(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体の集積回路を形成した素子の表面上に形成された出力電極を、半導体キャリアの上に形成された導電回路と接続することにより、半導体キャリアに設けた凹部に形成された外部電極により外部との電気的接続を可能にした半導体装置において、半導体キャリアは、半導体装置の厚み方向に対して、平板状の上方部分と、上方部分に積層され凹部を形成するため上方部分から下部表面に突出する下方部分からなり、上方部分は半導体素子の熱膨張係数に近い材料で、下方部分は実装する回路基板の熱膨張係数と上方部分の半導体キャリアの熱膨張係数との中間の値を持つ材料で構成したことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
半導体の集積回路を形成した素子の表面上に形成された出力電極を、半導体キャリアの上に形成された導電回路と接続することにより、半導体キャリアに設けた凹部に形成された外部電極により外部との電気的接続を可能にした半導体装置において、半導体キャリアは、半導体装置の厚み方向に対して、凹部のない上方部分と、凹部を形成するため上方部分から下部表面に突出し複数層が積層された下方部分から構成され、下方部分で積層される材料は半導体キャリア上方部分の熱膨張係数から半導体キャリアに実装される回路基板の熱膨張係数に順次近づくように、熱膨張係数の異なる材料を複数層積層して構成したことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
半導体キャリアの凹部に設けた電極と回路基板上の電極の電気的接合において、半導体装置と回路基板が接触し、かつ電気的接続の必要のない部分に接着剤を塗布し、半導体装置を回路基板に装着し、次に加熱することにより半田付けを行なう請求項１または２に記載の半導体装置による実装方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子を回路基板に高密度、高信頼性で実装することを可能とする半導体装置、特に、半導体素子と半導体素子を保持するとともに半導体素子の電極に接続された複数の電極に対して、電気的接続がなされた外部電極端子を有する絶縁基体からなる半導体キャリアとを備えた半導体装置とその実装方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の半導体装置について、図面を参照しながら説明する。図８に示すように半導体装置１は、半導体素子２を絶縁性材料からなる半導体キャリア３上に配置して構成されている。半導体キャリア３の上面には、半導体素子２の電極４に半田もしくは金のバンプ５で接続された複数の電極６が配置され、底面には格子上に配置された外部電極端子８が配列され、かつこれらの電極６と外部電極端子８は電気的接続がなされている。また、半導体素子２と半導体キャリア３との間の隙間および半導体素子２の周辺部が、エポキシ系樹脂の封止剤７にて充填被覆されている。外部電極端子８の表面には半田バンプ９が形成されている場合もある。図８において、１２は半導体装置１を実装する回路基板であり、半導体装置１の実装位置に外部電極端子８に対応して格子状に電極１１が設けられており、その上にはクリーム半田１３が印刷されている。図９に示すように、半導体装置１の外部電極端子８が回路基板１２の電極１１に合致するように半導体装置１を回路基板１２上に積載して加熱することにより、クリーム半田１３が溶融して、外部電極端子８と電極１１は半田１０を介して接合される。
【０００３】
【発明が解決しようとする問題点】
しかしながら、このような構成の半導体装置１では、回路基板１２に搭載する際、図９に示す半導体キャリア３と回路基板１２との間の間隔Ｈを調節することが難しい。間隔Ｈが小さいとキャリア３と回路基板１２の熱膨張係数の差によって生ずる熱応力が半田接合部に集中し、接合部にクラックが生じたり、場合によっては剥離することもある。
【０００４】
本発明は、上記従来の問題に鑑み、プリント基板に高い信頼性を持って実装できる半導体装置及び半導体装置の実装方法を提供することを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
前記問題点を解決するために、本発明の半導体装置は、半導体の集積回路を形成する素子の表面上に形成された出力電極を、半導体キャリアの上に形成された導電回路と接続することにより、半導体キャリアに形成された外部電極により外部との電気的接続を可能にした半導体装置において、半導体キャリアに凹部を設けその底部に外部電極を形成することを特徴とする。
【０００６】
さらに、半導体キャリアは半導体装置の厚み方向に対して、平板状の上方部分と凹部を形成するため上方部分から下部表面に突出する下方部分を積層して構成することを特徴とし、さらに、前記上方部分と下方部分を異なる材料で構成し、さらに、異なる材料で構成する場合の材料は、半導体装置の半導体キャリアの熱膨張係数から順次半導体装置を実装する回路基板の熱膨張係数に近づくように熱膨張係数の異なる材料を複数層積層して構成することを特徴とする。
【０００７】
次に、半導体装置による実装方法は、半導体装置の外部電極の凹部に対してクリーム半田を充填し、半導体装置を反転してから回路基板に装着し加熱することにより半田付けを行なうことを特徴とし、さらに、半導体装置の外部電極の凹部に対して粘着性のフラックスを塗布した後半田ボールを充填し、半導体装置を反転してから回路基板に装着し加熱することにより半田付けを行なうことを特徴とし、半導体キャリアの凹部に設けた電極と回路基板上の電極とを電気的に接合する場合に、半導体装置と回路基板が接触し、かつ電気的に接続の必要のない部分において接着剤を塗布し、半導体装置を回路基板に装着し、次に加熱することにより半田付けを行なうことを特徴とするものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】
以下本発明の第１実施例について図面を参照しながら説明する。
図１（ａ）は本発明に基づく半導体装置の構造の一例を示している。半導体素子２が絶縁基体からなる半導体キャリア３上に配置されている。半導体キャリア３の上面には半導体素子２の電極４と電気的に接続される電極６が配設され、底面には図１（ｂ）に示すように格子上に配置された外部電極端子８が配設され、かつ、これら電極６と外部電極端子８は電気的に接続されている。また、半導体素子２と半導体キャリア３との間の間隙及び半導体素子２の周辺部は封止材７によって充填被覆されている。外部電極端子８は半導体キャリア３の表面に設けた凹部の底部に形成されている。凹部の深さは回路基板と半田付けを行なう場合の接合高さがどの程度必要かによって決定される。例えば、外部電極端子８の配列ピッチが１ｍｍで直径が０．５ｍｍの場合、凹部の深さは０．２ｍｍから１．０ｍｍが好ましい。半導体キャリア３の材料はアルミナやガラスセラミックスのようなセラミックスが一般的に用いられる。また、エポキシ等の樹脂材料を用いることも可能である。
【０００９】
この場合、凹部の形成方法として種々の方法があるが、例えば感光性のエポキシ樹脂フィルムを用いて、露光現像により凹部も形成することも可能である。
このように、半導体素子の表面に凹部を設け、凹部の底部に外部電極を形成することにより、回路基板に半田付け等の電気的接合を行なう場合、接合部の高さＨを凹部の深さによって任意に制御することが可能となる。凹部を有しない半導体装置を実装した場合に比べて接合部の高さＨを高くすることができ、接合界面にかかる応力を低減できるため耐ヒートサイクル性等の信頼性が向上する。
【００１０】
また、半導体装置に凹部を設けないで実装した場合は、周辺に膨らんだ太鼓状の形状になるが、凹部にクリーム半田又は半田ボールを充填してから半田付けを行なうので、半田接合部の形状が接合の高さ方向に対して中央部が凹んだ鼓状の形状にすることが可能になる。
次に、第２実施例について図２を参照しながら説明する。この実施例では、半導体キャリア３は、半導体装置の厚み方向に対して凹部の存在する側の凹部の底面から下部表面までの下方部分５２と、凹部のない平板状の上方部分５１からなり、それぞれ異なる材料で構成される。半導体キャリア３の平板部５１は、例えばアルミナにガラスを混合したガラスセラミックス等のセラミックで構成される。その理由は、樹脂材料に比べて半導体素子の材料であるシリコンに熱膨張係数が近いからである。一方、半導体キャリア３の下方部分５２を構成する材料は、例えばポリフェニレンサルファイドのような耐熱性のエンジニアリングプラスチックを用いる。その理由は、半導体装置を実装する回路基板の熱膨張係数と、半導体キャリアに用いているガラスセラミックスの熱膨張係数との中間の値を持つ材料を、キャリア下方部分５２に用いることにより、熱応力を緩和し半田付け部の信頼性を向上させることが可能となるからである。同様の理由により、図３に示すようにキャリア下方部分５３〜５５を厚さ方向に複数の材料で構成しても同様の効果が得られる。この実施例では、ポリフェニレンサルファイドにフィラーを混合し、フィラーの種類や量を変えることにより熱膨張率を調整することができる。例えば、５３の材料はガラスフィラーを約６０％混合し、５４の材料はフィラー量約５０％、５５の材料は約４０％とする。フィラー量を低減することにより熱膨張率は増加する。各層は接着剤を用いて張り合わせる。
【００１１】
半導体装置の半導体キャリアに設けた凹部の底部にある電極から、半導体素子の存在しない側の表面までを、半導体装置の半導体キャリアの熱膨張係数から順次半導体装置を実装する回路基板の熱膨張係数に近づくように、異なる材料を複数層積層して構成することにより、接着部分にかかる応力を緩和することが可能となる。
【００１２】
上記実施例において使用された材料の熱膨張係数は図７に示されている。
次に、本発明の半導体装置の実装方法について図４を用いて説明する。半導体装置１を反転し、半導体キャリア３に設けてある凹部の開口部を上部に向け、凹部にクリーム半田を充填する。充填する方法の一例は、凹部の開口パターンに対応した開口を有するメタルマスクの開口部を、半導体キャリア３の凹部と位置合わせし、メタルマスク上に置いたクリーム半田１３をスキージを用いて印刷することにより充填が実現できる。また、メタルマスクを用いない場合でも充填は可能である。例えば、半導体キャリア３上に直接クリーム半田１３を置き、スキージを用いてかきとることにより充填は可能である。次に、クリーム半田１３を充填した半導体装置１を再度反転し、クリーム半田の充填された半導体キャリアの凹部を下に向ける。一方、半導体装置を実装する回路基板１２にはメタルマスクを用いてクリーム半田を印刷してもよい。通常回路基板の周辺には、本発明の半導体装置以外にも抵抗やコンデンサーなどの電子部品が実装されるのが一般的であり、これらの電子部品を実装するために、メタルマスクを用いたクリーム半田の印刷が行なわれるのが通常である。ただし、本半導体装置の実装には必ずしも回路基板１２へのクリーム半田印刷は必要ではない。その理由は、既に半導体キャリア３の凹部にクリーム半田が充填されているからである。回路基板にクリーム半田の印刷を行なうか否かは、メタルマスクの開口をあけるかあけないかによって決定され、工程上は全く同一である。次に、半導体装置１を回路基板１２上で位置合わせを行なってから装着する。次に、リフロー工程においてクリーム半田の融点以上の温度に加熱することにより、クリーム半田を溶融させ半田付けを行なう。共晶半田の場合は好ましくは２２０℃に加熱するのが一般的である。
【００１３】
さらに、本発明の半導体装置の別の実装方法について図５を用いて説明する。半導体装置１を反転し、半導体キャリア３に設けた凹部の開口部を上部に向け、凹部の底部に粘着性フラックス１５を塗布した後半田ボール１６を充填する。粘着性フラックス１５の塗布方法の一例はディスペンスによって行なわれ、半田ボール１６の充填は電子部品を搭載する装着機を用いて行われる。
【００１４】
次に、半田ボール１６を充填した半導体装置１を再度反転し、半田ボールの充填された半導体キャリアの凹部を下に向ける。一方、半導体装置を実装する回路基板１２にはメタルマスクを用いてクリーム半田を印刷してもよい。通常回路基板の周辺には本発明の半導体装置以外にも抵抗やコンデンサーなどの電子部品が実装されるのが一般的であり、これらの電子部品を実装するためにメタルマスクを用いたクリーム半田の印刷が行なわれるのが通常である。ただし、本半導体装置の実装には必ずしも回路基板へのクリーム半田印刷は必要ではない。その理由は既に半導体キャリア３の凹部に半田ボールが充填されているからである。回路基板にクリーム半田の印刷を行なうか否かはメタルマスクの開口をあけるかあけないかによって決定され、工程上は全く同一である。次に、半導体装置１を回路基板１２上で位置合わせを行なってから装着する。次に、リフロー工程において、クリーム半田の融点以上の温度に加熱することにより、クリーム半田を溶融させ半田付けを行なう。共晶半田の場合好ましくは２２０℃に加熱するのが一般的である。
【００１５】
さらに、本発明の半導体装置の別の実装方法について図６を用いて説明する。半導体装置１を反転し、半導体キャリア３にある凹部の開口部を上部に向け、凹部にクリーム半田を充填する。充填する方法の一例は、凹部の開口パターンに対応した開口を有するメタルマスクの開口部を、半導体キャリア３の凹部と位置合わせし、メタルマスク上に置いたクリーム半田１３をスキージを用いて印刷することにより充填が実現できる。また、メタルマスクを用いない場合でも充填は可能である。例えば、半導体キャリア３上に直接クリーム半田１３を置き、スキージを用いてかきとることにより充填は可能である。次に、クリーム半田１３を充填した半導体装置１を反転し、クリーム半田の充填された半導体キャリアの凹部を下に向ける。一方、半導体装置を実装する回路基板１２にはメタルマスクを用いてクリーム半田を印刷してもよい。通常回路基板の周辺には、本発明の半導体装置以外にも抵抗やコンデンサーなどの電子部品が実装されるのが一般的であり、これらの電子部品を実装するために、メタルマスクを用いたクリーム半田の印刷が行なわれるのが通常である。ただし、本半導体装置の実装には必ずしも回路基板へのクリーム半田印刷は必要ではない。その理由は既に半導体キャリア３の凹部にクリームが充填されているからである。回路基板にクリーム半田の印刷を行なうか否かはメタルマスクの開口をあけるかあけないかによって決定され、工程上は全く同一である。次に、半導体装置と回路基板が接触し、かつ電気的に接続の必要のない部分において接着剤１４を回路基板１２に塗布する。接着剤１４は半導体キャリア側に塗布してもかまわない。次に、半導体装置１を回路基板１２上で位置合わせを行なってから装着する。次に、リフロー工程でクリーム半田の融点以上の温度に加熱することにより、クリーム半田を溶融させ半田付けを行なう。共晶半田の場合好ましくは２２０℃に加熱するのが一般的である。
【００１６】
このように、半導体装置と回路基板が接触し、かつ電気的に接続の必要のない部分において接着剤を介してから回路基板に装着し、加熱して半田付けを行なうことにより、接着した部分が応力を吸収し、電気的接合部にかかる応力を低減することが可能となる。
【００１７】
【発明の効果】
本発明の半導体装置とその製造および実装方法においては、半導体素子の表面に凹部を設け、凹部の底部に外部電極を形成することにより、回路基板に半田付け等の電気的接合を行なう場合、接合部の高さＨを凹部の深さによって任意に制御することが可能となる。凹部を有しない半導体装置を実装した場合に比べて、接合部の高さＨを高くすることができ、接合界面にかかる応力を低減できるため、耐ヒートサイクル性等の信頼性を向上するという効果を奏する。
【００１８】
また、半導体装置に凹部を設けないで実装した場合は、接合部の形状が周辺に膨らんだ太鼓状の形状になるが、本発明においては凹部にクリーム半田又は半田ボールを充填してから半田付けを行なうので、半田接合部の形状が接合の高さ方向に対して中央部が凹んだ鼓状の形状にすることが可能になる。その理由はクリーム半田が溶融時に体積収縮するからである。半田接合部の形状を鼓状にすることにより、応力の集中部が接合界面から接合の中央部に変化し、強度が強くなり接合界面の破壊を防ぐことが可能になるという効果を奏する。
【００１９】
半導体キャリアに設けた凹部と回路基板上の電極とを電気的に接合する場合に、半導体装置と回路基板が接触し、かつ電気的に接続の必要のない部分において、接着剤を介して回路基板に装着し、加熱して半田付けを行なうことにより、接着した部分が応力を吸収し、電気的接合部にかかる応力を低減することが可能となるという効果を奏する。
【００２０】
また、半導体装置の半導体キャリアに設けた凹部の底部にある電極から、半導体素子の存在しない側の表面までを、半導体装置の半導体キャリアの熱膨張係数から半導体装置を実装する回路基板の熱膨張係数に順次近づくように、異なる材料を複数層積層して構成することにより、接着部分にかかる応力を緩和することが可能となり、電気的接合部の応力を低減することが可能となるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）（ｂ）は、本発明の半導体装置の第１実施例の構成を示す側断面図および平面図である。
【図２】本発明の半導体装置の第２実施例の構成を示す側断面図である。
【図３】本発明の半導体装置の第３実施例の構成を示す側断面図である。
【図４】本発明の半導体装置の実装方法の一実施例を示す工程図である。
【図５】本発明の半導体装置の実装方法の別の実施例を示す工程図である。
【図６】本発明の半導体装置の実装方法の別の実施例を示す工程図である。
【図７】本発明の半導体装置を実装した場合に用いる材料の熱膨張係数表である。
【図８】従来の半導体装置の構成を示す側断面図である。
【図９】従来の半導体装置を回路基板に実装した場合の構成を示す側断面図である。
【符号の説明】
１  半導体装置
２  半導体素子
３  半導体キャリア
４  半導体素子上の電極
５  バンプ
６  半導体キャリア上の電極（半導体素子と接続）
７  封止剤
８  半導体キャリア上の外部電極
９  半田バンプ
１０  溶融後の半田
１１  回路基板上の電極
１２  回路基板
１３  クリーム半田
１４  接着剤
１５  粘着性フラックス
１６  半田ボール
５１  キャリアの上方部分
５２〜５５  キャリアの下方部分
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0003597913.tif 000008
【図８】
0003597913.tif 000009
【図９】
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