(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に窪みを形成された半導体基板と、
前記窪みを覆うように前記半導体基板の表面に設けられた絶縁薄膜と、
前記絶縁薄膜上に設けられた回路パターンとを備え、
前記絶縁薄膜のうち前記窪みに対向する箇所には、前記窪みをエッチングにより形成するためのエッチングホールが配列されている半導体装置において、
隣接するエッチングホール間の領域を通過するようにして前記絶縁薄膜上に導電体または抵抗体からなる破断検査用回路パターンが配線されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記絶縁薄膜は四辺形をしており、
前記エッチングホールは前記絶縁薄膜の相対向する２組の２辺間に掛け渡すようにして十字状に配列され、隣接するエッチングホール間の領域を通過するようにして前記絶縁薄膜に回路パターンが配線され、エッチングホールの配列の交差部分では、一方の方向に延びたエッチングホールの配列から他方の方向に延びたエッチングホールの配列に沿うように前記破断検査用回路パターンが配線されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記破断検査用回路パターンは、配列された前記エッチングホールに沿って蛇行状に配線されていることを特徴とする、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記破断検査用回路パターンは、四辺形に開口された前記エッチングホールの３辺に沿って配線されていることを特徴とする、請求項２に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置に関する。特に、赤外線センサやフローセンサのように空中で支持された絶縁膜（誘電体薄膜）を有する半導体装置に関する。
【０００２】
【背景技術】
フローセンサ、赤外線センサ等の半導体装置には、シリコン基板の表面に窪みを有し、その窪みを覆うようにしてシリコン基板の表面に誘電体薄膜を形成され、かつ、その誘電体薄膜上に抵抗素子や熱電変換素子等のセンサ要素を形成されたものがある（例えば、特公平３−５２０２８号公報）。
【０００３】
かかる半導体装置では、シリコン基板の表面に誘電体薄膜を成膜した後、シリコン基板の表面側からエッチングしてシリコン基板に窪みを作らなければならない。その製造方法としては、シリコン基板の表面を誘電体薄膜によって覆っておき、表面の誘電体薄膜にシリコン基板をエッチングするためのエッチングホールを複数開口し、そのエッチングホールからシリコン基板にエッチング液を浸透させてシリコン基板をエッチングし、異方性エッチングによりアンダーカットすることによってシリコン基板の表面に窪みを形成する。このときシリコン基板の窪みに対向する誘電体薄膜が空中で支持された構造のブリッジ部となり、この窪みにより誘電体薄膜とシリコン基板との間の熱的な絶縁性が図られる。さらに、誘電体薄膜の表面には、抵抗素子または熱電変換素子等の物理量の検出部となる配線パターンが形成される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のような誘電体薄膜は、数ミクロンの厚さで、シリコン基板と比較して非常に薄いために割れやすく、特に隣接するエッチングホール間の領域で応力集中が起きやすく、亀裂が入ったり、割れたりしやすい構造となっている。
【０００５】
赤外線センサ７１は、図１６（ａ）（ｂ）に示すように、誘電体薄膜７２の表面に熱電変換素子７３を配置し、誘電体薄膜７２の表面を赤外線吸収膜（図示せず）で覆ったものである。そして、赤外線７４を受光すると、赤外線吸収膜が赤外線７４を吸収して温度上昇するので、その温度上昇による熱電変換素子７３の起電力を電圧測定器７５で計測することにより、受光赤外線量を計測する。
【０００６】
このような赤外線センサ７１で誘電体薄膜７２に亀裂が発生すると、図１７に示すように誘電体薄膜７２の当該箇所が変形し、変形箇所の振動によって赤外線７４の受光面積が変動したり、熱の移動が不安定になったりし、その結果、電圧測定器７５の値がふらついて計測値が安定しないという問題が起きる。さらに、図１８に示すように、亀裂から破断に進行すれば、誘電体薄膜７２の表面に形成された熱電変換素子７３も破断され、赤外線センサ７１として使用不可能になることもある。
【０００７】
また、フローセンサ８１は、図１９（ａ）（ｂ）に示すように、表面に窪み８４を形成されたシリコン基板８２の表面に誘電体薄膜８３を形成し、誘電体薄膜８３の中央部に発熱素子となる抵抗素子８５を設け、その両側にそれぞれ熱電変換素子８６を配置したものである。抵抗素子８５には電源８８から電圧を印加して発熱させておき、抵抗素子８５の両側の対称な位置に配置された熱電変換素子８６に接続された電圧測定器８７で流体の温度を計測する。このときフローセンサ８１の表面を流体が通過すると、流体によって抵抗素子８５の熱が輸送されて風上で温度が下がり、風下で温度が高くなるので、両熱電変換素子８６の温度を計測することにより、通過する流体の流量又は流速を計測することができる。
【０００８】
このようなフローセンサ８１でも誘電体薄膜８３に亀裂が発生すると、図２０に示すように誘電体薄膜８３の当該箇所が変形し、変形箇所に流体が回り込んで流体の流れが乱される。その結果、各電圧測定器８７の値がふらついて計測値が安定しなくなったり、流体の上下流に伴った温度の分布が起こらず、流量測定に支障が生じる。さらには、図２１に示すように、亀裂から破断に進行すれば、誘電体薄膜８３の表面に形成された抵抗素子８５や熱電変換素子８６も破断され、フローセンサ８１として使用不可能になる。
【０００９】
製造工程において不良を検査する方法としては、、目視で直接誘電体薄膜の破断をチェックする方法がある。しかし、半導体装置は、１枚のシリコンウエハから数百個あるいは数千個程度採取可能であるから、視覚検査する場合には、人間の目でそれだけの量を検査しなければならず、非常に困難な作業を強いられ、必然的にミスが多くなる。従って、自動検査装置によって不良を検査できるようにすることが望まれている。
【００１０】
【発明の開示】
本発明の目的とするところは、誘電体薄膜（絶縁薄膜）に形成されたエッチングホール間の領域に生じた亀裂や破断等による不良を抵抗検査で自動的に検出することができる半導体装置を提供することにある。
【００１１】
本発明にかかる半導体装置は、表面に窪みを形成された半導体基板と、前記窪みを覆うように前記半導体基板の表面に設けられた絶縁薄膜と、前記絶縁薄膜上に設けられた回路パターンとを備え、前記絶縁薄膜のうち前記窪みに対向する箇所には、前記窪みをエッチングにより形成するためのエッチングホールが配列されている半導体装置において、隣接するエッチングホール間の領域を通過するようにして前記絶縁薄膜上に導電体または抵抗体からなる破断検査用回路パターンが配線されている。
【００１２】
本発明にかかる半導体装置にあっては、隣接するエッチングホール間の領域を通過するようにして前記絶縁薄膜に破断検査用回路パターンが配線されているから、該破断検査用回路パターンの通電状態もしくは抵抗値を調べることにより、隣接するエッチングホール間の領域の亀裂や破断を検査することができる。この結果、自動検査装置によるエッチングホール間の領域の破断を検査することが可能になる。
【００１３】
本発明の実施形態にあっては、前記絶縁薄膜は四辺形をしており、前記エッチングホールは前記絶縁薄膜の相対向する２組の２辺間に掛け渡すようにして複数のエッチングホールが十字状に配列し、隣接するエッチングホール間の領域を通過するようにして前記絶縁薄膜に回路パターンが配線され、エッチングホールの配列の交差部分では、一方の方向に延びたエッチングホールの配列から他方の方向に延びたエッチングホールの配列に沿うように前記破断検査用回路パターンが配線されている。
【００１４】
この半導体装置によれば、一方の方向に延びたエッチングホールの配列から他方の方向に延びたエッチングホールの配列に沿うように前記破断検査用回路パターンが配線されているから、エッチングホールの配列が十文字状に交差している箇所でも破断検査用回路パターンどうしは交差することなく、互いに電気的に絶縁状態を保つことができる。よって、両破断検査用回路パターンに抵抗測定器などを接続して破断検査用回路パターンの破断を検査する場合でも、必要な抵抗測定器の台数を少なくすることができる。
【００１５】
本発明の実施形態における前記破断検査用回路パターンは、配列された前記エッチングホールに沿って蛇行状に配線させておくのが望ましい。配列されたエッチングホールに沿って破断検査用回路パターンを配線することにより、エッチングホール間の複数領域に沿って１本の破断検査用回路パターンを配線することができ、破断検査用回路パターンの本数を減らすことができる。特に、エッチングホールが四辺形に開口されたものである場合には、前記破断検査用回路パターンをエッチングホールの３辺に沿って配線すればよい。
【００１６】
また、本発明の実施形態における前記破断検査用回路パターンは、前記絶縁薄膜の破断を検査する場合には通電検査用に用いられ、所定の物理量を計測する場合には発熱ヒータとして用いられるようにしてもよい。このようにすれば、発熱ヒータ用の回路パターンを利用して絶縁薄膜の破断を検査することができ、半導体装置の製造工程を増加させることなく、半導体装置における絶縁薄膜の破断を自動検査させることができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
（第１の実施形態）
図１（ａ）（ｂ）は本発明の一実施形態による赤外線センサを示す平面図及び断面図である。この赤外線センサ１１にあっては、シリコン基板等の半導体基板１２の表面に誘電体薄膜１３が形成されており、半導体基板１２の表面には平面形状が矩形状で有底の窪み１４が形成され、当該窪み１４の開放部分は誘電体薄膜１３によって覆われている。誘電体薄膜１３のうち窪み１４と対向して空中で支持されている領域（ブリッジ部１９）においては、十文字状に配列された第１エッチングホールパターン１５と第２エッチングホールパターン１６が形成されている。
【００１８】
図２は第１エッチングホールパターン１５と第２エッチングホールパターン１６の一部を示す平面図である。第１及び第２エッチングホールパターン１５、１６は、図１及び図２に示すように、それぞれ平行四辺形状をした複数のエッチングホール１７ａ、１７ｂを近接させて配列することによって構成されている。ただし、両エッチングホールパターン１５、１６は、窪み１４の中央部で十字状に交差しており、この交差部分におけるエッチングホール１８は菱形に形成されている。さらに、各エッチングホール１７ａ、１７ｂ、１８に外接する長方形を想定した場合、隣接するエッチングホール１７ａ、１７ｂ、１８における仮想長方形の少なくとも一部が接触あるいは重複するように、各エッチングホール１７ａ、１７ｂ、１８が形成されている。そして、隣接するエッチングホール１７ａ、１７ｂ、１８間には比較的狭い梁状をした領域（以下、梁部という。）２０が形成されている。
【００１９】
結晶方位的には、この半導体基板１２は、表面が｛１００｝面のシリコン基板によって構成されており、２本のエッチングホールパターン１５、１６は＜１１０＞方向に伸びて交差している。そして、エッチングホール１７ａ、１７ｂは、各エッチングホールパターン１５、１６の延びている方向（＜１１０＞方向）に平行な辺とそれに対して４５度傾斜した辺によって構成されている。例えば、（００１）面シリコン基板に、［１１０］方向に伸びたエッチングパターンと［−１１０］方向に伸びたエッチングパターンとが形成されており、中央部で交差して全体として十字状に配置されており、各エッチングホールは［１１０］方向又は［−１１０］方向に伸びた辺と、それらに対して４５度傾斜した辺とによって構成されている。あるいは、（１００）面シリコン基板に、［０１１］方向に伸びたエッチングパターンと［０−１１］方向に伸びたエッチングパターンとが形成されており、中央部で交差して全体として十字状に配置されており、各エッチングホールは［０１１］方向又は［０−１１］方向に伸びた辺と、それらに対して４５度傾斜した辺とによって構成されている。
【００２０】
また、誘電体薄膜１３の上面には、多数の熱電変換素子２１（熱電対など）が配置され、接続線２２を介して互いに直列に接続されている。そして、直列に接続された熱電変換素子２１の両端は、引き出し配線２３によって半導体基板１２と誘電体薄膜１３が接合されている外周部分（ヒートシンク部２５）に引き出されて外部接続電極２４に接続され、熱電変換素子２１で検出した信号を外部へ出力できるようになっている。
【００２１】
また、誘電体薄膜１３の表面には、梁部２０を含む各エッチングホール１７ａ、１７ｂの３辺に沿って、各エッチングホールの周囲を蛇行するようにして抵抗パターン２６及び２７が配線されている。また、誘電体薄膜１３の中央部では、図２に示すように、第１エッチングホールパターン１５の左半部に配線された抵抗パターン２６と第２エッチングホールパターン１６の上半部に配線された抵抗パターン２６とが連続しており、また第２エッチングホールパターン１６の下半部に配線された抵抗パターン２７と第１エッチングホールパターン１５の右半部に配線された抵抗パターン２７とが連続しており、２本の抵抗パターン２６、２７の両端はそれぞれ、ヒートシンク部２５の各辺中央部に設けられた外部接続電極２８、２９に接続されている。従って、両抵抗パターン２６、２７は互いに電気的に絶縁されており、外部接続電極２８間の抵抗と外部接続電極２９間の抵抗を計測することにより、各抵抗パターン２６、２７の抵抗値を検出することができる。
【００２２】
次に、図３（ａ）〜（ｆ）及び図４（ｇ）〜（ｎ）に従って当該赤外線センサ１１の製造プロセスを説明する。まず、平板状の半導体基板（ウエハ）１２の表面に厚さ数μｍの誘電体薄膜１３を成膜し［図３（ａ）（ｂ）］、この誘電体薄膜１３の上に熱電変換素子２１や抵抗パターン２６、２７、その他の回路パターンを形成した後、誘電体薄膜１３の表面を感光性材料（レジスト）からなる被膜３０によって覆う［図３（ｃ）（ｄ）］。ついで、感光性被膜３０の上にエッチングホールのパターン３１を描画されたマスク３２を重ね、マスク３２を通して感光性被膜３０に露光する［図３（ｅ）（ｆ）］。
【００２３】
ついで、現像液を用いて感光性被膜３０を現像処理すると、エッチングホールを形成しようすとする領域で感光性被膜３０が部分的に除去されて開口３３が形成される［図４（ｇ）（ｈ）］。この開口３３を通して誘電体薄膜１３をエッチングし、誘電体薄膜１３にエッチングホールパターン１５、１６を開口し［図４（ｉ）（ｊ）］、誘電体薄膜１３の上の感光性被膜３０を除去する［図４（ｋ）（ｌ）］。この後、水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液などのエッチング液に半導体基板１２ごと浸漬し、エッチングホール１７ａ、１７ｂ、１８を介して半導体基板１２にエッチング液を接触させて半導体基板１２を徐々に異方性エッチングし、所望の窪み１４を半導体基板１２の表面に形成する［図４（ｍ）（ｎ）］。なお、このエッチングを行う際には、半導体基板１２の裏面にも保護膜を形成しておき、半導体基板１２の裏面がエッチングされないようにしておく。
【００２４】
また、上記のようなエッチングホールパターン１５、１６、例えば（００１）面に形成された誘電体薄膜１３に［１１０］方向及び［−１１０］を用いて半導体基板（シリコン基板）１２の（００１）面を異方性エッチングすると、各エッチングホール１７ａ、１７ｂ、１８から露出している領域が基板表面と垂直な方向（［００１］方向）にエッチングされる。さらに、基板表面と平行な方向においては、エッチングホールパターン１５、１６と平行な［１１０］方向及び［−１１０］方向のエッチングでは（１１１）面が露出するのでエッチングが進みにくく、４５度傾斜した辺と平行な面に向かってエッチングが進む。その結果、まず半導体基板１２の表面にはエッチングホールパターン１５、１６に沿った十字状の領域がエッチングにより除去される。このようにしてエッチングされた領域が十字状に交差することで、（４１１）面という最速エッチング面が表れるので、［１００］方向及び［０１０］方向にエッチングが急速に進み、対角線に達すると（４１１）面が無くなり、新たに（００１）面がエッチングを支配する。この結果、誘電体薄膜１３と半導体基板１２との間には、角錐台状をした窪み１４が短時間で形成される。
【００２５】
図５は上記のようにして半導体プロセスにより半導体基板（ウエハ）１２に複数の赤外線センサ１１を作り込んだ後、製品として出荷するまでの工程を表している。上記のようにして複数の赤外線センサ１１を作り込まれた（ステップＳ１）半導体基板１２は、ダイシングによって個々の赤外線センサ１１に分離された（ステップＳ２）後、誘電体薄膜１３の破断を検査される（ステップＳ３）。
【００２６】
この検査工程においては、図６に示すように、２本の抵抗パターン２６、２７の外部接続電極２８、２９間にそれぞれ抵抗測定器３４を接続し、抵抗パターン２６、２７の抵抗値を測定することにより、誘電体薄膜１３の梁部２０の亀裂や破断を検出する。例えば、抵抗パターン２６、２７の抵抗値が所定値よりも非常に大きかったり、無限大である場合には、抵抗パターン２６、２７が部分的あるいは完全に断線しており、誘電体薄膜１３の梁部２０等に亀裂や破断が発生していると判断する。このとき抵抗パターン２６、２７は互いに交差していないので、両抵抗パターン２６、２７の断線の有無等を図６のように２台の抵抗測定器３４で測定することができる。こうして、抵抗パターン２６、２７の抵抗値から誘電体薄膜１３の亀裂や破断を検出した場合には、直ちにその赤外線センサ１１を不良品としてもよく、あるいは（顕微鏡を用いた）目視によって再検査してもよい。そして、最終的に不良品と判定された赤外線センサ１１は不良品としてラインから排出する。
【００２７】
このような検査方法によれば、不良品の検査工程を機械化することができ、目視検査の場合と比較して検査所要時間を約１／４に短縮でき、コストも人件費分だけ低減させることができる。また、検査精度が向上するので、不良品を実装する可能性が減るという利点がある。
【００２８】
検査工程で良品であると判定された赤外線センサ１１は、抵抗測定器３４を取り外され、パッケージや回路基板等に実装された（ステップＳ５）後、所要の特性や精度が得られているか最終検査され（ステップＳ６）、最終検査に合格した赤外線センサ１１は製品として出荷される。
【００２９】
図７は、この赤外線センサ１１の測定時（実使用時）の様子を表しており、熱電変換素子２１の両端が接続されている外部接続電極２４間に電圧測定器３５が接続されている。この赤外線センサ１１に赤外線が照射されると、熱容量の大きなヒートシンク部２５の温度は上昇しないが、熱容量の小さなブリッジ部１９（表面を赤外線吸収膜で覆っている。）の温度が上昇して熱電変換素子２１に起電力が発生するので、この起電力を電圧測定器３５で測定することにより、赤外線量を計測することができる。
【００３０】
（第２の実施形態）
図８（ａ）（ｂ）は本発明の別な実施形態によるフローセンサ４１の平面図及び断面図である。このフローセンサ４１でも、半導体基板１２の上面に平面形状が矩形状で有底の窪み１４が形成され、半導体基板１２の上面に誘電体薄膜１３が形成されている。誘電体薄膜１３のうち窪み１４の上で支持されたブリッジ部１９には、第１エッチングホールパターン１５と第２エッチングホールパターン１６とが形成されており、第１、第２エッチングホールパターン１５、１６は誘電体薄膜１３の中央部で交差し、全体として十字状になるように配置されている。さらに、エッチングホール１７ａ、１７ｂの形状は平行四辺形となっており、各エッチングホール１７ａ、１７ｂ、１８に外接する長方形を想定した場合、隣接するエッチングホール１７ａ、１７ｂ、１８における仮想長方形の少なくとも一部が接触あるいは重複している。なお、このフローセンサ４１においても、半導体基板１２の結晶方位や結晶方位とエッチングホールパターン等との関係なども第１の実施形態の場合と同様である。
【００３１】
また、このフローセンサ４１の誘電体薄膜１３の上には、第１エッチングホールパターン１５を挟んで一方の領域に、直列に接続された複数の第１熱電変換素子４２が配置され、第１エッチングホールパターン１５を挟んで他方の領域に、直列に接続された複数の第２熱電変換素子４３が配置されている。第１熱電変換素子４２の両端は誘電体薄膜１３の隅に形成された外部接続電極４４に接続され、第２熱電変換素子４３の両端は誘電体薄膜１３の隅に形成された外部接続電極４５に接続されており、熱電変換素子４２、４３で検出した信号は外部接続電極４４、４５から外部に出力可能となっている。さらに、第１熱電変換素子４２の一端に接続された外部接続電極４４と第２熱電変換素子４３の一端に接続された外部接続電極４５とは、接続パターン４６によって互いに接続されている。
【００３２】
また、誘電体薄膜１３の表面には、梁部２０を含む各エッチングホール１７ａ、１７ｂ、１８の３辺に沿って、各エッチングホール１７ａ、１７ｂ、１８の周囲を蛇行するようにして抵抗パターン４７が配線されている。特に、誘電体薄膜１３の中央部では、図９に示すように、第１エッチングホールパターン１５に沿って蛇行状に配線された抵抗パターン４７と第２エッチングホールパターン１６に沿って蛇行状に配線された抵抗パターン４７とが交差しており（あるいは、中央のエッチングホール１８の周囲に抵抗パターン４７が環状に形成されている。）、両抵抗パターン４７が互いに電気的に導通している。また、第１エッチングホールパターン１５に沿って蛇行状に配線された抵抗パターン４７の両端はヒートシンク部２５に形成された外部接続電極４８に接続されており、第２エッチングホールパターン１６に沿って蛇行状に配線された抵抗パターン４７の両端もヒートシンク部２５に形成された外部接続電極４９に接続されている。なお、５０は温度補正用の抵抗素子である。
【００３３】
しかして、このフローセンサ４１の不良品検査を行う場合には、図１０に示すように、４箇所の外部接続電極４８、４９のうち、１つの外部接続電極を基準として他の３箇所の外部接続電極との間に３台の抵抗測定器３４をそれぞれ接続し、各抵抗測定器３４の測定値に基づいて抵抗パターン４７どうしの交差箇所から外部接続電極４８、４９の間の４箇所のいずれで抵抗パターン４７が断線しているか検知することができ、それによって梁部２０で割れや破断が生じていないか検査することができる。
【００３４】
また、良品と判定されたフローセンサ４１で流体（ガス）の流量又は流速を計測する場合には、図１１に示すように、第１熱電変換素子４２と第２熱電変換素子４３に挟まれた抵抗パターン４７の両端の外部接続電極４８に直流電圧源やバッテリー等の電圧印加手段５１を接続して第１エッチングホールパターン１５の周囲の抵抗パターン４７のみに一定電流を流して発熱させる。また、第１熱電変換素子４２の両端の外部接続電極４４に電圧測定器３５を接続し、第２熱電変換素子４３の両端の外部接続電極４５にも電圧測定器３５を接続し、第１エッチングホールパターン１５の両側における温度を計測する。第１熱電変換素子４２と第２熱電変換素子４３は、第１エッチングホールパターン１５の周囲の抵抗パターン４７を挟んで対称に配置されているので、フローセンサ４１の表面を流体が流れていない場合には、第１熱電変換素子４２の計測温度と第２熱電変換素子４３の計測温度とは等しくなるが、例えば図１１のように第１熱電変換素子４２側から第２熱電変換素子４３側へ流体が流れると、流体によって抵抗パターン４７で発生している熱が第２熱電変換素子４３へ向けて輸送されるので、第２熱電変換素子４３の計測温度が第１熱電変換素子４２の計測温度よりも高くなり、その温度差から流体の流量または流速を求めることができる。
【００３５】
このようなフローセンサ４１によれば、梁部２０の亀裂や破断を検査するための抵抗パターンと発熱ヒータ用の抵抗パターンとを抵抗パターン４７に兼ねさせることができるので、フローセンサ４１の構造が簡単になり、製造工程も簡略化され、コストも安価にできる。
【００３６】
なお、この実施形態では、発熱用の抵抗パターンが破断検査用の回路パターンとを兼ねるようにしたが、熱電変換素子が破断検査用の回路パターンを兼ねるようにすることも可能である。
【００３７】
（第３の実施形態）
図１２（ａ）（ｂ）は本発明のさらに別な実施形態による赤外線センサ６１の構造を示す平面図及び断面図である。この赤外線センサ６１は、第１の実施形態による赤外線センサ１１とほぼ同様な構成を有しているが、抵抗パターン２６と抵抗パターン２７が並列に接続されている点で異なっている。すなわち、この実施形態によれば、第１エッチングホールパターン１５の左半分から第２エッチングホールパターン１６の上半分にかけて蛇行状に配線された抵抗パターン２６の両端を外部接続電極６３、６４に接続し、第２エッチングホールパターン１６の下半分から第１エッチングホールパターン１５の右半分にかけて蛇行状に配線された抵抗パターン２７の両端を引き回し用回路パターン６２を介して同じ外部接続電極６３、６４に接続している。なお、この実施形態でも、抵抗パターン２６と抵抗パターン２７とは誘電体薄膜１３の中央部では互いに分離されている（図２参照）。
【００３８】
この赤外線センサ６１の不良品検査の工程においては、図１３に示すように、２つの外部接続電極６３、６４に１台の抵抗測定器３４が接続される。図１４はこのときの等価回路図であって、抵抗パターン２６と抵抗パターン２７とが並列に接続されており、その両端に抵抗測定器３４が接続されている。抵抗パターン２６の抵抗値をＲ１、抵抗パターン２７の抵抗値をＲ２とするとき、図１４から分かるように、抵抗パターン２６も抵抗パターン２７も断線していなければ、抵抗測定器３４によって測定される抵抗値Ｒは、
Ｒ＝（Ｒ１・Ｒ２）／（Ｒ１＋Ｒ２）
となる。これに対し、抵抗パターン２６のみが断線している場合には、抵抗測定器３４によって測定される抵抗値Ｒは、Ｒ＝Ｒ２となり、抵抗パターン２７のみが断線している場合には、抵抗測定器３４によって測定される抵抗値Ｒは、Ｒ＝Ｒ１となる。さらに、抵抗パターン２６も抵抗パターン２７も共に断線している場合には、抵抗測定器３４によって測定される抵抗値Ｒは無限大（Ｒ＝∞）となる。従って、抵抗測定器３４の測定値によって、抵抗パターン２６及び抵抗パターン２７の断線の有無やいずれの抵抗パターンが断線しているのかも知ることができ、赤外線センサ６１の不良品検査を行うことができる。
【００３９】
また、これを赤外線センサ６１として用いる場合には、第１の実施形態と同様、図１５に示すように熱電変換素子２１の外部接続電極２４間に電圧測定器３５を接続して用いればよい。
【００４０】
なお、上記実施形態では、赤外線センサとフローセンサの場合について説明したが、本発明の半導体装置は、サーマルセンサ、温度センサなどの各種半導体センサとして、あるいはマイクロヒータなどとしても用いることができる。また、上記実施形態では、熱電変換素子と抵抗パターンを形成したが、これ以外にも所定形状の一定の発熱作用を有する抵抗素子と、温度の変化を捉える第２の抵抗素子を誘電体薄膜上に形成し、検査工程では、いずれかの抵抗素子で梁部の破断を検査するようにしてもよい。
【００４１】
【発明の効果】
本発明によれば、隣接するエッチングホール間の領域を通過するようにして絶縁薄膜に破断検査用回路パターンが配線されているから、該破断検査用回路パターンの通電状態もしくは抵抗値を調べることにより、隣接するエッチングホール間の領域の亀裂や破断を検査することができ、自動検査装置によるエッチングホール間の領域の破断を検査することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は本発明の一実施形態による赤外線センサを示す平面図、（ｂ）は（ａ）のＸ１−Ｘ１線断面図である。
【図２】同上の赤外線センサにおける第１エッチングホールパターンと第２エッチングホールパターンとの交差部分を示す拡大図である。
【図３】（ａ）〜（ｆ）は図１の赤外線センサの製造工程を説明する概略平面図もしくは概略断面図である。
【図４】（ｇ）〜（ｎ）は図３の続図である。
【図５】図１の赤外線センサの半導体プロセスによる製造工程から出荷までの各工程を示す図である。
【図６】図１の赤外線センサの検査工程を説明する図である。
【図７】図１の赤外線センサの使用状態を説明する図である。
【図８】（ａ）（ｂ）は本発明の別な実施形態によるフローセンサを示す平面図及び断面図である。
【図９】同上のフローセンサにおける第１エッチングホールパターンと第２エッチングホールパターンとの交差部分を示す拡大図である。
【図１０】図８のフローセンサの検査工程を説明する図である。
【図１１】図８のフローセンサの使用状態を説明する図である。
【図１２】（ａ）（ｂ）は本発明のさらに別な実施形態による赤外線センサを示す平面図及び断面図である。
【図１３】図１２の赤外線センサの検査工程を説明する図である。
【図１４】図１３の検査工程の等価回路図である。
【図１５】図１２の赤外線センサの使用状態を説明する図である。
【図１６】（ａ）（ｂ）は従来の赤外線センサの構造を示す概略平面図及び概略断面図である。
【図１７】同上の赤外線センサにおいて誘電体薄膜が破断した様子を示す概略断面図である。
【図１８】図１６の赤外線センサにおいて誘電体薄膜が破断した様子を示す概略平面図である。
【図１９】（ａ）（ｂ）は従来のフローセンサの構造を示す概略平面図及び概略断面図である。
【図２０】同上のフローセンサにおいて誘電体薄膜が破断した様子を示す概略断面図である。
【図２１】図１９のフローセンサにおいて誘電体薄膜が破断した様子を示す概略平面図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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