(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（Ｉ）で表わされるアミン化合物
【化１】
0003541912.tif 000024
（式中、Ｒ１は、アルキル基又はアシル基を表わし、該アルキル基は、無置換か、又はフッ素原子、シアノ基、フェニル基又はハロゲン原子若しくはＣ１〜Ｃ５のアルキル基で置換されたフェニル基を含有してもよい。Ｒ２、Ｒ３は、水素原子、アシル基、アルキル基又はアリール基を表わし、該アルキル基は、無置換か、又はフッ素原子、シアノ基、フェニル基又はハロゲン原子若しくはＣ１〜Ｃ５のアルキル基で置換されたフェニル基を含有していてもよく、該アリール基は、無置換か、又は低級アルキル基、低級アルコキシル基若しくはハロゲン原子を置換基として有していてもよい。Ａｒ１，Ａｒ２及びＡｒ３はアリレン基を表わす。）
【請求項２】
下記一般式（II）で表わされるアミン化合物
【化２】
0003541912.tif 000025
（式中、Ｒ２、Ｒ３は、水素原子、アシル基、アルキル基又はアリール基を表わし、該アルキル基は、無置換か、又はフッ素原子、シアノ基、フェニル基又はハロゲン原子若しくはＣ１〜Ｃ５のアルキル基で置換されたフェニル基を含有していてもよく、該アリール基は、無置換か、又は低級アルキル基、低級アルコキシル基若しくはハロゲン原子を置換基として有していてもよい。Ａｒ１，Ａｒ２及びＡｒ３はアリレン基を表わす。）
【請求項３】
下記一般式（III）で表わされるアミン化合物
【化３】
0003541912.tif 000026
（式中、Ｒ２、Ｒ３は、水素原子、アシル基、アルキル基、アリール基を表わし、該アルキル基は、無置換か、又はフッ素原子、シアノ基、フェニル基又はハロゲン原子若しくはＣ１〜Ｃ５のアルキル基で置換されたフェニル基を含有していてもよく、該アリール基は、無置換か、又は低級アルキル基、低級アルコキシル基若しくはハロゲン原子を置換基として有していてもよい。）
【請求項４】
下記一般式（IV）で表わされるアミン化合物
【化４】
0003541912.tif 000027
（式中、Ｒ２、Ｒ３は、水素原子、アシル基、アルキル基又はアリール基を表わし、該アルキル基は、無置換か、又はフッ素原子、シアノ基、フェニル基又はハロゲン原子若しくはＣ１〜Ｃ５のアルキル基で置換されたフェニル基を含有していてもよく、該アリール基は、無置換か、又は低級アルキル基、低級アルコキシル基若しくはハロゲン原子を置換基として有していてもよい。）
【請求項５】
下記一般式（Ｖ）で表わされるアミン化合物
【化５】
0003541912.tif 000028
（式中、Ｒ４は、水素原子、アシル基、アルキル基、アリール基又はハロゲン原子をを表わし、該アルキル基は、無置換か、又はフッ素原子、シアノ基、フェニル基又はハロゲン原子若しくはＣ１〜Ｃ５のアルキル基で置換されたフェニル基を含有していてもよく、該アリール基は、無置換か、又は低級アルキル基、低級アルコキシル基若しくはハロゲン原子を置換基として有していてもよい。Ｒ５は水素原子、アルキル基あるいはアリール基を表わし、該アルキル基は、無置換か、又はフッ素原子、シアノ基、フェニル基又はハロゲン原子若しくはＣ１〜Ｃ５のアルキル基で置換されたフェニル基を含有していてもよく、該アリール基は、無置換か、又は低級アルキル基、低級アルコキシル基若しくはハロゲン原子を置換基として有していてもよい。）
【請求項６】
一般式（Ｉ）で表わされるアミン化合物をエーテル開裂又はエステル開裂することにより得られる一般式（II）で表わされるアミン化合物の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は電子写真用の有機光導電性材料として、またヒドロキシル基から誘導される種々の材料製造のための中間体として有用なアミン化合物に関し、またその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、電子写真方式において使用される感光体の有機光導電性材料としては、例えば、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、トリフェニルアミン化合物（米国特許第３，１８０，７３０号明細書）、ベンジジン化合物（米国特許第３，２６５，４９６号明細書、特公昭３９−１１５４６号公報、特開昭５３−２７０３３号公報）等のような数多くの提案がなされている。
【０００３】
ここにいう「電子写真方式」とは、一般に光導電性の感光体を、先ず暗所で例えばコロナ放電などにより帯電せしめ、次いで画像状露光を行って露光部の電荷を選択的に放電させることにより静電潜像を得、更にこの潜像部をトナーなどを用いた現像手段で可視化して画像を形成するようにした画像形成法の一つである。このような電子写真方式における感光体に要求される基本的な特性としては、１）暗所において適当な電位に帯電させること、２）暗所において電荷の放電が少ないこと、３）光照射により速やかに電荷を放電すること、などがあげられる。
【０００４】
また、近年において、感光体の更なる機械的強度の向上を目的として高分子光導電性材料（米国特許第４，８０１，５１７号、米国特許第４，８０６，４４３号、米国特許第４，８０６，４４４号、特開平３−２２１５２２号、特開平４−１１６２７号）が提案されている。
【０００５】
しかしながら、従来の低分子或いは高分子光導電性材料は、上記の要求を必ずしも満足していないのが実状である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は上記従来技術を改善し基本的な電子写真特性を満足する光導電性材料として、またヒドロキシル基から誘導される種々の材料の製造のための中間体として有用なアミン化合物及びその製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば下記式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）及び（Ｖ）で表わされるアミン化合物が提供され、また一般式（Ｉ）で表わされるアミン化合物をエーテル開裂又はエステル開裂することにより得られる一般式（ＩＩ）で表わされるアミン化合物の製造方法が提供される。
下記一般式（Ｉ）で表わされるアミン化合物
【０００８】
【化６】
0003541912.tif 000002
（式中、Ｒ１は、アルキル基又はアシル基を表わし、該アルキル基は、無置換か、又はフッ素原子、シアノ基、フェニル基又はハロゲン原子若しくはＣ１〜Ｃ５のアルキル基で置換されたフェニル基を含有してもよい。Ｒ２、Ｒ３は、水素原子、アシル基、アルキル基又はアリール基を表わし、該アルキル基は、無置換か、又はフッ素原子、シアノ基、フェニル基又はハロゲン原子若しくはＣ１〜Ｃ５のアルキル基で置換されたフェニル基を含有していてもよく、該アリール基は、無置換か、又は低級アルキル基、低級アルコキシル基若しくはハロゲン原子を置換基として有していてもよい。Ａｒ１，Ａｒ２及びＡｒ３はアリレン基を表わす。）
下記一般式（II）で表わされるアミン化合物
【０００９】
【化７】
0003541912.tif 000003
（式中、Ｒ２、Ｒ３は、水素原子、アシル基、アルキル基又はアリール基を表わし、該アルキル基は、無置換か、又はフッ素原子、シアノ基、フェニル基又はハロゲン原子若しくはＣ１〜Ｃ５のアルキル基で置換されたフェニル基を含有していてもよく、該アリール基は、無置換か、又は低級アルキル基、低級アルコキシル基若しくはハロゲン原子を置換基として有していてもよい。Ａｒ１，Ａｒ２及びＡｒ３はアリレン基を表わす。）
下記一般式（III）で表わされるアミン化合物
【００１０】
【化８】
0003541912.tif 000004
（式中、Ｒ２、Ｒ３は、水素原子、アシル基、アルキル基、アリール基を表わし、該アルキル基は、無置換か、又はフッ素原子、シアノ基、フェニル基又はハロゲン原子若しくはＣ１〜Ｃ５のアルキル基で置換されたフェニル基を含有していてもよく、該アリール基は、無置換か、又は低級アルキル基、低級アルコキシル基若しくはハロゲン原子を置換基として有していてもよい。）
下記一般式（IV）で表わされるアミン化合物
【００１１】
【化９】
0003541912.tif 000005
（式中、Ｒ２、Ｒ３は、水素原子、アシル基、アルキル基又はアリール基を表わし、該アルキル基は、無置換か、又はフッ素原子、シアノ基、フェニル基又はハロゲン原子若しくはＣ１〜Ｃ５のアルキル基で置換されたフェニル基を含有していてもよく、該アリール基は、無置換か、又は低級アルキル基、低級アルコキシル基若しくはハロゲン原子を置換基として有していてもよい。）
下記一般式（Ｖ）で表わされるアミン化合物
【００１２】
【化１０】
0003541912.tif 000006
（式中、Ｒ４は、水素原子、アシル基、アルキル基、アリール基又はハロゲン原子をを表わし、該アルキル基は、無置換か、又はフッ素原子、シアノ基、フェニル基又はハロゲン原子若しくはＣ１〜Ｃ５のアルキル基で置換されたフェニル基を含有していてもよく、該アリール基は、無置換か、又は低級アルキル基、低級アルコキシル基若しくはハロゲン原子を置換基として有していてもよい。Ｒ５は水素原子、アルキル基あるいはアリール基を表わし、該アルキル基は、無置換か、又はフッ素原子、シアノ基、フェニル基又はハロゲン原子若しくはＣ１〜Ｃ５のアルキル基で置換されたフェニル基を含有していてもよく、該アリール基は、無置換か、又は低級アルキル基、低級アルコキシル基若しくはハロゲン原子を置換基として有していてもよい。）
【００１３】
一般式（Ｉ）で表わされるアミン化合物をエーテル開裂又はエステル開裂することにより得られる一般式（ＩＩ）で表わされるアミン化合物の製造方法。
【００１４】
前記一般式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）及び（Ｖ）で表わされるアミン化合物において、Ｒ１〜Ｒ５が置換又は無置換のアルキル基である場合及び、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５が置換又は無置換のアリール基である場合の具体例としては以下のものを挙げることができる。
【００１５】
（１）アルキル基：Ｃ１〜Ｃ５の直鎖又は分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基は更にフッ素原子、シアノ基、フェニル基又はハロゲン原子若しくはＣ１〜Ｃ５のアルキル基で置換されたフェニル基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎープロピル基、ｉープロピル基、ｔーブチル基、ｓーブチル基、ｎーブチル基、ｉーブチル基、トリフルオロメチル基、２−シアノエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基が挙げられる。
【００１６】
（２）アリール基：フェニル基、ナフチル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ピレニル基、フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基等が挙げられ、これらは低級アルキル基、低級アルコキシ基かハロゲン原子を置換基として有していてもよい。
【００１７】
またＲ４におけるハロゲン原子としてはフッ素、塩素、臭素及びヨウ素が挙げられる。
Ｒ１、Ｒ２及びＲ３におけるアシル基としてはアセチル基、プロピオニル基、ベンゾイル基が挙げられる。
一般式（Ｉ）及び（ＩＩ）においてアリレン基を表わすＡｒ１、Ａｒ２及びＡｒ３の具体例としては前記したアリール基の２価基を表わす。
【００１８】
本発明にかかるアミン化合物の製造方法を以下に示す。
一般式（Ｉ）においてＲ２及びＲ３がアルキル基である場合は下記一般式（ＶＩ）
【００１９】
【化１１】
0003541912.tif 000007
（式中Ｒ１は、置換若しくは無置換のアルキル基又はアシル基を表わす。Ａｒ１、Ａｒ２及びＡｒ３はアリレン基を表わす）で示される第１級アミン化合物（一般式（Ｉ）においてＲ２Ｒ３が共に水素原子である場合）とハロゲン化アルキル、ジアルキル硫酸、スルホン酸エステル等とを酸捕捉剤の存在下に反応させることによって製造できる。
【００２０】
一般式（Ｉ）においてＲ２及びＲ３が置換又は無置換のアリール基である場合は前記一般式（ＶＩ）で表わされる第１級アミン化合物とハロゲン化アリールとを、銅粉、酸化銅或いはハロゲン化銅等及びアルカリ性物質の共存下に、無溶媒或いは溶媒中で、窒素気流下、１５０〜２５０℃の温度において反応させることによって製造することができる。
【００２１】
この場合、アルカリ性物質としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウムなどを挙げることができる。また、反応溶媒としては、ニトロベンゼン、ジクロルベンゼン、キノリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチルピロリドン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンなどを挙げることができる。
【００２２】
また、Ｒ２及びＲ３が異なる置換若しくは無置換のアリール基である化合物は、前記一般式（ＶＩ）で示される第１級アミン化合物をアシル基等で保護した後、ハロゲン化アリールを反応させ、ついで加水分解し、その後、再びハロゲン化アリールと反応させることによって製造することができる。ハロゲン化アリールとの反応条件は前記ハロゲン化アリールとの反応の場合と同様である。
【００２３】
更に、Ｒ２が置換又は無置換のアルキル基でＲ３が置換又は無置換のアリール基である化合物は、例えば前述のＮ−アシル化合物を出発原料としてハロゲン化アリールとの反応を行い、加水分解したのち窒素のアルキル化剤を反応させることにより得られる。
【００２４】
このようにして得られる一般式（Ｉ）で示されるアミン化合物はエーテルの開裂反応或いはエステルの開裂反応により一般式（ＩＩ）で示されるヒドロキシル基を有するアミン化合物へ誘導される。
【００２５】
エーテルの開裂反応は具体的には酸性試薬による方法と塩基性試薬による方法が挙げられる。
【００２６】
酸性試薬としては臭化水素、ヨウ化水素、トリフルオロ酢酸、ピリジンの塩酸塩、濃塩酸、ヨウ化マグネシュムエチラート、塩化アルミニウム、臭化アルミニウム、三臭化ホウ素、三塩化ホウ素、三ヨウ化ホウ素等が、塩基性試薬としては、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、ナトリウム、リチウム、ヨウ化ナトリウム、ヨウ化リチウム、リチウムジフェニルホスフィド、ナトリウムチオラート等を挙げることができる。溶媒としては無水酢酸、ジクロロメタン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ピリジン、ブタノール等を挙げることができ、反応温度は用いる試薬の反応性によるが、一般的には、室温から２００℃の間で行われる。
【００２７】
一般式（ＶＩ）で示される第１級アミン化合物は下記一般式（ＶＩＩ）で示されるブタジエン化合物を還元することにより得られる。
【００２８】
【化１２】
0003541912.tif 000008
（式中Ｒ１は、置換若しくは無置換のアルキル基又はアシル基を表わす。Ａｒ１、Ａｒ２及びＡｒ３はアリレン基を表わす）
【００２９】
還元反応としては、例えば、水素添加法を挙げることができる。この反応は、例えば反応系を密閉系とし、気相部を１気圧の水素ガスで置換して、触媒の存在下、激しく撹拌若しくは振動することにより行われる。吸収された量に応じて水素ガスが供給される減圧弁を介して、水素ガスを供給する。理論量の水素ガスを吸収した時点で吸収が停止するので、反応終了とする。この場合、反応温度は室温でよいが、水素ガスの吸収が遅い場合は加温してもよい。また反応溶媒にはメタノール、エタノール、プロパノール、テトラヒドロフラン、ジオキサン、酢酸エチル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等を使用することができる。また、触媒としては、二酸化白金、ラネーニッケル、或いは活性炭、アルミナ若しくは硫酸バリウムなどに坦持された白金、パラジウム、ロジウム若しくはルテニウムなどが使用される。
【００３０】
本発明で得られるアミン化合物は電子写真感光体における光導電性素材として極めて有用であり、染料やルイス酸などの増感剤によって光学的或いは化学的に増感される。更にこのものは、有機顔料或いは無機顔料を電荷発生物質とする、所謂機能分離型における電荷輸送物質としてとりわけ有用である。
【００３１】
上記増感剤としては、例えば、メチルバイオレット、クリスタルバイオレット等のトリアリールメタン染料、ローズベンガル、エリスロシン、ローダミン等のキサンチン染料、メチレンブルー等のチアジン染料、２，４，７−トリニトロ−９−フルオレン、２，４−ジニトロ−９−フルオレノン等が挙げられる。
【００３２】
また、有機顔料としてはシーアイピグメントブルー２５（ＣＩ  Ｎｏ．２１１８０）、シーアイピグメントレッド４１（ＣＩ  Ｎｏ．２１２００）、シーアイピグメントレッド３（ＣＩ  Ｎｏ．４５２１０）等のアゾ顔料、シーアイピグメントブルー１６（ＣＩ  Ｎｏ．７４１００）、チタニルフタロシアニン等のフタロシアニン系顔料、シーアイバットブラウン５（ＣＩ  Ｎｏ．７３４１０）、シーアイバットダイ（ＣＩ  Ｎｏ．７３０３０）等のインジゴ系顔料、アルゴスカーレットＢ、インダンスレンスカーレットＲ等のペリレン系顔料が挙げられる。また、セレン、セレン−テルル、硫化カドミウム、αーシリコン等の無機顔料も使用できる。
【００３３】
また、本発明において得られるアミン化合物はヒドロキシル基から誘導される種々の材料の製造例えばポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、等の製造中間体としても有用である。
【００３４】
【実施例】
実施例１
１，１−ビス（４−メトキシフェニル）−４−（４−ニトロフェニル）−１，３−ブタジエン８０．０ｇをテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）１１００ｍｌに溶解し、これに５％パラジウム−カーボン８．０ｇを加え、水素ガスを導入し室温で激しく撹拌した。理論量の水素ガスを吸収した時点で反応が停止した。反応液を濾過して乾固した後エタノールから再結晶して無色板状晶の１，１−ビス（４−メトキシフェニル）−４−（４−アミノフェニル）ブタン６９．１ｇ（収率９２．６％）を得た。
0003541912.tif 000009
【００３５】
実施例２
実施例１で得られたアミノ体５１．０ｇをトルエン５００ｍｌに溶解し、これに無水酢酸２９．０ｇを加え室温で２時間撹拌した。内容物を乾固したのち水洗いし、ついでエタノール／水の混合溶媒で再結晶し無色針状晶の１，１−ビス（４−メトキシフェニル）−４−（４−アセトアミドフェニル）ブタン５４．４ｇ（収率９５．５％）を得た。
0003541912.tif 000010
【００３６】
実施例３
実施例２で得られたＮ−アセチル化合物５４．４ｇ（０．１３５モル）ｐーブロモトルエン２００ｍｌ、炭酸カリウム３７．２ｇ（０．２６９モル）及び銅粉２．４０ｇを窒素気流下、共沸脱水しながら２３時間加熱還流した。室温まで放冷したのち、不溶部を濾過除去したのち、濃縮し、褐橙色油状物７０ｇを得た。これをイソアミルアルコール２００ｍｌに溶解し、水酸化カリウム１９．０ｇを水６０ｍｌに溶解した溶液を加えた。水を系外に取り出しながら８時間加熱還流した。イソアミルアルコールを水蒸気蒸留で除いたのちトルエンで抽出し濃縮して油状物を得た。これをカラムクロマト処理（坦体：シリカゲル  溶離液：トルエン）したのち、トルエン／ｎーヘキサンの混合溶媒から再結晶して、無色針状晶の１，１−ビス（４−メトキシフェニル）−４−（４−ｐートリルアミノフェニル）ブタン５３．９ｇ（収率８８．５％）を得た。
0003541912.tif 000011
【００３７】
実施例４
実施例１で得られた１，１−ビス（４−メトキシフェニル）−４−（４−アミノフェニル）ブタン１０．８４ｇ（０．０３０モル）、ｐーヨードトルエン２６．１６ｇ（０．１２０モル）、炭酸カリウム１６．５８ｇ（０．１２０モル）及び銅粉１．９１ｇを窒素気流下、共沸脱水しながら１２時間加熱還流した。放冷後不溶部を濾過除去し、濃縮した後カラムクロマト処理［坦体：シリカゲル  溶離液：トルエン／ｎーヘキサン（３／１  ｖｏｌ．）］したのちエタノールにより晶析し無色粉末状の１，１−ビス（４−メトキシフェニル）−４−（４−ジ−ｐートリルアミノフェニル）ブタン１２．６０ｇ（収率７７．３％）を得た。
0003541912.tif 000012
【００３８】
実施例５
実施例４で得られた１，１−ビス（４−メトキシフェニル）−４−（４−ジ−ｐートリルアミノフェニル）ブタン１３．６ｇ（０．０２５モル）、９０％ナトリウムチオエチラート１０．０ｇ（０．１０７モル）を乾燥Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）６０ｍｌに採り１０時間加熱還流した。放冷後、水３００ｍｌに内容物を注ぎ濃塩酸で中和した後酢酸エチルで抽出し濃縮した。カラムクロマト処理［坦体：シリカゲル  溶離液：トルエン／酢酸エチル（１０／１  ｖｏｌ．）］した後トルエン／シクロヘキサンの混合溶媒から再結晶して無色針状晶の１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−（４−ジ−ｐートリルアミノフェニル）ブタン１０．０ｇ（収率７８．２％）を得た。
0003541912.tif 000013
【００３９】
実施例６
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−（４−ジ−ｐートリルアミノフェニル）−１，３−ブタジエン５．１０ｇをテトラヒドロフラン６０ｍｌに溶解しこれに５％パラジウム−カーボン０．５１ｇを加え水素ガスを導入し、室温で激しく撹拌した。理論量の水素ガスを吸収した時点で反応が停止した。反応液を濾過して濃縮したのちカラムクロマト処理［坦体：シリカゲル  溶離液：トルエン／酢酸エチル（６／１  ｖｏｌ．）］し、ついでトルエン／ｎーヘキサンの混合溶媒から再結晶して無色針状晶の１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−（４−ジ−ｐートリルアミノフェニル）ブタン４．５０ｇ（収率８８．０％）を得た。
融点        １３９．５〜１４０．５℃
赤外吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）は実施例５における第５図と一致した。
【００４０】
実施例７
実施例３で得られた１，１−ビス（４−メトキシフェニル）−４−（４−ｐートリルアミノフェニル）ブタン１３．５５ｇ（０．０３０モル）、１−ヨードピレン１１．８１ｇ（０．０３６モル）炭酸カリウム１６．５８ｇ（０．１２０モル）、銅粉０．９５ｇ及びニトロベンゼン４０ｍｌを窒素気流下、共沸脱水しながら４時間加熱還流した。放冷後、不溶部を濾過除去したのち、カラムクロマト処理［坦体：シリカゲル  溶離液：トルエン／ｎーヘキサン（３／１ｖｏｌ．）］し、ついでエタノールで晶析し黄色粉末状の１，１−ビス（４−メトキシフェニル）−４−｛４−［Ｎ−（ｐートリル）−Ｎ−（１−ピレニル）アミノ］フェニル｝ブタン１２．４２ｇ（収率６３．５％）を得た。
0003541912.tif 000014
【００４１】
実施例８
実施例７において用いた１−ヨードピレンの代わりに４−ヨードビフェニルを用いる他は同様に操作して淡黄色針状晶の１，１−ビス（４−メトキシフェニル）−４−｛４−［Ｎ−（ｐートリル）−Ｎ−（４−ビフェニリル）アミノ］フェニル）ブタン９．９３ｇ（収率５４．８％）を得た。
0003541912.tif 000015
【００４２】
実施例９
実施例７で得られた１，１−ビス（４−メトキシフェニル）−４−［４−（ｐートリル−１−ピレニルアミノ）フェニル］ブタン１１．２０ｇ（０．０１７２モル）、ナトリウムチオエチラート７．６１ｇ（９５％  ０．０８６モル）を乾燥ＤＭＦ１５０ｍｌに溶解し、窒素気流下で９時間還流した。室温まで放冷したのち内容物を氷水３００ｍｌにあけ、濃塩酸により中和し黄色沈殿物を得た。これを濾過後、水洗し減圧乾燥後黄色粉末１１．３６ｇを得た。これをカラムクロマト処理［坦体：シリカゲル  溶離液：トルエン／酢酸エチル（１０／１  ｖｏｌ．）］し、ついでトルエン／シクロヘキサンの混合溶媒から再結晶して黄色結晶の１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−［４−（ｐートリル−１−ピレニルアミノ）フェニル］ブタン７．６５ｇ（収率７１．３％）を得た。
0003541912.tif 000016
【００４３】
実施例１０
実施例８で得られた１，１−ビス（４−メトキシフェニル）−４−［４−（ｐートリル−４−ビフェニリルアミノ）フェニル］ブタン８．８６ｇ（０．０１４７モル）、ナトリウムチオエチラート６．８７ｇ（９０％  ０．０７４モル）を乾燥ＤＭＦ１５０ｍｌに溶解し、窒素気流下で８時間還流した。室温まで放冷したのち内容物を氷水３００ｍｌにあけ、濃塩酸により中和した。これを酢酸エチルで抽出し有機層を水洗、乾燥後溶媒を留去した後これをカラムクロマト処理［坦体：シリカゲル  溶離液：トルエン／酢酸エチル（１０／１  ｖｏｌ．）］し、ついでトルエン／ｎ−ヘキサンの混合溶媒から再結晶して白色結晶の１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−［４−（ｐートリル−４−ビフェニリルアミノ）フェニル］ブタン７．７９ｇ（収率９２．３％）を得た。
0003541912.tif 000017
【００４４】
実施例１１
実施例３で得られた１，１−ビス（４−メトキシフェニル）−４−［４−（ｐートリルアミノ）フェニル］ブタン１３．５５ｇ（０．０３０モル）、２−ヨード−９、９ージメチルフルオレン１４．４１ｇ（０．０４５モル）、炭酸カリウム１６．５８ｇ（０．１２０モル）、銅粉０．９５ｇ及びニトロベンゼン４０ｍｌを窒素気流下、共沸脱水しながら６．５時間加熱還流した。放冷後、不溶部を濾過除去したのち、カラムクロマト処理［坦体：シリカゲル  溶離液：トルエン／ｎ−ヘキサン（２／１  ｖｏｌ．）］し、黄色油状の１，１−ビス（４−メトキシフェニル）−４−［４−（ｐートリル−９，９−ジメチルフルオレン−２−イルアミノ）フェニル］ブタン１５．８ｇ（収率８１．８％）を得た。
0003541912.tif 000018
【００４５】
実施例１２
実施例１１で得られた１，１−ビス（４−メトキシフェニル）−４−［４−（ｐートリル−９，９−ジメチルフルオレン−２−イルアミノ）フェニル］ブタン１４．４９ｇ（０．０２２５モル）、ナトリウムチオエチラート９．９６ｇ（９０％  ０．１０７モル）を乾燥ＤＭＦ２００ｍｌに溶解し、窒素気流下で８時間還流した。室温まで放冷したのち内容物を氷水３５０ｍｌにあけ、濃塩酸により中和した。これを酢酸エチルで抽出し有機層を水洗、乾燥後溶媒を留去した後これをカラムクロマト処理［坦体：シリカゲル  溶離液：トルエン／酢酸エチル（８／１  ｖｏｌ．）］し、ついでｎ−ヘキサンで晶析して白色粉末の１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−［４−（ｐートリル−９，９−ジメチルフルオレン−２−イルアミノ）フェニル］ブタン９．２２ｇ（収率６６．５％）を得た。
0003541912.tif 000019
【００４６】
応用例１
電荷発生物質として下記（化１３）で表わされるヒスアゾ化合物７．５部
【００４７】
【化１３】
0003541912.tif 000020
及びポリエステル樹脂［（株）東洋紡績製バイロン２００］の０．５％テトラヒドロフラン溶液５００部をボールミル中で粉砕混合し、得られた分散液をアルミニウム蒸着ポリエステルフィルム上にドクターブレードで塗布し、自然乾燥して約１μｍ厚の電荷発生層を形成した。次に、ポリカーボネート樹脂［（株）帝人製パンライトＫ−１３００）］１部とテトラヒドロフラン８部の樹脂溶液に、電荷輸送物質として実施例４で得られた化合物１部を溶解し、この溶液を前記電荷発生層上にドクターブレードで塗布し、８０℃で２分間、次いで１２０℃で５分間乾燥して厚さ約２０μｍの電荷輸送層を形成して感光体を作成した。
次に、こうして得られた積層型電子写真感光体の可視域での感度を調べるため、この感光体に静電複写紙試験装置［（株）川口電機製作所製ＳＰ４２８型］を用いて暗所で−６ＫＶのコロナ放電を２０秒間行って帯電させた後、感光体の表面電位Ｖｍ（Ｖ）を測定し、更に２０秒間暗所に放置した後、表面電位Ｖｏ（Ｖ）を測定した。次いで、タングステンランプ光を感光体表面での照度が４．５ｌｕｘになるように照射して、Ｖｏが１／２になるまでの露光量Ｅ１／２（ｌｕｘ・ｓｅｃ）を測定した。
Ｖｍ＝−１５６３Ｖ
Ｖ０＝−１３６１Ｖ
Ｅ１／２＝１．５０ｌｕｘ・ｓｅｃ
【００４８】
応用例２
窒素気流下、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−［４−（ジ−ｐートリルアミノ）フェニル］ブタン３．８０ｇ（７．４ミリモル）、トリエチルアミン２．２５ｇ（２２．２ミリモル）を乾燥ＴＨＦ３０ｍｌに溶解し、これにジエチレングリコールビス（クロロホーメート）１．７１ｇ（７．４ミリモル）を乾燥ＴＨＦ６ｍｌに溶解した溶液を１９．０〜２１．０℃にて３０分を要して滴下した。滴下後、室温で３０分間撹拌したのちフェノール０．０３ｇ（０．３ミリモル）をＴＨＦ０．７ｍｌに溶解した溶液を加え１０分間撹拌した。次に析出したトリエチルアミン塩酸塩を濾過除去し、ＴＨＦ溶液をメタノールに滴下し、析出する樹脂を濾別した。ついてＴＨＦ−メタノールによる再沈精製を２回繰り返し、減圧下加熱乾燥して下記式で表わされる芳香族ポリカーボネート樹脂４．６０ｇ（収率９２．６％）を得た。Ｔｇは８２．２℃であった。
【００４９】
【化１４】
0003541912.tif 000021
【００５０】
この物の分子量をゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより測定したところ、ポリスチレン換算の分子量は以下のようであった。
数平均分子量            １．４×１０４
重量平均分子量          ３．１×１０４
この物の赤外吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）では、１７６０ｃｍ−１にカーボネートのＣ＝Ｏ伸縮振動に基づく吸収が認められた。また、（Ｃ４２Ｈ４１ＮＯ７）ｎとして計算した元素分析結果を表１に示す。
【００５１】
【表１】
元素分析値
0003541912.tif 000022
【００５２】
【発明の効果】
以上の詳細かつ具体的な説明から明らかなように、本発明によれば、つぎの式（Ｉ）、
【００５３】
【化１５】
0003541912.tif 000023
（式中、Ｒ１は、アルキル基又はアシル基を表わし、該アルキル基は、無置換か、又はフッ素原子、シアノ基、フェニル基又はハロゲン原子若しくはＣ１〜Ｃ５のアルキル基で置換されたフェニル基を含有してもよい。Ｒ２、Ｒ３は、水素原子、アシル基、アルキル基又はアリール基を表わし、該アルキル基は、無置換か、又はフッ素原子、シアノ基、フェニル基又はハロゲン原子若しくはＣ１〜Ｃ５のアルキル基で置換されたフェニル基を含有していてもよく、該アリール基は、無置換か、又は低級アルキル基、低級アルコキシル基若しくはハロゲン原子を置換基として有していてもよい。Ａｒ１，Ａｒ２及びＡｒ３はアリレン基を表わす。）
で表わされる新規アミン化合物が提供され、また該アミン化合物の製造方法が提供される。前記アミン化合物は種々の材料の製造のため中間体として、及び特に電子写真特性を満足する光導電性材料として、有用なものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】１，１−ビス（４−メトキシフェニル）−４−（４−アミノフェニル）ブタンの赤外吸収スペクトル図である。
【図２】１，１−ビス（４−メトキシフェニル）−４−（４−アセトアミドフェニル）ブタンの赤外吸収スペクトル図である。
【図３】１，１−ビス（４−メトキシフェニル）−４−（４−ｐートリルアミノフェニル）ブタンの赤外吸収スペクトル図である。
【図４】１，１−ビス（４−メトキシフェニル）−４−（４−ジ−ｐートリルアミノフェニル）ブタンの赤外吸収スペクトル図である。
【図５】１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−（４−ジ−ｐートリルアミノフェニル）ブタンの赤外吸収スペクトル図である。
【図６】１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−（４−ｐートリル−ピレニル−１−アミノフェニル）ブタンの赤外吸収スペクトル図である。
【図７】１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−（４−ｐートリル−ビフェニリル−１−アミノフェニル）ブタンの赤外吸収スペクトル図である。
【図８】１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−［４−（ｐートリル−１−ピレニリルアミノ）フェニル］ブタンの赤外吸収スペクトル図である。
【図９】１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−［４−（ｐートリル−４−ビフェニルアミノ）フェニル］ブタンの赤外吸収スペクトル図である。
【図１０】１，１−ビス（４−メトキシフェニル）−４−［４−（ｐートリル−９，９−ジメチルフルオレン−２−イルアミノ）フェニル］ブタンの赤外吸収スペクトル図である。
【図１１】１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−［４−（ｐートリル−９，９−ジメチルフルオレン−２−イルアミノ）フェニル］ブタンの赤外吸収スペクトル図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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