(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｐｂ（Ｍｇ１／３  Ｎｂ２／３  ）Ｏ３  、Ｐｂ（Ｚｎ１／３  Ｔａ２／３  ）Ｏ３  及びＰｂＴｉＯ３  を含む複合酸化物から成り、前記複合酸化物をＰｂ〔ｘ（Ｍｇ１／３  Ｎｂ２／３  ）−ｙ（Ｚｎ１／３  Ｔａ２／３  ）−ｚＴｉ〕Ｏ３  で表したとき、各ｘ、ｙ、ｚ値が、ｘ−ｙ−ｚのモル比率の三角ダイアグラム中で、（ｘ、ｙ、ｚ）の座標で表される点Ａ（０．７０，０．２５，０．０５）、点Ｂ（０．９８，０．０１，０．０１）、点Ｃ（０．７９，０．０１，０．２０）及び点Ｄ（０．５５，０．２５，０．２０）を結ぶ線分で囲まれた四角形（但し線分を含む）に含まれていることを特徴とする誘電体磁器組成物。
【請求項２】
前記複合酸化物をＰｂ〔ｘ（Ｍｇ１／３  Ｎｂ２／３  ）−ｙ（Ｚｎ１／３  Ｔａ２／３  ）−ｚＴｉ〕Ｏ３  の各ｘ、ｙ、ｚ値が、ｘ−ｙ−ｚのモル比率の三角ダイアグラム中で、（ｘ、ｙ、ｚ）の座標で表される点Ａ（０．７０，０．２５，０．０５）、点Ｂ’（０．９８，０．０２，０．０１）、点Ｃ’（０．７９，０．０２，０．２０）及び点Ｄ（０．５５，０．２５，０．２０）を結ぶ線分で囲まれた四角形（但し線分を含む）に含まれていることを特徴とする請求項１記載の誘電体磁器組成物。
【請求項３】
誘電体磁器層と内部電極層とが交互に積層して成る積層磁器コンデンサにおいて、
前記誘電体磁器層が７μｍ以下であり、且つＰｂ（Ｍｇ１／３  Ｎｂ２／３  ）Ｏ３  、Ｐｂ（Ｚｎ１／３  Ｔａ２／３  ）Ｏ３  及びＰｂＴｉＯ３  を含む複合酸化物を主成分として構成されているとともに、
前記Ｐｂ（Ｍｇ１／３  Ｎｂ２／３  ）Ｏ３  、Ｐｂ（Ｚｎ１／３  Ｔａ２／３  ）Ｏ３  及びＰｂＴｉＯ３  を含む複合酸化物をＰｂ〔ｘ（Ｍｇ１／３  Ｎｂ２／３  ）−ｙ（Ｚｎ１／３  Ｔａ２／３  ）−ｚＴｉ〕Ｏ３  で表したとき、ｘ、ｙ、ｚ値が、ｘ−ｙ−ｚのモル比率を示す三角ダイアグラム中で、（ｘ、ｙ、ｚ）の座標で表される点Ａ（０．７０，０．２５，０．０５）、Ｂ（０．９８，０．０１，０．０１）、Ｃ（０．７９，０．０１，０．２０）及びＤ（０．５５，０．２５，０．２０）を結ぶ線分で囲まれた四角形（但し線分を含む）に含まれていることを特徴とする積層磁器コンデンサ。
【請求項４】
Ｐｂ（Ｍｇ１／３  Ｎｂ２／３  ）Ｏ３  、Ｐｂ（Ｍｇ１／３  Ｔａ２／３  ）Ｏ３  及びＰｂＴｉＯ３  を含む複合酸化物から成り、前記複合酸化物をＰｂ〔ｘ（Ｍｇ１／３  Ｎｂ２／３  ）−ｙ（Ｍｇ１／３  Ｔａ２／３  ）−ｚＴｉ〕Ｏ３  で表したとき、各ｘ、ｙ、ｚ値が、ｘ−ｙ−ｚのモル比率の三角ダイアグラム中で、（ｘ、ｙ、ｚ）の座標で表される点Ｗ（０．７０，０．２５，０．０５）、点Ｘ（０．９８，０．０１，０．０１）、点Ｙ（０．７９，０．０１，０．２０）及び点Ｚ（０．５５，０．２５，０．２０）を結ぶ線分で囲まれた四角形（但し線分を含む）に含まれていることを特徴とする誘電体磁器組成物。
【請求項５】
前記複合酸化物をＰｂ〔ｘ（Ｍｇ１／３  Ｎｂ２／３  ）−ｙ（Ｍｇ１／３  Ｔａ２／３  ）−ｚＴｉ〕Ｏ３  の各ｘ、ｙ、ｚ値がｘ−ｙ−ｚのモル比率の三角ダイアグラム中で、（ｘ、ｙ、ｚ）の座標で表される点Ｗ（０．７０，０．２５，０．０５）、点Ｘ’（０．９８，０．０２，０．０１）、点Ｙ’（０．７９，０．０２，０．２０）及び点Ｚ（０．５５，０．２５，０．２０）を結ぶ線分で囲まれた四角形（但し線分を含む）に含まれていることを特徴とする請求項４記載の誘電体磁器組成物。
【請求項６】
誘電体磁器層と内部電極層とが交互に積層して成る積層磁器コンデンサにおいて、
前記誘電体磁器層が７μｍ以下であり、且つＰｂ（Ｍｇ１／３  Ｎｂ２／３  ）Ｏ３  、Ｐｂ（Ｍｇ１／３  Ｔａ２／３  ）Ｏ３  及びＰｂＴｉＯ３  を含む複合酸化物を主成分として構成されているとともに、
前記Ｐｂ（Ｍｇ１／３  Ｎｂ２／３  ）Ｏ３  、Ｐｂ（Ｍｇ１／３  Ｔａ２／３  ）Ｏ３  及びＰｂＴｉＯ３  を含む複合酸化物をＰｂ〔ｘ（Ｍｇ１／３  Ｎｂ２／３  ）−ｙ（Ｍｇ１／３  Ｔａ２／３  ）−ｚＴｉ〕Ｏ３  で表したとき、ｘ、ｙ、ｚ値が、ｘ−ｙ−ｚのモル比率を示す三角ダイアグラム中で、（ｘ、ｙ、ｚ）の座標で表される点Ｗ（０．７０，０．２５，０．０５）、点Ｘ（０．９８，０．０１，０．０１）、点Ｙ（０．７９，０．０１，０．２０）及び点Ｚ（０．５５，０．２５，０．２０）を結ぶ線分で囲まれた四角形（但し線分を含む）に含まれていることを特徴とする積層磁器コンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、粒径が非常に小さくな高誘電率系の誘電体磁器組成物及びそれを用いた薄型化が可能な積層磁器コンデンサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、１０００℃前後の低温で焼成でき、しかも、高い誘電率を示す積層磁器コンデンサに適用される誘電体磁器組成物が種々提案されていた。
【０００３】
例えば、特開昭５５−５１７５８号では、Ｐｂ（Ｍｇ１／３  Ｎｂ２／３  ）Ｏ３  −ＰｂＴｉＯ３  系の複合酸化物であり、各酸化物の重量を特定範囲に定めた磁器組成物が提案されている。この誘電体磁器組成物によれば、約１１００℃で焼成が可能で比誘電率が１４０００以上と比較的高く、高誘電率系の電気的特性に優れている。
【０００４】
また、特開平５５−１４４６１１号では、Ｐｂ（Ｍｇ１／３  Ｎｂ２／３  ）Ｏ３  −ＰｂＴｉＯ３  −Ｐｂ（Ｍｇ１／２  Ｗ１／２  ）Ｏ３  系複合酸化物であり、各酸化物の重量を特定範囲に定めた磁器組成物が提案されている。この誘電体組成物によれば比誘電率が３７８０以上で、高誘電率系の電気的特性に優れている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
近年、積層磁器コンデンサの小型化とともに、高容量化という相反する性質の向上が求められている。これらを解決するためには、誘電体磁器層の高誘電率化、即ち、誘電体磁器組成物の誘電率を高めることは勿論のこと、積層磁器コンデンサの誘電体磁器層を薄型化することが重要となる。
【０００６】
これにより、誘電体磁器層の積層数が一定であっても、小型化が可能であり、しかも、誘電体磁器層の薄型化によって高い容量が得られることになる。
【０００７】
しかし、上述の磁器組成物を、誘電体磁器層の薄型化した積層磁器コンデンサに適用すると種々の問題が発生する。
【０００８】
即ち、上述の誘電体磁器組成物で構成した誘電体磁器層は、焼結後の磁器粒径の最大粒径が６μｍ以上となり、従って、積層磁器コンデンサを構成する誘電体磁器層の厚みに制約が発生する。即ち、誘電体磁器層の厚みを最大粒径に比較して充分に厚くする必要があった。仮に、従来の誘電体磁器層の厚みを７μｍ以下とした積層磁器コンデンサを作製すると、内部電極間の絶縁抵抗が極端に劣化してしまう。
【０００９】
これは磁器粒経が大きくなるに伴い、界面面積が減少し、内部電極の材料が磁器粒界を介して拡散しやすくなるためと思われる。
【００１０】
本発明は上述の課題に鑑みて案出されたものであり、その目的は低温で焼成することができ且つ比誘電率が充分に高く、しかも、磁器粒子を非常に小さくできる誘電体磁器組成物を提案することにある。
【００１１】
また、別の目的は、上述の誘電体磁器組成物を用いて、誘電体磁器厚みが７μｍ以下としても絶縁抵抗特性が安定的に維持できる積層磁器コンデンサを提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
第１の発明は誘電体磁器組成物に関するものであり、Ｐｂ（Ｍｇ１／３  Ｎｂ２／３  ）Ｏ３  、Ｐｂ（Ｚｎ１／３  Ｔａ２／３  ）Ｏ３  、及びＰｂＴｉＯ３  を含む複合酸化物を主成分の割合を  前記Ｐｂ（Ｍｇ１／３  Ｎｂ２／３  ）Ｏ３  、Ｐｂ（Ｚｎ１／３  Ｔａ２／３  ）Ｏ３  、及びＰｂＴｉＯ３  を含む複合酸化物をＰｂ〔ｘ（Ｍｇ１／３  Ｎｂ２／３  ）−ｙ（Ｚｎ１／３  Ｔａ２／３  ）−ｚＴｉ〕Ｏ３  で表したとき、ｘ、ｙ、ｚ値が、ｘ−ｙ−ｚのモル比率を示す三角ダイアグラム中、点Ａ（０．７０，０．２５，０．０５）、点Ｂ（０．９８，０．０１，０．０１）、点Ｃ（０．７９，０．０１，０．２０）及び点Ｄ（０．５５，０．２５，０．２０）を結ぶ線分で囲まれた四角形（但し線分を含む）に含まれることを特徴とする誘電体磁器組成物である。
【００１３】
また、好ましくは、点Ａ、Ｂ’、Ｃ’及びＤが、（０．７０，０．２５，０．０５）、（０．９８，０．０２，０．０１）、（０．７９，０．０２，０．２０）、（０．５５，０．２５，０．２０）である。
【００１４】
また、第２の発明は、上述の誘電体磁器組成物を用いて誘電体磁器層を構成し、該誘電体磁器層と内部電極層とが交互に積層して成る積層磁器コンデンサであって、前記誘電体磁器層が７μｍ以下とした積層磁器コンデンサである。
【００１５】
さらに、第３の発明は、第１の発明のＰｂ（Ｚｎ１／３  Ｔａ２／３  ）Ｏ３  をＰｂ（Ｍｇ１／３  Ｔａ２／３  ）Ｏ３  とした誘電体磁器組成物である。
【００１６】
さらに、第４の発明は、第３の発明の誘電体磁器組成物を誘電体磁器層にもっつた積層磁器コンデンサである。
【００１７】
【作用】
上記２つの誘電体磁器組成物では、比誘電率が１００００以上となり、また、１１００℃前後でも焼成が可能であり、しかも、焼結された磁器粒子の粒径が１．５〜５．５μｍ程度することができる。
【００１８】
まず、比誘電率が１００００以上ということで、高誘電率系磁器組成物として用いることができ、大容量化の積層磁器コンデンサが可能となる。
【００１９】
また、１１００℃前後で焼成されることにより、内部電極の材料として、安価なＡｇ系材料（Ａｇ、又はＡｇ合金）を用いることができる。
【００２０】
また、磁器粒子が５．５μｍ以下となることから、内部電極材料から誘電体磁器層側に内部電極材料の拡散を有効に防止でき、誘電体磁器層間の絶縁抵抗を良好に維持できることになる。
【００２１】
詳しくは、Ｐｂ（Ｍｇ１／３  Ｎｂ２／３  ）Ｏ３  、Ｐｂ（Ｚｎ１／３  Ｔａ２／３  ）Ｏ３  、ＰｂＴｉＯ３  を含む複合酸化物をＰｂ〔ｘ（Ｍｇ１／３  Ｎｂ２／３  ）−ｙ（Ｚｎ１／３  Ｔａ２／３  ）−ｚＴｉ〕Ｏ３  で表したとき、ｘ、ｙ、ｚ値はｘ−ｙ−ｚのモル比率を示す三角ダイアグラム中、点Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤが、Ａ（０．７０，０．２５，０．０５）、Ｂ（０．９８，０．０１，０．０１）、Ｃ（０．７９，０．０１，０．２０）、Ｄ（０．５５，０．２５，０．２０）で囲まれた四角形に含まれている。
【００２２】
また、Ｐｂ（Ｍｇ１／３  Ｎｂ２／３  ）Ｏ３  、Ｐｂ（Ｍｇ１／３  Ｔａ２／３  ）Ｏ３  、ＰｂＴｉＯ３  を含む複合酸化物をＰｂ〔ｘ（Ｍｇ１／３  Ｎｂ２／３  ）−ｙ（Ｚｎ１／３  Ｔａ２／３  ）−ｚＴｉ〕Ｏ３  で表したとき、ｘ、ｙ、ｚ値はｘ−ｙ−ｚのモル比率を示す三角ダイアグラム中、点Ｗ、Ｘ、Ｙ及びＺが、Ｗ（０．７０，０．２５，０．０５）、Ｘ（０．９８，０．０１，０．０１）、Ｙ（０．７９，０．０１，０．２０）、Ｚ（０．５５，０．２５，０．２０）で囲まれた四角形に含まれている。
【００２３】
そして、ｘ、ｙ、ｚが線分ＡＢや線分ＷＸよりも外方の値（ＰｂＴｉＯ３  が相対的に少ない傾向）では、比誘電率が１００００を下回り、高い誘電率系の組成としては、実用的ではなく、薄型で且つ大容量の積層磁器コンデンサが得られない。
【００２４】
また、線分ＢＣ、線分ＸＹよりも外方の値（Ｐｂ（Ｚｎ１／３  Ｔａ２／３  ）Ｏ３  又はＰｂ（Ｍｇ１／３  Ｔａ２／３  ）Ｏ３  が存在しない：特開昭５５−５１７５８号に相当）では、焼成後の磁器粒子が６μｍ以上となってしまう。このことから、Ｐｂ（Ｚｎ１／３  Ｔａ２／３  ）Ｏ３  又はＰｂ（Ｍｇ１／３  Ｔａ２／３  ）Ｏ３  は、焼成による磁器粒子の粒成長を抑制することが理解できる。
【００２５】
また、線分ＣＤ、線分ＹＺよりも外方の値（ＰｂＴｉＯ３  が相対的に過剰になると）では、比誘電率が１００００を下回り、高い誘電率系の組成としては、実用的ではなく、薄型で、且つ大容量の積層磁器コンデンサが得られない。
【００２６】
さらに、線分ＤＡ、線分ＺＷよりも外方の値（Ｐｂ（Ｚｎ１／３  Ｔａ２／３  ）Ｏ３  又はＰｂ（Ｍｇ１／３  Ｔａ２／３  ）Ｏ３  が相対的に過剰になると）では、比誘電率が１００００を下回り、高い誘電率系の組成としては、実用的ではなく、薄型で、且つ大容量の積層磁器コンデンサが得られない。
【００２７】
上述の比誘電率が１００００を下回る理由としては、キューリ点が室温付近から離れることに起因するものと思われる。
【００２８】
また、別の発明である上述の誘電体磁器組成物を用いた積層磁器コンデンサにおいては、誘電体磁器組成物自身が、１１００℃前後で焼成可能であるため、内部電極としてＡｇ系材料を用いることができ、積層磁器コンデンサの低コスト化が達成できる。
【００２９】
また、誘電体磁器層の磁器粒径を５．５μｍ未満とすることができ、これに伴い、誘電体磁器層の厚みを６μｍ未満とすることもできる。しかも、比誘電率が１００００以上と実用的に充分に高い値が得られる。これらによって、誘電体磁器層間の絶縁抵抗が劣化することがなく、薄型、大容量の容量の積層磁器コンデンサとなる。
【００３０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の誘電体磁器組成物及びそれを用いた積層磁器コンデンサを詳説する。図１は、本発明に係る積層磁器コンデンサの断面図である。
【００３１】
図において、１は積層磁器コンデンサであり、２は誘電体磁器層であり、３ａ、３ｂは内部電極であり、４ａ、４ｂは外部電極である。
【００３２】
は積層磁器コンデンサであり、２は誘電体磁器層であり、３ａ、３ｂは内部電極であり、４ａ、４ｂは外部電極である。
【００３３】
積層磁器コンデンサ１は、誘電体磁器材料からなる誘電体磁器層２・・・と内部電極３ａ、３ｂ、３ａ、３ｂ・・とが交互に積層してなり、この積層体の対向する端面に形成された外部電極４ａ、４ｂとから構成されている。
【００３４】
誘電体磁器層２・・・は、Ｐｂ（Ｍｇ１／３  Ｎｂ２／３  ）Ｏ３  、Ｐｂ（Ｚｎ１／３  Ｔａ２／３  ）Ｏ３  、ＰｂＴｉＯ３  を含む複合酸化物やＰｂ（Ｍｇ１／３  Ｎｂ２／３  ）Ｏ３  、Ｐｂ（Ｍｇ１／３  Ｔａ２／３  ）Ｏ３  、ＰｂＴｉＯ３  を含む複合酸化物で構成されており、その厚みは３μｍ以上となっている。尚、好ましくは、３〜７μｍの厚みとなっている。
【００３５】
内部電極３ａ、３ｂは、Ａｇ系材料（Ａｇ単体、Ａｇ−ＰｄなどのＡｇ合金）からなり、隣接する内部電極３ｂ、３ａと誘電体磁器層２を介して対向するように形成されて、その一部が積層体の端部に導出されている。例えば内部電極３ａは、積層体の一方端面に導出し、外部電極４ａに接続している。また、内部電極３ｂは、積層体の他方端面に導出し、外部電極４ｂに接続している。
【００３６】
外部電極４ａ、４ｂは、Ａｇ系材料からなる下地導体膜と、必要に応じて該下地導体膜膜を被覆するＮｉ、Ｓｎ、半田などのメッキ層とから構成されている。
【００３７】
従って、積層磁器コンデンサにおいて、全体の高さを低く（小型化）し、且つ大容量化するには、構造的に誘電体磁器層２・・・の厚みを薄くすることが重要となる。即ち、誘電体磁器層２・・・の厚みを薄くすることにより、物理的に小型化が達成される。また、２つの内部電極３ａ、３ｂ間の間隔が狭くなることにより、大容量化が達成できる。
【００３８】
上述の積層磁器コンデンサは、誘電体磁器層２となる誘電体グリーンシート上に、内部電極３ａ又は３ｂとなる導体膜を形成し、内部電極３ａ、又は３ｂとなる導体膜を形成したグリーンシートを複数枚積層し、積層体グリーンシートを所定形状に切断を行い、所定雰囲気で焼成処理する。その後、焼成された積層体の端面に外部電極４ａ、４ｂを形成する。
【００３９】
上述の誘電体グリーンシートは、例えば、Ｐｂ（Ｍｇ１／３  Ｎｂ２／３  ）Ｏ３  、Ｐｂ（Ｚｎ１／３  Ｔａ２／３  ）Ｏ３  、ＰｂＴｉＯ３  を構成するＰｂＯ、ＭｇＯ、ＺｎＯ、Ｎｂ２  Ｏ５  、Ｔａ２  Ｏ５  、ＴｉＯの各酸化物や、Ｐｂ（Ｍｇ１／３  Ｎｂ２／３  ）Ｏ３  、Ｐｂ（Ｍｇ１／３  Ｔａ２／３  ）Ｏ３  、ＰｂＴｉＯ３  を構成するＰｂＯ、ＭｇＯ、Ｎｂ２  Ｏ５  、Ｔａ２  Ｏ５  、ＴｉＯの各酸化物を所定量混合し、仮焼成処理を行い、再度所定粒径に粉砕を行い、原料粉末を得る。次にこの原料粉末と有機ビヒクルとを混合して、スラリーを形成し、このスラリーをドクタードレードー法などによって所定厚みのグリーンシートを形成する。
【００４０】
ここで、重要なことは、誘電体磁器層２・・を構成する磁器粒子の粒径である。即ち、磁器粒子の粒径を下回る厚みの誘電体磁器層２は、実質的に存在しない。また、磁器粒子の粒径と同じ程度の誘電体磁器層２では、磁器粒子間の界面面積が減少してしまい、その結果、焼成工程で内部電極３ａまたは３ｂ側から導電性成分が拡散しやすくなり、誘電体磁器層２、２間の抵抗を低下させてしまう。
【００４１】
ここで、焼成後の磁器粒子を小さくするために、原料粉末の粒径を小さくしても、所定工程で、原料粉末は焼結反応により、粒成長を起こしてしまう。
【００４２】
しかし、本発明では、特に、Ｐｂ（Ｚｎ１／３  Ｔａ２／３  ）Ｏ３  系又はＰｂ（Ｍｇ１／３  Ｔａ２／３  ）Ｏ３  系の複合酸化物の存在により、焼成工程中に発生する磁器粒子の粒成長を有効に抑えることができ、その結果、磁器粒子を５．５μｍ以下とすることができる。従って、誘電体磁器層２の厚みもこの磁器粒径に応じて薄くすることができる。
【００４３】
結局、本発明の積層磁器コンデンサにおいては、誘電体磁器層２の厚みを例えば６．０μｍ以下に設定しても、誘電体磁器層２、２間の絶縁不良を有効を防止することができ、積層磁器コンデンサの小型化が達成され、しかも、大容量化が可能となる。尚、誘電体磁器層の厚みの下限は、磁器粒径の２倍あれば、誘電体磁器層２、２間の絶縁不良は発生しないため、積層磁器コンデンサの小型化要求、大容量化要求によっては、誘電体磁器層の厚みを従来のように、１０μｍ以上にした積層磁器コンデンサにも当然適用できる。
【００４４】
また、誘電体磁器層２の厚みの下現は、磁器粒子の粒径の２倍程度である。従って、例えば、磁器粒子が１．５μｍとなる誘電体磁器材料においては、３μｍの誘電体磁器層の厚みとすることができる。
【００４５】
次に、誘電体磁器層を構成する誘電体磁器材料について説明する。
【００４６】
本発明に用いる誘電体磁器材料は、上述したように、Ｐｂ（Ｍｇ１／３  Ｎｂ２／３  ）Ｏ３  、Ｐｂ（Ｚｎ１／３  Ｔａ２／３  ）Ｏ３  、ＰｂＴｉＯ３  の複合酸化物を主成分とする誘電体材料である。またはＰｂ（Ｍｇ１／３  Ｎｂ２／３  ）Ｏ３  、Ｐｂ（Ｍｇ１／３  Ｔａ２／３  ）Ｏ３  、ＰｂＴｉＯ３  の複合酸化物を主成分とする誘電体材料である。
【００４７】
上述したように、Ｐｂ（Ｚｎ１／３  Ｔａ２／３  ）Ｏ３  またはＰｂ（Ｍｇ１／３  Ｔａ２／３  ）Ｏ３  の複合酸化物は、全体の磁器粒子の成長を抑制するはたらきを行い、これにより、磁器粒径を５．５μｍ未満となる。尚、Ｐｂ（Ｚｎ１／３  Ｔａ２／３  ）Ｏ３  、Ｐｂ（Ｍｇ１／３  Ｔａ２／３  ）Ｏ３  が相対的に過剰となると、比誘電率が１００００以下となり、高誘電率系材料としては実用的な材料とはならない。
【００４８】
また、Ｐｂ（Ｍｇ１／３  Ｎｂ２／３  ）Ｏ３  、Ｐｂ（Ｚｎ１／３  Ｔａ２／３  ）Ｏ３  、ＰｂＴｉＯ３  の主成分配合比率、Ｐｂ（Ｍｇ１／３  Ｎｂ２／３  ）Ｏ３  、Ｐｂ（Ｍｇ１／３  Ｔａ２／３  ）Ｏ３  、ＰｂＴｉＯ３  の主成分配合比率が特定の関係から崩れると、キュリー点温度が常温である２５℃付近から変動してしまい、その結果、比誘電率が１００００以下となり、高誘電率系の誘電体磁器組成物としては実用的ではなくなる。
【００４９】
【実施例】
Ｐｂ（Ｍｇ１／３  Ｎｂ２／３  ）Ｏ３  、Ｐｂ（Ｚｎ１／３  Ｔａ２／３  ）Ｏ３  、ＰｂＴｉＯ３  の主成分複合酸化物を形成すべきく、出発材料として、ＰｂＯ、ＭｇＯ、ＺｎＯ、Ｎｂ２  Ｏ５  、Ｔａ２  Ｏ５  、ＴｉＯの特級試薬を所定秤量し、Ｐｂ〔ｘ（Ｍｇ１／３  Ｎｂ２／３  ）−ｙ（Ｚｎ１／３  Ｔａ２／３  ）−ｚＴｉ〕Ｏ３  のｘ、ｙ、ｚの値が表１に示す値となるようにした。そして、各酸化物をボールミルで湿式処理し、マグネシア磁器製容器に入れて、８００℃で仮焼結した。さらに粗粉砕し、さらに、ジルコニアボールを用いてボールミルで粉砕した。その後、ビニールアルコールを１％添加して造粒し、直径１２ｍｍ、厚さ約１ｍｍの円板状に加圧成形した。この円板状成形体をマグネシア製甲鉢に入れ、大気中にて０．７００℃で脱脂した後に、大気中で１０５０〜１１５０℃で４時間焼成し、試料を作成した。  得られた試料の電気的特性を評価するために、上述の試料の両主面にインジウム−ガリウム合金を配置して円板状コンデンサ（第１の試料）とした。
【００５０】
特性として、比誘電率εｒ及び誘電損失ｔａｎ  δ、絶縁抵抗の各項目について測定を行った。比誘電率εｒ及び誘電損失ｔａｎ  δはは、基準温度２５℃で周波数１ｋＨｚ、測定電圧１．０Ｖｒｍｓの信号を入力し、デジタルＬＣＲメータ（ＹＨＰ製４２７４Ａ）を用いて測定し、試料の寸法を考慮して算出した。
【００５１】
絶縁抵抗は、絶縁抵抗計を用いて直流電圧５０Ｖを１分間印加した時の値を測定した。
【００５２】
次に、同一材料で、焼成後の厚み６．５μｍとなるように誘電体磁器グリーンシートを形成し、Ａｇ−Ｐｄペーストを用いて内部電極を形成し、このグリーンシートを１０枚積層して、大気中にて０．７００℃で脱脂した後に、大気中で１０５０〜１１５０℃で４時間焼成し、積層磁器コンデンサ（第２の試料）を５０個作成した。尚、積層磁器コンデンサの平面形状は、１．６ｍｍ×０．８ｍｍであり、内部電極３ａ、３ｂの平面形状は、１．０ｍｍ×０．４ｍｍである。
【００５３】
この第２の試料を用いて、磁器粒径及び積層磁器コンデンサの絶縁抵抗を測定した。磁器粒径は、走査型電子顕微鏡にて４０μｍ平方の領域における最大粒子の粒径を測定した。
【００５４】
積層磁器コンデンサの絶縁抵抗は、絶縁抵抗計を用い直流２５Ｖを１分印加しした後に測定した。尚、測定の結果は、１０１２Ω・ｃｍ以下となる試料数で示している。
【００５５】
全体の評価として、特に、積層磁器コンデンサの絶縁抵抗不良率が０％（０／５０）の組成物を優良、絶縁抵抗不良率が１０％以下（５／５０以下）の組成物を良好、絶縁抵抗不良率が１０％を越える（６／５０以上）の組成物は不良とした。
【００５６】
その結果を、表１及び図２の三角ダイアグラムに示した。
【００５７】
【表１】
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【００５８】
Ｐｂ（Ｍｇ１／３  Ｎｂ２／３  ）Ｏ３  、Ｐｂ（Ｚｎ１／３  Ｔａ２／３  ）Ｏ３  、ＰｂＴｉＯ３  の主成分複合酸化物を、配合比率（モル比率）で表したＰｂ〔ｘ（Ｍｇ１／３  Ｎｂ２／３  ）−ｙ（Ｚｎ１／３  Ｔａ２／３  ）−ｚＴｉ〕Ｏ３  のｘ、ｙ、ｚの値において、
例えば、試料番号７のように図２中の線分ＡＤよりも外側に外れると、また、試料番号８のように図２中線分ＡＢよりも外側に外れると、さらに、試料番号１１のように図２中の線分ＣＤよりも外側に外れると、Ｐｂ（Ｍｇ１／３  Ｎｂ２／３  ）Ｏ３  、Ｐｂ（Ｚｎ１／３  Ｔａ２／３  ）Ｏ３  、ＰｂＴｉＯ３  のバランスが崩れてしまい、比誘電率が１００００を下回ってしまい、高誘電率系の材料として適さない材料となってしまう。
【００５９】
また、試料番号９、１０のように、図２中線分ＢＣよりも外側に外れる（ｙ＝０：（Ｐｂ（Ｚｎ１／３  Ｔａ２／３  ）Ｏ３  を含まない）場合では、比誘電率は１００００以上となるものの、誘電体磁器組成物としての絶縁抵抗が良好であても、磁器粒径が夫々７．１μｍ、６．９μｍとなってしまう。その結果、積層磁器コンデンサの絶縁不良率の発生が４０％〜４６％となってしまう。
【００６０】
即ち、小型化、大容量化に適した積層磁器コンデンサとしては、不向きな材料と言える。
【００６１】
図２の線分ＣＢ付近について言及すると、点Ｂとなる試料番号２、点Ｃとなる試料番号３においては、磁器粒径が夫々５．３μｍ、４．９μｍと良品の他の試料に比較して、磁器粒径が大きいことがわかる。そして、積層磁器コンデンサでの絶縁抵抗不良率が１０％、６％を示している。
【００６２】
勿論、試料としては、誘電体磁器層の厚みが６．５μｍとなるようにしているためであり、これ以上の厚みであれば、当然、積層磁器コンデンサでの絶縁抵抗不良率が減少する。従って、要求される小型化特性、大容量特性次第によって実用的な材料と言える。
【００６３】
さらに、試料番号２のｙのモル比率を向上させた試料番号５（点Ｂ’）、試料番号３のｙのモル比率を向上させた試料番号６（点Ｃ’）においては、磁器粒径が夫々３．４μｍ、３．３μｍとなり、積層磁器コンデンサでの絶縁抵抗不良率が０％となる。
【００６４】
このことから、図２に示す三角ダイアグラム上、四角形Ａ、Ｂ’、Ｃ’、Ｄとすると、誘電体磁器層の厚みが６．５μｍであっても、積層磁器コンデンサでの絶縁抵抗不良率が０％となることから好適な範囲と言える。
【００６５】
また、Ｐｂ（Ｍｇ１／３  Ｎｂ２／３  ）Ｏ３  、Ｐｂ（Ｍｇ１／３  Ｔａ２／３  ）Ｏ３  、ＰｂＴｉＯ３  の主成分複合酸化物を形成すべきく、出発材料として、ＰｂＯ、ＭｇＯ、Ｎｂ２  Ｏ５  、Ｔａ２  Ｏ５  、ＴｉＯの特級試薬を所定秤量し、Ｐｂ〔ｘ（Ｍｇ１／３  Ｎｂ２／３  ）−ｙ（Ｍｇ１／３  Ｔａ２／３  ）−ｚＴｉ〕Ｏ３  のｘ、ｙ、ｚの値が表２に示す値となるようにし、上述と同様の試料を作製、比誘電率εｒ、誘電損失ｔａｎ  δ、絶縁抵抗、磁器粒径は、積層磁器コンデンサの絶縁抵抗不良率を調べた。
【００６６】
その結果を、表２及び図３の三角ダイアグラムに示した。
【００６７】
【表２】
0003563567.tif 000003
【００６８】
Ｐｂ（Ｍｇ１／３  Ｎｂ２／３  ）Ｏ３  、Ｐｂ（Ｍｇ１／３  Ｔａ２／３  ）Ｏ３  、ＰｂＴｉＯ３  の主成分複合酸化物を、配合比率（モル比率）で表したＰｂ〔ｘ（Ｍｇ１／３  Ｎｂ２／３  ）−ｙ（Ｍｇ１／３  Ｔａ２／３  ）−ｚＴｉ〕Ｏ３  のｘ、ｙ、ｚの値において、
例えば、試料番号２３のように図３中の線分ＷＺよりも外側に外れると、また、試料番号２４のように図３中線分ＷＸよりも外側に外れると、さらに、試料番号２７のように図３中の線分ＹＺよりも外側に外れると、Ｐｂ（Ｍｇ１／３  Ｎｂ２／３  ）Ｏ３  、Ｐｂ（Ｍｇ１／３  Ｔａ２／３  ）Ｏ３  、ＰｂＴｉＯ３  のバランスが崩れてしまい、比誘電率が１００００を下回ってしまい、高誘電率系の材料として適さない材料となってしまう。
【００６９】
また、試料番号２５、２６のように、図３中線分ＸＹよりも外側に外れる（ｙ＝０：（Ｐｂ（Ｍｇ１／３  Ｔａ２／３  ）Ｏ３  を含まない）場合では、比誘電率は１００００以上となるものの、誘電体磁器組成物としての絶縁抵抗が良好であても、磁器粒径が夫々７．１μｍ、６．９μｍとなってしまう。その結果、積層磁器コンデンサの絶縁不良率の発生が４０％〜４６％となってしまう。
【００７０】
即ち、小型化、大容量化に適した積層磁器コンデンサとしては、不向きな材料と言える。
【００７１】
図３の線分ＸＹ付近について言及すると、点Ｘとなる試料番号１８、点Ｙとなる試料番号１９においては、磁器粒径が夫々５．２μｍ、４．８μｍと良品の他の試料に比較して、磁器粒径が大きいことがわかる。そして、積層磁器コンデンサでの絶縁抵抗不良率が６％、８％を示している。
【００７２】
勿論、試料としては、誘電体磁器層の厚みが６．５μｍとなるようにしているためであり、これ以上の厚みであれば、当然、積層磁器コンデンサでの絶縁抵抗不良率が減少する。従って、要求される小型化特性、大容量特性次第によって実用的な材料と言える。
【００７３】
さらに、試料番号１８のｙのモル比率を向上させた試料番号２１（点Ｘ’）、試料番号１９のｙのモル比率を向上させた試料番号２２（点Ｙ’）においては、磁器粒径が夫々３．２μｍ、３．５μｍとなり、積層磁器コンデンサでの絶縁抵抗不良率が０％となる。
【００７４】
このことから、図３に示す三角ダイアグラム上、四角形Ｗ、Ｘ’、Ｙ’、Ｚとすると、誘電体磁器層の厚みが６．５μｍであっても、積層磁器コンデンサでの絶縁抵抗不良率が０％となることから好適な範囲と言える。
【００７５】
【発明の効果】
本発明の誘電体磁器塑性物によれば、１１００℃で焼成可能で、かつ比誘電率が１００００以上と高く、さらに、磁器粒子の粒径を５．５μｍ未満とすることができ、これによって、積層磁器コンデンサの磁器層の厚みを薄くすることができる誘電体磁器組成物となる。
【００７６】
また、本発明の積層磁器コンデンサは、磁器粒子の粒径が５．５μｍ未満とすることができるため、内部電極側からの拡散する金属材料を有効に防止することができるため、誘電体磁器層の厚みを薄くしても、全体の絶縁抵抗を充分な値で維持できる。
【００７７】
従って、誘電体磁器層の厚みの薄型化によって、全体の小型化及び大容量化が達成できる積層磁器コンデンサとなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る積層磁器コンデンサの断面図である。
【図２】本発明の誘電体磁器組成物の主成分であるＰｂ（Ｍｇ１／３  Ｎｂ２／３  ）Ｏ３  、Ｐｂ（Ｚｎ１／３  Ｔａ２／３  ）Ｏ３  、ＰｂＴｉＯ３  の成分比率（モル比率）を示す三角ダイヤグラムである。
【図３】本発明の誘電体磁器組成物の主成分であるＰｂ（Ｍｇ１／３  Ｎｂ２／３  ）Ｏ３  、Ｐｂ（Ｍｇ１／３  Ｔａ２／３  ）Ｏ３  、ＰｂＴｉＯ３  の成分比率（モル比率）を示す三角ダイヤグラムである。
【図１】
0003563567.tif 000004
【図２】
0003563567.tif 000005
【図３】
0003563567.tif 000006