(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶層を介在して互いに対向配置される一対の基板のうち、一方側の基板の液晶層側表面には、他方側の基板からの外光を反射する反射部と背面光源からの光を透過する透過部とを１画素内に構成する画素領域が形成されてなり、該他方側の基板の液晶層側表面には、ほぼ全面にわたって透光性を有する共通電極が形成されて構成される液晶表示装置において、
前記一方側の基板上の反射部領域には前記画素領域に表示のための電圧を印加するスイッチング素子と該スイッチング素子を覆う絶縁膜と該絶縁膜上の反射電極とが形成されているとともに、前記絶縁膜がない前記透過部領域には透明電極が形成されてなり、
前記反射電極と前記透明電極は画素電極を構成しており、
前記スイッチング素子に構成されるチャネル部上に形成される前記絶縁膜はその表面が平坦に形成されているとともに、前記反射部領域の該スイッチング素子部以外の領域に形成される該絶縁膜はその表面が凹凸に形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記スイッチング素子は、データ信号を供給する複数のデータ信号線と走査信号を供給する複数の走査信号線とを電気的に接続して形成されるとともに、前記反射部領域に形成された反射電極は、前記絶縁膜を挟んで該データ信号線と走査信号線と一部重畳して構成されてなり、前記反射電極と重畳して構成される前記データ信号線上に形成された前記絶縁膜は、その表面が平坦に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記チャネル部を含むスイッチング素子上に形成された前記絶縁膜は、その表面が平坦に形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記スイッチング素子の前記チャネル部上に形成される前記絶縁膜の高さは、前記反射部領域の該スイッチング素子部以外の領域に形成される該絶縁膜の平均高さよりも高い、請求項１から３のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記反射部領域の前記スイッチング素子部に形成される前記絶縁膜の高さは、前記反射部領域の該スイッチング素子部以外の領域に形成される該絶縁膜の表面の凹凸の凸部の高さを越えない、請求項１から３のいずれかに記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＯＡ機器や携帯情報機器などに用いられる液晶表示装置に関し、特に、画素領域が透過領域と反射領域とに分割された透過反射両用型の液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、液晶表示装置は、薄型で低消費電力であるという特徴を生かして、ワードプロセッサやパーソナルコンピュータなどのＯＡ機器、電子手帳などの携帯情報機器、あるいは液晶モニターを備えたカメラ一体型ＶＴＲなどに広く用いられている。
【０００３】
このような液晶表示装置には、画素電極にＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）などの透明導電性薄膜を用いた透過型の液晶表示装置と、画素電極に金属などの反射電極を用いた反射型の液晶表示装置とがある。
【０００４】
本来、液晶表示装置は、ＣＲＴ（ブラウン管）やＥＬ（エレクトロルミネッセンス）などとは異なり、自ら発光する自発光型の表示装置ではないため、透過型の液晶表示装置の場合には、液晶表示装置の背後に蛍光管などの照明装置、所謂バックライトを配置して、そこから入射される光によって表示を行っている。また、反射型の液晶表示装置の場合には、外部からの入射光を反射電極によって反射させることによって表示を行っている。
【０００５】
ここで、透過型の液晶表示装置の場合は、上述のようにバックライトを用いて表示を行うために、周囲の明るさにさほど影響されることなく、明るくて高コントラストを有する表示を行うことができるという利点を有しているものの、通常バックライトは液晶表示装置の全消費電力のうち５０％以上を消費することから、消費電力が大きくなってしまうという問題を有している。
【０００６】
また、反射型の液晶表示装置の場合は、上述のようにバックライトを使用しないために、消費電力を極めて小さくすることができるという利点を有しているものの、周囲の明るさなどの使用環境あるいは使用条件によって表示の明るさやコントラストが左右されてしまうという問題を有している。
【０００７】
このように、反射型の液晶表示装置においては、周囲の明るさなどの使用環境、特に外光が暗い場合には視認性が極端に低下するという欠点を有しており、また、一方の透過型の液晶表示装置においても、これとは逆に外光が非常に明るい場合、例えば晴天下などでの視認性が低下してしまうというような問題を有していた。
【０００８】
そこで、こうした問題点を解決するための手段として、反射型と透過型との両方の機能を合わせ持った液晶表示装置が、例えば特願平９−２０１１７６号などにより提案されている。
【０００９】
この液晶表示装置は、１つの表示画素に外光を反射する反射部とバックライトからの光を透過する透過部とを作り込むことにより、周囲が真っ暗の場合には、バックライトからの透過部を透過する光を利用して表示を行なう透過型の液晶表示装置として、また、外光が暗い場合には、バックライトからの透過部を透過する光と光反射率の比較的高い膜により形成した反射部により反射する光との両方を利用して表示を行う両用型の液晶表示装置として、さらに、外光が明るい場合には、光反射率の比較的高い膜により形成した反射部により反射する光を利用して表示を行う反射型の液晶表示装置として用いることができるというような構成の透過反射両用型の液晶表示装置である。
【００１０】
これにより、周囲の光が暗い場合にはバックライトを用い、周囲の光が明るい場合にはバックライトを用いずに周囲光を利用することが可能になるため、従来の透過型の液晶表示装置よりも周囲の光が明るい場合にバックライトを使わない分低消費電力であり、また、従来の反射型の液晶表示装置よりも周囲の光が暗い場合にバックライトを用いることで視認性に優れ、透過型と反射型との両方で明るく色純度の高いカラー表示を常に実現することが可能となっている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような構成の透過反射両用型の液晶表示装置は、周囲光とバックライトとの２種類の光源を利用するため、光によってスイッチング素子がダメージを受けてしまうという問題を有していた。
【００１２】
このように光がスイッチング素子に与える影響については、透過型の液晶表示装置または反射型の液晶表示装置において、これまで様々な解決手段が検討されているが、反射型と透過型との両方の機能を合わせ持った液晶表示装置、即ち、周囲光とバックライトとの２種類の光源の組み合わせによって生じるスイッチング素子へのダメージについては、これまで全く考慮されておらず、解決手段についても検討されていなかった。
【００１３】
このような光がスイッチング素子に与える影響について、従来の反射型液晶表示装置における解決手段を参考にして、以下に説明する。
【００１４】
まず、特開平５−３２３３７１号公報には、層間絶縁膜としての凹凸形状が形成された感光性樹脂を形成し、この感光性樹脂の上層に光反射層としてのＡｌなどからなる反射電極を有した反射型液晶表示装置が開示されている。なお、本公報に開示された反射型液晶表示装置は、スイッチング素子の上層に反射電極が配置されていない構造となっている。
【００１５】
また、特開平６−７５２３７号公報にも、層間絶縁膜としての凹凸形状が形成された感光性樹脂を形成し、この感光性樹脂の上層に光反射層としてのＡｌなどからなる反射電極を有した反射型液晶表示装置が開示されている。なお、本公報に開示された反射型液晶表示装置は、スイッチング素子の上層の層間絶縁膜にも凹凸が形成されており、かつ反射電極も配置された構造となっている。
【００１６】
ここで、上述した特開平５−３２３３７１号公報に開示された反射型液晶表示装置をそのまま透過反射両用型の液晶表示装置に適用した場合について述べる。
【００１７】
図１５は、この透過反射両用型の液晶表示装置を示す平面図であり、図１６は、その断面図である。
【００１８】
図１５および図１６に示すように、この透過反射両用型基板１９には、光反射機能を有する材料からなる反射電極１２と、光透過機能を有する材料からなる透明電極９とが形成されている。また、対向するカラーフィルタ基板２０には、カラーフィルタ１５と透明電極１４とが形成されている。そして、これら両方の基板１９、２０の間には液晶層１３が挟持されており、両方の基板１９、２０の外側には、必要に応じて位相差板１７や偏光板１８などが配置されている。さらに、この透過反射両用型基板１９の最も外側には、バックライト２６も配置されている。
【００１９】
ここで、図１６に示すように、スイッチング素子である薄膜トランジスタ２５の上層には、反射電極１２が配されていないため、ソース／ドレイン間の容量増加は生じず、かつスイッチング素子のチャネル部５にバックチャネル電荷が発生しないこと、バックライト２６からの光が薄膜トランジスタの上層に形成された反射電極１２の影響を受けないことなどの理由から、安定した薄膜トランジスタ２５のＯＦＦ抵抗が得られるという利点を有している。
【００２０】
しかしながら、その反面で、反射電極１２の面積が小さくなってしまうため、開口率が減少して明るさが減少してしまうという問題点を有している。
【００２１】
また、薄膜トランジスタ２５が形成された基板１９だけでは、薄膜トランジスタ２５のチャネル部５を周囲光から遮光することができないため、基板２０のカラーフィルタ１５に薄膜トランジスタ２５のチャネル部５を遮光するための遮光膜を配さなければならず、コストが高くなってしまうという問題点も有している。
【００２２】
さらに、カラーフィルタ１５に遮光膜を設ける場合には、両基板１９、２０の貼り合わせズレの発生を考慮して、遮光部の大きさを十分に大きくとる必要があり、一般にこの貼り合わせずれは±５μｍ程度発生する可能性があることから、この遮光層は、遮光したい領域の面積よりも片側５μｍ以上のマージンを見込んで設計しておく必要があり、さらに開口率が減少して明るさが減少してしまうという問題も有している。
【００２３】
次に、上述した特開平６−７５２３７号公報に開示された反射型液晶表示装置をそのまま透過反射両用型の液晶表示装置に適用した場合について述べる。
【００２４】
図１７は、この透過反射両用型の液晶表示装置を示す平面図であり、図１８は、その断面図である。図１７および図１８に示すように、薄膜トランジスタ２５の上層の層間絶縁膜１１には凹凸が形成されており、かつ反射電極１２が配されているため、反射電極１２の面積を大きくすることが可能となり、開口率が向上して明るい表示を行うことが可能となっている。
【００２５】
さらに、薄膜トランジスタ２５の上方に配置された反射電極１２は、周囲光に対して薄膜トランジスタ２５のチャネル部５を遮光する機能を有することになるため、周囲光で表示を行う反射型表示においては、薄膜トランジスタ２５に対する光による悪影響を防止することができるという利点を有している。
【００２６】
しかしながら、透過反射両用型の液晶表示装置に特有の問題点として、バックライト２６からの光が、反射電極１２の液晶層１３とは反対側の面（裏面）で拡散反射してしまい、薄膜トランジスタ２５のチャネル部５に入射してＯＦＦ特性を劣化させるという問題がある。
【００２７】
本発明は、上述したような問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、薄膜トランジスタのチャネル部に相当する対向基板上の領域に、遮光膜を形成することなく、高開口率で明るい表示が得られ、周囲光が強い状況下であってもバックライトを点灯した状況下であっても、安定したスイッチング素子特性を有することができる透過反射両用型の液晶表示装置を提供することにある。
【００２８】
【課題を解決するための手段】
本発明の液晶表示装置は、液晶層を介在して互いに対向配置される一対の基板のうち、一方側の基板の液晶層側表面には、他方側の基板からの外光を反射する反射部と背面光源からの光を透過する透過部とを１画素内に構成する画素領域が形成されてなり、該他方側の基板の液晶層側表面には、ほぼ全面にわたって透光性を有する共通電極が形成されて構成される液晶表示装置において、前記一方側の基板上の反射部領域には前記画素領域に表示のための電圧を印加するスイッチング素子と該スイッチング素子を覆う絶縁膜と該絶縁膜上の反射電極とが形成されているとともに、前記絶縁膜がない前記透過部領域には透明電極が形成されてなり、前記スイッチング素子に構成されるチャネル部上に形成される前記絶縁膜はその表面が平坦に形成されているとともに、前記反射部領域の該スイッチング素子部以外の領域に形成される該絶縁膜はその表面が凹凸に形成されていることを特徴としており、そのことにより、上記目的は達成される。
【００２９】
なお、このときのスイッチング素子は、データ信号を供給する複数のデータ信号線と走査信号を供給する複数の走査信号線とを電気的に接続して形成されるとともに、前記反射部領域に形成された反射電極は、前記絶縁膜を挟んで該データ信号線と走査信号線と一部重畳して構成されてなり、前記反射電極と重畳して構成される前記データ信号線上に形成された前記絶縁膜は、その表面が平坦に形成されていることが好ましい。
【００３０】
また、このときのチャネル部を含むスイッチング素子上に形成された前記絶縁膜は、その表面が平坦に形成されていることが好ましい。
【００３１】
前記スイッチング素子の前記チャネル部上に形成される前記絶縁膜の高さは、前記反射部領域の該スイッチング素子部以外の領域に形成される該絶縁膜の平均高さよりも高い構成としてもよい。
【００３２】
あるいは、前記反射部領域の前記スイッチング素子部に形成される前記絶縁膜の高さは、前記反射部領域の該スイッチング素子部以外の領域に形成される該絶縁膜の表面の凹凸の凸部の高さを越えない構成としてもよい。
【００３３】
以下、本発明の作用について説明する。
【００３４】
本発明の液晶表示装置によれば、スイッチング素子部を含む各反射部領域全域に反射電極が形成されていることから、スイッチング素子に構成されるチャネル部は反射電極（光遮光層）により覆われることとなり、そのためチャネル部への外部からの光（周囲光）の進入を防ぐことが可能となり、スイッチング素子のＯＦＦ特性の低下を防ぐことが可能となっている。
【００３５】
また、スイッチング素子（チャネル部）上に形成された絶縁膜は、その表面が平坦に形成されていることにより、バックライトを点灯したときには、バックライトからの光が、反射電極の液晶層とは反対側の面で反射しても散乱しにくくなり、スイッチング素子のチャネル部に入射する光量を少なくすることが可能となっている。したがって、周囲光の強い状況下であっても、バックライトを点灯した状況下であっても、安定したスイッチング特性を得ることが可能となっている。
【００３６】
また、本発明によれば、前記スイッチング素子は、データ信号を供給する複数のデータ信号線と走査信号を供給する複数の走査信号線とを電気的に接続して形成されるとともに、前記画素領域に形成された反射電極は、前記絶縁膜を挟んで前記データ信号線と走査信号線と一部重畳して構成されてなり、前記反射電極と重畳して構成される前記データ信号線上に形成された前記絶縁膜は、その表面が平坦に形成されていることにより、反射電極の面積を大きくすることができ、高開口率を実現することが可能となっている。しかも、このデータ信号線上の絶縁膜には凹凸が形成されていないことから、パターン不良による反射電極とデータ信号線との導通を防止することが可能となっている。
【００３７】
また、チャネル部を含むスイッチング素子上に形成された前記絶縁膜、すなわち、スイッチング素子を構成するチャネル部、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極を含むスイッチング素子上に形成された絶縁膜の表面を平坦にすることにより、背面光源（バックライト）を点灯したときに、背面光源（バックライト）からの光が反射電極の液晶層とは反対側の面で反射しても散乱しにくくなり、スイッチング素子のチャネル部に入射する光量を、いっそう少なくすることが可能となっている。
【００３８】
したがって、反射部と透過部とを１画素内に構成する画素領域が形成される透過反射両用型の液晶表示装置においては、周囲光の強い状況下であっても、バックライトを点灯した状況下であっても、よりいっそう安定したスイッチング特性を得ることが可能となっており特に有効である。
【００３９】
また、チャネル部上の層間絶縁膜の表面を平坦にするために、例えば、層間絶縁膜に凹凸を形成するためのパターニングをチャネル部上の層間絶縁膜に対しては行わないプロセスを採用すると、チャネル部上に形成される層間絶縁膜の高さ（例えば、図８の高さ２４Ｄ）が、その他の領域に形成される凹凸を有する層間絶縁膜の平均高さ（例えば図８の２３Ｄ’）よりも高い構成を容易に実現できる。これは、後に詳述するように、凹凸を形成した領域の層間絶縁膜は、パターニングによって膜減りするのに対し、平坦部の層間絶縁膜は膜減りしないからである。
【００４０】
上記の構成は、チャネル部上の層間絶縁膜の厚さ（例えば、図８中の２４）は、従来のスイッチング素子上の層間絶縁膜の表面にも凹凸が形成された場合のチャネル部上の層間絶縁膜の平均厚さ（図１９の平均厚さ２３）よりも厚いので、チャネル部５に入射する光量をいっそう低下させることができる。
【００４１】
さらに、この構成を採用すると、チャネル部上の層間絶縁膜が薄すぎる場合に発生する、ソース／ドレイン間の容量の増大や、クロストークの発生等の問題を防止できる。また、バックチャネル電荷の影響による、スイッチング素子のＯＦＦ特性の低下を防ぐことができるとともに、安定したスイッチング素子特性を得ることもできる。勿論、上述のプロセスを用いて、スイッチング素子の全体にわたって平坦な層間絶縁膜を形成すると、より効果的である。
【００４２】
上記の例では、チャネル部上（またはスイッチング素子上）に形成される層間絶縁膜の高さだけが、他の領域の層間絶縁膜の高さよりも高い。すなわち、チャネル部上の領域だけ、液晶層の厚さが薄いことになる。このように、液晶層の厚さが薄い領域に導電性ダストが存在すると、反射電極と対向電極との短絡（あるいは電流のリーク）による表示不良がおきる可能性が高くなる。このダストによる不良を抑制するためには、反射部領域のスイッチング素子部に形成される層間絶縁膜の高さが、他の領域に形成される層間絶縁膜の表面の凹凸の凸部の高さを越えない構成（例えば、図９および図１２参照）を採用することが好ましい。勿論、この構成を採用する場合にも、少なくとも、チャネル部５上の層間絶縁膜１１の厚さは十分に確保しおく。
【００４３】
【発明の実施の形態】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１における透過反射両用型の液晶表示装置の画素領域部分の構成を示した平面図である。また、図２は、本発明の実施の形態１における透過反射両用型の液晶表示装置の画素領域部分の構成を示した断面図である。
【００４４】
本実施の形態１における透過反射両用型の液晶表示装置は、図２に示すように、透過反射両用基板１９上にスイッチング素子として薄膜トランジスタ２５が形成されている。そして、この薄膜トランジスタ２５を含む透過反射両用基板１９上には、層間絶縁膜として凹凸形状を有する感光性樹脂１１、ＡｌとＭｏとの積層膜からなる反射電極１２、ＩＴＯからなる透明電極９がそれぞれ形成されている。なお、本実施の形態１においては、この反射電極と透明電極とが本発明における透過部と反射部とを構成して画素領域を形成している。
【００４５】
また、この透過反射両用基板１９に対向するカラーフィルター基板２０上には、透明電極１４とカラーフィルタ層１５とが形成されている。そして、これら両基板１９、２０の間には、液晶層１３が設けられており、両基板１９、２０のそれぞれの外側には、位相差板１７と偏光板１８とが配置されているとともに、透過反射両用基板１９の最も外側には、バックライト２６が配置されている。
【００４６】
なお、本実施の形態１では、表示モードとして偏光モードを使用しているが、これに限定されるものではなく、例えばゲストホストモードを使用すれば、位相差板１７や偏光板１８を省略することが可能となる。
【００４７】
この透過反射両用型基板１９には、図１および図２に示すように、ガラスなどからなる絶縁性の基板１上に、液晶駆動用素子として薄膜トランジスタ２５が形成された構成となっている。即ち、ガラスなどからなる絶縁性の基板１上には、走査信号線であるゲートバスライン２１とこのゲートバスライン２１から分岐されたゲート電極２としてのＴａ、ゲート絶縁層３としてのＳｉＮｘ、半導体層４としてのａ−Ｓｉ、ｎ型半導体層６としてのｎ型ａ−Ｓｉ、データバスライン２２とこのデータバスライン２２から分岐されたソース電極７としてのＴａ７ａとＩＴＯ７ｂとの積層膜、ドレイン電極８としてのＴａ８ａとＩＴＯ８ｂとの積層膜などがそれぞれ成膜されて構成されており、この薄膜トランジスタ２５はスイッチング素子として機能している。
【００４８】
そして、この薄膜トランジスタ２５を構成するドレイン電極８の延長部は、ＩＴＯ８ｂのみで形成されており、このＩＴＯ８ｂが画素電極の一部を構成する透明電極９として機能している。また、同様に画素電極の一部を構成する反射電極１２は、コンタクトホール１０を介してドレイン電極８に接続されており、透明電極９とは層間絶縁膜１１を介して形成されている。
【００４９】
なお、本実施の形態１では、図２に示すように、層間絶縁膜１１の表面が、薄膜トランジスタ２５のチャネル部５上の領域を除いて、複数の凸凹が不規則に形成された形状となっている。また、薄膜トランジスタ２５のチャネル部５上の領域にまで反射電極１２が形成された構成となっている。
【００５０】
このような構成とすることにより、本実施の形態１では、反射電極１２が薄膜トランジスタ２５に対して、周囲光に対する遮光膜として機能することになり、カラーフィルタ１５の薄膜トランジスタ２６に対向する領域には、別途遮光膜を形成する必要がなくなる。また、薄膜トランジスタ２５のチャネル部５上の層間絶縁膜１１は平坦なので、バックライトからの光が、反射電極１２の裏面で散乱されにくく、チャネル部５に入射する光量を少なくできる。したがって、周囲光の強い状況下であっても、バックライトを点灯した状況下であっても、安定したスイッチング特性を得ることが可能となっている。
【００５１】
また、薄膜トランジスタ２５のチャネル部５上の層間絶縁膜１１には凹凸が形成されていないことから、実施の形態２で詳述するように、チャネル部５上で膜減りが起こらない。従って、チャネル部５上の層間絶縁膜１１の厚さは、従来のスイッチング素子上の層間絶縁膜の表面にも凹凸が形成された場合のチャネル部上の層間絶縁膜の平均厚さよりも厚いので、チャネル部５に入射する光量をいっそう低下させることができる。
【００５２】
さらに、チャネル部５と反射電極１２との間で十分な膜厚（例えば２μｍ以上）を維持することができ、ソース／ドレイン間の容量を減少させて縦クロストークの発生を抑えることが可能となる。また、このような構成とすることにより、バックチャネル電荷の影響によるスイッチング素子のＯＦＦ特性の低下も防止されるので、安定したスイッチング特性で液晶を駆動することが可能となる。
【００５３】
（実施の形態２）
図３は、本発明の実施の形態２における透過反射両用型の液晶表示装置の画素部分の構成を示した断面図である。また、図４は、図３に示した透過反射両用型の液晶表示装置における透過反射両用基板１９の製造工程を示したプロセス断面図であり、特に層間絶縁膜１１上に形成される凹凸形状を有する反射電極１０の形成工程を説明するものである。
【００５４】
本実施の形態２における透過反射両用型の液晶表示装置は、図３に示すように、層間絶縁膜１１の表面が、薄膜トランジスタ２５上の領域を除いて、複数の凸凹が不規則に形成された形状となっている点が、上述の実施の形態１とは異なっているが、その他の構成については、上述の実施の形態１と同じである。
【００５５】
本実施の形態２における透過反射両用型の液晶表示装置は、例えば、以下のようにして製造される。
【００５６】
図４（ａ）に示すように、まず、薄膜トランジスタ２５が形成された絶縁性基板１上の表面に、ポジ型光感光性樹脂１１（製品名：ＯＦＰＲ−８００：東京応化工業社製）を１〜５μｍの厚さに塗布する。本実施の形態２では４μｍで成膜した。
【００５７】
そして、この状態で、図５に示すようなフォトマスク３０を配置して、４０ｍＪで第１の露光を行った。このときのフォトマスク３０のパターンは、薄膜トランジスタ２５に対応する部分３１を完全に遮光し、またコンタクトホール１０に対応する部分３２を完全な透過部とし、円形遮光部３３を複数配置した構成となっている。なお、この円形遮光部３３は、直径が５〜１０μｍ、隣り合う中心間隔が８〜２０μｍとなるようにランダムに配置した。なお、ここでは透明電極９に対応する領域３４には、円形遮光部３３を配置していないが、後の工程で透明電極９は除去されるため円形遮光部３３を配置していてもかまわない。そして、このようなフォトマスク３０と薄膜トランジスタ２５が形成された絶縁性基板１との位置合わせを行った後に露光を行った。
【００５８】
次に、上述したように露光を行った状態で、図４（ｂ）に示すように、フォトマスク３５を配置して、２４０ｍＪで第２の露光を行った。このときのフォトマスク３５のパターンは、図６に示すように、コンタクトホール１０に対応する部分３２と透明電極９に対応する部分３４のみを完全な透過部とし、それ以外の領域については遮光部３７とした構成となっている。そして、このようなフォトマスク３５と絶縁性基板１との位置合わせを行った後に露光を行った。
【００５９】
その後、絶縁性基板１上の光感光性樹脂１１をＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド：東京応化工業社製）により現像した。ここで、図４（ｃ）に示すように、第１の露光により光が照射された領域（凹凸が形成される領域）の光感光性樹脂１１は、露光強度が弱かったために、完全に除去された領域は存在せず、凹凸が形成されていない薄膜トランジスタ２５上の膜厚から５０〜９０％膜減りした状態で凹凸形状が形成される。また、第２の露光により光が照射された領域（コンタクトホール部１０と透明電極９とに対応する領域）の光感光性樹脂１１は、露光強度が強かったために、完全に除去された状態となる。そして、２００℃で６０分間の加熱処理を行うことにより、熱だれ現象によって光感光性樹脂１１の凹凸形状が変形して、光感光性樹脂１１上の凹凸形状は角がとれて滑らかな凹凸形状となる。
【００６０】
その後、図４（ｄ）に示すように、滑らかな凹凸が形成された光感光性樹脂１１上に、反射電極１２としてのＡｌとＭｏとの積層膜をスパッタリング法によって２００ｎｍ程度の膜厚に形成し、１つの画素領域において１つの薄膜トラジスタ２５に対して１つの反射電極１２が対応するようにパターニングを行った。ここで、本実施の形態２における反射電極１２は、図１に示すように、ゲートバスライン２１およびソースバスライン２２と一部重畳して構成されており、さらに、このときのソースバスライン２２上に形成された光感光性樹脂１１上には、上述した凹凸が形成されないような構成とした。
【００６１】
なお、ゲートバスライン２１上に形成された光感光性樹脂１１については、ゲートバスライン２１上にゲート絶縁膜が形成されていることから、凹凸形成時にパターン不良が発生しても反射電極１２と導通する心配がないため、凹凸は形成しておく方が望ましい。
【００６２】
また、この反射電極１２は、コンタクトホール１０を介して薄膜トランジスタ２５のドレイン電極８と接続されているとともに、光感光性樹脂１１上に形成された滑らかな凹凸に沿って形成されることになるため、この反射電極１２の表面もまた、表示に寄与する表面に光感光性樹脂１１の凹凸に応じた不規則な円形の凹凸を有することになる。
【００６３】
このような図４（ａ）〜（ｄ）に示した工程によって、滑らかで高密度な凹凸形状を有する反射電極１２を形成することができ、正反射成分が少なくペーパーホワイト表示が可能な反射電極１２と透明電極９とを１つの画素領域内に構成する透過反射両用型基板１９が完成する。
【００６４】
なお、実施の形態１の液晶表示装置で用いられる図２に示した透過反射両用型基板１９は、図４（ａ）に示した工程において、フォトマスク３０として、薄膜トランジスタ２５に対応して設けられている遮光部３１を薄膜トランジスタ２５のチャネル部５だけを遮光するように変更したフォトマスクを用いることによって、上記の工程と同様の工程で作製され得る。
【００６５】
次に、透過反射両用型基板１９とカラーフィルタ基板２０との貼り合わせを行い、液晶１３を注入した後、位相差板１７、偏光板１８、バックライト２６を配置することにより、図３に示すような本実施の形態２における透過反射両用型の液晶表示装置は完成する。
【００６６】
実施の形態２の液晶表示装置の薄膜トランジスタ２５は、その上方に形成された反射電極１２によって周囲光から遮光されているため、特別に遮光層を設ける必要が無く、カラーフィルター１５の薄膜トランジスタ２５に対向する領域に、赤、青、緑などの着色層が配置されたカラーフイルター１５を採用することによって、開口率を向上させてコストを削減することができる。
【００６７】
また、チャネル部５を含む薄膜トランジスタ２５上の層間絶縁膜１１の表面は平坦なので、バックライトからの光が、反射電極１２の裏面で散乱されにくく、チャネル部５に入射する光量をさらに少なくできる。したがって、周囲光の強い状況下であっても、バックライトを点灯した状況下であっても、安定したスイッチング特性を得ることが可能となっている。
【００６８】
ここで、本実施の形態２における液晶表示装置にバックライト２６を用いた場合の薄膜トランジスタ２５のチャネル部５に与える光による影響について検討を行った結果を説明する。
【００６９】
図７は、本実施の形態２における透過反射両用型の液晶表示装置のバックライトを点灯して高温通電した状態で通電時間を変えながら、薄膜トランジスタ２５のオフ特性であるＶｇｌの変動の様子を示した図面である。なお、比較のため、図１８に示すような従来の液晶表示装置の構造（薄膜トランジスタの上方の光感光性樹脂表面を凹凸にした構造）でも同様の測定を行い、その結果も併せて示した。
【００７０】
図７に示したように、本実施の形態２においては、バックライト２６を用いた場合、反射電極１２の液晶層１３とは反対の面で拡散反射するバックライト２６からの光が、薄膜トランジスタ２５のチャネル部５に与える影響を抑えられ、薄膜トランジスタ２５のＯＦＦ特性の低下が防止されていることがわかる。
【００７１】
さらに、本実施の形態２の液晶表示装置においては、凹凸を形成するためのパターニングを薄膜トランジスタ２５上の層間絶縁膜１１に行わないことによって、その領域に表面を平坦にしているので、薄膜トランジスタ２３上の層間絶縁膜１１の膜減りが防止され、その結果、薄膜トランジスタ２５上の層間絶縁膜１１の厚さは、薄膜トランジスタ上の層間絶縁膜の表面にも凹凸が形成された従来の構成の層間絶縁膜の平均厚さよりも厚いので、チャネル部５に入射する光量をいっそう低下させる効果も得られている。
【００７２】
ここで、層間絶縁膜１１の膜減りについて説明する。
【００７３】
層間絶縁膜１１に凹凸状の表面を形成するために、光感光性樹脂層をパターニングする際に、フォトマスクの微細パターンに対応した光反応を受けている光感光性樹脂層の領域と、微細なパターンが形成されていない一様な光反応を受けている光感光性樹脂層の領域とで、露光工程における光の回りこみの影響や、現像工程におけるパターニングの進行度が異なる。すなわち、前者の場合は微細パターンであるために、後者に比べて、露光工程における光の回りこみの影響が大きく、また、現像液が染み込みやすく、膜が消失（溶解）されていくスピードが速くなってしまうために、膜減りがおこる。
【００７４】
従って、図１９に示すように、薄膜トランジスタ２５の上層の層間絶縁膜１１にも凹凸を形成すると、薄膜トランジスタ２５のチャネル部５に相当する領域の層間絶縁膜１１の平均膜厚２３（平均高さ２３Ｄ）は、凹凸を形成しない場合よりも、膜減りによって薄く（低く）なる。薄膜トラジスタ２５（特にチャネル部５）上の層間絶縁膜１１が膜減りによって薄くなり過ぎると、ソース／ドレインにおいて短絡が発生したり、ソース／ドレイン間の容量が増加することによってシャドーイングが生じることがある。また、チャネル部５上の層間絶縁膜１１の平均膜厚２３が薄くなり過ぎると、チャネル部５と反射電極１２との間の距離が小さくなるため、バックチャネル側に誘起された電荷（バックチャネル電荷）が注入されることによって、薄膜トランジスタ２５のＯＦＦ時のもれ電流が増加して、表示のコントラスト比が低下してしまうという問題が生じることもある。
【００７５】
これに対し、薄膜トランジスタ２５上の層間絶縁膜１１に対して凹凸を形成するためのパターニングを行わないプロセスを採用すると、図８に示したように、薄膜トランジスタ２５上の層間絶縁膜１１の表面を平坦にできるとともに、パターニングによる膜減りがおこらない分だけ、層間絶縁膜１１の高さ２４Ｄ（膜厚２４）が高い（厚い）構成を容易に実現できる。すなわち、図８に示したように、薄膜トランジスタ２５上以外の領域に形成される層間絶縁膜１１は、凹凸を形成すためのパターニングによって、図１９に示した層間絶縁膜１１（平均高さ２３Ｄ，平均膜厚２３）と同様に、平均高さ２３Ｄ’（平均膜厚２３’）まで膜減りするのに対し、薄膜トランジスタ２５上の層間絶縁膜１１には膜減りが起こらない。その結果、薄膜トランジスタ２５上に形成される層間絶縁膜１１の高さ２４Ｄが、薄膜トランジスタ２５上以外の領域に形成される層間絶縁膜１１の平均高さ２３Ｄ’よりも高い構成が得られる。
【００７６】
図８に示した、薄膜トランジスタ２５上に形成される層間絶縁膜１１の高さ２４Ｄが、薄膜トランジスタ２５以外の領域に形成される層間絶縁膜１１の平均高さ２３Ｄ’よりも高い構成を採用すると、薄膜トランジスタ２５上の層間絶縁膜１１の厚さ２４が増すことによって、チャネル部５に入射する光量をいっそう低下させることができる。
【００７７】
さらに、薄膜トランジスタ２５のチャネル部５と反射電極１２との間の膜厚を十分に大きくとることができるため、ソース／ドレイン間の容量の増大や、クロストークの発生等の問題を防止できる。また、バックチャネル電荷の影響によるスイッチング素子のＯＦＦ特性の低下を防ぐことができるので、安定したスイッチング素子特性を得ることができる。
【００７８】
実施の形態１のようにチャネル部５上の層間絶縁膜１１の膜減りを防止する構成よりも、実施の形態２のように、薄膜トランジスタ２５の全体にわたって、層間絶縁膜１１の膜減りを防ぐ構成を採用する方がより効果的である。なお、薄膜トランジスタ２５上の層間絶縁膜１１および反射電極１２は、その表面が平坦に形成されている範囲がゲート電極２よりも外側へ各方向３μｍ以上の範囲で形成することが好ましい。また、ソースバスライン２２上の層間絶縁膜１１に凸凹を形成しない構成とすることにより、パターン不良による反射電極１２とソースバスライン２２との導通を防止することも可能となっている。
【００７９】
また、層間絶縁膜１１の高さは、反射モードで表示を行う反射領域の液晶層の厚さ（リタデーション）が所定の値となるように（例えば、透過領域の液晶層の厚さの１／２）設計され、凹凸を形成するためのパターニングにおける膜減りを見込んで形成される。上述のプロセスを用いて平坦部を形成すると、この層間絶縁膜の高さやセルギャップの設計値や製造プロセスを変更することなく、チャネル部５上の層間絶縁膜１１だけを厚くすることができるという利点もある。
【００８０】
なお、本願明細書において、層間絶縁膜の「厚さ（膜厚）」と層間絶縁膜の「高さ」という用語を用いる。例えば、図１９の参照符号２３で示したように、「厚さ」は、層間絶縁膜自身の厚さを指し、「高さ」はある基準面（例えば、図示したように、液晶パネル全面に亘って平坦なガラス基板の表面）から層間絶縁膜の表面までの高さ（距離）を指す。層間絶縁膜材料の物性に由来する機能（電気絶縁性や光透過性）と層間絶縁膜の厚さとの関係は、それぞれの機能を果たす領域の層間絶縁膜自身の「厚さ」と本質的な関係を有するが、異なる領域に形成された層間絶縁膜自身の厚さを比較することが困難であること、および実際の表面構造（セルギャップに影響する）は、層間絶縁膜の高さであることから、わかり易さのために、これらを併用する。また、層間絶縁膜の表面に凹凸がある場合、厚さまたは高さの平均値を用いる場合と、凸部の厚さまたは高さ（最大値）を用いる場合がある。層間絶縁膜の厚さが問題になる場合には、もっぱら平均値に意味があり、表面構造が問題になる場合には、最大値が意味を持つからである。
【００８１】
（実施の形態３）
図９は、本発明の実施の形態３における透過反射両用型の液晶表示装置の画素部分の構成を示した断面図である。また、図１０は、図９に示した透過反射両用型の液晶表示装置における透過反射両用基板１９の製造工程を示したプロセス断面図であり、特に層間絶縁膜１１上に形成される凹凸形状を有する反射電極１０の形成工程を説明するものである。
【００８２】
本実施の形態３における透過反射両用型の液晶表示装置は、図１０（ａ）に示すように、まず、薄膜トランジスタ２５が形成された絶縁性基板１上の表面に、ポジ型光感光性樹脂１１（製品名：ＯＦＰＲ−８００：東京応化工業社製）を１〜５μｍの厚さに塗布する。本実施の形態３では３．７μｍで成膜した。
【００８３】
そして、この状態で、図１１に示すようなフォトマスク３０ａを配置して、４０ｍＪで第１の露光を行った。このときのフォトマスク３０ａのパターンは、薄膜トランジスタ２５に対応する部分３１ａを完全な透過部、またコンタクトホール１０に対応する部分３２を完全な透光部とし、円形遮光部３３を複数配置した構成となっている。なお、この円形遮光部３３は、直径が１０〜１２μｍ、隣り合う中心間隔が２〜１０μｍとなるようにランダムに配置した。なお、ここでは透明電極９に対応する領域３４には、円形遮光部３３を配置していないが、後の工程で透明電極９は除去されるため円形遮光部３３を配置していてもかまわない。そして、このようなフォトマスク３０ａと薄膜トランジスタ２５が形成された絶縁性基板１との位置合わせを行った後に露光を行った。
【００８４】
次に、上述したように露光を行った状態で、図１０（ｂ）に示すように、フォトマスク３５を配置して、２４０ｍＪで第２の露光を行った。このときのフォトマスク３５のパターンは、図６に示したように、コンタクトホール１０に対応する部分３２と透明電極９に対応する部分３４のみを完全な透過部とし、それ以外の領域については遮光部１７とした構成となっている。そして、このようなフォトマスク３５と絶縁性基板１との位置合わせを行った後に露光を行った。
【００８５】
その後、絶縁性基板１上の光感光性樹脂１１をＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド：東京応化工業社製）により現像した。ここで、図１０（ｃ）に示すように、第１の露光により光が照射された領域（凹凸が形成される領域）の光感光性樹脂１１は、露光強度が弱かったために、完全に除去された領域は存在せず、第１の露光時に光が照射されなかった領域の樹脂膜厚から５０〜９０％膜減りした状態で凹凸形状が形成される。また、第１の露光により光が照射された領域のうち、薄膜トランジスタ２５に対応する部分３１ａでは、第１の露光時に光が照射されなかった領域の樹脂膜厚から凹凸の凹部と同等かそれ以上の膜減りした状態となる。また、第２の露光により光が照射された領域（コンタクトホール部１０と透明電極９とに対応する領域）の光感光性樹脂１１は、露光強度が強かったために、完全に除去された状態となる。そして、２００℃で６０分間の加熱処理を行うことにより、熱だれ現象によって光感光性樹脂１１の凹凸形状が変形して、光感光性樹脂１１上の凹凸形状は角がとれて滑らかな凹凸形状となる。
【００８６】
その後、図１０（ｄ）に示すように、滑らかな凹凸が形成された光感光性樹脂１１上に、反射電極１２としてのＡ１とＭｏとの積層膜をスパッタリング法によって２００ｎｍ程度の膜厚に形成し、１つの画素領域において１つの薄膜トランジスタ２５に対して１つの反射電極１２が対応するようにパターニングを行った。ここで、本実施の形態３における反射電極１２は、図１に示した反射電極１２と同様に、ゲートバスライン２１およびソースバスライン２２と一部重畳して構成されている構成とした。
【００８７】
また、この反射電極１２は、コンタクトホール１０を介して薄膜トランジスタ２５のドレイン電極８と接続されているとともに、光感光性樹脂１１上に形成された滑らかな凹凸に沿って形成されることになるため、この反射電極１２の表面もまた、表示に寄与する表面に光感光性樹脂１１の凹凸に応じた不規則な円形の凹凸を有することになる。
【００８８】
このような図１０（ａ）〜（ｄ）に示した工程によって、滑らかで高密度な凹凸形状を有する反射電極１２を形成することができ、正反射成分が少なくペーパーホワイト表示が可能な反射電極１２と透明電極９とを１つの画素領域内に構成する透過反射両用型基板１９が完成する。
【００８９】
そして、透過反射両用型基板１９とカラーフィルタ基板２０との貼り合わせを行い、液晶１３を注入した後、位相差板１７、偏光板１８、バックライト２６を配置することにより、図９に示すような本実施の形態２における透過反射両用型の液晶表示装置は完成する。
【００９０】
上述のようにして得られる、本実施の形態における透過反射両用型の液晶表示装置では、薄膜トランジスタ２５上の層間絶縁膜１１の高さＤ１が、第１の露光で光を照射することによって、凹凸形成部の凸部の高さＤ２より低くなっている。従って、薄膜トランジスタ２５上の層間絶縁膜１１に第１の露光で光を照射しない場合（実施の形態２、図４参照）に比べて、薄膜トランジスタ２５上での反射電極１２と対向電極１４との間隙が広くなり、薄膜トランジスタ２５上の液晶層は、他の領域の液晶層よりも厚くなるので、導電性ダストによる短絡を低減することが可能となる。導電性のダストは、液晶パネルの製造工程において雰囲気から浸入する場合や、液晶パネル内の導電性材料（例えばＩＴＯ）が剥離することによって液晶層に混入する場合などがある。
【００９１】
上記の例では、薄膜トランジスタ２５上の層間絶縁膜１１（平坦な表面を有する領域）を他の領域に形成されている層間絶縁膜１１の凹凸部の凸部よりも低く（Ｄ１＜Ｄ２）しているが、薄膜トランジスタ２５上の層間絶縁膜１１の高さＤ１が他の領域の層間絶縁膜１１の高さＤ２を越えなければ、すなわち、Ｄ１≦Ｄ２の関係を満足すれば、導電性ダストによる短絡を抑制する効果が得られる。
【００９２】
本実施の形態３においては、バックライト２６を用いた場合、反射電極１２の液晶層１３とは反対の面で拡散反射するバックライト２６からの光が、薄膜トランジスタ２５のチャネル部５に与える影響を抑えることが可能となっており、薄膜トランジスタ２５のＯＦＦ特性の低下を防ぐことが可能となる。
【００９３】
なお、このときの薄膜トランジスタ２５上の層間絶縁膜１１および反射電極１２は、その表面が平坦に形成されている範囲がゲート電極２よりも外側へ各方向３μｍ以上の範囲で形成することが好ましい。
【００９４】
上記の説明においては、図３に示した実施形態２の液晶表示装置における薄膜トランジスタ２５上に形成された層間絶縁膜１１の平坦部の高さを低くした構成を例示した。同様にして、図１２に示すように、図２に示した実施形態２の液晶表示装置における薄膜トランジスタ２５のチャネル上に形成された層間絶縁膜１１の平坦部の高さを低くした構成を実現することができる。
【００９５】
図１２に示した実施の形態３の他の液晶表示装置に用いられる透過反射両用型基板１９は、図１３（ａ）〜（ｄ）に示した工程で作製することができる。図１３（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ、上述した図１０（ａ）〜（ｄ）に対応する。
【００９６】
図１３（ａ）に示した第１の露光工程において、図１０（ａ）で用いたフォトマスク３０ａに代えて、図１４に示したフォトマスク３０ｂを用い、その後の工程を図１０（ｂ）〜（ｄ）を参照しながら説明した工程と実質的に同じ工程を実行することによって、図１２に示した透過反射両用型基板１９を作製することができる。図１４に示したフォトマスク３０ｂは、図１１に示したフォトマスク３０ａの薄膜トランジスタ２５に対応する開口部３１ａに代えて、薄膜トランジスタ２５のチャネル５に対応する開口部３１ｂを有する。このようにして作製された透過反射両用型基板１９を用い、以下上述したのと同様にして、図１２に示した実施の形態３の液晶表示装置が得られる。
【００９７】
図１２に示した実施の形態３の液晶表示装置においても、薄膜トランジスタ２５上（チャネル５上）に形成された層間絶縁膜１１の平坦部の高さＤ１は、他の領域（凹凸）が形成された領域）の層間絶縁膜１１の高さＤ２よりも低い。また、薄膜トランジスタ２５上の他の領域には、薄膜トランジスタ２５以外の領域と同様の凹凸が形成されているので、薄膜トランジスタ２５上の層間絶縁膜１１の高さ（凸部の高さ）は、その他の領域の層間絶縁膜１１の凹凸形状の凸部の高さを越えない。従って、導電性ダストが薄膜トランジスタ２５上に存在しても、反射電極と対向電極との間の短絡の発生を抑制することができる。
【００９８】
【発明の効果】
以上のように、本発明の液晶表示装置によれば、スイッチング素子部を含む各画素領域に反射電極が形成されていることから、スイッチング素子に構成されるチャネル部への外部からの光の進入を防ぐことが可能となり、スイッチング素子に対向する領域のカラーフィルターに遮光膜を形成する必要がなくなり、高開口率で明るい表示を得ることが可能になるとともに、コストダウンも可能になっている。
【００９９】
また、スイッチング素子上に形成された絶縁膜は、その表面が平坦に形成されていることから、背面光源を用いた時の入射光が反射電極により散乱してスイッチング素子に構成されるチャネル部に与える影響を抑えることが可能になっており、スイッチング素子のＯＦＦ特性の低下を防ぐことが可能になっている。
【０１００】
さらに、データ信号線上に形成される絶縁膜に凸凹を形成しない構成を採用すると、パターン不良による反射電極とデータ信号線との導通が防止され良品率を向上させることが可能になっている。
【０１０１】
また、スイッチング素子のチャネル部上に形成される絶縁膜の高さが、反射部領域のスイッチング素子部以外の領域に形成される絶縁膜の平均高さよりも高い構成を採用すると、チャネル部と反射電極との間の絶縁膜の平均膜厚が厚くなるので、ソース／ドレイン間の容量を減少させることが可能になり、クロストークの発生を抑えることができる。さらに、バックチャネル電荷によるスイッチング素子のＯＦＦ抵抗の低下を防ぐことができるとともに、安定したスイッチング素子特性を得ることができる。
【０１０２】
また、スイッチング素子部に形成される絶縁膜の高さを、スイッチング素子部以外の領域に形成される絶縁膜の表面の凹凸の凸部の高さを越えない構成を採用すると、スイッチング素子部上に導電性ダストが存在しても、反射電極と対向電極との間の短絡の発生を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１における液晶表示装置の平面図である。
【図２】本発明の実施の形態１における液晶表示装置の断面図である。
【図３】本発明の実施の形態２における液晶表示装置の断面図である。
【図４】本発明の実施の形態２における液晶表示装置の製造工程を示す断面図である。
【図５】本発明の実施の形態２における液晶表示装置の製造工程で使用するフォトマスクを示す図面である。
【図６】本発明の実施の形態２における液晶表示装置の製造工程で使用するフォトマスクを示す図面である。
【図７】本発明の実施形の態２と従来技術とを比較した液晶表示装置のスイチング素子特性を示す図面である。
【図８】本発明における液晶表示装置の断面図である。
【図９】本発明の実施の形態３における液晶表示装置の断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態３における液晶表示装置の製造工程を示す断面図である。
【図１１】本発明の実施の形態３における液晶表示装置の製造工程で使用するフォトマスクを示す図面である。
【図１２】本発明の実施の形態３における他の液晶表示装置の断面図である。
【図１３】本発明の実施の形態３における他の液晶表示装置の製造工程を示す断面図である。
【図１４】本発明の実施の形態３における他の液晶表示装置の製造工程で使用するフォトマスクを示す図面である。
【図１５】従来技術における液晶表示装置の平面図である。
【図１６】従来技術における液晶表示装置の断面図である。
【図１７】従来技術における液晶表示装置の平面図である。
【図１８】従来技術における液晶表示装置の断面図である。
【図１９】従来技術における液晶表示装置の断面図である。
【符号の説明】
１  絶縁性基板
２  ゲート電極（Ｔａ）
３  ゲート絶縁膜（ＳｉＮｘ）
４  半導体層（ａ−Ｓｉ）
５  ＴＦＴチャネル部
６  ｎ型半導体層（ｎ型ａ−Ｓｉ）
７  ソース電極
７ａ  ソース金属電極層
７ｂ  ソース透明電極層
８  ドレイン電極
８ａ  ドレイン金属電極層
８ｂ  ドレイン透明電極層
９  透明電極（材料）
１０  コンタクトホール
１１  層間絶縁膜（光感光性樹脂）
１２  反射電極（材料）
１３  液晶層
１４  透明電極（対向側）
１５  カラーフィルター
１６  カラーフィルター側基板
１７  位相差板
１８  偏光板
１９  透過反射両用型基板
２０  カラーフィルター基板
２１  ゲートバスライン
２２  ソースバスライン
２３  ＴＦＴ上に凸凹を配した場合の平均膜厚
２４  ＴＦＴ上に凸凹を配さない場合の平均膜厚
２５  スイッチング素子（薄膜トランジスタ）
２６  背面光源（バックライト）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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