモニタされる。この回路構造の一部分がスライダに取り付けられ、トランスデューサと共に物理的な摩耗を受ける。抵抗（またはコンダクタンス）の所定の変化は、トランスデューサが実際に故障する前にトランスデューサを取り替えなければならない所定の摩耗限界であることを示す。特定の実施例での回路は、摩耗限界に達したことを示すのに開回路（無限抵抗またはゼロ・コンダクタンス）が構成される。
【０００８】
本発明の他の実施例では、ディスク駆動動作中にスライダのプローブと磁気媒体との間の静電容量がモニタされる。静電容量はトランスデューサの摩耗に応じて変化する。静電容量の所定の変化はトランスデューサが完全に故障となる前にトランスデューサを取り替えなければならない摩耗限界であることを示す。
【０００９】
【発明の実施の形態】
ここで述べる説明は本発明の一般的な原理の説明であり、本発明を限定するものではない。本発明の範囲は添付の請求項を参照されたい。例えば、本発明は磁気ディスク記憶システム、特に接触型トランスデューサについて述べているが、本発明が後で述べられる摩耗インジケータの機構を利用する磁気テープ駆動システムまたは他の応用機器などの記録システムを含む他の磁気データ記憶システムで実施できることは明白である。
【００１０】
図２は、例えばコンピュータなどの情報処理システムで使用される本発明を具体化する磁気ディスク記憶システム３０の簡略化された概略ブロック図である。磁気ディスク記憶システム３０はスピンドル３４で支えられ、ディスク駆動モータ３６によって回転する少なくとも１つの回転可能な磁気ディスク３２と、ディスク表面３３の磁気記録媒体に密接に近接して位置付けされた少なくとも１つのスライダ３８とを有する。データは同心のデータ・トラックの環状パターン（図示なし）の形で各磁気ディスク３２の磁気記録媒体に記憶される。各スライダ３８は１つ以上の磁気読取り及び磁気書込みトランスデューサ（図示なし）を有するアセンブリである。スライダ３８は、アクチュエータ・アーム４２によってアクチュエータ手段４４に接続されているサスペンション４０に取り付けられている。磁気ディスク３２が回転すると、所望するデータが記録されるまたはデータを読取るために、ディスク表面３３の異なる位置をスライダ３８がアクセスできるよう、スライダ３８はアクチュエータ４４によってディスク表面３３を横断移動する制御を受ける。サスペンション４０は、軽いばね力を与えてスライダ３８をディスク表面３３に押し付け、及びディスク表面３３の回転に伴うスライダ３８の縦横の揺れ及び垂直方向の僅かな高さの柔軟性を制御する。図２のアクチュエータはボイス・コイル・モータ（ＶＣＭ）であることができる。磁気ディスク記憶システム３０のデータの読み書き及び様々な構成要素（例えばアクチュエータ４４及びディスク駆動モータ３６）の動作は制御ユニット４６によって管理される。制御ユニット４６はまた、後で説明される摩耗限界インジケータの検知装置を管理する。
【００１１】
図３は、スライダ領域をさらに拡大した概略図である。この特定の実施例では読取りトランスデューサ５０及び別個の書込みトランスデューサ５２が示されている。（読取りトランスデューサ５０及び書込みトランスデューサ５２は、簡単な説明用として図示されている。その実際の大きさと位置は図とは異なるが、本発明の概念の理解には影響が無いことを理解されたい。）読取りトランスデューサ５０は磁気抵抗型（磁気抵抗読取りトランスデューサの磁気抵抗は磁束変化で変化する）であり、書込みトランスデューサ５２は誘導型（磁束は誘導トランスデューサに流れる電流変化で変化する）である。他の方法として、読取りと書込みの両方の機能を実行する単一の誘導トランスデューサが使用できる（後述の図７の説明を参照）。読取りトランスデューサ５０、書込みトランスデューサ５２及びスライダ３８は、本発明の一部分ではないが従来技術で知られている方法（例えば写真製版技術、成膜及びサブトラクティブ・エッチング法など）で形成される。リード線５４はスライダ３８のトランスデューサのコンタクト・パッド５５に接続されている。リード線５４の１対のリード線が読取りトランスデューサに、及び他の１対のリード線が書込みトランスデューサに接続されている。
【００１２】
トランスデューサ５０及び５２はある程度の使用可能な厚さ（例えば５ミクロン未満の数ミクロン程度）のチップを有する。チップが磁気ディスク３２による摩耗の結果、使用可能な厚さが摩耗させられると、トランスデューサ５０及び５２は使用不能となる。以上の理由からトランスデューサ５０及び５２は完全に使用不能となる前に摩耗限界値Ｌ（使用可能な厚さＴ以内で）を設定するのが好ましく、及びディスク駆動システムの動作中にこの摩耗限界値に到達したことを示す手段が提供されることが望ましい。これによって、使い尽くされた状況、すなわちトランスデューサの使用可能な寿命が示される。
【００１３】
図３で示される本発明の第１の実施例では、電気導電性材料から成るストリップ形状の摩耗限界インジケータであるストリップ６０は、図示されているようにスライダ３８の側面に形成されている。このストリップ６０はストリップの抵抗またはコンダクタンスの変化の検知可能な電気回路に接続されている。スライダ３８、トランスデューサ５０及び５２が磁気ディスク媒体との接触で擦り減って摩耗するとストリップの材料も摩耗し、あるポイントで最終的には物理的に擦り切れる（すなわち、断線）。従ってストリップ６０は、そのブレイク・ポイントがトランスデューサ５０及び５２の摩耗限界値Ｌに一致するようにスライダ３８に位置決めされなければならない。ストリップ６０の抵抗またはコンダクタンスの断線回路はこの摩耗限界値に到達したことを示す。図３は、読取り及び書込みトランスデューサが同じ摩耗限界値Ｌを有する状況を説明している。トランスデューサの１つが小さい摩耗限界値を有する場合、ストリップ６０はこの小さい摩耗限界値を有するトランスデューサの摩耗限界値に一致するように位置決めされなければならない。
【００１４】
摩耗限界インジケータのストリップ６０の材料は導電性の金属であるが、ストリップ６０の全体の抵抗は１０ＫΩ乃至数ＫΩのような高抵抗値を有する材料（例えばニクロム）が好ましい。実際の例では、ストリップ６０の全体の長さは２００ミクロン程度、その内のおよそ１００ミクロンがパッド内に有り、幅は約８ミクロン乃至１２ミクロンである。ストリップの全体の厚さは８０  乃至１２０であり、１００  前後が好適である。前記大きさの前記材料を使用した回路の全体の抵抗値は２ＫΩである。抵抗材料を使用する目的は図６の説明から明らかとなろう。絶縁材料の層６２（例えばフォト・レジストまたはアルミナ）は、ストリップ６０をスライダ３８から電気的に絶縁する。
【００１５】
摩耗インジケータのストリップのリード線６４は、ディスク駆動システム３０の制御ユニット４６の、抵抗またはコンダクタンスの測定装置に電気的に接続されている。抵抗またはコンダクタンスの何れかを使用するかは摩耗限界インジケータの電気特性変化の徴候次第である。摩耗限界インジケータの特定の電気回路は、スライダ３８に取り付けられたトランスデューサの型及び抵抗かまたはコンダクタンスかの摩耗限界検知の方式で決まる。
【００１６】
摩耗限界インジケータの異なる電気回路が図６乃至図８で説明される。図６は構成を示し、ストリップ６０の抵抗は摩耗限界検知で測定され、読取りトランスデューサ５０は磁気抵抗型であり、書込みトランスデューサ５２は誘導型である。この構成において摩耗限界インジケータのストリップ６０の一方のリード線６４ａは読取りトランスデューサのリード線５４ａに、及びストリップ６０の他方のリード線６４ｂは書込みトランスデューサのリード線５４ｂに接続されている。ストリップ６０によるリード線５４ａと５４ｂの接続は読取りトランスデューサ５０及び書込トランスデューサ５２の読み書き機能に影響を及ばさない。これはトランスデューサの抵抗が数Ω程度なのに対してストリップ６０の抵抗がかなり高いためである。トランスデューサのリード線５４ａ及び５４ｂは制御ユニット４６の抵抗測定装置６６に接続されている。
【００１７】
図７を参照すると、抵抗型のストリップ６０が摩耗限界検知として測定され、単一の誘導トランスデューサ６８が読取り及び書込みの機能として使用されている。この構成において摩耗限界インジケータのストリップ６０の一方のリード線６４ａはトランスデューサのリード線５４ａに接続され、ストリップ６０の他方のリード線６４ｂは接地されている。制御ユニット４６の抵抗測定装置６６のリード線は一方はリード線５４ａに及び他方は接地される。
【００１８】
上述の２つの構成の場合、トランスデューサのリード線は摩耗限界インジケータのストリップ６０によって都合よく利用されて制御ユニット４６の抵抗測定装置６６に接続されている。スライダ３８のストリップ６０から制御ユニット４６に直接接続をしないのでリード線の省略及び節約となる。従って、製作プロセスを簡素化でき、摩耗限界インジケータ機構の追加によって生じるスライダ／サスペンション・アセンブリへの重さの負担を軽減できる。ストリップ６０からトランスデューサのリード線５４への短い接続は、例えば写真製版技術、成膜及びエッチング・ステップなどの既知のプロセスを使用してスライダ３８或いはサスペンション４０にメタル・トレースの形で形成される。図４の例の場合、リード線６４ａ及び６４ｂはスライダに形成された短い表面トレース６５ａ及び６５ｂの形であることができ、ストリップ６０のリード線６４を適切なコンタクト・パッド５５に接続する。
【００１９】
摩耗限界インジケータのストリップのコンダクタンスの測定にもとづく摩耗限界の検知の場合、使用されるトランスデューサの種類に関係なく摩耗限界インジケータのストリップは個別のリード線が必要である。図８を参照すると、ストリップ６０からの２つの別個のリード線６４ａ及び６４ｂは制御ユニット４６のコンダクタンス測定装置７０に直接接続されている。
【００２０】
再度、図４を参照するに、スライダ３８のいずれの側面または隅で不均等な摩耗が数多く発生しても検知できるようにストリップ６０はスライダ３８の周辺に位置付けされる。別な方法として図５に示すようにストリップ６１はスライダ３８の片側だけに設定されている。しかしながらこの構成では、不均等な摩耗が生じた場合、トランスデューサ５０及び５２の摩耗限界の正確な徴候を与えない。
【００２１】
他の実施例では、ストリップ６０はスライダ３８のエッジ周辺、すなわちスライダのエッジから数ミクロンの所に設けられる。ストリップ６０は読取り／書込み素子を囲む、または実質的に囲むかぎりスライダの周辺の様々な位置に設定可能である。ストリップ６０が読取り／書込み素子を完全に囲むことができない場合は、読取り／書込み素子の３つの側面を囲まなければならない。
【００２２】
前述の実施例は本発明の一般原理の説明であることに留意されたい。摩耗限界は摩耗限界インジケータのストリップの開回路によって示されるが、しかし本発明は、磁気ディスクによって擦り減らされて摩耗するストリップの抵抗またはコンダクタンスの除々の変化をモニタ（トランデューサが稼働を開始した時の基準の抵抗値またはコンダクタンス値と比較して）することによって摩耗限界の検知を日常的に適用できるように考慮されている。摩耗限界は、摩耗限界インジケータのストリップを含めて、回路がオープンされる前の位置にポイントが設定される。
【００２３】
図９及び図１０で示されている本発明の他の実施例において、導伝表面とスライダ３８のプローブとの間の静電容量変化は、トランスデューサ５０及び５２の摩耗状態を示す。導電表面は磁気媒体、導電性のオーバーコートやスライダの導電性のサブストレートであることができる。プローブは前述の実施例の摩耗限界インジケータのストリップ６０と同じ方法で形成された、スライダ３８の側面周囲での金属の閉じたループ７２（１０ミクロン程度の幅）の形状である。スライダ３８とトランスデューサ５０及び５２が磁気ディスク３２によって擦り減らされて摩耗すると、ループ７２と磁気ディスク３２の間隔が変わるので、そこの空間の静電容量が変化する。図１０を参照すると、ループ７２と磁気ディスク３２との間の静電容量は制御ユニット４６のコンダクタンス測定装置７４によってモニタされる。前述の実施例同様にトランスデューサ５０の一方のリード線５４ａはループ７２と制御ユニット４６との間の電気的接続のために利用される。
【００２４】
ループ７２はループの摩耗が考えられない、摩耗限界Ｌより上の位置でスライダに位置付けしなければならないことは理解できよう。トランスデューサの摩耗限界は、測定値が予め設定された静電容量に達したときに検知される。
【００２５】
図１２を参照すると、摩耗インジケータを有するディスク駆動システムのフロー図が示されている。少なくとも１つの回転可能な磁気ディスク３２はスピンドル３４によって支えられ、ディスク駆動モータ３６によって回転させられる。少なくとも１つスライダ３８は、ディスク表面の磁気記録媒体に密接に近接して位置決めされる。ディスクが回転すると摩耗限界インジケータ５０（図３参照）は、サスペンション４０のセンサ・リード線を介して制御ユニット４６に信号を送る。制御ユニット４６は摩耗限界インジケータから信号を受信する少なくとも１つのセンサ信号プロセッサ８０を有する。センサ信号プロセッサ８０は論理表示の信号をＯＲゲート８４に送り、信号はそこで他のサスペンション・アセンブリからの信号があればその信号とＯＲ演算する。信号は線８６を経てファイル・プロセッサ８８に伝送される。信号を得てファイル・プロセッサ８８は摩耗限界インジケータがその限界値に達したかどうか決める。ファイル・プロセッサ８８が摩耗限界値に達したと判断した場合、ファイル・プロセッサ８８は９２で状態フラグをセットする。摩耗限界値にまだ達していない場合、ファイル・プロセッサ８８は信号線９４を介して摩耗センサの働きを続行させる。センサ信号プロセッサ８０は、スライダのプローブと磁気媒体との間の静電容量にもとづく信号を受信してデジタル信号に変換、または回路の抵抗の信号にもとづく信号を受信してデジタル信号に変換するために使用されることに注目されたい。
【００２６】
本発明の摩耗限界インジケータは、データの読出し及び書込み動作中、磁気ディスクと連続して接触する接触型トランスデューサに関して記述された。本発明は磁気ディスクに対してエア・ベアリングに乗る「浮遊（ｆｌｙｉｎｇ）」型のトランスデューサにも実施できることは理解されよう。このような浮遊型のトランスデューサであってもディスク駆動システムの動作開始及び終了の際に、少なくとも初期の加速及び最終の減速において磁気ディスクが摩耗される。
【００２７】
まとめとして、本発明の構成に関して以下の事項を開示する。
【００２８】
（１）磁気ディスク記憶システムの磁気媒体を磁気変換する磁気変換アセンブリであって、
少なくとも１つのトランスデューサであって、トランスデューサはトランスデューサの使用可能な寿命を確定する使用可能な厚さを有し、トランスデューサは、トランスデューサと磁気媒体との相対運動中に磁気媒体によって摩耗を受け、及びトランスデューサの使用可能な寿命はトランスデューサの使用可能な厚さが擦り切れたときに使い尽くされるよう設定されている、少なくとも１つのトランスデューサと、
磁気記憶システムの通常の動作中にトランスデューサの摩耗の状態をモニタするための摩耗表示手段と、
を有する、磁気変換アセンブリ。
（２）前記摩耗表示手段は、トランスデューサの摩耗で変化する電気特性を有する回路手段を有する、前記（１）記載の磁気変換アセンブリ。
（３）前記回路手段はセンサを有し、センサは磁気記憶システムの動作中に磁気媒体によって摩耗を受けるように前記トランスデューサと対応する位置に固定され、電気特性は前記摩耗によって変化し、前記摩耗表示手段は、前記摩耗による結果としての前記センサの前記電気特性の変化をモニタする検知手段を更に有し、これらによってトランスデューサの摩耗状態を示す、前記（２）記載の磁気変換アセンブリ。
（４）前記検知手段は前記センサの電気抵抗またはコンダクタンスの変化をモニタする、前記（３）記載の磁気変換アセンブリ。
（５）前記検知手段はトランスデューサの使用可能な厚さ内でトランスデューサの摩耗限界値に一致するセンサの閉回路から開回路への変化をモニタする、前記（４）記載の磁気変換アセンブリ。
（６）前記トランスデューサは１つの底面及び複数の側面を有するスライダを有し、スライダは底面でトランスデューサの使用可能な厚さを支え、並びにセンサがスライダの少なくとも１つの側面の端部近辺に取り付けられている、前記（３）記載の磁気変換アセンブリ。
（７）前記センサはスライダの少なくとも１つの側面に位置するストリップの材料を有し、ストリップの材料、スライダ及びトランスデューサの使用可能な厚さは磁気記憶システムの動作中に磁気媒体によって摩耗を受け、前記検知手段は、前記摩耗の結果として前記ストリップの材料の電気特性の変化を検知して、トランスデューサの摩耗状態を示す、前記（６）記載の磁気変換アセンブリ。
（８）前記ストリップの材料はトランスデューサの周辺に位置決めされ、ストリップがトランスデューサと同率の摩耗を受けるようにする、前記（７）記載の磁気変換アセンブリ。
（９）検知されたセンサの電気特性の変化は、ストリップの材料の閉回路から開回路への変化に一致する電気抵抗またはコンダクタンスの変化であり、前記変化はトランスデューサの使用可能な厚さ内の摩耗限界に一致する、前記（８）記載の磁気変換アセンブリ。
（１０）トランスデューサは１つ以上のリード線を有し、センサは１つ以上の前記リード線を使用して検知手段に電気的に接続されている、前記（９）記載の磁気変換アセンブリ。
（１１）トランスデューサは各々が１対のリード線を有する読取りヘッド及び書込みヘッドを有し、センサは読取りヘッド及び書込みヘッドの１つ以上のリード線を使用して検知手段に電気的に接続されている、前記（９）記載の磁気変換アセンブリ。
（１２）回路手段は、トランスデューサの摩耗で変化する静電容量を確定するキャパシタンス手段を有し、ここにおいて摩耗表示手段は、前記摩耗の結果としての静電容量の変化をモニタする検知手段を有し、これによりトランスデューサの摩耗状態を示す、前記（２）記載の磁気変換アセンブリ。
（１３）前記キャパシタンス手段は、トランスデューサに対応する位置に固定されたプローブを有し、前記プローブと磁気媒体とで静電容量を確定する、前記（１２）記載の磁気変換アセンブリ。
（１４）前記トランスデューサは１つの底面及び複数の側面を有するスライダを有し、スライダはその底面でトランスデューサの使用可能な厚さを支え、ここにおいてプローブは、スライダの少なくとも１つの側面に取り付けられたストリップの材料であり、検知手段はストリップの材料と磁気媒体との間の静電容量の変化を検知する、前記（１３）記載の磁気変換アセンブリ。
（１５）トランスデューサは、少なくとも１つのリード線を有し、プローブは前記リード線を使用して検知手段に接続されている、前記（１４）記載の磁気変換アセンブリ。
（１６）磁気記憶システムの磁気媒体を磁気変換するためのスライダを支えるサスペンション・アセンブリであって、
サスペンション部材と、
サスペンション部材によって支えられるスライダと、
磁気記憶システムの磁気媒体を磁気変換するためのスライダに支えられたトランスデューサであって、前記トランスデューサはトランスデューサの使用可能な寿命を確定する使用可能な厚さを有し、トランスデューサは、前記トランスデューサと磁気媒体との相対運動中、磁気媒体によって摩耗を受け、及びトランスデューサの使用可能な寿命はトランスデューサの使用可能な厚さが擦り切れたときに使い尽くされるよう設定されている、トランスデューサと、
トランスデューサの摩耗によって変化する電気特性を有するスライダの回路手段と、
を有する、
サスペンション・アセンブリ。
（１７）前記回路手段はセンサを有し、前記センサは前記磁気記憶システムの動作中に磁気媒体によって摩耗を受けるように前記トランスデューサと対応する位置に固定され、及び前記摩耗によって電気特性が変化する、前記（１６）記載のサスペンション・アセンブリ。
（１８）前記回路手段は、磁気媒体と共同して静電容量を確定するキャパシタンス手段を有し、静電容量はトランスデューサの摩耗によって変化する、前記（１６）記載のサスペンション・アセンブリ。
（１９）前記キャパシタンス手段は、トランスデューサと対応する位置に固定されたプローブを有し、前記プローブはスライダの伝導表面と接続されている、前記（１８）記載のサスペンション・アセンブリ。
（２０）トランスデューサは少なくとも１つ以上のリード線を有し、回路手段が１つ以上の前記リード線に接続された、前記（１６）記載のサスペンション・アセンブリ。
（２１）磁気記憶システムであって、
データを受信するための複数のトラックを有する磁気記憶媒体と、
磁気記憶媒体を動かす駆動手段と、
少なくとも１つのトランスデューサを有するスライダであって、前記トランスデューサは、前記スライダと前記磁気記憶媒体との間での相対運動中、前記磁気記憶媒体に対応して変換位置に保持され、前記トランスデューサはトランスデューサの使用可能な寿命を確定する使用可能な厚さを有し、トランスデューサはスライダと磁気記憶媒体の相対運動中に磁気記憶媒体によって摩耗を受け、トランスデューサの使用可能な寿命はトランスデューサの使用可能な厚さが擦り切れたときに使い尽くされるよう設定されている、スライダと、
磁気記憶システムの通常の動作中にトランスデューサの摩耗状態をモニタするための摩耗表示手段と、
磁気記憶媒体に対応して、前記スライダを前記磁気記憶媒体上の所定のトラックに移動するために前記スライダに結合され、自らの１つの端部でスライダを支えるサスペンション・アセンブリを有するアクチュエータ手段と、
磁気記憶媒体に対してデータを変換し、駆動手段、摩耗表示手段及びアクチュエータ手段の動作を管理する制御手段と、
を有する、磁気記憶システム。
（２２）前記摩耗表示手段は、トランスデューサの摩耗に対応して変化する電気特性を有する回路手段を有する、前記（２１）記載の磁気記憶システム。
（２３）前記回路手段はセンサを有し、前記センサは磁気記憶システムの動作中に磁気媒体によって摩耗を受けるように前記トランスデューサと対応する位置に固定され、電気特性は前記摩耗によって変化し、摩耗表示手段は、前記摩耗の結果としての前記センサの前記電気特性の変化をモニタする検知手段を有し、これらによってトランスデューサの摩耗状態を示す、前記（２２）記載の磁気記憶システム。
（２４）前記回路手段は、トランスデューサの摩耗で変化する静電容量を確定するキャパシタンス手段を有し、摩耗表示手段は、前記摩耗の結果としての静電容量の変化をモニタする検知手段を有し、これらによってトランスデューサの摩耗状態を示す、前記（２２）記載の磁気記憶システム。
（２５）前記キャパシタンス手段は、トランスデューサと対応する位置に固定されたプローブを有し、前記プローブと磁気媒体とで静電容量を確定する、前記（２４）記載の磁気記憶システム。
（２６）前記トランスデューサは、少なくとも１つ以上のリード線を有し、センサは１つ以上の前記リード線を利用して検知手段に接続されている、前記（２２）記載の磁気記憶システム。
（２７）磁気媒体を磁気変換する少なくとも１つのトランスデューサを有する磁気記憶システムにおいて、前記トランスデューサはトランスデューサの使用可能な寿命を確定する使用可能な厚さを有し、トランスデューサは、トランスデューサと磁気媒体との相対運動中に磁気媒体によって摩耗を受け、及びトランスデューサの使用可能な寿命はトランスデューサの使用可能な厚さが擦り切れたときに使い尽くされるよう設定される、トランスデューサの摩耗状態をモニタする方法であって、
磁気記憶システムの通常の動作中にトランスデューサの摩耗による電気特性の変化を示す、摩耗表示手段を与えるステップと、
トランスデューサの摩耗状態を示すために電気特性の前記変化を検知するステップと、
を有する方法。
（２８）摩耗表示手段を与える前記ステップは、トランスデューサの摩耗によって変化する電気特性を有する回路手段を与えるステップを有する、前記（２７）記載の方法。
（２９）回路手段を与える前記ステップは、センサを与えるステップを有し、前記センサは前記磁気記憶システムの動作中に磁気媒体によって摩耗を受けるように前記トランスデューサと対応する位置に固定され、電気特性は前記摩耗によって変化し、摩耗表示手段を与える前記ステップは、前記摩耗の結果としての前記センサの前記電気特性の変化をモニタする検知手段を与えるステップを有し、これらによってトランスデューサの摩耗状態を示す、前記（２８）記載の方法。（３０）回路手段を与える前記ステップは、トランスデューサの摩耗で変化する静電容量を確定するキャパシタンス手段を与えるステップを有し、摩耗表示手段を与える前記ステップは、前記摩耗の結果としての静電容量の変化をモニタする検知手段を与えるステップを有し、これらによってトランスデューサの摩耗状態を示す、前記（２８）記載の方法。
（３１）キャパシタンス手段を与える前記ステップは、プローブをトランスデューサと対応する位置に固定するステップを有し、前記プローブと磁気媒体とで静電容量を確定する、前記（３０）記載の方法。
（３２）トランスデューサは１つ以上のリード線を有し、及びセンサを与える前記ステップは１つ以上の前記リード線を使用してセンサを検知手段に電気的に接続するステップを有する、前記（２９）記載の方法。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来技術のスライダ／サスペンション・アセンブリの概略側面図である。
【図２】本発明が実施される磁気ディスク記憶システムの概略ブロック図である。
【図３】本発明の１実施例による抵抗測定にもとづく、摩耗限界インジケータを有するスライダ／サスペンション・アセンブリの概略側面図である。
【図４】図３のスライダ／サスペンション・アセンブリの概略下面図である。
【図５】本発明の他の実施例による抵抗測定にもとづく、摩耗限界インジケータを有するスライダ／サスペンション・アセンブリの概略側面図である。
【図６】図３の実施例における摩耗限界インジケータの実施形態の回路図である。
【図７】単一の誘導トランスデューサにおける摩耗限界インジケータの実施形態の回路図である。
【図８】コンダクタンスの測定にもとづく、摩耗限界インジケータの実施形態の回路図である。
【図９】静電容量の測定にもとづく、摩耗限界インジケータを有するスライダ／サスペンション・アセンブリの概略側面図である。
【図１０】図９のスライダ／サスペンション・アセンブリの概略下面図である。
【図１１】図９の実施例における摩耗限界インジケータの実施形態の回路図である。
【図１２】記憶システムのトランスデューサの浮遊中に摩耗を検知する摩耗インジケータを有する記憶システムのフロー図である。
【符号の説明】
２０  トランスデューサ
２２  チップ
２４、３２  磁気ディスク
２５、４０  サスペンション
２６、３８  スライダ
３０  磁気ディスク記憶システム
３３  ディスク表面
３４  スピンドル
３６  ディスク駆動モータ
４２  アクチュエータ・アーム
４４  アクチュエータ
４６  制御ユニット
５０  読取りトランスデューサ
５２  書込みトランスデューサ
５４、６４  リード線
５５  コンタクト・パッド
６０、６１  ストリップ
６２  絶縁材料の層
６６  抵抗測定装置
６８  誘導トランスデューサ
７０、７４  コンダクタンス測定装置
７２  ループ
８０  センサ信号プロセッサ
８４  ＯＲゲート
８６  線
８８  ファイル・プロセッサ
９４  信号線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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