(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を上面に支持して加熱するホットプレートを備えた基板加熱処理部を積層するとともに、前記基板に薬液処理を施す薬液処理部と、少なくとも前記積層された基板加熱処理部と前記薬液処理部との間に設けられ、装置内での前記基板の搬送を行う基板搬送ロボットとを備え、かつ、
前記積層された基板加熱処理部の前記薬液処理部側の側面に隣接する前記積層された基板加熱処理部の側面に、排気源に連通接続されたシステム排気ダクトが上下方向に設けられた基板処理装置において、
前記積層された基板加熱処理部の前記薬液処理部側の側面に、排気源に連通接続された、前記システム排気ダクトと別個で、上端部分で前記基板加熱処理部の外部である外気に連通している排気ダクトを上下方向に設けたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記基板搬送ロボットは、前記基板加熱処理部と前記薬液処理部との間に設けられ、少なくとも前記薬液処理部に対する基板の搬送を行う第１の基板搬送ロボットと、前記基板加熱処理部を挟んで前記第１の基板搬送ロボットと反対側に設けられ、少なくとも前記基板加熱処理部に対する基板の搬送を行う第２の基板搬送ロボットとで構成され、かつ、
前記システム排気ダクトと別個に設けられた排気ダクトは、前記基板加熱処理部の前記薬液処理部側の側面付近に設けられた前記基板加熱処理部内の駆動部の周囲を覆うように設けられたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の基板処理装置において、
前記システム排気ダクトと別個に設けられた排気ダクトの外側に、排気源に連通接続されたさらに別個の排気ダクトを設けたことを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハや液晶表示器用のガラス基板などの基板に対してフォトリソグラフィ工程のうちの露光処理前後のレジスト塗布前ベーク、レジスト塗布、プリベーク、露光後ベーク、現像、ポストベークなどの各種の基板処理を施す基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のこの種の基板処理装置としては、平面視で薬液処理部（薬液処理としてのレジスト塗布や現像を施すスピンコーターやスピンデベロッパーを備えて構成されている）、基板搬送ロボット（の基板搬送路）、基板加熱処理部がその順で配列された、いわゆる３列構成のもの（この構成の基板処理装置を、以下では第１の基板処理装置ともいう）や、平面視で薬液処理部、第１の基板搬送ロボット（の基板搬送路）、基板加熱処理部、第２の基板搬送ロボット（の基板搬送路）がその順で配列された、いわゆる４列構成のもの（この構成の基板処理装置を、以下では第２の基板処理装置ともいう）などがある。
【０００３】
また、この種の基板処理装置は、基板加熱処理部で加熱された基板を常温付近の所定温度に冷却するための基板冷却処理部（基板を上面に支持して冷却するクールプレートを有する）を備えており、この基板冷却処理部と基板加熱処理部とは積層されて熱処理部を形成している。
【０００４】
そして、基板加熱処理部の処理室内や基板冷却処理部の処理室内の気流管理、熱処理中に基板から蒸発する溶剤の回収、基板加熱処理部の処理室内や基板冷却処理部の処理室内の粉塵（パーティクル）の回収などを目的として熱処理部（基板加熱処理部や基板冷却処理部）ではプロセス排気を行っている。このプロセス排気用のダクトは、排気バランスを良くして熱処理を均一に行うとともに、基板加熱処理部や基板冷却処理部に対する基板の搬入出を行う搬入出口が設けられている位置などの関係から、従来、熱処理部の薬液処理部側の側面に隣接した熱処理部の側面に設けられている。
【０００５】
このような構成の基板処理装置では、フォトリソグラフィ工程のうちの露光処理前後のレジスト塗布前ベークやレジスト塗布、プリベーク、露光後ベーク、現像、ポストベークなどの各種の基板処理を基板に施す。レジスト塗布前ベークやプリベーク、露光後ベーク、ポストベークなどのベーク処理は、基板を所定温度に加熱する処理であって基板加熱処理部で行われ、このベーク処理の後、加熱された基板は基板冷却処理部で常温付近の所定温度に冷却される。レジスト塗布はスピンコーターで行われ、現像はスピンデベロッパーで行われる。なお、露光処理自体は、本基板処理装置に付設された露光処理専用の露光ユニットで行われる。
【０００６】
基板搬送ロボット（第２の基板処理装置では第１、第２の基板搬送ロボット）は、予め決められた基板処理の順序（例えば、レジスト塗布前ベーク、レジスト塗布、プリベーク、（露光）、露光後ベーク、現像、ポストベークの順）に従って基板を基板加熱処理部や基板冷却処理部、薬液処理部（スピンコーターやスピンデベロッパー）に順次搬送したり、露光前の基板を露光ユニットに引き渡したり、露光済の基板を露光ユニットから受け取るなどの基板の搬送を行う。これにより、フォトリソグラフィ工程の一連の基板処理が基板に施される。
【０００７】
なお、第１の基板処理装置の基板搬送ロボットは、上述した基板搬送を全て行う。また、第２の基板処理装置では、上述した基板搬送のうち、少なくとも薬液処理部と基板冷却処理部への基板搬送は第１の基板搬送ロボットが行い、少なくとも基板加熱処理部と基板冷却処理部への基板搬送は第２の基板搬送ロボットが行い、第１、第２の基板搬送ロボットとの間の基板の受渡しは、例えば、基板冷却処理部を介して行うように構成されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、上記構成の第１、第２の基板処理装置で露光処理前後の各種の基板処理を実行させると、レジスト塗布工程で塗布されたレジストの膜厚が不均一になるという現象や、現像工程での現像処理に現像不良が生じ易いという現象などが起きており、また、上記４列構成の第２の基板処理装置で露光処理前後の各種の基板処理を実行させると、さらにパターン不良なども起きていた。
【０００９】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、レジスト塗布や現像などを適正に行うとともに、パターン不良などを防止し得る基板処理装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記目的を達成するために、上記不都合の発生原因を調査した。その結果、上記不都合は基板加熱処理部からの熱的影響を一つの原因として発生していたことを突き止めた。
【００１１】
例えば、現像を適正に行うためには、常温付近の所定温度（２３℃付近）の雰囲気内で、基板全体が上記雰囲気温度に保持された状態で処理される必要がある。そのため、クリーンルーム（この種の基板処理装置はクリーンルーム内に設置される）内の２３℃付近のダウンフローの気流を、現像処理を行うためのスピンデベロッパーが配設された処理室内に取込み、この処理室内の温度などの雰囲気をクリーンルーム内の雰囲気と同じにし、また、現像処理の前工程の基板冷却処理部における冷却処理では、現像処理に適した常温付近の所定温度に基板全体を冷却するようにしている。
【００１２】
また、レジスト塗布を適正に行うためには、常温付近の所定温度の雰囲気内で、基板全体が上記雰囲気温度に保持された状態で処理される必要がある。そのため、レジスト塗布を行うためのスピンコーターが配設された処理室内は、クリーンルーム内の２３℃付近のダウンフローの気流と異なる所定温度のダウンフローの気流を流し、特別に雰囲気管理し、また、レジスト塗布の前工程の基板冷却処理部における冷却処理では、レジスト塗布に適した常温付近の所定温度に基板全体を冷却するようにしている。
【００１３】
一方、基板加熱処理部では基板を１００℃以上に加熱するが、その加熱時の熱によって基板加熱処理部の周囲を覆っている外装カバーが熱せられる。従来の基板処理装置においては、この外装カバーの薬液処理部側の側面の温度が４０℃前後にも熱せられている。この基板加熱処理部の薬液処理部側の外装カバーから、常温付近よりも高い高温雰囲気が、熱処理部（基板加熱処理部や基板冷却処理部）と薬液処理部の間の基板搬送路に放射され、この熱的影響を受けてレジスト塗布や現像が適正に行えなかったことを突き止めた。
【００１４】
より詳しくは、以下のような挙動によってレジスト塗布や現像が基板加熱処理部からの熱的影響を受けているものと考えられる。
【００１５】
この種の基板処理装置は、スピンコーターが配設された処理室以外の基板搬送路などにも、上記スピンデベロッパーが配設された処理室と同様にクリーンルーム内のダウンフローの気流を取り込んでクリーンルーム内の雰囲気と同じになるように管理している。
【００１６】
また、基板加熱処理部と基板冷却処理部を積層するときには、基板冷却処理部への基板加熱処理部からの熱的影響を考慮して、図１８に示すように、基板冷却処理部１２を下段にして、その上に基板加熱処理部１１を積層している。
【００１７】
従って、基板加熱処理部１１の外装カバー１０の薬液処理部２（図１８では、薬液処理部２の一つであるスピンコーターＳＣを図示している）側の側面から放射される高温雰囲気は、基板搬送ロボット３の基板搬送路３０に取り込んでいるクリーンルーム内のダウンフローの気流（白抜きの矢印で示す）に乗って図１８の二点鎖線で示すように降下し、基板搬送ロボット３に支持され、基板冷却処理部１２から薬液処理部２へ搬送される基板Ｗの表面に当たり基板Ｗを熱し、これによって、基板冷却処理部１２で薬液処理（レジスト塗布や現像）に適した温度に温調された状態で薬液処理が行えず、レジスト塗布や現像が適正に行えなかったことが考えられる。なお、図１８中の斜線の矢印は、スピンコーターＳＣの処理室ＳＣＲ内の温度や湿度などの雰囲気を特別に管理するためのダウンフローの気流を示しており、符号ＨＰ、ＣＰは、それぞれホットプレート、クールプレートを示し、符号１は、基板加熱処理部１１と基板冷却処理部１２とを積層して形成される熱処理部を示している。
【００１８】
また、基板加熱処理部１１からの高温雰囲気が薬液処理部２の処理室（図では、スピンコーターＳＣが配設されている処理室ＳＣＲ）内に進入したり、薬液処理部２の処理室の外囲の基板搬送路３０側の側面を熱するなどにより、薬液処理部２の処理室内の雰囲気温度が、薬液処理に適した雰囲気温度よりも上昇することによっても、レジスト塗布や現像が適正に行えなかったことが考えられる。
【００１９】
すなわち、基板加熱処理部１１からの高温雰囲気によって薬液処理に適した温度に温調された基板Ｗ自体を熱したり、薬液処理部２の処理室内の雰囲気温度を変動させるなどの基板加熱処理部１１からの熱的影響によってレジスト塗布や現像が適正に行えなかったものと本発明者らは推定した。
【００２０】
このようなレジスト塗布工程での塗布レジストの不均一や、現像工程での現像不良は、最終的に線幅の不均一を招くことになる。特に、このような線幅の不均一は、線幅の微細化が著しい昨今の基板製造でより顕著に現れており、線幅の微細化が進む基板製造では無視できる問題ではない。
【００２１】
そこで、本発明者らは、上記のような推定に基づき、後述する請求項１、３に記載の発明をなし、フォトリソグラフィ工程の一連の基板処理を行ってみたところ、上述した３列構成の第１の基板処理装置や４列構成の第２の基板処理装置で起こっていたレジスト膜厚の不均一や現像不良などを好適に防止できたことを確認したが、４列構成の第２の基板処理装置では、依然パターン不良が発生していた。
【００２２】
そこで、本発明者らは、次に、上記第２の基板処理装置で発生しているパターン不良の発生原因の調査を行った。その結果、この不都合は以下に説明するように基板加熱処理部の駆動部から発生するパーティクルが原因で発生していたことを突き止めた。
【００２３】
基板加熱処理部１１には、例えば、基板搬送ロボット３との間で基板Ｗの受渡しを行うための基板昇降ピンを昇降駆動させたり、いわゆるＨＭＤＳ（ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌ  ｄｉｓｉｌａｚａｎｅ）  処理などの際にホットプレートの上面に支持された基板Ｗの周囲を覆う上カバーを昇降駆動させるためのエアシリンダなどの駆動部を備えている。この基板加熱処理部１１の駆動部は、ホットプレートＨＰを挟んで基板加熱処理部１１に対する基板Ｗの搬入／搬出を行うための搬入出口と反対側に設けられている。
【００２４】
ここで、図１９（ａ）に示すように、３列構成の第１の基板処理装置では、基板加熱処理部１１や基板冷却処理部１２などで構成される熱処理部１と、薬液処理部２との間に設けられた基板搬送ロボット３が基板加熱処理部１１や基板冷却処理部１２に対する基板Ｗの搬送を行うので、基板加熱処理部１１の搬入出口１１ａや基板冷却処理部１２の搬入出口１２ａは、薬液処理部２側に形成され、基板加熱処理部１１や基板冷却処理部１２の駆動部１３は基板搬送ロボット３と反対側に設けられ、これら駆動部１３とホットプレートＨＰやクールプレートＣＰはしきい板で仕切られている。従って、図の一点鎖線の矢印で示すように、基板加熱処理部１１の駆動部１３から発生したパーティクルが降下してきても、装置内で搬送される基板Ｗにこのパーティクルが付着することはない。
【００２５】
しかしながら、図１９（ｂ）に示すように、４列構成の第２の基板処理装置では、基板加熱処理部１１に対する基板Ｗの搬送は第２の基板搬送ロボット４が行うので、基板加熱処理部１１の搬入出口１１ａは、第２の基板搬送ロボット４の基板搬送路４０側に形成され、基板加熱処理部１１の駆動部１３は、薬液処理部２側に設けられる。一方、第２の基板処理装置では、第１、第２の基板搬送ロボット３、４の間の基板Ｗの受渡しのために、基板冷却処理部１２の搬入出口１２ａは第１、第２の基板搬送ロボット３、４の各基板搬送路３０、４０の双方の側に設けられ、基板冷却処理部１２の駆動部（図示を省略している）は例えばクールプレートＣＰの下方に設けられている。従って、図の一点鎖線の矢印で示すように、基板加熱処理部１１の駆動部１３から発生したパーティクルが降下してくると、そのパーティクルが第１の基板搬送ロボット３によって基板冷却処理部１２から薬液処理部２へ搬送される基板Ｗの表面に落ちて付着することになる。このように基板Ｗの表面にパーティクルが付着された状態でレジスト塗布や現像が行われることでパターン不良を招いていたと考えられる。
【００２６】
そこで、本発明者らは、このような推定に基づき、後述する請求項２、３に記載の発明をなし、フォトリソグラフィ工程の一連の基板処理を行ってみたところ、上述した４列構成の第２の基板処理装置で発生していたパターン不良をも好適に防止できたことを確認した。
【００２７】
以上説明したところにより、本発明者らがなした発明は、以下のようなものである。
【００２８】
すなわち、請求項１に記載の発明は、基板を上面に支持して加熱するホットプレートを備えた基板加熱処理部を積層するとともに、前記基板に薬液処理を施す薬液処理部と、少なくとも前記積層された基板加熱処理部と前記薬液処理部との間に設けられ、装置内での前記基板の搬送を行う基板搬送ロボットとを備え、かつ、前記積層された基板加熱処理部の前記薬液処理部側の側面に隣接する前記積層された基板加熱処理部の側面に、排気源に連通接続されたシステム排気ダクトが上下方向に設けられた基板処理装置において、前記積層された基板加熱処理部の前記薬液処理部側の側面に、排気源に連通接続された、前記システム排気ダクトと別個で、上端部分で前記基板加熱処理部の外部である外気に連通している排気ダクトを上下方向に設けたことを特徴とするものである。
【００２９】
また、請求項２に記載の発明は、上記請求項１に記載の基板処理装置において、前記基板搬送ロボットは、前記基板加熱処理部と前記薬液処理部との間に設けられ、少なくとも前記薬液処理部に対する基板の搬送を行う第１の基板搬送ロボットと、前記基板加熱処理部を挟んで前記第１の基板搬送ロボットと反対側に設けられ、少なくとも前記基板加熱処理部に対する基板の搬送を行う第２の基板搬送ロボットとで構成され、かつ、前記システム排気ダクトと別個に設けられた排気ダクトは、前記基板加熱処理部の前記薬液処理部側の側面付近に設けられた前記基板加熱処理部内の駆動部の周囲を覆うように設けられたことを特徴とするものである。
【００３０】
また、請求項３に記載の発明は、上記請求項１または２に記載の基板処理装置において、前記システム排気ダクトと別個に設けられた排気ダクトの外側に、排気源に連通接続されたさらに別個の排気ダクトを設けたことを特徴とするものである。
【００３１】
【作用】
本発明の作用は次のとおりである。
すなわち、請求項１に記載の発明によれば、基板加熱処理部の薬液処理部側の側面に新たに設けた排気ダクトで排気することで、基板加熱処理部の薬液処理部側の側面の熱気が排気され、また、空気流によるいわゆる空冷効果により、外部、すなわち、薬液処理部側に高温雰囲気が放射されるのが防止される。
【００３２】
また、この排気ダクトは、システム排気ダクトと別個に設けたので、システム排気ダクトによるシステム排気への影響、例えば、基板加熱処理部の処理室内の気流のバランスを崩すなどの影響がなく、基板への加熱処理に影響を与えない。
【００３３】
また、請求項２に記載の発明によれば、新たに設けた排気ダクトで排気することで、基板加熱処理部の薬液処理部側の側面から高温雰囲気が放射されるのを防止するとともに、基板加熱処理部の駆動部から発生したパーティクルの回収も行うことができる。
【００３４】
また、請求項３に記載の発明によれば、システム排気ダクトと別個に設けられた排気ダクトの外側に、さらに別個の排気ダクトを設けたことで、基板加熱処理部の薬液処理部側の側面の冷却効果を一層高めることができる。
【００３５】
【発明の実施の形態】
図１を参照して請求項１に記載の発明の実施の形態の概要を説明する。
図１（ａ）は、請求項１に記載の発明の実施の形態の概要を示す平断面図であり、図１（ｂ）は、その縦断面図である。
【００３６】
請求項１に記載の発明は、基板Ｗを上面に支持して加熱するホットプレートＨＰを備えた基板加熱処理部１１と、基板Ｗにレジスト塗布や現像などの薬液処理を施すスピンコーターやスピンデベロッパーを含む薬液処理部２（図では薬液処理部の一つであるスピンコーターＳＣを図示している）と、少なくとも基板加熱処理部１１と薬液処理部２との間に設けられ、装置内での基板Ｗの搬送を行う基板搬送ロボット（先に説明した第２の基板処理装置では第１の基板搬送ロボット）３とを備え、かつ、基板加熱処理部１１の薬液処理部２側の側面に隣接する基板加熱処理部２の側面に、排気源２１に連通接続されたシステム排気ダクト１４が設けられた基板処理装置において、基板加熱処理部１１の薬液処理部２側の側面に、排気源２２に連通接続された、システム排気ダクト１４と別個の排気ダクト１５を設けたことを特徴とするものである。
【００３７】
なお、図では、基板Ｗを上面に支持し、基板加熱処理部１１で加熱された基板Ｗを常温付近の所定温度に冷却するクールプレートＣＰを有する基板冷却処理部１２も図示しており、これら基板加熱処理部１１や基板冷却処理部１２が積層されるとともに、基板加熱処理部１１や基板冷却処理部１２が図のＸ軸方向に並設されて熱処理部１を形成している。また、図中の実線の矢印はシステム排気の流れを示し、点線の矢印は新たな排気ダクト１５による排気の流れを示している。さらに、図中の符号１４ａは、システム排気ダクト１４と基板加熱処理部１１の処理室内や基板冷却処理部１２の処理室内とを連通するための開口を示している。また、システム排気ダクト１４は配管１４ｂを介して排気源２１に連通接続されており、新たな排気ダクト１５は配管１５ａを介して排気源２２に連通接続されている。さらに、図中の符号１０、３０、白抜きの矢印、斜線の矢印は、図１８と同様にそれぞれ、基板加熱処理部１１や基板冷却処理部１２の周囲を覆う外装カバー（符号１０）、基板搬送ロボット（第１の基板搬送ロボット）３の基板搬送路、本基板処理装置内に取り込んでいるクリーンルーム内のダウンフローの気流（白抜きの矢印）、スピンコーターＳＣの処理室ＳＣＲ内の温度や湿度などの雰囲気を特別に管理するためのダウンフローの気流（斜線の矢印）を示している。
【００３８】
このように基板加熱処理部２の薬液処理部２側の側面に新たな排気ダクト１５を設けたことにより、この排気ダクト１５で排気（点線の矢印）することにより、基板加熱処理部１１の薬液処理部１２側の側面の熱気が排気され、また、空気流（点線の矢印）によるいわゆる空冷効果により、外部、すなわち、薬液処理部２側に高温雰囲気が放射されるのが防止され、従来、基板加熱処理部１１からの熱的影響で起こっていたレジスト塗布工程や現像工程での不都合を解消することができるようになった。
【００３９】
また、この新たな排気ダクト１５は、システム排気ダクト１４と別個に設けたので、システム排気ダクト１４によるシステム排気（実線の矢印）への影響、例えば、基板加熱処理部１１の処理室内や基板冷却処理部１２の処理室内の気流のバランスを崩すなどの影響がなく、基板Ｗへの加熱処理や冷却処理に影響を与えることもない。
【００４０】
なお、この請求項１に記載の発明は、先に説明した第１、第２の基板処理装置のいずれの構成のものにも適用できるが、第２の基板処装置に適用する場合には、基板加熱処理部１１の駆動部１３からのパーティクルの影響をも考慮して、次の請求項２に記載の発明のように構成することが好ましい。
【００４１】
次に、図２を参照して請求項２に記載の発明の実施の形態の概要を説明する。図２（ａ）は、請求項２に記載の発明の実施の形態の概要を示す平断面図であり、図２（ｂ）は、その縦断面図である。
【００４２】
請求項２に記載の発明は、上記請求項１に記載の基板処理装置において、基板搬送ロボットは、基板加熱処理部１１（熱処理部１）と薬液処理部２との間に設けられ、少なくとも薬液処理部２に対する基板Ｗの搬送を行う第１の基板搬送ロボット３と、基板加熱処理部１１（熱処理部１）を挟んで第１の基板搬送ロボット３と反対側に設けられ、少なくとも基板加熱処理部１１に対する基板Ｗの搬送を行う第２の基板搬送ロボット４とで構成された第２の基板処理装置の構成を有し、かつ、システム排気ダクト１４と別個に設けられた排気ダクト１５は、基板加熱処理部１１の薬液処理部２側の側面付近に設けられた基板加熱処理部１１内の駆動部１３の周囲を覆うように設けられたことを特徴とするものである。
【００４３】
なお、図中の符号１１ａ、１２ａ、４０は、図１９と同様にそれぞれ、基板加熱処理部１１の搬入出口（１１ａ）、基板冷却処理部１２の搬入出口（１２ａ）、第２の基板搬送ロボット４の基板搬送路を示す。
【００４４】
これにより、新たに設けた排気ダクト１５で排気することで、基板加熱処理部１１の薬液処理部２側の側面から高温雰囲気が放射されるのを防止するとともに、基板加熱処理部１１の駆動部１３から発生したパーティクルの回収も行なう（排気ダクト１５、配管１５ａを介して排気源２２で回収する）ことができ、基板加熱処理部１１からの熱的影響で起こっていたレジスト塗布工程や現像工程での不都合を解消することができるとともに、４列構成の第２の基板処理装置で起こっていたパターン不良も好適に防止できるようになった。
【００４５】
次に、図３、図４を参照して請求項３に記載の発明の実施の形態の概要を説明する。
図３（ａ）は、請求項３に記載の発明を第１の基板処理装置に適用した場合の実施の形態の概要を示す平断面図であり、図３（ｂ）は、その縦断面図、図４（ａ）は、請求項３に記載の発明を第２の基板処理装置に適用した場合の実施の形態の概要を示す平断面図であり、図４（ｂ）は、その縦断面図である。
【００４６】
請求項３に記載の発明は、上記請求項１または２に記載の基板処理装置において、システム排気ダクト１４と別個に設けられた排気ダクト１５の外側に、排気源２３に連通接続されたさらに別個の排気ダクト１６を設けたことを特徴とするものである。
【００４７】
なお、図では、排気ダクト１６は配管１６ａを介して排気源２３に連通接続されている。
【００４８】
システム排気ダクト１４と別個に設けられた排気ダクト１５の外側に、さらに別個の排気ダクト１６を設けたことで、新たに設けた排気ダクトのうち、内側の排気ダクト１５内の空気層が断熱層としても機能するので、基板加熱処理部１１の薬液処理部２側の側面の冷却効果を一層高めることができるようになった。
【００４９】
次に、本発明の具体的な実施例を説明する。
【００５０】
【実施例】
＜第１実施例＞
図５は、第１実施例に係る基板処理装置とインデクサの全体構成を示す一部省略斜視図であり、図６は、第１実施例に係る基板処理装置とインデクサとインターフェースユニット（ＩＦユニット）と露光ユニット（一部省略）の全体構成を示す平断面図、図７は、第１実施例に備えられた熱処理部の平断面図、図８は、第１実施例に備えられた熱処理部をインデクサ側から見た縦断面図、図９は、第１実施例に備えられた熱処理部の新たな排気ダクトを薬液処理部側から見た縦断面図である。なお、各図の位置関係を明確にするために、図１以下の各図中には共通するＸ、Ｙ、Ｚ軸を図示している。
【００５１】
図５、図６に示すように、この第１実施例に係る基板処理装置５は、先に説明した３列構成の第１の基板処理装置と同様の構成を有するもので、複数個の基板加熱処理部１１や基板冷却処理部１２などを備えた熱処理部１と、レジスト塗布用のスピンコーターＳＣや現像用のスピンデベロッパーＳＤ（図では、第１、第２のスピンデベロッパーＳＤ１、ＳＤ２を備えている）を備えた薬液処理部２と、装置５内で基板Ｗの搬送を行う基板搬送ロボット３などを備えており、基板搬送ロボット３は熱処理部１と薬液処理部２との間に設けられ、この基板搬送ロボット３の基板搬送路３０を挟んで熱処理部１（基板加熱処理部１１や基板冷却処理部１２）と薬液処理部２とが対向配置されて構成されている。
【００５２】
図５ないし図９に示すように、熱処理部１は、基板冷却処理部１２を下段にして基板加熱処理部１１をＺ軸方向に積層したものをＸ軸方向に複数列（図では６列）並設して構成されている。
【００５３】
基板加熱処理部１１は、底板７１上に、図示しないヒーターを内設したホットプレートＨＰや駆動部（図ではエアシリンダ）１３、しきい板７２などが支持されて構成されている。ホットプレートＨＰには、Ｚ軸方向に複数の貫通孔７３が設けられていて、各貫通孔７３それぞれに基板支持ピン７４が昇降可能に挿通されている。各基板支持ピン７４は、連結部材７５を介してエアシリンダ（駆動部）１３のロッド１３ａに連結された支持板７６に立設されていて、エアシリンダ１３のロッド１３ａの昇降によって一体的に昇降されるようになっている。これら基板支持ピン７４は、加熱処理前の基板ＷをホットプレートＨＰ上方で基板搬送ロボット３のアーム３１から受け取り、降下してホットプレートＨＰ上に基板Ｗを支持させるとともに、加熱処理済の基板ＷをホットプレートＨＰ上方に持ち上げ、基板搬送ロボット３のアーム３１に引き渡す動作を行う。
【００５４】
また、連結部材７５に連結された上カバー７７がホットプレートＨＰの上方に配置されていて、エアシリンダ１３のロッド１３ａの昇降によって基板支持ピン７４の昇降と連動して昇降されるようになっている。基板ＷがホットプレートＨＰの上に支持された状態で上カバー７７が基板Ｗの周囲を覆って基板Ｗへの加熱処理が行われる。このとき、窒素（Ｎ２  ）ガスが上カバー７７内に供給されてＮ２  雰囲気で加熱処理が行われたり、ＨＭＤＳ処理では、ＨＭＤＳとＮ２  ガスとの混合蒸気が上カバー７７内に供給される。
【００５５】
しきい板７２は、エアシリンダ１３とホットプレートＨＰ及びその上方の処理室７８とを仕切っている。このしきい板７２には、連結部材７５の昇降を許容する開口７９が設けられており、一方、連結部材７５には、連結部材７５（基板昇降ピン７４や上カバー７７）の昇降にかかわらず常に上記開口７９を塞ぐ板部材８０が取り付けられている。
【００５６】
基板冷却処理部１２は、基板加熱処理部１１のホットプレートＨＰの代わりに、図示しない冷却板、ペルチェ素子、放熱板で構成されたクールプレートＣＰを備え、上カバー７７を省略した以外は、基板加熱処理部１１とおおよそ同様の構成を有するので、同一部品に同じ符号を付してその詳述は省略する。
【００５７】
先にも述べたように上記基板加熱処理部１１や基板冷却処理部１２はＺ軸方向に積層され、これら基板加熱処理部１１や基板冷却処理部１２の外周を覆うように外装カバー１０が設けられている。この状態で、クールプレートＣＰと上方の基板加熱処理部１１の底板７１との間の空間が基板冷却処理部１２の処理室８１になり、また、各ホットプレートＨＰと上方の各基板加熱処理部１１の底板７１や外装カバー１０の上面との間の空間が各基板加熱処理部１１の処理室７８になる。
【００５８】
各基板加熱処理部１１や基板冷却処理部１２の薬液処理部２側の側面に隣接する各基板加熱処理部１１や基板冷却処理部１２の側面（熱処理部１の各列の間の隙間）にシステム排気ダクト１４がＺ方向に延びて形成された中空部材９１が配設されている。この中空部材９１の側面には各処理室７８、８１と排気ダクト１４とを連通する開口１４ａが形成されている。そして、各排気ダクト１４の上端は、外装カバー１０の上面によって塞がれており、下端は、排気源２１に連通接続された配管１４ｂに連通接続されていて、排気ダクト１４、配管１４ｂを介して各処理室７８、８１内のシステム排気（実線の矢印で示す）が行われる。なお、配管１４ｂは、各基板冷却処理部１２の下方にＸ軸方向に沿って配設されている。
【００５９】
また、各基板加熱処理部１１や基板冷却処理部１２の各エアシリンダ（駆動部）１３の上方の外装カバー１０には小孔（図示ぜず）が開けられていて、クリーンルーム内のダウンフローの気流（白抜きの矢印で示す）が取り込まれており、エアシリンダ１３から発生するパーティクルを下方に流下させて排除するようにしている。なお、基板加熱処理部１１や基板冷却処理部１２（の処理室７８や８１）に対する基板Ｗの搬入／搬出は、基板搬送ロボット３によってなされるので、薬液処理部２側から行われる。一方、各基板加熱処理部１１や基板冷却処理部１２の各エアシリンダ（駆動部）１３は、ホットプレートＨＰやクールプレートＣＰを挟んで薬液処理部２と反対側に、しきい板７２を隔てて設けられているので、各エアシリンダ（駆動部）１３から発生したパーティクルが基板Ｗの表面に付着するようなことはなく、エアシリンダ１４から発生するパーティクルを有効に排除することができる。
【００６０】
次に、本発明の要部である熱処理部１の薬液処理部２側の側面の構成を説明する。
この側面の外装カバー１０は二重構造にして中空部を形成し、この中空部を新たな排気ダクト１５として構成している。また、この側面には、基板搬送ロボット３のアーム３１が挿抜されて基板加熱処理部１１や基板冷却処理部１２の処理室７８や８１に基板Ｗを搬入／搬出するための搬入出口１１ａ、１２ａが設けられおり、基板の搬入／搬出時のみ開口されるシャッター８２も設けられている。なお、上記排気ダクト１５の搬入出口１１ａ、１２ａの部分は囲い１５ｂが形成されており、基板Ｗの通過する通路と、排気ダクト１５とが分離されており、排気ダクト１５内の排気流（点線の矢印で示す）は、この搬入出口１１ａ、１２ａの基板Ｗが通過する通路を避けて流れる。
【００６１】
熱処理部１の各列の薬液処理部２側の側面の排気ダクト１５の下端は、排気源２２に連通接続された配管１５ａに連通接続されており、熱処理部１の薬液処理部２側の側面を排気している。なお、配管１５ａは、図９に示すように、各基板冷却処理部１２の下方にＸ軸方向に沿って配設されている。
【００６２】
また、熱処理部１の上面の外装カバー１０のうち、排気ダクト１５の上端を覆う部分には子孔（図示せず）が設けられていて、排気ダクト１５は上端部分で外気（熱処理部の外部）を連通されている。
【００６３】
これにより、基板加熱処理部２の薬液処理部２側の側面の熱気が排気され、また、空気流（点線の矢印）によるいわゆる空冷効果により、外部、すなわち、薬液処理部２側に高温雰囲気が放射されるのが防止され、従来、基板加熱処理部２からの熱的影響で起こっていたレジスト塗布工程や現像工程での不都合を解消することができる。また、この新たな排気ダクト１５は、システム排気ダクト１４と別個に設けたので、システム排気ダクト１４によるシステム排気への影響、例えば、基板加熱処理部１１や基板冷却処理部１２の処理室７８や８１内の気流のバランスを崩すなどの影響がなく、基板Ｗへの加熱処理や冷却処理に影響を与えることもない。
【００６４】
なお、図では、全て基板冷却処理部１２を下段にしてその上に複数個の基板加熱処理部１１が積層されているが、基板加熱処理部１１のみを複数個積層する場合や、空き部分が設けられて基板加熱処理部１１や基板冷却処理部１２が積層される場合などもあるが、このような構成のものに対しても、上述と同様に、熱処理部１の薬液処理部２側の側面（の外装カバー１０）に新たな排気ダクト１５を設けることでその側面（の外装カバー１０）の冷却を行なうことができる。
【００６５】
図５、図６に戻って、薬液処理部２を構成するスピンコーターＳＣは、外囲に覆われた処理室ＳＣＲ内に配設されており、この処理室ＳＣＲ内には、レジスト塗布に適した雰囲気がダウンフローで供給され、レジスト塗布に適した雰囲気になるように管理している。また、薬液処理部２を構成する各スピンデベロッパーＳＤ（ＳＤ１、ＳＤ２）も各々外囲に覆われた処理室ＳＤＲ内に配設されており、各処理室ＳＤＲ内にクリーンルーム内のダウンフローの気流を取り込んで雰囲気管理している。
【００６６】
また、各処理室ＳＣＲ、ＳＤＲの外囲の熱処理部１側の面には、基板搬送ロボット３のアーム３１が挿抜されて基板Ｗを各処理室ＳＣＲ、ＳＤＲ内に搬入／搬出するための搬入出口２ａが形成されている。この搬入出口２ａは上記各基板加熱処理部１１や各基板冷却処理部１２の搬入出口１１ａ、１２ａと同様のシャッター（図示せず）が設けられていて、基板Ｗが搬入／搬出されるときだけ開口されるようになっている。
【００６７】
基板搬送ロボット３は、基板Ｗの外周縁を載置支持するアーム３１と、アーム３１を水平１軸方向に出退させるための駆動機構（図示せず）を内蔵したアーム支持部３２と、アーム支持部３２およびアーム３１を鉛直軸（Ｚ軸に平行な軸）回りに回転させる駆動機構（図示せず）と、アーム支持部３２およびアーム３１を図のＺ軸方向に昇降させるための駆動機構（図示せず）と、アーム支持部３２およびアーム３１を図のＸ軸方向に移動させるための駆動機構（図示せず）などで構成されている。
【００６８】
アーム３１の出退用の駆動機構や、アーム支持部３２およびアーム３１の昇降やＸ軸方向への移動用の駆動機構は、ネジ軸やガイド軸、モータなどからなる周知の１軸方向駆動機構などで構成され、アーム支持部３２およびアーム３１の鉛直軸回りの回転は、モータの回転などで実現されている。
【００６９】
上記構成を有する基板搬送ロボット３は、基板Ｗをアーム３１に載置支持し、このアーム３１のＸ軸方向、Ｚ軸方向への移動動作、アーム支持部３２を鉛直軸回りに回転させ、アーム３１の出退させる方向を熱処理部１（任意の基板加熱処理部１１や基板冷却処理部１２）または薬液処理部２（スピンコーターＳＣや任意のスピンデベロッパーＳＤ）に向ける動作、アーム３１を出退させる動作を適宜に組み合わせて、任意の基板加熱処理部１１、基板冷却処理部１２、スピンコーターＳＣ、スピンデベロッパーＳＤなどの間で基板Ｗを搬送するようにしている。
【００７０】
なお、基板処理装置５内のうち、スピンコーターＳＣが配設された処理室ＳＣＲ以外の基板搬送ロボット３の基板搬送路３０や、スピンデベロッパーＳＤが配設された処理室ＳＤＲなどにはクリーンルーム内のダウンフローの気流が取り込まれている。
【００７１】
インデクサ６は、複数枚の基板Ｗが収納される搬送用のキャリアＣを載置するための搬入出テーブル６１や、このキャリアＣと上記基板処理装置５内の基板搬送ロボット３との間で基板Ｗの受渡しを行うための基板搬入出ロボット６２などで構成される。
【００７２】
露光ユニット７は、露光処理を行うためのもので、縮小投影露光機（ステッパー）などの露光機や、露光機での露光の際の基板Ｗの位置合わせを行うアライメント機構、露光ユニット７内での基板Ｗの搬送を行う基板搬送ロボットなど（いずれも図示せず）を一体的にユニット化して構成されている。
【００７３】
ＩＦユニット８は、基板処理装置５と露光ユニット７との間で基板Ｗの受渡しを行うためのユニットで、基板処理装置５内の基板搬送ロボット３から受け取った露光前の基板Ｗを露光ユニット７内の基板搬送ロボットに引き渡したり、露光ユニット７内の基板搬送ロボットから受け取った露光済の基板Ｗを基板処理装置５内の基板搬送ロボット３に引き渡す基板受渡しロボット（図示せず）などを備えている。
【００７４】
これらインデクサ６、基板処理装置５、ＩＦユニット８、露光ユニット７の動作を以下に説明する。
【００７５】
基板処理装置５や露光ユニット７で行われるフォトリソグラフィ工程の一連の基板処理が行われる前の基板Ｗが複数枚収納されたキャリアＣは、図示しないキャリアの自動搬送装置（Ａｕｔｏ  Ｇｕｉｄｅｄ  Ｖｅｈｉｃｌｅ  ：以下、ＡＧＶという）によって前工程から搬送されてきてインデクサ６の搬入出テーブル６１に載置される。基板搬入出ロボット６２は、このキャリアＣから基板Ｗを１枚ずつ取り出し、基板処理装置５内の基板搬送ロボット３のアーム３１に順次引き渡していく。
【００７６】
ここでは、基板処理装置５で、露光処理前の基板処理として、例えば、レジスト塗布前ベーク、レジスト塗布、プリベークを行い、露光処理後の基板処理として、例えば、露光後ベーク、現像、ポストベークを行うものとする。
【００７７】
基板搬送ロボット３は、上記処理の順序に従って基板Ｗを搬送する。すなわち、基板搬入出ロボット６２から基板Ｗを受け取ると、その基板Ｗを、基板加熱処理部１１、基板冷却処理部１２、スピンコーターＳＣ（の処理室ＳＣＲ）、基板加熱処理部１１、基板冷却処理部１２の順に搬送し、レジスト塗布前ベーク（基板加熱処理部１１）、レジスト塗布前ベーク後のレジスト塗布に適した温度への冷却処理（基板冷却処理部１２）、レジスト塗布（スピンコーターＳＣ）、プリベーク（基板加熱処理部１１）、プリベーク後の冷却処理（基板冷却処理部１２）を行わせる。
【００７８】
プリベーク後の冷却処理が終了すると、基板搬送ロボット３は、その基板ＷをＩＦユニット８内の基板受渡しロボットに引き渡し、この基板受渡しロボットが露光ユニット７内の基板搬送ロボットにその基板Ｗを引渡し、露光ユニット７内で露光処理が行われる。
【００７９】
露光ユニット７での露光処理が終了すると、ＩＦユニット８を介して露光済の基板Ｗが基板処理装置５内の基板搬送ロボット３に渡される。基板搬送ロボット３は、露光済の基板Ｗを受け取ると、その基板Ｗを、基板加熱処理部１１、基板冷却処理部１２、スピンデバロッパーＳＤ（の処理室ＳＤＲ）、基板加熱処理部１１、基板冷却処理部１２の順に搬送し、露光後ベーク（基板加熱処理部１１）、露光後ベークの後の現像に適した温度への冷却処理（基板冷却処理部１２）、現像（スピンデベロッパーＳＤ）、ポストベーク（基板加熱処理部１１）、ポストベーク後の冷却処理（基板冷却処理部１２）を行わせる。
【００８０】
ポストベーク後の冷却処理が終了すると、基板搬送ロボット３は、その基板Ｗを基板冷却処理部１２から取り出し、インデクサ６の基板搬入出ロボット６２に引き渡す。基板搬入出ロボット６２は基板搬送ロボット３から受け取った、フォトリソグラフィ工程の一連の基板処理が終了した基板Ｗを搬入出テーブル６１に待機されている空のキャリアＣに順次収納していく。そして、フォトリソグラフィ工程の一連の基板処理が終了した基板Ｗが所定枚数キャリアＣに収納されると、そのキャリアＣはＡＧＶによってフォトリソグラフィ工程の後工程へと搬送されていく。
【００８１】
なお、露光処理の場合も、露光処理に適した基板Ｗの温度があり、プリベークの後の冷却処理ではそのような温度に基板Ｗ全体を冷却し、そのように温調された状態で基板Ｗが露光ユニット７に搬送されることが望まれる。本実施例では、基板冷却処理部１２からＩＦユニット８への基板搬送においても、基板加熱処理部１１からの熱的影響を受けることがない。また、ＩＦユニット８や露光ユニット７内の温度や湿度などの雰囲気は適切に管理されていて、これらユニット８、７の搬送中に基板Ｗの温度が変動しないようにしている。従って、本実施例によれば、基板冷却処理部１２で露光に適した温度に温調された状態で、基板Ｗに露光処理を行わせることができ、温度変動に起因する露光処理時の露光ムラなどの不都合も防止することができる。
【００８２】
＜第２実施例＞
図１０は、第２実施例に係る基板処理装置とインデクサの全体構成を示す一部省略斜視図であり、図１１は、第２実施例に係る基板処理装置とインデクサとＩＦユニットと露光ユニット（一部省略）の全体構成を示す平断面図、図１２は、第２実施例に備えられた熱処理部の平断面図、図１３は、第２実施例に備えられた熱処理部をインデクサ側から見た縦断面図である。なお、図１３では、基板冷却処理部１２内のエアシリンダ（駆動部）１３の図示を省略しているが、この基板冷却処理部１２内のエアシリンダ（駆動部）１３は、例えば、クールプレートＣＰの下方に設けられている。
【００８３】
この第２実施例に係る基板処理装置５は、先に説明した４列構成の第２の基板処理装置と同様の構成を有している。
【００８４】
すなわち、熱処理部１を挟んで基板搬送ロボット（第１の基板搬送ロボット）３と反対側に別体の第２の基板搬送ロボット４を設けて構成されている。この第２の基板搬送ロボット４は、第１の基板搬送ロボット３と同様の構成を有している。
【００８５】
第１の基板搬送ロボット３は、基板冷却処理部１２と薬液処理部２（スピンコーターＳＣやスピンデベロッパーＳＤ）との間の基板搬送を行い、第２の基板搬送ロボット４は、基板加熱処理部１１と基板冷却処理部１２との間の基板搬送と、インデクサ６の基板搬入出ロボット６２との間の基板Ｗの受渡し、および、ＩＦユニット８内の基板受渡しロボットとの間の基板Ｗの受渡しを行う。
【００８６】
これに伴い、基板加熱処理部１１の搬入出口１１ａは、第２の基板搬送ロボット４の基板搬送路４０側にのみ設けられ、基板冷却処理部１２の搬入出口１２ａは、各基板搬送ロボット３、４の各基板搬送路３０、４０の双方の側に設けられている。また、基板加熱処理部１１のエアシリンダ（駆動部）１３は、薬液処理部２側に設けられている。この第２実施例では、基板加熱処理部１１の薬液処理部２側に新たに設けた排気ダクト１５（薬液処理部２側の外装カバー１０としきい板７２とで囲まれて形成されている）は、各基板加熱処理部１１のエアシリンダ（駆動部）１３を覆うように設けられている。この排気ダクト１５、配管１５ａ、排気源２２による排気で、基板加熱処理部１１の薬液処理部２側の側面が冷却されるとともに、駆動部１３から発生したパーティクルの回収も行われる。
【００８７】
また、第１の基板搬送ロボット３と第２の基板搬送ロボット４との間の基板Ｗの受渡しは基板冷却処理部１２を介して行われる。すなわち、レジスト塗布前ベークや露光後ベークの後の冷却処理のために第２の基板搬送ロボット４が基板Ｗを基板冷却処理部１２に搬送し、そこでの冷却処理が終了すると、第１の基板搬送ロボット３が冷却された基板Ｗを基板冷却処理部１２から取り出し、薬液処理部２に搬送することで、第２の基板搬送ロボット４から第１の基板搬送ロボット３への基板Ｗの受渡しが行われ、一方、薬液処理（レジスト塗布や現像）が終了すると、第１の基板搬送ロボット３が基板冷却処理部１２に薬液処理後の基板Ｗを搬送し（ただし、このときには、基板冷却処理部１２で冷却処理は行わない）、第２の基板搬送ロボット４がその基板Ｗを基板冷却処理部１２から取り出すことで、第１の基板搬送ロボット３から第２の基板搬送ロボット４への基板Ｗの受渡しが行われる。
【００８８】
なお、第１の基板搬送ロボット３は、基板冷却処理部１２と薬液処理部２との間の基板搬送のみを行い、基板加熱処理部１１に対する基板Ｗの搬送を行わないので、基板冷却処理部１２と薬液処理部２との間の基板Ｗの搬送を同一水平面で行なえるようにすれば、第１の基板搬送ロボット３は、アーム３１をＺ軸方向に昇降可能に構成しなくてもよい。
【００８９】
また、第２の基板搬送ロボット４の基板搬送路４０にもクリーンルーム内のダウンフローの気流が取り込まれている。
【００９０】
その他の基板処理装置５の構成や、インデクサ６、露光ユニット７、ＩＦユニット８の構成は、上記第１実施例と同様であるので、その詳述は省略する。
【００９１】
このような構成の基板搬送装置５であっても、上記第１実施例と同様に、基板加熱処理部１１からの熱的影響に起因して起こっていたレジスト膜厚の不均一や現像不良を防止することができ、それに加えて、基板加熱処理部１１の駆動部１３から発生していたパーティクルが基板Ｗの表面に付着することで起こっていたパターン不良などの不都合も防止できる。
【００９２】
＜第３実施例＞
図１４は、第３実施例に備えられた熱処理部の平断面図であり、図１５は、第３実施例に備えられた熱処理部をインデクサ側から見た縦断面図である。
【００９３】
この第３実施例に係る基板処理装置５も、第２実施例と同様に４列構成の第２の基板処理装置と同様の構成を有していて、全体的な構成は第２実施例と同様であるので、ここでの詳述は省略する。
【００９４】
この第３実施例は、第２実施例において基板加熱処理部１１の薬液処理部２側に、基板加熱処理部１１の駆動部１３を覆うように新たに設けた排気ダクト１５の外側（薬液処理部２側）にさらに別の排気ダクト１６を設けたことを特徴とする。この排気ダクト１６の下端は、排気源２３に連通接続された配管１６ａに連通接続され、排気ダクト１５、配管１５ａ、排気源２２による排気とともに、基板加熱処理部１１の薬液処理部２側の側面（の外装カバー１０）の排気を行う。
【００９５】
排気ダクト１５、配管１５ａ、排気源２２による排気で、基板加熱処理部１１の薬液処理部２側の側面（の外装カバー１０）の冷却と、基板加熱処理部１１の駆動部１３から発生するパーティクルの回収を行い、排気ダクト１６、配管１６ａ、排気源２３による排気で、基板加熱処理部１１の薬液処理部２側の側面（の外装カバー１０）の冷却を行う。
【００９６】
排気ダクト１５、配管１５ａ、排気源２２による排気では、基板加熱処理部１１の薬液処理部２側の側面（の外装カバー１０）の冷却が不十分であっても、排気ダクト１６、配管１６ａ、排気源２３による排気で、基板加熱処理部１１の薬液処理部２側の側面（の外装カバー１０）の冷却効果を高めることができる。このとき、ホットプレートＨＰと排気ダクト１６との間に排気ダクト１５が介在するので、その空気層が断熱層として機能し、排気ダクト１６、配管１６ａ、排気源２３による排気で、基板加熱処理部１１の薬液処理部２側の側面（の外装カバー１０）を充分に冷却することができる。
【００９７】
次に、上述した各実施例に対するいくつかの変形例を説明する。
〔変形例１〕
上記第１実施例では、熱処理部１の各列の薬液処理部２側の側面の外装カバー１０が一体的に構成されているので、基板冷却処理部１２の薬液処理部２側の側面の排気も行っているが、各基板加熱処理部１１の薬液処理部２側の側面のみに新たな排気ダクト１６を設けるように構成してもよい。
【００９８】
〔変形例２〕
上記第１、第２実施例では、システム排気の排気源２１と、熱処理部１の薬液処理部２側の側面の新たな排気の排気源２２とを別にして図示しているが、共通する排気源で構成してもよい。また、上記第３実施例では、システム排気の排気源２１と、熱処理部１の薬液処理部２側の側面の新たな排気の排気源２２、２３をそれぞれ別にして図示しているが、熱処理部１の薬液処理部２側の側面の２系統の排気の排気源を共通の排気源で構成したり、全ての排気の排気源を共通する排気源で構成してもよい。
【００９９】
〔変形例３〕
上記第３実施例では、４列構成の第２の基板処理装置に対して、排気ダクト１５の外側に排気ダクト１６を設けた場合を示しているが、第１実施例で説明した３列構成の第１の基板処理装置に対して、排気ダクト１５の外側に排気ダクト１６を設けてもよい（図３（ａ）、（ｂ）参照）。
【０１００】
〔変形例４〕
第２実施例で説明した４列構成の第２の基板処理装置において、図１６（ａ）に示すように、基板加熱処理部１１の薬液処理部２側の側面の外装カバー１０に中空部を設け、これを新たな排気ダクト１５として構成しても、少なくとも基板加熱処理部１１からの熱的影響で起きてきた塗布レジストの不均一や現像不良が解消できる。また、図１６（ｂ）に示すように、さらにその外側に別個の排気ダクト１６を設ければ、基板加熱処理部１１の薬液処理部２側の側面（の外装カバー１０）の冷却効果を高めることができる。
【０１０１】
〔変形例５〕
第１実施例において、基板搬送ロボット３を複数台設置し、基板加熱処理部１１、基板冷却処理部１２、薬液処理部２（スピンコーターＳＣ、スピンデベロッパーＳＤ）の間の基板Ｗの搬送と、インデクサ６内の基板搬入出ロボット６２との間の基板Ｗの受渡し、および、ＩＦユニット８内の基板受渡しロボットとの間の基板Ｗの受渡しを、これら複数台の基板搬送ロボット３が協働して行うように構成してもよい。
【０１０２】
〔変形例６〕
第２実施例においても同様に、第１の基板搬送ロボット３、または／および、第２の基板搬送ロボット４を複数台設置してもよい。なお、第２実施例において第１の基板搬送ロボット３を３台設置し、スピンコーターＳＣとそれに対向する基板冷却処理部１２との間の基板Ｗの搬送、第１のスピンデベロッパーＳＤ１とそれに対向する基板冷却処理部１２との間の基板Ｗの搬送、第２のスピンデベロッパーＳＤ２とそれに対向する基板冷却処理部１２との間の基板Ｗの搬送を各々の第１の基板搬送ロボット３に分担させるように構成すれば、各々の第１の基板搬送ロボット３は、図１０、図１１のＸ軸方向へ移動自在に構成する必要もない。このとき、インデクサ６から２列目、４列目、６列目の熱処理部１の基板加熱処理部１１などに対しては第２の基板搬送ロボット４のみが基板Ｗの搬送を行なえることになるので、これら２列目、４列目、６列目の熱処理部１には基板加熱処理部１１のみを積層してもよいし、基板加熱処理部１１と基板冷却処理部１２を積層する場合であっても、この基板冷却処理部１２は第２の基板搬送ロボット４の基板搬送路４０側にのみ搬入出口１２ａを設けるなどして第２の基板搬送ロボット４専用に構成すればよい。
【０１０３】
〔変形例７〕
第２実施例において、図１７に示すように、各基板搬送ロボット３、４の間での基板Ｗの受渡しのための基板受渡し部１７を熱処理部１に別途設けてもよい。この場合、薬液処理部２での薬液処理の前には基板Ｗの冷却が行われるが、薬液処理の後すぐに冷却処理を行うことはないので、例えば、第１の基板搬送ロボット３から第２の基板搬送ロボット４への基板Ｗの受渡しをこの基板受渡し部１７を介して行わせ、また、第２の基板搬送ロボット４から第１の基板搬送ロボット３への基板Ｗの受渡しを基板冷却処理部１２を介して行わせるようにすれば、各基板搬送ロボット３、４の間の双方向の基板Ｗの受渡しがスムーズに行なえる。なお、この基板受渡し部１７は、基板Ｗの搬入／搬出用の搬入出口１７ａを各基板搬送ロボット３、４の各基板搬送路３０、４０の双方の側に設け、また、例えば、基板Ｗを載置支持する複数本の基板支持ピン１７ｂを固定立設させて構成されている。第１の基板搬送ロボット３はこの基板支持ピン１７ｂの上に基板Ｗを載置させ、第２の基板搬送ロボット４がその基板Ｗを取り出すことで、第１の基板搬送ロボット３から第２の基板搬送ロボット４への基板Ｗの受渡しが行われる。また、この構成においては、第１の基板搬送ロボット３は、薬液処理部２と基板冷却処理部１２と基板受渡し部１７との間で基板搬送を行い、第２の基板搬送ロボット４は、基板加熱処理部１１と基板冷却処理部１２と基板受渡し部１７の間で基板搬送を行うとともに、インデクサ６の基板搬入出ロボット６２との間の基板Ｗの受渡し、および、ＩＦユニット８内の基板受渡しロボットとの間の基板Ｗの受渡しを行う。
【０１０４】
〔変形例８〕
上記各実施例では、薬液処理部２を１台のスピンコーターＳＣと２台のスピンデベロッパーＳＤ（ＳＤ１、ＳＤ２）とで構成したが、スピンコーターＳＣが複数台設けられた基板処理装置やスピンデベロッパーＳＤが１台または３台以上設けられた基板処理装置であっても本発明は同様に適用できる。
【０１０５】
〔変形例９〕
上記第２、第３実施例において、ＩＦユニット８内の基板受渡しロボットとの間の基板Ｗの受渡しを第２の基板搬送ロボット４が行う構成であると、第２の基板搬送ロボット４による基板冷却処理部１２からＩＦユニット８への、露光処理に適した温度に温調された基板Ｗの搬送の際に、その基板Ｗは第２の基板搬送ロボット４の基板搬送路４０において基板加熱処理部１１からの熱的影響を受けることになるが、このような不都合をなくすために、熱処理部１の第２の基板搬送ロボット４の基板搬送路４０側の側面（の外周カバー１０）にも排気源に連通接続された排気ダクトを設けて冷却するようにしてもよい。また、ＩＦユニット８内の基板受渡しロボットとの間の基板Ｗの受渡しを第１の基板搬送ロボット３が行う構成であると、上記各実施例のように熱処理部１の薬液処理部２側の側面（の外周カバー１０）に、排気源に連通接続される排気ダクト１５（および１６）を設けてその側面を冷却する構成であっても、基板搬送ロボット３による基板冷却処理部１２からＩＦユニット８への、露光処理に適した温度に温調された基板Ｗの搬送の際に、その基板Ｗが第１の基板搬送ロボット３の基板搬送路３０において基板加熱処理部１１からの熱的影響を受けることがない。
【０１０６】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、請求項１に記載の発明によれば、基板加熱処理部の薬液処理部側の側面に、排気源に連通接続された、新たな排気ダクトを設けたので、この排気ダクトで排気することにより、基板加熱処理部の薬液処理部側の側面の熱気が排気され、また、空気流によるいわゆる空冷効果により、外部、すなわち、薬液処理部側に高温雰囲気が放射されるのが防止され、従来、基板加熱処理部からの熱的影響で起こっていたレジスト塗布工程や現像工程での不都合を解消することができ、それに起因して発生していた線幅の不均一を防止できるようになった。
【０１０７】
また、この新たな排気ダクトは、既存のシステム排気ダクトと別個に設けたので、システム排気ダクトによるシステム排気への影響、例えば、基板加熱処理部の処理室内の気流のバランスを崩すなどの影響がなく、基板への加熱処理に影響を与えることもない。
【０１０８】
また、請求項２に記載に発明によれば、新たに設けた排気ダクトで排気することで、基板加熱処理部の薬液処理部側の側面から高温雰囲気が放射されるのを防止するとともに、基板加熱処理部の駆動部から発生したパーティクルの回収も行なうことができ、基板加熱処理部からの熱的影響で起こっていたレジスト塗布工程や現像工程での不都合を解消して線幅の不均一を防止することができるとともに、４列構成の第２の基板処理装置で起こっていたパターン不良も好適に防止できるようになった。
【０１０９】
また、請求項３に記載の発明によれば、システム排気ダクトと別個に設けられた排気ダクトの外側に、さらに別個の排気ダクトを設けたことで、基板加熱処理部の薬液処理部側の側面の冷却効果を一層高めることができるようになった。
【図面の簡単な説明】
【図１】請求項１に記載の発明の実施の形態の概要を示す平断面図と縦断面図である。
【図２】請求項２に記載の発明の実施の形態の概要を示す平断面図と縦断面図である。
【図３】請求項３に記載の発明を第１の基板処理装置に適用した場合の実施の形態の概要を示す平断面図と縦断面図である。
【図４】請求項３に記載の発明を第２の基板処理装置に適用した場合の実施の形態の概要を示す平断面図と縦断面図である。
【図５】第１実施例に係る基板処理装置とインデクサの全体構成を示す一部省略斜視図である。
【図６】第１実施例に係る基板処理装置とインデクサとインターフェースユニット（ＩＦユニット）と露光ユニット（一部省略）の全体構成を示す平断面図である。
【図７】第１実施例に備えられた熱処理部の平断面図である。
【図８】第１実施例に備えられた熱処理部をインデクサ側から見た縦断面図である。
【図９】第１実施例に備えられた熱処理部の新たな排気ダクトを薬液処理部側から見た縦断面図である。
【図１０】第２実施例に係る基板処理装置とインデクサの全体構成を示す一部省略斜視図である。
【図１１】第２実施例に係る基板処理装置とインデクサとＩＦユニットと露光ユニット（一部省略）の全体構成を示す平断面図である。
【図１２】第２実施例に備えられた熱処理部の平断面図である。
【図１３】第２実施例に備えられた熱処理部をインデクサ側から見た縦断面図である。
【図１４】第３実施例に備えられた熱処理部の平断面図である。
【図１５】第３実施例に備えられた熱処理部をインデクサ側から見た縦断面図である。
【図１６】実施例に対する変形例４の概略構成を示す縦断面図である。
【図１７】実施例に対する変形例７の概略構成を示す縦断面図である。
【図１８】従来装置の問題点を説明するための図である。
【図１９】従来装置の別の問題点を説明するための図である。
【符号の説明】
１  …  熱処理部
２  …  薬液処理部
３  …  基板搬送ロボット（第１の基板搬送ロボット）
４  …  第２の基板搬送ロボット
５  …  基板処理装置
１１  …  基板加熱処理部
１２  …  基板冷却処理部
１３  …  駆動部
１４  …  システム排気ダクト
１５、１６  …  新たに設けた排気ダクト
２１、２２、２３  …  排気源
Ｗ  …  基板
ＳＰ  …  スピンコーター
ＳＤ（ＳＤ１、ＳＤ２）  …  （第１、第２の）スピンデベロッパー
ＨＰ  …  ホットプレート
ＣＰ  …  クールプレート
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図９】
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【図８】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１４】
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【図１３】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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