(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定のピッチで複数枚の被処理体が配列された所定の長さの処理容器内にＯ２ とＮ２ ＯとＮＯとＮＯ２ よりなる群から選択される１つ以上のガスからなる酸化性ガスとＨ２ ガスよりなる還元性ガスとを前記被処理体の配列方向の一端側から導入して他端側に向けて流しつつ、表面に少なくともシリコン窒化膜とシリコンとが露出しているスタック構造を持つ被処理体の表面を酸化する酸化方法において、真空雰囲気下にて前記酸化性ガスと前記還元性ガスとの反応により発生した水酸基活性種と酸素活性種とを用いると共に、プロセス圧力を１３３Ｐａ以下に設定し、プロセス温度を４００℃以上に設定し、且つ前記還元ガス濃度を５〜３３％の範囲内に設定して前記酸化を行なうようにしたことを特徴とする被処理体の酸化方法。
【請求項２】
前記酸素活性種と前記水酸基活性種とを発生させるために、前記処理容器内に酸化性ガスと還元性ガスとをそれぞれ異なるガス供給系より別々に導入するようにしたことを特徴とする請求項１記載の被処理体の酸化方法。
【請求項３】
前記プロセス温度は８００〜１０００℃の範囲内であることを特徴とする請求項１または２記載の被処理体の酸化方法。
【請求項４】
前記窒化膜は、前記酸化処理により前記窒化膜の表面が酸化される厚さに見合った厚さ分だけ予めその厚さが大きく形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の被処理体の酸化方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハ等の被処理体の表面の窒化膜に対して酸化処理を施して酸化膜を形成する被処理体の酸化方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、半導体集積回路を製造するためにはシリコン基板等よりなる半導体ウエハに対して、成膜処理、エッチング処理、酸化処理、拡散処理、改質処理等の各種の処理が行なわれる。上記各種の処理の中で、例えば酸化処理を例にとれば、この酸化処理は、単結晶或いはポリシリコン膜の表面等を酸化する場合、金属膜を酸化処理する場合等が知られており、特に、ゲート酸化膜、キャパシタや不揮発性メモリのフローティングゲートの絶縁膜等を形成する時に主に用いられる。
【０００３】
この酸化処理を行なう方法には、圧力の観点からは、略大気圧と同等の雰囲気下の処理容器内で行なう常圧酸化処理方法と真空雰囲気下の処理容器内で行なう減圧酸化処理方法とがあり、また、酸化に使用するガス種の観点からは、例えば水素と酸素とを外部燃焼装置にて燃焼させることによって水蒸気を発生させてこの水蒸気を用いて酸化を行なうウェット酸化処理方法（例えば特開平３−１４０４５３号公報等）と、オゾンのみ、或いは酸素のみを処理容器内へ流すなどして水蒸気を用いないで酸化を行なうドライ酸化処理方法（例えば特開昭５７−１２３２号公報等）とが存在する。
ところで、最近にあっては、耐熱性、絶縁性等の特性に優れていることから、例えばＳｉＮ（シリコン窒化膜）に代表される窒化膜の上層に酸化膜、例えばＳｉＯ２  膜を積層した構造の絶縁膜構造が注目されている。
この種の絶縁膜構造を作成するには、一般には、シリコン基板等の表面に形成されているＳｉＮ膜上に熱ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によりＳｉＯ２  を堆積させることにより作成していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記したような熱ＣＶＤにより形成したＳｉＯ２  膜にあっては、ウエハ面内における膜厚の均一性がそれ程良好でないのみならず、分子、或いは原子レベルでの膜構造がそれ程緻密な構造となっていないために、現在要求されている半導体集積回路の設計仕様に対して、膜質がそれ程良好ではない、といった問題があった。
そこで、上記熱ＣＶＤによるＳｉＯ２  膜の成膜方法に代えて、ＳｉＮ膜の表面を直接的に熱酸化して緻密な構造のＳｉＯ２  膜を形成する方法が、例えば特開２００１−２７４１５４号公報等に提案されている。
上記公報の熱酸化方法は、チャンバ内に酸素ガスと水素ガスとを導入して両者を反応させ、この時発生する活性種によってＳｉＮ膜の表面を熱酸化するようになっている。
【０００５】
しかしながら、この種の熱酸化でＳｉＯ２  膜を形成する場合、良好な膜質や適正な膜厚を得るには、プロセス温度、プロセス圧力、水素ガスの濃度等のプロセス条件が非常に重要であり、上記公報で開示されているプロセス条件は、ウエハを１枚ずつ処理する、いわゆる枚葉式のチャンバに対応するものであって、一度に複数枚のウエハを処理する、いわゆるバッチ式の熱処理装置に対しては直接的には適用することができない、といった問題があった。
【０００６】
本発明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明の目的は、窒化膜を熱酸化することにより膜質の良好な酸化膜及び窒化膜と酸化膜の積層構造を得ることが可能な被処理体の酸化方法を提供することにある。尚、本発明は、本出願人が先に特願２００１−１２８３５０号で提案した発明の応用発明である。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
請求項１に係る発明は、所定のピッチで複数枚の被処理体が配列された所定の長さの処理容器内にＯ２ とＮ２ ＯとＮＯとＮＯ２ よりなる群から選択される１つ以上のガスからなる酸化性ガスとＨ２ ガスよりなる還元性ガスとを前記被処理体の配列方向の一端側から導入して他端側に向けて流しつつ、表面に少なくともシリコン窒化膜とシリコンとが露出しているスタック構造を持つ被処理体の表面を酸化する酸化方法において、真空雰囲気下にて前記酸化性ガスと前記還元性ガスとの反応により発生した水酸基活性種と酸素活性種とを用いると共に、プロセス圧力を１３３Ｐａ以下に設定し、プロセス温度を４００℃以上に設定し、且つ前記還元ガス濃度を５〜３３％の範囲内に設定して前記酸化を行なうようにしたことを特徴とする被処理体の酸化方法である。
これにより、複数枚の被処理体の表面の窒化膜を酸化するに際して、面間均一性が高く維持されて、しかも膜質の良好な酸化膜を得ることが可能となる。
【０００８】
この場合、例えば請求項２に規定するように、前記酸素活性種と前記水酸基活性種とを発生させるために、前記処理容器内に酸化性ガスと還元性ガスとをそれぞれ異なるガス供給系より別々に導入する。
【０００９】
また、例えば請求項３に規定するように、前記プロセス温度は８００〜１０００℃の範囲内である。
また、例えば請求項４に規定するように、前記窒化膜は、前記酸化処理により前記窒化膜の表面が酸化される厚さに見合った厚さ分だけ予めその厚さが大きく形成されている。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明に係る被処理体の酸化方法の一実施例を添付図面に基づいて詳述する。
図１は本発明に係る酸化方法を実施するための被処理体の酸化装置の一例を示す構成図である。ここでは酸化性ガスとして酸素（Ｏ２  ）を用い、還元性ガスとして水素（Ｈ２  ）を用いる場合を例にとって説明する。
この酸化装置２は、内筒４と外筒６とよりなる石英製の２重管構造の縦型の所定の長さの処理容器８を有している。上記内筒４内の処理空間Ｓには、被処理体を保持するための支持手段としての石英製のウエハボート１０が収容されており、このウエハボート１０には被処理体としての半導体ウエハＷが所定のピッチで多段に保持される。尚、このピッチは、一定の場合もあるし、ウエハ位置によって異なっている場合もある。
【００１１】
この処理容器８の下方を開閉するためにキャップ１２が設けられ、これには磁性流体シール１４を介して貫通する回転軸１６が設けられる。そして、この回転軸１６の上端に回転テーブル１８が設けられ、このテーブル１８上に保温筒２０を設け、この保温筒２０上に上記ウエハボート１０を載置している。そして、上記回転軸１６は昇降可能なボートエレベータ２２のアーム２４に取り付けられており、上記キャップ１２やウエハボート１０等と一体的に昇降可能にしており、ウエハボート１０は処理容器８内へその下方から挿脱可能になされている。尚、ウエハボート１０を回転せずに、これを固定状態としてもよい。
上記処理容器８の下端開口部は、例えばステンレス製のマニホールド２６が接合されており、このマニホールド２６には、流量制御された酸化性ガスと還元ガスとを処理容器８内へ導入するための酸化性ガス供給系２８と還元性ガス供給系３０がそれぞれ個別に設けられている。
【００１２】
具体的には、まず、上記酸化性ガス供給系２８は、上記マニホールド２６を貫通して設けられる酸化性ガスノズル３２を有しており、このノズル３２には途中に例えばマスフローコントローラのような流量制御器３４を介設したガス供給路３６が接続される。そして、このガス供給路３６には、酸化性ガスとしてここでは例えば酸素を貯留する酸化性ガス源３８が接続されている。
また、上記還元ガス供給系３０は、同様に上記マニホールド２６を貫通して設けられる還元性ガスノズル４０を有しており、このノズル４０には途中に例えばマスフローコントローラのような流量制御器４２を介設したガス供給路４４が接続される。そして、このガス供給路４４には、還元性ガスとしてここでは例えば水素を貯留する還元性ガス源４６が接続されている。
【００１３】
従って、上記各ノズル３２、４０より供給された各ガスは、内筒４内の処理空間Ｓであるウエハの収容領域を上昇して天井部で下方へ折り返し、そして内筒４と外筒６との間隙内を流下して排出されることになる。また、外筒６の底部側壁には、排気口５０が設けられており、この排気口５０には、排気路５２に真空ポンプ５４を介設してなる真空排気系５６が接続されており、処理容器８内を真空引きするようになっている。ここで処理空間Ｓとしてのウエハの収容領域と各ガスの導入位置との間の距離Ｈ１、具体的にはウエハの収容領域の下端部、すなわちウエハボート１０の下端部と各ノズル３２、４０の先端のガス出口との間の距離Ｈ１は所定の距離だけ離間されている。このように距離Ｈ１を設けた第１の理由は、この距離Ｈ１の長さを各ガスが上昇する間に、加熱ヒータ６２により加熱されてホットウォール状態になさされた処理容器８からの放熱により、上記各ガスを予備的に加熱させるためである。また、第２の理由は、距離Ｈ１の長さに亘って両ガスが上昇する際に、これらの両ガスを良好に混合させるためである。
【００１４】
従って、上記距離Ｈ１は、ウエハの収容領域（処理空間Ｓ）における温度分布に悪影響を与えないで、且つ導入された酸化性ガスと還元性ガスとの混合を十分に行う得る長さ、例えば１００ｍｍ以上、好ましくは３００ｍｍ以上に設定する。また、処理容器８の外周には、断熱層６０が設けられており、この内側には、加熱手段として加熱ヒータ６２が設けられて内側に位置するウエハＷを所定の温度に加熱するようになっている。
ここで、処理容器８の全体の大きさは、例えば成膜すべきウエハＷのサイズを８インチ、ウエハボート１０に保持されるウエハ枚数を１５０枚程度（製品ウエハを１３０枚程度、ダミーウエハ等を２０枚程度）とすると、内筒４の直径は略２６０〜２７０ｍｍ程度、外筒６の直径は略２７５〜２８５ｍｍ程度、処理容器８の高さは略１２８０ｍｍ程度である。
【００１５】
また、ウエハＷのサイズが１２インチの場合には、ウエハボート１０に保持されるウエハ枚数が２５〜５０枚程度の場合もあり、この時、内筒４の直径は略３８０〜４２０ｍｍ程度、外筒６の直径は略４４０〜５００ｍｍ程度、処理容器８の高さは略８００ｍｍ程度である。そして、ウエハボート１０の高さＨ２は、ウエハ枚数に依存し、例えば２００〜１０００ｍｍ程度の範囲内となる。尚、これらの数値は単に一例を示したに過ぎない。
尚、図中、６４はキャップ１２とマニホールド２６との間をシールするＯリング等のシール部材であり、６６はマニホールド２６と外筒６の下端部との間をシールするＯリング等のシール部材である。
【００１６】
次に、以上のように構成された酸化装置を用いて行なわれる本発明方法について説明する。
まず、未処理の多数枚の例えばシリコン基板よりなる半導体ウエハＷをウエハボート１０に所定のピッチで多段に保持させ、この状態でボートエレベータ２２を上昇駆動することにより、ウエハボート１０を処理容器８内へその下方より挿入し、処理容器８内を密閉する。この処理容器８内は予め予熱されており、また、例えば半導体ウエハＷの表面は酸化処理の対象となる窒化膜、例えばシリコン窒化膜（ＳｉＮ）が少なくとも前工程にて形成されて、この窒化膜の表面が露出されている。また、表面構成にとっては、窒化膜とシリコン表面とが混在して露出している場合もある。
【００１７】
上述のようにウエハＷが挿入されたならば、加熱ヒータ６２への供給電圧を増加してウエハＷを所定のプロセス温度まで昇温すると共に、真空排気系５６により処理容器８内を真空引きする。
そして、これと同時に酸化性ガス供給系２８の酸化性ガスノズル３２から流量制御された酸素を処理容器８内へ導入すると共に、還元性ガス供給系３０の還元性ガスノズル４０から流量制御された水素を処理容器８内へ導入する。
このように、処理容器８内へ別々に導入された酸素と水素はこの処理容器８内を上昇しつつウエハＷの直近で水素の燃焼反応を生じて、ウエハのシリコン窒化膜の表面、或いはシリコン窒化膜とシリコンとが表面に露出している場合にはシリコン窒化膜とシリコンの各表面を酸化することになる。この時の酸化プロセス条件は、ウエハ温度が４００℃以上、例えば４００〜１０００℃の範囲内、好ましくは下層の素子の耐熱性等を考慮して８００〜１０００℃の範囲内、圧力は１３３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）以下である。また、水素ガスの濃度（Ｈ２  濃度）は、供給ガスの総量に対して４０％以下の濃度となるように設定する。
【００１８】
これにより、酸化レートをある程度高く維持しつつ、酸化膜の面内均一性と膜質の特性とを共に大幅に向上させることが可能となる。
このように、減圧雰囲気下にて水素と酸素とを別々に処理容器８内へ導入することにより、ウエハＷの直近にて以下のような水素の燃焼反応が進行すると考えられる。尚、下記の式中において＊印を付した化学記号はその活性種を表す。
Ｈ２  ＋Ｏ２      →  Ｈ＊＋ＨＯ２
Ｏ２  ＋Ｈ＊  →  ＯＨ＊＋Ｏ＊
Ｈ２  ＋Ｏ＊  →  Ｈ＊＋ＯＨ＊
Ｈ２  ＋ＯＨ＊  →  Ｈ＊＋Ｈ２  Ｏ
【００１９】
このように、Ｈ２ 及びＯ２ を別々に処理容器８内に導入すると、水素の燃焼反応過程中においてＯ＊（酸素活性種）とＯＨ＊（水酸基活性種）とＨ２ Ｏ（水蒸気）が発生し、これらによりウエハ表面の酸化が行なわれる。この場合、酸化膜の膜質の特性や膜厚の面内均一性及び面間均一性が改善された理由は、特に上記Ｏ＊とＯＨ＊の両活性種が大きく作用するものと考えられる。換言すれば、上述のような従来方法よりはプロセス圧力が遥かに低い真空雰囲気下にて酸化処理を行なうようにしたので、Ｈ２ ガスとＯ２ ガスが処理容器８内を上昇しつつ上記した一連の化学反応式で示す反応が徐々に進むので、ウエハＷのどの高さ位置においても過不足のない状態でＨ２ Ｏが存在するような状態となり、このため酸化反応がウエハＷのどの高さ位置においても略均等に行われ、この結果、特に膜厚の面間均一性も向上させることが可能となる。すなわち、上述のようにプロセス圧力を１３３Ｐａ以下に設定して従来方法よりもかなり低く設定することにより、酸素と水酸基の活性種の寿命が共に長くなり、従って、この活性種が高さＨ２の処理空間Ｓに沿って流れる際に途中であまり消滅することなく、酸化反応に寄与しつつ上昇することになり、よって膜厚の面間均一性も向上する。
【００２０】
また、ここではＨ２  ガスとＯ２  ガスとを直接的に処理空間Ｓに供給するのではなく、その下端部より距離Ｈ１だけ離れた所に供給するようにしているので、両ガスが距離Ｈ１の長さを上昇する間に、両ガスが十分に混合され、また、この距離Ｈ１の長さを上昇する間に、加熱ヒータ６２により、或いは加熱ヒータ６２により加熱されてホットウォール状態になった処理容器８からの熱により予備加熱されるので、これらの両ガスの活性化を促進することができる。
ここで、半導体ウエハＷの表面に形成されているシリコン窒化膜（ＳｉＮ）やシリコン表面が熱酸化されてシリコン酸化膜（ＳｉＯ２  ）が形成される状況について説明する。
【００２１】
図２は半導体ウエハの表面の全面がシリコン窒化膜により覆われている場合の状態を示し、図３は半導体ウエハの表面にシリコン窒化膜とシリコンとが共に露出している場合の状態を示している。図２に示す場合には、例えば不揮発性メモリのフローティングゲートの絶縁膜等として用いられる、ＳｉＯ２  −ＳｉＮ−ＳｉＯ２  の積層構造（ＯＮＯの３層構造）を製造する時の途中の工程として利用される。また、図３に示す場合には、ウエハ表面にスタック状（突状）にシリコン層の突部７０が複数存在し、その突部７０の上面にシリコン窒化膜（ＳｉＮ）が形成されており、例えばシャロウトレンチ用のパターンとなっている。
【００２２】
本発明のように、酸化処理のために水酸基活性種と酸素活性種とを主体として用いることにより（Ｏ２ やＨ２ Ｏ等よりも酸化に寄与する度合いが大きい）、従来のＯ２ を使ったドライ酸化やＨ２ Ｏを使うウェット酸化よりも遥かに強い酸化力を示し、このため、シリコン窒化膜（ＳｉＮ）中の窒素（Ｎ）を抜き取って、そこに酸素（Ｏ）が入り込むことによって酸化が進んで行き、ＳｉＯ２ 膜が形成される。この場合、シリコンが表面に露出していれば、当然のこととしてこのシリコンも酸化されてＳｉＯ２ 膜が形成される。
図２に示す場合は、シリコン窒化膜の表面が酸化されてシリコン酸化膜（ＳｉＯ２ ）が次第に形成されていく状況を示している。図２中において、シリコン窒化膜は、厚さΔｔに相当する量だけ酸化されてシリコン酸化膜が形成されている。この時、シリコン窒化膜よりもシリコン酸化膜の方が分子レベルでの密度が小さいので、全体の厚みが酸化前よりも増加している。また、この酸化処理によって減少するシリコン窒化膜の厚さΔｔは、当然のこととして酸化時間に依存する。
図４は熱酸化時のシリコン窒化膜とシリコン酸化膜の厚さの変化を示すグラフである。ここでは、厚さが１４８ｎｍのシリコン窒化膜を本発明方法で熱酸化した時の両膜厚の変化を示しており、最大１０３分まで行った。この時のプロセス条件は、温度は１０００℃、圧力は４７Ｐａ、Ｈ２ 濃度（全供給ガス量に対するＨ２ ガスの供給量）は１０％である。このグラフから明らかなように、熱酸化時間が長くなるに従って、シリコン窒化膜が酸化されるので、この厚さは小さくなり、代わりに熱酸化により発生したシリコン酸化膜の膜厚が次第に大きくなって行く。この時の酸化のレートはプロセス条件によって異なるのは勿論である。
【００２３】
このように、シリコン窒化膜の膜厚は、その表面が次第に酸化されて小さくなって行くので、例えば図２に示したような、いわゆるＯＮＯ３層構造を形成する場合にのように、最終的に集積回路素子が製造された時に維持されるべきシリコン窒化膜の膜厚の目標値よりも、厚さΔｔだけ製造途中ではシリコン窒化膜の厚さを余分に厚く形成しておく。すなわち、図２中において、酸化前のシリコン窒化膜の厚さは、熱酸化される厚さΔｔに見合った厚さ分だけ、設計値よりも予めその厚さを大きく形成しておく。
【００２４】
＜Ｈ２  濃度の依存性＞
Ｈ２  濃度の依存性について評価を行ったので、その評価結果について説明する。
図３に戻って、いわゆるスタック構造のようにシリコン窒化膜とシリコンとが表面に露出している場合には、シリコン窒化膜とシリコン層の各表面にシリコン酸化膜７２が形成される。ここでシリコン窒化膜上に形成されるシリコン酸化膜の厚さＤ１と、シリコン層上に形成されるシリコン酸化膜の厚さＤ２は、プロセス条件によって異なる場合が生ずる。
図５及び図６はＨ２  濃度を変更した時のＳｉ上及びＳｉＮ上におけるＳｉＯ２  膜の膜厚依存性を示すグラフであり、図５は横軸にＨ２  濃度を縦軸にＳｉＯ２  膜の膜厚をそれぞれ取っており、図６は横軸にＳｉ上のＳｉＯ２  膜の膜厚を、縦軸にＳｉＮ上のＳｉＯ２  膜の膜厚をそれぞれ取っている。図５に示す場合のプロセス条件は、温度が９００℃、圧力が４７Ｐａ、プロセス時間が２０分である。また、図６に示す場合のプロセス条件は、プロセス温度が１０００℃、圧力が４７Ｐａである。
【００２５】
まず、図５に示すように、Ｈ２  濃度を５〜８０％程度まで次第に増加した場合、Ｓｉ上のＳｉＯ２  膜もＳｉＮ上のＳｉＯ２  膜も共に、膜厚（成膜レート）は次第に増加してＨ２  濃度が略４０％をピークとして減少に転じている。従って、ＳｉＯ２  膜の成膜レートを考慮した場合には、Ｈ２  ガスの使用量が少なくて済むことから、Ｈ２  濃度（Ｈ２  ガスの濃度）は４０％以下に設定するのがよいことが判明する。
更に、ＳｉＮ上のＳｉＯ２  膜の膜厚とＳｉ上のＳｉＯ２  膜の膜厚の差Δｍ（図３及び図５参照）は、Ｈ２  濃度が少ない程小さく、Ｈ２  濃度が大きくなる程大きくなっている。この点に関して、図６において、Ｈ２  濃度が大きくなる程、両膜厚の比が１：１となる４５度方向の点線７４から遠く離れていることからも判る。
【００２６】
ここでプロセス条件としては、より緻密な膜質の優れたシリコン酸化膜を得るには、シリコンに対する酸化力とシリコン窒化膜に対する酸化力を比較した場合、シリコン窒化膜に対する酸化力が相対的に大きい方が望ましい。換言すれば、上記膜厚の差Δｍがより小さい方が望ましいので、上記Ｈ２  濃度は、膜厚の差Δｍがより小さい範囲、すなわち好ましくは５〜３３％の範囲内がよく、更に好ましくは５〜１０％の範囲が非常に優れていることが判明する。このようにＨ２  濃度をより小さくすることにより、活性種によって作られる緻密で且つ膜質の良好なＳｉＯ２  膜の占める割合を大きくすることができる。
【００２７】
また更に、前述したように図３に示すようなスタック構造の表面にＳｉＯ２  膜を形成する際には、膜厚Ｄ１と膜厚Ｄ２とをできるだけ同じとなるようにしてこの部分に段差が生ずるのを防止する必要があることから、この点からもＨ２  濃度が少ない方がよく、好ましくは５〜３３％の範囲内、より好ましくは５〜１０％の範囲であることが確認できる。
【００２８】
＜プロセス圧力の依存性＞
次に、シリコン窒化膜上に形成される酸化膜の厚さのプロセス圧力に対する依存性について検討したので、その評価結果について説明する。
図７はシリコン窒化膜上に形成される酸化膜の膜厚及びこの面内均一性のプロセス圧力に対する依存性を示すグラフ、図８はＳｉ上に形成されるＳｉＯ２  膜の膜厚とＳｉＮ上に形成されるＳｉＯ２  膜の膜厚の圧力依存性を示すグラフである。尚、図７に示す膜厚のグラフには、面間均一性を併記してある。ここでグラフ中においてＴＯＰはウエハボートの上段に位置したウエハを示し、ＣＴＲはウエハボートの中段に位置したウエハを示し、ＢＴＭはウエハボートの下段に位置したウエハを示す。また、プロセス条件は、図７ではプロセス温度が９００℃、Ｈ２  ガス流量が０．６リットル／ｍｉｎ、Ｏ２  ガス流量が１．２リットル／ｍｉｎ、プロセス時間は６０分である。図８ではプロセス温度が１０００℃、Ｈ２  濃度が３３％である。
【００２９】
まず、図７に示すグラフから明らかなように、膜厚の面内均一性及び面間均一性ともに、プロセス圧力が低くなる程向上している。そして、今後、酸化プロセスにおいて必要になると予測される数値、すなわち面内均一性が略±０．８％で、且つ面間均一性が略±６％を満足するには、プロセス圧力を１３３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）以下に設定する必要があることが判明した。
また、図８から明らかなように、プロセス圧力を１３３Ｐａと４７ＰａについてＳｉ上のＳｉＯ２  膜とＳｉＮ上のＳｉＯ２  膜の膜厚を比較したところ、両膜厚の比は、プロセス圧力が１３３Ｐａの近傍では略１：１（波線７４）に近く、プロセス圧力が１３３Ｐａよりも小さくなると、Ｓｉ上のＳｉＯ２  膜の膜厚が比較的小さくなっている。従って、プロセス圧力が１３３Ｐａ以下ならば、上述のように、バッチ処理において膜厚の面間均一性及び面内均一性を高く維持でき、しかも、必要な場合にはＳｉ上に形成するＳｉＯ２  膜とＳｉＮ上に形成するＳｉＯ２  膜の膜厚比も適宜選択できることが判明する。
【００３０】
＜プロセス温度の依存性＞
次に、シリコン窒化膜上に形成される酸化膜の厚さのプロセス温度に対する依存性について検討したので、その評価結果について説明する。
図９はプロセス温度とシリコン窒化膜上に形成されるシリコン酸化膜の膜厚との関係を示すグラフ、図１０は温度を変化した時のＳｉ上及びＳｉＮ上におけるＳｉＯ２  膜の膜厚依存性を示すグラフである。
図９に示す場合のプロセス条件は、圧力が４７Ｐａ、Ｈ２  濃度が３３％、プロセス時間は２０分である。図１０に示す場合には、圧力が４７Ｐａ、Ｈ２  濃度が３３％であり、９５０℃と１０００℃の２種類の温度を設定した。
【００３１】
図９に示すグラフから明らかなように、ＳｉＯ２  膜は温度４００℃にて膜厚が１ｎｍ程度できており、これより温度が上昇するに従って２次曲線的に膜厚が増加しており、１０００℃において膜厚は１５ｎｍに達している。また、温度が４００℃よりも低いと活性種が発生しないためにシリコン窒化膜を酸化することがほとんどできない。
従って、シリコン窒化膜を活性種で熱酸化してシリコン酸化膜を形成するためには、プロセス温度を４００〜１０００℃の範囲内に設定する必要があることが判明する。特に、膜厚よりも求められる成膜レートを勘案すればプロセス温度は８００〜１０００℃の範囲内に設定することが好ましい。
【００３２】
特に、プロセス温度を９５０℃と１０００℃に固定してＳｉ上に形成されるＳｉＯ２  膜の膜厚とＳｉＮ上に形成されるＳｉＯ２  膜の膜厚をを比較したところ、図１０に示すように略３：４〜２：３の割合でＳｉ上のＳｉＯ２  膜の方が厚く形成される状態で、薄膜が形成されており、良好な結果が得られることが判明した。また、温度７５０℃、８００℃及び８５０℃においても図１０にて説明した実験と同様な実験を行ったところ、同様な結果を得ることが確認できた。
尚、以上の実施例では酸化性ガスとしてＯ２  ガスを用い、還元性ガスとしてＨ２  ガスを用いた場合を例にとって説明したが、酸化性ガスとしてはＯ２  、Ｎ２  Ｏ、ＮＯ、ＮＯ２  よりなる群から選択される１つ以上のガスを用いることができる。
【００３３】
この場合にも、ウエハ表面の酸化反応には、前述したように還元性ガスの燃焼過程に生ずる酸素活性種と水酸基活性種が主として寄与することになる。また、ガスとしてＯ２  やＨ２  以外の上記ガスを用いた場合にも、ウエハ温度及びプロセス圧力などのプロセス条件は前述のようにＯ２  とＨ２  とを用いた場合と略同様に設定すればよい。
また、本発明方法は、被処理体としては、半導体ウエハに限定されず、ＬＣＤ基板、ガラス基板等にも適用することができる。
【００３４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の被処理体の酸化方法によれば、次のように優れた作用効果を発揮することができる。
複数枚の被処理体の表面の窒化膜を酸化するに際して、面間均一性が高く維持されて、しかも膜質の良好な酸化膜を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る酸化方法を実施するための被処理体の酸化装置の一例を示す構成図である。
【図２】半導体ウエハの表面の全面がシリコン窒化膜により覆われている場合の状態を示す図である。
【図３】半導体ウエハの表面にシリコン窒化膜とシリコンとが共に露出している場合の状態を示す図である。
【図４】熱酸化時のシリコン窒化膜とシリコン酸化膜の厚さの変化を示すグラフである。
【図５】Ｈ２  濃度を変更した時のＳｉ上及びＳｉＮ上におけるＳｉＯ２  膜の膜厚依存性を示すグラフである。
【図６】Ｈ２  濃度を変更した時のＳｉ上及びＳｉＮ上におけるＳｉＯ２  膜の膜厚依存性を示すグラフである。
【図７】シリコン窒化膜上に形成される酸化膜の膜厚及びこの面内均一性のプロセス圧力に対する依存性を示すグラフである。
【図８】Ｓｉ上に形成されるＳｉＯ２  膜の膜厚とＳｉＮ上に形成されるＳｉＯ２  膜の膜厚の圧力依存性を示すグラフである。
【図９】プロセス温度とシリコン窒化膜上に形成されるシリコン酸化膜の膜厚との関係を示すグラフである。
【図１０】温度を変化した時のＳｉ上及びＳｉＮ上におけるＳｉＯ２  膜の膜厚依存性を示すグラフである。
【符号の説明】
２  酸化装置
４  内筒
６  外筒
８  処理容器
１２  支持手段（ウエハボート）
２８  酸化性ガス供給系
３０  還元性ガス供給系
３２  酸化性ガスノズル
３８  酸化性ガス源
４０  還元性ガスノズル
４６  還元性ガス源
５６  真空排気系
６２  加熱ヒータ（加熱手段）
Ｗ  半導体ウエハ（被処理体）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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