(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層された３枚の誘電体基板を有し、
実質的に、中間誘電体基板の両主表面側には、それぞれ、共振電極が配される、
両外側誘電体基板の両外側主表面には、平面的に視て前記共振電極を覆うように共通電極が形成される、
前記共振電極の一方は、少なくともｎ（ｎ≧３）本のストリップラインとして形成され、このｎ本のストリップラインは、平面的に視て平行かつコムライン的に配され、前記ｎ本のストリップラインの一端側は前記共通電極に接続される短絡端とされ、他端側は開放端にされる、
前記共振電極の他方は、少なくともｍ（ｍ≦ｎ−１）本の直線状ストリップラインとして形成され、このｍ本の直線状ストリップラインは、平面的に視て前記ｎ本のストリップラインに対してコムライン的に配されるとともに、前記少なくともｍ本の直線状ストリップラインの一端側が前記共通電極に接続される短絡端とされ、他端側が開放端とされて、かつ前記少なくともｍ本の直線状ストリップラインの線幅が前記短絡端側と前記開放端側とで異なる線幅にされる、
前記コムライン的に配された前記ｎ本のストリップラインは、前記ｍ本の直線状ストリップラインと、平面的に視て隣合うストリップラインの一部が重なる部分を有するように階段状ストリップラインとして形成されるか、または前記階段状ストリップラインおよび開放端側と短絡端側とで線幅の異なる直線状ストリップラインから形成され、
前記ｎ本のストリップラインは、平面的に視て前記ｍ本の直線状ストリップラインにおける線幅の太い部分と重なることにより前記重なる部分を形成す
ることを特徴とする積層誘電体フィルタ。
【請求項２】
積層された３枚の誘電体基板を有し、
実質的に、中間誘電体基板の両主表面側には、それぞれ、共振電極が配される、
両外側誘電体基板の両外側主表面には、平面的に視て前記共振電極を覆うように共通電極が形成される、
前記共振電極の一方は、２本の階段状ストリップラインとして形成され、この２本の階段状ストリップラインは、平面的に視て平行かつ軸対称に配され、前記各階段状ストリップラインの一端側は前記共通電極に接続される短絡端とされ、他端側は開放端にされる、
前記共振電極の他方は、直線状ストリップラインとして形成され、この直線状ストリップラインは、平面的に視て前記２つの階段状ストリップラインの対称軸に配されるとともに、その一部が前記２つの階段状ストリップラインと重なる部分を有するようにされ、かつ前記直線状ストリップラインの一端側が前記共通電極に接続される短絡端とされ、他端側が開放端とされて、かつ前記直線状ストリップラインの線幅が前記短絡端側と前記開放端側とで異なる線幅にされ、
前記直線状ストリップラインは、少なくとも平面的に視て前記直線状ストリップラインにおける線幅の太い部分と、前記２つの階段状ストリップラインとが重なることにより前記重なる部分を形成す
ることを特徴とする積層誘電体フィルタ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
この発明は、例えば、携帯電話機等に適用して好適な小型で低損失のＢＰＦ（帯域通過フィルタ）特性を有する積層誘電体フィルタに関する。
【０００２】
【従来の技術】
携帯電話機等の分野では、薄型で小型軽量性を有し、構造が簡単で設計の自由度が高いＢＰＦが要望され、これらの要望に答えるものとして従来から積層誘電体フィルタが採用されている。
【０００３】
従来の技術に係る積層誘電体フィルタは、２枚の誘電体基板が張り合わされた構成になっている。各誘電体基板は、高誘電率で先鋭度Ｑが高く温度係数の小さい、例えば、ＢａＯ・ＴｉＯ２  等の高誘電率材料が用いられている。このような高誘電率材料を用いて、誘電体基板間の導体層にストリップラインによる１／２波長または１／４波長共振器を形成することにより、小型で低損失の積層誘電体フィルタが得られる。
【０００４】
図３２は、この種の積層誘電体フィルタの分解斜視構成を示している。
【０００５】
図３２例の積層誘電体フィルタは、２枚の誘電体基板１、２が張り合わされた構成になっている。
【０００６】
図３３は、誘電体基板２の外側主表面の平面構成を示している。
【０００７】
図３４は、誘電体基板２の内側主表面の平面構成を示している。
【０００８】
なお、図３２〜図３４においてハッチングを施した部分は、導体部分を示している。
【０００９】
図３２および図３４から分かるように、誘電体基板２の内側主表面には、１／４波長共振器であり共振電極としての階段状ストリップライン３、４（以下、必要に応じて共振電極ともいう。）が平面的に視て軸対称に、いわゆるコムラインに形成されている。階段状ストリップライン３、４の一端側は開放端５、６になっており、他端側は誘電体基板１、２の側面導体９（図３３参照）と接続される短絡端７、８になっている。この場合、階段状ストリップライン３、４は、図３４に示すように、それぞれ、開放端５、６側の部分ストリップライン３ａ、４ａと短絡端７、８側の部分ストリップライン３ｂ、４ｂとから構成されている。
【００１０】
その図３４からも分かるように、短絡端７、８側のライン間間隔（以下、必要に応じて、短絡端側ライン間隔ともいう。）Ｘ１と開放端５、６側のライン間間隔（以下、必要に応じて、開放端側ライン間隔ともいう。）Ｘ２とは異なる間隔にされている。
【００１１】
誘電体基板１、２のうち、開放端５、６側の側面１０、１１（図３２参照）のみが、それぞれ共通電極、例えば、アース電極である導体（以下、共通導体または共通電極ともいう。）１５、１６（図３３、図３２参照）が存在しない面である。
【００１２】
図３３に示すように、誘電体基板２の外側主表面側の矢印Ｘ方向の端部には、入出力端子用導体（入出力端子用電極ともいう。）１２、１７が共通導体１５を挟んで対向して配されている。この入出力端子用導体１２、１７は、図３２に示すように、誘電体基板２の側面入出力端子用導体１３、１８（１８は図３２中には現れない）を経由し、その内側主表面上で入出力線路１４、１９（図３４をも参照）を通じて階段状ストリップライン３、４のうち、短絡端側部分ストリップライン３ｂ、４ｂの各途中のタップ位置に接続されている。
【００１３】
入出力端子用導体１２、１３、１７、１８と階段状ストリップライン３、４とのタップ位置までの間は入出力整合回路として形成され、入出力端子用導体１２、１７および（または）入出力端子用導体１３、１８と図示しない他回路とが半田付け等により電気的に接続されて入出力電力の送受が行われる。
【００１４】
誘電体基板１と誘電体基板２とが張り合わされた構成の積層誘電体フィルタにおいて、階段状ストリップライン３、４は、誘電体基板１の外側主表面に形成されている共通導体１６と誘電体基板２の外側主表面に形成されている共通導体１５とで覆われている。
【００１５】
このように構成される図３２例の積層誘電体フィルタは、ＢＰＦとして動作する。
【００１６】
例えば、開放端側ライン間間隔Ｘ２が短絡端側ライン間隔Ｘ１よりも狭い場合（Ｘ２＜Ｘ１で図３２、図３４図示の状態）には、階段状ストリップライン３、４は容量結合状態になり、この容量結合状態において、ライン間間隔Ｘ２をより狭めることによりＢＰＦの通過帯域幅を比較的に広くすることができ、ライン間隔Ｘ２をより広げることにより通過帯域幅を比較的に狭くすることができる。
【００１７】
一方、開放端側のライン間間隔Ｘ２が短絡端側のライン間間隔Ｘ１よりも広い場合には、階段状ストリップライン３、４は誘導結合状態になり、この誘導結合状態において、ライン間間隔Ｘ１をより狭めることによりＢＰＦの通過帯域幅を比較的に広くすることができ、ライン間間隔Ｘ１をより広げることにより通過帯域幅を狭くすることができる。
【００１８】
図３５は、図３２例の積層誘電体フィルタが容量結合状態に形成されている場合の等価回路を示している。階段状ストリップライン３、４間の容量結合は、集中定数としてのコンデンサＣとして表している。
【００１９】
図３５から分かるように、容量結合状態に形成されている図３２例の積層誘電体フィルタは、入出力端子用導体１２（１３）が、特性インピーダンスＺ１、インピーダンス整合用の理想トランスＴａ、階段状ストリップライン３に係る共振用インピーダンスＺａ、結合コンデンサＣ、階段状ストリップライン４に係る共振用インピーダンスＺｂ、インピーダンス整合用の理想トランスＴｂ、特性インピーダンスＺ２を介して入出力端子１７（１８）に接続される不平衡のＢＰＦの構成になっている。
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】
図３２例の積層誘電体フィルタは、積層プリント基板を作成するだけで構成できるので、構造が簡単で設計の自由度が高く、また、通過領域（通過帯域ともいう。）の特性を平坦かつ損失を少なくでき、さらに阻止（遮断）領域の減衰量も高いので、高性能のＢＰＦになる。
【００２１】
ところで、今日において、誘電体フィルタには、通過領域においてより一層低損失性を有するもの、より広帯域性を有するもの、さらに通過領域から遮断領域にかけてより一層急峻に減衰する特性を有するものが要望されている。
【００２２】
このような高性能の誘電体フィルタを作るためには、通過領域において、一層結合容量Ｃが大きく、かつ通過領域と遮断領域の境界領域で減衰量がＶ字状に急激に増加するノッチ領域を有する誘電体フィルタを作成することが一つの条件になってくる。なお、ノッチ領域を有する誘電体フィルタを有極フィルタともいう。
【００２３】
しかしながら、ノッチ領域形成用の共振電極を、例えば、図３２例の２枚重ねの積層誘電体フィルタにおける誘電体２の内側主表面上に形成した場合には、その図３２例中、矢印Ｘ方向の幅（通常、横幅といわれる。）が広くなり、誘電体フィルタの形状が大きくなってしまうという問題が発生する。
【００２４】
また、図３２例の構成を有する積層誘電体フィルタにより、より広帯域で、損失の少ないフィルタ特性を実現しようとする場合には、共振器としての階段状ストリップライン３、４中、部分ストリップライン３ａ、４ｂのライン間間隔Ｘ２が微小な間隔になってしまうので、製造性が悪くなるとともに、特性もばらつきがちになるという問題が発生する。
【００２５】
この発明はこのような課題を考慮してなされたものであり、小型で、ＢＰＦの肩領域から遮断領域にかけてノッチ領域が形成でき、より広帯域化・低損失化も可能であり、しかも、構造が簡単で設計の自由度の高い有極性のＢＰＦとしての積層誘電体フィルタを提供することを目的とする。
【００２６】
【課題を解決するための手段】
この発明は、例えば、図１９に示すように、積層された３枚の誘電体基板１０１Ｄ、１０２Ｄ、１０３Ｄを有し、実質的に、中間誘電体基板１０２Ｄの両主表面側には、それぞれ、共振電極が配される、両外側誘電体基板の両外側主表面には、平面的に視て前記共振電極を覆うように共通電極が形成される、前記共振電極の一方は、少なくともｎ（ｎ≧３）本のストリップライン１１７Ｄ、１５１Ｄ、１１８Ｄ′として形成され、このｎ本のストリップラインは、平面的に視て平行かつコムライン的に配され、前記ｎ本のストリップラインの一端側は前記共通電極に接続される短絡端とされ、他端側は開放端にされる、前記共振電極の他方は、少なくともｍ（ｍ≦ｎ−１）本の直線状ストリップライン１４１Ｄ、１４１Ｄ′として形成され、このｍ本の直線状ストリップラインは、平面的に視て前記ｎ本のストリップラインに対してコムライン的に配されるとともに、前記少なくともｍ本の直線状ストリップラインの一端側が前記共通電極に接続される短絡端とされ、他端側が開放端とされて、かつ前記少なくともｍ本の直線状ストリップラインの線幅が前記短絡端側と前記開放端側とで異なる線幅にされる、前記コムライン的に配された前記ｎ本のストリップラインは、前記ｍ本の直線状ストリップラインと、平面的に視て隣合うストリップラインの一部が重なる部分を有するように階段状ストリップラインとして形成されるか、または前記階段状ストリップラインおよび開放短側と短絡端側とで線幅の異なる直線状ストリップラインから形成され、前記ｎ本のストリップラインは、平面的に視て前記ｍ本の直線状ストリップラインにおける線幅の太い部分と重なることにより前記重なる部分を形成することを特徴とする。また、この発明は、例えば、図１に示すように、積層された３枚の誘電体基板１０１〜１０３を有し、中間誘電体基板１０２の両主表面側には、それぞれ共振電極（１１７、１１８）、１４１が配される、 両外側誘電体基板１０１、１０３の両外側主表面には、平面的に視て共振電極（１１７、１１８）、１４１を覆うように共通電極１２９、１２４（図２参照）が形成される、共振電極（１１７、１１８）、１４１の一方１１７、１１８は、２本の階段状ストリップライン１１７、１１８として形成され、この２本の階段状ストリップライン１１７、１１８は、平面的に視て平行かつ軸対称に配され、各階段状ストリップライン１１７、１１８の一端側は共通電極１２９、１２４に接続される短絡端１２３、１２５とされ、他端側は開放端１２１、１２２にされる、共振電極（１１７、１１８）、１４１の他方１４１は、直線状ストリップライン１４１として形成され、この直線状ストリップライン１４１は、平面的に視て２つの階段状ストリップライン１１７、１１８の対称軸１５０に配されるとともに、その一部が２つの階段状ストリップライン１１７、１１８と重なる部分を有するようにされ、かつ直線状ストリップライン１４１の一端側が共通電極１２９、１２４に接続される短絡端１４２とされ、他端側が開放端１４３とされて、かつ直線状ストリップライン１４１の線幅が短絡端１４２側と開放端１４３側とで異なる線幅にされ、直線状ストリップライン１４１は、少なくとも平面的に視て直��状ストリップライン１４１における線幅の太い部分と、２つの階段状ストリップライン１１７、１１８とが重なることにより前記重なる部分を形成することを特徴とする。
【００２７】
【作用】
この発明によれば、積層された３枚の誘電体基板のうち、中間誘電体基板の一方の主表面側にｎ本のストリップラインが形成され、他方の主表面側にｍ（ｍ＝ｎ−１）本のストリップラインが前記ｎ本のストリップラインと重なり部を有するように形成されている。このため、前記ｎ本のストリップラインを並列共振によるＢＰＦの通過帯域として形成し、前記ｍ本のストリップラインを直列共振によるノッチ領域としての阻止領域として形成することができる。
【００２８】
また、この発明によれば、積層された３枚の誘電体基板１０１〜１０３のうち、中間誘電体基板１０２の一方の主表面側には、２本の階段状ストリップライン１１７、１１８が、平面的に視て平行かつ軸１５０に対称に配され、階段状ストリップライン１１７、１１８の一端が共通電極１２６、１２９に接続される短絡端１２３、１２５とされ、他端は開放端１２１、１２２にされてＢＰＦフィルタ用の並列共振電極にされる。
【００２９】
中間誘電体基板１０２の他方の主表面側には、直線状ストリップライン１４１が、平面的に視て前記２つの階段状ストリップライン１１７、１１８の対称軸１５０上に軸中心が合わせられて配されるとともに、前記２つの階段状ストリップライン１１７、１１８と重なる部分を有するようにされ、直線状ストリップライン１４１の一端が共通電極１２６、１２９、１３１に接続される短絡端１４２とされ、他端は開放端１４３とされ、かつ、直線状ストリップライン１４１の線幅が短絡端１４２側と開放端１４３側とで同一の線幅または異なる線幅にされたノッチ領域形成用の直列共振電極にされる。
【００３０】
実質的に中間誘電体基板１０２の両側主表面上に形成された２つの共振電極は、平面的に視て、両外側誘電体基板１０１の両外側主表面に形成されている共通電極１２９、１２４（図２参照）により覆われている。共通電極１２９、１２４は、電磁遮蔽用および入出力整合用として機能する。
【００３１】
【実施例】
以下、この発明の一実施例について図面を参照して説明する。なお、以下に参照する図面において、上述の図３２〜図３５に示したものと対応するものには同一の符号を付ける。また、以下に示す図面中、等価回路を表す図面において、繁雑さを避けるために、図３５中に示した特性インピーダンスＺ１、Ｚ２および整合用の理想トランスＴａ、Ｔｂは省略している。
【００３２】
図１は、この一実施例の積層誘電体フィルタの分解斜視構成を示している。
【００３３】
図１例の積層誘電体フィルタは、３枚の誘電体基板１０１〜１０３が張り合わされた構成になっている。なお、３枚張り合わせていても、各誘電体基板１０１〜１０３のそれぞれの厚みは、１．２ｍｍ、０．３ｍｍ、１．２ｍｍであり、全体の厚みは比較的に薄いものになっている。実際上、図１例の積層誘電体フィルタは、他の電気部品と一緒に、例えば、図示しないプリント配線基板上に搭載されるので、誘電体基板１枚分に対応した厚みの増加が問題になることはない。また、この図１例においても、誘電体基板１０１〜１０３のそれぞれは、高誘電率で先鋭度Ｑが高く温度係数の小さい、例えば、ＢａＯ・ＴｉＯ２  等の高誘電率材料が用いられている。
【００３４】
図２は、誘電体基板１０３の外側主表面の平面構成を示している。
【００３５】
図３は、誘電体基板１０３の内側主表面の平面構成を示している。
【００３６】
なお、図１〜図３中、ハッチングを施した部分は導体部分を示している。
【００３７】
図１および図３から分かるように、一方の外側の誘電体基板１０３の内側主表面には、１／４波長共振器であり共振電極としての階段状ストリップライン１１７、１１８（以下、必要に応じて、それぞれを第１および第２の共振電極ともいう。）が、平面的に視て平行かつ軸対称に形成されている。
【００３８】
なお、これら階段状ストリップライン１１７、１１８は、中間誘電体基板１０２の図１に現れていない側の主表面上に形成してもよい。すなわち、共振電極としての階段状ストリップライン１１７、１１８は、３枚の誘電体基板１０１〜１０３を張り合わせたときに、実質的に、中間の誘電体基板１０２の一方の主表面側に形成されているようにすればよい。
【００３９】
階段状ストリップライン１１７、１１８の一端側は開放端１２１、１２２になっており、他端側は誘電体基板１０３の側面導体１２６（図１中、開放端側側面導体１０６と対向する面の短絡用導体であり、その意味で、短絡端側側面導体ともいう。）に接続される短絡端１２３、１２５になっている。この場合、階段状ストリップライン１１７、１１８は、それぞれ開放端１２１、１２２側の部分ストリップライン１１７ａ、１１８ａと短絡端１２３、１２５側の部分ストリップライン１１７ｂ、１１８ｂとから構成されている（図３参照）。そして、階段状ストリップライン１１７、１１８の開放端１２１、１２２から短絡端１２３、１２５までに至る矢印Ｙ方向の長さが、この階段状ストリップライン１１７、１１８に係る並列共振周波数ｆＢ（後に説明する。）の１／４波長に対応する長さになっている。
【００４０】
図２に示すように、外側誘電体基板１０３の外側主表面側の矢印Ｘ方向の端部には、入出力端子用導体（入出力端子用電極ともいう。）１３５、１３６が共通導体１２４を挟んで対向して配されている。この入出力端子用導体１３５、１３６は、誘電体基板１０３の側面入出力端子用導体１３７、１３８（１３８は図１中には現れていないので図３参照）を経由し、その内側主表面上で入出力線路用導体１３９、１４０を通じて階段状ストリップライン１１７、１１８のうち、部分ストリップライン１１７ｂ、１１８ｂの各途中のタップ位置に接続されている。
【００４１】
入出力端子用導体１３５、１３６、１３７、１３８と階段状ストリップライン１１７、１１８とのタップ位置までの間は入出力整合回路として形成される。入出力端子用導体１３５、１３６および（または）入出力端子用導体１３７、１３８と図示しない他回路とが半田付け等により電気的に接続されて入出力電力の送受が行われる。
【００４２】
図３に示すように、短絡端１２３、１２５側の部分ストリップライン１１７ｂ、１１８ｂのライン間間隔（以下、必要に応じて、短絡端側ライン間間隔ともいう。）Ｘ１と開放端１２１、１２２側の部分ストリップライン１１７ａ、１１８ａのライン間間隔（以下、必要に応じて、開放端側ライン間間隔ともいう。）Ｘ２とは異なる間隔にされている。同じ間隔でもよい。
【００４３】
このライン間間隔Ｘ１、Ｘ２を適当な間隔に設定することにより、要求仕様を満足するＢＰＦとしての電磁結合が得られる。
【００４４】
すなわち、従来技術の項でも説明したように、開放端側ライン間間隔Ｘ２が短絡端側ライン間間隔Ｘ１より狭い場合（Ｘ２＜Ｘ１：図示の場合）に、階段状ストリップライン１１７、１１８で形成される共振器は容量結合ＢＰＦを構成する共振器になり、開放端側ライン間隔Ｘ２が短絡端側ライン間隔Ｘ１より広い場合（Ｘ２＞Ｘ１）に、階段状ストリップライン１１７、１１８で形成される共振器は、誘導結合ＢＰＦを構成する共振器になる。図１（図３）例の場合の積層誘電体フィルタは、ライン間間隔Ｘ２＜Ｘ１であるので容量結合型のＢＰＦになる。
【００４５】
外側誘電体基板１０３の短絡端側側面導体１２６と開放端側側面導体１０６は、その全面が導体である。なお、階段状ストリップライン１１７、１１８の開放端１２１、１２２を開放端側側面導体１０６と接する辺まで延ばして形成した場合には、開放端側側面導体１０６は導体面ではなく、誘電体の露出した面にする。
【００４６】
外側誘電体基板１０３の開放端側側面導体１０６と中間誘電体基板１０２の開放端側側面導体１２７と外側誘電体基板１０１の側面導体１２８と外側誘電体基板１０１の外側主表面上の共通電極１２９とは、３枚の誘電体基板１０１〜１０３が張り合わせられた状態で、それぞれ、それらが共有する辺で接続されて、すべて共通電極になる。
【００４７】
外側誘電体基板１０３の短絡端側側面導体１２６と外側主表面上の共通電極１２４（図２参照）も、同様に、それらが接する辺で接続されて、すべて共通電極になる。
【００４８】
外側誘電体基板１０３の短絡端側側面導体１２６と中間誘電体基板１０２の短絡端側側面導体１３１と外側誘電体基板１０１の側面導体１３２と共通電極１２９も、同様に、それぞれ、それらが共有する辺で接続され、すべて共通電極になる。
【００４９】
中間誘電体基板１０２の一方の主表面上には、線幅の細い部分ストリップライン１４１ｂと線幅の太い部分ストリップライン１４１ａとからなり、ノッチ用共振子として動作する１／４波長の直線状ストリップライン１４１が形成されている。部分ストリップライン１４１ａと部分ストリップライン１４１ｂの線幅は同一の線幅でもよい。
【００５０】
なお、この直線状ストリップライン１４１は、誘電体基板１０１の内側主表面上に形成してもよい。すなわち、３枚の誘電体基板１０１〜１０３が張り合わされたときに、実質的に、外側誘電体基板１０１と中間誘電体基板１０２との間に形成されるようにすればよい。
【００５１】
直線状ストリップライン１４１は、平面的に視て階段状ストリップライン１１７、１１８の対称軸１５０上にその軸が合わせられて配されている。また、図１および図３に示す誘電体基板１０３上に、直線状ストリップライン１４１の投影を点線で描いたように、この直線状ストリップライン１４１は、平面的に視て階段状ストリップライン１１７、１１８と重なる部分を有するような形状になっている。
【００５２】
図３に示すように、直線状ストリップライン１４１のうち、部分ストリップライン１４１ａの線幅はＷ２ｃ、部分ストリップライン１４１ｂの線幅はＷ１ｃとする。部分ストリップライン１４１ａと部分ストリップライン１１７ａ、１１８ａとの重なり合う部分の幅はｄ２、部分ストリップライン１４１ｂと部分ストリップライン１１７ｂ、１１８ｂとの重なり合わない部分の幅をｄ１とする。
【００５３】
直線状ストリップライン１４１の一端側は短絡端１４２とされて側面導体１３１と接続され、他端側は開放端側導体１０６に到達しない位置まで延びる開放端１４３とされている。この場合、直線状ストリップライン１４１の開放端１４３から短絡端１４２までに至る矢印Ｙ方向の長さが、この直線状ストリップライン１４１に係る直列共振周波数ｆＡ（後に説明する。）の１／４波長に対応する長さになっている。
【００５４】
図１および図３から分かるように、ＢＰＦを構成する階段状ストリップライン１１７、１１８とノッチ用共振子を構成する直線状ストリップライン１４１とは、積層誘電体フィルタの両外側誘電体基板１０１、１０３の両外側主表面上の共通電極１２９、１２４によって、平面的に視て覆われた構成になっている。また、誘電体基板１０１〜１０３の側面導体１０６、１２７、１２６、１２８、１３１、１３２によって封止された構成になっている。共通電極１２４、１２９等は、アース電位（接地電位）でもよく、直流電位でもよい。
【００５５】
図４は、上述のように構成される図１〜図３例の例の積層誘電体フィルタの等価回路を示している。
【００５６】
図４において、共振用インピーダンスＺａ、Ｚｂ、Ｚｃは、それぞれ、階段状ストリップライン１１７、１１８および直線状ストリップライン１４１で構成される共振用インピーダンスを示している。また、コンデンサＣｃは階段状ストリップライン１１７、１１８中、部分ストリップライン１１７ａ、１１８ａ間の結合容量を集中定数で表したものである。コンデンサＣａは、部分ストリップライン１１７ａと部分ストリップライン１４１ａとの重なり部分の幅ｄ２に係わる部分の結合容量を集中定数で表したものである。コンデンサＣｂは、部分ストリップライン１１８ａとトリップライン１４１ａとの重なり部分の幅ｄ２に係わる部分の結合容量を集中定数で表したものである。
【００５７】
図４に示す等価回路の見通しを良くするために、コンデンサＣａ、Ｃｂ、ＣｃのΔ結合をＹ結合に変換する。
【００５８】
図５は、Ｙ結合に変換後の等価回路を示している。このΔ−Ｙ変換は、良く知られているように、次の（１）式〜（３）式によって行われる。
【００５９】
Ｃ１＝（ＣａＣｃ／Ｃｂ）＋Ｃａ＋Ｃｃ              …（１）
Ｃ２＝（ＣｂＣｃ／Ｃａ）＋Ｃｂ＋Ｃｃ              …（２）
Ｃ３＝（ＣａＣｂ／Ｃｃ）＋Ｃａ＋Ｃｂ              …（３）
ここで、階段状ストリップライン１１７、１１８と直線状ストリップライン１４１の平面的に視て重なり合う部分の幅は等しい幅ｄ２であるので、コンデンサＣａとコンデンサＣｂの容量値は等しい。そこで、Ｃｂ＝Ｃａと置くことにより（１）式〜（３）式は、それぞれ、（４）式〜（６）式に変形できる。
【００６０】
Ｃ１＝Ｃａ＋２Ｃｃ                                …（４）
Ｃ２＝Ｃａ＋２Ｃｃ                                …（５）
Ｃ３＝（ＣａＣａ／Ｃｃ）＋２Ｃａ                  …（６）
図５から分かるように、コンデンサＣ１、Ｃ２と共振用インピーダンスＺａ、Ｚｂとは容量結合型のＢＰＦを構成し、コンデンサＣ３と共振用インピーダンスＺｃの直列回路は、ノッチフィルタを構成する。すなわち、図１例の積層誘電体フィルタは、有極型で不平衡のノッチ付ＢＰＦになることが分かる。
【００６１】
図６は、図１（図５）例の周波数特性を示している。横軸は、周波数、縦軸は減衰量である。
【００６２】
共振用インピーダンスＺａ、Ｚｂは、共振周波数（並列共振周波数）ｆＢで並列共振を起こすので、減衰量−３ｄＢで定義される一定の通過帯域幅Δｆを有するＢＰＦ特性が得られ、共振用インピーダンスＺｃは、コンデンサＣ３と共振周波数（直列共振周波数）ｆＡで直列共振を起こすので、ノッチフィルタ特性が得られる。この場合、共振用インピーダンスＺｃに係わる直線状ストリップライン１４１の線路長は、共振用インピーダンスＺａ、Ｚｂに係わる階段状ストリップライン１１７、１１８の線路長とほぼ同じ長さに形成されていてその等価インダクタンスはほぼ等しく、かつ、コンデンサＣ３の容量値が、共振用インピーダンスＺａ、Ｚｂの図示しない並列等価容量値より大きいので、ノッチ領域に係る直列共振周波数ｆＡは、図６に示すように、通過帯域幅Δｆに係る並列共振周波数ｆＢよりも低い周波数になる。
【００６３】
次に、（４）式〜（６）式を参照しながら、図６に示す共振周波数ｆＡ、ｆＢと、図３に示す幅ｄ２、ｄ１、間隔Ｘ２、Ｘ１と、中間誘電体基板１０２の厚みｔとの間の関係について説明する。
【００６４】
ライン間隔Ｘ２を狭めることにより、結合コンデンサＣｃは大きくなる。この場合、（４）式と（５）式とから、コンデンサＣ１、Ｃ２が大きくなり、通過帯域幅Δｆが広くなる。また、（６）式から、コンデンサＣ３が小さくなり、ノッチ領域に係る共振周波数ｆＢは高い方に移動する。
【００６５】
一方、重なり幅ｄ２を広くすることにより、コンデンサＣａ、Ｃｂが大きくなる。この場合、（４）式〜（６）式から、コンデンサＣ１〜Ｃ３がともに大きくなり、特に、（６）式の右辺第１項から、コンデンサＣ３が大きくなるので、共振周波数ｆＢが低い方に移動する。
【００６６】
ライン間隔Ｘ２を狭める、重なり幅ｄ２を広くする、のいずれの場合においても、結合コンデンサＣ１、Ｃ２の直列容量値は、従来の技術の項で図３５を参照して説明したコンデンサＣの容量値よりも大きくなるので、通過帯域（ここでは、通過帯域幅Δｆ中の平坦部分をいう。）における損失が図３２例の積層誘電体フィルタに比較して図１例の積層誘電体フィルタの方が小さくなる。
【００６７】
さらに、中間誘電体基板１０２の厚みｔを薄くした場合には、相対的に、幅ｄ２を広く、間隔Ｘ２を広くすることと同等になり、共振周波数ｆＢは高い方に移動する。
【００６８】
なお、図１（図３）例において、幅ｄ１、間隔Ｘ１は、短絡端側の部分ストリップライン１１７ｂ、１１８ｂと、部分ストリップライン１４１ｂとの間の結合による共振周波数が、共振周波数ｆＡ、ｆＢに比較して高い周波数になる幅または間隔、言い換えれば、無視できる程度の幅または間隔に設定しておく。
【００６９】
このように図１例によれば、ライン間間隔Ｘ２、重なり幅ｄ２、厚みｔを適当に選択することによりＢＰＦの通過帯域幅ΔＢ、ノッチ周波数である共振周波数ｆＡを自由に選定することができる。すなわち、設計の自由度が高い。また、通過帯域における損失も少なくできる。さらに、同一のライン間隔Ｘ２で従来の技術によるものと比較した場合、結合容量であるコンデンサＣ１、Ｃ２の直列合成容量値が大きくなるので、通過帯域幅Δｆを広くすることができる。逆に考えて、同一の帯域幅Δｆで比較した場合には、ライン間間隔Ｘ２を広くとることができるので、製造上のばらつきを少なく作成することができる。
【００７０】
図７は、共振器間の結合を誘導結合とした場合の、他の実施例による積層誘電体フィルタの分解斜視構成を示している。なお、図７例に示す積層誘電体フィルタにおいて、図１例に示したものと同一のものには同一の符号を付け、また対応するものには同一の符号の末尾に「Ａ」を付けた符号を付け、その詳細な説明は省略する。さらに、繁雑さを回避するために、適宜、符号を省略している。
【００７１】
図８は、誘電体基板１０３Ａの外側主表面の平面構成を示している。
【００７２】
図９は、誘電体基板１０３Ａの内側主表面の平面構成を示している。
【００７３】
図９から分かるように、この誘導結合型の積層誘電体フィルタは、誘電体基板１０３Ａの内側主表面上に形成された階段状ストリップライン１１７Ａ、１１８Ａは、開放端側のライン間間隔Ｘ２が短絡端側のライン間間隔Ｘ１より広い間隔になっている（Ｘ２＞Ｘ１）。また、誘電体基板１０２Ａの誘電体基板１０１と張り付けられる面側の主表面上に形成された直線状ストリップライン１４１Ａは、開放端側の幅Ｗ２ｃが短絡端側の幅Ｗ１ｃよりも狭い幅になっている（Ｗ２ｃ＜Ｗ１ｃ）。
【００７４】
階段状ストリップライン１１７Ａは、開放端側の部分ストリップライン１１７ａＡと短絡端側の部分ストリップライン１１７ｂＡとから構成され、残りの階段状ストリップライン１１８Ａは、開放端側の部分ストリップライン１１８ａＡと短絡端側の部分ストリップライン１１８ｂＡとから構成されている。直線状ストリップライン１４１Ａは、開放端側の部分ストリップライン１４１ａＡと短絡端側の部分ストリップライン１４１ｂＢとから構成されている。
【００７５】
直線状ストリップライン１４１Ａと階段状ストリップライン１１７Ａ、１１８Ａとは、短絡端側で重なり幅ｄ１を有する。開放端側では重なっていなくて、間隔ｄ２になっている。
【００７６】
したがって、短絡端側で結合容量（等価容量）が大きくなり強い結合を得ることができる。これに対して、開放端側では結合容量（等価容量）が小さくなり、結合を疎にすることができる。
【００７７】
図１０は、上述のように構成される図７〜図９例の例の積層誘電体フィルタの等価回路を示している。
【００７８】
図１０において、共振用インピーダンスＺａ、Ｚｂ、Ｚｃは、それぞれ、階段状ストリップライン１１７Ａ、１１８Ａおよび直線状ストリップライン１４１Ａで構成されるインピーダンスを示している。インダクタンスＬｃは階段状ストリップライン１１７Ａ、１１８Ａの間隔Ｘ１間の誘導インダクタンスを集中定数で表したものである。インダクタンスＬａは階段状ストリップライン１１７Ａと直線状ストリップライン１４１Ａとの間隔ｄ２に係わる部分の誘導インダクタンスを表したものである。インダクタンスＬｂは階段状ストリップライン１１８Ａと直線状ストリップライン１４１Ａとの間隔ｄ２に係わる部分の誘導インダクタンスである。
【００７９】
図１１は図１０の等価回路についてのΔ−Ｙ変換後の等価回路を示している。
【００８０】
図１１中の、インダクタンスＬ１、Ｌ２、Ｌ３は、それぞれ、（７）式〜（９）式によって、インダクタンスＬａ、Ｌｂ、Ｌｃと関連付けられる。ただし、（７）式〜（９）式を導く際に、インダクタンスＬｂはインダクタンスＬａに置き換えている。
【００８１】
Ｌ１＝ＬａＬｃ／２Ｌａ＋Ｌｃ                      …（７）
Ｌ２＝ＬａＬｃ／２Ｌａ＋Ｌｃ                      …（８）
Ｌ３＝ＬａＬａ／２Ｌａ＋Ｌｃ                      …（９）
図１１から分かるよう、図７例の積層誘電体フィルタもノッチ付ＢＰＦになる。すなわち、インダクタンスＬ１、Ｌ２は、共振用インピーダンスＺａ、Ｚｂとともに誘導結合ＢＰＦを構成し、インダクタンスＬ３は共振用インピーダンスＺｃとともにノッチフィルタを構成する。
【００８２】
図１２は、図７例（図１１参照）の周波数特性を示している。横軸は、周波数、縦軸は減衰量である。共振用インピーダンスＺａ、Ｚｂは、共振周波数（並列共振周波数）ｆＢで並列共振を起こすので、減衰量−３ｄＢで定義される一定の通過帯域幅Δｆを有するＢＰＦ特性が得られ、共振用インピーダンスＺｃは、コンデンサＣ３と共振周波数（直列共振周波数）ｆＡで直列共振を起こすので、ノッチフィルタ特性が得られる。なお、共振用インピーダンスＺｃに係わる直線状ストリップライン１４１Ａの線路長が、共振用インピーダンスＺａ、Ｚｂに係わる階段状ストリップライン１１７Ａ、１１８Ａの線路長とほぼ同じ長さに形成されており、インダクタンスＬ３が共振用インピーダンスＺａ、Ｚｂ、Ｚｃのそれぞれの等価インダクタンスより小さくなることから、この場合、直列共振周波数ｆＡは、並列共振周波数ｆＢよりも高い周波数になる。
【００８３】
図７例に示す積層誘電体フィルタにおいても、間隔Ｘ１、間隔ｄ１、厚みｔを適当に選択することにより、ＢＰＦの通過帯域幅Δｆ、ノッチ周波数ｆＡを自由に設定することができ、図１例の積層誘電体フィルタと同様の効果が得られる。
【００８４】
そこで、図１例の積層誘電体フィルタと図７例の積層誘電体フィルタを従属接続することで、図６の周波数特性と図１２の周波数特性を重ね合わせたような周波数特性、すなわち、通過帯域における損失は少し増加するが、ノッチ領域が通過帯域の両肩領域から遮断領域にかかる領域に形成された特性を有する、いわゆる両側ノッチ付ＢＰＦを構成することができる。
【００８５】
図１３は、図１例とほぼ同じ構成の、すなわち共振器間の結合が容量結合である場合のさらに他の実施例による積層誘電体フィルタの分解斜視構成を示している。
【００８６】
なお、図１３例に示す積層誘電体フィルタにおいて、図１例に示したものと同一のものには同一の符号を付け、また対応するものには同一の符号の末尾に「Ｂ」を付けた符号を付け、その詳細な説明は省略する。さらに、繁雑さを回避するために、適宜、符号を省略している。
【００８７】
図１４は、誘電体基板１０３Ｂの外側主表面の平面構成を示している。
【００８８】
図１５は、誘電体基板１０３Ｂの内側主表面の平面構成を示している。
【００８９】
図１５から分かるように、階段状ストリップライン１１７Ｂ、１１８Ｂの短絡端側の部分ストリップライン１１７ｂＢ、１１８ｂＢに対して、平面的に視て、直線状ストリップライン１４１Ｂの短絡端側の部分ストリップライン１４１ｂＢが一定の幅ｄ１で重なっている。この場合において、平面的に視たときの、階段状ストリップライン１１７Ｂ、１１８Ｂの開放端側の部分ストリップライン１１７ａＢ、１１８ａＢに対する直線状ストリップライン１４１Ｂの開放端側の部分ストリップライン１４１ａＢの重なり幅ｄ２が、上記幅ｄ１より十分に広くなるように設定しておけば、等価回路は、図５と同様に表現できる。したがって、この図１３例でも図６の周波数特性が達成され、図１例で説明したのと同様な効果が得られる。
【００９０】
図１６は、図７例とほぼ同じ構成の、すなわち共振器間の結合が誘導結合である場合のさらに他の実施例による積層誘電体フィルタの分解斜視構成を示している。
【００９１】
なお、図１６例に示す積層誘電体フィルタにおいて、図１例に示したものと同一のものには同一の符号を付け、また対応するものには同一の符号の末尾に「Ｃ」を付けた符号を付け、その詳細な説明は省略する。さらに、繁雑さを回避するために、適宜、符号を省略している。
【００９２】
図１７は、誘電体基板１０３Ｃの外側主表面の平面構成を示している。
【００９３】
図１８は、誘電体基板１０３Ｃの内側主表面の平面構成を示している。
【００９４】
図１８から分かるように、階段状ストリップライン１１７Ｃ、１１８Ｃの短絡端側の部分ストリップライン１１７ｂＣ、１１８ｂＣに対して、平面的に視て、直線状ストリップライン１４１Ｃの短絡端側の部分ストリップライン１４１ｂＣが一定の幅ｄ１で重なっている。この場合において、平面的に視たときの、階段状ストリップライン１１７Ｃ、１１８Ｃの開放端側の部分ストリップライン１１７ａＣ、１１８ａＣに対する直線状ストリップライン１４１Ｃの開放端側の部分ストリップライン１  ４１ａＣの重なり幅ｄ２が、上記幅ｄ１より十分に狭くなるように設定しておけば、等価回路は、図１１と同様に表現できる。したがって、この図１６例でも図１２の周波数特性が達成され、図７例と同様な効果が得られる。
【００９５】
図１９は、図１例とほぼ同じ構成の、すなわち共振器間の結合が容量結合である場合のさらに他の実施例による積層誘電体フィルタの分解斜視構成を示している。
【００９６】
なお、図１９例に示す積層誘電体フィルタにおいて、図１例に示したものと同一のものには同一の符号を付け、また対応するものには同一の符号の末尾に「Ｄ」または「Ｄ´」を付けた符号を付け、その詳細な説明は省略する。さらに、繁雑さを回避するために、適宜、符号を省略している。
【００９７】
図２０は、誘電体基板１０３Ｄの外側主表面の平面構成を示している。
【００９８】
図２１は、誘電体基板１０３Ｄの内側主表面の平面構成を示している。
【００９９】
この図１９例では、誘電体基板１０３Ｄ上の階段状ストリップライン１１７Ｄ、１１８Ｄ間に直線状ストリップライン１５１Ｄが平行に配されている。また、誘電体基板１０２Ｄの一方の主表面側に２本の直線状ストリップライン１４１Ｄ、１４１Ｄ´が配されている。
【０１００】
この場合、誘電体基板１０３Ｄ上の３本のストリップライン１１７Ｄ、１１８Ｄ、１５１Ｄと誘電体基板１０２Ｄ上の２本のストリップライン１４１Ｄ、１４１Ｄ´は、平面的に視てコムライン的に配されている。
【０１０１】
図２２は、図１９例の積層誘電体フィルタの等価回路を示している。
【０１０２】
図２３は、この図２２の等価回路のΔ−Ｙ変換後の等価回路を示している。
【０１０３】
図２４は、図１９例の周波数特性を示している。
【０１０４】
図２３における共振用インピーダンスＺａ、Ｚｅ、Ｚｂは共振周波数ｆＢで並列共振を起こし、コンデンサＣ３と共振用インピーダンスＺｃ、Ｚｄとで直列共振を起こすようになっている。
【０１０５】
この図１９例では、矢印Ｘ方向の幅、すなわち横幅が少し増加するとともに、挿入損失が少し増加するが、ＢＰＦの段数が２段から３段に増加していることおよびノッチフィルタの段数が１段から２段に増加していることから減衰特性を一層急峻にすることができる。言い換えれば、一層、選択特性が良くなる。
【０１０６】
なお、共振器間の結合が容量結合である、さらに多段（多素子）の積層誘電体フィルタを同様にして形成できる。
【０１０７】
図２５は、図１９例と同様にいわゆる５素子であって、共振器間の結合が図７例と同様に誘導結合である場合のさらに他の実施例の構成を示している。
【０１０８】
なお、図２５例に示す積層誘電体フィルタにおいて、図１例に示したものと同一のものには同一の符号を付け、また対応するものには同一の符号の末尾に「Ｅ」または「Ｅ´」を付けた符号を付け、その詳細な説明は省略する。さらに、繁雑さを回避するために、適宜、符号を省略している。同様に、誘電体基板１０３Ｅの外側主表面の平面構成を省略している。この平面構成は、図２０と同一である。
【０１０９】
図２６は、図２５例の積層誘電体フィルタの等価回路を示している。
【０１１０】
図２７は、この図２６の等価回路のΔ−Ｙ変換後の等価回路を示している。
【０１１１】
図２５例の周波数特性は、図１２に示したものと同様であり、共振用インピーダンスＺａ、Ｚｅ、Ｚｂは共振周波数ｆＢで並列共振を起こし、インダクタンスＬ３と共振用インピーダンスＺｃ、Ｚｄとで直列共振を起こすようになっている。
【０１１２】
この図２５例の技術的効果は図１９例と同様である。もちろん、共振器間の結合が誘導結合である、さらに多段（多素子）の積層誘電体フィルタを同様にして形成できることはいうまでもない。
【０１１３】
図２８は、共振器間の結合が誘導結合と容量結合の両方の結合を有するさらに他の実施例の構成を示している。
【０１１４】
なお、図２８に示す積層誘電体フィルタにおいて、図１例に示したものと同一のものには同一の符号を付け、また対応するものには同一の符号の末尾に「Ｆ」または「Ｆ´」を付けた符号を付け、その詳細な説明は省略する。さらに、繁雑さを回避するために、適宜、符号を省略している。さらにまた、誘電体基板１０３Ｆの外側主表面の平面構成を省略している。この平面構成は、図２０と同一である。
【０１１５】
上述の図１例〜図２５例までの説明から分かるように、この図２８例では、階段状ストリップライン１１７Ｆ、１５１Ｆと直線状ストリップライン１４１Ｆとの３つのストリップラインで容量結合の共振器が形成され、階段状ストリップライン１１８Ｆ、１５１Ｆと直線状ストリップライン１４１Ｆ´との３つのストリップラインで誘導結合の共振器が形成される。
【０１１６】
図２９は、図２８例の積層誘電体フィルタの等価回路を示している。
【０１１７】
図３０は、この図２９の等価回路のΔ−Ｙ変換後の等価回路を示している。
【０１１８】
図３１は、図２８例の積層誘電体フィルタの周波数特性を示してる。
【０１１９】
共振用インピーダンスＺａ、Ｚｅ、Ｚｂは共振周波数ｆＢで並列共振を起こして通過帯域を形成している。また、コンデンサＣ３と共振用インピーダンスＺｄとで共振周波数ｆＡにおいて直列共振を起こし、比較的低周波側のノッチ領域を形成している。さらに、インダクタンスＬ３と共振用インピーダンスＺｃとで共振周波数ｆＢにおいて直列共振を起こし、比較的高周波側のノッチ領域を形成している。
【０１２０】
このように、図２８例の積層誘電体フィルタによれば、通過帯域の両側にノッチ領域を形成することができるので、一層、選択性の優れたＢＰＦを作成することができる。
【０１２１】
なお、この発明は上述の実施例に限らずこの発明の要旨を逸脱することなく種々の構成を採り得ることはもちろんである。
【０１２２】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明によれば、積層された３枚の誘電体基板のうち、中間誘電体基板の一方の主表面側にｎ本のストリップラインが形成され、他方の主表面側にｍ（ｍ＝ｎ−１）本のストリップラインが前記ｎ本のストリップラインと重なり部を有するように形成されている。このため、前記ｎ本のストリップラインを並列共振によるＢＰＦの通過帯域として形成し、前記ｍ本のストリップラインを直列共振によるノッチ領域としての阻止領域として形成することができる。
【０１２３】
このようにすれば、小型で、製造性に優れ、ノッチ領域が形成でき、その上、広帯域・低損失であって、設計の自由度の高い、いわゆる有極性を有するＢＰＦを作成することができるという効果が達成される。
【０１２４】
例えば、通過帯域幅の両端部において、ノッチ領域を形成した場合には、通過領域と遮断領域との間の急峻性を確保することができる。言い換えれば、選択性の優れたＢＰＦを作成することができるという効果が達成される。
【０１２５】
また、さらに具体的に、この発明によれば、実質的に、中間誘電体基板の一方の主表面側に２本の階段状ストリップラインが配され、他方の主表面側に１本の直線状ストリップラインが配される。これらストリップラインを平面的に視て覆うような共通電極が外側主表面上に形成された外側誘電体基板を、前記中間誘電体基板を挟むかたちで張り合わせて積層誘電体フィルタを作成する。
【０１２６】
このようにして作成された積層誘電体フィルタは、２本の階段状ストリップラインが並列共振用インピーダンスとして動作し、直線状ストリップラインが直列共振用インピーダンスとして動作する。
【０１２７】
したがって、並列共振用インピーダンスを利用したＢＰＦが実現できるとともに、このＢＰＦフィルタの肩部から遮断領域にかけて直列共振インピーダンスを利用したノッチ領域を形成することができるという効果が達成される。
【０１２８】
また、３枚の誘電体基板を張り合わせた構造にしているため、実質的に、中間の基板の両主表面上に、それぞれ、ＢＰＦとノッチ用共振子が形成でき、従来の２枚張り合わせの積層誘電体フィルタに比較して平面的に視た場合の小型性が損なわれることがない。なお、積層誘電体フィルタの厚みは、誘電体基板１枚分厚くなるが、その厚みは極めて薄いものであり、実装上ほとんど問題にならない。
【０１２９】
さらに、構造が簡単であるので、ノッチ領域が形成されたＢＰＦを設計する際、設計の自由度が高いという効果も達成される。
【０１３０】
さらにまた、軸対称の階段状ストリップラインを相互に近づけることにより、より広帯域のＢＰＦを構成することができるが、階段状ストリップライン間の間隔が２枚張り合わせの従来の技術に係る積層誘電体フィルタと同一の間隔であると仮定した場合で比較しても、本発明によれば、直線状ストリップラインと階段状ストリップラインとの間の結合が増加するので、その分に対応した分、実質的に、結合容量あるいは誘導結合が大きくなる。
【０１３１】
したがって、階段状ストリップライン間の間隔が同一であるという条件のもとで、本発明では、より広帯域のＢＰＦを作成することができるという効果が達成される。実際上、階段状ストリップライン間の間隔が狭くなると、言い換えれば、導体間間隔が微小になると、例えば、導体を形成する際のエッチングの管理等、製造工程が困難となり、結局、特性のばらつきが大きくなってしまうので、本発明を利用すれば、広帯域のＢＰＦを比較的に安定に作成することができるという効果も達成される。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施例の構成を示す分解斜視図である。
【図２】図１例中、下側の誘電体基板の外側主表面側の構成を示す底面図である。
【図３】図１例中、下側の誘電体基板の内側主表面側の構成を示す平面図である。
【図４】図１例の等価回路図である。
【図５】図４の等価回路のΔ−Ｙ変換後の等価回路図である。
【図６】図１例の周波数特性図である。
【図７】この発明の他の実施例の構成を示す分解斜視図である。
【図８】図７例中、下側の誘電体基板の外側主表面側の構成を示す底面図である。
【図９】図７例中、下側誘電体基板の内側主表面側の構成を示す平面図である。
【図１０】図７例の等価回路図である。
【図１１】図７の等価回路のΔ−Ｙ変換後の等価回路図である。
【図１２】図７例の周波数特性図である。
【図１３】図１例に対応する他の実施例の構成を示す分解斜視図である。
【図１４】図１３例中、下側の誘電体基板の外側主表面側の構成を示す底面図である。
【図１５】図１３例中、下側の誘電体基板の内側主表面側の構成を示す平面図である。
【図１６】図７例に対応する他の実施例の構成を示す分解斜視図である。
【図１７】図１６例中、下側の誘電体基板の外側主表面側の構成を示す底面図である。
【図１８】図１６例中、下側の誘電体基板の内側主表面側の構成を示す平面図である。
【図１９】この発明のさらに他の実施例の構成を示す分解斜視図である。
【図２０】図１９例中、下側の誘電体基板の外側主表面側の構成を示す底面図である。
【図２１】図１９例中、下側の誘電体基板の内側主表面の構成を示す平面図である。
【図２２】図１９例の等価回路図である。
【図２３】図２２の等価回路のΔ−Ｙ変換後の等価回路図である。
【図２４】図１９例の周波数特性図である。
【図２５】この発明のさらに他の実施例の構成を示す分解斜視図である。
【図２６】図２５例の等価回路図である。
【図２７】図２６の等価回路のΔ−Ｙ変換後の等価回路図である。
【図２８】この発明のさらに他の実施例の構成を示す分解斜視図である。
【図２９】図２８例の等価回路図である。
【図３０】図２９の等価回路のΔ−Ｙ変換後の等価回路図である。
【図３１】図２８例の周波数特性図である。
【図３２】従来の技術に係る積層誘電体フィルタの構成を示す分解斜視図である。
【図３３】図３２例中、下側の誘電体基板の外側主表面側の構成を示す底面図である。
【図３４】図３２例中、下側の誘電体基板の内側主表面の構成を示す平面図である。
【図３５】図３２例の等価回路図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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