(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を覆う絶縁膜の上にチタン層を形成する工程と、
前記チタン層の上にチタンナイトライド層を形成する工程と、
前記チタンナイトライド層を形成した後前記基板を大気にさらすことなくタングステン堆積用の反応室内にセットして該反応室内においてヒドラジン、モノメチルヒドラジン又はジメチルヒドラジンのいずれかを用いるプラズマ処理により前記チタンナイトライド層の露出部を再窒化すると共に前記チタン層の露出部を窒化する工程であって、前記チタンナイトライド層の露出部ではストイキオメトリーでないチタンナイトライドをストイキオメトリーなチタンナイトライドに変換するように再窒化を行なうものと、
前記反応室内において前記チタンナイトライド層の再窒化部及び前記チタン層の窒化部を覆ってタングステンを気相堆積してタングステン膜を形成する工程と
を含むタングステン膜形成法。
【請求項２】
基板を覆う絶縁膜に配線用の接続孔を形成する工程と、
前記絶縁膜の上に前記接続孔を覆ってチタン層を形成する工程と、
前記チタン層の上にチタンナイトライド層を形成する工程と、
前記チタンナイトライド層を形成した後前記基板を大気にさらすことなくタングステン堆積用の反応室内にセットして該反応室内においてヒドラジン、モノメチルヒドラジン又はジメチルヒドラジンのいずれかを用いるプラズマ処理により前記チタンナイトライド層の露出部を再窒化すると共に前記チタン層の露出部を窒化する工程であって、前記チタンナイトライド層の露出部ではストイキオメトリーでないチタンナイトライドをストイキオメトリーなチタンナイトライドに変換するように再窒化を行なうものと、
前記反応室内において前記チタンナイトライド層の再窒化部を覆い且つ前記接続孔を埋めるようにタングステンを気相堆積してタングステン膜を形成する工程と
を含むタングステン膜形成法。
【請求項３】
前記タングステン膜を形成する工程は、前記タングステン膜の形成に先立ってアモルファスシリコン膜及びタングステンの核を順次に形成する工程を含んでいる請求項１又は２記載のタングステン膜形成法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、ＬＳＩの配線形成等に用いるに好適なＷ（タングステン）膜形成法に関し、特にＷ膜の気相堆積に用いる反応室内でプラズマ処理によりＴｉＮ（チタンナイトライド）層の露出部を再窒化することにより下地に対する熱履歴の負荷を軽減すると共にＷ成膜処理の簡略化を図ったものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ＬＳＩの配線形成にあっては、絶縁膜に設けた接続孔にＷプラグを埋込むことで配線の平坦性を向上させることが知られている。そして、Ｗプラグ形成に用いられるＷ膜形成法としては、図８に示す方法が提案されている。
【０００３】
ステップ１０では、図９，１０に示すようにＳｉ（シリコン）等の半導体基板２０の表面を覆うＳｉＯ２  等の絶縁膜２２に接続孔２２ａを形成した後、スパッタ処理によりＴｉ（チタン）層２４ａ及びＴｉＮ層２４ｂを順次に形成する。接続孔２２ａは、一例としてＰ型半導体基板２０の表面に設けたＮ＋  型不純物ドープ領域２０ａに配線を接続するのを可能にするものである。ＴｉＮ層２４ｂは、絶縁膜２２に対するＷの密着性を向上させると共に半導体とＷの相互拡散を防ぐバリア性の導電層であり、Ｔｉ層２４ａは、コンタクト抵抗を低減するための導電層である。
【０００４】
次に、ステップ１２では、基板２０をランプアニール装置の処理室内の所定位置にセットし、Ｎ２  （又はＮＨ３  ）ガス雰囲気中でアニール処理を行なうことによりＴｉ層２４ａの露出部及びＴｉＮ層２４ｂの露出部を窒化する。このような窒化処理が終ったときは、ランプアニール装置の処理室から基板２０を外部に取出す。
【０００５】
次に、ステップ１４では、ＷのＣＶＤ（ケミカル・ベーパー・デポジション）に用いる反応室内の所定位置に基板２０をセットし、反応室にＳｉＨ４  ガスを流すことによりＴｉ層２４ａの窒化部及びＴｉＮ層２４ｂの窒化部を覆ってアモルファスＳｉ膜（図示せず）を形成する。そして、ステップ１６では、反応室にＷＦ６  ＋ＳｉＨ４  ガスを流すことによりアモルファスＳｉ膜上にＷの核（図示せず）を形成する。この後、ステップ１８では、反応室にＷＦ６  ＋Ｈ２  ガスを流すことによりＷの核を覆って所望の厚さのＷ膜２６を形成する。
【０００６】
ステップ１４及び１６は、それぞれイニシエーションステップ及びニュークリエーションステップと呼ばれるもので、メインステップとしてのステップ１８の準備工程である。
【０００７】
ステップ１２において窒化処理を行なう第１の目的は、Ｗ膜２６のはがれを防止することにある。すなわち、スパッタ処理を終った段階では、ＴｉとＴｉＮとでカバレッジに差がある（Ｔｉの方が回り込みやすい）ため、図９に示すように基板（ウエハ）２０の端部近傍ではＴｉ層２４ａがＴｉＮ層２４ｂで覆われず、露出状態となることが多い。このような状態でステップ１８でＷ膜２６を形成すると、図９に示すようにＷ膜２６は、基板２０の端部近傍でＴｉ層２４ａに直接接触して形成される。Ｔｉ層２４ａに直接接触して形成されたＷ膜部分は、はがれやすく、パーティクル発生の原因となる。そこで、ステップ１２では、Ｔｉ層２４ａの露出部を窒化（ＴｉＮ化）してＷ膜２６のはがれを防止している。
【０００８】
ステップ１２において窒化処理を行なう第２の目的は、ＴｉＮ層２４ｂのバリア性を向上させることにある。すなわち、スパッタ処理を終った段階では、ＴｉＮ層２４ｂが柱状構造になっており、バリア性に欠ける。このような状態でステップ１８でＷ膜２６を形成すると、図１０に示すようにＴｉＮ層２４ｂが破れてＷが破線Ｂに示すようにＮ＋  型領域２０ａ内に入り込み、ＰＮ接合のリーク電流増大を招くことがある。そこで、ステップ１２では、ＴｉＮ層２４ｂの露出部を窒化してバリア性を向上させている。
【０００９】
ステップ１４，１６においてアモルファスＳｉ膜形成及びＷ核形成を行なうのは、ＴｉＮ層２４ｂのバリア性を補足すると共にＷ膜２６の膜質を向上させるためである。
【００１０】
図９，１０に示したようにＷ膜２６を形成した後、配線形成に際しては、一例として絶縁膜２２の上面が露呈されるまでＷ膜２６及びＴｉＮ／Ｔｉ層２４をエッチバックし、接続孔２２ａ内にはＷ膜２６及びＴｉＮ／Ｔｉ層２４を残存させる。そして、絶縁膜２２の上面に配線材層としてＡｌ合金層を被着した後Ａｌ合金層をホトリソグラフィ及び選択エッチング処理によりパターニングして接続孔２２ａ内のＷ膜２６及びＴｉＮ／Ｔｉ層２４につながる配線層を形成する。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
上記した従来技術によると、ランプアニール処理により窒化処理を行なっているため、下地に対する熱履歴の負荷が大きく、図１０に示すようにＴｉ層２４ａとＮ＋  型領域２０ａとの反応によりチタンシリサイド層Ｓが形成されることがある。また、絶縁膜２２を層間絶縁膜とし、層２４ａ，２４ｂ，２６からなる導電層を接続孔２２ａを介してＡｌ合金等からなる下層配線に接続する場合には、下層配線を構成するＡｌ合金層にヒロック、ノジュール、ボイド等の不良が発生することもある。
【００１２】
その上、ランプアニール処理の後ＷのＣＶＤ処理の前に基板２０が大気にさらされるため、ＴｉＮ層２４ｂの表面に水分や汚染物質等が付着しやすい。従って、Ｗの異常成長を防ぐためにもイニシエーションステップ１４やニュークリエーションステップ１６は不可欠であり、工程的に複雑さを免れない。また、Ｗの異常成長によりパーティクル発生を招くこともある。
【００１３】
さらに、Ｗ膜２６を形成する際に図１０に示すようにＷ膜２６にボイドＶが生ずることがある。すなわち、ＷのＣＶＤ処理では、接続孔２２ａの底部におけるＴｉＮ層２４ｂの厚さが重要であるが、ＴｉＮ層２４ｂは接続孔２２ａの底部でのカバレッジが良好でない。接続孔２２ａの底部で所要のカバレッジを得るためには、ＴｉＮ層２４ｂの堆積厚さを大きくする必要がある。しかし、このようにすると、図１０に示すように接続孔２２ａの開口端近傍でＴｉＮ層２４ｂの一部が張り出して接続孔２２ａの底部近傍のＷ堆積を抑制し、ボイドＶを発生させる。
【００１４】
この発明の目的は、下地に対する熱履歴の負荷を軽減すると共にＷ成膜処理を簡略化することができる新規なＷ膜形成法を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
この発明に係るＷ膜形成法は、
基板を覆う絶縁膜の上にチタン層を形成する工程と、
前記チタン層の上にチタンナイトライド層を形成する工程と、
前記チタンナイトライド層を形成した後前記基板を大気にさらすことなくタングステン堆積用の反応室内にセットして該反応室内においてヒドラジン、モノメチルヒドラジン又はジメチルヒドラジンのいずれかを用いるプラズマ処理により前記チタンナイトライド層の露出部を再窒化すると共に前記チタン層の露出部を窒化する工程であって、前記チタンナイトライド層の露出部ではストイキオメトリーでないチタンナイトライドをストイキオメトリーなチタンナイトライドに変換するように再窒化を行なうものと、
前記反応室内において前記チタンナイトライド層の再窒化部及び前記チタン層の窒化部を覆ってタングステンを気相堆積してタングステン膜を形成する工程と
を含むものである。
【００１７】
このような方法によれば、ランプアニール処理に比べて低温で処理可能なプラズマ処理により窒化処理を行なうようにしたので、下地に対する熱履歴の負荷を軽減することができる。また、ＷＣＶＤ用の反応室内において窒化処理及びＷ成膜処理を続けて行なうようにしたので、被処理基板を大気にさらすことなくＷ成膜処理に移ることができ、イニシエーションステップ及びニュークリエーションステップを短縮又は省略することができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
図１は、この発明の一実施形態に係るＷ膜形成法を示すものである。
【００２２】
ステップ１０では、図２，３に示すようにＳｉ等の半導体基板２０の表面を覆うＳｉＯ２  等の絶縁膜２２に接続孔２２ａを形成した後、例えばスパッタ処理によりＴｉ層２４ａ及びＴｉＮ層２４ｂを順次に形成する。図１〜３において、図７〜９と同様の部分には同様の符号を付して詳細な説明を省略する。
【００２３】
Ｔｉ層２４ａを形成するためのスパッタ処理において、処理条件は、
温度：          １００〜２００［℃］
パワー：        ８００〜２０００［Ｗ］
圧力：          ３〜５［ｍＴｏｒｒ］
層２４ａの厚さ：２０〜４０［ｎｍ］
とすることができる。
【００２４】
ＴｉＮ層２４ｂを形成するためのスパッタ処理において、処理条件は、
温度：          １００〜２００［℃］
パワー：        ４０００〜６０００［Ｗ］
圧力：          ３〜５［ｍＴｏｒｒ］
層２４ｂの厚さ：６０〜１２０［ｎｍ］
とすることができる。
【００２５】
Ｔｉ層２４ａ及びＴｉＮ層２４ｂは、スパッタ処理の代りにＥＣＲプラズマを利用した化学気相成長（ＣＶＤ）法を用いて形成することもできる。
【００２６】
Ｔｉ層２４ａの形成するための条件は、
ガス：            ＴｉＣｌ４  ＋Ｎ２  ＋Ａｒ
圧力：            １〜５［ｍＴｏｒｒ］
マイクロ波パワー：２〜５  ［ｋＷ］
とすることができる。
【００２７】
また、Ｔｉ層２４ｂの形成するための条件は、
ガス：            ＴｉＣｌ４  ＋ＮＨ３  ＋Ｎ２  ＋Ｈ２  ＋Ａｒ
圧力：            １〜５［ｍＴｏｒｒ］
マイクロ波パワー：２〜５  ［ｋＷ］
とすることができる。
【００２８】
スパッタ処理あるいはＣＶＤ法で形成したＴｉＮ層２４ｂは、前記のように柱状構造を有しているだけでなく、いずれも化学量論的（ストイキオメトリー）な組成ではないＴｉｘ  Ｎ（１−ｘ）  という組成であり、原子レベルにおける欠陥を含んでいる。
【００２９】
Ｔｉ層２４ａ及びＴｉＮ層２４ｂの成長は、接続孔２２ａの周辺部での厚さをＴＡ  とし、接続孔２２ａの底部での厚さをＴＢ  とすると、通常、ＴＢ  ＜ＴＡ  となるように進行する。例えば、Ｔｉ層２４ａの場合、ＴＡ  ＝２０［ｎｍ］とすると、ＴＢ  ＝５〜１０［ｎｍ］となり、ＴｉＮ層２４ｂの場合、ＴＡ  ＝１００［ｎｍ］とすると、ＴＢ  ＝８〜１２［ｎｍ］となる。このことから、底部カバレッジは、Ｔｉの方がＴｉＮより良好であることがわかる。
【００３０】
次に、ステップ１２Ａでは、基板２０を大気にさらすことなくＷＣＶＤ用の反応室内の所定位置にセットし、プラズマ処理によりＴｉ層２４ａの露出部及びＴｉＮ層２４ｂの露出部を窒化する。
【００３１】
プラズマ処理においては、
ヒドラジン  Ｎ２Ｈ４、
モノメチルヒドラジン（ＭＭＨ）  ＣＨ３ＮＨ・ＮＨ２、
ジメチルヒドラジン（ＤＭＨ）  （ＣＨ３）２Ｎ・ＮＨ２
等を原料ガスとして用いることができる。
【００３２】
窒化処理の結果として、ＴｉＮ層２４ｂの露出部が再窒化され、スパッタ処理あるいはＣＶＤ法で形成しただけではストイキオメトリーな組成でないＴｉｘ  Ｎ（１−ｘ）  がストイキオメトリーなＴｉＮに変換されるので、ＴｉＮ層２４ｂの露出部は完全にＴｉＮ化され、また原子レベルでの欠陥が減少する。このため、ＴｉＮ層２４ｂのバリア性が向上する。また、基板２０の端部近傍では、図２に示すようにＴｉ層２４ａの露出部が窒化され、Ｔｉ層２４ａは、ＴｉＮ層２４ｂに連続するＴｉＮ層２４ｃで覆われる。
【００３３】
次に、ステップ１４では、ステップ１２Ａで用いたのと同じ反応室内にＳｉＨ４  ガスを流すことによりＴｉＮ層２４ｂ，２４ｃを覆ってアモルファスＳｉ膜（図示せず）を形成する。これは、イニシエーションステップであり、その処理条件は、
温度：        ４００〜５００［℃］
圧力：        ０．５  ［Ｔｏｒｒ］
ＳｉＨ４  流量：１０〜５０［ｓｃｃｍ］
処理時間：    ３０〜６０［秒］
とすることができる。
【００３４】
次に、ステップ１６では、ステップ１４で用いたのと同じ反応室内にＷＦ６  ＋ＳｉＨ４  ガスを流すことによりアモルファスＳｉ膜上にＷの核を形成する。これは、ニュークリエーションステップであり、その処理条件は、
温度：        ４００〜５００［℃］
圧力：        １  ［Ｔｏｒｒ］
ＷＦ６  流量：  ２０［ｓｃｃｍ］
ＳｉＨ４  流量：１０［ｓｃｃｍ］
処理時間：    ６０〜１２０［秒］
Ｗ核の膜厚：  １０〜５０［ｎｍ］
とすることができる。
【００３５】
次に、ステップ１８では、ステップ１６で用いたのと同じ反応室内にＷＦ６  ＋Ｈ２  ガスを流すことによりＷの核を覆ってブランケット状のＷ膜２６を形成する。これは、メインステップであり、その処理条件は、
温度：        ４００〜５００［℃］
圧力：        ４０〜９０  ［Ｔｏｒｒ］
ＷＦ６  流量：  ５０〜１００［ｓｃｃｍ］
Ｈ２  流量：    ４００〜２０００［ｓｃｃｍ］
膜２６の厚さ：４００〜１０００［ｎｍ］
とすることができる。
【００３６】
上記したＷ膜形成法によれば、ステップ１２Ａの窒化処理により層２４ｂのＴｉｘ  Ｎ（１−ｘ）  が完全なＴｉＮとなり、ＴｉＮ層２４ｂのバリア性が向上する。従って、図１０に破線Ｂで示したような破れを防止することができる。また、基板２０の端部近傍では、図２に示すようにＴｉ層２４ａを覆うＴｉＮ層２４ｃの上にＷ膜２６が形成されるので、Ｗ膜２６がはがれにくくなり、Ｗ膜２６のはがれによるパーティクル発生を防止することができる。
【００３７】
ステップ１２Ａの窒化処理は、Ｎ２  プラズマ処理により４００〜５００［℃］程度の低温で行なわれるので、下地に対する熱履歴の負荷が軽減される。従って、図３に示すようにＮ＋  型領域２０ａに対してコンタクトをとる場合に層２４ａのＴｉと領域２０ａのＳｉとが反応してチタンシリサイドが形成されるような事態は生じない。
【００３８】
プラズマ処理によるＴｉＮ，Ｔｉの窒化処理ステップ１２Ａ，Ｗの核を形成するためのイニシエーションステップ１４及びニュークリエーションステップ１６，ブランケット状のＷを形成するステップ１８の処理は、すべて単一の反応室（チャンバ）の中で行なわれるので、被処理基板２０は、窒化処理の後大気にさらされることなくＷ成膜処理を受けることになり、ＴｉＮ層２４ｂ，２４ｃの表面への水分、汚染物質等の付着を回避することができる。従って、イニシエーションステップ１４及びニュークリエーションステップ１６では、従来に比べて３０〜５０％程度処理時間を短縮することができる。場合によっては、ステップ１６，１４を省略することができる。ステップ１４，１６を省略すると、危険なＳｉＨ４  ガスを使わずに済むため、設備が簡単になると共に安全性が向上する。また、ＴｉＮ層２４ｂ，２４ｃの清浄な表面にＷ膜２６を成長させるので、異常成長が起こりにくくなり、異常成長によるパーティクル発生を防止することができる。
【００３９】
図４及び図５は、比較例に係るＷ膜形成法によるＷ膜形成状況を示すもので、  図４が基板端部の状況を示し、図５が接続孔の状況を示している。図４，５において、図２，３と同様の部分には同様の符号を付して詳細な説明を省略する。
【００４０】
図４，５の比較例は、ＴｉＮ層２４ｂをＴｉ層２４ａの窒化により形成した点で図１〜３の実施形態と異なり、他の点では図１〜３の実施形態と同様である。すなわち、図１のステップ１０に相当するステップでは、絶縁膜２２の上に接続孔２２ａを覆って前述したと同様にしてスパッタ処理により２０〜４０［ｎｍ］の厚さのＴｉ層２４ａを形成する。そして、図１のステップ１２Ａに相当するステップでは、ＷＣＶＤ用の反応室内においてＮ２プラズマ処理によりＴｉ層２４ａの露出部を窒化して５〜２０［ｎｍ］の厚さのＴｉＮ層２４ｂを形成する。このときの窒化処理の条件は、前述したのと同じにすることができる。この後は、図１のステップ１４，１６，１８と同様の処理によりＴｉＮ層２４ｂの上に接続孔２２ａを埋めるように４００〜１０００［ｎｍ］の厚さのＷ膜２６を形成する。
【００４１】
図４，５に関して上記したＷ膜形成法によれば、図１〜３に関して上記したＷ膜形成法と同様の作用効果が得られる他、図１０に示したようなボイドＶの発生を防止できる効果がある。すなわち、先に例示したように接続孔２２ａの底部においてはＴｉの方がＴｉＮよりカバレッジが良好であり、しかもＮ２  プラズマ処理では接続孔２２ａの内外でほぼ均一に窒化が進行する。このため、Ｔｉ層２４ａの窒化により得られる図５のＴｉＮ層２４ｂは、図３のＴｉＮ層２４ｂに比べて接続孔２２ａの開口端近傍での張り出しが小さくなり、接続孔２２ａの底部近傍でのＷ堆積を妨げることは少ない。従って、ボイドを発生させずにＷ膜２６を形成することができる。
【００４２】
また、図４，５のＷ膜形成法によれば、ＴｉＮのスパッタ処理が不要であるため、工程が簡単となる利点もある。
【００４３】
図１〜３のＷ膜形成法又は図４，５のＷ膜形成法によりＷ膜２６を形成した後は、図６に示すように配線を形成することができる。すなわち、絶縁膜２２の上面が露呈されるまでＷ膜２６及びＴｉＮ／Ｔｉ層２４をエッチバックし、接続孔２２ａ内にはＷ膜２６及びＴｉＮ／Ｔｉ層２４を残存させる。そして、絶縁膜２２の上面に配線材層としてＡｌ合金層を被着した後Ａｌ合金層をホトリソグラフィ及び選択的ドライエッチング処理によりパターニングして接続孔２２ａ内のＷ膜２６及びＴｉＮ／Ｔｉ層２４につながる配線層２８を形成する。
【００４４】
このような配線形成法にあっては、ＴｉＮ／Ｔｉ層２４をエッチバックせずに残しておき、ＴｉＮ／Ｔｉ層２４及び配線材層の積層を所望の配線パターンに従ってパターニングするようにしてもよい。また、ＴｉＮ／Ｔｉ層２４をエッチバックした場合、配線材層の下にＴｉＮ等の下地層を敷き、下地層及び配線材層の積層をパターニングしてもよい。
【００４５】
図７は、この発明のＷ膜形成法を２層目以降の配線形成に応用した例を示すものである。
【００４６】
絶縁膜３０の上に配線層３２を覆って層間絶縁膜３４を形成した後、ホトリソグラフィ及び選択的ドライエッチング処理により配線層３２に達する接続孔３４ａを絶縁膜３４に形成する。そして、絶縁膜３４の上に接続孔３４ａを覆って図１〜３のＷ膜形成法又は図４，５のＷ膜形成法によりＴｉＮ／Ｔｉ層３６及びＷ膜３８を形成する。この後、図６に関して前述したと同様にしてＷ膜３８及びＴｉＮ／Ｔｉ層３６のエッチバック（Ｗ膜３８のみのエッチバックでも可）、配線材層の被着（配線材層の下にＴｉＮ等の下地層を被着可）、被着層のパターニング等の処理を行なうことにより接続孔３４ａ内のＷ膜３８及びＴｉＮ／Ｔｉ層３６につながる配線層４０を形成する。
【００４７】
この発明に係るＷ膜形成法は、前述したように下地に対する熱履歴の負荷が軽減されたものであるから、ＴｉＮ／Ｔｉ層３６及びＷ膜３８を形成する際に、配線層３２を構成するＡｌ又はＡｌ合金層に対する熱履歴の負荷が小さく、Ａｌ又はＡｌ合金層におけるヒロック、ノジュール、ボイド等の不良を低減することができる。
【００４８】
【発明の効果】
以上のように、この発明によれば、プラズマ処理によりチタンナイトライド層の表面を再窒化するようにしたので、下地に対する熱履歴の負荷を軽減することができ、配線形成歩留りが向上する効果が得られるものである。
【００４９】
また、ＷＣＶＤ用の反応室内において窒化処理の後被処理基板を大気にさらすことなくＷ成膜処理を行なうようにしたので、イニシエーションステップやニュークリエーションステップを短縮又は省略することができ、工程の簡略化を達成できる効果もある。
【００５０】
さらに、Ｗ膜は、Ｔｉ層上に形成されることなく、ストイキオメトリーなＴｉＮ層上に形成されるので、Ｗ膜は、はがれにくくなり、Ｗ膜のはがれによるパーティクル発生を防止することができる効果もある。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施形態に係るＷ膜形成法を示すフローチャートである。
【図２】図１の方法による基板端部のＷ膜形成状況を示す断面図である。
【図３】図１の方法による接続孔のＷ膜形成状況を示す断面図である。
【図４】比較例に係るＷ膜形成法による基板端部のＷ膜形成状況を示す断面図である。
【図５】図４の比較例に係る接続孔のＷ膜形成状況を示す断面図である。
【図６】この発明のＷ膜形成法の一応用例としての配線形成法を説明するための断面図である。
【図７】この発明のＷ膜形成法の他の応用例としての配線形成法を説明するための断面図である。
【図８】従来のＷ膜形成法を示すフローチャートである。
【図９】図８の方法において窒化処理をしないときの基板端部のＷ膜形成状況を示す断面図である。
【図１０】図８の方法における問題点を説明するための断面図である。
【符号の説明】
２０：半導体基板、２２：絶縁膜、２２ａ：接続孔、２４：ＴｉＮ／Ｔｉ層、２４ａ：Ｔｉ層、２４ｂ：ＴｉＮ層、２６：Ｗ膜。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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