(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体へ磁気的信号を書き込む記録ヘッドを少なくとも備えた薄膜磁気ヘッドにおいて、前記記録ヘッドを構成するメッキ膜からなる上部磁極の先端部と、前記上部磁極とは別体の先端磁極とをメッキ下地膜を介することなく直接接触させたことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
記録媒体へ磁気的信号を書き込む記録ヘッドを少なくとも備えた薄膜磁気ヘッドにおいて、前記記録ヘッドを構成するメッキ膜からなる上部磁極の先端部と、前記上部磁極とは別体の先端磁極とをメッキ下地膜を介することなく直接接触させるとともに、接触部における前記上部磁極の先端部のコア幅を前記先端磁極のコア幅以下にしたことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
記録媒体へ磁気的信号を書き込む記録ヘッドを少なくとも備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法において、先端磁極をマスクとして記録ギャップ層をエッチングする工程、前記先端磁極及び記録ギャップ層をマスクとして下部磁極をトリミングする工程、前記先端磁極を覆うように保護膜を設ける工程、前記先端磁極が露出するまで保護膜を研磨する工程、記録コイル及び層間絶縁膜を形成する工程、メッキ下地膜を形成する工程、前記先端磁極の上部の前記メッキ下地膜の一部を除去する工程、上部磁極を電解メッキ法で形成する工程を含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４】
記録媒体へ磁気的信号を書き込む記録ヘッドを少なくとも備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法において、先端磁極をマスクとして記録ギャップ層をエッチングする工程、前記先端磁極及び記録ギャップ層をマスクとして下部磁極をトリミングする工程、前記先端磁極を覆うように保護膜を設ける工程、前記先端磁極が露出するまで保護膜を研磨する工程、記録コイル及び層間絶縁膜を形成する工程、メッキ下地膜を形成する工程、前記先端磁極の上部の前記メッキ下地膜の一部を除去する工程、前記上部磁極の先端部のコア幅が前記先端磁極のコア幅以下になる様にマスクを形成するし、前記マスクを利用して上部磁極を電解メッキ法で形成する工程を含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項５】
記録媒体へ磁気的信号を書き込む記録ヘッドを少なくとも備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法において、先端磁極をマスクとして記録ギャップ層をエッチングする工程、前記先端磁極及び記録ギャップ層をマスクとして下部磁極をトリミングする工程、前記先端磁極を覆うように保護膜を設ける工程、前記先端磁極が露出するまで保護膜を研磨する工程、記録コイル及び層間絶縁膜を形成する工程、メッキ下地膜を形成する工程、前記先端磁極の上部の前記メッキ下地膜の一部を除去する工程、前記保護膜の表面より０〜０．１μｍ未満高くなるように電解メッキ法によって前記メッキ下地膜を除去した部分の前記先端磁極の表面にメッキ磁性膜を形成する工程、全面にメッキ下地膜を形成する工程、上部磁極を電解メッキ法で形成する工程を含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は薄膜磁気ヘッド及びその製造方法に関するものであり、特に、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）等の磁気記録装置の書込用ヘッド（ライトヘッド）の上部磁極の先端部の構造及びその製造工程に特徴のある薄膜磁気ヘッド及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、コンピュータの外部記憶装置であるハードディスク装置等の小型化，大容量化の要請の高まりに伴い、高密度磁気記録が可能なハードディスク装置等の研究開発が急速に進められており、この様なハードディスク装置の高記録密度化を実現するためには、線記録密度とトラック密度を向上させる必要があるが、そのためには、ライトヘッドとしては、隣接するトラックとのクロストーク等の原因となる記録にじみを防止するために誘導型の薄膜磁気ヘッドの上部磁極先端部のライトポールのコア幅をより狭く形成するための技術が必要になる。
【０００３】
一方、再生ヘッドとしては再生出力が磁気記録媒体と磁気ヘッド間の相対速度に依存せずに高い出力が得られ、且つ、小型ディスクに対しても適用できる磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）を用いた再生専用の磁気ヘッドが注目されており、近年の高性能化の要請に応えるヘッドとして、この様なＭＲ素子を用いた磁気ヘッドと誘導型の薄膜磁気ヘッドとを複合化した複合型薄膜磁気ヘッドが開発されており、記録ヘッドの記録ギャップと再生ヘッドの再生ギャップをそれぞれ最適化することによって、記録特性の向上と、再生分解能の向上を共に実現しようとしている。
【０００４】
ここで、図１３を参照して、従来の複合型薄膜磁気ヘッドの概略的構成を説明するが、図１３（ａ）は従来の複合型薄膜磁気ヘッドの上面図であり、図１３（ｂ）は図１３（ａ）における一点鎖線に沿った側断面図であり、また、図１３（ｃ）は、浮上面の断面図である。
図１３（ａ）乃至（ｃ）参照
従来の複合型薄膜磁気ヘッドは、スライダーの母体となるＡｌ２  Ｏ３  −ＴｉＣ基板（図示せず）上に、Ａｌ２  Ｏ３  膜（図示せず）を介してＮｉＦｅ合金等からなる下部磁気シールド４１を設け、Ａｌ２  Ｏ３  等の下部リードギャップ層４２を介してスピンバルブ膜等を堆積させたのち所定形状にパターニングすることによって磁気抵抗効果素子４３とし、磁気抵抗効果素子４３の両端にＡｕ等からなる導電膜を堆積させてリード電極（図示せず）を形成する。
【０００５】
次いで、再び、Ａｌ２  Ｏ３  等の上部リードギャップ層４４を介してＮｉＦｅ合金等からなる上部磁気シールドを兼ねる下部磁極４５を設け、その上にＡｌ２  Ｏ３  等からなるライトギャップ層４６を設けたのち、レジスト等の下部層間絶縁膜４７を介して水平スパイラル状のライトコイル４８を形成するとともに、その両端にライト電極（図示せず）を設け、次いで、レジスト等からなる上部層間絶縁膜４９を介して先端に幅細のライトポール５１を有する形状の上部磁極５０を設ける。
【０００６】
次いで、全面にＡｌ２  Ｏ３  膜を設けて保護膜（図示せず）としたのち、基板を切断し、ライトポール５１の長さ、即ち、ギャップ深さを調整するための研削、研磨等を含めたスライダー加工を行うことにより磁気抵抗効果素子４３を利用した再生用、即ち、リード用のＭＲヘッドと、記録用、即ち、ライト用の誘導型の薄膜磁気ヘッドとを複合化した複合型薄膜磁気ヘッドが得られる。
【０００７】
この場合、ライト電極からライトコイル４８に信号電流を流すことによって発生した磁束は上部磁気シールドを兼ねる下部磁極４５と上部磁極５０とからなる磁極コアに導かれ、上部磁極５０の先端のライトポール５１近傍においてライトギャップ層４６によって形成される記録ギャップによって磁束が外部に漏れ出て、記録媒体に信号が記録されることになる。
また、逆に、記録媒体からの磁束を磁極コアで検出して信号を再生することもできるものであり、上部磁極５０の先端のライトポール５１のコア幅がトラック幅となり、このトラック幅によって面記録密度が規定される。
【０００８】
一方、ＭＲヘッドにおける再生原理は、リード電極から磁気抵抗効果素子４３に一定のセンス電流を流した場合に、磁気抵抗効果素子４３を構成する磁性薄膜の電気抵抗が記録媒体からの磁界により変化する現象を利用するものである。
【０００９】
この様な複合型薄膜磁気ヘッドをはじめとした磁気ディスク装置においては、最近、大容量化と共に磁気記録媒体上のビット長及びトラック幅が急激に狭くなってきており、それに伴って磁気記録媒体からの信号も減少しているため、再生ヘッドのさらなる高感度化が要請されている。
【００１０】
しかし、この様な複合型薄膜磁気ヘッドにおいては、上部磁極５０の先端のライトポール５１の形成はライトギャップ層４６と上部層間絶縁膜４９にかけての段差の大きな部分におけるパターニングを必要とし、したがって、レジスト層の厚さが厚くなるので、磁気記録のトラック幅を決定する上部磁極５０のライトポール５１をより狭く形成するための微細加工技術が困難になるという問題がある。
【００１１】
この様な問題点を解決するために、上部磁極５０の先端部を先端磁極として予め形成することが提案されているので、図１４を参照して、この様な他の従来の複合型薄膜磁気ヘッドを説明する。
なお、図１４（ａ）は、複合型薄膜磁気ヘッドの側断面図であり、また、図１４（ｂ）は浮上面の断面図である。
図１４（ａ）及び（ｂ）参照
まず、図１３の複合型薄膜磁気ヘッドと同様に、スライダーの母体となるＡｌ２  Ｏ３  −ＴｉＣ基板（図示せず）上に、Ａｌ２  Ｏ３  膜（図示せず）を介してＮｉＦｅ合金等からなる下部磁気シールド４１を設け、Ａｌ２  Ｏ３  等の下部リードギャップ層４２を介してスピンバルブ膜等を堆積させたのち所定形状にパターニングすることによって磁気抵抗効果素子４３とし、磁気抵抗効果素子４３の両端にＡｕ等からなる導電膜を堆積させてリード電極（図示せず）を形成し、次いで、再び、Ａｌ２  Ｏ３  等の上部リードギャップ層４４を介してＮｉＦｅ合金等からなる上部磁気シールドを兼ねる下部磁極４５を設け、その上にＡｌ２  Ｏ３  等からなるライトギャップ層４６を設ける。
【００１２】
次いで、上部磁極の先端部となるＮｉＦｅ合金等からなる先端磁極５２のみを形成したのち、先端磁極５２をマスクとして反応性エッチングによりライトギャップ層４６をエッチングし、次いで、先端磁極５２及びライトギャップ層４６をマスクとして下部磁極４５をトリミングすることによって、先端磁極５２と下部磁極４５のコア幅を揃える。
【００１３】
次いで、全面にＡｌ２  Ｏ３  からなる保護膜５３を設けたのち、先端磁極５２の表面が露出するまで研磨して保護膜５３を平坦化し、次いで、保護膜５３を介して水平スパイラル状のライトコイル４８を形成するとともに、その両端にライト電極（図示せず）を設けたのち、レジスト等からなる上部層間絶縁膜４９上にメッキベース層（図示せず）を介して先端に幅細のライトポール５１を有する形状の上部磁極５０を設け、次いで、全面にＡｌ２  Ｏ３  膜を設けて保護膜（図示せず）としたのち、基板を切断し、先端磁極５２の長さを調整するための研削、研磨等を含めたスライダー加工を行うことによって複合型薄膜磁気ヘッドが得られる。
【００１４】
この場合、磁気記録のトラック幅を決定する上部磁極５０の先端部を平坦部において先端磁極５２として予め形成しておくので、コア幅を精度良く狭く形成することができ、且つ、十分な磁場強度を出力することができる。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、図１４に示した改良型の複合型薄膜磁気ヘッドにおいては、保護膜５３を研磨した時点においては先端磁極５２の表面と保護膜５３の表面はほぼ一致しているが、その後のライトコイル４８や上部層間絶縁膜４９を形成する工程において、イオンミリング等により表面がエッチングされることになり、先端磁極５２を形成するＮｉＦｅは保護膜５３のＡｌ２  Ｏ３  よりイオンミルレートが速いので、上部磁極５０を形成する直前には、先端磁極５２の表面は保護膜５３の表面より０．１〜０．２μｍ程度低くなって、段差が形成される。
【００１６】
この様な段差が形成された状態で、スパッタリング法によって全面にメッキベース層を形成したのち、電解メッキ法によって上部磁極５０を形成することになるが、そうすると、この段差部においてメッキベース層と上部磁極５０を構成するメッキ膜との間に応力が発生し、メッキ膜がメッキベース層の上で剥がれやすくなるという問題がある。
【００１７】
この様に、上部磁極５０の先端のライトポール５１においてメッキ膜が剥がれると、先端磁極５２と上部磁極５０との間の磁気的結合が弱くなり、十分な磁場出力が得られなくなるという問題が生ずる。
【００１８】
したがって、本発明は、先端磁極と上部磁極の先端部との剥離を防止することを目的とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
図１は本発明の原理的構成の説明図であり、この図１を参照して本発明における課題を解決するための手段を説明する。
図１参照
（１）本発明は、記録媒体へ磁気的信号を書き込む記録ヘッドを少なくとも備えた薄膜磁気ヘッドにおいて、記録ヘッドを構成するメッキ膜からなる上部磁極５の先端部と、上部磁極５とは別体の先端磁極３とをメッキ下地膜６を介することなく直接接触させたことを特徴とする。
【００２０】
この様に、メッキ膜からなる上部磁極５の先端部と上部磁極５とは別体の先端磁極３とをメッキ下地膜６を介することなく直接接触させることによって、上部磁極５の先端部と先端磁極３との密着性を高めることができ、それによって、上部磁極５の先端部と先端磁極３との磁気的結合が強くなるので、十分な磁場出力を得ることができる。
なお、本発明において、「記録媒体へ磁気的信号を書き込む記録ヘッドを少なくとも備えた薄膜磁気ヘッド」とは、誘導型の記録ヘッド自体及び、誘導型の記録ヘッドと再生ヘッドとを積層させた複合型薄膜磁気ヘッドを含むことを意味する。
【００２１】
（２）また、本発明は、記録媒体へ磁気的信号を書き込む記録ヘッドを少なくとも備えた薄膜磁気ヘッドにおいて、記録ヘッドを構成するメッキ膜からなる上部磁極５の先端部と、上部磁極５とは別体の先端磁極３とをメッキ下地膜６を介することなく直接接触させるとともに、接触部における上部磁極５の先端部のコア幅を先端磁極３のコア幅以下にしたことを特徴とする。
【００２２】
この様に、接触部における上部磁極５の先端部のコア幅を先端磁極３のコア幅以下にすることによって、隣接するトラックとのクロストーク等の原因となる記録にじみを防止することができる。
【００２３】
（３）また、本発明は、記録媒体へ磁気的信号を書き込む記録ヘッドを少なくとも備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法において、先端磁極３をマスクとして記録ギャップ層２をエッチングする工程、先端磁極３及び記録ギャップ層２をマスクとして下部磁極１をトリミングする工程、先端磁極３を覆うように保護膜４を設ける工程、先端磁極３が露出するまで保護膜４を研磨する工程、記録コイル及び層間絶縁膜７を形成する工程、メッキ下地膜６を形成する工程、先端磁極３の上部のメッキ下地膜６の一部を除去する工程、上部磁極５を電解メッキ法で形成する工程を含むことを特徴とする。
【００２４】
この様に、上部磁極５の先端部と先端磁極３とを直接接触させるためには、メッキ下地膜６を先端磁極３の直上の一部において選択的除去したのち、電解メッキ法によって上部磁極５を形成すれば良い。
【００２５】
（４）また、本発明は、記録媒体へ磁気的信号を書き込む記録ヘッドを少なくとも備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法において、先端磁極３をマスクとして記録ギャップ層２をエッチングする工程、先端磁極３及び記録ギャップ層２をマスクとして下部磁極１をトリミングする工程、先端磁極３を覆うように保護膜４を設ける工程、先端磁極３が露出するまで保護膜４を研磨する工程、記録コイル及び層間絶縁膜７を形成する工程、メッキ下地膜６を形成する工程、先端磁極３の上部のメッキ下地膜６の一部を除去する工程、上部磁極５の先端部のコア幅が先端磁極３のコア幅以下になる様にマスクを形成し、このマスクを利用して上部磁極５を電解メッキ法で形成する工程を含むことを特徴とする。
【００２６】
この様に、上部磁極５の先端部のコア幅が先端磁極３のコア幅以下にするためには、電解メッキ工程におけるマスクとなるフレームの形成時に、フレームの開口部の断面形状が逆台形状になるように露光量や絞り位置を調整すれば良い。
【００２７】
（５）また、本発明は、記録媒体へ磁気的信号を書き込む記録ヘッドを少なくとも備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法において、先端磁極３をマスクとして記録ギャップ層２をエッチングする工程、先端磁極３及び記録ギャップ層２をマスクとして下部磁極１をトリミングする工程、先端磁極３を覆うように保護膜４を設ける工程、先端磁極３が露出するまで保護膜４を研磨する工程、記録コイル及び層間絶縁膜７を形成する工程、メッキ下地膜６を形成する工程、先端磁極３の上部のメッキ下地膜６の一部を除去する工程、保護膜４の表面より０〜０．１μｍ未満高くなるように電解メッキ法によってメッキ下地膜６を除去した部分の先端磁極３の表面にメッキ磁性膜を形成する工程、全面にメッキ下地膜を形成する工程、上部磁極５を電解メッキ法で形成する工程を含むことを特徴とする。
【００２８】
この様に、メッキ磁性膜によって、保護膜４と先端磁極３との間の段差をなくすことによって、メッキ下地膜を介して上部磁極５を形成した場合にも、剥離を防止することができる。
【００２９】
【発明の実施の形態】
ここで、図２乃至図７を参照して、本発明の第１の実施の形態の複合型薄膜磁気ヘッドの製造工程を説明するが、ＭＲヘッド部の図示は省略する。
なお、図２（ａ）乃至図７（ｌ）図における右側の図は上面図であり、左側の図は、上面図において一点鎖線で示す浮上面の断面図である。
図２（ａ）参照
まず、Ａｌ２  Ｏ３  −ＴｉＣ基板１１上にスパッタリング法を用いて厚さ２μｍのＡｌ２  Ｏ３  膜１２を堆積させたのち、選択電解メッキ法を用いて、１００〔Ｏｅ〕の磁界を印加しながら、厚さが、１〜３μｍ、例えば、３μｍのＮｉＦｅ膜を形成して下部磁気シールド（図示せず）とし、次いで、スパッタリング法を用いて、厚さが、例えば、５０ｎｍのＡｌ２  Ｏ３  膜を堆積させたのち、イオンミリング法によって所定形状にパターニングすることによって下部リードギャップ層（図示せず）を形成し、次いで、磁気抵抗効果素子を構成するためのスピンバルブ膜（図示せず）を堆積させる。
【００３０】
このスピンバルブ膜としては、例えば、３０〔Ｏｅ〕の磁界を印加しながらスパッタリング法を用いて、下地層となる厚さが、例えば、５０ÅのＴａ膜を形成したのち、厚さが、例えば、４０ÅのＮｉＦｅフリー層、厚さが、例えば、２５ÅＣｏＦｅフリー層、厚さが、例えば、２５ÅのＣｕ中間層、厚さが、例えば、２５ÅのＣｏＦｅピンド層、厚さが２０〜３００Å、例えば、２５０ÅのＰｄＰｔＭｎ膜からなる反強磁性体層、及び、厚さが６０ÅのＴａ保護膜を順次積層させて形成する。
【００３１】
次いで、ＣｏＦｅピンド層の磁化方向を固定するために、成膜時に印加した磁界と直交する方向の２００ｋＡ／ｍの直流磁場を印加しながら、真空中で２３０℃で１〜３時間の熱処理を行うことによってＰｄＰｔＭｎからなる反強磁性体層の磁化方向を印加した直流磁場の方向とする。
【００３２】
次いで、Ａｒイオンを用いたイオンミリングを施すことによって、スピンバルブ膜を所定形状にパターニングしたのち、例えば、Ｔａ／ＴｉＷ／Ｔａ構造の１対のリード電極（図示せず）を形成し、次いで、再び、スパッタリング法によって、厚さが、例えば、５０ｎｍのＡｌ２  Ｏ３  膜を堆積したのち、イオンミリング法を用いて所定形状にパターニングすることによって上部リードギャップ層（図示せず）とし、次いで、選択電解メッキ法によって、厚さが、例えば、３．８μｍのＮｉＦｅ膜を成膜して上部磁気シールドを兼ねる下部磁極１１とすることによってシングルスピンバルブ素子を磁気抵抗効果素子としたＭＲヘッド部の基本構成が完成する。
【００３３】
次いで、スパッタリング法によって厚さ０．３〜０．６μｍ、例えば、０．４μｍのＡｌ２  Ｏ３  を堆積させてライトギャップ層１２としたのち、メッキベース層（図示せず）を介してＮｉＦｅを選択的に電解メッキすることによって、幅狭部と幅広部とからなる先端磁極１３を形成し、次いで、イオンミリングによってメッキベース層の露出部を除去する。
なお、幅広部は、幅狭部のみのパターンでは、選択電解メッキ工程におけるフレームを形成する際に、現像液が幅狭部に進入しずらく、したがって、幅狭部を開口部とするフレームを精度良く形成することが困難であるために設けるものである。
【００３４】
図２（ｂ）参照
次いで、先端磁極１３をマスクとして反応性エッチングを施すことによってライトギャップ層１２の露出部をエッチングしたのち、先端磁極１３を再びマスクとしてイオンミリングを施すことによって下部磁極１１をトリミングすることによって、下部磁極１１のコア幅を先端磁極１３のコア幅に揃える。
【００３５】
図３（ｃ）参照
次いで、再び、スパッタリング法によって先端磁極１３を完全に被覆するように全面にＡｌ２  Ｏ３  からなる保護膜１４を堆積させる。
【００３６】
図３（ｄ）参照
次いで、保護膜１４を先端磁極１３の表面が露出するまで研磨することによって表面を平坦化する。
この時点において、先端磁極１３の表面と保護膜１４の表面との高さはほぼ一致している。
【００３７】
図４（ｅ）参照
次いで、平坦化された保護膜１４上にＣｕ層を設け、パターニングすることによって上部磁極の後端と下部磁極１１を接続する下部磁極接続部１６を複数回巻く平面スパイラル状のライトコイル（図示せず）を形成し、次いで、レジストからなる上部層間絶縁膜１５を形成してライトコイルを被覆したのち、下部磁極接続部１６が露出するようにイオンミリングによってパターニングする。
【００３８】
このイオンミリング工程において、先端磁極１３と保護膜１４の露出部もイオンミルされることになるが、ＮｉＦｅのイオンミルレートはＡｌ２  Ｏ３  のイオンミルレートよりも速いので、先端磁極１３がより多く除去され、段差、即ち、凹部１７が形成される。
【００３９】
図４（ｆ）参照
次いで、全面にメッキベース層１８となる、厚さ５〜１０ｎｍ、例えば、５ｎｍのＴｉ層、及び、厚さ１００ｎｍ以下、例えば、５０ｎｍのＮｉＦｅをスパッタリング法によって順次成膜する。
【００４０】
図５（ｇ）参照
次いで、レジストを塗布して、露光・現像することによって、先端磁極１３の幅狭部を含む近傍に対応する開口部２０を有するレジストパターン１９を形成する。
【００４１】
図５（ｈ）参照
次いで、レジストパターン１９をマスクとしてイオンミリングを施すことによってメッキベース層１８の露出部を除去して、先端磁極１３の幅狭部を露出させる。
【００４２】
図６（ｉ）参照
次いで、レジストパターン１９を除去したのち、再び、レジストを塗布して、露光・現像することによって、上部磁極の形状に対応し、且つ、その先端部が先端磁極１３の露出部と重なる形状の開口部２２を有するレジストパターン２１を形成する。
【００４３】
図６（ｊ）参照
次いで、レジストパターン２１をフレームとしてＮｉＦｅを電解メッキすることによって、上部磁極２３を形成する。
この場合、先端磁極１３上のメッキベース層１８は除去されていない部分から先端磁極１３内に電子が進入し、メッキベース層１８が除去された部分においてメッキ液と接触して、先端磁極１３の幅狭部においては、先端磁極１３上に直接接するように上部磁極２３が形成される。
【００４４】
図７（ｋ）参照
次いで、レジストパターン２１を除去したのち、露出したメッキベース層１８をイオンミリングによって除去する。
【００４５】
図７（ｌ）参照
次いで、全面にＡｌ２  Ｏ３  膜を設けて保護膜（図示せず）としたのち、基板を切断し、先端磁極１３の長さ、即ち、ギャップ深さを調整するための研削、研磨等を含めたスライダー加工を行うことによりリード用のＭＲヘッドと、ライト用の誘導型の薄膜磁気ヘッドとを複合化した複合型薄膜磁気ヘッドが得られる。
なお、研磨により露出した面が浮上面となる。
【００４６】
この様に、本発明の第１の実施の形態においては、上部磁極２３の先端部と先端磁極１３とが、製法の異なるメッキベース層１８を介することなく直接接触しているので、密着性が向上し、先端磁極１３と周辺の保護膜１４との間に段差があっても上部磁極２３が剥離することがない。
【００４７】
したがって、上部磁極２３と先端磁極１３との磁気的結合が高まるので、狭い領域に対して十分な磁場強度を出力することができ、複合型薄膜磁気ヘッドの高記録密度化が可能になる。
【００４８】
次に、図８乃至図１０を参照して、本発明の第２の実施の形態を説明するが、図５（ｈ）までの製造工程は上記の第１の実施の形態と全く同様であるので、説明を省略する。
図８（ａ）参照
上記の第１の実施の形態と全く同様に、先端磁極１３の幅狭部の近傍上のメッキベース層１８を選択的に除去したのち、新たにレジストを塗布して、露光・現像することによって、上部磁極の形状に対応するとともに、その先端部におけるコア幅方向の断面形状がほぼ逆台形状となり、且つ、先端磁極１３と接する部分の幅が先端磁極１３のコア幅以下となる形状の開口部２５を有するレジストパターン２４を形成する。
なお、この様な断面形状は、露光時の露光量や、縮小レンズの絞り位置の調整によって形成することができる。
【００４９】
図８（ｂ）参照
以降は、再び、上記の第１の実施の形態と同様に、レジストパターン２４をフレームとしてＮｉＦｅを電解メッキすることによって、上部磁極２６を形成する。
【００５０】
図９（ｃ）参照
次いで、レジストパターン２４を除去したのち、露出したメッキベース層１８をイオンミリングによって除去する。
【００５１】
図９（ｄ）参照
次いで、全面にＡｌ２  Ｏ３  膜を設けて保護膜（図示せず）としたのち、基板を切断し、先端磁極１３の長さ、即ち、ギャップ深さを調整するための研削、研磨等を含めたスライダー加工を行うことによりリード用のＭＲヘッドと、ライト用の誘導型の薄膜磁気ヘッドとを複合化した複合型薄膜磁気ヘッドが得られる。
【００５２】
次に、図１０を参照して、この第２の実施の形態の作用効果を説明する。
図１０（ａ）参照
図１０（ａ）は、上部磁極２３の先端部のコア幅が、先端磁極１３のコア幅より広い場合の磁場の広がりを模式的に示す図であり、上部磁極２３の先端部のコア幅が、先端磁極１３のコア幅より広い場合には、本来の書込磁場となる中央部における発生磁場２７以外に、上部磁極２３の先端部の張出部からも発生磁場２８が発生することになる。
【００５３】
図１０（ｂ）参照
図１０（ｂ）は、この様な発生磁場の強度〔Ｏｅ〕のトラック幅方向の分布を示す図であり、発生磁場２８に対応するサブピークが左右に見られ、このサブピークが隣接するトラックとのクロストーク等の原因となって、記録にじみが発生する。
【００５４】
一方、本発明の第２の実施の形態においては、先端磁極１３と接する部分における上部磁極２６の先端部のコア幅が先端磁極１３のコア幅以下となっているので、サブピークが小さくなるので、隣接するトラックとのクロストークが防止され、記録にじみは発生しないので、より確実に狭い領域に対して十分な磁場強度を出力することができ、それによって、複合型薄膜磁気ヘッドの高記録密度化が可能になる。
【００５５】
次に、図１１及び図１２を参照して、本発明の第３の実施の形態を説明するが、図５（ｈ）までの製造工程は上記の第１の実施の形態と全く同様であるので、説明を省略する。
図１１（ａ）参照
上記の第１の実施の形態と全く同様に、先端磁極１３の幅狭部の近傍上のメッキベース層１８を選択的に除去したのち、新たにレジストを塗布して、露光・現像することによって、先端磁極１３のメッキベース層１８の除去された部分に対向する開口部３０を有するレジストパターン２９を形成する。
【００５６】
図１１（ｂ）参照
次いで、このレジストパターン２９をフレームとしてＮｉＦｅを電解メッキすることによって、先端磁極１３の表面と保護膜１４の表面との間の段差を解消する厚さのメッキ磁性膜３１を形成する。
なお、この場合のメッキ磁性膜３１の厚さは、その表面が保護膜１４と同じになるか、或いは、０．１μｍ未満高くなるように成膜すれば良い。
【００５７】
図１２（ｃ）参照
次いで、レジストパターン２９を除去したのち、メッキベース層３２となる、厚さ５〜１０ｎｍ、例えば、５ｎｍのＴｉ層、及び、厚さ１００ｎｍ以下、例えば、５０ｎｍのＮｉＦｅをスパッタリング法によって全面に順次成膜し、次いで、レジストを塗布して、露光・現像することによって、上部磁極の形状に対応し、且つ、その先端部が先端磁極１３の露出部と重なる形状の開口部３４を有するレジストパターン３３を形成する。
【００５８】
図１２（ｄ）参照
次いで、レジストパターン３３をフレームとしてＮｉＦｅを電解メッキすることによって上部磁極３５を形成したのち、レジストパターン２４を除去し、露出したメッキベース層３２をイオンミリングによって除去する。
【００５９】
次いで、全面にＡｌ２  Ｏ３  膜を設けて保護膜（図示せず）としたのち、基板を切断し、先端磁極１３の長さ、即ち、ギャップ深さを調整するための研削、研磨等を含めたスライダー加工を行うことによりリード用のＭＲヘッドと、ライト用の誘導型の薄膜磁気ヘッドとを複合化した複合型薄膜磁気ヘッドが得られる。
【００６０】
この第３の実施の形態においては、上部層間絶縁膜１５のパターニング工程において形成された段差をメッキ磁性膜３１によって解消しているので、メッキベース層を全面に設けた状態で上部磁極３５を形成しても、上部磁極３５は先端部において剥離することがなく、したがって、上部磁極３５と先端磁極１３との磁気的結合が高まるので、狭い領域に対して十分な磁場強度を出力することができ、複合型薄膜磁気ヘッドの高記録密度化が可能になる。
【００６１】
なお、上記の各実施の形態におけるＮｉＦｅの組成は、例えば、Ｎｉ８１Ｆｅ１９であり、ＣｏＦｅの組成は、例えば、Ｃｏ９０Ｆｅ１０であり、また、ＰｄＰｔＭｎの組成は、例えば、Ｐｄ３１Ｐｔ１７Ｍｎ５２であるが、この様な組成比に限られるものではなく、さらには、他の材料を用いても良いものである。
【００６２】
以上、本発明の各実施の形態を説明してきたが、本発明は各実施の形態に記載した構成に限られるものではなく、各種の変更が可能である。
例えば、本発明の各実施の形態の説明において、メッキベース層を選択的に除去する際に、イオンミリング法を用いているが、イオンミリングの代わりに酸を用いたウェット・エッチングによって除去しても良いものである。
【００６３】
また、上記の本発明の各実施の形態の説明においては、Ａｌ２  Ｏ３  −ＴｉＣ基板上に設ける下地絶縁膜、下部リードギャップ層、及び、上部リードギャップ層としてＡｌ２  Ｏ３  を用いているが、Ａｌ２  Ｏ３  に限られるものではなく、例えば、ＳｉＯ２  を用いても良いものであり、また、成膜法としてもスパッタリング法に限られるものではなく、蒸着法或いはＣＶＤ法を用いても良いものである。
【００６４】
また、上記の本発明の各実施の形態の説明においては、基板としてＡｌ２  Ｏ３  −ＴｉＣ基板を用いているが、表面にＳｉＯ２  膜を形成したＳｉ基板或いはガラス基板等の基板を用いても良いものである。
【００６５】
また、本発明の各実施の形態の説明においては、複合型薄膜磁気ヘッドとして説明しているが、本発明はこの様な複合型薄膜磁気ヘッドに限られるものではなく、ＭＲヘッドを伴わない誘導型単独の薄膜磁気ヘッドにも適用されるものである。
【００６６】
【発明の効果】
本発明によれば、誘導型の記録ヘッドを構成する上部磁極の先端部と先端磁極との密着性を改善しているので、上部磁極の先端部と先端磁極との間の磁気的結合を高めることができ、それによって、十分な磁場強度を出力することができるので、高記録密度化が可能になり、ひいては、高記録密度のＨＤＤ装置の普及に寄与するところが大きい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の原理的構成の説明図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態の途中までの製造工程の説明図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態の図２以降の途中までの製造工程の説明図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態の図３以降の途中までの製造工程の説明図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態の図４以降の途中までの製造工程の説明図である。
【図６】本発明の第１の実施の形態の図５以降の途中までの製造工程の説明図である。
【図７】本発明の第１の実施の形態の図６以降の製造工程の説明図である。
【図８】本発明の第２の実施の形態の途中までの製造工程の説明図である。
【図９】本発明の第２の実施の形態の図８以降の製造工程の説明図である。
【図１０】本発明の第２の実施の形態の作用効果の説明図である。
【図１１】本発明の第３の実施の形態の途中までの製造工程の説明図である。
【図１２】本発明の第３の実施の形態の図１１以降の製造工程の説明図である。
【図１３】従来の複合型薄膜磁気ヘッドの説明図である。
【図１４】従来の他の複合型薄膜磁気ヘッドの説明図である。
【符号の説明】
１  下部磁極
２  記録ギャップ層
３  先端磁極
４  保護膜
５  上部磁極
６  メッキ下地膜
７  層間絶縁膜
１１  下部磁極
１２  ライトギャップ層
１３  先端磁極
１４  保護膜
１５  上部層間絶縁膜
１６  下部磁極接続部
１７  凹部
１８  メッキベース層
１９  レジストパターン
２０  開口部
２１  レジストパターン
２２  開口部
２３  上部磁極
２４  レジストパターン
２５  開口部
２６  上部磁極
２７  発生磁場
２８  発生磁場
２９  レジストパターン
３０  開口部
３１  メッキ磁性膜
３２  メッキベース層
３３  レジストパターン
３４  開口部
３５  上部磁極
４１  下部磁気シールド
４２  下部リードギャップ層
４３  磁気抵抗効果素子
４４  上部リードギャップ層
４５  下部磁極
４６  ライトギャップ層
４７  下部層間絶縁膜
４８  ライトコイル
４９  上部層間絶縁膜
５０  上部磁極
５１  ライトポール
５２  先端磁極
５３  保護膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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