(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
記憶装置において、光ビームスポットの記録媒体上のトラックに対するずれを示すトラッキングエラー信号の振幅及び／又はオフセットを、該記録媒体上の複数の箇所で測定して測定値を格納する測定ステップと、
該トラッキングエラー信号の振幅及び／又はオフセットの該測定値に基づいてトラッキングエラー信号を該記録媒体上の位置に応じて補正し、補正後のトラッキングエラー信号に基づいてトラッキング制御を行う補正ステップとを含み、
該測定ステップは、該記録媒体上の目標トラックへシークすると共に、該目標トラック到達直前のシーク引き込み時又は同シーク完了後に１トラックシークを行いトラッキングエラー信号の振幅及び／又はオフセットを測定する処理を該記録媒体上の複数の箇所で行う、トラッキング補正方法。
【請求項２】
前記測定ステップは、前記記憶装置の出荷時、電源オン時、前記記録媒体の該記憶装置へのロード時、シークリトライ、サーボオフからサーボオンへのウェイクアップやレーザパワー調整を含む特定の動作が行われた時、温度変動が検出された時、及び一定時間毎からなるグループから選択された少なくとも１つの場合に行われる、請求項１記載のトラッキング補正方法。
【請求項３】
前記測定ステップは、前記トラッキングエラー信号の振幅及び／又はオフセットを前記記録媒体のインナー及びアウター部分で測定する、請求項２記載のトラッキング補正方法。
【請求項４】
前記測定ステップは、測定された複数のトラッキングエラー信号の振幅及び／又はオフセットの平均値を前記測定値として格納する、請求項１〜３のいずれか１項記載のトラッキング補正方法。
【請求項５】
前記測定ステップは、前記トラッキングエラー信号のピーク値に基づいて該トラッキングエラー信号の振幅及び／又はオフセットを測定する、請求項１〜４のいずれか１項記載のトラッキング補正方法。
【請求項６】
前記測定ステップは、前記トラッキングエラー信号の積分値に基づいて該トラッキングエラー信号のオフセットを測定する、請求項１〜４のいずれか１項記載のトラッキング補正方法。
【請求項７】
予め格納されている測定値を、測定された測定値に更新するステップを更に含む、請求項１〜６のいずれか１項記載のトラッキング補正方法。
【請求項８】
前記補正ステップは、前記トラッキングエラー信号から得られるトラッキングゼロクロスパルスの立ち上がり及び立ち下がり間隔が同じになるように該トラッキングエラー信号のオフセットを補正する、請求項１〜４のいずれか１項記載のトラッキング補正方法。
【請求項９】
前記補正ステップは、前記トラッキングエラー信号から得られるオフトラック検出時間が同じになるように該トラッキングエラー信号のオフセットを補正する、請求項１〜４のいずれか１項記載のトラッキング補正方法。
【請求項１０】
光ビームスポットを記録媒体に照射して該記録媒体に対して情報の記録及び／又は再生を行う記憶装置において、
格納手段と、
該光ビームスポットの該記録媒体上のトラックに対するずれを示すトラッキングエラー信号の振幅及び／又はオフセットを、該記録媒体上の複数の箇所で測定して測定値を該格納手段に格納する測定手段と、
該格納手段に格納された該トラッキングエラー信号の振幅及び／又はオフセットの該測定値に基づいてトラッキングエラー信号を該記録媒体上の位置に応じて補正し、補正後のトラッキングエラー信号に基づいてトラッキング制御を行う補正手段とを備え、
該測定手段は、該記録媒体上の目標トラックへシークすると共に、該目標トラック到達直前のシーク引き込み時又は同シーク完了後に１トラックシークを行いトラッキングエラー信号の振幅及び／又はオフセットを測定する処理を該記録媒体上の複数の箇所で行う、記憶装置。
【請求項１１】
前記測定手段は、前記記憶装置の出荷時、電源オン時、前記記録媒体の該記憶装置へのロード時、シークリトライ、サーボオフからサーボオンへのウェイクアップやレーザパワー調整を含む特定の動作が行われた時、温度変動が検出された時、及び一定時間毎からなるグループから選択された少なくとも１つの場合に前記トラッキングエラー信号の振幅及び／又はオフセットを測定して測定値を前記格納手段に格納する、請求項１０記載の記憶装置。
【請求項１２】
前記測定手段は、測定された複数のトラッキングエラー信号の振幅及び／又はオフセットの平均値を前記測定値として前記格納手段に格納する、請求項１０又は１１記載の記憶装置。
【請求項１３】
前記測定手段は、前記トラッキングエラー信号のピーク値に基づいて該トラッキングエラー信号の振幅及び／又はオフセットを測定する、請求項１０〜１２のいずれか１項記載の記憶装置。
【請求項１４】
前記測定手段は、前記トラッキングエラー信号の積分値に基づいて該トラッキングエラー信号のオフセットを測定する、請求項１０〜１３のいずれか１項記載の記憶装置。
【請求項１５】
前記格納手段に予め格納されている測定値を、前記測定手段で測定された測定値に更新する更新手段を更に備えた、請求項１０〜１４のいずれか１項記載の記憶装置。
【請求項１６】
前記補正手段は、前記トラッキングエラー信号から得られるトラッキングゼロクロスパルスの立ち上がり及び立ち下がり間隔が同じになるように該トラッキングエラー信号のオフセットを補正する、請求項１０〜１３のいずれか１項記載の記憶装置。
【請求項１７】
前記補正手段は、前記トラッキングエラー信号から得られるオフトラック検出時間が同じになるように該トラッキングエラー信号のオフセットを補正する、請求項１０〜１３のいずれか１項記載の記憶装置。
【請求項１８】
光ビームスポットの記録媒体上のトラックに対するずれを示すトラッキングエラー信号の振幅及び／又はオフセットを該記録媒体上の複数の箇所で測定した測定値を予め格納している記憶装置において、
該測定値は、該記録媒体上の目標トラックへシークすると共に、該目標トラック到達直前のシーク引き込み時又は同シーク完了後に１トラックシークを行いトラッキングエラー信号の振幅及び／又はオフセットを測定する処理を該記録媒体上の複数の箇所で行うことで測定されたものであり、
該トラッキングエラー信号の振幅及び／又はオフセットの該測定値に基づいてトラッキングエラー信号を該記録媒体上の位置に応じて補正し、補正後のトラッキングエラー信号に基づいてトラッキング制御を行うステップを含む、トラッキング補正方法。
【請求項１９】
光ビームスポットを記録媒体に照射して該記録媒体に対して情報の記録及び／又は再生を行う記憶装置において、
該光ビームスポットの該記録媒体上のトラックに対するずれを示すトラッキングエラー信号の振幅及び／又はオフセットを該記録媒体上の複数の箇所で測定した測定値を予め格納している格納手段と、
該格納手段に格納された該トラッキングエラー信号の振幅及び／又はオフセットの該測定値に基づいて該トラッキングエラー信号を該記録媒体上の位置に応じて補正し、補正後のトラッキングエラー信号に基づいてトラッキング制御を行う補正手段とを備え、
該測定値は、該記録媒体上の目標トラックへシークすると共に、該目標トラック到達直前のシーク引き込み時又は同シーク完了後に１トラックシークを行いトラッキングエラー信号の振幅及び／又はオフセットを測定する処理を該記録媒体上の複数の箇所で行うことで測定されたものである、記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はトラッキング補正方法及び記憶装置に係り、特に記録媒体に対して情報が高密度で記録され再生される場合に好適なトラッキング補正方法及び記憶装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
光学的記録媒体の１つとして、光磁気ディスクに代表される光磁気記録媒体がある。光磁気ディスクは、基板と、基板上に形成された磁性体からなる記録層とを有し、光による加熱と磁界の変化を利用して情報を記録する。又、光磁気ディスクから情報を再生する際には、磁気光学効果を利用する。このような光磁気ディスクには、データを記録するデータトラックと、光磁気ディスク固有の媒体情報を記録するコントロールトラックとが設けられ、各トラックは記録領域であるセクタを識別するための識別（ＩＤ）部とデータを記録するデータ部とからなる。コントロールトラックは、情報の書き換えを防止するために、製造業者が基板上に凹凸（エンボスピット）をスタンパにより、或いは、射出成形により基板の案内溝（ランド／グルーブ）を形成する時に形成することで記録される。又、ＩＤ部も、同様の理由で、同一の製造工程で基板上に凹凸を形成することで記録される。
【０００３】
上記の如き光磁気ディスクの記録密度を向上させる様々な方法が従来より提案されている。そのうちの１つである磁気超解像（ＭＳＲ）を利用する方法では、一般に再生できる最小記録情報が波長で決まるのに対し、その限界以下の情報を再生する。つまり、再生時のレーザパワーの温度分布を利用して磁気的なマスクを形成することで、必要な情報のみを光磁気ディスクから再生できるようにする。
【０００４】
このように、記録媒体に対して情報が高密度で記録され再生されるようになると、トラックピッチも非常に狭くなり、光ビームのトラックに対する走査位置を制御するトラッキング制御を正確に行うことが難しくなってくる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
第１に、光ディスク等の記録媒体には所謂反りがあり、この反りをなくすことは製造工程上非常に困難である。記録媒体にこのような反りがあると、トラッキングエラー信号（以下、単にＴＥＳと言う）に基づいてトラッキング制御を行っても、記録媒体上の位置によって光ビームのトラックに対する走査位置及び傾きが微妙に異なり、ＴＥＳにオフセットが生じてしまう。
【０００６】
第２に、光ビームを出射する光学系は、記録媒体のトラックを横切るように移動可能に設けられたキャリッジに搭載されているが、このキャリッジを案内するガイドレールには多少の歪みがあり、この歪みをなくすことは製造工程上非常に困難である。ガイドレールにこのような歪みがあると、ＴＥＳに基づいてトラッキング制御を行っても、記録媒体上の位置によって光ビームのトラックに対する走査位置及び傾きが微妙に異なり、ＴＥＳにオフセットが生じてしまう。
【０００７】
上記の如くＴＥＳにオフセットが生じると、ＴＥＳの感度が記録媒体上の位置によって異なり、オフトラックとなってもゼロクロス検出がされないのでトラッキング制御が正常に動作せず、又、トラックカウントミスが発生しやすいために目標位置まで１回の動作で到達できず、シーク動作を安定に行うことができないと言う問題があり、これらの問題はトラックピッチが狭くなる程顕著に現われるという問題があった。
【０００８】
そこで、本発明は、ＴＥＳのオフセットを補正して、正常なトラッキング制御及び安定したシーク動作を行うことのできるトラッキング補正方法及び記憶装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記の課題は、記憶装置において、光ビームスポットの記録媒体上のトラックに対するずれを示すトラッキングエラ−信号の振幅及び／又はオフセットを測定して測定値を格納する測定ステップと、該測定値に基づいてトラッキングエラー信号を該記録媒体上の位置に応じて補正し、補正後のトラッキングエラー信号に基づいてトラッキング制御を行う補正ステップとを含むトラッキング補正方法によって達成される。
【００１０】
前記測定ステップは、前記記憶装置の出荷時、電源オン時、前記記録媒体の該記憶装置へのロード時、シークリトライ、サーボオフからサーボオンへのウェイクアップやレーザパワー調整を含む特定の動作が行われた時、温度変動が検出された時、及び一定時間毎からなるグループから選択された少なくとも１つの場合に行われても良い。
【００１１】
更に、前記測定ステップは、前記トラッキングエラ−信号の振幅及び／又はオフセットを前記記録媒体のインナー及びアウター部分で測定しても良い。
前記測定ステップは、測定された複数のトラッキングエラ−信号の振幅及び／又はオフセットの平均値を前記測定値として格納するようにしても良い。
前記測定ステップは、前記トラッキングエラー信号のピーク値に基づいて該トラッキングエラ−信号の振幅及び／又はオフセットを測定しても良い。
【００１２】
前記測定ステップは、前記トラッキングエラー信号の積分値に基づいて該トラッキングエラ−信号のオフセットを測定しても良い。
トラッキング補正方法は、予め格納されている測定値を、測定された測定値に更新するステップを更に含んでも良い。
前記補正ステップは、前記トラッキングエラー信号から得られるトラッキングゼロクロスパルスの立ち上がり及び立ち下がり間隔が同じになるように該トラッキングエラ−信号のオフセットを補正しても良い。
【００１３】
又、前記補正ステップは、前記トラッキングエラー信号から得られるオフトラック検出時間が同じになるように該トラッキングエラ−信号のオフセットを補正しても良い。
上記の課題は、光ビームスポットを記録媒体に照射して該記録媒体に対して情報の記録及び／又は再生を行う記憶装置において、格納手段と、該光ビームスポットの該記録媒体上のトラックに対するずれを示すトラッキングエラ−信号の振幅及び／又はオフセットを測定して測定値を該格納手段に格納する測定手段と、該格納手段に格納された該測定値に基づいてトラッキングエラー信号を該記録媒体上の位置に応じて補正し、補正後のトラッキングエラー信号に基づいてトラッキング制御を行う補正手段とを備えた記憶装置によっても達成される。
【００１４】
前記測定手段は、前記記憶装置の出荷時、電源オン時、前記記録媒体の該記憶装置へのロード時、シークリトライ、サーボオフからサーボオンへのウェイクアップやレーザパワー調整を含む特定の動作が行われた時、温度変動が検出された時、及び一定時間毎からなるグループから選択された少なくとも１つの場合に前記トラッキングエラ−信号の振幅及び／又はオフセットを測定して測定値を前記格納手段に格納しても良い。
【００１５】
又、前記測定手段は、前記トラッキングエラ−信号の振幅及び／又はオフセットを前記記録媒体上の複数の箇所で測定しても良い。
前記測定手段は、測定された複数のトラッキングエラ−信号の振幅及び／又はオフセットの平均値を前記測定値として前記格納手段に格納するようにしても良い。
【００１６】
前記測定手段は、前記トラッキングエラー信号のピーク値に基づいて該トラッキングエラ−信号の振幅及び／又はオフセットを測定しても良い。
前記測定手段は、前記トラッキングエラー信号の積分値に基づいて該トラッキングエラ−信号のオフセットを測定しても良い。
記憶装置は、前記格納手段に予め格納されている測定値を、前記測定手段で測定された測定値に更新する更新手段を更に備える構成としても良い。
【００１７】
前記補正手段は、前記トラッキングエラー信号から得られるトラッキングゼロクロスパルスの立ち上がり及び立ち下がり間隔が同じになるように該トラッキングエラ−信号のオフセットを補正しても良い。
又、前記補正手段は、前記トラッキングエラー信号から得られるオフトラック検出時間が同じになるように該トラッキングエラ−信号のオフセットを補正しても良い。
【００１８】
上記の課題は、光ビームスポットの記録媒体上のトラックに対するずれを示すトラッキングエラー信号の振幅及び／又はオフセットの測定値を予め格納している記憶装置において、該測定値に基づいてトラッキングエラー信号を該記録媒体上の位置に応じて補正し、補正後のトラッキングエラー信号に基づいてトラッキング制御を行うステップを含むトラッキング補正方法によっても達成できる。
【００１９】
上記の課題は、光ビームスポットを記録媒体に照射して該記録媒体に対して情報の記録及び／又は再生を行う記憶装置において、該光ビームスポットの該記録媒体上のトラックに対するずれを示すトラッキングエラー信号の振幅及び／又はオフセットの測定値を予め格納している格納手段と、該格納手段に格納された該測定値に基づいて該トラッキングエラー信号を該記録媒体上の位置に応じて補正し、補正後のトラッキングエラー信号に基づいてトラッキング制御を行う補正手段とを備えた記憶装置によっても達成できる。
【００２０】
本発明によれば、トラッキングエラー信号のオフセットを補正して、正確なビーム位置検出を行い、シークエラーやシークリトライをなくして、記録媒体上の位置に拘わらず、高精度なトラッキング制御及び高速で高精度なシーク動作を行うことができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例を図面と共に説明する。
【００２２】
【実施例】
先ず、本発明になる記憶装置の一実施例を説明する。図１は、記憶装置の一実施例の概略構成を示すブロック図であり、本実施例では、本発明が光ディスク装置に適用されている。記憶装置の本実施例は、本発明になるトラッキング補正方法の各実施例を採用し得る。
【００２３】
図１に示すように、光ディスク装置は、大略コントロールユニット１０とエンクロージャ１１とからなる。コントロールユニット１０は、光ディスク装置の全体的な制御を行うＭＰＵ１２、ホスト装置（図示せず）との間でコマンド及びデータのやり取りを行うインタフェース１７、光ディスク（図示せず）に対するデータのリード／ライトに必要な処理を行う光ディスクコントローラ（ＯＤＣ）１４、デジタルシグナルプロセッサ（ＤＳＰ）１６及びバッファメモリ１８を有する。バッファメモリ１８は、ＭＰＵ１２、ＯＤＣ１４及びインタフェース１７で共用され、例えばダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）を含む。クロックを生成するのに用いる水晶振動子１０１は、ＭＰＵ１２と接続されている。
【００２４】
ＯＤＣ１４には、フォーマッタ１４−１と、誤り訂正符号（ＥＣＣ）処理部１４−２とが設けられている。ライトアクセス時には、フォーマッタ１４−１がＮＲＺライトデータを光ディスクのセクタ単位に分割して記録フォーマットを生成し、ＥＣＣ処理部１４−２がセクタライトデータ単位にＥＣＣを生成して付加すると共に、必要に応じて巡回冗長検査（ＣＲＣ）符号を生成して付加する。更に、ＥＣＣ処理部１４−２はＥＣＣの符号化が済んだセクタデータを例えば１−７ランレングスリミテッド（ＲＬＬ）符号に変換する。
【００２５】
リードアクセス時には、セクタデータに対して１−７ＲＬＬの逆変換を行い、次にＥＣＣ処理部１４−２でＣＲＣを行った後にＥＣＣによる誤り検出及び誤り訂正を行う。更に、フォーマッタ１４−１でセクタ単位のＮＲＺデータを連結してＮＲＺリードデータのストリームとしてホスト装置に転送させる。
ＯＤＣ１４に対しては、ライト大規模集積回路（ＬＳＩ）２０が設けられ、ライトＬＳＩ２０は、ライト変調部２１とレーザダイオード制御回路２２とを有する。レーザダイオード制御回路２２の制御出力は、エンクロージャ１１側の光学ユニットに設けられたレーザダイオードユニット３０に供給される。レーザダイオードユニット３０は、レーザダイオード３０−１とモニタ用ディテクタ３０−２とを一体的に有する。ライト変調部２１は、ライトデータをピットポジションモジュレーション（ＰＰＭ）記録（マーク記録とも言う）又はパルスウィドスモジュレーション（ＰＷＭ）記録（エッジ記録とも言う）でのデータ形式に変換する。
【００２６】
レーザダイオードユニット３０を使用してデータの記録再生を行う光ディスク、即ち、書き換え可能な光磁気（ＭＯ）カートリッジ媒体として、本実施例では１２８ＭＢ，２３０ＭＢ，５４０ＭＢ，６４０ＭＢ，１．３ＧＢのいずれかを使用することができる。１２８ＭＢのＭＯカートリッジ媒体では、光ディスク上のマークの有無に対応してデータを記録するＰＰＭ記録が採用されている。又、光ディスクの記録フォーマットは、１２８ＭＢの光ディスクの場合はコンスタントアンギュラベロシティ（ＣＡＶ）が採用され、２３０ＭＢの光ディスクの場合はゾーンコンスタントアンギュラベロシティ（ＺＣＡＶ）でが採用され、ユーザ領域のゾーン数は１２８ＭＢの光ディスクで１ゾーン、２３０ＭＢの光ディスクで１０ゾーンである。
【００２７】
高密度記録を行う５４０ＭＢ及び６４０ＭＢのＭＯカートリッジ媒体については、マークのエッジ、即ち、前縁及び後縁とをデータに対応させて記録するＰＷＭ記録が採用されている。ここで、５４０ＭＢの光ディスクと６４０ＭＢの光ディスクとの記憶容量の差は、セクタ容量の違いによるものであり、セクタ容量が２０４８バイトの場合は６４０ＭＢの光ディスクとなり、セクタ容量が５１２バイトの場合は５４０ＭＢの光ディスクとなる。又、光ディスクの記録フォーマットは、ゾーンＣＡＶであり、ユーザ領域のゾーン数は６４０ＭＢの光ディスクで１１ゾーン、５４０ＭＢの光ディスクで１８ゾーンである。
【００２８】
このように、本実施例では、１２８ＭＢ，２３０ＭＢ，５４０ＭＢ，６４０ＭＢ，１．３ＧＢの光ディスク、更に、ダイレクトオーバライト対応の２３０ＭＢ，５４０ＭＢ，６４０ＭＢ，１．３ＧＢの光ディスクにも対応可能である。従って、光ディスク装置に光ディスクをロードすると、先ず光ディスクの識別（ＩＤ）部をリードしてそのピット間隔からＭＰＵ１２で光ディスクの種別を認識し、種別の認識結果をＯＤＣ１４に通知する。
【００２９】
ＯＤＣ１４に対するリード系統としては、リードＬＳＩ２４が設けられ、リードＬＳＩ２４にはリード復調部２５と周波数シンセサイザ２６とが内蔵される。リードＬＳＩ２４に対しては、エンクロージャ１１に設けたＩＤ／ＭＯ用ディテクタ３２によるレーザダイオード３０−１からのレーザビームの戻り光の受光信号が、ヘッドアンプ３４を介してＩＤ信号及びＭＯ信号として入力されている。
【００３０】
リードＬＳＩ２４のリード復調部２５には、自動利得制御（ＡＧＣ）回路、フィルタ、セクタマーク検出回路等の回路機能が設けられ、リード復調部２５は入力されたＩＤ信号及びＭＯ信号からリードクロック及びリードデータを生成してＰＰＭデータ又はＰＷＭデータを元のＮＲＺデータに復調する。又、ゾーンＣＡＶを採用しているため、ＭＰＵ１２からリードＬＳＩ２４に内蔵された周波数シンセサイザ２６に対してゾーン対応のクロック周波数を発生させるための分周比の設定制御が行われる。
【００３１】
周波数シンセサイザ２６は、プログラマブル分周器を備えたフェーズロックドループ（ＰＬＬ）回路であり、光ディスク上のゾーン位置に応じて予め定めた固有の周波数を有する基準クロックをリードクロックとして発生する。即ち、周波数シンセサイザ２６は、プログラマブル分周器を備えたＰＬＬ回路で構成され、ＭＰＵ１２がゾーン番号に応じて設定した分周比ｍ／ｎに従った周波数ｆｏの基準クロックを、ｆｏ＝（ｍ／ｎ）・ｆｉに従って発生する。
【００３２】
ここで、分周比ｍ／ｎの分母の分周値ｎは、１２８ＭＢ，２３０ＭＢ，５４０ＭＢ，６４０ＭＢ又は１．３ＧＢの光ディスクの種別に応じた固有の値である。又、分周比ｍ／ｎの分子の分周値ｍは、光ディスクのゾーン位置に応じて変化する値であり、各光ディスクに対してゾーン番号に対応した値のテーブル情報として予め準備されている。更に、ｆｉは、周波数シンセサイザ２６の外部で発生した基準クロックの周波数を示す。
【００３３】
リードＬＳＩ２４で復調されたリードデータは、ＯＤＣ１４のリード系統に供給され、１−７ＲＬＬの逆変換を行った後にＥＣＣ処理部１４−２の符号化機能によりＣＲＣ及びＥＣＣ処理を施され、ＮＲＺセクタデータに復元される。次に、フォーマッタ１４−１でＮＲＺセクタデータを繋げたＮＲＺリードデータのストリームに変換し、バッファメモリ１８を経由してインタフェース１７からホスト装置に転送される。
【００３４】
ＭＰＵ１２に対しては、ＤＳＰ１６を経由してエンクロージャ１１側に設けた温度センサ３６の検出信号が供給されている。ＭＰＵ１２は、温度センサ３６で検出した光ディスク装置内部の環境温度に基づき、レーザダイオード制御回路２２におけるリード、ライト及びイレーズの各発光パワーを最適値に制御する。
ＭＰＵ１２は、ＤＳＰ１６を経由してドライバ３８によりエンクロージャ１１側に設けたスピンドルモータ４０を制御する。本実施例では、光ディスクの記録フォーマットがゾーンＣＡＶであるため、スピンドルモータ４０は例えば３０００ｒｐｍの一定速度で回転される。
【００３５】
又、ＭＰＵ１２は、ＤＳＰ１６を経由してドライバ４２を介してエンクロージャ１１側に設けた電磁石４４を制御する。電磁石４４は、光ディスク装置内にロードされた光ディスクのビーム照射側と反対側に配置されており、記録時及び消去時に光ディスクに外部磁界を供給する。
ＤＳＰ１６は、光ディスクに対してレーザダイオード３０からのビームの位置決めを行うためのサーボ機能を備え、目的トラックにシークしてオントラックするためのシーク制御部及びオントラック制御部として機能する。このシーク制御及びオントラック制御は、ＭＰＵ１２による上位コマンドに対するライトアクセス又はリードアクセスに並行して同時に実行することができる。
【００３６】
ＤＳＰ１６のサーボ機能を実現するため、エンクロージャ１１側の光学ユニットに光ディスクからのビーム戻り光を受光するフォーカスエラー信号（ＦＥＳ）用ディテクタ４５を設けている。ＦＥＳ検出回路４６は、ＦＥＳ用ディテクタ４５の受光出力からＦＥＳを生成してＤＳＰ１６に入力する。
エンクロージャ１１側の光学ユニットには、光ディスクからのビーム戻り光を受光するトラッキングエラー信号（ＴＥＳ）用ディテクタ４７も設けられている。ＴＥＳ検出回路４８は、ＴＥＳ用ディテクタ４７の受光出力からＴＥＳを生成してＤＳＰ１６に入力する。ＴＥＳは、トラックゼロクロス（ＴＺＣ）検出回路５０にも入力され、ＴＺＣパルスが生成されてＤＳＰ１６に入力される。
【００３７】
エンクロージャ１１側には、光ディスクに対してレーザビームを照射する対物レンズの位置を検出するレンズ位置センサ５４が設けられており、レンズ位置センサ５４からのレンズ位置検出信号（ＬＰＯＳ）はＤＳＰ１６に入力される。ＤＳＰ１６は、光ディスク上のビームスポットの位置を制御するため、ドライバ５８，６２，６６を介してフォーカスアクチュエータ６０、レンズアクチュエータ６４及びボイスコイルモータ（ＶＣＭ）６８を制御して駆動する。
【００３８】
図２は、エンクロージャ１１の概略構成を示す断面図である。図２に示すように、ハウジング６７内にはスピンドルモータ４０が設けられ、インレットドア６９側からＭＯカートリッジ７０を挿入することで、ＭＯカートリッジ７０に収納された光ディスク（ＭＯディスク）７２がスピンドルモータ４０の回転軸のハブに装着されて光ディスク７２が光ディスク装置にロードされる。
【００３９】
ロードされたＭＯカートリッジ７０内の光ディスク７２の下側には、ＶＣＭ６４により光ディスク７２のトラックを横切る方向に、ガイドレール８４により案内されて移動自在なキャリッジ７６が設けられている。キャリッジ７６上には対物レンズ８０が搭載され、固定光学系７８に設けられているレーザダイオード（３０−１）からのビームを立ち上げミラー８２を介して入射して光ディスク７２の記録面にビームスポットを結像する。
【００４０】
対物レンズ８０は、図１に示すエンクロージャ１１のフォーカスアクチュエータ６０により光軸方向に移動制御され、又、レンズアクチュエータ６４により光ディスク７２のトラックを横切る半径方向に例えば数十トラックの範囲内で移動可能である。このキャリッジ７６に搭載されている対物レンズ８０の位置が、図１のレンズ位置センサ５４により検出される。レンズ位置センサ５４は、対物レンズ８０の光軸が直上に向かう中立位置でレンズ位置検出信号をゼロとし、光ディスク７２のアウタ側への移動とインナ側への移動に対して夫々異なる極性の移動量に応じたレンズ位置検出信号を出力する。
【００４１】
図３は、図１に示す光ディスク装置におけるＭＰＵ１２のリードＬＳＩ２４、ＯＤＣ１４及びＤＳＰ１６に対するパラメータ設定制御と整定待ち機能を説明するブロック図である。
ＭＰＵ１２には、ホスト装置からのリードコマンドに基づいて動作するパラメータの設定制御部９０と、パラメータ設定後の整定待ち処理部９２とが設けられている。設定制御部９０は、バッファメモリ１８に含まれるＲＡＭ等に展開されたパラメータテーブル９４を使用して各種アクセスに必要なパラメータの設定制御を行う。
【００４２】
リードＬＳＩ２４には、ＭＰＵ１２に設けた設定制御部９０によるパラメータ設定の対象として、周波数シンセサイザ２６と、ＩＤ／ＭＯ用ディテクタ３２から得られるＭＯ信号の等化回路９５とが設けられている。周波数シンセサイザ２６に対しては、本実施例では３つの制御レジスタ９６，９８，１００が設けられている。
【００４３】
制御レジスタ９６，９８，１００の夫々には、ＭＰＵ１２の設定制御部９０により分周比ｍ／ｎ、電圧制御発振器（ＶＣＯ）周波数設定及びＰＬＬダンピング抵抗選択の各パラメータが設定される。又、等化回路９５に対しては、制御レジスタ１０２が設けられており、ＭＰＵ１２の設定制御部９０によりイコライザカットオフ周波数が設定される。更に、ＯＤＣ１４に設けられているセクタマーク検出回路１０４に対しては、制御レジスタ１０６が設けられており、ＭＰＵ１２の設定制御部９０によりセクタマーク検出カットオフ周波数が設定制御される。
【００４４】
ＤＳＰ１６には、ＭＰＵ１２でホスト装置からのリードコマンドを実行する際にシークコマンドが転送される。ＤＳＰ１６は、このシークコマンドに基づいてＭＰＵ１２の処理に並行して同時にビームスポットを光ディスク７２の目標トラックに位置付けるためのシーク制御を行うシーク制御部１０８を備えている。
このように、ＭＰＵ１２の設定制御部９０は、リードＬＳＩ２４に設けられているＭＯ信号の等化回路９５のカットオフ周波数を制御レジスタ１０２の設定制御で最適化できる。又、設定制御部９０は、リードＬＳＩ２４に設けられている周波数シンセサイザ２６の分周比ｍ／ｎ、ＶＣＯ周波数設定及びＰＬＬダンピング抵抗選択の各パラメータを制御レジスタ９６，９８，１００の設定制御で最適化できる。更に、設定制御部９０は、ＯＤＣ１４に設けられているセクタマーク検出回路１０４のカットオフ周波数を制御レジスタ１０６の設定制御で最適化できる。
【００４５】
コントロールユニット１０のファームウェアは、ホスト装置の制御下で例えばエンクロージャ１１に挿入された光ディスク７２から読み出されてバッファメモリ１８に格納されることでインストールされ、このバッファメモリ１８に格納されたファームウェアが実行される。又、ＭＰＵ１２が実行するプログラムは、同様にしてホスト装置の制御下で例えばエンクロージャ１１に挿入された光ディスク７２から読み出されてＭＰＵ１２によりバッファメモリ１８に格納され、バッファメモリ１８に格納されたプログラムが実行される。
【００４６】
次に、トラッキング補正方法の第１実施例を、図４と共に説明する。図４は、トラッキング補正方法の第１実施例を説明するフローチャートである。
図４の処理は、ＤＳＰ１６により行われる。同図中、ステップＳ１は、ドライバ５８，６２，６６等を制御して光ディスク７２の半径方向上の略中間位置から光ディスク７２の内周方向（以下、インナ−方向と言う）へシーク動作を行い、ステップＳ２は、ＴＥＳ検出回路４８からのＴＥＳに基づいてＴＥＳの振幅及び／又はオフセットを測定する。ステップＳ３は、測定値、即ち、検索結果のばらつきが所定値以下で小さいか否かを判定し、判定結果がＮＯであると、処理はステップＳ２へ戻る。
【００４７】
他方、ステップＳ３の判定結果がＹＥＳであると、ステップＳ４は、ドライバ５８，６２，６６等を制御して光ディスク７２の外周方向（以下、アウタ−方向と言う）へシーク動作を行い、ステップＳ５は、ＴＥＳ検出回路４８からのＴＥＳに基づいてＴＥＳの振幅及び／又はオフセットを測定する。ステップＳ６は、測定値、即ち、検索結果のばらつきが所定値以下で小さいか否かを判定し、判定結果がＮＯであると、処理はステップＳ６へ戻る。ステップＳ６の判定結果がＹＥＳであると、ステップＳ７は、ＴＥＳの振幅及び／又はオフセットの測定値、即ち、ＴＥＳの振幅及び／又はオフセットの補正量をバッファメモリ１８に格納し、処理は終了する。
【００４８】
図５は、図４に示すステップＳ２の一実施例を示すフローチャートである。図５中、ステップＳ２−１は、トラッキング制御（トラックサーボ）をオフ状態に制御し、ＴＥＳを０にする制御が行われないようにする。ステップＳ２−２は、ＴＥＳ検出回路４８からのＴＥＳに基づいてＴＥＳの１回目のピークを検索する。又、ステップＳ２−３は、ＴＥＳ検出回路４８からのＴＥＳに基づいてＴＥＳの２回目のピークを検索する。ステップＳ２−４は、ＴＥＳの１回目及び２回目のピークに基づいて、ＴＥＳの振幅及び／又はオフセットを算出する。ＴＥＳの１回目及び２回目のピークに基づいてＴＥＳの１周期を求め、ＴＥＳの１周期を積分することで、ＴＥＳの中心からのオフセットを算出することができる。又、このようにして求めたＴＥＳの１回目及び２回目のピーク及びＴＥＳの１周期から、ＴＥＳの振幅を算出することができる。
【００４９】
尚、図４に示すステップＳ５も、図５に示すステップＳ２と同様の処理で実現することができる。
図４に示す処理は、光ディスク装置が出荷される際に行われても、ユーザが任意の時点で行うようにしても、更に、任意の時点で自動的に行われるようにしても良い。図４に示す処理が自動的に行われる場合、光ディスク７２が光ディスク装置にロードされる時、光ディスク装置の電源がオンにされた時、シークリトライやサーボオフからサーボオンへのウェイクアップ等の特定の動作が行われた時や、一定時間毎等に行われるようにすることができる。又、図４に示す処理は、温度センサ３６からの検出信号から温度変動が検出された時等に行っても良く、レーザパワー調整時に行っても良い。
【００５０】
又、光ディスク装置の出荷時に図４に示す処理が行われてＴＥＳの振幅及び／又はオフセットの測定値がバッファメモリ１８に格納されている場合、光ディスク７２のロード時、電源オン時、シークリトライ時、ウェイクアップ時や温度変動検出時に行われるトラッキング制御は、バッファメモリ１８に格納されている測定値を初期値として使用し、トラッキング制御を行う際に測定された測定値に応じて初期値を更新して、この更新された初期値に基づいてトラッキング制御を行うようにしても良い。この場合、リアルタイムで測定値を求めてこの測定値に基づいてトラッキング制御を行う場合と比べると、演算処理が簡略化され、演算処理時間も短縮されるので、応答速度を速くすることができる。
【００５１】
ところで、光ディスク７２等の記録媒体の記録密度の向上に伴い、記録媒体の製造上の誤差等により、個々の記録媒体の感度は多少異なる。従って、装置にロードされた記録媒体によって、記録媒体から反射される光の状態が多少異なり、得られるＴＥＳの振幅の変動が生じてしまう。これは、トラック密度が高まることにより、スタンパで形成される記録媒体上のトラックの案内溝の精度に製造上バラツキが発生すると共に、ビーム径の縮小化とトラック幅との関係により、個々の記録媒体から反射される光の状態を完全に同じに設定することが不可能であることによる。尚、トラック幅とは、ランド記録の場合はランドの幅であり、グルーブ記録の場合はグルーブの幅であり、ランド及びグルーブ記録の場合はランドの幅でありグルーブの幅でもある。
【００５２】
従って、上記実施例の場合、ＴＥＳ振幅及び／又はオフセットの測定は、光ディスク装置にロードされる光ディスク７２毎に行った方が、正確な測定値を求めることができ、その分トラッキング制御も高精度に行うことができる。
通常、光ディスク７２のインナー部分及びアウター部分には、ディフェクト情報等の管理情報領域が設けられており、ロード時にはこの管理情報領域が読まれる。つまり、ロード時には、インナー部分及びアウタ−部分へのシーク動作が自動的に行われる。従って、ロード時に図４に示す処理を行ってＴＥＳの振幅及び／又はオフセットの測定値を求める場合、管理情報領域を読むためのインナー部分及びアウタ−部分へのシーク動作時に、上記測定値を求めることができる。又、管理情報領域を読むためのインナー部分及びアウタ−部分へのシーク動作時に、測定値に基づいた初期値の更新を行うこともできる。
【００５３】
シークリトライ時には、レーザパワーを変えたりして、正確な記録及び／又は再生が可能であるかを判定する。上記の如く高密度記録を行う構成の光ディスク７２の場合、記録及び／又は再生のエラーが発生しやすいが、このようなシークリトライ時に上記測定値を求めたり、測定値に基づいた初期値の更新を行うことで、エラーの復旧の確率を向上することができる。
【００５４】
特にＭＳＲのような温度制御を用いて記録を行う方式では、光ディスク７２の温度による影響が生じる。温度変化時には、通常、レーザパワーを調整したりするテストライト動作が行われるので、このようなテストライト動作時に上記測定値を求めたり、測定値に基づいた初期値の更新を行えば、タイミング制御等を簡単化することができる。又、温度変化により光ディスク７２自体の熱膨張や装置の部品の熱膨張等の要因により、ＴＥＳ振幅のオフセットが変わる場合もあるため、これらの点からも、温度変化時に上記測定値を求めたり、測定値に基づいた初期値の更新を行うと、装置の信頼性の向上を図れる。
【００５５】
更に、レーザパワーの調整も、光ディスク７２のゾーン毎のテストトラックで、インナー部分及びアウタ−部分へのシーク動作が自動的に行われる。従って、レーザパワー調整時に上記測定値を求めたり、測定値に基づいた初期値の更新を行うこともできる。
図６は、図４に示す処理で格納されたＴＥＳ振幅及び／又はオフセットの測定値を用いてトラッキング制御を行う場合の処理を示すフローチャートである。図６に示す処理は、ＤＳＰ１６により行われる。
【００５６】
図６において、ステップＳＴ１は、ＴＥＳ振幅及び／又はオフセットの測定値がバッファメモリ１８に格納されているか否かを判定する。ステップＳＴ１の判定結果がＹＥＳであると、ステップＳＴ２は、ＴＥＳ振幅及び／又はオフセットの測定値をバッファメモリ１８から読み出す。ステップＳＴ３は、読み出したＴＥＳ振幅及び／又はオフセットの測定値に基づいてＴＥＳ検出回路４８からのＴＥＳを補正し、ステップＳＴ４は、補正されたＴＥＳに基づいてトラッキング制御を行う。他方、ステップＳＴ１の判定結果がＮＯであると、ステップＳＴ４は、ＴＥＳ検出回路４８からのＴＥＳに基づいてトラッキング制御を行う。上記の如きトラッキング制御は、通常のリード／ライト時やシーク動作時に行われ、オントラック中でも行える。
【００５７】
図７は、図６に示す処理において、ＴＥＳのオフセットが補正される場合を説明する図である。図７中、（ａ）は補正前のＴＥＳを示し、（ｂ）はバッファメモリ１８に格納されているＴＥＳオフセットの測定値、即ち、オフセット補正量を示し、（ｃ）はオフセット補正量で補正された、補正後のＴＥＳを示す。図７からもわかるように、（ａ）に示す補正前のＴＥＳは光ディスク７２のインナー部分及びアウター部分で、インナーからアウターにかけてＴＥＳの振幅が上方にシフトするオフセットが生じており、補正前のＴＥＳに基づくトラッキング制御は正確には行えない。ここで、ＴＥＳの振幅が上方にシフトするオフセットとは、振幅の中心を横切るゼロクロススライスが、実際は振幅の中心をスライスしなくなる状態を言う。これに対し、（ｃ）に示す補正後のＴＥＳは光ディスク７２のインナー部分及びアウター部分でオフセットが補正されており、補正後のＴＥＳに基づくトラッキング制御は、光ビームスポットの光ディスク７２上の位置に拘わらず正確に行えることがわかる。
【００５８】
図８は、図６に示す処理において、ＴＥＳの振幅及びオフセットが補正される場合を説明する図である。図８中、（ａ）は補正前のＴＥＳを示し、（ｂ）はバッファメモリ１８に格納されているＴＥＳオフセットの測定値、即ち、オフセット補正量を示し、（ｃ）はバッファメモリ１８に格納されているＴＥＳ振幅の測定値、即ち、振幅補正量を示し、（ｄ）はオフセット補正量及び振幅補正量で補正された、補正後のＴＥＳを示す。図８からもわかるように、（ａ）に示す補正前のＴＥＳは光ディスク７２のインナー部分及びアウター部分でオフセットが生じており、且つ、振幅が安定していないので、補正前のＴＥＳに基づくトラッキング制御は正確には行えない。これに対し、（ｄ）に示す補正後のＴＥＳは光ディスク７２のインナー部分及びアウター部分でオフセットが補正されていると共に、振幅が安定しているので、補正後のＴＥＳに基づくトラッキング制御は、光ビームスポットの光ディスク７２上の位置に拘わらず正確に行えることがわかる。
【００５９】
尚、上記と同様にして、ＴＥＳの振幅のみを補正するようにしても良いことは言うまでもない。
ところで、本実施例では、ＤＳＰ１６はＴＥＳ振幅及び／又はオフセットの測定値をバッファメモリ１８から読み出すと、ＴＺＣ検出回路５０にも供給する。これにより、ＴＥＳの振幅が不安定になったり、オフセットが生じても、光ディスク７２上の位置に拘わらず正確なＴＺＣパルスをＴＺＣ検出回路５０で発生してＤＳＰ１６に供給することができる。この結果、光ディスク７２上の位置に拘わらず、常に安定したシーク動作を行うことができる。
【００６０】
次に、トラッキング補正方法の第２実施例を、図９と共に説明する。図９は、トラッキング補正方法の第２実施例を説明するフローチャートである。本実施例では、ＴＥＳ振幅／オフセット測定付きシークを用いてＴＥＳの振幅及び／又はオフセットを測定する。
図９の処理は、ＤＳＰ１６により行われる。同図中、ステップＳ１１は、ドライバ５８，６２，６６等を制御して光ディスク７２の半径方向上の例えば略中間位置から光ディスク７２のインナ−方向へＴＥＳ振幅／オフセット測定付きシーク動作を行う。ステップＳ１２は、ＴＥＳ検出回路４８からのＴＥＳに基づいてＴＥＳの振幅及び／又はオフセットを測定し、測定値、即ち、検索結果のばらつきが所定値以下で小さいか否かを判定する。ステップＳ１２の判定結果がＹＥＳであると、処理は後述するステップＳ１５へ進む。他方、ステップＳ１２の判定結果がＮＯであると、ステップＳ１３は光ビームスポットをアウター方向へキックし、ＴＥＳ検出回路４８からのＴＥＳに基づいてＴＥＳの振幅及び／又はオフセットを測定する。具体的には、図１０に示す如きＴＥＳの上下のピーク値Ａ，Ｂを検索し、Ｔａ＝｜Ａ−Ｂ｜で表されるＴＥＳの振幅Ｔａ及び／又はＴｏ＝Ａ＋Ｂで表されるオフセット量Ｔｏを求める。ステップＳ１４は、ＴＥＳの振幅Ｔａ及び／又はオフセット量Ｔｏ、即ち、検索結果のばらつきが所定値以下で小さいか否かを判定し、判定結果がＮＯであると、処理はステップＳ１３へ戻る。
【００６１】
他方、ステップＳ１４又はステップＳ１２の判定結果がＹＥＳであると、ステップＳ１５は、ドライバ５８，６２，６６等を制御して光ディスク７２ののアウタ−方向へＴＥＳ振幅／オフセット測定付きシーク動作を行う。ステップＳ１６は、ＴＥＳ検出回路４８からのＴＥＳに基づいてＴＥＳの振幅及び／又はオフセットを測定し、測定値、即ち、検索結果のばらつきが所定値以下で小さいか否かを判定する。ステップＳ１６の判定結果がＹＥＳであると、処理は後述するステップＳ１９へ進む。ステップＳ１６の判定結果がＮＯであると、ステップＳ１７は光ビームスポットをインナー方向へキックし、ＴＥＳ検出回路４８からのＴＥＳに基づいてＴＥＳの振幅及び／又はオフセットを測定する。具体的には、図１０に示す如きＴＥＳの上下のピーク値Ａ，Ｂを検索し、Ｔａ＝｜Ａ−Ｂ｜で表されるＴＥＳの振幅Ｔａ及び／又はＴｏ＝Ａ＋Ｂで表されるオフセット量Ｔｏを求める。ステップＳ１８は、ＴＥＳの振幅Ｔａ及び／又はオフセット量Ｔｏ、即ち、検索結果のばらつきが所定値以下で小さいか否かを判定し、判定結果がＮＯであると、処理はステップＳ１７へ戻る。
【００６２】
そして、ステップＳ１８の判定結果がＹＥＳであると、ステップＳ１９はＴＥＳの振幅及び／又はオフセットの測定値、即ち、ＴＥＳの振幅及び／又はオフセットの補正量をバッファメモリ１８に格納し、処理は終了する。尚、ステップＳ１１及びステップＳ１５のシーク動作時には、例えば図６に示す如き処理が行われるので、図９に示す処理が１回行われた後には、ＴＥＳの振幅及び／又はオフセットの補正量で補正されたＴＥＳに基づいてトラッキング制御が行われる状態でシーク動作が行われ、光ディスク７２上の位置に拘わらず正確なシーク動作が可能となる。
【００６３】
図１１は、ＴＥＳのオフセットの補正量の他の求め方を説明する図である。図９に示すステップＳ１３及びステップＳ１７のように、キックシークでは、トラッキング制御が行われないので、ＴＥＳを０にする制御は行われない。そこで、キックシーク時には、図１１に示すＴＥＳをＴＥＳの１周期（時間）ｔの間積分することで、ＴＥＳの中心からのオフセット量を求めることができる。つまり、図１１において、上方向をプラス（＋）、下方向をマイナス（−）とすると、時間ｔの間ＴＥＳを積分すると、積分結果はプラス（＋）側に現われるはずである。従って、この積分結果をＩＮＴで示し、ＴＥＳの振幅をＴａで示すと、オフセット量Ｔｏは、Ｔｏ＝ＩＮＴ／Ｔａから求められる。
【００６４】
次に、トラッキング補正方法の第３実施例を、図１２と共に説明する。図１２は、トラッキング補正方法の第３実施例を説明するフローチャートである。本実施例では、光ディスク７２が光ディスク装置にロードされるロード処理が行われると、ＴＥＳの振幅及び／又はオフセットを測定する。
図１２の処理は、ＤＳＰ１６により行われる。同図中、ロード処理が開始されると、ステップＳ２１は、光ディスク７２のインナー及びアウター部分でのＴＥＳの振幅及び／又はオフセットの測定を要求する測定要求フラグＴＥＳ＿ＯＦＳＴをセットする。ステップＳ２２は、図１３と共に後述するように、ＴＥＳの振幅及び／又はオフセットの調整処理を行う。ステップＳ２３は、図１４と共に後述するように、光ディスク７２の中周部分でのＴＥＳの振幅及び／又はオフセットの調整処理を行う。ステップＳ２４は、光ディスク７２のインナー部分でのマップリードを行い、インナ−部分のバックアリア内に記録されている交代（バック）情報等を読み取る。又、ステップＳ２５は、光ディスク７２のアウター部分でのマップリードを行い、アウタ−部分のバックアリア内に記録されている交代（バック）情報等を読み取る。そして、ステップＳ２６は、ＴＥＳの振幅及び／又はオフセット、即ち、ＴＥＳの振幅及び／又はオフセットの補正量を、バッファメモリ１８に格納し、処理は終了する。
【００６５】
図１３は、上記ステップ２２の処理を説明するフローチャートである。同図中、ステップＳ２２−１は、ＴＥＳ検出回路４８からのＴＥＳに基づいて、光ディスク７２のインナー及びアウター部分でのＴＥＳのピーク値、即ち、最大値及び最小値を測定する。ステップＳ２２−２は、ＴＥＳのピーク値に基づいて、例えば図１０と共に説明した方法により、ＴＥＳの振幅及び／又はオフセットを算出する。ステップＳ２２−３は、光ディスク７２のインナー及びアウター部分でのＴＥＳの振幅及び／又はオフセットを、ステップＳ２２−２で算出したＴＥＳの振幅及び／又はオフセットの測定値に更新する。ステップＳ２２−４は、光ディスク７２のインナー及びアウター部分におけるＴＥＳの補正感度を０にクリアし、処理は図１２のステップＳ２３へ戻る。尚、ＴＥＳの補正感度とは、オフセットの補正量の場合は例えば図８（ｂ）に示すオフセット補正量の傾きであり、振幅の補正量の場合は例えば図８（ｃ）に示す振幅補正量の傾きである。
【００６６】
図１４は、上記ステップ２３の処理を説明するフローチャートである。同図中、ステップＳ３１は、ドライバ５８，６２，６６等を制御して、光ビームスポットを光ディスク７２上の中周部分までシークさせる。ステップＳ３２は、トラッキング制御（トラックサーボ）をオフ状態とし、ステップＳ３３は、ＴＥＳ検出回路４８からのＴＥＳの振幅が安定するまで一定時間待つ。ステップＳ３４は、ＴＥＳ検出回路４８からのＴＥＳに基づいて、光ディスク７２の中周部分でのＴＥＳのピーク値、即ち、最大値及び最小値を測定する。ステップＳ３５は、ＴＥＳのピーク値に基づいて、例えば図１１と共に説明した方法により、ＴＥＳの振幅及び／又はオフセットを算出する。
【００６７】
ステップＳ３６は、前回ステップＳ２３が行われた際に測定されてバッファメモリ１８に格納されているＴＥＳの振幅及び／又はオフセットの測定結果と、今回測定されたＴＥＳの振幅及び／又はオフセットの測定結果との差ｄｉｆｆ（ｄｉｆｆ１及び／又はｄｉｆｆ２）を計算する。又、ステップＳ３７は、今回測定されたＴＥＳの振幅及び／又はオフセットの測定結果を、前回の測定されたＴＥＳの振幅及び／又はオフセットの測定結果としてバッファメモリ１８に保存する。ステップＳ３８は、光ディスク７２のインナー及びアウター部分でのＴＥＳの振幅及び／又はオフセットの測定を要求する測定要求フラグＴＥＳ＿ＯＦＳＴがセットされオンであるか否かを判定し、判定結果がＹＥＳであると、ステップＳ３９は、光ディスク７２のインナー及びアウター部分でのＴＥＳの振幅及び／又はオフセットを、ステップＳ３５で算出したＴＥＳの振幅及び／又はオフセットの測定値に更新し、処理は図１２のステップＳ２４へ戻る。
【００６８】
他方、ステップＳ３８の判定結果がＮＯであると、ステップ４０は、光ディスク７２のインナー及びアウター部分でのＴＥＳの振幅及び／又はオフセットを、ステップＳ３６で算出した差ｄｉｆｆ（ｄｉｆｆ１及び／又はｄｉｆｆ２）の分だけ補正する。又、ステップＳ４１は、ステップＳ４０で補正された光ディスク７２のインナー及びアウター部分でのＴＥＳの振幅及び／又はオフセットに基づいて、インナー及びアウター部分におけるＴＥＳの補正感度を計算してバッファメモリ１８に格納し、処理は図１２のステップＳ２４へ戻る。
【００６９】
図１５は、本実施例の場合に得られるオフセット補正後のＴＥＳ、レンズ位置センサ５４からのレンズ位置検出信号ＬＰＯＳ及びＴＥＳのオフセットの補正値を示す図である。
次に、トラッキング補正方法の第４実施例を、図１６と共に説明する。図１６は、トラッキング補正方法の第４実施例を説明するフローチャートである。本実施例では、シーク動作時に、光ディスク７２のインナー及びアウター部分でのＴＥＳの振幅及び／又はオフセットの測定を要求する測定要求フラグＴＥＳ＿ＯＦＳＴがセットされオンであると、ＴＥＳの振幅及び／又はオフセットを測定する。
【００７０】
図１６の処理は、ＤＳＰ１６により行われる。同図中、ステップＳ５１は、測定要求フラグＴＥＳ＿ＯＦＳＴがセットされオンであるか否かを判定し、判定結果がＹＥＳであると、ステップＳ５２は、目標トラックが光ディスク７２の最インナーか最アウター部分であるか否かを判定する。ステップＳ５１又はステップＳ５２の判定結果がＮＯであると、ステップＳ５３は、通常のシーク動作を行い、処理は後述するステップＳ６２へ進む。尚、通常のシーク動作を行う際、バッファメモリ１８にＴＥＳの振幅及び／又はオフセットの測定値、即ち、補正値が格納されている場合には、ＴＥＳの振幅及び／又はオフセットを補正値で補正してトラッキング制御を行う。
【００７１】
ステップＳ５２の判定結果がＹＥＳであると、ステップＳ５４は、光ビームスポットの現在位置が光ディスク７２の最インナーか最アウター部分であるか否かを判定する。ステップＳ５２の判定結果がＹＥＳであると、処理は後述するステップＳ５７へ進む。他方、ステップＳ５４の判定結果がＮＯであると、ステップＳ５５は、光ディスク７２の最インナー又は最アウター方向へシーク動作を行いながら、ＴＥＳ検出回路４８からのＴＥＳに基づいて、ＴＥＳのピーク値、即ち、最大値及び最小値を測定しながらシーク動作を行う。ステップＳ５６は、ＴＥＳのピーク値に基づいて、例えば図１０と共に説明した方法により、ＴＥＳの振幅及び／又はオフセットを算出する。
【００７２】
ステップＳ５６の後、或いは、ステップＳ５４の判定結果がＹＥＳであると、ステップＳ５７は、ＴＥＳのピーク値、即ち、最大値及び最小値を測定しながら順次１トラックシーク動作（又は、キックシーク）を行う。ステップＳ５８は、ＴＥＳのピーク値に基づいて、例えば図１１と共に説明した方法により、ＴＥＳの振幅及び／又はオフセットを算出する。又、ステップＳ５９は、光ディスク７２のインナー又はアウター部分でのＴＥＳの振幅及び／又はオフセットの測定を要求する測定要求フラグＴＥＳ＿ＯＦＳＴをクリアし、ステップＳ６０は、インナー又はアウター部分でのＴＥＳの振幅及び／又はオフセットの測定を要求する測定要求フラグＴＥＳ＿ＯＦＳＴがセットされオンであるか否かを判定する。ステップＳ６０の判定結果がＹＥＳであると、処理はステップＳ５５へ戻る。
ステップＳ６０の判定結果がＮＯであると、ステップＳ６１は、ＴＥＳの振幅及び／又はオフセットの補正値を、ステップＳ５８で算出された複数の補正値の平均値を補正値としてバッファメモリ１８に格納する。ステップＳ６１の後、或いは、ステップＳ５３の後、ステップＳ６２は、目標トラックまで達したか否かを判定し、判定結果がＮＯであると、処理はステップＳ５１へ戻る。他方、ステップＳ６２の判定結果がＹＥＳであると、処理は終了する。
【００７３】
このように、本実施例では、シーク引き込み（目標トラック到達）直前の、キャリッジ７６の移動速度が十分小さいところで、ＴＥＳの振幅及び／又はオフセットの測定を行うことができる。
次に、補正値に基づいてＴＥＳのオフセットを補正する方法について説明する。
【００７４】
図１７は、ＴＺＣ検出回路５０からのＴＺＣパルスのデューティーでＴＥＳのオフセットを補正する方法を説明する図である。この場合、ＴＺＣパルスの立ち上がり間隔ａ及び立ち下がり間隔ｂが同じになるように、ＴＥＳのオフセットを補正する。図１７に示すＴＺＣパルスの場合、ａ＞ｂなので、ＴＥＳは上方向へオフセットしていると考えられる。従って、ＴＥＳのオフセットを補正するためのオフセット量Ｔｏは、ＴＥＳの振幅をＴａとすると、次の式から算出できる。
【００７５】
0003560837.tif 000002
図１８は、シーク引き込み直前のオフトラック検出パルスのデューティーが５０％になるようにＴＥＳのオフセットを補正する方法を説明する図である。オフトラック検出パルスＯＦＴＰは、図１８に示すように、光ビームスポットが光ディスク７２上のトラックに対してオフトラック状態となっている時間を示す信号である。図１８中、ＯＴＴＨは、オントラックとみなされるＴＥＳのしきい値であり、｜ＯＴＴＨ｜＝｜−ＯＴＴＨ｜である。尚、シーク動作中のキャリッジ７６の移動速度は一定であり、加速又は減速状態にはないものとする。
【００７６】
この場合、オフトラック検出パルスＯＦＴＰのオフトラック時間Ａ１，Ｂ１が同じになるように、ＴＥＳのオフセットを補正する。図１８に示すオフトラック検出パルスＯＦＴＰの場合、Ａ１＞Ｂ１なので、ＴＥＳは上方向へオフセットしていると考えられる。従って、ＴＥＳのオフセットを補正するためのオフセット量Ｔｏは、ＴＥＳの振幅をＴａとすると、次の式から算出できる。
【００７７】
0003560837.tif 000003
次に、バッファメモリ１８に格納されたＴＥＳの振幅及び／又はオフセットの測定値のＤＳＰ１６内での使用方法について、図１９及び図２０と共に説明する。図１９は、ＤＳＰ１６外のトラッキング制御系の一部分を示す機能ブロック図であり、図２０は、ＤＳＰ１６内のトラッキング制御系の一部分を示す機能ブロック図である。
【００７８】
図１９において、ＴＥＳ用ディテクタ４７から出力されたＴＥＳｉ  は、自動利得制御（ＡＧＣ）回路１６１及びノード１６２を介して信号感度のバラツキ吸収等のために設けられた利得補正回路１６３に供給される。ノード１６２には、粗調整を行うためのＴＥＳのオフセットＴＯ１が供給される。従って、利得制御回路１６３は、ＡＧＣ回路１６１からのＴＥＳｉ  とＴＥＳのオフセットＴＯ１との加算値の振幅が一定となるように、利得Ｇ３を制御する。利得制御回路１６３から出力されるＴＥＳｉ  は、ノード１６４を介してＴＺＣ検出回路５０に供給され、ＴＺＣ検出回路５０ではこのＴＥＳｉ  に基づいてＴＺＣパルスが生成されてＤＳＰ１６に供給される。他方、利得制御回路１６３から出力されるＴＥＳｉ  は、ノード１６４及びノッチ回路１６５を介して低域フィルタ（ＬＰＦ）１６６に供給され、ＬＰＦ１６６からは粗調整されたＴＥＳ０  が出力される。
【００７９】
尚、ノッチ回路１６５及びＬＰＦ１６６の図示は、図１では省略されている。従って、ＡＧＣ回路１６１、ノード１６２及びＡＧＣ回路１６３は、図１のＴＥＳ検出回路４８に対応する。
図２０において、図１９のＬＰＦ１６６からの粗調整されたＴＥＳ０  は、アナログ／デジタル変換器（ＡＤＣ）２６１に供給され、サンプリング周波数毎にリードされる。ＡＤＣ２６１の出力は、ノード２６２を介して信号感度のバラツキ吸収等のために設けられた利得補正回路２６３に供給される。ノード２６２には、微調整を行うためのＴＥＳのオフセットＴＯ２が供給される。従って、利得制御回路２６３は、ＡＤＣ２６１からのＴＥＳ０  とＴＥＳのオフセットＴＯ２との加算値の振幅が一定となるように、利得Ｇ１を制御する。利得制御回路２６３の出力は、位相補償（ＰＣ）回路２６４及びスイッチ２６６を介して信号感度のバラツキ吸収等のために設けられた利得制御回路２６６に供給される。スイッチ２６５は、トラックサーボオン状態で閉成される。利得制御回路２６６は、ＰＣ回路２６４の出力の振幅が一定となるように、利得Ｇ２を制御する。利得制御回路２６６の出力は、ノード２６７及びリミット回路２６８を介してデジタル／アナログ変換器（ＤＡＣ）２６９に供給される。ノード２６７には、トラックオフセットＴＲ１が供給される。従って、リミット回路２６８には、利得制御回路２６６の出力とトラックオフセットＴＲ１との加算値が供給される。ＤＡＣ２６９の出力は、ドライバ６２を介してレンズアクチュエータ６０に供給される。
【００８０】
尚、図１９及び図２０に示す機能ブロック自体は、説明の便宜上、従来と同じ構成でありものとする。従来は、ＴＥＳのオフセットＴＯ１，ＴＯ２が、夫々粗調整及び微調整を行うための固定値であった。これらの固定値には、キャリッジ７６の移動範囲のセンタ位置で測定されたＴＥＳのオフセット値を使用していた。
【００８１】
これに対し、本発明を図１９及び図２０に示す機能ブロック適用すると、ＴＥＳのオフセットの測定値が上記オフセットＴＯ１として図１９に示すノード１６２に入力される。又、ＴＥＳの振幅の測定値に応じて、図２０に示す利得制御回路２６３の利得Ｇ１が制御される。
上記実施例では、本発明が光磁気ディスクに適用されているが、本発明は光磁気ディスクに限らず、例えば相変化型光ディスク等の光ディスクやカード状等の各種記録媒体にも同様にして適用可能である。
【００８２】
以上、本発明を実施例により説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変形及び改良が可能であることは言うまでもない。
【００８３】
【発明の効果】
本発明によれば、トラッキングエラー信号のオフセットを補正して、正確なビーム位置検出を行い、シークエラーやシークリトライをなくして、記録媒体上の位置に拘わらず、高精度なトラッキング制御及び高速で高精度なシーク動作を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明になる記憶装置の一実施例の概略構成を示すブロック図である。
【図２】エンクロージャの概略構成を示す断面図である。
【図３】ＭＰＵのリードＬＳＩ、ＯＤＣ及びＤＳＰに対するパラメータ設定制御と整定待ち機能を説明するブロック図である。
【図４】トラッキング補正方法の第１実施例を説明するフローチャートである。
【図５】図４に示すステップＳ２の一実施例を示すフローチャートである。
【図６】ＴＥＳ振幅及び／又はオフセットの測定値を用いてトラッキング制御を行う場合の処理を示すフローチャートである。
【図７】ＴＥＳのオフセットが補正される場合を説明する図である。
【図８】ＴＥＳの振幅及びオフセットが補正される場合を説明する図である。
【図９】トラッキング補正方法の第２実施例を説明するフローチャートである。
【図１０】ＴＥＳの振幅及び／又はオフセットの補正量の求め方を説明する図である。
【図１１】ＴＥＳのオフセットの補正量の他の求め方を説明する図である。
【図１２】トラッキング補正方法の第３実施例を説明するフローチャートである。
【図１３】ＴＥＳの振幅及び／又はオフセットの調整処理を説明するフローチャートである。
【図１４】光ディスクの中周部分でのＴＥＳの振幅及び／又はオフセットの調整処理を説明するフローチャートである。
【図１５】トラッキング補正方法の第３実施例で得られる信号を示す図である。
【図１６】トラッキング補正方法の第４実施例を説明するフローチャートである。
【図１７】ＴＺＣパルスのデューティーでＴＥＳのオフセットを補正する方法を説明する図である。
【図１８】シーク引き込み直前のオフトラックパルスのデューティーが５０％になるようにＴＥＳのオフセットを補正する方法を説明する図である。
【図１９】ＤＳＰ外のトラッキング制御系の一部分を示す機能ブロック図である。
【図２０】ＤＳＰ内のトラッキング制御系の一部分を示す機能ブロック図である。
【符号の説明】
１０  コントロールユニット
１１  エンクロージャ
１２  ＭＰＵ
１４  ＯＤＣ
１６  ＤＳＰ
２０  ライトＬＳＩ
２４  リードＬＳＩ
２６  周波数シンセサイザ
７２  光ディスク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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