(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁フィルムの両面に信号層とグランド層を含む配線パターンを設け、前記両面の配線パターンを前記絶縁フィルムの貫通孔に形成した導通ビアにより導通するＴＡＢテープの製造方法において、
前記貫通孔の内部に電気メッキの塊を成長させ、前記貫通孔を前記電気メッキの塊で充填することにより前記導通ビアを形成した後、前記電気メッキの塊のうち、前記配線パターンよりも隆起した部分を研削して平坦化することを特徴とするＴＡＢテープの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）テープの製造方法に関し、特に、両面に配線パターンを有したＴＡＢテープの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
信号層とグランド層を含む配線パターンを絶縁フィルムの両面に設け、外部電極としての半田ボールをアレイ状に配置したＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）タイプの半導体装置が知られている。
【０００３】
図９（ａ）は、このタイプの半導体装置を示したもので、ポリイミド等の絶縁フィルム１の両面に信号層とグランド層を含む配線パターン２、３を設けることによって構成されたＴＡＢテープ４の一方の配線パターン２側に、半導体チップ５をダイアタッチ剤６を介して搭載し、配線パターン２の所定の個所と半導体チップ５の電極をボンディングワイヤ７で接続してその周囲を樹脂８によって封止した構成を有する。
【０００４】
９は両面の配線パターン２、３を電気的に接続した導通ビアを示し、（ｂ）に示されるように、絶縁フィルム１と他方の配線パターン３に互いに連通する孔１０、１１を形成してこれに銅などの銅メッキ１２を設けることによって構成される。
【０００５】
（ａ）において、１３は配線パターン３の所定の個所に配置された外部電極としての半田ボール、１４は配線パターン２と３を覆うソルダレジスト層、１５はＴＡＢテープ４の反りを修正して平坦性を確保するために接着剤１６を介して貼り付けられたスティフナを示す。
【０００６】
以上の構成を有する半導体装置は、多ピン化、小型化に適しており、特に、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｃａｌｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）の半導体装置を構成するときに有用とされている。また、配線パターン２、３にグランド層を有しているため、配線のインダクタンスを低減し、クロストークを抑制できるなど、高周波信号に対する電気特性を改善した特質を有しており、従って、高速デバイスに適した半導体装置として需要の伸びが期待されている。
【０００７】
図１０は、この半導体装置において重要な構成要素となるＴＡＢテープ４の製造方法を示したものである。まず、（ａ）のように、ポリイミドフィルム１の両面に銅箔２′および３′をラミネートした複合材ガ準備される。
【０００８】
（ｂ）は、フォトエッチングの前処理工程を示し、銅箔３′にフォトレジスト１７が塗布される一方、銅箔２′に裏止め剤１８が塗布される。
（ｃ）は、露光、現像およびエッチング作業が行われるフォトエッチング工程を示し、ここにおいて、銅箔３′に孔１１が形成され、フォトレジスト１７と裏止め剤１８が除去されることによって所定の配線パターン３が形成される。
【０００９】
（ｄ）は、絶縁フィルム１への孔あけ工程を示し、レーザ光１９が照射されて貫通孔１０が形成される。次いで、（ｅ）のように、貫通孔１０と孔１１にメッキ処理が施されて銅メッキ１２が形成され、これにより構成された導通ビア９によって配線パターン３と銅箔２′が導通される。なお、メッキ前の貫通孔１０には、過マンガン酸カリによる活性化処理とカーボン導通化処理が施され、また、メッキの際、銅箔２´側は、裏止め剤１８によって保護される。
【００１０】
その後、銅箔２′の表面にフォトレジストが塗布され、フォトエッチング処理が施されることによって、（ｆ）のように所定の配線パターン２が形成され、これによりＴＡＢテープ４が製造される。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来のＴＡＢテープおよびその製造方法によると、導通ビア９が膜状の銅メッキ１２により構成されるため、図９（ｂ）のように、ソルダレジスト層１４を塗布したときに空間部２０が形成されることがあり、このため、半田ボール１３を搭載した後のリフローの際に空間部２０にポップコーン現象が発生し、ソルダレジスト層１４に剥離を起こすことがある。
【００１２】
従って、本発明の目的は、ソルダレジスト層の下に空間部が形成されることのないＴＡＢテープとその製造方法を提供するものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記の目的を達成するため、絶縁フィルムの両面に信号層とグランド層を含む配線パターンを設け、前記両面の配線パターンを前記絶縁フィルムの貫通孔に形成した導通ビアにより導通するＴＡＢテープの製造方法において、前記貫通孔の内部に電気メッキの塊を成長させ、前記貫通孔を前記電気メッキの塊で充填することにより前記導通ビアを形成した後、前記電気メッキの塊のうち、前記配線パターンよりも隆起した部分を研削して平坦化することを特徴とするＴＡＢテープの製造方法を提供するものである。研削により導通ビアが平坦化するため、この上に形成されるソルダレジスト層が平滑化し、ＴＡＢテープとしての品質が向上する。
【００１４】
また、本発明は、上記の目的を達成するため、絶縁フィルムの両面に信号層とグランド層を含む配線パターンを設け、前記両面の配線パターンを前記絶縁フィルムの貫通孔に形成した導通ビアにより導通するＴＡＢテープの製造方法において、前記貫通孔の内部に電気メッキの塊を成長させ、前記貫通孔を前記電気メッキの塊で充填することにより前記導通ビアを形成することを特徴とするＴＡＢテープの製造方法を提供するものである。
【００１６】
ＴＡＢテープにおける導通ビアの形成において、電気メッキ等を塊として成長させ、これによって絶縁フィルムの貫通孔を充填するようにした例はこれまでにない。電気メッキによる塊を成長させる場合、その成長形態としては、配線パターンよりも突出するまで成長させる形態と、塊の頭部を配線パターンよりも凹ませる成長形態がある。
【００１７】
前者の場合には、導通ビアとその上に形成されるソルダレジスト層の間に空間部が形成される余地が皆無となり、また、後者の場合にも、導通ビアの頭部までソルダレジスト層で埋めることが容易のため、同様に空間部形成の可能性はなくなる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
次に、本発明によるＴＡＢテープとその製造方法の実施の形態を説明する。
図１（ａ）は、図１０の（ｄ）まで加工された中間体の構成を示したもので、両面に銅箔２′と配線パターン３を有するポリイミドフィルム１において、ポリイミドフィルム１と配線パターン３に貫通孔１０とこれに連通した孔１１がそれぞれ形成され、さらに、銅箔２′の表面に裏止め剤１８が塗布された段階を示す。
【００２０】
（ｂ）は、貫通孔１０と孔１１の内部に電気メッキによる銅の塊を成長させる次の工程を示し、銅メッキの塊２１は、孔１１から突出するまで成長させられる。
また、配線パターン３の表面には、塊２１へ続く厚さｔの銅メッキ膜２１ａが形成され、さらに、銅箔２′にフォトエッチング加工が施されることによって、所定の形状の配線パターン２が形成される。
【００２１】
なお、ポリイミドフィルム１の貫通孔１０の内面には、予めメッキ前に過マンガン酸カリによる活性化処理とカーボンの塗布による導通化処理が施されており、銅メッキの塊２１は、この処理層の上に成長させられる。
【００２２】
図２は、以上により製造されたＴＡＢテープ４への半田ボールの搭載構造を示したもので、配線パターン３の上のメッキ層２１ａと配線パターン２の上にソルダレジスト層１４が塗布される。
【００２３】
ソルダレジスト層１４は、導通ビア９の平坦な表面に密着する形となり、従って、この部分に空間部の形成余地はなく、従来のように半田ボール１３のリフロー時にソルダレジスト層１４が剥離を起こす恐れはなくなる。
【００２４】
図３は、銅メッキの塊２１の異なる成長例を示す。銅メッキの塊２１が凹凸状の隆起部２１ｂを有することと、メッキ膜２１ａが存在しない点において図１とは異なる。隆起部２１ｂは、配線パターン３より突出した部分が研削によって除去され、（ｃ）のように、導通ビア９の頭部が配線パターン３と同一面となるように平坦化される。
【００２５】
図４は、以上により得られたＴＡＢテープ４への半田ボール１３の搭載構造を示す。表面が平坦化された導通ビア９とソルダレジスト層１４は隙間なく密着し、従って、この部分にレジスト層１４の剥離の原因となる空間部が形成される可能性は皆無となる。
【００２６】
図５は、本発明の他の実施の形態を示す。銅メッキの塊２１の成長量を少なくした例であり、他は図１と同じである。塊２１の頭部２１ｃには、凹部２２が生成しており、さらに、配線パターン３の上に厚さｔのメッキ膜２１ａが形成されている。
【００２７】
図６は、以上の構成のＴＡＢテープ４への半田ボールの搭載構造を示したもので、凹部２２は、空間部を生成させることなく、ソルダレジスト層１４によって埋められる。この実施形態における凹部２２の貫通孔１０の上面からの凹み度合ｔ1 は、たとえば、４〜６μｍ程度である。グランド層３の厚さは、５〜３５μｍであり、従って、ソルダレジスト層１４は、凹部２２を完全に充填することができる。
【００２８】
図７は、図５と類似の実施の形態を示す。図５におけるメッキ膜２１ａが存在しない点と、銅メッキの塊２１から延長された形で隆起部２１ｂが生成している点で図５とは異なるが、他は同じである。（ｃ）において、隆起部２１ｂが研削加工によって除去される。
【００２９】
図８は、以上により得られたＴＡＢテープ４への半田ボールの搭載構造を示したもので、図６の場合と同様に凹部２２はソルダレジスト層１４によって完全に埋められ、この部分に空間部が生成する恐れはない。
【００３０】
図２、４、６および８のＴＡＢテープから図９の半導体装置を構成し、−５５℃（３０分）⇔１２５℃（３０分）×１０００回のヒートサイクル試験と、８５℃×８５％ＲＨ、印加電圧７Ｖ、１０００時間の高温バイアス試験を実施したところ、いずれも問題がなかった。
【００３１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によるＴＡＢテープの製造方法によれば、絶縁フィルムの両面の配線パターンを導通する導通ビアが、絶縁フィルムの貫通孔の内壁にこの貫通孔を充填するように所定の厚さに形成した電気メッキの塊等による導電層により構成され、さらに、この導電層がソルダレジスト層によって隙間なく覆われるため、導通ビアの部分に空間部が発生する恐れがなく、従って、リフロー時における空間部のポップコーン現象を原因としたソルダレジスト層の剥離を未然に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるＴＡＢテープの製造方法の実施の形態を示す説明図であり、（ａ）および（ｂ）は製造手順の要部を示す。
【図２】図１により得られたＴＡＢテープへの半田ボールの搭載構造を示す説明図。
【図３】本発明によるＴＡＢテープの製造方法の他の実施の形態を示す説明図であり、（ａ）〜（ｃ）は製造手順の要部を示す。
【図４】図３により得られたＴＡＢテープへの半田ボールの搭載構造を示す説明図。
【図５】本発明によるＴＡＢテープの製造方法のさらに他の実施の形態を示す説明図であり、（ａ）および（ｂ）は製造手順の要部を示す。
【図６】図５により得られたＴＡＢテープへの半田ボールの搭載構造を示す説明図。
【図７】本発明によるＴＡＢテープの製造方法の他の実施の形態を示す説明図であり、（ａ）〜（ｃ）は製造手順の要部を示す。
【図８】図７により得られたＴＡＢテープへの半田ボールの搭載構造を示す説明図。
【図９】半導体装置の構造を示す説明図であり、（ａ）は横断面図、（ｂ）は（ａ）のＡ部の拡大図を示す。
【図１０】従来のＴＡＢテープの製造方法を示す説明図であり、（ａ）〜（ｆ）は製造手順を示す。
【符号の説明】
１        ポリイミドフィルム
２、３    配線パターン
２′、３′      銅箔
４        ＴＡＢテープ
９        導通ビア
１０        貫通孔
１１        孔
１３        半田ボール
１４        ソルダレジスト層
２１        銅メッキの塊
２１ａ      メッキ膜
２１ｂ      隆起部
２１ｃ      頭部
２２        凹部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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