(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
描画用試料が載置されるステージの移動量を測定する測定手段と、
前記ステージの移動量を位置データに変換する変換手段と、
前記位置データにもとづいて、前記試料に対する電子ビームの照射位置を制御する制御手段と、
前記位置データに対応させて、前記ステージの可動範囲内で複数に区切られた小領域ごとに設定される、前記測定手段の測定結果に含まれる非線形誤差成分の振幅量および位相量に対応する補正量データを、あらかじめ記憶する第１の記憶手段と、
前記位置データおよび前記補正量データに対応させて、前記位置データにおける非線形誤差成分をキャンセルするためのキャンセル用データをあらかじめ記憶する第２の記憶手段と、
前記キャンセル用データを用いて、前記制御手段に与える前記位置データを補正する補正手段と
を具備したことを特徴とする電子ビーム描画装置。
【請求項２】
前記測定手段は、レーザ干渉光学系であることを特徴とする請求項１に記載の電子ビーム描画装置。
【請求項３】
前記位置データは、前記レーザ干渉光学系による測定結果を、測定波長の整数分の１の単位で量子化したデジタル値であることを特徴とする請求項１または２に記載の電子ビーム描画装置。
【請求項４】
前記位置データの上位ビットは前記ステージの可動範囲内で複数に区切られた前記小領域の位置を表し、下位ビットは前記測定波長の整数分の１の距離を表すことを特徴とする請求項３に記載の電子ビーム描画装置。
【請求項５】
前記第２の記憶手段は、前記小領域ごとの前記キャンセル用データを、少なくとも１周期分の非線形誤差を含む非線形誤差形状をもつキャンセル用データ群として、あらかじめ記憶するものであることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の電子ビーム描画装置。
【請求項６】
前記第２の記憶手段は、前記第１の記憶手段に記憶されている前記振幅量に対応する補正量データをもとに前記キャンセル用データ群の１つを選択でき、前記第１の記憶手段に記憶されている前記位相量に対応する補正量データと前記位置データの下位ビットとにもとづいて、選択した前記キャンセル用データ群より１つのキャンセル用データを読み出すことができるように構成されてなることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の電子ビーム描画装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、電子ビーム描画装置に関するもので、特に、パターンの描画位置精度の向上を図った荷電ビーム描画装置のフィードバック制御に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体ウェハやマスク基板などの試料上に微細パターンを描画する技術として、荷電ビーム描画装置が用いられている。この荷電ビーム描画装置において、試料上に所望のパターンを形成するにあたり、電子ビームを高速かつ高精度に偏向制御できる範囲は通常１ｍｍ角程度と限られている。このことから、試料上の全面にわたって繰り返しパターンを形成するためには、逐次、試料を移動させながら描画する方法がとられている。
【０００３】
荷電ビーム描画装置には、ステップ＆リピート型と連続描画型とがある。ステップ＆リピート型とは、パターン形成の方式として、ステージ移動、停止、描画、ステージ移動…を繰り返し行うものである。連続描画型とは、ステージの移動中に描画を行う方式のものである。
【０００４】
連続描画型の場合、ステージの移動とともにパターンを描画する位置も移動してしまう。そのため、移動中のステージの位置を高速に測定して、電子ビームによる描画位置をステージの移動分だけもとにもどす、偏向制御のためのフィードバック機構を備えている。
【０００５】
ここで、連続描画型の荷電ビーム描画装置においては、移動中のステージの位置を高速に測定するために、従来、ヘテロダイン方式のレーザ干渉光学系と干渉光の位相を位置データに変換する位相係数ボードとが用いられている。しかしながら、ステージの位置の高速測定を高精度に行おうとする場合、レーザ干渉光学系に起因する光学的非線形誤差が問題となることがあった。光学的非線形誤差については、各種の要因により発生することが論文などによって報告されており、その低減の方法に関しても各種の提案がなされている。
【０００６】
光学的非線形誤差を低減する方法としては、たとえば、発生の要因を光学的に除去する方法がある（特公平６−７４９６４号公報および特開平６−１８２１４号公報など参照）。また、ステージの位置の測定結果より、その非線形誤差成分を除去する方法（たとえば、特開平１０−１６０４０８号公報参照）などが知られている。
【０００７】
上記した、光学的非線形誤差の発生の要因を光学的に除去する方法の場合、完全には非線形誤差成分を取り除くことが困難であり、しかも、複雑な光学系を必要とする。そのため、新たな誤差発生要因を導入することになり、特に、高精度な荷電ビーム描画装置では精度の低下を招くという問題があった。一方、上記のステージの位置の測定結果より、その非線形誤差成分を除去する方法の場合、連続描画型の荷電ビーム描画装置への適用が困難であったり、また、面倒な計算が必要で処理に時間を要するため、パターンの高速描画には適さないものであった。すなわち、レーザ干渉光学系に起因する光学的非線形誤差は、多用な要因により発生する。したがって、特定の誤差発生要因をキャンセル（除去）する上述の方法では、完全に非線形誤差成分のみを高速に取り除くことが困難である。
【０００８】
特に、ステージの可動範囲内において、描画位置ごとに、光学的非線形誤差の大きさや位相が異なる場合、非線形誤差成分の除去はさらに困難な状態となる。ステージの可動範囲内において、光学的非線形誤差の大きさや位相が異なる場合としては、たとえば以下のような理由が考えられる。
【０００９】
光学的非線形誤差の発生は、ステージの移動距離に比例する位相情報をもったビート信号（メインビート信号）に、不要なビート信号（ステージの移動距離に比例しない、または、異なった係数で比例する誤差ビート信号）が混合されることに起因する場合がある。メインビート信号は、被測定対象物であるステージ上からの反射光を利用するものである。このため、ステージの移動にともなって、ステージまでの距離や角度が変動することにより、その大きさも変動する。
【００１０】
光学的非線形誤差は、このメインビート信号と誤差ビート信号との相対的な比に比例する。このことから、両者の比率が変われば、その大きさも変わることになる。また、誤差ビート信号を発生させるレーザ光の経路も、ステージの位置によって若干の変動を受ける場合があり、同様に、光学的非線形誤差の位相を変動させる要因となる。
【００１１】
ここで、誤差ビート信号の周波数は、基本的には、メインビート信号の周波数と同一である。また、メインビート信号の位相変化周期は、レーザ波長の１／ｎ（ｎは整数で、レーザ干渉光学系の構成および位相係数方式により異なる）に比例する。したがって、発生する非線形誤差成分の周期は、レーザ波長の１／ｍ（ｍは整数で、レーザ干渉光学系の構成および誤差ビート信号を発生させるレーザ光の経路による）に正確に比例することになる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
このように、従来においては、ステージの位置をレーザ干渉光学系によって測定し、その位置の測定結果によって電子ビームによる描画位置にフィードバックをかける方式の連続描画型の荷電ビーム描画装置の場合、電子ビームをステージの位置に応じて偏向制御できるものの、位置の測定結果に含まれる非線形誤差成分が直に電子ビームによる描画位置の誤差として現れることがあり、これが、精度の低下を招くという問題があった。
【００１３】
また、非線形誤差成分の大きさや位相が、ステージの移動にともなって変動しやすいという問題があった。
【００１４】
本発明は、上記の問題を解決するためになされたもので、その目的とするところは、より精度の高い電子ビーム描画装置を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本願発明の一態様によれば、描画用試料が載置されるステージの移動量を測定する測定手段と、前記ステージの移動量を位置データに変換する変換手段と、前記位置データにもとづいて、前記試料に対する電子ビームの照射位置を制御する制御手段と、前記位置データに対応させて、前記ステージの可動範囲内で複数に区切られた小領域ごとに設定される、前記測定手段の測定結果に含まれる非線形誤差成分の振幅量および位相量に対応する補正量データを、あらかじめ記憶する第１の記憶手段と、前記位置データおよび前記補正量データに対応させて、前記位置データにおける非線形誤差成分をキャンセルするためのキャンセル用データをあらかじめ記憶する第２の記憶手段と、前記キャンセル用データを用いて、前記制御手段に与える前記位置データを補正する補正手段とを具備したことを特徴とする電子ビーム描画装置が提供される。
【００１６】
この発明の電子ビーム描画装置によれば、ステージの可動範囲内に対応する非線形誤差成分のみを高速にキャンセルできるようになる。これにより、パターン形成のための描画位置の精度をより向上することが可能となるものである。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００１８】
図１は、本発明の一実施形態にかかる荷電ビーム描画装置の概略構成を示すものである。なお、ここでは、ステージの移動中にマスク基板（描画用試料）上に微細パターンを描画してマスク（レチクルともいう）を製造する、連続描画型のＥＢ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｂｅａｍ）マスク描画装置を例に説明する。
【００１９】
このＥＢマスク描画装置は、たとえば同図（ａ）に示すように、ステージ１１を有して構成されている。このステージ１１は、図示していない駆動機構により、二次元（ｘ，ｙ）方向に移動可能に設けられている。
【００２０】
上記ステージ１１上には、ガラス基板からなるマスク基板１３が搭載される。また、このマスク基板１３に対向する、上記ステージ１１の上方には電子銃１６、偏向電極１７、図示していないブランカおよびレンズなどからなる電子ビーム光学系１５が設けられている。この電子ビーム光学系１５は、上記マスク基板１３の表面に、微細パターンを描画するための電子ビームを照射するものである。この電子ビーム光学系１５は、その駆動が図示していない描画制御回路によって制御される。さらに、上記電子ビーム光学系１５の偏向電極１７は、２組設けられている（便宜上、本図面ではｘ方向の１組の偏向電極１７のみを示している）。この偏向電極１７は、電子ビームを高速かつ高精度に偏向制御するためのもので、たとえば、電子ビームの経路の四方を囲むようにして設けられている。
【００２１】
一方、このＥＢマスク描画装置には、上記偏向電極１７の駆動を制御するためのフィードバック機構２１が備えられている。すなわち、上記フィードバック機構２１は、たとえば、測定手段としての干渉光学系（レーザ干渉計）２３、変換手段としての位相係数ボード２５、および、補正回路２７を有して構成されている。このフィードバック機構２１は、上記ステージ１１の位置の測定結果（移動量）をもとに、光学的非線形誤差成分がキャンセルされた位置データを算出するもので、その詳細については後述する。
【００２２】
このフィードバック機構２１の出力段には、さらに、減算器３１および増幅器（ＡＭＰ．）３３が設けられている。減算器３１は、上記フィードバック機構２１の出力とパターンデータ発生器３５の出力との差分より、電子ビームの偏向量Δ（Δｘはｘ方向の偏向量であり、ｙ方向の偏向量はΔｙで表される）を算出するものである。増幅器３３は、上記減算器３１の出力である偏向量Δに応じて上記偏向電極１７を駆動するものである。
【００２３】
なお、上記パターンデータ発生器３５は、描画すべき微細パターンに応じたパターンデータを発生するものである。
【００２４】
ここで、電子ビームによる描画時において、マスク基板１３上における微細パターンの描画位置は、ステージ１１の移動分だけもとにもどされる（偏向制御）。すなわち、ステージ１１の移動により、マスク基板１３の表面における微細パターンの描画位置は、たとえば同図（ｂ）に示すように、図示破線で示される電子ビームにより描画されるパターンＰａの位置となる。これに対し、電子ビームの偏向制御により、マスク基板１３の表面における微細パターンの実際の描画位置は、図示実線で示される電子ビームにより描画されるパターンＰｂの位置となる。
【００２５】
図２は、上記フィードバック機構２１の構成例を示すものである。本実施形態の場合、フィードバック機構２１は、ｘ方向についてのフィードバック機構２１Ａとｙ方向についてのフィードバック機構２１Ｂとを有して構成されている。
【００２６】
すなわち、ｘ方向についてのフィードバック機構２１Ａは、たとえば、干渉光学系２３ａ、位相係数ボード２５ａ、および、補正回路２７ａからなっている。また、上記補正回路２７ａは、第１の記憶手段としてのメモリマップ２７ａ−１と、第２の記憶手段としての正弦波メモリ部２７ａ−２と、補正手段としての加算器２７ａ−３とを備えて構成されている。
【００２７】
同様に、ｙ方向についてのフィードバック機構２１Ｂは、たとえば、干渉光学系２３ｂ、位相係数ボード２５ｂ、および、補正回路２７ｂからなっている。また、上記補正回路２７ｂは、第１の記憶手段としてのメモリマップ２７ｂ−１と、第２の記憶手段としての正弦波メモリ部２７ｂ−２と、補正手段としての加算器２７ｂ−３とを備えて構成されている。
【００２８】
上記干渉光学系２３ａ，２３ｂは、たとえば、ヘテロダイン方式のレーザ干渉計であり、それぞれ、レーザ光を用いて上記ステージ１１の位置（移動量）を光学的に測定するものである。
【００２９】
上記位相係数ボード２５ａ，２５ｂは、それぞれ、上記干渉光学系２３ａ，２３ｂの出力（位置の測定結果）である干渉光の位相を位置データに変換するためのものである。上記位相係数ボード２５ａ，２５ｂより出力される位置データは、たとえば図３に示すように、測定波長の１／ｎの単位で量子化されたデジタル値として表される（ｎは整数）。
【００３０】
ここで、位置データ（この場合、ビット０−３１）のうち、上位のビットは、上記ステージ１１の可動範囲内の大まかな位置を表すもので、たとえば、最上位ビットであるビット３１は２３１×レーザ波長／ｎの距離を表す。同様に、位置データの下位ビット、たとえば、最下位ビットであるビット０は２０  ×レーザ波長／ｎの距離を表す。また、たとえば図４（ａ），（ｂ）に示すように、上記干渉光学系２３ａ，２３ｂに起因する光学的非線形誤差は、必ず、レーザ波長の１／ｍの周期で現れる（ｍは整数）。このことから、下位の数ビット（＝ｌｏｇ２  （ｎ／ｍ）で表される距離が、ちょうど非線形誤差の周期と等しくなる。なお、本実施形態の場合、位置データにおける上位ビット２１−３１は、後述するマップデータの選択に使用される。また、下位ビット０−７は、後述する正弦波データの選択に使用される。
【００３１】
上記メモリマップ２７ａ−１，２７ｂ−１は、たとえば図５（ａ）〜（ｃ）に示すように、上記ステージ１１の可動範囲内における非線形誤差成分の量（振幅データ）および位相データをマップデータ（補正量データ）として２次元状に格納するものであって、このメモリマップ２７ａ−１，２７ｂ−１からは、それぞれ、位置データの上位ビット（Ｘ，Ｙ）をアドレスとする箇所の振幅データと位相データとが読み出されるようになっている。振幅データおよび位相データはあらかじめ測定され、上記メモリマップ２７ａ−１，２７ｂ−１内のそれぞれ対応する箇所に格納される。
【００３２】
すなわち、ステージ１１の可動範囲内を、たとえば同図（ａ）に示すようなメッシュ状に区切った場合において、位置データの上位ビット３１−２１をアドレスとして用いるとすると、１メッシュ当たりの距離は２２０×レーザ波長／ｎとなる。この場合、レーザ波長を６３３ｎｍとし、ｎを１０２４とすると、１メッシュ当たりの距離は約６４８μｍとなる。
【００３３】
このように、位置データの上位ビットをステージ１１の可動範囲内の位置を特定する情報として用いることにより、非線形誤差成分の振幅データおよび位相データは、上記メモリマップ２７ａ−１，２７ｂ−１の、その上位ビットに該当する、Ｘ，Ｙ位置のメッシュ内よりメッシュ単位で読み出される。
【００３４】
なお、振幅データおよび位相データをそれぞれ８ビットのデータとして表すとすると、上記メモリマップ２７ａ−１，２７ｂ−１は、２ＭＢｙｔｅ（メガバイト）程度の容量を有するテーブルルックアップ方式のメモリにより容易に実現できる。また、上記メモリマップ２７ａ−１，２７ｂ−１内に格納される振幅データおよび位相データは、そのすべてを測定して格納するようにしてもよい。あるいは、１点または数点の非線形誤差成分を測定し、内挿（補間法）もしくは外挿（補外法）により格納することもできる。
【００３５】
上記正弦波メモリ部２７ａ−２，２７ｂ−２は、それぞれ、微小領域（たとえば、各メッシュ）内における非線形誤差１周期分の非線形誤差形状をもつ正弦波データを記憶するもので、その正弦波データを、上記メモリマップ２７ａ−１，２７ｂ−１より読み出された振幅データおよび位相データと上記位相係数ボード２５ａ，２５ｂの出力である位置データの下位数ビット（＝ｎ／ｍ）とにもとづいて読み出すようになっている。たとえば、各正弦波メモリ部２７ａ−２，２７ｂ−２内には、位置データの下位ビットが１波長周期分変化する間に、正弦波メモリ部２７ａ−２，２７ｂ−２から読み出される正弦波データも１波長周期分変化し、かつ、振幅データおよび位相データに対応して正弦波状に変化するようなデータ（正弦波データ）が、あらかじめセットされている。
【００３６】
なお、本実施形態においては、たとえば図６（ａ）に示すように、加算器２７−１を用いて、位相データと位置データの下位ビットとを加算し、その結果により、テーブルルックアップ方式のメモリ（振幅データにより選択されるテーブル）２７−２内の異なる非線形誤差形状をもつデータを読み出すようにしている。メモリ容量の削減のためには有効な構成であるが、これに限らず、直接テーブルを参照する形式として構成することなども可能である。
【００３７】
また、たとえば図６（ｂ）に示すように、メモリ２７−２の出力データを正弦波状としたが、場合によっては三角波状などの異なる形状であってもよい。さらには、位置測定結果に既に非線形誤差成分が含まれているので、正確な正弦波データを出力するためには非線形誤差成分の形状を変形させるようにしてもよい。
【００３８】
ここで、最下位ビット０がレーザ波長の１／１０２４の距離を表し、非線形誤差成分がレーザ波長の１／４の周期で現れるとする。すると、ｌｏｇ２  （１０２４／４）＝８となり、下位８ビット分のデータが非線形誤差成分の１波長周期分に相当する。このとき、ビット７−０が、正弦波データを読み出すための位置データの下位数ビットとして使用されることになる。すなわち、ビット７−０で表される範囲がちょうど非線形誤差成分の周期と一致することから、同じ範囲でテーブル内のデータが１波長周期分変化するように、あらかじめ正弦波データを格納しておく。こうすることにより、非線形誤差成分と同周期のキャンセル用データを発生させることが可能となる。
【００３９】
上記加算器２７ａ−３，２７ｂ−３は、それぞれ、上記正弦波メモリ部２７ａ−２，２７ｂ−２から読み出された正弦波データと、上記位相係数ボード２５ａ，２５ｂの出力とを加算（ここでの加算とは負数を含んだ加算の意味であり、正弦波メモリ部２７ａ−２，２７ｂ−２内のデータをあらかじめ反転しておけば加算器でよい。）し、元の位置データＸ，Ｙから非線形誤差成分に対応する正弦波状の変動がキャンセルされた補正後の位置データＸ’，Ｙ’を生成するものである。
【００４０】
ここで、位相係数ボード２５ａ，２５ｂから出力されて、非線形誤差成分がキャンセルされるまでの遅れ時間は、非常に短い。すなわち、位置データＸ，Ｙの補正に要する時間は、テーブル内から２回データを読み出し、加算（または、減算）処理を行う時間だけである。よって、クロック同期型としても３〜４クロック内での出来事にしかすぎず、また、常に一定の値となる。
【００４１】
位相係数ボード２５ａ，２５ｂそれ自体での遅れ時間（数μｓ）も含め、実際に電子ビームを照射するまでの全体の遅れ時間は、通常、１０μｓを超える値である。したがって、本実施形態の構成において、クロック周波数を１０ＭＨｚだと仮定した場合、その遅れ時間は０．３〜０．４μｓ程度の増加にしかならず、無視できる程度である。
【００４２】
次に、図７を参照して、上述した構成の、連続描画型のＥＢマスク描画装置の動作について簡単に説明する。
【００４３】
まず、ＥＢマスク描画装置のステージ１１上にマスク基板１３が載置されると、ステージ１１の移動が開始される。そして、そのステージ１１の移動中に、上記マスク基板１３上に微細パターンの描画が行われて、マスクの製造が開始される。
【００４４】
その際、上記ステージ１１の位置（Ｘ，Ｙ）が、干渉光学系２３ａ，２３ｂによって測定される。そして、その位置の測定結果は、位相係数ボード２５ａ，２５ｂへと送られる。これにより、移動中のステージ１１の位置を高速に測定して得た結果にもとづいて、電子ビームによる描画位置をステージ１１の移動分だけもとにもどしつつ、所定位置に定めるための偏向制御のフィードバック制御が行われる。
【００４５】
すなわち、位相係数ボード２５ａ，２５ｂからは、干渉光学系２３ａ，２３ｂによる上記ステージ１１の位置の測定結果を、測定波長の整数（ｎ）分の１の単位で量子化した位置データＸ，Ｙが出力される。
【００４６】
位相係数ボード２５ａ，２５ｂから出力された位置データＸ，Ｙの上位ビットは、補正回路２７に送られる。そして、位置データＸ，Ｙの上位ビットによって選択される、上記ステージ１１の可動範囲内におけるマップデータ（非線形誤差成分の振幅データおよび位相データ）が、メモリマップ２７ａ−１，２７ｂ−１内より読み出される。
【００４７】
メモリマップ２７ａ−１，２７ｂ−１内より読み出された振幅データおよび位相データは、正弦波メモリ部２７ａ−２，２７ｂ−２へと送られる。また、この正弦波メモリ部２７ａ−２，２７ｂ−２には、上記位相係数ボード２５ａ，２５ｂより位置データＸ，Ｙの下位ビットが供給される。これにより、振幅データおよび位相データと下位ビットとにもとづいて、位置データＸ，Ｙにおける非線形誤差成分をキャンセルするための、正弦波メモリ部２７ａ−２，２７ｂ−２内の正弦波データが読み出される。
【００４８】
正弦波メモリ部２７ａ−２，２７ｂ−２から読み出された正弦波データは、加算器２７ａ−３，２７ｂ−３に送られ、上記位相係数ボード２５ａ，２５ｂの出力である位置データＸ，Ｙと加算される。その結果、位置データＸ，Ｙにおける非線形誤差成分に対応する正弦波状の変動がキャンセルされる。
【００４９】
すなわち、ステージ１１の可動範囲内に対応した非線形誤差振幅および位相をもつ正弦波データを、位置の測定結果である位置データＸ，Ｙに加算することで、位置データＸ，Ｙにおける非線形誤差成分を容易にキャンセルすることができる。したがって、ステージ１１の可動範囲内の全面に対し、非線形誤差成分のキャンセルが高速で可能となる。
【００５０】
こうして、非線形誤差成分のキャンセルされた位置データＸ’，Ｙ’を用いて、電子ビームを高速かつ高精度に偏向制御するための、上記偏向電極１７の駆動が制御される。
【００５１】
上記したように、ステージの可動範囲内に対応する非線形誤差成分のみを高速にキャンセルできるようにしている。すなわち、非線形誤差成分の周期性に着目して、位置の測定結果に補正を施すようにしている。これにより、微細パターン形成のための描画位置の精度をより向上することが可能となる。したがって、より精度の高いＥＢマスク描画装置を実現し得るものである。
【００５２】
なお、本実施形態においては、連続描画型のＥＢマスク描画装置を例に用いて説明したが、これに限らず、ステップ＆リピート型にも同様に適用できる。
【００５３】
その他、本発明は、上記（各）実施形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。さらに、上記（各）実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。たとえば、（各）実施形態に示される全構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題（の少なくとも１つ）が解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果（の少なくとも１つ）が得られる場合には、その構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。
【００５４】
【発明の効果】
以上、詳述したようにこの発明によれば、より精度の高い電子ビーム描画装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態にかかる荷電ビーム描画装置の概略を、連続描画型のＥＢマスク描画装置を例に示す構成図。
【図２】同じく、図１のＥＢマスク描画装置におけるフィードバック機構の構成例を示す回路ブロック図。
【図３】同じく、位置データの一例を示す構成図。
【図４】同じく、非線形誤差について説明するために示す概略図。
【図５】同じく、図２のフィードバック機構におけるメモリマップの一構成例を示す概略図。
【図６】同じく、図２のフィードバック機構における正弦波メモリ部の一構成例を示す概略図。
【図７】同じく、動作について説明するために示す概略図。
【符号の説明】
１１…ステージ
１３…マスク基板
１５…電子ビーム光学系
１６…電子銃
１７…偏向電極
２１…フィードバック機構
２１Ａ…ｘ方向についてのフィードバック機構
２１Ｂ…ｙ方向についてのフィードバック機構
２３，２３ａ，２３ｂ…干渉光学系
２５，２５ａ，２５ｂ…位相係数ボード
２７，２７ａ，２７ｂ…補正回路
２７ａ−１，２７ｂ−１…メモリマップ
２７ａ−２，２７ｂ−２…正弦波メモリ部
２７−１…加算器
２７−２…テーブルルックアップ方式のメモリ
２７ａ−３，２７ｂ−３…加算器
３１…減算器
３３…増幅器
３５…パターンデータ発生器
Ｘ，Ｙ…位置データ
Ｘ’，Ｙ’…位置データ（補正後）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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