(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一面の中央部をエッチングすることにより凹部を形成して設けたダイヤフラムを有する半導体基板と、前記凹部に連通する圧力導入孔を有するガラス台座と、前記圧力導入孔に連通する連通孔を有するパッケージと、を有する半導体圧力センサにおいて、半導体よりなり前記圧力導入孔に重合する重合孔を備えた支持台を前記ガラス台座のパッケージに対向する一面に陽極接合法により接合し、該支持台のパッケージに対向する一面をメタライズして、支持台とパッケージとを接合した半導体圧力センサであって、前記支持台のパッケージ対向面にＡｇ層を形成し、前記パッケージの支持台対向面にＳｎ層を形成し、前記Ａｇ層とＳｎ層とを加熱してＳｎ−Ａｇ合金を形成することにより支持台とパッケージを接合したことを特徴とする半導体圧力センサ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、検出した圧力を電位として取り出すピエゾ抵抗素子が形成されている半導体基板を用いたダイヤフラム型の半導体圧力センサに関し、特にガラス台座とパッケージの接合性に優れた半導体圧力センサの構造及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、産業上の様々な分野において、圧力センサが多岐にわたって用いられるようになっている。中でも、信頼性、コスト、小型軽量化の点から、車載関係や家電製品等における半導体圧力センサの使用が急増している。
【０００３】
半導体圧力センサの従来の技術としては、図１６、図１７に示すように、ダイヤフラム１ａを形成した半導体基板であるシリコン基板１の一方の面にピエゾ抵抗（不図示）を形成した構造のものが知られている。このシリコン基板１にあっては、ガラス台座２を介してパッケージ３に接合されるが、シリコン基板１とガラス台座２とは陽極接合法により接合されている。また、ガラス台座２とパッケージ３とはガラス台座２のメタライズ層２ａ及び半田４を介して半田ろう接合されている。パッケージ３は具体的にはＰＰＳ（Ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ  Ｓｕｌｆｉｄｅ）やＰＢＴ（Ｐｏｌｙｂｕｔｙｌｅｎｅ  Ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）等のプラスチックパッケージや、金属ステムのパッケージ（ＴＯ−５形パッケージ等、コバールとホウケイ酸ガラスのハーメチックシール）の中心に、コバール製の金属パイプ３ａが配置されたものであり、この金属パイプ３ａの一端がガラス台座２と半田ろう接合されている。メタライズ層２ａは最上層から最下層にかけて、Ｃｒ／Ｐｔ／Ａｕの順とされたもの、Ｔｉ／Ｎｉ／Ａｕの順にされたもの、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕの順にされたもの等があり、最上層Ａｕの表面が半田ろう接合される。そしてシリコン基板１の表面のピエゾ抵抗は、ワイヤ５を介してリード６またはピン７に接続されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上述のような図１６、図１７に示す半導体圧力センサにあっては、ガラス台座２と金属パイプ３ａの半田ろう接合時において、ガラス台座２の圧力導入孔２ｂと金属パイプ３ａの連通孔３ｂの接合位置にずれが発生した場合や、孔径の違いにより連通孔３ｂがガラス台座２の圧力導入孔２ｂの周縁部を含むように配置された場合に、圧力導入孔２ｂの縁部に半田が溜まってしまう。そして該半田が固化するときに引っ張り応力が生じてガラス台座２の圧力導入孔２ｂ周辺部分にクラックが発生し、該クラックがガラス台座２の内部方向へ広がり、ひいてはシリコン基板１が破壊されるおそれが生じる。
【０００５】
本発明は、上記問題点を改善するために成されたもので、その目的とするところは、ガラス台座の圧力導入孔とパッケージの連通孔の接合位置のずれや、圧力導入孔の直径より連通孔の直径が大きい場合において、ガラス台座の圧力導入孔周辺部分に過度の応力が集中せず品質的に優れた半導体圧力センサを提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体圧力センサは上記の問題を解決するために、一面の中央部をエッチングすることにより凹部を形成して設けたダイヤフラムを有する半導体基板と、前記凹部に連通する圧力導入孔を有するガラス台座と、前記圧力導入孔に連通する連通孔を有するパッケージと、を有する半導体圧力センサにおいて、
半導体よりなり前記圧力導入孔に重合する重合孔を備えた支持台を前記ガラス台座のパッケージに対向する一面に陽極接合法により接合し、該支持台のパッケージに対向する一面をメタライズして、支持台とパッケージとを接合したことを特徴とするものである。
【０００８】
また、支持台とパッケージの接合に関しては、支持台のパッケージ対向面にＡｇ層を形成し、前記パッケージの支持台対向面にＳｎ層を形成し、前記Ａｇ層とＳｎ層とを加熱してＳｎ−Ａｇ合金を形成することにより支持台とパッケージを接合することにより、半田ろう接合の工程を省略できるという利点がある。
【００１４】
【発明の実施の形態】
本発明にかかる半導体圧力センサの第一参考例を図１に基づいて、第二参考例を図２、図３に基づいて、第三参考例を図４に基づいて、第四参考例を図５、図６に基づいて、第五参考例を図７，図８に基づいて、実施の形態を図９に基づいて、第六参考例を図１０に基づいて、第七参考例を図１１，図１２に基づいて、第八参考例を図１３、図１４に基づいて説明する。
【００１５】
〔第一参考例〕図１は本発明の半導体圧力センサの断面図である。図１において、半導体圧力センサは、半導体基板に相当するシリコン基板１１の凹部１１ａを有する一主表面（図１中下側面）に、ガラス台座１２を陽極接合法により接合し、ガラス台座１２の一主表面（図１中下側面）に支持台１３を陽極接合法により接合し、該支持台１３の一主表面（図１中下側面）をメタライズしてメタライズ層１３ａを設け、支持台１３とパッケージ１４の金属パイプ１４ａとを接合して構成してある。
【００１６】
シリコン基板１１は、単結晶シリコン基板に、片面に受圧面が形成され圧力を応力に変換するダイヤフラム１５、歪みゲージ（不図示）及び電極（不図示）を形成したもので、ピエゾ抵抗効果により圧力の変化を電気抵抗の変化に変換して出力するものである。シリコン基板１１に形成された電極（不図示）と、パッケージ１４に設けられたリード１６とは、Ａｕ線等のボンディングワイヤ１７により接続されている。
【００１７】
ガラス台座１２は、凹部１１ａに連通する圧力導入孔１２ａを有する筒状体であって、シリコン基板１１を載置するものである。ガラス台座１２の一主表面（図１中下側面）には支持台１３が陽極接合法により接合されており、二主表面（図１中上側面）は陽極接合法によりシリコン基板１１に接合されている。
【００１８】
支持台１３はシリコンよりなり、圧力導入孔１２ａに重合し圧力導入孔１２ａと略同一の直径を有する重合孔１３ｂを備えた高さ方向長さが幅方向長さに比べて短い筒体である。ここでシリコンのヤング率は約１６４７００ｋｇ／ｍｍ２であり、ガラスのヤング率（約６４００ｋｇ／ｍｍ２〜約８０００ｋｇ／ｍｍ２）に比べて大きい。従って、シリコンは、半田等の固化時の引っ張り応力に対して、クラックを生じにくいという特性を有している。
【００１９】
支持台１３の一主表面（図１中下側面）にはメタライズ層１３ａが設けられており、メタライズ層１３ａの構成は例えば最上層から最下層にかけて、Ｃｒ／Ｐｔ／Ａｕの順とされたもの、Ｔｉ／Ｎｉ／Ａｕの順にされたもの、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕの順にされたもの等があり、最上層Ａｕの表面が半田ろう接合される。
【００２０】
パッケージ１４はＰＰＳ（Ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ  Ｓｕｌｆｉｄｅ）やＰＢＴ（Ｐｏｌｙｂｕ  Ｔｙｌｅｎｅｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）等のプラスチックパッケージや、金属ステムのパッケージ（ＴＯ−５形パッケージ等、コバールとホウケイ酸ガラスのハーメチックシール）であって、その中心に、例えばコバール製の金属パイプ１４ａを配置してある。
【００２１】
金属パイプ１４ａは筒状部と該筒状部の一端側に設けられた鍔状の載置部とを有して構成されており、金属パイプ１４ａ内部の連通孔１４ｂは圧力導入孔１２ａに連通している。従って、圧力媒体は連通孔１４ｂの一端側から流入して重合孔１３ｂ、圧力導入孔１２ａを通過して凹部１１ａに至る。連通孔１４ｂの直径は圧力導入孔１２ａの直径と略同一としている。
【００２２】
以上の半導体圧力センサにあっては、パッケージ１４とガラス台座１２との間に支持台１３を介在させてあるので、半田固化時の引っ張り応力をシリコンの支持台１３が吸収して、ガラス台座１２にクラックが生じにくいものとなしている。
【００２３】
以下に本発明の半導体圧力センサの製造方法を説明する。
まず、ダイヤフラム１５を形成したシリコン基板が複数形成された半導体ウェハの一主表面と、圧力導入孔１２ａを設けたガラス台座が複数形成されたガラス材の二主表面とを接合する。該接合は、陽極接合法により行い、具体的には真空雰囲気中で約４００℃に加熱して、半導体ウェハを正電極側、ガラス材を負電極側として、約５００Ｖ〜８００Ｖの直流電圧を印加して行う。なおこの上記陽極接合法の条件は一例であって、部材の厚みによっても異なるものであり、両部材を接合できればよく上記条件に限られるものではない。
【００２４】
次に支持台１２が複数形成された支持台用半導体ウェハに重合孔１３ｂを穿設する。重合孔１３ｂの加工方法は、加重を加えながら剣山状のホーンを振動させて孔を穿設する超音波加工法やＫＯＨ等のアルカリ薬液によるエッチング、サンドブラスト法等適宜選択可能である。その後、重合孔１３ｂを穿設した支持台１２の一主表面にメタライズ層１３ａがスパッタリングにより形成される。
【００２５】
そして、重合孔１３ｂを形成した支持台用半導体ウェハと、前記工程にて半導体ウェハに陽極接合したガラス材とを、陽極接合法により接合する。その際各圧力導入孔１２ａと重合孔１３ｂとが重合するようにしておく。陽極接合法の条件としては、例えば上記のように真空雰囲気中で約４００℃に加熱して、支持台用半導体ウェハを正電極側、ガラス材を負電極側として、約５００Ｖ〜８００Ｖの直流電圧を印加して行う。
【００２６】
最後に、以上のようにして半導体ウェハとガラス材と支持台用半導体ウェハとを接合して得られた圧力センサウェハを、ダイシングして例えば約２ｍｍ〜３ｍｍ角のチップとし、該チップのメタライズ層１３ａとパッケージ１４の金属パイプ１４ａの一端とを半田層２３を介在させて半田ろう接合法により接合する。
【００２７】
〔第二参考例〕図２は本発明の半導体圧力センサの他の製造方法を示す略断面図であり、（ａ）は半導体ウェハとガラス材とを陽極接合している状態を説明するものであり、（ｂ）はガラス材と支持台用半導体ウェハとを陽極接合している状態を説明するものである。図３は半導体ウェハとガラス材とを陽極接合する際の負極側電極の平面図である。なお、本第二参考例では前述の第一参考例で説明したところの製造方法と同等の箇所の詳細な説明は省略する。
【００２８】
図２に示す本参考例の半導体圧力センサの製造方法が、前述の第一参考例で説明したところの半導体圧力センサの製造方法と異なり特徴となるのは次の点である。
【００２９】
即ち、半導体ウェハ１８とガラス材１９とを陽極接合する際に、ガラス材１９の外形を半導体ウェハ１８の外形より大きなものとし、ガラス材１９の半導体ウェハ１８より外方に突出する部分、換言するとガラス材１９のうち半導体ウェハ１８と重ならない部分、に接するようにして電極２０を形成し、図２（ａ）に示すように、半導体ウェハ１８を正電極側、ガラス材１９を負電極側として、約５００Ｖ〜８００Ｖの直流電圧を印加して行うようになしている。電極２０は具体的にはガラス材１９の一主表面の外縁部近傍に接するようにドーナツ状に形成されている。該陽極接合の工程において、ガラス中のナトリウムをガラス材１９の一主表面の外縁部近傍に集中して偏析させる。
【００３０】
そして、図２（ｂ）に示すように、ガラス材１９の一主表面の前記電極２０が当接されていなかった部分、即ちナトリウムの偏析していない部分であって半導体ウェハ１８と重合する部分、に支持台用半導体ウェハ２１を陽極接合する。
【００３１】
ガラス材１９のナトリウムが偏析している部分１９ａは、ナトリウムが空気中の水分や酸素と反応して絶縁体の炭酸ナトリウムや酸化ナトリウムとなっており接合電流が流れない。本製造方法によれば支持台用半導体ウェハ２１が接合される部分以外の部位にナトリウムが偏析しているため、陽極接合がナトリウムの偏析による悪影響を受けにくく、確実に支持台用半導体ウェハ２１とガラス材１９とを陽極接合することができる。
【００３２】
〔第三参考例〕図４は本発明の半導体圧力センサの他の製造方法を示す略断面図であり、（ａ）は半導体ウェハとガラス材とを陽極接合している状態を説明するものであり、（ｂ）はガラス材と支持台用半導体ウェハとを陽極接合している状態を説明するものである。なお、本第三参考例では前述の第二参考例で説明したところの製造方法と同等の箇所の詳細な説明は省略する。
【００３３】
図４に示す本参考例の半導体圧力センサの製造方法が、前述の第二参考例で説明したところの半導体圧力センサの製造方法と異なり特徴となるのは次の点である。
【００３４】
即ち、ガラス材１９の一主表面の外縁部の一部又は全周にわたって段部１９ｂを形成して外縁部を肉薄とし、ガラス材１９と半導体ウェハ１８との陽極接合の際に、該段部１９ｂに負極側電極２０を当接させるようになしてある。該陽極接合においては、ガラス材１９の肉厚部分の段部１９ｂより一主表面側の部分１９ｃのナトリウムは滞留して殆ど移動することがない。一方、ガラス材１９の他の部分のナトリウムは、ガラス材１９の負極側電極２０と当接している部分に偏析する。
【００３５】
次に、ガラス材１９の一主表面に支持台用半導体ウェハ２１を陽極接合する。その際、図４（ｂ）に示すように、支持台用半導体ウェハ２１を正極とし、ガラス材１９を負極として陽極接合するが、この場合には先程滞留していたナトリウムが移動して支持台用半導体ウェハ２１とガラス材１９とが接合されることになる。従って、支持台用半導体ウェハ２１とガラス材１９とを陽極接合する際のガラス中のナトリウム移動量を多くすることができ、両者の接合強度を強くすることができる。
【００３６】
〔第四参考例〕図５は本発明の半導体圧力センサの他の製造方法を示す略断面図である。図６は本発明の半導体圧力センサの更に他の製造方法を示す略断面図である。なお、本第四の参考例では前述の第一参考例で説明したところの製造方法と同等の箇所の詳細な説明は省略する。
【００３７】
図５に示す本参考例の半導体圧力センサの製造方法が、前述の第二参考例で説明したところの半導体圧力センサの製造方法と異なり特徴となるのは次の点である。
【００３８】
即ち、半導体ウェハ１８と、ガラス材１９と、支持台用半導体ウェハ２１とを重合させ、半導体ウェハ１８と支持台用半導体ウェハ２１とに正電圧を印加し、ガラス材１９に負電圧を印加し陽極接合法により半導体ウェハ１８とガラス材１９と支持台用半導体ウェハ２１とを接合するようになした点である。
【００３９】
詳しくは、ガラス材１９の側面に凸部１９ｄを設けて、該凸部１９ｄに負電圧を印加するようになしてある。該構成によると、陽極接合により偏析するナトリウムは凸部１９ｄに集中するため、ダイシングにより凸部を切除すれば、切り出された各圧力センサチップにはナトリウム偏析部分がなく、ナトリウムを除去する洗浄工程が不要になるという利点がある。
【００４０】
また、図６に示すように、凸部１９ｄを設ける代わりに、ガラス材１９の側面に先端が尖った形状の負電極２２を当接させて陽極接合してもよい。この場合も、ナトリウムは負電極２２の当接部分に集中して偏析するため、ダイシングにより偏析した部分を切除すれば、切り出した圧力センサチップにはナトリウム偏析部分がないものとなっている。
【００４１】
〔第五参考例〕図７は本発明の半導体圧力センサの断面図である。なお、図７においては前述の第一参考例で説明したところの半導体圧力センサと同等の箇所には同じ符号を付してあるので、同等の箇所の詳細な説明は省略する。
【００４２】
図７に示す本第五参考例の半導体圧力センサが、前述の第一参考例で説明したところの半導体圧力センサと異なり特徴となるのは次の構成である。
【００４３】
即ち、支持台１３のパッケージ対向面である一主表面に凹凸部１３ｃを形成した構成である。該凹凸部１３ｃは、メタライズ層１３ａを形成する前の支持台１３の一主表面に対して、ＫＯＨ等のアルカリ薬品による異方性エッチングにより形成する。
【００４４】
支持台１３には結晶方位が（１１０）のシリコンを用いており、異方性エッチングされた傾斜面にはエッチングレートの遅い（１１１）面が現れる。支持台１３の表面の（１１０）面は結晶欠陥やピット（窪み）が多く存在するが、堀込まれた傾斜面の（１１１）面にはこのような欠陥がなく、平坦な面となっている。従って、次工程でスパッタリングによりメタライズ層１３ａを設ける場合に、（１１１）面とメタライズ層１３ａとの接合性が良くなり、支持台１３の一主表面とメタライズ層１３ａとの接合強度が高くなるという利点がある。また、支持台１３の一主表面に凹凸部１３ｃが存在することによりメタライズ層１３ａにも凹凸部が存在することとなり、その結果メタライズ層１３ａの半田に濡れる面積が増加する。よってメタライズ層１３ａと半田層２３との接合強度も高くなるという利点がある。
【００４５】
また、図８に示すように、支持台１３のパッケージ対向面である一主表面に凹凸部１３ｄを、フッ酸による等方性エッチングや研磨によって形成するものであってもよい。この場合には、支持台１３の一主表面にメタライズ層の形成はせず、エポキシ樹脂やシリコン樹脂の接着剤２４を介在させてパッケージ１４の金属パイプ１４ａに接合する。接着剤２４は支持台１３の一主表面に形成された凹凸部１３ｄの窪みに入り込むため、アンカー効果により強固に支持台１３と金属パイプ１４ａとを接合する。
【００４６】
〔実施の形態〕図９は本発明の半導体圧力センサの断面図である。なお、図９においては前述の第一参考例で説明したところの半導体圧力センサと同等の箇所には同じ符号を付してあるので、同等の箇所の詳細な説明は省略する。
【００４７】
図９に示す実施の形態の半導体圧力センサが、前述の第一参考例で説明したところの半導体圧力センサと異なり特徴となるのは次の構成である。
【００４８】
即ち、支持台１３の一主表面にメタライズ層１３ａの代わりにＡｇ層１３ｅを例えばスパッタリングにて形成し、パッケージ１４の金属パイプ１４ａの支持台対向面にＳｎ層１４ｃをメッキ処理にて形成し、Ａｇ層１３ｅとＳｎ層１４ｃとを加熱してＳｎ−Ａｇ合金を形成することにより支持台１３とパッケージ１４を接合した構成である。Ａｇ層１３ｅは、例えば、まず支持台１３の一主表面を粗く研磨し、次にバリア層のＮｉを約５０００Å〜数μｍの厚みまでスパッタリングにより形成し、その後にＡｇ層を約５０００Å〜数μｍの厚みまでスパッタリングにより形成して設ける。
【００４９】
このようにして構成されたＡｇ層１３ｅは、金属パイプ１４ａに設けられたＳｎ層１４ｃと接合させて荷重を加え、約３００℃で加熱することにより、Ｓｎ−Ａｇ合金層となって、支持台１３と金属パイプ１４ａとを接合する。
【００５０】
このようにして構成した半導体圧力センサにあっては、半田により支持台１３と金属パイプ１４ａを接合していた工程を省力して構成することができるという利点がある。
【００５１】
〔第六参考例〕図１０は本発明の半導体圧力センサの断面図である。なお、図１０においては前述の第一参考例で説明したところの半導体圧力センサと同等の箇所には同じ符号を付してあるので、同等の箇所の詳細な説明は省略する。
【００５２】
図１０に示す本第六参考例の半導体圧力センサが、前述の第一参考例で説明したところの半導体圧力センサと異なり特徴となるのは次の構成である。
【００５３】
即ち、支持台１３の一主表面に該面に略垂直な溝１３ｆを刻設した構成である。この溝１３ｆは単数であってもよいが、複数であることが好ましい。溝１３ｆは、メタライズ層１３ａを形成した支持台１３の一主表面に対して、ダイシングのハーフカットや、傾斜面約６０゜〜８０゜によるサンドブラスト法により形成する。溝１３ｆの深さは、支持台１３の厚みより小さいものであって、約１００μｍ〜約１ｍｍとしている。
【００５４】
該構成によると、パッケージ１４からの応力と、半田層２３とメタライズ層１３ａとの接合面に生じる応力とが、溝１３ｆによって緩衝され、該応力のシリコン基板１１への悪影響を低減することができる。
【００５５】
〔第七参考例〕図１１は本発明の半導体圧力センサの断面図である。図１２は本発明の半導体圧力センサの断面図である。なお、図１１においては前述の第一参考例で説明したところの半導体圧力センサと同等の箇所には同じ符号を付してあるので、同等の箇所の詳細な説明は省略する。
【００５６】
図１１に示す本第七参考例の半導体圧力センサが、前述の第一参考例で説明したところの半導体圧力センサと異なり特徴となるのは次の構成である。
【００５７】
即ち、支持台１３のガラス台座接触面の面積をガラス台座対向面の面積より小さくした構成である。具体的には、支持台１３のガラス台座対向面である二主表面（図１０中上側面）に凹部１３ｇを設け、支持台１３とガラス台座１２とが接合されることにより凹部１３ｇが真空の空洞部となるように構成している。つまり、凹部１３ｇを支持台１３に設けることにより、支持台１３のガラス台座１２に接触する面積は凹部１３ｇの平面視面積の分だけ減少し、実際に支持台１３がガラス台座１２に対向している全面積よりも小さくなっている。
【００５８】
該構成によると、パッケージ１４からの応力と、半田層２３とメタライズ層１３ａとの接合面に生じる応力とが、凹部１３ｇによって緩衝され、該応力のシリコン基板１１への悪影響を低減することができる。
【００５９】
また、図凹部１３ｇの代わりに、支持台１３の二主表面の外縁部に段部１３ｈを設けるものであってもよい。つまり、該段部１３ｈを設けることにより、支持台１３のガラス台座接触面の面積がガラス台座対向面の面積より小さくなっている。該構成によると、パッケージ１４からの応力と、半田層２３とメタライズ層１３ａとの接合面に生じる応力とが、段部１３ｈによって緩衝され、該応力のシリコン基板１１への悪影響を低減することができる。
【００６０】
〔第八参考例〕図１３は本発明の半導体圧力センサの断面図である。図１４は本発明の半導体圧力センサの支持台の平面図である。なお、図１３においては前述の第一参考例で説明したところの半導体圧力センサと同等の箇所には同じ符号を付してあるので、同等の箇所の詳細な説明は省略する。
【００６１】
図１３に示す本第八参考例の半導体圧力センサが、前述の第一参考例で説明したところの半導体圧力センサと異なり特徴となるのは次の構成である。
【００６２】
即ち、図１４に示すように、支持台１３を平面略円形状とした構成である。該構成によれば、ガラス台座１２に加わる、パッケージ１４からの応力と、半田層２３とメタライズ層１３ａとの接合面に生じる応力とが、略均一の応力分布となり、シリコン基板１１へ伝達される歪みを軽減することができる。
【００６３】
なお、本参考例においては、支持台１３を平面視１２角形としているがこれに限られるものではなく、平面略円形状であればよい。また、平面略円形状に近づくほど、前記応力分布は均一なものとなりより好ましくなる。
【００６４】
また、本第一乃至第八の参考例及び本実施形態では、圧力導入孔１２ａと、重合孔１３ｂと、連通孔１４ｂとの直径は略同一として説明しているがこれに限られるものではない。図１５に示すように、重合孔１３ｂを連通孔１４ｂよりも大きなものとした場合、例えば連通孔１４ｂの直径を０．８ｍｍとし重合孔１３ｂの直径を１．１〜１．４ｍｍとした場合には、支持台１３とパッケージ１４との間の半田ろう接合の際に半田が連通孔１４ｂに流れ込み難くなり、よって金属パイプ１４ａの連通孔１４ｂの半田詰まりを防止することができるという利点がある。
【００６５】
【発明の効果】
本発明の半導体圧力センサ及びその製造方法は上述のように構成してあるから、請求項１記載の発明にあっては、半導体よりなり前記圧力導入孔に重合する重合孔を備えた支持台を前記ガラス台座のパッケージに対向する一面に陽極接合法により接合し、該支持台のパッケージに対向する一面をメタライズして、支持台とパッケージとを接合したので、ガラス台座の圧力導入孔周辺部分に過度の応力が集中せず品質的に優れた半導体圧力センサを提供できるという効果を奏するという効果を奏する。
【００６７】
請求項１記載の発明にあっては、前記支持台のパッケージ対向面にＡｇ層を形成し、前記パッケージの支持台対向面にＳｎ層を形成し、前記Ａｇ層とＳｎ層とを加熱してＳｎ−Ａｇ合金を形成することにより支持台とパッケージを接合したので、支持台とパッケージの半田ろう接合の工程を省力でき、生産性を向上させることができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第一参考例の導体圧力センサの断面図である。
【図２】本発明の第二参考例の半導体圧力センサの製造方法を示す略断面図であって、（ａ）は半導体ウェハとガラス材とを陽極接合している状態を説明するものであり、（ｂ）はガラス材と支持台用半導体ウェハとを陽極接合している状態を説明するものである。
【図３】第二参考例の半導体ウェハとガラス材とを陽極接合する際の負極側電極の平面図である。
【図４】本発明の第三参考例の半導体圧力センサの製造方法を示す略断面図であって、（ａ）は半導体ウェハとガラス材とを陽極接合している状態を説明するものであり、（ｂ）はガラス材と支持台用半導体ウェハとを陽極接合している状態を説明するものである。
【図５】本発明の第四参考例の半導体圧力センサの他の製造方法を示す略断面図である。
【図６】本発明の第四参考例の半導体圧力センサの更に他の製造方法を示す略断面図である。
【図７】本発明の第五参考例の半導体圧力センサの断面図である。
【図８】本発明の第五参考例の他の半導体圧力センサの断面図である。
【図９】本発明の実施の形態の半導体圧力センサの断面図である。
【図１０】本発明の第六参考例の半導体圧力センサの断面図である。
【図１１】本発明の第七参考例の半導体圧力センサの断面図である。
【図１２】本発明の第七参考例の他の半導体圧力センサの断面図である。
【図１３】本発明の第八参考例の半導体圧力センサの断面図である。
【図１４】本発明の第八参考例の半導体圧力センサの支持台の平面図である。
【図１５】本発明の他の半導体圧力センサの断面図である。
【図１６】従来の半導体圧力センサの断面図である。
【図１７】従来の他の半導体圧力センサの断面図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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