(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で表される新規チアベンダゾールフッ素シラン誘導体。
【化１】
0003555791.tif 000026
〔式中、Ｒ１は下記一般式（２）で表わされる基を示し、下記一般式（２）中のＲ３はフッ素又はトリフルオロメチル基を示し、ｎは１〜１５の整数である。又、式中Ｒ２は下記一般式（３）で表わされる基を示し、下記一般式（３）中のＲ４及びＲ５は炭素数１〜４のアルキル基を示し、ｍは０〜３の整数である。〕
【化２】
0003555791.tif 000027
【請求項２】
下記一般式（４）で表わされるチアベンダゾールフッ素誘導体と下記一般式（５）で表わされるイソシアネートシラン化合物とを反応させることを特徴とする請求項１に記載のチアベンダゾールフッ素シラン誘導体の製造方法。
【化３】
0003555791.tif 000028
（式中、Ｒ１は下記一般式（２）で表わされる基を示し、下記一般式（２）中のＲ３はフッ素又はトリフルオロメチル基を示し、ｎは１〜１５の整数である。）
【化４】
0003555791.tif 000029
（式中Ｒ４及びＲ５は炭素数１〜４のアルキル基を示し、ｍは０〜３の整数である。）
【請求項３】
請求項１に記載の一般式（１）で表わされるチアベンダゾールフッ素シラン誘導体の少なくとも一種を有効成分とすることを特徴とする表面処理剤。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は金属や高分子材料、無機材料等の表面の防錆、潤滑、撥水、撥油及び抗菌等を行うための表面処理剤、特にはプリント回路用銅張積層板等に用いられる銅箔用処理剤として好適な新規なベンズイミダゾールフッ素シラン誘導体及びその製造方法、並びにその用途に関する。
【０００２】
【従来の技術】
プリント回路用の銅張積層板は、銅箔に紙フェノール樹脂含浸基材やガラス−エポキシ樹脂含浸基材等と加熱、加圧して積層して形成され、これをエッチングして回路網を形成し、これに半導体装置等の素子を搭載することにより電子機器用のボードが作られる。これらの過程では基材との接着、加熱、酸やアルカリ液への浸漬、レジストインクの塗布、半田付け等が行われるため、銅箔には接着性、耐熱性、耐湿性、耐薬品性等の性能が要求される。さらに、保管時に銅箔の酸化変色のないことも要求される。
これらの要求を満たすために、銅箔に黄銅層形成処理（特公昭５１−３５７１１号、同５４−６７０１号公報）、クロメート処理、亜鉛又は酸化亜鉛とクロム酸化物とからなる亜鉛−クロム基混合物被覆処理等（特公昭５８−７０７７号公報）が行われ、またこれらにシランカップリング剤を塗布して銅箔と樹脂基板との接着性を向上させる方法も提案されている（特公平２−１９９９４号公報、特開昭６３−１８３１７８号公報、特開平２−２６０９７号公報）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、最近プリント回路が緻密化しているので、使用されるプリント回路等銅箔に要求される特性はますますきびしくなっている。
本発明はかかる現状に鑑み、銅をはじめ各種の金属や高分子材料等の有機材料、セラミック等の無機材料等の表面に対して優れた接着性をもって被膜を形成し、該表面に顕著な撥水性、撥油性、潤滑性、防錆性及び抗菌性を付与することができる優れた表面処理剤として有効な新規化合物を提供すること及びそれを用いた表面処理剤を提供することを目的とするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、鋭意検討した結果、フッ素を含む特定の一群のチアベンダゾール誘導体によって上記の課題を解決しうることを見出し、本発明に至った。
すなわち、本発明は、
（ｉ）下記一般式（１）で表される新規チアベンダゾールフッ素シラン誘導体。
【０００５】
【化５】
0003555791.tif 000002
【０００６】
〔式中、Ｒ１は下記一般式（２）で表わされる基を示し、下記一般式（２）中のＲ３はフッ素又はトリフルオロメチル基を示し、ｎは１〜１５の整数である。又、式中Ｒ２は下記一般式（３）で表わされる基を示し、下記一般式（３）中のＲ４及びＲ５は炭素数１〜４のアルキル基を示し、ｍは０〜３の整数である。〕
【０００７】
【化６】
0003555791.tif 000003
【０００８】
（ｉｉ）下記一般式（４）で表わされるチアベンダゾールフッ素誘導体と下記一般式（５）で表わされるイソシアネートシラン化合物とを反応させる前記（ｉ）記載のチアベンダゾールフッ素シラン誘導体の製造方法。
【０００９】
【化７】
0003555791.tif 000004
【００１０】
（式中、Ｒ１は下記一般式（２）で表わされる基を示し、下記一般式（２）中のＲ３はフッ素又はトリフルオロメチル基を示し、ｎは１〜１５の整数である。）
【００１１】
【化８】
0003555791.tif 000005
【００１２】
（式中Ｒ４及びＲ５は炭素数１〜４のアルキル基を示し、ｍは０〜３の整数である。）
（ｉｉｉ）前記（ｉ）に記載の一般式（１）で表わされたチアベンダゾールフッ素シラン誘導体の少なくとも一種を有効成分とすることを特徴とする表面処理剤をその要旨とするものである。
上記一般式（２）において、ｎは１〜１５の整数であるが、好ましくは５〜１２、特に好ましくは７〜９の整数を示す。ｎが０であると撥水性、撥油性を示さず、ｎが１５を超えると溶剤への溶解性が低下する。
本発明の前記一般式（１）で表わされる新規なチアベンダゾールフッ素誘導体として特に好ましいものを以下に挙げる。
【００１３】
【化９】
0003555791.tif 000006
【００１４】
【化１０】
0003555791.tif 000007
【００１５】
本発明の一般式（１）で表わされるチアベンダゾールフッ素シラン誘導体は、一般式（４）で表わされるチアベンダゾールフッ素誘導体と一般式（５）で表わされるイソシアネートシラン化合物とを４０〜１００℃で反応させることにより容易に製造することができる。
【００１６】
【化１１】
0003555791.tif 000008
【００１７】
（各記号は前記と同じ）
前記一般式（４）で表わされる化合物としては、例えば
【００１８】
【化１２】
0003555791.tif 000009
【００１９】
などが好ましい。
前記一般式（５）で表わされるイソシアネートシラン化合物においてＲ４及びＲ５は炭素数１〜４のアルキル基、すなわち、メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｔ−ブチルを示す。このイソシアネートシラン化合物として特に好ましいものは、
【００２０】
【化１３】
0003555791.tif 000010
【００２１】
である。一般式（４）で表わされるチアベンダゾールフッ素誘導体とイソシアネートシラン化合物との反応は、反応溶媒として酢酸エチル等を用い、一般式（４）のチアベンダゾールフッ素誘導体１モルに対して１〜２モルのイソシアネートシラン化合物を反応させるのが好ましい。反応時間は３０分〜１００時間程度である。この反応には触媒を用いることが好ましく、それにより反応を促進することができる。このような触媒としては例えばジブチルスズジラウレート等がある。
また、一般式（４）で表わされるチアベンダゾールフッ素誘導体は、本発明者らによって本件と同日付で出願した明細書（整理番号：ＫＤ０７０６１６Ａ６）に開示されているように、チアベンダゾールと下記一般式（６）で表わされる１，２−エポキシプロパン化合物とを１００〜１５０℃で反応させることにより容易に製造できる。
【００２２】
【化１４】
0003555791.tif 000011
【００２３】
（式中のＲ１は前記と同じ）
上記一般式（６）で表わされる１，２−エポキシプロパン化合物としては、３−パーフルオロオクチル−１，２−エポキシプロパン、３−パーフルオロノニル−１，２−エポキシプロパン、３−パーフルオロデシル−１，２−エポキシプロパン、３−（パーフルオロ−８−メチルノニル）−１，２−エポキシプロパン、３−（パーフルオロ−９−メチルデシル）−１，２−エポキシプロパン、３−（パーフルオロ−１０−メチルウンデシル）−１，２−エポキシプロパン等が好ましい。
上記チアベンダゾールと１，２−エポキシプロパン化合物との反応は、反応溶媒としてジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド等を用いてベンズイミダゾールに対して０．１〜１．０モルの１，２−エポキシプロパン化合物を滴下させながら行うとよく、反応時間は１〜１００時間程度、反応温度は１００〜１５０℃程度である。
【００２４】
本発明のチアベンダゾールフッ素シラン誘導体は、金属の表面処理剤として好適である。金属表面上に形成された本発明のチアベンダゾールフッ素シラン誘導体の被膜は以下に説明するようにテフロン級の顕著な撥水性、及び撥油性を示し、該金属表面の防錆性を著しく向上することができる。
この他、本発明の表面処理剤は、金属表面に限らず、セラミックス、高分子材料などの有機材料や無機材料等の各種の基材に塗布されてもその基材に同様に撥水性、撥油性、潤滑性、抗菌性を付与することができる。又、エポキシ樹脂などの合成樹脂に添加することにより、その樹脂に対しても同様に撥水性、撥油性、潤滑性、抗菌性を付与することができる。
本発明の表面処理剤を金属の表面処理剤として用いる場合についてさらに述べると、その対象金属には特に制限はない。例えば銅、アルミニウム、鉄及びこれらの合金等の表面処理剤として有効である。しかし、銅及び銅合金の表面処理剤として用いることがより好適であり、特にはプリント回路用銅張積層板等に用いられる銅箔の表面処理剤として用いる場合に本発明の効果を十分に発揮することができる。この銅箔には銅箔の表面を粗面化処理したもの、銅箔に黄銅層形成処理したもの、クロメート処理したもの、亜鉛−クロム基混合物被覆処理したもの等も包含される。
【００２５】
本発明の表面処理剤において上記チアベンダゾールフッ素シラン誘導体は、少なくともその一種をメタノール、エタノール等のアルコール類や酢酸エチル等の溶剤で０．００１〜２０重量％になるように希釈し、この液に金属を浸漬させる方法で塗布することが簡便で好ましい。０．００１重量％未満では所望の撥水・撥油性等を得ることができず、また２０重量％を超えるとその効果はほぼ飽和し、経済的な観点から好ましくない。なお、このチアベンダゾールフッ素シラン誘導体は単独で用いてもよいが、他の防錆剤、あるいはカップリング剤等と混合して用いてもよい。
【００２６】
【発明の実施の形態】
実施例１
チアベンダゾールフッ素誘導体の合成
（チアベンダゾールと３−パーフルオロデシル−１，２−エポキシプロパンとの反応より下記式（４−１）で表わされる化合物の合成）
【００２７】
【化１５】
0003555791.tif 000012
【００２８】
チアベンダゾール６０．９ｇ（０．３ｍｏｌ）をジメチルホルムアミド６００ｍｌに加熱溶解し１４５℃まで加熱した。滴下ロートより、３−パーフルオロデシル−１，２−エポキシプロパン３４．５６ｇ（０．０６ｍｏｌ）を１６０ｍｌの加熱したジメチルホルムアミドに溶解したものを３０分かけて加えた。
滴下終了後、さらに１００時間反応を続けた。反応混合物は黒褐色の溶液となった。その後、混合物を室温まで冷却し、析出物をガラスフィルターで取り、熱ジメチルホルムアミドで数回洗浄し精製された。得られた精製物は減圧乾燥器で８５℃にて乾燥された。収量は１５．０８ｇ（収率３２．３％）であり、上記式（４−１）で表わされるチアベンダゾールフッ素誘導体を白色の粉末として得た〔なお、この化合物の同定資料については本件と同日付の特許出願（整理番号：ＫＤ０７０６１６Ａ６）の実施例１を参照〕。
【００２９】
チアベンダゾールフッ素シラン誘導体（１−１）の合成
（下記式（４−１）で表わされるチアベンダゾールフッ素誘導体と下記式（５−１）で表わされる３−イソシアネートプロピルトリエトキシシランとの反応より下記式（１−１）で表わされる化合物の合成）
【００３０】
【化１６】
0003555791.tif 000013
【００３１】
上記式（４−１）で表わされるチアベンダゾールフッ素誘導体３．２３ｇ（４．１６×１０−３ｍｏｌ）と上記式（５−１）で表わされる３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン２．０４ｇ（８．３２×１０−３ｍｏｌ）を酢酸エチル２００ｍｌに溶解した。この溶液に反応触媒としてジブチルスズジラウレートを数滴加え、反応温度７０℃で４時間反応を行った。反応の完了は高速液体クロマトグラフィーにより反応原料であるチアベンダゾールフッ素誘導体のピークが検出されなくなることにより確認し、上記式（１−１）のチアベンダゾールフッ素シラン誘導体を得た。図１にそのＦＴ−ＩＲを示す。図１に示すように下記の各シグナルが認められた。
νＣＨ：２８２０〜３０１５（ｃｍ−１）
νＣ＝Ｏ：１６６０〜１７７０
νＣＦ：１１００〜１３００
νＳｉＯＣ：１０２０〜１１００
実施例２
電解銅箔（４．５×４．５ｃｍ、厚さ７０μｍ）をアセトンで５分間超音波洗浄し、次いで水洗し、３％硫酸水溶液で１分間浸漬酸洗した。その後、水、アセトンの順で洗浄しドライヤーで乾燥した。この電解銅箔の光沢面に実施例１で得られた本発明のチアベンダゾールフッ素シラン誘導体を含む反応混合物からなる溶液を用いて５００ＲＰＭにてスピンコートした。その後、１００℃で３０分間乾燥してその表面濡れ性を協和界面科学製ＣＡ−Ｄ型の接触角測定装置により評価した。評価結果を表１に示す。
【００３２】
【表１】
0003555791.tif 000014
【００３３】
＊文献値
Ｎ．Ｌ．Ｊａｒｖｉｓ  ａｎｄ  Ｗ．Ａ．Ｚｉｓｍａｎ；
Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉａ  ｏｆ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ
ｖｏｌ．９，７０７
Ｌ．Ｓ．Ｐｅｎｎ  ａｎｄ  Ｅ．Ｒ．Ｂｏｗｌｅｒ；Ｓｕｒｆａｃｅ
ａｎｄ  Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ  Ａｎａｌｙｓｉｓ，ｖｏｌ．３，Ｎｏ．４，
１６１（１９８１）
実施例３，４，５，６
ステンレス板（実施例３）、鋼板（実施例４）、アルミニウム（実施例５）およびスライドガラス（実施例６）をアセトンで５分間超音波洗浄し、次いで水洗した。これらの基板に実施例１で得られた本発明のチアベンダゾールフッ素シラン誘導体を含む反応混合物からなる表面処理剤溶液を用いて５００ＲＰＭにてスピンコートした。その後、１００℃で３０分間乾燥してその表面濡れ性を協和界面科学製ＣＡ−Ｄ型の接触角測定装置により評価した。評価結果を表２に示す。
【００３４】
【表２】
0003555791.tif 000015
【００３５】
比較例１〜６
実施例で用いた電解銅箔（脱脂、酸洗後のもの比較例１）、炭素鋼（比較例２）、ＳＵＳ３０４（比較例３）、アルミニウム（比較例４）、スライドガラス（比較例５）およびテフロン板（比較例６）を用いて本発明の表面処理剤を使用しないこと以外は実施例と同様な方法で表面濡れ性を評価した。結果を表３に示す。
【００３６】
【表３】
0003555791.tif 000016
【００３７】
前記実施例２〜６と上記比較例とを対比すれば、本発明のチアベンダゾールフッ素シラン誘導体は、顕著な撥水性、撥油性を示すことがわかる。
実施例７
実施例１で得られた本発明のチアベンダゾールフッ素シラン誘導体を含む反応混合物からなる表面処理剤溶液を用いて電解銅箔、炭素鋼、ＳＵＳ３０４、アルミニウム、スライドガラスを５００ＲＰＭにてスピンコートした。その後、１００℃で３０分間乾燥し、沸騰水に１時間浸漬した後の表面濡れ性を協和界面科学製ＣＡ−Ｄ型の接触角測定装置により評価した。評価結果を表４に示す。
【００３８】
【表４】
0003555791.tif 000017
【００３９】
いずれの基材においても撥水性の低下はほとんど観測されず本発明による表面処理被膜の耐久性が極めて高いことがわかる。
実施例８
チアベンダゾールフッ素シラン誘導体（１−２）の合成
（下記式（４−２）で表わされるチアベンダゾールフッ素誘導体と下記式（５−１）で表わされる３−イソシアネートプロピルトリエトキシシランとの反応より下記式（１−２）で表わされる化合物の合成）
【００４０】
【化１７】
0003555791.tif 000018
【００４１】
上記式（４−２）で表わされるチアベンダゾールフッ素誘導体１．４１ｇ（２．０８×１０−３ｍｏｌ）と上記式（５−１）で表わされる３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン４．０８ｇ（１６．６４×１０−３ｍｏｌ）を酢酸エチル１００ｍｌに溶解した。この溶液に反応触媒としてジブチルスズジラウレートを数滴加え、反応時間６７℃で５４時間反応を行った。反応の完了は高速液体クロマトグラフィーにより反応原料であるチアベンダゾールフッ素誘導体のピークが検出されなくなることにより確認し、上記式（１−２）のチアベンダゾールフッ素シラン誘導体を得た。図２にそのＦＴ−ＩＲを示す。図２に示すように下記の各シグナルが認められた。
νＣＨ：２８２０〜３０１５（ｃｍ−１）
νＣ＝Ｏ：１６６０〜１７７０
νＣＦ：１１００〜１３００
νＳｉＯＣ：１０２０〜１１００
実施例９
電解銅箔（４．５×４．５ｃｍ、厚さ７０μｍ）をアセトンで５分間超音波洗浄し、次いで水洗し、３％硫酸水溶液で１分間浸漬酸洗した。その後、水、アセトンの順で洗浄しドライヤーで乾燥した。この電解銅箔の光沢面に実施例８で得られた本発明のチアベンダゾールフッ素シラン誘導体を含む反応混合物からなる溶液を用いて５００ＲＰＭにてスピンコートした。その後、１００℃で３０分間乾燥してその表面濡れ性を協和界面科学製ＣＡ−Ｄ型の接触角測定装置により評価した。評価結果を表５に示す。
【００４２】
【表５】
0003555791.tif 000019
【００４３】
＊文献値
Ｎ．Ｌ．Ｊａｒｖｉｓ  ａｎｄ  Ｗ．Ａ．Ｚｉｓｍａｎ；
Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉａ  ｏｆ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ
ｖｏｌ．９，７０７
Ｌ．Ｓ．Ｐｅｎｎ  ａｎｄ  Ｅ．Ｒ．Ｂｏｗｌｅｒ；Ｓｕｒｆａｃｅ
ａｎｄ  Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ  Ａｎａｌｙｓｉｓ，ｖｏｌ．３，Ｎｏ．４，
１６１（１９８１）
実施例１０，１１，１２，１３
ステンレス板（実施例１０）、鋼板（実施例１１）、アルミニウム（実施例１２）およびスライドガラス（実施例１３）をアセトンで５分間超音波洗浄し、次いで水洗した。これらの基板に実施例８で得られた本発明のチアベンダゾールフッ素シラン誘導体を含む反応混合物からなる表面処理剤溶液を用いて５００ＲＰＭにてスピンコートした。その後、１００℃で３０分間乾燥してその表面濡れ性を協和界面科学製ＣＡ−Ｄ型の接触角測定装置により評価した。評価結果を表６に示す。
【００４４】
【表６】
0003555791.tif 000020
【００４５】
実施例１４
電解銅箔（４．５×４．５ｃｍ、厚さ７０μｍ）をアセトンで５分間超音波洗浄し、次いで水洗し、３％硫酸水溶液で１分間浸漬酸洗した。その後、水、アセトンの順で洗浄しドライヤーで乾燥した。この電解銅箔の光沢面に実施例１及び実施例８で得られた本発明のチアベンダゾールフッ素シラン誘導体を含む反応混合物からなる表面処理剤を用いて５００ＲＰＭにてスピンコートした。乾燥は１００℃で３０分間行った。耐湿性は相対湿度９５％、温度８０℃の恒温恒湿装置で２４時間前記試料を処理し、試験前後の表面の色調の変化を目視により評価した。比較としては未処理の銅箔を用いた。評価結果を表７に示す。
【００４６】
【表７】
0003555791.tif 000021
【００４７】
実施例１５
電解銅箔（４．５×４．５ｃｍ、厚さ７０μｍ）をアセトンで５分間超音波洗浄し、次いで水洗し、３％硫酸水溶液で１分間浸漬酸洗した。その後、水、アセトンの順で洗浄しドライヤーで乾燥した。この電解銅箔の光沢面に実施例１及び実施例８で得られた本発明のチアベンダゾールフッ素シラン誘導体を含む反応混合物からなる表面処理剤を用いて５００ＲＰＭにてスピンコートした。その後、１００℃で３０分間乾燥してその付着性をアサヒケミカル製ベンコットで表面をふき取ることにより評価した。なお、評価の指標としては水の接触角を用いた結果を以下に示す。
【００４８】
【表８】
0003555791.tif 000022
【００４９】
実施例１６
ステンレス板（５．５×５．５ｃｍ、厚さ２ｍｍ）をアセトンで５分間超音波洗浄し、次いでアセトンで洗浄しドライヤーで乾燥した。このステンレス板に実施例１及び実施例８で得られた本発明のチアベンダゾールフッ素シラン誘導体を含む反応混合物からなる表面処理剤を用いて５００ＲＰＭにてスピンコートした。その後１００℃で３０分間乾燥して、その付着性をアサヒケミカル製ベンコットで表面をふき取ることにより評価した。なお、評価の指標としては水の接触角を用いた。結果を表９に示す。
【００５０】
【表９】
0003555791.tif 000023
【００５１】
実施例１７
圧延銅板（５．５×５．５ｃｍ、厚さ２ｍｍ）をアセトンで脱脂し、過酸化水素水／硫酸水溶液で表面をソフトエッチングした。この圧延銅板に実施例１及び実施例８で得られた本発明のチアベンダゾールフッ素シラン誘導体を含む反応混合物からなる表面処理剤溶液を用いて５００ＲＰＭにてスピンコートした。その後、１００℃で３０分間乾燥してそのトライポロジー特性をバウデンレーベン試験機により評価した。実験条件を以下に示す。
球試験片：φ３．９６転がり軸受用鋼球
すべり速度：０．２３ｍｍ／ｓ
ストローク：４．５ｍｍ
垂直荷重：４００ｇ
温度：室温
評価結果を図３に示す。
図３より、本発明のチアベンダゾールフッ素シラン誘導体を含む表面処理剤を用いた場合、初期の摩擦係数が未処理のものよりもいずれも小さく、また誘導体（１−２）で表わされるものを含むものが往復動１０００回でも摩擦係数の上昇がほとんどなく、良好な潤滑耐久性を示すことが判る。
【００５２】
実施例１８
実施例１で得られた本発明のチアベンダゾールフッ素シラン誘導体の抗菌性を以下のように評価した。
（１）供試菌株
▲１▼  Ｔｒｉｃｈｏｄｅｒｍａ  ｈａｒｚｉａｎｕｍ
▲２▼  Ｃｌａｄｏｓｐｏｒｉｕｍ  ｒｅｓｉｎａｅ
▲３▼  Ａｓｐｅｒｉｇｉｌｌｕｓ  ｔｅｒｒｅｕｓ
▲４▼  Ｐｅｎｉｃｉｌｌｉｕｍ  ｆｕｎｉｃｕｌｏｓｕｍ
（２）試験菌液の調整
試験菌株をＰＤＡスラント培地（ＤＩＦＣＯ）、２５℃、７日間づつ３回継代培養した後、滅菌生理食塩水１０ｍｌを加え濾過した。得られた菌液を菌数１０５ｃｆｕ／ｍｌに調整し試験に使用した。
【００５３】
（３）使用培地
滅菌したＰＧ培地（栄研Ｅ−ＭＦ０８）を９ｍｌづつ滅菌試験管に分注し使用した。
（４）抗菌剤（チアベンダゾールフッ素シラン誘導体）濃度
１００，５０，２５（μｇ／ｍｌ）
注）０．２ｗｔ％メタノール溶液を滅菌水を用いて所定濃度に調整した。
（５）抗菌性試験
各濃度段階の薬剤検液１ｍｌをＰＧ培地の入った試験管に入れ、試験菌１０μｌを接種し、１４日間２５℃で培養後、菌の発育により判定した。
（６）結果
表１０に結果を示す。チアベンダゾールフッ素シラン誘導体が示す最小成育阻止濃度（ＭＩＣ）は、Ｔ．ｈａｒｚｉａｎｕｍに対して１００μｇ／ｍｌであり、Ｃ．ｒｅｓｉｎａｅに対しては１００μｇ／ｍｌにおいてやや生育阻止効果がみられた。他の２菌種に対しては効果を示さなかった。
【００５４】
【表１０】
0003555791.tif 000024
【００５５】
実施例１９
チアベンダゾールフッ素シラン誘導体（１−３）の合成
〔下記式（４−３）で表わされるチアベンダゾールフッ素誘導体と下記式（５−１）で表わされる３−イソシアネートプロピルトリエトキシシランとの反応より下記式（１−３）で表わされる化合物の合成〕
【００５６】
【化１８】
0003555791.tif 000025
【００５７】
上記式（４−３）で表わされるチアベンダゾールフッ素誘導体１．７２ｇ（２．０８×１０−３ｍｏｌ）と上記式（５−１）で表わされる３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン１．０２ｇ（４．１６×１０−３ｍｏｌ）を酢酸エチル１００ｍｌに溶解した。この溶液に反応触媒としてジブチルスズジラウレートを数滴加え、反応温度６７℃で３０時間反応を行った。反応の完了は高速液体クロマトグラフィーにより反応原料であるチアベンダゾールフッ素誘導体のピークが検出されなくなることにより確認し、上記式（１−３）のチアベンダゾールフッ素誘導体を得た。図４にそのＦＴ−ＩＲを示す。図４に示すように下記の各シグナルが認められた。
νＣＨ：２８２０〜３０１０（ｃｍ−１）
νＣ＝Ｏ：１６５０〜１７８０
νＣＦ：１１００〜１３４０
νＳｉＯＣ：１０００〜１１００
【００５８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の新規チアベンダゾールフッ素シラン誘導体は、金属等の表面に顕著な撥水、撥油性、抗菌性を付与し、該表面の防錆性、潤滑性、抗菌性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のチアベンダゾールフッ素シラン誘導体〔式（１−１）〕のＦＴ−ＩＲスペクトル、
【図２】本発明のチアベンダゾールフッ素シラン誘導体〔式（１−２）〕のＦＴ−ＩＲスペクトル、
【図３】本発明のチアベンダゾールフッ素シラン誘導体を含む表面処理剤の潤滑性評価、
【図４】本発明のチアベンダゾールフッ素シラン誘導体〔式（１−３）〕のＦＴ−ＩＲスペクトル。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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