(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定パターンの凹溝が形成された層間膜の表面にバリア膜を介して導電体が堆積されている回路基材の表面を所定の研磨液を供給しながら高圧で擦過して前記バリア膜が露出するまで前記導電体を研磨し、
このバリア膜が露出するまで擦過された前記回路基材の表面を前記導電体と前記研磨液との反応により発生して前記回路基材の表面に付着する錯体を除去する所定の処理液を供給しながら低圧で擦過して清浄化し、
この処理液で清浄化された前記回路基材の表面をリンス液を供給しながら低圧で擦過して洗浄し、
このリンス液で洗浄された前記回路基材の表面を所定の研磨液を供給しながら高圧で擦過して前記層間膜が露出するまで前記バリア膜を研磨し、
この層間膜が露出するまで擦過された前記回路基材の表面をリンス液を供給しながら低圧で擦過して洗浄する、ＣＭＰ方法。
【請求項２】
前記導電体を研磨する前記回路基材の表面の擦過と、この擦過直後の前記処理液による清浄化の擦過と、この清浄化直後の前記リンス液による洗浄の擦過と、が一個のパッド部材で実行される、請求項１に記載のＣＭＰ方法。
【請求項３】
前記導電体を研磨するときは前記回路基材の表面に前記パッド部材が高圧に圧接され、
前記清浄化と前記洗浄とのときには前記回路基材の表面に前記パッド部材が低圧に圧接される、請求項２に記載のＣＭＰ方法。
【請求項４】
前記導電体を研磨する前記回路基材の表面の擦過がパッド部材で実行され、
この擦過直後の前記処理液による清浄化の擦過と、この清浄化直後の前記リンス液による洗浄の擦過と、が一個のブラシ部材で実行される、請求項１に記載のＣＭＰ方法。
【請求項５】
前記導電体を研磨する前記回路基材の表面の擦過と、この擦過直後の前記処理液による清浄化の擦過と、が一個のパッド部材で実行され、
この清浄化直後の前記リンス液による洗浄の擦過がブラシ部材で実行される、請求項１に記載のＣＭＰ方法。
【請求項６】
前記導電体を研磨するときは前記回路基材の表面に前記パッド部材が高圧に圧接され、
前記清浄化のときには前記回路基材の表面に前記パッド部材が低圧に圧接される、請求項５に記載のＣＭＰ方法。
【請求項７】
所定パターンの凹溝が形成された層間膜の表面にバリア膜を介して導電体が堆積されている回路基材の表面を所定の研磨液を供給しながら高圧で擦過して前記バリア膜が露出するまで前記導電体を研磨し、
このバリア膜が露出するまで擦過された前記回路基材の表面を所定のリンス液を供給しながら低圧で擦過して洗浄し、
このリンス液で洗浄された前記回路基材の表面を前記導電体と前記研磨液との反応により発生して前記回路基材の表面に付着する錯体を除去する所定の処理液を供給しながら低圧で擦過して清浄化し、
この処理液で清浄化された前記回路基材の表面をリンス液を供給しながら低圧で擦過して洗浄し、
このリンス液で洗浄された前記回路基材の表面を所定の研磨液を供給しながら高圧で擦過して前記層間膜が露出するまで前記バリア膜を研磨し、
この層間膜が露出するまで擦過された前記回路基材の表面をリンス液を供給しながら低圧で擦過して洗浄する、ＣＭＰ方法。
【請求項８】
前記導電体を研磨する前記回路基材の表面の擦過と、この擦過直後の前記リンス液による第一回目の洗浄の擦過と、この洗浄直後の前記処理液による清浄化の擦過と、この清浄化直後の前記リンス液による第二回目の洗浄の擦過と、が一個のパッド部材で実行される、請求項７に記載のＣＭＰ方法。
【請求項９】
前記導電体を研磨するときは前記回路基材の表面に前記パッド部材が高圧に圧接され、
前記第一回目および前記第二回目の洗浄と前記清浄化とのときには前記回路基材の表面に前記パッド部材が低圧に圧接される、請求項８に記載のＣＭＰ方法。
【請求項１０】
前記導電体を研磨する前記回路基材の表面の擦過がパッド部材で実行され、
この擦過直後の前記リンス液による第一回目の洗浄の擦過と前記処理液による清浄化の擦過と前記リンス液による第二回目の洗浄の擦過とが一個のブラシ部材で実行される、請求項７に記載のＣＭＰ方法。
【請求項１１】
前記導電体を研磨する前記回路基材の表面の擦過がパッド部材で実行され、
この擦過直後の前記リンス液による第一回目の洗浄の擦過がブラシ部材で実行され、
この洗浄直後の前記処理液による清浄化の擦過が前記パッド部材で実行され、この清浄化直後の前記リンス液による第二回目の洗浄の擦過が前記ブラシ部材で実行される、請求項７に記載のＣＭＰ方法。
【請求項１２】
前記導電体を研磨するときは前記回路基材の表面に前記パッド部材が高圧に圧接され、
前記清浄化のときには前記回路基材の表面に前記パッド部材が低圧に圧接される、請求項１１に記載のＣＭＰ方法。
【請求項１３】
前記導電体がＣｕからなり、
前記研磨液は有機化合物が含有されており、
この有機化合物と前記Ｃｕとの反応により発生して前記回路基材の表面に付着したＣｕ有機物の錯体が前記処理液による清浄化で除去される、請求項１ないし１２の何れか一項に記載のＣＭＰ方法。
【請求項１４】
前記リンス液が純水からなり、
前記処理液がアンモニア水からなる、請求項１ないし１３の何れか一項に記載のＣＭＰ方法。
【請求項１５】
前記アンモニア水がアンモニア電解水からなる、請求項１４に記載のＣＭＰ方法。
【請求項１６】
所定パターンの凹溝が形成された層間膜の表面にバリア膜を介して導電体が堆積されている回路基材の表面に所定の研磨液を供給する第一供給手段と、
この第一供給手段により前記研磨液が供給される前記回路基材の表面を高圧で擦過して前記バリア膜が露出するまで前記導電体を研磨する第一研磨手段と、
この第一研磨手段により研磨された前記回路基材の表面に前記導電体と前記研磨液との反応により発生して前記回路基材の表面に付着する錯体を除去する所定の処理液を供給する処理供給手段と、
この処理供給手段により前記処理液が供給される前記回路基材の表面を低圧で擦過して清浄化する清浄化手段と、
この清浄化手段により清浄化された前記回路基材の表面にリンス液を供給する第二リンス手段と、
この第二リンス手段により前記リンス液が供給される前記回路基材の表面を低圧で擦過して洗浄する第二洗浄手段と、
この第二洗浄手段で洗浄された前記回路基材の表面に所定の研磨液を供給する第二供給手段と、
この第二供給手段により前記研磨液が供給される前記回路基材の表面を高圧で擦過して前記層間膜が露出するまで前記バリア膜を研磨する第二研磨手段と、
この第二研磨手段により研磨された前記回路基材の表面にリンス液を供給する第三リンス手段と、
この第三リンス手段により前記リンス液が供給される前記回路基材の表面を低圧で擦過して洗浄する第三洗浄手段と、
を具備しているＣＭＰ装置。
【請求項１７】
所定パターンの凹溝が形成された層間膜の表面にバリア膜を介して導電体が堆積されている回路基材の表面に所定の研磨液を供給する第一供給手段と、
この第一供給手段により前記研磨液が供給される前記回路基材の表面を高圧で擦過して前記バリア膜が露出するまで前記導電体を研磨する第一研磨手段と、
この第一研磨手段により研磨された前記回路基材の表面に所定のリンス液を供給する第一リンス手段と、
この第一リンス手段により前記リンス液が供給される前記回路基材の表面を低圧で擦過して洗浄する第一洗浄手段と、
この第一洗浄手段で洗浄された前記回路基材の表面に前記導電体と前記研磨液との反応により発生して前記回路基材の表面に付着する錯体を除去する所定の処理液を供給する処理供給手段と、
この処理供給手段により前記処理液が供給される前記回路基材の表面を低圧で擦過して清浄化する清浄化手段と、
この清浄化手段により清浄化された前記回路基材の表面にリンス液を供給する第二リンス手段と、
この第二リンス手段により前記リンス液が供給される前記回路基材の表面を低圧で擦過して洗浄する第二洗浄手段と、
この第二洗浄手段で洗浄された前記回路基材の表面に所定の研磨液を供給する第二供給手段と、
この第二供給手段により前記研磨液が供給される前記回路基材の表面を高圧で擦過して前記層間膜が露出するまで前記バリア膜を研磨する第二研磨手段と、
この第二研磨手段により研磨された前記回路基材の表面にリンス液を供給する第三リンス手段と、
この第三リンス手段により前記リンス液が供給される前記回路基材の表面を低圧で擦過して洗浄する第三洗浄手段と、
を具備しているＣＭＰ装置。
【請求項１８】
回路基板の表面に層間膜を形成し、
この層間膜の表面に所定パターンの凹溝を形成し、
この凹溝が形成された前記層間膜の表面にバリア膜を形成し、
このバリア膜が形成された前記層間膜の表面に導電体を堆積させて回路基材を形成し、
この回路基材を請求項１ないし１５の何れか一項に記載のＣＭＰ方法でＣＭＰ処理することにより前記層間膜の凹溝に前記バリア膜を介して残存した前記導電体で所定パターンのダマシン配線を形成する、回路形成方法。
【請求項１９】
回路基板の表面に層間膜を形成する層間膜形成手段と、
この層間膜形成手段により形成された前記層間膜の表面に所定パターンの凹溝を形成する凹溝形成手段と、
この凹溝形成手段により前記凹溝が形成された前記層間膜の表面にバリア膜を形成するバリア形成手段と、
このバリア形成手段により前記バリア膜が形成された前記層間膜の表面に導電体を堆積させて回路基材を形成する基材形成手段と、
この基材形成手段により形成された前記回路基材をＣＭＰ処理して前記層間膜の凹溝に前記バリア膜を介して残存した前記導電体でダマシン配線を形成する請求項１６または１７に記載のＣＭＰ装置と、
を具備している回路形成システム。
【請求項２０】
請求項１８に記載の回路形成方法で形成されており、
前記層間膜の凹溝に前記バリア膜を介して残存した前記導電体で前記ダマシン配線が形成されている集積回路装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、回路基材を化学的かつ機械的に研磨するＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）方法および装置、このＣＭＰ方法および装置を利用してダマシン配線を形成する回路形成方法およびシステム、この回路形成方法でダマシン配線が形成されている集積回路装置、に関する。
【０００２】
【従来の技術】
現在、各種回路が各種構造に形成されており、例えば、ダマシン配線を具備した集積回路装置などもある。ダマシン配線とは、回路基板の表面の層間膜の所定パターンの凹溝に埋設された導電体からなり、一般的にＣＭＰ方法を利用して形成される。ここで、このように集積回路装置のダマシン配線を形成する回路形成方法の一従来例を図１３ないし図１６を参照して以下に説明する。
【０００３】
まず、ここで一従来例として例示するＣＭＰ装置１００は、回路形成システム（図示せず）の一部として形成されており、この回路形成システムは、集積回路装置の製造過程である回路基材２００をＣＭＰ装置１００に搬入するように構築されている。
【０００４】
より具体的には、上述の回路形成システムがＣＭＰ装置１００に搬入する回路基材２００は、図１５（ａ）に示すように、シリコン製の回路基板２０１の表面に酸化絶縁膜からなる層間膜２０２が形成されており、この層間膜２０２の表面に所定パターンの凹溝２０３が形成されている。この凹溝２０３が形成された層間膜２０２の表面にタンタルからなるバリア膜２０４が形成されており、このバリア膜２０４が形成された層間膜２０２の表面にＣｕからなる導電体２０５が堆積されている。
【０００５】
このような構造の回路基材２００が搬入されるＣＭＰ装置１００は、図１３に示すように、処理装置本体１０１と動作制御装置１０２とを具備しており、これらが相互に接続されている。処理装置本体１０１は回路基材２００のＣＭＰ処理を実行し、動作制御装置１０２は処理装置本体１０１を動作制御する。
【０００６】
この処理装置本体１０１は、図１４に示すように、保持部材１１０を具備しており、この保持部材１１０が搬入された回路基材２００を保持する。処理装置本体１０１は、保持部材１１０とともに回路基材２００を搬送して各所に配置する搬送機構（図示せず）も具備しており、この搬送機構による回路基材２００の搬送経路には、第一研磨ユニット１１１と第二研磨ユニット１１２と洗浄乾燥ユニット１１３とが順番に配置されている。
【０００７】
第一研磨ユニット１１１は、ウレタンパッドからなるパッド部材１２０を具備しており、このパッド部材１２０は、定盤１２３に装着されて駆動機構（図示せず）により水平方向に回転自在に軸支されている。このパッド部材１２０の上面中心に上方から対向する位置には、第一供給手段である研磨供給機構１２１と第一リンス手段であるリンス供給機構１２２とが切換自在に配置されている。
【０００８】
研磨供給機構１２１は、パッド部材１２０の上面にスラリーと呼称される研磨液を供給し、リンス供給機構１２２は、純水からなるリンス液を供給する。このように研磨液やリンス液が供給される回転自在なパッド部材１２０の上面に、搬送機構は保持部材１１０に保持された回路基板２００を所定の圧力で圧接させて自転させるので、ここに第一研磨手段および第一洗浄手段が形成されている。
【０００９】
なお、第二研磨ユニット１１２も第一研磨ユニット１１１と同様に、ウレタンパッドからなるパッド部材１３０と研磨供給機構１３１とリンス供給機構１３２とを具備しているが、第一研磨ユニット１１１はＣｕからなる導電体２０５の研磨に特化されており、第二研磨ユニット１１２はタンタルからなるバリア膜２０４の研磨に特化されている。
【００１０】
このため、第一研磨ユニット１１１では研磨液であるスラリーに有機化合物としてシリカが含有されているが、第二研磨ユニット１１２ではアルミナが含有されており、パッド部材１２０，１３０の物性なども第一第二研磨ユニット１１１，１１２では相互に相違している。
【００１１】
上述のような構造の回路形成システムによる回路形成方法では、集積回路装置を製造する過程において、回路基材２００を形成してＣＭＰ装置１００に搬入する。このように回路形成システムにより回路基材２００が形成される場合、シリコン製の回路基板２０１の表面に酸化絶縁膜からなる層間膜２０２が形成され、この層間膜２０２の表面に所定パターンの凹溝２０３が形成される。
【００１２】
この凹溝２０３が形成された層間膜２０２の表面にタンタルからなるバリア膜２０４が形成され、このバリア膜２０４が形成された層間膜２０２の表面にＣｕからなる導電体２０５が堆積される。図１５（ａ）に示すように、これで回路基材２００が完成されるので、この回路基材２００がＣＭＰ装置１００に搬入される。
【００１３】
このＣＭＰ装置１００では、図１６に示すように、処理装置本体１０１に搬入される回路基材２００が保持部材１１０で保持されて第一研磨ユニット１１１まで移動される（ステップＳ１）。この回路基材２００が移動される第一研磨ユニット１１１では、パッド部材１２０が水平方向に回転駆動され、その上面に研磨供給機構１２１から研磨液が供給される。
【００１４】
そして、図１４に示すように、このような状態のパッド部材１２０の上面に回路基材２００が４（ｐｓｉ：ｐｏｕｎｄ  ｓｑｕａｒｅ  ｉｎｃｈ）程度の高圧に圧接されて自転されるので、図１５（ｂ）に示すように、これで回路基材２００はバリア膜２０４が露出するまで導電体２０５が研磨される（ステップＳ２）。
【００１５】
つぎに、この第一研磨ユニット１１１では、パッド部材１２０の上面に圧接されている回路基材２００の圧力が１（ｐｓｉ）程度の低圧まで低減され、このパッド部材１２０の上面にリンス供給機構１２２からリンス液が供給されるので、これで研磨された回路基材２００の表面が洗浄される（ステップＳ３）。
【００１６】
上述のように第一研磨ユニット１１１での研磨と洗浄とが終了すると回路基材２００は第二研磨ユニット１１２まで移動され（ステップＳ４）、やはり回転駆動されて研磨液が供給されるパッド部材１３０の上面に回路基材２００が４（ｐｓｉ）の高圧に圧接されるので（ステップＳ５）、図１５（ｃ）に示すように、これで回路基材２００は層間膜２０２が露出するまでバリア膜２０４が研磨される。
【００１７】
さらに、回路基材２００の圧接が１（ｐｓｉ）の低圧まで低減されてパッド部材１３０の上面にリンス液が供給されるので、これで研磨された回路基材２００の表面が洗浄される（ステップＳ６）。このように第二研磨ユニット１１２での研磨と洗浄とが終了すると、回路基材２００は洗浄乾燥ユニット１１３まで移動されて洗浄および乾燥され（ステップＳ７，Ｓ８）、この乾燥された回路基材２００がＣＭＰ装置１００から搬出される（ステップＳ９）。
【００１８】
このＣＭＰ装置１００から搬出された回路基材２００は、所定パターンの凹溝２０３に導電体２０５が残存した層間膜２０２の表面が平滑なので、この表面に回路形成システムにより各種処理が実行されて導電体２０５でダマシン配線が形成された集積回路装置が製造される。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】
上述のようなＣＭＰ装置１００による回路基材２００のＣＭＰ処理では、図１５に示すように、バリア膜２０４が露出するまで導電体２０５が研磨されてから、層間膜２０２が露出するまでバリア膜２０４が研磨されるが、これらの研磨では使用される研磨液やパッド部材１２０などが相違するので、導電体２０５とバリア膜２０４とが各々最適な状態に研磨される。
【００２０】
しかし、実際に本発明者が上述のようなＣＭＰ装置１００で回路基材２００をＣＭＰ処理して集積回路装置を製造したところ、図４（ａ）および図５（ａ）に示すように、その導電体２０５からなるダマシン配線の層抵抗分布が一定とならないことが確認された。
【００２１】
そこで、この原因を調査するためにＣＭＰ処理した回路基材２００の表面状態を本発明者が各種手法により解析したところ、図１７（ｂ）に示すように、導電体２０５の表面に過剰な研磨であるエロージョンやディシングが発生していることが判明した。
【００２２】
このエロージョンやディシングの原因を本発明者が各種手法により調査したところ、同図（ａ）に示すように、バリア膜２０４が露出するまで導電体２０５が研磨された回路基材２００の表面に錯体２０６が付着しており、この錯体２０６のためにバリア膜２０４が研磨されるときに導電体２０５が過剰に研磨されることが確認された。
【００２３】
そこで、この錯体２０６の発生原因を本発明者が各種手法により調査したところ、導電体２０５の研磨に利用される研磨液にシリカなどの有機化合物が含有されているため、この有機化合物がＣｕからなる導電体２０５と反応して錯体２０６が発生していることが判明した。
【００２４】
上述の課題を解決するため、本発明者は導電体２０５の研磨直後のリンス液による洗浄時間を延長する実験を実行したが、これでも錯体２０６を確実に除去することはできず、ＣＭＰ処理の所用時間が極度に増大して実用的でないことが判明した。
【００２５】
また、本出願人が特願平１１−３１５５６０号として出願したＣＭＰ装置のＣＭＰ方法では、バリア膜２０４の研磨はウレタン製のパッド部材１２０とスラリーからなる研磨液とで実行するが、導電体２０５の研磨は固定砥粒からなるパッド部材とケミカル溶液からなる研磨液とで実行する。
【００２６】
固定砥粒からなるパッド部材とは砥石に相当するので、研磨液は砥粒が含有されたスラリーである必要がない。しかし、これでも研磨液であるケミカル溶液には必然的に有機化合物が含有されているため、やはり錯体２０６が発生して導電体２０５にエロージョンやディシングが発生することが確認された。
【００２７】
つまり、従来のＣＭＰ装置１００による回路基材２００のＣＭＰ処理では導電体２０５のエロージョンやディシングを防止することができないので、回路基材２００から製造する集積回路装置のダマシン配線が良好な形状とならず、その層抵抗分布が一定とならない。
【００２８】
本発明は上述のような課題に鑑みてなされたものであり、導電体のエロージョンやディシングを防止できるＣＭＰ方法および装置、このＣＭＰ方法および装置を利用してダマシン配線を形成する回路形成方法およびシステム、この回路形成方法でダマシン配線が形成されている集積回路装置、の少なくとも一つを提供することを目的とする。
【００２９】
【課題を解決するための手段】
本発明の一のＣＭＰ装置によるＣＭＰ方法では、所定パターンの凹溝が形成された層間膜の表面にバリア膜を介して導電体が堆積されている回路基材の表面に第一供給手段が所定の研磨液を供給するので、この研磨液が供給される回路基材の表面を第一研磨手段が高圧で擦過してバリア膜が露出するまで導電体を研磨する。つぎに、この研磨された回路基材の表面に処理供給手段が、導電体と研磨液との反応により発生して回路基材の表面に付着する錯体を除去する所定の処理液を供給するので、この処理液が供給される回路基材の表面を清浄化手段が低圧で擦過して清浄化する。つぎに、この清浄化された回路基材の表面に第二リンス手段がリンス液を供給するので、このリンス液が供給される回路基材の表面を第二洗浄手段が低圧で擦過して洗浄する。つぎに、この洗浄された回路基材の表面に第二供給手段が所定の研磨液を供給するので、この研磨液が供給される回路基材の表面を第二研磨手段が高圧で擦過して層間膜が露出するまでバリア膜を研磨する。そして、この研磨された回路基材の表面に第三リンス手段がリンス液を供給するので、このリンス液が供給される回路基材の表面を第三洗浄手段が低圧で擦過して洗浄する。
【００３０】
このＣＭＰ装置によるＣＭＰ方法では、バリア膜が露出するまで導電体が研磨された回路基材の表面が処理液で清浄化されるので、導電体と研磨液との反応により錯体が発生して回路基材の表面に付着しても、これがバリア膜の研磨以前に除去される。
【００３１】
また、上述のような発明の他の態様としては、導電体を研磨する回路基材の表面の擦過と、この擦過直後の処理液による清浄化の擦過と、この清浄化直後のリンス液による洗浄の擦過と、が一個のパッド部材で実行される。この場合、一個のパッド部材に圧接させた回路基材を移動させることなく、導電体の研磨と処理液による清浄化とリンス液による洗浄とが連続に実行され、清浄化のために専用の部材を追加する必要もない。
【００３２】
また、導電体を研磨するときは回路基材の表面にパッド部材が高圧に圧接され、清浄化と洗浄とのときには回路基材の表面にパッド部材が低圧に圧接される。この場合、回路基材に圧接される一個のパッド部材の圧力が作業内容により調節されるので、回路基材の研磨と清浄化と洗浄との三つの作業が一個のパッド部材で適切に実行される。
【００３３】
また、導電体を研磨する回路基材の表面の擦過がパッド部材で実行され、この擦過直後の処理液による清浄化の擦過と、この清浄化直後のリンス液による洗浄の擦過と、が一個のブラシ部材で実行される。この場合、一個のブラシ部材に接触させた回路基材を移動させることなく、処理液による清浄化とリンス液による洗浄とが連続に実行され、清浄化のために専用の部材を追加する必要もない。
【００３４】
また、導電体を研磨する回路基材の表面の擦過と、この擦過直後の処理液による清浄化の擦過と、が一個のパッド部材で実行され、この清浄化直後のリンス液による洗浄の擦過がブラシ部材で実行される。この場合、一個のパッド部材に圧接させた回路基材を移動させることなく、導電体の研磨と処理液による清浄化とが連続に実行され、清浄化のために専用の部材を追加する必要もない。
【００３５】
また、導電体を研磨するときは回路基材の表面にパッド部材が高圧に圧接され、清浄化のときには回路基材の表面にパッド部材が低圧に圧接される。この場合、回路基材に圧接される一個のパッド部材の圧力が作業内容により調節されるので、回路基材の研磨と清浄化と二つの作業が一個のパッド部材で適切に実行される。
【００３６】
本発明の他のＣＭＰ装置によるＣＭＰ方法では、所定パターンの凹溝が形成された層間膜の表面にバリア膜を介して導電体が堆積されている回路基材の表面に第一供給手段が所定の研磨液を供給するので、この研磨液が供給される回路基材の表面を第一研磨手段が高圧で擦過してバリア膜が露出するまで導電体を研磨する。つぎに、この研磨された回路基材の表面に第一リンス手段が所定のリンス液を供給するので、このリンス液が供給される回路基材の表面を第一洗浄手段が低圧で擦過して洗浄する。つぎに、この洗浄された回路基材の表面に処理供給手段が、導電体と研磨液との反応により発生して回路基材の表面に付着する錯体を除去する所定の処理液を供給するので、この処理液が供給される回路基材の表面を清浄化手段が低圧で擦過して清浄化する。つぎに、この清浄化された回路基材の表面に第二リンス手段がリンス液を供給するので、このリンス液が供給される回路基材の表面を第二洗浄手段が低圧で擦過して洗浄する。つぎに、この洗浄された回路基材の表面に第二供給手段が所定の研磨液を供給するので、この研磨液が供給される回路基材の表面を第二研磨手段が高圧で擦過して層間膜が露出するまでバリア膜を研磨する。そして、この研磨された回路基材の表面に第三リンス手段がリンス液を供給するので、このリンス液が供給される回路基材の表面を第三洗浄手段が低圧で擦過して洗浄する。
【００３７】
このＣＭＰ装置によるＣＭＰ方法では、バリア膜が露出するまで導電体が研磨された回路基材の表面が処理液で清浄化されるので、導電体と研磨液との反応により錯体が発生して回路基材の表面に付着しても、これがバリア膜の研磨以前に除去される。
【００３８】
また、上述のような発明の他の態様としては、導電体を研磨する回路基材の表面の擦過と、この擦過直後のリンス液による第一回目の洗浄の擦過と、この洗浄直後の処理液による清浄化の擦過と、この清浄化直後のリンス液による第二回目の洗浄の擦過と、が一個のパッド部材で実行される。この場合、一個のパッド部材に圧接させた回路基材を移動させることなく、導電体の研磨とリンス液による洗浄と処理液による清浄化とリンス液による洗浄とが連続に実行され、清浄化のために専用の部材を追加する必要もない。
【００３９】
また、導電体を研磨するときは回路基材の表面にパッド部材が高圧に圧接され、第一回目および第二回目の洗浄と清浄化とのときには回路基材の表面にパッド部材が低圧に圧接される。この場合、回路基材に圧接される一個のパッド部材の圧力が作業内容により調節されるので、回路基材の研磨と清浄化と洗浄との三つの作業が一個のパッド部材で適切に実行される。
【００４０】
また、導電体を研磨する回路基材の表面の擦過がパッド部材で実行され、この擦過直後のリンス液による第一回目の洗浄の擦過と処理液による清浄化の擦過とリンス液による第二回目の洗浄の擦過とが一個のブラシ部材で実行される。この場合、一個のブラシ部材に接触させた回路基材を移動させることなく、リンス液による洗浄と処理液による清浄化とリンス液による洗浄とが連続に実行され、清浄化のために専用の部材を追加する必要もない。
【００４１】
また、導電体を研磨する回路基材の表面の擦過がパッド部材で実行され、この擦過直後のリンス液による第一回目の洗浄の擦過がブラシ部材で実行され、この洗浄直後の処理液による清浄化の擦過がパッド部材で実行され、この清浄化直後のリンス液による第二回目の洗浄の擦過がブラシ部材で実行される。この場合、研磨に使用される一個のパッド部材で清浄化も実行されるので、この清浄化のために専用の部材を追加する必要がない。
【００４２】
また、導電体を研磨するときは回路基材の表面にパッド部材が高圧に圧接され、清浄化のときには回路基材の表面にパッド部材が低圧に圧接される。この場合、回路基材に圧接される一個のパッド部材の圧力が作業内容により調節されるので、回路基材の研磨と清浄化との二つの作業が一個のパッド部材で適切に実行される。
【００４３】
また、導電体がＣｕからなり、研磨液は有機化合物が含有されており、この有機化合物とＣｕとの反応により発生して回路基材の表面に付着したＣｕ有機物の錯体が処理液による清浄化で除去される。この場合、Ｃｕからなる導電体を良好に研磨するためには有機化合物が含有されている研磨液が適切であるが、この研磨液でＣｕを研磨すると必然的にＣｕ有機物の錯体が発生して回路基材の表面に付着する。この状態でバリア膜の研磨を実行するとダマシン配線にエロージョンやディシングが発生するが、バリア膜の研磨を実行する以前に処理液による清浄化でＣｕ有機物の錯体は除去される。
【００４４】
また、リンス液が純水からなり、処理液がアンモニア水からなる。アンモニア水からなる処理液で回路基材の表面を清浄化すると表面に付着したＣｕ有機物の錯体が良好に除去され、この処理液や除去された錯体などは純水からなるリンス液での洗浄により回路基材の表面から良好に除去される。
【００４５】
なお、本発明で云う各種手段は、その機能を実現するように形成されていれば良く、例えば、所定の機能を発揮する専用のハードウェア、所定の機能がプログラムにより付与されたコンピュータ、プログラムによりコンピュータの内部に実現された所定の機能、これらの組み合わせ、等を許容する。
【００４６】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の一形態を図面を参照して以下に説明する。ただし、本実施の形態に関して前述した一従来例と同一の部分は、同一の名称を使用して詳細な説明は省略する。本実施の形態のＣＭＰ装置４００も、一従来例として例示したＣＭＰ装置１００と同様に、回路形成システム（図示せず）の一部として形成されており、図２に示すように、処理装置本体４０１と動作制御装置４０２とが相互に接続されている。
【００４７】
処理装置本体４０１は、第一研磨ユニット４１１と第二研磨ユニット１１２と洗浄乾燥ユニット１１３とが順番に配置されているが、一従来例のＣＭＰ装置１００とは相違して、第一研磨ユニット４１１に処理供給手段である処理供給機構４１２が追加されており、この処理供給機構４１２は、アンモニア電解水からなる処理液をパッド部材１２０の表面に供給する。
【００４８】
また、動作制御装置４０２は、いわゆるコンピュータシステムからなり、コンピュータの主体となるＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）４２１に、バスライン４２２により、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）４２３、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）４２４、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ  Ｄｉｓｃ  Ｄｒｉｖｅ）４２５、ＦＤ（Ｆｌｏｐｐｙ  Ｄｉｓｃ）４２６が交換自在に装填されるＦＤＤ（ＦＤ  Ｄｒｉｖｅ）４２７、ＣＤ（Ｃｏｍｐａｃｔ  Ｄｉｓｃ）−ＲＯＭ４２８が交換自在に装填されるＣＤドライブ４２９、キーボード４３０、マウス４３１、ディスプレイ４３２、通信Ｉ／Ｆ（Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）４３３、等のハードウェアが接続されている。
【００４９】
本実施の形態のＣＭＰ装置４００では、ＲＯＭ４２３、ＲＡＭ４２４、ＨＤＤ４２５、交換自在なＦＤ４２６、交換自在なＣＤ−ＲＯＭ４２８、等のハードウェアが情報記憶媒体に相当し、これらの少なくとも一個にＣＰＵ４２１のための制御プログラムや各種データがソフトウェアとしてデータ格納されている。
【００５０】
例えば、ＣＰＵ４２１に各種の処理動作を実行させる制御プログラムは、ＦＤ４２６やＣＤ−ＲＯＭ４２８に事前に格納されている。このようなソフトウェアはＨＤＤ４２５に事前にインストールされており、動作制御装置４０２の起動時にＲＡＭ４２４に複写されてＣＰＵ４２１に読み取られる。
【００５１】
このようにＣＰＵ４２１が適正なプログラムをデータ読取して各種の処理動作を実行することにより、本実施の形態のＣＭＰ装置４００は、第一研磨手段、第一洗浄手段、清浄化手段、第二洗浄手段、第二研磨手段、第三洗浄手段、等の各種手段を各種機能として論理的に具備している。
【００５２】
上述の各種手段は、ＲＡＭ４２４等に保持されている制御プログラムに対応してＣＰＵ４２１が処理装置本体４０１の各部を動作制御する機能に相当し、第一研磨手段は、第一研磨ユニット４１１の研磨供給機構１２１により研磨液が供給されるパッド部材１２０を回転駆動させ、このパッド部材１２０に回路基材２００を４（ｐｓｉ）の高圧に圧接させて擦過させる。
【００５３】
第一洗浄手段は、第一研磨手段により研磨が完了して第一研磨ユニット４１１のリンス供給機構１２２によりリンス液が供給されるパッド部材１２０を回転駆動させ、このパッド部材１２０に回路基材２００を１（ｐｓｉ）の低圧に圧接させて擦過させる。
【００５４】
清浄化手段は、第一洗浄手段による洗浄が完了して第一研磨ユニット４１１の処理供給機構４１２により処理液が供給されるパッド部材１２０を回転駆動させ、このパッド部材１２０に回路基材２００を１（ｐｓｉ）の低圧に圧接させて擦過させる。
【００５５】
第二洗浄手段は、清浄化手段による清浄化が完了して第一研磨ユニット４１１のリンス供給機構１２２によりリンス液が供給されるパッド部材１２０を回転駆動させ、このパッド部材１２０に回路基材２００を１（ｐｓｉ）の低圧に圧接させて擦過させる。
【００５６】
なお、第二研磨手段および第三洗浄手段は、動作制御の対象が第二研磨ユニット１１２である他は、上述の第一研磨手段および第一洗浄手段と同様に機能する。上述のような各種手段は、必要により通信Ｉ／Ｆ４３３等のハードウェアを利用して実現されるが、その主体はＲＡＭ４２４等の情報記憶媒体に格納されたソフトウェアに対応して、コンピュータのハードウェアであるＣＰＵ４２１が機能することにより実現されている。
【００５７】
このようなソフトウェアは、研磨液が供給されるパッド部材１２０を回転駆動させて回路基材２００を４（ｐｓｉ）の高圧で圧接させること、この研磨が完了してリンス液が供給されるパッド部材１２０を回転駆動させて回路基材２００を１（ｐｓｉ）の低圧で圧接させること、この洗浄が完了して処理液が供給されるパッド部材１２０を回転駆動させて回路基材２００を１（ｐｓｉ）の低圧で圧接させること、この清浄化が完了してリンス液が供給されるパッド部材１２０を回転駆動させて回路基材２００を１（ｐｓｉ）の低圧で圧接させること、等の処理動作をＣＰＵ４２１等に実行させるための制御プログラムとしてＲＡＭ４２４等の情報記憶媒体に格納されている。
【００５８】
上述のような構成において、本実施の形態の回路形成システムによる回路形成方法でも、一従来例と同様に集積回路装置の製造過程である回路基材２００がＣＭＰ装置４００に搬入されるので、このＣＭＰ装置４００では、図１に示すように、搬入される回路基材２００が第一研磨ユニット４１１まで移動される（ステップＴ１）。
【００５９】
この第一研磨ユニット４１１では、水平方向に回転駆動されるパッド部材１２０の上面に研磨供給機構１２１から研磨液が供給され、このパッド部材１２０の上面に回路基材２００が４（ｐｓｉ）の高圧に圧接されて自転されるので、回路基材２００はバリア膜２０４が露出するまで導電体２０５が研磨される（ステップＴ２）。
【００６０】
つぎに、この第一研磨ユニット４１１では、回転するパッド部材１２０に圧接されている回路基材２００の圧力が１（ｐｓｉ）の低圧まで低減され、このパッド部材１２０の上面にリンス供給機構１２２からリンス液が供給されるので、これで研磨された回路基材２００の表面が洗浄される（ステップＴ３）。
【００６１】
そして、本実施の形態のＣＭＰ装置４００では、一従来例とは相違して、上述のように第一研磨ユニット４１１での研磨と洗浄とが完了した回路基材２００を第二研磨ユニット１１２に移動させず、引き続き第一研磨ユニット４１１で清浄化と洗浄とを実行する。
【００６２】
つまり、この第一研磨ユニット４１１では、回転するパッド部材１２０に圧接されている回路基材２００の圧力は１（ｐｓｉ）の低圧に維持されたまま、このパッド部材１２０の上面に処理供給機構４１２から処理液が供給されるので、これで研磨されて洗浄された回路基材２００の表面が清浄化される（ステップＴ４）。
【００６３】
さらに、回転するパッド部材１２０に圧接されている回路基材２００の圧力は１（ｐｓｉ）の低圧に維持されたまま、このパッド部材１２０の上面にリンス供給機構１２２からリンス液が再度供給されるので、これで研磨と洗浄と清浄化とが実行された回路基材２００の表面が再度洗浄される（ステップＴ５）。
【００６４】
上述のように第一研磨ユニット４１１での処理が完了した回路基材２００は第二研磨ユニット１１２まで移動され（ステップＴ６）、以下は従来と同様に第二研磨ユニット１１２でのバリア膜２０４の研磨や洗浄乾燥ユニット１１３での洗浄および乾燥が実行される。
【００６５】
本実施の形態のＣＭＰ装置４００によるＣＭＰ方法では、上述のように一従来例と同様にバリア膜２０４が露出するまで導電体２０５が研磨されてから、層間膜２０２が露出するまでバリア膜２０４が研磨されるが、一従来例とは相違して、導電体２０５が研磨された回路基材２００の表面が処理液で清浄化されてからバリア膜２０４が研磨される。
【００６６】
この清浄化ではアンモニア電解水からなる処理液が供給される回路基材２００の表面が低圧でパッド部材１２０により擦過されるので、導電体２０５と研磨液との反応により発生して回路基材２００の表面に付着した錯体２０６が確実に除去される。
【００６７】
このため、本実施の形態のＣＭＰ装置４００によるＣＭＰ方法では、回路基材２００のバリア膜２０４が研磨されるとき、回路基材２００の表面に錯体２０６が存在しないので、導電体２０５にエロージョンやディシングが発生しない。このため、本実施の形態の回路製造システムにより回路製造方法では、回路基材２００から製造する集積回路装置のダマシン配線を良好な形状に形成することができ、その層抵抗分布を一定とすることができる。
【００６８】
特に、本実施の形態では導電体２０５がＣｕからなり、研磨液は有機化合物が含有されているので、その反応によりＣｕ有機物の錯体２０６が発生して回路基材２００の表面に付着するが、処理液がアンモニア電解水からなるので、Ｃｕ有機物の錯体２０６を良好に除去することができ、リンス液が純水からなるので、処理液や除去された錯体２０６などを良好に洗浄することができる。
【００６９】
また、本実施の形態のＣＭＰ装置４００によるＣＭＰ方法では、一個のパッド部材１２０に圧接させた回路基材２００を移動させることなく、導電体２０５の研磨と、この擦過直後のリンス液による洗浄と、この洗浄直後の処理液による清浄化と、この清浄化直後のリンス液による洗浄と、を連続に実行するので、これらの処理を迅速に実行することができる。
【００７０】
特に、連続に実行される第一の洗浄と清浄化と第二の洗浄とで、パッド部材１２０と回路基材２００との圧接の圧力は同一の低圧に維持されるので、その処理が簡単である。それでいて、パッド部材１２０と回路基材２００との圧接は導電体２０５の研磨では高圧とされ、連続に実行される第一の洗浄と清浄化と第二の洗浄とでは低圧とされるので、これらの処理を各々適切に実行することができる。
【００７１】
さらに、本実施の形態のＣＭＰ装置４００は、従来の構造に比較して処理液供給機構４１２を追加すれば良く、清浄化のために専用のパッド部材やブラシ部材を追加する必要はない。このため、本実施の形態のＣＭＰ装置４００は構造が簡単であり、従来に比較して全体形状が大型化することもない。
【００７２】
なお、本発明者は実際に凹溝２０３を各種パターンで形成した回路基材２００を試作し、一従来例と本実施の形態とのＣＭＰ方法で回路基材２００を処理したところ、図３に示すように、従来の手法では導電体２０５の多大なエロージョンやディシングが発生するが、本案の手法では導電体２０５のエロージョンやディシングを充分に削減できることが確認された。
【００７３】
さらに、一従来例と本実施の形態とのＣＭＰ方法で回路基材２００を処理してダマシン配線の電気抵抗を測定したところ、あるパターンの回路基材２００では、図４（ａ）に示すように、従来の手法でＣＭＰ処理するとダマシン配線の層抵抗の分布幅が大きいが、同図（ｂ）に示すように、本案の手法でＣＭＰ処理するとダマシン配線の層抵抗の分布幅が小さくなることが確認された。同様に、他のパターンの回路基材２００でも、図５に示すように、従来の手法より本案の手法の方がダマシン配線の層抵抗分布が一定となることが確認された。
【００７４】
なお、本発明は上記形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で各種の変形を許容する。例えば、上記形態では従来のＣＭＰ装置１００の第一研磨ユニット１１１に処理供給機構４１２を追加し、その第一研磨ユニット４１１が回路基材２００の導電層２０５の研磨と第一洗浄と清浄化と第二洗浄とを連続に実行することを例示した。
【００７５】
しかし、図６に例示するＣＭＰ装置３００のように、第一研磨ユニット３０１と第一洗浄ユニット３０２と第二研磨ユニット３０３と第二洗浄ユニット３０４とを洗浄乾燥ユニット１１３とともに線形に配列することも可能である。このＣＭＰ装置３００では、第一第二研磨ユニット３０１，３０３は、パッド部材１２０と研磨供給機構１２１とで回路基材２００を研磨し、第一第二洗浄ユニット３０２，３０４は、ブラシ機構３１１，３１２とリンス供給機構１２２，１３２とで回路基材２００を洗浄する。
【００７６】
ただし、その第一洗浄ユニット３０２には処理供給機構４１２が設けられているので、図７に示すように、その第一洗浄ユニット（図示せず）で回路基材２００の第一洗浄と清浄化と第二洗浄とを連続に実行する。この場合も回路基材２００の清浄化を第一第二洗浄とともに一個の第一洗浄ユニットで実行できるので、装置の構造が簡単で装置の全体が大型化することがなく、第一洗浄と清浄化と第二洗浄とを連続に実行できるので、ＣＭＰ処理を簡単かつ迅速に実行することができる。
【００７７】
また、図６に例示したＣＭＰ装置３００の処理供給機構４１２を第一洗浄ユニット３０２でなく第一研磨ユニット３０１に設け、図８に示すように、第一洗浄ユニット３０２で第一洗浄された回路基材２００を第一研磨ユニット（図示せず）まで再度移動させて清浄化を実行し、この清浄化された回路基材２００を第一洗浄ユニット３０２まで再度移動させて第二洗浄することも不可能ではない。
【００７８】
さらに、図９に示すＣＭＰ装置５００のように、ブラシ部材５０１と処理供給機構４１２からなる専用の清浄化ユニット５０２を、図１３に例示したＣＭＰ装置１００に追加し、図１０に示すように、第一研磨ユニット１１１で研磨および第一洗浄された回路基材２００を清浄化ユニット５０２で清浄化および第二洗浄することも可能である。
【００７９】
同様に、図１１に示すＣＭＰ装置６００のように、図６に例示したＣＭＰ装置３００から処理供給機構４１２を除外して専用の清浄化ユニット５０２を追加し、図１２に示すように、第一研磨ユニット３０１で研磨されて第一洗浄ユニット３０２で第一洗浄された回路基材２００を清浄化ユニット５０２で清浄化し、この清浄化された回路基材２００を第一洗浄ユニット３０２まで再度移動させて第二洗浄することも不可能ではない。
【００８０】
また、上記形態では導電体２０５が研磨されてリンス液で第一洗浄された回路基材２００を処理液で清浄化してからリンス液で第二洗浄することを例示したが、その第一洗浄を省略することも可能である。その場合、上述したＣＭＰ装置６００ならば、第一洗浄ユニット３０２と清浄化ユニット５０２との配列を逆転させ、清浄化された回路基材２００を一度だけ洗浄すれば良い。
【００８１】
さらに、上記形態では導電体２０５とバリア膜２０４との研磨の両方を、ウレタンパッドからなるパッド部材１２０，１３０とスラリーからなる研磨液との組み合わせで実行することを例示したが、例えば、導電体２０５の研磨のみ固定砥粒からなるパッド部材とケミカル溶液からなる研磨液との組み合わせで実行することも可能である。
【００８２】
また、上記形態では動作制御装置４０２のＲＡＭ４２４等にソフトウェアとして格納されている制御プログラムに従ってＣＰＵ４２１が動作することにより、ＣＭＰ装置４００の各種機能として各種手段が論理的に実現されることを例示した。しかし、このような各種手段の各々を固有のハードウェアとして形成することも可能であり、一部をソフトウェアとしてＲＡＭ４２４等に格納するとともに一部をハードウェアとして形成することも可能である。
【００８３】
【発明の効果】
本発明のＣＭＰ装置によるＣＭＰ方法では、従来と同様に、研磨液を供給しながら回路基材の導電体をバリア膜が露出するまで研磨してから、そのバリア膜を研磨液を供給しながら層間膜が露出するまで研磨するが、従来とは相違して、導電体を研磨してからバリア膜を研磨するまでに回路基材の表面を処理液を供給しながら清浄化することにより、
導電体と研磨液との反応により錯体が発生して回路基材の表面に付着しても、これをバリア膜の研磨以前に除去することができるので、錯体の付着に起因したダマシン配線のエロージョンやディシングを防止することができる。
【００８４】
また、上述のような発明の他の態様としては、回路基材の清浄化が導電体の研磨や洗浄などとともに同一のパッド部材で実行されることにより、
パッド部材に圧接させた回路基材を移動させることなく、研磨や清浄化や洗浄を連続に実行することができるので、ＣＭＰ処理を迅速に実行することができ、清浄化のために専用の部材を追加する必要もないので、ＣＭＰ装置の構造を簡単とすることができる。
【００８５】
また、回路基材の清浄化が洗浄とともにブラシ部材で実行されることにより、ブラシ部材に接触させた回路基材を移動させることなく、清浄化と洗浄とを連続に実行することができるので、ＣＭＰ処理を迅速に実行することができ、清浄化のために専用の部材を追加する必要もないので、ＣＭＰ装置の構造を簡単とすることができる。
【００８６】
また、回路基材に圧接される一個のパッド部材の圧力が作業内容により調節されることにより、
回路基材の研磨と清浄化と洗浄との三つの作業を一個のパッド部材で適切に実行することができる。
【００８７】
また、導電体がＣｕからなり、研磨液は有機化合物が含有されており、処理液がアンモニア水からなり、リンス液が純水からなることにより、
有機化合物とＣｕとの反応によりＣｕ有機物の錯体が発生して回路基材の表面に付着するが、これをアンモニア水からなる処理液での清浄化により良好に除去することができ、この処理液や除去された錯体などは純水からなるリンス液での洗浄により良好に除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の一形態のＣＭＰ装置によるＣＭＰ方法を示す模式図である。
【図２】ＣＭＰ装置の全体構造を示すブロック図である。
【図３】本案と従来とのＣＭＰ方法による導電体のエロージョンやディシングを示す特性図である。
【図４】本案と従来とのＣＭＰ方法によるダマシン配線の層抵抗分布を示す特性図である。
【図５】本案と従来とのＣＭＰ方法によるダマシン配線の層抵抗分布を示す特性図である。
【図６】第一の変形例のＣＭＰ装置を示すブロック図である。
【図７】第一の変形例のＣＭＰ方法を示す模式図である。
【図８】第二の変形例のＣＭＰ方法を示す模式図である。
【図９】第三の変形例のＣＭＰ装置を示すブロック図である。
【図１０】第三の変形例のＣＭＰ方法を示す模式図である。
【図１１】第四の変形例のＣＭＰ装置を示すブロック図である。
【図１２】第四の変形例のＣＭＰ方法を示す模式図である。
【図１３】第一の従来例のＣＭＰ装置を示すブロック図である。
【図１４】第一研磨ユニットの内部構造を示す斜視図である。
【図１５】ＣＭＰ処理される回路基材を示す工程図である。
【図１６】第一の従来例のＣＭＰ方法を示す模式図である。
【図１７】ＣＭＰ処理で不良が発生した回路基材を示す工程図である。
【符号の説明】
１２０，１３０    パッド部材
１２１，１３１    研磨供給機構
１２２，１３２    リンス供給機構
２００    回路基材
２０１    回路基板
２０２    層間膜
２０３    凹溝
２０４    バリア膜
２０５    導電体
３１１，３１２，５０１    ブラシ部材
３００，４００，５００，６００    ＣＭＰ装置
４１２    処理供給機構
【図１】
0003563342.tif 000002
【図２】
0003563342.tif 000003
【図３】
0003563342.tif 000004
【図４】
0003563342.tif 000005
【図５】
0003563342.tif 000006
【図６】
0003563342.tif 000007
【図７】
0003563342.tif 000008
【図８】
0003563342.tif 000009
【図９】
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【図１０】
0003563342.tif 000011
【図１１】
0003563342.tif 000012
【図１２】
0003563342.tif 000013
【図１３】
0003563342.tif 000014
【図１４】
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【図１５】
0003563342.tif 000016
【図１６】
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【図１７】
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