(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理体に対してレジスト塗布、露光、および露光後の現像を行う処理装置であって、
被処理体を搬送する主搬送ラインと、
レジスト塗布処理ユニットを複数配置してなる塗布処理ブロックと、
塗布されたレジストに対して所定パターンに露光する露光ユニットを複数配置してなる露光ブロックと、
露光後の現像を行う現像処理ユニットを複数配置してなる現像処理ブロックと、
前記主搬送ラインと前記各ブロックとの間で被処理体の受け渡しを行う受け渡しポートと、
前記主搬送ライン上に設けられ、被処理体に対して熱的処理を施す熱的処理部と
を具備することを特徴とする処理装置。
【請求項２】
前記塗布処理ブロック、露光ブロック、現像処理ブロックは、それぞれ搬送路と、搬送路に沿って移動する搬送装置とを有し、複数のレジスト塗布処理ユニット、露光ユニット、現像処理ユニットがそれぞれのブロックの搬送路に沿って配置され、前記搬送装置により各ユニットへの被処理体の搬出入および受け渡しポートにおける被処理体の受け渡しが行われることを特徴とする請求項１に記載の処理装置。
【請求項３】
前記塗布処理ブロック、露光ブロック、現像処理ブロックは、それぞれレジスト塗布処理ユニット、露光ユニット、現像処理ユニットが増減自在であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の処理装置。
【請求項４】
さらに、被処理体を洗浄する洗浄ユニットを複数配置してなる洗浄ブロックを具備することを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の処理装置。
【請求項５】
前記洗浄ブロックは、搬送路と、搬送路に沿って移動する搬送装置とを有し、複数の洗浄ユニットが前記搬送路に沿って配置され、前記搬送装置により各洗浄ユニットへの被処理体の搬出入および受け渡しポートにおける被処理体の受け渡しが行われることを特徴とする請求項４に記載の処理装置。
【請求項６】
前記洗浄ブロックは、洗浄ユニットが増減自在であることを特徴とする請求項４または請求項５に記載の処理装置。
【請求項７】
前記熱的処理部は、加熱処理エリア、冷却処理エリアを含むことを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載の処理装置。
【請求項８】
前記熱処理部は、さらにアドヒージョン処理エリアまたは紫外線照射エリアを含むことを特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載の処理装置。
【請求項９】
被処理体に対して複数の処理を施すための処理装置であって、
被処理体を搬送する主搬送ラインと、
前記主搬送ラインに連結された、被処理体に対して同一の処理を行う処理ユニットを複数配置してなる複数の処理ブロックと、
前記主搬送ラインと前記各処理ブロックとの間で被処理体の受け渡しを行う受け渡しポートと、
前記主搬送ライン上に設けられ、被処理体に対して熱的処理を施す熱的処理部と
を有することを特徴とする処理装置。
【請求項１０】
被処理体に対してレジスト塗布、および露光後の現像を行う処理装置であって、
被処理体を搬送する主搬送ラインと、
レジスト塗布処理ユニットを複数配置してなる塗布処理ブロックと、
露光後の現像を行う現像処理ユニットを複数配置してなる現像処理ブロックと、
前記主搬送ラインと前記各ブロックとの間で被処理体の受け渡しを行う受け渡しポートと、
前記主搬送ライン上に設けられ、被処理体に対して熱的処理を施す熱的処理部と
を具備することを特徴とする処理装置。
【請求項１１】
前記熱的処理部は、加熱処理エリア、冷却処理エリアを含むことを特徴とする請求項９または請求項１０に記載の処理装置。
【請求項１２】
前記熱処理部は、さらにアドヒージョン処理エリアまたは紫外線照射エリアを含むことを特徴とする請求項９ないし請求項１１のいずれか１項に記載の処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明が属する技術分野】
本発明は、例えばＬＣＤガラス基板、半導体ウエハ等の被処理体に対してレジスト塗布、露光および現像処理のような複数の処理を施す処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示装置（ＬＣＤ）や半導体デバイスの製造においては、基板であるＬＣＤガラス基板や半導体ウエハに、所定の膜を成膜した後、フォトレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、回路パターンに対応してレジスト膜を露光し、これを現像処理するという、いわゆるフォトリソグラフィー技術により回路パターンを形成する。
【０００３】
このフォトリソグラフィー技術では、被処理体であるＬＣＤ基板や半導体ウエハは、アドヒージョン（疎水化）処理→レジスト塗布→プリベーク→露光→現像→ポストベークユニットという一連の処理を経てレジスト層に所定の回路パターンを形成する。
【０００４】
従来、このような処理は、各処理を行う処理ユニットを搬送路の両側にプロセスフローを意識した形態で配置し、搬送路を走行可能な搬送装置により各処理ユニットへの被処理体の搬入出を行うプロセスブロックを一または複数配置してなる処理システムにより行われている。そして、生産ラインにおいては、生産量に応じた数の処理システムを配置している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような処理システムにおいては、プロセスフローに応じて搬送路に沿って各処理ユニットを配置する構成であるため、処理ユニット追加の自由度が高くない。したがって、生産量に応じて段階的に装置を拡張することが困難である。また、必要タクトに対して各処理ユニットの数をプロセスブロック内で最適化しようとすると、システムが冗長となることがあり、コスト高につながるため、処理ユニットの数を必要タクトに対して最適化することが困難である。また、このようなシステムにおいて各処理ユニットをタクトを重視して配置すると、システムの設置面積が比較的大きくなってしまう。
【０００６】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、処理ユニットの追加の自由度が高く、段階的に拡張が可能な処理装置を提供することを目的とする。また、必要タクトに対してユニット数を最適化しやすく、かつ設置面積を小さくすることができる処理装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の第１の観点によれば、被処理体に対してレジスト塗布、露光、および露光後の現像を行う処理装置であって、
被処理体を搬送する主搬送ラインと、
レジスト塗布処理ユニットを複数配置してなる塗布処理ブロックと、
塗布されたレジストに対して所定パターンに露光する露光ユニットを複数配置してなる露光ブロックと、
露光後の現像を行う現像処理ユニットを複数配置してなる現像処理ブロックと、
前記主搬送ラインと前記各ブロックとの間で被処理体の受け渡しを行う受け渡しポートと、
前記主搬送ライン上に設けられ、被処理体に対して熱的処理を施す熱的処理部と
を具備することを特徴とする処理装置が提供される。
【０００８】
本発明の第２の観点によれば、被処理体に対して複数の処理を施すための処理装置であって、
被処理体を搬送する主搬送ラインと、
前記主搬送ラインに連結された、被処理体に対して同一の処理を行う処理ユニットを複数配置してなる複数の処理ブロックと、
前記主搬送ラインと前記各処理ブロックとの間で被処理体の受け渡しを行う受け渡しポートと、
前記主搬送ライン上に設けられ、被処理体に対して熱的処理を施す熱的処理部と
を有することを特徴とする処理装置が提供される。
【０００９】
本発明の第３の観点によれば、被処理体に対してレジスト塗布、および露光後の現像を行う処理装置であって、
被処理体を搬送する主搬送ラインと、
レジスト塗布処理ユニットを複数配置してなる塗布処理ブロックと、
露光後の現像を行う現像処理ユニットを複数配置してなる現像処理ブロックと、
前記主搬送ラインと前記各ブロックとの間で被処理体の受け渡しを行う受け渡しポートと、
前記主搬送ライン上に設けられ、被処理体に対して熱的処理を施す熱的処理部と
を具備することを特徴とする処理装置が提供される。
【００１０】
上記本発明の第１の観点においては、レジスト塗布処理ユニットを複数配置してなる塗布処理ブロックと、塗布されたレジストに対して所定パターンに露光する露光ユニットを複数配置してなる露光ブロックと、露光後の現像を行う現像処理ユニットを複数配置してなる現像処理ブロックとを、受け渡しポートを介して主搬送ラインとの間で被処理体を受け渡しするように設けたので、レジスト塗布、露光、露光後の現像を一括して行うことができるとともに、塗布処理ブロック、露光ブロック、現像処理ブロックは、それぞれ他のブロックに影響を与えることなく自由に各ユニットの数を設定することができ、必要タクトに対してユニット数を最適化しやすい。また、このように各ユニットを集約することにより、レジスト塗布処理ユニット、露光ユニット、現像処理ユニットの数を少なくすることができる可能性があり、また薬液などの材料供給を集約することができるので、装置の設置面積を小さくすることができる。さらに、被処理体に対して熱的処理を施す熱的処理部を主搬送ライン上に設けたので、装置の設置面積を一層小さくすることができる。
【００１１】
上記本発明の第２の観点においては、被処理体に対して同一の処理を行う処理ユニットを複数配置してなる複数の処理ブロックを主搬送ラインに連結して設け、かつ主搬送ラインと各処理ブロックとの間で被処理体の受け渡しを行う受け渡しポートを設けたので、各処理ブロックにおいては、他の処理ブロックに影響を与えることなく自由に処理ユニットの数を設定することができ、必要タクトに対してユニット数を最適化しやすい。また、このように各処理ユニットを集約することにより、必要な処理ユニットの数を少なくすることができる可能性があり、かつ薬液などの材料供給を集約することができるので、装置の設置面積を小さくすることができる。さらに、被処理体に対して熱的処理を施す熱的処理部を主搬送ライン上に設けたので、装置の設置面積を一層小さくすることができる。
【００１２】
上記本発明の第３の観点においては、レジスト塗布処理ユニットを複数配置してなる塗布処理ブロックと、塗布されたレジストの露光後の現像を行う現像処理ユニットを複数配置してなる現像処理ブロックとを、受け渡しポートを介して主搬送ラインとの間で被処理体を受け渡しするように設けたので、レジスト塗布、露光後の現像を一括して行うことができるとともに、レジスト塗布処理ブロック、現像処理ブロックは、それぞれ他のブロックに影響を与えることなく自由に各ユニットの数を設定することができ、必要タクトに対してユニット数を最適化しやすい。また、このように各ユニットを集約することにより、レジスト塗布処理ユニット、現像処理ユニットの数を少なくすることができる可能性があり、また薬液などの材料供給を集約することができるので、装置の設置面積を小さくすることができる。さらに、被処理体に対して熱的処理を施す熱的処理部を主搬送ライン上に設けたので、装置の設置面積を一層小さくすることができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係るＬＣＤ基板の処理装置を示す平面図である。
【００１４】
この処理装置１００は、ＬＣＤ基板を搬入するためのローダ部１、ＬＣＤ基板に対してレジスト塗布、露光、現像処理を行う処理部２、およびＬＣＤ基板を搬出するためのアンローダ部３を備えている。
【００１５】
ローダ部１は、複数のＬＣＤ基板Ｓを収容する複数のキャリアＣを載置するキャリアステーション１１と、キャリアステーション１１のキャリアＣに収容された基板Ｓを処理部２へ搬送する搬送部１２とを有している。搬送部１２は、カセットの配列方向に沿って設けられた搬送路１２ａ上を移動可能な搬送機構１３を有しており、その搬送アーム１３ａを前後動、上下動、回転させることによりキャリアＣ内の基板Ｓを搬送するようになっている。
【００１６】
アンローダ部３は、複数のＬＣＤ基板Ｓを収容する複数のキャリアＣを載置するキャリアステーション１４と、処理部２から基板Ｓをキャリアステーション１４のキャリアＣに搬送する搬送部１５とを有している。搬送部１５は、カセットの配列方向に沿って設けられた搬送路１５ａ上を移動可能な搬送機構１６を有しており、その搬送アーム１６ａを前後動、上下動、回転させることによりキャリアＣ内の基板Ｓを搬送するようになっている。
【００１７】
処理部２は、基板Ｓに対してブラシ洗浄を行う８個のスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１１を有する洗浄ブロック２１と、レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）２２および基板Ｓの周縁部のレジストを除去するエッジリムーバー（ＥＲ）２３が一体的に設けらた４個のレジスト塗布／エッジリムーバユニット（ＣＴ／ＥＲ）２２１を有するレジスト塗布／エッジリムーバブロック２２と、基板Ｓに形成されたレジスト膜を所定パターンで露光する５個の露光ユニット（ＥＸＰ）２３１を有する露光ブロック２３と、基板Ｓの露光されたレジスト膜をのパターンを現像する１２個の現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４１を有する現像処理ブロック２４とを有している。
【００１８】
また、処理部２は、ローダ部１からアンローダ部３へ至る主搬送ラインＬを有している。この主搬送ラインＬ上に、ローダ部１側から紫外線照射エリア（ＵＶ）２５、冷却エリア（ＣＯＬ）２６、加熱エリア（ＨＰ）２７、アドヒージョン処理エリア（ＡＤ）２８、冷却エリア（ＣＯＬ）２９、加熱エリア（ＨＰ）３０、冷却エリア（ＣＯＬ）３１、搬送エリア（ＴＲ）３２、加熱エリア（ＨＰ）３３、冷却エリア（ＣＯＬ）３４がこの順で配列されている。これらはいわゆるトラックタイプであり、基板Ｓに対してプレート上で所定の処理を施した後、ウォーキングビーム等で主搬送ラインＬ上に基板Ｓを搬送する。なお、搬送エリア（ＴＲ）３２は加熱、冷却等の処理は行わず、単に基板Ｓを搬送するようになっている。
【００１９】
前記洗浄ブロック２１、レジスト塗布／エッジリムーバブロック２２、露光ブロック２３、現像処理ブロック２４は、主搬送ラインＬに接続されている。具体的には、洗浄ブロック２１は冷却エリア（ＣＯＬ）２６と加熱エリア（ＨＰ）２７との間の受け渡し部３５ａ，３５ｂを介して、レジスト塗布／エッジリムーバブロック２２は冷却エリア（ＣＯＬ）２９と加熱エリア（ＨＰ）３０との間の受け渡し部３６ａ，３６ｂを介して、露光ブロック２３は冷却エリア（ＣＯＬ）３１と搬送エリア（ＴＲ）３２との間の受け渡し部３７ａ，３７ｂを介して、現像処理ブロック２４は搬送エリア（ＴＲ）３２と加熱エリア（ＨＰ）３３との間の受け渡し部３８ａ，３８ｂを介して、それぞれ主搬送ラインＬに接続されている。
【００２０】
洗浄ブロック２１は、主搬送ラインＬから垂直に延びる搬送路２１２を有しており、搬送路２１２の両側に４個ずつのスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１１が配置されている。そして、搬送路２１２に沿って移動可能に搬送装置２１３が設けられている。搬送装置２１３は搬送アーム２１４を有しており、その搬送アーム２１４を前後動、上下動、回転させることにより、受け渡し部３５ａから基板Ｓを受け取り、各スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１１に対する基板Ｓの搬入出を行い、各スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１１から搬出された基板Ｓを受け渡し部３５ｂへ搬送する。
【００２１】
スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１１は、基板Ｓを回転させながら基板Ｓの表面をブラシ洗浄およびジェット水洗浄等を行えるようになっている。
【００２２】
レジスト塗布／エッジリムーバブロック２２は、主搬送ラインＬから垂直に延びる搬送路２２２を有しており、搬送路２２２の両側に２個ずつのレジスト塗布／エッジリムーバユニット（ＣＴ／ＥＲ）２２１が配置されている。そして、搬送路２２２に沿って移動可能に搬送装置２２３が設けられている。搬送装置２２３は搬送アーム２２４を有しており、その搬送アーム２２４を前後動、上下動、回転させることにより、受け渡し部３６ａから基板Ｓを受け取り、各レジスト塗布／エッジリムーバユニット（ＣＴ／ＥＲ）２２１に対する基板Ｓの搬入出を行い、各レジスト塗布／エッジリムーバユニット（ＣＴ／ＥＲ）２２１から搬出された基板Ｓを受け渡し部３６ｂへ搬送する。
【００２３】
レジスト塗布／エッジリムーバユニット（ＣＴ／ＥＲ）２２１は、スピンチャック上の基板Ｓを回転させながらレジスト液を基板上に供給して、遠心力で基板Ｓ上にレジスト液を塗布し、レジスト膜を形成するとともに、隣接するステージに基板Ｓを搬送し、そこで基板Ｓの四辺に沿って移動するリムーバーヘッドからシンナー等の溶剤を吐出して基板Ｓの周縁部に付着した余分なレジストを除去するようになっている。
【００２４】
露光ブロック２３は、主搬送ラインＬから垂直に延びる搬送路２３２を有しており、搬送路２３２の両側に２個ずつ、搬送路２３２の先端に１個の露光ユニット（ＥＸＰ）２３１が配置されている。そして、搬送路２３２に沿って移動可能に搬送装置２３３が設けられている。搬送装置２３３は搬送アーム２３４を有しており、その搬送アーム２３４を前後動、上下動、回転させることにより、受け渡し部３７ａから基板Ｓを受け取り、各露光ユニット（ＥＸＰ）２３１に対する基板Ｓの搬入出を行い、各露光ユニット（ＥＸＰ）２３１から搬出された基板Ｓを受け渡し部３６ｂへ搬送する。
【００２５】
露光ユニット（ＥＸＰ）２３１は、基板Ｓの表面に形成された感光性のレジスト膜を、フォトマスクを用いて所定パターンに露光する。
【００２６】
現像処理ブロック２４は、主搬送ラインＬから垂直に延びる搬送路２４２を有しており、搬送路２４２の両側に５個ずつの現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４１が配置されている。そして、搬送路２４２に沿って移動可能に搬送装置２４３が設けられている。搬送装置２４３は搬送アーム２４４を有しており、その搬送アーム２４４を前後動、上下動、回転させることにより、受け渡し部３８ａから基板Ｓを受け取り、各現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４１に対する基板Ｓの搬入出を行い、各現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４１から搬出された基板Ｓを受け渡し部３８ｂへ搬送する。
【００２７】
現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４１は、スリットタイプの現像液ノズルをスキャンさせながらスピンチャック上の基板に現像液を塗布し、所定の現像処理が終了した時点で基板Ｓを回転させ、現像液を振り切り乾燥させる。
【００２８】
洗浄ブロック２１、レジスト塗布／エッジリムーバブロック２２、露光ブロック２３、および現像処理ブロック２４は、いずれも各ユニットが増減可能となっており、それに応じて搬送路も着脱自在となっている。すなわち、例えば、現像処理ブロック２４を例に採ると、装置納入当初は図２の（ａ）に示すように、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４１を２個だけ設け、それに対応して搬送路２４２も短くしておき、生産量の増大に対応して図２の（ｂ）、（ｃ）のように現像処理ユニット２４１を４個、６個と増加し、それに対応して搬送路２４２を長くするようにすることが可能となっている。現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４１が２個だけの場合には、搬送装置２４３は必ずしも搬送路２４２を走行する必要がないので、搬送装置２４３をより簡易な構造のものとすることが可能である。なお、図２の（ａ）に示すように、搬送路２４２のオリジナル部分には２つのユニット接続ポート２４４と１つの搬送路接続ポート２４５が設けられており、図２の（ｂ）、（ｃ）に示すように、これら接続ポート２４４，２４５に現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４１および搬送路の追加分を順次接続していく。
【００２９】
この場合に、これらブロックのうち、いずれかまたは全部について、対応するユニットを取り付けずにユーザーに納入し、ユーザー側のオプションで各ユニットを取り付けるようにすることも可能である。
【００３０】
このように構成される処理装置１００においては、まず、ローダ部１のキャリアＣから搬送機構１３の搬送アーム１３ａにより１枚のＬＣＤ基板Ｓが取り出され、処理部２の紫外線照射エリア（ＵＶ）２５に搬送される。紫外線照射エリア（ＵＶ）２５では、紫外線照射により基板Ｓ表面が洗浄される。紫外線照射が終了すると基板Ｓは冷却エリア（ＣＯＬ）２６で冷却された後、受け渡し部３５ａに載置される。
【００３１】
受け渡し部３５ａに載置された基板Ｓは、搬送装置２１３の搬送アーム２１４に受け取られ、洗浄ブロック２１に搬入される。そして、基板Ｓは搬送アーム２１４により所定のスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１１に搬入され、そこでスクラバ洗浄処理が行われる。
【００３２】
ローダ部１からは、次々に基板Ｓが処理部２へ供給され、紫外線照射エリア（ＵＶ）２５で紫外線照射が行われ、冷却エリア（ＣＯＬ）２６で冷却された基板Ｓが次々に受け渡し部３５ａを介して洗浄ブロック２１に供給される。そして、いずれかのスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１１で洗浄処理が終了した基板Ｓは、搬送装置２１３の搬送アーム２１４によりスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１１から搬出され、次いで受け渡し部３５ｂに載置される。
【００３３】
受け渡し部３５ｂに載置された基板Ｓは、加熱エリア（ＨＰ）２７に搬入され、そこで加熱された後、アドヒージョン処理エリア（ＡＤ）２８に搬送されてアドヒージョン処理（疎水化処理）され、次いで冷却エリア（ＣＯＬ）２９で冷却された後、受け渡し部３６ａに載置される。
【００３４】
受け渡し部３６ａに載置された基板Ｓは、搬送装置２２３の搬送アーム２２４に受け取られ、レジスト塗布／エッジリムーバブロック２２に搬入される。そして、基板Ｓは搬送アーム２２４により所定のレジスト塗布／エッジリムーバユニット（ＣＴ／ＥＲ）２２１に搬入され、そこでレジスト塗布および周縁レジスト除去処理が行われる。
【００３５】
洗浄処理ブロック２１からは、受け渡し部３５ｂ、加熱エリア（ＨＰ）２７、アドヒージョン処理エリア（ＡＤ）２８、冷却エリア（ＣＯＬ）２９、受け渡し部３６ａを介して、次々に基板Ｓがレジスト塗布／エッジリムーバブロック２２に供給される。そして、いずれかのレジスト塗布／エッジリムーバユニット（ＣＴ／ＥＲ）２２１でレジスト塗布および周縁レジスト除去処理が終了した基板Ｓは、搬送装置２２３の搬送アーム２２４によりレジスト塗布／エッジリムーバユニット（ＣＴ／ＥＲ）２２１から搬出され、次いで受け渡し部３５ｂに載置される。
【００３６】
受け渡し部３６ｂに載置された基板Ｓは、加熱エリア（ＨＰ）３０でプリベーク処理され、次いで冷却エリア（ＣＯＬ）３１で冷却された後、受け渡し部３７ａに載置される。
【００３７】
受け渡し部３７ａに載置された基板Ｓは、搬送装置２３３の搬送アーム２３４に受け取られ、露光ブロック２３に搬入される。そして、基板Ｓは搬送アーム２３４により所定の露光ユニット（ＥＸＰ）２３１に搬入され、そこで所定パターンに露光される。
【００３８】
レジスト塗布／エッジリムーバブロック２２からは、受け渡し部３６ｂ、加熱エリア（ＨＰ）３０、冷却エリア（ＣＯＬ）３１、受け渡し部３７ａを介して、次々に基板Ｓが露光ブロック２３に供給される。そして、いずれかの露光ユニット（ＥＸＰ）２３１で露光が終了した基板Ｓは、搬送装置２３３の搬送アーム２３４により露光ユニット（２３１）から搬出され、次いで受け渡し部３７ｂに載置される。
【００３９】
受け渡し部３７ｂに載置された基板Ｓは、搬送エリア（ＴＲ）３２を介して受け渡し部３８ａに搬送される。
【００４０】
受け渡し部３８ａに載置された基板Ｓは、搬送装置２４３の搬送アーム２４４に受け取られ、現像処理ブロック２４に搬入される。そして、基板Ｓは搬送アーム２４４により所定の現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４１に搬入され、そこで露光パターンが現像される。
【００４１】
露光ブロック２３からは、受け渡し部３７ｂ、搬送エリア（ＴＲ）３２、受け渡し部３８ａを介して、次々に基板Ｓが現像処理ブロック２４に供給される。そして、いずれかの現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４１で現像処理が終了した基板Ｓは、搬送装置２４３の搬送アーム３４４により現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４１から搬出され、次いで受け渡し部３８ｂに載置される。
【００４２】
受け渡し部３８ｂに載置された基板は、加熱エリア（ＨＰ）３３に搬送され、そこでポストベーク処理された後、冷却エリア（ＣＯＬ）３４で冷却され、次いでアンローダ部３に搬送される。アンローダ部３に搬送された基板Ｓは、搬送機構１６の搬送アーム１６ａにより、所定のキャリアＣに収納される。このような操作を所定枚数、例えば４キャリア分行い、処理を終了する。
【００４３】
このような処理装置１００によれば、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１１を複数配置してなる洗浄ブロック２１、レジスト塗布処理／エッジリムーバユニット（ＣＴ／ＥＲ）２２１を複数配置してなるレジスト塗布処理／エッジリムーバブロック２２と、塗布されたレジストに対して所定パターンに露光する露光ユニット（ＥＸＰ）２３１を複数配置してなる露光ブロック２３と、露光後の現像を行う現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４１を複数配置してなる現像処理ブロック２４とを設け、各受け渡し部を介して主搬送ラインＬとの間でＬＣＤ基板Ｓを搬送するようにしたので、以下のような効果を得ることができる。
【００４４】
（１）洗浄、レジスト塗布、露光、露光後の現像およびこれらに付随する熱処理、アドヒージョン処理等を一括して行うことができる。
（２）洗浄ブロック２１、レジスト塗布処理／エッジリムーバブロック２２、露光ブロック２３、現像処理ブロック２４は、それぞれ他のブロックに影響を与えることなく自由に各ユニットの数を設定することができ、必要タクトに対してユニット数を最適化しやすい。
（３）また、このように各ユニットを集約することにより、レジスト塗布処理ユニット、露光ユニット、現像処理ユニットの数を少なくすることができる可能性があり、また薬液などの材料供給を集約することができるので、装置の設置面積を小さくすることができる。
【００４５】
また、加熱、冷却、紫外線照射、アドヒージョン処理等のオーブンエリアをトラックタイプとしてこれらを主搬送ラインＬ上に設けたので、装置の設置面積を一層小さくすることができる。
【００４６】
図１の処理装置においては、各ブロックの搬送装置２１３，２２３，２３３，２４３は従来の装置で用いられているものであり、これらのタクトは８秒／枚・工程（受け渡しが５秒、ユニット移動が平均で３秒）であり、対プロセスユニットと受け渡し部への搬送で最低２工程は必要であることから、装置のスループットは８秒／枚・工程×２工程＝１６秒／枚である。図３に示す従来のレジスト塗布・露光・現像処理装置ではスループットが６０秒／枚であることから、図１の装置は図３の装置の４つ分の処理能力を有する。
【００４７】
図３の従来の処理装置３００は、キャリアステーション３０１と、基板Ｓにレジスト塗布および現像処理を行う処理部３０２と、露光ユニット３０３とを備えている。キャリアステーション３０１は、搬送路３１０を移動しつつキャリアＣと処理部３０２との間でＬＣＤ基板の搬送を行うための搬送機構３１１を備えている。
【００４８】
処理部３０２は、前段処理ブロック３０２ａと中段処理ブロック３０２ｂと後段処理ブロック３０２ｃとに分かれており、それぞれ中央に搬送路３１２、３１３、３１４を有し、これら搬送路の両側に各処理ユニットが配設されている。そして、これらの間には受け渡し部３１８、３１９が設けられている。前段処理ブロック３０２ａは、搬送路３１２に沿って移動可能な主搬送装置３１５を備えており、搬送路３１２の一方側には、２つのスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）３２０が配置されており、搬送路３１２の他方側には紫外線照射ユニット（ＵＶ）、加熱ユニット（ＨＰ）、冷却ユニット（ＣＯＬ）を含むオーブン系ユニット群３２３が配置されている。中段処理ブロック３０２ｂは、搬送路３１３に沿って移動可能な主搬送装置３１６を備えており、搬送路３１３の一方側には、レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）およびエッジリムーバー（ＥＲ）が一体的に設けられたユニット３２１が配置されており、搬送路３１３の他方側には、アドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）、冷却ユニット（ＣＯＬ）、加熱ユニット（ＨＰ）を含むオーブン系ユニット群３２４が配置されている。後段処理ブロック３０２ｃは、搬送路３１４に沿って移動可能な主搬送装置３１７を備えており、搬送路３１４の一方側には、３つの現像処理ユニット（ＤＥＶ）３２４が配置されており、搬送路３１４の他方側には加熱ユニット（ＨＰ）、冷却ユニット（ＣＯＬ）を含むオーブン系ユニット群３２５が配置されている。
【００４９】
このような装置においては、キャリアステーション３０１でキャリアＣから取り出された基板Ｓが処理部３０２に搬入され、前段ブロック３０２ａで紫外線照射処理およびスクラバ洗浄処理が施され、中段ブロック３０２ｂでアドヒージョン処理、レジスト塗布処理、プリベーク処理が施され、引き続き露光ユニット３０３で露光された後、後段部３０２ｃで現像処理およびプリベーク処理される。そして、これら処理が終了した後、基板Ｓはキャリアステーション３０１に戻される。
【００５０】
このような従来の処理装置は、必要タクトに対して各処理ユニットの数をプロセスブロック３０２ａ，３０２ｂ，３０２ｃ内で最適化する観点から、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）３２０が２個、現像処理ユニット（ＤＥＶ）３２２が３個必要であるが、図１の本実施形態に係る処理装置ではスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１１が８個、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４１が１０個と図３の装置４つ分のユニット数よりも少なくすることができ、コストダウンに繋がる。また、このようにユニット数を少なくすることに加え、オーブン系ユニットをトラックタイプにしたことにより、装置の設置面積を小さくすることができる。ちなみに、図１の処理装置の場合には、図３の処理装置４台分の設置面積の約７５％の設置面積とすることができる。なお、図１の装置は余裕をもって処理する観点から露光ユニットが５台となっているが、４台でも同様のスループットを実現することができる。また、このように露光ユニットを５台としても、図３の装置４台分よりも設置面積を小さくすることができる。
【００５１】
また、図１の本実施形態に係る装置においては、各ブロックの処理ユニットを増減することが可能であることから、当初生産量が少ない場合は処理ユニットを少なくしておき、生産量の増大に応じて段階的に処理ユニットを増加して拡張することが可能である。
【００５２】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々の変形が可能である。例えば、オーブン系ユニットをトラックタイプとして主搬送ラインＬに沿って設けるようにしたが、これに限らずオーブン系のみを集約した処理ブロックを主搬送ラインに接続するようにしてもよい。また、各処理ユニットの配置および数は上記実施形態に限るものではない。上記実施形態では洗浄ブロックを設けたが、洗浄ブロックは必須なものではない。さらに、上記実施形態においては、レジスト塗布・露光・現像処理に本発明を適用した例について示したが、これに限らず、他の処理に適用することも可能である。さらにまた、基板としてＬＣＤ基板を用いた場合について示したが、これに限らず半導体ウエハ等他の被処理体の処理の場合にも適用可能であることはいうまでもない。
【００５３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、被処理体に対して同一の処理を行う処理ユニットを複数配置可能な複数の処理ブロックを主搬送ラインに連結して設け、かつ主搬送ラインと各処理ブロックとの間で被処理体の受け渡しを行う受け渡しポートを設けたので、各処理ブロック毎に処理ユニットの数の増減の自由度が高く、当初生産量が少ない場合は処理ユニットを少なくしておき、生産量の増大に応じて段階的に処理ユニットを増加して拡張することが可能である。
【００５４】
また、被処理体に対して同一の処理を行う処理ユニットを複数配置してなる複数の処理ブロックを主搬送ラインに連結して設け、かつ主搬送ラインと各処理ブロックとの間で被処理体の受け渡しを行う受け渡しポートを設けたので、各処理ブロックにおいては、他の処理ブロックに影響を与えることなく自由に処理ユニットの数を設定することができ、必要タクトに対してユニット数を最適化しやすい。また、このように各処理ユニットを集約することにより、必要な処理ユニットの数を少なくすることができる可能性があり、かつ薬液などの材料供給を集約することができるので、装置の設置面積を小さくすることができる。
【００５５】
さらに、レジスト塗布処理ユニットを複数配置してなる塗布処理ブロックと、塗布されたレジストに対して所定パターンに露光する露光ユニットを複数配置してなる露光ブロックと、露光後の現像を行う現像処理ユニットを複数配置してなる現像処理ブロックとを具備し、受け渡しポートを介して主搬送ラインとの間で被処理体を搬送するようにしたので、レジスト塗布、露光、露光後の現像を一括して行うことができるとともに、レジスト塗布処理ブロック、露光ブロック、現像処理ブロックは、それぞれ他のブロックに影響を与えることなく自由に各ユニットの数を設定することができ、必要タクトに対してユニット数を最適化しやすい。また、このように各ユニットを集約することにより、レジスト塗布処理ユニット、露光ユニット、現像処理ユニットの数を少なくすることができる可能性があり、また薬液などの材料供給を集約することができるので、装置の設置面積を小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係るＬＣＤ基板の処理装置を示す平面図。
【図２】図１の処理装置におけるユニット増加の例を説明するための平面図。
【図３】図１の処理装置と対比すべき従来の処理装置を示す平面図。
【符号の説明】
１……ローダ部
２……処理部
３……アンローダ部
２１……洗浄ブロック
２２……レジスト塗布／エッジリムーバブロック
２３……露光ブロック
２４……現像処理ブロック
３４ａ，３４ｂ，３５ａ，３５ｂ，３６ａ，３６ｂ，３７ａ，３７ｂ……受け渡し部
１００……処理装置
２１１……洗浄ユニット（ＳＣＲ）
２２１……レジスト塗布／エッジリムーバユニット（ＣＴ／ＥＲ）
２３１……露光ユニット（ＥＸＰ）
２４１……現像処理ユニット（ＤＥＶ）
Ｌ……主搬送ライン
Ｓ……ＬＣＤ基板
【図１】
0003576831.tif 000002
【図２】
0003576831.tif 000003
【図３】
0003576831.tif 000004