(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＣチップ（２）を配線パターンが形成された基板（１）に異方性導電接着樹脂（３）を用いてフリップチップ実装するＩＣチップの接合構造において、前記ＩＣチップ（２）の四隅角部近傍を除く外周４辺部は前記異方性導電接着樹脂（３）が前記ＩＣチップ（２）外周側面部まではみ出し形成され、はみ出した前記異方性導電接着樹脂（３）の上面は前記ＩＣチップ（２）と同じ高さの平面で拡大形成されてなり、前記ＩＣチップ（２）の四隅角部近傍は前記異方性導電接着樹脂（３）上に形成された接着樹脂（４）が前記ＩＣチップ（２）の四隅角部側面部まではみ出して形成され、はみ出した前記接着樹脂（４）の上面はＩＣチップ（２）と同じ高さの平面で拡大形成されてなり、前記異方性導電接着樹脂（３）と前記接着樹脂（４）の硬化は加圧と加熱を併用し同時に行われることを特徴とするＩＣチップの接合構造。
【請求項２】
上記の配線パターンが形成された基板（１）に異方性導電接着樹脂（３）を用いてフリップチップ実装したＩＣチップ（２）上に、別のＩＣチップ（１２）を積層搭載したことを特徴とする請求項１記載のＩＣチップの接合構造。
【請求項３】
ＩＣチップ（２）よりも大きい四角形形状の異方性導電接着樹脂（３）を基板（１）上のＩＣチップ（２）と接合する位置に載置する工程、四角形形状の前記異方性導電接着樹脂（３）の４隅の角部近傍にペースト状の接着樹脂（４）を塗布する工程、前記基板（１）に形成された配線パターンと位置合わせして前記基板（１）の前記異方性導電接着樹脂（３）上に前記ＩＣチップ（２）を載置する工程、前記ＩＣチップ（２）上からボンディングツール（５）を用いて前記異方性導電接着樹脂（３）、及び前記接着樹脂（４）を同時に加圧、加熱して前記ＩＣチップ（２）を前記基板（１）上に熱圧着させる工程とからなり、前記ボンディングツール（５）は前記ＩＣチップ（２）の大きさよりも大きく、前記異方性導電接着樹脂（３）、及び前記接着樹脂（４）は前記ＩＣチップ（２）外周側面部まではみ出し形成され、はみ出した前記異方性導電接着樹脂（３）、及び前記接着樹脂（４）の上面は前記ＩＣチップ（２）の４隅の角部を含む全ての外周側面において前記ボンディングツール（５）の面と接触するように拡大形成されてなることを特徴とするＩＣチップの接合方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、ＩＣチップを基板に異方性導電接着樹脂（以下ＡＣＦという）とペースト状接着樹脂（以下ＮＣＰという）の２種類の接着樹脂を用いてフリップチップ実装するＩＣチップの接合構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図３は、従来のフリップチップ実装の接合構造を示す平面図である。
従来から、図に示すように、基板１にＩＣチップ２が装着され、ＩＣチップ２の上面と外周部分にＡＣＦ３が塗付され、ＩＣチップ２より面積の大きい図示してないボンディングツールによりＩＣチップ２の上面高さまでフィレットが形成されている。このときフィレットはＩＣチップ２の４隅の角部上部には形成されないためにＩＣチップ２の４隅の上面角部は欠けやすく不良発生の要因になっている。また、ＩＣチップ上に違うＩＣチップを積層させる場合には、下のＩＣチップの４隅角部が割れやすいために、下のＩＣチップと同じ面積以上の違うＩＣチップを積層させることが出来ず、下のＩＣチップより面積の小さいＩＣしか積層させることが出来ないという問題点を有していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上述の問題点を解決させるためになされたもので、ＩＣチップの４隅角部の割れを防ぐことができ、下のＩＣチップより面積の大きいＩＣチップを下のＩＣチップ上に積層可能なＩＣチップの接合構造を提供することを目的とする。
【０００４】
【問題を解決するための手段】
本発明によるＩＣチップの接合構造は、ＩＣチップ２を配線パターンが形成された基板１に異方性導電接着樹脂３を用いてフリップチップ実装するＩＣチップの接合構造において、前記ＩＣチップ２の四隅角部近傍を除く外周４辺部は前記異方性導電接着樹脂３が前記ＩＣチップ２外周側面部まではみ出し形成され、はみ出した前記異方性導電接着樹脂３の上面は前記ＩＣチップ２と同じ高さの平面で拡大形成されてなり、前記ＩＣチップ２の四隅角部近傍は前記異方性導電接着樹脂３上に形成された接着樹脂４が前記ＩＣチップ２の四隅角部側面部まではみ出して形成され、はみ出した前記接着樹脂４の上面はＩＣチップ２と同じ高さの平面で拡大形成されてなり、前記異方性導電接着樹脂３と前記接着樹脂４の硬化は加圧と加熱を併用し同時に行われることを特徴とする、さらに、上記の請求項１において、上記の配線パターンが形成された基板１に異方性導電接着樹脂３を用いてフリップチップ実装したＩＣチップ２上に、別のＩＣチップ（１２）を積層搭載したことを特徴とする。また、本発明によるＩＣチップの接合方法は、ＩＣチップ２よりも大きい四角形形状の異方性導電接着樹脂３を基板１上のＩＣチップ２と接合する位置に載置する工程、四角形形状の前記異方性導電接着樹脂３の４隅の角部近傍にペースト状の接着樹脂４を塗布する工程、前記基板１に形成された配線パターンと位置合わせして前記基板１の前記異方性導電接着樹脂３上に前記ＩＣチップ２を載置する工程、前記ＩＣチップ２上からボンディングツール５を用いて前記異方性導電接着樹脂３、及び前記接着樹脂４を同時に加圧、加熱して前記ＩＣチップ２を前記基板１上に熱圧着させる工程とからなり、前記ボンディングツール５は前記ＩＣチップ２の大きさよりも大きく、前記異方性導電接着樹脂３、及び前記接着樹脂４は前記ＩＣチップ２外周側面部まではみ出し形成され、はみ出した前記異方性導電接着樹脂３、及び前記接着樹脂４の上面は前記ＩＣチップ２の４隅の角部を含む全ての外周側面において前記ボンディングツール５の面と接触するように拡大形成されてなることを特徴とする。
【０００５】
【作用】
上記のＩＣチップの接合構造は、ＩＣチップ２の四隅角部近傍は前記異方導電性接着樹脂３及び異方導電性接着樹脂３上に形成された接着樹脂４の２種類の樹脂により前記ＩＣチップ２の四隅角部側面部まではみ出して形成され、はみ出した上記接着樹脂４の上面はボンディングツール５によりＩＣチップ２の上面高さに抑えられ、ＩＣチップ２と同じ高さの平面で拡大形成されているので、４隅角部全体が樹脂により保護され欠けを防ぐことができる。また、前記配線パターンが形成された基板１に異方導電性接着樹脂３を用いてフリップチップ実装したＩＣチップ２上に、別のＩＣチップ１２を積層搭載する場合、ＩＣチップ２外周部全体が樹脂によりＩＣチップ２の同じ高さで拡大形成されているので、位置ずれによるＩＣチップ１２の浮きもなく、位置精度も高まり工数の低減がはかられる。さらに、ＩＣチップ１２の変形を防ぐ事ができるため、薄いＩＣチップ１２の使用が可能になり実装高さを低く抑えられると共に下方のＩＣチップ２より大きいＩＣチップ１２を積層させることができ、４隅角部全体が保護されているので欠けを防ぐことが出来る。
【０００６】
【実施例】
本発明による実施例を図面に基づいて説明する。
図１は本発明によるＩＣチップの接合構造を示す平面図である。
図において、１は基板、２は基板１に装着されるＩＣチップ、３はＩＣチップ２を基板に接着するＡＣＦ、４はＩＣチップ２を基板に接着するＮＣＰである。
本実施例では、基板に接着樹脂としてＡＣＦとＮＣＰの２種類の接着樹脂を併用してＩＣチップを実装するＩＣチップの接合構造について説明する。
基板１の配線パターンに位置合わせして基板１にＩＣチップ２を装着し、ＩＣチップ２の外周部全体にかつＩＣチップ上面と同じ高さにＡＣＦ３を形成させ、ＩＣチップ２の４隅角部にＡＣＦ３より倍以上厚くＮＣＰ４を形成させる。
次にＩＣチップ２より大きく形成された図示してないボンディングツールでＩＣチップ２を基板１に熱圧着する。
基板１に熱圧着されたＩＣチップ２の外周部分にはＡＣＦ３と、ＮＣＰ４はボンディングツールによりＩＣチップ２と同じ高さに抑えられて拡大した平面が形成されると共にＩＣチップの４隅角部全体が覆われる。
これにより、２種類の接着樹脂がＩＣチップの外周に拡大してＩＣチップの上面と同じ高さでかつＩＣチップの４隅角部全体が覆われるのでＩＣチップの外周の角部全体が保護されることにより衝撃による欠けなどの損傷を防ぐことができる。なお、２種類の接着樹脂がボンディングツールに付着しない様にボンディングツールに非接着性の材料で保護コーティングしたり、ボンディングツールとの間に非接着性のシート状のフィルムを挟んだりして付着を防止するようにしている。
【０００７】
図２は本発明による別のＩＣチップの接合構造を示す断面図である。
図において、１は基板、２は基板１に装着されるＩＣチップ、１２は基板１に装着されたＩＣチップ２上に積層されて装着される面積の大きいＩＣチップ、３はＩＣチップ２を基板に接着するＡＣＦ、４はＩＣチップ２を基板に接着するＮＣＰである。
本実施例でも、基板に接着樹脂としてＡＣＦとＮＣＰの２種類の接着樹脂を併用してＩＣチップを実装するＩＣチップの接合構造について説明する。
基板１の配線パターンに位置合わせして基板１にＩＣチップ２を装着し、ＩＣチップ２の外周部全体にかつＩＣチップ上面と同じ高さにＡＣＦ３を形成させ、ＩＣチップ２の図示してない４隅角部に接着樹脂ＡＣＦ３より倍以上厚く接着樹脂ＮＣＰ４を形成させる。次にＩＣチップ２上にＩＣチップ２より面積の大きいＩＣチップ１２を積層させ、ＩＣチップ２より大きく形成されたボンディングツール５でＩＣチップ２とＩＣチップ１２を基板１に熱圧着する。基板１に熱圧着されたＩＣチップ２の外周部分にはＡＣＦ３とＮＣＰ４がボンディングツール５によりＩＣチップ２と同じ高さに抑えられて拡大した平面が形成されると共にＩＣチップの４隅角部全体が覆われる。
これにより、２種類の接着樹脂がＩＣチップの外周に拡大してＩＣチップの上面と同じ高さでかつＩＣチップの４隅角部全体が覆われるのでＩＣチップの外周の角部全体が保護されることにより衝撃による欠けなどの損傷を防ぐことができる。また、接着樹脂の拡大形成されているためにＩＣチップの上面にさらに他のＩＣチップを積層させる場合に多少の位置ずれがあってもＩＣチップの一部が空中に浮くこともない。さらに、積層されたＩＣチップと基板とのワイヤーボンディングも容易にでき、実装高さが低く抑えられて薄型化がはかれるので実装を低背化させることができる。
この場合にも、２種類の接着樹脂がボンディングツールに付着しない様にボンディングツールに非接着性の材料で保護コーティングしたり、ボンディングツールとの間に非接着性のシート状のフィルムを挟んだりして付着を防止するようにしている。
【０００８】
【発明の効果】
本発明によるＩＣチップの接合構造によれば、ＩＣチップ２の四隅角部近傍は前記異方導電性接着樹脂３及び異方導電性接着樹脂３上に形成された接着樹脂４の２種類の樹脂により前記ＩＣチップ２の四隅角部側面部まではみ出して形成され、はみ出した上記接着樹脂４の上面はボンディングツール５によりＩＣチップ２の上面高さに抑えられ、ＩＣチップ２と同じ高さの平面で拡大形成されているので、４隅角部全体が樹脂により保護され欠けを防ぐことができる。
また、前記配線パターンが形成された基板１に異方導電性接着樹脂３を用いてフリップチップ実装したＩＣチップ２上に、別のＩＣチップ１２を積層搭載する場合、ＩＣチップ２外周部全体が樹脂によりＩＣチップ２の同じ高さで拡大形成されているので、位置ずれによるＩＣチップ１２の浮きもなく、位置精度も高まり工数の低減がはかられる。さらに、ＩＣチップ１２の変形を防ぐことができるため、薄いＩＣチップ１２の使用が可能になり実装高さを低く抑えられると共に下方のＩＣチップ２より大きいＩＣチップ１２を積層させることができ、４隅角部全体が保護されているので欠けを防ぐことが出来る。
また、本発明によるＩＣチップの接合方法によれば、ＩＣチップ２を配線パターンが形成された基板１に異方導電性接着樹脂３を用いてフリップチップ実装する接合方法はボンディングツール５によるＩＣチップ２を加熱圧着するものであり、上記ボンディングツール５は前記ＩＣチップ２の大きさよりも大きく、上記異方導電性接着樹脂３、及びペースト状の接着樹脂４は前記ＩＣチップ２外周側面部まではみ出し形成され、はみ出した上記異方導電性接着樹脂３、及びペースト状接着樹脂４の上面は前記ＩＣチップ２の４隅の角部を含む全ての外周側面において上記ボンディングツール５の面と接触するように拡大形成されてなるようにしたので、接着樹脂４によりＩＣチップ２の上面角部が保護されて欠けを防ぐことができ、さらに、ＩＣチップ１２の変形を防ぎ薄いＩＣチップ１２の使用が可能となり積層させても実装高さを低く抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるＩＣチップの接合構造を示す平面図。
【図２】本発明による別のＩＣチップの接合構造を示す断面図。
【図３】従来のフリップチップ実装の接合構造を示す平面図。
【符号の説明】
１  …  基板
２，１２  …  ＩＣチップ
３  …  ＡＣＦ
４  …  ＮＣＰ
５  …  ボンディングツール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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