(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基材と、この絶縁基材の一方面に形成された配線パターンと、この配線パターンの少なくとも端子部を除く表面を被覆するソルダーレジスト層とを具備し、前記ソルダーレジスト層で覆われていない配線パターンの少なくとも一部の最表面にはスズ−ビスマス合金メッキ層が設けられたフレキシブル配線基材において、
前記配線パターンは、導体からなるベース層上に、ソルダーレジスト層で覆われる領域及び覆われない領域に亘って第１のスズメッキ層を具備することを特徴とするフレキシブル配線基材。
【請求項２】
請求項１において、前記配線パターンの前記ソルダーレジスト層で覆われていない領域には、前記第１のスズメッキ層上に第２のスズメッキ層が設けられ、当該第２のスズメッキ層上の少なくとも一部の領域に前記スズ−ビスマス合金メッキ層を有することを特徴とするフレキシブル配線基材。
【請求項３】
請求項１又は２において、前記第１のスズメッキ層は、０．００１μｍ〜０．６μｍの厚さを有することを特徴とするフレキシブル配線基材。
【請求項４】
請求項１又は２において、前記第１のスズメッキ層は、０．００１μｍ〜０．２μｍの厚さを有することを特徴とするフレキシブル配線基材。
【請求項５】
請求項４において、前記第１のスズメッキ層は、前記ソルダーレジスト層の成形前には加熱処理されていないことを特徴とするフレキシブル配線基材。
【請求項６】
請求項１〜５の何れかにおいて、前記配線パターンは、パターニングされた銅層及びこの上に形成された第１のスズメッキ層を有することを特徴とするフレキシブル配線基材。
【請求項７】
絶縁基材と、この絶縁基材の一方面に形成された配線パターンと、この配線パターンの端子部を除く表面を被覆するソルダーレジスト層とを具備し、前記ソルダーレジスト層で覆われていない配線パターンの少なくとも一部の最表面にはスズ−ビスマス合金メッキ層が設けられたフレキシブル配線基材を製造する方法において、
導体層をパターニングすることにより前記配線パターンのベース層を形成する工程と、このベース層上に第１のスズメッキ層を形成する工程と、この第１のスズメッキ層の一部を露出させて覆うようにソルダーレジスト層を形成する工程と、前記ソルダーレジスト層で覆われていない前記第１のスズメッキ層上へ第２のスズメッキ層を形成する工程と、この第２のスズメッキ層を形成した領域の少なくとも一部にスズ−ビスマス合金メッキ層を設ける工程とを具備することを特徴とするフレキシブル配線基材の製造方法。
【請求項８】
請求項７において、前記第１のスズメッキ層を０．００１μｍ〜０．６μｍの厚さに形成することを特徴とするフレキシブル配線基材の製造方法。
【請求項９】
請求項７において、前記第１のスズメッキ層を０．００１μｍ〜０．２μｍの厚さに形成する工程の後、加熱処理することなく、前記ソルダーレジスト層を形成する工程を行うことを特徴とするフレキシブル配線基材の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＩＣあるいはＬＳＩなどの電子部品を実装するフレキシブル配線基材及びその製造方法に関する。なお、フレキシブル配線基材は、電子部品を実装する前のＦＰＣ及びフィルムキャリアテープ等及び電子部品を実装して個々に切断した個別のフィルムをいい、例えば、電子部品の実装形式等により、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｆｉｌｍ）、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）、μ−ＢＧＡ（μ−Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）、ＦＣ（Ｆｌｉｐ  Ｃｈｉｐ）、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇｅ）等を挙げることができる。
【０００２】
【従来の技術】
エレクトロニクス産業の発達に伴い、ＩＣ（集積回路）、ＬＳＩ（大規模集積回路）等の電子部品を実装するプリント配線板の需要が急激に増加しているが、電子機器の小型化、軽量化、高機能化が要望され、これら電子部品の実装方法として、最近ではＴＡＢテープ、Ｔ−ＢＧＡテープおよびＡＳＩＣテープ等を用いた実装方式が採用されている。特に、電子機器の軽薄短小化に伴って、電子部品をより高い密度で実装すると共に、電子部品の信頼性を向上させるために、実装する電子部品の大きさにほぼ対応した大きさの基板のほぼ全面に外部接続端子を配置した、ＣＳＰ、ＢＧＡ、μ−ＢＧＡなどの使用頻度が高くなってきている。
【０００３】
このフレキシブル配線基材は、例えば、次のようにして製造されている。すなわち、まず、例えばポリイミドフィルムなどの絶縁基材フィルムに銅箔を貼着し、この銅箔表面にフォトレジストを塗布して、このフォトレジスト層を形成しようとする配線パターン以外の部分を露光し、露光されたフォトレジスト層を除去する。次いで、フォトレジスト層が除去された部分の銅箔をエッチングにより除去し、さらにフォトレジスト層を除去することにより配線パターンを形成する。こうして配線パターンを形成した電子部品実装用フィルムキャリアテープに、インナーリードやハンダボール端子などの接続部分を除いて回路の保護層となるソルダーレジストを塗布する。このようにしてソルダーレジストを塗布した後、露出する部分である接続端子部分にスズメッキ層を形成し、さらに、ニッケル−金メッキ層などを形成する。また、電子部品の実装方式によっては、ニッケル−金メッキ層の代わりにスズ−鉛合金が用いられる場合があるが、この場合、国際的な鉛フリー化によって、近年、スズ−鉛合金の代わりにスズ−ビスマス合金等が用いられている。
【０００４】
例えば、スズ−ビスマス合金等の鉛フリーのスズ合金メッキ皮膜を形成するメッキ浴及び皮膜を設けた電子部品が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
【特許文献１】
特開平１１−２１６７３号公報
【特許文献２】
特開平６−３４２９６９号公報
【特許文献３】
特開２０００−３６５２１号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、スズ−ビスマス合金メッキを施す場合、ソルダーレジスト近傍にスズ−ビスマス合金メッキが析出異常するという問題がある。これは、ソルダーレジスト層の周縁部がメッキ前又はメッキ中に剥がれ、剥がれた領域にスズ−ビスマス合金メッキが覆い被さるように析出することが原因であることがわかった。
【０００７】
このような析出異常は、配線パターンの端子同士を短絡させたり、析出異常層が剥落して他の部分に付着して短絡させたりするという品質上の重大な問題の原因となる。また、この問題は配線パターンのファインピッチ化及び鉛フリー化によるスズ−ビスマス合金メッキの採用増に伴い、益々大きな問題となる。
【０００８】
ここで、メッキ後、特に、スズメッキ後に、ソルダーレジストを設ける点が開示されている（例えば、特許文献２参照）。また、パターン全体に銅が拡散したスズメッキ層を形成し、ソルダーレジスト層を形成した後、銅を含有しないスズメッキ層を設けるという構成が開示されている（例えば、特許文献３参照）。
【０００９】
しかしながら、これらの公知文献には、スズ−ビスマス合金メッキの析出異常についての問題、及びその解決については何も触れられていない。
【００１０】
本発明は、このような事情に鑑み、ソルダーレジスト層の剥離を防止してスズ−ビスマス合金メッキの析出異常を防止したフレキシブル配線基材及びその製造方法を提供することを課題とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決する本発明の第１の態様は、絶縁基材と、この絶縁基材の一方面に形成された配線パターンと、この配線パターンの少なくとも端子部を除く表面を被覆するソルダーレジスト層とを具備し、前記ソルダーレジスト層で覆われていない配線パターンの少なくとも一部の最表面にはスズ−ビスマス合金メッキ層が設けられたフレキシブル配線基材において、前記配線パターンは、導体からなるベース層上に、ソルダーレジスト層で覆われる領域及び覆われない領域に亘って第１のスズメッキ層を具備することを特徴とするフレキシブル配線基材にある。
【００１２】
かかる第１の態様では、ソルダーレジスト層の周縁部に下層として第１のスズメッキ層を有するので、ソルダーレジスト層の剥離が防止され、スズ−ビスマス合金メッキの析出異常が生じない。
【００１３】
本発明の第２の態様は、第１の態様において、前記配線パターンの前記ソルダーレジスト層で覆われていない領域には、前記第１のスズメッキ層上に第２のスズメッキ層が設けられ、当該第２のスズメッキ層上の少なくとも一部の領域に前記スズ−ビスマス合金メッキ層を有することを特徴とするフレキシブル配線基材にある。
【００１４】
かかる第２の態様では、ソルダーレジスト層に覆われていない第１のスズメッキ層上に第２のスズメッキ層を設ける際にソルダーレジスト層の剥離が発生せず、スズ−ビスマス合金メッキの析出異常が生じない。
【００１５】
本発明の第３の態様は、第１又は２の態様において、前記第１のスズメッキ層は、０．００１μｍ〜０．６μｍの厚さを有することを特徴とするフレキシブル配線基材にある。
【００１６】
かかる第３の態様では、０．００１μｍ〜０．６μｍの厚さの第１のスズメッキ層により、スズ−ビスマス合金メッキの析出異常が防止される。
【００１７】
本発明の第４の態様は、第１又は２の態様において、前記第１のスズメッキ層は、０．００１μｍ〜０．２μｍの厚さを有することを特徴とするフレキシブル配線基材にある。
【００１８】
かかる第４の態様では、０．００１μｍ〜０．２μｍの厚さの第１のスズメッキ層により、スズ−ビスマス合金メッキの析出異常が防止される。
【００１９】
本発明の第５態様は、第４の態様において、前記第１のスズメッキ層は、前記ソルダーレジスト層の成形前には加熱処理されていないことを特徴とするフレキシブル配線基材にある。
【００２０】
かかる第５の態様では、第１のスズメッキ層が０．００１μｍ〜０．２μｍと薄いので、ソルダーレジスト層を設ける前に加熱処理をしなくても、ウィスカーを発生する虞がない。
【００２１】
本発明の第６の態様は、第１〜５の何れかの態様において、前記配線パターンは、パターニングされた銅層及びこの上に形成された第１のスズメッキ層を有することを特徴とするフレキシブル配線基材にある。
【００２２】
かかる第６の態様では、パターニングされた銅層上に設けられた第１のスズメッキ層により、スズ−ビスマス合金メッキの析出異常が防止される。
【００２３】
本発明の第７の態様は、絶縁基材と、この絶縁基材の一方面に形成された配線パターンと、この配線パターンの端子部を除く表面を被覆するソルダーレジスト層とを具備し、前記ソルダーレジスト層で覆われていない配線パターンの少なくとも一部の最表面にはスズ−ビスマス合金メッキ層が設けられたフレキシブル配線基材を製造する方法において、導体層をパターニングすることにより前記配線パターンのベース層を形成する工程と、このベース層上に第１のスズメッキ層を形成する工程と、この第１のスズメッキ層の一部を露出させて覆うようにソルダーレジスト層を形成する工程と、前記ソルダーレジスト層で覆われていない前記第１のスズメッキ層上へ第２のスズメッキ層を形成する工程と、この第２のスズメッキ層を形成した領域の少なくとも一部にスズ−ビスマス合金メッキ層を設ける工程とを具備することを特徴とするフレキシブル配線基材の製造方法にある。
【００２４】
かかる第７の態様では、ソルダーレジスト層の下地として第１のスズメッキ層を形成し、ソルダーレジスト層を設けた後、第２のスズメッキ層及びスズ−ビスマス合金メッキ層を設けるので、ソルダーレジスト層の剥離が防止され、スズ−ビスマス合金メッキの析出異常が防止される。
【００２５】
本発明の第８の態様は、第７の態様において、前記第１のスズメッキ層を０．００１μｍ〜０．６μｍの厚さに形成することを特徴とするフレキシブル配線基材の製造方法にある。
【００２６】
かかる第８の態様では、０．００１μｍ〜０．６μｍの厚さの第１のスズメッキ層によりスズ−ビスマス合金メッキの析出異常が防止される。
【００２７】
本発明の第９の態様は、第７の態様において、前記第１のスズメッキ層を０．００１μｍ〜０．２μｍの厚さに形成する工程の後、加熱処理することなく、前記ソルダーレジスト層を形成する工程を行うことを特徴とするフレキシブル配線基材の製造方法にある。
【００２８】
かかる第９の態様では、第１のスズメッキ層が０．００１μｍ〜０．２μｍと薄いので、ソルダーレジスト層を設ける前に加熱処理をしなくても、ウィスカーを発生する虞がない。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施形態に係るフレキシブル配線基材をその製造方法及び使用例と共に説明する。勿論、本発明はこれに限定されるものでないことはいうまでもない。
【００３０】
図１には実施形態１に係るフレキシブル配線基材の概略平面、図２には電子部品を実装した状態のＡ−Ａ′断面を示す。
【００３１】
図１及び図２に示すように、本実施形態のフレキシブル配線基材１０は、ＴＡＢテープであり、テープ状の絶縁フィルム１１の一方面に、複数の配線パターン１２が連続的に形成されている。絶縁フィルム１１は、幅方向両側に移送用のスプロケット孔１３を一定間隔で有し、一般的には、移送されながらＩＣ等の電子部品３０が実装され、電子部品３０実装後、各配線パターン１２毎に切断される。このようなフレキシブル配線基材１０は、電子部品３０が実装された後、各配線パターン１２毎に切断される場合と、各配線パターン１２毎に切断された後、電子部品３０が実装される場合がある。なお、テープ状の状態の場合も、各配線パターン１２毎に切断した場合も、フレキシブル配線基材１０であり、電子部品３０の実装の有無も問わない。
【００３２】
また、絶縁フィルム１１の幅方向両端部には、スプロケット孔１３が設けられているが、絶縁フィルム１１にスプロケット孔１３と共に位置合わせのための貫通孔、不良パッケージ表示、パッケージ外形などの種々の目的に合わせた貫通孔が形成されていてもよい。
【００３３】
配線パターン１２は、実装する電子部品３０と接続するデバイス側接続端子１４と、外部と接続する入力側外部接続端子１５及び出力側外部接続端子１６とを具備し、これらを除く領域が、ソルダーレジスト層１７によって覆われている。
【００３４】
ここで、絶縁フィルム１１としては、可撓性を有すると共に耐薬品性及び耐熱性を有する材料を用いることができる。かかる絶縁フィルム１１の材料としては、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド等を挙げることができ、特に、ビフェニル骨格を有する全芳香族ポリイミド（例えば、商品名：ユーピレックス；宇部興産（株））が好ましい。なお、絶縁フィルム１１の厚さは、一般的には、２５〜１２５μｍ、好ましくは、５０〜７５μｍである。
【００３５】
このような絶縁フィルム１１は、配線パターン１２の所定の領域にデバイスホール１８がパンチングにより形成されている。配線パターン１２のデバイス側接続端子１４は、デバイスホール１８の縁部からデバイスホール１８内に突出するように設けられており、このデバイス側接続端子１４には、例えば、金（Ａｕ）からなるバンプ３１を介して電子部品３０が接続されている。詳しくは、電子部品３０は、デバイスホール１８よりも小さな外形を有し、電子部品３０の電極３２に施されたバンプ３１を介してデバイスホール１８内に突出したデバイス側接続端子１４と電気的に接続されている。
【００３６】
配線パターン１２は、絶縁フィルム１１に形成されたデバイスホール１８及びスプロケット孔１３などが形成された一方の面に、一般的には、銅やアルミニウムからなる導電体箔などの導体層２０をパターニングしたベース層２１を具備する。このようなベース層２１となる導体層２０は、絶縁フィルム１１上に直接積層しても、接着剤層を介して熱圧着等により形成してもよい。導体層２０の厚さは、例えば、６〜７０μｍ、好ましくは、８〜３５μｍである。導電体箔からなる導体層２０としては、銅箔が好ましい。
【００３７】
なお、絶縁フィルム１１上に導電体箔を設けるのではなく、導電体箔に、例えば、ポリイミド前駆体を塗布し、焼成してポリイミドフィルムからなる絶縁フィルムとすることもできる。
【００３８】
また、絶縁フィルム１１上に設けられた導体層２０は、フォトリソグラフィー法により、デバイス側接続端子１４、入力側外部接続端子１５及び出力側外部接続端子１６を含むベース層２１としてパターニングされる。すなわち、フォトレジストを塗布した後、フォトレジスト層をフォトマスクを介してエッチング液で化学的に溶解（エッチング処理）して除去し、さらにフォトレジスト層をアルカリ液等にて溶解除去することにより導電体箔をパターニングしてベース層２１とする。
【００３９】
なお、絶縁フィルム１１上の幅方向両側には、ベース層２１に連続して、入力側外部接続端子１５及び出力側外部接続端子１６のそれぞれに亘ってメッキリード２２及びこれらを相互に導通する導通部２３がパターニングされている。これらは後述するメッキ時に使用されるもので、その後、除去できる領域に形成されている。
【００４０】
次いで、このようにエッチングによりパターニングされたベース層２１上には、全面に亘って第１のスズメッキ層２４が形成される。ここで、第１のスズメッキ層２４は、０．００１μｍ以上、好ましくは０．００１μｍ〜０．６μｍの厚さを有するものであればよく、その形成方法等は限定されない。好適には、厚さ０．００１μｍ〜０．２μｍ、より好ましくは０．０１μｍ〜０．０９μｍの、いわゆるフラッシュスズメッキ層とすればよいが、これに限定されるものではない。なお、フラッシュスズメッキ層は、無電解メッキ又は電解メッキで形成される。
【００４１】
ここで、第１のスズメッキ層２４を、０．００１μｍ〜０．２μｍと薄いメッキ層とすることにより、加熱処理をして銅を拡散させなくてもウィスカーの発生の虞がない。なお、この後のソルダーレジスト層を形成する際の加熱処理により、第１のスズメッキ層２４には最終的には銅が拡散していると推定されるが、ソルダーレジスト層を設ける前に、例えば、８０〜１５０℃で加熱処理を行う必要がないという利点がある。
【００４２】
次に、このようにパターニングされたベース層２１及び第１のスズメッキ層２４上に、ソルダーレジスト材料塗布液が塗布され、所定のパターニングにより、ソルダーレジスト層１７が形成される。
【００４３】
さらに、ソルダーレジスト層１７により覆われていない第１のスズメッキ層２４上、すなわち、デバイス側接続端子１４、入力側外部接続端子１５及び出力側外部接続端子１６上には、第２のスズメッキ層２５が形成され、さらに、スズ−ビスマス合金メッキ層２６が形成される。具体的には、デバイス側接続端子１４及び出力側外部接続端子１６上には、第１のスズメッキ層２４上に第２のスズメッキ層２５のみが設けられ、入力側外部接続端子１５上には、第１のスズメッキ層２４上に第２のスズメッキ層２５が設けられ、さらにこの上にスズ−ビスマス合金メッキ層２６が設けられる。
【００４４】
本実施形態では、第２のスズメッキ層２５は無電解メッキで形成した。例えばこのメッキは、硫酸液、過硫酸カリ液などでメッキ前処理した後、ホウフッ化スズ浴を用いて行えばよい。なお、無電解メッキでなく、後述するような電解メッキで形成してもよい。
【００４５】
このような第２のスズメッキ層２５を形成した後、幅方向一方側の入力側外部接続端子１５に形成するスズ−ビスマス合金メッキ層２６は、電解スズ系合金メッキ方法により形成した。このようなスズ−ビスマス合金メッキ層２６を形成する方法を実施するためのメッキ装置の一例を図３及び図４を参照しながら説明する。
【００４６】
図３及び図４に示すように、メッキ装置４０は、メッキ液４１を保持するメッキ槽４２と、このメッキ槽４２内に設けられてアノードを構成する電極４３とを有する。
【００４７】
また、メッキ槽４２は、本実施形態のフレキシブル配線基材１０となる連続する絶縁フィルム１１、すなわち、表面にベース層２１上に第１のスズメッキ層２４及び第２のスズメッキ層２５が設けられた連続する絶縁フィルム１１が、その内部で起立した状態でメッキ液４１中に浸漬されながら、図示しない搬送手段によって連続的に搬送されるように、略矩形断面形状で長手方向に延びる樋形状に構成されている。すなわち、メッキ槽４２の長手方向両側の壁４２ａに、それぞれスリット部４２ｂが設けられており、絶縁フィルム１１は、このメッキ槽４２の長手方向一方の壁４２ａに設けられたスリット部４２ｂからメッキ槽４２内の幅方向ほぼ中央部を長手方向に搬送され、他方の壁４２ａに設けられたスリット部４２ｂを介してメッキ槽４２の外側に搬送されるようになっている。なお、このメッキ槽４２には、図示しない循環装置によって新しいメッキ液が供給されるようになっており、液面の高さは常に一定の位置に保持されている。
【００４８】
メッキ装置４０では、陰極（カソード）は、フレキシブル配線基材１０の配線パターン１２のベース層２１を構成する導体層２０であり、この導体層２０は、メッキリード２２を介して、例えば、メッキ槽４２の外側に設けられるロール状の接触部材４５に導通し、接触部材４５はそれぞれ電源４６に接続されている。ここで、電源４６は、電極４３と接触部材４５との間にパルス電圧などの電圧を印加するもので、例えば、直流電源４７とチョッパ４８とを具備するものである。勿論、電源４６はこれに限定されるものではないことはいうまでもない。
【００４９】
このようなメッキ装置４０を用いることにより、フレキシブル配線基材１０の幅方向一方側のみにスズ−ビスマス合金メッキ層２６を容易に設けることができるが、勿論、これに限定されず、例えば、メッキしない領域をマスキングしてメッキを施してもよい。また、スズ−ビスマス合金メッキ層２６を全面に設ける場合もあることはいうまでもない。
【００５０】
なお、本実施形態では、スズ−ビスマス合金メッキ層２６は、スズ−ビスマス合金（ビスマス濃度が５〜２０％程度）により形成した。スズ−ビスマス合金は、鉛フリーの半田として有望なものであり、ビスマス濃度を５〜２０％と高濃度とすることにより、鉛半田と同等の融点を有するメッキ層を得ることができる。
【００５１】
また、このようなスズ−ビスマス合金メッキを施すメッキ装置４０では、メッキ液４１のビスマスがスズ−ビスマス合金メッキ層２６として析出されるため、常に一定のビスマス濃度のスズ−ビスマス合金メッキ層２６を形成するにはメッキ液４１にビスマス化合物を補充する必要がある。このビスマス化合物としては、例えば、アルカンスルホン酸系またはアルカノールスルホン酸系の３価のビスマス化合物を挙げることができる。このようなビスマス化合物をメッキ液４１中に補充することにより、一定のビスマス濃度（約５〜２０％）の組成であるスズ−ビスマス合金メッキ層２６を容易に形成することができる。
【００５２】
なお、以上説明した実施形態では、第１のスズメッキ層２４上に第２のスズメッキ層２５を設け、一部にスズ−ビスマス合金メッキ層２６を設けたがスズ−ビスマス合金メッキ層２６を第２のスズメッキ層２５上の全面に設けてもよい。
【００５３】
また、第２のスズメッキ層２５は必ずしも設ける必要はなく、第１のスズメッキ層２４のソルダーレジスト層１７で覆われていない領域の全面又は一部の領域に、スズ−ビスマス合金メッキ層２６を直接設けてもよい。
【００５４】
何れの場合も、第１のスズメッキ層２４がソルダーレジスト層１７で覆われる領域及び覆われない領域に亘って設けられているので、スズ−ビスマス合金メッキ層２６を設ける際の異常析出が防止される。
【００５５】
なお、本実施形態では、フレキシブル配線基材１０としてＴＡＢテープを例示したが、勿論、これに限定されず、本発明をＴ−ＢＧＡ（Ｔａｐｅ  Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）テープ、テープＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）、ＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  Ｓｐｅｃｉｆｉｃ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）テープなどの各種半導体パッケージ等に適用できることはいうまでもない。
【００５６】
また、上述したように、ソルダーレジスト層１７を設ける前に形成される下地である第１のスズメッキ層２４は、上述したように薄く設けるので、特に無電解メッキで形成すると、製造工程上の負担も少ない。一方、例えば、第１のスズメッキ層２４を設ける代わりに、ソルダーレジスト層１７の境界に異常析出するスズ−ビスマス合金メッキ層２６を設けることも考えられるが、電解メッキで形成する必要があるため、工程が複雑化し、また、スズ−ビスマスの共晶点が１３９℃と小さいので、ボンディング時にソルダーレジスト層１７がずれる虞がある。
【００５７】
（実施例１）
上述したようなＴＡＢテープであるフレキシブル配線基材１０の配線パターン１２を銅箔からなるベース層２１上に、０．３μｍ厚の第１のスズメッキ層２４を設け、加熱処理後、デバイス側接続端子１４、入力側外部接続端子１５及び出力側外部接続端子１６上以外の部分にソルダーレジスト層１７を設けた後にキュアし、その後、デバイス側接続端子１４、入力側外部接続端子１５及び出力側外部接続端子１６上に、無電解メッキにより、０．５０μｍ厚の第２のスズメッキ層２５を設けた。
【００５８】
さらに、第２のスズメッキ層２５の全面に亘ってスズ−ビスマス合金（ビスマス１６重量％）からなる、６μｍ厚のスズ−ビスマス合金メッキ層２６を形成した。
【００５９】
このように形成したスズ−ビスマス合金メッキ層２６のソルダーレジスト層１７周縁部近傍を顕微鏡で観察した結果、スズ−ビスマス合金の析出異常は観察できなかった。また、ここでは、ソルダーレジスト層１７を設ける前に加熱処理したので、ウィスカーの発生はなかった。
【００６０】
（実施例２）
ベース層２１上に０．０５μｍ厚の第１のスズメッキ層２４を設けた後、加熱処理しない以外は実施例１と同様に行った。
【００６１】
このように形成したスズ−ビスマス合金メッキ層２６のソルダーレジスト層１７周縁部近傍を顕微鏡で観察した結果、スズ−ビスマス合金の析出異常は観察できなかった。また、ここでは、ソルダーレジスト層１７を設ける前に加熱処理しなかったが、第１のスズメッキ層２４の厚さが０．０５μｍと薄いためウィスカーの発生はなかった。
【００６２】
（実施例３）
第２のスズメッキ層２５を設けないで第１のスズメッキ層２４上の全面に亘ってスズ−ビスマス合金（ビスマス１６重量％）からなる、６μｍ厚のスズ−ビスマス合金メッキ層２６を形成した以外は、実施例２と同様に行った。
【００６３】
このように形成したスズ−ビスマス合金メッキ層２６のソルダーレジスト層１７周縁部近傍を顕微鏡で観察した結果、スズ−ビスマス合金の析出異常は観察できなかった。また、実施例２と同様に、ウィスカーの発生はなかった。
【００６４】
（実施例４）
スズ−ビスマス合金メッキ層２６を、上述したメッキ装置４０を用いて、幅方向一方側の入力側外部接続端子１５及び出力側外部接続端子１６のみに形成した以外は、実施例２と同様に行った。
【００６５】
このように形成したスズ−ビスマス合金メッキ層２６のソルダーレジスト層１７周縁部近傍を顕微鏡で観察した結果、スズ−ビスマス合金の析出異常は観察できなかった。また、実施例２と同様に、ウィスカーの発生はなかった。
【００６６】
（実施例５）
スズ−ビスマス合金メッキ層２６を、上述したメッキ装置４０を用いて、幅方向一方側の入力側外部接続端子１５及び出力側外部接続端子１６のみに形成した以外は、実施例３と同様に行った。
【００６７】
このように形成したスズ−ビスマス合金メッキ層２６のソルダーレジスト層１７周縁部近傍を顕微鏡で観察した結果、スズ−ビスマス合金の析出異常は観察できなかった。また、実施例３と同様に、ウィスカーの発生はなかった。
【００６８】
（比較例１）
実施例１で、ベース層２１上に第１のスズメッキ層２４を設けないで、ソルダーレジスト層１７を設けた以外は、同様に行った。
【００６９】
このように形成したスズ−ビスマス合金メッキ層２６のソルダーレジスト層１７周縁部近傍を顕微鏡で観察した結果、析出異常が観察され、端子同士のショートが観察された。
【００７０】
（比較例２）
実施例２で、ベース層２１上に第１のスズメッキ層２４を設けないで、ソルダーレジスト層１７を設けた以外は、同様に行った。
【００７１】
このように形成したスズ−ビスマス合金メッキ層２６のソルダーレジスト層１７周縁部近傍を顕微鏡で観察した結果、析出異常が観察され、端子同士のショートが観察された。
【００７２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、絶縁基材と、この絶縁基材の一方面に形成された配線パターンと、この配線パターンの少なくとも端子部を除く表面を被覆するソルダーレジスト層とを具備し、前記ソルダーレジスト層で覆われていない配線パターンの少なくとも一部の最表面にはスズ−ビスマス合金メッキ層が設けられたフレキシブル配線基材において、前記配線パターンが導体からなるベース層上にソルダーレジスト層で覆われる領域及び覆われない領域に亘って第１のスズメッキ層を具備するようにしたので、スズ−ビスマス合金メッキの析出異常を防止したフレキシブル配線基材及びその製造方法を提供することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１には本発明の実施形態１に係るフレキシブル配線基材の概略平面図である。
【図２】図１のフレキシブル配線基材に電子部品を実装した状態のＡ−Ａ′断面図である。
【図３】本発明の電解スズ系合金メッキ方法を実施するためのメッキ装置を示す概略斜視図である。
【図４】本発明の電解スズ系合金メッキ方法を実施している様子を示す概略図である。
【符号の説明】
１０  フレキシブル配線基材
１１  絶縁フィルム
１２  配線パターン
１３  スプロケット孔
１４  デバイス側接続端子
１５  入力側外部接続端子
１６  出力側外部接続端子
１７  ソルダーレジスト層
２０  導体層
２１  ベース層
２４  第１のスズメッキ層
２５  第２のスズメッキ層
２６  スズ−ビスマス合金メッキ層
【図１】
0003562810.tif 000002
【図２】
0003562810.tif 000003
【図３】
0003562810.tif 000004
【図４】
0003562810.tif 000005