(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
各種電子部品の母材として用いられるセラミック基板であって、縦横の１次分割溝と２次分割溝を有し、上記１次分割溝の幅が、２次分割溝との交点で狭くなっていることを特徴とする電子部品用セラミック基板。
【請求項２】
上記セラミック基板が、９３〜９７重量％のＡｌ２Ｏ３を主成分とし、添加成分の重量比がＳｉＯ２  ５２〜６８％、ＣａＯ  ２〜１０．５％、ＭｇＯ  ２５．５〜４２％であることを特徴とする請求項１記載の電子部品用セラミック基板。
【請求項３】
上記セラミック基板が、平均粒径１２μｍ以下のアルミナセラミックスからなることを特徴とする請求項１または２記載の電子部品用セラミック基板。
【請求項４】
上記セラミック基板が０．１〜０．３ｍｍの厚みを有し、上記縦横の１次分割溝と２次分割溝の深さが上記セラミック基板の厚みの３０〜７０％の深さであり、かつ、上記１次分割溝の深さと角度をそれぞれ２次分割溝よりも大きくしたことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の電子部品用セラミック基板。
【請求項５】
０．１〜０．３ｍｍの厚みを有し、該厚みに対して３０〜７０％の深さの２次分割溝と該２次分割溝より大きな深さと角度を有する１次分割溝とを縦横に形成した電子部品用セラミック基板の、上記１次分割溝に導体が形成された後、上記各分割溝に沿って分割されてなるチップ抵抗器であって、上記１次分割溝に形成された導体が実質的に端面電極として機能することを特徴とするチップ抵抗器。
【請求項６】
上記１次分割溝の角度を３０〜６０°、上記２次分割溝の角度を２５〜４０°とし、両者の差を５〜２５°の範囲としたことを特徴とする請求項５記載のチップ抵抗器。
【請求項７】
上記１次分割溝の深さと上記２次分割溝の深さの差が０．０３〜０．１ｍｍである請求項５または６記載のチップ抵抗器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、チップ抵抗器等のチップ状の電子部品を製造する際に、母材として用いられるセラミック基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、チップ抵抗器は分割溝を有するセラミック基板上に抵抗体等を印刷し、分割することにより製造している。
【０００３】
まず、セラミックス原料のスラリーより成形したグリーンシートに縦横の分割溝を形成し、外辺打ち抜き後、焼成して、図５（ａ）に示すセラミック基板１０を得る。そして、このセラミック基板１０の一方又は両方の面に導体と抵抗体を印刷し焼き付けた後、トリミングを行って抵抗調整する。次に、オーバーコートガラス等の保護層を印刷し焼き付けた後、一方方向の１次分割溝１１より分割を行って、図５（ｂ）に示す短冊状とする。その後、短冊状をしたセラミック基板１０の両端を保持して、分割した破面１３に端面電極を成す導体を印刷し焼き付けた後、更に他方向の２次分割溝１２で分割し、図５（ｃ）に示すチップ抵抗器２０を得ていた。
【０００４】
即ち、このチップ抵抗器２０は、セラミック基板１０の一方の面に、抵抗体２２とこれに接続する導体２１及び保護層２３を有し、また端面に端面電極２４を有している。そして、回路基板３０の所定位置に備えた導体３１上にハンダ３２を盛り、マウンターを用いて上記のチップ抵抗器２０を搭載し、各端面電極２４をハンダ３２と接続させて固定するようになっている。
【０００５】
なお、上記セラミック基板１０は、アルミナを主成分とするセラミックスからなり、その厚みは最も薄いもので０．３４〜０．４８ｍｍ程度のものが使用されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、近年、電子機器の小型化に伴って、各種電子部品も小型化が進んでいる。例えば、チップ抵抗器２０の寸法は、３．２×１．６ｍｍから２×１．２５ｍｍ、１．６×０．８ｍｍ、１×０．５ｍｍ、さらには０．６×０．３ｍｍと非常に小さなものが求められており、その母材となるセラミック基板１０の要求特性も厳しいものとなっており、さまざまな問題が生じている。
【０００７】
例えば、セラミック基板１０を１次分割溝１１に沿って短冊状に分割する際に、２次分割溝１２まで同時に割れてしまうという不都合があった。
【０００８】
即ち、図５（ｃ）に示すように、チップ抵抗器２０には端面電極２４が必要であり、この端面電極２４を効率的に印刷するために、図５（ｂ）に示すようにセラミック基板１０をまず１次分割溝１１のみで分割して短冊状にし、その破面１３に導体を印刷する必要がある。この時、２次分割溝１２が同時に割れてしまうと、導体を印刷する装置が頻繁に停止する等の問題が発生する。
【０００９】
なお、この問題を解決するために１次分割溝１１と２次分割溝１２の深さを異ならせることも行われている。しかし、セラミック基板１０に不均一な反りやうねり、あるいは厚みのばらつきが生じると、ローラー等で分割する際に不均一な力が基板に加わるために、やはり１次分割溝１１で分割する際に２次分割溝１２も割れる事があった。
【００１０】
さらに、近年、上記チップ抵抗器２０をマウンターで回路基板３０上に搭載する速度を極限まで高めているために、搭載時に大きな圧力がチップ抵抗器２０に加わり、セラミック基板１０に割れやクラックが発生するという問題があり、その結果回路の信頼性を低下させる原因となっていた。
【００１１】
また、上記分割溝を形成する場合は、一定間隔で並べた刃をセラミックグリーンシートに押し当てて形成していたが、チップ抵抗器２０の小型化に伴い、刃の間隔が小さくなると、押し当てた刃にグリーンシートが張りついてしまうことがあった。このような場合は、空気を噴出して剥がすことが行われているが、特にグリーンシートが薄くなると、均一に剥がすことが困難になり、金型の二重押しや、最悪の場合金型破損等の問題が生じていた。
【００１２】
さらに、チップ抵抗器等が小さくなると、上記セラミック基板１０上に導体２１を印刷する際に、分割溝を伝わって他の導体２１と繋がってしまい、トリミング工程で正しく抵抗値を測定できなくなるという不都合もあった。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
そこで本発明は、各種電子部品の母材として用いられるセラミック基板であって、縦横の１次分割溝と２次分割溝を有し、上記１次分割溝の幅が、２次分割溝との交点で狭くなっていることを特徴とする電子部品用セラミック基板であり、これによって、印刷した導体が分割溝を伝わって他の導体と繋がることを防止するようにしたものである。
【００１４】
また本発明は、上記セラミック基板が、９３〜９７重量％のＡｌ２Ｏ３を主成分とし、添加成分の重量比がＳｉＯ２  ５２〜６８％、ＣａＯ  ２〜１０．５％、ＭｇＯ  ２５．５〜４２％であることを特徴とする。また本発明は、上記セラミック基板が、平均粒径１２μｍ以下のアルミナセラミックスからなることを特徴とする。
【００１５】
さらに本発明は、上記セラミック基板が０．１〜０．３ｍｍの厚みを有し、上記縦横の１次分割溝と２次分割溝の深さが上記セラミック基板の厚みの３０〜７０％の深さであり、かつ、上記１次分割溝の深さと角度をそれぞれ２次分割溝よりも大きくしたことを特徴とする。
【００１６】
即ち、上記組成や平均粒径の範囲内とすることによって、強度の高いセラミック基板を得られるため、上述したように厚みを非常に薄くしても破損等を防止することができる。また、電子部品を高速で搭載する際にも割れやクラックの発生を防止できる。
【００１７】
また本発明は、０．１〜０．３ｍｍの厚みを有し、該厚みに対して３０〜７０％の深さの２次分割溝と該２次分割溝より大きな深さと角度を有する１次分割溝とを縦横に形成した電子部品用セラミック基板の、上記１次分割溝に導体が形成された後、上記各分割溝に沿って分割されてなるチップ抵抗器であって、上記１次分割溝に形成された導体が実質的に端面電極として機能することを特徴とするチップ抵抗器である。
【００１８】
また本発明は、上記１次分割溝の角度を３０〜６０°、上記２次分割溝の角度を２５〜４０°とし、両者の差を５〜２５°の範囲としたことを特徴とする。
【００１９】
また本発明は、上記１次分割溝の深さと上記２次分割溝の深さの差が０．０３〜０．１ｍｍであることを特徴とする。
【００２０】
即ち、本発明では、セラミック基板の厚みを０．１〜０．３ｍｍと非常に薄くすることによって、一方側の面に備えた導体のみで回路基板上のハンダと接続することができ、端面電極が必要なくなることを見出した。そのため、端面電極の印刷工程が必要ないことから、製造工程を簡略化できるとともに、１次分割溝の分割時に２次分割溝まで割れてしまっても大きな問題となることはない。さらに、このように薄くすることによって、より小型の電子部品に好適に対応することができる。また、より深く形成する１次分割溝の角度を大きくすることによって、グリーンシートに刃を押し当てて加工する際に、刃へのグリーンシートの張りつきを防止できるようにしたものである。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図に基づいて詳細に説明する。
【００２４】
図１に示すセラミック基板１０は、表面に互いに直交する１次分割溝１１と２次分割溝１２を有しており、このセラミック基板１０の表面に抵抗体や導体等を印刷した後、１次分割溝１１と２次分割溝１２で分割することによって、図２に示すようなチップ抵抗器２０を製造することができる。
【００２５】
また、このセラミック基板１０は、その厚みＴを０．１〜０．３ｍｍと非常に薄くしてあり、その１次（２次）分割溝１１（１２）の深さＤを厚みＴの３０〜７０％としてある。そのため、詳細を後述するように、チップ抵抗器を構成する際に端面電極を省略することができる。
【００２６】
なお、ここで、厚みＴを上記範囲としたのは、０．１ｍｍ未満では、薄すぎるために強度が非常に小さくなり、取扱時等に破損が生じやすくなるためであり、０．３ｍｍを超えると端面電極を省略することができなくなるためである。また、厚みＴに対する分割溝の深さＤの比を上記範囲としたのは、３０％未満では分割性が低下し、７０％を超えると搬送工程等で誤って分割されてしまう恐れが生じるためである。
【００２７】
さらに、このセラミック基板１０は、縦横の１次分割溝１１と２次分割溝１２に囲まれる最小領域の短辺の長さＸに対する基板の厚みＴの比Ｔ／Ｘを０．２５〜１．０の範囲にしてある。そのため、分割後のセラミック基板１０の強度を高め、高速でのマウント時に破損等を生じることを防止できる。
【００２８】
ここで、比Ｔ／Ｘを上記範囲としたのは、０．２５未満では厚みが薄すぎるために高速マウント時に破損しやすく、一方１．０を超えると厚すぎて分割性が低下するためである。
【００２９】
なお、このセラミック基板１０の製造方法は、所定のセラミックス原料のスラリーより成形したグリーンシートに刃を押し当てて縦横の１次分割溝１１、２次分割溝１２を形成し、外辺を打ち抜いた後、焼成することによって得ることができる。
【００３０】
次に、このセラミック基板１０を用いて図２に示すようなチップ抵抗器２０を製造する場合は、セラミック基板１０の一方の面に導体２１と抵抗体２２を印刷し焼き付けた後、トリミングを行って抵抗調整する。次に、オーバーコートガラス等の保護層２３を印刷し焼き付けた後、１次分割溝１１及び２次分割溝１２より分割を行って、図２に示すようなチップ抵抗器２０を得ることができる。
【００３１】
この時、１次分割溝１１の深さＤは基板厚みＴの３０〜７０％まで形成していることから、上記導体２１の印刷時に、導体２１はこの１次分割溝１１の中まで入り込み、更に焼き付けにより分割溝先端に発生しているマイクロクラックまで流れ込むため、最終的なチップ抵抗器２０の端面上部まで塗布されることになる。しかも、セラミック基板１０の厚みＴが０．１〜０．３ｍｍと非常に薄いため、チップ抵抗器２０の端面にはかなりの部分まで導体２１が存在することになり、従来のような端面電極を省略することができる。
【００３２】
即ち、回路基板３０上の所定位置に備えた導体３１上にハンダ３２を盛り、この上に上記チップ抵抗器２０を搭載し、熱をかけて接着する。この時、セラミック基板１０が非常に薄く、また端面上部まで導体２１が塗布されていることから、端面電極なしでもこの導体２１とハンダ３２を接続することができるのである。
【００３３】
このように、本発明のセラミック基板１０を用いれば、端面電極を省略してチップ抵抗器２０を得ることができる。そのため、図３（ｂ）に示すように短冊状に分割して破面１３に導体印刷を行う必要がない。したがって、チップ抵抗器２０の製造工程を簡略化できるとともに、一度短冊状とする必要もないため、１次分割溝１１の分割時に２次分割溝１２が割れてしまっても不都合が生じることはない。
【００３４】
次に本発明の他の実施形態を説明する。
【００３５】
図３（ａ）（ｂ）に示すように、本発明のセラミック基板１０は、１次分割溝１１の深さＤ１  、角度θ１  をそれぞれ２次分割溝１２の深さＤ２  、角度θ２  よりも大きくしてある。
【００３６】
これは、最初に分割する１次分割溝１１の方を深くすることによって、１次分割溝１１での分割時に２次分割溝１２で割れてしまうことを防止するためである。また、１次分割溝１１側の角度θ１  を大きくしておくことによって、グリーンシートの加工時における刃への張りつきを防止することができる。
【００３７】
即ち、図３（ｃ）に示すように、グリーンシート１０’に刃１９を押し当てて分割溝を形成する場合、その刃先角度θが小さいほど応力Ｆが横方向に伝わり、隣接する刃１９にグリーンシート１０’を押しつけ、張りつきが生じやすくなる。そのため、刃先角度θを大きくするほど、グリーンシート１０’の張りつきを防止できることになる。
【００３８】
ただし、チップ抵抗器等が小型化されるにつれて、この刃先角度θも極力小さくすることが求めれていることから、本発明では、より深く形成する１次分割溝１１側のみ角度θ１  を大きくすることによって、グリーンシート１０’の張りつきを防止するようにしたのである。
【００３９】
しかも、２次分割溝１２側の角度θ２  を小さくしておけば、導体２１が２次分割溝１２を伝わって流れることを防止できる。
【００４０】
なお、上記１次分割溝１１の角度θ１  は３０〜６０°、２次分割溝１２の角度θ２  は２５〜４０°とし、両者の差θ１  −θ２  は５〜２５°の範囲とすることが好ましい。
【００４１】
また、上記１次分割溝１１の深さＤ１  と２次分割溝１２の深さＤ２  の差Ｄ１  −Ｄ２  は０．０３〜０．１ｍｍの範囲内とすることが好ましい。
【００４２】
そして、上記のように１次分割溝１１と２次分割溝１２の角度や深さを設定しておけば、１次分割溝１１の分割時に２次分割溝１２が割れてしまうことを防止できるため、図５（ｂ）に示すような短冊状に分割して端面電極を印刷する工程を行っても不良が生じることを防止できる。
【００４３】
さらに、本発明の他の実施形態を図４に示すように、上記１次分割溝１１における２次分割溝１２との交点近傍を狭くすることもできる。そのため、１次分割溝１１上に印刷した導体ペーストが２次分割溝１２側に伝わることを防止することができる。
【００４４】
なお、図４に示すような形状とするためには、まずグリーンシート１０’に刃１９を押し当てて１次分割溝１１側を先に形成した後、これと直角方向に刃１９を押し当てて２次分割溝１２を形成し、この時に先に形成した１次分割溝１１側がやや変形するように刃１９を押し当てることによって、図４に示すように１次分割溝１１側の交点近傍を狭くすることができる。
【００４５】
また、１次分割溝１１は、通常、セラミック基板１０上に形成される最小領域の短辺側を形成し、多連チップ抵抗等を製造するためにスルーホールを有する場合は、スルーホール上に形成される分割溝が１次分割溝１１となる。
【００４６】
以上の本発明のセラミック基板１０では、上述したように厚みＴを非常に薄くしてあるため、搬送や印刷、焼成工程での破損を防止するために、その組成、粒径を以下のように設定する。
【００４７】
即ち、上記セラミック基板１０は、９３〜９７重量％のＡｌ２  Ｏ３  を主成分とし、添加成分の重量比がＳｉＯ２  ５２〜６８％、ＣａＯ２〜１０．５％、ＭｇＯ２５．５〜４２％の範囲内となるようにしてある。また、その平均粒径を１２μｍ以下としてある。
【００４８】
ここで、Ａｌ２  Ｏ３  含有量を上記範囲としたのは、９３重量％未満では強度が低下するために、分割溝が入った状態で印刷時の圧力やその他の取り扱い時の衝撃等により破損する恐れがあるためである。また、９７重量％を超えると、製造コスト、主に焼成コストや設備コストが高くなるともに、導体２１等との接着性が低下するためである。
【００４９】
また、添加成分の重量比を上記範囲内とすることにより、焼成時のαーアルミナやスピネル以外の異常結晶の晶出を防止し、安定した分割性を維持することができる。
【００５０】
さらに、平均結晶粒径を上記範囲内としたのは、１２μｍを超えると強度が低下して、印刷時や取扱時等に破損する恐れが生じるためである。
【００５１】
なお、上記実施形態ではセラミック基板１０の片面側に１次分割溝１１、２次分割溝１２を形成した例を示したが、両面にこれらの分割溝を形成することもできる。この場合は、両面の深さの和を分割溝の深さＤとし、この深さＤをセラミック基板１０の厚みＴの３０〜７０％の範囲内としておけば良い。
【００５２】
また、以上の実施形態では、チップ抵抗器２０を例にとって説明したが、本発明のセラミック基板１０はその他に、チップコンデンサやハイブリッドＩＣ用基板等の各種電子部品の製造に用いることができる。
【００５３】
【実施例】
実施例１
Ａｌ２  Ｏ３  含有量９６重量％のアルミナセラミックスを用い、その厚みＴを表１に示すように種々に変化させ、分割溝の深さＤは基板の厚みＴの６０％とし、分割溝で囲まれる最小領域の大きさを０．６×０．３ｍｍとしたセラミック基板１０を作製した。
【００５４】
それぞれ、片面のみに導体２１と抵抗体２２を印刷し、１次分割後の破面に導体印刷を行わずに２次分割を行ってチップ抵抗器２０を作製した。それぞれ、回路基板３０上に搭載して、ハンダ３２との接続により導通が取れるかどうかを調べた。その結果、導通が取れたものを○、とれないものを×として表１に示す。
【００５５】
この結果より、厚みＴが０．３ｍｍを超えるものでは導通が取れなかったのに対し、厚みＴを０．３ｍｍ以下とすれば導通を取ることができた。
【００５６】
【表１】
0003574730.tif 000002
【００５７】
実施例２
次に、実施例１と同様にして、セラミック基板１０の厚さＴと、これに対する１次分割溝１１の深さＤの比を表２に示すように種々に変化させたものを作製した。
【００５８】
それぞれのセラミック基板１０を、導体２１や抵抗体２２を印刷する工程に流し、工程中にセラミック基板１０の割れの評価を行った。その結果、工程中に割れが生じたものを×、割れなかったものを○で示す。
【００５９】
結果を表２に示すように、セラミック基板１０の厚みＴが０．１ｍｍ未満では、他の工程で分割溝の割れが発生しやすかった。したがって、実施例１の結果と合わせて、厚みＴは０．１〜０．３ｍｍの範囲が好ましいことがわかる。
【００６０】
また、厚みＴを０．１ｍｍ以上とし、１次分割溝１１の深さＤをこの厚みＴの７０％以下としておけば、他の工程での分割溝の割れの発生を防止することができる。
【００６１】
【表２】
0003574730.tif 000003
【００６２】
実施例３
次に、実施例２と同様にセラミック基板１０の厚みＴと１次分割溝１１の深さＤを変更し、導体２１や抵抗体２２を印刷、焼き付けした後、１次分割溝１１より分割機を用い、短冊状に分割した。この時、１次分割溝１１だけで分割できたものを○、他でも割れたものを×で示す。
【００６３】
結果を表３に示すように、セラミック基板１０の厚みＴを０．１〜０．３ｍｍの範囲とした場合、Ｄ／Ｔを３０％以上としておけば、良好な分割性が得られることがわかる。
【００６４】
【表３】
0003574730.tif 000004
【００６５】
実施例４
次に、Ａｌ２  Ｏ３  含有量９６重量％のアルミナセラミックスを用い、その厚みＴを表４に示すように種々に変化させ、分割溝の深さＤは基板の厚みＴの６０％とし、分割溝で囲まれる最小領域の短辺の長さＸを種々に変化させたセラミック基板１０を作製した。
【００６６】
各セラミック基板１０を用いてチップ抵抗器２０を製造し、分割性の評価を行った。次に、得られたチップ抵抗器２０を回路基板３０に高速マウントした際の導通及びクラックの有無を調べた。なお、分割性については、分割溝に沿って正しく割れたものを○、割れなかったものを×で示す。また、導通及びクラックの検査は、１０００個中１個でもクラック又は導通不良が発生しているものを×、発生していないものを○で示す。
【００６７】
結果を表４に示すように、短辺の長さＸに対する厚みＴの比Ｔ／Ｘを０．２５〜１．０の範囲としておけば、分割性が良好で、マウント時のクラックや導通不良を防止できることがわかる。
【００６８】
【表４】
0003574730.tif 000005
【００６９】
実施例５
次に、上記と同様のセラミック基板１０において、１次分割溝１１の深さＤ１  を厚みＴの６０％、２次分割溝１２の深さＤ２  を厚みＴの５０％とし、１次分割溝１１の角度θ１  を種々に変化させたものを作製した。なお、いずれも２次分割溝１２の角度θ２  はθ１  よりも小さくした。
【００７０】
それぞれ、グリーンシート１０’に分割溝を敷設する際に、刃１９にグリーンシート１０’が付着しないものを○、付着するものを×で示す。また、導体ペースト印刷時に隣の導体と１次分割溝１１を介して短絡しないものを○、短絡するものを×で示す。
【００７１】
結果を表５に示すように、１次分割溝１１の角度θ１  を３０〜６０°としておけば、刃１９への付着はなく、導体ペーストの短絡も防止できることがわかる。
【００７２】
【表５】
0003574730.tif 000006
【００７３】
実施例６
次に、実施例５と同様にして、２次分割溝１２の角度θ２  を種々に変化させたものを作製した。
【００７４】
それぞれ、導体２１、抵抗体２２、オーバーコートガラスの保護層２３を印刷、焼付けを行いトリミング後、１次分割溝１１より分割を行い、破面１３に導体ペーストを塗布して２次分割溝１２へのペーストのはい上がりを確認した。はい上がりが顕著で２次分割溝１２を介して両方の破面１３がペーストでつながったら×、つながらなかったら○で示す。更に分割溝形成時に刃１９にグリーンシート１０’が付着したものを×、付着しなかったものを○で示す。
【００７５】
結果を表６に示すように、２時分割溝１２の角度θ２  を２５〜４０°の範囲内としておけば、導電ペーストの短絡やグリーンシートの刃への付着を防止できることがわかる。なお、２次分割溝１２の深さＤ２  は１次分割溝１１よりも小さいために、２次分割溝１２では角度θ２  を２５゜まで小さくしても付着が発生しなかった。
【００７６】
【表６】
0003574730.tif 000007
【００７７】
実施例７
次に、本発明のセラミック基板１０を形成するアルミナセラミックスとして、セラミックスの平均結晶粒径とＡｌ２  Ｏ３  含有量を変更し、抗折強度を測定した結果を表７に示す。
【００７８】
一般に、搬送時等の破損を防止するためには抗折強度が３０ｋｇ／ｍｍ２  以上必要であり、この点から、平均結晶粒径１２μｍ以下、Ａｌ２  Ｏ３  含有量９３重量％以上としておけば良いことがわかる。
【００７９】
【表７】
0003574730.tif 000008
【００８０】
実施例８
次に、実施例７と同様にして、Ａｌ２  Ｏ３  含有量と添加物の組成比を変更し、それぞれ焼結性と異常結晶の有無を評価した。なお、焼結性については、比重が３．６５以上のものを○、３．６５未満のものを焼結不良として×で示す。また、異常結晶については、αアルミナとスピネル以外の結晶が析出したものを×、その他のものを○とした。
【００８１】
結果を表８に示すように、Ａｌ２  Ｏ３  含有量９３〜９７重量％で、添加成分の重量比がＳｉＯ２  ５２〜６８％、ＣａＯ２〜１０．５％、ＭｇＯ２５．５〜４２％の範囲内であれば、焼結性に優れ、異常結晶の発生を防ぐことができる。
【００８２】
【表８】
0003574730.tif 000009
【００８３】
【発明の効果】
以上述べたように本発明によれば、各種電子部品の母材として用いられるセラミック基板であって、縦横の１次分割溝と２次分割溝を有し、上記１次分割溝の幅が、２次分割溝との交点で狭くなっていることから、１次分割溝上に印刷した導体ペーストが２次分割溝側に伝わることを防止することができる。
【００８４】
そして、上記セラミック基板の材質として、９３〜９７重量％のＡｌ２Ｏ３を主成分とし、添加成分の重量比がＳｉＯ２  ５２〜６８％、ＣａＯ  ２〜１０．５％、ＭｇＯ  ２５．５〜４２％であるアルミナセラミックスを用い、また、平均粒径を１２μｍ以下とすることにより、基板の強度を向上し、搬送時等での破損を防止できる。
【００８５】
また、上記セラミック基板が０．１〜０．３ｍｍの厚みを有し、上記縦横の１次分割溝と２次分割溝の深さが上記セラミック基板の厚みの３０〜７０％の深さであり、かつ、上記１次分割溝の深さと角度をそれぞれ２次分割溝よりも大きくしたことにより、グリーンシートに分割溝を加工する際に、刃に張りつくことを防止できるとともに、導電ペーストが分割溝を流れて短絡することを防止し、また１次分割溝の分割時に２次分割溝が割れてしまうことを防止できる。
【００８６】
また本発明は、０．１〜０．３ｍｍの厚みを有し、該厚みに対して３０〜７０％の深さの２次分割溝と該２次分割溝より大きな深さと角度を有する１次分割溝とを縦横に形成した電子部品用セラミック基板の、上記１次分割溝に導体が形成された後、上記各分割溝に沿って分割されてなるチップ抵抗器であって、上記１次分割溝に形成された導体が実質的に端面電極として機能することを特徴とするものであるから、端面電極を塗布せずに回路基板上に搭載することができ、製造工程を簡略化できる。そして、１次分割溝での分割時に２次分割溝で割れてしまうことを防止するとともに、グリーンシートの加工時における刃への張りつきを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は本発明のセラミック基板を示す斜視図、（ｂ）は断面図である。
【図２】本発明のセラミック基板を用いたチップ抵抗器を回路基板に搭載した状態の断面図である。
【図３】（ａ）は本発明の他の実施形態のセラミック基板の１次分割溝に沿った断面図、（ｂ）は１次分割溝に垂直な断面図、（ｃ）はグリーンシートの加工方法を示す断面図である。
【図４】本発明のセラミック基板の分割溝を示す平面図である。
【図５】（ａ）は従来のセラミック基板を示す斜視図、（ｂ）は短冊状に分割した状態の斜視図、（ｃ）はこの基板を用いたチップ抵抗器を回路基板に搭載した状態の断面図である。
【符号の説明】
１０：セラミック基板
１１：１次分割溝
１２：２次分割溝
２０：チップ抵抗器
２１：導体
２２：抵抗体
２３：保護層
３０：回路基板
３１：導体
３２：ハンダ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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