(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
フッ素が添加された石英ガラス部を有する光ファイバ用ガラス母材の製造方法であって、
酸水素火炎中にガラス原料ガスとフッ素化合物ガスとを導入し、火炎加水分解反応を用いて、ターゲット軸方向にガラス微粒子を堆積させることにより、前記ガラス微粒子の堆積体を前記ターゲット軸方向へ成長させるにあたって、供給される前記フッ素化合物ガスの流量を、初期流量の１倍より大きく２．５倍以下の流量まで増加させる第１の工程と、
前記ガラス微粒子の堆積体を加熱して透明化する第２の工程と、
を備えることを特徴とする光ファイバ用ガラス母材の製造方法。
【請求項２】
前記第１の工程は、前記フッ素化合物ガスの流量を初期流量の１．５倍〜２．５倍まで徐々に増加する工程であることを特徴とする請求項１に記載の光ファイバ用ガラス母材の製造方法。
【請求項３】
前記第１の工程は、Ｖ１をフッ素化合物ガスの初期流量、Ｖ２をフッ素化合物ガスの最終流量、ｔｅを成長開始から成長終了までの経過時間、ｔｓを成長開始からフッ素化合物ガスの流量の増加開始までの経過時間、ｔを成長開始時刻からの経過時間とし、１＜ｎ＜２としたときに、前記ガラス微粒子の堆積体の軸方向への成長にともない、前記フッ素化合物ガスの流量Ｖｆを、
０≦ｔ＜ｔｓの場合、
Ｖｆ＝Ｖ１
ｔｓ≦ｔ≦ｔｅの場合、下記式
Ｖｆ＝（Ｖ２−Ｖ１）×（（ｔ−ｔｓ）／（ｔｅ−ｔｓ））ｎ＋Ｖ１
に従って増加する工程であることを特徴とする請求項１に記載の光ファイバ用ガラス母材の製造方法。
【請求項４】
前記第１の工程は、前記フッ素化合物ガスの流量を、前記ガラス微粒子の堆積体の軸方向への成長にともない直線的に増加する工程であることを特徴とする請求項１に記載の光ファイバ用ガラス母材の製造方法。
【請求項５】
前記第１の工程は、前記フッ素化合物ガスの流量を前記ガラス微粒子の堆積体の堆積開始から所定時間までは一定に供給し、その後、直線的に増加する工程であることを特徴とする請求項１に記載の光ファイバ用ガラス母材の製造方法。
【請求項６】
前記第１の工程は、Ｖ１をフッ素化合物ガスの初期流量、Ｖ２をフッ素化合物ガスの最終流量、ｔｅを成長開始から成長終了までの経過時間、ｔを成長開始時刻からの経過時間としたときに、前記ガラス微粒子の堆積体の軸方向への成長にともない、前記フッ素化合物ガスの流量Ｖｆを、下記式
Ｖｆ＝（Ｖ２−Ｖ１）×（ｔ／ｔｅ）２＋Ｖ１
に従って増加する工程であることを特徴とする請求項１に記載の光ファイバ用ガラス母材の製造方法。
【請求項７】
前記第１の工程は、Ｖ１をフッ素化合物ガスの初期流量、Ｖ２をフッ素化合物ガスの最終流量、ｔｅを成長開始から成長終了までの経過時間、ｔｓを成長開始からフッ素化合物ガスの流量の増加開始までの経過時間、ｔを成長開始時刻からの経過時間としたときに、前記ガラス微粒子の堆積体の軸方向への成長にともない、前記フッ素化合物ガスの流量Ｖｆを、
０≦ｔ＜ｔｓの場合、
Ｖｆ＝Ｖ１
ｔｓ≦ｔ≦ｔｅの場合、下記式
Ｖｆ＝（Ｖ２−Ｖ１）×（（ｔ−ｔｓ）／（ｔｅ−ｔｓ））２＋Ｖ１
に従って増加する工程であることを特徴とする請求項１に記載の光ファイバ用ガラス母材の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、気相軸付（ＶＡＤ）法により光ファイバ用ガラス母材を製造する方法に関するものであり、特に、ガラス微粒子の堆積時にフッ素を添加する手法の改良に係わる。
【０００２】
【従来の技術】
光ファイバは、コアとコアより屈折率の低いクラッドがコアの周囲に配置された構造を備える。こうした屈折率差を利用して、光をコア付近に閉じ込めて光を伝送する。
【０００３】
したがって、光ファイバとして機能するためには、屈折率を高めたり、低めたりする添加物を主材に添加して、所望の屈折率分布を実現する。そして、主材が石英ガラスである場合には、屈折率を低める添加物としてフッ素が好適に使用される。
【０００４】
フッ素が添加された石英ガラス部を有する光ファイバは、フッ素が添加された石英ガラス部を有する光ファイバ用ガラス母材を加熱線引して得られる。こうした光ファイバ用ガラス母材は、従来、以下のようにして製造されていた。
【０００５】
フッ素添加された石英ガラス部を形成する従来の第１の方法（以下、従来例１と呼ぶ）は、例えば特開昭５９−２３２９３４号公報に開示される。ここでは、ＶＡＤ法によりガラス微粒子体を成長させるにあたって、ガラス原料ガスまたは燃焼ガス中に、時間的に変化しない濃度のフッ素化合物ガスを含有させて供給し、火炎加水分解反応を用いて、ターゲット軸方向にガラス微粒子を堆積させ、その後にガラス微粒子を透明ガラス化して光ファイバ用ガラス母材を得ている。
【０００６】
フッ素添加の石英ガラス部を形成する従来の第２の方法（以下、従来例２と呼ぶ）は、例えば特公昭６２−３８２９２号公報に開示される。ここでは、ＶＡＤ法などによりガラス微粒子体を成長させるにあたって、ガラス原料ガスおよび燃焼ガスを供給し、火炎加水分解反応を用いて、ターゲット軸方向にガラス微粒子を堆積させ、その後にガラス微粒子の透明ガラス化工程をフッ素化合物ガス雰囲気下で行ってフッ素を添加したガラス部を有する光ファイバ用ガラス母材を得ている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
従来の光ファイバ用ガラス母材の製造方法は上記のように行われるので、以下のような問題点があった。
【０００８】
従来例１の光ファイバ用ガラス母材の製造方法で製造された光ファイバ用母材では、ガラス微粒子堆積工程の最初に形成されたガラス微粒子堆積部のフッ素濃度が、ガラス微粒子堆積工程の終期に形成されたガラス微粒子堆積部のフッ素濃度よりも高くなるために、長手方向についての径方向の屈折率分布の均一性の良い光ファイバを得ることができない。この現象は、添加するフッ素量が多くなるほど顕著であり、フッ素が添加された石英ガラス部の純石英に対する比屈折率差が０．２％を越えるフッ素添加はできなかった。
【０００９】
また、従来例２の光ファイバ用ガラス母材の製造方法では、例えば、「塙  他、電子情報通信学会論分誌  Ｃ  Ｖｏｌ．Ｊ７１−Ｃ  Ｎｏ．２  ｐｐ．２１２−２２０  １９８８年２月」に記載されているように、雰囲気ガス中のフッ素化合物ガスの１／４乗に比例したフッ素添加量となる。そのため、純石英に対する比屈折率差が０．２％を越えて０．７％程度までフッ素添加が可能であるが、純石英に対する比屈折率差が０．２％以下の低濃度とするフッ素添加が困難であった。
【００１０】
本発明は、上記を鑑みてなされたものであり、成長方向に関して均一性が高くなるように、低濃度のフッ素が添加された石英ガラス部を備えた光ファイバ用ガラス母材の製造方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の光ファイバ用ガラス母材の製造方法は、フッ素が添加された石英ガラス部を有する光ファイバ用ガラス母材の製造方法であって、（ａ）酸水素火炎中にガラス原料ガスとフッ素化合物ガスとを導入し、火炎加水分解反応を用いて、ターゲット軸方向にガラス微粒子を堆積させることにより、ガラス微粒子の堆積体をターゲット軸方向へ成長させるにあたって、供給されるフッ素化合物ガスの流量を、初期流量の１倍より大きく２．５倍以下の流量まで増加させる第１の工程と、（ｂ）ガラス微粒子の堆積体を加熱して透明化する第２の工程とを備えることを特徴とする。
【００１２】
ＶＡＤ法において、酸水素火炎中にガラス原料ガスとフッ素化合物ガスとを導入することにより、微粒子ガラスの堆積体にフッ素を添加する。この場合、ガラス微粒子の堆積の開始端側では、堆積後も雰囲気ガスが微量ながらもフッ素を含有し、しかも堆積体の熱伝導率が悪いために高温の状態が継続する。すなわち、フッ素含有ガスの雰囲気中に高温の微粒子ガラス堆積体がさらされることになり、当初のガラス微粒子の堆積時よりもフッ素添加量が大きくなる。
【００１３】
本発明の光ファイバ用ガラス母材の製造方法では、ターゲット軸方向にガラス微粒子を堆積させることにより、ガラス微粒子の堆積体のターゲット軸方向へ成長させるにあたって、供給されるガスにおけるフッ素化合物ガスの流量を、初期流量の１倍より大きく２．５倍以下の流量まで増加させる。このため、ガラス微粒子を堆積時からフッ素含有ガスの雰囲気にさらされる時間の長いガラス微粒子の堆積の開始端側ほどガラス微粒子の堆積時のフッ素添加量が少なく、また、ガラス微粒子の堆積時からフッ素含有ガスの雰囲気にさらされる時間の短いガラス微粒子の堆積の終了端側ほどガラス微粒子の堆積時のフッ素添加量が多い。
【００１４】
一方上記のように、フッ素含有ガスの雰囲気中に高温の微粒子ガラス堆積体がさらされると、さらされた時間に応じてフッ素添加量が多くなる。したがって、本発明の光ファイバ用ガラス母材の製造方法の第１工程が終了した時点では、フッ素添加量のターゲット軸方向に関する均一化が図られる。
【００１５】
本発明における第１の工程は、フッ素化合物ガスの流量を初期流量の１．５倍〜２．５倍まで徐々に増加すると、フッ素添加量のターゲット軸方向に関する均一化が図られるので好ましい。
【００１６】
本発明における第１の工程は、Ｖ１をフッ素化合物ガスの初期流量、Ｖ２をフッ素化合物ガスの最終流量、ｔｅを成長開始から成長終了までの経過時間、ｔＳ  を  成長開始からフッ素化合物ガスの流量の増加開始までの経過時間、ｔを成長開始時刻からの経過時間とし、１＜ｎ＜２としたときに、ガラス微粒子の堆積体の軸方向への成長にともない、フッ素化合物ガスの流量Ｖｆを、
０≦ｔ＜ｔＳの場合、
Ｖｆ＝Ｖ１
ｔＳ≦ｔ≦ｔｅの場合、下記式
Ｖｆ＝（Ｖ２−Ｖ１）×（（ｔ−ｔＳ）／（ｔｅ−ｔＳ））ｎ＋Ｖ１
に従って増加すると、フッ素添加量のターゲット軸方向に関する均一化が図られるので好ましい。
【００１７】
本発明における第１の工程は、フッ素化合物ガスの流量を、ガラス微粒子の堆積体の軸方向への成長にともない直線的に増加するか、あるいはガラス微粒子の堆積体の堆積開始から所定時間までは一定に供給し、その後、直線的に増加すると、フッ素添加量のターゲット軸方向に関する均一化が図られるので好ましい。本発明における第１の工程は、Ｖ１をフッ素化合物ガスの初期流量、Ｖ２をフッ素化合物ガスの最終流量、ｔｅを成長開始から成長終了までの経過時間、ｔを成  長開始時刻からの経過時間としたときに、ガラス微粒子の堆積体の軸方向への成長にともない、フッ素化合物ガスの流量Ｖｆを、下記式
Ｖｆ＝（Ｖ２−Ｖ１）×（ｔ／ｔｅ）２＋Ｖ１
に従って増加すると、フッ素添加量のターゲット軸方向に関する均一化が図られるので好ましい。
【００１８】
本発明における第１の工程は、Ｖ１をフッ素化合物ガスの初期流量、Ｖ２をフッ素化合物ガスの最終流量、ｔｅを成長開始から成長終了までの経過時間、ｔＳ  を  成長開始からフッ素化合物ガスの流量の増加開始までの経過時間、ｔを成長開始時刻からの経過時間としたときに、ガラス微粒子の堆積体の軸方向への成長にともない、フッ素化合物ガスの流量Ｖｆを、
０≦ｔ＜ｔＳの場合、
Ｖｆ＝Ｖ１
ｔＳ≦ｔ≦ｔｅの場合、下記式
Ｖｆ＝（Ｖ２−Ｖ１）×（（ｔ−ｔＳ）／（ｔｅ−ｔＳ））２＋Ｖ１
に従って増加すると、フッ素添加量のターゲット軸方向に関する均一化が図られるので好ましい。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照しながら本発明の実施の形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００２０】
図１は、本発明の光ファイバ用ガラス母材の製造方法の一実施形態の工程を説明する図である。図１（ａ）に示すようなスス付け装置によって多孔質ガラススートを作製する。スス付け装置はスス付け容器４００を有し、この下部にはコアおよびクラッドのガラス微粒子を生成するバーナ５１０、５２０が配置され、また排気ガスを放出する排気口４２０が設けられている。容器４００の上部には軸方向に移動するとともに回転可能に取り付けられた支持棒４１０を備え、支持棒４１０の先端には出発棒３００を備えている。
【００２１】
多孔質ガラススートの製造にあたっては、このスス付け装置において、コア用堆積バーナ５１０にはＧｅＣｌ４およびＳｉＣｌ４を原料ガスとして供給するとともに、Ｈ２およびＯ２を燃焼ガスとし、ＡｒやＨｅ等をキャリアガスとして供給する。また、クラッド用堆積バーナ５２０にはＳｉＣｌ４を原料ガスとして供給す  るとともに、Ｈ２およびＯ２を燃焼ガスとし、ＡｒやＨｅ等をキャリアガスとして供給し、更に、ＣＦ４をフッ素添加ガスとして供給する。
【００２２】
ガラス原料は、バーナ５１０またはバーナ５２０の火炎中で、加水分解反応によりガラス微粒子を形成し、これらのガラス微粒子が堆積して、コア用ガラススート１００およびクラッド用ガラススート２００からなる多孔質ガラススートとなる。
【００２３】
多孔質ガラススートは、支持棒４１０を回転しながら引き上げることにより、軸方向に成長する。この成長にともなって、他のガス供給量は一定としつつ、ＣＦ４の供給量を増加させ、堆積開始時に４０ｃｃ／分の供給量であったものを、  堆積終了時に８０ｃｃ／分の供給量まで単調増加させる（以上、図１（ａ）参照）。
【００２４】
次に、得られた多孔質ガラススートを図１（ｂ）に示す透明化装置にセットする。透明化装置は透明化容器４０５を有し、この下部には多孔質ガラススートを脱水・透明化するために必要なガスを供給する導入口４４０が配置され、また排気ガスを放出する排気口４２０が設けられている。容器４０５の上部には排気ガスを放出する排気口４３０が設けられ、また軸方向に移動するとともに回転可能な支持棒４１０が設けられている。支持棒４１０の先端には多孔質ガラススートを保持した出発棒３００を備えている。容器４０５の中間部には加熱器６００が配置されている。
【００２５】
多孔質ガラススートの透明化にあたっては、この装置において、Ｃｌ２／Ｈｅ＝０．５／２０（ｓｌｍ）、加熱器６００による１１００℃の雰囲気中で１０ｍｍ／分の下降速度で脱水処理を行なう。次いで、Ｈｅが略１００％、加熱器６００による１６２０℃の雰囲気中で、７ｍｍ／分の下降速度で透明ガラス化を行い、コアとなるべきガラス部１１０とクラッドとなるべきガラス部２１０とからなる光ファイバ用ガラス母材を得る。
【００２６】
このようにして得られる光ファイバ用ガラス母材は、図１（ｃ）の屈折率プロファイルで示されるようになっている。すなわち、コアとなるべきガラス部１１０とクラッドとなるべきガラス部２１０との比屈折率差（ΔｎＴ）が約０．３７％，クラッドとなるべきガラス部２１０の石英ガラスに対する比屈折率（ΔｎＦ）が約０．０４％となる。
【００２７】
ここで得られるガラス母材は、クラッド径／コア径の比が３〜６である。低損失の単一モードファイバとするためには、この比が１４〜１６まで必要となるので、外周部に第２のクラッド層が設けられる。
【００２８】
ガラス微粒子の堆積工程の最初に形成されたガラス微粒子堆積部のフッ素濃度と、終期に形成されたガラス微粒子堆積部のフッ素濃度を均質化するためには、フッ素化合物ガスをどのように増加して供給するが問題となる。本発明者らは、上記実施形態の製造方法においてフッ素化合物ガスの流量を変化させ、長手方向の屈折率変動を調査した。フッ素化合物ガスとしてＣＦ４を用いた。
【００２９】
図２は、この実験結果を示すグラフである。同図において各曲線は、ＣＦ４の  供給量を３５ｃｃ／分から７０ｃｃ／分まで直線的に変化させた場合（実験例１）、ＣＦ４の供給量を５０ｃｃ／分に保持した場合（実験例２）、ＣＦ４の供給量を５ｃｃ／分から１００ｃｃ／分まで単調増加させた場合（実験例３）を示している。
【００３０】
実験例２の結果により、フッ素化合物ガスの供給量を一定に保持すると、母材に含有されるフッ素の量はガラス微粒子堆積工程の終了時に近づくほど減少し、長手方向の均一性が達成されないことが分かった。また、実験例３のように、フッ素化合物ガスの供給量の変化が大きい場合は、ガラス微粒子堆積工程の終了時に近づくほどフッ素の含有量が多くなりすぎ、均一なものが得られない。実験例１の程度にフッ素供給量を増加させることが好ましい。
【００３１】
図３は、上記実施形態について、フッ素化合物ガスの最終供給量を初期流量に対して、１倍から最大５倍まで変えた場合の長手方向の屈折率差を示す。この結果から、フッ素化合物ガスの最終供給量を初期流量に対して２倍近傍としたとき、長手方向の屈折率差は最小値を示し、好ましい範囲は１．５〜２．５倍であることがわかる。
【００３２】
ところで、図２に示した実験例１の内容を詳細に調査すると、ガラス微粒子堆積工程の終了時近傍では、フッ素添加量の減少傾向が見られる。そこで、本発明者らは、フッ素化合物ガスの供給量方法についてさらに検討を加えた。
【００３３】
図４は、フッ素化合物ガスの供給条件を示すグラフである。同図において各曲線は、ＣＦ４の供給量Ｖｆを３５ｃｃ／分から７０ｃｃ／分まで直線的に変化させた場合（実験例１）、Ｖｆ＝ｂ＋ａｔ２の式で示されるようにガラス微粒子堆積工程の時間ｔについて２乗で変化させた場合（実験例４）、Ｖｆ＝ｂ＋ａｔ３の式で示されるように時間ｔについて３乗で変化させた場合（実験例５）、Ｖｆ＝ｂ＋  ａｔ１／２の式で示されるように時間ｔについて１／２乗で変化させた場合（実験  例６）をそれぞれ示している。
【００３４】
上記の条件によって得られたガラス母材の長手方向の屈折率分布は、図５に示すようにＣＦ４の供給量が時間ｔについて２乗で増加させた場合（実験例４）に最も均一になる。２乗以上の乗数ではフッ素を添加すると長手方向の屈折率分布は凸型になり、１乗より小さくなると、長手方向に凹型となる。この結果から、フッ素化合物ガスの供給量は時間に対して１乗から２乗の範囲が好ましい。
【００３５】
ガラス微粒子堆積体の製造長が長くなると、微粒子堆積の開始端側では下側で堆積体を形成されているフッ素ガスの影響を受けなくなり、屈折率は一定となる。一方、下側の堆積体は反応中のフッ素ガスの影響を受けるので、堆積体の上部と下部とではフッ素添加量に相違が生じる。
【００３６】
そこで本発明者らは、このように長尺堆積体の上部と下部とで生じるフッ素添加量の相違を均一化する方法について試作実験を行なった。図６は、スス付け装置によって得られた長尺ガラス微粒子堆積体を示す図であり、この堆積体の直径はＤ、出発棒３００の先端にガラス微粒子を堆積し始めた時点（ｔ＝０）から、製造が完了した時点ｔｅまでに形成された長さはＬである。
【００３７】
一連の実験から本発明者らは、ガラス微粒子の堆積開始時点（ｔ＝０）から一定時間ｔＳまでフッ素化合物ガスの供給量を一定とし、その後、前述の方法にし  たがって流量を増加することによってフッ素含有率の長さ方向の不均一性を解消できることを見出だした。すなわち、種々の実験結果、フッ素化合物ガスの増加時点ｔＳは、全長Ｌを堆積するに要する時間ｔｅから堆積体外径の略４倍の長さを堆積するに要する時間ｔＤを差引いた時点（ｔＳ＝ｔｅ−ｔＤ）で行うことによって、実用上問題のないところまで均一にフッ素化合物を添加できることが分かった。
【００３８】
本発明は、上記の実施形態に限定させるものではなく変形が可能である。例えば、上記図１に示した実施形態では、火炎加水分解反応によって生成したガラス微粒子が上方から下方に向かって堆積される場合について説明したが、図７（ａ）、（ｂ）に示す場合にも適用できる。
【００３９】
図７（ａ）は、コアの屈折率プロファイルが図８（ａ）のように２段階である分散シフトファイバのガラス微粒子堆積工程を説明する図である。第１及び第２の堆積用バーナ５１０、５１５には、ガラス原料ガスとしてＳｉＣｌ４とＧｅＣ  ｌ４が供給され、クラッド堆積用バーナ５２０にはガラス原料ガスとしてＳｉＣ  ｌ４、フッ素添加ガスとしてＣＦ４が供給される。脱水処理工程、透明ガラス処理工程等は図１（ｂ）の場合と同じである。
【００４０】
図７（ｂ）は、コア（あるいはコアとクラッドの一部）からなる棒状のターゲットロッド３００の外周に、クラッドを堆積する場合のガラス微粒子堆積工程を説明する図である。クラッド堆積用バーナ５２０にはガラス原料ガスとしてＳｉＣｌ４、フッ素添加ガスとしてＣＦ４が供給される。得られた母材の屈折率分布を図８（ｂ）に示す。脱水処理工程、透明ガラス処理工程等は図１（ｂ）の場合と同じである。
【００４１】
また、フッ素化合物としてＣＦ４を使用したが、ＣＣｌ２Ｆ２、ＳｉＦ４、ＳＦ６などの他のフッ素化合物でも同様の効果を奏する。
【００４２】
【実施例１】
図１（ａ）に示すスス付け装置を用いて、図１（ｃ）に示す１．３μｍ帯で零分散特性を有するステップ・インデックス型プロファイルをなし、外径が２００ｍｍ、長さ８００ｍｍの多孔質ガラススートを作製した。この多孔質ガラススートを図１（ｂ）に示す透明化装置によって脱水・透明化した後、線引きして単一モードファイバを得た。コアとクラッドとの比屈折率差は０．３４〜０．３６％、ファイバのコア径は７．５〜８．５μｍである。コア堆積用バーナ５１０にはＳｉＣｌ４とＧｅＣｌ４を供給し、クラッド堆積用バーナ５２０にはＳｉＣｌ４と  ＣＦ４を供給した。ＣＦ４の供給はガラス微粒子堆積の開始時に５０ｃｃ／分とし、堆積終了時は１００ｃｃ／分まで直線的に増加しながら供給した。形成された多孔質ガラススートの全長は８００ｍｍであった。
【００４３】
この多孔質ガラススートを透明ガラス化した後、クラッド部における長手方向の比屈折率分布を測定した。測定結果は図９に示すように、製造開始端と終了端では０．００３％であった。
【００４４】
また、上記ガラス母材の外周上に、図７（ｂ）で説明した方法によって、クラッド径／コア径の比が１６になるように第２クラッドを形成した後、外径１２５μｍの光ファイバに線引きした。線引の開始端と終了端との間でカットオフ波長を測定したところ、変動幅は１０ｎｍ以下と安定した結果が得られた。
【００４５】
【実施例２】
実施例１と同じ装置を用いて、同様の多孔質ガラススートを長さ１１００ｍｍまで下記の条件で製造した。ガラス微粒子を堆積開始した時のＣＦ４の供給は５  ０ｃｃ／分とし、３００ｍｍ成長するまで一定に保持した。その後、多孔質ガラススートを１１００ｍｍまで成長せしめるとともに、ＣＦ４の供給を直線的に増  加させ、堆積終了時は９０ｃｃ／分とした。この時のフッ素の供給量Ｖｆは次式  である。
【００４６】
Ｖｆ＝４０  （ｃｃ／分）×（（ｔ−ｔＳ）／（ｔｅ−ｔＳ））＋５０  （ｃｃ／分）
ここで、ｔｅは成長開始から終了までの経過時間、ｔＳ  は成長開始からＣＦ４の流量を増加開始するまでの経過時間、ｔは成長開始時刻からの経過時間である。
【００４７】
この多孔質ガラススートを透明ガラス化した後、長手方向の屈折率分布を測定しクラッド部の純粋シリカガラスに対する屈折率の低下量の変動を測定した。結果は図９に示すように、製造開始端と終了端では０．００４％であった。
【００４８】
このガラス母材の外周上に、図７（ｂ）に示した方法によって、クラッド径／コア径の比が１６になるように第２クラッドを形成した後、外径１２５μｍの光ファイバに線引きした。線引の開始端と終了端との間でカットオフ波長を測定したところ、変動幅は１８ｎｍ以下と安定した結果が得られた。
【００４９】
【実施例３】
実施例１と同じ装置を用いて、同様の多孔質ガラススートを下記の条件で製造した。ガラス微粒子を堆積開始した時のＣＦ４の供給は５０ｃｃ／分とし、堆積  終了時に１２５ｃｃ／分となるように、時間に関して２乗に比例して増加させた。この時のフッ素の供給量は次式である。
Ｖｆ＝７５  （ｃｃ／分）×（ｔ／ｔｅ）２＋５０  （ｃｃ／分）
この多孔質ガラススートを透明ガラス化した後、長手方向の屈折率分布を測定し、クラッド部の純粋シリカガラスに対する屈折率の低下量の変動を測定した。結果は図１０に示すように、製造開始端と終了端では０．００１％であった。
【００５０】
このガラス母材の外周上に、図７（ｂ）に示した方法によって、クラッド径／コア径の比が１６になるように第２クラッドを形成した後、外径１２５μｍの光ファイバに線引きした。線引の開始端と終了端との間でカットオフ波長を測定したところ、変動幅は５ｎｍと安定した結果が得られた。
【００５１】
【実施例４】
実施例１と同じ装置を用いて、同様の多孔質ガラススートを長さ１１００ｍｍまで下記の条件で製造した。ガラス微粒子を堆積開始した時のＣＦ４の供給は３  ０ｃｃ／分とし、３００ｍｍ成長するまで一定に保持した。その後、多孔質ガラススートを１１００ｍｍまで成長せしめるとともに、ＣＦ４の供給を直線的に増  加して堆積終了時は６５ｃｃ／分とした。この時のフッ素の供給量Ｖｆは次式で  ある。
【００５２】
Ｖｆ＝３５（ｃｃ／分）×（（ｔ−ｔＳ）／（ｔｅ−ｔＳ））２＋３０（ｃｃ／分）
この多孔質ガラススートを透明ガラス化した後、長手方向の屈折率分布を測定し、クラッド部の純粋シリカガラスに対する屈折率の低下量の変動を測定した。結果は図１０に示すように、製造開始端と終了端では０．００２％であった。
【００５３】
このガラス母材の外周上に、図７（ｂ）に示した方法によって、クラッド径／コア径の比が１６になるように第２クラッドを形成した後、外径１２５μｍの光ファイバに線引きした。線引の開始端と終了端との間でカットオフ波長を測定したところ、変動幅は１４ｎｍ以下と安定した結果が得られた。
【００５４】
【比較例】
実施例１と同じ装置を用いて同様の多孔質ガラススートを長さ１１００ｍｍまで下記の条件で製造した。ガラス微粒子を堆積開始した時のＣＦ４の供給は５０  ｃｃ／分とし、ガラス微粒子の堆積が終了する時の長さ１１００ｍｍまで一定とした。
【００５５】
この多孔質ガラススートを透明ガラス化した後、長手方向の屈折率分布を測定し、クラッド部の純粋シリカガラスに対する屈折率の低下量の変動を測定した。結果は図１１に示すように、製造開始端と終了端では０．０２％であった。
【００５６】
このガラス母材の外周上に、クラッド径／コア径の比が１６になるように図７（ｂ）に示した方法で第２クラッドを形成した後、外径１２５μｍの光ファイバに線引きした。線引の開始端と終了端との間でカットオフ波長を測定したところ、変動幅に１００ｎｍの差が生じた。
【００５７】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明の製造方法によれば、ＶＡＤ法におけるフッ素化合物の流量を適宜増加させるので、成長方向の屈折率分布を均一に成長させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係わる光ファイバ用ガラス母材の製造方法の工程説明図である。
【図２】フッ素添加石英ガラスのフッ素化合物ガスの供給方式による屈折率低下量の位置による変化の仕方を示す実験結果のグラフである。
【図３】フッ素添加石英ガラスのフッ素化合物ガスの供給量を時間と共に増加させた場合に対応する長手方向の屈折率変動量を示す実験結果のグラフである。
【図４】本実施形態に係わるＣＦ４の供給形式を示すグラフである。
【図５】ＣＦ４の供給形式による比屈折率差の位置による変化の仕方を示す実験結果の  グラフである。
【図６】長尺多孔質ガラススートの形成方法を説明するための図である。
【図７】本発明の実施形態に係わる光ファイバ用ガラス母材の製造方法の工程説明図である。
【図８】本実施例で製造された光ファイバ用ガラス母材の屈折率分布を示すグラフである。
【図９】本実施例で製造された光ファイバ用ガラス母材の比屈折率差の位置による変化の仕方を示す実験結果のグラフである。
【図１０】本実施例で製造された光ファイバ用ガラス母材の比屈折率差の位置による変化の仕方を示す実験結果のグラフである。
【図１１】比較例で製造された光ファイバ用ガラス母材の比屈折率差の位置による変化の仕方を示す実験結果のグラフである。
【符号の説明】
１００、１５０・・・コア用ガラススート、１１０・・・コアとなるべきガラス部、２００・・・クラッド用ガラススート、２１０・・・クラッドとなるべきガラス部、３００・・・出発棒、４００・・・スス付け容器、４０５・・・透明化容器、４１０・・・支持棒、４２０、４３０・・・排気口、４４０・・・導入口、５１０、５１５、５２０・・・  バーナ、６００・・・加熱器。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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