(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の層及び第２の層が設けられた基板を有し、画面部分を有する液晶パネルの製造方法において、
前記画面部分の前記第１の層上に設けられた第１のレジストを第１フォトマスクの逐次露光方式によって複数の領域に分けて露光する工程と、
前記画面部分の前記第２の層上に設けられた第２のレジストを第２フォトマスクの逐次露光方式によって複数の領域に分けて露光する工程と、
前記画面部分以外の部分を複数のフォトマスクに割付て前記第１のレジストを露光する工程と、を具備し、
前記基板の面上において、前記第１のレジストの前記各領域がつながる位置と、前記第２のレジストの前記各領域がつながる位置とが、互いに平面的に異なる位置に配置されることを特徴とする液晶パネルの製造方法。
【請求項２】
第１の層及び第２の層が設けられた基板を有し、画面部分を有する液晶パネルの露光方法において、
前記画面部分の前記第１の層上に設けられた第１のレジストを第１フォトマスクの逐次露光方式によって複数の領域に分けて露光し、
前記画面部分の前記第２の層上に設けられた第２のレジストを第２フォトマスクの逐次露光方式によって複数の領域に分けて露光し、
前記画面部分以外の部分を複数のフォトマスクに割付て前記第１のレジストを露光し、
前記基板の面上において、前記第１のレジストの前記各領域がつながる位置と、前記第２のレジストの前記各領域がつながる位置とが、互いに平面的に異なる位置に配置されることを特徴とする液晶パネルの露光方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＭＩＭ液晶パネルに用いるＭＩＭ素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来よりＭＩＭ素子製造方法としては”Ｄａｖｉｄ  Ｒ．  Ｂａｒａｆｆ  ｅｔ  ａｌ．，ＳＩＤ’８０  Ｄｉｇｅｓｔ，  ｐ２００〜２０１，  １９８０”に示されているようにフォトリソグラフィーを用いてパターン形成を行っていた。露光方式としては、露光装置の発達過程と同期するかたちでコンタクト方式、プロキシミティー方式が主に使用されていた。近年、露光機メーカーから液晶パネル製造用途としてミラープロジェクション方式やステッパー方式の装置が供給されるようになり、これらの装置によりＴＦＴ、ＭＩＭなどを使用したアクティブマトリックス液晶パネルが製造できるようになった。しかしながら高精細、大画面化といった市場からの要求に応えるためには、コンタクト、プロキシミティー、ミラープロジェクションといった露光方式ではＭＩＭ液晶パネルの高精細化、大画面化が装置性能上、制限されるという欠点があった。具体的には、コンタクト方式、プロキシミティー方式は大型化には対応できるものの、高精細という観点では解像度が不十分なため微細なパターン形成ができず、加えてフォトマスクとワーク基板が接触または近接するためにゴミによるパターン不良が発生するなど歩留りが悪いという欠点があった。一方ミラープロジェクション方式はミラーなどの装置を構成する光学系部品の精度的な問題から大型化に限界がある。
ステッパーによる逐次露光方式はレンズの解像度が高く高精細化が可能な上、露光ステップ数を増やし大画面化に対応できることから、レンズなどの光学系部品で高精細、大画面化が制限されるといった問題はない。
【０００３】
しかし逐次露光方式で大画面をダイのつなぎによって露光をした場合、各ダイ毎に液晶パネル完成後にコントラストがばらつくという欠点が発生した。いわゆる「ブロック分かれ」となって液晶パネルの表示品位を悪くする。この点が逐次露光方式を用いる場合の最大の問題点であった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は逐次露光方式を用いて基板上に均一なＭＩＭ素子を形成することによって「ブロック分かれ」といった表示品位の悪化を防止する点にある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明のＭＩＭ素子の製造方法は、前記課題を解決するため以下の様な特徴を有する。
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明の液晶パネルの製造方法は、第１の層及び第２の層が設けられた基板を有し、画面部分を有する液晶パネルの製造方法において、前記画面部分の前記第１の層上に設けられた第１のレジストを第１フォトマスクの逐次露光方式によって複数の領域に分けて露光する工程と、前記画面部分の前記第２の層上に設けられた第２のレジストを第２フォトマスクの逐次露光方式によって複数の領域に分けて露光する工程と、前記画面部分以外の部分を複数のフォトマスクに割付て前記第１のレジストを露光する工程と、を具備し、前記基板の面上において、前記第１のレジストの前記各領域がつながる位置と、前記第２のレジストの前記各領域がつながる位置とが、互いに平面的に異なる位置に配置されることを特徴とする。
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明の液晶パネルの露光方法は、第１の層及び第２の層が設けられた基板を有し、画面部分を有する液晶パネルの露光方法において、前記画面部分の前記第１の層上に設けられた第１のレジストを第１フォトマスクの逐次露光方式によって複数の領域に分けて露光し、前記画面部分の前記第２の層上に設けられた第２のレジストを第２フォトマスクの逐次露光方式によって複数の領域に分けて露光し、前記画面部分以外の部分を複数のフォトマスクに割付て前記第１のレジストを露光し、前記基板の面上において、前記第１のレジストの前記各領域がつながる位置と、前記第２のレジストの前記各領域がつながる位置とが、互いに平面的に異なる位置に配置されることを特徴とする。
【００１１】
【作用】
ＭＩＭ液晶パネルでは図５に示すように液晶層とＭＩＭ素子が直列に配置され、この系に印加される駆動電圧は液晶層とＭＩＭ素子の容量比で次式のように分割される。
【００１２】
【数１】
0003552711.tif 000002
【００１３】
ＭＩＭ素子のパターン寸法の変化によりＭＩＭ素子容量が変化するため、ＭＩＭ素子へ印加される電圧が変化することになる。
【００１４】
従ってＭＩＭ素子のＯＮ抵抗がのばらつきとなって液晶層に書き込まれる実効電圧をばらつかせるため、液晶の動作状態が変化し液晶パネルの画面内にコントラストのむらを生じる。従って逐次露光方式においては各ダイ毎のＭＩＭ素子寸法の変化を如何に抑えるかが重要となる。画面部分を同一のフォトマスクで露光することによりフォトマスクの製造ばらつきによるマスク間のパターン寸法差をなくし、さらに各ダイのつなぎ目位置を各層毎にずらすことによって、ＭＩＭ素子を形成する各電極の寸法が変化する位置がずれるため「ブロック分かれ」を抑えることができる。
【００１５】
【実施例】
以下に、本発明に基づく実施例を順を追って説明していく。
【００１６】
ガラスなどの絶縁基板基板上に、ＭＩＭ素子のベース電極パターンと信号ラインとなる、例えばタンタルなどをスパッタ法により成膜する。次に該タンタル膜上にフォトレジストを塗布し、図１に示すように画面部分を第一層目のパターンの同一フォトマスクの繰り返しによって逐次露光する。画面部分以外は複数のマスクに割付て露光しても問題ない。
【００１７】
ここでフォトマスクは、例えばポジプロセス法や多重露光法によってパターン寸法の変動が画面内で極力少ないものを用いる。通常逐次露光方式に対応したフォトマスクは図４のように各パターン群周辺を遮光帯と呼ばれる１．５〜５ｍｍ幅のＣｒパターンで囲まれており、繰り返しパターンである画面内と遮光帯近傍ではパターン寸法が変動している。これを解決するためにはポジプロセス法や多重露光法が有効である。
【００１８】
次に、現像、エッチング及びレジスト剥離を行い、ベース電極パターンと信号ラインを得る。次にＭＩＭ素子の絶縁層としてを陽極酸化法によってベース電極パターンと、信号ライン上にタンタル酸化膜を形成する。しかる後に例えば、クロム、チタン、タンタルをスパッタ法により成膜しＭＩＭ素子の結合電極と信号ラインの画面部分を第二層目の同一フォトマスクで逐次露光する。この時、図２のように各ダイが接続される位置が第一層のベース電極パターンと第二層の結合電極パターンで、ずれるように露光を行うとＭＩＭ素子面積の変動はベース電極と結合電極を同位置でつなぐ場合にくらべ少なくなる。
【００１９】
一方、ダイをつなぐ位置であるが、図３のようにＭＩＭ素子を形成するパターンと位置的に離すことによってつなぎ精度の影響を少なくすることができる。
しかる後に現像、エッチング及びレジスト剥離をおこない、ＭＩＭ素子を完成する。最後に例えばＩＴＯをスパッタ法により成膜し、画素電極を形成する。
【００２０】
以上ＭＩＭ素子の形成方法を述べたが、ＴＦＴでもパターン寸法のばらつきはゲート浮遊容量のばらつきとなるので、特に中間調を多用するパネルではＭＩＭ同様に「ブロック分かれ」を生じる。従って本発明はパターン寸法のばらつきを抑える効果が高くその意味でＴＦＴに対しても有効である。
【００２１】
【発明の効果】
以上説明したように本考案は逐次露光方式の持つ高精度且つ大型化が容易という利点をＭＩＭ素子の形成に生かす一方、表示部分の各ダイ毎のパターン寸法の変化を低減し均一な表示を得るという効果を有する。本考案によってＭＩＭ液晶パネルに対する高精細化、大型化という市場の要求に応えることが可能となった。
【００２２】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明実施例の一つである画面部分のＭＩＭ素子を同一マスクの繰り返しで逐次露光した状態を示す図である。
【図２】本発明実施例の一つである画面部分のダイのつなぎ位置がＭＩＭ第１層と第２層でずらした状態を示す図である。
【図３】本発明実施例の一つであるダイのつなぎ位置をＭＩＭ素子を形成するパターンと位置的にずらした状態を示す図である。
【図４】逐次露光方式に用いるフォトマスクに用いられるパターン群を囲む遮光帯を示す図である。
【図５】ＭＩＭ液晶パネルにおけるＭＩＭ素子と液晶層との電気的な接続状態を示す図である。
【図１】
0003552711.tif 000003
【図２】
0003552711.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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