(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属粉末を主成分とする、焼成された膜状導体を基材に形成する用途に用いられる導体ペーストであって、
その金属粉末は、表面が有機系金属化合物でコーティングされたＡｇ又はＡｇ主体の合金から成る平均粒径０．３〜１．０μｍの微粒子から実質的に構成されたものであり、
その有機系金属化合物は、Ａｌを構成金属元素とする有機酸金属塩、金属アルコキシド又はキレート化合物である、導体ペースト。
【請求項２】
前記Ａｌを構成金属元素とする有機系金属化合物のコーティング量は、Ａｌの酸化物換算でペースト中に含まれる前記微粒子全量の０．０１〜２．０wt％に相当する量である、請求項１に記載の導体ペースト。
【請求項３】
前記Ａｌを構成金属元素とする有機系金属化合物のコーティング量は、Ａｌの酸化物換算でペースト中に含まれる前記微粒子全量の０．０１〜０．１wt％に相当する量である、請求項１に記載の導体ペースト。
【請求項４】
金属粉末を主成分とする、焼成された膜状導体を基材に形成する用途に用いられる導体ペーストの製造方法であって、
（ａ）Ａｇ又はＡｇ主体の合金から成る平均粒径０．３〜１．０μｍの微粒子の表面を有機系金属化合物でコーティングすることによって金属粉末を調製する工程と、
（ｂ）そのコーティングされた金属粉末を有機媒質中に分散させる工程とを包含し、
ここで前記有機系金属化合物はＡｌを構成金属元素とする有機酸金属塩、金属アルコキシド又はキレート化合物である、導体ペースト製造方法。
【請求項５】
膜状導体が形成されたセラミック基材を含むセラミック電子部品を製造する方法であって、
（ａ）請求項１〜３のいずれかに記載の導体ペーストをセラミック基材に塗布する工程と、
（ｂ）その塗布されたペースト主成分を焼成する工程とを包含するセラミック電子部品製造方法。
【請求項６】
前記Ａｌを構成金属元素とする有機系金属化合物のコーティング量は、Ａｌの酸化物換算でペースト中に含まれる前記微粒子全量の０．０１〜２．０wt％に相当する量である、請求項４に記載の製造方法。
【請求項７】
前記Ａｌを構成金属元素とする有機系金属化合物のコーティング量は、Ａｌの酸化物換算でペースト中に含まれる前記微粒子全量の０．０１〜０．１wt％に相当する量である、請求項４に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、セラミック基板等に膜状導体を形成する用途に用いられる導体ペーストに関する。
【０００２】
【従来の技術】
ハイブリッドＩＣ、マルチチップモジュール等を構築するのに用いられるセラミック配線基板その他のセラミック電子部品に所定パターンの膜状導体（配線、電極等）を形成する材料として導体ペーストが使用されている。この導体ペーストは、導体を形成する主成分たる金属粉末と必要に応じて添加される種々の添加剤（無機結合剤、ガラスフリット、フィラー等）とを所定の有機媒質（ビヒクル）に分散させることにより調製される導体形成材料である。
かかる導体ペーストは、スクリーン印刷等の一般的な手法によりセラミック基板等に印刷・塗布される。次いで、当該塗布物（塗膜）を適当な温度で焼成する（焼き付ける）ことにより、当該セラミック基板等のセラミック電子部品上に所定パターンの膜状導体が形成される。
このような導体ペーストとして典型的なものに、金属粉末として銀（Ａｇ）を主体に構成されたものがある（以下「Ａｇペースト」と略称する。）。Ａｇ粉末は金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）等と比較して安価に入手できるものであり、さらに電気的抵抗度も低い。このため、Ａｇペーストは各種電子部品に膜状導体を形成する用途に広く使用されている。
【０００３】
ところで、上記用途のＡｇペーストには、従来、次のような問題点があった。すなわち、金属粉末がＡｇのみから成るＡｇペーストを使用して形成された膜状導体は、いわゆる半田耐熱性が低かった。このため、膜状導体に種々の素子を半田付けする際の高熱によって所謂「半田くわれ（典型的には膜状導体に含まれるＡｇの半田への溶解）」が生じる場合があった。そのような半田耐熱性が低いこと、即ち顕著な半田くわれの発生は、膜状導体から成る回路と素子の接合性を劣化させ、延いては断線その他の導通不良の原因ともなるため好ましくない。
従って、かかる半田くわれを防止するため、換言すれば半田耐熱性を向上させるため、従来、Ａｇから成る導体の表面に更にニッケル（Ｎｉ）や銅（Ｃｕ）のめっき皮膜を形成する場合があった。膜状導体の表面にＮｉめっき皮膜等が形成されるとそれがバリアーの働きをしてＡｇベース導体の半田くわれを防止することができるからである。
しかし、このような金属めっき処理を別途行うことは、セラミック基板（例えば積層セラミックコンデンサ）等のセラミック電子部品の製造工程をより煩雑化するため、好ましくない。また、かかるめっき処理工程の追加は、当該電子部品の生産コスト高の要因ともなり得る。
【０００４】
また、半田くわれを軽減・防止する他の手段として、Ａｇのみから成るＡｇペーストに代えてＡｇとパラジウム（Ｐｄ）との混成金属粉末又はＡｇと白金（Ｐｔ）との混成金属粉末を主体とする導体ペーストが用いられている。かかるペーストを用いて形成されたＡｇとＰｄ又はＰｔとから成る膜状導体によると、半田くわれの発生を軽減・抑止することができる。
しかし、ＡｇとＰｄ又はＰｔとから成る膜状導体は、Ａｇのみから成る導体に比べて所謂「半田濡れ（半田の付着具合）」が劣るという問題点がある。また、ＰｄやＰｔはＡｇと比べて高価であり、セラミック電子部品の生産コスト高の要因ともなる。
従って、そのような高価な貴金属を多量に用いたり或いはＮｉめっき等を別途施したりすることなく、半田耐熱性の向上した膜状導体を形成し得るＡｇベースの導体ペーストがセラミックコンデンサ等の電子部品製造分野において望まれている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、セラミック基板等のセラミック電子部品を形成するためのＡｇペーストに関する上記従来の課題を解決すべく創出されたものであり、その目的とするところは、実用上充分なレベルの半田濡れ性及び半田耐熱性をともに実現したＡｇベースの導体ペースト及びその製造方法を提供することである。また、本発明の他の目的は、そのような導体ペーストを用いてセラミック電子部品を製造する方法を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決する本発明の焼成された膜状導体を基材に形成する用途に用いられる導体ペーストは、金属粉末を主成分とし、その金属粉末は表面が有機系金属化合物でコーティングされたＡｇ又はＡｇ主体の合金から成る微粒子（粒子群）から実質的に構成されたものである。そして、その有機系金属化合物は、アルミニウム（Ａｌ）を構成金属元素とする有機酸金属塩、金属アルコキシド又はキレート化合物である。
【０００７】
本発明者は、上記した類の有機系金属化合物（即ちＡｌを含有する有機化合物のことであり特に炭素−金属結合の有無を問わない。以下同じ。）でＡｇ又はＡｇ主体の合金から成る微粒子（粉体）をコーティングすることによって、そのＡｇベースの微粒子から成る焼成物（膜状導体）の半田耐熱性を著しく向上させ得ることを見出し、本発明の導体ペーストを創出した。
上記構成の導体ペーストによると、従来のＡｇペーストと比較して半田耐熱性が向上した膜状導体を形成することができる。すなわち、本発明のペーストによると、従来のＡｇペーストに劣らない半田濡れ性を具備すると共に、顕著な半田くわれが生じない実用上充分なレベルの半田耐熱性を備えた膜状導体をセラミック基材に形成する（焼き付ける）ことができる。
【０００８】
本発明のペーストとして好ましいものでは、上記有機系金属化合物のコーティング量（含有量）は、その金属の酸化物換算（即ち当該有機系金属化合物を焼成した際に得られる金属酸化物（例えばAl2O3）に換算した場合の重量）で、ペースト中に含まれる上記微粒子全量の０．０１〜２．０wt％に相当する量であることを特徴とする。
本構成の導体ペーストによると、Ａｇのみから成る膜状導体と同等の低抵抗率（即ち充分な導電性）を維持しつつ実用上充分なレベルの半田濡れ性及び半田耐熱性を共に実現することができる。
【０００９】
また、本発明のペーストとして好ましいものは、上記微粒子（微粒子群即ち粉体）の平均粒径が０．３〜１．０μｍであることを特徴とする。
本構成の導体ペーストによると、実用性に優れる半田濡れ性及び半田耐熱性を具備すると共に、抵抗増大や断線等の要因ともなり得る顕著なポアの発生が少なく、さらに、セラミック基材との接着強度に優れる緻密構造のＡｇベース膜状導体を形成することができる。例えば、積層セラミックコンデンサの幅広面（表面）に緻密な膜状導体（以下「表面導体膜」という。）を形成することができる。あるいは、そのような積層型セラミック電子部品の側面（表面導体膜形成面に隣接するいずれかの面をいう。以下同じ。）に、いわゆる端子電極等の膜状導体（以下「側面導体膜」という。）を形成することができる。
【００１０】
また、本発明は、上述の導体ペーストを好適に製造する方法を提供する。すなわち、本発明によって提供される金属粉末を主成分とする導体ペーストの製造方法は、（ａ）Ａｇ又はＡｇ主体の合金から成る平均粒径０．３〜１．０μｍの微粒子の表面を有機系金属化合物でコーティングすることによって金属粉末を調製する工程と、（ｂ）そのコーティングされた金属粉末を有機媒質（ビヒクル）中に分散させる工程とを包含し、ここで上記有機系金属化合物はＡｌを構成金属元素とする有機酸金属塩、金属アルコキシド又はキレート化合物であることを特徴とする。
本構成の導体ペースト製造方法によると、上述した本発明の導体ペーストを好適に製造することができる。
【００１１】
また、本発明は、上述の本発明の導体ペーストを用いてセラミック電子部品を製造する方法を提供する。
すなわち、本発明によって提供される、膜状導体が形成されたセラミック基材を含むセラミック電子部品の製造方法は、（ａ）次の性状の金属粉末すなわち「表面が有機系金属化合物でコーティングされたＡｇ又はＡｇ主体の合金から成る平均粒径０．３〜１．０μｍの微粒子から実質的に構成されており、その有機系金属化合物はＡｌを構成金属元素とする有機酸金属塩、金属アルコキシド又はキレート化合物である」金属粉末を主成分とする導体ペーストをセラミック基材に塗布する（即ち付着させる）工程と、（ｂ）その塗布されたペースト主成分を焼成する工程とを包含する方法である。
なお、本明細書において「セラミック電子部品」とは、セラミック製の基材（ベース）を有する電子部品一般をいう。従って、ハイブリッドＩＣ、マルチチップモジュール類およびそれらを構成するセラミック配線基板、或いは積層セラミックコンデンサ等は、本明細書において定義される「セラミック電子部品」に包含される典型例である。
【００１２】
本発明のセラミック電子部品製造方法では、セラミック基材に具備される膜状導体（所定パターンの配線や電極）が上述の導体ペーストから形成される結果、Ａｇのみから成る膜状導体と同等の低抵抗率を維持しつつ実用上充分なレベルの半田濡れ性及び半田耐熱性を実現した膜状導体を備えたセラミック電子部品を製造することができる。すなわち、かかる製造方法によって、他の電子素子や回路と良好な接合性（高接合強度）を有し、電気的特性及び機械的特性に優れるセラミック電子部品を製造することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。
本発明の導体ペーストは、上述の金属粉末を主成分とすることで特徴付けられる電子部品形成用ペーストであり、上記目的を達成し得る限りにおいて他の副成分の内容や組成に特に制限はない。
本発明に係る金属粉末は、Ａｇ若しくはＡｇ主体の合金（例えばＡｇ−Ａｕ合金、Ａｇ−Ｐｄ合金）から実質的に構成されている微粒子群（以下「Ａｇベース微粒子」と略称する。）と、その表面をコーティングする有機系金属化合物とから実質的に構成される粉末である。かかるＡｇベース微粒子としては、導電性付与の観点から、Ａｇ単体または比抵抗値が概ね１×１０3Ω・ｃｍ以下（好ましくは１．８〜５．０×１０-6Ω・ｃｍ、例えば１．９〜３．０×１０-6Ω・ｃｍ）の合金から成るものが適当である。また、特に限定するものではないが、緻密構造の焼成膜を形成するという観点からは平均粒径が０．３〜１．０μｍのＡｇベース微粒子が好ましい。また、そのような比較的微小な平均粒径を有し且つ粒径１０μｍ以上（特に好ましくは粒径５μｍ以上）の粒子を実質的に含まないような粒度分布の比較的狭いＡｇベース微粒子が特に好ましい。
【００１４】
なお、特に限定するものではないが、表面導体膜形成用ペーストと側面導体膜形成用ペーストとを区別して製造する場合、側面導体膜形成用ペーストに含まれるＡｇベース微粒子は、表面導体膜形成用ペーストに含まれるＡｇベース微粒子よりも粒径が小さいほうが好ましい。例えば、小型電子製品に搭載される多層セラミック回路基板（例えば携帯電話機に備えられる低温焼結型チップアンテナモジュール）の側面導体膜を形成するための導体ペーストに含ませるＡｇベース微粒子としては、平均粒径０．５μｍ未満（典型的には０．３〜０．５μｍ）のものが好ましい。このような粒径のＡｇベース微粒子を含むペーストを用いると、通常の表面導体・側面導体よりも抵抗が低く、緻密な表面導体・側面導体を形成することができる。また、表面導体膜よりも緻密で低抵抗性の側面導体膜（端子電極等）を形成することもできる。
なお、Ａｇベース微粒子自体は、従来公知の製造方法によって製造されたものでよく、特別な製造手段を要求するものではない。例えば、周知の還元析出法、気相反応法、ガス還元法等によって製造されたＡｇベース微粒子を使用することができる。
【００１５】
次に、Ａｇベース微粒子の表面をコーティングする有機系金属化合物について説明する。Ａｇベース微粒子のコーティングに使用する有機系金属化合物としては、最終的（焼成後）にＡｇベース微粒子の表面に本発明の目的の実現に適う金属（金属酸化物又はその還元物を含む）の被膜（即ち当該表面を被覆する付着物）を形成し得る、Ａｌを構成金属元素とする有機酸金属塩、金属アルコキシド又はキレート化合物が用いられる。
例えば、好適な金属アルコキシドとしては、アルミニウムエトキシド(Al(OC2H5)3)、アルミニウムt-ブトキシド(Al(OC(CH3)3)3)、アセトアルコキシアルミニウムジイソプロピレート、アセトアルコキシアルミニウムエチルアセトアセテート、アセトアルコキシアルミニウムアセチルアセトネート等のアルミニウムアルコキシドが挙げられる。
【００１６】
また、本発明に係るＡｇベース微粒子のコーティングに使用する有機系金属化合物として他の好適なものは、Ａｌを構成金属元素とする有機酸金属塩である。
また、本発明者は、本発明とは解決すべき課題や目的が異なる高温焼成対応貴金属粉末（即ち高温で焼成処理した貴金属粉末：特開平８−７６４４号公報参照）を製造する際に好ましく使用されるある種の有機酸金属塩が、本発明に係る有機系金属化合物として好適であることを見出した。すなわち、本発明のＡｇベース微粒子コーティングに使用する有機系金属化合物として好適な有機酸金属塩は、上記列挙した元素を主構成金属元素とするカルボン酸塩である。例えば、Ａｌと各種脂肪酸（例えばナフテン酸、オクチル酸、エチルヘキサン酸）、アビエチン酸、ナフトエ酸等の有機酸との化合物が挙げられる。特に好適な有機酸金属塩は、Ａｌとカルボン酸（特に脂肪酸）との化合物である。
このような組成の有機酸金属塩によってコーティングされたＡｇベース微粒子の焼成物は、特に高い半田耐熱性や接着強度を実現する。従って、本発明の導体ペーストでは、後述する無機添加剤を添加しない場合でも、実用上充分なレベルの半田耐熱性や接着強度を有する膜状導体をセラミック基材に形成することができる。従って、本発明の導体ペーストを用いると、Ｐｄ等の高価な貴金属を大量に使用せずに且つ煩雑なメッキ処理を行うことなく、実用上充分なレベルの半田耐熱性や接着強度を有する膜状導体（表面導体膜、側面導体膜、内部導体膜（いくつかのセラミックシートを積層した際に、内部に埋設される膜状導体をいう。以下同じ。）等）をセラミック基材に形成することができる。
【００１７】
次に、Ａｇベース微粒子表面への有機系金属化合物のコーティング方法すなわち所定の有機系金属化合物でコーティングされた金属粉末の製造方法について説明する。
本発明の実施に用いられる金属粉末は、その主体たるＡｇベース微粒子表面に満遍なくほぼ均等に有機系金属化合物がコーティングされればよく、そのコーティング方法に特に制限はない。従って、従来知られている金属粒子への有機物コーティング方法をそのまま適用することができる。例えば、トルエン、キシレン、各種アルコール等の適当な有機溶剤に所望の有機系金属化合物を溶解若しくは分散する。次いで、得られた溶液若しくは分散液（ゾル）にＡｇベース微粒子を添加し、分散・懸濁する。この懸濁液を所定時間静置又は撹拌することによって、当該懸濁液中のＡｇベース微粒子の表面を目的の有機系金属化合物でコーティングすることができる。このとき、特に限定するものではないが、好ましくは有機系金属化合物のコーティング量が酸化物換算でＡｇベース微粒子全量の０．０１〜２．０wt％（典型的には０．０１〜１．０wt％、例えば０．０１〜０．１wt％）に相当する量となるように所望する有機系金属化合物を金属粉末にコーティングする。かかるコーティング量が酸化物換算でＡｇベース微粒子の０．０１wt％に相当する量よりも少なすぎる場合には、コーティングの効果が希薄であり、本発明に関する目的を達成し難い。他方、かかるコーティング量が酸化物換算でＡｇベース微粒子の２．０〜３．０wt％に相当する量よりも過剰に多い場合には、Ａｇ系金属粉末本来の電気的特性等の諸機能が損なわれる虞があるため好ましくない。
【００１８】
特に表面導体膜形成用ペーストでは、かかるコーティング量が酸化物換算でＡｇベース微粒子の０．０２５〜２．０wt％に相当する量であることが好ましい。焼成後のコーティング物質がアルミナである場合、即ちＡｌを構成元素とする有機酸金属塩、金属アルコキシド、キレート化合物等の有機系金属化合物でＡｇベース微粒子をコーティングする場合、そのコーティング量が酸化物換算でＡｇベース微粒子の０．１〜２．０wt％に相当する量（例えば０．２〜１．０wt％）であることが特に好ましい。
かかるコーティング量の導体ペーストは、焼成時に過度の収縮が起こり難く、セラミック基材（アルミナ、ジルコニア等）と導体膜との間に過大な焼成収縮率差が生じるのを防止し得る。このため、接着特性に優れ、剥離やクラック等の顕著な構造欠陥のないセラミック電子部品を製造することができる。かかる導体ペーストは、内部導体膜形成用途としても好適である。
【００１９】
また、特に限定しないが、側面導体膜形成用ペーストとしては、コーティング量が酸化物換算でＡｇベース微粒子の０．０１〜１．０wt％に相当する量であることが好ましい。焼成後のコーティング物質がアルミナである場合、即ちＡｌを構成元素とする有機酸金属塩、金属アルコキシド、キレート化合物等の有機系金属化合物でＡｇベース微粒子をコーティングする場合、そのコーティング量が酸化物換算でＡｇベース微粒子の０．０１〜１．０wt％に相当する量（例えば０．０１２５〜０．１wt％）であることが特に好ましい。
【００２０】
次に、本発明の導体ペーストに含ませ得る副成分として好適なものについて説明する。
本発明の導体ペーストの副成分として、上記金属粉末を分散させておく有機媒質（ビヒクル）が挙げられる。本発明の実施にあたっては、かかる有機ビヒクルは金属粉末を分散させておくものであればよく、従来の導体ペーストに用いられているものを特に制限なく使用することができる。例えば、エチルセルロース等のセルロース系高分子、エチレングリコール及びジエチレングリコール誘導体、トルエン、キシレン、ミネラルスピリット、ブチルカルビトール、ターピネオール等の高沸点有機溶媒が挙げられる。
【００２１】
また、本発明の導体ペーストには、当該ペースト本来の導電性（低抵抗率）、半田濡れ性、半田耐熱性、接着強度等を著しく損なわない限りにおいて種々の無機添加剤を副成分として含ませることができる。例えば、かかる無機添加剤としては、ガラス粉末、無機酸化物、その他種々のフィラー等が挙げられる。特に若干量のガラス粉末及び／又は無機酸化物の添加が好適である。
すなわち、ガラス粉末は、セラミック基材上に付着したペースト成分を安定的に焼き付き・固着させること（即ち接着強度の向上）に寄与する無機成分（無機結合材）となり得る。特に酸化物ガラスが好ましい。酸化物ガラス粉末は、セラミック基材上に付着したペースト成分を安定的に焼き付き・固着させること（即ち接着強度の向上）に寄与する無機成分（無機結合材）となり得る。後述する焼成温度との関係から、軟化点が概ね８００℃以下のものが好ましい。そのようなガラス粉末として、鉛系、亜鉛系及びホウケイ酸系ガラスが挙げられ、典型的には、ＰｂＯ−ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3系ガラス、ＰｂＯ−ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3系ガラス、ＺｎＯ−ＳｉＯ2系ガラス、ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラス、Ｂｉ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラス及びＢｉ2Ｏ3−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラスから成る群から選択される一種又は二種以上のガラス粉末を使用するのが適当である。また、使用するガラス粉末としては、その比表面積が概ね０．５〜５０ｍ2／ｇであるものが好ましく、平均粒径が２μｍ以下（特に１μｍ程度又はそれ以下）のものが特に好適である。
【００２２】
また、無機酸化物は、セラミック基材と膜状導体との間の接着強度の向上に寄与し得る。さらに、本発明の導体ペーストから形成された膜状導電体の焼成時に過大な焼成収縮応力が生じるのを防止し、製造しようとするセラミック電子部品の精度や機械的強度を実用上高レベルに維持することに寄与する無機成分となり得る。そのような金属酸化物として、酸化銅、酸化鉛、酸化ビスマス、酸化マンガン、酸化コバルト、酸化マグネシウム、酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化タングステン等が挙げられる。これらのうち、酸化銅、酸化鉛、酸化ビスマスが、特に好適な酸化物である。なかでも酸化ビスマスは、Ａｇ系金属粉末の焼結を促進するとともに、Ａｇとセラミック基材（アルミナ等）との濡れ性を向上させ得るため、特に好適な無機酸化物である。また、酸化銅は基板との密着性を向上させ得る。
また、使用する金属酸化物としては、ペーストの充填率や分散性を適切化するという観点から、平均粒径が５μｍ以下（典型的には１〜５μｍ、特に好ましくは１μｍ以下）の粉末が好ましい。また、比表面積については、少なくとも０．５ｍ2／ｇである粉体が好ましく、１．０ｍ2／ｇ以上（典型的には１．０〜２．０ｍ2／ｇ、特に好ましくは２．０〜１００ｍ2／ｇ）である粉体が特に好ましい。
【００２３】
また、本発明の導体ペーストには、当該ペースト本来の導電性（低抵抗率）、半田濡れ性、半田耐熱性、接着強度等を著しく損なわない限りにおいて種々の有機添加剤を副成分として含ませることができる。例えば、かかる有機添加剤としては、各種の有機バインダー、セラミック基材との密着性向上を目的としたシリコン系、チタネート系及びアルミニウム系等の各種カップリング剤等が挙げられる。
有機バインダーとしては、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アルキド樹脂、セルロース系高分子、ポリビニルアルコール等をベースとするものが挙げられる。本発明の導体ペーストに良好な粘性及び塗膜（基材に対する付着膜）形成能を付与し得るものが好適である。また、本発明の導体ペーストに光硬化性（感光性）を付与したい場合には、種々の光重合性化合物及び光重合開始剤を適宜添加してもよい。
【００２４】
なお、上記の他にも本発明の導体ペーストには、必要に応じて界面活性剤、消泡剤、可塑剤、増粘剤、酸化防止剤、分散剤、重合禁止剤等を適宜添加することができる。これら添加剤は、従来の導体ペーストの調製に用いられ得るものであればよく、詳細な説明は省略する。
【００２５】
次に、本発明に係る導体ペーストの調製について説明する。本発明の導体ペーストは従来の導体ペーストと同様、典型的には金属粉末と有機媒質（ビヒクル）を混和することによって容易に調製することができる。このとき、必要に応じて上述したような添加剤を添加・混合するとよい。例えば、三本ロールミルその他の混練機を用いて、金属粉末及び各種添加剤を有機ビヒクルとともに所定の配合比で直接混合し、相互に練り合わせる。
【００２６】
特に限定するものではないが、好ましくは、主成分たる金属粉末の含有率がペースト全体の６０〜９５wt％となるように各材料を混練するのがよく、７０〜９０wt％となるように混練するのが特に好ましい。なお、表面導体膜形成用ペーストではかかる含有率が６０〜８０wt％（好適には６５〜７５wt％）となるように混練するのが好ましい。他方、側面導体膜形成用Ａｇペーストではかかる含有率が７５〜９５wt％（好適には８０〜９０wt％）となるように混練するのが好ましい。
ペースト調製に用いられる有機ビヒクルの添加量は、ペースト全体のほぼ１〜４０wt％となる量が適当であり、１〜２０wt％となる量が特に好ましい。
また、無機添加剤として上述のガラス粉末を加える場合には、金属粉末重量の０．５wt％以下（より好ましくは０．２５wt％以下）程度の量を添加するのが好ましい。かかる低率の添加量によると、本発明の導体ペーストの良好な導電率や半田濡れ性を実質的に損なうことなく、本発明のペーストから得られる焼成物（膜状導体）のセラミック基材に対する接着強度の向上を実現することができる。
他方、無機添加剤として上述の無機酸化物を加える場合には、金属粉末重量の５．０wt％以下（より好ましくは２．０wt％以下、更に好ましくは１．０wt％以下、特に好ましくは０．５０wt％以下）程度の量を添加するのが好ましい。かかる低率の添加量によると、本発明の導体ペーストの良好な導電率や半田濡れ性を実質的に損なうことなく、本発明のペーストから得られる焼成物（膜状導体）のセラミック基材に対する接着強度の向上及び焼成収縮の抑制を実現することができる。
【００２７】
接着強度の向上は、特に側面導体膜（端子電極等）について問題となる性質である。従って、セラミック基材としてアルミナ等の酸化物セラミックス製のものを使用し、表面導体膜形成用ペーストと側面導体膜形成用ペーストとを用いてセラミック電子部品を製造する場合には、側面導体膜形成用ペーストに副成分として無機酸化物粉末を比較的高率に含有させるとよい。一方、表面導体膜形成用ペーストには、かかる無機酸化物粉末を必ずしも含有させる必要はなく、接着強度向上の観点から無機酸化物粉末を含有させる場合であっても、その含有率は、側面導体膜形成用ペーストの無機酸化物粉末含有率よりも低くてよい。例えば、側面導体膜形成用ペーストに酸化ビスマス、酸化銅等の無機酸化物粉末を含ませる場合、Ａｇベース微粒子の０．００１〜５．０wt％（より好ましくは０．００５〜２．０wt％）となる比率で含ませるのが好ましい。他方、表面導体膜形成用Ａｇペーストは、かかる無機酸化物粉末を実質的に含有しないか、その含有率がＡｇ系金属粉末の０．０１wt％未満であるものが好ましい。特に酸化物ガラス粉末を比較的多量に含有させることは、導体抵抗の上昇を招く虞がある。
なお、各成分の含有率・配合比等に係る上記数値範囲は厳密に解釈すべきでなく、本発明の目的を達成し得る限りかかる範囲からの若干の逸脱を許容するものである。
【００２８】
次に、本発明の導体ペーストを用いた膜状導体形成に係る好適例について説明する。本発明の導体ペーストは、セラミック製の基材（基板）上に配線、電極等の膜状導体を形成するのに従来用いられてきた導体ペーストと同様に取り扱うことができ、従来公知の方法を特に制限なく採用することができる。典型的には、スクリーン印刷法やディスペンサー塗布法等によって、所望する形状・厚みとなるようにして導体ペーストをセラミック基材（基板）に塗りつける。次いで、好ましくは乾燥後、加熱器中で適当な加熱条件（典型的には最高焼成温度が概ね５００〜９６０℃、好ましくはＡｇの融点を超えない温度域、例えば７００〜９６０℃特には８００〜９００℃）で所定時間加熱することによって、その塗りつけられたペースト成分を焼成（焼き付け）・硬化させる。この一連の処理を行うことによって、目的の膜状導体（配線、電極等）が形成されたセラミック電子部品（例えばハイブリッドＩＣやマルチチップモジュールの構築用セラミック配線基板）が得られる。而して、当該セラミック電子部品を組み立て材料として用いつつ従来公知の構築方法を適用することによってさらに高度なセラミック電子部品（例えばハイブリッドＩＣやマルチチップモジュール）を得ることができる。なお、かかる構築方法自体は、特に本発明を特徴付けるものではないため、詳細な説明は省略する。
なお、用途限定を意図するものではないが、上述のとおり、本発明の導体ペーストによると従来のものよりも半田耐熱性や接着強度に優れる膜状導体を形成することができる。このため、本発明の導体ペーストは、膜厚が１０〜３０μｍ程度の導体の形成のみならず、１０μｍ以下の比較的薄い膜厚の導体を形成する用途にも好適である。
【００２９】
【実施例】
以下、本発明に関するいくつかの実施例を説明するが、本発明をかかる実施例に示すものに限定することを意図したものではない。
【００３０】
＜実施例１：本発明の導体ペーストの調製＞
本実施例では、金属粉末のベースとして、一般的な湿式法により調製された平均粒径が０．８〜１．０μｍの範囲にある略球状のＡｇ粉末を使用した。但し、後述する表中において0.8≫1.0と示すように、粒径約０．８μｍの粒子が粒径約１．０μｍの粒子よりも富む粒度分布である。一方、有機系金属化合物として、アルミニウムアルコキシド（ここではアセトアルコキシアルミニウムジイソプロピレート）を用いた。
而して、適当な有機溶剤（ここではメタノール）に上記アルミニウムアルコキシドを添加し、濃度５〜１００ｇ／ｌのコーティング用溶液を調製した。次いで、かかる溶液中に上記Ａｇ粉末を適当量懸濁させ、適宜撹拌しつつ１〜３時間懸濁状態を維持した。その後、Ａｇ粉末を回収し、６０〜１１０℃で通風乾燥した。
以上の処理によって、酸化アルミニウム（Al2O3）換算でＡｇ粉末の略０．０１２５wt％となる量の上記アルミニウムアルコキシドによって表面がほぼ均等にコーティングされたＡｇ粉末（以下「ＡｌコーティングＡｇ粉末」という。）を得た。
【００３１】
次に、上記得られたＡｌコーティングＡｇ粉末を使用して導体ペーストを調製した。すなわち、最終的なペースト濃度（重量比）がＡｌコーティングＡｇ粉末８７wt％および残部が溶剤（ここではターピネオール）となるように使用材料を秤量し、三本ロールミルを用いて混練した。これにより、本実施例に係る導体ペーストを調製した。
【００３２】
＜実施例２：本発明の導体ペーストの調製＞
上記コーティング溶液のアルミニウムアルコキシド濃度及び必要に応じてＡｇ粉末の懸濁時間を適宜調節することによって、酸化アルミニウム（Al2O3）換算でＡｇ粉末の略０．０２５wt％となる量の上記アルミニウムアルコキシドで表面が略均等にコーティングされたＡｇ粉末を得た。次いで、かかるＡｌコーティングＡｇ粉末を用いて実施例１と同様の処理を行い、本実施例に係る導体ペーストを調製した。すなわち、本実施例に係る導体ペーストと実施例１に係る導体ペーストとは、アルミニウムアルコキシドのコーティング量のみが異なる。
【００３３】
＜実施例３：本発明の導体ペーストの調製＞
上記コーティング溶液のアルミニウムアルコキシド濃度及び必要に応じてＡｇ粉末の懸濁時間を適宜調節することによって、酸化アルミニウム（Al2O3）換算でＡｇ粉末の略０．０５wt％となる量の上記アルミニウムアルコキシドで表面が略均等にコーティングされたＡｇ粉末を得た。次いで、かかるＡｌコーティングＡｇ粉末を用いて実施例１と同様の処理を行い、本実施例に係る導体ペーストを調製した。すなわち、本実施例に係る導体ペーストと実施例１及び実施例２に係る導体ペーストとは、アルミニウムアルコキシドのコーティング量のみが異なる。
【００３４】
＜実施例４：本発明の導体ペーストの調製＞
本実施例では、金属粉末のベースとして、平均粒径が０．８〜１．０μｍの範囲にある略球状のＡｇ粉末を使用した。但し、後述する表中において0.8≪1.0と示すように、粒径約１．０μｍの粒子が粒径約０．８μｍの粒子よりも富む粒度分布のものを使用した。かかるＡｇ粉末以外は実施例１と同様の材料・処理を適用して本実施例に係る導体ペーストを調製した。すなわち、本実施例に係る導体ペーストと実施例１に係る導体ペーストとは、Ａｌ粉末（粒度分布）のみが異なる。
【００３５】
＜実施例５：本発明の導体ペーストの調製＞
上記コーティング溶液のアルミニウムアルコキシド濃度及び必要に応じてＡｇ粉末の懸濁時間を適宜調節することによって、酸化アルミニウム（Al2O3）換算でＡｇ粉末の略０．０２５wt％となる量の上記アルミニウムアルコキシドで表面が略均等にコーティングされたＡｇ粉末を得た以外は、実施例４と同様の材料・処理を採用して本実施例に係る導体ペーストを調製した。すなわち、本実施例に係る導体ペーストと実施例４に係る導体ペーストとは、アルミニウムアルコキシドのコーティング量のみが異なる。
【００３６】
＜実施例６：本発明の導体ペーストの調製＞
上記コーティング溶液のアルミニウムアルコキシド濃度及び必要に応じてＡｇ粉末の懸濁時間を適宜調節することによって、酸化アルミニウム（Al2O3）換算でＡｇ粉末の略０．０５wt％となる量の上記アルミニウムアルコキシドで表面が略均等にコーティングされたＡｇ粉末を得た以外は、実施例４と同様の材料・処理を採用して本実施例に係る導体ペーストを調製した。すなわち、本実施例に係る導体ペーストと実施例４及び実施例５に係る導体ペーストとは、アルミニウムアルコキシドのコーティング量のみが異なる。
【００３７】
【００３８】
【００３９】
＜実施例８：本発明の導体ペーストの調製＞
本実施例において、無機添加剤として亜鉛系ガラス（ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラス、平均粒径：１〜２μｍ、軟化点：７８０℃）を含有する導体ペーストを調製した。
すなわち、実施例３で得たＡｌコーティングＡｇ粉末（コーティング量：０．０５０wt％（Al2O3換算））および亜鉛系ガラス粉末（比表面積１〜２ｍ2／ｇのガラスフリット）を使用するとともに、最終的なペースト濃度（重量比）がＡｌコーティングＡｇ粉末８７wt％および残部が溶剤（ターピネオール）となるようにこれら材料を秤量し、さらに対Ａｇ粉末重量比で０．５wt％となる量の亜鉛系ガラス粉末を加え、三本ロールミルを用いて混練した。これにより、本実施例に係る導体ペーストを調製した。
【００４０】
＜実施例９：本発明の導体ペーストの調製＞
本実施例において、無機添加剤として鉛系ガラス（ＰｂＯ−ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3系ガラス、平均粒径：１〜２μｍ、軟化点：７００℃）を含有するペーストを調製した。
すなわち、実施例３で得たＡｌコーティングＡｇ粉末および鉛系ガラス粉末（比表面積１〜２ｍ2／ｇのガラスフリット）を使用するとともに、最終的なペースト濃度（重量比）がＡｌコーティングＡｇ粉末８７wt％および残部が溶剤（ターピネオール）となるようにこれら材料を秤量し、さらに対Ａｇ粉末重量比で０．２５wt％となる量の鉛系ガラス粉末を加え、三本ロールミルを用いて混練した。これにより、本実施例に係る導体ペーストを調製した。
【００４１】
＜実施例１０：本発明の導体ペーストの調製＞
鉛系ガラス粉末の添加量を対Ａｇ粉末重量比で０．５wt％とした以外は、実施例９と同様の処理を行って本実施例に係る導体ペーストを調製した。
【００４２】
＜実施例１１：本発明の導体ペーストの調製＞
鉛系ガラス粉末の添加量を対Ａｇ粉末重量比で１．０wt％とした以外は、実施例９と同様の処理を行って本実施例に係る導体ペーストを調製した。
【００４３】
＜実施例１２：本発明の導体ペーストの調製＞
本実施例において、無機添加剤としてホウケイ酸系ガラス（Ｂｉ2Ｏ3−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラス、平均粒径：１〜２μｍ、軟化点：７２５℃）を含有するペーストを調製した。
すなわち、実施例３で得たＡｌコーティングＡｇ粉末およびホウケイ酸系ガラス粉末（比表面積１〜２ｍ2／ｇのガラスフリット）を使用するとともに、最終的なペースト濃度（重量比）がＡｌコーティングＡｇ粉末８７wt％および残部が溶剤（ターピネオール）となるようにこれら材料を秤量し、さらに対Ａｇ粉末重量比で０．５wt％となる量のホウケイ酸系ガラス粉末を加え、三本ロールミルを用いて混練した。これにより、本実施例に係る導体ペーストを調製した。
【００４４】
＜実施例１３：本発明の導体ペーストの調製＞
本実施例において、無機添加剤として酸化銅(Cu2O)粉末を含有するペーストを調製した。すなわち、実施例３で得たＡｌコーティングＡｇ粉末および酸化銅粉末（平均粒径：１〜５μｍ、比表面積：０．５〜１．５ｍ2／ｇ）を使用するとともに、最終的なペースト濃度（重量比）がＡｌコーティングＡｇ粉末８７wt％および残部が溶剤（ターピネオール）となるようにこれら材料を秤量し、さらに対Ａｇ粉末重量比で０．２５wt％となる量の酸化銅粉末を加え、三本ロールミルを用いて混練した。これにより、本実施例に係る導体ペーストを調製した。
【００４５】
＜実施例１４：本発明の導体ペーストの調製＞
酸化銅粉末の添加量を対Ａｇ粉末重量比で０．５wt％とした以外は、実施例１３と同様の処理を行って本実施例に係る導体ペーストを調製した。
【００４６】
＜実施例１５：本発明の導体ペーストの調製＞
酸化銅粉末の添加量を対Ａｇ粉末重量比で１．０wt％とした以外は、実施例１３と同様の処理を行って本実施例に係る導体ペーストを調製した。
【００４７】
＜実施例１６：本発明の導体ペーストの調製＞
本実施例において、無機添加剤として酸化鉛(Pb3O4)粉末を含有するペーストを調製した。すなわち、実施例３で得たＡｌコーティングＡｇ粉末および酸化鉛粉末（平均粒径：１〜５μｍ、比表面積：０．５〜１．５ｍ2／ｇ）を使用するとともに、最終的なペースト濃度（重量比）がＡｌコーティングＡｇ粉末８７wt％および残部が溶剤（ターピネオール）となるようにこれら材料を秤量し、さらに対Ａｇ粉末重量比で０．２５wt％となる量の酸化鉛粉末を加え、三本ロールミルを用いて混練した。これにより、本実施例に係る導体ペーストを調製した。
【００４８】
＜実施例１７：本発明の導体ペーストの調製＞
酸化鉛粉末の添加量を対Ａｇ粉末重量比で０．５wt％とした以外は、実施例１６と同様の処理を行って本実施例に係る導体ペーストを調製した。
【００４９】
＜実施例１８：本発明の導体ペーストの調製＞
酸化鉛粉末の添加量を対Ａｇ粉末重量比で１．０wt％とした以外は、実施例１６と同様の処理を行って本実施例に係る導体ペーストを調製した。
【００５０】
＜実施例１９：本発明の導体ペーストの調製＞
本実施例において、無機添加剤として酸化ビスマス(Bi2O3)粉末を含有するペーストを調製した。すなわち、実施例３で得たＡｌコーティングＡｇ粉末および酸化ビスマス粉末（平均粒径：１〜１０μｍ、比表面積：０．５〜２．０ｍ2／ｇ）を使用するとともに、最終的なペースト濃度（重量比）がＡｌコーティングＡｇ粉末８７wt％および残部が溶剤（ターピネオール）となるようにこれら材料を秤量し、さらに対Ａｇ粉末重量比で０．２５wt％となる量の酸化ビスマス粉末を加え、三本ロールミルを用いて混練した。これにより、本実施例に係る導体ペーストを調製した。
【００５１】
＜実施例２０：本発明の導体ペーストの調製＞
酸化ビスマス粉末の添加量を対Ａｇ粉末重量比で０．５wt％とした以外は、実施例１９と同様の処理を行って本実施例に係る導体ペーストを調製した。
【００５２】
＜実施例２１：本発明の導体ペーストの調製＞
酸化ビスマス粉末の添加量を対Ａｇ粉末重量比で１．０wt％とした以外は、実施例１９と同様の処理を行って本実施例に係る導体ペーストを調製した。
【００５３】
＜実施例２２：本発明の導体ペーストの調製＞
本実施例において、無機添加剤として上述の酸化ビスマス粉末及び鉛系ガラス粉末を含有するペーストを調製した。すなわち、実施例３で得たＡｌコーティングＡｇ粉末、上記酸化ビスマス粉末及び上記鉛系ガラスを使用するとともに、最終的なペースト濃度（重量比）がＡｌコーティングＡｇ粉末８７wt％および残部が溶剤（ターピネオール）となるようにこれら材料を秤量し、さらに対Ａｇ粉末重量比で０．５wt％となる量の酸化ビスマス粉末及び０．２５wt％となる量の鉛系ガラス粉末を加え、三本ロールミルを用いて混練した。これにより、本実施例に係る導体ペーストを調製した。
【００５４】
＜実施例２３：本発明の導体ペーストの調製＞
本実施例では、金属粉末のベースとして、平均粒径が０．３〜０．５μｍの範囲にある微細なＡｇ粉末を使用した。そして、実施例３と同様の処理を行い、酸化アルミニウム（Al2O3）換算でＡｇ粉末の略０．０５wt％となる量の上記アルミニウムアルコキシドで表面が略均等にコーティングされたＡｇ粉末を得た。
而して、当該ＡｌコーティングＡｇ粉末を用いる以外は、上記実施例２０と同様の処理を行い、無機添加剤として酸化ビスマス粉末（対Ａｇ粉末重量比で０．５wt％）を含有する本実施例に係る導体ペーストを調製した。
【００５５】
＜実施例２４：本発明の導体ペーストの調製＞
本実施例では、金属粉末のベースとして、平均粒径が０．３〜０．５μｍの範囲にある微細なＡｇ粉末を使用した（なお実施例２３とはＡｇ粉末の製造元が異なる）。そして、実施例３と同様の処理を行い、酸化アルミニウム（Al2O3）換算でＡｇ粉末の略０．０５wt％となる量の上記アルミニウムアルコキシドで表面が略均等にコーティングされたＡｇ粉末を得た。
而して、当該ＡｌコーティングＡｇ粉末を用いる以外は、上記実施例２０と同様の処理を行い、無機添加剤として酸化ビスマス粉末（対Ａｇ粉末重量比で０．５wt％）を含有する本実施例に係る導体ペーストを調製した。
【００５６】
＜実施例２５：本発明の導体ペーストの調製＞
本実施例では、金属粉末のベースとして、平均粒径が０．５〜０．７μｍの範囲にあるＡｇ粉末を使用した。そして、実施例３と同様の処理を行い、酸化アルミニウム（Al2O3）換算でＡｇ粉末の略０．０５wt％となる量の上記アルミニウムアルコキシドで表面が略均等にコーティングされたＡｇ粉末を得た。
而して、当該ＡｌコーティングＡｇ粉末を用いる以外は、上記実施例２０と同様の処理を行い、無機添加剤として酸化ビスマス粉末（対Ａｇ粉末重量比で０．５wt％）を含有する本実施例に係る導体ペーストを調製した。
【００５７】
＜実施例２６：本発明の導体ペーストの調製＞
本実施例において、無機添加剤として上述の酸化ビスマス粉末及び酸化銅粉末を含有するペーストを調製した。すなわち、実施例３で得たＡｌコーティングＡｇ粉末、上記酸化ビスマス粉末及び上記酸化銅粉末を使用するとともに、最終的なペースト濃度（重量比）がＡｌコーティングＡｇ粉末８７wt％および残部が溶剤（ターピネオール）となるようにこれら材料を秤量し、さらに対Ａｇ粉末重量比で０．５wt％となる量の酸化ビスマス粉末及び０．５wt％となる量の酸化銅粉末を加え、三本ロールミルを用いて混練した。これにより、本実施例に係る導体ペーストを調製した。
【００５８】
＜実施例２７：本発明の導体ペーストの調製＞
酸化銅粉末の添加量を対Ａｇ粉末重量比で０．２５wt％とした以外は、実施例２６と同様の処理を行って本実施例に係る導体ペーストを調製した。
【００５９】
＜実施例２８：本発明の導体ペーストの調製＞
酸化銅粉末の添加量を対Ａｇ粉末重量比で０．１２５wt％とした以外は、実施例２６と同様の処理を行って本実施例に係る導体ペーストを調製した。
【００６０】
＜比較例１：従来の導体ペーストの調製＞
本比較例では、金属粉末のベースとして、平均粒径が２．０〜３．０μｍの範囲にあるＡｇ粉末を使用した。有機系金属化合物によるコーティングは行っていない。すなわち、かかる非コーティングＡｇ粉末をそのまま用いて最終的なペースト濃度（重量比）が当該Ａｇ粉末８７wt％および残部が溶剤（ターピネオール）となるようにこれら材料を秤量し、三本ロールミルを用いて混練した。これにより、本比較例に係る導体ペーストを調製した。
【００６１】
＜比較例２：従来の導体ペーストの調製＞
本比較例では、金属粉末のベースとして、平均粒径が約１．０μｍの範囲にあるＡｇ粉末を使用した。有機系金属化合物によるコーティングは行っていない。
而して、かかる非コーティングＡｇ粉末を使用する以外は、実施例２６と同様の処理を行い、無機添加剤として酸化ビスマス粉末及び酸化銅粉末（それぞれ対Ａｇ粉末重量比で０．５wt％）を含有する本比較例に係る導体ペーストを調製した。
なお、上述の各実施例および比較例の導体ペーストにおけるＡｇ粉末の平均粒径、有機系金属化合物（即ちアルミニウムアルコキシド）のコーティング量、無機添加剤の種類及びその添加量を、以下の表１〜表１０に欄を設けて示している。
【００６２】
【表１】
0003564089.tif 000002
【００６３】
【表２】
0003564089.tif 000003
【００６４】
【表３】
0003564089.tif 000004
【００６５】
【表４】
0003564089.tif 000005
【００６６】
【表５】
0003564089.tif 000006
【００６７】
【表６】
0003564089.tif 000007
【００６８】
【表７】
0003564089.tif 000008
【００６９】
【表８】
0003564089.tif 000009
【００７０】
【表９】
0003564089.tif 000010
【００７１】
【表１０】
0003564089.tif 000011
【００７２】
＜実施例２９：膜状導体の形成及びその評価（１）＞
次に、各実施例及び比較例に係る導体ペーストを用いて、セラミック基材（ここでは厚みが約０．８ｍｍのアルミナ製基板）の表面に膜状導体を形成した。すなわち、一般的なスクリーン印刷法に基づいてセラミック基板の表面に導体ペーストを塗布し、所定の膜厚（１０〜３０μｍ：各表中の「塗膜厚み」欄参照。）の塗膜を形成した。
続いて、遠赤外線乾燥機を用いて１００℃で１５分間の乾燥処理を施した。この乾燥処理により、上記塗膜から溶剤が揮発していき、セラミック基板上に未焼成の膜状導体が形成された。
【００７３】
次に、この膜状導体をセラミック基板ごと焼成した。すなわち、電気炉中で７００，７５０，８００，８５０または９００℃のいずれか（使用したペースト毎に異なる。各表中の「焼成温度」欄を参照。）で１時間の焼成処理を行った。この焼成処理によって、所定の膜厚（各表中の「焼成膜厚み」欄を参照。）の膜状導体をセラミック基板上に焼き付けた。以下、単に膜状導体というときは当該焼成後のものを指す。
【００７４】
次に、得られた各膜状導体の特性評価として、抵抗値、シート抵抗値、半田濡れ性、半田耐熱性および引っ張り強度を以下のように試験・測定した。これら特性評価試験の結果は、使用ペーストごとに表１〜１０の各々対応する欄に示している。なお、表中のn.d.は未測定であることを示している。
【００７５】
＜抵抗値の測定＞
実施例１〜７に係る導体ペーストを使用して得られた膜状導体のそれぞれについて以下のようにして抵抗値（Ω）を測定した。すなわち、デジタルマルチメーターを用いて一般的な２端子法に基づいて膜状導体の抵抗値（Ω）を測定した。
【００７６】
＜シート抵抗値の測定＞
実施例１〜２５及び比較例１、２に係る導体ペーストを使用して得られた膜状導体のそれぞれについて以下のようにしてシート抵抗値（ｍΩ／□）を測定した。すなわち、シート抵抗値（ｍΩ／□）は上記測定抵抗値（Ω）に基づいて次式より算出した。
シート抵抗値（ｍΩ／□）＝測定抵抗値（Ω）×（導体幅(mm)／導体長さ(mm)）×（導体厚み(μm)／換算厚み(μm)）；ここで換算厚みは焼成物１０μｍ若しくは印刷物２５μｍ。
【００７７】
＜半田濡れ性＞
各実施例及び比較例に係る導体ペーストを使用して得られた膜状導体のそれぞれについて以下のようにして半田濡れ性を調べた。すなわち、各セラミック基板の膜状導体部分にロジンフラックスを塗布した後、当該基板を２３０±５℃の半田（Ｓｎ／Ｐｂ＝６０／４０（重量比））に３秒間浸漬した。その後、当該半田で濡れている膜状導体部分の面積比率で半田濡れ性を評価した。具体的には、膜状導体の表面の９０％以上が濡れたものは良好な半田濡れ性を示すものと判断し、表中において◎で示した。他方、半田濡れ部分が膜状導体表面全体の８０％以下のものについては、半田濡れ性が劣るものと判断し、表中において×で示した。
【００７８】
＜半田耐熱性＞
各実施例及び比較例２に係る導体ペーストを使用して得られた膜状導体のそれぞれについて以下のようにして半田耐熱性を調べた。すなわち、各セラミック基板の膜状導体部分にロジンフラックスを塗布した後、当該基板を所定温度の半田（Ｓｎ／Ｐｂ＝６０／４０（重量比））に所定時間浸漬した。ここでは、かかる半田温度条件及び浸漬時間を２３０±５℃×３０秒、２６０±５℃×１０秒、および２６０±５℃×２０秒の３通りとした（適用条件は使用したペースト毎に異なる。各表中の「半田耐熱性」欄を参照。）。
而して、浸漬後に「半田くわれ」されなかった部分、即ち浸漬前と比較して浸漬後にセラミック基板上に残存している膜状導体の面積比率で半田耐熱性を評価した。具体的には、膜状導体の略９０％以上が残存しているものは優れた半田耐熱性を示すものと判断し、表中において◎で示した。また、膜状導体の略８０％以上９０％未満が残存しているものは良好な半田耐熱性を示すものと判断し、表中において○で示した。他方、膜状導体の残存している部分が浸漬前の略８０％未満のものは半田耐熱性が比較的劣っているものと判断し、表中において×で示した。
【００７９】
＜引っ張り強度＞
各実施例及び比較例２に係る導体ペーストを使用して得られた膜状導体のそれぞれについて、セラミック基板に対する接着強度の指標として引っ張り強度（ｋｇ）を以下のようにして測定した。すなわち、セラミック基板に焼き付き形成された膜状導体に評価用リード線（スズめっき銅線）を半田付けした。その後、そのリード線を基板の面方向とは垂直方向に所定の力で引っ張り、その接合面が破壊（分断）された時の負荷（ｋｇ）を接着強度（引っ張り強度）とした。なお、ここでは、上記焼成処理直後のセラミック基板、焼成後さらに１５０℃で４８時間、１００時間又は２００時間のエージングを施した後のセラミック基板について上記引っ張り強度試験を行った（条件は使用したペースト毎に異なる。各表中の「引っ張り強度」欄を参照。）。
【００８０】
表１〜１０に示した上記各特性評価試験の結果から明らかなように、本実施例に係る導体ペーストから形成された膜状導体（厚み：１０〜２２μｍ）は、何れも導体として問題のない抵抗値及び／又はシート抵抗値を示した。これらの結果は、導電性即ち電気的特性の観点からみて本発明の導体ペーストが膜状導体形成用途に好適に用い得ることを示すものである。
また、半田濡れ性については、比較的多量に鉛系ガラス粉末又はホウケイ酸系ガラス粉末を添加したもの（実施例１０，１１，１２）については若干劣っていた（概ね５０％〜７０％）ものの、それら以外のものは、半田濡れ性の上記指標値が９０％以上（表中の◎）を示した。このことは、半田濡れ性の観点からみて、本発明の導体ペーストが膜状導体形成用途に好適であることを示すものである。また、ガラス粉末を添加する場合は、亜鉛系ガラス粉末が比較的好ましい（実施例８）。
【００８１】
半田耐熱性に関する評価試験から明らかなように、各実施例に係る導体ペーストから形成された膜状導体は、従来のＡｇ／Ｐｄ粉末を含む導体ペーストから形成された膜状導体やＮｉめっきされた膜状導体と同等かそれ以上の半田耐熱性を示した。特に、無機添加剤を添加せずに調製したペースト（実施例１〜６）であっても、高い半田耐熱性を有していることが確認された（実施例１〜６）。このことは、本発明によると、金属（Ａｇ）粉末に対して０．０１wt％（酸化物換算）程度のごく僅かな量の有機系金属化合物（ここでは金属アルコキシド）でＡｇベース微粒子をコーティングすることにより、高価なＰｄを使用したり煩雑なＮｉめっき処理を行うことなく実用レベルでの高い半田耐熱性を実現できることを示すものである。
【００８２】
また、引っ張り強度に関する評価試験から明らかなように、本発明の導体ペーストから形成された膜状導体は、Ａｇベース微粒子の焼成物である結果、特に添加剤を必要とすることなく実用レベルの接着強度を保持することが認められた（実施例１〜６）。また、無機添加剤を添加した各実施例のペーストを用いた結果から、適当量のガラスフリット及び／又は無機酸化物粉末を添加することにより、所望する半田耐熱性や半田濡れ性を維持しつつ接着強度を向上させ得ることが確認された（例えば実施例３と実施例１３〜１５参照）。特に、適当量の無機酸化物の添加が有効である。かかる添加によって、高い半田濡れ性及び半田耐熱性の維持と接着強度の向上とを共に実現させることができる（実施例１３〜２８参照）。さらに焼成収縮の低減にも寄与する。なお、添加する無機酸化物は１種類でもよいが、２種類又はそれ以上組み合わせて添加することが好ましいことが示された（実施例２６〜２８参照）。
【００８３】
各実施例で使用したＡｇ粉末の平均粒径（０．２〜１．０μｍ）は、本発明の導体ペーストを調製するのに適当なものであった（実施例２０，２３，２４，２５参照）。また、各実施例に係る導体ペーストを使用した場合の膜状導体焼成温度は、比較的高いレベルの接着強度保持の観点から８００℃以上が好ましく、８５０〜９００℃程度の焼成温度が特に好適であることが示された。
【００８４】
＜実施例３０：膜状導体の形成及びその評価（２）＞
次に、本実施例に係る導体ペーストによると、上記比較例で形成したものよりも薄い膜状導体（１０μｍ以下）を好適に形成し得ることを確認するため、実施例１７，２０，２２及び比較例２の計４種類の導体ペーストを用いて比較的厚い膜状導体と比較的薄い膜状導体とを形成し、上記実施例２９と同様の特性評価を行った。
すなわち、実施例２９と同様、スクリーン印刷法に基づいてセラミック基板の表面に各導体ペーストを塗布し、ペーストごとに薄い塗膜と厚い塗膜を形成した。その後、実施例２９と同様の焼成処理を行い、比較的厚い膜状導体（膜厚：１２〜１５μｍ）と、比較的薄い膜状導体（膜厚：６〜８μｍ）を形成した。
次いで得られた各膜状導体の特性評価として、シート抵抗値、半田濡れ性、半田耐熱性および引っ張り強度を上記実施例と同様にして試験・測定した。結果を以下の表１１及び表１２に示す。
【００８５】
【表１１】
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【００８６】
【表１２】
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【００８７】
表１１及び１２に示した結果から明らかなように、これら実施例に係る導体ペーストによると、比較的厚い膜状導電膜と実質的に同等の導電性、半田濡れ性および半田耐熱性を具備する１０μｍ以下の薄い膜状導電膜を形成することができる。このことは、本発明の導体ペーストによると、電気的特性及び／又は機械的特性に優れた薄膜回路基板や薄膜ハイブリッドＩＣ等のセラミック電子部品を好適に製造し得ることを示すものである。
【００８８】
以上の実施例から、本発明の導体ペーストとして好適ないくつかの実施形態が明らかとなった。好適な導体ペーストは、次の条件の一つ又は二つ以上を構成要件とするものが挙げられる。すなわち、
(1).平均粒径が０．２〜１．０μｍのＡｇ粉末を金属粉末の主体とする。
(2).Ａｇ又はＡｇ主体の合金の微粒子に有機系金属化合物として金属アルコキシド（特に好ましくはアルミニウムアルコキシド）がコーティングされたものを金属粉末とする。
(3).金属アルコキシドのコーティング量（含有率）が酸化物換算で金属（Ａｇ）粉末の０．０１〜０．１wt％に相当する量である。
(4).金属（Ａｇ）粉末の略１wt％又はそれ以下に相当する量（好ましくは０．５wt％以下）で、１種又は２種以上の無機酸化物（好ましくは酸化銅、酸化鉛及び／又は酸化ビスマス）を無機添加剤として含む。
(5).金属（Ａｇ）粉末の略０．５wt％又はそれ以下に相当する量（好ましくは０．２５wt％以下）で、１種又は２種以上のガラス粉末（好ましくは亜鉛系ガラス、鉛系ガラス及び／又はホウケイ酸系ガラス）を無機添加剤として含む。
【００８９】
また、以上の実施例から、本発明の導体ペーストを用いてのセラミック電子部品製造方法として特に好適ないくつかの実施形態が明らかとなった。本発明のセラミック電子部品製造方法として特に好適なものには、上述したいずれかの好適な実施形態に係る導体ペーストを使用することを特徴とする方法が挙げられ、或いは、セラミック基材に塗布したペースト主成分（即ちコーティング金属粉末）を８００〜９００℃程度の温度で焼成することを特徴とする方法が挙げられる。
【００９０】
＜実施例３１〜３３：側面導体膜形成用Ａｇペースト＞
表１３に実施例３１〜３３として示す計３種類の組成の側面導体膜形成用Ａｇペーストを調製した。
すなわち、Ａｇベース微粒子として一般的な湿式法により調製された平均粒径が０．３〜０．５μｍ（実施例３２を除く）又は０．６〜０．８μｍ（実施例３２のみ）の範囲にある略球状のＡｇ粉末を使用した。また、コーティング材料としてアルミニウムアルコキシド（アセトアルコキシアルミニウムジイソプロピレート）を用いた。而して、適当な有機溶剤（ここではメタノール）に上記金属アルコキシドを添加し、濃度５〜１００ｇ／ｌのコーティング用溶液を調製した。次いで、かかる溶液中に上記Ａｇ粉末を適当量懸濁させ、適宜撹拌しつつ１〜３時間懸濁状態を維持した。その後、Ａｇ粉末を回収し、６０〜１１０℃で通風乾燥した。
以上の処理によって、酸化物（Al2O3）換算でＡｇ粉末の略０．０１２５〜０．１wt％となる量のアルミニウムアルコキシドによって表面がほぼ均等にコーティングされたＡｇ粉末（以下「コーティングＡｇ粉末」という。）を得た。なお、かかるコーティング量の調整は、上記コーティング溶液の金属アルコキシド濃度及び必要に応じてＡｇ粉末の懸濁時間を適宜調節することによって容易に行うことができる。
【００９１】
側面導体形成用Ａｇペーストの調製には、無機酸化物粉末として平均粒径：１〜５μｍ、比表面積：０．５〜１．５ｍ2／ｇの酸化銅（Cu2O又はCuO）粉末及び平均粒径：１〜１０μｍ、比表面積：０．５〜２．０ｍ2／ｇの酸化ビスマス(Bi2O3)粉末を使用した。
而して、最終的な濃度（重量比）が６５〜７５wt％となる量のコーティングＡｇ粉末と、コーティングＡｇ粉末量の０．０１〜１．０wt％に相当する量の酸化ビスマス粉末と、コーティングＡｇ粉末量の０．００５〜０．５wt％に相当する量の酸化銅粉末と、コーティングＡｇ粉末量の１．５〜１０wt％に相当する量の有機バインダー（エチルセルロース）と、残部が溶剤（実施例３１〜３２についてはＢＣ（ブチルカルビトール）即ちジエチレングリコールモノブチルエーテルとターピネオールの混合溶媒、実施例３３についてはＢＣとエステル（具体的にはトリメチルペンタジオールモノイソブチレート）の混合溶媒）となるように各材料を秤量し、三本ロールミルを用いて混練した。これにより、表１３に示す計３種類のＡｇペーストを得た。
【００９２】
【表１３】
0003564089.tif 000014
【００９３】
＜実施例３６、３９〜４４、４６及び４７：表面導体膜形成用Ａｇペースト＞
表１４〜表１６に示す計９種類の組成の表面導体膜形成用Ａｇペーストを調製した。なお、実施例３１〜３３で使用したものと同タイプのＡｇ粉末、金属アルコキシドを使用した。
すなわち、金属アルコキシド濃度が５〜１００ｇ／ｌのコーティング用溶液を調製し、側面導体膜形成用Ａｇペースト製造時と同様の処理を行って、酸化物（Al2O3）換算でＡｇ粉末の０．０２５wt％〜０．４wt％のアルミニウムアルコキシドによって表面がほぼ均等にコーティングされたコーティングＡｇ粉末を得た。
次いで、側面導体膜形成用Ａｇペースト製造時と同様の処理を行って、最終的なペースト濃度（重量比）が８３〜８６wt％となる量のコーティングＡｇ粉末と表１４〜１６に記載の副成分（無機酸化物、有機バインダー、溶剤等）を適宜用いて計９種類のＡｇペーストを得た。表１４〜１６の記載から明らかなように、これら表面導体膜形成用Ａｇペーストは、表１３の側面導体膜形成用ＡｇペーストよりもＡｇ粉末含有率が高いことを一つの特徴とする。また、実施例３６、３９〜４４に係るＡｇペーストは無機酸化物粉末（酸化ビスマス及び酸化銅）を含んでいないことをもう一つの特徴とする。他方、実施例４６〜４７に係るＡｇペーストはこれら無機酸化物粉末を比較的高率に含んでいる。なお、各ペーストを製造するのに使用した有機バインダー（エチルセルロース）の含有率（対Ａｇ比％）及び溶剤の種類は、表１４〜表１６に示したとおりである。また、実施例４０及び実施例４２に係るペーストの調製にあたっては分散剤（ここではアミン系のものを使用した）を微量配合した。
【００９４】
【表１４】
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【００９５】
【表１５】
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【００９６】
【表１６】
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【００９７】
＜Ａｇペーストの性能評価＞
一般的な回転粘度計（ブルックフィールド社製：型式ＤＶ３）及びローター（ブルックフィールド社製：型式ＳＣ４−１４）を用いてこれらＡｇペーストの粘度（Ｐａ・ｓ）と粘度比を測定した。結果を表１３〜表１６の該当欄に示す。なお、表中の１Ｔ、１０Ｔ、５０Ｔ及び１００Ｔはそれぞれ１ｒｐｍ、１０ｒｐｍ、５０ｒｐｍ及び１００ｒｐｍであるときの粘度を示している。
表１３から明らかなように、側面導体膜形成用Ａｇペーストは、低粘度である。従って、これら側面導体膜形成用Ａｇペーストは、微細なチップ形状のセラミック基材に対しても精細なスクリーン印刷等を好ましく行うことができる。
他方、表１４〜１６から明らかなように、表面導体膜形成用Ａｇペーストは、側面導体膜形成用Ａｇペーストよりも粘度が高く、基材表面に塗布（印刷）する或いはスルーホールに充填するのに適している。また、Ａｇ粉末含有率が高いため、導体膜の導通抵抗を低く抑えることができる。
【００９８】
各Ａｇペーストを用いてそれぞれ形成した導体膜について、乾燥密度（ｇ／ｃｍ3）を以下のようにして測定した。すなわち、予め重量を測定しておいたアルミナ基板上に、３０ｍｍ×２０ｍｍ角の大きさで導体膜を印刷した。次いで、１００〜１２０℃で１０分程度の乾燥処理を施した。かかる印刷処理及び乾燥処理を繰返し、印刷膜を３〜５層重ねて形成した。次いで、この印刷基板の重量を測定し、その測定値（印刷基板重量）からアルミナ基板重量を差し引き、印刷層の重量（乾燥ペースト重量）を算出した。同時に、表面粗さ計等を使用して印刷層の膜厚を測定し、それに基づいて当該印刷層の体積を算出した。乾燥密度は、（印刷層の重量）／（印刷層の体積）より導き出した。
得られた結果を表１３〜１６の該当欄に示す。各Ａｇペーストは、いずれも良好な乾燥密度の導体膜（即ち導通抵抗の低い導体膜）を形成することができる。
【００９９】
また、各Ａｇペーストを用いて導体膜を形成する場合の収縮率（％）を調べた。すなわち、各Ａｇペーストを一般的なスクリーン印刷法に基づいて厚み：約１ｍｍのアルミナ製セラミックシートの表面に塗布し（膜厚：１０〜３０μｍ）、最高温度９５０℃の条件で焼成処理した。常温時（焼成前）と比較したときの７００℃及び９００℃におけるセラミックシート上での収縮の変化即ち体積減少度合（−％）をＴＭＡを指標として調べた。
得られた結果を表１３〜１６の該当欄に示す。いずれのＡｇペーストも比較的低い収縮率（０〜−２１％）を示した。特に、実施例３６、３９〜４１のＡｇペーストの７００℃における収縮率は０〜−１０％以内である。このことは、セラミック基材との同時焼成において、当該セラミック基材（アルミナ等）とその表面及び／又は内面に形成された導体膜との間に収縮率差がほとんど生じないことを示している。従って、これらＡｇペーストを表面導体膜形成用途に使用することによって、或いは積層タイプのセラミック配線基板を製造する場合にはさらに内面導体膜形成用途として使用することによって、同時焼成時におけるセラミック基材との過大な焼成収縮率差の発生を防止し、結果、セラミック基材と導体膜との接着特性に優れ、構造欠陥のないセラミック電子部品を製造することができる。
【０１００】
また、これらＡｇペーストの耐熱性を調べた。すなわち、アルミナ製のセラミック基板上に実施例３１のＡｇペーストを塗布し、９５０℃で１時間の焼成処理を行った。比較対象として、表面が有機系金属化合物や金属酸化物によってコーティングされていない従来の一般的なＡｇ単体粉末を主成分とする導体ペースト（以下「従来のＡｇペースト」という。）を塗布したセラミック基板を同条件で焼成処理した。かかる焼成処理後のセラミック基板表面の写真を図１として示す。これら写真から明らかなように、従来のＡｇペーストを塗布したものは、導体膜の剥離及び蒸発が顕著であった（図１の（Ａ）参照）。一方、本発明に係るＡｇペーストを塗布したものは、顕著な剥離、蒸発及び発泡が認められず、良好な導体膜（焼結体）が形成・維持された（図１の（Ｂ）参照）。このことから、本発明に係るＡｇペーストは、Ａｇベース微粒子を主成分とする導体ペーストであるにもかかわらず、比較的高温での焼成に対応し得ることが確認された。
【０１０１】
＜セラミック配線基板の製造＞
次に、表面導体膜形成用Ａｇペーストを用いて、セラミック基材（ここでは厚みが約２．０ｍｍのアルミナ製基板）の表面に所定のパターン（図２参照）の導体膜を形成した。すなわち、一般的なスクリーン印刷法に基づいてセラミック基板の表面に実施例３１のＡｇペーストを塗布し、膜厚が１０〜３０μｍの塗膜を形成した。続いて、遠赤外線乾燥機を用いて１００℃で１５分間の乾燥処理を施した。この乾燥処理により、上記塗膜から溶剤が揮発していき、セラミック基板上に未焼成の導体膜が形成された。
次に、この導体膜をセラミック基板ごと焼成した。すなわち、電気炉中で７００℃、１時間の焼成処理を行った。この焼成処理によって、上記所定のパターンの導体膜が焼き付けられたセラミック配線基板が得られた（図２の実施例の欄の写真参照）。
なお、比較対象として、従来のＡｇペースト（比較例Ａ）、ＡｇとＰｄが８０／２０である合金粉末を主成分とする従来の導体ペースト（比較例Ｂ）、ならびにＡｇとＰｔが９９．５／０．５である合金粉末を主成分とする従来の導体ペーストを使用して、同様の処理を行い、同形状の導体膜が焼き付けられたセラミック配線基板をそれぞれ作製した。
【０１０２】
半田耐熱性は以下のように試験・測定した。すなわち、セラミック基板の導体膜形成部分にロジンフラックスを塗布した後、当該基板を所定温度の半田（Ｓｎ／Ｐｂ＝６０／４０（重量比））に所定時間浸漬した。ここでは、かかる半田温度条件及び浸漬時間を２３０±５℃×３０秒、２６０±５℃×２０秒の２通りとした。かかる浸漬後のセラミック基板表面の写真を図２として示す。これら表面写真から明らかなように、実施例３１の導体膜は、いずれの条件でもいわゆる「半田くわれ」が実質的に生じなかった。また、Ａｇ／Ｐｄ合金から形成された比較例Ｂの導体膜についても殆ど「半田くわれ」は生じていない。他方、表面がコーティングされていない従来のＡｇ単体から形成された比較例Ａの導体膜は著しい「半田くわれ」が生じており、浸漬前と比較して導体膜の３０％以上が失われた。
このように、本発明によると、Ａｇ単体を主成分とする導体ペーストから成る導体膜であるにもかかわらず、Ｎｉメッキ、半田メッキ等のメッキ処理を施すことなくＡｇ／Ｐｄ合金から成る導体膜と同等又はそれ以上の半田耐熱性を実現することができる。
【０１０３】
＜試験例１＞
本発明に関連する試験例１として、有機金属塩のコーティング量及び／又は焼成温度と焼成収縮率との関係について考察した。
すなわち、各実施例のＡｇペーストを調製するのと同様にして、平均粒径０．８〜１．０μｍのＡｇ粉末を含有率８５wt％となるように溶剤（ＢＣ）に分散して成るＡｇペースト（無機酸化物粉末を含まない）であって、上述のアルミニウムアルコキシドのコーティング量が酸化物（Al2O3）換算でＡｇ粉末の０〜０．５wt％となる計６種類のＡｇペーストを調製した。
それらペーストを、上記＜Ａｇペーストの性能評価＞の項で説明したのと同様の方法で、アルミナ製セラミックシートの表面に塗布し、４００℃〜９００℃の温度条件で焼成処理を行い、収縮率（％）を求めた。その結果を図３に示す。上記コーティング量の範囲では、コーティング量が増加する程、収縮率が減少した。特にコーティング量が０．１％以上のものは、８００℃以上（例えば９００℃）の温度条件での焼成処理によっても低い収縮率を維持し得ることが確認された。
【０１０４】
＜試験例２＞
本発明に関連する試験例２として、無機酸化物粉末の種類及び添加量と接着強度（引っ張り強度）との関係について考察した。
すなわち、各実施例のＡｇペーストを調製するのと同様にして、平均粒径０．８〜１．０μｍのＡｇ粉末であって酸化物（Al2O3）換算でＡｇ粉末の０．１wt％となる量で上述のアルミニウムアルコキシドでコーティングされたＡｇ粉末を含有率８５wt％となるように溶剤（ＢＣ）に分散してＡｇペーストを調製した。この試験例では、酸化ビスマス、酸化銅、又は酸化物ガラス（Ｂｉ2Ｏ3−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラス）をＡｇ粉末の０．２５wt％、０．５wt％又は１wt％相当量含む、計９種類のＡｇペーストを調製した。
それらペーストを用いて、上述したものと同様のセラミック配線基板を作製し、上記引っ張り強度試験を行った。その結果を図４に示す。グラフから明らかなように、各Ａｇペーストから形成された導体膜はいずれも高い接着強度を有することが確認された。
【０１０５】
以上の実施例や試験例において、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。
また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組み合わせによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時の請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【０１０６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の導体ペーストによれば、Ｐｄ等の高価な貴金属を多量に用いたり或いはＮｉめっき処理等を別途行うことなく、実用上充分な半田耐熱性、半田濡れ性、接着強度、導電性を有する膜状導体を形成することができる。このため、本発明の導体ペーストを用いると、安価且つ比較的簡便な処理によって、電気的信頼性及び機械的強度の高い導体層（膜状導体）が形成されたセラミック配線基板その他のセラミック電子部品を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（Ａ）は従来のＡｇペーストを塗布したセラミック基板表面の高温焼成処理後の状態を示す写真であり、（Ｂ）は本発明に係るＡｇペーストを塗布したセラミック基板表面の高温焼成処理後の状態を示す写真である。
【図２】導体膜の形成された実施例３１及び比較例Ａ，Ｂに係るセラミック配線基板を溶融状態の半田に浸漬した後の当該セラミック基板表面（導体膜）の状態を示す写真である。
【図３】一試験例における、有機金属塩のコーティング量及び／又は焼成温度と焼成収縮率との関係を示すグラフである。
【図４】一試験例における、無機酸化物粉末の種類及び添加量と接着強度（引っ張り強度）との関係を示すグラフである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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