(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁テープと、
前記絶縁テープの少なくとも一方の面上に選択的に形成された複数の配線からなる配線層と、
前記配線層内の各配線の一端に形成された複数の半導体チップ接続用電極と、
前記各半導体チップ接続用電極に電気的に導通する各配線の他端に形成され、且つ前記配線層とは異なる材質からなるめっき層を表面に有する複数のランドと、
前記各ランドから連続的に前記絶縁テープの端部まで延在して形成された複数のめっきリードと、
前記配線を保護するソルダレジストとを備えたテープキャリアにおいて、
前記絶縁テープの端部における前記各めっきリードの端部を被覆する絶縁樹脂層を備えたことを特徴とするテープキャリア。
【請求項２】
請求項１に記載のテープキャリアにおいて、
前記各ランドは、格子状に配置されたことを特徴とするテープキャリア。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載のテープキャリアにおいて、
前記絶縁テープの端部及び前記各めっきリードの端部は、金型を用いた打抜き加工により形成されたことを特徴とするテープキャリア。
【請求項４】
絶縁テープの少なくとも一方の面上に導電箔を形成する導電箔形成工程と、
前記導電箔形成工程により形成された導電箔をパターニングして、複数の配線からなる配線層、前記配線層内の各配線の一端に位置する複数の半導体チップ接続用電極、前記各配線の他端に位置する複数のランド、及び前記各ランドから連続的に延在した複数のめっきリードを形成するパターニング工程と、
前記各配線と前記絶縁テープとを覆うようにソルダレジストを形成するソルダレジスト形成工程と、
前記各めっきリードを用いた電解めっきにより、前記各半導体チップ接続用電極及び前記各ランドの表面にめっき層を形成する電解めっき工程と、
前記絶縁テープのうち、前記各めっきリードの位置する領域を切断するリード切断工程と、
前記リード切断工程により得られた各めっきリードの切断面を絶縁樹脂によって被覆するリード断面被覆工程と
を含んでいることを特徴とするテープキャリアの製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載のテープキャリアの製造方法において、
前記パターニング工程は、前記各ランドを格子状に配置するように形成することを特徴とするテープキャリアの製造方法。
【請求項６】
請求項４又は請求項５に記載のテープキャリアの製造方法において、
前記リード切断工程は、金型を用いた打抜き加工で行うことを特徴とするテープキャリアの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体チップのパッケージに用いられるテープキャリア及びその製造方法に係わり、特に、電気的に高い信頼性を実現し得るテープキャリア及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
最近、ノートブック型パソコン、ハンディビデオ機器及び携帯電話などの携帯可能な電子機器が広く販売されている。また、これらの電子機器では、半導体装置を実装する際のパッケージに対し、小形化、高機能化の要求が高まっている。
【０００３】
この種のパッケージには、絶縁テープ上に配線を形成し、半導体チップを搭載可能なテープキャリアが知られている。係るテープキャリアに半導体チップが搭載されて樹脂封止され、パッケージ化されると、プリント配線板等に実装可能な半導体装置が製造される。このようなテープキャリアは、パッケージを大幅に薄型化し得る利点を有する。
【０００４】
また、テープキャリアやリードフレーム等においては、プリント配線板への実装等、外部接続用のランドを格子状に配置したＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）  型が知られている。ＢＧＡ型は、格子状のランド配置により、ランド間隔を拡大可能であり、実装を容易化し得る利点を有する。
【０００５】
ここで、ＢＧＡ型のテープキャリアに関し、図１０及び図１１を用いて説明する。図１０（ａ）に示すように、２５μｍ厚のポリイミドテープ１の片面に接着剤２が塗布され、図１０（ｂ）に示すように、この接着剤２上に、複数の配線からなるＧＮＤ配線層となる３５μｍ厚の第１銅箔３が貼付けられる。
【０００６】
また、図１０（ｃ）に示すように、ポリイミドテープ１の他の片面にも接着剤４が塗布され、しかる後、図１０（ｄ）に示すように、半導体チップを搭載するための開口部５（以下、デバイスホールという）が金型を用いて打抜きにより形成される。
【０００７】
続いて、図１０（ｅ）に示すように、この接着剤４上に配線層となる１８μｍ厚の第２銅箔６が貼付けられ、図１０（ｆ）に示すように、１回目に貼付けた銅箔３がエッチングされて複数のランド３ａを有する複数の配線からなるＧＮＤ（第１）配線層３ｂが形成される。
【０００８】
また、図１１（ｇ）に示すように、エキシマレーザにより、ポリイミドテープ１に第２銅箔６に達する深さの穴７が形成され、レーザ加工後の酸化を阻止するため、洗浄工程により洗浄される。
【０００９】
この洗浄の後、乾燥されると、この穴７は導電性金属のめっき（又は導電性ペーストの印刷）により充填され、図１１（ｈ）に示すように、第２銅箔６とＧＮＤ配線層３ｂとが電気的に接続されてバイアホール８が形成される。
【００１０】
また、この第２銅箔６が図１１（ｉ）に示すようにエッチングされ、デバイスホール５近傍に複数の半導体接続用電極６ａを有する第２配線層６ｂが形成される。ここで、各半導体接続用電極６ａは、第２配線層６ｂから連続的に櫛歯状に形成され、先端がデバイスホール５の周縁よりも内側に位置している。
【００１１】
さらに、図１１（ｊ）に示すように、この半導体接続電極６ａ及びランド３ａの表面が金等のめっき処理によりめっき層９等で被覆される。
【００１２】
また、これらの各配線層３ｂ，６ｂを後工程にて用いられるハンダ等から保護するため、図１１（ｋ）に示すように、ソルダーレジスト（ＳＲ）からなる表面保護層１０が各半導体接続用電極６ａ及び各ランド３ａ以外の各配線層３ｂ，６ｂの表面に選択的に形成される。なお、この表面保護層１０は、めっき層９よりも先に形成してもよい。
【００１３】
しかる後、半導体接続用電極６ａに半導体チップが接続され（図示せず）、樹脂封止され（図示せず）、図１１（ｌ）に示すように、各ランド３ａに夫々ハンダボール１１がマウントされる。以上の加工が完了した絶縁テープは、実際に製品となるテープキャリア部分が、金型による打抜き加工又はレーザ等による切取り加工により区分される。これにより、テープキャリアが完成する。
【００１４】
続いて、以上のような製造工程において、図１１（ｊ）のめっき工程について詳述する。各ランド３ａ及び各半導体接続用電極６ａをめっきする際には、無電解めっきに比べ、安価で速いめっき速度を有する電解めっきが好ましい。
【００１５】
具体的には、電解めっきでは、各ランド３ａ及び各半導体接続用電極６ａに導通をとる必要上、図１２に示すように、各スプロケットホール１２列の内側で且つ、最終製品となる領域を囲む梯子形状に形成された主めっきリード１３と、最終製品における各ランド（外部接続用電極）３ａとの間を導通させるように各めっきリード１４が形成されている。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら以上のようなテープキャリア及びその製造方法では、最終製品の領域を取得する際に、各めっきリード１４の位置する不要領域を図１２に示す破線部分１４ｘで切断すると、各めっきリード１４の断面が露出してしまう。ここで、各めっきリード１４の断面の露出は、筐体等と接触して電気的にショートしたり、異物が断面に付着して隣接する各めっきリード１４同士がショートする可能性を生じさせ、電気的な信頼性を低下させてしまう問題がある。
【００１７】
また、この問題は、特に、ＢＧＡ型のテープキャリアと、金型による打抜き加工でリード断面が露出したテープキャリアとに顕著に現れる。
例えばＢＧＡ型のテープキャリアの場合、めっきリードは、格子状の各ランドから延伸されるため、キャリア端部での間隔が接近してショートし易くなっている。
【００１８】
また、金型による打抜き加工は、短い加工時間で且つ外形加工が容易なため、大量生産用に好まれる。しかし、加工断面をバリ状に広げる傾向があり、この傾向は、めっきリードが延伸し易い金属のときに強く現れる。ここで、めっきリードの材質は、安価で優れた導電性をもつ銅が好まれるが、銅は延伸し易く、断面が広がり易い。
【００１９】
一方、以上のような問題を解決する観点から、各めっきリード１４の断面の露出を阻止するリード端処理方式が考えられている。例えば、図１３（ａ）に示すように、ＧＮＤ配線層３ｂ、ランド３ａ及びめっきリード１４の形成後、図１３（ｂ）に示すように、電解めっき前に切断線近傍のめっきリード１４上にめっきレジストを形成する。
【００２０】
しかる後、図１３（ｃ）に示すように、電解めっきにより、めっきレジストから露出したＧＮＤ配線層３ｂ上、ランド３ａ上及びめっきリード１４上に、Ｎｉ，Ａｕ等のめっき層９ａを形成し、その後、図１４（ｄ）に示すように、めっきレジストを剥離する。
【００２１】
続いて、めっき層９ａをエッチングのレジストとして、図１４（ｅ）に示すように、再度、エッチングを施し、めっき層９ａのない部分のめっきリード１４を除去する。
【００２２】
さらに、図１４（ｆ）に示すように、ランド３ａ及び半導体接続用電極６ａを除く全面にソルダレジスト１０を形成し、図１５に示すように、めっきリード１４の除去された破線部分１４ｘに対し、金型による打抜き加工を行う。
【００２３】
これにより、各ランド３ａを含む内側の必要な領域と、各ランド３ａよりも外側の不要な領域とは、各めっきリード１４の位置した領域を境界にして分離される。但し、図１６に示すように、めっきリード１４の断面は露出しない。
【００２４】
しかしながら、この種のリード端処理方式は、工程数を増加させてしまう。また、めっきレジスト１５を形成する際に、めっきレジスト１５の塗布、露光、現像という工程を経るため、ランド３ａの表面汚染により、電解めっきが不可となる可能性があり、信頼性を低下させてしまう。
【００２５】
さらに、めっきレジスト１５は、例えば金めっき液の如き、めっき液に対する耐性を必要とし、ゴム系レジストのように強い耐性のものが用いられる。このため、めっきレジスト１５は、剥離が困難となっている一方、強力な剥離液が完成品に悪影響を与える可能性があるために使用不可となっている。すなわち、めっきレジスト１５は、剥離工程が困難となっている。
【００２６】
また、上述したリード端処理方式は、再エッチングのとき、前工程で形成しためっき層９ａがエッチング液で汚染される可能性を有している。
【００２７】
本発明は上記実情を考慮してなされたもので、端部での各めっきリード間のショートを阻止でき、電気的に高い信頼性を実現し得るテープキャリアを提供することを目的とする。
【００２８】
また、他の発明の目的は、各めっきリードの断面を露出させないテープキャリアを簡易で且つ信頼性の高い工程で製造し得るテープキャリアの製造方法を提供することにある。
【００２９】
【課題を解決するための手段】
請求項１に対応する発明は、前記絶縁テープの少なくとも一方の面上に選択的に形成された複数の配線からなる配線層と、前記配線層内の各配線の一端に形成された複数の半導体チップ接続用電極と、前記各半導体チップ接続用電極に電気的に導通する各配線の他端に形成され、且つ前記配線層とは異なる材質からなるめっき層を表面に有する複数のランドと、前記各ランドから連続的に前記絶縁テープの端部まで延在して形成された複数のめっきリードと、前記配線を保護するソルダレジストとを備えたテープキャリアにおいて、前記絶縁テープの端部における前記各めっきリードの端部を被覆する絶縁樹脂層を備えたテープキャリアである。
【００３０】
また、請求項２に対応する発明は、請求項１に対応するテープキャリアにおいて、前記各ランドが格子状に配置されたテープキャリアである。
【００３１】
さらに、請求項３に対応する発明は、請求項１又は請求項２に対応するテープキャリアにおいて、前記絶縁テープの端部及び前記各めっきリードの端部が金型を用いた打抜き加工により形成されたテープキャリアである。
【００３２】
また、請求項４に対応する発明は、絶縁テープの少なくとも一方の面上に導電箔を形成する導電箔形成工程と、前記導電箔形成工程により形成された導電箔をパターニングして、複数の配線からなる配線層、前記配線層内の各配線の一端に位置する複数の半導体チップ接続用電極、前記各配線の他端に位置する複数のランド、及び前記各ランドから連続的に延在した複数のめっきリードを形成するパターニング工程と、前記各配線と前記絶縁テープとを覆うようにソルダレジストを形成するソルダレジスト形成工程と、前記各めっきリードを用いた電解めっきにより、前記各半導体チップ接続用電極及び前記各ランドの表面にめっき層を形成する電解めっき工程と、前記絶縁テープのうち、前記各めっきリードの位置する領域を切断するリード切断工程と、前記リード切断工程により得られた各めっきリードの切断面を絶縁樹脂によって被覆するリード断面被覆工程とを含んでいるテープキャリアの製造方法である。
【００３３】
さらに、請求項５に対応する発明は、請求項４に対応するテープキャリアの製造方法において、前記パターニング工程としては、前記各ランドを格子状に配置するように形成するテープキャリアの製造方法である。
【００３４】
また、請求項６に対応する発明は、請求項４又は請求項５に対応するテープキャリアの製造方法において、前記取出し工程としては、金型を用いた打抜き加工で行うテープキャリアの製造方法である。
【００３５】
（作用）
従って、請求項１，４に対応する発明は以上のような手段を講じたことにより、絶縁樹脂層が、絶縁テープの端部における各めっきリードの端部を被覆するので、端部での各めっきリード間のショートを阻止でき、電気的に高い信頼性を実現させることができる。
【００３６】
また、請求項２に対応する発明は、各ランドが格子状に配置されたため、請求項１に対応する作用に加え、高密度で実装の容易なテープキャリアを高い信頼性で実現させることができる。
【００３７】
さらに、請求項３に対応する発明は、絶縁テープの端部及び各めっきリードの端部が、金型を用いた打抜き加工により形成されるため、請求項１又は請求項２に対応する作用に加え、大量生産に適したテープキャリアを実現することができる。
【００３８】
また、請求項４に対応する発明は、リード切断工程により得られた各めっきリードの切断面を絶縁樹脂によって被覆するリード断面被覆工程により、従来のめっきレジストによる工程数増加や表面汚染の問題を解消でき、もって、各めっきリードの断面を露出させないテープキャリアを簡易で且つ信頼性の高い工程で製造することができる。
【００３９】
さらに、請求項５に対応する発明は、パターニング工程が各ランドを格子状に配置するように形成するため、請求項４に対応する作用に加え、高密度で実装の容易なテープキャリアを製造することができる。
【００４０】
また、請求項６に対応する発明は、取出し工程としては、金型を用いた打ち抜き加工で行うため、請求項４又は請求項５に対応する作用に加え、高い生産効率を実現させることができる。
【００４１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【００４２】
（第１の実施の形態）
図１は本発明の第１の実施の形態に係るテープキャリアの概略構成を模式的に示す平面図であり、図２はこのテープキャリアの構成を模式的に示す断面図であって、図１０乃至図１２と同一部分には同一符号を付してその詳しい説明は省略し、ここでは異なる部分について主に述べる。
【００４３】
本実施形態は、端部での各めっきリード１４間のショートを阻止でき、電気的に高い信頼性の実現を図るものであり、具体的には、図２に示すように、ポリイミドテープ１の端部における各めっきリード１４の端部を被覆する絶縁樹脂層２１を備えている。
【００４４】
ここで、絶縁樹脂層２１は、表面及び裏面を保護するソルダレジストと同一又は異なる任意の絶縁樹脂が使用可能となっている。絶縁樹脂層２１としては、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリエチレン系樹脂等が使用可能となっている。絶縁樹脂層２１の市販品には、ＰＳＲ−４０００（太陽インキ製造株式会社製）やＵＦＲ−１０００（味の素株式会社製）等がある。
【００４５】
絶縁樹脂層２１の形成方法としては、各種コーター、ディスペンサー、スクリーン印刷等の塗布方式が適宜、使用可能となっている。
【００４６】
次に、以上のようなテープキャリアの製造方法及び作用を説明する。
【００４７】
（製造方法）
始めに、前述同様に、２５μｍ厚のポリイミド（絶縁）テープ１の片面上に接着剤２を介して３５μｍ厚の第１銅箔３が貼着され、この貼着されたポリイミドテープ１と第１銅箔３との略中央が金型で打ち抜かれることにより、図３（ａ）に示すように、半導体チップ搭載用のデバイスホール５が形成される。
【００４８】
続いて、ポリイミドテープの他の片面上に接着剤層を介して、第２銅箔６が貼着され、しかる後、第１銅箔３がパターニングされて、複数のＧＮＤ配線からなるＧＮＤ（第１）配線層３ｂ及び各ランド３ａが形成される。
【００４９】
また前述同様に、図３（ｂ）に示すように、ＧＮＤ配線層３ｂ又は各ランド３ａと第２銅箔６とを電気的に接続するように各ランド３ａ側からポリイミドテープ１を貫通するように各バイアホール（層間接続部材）８が選択的に形成される。
【００５０】
次に、各バイアホール８を露出させないように第２銅箔６がパターニングされて、複数の配線からなる第２配線層６ｂ、半導体接続用電極６ａが形成され、しかる後、図３（ｃ）に示すように、電解めっきにより、各ランド３ａの表面にめっき層９が形成される。
【００５１】
ここで、めっき層９の形成工程においては、まず、主めっきリード１３にめっき電極（図示せず）が接続される。次に、電解めっきにより、ＧＮＤ配線層３ｂ、第２配線層６ｂ、半導体接続用電極６ａ及び各ランド３ａの表面に、５μｍ厚のニッケルめっき層が形成され、同様に電解めっきにより、このニッケルめっき層上に０．３μｍ厚の金めっき層が形成される。
【００５２】
また、ニッケル及び金のめっき層９の形成の後、エポキシ樹脂からなるソルダレジストが表面保護層１０として表面及び裏面にスクリーン印刷され、露光、現像工程を経てランド３ａ上及び半導体接続用電極６ａ上などの部分が露出される。
【００５３】
その後、金型を用いた打抜き加工により、前述同様に、各めっきリード１４の位置する領域（図１中の破線部分１４ｘ）が切断される。しかる後、ポリイミドテープ１の端部の断面部分に絶縁樹脂層２１が塗布形成されることにより、断面部分が絶縁樹脂層２１によって被覆される。
【００５４】
これにより、図２に示した構造の出荷可能なテープキャリアが完成する。
このテープキャリアは、図４に示すように、デバイスホール５の周縁よりも内側に位置するように、半導体チップ２２が半導体接続用電極６ａに電気的に接続され、しかる後、各ランド３ａを露出させるようにしつつ全体が絶縁樹脂２３にて封止され、これら各ランド３ａにハンダボール１１が形成される。
【００５５】
また、このチップキャリアは、各ハンダボール１１が形成されると、各ハンダボール１１を介してマザーボード等の外部要素と接続可能な半導体装置が完成する。
【００５６】
上述したように本実施形態によれば、絶縁樹脂層２１が、ポリイミドテープ１の端部における各めっきリード１４の端部を被覆するので、従来とは異なり、筐体や異物等から各めっきリード１４の端部が保護される。これにより、端部での各めっきリード１４間のショートを阻止でき、電気的に高い信頼性を実現させることができる。
【００５７】
また、この絶縁樹脂層２１は、各めっきリード１４の切断面を絶縁樹脂によって被覆するリード断面被覆工程により形成されるため、従来のめっきレジストによる工程数増加や表面汚染の問題を解消でき、もって、各めっきリード１４の断面を露出させないテープキャリアを簡易で且つ信頼性の高い工程で製造することができる。
【００５８】
さらに、各ランド３ａが格子状に配置されたため、高密度で実装の容易なテープキャリアを高い信頼性で実現及び製造することができる。
【００５９】
また、ポリイミドテープ１の端部及び各めっきリード１４の端部が、金型を用いた打抜き加工により形成されるため、生産効率が高く、大量生産に適したテープキャリアを実現及び製造することができる。また、金型を用いた打抜き加工に伴い、各めっきリード１４の断面にバリ状の広がりが発生しても、各めっきリード１４の断面が絶縁樹脂層で保護されるため、電気的に高い信頼性を得ることができる。
【００６０】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態に係るテープキャリアについて説明する。
図５はこのテープキャリアの概略構成を模式的に示す平面図であり、図６はこのテープキャリアの構成を模式的に示す断面図であって、第１の実施の形態とは異なり、１層の配線層を有する１層構造のテープキャリアを示している。
【００６１】
このテープキャリアは、略中央に半導体チップを搭載するためのデバイスホール４０が形成された絶縁性のポリイミドテープ４１と、ポリイミドテープ４１の片面上に選択的に形成された複数の配線からなる配線層４２と、配線層４２から連続的に形成され、且つ表面にめっき層４３ａを有し、外部要素と電気的に接続するための複数のランド４３と、配線層４２から連続的に櫛歯状に形成され、先端４４ａがデバイスホールの周縁よりも内側に位置する半導体接続用電極４４と、ポリイミドテープ４１の端部における各めっきリード４６の端部を被覆する絶縁樹脂層４５を備えている。
【００６２】
なお、各めっきリード４６は、テープキャリアが１層構成であることから、前述した各めっきリード１４の符号を付け直したものの、各めっきリード１４と同様のものである。同じく、主めっきリード４７は主めっきリード１３と同様のものである。
【００６３】
次に、以上のようなテープキャリアの製造方法及び作用を説明する。
【００６４】
（製造方法）
前述同様に、２５μｍ厚のポリイミドテープ４１の略中央が金型で打ち抜かれることにより、半導体チップ搭載用のデバイスホール４０が形成され、図７（ａ）に示すように、このデバイスホール４０を有するポリイミドテープ４１の片面に接着剤４８を介して導電箔４２ａが貼着される。
【００６５】
続いて、図５及び図７（ｂ）に示すように、貼着された導電箔４２ａがパターニングされて、複数の配線からなる配線層４２、各ランド４３、半導体接続用電極４４、めっきリード４６及び主めっきリード４７が形成される。
【００６６】
また、電解めっきにより、前述同様に、配線層４２、各ランド４３、半導体接続用電極４４、めっきリード４６及び主めっきリード４７の表面に、５μｍ厚のニッケルめっき層及び０．３μｍ厚の金めっき層からなるめっき層４３ａが順次形成される。
【００６７】
しかる後、第１の実施形態同様にエポキシ樹脂からなるソルダレジストが、表面保護層４９として表面及び裏面に塗布される。続いて、金型を用いた打抜き加工により、前述同様に、各めっきリードの位置する領域が切断される。
【００６８】
しかる後、ポリイミドテープ４１の端部の断面部分に絶縁樹脂層４５が塗布形成されることにより、断面部分が絶縁樹脂層４５によって被覆される。
【００６９】
これにより、図８に示す構造の出荷可能なテープキャリアが完成される。また、前述同様に、選択エッチングにて先端接続部材４５が除去されると、最終的にテープキャリアが完成される。なお、この最終的な完成品を出荷しても良いのは言うまでもない。
【００７０】
このテープキャリアは、前述同様に、図９に示すように、半導体チップ５１が半導体接続用電極４４に電気的に接続され、各ランド４３を露出させつつ全体が絶縁樹脂５２にて封止され、各ランド４３にハンダボール５３が形成されると、各ハンダボール５３を介してマザーボード等の外部要素と接続可能な半導体装置となる。
【００７１】
本実施形態では、テープキャリアを１層構造としたことにより、製造に手間のかかるバイアホールを無くして回路構成並びに製造工程を簡略化でき、もって、信頼性を向上させることができる。
【００７２】
上述したように第２の実施の形態によれば、第１の実施の形態の効果を奏する１層構造のテープキャリアを実現することができる。
【００７３】
（他の実施の形態）
なお、上記第１の実施形態では、２層の配線層３ｂ，６ｂをもつ２層構造のチップキャリアを例に挙げて説明したが、これに限らず、同様の製造工程により製造できる３層以上の配線層をもつ多層構造のチップキャリアとしても、本発明を同様に実施して同様の効果を得ることができる。
【００７４】
また、上記第１又は第２の実施形態では、めっき層９，４３ａの形成の後に表面保護層１０を形成し、その後に打抜き加工を行なう場合について説明したが、これに限らず、表面保護層１０の形成の後にめっき層９，４３ａを形成し、その後に打抜き加工（又は切断加工）を行なう製造工程に変形しても、本発明を同様に実施して同様の効果を得ることができる。
【００７５】
また、この変形例に限らず、めっき層９，４３ａの形成の後に打抜き加工（又は切断加工）を行ない、その後に表面保護層１０を形成する製造工程に変形してもよく、この変形例の場合、本発明を同様に実施して同様の効果を得ることに加え、さらに、表面保護層１０の形成と同時に断面に絶縁樹脂層２１を形成できるので、工程を簡略化させることができる。
【００７６】
また、上記第１又は第２の実施形態では、表面のめっき層９，４３ａを金とした場合について説明したが、これに限らず、外部接続用のハンダボール１１，５３に対して良好な親和性をもつ材料をめっき層９，４３ａとしても、本発明を同様に実施して同様の効果を得ることができる。具体的には、例えば、すず、ニッケル、銀、パラジウム、ハンダ等の材料をめっき層とすることが親和性や導電性の観点から好ましい。
【００７７】
また、上記第１又は第２の実施形態では、金型を用いた打抜き加工を行う場合について説明したが、これに限らず、レーザ等を用いた切抜き加工を行う製造方法に変形しても、金型を用いた打抜き加工に比べて加工速度が低下するものの、本発明を同様に実施して同様の効果を得ることができる。
【００７８】
また、上記第１又は第２の実施形態では、ＢＧＡ型のテープキャリアの場合について説明したが、これに限らず、他の型のテープキャリアに変形しても、側面にめっきリードの断面を有する構成であれば、本発明を同様に実施して同様の効果を得ることができる。
【００７９】
その他、本発明はその要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施できる。
【００８０】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、端部での各めっきリード間のショートを阻止でき、電気的に高い信頼性を実現できるテープキャリアを提供できる。
【００８１】
また、各めっきリードの断面を露出させないテープキャリアを簡易で且つ信頼性の高い工程で製造できるテープキャリアの製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係るテープキャリアの概略構成を示す平面図
【図２】同実施の形態におけるテープキャリアの構成を模式的に示す断面図
【図３】同実施の形態におけるテープキャリアの製造方法を模式的に示す工程断面図
【図４】同実施の形態における半導体装置の構成を模式的に示す断面図
【図５】本発明の第２の実施の形態に係るテープキャリアの概略構成を示す平面図
【図６】同実施の形態におけるテープキャリアの構成を模式的に示す断面図
【図７】同実施の形態におけるテープキャリアの製造方法を模式的に示す工程断面図
【図８】同実施の形態におけるテープキャリアの構成を模式的に示す断面図
【図９】同実施の形態における半導体装置の構成を模式的に示す断面図
【図１０】従来のテープキャリアの製造方法を模式的に示す工程断面図
【図１１】従来のテープキャリアの製造方法を模式的に示す工程断面図
【図１２】従来のテープキャリアの概略構成を示す平面図
【図１３】従来のテープキャリアの製造方法を模式的に示す部分平面図
【図１４】従来のテープキャリアの製造方法を模式的に示す部分平面図
【図１５】従来のテープキャリアの製造方法を模式的に示す部分平面図
【図１６】従来の製造方法によるテープキャリア端部の概略構成を示す部分断面図
【符号の説明】
１，４１…ポリイミドテープ
２，４，４８…接着剤
３…第１銅箔
３ａ，４３…ランド
３ｂ…ＧＮＤ配線層
５，４０…デバイスホール
６…第２銅箔
６ａ，４４…半導体接続用電極
６ｂ…第２配線層
７…穴
８…バイアホール
９…めっき層
１０…表面保護層
１１，５３…ハンダボール
１２…スプロケットホール
１３、４７…主めっきリード
１４、４６…めっきリード
１５…めっきレジスト
１６…破線部分（打抜き領域）
２１，４５…絶縁樹脂層
２２，５１…半導体チップ
２３，５２…絶縁樹脂
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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