(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層内に形成され、かつその先端部が媒体対向面に配置された電磁変換素子を有し、前記媒体対向面を記録媒体上に接触あるいは浮上させて、前記記録媒体に磁界により信号を書き込みまたは前記記録媒体から発生する磁界により信号を読み取る磁気ヘッドを製造するにあたり、
前記媒体対向面を研磨により加工する工程と、
前記研磨を施した媒体対向面の少なくとも前記電磁変換素子の先端部を覆うようにレジストを形成する工程と、
前記媒体対向面の前記レジストで覆われていない、前記先端部または前記先端部とその近傍部分を除く周辺部をエッチングする工程と、
前記エッチング部分に、その表面位置が前記先端部より下方となるようにダイアモンドライクカーボン薄膜を形成する工程と、
前記ダイアモンドライクカーボン薄膜の表面より突出した前記電磁変換素子の先端部または前記先端部とその近傍部分の絶縁層を、前記媒体対向面が平面となるように磨耗により加工する工程と
を有することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の磁気ヘッドの製造方法において、
前記磨耗により加工した前記電磁変換素子の先端部を含む前記媒体対向面に、さらにダイアモンドライクカーボン薄膜を形成することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気ディスク装置（ＨＤＤ）等の磁気記録装置に用いられる磁気ヘッドの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
磁気ディスク装置においては、図１６に示すように、Ａｌ２  Ｏ３  ・ＴｉＣ基板１でスライダ部２を構成すると共に、Ａｌ２  Ｏ３  ・ＴｉＣ基板１の主表面に形成されたＡｌＯｘ  薄膜３等の絶縁層内に記録再生素子としての電磁変換素子４が埋め込み形成されたトレーリング部５を有する磁気ヘッド６が用いられている。電磁変換素子４の先端部４ａは、トレーリング部５側の媒体対向面７に対向配置されている。
【０００３】
従来の磁気ディスク装置では、上記したような磁気ヘッド６のヘッドスライダ２を、高速で回転する記録媒体、例えば磁気ディスクにつられて回る空気の粘性により発生する圧力によって、磁気ディスク表面から浮上させ、トレーリング部５側の媒体対向面７に配置された電磁変換素子先端部４ａと磁気ディスクとの間隔を一定に保っている。ヘッドスライダ２およびトレーリング部５側の媒体対向面７は、ＡＢＳ（Ａｉｒ  Ｂｅａｒｉｎｇ  Ｓｕｒｆａｃｅ）  として磁気ディスク上から浮上している。このような従来の磁気ディスク装置では、装置運転中は磁気ヘッド６と磁気ディスクとが非接触であることから、磁気ヘッド６と磁気ディスクとが摺動して磨耗するというような問題は基本的には発生しない。
【０００４】
一方、磁気ディスク装置には磁気記録密度の向上が求められており、磁気記録密度を高めるために記録波長は短くする方向に進んでいる。しかしながら、記録波長を短くすると電磁変換素子４からの出力は低減し、これを補うためには磁気ヘッド６の浮上量を低下させて、電磁変換素子先端部４ａと磁気ディスクとの間隔をさらに小さくする必要がある。例えば、現在の  １〜２Ｇｂｐｓｉでの磁気へッドと磁気ディスクとの磁気的スペーシングは８０〜９０ｎｍ程度ある。これが３Ｇｂｐｓｉレベルでは磁気的スペーシングを６０〜７０ｎｍ程度に低減する必要があり、さらに  １０Ｇｂｐｓｉにおいては３０ｎｍ以下程度にする必要が生じる。
【０００５】
こうした背景から、磁気ヘッド６の浮上量を低下させるために、多くの努力がなされてきた。ただし、ヘッドスライダ２の浮上量のみを低下させても、電磁変換素子先端部４ａと磁気ディスクとの磁気的スペーシングを有効に低減することはできない。すなわち、電磁変換素子先端部４ａと磁気ディスクとの磁気的スペーシングは、  （１）磁気ディスク側のディスク保護膜と潤滑層の厚さ、  （２）へッドスライダの浮上量、  （３）ヘッド保護膜の厚さ、  （４）へッド基板（Ａｌ２  Ｏ３  ・  ＴｉＣ基板１もしくはＡｌＯｘ  薄膜３）から電磁変換素子先端部４ａのディッシング量等の総和である。
【０００６】
上記した磁気的スペーシングを構成する要素のうち、  （２）のへッドスライダの浮上量については、上述したように極力低減するために多くの努力が払われており、限りなく接触に近い方向に進んでいる。このような状況下で、  （１）に関しては安定な潤滑走行を実現する上で多かれ少なかれ必要であり、零にすることはできない。よって、  （４）の電磁変換素子先端部４ａのディッシングを低減することが重要となる。
【０００７】
しかしながら、電磁変換素子先端部４ａが配置される磁気ヘッド６の媒体対向面（ＡＢＳ）７は、最終加工を研磨により実施しているため、主としてへッドスライダ部２を構成するＡｌ２  Ｏ３  ・ＴｉＣ基板１、アンダーコートやオーバーコート等となるＡｌＯｘ  薄膜３に比べて硬度の小さいＮｉＦｅ合金やＣｏ系磁性合金等の金属材料からなる電磁変換素子先端部４ａでは、上記研磨によって１５〜２０ｎｍ程度のディッシングが必然的に起ってしまう。この様子を図１７に示す。図１７は図１６のＡ−Ａ′線に沿った要部断面図であり、図中Ｄはディッシング量を示している。このように、磁気へッド６と磁気ディスクとの磁気的スペーシングの低減には限界がある。
【０００８】
一方、磁気ヘッド６の低浮上化自体には、上述したディシング等の問題を含めて限界がある。そこで、電磁変換素子先端部４ａを磁気ディスクに接触させて、信号の記録・再生を行う接触記録再生方式の磁気ディスク装置が開発されている。ただし、接触記録再生方式の磁気ディスク装置においては、磁気ヘッドと磁気ディスクが常に接触、摺動することから、これらの磨耗を防止することが重要となる。このため、磁気ヘッドの押付け荷重をできるだけ小さくする等の方策が採られているが、たえず同じ部分が磁気ディスクと摺動することから、磁気ヘッドの磨耗を基本的に抑えることはできない。
【０００９】
上述したように、磁気ヘッド６のスライダ部２は高硬度のＡｌ２  Ｏ３  ・ＴｉＣ基板１からなるのに対して、電磁変換素子先端部４ａはＮｉＦｅやＣｏ合金等の比較的磨耗しやすい金属材料により形成されているため、接触記録方式の磁気ディスク装置では電磁変換素子先端部４ａやその周囲のＡｌＯｘ  薄膜３が主として磨耗してしまう。また、接触記録再生方式としても上述したディシングによる磁気的スペーシングは残るため、このままでも再生出力の向上効果を十分に得ることはできない。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、磁気ディスク装置の磁気記録密度の向上に伴って、磁気ヘッドの低浮上化、さらには接触記録再生方式が検討されているが、従来の接触記録再生方式では電磁変換素子先端部やその周囲のＡｌＯｘ  薄膜の磨耗を抑えることはできないため、この部分の耐磨耗性の向上が接触記録再生方式を実用化する上で重要な課題となっている。
【００１１】
また、上記したいずれの方式においても、電磁変換素子先端部のディシングによる磁気的スペーシングが再生出力の向上等を妨げているため、加工工程における電磁変換素子先端部のディシングを防止することが求められている。
【００１２】
本発明は、このような課題に対処するためになされたもので、たとえ接触記録再生方式とした場合においても、電磁変換素子先端部やその周囲近傍の磨耗を抑制することを可能にした磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的としており、さらには電磁変換素子先端部のディシングによる磁気的スペーシングを低減することを可能にした磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的としている。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明の磁気ヘッドの製造方法は、絶縁層内に形成され、かつその先端部が媒体対向面に配置された電磁変換素子を有し、前記媒体対向面を記録媒体上に接触あるいは浮上させて、前記記録媒体に磁界により信号を書き込みまたは前記記録媒体から発生する磁界により信号を読み取る磁気ヘッドを製造するにあたり、前記媒体対向面を研磨により加工する工程と、前記研磨を施した媒体対向面の少なくとも前記電磁変換素子の先端部を覆うようにレジストを形成する工程と、前記媒体対向面の前記レジストで覆われていない、前記先端部または前記先端部とその近傍部分を除く周辺部をエッチングする工程と、前記エッチング部分に、その表面位置が前記先端部より下方となるようにダイアモンドライクカーボン薄膜を形成する工程と、前記ダイアモンドライクカーボン薄膜の表面より突出した前記電磁変換素子の先端部または前記先端部とその近傍部分の絶縁層を、前記媒体対向面が平面となるように磨耗により加工する工程とを有することを特徴としている。
【００１９】
本発明においては、媒体対向面における電磁変換素子の先端部近傍を除く周辺部にダイアモンドライクカーボン薄膜を配置している。言い換えると、磁気ヘッドの媒体対向面の大部分が摺動特性、すなわち耐磨耗性に優れるダイアモンドライクカーボン薄膜とされているため、接触記録再生方式とした場合においても、電磁変換素子先端部やその近傍部分の磨耗による問題発生を大幅に低減することができる。このようなヘッド構造は、電磁変換素子の先端部近傍を除く周辺部をエッチングし、このエッチング部分にダイアモンドライクカーボン薄膜を被覆形成することにより実現することができる。
【００２０】
また、上述したダイアモンドライクカーボン薄膜上を含めて、媒体対向面の全面にさらにダイアモンドライクカーボン薄膜を配置することによって、電磁変換素子先端部およびその近傍部分の磨耗をより一層有効に抑制することができる。さらに、電磁変換素子先端部とその近傍部分および周辺部に配置されたダイアモンドライクカーボン薄膜が略同一平面を形成するように、これらを配置することによって、浮上方式および接触方式のいずれにおいても電磁変換素子先端部と磁気記録媒体との磁気的スペーシングを低減することができる。このようなヘッド構造は、電磁変換素子の先端部やその近傍部分が凸状となるように、媒体対向面の電磁変換素子先端部の周辺部分をエッチングし、このエッチング部分にダイアモンドライクカーボン薄膜を被覆形成した後、上記した凸状部を磨耗により仕上げ加工し、これにより例えば電磁変換素子先端部のディシングを防ぐことによって実現することができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を実施するための形態について、図面を参照して説明する。
【００２２】
図１および図２は本発明の磁気ヘッドの一実施形態の構成を示す図であって、図１はこの実施形態の磁気ヘッドの概略構成を示す斜視図、図２（ａ）はそのトレーリング部の媒体対向面方向から観察した要部平面図、図２（ｂ）はこの実施形態の磁気ヘッドの断面構造（内部構造）を模式的に示す図である。
【００２３】
これらの図に示すように、磁気ヘッド１０はＡｌ２  Ｏ３  ・ＴｉＣ基板１１で構成されたスライダ部１２を有しており、Ａｌ２  Ｏ３  ・ＴｉＣ基板１１の一端にはトレーリング部１３を構成するＡｌＯｘ  薄膜１４等の絶縁層が形成されている。すなわち、トレーリング部１３はアンダーコートやオーバーコート等としての  ＡｌＯｘ  薄膜１４のみで形成されている。なお、絶縁層にはＡｌＯｘ  に限らず、ＳｉＯｘ  、ＳｉＮｘ  等の各種絶縁性金属化合物材料を使用することができる。
【００２４】
ＡｌＯｘ  薄膜１４中には、記録再生素子としての電磁変換素子１５が埋め込み形成されている。電磁変換素子１５には、誘導型薄膜磁気ヘッド素子を記録再生素子として使用してもよいが、特に再生素子としての磁気抵抗効果素子と記録素子としての誘導型薄膜磁気ヘッド素子とを積層形成した録再分離型磁気ヘッド素子が、再生出力の高感度化等を図る上で好ましく用いられる。電磁変換素子１５は、主としてＮｉＦｅ合金、ＦｅＮ、Ｃｏ系磁性合金、アモルファスＣｏＺｒ  Ｎｂ等の磁性金属材料により構成されている。なお、図２（ｂ）は主として電磁変換素子１５の誘導型薄膜磁気ヘッド素子部分を示しており、１６はＮｉＦｅ合金、ＦｅＮ、アモルファスＣｏＺｒＮｂ等の軟磁性材料からなる磁極、１７はコイルである。
【００２５】
ＡｌＯｘ  薄膜１４中には、上記したような電磁変換素子１５が埋め込み形成されており、記録トラックおよび再生トラックとして機能する電磁変換素子１５の先端部１５ａは、トレーリング部１３の媒体対向面１８に配置されている。従って、媒体対向面１８における電磁変換素子先端部１５ａの周囲近傍部分には、  ＡｌＯｘ  等の絶縁物が存在している。
【００２６】
そして、電磁変換素子先端部１５ａが配置されたトレーリング部１３の媒体対向面１８には、電磁変換素子先端部１５ａおよびＡｌＯｘ  からなる先端部１５ａ近傍を除く周辺部に、ダイアモンドライクカーボン（ＤＬＣ）薄膜１９が配置されている。すなわち、媒体対向面１８は大部分がＤＬＣ薄膜１９により構成されている。ＤＬＣは図３に示すように、トレーリング部１３の絶縁層を構成する  ＡｌＯｘ  等に比べて耐磨耗性に優れるものである。
【００２７】
このように、電磁変換素子先端部１５ａおよびその近傍部分を除いて、トレーリング部１３側の媒体対向面１８の周辺部分を耐磨耗性に優れるＤＬＣ薄膜１９で構成した場合、媒体対向面１８の摺動部分の大部分がＤＬＣ薄膜１９となる。従って、磁気ヘッド１０を接触記録再生方式の磁気ディスク装置等に使用した場合においても、媒体対向面１８の摺動部分の磨耗を大幅に低減することが可能となる。
【００２８】
なお、この実施形態の磁気ヘッド１０は接触記録再生方式に限らず、浮上方式に適用することも可能である。すなわち、媒体対向面１８がＡＢＳとして機能するような磁気ヘッドであってもよい。浮上距離を極僅かとした低浮上方式の場合、磁気ヘッド１０と磁気ディスク等とが接触するおそれが大きいため、ＤＬＣ薄膜１９による媒体対向面１８の磨耗抑制は有効である。後述する他の実施形態についても同様である。
【００２９】
上述した媒体対向面１８の周辺部分のみにＤＬＣ薄膜１９を配置したヘッド構造は、例えば以下のようにして作製することができる。すなわち、まず通常の機械研磨によって、媒体対向面１８をほぼ最終素子ハイトあるいは最終スロートハイトに加工する。次いで、電磁変換素子先端部１５ａおよびその近傍部分を残して、例えば媒体対向面１８を構成しているＡｌＯｘ  薄膜１４の周辺部分をエッチングして掘り下げる。この後、エッチング部分のみに選択的にＤＬＣ薄膜１９を被覆形成することによって、上述したようなヘッド構造が実現される。
【００３０】
ところで、図２に示した磁気ヘッド１０は、媒体対向面１８において電磁変換素子先端部１５ａおよびその近傍部分とＤＬＣ薄膜１９とが略同一平面となるように、ＤＬＣ薄膜１９を配置している。このような磁気ヘッド１０を接触記録再生方式の磁気ディスク装置等に使用した場合、電磁変換素子１５を主として構成するＮｉＦｅ合金、ＦｅＮ、アモルファスＣｏＺｒＮｂ等の磁性材料やＡｌＯｘ  薄膜１４は磨耗しやすい材料であるが、耐磨耗性の高い材質であるＤＬＣ薄膜１９も同時に磁気ディスク等の磁気記録媒体と接触、摺動することから、磨耗の進行が緩やかとなる。従って、媒体対向面１８の磨耗を必要最小限に抑えることができる。
【００３１】
このように、電磁変換素子先端部１５ａおよびその近傍部分とＤＬＣ薄膜１９とを略同一平面とした構成は、電磁変換素子先端部１５ａ等の磨耗が僅かであれば記録再生特性に影響のない磁気ヘッドに好適である。
【００３２】
また、電磁変換素子先端部１５ａ等の磨耗をさらに抑制するために、図４に示すように、ＤＬＣ薄膜１９上を含めて媒体対向面１８の全面に、さらに第２のＤＬＣ薄膜２０を配置してもよい。
【００３３】
このようなヘッド構造によれば、媒体対向面１８の摺動面積の全てが耐磨耗性に優れるＤＬＣ薄膜２０で覆われるため、媒体対向面１８の磨耗を大幅に低減することができる。さらに、予め媒体対向面１８の周辺部分にはＤＬＣ薄膜１９が第１のＤＬＣ薄膜として形成されているため、第２のＤＬＣ薄膜２０の厚さを極薄くしても、媒体対向面１８の摺動特性を十分に高めることができる。従って、電磁変換素子先端部１５ａ上のＤＬＣ薄膜２０による磁気的スペーシングの増大を小さくすることができる。このようなことから、第１のＤＬＣ薄膜１９の厚さは例えば  ３００ｎｍ程度、また第２のＤＬＣ薄膜２０の厚さは例えば  ５ｎｍ程度とすることが好ましい。
【００３４】
ここで、上述した磁気ヘッド１０の製造工程において、第１段階として媒体対向面１８を通常の機械研磨により加工した場合、電磁変換素子先端部１５ａはその近傍部分のＡｌＯｘ  薄膜１４、さらにはＡｌ２  Ｏ３  ・ＴｉＣ基板１１等に比べ硬度等が小さいことから、図５（ａ）に示すように、電磁変換素子先端部１５ａはＡｌＯｘ  薄膜１４より約１５〜２０ｎｍ程度ディッシングしてしまう。このディッシングＤは、磁気へッド１０と磁気ディスクとの磁気的スペーシングを増大させ、再生出力の低下等の要因となるため、極力小さくすることが望ましい。
【００３５】
ディッシング量Ｄによる磁気へッド１０と磁気ディスクとの磁気的スペーシングの増大を抑制するためには、以下に示すような製造工程で磁気ヘッド１０を作製することが好ましい。すなわち、まず図５（ａ）に示すように、媒体対向面１８を通常の機械研磨により加工した後、媒体対向面１８にひさしをもったＴ字型のレジスト２１を  ２層レジスト等により形成する（図５（ｂ））。
【００３６】
このＴ字型レジスト２１は、少なくとも電磁変換素子先端部１５ａを覆うように形成する。実際には、電磁変換素子先端部１５ａの近傍部分のＡｌＯｘ  薄膜１４まで覆うように形成する。このとき、下層のレジスト２１ａの厚さは  ０．５μｍ  程度、上層のレジスト２１ｂのひさしの出っ張りは  ０．５μｍ  程度とする。
【００３７】
次に、図５（ｃ）に示すように、媒体対向面１８全体をイオンビーム等により約  ０．２μｍ  程度エッチングして、Ｔ字型レジスト２１で覆われていない部分、すなわち電磁変換素子先端部１５ａの近傍部分を除く周辺部を先端部１５ａ表面より下方になるように削る。すなわち、電磁変換素子先端部１５ａおよびその近傍部分が凸状となるようにエッチングする。
【００３８】
図５（ｄ）に示すように、Ｔ字型レジスト２１を除去せずに、エッチング部分にＤＬＣ薄膜１９を約  ０．１μｍ  程度被覆形成する。次いで、Ｔ字型レジスト２１を除去して、このレジスト２１上のＤＬＣ薄膜をリフトオフする。この際、残ったＤＬＣ薄膜１９の表面が電磁変換素子先端部１５ａより下方となるようにエッチング深さやＤＬＣ薄膜１９の厚さを調節する（図５（ｅ））。
【００３９】
この後、ＤＬＣ薄膜１９の表面より突出した電磁変換素子先端部１５ａおよびその近傍部分を磨耗により仕上げ加工（最終加工）し、媒体対向面１８をほぼ平滑な面とする（図５（ｅ））。ここで、上記した磨耗による加工とは、例えば加工盤として表面全面にダイヤモンドライクカーボンを被覆したものを用い、この面による加工であり、一般に使用されるダイヤモンド等の粒による研磨、研削とは異なるものである。
【００４０】
上述したように、媒体対向面１８の電磁変換素子先端部１５ａ近傍を除く周辺部分に、先端部１５ａ近傍が凸状となるように、予めＤＬＣ薄膜１９を形成しておき、この凸状の電磁変換素子先端部１５ａ近傍を磨耗により最終形状に加工することによって、電磁変換素子先端部１５ａのディッシングをおおよそ零とすることができる。すなわち、電磁変換素子先端部１５ａ、その近傍部分のＡｌＯｘ  薄膜１４およびＤＬＣ薄膜１９が略同一平面を形成するように、媒体対向面１８を平滑化することができる。これによって、ディッシングによる電磁変換素子先端部１５ａと磁気ディスクとの磁気的スペーシングをおおよそ零とすることが可能となる。これは浮上式および接触式のいずれに対しても有効である。
【００４１】
この実施形態の磁気ヘッド１０においては、トレーリング部１３側の媒体対向面１８をＡｌＯｘ  薄膜１４のみで形成している。従って、最も硬度が大きいＡｌ２  Ｏ３  ・ＴｉＣ基板１１は、初期研磨時に電磁変換素子先端部１５ａのディッシングには影響しないため、初期研磨時のディッシングを小さくすることができる。これによって、後工程の加工が容易となる。
【００４２】
また、図５（ｆ）に示した最終加工後の媒体対向面１８上に、さらに第２のＤＬＣ薄膜２０を被覆形成することによって、図４に示した磁気ヘッド１０を得ることができる。
【００４３】
さらに、図６に示すように、Ｔ字型レジスト２１をアンダーコートおよびオーバーコート用のＡｌＯｘ  薄膜１４を除く電磁変換素子先端部１５ａのみを覆うように形成することによって（図６（ｃ））、最終加工の磨耗面は電磁変換素子先端部１５ａを構成するＮｉＦｅ合金、ＦｅＮ、アモルファスＣｏＺｒＮｂ等の各々の磨耗量にばらつきの少ない磁性材料となるため、磨耗による最終加工がより容易となる（図６（ｅ），（ｆ））。ただし、図６（ｃ）に示したように、Ｔ字型レジスト２１による被覆面積が電磁変換素子先端部１５ａより小さいと、電磁変換素子１５の先端部１５ａの形状はＴ字型レジスト２１の形状に基くため、Ｔ字型レジスト２１の形状精度を十分に高める必要がある。
【００４４】
上述した実施形態の磁気ヘッド１０において、トレーリング部１３側の媒体対向面１８の形状は、図１に示したものに限られるものではなく、例えばＤＬＣ薄膜１９を形成する前に、媒体対向面１８の一部をマスクすることにより、図７および図８に示すように、ＤＬＣ薄膜１９が形成されない部分を設けることも可能である。図７に示す例は、媒体対向面１８に磁気ディスクとの摺動方向に沿った溝２２を設けるようにしたものである。このような構造によれば、浮上力を調整して、接触状態を安定に維持しつつ磨耗を低減することが可能となる。また、図８に示す例は、電磁変換素子１５よりもヘッド後端側に段差２５を設けるようにしたものである。このような構造によれば、段差２５の深さや幅を適宜調整することにより、電磁変換素子１５の後方で所望の負圧を発生させることができ、媒体対向面１８をより安定に磁気ディスク上に接触させることが可能となると共に、磨耗により生じた磨耗粉を効率的に排出することができる。
【００４５】
また、図９に示すように、トレーリング部１３の媒体対向面１８はＡｌＯｘ  薄膜１４のみで形成することに限らず、一部Ａｌ２  Ｏ３  ・ＴｉＣ基板１１で構成してもよい。このような構造により、媒体対向面１８の磁気ディスクとの接触面積を拡大して、電磁変換素子先端部１５ａ近傍の接触面圧を十分に小さくすることが可能となる。
【００４６】
次に、本発明の他の実施形態について、図１０を参照して説明する。図１０に示す磁気ヘッド２３は、主要構成は前述した実施形態の磁気ヘッド１０と同一とされているが、媒体対向面１８において、電磁変換素子先端部１５ａおよびその近傍部分がＤＬＣ薄膜１９の表面より僅かに突出した構造とされている。
【００４７】
このような磁気ヘッド２３を接触記録再生方式の磁気ディスク装置等に使用した場合、電磁変換素子１５を主として構成するＮｉＦｅ合金、ＦｅＮ、アモルファスＣｏＺｒＮｂ等の磁性材料やＡｌＯｘ  薄膜１４はＤＬＣ薄膜１９よりも磨耗しやすく、かつ突出部分のみが磁気ディスク等と接触するために、その部分の接触面圧が高くなることから、磁気ディスク装置等の運転を開始して磁気ヘッド２３と磁気デイスクとが摺動すると、突出部分のみが選択的に摩耗する。
【００４８】
しかし、突出した電磁変換素子先端部１５ａおよびその近傍部分の磨耗がＤＬＣ薄膜１９の表面と同一面まで進行すると、ＤＬＣ薄膜１９と磁気デイスクとが接触、摺動を開始し、接触面積が拡大して接触面圧が低下する。また、ＤＬＣ薄膜１９は耐磨耗性に優れる。これらによって、電磁変換素子先端部１５ａおよびその近傍部分の磨耗がＤＬＣ薄膜１９の表面まで達した後は、磨耗速度は大幅に低減される。
【００４９】
上述した電磁変換素子先端部１５ａおよびその近傍部分をＤＬＣ薄膜１９の表面より僅かに突出させた構成は、電磁変換素子先端部１５ａ等の磨耗が比較的大きくても磁気特性に影響のない磁気ヘッドに好適である。このようなヘッド構造は、前述した実施形態と同様に、電磁変換素子先端部１５ａおよびその近傍部分を残して、例えば媒体対向面１８を構成しているＡｌＯｘ  薄膜１４の周辺部分をエッチングし、このエッチング部分にＤＬＣ薄膜１９を選択的に被覆形成する際に、電磁変換素子先端部１５ａおよびその近傍部分が僅かに突出するようにＤＬＣ薄膜１９を形成することにより実現することができる。また具体的には、図５に示した製造工程において、図５（ｅ）の段階までとすれば、上述した構造を有する磁気ヘッド２３が得られる。
【００５０】
なお、図１１は第２のＤＬＣ薄膜２０を形成した状態を参考例として示している。
【００５１】
以下に、他の磁気ヘッドの構成を参考例として示す。図１２に示す磁気ヘッド２４は、主要構成は前述した実施形態の磁気ヘッド１０と同一とされているが、媒体対向面１８において電磁変換素子先端部１５ａおよびその近傍部分がＤＬＣ薄膜１９の表面より僅かに窪んだ構造とされている。このような磁気ヘッド２４を接触記録再生方式の磁気ディスク装置等に使用した場合、耐磨耗性に優れるＤＬＣ薄膜１９の方が突出しているため、ＤＬＣ薄膜１９と磁気ディスクとが接触し、電磁変換素子先端部１５ａは磁気ディスクと接触しない。また、ＤＬＣ薄膜１９は電磁変換素子先端部１５ａやその近傍部分のＡｌＯx薄膜１４と比較して耐磨耗性に優れることから、その磨耗速度は小さい。よって、電磁変換素子先端部１５ａに磨耗が達するまでには、装置寿命として必要十分な時間があり、実質的に電磁変換素子先端部１５ａの磨耗を防止することができる。
【００５２】
上述した電磁変換素子先端部１５ａおよびその近傍部分をＤＬＣ薄膜１９の表面より僅かに窪ませた構成は、電磁変換素子先端部１５ａ等の磨耗を許容することができない磁気ヘッドに好適である。このようなヘッド構造は、前述した実施形態と同様に、電磁変換素子先端部１５ａおよびその近傍部分を残して、例えば媒体対向面１８を構成しているＡｌＯｘ  薄膜１４の周辺部分をエッチングし、このエッチング部分にＤＬＣ薄膜１９を選択的に被覆形成する際に、エッチング深さよりも厚いＤＬＣ薄膜１９を電磁変換素子先端部１５ａの近傍部分に形成することにより実現できる。
【００５３】
また、電磁変換素子先端部１５ａおよびその近傍部分をＤＬＣ薄膜１９の表面より僅かに窪ませた構造とした場合においても、図１３に示すように、さらに第２のＤＬＣ薄膜２０を形成することができる。さらに、図１４に示すように、窪ませた電磁変換素子先端部１５ａおよびその近傍部分の上だけに選択的に第２のＤＬＣ薄膜２０を設けてもよく、この構造は図１３に示した構造の突出部分を研磨により平坦化することによっても得ることができる。
【００５５】
次に、上述した本発明の磁気ヘッドを用いた磁気ディスク装置の概要について図１５を参照して説明する。
【００５６】
図１５はロータリーアクチュエータを用いた磁気ディスク装置の概略を示す図である。ディスク２０１はスピンドル２０２に装着され、所定の回転数で回転される。ディスク２０１上を浮上もしくは接触した状態で情報の記録再生を行う磁極を搭載したスライダ２０３は、薄膜状のサスペンション２０４の先端に取り付けられている。サスペンション２０４は、図示しない駆動コイルを保持するボビン部等を有するアクチュエータアーム２０５の一端に接続されている。一方、アクチュエータアーム２０５の他端には、リニアモータの  １種であるボイスコイルモータ２０６が設けられいる。
【００５７】
ボイスコイルモータ２０６は、上記したアクチュエータアーム２０５のボビン部に巻き上げられた図示しない駆動コイルと、それを挟み込むように対向して配置された永久磁石および対向ヨークからなる磁気回路とから構成される。アクチュエータアーム２０５は、固定軸２０７の上下  ２カ所に設けられた図示しないボールベアリングによって保持され、ボイスコイルモータ２０６により回転摺動が自在にできるようになっている。
【００５８】
前述した本発明の磁気ヘッドを採用することによって、磁気記録密度を高めることができ、大容量で信頼性の高い磁気ディスク装置を提供することが可能となる。
【００５９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、例えば接触記録再生方式に適用した場合においても、電磁変換素子先端部やその周囲近傍の磨耗量を低減することが可能な磁気ヘッドを得ることができる。さらには、電磁変換素子先端部のディシングによる磁気的スペーシングを低減することができる。これらにより、磁気ヘッドの特性や信頼性等を高めることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態による磁気ヘッドの概略構造を示す斜視図である。
【図２】図１に示す磁気ヘッドの要部を示す図であって、（ａ）は要部平面図、（ｂ）は要部の内部構造を模式的に示す図である。
【図３】ＤＬＣの磨耗量をアルミナと比較して示す図である。
【図４】図１に示す磁気ヘッドの変形例を示す図である。
【図５】図１に示す磁気ヘッドの製造工程の一例を示す図である。
【図６】図５に示す磁気ヘッドの製造工程の変形例を示す図である。
【図７】図１に示す磁気ヘッドの他の変形例を示す図である。
【図８】図１に示す磁気ヘッドのさらに他の変形例を示す図である。
【図９】図１に示す磁気ヘッドのさらに他の変形例を示す図である。
【図１０】本発明の他の実施形態による磁気ヘッドの要部を示す図であって、（ａ）は要部平面図、（ｂ）は要部の内部構造を模式的に示す図である。
【図１１】磁気ヘッドの他の構成例を示す図である。
【図１２】磁気ヘッドのさらに他の構成例の要部を示す図であって、（ａ）は要部平面図、（ｂ）は要部の内部構造を模式的に示す図である。
【図１３】図１２に示す磁気ヘッドの変形例を示す図である。
【図１４】図１２に示す磁気ヘッドの他の変形例を示す図である。
【図１５】本発明の磁気ヘッドを用いた磁気ディスク装置の概略構造の一例を示す斜視図である。
【図１６】従来の磁気ヘッドの概略構造の一例を示す斜視図である。
【図１７】図１６に示す磁気ヘッドにおける電磁変換素子先端部のディッシングを説明するための図である。
【符号の説明】
１０、２３、２４……磁気ヘッド
１１……Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ基板
１２……スライダ部
１３……トレーリング部
１４……ＡｌＯx薄膜
１５……電磁変換素子
１５ａ…電磁変換素子先端部
１８……媒体対向面
１９、２０……ダイアモンドライクカーボン（ＤＬＣ）薄膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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