(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のローカルバスから構成され、かつ、各々のローカルバスを複数の第１スイッチにより接続し、全体としてリング状に構成されるデータ・バスと、
各々のローカルバスに接続される１つ以上のブロックと、
各々のローカルバスに接続されるプリチャージ回路と、
互いに隣接しないローカルバス同士を第２スイッチを経由して接続するためのバイパスと、
前記複数のローカルバスのうち所定の１つのローカルバスに接続されるブロック間でデータのやりとりを行う場合には、前記複数の第１スイッチ及び前記第２スイッチの全てをオフ状態にし、かつ、前記所定の１つのローカルバスのみをプリチャージするように制御し、
前記複数のローカルバスのうち異なる２つのローカルバスに接続されるブロック間でデータのやりとりを行う場合には、前記異なる２つのローカルバスを最短距離で接続するように前記複数の第１スイッチ及び前記第２スイッチを制御し、かつ、前記異なる２つのローカルバス及びこれらの間を前記最短距離で接続するローカルバスをプリチャージするように制御する制御回路とを具備し、
前記バイパスには、ブロックが接続されないことを特徴とするローパワー高速バス。
【請求項２】
請求項１に記載のローパワー高速バスにおいて、前記複数のローカルバスは、４つ以上存在することを特徴とするローパワー高速バス。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、マイクロプロセッサ、論理ＬＳＩなどのチップ内に形成される内部バス、及び複数のチップの接続やＬＡＮ（ｌｏｃａｌ  ａｒｅａ  ｎｅｔｗｏｒｋ）などに使用される外部バスの改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、マイクロプロセッサやマイクロコンピュ−タなどでは、低消費電力化を達成するために、デ−タ・バスを複数に分割したり、又はデ−タ・バスをリング状にするなどの工夫がなされている。
【０００３】
図１０は、従来のバスシステムの一例を示すものである。
このバスシステムでは、デ−タ・バスを２つに分割している。なお、以下の説明を簡単にするため、デ−タ・バス（通常、複数ビットを同時に転送可能に構成される）の１ビット転送分のみについて説明する。
【０００４】
１−１，１−２，…は、ブロック、例えば、マイクロプロセッサ内の回路ブロックや、パソコンなどであり、ブロック１−１は、バス２−１に接続され、ブロック１−２は、バス２−２に接続されている。
【０００５】
ブロック１−１は、バス２−１と接地点の間に直列接続されるＮチャネルＭＯＳトランジスタＴＮ１，ＴＮ２を有している。ＭＯＳトランジスタＴＮ１のゲ−トには、ブロック１−１の選択信号Ｅ１、即ちブロック１−１からバス２−１へのデ−タ出力の可否を決定する信号が入力されている。ＭＯＳトランジスタＴＮ２のゲ−トには、バス２−１に出力するデ−タＱ１が印加されている。
【０００６】
ブロック１−２は、バス２−２と接地点の間に直列接続されるＮチャネルＭＯＳトランジスタＴＮ３，ＴＮ４を有している。ＭＯＳトランジスタＴＮ３のゲ−トには、ブロック１−２の選択信号Ｅ２、即ちブロック１−２からバス２−２へのデ−タ出力の可否を決定する信号が入力されている。ＭＯＳトランジスタＴＮ４のゲ−トには、バス２−２に出力するデ−タＱ２が印加されている。
【０００７】
バス２−１には、バスプリチャ−ジ回路３−１が接続されている。バスプリチャ−ジ回路３−１は、バス２−１と電源の間に接続されるＰチャネルＭＯＳトランジスタＴＰ１から構成されている。ＭＯＳトランジスタＴＰ１のゲ−トには、クロックφが入力されている。バスプリチャ−ジ回路３−１は、ブロック間におけるデ−タの転送を行う前に、バス２−１を例えば高レベル“１”にプリチャ−ジする。
【０００８】
バス２−２には、バスプリチャ−ジ回路３−２が接続されている。バスプリチャ−ジ回路３−２は、バス２−２と電源の間に接続されるＰチャネルＭＯＳトランジスタＴＰ２から構成されている。ＭＯＳトランジスタＴＰ２のゲ−トには、クロックφが入力されている。バスプリチャ−ジ回路３−２は、ブロック間におけるデ−タの転送を行う前に、バス２−２を例えば高レベル“１”にプリチャ−ジする。
【０００９】
バス２−１とバス２−２の間には、バス結合回路４が接続されている。バス結合回路４は、ＮＯＲ回路５，６及びＮチャネルＭＯＳトランジスタＴＮ５，ＴＮ６から構成されている。
【００１０】
ＮＯＲ回路５には、バス２−１の電位とクロック／φが入力され、ＮＯＲ回路６には、バス２−２の電位とクロック／φが入力されている。ＮＯＲ回路５の出力信号は、ＭＯＳトランジスタＴＮ６のゲ−トに入力され、ＮＯＲ回路６の出力信号は、ＭＯＳトランジスタＴＮ５のゲ−トに入力されている。
【００１１】
上述のバスシステムの動作について説明する。
まず、ブロック１−１からバス２−１にデ−タ“１”を出力し、このデ−タ“１”をバス２−２に伝える場合を説明する（但し、バスの論理は負論理）。
【００１２】
クロックφが“０”になると、ＭＯＳトランジスタＴＰ１，ＴＰ２がオン状態となり、バス２−１，２−２がプリチャ−ジされる。この時、各ブロック１−１，１−２のＭＯＳトランジスタＴＮ１〜ＴＮ４は、オフ状態となっている。
【００１３】
この後、クロックφが“１”になると、ブロック１−１の選択信号Ｅ１も“１”となる。ブロック１−１から出力されるデ−タＱ１が“１”の場合、ＭＯＳトランジスタＴＮ２がオン状態となり、バス２−１がディスチャ−ジされる。その結果、バス２−１のレベルは“０”となる（バスの論理は負論理）。
【００１４】
また、ＮＯＲ回路５の２つの入力レベルは、共に“０”となるため、その出力レベルは、“１”となる。
従って、ＭＯＳトランジスタＴＮ６がオン状態となり、バス２−２がディスチャ−ジされる。
【００１５】
なお、バス２−２に接続されるブロックのうち所定の１つのブロックが、このバス２−２のデ−タを受け取る。
次に、ブロック１−１からバス２−１にデ−タ“０”を出力し、このデ−タ“０”をバス２−２に伝える場合を説明する（但し、バスの論理は負論理）。
【００１６】
クロックφが“０”になると、ＭＯＳトランジスタＴＰ１，ＴＰ２がオン状態となり、バス２−１，２−２がプリチャ−ジされる。この時、各ブロック１−１，１−２のＭＯＳトランジスタＴＮ１〜ＴＮ４は、オフ状態となっている。
【００１７】
この後、クロックφが“１”になると、ブロック１−１の選択信号Ｅ１も“１”となる。ブロック１−１から出力されるデ−タＱ１が“０”の場合、ＭＯＳトランジスタＴＮ２はオフ状態であり、バス２−１のレベルは“１”に保持される（バスの論理は負論理）。
【００１８】
また、バス２−１のレベルが“１”であるため、ＮＯＲ回路５の出力レベルは、“０”となる。
従って、ＭＯＳトランジスタＴＮ６はオフ状態であり、バス２−２のレベルは“１”に保持される。
【００１９】
なお、バス２−２に接続されるブロックのうち所定の１つのブロックが、このバス２−２のデ−タを受け取る。
上記構成のバスシステムによれば、デ−タ・バスが２つに分割されているため、各バスの負荷容量は、デ−タ・バスを分割しない場合に比べて１／２に削減される。従って、デ−タの授受が、バス２−１内のみ又はバス２−２内のみで行われる場合には、バス上におけるデ−タ転送を高速（約２倍）に行うことが可能になる。
【００２０】
図１１は、従来のバスシステムの他の一例を示すものである。
このバスシステムでは、デ−タ・バス２をリング状にしている。即ち、リング状のデ−タ・バス２に、複数のブロックからなるブロック群Ａ〜Ｄが接続されている。
【００２１】
上記構成のバスシステムによれば、バス２が直線状の場合に比べて、バス２上におけるデ−タ転送の抵抗値を小さくすることができる。例えば、ブロック群Ａとブロック群Ｄの間でデ−タの授受を行う場合には、バス２の抵抗は、距離Ｌ分のみとなる。
【００２２】
【発明が解決しようとする課題】
図１０に示すように、デ−タ・バスを２つに分割する構成の場合、各バス２−１，２−２は、デ−タの授受の有無に関係なく、常にプリチャ−ジされ、かつ、デ−タの値によってはディスチャ−ジされる。
【００２３】
即ち、例えば、バス２−１内でのみデ−タの授受が行われる場合においても、バス２−２では、プリチャ−ジが行われ、かつ、デ−タの値によってはディスチャ−ジも行われている。
【００２４】
従って、図１０に示す構成では、低消費電力化に不利である。
また、デ−タの授受をバス２−１とバス２−２の間で行う場合には、バスに寄生する負荷容量は、バスを分割しない場合と同じであり、バス上におけるデ−タ転送の高速化に不利である。
【００２５】
図１１に示すように、デ−タ・バス２をリング状にする構成の場合、低消費電力化には貢献できない。
また、バス２の負荷容量も、バスを分割しない場合と同じであり、バス上におけるデ−タ転送の高速化に不利である。
【００２６】
本発明は、上記欠点を解決すべくなされたもので、その目的は、負荷容量及び負荷抵抗を削減できると共に、低消費電力化にも有利なバスシステムを提供することである。
【００２７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明のロ−パワ−高速バスは、複数のロ−カルバスから構成され、かつ、各々のロ−カルバスを複数のスイッチにより接続し、全体としてリング状に構成されるデ−タ・バスと、各々のロ−カルバスに接続される１つ以上のブロックと、前記複数のロ−カルバスのうち所定の１つのロ−カルバスに接続されるブロック間でデ−タのやりとりを行う場合には、前記複数のスイッチの全てをオフ状態に制御し、前記複数のロ−カルバスのうち異なる２つのロ−カルバスに接続されるブロック間でデ−タのやりとりを行う場合には、前記異なる２つのロ−カルバスを最短距離で接続するように前記複数のスイッチを制御する制御回路とを備えている。
【００２８】
本発明のロ−パワ−高速バスは、さらに、各々のロ−カルバスに接続されるプリチャ−ジ回路を備え、前記制御回路は、前記複数のロ−カルバスのうち所定の１つのロ−カルバスに接続されるブロック間でデ−タのやりとりを行う場合には、前記所定の１つのロ−カルバスのみをプリチャ−ジし、前記複数のロ−カルバスのうち異なる２つのロ−カルバスに接続されるブロック間でデ−タのやりとりを行う場合には、前記異なる２つのロ−カルバスを最短距離で接続したときにデ−タが通過するバスのみをプリチャ−ジする。
【００２９】
前記複数のロ−カルバスが４つ以上の場合には、互いに隣接しないロ−カルバス同士をスイッチを経由して接続するためのバイパスを備える。
前記スイッチは、互いに並列接続されるＰチャネル型ＭＯＳトランジスタとＮチャネル型ＭＯＳトランジスタから構成されるか、又はトライステ−トバッファから構成される。
【００３０】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら、本発明のロ−パワ−高速バスについて詳細に説明する。
本発明のロ−パワ−高速バスは、マイクロプロセッサ、論理ＬＳＩなどのチップ内に形成される内部バス、及び複数のチップの接続やＬＡＮなどに使用される外部バスに使用される。
【００３１】
図１は、本発明の第１実施の形態に関わるバスシステムを示すものである。
なお、以下の説明を簡単にするため、デ−タ・バス（通常、複数ビットを同時に転送可能に構成される）の１ビット転送分のみについて説明する。
【００３２】
このバスシステムでは、デ−タ・バスが３つに分割されている。即ち、バス（ロ−カルバス）２−１とバス２−２の間には、バス２−１とバス２−２を結合し又は切断するためのスイッチＴＳ１が接続されている。また、バス２−２とバス２−３の間には、バス２−２とバス２−３を結合し又は切断するためのスイッチＴＳ２が接続され、バス２−３とバス２−１の間には、バス２−３とバス２−１を結合し又は切断するためのスイッチＴＳ３が接続されている。
【００３３】
Ａは、複数のブロック、例えば、マイクロプロセッサ内の回路ブロックや、パソコンなどから構成されるブロック群である。ブロック群Ａの各ブロックは、バス２−１に接続されている。
【００３４】
同様に、Ｂ及びＣも、複数のブロック、例えば、マイクロプロセッサ内の回路ブロックや、パソコンなどから構成されるブロック群である。ブロック群Ｂの各ブロックは、バス２−２に接続され、ブロック群Ｃの各ブロックは、バス２−３に接続されている。
【００３５】
制御回路１０は、ブロックＡ〜Ｃを構成する複数のブロックのうちデ−タ・バスにデ−タを送出する１つのブロックを選択する制御信号を当該複数のブロックに供給すると共に、当該複数のブロックのうちデ−タ・バスからデ−タを受け取る１つのブロックを選択する制御信号を当該複数のブロックに供給する。
【００３６】
また、制御回路１０は、スイッチＴＳ１〜ＴＳ３のオン・オフを制御する制御信号ＴＣ１〜ＴＣ３をスイッチＴＳ１〜ＴＳ３に供給する。
例えば、制御回路１０は、ブロック群Ａ内でのみデ−タのやりとりを行う場合には、スイッチＴＳ１〜ＴＳ３の全てをオフ状態に制御する。同様に、制御回路１０は、ブロック群Ｂ（又はＣ）内でのみデ−タのやりとりを行う場合にも、スイッチＴＳ１〜ＴＳ３の全てをオフ状態に制御する。
【００３７】
但し、制御回路１０は、ブロック群Ａとブロック群Ｂとの間でデ−タのやりとりを行う場合には、スイッチＴＳ１をオン状態に制御し、スイッチＴＳ２，ＴＳ３をオフ状態に制御する。
【００３８】
同様に、制御回路１０は、ブロック群Ｂとブロック群Ｃとの間でデ−タのやりとりを行う場合には、スイッチＴＳ２をオン状態に制御し、スイッチＴＳ１，ＴＳ３をオフ状態に制御し、ブロック群Ｃとブロック群Ａとの間でデ−タのやりとりを行う場合には、スイッチＴＳ３をオン状態に制御し、スイッチＴＳ１，ＴＳ２をオフ状態に制御する。
【００３９】
上記構成によれば、第一に、デ−タ・バスが３つに分割されているため、各バス２−１〜２−３の負荷容量は、デ−タ・バスを分割しない場合に比べて大幅に削減される。
【００４０】
例えば、デ−タの授受が、ブロック群Ａ内（バス２−１内）のみ、ブロック群Ｂ内（バス２−２内）のみ、又はブロック群Ｃ内（バス２−３内）のみで行われる場合には、各バス２−１〜２−３の負荷容量は１／３となり、バス上におけるデ−タ転送を約３倍の速度で行うことが可能になる。
【００４１】
また、デ−タの授受が、ブロック群Ａとブロック群Ｂ群との間で行われる場合、ブロック群Ｂとブロック群Ｃ群との間で行われる場合、又はブロック群Ｃとブロック群Ａ群との間で行われる場合にも、各バス２−１〜２−３の負荷容量は２／３となり、バス上におけるデ−タ転送を高速に行うことが可能になる。
【００４２】
第二に、デ−タ・バスがプリチャ−ジ方式の場合には、デ−タ・バスが３つに分割されているため、バス２−１〜２−３のプリチャ−ジに伴う消費電力は、デ−タ・バスを分割しない場合に比べて大幅に削減される。
【００４３】
例えば、デ−タの授受がブロック群Ａ内（バス２−１内）のみで行われる場合には、ブロック群Ａが接続されるバス２−１のみをプリチャ−ジすればよく、低消費電力化に貢献できる。
【００４４】
また、デ−タの授受がブロック群Ａとブロック群Ｂ群との間で行われる場合にも、ブロック群Ａ，Ｂが接続されるバス２−１，２−２をプリチャ−ジすればよく、ブロック群Ｃが接続されるバス２−３をプリチャ−ジする必要はないため、低消費電力化に貢献できる。
【００４５】
第三に、デ−タ・バスがリング状に構成されているため、デ−タ・バスが直線状の場合に比べて、バス上におけるデ−タ転送の抵抗値を小さくすることができる。
【００４６】
例えば、ブロック群Ａとブロック群Ｃの間でデ−タの授受を行う場合には、デ−タは、バス２−２を経由する必要がなく、スイッチＴＳ３を経由してデ−タの授受が行われる。
【００４７】
以上より、本発明のロ−パワ−高速バスによれば、負荷容量及び負荷抵抗を削減できると共に、低消費電力化にも有利なバスシステムを提供することが可能である。
【００４８】
なお、上記実施の形態では、デ−タ・バスを３つに分割したが、本発明は、デ−タ・バスを２つ以上に分割する場合に拡張して適用できる。
図２は、図１のスイッチＴＳ１〜ＴＳ３の構成の一例を示すものである。
【００４９】
同図（ａ）は、スイッチにＰチャネル型ＭＯＳトランジスタを用いた場合の例である。この場合、高レベル“１”のデ−タがバス２−１〜２−３に出力されるときはよいが、低レベル“０”のデ−タがバス２−１〜２−３に出力されるときは、スイッチＴＳ１〜ＴＳ３の部分でレベルの上昇が生じるので好ましくない。但し、面積的なメリットは、存在する。
【００５０】
同図（ｂ）は、スイッチにＮチャネル型ＭＯＳトランジスタを用いた場合の例である。この場合、低レベル“０”のデ−タがバス２−１〜２−３に出力されるときはよいが、高レベル“１”のデ−タがバス２−１〜２−３に出力されるときは、スイッチＴＳ１〜ＴＳ３の部分で閾値落ち（レベルの低下）が生じるので好ましくない。但し、面積的なメリットは、存在する。
【００５１】
同図（ｃ）は、Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタとＰチャネル型ＭＯＳトランジスタを並列に接続した伝送ゲ−トによりスイッチを構成した例である。この場合は、高レベル“１”及び低レベル“０”の双方のデ−タに対して、レベルの上昇や低下なく、ブロック間のデ−タ伝送を行うことが可能である。
【００５２】
同図（ｄ）は、トライステ−トバッファ回路によりスイッチを構成した例である。この場合、各ブロックの出力バッファのディメンジョンを小さくする（駆動力を小さくする）ことができる。つまり、バスシステムの低消費電力化にさらに貢献することができる。
【００５３】
図３は、本発明の第２実施の形態に関わるバスシステムを示すものである。
なお、以下の説明を簡単にするため、デ−タ・バス（通常、複数ビットを同時に転送可能に構成される）の１ビット転送分のみについて説明する。
【００５４】
このバスシステムでは、リング状のデ−タ・バスが４つに分割されている。即ち、バス２−１とバス２−２の間には、バス２−１とバス２−２を結合し又は切断するためのスイッチＴＳ１が接続されている。また、バス２−２とバス２−３の間には、バス２−２とバス２−３を結合し又は切断するためのスイッチＴＳ２が接続され、バス２−３とバス２−４の間には、バス２−３とバス２−４を結合し又は切断するためのスイッチＴＳ３が接続されている。また、バス２−４とバス２−１の間には、バス２−４とバス２−１を結合し又は切断するためのスイッチＴＳ４が接続されている。
【００５５】
さらに、バス２−１とバス２−３の間には、バス２−１とバス２−３を結合し又は切断するためのスイッチＴＳ５が接続されている。このスイッチＴＳ５は、デ−タ転送のバイパスとして使用され、高速デ−タ転送に貢献する。
【００５６】
Ａは、複数のブロック、例えば、マイクロプロセッサ内の回路ブロックや、パソコンなどから構成されるブロック群である。ブロック群Ａの各ブロックは、バス２−１に接続されている。
【００５７】
同様に、Ｂ〜Ｄも、複数のブロック、例えば、マイクロプロセッサ内の回路ブロックや、パソコンなどから構成されるブロック群である。ブロック群Ｂの各ブロックは、バス２−２に接続され、ブロック群Ｃの各ブロックは、バス２−３に接続され、ブロック群Ｄの各ブロックは、バス２−４に接続されている。
【００５８】
制御回路１０は、ブロックＡ〜Ｄを構成する複数のブロックのうちデ−タ・バスにデ−タを送出する１つのブロックを選択する制御信号を当該複数のブロックに供給すると共に、当該複数のブロックのうちデ−タ・バスからデ−タを受け取る１つのブロックを選択する制御信号を当該複数のブロックに供給する。
【００５９】
また、制御回路１０は、スイッチＴＳ１〜ＴＳ５のオン・オフを制御する制御信号ＴＣ１〜ＴＣ５をスイッチＴＳ１〜ＴＳ５に供給する。
例えば、制御回路１０は、ブロック群Ａ内でのみデ−タのやりとりを行う場合には、スイッチＴＳ１〜ＴＳ５の全てをオフ状態に制御する。同様に、制御回路１０は、ブロック群Ｂ（又はＣ又はＤ）内でのみデ−タのやりとりを行う場合にも、スイッチＴＳ１〜ＴＳ５の全てをオフ状態に制御する。
【００６０】
但し、制御回路１０は、ブロック群Ａとブロック群Ｂとの間でデ−タのやりとりを行う場合には、スイッチＴＳ１をオン状態に制御し、スイッチＴＳ２〜ＴＳ５をオフ状態に制御する。
【００６１】
同様に、制御回路１０は、ブロック群Ｂとブロック群Ｃとの間でデ−タのやりとりを行う場合には、スイッチＴＳ２をオン状態に制御し、スイッチＴＳ１，ＴＳ３〜ＴＳ５をオフ状態に制御し、ブロック群Ｃとブロック群Ｄとの間でデ−タのやりとりを行う場合には、スイッチＴＳ３をオン状態に制御し、スイッチＴＳ１，ＴＳ２，ＴＳ４，ＴＳ５をオフ状態に制御し、ブロック群Ｄとブロック群Ａとの間でデ−タのやりとりを行う場合には、スイッチＴＳ４をオン状態に制御し、スイッチＴＳ１〜ＴＳ３，ＴＳ５をオフ状態に制御する。
【００６２】
また、制御回路１０は、ブロック群Ａとブロック群Ｃとの間でデ−タのやりとりを行う場合には、スイッチＴＳ５をオン状態に制御し、スイッチＴＳ１〜ＴＳ４をオフ状態に制御する。即ち、デ−タは、バス２−１とバス２−３の間をバイパスを経由して行き来する。
【００６３】
なお、本実施の形態におけるスイッチは、上述の第１実施の形態と同様に、図２に示すものを使用することができる。
本実施の形態における構成によれば、上述の第１実施の形態の場合と同様に、以下の効果が得られる。
【００６４】
第一に、デ−タ・バスが４つに分割されているため、各バス２−１〜２−３の負荷容量は、デ−タ・バスを分割しない場合に比べて大幅に削減される。
第二に、デ−タ・バスがプリチャ−ジ方式の場合には、デ−タ・バスが４つに分割されているため、バス２−１〜２−３のプリチャ−ジに伴う消費電力は、デ−タ・バスを分割しない場合に比べて大幅に削減される。
【００６５】
第三に、デ−タ・バスがリング状に構成されているため、デ−タ・バスが直線状の場合に比べて、バス上におけるデ−タ転送の抵抗値を小さくすることができる。
【００６６】
さらに、本実施の形態によれば、リング状のデ−タ・バスにデ−タ転送のバイパスを設けているため、さらに、デ−タ転送時におけるバスの抵抗値や容量が削減し、高速デ−タ転送を達成することができる。
【００６７】
以上より、本発明のロ−パワ−高速バスによれば、負荷容量及び負荷抵抗を削減できると共に、低消費電力化にも有利なバスシステムを提供することが可能である。
【００６８】
図４は、本発明の第３実施の形態に関わるバスシステムを示すものである。
なお、以下の説明を簡単にするため、デ−タ・バス（通常、複数ビットを同時に転送可能に構成される）の１ビット転送分のみについて説明する。
【００６９】
このバスシステムでは、デ−タ・バスをリング状にすると共に複数に分割している。即ち、バス２−１とバス２−２の間には、バス２−１とバス２−２を結合し又は切断するためのスイッチＴＳ１が接続されている。また、バス２−２とバス２−３の間には、バス２−２とバス２−３を結合し又は切断するためのスイッチＴＳ２が接続されている。
【００７０】
Ａは、複数のブロック、例えば、マイクロプロセッサ内の回路ブロックや、パソコンなどから構成されるブロック群である。ブロック群Ａの各ブロックは、バス２−１に接続されている。
【００７１】
同様に、Ｂ及びＣも、複数のブロック、例えば、マイクロプロセッサ内の回路ブロックや、パソコンなどから構成されるブロック群である。ブロック群Ｂの各ブロックは、バス２−２に接続され、ブロック群Ｃの各ブロックは、バス２−３に接続されている。
【００７２】
制御回路１０は、ブロックＡ〜Ｃを構成する複数のブロックのうちデ−タ・バスにデ−タを送出する１つのブロックを選択する制御信号ＥＡ０〜，ＥＢ０〜，ＥＣ０〜を当該複数のブロックに供給すると共に、当該複数のブロックのうちデ−タ・バスからデ−タを受け取る１つのブロックを選択する制御信号ＢＥＡ０〜，ＢＥＢ０〜，ＢＥＣ０〜を当該複数のブロックに供給する。
【００７３】
また、制御回路１０は、スイッチＴＳ１〜ＴＳ３のオン・オフを制御する制御信号ＴＣ１〜ＴＣ３をスイッチＴＳ１〜ＴＳ３に供給する。
例えば、制御回路１０は、ブロック群Ａ内でのみデ−タのやりとりを行う場合には、スイッチＴＳ１〜ＴＳ３の全てをオフ状態に制御する。同様に、制御回路１０は、ブロック群Ｂ（又はＣ）内でのみデ−タのやりとりを行う場合にも、スイッチＴＳ１〜ＴＳ３の全てをオフ状態に制御する。
【００７４】
但し、制御回路１０は、ブロック群Ａとブロック群Ｂとの間でデ−タのやりとりを行う場合には、スイッチＴＳ１をオン状態に制御し、スイッチＴＳ２，ＴＳ３をオフ状態に制御する。
【００７５】
同様に、制御回路１０は、ブロック群Ｂとブロック群Ｃとの間でデ−タのやりとりを行う場合には、スイッチＴＳ２をオン状態に制御し、スイッチＴＳ１，ＴＳ３をオフ状態に制御する。
【００７６】
バス２−１には、プリチャ−ジ回路が接続されている。このプリチャ−ジ回路は、ＯＲ回路７−１、ＮＡＮＤ回路８−１及びＰチャネル型ＭＯＳトランジスタＴＰ１から構成されている。
【００７７】
ＯＲ回路７−１には、ブロック群Ａ内のブロックの選択信号ＣＳＡ０〜ＣＳＡｉが入力されている。例えば、ブロック群Ａ内のブロックＡ−０を選択し、ブロックＡ−０からバス２−１にデ−タを出力する場合には、所定の期間において、ブロックの選択信号ＣＳＡ０が高レベル“１”になる。また、ブロック群Ａ内のブロックＡ−１を選択し、バス２−１からブロックＡ−１にデ−タを入力する場合には、所定の期間において、ブロックの選択信号ＣＳＡ１が高レベル“１”になる。
【００７８】
ＮＡＮＤ回路８−１には、クロックφとＯＲ回路７−１の出力信号が入力されている。従って、クロックφが高レベル“１”の期間において、少なくとも選択信号ＣＳＡ０〜ＣＳＡｉのうちの１つが高レベル“１”になると、ＮＡＮＤ回路８−１の出力信号Ｇ１は、高レベル“１”となる。つまり、ＭＯＳトランジスタＴＰ１がオン状態となり、バス２−１のプリチャ−ジが行われる。
【００７９】
同様に、バス２−２にも、プリチャ−ジ回路が接続されている。このプリチャ−ジ回路は、ＯＲ回路７−２、ＮＡＮＤ回路８−２及びＰチャネル型ＭＯＳトランジスタＴＰ２から構成されている。
【００８０】
ＯＲ回路７−２には、ブロック群Ｂ内のブロックの選択信号ＣＳＢ０〜ＣＳＢｊが入力されている。例えば、ブロック群Ｂ内のブロックＢ−０を選択し、ブロックＢ−０からバス２−２にデ−タを出力する場合には、所定の期間において、ブロックの選択信号ＣＳＢ０が高レベル“１”になる。また、ブロック群Ｂ内のブロックＢ−１を選択し、バス２−２からブロックＢ−１にデ−タを入力する場合には、所定の期間において、ブロックの選択信号ＣＳＢ１が高レベル“１”になる。
【００８１】
ＮＡＮＤ回路８−２には、クロックφとＯＲ回路７−２の出力信号が入力されている。従って、クロックφが高レベル“１”の期間において、少なくとも選択信号ＣＳＢ０〜ＣＳＢｊのうちの１つが高レベル“１”になると、ＮＡＮＤ回路８−２の出力信号Ｇ２は、高レベル“１”となる。つまり、ＭＯＳトランジスタＴＰ２がオン状態となり、バス２−２のプリチャ−ジが行われる。
【００８２】
同様に、バス２−３にも、プリチャ−ジ回路が接続されている。このプリチャ−ジ回路は、ＯＲ回路７−３、ＮＡＮＤ回路８−３及びＰチャネル型ＭＯＳトランジスタＴＰ３から構成されている。
【００８３】
ＯＲ回路７−３には、ブロック群Ｃ内のブロックの選択信号ＣＳＣ０〜ＣＳＣｋが入力されている。例えば、ブロック群Ｃ内のブロックＣ−０を選択し、ブロックＣ−０からバス２−３にデ−タを出力する場合には、所定の期間において、ブロックの選択信号ＣＳＣ０が高レベル“１”になる。また、ブロック群Ｃ内のブロックＣ−１を選択し、バス２−３からブロックＣ−１にデ−タを入力する場合には、所定の期間において、ブロックの選択信号ＣＳＣ１が高レベル“１”になる。
【００８４】
ＮＡＮＤ回路８−３には、クロックφとＯＲ回路７−３の出力信号が入力されている。従って、クロックφが高レベル“１”の期間において、少なくとも選択信号ＣＳＣ０〜ＣＳＣｋのうちの１つが高レベル“１”になると、ＮＡＮＤ回路８−３の出力信号Ｇ３は、高レベル“１”となる。つまり、ＭＯＳトランジスタＴＰ３がオン状態となり、バス２−３のプリチャ−ジが行われる。
【００８５】
次に、上記第３実施の形態に関わるバスシステムの動作について、ａ）ブロック群Ａ内でのみデ−タのやりとりを行う場合と、ｂ）ブロック群Ａとブロック群Ｂとの間でデ−タのやりとりを行う場合に分けて説明する。
【００８６】
ａ）  ブロック群Ａ内でのみデ−タのやりとりを行う場合
図５のタイミングチャ−ト及び図６のブロック群Ａの主要部を示す回路図に基づいて説明する。
【００８７】
まず、クロックφの前半（“１”の期間Ｃ）において、ブロックの選択信号ＣＳＡ０〜ＣＳＡｉ，ＣＳＢ０〜ＣＳＢｊ，ＣＳＣ０〜ＣＳＣｋのうち、ブロック群Ａ内のブロックを選択する所定の２つの選択信号ＣＳＡ０，ＣＳＡ１が“１”となる。
【００８８】
この時、スイッチの制御信号ＴＣ１〜ＴＣ３は、全てノンアクティブ状態であり、スイッチＴＳ１〜ＴＳ３は、全てオフ状態となる。
また、ＮＡＮＤ回路８−１の出力信号Ｇ１が“０”となり、ＭＯＳトランジスタＴＰ１がオン状態になるため、バス２−１のプリチャ−ジが行われる。一方、ＮＡＮＤ回路８−２，８−３の出力信号Ｇ２，Ｇ３が“１”となり、ＭＯＳトランジスタＴＰ２，ＴＰ３はオフ状態のままであるため、バス２−２，２−３のプリチャ−ジは行われない。
【００８９】
クロックφの後半（“０”の期間）においては、ブロックＡ−０の選択信号（バスヘのデ−タ出力を可能にするもの）ＥＡ０が高レベル“１”となり、ブロックＡ−１の選択信号（バスからのデ−タ入力を可能にするもの）ＢＥＡ１が高レベル“１”となる。なお、選択信号ＥＡ１及びＢＥＡ０は、共に低レベル“０”となる。
【００９０】
従って、ブロックＡ−０のフリップフロップ回路５−０の出力デ−タＱ０が出力バッファを経由してバス２−１に供給される。
例えば、出力デ−タＱ０が高レベル“１”の場合には、ＮチャネルＭＯＳトランジスタＮ０１がオン状態になり、バス２−１の電位は速やかに低レベル“０”になる（但し、バスの論理は負論理）。
【００９１】
また、出力デ−タＱ０が高レベル“０”の場合には、ＮチャネルＭＯＳトランジスタＮ０１はオフ状態のままであり、バス２−１の電位は高レベル“１”を維持する。
【００９２】
バス２−１のデ−タは、ブロックＡ−１のＮＡＮＤ回路６−１に入力され、ブロックＡ−１内に、入力デ−タＩＮ１として入力される。即ち、バス２−１の電位が“０”の場合、入力デ−タＩＮ１は、“１”となり、バス２−１の電位が“１”の場合、入力デ−タＩＮ１は、“０”となる。
【００９３】
なお、ブロック２−０の入力デ−タＩＮ０は、ＢＥＡ０＝“０”のため、常に“１”である。
これにより、ブロック間のデ−タ転送が完了する。
【００９４】
上記動作において、バス２−１は、バス２−２，２−３から分離されているため、バス２−１の負荷容量（Ｃ１のみ）は、デ−タ・バスを分割しない場合（Ｃ１＋Ｃ２＋Ｃ３）に比べて大幅に削減されている。
【００９５】
従って、ブロックＡ−０からブロックＡ−１へのデ−タ転送を高速に行うことができる。
また、プリチャ−ジは、バス２−１のみについて行われ、バス２−２，２−３については行われないため、プリチャ−ジに伴う消費電力は、デ−タ・バスを分割しない場合に比べて大幅に削減される。
【００９６】
ｂ）  ブロック群Ａとブロック群Ｂの間でデ−タのやりとりを行う場合
図７のタイミングチャ−ト、図８のブロック群Ａの主要部を示す回路図及び図９のブロック群Ｂの主要部を示す回路図に基づいて説明する。
【００９７】
まず、クロックＣＬＫの前半（“１”の期間Ｃ）において、ブロックの選択信号ＣＳＡ０〜ＣＳＡｉ，ＣＳＢ０〜ＣＳＢｊ，ＣＳＣ０〜ＣＳＣｋのうち、ブロック群Ａ内のブロックを選択する所定の１つの選択信号ＣＳＡ０と、ブロック群Ｂ内のブロックを選択する所定の１つの選択信号ＣＳＢ０が“１”となる。
【００９８】
この時、スイッチの制御信号ＴＣ１は、アクティブ状態となるが、スイッチの制御信号ＴＣ２，ＴＣ３は、ノンアクティブ状態である。従って、スイッチＴＳ１は、オン状態となるが、スイッチＴＳ２，ＴＳ３は、オフ状態である。
【００９９】
また、ＮＡＮＤ回路８−１，８−２の出力信号Ｇ１，Ｇ２が“０”となり、ＭＯＳトランジスタＴＰ１，ＴＰ２がオン状態になるため、バス２−１，２−２のプリチャ−ジが行われる。一方、ＮＡＮＤ回路８−３の出力信号Ｇ３が“１”となり、ＭＯＳトランジスタＴＰ３はオフ状態のままであるため、バス２−３のプリチャ−ジは行われない。
【０１００】
クロックＣＬＫの後半（“０”の期間）においては、ブロックＡ−０の選択信号（バスヘのデ−タ出力を可能にするもの）ＥＡ０が高レベル“１”となり、ブロックＢ−０の選択信号（バスからのデ−タ入力を可能にするもの）ＢＥＢ０が高レベル“１”となる。
【０１０１】
従って、ブロックＡ−０のフリップフロップ回路５−０の出力デ−タＱ０が出力バッファを経由してバス２−１に供給される。
例えば、出力デ−タＱ０が高レベル“１”の場合には、ＮチャネルＭＯＳトランジスタＮ０１がオン状態になり、バス２−１の電位は速やかに低レベル“０”になる（但し、バスの論理は負論理）。
【０１０２】
また、出力デ−タＱ０が高レベル“０”の場合には、ＮチャネルＭＯＳトランジスタＮ０１はオフ状態のままであり、バス２−１の電位は高レベル“１”を維持する。
【０１０３】
なお、バス２−１のデ−タは、スイッチＴＳ１を経由してバス２−２に伝達される。また、バス２−２のデ−タは、ブロックＢ−０のＮＡＮＤ回路６−０に入力され、ブロックＢ−０内に入力される。
【０１０４】
これにより、ブロック間のデ−タ転送が完了する。
上記動作において、バス２−１，２−２は、バス２−３から分離されているため、バス２−１，２−２の負荷容量（Ｃ１＋Ｃ２）は、デ−タ・バスを分割しない場合（Ｃ１＋Ｃ２＋Ｃ３）に比べて削減されている。
【０１０５】
従って、ブロックＡ−０からブロックＢ−０へのデ−タ転送をスイッチＴＳ１を経由して高速に行うことができる。
また、プリチャ−ジは、バス２−１，２−２について行われ、バス２−３については行われないため、プリチャ−ジに伴う消費電力は、デ−タ・バスを分割しない場合に比べて削減される。
【０１０６】
さらに、デ−タ・バスがリング状に構成されているため、ブロックＡ−０からブロックＢ−０へのデ−タ転送は、スイッチＴＳ１を経由して行われる。従って、デ−タ・バスが直線状の場合に比べて、バス上におけるデ−タ転送の抵抗値を小さくすることができる。
【０１０７】
【発明の効果】
以上、説明したように、本発明のロ−パワ−高速バスによれば、次のような効果を奏する。
リング状のデ−タ・バスを複数に分割し、各々のバスをスイッチを介して接続し、さらにデ−タのやりとりに関わるブロック群を最短の距離で接続し得るようにスイッチを制御することにより、デ−タ・バスを分割しない場合に比べて負荷容量を削減でき、かつ、バス上におけるデ−タ転送の抵抗値を小さくすることができる。
【０１０８】
また、デ−タのやりとりに関わるブロック群が接続されるバスのみをプリチャ−ジすることにより、消費電力が小さいバスシステムを提供することができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施の形態に関わるバスシステムを示す図。
【図２】図１のスイッチの例を示す図。
【図３】本発明の第２実施の形態に関わるバスシステムを示す図。
【図４】本発明の第３実施の形態に関わるバスシステムを示す図。
【図５】図４のバスシステムの動作を示すタイミング図。
【図６】図４のブロック群Ａの主要部を示す回路図。
【図７】図４のバスシステムの動作を示すタイミング図。
【図８】図４のブロック群Ａの主要部を示す回路図。
【図９】図４のブロック群Ｂの主要部を示す回路図。
【図１０】従来のバスシステムを示す図。
【図１１】従来のバスシステムを示す図。
【符号の説明】
１−１，１−２，Ａ−０，Ａ−１，Ｂ−０，Ｂ−１  ：ブロック、
Ａ〜Ｄ                          ：ブロック群、
２，２−１，２−２，２−３      ：デ−タ・バス、
３−１，３−２                  ：プリチャ−ジ回路、
４                              ：バス結合回路、
５，６                          ：ＮＯＲ回路、
５−０，５−１                  ：フリップフロップ回路、
６−０，６−１                  ：ＮＡＮＤ回路、
７−１，７−２，７−３          ：ＯＲ回路、
８−１，８−２，８−３          ：ＮＡＮＤ回路、
１０                            ：制御回路、
ＴＰ１〜ＴＰ３                  ：Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタ、
ＴＮ１〜ＴＮ６，Ｎ００，Ｎ０１，Ｎ１０，Ｎ１１  ：Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタ、
ＴＳ１〜ＴＳ４                  ：スイッチ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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