(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
長尺の絶縁性フィルムを連続走行させながらめっき処理を施す半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法において、
両面に銅箔層を有する長尺の絶縁性フィルムの一面または両面の銅箔層をフォトエッチングして両面導通用のビアホールと同一形状の開口パターンを形成し、
この開口パターンを有する銅箔層をマスクとして前記開口パターン部分に露出した絶縁性フィルムに対しレーザ加工を施すことによって前記絶縁性フィルムを貫通するビアホールを形成し、
前記ビアホールの壁面に、錫−パラジウムまたはその化合物、グラファイト、導電性カーボン、あるいはポリピロール等の導電性ポリマの内から選ばれた１つの導電性薄膜を形成し、
前記導電性薄膜上に酸性電解銅めっきを直接施すことによって両面の銅箔層を導通化するためのめっき層を形成し、
一面の銅箔層をフォトエッチングして素子配設用デバイスホールを含む開口部を形成するための開口パターンを形成し、
この開口パターンを有する銅箔層をマスクとして前記開口パターン部分に露出した絶縁性フィルムに対しレーザ加工を施すことによって前記絶縁性フィルムにデバイスホールを含む開口部を形成し、
前記絶縁性フィルムの前記開口部を覆っている側の前記銅箔層にフォトエッチングを施してインナーリードを含む銅配線パターンを形成する工程を有することを特徴とする半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法。
【請求項２】
長尺の絶縁性フィルムを連続走行させながらめっき処理を施す半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法において、
両面に銅箔層を有する長尺の絶縁性フィルムの一面または両面の銅箔層をフォトエッチングして両面導通用のビアホールと同一形状の開口パターンを形成し、
この開口パターンを有する銅箔層をマスクとして前記開口パターン部分に露出した絶縁性フィルムに対しレーザ加工を施すことによって前記絶縁性フィルムを貫通するビアホールを形成し、
前記ビアホールの壁面に、錫−パラジウムまたはその化合物、グラファイト、導電性カーボン、あるいはポリピロール等の導電性ポリマの内から選ばれた１つの導電性薄膜を形成し、
前記導電性薄膜上に酸性電解銅めっきを直接施すことによって両面の銅箔層を導通化するためのめっき層を形成し、
前記絶縁性フィルムの両面の銅箔層を同時又は逐次フォトエッチングして、一面にインナーリードを含む銅配線パターンと、他の一面に素子配設用デバイスホールを含む開口部を形成するための開口パターンを形成し、
前記開口パターンを有する銅箔層をマスクとして前記開口パターン部分に露出した絶縁性フィルムに対しレーザ加工を施すことによって前記絶縁性フィルムにデバイスホールを含む開口部を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法。
【請求項３】
前記レーザ加工は、炭酸ガスレーザを用いることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法。
【請求項４】
前記炭酸ガスレーザを用いて絶縁性フィルムに開口部を形成した後の開口底部の銅箔上及び／又は周辺部に付着又は残留したフィルム状の分解残さは、過マンガン酸塩類等の酸化剤を含むアルカリ性溶液で溶解除去することを特徴とする請求項３記載の半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法。
【請求項５】
前記炭酸ガスレーザを用いて絶縁性フィルムに開口部を形成した後の開口底部の銅箔上及び／又は周辺部に付着又は残留したフィルム状の分解残さは、工キシマレーザの照射により除去することを特徴とする請求項３記載の半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法。
【請求項６】
前記銅パターンを形成するためのフォトエッチングには、電着塗装型フォトレジストを用いることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置に用いるテープキャリアに係り、特に、両面に配線を施した半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体実装技術の１つにＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）方式がある。この方式は、フィルムテープ上に銅配線パターンを形成したテープキャリアのリードと半導体の電極を直接に接続する方法であり、ワイヤボンディング方式に比べて狭ピッチ接続やＩＣパッケージの小型・薄型化に最適であるため、広く用いられている。また、最近では外部接続用端子を格子状に配列したはんだボール状の端子で形成したＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）パッケージの実装方法としても用いられている。
【０００３】
近年のＩＣの高速化にともなってフィルムの両面にリード配線と接地層を形成し、高周波信号の伝送特性を向上させたり、多ピン化に応じて配線密度を向上させる等の目的から、両面配線テープキャリアの実用化が強く求められている。
【０００４】
図６は両面配線テープキャリアを用いて製作した半導体装置を示す平面図、図７は図６の半導体装置のＡ−Ａ断面図である。
【０００５】
両面配線テープキャリア１はポリイミドテープ２を主体に構成されている。ポリイミドテープ２は長尺のテープであり、両側には搬送を容易にするためのスプロケットホール３が一定間隔に設けられている。ここに示す両面配線テープキャリア１は、半導体チップ１個分の構成であり、実際にはポリイミドテープ２の長手方向に一定間隔に多数個が連続的に形成されている。
【０００６】
ポリイミドテープ２の中心ブロックには、半導体チップを搭載するための四角形のデバイスホール４が設けられている。ポリイミドテープ２の片面にはインナーリード５及び接地用インナーリード６が設けられ、更に、同一面には、インナーリード５及び接地用インナーリード６の夫々に接続されたアウターリード７及び接地用アウターリード８が設けられている。また、ポリイミドテープ２の裏面には、全面を覆うように接地平面層９が設けられている。
【０００７】
ポリイミドテープ２のアウターリード７及び接地用アウターリード８が設けられている部分には、デバイスホール４を取り巻くようにして“ロ”の字形にスリット状のアウターリードホール１０が形成されている。なお、アウターリード７には、スプロケットホール３の近傍にまで伸びた銅配線パターン１１が接続されている。
【０００８】
接地用インナーリード６及び接地用アウターリード８は各々インナーリード５及びアウターリード７の間に適宜配設されるが、その外側端には図６に示すように円形のランド１２が形成されている。このランド１２は、図７に示すように、接地平面層９に連通するビアホール１３が設けられ、接地用インナーリード６及び接地用アウターリード８と接地平面層９が電気的に接続されている。
【０００９】
次に、上記した構成による両面配線テープキャリア１を用いて半導体装置を組み立てる手順について説明する。
【００１０】
まず、デバイスホール４内に半導体チップ１４を位置決め固定し、半導体チップ１４の電極パッドにインナーリード５の先端部をボンディングツール（不図示）を用いて接続する。この後、接続部を覆うようにして封止樹脂１５を被覆する。更に、アウターリードホール１０において、アウターリード７を所定の位置から切断する。
【００１１】
次に、両面配線テープキャリアの従来の製造方法について、図８及び図９を用いて説明する。なお、図８及び図９（図８に続く工程）においては、図７に示した両面配線テープキャリアの内、右側の半分のみを図示している。
【００１２】
まず、図８の（ａ）に示す形状のポリイミドテープ２に対し、（ｂ）のように全面に無電解めっき等の技術を用いて銅薄膜１６を形成する。ついで、（ｃ）のようにフォトエッチングにより銅薄膜１６をエッチングし、片面にデバイスホール４を形成するための開口パターン４ａ、アウターリードホール１０を形成するための開口パターン１０ａ、ビアホール１３を形成するための開口パターン１３ａを形成する。次に、この開口パターン４ａ，１０ａ，１３ａを有する銅薄膜１６をマスクとしてヒドラジン−アルカリ溶液等を用いてポリイミドテープ２をエッチングすることにより、開口パターン４ａ、開口パターン１０ａ及びパターン１３ａのポリイミドテープが除去され、（ｄ）に示すように、デバイスホール４、アウターリードホール１０及びビアホール１３が形成される。ついで、再度無電解めっきを施し、デバイスホール４、アウターリードホール１０及びビアホール１３の内面及び銅薄膜１６の表面に銅めっき薄膜１７を形成する。
【００１３】
更に、図９の（ａ）に示すように、フォトレジストを用い、パターンめっき用厚膜レジストパターン１８を形成（めっきパターンを形成しない部分に設ける）する。次に、（ｂ）に示すように、厚膜レジストパターン１８の設けられていない露出部分の銅薄膜上に厚付け電解銅めっきを施し、インナーリード５、接地用インナーリード６、アウターリード７、接地用アウターリード８及び接地層９を形成する。この後、（ｃ）のように厚膜レジストパターン１８を剥離し、全面エッチングにより下地銅薄膜（銅薄膜１６及びアウターリード７）の厚み相当分だけ銅を溶解し、パターン間及びデバイスホール４、アウターリードホール１０の壁面の下地銅薄膜１７ａ及び下地銅薄膜１７ｂをエッチング除去して、パターン間を電気的に分離し、（ｄ）のように両面配線テープキャリア１が完成する。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記した従来の両面配線テープキャリアの製造方法によると、以下に列挙する如き問題を抱えている。
【００１５】
▲１▼アルカリエッチングを用いて開口パターンを形成しているため、使用できるベースフィルムの材質がアルカリ可溶性のポリイミドに限られ、その厚みは５０μｍが限界である。このため、機械強度が低く、製造工程中及び実装使用時の取扱性、寸法精度等の確保が困難である。
【００１６】
▲２▼ポリイミドのエッチング加工性が悪く、孔底に向かって狭くなる断面形状になるため、ビアホールの径の微細化に限界があり、配線の高密度化が困難である。また、ポリイミドの壁面が過剰エッチングのために表面銅箔の下側までエッチバックされ、スルーホールめっきの際のビア導通不良やデバイスホール等の寸法不良の原因になり易い。
【００１７】
▲３▼ポリイミドのエッチングに使用するヒドラジン−アルカリ溶液は毒性が強いため、作業環境上に問題がある。
【００１８】
▲４▼基材ポリイミドの表面のめっきに用いた無電解めっきは、触媒付与等の活性化、前処理工程が複雑なうえ、電解銅めっきに比べてめっきの析出速度が極めて遅く、生産性に劣る。このような問題は、特に、フィルムキャリアのような長尺材料を連続走行させながらめっき処理を施す場合、大きな障害になる。
【００１９】
▲５▼無電解めっき液は、安定性に欠けるため、液の管理が難しい、寿命が短い、めっき膜質の変化により密着不良等の品質低下を招く等の問題がある。
【００２０】
そこで本発明は、機械的強度、寸法精度、配線密度、銅めっき等の品質、特性等に優れた半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法を提供することを目的としている。
【００２１】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明は、長尺の絶縁性フィルムを連続走行させながらめっき処理を施す半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法において、両面に銅箔層を有する長尺の絶縁性フィルムの一面または両面の銅箔層をフォトエッチングして両面導通用のビアホールと同一形状の開口パターンを形成し、この開口パターンを有する銅箔層をマスクとして前記開口パターン部分に露出した絶縁性フィルムに対しレーザ加工を施すことによって前記絶縁性フィルムを貫通するビアホールを形成し、前記ビアホールの壁面に、錫−パラジウムまたはその化合物、グラファイト、導電性カーボン、あるいはポリピロール等の導電性ポリマの内から選ばれた１つの導電性薄膜を形成し、前記導電性薄膜上に酸性電解銅めっきを直接施すことによって両面の銅箔層を導通化するためのめっき層を形成し、一面の銅箔層をフォトエッチングして素子配設用デバイスホールを含む開口部を形成するための開口パターンを形成し、この開口パターンを有する銅箔層をマスクとして前記開口パターン部分に露出した絶縁性フィルムに対しレーザ加工を施すことによって前記絶縁性フィルムにデバイスホールを含む開口部を形成し、前記絶縁性フィルムの前記開口部を覆っている側の前記銅箔層にフォトエッチングを施してインナーリードを含む銅配線パターンを形成する工程を有する方法にしている。
【００２２】
この方法によれば、絶縁性フィルムに貫通孔を形成するに際してレーザ加工を用いているため、従来のアルカリエッチング法に比べて絶縁性フィルムの材質及び厚みの自由度が大きくなり、機械的強度、寸法精度等が向上する。また、レーザ光は金属マスクを透過しないので、銅マスク開口パターンと同一のフィルム開口部を正確に形成することができる。更に、貫通孔は垂直に近い断面形状が得られるので、ビアホールの微細化、デバイスホール等の寸法精度の向上が可能になる。
また、両面の銅箔層は、錫−パラジウム又はその化合物、グラファイト、導電性カーボン、あるいはポリピロール等の導電性ポリマの内から選ばれた１つの導電性薄膜と、この導電性薄膜上に直接施された酸性電解銅めっきとから成る構成によって導通化されるため、優れた特質を有する導通構造を効率的に形成することができる。
即ち、導通化が、従来の無電解めっきと異なり、前述した導電性薄膜と、この導電性薄膜の表面に直接設けた酸性電解銅めっきとから成る構造、つまり、ダイレクトプレーティング法めっきによってなされるため、密着性及び機械的強度等の特性及び信頼性に優れた開口内のめっき及び銅配線を効率的に形成することができる。
【００２３】
また、上記の目的は、長尺の絶縁性フィルムを連続走行させながらめっき処理を施す半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法において、両面に銅箔層を有する長尺の絶縁性フィルムの一面または両面の銅箔層をフォトエッチングして両面導通用のビアホールと同一形状の開口パターンを形成し、この開口パターンを有する銅箔層をマスクとして前記開口パターン部分に露出した絶縁性フィルムに対しレーザ加工を施すことによって前記絶縁性フィルムを貫通するビアホールを形成し、前記ビアホールの壁面に、錫−パラジウムまたはその化合物、グラファイト、導電性カーボン、あるいはポリピロール等の導電性ポリマの内から選ばれた１つの導電性薄膜を形成し、前記導電性薄膜上に酸性電解銅めっきを直接施すことによって両面の銅箔層を導通化するためのめっき層を形成し、前記絶縁性フィルムの両面の銅箔層を同時又は逐次フォトエッチングして、一面にインナーリードを含む銅配線パターンと、他の一面に素子配設用デバイスホールを含む開口部を形成するための開口パターンを形成し、前記開口パターンを有する銅箔層をマスクとして前記開口パターン部分に露出した絶縁性フィルムに対しレーザ加工を施すことによって前記絶縁性フィルムにデバイスホールを含む開口部を形成する工程を有する方法によっても達成される。
【００２４】
この方法によれば、上記の方法で述べたのと同じ効果が得られるとともに、更に、めっきによる導通化（スルーホールめっきの形成）後、片面にはインナーリード等を形成し、他面には銅箔のマスクと開口パターンを形成するようにした結果、前記の方法に比べて工程を簡略化することができる。
【００２５】
そして、前記レーザ加工は炭酸ガスレーザを用いることができる。炭酸ガスレーザは加工速度に優れている。したがって、短時間にフィルム開口部を形成することができる。
【００２６】
また、前記炭酸ガスレーザを用いて絶縁性フィルムに開口部を形成した後の開口底部の銅箔上及び周辺部に付着又は残留したフィルム材の分解残さは、過マンガン酸塩類等の酸化剤を含むアルカリ性溶液で溶解除去することができる。
【００２７】
炭酸ガスレーザを用いてフィルム孔加工を行った場合、絶縁性フィルムの材質によっては、孔底部或いは孔周辺の銅箔上に絶縁性フィルムの分解残さ等が残留することがある。分解残さ等が残留した場合、その後のめっき等の処理の障害になる。しかし、酸化剤を含むアルカリ性溶液で処理すれば、分解残さを除去することができる。
【００２８】
更に、前記炭酸ガスレーザを用いて絶縁性フィルムに開口部を形成した後の開口底部の銅箔上及び周辺部に付着又は残留したフィルム材の分解残さは、エキシマレーザの照射により除去され、清浄化される。
【００２９】
炭酸ガスレーザを用いてフィルム孔加工を行った場合、絶縁性フィルムの材質によっては、孔底部或いは孔周辺の銅箔上に絶縁性フィルムの分解残さ等が残留することがある。しかし、エキシマレーザを照射することにより、残留した有機物の薄膜は完全に分解除去され、清浄化される。
【００３２】
また、前記銅パターンを形成するためのフォトエッチングは、電着塗装型フォトレジストを用いることができる。
【００３３】
これによれば、開口内及び開口周辺に確実かつ均一にレジスト膜を形成することができ、エッチングの歩留り向上及び精度向上を図ることができる。因みに、従来の液状フォトレジストを用いた場合、小径の開口内に塗布することは困難であり、また、塗布ができたとしても厚みを均一にすることも困難である。
【００３４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を基に説明する。
【００３５】
図１は本発明による半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法の手順を示すフローチャートである。また、図２及び図３（図２に続く工程）は本発明の製造方法の各工程における半導体装置用両面配線テープキャリアを示す断面図である。なお、図２及び図３においては、図７に示した両面配線テープキャリアの内、右側の半分のみを図示している。
【００３６】
まず、５０μｍ厚のポリイミドフィルム２の両面にポリイミド接着剤２０を１０μｍの厚さに塗布し、この表面に１８μｍ厚の電解銅箔２１をラミネートし、両面銅箔付きポリイミドテープを用意した。このポリイミドテープ２は、（レーザが可能で且つ半導体実装工程及び使用時に要求される耐熱性、耐薬品性、電気絶縁性、その他要求される特性を備えているもの、例えば、東レデュポン株式会社製の「カプトンＨ」「カプトンＶ」等、或いはガラスエポキシテープ等を用いることができる。
【００３７】
ついで、（ｂ）のように、フォトエッチング技術を用いて銅エッチングにより、ビアホール１３のための開口パターン１３ａを形成する（ステップ１０１）。更に、パルス発振式の炭酸ガスレーザ装置等を用いて開口パターン１３ａの部分にレーザ光を照射して直径６０μｍφの孔を開け、（ｃ）のように、ビアホール１３を形成する（ステップ１０２）。このように、レーザ光を照射してビアホール１３を形成したことにより、従来のアルカリエッチング法のような壁面のエッチバック（銅箔下のえぐれ）は全く生じなかった。ここで、炭酸ガスレーザを用いた理由は、加工速度に優れているためであり、短時間にフィルム開口を形成することができる。
【００３８】
次に、ダイレクトプレーティング法の１つであるグラフィックコロイド法（例えば、荏原電産株式会社による「シャドープロセス」）を用いて、ビア壁面のポリイミド表面にグラファイトの導電性薄膜（錫−パラジウム又はその化合物、グラファイト、導電性カーボン、ポリピロール等の導電性ポリマの内から選ばれたいずれか１種類の導電性薄膜）を形成した後、硫酸銅めっき液を用いて電解めっきを施し、図２の（ｄ）に示すようにビアホール１３内及び銅箔２１上に厚さ約１０μｍの銅めっき層２２を形成（スルーホール銅めっき処理）する（ステップ１０３）。ついで、ポジ型電着フォトレジスト（例えば、シプレー・ファーイースト社製「ＰＥＰＲ ＸＰ−２４００」）を用いて、銅めっき層２２の所定範囲にレジストを電着させ、厚さ約７μｍのレジスト膜２３を形成する。この方法によれば、ビアホール１３内にピンホールやビアホール１３の周辺に厚みむらは生ぜず、均一なレジスト膜２３を形成することができた。
【００３９】
この後、レジスト膜２３の片面の所定位置にデバイスホール４及びアウターリードホール１０を形成するための開口パターン４ａ，１０ａを露光ならびに現像し、図２の（ｅ）に示すようにレジストパターンを形成する（ステップ１０４）。次に、図２の（ｆ）に示すように塩化第二鉄水溶液を用いて銅めっき層２２のエッチングを行う（ステップ１０５）。この後、図２の（ｇ）に示すようにレジスト膜２３（レジストパターン）を剥離除去し、開口パターン４ａ，１０ａを有する銅パターンを形成した。
【００４０】
更に、開口パターン４ａ，１０ａ側から再びレーザ光を照射し（ステップ１０７）、これら開口パターン４ａ，１０ａ内のポリイミドをエッチングにより除去し、デバイスホール４及びアウターリードホール１０を形成した後、過マンガン塩類等の酸化剤を含むアルカリ性溶液（例えば、過マンガン酸カリウムと水酸化ナトリウムの混合水溶液）で処理し、孔底部のポリイミドの薄膜分解残さを除去することにより、銅表面を清浄化する（図３の（ａ））。炭酸ガスレーザを用いてフィルム孔加工を行った場合、ポリイミドテープ２の材質によっては孔底部或いは孔周辺の銅箔上にポリイミドテープ２の分解残さ等が残留する場合があり、その後のめっき等の障害になるが、酸化剤を含むアルカリ性溶液で処理すれば、分解残さを除去することができる。
【００４１】
この後、再度電着レジストによりレジスト膜２４を形成し、フィルム開口の反対側面にインナーリード５、接地用インナーリード６、アウターリード７、接地用アウターリード８及びランド１２を含むリードパターンを露光及び現像し、図３の（ｂ）に示すようにレジストパターンを形成する（ステップ１０８）。
【００４２】
ついで、塩化第二鉄水溶液を用いて銅めっき層２２のエッチングを行い、図３の（ｃ）に示すように配線パターンを形成する（ステップ１０９）。この後、レジスト膜２４を剥離除去すれば（ステップ１１０）、図３の（ｄ）に示すように両面配線テープキャリア１が完成する。
【００４３】
図４及び図５は（図４に続く工程）は本発明の製造方法の各工程における半導体装置用両面配線テープキャリアを示す断面図である。なお、図４及び図５においては、図７に示した両面配線テープキャリアの内、右側の半分のみを図示している。また、図２及び図３で用いたと同一であるものには、同一引用数字を用いている。
【００４４】
まず、厚み５０μｍのポリイミドフィルム２の両面に対し、めっき法により１５μｍ厚の銅箔２５を形成した。ついで、図４の（ｂ）のように、フォトエッチング技術を用いて直径５０μｍのビアホール１３用の開口パターン１３ａを形成した。更に、炭酸ガスレーザ装置等を用いて開口パターン１３ａの部分にレーザ光を照射して図４の（ｃ）のように、ブラインドビアホール１３ｂを形成する。このブラインドビアホール１３ｂの開口径は、上部が５０μｍφ、底部が約３０〜４０μｍφである。この場合も、従来のアルカリエッチング法のような壁面のエッチバック（銅箔下のえぐれ）は全く生じなかった。
【００４５】
次に、過マンガン酸カリウムと水酸化ナトリウムの混合水溶液で処理し、孔底部のポリイミドの薄膜分解残さ、及び表面銅箔の開口周囲に付着した分解残さを溶解除去し、銅表面を清浄化する。
【００４６】
次に、ダイレクトプレーティング法の１つである導電ポリマ法（例えば、日立化成株式会社の「ＤＭＳー２プロセス」）を用いて、ビア壁面のポリイミド表面にグラファイトの導電性ポリピロールの被膜を形成した後、硫酸銅めっき液を用いて電解めっきを行い、図４の（ｄ）に示すようにビアホール１３内及び銅箔２５上に厚さ約１０μｍの銅めっき層２６を形成する。ついで、ポジ型電着フォトレジスト（例えば、シプレー・ファーイースト社製「ＰＥＰＲ  ＸＰ−２４００」）を用いて、銅めっき層２６の所定範囲にレジストを電着させ、厚さ約７μｍのレジスト膜２７を形成する。この形成方法によれば、上記実施の形態と同様にビアホール１３内にピンホールやビアホール１３の周辺に厚みむらは生ぜず、均一なレジスト膜２７が形成された。
【００４７】
次に、レジスト膜２７の片面にインナーリード５、アウターリード７及びランド１２を含むリードパターンを形成し、他面には、デバイスホール４及びアウターホールパターンを露光ならびに現像し、図５の（ａ）のようにレジストパターン（レジスト膜２７）を形成する。更に、塩化第二鉄水溶液を用い、図５の（ｂ）に示すように銅めっき層２６のエッチングを行い、この後、図５の（ｃ）に示すように、レジスト膜２７（レジストパターン）を剥離除去し、片面に銅配線パターン１１、他面にデバイスホール４、開口パターン４ａ，１０ａを有する銅配線パターンを両面に形成した。
【００４８】
ついで、開口パターン４ａ，１０ａ側から再びレーザ光を照射し、銅箔開口内のポリイミドをエッチングにより除去し、デバイスホール４及びアウターリードホール１０を形成した後、更に、インナーリード５及びアウターリード７の裏面にエキシマレーザを照射し、リード上に残った有機薄膜を完全に分解除去して清浄化し（この処理は、前記した酸化剤を含むアルカリ溶液で行ってもよい）、図５の（ｄ）のように、両面配線テープキャリアを完成させた。エキシマレーザによるエッチングの速度は炭酸ガスレーザに比較して遅いが、炭酸ガスレーザによる加工後の分解残さは極めて薄いので、エキシマレーザを用いても効率の低下は感じられない。
【００４９】
図４、図５のようにして完成させた両面配線テープキャリアを図２，図３における実施の形態と同様の方法により、ビアホールの導通性、はんだフロート試験による耐熱性を調べたところ、図２，図３の実施の形態と同様に良好な結果を得ることができた。
【００５０】
なお、図４，図５において、ブラインドビアホールの開口をリード配線の反対側（デバイスホール側）に設けるものとしたが、リード配線側に形成することもできる。
【００５１】
また、上記においては、アウターリードを有する通常のＴＣＰ（テープ  キャリア  パッケージ）用のテープキャリア構造について述べたが、本発明はＴＣＰに限定されるものではなく、外付用端子をはんだボール形成用ランドとしたＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）用テープキャリアに適用することも可能である。
【００５２】
更に、両面の配線構造においては、裏面全体を接地平面層にした構造に限定されるものではなく、裏面にもリードパターンを設けることが可能である。
【００５３】
また、上記においては、ダイレクトプレーティング法によるスルーホールめっき方法として、グラファイトコロイド法及び導電性カーボンコロイド法等の導電性薄膜形成を用いたダイレクトプレーティング法を適用しても同様の効果を得ることができる。
【００５４】
また、以上の説明では、銅配線、導通ビアホール、フィルム開口の形成までの工程について述べたが、この他、実装に必要な錫めっき、はんだめっき、金めっき等の各種のめっき、或いは絶縁信頼性を付与するためのソルダーレジスト膜の印刷、その他の従来より用いられてきた加工技術を組み合わせることも可能である。
【００５５】
【発明の効果】
以上説明した通り、本発明によるテープキャリアの製造方法は、絶縁性フィルムに貫通孔を形成するに際してレーザ加工を用いたため、従来のアルカリエッチング法に比べて絶縁性フィルムの材質及び厚みの自由度が大きくなり、機械的強度、寸法精度等が向上する。また、レーザ光による加工はフィルム開口の形成を正確にでき、開口内壁を垂直に近い断面形状にすることができるので、ホールの微細化及び寸法精度の向上が可能になる。更に、信頼性、安全性及び経済性の向上も可能になる。また、絶縁性フィルムの両面の銅箔層の間を、錫−パラジウム又はその化合物、グラファイト、導電性カーボン、あるいはポリピロール等の導電性ポリマの内から選ばれた１つの導電性薄膜と、この導電性薄膜上に直接施された酸性電解銅めっきとから成る構成によって導通化させるため、優れた特質の導通構造を効率的に形成することができる。
【００５６】
また、本発明の他のテープキャリアの製造方法によれば、レーザ加工を用いて開口を形成し、これに金属層を形成した後、片面にインナーリード等を形成し、他面に銅箔開口を含む銅パターンを形成するようにしたので、上記の方法による効果に加え、工程の簡略化が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による半導体装置用両面配線テープキャリアの製造方法の手順を示すフローチャートである。
【図２】本発明の製造方法の各工程における半導体装置用両面配線テープキャリアを示す断面図である。
【図３】図２に続く各工程における両面配線テープキャリアを示す断面図である。
【図４】本発明の他の製造方法における各工程の両面配線テープキャリアを示す断面図である。
【図５】図４に続く各工程における両面配線テープキャリアを示す断面図である。
【図６】両面配線テープキャリアを用いて製作した半導体装置を示す平面図である。
【図７】図６の半導体装置のＡ−Ａ断面図である。
【図８】従来の製造方法に基づく両面配線テープキャリアの各工程における断面図である。
【図９】図８に続く各工程における両面配線テープキャリアを示す断面図である。
【符号の説明】
２  ポリイミドテープ
４  デバイスホール
４ａ，１０ａ，１３ａ  開口パターン
５  インナーリード
６  接地用インナーリード
７  アウターリード
８  接地用アウターリード
９  接地平面層
１０  アウターリードホール
１１  銅配線パターン
１２  ランド
１３  ビアホール
２０  ポリイミド接着剤
２１  電解銅箔
２２  銅めっき層
２３，２４，２７  レジスト膜
２５  銅箔
２６  銅めっき層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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