(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスクの複数の小領域の一部または全部に荷電粒子線を時系列的に照射し、照射対象の小領域に設けられたパターンの像を感応基板に投影するパターン転写方法において、
前記小領域毎に前記パターンの分布状態を評価し、この評価の結果を含む所定の情報に基づいて、前記感応基板に対する前記パターンの像の結像状態を前記小領域毎に調整することを特徴とする荷電粒子線によるパターン転写方法。
【請求項２】
マスクの複数の小領域の一部または全部に荷電粒子線を時系列的に照射し、照射対象の小領域に設けられたパターンの像を感応基板に投影するパターン転写方法において、
前記小領域毎に前記パターンの密度および前記パターンの分布状態を評価し、この評価の結果を含む所定の情報に基づいて、前記感応基板に対する前記パターンの像の結像状態を前記小領域毎に調整することを特徴とする荷電粒子線によるパターン転写方法。
【請求項３】
前記パターンの像を前記感応基板に投影するための投影光学系の焦点の設定位置を、前記所定の情報に基づいて調整することを特徴とする請求項１または２記載の荷電粒子線によるパターン転写方法。
【請求項４】
前記小領域に設けられるパターンの密度が一定と仮定したときに、前記パターンの分布に偏りが大きいほど前記投影光学系の前記焦点の設定位置を前記マスク側に接近させることを特徴とする請求項１または２記載の荷電粒子線によるパターン転写方法。
【請求項５】
マスクの複数の小領域に対して択一的に荷電粒子線を照射する照射手段と、前記マスクの前記小領域を透過した荷電粒子線の少なくとも一部を感応基板に導く投影光学系と、を備えた荷電粒子線転写装置において、
前記マスクに設けられたパターンの配置に関連したパターン情報に基づいて、前記小領域毎の前記パターンの分布状態を評価する評価手段と、
前記評価手段の評価結果を含む所定の情報に基づいて、前記感応基板に投影される前記パターンの像の結像状態を前記小領域毎に調整する結像制御手段と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子線転写装置。
【請求項６】
マスクの複数の小領域に対して択一的に荷電粒子線を照射する照射手段と、前記マスクの前記小領域を透過した荷電粒子線の少なくとも一部を感応基板に導く投影光学系と、を備えた荷電粒子線転写装置において、
前記マスクに設けられたパターンの配置に関連したパターン情報に基づいて、前記小領域毎の前記パターンの密度および前記パターンの分布状態を評価する評価手段と、
前記評価手段の評価結果を含む所定の情報に基づいて、前記感応基板に投影される前記パターンの像の結像状態を前記小領域毎に調整する結像制御手段と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子線転写装置。
【請求項７】
前記結像制御手段は、前記投影光学系の焦点の設定位置を前記小領域毎に調整することを特徴とする請求項５記載の荷電粒子線転写装置。
【請求項８】
前記結像制御手段は、前記小領域に設けられるパターンの密度が一定と仮定したときに、前記評価手段にて評価された前記パターンの分布の偏りが大きいほど前記投影光学系の前記焦点の設定位置を前記マスク側に接近させることを特徴とする請求項５または６記載の荷電粒子線転写装置。
【請求項９】
マスク上で荷電粒子線を走査するとともに、前記荷電粒子線の走査方向と交差する方向に前記マスクを移動させるのに同期して感応基板を移動させ、前記マスクのパターンの像を前記感応基板上に転写するパターン転写方法において、
前記荷電粒子線の照射領域毎に前記パターンの分布状態を評価し、該評価結果を含む所定の情報に基づいて、前記感応基板に対する前記パターンの像の結像状態を調整することを特徴とする荷電粒子線によるパターン転写方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路のリソグラフィー等に用いられるパターン転写方法および転写装置に係り、詳しくは電子線やイオンビーム等の荷電粒子線を利用してマスクのパターンを感応基板へ転写するものに関する。
【０００２】
【従来の技術】
荷電粒子線を用いたパターン転写では、ビーム電流が大きいと感応基板（例えば半導体集積回路の基板としてのウエハ）に投影されたパターンの像にクーロン効果ぼけが生じる。このクーロン効果ぼけはパターン投影用のレンズ系の焦点位置を再調整することで大半が補正できるが、一部は補正できずに残る。荷電粒子線の断面形状を最大でも１０μｍ角程度の範囲で変化させてパターンを転写するいわゆる可変成形方式の露光装置では、成形されたビームの面積と、装置パラメータ（ビーム電流、ビームの開口半角、ビームの加速電圧及びレンズ系の光学長）とからクーロン効果ぼけを予測し、その予測結果に応じてレンズ系の焦点を調整している。このようなクーロン効果ぼけを除くことを目的とした焦点調整を特にリフォーカスと呼ぶこともある。
【０００３】
ところで、マスクの複数の小領域の一部または全部に荷電粒子線を時系列的に照射し、照射対象の小領域に設けられたパターンの像を感応基板上の所定の位置に転写するいわゆる分割転写方式の装置では、荷電粒子線の一回の照射範囲が感応基板上で１００〜１０００μｍ角と、可変成形方式の装置に比べて非常に大きい。このように照射範囲が大きい場合、クーロン効果ぼけは小さいことが最近報告されている（Ｐａｒｔｉｃｌｅ−Ｐａｒｔｉｃｌｅ  ｉｎｔｅｒａｃｔｉｏｎ  ｅｆｆｅｃｔｓ  ｉｎ  ｉｍａｇｅ  ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ  ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ；Ｓ．Ｄ．Ｂｅｒｇｅｒ  ｅｔ  ａｌ；  Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．  Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ｂ１１（６）．Ｎｏｖ／Ｄｅｃ  １９９３  Ｐ２２９４〜）。このことは分割転写方式の大きなメリットと考えられる。すなわち、クーロン効果ぼけの量を所定値以内に制限したとき可変成形方式よりも大きなビーム電流を与えて転写のスループットを向上させることができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、分割転写方式の装置でも、マスクの一つの小領域の全面に満遍なくパターン（荷電粒子線の透過部に相当）が分布しているわけではなく、パターンの分布には種々の態様がある。そして、一つの小領域内の特に限られた狭い範囲にパターンが集中している場合、その小領域を対象としたパターン転写では感応基板上での荷電粒子線の照射範囲が実質的に狭くなり、クーロン効果ぼけが大きくなる。例えば図５（ａ）、（ｂ）に示すように、マスクに設けられた小領域Ａ、Ｂに、形状および面積が等しい荷電粒子線の透過パターンＰＴ（ハッチング部分）がそれぞれ同数設けられている場合を考えると、それぞれの小領域Ａ、ＢのパターンＰＴの合計面積は同一であるものの、（ｂ）では（ａ）よりも狭い範囲に荷電粒子線が集中するためにクーロン効果ぼけが大きくなる。従って、単純に各小領域毎のパターンの密度（透過パターンの合計面積／小領域の面積）に従って焦点調整を行なうだけでは、クーロン効果ぼけを正確に補正できない。
【０００５】
本発明の目的は、分割転写方式によってパターンを転写する際に、マスクの小領域毎の転写条件を適正化して従来よりも高解像の転写を実現できるパターン転写方法及び転写装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明の実施の形態を示す図１および図２に対応付けて説明すると、請求項１の発明では、マスク３０の複数の小領域３１の一部または全部に荷電粒子線を時系列的に照射し、照射対象の小領域３１に設けられたパターンＰＴの像を感応基板４０に投影するパターン転写方法において、小領域３１毎にパターンＰＴの分布状態を評価し、この評価の結果を含む所定の情報に基づいて、感応基板４０に対するパターンＰＴの像の結像状態を小領域３１毎に調整する。
請求項２の発明では、マスク３０の複数の小領域３１の一部または全部に荷電粒子線を時系列的に照射し、照射対象の小領域３１に設けられたパターンＰＴの像を感応基板４０に投影するパターン転写方法において、小領域３１毎にパターンＰＴの密度およびパターンＰＴの分布状態を評価し、この評価の結果を含む所定の情報に基づいて、感応基板４０に対するパターンＰＴの像の結像状態を小領域３１毎に調整する。
請求項３の発明では、請求項１または２の荷電粒子線によるパターン転写方法において、パターンＰＴの像を感応基板４０に投影するための投影光学系８、９、１３の焦点の設定位置を、所定の情報に基づいて調整する。
請求項４の発明では、請求項１または２の荷電粒子線によるパターン転写方法において、小領域３１に設けられるパターンＰＴの密度が一定と仮定したときに、パターンＰＴの分布に偏りが大きいほど投影光学系８、９、１３の焦点の設定位置をマスク３０側に接近させる。
請求項５の発明では、マスク３０の複数の小領域３１に対して択一的に荷電粒子線を照射する照射手段１〜７と、マスク３０の小領域３１を透過した荷電粒子線の少なくとも一部を感応基板４０に導く投影光学系８、９、１３と、を備えた荷電粒子線転写装置において、マスク３０に設けられたパターンＰＴの配置に関連したパターン情報に基づいて、小領域３１毎のパターンＰＴの分布状態を評価する評価手段２０と、評価手段２０の評価結果を含む所定の情報に基づいて、感応基板４０に投影されるパターンＰＴの像の結像状態を小領域３１毎に調整する結像制御手段２０とを設けた。
請求項６の発明では、マスク３０の複数の小領域３１に対して択一的に荷電粒子線を照射する照射手段１〜７と、マスク３０の小領域３１を透過した荷電粒子線の少なくとも一部を感応基板４０に導く投影光学系８、９、１３と、を備えた荷電粒子線転写装置において、マスク３０に設けられたパターンＰＴの配置に関連したパターン情報に基づいて、小領域３１毎のパターンＰＴの密度およびパターンＰＴの分布状態を評価する評価手段２０と、評価手段２０の評価結果を含む所定の情報に基づいて、感応基板４０に投影されるパターンＰＴの像の結像状態を小領域３１毎に調整する結像制御手段２０とを設けた。
請求項７の発明では、請求項５の荷電粒子線転写装置において、結像制御手段２０は、投影光学系８、９、１３の焦点の設定位置を小領域３１毎に調整する。
請求項８の発明では、請求項５または６の荷電粒子線転写装置において、結像制御手段２０は、小領域３１に設けられるパターンＰＴの密度が一定と仮定したときに、評価手段２０にて評価されたパターンＰＴの分布の偏りが大きいほど投影光学系８、９、１３の焦点の設定位置をマスク３０側に接近させる。
請求項９の発明では、マスク上で荷電粒子線を走査するとともに、荷電粒子線の走査方向と交差する方向にマスクを移動させるのに同期して感応基板を移動させ、マスクのパターンの像を感応基板上に転写するパターン転写方法において、荷電粒子線の照射領域毎にパターンの分布状態を評価し、該評価結果を含む所定の情報に基づいて、感応基板に対するパターンの像の結像状態を調整する。
なお、本明細書において焦点の設定位置とは、クーロン効果ぼけが無いと仮定した場合のパターン像の結像位置を意味する。
【０００７】
請求項１、５の発明では、小領域３１毎のパターンＰＴの分布状態を考慮してパターンＰＴの像の結像位置を調整できる。
請求項２、６の発明では、小領域３１毎のパターンＰＴの密度およびパターンＰＴの分布状態を考慮してパターンＰＴの像の結像位置を調整できる。
請求項３、７の発明では、小領域３１毎に投影光学系８、９、１３の焦点の設定位置が調整される。
請求項４、８の発明では、小領域３１内におけるパターンＰＴの偏りが大きいほど実際の焦点が設定位置よりもマスク３０から遠ざかる方向へ移る。従って、予め焦点の設定位置をマスク３０側へ接近させておけば、実際の焦点を所望位置に合わせることができる。
請求項９の発明では、荷電粒子線の照射領域毎のパターンの分布状態を考慮してパターンの像の結像位置を調整できる。
【０００８】
なお、本発明の構成を説明する上記課題を解決するための手段と作用の項では、本発明を分かり易くするために発明の実施の形態の図を用いたが、これにより本発明が実施の形態に限定されるものではない。
【０００９】
【発明の実施の形態】
図１〜図４を参照して本発明の実施の形態を説明する。図１は本発明の実施の形態で使用する転写装置の概略を示し、１は電子銃、２、３は電子銃１から放出された電子線ＥＢを集光するコンデンサレンズ、４は電子線ＥＢを断面正方形状のビームに整形する第１アパーチャ、５は第１アパーチャ４を通過した電子線を集光するコンデンサレンズである。６Ａ、６Ｂはコンデンサレンズ５を透過した電子線を偏向する偏向器、７はマスク３０を光学系の光軸ＡＸと直交する面内で移動させるマスクステージである。マスク３０の中心部には、例えば図２（ａ）に一点鎖線で示したように、多数の小領域３１（その一つをハッチングにて示す。）が縦横に列をなすように設けられる。小領域３１の大きさは、図１の転写装置においてコンデンサレンズ５からマスク３０に導かれる電子線の断面寸法にほぼ等しい。すなわち、小領域３１は電子線が一括して照射可能な大きさに設定される。各小領域３１には、感応基板としてのウエハ４０（図１）の所定範囲に転写すべきパターンが分割して設けられる。なお、個々のパターンの形状は図示を省略した。小領域３１の数はあくまで一例に過ぎない。
【００１０】
また、図１において８Ａ、８Ｂはマスク３０を透過した電子線を偏向する偏向器、９、１０はマスク３０のパターンの像を適当な縮小率（例えば１／４）でウエハ４０に投影する投影レンズ、１１は投影レンズ９、１０による電子線のクロスオーバＣＯの近傍に設けられた第２アパーチャ、１２はウエハ４０を保持しつつこれを光学系の光軸ＡＸと直交する面内で移動させるウエハステージである。マスク３０を通過する際に所定角以上に散乱する電子線は、第２アパーチャ１１の周囲に遮られてウエハ４０には入射しない。第２アパーチャ１１の近傍には、本発明の実施の形態の転写装置の特徴として電磁式のリフォーカスレンズ１３が設けられている。
【００１１】
さらに、１５はコンデンサレンズ２、３、５に対する制御電源、１６は偏向器６Ａ、６Ｂに対する制御電源、１７は偏向器８Ａ、８Ｂに対する制御電源、１８は投影レンズ９、１０に対する制御電源、１９はリフォーカスレンズ１３に対する制御電源である。これらの制御電源１５〜１９から出力される電流は、制御装置２０からの指示に従って設定される。マスクステージ７およびウエハステージ１２の動作も制御装置２０にて制御される。２１は制御装置２０に対する種々の制御情報の入力装置、２２は制御装置２０に対する記憶装置である。
【００１２】
転写に先立つ準備段階では、マスク３０に固有のマスクデータが入力装置２１から制御装置２０に読み込まれて記憶装置２２に記憶される。マスクデータには、例えば小領域３１の寸法、位置、分割数や小領域３１に対する電子線の照射時間など、パターン転写動作の制御に必要な各種の情報が含まれる。このマスクデータはマスク３０の設計データに基づいて作成されるため、そこには小領域３１毎のパターンの配置に関連したパターン情報も容易に含めることができる。そこで、本発明の実施の形態では上記のパターン情報をマスクデータに含めて制御装置２０に供給し、そのマスクデータに基づいて制御装置２０により図３に示す評価処理を実行するようにした。もちろん、別の装置にてマスクデータを評価処理し、その評価結果のみを制御装置２０に与えてもよい。
【００１３】
図３の評価処理では、各小領域３１のパターンの密度およびパターンの分布状態を表す密度分布係数Ｃを次の手順で演算する。まず、ステップＳ１にて密度分布係数Ｃの算出対象となる小領域３１を所定の選択順序に従って選択する。続くステップＳ２では、選択された小領域３１をｎ個の単位領域に分割する。分割例を図２（ｂ）に示す。この例では、図５（ｂ）に示すパターンＰＴを有する小領域３１が、図中の二点鎖線の位置を境界としてｎ個（ｎ＝２５）の単位領域Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎに分割されている。なお、パターンＰＴは荷電粒子線の透過部分に相当し、抜き孔または電子線を十分に透過させる薄膜によって構成される。パターンＰＴ以外の部分は、パターンＰＴの部分よりも電子線の吸収または散乱の程度が大きく設定される。
【００１４】
小領域３１を分割した後は図３のステップＳ３へ進む。ステップＳ３では、先に分割した単位領域Ｄ１〜Ｄｎ（図２（ｂ）参照）のそれぞれについてパターンＰＴの密度ｍ１〜ｍｎを検出する。なお、任意の単位領域Ｄｉにおける密度ｍｉは、その単位領域Ｄｉに含まれるパターンＰＴの合計面積を、単位領域Ｄｉの面積で除した値である。密度ｍｉ（ｉ＝１〜ｎ）の演算に必要な上記の二種類の面積は、上述したマスクデータから求めることができる。
【００１５】
続くステップＳ４では下式（１）によって密度分布係数Ｃを求める。
【数１】
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なお、ｍｉ，ｍｊは、任意の単位領域Ｄｉ，ＤｊについてステップＳ３でそれぞれ検出された密度、Ｌｉ・ｊは単位領域Ｄｉ，Ｄｊの距離を示す。例えば図２（ｃ）に示すように単位領域Ｄｉとこれに隣接する単位領域Ｄｉ−１、Ｄｉ＋１との距離はそれぞれＬｉ・ｉ−１、Ｌｉ・ｉ＋１であり、単位領域Ｄｉと単位領域Ｄ１との距離はＬｉ・１、単位領域Ｄｉと単位領域Ｄｎとの距離はＬｉ・ｎである。ｉ＝ｊのときはＬｉ・ｊ＝０であり、ｍｉ・ｍｊ／Ｌｉ・ｊ＝０として処理する。上式（１）の演算によれば、小領域３１のパターンの密度が大きいほど密度分布係数Ｃが大きくなる。また、パターン密度が同一であっても、小領域３１内の特定位置にパターンが集中しているほど密度分布係数Ｃが大きくなる。
【００１６】
密度分布係数Ｃの演算後は図３のステップＳ５へ進む。ステップＳ５では、現在選択されている小領域３１のパターンの密度の大小およびパターンの分布の偏りの程度を、先に求めた密度分布係数Ｃの大小に応じてランク付けし、その結果を記憶する。続くステップＳ６では、すべての小領域３１についてステップＳ２〜ステップＳ５の処理を終了したか否か判断し、未処理の小領域３１がある場合はステップＳ１へ戻って未処理の小領域３１を選択する。全ての小領域３１について上記の処理を終えると図３の評価処理を終了する。
【００１７】
転写時には、記憶装置２２が保持するマスクデータに従って、制御電源１５〜１９の出力電流やマスクステージ７およびウエハステージ１２の動作が制御装置２０にて制御されてマスク３０の各小領域３１に所定時間ずつ電子線が照射され、それぞれの小領域３１のパターンの像がウエハ４０の所定位置に順次投影転写される。この場合、投影レンズ９、１０の焦点、すなわち制御電源１８の出力電流の値は、いずれの小領域３１が電子線の照射対象として選択されているかに拘わりなく、小領域３１に標準的なパターンが設けられたと仮定したときにそのパターンの像がウエハ４０に対してピントの合った状態で投影されるように設定される。そして、電子線の照射対象の小領域３１が変更される毎に、制御装置２０が図４に示したリフォーカス設定処理を実行して各小領域３１のパターンの相違に伴うクーロン効果ぼけを補正する。
【００１８】
図４の処理では、まずステップＳ１１で電子線の照射対象として現在選択されている小領域３１のランクを記憶装置２２から読み込む。このランクは図３の処理で得たものである。次にステップＳ１２でランクに対応したリフォーカス量（リフォーカスレンズ１３による焦点調整量）を所定のテーブルに従って決定する。このテーブルは、予め計算機シュミレーションや実験により作成されて記憶装置２２に与えられる。小領域３１のパターンの密度やパターンの偏りが大きいほどクーロン効果ぼけが増加してパターンの結像位置がマスク３０に対して遠方へ移るので、パターンの密度や偏りの程度が高いランクほど、パターンの結像位置が投影レンズ９、１０のみによる結像位置よりもマスク３０側に接近するようにリフォーカス量が指定される。続くステップＳ１３では、決定されたリフォーカス量に従って制御電源１９に与える電流を設定し、これにより処理を終了する。
【００１９】
以上のように電子線の照射対象として選択された小領域３１に合せてリフォーカスレンズ１３の励磁が調整されると、その小領域３１に対して電子線が照射され、その小領域３１のパターンの像がウエハ４０の所定位置に転写される。なお、マスク３０に対する電子線の照射位置は、偏向器６Ａ、６Ｂの偏向量と、マスクステージ７の位置とによって制御する。ウエハ４０に対するパターンの像の転写位置は、偏向器８Ａ、８Ｂの偏向量と、ウエハステージ１２の位置とによって制御する。なお、上記の転写時には、マスク３０の一つの小領域３１に対して二回以上電子線が照射され、あるいは複数の小領域３１から一つ以上の小領域３１が選択されて電子線が照射されることもある。
【００２０】
以上の発明の実施の形態では、ウエハ４０が感応基板を、投影レンズ９、１０およびリフォーカスレンズ１３が投影光学系を、電子銃１、コンデンサレンズ２、３、５、第１アパーチャ４、偏向器６Ａ、６Ｂおよびマスクステージ７が照射手段を、図３の処理を実行する制御装置２０が評価手段を、図４の処理を実行する制御装置２０が結像制御手段２０をそれぞれ構成する。
【００２１】
上述した発明の実施の形態では、密度分布係数Ｃの演算とランク付けを転写装置に付設された制御装置２０にて行なったが、これとは別の演算装置、例えばマスクの設計用のコンピュータでランク付けまで行なうようにしてもよい。また、密度分布係数の演算やランク付けを介することなく、マスクの設計データから各小領域毎に最適なリフォーカス量を演算してもよい。小領域毎のパターン密度がほぼ一定と見做せる場合には、パターン密度を考慮せず、小領域毎のパターン分布の偏りのみを評価してもよい。パターンの密度および分布状態以外にも焦点調整に関与するパラメータが存在するときは、そのパラメータをも考慮して焦点調整を行なってよい。発明の実施の形態ではリフォーカスレンズ１３によってパターン像の結像位置を調整したが、投影レンズ９、１０の励磁を調整してもよい。ただし、リフォーカスレンズ１３は、その焦点調整範囲が投影レンズ９、１０に比して遥かに小さくてよいので、投影レンズ９、１０の電流を調整するよりもリフォーカスレンズ１３で調整した方が応答性が良い。また、投影光学系の焦点以外にもパターン像の結像位置を調整できる手段であれば適宜用いてよい。例えば、ウエハステージ１２に光軸方向の位置調整機構を設けてウエハ４０の光軸方向の高さを小領域毎に調整してもよい。
【００２２】
以上の説明では、荷電粒子線を散乱又は吸収する不図示の境界領域（ストラット、あるいはスカートと呼ばれることがある。）によってマスク３０が物理的に複数の小領域３１に区画された場合において、小領域３１毎にパターンの分布状態を評価してパターン像の結像状態を調整するものとしたが、そのような境界領域が存在せず、物理的に小領域に区画されていないマスクを使用する転写方法、転写装置でも本発明は適用できる。すなわち、マスク上で荷電粒子線を一次元走査（一方向に走査）するとともに、その一次元走査方向と交差（例えば直交）する方向にマスクを移動させ、かつマスクの移動に同期して感応基板を移動させることで、マスク上のパターン像を感応基板上に転写する方法、装置では、次のように結像状態を調整する。
【００２３】
まず、荷電粒子線をその照射領域の一部を重複させつつ段階的に走査する場合、換言すれば、荷電粒子線の照射領域を上記の一次元走査方向に適当な距離ずつ段階的にずらす場合には、各段の照射領域毎にパターンの分布状態を評価して結像状態を調整する。また、荷電粒子線を上記の一次元走査方向に連続的に走査する場合には、一次元走査方向に並ぶ複数の小領域をマスク上に仮想し、荷電粒子線の連続走査中、その照射領域内に順次繰り込まれる幾つかの仮想的な小領域を一つの単位としてその単位内のパターンの分布状態を評価し、その評価に基づいて結像状態を調整する。なお、後者の場合、仮想的な小領域の分割数を増やすことで精度を向上させることができる。
【００２４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明では、マスクの小領域毎にパターン分布を考慮してパターン像の結像状態を調整するようにしたので、小領域毎の転写条件を従来よりも適正化して高解像のパターン転写を実現できる。そして、特に小領域毎のパターン密度をも考慮してパターン像の結像状態を調整する請求項２、６の発明によれば一層高解像の転写が実現できる。投影光学系の焦点の設定位置を調整してパターン像の結像状態を調整する請求項３、７の発明によれば、簡単な構成でパターン像の結像状態を調整できる。特に請求項４、８の発明によればクーロン効果ぼけを効果的に補正できる。
請求項９の発明によれば、荷電粒子線の照射領域毎のパターン分布を考慮してパターン像の結像状態を調整するようにしたので、照射領域毎の転写条件を従来よりも適正化して高解像のパターン転写を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態に係る転写装置の概略を示す図。
【図２】発明の実施の形態におけるマスクの小領域毎のパターン密度およびパターン分布状態の評価処理を説明するための図。
【図３】発明の実施の形態におけるマスクの小領域毎のパターン密度およびパターン分布状態の評価処理を示すフローチャート。
【図４】発明の実施の形態における小領域毎のリフォーカス処理を示すフローチャート。
【図５】マスクの小領域におけるパターンの分布例を示す図。
【符号の説明】
１  電子銃
２，３，５  コンデンサレンズ
４  第１アパーチャ
６Ａ，６Ｂ  偏向器
７  マスクステージ
８Ａ，８Ｂ  偏向器
９，１０  投影レンズ
１１  第２アパーチャ
１２  ウエハステージ
１３  リフォーカスレンズ
２０  制御装置
３０  マスク
３１  マスクの小領域
４０  ウエハ
ＰＴ  マスクに設けられたパターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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