(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の構造によって表される化合物：
【化１】
0003593051.tif 000004
（Ｍ及びＭ’は、それぞれ金属；
Ｘ及びＸ’は、それぞれＮ又はＯ；
Ｙ及びＹ’は、それぞれＳｉ、Ｃ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｂ、又はＡｌ；
Ｚ及びＺ’は、それぞれＣ、Ｎ又はＯ；
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ１’及びＲ２’は、それぞれ独立に、Ｈ、アルキル、アルケニル、アルキニル、部分的にフッ素化したアルキル、アリール、アルキル置換アリール、部分的にフッ素化したアリール、フルオロアルキル置換アリール、トリアルキルシロキシ、トリアリールシロキシ、トリアルキルシリル、又はトリアリールシリル；
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ３’及びＲ４’は、それぞれ独立に、Ｈ、アルキル、部分的にフッ素化したアルキル、トリアルキルシロキシ、アリール、アルキル置換アリール、部分的にフッ素化したアリール、フルオロアルキル置換アリール、アルコキシ、トリアルキルシロキシ、トリアリールシロキシ、トリアルキルシリル、トリアリールシリル、ビス（トリアルキルシリル）アミド、ビス（トリアリールシリル）アミド、又はハロゲン；且つ
Ｒ５、Ｒ６、Ｒ５’及びＲ６’は、それぞれ独立に、Ｈ、アルキル、アルケニル、アルキニル、部分的にフッ素化したアルキル、アリール、アルキル置換アリール、部分的にフッ素化したアリール、フルオロアルキル置換アリール、ハロゲン、トリアルキルシロキシ、トリアリールシロキシ、トリアルキルシリル、トリアリールシリル、トリアルキルシラノエート、又はアルコキシ；
但し、Ｘ及びＸ’がそれぞれＯである場合、Ｒ２及びＲ２’の置換が存在せず；
また、Ｚ及びＺ’がそれぞれＯである場合、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ５’及びＲ６’の置換が存在せず；
前記アルキル及びアルコキシドの炭素数は１〜８；前記アルケニル及びアルキニルの炭素数は２〜８；且つ前記アリールの炭素数は６）。
【請求項２】
Ｍ及びＭ’がそれぞれＣｕである、請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
Ｘ及びＸ’がそれぞれＮである、請求項１に記載の化合物。
【請求項４】
Ｙ及びＹ’がそれぞれＳｉである、請求項３に記載の化合物。
【請求項５】
Ｚ及びＺ’がそれぞれＣである、請求項４に記載の化合物。
【請求項６】
下記の構造によって表される化合物：
【化２】
0003593051.tif 000005
（Ｍ及びＭ’は、それぞれＣｕ；
Ｘ及びＸ’は、それぞれＮ；
Ｙ及びＹ’は、それぞれＳｉ；
Ｚ及びＺ’は、それぞれＣ；
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ１’及びＲ２’は、それぞれ独立に、アルキル、アルケニル、アルキニル、部分的にフッ素化したアルキル、アリール、アルキル置換アリール、部分的にフッ素化したアリール、又はフルオロアルキル置換アリール；
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ３’及びＲ４’は、それぞれ独立に、Ｃ１〜Ｃ８のアルキル、部分的にフッ素化したアルキル、トリアルキルシロキシ、アリール、アルキル置換アリール、部分的にフッ素化したアリール、フルオロアルキル置換アリール、アルコキシ、又はハロゲン；且つ
Ｒ５、Ｒ６、Ｒ５’及びＲ６’のそれぞれは、独立に、Ｈ、アルキル、アルケニル、アルキニル、部分的にフッ素化したアルキル、アリール、アルキル置換アリール、部分的にフッ素化したアリール、フルオロアルキル置換アリール、ハロゲン、トリアルキルシリル、トリアリールシリル、トリアルキルシラノエート、又はアルコキシ；
前記アルキル及びアルコキシドの炭素数は１〜８；前記アルケニル及びアルキニルの炭素数は２〜８；且つ前記アリールの炭素数は６）。
【請求項７】
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ１’、Ｒ２’、Ｒ３’及びＲ４’がそれぞれメチル；Ｒ５、Ｒ６、Ｒ５’及びＲ６’がそれぞれＨである、請求項６に記載の化合物。
【請求項８】
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ１’、Ｒ２’、Ｒ３’及びＲ４’がそれぞれメチル；Ｒ５及びＲ５’がそれぞれトリメチルシリル；且つＲ６及びＲ６’がそれぞれＨである、請求項６に記載の化合物。
【請求項９】
（ａ）金属基材、金属含有基材、メタロイド基材、又はメタロイド含有基材の表面を適当な反応体と反応させて、ヒドロキシルＯＨ又は酸化物酸素を有する表面を与えること、
（ｂ）下記の構造［１］の金属錯体を含む組成物の層を、ヒドロキシルＯＨ又は酸化物酸素を有する前記表面に化学吸着させて、新しい金属官能化表面を作ること：
【化３】
0003593051.tif 000006
（Ｍ及びＭ’は、それぞれ金属；
Ｘ及びＸ’は、それぞれＮ又はＯ；
Ｙ及びＹ’は、それぞれＳｉ、Ｃ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｂ、又はＡｌ；
Ｚ及びＺ’は、それぞれＣ、Ｎ又はＯ；
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ１’及びＲ２’は、それぞれ独立に、Ｈ、アルキル、アルケニル、アルキニル、部分的にフッ素化したアルキル、アリール、アルキル置換アリール、部分的にフッ素化したアリール、フルオロアルキル置換アリール、トリアルキルシロキシ、トリアリールシロキシ、トリアルキルシリル、又はトリアリールシリル；
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ３’及びＲ４’は、それぞれ独立に、Ｈ、アルキル、部分的にフッ素化したアルキル、トリアルキルシロキシ、アリール、アルキル置換アリール、部分的にフッ素化したアリール、フルオロアルキル置換アリール、アルコキシ、トリアルキルシロキシ、トリアリールシロキシ、トリアルキルシリル、トリアリールシリル、ビス（トリアルキルシリル）アミド、ビス（トリアリールシリル）アミド、又はハロゲン；且つ
Ｒ５、Ｒ６、Ｒ５’及びＲ６’は、それぞれ独立に、Ｈ、アルキル、アルケニル、アルキニル、部分的にフッ素化したアルキル、アリール、アルキル置換アリール、部分的にフッ素化したアリール、フルオロアルキル置換アリール、ハロゲン、トリアルキルシロキシ、トリアリールシロキシ、トリアルキルシリル、トリアリールシリル、トリアルキルシラノエート、又はアルコキシ；
但し、Ｘ及びＸ’がそれぞれＯである場合、Ｒ２及びＲ２’の置換が存在せず；
また、Ｚ及びＺ’がそれぞれＯである場合、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ５’及びＲ６’の置換が存在せず；
前記アルキル及びアルコキシドの炭素数は１〜８；前記アルケニル及びアルキニルの炭素数は２〜８；且つ前記アリールの炭素数は６）；
（ｃ）前記新しい金属官能化表面を酸化又はヒドロキシル化して、金属酸化物層を作ること、
（ｄ）化学的に還元することができる所定の厚さに要求される数の金属酸化物層を作るのに必要なようにして、上述の工程（ｂ）及び（ｃ）を繰り返すこと、
（ｅ）前記金属酸化物層を還元して、滑らかな金属フィルムを作ること、及び
（ｆ）随意に工程（ａ）〜（ｅ）を繰り返して、比較的厚い金属フィルムを成長させること、
を含む、原子層堆積条件において、基材上に金属又は金属含有物のフィルムを作る方法。
【請求項１０】
前記基材がケイ素又はゲルマニウムである、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
Ｍ及びＭ’が、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ及びＩｒからなる群より選択される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
Ｍ及びＭ’がそれぞれＣｕである、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
Ｘ及びＸ’がそれぞれＮである、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
Ｙ及びＹ’がそれぞれＳｉである、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
Ｚ及びＺ’がそれぞれＣである、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
１よりも多い層がある場合に、Ｍ及びＭ’がそれぞれの層で異なる金属である、請求項１０に記載の方法。
【請求項１７】
工程（ｂ）で示した前記組成物が、金属β−ジケトネート、金属アルコキシド、金属アミド、金属ビス（アルコキシド）、金属ビス（β−ケトネート）、金属ビス（β−ケトイミド）、金属（β−ジイミド）、及び金属（アミジネート）からなる群より選択される他の金属先駆物質も含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１８】
基材にフィルムを堆積させるのに十分な化学気相堆積条件において、下記の構造で示される先駆物質を反応させることを含む、金属又は金属含有物のフィルムの製造方法：
【化４】
0003593051.tif 000007
（Ｍ及びＭ’は、それぞれ金属；
Ｘ及びＸ’は、それぞれＮ又はＯ；
Ｙ及びＹ’は、それぞれＳｉ、Ｃ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｂ、又はＡｌ；
Ｚ及びＺ’は、それぞれＣ、Ｎ又はＯ；
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ１’及びＲ２’は、それぞれ独立に、Ｈ、アルキル、アルケニル、アルキニル、部分的にフッ素化したアルキル、アリール、アルキル置換アリール、部分的にフッ素化したアリール、フルオロアルキル置換アリール、トリアルキルシロキシ、トリアリールシロキシ、トリアルキルシリル、又はトリアリールシリル；
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ３’及びＲ４’は、それぞれ独立に、Ｈ、アルキル、部分的にフッ素化したアルキル、トリアルキルシロキシ、アリール、アルキル置換アリール、部分的にフッ素化したアリール、フルオロアルキル置換アリール、アルコキシ、トリアルキルシロキシ、トリアリールシロキシ、トリアルキルシリル、トリアリールシリル、ビス（トリアルキルシリル）アミド、ビス（トリアリールシリル）アミド、又はハロゲン；且つ
Ｒ５、Ｒ６、Ｒ５’及びＲ６’は、それぞれ独立に、Ｈ、アルキル、アルケニル、アルキニル、部分的にフッ素化したアルキル、アリール、アルキル置換アリール、部分的にフッ素化したアリール、フルオロアルキル置換アリール、ハロゲン、トリアルキルシロキシ、トリアリールシロキシ、トリアルキルシリル、トリアリールシリル、トリアルキルシラノエート、又はアルコキシ；
但し、Ｘ及びＸ’がそれぞれＯである場合、Ｒ２及びＲ２’の置換が存在せず；
また、Ｚ及びＺ’がそれぞれＯである場合、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ５’及びＲ６’の置換が存在せず；
前記アルキル及びアルコキシドの炭素数は１〜８；前記アルケニル及びアルキニルの炭素数は２〜８；且つ前記アリールの炭素数は６）。
【請求項１９】
Ｍ及びＭ’が、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｏｓ及びＩｒからなる群より選択される、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
Ｍ及びＭ’がそれぞれＣｕである、請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】
Ｘ及びＸ’がそれぞれＮである、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
Ｙ及びＹ’がそれぞれＳｉである、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
Ｚ及びＺ’がそれぞれＣである、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
Ｍ及びＭ’がそれぞれ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、又はＲｕである、請求項１８に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
現在、半導体産業は、マイクロプロセッサー分野の現在の技術である銅相互接続を使用している。これらの埋め込まれた微細な金属線は３次元の格子を作り、この上で、マイクロプロセッサーの心臓部である数百万のトランジスターが連結し合って、複雑な計算を行っている。銅の伝導性は優れており、それによって電流伝導能力が比較的大きい比較的高速度の相互接続を提供するので、従来使用されていたアルミニウムよりも銅が選択されている。これらの相互接続経路は、ダマシンプロセスによって作る。これによれば、フォトリソグラフィーによってパターンを付けてエッチングした誘電絶縁体のトレンチ（及びバイア）を、拡散バリアー材料の薄いコンフォーマル（適合）層でコーティングし（銅のためには、この層は通常タンタル又は窒化タンタル）、そして純粋な銅で構造を完全に満たす。過剰な銅は、その後、化学機械研磨プロセスによって除去する。充填する最も小さい構造は、幅が０．２μｍ未満で深さが１μｍよりも深いことがあるので、使用する銅金属化技術は、完成した製品に電気的な欠陥をもたらすことがある空隙なく、これらの深くエッチングされた特徴を等しく満たせることが重要である。銅の化学気相堆積（ＣＶＤ）は、そのような構造の「隙間充填」能力によってよく知られている技術である。このプロセスでは、銅を含む揮発性有機金属種の蒸気を、金属化する表面に導き、この表面上で、銅のみを表面に堆積させる化学反応を起こさせる。銅は蒸気で輸送するので、垂直及び水平表面の両方に等しく接近して、非常に均一に分布したフィルムをもたらす。銅ＣＶＤのための多くの先駆物質が既知である。最も好ましいものは、高度に揮発性で、純粋な銅フィルムを与え、且つ反応容器は又は拡散バリアー表面に汚染化学種を導入しないものである。現在、銅ＣＶＤに関する最も大きな問題は、タンタルに基づく拡散バリアー層との不十分な付着性であり、これは、化学機械研磨の間に銅フィルムの剥離をもたらす。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
ＣＶＤ銅先駆物質は、以下の３つの大きな分類に分けることができる。
【０００３】
１．Ｃｕ（ｈｆａｃ）Ｌタイプの先駆物質を使用するＣＶＤ銅
ここで、（ｈｆａｃ）は、１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ−２，４−ペンタンジオネートアニオンを示しており、（Ｌ）は、中性安定化配位子、通常はオレフィン、アルキン、又はトリアルキルホスフィンを示している。
【０００４】
これらの化合物の多くは揮発性液体であり、最もよく知られているのは化合物Ｃｕ（ｈｆａｃ）ｔｍｖｓ（ｔｍｖｓはトリメチルビニルシラン）で、これは商業的にはＣｕｐｒａＳｅｌｅｃｔ（商標）として知られている（Ａｉｒ  Ｐｒｏｄｕｃｔｓ  ａｎｄ  Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ社のＳｃｈｕｍａｃｈｅｒ部門から入手可能、米国特許第５，１４４，０４９号明細書で説明されている）。この分類の先駆物質は、不均化プロセスによって機能する。これによれば、Ｃｕ（ｈｆａｃ）Ｌの２分子が加熱基材表面上で共に反応して、金属銅、２分子の遊離配位子（Ｌ）、及び揮発性副生成物Ｃｕ（ｈｆａｃ）２を与える。これは、以下の式（ａ）で示される：
（ａ）２Ｃｕ（ｈｆａｃ）Ｌ  →  Ｃｕ  ＋  Ｃｕ（ｈｆａｃ）２  ＋  ２Ｌ
【０００５】
このプロセスは、典型的に約２００℃で行う。このプロセスでは、初期先駆物質の銅の１／２がＣｕ（ｈｆａｃ）２副生成物の一部を構成するので、銅のこの部分を利用できないことに注意すべきである。これらの先駆物質の１つの潜在的な欠点は、ＣＶＤ銅フィルムが形成される前に、タンタル又は窒化タンタルの拡散バリアー表面と接触して化学的に劣化させる傾向があることである。この好ましくない反応の化学的な原因は、タンタルに対して銅先駆物質を反応性にする「ｈｆａｃ」部分のフルオロカーボン特性にあると考えられる。この劣化は、タンタルと銅との間に化学的なくず（ｄｅｂｒｉｓ）の薄い層を作る。タンタルと銅との直接の接触がないことは、３つの大きな影響をもたらすと考えられる。第１に、これら２つの金属の間の機械的な付着性が悪化する。これは、化学機械研磨条件において銅を剥離させる傾向をもたらす。第２に、この化学的なくずは、電気的な絶縁体として作用する傾向がある。これは、銅とタンタルとの間の不十分な電気的な接触をもたらす。第３に、銅がタンタル上に直接に成長しないので、その結晶的な配向を反復することができず、無作為に配向したフィルムとして成長する（Ｒ．Ｋｒｏｇｅｒ等、Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  ｔｈｅ  Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｓｏｃｉｅｔｙ、Ｖｏｌ．１４６（９）、ｐ．３２４８〜３２５４（１９９９年））。
【０００６】
２．Ｃｕ２＋（Ｘ）２からのＣＶＤ銅
下記の式（ｂ）で示すようにして水素のような化学還元剤をＣＶＤプロセスで使用しないと、これらの化合物は典型的に、ＣＶＤによって純粋な銅のフィルムを与えることがない。
（ｂ）Ｃｕ（Ｘ）２  ＋  Ｈ２  →  Ｃｕ  ＋  ２ＸＨ
【０００７】
このタイプの先駆物質の例としては、Ｃｕ２＋ビス（β−ジケトネート）（Ｗｏｎｇ，Ｖ．等、Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  Ｒｅｓｅａｒｃｈ  Ｓｏｃｉｅｔｙ  Ｓｙｍｐ  Ｐｒｏｃ，ペンシルバニア州ピッツバーグ（１９９０年）、ｐ．３５１〜３５７；Ａｗａｙａ，Ｎ．、Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ、Ｖｏｌ．２１、Ｎｏ．１０、ｐ．９５９〜９６４（１９９２年））、Ｃｕ２＋ビス（β−ジイミン）及びＣｕ２＋ビス（β−ケトイミン）化合物（米国特許第３，３５６，５２７号明細書、Ｆｉｎｅ、Ｓ．Ｍ．、Ｍａｔｅｒ．Ｒｅｓ．Ｓｏｃ．Ｓｙｍｐ．Ｐｒｏｃ．（１９９０年）、ｐ．２０４、４１５）を挙げることができる。これらの銅（＋２）化合物は典型的に固体であり、これらの化合物のためのＣＶＤ処理温度は典型的に２００℃よりも高い。これらの先駆物質が実質的にフッ素化されている場合、上述のＣｕ（ｈｆａｃ）Ｌ化合物で示したのと同様な付着性等の問題が予想される。
【０００８】
３．（Ｙ）Ｃｕ（Ｌ）化合物からのＣＶＤ銅
これらのＣｕ（＋１）先駆物質では、（Ｙ）が有機アニオンで、（Ｌ）が中性安定化配位子、例えばトリアルキルホスフィンである。このような先駆物質の例としてはＣｐＣｕＰＥｔ３を挙げることができ、ここでＣｐはシクロペンタジエニルで、ＰＥｔ３はトリエチルホスフィンである（Ｂｅｅｃｈ等、Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．（２）、ｐ．２１６〜２１９（１９９０年））。ＣＶＤ条件では、これらの先駆物質の２つの分子が、プロセスのウェハー表面で反応する。これによって、２つの安定化トリアルキルホスフィン配位子が銅中心から乖離し、２つの（Ｙ）配位子が共に組み合わさり、銅（＋１）中心が還元して金属銅になる。全体の反応は下記の式（ｃ）に示すようなものである。しかしながら、乖離したトリアルキルホスフィン配位子はＣＶＤ容器を汚染する傾向があり、また望ましくないＮタイプシリコンドーピング剤として作用することがあるので、このタイプの化学種は製造環境の問題がある。
（ｃ）  ２（Ｙ）Ｃｕ（Ｌ）  →  ２Ｃｕ  ＋  （Ｙ−Ｙ）  ＋  ２（Ｌ）
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、環に可逆的に結合した金属、例えば銅を含み、且つ炭素、窒素、ケイ素及び／又は他の金属を含む一連の新しい８員環化合物の群に関する。本発明の化合物の構造は、以下の［１］で表される：
【化５】
0003593051.tif 000002
ここで、Ｍ及びＭ’はそれぞれ金属、例えばＣｕ、Ａｇ、Ａｕ及びＩｒであり；Ｘ及びＸ’はＮ又はＯでよく；Ｙ及びＹ’は、Ｓｉ、Ｃ、Ｓｎ、Ｇｅ又はＢでよく；且つＺ及びＺ’は、Ｃ、Ｎ又はＯでよい。Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ１’、Ｒ２’、Ｒ３’、Ｒ４’、Ｒ５’及びＲ６’によって示される置換基は、それらが結合する環の原子に依存して様々である。例えば，Ｒ１、Ｒ２、Ｒ１’及びＲ２’は、それぞれ独立に、アルキル、アルケニル、アルキニル、部分的にフッ素化したアルキル、アリール、アルキル置換アリール、部分的にフッ素化したアリール、又はフルオロアルキル置換アリールでよい。また、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ３’及びＲ４’は、それぞれ独立に、アルキル、部分的にフッ素化したアルキル、トリアルキルシロキシ、アリール、アルキル置換アリール、部分的にフッ素化したアリール、フルオロアルキル置換アリール、アルコキシ、又はハロゲンでよい。また、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ５’及びＲ６’のそれぞれは、それぞれ独立に、Ｈ、アルキル、アルケニル、アルキニル、部分的にフッ素化したアルキル、アリール、アルキル置換アリール、部分的にフッ素化したアリール、フルオロアルキル置換アリール、ハロゲン、トリアルキルシリル、トリアリールシリル、トリアルキルシラノエート、トリアルキルシリルアミド、又はアルコキシでよい。但し、Ｘ及びＸ’がそれぞれＯである場合、Ｒ２及びＲ２’の置換が存在せず、またＺ及びＺ’がそれぞれＯである場合、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ５’及びＲ６’の置換が存在しない。アルキル及びアルコキシの炭素数はそれぞれ１〜８であり；アルケニル及びアルキニルの炭素数はそれぞれ２〜８であり；且つアリールの炭素数は６である。
【００１０】
本発明の新しい化合物の１つの態様の直線的な表示は、［−ＣｕＮＭｅ２ＳｉＭｅ２ＣＨ２ＣｕＮＭｅ２ＳｉＭｅ２ＣＨ２−］であり、上記の構造［１］によれば、Ｍ及びＭ’はそれぞれＣｕ；Ｘ及びＸ’はそれぞれＮ；Ｙ及びＹ’はそれぞれＳｉ；Ｚ及びＺ’はそれぞれＣ；Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ１’、Ｒ２’、Ｒ３’及びＲ４’はそれぞれメチル；Ｒ５、Ｒ６、Ｒ５’及びＲ６’はそれぞれＨである。
【００１１】
本発明の化合物は、銅中心の金属銅への同時の還元を伴う熱配位子カップリングプロセスによって、化学気相堆積条件において１分子当たり２つの金属原子を堆積させるかなりの能力を有する。これらは、金属又は酸化物の薄いフィルム、好ましくは銅又は酸化銅のフィルムの原子層体積（ＡＬＤ）で使用するのにも適している。
【００１２】
本発明は、ＡＬＤ又はＣＶＤ条件で、上述の本発明の化合物を先駆物質として使用して、金属又は金属含有物のフィルムを基材に堆積させることも意図している。
【００１３】
【発明の実施の形態】
本発明は、揮発性環状２金属化金属先駆物質の新しい群を説明する。この化合物は、フッ素を含んでおらず、又は上述の（ｈｆａｃ）配位子又は他のフルオロカーボンを有する配位子と比較してフッ素含有率が低く、タンタルバリアーへの付着性が良好な銅ＣＶＤフィルムを提供すると考えられる。環状２核化学種では、先駆物質のそれぞれの分子が２つの配位子を含んで、これが、還元的に組み合わさって、プロセスにおいて２つの金属原子を放出することができる。銅を使用する場合、金属化は、上記の式（ｃ）で示す比較的一般的な分子間還元性脱離ではなく、二核錯体［−ＣｕＮＭｅ２ＳｉＭｅ２ＣＨ２ＣｕＮＭｅ２ＳｉＭｅ２ＣＨ２−］のために下記の式（ｄ）で示すようにして、分子内還元脱離によって進むことができる。
（ｄ）［−ＣｕＮＭｅ２ＳｉＭｅ２ＣＨ２ＣｕＮＭｅ２ＳｉＭｅ２ＣＨ２−］→  Ｍｅ２ＮＳｉＭｅ２ＣＨ２ＣＨ２ＳｉＭｅ２ＮＭｅ２  ＋  ２Ｃｕ０
式（ｃ）では、還元性カップリング及び銅核形成をもたらすために、基材上の２つの先駆物質分子間で反応することが必要とされる。このプロセスの動力学的障害は、本発明の先駆物質と比較して、銅核の形成を比較的遅くすると考えられる。理論に限定されることは望まないが、本発明の２金属先駆物質の核形成の正味の結果は比較的速く、このことは、基材との他の好ましくない反応のための時間を比較的与えない。
【００１４】
ＣＶＤ銅は、銅に配位した配位子を揮発性化学種として乖離させ、同時に銅（＋１）中心を金属銅に還元させるために、シラン、ボラン、ヒドラジン等、又は単純なガス若しくは直接若しくは遠隔（ｒｅｍｏｔｅ）プラズマとしてとしての水素のような適当な揮発性還元剤を使用して、錯体の直接化学還元によって、これらの錯体から作ることもできる。これは、ジメチルアミノトリメチルシラン及び金属銅をもたらす２核錯体［−ＣｕＮＭｅ２ＳｉＭｅ２ＣＨ２ＣｕＮＭｅ２ＳｉＭｅ２ＣＨ２−］の水素還元に関して、下記の式（ｅ）で説明する。
（ｅ）  ［−ＣｕＮＭｅ２ＳｉＭｅ２ＣＨ２ＣｕＮＭｅ２ＳｉＭｅ２ＣＨ２−］      ＋  Ｈ２  →  ２Ｍｅ２ＮＳｉＭｅ３  ＋  ２Ｃｕ０
【００１５】
更に、２核金属錯体のこの新しい群は、金属又は金属含有物のフィルムのＡＬＤ（原子層堆積）のための良好な先駆物質であると考えられる。
【００１６】
ＡＬＤにおいては、先駆物質は基材に化学吸着して、先駆物質の単層、すなわち１分子の厚さの層を作る。その後、第２の反応体化学種を同様に導入して、化学吸着した第１の層と化学的に反応させて、基材表面上に所望のフィルムを成長させる。例えば、酸化アルミニウムはＡＬＤプロセスで成長させることができる（ヒガシ，Ｇ．Ｓ．等のＡｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．、５５（１９）（１９８９年）ｐ．１９６３；Ｇｅｏｒｇｈｅ  Ｓ．Ｍ．等のＩｎｔ．Ｓｙｍｐ．ＯｎＡｔｏｍｉｃ  Ｌｙａｅｒ  Ｅｐｉｔａｘｙ  ａｎｄ  Ｒｅｌａｔｅｄ  Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓｅｓ（ＡＬＥ−３）要約、日本国仙台、２５２７、１９９４年５月、ｐ．３８）。ここでは、初めに、表面ＯＨ基を有する基材をトリメチルアルミニウム蒸気に露出させて、Ａｌ−Ｏ及び残留Ａｌ−ＣＨ３結合を有する化学吸着単層を作り、次に水蒸気に露出させる。水蒸気は残留Ａｌ−ＣＨ３基と反応して、固体酸化アルミニウム及びメタンガスを与える。メタンガスは、揮発性副生成物としてＡＬＤ反応器から放出する。水蒸気を過剰に加えるので、新しく形成された酸化アルミニウム表面のそれぞれのアルミニウム原子は、ＯＨ基によって官能化される。これは、次の周期のトリメチルアルミニウム蒸気を化学吸着させる高度に反応性の表面を与え、このプロセスではまたメタンが放出される。このサイクルを反復して、完全に適合して純粋な酸化アルミニウムのフィルムを成長させる。この酸化アルミニウムフィルムの厚さは、行われるサイクル数によって決定される。ＡＬＤに最も適している先駆物質は、容易に揮発させることができ、特定の反応体の添加によってその配位子を容易に取り除くことができるように高度に化学的に活性であり、且つ分子レベルでは、基材表面に堆積（反応）させる元素が密なものである。支持配位子に対する金属元素の割合が高いと、化学吸着した単層当たりの金属元素の割合が高くなり、それによってＡＬＤ成長速度が比較的大きくなる。
【００１７】
この文献で示されている２核金属錯体は、ＡＬＤに非常に適当である。これは、この２核金属錯体が、非常に揮発性であり、配位子を失って金属含有フィルムを作ることに関して低い処理温度で非常に反応性であり、且つ化学吸着層の先駆物質分子あたり２つの金属原子を有する２核分子であるためである。
【００１８】
塩化銅（＋１）を使用するＡＬＤ銅では、先駆物質が低沸点であるという問題があり（Ｍａｒｔｅｎｓｓｏｎ，Ｐ．等のＣｈｅｍ  Ｖａｐ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、１９９７年、Ｖｏｌ．３、Ｎｏ．１、ｐ．４５）、銅（＋２）ビス（テトラメチルヘプタンジオネート）を使用するＡＬＤ銅では、先駆物質がかさばり、銅が単核であるという問題があり（Ｍａｒｔｅｎｓｓｏｎ，Ｐ．等のＪ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．、Ｖｏｌ．１４５、Ｎｏ．８、１９９８年８月、ｐ．２９２６〜２９３１）、また銅（＋２）（ｈｆａｃ）２を使用するＡＬＤ銅では、先駆物質が単核で高度にフッ素化されているという問題がある（Ｓｏｌａｎｋｉ，Ｒ．等のＥｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ  ａｎｄ  Ｓｏｌｉｄ  Ｓｔａｔｅ  Ｌｅｔｔｅｒｓ、Ｖｏｌ．３（１０）、ｐ．４７９〜４８０（２０００年））。
【００１９】
本明細書の公示において説明されている錯体は、銅及び他の金属、銅合金、銅含有物のフィルム、例えば硫化銅、酸化銅等のＡＬＤ成長に非常に適している。これらのフィルムは、熱的処理、化学還元、他の金属化合物での処理、又は硫黄若しくは酸素含有反応体での処理によって、ＡＬＤ技術の先駆物質の単層を反応させて作る。本明細書の開示では、ＡＬＤによって銅フィルムを成長させる優れた方法も教示する。これによれば、先駆物質の化学吸着した単層を、ＡＬＤタイプのサイクルにおいて水蒸気又は水蒸気及び酸化剤と反応させて、酸化銅の非常に薄いフィルムを作る。その後、この酸化銅を水素ガス、遠隔水素プラズマ（ｒｅｍｏｔｅ  ｈｙｄｒｏｇｅｎ  ｐｌａｓｍａ）、又は他の適当な還元剤で還元させて、金属銅を作る。これらの酸化及び還元工程は、素速く連続させて行うことができ、又は還元工程は、複数の酸化物層を成長させた後で行うことができる。この改良されたＡＬＤ手法は、先駆物質単層の形成で比較的良好な制御を可能にする。これは、先駆物質が、金属表面に弱く吸着するのではなく、酸化物又は水酸化物タイプの表面にしっかりと化学吸着することができるためである。本明細書の開示において説明されている先駆物質は、加水分解的に不安定であるので、この手法に特に適している。従って２核錯体［−ＣｕＮＭｅ２ＳｉＭｅ２ＣＨ２ＣｕＮＭｅ２ＳｉＭｅ２ＣＨ２−］の場合には、水蒸気は、炭素原子の水素化によって先駆物質のＣｕ−ＣＨ２結合を破壊し、また加水分解によってＳｉ−Ｎ結合を破壊し、それによって以下の式（ｆ）に示すようにして、揮発性副生成物としてＡＬＤ容器から比較的容易に抜き出すことができる比較的小さい分子部分をもたらすことができる。このことは、テトラヒドロフラン溶媒中において、［−ＣｕＮＭｅ２ＳｉＭｅ２ＣＨ２ＣｕＮＭｅ２ＳｉＭｅ２ＣＨ２−］錯体が水と反応して、ジメチルアミンとヘキサメチルジシロキサンとを放出させることが観察されることによって説明される。
（ｆ）［−ＣｕＮＭｅ２ＳｉＭｅ２ＣＨ２ＣｕＮＭｅ２ＳｉＭｅ２ＣＨ２−］＋２Ｈ２Ｏ  →  Ｃｕ２Ｏ  ＋  ２ＨＮＭｅ２  ＋  Ｍｅ３ＳｉＯＳｉＭｅ３
このようにして作られた酸化銅は、水素ガス、水素プラズマ、又は他の適当な還元剤での処理によって金属銅に還元させる。
【００２０】
まとめると、この優れたプロセスを使用してＡＬＤ銅を成長させるプロセスの順序は、以下のようなものである：新鮮な金属、金属含有物、メタロイド、例えばケイ素若しくはゲルマニウム、又はメタロイド含有物の表面を、水、過酸化水素、アルコール、酸素、又は他の適当な反応体と反応させて、ヒドロキシルＯＨ、ＯＨ及び酸化物、又は酸化物酸素基を有する新しい表面を与える。次に、銅錯体の単層をこの表面に化学吸着させて、銅の酸化物又は水酸化物タイプの化学種を与える。銅錯体を反復的に加えて、その単層をヒドロキシド／酸化物の表面に化学吸着させる。酸化剤／銅先駆物質のサイクルを、酸化物の所望の厚さが達成されるまで反復し、水素、水素プラズマ、シラン、及びボランのような適当な揮発性還元剤による酸化物層の金属銅への化学還元によって、このプロセスを終了させる。酸化物層の厚さは、酸化物を迅速に且つ完全に金属に還元させることができるように注意深く選択する。この後で、サイクル全体を再び開始して、最終的な比較的厚い銅フィルムを得ることができる。［−ＣｕＮＭｅ２ＳｉＭｅ２ＣＨ２ＣｕＮＭｅ２ＳｉＭｅ２ＣＨ２−］タイプの先駆物質を使用する場合、［Ｃｕ−Ｏ−Ｃｕ］を作る［−Ｃｕ−ＯＨ］表面への化学吸着は、ＯＨ基からのプロトンの除去を促進する配位子の塩基性によって強く促進されると考えられる。この化学吸着は、典型的なＡＬＤ銅プロセスである［−Ｃｕ−ＣｕＬ−］タイプ種を与える成長銅表面への同じ銅先駆物質の化学吸着よりも遙かに強力である。従って、好ましいＡＬＤ手法のために重要な単層飽和の良好な制御が達成される。得られる［−Ｃｕ−Ｏ−ＣｕＬ］又は［−Ｃｕ−Ｏ−Ｃｕ］表面は、その後で［−Ｃｕ−Ｃｕ］に還元して、滑らかな銅フィルムを与える。この技術は、ＡＬＤによる混合合金の薄いフィルムの形成に適用することもできる。この技術においては、ＡＬＤによって成長させる酸化銅の層を、酸化銅の銅への還元と同時に水素又は他の還元剤によって元素の金属に還元することもできる他の金属酸化物の追加の層と交互にする。合金酸化物層に対する酸化銅層の割合は、還元後の最終的な合金の組成を決定する。例えば、酸化銅と酸化パラジウムとを交互に成長させ、この複合材料を還元して、銅パラジウム合金を得ることができる。同様に、１よりも多い追加の金属酸化物種を酸化銅と組み合わせて、還元の後で、銅と少なくとも２種の金属とを含む合金を作ることができる。特定の銅合金は、電気移動に対して純粋な銅よりも抵抗性であり、従って銅相互接続の製造において非常に重要である。ＡＬＤ銅合金フィルムが、続く電着銅のためのシード層を作る場合、熱アニール工程を行うことによって、電着銅の本体に合金元素を拡散させて、均一に分散した合金元素を含む銅フィルムを得ることができる。
【００２１】
ある種の銅合金は、他の理由で有利である。例えばある種の合金元素は、熱アニール処理の後で銅フィルムの表面を隔離し、プロセスガス又は蒸気と反応させて保護層を提供することができる。１つの例では、銅／マグネシウム合金の成長及びアニール処理を行い、それによってマグネシウムを銅表面と分離して、その後これを酸化させて、酸化マグネシウムの保護層を作ることができる（Ｍｕｒａｒｋａ，Ｓ．、Ｃｒｉｔｉｃａｌ  Ｒｅｖｉｅｗｓ  ｉｎ  Ｓｏｌｉｄ  Ｓｔａｔｅ  ａｎｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  Ｓｃｉｅｎｃｅｓ、２０（２）、ｐ．８７〜１２４（１９９５年））。
【００２２】
銅の代わりに他の材料（Ｍ）を使用して、本明細書の開示において説明する［−ＭＮＭｅ２ＳｉＭｅ２ＣＨ２ＭＮＭｅ２ＳｉＭｅ２ＣＨ２−］タイプの錯体をもたらし、それによってこれらそれぞれの金属を含むＣＶＤ又はＡＬＤフィルムのために有益な銅以外の金属の揮発性錯体を得ることができる。このような金属の例としては、限定するわけではないが、銀、金、コバルト、ルテニウム、ロジウム、白金、パラジウム、ニッケル、オスミウム及びイリジウム、ナトリウム、カリウム、及びリチウムを挙げることができる。そのような錯体は、［−ＣｕＮＭｅ２ＳｉＭｅ２ＣＨ２ＣｕＮＭｅ２ＳｉＭｅ２ＣＨ２−］タイプ銅錯体の代わりに又はこれと組み合わせて使用して、熱アニール処理の後で、銅合金を与えることができる。２価の他の金属、例えば限定するわけではないが、パラジウム、白金、ロジウム及びルテニウムを使用して、構造［１］で示されるタイプの配位子を配位させることによって、有益な揮発性化合物を作ることができる。そのような錯体は、適当な銅錯体との同時ＣＶＤ堆積又はＡＬＤ堆積で使用して、銅合金又は他の銅合金含有物のフィルムを作ることができる。ＡＬＤ銅及び銅合金及び他の銅含有物のフィルムのためのこれらの新しい手法は、以下の１０の群で示されるような既知の銅合金を使用して適用することもできる：
【００２３】
（１）Ｃｕ＋１（β−ジケトネート）（Ｌ）ｎタイプ先駆物質。ここで、（ｎ）は１又は２、又は（Ｌ）はオレフィン、ジエン、テトラエン、アルキン、トリアルキルシリルアルケン、トリアルキルシリルジエン、トリアルキルシリルテトラエン、トリアルキルシリルアセチレン、トリアルコキシシリルアルケン、トリアルコキシシリルジエン、トリアルコキシシリルアセチレン、トリアルコキシシリルジエン、トリアルキルホスフィン、及びトリアルコキシホスフィン、ニトリル、イソニトリル、イソシアネート、一酸化炭素によって代表され、且つ（β−ジケトネート）は、（ｈｆａｃ）、アセチルアセトネート（すなわちａｃａｃ）、３−ハロ置換ａｃａｃ、１，５−ジハロ置換ａｃａｃ、１，１，１−トリハロ置換ａｃａｃ、アルキルアセトアセテート（例えばメチルアセトアセテート）、アルキル−オキソ−ブタノエート、アリールアセトアセテートによって代表される。β−ジケトネートは、アリール又はアルキル置換、ハロゲン化、部分的にハロゲン化、又はハロゲン化されていないβ−ジイミン又はβ−ケトイミン、マロンアルデヒド、２−ハロ−マロンアルデヒド、マロンアルデヒドジイミン、マロン酸ジアルキル（例えばマロン酸ジメチル）、マロン酸ジアリール、マロン酸アリールアルキル、１，３−ビス（トリアルキルシリル）−１，３−プロパンジオネート、及び１−トリアルキルシリル−３−アルキル−１，３−プロパンジオネートであってもよい。
【００２４】
（２）［Ｃｕ＋１（アルコキシド）ｎタイプ先駆物質。ここでは、典型的に（ｎ）は４〜６で、（アルコキシド）はｔ−ブトキシ、メトキシ、エトキシ、イソプロポキシ、不飽和アルコキシド（例えば２−メチル−３−ブテン−２−オキシ、２−メチル−３−ブテン−２−オキシ）、アルキニルオキシ（例えばプロパルギルアルコキシド）、アリルオキシ、ビニルオキシ、アリルフェノキシ、アルキルフェノキシ、又はそれらの混合物を表している。更なるアルコキシドとしては、アミノ、イミノ、シアノ、及びハロゲン置換アルコキシド、トリアルキルシラノエート、トリアルコキシシラノエート、ジアルキルアルキルアミノシラノエート、ジアルキルアルキルイミノシラノエートを挙げることができる。
【００２５】
（３）［Ｃｕ（＋１）（アミド）ｎタイプ先駆物質。ここでは、典型的に（ｎ）は４〜６で、（アミド）は第２級アミドアニオンを表している。アミド窒素上の置換基としては、限定するわけではないが、以下の代表的な基を挙げることができる：アルキル、アリール、アリル、アリールアルキル、シリルアルキル、シリルアリール、アルキルエーテル、ハロゲン化及び部分的にハロゲン化したジアルキルシリル。
【００２６】
（４）［Ｃｕ（＋１）（Ｒ）ｎタイプ先駆物質。ここでは、典型的に（ｎ）は４〜６で、（Ｒ）はアルキル、ハロゲン化又は部分的にハロゲン化したアルキル、トリアルコキシシリルアルキル、トリアルキルシリルアルキル、トリアルコキシシリルアルキル、アリル、ビニル、アルキニル、アリール、モノ及び多アルキル置換アリール、ハロ置換アリール、アリールアルキル、ハロ置換アラルキル、アルコシキ置換アリール、アルコキシ置換アラルキル、イミノ置換アリール、及びイミノ置換アルキルを表している。
【００２７】
（５）Ｃｕ（＋２）ビス（アルコキシド）タイプ先駆物質。この例としては、限定するわけではないが、アミン、イミン、エーテル、ビニル、アルキニル、アリール、トリアルキルシリル、又はハロゲンで置換されたアルコキシドを挙げることができる。アルコキシドは、ジアルキルアルキルアミノシラノエート又はジアルキルアルキルイミノシラノエートでもよい。
【００２８】
（６）Ｃｕ（＋２）ビス［β−ジケトネート］タイプ先駆物質。ここでは［β−ジケトネート］は、アルキル、ハロゲン化アルキル、ビニル、アルキニル、アリール、トリアルキルシリル、ハロゲン又はエーテル基で置換されていてよい。
【００２９】
（７）Ｃｕ（＋２）ビス（β−ケトイミド）。ここではβ−ケトイミンは、アルキル、ハロゲン化アルキル、トリアルキルシリル、トリアルコキシシリル、トリアルキルシロキシ、アリール、ハロゲン化アリール、エーテル、又はアミン基によって置換されている。
【００３０】
（８）Ｃｕ（＋２）（β−ジイミド）。ここではβ−ジイミンは、水素、アルキル、ハロゲン化アルキル、トリアルキルシリル、トリアルコキシシリル、トリアルキルシロキシ、アリール、ハロゲン化アリール、アミン又はエーテル基によって置換されている。
【００３１】
（９）Ｃｕ（＋１）（アミジネート）。ここでは（アミジネート）は、アルキル−アミジネート、アリール−アミジネート、ハロ−アミジネート、トリアルキルシリルアミジネート、トリアルキルシリルアルキルアミジネート、及びトリアルコキシシリルアミジネート構造を表している。
【００３２】
（１０）Ｃｕ（＋１）（Ｒ）ｎＬタイプ先駆物質。ここでは、ｎは典型的に１〜３であり、（Ｒ）は、アルキル、ハロゲン化アルキル、アミン置換アルキル、イミン置換アルキルアリル、ビニル、アルキニル、アリール、アルキル置換アリール、ハロ置換アリール、アリールアルキル、ハロ置換アリールアルキル、アルコキシ置換アリール、アルコキシ置換アリールアルキル、ニトリル、ハロアルカン、シクロペンタジエニル、ハロゲン置換シクロペンタジエニル、アルキル置換シクロペンタジエニル、ハロゲン化アルキル置換シクロペンタジエニルを表している。Ｌは、トリアルキルホスフィン、トリアリールホスフィン、ジアルキルホスフィン、ＣＯ、ニトリル、イソニトリル、イソシアニド、オレフィン、アルキンのタイプの中性安定化配位子である。
【００３３】
［−ＣｕＮＭｅ２ＳｉＭｅ２ＣＨ２ＣｕＮＭｅ２ＳｉＭｅ２ＣＨ２−］タイプ錯体の配位子塩基性は、他のＡＬＤ手法でも使用することができる。ここでは、化学吸着したタイプ［１］の錯体の単層を、錯体の配位子をプロトン化によって除去するβ−ジケトンのような揮発性酸性配位子で処理し、これと同時に、不均化反応によって揮発性の銅（＋２）（β−ジケトネート）２及び金属銅を与える準安定銅（＋１）（β−ケトネート）種を作る。この化学反応は、銅フィルムを成長させるためにＣＶＤプロセスででも使用することができる。
【００３４】
本発明の金属錯体の構造的な特徴は、以下の［１］に示すようなものである。
【化６】
0003593051.tif 000003
ここで、Ｍ及びＭ’は、それぞれ金属、例えばＣｕ、Ａｇ、Ａｕ及びＩｒであり；Ｘ及びＸ’はＮ又はＯでよく；Ｙ及びＹ’はＳｉ、Ｃ、Ｓｎ、Ｇｅ又はＢでよく；Ｚ及びＺ’は、Ｃ、Ｎ又はＯでよい。Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ１’、Ｒ２’、Ｒ３’、Ｒ４’、Ｒ５’及びＲ６’によって示される置換基は、それらが結合する環の原子に依存して様々である。更なる態様では、Ｍ及びＭ’を２価金属、例えばＰｔ及びＰｄとして含んでおり、ここではそれぞれの金属中心が、その２つの配位子と配位結合している。
【００３５】
本発明の１つの態様の化合物［−ＣｕＮＭｅ２ＳｉＭｅ２ＣＨ２ＣｕＮＭｅ２ＳｉＭｅ２ＣＨ２−］の単結晶ｘ線構造は図１で示している。
【００３６】
この分子の８員環コア構造は、上述のように、銅及び他の金属のＣＶＤ及びＡＬＤ技術のための独自の金属化性質を有する新しい組成物を構成する。上述の分子の多くの態様は、先駆物質の化学的及び物理的性質に適切な変化を与えることができる。例えば、コア構造の周縁部をアルキル置換基によって改質して、錯体が室温において液体であるようにすることができる。
【００３７】
以下の化合物は他の好ましい態様である。以下の１２のタイプの化合物のそれぞれにおいて、Ｍ及びＭ’はＣｕである。Ｘ及びＸ’（第１の群）、Ｙ及びＹ’（第２の群）、Ｚ及びＺ’（第３の群）には、異なる置換基が存在していてよい。全ての置換基において、アルキル及びアルコキシは炭素数が１〜８であり、アルケン及びアルキンは炭素数がそれぞれ２〜８であり、且つアリールの炭素数は６である。
【００３８】
Ｘ及びＸ’がＮ、Ｙ及びＹ’がＳｉ、且つＺ及びＺ’がＣである場合、コア環構造は、［−Ｃｕ−Ｎ−Ｓｉ−Ｃ−Ｃｕ−Ｎ−Ｓｉ−Ｃ−］であり、これは構造タイプ１として示す。この構造タイプ１のためには下記のようなものがある。
【００３９】
第１の群：Ｘ及びＸ’（Ｎ）の置換基
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ１’及びＲ２’は、アルキル、アルキン、アルケン、部分的にフッ素化したアルキル、アリール、アルキル置換アリール、部分的にフッ素化したアリール、又はフルオロアルキル置換アリールの任意の組み合わせでよい。
【００４０】
第２の群：Ｙ及びＹ’（Ｓｉ）の置換基
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ３’及びＲ４’は、アルキル、部分的にフッ素化したアルキル、トリアルキルシロキシ、トリアリールシロキシ、アリール、アルキル置換アリール、部分的にフッ素化したアリール、フルオロアルキル置換アリール、アルコキシ、アルキルアミド、又はハロゲンの任意の組み合わせでよい。
【００４１】
第３の群：Ｚ及びＺ’（Ｃ）の置換基
Ｒ５、Ｒ６、Ｒ５’及びＲ６’のいずれか又は全ては、水素、アルケン、アルキン、アルキル、部分的にフッ素化したアルキル、アリール、アルキル置換アリール、部分的にフッ素化したアリール、フルオロアルキル置換アリール、トリアルキルシリル、トリアルキルシリルアルキル、トリアリールシリル、トリアルキルシロキシ、トリアリールシロキシ、トリアルキルシラノエート、アルコキシ、トリアルキルシリルアミド、又はハロゲンである。
【００４２】
更に、Ｚ及びＺ’がそれぞれＮである場合に、類似の８員環コア構造を作ることができる。これは、タンタルに対して高度に付着性のフィルムを与える高性能のＣＶＤ銅先駆物質のもう１つの新しい分類をもたらす。以下の一覧では、Ｘ及びＸ’（Ｎ）（第１の群）、Ｙ及びＹ’（Ｓｉ）（第２の群）、並びにＺ及びＺ’（Ｎ）（第３の群）のために様々な置換基が示されている。コア環構造は［−Ｃｕ−Ｎ−Ｓｉ−Ｎ−Ｃｕ−Ｎ−Ｓｉ−Ｎ−］であり、これは構造タイプ１として示す。この構造タイプ２のためには下記のようなものがある。
【００４３】
第１の群：Ｘ及びＸ’（Ｎ）の置換基
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ１’及びＲ２’は、水素、アルキル、アルキン、アルケン、部分的にフッ素化したアルキル、アリール、アルキル置換アリール、部分的にフッ素化したアリール、又はフルオロアルキル置換アリール、トリアルキルシリル、又はトリアリールシリルの任意の組み合わせでよい。
【００４４】
第２の群：Ｙ及びＹ’（Ｓｉ）の置換基
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ３’及びＲ４’は、アルキル、部分的にフッ素化したアルキル、トリアルキルシロキシ、トリアリールシロキシ、アリール、アルキル置換アリール、部分的にフッ素化したアリール、フルオロアルキル置換アリール、アルコキシ、アルキルアミド、又はハロゲンの任意の組み合わせでよい。
【００４５】
第３の群：Ｚ及びＺ’（Ｃ）の置換基
Ｒ５、Ｒ６、Ｒ５’及びＲ６’は独立に、水素、アルケン、アルキン、アルキル、部分的にフッ素化したアルキル、アリール、アルキル置換アリール、部分的にフッ素化したアリール、フルオロアルキル置換アリール、トリアルキルシリル、トリアリールシリル、又はハロゲンである。
【００４６】
更にまた、Ｚ及びＺ’がそれぞれアニオン性のＯである場合に、類似の８員環コア構造を作ることができる。これは、タンタルに対して高度に付着性なフィルムを与える高性能のＣＶＤ銅先駆物質のもう１つの新しい分類をもたらす。以下の一覧では、窒素Ｘ及びＸ’（Ｎ）（第１の群）、Ｙ及びＹ’（Ｓｉ）（第２の群）のために様々な置換基が示されている。Ｚ及びＺ’（Ｏ）と共に、以下の様々な置換された第１及び第２の群を、２つの銅原子を通して８員環をもたらすようにして組み合わせることによって、様々な２核錯体が作られる。従って、このコア環構造は［−Ｃｕ−Ｎ−Ｓｉ−Ｏ−Ｃｕ−Ｎ−Ｓｉ−Ｏ−］であり、これは構造タイプ３として示す。この構造タイプ３のためには下記のようなものがある。
【００４７】
第１の群：Ｘ及びＸ’（Ｎ）の置換基
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ１’及びＲ２’は、アルキル、アルキン、アルケン、部分的にフッ素化したアルキル、アリール、アルキル置換アリール、部分的にフッ素化したアリール、又はフルオロアルキル置換アリールの任意の組み合わせでよい。
【００４８】
第２の群：Ｙ及びＹ’（Ｓｉ）の置換基
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ３’及びＲ４’は、アルキル、部分的にフッ素化したアルキル、トリアルキルシロキシ、トリアリールシロキシ、アリール、アルキル置換アリール、部分的にフッ素化したアリール、フルオロアルキル置換アリール、アルコキシ、アルキルアミド、又はハロゲンの任意の組み合わせでよい。
【００４９】
更にまた、Ｙ及びＹ’がＣである場合に、類似の８員環コア構造を作ることができる。これは、タンタルに対して高度に付着性のフィルムを与える高性能のＣＶＤ銅先駆物質のもう１つの新しい分類をもたらす。以下の一覧では、Ｘ及びＸ’（Ｎ）（第１の群）、Ｙ及びＹ’（Ｃ）（第２の群）、並びにＺ及びＺ’（Ｃ）（第３の群）のために様々な置換基が示されている。様々に置換された以下の第１、第２及び第３の群を、２つの銅原子を通して８員環をもたらすようにつなげることによって、様々な２核錯体が作られる。従って、コア環構造は［−Ｃｕ−Ｎ−Ｃ−Ｃ−Ｃｕ−Ｎ−Ｃ−Ｃ−］であり、これは構造タイプ４として示す。この構造タイプ４のためには下記のようなものがある。
【００５０】
第１の群：Ｘ及びＸ’（Ｎ）の置換基
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ１’及びＲ２’は、アルキル、アルキン、アルケン、部分的にフッ素化したアルキル、アリール、アルキル置換アリール、部分的にフッ素化したアリール、又はフルオロアルキル置換アリールの任意の組み合わせでよい。
【００５１】
第２の群：Ｙ及びＹ’（Ｃ）の置換基
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ３’及びＲ４’は、水素、アルキル、部分的にフッ素化したアルキル、トリアルキルシロキシ、トリアリールシロキシ、アルコキシ、アリール、アルキル置換アリール、部分的にフッ素化したアリール、フルオロアルキル置換アリール、又はハロゲンの任意の組み合わせでよい。
【００５２】
第３の群：Ｚ及びＺ’（Ｃ）の置換基
Ｒ５、Ｒ６、Ｒ５’及びＲ６’の全て又はいずれかは、Ｈ、アルケン、アルキン、アルキル、部分的にフッ素化したアルキル、アリール、アルキル置換アリール、部分的にフッ素化したアリール、フルオロアルキル置換アリール、トリアルキルシリル、トリアルキルシリルアルキル、トリアリールシリル、トリアルキルシロキシ、トリアリールシロキシ、トリアルキルシラノエート、アルコシキ、トリアルキルシリルアミド、又はハロゲンである。
【００５３】
更にまた、Ｙ及びＹ’がＣ、並びにＺ及びＺ’がＮである場合に、類似の８員環コア構造を作ることができる。これは、タンタルに対して高度に付着性のフィルムを与える高性能のＣＶＤ銅先駆物質のもう１つの新しい分類をもたらす。以下の一覧では、Ｘ及びＸ’（Ｎ）（第１の群）、Ｙ及びＹ’（Ｃ）（第２の群）、並びにＺ及びＺ’（Ｃ）（第３の群）のために様々な置換基が示されている。様々に置換された以下の第１、第２及び第３の群を組み合わせることによって、様々な２核錯体が作られる。従って、コア環構造は［−Ｃｕ−Ｎ−Ｃ−Ｎ−Ｃｕ−Ｎ−Ｃ−Ｎ−］であり、これは構造タイプ５として示す。この構造タイプ５のためには下記のようなものがある。
【００５４】
第１の群：Ｘ及びＸ’（Ｎ）の置換基
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ１’及びＲ２’は、アルキル、アルキン、アルケン、部分的にフッ素化したアルキル、アリール、アルキル置換アリール、部分的にフッ素化したアリール、又はフルオロアルキル置換アリールの任意の組み合わせでよい。
【００５５】
第２の群：Ｙ及びＹ’（Ｃ）の置換基
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ３’及びＲ４’は、Ｈ、アルキル、部分的にフッ素化したアルキル、トリアルキルシロキシ、トリアリールシロキシ、アルコシキ、アリール、アルキル置換アリール、部分的にフッ素化したアリール、フルオロアルキル置換アリール、又はハロゲンの任意の組み合わせでよい。
【００５６】
第３の群：Ｚ及びＺ’（Ｎ）の置換基
Ｒ５、Ｒ６、Ｒ５’及びＲ６’は独立に、水素、アルケン、アルキン、アルキル、部分的にフッ素化したアルキル、アリール、アルキル置換アリール、部分的にフッ素化したアリール、フルオロアルキル置換アリール、トリアルキルシリル、トリアリールシリル、又はハロゲンである。
【００５７】
更にまた、Ｙ及びＹ’がＣ、並びにＺ及びＺ’がＯである場合に、類似の８員環コア構造を作ることができる。これはまた、タンタルに対して高度に付着性のフィルムを与える高性能のＣＶＤ銅先駆物質のもう１つの新しい分類をもたらす。以下の一覧では、窒素Ｘ及びＸ’（Ｎ）（第１の群）、Ｙ及びＹ’（Ｃ）（第２の群）のために様々な置換基が示されている。様々に置換された以下の第１及び第２の群、及び酸素を組み合わせることによって、様々な２核錯体が作られる。従って、コア環構造は［−Ｃｕ−Ｎ−Ｃ−Ｏ−Ｃｕ−Ｎ−Ｃ−Ｏ−］であり、これは構造タイプ６として示す。この構造タイプ６のためには下記のようなものがある。
【００５８】
第１の群：Ｘ及びＸ’（Ｎ）の置換基
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ１’及びＲ２’は、アルキル、アルキン、アルケン、部分的にフッ素化したアルキル、アリール、アルキル置換アリール、部分的にフッ素化したアリール、又はフルオロアルキル置換アリールの任意の組み合わせでよい。
【００５９】
第２の群：Ｙ及びＹ’（Ｃ）の置換基
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ３’及びＲ４’は、Ｈ、アルキル、部分的にフッ素化したアルキル、トリアルキルシロキシ、トリアリールシロキシ、アルコシキ、アリール、アルキル置換アリール、部分的にフッ素化したアリール、フルオロアルキル置換アリール、又はハロゲンの任意の組み合わせでよい。
【００６０】
更にまた、Ｘ及びＸ’がＯである場合に、類似の８員環コア構造を作ることができる。これはまた、タンタルに対して高度に付着性のフィルムを与える高性能のＣＶＤ銅先駆物質のもう１つの新しい分類をもたらす。以下の一覧では、Ｘ及びＸ’（Ｏ）（第１の群）、Ｙ及びＹ’（Ｓｉ）（第２の群）、並びにＺ及びＺ’（Ｃ）（第３の群）のために様々な置換基が示されている。様々に置換された以下の第１、第２及び第３の群を、２つの銅原子を通してつなげて８員環を作るようにして組み合わせることによって、様々な２核錯体が作られる。従って、コア環構造は［−Ｃｕ−Ｏ−Ｓｉ−Ｃ−Ｃｕ−Ｏ−Ｓｉ−Ｃ−］であり、これは構造タイプ７として示す。この構造タイプ７のためには下記のようなものがある。
【００６１】
第１の群：Ｘ及びＸ’（Ｏ）の置換基
Ｒ１及びＲ１’はそれぞれ、アルキル、アルキン、アルケン、部分的にフッ素化したアルキル、アリール、アルキル置換アリール、部分的にフッ素化したアリール、フルオロアルキル置換アリール、トリアルキルシリル、又はトリアリールシリルである。Ｒ２及びＲ２’の置換基はない。
【００６２】
第２の群：Ｙ及びＹ’（Ｓｉ）の置換基
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ３’及びＲ４’は、アルキル、部分的にフッ素化したアルキル、トリアルキルシロキシ、トリアリールシロキシ、アリール、アルキル置換アリール、部分的にフッ素化したアリール、フルオロアルキル置換アリール、アルコキシ、アルキルアミド、又はハロゲンの任意の組み合わせでよい。
【００６３】
第３の群：Ｚ及びＺ’（Ｃ）の置換基
Ｒ５、Ｒ６、Ｒ５’及びＲ６’のそれぞれ又は全ては、Ｈ、アルケン、アルキン、アルキル、部分的にフッ素化したアルキル、アリール、アルキル置換アリール、部分的にフッ素化したアリール、フルオロアルキル置換アリール、トリアルキルシリル、トリアルキルシリルアルキル、トリアリールシリル、トリアルキルシロキシ、トリアリールシロキシ、トリアルキルシラノエート、アルコキシ、トリアルキルシリルアミド、又はハロゲンである。
【００６４】
更にまた、Ｘ及びＸ’がＯ、並びにＺ及びＺ’がＮである場合に、類似の８員環コア構造を作ることができる。これはまた、タンタルに対して高度に付着性のフィルムを与える高性能のＣＶＤ銅先駆物質のもう１つの新しい分類をもたらす。以下の一覧では、Ｘ及びＸ’（Ｏ）（第１の群）、Ｙ及びＹ’（Ｓｉ）（第２の群）、並びにＺ及びＺ’（Ｎ）（第３の群）のために様々な置換基が示されている。従って、コア環構造は［−Ｃｕ−Ｏ−Ｓｉ−Ｎ−Ｃｕ−Ｏ−Ｓｉ−Ｎ−］であり、これは構造タイプ８として示す。この構造タイプ８のためには下記のようなものがある。
【００６５】
第１の群：Ｘ及びＸ’（Ｏ）の置換基
Ｒ１及びＲ１’は独立に、アルキル、アルキン、アルケン、部分的にフッ素化したアルキル、アリール、アルキル置換アリール、部分的にフッ素化したアリール、フルオロアルキル置換アリール、トリアルキルシリル、又はトリアリールシリルでよい。Ｒ２及びＲ２’の置換基はない。
【００６６】
第２の群：Ｙ及びＹ’（Ｓｉ）の置換基
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ３’及びＲ４’は、アルキル、部分的にフッ素化したアルキル、トリアルキルシロキシ、トリアリールシロキシ、アリール、アルキル置換アリール、部分的にフッ素化したアリール、フルオロアルキル置換アリール、アルコキシ、アルキルアミド、又はハロゲンの任意の組み合わせでよい。
【００６７】
第３の群：Ｚ及びＺ’（Ｎ）の置換基
Ｒ５、Ｒ６、Ｒ５’及びＲ６’は独立に、水素、アルケン、アルキン、アルキル、部分的にフッ素化したアルキル、アリール、アルキル置換アリール、部分的にフッ素化したアリール、フルオロアルキル置換アリール、トリアルキルシリル、トリアリールシリル、又はハロゲンである。
【００６８】
更にまた、Ｘ及びＸ’がＯ、並びにＺ及びＺ’がＯである場合に、類似の８員環コア構造を作ることができる。これはまた、タンタルに対して高度に付着性のフィルムを与える高性能のＣＶＤ銅先駆物質のもう１つの新しい分類をもたらす。以下の一覧では、Ｘ及びＸ’（Ｏ）（第１の群）、並びにＹ及びＹ’（Ｓｉ）（第２の群）のために様々な置換基が示されている。従って、２つの銅原子を通してつなげて８員環を作るようにして、様々に置換された以下の第１及び第２の群、及び酸素原子を組み合わせることによって、様々な２核錯体が作られる。よって、コア環構造は［−Ｃｕ−Ｏ−Ｓｉ−Ｏ−Ｃｕ−Ｏ−Ｓｉ−Ｏ−］であり、これは構造タイプ９として示す。この構造タイプ９のためには下記のようなものがある。
【００６９】
第１の群：Ｘ及びＸ’（Ｏ）の置換基
Ｒ１及びＲ１’は独立に、アルキル、アルキン、アルケン、部分的にフッ素化したアルキル、アリール、アルキル置換アリール、部分的にフッ素化したアリール、フルオロアルキル置換アリール、トリアルキルシリル、又はトリアリールシリルである。Ｒ２及びＲ２’の置換基はない。
【００７０】
第２の群：Ｙ及びＹ’（Ｓｉ）の置換基
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ３’及びＲ４’は、アルキル、部分的にフッ素化したアルキル、トリアルキルシロキシ、トリアリールシロキシ、アリール、アルキル置換アリール、部分的にフッ素化したアリール、フルオロアルキル置換アリール、アルコキシ、アルキルアミド、又はハロゲンの任意の組み合わせでよい。
【００７１】
更にまた、Ｘ及びＸ’がＯ、並びにＹ及びＹ’がＣである場合に、類似の８員環コア構造を作ることができる。これはまた、タンタルに対して高度に付着性のフィルムを与える高性能のＣＶＤ銅先駆物質のもう１つの新しい分類をもたらす。以下の一覧では、Ｘ及びＸ’（Ｏ）（第１の群）並びにＹ及びＹ’（Ｃ）（第２の群）のために、様々な置換基が示されている。従って、２つの銅原子を通してつなげて８員環を作るようにして、様々に置換された以下の第１、第２の群、及び第３の群を組み合わせることによって、様々な２核錯体が作られる。よって、コア環構造は［−Ｃｕ−Ｏ−Ｃ−Ｃ−Ｃｕ−Ｏ−Ｃ−Ｃ−］であり、これは構造タイプ１０として示す。この構造タイプ１０のためには下記のようなものがある。
【００７２】
第１の群：Ｘ及びＸ’（Ｏ）の置換基
Ｒ１及びＲ１’は独立に、アルキル、アルキン、アルケン、部分的にフッ素化したアルキル、アリール、アルキル置換アリール、部分的にフッ素化したアリール、フルオロアルキル置換アリール、トリアルキルシリル、又はトリアリールシリルである。Ｒ２及びＲ２’の置換基はない。
【００７３】
第２の群：Ｙ及びＹ’（Ｃ）の置換基
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ３’及びＲ４’は、水素、アルキル、部分的にフッ素化したアルキル、トリアルキルシロキシ、トリアリールシロキシ、アルコキシ、アリール、アルキル置換アリール、部分的にフッ素化したアリール、フルオロアルキル置換アリール、又はハロゲンの任意の組み合わせでよい。
【００７４】
第３の群：Ｚ及びＺ’（Ｃ）の置換基
Ｒ５、Ｒ６、Ｒ５’及びＲ６’のそれぞれ又は全ては、Ｈ、アルケン、アルキン、アルキル、部分的にフッ素化したアルキル、アリール、アルキル置換アリール、部分的にフッ素化したアリール、フルオロアルキル置換アリール、トリアルキルシリル、トリアルキルシリルアルキル、トリアリールシリル、トリアルキルシロキシ、トリアリールシロキシ、トリアルキルシラノエート、アルコキシ、トリアルキルシリルアミド、又はハロゲンである。
【００７５】
更にまた、Ｘ及びＸ’がＯ、Ｙ及びＹ’がＣ、並びにＺ及びＺ’がＮである場合に、類似の８員環コア構造を作ることができる。これはまた、タンタルに対して高度に付着性のフィルムを与える高性能のＣＶＤ銅先駆物質のもう１つの新しい分類をもたらす。以下の一覧では、Ｘ及びＸ’（Ｏ）（第１の群）、Ｙ及びＹ’（Ｃ）（第２の群）、並びにＺ及びＺ’（Ｎ）のために、様々な置換基が示されている。よって、コア環構造は［−Ｃｕ−Ｏ−Ｃ−Ｎ−Ｃｕ−Ｏ−Ｃ−Ｎ−］であり、これは構造タイプ１１として示す。この構造タイプ１１のためには下記のようなものがある。
【００７６】
第１の群：Ｘ及びＸ’（Ｏ）の置換基
Ｒ１及びＲ１’は独立に、アルキル、アルキン、アルケン、部分的にフッ素化したアルキル、アリール、アルキル置換アリール、部分的にフッ素化したアリール、フルオロアルキル置換アリール、トリアルキルシリル、又はトリアリールシリルである。Ｒ２及びＲ２’の置換基はない。
【００７７】
第２の群：Ｙ及びＹ’（Ｃ）の置換基
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ３’及びＲ４’は、Ｈ、アルキル、部分的にフッ素化したアルキル、トリアルキルシロキシ、トリアリールシロキシ、アルコキシ、アリール、アルキル置換アリール、部分的にフッ素化したアリール、フルオロアルキル置換アリール、又はハロゲンの任意の組み合わせでよい。
【００７８】
第３の群：Ｚ及びＺ’（Ｎ）の置換基
Ｒ５、Ｒ６、Ｒ５’及びＲ６’は独立に、水素、アルケン、アルキン、アルキル、部分的にフッ素化したアルキル、アリール、アルキル置換アリール、部分的にフッ素化したアリール、フルオロアルキル置換アリール、トリアルキルシリル、トリアリールシリル、又はハロゲンである。
【００７９】
更にまた、Ｘ及びＸ’がＯ、Ｙ及びＹ’がＳｉ、並びにＺ及びＺ’がＯである場合に、類似の８員環コア構造を作ることができる。これはまた、タンタルに対して高度に付着性のフィルムを与える高性能のＣＶＤ銅先駆物質のもう１つの新しい分類をもたらす。以下の一覧では、Ｘ及びＸ’（Ｏ）（第１の群）、Ｙ及びＹ’（Ｃ）（第２の群）、並びにＺ及びＺ’（Ｏ）のために、様々な置換基が示されている。よって、コア環構造は［−Ｃｕ−Ｏ−Ｃ−Ｏ−Ｃｕ−Ｏ−Ｃ−Ｏ−］であり、これは構造タイプ１２として示す。この構造タイプ１２のためには下記のようなものがある。
【００８０】
第１の群：Ｘ及びＸ’（Ｏ）の置換基
Ｒ１及びＲ１’は独立に、アルキル、アルキン、アルケン、部分的にフッ素化したアルキル、アリール、アルキル置換アリール、部分的にフッ素化したアリール、フルオロアルキル置換アリール、トリアルキルシリル、又はトリアリールシリルである。Ｒ２及びＲ２’の置換基はない。
【００８１】
第２の群：Ｙ及びＹ’（Ｃ）の置換基
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ３’及びＲ４’は、水素、アルキル、部分的にフッ素化したアルキル、トリアルキルシロキシ、トリアリールシロキシ、アルコキシ、アリール、アルキル置換アリール、部分的にフッ素化したアリール、フルオロアルキル置換アリール、又はハロゲンの任意の組み合わせでよい。
【００８２】
ケイ素原子Ｙ及びＹ’がスズ原子、ゲルマニウム原子、ホウ素原子、又はアルミニウム原子のいずれかで置換されている構造タイプの更なる分類も考慮される。
【００８３】
スズではコア環構造は、［−Ｃｕ−Ｏ−Ｓｎ−Ｏ−Ｃｕ−Ｏ−Ｓｎ−Ｏ−］、［−Ｃｕ−Ｏ−Ｓｎ−Ｎ−Ｃｕ−Ｏ−Ｓｎ−Ｎ−］（Ｏはエーテル又はアニオン性酸素のいずれかでよいので２つの分類が存在する）、［−Ｃｕ−Ｎ−Ｓｎ−Ｎ−Ｃｕ−Ｎ−Ｓｎ−Ｎ−］、［−Ｃｕ−Ｏ−Ｓｎ−Ｃ−Ｃｕ−Ｏ−Ｓｎ−Ｃ−］、又は［−Ｃｕ−Ｎ−Ｓｎ−Ｃ−Ｃｕ−Ｎ−Ｓｎ−Ｃ−］になり、以下で構造タイプ１９、２０、２１、２２、２３、２４としてそれぞれ示す。Ｙ及びＹ’をゲルマニウムで置換したものでも、類似の化合物の分類がもたらされる。
【００８４】
スズに基づく構造及びゲルマニウムに基づく構造の両方で、Ｚ及びＺ’が酸素、窒素又は炭素である場合のＺ及びＺ’の置換基は、構造タイプ１〜１２で示したようなこれらの元素の置換パターンを挙げることができる。スズ又はゲルマニウム上の置換基は、構造タイプ１〜１２で、Ｓｉ上の置換基のために示されているようなものでよい。構造タイプ１、２、３、８及び９の合成先駆物質として示されている化合物のケイ素をスズで置換し、これらの化合物の合成工程と同じ合成工程を行うことによって、構造タイプ１９、２０、２１、２２、２３及び２４の合成経路、及び類似のゲルマニウムに基づく一連の構造タイプの合成経路が達成される。
【００８５】
またホウ素のためには、構造タイプは［−Ｃｕ−Ｏ−Ｂ−Ｏ−Ｃｕ−Ｏ−Ｂ−Ｏ−］、［−Ｃｕ−Ｏ−Ｂ−Ｎ−Ｃｕ−Ｏ−Ｂ−Ｎ−］（Ｏはエーテル又はアニオン性酸素のいずれかでよいので２つの分類が存在する）、［−Ｃｕ−Ｎ−Ｂ−Ｎ−Ｃｕ−Ｎ−Ｂ−Ｎ−］、［−Ｃｕ−Ｏ−Ｂ−Ｃ−Ｃｕ−Ｏ−Ｂ−Ｃ−］、［−Ｃｕ−Ｎ−Ｂ−Ｃ−Ｃｕ−Ｎ−Ｂ−Ｃ−］になる。これらは以下ではそれぞれ、構造タイプ１３、１４、１５、１６、１７及び１８として示す。Ｙ及びＹ’がＡｌである場合、類似の一連の構造タイプが得られる。アルミニウムに基づく構造タイプ及びホウ素に基づく構造タイプの両方のための酸素、窒素又は炭素（Ｚ及びＺ’）上の置換基は、限定するわけではないが、構造タイプ１〜１２の酸素、窒素及び炭素のために示したようなものである。ホウ素又はアルミニウム上の置換基としては、限定するわけではないが、ハロゲン（特にフッ素）、Ｃ１〜Ｃ８のアルキル、及びフルオロアルキル、アリール及びフルオロアリール、部分的にフッ素化した又はフッ素化されていないアルコキシド又はシラノエート、アミドを挙げることができる。
【００８６】
ＣＶＤ及びＡＬＤプロセス
上述の錯体を使用する純粋な金属銅、銅含有合金、及び他の銅含有物のフィルム又は他の金属のフィルムの成長のためのＣＶＤ及びＡＬＤプロセスは、任意の組み合わせの以下のプロセス条件で効果的に行うことができると考えられる：
（ａ）０〜５００セルシウス度（℃）の温度範囲。
（ｂ）１ｍＴｏｒｒ〜７６０Ｔｏｒｒ超の圧力範囲。
（ｃ）マイクロ波でもたらした直接又は遠隔のプラズマの使用。
（ｄ）化学量論的又は触媒的に加える以下の反応体の使用：
水素、アンモニア、水蒸気、酸素、亜酸化窒素、ヒドラジン、アミン、アルコール、ホスフィン、シラン、ボラン、アラン、又はこれらの金属先駆物質から金属含有フィルムをもたらすことができる他の化学的に反応性の化学種。
（ｅ）銅合金又は銅を含む他の混合金属化合物、例えば超伝導性ＹＢａＣｕ酸化物を成長させるための、（ｄ）で示したような反応体の気体と組み合わせた他の金属先駆物質の蒸気。
（ｆ）ＣＶＤプロセスの間に揮発性硫黄含有揮発性化合物を加えて、金属硫化物を作ることができる。
【００８７】
錯体化して様々な中性配位子にすると、上述の化合物の任意のもの、例えばアルコール、エーテル、アミン、アルケン、アルキン、アレーン、ホスフィン、一酸化炭素、ニトリル、イソニトリル、シアネート、又はイソシアネート、イミン、ジイミン、窒素含有ヘテロ環も、銅ＣＶＤのための有益な先駆物質を作ることもできる。
【００８８】
特に有益な組成物は、液体又は特に揮発性であるそれらの錯体でよい。
【００８９】
配位子系が酸素を含まない上述の錯体、例えばＣｕ−Ｎ−Ｓｉ−Ｃ−Ｃｕ−Ｎ−Ｓｉ−Ｃ系では、同じ又は同様な配位子から調製した銅錯体と化学的に相溶性の、親オキソ性の金属、例えばマグネシウム、ジルコニウム等の揮発性錯体を、調製できると考えられる。そのような２種類の化合物の混合を使用するＣＶＤは、促進された信頼性及び改良された耐電気移動性を有することが知られるＣｕ／Ｍｇ又はＣｕ／Ｚｒのような銅合金の堆積を可能にする。適当な配位子を選択すると、液体配合物であるそのような混合物を調製することができ、これはＣＶＤ容器への直接液体注入輸送に特に適している。
【００９０】
更に、上述の化合物の全てにおいてコア８員環を作る選択された原子上の選択された置換基は、スズを有する基も含み、それによってこの元素を銅ＣＶＤフィルムに混ぜて、純粋な銅よりも耐電気移動性である合金を与えることができる。
【００９１】
実験
合成
［−ＣｕＮＭｅ２ＳｉＭｅ２ＣＨ２ＣｕＮＭｅ２ＳｉＭｅ２ＣＨ２−］錯体は、以下のようにして合成した。窒素ブランケット条件において、１５．１ｇ（０．１ｍｏｌ）のジメチルアミノクロロメチルジメチルシランを、２００ｍｌの乾燥テトラヒドロフラン中の２．４ｇ（０．１ｍｏｌ）のマグネシウムに加えた。混合物を室温において１晩にわたって撹拌して、灰色の溶液を得た。１つのロットには８．５ｍｌのジオキサンを加えて、３０分間にわたって撹拌し、そして得られた塩化マグネシウム／ジオキサン沈殿物をろ過して除去した。ろ液を氷浴で摂氏６℃まで冷却し、１０ｇの塩化銅（Ｉ）（０．１ｍｏｌ）を１時間にわたって撹拌しながら加えた。混合物は更に１時間にわたって６℃で撹拌し、その後で連続的に撹拌しながら、室温まで暖まるようにした。この混合物をろ過し、室温においてろ液から溶媒を除去し、オフホワイトの固体を得た。この固体を、１０５℃の昇華装置に配置し、０．００１Ｔｏｒｒの動的減圧下で昇華させて、錯体［−ＣｕＮＭｅ２ＳｉＭｅ２ＣＨ２ＣｕＮＭｅ２ＳｉＭｅ２ＣＨ２−］の無色の結晶昇華物を得た。
収量＝５．０ｇ
重陽子ベンゼン中での１Ｈ  ＮＭＲ：２．２２ｐｐｍでの信号（６Ｈ）、０．２１ｐｐｍでの信号（６Ｈ）、−０．３３ｐｐｍでの信号（２Ｈ）
重陽子ベンゼン中での１３Ｃ  ＮＭＲ：−８．２ｐｐｍでの信号、−０．２５ｐｐｍでの信号、４０．１ｐｐｍでの信号
純化された［−ＣｕＮＭｅ２ＳｉＭｅ２ＣＨ２ＣｕＮＭｅ２ＳｉＭｅ２ＣＨ２−］錯体のＧＣＭＳ解析は、配位子カップリングの生成物、すなわちＭｅ２ＮＳｉＭｅ２ＣＨ２ＣＨ２Ｍｅ２ＳｉＮＭｅ２を主に示した。これは、ＧＣ注入口での熱的な反応による。
【００９２】
他の実験においては、［−ＣｕＮＭｅ２ＳｉＭｅ２ＣＨ２ＣｕＮＭｅ２ＳｉＭｅ２ＣＨ２−］錯体の昇華の間に１２０℃を超える過剰な熱を加えることが、銅フィルム及び唯一の揮発性副生成物としての結合配位子Ｍｅ２ＮＳｉＭｅ２ＣＨ２ＣＨ２Ｍｅ２ＳｉＮＭｅ２をもたらすことが見出された。これは、ＧＣＭＳ及び１ＨＮＭＲの両方によって認識された。以下に示すように、ＣＶＤ条件において、銅含有フィルムの成長と同時に、［−ＣｕＮＭｅ２ＳｉＭｅ２ＣＨ２ＣｕＮＭｅ２ＳｉＭｅ２ＣＨ２−］錯体の配位子の結合も観察した。
【００９３】
ＣＶＤ
ＶａｃｔｒｏｎｉｃｓのＬＰＣＶＤ反応器を、以下の条件で使用した：
先駆物質：［−ＣｕＮＭｅ２ＳｉＭｅ２ＣＨ２ＣｕＮＭｅ２ＳｉＭｅ２ＣＨ２−］
基材：シリコンウェハー上にスパッタリングしたタンタル
先駆物質輸送温度：７５℃
容器圧力：１．５Ｔｏｒｒ
ウェハー温度：１４３℃
キャリアーガス流量：７０ｓｃｃｍ
希釈剤ガス流量：１００ｓｃｃｍ
【００９４】
これは、銅含有フィルムを提供し、ＥＤＸ走査によって測定した。プロセスの間のＣＶＤ容器のガスの質量分析は、ＣＶＤプロセスで金属銅を放出するときに、先駆物質［−ＣｕＮＭｅ２ＳｉＭｅ２ＣＨ２ＣｕＮＭｅ２ＳｉＭｅ２ＣＨ２−］の配位子系のカップリングから分子量１８８（親イオンの分子量２３２−（Ｍｅ）２Ｎの分子量４４）のピークとして、ＮＭｅ２ＳｉＭｅ２ＣＨ２ＣＨ２ＳｉＭｅ２ＮＭｅ２の存在を明らかにした。
【００９５】
上述の合成の本質は、ジメチルアミノトリメチルシランのケイ素に対してアルファ位のメチル基の金属化（メタレーション）と、それに続く銅（＋１）種との反応である。必要に応じて、得られる反応混合物をろ過して、任意の副生成沈殿物を除去し、そして昇華させて最終的な生成物をもたらす。場合によっては、粗反応混合物から直接に、最終生成物を昇華させることができる。
【００９６】
ジメチルアミノトリメチルシランの金属化は、様々な方法で行うことができ、様々な種類の銅（＋１）反応体を、代わりの合成方法を行う反応のために選択して、上述のタイプ［１］の錯体を得ることができる。例えば、［−ＣｕＮＭｅ２ＳｉＭｅ２ＣＨ２ＣｕＮＭｅ２ＳｉＭｅ２ＣＨ２−］を調製する場合、初めにジメチルアミノハロメチルジメチルシランを調製し、そしてこれを金属、限定するわけではないが、例えばマグネシウム、リチウム、アルミニウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、ルビジウムと反応させることによって効果的にジメチルアミノトリメチルシランを金属化させることができる。あるいは、ジメチルアミノハロメチルジメチルシランを、有機金属化学種と反応させて、金属／ハロゲンが金属化ジメチルアミノトリメチルシラン種をもたらすようにすることができる。あるいは、ジメチルアミノトリメチルシランを、有機金属試薬によって脱プロトン化することができる。あるいは、金属化ジメチルアミノトリメチルシラン化学種を電気化学的にもたらすことができる。そのような金属化ジメチルアミノトリメチルシランに反応させる適当な銅（＋１）源としては、限定するわけではないが、ハロゲン化銅、銅アセテート、銅トリフルオロアセテート、銅トリフラート、銅アルコキシド、銅アミド、有機金属銅、銅ヘキサフルオロホスフェート、銅テトラフルオロボレート、又は他の適当な銅（＋１）化合物を挙げることとができる。最終的な生成物は、昇華、蒸留、再結晶化、選択的可逆吸着、適当な配位媒体を使用する選択的及び可逆付加物生成、有機金属銅化合物生成物に対して穏やかなクロマトグラフ媒体を使用するカラムクロマトグラフによって純化することができる。
【００９７】
上述の代替的な合成の一般的な原理を拡張して、以下に示す合成に加えて、ジアルキルアミノトリアルキルシラン種も包含することができ、銅以外の金属を使用して最終的な金属錯体を調製することもできる。
【００９８】
類似の合成方法を使用して、他の構造タイプ１の化合物を調製することもできる。
【００９９】
構造タイプ２の化合物の合成
ジメチルジクロロシラン（１ｍｏｌ）を、窒素雰囲気で１リットルのテトラヒドロフランに溶解して、ここに１リットルのテトラヒドロフラン中の１ｍｏｌのリチウムメチルアミドをゆっくりと加えることができる。得られる混合物を１晩にわたって撹拌し、全ての揮発性成分を減圧除去し、そして大気圧の窒素条件で分留して、メチルアミノジメチルクロロシランを得ることができる。その後、１／２ｍｏｌのメチルアミノジメチルクロロシランを、窒素雰囲気において１リットルのテトラヒドロフランに溶解し、ここに、ヘキサン中のサスペンションのリチウムジメチルアミドをゆっくりと加えることができる。得られる溶液を室温で１晩にわたって撹拌して、全ての揮発性成分を減圧除去し、そして得られる混合物を分留して、生成物ジメチルアミノメチルアミドジメチルシランを得ることができる。
【０１００】
１／１０ｍｏｌのジメチルアミノメチルアミノジメチルシランを、窒素ブランケット条件で１００ｍｌのテトラヒドロフラン中に懸濁させて、ヘキサン中の１／１０ｍｏｌのｎ−ブチルリチウム（ｎ−ＢｕＬｉ）を１０分間にわたって加えることができる。得られる溶液を０℃まで冷却して、１／１０ｍｏｌの塩化銅を１時間にわたって加えることができる。得られる混合物を１時間で室温まで暖まるようにし、そしてろ過した。ろ液から溶媒を除去し、減圧下で加熱して、蒸留で生成物［−ＣｕＮＭｅ２ＳｉＭｅ２ＮＭｅ−ＣｕＮＭｅ２ＳｉＭｅ２ＮＭｅ］を取り出すことができる。
【０１０１】
構造タイプ３の化合物の合成
１ｍｏｌのジエチルジクロロシランを、窒素雰囲気で１リットルのテトラヒドロフラン又は他の同様な溶媒に溶解して、１時間にわたって撹拌しながら１ｍｏｌのリチウムジメチルアミドをゆっくりと加え、そして１晩にわたって撹拌することができる。全ての揮発性成分を減圧除去し、そして分留して、生成物ジメチルアミノジエチルクロロシランを得ることができる。この生成物を、窒素雰囲気においてテトラヒドロフラン又は同様な溶媒に溶解することができる。１モルの水を１００ｍｌのテトラヒドロフラン又は同様な溶媒に溶解して、０℃で１時間にわたってゆっくりと加えることができる。得られる混合物をろ過し、ろ液を分留して生成物ジメチルアミノジエチルシラノールを得ることができる。１当量のこの生成物を、テトラヒドロフラン又は同様な溶媒に溶解して、１当量のｎ−ブチルリチウム溶液で処理することができる。混合物を０℃まで冷却し、１当量塩化銅を３０分間にわたって加えることができる。この混合物は室温まで暖まるようにし、ろ過し、溶媒を除去し、そして得られる混合物を減圧条件で加熱して、生成物［Ｃｕ−ＮＭｅ２−ＳｉＥｔ２−Ｏ−Ｃｕ−ＮＭｅ２−ＳｉＥｔ２−Ｏ−Ｃｕ］を取り出すことができる。
【０１０２】
構造タイプ４の化合物の合成
ジメチルアミノ−ヨウ素化メチルメタンは、標準の有機合成技術を使用して合成することができる。１当量のこの化合物をテトラヒドロフラン又は同様な溶媒に溶解し、１当量のマグネシウムと反応させ、１晩にわたって撹拌することができる。１当量のジオキサンを加えて、３０分後に混合物をろ過することができる。この溶液を冷却して０℃にし、塩化銅（Ｉ）又は他の適当な銅（Ｉ）化合物を、１時間にわたってゆっくりと加えることができる。この混合物は、撹拌して１時間で室温なるようにすることができる。溶媒を減圧除去し、得られる固体を減圧条件で加熱して、生成物を［−Ｃｕ−ＮＭｅ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｃｕ−ＮＭｅ２−ＣＨ２−ＣＨ２−］として蒸留で取り出すことができる。他の構造タイプ４の化合物も、類似の合成方法を使用して調製することができる。
【０１０３】
構造タイプ５の化合物の合成
Ｎ−ジメチルアミノ−Ｎ’−メチルアミノジメチルメタンは、標準の有機合成技術を使用して合成することができる。１当量のこの化合物をテトラヒドロフラン又は同様な溶媒に溶解し、−７８℃まで冷却し、そして１当量のｎ−ＢｕＬｉを加えることができる。混合物が室温まで暖まるようにし、１晩にわたって撹拌することができる。この混合物に１当量の塩化銅（Ｉ）又は同様な銅（Ｉ）反応体を１時間にわたってゆっくりと加え、混合物を１時間室温で撹拌することができる。溶媒を減圧除去し、得られる固体を減圧条件で加熱して、生成物を［−Ｃｕ−ＮＭｅ２−ＣＭｅ２−ＮＭｅ−Ｃｕ−ＮＭｅ２−ＣＭｅ２−ＮＭｅ−］として蒸留で取り出すことができる。他の構造タイプ５の化合物も、類似の合成方法を使用して調製することができる。
【０１０４】
構造タイプ６の化合物の合成
ジメチルアミノメタノールは、標準の有機合成技術を使用して合成することができる。１当量のこの化合物をテトラヒドロフラン又は同様な溶媒に溶解し、０℃まで冷却し、そして１当量の水素化ナトリウム又は同様な脱プロトン化剤と反応させることができる。混合物が室温まで暖まるようにし、１晩にわたって撹拌することができる。この混合物に１当量の塩化銅（Ｉ）又は同様な銅（Ｉ）反応体を１時間にわたってゆっくりと加え、混合物を１時間室温で撹拌することができる。溶媒を減圧除去し、得られる固体を減圧条件で加熱して、生成物を［−Ｃｕ−ＮＭｅ２−ＣＨ２−Ｏ−Ｃｕ−ＮＭｅ２−ＣＨ２−Ｏ−］として蒸留で取り出すことができる。他の構造タイプ６の化合物も、類似の合成方法を使用して調製することができる。
【０１０５】
構造タイプ７の化合物の合成
ｔ−ブトキシクロロメチルジメチルシランは、標準の有機合成技術を使用して合成することができる。１当量のこの化合物をテトラヒドロフラン又は同様な溶媒に溶解し、１当量のマグネシウムと反応させ、そして１晩にわたって撹拌することができる。１当量のジオキサンを加え、そして３０分後に、この混合物をろ過することができる。この溶液を０℃まで冷却し、そして塩化銅（Ｉ）又は他の適当な銅（Ｉ）化合物を、１時間にわたってゆっくりと加えることができる。この混合物を１時間室温で撹拌することができる。混合物をろ過して、ろ液から溶媒を減圧除去することができる。得られる固体を減圧条件で加熱して、生成物を［−Ｃｕ−（ＣＨ３）３Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｃｕ−（ＣＨ３）３Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ２−］として蒸留で取り出すことができる。他の構造タイプ７の化合物も、類似の合成方法を使用して調製することができる。
【０１０６】
構造タイプ８の化合物の合成
メトキシメチルアミノジメチルシランは、標準の有機合成技術を使用して合成することができる。１当量のこの化合物をテトラヒドロフラン又は同様な溶媒に溶解し、０℃まで冷却し、そして１当量のｎ−ブチルリチウム又は同様な脱プロトン化剤と反応させることができる。この混合物を室温まで暖まるようにし、そして１晩にわたって撹拌することができる。この混合物に、１当量の塩化銅（Ｉ）又は同様な銅（Ｉ）反応体を、１時間にわたってゆっくりと加え、そして混合物を１時間室温で撹拌するようにすることができる。混合物をろ過し、ろ液から溶媒を減圧除去し、得られる固体を減圧条件で加熱して、生成物を［−Ｃｕ−ＯＭｅ−ＳｉＭｅ２−ＮＭｅ−Ｃｕ−ＯＭｅ−ＳｉＭｅ２−ＮＭｅ−］として蒸留で取り出すことができる。他の構造タイプ８の化合物も、類似の合成方法を使用して調製することができる。
【０１０７】
構造タイプ９の化合物の合成
メトキシジメチルシラノールは、標準の有機合成技術を使用して合成することができる。１当量のこの化合物をテトラヒドロフラン又は同様な溶媒に溶解し、０℃まで冷却し、そして１当量の水素化ナトリウム又は同様な脱プロトン化剤と反応させることができる。この混合物を室温まで暖まるようにし、そして１晩にわたって撹拌することができる。この混合物に、塩化銅（Ｉ）又は同様な銅（Ｉ）反応体を、１時間にわたってゆっくりと加え、そして混合物を１時間室温で撹拌するようにすることができる。混合物をろ過し、ろ液から溶媒を減圧除去し、得られる固体を減圧条件で加熱して、生成物を［−Ｃｕ−ＯＭｅ−ＳｉＭｅ２−Ｏ−Ｃｕ−ＯＭｅ−ＳｉＭｅ２−Ｏ−］として蒸留で取り出すことができる。他の構造タイプ９の化合物も、類似の合成方法を使用して調製することができる。
【０１０８】
構造タイプ１０の化合物の合成
ｔ−ブトキシ−ブロモメチルメタンは、標準の有機合成技術を使用して合成することができる。１当量のこの化合物をテトラヒドロフラン又は同様な溶媒に溶解し、１当量のマグネシウムと反応させ、１晩にわたって撹拌することができる。１当量のジオキサンを加えて、３０分後に混合物をろ過することができる。この溶液を０℃まで冷却し、塩化銅（Ｉ）又は他の適当な銅（Ｉ）化合物を１時間にわたってゆっくりと加えることができる。この混合物を１時間室温で撹拌することができる。混合物をろ過し、ろ液から溶媒を減圧除去することができる。得られる固体を減圧条件で加熱して、生成物を［−Ｃｕ−Ｏｔ−Ｂｕ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｃｕ−Ｏｔ−Ｂｕ−ＣＨ２−ＣＨ２−］として蒸留で取り出すことができる。他の構造タイプ１０の化合物も、類似の合成方法を使用して調製することができる。
【０１０９】
構造タイプ１１の化合物の合成
メトキシメチルアミノメタンは、標準の有機合成技術を使用して合成することができる。１当量のこの化合物をテトラヒドロフラン又は同様な溶媒に溶解し、０℃まで冷却して、１当量のｎ−ブチルリチウム又は同様な脱プロトン化剤と反応させることができる。この混合物が室温まで暖まるようにし、１晩にわたって撹拌することができる。この混合物に、１当量の塩化銅（Ｉ）又は同様な銅（Ｉ）反応体を、１時間にわたってゆっくりと加え、混合物を１時間室温で撹拌することができる。混合物をろ過し、ろ液から溶媒を減圧除去し、得られる固体を減圧条件で加熱して、生成物を［−Ｃｕ−ＯＭｅ−ＣＨ２−ＮＭｅ−Ｃｕ−ＯＭｅ−ＣＨ２−ＮＭｅ−］として蒸留で取り出すことができる。他の構造タイプ１１の化合物も、類似の合成方法を使用して調製することができる。
【０１１０】
構造タイプ１２の化合物の合成
ｔ−ブトキシメタノールは、標準の有機合成技術を使用して合成することができる。１当量のこの化合物をテトラヒドロフラン又は同様な溶媒に溶解し、０℃まで冷却して、１当量の水素化ナトリウム又は同様な脱プロトン化剤と反応させることができる。この混合物が室温まで暖まるようにし、１晩にわたって撹拌することができる。この混合物に、１当量の塩化銅（Ｉ）又は同様な銅（Ｉ）反応体を、１時間にわたってゆっくりと加え、そして混合物を１時間室温で撹拌することができる。混合物をろ過し、ろ液から溶媒を減圧除去し、得られる固体を減圧条件で加熱して、生成物を［−Ｃｕ−Ｏｔ−Ｂｕ−ＣＨ２−Ｏ−Ｃｕ−Ｏｔ−Ｂｕ−ＣＨ２−Ｏ−］として蒸留で取り出すことができる。他の構造タイプ１２の化合物も、類似の合成方法を使用して調製することができる。
【０１１１】
構造タイプ１３の化合物の合成
ＭｅＯＢ（Ｍｅ）ＯＨは、標準のホウ素化学合成技術を使用して調製することができる。この化合物を、窒素雰囲気でエーテル又は他の適当な溶媒に溶解し、そして１当量の水素化ナトリウム又は他の適当な脱プロトン化剤で処理することができる。この混合物を、１当量の塩化銅又は他の適当な銅（Ｉ）源で処理することができる。適当な反応時間の後で、この混合物をろ過し、ろ液から溶媒を除去し、得られる材料を減圧条件で加熱して、生成物［−Ｃｕ−ＯＭｅ−ＢＭｅ−Ｏ−Ｃｕ−ＯＭｅ−ＢＭｅ−Ｏ−］を蒸留で取り出すことができる。他の構造タイプ１３の化合物も、類似の合成方法を使用して調製することができる。
【０１１２】
構造タイプ１４の化合物の合成
ＭｅＯＢ（Ｍｅ）ＮＭｅＨは、標準のホウ素化学合成技術を使用して調製することができる。この化合物を、窒素雰囲気でエーテル又は他の適当な溶媒に溶解し、そして１当量の水素化ナトリウム又は他の適当な脱プロトン化剤で処理することができる。この混合物を、１当量の塩化銅又は他の適当な銅（Ｉ）源で処理することができる。適当な反応時間の後で、この混合物をろ過し、ろ液から溶媒を除去し、得られる材料を減圧条件で加熱して、生成物［−Ｃｕ−ＯＭｅ−ＢＭｅ−ＮＭｅ−Ｃｕ−ＯＭｅ−ＢＭｅ−ＮＭｅ−］を蒸留で取り出すことができる。他の構造タイプ１４の化合物も、類似の合成方法を使用して調製することができる。
【０１１３】
構造タイプ１５の化合物の合成
ＨＯＢ（Ｍｅ）ＮＭｅ２は、標準のホウ素化学合成技術を使用して調製することができる。この化合物を、窒素雰囲気でエーテル又は他の適当な溶媒に溶解し、そして１当量の水素化ナトリウム又は他の適当な脱プロトン化剤で処理することができる。この混合物を、１当量の塩化銅又は他の適当な銅（Ｉ）源で処理することができる。適当な反応時間の後で、この混合物をろ過し、ろ液から溶媒を除去し、得られる材料を減圧条件で加熱して、生成物［−Ｃｕ−Ｏ−ＢＭｅ−ＮＭｅ２−Ｃｕ−Ｏ−ＢＭｅ−ＮＭｅ２−］を蒸留で取り出すことができる。他の構造タイプ１５の化合物も、類似の合成方法を使用して調製することができる。
【０１１４】
構造タイプ１６の化合物の合成
ＨＭｅＮＢ（Ｍｅ）ＮＭｅ２は、標準のホウ素化学合成技術を使用して調製することができる。この化合物を、窒素雰囲気でエーテル又は他の適当な溶媒に溶解し、そして１当量の水素化ナトリウム又は他の適当な脱プロトン化剤で処理することができる。この混合物を、１当量の塩化銅又は他の適当な銅（Ｉ）源で処理することができる。適当な反応時間の後で、この混合物をろ過し、ろ液から溶媒を除去し、得られる材料を減圧条件で加熱して、生成物［−Ｃｕ−ＮＭｅ−ＢＭｅ−ＮＭｅ２−Ｃｕ−ＮＭｅ−ＢＭｅ−ＮＭｅ２−］を蒸留で取り出すことができる。他の構造タイプ１６の化合物も、類似の合成方法を使用して調製することができる。
【０１１５】
構造タイプ１７の化合物の合成
ＭｅＯ−Ｂ（Ｍｅ）ＣＨ２Ｂｒは、標準のホウ素化学合成技術を使用して調製することができる。この化合物を、窒素雰囲気でエーテル又は他の適当な溶媒に溶解し、そして１当量のマグネシウムで処理することができる。この混合物を１晩にわたって撹拌し、そして１当量のジオキサンで処理し、ろ過することができる。このろ液に、１当量の塩化銅又は他の適当な銅（Ｉ）源を加えることができる。適当な反応時間の後で、この混合物をろ過し、ろ液から溶媒を除去し、得られる材料を減圧条件で加熱して、生成物［−Ｃｕ−ＯＭｅ−ＢＭｅ−ＣＨ２−Ｃｕ−ＯＭｅ−ＢＭｅ−ＣＨ２−］を蒸留で取り出すことができる。他の構造タイプ１７の化合物も、類似の合成方法を使用して調製することができる。
【０１１６】
構造タイプ１８の化合物の合成
Ｍｅ２Ｎ−Ｂ（Ｍｅ）ＣＨ２Ｂｒは、標準のホウ素化学合成技術を使用して調製することができる。この化合物を、窒素雰囲気でエーテル又は他の適当な溶媒に溶解し、そして１当量のマグネシウムで処理することができる。この混合物を１晩にわたって撹拌し、その後で１当量のジオキサンで処理し、ろ過することができる。このろ液に、１当量の塩化銅又は他の適当な銅（Ｉ）源を加えることができる。適当な反応時間の後で、この混合物をろ過し、ろ液から溶媒を除去し、得られる材料を減圧条件で加熱して、生成物［−Ｃｕ−ＮＭｅ２−ＢＭｅ−ＣＨ２−Ｃｕ−ＮＭｅ２−ＢＭｅ−ＣＨ２−］を蒸留で取り出すことができる。他の構造タイプ１８の化合物も、類似の合成方法を使用して調製することができる。
【０１１７】
上述のそれぞれの構造タイプにおいて、様々な置換基を有することができる第１、２及び３の群が存在している。典型的な合成においては、配位子を構成する置換された第１、２及び３の群を選択することによって錯体を設計し、合成して銅又は他の金属と錯化させて、適当な化合物を作る。しかしながら、これらの群の中で２又はそれよりも多い異なる置換基のパターンを選択して、２又はそれよりも多い異なる配位子を混合物としてもたらすことが有利なこともある。これは、これらの配位子が混合物として、銅又は他の金属と錯化して、銅又は他の金属の化合物の混合物をもたらすためである。最終的な生成物１分子当たりには、２つの配位子と２つの銅中心とが存在しているので、配位子Ｌ１及びＬ２が銅と錯化する配位子の混合物を構成する場合、３つの銅錯体の混合物、すなわちＣｕ２（Ｌ１）２、Ｃｕ２（Ｌ１）（Ｌ２）及びＣｕ２（Ｌ２）２が作られる。同様に、３つの異なる配位子の混合物は、Ｃｕ２（Ｌ１）２、Ｃｕ２（Ｌ２）２、Ｃｕ２（Ｌ３）２、Ｃｕ２（Ｌ１）（Ｌ２）、Ｃｕ２（Ｌ２）（Ｌ３）、及びＣｕ２（Ｌ１）（Ｌ３）として示される銅錯体の混合物をもたらす。そのような混合物の利点は、ある種の環境においてはこれらを液体として扱えることであり、これは蒸気輸送、特にＣＶＤ又はＡＬＤプロセスの直接液体注入プロセスで有利なことがある。
【０１１８】
特定の好ましい態様に関して本発明を説明してきたが、本発明の全ての範囲は特許請求の範囲の記載から明らかになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の化合物の単結晶ｘ線構造を示している。
【図１】
0003593051.tif 000008