(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のアルミ製接合用部位及び、前記複数のアルミ製接合用部位を取り囲むキャップ層（１４）を具備するＩＣチップを支持用基板に接合する方法において、
（Ａ）  露出したキャップ層部を残して、バンプ下金属領域（ＵＢＭ）を、アルミ製接合用部位上に選択的に形成するステップと、
（Ｂ）  バッファ層を前記キャップ層部上に直接形成するステップと、
（Ｃ）  前記バッファ層上にフォトレジストマスクを形成するステップと、
前記フォトレジストマスクは、前記バンプ下金属領域を露出する開口部分を有し、前記バッファ層は、その下の層の表面が前記フォトレジストマスクに固着するのを阻止する金属層であり、
（Ｄ）  前記フォトレジストマスクの開口部分をはんだペーストで充填するステップと、
（Ｅ）  前記はんだペーストをリフローさせ、前記バンプ下金属領域上にはんだバンプ（７１）を形成するために加熱するステップ、
（Ｆ）  前記フォトレジストマスクを除去するステップと、
（Ｇ）  前記バッファ層を除去するステップと
からなることを特徴とするＩＣチップを基板に接合する方法。
【請求項２】
前記バッファ層の一部は前記バンプ下金属領域の一部である
ことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記バンプ下金属領域は、少なくとも２つの金属層からなる積層構造体であり、
前記金属層の１つは、前記バッファ層を形成するために前記キャップ層の上に延在する
ことを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記バンプ下金属領域は、Ｔｉ層、Ｃｒ／Ｃｕ層、Ｃｕ層からなる積層構造体であり、
前記Ｔｉ層は、前記バッファ層を形成するために、前記キャップ層の上に延在する
ことを特徴とする請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記キャップ層は、ポリイミド製である
ことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項６】
キャップ層と、このキャップ層上に複数のアルミ製接合用部位を具備するＩＣチップを支持用基板に接合する方法において、
（Ａ）  前記ＩＣチップをカバーするために、金属製バッファ層（２１）を形成するステップと、
（Ｂ）  前記バッファ層（２１）の上にバンプ下金属領域層（２２，２３）を形成するステップと、
（Ｃ）  前記アルミ製ボンディング部位の少なくとも一部をカバーし、前記バッファ層の一部を露出させるために前記バンプ下金属領域層をパターン化するステップと、
（Ｄ）  前記バッファ層（２１）の上に、フォトレジストマスク（５１）を形成するステップと、
前記フォトレジストマスクの開口部分（５２）が前記バンプ下金属領域層を露出させ、前記バッファ層は、その下の層の表面が前記フォレジストマスクに固着するのを阻止する金属層であり、
（Ｅ）  前記フォトレジストマスクの開口部分（５２）をはんだペースト（６２）で充填するステップと、
（Ｆ）  前記バンプ下金属領域上にはんだバンプを形成するために、前記はんだペーストをリフローさせるステップと、
（Ｇ）  前記フォトレジストマスク（５１）を除去するステップと、
（Ｈ）  前記バッファ層（２１）の露出した部分を除去するステップと
からなることを特徴とするＩＣチップを基板に接合する方法。
【請求項７】
前記ステップ（Ｆ）の際に、はんだはバッファ層を覆うことはない
ことを特徴とする請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記フォトレジストマスクの開口部分（５２）は、前記バンプ下金属領域層を包囲する前記バッファ層の周辺領域を露出させる
ことを特徴とする請求項６記載の方法。
【請求項９】
キャップ層と、このキャップ層上に複数のアルミ製接合用部位を具備するＩＣチップを支持用基板に接合する方法において、
（Ａ）  バンプ下の金属領域（ＵＢＭ）を、アルミ製接合用部位に選択的に形成するステップと、
（Ｂ）  前記ＩＣチップと、前記バンプ下金属領域上に金属層をブランケット堆積するステップと、
（Ｃ）  前記金属層の上にパターン化されたフォトレジストマスクを形成するステップと、
前記フォトレジストマスクの開口部分が、前記バンプ下金属領域上の金属層を露出させ、
（Ｄ）  前記パターン化されたフォトレジストマスクをエッチングマスクとして用いて、前記バンプ下金属領域上の前記金属層の一部をエッチングで除去するステップと、
（Ｅ）  前記フォトレジストマスクの開口部分を、はんだペーストで充填するステップと、
（Ｆ）  前記バンプ下金属領域上にはんだバンプを形成するために、前記はんだペーストをリフローさせるステップと、
（Ｇ）  前記フォトレジストマスクを除去するステップと、
（Ｈ）  前記金属層を除去するステップと
からなることを特徴とするＩＣチップを基板に接合する方法。
【請求項１０】
前記ステップ（Ｆ）の際に、はんだはバッファ層を覆うことはない
ことを特徴とする請求項９記載の方法。
【請求項１１】
前記キャップ層はポリイミド製である
ことを特徴とする請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
前記フォトレジストマスクの開口部分は、前記バンプ下金属領域を包囲する前記キャップ層の周辺領域を露出させる
ことを特徴とする請求項９記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子装置に関し、特にシリコン、セラミック製の相互接続用基板あるいはプリント回路基板上に、ＩＣチップを搭載するはんだバンプによる相互接続技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
素子のパッケージを電気的に接続すること及びこのパッケージをプリント回路基板等の相互接続用基板上に電気的に接続して搭載するために、はんだバンプによる相互接続が、電子部品の製造に幅広く用いられるようになっている。「相互接続用基板」という用語は、電子部品をサポートするシリコンまたはセラミック製基板のいくつかの形態を含む。本明細書においては、これらのサポート部品は、一般的用語としてプリント配線基板として説明する。
【０００３】
最新技術によるコンポーネントのパッケージは、小型軽量化されており微細なパターンのはんだバンプを用いて、プリント回路基板の表面に搭載されている。通常、「はんだバンプ」あるいは「はんだパッド」は、プリント配線基板上に形成され、そしてコンポーネントパッケージは、この「はんだバンプ」の配列に対し鏡面対称に配列されて、コンポーネントパッケージがその上に置されて合わさるようになっている。そしてこの組立体を加熱することによりはんだを溶融し、はんだバンプと相互に接続した構造を構成することにより完成品とされる。この技術はフリップチップ技術で用いられ、この技術においてはコンポーネントパッケージ内のＩＣチップの表面に接合用パッドあるいはバンプを具備し、チップはプリント配線基板上に逆にさして搭載される。
【０００４】
はんだバンプは、組み立てる前にＩ／Ｏ接点用パッドの列上に形成される。接点用パッドの列にはんだを局部的にすなわち選択的に形成することを容易にするために、パッドの表面ははんだのウェッティング性を具備しなければならない。したがって、接合される素子上の接合用部位にはまず、バンプ下の金属領域（ｕｎｄｅｒ  ｂｕｍｐ  ｍｅｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ：ＵＢＭ）が形成される。その後、通常スズベースのはんだ、たとえばスズ−鉛やスズ−アンチモンが、このＵＢＭの上に形成される。
【０００５】
はんだバンプを、ＩＣチップと相互接続用基板に形成する様々な方法がある。もっとも一般的な方法としては、はんだペーストのパターンをスクリーンまたはステンシルを介してプリントし、その後このステンシルを取り除いてはんだをリフローさせることである。ペーストを使用しない同様なアプローチにおいては、はんだをシャドーマスクを介してＵＢＭ上に蒸着することである。両方の方法とも、さらに狭い相互接続用ピッチの需要に適合するためにステンシルあるいはマスク内の特徴物が小さくなるにつれて、信頼性の問題が増してくる。一般的に、ステンシルとシャドーマスクの技術は、バンプのピッチが２００μｍ以上のオーダーのアプリケーションに限定される。
【０００６】
厚いフォトレジストパターンとはんだをこのパターン上に蒸着することにより、さらに微細なパターンが形成でき、その後、リフトオフ技術を用いて不要な部分を除去している。しかし、大きな基板上に均一な層を蒸着することは、高価な装置を必要としさらにまた適正な蒸着速度を達成するためには高濃度の鉛を含有のはんだ組成に通常限定されてしまう。
【０００７】
はんだバンプは、電気メッキあるいは無電解メッキを用いて微細なピッチ列に形成することもできる。この両方の技術は、はんだバンプを規定するために光リソグラフィ技術を用い、そして正確な場所に微細な線のバンプパターンを形成することができる。しかし、電解メッキプロセス及び無電解メッキプロセスは別の信頼性の問題を引き起こしてしまう。これらのプロセスは非常にクリーンな処理環境と超クリーンで電気的に活性な基板表面を必要とし、その結果コストと複雑性が増してしまう。
【０００８】
はんだバンプの形成に対する近年の提案は、光リソグラフの微細な特徴物と精度とを、はんだペースト技術の単純性とを組み合わせることである。はんだバンプの部位を規定するＵＢＭを形成した後、基板を厚いフォトレジスト層でコーティングする。その後はんだバンプのパターンを露出し、フォトレジストを現像して厚いパターン化されたマスクを残す。フォトレジストマスク内の開口は、所望のバンプのサイズよりは大きく形成され、これにより最終バンプのはんだペーストから十分なはんだの容量を得る。はんだペーストがフォトレジストマスクの開口内に従来の手法により形成される。
【０００９】
はんだペーストを加熱してリフローさせ、はんだバンプをＵＢＭのウェッティング性のある表面にのみ自己整合させる。その後このフォトレジストを除去する。この方法による過剰なはんだのフローと、短絡の危険性が回避できるが、その理由はフォトレジストマスクは各バンプ部位を切り離しリフローの間その場所に留まるからである。この技術を用いて２００μｍ以下のはんだバンプピッチパターンが高い信頼性でもって形成できる。しかしこの技術の欠点は、はんだバンプが形成された後フォトレジストマスクを除去することが難しい点である。これは、リフローステップの間フォトレジストの熱により誘起された短絡に起因する。このことは特に高融点のはんだ材料が用いられた場合に当てはまることである。
【００１０】
プレポリマ材料が加熱と照射の両方の下で架橋を形成することは公知である。光リソグラフィー技術においては、プレポリマ材料は化学線の照射の下で所定レベルの架橋が発生するよう選択される。このレベルは、露出した材料がフォトマスクとして機能するためには十分頑強であるが、後のプロセスで容易に除去できるようにするレベルででなければならない。架橋がフォトレジスト材料の設計レベルを越えた場合にはその除去は困難となることがある。
【００１１】
フォトレジスト材料は、その材料が意図した以上に過酷な熱的処理にさらされる場合には粘りけのあるコーティング層を形成することが知られている。従って、フォトレジストマスクははんだのリフローステップの間、その場所に残されたときには過剰に架橋を形成し除去するのが難しくなると予想される。さらに、一般的なアプリケーションにおいては、はんだバンプが形成されるＩＣチップは、（通常ポリイミド製の）キャップ層でもってコーティングされる。このフォトレジスト用ポリマーは、加熱されるとポリイミドに固着し架橋を形成する。
【００１２】
ＩＣキャップ層に損傷を与えずにフォトレジスト層を除去することは問題が多い。多くの場合、ウェッティング性の溶剤では不十分である。フォトレジストのドライエッチング即ちアッシングはより有効であるが、現像し固化したフォトレジストとキャッピング層との間のドライエッチングの選択性は小さい。はんだバンププロセスをエポキシ−ガラス製の相互接続用基板に形成した場合には同じ問題が発生する。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、従来のはんだバンププロセスにおいてフォトレジストプロセスの非適合性の問題を解決する新たなはんだバンプの形成方法を提供することである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、バッファ層が、ＩＣ（相互接続用基板）とフォトレジスト層との間に形成される。このバッファ層は、特にはんだリフローステップの際にフォトレジスト層がそのバッファ層下の層の表面に過度に固着するのを阻止するような金属製の薄い層である。このバッファ層は容易に堆積しかつ容易に除去することができる。このバッファ層によりその下の層を保護し、フォトレジストを除去するためにプラズマエッチングを採用することができる。本発明の一実施例においては、バッファ層を形成するステップは、ＵＢＭを形成するステップと一体で行うことができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
図１において、ＩＣチップ基板の一部は１１で、フィールド酸化物層は１２で、アルミ製接点は１３で示されている。ポリイミド製のキャップ層は１４で示されている。接合用の部位でもあるアルミ製接点１３は、レベル間金属相互接続あるいは基板、例えばソース、ドレイン、ウィンドウ、接点である。下にある半導体構造の詳細は、本発明の必須事項でないために図示していない。
【００１６】
本発明の目的は、アルミ製の接合部位であるアルミ製接点１３の表面に、はんだのボールあるいはバンプを形成することである。はんだは、アルミ製接点に対しウェッティング性を与えることはないので、このはんだバンプ形成の第１ステップは、ＵＢＭを形成することである。ここでウエッティン性とは、はんだボール等を形成するための表面状態即ち、はんだが容易に金属表面を覆うことがない性質を意味する。ＵＢＭで使用される金属は、アルミによく接着する層と通常スズはんだの形成によりウェッティング性が与えられる層を含む。これらの要件を満たす層構造は、チタンとクロムと銅の合成物である。
【００１７】
アルミに接着するために、チタンを最初に堆積し、クロム／銅をこのチタンの上に堆積し、銅をこのクロム／銅の上に堆積して、はんだウェッティング性のある表面を提供する。クロム／銅は、チタン層と銅層との間の遷移（組成がなだらかに変化する）層を形成する。はんだ合金は、銅を分解し、チタンからウェッティング性を奪ってしまう。そのためチタン層の直接上に形成された銅製の薄い層は、分解して融解はんだ（ｍｏｌｔｅｎ  ｓｏｌｄｅｒ）となり、その後このはんだはチタン層からウェッティング性を奪ってしまう。はんだとＵＢＭとの間のインタフェースの完全性を維持するために、クロムと銅の合成物（例えば遷移層）あるいは合金層がチタン層と銅層との間に用いられる。別法として、ＵＢＭは、Ｃｒ、またはＣｒ／Ｃｕ、またはＣｕを含んでもよい。他のＵＢＭ材料も使用することができる。
【００１８】
前述した層は、従来どおりスパッタリングで形成されるが、これらを堆積するためのいくつかの別の方法も利用可能である。Ｃｒ−Ｃｕ層は、ＣｒＣｕ合金のターゲットからスパッタリングで形成されるか、あるいはＣｒのターゲットを用いてスパッタリングし、その後Ｃｕのターゲットに変更してスパッタリングで形成することもできる。
【００１９】
ＵＢＭ用の複数の層は、順番に堆積して図２に示すような合成積層構造を形成する。本発明の一実施例においては、これらの層は、チタンターゲットとクロムターゲットと銅ターゲットを含むスパッタリング装置内でスパッタリングで形成される。スパッタリング技術は従来公知である。金属層を堆積する他の技術として、例えば蒸着、メッキ等を用いることができる。
【００２０】
第１層２１は、厚さが５００〜５０００Åで好ましくは１０００〜３０００Åのチタン製である。チタンは、アルミ製接点１３とポリイミド製のキャップ層によく接着する。チタン層は通常のはんだ用合金ではウェッティング性を有しない。この特徴の重要性を次に説明する。
【００２１】
第２層２２は、はんだウェッティング性とチタン層（第１層２１）と後で形成される銅層（第３層２３）のとの間に金属組織学的に安定した界面を与えるために、Ｃｒ／Ｃｕの薄い遷移層である。第２層２２はスパッタリングで形成され、その厚さは１０００〜５０００Åのオーダーで好ましくは２０００〜３０００Åである。
【００２２】
第３層２３は、銅層でその厚さは１０００〜１００００Åで好ましくは２０００〜６０００Åである。銅層である第３層２３は、はんだバンプ用に通常使用されるはんだ材料に対しウェッティング性を有する。スズのはんだと銅の共晶混合物の融点は低くはんだ温度において銅の表面ははんだバンプ内で分解して、物理的電気的に安定した結合を形成する。すべての銅が分解してはんだ層内に入り込んだ場合でも、はんだは依然としてＣｒ／Ｃｕ層に接着しそれにウェッティング性を与える。
【００２３】
図２は、オプションとしての金製の第４層２４が銅層（第３層２３）の表面に形成されて銅表面の酸化を防止している。この金製の第４層２４の厚さは、５００〜３０００Åで好ましくは１０００〜２０００Åである。
【００２４】
図３に示すように、エッチング用マスク３１がはんだバンプ領域をマスクするために形成される。このエッチング用マスク３１は、従来のフォトレジストで、下の層の表面の上にフォトレジストをスピニングして、このフォトレジストを化学線照射によりパターン化することにより形成される。酸化物製のハードマスクのような、別のマスキング技術も用いることができる。
【００２５】
フォトマスク３１を金製の第４層２４に配置することにより、第３層２３は従来のエッチング剤を用いてエッチングされる。金をエッチングする溶剤は、シアン化カリウム／フェリシアン溶剤と、ヨウ化物溶剤、王水を含む。銅は、例えば塩化鉄またはフッ酸とクロム酸カリウムの混合物でエッチングされる。銅／クロム製の第２層２２のエッチングステップは、上の銅層に損傷を与えないで行わなければならない。適切なエッチング剤は、水酸化ナトリウム、フェリシアン化カリウムの基本溶剤に、水酸化アンモニウムのような銅の錯化剤（ｃｏｐｐｅｒ  ｃｏｍｐｅｘｉｎｇ  ａｇｅｎｔ）を添加して、パシベーション層の形成を阻止するものである。
【００２６】
上記のプロセスは、除去プロセスであり、米国特許出願０８／８２５９２３（出願日が０４／０２／９７）に開示されたものと類似である。ＵＢＭパッドを規定するシャドーマスクを用いるような他の多層構造もＵＢＭ技術も用いることができる。しかし微細なピッチのはんだバンプ列を形成するシャドーマスク技術の限界点はすでに上記したとおりである。
【００２７】
本発明の一実施例によれば、チタン層である第１層２１がバリア層として機能するようその場所に残される。これを図４に示す。
【００２８】
図５において、フォトレジストマスク５１をその後公知のフォトレジスト技術を用いて形成する。このマスク５１は、表面上にフォトレジストをスピニングし、適宜の化学線放射でフォトレジストをパターン化することにより形成される。はんだバンプ部位は、ＵＢＭを露出するためにパターン化し、その際所望の大きさのはんだバンプを形成するために十分な量のはんだペーストを与えるために、ＵＢＭよりもより広い範囲に形成する。通常はんだペーストをはんだにリフローするためには、体積で約５０％収縮する。従ってフォトレジストマスク内のウィンドウ５２の面積と、このフォトレジストマスクの時間と高さ（すなわち厚さ）は、所望のはんだペースト体積を近似し、はんだバンプ体積の２倍にしなければならない。
【００２９】
はんだバンプが球状と仮定した場合には、１００μｍ（直径）のはんだバンプは、はんだペーストが約３３ｍｉｌ３必要である。はんだバンプとフォトレジストマスクを分離するためのスペースを残しフォトレジストの除去を容易にしマスク開口の適正なアスペクト比を提供する。開口の幅（直径）／はんだボールの幅（直径）の適正な比率は、１．１〜２．０である。
【００３０】
マスク開口（はんだペースト）の体積は、はんだバンプの体積の２倍であると仮定し、フォトレジストマスクの厚さをｔ、フォトレジストマスク内の開口の直径をｄ１とすると、はんだバンプの直径ｄ２は次式で表される。
π（ｄ１／２）２ｔ＝２（４／３）π（ｄ２）３
【００３１】
ｄ１＝（１．１〜２．０）ｄ２すると、これはその結果ｔ＝（０．３〜１．１）ｄ２である。
【００３２】
フォトレジストマスク内のウィンドウ５２内をその後従来の標準手法によりはんだペーストで充填する。図６はこのステップを表し、従来のスクイギーであるアプリケータ６１がペーストを塗布する状態が示されている。このアプリケータ６１ははんだペースト６２を塗布するための様々な適宜の方法の代表例である。
【００３３】
図７は、はんだリフローステップの後のはんだバンプ７１を示す。このリフロー条件は使用されるペーストにより変動する。例えば、比率が６３／３７のＳｎ／Ｐｂ、あるいは９５／５のＳｎ／Ｓｂを用いる。通常の熱処理は液相線よりも約１５℃低い温度に３分間で到達するよう加熱し、その後さらに３０秒加熱して液相線より２０〜３０℃以上の温度に上げその後室温に急速に（約２分で）冷却することにより行う。
【００３４】
通常のリフロー状態においては、フォトレジストマスク５１内のポリマーは、さらに架橋して固化し、ポリイミド製のキャップ層１４にねっちりと接着する。このような接着は、第１層２１により図７の構造体の中では回避される。このフォトレジストマスクは、従来の湿式溶融フォトレジストストリッパ（例として５０℃に加熱されたＰＲＳ１０００）により除去され、その後残留ポリマーを除去するために標準のプラズマエッチングが行われる。このプラズマエッチングは、第１層２１の場所を除いて下のポリイミド製のキャップ層１４を浸食する。かくして第１層２１が存在することにより比較的シビアなフォトレジスト除去ステップは、下の基板に損傷を与えずに行うことができる。これによりフォトレジストの完全な除去が行われる。
【００３５】
フォトレジストマスクを除去した後、第１層２１がはんだバンプとＵＢＭをマスクとして用いて除去される。この第１層２１は、標準のウェットエッチプロセスを用いてエッチングで除去される。Ｔｉの場合には、第１層２１は、１：３比率のＨ２Ｏのエチレングリコール内の２．５％ＨＦで除去することができる。その結果得られた構造体を図８に示し基板表面８１は化粧洗浄される。
【００３６】
第１層２１を形成する別の方法は当業者には公知である。かくしてコストの安い方法は、第１層２１の形成とＵＢＭを一体に行うことである。チタン層は第１層２１として選択されるが、その理由ははんだはチタンにウェッティング性を与えないからである。この特徴は重要であり、これにより表面張力が図７に示すようにはんだバンプを形成する。このアプローチは、第１層２１が導電性であり、ＵＢＭの一部であることを必要とする。しかし他の選択的手段により、第１層２１は非導電性で第１層２１はＵＢＭを露出するよう選択的に形成することもできる。
【００３７】
本発明の別の実施例は、基板を非ウェッティング性の金属でコーティングして、フォトレジストのはんだペーストマスクを形成する前に、あるいはその後に、光リソグラフ技術を用いてＵＢＭを露出させることである。この場合、はんだペーストマスクは、ＵＢＭ領域から第１層２１の材料を除去するのに用いることができる。この実施例を図９〜１２に示す。
【００３８】
図９は、図３の直後の状態を示し、エッチング用マスク３１が残っている状態の構造を示す。第１層２１は、第１の実施例におけるバッファ層として残されるが、これは他の第２層２２〜第４層２４とともに基板からエッチングで除去される。これは減算方法（ｓｕｂｔｒａｃｔｉｖｅ  ｍｅｔｈｏｄ）としてＵＢＭを形成する通常のシーケンスである。
【００３９】
バッファ層９１が、図１０に示すようにその後ブランケット堆積される。好ましくはこの層は非ウェッティング性の材料製である。本明細書において「非ウェッティング性材料」とは、はんだによりウェッティング性を有さない材料を意味する。このような材料は、アルミ、チタン、モリブデン、タングステン等が含まれる。バッファ層９１の厚さは、重要ではない。バッファ層として機能するために十分厚くすべきであるが、しかし除去を容易にするためには薄くすべきである。０．１〜５μｍの範囲が妥当である。はんだペーストのフォトレジストマスク９２をその後、図１１に示すように塗布する。フォトレジストマスク９２をその場所におくことによりバッファ層９１の露出部分がエッチングで除去される。ウェットエッチング（例、ＨＦまたはＰＡＥエッチング）がアルミ用に用いることができる。その後得られた構造体を図１２に示し、バッファ層９１がフォトレジストマスク９２の下にある。残りのプロセスは、第１の実施例で示したとおりである。
【００４０】
バッファ層を上記したようにパターン化するためにはんだペースト用のフォトレジストマスクを使用することは、便利でありプロセスのコストを低減する。しかし、図１２で記載してステップで露出したキャップ層が、厚いはんだペーストマスクが除去されたときに、損傷を受けやすいような場合が発生する。従って、別々のフォトレジストステップでバッファ層９１をパターン化し、ＵＢＭのみを露出させることがある場合では好ましい。この場合、この構造体は、図１２に示したのと同一であるが、バッファ層はキャップ層をカバーした状態にある。
【００４１】
【実施例】
ＵＢＭ層２１〜２４の堆積が、Ｓｐｕｔｔｅｒｅｄ  Ｆｉｌｍｓ  Ｉｎｃ．の  Ｅｎｄｅａｖｏｒ  ｃｌｕｓｔｅｒ  ｔｏｏｌ  で行われた。その後、このコーティングされたウェハを従来のリソグラフ技術でパターン化した。ウェハを接着促進剤例えばＨＭＤＳとともに、ＹＥＳ蒸気プライムオーブン内に５分間おいた。このウェハをＭＴＩＦｌｅｘｉｆａｂトラック上で、５μｍ厚さのＡＺ４６２０のフォトレジストでスピンコーティングし、１００℃で１分間ソフトベイクした。パターンが、ＧＣＡステッパ露光システムを用いてレジスト内で露出された（ｔ＝３０秒、または２００分）。その後、ＡＺ４００ｋのディベロッパで現像（ｔ＝２分）した。
【００４２】
ウェハを１３０℃のホットプレート上で２分間エッチングする前にハードベイクした。銅層とＣｒ／Ｃｕ層をその後エッチングしフォトレジストを除去した。はんだペースト用のフォトレジストマスクを、上記したフォトレジスト手順を用いて形成しそしてこのはんだペーストを従来のアプリケータを用いて、パターン化されたマスク上に形成した。このはんだペースト用のフォトレジストマスクは、約１００μｍの厚さではんだペースト用の開口は約１６０μｍの直径を有する。その後はんだペーストを加熱窒素中でリフローさせて直径が約１２０μｍのはんだバンプを形成した。その後フォトレジストをＰＲＳ１０００内で３０分間、１００℃で除去し、その後プラズマストリップで残留したフォトレジストを除去した。その後チタン層を１／３水とエチレングリコールの溶剤中で、２．５％のＨＦを用いてエッチングで除去した。その結果得られたウェハは、選択的に形成されたＵＢＭと、包囲している表面が洗浄されたはんだバンプを有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】フォトレジストマスキングとはんだバンプの形成を行う本発明の一実施例の第１ステップを表す図。
【図２】フォトレジストマスキングとはんだバンプの形成を行う本発明の一実施例の第２ステップを表す図。
【図３】フォトレジストマスキングとはんだバンプの形成を行う本発明の一実施例のの第３ステップを表す図。
【図４】フォトレジストマスキングとはんだバンプの形成を行う本発明の一実施例のの第４ステップを表す図。
【図５】フォトレジストマスキングとはんだバンプの形成を行う本発明の一実施例のの第５ステップを表す図。
【図６】フォトレジストマスキングとはんだバンプの形成を行う本発明の一実施例のの第６ステップを表す図。
【図７】フォトレジストマスキングとはんだバンプの形成を行う本発明の一実施例のの第７ステップを表す図。
【図８】フォトレジストマスキングとはんだバンプの形成を行う本発明の一実施例のの第８ステップを表す図。
【図９】フォトレジストマスキングとはんだバンプの形成を行う本発明の他の実施例の第４ステップを表す図。
【図１０】フォトレジストマスキングとはんだバンプの形成を行う本発明の他の実施例の第５ステップを表す図。
【図１１】フォトレジストマスキングとはんだバンプの形成を行う本発明の他の実施例の第６ステップを表す図。
【図１２】フォトレジストマスキングとはんだバンプの形成を行う本発明の他の実施例の第７ステップを表す図。
【符号の説明】
１１  ＩＣチップ基板
１２  フィールド酸化物層
１３  アルミ製接点
１４  キャップ層
２１  第１層
２２  第２層
２３  第３層
２４  第４層
３１  エッチング用マスク
５１  フォトレジストマスク
５２  ウィンドウ
６１  アプリケータ
６２  はんだペースト
７１  はんだバンプ
８１  基板表面
９１  バッファ層
９２  フォトレジストマスク
【図１】
0003588027.tif 000002
【図２】
0003588027.tif 000003
【図３】
0003588027.tif 000004
【図４】
0003588027.tif 000005
【図５】
0003588027.tif 000006
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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