(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、
第１表面を有する第１ガラス基板を提供するステップと、
前記第１表面上に突起部のパターンを有する共通線を形成するステップと、
前記第１表面上に透明絶縁膜を形成して、前記共通線と前記第１表面の一部分とをカバーするとともに、前記透明絶縁膜中にスリットを形成して、前記スリットと前記共通線の一部分とを交差配列させるステップと、
前記透明絶縁膜上にコンフォーマルな透明電極膜を形成して、前記透明絶縁膜および前記スリットをカバーし、画素透光領域をパターニングするステップと、
前記共通線をフォトマスクとして裏面露光を行って、前記透明電極膜上に突起部を形成し、前記突起部と前記共通線の一部分との面積を重ね合わせるとともに、前記突起部と前記スリットとを交差配列させるステップと、
第２ガラス基板を提供して、前記第１ガラス基板と平行に配置し、組み合わせて貼り合わせ、前記突起部および前記スリットを前記第１ガラス基板ならびに前記第２ガラス基板間に位置させるステップと、
前記第１ガラス基板および前記第２ガラス基板間に液晶層を形成するステップと
を最具備する広視野角液晶ディスプレイの製造方法。
【請求項２】
少なくとも、
第１表面を有する第１ガラス基板を提供するステップと、
前記第１表面上に突起部のパターンを有する共通線を形成するステップと、
前記第１表面上に透明絶縁膜を形成して、前記共通線と前記第１表面の一部分とをカバーするステップと、
前記透明絶縁膜上にデータ線を形成して、前記データ線の一部分と前記共通線の一部分との面積を重ね合わせるステップと、
前記透明絶縁膜上に透明保護膜を形成して、前記データ線と前記データ線の一部分とをカバーするとともに、前記透明保護膜中にスリットを形成して、前記スリットと面積が重なった前記共通線の一部分と前記データ線の一部分とを交差配列させるステップと、
前記透明保護膜上にコンフォーマルな透明電極膜を形成して、前記透明保護膜および前記スリットをカバーし、画素透光領域をパターニングするステップと、
前記共通線および前記データ線をフォトマスクとして裏面露光を行って、前記透明電極膜上に突起部を形成し、前記突起部と重なった前記共通線の一部分と前記データ線の一部分との面積を重ね合わせるとともに、前記突起部と前記スリットとを交差配列させるステップと、
第２ガラス基板を提供して、前記第１ガラス基板と平行に配置し、組み合わせて貼り合わせ、前記突起部および前記スリットを前記第１ガラス基板ならびに前記第２ガラス基板間に位置させるステップと、
前記第１ガラス基板および前記第２ガラス基板の間に液晶層を形成するステップと
を具備する広視野角液晶ディスプレイの製造方法。
【請求項３】
上記裏面露光が、紫外線を使用するものである請求項１〜２のいずれか１項記載の広視野角液晶ディスプレイの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、広視野角（ｗｉｄｅ−ｖｉｅｗｉｎｇ  ａｎｇｌｅ  ＝  ＷＶＡ）液晶ディスプレイ（ｌｉｑｕｉｄ  ｃｒｙｓｔａｌ  ｄｉｓｐｌａｙ＝ＬＣＤ）とその製造方法に関し、特に、広視野角の多領域垂直配向方式（ｍｕｌｔｉ−ｄｏｍａｉｎ  ｖｅｒｔｉｃａｌ  ａｌｉｇｎｍｅｎｔ＝ＭＶＡ）薄膜トランジスター（ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ＝ＴＦＴ）液晶ディスプレイとその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶ディスプレイは、高画質で体積が小さく軽量であり、低電圧駆動かつ低エネルギー消耗、その応用範囲の広さなどの長所を有しているので、中小型携帯テレビ、携帯電話、ビデオカメラ、ノート型パソコン、デスクトップ型ディスプレイ、投影テレビ等の電気製品あるいはコンピューター製品などに広く応用されており、次第に陰極線管（ｃａｔｈｏｄｅ  ｒａｙ  ｔｕｂｅ＝ＣＲＴ）に取って変わり、ディスプレイの主流となっている。しかし、液晶ディスプレイは、視角範囲が狭く、価格が高いなどの問題があったため、その視角範囲をどのようにして増大させるかが、重要な課題となっている。
【０００３】
従来、すでに多くの広視野角液晶ディスプレイの提案がなされているが、そのなかで最もよく採用されている技術は、画素分割法、つまり領域自動分割（ａｕｔｏｍａｔｉｃ  ｄｏｍａｉｎ  ｆｏｒｍａｔｉｏｎ＝ＡＤＦ）技術である。画素（ｐｉｘｅｌ）中の液晶分子配向（ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ）を制御することにより、単一画素を数個の領域に分割して、異なる領域の液晶分子長軸（ｄｉｒｅｃｔｏｒ）にそれぞれ特定の傾斜方向を持たせることで、液晶ディスプレイの視角範囲を増大させるものである。
【０００４】
図（Ａ）（Ｂ）において、従来技術にかかる多領域垂直配向方式液晶ディスプレイの操作原理を示すが、日本の富士通株式会社（Ｆｕｊｉｔｓｕ  Ｌｔｄ．）により１９９８年に開示されたものである。図１（Ａ）は、電場が無印加あるいは印加電場が臨界値を越えない時の液晶ディスプレイの状態を示す説明図である。図中、カラーフィルター（ｃｏｌｏｒ  ｆｉｌｔｅｒ＝ＣＦ）を有するガラス基板１００と、薄膜トランジスター膜を有するガラス基板１０２とが互いに平行で、突起部（ｐｒｏｔｒｕｓｉｏｎ）１０４と突起部１０６とが、それぞれガラス基板１００およびガラス基板１０２の内側表面に位置しており、ネガ型（ｎｅｇａｔｉｖｅ  ｔｙｐｅ）液晶分子１０８が、垂直配向方式（ｖｅｒｔｉｃａｌ  ａｌｉｇｎｍｅｎｔ＝ＶＡ）により、ガラス基板１００とガラス基板１０２との間に設けられて、液晶層１１０を構成している。突起部１０４および突起部１０６近くの液晶分子１０８は、突起部１０４および突起部１０６の影響によって特定傾向を有するので、プリ・チルト（ｐｒｅ−ｔｉｌｔ）現象を発生させる。
【０００５】
図１（Ｂ）において、印加電場が臨界値を超えた時、ネガ型液晶分子１０８が電場作用により、方向を変化させて配向（ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ）し、分子長軸（ｄｉｒｅｃｔｏｒ）と電場方向とが互に垂直となる。液晶層１１０中の液晶分子１０８の一部分が、プリ・チルト状態を呈し、突起部１０４および突起部１０６近くで電場が不均一となるフリンジ・フィールド効果（ｆｒｉｎｇｅ  ｆｉｅｌｄ  ｅｆｆｅｃｔ）により、同一の画素内において、突起部の両側に位置する液晶分子が異なる方向に傾斜させられるので、異なる分子配列を有するものとなる。従って、画素中の突起部１０４および突起部１０６によって、２つ以上の領域に分割でき、多領域（ｍｕｌｔｉ−ｄｏｍａｉｎ）を形成するので、液晶ディスプレイの視角を改善することができる。
【０００６】
図２において、従来技術にかかる多領域垂直配向方式の液晶ディスプレイを示すと、図２（Ｂ）中、平行なガラス基板２００とガラス基板２０２を有し、液晶層２０４がガラス基板２００およびガラス基板２０２間に位置している。図１（Ａ）と同様に、上方のガラス基板２００の内側表面に突起部２０６が設けられており、透明電極膜２０８が下方のガラス基板２０２の内側表面に位置している。透明電極膜２０８中にはスリット（ｓｌｉｔ）２１０が設けられており、突起部２０６とスリット２１０とが互いに交差配列されている。スリット２１０の作用と突起部の効果とは同等で、バーチャル突起部（ｖｉｒｔｕａｌ  ｐｒｏｔｒｕｓｉｏｎ）となっている。
【０００７】
図２（Ａ）において、単一画素において、透明電極膜２０８の周縁には、さらにデータ線（ｄａｔａ  ｌｉｎｅ）２１２および走査線（ｓｃａｎ  ｌｉｎｅ）２１４を有し、薄膜トランジスター（ＴＦＴ）２１８を構成するソース２１８ａとゲート２１８ｃとに接続され、薄膜トランジスター２１８のドレイン２１８ｂが、さらに、透明電極膜２０８と相互接続されている。制御信号は、データ線２１２および走査線２１４により伝送され、それぞれ各画素中の薄膜トランジスター２１８のソース２１８ａならびにゲート２１８ｃに印加され、能動マトリクス駆動方式で各画素中の液晶状態を制御することにより、画像表示の目的を達成している。蓄積キャパシター（ｓｔｏｒａｇｅ  ｃａｐａｃｉｔｏｒ＝ＣＳ）となる電極の共通線（ｃｏｍｍｏｎ  ｌｉｎｅ）２１６は、下方のガラス基板２０２と透明電極膜２０８との間に位置し、かつ透明電極膜２０８の中間領域を通過している。同一画素中で、異なるガラス基板の内側表面において、互いに交差配列された突起部２０６およびスリット２１０によって、画素を４種類の領域に分割することで、液晶ディスプレイの視角範囲を増大させている。
【０００８】
前述した突起部の形成は、スピンコーティング（ｓｐｉｎ  ｃｏａｔｉｎｇ）法により基板表面にフォトレジスト（ｐｈｏｔｏ  ｒｅｓｉｓｔ＝ＰＲ）材料を塗布してから、フォトマスク（ｐｈｏｔｏ  ｍａｓｋ）を使用してフォトリソグラフィー（ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）などのステップを行って、突起部の作製を完成するため、余分なフォトマスクを使用しなければならず、フォトマスク工程が増えてしまう。もしも上下のガラス基板表面上にそれぞれ突起部を形成する必要がある場合には、２つのフォトマスク工程を増やす必要がある。しかし、前述の方法により突起部を作製する時には、突起部の均一性（ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）およびその全体のピッチ（ｐｉｔｃｈ）をコントロールするのが比較的困難なものとなる。
【０００９】
基板を組み立てて貼り合わせる時、先に上下のガラス基板の位置を合わせなければならない。上下のガラス基板がそれぞれ突起部を有する、あるいは、それぞれ突起部およびスリットを有するので、上下のガラス基板がミスアライメント（ｍｉｓａｌｉｇｎｍｅｎｔ）となった時、その輝度に悪い影響を与えるものとなり、甚だしくは液晶ディスプレイモジュール全体が使い物にならなくなってしまうため、基板の貼り合わせを行う時のプロセス許容範囲（ｐｒｏｃｅｓｓ  ｗｉｎｄｏｗ）が更に小さなものとなる。また、基板上の突起部およびスリット上方の電場が他の透明電極膜部分より弱いため、その上の液晶分子が、画素電圧の増大によりシフトせずに、その部分が常時暗い部分となってしまう、すなわち、突起部およびスリットが画素内の透光面積を占用して黒色領域を形成することになってしまうので、画素の開口率（ａｐｅｒｔｕｒｅ  ｒａｔｉｏ）が低下するとともに、画素の光効率に悪い影響を与えるものとなる。
【００１０】
薄膜トランジスター液晶ディスプレイにおいては、透明ガラス基板上に不透光である金属電極を設けているが、中華民国（台湾）の工業技術研究院・電子工業研究所は、この構造を利用してセルフアライン（ｓｅｌｆ  ａｌｉｇｎｅｄ）のフォトマスクとし、裏面露光（ｂａｃｋ−ｓｉｄｅ  ｅｘｐｏｓｕｒｅ＝ＢＳＥ）方式により多領域垂直配向方式液晶ディスプレイを作製している。図３（Ａ）〜（Ｄ）において、そのような従来技術にかかる裏面露光工程を示している。
【００１１】
図３（Ａ）において、先ず表面に不透光の金属電極３０２を有するガラス基板３００を提供するとともに、ガラス基板３００の正面にフォトレジスト膜３０４を塗布して、金属電極３０２とガラス基板３００とをカバーする。次に、図３（Ｂ）のように、金属電極３０２をフォトマスクとして、紫外線（ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ＝ＵＶ）を使用してガラス基板３００の裏面から照射して、全面的な露光を行うことで、余分なフォトマスクを使用しないものとしている。フォトレジスト膜３０４が、もしもポジ型フォトレジスト（ｐｏｓｉｔｉｖｅ  ｔｙｐｅ  ＰＲ）であれば、裏面露光、現像（ｄｅｖｅｌｏｐｉｎｇ）、ベーキング（ｂａｋｉｎｇ）などのステップを経て、図３（Ｃ）のように、ガラス基板３００表面に金属電極３０２をカバーする突起部３０６を形成する。もしもフォトレジスト膜３０４がネガ型フォトレジスト（ｎｅｇａｔｉｖｅ  ｔｙｐｅ  ＰＲ）であれば、裏面露光、現像、ベーキングなどのステップを経て、図３（Ｄ）のように、フォトレジスト膜３０４中にスリット３０８を形成するとともに、金属電極３０２を露出させる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
この種の多領域垂直配向方式液晶ディスプレイは、バスライン（ｂｕｓ  ｌｉｎｅ）を裏面露光のフォトマスクにすることにより、余分なフォトマスクを使用する必要がないため、フォトマスク工程を１つ減らすことができる。しかしながら、バスラインが画素周縁に配置されるとともに、グリッド（ｇｒｉｄ）状のレイアウトであるために、突起部がバスラインの位置に制約されて、画素周縁だけにしか形成することができなかったので、画素内の液晶分子の配列方向を正確に制御することができず、画像を表示する時、画素表示領域内で暗い縞（しま）模様を発生させてしまい、画素全体の透光率（ｔｒａｎｓｍｉｔｔａｎｃｅ）を低下させて、光効率を悪化させるものとなっていた。
【００１３】
そこで、この発明の目的は、裏面露光技術を利用してセルフアラインな突起部を形成して、広視野角液晶ディスプレイを作製し、余分なフォトマスクを使用する必要がない、広視野角液晶ディスプレイとその製造方法を提供することにある。また、配線レイアウト（ｌａｙｏｕｔ）方式により突起部と蓄積キャパシターの電極面積を重ね合わせることで、画素透光領域を増大させ、画素の輝度および開口率ならびに光効率を向上させて、液晶ディスプレイの応答時間ならびに表示特性を改善するものである。さらに、同一基板上に必要な突起部およびスリットを作製することで、プロセス許容範囲を大きくし、製造コストを削減するとともに、製品の歩留まりを向上させるものである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
この発明にかかる広視野角液晶ディスプレイは、少なくとも、第１表面を有する第１ガラス基板と、第１表面上に配置され、突起部のパターンを有する共通線と、第１ガラス基板上に配置され、共通線と第１表面の一部分とをカバーする透明絶縁膜と、透明絶縁膜上に配置され、画素透光領域をパターニングする透明電極膜と、透明電極膜上に配置され、共通線の面積と部分的に重なる第１突起部と、第２表面を有して、第１ガラス基板と平行に配置され、第１表面および第２表面を第１ガラス基板との間に位置させる第２ガラス基板と、第１ガラス基板ならびに第２ガラス基板間に配置された液晶層とから構成されるものである。
【００１５】
この発明にかかる広視野角液晶ディスプレイの製造方法は、少なくとも、第１表面を有する第１ガラス基板を提供するステップと、第１表面上に突起部のパターンを有する共通線を形成するステップと、第１表面上に透明絶縁膜を形成して、共通線と第１表面の一部分とをカバーするステップと、透明絶縁膜上に透明電極膜を形成して、画素透光領域をパターニングするステップと、共通線をフォトマスクとして裏面露光を行って、透明電極膜上に第１突起部を形成し、第１突起部と共通線の一部分との面積を重ね合わせるステップと、第２ガラス基板を提供して、第２ガラス基板上に第２突起部を形成するとともに、第２突起部のパターンを第１突起部に対応させるステップと、第１ガラス基板と第２ガラス基板とを平行に配置してから、組み合わせて貼り合わせ、第１突起部および第２突起部を第１ガラス基板ならびに第２ガラス基板間に位置させ、かつ第２突起部と第１突起部とを交差配列させるステップと、第１ガラス基板および第２ガラス基板間に液晶層を形成するステップとから構成されるものである。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、この発明にかかる好適な実施形態を図面に基づいて説明する。
＜第１実施形態＞
図４〜５は、第１実施形態を示す側面図、図６〜１０は、同じく第１実施形態を示す平面図である。図４（Ａ）において、先ず第１表面４０４を有する第１ガラス基板４００を提供するとともに、薄膜スパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）、フォトリソグラフィー、エッチングを行って、第１表面４０４上に共通線４０８を形成し、蓄積キャパシターの電極とする。共通線４０８を配線レイアウト方式により形成して、特殊なパターンを有するものとし、その材質を金属などの導電材料とする。
【００１７】
図４（Ａ）に対応する図６（Ａ）において、単一の画素領域内で、特殊パターンを有する共通線４０８を配線レイアウト方式により形成するが、共通線４０８には、共通線４０８ａと共通線４０８ｂとが含まれる。共通線４０８ａは、画素の中間領域を通過するものであり、共通線４０８ｂは、突起部を後に形成したい他の部位に設けるものである。
【００１８】
図４（Ｂ）において、共通線４０８を有する第１表面４０４上で、薄膜堆積あるいは薄膜スパッタリング、フォトリソグラフィー、エッチングなどを行って、必要な透明絶縁膜４１０および透明電極膜４１２を順番に形成し、共通線４０８と第１表面４０４の一部分とをカバーする。透明電極膜４１２は、既にパターニングされた形状を有しているので、画素中の透光領域が透明電極膜４１２によりパターニングされる。透明絶縁膜４１０を形成する方法は、例えば化学気相成長（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ＝ＣＶＤ）であり、その材質を窒化ケイ素（ｓｉｌｉｃｏｎ  ｎｉｔｒｉｄｅ＝ＳｉＮＸ）等とする。透明電極膜４１２を透明絶縁膜４１０上に設けて重ね合わせるが、透明電極膜４１２の材質をインジウム錫酸化物（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ＝ＩＴＯ）等とし、例えばスパッタリング法により透明電極膜４１２を形成して、必要な透明導電薄膜とする。
【００１９】
図４（Ｂ）に対応する図７（Ｂ）において、単一の画素領域内で、共通線４０８ａが透明電極膜４１２の中間領域を通過しており、共通線４０８ａの一部分を透明電極膜４１２がカバーしている。共通線４０８ｂは、突起部を形成したい部位に設けるものであり、透明電極膜４１２によりカバーされている。従って、共通線４０８ａの一部分と共通線４０８ｂ全体とが、透明電極膜４１２の領域内に配置される。
【００２０】
図４（Ｃ）において、、透明電極膜４１２上にフォトレジストを塗布してから、第１ガラス基板４００の裏面へ紫外線などの光源を提供するが、不透光の共通線４０８をセルフアライメントのフォトマスクとして裏面露光を行って、透明電極膜４１２上に第１突起部４１４を形成して、第１突起部４１４の位置ならびに面積を共通線４０８と上下に重ね合わせる。従って、第１突起部４１４と共通線４０８とが、いずれも透明電極膜４１２領域内に配置される。
【００２１】
図４（Ｃ）に対応する図８（Ｃ）において、単一の画素領域内で、第１突起部４１４が、透明電極膜４１２と共通線４０８ａおよび共通線４０８ｂとの上に配置されるとともに、この平面図が示すように、共通線４０８ａと共通線４０８ｂとが第１突起部４１４により遮蔽され、両者が占める面積は上下に重なり合っている。第１突起部４１４を形成する時、共通線４０８をフォトマスクとして、裏面露光などを行って作製を完了する。
【００２２】
ここで、図６において、裏面露光による突起部および共通線の要部断面図を示すと、一例をあげて説明すれば、ガラス基板６００上を利用して、断面が台形で、上辺が約１７．８ｍｍ（ｍｉｌｌｉｍｅｔｅｒ＝ｍｍ）、底辺が約２３．０ｍｍ、高さが約０．６ｍｍ、斜角６０４が約１３度の金属共通線６０２を裏面露光のフォトマスクとする。次に、スピンコーティング法により金属共通線６０２上をフォトレジスト材料でカバーしてから、紫外線で裏面露光を行った後、現像およびベーキング等により突起部６０６を形成する。フォトレジスト材料に使用する原料を東京応化工業製のＴＯＫ−ＴＦＲ−Ｈ（７ＣＰ）とする。実験結果から分かることは、フォトレジスト液中の原料濃度が比較的大きい時、突起部Ａを形成し、フォトレジスト液中の原料濃度が比較的小さい時にも突起部Ｂを形成するが、金属共通線および突起部Ａならびに突起部Ｂの斜角がそれぞれ異なていることである。そこで、フォトレジスト液の配合およびフォトレジストの厚さなどのパラメータを変更することにより、突起部の斜角を調整して、金属共通線より大きくあるいは小さくして、必要な断面輪郭を得ることができる。従って、突起部６０６の斜角６０８の範囲を約１度から８９度とするこおとができる。共通線と突起部Ａと突起部Ｂとの断面輪郭のパラメータは、表１の通りである。
【００２３】
【表１】
0003599663.tif 000002
【００２４】
図４（Ｄ）において、第２表面４０６を有する第２ガラス基板４０２を提供して、第２表面４０６上にカラーフィルター膜４１６ａおよび透明導電膜４１６ｂを順番に形成するので、以下ではカラーフィルター膜４１６ａと透明導電膜４１６ｂとを合わせてカラーフィルター膜４１６と呼ぶ。次に、カラーフィルター膜４１６上にフォトレジストを塗布して、フォトリソグラフィーなどを行い、カラーフィルター膜４１６上に第２突起部４１８を形成する。第２突起部４１８のレイアウトと第１ガラス基板上の第１突起部とは互いに対向するが、両者の画素領域内の位置は重なり合わないものとなっている。
【００２５】
図４（Ｄ）に対応する図９（Ｄ）において、第２突起部４１８は、カラーフィルター膜４１６上に位置し、この平面図から分かるように、透明電極膜４１２領域周縁と第１突起部の位置とが隣り合い、第２突起部４１８が、さらに延伸された突起部突出ウイング（ｐｒｏｔｒｕｓｉｏｎ  ｗｉｎｇ）４１８ａを有して、液晶分子が透明電極膜４１２の領域周縁で傾斜方向のエラーを発生させることを防止する。
【００２６】
図５（Ｅ）において、第１ガラス基板４００および第２ガラス基板４０２の表面にそれぞれ第１配向膜４２６と第２配向膜４２８とを形成して、第１配向膜４２６が、第１突起部４１４と透明電極膜４１２とをカバーし、第２配向膜４２８が、第２突起部４１８とカラーフィルター膜４１６中の透明導電膜４１６ｂとをカバーする。次に、第１ガラス基板４００と第２ガラス基板４０２とを平行に配列して組合せ貼り合わせ、第１突起部４１４と第２突起部４１８とを互いに対向させて上下に交差配列してから、液晶材料を第１ガラス基板４００ならびに第２ガラス基板４０２間に封入して液晶層４２０を形成し、広視野角液晶ディスプレイの作製を完成するが、液晶層４２０を形成する液晶材料には、ネガ型誘電係数異方性液晶（ｎｅｇａｔｉｖｅ  ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ  ａｎｉｓｏｔｒｏｐｙ  ＬＣ）を含むものとする。
【００２７】
従って、この発明の広視野角液晶ディスプレイにおいては、第１表面４０４を有する第１ガラス基板４００と第２表面４０６を有する第２ガラス基板４０２とを互いに平行に配列し、第１表面４０４と第２表面４０６とを対向させている。液晶層４２０が、第１ガラス基板４００および第２ガラス基板４０２間に配置される、つまり第１表面４０４ならびに第２表面４０６間に位置している。第１表面４０４上に共通線４０８が設けられ、第２表面４０６上にはカラーフィルター膜４１６が設けられる。また、第１ガラス基板４００上には、透明絶縁膜４１０および透明電極膜４１２が設けられて、共通線４０８をカバーしている。第１突起部４１４と第２突起部４１８とが、それぞれ透明電極膜４１２およびカラーフィルター膜４１６上に位置するとともに、第１配向膜４２６ならびに第２配向膜４２８によってカバーされ、第１突起部４１４の位置と面積とが共通線４０８と重なり合い、第１突起部４１４と第２突起部４１８とが互いに上下に交差配列されている。
【００２８】
図５（Ｅ）に対応する図１０（Ｅ）において、単一の画素領域内で、第１突起部４１４と第２突起部４１８とが互いに上下に交差配列されて、単一画素を２種類以上の領域に分割することにより、広視野角ディスプレイの目的を達成する。また、透明電極４１２の周縁にデータ線４２２と走査線４２４とを配置して、それぞれ薄膜トランジスター素子（ここでは図示せず。例えば、図２（Ａ）の符号２１８を参照）と接続している。
【００２９】
突起部およびスリットならびに蓄積キャパシター電極となる共通線などは、いずれも不透光であるため、この発明では、突起部の作製に必要なフォトマスク形式に基づいて、共通線４０８ｂを画素領域内の適切な位置にレイアウトするものである。次に、共通線４０８をセルフアライメントのフォトマスクとして、全面的な裏面露光を行って、透明電極膜４１２上に第１突起部４１４を形成し、余分なフォトマスクを使用する必要性をなくしたため、使用するフォトマスクの数が従来技術より少ないか同じとなって、製造コストを下げ、歩留まりを向上させることができる。
【００３０】
しかも、この発明を実施する時、画素の中間領域を通過している共通線の幅を縮減するとともに、突起部を作製したい領域にその他の共通線を形成し、その他の共通線が占有する面積を中間共通線が縮小される面積と等しくすることができる。従って、蓄積キャパシターについて言えば、その電極の共通線の総面積が維持されて不変であるため、液晶ディスプレイ中で蓄積キャパシターが主導する各種動作特性には影響を受けない。例えば、図６（Ａ）中の共通線４０８ａおよび共通線４０８ｂは、画素領域内の総面積を、図２（Ａ）中の共通線２１６の画素領域内における面積に等しいものにしている。
【００３１】
従来技術において、共通線２１６の幅は２０マイクロメーター（Ｍｉｃｒｏｎ＝μｍ）から３０μｍで、スリット２１０の幅は１０μｍである。スリットおよび突起部を使用して同じ効果の電場を発生させる時、突起部が必要とする幅はスリットより小さい。そこで、この第１実施形態では、第１突起部４１４が必要とする幅をスリット２１０より小さくしているので、第１突起部４１４の共通線４０８ｂもスリット２１０より小さくパターニングしており、共通線４０８ｂの幅を約５〜１０μｍとしている。画素領域内で蓄積キャパシター電極の共通線の総面積を維持するため、共通線４０８ａが必要とする幅も従来技術の共通線２１６より小さくし、共通線４０８ａの幅を約１０〜２０μｍとしている。
【００３２】
また、第１突起部４１４と共通線４０８ｂとの位置および占有面積を上下に重ね合わせ、蓄積キャパシターの電極面積を変更しない状況で、不透光材料が画素領域中で占有する面積を減少させ、画素領域の透光面積を増大させることにより、その輝度、光効率、開口率を向上させることができる。しかし、図６（Ａ）中の共通線４０８ａの幅と図２Ａ中の共通線２１６とが同一であれば、画素領域内の透光面積は維持されて不変であり、蓄積キャパシターの電極面積が増大するので、液晶ディスプレイの応答時間および表示特性を改善することができる。
【００３３】
＜第２実施形態＞
図１２から図１８において、この発明にかかる第２実施形態を示す。図１２（Ａ）において、先ず第１表面７０４を有する第１ガラス基板７００を提供して、薄膜スパッタリング、フォトリソグラフィー、エッチングを行って、第１表面７０４上に共通線７０８を形成するが、その形成方法、機能、レイアウト方式、材質は、第１実施形態と同様である。
【００３４】
図１２（Ａ）に対応する図１４（Ａ）において、共通線７０８は、配線レイアウト方式の設計によるので、単一の画素領域は特殊パターン、つまり画素の中間領域を通過している共通線７０８ａ、後に追加突起部を形成したい部位に設ける共通線７０８ｂ等を含むものである。
【００３５】
次に、図１２（Ｂ）において、共通線７０８を有する第１基板表面７０４上で、薄膜堆積あるいは薄膜スパッタリング、フォトリソグラフィーおよびエッチングなどを行って、必要となる透明絶縁膜７１０を形成し、共通線７０８と第１表面７０４の一部分とをカバーするが、その形成方法ならびに材料は、第１実施形態と同様である。また、透明絶縁膜７１０にエッチングによりスリット７１８を形成しており、スリット７１８の側壁はテーパー（ｔａｐｅｒ）となっている。
【００３６】
図１２（Ｂ）に対応する図１５（Ｂ）において、共通線７０８ａが、画素の中間領域を通過しており、共通線７０８ｂを追加突起部を形成したい部位に設けるが、両者は、いずれも透明絶縁膜７１０によりカバーされ、しかも共通線７０８ａの一部分と共通線７０８ｂ全体とが画素領域内に位置している。スリット７１８の位置は、隣り合う共通線７０８ｂとの間にあり、両者が互いに交差配列されている。
【００３７】
図１２（Ｃ）において、透明絶縁膜７１０上に透明電極膜７１２をコンフォーマルに形成するが、その形成方法ならびに材質は、前述した第１実施形態と同様であり、画素の透光領域は、特定形状を有する透明電極膜７１２によりパターニングされる。そして、この図１２（Ｃ）に対応する図１６（Ｃ）において、第１実施形態と同様に、共通線７０８ａが画素の中間領域を通過しており、共通線７０８ｂを追加突起部を形成したい部位に設けていいるが、両者は、いずれも透明電極膜７１２によりカバーされ、かつ基板上にスリット７１８を設けている。
【００３８】
図１３（Ｄ）において、透明電極膜７１２上にフォトレジストを塗布してから、第１ガラス基板７００の裏面から紫外線のような光源を提供する。不透光の共通線７０８をセルフアライメントのフォトマスクとして、裏面露光、フォトリソグラフィーなどを行って、透明電極膜７１２上に突起部７１４を形成し、突起部７１４の位置と共通線７０８とを上下に重ね合わせるので、突起部７１４とスリット７１８とが、いずれも同一ガラス基板７００上の透明電極膜７１２領域内に位置し、スリット７１８が、別なガラス基板に対するバーチャル突起部となる。
【００３９】
図１３（Ｄ）に対応する図１７（Ｄ）において、単一の画素領域内で、突起部７１４が、透明電極膜７１２と共通線７０８ａおよび共通線７０８ｂとの上に位置しており、突起部７１４と共通線７０８ａおよび共通線７０８ｂとの位置および面積が、上下に重なり合い、かつ同一ガラス基板７００上の突起部７１４とスリット７１８とが互いに交差配列されている。そのほか、透明電極膜７１２周縁と突起部７１４の位置は隣り合い、また、スリット７１８から延伸されたスリット突出ウイング７１８ａを設けて、液晶分子が透明電極膜７１２領域の周縁で傾斜方向エラーを発生させることを防止する。
【００４０】
図１３（Ｅ）において、第２表面７０６を有する第２ガラス基板７０２を提供して、第１実施形態と同様に、第２表面７０６上にカラーフィルター膜７１６ａおよび透明導電膜７１６ｂを順番に形成するので、以下、カラーフィルター膜７１６ａと透明導電膜７１６ｂとを合わせてカラーフィルター膜７１６と呼ぶ。次に、第１ガラス基板７００と第２ガラス基板７０２との表面にそれぞれ第１配向膜７２６と第２配向膜７２８とを形成するが、第１配向膜７２６が、突起部７１４と透明電極膜７１２とスリット７１８とをカバーして、第２配向膜７２８が、カラーフィルター膜７１６中の透明導電膜７１６ｂをカバーしている。その後、第１ガラス基板７００と第２ガラス基板７０２とを平行に配列して組み合わせ貼り合わせてから、液晶材料を第１ガラス基板７００と第２ガラス基板７０２との間に封入して液晶層７２０を形成し、広視野角液晶ディスプレイの作製を完成するが、液晶層７２０の材料は、第１実施形態と同様に、ネガ型誘電係数異方性液晶を含むものとする。
【００４１】
この第２実施形態の広視野角液晶ディスプレイは、第１実施形態と同様に、第１ガラス基板７００と第２ガラス基板７０２とが互いに平行配列され、液晶層７２０が、ガラス基板７００とガラス基板７０２との間に位置している。第１表面７０４上に共通線７０８が設けられ、その上を透明絶縁膜７１０および透明電極膜７１２がカバーしている。突起部７１４の面積と共通線７０８ｂとが重なり合い、透明絶縁膜７１０中にスリット７１８を設けている。同一ガラス基板７００上に位置する突起部７１４とスリット７１８とが互いに交差配列され、透明電極膜７１２がパターニングする領域を少なくとも２種類以上の領域に分割することで、液晶ディスプレイの視角範囲を増大し、かつ突起部７１４とスリット７１８とが、いずれも第１配向膜７２６によりカバーされる。
【００４２】
図１３（Ｅ）に対応する図１８（Ｅ）において、単一の画素領域内で、突起部７１４とスリット７１８とが互いに交差配列されて、単一画素が２種類以上の領域に分割されるので、広視野角ディスプレイの目的を達成することができる。また、第１実施形態と同様に、透明電極膜７１２の周縁に更にデータ線７２２および走査線７２４を設けて、図示していない薄膜トランジスター素子（例えば図２（Ａ）中の符号２１８を参照）にそれぞれ接続されている。
【００４３】
この第２実施形態において、基板上に透明絶縁膜を作製およびパターニングすると同時に、透明絶縁膜中の特定位置にエッチングで側壁にテーパーを有するスリットを形成するため、余分なフォトマスクを使用する必要性がなくなる。基板表面のスリットがテーパー側壁を有しているので、液晶材料を基板間を封入する時、液晶分子が、スリットのテーパー側壁によりプリ・チルト現象を発生させるので、テーパー側壁を有するスリットと突起部とが等しい効果を発揮するものとなる。
【００４４】
また、この第２実施形態は、第１実施形態と同様に、画素領域中の適当な位置に、共通線をレイアウトして裏面露光に必要なフォトマスクとするから、全面的な裏面露光を行って突起部を形成するために、余分なフォトマスクを必要としない。第１実施形態で述べた効果以外に、この第２実施形態は、半導体製造プロセスにより突起部およびスリットを同一基板上に作製するため、カラーフィルター上での突起部の作製に必要なフォトマスクを省略することができる。従来技術では、異なる基板上の突起部の位置は、その相対位置のアライメント誤差がμｍレベルであるのに対して、この発明は、半導体製造プロセスにより、突起部およびスリットを同一基板上に作製して、そのアライメント誤差をサブミクロン（ｓｕｂｍｉｃｒｏｎ）レベルにまでコントロールできるため、画素の輝度、光効率、開口率を向上させることができる。従来技術と較べて、この発明のプロセス許容範囲は比較的広いため、製品の歩留まりを向上させ、製造コストを下げることができる。
【００４５】
＜第３実施形態＞
図１９から図２７において、この発明にかかる第３実施形態を示す。図１９（Ａ）と対応する図２１（Ａ）において、先ず第１基板表面９０４を有する第１ガラス基板９００を提供して、薄膜スパッタリング、フォトリソグラフィー、エッチングを行って、第１基板表面９０４上に共通線９０８を形成する。共通線９０８には、画素の中間領域を通過する共通線９０８ａおよび、後に追加突起部を形成したい部位に設ける共通線９０８ｂなどを含み、その形成方法、機能、レイアウト方式、材質は、前述した第１，２実施形態と同様である。
【００４６】
図１９（Ｂ）と対応する図２２（Ｂ）において、共通線９０８を有する第１表面９０４上で、薄膜堆積あるいは薄膜スパッタリング、フォトリソグラフィーおよびエッチングなどを行って、必要とする透明絶縁膜９１０を形成し、共通線９０８と第１表面９０４の一部分とをカバーするが、その形成方法および材料は、前述した第１，２実施形態と同様である。
【００４７】
図１９（Ｃ）と対応する図２３（Ｃ）において、図１９（Ａ）と対応する図２１（Ａ）と同様に、透明絶縁膜９１０上で薄膜堆積あるいは薄膜スパッタリング、フォトリソグラフィーおよびエッチングを行って、薄膜トランジスター素子（図示せず）に接続され、かつ特殊パターンを有するデータ線９２２を形成する。データ線９２２は、共通線９０８と同様に、配線レイアウト方式により設計されるもので、透明電極膜を形成したい領域内に、データ線９２２の位置と共通線９０８とを上下に重ね合わせるものであり、データ線９２２の材質を金属などの導電材料とする。
【００４８】
図１９（Ｄ）と対応する図２４（Ｄ）において、第２実施形態の図１２（Ｂ）と対応する図１５（Ｂ）と同様に、データ線９２２を有する透明絶縁膜９１０上で、薄膜堆積あるいは薄膜スパッタリング、フォトリソグラフィー、エッチングなどを行って、必要とする透明保護膜（ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ）９１２を形成し、データ線９２２と透明絶縁膜９１０の一部分とをカバーする。透明保護膜９１２を形成ならびにパターニングする時、エッチングにより透明保護膜９１２中にスリット９１４を形成するが、スリット９１４の側壁はテーパーとなっている。スリット９１４の位置は、隣り合う共通線９０８ｂとの間にあり、両者が互いに交差配列されている。
【００４９】
図２０（Ｅ）と対応する図２５（Ｅ）において、透明保護膜９１２上にコンフォーマルな透明電極膜９１６を形成するが、その形成方法および材質は、前述した第１，２実施形態と同様である。また、透明電極膜９１６中に凹溝９１６ｂを設けており、その位置および面積がデータ線９２２および共通線９０８と上下に重ね合わせられている。データ線９２２の配置により空けられた領域も、透明電極膜９１６ａによりカバーされているため、特定形状を有する透明電極膜９１６および透明電極膜９１６ａがパターニングする透光領域は、図２５（Ｅ）に示すように、比較的大きいものとなる。第２実施形態と同様に、この第３実施形態の共通線９０８ｂとデータ線９２２の一部分とを追加突起部を形成する部位に設けて、透明電極膜９１６中の凹溝９１６ｂの位置および面積を上下に重ね合わせている。基板上には、更にスリット９１４が設けられて、隣り合う透明電極凹溝９１６ｂと共通線９０８ｂとデータ線９２２との間に位置するとともに、両者が互いに交差配列されている。
【００５０】
図２０（Ｆ）と対応する図２６（Ｆ）において、透明電極膜９１６上にフォトレジストを塗布してから、第１ガラス基板９００の裏面へ例えば紫外線を光源として提供し、不透光の共通線９０８ｂおよびデータ線９２２をセルフアライメントのフォトマスクとして裏面露光を行って、透明電極膜９１６の凹溝９１６ｂ中に突起部９１８を形成し、突起部９１８の位置をデータ線９２２および共通線９０８ｂと上下に重ね合わせる。従って、この第３実施形態は、第２実施形態と同様に、突起部９１８とスリット９１４とが同一のガラス基板９００上に位置し、しかも透明電極膜９１６領域内に位置しているので、スリット９１４が、別なガラス基板に対してバーチャル突起部となっている。
【００５１】
図２６（Ｆ）において、単一の画素領域内で、突起部９１８が、透明電極膜９１６の凹溝９１６ｂ中に位置すると同時に、透明保護膜９１２とデータ線９２２と透明絶縁膜９１０と共通線９０８ｂとの上に位置し、かつ突起部９１８が、データ線９２２ならびに共通線９０８ｂの位置および面積と上下に重ね合わされている。透明電極膜９１６の周縁および突起部９１８の近くには、更にスリット９１４から延伸されたスリット突出ウイング９１４ａが設けられて、液晶分子が透明電極膜９１６領域の周縁で傾斜方向エラーを発生させることを防止している。第２実施形態と同様に、同一ガラス基板９００上の突起部９１８とスリット９１４とが互いに交差配列されている。
【００５２】
図２０（Ｇ）において、第２基板表面９０６を有する第２ガラス基板９０２を提供して、第２実施形態と同様に、第２基板表面９０６上に順番にカラーフィルター膜９２６ａおよび透明導電膜９２６ｂを形成し、以下、カラーフィルター膜９２６ａと透明導電膜９２６ｂを合わせてカラーフィルター膜９２６と呼ぶ。更に、第１ガラス基板９００と第２ガラス基板９０２との表面にそれぞれ第１配向膜９２８と第２配向膜９３０とを形成する。第１配向膜９２８が、突起部９１８と透明電極膜９１６とスリット９１４とをカバーし、第２配向膜９３０が、カラーフィルター膜９２６中の透明導電膜９２６ｂをカバーしている。次に、第１ガラス基板９００と第２ガラス基板９０２とを組み合わせて貼り合わせてから、液晶材料を第１ガラス基板９００と第２ガラス基板９０２との間に封入して液晶層９２０を形成し、広視野角液晶ディスプレイの作製を完了する。液晶層９２０の材料は、前述した第１，２実施形態と同様に、ネガ型誘電係数異方性液晶を含むものとする。
【００５３】
この第３実施形態の広視野角液晶ディスプレイは、前述した第１，２実施形態と同様に、第１ガラス基板９００と第２ガラス基板９０２とが互いに平行配列され、中間に液晶層９２０を設けている。第１基板表面９０４上に共通線９０８を設け、その上を透明絶縁膜９１０とデータ線９２２と透明保護膜９１２と透明電極膜９１６とでカバーしている。突起部９１８の面積をデータ線９２２および共通線９０８ｂと重ね合わせている。同一ガラス基板９００上の突起部９１８とスリット９１４とが互いに交差配列され、透明電極膜９１６がパターニングする領域を２種類以上の領域に分割して、液晶ディスプレイの視角範囲を増大させることができる。
【００５４】
図２７（Ｇ）において、単一の画素領域内で、突起部９１８とスリット９１４とが互いに交差配列され、単一画素を２種類以上の領域に分割しているので、広視野角ディスプレイの目的を達成することができる。また、前述した第１，２実施形態と同様に、一部分が透明電極膜９１６領域内にあるデータ線９２２以外にも、透明電極膜９１６周縁には走査線９２４が設けられており、これらを図示していない薄膜トランジスター素子（例えば図２（Ａ）中の薄膜トランジスター２１８）とそれぞれ接続している。
【００５５】
図２８において、第３実施形態にかかる基板の要部断面図を示すと、共通線とデータ線と透明保護膜との位置が互いに上下に重なる時、その間に発生する結合容量により雑音が薄膜トランジスター素子に混入する。そこで、共通線を作製する時に、特殊なパターンを共通線とデータ線とが重ね合わさる部分にパターニングすれば、雑音が素子中に混入することを抑制することができる。図２８において、例えば、元の共通線（例えば図１９（Ａ）中の符号９０８）とデータ線９２２とが重なり合う部分を２本の共通線９０８ｃ，９０８ｃに分割し、そのうち１本を接地すれば雑音を消去することができる。図２９において、図２８に対応する平面図を示すと、元の共通線（例えば図２１（Ａ）中の符号９０８ｂ）とデータ線９２２とが重なり合う部分を２本の共通線９０８ｃ，９０８ｃに分割することができる。
【００５６】
この第３実施形態は、前述した第２実施形態の特長を有する以外にも、データ線を透明電極膜領域に引き込んで、その位置と共通線とを上下に重ね合わせているため、画素領域内の不透光材料が占める面積を減少させることができる。しかも、データ線の配置により空けられた領域上を追加の透明電極膜でカバーすることで、透明電極膜がパターニングする画素透光領域を増大させるとともに、その輝度、光効率、開口率を向上させることができる。
【００５７】
なお、従来技術において、各画素間にそれぞれ走査線およびデータ線を設けて区画するとともに、カラーフィルター膜を有するガラス基板上にブラック・マトリックス（ｂｌａｃｋ  ｍａｔｒｉｘ）を配置して、画素周縁から光が漏れる現象を防止していたが、これにより画像を表示する時に、肉眼で観察できる黒線を画素間に発生させるので、画面の品質に悪い影響を与えるものとなっていた。この発明は、データ線を透明電極領域中に引き込んで、画素領域内の不透光材料が占める面積を減少させる。データ線の配置により空けられた領域を元のデータ線の位置、すなわち画素と画素との間に配置するから、この第３実施形態では透光領域を増大させて、画素間の距離を縮小させることができるので、ブラック・マトリックスの幅を縮小させ、画像表示の品質を改善することができる。
【００５８】
上述した第１〜３実施形態の各図面において、共通線、スリット、突起部、透明電極膜などのパターンは、例をあげて、この発明を説明するためのものであって、この発明の範囲を限定するためのものではない。これらの実施形態で強調しているのは、共通線、スリット、突起部、透明電極膜などの相対位置および形成関係であるから、共通線、スリット、突起部、透明電極膜などは、別な異なる形状とすることができる。
【００５９】
以上のごとく、この発明を好適な実施形態により開示したが、もとより、この発明を限定するためのものではなく、同業者であれば容易に理解できるように、この発明の技術思想の範囲において、適当な変更ならびに修正が当然なされうるものであるから、その特許権保護の範囲は、特許請求の範囲および、それと均等な領域を基準として定められなければならない。
【００６０】
【発明の効果】
上記構成により、この発明は、少なくとも下記の特長を有するものである。
１．この発明は、突起部のパターンを有する共通線を使用して、セルフアライメントのフォトマスクとして、全面的な裏面露光により突起部を形成するので、余分なフォトマスクを使用する必要がなく、製造コストを低減させ、製品歩留まりを向上させることができる。また、不透光材料の面積を重ね合わせることで、画素領域の透光面積を増大させ、その輝度、光効率、開口率を向上させることができる。
２．この発明は、透明絶縁膜を作製する時に、エッチングにより突起部と等しい効果を有するスリットを形成するので、スリットを作製する時に余分なフォトマスクを使用する必要がない。また、突起部パターンを有する共通線を利用して裏面露光を行うので、同一基板上に突起部を形成してガラス基板を組み立てる時に、各部材のアライメント誤差を低下させ、プロセス許容範囲を増大し、製品歩留まりを向上させ、製造コストを削減することができる。
３．この発明は、画素領域内で、各不透明材料膜の位置ならびに面積を上下に重ね合わせて、画素領域内の不透光材料が占める面積を減少させ、画素透光領域を増大させるので、その輝度と光効率と開口率とを向上させることができる。そして、透光領域を増大させて、画素間の距離を縮小するので、画像表示の品質を改善することができる。
従って、産業上の利用価値が高い。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来技術にかかる多領域垂直配向方式液晶ディスプレイの動作原理を示す説明断面図である。
【図２】（Ａ）は、従来技術にかかる多領域垂直配向方式液晶ディスプレイの単一画素を示す平面図であり、（Ｂ）は、（Ａ）の２Ｂ−２Ｂ部分を示す要部断面図である。
【図３】従来技術にかかる裏面露光プロセスを示す要部断面図である。
【図４】（Ａ）〜（Ｄ）は、この発明にかかる第１実施形態の製造プロセスを示す要部断面図である。
【図５】（Ｅ）は、この発明にかかる第１実施形態の製造プロセスを示す要部断面図である。
【図６】（Ａ）は、図４（Ａ）に対応する平面図である。
【図７】（Ｂ）は、図４（Ｂ）に対応する平面図である。
【図８】（Ｃ）は、図４（Ｃ）に対応する平面図である。
【図９】（Ｄ）は、図４（Ｄ）に対応する平面図である。
【図１０】（Ｅ）は、図５（Ｅ）に対応する平面図である。
【図１１】突起部と共通線との断面輪郭を示す要部断面図である。
【図１２】（Ａ）〜（Ｃ）は、この発明にかかる第２実施形態の製造プロセスを示す要部断面図である。
【図１３】（Ｄ）〜（Ｅ）は、この発明にかかる第２実施形態の製造プロセスを示す要部断面図である。
【図１４】（Ａ）は、図１２（Ａ）に対応する平面図である。
【図１５】（Ｂ）は、図１２（Ｂ）に対応する平面図である。
【図１６】（Ｃ）は、図１２（Ｃ）に対応する平面図である。
【図１７】（Ｄ）は、図１３（Ｄ）に対応する平面図である。
【図１８】（Ｅ）は、図１３（Ｅ）に対応する平面図である。
【図１９】（Ａ）〜（Ｄ）は、この発明にかかる第３実施形態の製造プロセスを示す要部断面図である。
【図２０】（Ｅ）〜（Ｇ）は、この発明にかかる第３実施形態の製造プロセスを示す要部断面図である。
【図２１】（Ａ）は、図１９（Ａ）に対応する平面図である。
【図２２】（Ｂ）は、図１９（Ｂ）に対応する平面図である。
【図２３】（Ｃ）は、図１９（Ｃ）に対応する平面図である。
【図２４】（Ｄ）は、図１９（Ｄ）に対応する平面図である。
【図２５】（Ｅ）は、図２０（Ｅ）に対応する平面図である。
【図２６】（Ｆ）は、図２０（Ｆ）に対応する平面図である。
【図２７】（Ｇ）は、図２０（Ｇ）に対応する平面図である。
【図２８】この発明にかかる第３実施形態の基板を示す要部断面図である。
【図２９】図２８に対応する平面図である。
【符号の説明】
２０８  透明電極膜
４００  ガラス基板
４０２  ガラス基板
４０４  基板表面
４０６  基板表面
４０８  共通線
４０８ａ  共通線
４０８ｂ  共通線
４１０  透明絶縁膜
４１２  透明電極膜
４１４  突起部
４１６  カラーフィルター膜
４１６ａ  カラーフィルター膜
４１６ｂ  透明導電膜
４１８  突起部
４１８ａ  突起部突出ウイング
４２０  液晶層
４２２  データ線
４２４  走査線
４２６  配向膜
４２８  配向膜
６００  ガラス基板
６０２  共通線
６０４  斜角
６０６  突起部
６０８  斜角
７００  ガラス基板
７０２  ガラス基板
７０４  基板表面
７０６  基板表面
７０８  共通線
７０８ａ  共通線
７０８ｂ  共通線
７１０  透明絶縁膜
７１２  透明電極膜
７１４  突起部
７１６  カラーフィルター膜
７１６ａ  カラーフィルター膜
７１６ｂ  透明導電膜
７１８  スリット
７１８ａ  スリット突出ウイング
７２０  液晶層
７２２  データ線
７２４  走査線
７２６  配向膜
７２８  配向膜
９００  ガラス基板
９０２  ガラス基板
９０４  基板表面
９０６  基板表面
９０８  共通線
９０８ａ  共通線
９０８ｂ  共通線
９０８ｃ  共通線
９１０  透明絶縁膜
９１２  透明保護膜
９１４  スリット
９１４ａ  スリット突出ウイング
９１６  透明電極膜
９１６ａ  透明電極膜
９１６ｂ  透明電極凹溝
９１８  突起部
９１８ａ  突起部
９２０  液晶層
９２２  データ線
９２４  走査線
９２６    カラーフィルター膜
９２６ａ  カラーフィルター膜
９２６ｂ  透明導電膜
９２８  配向膜
９３０  配向膜
【図１】
0003599663.tif 000003
【図２】
0003599663.tif 000004
【図３】
0003599663.tif 000005
【図４】
0003599663.tif 000006
【図５】
0003599663.tif 000007
【図６】
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【図７】
0003599663.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
0003599663.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
0003599663.tif 000014
【図１３】
0003599663.tif 000015
【図１４】
0003599663.tif 000016
【図１５】
0003599663.tif 000017
【図１６】
0003599663.tif 000018
【図１７】
0003599663.tif 000019
【図１８】
0003599663.tif 000020
【図１９】
0003599663.tif 000021
【図２０】
0003599663.tif 000022
【図２１】
0003599663.tif 000023
【図２２】
0003599663.tif 000024
【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
0003599663.tif 000027
【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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