(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体との対向面に、リターンパス層と磁極層とが間隔を開けて位置し、前記対向面よりも奥側に前記リターンパス層と前記磁極層とに記録磁界を与えるコイル層が設けられ、前記磁極層に集中する垂直磁界によって、前記記録媒体に磁気データを記録する垂直磁気記録ヘッドにおいて、
前記対向面では、リターンパス層上に非磁性金属層と前記磁極層とが重ねられて形成され、この積層膜がトラック幅方向へ所定幅寸法で形成され、
あるいは前記対向面では、リターンパス層上に、補助磁極層、非磁性金属層、および前記磁極層が重ねられて形成され、この積層膜がトラック幅方向へ所定幅で形成されており、
前記対向面よりも奥側では前記リターンパス層から立ち上がる接続層が設けられて、前記磁極層と前記接続層の上に前記両層を磁気的に接続するヨーク層が設けられており、前記コイル層は、前記積層膜よりも奥側で且つ前記リターンパス層と前記ヨーク層との間に配置されていることを特徴とする垂直磁気記録ヘッド。
【請求項２】
前記非磁性金属層と前記磁極層、あるいは前記補助磁極層、前記非磁性金属層及び前記磁極層は、メッキで形成されたものである請求項１記載の垂直磁気記録ヘッド。
【請求項３】
前記磁極層の上面と、前記接続層の上面とが同一面上に位置し、前記ヨーク層が平坦膜として形成されている請求項１または２に記載の垂直磁気記録ヘッド。
【請求項４】
前記対向面に現れている前記リターンパス層の端面の面積よりも、前記対向面に現れている前記磁極層の端面の面積が小さく、且つ前記対向面と平行な断面での、前記磁極層の断面積が、前記ヨーク層の断面積よりも小さい請求項１ないし３のいずれかに記載の垂直磁気記録ヘッド。
【請求項５】
前記対向面に現れている前記磁極層の端面は、前記リターンパス層から離れるにしたがってトラック幅方向への幅寸法が広がる形状で形成され、前記端面の上面のトラック幅方向の幅寸法がトラック幅Ｔｗとして規制される請求項１ないし４のいずれかに記載の垂直磁気記録ヘッド。
【請求項６】
前記磁極層の飽和磁束密度が、前記ヨーク層の飽和磁束密度よりも高い請求項１ないし５のいずれかに記載の垂直磁気記録ヘッド。
【請求項７】
前記補助磁極層の飽和磁束密度が、前記リターンパス層の飽和磁束密度よりも高い請求項１ないし６のいずれかに記載の垂直磁気記録ヘッド。
【請求項８】
前記磁極層の飽和磁束密度が、前記補助磁極層の飽和磁束密度よりも高い請求項１ないし７のいずれかに記載の垂直磁気記録ヘッド。
【請求項９】
前記ヨーク層の端面は、前記対向面よりも奥側に位置している請求項１ないし８のいずれかに記載の垂直磁気記録ヘッド。
【請求項１０】
以下の工程を有することを特徴とする垂直磁気記録ヘッドの製造方法。
（ａ）磁性材料でリターンパス層を形成する工程、
（ｂ）前記リターンパス層の上にレジスト層を形成して、記録媒体との対向面となる部分で、前記レジスト層に、トラック幅方向へ所定の内幅寸法を有し且つ前記対向面から奥側へ所定の奥行きを有する溝を形成する工程、
（ｃ）前記溝内で、前記リターンパス層上に非磁性金属層および磁極層をメッキで形成し、その後に前記レジスト層を除去する工程、
（ｄ）前記（ｃ）の工程の前または後に、前記対向面よりも奥側で、前記リターンパス層の上に磁性材料で接続層を形成する工程、
（ｅ）前記非磁性金属層および前記磁極層よりも奥側の領域にコイル層を形成する工程、
（ｆ）前記コイル層を非磁性材料で覆う工程、
（ｇ）前記磁極層の上面および前記接続層の上面を同一面とする工程、
（ｈ）前記磁極層の上と前記接続層の上に、前記両層を磁気的に接続するヨーク層を形成する工程、
【請求項１１】
前記（ｃ）工程では、前記溝内で前記リターンパス層上に補助磁極層、非磁性金属層および磁極層をメッキで形成し、その後に前記レジスト層を除去する請求項１０記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項１２】
前記（ｃ）の工程では、前記リターンパス層の上面に下地膜を形成して、前記下地膜上に前記非磁性金属層と前記磁極層をメッキで形成し、あるいは前記下地層上に、前記補助磁極層、非磁性金属層及び磁極層をメッキで形成し、前記レジスト層を除去した後に、前記非磁性金属層および前記磁極層以外の領域、あるいは前記補助磁極層、非磁性金属層及び磁極層以外の領域で前記下地層を除去し、さらに前記非磁性金属層と前記磁極層の側面、あるいは前記補助磁極層、非磁性金属層及び磁極層の側面に付着した前記下地膜の材料をミリングで除去する請求項１０または１１に記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項１３】
前記（ｃ）の工程で前記レジスト層を除去した後に、前記非磁性金属層と前記磁極層の側面、あるいは前記補助磁極層、非磁性金属層及び磁極層の側面をミリングで削り、前記磁極層のトラック幅方向の幅寸法を設定する請求項１０ないし１２のいずれかに記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項１４】
前記（ｂ）の工程において、前記レジスト層に前記溝を形成する際に、前記溝のトラック幅方向の内幅寸法が、リターンパス層から離れるにしたがって徐々に広くなるようにして、前記磁極層のリターンパス側の端辺よりもヨーク層側の端辺を幅広とする請求項１０ないし１３のいずれかに記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項１５】
前記（ｅ）の工程でコイル層を形成した後に、前記コイル層の接続端の上に導電材料による底上げ層を形成し、前記（ｇ）の工程で、前記磁極層の上面および前記接続層の上面と、前記底上げ層の上面を同一面とし、前記接続層の上面に他の導電層を接続可能とする請求項１０ないし１４のいずれかに記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ハード膜を有するディスクなどの記録媒体に対して垂直磁界を与えて記録を行う垂直磁気記録ヘッドに係り、前記記録媒体のハード膜に記録磁束を集中して狭トラックで磁気データを記録でき且つ均一な品質の磁極を容易に製造できるようにした垂直磁気記録ヘッドおよびその製造方法を提供することを目的としている。
【０００２】
【従来の技術】
ディスクなどの記録媒体に磁気データを高密度で記録する装置として垂直磁気記録方式がある。図１８は前記垂直磁気記録方式の装置に使用される垂直磁気記録ヘッドの一般的な構造を示す断面図、図１９は前記図１８の垂直磁気記録ヘッドをＸＶＩＸ矢視方向から見た平面図である。
【０００３】
図１８に示すように、垂直磁気記録方式の垂直磁気記録ヘッドＨは、記録媒体上を浮上して移動しまたは摺動するスライダ１のトレーリング側端面に設けられるものであり、例えばスライダ１のトレーリング側端面１ａにおいて、前記垂直磁気記録ヘッドＨは、非磁性膜２と、非磁性の被覆膜３との間に配置される。
【０００４】
前記垂直磁気記録ヘッドＨは、強磁性材料で形成されたリターンパス層４と、前記リターンパス層４の上に間隔を開けて形成された同じく強磁性材料で形成された磁極層５とを有しており、前記リターンパス層４の端面４ａと前記磁極層５の端面５ａとが、記録媒体Ｍとの対向面Ｈａに現れている。前記対向面Ｈａよりも奥側において、前記リターンパス層４と前記磁極層５は、磁気接続部６において磁気的に接続されている。
【０００５】
前記リターンパス層４と前記磁極層５との間にはＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２などの無機材料による非磁性絶縁層７が位置しており、前記対向面Ｈａでは、この非磁性絶縁層７の端面７ａが、前記リターンパス層４の端面４ａと前記磁極層５の端面５ａとの間に現れている。
【０００６】
そして、前記非磁性絶縁層７内には、Ｃｕなどの導電性材料で形成されたコイル層８が埋設されている。
【０００７】
図１８に示すように、磁極層５の端面５ａの厚みｈｗは、リターンパス層４の端面４ａの厚みｈｒよりも小さく、図１９に示すように、磁極層５の端面５ａのトラック幅方向の幅寸法Ｔｗは、リターンパス層４の端面４ａの同方向での幅寸法Ｗｒよりも十分に短くなっている。その結果、対向面Ｈａでは、磁極層５の端面５ａの面積が、リターンパス層４の端面４ａでの面積よりも十分に小さい。
【０００８】
前記垂直磁気記録ヘッドＨにより磁気記録が行われる記録媒体Ｍは、垂直磁気記録ヘッドＨに対してＹ方向へ移動するものであり、その表面にハード膜Ｍａが内方にソフト膜Ｍｂが設けられている。
【０００９】
前記コイル層８に通電されることによりリターンパス層４と磁極層５とに記録磁界が誘導されると、リターンパス層４の端面４ａと、磁極層５の端面５ａとの間での漏れ記録磁界が、記録媒体Ｍのハード膜Ｍａを垂直に通過し、ソフト膜Ｍｂを通る。ここで、前記のように磁極層５の端面５ａの面積が、リターンパス層４の端面４ａでの面積よりも十分に小さくなっているため、磁極層５の端面５ａの対向部分で磁束φが集中し、端面５ａが対向する部分での前記ハード膜Ｍａに対し、前記磁束φにより磁気データが記録される。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
前記垂直磁気記録ヘッドＨでは、前記対向面Ｈａに現れている前記磁極層５の端面５ａの面積を小さくして洩れ記録磁界を集中させることが必要であり、また記録媒体Ｍへの高記録密度を達成するために、前記端面５ａのトラック幅方向の幅寸法Ｔｗを狭くすることが望まれている。一方において、コイル層８から誘導された磁界を対向面Ｈａへ導くために、前記磁極層５の奥側の領域５ｂにおいて、磁束を通過させる断面積を広くすることが必要である。
【００１１】
しかし、図１８に示す従来の一般的な構造の垂直磁気記録ヘッドＨでは、磁極層５が単一の膜で形成されて、その端面５ａが実質的な記録磁極として対向面Ｈａに現れているため、前記磁極層５の前記端面５ａの幅寸法Ｔｗのみを極端に小さくすることが難しい。すなわち、レジスト層に抜きパターンを形成し、その抜きパターン内に磁性材料をメッキなどで形成して前記磁極層５を形成する場合に、端面５ａを形成する部分でのみ前記抜きパターンの幅寸法を極端に小さくすることが難しく、また磁極層５を成膜した後においては、端面５ａの幅寸法Ｔｗをミリングなどで調整することができない。
【００１２】
また、図１８に示すように、前記磁極層５は、対向面Ｈａよりも内方において、非磁性絶縁膜７の除去部内に落ち込むように湾曲して前記リターンパス層４に接続され、前記磁気接続部６が形成されている。したがって磁極層５は湾曲面状に成膜されることになって、磁極層５の全体の膜厚の制御などが非常に難しくなる。また前記非磁性絶縁層７に除去部を形成する工程が必要になって、製造工程が複雑である。
【００１３】
さらに、磁極層５が単一の膜で形成されているため、記録磁極として機能する前記端面５ａのみを飽和磁束密度の高い磁性材料で形成するという構造を採用することができない。
【００１４】
本発明は上記従来の課題を解決するものであり、記録媒体との対向面に現れる磁極層のトラック幅方向の幅寸法の設定および調整が容易な垂直磁気記録ヘッドおよびその製造方法を提供することを目的としている。
【００１５】
また、磁極層に磁界を誘導するヨーク層を均一な膜厚で容易に形成できるようにした垂直磁気記録ヘッドおよびその製造方法を提供することを目的としている。
【００１６】
さらに本発明は、対向面に現れる記録磁極部分の飽和磁束密度を高める構造とすることが容易な垂直磁気記録ヘッドおよびその製造方法を提供することを目的としている。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、記録媒体との対向面に、リターンパス層と磁極層とが間隔を開けて位置し、前記対向面よりも奥側に前記リターンパス層と前記磁極層とに記録磁界を与えるコイル層が設けられ、前記磁極層に集中する垂直磁界によって、前記記録媒体に磁気データを記録する垂直磁気記録ヘッドにおいて、
前記対向面では、リターンパス層上に非磁性金属層と前記磁極層とが重ねられて前記両層がトラック幅方向へ所定幅寸法で形成され、
あるいは前記対向面では、リターンパス層上に、補助磁極層、非磁性金属層、および前記磁極層が重ねられて形成され、この積層膜がトラック幅方向へ所定幅で形成されており、
前記対向面よりも奥側では前記リターンパス層から立ち上がる接続層が設けられて、前記磁極層と前記接続層の上に前記両層を磁気的に接続するヨーク層が設けられており、前記コイル層は、前記積層膜よりも奥側で且つ前記リターンパス層と前記ヨーク層との間に配置されていることを特徴とするものである。
【００１８】
例えば、前記非磁性金属層と前記磁極層、あるいは前記補助磁極層、前記非磁性金属層及び前記磁極層は、メッキで形成されたものである。
【００１９】
また、前記磁極層の上面と、前記接続層の上面とが同一面上に位置し、前記ヨーク層が平坦膜として形成されているものが好ましい。
【００２０】
さらに、前記対向面に現れている前記リターンパス層の端面の面積よりも、前記対向面に現れている前記磁極層の端面の面積が小さく、且つ前記対向面と平行な断面での、前記磁極層の断面積が、前記ヨーク層の断面積よりも小さいことが好ましい。
【００２１】
また前記対向面に現れている前記磁極層の端面は、前記リターンパス層から離れるにしたがってトラック幅方向への幅寸法が広がる形状で形成され、前記端面の上面のトラック幅方向の幅寸法がトラック幅Ｔｗとして規制されることが好ましい。
【００２２】
また、前記磁極層の飽和磁束密度が、前記ヨーク層の飽和磁束密度よりも高いものとして構成することが可能である。
【００２３】
また、前記補助磁極層の飽和磁束密度が、前記リターンパス層の飽和磁束密度よりも高いものとして構成することが可能である。
【００２４】
さらに、前記磁極層の飽和磁束密度が、前記補助磁極層の飽和磁束密度よりも高いものとして構成することが可能である。
【００２５】
なお、前記ヨーク層の端面は、前記対向面よりも奥側に位置していることが好ましい。
【００２６】
次に、本発明は、以下の工程を有することを特徴とする垂直磁気記録ヘッドの製造方法である。
（ａ）磁性材料でリターンパス層を形成する工程、
（ｂ）前記リターンパス層の上にレジスト層を形成して、記録媒体との対向面となる部分で、前記レジスト層に、トラック幅方向へ所定の内幅寸法を有し且つ前記対向面から奥側へ所定の奥行きを有する溝を形成する工程、
（ｃ）前記溝内で、前記リターンパス層上に非磁性金属層および磁極層をメッキで形成し、その後に前記レジスト層を除去する工程、
（ｄ）前記（ｃ）の工程の前または後に、前記対向面よりも奥側で、前記リターンパス層の上に磁性材料で接続層を形成する工程、
（ｅ）前記非磁性金属層および前記磁極層よりも奥側の領域にコイル層を形成する工程、
（ｆ）前記コイル層を非磁性材料で覆う工程、
（ｇ）前記磁極層の上面および前記接続層の上面を同一面とする工程、
（ｈ）前記磁極層の上と前記接続層の上に、前記両層を磁気的に接続するヨーク層を形成する工程、
また、前記（ｃ）工程では、前記溝内で前記リターンパス層上に補助磁極層、非磁性金属層および磁極層をメッキで形成し、その後に前記レジスト層を除去してもよい。
【００２７】
また、前記（ｃ）の工程では、前記リターンパス層の上面に下地膜を形成して、前記下地膜上に前記非磁性金属層と前記磁極層をメッキで形成し、あるいは前記下地層上に、前記補助磁極層、非磁性金属層及び磁極層をメッキで形成し、前記レジスト層を除去した後に、前記非磁性金属層および前記磁極層以外の領域、あるいは前記補助磁極層、非磁性金属層及び磁極層以外の領域で前記下地層を除去し、さらに前記非磁性金属層と前記磁極層の側面、あるいは前記補助磁極層、非磁性金属層及び磁極層の側面に付着した前記下地膜の材料をミリングで除去する工程を含むことが可能である。
【００２８】
また、前記（ｃ）の工程で前記レジスト層を除去した後に、前記非磁性金属層と前記磁極層の側面、あるいは前記補助磁極層、非磁性金属層及び磁極層の側面をミリングで削り、前記磁極層のトラック幅方向の幅寸法を設定することも可能である。
【００２９】
さらに、前記（ｂ）の工程において、前記レジスト層に前記溝を形成する際に、前記溝のトラック幅方向の内幅寸法が、リターンパス層から離れるにしたがって徐々に広くなるようにして、前記磁極層のリターンパス側の端辺よりもヨーク層側の端辺を幅広とすることもできる。
【００３０】
また、前記（ｅ）の工程でコイル層を形成した後に、前記コイル層の接続端の上に導電材料による底上げ層を形成し、前記（ｇ）の工程で、前記磁極層の上面および前記接続層の上面と、前記底上げ層の上面を同一面とし、前記接続層の上面に他の導電層を接続可能とする構造とすることが好ましい。
【００３１】
本発明の垂直磁気記録ヘッドでは、磁極層とヨーク層とが別の層として形成されるため、前記磁極層の端面のトラック幅方向の寸法や、ギャップ長方向の高さ寸法を個別に設定し且つ調整することが可能である。よって狭トラックの磁極を形成することが容易である。
【００３２】
またヨーク層を前記磁極層とは別に形成できるので、このヨーク層の断面を大きくすることも可能であり、または平坦膜で形成するとヨーク層の成膜精度を高めることができる。
【００３３】
さらに、磁極層とヨーク層とを別の材料で形成することができ、例えば磁極層を高飽和磁束密度の磁性材料で形成して、磁極層に記録磁束を集中させることも可能である。
【００３４】
【発明の実施の形態】
図１（Ａ）は本発明の第１実施形態の垂直磁気記録ヘッドの構造を示す断面図、図１（Ｂ）は前記垂直磁気記録ヘッドを記録媒体との対向面から見た部分正面図、図２（Ａ）は本発明の第２実施形態の垂直磁気記録ヘッドの構造を示す断面図、図２（Ｂ）は前記垂直磁気記録ヘッドを記録媒体との対向面から見た部分正面図、図３は図１（Ａ）及び図２（Ａ）のＩＩＩ線矢視の平面図である。
【００３５】
図１に示す垂直磁気記録ヘッドＨ１、図２に示す垂直磁気記録ヘッドＨ２は記録媒体Ｍに垂直磁界を与え、記録媒体Ｍのハード膜Ｍａを垂直方向に磁化させるものである。
【００３６】
前記記録媒体Ｍは例えばディスク状であり、その表面に残留磁化の高いハード膜Ｍａが、内方に磁気透過率の高いソフト膜Ｍｂを有しており、ディスクの中心が回転軸中心となって回転させられる。
【００３７】
前記垂直磁気記録ヘッドＨ１、Ｈ２のスライダ１１はＡｌ２Ｏ３・ＴｉＣなどの非磁性材料で形成されており、スライダ１１の対向面１１ａが前記記録媒体Ｍに対向し、記録媒体Ｍが回転すると、表面の空気流によりスライダ１１が記録媒体Ｍの表面から浮上し、またはスライダ１１が記録媒体Ｍに摺動する。図１、２においてスライダ１１に対する記録媒体Ｍの移動方向はＹ方向である。
【００３８】
前記スライダ１１のトレーリング側端面１１ｂには、Ａｌ２Ｏ３またはＳｉＯ２などの無機材料による非磁性絶縁層５４が形成されて、この非磁性絶縁層の上に読取り部ＨＲが形成されている。前記読取り部ＨＲの上にＡｌ２Ｏ３またはＳｉＯ２などの無機材料による非磁性絶縁層１２が形成されて、前記非磁性絶縁層１２の上に本発明の記録用の垂直磁気記録ヘッドＨ１、Ｈ２が設けられている。そして垂直磁気記録ヘッドＨ１、Ｈ２は無機非磁性絶縁材料などで形成された保護層１３により被覆されている。そして前記垂直磁気記録ヘッドＨ１、Ｈ２の記録媒体との対向面Ｈ１ａは、前記スライダ１１の対向面１１ａとほぼ同一面である。
【００３９】
前記垂直磁気記録ヘッドＨ１、Ｈ２では、パーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ）などの強磁性材料がメッキされてリターンパス層２１が形成されている。図３に示すように、前記リターンパス層２１は所定の面積で形成されており、前記非磁性絶縁層１２は、前記リターンパス層２１の下（リターンパス層２１とスライダ１１のトレーリング側端面１１ｂとの間）および前記リターンパス層２１の周囲に形成されている。そして図１（Ａ）、図２（Ａ）に示すように、リターンパス層２１の表面（上面）２１ａと前記非磁性絶縁層１２の表面（上面）１２ａとは同一の平面上に位置している。
【００４０】
対向面Ｈ１ａ側において、前記リターンパス層２１の上面にはＮｉＦｅなどの導電性金属膜によるメッキ下地膜２２がスパッタにより成膜されている。
【００４１】
図１に示す実施形態では、前記下地膜２２の上には、非磁性金属層２３と磁極層２４とが連続してメッキで形成されている。メッキ可能な前記非磁性金属層２３は、ＮｉＰ、ＮｉＣｕ、ＮｉＭｎ、ＮｉＷ、ＮｉＢ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ａｕ、Ｃｕなどである。また前記磁極層２４は強磁性材料でメッキされたものであり、Ｎｉ−Ｆｅ、Ｃｏ−Ｆｅ、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏなどの飽和磁束密度の高い材料で形成されている。
【００４２】
なお、前記メッキ下地膜２２を形成せず、前記リターンパス層２１そのものをメッキ下地として使用して、前記非磁性金属層２３および磁極層２５をメッキで形成してもよい。
【００４３】
図１（Ｂ）に示すように、対向面Ｈ１ａに現れている前記下地膜２２、非磁性金属層２３および磁極層２４は、トラック幅方向（Ｘ方向）への幅寸法がほぼ同じとなるように形成されている。
【００４４】
前記対向面Ｈ１ａよりも奥側では、前記リターンパス層２１の表面２１ａに前記と同じメッキ下地膜２２が形成されており、このメッキ下地膜２２の上にＮｉ−Ｆｅなどの接続層２５が形成されている。
【００４５】
前記接続層２５の周囲において、前記リターンパス層２１の表面２１ａおよび前記非磁性絶縁層１２の表面１２ａ上に、Ａｌ２Ｏ３などの非磁性絶縁層２６が形成されて、この非磁性絶縁層２６の上にＣｕなどの導電性材料によりコイル層２７が形成されている。このコイル層２７はフレームメッキ法などで形成されたものであり、前記接続層２５の周囲に所定の巻き数となるように螺旋状にパターン形成されている。コイル層２７の巻き中心側の接続端２７ａ上には同じくＣｕなどの導電性材料で形成された底上げ層３１が形成されている。
【００４６】
前記コイル層２７および底上げ層３１は、レジスト材料などの有機材料の絶縁層３２で被覆されており、さらにＡｌ２Ｏ３などの無機絶縁層３３で覆われている。
【００４７】
そして、前記磁極層２４の表面（上面）２４ａ、接続層２５の表面（上面）２５ａ、底上げ層３１の表面（上面）３１ａ、および無機絶縁層３３の表面（上面）３３ａは、同一面となるように加工されている。そして、前記同一面とされた面上にはＮｉＦｅなどの強磁性材料で形成されたヨーク層３５が平坦膜として形成されている。このヨーク層３５は、前記磁極層２４の表面２４ａと接続層２５の表面２５ａに接続されており、これにより、リターンパス層２１、接続層２５および磁極層２４を結ぶ磁路が形成されている。
【００４８】
また、前記底上げ層３１の表面３１ａにはリード層３６が形成され、リード層３６から前記底上げ層３１およびコイル層２７に記録電流の供給が可能となっている。なお、前記リード層３６は、前記ヨーク層３５と同じ材料で形成でき、ヨーク層３５とリード層３６を、同時にメッキで形成することが可能である。
【００４９】
そして、前記ヨーク層３５および前記リード層３６が前記保護層１３に覆われている。なお、図１（Ｂ）に示すように、対向面Ｈ１ａには、前記リターンパス層２１の前端面２１ｂ、非磁性金属層２３の前端面２３ｂ、および磁極層２４の前端面２４ｂが現れているが、ヨーク層３５の前端面３５ａは、前記保護層１３内に埋没しており、対向面Ｈ１ａには現れていない。
【００５０】
図３（Ａ）の平面図に示すように、前記ヨーク層３５は、対向面Ｈ１ａ側である先部領域３５ｂでトラック幅方向の幅寸法Ｗｙが細くなり、後方領域３５ｃでトラック幅方向の幅寸法が徐々に大きくなる平面形状である。そして、前記前方領域３５ｂが磁極層２４の上に重ねられている。
【００５１】
あるいは図３（Ｂ）に示すように、前記ヨーク層３５が前記前方領域３５ｂを有することなく、奥側に至るにしたがって幅寸法Ｗｙが徐々に広がる形状であり、この幅寸法Ｗｙが徐々に広がる部分のヨーク層３５が前記磁極層２４の上に重ねられていてもよい。または図３（Ｃ）に示すように、磁極層２５の後方部２４ｃが幅寸法が徐々に広がる形状であり、この後方部２４ｃにヨーク層３５が重ねられていてもよい。
【００５２】
前記図３（Ｃ）のように、磁極層２４の後方部２４ｃが徐々に幅広になる形状であると、ヨーク層３５から磁極層２４への磁束の通過効率が良くなって、オーバーライト特性を向上できる。なお、図３（Ｃ）では前記磁極層２４の後方部２４ｃが、ヨーク層３５から前方に少しはみ出ているが、前記幅広の後方部２４ｃがヨーク層３５内に完全に入り込んだ平面形状にすると、ヨーク層３５から磁極層２４への磁束の通過効率がさらによくなる。
【００５３】
前記図３（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）のいずれの構造においても、対向面Ｈ１ａに現れている前記リターンパス層２１の前端面２１ｂのトラック幅方向の幅寸法Ｗｒよりも、対向面Ｈ１ａに現れている前記磁極層２４の前端面２４ｂのトラック幅方向の幅寸法Ｔｗが十分に小さくなっている。また図１（Ｂ）に示すように、リターンパス層２１の厚みｈｒよりも磁極層２４の厚みｈｗが小さくなっている。よって、対向面Ｈ１ａに現れている前記磁極層２４の前端面２４ｂの面積は、リターンパス層２１の前端面２１ｂの面積よりも十分に小さくなっている。また、磁極層２４の厚みｈｗは、ヨーク層３５の厚みｈｙよりも小さい。
【００５４】
そして、対向面Ｈ１ａと平行な面で切断したときの断面で見たときに、磁極層２４の断面積は、ヨーク層３５の後方領域部分の断面積よりも小さくなっている。
【００５５】
そして好ましくは、磁極層２４はヨーク層３５よりも飽和磁束密度Ｂｓが高い磁性材料で形成されている。
【００５６】
図２における垂直磁気記録ヘッドは、図１の垂直磁気記録ヘッドと対向面１１ａに現れるメッキ下地膜２２上に形成された積層膜の構成が異なるだけで、他の構造は図１と同じである。
【００５７】
図２では、前記メッキ下地膜２２の上には、補助磁極層２８、非磁性金属層２３及び磁極層２４が連続してメッキで形成されている。メッキ可能な前記非磁性金属層２３は、ＮｉＰ、ＮｉＣｕ、ＮｉＭｎ、ＮｉＷ、ＮｉＢ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ａｕ、Ｃｕなどである。また前記磁極層２４及び補助磁極層２８は強磁性材料でメッキされたものであり、Ｎｉ−Ｆｅ、Ｃｏ−Ｆｅ、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏなどの飽和磁束密度の高い材料で形成されている。
【００５８】
なお、前記メッキ下地膜２２を形成せず、前記リターンパス層２１そのものをメッキ下地として使用して、前記補助磁極層２８、非磁性金属層２３および磁極層２４をメッキで形成してもよい。
【００５９】
図２に示す垂直磁気記録ヘッドを平面から見た（図２に示すＩＩＩ方向から見た）構成は、例えば、既に説明した図３（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）のいずれかの構造で形成される。図３に示すように、対向面Ｈ１ａに現れている前記リターンパス層２１の前端面２１ｂのトラック幅方向の幅寸法Ｗｒよりも、対向面Ｈ１ａに現れている前記磁極層２４の前端面２４ｂのトラック幅方向の幅寸法Ｔｗが十分に小さくなっている。また図２（Ｂ）に示すように、リターンパス層２１の厚みｈｒよりも磁極層２４の厚みｈｗが小さくなっている。よって、対向面Ｈ１ａに現れている前記磁極層２４の前端面２４ｂの面積は、リターンパス層２１の前端面２１ｂの面積よりも十分に小さくなっている。また、磁極層２４の厚みｈｗは、ヨーク層３５の厚みｈｙよりも小さい。
【００６０】
そして、対向面Ｈ１ａと平行な面で切断したときの断面で見たときに、磁極層２４の断面積は、ヨーク層３５の後方領域部分の断面積よりも小さくなっている。
【００６１】
また図２（Ｂ）に示すように、対向面Ｈ１ａに現れる前記補助磁極層２８の前端面２８ｂの厚みはｈｌであり、この厚みｈｌは、前記磁極層２４の前端面２４ｂの厚みｈｗよりも小さいことが好ましい。
【００６２】
また対向面Ｈ１ａに現れている前記補助磁極層２８の前端面２８ｂのトラック幅方向の幅寸法は、対向面Ｈ１ａに現れている前記磁極層２４の前端面２４ｂのトラック幅方向の幅寸法Ｔｗと同じかそれよりも小さい。
【００６３】
従って図２で示す実施形態では、前記磁極層２４の前端面２４ｂの面積の方が、前記補助磁極層２８の前端面２８ｂの面積よりも大きくなっている。
【００６４】
またこの実施形態でも図１と同様に前記磁極層２４は前記ヨーク層３５よりも飽和磁束密度Ｂｓが高い磁性材料で形成されていることが好ましい。
【００６５】
また、補助磁極層２８の飽和磁束密度Ｂｓは、前記リターンパス層２１の飽和磁束密度Ｂｓよりも高いことが好ましい。
【００６６】
さらに、前記磁極層２４の飽和磁束密度Ｂｓは、前記補助磁極層２８の飽和磁束密度Ｂｓよりも高いことがより好ましい。
【００６７】
図１及び図２に示す垂直磁気記録ヘッドＨ１、Ｈ２では、リード層３６を介してコイル層２７に記録電流が与えられると、コイル層２７を流れる電流の電流磁界によってリターンパス層２１とヨーク層３５に記録磁界が誘導される。図１に示す垂直磁気記録ヘッドでは、図１（Ａ）に示すように、対向面Ｈ１ａでは、前記磁極層２４の前端面２４ｂとリターンパス層２１の前端面２１ｂからの漏れ記録磁界が、記録媒体Ｍのハード膜Ｍａを貫通しソフト膜Ｍｂを通過する。
【００６８】
また図２に示す垂直磁気記録ヘッドでは、図２（Ａ）に示すように、対向面Ｈ１ａでは、前記磁極層２４の前端面２４ｂと補助磁極層２８の前端面２８ｂからの漏れ記録磁界が、記録媒体Ｍのハード膜Ｍａを貫通しソフト膜Ｍｂを通過する。
【００６９】
図１及び図２のいずれの垂直磁気記録ヘッドでも、前記磁極層２４の前端面２４ｂの面積がリターンパス層２１の前端面２１ｂの面積よりも十分に小さいために、前記磁極層２４の前端面２４ｂに洩れ記録磁界の磁束φが集中し、この集中している磁束φにより前記ハード膜Ｍａが垂直方向へ磁化されて、磁気データが記録される。
【００７０】
図１及び図２に示す垂直磁気記録ヘッドＨ１では、磁極層２４とヨーク層３５とが別の層として形成されているため、磁極層２４のトラック幅方向の幅寸法Ｔｗおよび厚みｈｗを、ヨーク層３５の幅寸法Ｗｙおよび厚みｈｙと別のものとして設定することができる。したがって、磁極層２４の幅寸法Ｔｗを小さくして、狭トラックによる記録を可能にできる。しかもヨーク層３５を十分に大きな断面積となるように形成できるため、コイル層２７で誘導された記録磁界の多くの磁束をヨーク層３５から磁極層２４へ導くことができる。
【００７１】
そして、磁極層２４をヨーク層３５よりも飽和磁束密度の高い磁性材料で形成しておくと、幅寸法Ｔｗと厚みｈｗの小さい磁極層２４からハード膜Ｍａに対して密度の高い磁束φを垂直方向へ与えることが可能となり、オーバーライト特性が向上するようになる。
【００７２】
また図２に示す垂直磁気記録ヘッドのように、リターンパス層２１上に形成される積層膜を、補助磁極層２８、非磁性金属層２３、磁極層２４の積層構造とすると磁極層２４と補助磁極層２８間で漏れ磁束が発生するため、前記補助磁極層２８が形成されていない図１の垂直磁気記録ヘッドに比べて、ギャップ長（下部磁極層２８と磁極層２４間の距離）を容易にしかも適切に小さくすることができる。
【００７３】
前記ギャップ長は、オーバーライト特性などの記録特性の向上を図る上で重要な要素であり、前記ギャップ長を記録媒体Ｍの特性に合わせて適切に調整することで記録特性を良好にすることができる。
【００７４】
したがって例えば、前記記録媒体Ｍの特性に合わせて、ギャップ長を、図１に示すリターンパス層２１と磁極層２４間のギャップ距離よりも短くしたいときには、本発明では、図２のように積層膜を補助磁極層２８、非磁性金属層２３及び磁極層２４の３層構造にして狭ギャップ化を図ることができ、従来に比べてギャップ長の調整の自由度を増すことができる。
【００７５】
また図２のように補助磁極層２８を形成し、この補助磁極層２８のトラック幅方向における幅寸法をトラック幅Ｔｗと同等かあるいはそれより小さくすることで、磁極層２４と補助磁極層２８間で発生する漏れ磁束のトラック幅方向への磁束幅は、トラック幅Ｔｗ内に収まりやすくなる。よって補助磁極層２８を形成する方が、磁極層２４からの垂直磁界の磁束幅を適切にトラック幅Ｔｗ内に集約させることができるものと考えられる。
【００７６】
なお記録媒体Ｍの特性によっては図１のように補助磁極層２４を設けずギャップ長を広くした垂直磁気記録ヘッドの構造の方がオーバーライト特性などの記録特性の向上を図る上で好ましい場合もあり、従って図１あるいは図２のどちらの構造で垂直磁気記録ヘッドを形成するかは記録媒体Ｍの特性などを考慮して決定する必要がある。
【００７７】
また図２では、リターンパス層２１の飽和磁束密度よりも補助磁極層２８の飽和磁束密度を高くすることで、前記補助磁極層２８と磁極層２４間でより適切に漏れ磁束を発生させることができ、また前記補助磁極層２８の飽和磁束密度よりも磁極層２４の飽和磁束密度を高くすることで、前記磁極層２４からの前記ハード膜Ｍａに対する垂直磁界を大きくすることができる。
【００７８】
また磁極層２４及び補助磁極層２８は単一の磁性層で形成されても複数の磁性層が重なった積層構造で形成されてもどちらでもよいが、多層で形成されるときは非磁性金属層２３と接する磁性層が、他の磁性層に比べて高い飽和磁束密度を有することが好ましい。
【００７９】
次に前記垂直磁気記録ヘッドＨ１の製造工程の一例を説明する。図４ないし図１０は製造方法を工程別に示したものであるが、各図において（Ａ）は断面図、（ｂ）は対向面Ｈ１ａから見た部分正面図である。
【００８０】
まず図４に示すように、非磁性絶縁層１２およびリターンパス層２１を形成する。この形成工程は、非磁性絶縁材料を平坦にスパッタ成膜して、その上にフレームメッキ法によってリターンパス層２１を形成し、前記リターンパス層２１以外の領域に再度非磁性絶縁材料をスパッタして、リターンパス層２１の下および周囲を非磁性絶縁層２１で覆うようにする。
【００８１】
ここで、前記リターンパス層２１の表面２１ａと非磁性絶縁層１２の表面１２ａをＣＭＰ研磨処理などで同一面となるように研磨する。そして、同一面となった前記リターンパス層２１の表面２１ａおよび非磁性絶縁層１２の表面１２ａにメッキ下地膜２２をスパッタにて成膜する。
【００８２】
次に、図５に示すように、前記メッキ下地膜２２の上にレジスト層４１を形成する。前記レジスト層４１をパターン露光して現像することにより、対向面Ｈ１ａとなる部分に溝４１ａを形成する。この溝４１ａはトラック幅方向に所定の内幅寸法を有し、また対向面Ｈ１ａからの奥方向へ所定の奥行き寸法を有するように形成する。
【００８３】
ここで、図４に示すように前記リターンパス層２１の表面２１ａおよび非磁性絶縁層１２の表面１２ａはＣＭＰ処理により平坦に加工されているため、前記レジスト層４１を均一な膜厚に形成できる。よって、前記溝４１ａの露光・現像処理の際に、溝４１ａの内幅寸法を高精度にすなわちばらつきを生じることなく形成できる。
【００８４】
そして、前記溝４１ａ内において、前記メッキ下地膜２２を電極として使用し、非磁性金属層２３と磁極層２４とを連続的にメッキ形成する。その後に前記レジスト層４１を除去する。なお図２に示す垂直磁気記録ヘッドを得たい場合には、前記メッキ下地膜２２上に補助磁極層２８、非磁性金属層２３及び磁極層２４を連続してメッキ形成すればよい。
【００８５】
前記非磁性金属層２３と磁極層２４とを形成した後に、前記メッキ下地膜２２および前記非磁性金属層２３と磁極層２４とを覆うレジスト層を形成し、前記レジスト層に溝を形成して、この溝内において前記メッキ下地膜２２上に接続層２５をメッキで形成する。そして前記レジスト層を除去する。なお、前記非磁性金属層２３と磁極層２４を形成する前に、前記接続層２５を形成することも可能である。
【００８６】
そして図６に示すように、前記非磁性金属層２３および磁極層２４ならびに前記接続層２５を除く領域の前記メッキ下地膜２２をイオンミリングで除去する。ここで、前記メッキ下地膜２２をイオンミリングで除去する際に、図６（Ｂ）に示す前記非磁性金属層２３と磁極層２４との両側面に（ｉ）で示すように前記メッキ下地膜２２の無機材料がスパッタ現象で付着する。よって、前記メッキ下地膜２２を除去した後に、図６（Ｂ）で示す斜めの（ｉｉ）方向からイオンミリング処理を行なって、前記両側面に付着した無機材料を除去する。このとき、前記斜めのイオンミリングにより非磁性金属層２３と磁極層２４の両側面を削ることができる。この削り量を制御することで、完成後の磁極層２４のトラック幅方向の幅寸法Ｔｗを調整することが可能である。
【００８７】
なおメッキ下地膜２２上に補助磁極層２８、非磁性金属層２３及び磁極層２４をメッキ形成した場合には、図６（Ｂ）に示す（ｉｉ）方向からのイオンミリングを行うことで、前記補助磁極層２８、非磁性金属層２３及び磁極層２４の両側面を削ることができ、この削り量を調整することで、完成後の磁極層２４のトラック幅方向の幅寸法Ｔｗを調整することができる。
【００８８】
次に、図７に示すように、前記磁極層２４の上面と側面、非磁性金属層２３の側面、接続層２５の上面と側面、およびリターンパス層２１の表面、さらには非磁性絶縁層１２の表面に、無機材料をスパッタして非磁性絶縁層２６を形成する。
【００８９】
そして図８に示すように、前記非磁性絶縁層２６の上にフレームメッキ法によりコイル層２７を形成し、さらに底上げ層３１を同じくメッキにより形成する。このときコイル層２７は、前方に位置する前記非磁性金属層２３および磁極層２４と、後方に位置する接続層２５の高さよりも十分に低い位置に形成する。そして前記コイル層２７と底上げ層３１を有機材料の絶縁層３２で覆い、さらに、無機材料をスパッタして、全ての層を覆う無機絶縁層３３を形成する。
【００９０】
次に、図８の状態に成膜された各層に対して、図示上方からＣＭＰ処理などによる研磨加工を行なう。この研磨加工は、磁極層２４、接続層２５および底上げ層３１の全てを横断する水平面（Ｌ−Ｌ面）の位置まで行なう。
【００９１】
前記研磨加工の結果、図９に示すように、磁極層２４の表面２４ａ、接続層２５の表面２５ａ、無機絶縁層３３の表面３３ａおよび底上げ層３１の表面３１ａが全て同一面となるように加工される。
【００９２】
そして、図１０に示すように、前記同一面の上にレジスト層４２を形成し、露光・現像処理を行なって、図３に示すヨーク層３５を形成するための抜きパターン４２ａを形成する。そして抜きパターン４２ａ内でＮｉ−Ｆｅ材料をメッキ成長させてヨーク層３５を形成する。このヨーク層３５は平坦な面上でメッキ形成されるため、厚みが一定となり、特性のばらつきの少ないヨーク層３５を得ることができる。なお、前記ヨーク層３５と同時に図１（Ａ）、図２（Ａ）に示すリード層３６を形成することも可能である。
【００９３】
次に、前記レジスト層４２を除去し、図１（Ａ）、図２（Ａ）に示す保護層１３を形成する。さらに対向面Ｈ１ａを研磨して、対向面Ｈ１ａに、リターンパス層２１の前端面２１ｂ、非磁性金属層２３と磁極層２４からなる積層膜の前端面２３ｂ、２４ｂ、および補助磁極層２８、非磁性金属層２３、磁極層２４からなる積層膜の前端面２８ｂ、２３ｂ、２４ｂを同一面となるように露出させる。
【００９４】
また必要に応じて、図１（Ａ）、図２（Ａ）に示すスライダ１１の対向面１１ａと垂直磁気記録ヘッドＨ１、Ｈ２の対向面Ｈ１ａとが、ＤＬＣなどのカーボンを主体とする耐摩耗性の保護膜で覆われる。
【００９５】
ここで、図１１は、図５（Ｂ）を拡大して示した部分正面図である。
前記図５（Ｂ）の工程においてメッキ下地膜２２上にレジスト層４１が形成されて、このレジスト層４１に、非磁性金属層２３と磁極層２４を形成するための溝４１ａが形成される。このとき、図１１に示すように前記溝４１ａはレジスト層４１の膜厚方向に細長く形成されるため、通常は露光・現像の際に、前記溝４１ａのトラック幅方向の内幅寸法Ｗが、リターンパス層２１から離れるにしたがって徐々に広くなる。またレジスト層４１の材料を選択することで、前記内幅寸法Ｗの広がりをさらに顕著にすることができ、また溝４１ａを形成した後に、レジスト層４１をベークすればさらに前記内幅寸法の広がりを大きくできる。
【００９６】
このようにリターンパス層２１から離れるにしたがって内幅寸法が徐々に広くなる形状の溝４１ａ内で磁極層２４を形成し、図８に示す水平面（Ｌ−Ｌ面）で研磨すると、完成した磁極層２４の前端面２４ｂの形状は、図１２（部分正面図）に示すようにリターンパス層２１側の端辺２４ｃの幅寸法Ｔ１よりも、ヨーク層３５側の端辺（上面）２４ｄの幅寸法（トラック幅）Ｔｗの方が長くなり、両側辺２４ｅ，２４ｅはヨーク層３５に向うにしたがって徐々に広くなるような湾曲面あるいはテーパ面となる。
【００９７】
また図１３及び図１４は、積層膜が図２のように補助磁極層２８、非磁性金属層２３及び磁極層２４の積層構造で形成されたときの部分正面図であるが、かかる場合も、磁極層２４のリターンパス層２１側の端辺２４ｃの幅寸法Ｔ１よりも、ヨーク層３５側の端辺（上面）２４ｄの幅寸法（トラック幅）Ｔｗの方が長くなり、両側辺２４ｅ，２４ｅはヨーク層３５に向うにしたがって徐々に広くなるような湾曲面あるいはテーパ面となる。
【００９８】
また図１３及び図１４に示すように、前記補助磁極層２８のトラック幅方向における幅寸法は、磁極層２４のリターンパス層２１側の端辺２４ｃの幅寸法Ｔ１と同等か、それよりも小さくなっており、また前記補助磁極層２８の膜厚は、前記磁極層２４の膜厚に比べて小さく形成されている。従って、この実施形態では前記磁極層２４の前端面２４ｂの面積の方が、補助磁極層２８の前端面２８ｂの面積に比べて大きくなっている。
【００９９】
図１１ないし図１４に示す形状の利点について以下に説明する。
図１５（Ａ）は、前記磁極層２４の前端面２４ｂと、記録媒体Ｍのハード膜Ｍａとの相対移動状態を示している。
【０１００】
スライダ１がディスク状の記録媒体Ｍの外周と内周との間を移動する際に、記録媒体Ｍの回転接線方向（図示Ｙ方向）に対して前記磁極層２４の側辺２４ｇが傾くスキュー角が発生することがある。
【０１０１】
このとき本発明のように前記磁極層２４の前端面２４ｂの側辺２４ｇ，２４ｇが傾斜面あるいは湾曲面とされ、前記前端面２４ｂの形状が略逆台形状であると、実際に記録媒体に記録を行うとき、図１５（Ａ）の破線で示すようにスキュー角を生じたとしても、（ｉｉｉ）で示す前記側辺２４ｇが記録トラック幅Ｔｗ１から側方へ斜めに大きくはみ出すことがない。よって前記側辺２４ｇによるフリンジングを防止できるようになり、オフトラック性能の向上を図ることができる。
【０１０２】
一方、図１５（Ｂ）に示すように磁極層２４の前端面２４ｂが正方形または長方形であると、磁極層２４の側辺２４ｇが、記録媒体の移動接線方向（図示Ｙ方向）に対してスキュー角を有すると、破線で示すように磁極層の側辺２４ｇがトラック幅Ｔｗ１内に斜めの漏れ磁界を与えてフリンジングＦが発生し、オフトラック性能の低下を招く。
【０１０３】
従って本発明では図１５（Ａ）のように、前記磁極層２４の前端面２４ｂの側辺２４ｇ，２４ｇが傾斜面あるいは湾曲面とされ、前記前端面２４ｂの形状が略逆台形状であることが、フリンジングＦの発生を適切に抑制できて好ましい。
【０１０４】
なお、前記実施の形態では、図１（Ａ）及び図２（Ａ）に示すように、スライダ１１のトレーリング側端面１１ｂに読取り部ＨＲと垂直磁気記録用の垂直磁気記録ヘッドＨ１が重ねられている。前記読取り部ＨＲは上部シールド層５１と下部シールド層５２と、前記両シールド層５１と５２との間の無機絶縁層（ギャップ絶縁層）内に位置する読み取り素子５３とを有している。前記読み取り素子５３は、ＡＭＲ、ＧＭＲ、ＴＭＲなどの磁気抵抗効果を利用した素子である。
【０１０５】
また、前記上部シールド層５１とリターンパス層を一体化して、ひとつの磁性層で前記上部シールド層とリターンパス層の機能を発揮させてもよい。
【０１０６】
なお、前記読取り部ＨＲを設けず、スライダ１１のトレーリング側端部に前記垂直磁気記録用の垂直磁気記録ヘッドＨ１のみを搭載してもよい。
【０１０７】
【実施例】
本発明では図１及び図２に示す構造の垂直磁気記録ヘッドを用いて、記録電流の大きさとオーバーライト特性との関係、および記録電流と再生出力との関係について調べた。
【０１０８】
実験では図１に示す垂直磁気記録ヘッドのリターンパス層２１と磁極層２４間の距離を３μｍとした。また図２に示す垂直磁気記録ヘッドの補助磁極層２８と磁極層２４間の距離を０．２μｍとした。
【０１０９】
また、記録媒体Ｍには、ハード膜Ｍａの保磁力Ｈｃが３０００Ｏｅ（約２．３７×１０５Ａ／ｍ）でソフト膜Ｍｂが膜厚１０００Å程度のＮｉＦｅ合金で形成されたものを使用した。
【０１１０】
図１６は、記録電流とオーバーライト特性との関係について調べた実験結果である。オーバーライト特性とは重ね書きのことであり、先ず低周波で記録をし、さらに高周波で重ね書きをして、その状態で低周波での記録信号の残留出力が高周波で重ね書きをする前の前記低周波での記録信号の出力からどれほど低下したかで評価したものである。
【０１１１】
オーバーライト特性は、絶対値で大きい方が好ましく、この実験では図１の垂直磁気記録ヘッドの構造及び図２の垂直磁気記録ヘッドの構造では、−４０（ｄＢ）程度のオーバーライト特性を満たすので両ヘッド共に十分である。
【０１１２】
図１７は、記録電流と再生出力との関係について調べた実験結果である。実験では図１及び図２に示す垂直磁気記録ヘッドを用いて記録媒体Ｍに信号を記録した後、その記録信号をＧＭＲ素子を有す読み取り部ＨＲで再生した。
【０１１３】
図１７に示すように図１の垂直磁気記録ヘッドの構造では、記録電流が大きくなるほど再生出力が低下しやすくなることがわかる。一方、図２の垂直磁気記録ヘッドの構造では図１に比べて再生出力の低下がほとんど見られないことがわかる。
【０１１４】
なお上記した図１７に示す実験結果では、図２の垂直磁気記録ヘッドの構造の方が図１に示す垂直磁気記録ヘッドの構造よりも再生出力を安定化させることができるが、記録特性の向上には記録媒体Ｍの特性に合わせて、垂直磁気記録ヘッドの構造を適正化することが重要である。
【０１１５】
垂直磁気記録ヘッドを用いて記録特性の向上を図るのに重要な点の一つは、磁極層２４とリターンパス層２１（図２では補助磁極層２３）間のギャップ距離である。このギャップ距離を、記録媒体Ｍの特性に合わせて適正化することで前記記録特性の向上を図ることが可能になるのである。従って、必要なギャップ距離などを考慮して垂直磁気記録ヘッドの構造を、記録媒体Ｍの特性に合わせてその都度選択することが必要であると考えられる。
【０１１６】
【発明の効果】
以上のように本発明では、垂直磁気記録用の磁極層のトラック幅方向の幅寸法をヨーク層とは別個に調整することが可能である。また磁極層の断面を小さくしたときに、ヨーク層は大きな断面積を有するものにでき、コイル層から誘導された記録磁界を、前記ヨーク層から磁極層へ効果的に導くことができる。さらにヨーク層を平坦面上にメッキ形成することができ、膜厚のばらつきなどを防止できる。
【０１１７】
そして本発明の製造方法では、各層を平坦面上に形成するという手法をとっているため、各層の膜厚や幅寸法をばらつくことなく設定することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（Ａ）は本発明の第１実施形態の垂直磁気記録ヘッドが記録媒体に対向している状態を示す断面図、（Ｂ）は（Ａ）に示す垂直磁気記録ヘッドを記録媒体との対向面から見た正面図、
【図２】（Ａ）は本発明の第２実施形態の垂直磁気記録ヘッドが記録媒体に対向している状態を示す断面図、（Ｂ）は（Ａ）に示す垂直磁気記録ヘッドを記録媒体との対向面から見た正面図、
【図３】（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）は、図１（Ａ）及び図２（Ａ）のＩＩＩ矢視の平面を実施の形態別に示す平面図、
【図４】垂直磁気記録ヘッドの製造工程を説明するものであり、（Ａ）は断面図、（Ｂ）は対向面から見た正面図、
【図５】垂直磁気記録ヘッドの製造工程を説明するものであり、（Ａ）は断面図、（Ｂ）は対向面から見た正面図、
【図６】垂直磁気記録ヘッドの製造工程を説明するものであり、（Ａ）は断面図、（Ｂ）は対向面から見た正面図、
【図７】垂直磁気記録ヘッドの製造工程を説明するものであり、（Ａ）は断面図、（Ｂ）は対向面から見た正面図、
【図８】垂直磁気記録ヘッドの製造工程を説明するものであり、（Ａ）は断面図、（Ｂ）は対向面から見た正面図、
【図９】垂直磁気記録ヘッドの製造工程を説明するものであり、（Ａ）は断面図、（Ｂ）は対向面から見た正面図、
【図１０】垂直磁気記録ヘッドの製造工程を説明するものであり、（Ａ）は断面図、（Ｂ）は対向面から見た正面図、
【図１１】図５（Ｂ）の拡大図、
【図１２】図１１の垂直磁気記録ヘッドにおいて、完成した垂直磁気記録ヘッドの磁極層の前端面の形状を示す拡大正面図、
【図１３】図５（Ｂ）時における積層膜が補助磁極層、非磁性金属層、磁極層の３層構造で形成されたときの拡大図、
【図１４】図１３の垂直磁気記録ヘッドにおいて、完成した垂直磁気記録ヘッドの磁極層の前端面の形状を示す拡大正面図、
【図１５】垂直磁気記録ヘッドにスキュー角が発生した状態を示す説明図であり、（Ａ）は本発明、（Ｂ）は比較例を示す、
【図１６】図１及び図２に示す構造の垂直磁気記録ヘッドの、記録電流とオーバーライト特性との関係を示すグラフ、
【図１７】図１及び図２に示す構造の垂直磁気記録ヘッドの、記録電流と再生出力との関係を示すグラフ、
【図１８】従来の垂直磁気記録ヘッドを示す断面図、
【図１９】従来の垂直磁気記録ヘッドの平面図、
【符号の説明】
Ｈ１  垂直磁気記録ヘッド
Ｈ１ａ  対向面
Ｍ  記録媒体
Ｍａ  ハード膜
Ｍｂ  ソフト膜
１１  スライダ
１２  非磁性絶縁層
１３  保護層
２１  リターンパス層
２２  メッキ下地膜
２３  非磁性金属層
２４  磁極層
２５  接続層
２６  非磁性絶縁層
２８  補助磁極層
２７  コイル層
３１  底上げ層
３２  有機材料の絶縁層
３３  無機絶縁層
３５  ヨーク層
３６  リード層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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