(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
揮発性成分と耐火性成分とを含む溶融塩を気化させる誘導結合プラズマトーチにおいて、該プラズマトーチが、
軸線を有するほぼ円筒形状の外側部材と、
前記外側部材の内側に同軸状に配置されて、前記外側部材との間で流体冷却材を保持するスペースを形成し、前記軸線に沿って延在するチャンバを画定する内壁を有するほぼ円筒形状の内側部材と、
溶融塩を前記チャンバ内に注入する手段と、
前記内側部材と前記外側部材との間の前記スペース内に配置され、かつ、前記流体冷却材に浸漬されて、Ｒ．Ｆ．パワーを前記チャンバ内に放射する誘導コイルであって、前記溶融塩に前記Ｒ．Ｆ．パワーを直接相互作用させることにより、溶融塩の初期の気化中に揮発性成分のキャリアガスを生成し、該キャリアガスがその後、耐火性成分の気化に使用されるようになっている誘導コイルとを含む、溶融塩を気化させる誘導結合プラズマトーチ。
【請求項２】
前記溶融塩を注入する手段が、
溶融塩の小滴を前記チャンバ内にスプレーするノズルと、
前記内側部材の前記内壁の表面上にクリーニングガスを配向して、溶融塩の成分が前記内壁の表面上に付着することを抑制する手段とを含む請求項１に記載された溶融塩を気化させる誘導結合プラズマトーチ。
【請求項３】
揮発性成分と耐火性成分とを含む溶融塩を気化させる方法において、該方法が、
チャンバ内に溶融塩を注入する段階であって、該チャンバが、実質的に円筒形状の内側部材の内壁により画定され、前記内側部材が、軸線を有する外側部材の内側に同軸状に配置されて、前記外側部材との間に流体冷却材を保持するスペースを形成する、チャンバ内に溶融塩を注入する段階と、
前記内側部材と前記外側部材との間の前記スペース内に配置され、かつ、前記流体冷却材に浸漬された誘導コイルで生成されるＲ．Ｆ．パワーで前記揮発性成分を気化させることにより、これをキャリアガスとして前記チャンバ内で生成する段階と、
前記キャリアガスの増大した蒸気圧下、前記キャリアガスで前記耐火性成分を加熱して、溶融塩の耐火性成分を微細な小滴に分解する段階と、
耐火性成分の前記微細な小滴を所定時間の間、前記チャンバ内に維持して、前記耐火性成分を気化させる段階とを含む、揮発性成分と耐火性成分とを含む溶融塩を気化させる方法。
【請求項４】
揮発性成分と耐火性成分とを含む溶融塩を気化させる装置において、該装置が、チャンバ内に溶融塩を注入する手段と、誘導コイルと、耐火性成分を気化させる手段とを含み、
前記チャンバが、実質的に円筒形状の内側部材の内壁により画定され、前記内側部材が、軸線を有する外側部材の内側に同軸状に配置されて、前記外側部材との間に流体冷却材を保持するスペースを形成し、
前記誘導コイルが、前記内側部材と前記外側部材との間の前記スペース内に配置され、かつ、前記流体冷却材に浸漬されており、Ｒ．Ｆ．パワーで前記揮発性成分を気化させることにより、これをキャリアガスとして前記チャンバ内で生成し、
前記耐火性成分を気化させる手段が、前記キャリアガスの増大した蒸気圧下、前記キャリアガスで前記耐火性成分を加熱することにより、溶融塩の耐火性成分を微細な小滴に分解し、耐火性成分の前記微細な小滴を所定時間の間、前記チャンバ内に維持して、前記耐火性成分を気化させる、揮発性成分と耐火性成分とを含む溶融塩を気化させる装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般的に、高周波誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）トーチに関する。特に、本発明は、溶融塩成分の霧化あるいは気化を開始し、維持するために必要なガス供給を最小とするＩＣＰトーチに関する。本発明は、特に、揮発性成分及び耐火性成分の双方を含む多成分放射性廃棄物スラリーのような溶融塩のＩＣＰトーチとして有用であるが、これに限られない。
【０００２】
【従来の技術】
プラズマエッチング、耐火性材料の気化、分光分析法、廃棄物の灰の焼結及び緩和のような目的のために、高温ガス状プラズマを生成することができる種々の型式のＩＣＰトーチが周知である。ＩＣＰトーチを使用することができる広範囲の適用例は、主として、これらのトーチが、一般的に、プラズマに注入される小さな粒子あるいは小滴の表面上に１００ＭＷ／ｍ２を越える熱負荷を生成することができることによる。とりわけ、新たに注目を集めている他の適用例は、放射性廃棄物の耐火性成分を改善する目的のためのプラズマの生成である。放射性廃棄物で見られるようなより頑丈な耐火性材料でさえも、約１００ＭＷ／ｍ２の熱負荷下で気化することも周知であることは重要なことである。この場合の試みは、この熱負荷を達成し、維持することである。
【０００３】
典型的操作において、ＩＣＰトーチは、高周波ＲＦ電磁場（即ち、Ｒ．Ｆ．パワー）でガス状物質をイオン化することにより、プラズマを生成する。この操作において、この場合のガス状物質は、通常の場合、キャリアガスと称され、電磁場は、一般的に、０．４〜３０ＭＨｚの一般的範囲の周波数で誘導コイルにより生成される。いずれの場合においても、結果は、約１０，０００〜２０，０００°Ｋまで上昇する温度を有する高温ガス流である。しかし、ＩＣＰトーチで生成することができる出力密度はプラズマトーチチャンバの側壁の加熱で規制されることがある。従って、トーチチャンバの側壁は、壁の温度を十分に低い（例えば、１０，０００〜２０，０００°Ｋの範囲よりかなり低い）操作温度に維持するために、高熱伝導率を有しなければならない。同時に、側壁は、ＡＣ電磁場をプラズマチャンバ内に放射可能とする高い電気抵抗も有しなければならない。
【０００４】
揮発性成分のイオン化、霧化あるいは気化は、比較的低い（例えば、１００ＭＷ／ｍ２より低く、かつ、１０，００〜２０，０００°Ｋの範囲より十分に低い）温度で生成される熱負荷を使用して達成することができるが、これは耐火性成分には当てはまらない。事実、耐火性成分の気化は、上述の１００ＭＷ／ｍ２を越える熱負荷を必要とする場合が多い。その結果、非常に高い温度が、耐火性成分を気化しようとする場合に達成されなければならない。
【０００５】
高温問題の１の解決法は、ガスを壁上に接線方向に沿って注入することにより、生成されるガス渦でプラズマトーチの壁を冷却することである。この手順はチャンバ壁を冷却するために有効であることがあるが、トーチのスループット（即ち、一定時間内に処理される材料の量）にも貢献する。更に、全スループットは、キャリアガスが、冷却ガス渦と共に、ＩＣＰトーチで使用される場合に増大する。しかし、一部の適用例においては、これらの結果は、大きな欠点を形成することがある。例えば、耐火性成分を気化する必要がある適用例においては、スループットにおけるガス量を最小化することが望ましい場合がある。特に、耐火性成分がプラズマトーチ内で気化される必要があるときに、形成されるプラズマが、その後の処理のために、真空室に移されることが必要となることがある。この適用例においては、その後の処理の効率と真空ポンプの効率は、ガス状のスループットの量を減少することでのみ、増すことができる。
【０００６】
上記説明を考慮すると、本発明の目的は、揮発性成分及び耐火性成分の双方を含む溶融塩を気化するＩＣＰトーチ及び方法を提供することであり、揮発性成分が、まず気化され、その後、気化される耐火性成分を加熱するキャリアガスを生成する。本発明の他の目的は、ガスと廃棄物との供給比を減少してガス供給量を最小化する、溶融塩を気化するＩＣＰトーチ及び方法を提供することである。本発明の更に他の目的は、トーチのチャンバ内での凝縮された蒸気の付着をコントロールする、溶融塩を気化するＩＣＰトーチ及び方法を提供することである。本発明の更に他の目的は、比較的製造が簡単で、使用し易くかつ比較的にコスト的に有効である、溶融塩を気化するＩＣＰトーチ及び方法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、誘導結合プラズマトーチは、揮発性成分及び耐火性成分の双方を含む溶融塩を霧化する。特に、溶融塩は、プラズマトーチのプラズマチャンバ内で複数の段階を経て霧化される。まず、プラズマトーチは、溶融塩の揮発性成分を気化して、チャンバ即ち室の内部でキャリアガスを生成する。トーチは、その後、キャリアガスで生成された熱及び圧力を使用して、その後の耐火性成分の気化を促進する。その結果、プラズマトーチでのガスのスループット量は低下する。更に、プラズマトーチは、プラズマトーチの作動に悪影響を与えるチャンバ内での溶融塩蒸気の凝縮を防止あるいは少なくとも最小化する構造を有している。
【０００８】
その構造の一般的観点において、本発明のプラズマトーチは、円筒形状の外側部材と、外側部材内に同軸状に配置された円筒形状の内側部材とを含んでいる。この構造の場合、スペースが、これらの２つの部材間に形成される。このスペースの目的は、実際上、２つある。第一に、プラズマトーチのＲ．Ｆ．パワーを生成するために使用される誘導コイルの場所である。第二に、このスペースは、誘導コイルとトーチ自体とを冷却する流体冷却材を保持する。更に、内側部材は、軸線方向に細長いチャンバを形成する。
【０００９】
溶融塩をチャンバ内に注入するために使用される特定の機構に応じて、内側部材は、異なる構造に形成される。１の実施形態では、内側部材は、チャンバに流入し、内側部材の壁の近部に滞留するクリーニングガスを収容する構造を有している。他の実施形態において、内側部材は、溶融塩膜を支え、かつ、装架する構造を有している。いずれの場合においても、内壁は、ガスと廃棄物との供給比を最小とするのを助け、かつ、壁上の付着物をコントロールする構造を有している。
【００１０】
本発明の１の実施形態において、溶融塩をチャンバ内に注入する機構は、単一のノズルあるいは複数のノズルである。特に、単一のノズルは、ほぼ１００ミクロンより小さい（＜１００μm）径を有する溶融塩の小滴をチャンバ内にスプレーする構造を有している。更に、この実施形態の注入機構は、ナトリウム蒸気あるいは水蒸気のようなクリーニングガスを内壁の表面上に配向する複数の通路を含んでもよい。このクリーニングガスの主目的は、溶融塩蒸気が内壁の表面上に凝縮するのを抑制あるいは防止することである。
【００１１】
ノズルが、プラズマトーチのチャンバ内に即ち室内に溶融塩を注入するために使用されるとき、円筒状の内壁は、複数の細長い、好ましくは、銅製のセグメントを含んでいる。特に、各セグメントは、チャンバの軸線に対してほぼ平行に整合し、各セグメントは、他の２つのセグメント間に並置され、各セグメントは、軸線方向に整合した液体冷却材チャンネルが形成されている。更に、電気絶縁材料から形成された離隔プレートが、並置されたセグメントの各対間に配置されている。更に、各セグメントは、セグメント上に装着されて、チャンバと協働するセラミックシールドが設けられる。セラミックシールドは、低電気抵抗と高熱衝撃抵抗とを有する耐火性材料から形成されるのが好ましい。
【００１２】
本発明の他の実施形態の場合、溶融塩をプラズマチャンバ内に注入する機構は、チャンバの一方の端部に配置され、溶融塩を内壁に接線方向に沿って配向するジェット即ち噴流を含んでいる。一般的に、溶融塩は、約０．５から約２ｍ／秒の範囲（Vθ=０．５から２ｍ／秒）の接線速度（Vθ）で内壁に注入される。特に、これは、チャンバ内で内壁を渦巻く溶融塩膜を形成するために行われる。溶融塩がこの膜の表面から蒸発するときに、溶融塩の小滴は、前述の本発明のノズルの場合と同じ態様で誘導コイルからのＲ．Ｆ．パワーで反応する。しかし、ノズルの場合とは違って、この実施形態の内壁は、膜の流れでの乱流を低減するために比較的滑らかである必要がある。更に、この実施形態の場合、ダイバータ（ｄｉｖｅｒｔｅｒ）が、チャンバの対向端部に配置され、ジェットからの蒸発していない溶融塩を内壁から受入れる。ダイバータは、その後、チャンバから蒸発していない溶融塩を除去し、この蒸発していない溶融塩をリサイクルのためにジェットに戻す。
【００１３】
その構造及びその作用の双方に関する本発明及び本発明自体の新規な特徴は、添付説明を参照して、同じ参照番号が同じ部材を参照する添付図面から最もよく理解される。
【００１４】
【発明の実施形態】
まず、図１を参照すると、本発明のＩＣＰトーチの一つの実施形態が、図示され、その全体が１０で示されている。トーチ１０で気化される材料（例えば、溶融塩）の源１２も、図１に示されている。本発明で予定されているように、源１２に保持される材料は、酸化ナトリウムあるいは水酸化ナトリウムのような揮発性成分と、高融点金属酸化物Ａｌ２Ｏ３あるいはＵＯ３のような耐火性成分との双方を含んでいる。しかし、本発明は、本明細書中で記載されている材料のみに限られない。その代わりに、本発明は、放射性廃棄物を含む、多くの異なるタイプの廃棄物流の処理を予定している。
【００１５】
図１において、トーチ１０は、ほぼ円筒形状のボデイ部材即ち体部１４と、ボデイ部材１４の一方の端部に装着されたノズル１６とを有している。図示したように、ノズル１６は、供給ライン１８を介して溶融塩源１２に流体連通して接続されている。更に、図１は、クリーニング（シールデイング即ち遮蔽）ガス源２０とＲ．Ｆ．発生器２２とが、周辺装置として設けられているのを示している。本発明の目的のために、Ｒ．Ｆ．発生器２２の一般的操作パラメータは、約３ＭＨｚの周波数と約１５０ｋＷのパワー即ち電力と約３ｋＶのループ電圧である。
【００１６】
詳細には、トーチ１０の構造は、図１と図２を相互に参照することにより、最もよく理解されるであろう。そのようにするときに、ボデイ部材１４は、上端部プレート組立体２４と下端部プレート組立体２６との間に配置された複数の特定の部材を含んでいるのが分る。これらの部材は、円筒状の外側部材２８と、外側部材２８の内側に同軸状に配置された円筒状の内側部材３０とを含んでいる。従って、外側部材２８と内側部材３０との間に、流体冷却材を保持するウオータージャケットとして作用するスペース３２が、形成される。特に、ウオータージャケットは、スペース３２内に配置された誘導コイル３４を冷却するために使用される。この特定の構造の場合、誘導コイル３４で生成される電磁場がチャンバ３６内に放射するように、内側部材３０は、水晶あるいはその他の非電導性材料から形成されるのが好ましい。
【００１７】
トーチ１０の内側部材３０とチャンバ即ち室３６との間に、実際上、内側部材３０の延長部であるセグメント状壁３８が設けられている。セグメント状壁３８は、銅から形成されるのが好ましく、図２と図３を相互に参照して分るように、壁３８は、チャンバ３６を囲む複数の細長いセグメント４０を含んでいる。更に、図３に示したように、並置されたセグメント４０（例えば、図３のセグメント４０ａ，４０ｂ）の各対間に配置された離隔プレート４２が設けられている。この離隔プレート４２は、誘導コイル３４で生成される電磁場がチャンバ３６内に放射可能とする電気絶縁材料から形成されるのが好ましい。更に、図３に示したように、セグメント４０のそれぞれは、セグメント４０を、更に、内側部材３０も冷却するのを助けるために、水をセグメント４０に通すことを可能とする軸線方向のウオーターチャンネル即ち水通路４４が設けられている。
【００１８】
まだ図２及び図３を参照すると、セグメント状壁３８は、ボデイ部材１４を冷却するのも助ける複数のアーマーヒートシールド即ち熱遮蔽外装４６も含んでいるのが分かる。シールド４６は、セラミックで、ＳｉＣ，Ａｌ２Ｏ３，ＳｉＮ，ＢＮ、あるいは、高表面温度において最小の熱応力で使用可能なその他の好適な材料のような耐火性材料から形成されるのが好ましい。本発明で予定されているように、シールド４６は、蝋付けのような当該技術で周知な態様で銅セグメント４０に機械的に取付けることができる。更に、シールド４６の幾何学形状は、設計上の好みの事項であり、熱応力を低減するストレスリリーフ即ち応力調整部材を含んでもよい。本発明で考察されているように、トーチ１０の作動中、シールド４６の表面温度は、約１１００℃である。
【００１９】
図２及び３は、内側部材３０及び内側部材３０のセグメント状壁３８の構造内に、クリーニングガスを源２０からチャンバ３６内に移送する複数の流体通路のシステムが設けられているのを示している。特に、供給ライン４８が、ナトリウム蒸気あるいは乾燥水蒸気のようなクリーニングガスをクリーニングガス源２０からボデイ部材１４に移送するために設けられている。図２に最も良く示したように、クリーニング（シールデイング）ガスは、まず、内側部材３０の内側でセグメント状壁３８に隣接して配置された主流体通路５０に流入する。複数の交差流体通路５２は、その後、クリーニングガスを、離隔プレート４２とセグメント４０間とを通って注入流体通路５４に送る。クリーニングガスは、その後、注入流体通路５４からチャンバ３６に流入し、そこから、チャンバ３６の内壁５６を覆うように配向される。更に、供給ライン４８は、ノズル１６を囲む流体通路５８を介してトーチ１０のチャンバ３６にも流体連通しているのが図２から分る。各場合に、供給ライン４８及び流体通路５０，５２，５４，５８の目的は、内壁５６を覆い、かつ、トーチ１０の作動中に内壁５６に望ましくない付着物が積重なるのを防止するのを助けるクリーニング（シールデイング）ガスを提供することである。本発明の目的のために、クリーニング（シールデイング）ガスの流量は、１分当り約７リットルである。
【００２０】
本発明のトーチ１０の作動に際し、アルゴンのようなガスが、チャンバ３６内での反応を起こすために、まず、使用される。特に、トーチ１０の作動を開始するために、Ｒ．Ｆ．パワーが、チャンバ３６内で生成される。これは、誘導コイル３４とのその接続部６０ａ，６０ｂを介して発生器２２により行われる。アルゴン（あるいはその他のリサイクリングガス）が、その後、ノズル１６を介してチャンバ３６内に供給される。その結果、Ｒ．Ｆ．パワーは、チャンバ３６内のアルゴンガスを霧化して、チャンバ３６の内壁５６を所定の名目上の値まで加熱する。次に、クリーニング（シールデイング）ガスが、チャンバ内に導かれる。クリーニングガスが、チャンバ３６内に導かれた後に、源１２からの溶融塩を、徐々にチャンバ３６内に導き始めることができる。ノズル１６を介するチャンバ３６内への溶融塩の流量は、１秒当り約１ガロン（約３．８リットル）の操作スループット流量に達するまで、徐々に増加し続ける。溶融塩のスループット量が、増加するときに、アルゴンの注入は、アルゴンを注入する必要がなくなるまで、徐々に減少する。しかし、クリーニング（シールデイング）ガスの注入は、変化せず、トーチ１０の作動全体を通して連続する。
【００２１】
前述のように、溶融塩は、チャンバ３６内に注入されるとき、５０〜１００ミクロンの範囲の径を有する小滴６２（図２参照）として注入される。小滴６２は、最初に注入されるとき、溶融塩の揮発性成分及び耐火性成分の双方を含んでいる。しかし、小滴６２の揮発性成分は、チャンバ３６内に注入直後に、気化して、チャンバ３６内に作用ガスを生成する。揮発性成分の気化から生じる作用ガスで、チャンバ３６内の温度及び圧力は、大幅に増大する。次に、これらの温度及び圧力は、溶融塩の耐火性成分を分解する。特に、この分解は、耐火性成分が、一般的に約１ミクロンより小さい径を有する溶融酸化物の微細な小滴６４（図２参照）に蒸留されるまで継続する。このときに、約１００ＭＷ／ｍ２の熱負荷が、微細な小滴６４上に生成されうる。上述のように、この熱負荷は、耐火性成分を気化するのにも十分である。耐火性成分が微細な小滴６４に分解するときに、これらの微細な小滴６４は、揮発性成分の気化から生ずる圧力で、約１００ｍ／ｓの速度に加速されることに気付くのが役に立つ。これらの速度の場合、チャンバ３６が約５ｃｍの長さを有する場合に、微細な小滴６４がチャンバ３６内に滞留する時間は、約５ｘ１０−４秒である。５ｘ１０−４秒は、短いが、微細な小滴６４が出口孔６６を介してトーチ１０を離れる前に、微細な小滴６４内の残留耐火性成分が完全に気化するのに十分である。
【００２２】
本発明のＩＣＰトーチの代替的実施形態が、図４に図示され、その全体が８０で示されている。トーチ８０の作動に関連する物理的過程に関する限りでは、トーチ１０に関連して上述した同じ現象が、トーチ８０にも同様に当てはまる。即ち、溶融塩は、揮発性成分及び耐火性成分の双方を含む小滴６２として提供される。揮発性成分は、まず気化して、作用ガスを生成し、この作用ガスは、耐火性成分を微細な小滴６４に分解する。微細な小滴６４も、その後、気化する。これに注目すると、トーチ８０とトーチ１０との間の主たる違いは、トーチ８０の場合、溶融塩自体が、トーチ８０の構造体に比較的低い操作温度を維持するために使用されるということである。トーチ１０ではセグメント状壁３８がこの機能を果していることに留意されたい。更に、トーチ８０の場合、溶融塩自体が、内壁５６を望ましくない付着物からシールドするために使用される。トーチ１０の場合、この機能は、クリーニング（シールデイング）ガスを使用して達成される。
【００２３】
図５から最も良く分るように、トーチ８０は、円筒状の外側部材８２と円筒状の内側部材８４とを含んでいる。部材８２，８４は、同軸状で、図示したように、その間に誘導コイル８８のためのスペースを形成する。トーチ１０に関して上述の態様で、トーチ８０のスペース８６は、誘導コイル８８のための場所を提供するだけでなく、誘導コイル８８のウオータージャケットも形成する。更に、内側部材８４は、トーチ８０のチャンバ９２を効果的に画定する内壁９０を形成しているのが分る。
【００２４】
溶融塩をチャンバ９２内に注入するためにノズル１６を使用する代わりに、トーチ１０のチャンバ３６に対し行われたように、トーチ８０は、複数の供給ライン９４ａ〜９４ｄを使用する。図５に示したように、供給ライン９４ａが例示されている供給ライン９４は、溶融塩を、内壁９０に対して接線方向に配向されたスラリー９６として案内する。特に、スラリー９６は、約０．５から２ｍ／秒の範囲の接線速度（Ｖθ＝０．５〜２ｍ／秒）で内壁に配向される。溶融塩は、その後、チャンバ９２内の内壁９０で薄膜として回転する。
【００２５】
トーチ８０の作動は、トーチ１０に関して上述した態様と同様な態様で開始する。特に、アルゴンのような希ガスが、チャンバ９２を加熱するために使用される。チャンバが加熱されると、溶融塩のスループット量は、アルゴンガスが必要とされなくなるまで、徐々に増大する。溶融塩膜がチャンバ９２を通過中に、チャンバ９２内の熱により、溶融塩は、小滴６２として沸騰される。前述のように、小滴６２の揮発性成分は、その後、気化して、耐火性成分を微細な小滴６４に分解する。結果として形成される耐火性成分の微細な小滴６４も、次に、気化する。これらの全ては、トーチ１０の作動に関して上述した態様で発生する。しかし、トーチ８０の作動の場合、チャンバ９２を通過後、リサイクルする必要がある所定量の残留溶融塩膜が存在する。このリサイクルは、溶融塩膜をチャンバ９２から除去するために、トーチ８０の出口孔１００の近部に配置されたダイバータ（キャッチャー）９８を使用して達成される。溶融塩は、その後、戻りライン１０２及び管路１０４を介して、ダイバータ（キャッチャー）９８から溶融塩源１２に移送されて、リサイクルされる。
【００２６】
本明細書中で示されかつ詳細に開示された特定の誘導プラズマトーチ液体廃棄物インジェクタは、本明細書中で前述した目的を達成し、効果を提供することは完全に可能であるが、それは、本発明の現在好ましい実施形態の単なる例示であり、添付特許請求の範囲に記載したもの以外の本明細書中で示した構造あるいは設計の詳細に対する制限は予定されていないことが理解されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【図１】周辺部材と組合されて概略的に示されている本発明のＩＣＰトーチの斜視図。
【図２】図１の線２−２に沿うＩＣＰトーチの断面図。
【図３】図１の線３−３に沿うＩＣＰトーチの断面図。
【図４】周辺部材と組合されて概略的に示されている本発明のＩＣＰトーチの他の実施形態の斜視図。
【図５】図４の線５−５に沿うＩＣＰトーチの断面図。
【符号の説明】
１０，８０  ＩＣＰトーチ
１２  溶融塩源
１４  ボデイ部材
１６  ノズル
２０  クリーニングガス源
２２  Ｒ．Ｆ．発生器
２４，２６  プレート組立体
２８，８２  外側部材
３０，８４  内側部材
３２，８６  スペース
３４，８８  誘導コイル
３６，９２  チャンバ
３８  セグメント状壁
４０  セグメント
４２  離隔プレート
４４  ウオーターチャンネル
４６  シールド
４８，９４  供給ライン
５０，５２，５４，５８  流体通路
５６，９０  内壁
６２  小滴
６４  微細な小滴
９６  スラリー
９８  ダイバータ
１００  出口孔
１０２  戻りライン
１０４  管路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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