(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄い膜厚の柔軟性を備え、デバイスホールを有しない絶縁フィルムに積層された導電層によって所定の配線パターンを形成されるＣＯＦ用ＴＡＢテープキャリアの製造方法において、
前記絶縁フィルムはその厚さが２５μｍのポリイミドテープからなり、
前記絶縁フィルムの第１および第２の面に厚さ９〜２５μｍの圧延銅箔又は電解銅箔の導電層を設け、
前記導電層を設けた前記絶縁フィルムにパンチング加工によってテープキャリア搬送用の送り孔を形成し、
前記第１の面にフォトアプリケーションおよびエッチング処理を施して配線パターンおよびこの配線パターンを囲う第１の補強パターンを形成し、
前記第２の面にフォトアプリケーションおよびエッチング処理を施して前記第１の補強パターンに対応した第２の補強パターンを形成し、
前記配線パターンの素子接続部および外部回路との接続部を除く前記第１および第２の面にポリイミド系の樹脂材料を塗布し、
前記樹脂材料を塗布された前記絶縁フィルムに熱処理を施すことを特徴とするＣＯＦ用ＴＡＢテープキャリアの製造方法。
【請求項２】
前記圧延銅箔又は電解銅箔は、接着剤を用いずに前記絶縁フィルム第１および第２の面に貼り合わせられる請求項第４項記載のＣＯＦ用ＴＡＢテープキャリアの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はＴＡＢテープキャリアおよびその製造方法に関し、特に、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）に使用するＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）用テープのチップ位置合わせと作業性に優れるＴＡＢテープキャリアおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のＴＡＢテープキャリアとして、例えば、ＣＯＦ用ＴＡＢテープがある。このＣＯＦ用ＴＡＢテープは、一般に、厚さ１２〜１００μｍ，幅３５ｍｍ〜７０ｍｍの幅を有する有機ポリイミドテープ、ガラスエポキシテープ等の絶縁フィルムに接着剤を用いずに厚さ９〜３５μｍの圧延銅箔あるいは電解銅箔等の銅箔を貼り合わせた後、パンチング加工によってＴＡＢテープキャリアを搬送するための送り孔を形成し、フォトレジスト・エッチングプロセスによって所定の配線パターンとＩＣ装置搭載用のリード配線を形成しており、この配線パターンおよびリード配線にＳｎめっきあるいはＮｉ／Ａｕ電気めっき等のめっき処理を行っている。
【０００３】
図３（ａ）は、従来のＣＯＦ用ＴＡＢテープを用いた液晶表示装置を示し、ポリイミドフィルム１に貼り付けられた銅箔によって形成される配線パターン２１Ａ，２１ＢおよびＩＣ接続用のインナーリード２１Ｃと、インナーリード２１Ｃに後述する異方性導電膜によって接続されるＩＣ装置２２と、配線パターン２１Ａ，２１ＢおよびＩＣ装置接続用のインナーリード２１Ｃを保護するソルダレジスト２３と、基板２４Ａ，２４Ｂ間に液晶２４Ｃを封入された液晶表示素子２４を有し、ＩＣ装置２２のボンディングパッドとインナーリード２１Ｃ、および液晶表示素子２４と配線パターン２１Ｂは異方性導電膜２５によって接続されている。また、配線パターン２１Ａは異方性導電膜２５によって外部接続回路（図示せず）と接続される。
【０００４】
図３（ｂ）は、（ａ）の線ｂ−ｂに沿った断面を示し、異方性導電膜２５は、合成樹脂にニッケル等の金属粒子を混合して形成されており、ポリイミドフィルム１に形成されたインナーリード２１ＣとＩＣ装置２２のボンディングパッド２２Ａが対向するようにＩＣ装置２２を配置し、異方性導電膜２５を介在させて熱および圧力を加えると合成樹脂が流れ出し、金属粒子が対向するインナーリード２１Ｃとボンディングパッド２２Ａに接触することによって電気的に接続される。この金属粒子は合成樹脂中の水平方向で隣接する金属粒子と所定の間隔を有するように分散しており、このことによって水平方向に配置された他のインナーリードとの電気的接続が確保されている。また、液晶表示素子２４と配線パターン２１Ｂについても異方性導電膜２５によって同様に接続される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来のＴＡＢテープキャリアによると、柔軟性を得るために絶縁フィルムの厚さを薄く（１００μｍ以下）すると、テープキャリアの強度が低下して搬送時に送り孔が破損するため、搬送位置ずれが生じ、時には搬送が困難になるという問題がある。また、１００μｍ以下の厚さの絶縁フィルム上に形成される配線パターンが微細化すると、テープキャリアの反りが大になってインナーリードとＩＣ装置（半導体チップ）の搭載時およびボンディング時に位置ずれが発生し易くなるため、歩留りおよび生産性が低下するという問題がある。
従って、本発明の第１の目的は、送り孔の破損およびテープキャリアの反りの発生を抑制し、薄型化を図ることができるＴＡＢテープキャリアを提供することにある。
【０００６】
また、本発明の第２の目的は、素子搭載時およびボンディング時の位置決め精度に優れ、歩留りおよび生産性の向上を図ることのできるＴＡＢテープキャリアの製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記の目的を達成するため、薄い膜厚の柔軟性を備え、デバイスホールを有しない絶縁フィルムに積層された導電層によって所定の配線パターンを形成されるＣＯＦ用ＴＡＢテープキャリアの製造方法において、前記絶縁フィルムはその厚さが２５μｍのポリイミドテープからなり、前記絶縁フィルムの第１および第２の面に厚さ９〜２５μｍの圧延銅箔又は電解銅箔の導電層を設け、前記導電層を設けた前記絶縁フィルムにパンチング加工によってテープキャリア搬送用の送り孔を形成し、前記第１の面にフォトアプリケーションおよびエッチング処理を施して配線パターンおよびこの配線パターンを囲う第１の補強パターンを形成し、前記第２の面にフォトアプリケーションおよびエッチング処理を施して前記第１の補強パターンに対応した第２の補強パターンを形成し、前記配線パターンの素子接続部および外部回路との接続部を除く前記第１および第２の面にポリイミド系の樹脂材料を塗布し、前記樹脂材料を塗布された前記絶縁フィルムに熱処理を施すＣＯＦ用ＴＡＢテープキャリアの製造方法を提供する。
【０００８】
上記したＴＡＢテープキャリアによると、配線パターンを形成する導電層によって配線パターンの周囲に補強パターンを形成することでテープキャリアの剛性が向上し、このことによって反りや送り孔の破損が防止される。
【００１０】
上記したＴＡＢテープキャリアの製造方法によると、配線パターン形成部分の周囲に銅箔層を残すように配線パターンを形成することによって、配線パターン形成部分の平坦性が向上し、このことによってＩＣ装置の搭載時およびボンディング時の位置決め精度が向上するとともに歩留りおよび生産性の向上が図れる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
図１（ａ）は、本発明の実施の形態のＴＡＢテープキャリアを部分的に示し、ポリイミドフィルム１の両面に電解銅箔でインナーリード２Ａおよびアウターリード２Ｂを形成される配線パターン２と、電解銅箔によって配線パターン２の周囲に枠状に形成される補強枠２Ｃと、補強枠２Ｃの形成部分に設けられる送り孔１Ａを有し、配線パターン２の所定の部分をソルダレジスト３で覆って保護している。ポリイミドフィルム１の厚さは２５μｍ〜１００μｍであり、インナーリード２Ａ，アウターリード２Ｂ，および補強枠２Ｃを形成する電解銅箔の厚さは９μｍ〜２５μｍで、市販品として入手可能な接着剤レス両面銅貼りポリイミドテープの構成に準じている。
【００１２】
図１（ｂ）は、（ａ）のＴＡＢテープキャリアの裏面を示し、配線パターン形成面に形成される補強枠の裏面に電解銅箔によって補強枠２Ｃと略同一形状で補強枠２Ｄが形成されている。この補強枠２Ｄは、上記した配線パターン形成面の補強枠２Ｃとともに配線パターンより外側の周縁部の厚さを増大させることによってテープキャリアの剛性を大にしており、このことによって反りの発生を抑制する。また、補強枠２Ｃ，２Ｄの形成部分に送り孔１Ａを形成することによってテープキャリアの搬送時における送り孔１Ａの破損が防止される。
【００１３】
図２は、本発明の実施の形態のＴＡＢテープキャリアの製造工程を図１（ａ）の線ＩＩ−ＩＩに沿った部分の断面に基づいて示す。
図２（ａ）は、ＴＡＢテープキャリアを構成する接着剤レス両面銅貼りポリイミドテープ１０を示し、厚さ２５μｍ、幅７０ｍｍのポリイミドフィルム１の両面に厚さ１８μｍの電解銅箔２０が接着剤を用いずに貼り付けられている。また、ポリイミドフィルムにスパッタ等によってＣｒおよびＮｉの下地処理を施した後、Ｃｕめっきを施すことによって銅配線層を形成することも可能であるが、この場合、後述する熱処理によってピール強度が低下し、Ｃｕめっきと下地層が剥離する恐れがある。
【００１４】
図２（ｂ）は、送り孔の形成工程を示し、接着剤レス両面銅貼りポリイミドテープ１０の側部にパンチング加工によってＴＡＢテープキャリア搬送用の送り孔１Ａを形成する。
【００１５】
図２（ｃ）は、配線パターンおよび補強枠の形成工程を示し、パンチング加工された接着剤レス両面銅貼りポリイミドテープ１０の配線パターン形成面に設けられる電解銅箔２０をフォトアプリケーションに基づいてインナーリードおよびアウターリードを有する配線パターン２および補強枠２Ｃのエッチングパターンを形成し、このエッチングパターンをレジストでマスクしてエッチングを施すことにより配線パターン２および補強枠２Ｃを残して電解銅箔が除去される。
【００１６】
図２（ｄ）は、配線パターン形成面の裏面の形成工程を示し、配線パターン形成面の裏面にフォトアプリケーションに基づいて補強枠２Ｄに応じたエッチングパターンを形成し、このエッチングパターンをレジストでマスクしてエッチングを施すことにより補強枠２Ｄを残して電解銅箔が除去される。
【００１７】
図２（ｅ）は、樹脂材料による保護膜の形成工程を示し、エッチング処理後の接着剤レス両面銅貼りポリイミドテープ１０の両面にポリイミド系の樹脂を塗布し、所定の熱処理を施して銅箔部分の表面に保護膜１１を形成する。このとき、インナーリードおよび配線パターンの外部接続部分を除いた部分に樹脂を塗布する。樹脂の塗布後に熱処理を施すことで屈曲性が付与される。熱処理後に樹脂が塗布されない銅箔部分には厚さ０．４μｍの無電解Ｓｎめっきが施される。
【００１８】
このようにして形成されたＴＡＢテープキャリアについて、８５℃×８５％ＲＨ，３０Ｖで耐マイグレーション試験を１０００時間実施したところ、配線パターン２の６０μｍピッチ部で１０９  Ω以上の絶縁抵抗を有し、信頼性に優れることが確認された。
【００１９】
ＴＡＢテープキャリアと半導体装置の接合には異方性導電膜を用いる。ＩＣ等の半導体装置の接続端子をＴＡＢテープキャリアに形成されるインナーリードに位置決めし、異方性導電膜によって半導体装置をＴＡＢテープキャリア上に搭載するとともにインナーリードと接続端子を電気的に接続する。半導体装置の搭載後、ＴＡＢテープキャリアの補強枠を切断して回路基板に実装する。
【００２０】
上記したように、ポリイミドフィルム１に貼り付けられた電解銅箔２０によって配線パターンのエッチング処理時に補強枠２Ｃ，２Ｄを形成することで、電解銅箔２０の除去に基づくポリイミドフィルム１の反り，変形が抑制され、また、送り孔の破損を防ぐことができる。このことにより薄型で変形の小なるＴＡＢテープキャリアを形成することができる。上記した銅箔による補強枠を有するＴＡＢテープキャリアは、従来の補強なしのＴＡＢテープキャリアと比較して反りを１／３以下に抑えられることが本発明者によって確認されている。
【００２１】
以上の実施の形態では、デバイスホールを設けないＴＡＢテープキャリアおよびその製造方法について説明したが、デバイスホールを形成したインナーリードボンディングタイプのＴＡＢテープキャリアおよびその製造方法に適用することもできる。具体的には、デバイスホールなしのＦｌｉｐ    Ｃｈｉｐ接続用のＴＡＢテープキャリア、デバイスホールを形成したビームリードタイプのＬＣＤ用ＴＡＢテープキャリアが挙げられる。
【００２２】
【発明の効果】
以上説明した通り、本発明のＣＯＦ用ＴＡＢテープキャリアの製造方法によると、導電層によって配線パターンの周囲に形成され、絶縁フィルムを補強する補強パターンを有するようにしたため、送り孔の破損を抑制し、配線パターン形成部分の平坦性を向上し、薄型化を図ることができる。
また、本発明のＣＯＦ用ＴＡＢテープキャリアの製造方法によると、絶縁フィルムはその厚さが２５μｍのポリイミドテープからなり、絶縁フィルムの第１および第２の面に厚さ９〜２５μｍの圧延銅箔又は電解銅箔の導電層を設け、導電層を設けた絶縁フィルムにパンチング加工によってテープキャリア搬送用の送り孔を形成し、第１の面にフォトアプリケーションおよびエッチング処理を施して配線パターンおよびこの配線パターンを囲う第１の補強パターンを形成し、第２の面にフォトアプリケーションおよびエッチング処理を施して第１の補強パターンに対応した第２の補強パターンを形成し、配線パターンの素子接続部および外部回路との接続部を除く第１および第２の面にポリイミド系の樹脂材料を塗布し、樹脂材料を塗布された絶縁フィルムに熱処理を施すようにしたため、素子搭載時およびボンディング時の位置決め精度に優れ、歩留りおよび生産性の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は、本発明の実施の形態に係るＴＡＢテープキャリアの平面図
（ｂ）は、本発明の実施の形態に係るＴＡＢテープキャリアの背面図
【図２】（ａ）から（ｅ）は、本発明の実施の形態に係るＴＡＢテープキャリアの製造方法を示す説明図
【図３】（ａ）は、従来のＴＡＢテープキャリアの斜視図
（ｂ）は、（ａ）の線Ｂ−Ｂの沿った断面図
【符号の説明】
１，ポリイミドフィルム
１Ａ，送り孔
２，配線パターン
２Ａ，インナーリード
２Ｂ，アウターリード
２Ｃ，補強枠
２Ｄ，補強枠
３，ソルダレジスト
１０，接着剤レス両面銅貼りポリイミドテープ１０
１１，保護膜
２０，電解銅箔
２１Ａ，配線パターン
２１Ｂ，配線パターン
２１Ｃ，インナーリード
２２，ＩＣ装置
２２Ａ，ボンディングパッド
２３，ソルダレジスト
２４，液晶表示装置
２４Ａ，基板
２４Ｂ，基板
２５，異方性導電膜
【図１】
0003555502.tif 000002
【図２】
0003555502.tif 000003
【図３】
0003555502.tif 000004