(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に空隙を介して配置された可動平板と、該可動平板を回転自在に支持する２つのトーションバーと、該可動平板上に設けられている可動電極と、該可動電極に対向して該基板上に設けられている固定電極とを有し、
前記可動電極と固定電極との間の静電引力と前記トーションバーの復元力との釣り合いで変位を定める静電アクチュエータであって、前記可動電極を前記固定電極に対して、前記可動電極の駆動方向に投影した際に、重なる部分が無いように配置されていることを特徴とする静電アクチュエータ。
【請求項２】
基板上に空隙を介して配置された可動平板と、該可動平板を回転自在に支持する２つのトーションバーと、該可動平板上に設けられている可動電極と、該可動電極に対向して該基板上に設けられている固定電極とを有する静電アクチュエータであって、前記可動電極と前記固定電極の形状がくし形状であって、前記可動電極を前記固定電極に対して、前記可動電極の駆動方向に投影した際に、くしの歯が互い違いになって重なる部分が無いように配置されていることを特徴とする静電アクチュエータ。
【請求項３】
請求項２に記載の静電アクチュエータにおいて、前記可動電極と前記固定電極のくし形状のくしの歯の間隔ｗと前記可動電極と前記固定電極の空隙の長さｄ０が、ｄ０＜ｗの関係にあることを特徴とする静電アクチュエータ。
【請求項４】
走査型プローブ顕微鏡用の静電駆動プローブにおいて、請求項１ないし請求項３に記載の静電アクチュエータを用い、該静電アクチュエータの前記平板部の一端にティップを設けてプローブを構成したことを特徴とする静電駆動プローブ。
【請求項５】
請求項４に記載の静電駆動プローブと、前記静電駆動プローブの前記可動電極と前記固定電極の間に印加する電圧を制御する駆動制御部と、前記静電駆動プローブと観察すべき試料の相対位置を変化させる走査装置と、前記試料の表面情報を処理する信号処理部とを備えたことを特徴とする走査型プローブ顕微鏡。
【請求項６】
請求項４に記載の静電駆動プローブと、前記静電駆動プローブの前記可動電極と前記固定電極の間に印加する電圧を制御する駆動制御部と、前記静電駆動プローブと加工すべき試料の相対位置を変化させる走査装置と、前記試料の表面情報を処理する信号処理部とを備えたことを特徴とする加工装置。
【請求項７】
請求項４に記載の静電駆動プローブと、前記静電駆動プローブの駆動を制御し、記録媒体上に信号を記録もしくは再生する手段を有する記録再生回路を備えたことを特徴とする記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、マイクロメカニクス技術を用いて作成される、静電引力を用いて変位制御を行う静電アクチュエータ、該アクチュエータを用いた静電駆動プローブ、該静電駆動プローブを用いた走査型トンネル顕微鏡（以下、ＳＴＭと略す）や原子間力顕微鏡（以下、ＡＦＭと略す）等の走査型プローブ顕微鏡（以下、ＳＰＭと略す）、加工装置、情報処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体の表面原子の電子構造を直接観測できるＳＴＭがジー・ビーニッヒらにより開発（フェルベティカフィジカアクタ．５５，７２６（１９８２））されて以来、先端の尖ったティップを走査することにより様々な情報を得るＳＰＭ装置や、さらに基板に電気的、化学的あるいは物理的作用を及ぼす事を目的としたＳＰＭを応用した微細加工技術の研究開発が行われている。
また、このような微細加工技術はメモリ技術にも応用されつつある。
これらの微細加工技術による加工精度は原子レベルの大きさから数μｍ程度の大きさまで様々であるが、例えば数ｎｍの構造物１ビットとして情報を記録した場合、媒体がほんの１ｃｍ角のものでも１０１２ビットオーダの記録密度を持つ情報処理装置が実現できる。
また近年、半導体フォトプロセス等の微細加工技術を用いたマイクロマシニング技術の分野で、各種のマイクロアクチュエータが考案されている。
ＳＰＭティップの位置制御機構にこれらのマイクロアクチュエータを用いることで、複数のプローブを持つＳＰＭ装置なども可能となってきており、上述の微細加工のスループットや情報処理装置の転送レートの向上等の改善がみられている。現在までに提案されているマイクロアクチュエータを以下に例示する。
【０００３】
第１の例は圧電効果を利用したものであり、これに関する米国特許第４９０６８４０号明細書には、片持ち梁を圧電バイモルフ構造とした圧電型アクチュエータの例が開示されている。
第２の例は電極間に働く静電引力を利用するものである。片持ち梁に形成された可動電極と基板上に形成された固定電極とに電圧を印加することにより静電引力を働かせて梁を変位させるタイプ（特開昭６２−２８１１３８号公報）や、トーションバーのねじれ弾性を利用して、トーションバーに支持された平板部を静電駆動させるタイプ（Ｐｅｒｔｅｒｓｅｎ，ＩＢＭ  Ｊ．ＲＥＳ．ＤＥＶＥＬＯＰ．，ＶＯＬ．２４，ＮＯ．５，Ｓｅｐ．１９８０，ｐｐ．６３１−６３７）等が提案されている。
この形式は第１の例の圧電効果を利用したものに比較して、構造が簡単である特徴がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
そして、静電アクチュエータの駆動原理には、従来においていくつかの種類があるが、それらにはつぎのような問題があった。
この点につき、まず、導電性の平行平板を対向させて電圧をかけたときに発生する静電引力を用いる形式のアクチュエータについて考える。
この形式のアクチュエータを以下平行平板対向型アクチュエータと称する。
平行平板対向型アクチュエータの概念図を図９に示す。
３０３は固定電極、３０６は可動電極、３１５はバイアスばねである。固定電極３０３と可動電極３０６は同じ面積を持った導電性の平板で、可動電極３０６は固定電極３０３に対して平行を保ったまま動けるようにバイアスばねで支持されている。平行平板対向型アクチュエータの固定電極３０３と可動電極３０６の間の静電容量Ｃ１は、次式で与えられる。
0003576677.tif 000002
ここで、ε０は真空の誘電率、Ａは固定電極３０３と可動電極３０６の面積、ｄ０は電極間の初期ギャップ、ｘは可動電極の変位である。
固定電極３０３と可動電極３０６の間に一定電圧Ｖを印加した際の静電引力Ｆ１は、次式のように電極間に貯えられる静電エネルギーＥ１を変位ｘで微分して求めることができる。
0003576677.tif 000003
一方、バイアスばね３１５の復元力Ｆｒは次式で与えられる。
0003576677.tif 000004
ここで、ｋはバイアスバネ３１５のバネ定数である。
変位ｘと静電引力Ｆ１の関係を図１０の実線で、復元力Ｆｒを点線で示す。
Ｖ＝Ｖ１のとき、ＦａとＦｒはｘがｘＡのときとｘＢの時に等しくなる。ｘ＝ｘＡにおいてｘが減少する向きに変位したとすると、ＦａがＦｒよりも強くなりｘを増加させる向きに力が働く。
逆に、ｘが増加する向きに変位したとすると、ＦｒがＦａよりも強くなりｘを減少させる方向に力が働く。
すなわち、ｘ＝ｘＡにおいては、変化した向きとは逆向きの復元力が働くので、ｘ＝ｘＡは安定な平衡点といえる。
一方、ｘ＝ｘＢのときには、変化した向きと同じ方向に力が働くので、この点は安定な点ではないことがわかる。
つまり、Ｖ＝Ｖ１のときのアクチュエータの安定な平衡点はｘ＝ｘＡである。
Ｖ＝Ｖ２のときＦａとＦｒはｘ＝ｄ０／３の１点で接する。
このときの電圧Ｖ２を崩れ電圧といい、以下Ｖｃで表す。
Ｖ＝Ｖ３においては、ＦａとＦｒは等しくなる点は存在せず、常に静電引力Ｆａの方が強くなる。この状態になるとアクチュエータは変位ｘがｄ０と等しくなる。  電圧Ｖとアクチュエータの変位ｘの関係を図１１に示す。
電圧Ｖを上げてゆくと、アクチュエータの変位ｘは増加してゆき、Ｖが崩れ電圧Ｖｃに達するとｘが一気にｄ０まで増加することがわかる。
この現象を利用してアクチュエータをデジタル的に変位させる技術も公知である（特開平４−２３０７２３号公報）。
しかし、連続的な変位が必要な場合には、ＶはＶｃ未満の範囲で使用しなければならず、最大変位は初期ギャップｄ０の１／３以下に制限される。
つまり、変位を大きくするためには、初期ギャップｄ０を大きくしなければならない。
しかし、駆動電圧Ｖが同じだとすると、平行平板対向型アクチュエータの発生力Ｆ１は電極間ギャップの二乗に逆比例して発生力が小さくなってしまうという問題点がある。
また、崩れ電圧Ｖｃ近傍ではアクチュエータの挙動が不安定で制御が難しいので、アクチュエータを安定に用いる為には、変位は電極間ギャップｄ０の１／３よりもさらに小さくしなければならない。例えば、特開昭６２−２８１１３８で開示された例においては、片持ち梁の長さが１００μｍ、電極間距離が６μｍのプローブの最大変位が０．２μｍとなっており、最大変位は初期ギャップの３．３％にすぎない。
【０００５】
このような平行平板対向型アクチュエータの問題点を鑑みて、変位が大きく、制御性のよいアクチュエータを得るために、固定電極と可動電極を櫛形にして噛み合うように動作させるタイプのアクチュエータも知られている。
このタイプのアクチュエータを以下くし形電極噛み合い型アクチュエータと称する。
くし形電極噛み合い型アクチュエータの概念図を図１２に示す。
図１２において、６０６は可動電極、６０３は固定電極、６１５はバイアスばねである。
６０６の可動電極と６０３の固定電極はくし形状を有しており、それぞれの歯が互い違いに噛み合うように配置されている。
６０６の可動電極と６０３の固定電極の間の静電容量Ｃ２は以下の式で表せられる。
0003576677.tif 000005
ここで、ｎはギャップの数、ｔはくしの歯の厚さ、ｇは電極間ギャップ、ｂは初期時の電極が重なった部分の長さである。
平行平板対向型アクチュエータと同様に、静電エネルギーＥ２を変位ｘで微分すると、静電引力Ｆ２を求めることができる。
0003576677.tif 000006
静電引力Ｆ２とバイアスばね６１５の復元力Ｆｒ＝−ｋｘが釣り合う条件からアクチュエータの変位ｘは次式で与えられる。
0003576677.tif 000007
くし形電極噛み合い型アクチュエータの駆動電圧Ｖと変位ｘの関係を図１３に示す。
変位ｘが駆動電圧の２乗に比例し、崩れ電圧が存在しないことがわかる。
また式からわかるように、くし形電極噛み合い型アクチュエータの発生力はくし形電極のギャップのアスペクト比ｔ／ｇに比例する。
しかし、アスペクト比が大きな構造を作成することは一般には困難で、通常の半導体プロセスを用いた場合アスペクト比は高々１〜２程度である。
そのため、従来は平行平板対向型に比べて大きな発生力を得ることが難しいという問題点があった。
例えば、（Ｐ．Ｃｈｅｕｎｇ，ｅｔａｌ，”Ｍｏｄｅｌｉｎｇ  ａｎｄ  ｐｏｓｉｔｉｏｎ−ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ  ｏｆ  ａ  ｐｏｌｙｓｉｌｉｃｏｎ  ｌｉｎｅｒ  ｍｉｃｒｏａｃｔｕａｔｏｒ，”ＤＳＣ−Ｖｏｌ．３２，Ｍｉｃｒｏｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｅｎｓｏｒｓ，Ａｃｔｕａｔｏｒｓ，ａｎｄ  Ｓｙｓｔｅｍｓ  ＡＳＭＥ  １９９１）においては、ｔ＝２μｍ、ｇ＝１．５μｍ、ｎ＝１２０であり、アスペクト比は１．３、Ｖ＝３０Ｖの時の発生力Ｆ２は６．４×ｌ０−７Ｎである。この値は平行平板対向型アクチュエータにおいて１００μｍ角の電極が１．５μｍのギャップを持つときの発生力Ｆ１＝１．８×１０−７Ｎと比較すると１／２８程度である。
小さな発生力で大きな変位を得るためにはバイアスばねのばね定数ｋを下げる必要があるが、バイアスばねのばね定数ｋを下げることは系の共振周波数が下がることにつながるので一般には望ましくない。
以上のように、平行平板対向型のアクチュエータには、変位が小さく、制御性が悪いという問題点があり、くし形電極噛み合い型アクチュエータは、前記平行平板対向型のアクチュエータにおける変位が小さく、制御性が悪いという問題点を回避できるものの、発生力が小さいという問題点を持っている。
【０００６】
そこで、本発明は、上記従来技術が有する課題を解決するため、従来の静電アクチュエータに比較して変位が大きく、制御性が良好で、発生力が大きい静電アクチュエータと、その静電アクチュエータを用いた静電駆動プローブと、その静電駆動プローブを用いた走査型トンネル顕微鏡や原子間力顕微鏡等の走査型プローブ顕微鏡及びそれらを用いた加工装置、記録再生装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記課題を解決するため、静電アクチュエータ及び、該アクチュエータを用いたプローブ、走査型プローブ顕微鏡、加工装置、記録再生装置について、つぎのように構成したものである。
すなわち、本発明の静電アクチュエータは、基板上に空隙を介して配置された可動平板と、該可動平板を回転自在に支持する２つのトーションバーと、該可動平板上に設けられている可動電極と、該可動電極に対向して該基板上に設けられている固定電極とを有し、前記可動電極と固定電極との間の静電引力と前記トーションバーの復元力との釣り合いで変位を定める静電アクチュエータであって、前記可動電極を前記固定電極に対して、前記可動電極の駆動方向に投影した際に、重なる部分が無いように配置されていることを特徴としている。
また、本発明の静電アクチュエータは、基板上に空隙を介して配置された可動平板と、該可動平板を回転自在に支持する２つのトーションバーと、該可動平板上に設けられている可動電極と、該可動電極に対向して該基板上に設けられている固定電極とを有する静電アクチュエータであって、前記可動電極と前記固定電極の形状がくし形状であって、前記可動電極を前記固定電極に対して、前記可動電極の駆動方向に投影した際に、くしの歯が互い違いになって重なる部分が無いように配置されていることを特徴としている。
そして、本発明の静電アクチュエータにおいては、前記可動電極と前記固定電極のくし形状のくしの歯の間隔ｗと前記可動電極と前記固定電極の空隙の長さｄ０が、ｄ０＜ｗの関係にあることを特徴としている。
また、本発明においては、上記した静電アクチュエータを用い、静電アクチュエータの前記平板部の一端にティップを設けて走査型プローブ顕微鏡用の静電駆動プローブを構成することができる。
また、本発明においては、上記した静電駆動プローブを用い、この静電駆動プローブと、前記静電駆動プローブの前記可動電極と前記固定電極の間に印加する電圧を制御する駆動制御部と、前記静電駆動プローブと観察すべき試料の相対位置を変化させる走査装置と、前記試料の表面情報を処理する信号処理部とを備えた走査型プローブ顕微鏡を構成することができる。
また、本発明においては、上記した静電駆動プローブを用い、この静電駆動プローブと、前記静電駆動プローブの前記可動電極と前記固定電極の間に印加する電圧を制御する駆動制御部と、前記静電駆動プローブと加工すべき試料の相対位置を変化させる走査装置と、前記試料の表面情報を処理する信号処理部とを備えた加工装置を構成することができる。
また、本発明においては、上記した静電駆動プローブを用い、この静電駆動プローブと、前記静電駆動プローブの駆動を制御し、記録媒体上に信号を記録もしくは再生する手段を有する記録再生回路を備えた記録再生装置を構成することができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】
本発明は、上記した構成により本発明の上記課題を達成することができるものであるが、その内容をつぎに図面に基づいて説明する。
【０００９】
図５は、本発明のアクチュエータの概念図を示すものである。
７０１は基板、７０３は固定電極、７０６は平板部、７０７は可動電極、７１５はバイアスばねである。
固定電極７０３と可動電極７０７は互い違いに配置されていて、固定電極７０３に対して可動電極７０７を駆動方向に投影した際に重なる部分が無いように配置されている。
従来の平行平板対向型やくし形電極噛み合い型と同様に、固定電極７０３と可動電極７０７の間に印加する駆動電圧を変化させることで変位を制御する。
【００１０】
つぎに、本発明のアクチュエータの発生力について説明する。
固定電極７０３と可動電極７０７の間に働く静電引力Ｆは、平行平板対向型やくし形電極噛み合い型と同様に、電極間に貯えられる静電エネルギーＥを変位ｘで微分して求めることができる。
以下にこの関係を示す。
0003576677.tif 000008
本発明のアクチュエータの電極間の静電容量Ｃは、従来の平行平板対向型やくし形電極噛み合い型と異なり、単純な式で表現することが困難なので、本発明者は有限要素法を用いて電極間距離（ｄ０−ｘ）を変化させたときの静電容量Ｃを計算した。
図６に、電極間距離（ｄ０−ｘ）と静電容量Ｃの関係を示す。
図６の横軸は本発明のアクチュエータの電極間距離（ｄ０−ｘ）をくし歯の間隔Ｗで無次元化したもので、縦軸はくし歯一つあたりの電極間の静電容量Ｃをプロットしたものを実線で示し、同じ電極面積を持つ平行平板対向型アクチュエータの静電容量を点線で示す。
さらに、図７にｄＣ／ｄｘのプロットを示す。
ｄＣ／ｄｘがわかれば上式より静電引力Ｆを計算することは容易である。
【００１１】
つぎに、本発明のアクチュエータの変位について説明する。
本発明のアクチュエータの変位ｘは、従来例で説明した平行平板対向型やくし形電極噛み合い型と同様に、静電引力Ｆとバイアスばねの復元力の釣り合う点として求められる。
駆動電圧Ｖと変位ｘの関係は、初期ギャップのｄ０の大きさに応じて図８に示す３つのパターンが考えられる。
図８のグラフは、横軸を駆動電圧Ｖの平方根に、縦軸を変位ｘに取ったグラフである。
まず、ｄ０が十分小さいときには、図８の（Ａ）のように、駆動電圧Ｖが増加すると、アクチュエータの変位ｘは単調に増加する。
次にｄ０がある値になると、図８の（Ｂ）のように、Ａ点で駆動電圧Ｖに対する変位ｘの曲線の傾きが無限大となる。
このときの初期ギャップを以下臨界ギャップと称し、ｄｃで表す。
初期ギャップｄ０がｄｃを上回ると、（Ｃ）に示すように、ある範囲で連続的に変位させることができなくなる。
【００１２】
つぎに、連続的な変位の条件について説明する。
図８の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）のいずれのパターンにおいても、平行平板対向型のような可動電極と固定電極が衝突する崩れ電圧は生じないことがわかる。
しかし、アクチュエータの変位の全域にわたって連続的に制御を行う必要があるときには（Ａ）のパターンでなければならないことは明らかで、そのために初期ギャップｄ０は臨界ギャップｄｃよりも小さくなければならない。
本発明者は鋭意研究の結果、有限要素法を用いた解析を用いて臨界ギャップｄｃはくし歯の間隔ｗと等しいことを見出した。
そこで変位の全域にわたって連続的に制御を行うことができる条件は次式で与えられる。
0003576677.tif 000009
上式の範囲内であれば、従来の平行平板対向型のアクチュエータが電極間ギャップｄ０の１／３の範囲内でしか変位を連続的に変化させることができなかったのに対し、本発明のアクチュエータでは電極間ギャップｄ０の１／３以上の変位においても連続的に変位させることができる。
本発明のアクチュエータ最大変位を制限するものは、崩れ電圧ではなく、電源電圧の上限もしくは電極間の放電限界電圧である。
【００１３】
本発明においては、上記のような連続的な変位の条件を満たすことにより、アクチュエータの制御に優れ、アクチュエータの作成の容易性を実現することができる。
すなわち、、本発明のアクチュエータはｄ０＜ｗを満たせば変位が不安定な点が存在しないので、崩れ電圧の近傍で変位が不安定になる平行平板対向型アクチュエータに比べて制御性に優れる。
また、本発明のくし形電極対向型アクチュエータの可動電極と固定電極は平面プロセスで作成することができる。そのため、発生力を大きくするために、くしの歯を増やしたり、くしの歯を長くしたりすることは比較的容易である。
従来のくし歯電極噛み合い型アクチュエータに比べて比較的容易に大きな発生力を持つアクチュエータを作成することができる。
【００１４】
【実施例】
以下に本発明の実施例について説明する。
［実施例１］
本実施例の静電駆動型ＳＴＭ装置について、図を用いて説明する。
図１は本実施例の静電駆動プローブユニットの斜視図、図２は図１の静電駆動プローブユニットの断面図と制御回路の概略を示したものである。
絶縁性の基板１０１上には固定電極１０３が形成され、その上に空隙部１０４を介して平板部１０７が形成されている。
平板部１０７は、回転支持を行うトーションバー１０８によって支持部１０９に支持されている。その平板部１０７上の一方の端にはトンネル電流検出用の導電性ティップ１０５が配置され、導電性薄膜で形成された可動電極１０６が固定電極１０３と対向する位置にトーションバー１０８を挟んで平板部の反対側に配置されている。
１１０〜１１２の配線はそれぞれ、可動電極駆動電圧信号線、固定電極駆動電圧信号線、そしてトンネル電流検出信号線である。
固定電極１０３と可動電極１０６は相補的なくし歯形状になっており、互いの投影面は共通部分を持たない。可動電極１０６は可動電極駆動電圧信号線１１０を介してグランドにバイアスされている。１２０は観察試料を示しており、本実施例ではグランドにバイアスされている。測定バイアス印加回路はティップ１０５に測定バイアスを印加する。Ｉ−Ｖ変換回路１２３は、ティップ１０５によって検出されてトンネル電流信号線１１２を介して入力されたトンネル電流を、電圧信号に変換する。
その信号はＺ方向位置制御回路１２２に伝えられ、Ｚ方向位置制御回路１２２はそれを受けて固定電極駆動電圧信号線ｌ１１を介して固定電極１０３に印加する電圧を生成する。データ等生成回路１２４は画像や情報を得るためのデータを生成する。
【００１５】
つぎに、本実施例におけるＳＴＭ測定動作について説明する。
まず、本実施例でのトンネル電流が一定になるようにティップ・試料間距離を制御する場合（トンネル電流一定モード）について説明する。
ティップ１０５には、測定バイアス印加回路１２５によって試料基板１２０に対して所定量の測定バイアス電圧が印加されている。
ティップ１０５と試料基板１２０が接近装置（不図示）によって接近させられると、ある距離以内で両者の間にトンネル電流が流れはじめる。このトンネル電流信号はＩ−Ｖ変換回路１２３によって電圧信号に変換されＺ方向位置制御回路１２２に送られる。
このトンネル電流信号はティップ１０５と試料基板１２０との距離制御に用いられる。
本実施例ではＺ方向位置制御回路１２２はトンネル電流が一定になるように駆動電圧制御回路１２１に制御電圧データを送り、駆動電圧制御回路１２１はその値から固定電極１０３に印加する電圧を算出し、算出した電圧を固定電極駆動電圧信号線１１１を介して印加する。
このような手続きによってフィードバックループが構成され、トンネル電流一定制御が実現される。
【００１６】
つぎに、表面観察像を得るためにティップ１０５と試料基板１２０とを試料面と平行な方向（Ｘ、Ｙ方向）に相対移動させる。
これを以下ＸＹ走査と呼ぶ。
なお、このＸＹ走査機構に関しては図示していない。
このＸＹ走査によって得られたトンネル電流信号はデータ等生成回路１２４に送られ、ＸＹ走査によって得られたトンネル電流信号（カレント信号）またはそのそのトンネル電流信号による制御信号（トポグラフィック信号）は、ＣＲＴ等のモニタ（不図示）上のＸ−Ｙ座標に対応する位置に、それらの信号の大きさに応じて輝度や色信号などによって出力されることで試料表面を画像として観察することができるようになっている。
【００１７】
つぎに、各々の電極の働きについて説明する。
ティップ１０５と試料基板１２０の間に流れるトンネル電流が目標とする電流値よりも小さい、すなわち両者の間隔が遠すぎる場合には駆動電圧制御回路１２１から固定電極１０３に印加する電圧を増加させる。
すると、固定電極１０３と可動電極１０６が引き寄せられる方向に動くので、シーソーのようにティップ１０５は試料基板１２０に近づくことになる。
反対にティップ１０５と試料基板１２０の間に流れるトンネル電流が目標とする電流値よりも大きい、すなわち両者の間隔が近すぎる場合には駆動電圧制御回路１２１から固定電極１０３に印加する電圧を減少させる。
これによりティップ１０５と試料基板１２０は離れることになる。また、Ｚ方向位置制御回路１２２による制御電圧の算出方法はデジタルによるＰＩＤ制御手段（不図示）を用いて行う。具体的には、トンネル電流信号からＩ−Ｖ変換回路１２３によって検出された電圧値をデジタル値に変換し、デジタル演算回路によってＰＩＤ制御手段の制御出力を算出する。
ＰＩＤ制御手段の各ゲインを適当に調整することにより、フィードバック制御を安定に維持することができる。
【００１８】
本実施例において、平板部１０７の幅は９０μｍとした。
くし形状の可動電極１０６のくしの歯の間隔は１０μｍとし、８本の歯を有するくし形状とした。
固定電極１０３は９本のくし歯を持つ形状とし、基板に垂直な方向から見たときに、可動電極１０７のくし歯と固定電極１０３のくし歯が互い違いに見えるように配置した。可動電極１０６と固定電極１０３の間隔は６μｍとした。
可動電極１０６のトーションバー１０８から最も遠い部位の最大変位を３μｍと設定した。
この最大変位のとき、電極間距離３μｍとくしの歯の間隔１０μｍの比は０．３である。アクチュエータが最大変位したときの、テイップ１０５の変位は４μｍになるように平板部のてこ比を設定した。
つまり、テイップの変位は±２μｍである。
【００１９】
実際にＡｕの抵抗加熱による蒸着によって成膜した薄膜表面を、本発明のＳＴＭで観察し、従来型の平行平板対向型トーション型機構による観察結果と比較する。
この試料の凹凸は基板全体で数μｍ程度であると考えられる。
従来型の機構を有するＳＴＭは、変位範囲が±ｌμｍと小さく、試料の凹みが大きい部分ではテイップがその凹みの底まで届かないためトンネル電流が全く観測できない領域や、反対に凸状態の大きいところではティップが持ち上がらずに試料表面に接触し、トンネル電流の飽和してしまう領域が各所に見られた。
しかし、本発明を用いた観察装置では、変位範囲が±２μｍとなったため、トンネル電流の飽和や電流ゼロの領城がなくなった。
なお、本実施例で用いた回路は一例として示したものであってこれに限定されるものではなく、たとえば全体をアナログで制御することも可能であることはいうまでもない。
【００２０】
［実施例２］
本実施例では本発明のＡＦＭ／ＳＴＭ装置を図を用いて説明する。
図３は本実施例のレバー機構の断面図と制御回路の概略を示したものである。
２０１〜２１５は実施例１の１０１〜１１５に対応している。
実施例１と異なる点は、ＡＦＭ装置として使用するための静電容量検出ユニット２１６が設けられている点である。
まず、この装置は実施例１に示したのと同様な方法で静電駆動型ＳＴＭ装置として使用することができる。
つぎに、この装置を静電容量型ＡＦＭ装置として使用する場合の方法を説明する。試料２２０とティップ２０５とが一定の弱い圧力で接した状態で基板２０１と試料２２０との距離が変化しないように、不図示の距離（Ｚ方向）制御機構によって固定し、基板２０１を試料面に対して平行にＸＹ走査する。この時、テイップ２０５は試料２２０表面の凹凸に従ってＺ方向に上下することになるので、固定電極２０３と可動電極２０６間の距離が変わり、固定電極２０３と可動電極２０６間の静電容量が変化する。この静電容量変化を静電容量検出ユニット２２６で検出し、前記ＸＹ走査した位置に合わせてプロットすることにより、試料の表面形状とする。
【００２１】
本実施例のＳＴＭ／ＡＦＭ装置を用いることで、同一試料の同一領域を、ＳＴＭモード及びＡＦＭモードで観測することにより、表面形状と導電性分布との両方の情報を混同することなく調べることが可能である。
【００２２】
［実施例３］
本実施例では、ティップが設けられた平板部を複数個有するマルチＳＴＭ装置について図４を用いて説明する。
図４は、本実施例の静電駆動型マルチＳＴＭ装置のプローブの概略説明図であり、（ａ）は断面図であり、（ｂ）は平面図である。
図４の構成は、基本的には実施例ｌで示したＳＴＭプローブ（図ｌ参照）を同一基板内に３つ形成したものである。
４０１〜４１４は、１０１〜１１４にそれぞれ対応している。
本実施例では基板４０１の材質にシリコンを用いているため、実施例１と異なり表面に絶縁層４０２を形成し、基板上の各電極を絶縁している。
半導体プロセス技術を用いて作製することにより、容易に、かつ、ばらつき無く複数個のプローブを形成可能である。
また、並べ方も直線状以外にも、マトリクス状など２次元配列することが可能である。
本実施例においては、それぞれのトーション型平板部を独立に駆動することが可能であり、即ち、同時に複数のＳＴＭ観察が可能となる。
【００２３】
［実施例４］
本実施例では実施例１で示した静電駆動型ＳＴＭ装置（図１、図２参照）と、金（Ａｕ）を表面に堆積したシリコンウエハとを、真空排気したチャンバー内に設置し、チャンバー内の真空度が約１×１０−４Ｔｏｒｒとなるように６フッ化タングステン（ＷＦ６）ガスを導入する。
この状態で試料（Ａｕ）表面のＳＴＭ観察を行うと、ティップ走査部分に対応してタングステンが試料表面に堆積する。
この様なＳＴＭ装置構成による試料表面への選択堆積あるいはエッチングなどの加工においても、本発明の装置は従来の装置に比較してＺ軸方向の変位量が大きいので、より深いエッチングや厚い堆積が可能となり有効である。
【００２４】
［実施例５］
本実施例では実施例３で示した複数のプローブを持つマルチＳＴＭ装置を用いて、試料としての記録媒体に電気的な加工を施すことにより記録ビットの書き込みを行ない、実際にそのビットを用いて情報の記録再生消去を行なった例を示す。  記録媒体としては特開昭６３−１６１５５２号公報および特開昭６３−１６１５５３号公報に開示されている記録媒体であるＡｕ電極上に積層されたＳＯＡＺ−ラングミュアープロジェット（ＬＢ）膜（２層膜）を試料として用いる。
Ａｕ電極には実施例１で用いた抵抗加熱によるＡｕの蒸着膜を用いている。
この記録媒体に、平板部上のティップを用いて波高値−６Ｖおよび＋１．５Ｖの連続したパルス電圧を重畳したバイアスをティップと記録媒体の間に印加することで電気的な情報の書き込みを行う。
さらにその書き込んだ情報を読み出すために、ＳＴＭ装置と同様な走査方法によってトンネル電流を測定し、得られるトンネル電流信号から、電気的加工によって書き込んだビット信号を抽出し、抽出したビット信号から書き込んだ情報の再生を行う。
再生した情報は、トンネル電流信号の飽和や不検出状態等が起こらず、情報の欠落等も発生せず、書き込んだ情報は１００％再生できる。
【００２５】
また、一度書き込んだ一連の部分に上述のバイアスと逆の大きさのパルスを重畳したバイアスをティップと記録媒体の間に印加する。その後に一連のビットを形成する部分を走査しトンネル電流を測定すると、すべてビットがない場合の大きさに戻っている、すなわち書き込んだデータが消去されていることを確認できる。すなわち、本発明によって、消去に対しても安定にティップ制御ができる。以上は実施例１に基づいたＳＴＭでの記録再生について述べたが、ＡＦＭ／ＳＴＭ複合機についても同様に記録再生が可能である。
ＡＦＭ／ＳＴＭ複合機においては、ＳＴＭの場合と同様に、ティップによってバイアスを印加する方法により情報の書き込みをし、ＡＦＭ機構によって媒体とティップの距離を一定に保ちながら、観測されるトンネル電流の変化から情報を読みとるという方法によって記録再生が実現している。
もちろん、消去についても本実施例前半で述べた方法と同一の方法で行なって確認した。
【００２６】
［実施例６］
図１４は本実施例の静電駆動プローブユニットの斜視図である。本実施例は実施例１の固定電極１０３の形状がくし形からＹ字形状になり、可動電極１０６の形状がくし型から台形形状になった他はすべて同一である。本実施例において、アクチュエータが駆動するときの可動電極の駆動方向は可動電極に対して垂直な方向である。可動電極８０６は、固定電極８０３に対して８０６の駆動方向に投影した際に重なる部分が無いように配置されている。
本実施例の静電駆動プローブユニットは、駆動電圧が高い以外は実施例１の静電駆動プローブユニットと全く同様に使用することができる．
【００２７】
【発明の効果】
本発明は、以上の構成によりつぎのような効果を奏する。
【００２８】
本発明の静電アクチュエータは、上記したように崩れ電圧が存在しないので、従来の平行平板対向型アクチュエータに比べて大きな変位を得ることができ、また、変位の不安定な点が存在しないので、従来の平行平板対向型アクチュエータに比べて、制御性に優れたアクチュエータを実現することができる。
また、本発明においては、従来のくし形電極噛み合い形アクチュエータに比べて、発生力が大きい静電アクチュエータを容易に作成することができる。
また、本発明の静電アクチュエータにより構成された静電駆動プローブは、ティップの変位を従来よりも大きく取ることができるので、本発明の静電アクチュエータを用いて走査型プローブ顕微鏡を構成することにより、より正碓な表面凹凸状態を観察することができる。
同様に、本発明の静電アクチュエータを用いて加工装置を構成することにより、より深いエッチングや厚い堆積が可能となり、また、それにより記録再生装置を構成することにより、従来よりも凹凸の大きな媒体を使用することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１の静電駆動型ＳＴＭプローブユニットの斜視図である。
【図２】実施例１の静電駆動型ＳＴＭプローブユニットの断面図と制御回路の概略図である。
【図３】実施例２のＳＴＭ／ＡＦＭプローブユニットの断面図と制御回路の概略図である。
【図４】実施例３の静電駆動型マルチＳＴＭ装置のプローブの概略説明図である。
【図５】本発明のアクチュエータの概念図である。
【図６】本発明のアクチュエータの電極間距離と静電容量の関係を説明する図である。
【図７】本発明のアクチュエータの電極間距離とｄＣ／ｄｘの関係を説明する図である。
【図８】本発明のアクチュエータの駆動電圧と変位の関係を説明する図である。
【図９】従来の平行平板対向型アクチュエータの概念図である。
【図１０】従来の平行平板対向型アクチュエータの変位と静電引力の関係を説明する図である。
【図１１】従来の平行平板対向型アクチュエータの駆動電圧と変位の関係を説明する図である。
【図１２】従来のくし形電極かみあい型アクチュエータの極念図である。
【図１３】従来のくし形電極かみあい型アクチュエータの駆動電圧と変位の関係を説明する図である。
【図１４】実施例６の静電駆動型のプローブユニットの斜視図である。
【符号の説明】
ｌ０１、２０１、４０１、７０１、８０１：基板
１０２、４０２、８０２：絶縁層
１０３、２０３、３０３、４０３、６０３、７０３、８０３：  固定電極
１０４、２０４、４０４、８０４：空隙部
ｌ０５、２０５、４０５、８０５：ティップ
１０６、２０６、３０６、４０６、６０６、７０６、８０６、９０６：可動電極
１０７、２０７、４０７、７０７、８０７：平板部
１０８、２０８、４０８、８０８：トーションバー
１０９、４０９、８０９：支持部
１１０、２１０、４１０、８１０：可動電極駆動電圧信号線
１１１、２１１、４１１、８１１：固定電極駆動電圧信号線
１１２、２１２、４１２、８１２：トンネル電流検出信号線
３１５、６１５、９１５：バイアスばね
１２０、２２０：試料基板
１２１、２２１：駆動電圧制御回路
１２２、２２２：Ｚ方向位置制御回路
１２３、２２３：Ｉ−Ｖ変換回路
１２４、２２４：データ等生成回路
１２５、２２５：測定バイアス印加回路
２２６：静電容量検出ユニット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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