(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板（１）上に、第１電極（２）、第１絶縁層（３）、発光層（４）、第２絶縁層（５）及び第２電極（６）が積層形成され、少なくとも前記発光層（４）からの光取り出し側を光学的に透明なものとしたＥＬ素子において、
前記発光層（４）は、ＩＩ−ＩＩＩ−ＶＩ  族（Ｏを除く）化合物を母体材料するものであり、ＩＩ族に対するＩＩＩ  族の組成比が異なる少なくとも２つの層（４ａ、４ｂ）を有し、前記ＩＩ族に対するＩＩＩ  族の組成比が高い層（４ａ）が前記第１絶縁層（３）の直上に形成されていることを特徴とするＥＬ素子。
【請求項２】
前記ＩＩ族に対するＩＩＩ  族の組成比が高い層（４ａ）は、発光中心が添加されていないノンドープ層であることを特徴とする請求項１に記載のＥＬ素子。
【請求項３】
基板（１）上に、第１電極（２）、第１絶縁層（３）、発光層（４）、第２絶縁層（５）及び第２電極（６）が積層形成され、少なくとも前記発光層（４）からの光取り出し側を光学的に透明なものとしたＥＬ素子において、
前記発光層（４）は、ＩＩ−ＩＩＩ−ＶＩ  族（Ｏを除く）化合物を母体材料とするものであり、前記ＩＩ族に対するＩＩＩ  族の組成比が膜厚方向に対し前記第１絶縁層（３）側に向けて連続的に高くなるように形成されていることを特徴とするＥＬ素子。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１つに記載のＥＬ素子を製造する方法であって、
気相成長法にて前記発光層（４）を形成する工程を有し、この工程において、ＩＩ族原料ガスに対するＩＩＩ  族原料ガスの原料供給量を変化させて、ＩＩ族に対するＩＩＩ  族の組成比を変化させることを特徴とするＥＬ素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば計器類の自発光型のセグメント表示やマトリクス表示、或いは各種情報端末機器のディスプレイなどに使用されるＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ＥＬ素子は、絶縁性基板であるガラス基板上に、第１電極、第１絶縁層、発光層、第２絶縁層及び第２電極が順次積層して形成されており、少なくとも発光層からの光取り出し側が光学的に透明な材料にて構成されている。
ここで、発光層は母体材料に発光中心が添加して構成されており、それらの材料としては種々のものが提案されている。この中で、アルカリ土類金属チオガレート（ＭＧａ２  Ｓ４  、Ｍ＝Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）を母体材料とし、発光中心元素としてＣｅ（セリウム）を添加した薄膜をスパッタ法で作製した発光層を有するＥＬ素子が、青色発光を行うものとして注目されている。
【０００３】
しかし、このスパッタ法で製造したアルカリ土類金属チオガレート発光層は、これを単独で発光層として用いると、発光層の形成後に施す結晶化熱処理後に膜剥離が発生するという問題がある。
このような膜剥離が発生した状態でＥＬ素子を作製した場合、絶縁耐圧が低くなり、発光開始電圧から僅か数十ボルトの電圧で素子破壊を引き起こすため、素子としての信頼性が低くなる。
【０００４】
これに対し、特開平５ー６５４７８号公報には、スパッタ法で製造したアルカリ土類金属チオガレート発光層を１対のＺｎＳ（硫化亜鉛）層で挟む構造として膜剥離を防止することが記載されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記公報に示すものでは、発光層の上下にＺｎＳ層を形成する必要があり、そのＺｎＳ層は発光に寄与しない膜であるため、その膜厚が大きいと、しきい値電圧の上昇を招くことになる。
本発明は上記問題に鑑みたもので、アルカリ土類金属チオガレートのようなＩＩ−ＩＩＩ−ＶＩ  族（Ｏを除く）化合物を母体材料とする発光層において、発光層の上下にＺｎＳ層を形成することなく、膜剥離を防止することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は、ＣａＧａ２  Ｓ４  （カルシウムチオガレート）を母体材料とし、Ｃｅを発光中心として添加したＣａＧａ２  Ｓ４  ：Ｃｅ（カルシウムチオガレート：セリウム）発光層の組成比に着目して検討を行った。すなわち、Ｃａ（カルシウム）に対するＧａ（ガリウム）の組成比を化学量論比よりも高く、すなわちＧａをリッチにしたものについて検討を行ったところ、膜剥離が防止できたもののしきい値電圧が高く、輝度が低下することが判明した。膜剥離が防止できたのは、Ｇａをリッチにすることによって、下地絶縁膜との応力の違いが緩和されたためであると思われる。
【０００７】
そこで、本発明者等は、少なくとも第１絶縁層側をＧａリッチにすれば膜剥離が防止され、他の発光層領域においてＧａの組成比がそれよりも低い層とすればしきい値電圧の上昇を抑制できることを着想した。
本発明は上記検討を基になされたもので、請求項１に記載の発明においては、ＩＩ−ＩＩＩ−ＶＩ  族（Ｏを除く）化合物を母体材料として発光層を形成したものであって、ＩＩ族に対するＩＩＩ  族の組成比が異なる少なくとも２つの層を有し、ＩＩ族に対するＩＩＩ  族の組成比が高い層が第１絶縁層の直上に形成されていることを特徴としている。
【０００８】
従って、ＩＩ族に対するＩＩＩ  族の組成比が高い層を第１絶縁層の直上に形成することによって膜剥離を防止することができ、またＩＩ族に対するＩＩＩ  族の組成比が低い層によってしきい値電圧の上昇を抑制することができる。
請求項２に記載の発明においては、第１絶縁層の直上に形成する、ＩＩ族に対するＩＩＩ  族の組成比が高い層は、発光中心が添加されていないノンドープ層であることを特徴としている。このノンドープ層により発光層の結晶性を良好なものとすることができる。
【０００９】
請求項３に記載の発明においては、ＩＩ族に対するＩＩＩ  族の組成比が膜厚方向に対し第１絶縁層側に向けて連続的に高くなるように形成されていることを特徴としている。
従って、請求項１に記載の効果を奏するとともに、組成比を連続して変化させることにより、膜そのものの密着性を向上させることができる。
【００１０】
なお、上記したＩＩ族元素としては、Ｃａ、Ｓｒ（ストロンチウム）、Ｂａ（バリウム）、Ｚｎ（亜鉛）から選択された少なくとも１種とすることができる。また、ＩＩＩ  族元素としては、Ｇａ、Ａｌ（アルミニュウム）、Ｉｎ（インジウム）から選択された少なくとも１種とすることができる。さらに、ＶＩ族元素としては、Ｓ（硫黄）、Ｓｅ（セレン）、Ｔｅ（テルル）から選択された少なくとも１種とすることができる。
【００１１】
また、発光中心としては、Ｃｅ、Ｍｎ（マンガン）、Ｅｕ（ユーロビウム）から選択された少なくとも１種の元素とすることができる。
また、上記したようなＥＬ素子における発光層は、請求項４に記載の発明のように、気相成長法を用いて形成することができ、その際にＩＩ族原料ガスに対するＩＩＩ  族原料ガスの原料供給量を変化させて、ＩＩ族に対するＩＩＩ  族の組成比を変化させることができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
（第１実施形態）
図１は、本発明に係わるＥＬ素子１０の断面を示した模式図である。なお、図１のＥＬ素子１０では、矢印方向に光を取り出している。
ＥＬ素子１０は、絶縁性基板であるガラス基板１上に順次以下の薄膜が積層形成して構成されている。すなわち、ガラス基板１上に、光学的に透明なＺｎＯ（酸化亜鉛）からなる第１透明電極（第１電極）２が形成され、その上面に、光学的に透明なＴａ２  Ｏ５  （五酸化タンタル）からなる第１絶縁層３、ＣａＧａ２  Ｓ４  ：Ｃｅ発光層４、Ｔａ２  Ｏ５  からなる第２絶縁層５、及びＺｎＯからなる第２透明電極（第２電極）６が形成されている。なお、ＣａＧａ２  Ｓ４  ：Ｃｅ発光層４は、Ｇａがリッチな層４ａと、ほぼ化学量論組成となる層４ｂの２層にて構成されている。
【００１３】
上記した各層の膜厚は、第１、第２透明電極２、６が３００ｎｍ、第１、第２絶縁層３、５が３００ｎｍ、発光層４は５５０ｎｍである。なお、これら各層の膜厚は、ガラス基板１の中央の部分を基準としたものである。
次に、上述の薄膜ＥＬ素子１０の製造方法について説明する。
まず、ガラス基板１上に第１透明電極２を成膜した。蒸着材料としては、ＺｎＯ粉末にＧａ２  Ｏ３  （酸化ガリウム）を加えて混合し、ペレット状に成形したものを用い、成膜装置としてはイオンプレーティング装置を用いた。具体的には、ガラス基板１の温度を一定に保持したままイオンプレーティング装置内を真空に排気し、その後Ａｒ（アルゴン）ガスを導入して圧力を一定に保ち、成膜速度が６〜１８ｎｍ／ｍｉｎの範囲となるようビーム電力及び高周波電力を調整した。
【００１４】
次に、第１透明電極２上に、Ｔａ２  Ｏ５  からなる第１絶縁層３をスパッタ法により形成した。具体的には、ガラス基板１の温度を一定に保持し、スパッタ装置内にＡｒとＯ２  （酸素）の混合ガスを導入し、１ＫＷの高周波電力で成膜を行った。
次に、第１絶縁層３上に、ＣａＧａ２  Ｓ４  を母体材料とし、発光中心としてＣｅを添加したＣａＧａ２  Ｓ４  ：Ｃｅ発光層４ａ及び４ｂを、有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法により形成した。このＣａＧａ２  Ｓ４  ：Ｃｅ発光層４ａ及び４ｂの形成方法について以下説明する。
【００１５】
まず、反応炉内に成膜するガラス基板１をセットし、ターボ分子ポンプ等を使用して１×１０−６Ｔｏｒｒ以下になるように真空引きを行った。次に、ガラス基板１を６００℃の一定温度に保持し、成膜室内を１０Ｔｏｒｒ程度の減圧雰囲気になるように自動圧力制御装置にて調節した。Ｃａ原料は、塩化物やフッ化物より昇華若しくは気化温度が極端に低く、温度制御性が優れていることからＣａ（Ｃ１１Ｈ１９Ｏ２  ）２  （ビスジピバロイルメタン化カルシウム）を用い、この原料を充填した原料容器を２２５±１℃以内の精度で一定温度に保持した。
【００１６】
なお、ガス化したＣａ（Ｃ１１Ｈ１９Ｏ２  ）２  を反応炉に輸送するために用いたＡｒガスは、同原料を充填した原料容器内に導入される直前に脱水フィルターにて十分に水分を除去した。そして、ＡｒガスにてＣａ（Ｃ１１Ｈ１９Ｏ２  ）２  を反応炉内に導入した。
また、ＩＩＩ  族元素であるＧａについては、原料であるＧａ（Ｃ２  Ｈ５  ）３  （トリエチルガリウム）を充填した原料容器を１８℃に保温し、得られた原料ガスをＡｒキャリアガスを用いて反応炉内に導入した。なお、Ｇａの供給ガスとしては、Ｇａ（Ｃ２  Ｈ５  ）３  以外にＧａ（ＣＨ３  ）３  （トリメチルガリウム）、Ｇａ（Ｃ３  Ｈ７  ）３  （トリブチルガリウム）等有機化合物を用いてもそれら原料温度を調節することにより同様に形成することが可能である。
【００１７】
ＶＩ族元素であるＳは、Ａｒガスで希釈したＨ２  Ｓ（硫化水素）を原料ガスとし、成膜室に導入した。Ｓの供給ガスとしては、Ｈ２  Ｓ以外に、Ｓ（ＣＨ３  ）２  （ジメチル硫黄）、Ｓ（Ｃ２  Ｈ５  ）２  （ジエチル硫黄）やＳ（ＣＨ３  ）Ｈ（メチルメルカプタン）、Ｓ（Ｃ２  Ｈ５  ）Ｈ（エチルメルカプタン）を用いてもよい。
さらに、発光中心元素を添加するために、原料としてＣｅ（Ｃ１１Ｈ１９Ｏ２  ）３  （トリジピバロイルメタン化セリウム）を用いた。まず、Ｃｅ（Ｃ１１Ｈ１９Ｏ２  ）３  を専用の原料容器に充填し、この原料容器を１６０℃の一定温度に保温維持し、原料を昇華させガス化した。ガス化したＣｅ（Ｃ１１Ｈ１９Ｏ２  ）３  をＡｒキャリアガスにて輸送し、これを成膜室に供給した。
【００１８】
上記した原料ガスをＨ２  Ｓ、Ｇａ（Ｃ２  Ｈ５  ）３  、Ｃａ（Ｃ１１Ｈ１９Ｏ２  ）２  、Ｃｅ（Ｃ１１Ｈ１９Ｏ２  ）３  の順序で反応炉内に導入し、反応及び熱分解させることによって、Ｇａ及びＳを過剰に含有したＣａＧａ２  Ｓ４  ：Ｃｅ発光層４ａを２００ｎｍ形成した。
次に、Ｃａに対するＧａ及びＳが、ほぼ化学量論組成となるように形成したＣａＧａ２  Ｓ４  ：Ｃｅ発光層４ｂを発光層４ａ上に形成した。但し、Ｃａに対するＧａの原子比は２以上であり、かつ発光層４ａの原子比よりも小さい。以下、この発光層４ｂの具体的な形成方法を説明する。
【００１９】
薄膜の発光層４ｂを構成する各元素のＣａ、Ｇａ、Ｓ、Ｃｅの原料供給方法は、発光層４ａの形成方法に対し原料加熱温度以外は全て同じである。従って、成長プロセスを停止することなく発光層４ｂを形成することができる。要するに、Ｃａに対するＧａの組成比を変えるためには、Ｇａ原料供給量を途中で減少させれば良く、その方法としては以下のものがある。
１．Ｇａ原料を輸送するキャリアガス流量を減少させる。
２．設定温度の異なった原料容器を予め準備しておき、発光層４ａを高温用原料容器を使用して形成し、発光層４ｂを形成する時に低温用原料容器に切り替えて使用することにより薄膜を形成する。
３．１つの原料容器を用い、その温度を調節してＧａ原料温度を下げる。
【００２０】
これらのうち、１と２の方法に関しては、再現性良く目的とする薄膜が得られたのに対して、３の方法を用いた場合、製造装置にもよるが、Ｇａ原料の温度上昇時間にばらつきが生じてしまい、所定の膜厚が得られ難かった。
発光層４ｂの形成のためには、Ｃａ（Ｃ１１Ｈ１９Ｏ２  ）２  の加熱温度を２２５℃、Ｇａ（Ｃ２  Ｈ５  ）３  を９℃、Ｃｅ（Ｃ１１Ｈ１９Ｏ２  ）３  を１６０℃にそれぞれ一定温度に保持し、ガス化させ、これらガスを原料ガスとして用いた。
【００２１】
これらの原料ガスを反応及び熱分解させることによって、ほぼ化学量論組成のＣａＧａ２  Ｓ４  ：Ｃｅ発光層４ｂを３５０ｎｍ形成した。
この後、発光層４ｂ上に、Ｔａ２  Ｏ５  からなる第２絶縁層５を上述の第１絶縁層３と同様の方法で形成した。そして、ＺｎＯからなる第２透明電極６を、上述の第１透明電極２と同様の方法により、第２絶縁層５上に形成した。
【００２２】
以上のようにして図１に示すＥＬ素子１０を作製することができた。
次に、発光層４ａ、４ｂについて、Ｃａ及びＧａの量を２次イオン質量分析計（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  Ｉｏｎ  Ｍａｓｓ    Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｏｒｙ）にて分析した結果を図２に示す。この図２は、素子表面からの深さ方向に対するＣａとＧａ原子の存在量比を示すものであって、縦軸にＣａ及びＧａの質量分析計にて検出されたカウント数を相対的にプロットしたものを示し、横軸にＡｒスパッタにて素子表面から掘り下げた深さを示している。なお、図中の実線で示すものがＧａの存在量であり、点線で示すものがＣａの存在量である。
【００２３】
上記分析結果より、発光層４ａについては、Ｃａに対するＧａの比、すなわちＧａ／Ｃａ組成比が２．８〜３．０の範囲であり、発光層４ｂについては、Ｇａ／Ｃａ組成比が２．１〜２．３の範囲であった。但し、この範囲のばらつきは、分析を行う上でのばらつきも含まれるため、発光層４ａ、４ｂ内での組成ばらつきがこれ程までに大きいわけではない。なお、Ｇａ／Ｃａ組成比は５を越えると発光輝度が変わるため、発光層４中のＧａ／Ｃａ組成比は２〜５の範囲とするのが好ましい。
【００２４】
また、電圧印加に対するＥＬ素子破壊までの耐電圧を図３にプロットした。図３の縦軸は耐電圧であり、横軸は印加電圧である。但し、作製したサンプルは全て膜厚を一定とした。
図３に示す従来例とは、スパッタ法で作製したほぼ化学量論組成のＣａＧａ２  Ｓ４  ：Ｃｅ発光層を一対のＺｎＳ層で挟んだ構造のＥＬ素子である。この場合、ＺｎＳ層の膜厚は上部を１５０ｎｍとし、下部を８０ｎｍとした。この図３のグラフ中に示されている○は今回測定した値の平均値を示し、グラフの下線は最低値、上線は最高値を示している。また、スパッタ法の代わりにＭＯＣＶＤ法で作製した同様の構成のものを比較例として示している。
【００２５】
図３から、上記第１実施形態は、従来例、比較例に比べてばらつきが著しく減少していることが分かる。耐電圧についても、従来例、比較例に比べて著しく向上している。膜剥離が生じていると耐電圧が低いため、第１実施形態は膜剥離が十分低減できていることが分かる。なお、従来例によるものは、発光開始電圧から４０〜６０Ｖ程度電圧を超過した時点で素子破壊が始まっていたのに対し、第１実施形態は、全ての素子が発光開始電圧から１００Ｖ以上超過した電圧においても破壊する素子は認められなかった。
【００２６】
また、上記従来例と第１実施形態について、発光輝度特性を測定した結果を図４に示す。この第１実施形態は発光層の全てが発光に寄与するため、従来例による一対のＺｎＳ層を設けたものより、しきい値電圧を低くすることができ、発光輝度を向上させることができる。
さらに、図５に示すように、従来例によるＥＬ素子では、その発光色がＣＩＥ色度座標において（ｘ，ｙ）＝（０．１５，０．１９）であるのに対して、第１実施形態によるＥＬ素子では、同色度座標は（ｘ，ｙ）＝（０．１５，０．１７）となり、より深い青色発光を得ることができた。
【００２７】
なお、上記実施形態においては、ＣａとＧａの組成を変化せるために、Ｇａ原料の供給量を減少させて、ほぼ化学量論組成のＣａＧａ２  Ｓ４  ：Ｃｅ発光層４ｂを形成したが、逆にＣａ原料の供給量を増加させてＣａとＧａの組成を同様に変化させるようにしてもよい
また、Ｃａに対するＧａの組成比が異なる２つの層４ａ、４ｂは、複数の組になって構成されていてもよい。但し、膜剥離を防止するためには、Ｇａリッチとなる層が第１絶縁層３の直上に形成されている必要がある。
【００２８】
また、Ｇａリッチとなる層は、Ｃｅを添加しないノンドープ層としてもよい。この場合、そのノンドープ層は発光に寄与しないが、ＣａＧａ２  Ｓ４  ：Ｃｅ発光層４の結晶性を向上させることができる。すなわち、成長初期においてはＣａＳの副生成物が形成されやすく、一旦これが形成されると、副生成物の成長が引き続き起こるため全体の結晶性が低下するが、発光層と同じ材料で発光中心を添加しないノンドープ層を設けることによって、副生成物の発生が抑制され、発光層全体の結晶性が向上する。
【００２９】
さらに、発光層４の上側にのみ従来のものと同様、ＺｎＳ層を設けるようにしてもよい。このようなＺｎＳ層を設けると、しきい値電圧の上昇を招くことになるが、従来例のように上下にＺｎＳ層を設けていないため、それよりはしきい値電圧を低下させることが可能である。また、上側にのみＺｎＳ層を設けることにより、膜剥離を低減できることが、本発明者等の実験により確認されている。
【００３０】
なお、発光層を構成する元素の組み合わせによっては、青色純度の向上だけでなく、赤色、緑色純度の向上にも有効である。
（第２実施形態）
図６に本発明の第２実施形態に係るＥＬ素子１０’の構成を示す。上記第１実施形態では、Ｃａに対するＧａの組成比が異なる２つの層４ａ、４ｂを形成するものを示したが、この第２実施形態では、Ｃａに対するＧａの組成比を膜厚方向に対し第１絶縁層３側に向けて連続的に高くなるようにして発光層４’を構成している。
【００３１】
また、本実施形態では、発光層４’の上にＺｎＳ層７が形成されている。このＺｎＳ層７により、上述したように膜剥離を一層低減することができる。なお、このＺｎＳ層７は第１実施形態と同様なくてもよい。
本実施形態における発光層４’の形成について説明する。
第１実施形態と同様の方法で第１電極２及び第１絶縁層３を形成したガラス基板１を、５４０℃に加熱保持し、反応炉内圧力を５０Ｔｏｒｒとした。発光層４’を構成するＣａ、Ｇａ、Ｓ、Ｃｅの原料は、第１実施形態と同様に、それぞれＣａ（Ｃ１１Ｈ１９Ｏ２  ）２  ）、Ｇａ（Ｃ２  Ｈ５  ）３  、Ｈ２  Ｓ、Ｃｅ（Ｃ１１Ｈ１９Ｏ２  ）３  を用いた。
【００３２】
これら原料の供給方法は、まずＨ２  Ｓを反応炉内に供給し、次にＧａ（Ｃ２  Ｈ５  ）３  、Ｃａ（Ｃ１１Ｈ１９Ｏ２  ）２  を順に供給することによりＣａＧａ２  Ｓ４  薄膜を形成する。さらに、Ｃｅ（Ｃ１１Ｈ１９Ｏ２  ）３  を添加してＣａＧａ２  Ｓ４  ：Ｃｅ薄膜を形成した。但し、成長初期に形成したＣａＧａ２  Ｓ４  ：Ｃｅ薄膜は、化学量論組成よりＧａ及びＳを過剰に含有しており、薄膜中のＣａ原子数に対するＧａ原子数は、おおよそ２．８〜３．０であるように成長条件を調節した。
【００３３】
次に、ガリウム原料を反応炉内に輸送するためのキャリアガス流量を徐々に減少させることにより、Ｇａ原料の供給量を減少させた。その間、Ｓ、Ｃａ、Ｃｅ原料の供給は継続した。従って、ＣａＧａ２  Ｓ４  ：Ｃｅ薄膜中のＣａ原子数に対するＧａ原子数の比は徐々にかつ連続的に減少することになる。さらに、ＣａＧａ２  Ｓ４  ：Ｃｅ薄膜中のＣａ原子数に対するＧａ原子数の比を減少させ、その比が２．２〜２．４になるまで調節した。
【００３４】
形成したＣａＧａ２  Ｓ４  ：Ｃｅ発光層４’中のＣａ及びＧａについて、ＳＩＭＳにてその存在量を測定した結果を図７に示す。第１絶縁層３側における発光層４’中のＧａ／Ｃａ組成比は、おおよそ２．８〜３．０程度であり、第２絶縁層５側においては、２．１〜２．２程度であった。但し、その間はＧａ／Ｃａ組成比が連続して減少している。
【００３５】
このようにしてＣａＧａ２  Ｓ４  ：Ｃｅ発光層４’を５００ｎｍ形成した。
次に、発光層４’上に、ＺｎＳ層７を５０ｎｍ作製した。具体的には、Ｚｎの原料にＺｎ（Ｃ２  Ｈ５  ）２  （ジエチル亜鉛）、Ｓ原料にＨ２  Ｓを用いて、２Ｔｏｒｒの反応炉内圧力下にて４５０℃に加熱したガラス基板１１に対して供給することにより薄膜のＺｎＳ層７を形成した。
【００３６】
この状態においては、発光層４’は非晶質であるため発光を示さない。従って、発光層４’を結晶化させるために６５０℃で１分間の熱処理を２０％のＨ２  Ｓ雰囲気で行った。
この後、第２絶縁層５及び第２電極６を第１実施形態と同様にして形成した。このようにして作製したＥＬ素子１０’について、耐電圧を測定した結果を図８に示す。本第２実施形態においても第１実施形態と同様、従来例に比べて著しく耐電圧が向上していることが確認できた。
【００３７】
また、図９に発光輝度特性を測定した結果を示す。従来例に比べて高輝度化及び低電圧化を達成した。なお、第１実施形態に比べると発光しきい値電圧が高くなっているが、これは発光層４’上に発光に寄与しないＺｎＳ層７が介在しているためであると考えられる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態に係るＥＬ素子の縦断面を示す模式図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係るＥＬ素子の深さ方向に対する組成分析を行った結果を示す図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係るＥＬ素子の耐電圧を示す特性図である。
【図４】本発明の第１実施形態に係るＥＬ素子の印加電圧に対する発光特性を示す特性図である。
【図５】本発明の第１実施形態に係るＥＬ素子の発光色をＣＩＥ色度座標上で示した図である。
【図６】本発明の第２実施形態に係るＥＬ素子の縦断面を示す模式図である。
【図７】本発明の第２実施形態に係るＥＬ素子の深さ方向に対する組成分析を行った結果を示す図である。
【図８】本発明の第２実施形態に係るＥＬ素子の耐電圧を示す特性図である。
【図９】本発明の第２実施形態に係るＥＬ素子の印加電圧に対する発光特性を示す特性図である。
【符号の説明】
１…ガラス基板（絶縁性基板）、２…第１透明電極（第１電極）、
３…第１絶縁層、４、４’…発光層、５…第２絶縁層、
６…第２透明電極（第２電極）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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