(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ファイバ固定用のガイド溝が１本以上形成された光素子搭載用基板と、
前記ガイド溝に固定された１本以上の光ファイバと、
前記光素子搭載用基板に搭載された１個以上の光素子とを有し、
かつ前記光素子には活性領域が前記ガイド溝の真上に配置されて前記光ファイバと光結合する光素子が含まれている光モジュールにおいて、
前記活性領域が前記ガイド溝の真上に配置されて前記光ファイバと光結合する光素子は、該光素子の表面から突出した前記活性領域を含む領域を有し、該活性領域を含む領域の少なくとも一部分が前記ガイド溝内に収容される光素子であって、
該光素子は、傾斜のついた端面からなる光屈折率部を有し、入射光が該光屈折率部で光吸収層を透過するように曲げられる屈折型フォトダイオードを少なくとも含むことを特徴とする光モジュール。
【請求項２】
前記光素子としての半導体光増幅器と前記屈折型フォトダイオードが同一の前記ガイド溝に収容されることを特徴とする請求項１に記載の光モジュール。
【請求項３】
前記光素子としての半導体発光素子と前記屈折型フォトダイオードとが同一の前記ガイド溝に収容されることを特徴とする請求項１に記載の光モジュール。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光ファイバと半導体光素子を有する送信および受信用モジュールに適する光モジュールに関し、特にマーカーを用いたパッシブアライメント法により組み立てられたハイブリット型光モジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の、マーカーを用いたパッシブアライメント法によるモジュール作製方法の概略を図１に示す。図１は半導体光素子１とその搭載用基板２からなる実装方法の概念図である。半導体光素子１は真空ピンセット９等で裏面を吸着され、搭載用基板２上部に保持される。そして、赤外顕微鏡等を用いて半導体光素子１上のアライメントマーク５と搭載用基板２上のアライメントマーク７とにより位置合わせを行った後、半導体光素子１上の電極用金属３と搭載用基板２上のハンダ６とを接触させて搭載用基板固定用台座１０内のヒーター１１により加熱することで合金を作り、電気的及び機械的結合を得る。その後、あらかじめ搭載用基板２上に形成しておいた光ファイバ固定用のＶ字型の溝（図示しない）に光ファイバ（図示しない）を載せ、これらを接着剤等で固定して光モジュールを作製する。
【０００３】
このようなパッシブアライメント法により光ファイバと半導体光検出器とを結合させる場合、効率的に光を受けるためには、受光面の大きな光検出器が有効とされる。しかし、一般にその受光面を大きくすると帯域が狭くなり、高速の信号に対しては感度が悪くなる。そこで、光ファイバとの結合トレランス（許容度）が大きく、高感度で、しかも帯域の広く取れる光検出器として、屈折型フォトダイオードと呼ばれる半導体光検出器が開発されている。
【０００４】
図２にこの屈折型フォトダイオードの断面図を示す。ここで、１２は半絶縁性ＩｎＰ基板、１３はｎ型ＩｎＰ層、ｌ４はＩｎＧａＡｓ光吸収層、１５はｐ型半導体層（ＩｎＰ層）、１６はｐ型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層、１７は絶縁膜（窒化膜）、１８はｐ側オーミック電極、１９はｎ側オーミック電極、２０はｐ側電極、２１はｎ側電極、および２２は反射防止膜（無反射膜；受光領域）である。この図２の右方向から、傾斜のついた光屈折部２２に光が入射されると、光は図２の下の方向に曲げられる。従って、光入射位置を光吸収層１４よりも上の位置にしておけば、光は必ず光吸収層１４に達することになる。通常の導波路構造光検出器は、光吸収層部分に光を直接入射させなければならないため、結合トレランスが小さいが、この屈折型フォトダイオードは光吸収層１４より上に光を入射させれば良いため、結合トレランスが大きい。また、通常の導波路構造光検出器のトレランスを改善するためには、光吸収層の体積を大きくすればよいが、その場合、内部で発生したキャリアの走行時間が長くなってしまい、高速信号に応答できなくなる。一方、屈折型フォトダイオードは、曲げられた光が通過する部分にのみ光吸収層１４があれば良く、また、その厚さも光を吸収するのに十分な２μｍ程度でよいので、高速信号にも応答可能であるという特徴を持っている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述のような屈折型フォトダイオードを図１に示すような実装方法で基板に搭載しようとすると、その表面に突起した光吸収部等１４〜２０が搭載用基板（半導体光素子搭載用基板）２の表面にぶつかるため、光吸収部等の突起部分を収容するための溝を搭載用基板２側にあらかじめ形成しておかなければならず、製作工程が複雑になるという解決すべき課題があった。
【０００６】
本発明は、上述の課題を改善するためになされたもので、その目的は、製作工程数を増やすことなく、屈折型フォトダイオードを含む、表面に突起のある半導体光素子および通常の表面に突起のない半導体光素子全般を、搭載用基板上に同一光軸上で搭載することを可能とする光モジュールを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項１の発明は、光ファイバ固定用のガイド溝が１本以上形成された光素子搭載用基板と、前記ガイド溝に固定された１本以上の光ファイバと、前記光素子搭載用基板に搭載された１個以上の光素子とを有し、かつ前記光素子には活性領域が前記ガイド溝の真上に配置されて前記光ファイバと光結合する光素子が含まれている光モジュールにおいて、前記活性領域が前記ガイド溝の真上に配置されて前記光ファイバと光結合する光素子は、該光素子の表面から突出した前記活性領域を含む領域を有し、該活性領域を含む領域の少なくとも一部分が前記ガイド溝内に収容される光素子であって、該光素子は、傾斜のついた端面からなる光屈折率部を有し、入射光が該光屈折率部で光吸収層を透過するように曲げられる屈折型フォトダイオードを少なくとも含むことを特徴とする。
【００１０】
また、前記光素子としての半導体光増幅器と屈折型フォトダイオードが同一の前記ガイド溝に収容されることを特徴とすることができる。
【００１１】
また、前記光素子としての半導体発光素子と屈折型フォトダイオードとが同一の前記ガイド溝に収容されることを特徴とすることができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。
【００１３】
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態の光モジュールは、光ファイバ固定用のガイド溝が形成された基板と、光ファイバと、屈折型フォトダイオードの組合せで構成される。その光モジュールの基本構造を図３に示す。図３の（ａ）は光ファイバ、屈折型フォトダイオードおよび搭載用基板からなる受信モジュール（光モジュール）の断面構造を示す図であり、図３の（ｂ）は搭載用基板の表面を真上から見た図である。また図３の（ｃ）は屈折型フォトダイオードの表面を真上から見た図である。
【００１４】
前述の図２の断面図に示すように、屈折型フォトダイオード２３は、半絶縁性ＩｎＰ基板１２とその上に形成したｎ型ＩｎＰ層１３とＩｎＧａＡｓ光吸収層１４とｐ型半導体層１５とから構成され、結晶方位を利用したウェットエッチングにより端面に傾斜をつけた構造となっている。また、図３の（ｃ）の屈折型フォトダイオード２３の上面図に示すように、ｐ層上およびｎ層上からそれぞれｐ側電極２０およびｎ側電極２１を取り出していて、これら電極と光吸収層のない部分にパッシブアライメントの際のアライメントマーク５が形成してある。
【００１５】
このような屈折型フォトダイオード２３と半導体光素子搭載用基板２の製造方法の一例を以下に説明する。
【００１６】
最初に、屈折型フォトダイオード２３の製造工程を図２を参照して説明する。
【００１７】
まず、半絶縁性ＩｎＰ基板１２上に、ｎ型ＩｎＰ層１３を１．０μｍと、ノンド−プＩｎＧａＡｓ光吸収層１４を２．０μｍと、ノンドープＩｎＰ層１５を２．０μｍと、禁制帯幅が波長にして１．５μｍに対応するノンドープＩｎＧａＡｓＰコンタクト層１６を０．５μｍとを、それぞれ順に成長させる。その後、全面に窒化膜を形成し、光吸収層として使用する部分のみ、その窒化膜をエッチングする。その後、拡散法により亜鉛を拡散し、窒化膜をエッチングした部分のみｐ型とする。窒化膜を除去後、光吸収層として使用する部分のみにフォトレジストを島状に残し、エッチングによりｎ型ＩｎＰ層１３を露出させる。再び全面に窒化膜１７を形成し、光吸収層の上部のｐ型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層１６の一部とｎ型ＩｎＰ層１３の一部を露出させる。
【００１８】
次に、蒸着によりＮｉ（１０ｎｍ）とＺｎ（３０ｎｍ）とＡｕ（１００ｎｍ）をｐ型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層１６上に形成する。この際、同時に形成しておいたレジストパターンにより、ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層１６が無い部分にアライメントマーク５を形成する。同様にして、ｎ型ＩｎＰ層１３上にＡｕＧｅ（１００ｎｍ）とＮｉ（２０ｎｍ）とＡｕ（５００ｎｍ）を堆積する。そして、水素雰囲気中で４２０℃まで昇温し、ｐ側オーミック電極１８とｎ側オーミック電極１９を形成する。さらに、ｐ側オーミック電極１８上に蒸着によりＴｉ（５０ｎｍ）とＰｔ（１００ｎｍ）とＡｕ（８００ｎｍ）を堆積し、ｐ側電極２０を作製する。同様に、ｎ側オーミック電極１９上にＴｉ（５０ｎｍ）とＰｔ（１００ｎｍ）とＡｕ（３００ｎｍ）を堆積し、ｎ側電極２１を作製する。そして、光入射部となる端面部分以外にフォトレジストを残し、ウェットエッチングを行うことで端面に傾斜のついた光屈折部が形成される。最後に、５００μｍ×３５０μｍの大きさに劈開し、光屈折部表面に反射防止膜２２を形成することで、屈折型フォトダイオード２３を製造する。
【００１９】
次に、搭載用基板の製造工程を図３の（ａ），（ｂ）を参照して説明する。
【００２０】
まず、ｐ型Ｓｉ基板２４を熱酸化させることにより１μｍ厚のＳｉＯ２  膜（絶縁膜）２５を形成する。その後、フォトレジストを使い、ファイバ固定用ガイド溝パターンを形成する。ドライエッチングによりＳｉＯ２  膜２５をエッチングした後、フォトレジストを除去し、水酸化カリウム水溶液中でエッチングし、Ｖ溝２９を形成する。そして、フォトレジストを用いて電極パターンとアライメントマ−ク用のパターンを形成する。そして、蒸着によりＣｒ（５０ｎｍ）とＡｕ（５００ｎｍ）を堆積することで、電流注入用電極２６とアライメントマーク２７を作製する。さらに、電流注入用電極２６上で屈折型フォトダイオード２３の電極２０および２１と接触する部分に、ＡｕＳｎハンダ２８を２．５μｍ蒸着する。最後に、フォトレジスト除去後、ダイシングソーを使い、３ｍｍ×７ｍｍの大きさの搭載用基板２を製造する。
【００２１】
このようにして製造された屈折型フォトダイオード２３と搭載用基板２を使用して、以下のようにして実装する。
【００２２】
まず、搭載用基板２をヒーター１１の付いた台座１０（図１参照）に固定する。次に、屈折型フォトダイオード２３をｐ側が下に向くように置き、半絶縁性基板１２側を真空ピンセット９（図１参照）で吸着する。そして、屈折型フォトダイオード２３を搭載用基板２上に移動し、赤外顕微鏡で屈折型フォトダイオード２３上のアライメントマーク５と搭載用基板２上のアライメントマーク２７とを見ながら位置合わせを行う。その後、図３の（ａ）に示すように、半屈折型フォトダイオード２３を搭載用基板２上に押しつけながら、３００℃まで加熱することで、屈折型フォトダイオード２３と搭載用基板２との接着を行う。そして、光ファイバ３０を搭載用基板２のＶ溝２９内に挿入し、Ｖ溝２９内の隙間にＵＶ硬化樹脂を流し込み、ＵＶ光（紫外線光）を照射してその樹脂を硬化させることで光ファイバ３０をＶ溝２９内に固定する。
【００２３】
このようにして作製した受信モジュールの特性を調べたところ、光ファイバ３０と屈折型フォトダイオード２３の位置ずれが水平方向に±１５μｍのときに、受信感度に１ｄＢの劣化が観測された。同様に、光ファイバ３０と屈折型フォトダイオード２３の位置が垂直方向には±７μｍ、光軸方向には１００μｍずれたときに、１ｄＢの受信感度劣化が観測された。
【００２４】
なお、本実施形態では、屈折型フォトダイオード２３としてＩｎＰ系の発光素子の場合を示したが、ＧａＡｓ系でもＩＩ−ＶＩ族半導体でも良い。さらに、本実施形態では、搭載用基板２としてＳｉ基板を用いたが、セラミック、ガラス、プラスチックなどの絶縁体でも金属でも良いことは言うまでもない。また、電極として、半導体光素子側の電極２０、２１にはＴｉ／Ｐｔ／Ａｕを、搭載用基板側の電極２６にはＣｒ／Ａｕを用いたが、それら金属と他の素材との組合せでも良いし、密着性を向上させるためにＮｉ等の金属を組み合わせても良い。また、本実施形態では搭載用基板上のＳｉＯ２  膜２５を熱酸化により製作したが、スパッタ法やプラズマＣＶＤ法等で製作しても良い。さらに、光ファイバ固定用のガイド溝２９をウェットエッチングで形成したが、ダイシング（ｄｉｃｉｎｇ）による機械加工で形成しても良いし、その形状もＶ字だけでなく、矩形や半円形でも良い。また、セラミック、ガラス、プラスチックなどの絶縁体や金属を搭載用基板とする場合は、金型を使った成形加工により光ファイバ固定用のガイド溝を形成しても良い。
【００２５】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態の光モジュールの構成を図４を示す。本発明の第２の実施形態の光モジュールは、光ファイバ固定用のガイド溝が形成された基板と、光ファイバと、半導体光増幅器と屈折型フォトダイオードの組合せで構成される。図４の（ａ）は光ファイバ、半導体光増幅器、屈折型フォトダイオードおよび搭載用基板からなる受信モジュールの断面構造を示す図であり、図４の（ｂ）は搭載用基板表面を真上から見た図であり、図４の（ｃ）は半導体光増幅器の表面を真上から見た図である。
【００２６】
図４の（ａ）に示すように、半導体光増幅器４５は、ｎ型ＩｎＰ基板３１と、その上に形成されたＩｎＧａＡｓＰ活性層３２と、ｐ型ＩｎＰクラッド層およびｐ型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層からなるｐ型半導体層３３とを有している。また、ＩｎＧａＡｓＰ活性層３２の両側には、垂直テーパー型スポットサイズ変換領域３４が集積されている。これと垂直な方向の断面には、ＩｎＧａＡｓＰ活性層３２の周りに電流狭窄層が形成されている。ｐ型半導体層３３のｐ型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層上にはｐ側電極３５が形成され、ｎ型ＩｎＰ基板３１上にはｎ側電極３６が形成されている。この半導体光増幅器４５は、搭載用基板２側とハンダ２８で接合されている。半導体光増幅器４５の表面のｐ側電極３５に覆われていない部分にそれぞれ位置合わせ用のアライメントマーク３７が形成されている。なお、４０は素子支え用ダミー電極である。一方、半導体光素子搭載用基板２の表面には光ファイバ固定用Ｖ溝２９、電流注入用の電極２６、半導体光素子実装のための接着用ハンダ２８、半導体光増幅器用アライメントマーク３９が形成されている。
【００２７】
上述のような半導体光増幅器４５と半導体光素子搭載用基板２の製造方法の一例を以下に説明する。
【００２８】
最初に図４の（ａ），（ｃ）を参照して半導体光増幅器４５の製造工程を説明する。
【００２９】
まず、ｎ型ＩｎＰ基板３１上に、禁制帯幅が波長にして１．５５μｍに対応するノンドープＩｎＧａＡｓＰ活性層３２を０．５μｍと、ｐ型ＩｎＰ層３３を０．１μｍ成長する。その後、表面にＳｉＯ２  膜を堆積し、発光領域長に対応する６００μｍの長さのレジストバターンを形成する。このフォトレジストをマスクとしてＳｉＯ２  膜と半導体をエッチングする。フォトレジスト除去後、ＩｎＧａＡｓＰを成長することで、ＩｎＧａＡｓＰ活性層３２の両側に垂直テーパー型スポットサイズ変換領域３４が集積される。ＳｉＯ２  膜除去後、再び全面にＳｉＯ２  膜を堆積する。その上に、フォトレジストで幅０．５μｍのストライプを形成し、ＳｉＯ２  膜と半導体をエッチングする。レジスト除去後、ｐ−ＩｎＰ層３３とｎ−ＩｎＰ層３１を成長して、これでＩｎＧａＡｓＰ活性層３２の周りを埋め込む。ＳｉＯ２  膜除去後、全面にｐ−ＩｎＰ層３３を１．５μｍと、０．３μｍのｐ型ＩｎＧａＡｓＰ層３２をそれぞれ順に成長させることで、ｐ型半導体層３３が形成され、埋込み構造が完成する。
【００３０】
そして、スポットサイズ変換領域３４の上部にある１ｎＧａＡｓＰコンタクト層を除去後、全面にＳｉＯ２  膜を堆積し、今度は活性層上部のみＳｉＯ２  膜をエッチングする。次に、蒸着によりＮｉ（１０ｎｍ）とＺｎ（３０ｎｍ）とＡｕ（１００ｎｍ）をＩｎＧａＡｓＰコンタクト層上と端面近くに形成する。この際、フォトレジストを使ったリフトオフにより、アライメントマーク３７を同時に形成する。そして、ｎ型ＩｎＰ基板３１側を研磨して、その厚さを約１００μｍ程度にした後、ｎ型ＩｎＰ基板３１側に、蒸着によりＡｕＧｅ（１００ｎｍ）とＮｉ（２０ｎｍ）とＡｕ（５００ｎｍ）とを堆積する。このとき、スポットサイズ変換領域３４には電極金属が付かないように、フォトレジストで保護しておく。フォトレジスト除去後、水素雰囲気中で４２０℃まで昇温し、さらにｐ側およびｎ側に蒸着によりＴｉ（５０ｎｍ）とＰｔ（１００ｎｍ）とＡｕ（８００ｎｍ）を堆積し、ｐ側電極３５とｎ側電極３６を形成する。最後に、幅５００μｍ、長さ１２００μｍの大きさに劈開し、両端面に反射防止膜３８を電子ビーム蒸着器で堆積させることで、半導体光増幅器４５を製造する。
【００３１】
搭載用基板２の作製方法は前述の本発明第１の実施形態のものと同様である。
【００３２】
このようにして製造された半導体光増幅器４５を、第１の実施形態と同様に、アライメントマーク３７と３９とが一致するように位置合わせを行い、搭載用基板２上に搭載する。その後、屈折型フォトダイオード２３をアライメントマーク５と２７とが一致するように位置合わせを行い、搭載用基板２上に搭載する。最後に、光ファイバ３０をＶ溝２９内に挿入し、ＵＶ硬化樹脂を用いて光ファイバ３０をＶ溝２９に固定する。
【００３３】
このようにして作製した受信モジュールの特性を調べたところ、光ファイバ３０と半導体光増幅器４５の位置ずれが、水平方向に±２μｍのときに受信感度に１ｄＢの劣化が観測された。同様に、光ファイバ３０と半導体光増幅器４５の位置が垂直方向には±１．５μｍ、光軸方向には１０μｍずれたときに１ｄＢの受信感度劣化が観測された。また、半導体光増幅器４５に電流を７０ｍＡ流した場合、２．５Ｇｂｐｓの信号に対して、ビットエラーレートが１０−１０  の時の受信感度は−３０．５ｄＢｍであった。
【００３４】
（第３の実施形態）
図５に示すように、本発明の第３の実施形態の光モジュールは、光ファイバ固定用のガイド溝が形成された基板と、光ファイバと、半導体レーザ（半導体発光素子）と、屈折型フォトダイオードとの組合せで構成される。図５の（ａ）は光ファイバ、半導体レーザ、屈折型フォトダイオードおよび搭載用基板からなる送信モジュールの断面構造を示す図であり、図５の（ｂ）は搭載用基板の表面を真上から見た図であり、図５の（ｃ）は半導体レーザの表面を真上から見た図である。
【００３５】
本実施形態の光モジュールを作製方法の一例を以下に説明する。
【００３６】
前述の本発明の第１の実施形態と同様にして、屈折型フォトダイオード２３を製造する。
【００３７】
また、半導体レーザ４６は前述の本発明の第２の実施形態の半導体光増幅器４５の製造方法と同様の工程で製作し、端面に反射防止膜を形成する前の段階で半分の大きさに劈開し、両端面に形成する膜（誘電体膜）４１の反射率を相乗平均で３０％以上にすることで作製される。
【００３８】
このようにして製造された半導体光レーザ４６を、前述の本発明の第２の実施形態と同様に、半導体レーザ４６のアライメントマーク４２と搭載用基板２のアライメントマーク４３とが一致するように位置合わせを行い、半導体レーザ４６を搭載用基板２上に搭載する。その後、屈折型フォトダイオード２３を前述のアライメントマーク５と２７とが一致するように位置合わせをおこない、屈折型フォトダイオード２３を搭載用基板２上に搭載する。最後に、光ファイバ３０をＶ溝２９内に挿入し、ＵＶ硬化樹脂を用いて光ファイバ３０をＶ溝２９に固定する。
【００３９】
このようにして作製した送信モジュールの特性を調べたところ、光ファイバ３０と半導体レーザ４６の位置ずれが、水平方向に±２μｍのときに結合効率に１ｄＢの劣化が観測された。同様に、光ファイバ３０と半導体レーザ４６の位置が垂直方向には±１．５μｍ、光軸方向には１０μｍずれたときに１ｄＢの結合効率の劣化が観測された。また、屈折型フォトダイオード２３で半導体レーザ４６の出力をモニターし、その出力に対応した電気的な帰還を半導体レーザ４６に加えることで、光ファイバ３０から一定の光出力を得ることができた。
【００４０】
（他の実施形態）
本発明の上記各実施形態では、半導体光素子搭載用基板に形成された光ファイバ固定用ガイド溝が１本である場合を例示したが、本発明はこれに限定されず、複数本の光ファイバ固定用ガイド溝が半導体光素子搭載用基板に形成されている場合も含む。
【００４１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、製作工程数を増やすことなく、屈折型フォトダイオードを含む、表面に突起のある半導体光素子および通常の表面に突起のない半導体光素子全般を、搭載用基板上に同一光軸上で搭載することができ、また位置トレランスの大きな屈折型フォトダイオードを製造工程の増加無しに光素子搭載用基板上に搭載可能であるので、アライメントマークを用いるパッシブアライメント法が容易となり、モジュール製造コストが大幅に減少できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の実装方法を示す図で、その光モジュールおよび搭載用基板の断面構造を示す概念図である。
【図２】屈折型フォトダイオードの構成を示す概念図である。
【図３】本発明の第１の形態の光モジュールの構成を示す概念図であり、（ａ）は光モジュールの断面図、（ｂ）は搭載用基板の表面の構成を示す上面図であり、（ｃ）は屈折型フォトダイオードの表面の構成を示す上面図である。
【図４】本発明の第２の実施形態の光モジュールの構成を示す概念図であり、（ａ）は光モジュールの断面図、（ｂ）は搭載用基板の表面の構成を示す上面図であり、（ｃ）は半導体光増幅器の表面の構成を示す上面図である。
【図５】本発明の第３の実施形態の光モジュールの構成を示す概念図であり、（ａ）は光モジュールの断面図、（ｂ）は搭載用基板の表面の構成を示す上面図であり、（ｃ）は半導体レーザの表面の構成を示す上面図である。
【符号の説明】
１    半導体光素子
２    半導体光素子搭載用基板
３    電極用金属、
４    電極用金属
５    アライメントマーク
６    ハンダ、
７    アライメントマーク
８    電極用金属
９    真空ピンセット
１０    搭載用基板の固定用台座
１１    ヒーター
１２    半絶縁性ＩｎＰ基板
１３    ｎ型ＩｎＰ層
ｌ４    ＩｎＧａＡｓ光吸収層
１５    ｐ型半導体層（ＩｎＰ層）
１６    ｐ型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層
１７    絶縁膜（窒化膜）
１８    ｐ側オーミック電極
１９    ｎ側オーミック電極
２０    ｐ側電極（Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ電極）
２１    ｎ側電極（Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ電極）
２２    反射防止膜
２３    屈折型フォトダイオード
２４    Ｓｉ基板
２５    絶縁膜（ＳｉＯ２  膜）
２６    電流注入用電極（Ｃｒ／Ａｕ電極）
２７    アライメントマ−ク
２８    ハンダ
２９    光ファイバ固定用ガイド溝（Ｖ溝）
３０    光ファイバ
３１    ｎ型ＩｎＰ基板
３２    ＩｎＧａＡｓＰ活性層
３３    ｐ型半導体層
３４    スポットサイズ変換領域
３５    ｐ側電極
３６    ｎ側電極
３７    アライメントマーク
３８    反射防止膜
３９    アライメントマーク
４０    素子支え用ダミー電極
４１    誘電体膜
４２    アライメントマ−ク
４３    アライメントマーク
４５    半導体光増幅器
４６    半導体レーザ
【図１】
0003594510.tif 000002
【図２】
0003594510.tif 000003
【図３】
0003594510.tif 000004
【図４】
0003594510.tif 000005
【図５】
0003594510.tif 000006