(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に配置された、少なくとも一つの側端面を有する第１及び第２の半導体光素子からなり、前記第１及び第２の半導体光素子の少なくとも一方が、少なくともその一つの側端面の一部でかつ光軸が通過する部分において、前記側端面よりも内側に陥没されてなり、かつ前記第１及び第２の半導体光素子の前記陥没していない側端面部分で接触して配置されて、光軸が通過する部分において両素子間に微少な間隙が形成されたことを特徴とする光モジュール。
【請求項２】
前記基板が、前記第１及び第２の半導体光素子の光軸を合わせるような段差部を有することを特徴とする請求項１に記載の光モジュール。
【請求項３】
少なくともその一つの側端面の一部でかつ光軸が通過する部分が、前記側端面よりも内側に陥没してなる第１の半導体光素子を作製する工程と、少なくとも前記第１の半導体光素子を１つ以上含む複数の半導体光素子を、相互に前記陥没していない側端面部分で接触して基板上に配置させる工程を有し、光軸が通過する部分において両素子間に微少な間隙を形成することを特徴とする光モジュール製造法。
【請求項４】
少なくともその一つの側端面の一部でかつ光軸が通過する部分が、前記側端面よりも内側に陥没してなる第１の半導体光素子を作製する工程と、複数の半導体光素子間の光軸段差を補完するような段差部を基板に設ける工程と、少なくとも前記第１の半導体光素子を１つ以上含む複数の半導体光素子を、相互に前記陥没していない側端面部分で接触させて、前記基板上の前記段差部に配置させる工程を有し、光軸が通過する部分において両素子間に微少な間隙を形成することを特徴とする光モジュール製造法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般的には複数の光素子どうしをハイブリッドに搭載した光モジュール及びその製造法に関し、更に具体的には、種類が異なる等、複数の光素子どうしの側面を接触させて位置合わせを行うことにより、搭載コストの低減を図った光モジュール及びその製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図５に従来の技術として半導体導波路型能動素子とフォトダイオードからなる光モジュールの構造例を示し、図６にその製造法を示す。図５、図６中の符号で、３０１は半導体レーザ、３０２は導波路型フォトダイオード、３０３はＰＣＬ（Ｐｌａｎｅｒ  Ｌｉｇｈｔｗａｖｅ  Ｃｉｒｃｕｉｔ：プレーナ光波回路）である。ここで、半導体レーザ３０１及びフォトダイオード３０２は半導体基板側を上にデバイス層側を下にして、ハンダ３０４を用いてＰＣＬ３０３上に接続されているいわゆるフリップチップボンディングにより、ＰＣＬ３０３上に固定されている。また、半導体レーザ３０１及びフォトダイオード３０２の光入出射端面（３０１ａ、３０１ｂ、３０２ａ）はそれぞれの半導体側面と同一面上にあり、半導体レーザ３０１及びフォトダイオード３０２の光入出射端面（３０１ｂ、３０２ａ）の間には少なくとも数μｍ以上の空間３０６が存在している（橋本俊和他、「ＰＬＣプラットフォーム上へのパッシブアライメントによるＬＤ、モニターＰＤの搭載」１９９６年電子情報通信学会総合大会講演論文集エレクトロニクス１  Ｃ−２０６  ２０６頁）。
【０００３】
上記従来の光モジュールの機能は以下の通りである。
【０００４】
即ち、半導体レーザ３０１の光前方出射端面３０１ａから出射された光は、ＰＬＣ３０３上に形成された光導波路３０７に入射され、送信光信号として光導波路３０７中を導波していく。一方、半導体レーザ３０１の光後方出射端面３０１ｂから出射された光は、半導体レーザ３０１とフォトダイオード３０２で挟まれた空間３０６を伝搬した後、フォトダイオード３０２の入射端面３０２ａからフォトダイオード３０２内に入射され、フォトダイオード３０２内で光電変換されて電気信号となる。
【０００５】
ここで、半導体レーザ３０１の光前方出射端面３０１ａから出射される光の強度と光後方出射端面３０１ｂから出射される光の強度とは比例関係にあるので、フォトダイオード３０２内で生じる電気信号の強度は光導波路３０７を伝搬していく送信光信号の強度に比例する。即ち、電気信号の強度の変化を観測することで、送信光信号の強度をモニタすることができる。一般に、このようにレーザの光後方出射端面からの光強度をモニタする役目を持つフォトダイオードを、モニタフォトダイオードと呼んでいる。
【０００６】
次に、上述した従来の光モジュールの製造法を説明する。予め半導体レーザ３０１と導波路型フォトダイオード３０２を、光前方出射端面３０１ａ、光後方出射端面３０１ｂ及び光入射端面３０２ａがそれぞれの半導体側面と同一面上になるように作製する。次に、図６（ａ）に示すように半導体レーザ３０１を、ハンダ３０４を用いてＰＣＬ３０３上に接続されているいわゆるフリップチップボンディングにより、ＰＣＬ３０３上に固定する。この際、半導体基板側を上にデバイス層側を下にする。次に、図６（ｂ）に示すようにフォトダイオード３０２をフリップチップボンディングにより、ＰＣＬ３０３上に固定する。その際、半導体基板側を上にデバイス層側を下にし、かつ、半導体レーザ３０１の光後方出射端面３０１ｂとフォトダイオード３０２の光入射端面３０２ａの間に数μｍの空間３０６が存在するように、フォトダイオード３０２を配置する
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来の光モジュールにおいては、半導体レーザ３０１の光後方出射端面３０１ｂから出射された光は、半導体レーザ３０１とフォトダイオード３０２で挟まれた空間３０６を伝搬するが、この空間３０６が長ければ長いほど、伝搬光は大きく広がっていく。一方、フォトダイオード３０２の光電変換効率は入射する光の広がりが大きいほど低くなり、特に、導波路型フォトダイオードではこの傾向は顕著である。
【０００８】
従って、モニタフォトダイオードの光電変換効率を高くするためには、レーザとモニタフォトダイオードとの間隔を可能な限り小さくすることが望ましい。例えば、両者の間隔が５μｍの場合、モニタフォトダイオードの光電変換効率は５０パーセントに低下するが、両者の間隔が１μｍの場合は、モニタフォトダイオードの光電変換効率は８０パーセントと高くなる。
【０００９】
ところが、前述したように半導体レーザ３０１及びフォトダイオード３０２はいずれも光入出射端面がそれぞれの半導体側面と同一面上にあるため、光入出射端面を損傷しないようにするためには、半導体レーザ３０１とフォトダイオード３０２とを接触させないように、高度な搭載技術を用いて両者をＰＬＣ３０３上に搭載する必要がある。一般的な搭載技術の精度は５μｍ程度であり、高精度な搭載技術の精度は１μｍ程度である。
【００１０】
しかし、高精度な搭載技術では、高精度な装置を必要とするため、光モジュールのコストが高くなっていた。従って、レーザ等の能動素子と受光素子とを搭載技術精度以上の間隔を保って搭載するという従来の技術では、搭載コストが高くなり、高性能でかつ低コストな光モジュールを実現できないという問題があった。
【００１１】
そこで、本発明の目的は、高性能な光モジュールのためには高精度な搭載技術が必要であるという従来技術の問題点を解消した、高性能で低コストな光モジュール及びその製造法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
請求項１に係る発明は上記課題を解決する光モジュールであり、基板上に配置された、少なくとも一つの側端面を有する第１及び第２の半導体光素子からなり、前記第１及び第２の半導体光素子の少なくとも一方が、少なくともその一つの側端面の一部でかつ光軸が通過する部分において、前記側端面よりも内側に陥没されてなり、かつ前記第１及び第２の半導体光素子の前記陥没していない側端面部分で接触して配置されて、光軸が通過する部分において両素子間に微少な間隙が形成されたことを特徴とする。
【００１３】
請求項２に係る発明は、請求項１に係る発明の光モジュールにおいて、前記基板が、前記第１及び第２の半導体光素子の光軸を合わせるような段差部を有することを特徴とする。
【００１４】
請求項３に係る発明は上記課題を解決する光モジュール製造法であり、少なくともその一つの側端面の一部でかつ光軸が通過する部分が、前記側端面よりも内側に陥没してなる第１の半導体光素子を作製する工程と、少なくとも前記第１の半導体光素子を１つ以上含む複数の半導体光素子を、相互に前記陥没していない側端面部分で接触して基板上に配置させる工程を有し、光軸が通過する部分において両素子間に微少な間隙を形成することを特徴とする。
【００１５】
請求項４に係る発明は上記課題を解決する他の光モジュール製造法であり、少なくともその一つの側端面の一部でかつ光軸が通過する部分が、前記側端面よりも内側に陥没してなる第１の半導体光素子を作製する工程と、複数の半導体光素子間の光軸段差を補完するような段差部を基板に設ける工程と、少なくとも前記第１の半導体光素子を１つ以上含む複数の半導体光素子を、相互に前記陥没していない側端面部分で接触させて、前記基板上の前記段差部に配置させる工程を有し、光軸が通過する部分において両素子間に微少な間隙を形成することを特徴とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態例を図１〜図４に基づいて説明する。
【００１７】
（第１実施例）
図１は本発明の第１実施例に係る光モジュールの構造を説明する図であり、図２はその製造方法を説明する図である。図１、図２中の符号で、１０１は半導体導波路型光アンプ、１０２は端面入射屈折型フォトダイオード、１０３は誘電体からなるサブマウント（基板）である。また、１０１ａは半導体導波路型光アンプ１０１の光入射端面（半導体側端面）、１０１ｂは半導体導波路型光アンプ１０１の光出射端面（半導体側端面）、１０２ａは端面入射屈折型フォトダイオード１０２の光入射端面（半導体側端面）、１０２ｂは端面入射屈折型フォトダイオード１０２の半導体側端面における陥没部分、１０３ａはサブマウント１０３における段差部分、１０４はハンダ、１０５は光路である。
【００１８】
ここで、半導体導波路型光アンプ１０１の光入射端面１０１ａ及び光出射端面１０１ｂは劈開により形成してあり、半導体導波路型光アンプ１０１の半導体側端面と同一面上にある。
【００１９】
一方、端面入射屈折型フォトダイオード１０２には、半導体側端面と同一面上に光入射端面１０２ａが形成されるが、該光入射端面１０２ａの一部でかつ光軸が通過する部分において、陥没部分１０２ｂが半導体側端面よりも内側に陥没して形成されている。
【００２０】
具体的には、端面入射屈折型フォトダイオード１０２では、エッチングにより逆メサ状の光入射端面１０２ａを形成した後、この光入射端面１０２ａから１μｍないしは５μｍ離れた位置で劈開を行うことにより、陥没部分１０２ｂを形成している（Ｈ．Ｆｕｋａｎｏ他、「Ｈｉｇｈ−ｒｅｓｐｏｎｓｉｖｉｔｙ  ａｎｄ  ｌｏｗ−ｏｐｅｒａｔｉｏｎ−ｖｏｌｔａｇｅ  ｅｄｇｅ−ｉｌｌｕｍｉｎａｔｅｄ  ｒｅｆｒａｃｔｉｎｇ−ｆａｃｅｔ  ｐｈｏｔｏｄｉｏｄｅｓ  ｗｉｔｈ  ｌａｒｇｅ  ａｌｉｍｅｎｔ  ｔｏｌｅｒａｎｃｅ  ｆｏｒ  ｓｉｎｇｌｅ−ｍｏｄｅ  ｆｉｂｅｒ」ＩＥＥＥ  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｌｉｇｈｔｗａｖｅ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  第１５巻第５号８９４頁１９９７年）。
【００２１】
従って、端面入射屈折型フォトダイオード１０２の陥没部分１０２ｂは、光軸が通過する部分において、半導体端面１０２ａよりも１μｍないしは５μｍ内側に位置している。
【００２２】
更に、サブマウント１０３には、半導体導波路型光アンプ１０１及び端面入射屈折型フォトダイオード１０２の光軸段差を補完して光軸を合わせるような段差部分１０３ａを形成してある。
【００２３】
このような半導体導波路型光アンプ１０１及び端面入射屈折型フォトダイオード１０２がそれぞれ半導体基板側を上に、デバイス層側を下にして、ハンダ１０４を用いてサブマウント１０３上に接続されているいわゆるフリップチップボンディングにより、サブマウント１０３上に固定されている。また、半導体導波路型光アンプ１０１及び端面入射屈折型フォトダイオード１０２は、それぞれの半導体側端面である光出射端面１０１ｂと光入射端面１０２ａが互いに接するようにして、サブマウント１０３の段差部分１０３ａに配置されている。
【００２４】
図１に示した光モジュールの機能は以下の通りである。即ち、光入射端面１０１ａから半導体導波路型光アンプ１０１に入射された光信号は半導体導波路型光アンプ１０１内で導波されながらその強度が増幅され、光出射端面１０１ｂから出射される。光出射端面１０１ｂから出射された光信号は端面入射屈折型フォトダイオード１０２の光入射端面１０２ａの陥没部分１０２ｂから端面入射屈折型フォトダイオード１０２内に入射され、端面入射屈折型フォトダイオード１０２内で光電変換されて電気信号となる。即ち、この光モジュールは光信号を半導体導波路型光アンプ１０１で増幅してから、端面入射屈折型フォトダイオード１０２で光電変換を行うという、増幅機能を有する光受信装置である。
【００２５】
次に、図２を参照して、図１に示した光モジュールの製造法を説明する。図２に示す光モジュールの製造法は、以下の工程（１）〜（２）で行う。
（１）下準備として、光軸が通過する部分が半導体側端面よりも内側に陥没してなる陥没部分１０２ｂを有する端面入射屈折型フォトダイオード１０２を作製する。また、半導体導波路型光アンプ１０１と端面入射屈折型フォトダイオード１０２間の光軸段差を補完するような段差部分１０３ａをサブマント１０３に設ける。
（２）次に、半導体導波路型光アンプ１０１と端面入射屈折型フォトダイオード１０２を、半導体導波路型光アンプ１０１の光出射端面１０１ｂに端面入射屈折型フォトダイオード１０２の陥没していない光入射端面（半導体側端面）１０２ａが接するようにして、サブマウント１０３の段差部分１０３ａに搭載する。この例では、まず、図２（ａ）に示すように、半導体導波路型光アンプ１０１の半導体基板側を上に、デバイス層側を下にして、ハンダ１０４を用いてフリップチップボンディングにより、半導体導波路型光アンプ１０１をサブマウント１０３に搭載する。この際、光軸合わせのため、半導体導波路型光アンプ１０１は段差部分１０３ａの上側に配置してある。次に、図２（ｂ）に示すように、半導体導波路型光アンプ１０１の光出射端面１０１ｂ（半導体側端面）に端面入射屈折型フォトダイオード１０２の陥没していない光入射端面１０２ａ（半導体側端面）が接するようにして、端面入射屈折型フォトダイオード１０２の半導体基板側を上に、デバイス層側を下にして、ハンダ１０４を用いてフリップチップボンディングにより、端面入射屈折型フォトダイオード１０２をサブマウント１０３に搭載する。この際、光軸合わせのため、端面入射屈折型フォトダイオード１０２は段差部分１０３ａの下側に配置してある。
【００２６】
図１、図２に示した光モジュールにおいては、半導体導波路型光アンプ１０１及び端面入射屈折型フォトダイオード１０２は互いの半導体側端面が接するようにして配置されており、かつ端面入射屈折型フォトダイオード１０２の光入射端面１０２ａにおける陥没部分１０２ｂは端面入射屈折型フォトダイオード１０２の半導体側端面（光入射端面１０２ａ）よりも１μｍないしは５μｍ内側に位置している。従って、半導体導波路型光アンプ１０１の光出射端面１０１ｂと端面入射屈折型フォトダイオード１０２の光入射端面１０２ａにおける陥没部分１０２ｂとの距離は１μｍないしは５μｍと極めて近接するため、８０パーセントないしは５０パーセントの高い光電変換効率が得られ、かつ、半導体導波路型光アンプ１０１の光出射端面１０１ｂと端面入射屈折型フォトダイオード１０２の光入射端面１０２ａにおける陥没部分１０２ｂとが互いに接触していないため、半導体導波路型光アンプ１０１の光出射端面１０１ｂと端面入射屈折型フォトダイオード１０２の光入射端面１０２ａにおける陥没部分１０２ｂの損傷は生じない。また、半導体導波路型光アンプ１０１及び端面入射屈折型フォトダイオード１０２は互いの半導体側端面が接触するようにして搭載されるため、半導体導波路型光アンプ１０１と端面入射屈折型フォトダイオード１０２との間隔を高精度に保つような高精度な搭載技術を必要としない。
【００２７】
本実施例においては、半導体導波路型光アンプ１０１を搭載した後に端面入射屈折型フォトダイオード１０２を搭載する例を示したが、逆に、端面入射屈折型フォトダイオード１０２を搭載した後に半導体導波路型光アンプ１０１を搭載しても同様に効果が期待できる。
【００２８】
また、本実施例においては、半導体導波路型光アンプ１０１の光出射端面１０１ｂが半導体側端面と同一面上にあり、端面入射屈折型フォトダイオード１０２の光入射端面１０２ａにおける陥没部分１０２ｂが半導体側端面よりも内側に位置した例を示したが、逆に、光入射端面１０２ａは陥没部分がなくて半導体側端面と同一面上にあり、光出射端面１０１ａが光軸の通過する陥没部分を有して半導体側端面よりも内側に陥没部分が位置している場合、あるいは、光出射端面１０１ｂと光入射端面１０２ａの両方が光軸の通過する陥没部分を有して各々の半導体側端面よりも内側に陥没部分が位置している場合でも、同様の効果が期待できる。
【００２９】
更に、本実施例においては、図１、図２に示すようにサブマウント１０３に段差部分１０３ａを設けたが、これは本実施例の端面入射屈折型フォトダイオード１０２のような構成を用いた場合でも、あるいは、光素子の光軸の表面からの深さが異なる光素子を結合させる場合でも、複数の光素子相互の光軸を自由に調整できるという効果を有する。
【００３０】
（第２実施例）
図３は本発明の第２実施例に係る光モジュールの構造を説明する図であり、図４はその製造方法を説明する図である。図３、図４中の符号で、２０１は半導体導波路型光アンプ、２０２は端面入射屈折型フォトダイオード、２０３は誘電体からなるサブマウント（基板）である。また、２０１ａは半導体導波路型光アンプ２０１の光入射端面（半導体側端面）、２０１ｂは半導体導波路型光アンプ２０１の光出射端面（半導体側端面）、２０２ａは端面入射屈折型フォトダイオード２０２の光入射端面（半導体側端面）、２０２ｂは端面入射屈折型フォトダイオード２０２の半導体側端面における陥没部分、２０４はハンダ、２０５は光路である。
【００３１】
ここで、半導体導波路型光アンプ２０１の光入射端面２０１ａ及び光出射端面２０１ｂは劈開により形成してあり、半導体導波路型光アンプ２０１の半導体側端面と同一面上にある。
【００３２】
一方、端面入射屈折型フォトダイオード２０２には、半導体側端面と同一面上に光入射端面２０２ａが形成されるが、光入射端面２０２ａの一部でかつ光軸が通過する部分において、陥没部分２０２ｂが半導体側面よりも内側に陥没して形成されている。
【００３３】
具体的には、端面入射屈折型フォトダイオード２０２では、エッチングにより逆メサ状の光入射端面２０２ａを形成した後、この光入射端面２０２ａから１μｍないしは５μｍ離れた位置で劈開を行うことにより、陥没部分２０２ｂを形成している。
【００３４】
従って、端面入射屈折型フォトダイオード２０２の陥没部分は、光軸が通過する部分において、半導体端面２０２ａよりも１μｍないしは５μｍ内側に位置している。
【００３５】
このような半導体導波路型光アンプ２０１及び端面入射屈折型フォトダイオード２０２がそれぞれデバイス層側を上に、半導体基板側を下にして、ハンダ２０４を用いてサブマウント２０３上に固定されている。また、半導体導波路型光アンプ２０１及び端面入射屈折型フォトダイオード２０２は、それぞれの半導体側端面である光出射端面２０１ｂと光入射端面２０２ａが互いに接するようにして、サブマウント１０３に配置されている。なお、この例では、半導体導波路型光アンプ２０１と端面入射屈折型フォトダイオード２０２間に光軸段差が無いので、サブマウント２０３には光軸補完用段差部分を設けていない。
【００３６】
図３に示した光モジュールの機能は以下の通りである。即ち、光入射端面２０１ａから半導体導波路型光アンプ２０１に入射された光信号は半導体導波路型光アンプ２０１内で導波されながらその強度が増幅され、光出射端面２０１ｂから出射される。光出射端面２０１ｂから出射された光信号は端面入射屈折型フォトダイオード２０２の光入射端面２０２ａの陥没部分２０２ｂから端面入射屈折型フォトダイオード２０２内に入射され、端面入射屈折型フォトダイオード２０２内で光電変換されて電気信号となる。即ち、この光モジュールは光信号を半導体導波路型光アンプ２０１で増幅してから、端面入射屈折型フォトダイオード２０２で光電変換を行うという、増幅機能を有する光受信装置である。
【００３７】
次に、図４を参照して、図３に示した光モジュールの製造法を説明する。図４に示す光モジュールの製造法は、以下の工程（１）〜（２）で行う。
（１）下準備として、光軸が通過する部分が半導体側端面よりも内側に陥没してなる陥没部分２０２ｂを有する端面入射屈折型フォトダイオード２０２を作製する。
（２）次に、半導体導波路型光アンプ２０１と端面入射屈折型フォトダイオード２０２を、半導体導波路型光アンプ２０１の光出射端面２０１ｂに端面入射屈折型フォトダイオード１０２の陥没していない光入射端面（半導体側端面）２０２ａが接するようにして、サブマウント２０３に搭載する。この例では、まず、図４（ａ）に示すように、半導体導波路型光アンプ２０１のデバイス層側を上に、半導体基板側を下にして、ハンダ２０４を用いて半導体導波路型光アンプ２０１をサブマウント２０３に搭載する。次に、図４（ｂ）に示すように、半導体導波路型光アンプ２０１の光出射端面２０１ｂ（半導体側端面）に端面入射屈折型フォトダイオード２０２の陥没していない光入射端面２０２ａ（半導体側端面）が接するようにして、端面入射屈折型フォトダイオード２０２のデバイス層側を上に、半導体基板側を下にして、ハンダ２０４を用いて端面入射屈折型フォトダイオード２０２をサブマウント２０３に搭載する。
【００３８】
図３、図４に示した光モジュールにおいては、半導体導波路型光アンプ２０１及び端面入射屈折型フォトダイオード２０２は互いの半導体側端面が接するようにして配置されており、かつ端面入射屈折型フォトダイオード２０２の光入射端面２０２ａにおける陥没部分２０２ｂは端面入射屈折型フォトダイオード２０２の半導体側端面（光入射端面２０２ａ）よりも１μｍないしは５μｍ内側に位置している。従って、半導体導波路型光アンプ２０１の光出射端面２０１ｂと端面入射屈折型フォトダイオード２０２の光入射端面２０２ａにおける陥没部分２０２ｂとの距離は１μｍないしは５μｍと極めて近接するため、８０パーセントないしは５０パーセントの高い光電変換効率が得られ、かつ、半導体導波路型光アンプ２０１の光出射端面２０１ｂと端面入射屈折型フォトダイオード２０２の光入射端面２０２ａにおける陥没部分２０２ｂとが互いに接触していないため、半導体導波路型光アンプ２０１の光出射端面２０１ｂと端面入射屈折型フォトダイオード２０２の光入射端面２０２ａにおける陥没部分２０２ｂの損傷は生じない。また、半導体導波路型光アンプ２０１及び端面入射屈折型フォトダイオード２０２は互いの半導体側端面が接触するようにして搭載されるため、半導体導波路型光アンプ２０１と端面入射屈折型フォトダイオード２０２との間隔を高精度に保つような高精度な搭載技術を必要としない。
【００３９】
本実施例においては、半導体導波路型光アンプ２０１を搭載した後に端面入射屈折型フォトダイオード２０２を搭載する例を示したが、逆に、端面入射屈折型フォトダイオード２０２を搭載した後に半導体導波路型光アンプ２０１を搭載しても同様に効果が期待できる。
【００４０】
また、本実施例においては、半導体導波路型光アンプ２０１の光出射端面２０１ｂが半導体側端面と同一面上にあり、端面入射屈折型フォトダイオード２０２の光入射端面２０２ａにおける陥没部分２０２ｂが半導体側端面よりも内側に位置した例を示したが、逆に光入射端面２０２ａは陥没部分がなくて半導体側端面と同一面上にあり、光出射端面２０１ａが光軸の通過する陥没部分を有して半導体側端面よりも内側に陥没部分が位置している場合、あるいは、光出射端面２０１ｂと光入射端面２０２ａの両方が光軸の通過する陥没部分を有して各々の半導体側端面よりも内側に陥没部分が位置している場合でも、同様の効果が期待できる。
【００４１】
【発明の効果】
本発明によれば、光モジュールにおける光素子どうしの光結合において、対向する光入出力端面のうち少なくとも一方の端面が、半導体側端面上ではなく、光軸が通過する部分において陥没して半導体側端面から内側の位置に形成されているような光素子を用いて、半導体側端面どうしが接触するようにして基板に搭載するため、高精度な搭載技術を用いなくても高精度で低コストな光モジュールを実現することができるという利点がある。
【００４２】
また、本発明によれば、基板に段差部分がある場合は、光軸に段差がある光素子どうしを、相互の光軸を自由に調整して搭載できるという利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例に係る光モジュールの構成を説明する図。
【図２】本発明の第１実施例に係る光モジュールの製造法を説明する図。
【図３】本発明の第２実施例に係る光モジュールの構成を説明する図。
【図４】本発明の第２実施例に係る光モジュールの製造法を説明する図。
【図５】従来の光モジュールの構成を説明する図。
【図６】従来の光モジュールの製造法を説明する図。
【符号の説明】
１０１、２０１  半導体導波路型光アンプ
１０１ａ、２０１ａ  光入射端面
１０１ｂ、２０１ｂ  光出射端面
１０２、２０２  端面入射屈折型フォトダイオード
１０２ａ、２０２ａ  光入射端面
１０２ｂ、２０２ｂ  陥没部分
１０３、２０３  サブマウント
１０３ａ  段差部分
１０４、２０４、３０４  ハンダ
１０５、２０５、３０５  光路
３０１  半導体レーザ
３０１ａ  光前方出射端面
３０１ｂ  光後方出射端面
３０２  導波路型フォトダイオード
３０３  ＰＬＣ
３０６  空間
３０７  光導波路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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