(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材である金属材料上にメッキ処理により形成した下地層と、該下地層の上に形成した錫を主成分とする表面層と、を有し、コンプレックスエステルと二塩基酸と二塩基酸のβ−アミノイソプロピルアルコール塩と５−メチルベンゾトリアゾールと５−アミノテトラゾールとエチルアルコールとをエチルアルコールに溶解した封孔処理剤により前記表面層のピンホールを封孔してなることを特徴とする電子部品用材料。
【請求項２】
基材である金属材料上にメッキ処理により形成した下地層と、該下地層の上にメッキ処理により形成した銀を主成分とする表面層と、を有し、コンプレックスエステルと二塩基酸と二塩基酸のβ−アミノイソプロピルアルコール塩と５−メチルベンゾトリアゾールと５−アミノテトラゾールとエチルアルコールとをエチルアルコールに溶解した封孔処理剤により前記表面層のピンホールを封孔してなることを特徴とする電子部品用材料。
【請求項３】
基材である金属材料上にメッキ処理により形成した下地層と、該下地層の上にメッキ処理により形成したパラジウムを主成分とする表面層と、を有し、コンプレックスエステルと二塩基酸と二塩基酸のβ−アミノイソプロピルアルコール塩と５−メチルベンゾトリアゾールと５−アミノテトラゾールとエチルアルコールとをエチルアルコールに溶解した封孔処理剤により前記表面層のピンホールを封孔してなることを特徴とする電子部品用材料。
【請求項４】
基材である金属材料上にメッキ処理により形成した下地層と、該下地層の上にメッキ処理により形成したパラジウムを主成分とする中間層と、該中間層の上にメッキ処理により形成した金を主成分とする表面層と、を有し、コンプレックスエステルと二塩基酸と二塩基酸のβ−アミノイソプロピルアルコール塩と５−メチルベンゾトリアゾールと５−アミノテトラゾールとエチルアルコールとをエチルアルコールに溶解した封孔処理剤により前記表面層のピンホールを封孔してなることを特徴とする電子部品用材料。
【請求項５】
基材である金属材料上にメッキ処理により形成した下地層と、該下地層の上にメッキ処理により形成した銀を主成分とする中間層と、該中間層の上にメッキ処理により形成した錫を主成分とする表面層と、を有し、コンプレックスエステルと二塩基酸と二塩基酸のβ−アミノイソプロピルアルコール塩と５−メチルベンゾトリアゾールと５−アミノテトラゾールとエチルアルコールとをエチルアルコールに溶解した封孔処理剤により前記表面層のピンホールを封孔してなることを特徴とする電子部品用材料。
【請求項６】
基材である金属材料上にメッキ処理により形成した下地層と、該下地層の上にメッキ処理により形成した金を主成分とする表面層と、を有し、コンプレックスエステルと二塩基酸と二塩基酸のβ−アミノイソプロピルアルコール塩と５−メチルベンゾトリアゾールと５−アミノテトラゾールとエチルアルコールとをエチルアルコールに溶解した封孔処理剤により前記表面層のピンホールを封孔してなることを特徴とする電子部品用材料。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半田付けにより他の部品や基板、信号線等に接続される接続部分を構成する電子部品用材料に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の技術のこの種の電子部品用材料であるコネクタピンは、半田付けを行って信号線と電気的に接続される場合が多く、コネクタピンの濡れ性（半田付け性）を向上させるために、錫−鉛合金、いわゆる半田がコネクタピンの表面にメッキされている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述のような従来の技術のコネクタピンにあっては、錫−鉛合金をコネクタピン表面にメッキしているが、鉛は有害となる場合があるので、環境問題等の観点から鉛を用いない表面処理を施したコネクタピンが求められている。
【０００４】
一方、表面処理被膜として鉛の入らない錫のみのメッキをコネクタピンに施すことも考えられるが、錫のみのメッキとすると、錫−鉛合金の場合に較べて、濡れ性が低下するという問題点があった。
【０００５】
本発明は、上記問題点を改善するために成されたもので、その目的とするところは、表面処理被膜に鉛を含まずして、濡れ性のよい電子部品用材料を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記の問題を解決するために、請求項１記載の発明にあっては、基材である金属材料上にメッキ処理により形成した下地層と、該下地層の上に形成した錫を主成分とする表面層と、を有し、コンプレックスエステルと二塩基酸と二塩基酸のβ−アミノイソプロピルアルコール塩と５−メチルベンゾトリアゾールと５−アミノテトラゾールとエチルアルコールとをエチルアルコールに溶解した封孔処理剤により前記表面層のピンホールを封孔してなることを特徴とするものである。
【０００７】
請求項２記載の発明にあっては、基材である金属材料上にメッキ処理により形成した下地層と、該下地層の上にメッキ処理により形成した銀を主成分とする表面層と、を有し、コンプレックスエステルと二塩基酸と二塩基酸のβ−アミノイソプロピルアルコール塩と５−メチルベンゾトリアゾールと５−アミノテトラゾールとエチルアルコールとをエチルアルコールに溶解した封孔処理剤により前記表面層のピンホールを封孔してなることを特徴とするものである。
【０００８】
請求項３記載の発明にあっては、基材である金属材料上にメッキ処理により形成した下地層と、該下地層の上にメッキ処理により形成したパラジウムを主成分とする表面層と、を有し、コンプレックスエステルと二塩基酸と二塩基酸のβ−アミノイソプロピルアルコール塩と５−メチルベンゾトリアゾールと５−アミノテトラゾールとエチルアルコールとをエチルアルコールに溶解した封孔処理剤により前記表面層のピンホールを封孔してなることを特徴とするものである。
【０００９】
請求項４記載の発明にあっては、基材である金属材料上にメッキ処理により形成した下地層と、該下地層の上にメッキ処理により形成したパラジウムを主成分とする中間層と、該中間層の上にメッキ処理により形成した金を主成分とする表面層と、を有し、コンプレックスエステルと二塩基酸と二塩基酸のβ−アミノイソプロピルアルコール塩と５−メチルベンゾトリアゾールと５−アミノテトラゾールとエチルアルコールとをエチルアルコールに溶解した封孔処理剤により前記表面層のピンホールを封孔してなることを特徴とするものである。
【００１０】
請求項５記載の発明にあっては、基材である金属材料上にメッキ処理により形成した下地層と、該下地層の上にメッキ処理により形成した銀を主成分とする中間層と、該中間層の上にメッキ処理により形成した錫を主成分とする表面層と、を有し、コンプレックスエステルと二塩基酸と二塩基酸のβ−アミノイソプロピルアルコール塩と５−メチルベンゾトリアゾールと５−アミノテトラゾールとエチルアルコールとをエチルアルコールに溶解した封孔処理剤により前記表面層のピンホールを封孔してなることを特徴とするものである。
【００１１】
請求項６記載の発明にあっては、基材である金属材料上にメッキ処理により形成した下地層と、該下地層の上にメッキ処理により形成した金を主成分とする表面層と、を有し、コンプレックスエステルと二塩基酸と二塩基酸のβ−アミノイソプロピルアルコール塩と５−メチルベンゾトリアゾールと５−アミノテトラゾールとエチルアルコールとをエチルアルコールに溶解した封孔処理剤により前記表面層のピンホールを封孔してなることを特徴とするものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明の第一実施の形態を図１を用いて説明する。図１は電子部品用材料の説明図であり、（ａ）は正面図、（ｂ）は側面断面図である。図２は電子部品用材料の要部断面図である。図３は電子部品用材料の要部断面図である。
【００１３】
電子部品用材料に相当するコネクタピン１は、図１、図２に示すように、黄銅等の銅系合金の基材２上にメッキ処理によりニッケルを主成分として形成した厚み１．０［μｍ］〜５．０［μｍ］の下地層３と、該下地層の上にメッキ処理により形成した錫を主成分とする厚み０．１［μｍ］〜０．５［μｍ］の表面層４と、を有し、封孔処理剤により前記表面層のピンホールを封孔して構成した。
【００１４】
封孔処理剤は、ネオペンチルポリオールエステル等のコンプレックスエステル（例えば、日本油脂株式会社製「ユニスターＣ３３７３Ａ」）を１．０「ｇ（グラム）／Ｌ（リットル）」〜１０．０「ｇ／Ｌ」、二塩基酸（例えば、岡村油脂株式会社製「ＳＢ−２０」）を０．５「ｇ／Ｌ」〜５．０「ｇ／Ｌ」、二塩基酸のβ−アミノイソプロピルアルコール塩（いわゆる二塩基酸のイソプロパノールアミン塩）を０．１「ｇ／Ｌ」〜１．０「ｇ／Ｌ」、５−メチルベンゾトリアゾールを０．１「ｇ／Ｌ」〜１．０「ｇ／Ｌ」、５−アミノテトラゾールを０．０５「ｇ／Ｌ」〜０．５「ｇ／Ｌ」を９５％以上のエチルアルコールに溶解したものである。また、二塩基酸のイソプロパノールアミン塩は５−アミノテトラゾールの３倍以上となるようにしている。なお、エチルアルコールは、変性剤を加えた変性アルコールであってもよい。
【００１５】
次に第二実施の形態を説明する。
電子部品用材料に相当するコネクタピン１は、図２に示すように、黄銅等の銅系合金の基材２上にメッキ処理によりニッケルを主成分として形成した厚み１．０［μｍ］〜５．０［μｍ］の下地層３と、該下地層の上にメッキ処理により形成した銀を主成分とする厚み０．５［μｍ］〜２．０［μｍ］の表面層４と、を有し、封孔処理剤により前記表面層のピンホールを封孔して構成した。封孔処理剤は、第一実施の形態と同様のものを用いている。
【００１６】
次に第三実施の形態を説明する。
電子部品用材料に相当するコネクタピン１は、図２に示すように、黄銅等の銅系合金の基材２上にメッキ処理によりニッケルを主成分として形成した厚み１．０［μｍ］〜５．０［μｍ］の下地層３と、該下地層の上にメッキ処理により形成したパラジウムを主成分とする厚み０．０５［μｍ］〜２．０［μｍ］の表面層４と、を有し、封孔処理剤により前記表面層のピンホールを封孔して構成した。封孔処理剤は、第一実施の形態と同様のものを用いている。
【００１７】
次に第四実施の形態を説明する。
電子部品用材料に相当するコネクタピン１は、図３に示すように、黄銅等の銅系合金の基材２上にメッキ処理によりニッケルを主成分として形成した厚み１．０［μｍ］〜５．０［μｍ］の下地層３と、該下地層の上にメッキ処理により形成したパラジウムを主成分とする厚み０．０５［μｍ］〜２．０［μｍ］の中間層５と、該中間層の上にメッキ処理により形成した金を主成分とする厚み０．０１［μｍ］〜２．０［μｍ］の表面層４と、を有し、封孔処理剤により前記表面層のピンホールを封孔して構成した。なお、中間層５はパラジウムに限られるものでなく、パラジウムニッケル等のパラジウム合金であってもよい。封孔処理剤は、第一実施の形態と同様のものを用いている。
【００１８】
次に第五実施の形態を説明する。
電子部品用材料に相当するコネクタピン１は、図３に示すように、黄銅等の銅系合金の基材２上にメッキ処理によりニッケルを主成分として形成した厚み１．０［μｍ］〜５．０［μｍ］の下地層３と、該下地層の上にメッキ処理により形成した銀を主成分とする厚み０．５［μｍ］〜２．０［μｍ］の中間層５と、該中間層の上にメッキ処理により形成した錫を主成分とする厚み０．１［μｍ］〜０．５［μｍ］の表面層４と、を有し、封孔処理剤により前記表面層のピンホールを封孔して構成した。封孔処理剤は、第一実施の形態と同様のものを用いている。
【００１９】
次に第六実施の形態を説明する。
電子部品用材料に相当するコネクタピン１は、図２に示すように、黄銅等の銅系合金の基材２上にメッキ処理によりニッケルを主成分として形成した厚み１．０［μｍ］〜５．０［μｍ］の下地層３と、該下地層の上にメッキ処理により形成した金を主成分とする厚み０．０１［μｍ］〜２．０［μｍ］の表面層４と、を有し、封孔処理剤により前記表面層のピンホールを封孔して構成した。封孔処理剤は、第一実施の形態と同様のものを用いている。
【００２０】
【実施例】
（実施例１）
コネクタピンの基材上にメッキ処理により厚みを３．０［μｍ］として形成したニッケルの下地層と、該下地層の上にメッキ処理により形成した厚みが０．２［μｍ］の錫の表面層と、を設け、封孔処理剤により前記表面層のピンホールを封孔した。
【００２１】
封孔処理剤は、封孔処理剤は、ネオペンチルポリオールエステル等のコンプレックスエステル（例えば、日本油脂株式会社製「ユニスターＣ３３７３Ａ」）を３．２［ｇ／Ｌ］、二塩基酸（岡村油脂株式会社製「ＳＢ−２０」）を１．５［ｇ／Ｌ］、二塩基酸のβ−アミノイソプロピルアルコール塩（いわゆる二塩基酸のイソプロパノールアミン塩）を０．３［ｇ／Ｌ］、５−メチルベンゾトリアゾールを０．２［ｇ／Ｌ］、５−アミノテトラゾールを０．１［ｇ／Ｌ］を９５％のエチルアルコールに溶解したものである。
【００２２】
（実施例２）
コネクタピンの基材上にメッキ処理により厚みを３．０［μｍ］として形成したニッケルの下地層と、該下地層の上にメッキ処理により形成した厚みが１．０［μｍ］の銀の表面層と、を設け、封孔処理剤により前記表面層のピンホールを封孔した。封孔処理剤は、実施例１と同じものを用いている。
【００２３】
（実施例３）
コネクタピンの基材上にメッキ処理により厚みを３．０［μｍ］として形成したニッケルの下地層と、該下地層の上にメッキ処理により形成した厚みが０．１［μｍ］のパラジウムの表面層と、を設け、封孔処理剤により前記表面層のピンホールを封孔した。封孔処理剤は、実施例１と同じものを用いている。
【００２４】
（実施例４）
コネクタピンの基材上にメッキ処理により厚みを３．０［μｍ］として形成したニッケルの下地層と、該下地層の上にメッキ処理により形成した厚みが０．１［μｍ］のパラジウムの中間層と、該中間層の上にメッキ処理により形成した厚みが０．０５［μｍ］の金の表面層とを設け、封孔処理剤により前記表面層のピンホールを封孔した。封孔処理剤は、実施例１と同じものを用いている。
【００２５】
（実施例５）
コネクタピンの基材上にメッキ処理により厚みを３．０［μｍ］として形成したニッケルの下地層と、該下地層の上にメッキ処理により形成した厚みが１．０［μｍ］の銀の中間層と、該中間層の上にメッキ処理により形成した厚みが０．２［μｍ］の錫の表面層とを設け、封孔処理剤により前記表面層のピンホールを封孔した。
【００２６】
（実施例６）
コネクタピンの基材上にメッキ処理により厚みを３．０［μｍ］として形成したニッケルの下地層と、該下地層の上にメッキ処理により形成した厚みが０．０５［μｍ］の金の表面層と、を設け、封孔処理剤により前記表面層のピンホールを封孔した。封孔処理剤は、実施例１と同じものを用いている。
【００２７】
（比較例１）
コネクタピンの基材上にメッキ処理により厚みを３．０［μｍ］として形成したニッケルの下地層と、該下地層の上にメッキ処理により形成した厚みが３．０［μｍ］の錫鉛合金の表面層と、を設け、封孔処理剤により前記表面層のピンホールを封孔した。
【００２８】
（比較例２）
コネクタピンの基材上にメッキ処理により厚みを３．０［μｍ］として形成したニッケルの下地層と、該下地層の上にメッキ処理により形成した厚みが０．２［μｍ］の錫合金の表面層と、を設け、封孔処理剤により前記表面層のピンホールを封孔した。厚みを０．２［μｍ］としているのは、ウィスカの発生を防止するためである。
【００２９】
そして、上記の実施例１乃至実施例６のコネクタピンと、比較例１、比較例２のコネクタピンをそれぞれ、フラックスを用いない条件で、平衡法により濡れ性試験を行ったところ、比較例１のコネクタピンは濡れ時間が約３．０秒から５．０秒であり、比較例２では５．０秒以上（５．０秒以上は計測していない）であった。なお、この濡れ時間は時間が短い程、濡れ性がよいことを示す。
【００３０】
一方、実施例１のコネクタピンの濡れ時間は約０．３秒から０．４秒、実施例２のコネクタピンは濡れ時間が約１．０秒から２．０秒、実施例３のコネクタピンは濡れ時間は約０．４秒から０．５秒、実施例４のコネクタピンの濡れ時間は約０．２秒から０．３秒、実施例５のコネクタピンは約０．３秒から０．４秒であった。
【００３１】
以上より、実施例１乃至実施例６のコネクタピンにあっては、鉛を含んでおらず、且つ濡れ性のよいものとなっている。
【００３２】
また、封孔処理を施してピンホールを無くしているため、表面層が薄いものであっても、耐食性に優れたものとなっている。
【００３３】
【発明の効果】
本発明のコネクタピンは上述のように構成してあるから、請求項１記載の発明にあっては、請求項１記載の発明にあっては、基材である金属材料上にメッキ処理により形成した下地層と、該下地層の上に形成した錫を主成分とする表面層と、を有し、コンプレックスエステルと二塩基酸と二塩基酸のβ−アミノイソプロピルアルコール塩と５−メチルベンゾトリアゾールと５−アミノテトラゾールとエチルアルコールとをエチルアルコールに溶解した封孔処理剤により前記表面層のピンホールを封孔してなることを特徴とするので、表面処理被膜に鉛を含まずして、濡れ性のよい電子部品用材料を提供できるという効果を奏する。
【００３４】
請求項２記載の発明にあっては、基材である金属材料上にメッキ処理により形成した下地層と、該下地層の上にメッキ処理により形成した銀を主成分とする表面層と、を有し、コンプレックスエステルと二塩基酸と二塩基酸のβ−アミノイソプロピルアルコール塩と５−メチルベンゾトリアゾールと５−アミノテトラゾールとエチルアルコールとをエチルアルコールに溶解した封孔処理剤により前記表面層のピンホールを封孔してなることを特徴とするので、表面処理被膜に鉛を含まずして、濡れ性のよい電子部品用材料を提供できるという効果を奏する。
【００３５】
請求項３記載の発明にあっては、基材である金属材料上にメッキ処理により形成した下地層と、該下地層の上にメッキ処理により形成したパラジウムを主成分とする表面層と、を有し、コンプレックスエステルと二塩基酸と二塩基酸のβ−アミノイソプロピルアルコール塩と５−メチルベンゾトリアゾールと５−アミノテトラゾールとエチルアルコールとをエチルアルコールに溶解した封孔処理剤により前記表面層のピンホールを封孔してなることを特徴とするので、表面処理被膜に鉛を含まずして、濡れ性のよい電子部品用材料を提供できるという効果を奏する。
【００３６】
請求項４記載の発明にあっては、基材である金属材料上にメッキ処理により形成した下地層と、該下地層の上にメッキ処理により形成したパラジウムを主成分とする中間層と、該中間層の上にメッキ処理により形成した金を主成分とする表面層と、を有し、コンプレックスエステルと二塩基酸と二塩基酸のβ−アミノイソプロピルアルコール塩と５−メチルベンゾトリアゾールと５−アミノテトラゾールとエチルアルコールとをエチルアルコールに溶解した封孔処理剤により前記表面層のピンホールを封孔してなることを特徴とするので、表面処理被膜に鉛を含まずして、濡れ性のよい電子部品用材料を提供できるという効果を奏する。
【００３７】
請求項５記載の発明にあっては、基材である金属材料上にメッキ処理により形成した下地層と、該下地層の上にメッキ処理により形成した銀を主成分とする中間層と、該中間層の上にメッキ処理により形成した錫を主成分とする表面層と、を有し、コンプレックスエステルと二塩基酸と二塩基酸のβ−アミノイソプロピルアルコール塩と５−メチルベンゾトリアゾールと５−アミノテトラゾールとエチルアルコールとをエチルアルコールに溶解した封孔処理剤により前記表面層のピンホールを封孔してなることを特徴とするので、表面処理被膜に鉛を含まずして、濡れ性のよい電子部品用材料を提供できるという効果を奏する。
【００３８】
請求項６記載の発明にあっては、基材である金属材料上にメッキ処理により形成した下地層と、該下地層の上にメッキ処理により形成した金を主成分とする表面層と、を有し、コンプレックスエステルと二塩基酸と二塩基酸のβ−アミノイソプロピルアルコール塩と５−メチルベンゾトリアゾールと５−アミノテトラゾールとエチルアルコールとをエチルアルコールに溶解した封孔処理剤により前記表面層のピンホールを封孔してなることを特徴とするので、表面処理被膜に鉛を含まずして、濡れ性のよい電子部品用材料を提供できるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】電子部品用材料の説明図であり、（ａ）は正面図、（ｂ）は側面断面図である。
【図２】電子部品用材料の要部の側面断面図である。
【図３】電子部品用材料の要部の側面断面図である。
【符号の説明】
１    電子部品用材料
２    基材
３    下地層
４    表面層
５    中間層
【図１】
0003562212.tif 000002
【図２】
0003562212.tif 000003
【図３】
0003562212.tif 000004