(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に対して複数工程からなる処理を施す基板処理装置であって、
前記複数の工程に対応して各々基板に対して所定の処理を施す複数の処理機構を備えた複数の処理部と、
基板の搬送を行う搬送部と
を具備し、
前記搬送部は、
前記複数の処理機構に対して基板を搬入または搬出する複数の搬送機構と、
前記複数の搬送機構のいずれからもアクセス可能な位置に設けられ、基板を一時待機させる待機部を有するバッファ機構とを備え、
前記複数の処理部の少なくとも一つは基板に対して液処理を施す液処理機構を含む第１の処理部であり、また他の少なくとも一つは基板に対して熱的処理を施す熱処理機構を含む第２の処理部であり、
前記第１の処理部と前記第２の処理部とは複数ずつ備えられ、
前記複数の処理部は、平面的配置が略三角形になるように配置され、三角形の辺に対応する位置に前記第１の処理部が配置され、三角形の頂点に対応する位置に前記第２の処理部が配置され、
さらに前記複数の処理機構は、前記搬送部の周囲に設けられていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記バッファ機構は、多段に配置された複数の待機部を有することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
基板に対して複数工程からなる処理を施す基板処理装置であって、
前記複数の工程に対応して各々基板に対して所定の処理を施す複数の処理機構が垂直方向に多段に積層してなる複数の処理部と、
基板の搬送を行う搬送部と
を具備し、
前記搬送部は、
垂直方向に移動可能に設けられた基板受け渡し部を有し、前記複数の処理機構に対して基板を搬入または搬出する複数の搬送機構と、
前記複数の搬送機構のいずれからもアクセス可能な位置に設けられ、基板を一時待機させる複数の待機部を多段に有するバッファ機構とを備え、
前記複数の処理部の少なくとも一つは基板に対して液処理を施す液処理機構を含む第１の処理部であり、また他の少なくとも一つは基板に対して熱的処理を施す熱処理機構を含む第２の処理部であり、
前記第１の処理部と前記第２の処理部とは複数ずつ備えられ、
前記複数の処理部は、平面的配置が略三角形になるように配置され、三角形の辺に対応する位置に前記第１の処理部が配置され、三角形の頂点に対応する位置に前記第２の処理部が配置され、
さらに前記複数の処理部は、前記搬送部の周囲に設けられていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
基板に対して複数工程からなる処理を施す基板処理装置であって、
前記複数の工程に対応して各々基板に対して所定の処理を施す複数の処理機構が垂直方向に多段に積層してなる複数の処理部と、
基板の搬送を行う搬送部と
を具備し、
前記搬送部は、
基板を一時待機させる複数の待機部を多段に有するバッファ機構と
垂直方向に移動可能に設けられた基板受け渡し部を有し、かつバッファ機構の周囲に設けられ、前記複数の処理機構に対して基板を搬入または搬出するとともに前記バッファ機構の待機部との間で基板を受け渡す複数の搬送機構とを備え、前記複数の処理部の少なくとも一つは基板に対して液処理を施す液処理機構を含む第１の処理部であり、また他の少なくとも一つは基板に対して熱的処理を施す熱処理機構を含む第２の処理部であり、
前記第１の処理部と前記第２の処理部とは複数ずつ備えられ、
前記複数の処理部は、平面的配置が略三角形になるように配置され、三角形の辺に対応する位置に前記第１の処理部が配置され、三角形の頂点に対応する位置に前記第２の処理部が配置され、
さらに前記複数の処理部は、前記搬送部の周囲に設けられていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
基板に対して複数工程からなるレジスト処理を施す基板処理装置であって、
前記レジスト処理のための複数の工程に対応して各々基板に対して所定の処理を施す複数の処理機構を備えた複数の処理部と、
基板の搬送を行う搬送部と
を具備し、
前記搬送部は、
前記複数の処理機構に対して基板を搬入または搬出する複数の搬送機構と、
前記複数の搬送機構のいずれからもアクセス可能な位置に設けられ、基板を一時待機させる待機部を有するバッファ機構とを備え、
前記複数の処理部の少なくとも一つは基板にレジスト液を塗布する塗布処理機構および／または露光後のレジストを現像処理する現像処理機構を含む第１の処理部であり、少なくとも他の一つは基板に対して熱的処理を施す処理機構を含む第２の処理部であり、
前記第１の処理部と前記第２の処理部とは複数ずつ備えられ、
前記複数の処理部は、平面的配置が略三角形になるように配置され、三角形の辺に対応する位置に前記第１の処理部が配置され、三角形の頂点に対応する位置に前記第２の処理部が配置され、
さらに前記複数の処理部は前記搬送部の周囲に設けられていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
前記バッファ機構は、多段に配置された複数の待機部を有することを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項７】
基板に対して複数工程からなるレジスト処理を施す基板処理装置であって、
前記レジスト処理のための複数の工程に対応して各々基板に対して所定の処理を施す複数の処理機構が垂直方向に多段に積層してなる複数の処理部と、
基板の搬送を行う搬送部と
を具備し、
前記搬送部は、
垂直方向に移動可能に設けられた基板受け渡し部を有し、前記複数の処理機構に対して基板を搬入または搬出する複数の搬送機構と、
前記複数の搬送機構のいずれからもアクセス可能な位置に設けられ、基板を一時待機させる複数の待機部を多段に有するバッファ機構とを備え、
前記複数の処理部の少なくとも一つは基板にレジスト液を塗布する塗布処理機構および／または露光後のレジストを現像処理する現像処理機構を含む第１の処理部であり、少なくとも他の一つは基板に対して熱的処理を施す処理機構を含む第２の処理部であり、
前記第１の処理部と前記第２の処理部とは複数ずつ備えられ、
前記複数の処理部は、平面的配置が略三角形になるように配置され、三角形の辺に対応する位置に前記第１の処理部が配置され、三角形の頂点に対応する位置に前記第２の処理部が配置され、
さらに前記複数の処理部は前記搬送部の周囲に設けられていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
基板に対して複数工程からなるレジスト処理を施す基板処理装置であって、
前記レジスト処理のための複数の工程に対応して各々基板に対して所定の処理を施す複数の処理機構が垂直方向に多段に積層してなる複数の処理部と、
基板の搬送を行う搬送部と
を具備し、
前記搬送部は、
基板を一時待機させる複数の待機部を多段に有するバッファ機構と
垂直方向に移動可能に設けられた基板受け渡し部を有し、かつバッファ機構の周囲設けられ、前記複数の処理機構に対して基板を搬入または搬出するとともに前記バッファ機構の待機部との間で基板を受け渡す複数の搬送機構とを備え、
前記複数の処理部の少なくとも一つは基板にレジスト液を塗布する塗布処理機構および／または露光後のレジストを現像処理する現像処理機構を含む第１の処理部であり、少なくとも他の一つは基板に対して熱的処理を施す処理機構を含む第２の処理部であり、
前記第１の処理部と前記第２の処理部とは複数ずつ備えられ、
前記複数の処理部は、平面的配置が略三角形になるように配置され、三角形の辺に対応する位置に前記第１の処理部が配置され、三角形の頂点に対応する位置に前記第２の処理部が配置され、
さらに前記複数の処理部は前記搬送部の周囲に設けられていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】
レジスト塗布後の基板に露光処理を施す露光装置との間で基板の受け渡しを行うインターフェイス部をさらに有することを特徴とする請求項７または請求項８に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記インターフェイス部は、露光後の基板に対してベーク処理を施す熱処理機構を有することを特徴とする請求項９に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記インターフェイス部は、基板を冷却する冷却部を備えていることを特徴とする請求項９または請求項１０に記載の基板処理装置。
【請求項１２】
前記インターフェイス部は、垂直方向に移動可能な搬送装置を有し、前記処理部のうちいずれかが前記インターフェイス部に隣接して設けられ、前記搬送装置は、その隣接された処理部の各処理機構に対してアクセス可能であることを特徴とする請求項９ないし請求項１１のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項１３】
前記隣接された処理部は、複数の冷却処理機構を有することを特徴とする請求項１２に記載の基板処理装置。
【請求項１４】
前記第２の処理部は着脱自在に構成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項１３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項１５】
処理前の基板および／または処理後の基板を収納可能な収納容器を載置する収納容器載置部をさらに具備することを特徴とする請求項１ないし請求項１４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項１６】
前記搬送機構のいずれかが、前記収納容器載置部にアクセス可能に設けられていることを特徴とする請求項１５に記載の基板処理装置。
【請求項１７】
前記収納容器載置部は、いずれかの処理機構と上下に積層して配置されていることを特徴とする請求項１５または請求項１６に記載の基板処理装置。
【請求項１８】
前記収納容器載置部は、前記収納容器を多段に載置可能であることを特徴とする請求項１５ないし請求項１７のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項１９】
前記バッファ機構の載置部は冷却機能を有していることを特徴とする請求項１ないし請求項１８のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板に対して例えばレジスト塗布・現像処理のような処理を行う基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば半導体デバイスの製造プロセスにおいては、被処理基板例えば半導体ウエハに処理液例えばフォトレジスト液を塗布し、フォトリソグラフィ技術を用いて回路パターン等を縮小してフォトレジスト膜を露光し、これを現像処理する一連の処理工程がある。この処理工程は、半導体デバイスの高集積化には極めて重要なプロセスである。
【０００３】
このような処理工程においては、洗浄処理された半導体ウエハに対して、まずアドヒージョン処理ユニットにて疎水化処理を施し、冷却処理ユニットにて冷却した後、レジスト塗布ユニットにてフォトレジスト膜を塗布形成する。このフォトレジスト膜が形成された半導体ウエハに対し、ホットプレートユニットにてプリベーク処理を施した後、冷却処理ユニットにて冷却し、露光装置にて所定のパターンを露光する。引き続き、露光後の半導体ウエハに対してポストエクスポージャーベーク処理を施した後、冷却処理ユニットにて冷却し、現像ユニットにて現像液を塗布して露光パターンを現像する。そして、最後に、ホットプレートユニットにてポストベーク処理を施して高分子化のための熱変成、半導体ウエハとパターンとの密着性を強化する。
【０００４】
このような一連の処理工程のうち、露光処理を除く工程は、これらの処理ユニットを一体的に集約したレジスト塗布・現像処理システムによって行われている。このようなレジスト塗布・現像処理システムの一つのタイプとして、垂直方向に延在された搬送路の周囲に、上記の複数の処理機構が垂直方向に積層して配置され、この搬送路を垂直に移動する移載機構によって、半導体ウエハを各処理機構に搬入・搬出するようにしたものが提案されている（特開平４−８５８１２号公報）。このような処理システムでは、複数の処理機構間で基板を移載する際、基板の搬送経路が短く、かつ装置の小型化が可能で、基板の移載を短時間で行うことができ、装置効率を高くすることができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、近年、半導体ウエハが大型化進み、３００ｍｍウエハの時代に突入しようとしており、上記システムにおいてこのような大型の半導体ウエハに対応しようとすると、装置のフットプリントが大きくなってしまう。また、スループットのさらなる向上も望まれている。
【０００６】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、装置のフットプリントが小さく、スループットが高い、大型基板の処理に適した基板処理装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、第１発明は、基板に対して複数工程からなる処理を施す基板処理装置であって、
前記複数の工程に対応して各々基板に対して所定の処理を施す複数の処理機構を備えた複数の処理部と、
基板の搬送を行う搬送部と
を具備し、
前記搬送部は、
前記複数の処理機構に対して基板を搬入または搬出する複数の搬送機構と、
前記複数の搬送機構のいずれからもアクセス可能な位置に設けられ、基板を一時待機させる待機部を有するバッファ機構とを備え、
前記複数の処理部の少なくとも一つは基板に対して液処理を施す液処理機構を含む第１の処理部であり、また他の少なくとも一つは基板に対して熱的処理を施す熱処理機構を含む第２の処理部であり、
前記第１の処理部と前記第２の処理部とは複数ずつ備えられ、
前記複数の処理部は、平面的配置が略三角形になるように配置され、三角形の辺に対応する位置に前記第１の処理部が配置され、三角形の頂点に対応する位置に前記第２の処理部が配置され、
さらに前記複数の処理機構は、前記搬送部の周囲に設けられていることを特徴とする基板処理装置を提供する（請求項１）。
【０００８】
このように、複数の搬送機構を有する搬送部の周囲に複数の処理機構を配置することにより、搬送部の周囲に多数の処理機構を配置することができ、一つの搬送機構の周囲に複数の処理機構を配置する装置を用いる場合よりも処理能力当たりのフットプリントを小さくすることが可能である。また、複数の搬送機構のいずれからもアクセス可能な位置にバッファ機構を配置することにより、搬送機構の拘束時間を短くすることができるので、搬送機構が基板を載置した状態で待機することを回避することができ、高いスループットを得ることができる。また、処理機構内に所定時間を超えて基板を放置することを回避することもできるので、基板への悪影響を回避することができる。
【０００９】
この場合に、前記バッファ機構は、多段に配置された複数の待機部を有することが好ましい。これにより、複数の基板を同時に待機部に待機させることができ、搬送機構が基板を載置した状態で待機することを一層確実に回避することができる。
【００１０】
第２発明は、基板に対して複数工程からなる処理を施す基板処理装置であって、
前記複数の工程に対応して各々基板に対して所定の処理を施す複数の処理機構が垂直方向に多段に積層してなる複数の処理部と、
基板の搬送を行う搬送部と
を具備し、
前記搬送部は、
垂直方向に移動可能に設けられた基板受け渡し部を有し、前記複数の処理機構に対して基板を搬入または搬出する複数の搬送機構と、
前記複数の搬送機構のいずれからもアクセス可能な位置に設けられ、基板を一時待機させる複数の待機部を多段に有するバッファ機構とを備え、
前記複数の処理部の少なくとも一つは基板に対して液処理を施す液処理機構を含む第１の処理部であり、また他の少なくとも一つは基板に対して熱的処理を施す熱処理機構を含む第２の処理部であり、
前記第１の処理部と前記第２の処理部とは複数ずつ備えられ、
前記複数の処理部は、平面的配置が略三角形になるように配置され、三角形の辺に対応する位置に前記第１の処理部が配置され、三角形の頂点に対応する位置に前記第２の処理部が配置され、
さらに前記複数の処理部は、前記搬送部の周囲に設けられていることを特徴とする基板処理装置を提供する（請求項３）。
【００１１】
このように、垂直方向に移動可能に設けられた基板受け渡し部を有する複数の搬送機構を備えた搬送部の周囲に、複数の処理機構が垂直方向に多段に積層してなる複数の処理部を配置することにより、搬送部の周囲に極めて多数の処理機構を配置することができ、一つの搬送機構の周囲に複数の処理機構を積層してなる処理部を配置する装置を用いる場合よりも処理能力当たりのフットプリントを小さくすることが可能である。また、複数の搬送機構のいずれからもアクセス可能な位置に複数の待機部を多段に有するバッファ機構を配置することにより、搬送機構の拘束時間を短くすることができるので、搬送機構が基板を載置した状態で待機することを回避することができ、高いスループットを得ることができる。
【００１２】
第３発明は、基板に対して複数工程からなる処理を施す基板処理装置であって、
前記複数の工程に対応して各々基板に対して所定の処理を施す複数の処理機構が垂直方向に多段に積層してなる複数の処理部と、
基板の搬送を行う搬送部と
を具備し、
前記搬送部は、
基板を一時待機させる複数の待機部を多段に有するバッファ機構と
垂直方向に移動可能に設けられた基板受け渡し部を有し、かつバッファ機構の周囲に設けられ、前記複数の処理機構に対して基板を搬入または搬出するとともに前記バッファ機構の待機部との間で基板を受け渡す複数の搬送機構とを備え、前記複数の処理部の少なくとも一つは基板に対して液処理を施す液処理機構を含む第１の処理部であり、また他の少なくとも一つは基板に対して熱的処理を施す熱処理機構を含む第２の処理部であり、
前記第１の処理部と前記第２の処理部とは複数ずつ備えられ、
前記複数の処理部は、平面的配置が略三角形になるように配置され、三角形の辺に対応する位置に前記第１の処理部が配置され、三角形の頂点に対応する位置に前記第２の処理部が配置され、
さらに前記複数の処理部は、前記搬送部の周囲に設けられていることを特徴とする基板処理装置を提供する（請求項４）。
【００１３】
このように、搬送部が、複数の待機部を多段に有するバッファ機構の周囲に、垂直方向に移動可能な受け渡し部を有する複数の搬送機構を備えた構造を有しており、この搬送部の周囲に、複数の処理機構が垂直方向に多段に積層してなる複数の処理部を配置するので、装置の配置効率が高く、フットプリントをより小さくすることが可能である。また、バッファ機構の周囲に複数の搬送機構を配置することにより、搬送機構による搬送経路を短くすることができ、より高いスループットを得ることができる。
【００１４】
これら基板処理装置において、前記処理部の少なくとも一つが基板に対して熱的処理を施す熱処理機構を有し、また他の少なくとも一つが基板に対して液処理を施す液処理機構を有するようにすることができる。
【００１５】
また、第４発明は、基板に対して複数工程からなるレジスト処理を施す基板処理装置であって、
前記レジスト処理のための複数の工程に対応して各々基板に対して所定の処理を施す複数の処理機構を備えた複数の処理部と、
基板の搬送を行う搬送部と
を具備し、
前記搬送部は、
前記複数の処理機構に対して基板を搬入または搬出する複数の搬送機構と、
前記複数の搬送機構のいずれからもアクセス可能な位置に設けられ、基板を一時待機させる待機部を有するバッファ機構とを備え、
前記複数の処理部の少なくとも一つは基板にレジスト液を塗布する塗布処理機構および／または露光後のレジストを現像処理する現像処理機構を含む第１の処理部であり、少なくとも他の一つは基板に対して熱的処理を施す処理機構を含む第２の処理部であり、
前記第１の処理部と前記第２の処理部とは複数ずつ備えられ、
前記複数の処理部は、平面的配置が略三角形になるように配置され、三角形の辺に対応する位置に前記第１の処理部が配置され、三角形の頂点に対応する位置に前記第２の処理部が配置され、
さらに前記複数の処理部は前記搬送部の周囲に設けられていることを特徴とする基板処理装置を提供する（請求項５）。
【００１６】
このように、複数工程からなるレジスト処理を施す基板処理装置において、複数の搬送機構を有する搬送部の周囲にレジスト処理のための複数の処理機構を配置することにより、搬送部の周囲に多数の処理機構を配置することができ、一つの搬送機構の周囲に複数の処理機構を配置する装置を用いる場合よりも処理能力当たりのフットプリントを小さくすることが可能である。また、複数の搬送機構のいずれからもアクセス可能な位置にバッファ機構を配置することにより、搬送機構の拘束時間を短くすることができるので、搬送機構が基板を載置した状態で待機することを回避することができ、高いスループットを得ることができる。
【００１７】
この場合に、第１発明の場合と同様、前記バッファ機構は、多段に配置された複数の待機部を有することが好ましい。
【００１８】
第５発明は、基板に対して複数工程からなるレジスト処理を施す基板処理装置であって、
前記レジスト処理のための複数の工程に対応して各々基板に対して所定の処理を施す複数の処理機構が垂直方向に多段に積層してなる複数の処理部と、
基板の搬送を行う搬送部と
を具備し、
前記搬送部は、
垂直方向に移動可能に設けられた基板受け渡し部を有し、前記複数の処理機構に対して基板を搬入または搬出する複数の搬送機構と、
前記複数の搬送機構のいずれからもアクセス可能な位置に設けられ、基板を一時待機させる複数の待機部を多段に有するバッファ機構とを備え、
前記複数の処理部の少なくとも一つは基板にレジスト液を塗布する塗布処理機構および／または露光後のレジストを現像処理する現像処理機構を含む第１の処理部であり、少なくとも他の一つは基板に対して熱的処理を施す処理機構を含む第２の処理部であり、
前記第１の処理部と前記第２の処理部とは複数ずつ備えられ、
前記複数の処理部は、平面的配置が略三角形になるように配置され、三角形の辺に対応する位置に前記第１の処理部が配置され、三角形の頂点に対応する位置に前記第２の処理部が配置され、
さらに前記複数の処理部は前記搬送部の周囲に設けられていることを特徴とする基板処理装置を提供する（請求項７）。
【００１９】
このように、基板に対して複数工程からなるレジスト処理を施す基板処理装置において、垂直方向に移動可能な複数の基板受け渡し部を有する搬送機構を備えた搬送部の周囲に、レジスト処理のための複数の工程に対応して各々基板に対して所定の処理を施す複数の処理機構が垂直方向に多段に積層してなる複数の処理部を配置することにより、搬送部の周囲に極めて多数の処理機構を配置することができ、一つの搬送機構の周囲に複数の処理機構を積層してなる処理部を配置する装置を用いる場合よりも処理能力当たりのフットプリントを小さくすることが可能である。また、複数の搬送機構のいずれからもアクセス可能な位置に複数の待機部を多段に有するバッファ機構を配置することにより、搬送機構が基板を載置した状態で待機することを回避することができ、高いスループットを得ることができる。
【００２０】
第６発明は、基板に対して複数工程からなるレジスト処理を施す基板処理装置であって、
前記レジスト処理のための複数の工程に対応して各々基板に対して所定の処理を施す複数の処理機構が垂直方向に多段に積層してなる複数の処理部と、
基板の搬送を行う搬送部と
を具備し、
前記搬送部は、
基板を一時待機させる複数の待機部を多段に有するバッファ機構と
垂直方向に移動可能に設けられた基板受け渡し部を有し、かつバッファ機構の周囲設けられ、前記複数の処理機構に対して基板を搬入または搬出するとともに前記バッファ機構の待機部との間で基板を受け渡す複数の搬送機構とを備え、
前記複数の処理部の少なくとも一つは基板にレジスト液を塗布する塗布処理機構および／または露光後のレジストを現像処理する現像処理機構を含む第１の処理部であり、少なくとも他の一つは基板に対して熱的処理を施す処理機構を含む第２の処理部であり、
前記第１の処理部と前記第２の処理部とは複数ずつ備えられ、
前記複数の処理部は、平面的配置が略三角形になるように配置され、三角形の辺に対応する位置に前記第１の処理部が配置され、三角形の頂点に対応する位置に前記第２の処理部が配置され、
さらに前記複数の処理部は前記搬送部の周囲に設けられていることを特徴とする基板処理装置を提供する（請求項８）。
【００２１】
このように、搬送部が、複数の待機部を多段に有するバッファ機構の周囲に、垂直方向に移動可能に設けられた基板受け渡し部を有する複数の搬送機構を備えた構造を有しており、この搬送部の周囲に、レジスト処理のための複数の工程に対応して各々基板に対して所定の処理を施す複数の処理機構が垂直方向に多段に積層してなる複数の処理部を配置するので、装置の配置効率が高く、フットプリントをより小さくすることが可能である。また、バッファ機構の周囲に複数の搬送機構を配置することにより、搬送機構による搬送経路を短くすることができ、より高いスループットを得ることができる。
【００２２】
このようなレジスト処理を行う基板処理装置において、レジスト塗布後の基板に露光処理を施す露光装置との間で基板の受け渡しを行うインターフェイス部をさらに有するものとすることができる。この場合に、前記インターフェイス部は、露光後の基板に対してベーク処理を施す熱処理機構を有することが好ましい。インターフェイス部にこのような熱処理機構を設けることにより、露光後ポストエクスポージャーベークに至るまでの時間を一定にすることができ、処理のばらつきを極めて小さくすることができる。
【００２３】
また、前記インターフェイス部は、基板を冷却する冷却部を備えていることが好ましい。これにより、基板を露光装置に装入する際の基板の熱膨張の影響を排除することができる。
【００２４】
前記インターフェイス部は、垂直方向に移動可能な搬送装置を有し、前記処理部のうちいずれかが前記インターフェイス部に隣接して設けられ、前記搬送装置は、その隣接された処理部の各処理機構に対してアクセス可能であることが好ましい。これにより、インターフェイス部に対する基板の受け渡しをスムーズに行うことができ、搬送ムラが生じない。また、前記隣接された処理部は、複数の冷却処理機構を有することが好ましい。これにより、この冷却処理機構をポストエクスポージャーベーク処理後の基板冷却機能および基板の受け渡し機能を兼備させることができ、極めて効率が高い。
【００２５】
さらに、レジスト処理を行う基板処理装置において、前記処理部の少なくとも１つは、基板にレジスト液を塗布する塗布処理機構および／または露光後のレジストを現像処理する現像処理機構を含む第１の処理部であり、少なくとも他の一つは基板に対して熱的処理を施す処理機構を含む第２の処理部であるように構成することができる。
【００２６】
また、前記第１の処理部と前記第２の処理部とを複数ずつ備え、これら処理部は、平面的配置が略三角形になるように配置され、三角形の頂点に対応する位置に第２の処理部が配置され、これら第２の処理部は着脱自在に構成されていることが好ましい。このように構成することにより、第２の処理部を処理位置から離脱させることにより、搬送部のメンテナンスを容易に行うことができる。
【００２７】
上記全ての基板処理装置において、処理前の基板および／または処理後の基板を収納可能な収納容器を載置する収納容器載置部をさらに具備するように構成することができる。この場合に、前記搬送機構のいずれかが、前記収納容器載置部にアクセス可能に設けられていることが好ましい。これにより、収納容器載置部に搬送機構が不要になり、装置効率を一層高めることができる。また、前記収納容器載置部は、いずれかの処理機構と上下に積層して配置することができ、これにより装置のフットプリントを一層小さくすることができる。さらに、前記収納容器載置部は、前記収納容器を多段に載置可能であることが好ましい。これにより、収納容器の載置数を多くすることができる。さらにまた、前記バッファ機構の載置部は冷却機能を有していることが好ましい。これにより、次に搬送される処理機構への熱影響を回避することができる。
【００２８】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して本発明の実施形態を図に基づいて説明する。
図１は本発明の一実施形態に係るレジスト塗布・現像処理システムを示す概略平面図である。
【００２９】
このレジスト塗布・現像処理システム１は、半導体ウエハＷに対してレジスト塗布・現像に関する一連の処理を施す複数の処理ユニットを有する処理ステーション２と、処理ステーション２の内側に処理ステーション２に囲まれるように設けられた、半導体ウエハＷを搬送するための搬送部３と、前記処理ステーション２の一部に設けられ、半導体ウエハＷが複数枚例えば２５枚単位で搭載されるウエハカセットＣＳを載置可能なカセットステーション４と、処理ステーション１１と隣接して設けられる露光装置５０ａ，５０ｂとの間でウエハＷを受け渡すためのインターフェイス部５とを具備している。
【００３０】
上記処理ステーション２は、複数の処理ユニットが多段に積層された７個の処理部Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４，Ｇ５，Ｇ６，Ｇ７を有し、さらに後述するカセットステーション４の上に設けられた２つの現像ユニット（ＤＥＶ）を有する。これら処理部Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４，Ｇ５，Ｇ６，Ｇ７およびカセットステーション４の上の２つの現像ユニット（ＤＥＶ）は、その平面形状が正三角形をなすように配置されている。
【００３１】
これらのうち、第１および第２の処理部Ｇ１，Ｇ２は上記正三角形の一辺を構成し、第３および第４の処理部Ｇ３およびＧ４は他の一辺を構成し、さらにカセットステーション４およびその上の２つの現像ユニット（ＤＥＶ）がさらに他の一辺を構成している。そして、この正三角形の３つの頂点に対応する位置に、それぞれ第５の処理部Ｇ５、第６の処理部Ｇ６、および第７の処理部Ｇ７が配置されている。また、第２の処理部Ｇ２と第４の処理部Ｇ４との間に配置された第７の処理部Ｇ７を介してインターフェイス部５が配置されている。
【００３２】
図２の（ａ），（ｂ）に示すように、処理部Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４は、いずれもカップＣＰ内でウエハＷをスピンチャック（図示せず）に載置して所定の処理を行う２台のスピナ型処理ユニットが上下２段に配置されている。具体的には、第１の処理部Ｇ１および第３の処理部Ｇ３では、レジストのパターンを現像する２つの現像ユニット（ＤＥＶ）が上下２段に配置されており、第２の処理部Ｇ２および第４の処理部Ｇ４ではウエハＷにレジストを塗布するレジスト塗布ユニット（ＣＴ）が上下２段に配置されている。
【００３３】
第５の処理部Ｇ５および第６の処理部Ｇ６は、図３の（ａ）に示すように、ウエハＷを載置台に載せて所定の処理を行うオーブン型の処理ユニットが多段に重ねられている。すなわち、これらは冷却処理を行う４つのクーリングユニット（ＣＯＬ）、および露光処理前や露光処理後、さらには現像処理後にウエハＷに対して加熱処理を行う４つのホットプレートユニット（ＨＰ）を有し、４つのホットプレートユニット（ＨＰ）を上にして合計８段に重ねられている。
【００３４】
また、第７の処理部Ｇ７は、図３の（ｂ）に示すように、冷却処理を行うとともにインターフェイス部５との間で半導体ウエハＷの受け渡しを行う３つのイクステンションクーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）、レジストの定着性を高めるためのいわゆる疎水化処理を行うアドヒージョンユニット（ＡＤ）、位置合わせを行うアライメントユニット（ＡＬＩＭ）、露光処理前や露光処理後、さらには現像処理後にウエハＷに対して加熱処理を行う３つのホットプレートユニット（ＨＰ）が下から順に８段に重ねられている。
【００３５】
このように処理温度の低いクーリングユニット（ＣＯＬ）、イクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）を下段に配置し、処理温度の高いホットプレートユニット（ＨＰ）を上段に配置することで、ユニット間の熱的な相互干渉を少なくすることができる。もちろん、ランダムな多段配置としてもよい。なお、これら処理部Ｇ５，Ｇ６，Ｇ７は、それぞれヒンジ部３１，３２，３３を中心として回動可能となっており、処理を行う際には、図示する位置に配置され、搬送部３等のメンテナンスを行う際には、矢印の方向へ回動して搬送部３の配置空間へ入ることが可能となる。
【００３６】
カセットステーション４は、図４に示すように、上下２段のカセット載置台４１および４２を有しており、これらの上にそれぞれ３個ずつ、合計６個のカセットがウエハＷの出入口を搬送部３側に向けて載置可能となっている。ウエハカセットＣＲにおいてはウエハＷが垂直方向（Ｚ方向）に配列されている。そして、前述のようにこのカセットステーション４の上に２つの現像ユニット（ＤＥＶ）が配置されている。
【００３７】
搬送部３は、図１に示すように、処理部２の内部空間の中心部に設けられたバッファ機構１４と、その周囲に設けられた３つの主ウエハ搬送機構１１，１２，１３とを備えている。
【００３８】
主ウエハ搬送機構１１，１２，１３は、いずれも、図５に示すように、垂直方向に延在し、垂直壁５１ａ，５１ｂおよびそれらの間の側面開口部５１ｃを有する筒状支持体５１と、その内側に筒状支持体５１に沿って垂直方向（Ｚ方向）に昇降自在に設けられたウエハ受け渡し部５２とを有している。筒状支持体５１はモータ５３の回転駆動力によって回転可能となっており、それにともなってウエハ受け渡し部５２も一体的に回転されるようになっている。
【００３９】
図５および図６に示しように、ウエハ受け渡し部５２は、搬送基台６０と、搬送基台６０に沿って前後に移動可能な３本のウエハ保持アーム６１，６２，６３とを備えており、これらアーム６１，６２，６３は、筒状支持体５１の側面開口部５１ｃを通過可能な大きさを有している。このウエハ受け渡し部５２は、モータ５４によってベルト５５を駆動させることにより昇降するようになっている。なお、符号５６は駆動プーリー、５７は従動プーリーである。
【００４０】
ウエハ受け渡し部５２においては、アーム６１，６２，６３が上から順に配置されており、図６に示すように、アーム６１，６２は、それぞれＣ字状のウエハ保持部６１ａ，６２ａを有している。また、アーム６２には内側に延びるウエハ保持爪６２ｂが３箇所（図では２箇所のみ示す）に設けられており、保持爪６２ｂによってウエハＷを保持するようになっている。図６ではアーム６２に隠れているが、アーム６３もアーム６２と同様に構成されている。これらアーム６１，６２，６３は、搬送基台６０内に内蔵されたモータおよびベルト機構により図６の矢印方向にそれぞれ独立して移動することが可能となっている。
【００４１】
上記３つの主ウエハ搬送機構はそれぞれアクセス可能な処理部等が決まっており、主ウエハ搬送機構１１は、第１の処理部Ｇ１、第５の処理部Ｇ５、ならびにカセットステーション４の一部およびその上の現像ユニット（ＤＥＶ）の一方にアクセス可能であり、主ウエハ搬送機構１２は、第３の処理部Ｇ３、第６の処理部Ｇ６、ならびにカセットステーション４の一部およびその上の現像ユニット（ＤＥＶ）の他方にアクセス可能であり、主搬送機構１３は第２の処理部Ｇ２、第７の処理部Ｇ７および第４の処理部Ｇ４にアクセス可能である。
【００４２】
なお、各処理部の処理ユニットには、搬送部３に面する位置に、ウエハ保持アーム６１，６２，６３によるウエハＷの搬入出が可能な開口部が形成されている。また、第７の処理部Ｇ７の３つのイクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）は搬送部３側とインターフェイス部５側の両方に開口部が形成されている。
【００４３】
バッファ機構１４は、図７に示すように、多段に設けられた複数（図では３個）のステージ（載置部）７１を有している。これら複数のステージ７１は支持棒７２により支持されており、その内部に突没自在にウエハＷのリフトピン７３を有している。このバッファ機構１４の各ステージ７１は、主ウエハ搬送機構１１，１２，１３におけるウエハ受け渡し部５２のアーム（図ではアーム６１）がアクセス可能に構成されており、ウエハＷを一時待機させる機能を有している。また、これらステージ７１の内部には冷却機構が内蔵されており、これらステージ７１は冷却プレートとしても機能するようになっている。
【００４４】
上記インターフェイス部５は、図１に示すように、第７の処理部Ｇ７と対面して設けられており、処理ステーション２との間でウエハＷの受け渡しを行うインターフェイス搬送機構２１を有している。そして、このインターフェイス搬送機構２１を中心に、その両側にそれぞれホットプレートユニットとイクステンションユニットが上下に積層されてなるホットプレート・イクステンションブロック２２ａ，２２ｂが設けられ、これらホットプレート・イクステンションブロック２２ａ，２２ｂの両側には、それぞれ搬送装置２３ａ，２３ｂが設けられ、さらにこれら搬送装置２３ａ，２３ｂの両側には、それぞれピックアップカセットとバッファーカセットとが上下に積層されてなるピックアップ・バッファーカセットブロック２４ａ，２４ｂが設けられている。さらに、インターフェイス搬送機構２１の第７の処理部Ｇ７と反対側には、２つの周辺露光ユニット２７ａ，２７ｂが設けられている。また、搬送装置２３ａがアクセス可能な位置には、露光装置５０ａに対するウエハＷの搬入出を行うための２つのステージ２５ａ，２６ａが設けられており、そのうちステージ２６ａは冷却機能を有しており、露光装置５０ａに装入されるウエハＷの熱膨張の影響を抑制することが可能となっている。搬送装置２３ｂがアクセス可能な位置には、同様に露光装置５０ｂに対するウエハＷの搬入出を行うための２つのステージ２５ｂ，２６ｂが設けられており、そのうちステージ２６ｂは冷却機能を有している。
【００４５】
インターフェイス搬送機構２１は、ウエハ保持アームを有する上下動可能なウエハ受け渡し部（図示せず）を備え、第７の処理部Ｇ７の各処理ユニットにアクセス可能となっており、３つのイクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）を介して処理ステーション２との間でウエハＷの受け渡しを行うとともに、ホットプレート・イクステンションブロック２２ａ，２２ｂおよび周辺露光ユニット２７ａ，２７ｂとの間でもウエハＷの受け渡しを行うようになっている。ホットプレート・イクステンションブロック２２ａ，２２ｂのホットプレートユニットでは、露光後の基板にポストエクスポージャーベーク処理が施される。またイクステンションユニットでは、搬送装置２３ａ，２３ｂとの間でウエハＷの受け渡しを行う。また、搬送装置２３ａ，２３ｂは、ピックアップ・バッファーカセットブロック２４ａ，２４ｂに対するウエハＷの受け渡しも行うようになっている。
【００４６】
このように構成されるレジスト塗布現像処理システムにおいては、カセットステーション４のウエハカセットＣＲから主ウエハ搬送機構１１または１２のいずれかのアームにより一枚のウエハＷが取り出され、バッファ機構１４のいずれかのステージ７１に載置される。そして、主ウエハ搬送機構１１または１２のいずれかのアームがまた、カセットＣＲからウエハＷを取り出しに行く。
【００４７】
一方、ステージ７１のウエハＷは主ウエハ搬送機構１３のいずれかのアームにより受け取られ、処理部Ｇ７のアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）に搬送され、そこでレジストの定着性を高めるための疎水化処理（ＨＭＤＳ処理）が施される。この処理は加熱を伴うため、その後ウエハＷは、主ウエハ搬送機構１３のいずれかのアームによりアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）から取り出された後、同じアームで処理部Ｇ７のイクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）に搬送されて冷却されるか、またはバッファ機構１４のいずれかのステー７１に載置された後主ウエハ搬送機構１１または１２のいずれかのアームにより、処理部Ｇ５または処理部Ｇ６のクーリングユニット（ＣＯＬ）に搬送されて冷却される。
【００４８】
引き続き、ウエハＷは、必要に応じてバッファ機構１４のいずれかのステージ７１に載置された後、主ウエハ搬送機構１３のいずれかのアームによりレジスト塗布ユニット（ＣＴ）に搬送され、レジスト液を滴下しながらウエハＷを回転させるスピンコーティングによりレジスト膜が形成される。
【００４９】
塗布処理終了後、ウエハＷは必要に応じてバッファ機構１４のステージ７１に載置され、対応する主ウエハ搬送機構により、処理部Ｇ５，Ｇ６，Ｇ７のいずれかのホットプレートユニット（ＨＰ）にてプリベーク処理され、次いでやはり必要に応じてバッファ機構１４のステージ７１に載置された後、対応する主ウエハ搬送機構によりいずれかの処理部のクーリングユニット（ＣＯＬ）に搬送され、そこで冷却される。冷却されたウエハＷは、必要に応じてバッファ機構１４のステージ７１に載置された後、主ウエハ搬送機構１３のいずれかのアームにより処理部Ｇ７のアライメントユニット（ＡＬＩＭ）に搬送され、そこでアライメントされた後、再び主ウエハ搬送機構１３のいずれかのアームにより処理部Ｇ７のイクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）のいずれかに搬送される。
【００５０】
イクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）に搬送されたウエハＷは、インターフェイス部５のインターフェイス搬送機構２１のアームに受け取られ、まず周辺露光装置２７ａまたは２７ｂのいずれかに搬入され、そこで周辺露光されて余分なレジストが除去された後、ホットプレート・イクステンションブロック２２ａ，２２ｂのいずれかのイクステンションユニットを介して搬送装置２３ａまたは２３ｂにより、ステージ２６ａまたは２６ｂに搬送され、そこで冷却された後露光装置５０ａまたは５０ｂに搬入され、所定のパターンが露光される。
【００５１】
露光後、ウエハＷはステージ２５ａまたは２５ｂに載置され、搬送装置２３ａまたは２３ｂによりホットプレート・イクステンションブロック２２ａ，２２ｂのいずれかのイクステンションユニットに搬送され、インターフェイス搬送機構２１のアームによりブロック２２ａ，２２ｂのいずれかのホットプレート（ＨＰ）でポストエクスポージャーベーク処理が施される。その後、インターフェイス搬送機構２１のアームにより処理ステーションの第７の処理部Ｇ７のイクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）のいずれかに搬送され、冷却される。
【００５２】
その後、ウエハＷは主ウエハ搬送機構１３のいずれかのアームにより、バッファ機構１４のいずれかのステージ７１に載置され、主ウエハ搬送機構１１または１２のいずれかのアームにより、いずれかの現像ユニット（ＤＥＶ）に搬送され、そこで露光パターンを現像する。現像終了後、ウエハＷは必要に応じてバッファ機構１４のいずれかのステージ７１に載置され、対応する主ウエハ搬送機構により処理部Ｇ５，Ｇ６，Ｇ７のいずれかのホットプレートユニット（ＨＰ）に搬送され、そこでポストベーク処理が施される。次いで、ウエハＷは必要に応じてバッファ機構１４のいずれかのステージ７１に載置された後、対応する主ウエハ搬送機構によりいずれかの処理部のクーリングユニット（ＣＯＬ）に搬送され、そこで冷却される。そして、半導体ウエハＷは、バッファ機構１４のいずれかのステージ７１に戻された後、主ウエハ搬送機構１１または１２のいずれかのアームにより、カセットステーション４の所定のカセットＣＲに収容される。
【００５３】
このように、本実施の形態では、複数の主ウエハ搬送機構１１，１２，１３を有する搬送部３の周囲に複数の処理ユニットを配置することにより、搬送部３の周囲に多数の処理ユニットを配置することができ、一つの搬送機構の周囲に複数の処理ユニットを配置する装置を用いる場合よりも処理能力あたりのフットプリントを小さくすることが可能である。また、これら主ウエハ搬送機構１１，１２，１３のいずれからもアクセス可能な位置にバッファ機構１４を配置することにより、主ウエハ搬送機構１１，１２，１３の拘束時間を短くすることができるので、これら主ウエハ搬送機構のアームがウエハＷを載置した状態で待機することを回避することができ、高いスループットを得ることができる。また、このように主ウエハ搬送機構１１，１２，１３の拘束時間を短くすることができることから、処理ユニット内に所定時間を超えてウエハＷを放置することを回避することができ、ホットプレートユニット（ＨＰ）でのプリベーク処理におけるオーバーベーク等のウエハＷへの悪影響を回避することができる。
【００５４】
特に、処理ユニットを多段に配置した処理部を複数配置し、主ウエハ搬送機構１１，１２，１３の基板受け渡し部５２が上下に移動してこれら多段に配置された処理ユニットにアクセスするようになっていることから、主ウエハ搬送機構のタスクが極めて多いが、上記実施形態では、バッファ機構１４が、多段のステージ７１を有していることから、複数のウエハＷを同時にステージ上に待機させることができ、このような場合でも主ウエハ搬送機構１１，１２，１３がウエハＷを載置した状態で待機することをほぼ確実に回避することができ、また、バッファ機構１４の周囲に主ウエハ搬送機構１１，１２，１３が配置されている構造となっており、ウエハの搬送経路を短くすることができるので、現実的に高いスループットを実現することがきる。具体的には、上記実施形態では１０個のスピナ型ユニットを搭載し露光装置を２台配置することが可能であるから、２つの塗布ユニット、３つの現像ユニット、１つの露光装置の組合せが２セット分でき、１時間あたり１５０枚のウエハを処理することができる。
【００５５】
また、インターフェイス部５内に、露光後のウエハに対してベーク処理を施すホットプレートを有しているので、露光後ポストエクスポージャーベークに至るまでの時間を一定にすることができ、処理のばらつきを極めて小さくすることができる。インターフェイス部５のステージ２６ａ，２６ｂが冷却機能を有しているので、ウエハＷを露光装置に装入する際のウエハＷの熱膨張の影響を排除することができる。インターフェイス部５のインターフェイス搬送機構２１が垂直方向に移動可能であり、インターフェース部５に隣接して設けられた第７の処理部Ｇ７の各処理ユニットに対してアクセス可能であり、３つのイクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）を介して処理ステーション２との間のウエハＷの受け渡しが可能であるため、インターフェイス部５に対するウエハＷの受け渡しをスムーズに行うことができ、搬送ムラが生じない。また、第７の処理部Ｇ７の３つのイクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）により、ポストエクスポージャーベーク処理後のウエハＷの冷却を行うこともできるので、極めて効率が高い。
【００５６】
さらに、処理ステーション２が各処理部を平面配置が略正三角形になるように配置した構造となっており、三角形の頂点に対応する位置の処理部Ｇ５，Ｇ６，Ｇ７を配置し、これらをそれぞれヒンジ３１，３２，３３を中心として回動させることにより、装着・退避可能（着脱自在）としたので、処理を行っていない時にこれら処理部を矢印方向に回動させて処理位置から退避させることにより、搬送部３のメンテナンスを容易に行うことができる。なお、インターフェイス部５は処理ステーション２に対して着脱自在であり、処理部Ｇ７をはインターフェイス部５を外した後に退避可能となる。また、このように略正三角形の配置とすることにより、フレームも略正三角形であって前後左右同じであるから、量産に適している。また、このように処理ユニットを配置することにより、スピナ系ユニットと熱的ユニットとのクリアランスを大きくすることができ、スピナ系ユニットに対する熱影響を小さくすることができる。
【００５７】
さらにまた、カセットステーション４を主ウエハ搬送機構１１，１２のアクセス可能な位置に設けたので、従来カセットステーションに設けられていた搬送機構が不要となり装置効率を一層高めることができる。また、カセットステーション４のカセット載置台が２段に設けることにより、ウエハカセットＣＲの載置数を多くすることができ（本実施形態では６個）、処理効率を高めることができる。さらに、カセットステーション４の上に現像ユニット（ＤＥＶ）を配置しているので、その分さらに装置のフットプリントを小さくすることができる。
【００５８】
さらにまた、バッファ機構１４のステージ７１は冷却機能を有しているので、ここに待機されたウエハＷを所定温度まで冷却することができ、次に搬送される処理ユニットへの熱影響を回避することができる。
【００５９】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態では、レジスト液を塗布し現像するレジスト塗布・現像システムについて説明したが、このようなレジスト塗布・現像システムに限らず、複数の処理機構により複数工程を行う処理装置であれば適用可能である。また、基板として半導体ウエハを例にとって説明したが、半導体ウエハ以外の他の基板、例えばＬＣＤ基板の処理にも適用することができる。さらに、複数の処理ユニットを多段に配置してなる複数の処理部を搬送部に配置した例について示したが、必ずしもこのような構成に限らない。さらにまた、処理ステーションの平面配置も三角形に限らず、四角形等、他の形状であっても構わない。さらにまた、主搬送機構も３つに限らず、２つであってもよく、４つ以上であってもよい。
【００６０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、複数の搬送機構を有する搬送部の周囲に複数の処理機構を配置することにより、搬送部の周囲に多数の処理機構を配置することができ、一つの搬送機構の周囲に複数の処理機構を配置する装置を用いる場合よりも処理能力当たりのフットプリントを小さくすることが可能である。また、複数の搬送機構のいずれからもアクセス可能な位置にバッファ機構を配置することにより、搬送機構の拘束時間を短くすることができるので、搬送機構が基板を載置した状態で待機することを回避することができ、高いスループットを得ることができる。また、処理機構内に所定時間を超えて基板を放置することを回避することもできるので、基板への悪影響を回避することができる。
【００６１】
また、垂直方向に移動可能に設けられた基板受け渡し部を有する複数の搬送機構を備えた搬送部の周囲に、複数の処理機構が垂直方向に多段に積層してなる複数の処理部を配置することにより、搬送部の周囲に極めて多数の処理機構を配置することができ、一つの搬送機構の周囲に複数の処理機構を積層してなる処理部を配置する装置を用いる場合よりも処理能力当たりのフットプリントを小さくすることが可能である。また、複数の搬送機構のいずれからもアクセス可能な位置に複数の待機部を多段に有するバッファ機構を配置することにより、搬送機構の拘束時間を短くすることができるので、搬送機構が基板を載置した状態で待機することを回避することができ、高いスループットを得ることができる。
【００６２】
さらに、搬送部が、複数の待機部を多段に有するバッファ機構の周囲に、垂直方向に移動可能な受け渡し部を有する複数の搬送機構を備えた構造を有しており、この搬送部の周囲に、複数の処理機構が垂直方向に多段に積層してなる複数の処理部を配置するので、装置の配置効率が高く、フットプリントをより小さくすることが可能である。また、バッファ機構の周囲に複数の搬送機構を配置することにより、搬送機構による搬送経路を短くすることができ、より高いスループットを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態である半導体ウエハの塗布現像処理システムの全体構成の平面図。
【図２】図１のレジスト塗布ユニットおよび現像処理ユニットを備えた処理部を示す側面図。
【図３】図１の熱的処理ユニットを備えた処理部を示す側面図。
【図４】図１のカセットステーションを示す側面図。
【図５】図１の搬送部における主ウエハ搬送機構を示す断面図。
【図６】図５の主ウエハ搬送機構のウエハ受け渡し部を示す概略平面図。
【図７】図１の搬送部におけるバッファ機構を示す側面図。
【符号の説明】
１……レジスト塗布・現像処理システム
２……処理ステーション
３……搬送部
４……カセットステーション
５……インターフェイス部
１１，１２，１３……主ウエハ搬送機構
１４……バッファ機構
Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４，Ｇ５，Ｇ６，Ｇ７……処理部
ＣＴ……塗布ユニット
ＤＥＶ……現像ユニット
ＨＰ……ホットプレートユニット
ＣＯＬ……クーリングユニット
ＡＤ……アドヒージョンユニット
ＡＬＩＭ……アライメントユニット
ＥＸＴＣＯＬ……イクステンション・クーリングユニット
Ｗ……半導体ウエハ（被処理基板）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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