(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にＸ線吸収体を成膜した後、アニールにより膜応力を調整するＸ線マスクの製造方法において、成膜後の上記Ｘ線吸収体の膜応力分布を測定し、上記Ｘ線吸収体の各箇所における膜応力が０となる所定の温度分布で上記アニールによる加熱を行うことを特徴とするＸ線マスクの製造方法。
【請求項２】
基板上にＸ線吸収体を成膜した後、複数回のアニールにより膜応力を調整するＸ線マスクの製造方法において、最終段階までのアニールは上記Ｘ線吸収体を均一に加熱し、上記最終段階直前のアニール後の上記Ｘ線吸収体の膜応力分布を測定し、上記Ｘ線吸収体の各箇所における膜応力が０となる所定の温度分布で上記最終段階のアニールによる加熱を行うことを特徴とするＸ線マスクの製造方法。
【請求項３】
基板上に、成膜中にアニールにより膜応力を調整しながらＸ線吸収体を積層する際、あらかじめ上記アニールを行わず成膜する条件でのＸ線吸収体の膜応力分布を測定し、上記Ｘ線吸収体の各箇所における膜応力が０となる所定の温度分布を求め、上記温度分布で上記アニールによる加熱を行うことを特徴とするＸ線マスクの製造方法。
【請求項４】
基板を回転させながらＸ線吸収体の成膜を行い、上記Ｘ線吸収体の膜応力分布を上記基板の回転軸に対し軸対称とした後、請求項１または請求項３に記載のＸ線マスクの製造方法の上記Ｘ線吸収体の加熱を行うようにしたことを特徴とするＸ線マスクの製造方法。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれかに記載のＸ線マスクの製造方法におけるＸ線吸収体のアニールによる加熱を行う加熱装置において、上記Ｘ線吸収体を加熱するヒータを上記Ｘ線吸収体の膜応力分布に応じた位置に備えることにより、上記Ｘ線吸収体を所定温度分布にすることを特徴とする加熱装置。
【請求項６】
請求項１ないし請求項４のいずれかに記載のＸ線マスクの製造方法におけるＸ線吸収体にアニールによる加熱を行う加熱装置において、均一な温度にて加熱するホットプレートと、上記Ｘ線吸収体と上記ホットプレートとの間にギャップとを備え、上記ギャップ長を上記Ｘ線吸収体の膜応力分布に応じて変化させ、上記ギャップ長に応じた上記ホットプレートの加熱温度より低下した温度にて上記Ｘ線吸収体の各箇所を加熱することにより、上記Ｘ線吸収体を所定温度分布にすることを特徴とする加熱装置。
【請求項７】
請求項１ないし請求項４のいずれかに記載のＸ線マスクの製造方法におけるＸ線吸収体のアニールによる加熱を行う加熱装置において、均一な温度にて加熱するオーブンを備え、熱を吸収、放出するヒートシンクを上記Ｘ線吸収体の膜応力分布に応じた位置に配置することにより、上記Ｘ線吸収体を所定温度分布にすることを特徴とする加熱装置。
【請求項８】
請求項１ないし請求項４のいずれかに記載のＸ線マスクの製造方法におけるＸ線吸収体の成膜後のアニールによる加熱を行う加熱装置において、均一な温度にて加熱するオーブンと、上記Ｘ線吸収体を冷却する冷却ガス送出手段を備え、上記送出手段により上記Ｘ線吸収体の膜応力分布に応じた位置に冷却ガスを吹き付け上記Ｘ線吸収体を冷却することにより、上記Ｘ線吸収体を所定温度分布にすることを特徴とする加熱装置。
【請求項９】
請求項１ないし請求項４のいずれかに記載のＸ線マスクの製造方法におけるＸ線吸収体の成膜後のアニールによる加熱を行う加熱装置において、均一な温度にて加熱する加熱ランプを備え、上記加熱ランプからの輻射熱を遮断するマスクを上記Ｘ線吸収体の膜応力分布に応じパターニングすることにより、上記Ｘ線吸収体を所定温度分布にすることを特徴とする加熱装置。
【請求項１０】
請求項１ないし請求項４のいずれかに記載のＸ線マスクの製造方法におけるＸ線吸収体の成膜後のアニールによる加熱を行う加熱装置において、基板および載置台を固定し、上記Ｘ線吸収体を加熱するレーザー出力部を備え、上記レーザー出力部を上記Ｘ線吸収体の膜応力分布に応じて移動させながらレーザー光を一定角度で照射することにより、上記Ｘ線吸収体を所定温度分布にすることを特徴とする加熱装置。
【請求項１１】
基板上に、同一材料のＸ線吸収体を複数の成膜条件にて積層していく際に、上記成膜条件間のＸ線吸収体の各膜応力分布が相殺して、上記Ｘ線吸収体の各箇所における膜応力が０となるようにしたことを特徴とするＸ線マスクの製造方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載のＸ線マスクの製造方法において、各成膜条件ごとにＸ線吸収体をアニールにより均一に加熱する条件を付加したことを特徴とするＸ線マスクの製造方法。
【請求項１３】
請求項１１に記載のＸ線マスクの製造方法において、各成膜条件の内、最終成膜条件にＸ線吸収体をアニールにより均一に加熱する条件を付加したことを特徴とするＸ線マスクの製造方法。
【請求項１４】
表面が平坦な基板上にＸ線吸収体を成膜した後の膜応力分布をあらかじめ測定し、基板の表面を、応力が小さい箇所ほど上記応力が大きい箇所より凹凸を有するように加工した後、上記Ｘ線吸収体の成膜を行うようにしたことを特徴とするＸ線マスクの製造方法。
【請求項１５】
基板上にＸ線吸収体を成膜する際に、上記Ｘ線吸収体を複数層にて形成し、上記Ｘ線吸収体の厚さ方向の応力が均一となるように、上記各層の成膜条件の内、圧力の条件を徐々に下降させ、上記各層を同じ応力分布にしたことを特徴とするＸ線マスクの製造方法。
【請求項１６】
基板上に、Ｘ線吸収体を同一の成膜条件にて積層していく際に、複数回に分けて成膜し、各回成膜後ごとに上記Ｘ線吸収体の最大膜応力を０とする温度にて上記Ｘ線吸収体をアニールにより均一に加熱することを特徴とするＸ線マスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、Ｘ線リソグラフィに使用するＸ線マスクの応力を全ての箇所において０とし、所望のパターニング位置精度を有するＸ線マスクの製造方法および加熱装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
図３３は例えば特願平５−１３８１０４号に示された従来のＸ線マスクの製造方法の工程を示す断面図である。図において、１はシリコン基板、２はこのシリコン基板１上に形成された例えば厚さ１〜２μｍで軽元素からなるメンブレン（Ｘ線透過性基板と同義）、３はこのメンブレン２上に形成された例えばインジウム・すず酸化物等から成る反射防止膜、４はこの反射防止膜３上に形成された例えばタングステン−チタン膜から成るＸ線吸収体、５はレジスト、６はシリコン基板１を接着剤７により接着し支持するサポートリングである。
【０００３】
次に上記のように構成された従来のＸ線マスクの製造方法について説明する。まず、シリコン基板１上にメンブレン２を成膜する（図３３（ａ））。次に、シリコン基板１の一部を除去（バックエッチ）する（図３３（ｂ））。次に、メンブレン２上に反射防止膜３を塗布し焼成して成膜する（図３３（ｃ））。次に、反射防止膜３上に例えばスパッタ法にてＸ線吸収体４を成膜する。そして、この際のＸ線吸収体４の平均膜応力を測定し、この平均応力を０とするための温度を決め、例えばオーブンで２５０℃に均一にアニールし、Ｘ線吸収体４の平均膜応力を０に調整する（図３３（ｄ））。
【０００４】
次に、レジスト５を塗布し例えば１８０℃でベークする（図３３（ｅ））。次に、シリコン基板１をサポートリング６に接着剤７にて接着する（図３３（ｆ））。次に、電子線描画および現像によりレジスト５のパターニングを行い、このパターニングされたレジスト５をマスクとしてＸ線吸収体４のドライエッチを行い、Ｘ線吸収体４のパターニングを行い、レジスト５を除去しＸ線マスクを形成する（図３３（ｇ））。尚、シリコン基板１のバックエッチの工程およびサポートリング６へのシリコン基板１の接着の工程は必ずしもこの工程順の通り行われるものではない。
【０００５】
従来の場合はＸ線吸収体４の平均膜応力が０となるようにＸ線吸収体４の成膜後にアニールの加熱温度により調整している。このように、Ｘ線吸収体４の膜応力を調整せず行うとどの様な不具合が生じるか図３４を用いて以下説明する。図３４（ａ）に示すようにシリコン基板１の窓領域が例えば□３０ｍｍで、図３４（ｂ）に示すように、シリコン基板１の窓領域に対応する位置のＸ線吸収体４の応力が調整されていないため例えば１０ＭＰａを有しているとする。この際、図３４（ａ）に示すようにシリコン基板１の窓領域の中心を中心として□１５ｍｍのパターニングをＸ線吸収体４に施したとすると、Ｘ線吸収体４のパターニングは１０ＭＰａの応力を有しているので、Ｘ線吸収体４のパターニングはこの応力によりメンブレン２の中心より１５ｎｍ移動し、所望のＸ線吸収体４のパターニングが得られないという不具合が生じていた。この移動は応力が引っ張り応力の場合には外向き、又、圧縮応力の場合には内向きの移動となる。
【０００６】
よって、従来ではＸ線吸収体４の平均膜応力を０とするアニールによる加熱を行い、上記のようなパターニングズレを解消している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
従来のＸ線マスクの製造方法は以上のように行われ、Ｘ線吸収体４の平均膜応力が０となっているので図３４に示したようなＸ線吸収体４のパターニングのズレは解消されているはずである。しかしながら、実際にはＸ線吸収体４の膜応力の分布は均一でないため図３５に示すような問題点が生じている。
【０００８】
図３５（ａ）は図３４（ａ）と同様にシリコン基板１の□３０ｍｍの窓領域にＸ線吸収体４の□１５ｍｍのパターニングを施した図である。図３５（ｂ）はＸ線吸収体４のアニールにより加熱し、Ｘ線吸収体４の平均膜応力を０とした応力分布を示す図である。図３５（ｂ）に示すようにＸ線吸収体４の平均膜応力としては明らかに０となっているものの、実際にはＸ線吸収体４の各位置では応力は０ではないので、図３５（ａ）に示したＸ線吸収体４のパターニングは、結局図１５にて示した場合と同様にずれることとなり所望のパターニングを得ることができないという問題点があった。
【０００９】
又、図３５（ｂ）に示したようにＸ線吸収体の平均応力が０となっている場合Ｘ線吸収体４の図３５（ｂ）での応力が０の位置での厚さ方向の応力分布は、例えば厚さが０から上方に向かうにつれて−５０ＭＰａから５０ＭＰａへの徐々に上昇していくような分布となっており、厚さ方向の各位置で応力は０ではなく、厚さ方向の平均応力として０として形成されている。このことは、他の各箇所でも同様に形成されている。
【００１０】
よって、エッチングにより図３５（ａ）に示したように形成する際、例えば２０％程度のオーバーエッチングを行うと、平均応力として０と形成されていたものは、実際には厚さ方向の２０％程度、すなわち引っ張り応力を有する一部が全体的にエッチングされ、エッチング後は図３５（ｂ）に示すより、全体的に圧縮応力側に移動し、全体として数ＭＰａの圧縮応力を有することとなり、結局図３４（ａ）に示した場合と同様にずれることとなり所望のパターニングを得ることができないという問題点があった。
【００１１】
この発明は上記のような問題点を解消するためになされたもので、Ｘ線吸収体の膜応力を全ての箇所において０とし、所望のパターニングを得ることができるＸ線マスクの製造方法および加熱装置を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る請求項１のＸ線マスクの製造方法は、基板上にＸ線吸収体を成膜した後、アニールにより膜応力を調整するＸ線マスクの製造方法において、成膜後のＸ線吸収体の膜応力分布を測定し、Ｘ線吸収体の各箇所における膜応力が０となる所定の温度分布でアニールによる加熱を行うものである。
【００１３】
又、この発明に係る請求項２のＸ線マスクの製造方法は、基板上にＸ線吸収体を成膜した後、複数回のアニールにより膜応力を調整するＸ線マスクの製造方法において、最終段階までのアニールはＸ線吸収体を均一に加熱し、最終段階直前のアニール後のＸ線吸収体の膜応力分布を測定し、Ｘ線吸収体の各箇所における膜応力が０となる所定の温度分布で最終段階のアニールによる加熱を行うものである。
【００１４】
又、この発明に係る請求項３のＸ線マスクの製造方法は、基板上に、成膜中にアニールにより膜応力を調整しながらＸ線吸収体を積層する際、あらかじめアニールを行わず成膜する条件でのＸ線吸収体の膜応力分布を測定し、Ｘ線吸収体の各箇所における膜応力が０となる所定の温度分布を求め、温度分布でアニールによる加熱を行うものである。
【００１５】
又、この発明に係る請求項４のＸ線マスクの製造方法は、基板を回転させながらＸ線吸収体の成膜を行い、Ｘ線吸収体の膜応力分布を基板の回転軸に対し軸対称とした後、請求項１または請求項２に記載のＸ線マスクの製造方法のＸ線吸収体の加熱を行うものである。
【００１６】
又、この発明に係る請求項５の加熱装置は、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載のＸ線マスクの製造方法におけるＸ線吸収体のアニールによる加熱を行う加熱装置において、Ｘ線吸収体を加熱するヒータをＸ線吸収体の膜応力分布に応じた位置に備えることにより、Ｘ線吸収体を所定温度分布にするものである。
【００１７】
又、この発明に係る請求項６の加熱装置は、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載のＸ線マスクの製造方法におけるＸ線吸収体にアニールによる加熱を行う加熱装置において、均一な温度にて加熱するホットプレートと、Ｘ線吸収体とホットプレートとの間にギャップとを備え、ギャップ長をＸ線吸収体の膜応力分布に応じて変化させ、ギャップ長に応じたホットプレートの加熱温度より低下した温度にてＸ線吸収体の各箇所を加熱することにより、Ｘ線吸収体を所定温度分布にするものである。
【００１８】
又、この発明に係る請求項７の加熱装置は、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載のＸ線マスクの製造方法におけるＸ線吸収体のアニールによる加熱を行う加熱装置において、均一な温度にて加熱するオーブンを備え、熱を吸収、放出するヒートシンクをＸ線吸収体の膜応力分布に応じた位置に配置することにより、Ｘ線吸収体を所定温度分布にするものである。
【００１９】
又、この発明に係る請求項８の加熱装置は、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載のＸ線マスクの製造方法におけるＸ線吸収体の成膜後のアニールによる加熱を行う加熱装置において、均一な温度にて加熱するオーブンと、Ｘ線吸収体を冷却する冷却ガス送出手段を備え、送出手段によりＸ線吸収体の膜応力分布に応じた位置に冷却ガスを吹き付けＸ線吸収体を冷却することにより、Ｘ線吸収体を所定温度分布にするものである。
【００２０】
又、この発明に係る請求項９の加熱装置は、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載のＸ線マスクの製造方法におけるＸ線吸収体の成膜後のアニールによる加熱を行う加熱装置において、均一な温度にて加熱する加熱ランプを備え、加熱ランプからの輻射熱を遮断するマスクをＸ線吸収体の膜応力分布に応じパターニングすることにより、Ｘ線吸収体を所定温度分布にするものである。
【００２１】
又、この発明に係る請求項１０の加熱装置は、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載のＸ線マスクの製造方法におけるＸ線吸収体の成膜後のアニールによる加熱を行う加熱装置において、基板および載置台を固定し、Ｘ線吸収体を加熱するレーザー出力部を備え、レーザー出力部をＸ線吸収体の膜応力分布に応じて移動させながらレーザー光を一定角度で照射することにより、Ｘ線吸収体を所定温度分布にするものである。
【００２２】
又、この発明に係る請求項１１のＸ線マスクの製造方法は、基板上に、同一材料のＸ線吸収体を複数の成膜条件にて積層していく際に、成膜条件間のＸ線吸収体の各膜応力分布が相殺して、Ｘ線吸収体の各箇所における膜応力が０となるようにしたものである。
【００２３】
又、この発明に係る請求項１２のＸ線マスクの製造方法は、請求項１１に記載のＸ線マスクの製造方法において、各成膜条件ごとにＸ線吸収体をアニールにより均一に加熱する条件を付加したものである。
【００２４】
又、この発明に係る請求項１３のＸ線マスクの製造方法は、請求項１１に記載のＸ線マスクの製造方法において、各成膜条件の内、最終成膜条件にＸ線吸収体をアニールにより均一に加熱する条件を付加したものである。
【００２５】
又、この発明に係る請求項１４のＸ線マスクの製造方法は、表面が平坦な基板上にＸ線吸収体を成膜した後の膜応力分布をあらかじめ測定し、基板の表面を、応力が小さい箇所ほど応力が大きい箇所より凹凸を有するように加工した後、Ｘ線吸収体の成膜を行うようにしたものである。
【００２６】
又、この発明に係る請求項１５のＸ線マスクの製造方法は、基板上にＸ線吸収体を成膜する際に、Ｘ線吸収体を複数層にて形成し、Ｘ線吸収体の厚さ方向の応力が均一となるように、各層の成膜条件の内、圧力の条件を徐々に下降させ、各層を同じ応力分布にしたものである。
【００２７】
又、この発明に係る請求項１６のＸ線マスクの製造方法は、基板上に、Ｘ線吸収体を同一の成膜条件にて積層していく際に、複数回に分けて成膜し、各回成膜後ごとにＸ線吸収体の最大膜応力を０とする温度にてＸ線吸収体をアニールにより均一に加熱するものである。
【００２８】
【発明の実施の形態】
実施の形態１．
以下、この発明の実施の形態を図について説明する。図１はこの発明の実施の形態１におけるＸ線マスクの製造方法および加熱装置の構成を示す断面図である。図において、従来の場合と同様の部分は同一符号を付して説明を省略する。８はＸ線吸収体４を加熱するための加熱装置としての円形状のホットプレートで、内部に環状にヒータ９ａ、９ｂ、９ｃをそれぞれ備えており、ホットプレート８の温度分布は軸対称となるが、各ヒータ９ａ、９ｂ、９ｃの電気入力を変えることにより、ホットプレート８の径方向の温度分布を変えることができる。
【００２９】
次いで上記のように構成された実施の形態１のＸ線マスクの製造方法について説明する。まず、従来の場合と同様にシリコン基板１上にメンブレン２を例えばＣＶＤ法（化学気相成長法の略）にて成膜する。次に、メンブレン２上にタングステン−チタン膜からなるＸ線吸収体４を成膜する。この際の成膜条件は、シリコン基板１を回転させながら、スパッタリングにより例えば圧力：８．５ｍＴｏｒｒ、ガス：アルゴンガス／窒素ガス＝９３／７、入力：６５０Ｗの条件にて行う。尚、実施の形態では、従来の所で述べた反射防止膜３については省略して記載する。
【００３０】
上記の成膜条件にて成膜されたＸ線吸収体４は、アモルファス構造を有し、膜応力は圧縮応力側にて形成されることとなる。又、シリコン基板１を回転させながらＸ線吸収体４を成膜しているため、Ｘ線吸収体４の膜応力分布は軸対称と成る。このＸ線吸収体４の膜応力分布を測定すると例えば図２（ａ）に示すように、Ｘ線吸収体４の中心を対称にして膜応力が分布し、圧縮応力側（ここでは圧縮応力をマイナスにて示す）で、例えば−２６０ＭＰａから−３００ＭＰａまで分布している。尚、Ｘ線吸収体４の膜応力分布の測定はＸ線吸収体４の反りを測定し、これを２階微分し所望の係数を掛けることにより容易に求めることができる。
【００３１】
そして、このＸ線吸収体４の膜応力が全ての箇所において０となる所定の温度分布を求める。ここでは、例えば１ＭＰａ上げるのに１℃の加熱が必要となるため、図２（ｂ）に示すように、Ｘ線吸収体４の膜応力分布と対応した所定温度分布となり、例えば２６０℃から３００℃まで分布している。尚、ここで用いた応力に対する温度の設定の方法は、例えばＰｒｏｃｅｅｄｉｎｇ  ｏｆ  ＳＰＩＥ．１９９４．ｖｏｌ  ２１９４，２２１ページ〜２２９ページを参照に求めたものである。
【００３２】
そして、ホットプレート８の温度分布が図２（ｂ）に示した所定温度分布となるように、各ヒータ９ａ、９ｂ、９ｃの電気入力を調整してシリコン基板１を載置し、Ｘ線吸収体４を所定温度分布でアニールによる加熱を行い、Ｘ線吸収体４の膜応力を全ての箇所において０となるようにする。
【００３３】
以下、図は省略するが従来の場合と同様に、シリコン基板１の一部を除去（バックエッチ）し、次に、レジストを塗布し例えば１８０℃でベークする。次に、シリコン基板１をオーブンに接着剤にて接着する。次に、電子線描画および現像によりレジストのパターニングを行い、このパターニングされたレジストをマスクとしてＸ線吸収体のドライエッチを行い、Ｘ線吸収体のパターニングを行い、レジストを除去しＸ線マスクを形成する。
【００３４】
上記のように構成された実施の形態１のＸ線マスクの製造方法は、Ｘ線吸収体４の成膜後のＸ線吸収体４の膜応力分布を測定し、Ｘ線吸収体４の各箇所における膜応力が０となる所定温度分布を有するホットプレート８にてＸ線吸収体４にアニールによる加熱を行い、Ｘ線吸収体４の全ての箇所において膜応力を０としたので、パターニングされたＸ線吸収体４が膜応力によるズレを生じるのを防止でき、延いては所望のパターニングされたＸ線マスクを得ることが可能となる。尚、ホットプレート８の各コイル９ａ、９ｂ、９ｃの電気入力を変化させることにより図２（ｂ）に示した以外の所定温度分布でも容易に設定できることは言うまでもない。
【００３５】
又、Ｘ線吸収体４の成膜がシリコン基板１を回転させて行っているので、Ｘ線吸収体４の膜応力分布は軸対称となり、所定温度分布も軸対称分布で決定すればよく容易に所定温度分布の決定を行うことができる。
【００３６】
上記実施の形態１ではＸ線吸収体４としてアモルファス構造のものを利用したが、ここではその理由を説明する。まず、アモルファス構造を有さない構造では柱状構造が挙げられる。例えばスパッタリングの際の圧力を、アモルファス構造の場合より高くすると、この柱状構造が得られる。ここでは、アモルファス構造と柱状構造との比較をし、アモルファス構造の利点について述べる。
【００３７】
アモルファス構造の利点として、表面が平滑である点、エッチング後のエッジクオリティに優れている点、応力が空気中において安定である点、温度と応力との関係が線型である点が挙げられる。特に、最後に挙げた利点である、温度と応力との関係が線型である点から、上記にて説明したアニールによる加熱温度によるＸ線吸収体４の膜応力の調整を確実に行うことができる。
【００３８】
又、上記実施の形態１ではホットプレート８内に各ヒータ９ａ、９ｂ、９ｃを備え、所定温度分布となるように形成したが、これに限られることはなく、図３に示すように、シリコン基板１を載置台２７の上面に載置し、Ｘ線吸収体４の上方に例えばフィラメントヒータから成る各ヒータ２８ａ、２８ｂを配設するようにして、Ｘ線吸収体４が上記所定温度分布となるようにしても、同様の効果を奏することは言うまでもない。
【００３９】
以下、Ｘ線吸収体の膜応力分布に応じた所定温度分布を得るための加熱装置の他の実施の形態について述べていく。
実施の形態２．
上記実施の形態１ではホットプレート８の各コイル９ａ、９ｂ、９ｃの電気入力を変化させることにより所定の温度分布を設定する様にしていたが、これに限られることはなく、例えば図４に示すように均一に加熱するホットプレート１０と、ホットプレート１０内にホットプレート１０の温度を冷却する冷却管１１とを備えるようにし、ホットプレート１０の加熱温度を例えば３００℃とし、冷却管１１にてこの３００℃を２６０℃まで冷却できるようにすれば、図２（ｂ）に示した所定温度分布を容易に得ることができ、上記実施の形態１と同様の効果を奏することができる。
【００４０】
又、上記図２（ｂ）に示したような温度分布でない場合は、冷却管１１の位置を例えば図５に示すように所望の箇所に形成することにより、他の温度分布に変えることは容易に行うことができることは言うまでもない。
【００４１】
実施の形態３．
図６はこの発明における実施の形態３のＸ線マスクの製造方法および加熱装置の構成を示す断面図である。図において上記実施の形態１と同様の部分は同一符号を付して説明を省略する。１２は均一な温度で例えば３００℃にて加熱するホットプレート、１３ａ、１３ｂはホットプレート１２とシリコン基板１との間、すなわちホットプレート１２とＸ線吸収体４との間のギャップで、各ギャップ１３ａ、１３ｂのギャップ長をＸ線吸収体４の膜応力分布に応じて変化させ、Ｘ線吸収体４の加熱温度を各ギャップ長に応じホットプレート１２の加熱温度より低下した温度にてそれぞれ加熱されるようにしている。
【００４２】
従って上記のように構成された実施の形態３では、ギャップ１３ａ、１３ｂの各ギャップ長を図６に示すように変化させることにより、図２（ｂ）に示すような所定温度分布にてＸ線吸収体４を加熱することができる。よって、上記実施の形態１と同様の効果を奏することができる。
又、このように、ホットプレート１２とＸ線吸収体４とのギャップ長をＸ線吸収体４の所定温度分布に応じて変化させることにより、容易にＸ線吸収体４の所定温度分布を得ることができる。このことより、図２（ｂ）に示した所定温度分布以外に対しても容易に適用できることは言うまでもない。
【００４３】
実施の形態４．
上記実施の形態３ではシリコン基板１にバックエッチを施す前の形状について説明したが、ここではシリコン基板１にバックエッチを施し一部を除去した後の場合について図７を用いて説明する。
シリコン基板１にバックエッチを施した後のものに対しては、均一に加熱するホットプレート１５にシリコン基板１の除去部に対応した突出部１５ａを備え、ホットプレート１５の突出部１５ａとシリコン基板１との間、すなわち突出部１５ａとＸ線吸収体４との間のギャップ１６ａ、１６ｂのギャップ長を上記実施の形態３と同様に設定すれば、上記実施の形態３と同様の効果を奏することができる。
【００４４】
実施の形態５．
図８はこの発明における実施の形態５のＸ線マスクの製造方法および加熱装置の構成を示す断面図である。図において、上記実施の形態１と同様の部分は同一符号を付して説明を省略する。１７はＸ線吸収体４を均一に例えば３００℃に加熱するホットプレート、１８はＸ線吸収体４の温度を冷却するための例えば室温の冷却ガスである空気や、窒素ガス等を送出する送出手段である。
【００４５】
次いで上記のように構成された実施の形態５では、Ｘ線吸収体４をホットプレート１７にて均一に加熱しながら、図８に示すように、放出手段１８より、Ｘ線吸収体４に冷却ガスを送出し冷却しているため、図２（ｂ）に示すような所定温度分布にてＸ線吸収体４を加熱することができる。よって、上記実施の形態１と同様の効果を奏することができる。
又、送出手段１８の位置をＸ線吸収体４の所定温度分布に応じて変えることにより、容易にＸ線吸収体４の所定温度分布を得ることができる。このことより、図２（ｂ）に示した所定温度分布以外に対しても容易に適用できることは言うまでもない。
【００４６】
実施の形態６．
上記各実施の形態ではＸ線吸収体の図２（ａ）で示す膜応力分布に対応して図２（ｂ）の温度分布を実現するようにしたが、ここではＸ線吸収体の図２（ａ）とは異なる膜応力分布に対応する場合について説明する。
上記実施の形態１と同一条件にてＸ線吸収体を成膜した際Ｘ線吸収体の膜応力分布が図９（ａ）に示すように分布しているとすると、この際のＸ線吸収体の所定温度分布は図９（ｂ）のようになる。この関係は上記実施の形態１より明らかである。
【００４７】
上記のような所定温度分布にＸ線吸収体を加熱するために図１０に示すようにホットプレート１９をリング状に形成し、例えば３００℃にて加熱する。そして、ホットプレート１９上に図１０に示すようにシリコン基板１を載置して加熱することにより、Ｘ線吸収体４は図９（ｂ）に示すように加熱され、Ｘ線吸収体４の膜応力は０となる。よって、上記実施の形態１と同様の効果を奏することができる。
【００４８】
実施の形態７．
図１１はこの発明の実施の形態７におけるＸ線マスクの製造方法および加熱装置の構成を示す断面図である。図において、上記実施の形態６と同様の部分は同一符号を付して説明を省略する。２０はホットプレート１７上にリング状に形成された金属板である。
【００４９】
次いで上記のように構成された実施の形態７ではシリコン基板１を金属板２０を介して均一な温度分布が例えば３００℃であるホットプレート１７により加熱している。よってＸ線吸収体４は、金属板２０と対向する位置がホットプレート１７と同等な温度で加熱され、他の箇所は金属板２０から離れるのでその分温度が低下する。従って、図９（ｂ）に示すようなＸ線吸収体４の所定温度分布にてＸ線吸収体４を加熱することができる。よって、上記実施の形態６と同様の効果を奏することができる。
【００５０】
又、金属板２０の形状をＸ線吸収体４の所定温度分布に応じて変えることにより、容易にＸ線吸収体４の所定温度分布を得ることができる。このことより、図９（ｂ）に示した所定温度分布以外に対しても容易に適用できることは言うまでもない。
【００５１】
実施の形態８．
図１２はこの発明の実施の形態８におけるＸ線マスクの製造方法および加熱装置の構成を示す断面図である。図において、上記実施の形態１と同様の部分は同一符号を付して説明を省略する。２１はＸ線吸収体４を均一に加熱するためのオーブン、２２はシリコン基板１の下部に配設されたリング状のヒートシンクで、例えばステンレス、又は、銅、又は、アルミなどから成る。
【００５２】
次いで上記のように構成された実施の形態８では、オーブン２１の加熱温度をＸ線吸収体４の所定温度分布の最低温度とし、ヒートシンク２２によってＸ線吸収体４をその所定温度分布の最高温度に加熱できるように、予め、ヒートシンク２２に所望の熱容量を貯えさせておく。このように、それぞれの温度設定をすることにより、Ｘ線吸収体４はヒートシンク２２と対応する箇所が、所定温度分布の最高温度となるように加熱され、延いては図９（ｂ）に示すような所定温度分布にＸ線吸収体４は加熱されることとなる。よって、上記実施の形態６と同様の効果を奏することができる。
【００５３】
又このように、ヒートシンク２２の位置をＸ線吸収体４の所定温度分布に応じて変化させることにより、容易にＸ線吸収体４の所定温度分布を得ることができる。このことより、図９（ｂ）に示した所定温度分布以外に対しても容易に適用できることは言うまでもない。
【００５４】
実施の形態９．
図１３はこの発明の実施の形態９におけるＸ線マスクの製造方法および加熱装置の構成を示す断面図である。図において、上記実施の形態８と同様の部分は同一符号を付して説明を省略する。２３はシリコン基板１の下部に配設されたリング状のヒートシンク、２４はシリコン基板１の下部の中央に配設されたヒートシンクである。ヒートシンク２３、２４は例えば、ステンレス、又は、銅、又は、アルミなどから成る。
【００５５】
次いで上記のように構成された実施の形態９では、オーブン２１の加熱温度をＸ線吸収体４の所定温度分布の最高温度とし、ヒートシンク２３、２４によってＸ線吸収体４をその所定温度分布の最低温度にできるようにする。このようにすることにより、Ｘ線吸収体４はヒートシンク２１で加熱されるとともに、ヒートシンク２３、２４と対応する箇所は、ヒートシンク２３、２４に熱を奪われ、延いては図９（ｂ）に示すような所定温度分布にＸ線吸収体４は加熱されることとなる。よって、上記実施の形態６と同様の効果を奏することができる。
【００５６】
又このように、ヒートシンク２３、２４の位置をＸ線吸収体４の所定温度分布に応じて変化させることにより、容易にＸ線吸収体４の所定温度分布を得ることができる。このことより、図９（ｂ）に示した所定温度分布以外に対しても容易に適用できることは言うまでもない。
【００５７】
実施の形態１０．
図１４はこの発明における実施の形態１０のＸ線マスクの製造方法および加熱装置の構成を示す断面図である。図において上記実施の形態６と同様の部分は同一符号を付して説明を省略する。２５は加熱ランプ、２６は例えばアルミ、又は、ステンレス等から成り、加熱ランプ２５からの輻射熱を遮断するマスクで、Ｘ線吸収体の膜応力分布に応じパターニングされている。
【００５８】
次いで上記のように構成された実施の形態１０では、加熱ランプ２５によりＸ線吸収体４を加熱する際に、マスク２６を介して行うようにしたので、マスク２６のパターンに応じてＸ線吸収体４の箇所が加熱されることとなる。ここではマスク２６を図に示したようにパターニングしているので、図９（ｂ）に示した所定温度分布にてＸ線吸収体４を加熱することができる。よって、上記実施の形態６と同様の効果を奏することができる。
【００５９】
又このように、マスク２６のパターニングをＸ線吸収体４の所定温度分布に応じて変化させることにより、容易にＸ線吸収体４の所定温度分布を得ることができる。このことより、図９（ｂ）に示した所定温度分布以外に対しても容易に適用できることは言うまでもない。
【００６０】
実施の形態１１．
図１５はこの発明の実施の形態１１のＸ線マスクの製造方法および加熱装置の構成を示す断面図である。図において、上記各実施の形態と同様の部分は同一符号を付して説明を省略する。２９はレーザ光３０をＸ線吸収体４に照射するレーザー出力部である。
【００６１】
次いで上記のように構成された実施の形態１１では、レーザー出力部２９をＸ線吸収体４が所定温度分布となるようにレーザー光３０の強弱を調整しながら、Ｘ線吸収体４上を移動させることにより、Ｘ線吸収体４を所定温度分布に加熱することができる。よって、上記各実施の形態と同様の効果を奏することができる。
【００６２】
実施の形態１２．
上記各実施の形態ではＸ線吸収体の膜応力のアニールによる調整を１度のアニールによる加熱にて行う例を示したが、これに限られることはなく、例えば、複数回のアニールによる加熱により調整する場合は、最終段階までのアニールはＸ線吸収体を均一に加熱し、最終段階直前のアニール後のＸ線吸収体の膜応力分布を測定し、Ｘ線吸収体の各箇所における膜応力から０となる所定温度分布で最終段階アニールによる加熱に対して、上記各実施の形態を適宜用いるようにすれば上記各実施の形態と同様の効果を奏することは言うまでもない。又、複数回によるアニールによる加熱にてＸ線吸収体の膜応力を調整しているので再現性向上の効果も同様に得ることができる。
【００６３】
実施の形態１３．
上記各実施の形態ではＸ線吸収体４の成膜後にアニールすることにより、全ての箇所において膜応力を０にする例を示したが、これに限られることなく、あらかじめ、上記実施の形態１と同様の製造方法にてＸ線吸収体４を積層し、膜応力分布を測定しておき、Ｘ線吸収体４の膜応力が全ての箇所において０となる所定温度分布を求める。そして、図１６に示すように上記実施の形態１と同様の加熱装置としてのホットプレート８にて同様の所定温度分布となるようヒータ９ａ、９ｂ、９ｃを用いてアニールによる加熱を行い、膜応力を調整しながら、Ｘ線吸収体３１を積層するようにしても、上記各実施の形態と同様に、Ｘ線吸収体の各箇所における膜応力を０とすることができるため、上記各実施の形態と同様の効果を奏することができる。
【００６４】
しかしながら、Ｘ線吸収体の積層時にアニールを行うため、上記各実施の形態で示した内、図１、図４ないし図７、図１０ないし図１３の各加熱装置はそれぞれ同様に用いることができるが、図３、図８、図１４の各加熱装置はＸ線吸収体の積層事態に影響を及ぼすため用いることはできない。
【００６５】
実施の形態１４．
上記各実施の形態ではアニールによる加熱を行うことによりＸ線吸収体の膜応力を調整する例を示したが、ここでは他の例について説明する。まず、上記実施の形態１と同様の製造方法にてＸ線吸収体４を積層し、膜応力分布を測定する。そして、Ｘ線吸収体４の膜応力が全ての箇所において０となるイオンの注入量分布を求める。ここでは、イオンとして例えばアルゴンイオンを用いる。
【００６６】
図１７にアルゴンイオンの注入量に対する応力の変化を示す。図から明らかなようにアルゴンイオンを４×１０１３Ｉｏｎｃ／ｃｍ２注入すれば１００ＭＰａ応力を下げることができる。このことを利用し、図２（ａ）に示したＸ線吸収体４の膜応力分布に対しての、Ｘ線吸収体の膜応力が全ての箇所において０となるイオン注入量分布を求めると、図１８に示すように求められる。そして、図１８に示すようなイオン注入量分布に基づき、Ｘ線吸収体４にアルゴンイオンをイオン注入し、Ｘ線吸収体４の膜応力を０とする。
【００６７】
上記のように行われた実施の形態１４のＸ線マスクの製造方法は、Ｘ線吸収体４の成膜後のＸ線吸収体の膜応力分布を測定し、Ｘ線吸収体４の各箇所における膜応力が０となるイオン注入量分布にてイオンを注入し、Ｘ線吸収体４の全ての箇所において膜応力を０としたので、パターニングされたＸ線吸収体が膜応力によるズレを生じるのを防止でき、延いては所望のパターニングされたＸ線マスクを得ることが可能となる。
【００６８】
又、上記実施の形態１４はアルゴンイオンを用いる例を示したが例えばこれに限られることはなく、図１９に示すようにケイ素イオン（Ｓｉ）、ネオンイオン（Ｎｅ）、クリプトンイオン（Ｋｒ）、キセノンイオン（Ｘｅ）なども同様にＸ線吸収体の応力を調整することが可能なため、同様に用いることができる。
【００６９】
実施の形態１５．
図２０はこの発明の実施の形態１５におけるＸ線マスクの製造方法を示す断面図である。図において上記各実施の形態と同様の部分は同一符号を付して説明を省略する。３２、３３はメンブレン２上に成膜条件を変化させて順次積層されたＸ線吸収体で、同一の厚さにて積層する。そして、これらＸ線吸収体３２、３３にて最終Ｘ線吸収体３４が形成されることとなる。
【００７０】
この際のＸ線吸収体３２、３３の各成膜条件にてＸ線吸収体３２、３３を成膜した際の膜応力分布は、図２１（ａ）、（ｂ）に示すように設定しておく。図２１（ａ）、（ｂ）に示したように、成膜条件間のＸ線吸収体３２、３３の各膜応力分布が相殺して、Ｘ線吸収体の各箇所における膜応力が０となるように設定しておけば、最終Ｘ線吸収体３４の膜応力は全ての各箇所において膜応力を０とすることができる。
【００７１】
実際には、Ｘ線吸収体３２の第１の成膜条件として例えば圧力：８．５ｍＴｏｒｒ、ガス：アルゴンガス／窒素ガス＝９３／７、スパッタパワー：６５０Ｗの条件にて行い、図２１（ａ）に示すように−２００ＭＰａから−２４０ＭＰａまでの分布となるＸ線吸収体３２を成膜する。次に、Ｘ線吸収体３２の第２の成膜条件として、上記Ｘ線吸収体３２のスパッタ時の公転基板上の位置より２０ｍｍ程度公転中心から外側にずらし、図２１（ａ）の膜応力分布と相殺する分布となる位置に変化させ、圧力：１０．０ｍＴｏｒｒ、ガス：アルゴンガス／窒素ガス＝９３／７、スパッタパワー：７００Ｗの条件にて行い、図２１（ｂ）に示すように２４０ＭＰａから２００ＭＰａまでの膜応力分布となるＸ線吸収体３３と成膜する。
【００７２】
上記のように行われた実施の形態１５のＸ線マスクの製造方法は、Ｘ線吸収体３２、３３の両成膜条件間のＸ線吸収体３２、３３の各膜応力分布が相殺して、最終Ｘ線吸収体３４の各箇所における膜応力を０としたので、パターニングされた最終Ｘ線吸収体３４が膜応力によるズレを生じるのを防止でき、延いては所望のパターニングされたＸ線マスクを得ることが可能となる。
【００７３】
又、上記実施の形態１５では最終Ｘ線吸収体３４を、第１および第２の２回の成膜条件にて成膜されるＸ線吸収体３２、３３にて成膜する例を示したが、これに限られることはなく、２回以上の成膜条件にて行うようにしてもよい。２回以上の成膜条件にて行うことにより、より一層膜応力分布の調整が行いやすくなる。
【００７４】
実施の形態１６．
上記実施の形態１５では成膜条件にアニールによる加熱する条件を加えていないが、実際的には、アニールによる加熱を行った方がＸ線吸収体の安定性がよくなる。よって、以下、アニールによる加熱を成膜条件に付加する場合について説明する。
【００７５】
図２２に基づいて実施の形態１６のＸ線マスクの製造方法について説明する。まず、第１の成膜条件として例えば圧力：８．５ｍＴｏｒｒ、ガス：アルゴンガス／窒素ガス＝９３／７、スパッタパワー：６５０Ｗにて成膜し、図２２（ａ）に示すような−２００ＭＰａから−２４０ＭＰａまでのＸ線吸収体の膜応力分布を得たのち、Ｘ線吸収体のアニールによる均一の加熱を２２０℃にて行い、図２２（ｂ）に示すような２０ＭＰａから−２０ＭＰａまでのＸ線吸収体の膜応力分布を得る。
【００７６】
次に、第２の成膜条件として例えば上記第１の成膜条件と同様の圧力：８．５ｍＴｏｒｒ、ガス：アルゴンガス／窒素ガス＝９３／７、スパッタパワー：６５０Ｗにて上記第１の成膜条件のスパッタ時の公転基板上の位置より２０ｍｍ程度公転中心から外側にずらし、図２２（ａ）の膜応力分布と相殺する分布となる位置に変化させて行い、図２２（ｃ）に示すように−２００ＭＰａから−２４０ＭＰａまでのＸ線吸収体の膜応力分布を得たのち、Ｘ線吸収体のアニールによる均一の加熱を２２０℃にて行い、図２２（ｄ）に示すような２０ＭＰａから−２０ＭＰａまでのＸ線吸収体の膜応力分布を得る。
【００７７】
最終的な、Ｘ線吸収体としては、図２２（ｂ）と図２２（ｃ）との膜応力分布を得ることとなる。よって、図２２（ｂ）と図２２（ｃ）との膜応力分布は相殺し、Ｘ線吸収体の各箇所における膜応力が０となる。尚、第２の成膜条件時の加熱温度は、第１の成膜条件時の加熱温度と同一の為、第１の成膜条件にて成膜されたＸ線吸収体の膜応力分布が、第２の成膜条件の加熱時に変化することはない。
【００７８】
上記のように行われた実施の形態１６のＸ線マスクの製造方法は、上記実施の形態１５と同様の効果を奏するのはもちろんのこと、アニールによる加熱を行うため、Ｘ線吸収体の安定性を向上とすることができる。
【００７９】
又、上記実施の形態１６では各成膜条件ごとにアニールによる加熱の条件を付加したが、これに限られることはなく例えば、最終成膜条件のみにアニールによる加熱の条件を付加しても上記実施の形態１６と同様にＸ線吸収体の安定性を同上することができる。
【００８０】
例えば、図２２（ａ）および図２２（ｃ）の膜応力分布となるように成膜し、Ｘ線吸収体のアニールにより均一の加熱を２２０℃にて行うと、Ｘ線吸収体の各箇所における膜応力が０となる。
【００８１】
まず、第１の成膜条件として例えば圧力：８．５ｍＴｏｒｒ、ガス：アルゴンガス／窒素ガス＝９３／７、スパッタパワー：６５０Ｗにて成膜し、図２３（ａ）に示すような−２００ＭＰａから−２４０ＭＰａまでのＸ線吸収体の膜応力分布を得る。次に、第２の成膜条件として例えば上記第１の成膜条件と同様の圧力：８．５ｍＴｏｒｒ、ガス：アルゴンガス／窒素ガス＝９３／７、スパッタパワー：６５０Ｗにて上記第１の成膜条件のスパッタ時の公転基板上の位置より２０ｍｍ程度公転中心から外側にずらし、図２３（ａ）の膜応力分布と相殺する分布となる位置に変化させて行い、図２３（ｂ）に示すように−２００ＭＰａから−２４０ＭＰａまでのＸ線吸収体の膜応力分布を得たのち、Ｘ線吸収体のアニールによる均一の加熱を２２０℃にて行う。
【００８２】
この第２の成膜条件のアニールによる加熱の際、第１の成膜条件にて成膜されたＸ線吸収体も同様に加熱される。よって、図２３（ａ）、（ｂ）のＸ線吸収体の膜応力分布は各箇所において−２２０ＭＰａと均一になるものの、第２の成膜条件のアニールの２２０℃の均一の加熱により、Ｘ線吸収体の膜応力分布は各箇所において０となる。
【００８３】
実施の形態１７．
図２４はこの発明の実施の形態１７のＸ線マスクの製造方法の構成を示す断面図である。図において、３５はシリコン基板、３６はこのシリコン基板３５上に積層されたメンブレンで、表面が平坦な箇所３７と凹凸を有する箇所３８とを備えている。３９はメンブレン３６上に積層されたＸ線吸収体で、アモルファス構造を有する箇所４０とアモルファス構造を有さない箇所４１とを備えている。
【００８４】
次に、上記のように構成された実施の形態１７のＸ線マスクの製造方法について図２４ないし図２６を交えて説明する。まず、メンブレンが全ての箇所において平坦な場合、成膜条件を例えば圧力：９．０ｍＴｏｒｒ、ガス：アルゴンガス／窒素ガス＝９３／７、スパッタパワー：６５０Ｗにて成膜を行うと図２５（ａ）に示すようなＸ線吸収体の膜応力分布が得られる。又、同様な成膜条件で、メンブレンが全ての箇所において凹凸を有する場合は図２５（ｂ）に示すようなＸ線吸収体の膜応力分布が得られる。
【００８５】
この現象はＸ線吸収体が、平坦な上に積層されると圧縮応力を有するアモルファス構造にて積層されるが、凹凸上に積層されるとアモルファス構造となりにくく引っ張り応力側である柱状構造にて積層されるからである。
このことを利用し、メンブレン３６を平坦な箇所３７と凹凸を有する箇所３８とを、平坦なメンブレン上にＸ線吸収体を成膜した際の膜応力分布の応力が小さい箇所ほど、応力が大きい箇所より凹凸を有するように加工する。これは、例えばダイヤモンド研磨などにより不均一に研磨する箇所と均一に研磨する箇所とにより形成できる。そして、Ｘ線吸収体３９を上記した成膜条件で積層すると、平坦な箇所３７上では図２５（ａ）の、又、凹凸を有する箇所３８上では図２５（ｂ）のそれぞれのＸ線吸収体の膜応力を得ることができ、Ｘ線吸収体３９は図２６に示したような膜応力分布を得ることができる。
【００８６】
上記のように構成された実施の形態１７のＸ線マスクの製造方法は、メンブレン３６すなわちＸ線吸収体の基板としての表面を、平坦なメンブレン上にＸ線吸収体を成膜した際の膜応力分布の応力が小さい箇所ほど、応力が大きい箇所より凹凸を有するように加工したのちＸ線吸収体３９を積層しているため、Ｘ線吸収体３９の膜応力分布を小さくすることができるので、パターニングされたＸ線吸収体が膜応力によるズレを生じるのを防止でき、延いては所望のパターニングされたＸ線マスクを得ることが可能となる。
【００８７】
又、上記実施の形態１７ではメンブレン３６に平坦な箇所３７と凹凸を有する箇所３８とを分割して備える例を示したが、これに限られることはなく、平坦なメンブレン上にＸ線吸収体を成膜した際の膜応力分布に応じて、加工は困難となるものの、凹凸の強弱により調整するようにすれば、より一層膜応力を０に近づけることができる。
【００８８】
上記各実施の形態では膜応力分布として、Ｘ線吸収体の平面方向の膜応力について説明したが、厚さ方向の膜応力については不均一のままである。この原理を、図２７を用いて詳細に説明する。
【００８９】
まず、一般的なアニールによる加熱処理なしにＸ線吸収体を成膜した場合、例えば図２７（ａ）に示すようなＸ線吸収体が積層されることとなる。このＸ線吸収体は実際には、中央部の厚さ方向で−１００ＭＰａから０ＭＰａの応力を有し、両端部の厚さ方向で−１５０ＭＰａから−５０ＭＰａの応力を有している。しかしながら、Ｘ線吸収体の膜応力分布としては図２７（ｂ）に示すように、これら厚さ方向の平均値が検出されることとなる。
【００９０】
そして、この図２７（ｂ）に応じたアニールによる加熱を上記各実施の形態と同様に図２７（ｃ）のように所定温度分布を決定し、図２７（ａ）に示すＸ線吸収体を図２７（ｃ）の所定温度分布にてアニールによる加熱を行い、Ｘ線吸収体の各箇所での膜応力が０となる図２７（ｄ）に示すようなＸ線吸収体を得るように形成していた。実際には、図２７（ａ）に示したものを図２７（ｃ）の温度にてアニールによる加熱を行っているので、図２７（ｅ）に示すようなＸ線吸収体が得られている。図２７（ｅ）から明らかなように、Ｘ線吸収体の膜応力は各箇所において０となっているものの、厚さ方向の応力は−５０ＭＰａから５０ＭＰａの値を示している。
【００９１】
図２７（ｅ）に示すＸ線吸収体にて、上記実施の形態１と同様に、シリコン基板１の一部を除去（バックエッチ）し、次に、レジストを塗布し例えば１８０℃でベークする。次に、シリコン基板１をオーブンに接着剤にて接着する。次に、電子線描画および現像によりレジストのパターニングを行い、このパターニングされたレジストをマスクとしてＸ線吸収体のドライエッチを行い、Ｘ線吸収体のパターニングを行い、レジストを除去しＸ線マスクを形成する。
【００９２】
この上記Ｘ線マスクを形成する工程のうちＸ線吸収体のパターニングの際に、オーバーエッチングを行うと、Ｘ線吸収体の上部の一部がエッチングされる。これにともない、図２７（ｅ）から明らかなように上部の引っ張り応力に相当する部分がエッチングされるため、膜応力が０となっていたものが、−数ＭＰａの応力を有することとなり、従来の場合と同様に、Ｘ線マスクのズレが生じることとなる。
このようなオーバーエッチングに対応するために、Ｘ線吸収体の厚さ方向の応力も均一にする必要が生じた。以下、Ｘ線吸収体の厚さ方向の応力を均一とするための実施の形態について説明する。
【００９３】
実施の形態１８．
図２８はこの発明の実施の形態１８のＸ線マスクの製造方法を示す断面図である。図において、上記各実施の形態と同様の部分は同一符号を付して説明を省略する。４２、４３はメンブレン２上に成膜条件を変化させて順次積層されたＸ線吸収体で例えば厚さ２５００オングストロームづつ積層する。そして、これらＸ線吸収体４２、４３にて最終Ｘ線吸収体４４に形成されることとなる。
【００９４】
この際のＸ線吸収体４２、４３の各成膜条件にてＸ線吸収の全ての厚みを成膜した際の、Ｘ線吸収体４２、４３の中央部に相当する箇所での厚さ方向の応力は、図２９（ａ）、（ｂ）に示すように設定されている。実際には、Ｘ線吸収体４２の第１の成膜条件として例えば圧力：９．５ｍＴｏｒｒ、ガス：アルゴンガス／窒素ガス＝９３／７、スパッタパワー：６２０Ｗの条件にて行い、図２９（ａ）に示すような厚さ方向の応力を得、又、Ｘ線吸収体４３の第２の成膜条件として例えば圧力：９．０ｍＴｏｒｒ、ガス：アルゴンガス／窒素ガス＝９３／７、スパッタパワー：６２０Ｗの条件にて行い、図２９（ｂ）に示すような厚さ方向の応力を得る。
【００９５】
Ｘ線吸収体４２は０〜２５００オングストロームの厚さまで、又、Ｘ線吸収体４３は２５００オングストロームから５０００オングストロームの厚さまでそれぞれ積層される。よって、最終Ｘ線吸収体４４の中央部の厚さ方向の応力は図３０に示すように、０〜２５００オングストロームは図２９（ａ）の、又、２５００オングストローム〜５０００オングストロームは図２９（ｂ）の応力をそれぞれ有することとなる。
【００９６】
上記したように厚さ方向の応力が均一となるために各成膜条件の内、圧力の条件を徐々に下降させている。これは、平坦なメンブレン２上にＸ線吸収体を成膜する際、一般的に粒径の小さなアモルファス構造から、アモルファス構造ながら徐々に粒径が成長し大きくなっていく。そしてこれは、アモルファス構造のように粒径の小さい条件の時は、膜応力は圧縮が強くなり、徐々に引っ張り応力側に変化していくこととなる。成膜条件のうち圧力を下降させることにより、アモルファス構造を形成しやすい条件とすることができるため、このことを利用したものである。
【００９７】
上記のように構成された実施の形態１８のＸ線マスクの製造方法は、成膜条件の内、圧力の条件を徐々に下降させていき、最終Ｘ線吸収体４４を形成したことにより、Ｘ線吸収体の厚さ方向の応力が均一となるようにしたので、オーバーエッチなどによりＸ線吸収体の厚さ方向の応力の平均値が変化するのを防止することができる。
【００９８】
尚、上記実施の形態１８では圧力を段階的に徐々に下降させて行う方法を示したが、これに限られることはなく、圧力を連続的に徐々に下降させて行えばＸ線吸収体の厚さ方向の応力の一層の均一化を図ることができる。
【００９９】
実施の形態１９．
図３１はこの発明の実施の形態１９のＸ線マスクの製造方法を示す断面図である。図において、上記各実施の形態と同様の部分は同一符号を付して説明を省略する。４５、４６、４７はメンブレン２上に同一成膜条件にて複数回に分けて所望の膜厚の３分の１づつの厚みを成膜し、各回成膜後ごとに最大膜応力を０とする温度にてアニールにより均一に加熱して形成されたＸ線吸収体、４８はこれらＸ線吸収体４５、４６、４７からなる最終Ｘ線吸収体である。
【０１００】
次いで、上記のように構成された実施の形態１９のＸ線マスクの製造方法について説明する。まず、メンブレン２上に、成膜条件として例えば圧力：８．５ｍＴｏｒｒ、ガス：アルゴンガス／窒素ガス＝９３／７、スパッタパワー：６５０Ｗの条件で成膜していく。まず、３分の１の厚さのＸ線吸収体４５を積層する。このＸ線吸収体４５の最大膜応力は例えば−２８０ＭＰａとなる。よって、Ｘ線吸収体４５と２８０℃にてアニールによる加熱を行い、最大膜応力を０とする。
【０１０１】
次にＸ線吸収体４５上に３分の１の厚さのＸ線吸収体４６を積層する。このＸ線吸収体４６の最大膜応力は例えば−２６０ＭＰａとなる。よって、Ｘ線吸収体４６を２６０℃にてアニールによる加熱を行い、最大膜応力を０とする。次に、Ｘ線吸収体４６上に３分の１の厚さのＸ線吸収体４７を積層する。このＸ線吸収体４７の平均膜応力は例えば−２４０ＭＰａとなる。よって、Ｘ線吸収体４７を２４０℃にてアニールによる加熱を行い、最大膜応力を０とする。
【０１０２】
このように、各Ｘ線吸収体４６、４７、４８の最大膜応力を０となるようにして形成された、最終Ｘ線吸収体４９は、厚さ方向に均一な応力を有するものとなる。このことは、上記実施の形態１８の所でも述べたように、メンブレン２上にＸ線吸収体を積層する際、何れの箇所においても膜応力は厚さ方向に対して、圧縮応力側から引っ張り応力側に徐々に変化することに基づくものである。
【０１０３】
上記のように構成された実施の形態１９のＸ線マスクの製造方法は、同一成膜条件にて複数回に分けて成膜し、各回成膜後ごとに最大膜応力を０とする温度にてアニールにより均一に加熱して最終Ｘ線吸収体４８を形成したことにより、Ｘ線吸収体の厚さ方向の応力が均一となるようにしたので、オーバーエッチなどによりＸ線吸収体の厚さ方向の応力の平均値が変化するのを防止することができる。
【０１０４】
尚、上記実施の形態１９では３回に分けて成膜する例を示したけれども、これに限られることはなく、多くの回数に分けて成膜し最大膜応力を０とする温度にてアニールにより均一に加熱すれば、Ｘ線吸収体の厚さ方向の応力のより一層の均一化を図ることができる。
又、各Ｘ線吸収体４６、４７のアニールにより加熱の温度は徐々に、低く設定されるため、後工程のアニールによる加熱の際に、前工程のＸ線吸収体の膜応力が変化することはない。
【０１０５】
上記実施の形態１８、１９ではＸ線吸収体の厚さ方向の応力を均一にする例を示したが、このままでは、膜応力分布は不均一であるため、上記実施の形態１８、１９と上記他の実施の形態とを組み合わせる必要がある。ここで、これらＸ線吸収体の厚さ方向の応力の均一と膜応力分布の均一との組合せについての原理を、図３２に基づいて説明する。
【０１０６】
まず、上記実施の形態１８、１９のような方法にてＸ線吸収体の厚さ方向の膜応力を均一にして積層すると例えば図３２（ａ）に示すようにＸ線吸収体が形成されることとなる。このＸ線吸収体は中央部で−５０ＭＰａの応力を有し、両端部で−１００ＭＰａの応力を、各箇所厚さ方向において同一すなわち均一な応力を有することとなる。しかしながら、Ｘ線吸収体の膜応力分布として図３２（ｂ）に示すように、−１００ＭＰａから−５０ＭＰａまでと不均一な分布を得ることとなる。
【０１０７】
そして、図３２（ｂ）に応じたアニールによる加熱を上記各実施の形態と同様に図３２（ｃ）のように所定温度分布を決定し、図３２（ａ）に示すＸ線吸収体を図３２（ｃ）の所定温度分布にてアニールによる加熱を行い、Ｘ線吸収体の各箇所での膜応力が０となる図３２（ｄ）に示すようなＸ線吸収体を得るように形成する。よって、図３２（ａ）に示したものを図３２（ｃ）の温度にてアニールによる加熱を行っているので、図３２（ｅ）に示すように、Ｘ線吸収体の膜応力は各箇所において０となるとともに、厚さ方向の応力も０となる。
【０１０８】
よって、図３２（ｅ）に示したようなＸ線吸収体をパターニングする際、たとえオーバーエッチングを行ったとしても、膜応力は０のままとなるので、Ｘ線マスクのズレを生じることはない。
【０１０９】
以下、Ｘ線吸収体の膜応力分布の均一と、厚さ方向の膜応力の均一との組合せの実施の形態について数例挙げて説明する。
実施の形態２０．
まず、上記実施の形態１８と同様の方法にて厚さ方向の膜応力が均一となるＸ線吸収体を得た後、上記各実施の形態と同様に図１ないし図８および図３、図１０ないし図１５のような加熱装置を用いて、Ｘ線吸収体の各箇所における膜応力が０となるように所定の温度分布で加熱するか、又、上記実施の形態１４と同様に、Ｘ線吸収体の各箇所における膜応力が０となるように所定のイオン注入分布でイオン注入すれば、上記図３２にて説明したものと同様に行うことができる。
【０１１０】
又、上記実施の形態１３と同様に図１、図４ないし図７および図１０ないし図１３の各加熱装置を用い所定の温度分布で加熱しながらＸ線吸収体を成膜するとともに、上記実施の形態１８と同様に圧力の条件を徐々に下降させて成膜すれば、上記図３２（ｅ）にて説明したものと同様にＸ線吸収体を形成することができる。
【０１１１】
又、上記実施の形態１５または実施の形態１６に示したように、成膜条件間のＸ線吸収体の各膜応力分布が相殺して、Ｘ線各箇所における膜応力を０とするとともに、上記実施の形態１８と同様に圧力の条件を徐々に下降させて成膜すれば、上記図３２（ｅ）にて説明したものと同様にＸ線吸収体を形成することができる。
【０１１２】
又、上記実施の形態１９に示したようにアニールによる加熱にて、Ｘ線吸収体の厚さ方向の膜応力を均一にする場合には、Ｘ線吸収体の膜応力の分布を各箇所において０とするのを、アニールによる加熱にて行うことができない。よって、上記実施の形態１４と同様に、Ｘ線吸収体の各箇所における膜応力が０となる所定のイオン注入分布でイオン注入すれば、上記図３２にて説明したものと同様に行うことができる。
【０１１３】
上記各実施の形態ではＸ線吸収体としてタングステン−チタン膜を用いる例を示したが、これに限られることはなくＴａやＷを含むアモルファス構造の材料、例えばＴａ４Ｂ、ＴａＳｉＮ、ＷＯ３、ＷＮＸなどの材料から成るアモルファス構造のものを用いてもよいことは言うまでもない。
【０１１４】
【発明の効果】
以上のように、この発明の請求項１によれば、基板上にＸ線吸収体を成膜した後、アニールにより膜応力を調整するＸ線マスクの製造方法において、成膜後のＸ線吸収体の膜応力分布を測定し、Ｘ線吸収体の各箇所における膜応力が０となる所定の温度分布でアニールによる加熱を行うので、Ｘ線吸収体の全ての箇所において膜応力が確実に０となり、延いては所望のパターニングされたＸ線吸収体を備えたＸ線マスクを得ることができるＸ線マスクの製造方法を提供することが可能である。
【０１１５】
又、この発明の請求項２によれば、基板上にＸ線吸収体を成膜した後、複数回のアニールにより膜応力を調整するＸ線マスクの製造方法において、最終段階までのアニールはＸ線吸収体を均一に加熱し、最終段階直前のアニール後のＸ線吸収体の膜応力分布を測定し、Ｘ線吸収体の各箇所における膜応力が０となる所定の温度分布で最終段階のアニールによる加熱を行うので、再現性良くＸ線吸収体の全ての箇所において膜応力が確実に０となり、延いては再現性良く所望のパターニングされたＸ線吸収体を備えたＸ線マスクを得ることができるＸ線マスクの製造方法を提供することが可能である。
【０１１６】
又、この発明の請求項３によれば、基板上に、成膜中にアニールにより膜応力を調整しながらＸ線吸収体を積層する際、あらかじめアニールを行わず成膜する条件でのＸ線吸収体の膜応力分布を測定し、Ｘ線吸収体の各箇所における膜応力が０となる所定の温度分布を求め、温度分布でアニールによる加熱を行うので、Ｘ線吸収体の全ての箇所において膜応力が確実に０となり、延いては所望のパターニングされたＸ線吸収体を備えたＸ線マスクを得ることができるＸ線マスクの製造方法を提供することが可能である。
【０１１７】
又、この発明の請求項４によれば、基板を回転させながらＸ線吸収体の成膜を行い、Ｘ線吸収体の膜応力分布を基板の回転軸に対し軸対称とした後、請求項１または請求項３に記載のＸ線マスクの製造方法のＸ線吸収体の加熱を行うようにしたので、Ｘ線吸収体の膜応力分布が基板の回転軸に対し軸対称のため、膜応力分布に応じたＸ線吸収体の所定温度分布を軸対称に対して決定すればよく、Ｘ線吸収体の膜応力を全ての箇所において容易に且つ確実に０とすることができ、延いては所望のパターニングされたＸ線吸収体を備えたＸ線マスクを得ることができるＸ線マスクの製造方法を提供することが可能である。
【０１１８】
又、この発明の請求項５によれば、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載のＸ線マスクの製造方法におけるＸ線吸収体のアニールによる加熱を行う加熱装置において、Ｘ線吸収体を加熱するヒータをＸ線吸収体の膜応力分布に応じた位置に備えることにより、Ｘ線吸収体を所定温度分布にするので、Ｘ線吸収体の膜応力分布に応じてヒータの加熱温度を変化させることにより、膜応力分布に応じたＸ線吸収体の所定温度分布を容易に決定することができ、Ｘ線吸収体の膜応力を全ての箇所において容易に、且つ、確実に０とすることができる加熱装置を提供することが可能である。
【０１１９】
又、この発明の請求項６によれば、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載のＸ線マスクの製造方法におけるＸ線吸収体にアニールによる加熱を行う加熱装置において、均一な温度にて加熱するホットプレートと、Ｘ線吸収体とホットプレートとの間にギャップとを備え、ギャップ長をＸ線吸収体の膜応力分布に応じて変化させ、ギャップ長に応じたホットプレートの加熱温度より低下した温度にてＸ線吸収体の各箇所を加熱することにより、Ｘ線吸収体を所定温度分布にするので、Ｘ線吸収体の膜応力分布に応じたギャップ長を変化させることにより、膜応力分布に応じたＸ線吸収体の所定温度分布を容易に決定することができ、Ｘ線吸収体の膜応力を全ての箇所において容易に、且つ、確実に０とすることができる加熱装置を提供することが可能である。
【０１２０】
又、この発明の請求項７によれば、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載のＸ線マスクの製造方法におけるＸ線吸収体のアニールによる加熱を行う加熱装置において、均一な温度にて加熱するオーブンを備え、熱を吸収、放出するヒートシンクをＸ線吸収体の膜応力分布に応じた位置に配置することにより、Ｘ線吸収体を所定温度分布にするので、Ｘ線吸収体の膜応力分布に応じてヒートシンクを配置することにより、膜応力分布に応じたＸ線吸収体の所定温度分布を容易に決定することができ、Ｘ線吸収体の膜応力を全ての箇所において容易に、且つ、確実に０とすることができる加熱装置を提供することが可能である。
【０１２１】
又、この発明の請求項８によれば、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載のＸ線マスクの製造方法におけるＸ線吸収体の成膜後のアニールによる加熱を行う加熱装置において、均一な温度にて加熱するオーブンと、Ｘ線吸収体を冷却する冷却ガス送出手段を備え、送出手段によりＸ線吸収体の膜応力分布に応じた位置に冷却ガスを吹き付けＸ線吸収体を冷却することにより、Ｘ線吸収体を所定温度分布にするので、Ｘ線吸収体の膜応力分布に応じた位置に冷却ガスを吹き付けることにより、膜応力分布に応じたＸ線吸収体の所定温度分布を容易に決定することができ、Ｘ線吸収体の膜応力を全ての箇所において容易に、且つ、確実に０とすることができる加熱装置を提供することが可能である。
【０１２２】
又、この発明の請求項９によれば、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載のＸ線マスクの製造方法におけるＸ線吸収体の成膜後のアニールによる加熱を行う加熱装置において、均一な温度にて加熱する加熱ランプを備え、加熱ランプからの輻射熱を遮断するマスクをＸ線吸収体の膜応力分布に応じパターニングすることにより、Ｘ線吸収体を所定温度分布にするので、Ｘ線吸収体の膜応力分布に応じマスクのパターニングを変化させることにより、膜応力分布に応じたＸ線吸収体の所定温度分布を容易に決定することができ、Ｘ線吸収体の膜応力を全ての箇所において容易に、且つ、確実に０とすることができる加熱装置を提供することが可能である。
【０１２３】
又、この発明の請求項１０によれば、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載のＸ線マスクの製造方法におけるＸ線吸収体の成膜後のアニールによる加熱を行う加熱装置において、基板および載置台を固定し、Ｘ線吸収体を加熱するレーザー出力部を備え、レーザー出力部をＸ線吸収体の膜応力分布に応じて移動させながらレーザー光を一定角度で照射することにより、Ｘ線吸収体を所定温度分布にするので、Ｘ線吸収体の膜応力分布に応じた位置にレーザー光を照射することにより、膜応力分布に応じたＸ線吸収体の所定温度分布を容易に決定することができ、Ｘ線吸収体の膜応力を全ての箇所において容易に、且つ、確実に０とすることができる加熱装置を提供することが可能である。
【０１２４】
又、この発明の請求項１１によれば、基板上に、同一材料のＸ線吸収体を複数の成膜条件にて積層していく際に、成膜条件間のＸ線吸収体の各膜応力分布が相殺して、Ｘ線吸収体の各箇所における膜応力が０となるようにしたので、Ｘ線吸収体の全ての箇所において膜応力が確実に０となり、延いては所望のパターニングされたＸ線吸収体を備えたＸ線マスクを得ることができるＸ線マスクの製造方法を提供することが可能である。
【０１２５】
又、この発明の請求項１２によれば、請求項１１に記載のＸ線マスクの製造方法において、各成膜条件ごとにＸ線吸収体をアニールにより均一に加熱する条件を付加したので、安定したＸ線吸収体を得ることができるＸ線マスクの製造方法を提供することが可能である。
【０１２６】
又、この発明の請求項１３によれば、請求項１１に記載のＸ線マスクの製造方法において、各成膜条件の内、最終成膜条件にＸ線吸収体をアニールにより均一に加熱する条件を付加したので、安定したＸ線吸収体を得ることができるＸ線マスクの製造方法を提供することが可能である。
【０１２７】
又、この発明の請求項１４によれば、表面が平坦な基板上にＸ線吸収体を成膜した後の膜応力分布をあらかじめ測定し、基板の表面を、応力が小さい箇所ほど応力が大きい箇所より凹凸を有するように加工した後、Ｘ線吸収体の成膜を行うようにしたので、Ｘ線吸収体の全ての箇所において膜応力が確実に０となり、延いては所望のパターニングされたＸ線吸収体を備えたＸ線マスクを得ることができるＸ線マスクの製造方法を提供することが可能である。
【０１２８】
又、この発明の請求項１５によれば、基板上にＸ線吸収体を成膜する際に、Ｘ線吸収体を複数層にて形成し、Ｘ線吸収体の厚さ方向の応力が均一となるように、各層の成膜条件の内、圧力の条件を徐々に下降させ、各層を同じ応力分布にしたので、Ｘ線吸収体の全ての箇所において厚さ方向の応力の均一となるので、オーバーエッチなどの除去によりＸ線吸収体の厚さ方向の応力の平均値が変化するのを防止することができるＸ線マスクの製造方法を提供することが可能である。
【０１２９】
又、この発明の請求項１６によれば、基板上に、Ｘ線吸収体を同一の成膜条件にて積層していく際に、複数回に分けて成膜し、各回成膜後ごとにＸ線吸収体の最大膜応力を０とする温度にてＸ線吸収体をアニールにより均一に加熱するので、Ｘ線吸収体の全ての箇所において厚さ方向の応力の均一となるので、オーバーエッチなどの除去によりＸ線吸収体の厚さ方向の応力の平均値が変化するのを防止することができるＸ線マスクの製造方法を提供することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施の形態１におけるＸ線マスクの製造方法および加熱装置の構成を示す断面図である。
【図２】この発明の実施の形態１におけるＸ線吸収体の膜応力分布および所定温度分布を示す図である。
【図３】この発明の実施の形態１におけるＸ線マスクの製造方法および加熱装置の構成を示す断面図である。
【図４】この発明の実施の形態２におけるＸ線マスクの製造方法および加熱装置の構成を示す断面図である。
【図５】この発明の実施の形態２におけるＸ線マスクの製造方法および加熱装置の構成を示す断面図である。
【図６】この発明の実施の形態３におけるＸ線マスクの製造方法および加熱装置の構成を示す断面図である。
【図７】この発明の実施の形態４におけるＸ線マスクの製造方法および加熱装置の構成を示す断面図である。
【図８】この発明の実施の形態５におけるＸ線マスクの製造方法および加熱装置の構成を示す断面図である。
【図９】この発明の実施の形態６におけるＸ線吸収体の膜応力分布および所定温度分布を示す図である。
【図１０】この発明の実施の形態６におけるＸ線マスクの製造方法および加熱装置の構成を示す断面図である。
【図１１】この発明の実施の形態７におけるＸ線マスクの製造方法および加熱装置の構成を示す断面図である。
【図１２】この発明の実施の形態８におけるＸ線マスクの製造方法および加熱装置の構成を示す断面図である。
【図１３】この発明の実施の形態９におけるＸ線マスクの製造方法および加熱装置の構成を示す断面図である。
【図１４】この発明の実施の形態１０におけるＸ線マスクの製造方法および加熱装置の構成を示す断面図である。
【図１５】この発明の実施の形態１１におけるＸ線マスクの製造方法および加熱装置を示す断面図である。
【図１６】この発明の実施の形態１３におけるＸ線マスクの製造方法および加熱装置を示す断面図である。
【図１７】この発明の実施の形態１４におけるＸ線マスクの製造方法におけるアルゴンイオンの注入量に対するＸ線吸収体の膜応力の変化を示す図である。
【図１８】この発明の実施の形態１４におけるＸ線吸収体のイオン注入量を示す図である。
【図１９】この発明の実施の形態１４におけるＸ線マスクの製造方法における各イオンの注入量に対するＸ線吸収体の膜応力の変化を示す図である。
【図２０】この発明の実施の形態１５におけるＸ線マスクの製造方法を示す断面図である。
【図２１】この発明の実施の形態１５におけるＸ線吸収体の膜応力分布を示す図である。
【図２２】この発明の実施の形態１６におけるＸ線吸収体の膜応力分布を示す図である。
【図２３】この発明の実施の形態１６におけるＸ線吸収体の膜応力分布を示す図である。
【図２４】この発明の実施の形態１７におけるＸ線マスクの製造方法を示す断面図である。
【図２５】この発明の実施の形態１７におけるＸ線マスクの膜応力分布を示す図である。
【図２６】この発明の実施の形態１７におけるＸ線マスクの膜応力分布を示す図である。
【図２７】Ｘ線吸収体の厚さ方向の膜応力の原理を説明する図である。
【図２８】この発明の実施の形態１８におけるＸ線マスクの製造方法を示す断面図である。
【図２９】この発明の実施の形態１８におけるＸ線マスクの厚さ方向の膜応力を示す図である。
【図３０】この発明の実施の形態１８におけるＸ線マスクの厚さ方向の膜応力を示す図である。
【図３１】この発明の実施の形態１９におけるＸ線マスクの製造方法を示す断面図である。
【図３２】この発明の実施の形態におけるＸ線マスクの膜応力分布の均一と、厚さ方向の応力の均一と組合せの原理について説明する図である。
【図３３】従来のＸ線マスクの製造方法を示す断面図である。
【図３４】従来の技術が解決する問題点を説明するための図である。
【図３５】従来の問題点を説明するための図である。
【符号の説明】
１，３５  シリコン基板、２，３６  メンブレン、
４，３１，３２，３３，３９，４２，４３，４５，４６，４７  Ｘ線吸収体、
８，１０，１２，１５，１７，１９  ホットプレート、
９ａ，９ｂ，９ｃ  ヒータ、１１  冷却管、
１３ａ，１３ｂ，１６ａ，１６ｂ  ギャップ、１８  送出手段、２０  金属板、
２２，２３，２４  ヒートシンク、２５  加熱ランプ、２６  マスク、
２９  レーザー出力部、３０ａ  レーザー光、
３４，４４，４８  最終Ｘ線吸収体、３７  平坦な箇所、
３８  凹凸を有する箇所。
【図１】
0003578872.tif 000002
【図２】
0003578872.tif 000003
【図３】
0003578872.tif 000004
【図４】
0003578872.tif 000005
【図５】
0003578872.tif 000006
【図６】
0003578872.tif 000007
【図７】
0003578872.tif 000008
【図８】
0003578872.tif 000009
【図９】
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【図１０】
0003578872.tif 000011
【図１１】
0003578872.tif 000012
【図１２】
0003578872.tif 000013
【図１３】
0003578872.tif 000014
【図１４】
0003578872.tif 000015
【図１５】
0003578872.tif 000016
【図１６】
0003578872.tif 000017
【図１７】
0003578872.tif 000018
【図１８】
0003578872.tif 000019
【図１９】
0003578872.tif 000020
【図２０】
0003578872.tif 000021
【図２１】
0003578872.tif 000022
【図２２】
0003578872.tif 000023
【図２３】
0003578872.tif 000024
【図２４】
0003578872.tif 000025
【図２５】
0003578872.tif 000026
【図２６】
0003578872.tif 000027
【図２７】
0003578872.tif 000028
【図２８】
0003578872.tif 000029
【図２９】
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【図３０】
0003578872.tif 000031
【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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