(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
目標組成となるように各成分を配合した混合物（共沈粉を含む）をいったん焼成し，この焼成物を粉砕するという焼成・粉砕の工程を経て仮焼粉を製造し，得られた仮焼粉を成形および焼結することによりビスマス系酸化物超電導体を製造する方法において，前記仮焼粉の製造過程における粉砕工程を露点１０℃以下の雰囲気下で行うことを特徴とするビスマス系酸化物超電導体の製造法。
【請求項２】
仮焼粉は，最終的に６００℃以上融点以下の温度で熱処理されたものである請求項１に記載の酸化物超電導体の製造法。
【請求項３】
熱処理は露点１０℃以下の雰囲気下で行われる請求項２に記載の酸化物超電導体の製造法。
【請求項４】
仮焼粉の焼成と粉砕は，当該仮焼粉と実質上同一の成分組成のコーテング層をもつ容器または冶具を用いて行われる請求項１，２または３に記載の酸化物超電導体の製造法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，高い臨界電流密度を有する酸化物超電導体の製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
酸化物超電導物質として各種の材料が提案されているが，これらの酸化物焼結体（バルク体）はその成分組成がどのようなものであっても一様に臨界電流密度が低いという性質がある。このために超電導電流リードへの適用が困難であるという共通した問題がある。
【０００３】
例えば，公知の酸化物超電導体であるＹ系，Ｂｉ系，Ｔｌ系，Ｈｇ系等の焼結体酸化物超電導体の臨界電流密度（以下，Ｊｃと略することがある）は一般的に２００〜３００Ａ／ｃｍ２程度である。例えばＹ系焼結体では，そのＪｃは高々１００Ａ／ｃｍ２程度であり，このため，溶融法で製造することも試みられているが，この場合には意図する形状のものが得られないという難点がある。Ｂｉ系については或る報告では１０００Ａ／ｃｍ２のものが得られたことが報じられ，また最高で２５００Ａ／ｃｍ２が得られたという報告もある。しかし，超電導電流リードへの適用には少なくとも３０００Ａ／ｃｍ２以上の可能な限り高いＪｃが必要とされるので，満足すべきものではない。このため，大容量の超電導電流を流すことのできる酸化物超電導体を得るべく各方面で開発が進められている。
【０００４】
酸化物超電導体物質においてそのＪｃを高めるには，結晶の方位を揃えるといった方策や，  高密度化した焼結体にすることが必要である。また不純物を可能な限り低減することも必要である。したがって，酸化物超電導体の高Ｊｃ化はその使用材料が決め手になるといっても過言ではない。
【０００５】
従来の酸化物超電導体は，目標組成となるように各成分を配合した原料粉を成形・焼結して酸化物超電導体材料とするものであるが，この原料粉として一般に仮焼粉が用いられる。仮焼粉は，目標組成となるように各成分を配合した混合物（共沈粉を含む）をいったん焼成し，この焼成物を粉砕するという焼成・粉砕の工程を数回繰り返すことによって得られた粉体である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
この仮焼粉を成形・焼結して目標とする成分組成と結晶構造を有する酸化物超電導体とする場合，仮焼粉自体が目標とする酸化物超電導体と実質的に同一の成分組成を有するように精密に制御されていても，そして，原料から同伴する不可避的不純物を可能な限り低減したとしても，それだけでは，Ｊｃの向上効果には限度があることがわかった。本発明はこの限界を克服することを課題としたものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は，目標組成となるように各成分を配合した仮焼粉を成形・焼結してなる酸化物超電導体であって，該仮焼粉中の炭素含有量を１．０重量％以下好ましくは０．１重量％以下に抑制し，さらには，水分含有量を３．０重量％以下好ましくは０．５重量％以下に抑制し，さらには，原料以外の製造過程で混入する不純物（Ｃおよび水を除く）を０．０５重量％以下に抑制してなる臨界電流密度の高い酸化物超電導体を提供しようとするものである。ここで言う仮焼粉は，例えば，目標組成となるように各成分を配合した混合物（共沈粉を含む）をいったん焼成し，この焼成物を粉砕するという焼成・粉砕の工程を１回または数回繰り返すことによって得られた粉体を言う。すなわち本発明によれば，目標組成となるように各成分を配合した混合物（共沈粉を含む）をいったん焼成し，この焼成物を粉砕するという焼成・粉砕の工程を経て仮焼粉を製造し，得られた仮焼粉を成形および焼結することによりビスマス系酸化物超電導体を製造する方法において，前記仮焼粉の製造過程における粉砕工程を露点１０℃以下の雰囲気下で行うことを特徴とするビスマス系酸化物超電導体の製造法を提供する。そのさい，仮焼粉は，最終的に６００℃以上融点以下の温度で熱処理されたものであるのがよく，その熱処理は露点１０℃以下の雰囲気下で行うのがよい。また，仮焼粉の焼成と粉砕は，当該仮焼粉と実質上同一の成分組成のコーテング層をもつ容器または冶具を用いて行うのがよい。
【０００８】
【発明の実施の形態】
酸化物超電導体物質を得るには，先ず高純度の原料粉を使用することが必要である。例えばビスマス系で言えば，  特定の或る成分組成例えばＢｉ１．８５Ｐｂ０．３５Ｓｒ１．９０Ｃａ２．０５Ｃｕ３．０５Ｏｘ  の焼結体を得るには，その組成比に限りなく近い組成比をもつ高純度の仮焼粉を準備する必要がある。かような仮焼粉の出発原料としては，Ｂｉ２Ｏ３，ＰｂＯ，ＳｒＣＯ３，ＣａＯおよびＣｕＯの粉体が用いられるが，これらの原料粉自体が高純度であることが必要である。また，  このような原料を共沈法によって製造する場合にも，不純物が混在するようなことは避けねばならない。
【０００９】
しかし，酸化物超電導体物質の成分組成となるように仮焼粉の成分量を精密に制御し且つ高純度の原料を使用して原料から同伴する不純物を可及的に低減しても，酸化物超電導体のＪｃの向上には超えられない限界があり，これは大気中の水分と炭酸ガスに主因があることを本発明らは知った。大気中の水分と炭酸ガスに起因して，仮焼粉中に炭素（水）が含有されることになり，これが酸化物超電導体のＪｃに有害に作用するのである。例えば仮焼粉中の炭素含有量が１重量％を超えるととＪｃは５００Ａ／ｃｍ２以下に低下し，水分が３重量％を超えてもＪｃは５００Ａ／ｃｍ以下２に低下する。
【００１０】
また，たとえ高純度の原料物質を使用しても，仮焼粉製造時に不可避的に混入する不純物（Ｃと水を除く）もＪｃの向上や品質特性に有害に作用することがわかった。仮焼粉製造過程で混入する他の不純物としてＳｉ，Ａｌ，Ｚｒ，Ｎａ，アルカリ土類金属類や重金属類があるが，これらは焼成，粉砕時に用いられる冶具と装置及び人から混入することがわかった。このような不純物が０.０５重量％以上になると，Ｊｃは３００Ａ／ｃｍ2以下に低下する。
【００１１】
大気中から炭素が混入する経路は次のように考えることができる。すなわち，大気中の水分が超電導結晶を構成していない微量な物質と接すると水酸化物を形成し，この水酸化物が雰囲気中の炭酸ガスと作用して炭酸物を作り，この炭酸物がＣとしての含有量を増加させ，最終的にＣが結晶粒界に析出する。このようにして結晶粒界にＣが析出すると粒子間を流れる超電導電流を阻害するものと本発明者らは考えている。
【００１２】
このような大気中からの水分と炭素の混入は，出発原料物質をいくら高純度のものに厳選しても回避できるものではなく，とりわけ，仮焼粉の製造過程で起きることがわかった。とくに，仮焼粉を製造する焼成工程と粉砕工程のうち，粉砕工程で混入する機会が多い。焼成後に粉砕した状態では，比表面積の急激な増大と活性点の増大によって，大気中の湿分を吸湿しやすい状態となっているからである。この吸湿現象は，空気温度にもよるが特に露点が１０℃より高い雰囲気では吸湿しやすいことがわかった。したがって，露点１０℃以下，好ましくは露点５℃以下の雰囲気下で粉砕し保持すればこの粉砕時における吸湿の問題は解決される。しかし，この粉砕時の吸湿を低減する対策だけではなお不充分であり，炭素含有量を可及的に少なくした仮焼粉を製造する必要がある。
【００１３】
本発明によれば，炭素含有量の低い仮焼粉は，粉砕工程のあと６００℃以上融点以下の温度で熱処理することによって有利に得られることがわかった。熱処理温度が５００℃程度では炭素は除去できず，また結合力の強くない水分は除去できるが十分ではない。６００℃以上，好ましくは７００℃以上の温度で熱処理すると炭素と水分は共に除去できる。ただし，融点以上の温度では溶解分解が起こって目的物以外の物質となるので排除すべきである。この熱処理温度に保持する時間は処理温度によって決定されるが，０．１〜５０時間の範囲であればよい。より具体的には，イットリウム系仮焼粉では８５０〜９５０℃で５〜１０時間の熱処理を，またビスマス系仮焼粉では７５０〜８５０℃で５〜１０時間の熱処理を行うのがよい。
【００１４】
図１は，後記の実施例１における仮焼粉製造時の熱処理温度を変えた場合の該温度と仮焼粉中のＣ含有量との関係を示したものである。図１から明らかなように，熱処理温度が７５０℃以上でＣ含有量は０．１重量％以下となり，さらに高い温度にすれば，Ｃ含有量を０．０５重量％以下とすることができる。
【００１５】
図２は，同様に後記実施例３における仮焼粉製造時の熱処理温度を変えた場合の該温度と仮焼粉中のＣ含有量との関係を示したものであるが，図２から明らかなように，熱処理温度が８５０℃以上でＣ含有量は０．１重量％以下となり，さらに高い温度にすればＣ含有量を０．０５重量％以下とすることができる。
【００１６】
図３は，後記の実施例１と同じ成分組成のビスマス系超電導焼結体について，該仮焼粉中のＣ含有量を変えた場合の超電導焼結体のＪｃの測定値を示したものである。Ｃ含有量の調節は，実施例１と同じ方法で得られた仮焼粉を，純水を少量入れたデシケータ内に入れて適当な時間（２４〜７２時間）放置することによって行った。このようにして各種のＣ含有量を有する仮焼粉を直径約２０ｍｍの円板状に形成し，これを８５０℃で一次焼結し，密度を高めるために，さらにＣＩＰ（冷間等方圧縮）し，再度８５０℃で二次焼結して焼結体を得，得られた焼結体のＪｃを測定した。
【００１７】
なお，Ｊｃの測定は，得られた焼結体を１ｍｍ角の断面をもつ短冊状に切り出し，Ｊｃ測定用電極およびリード線を取付けて測定した。また，Ｃ含有量の測定は，デシケータで放置処理した各仮焼粉の一部をサンプリングし，１０００℃以上の高温に加熱し，燃焼させた状態で出てくる炭酸ガスを赤外線分光器で定量した。
【００１８】
図３から明らかなように，焼結体中のＪｃ（Ａ／ｃｍ２）は仮焼粉のＣ含有量の低下と共に急減に向上することがわかる。本仮焼粉の場合，Ｃ含有量が０．０８重量％以下の付近からＪｃは急激に向上しはじめ，０．０４重量％以下は３０００Ａ／ｃｍ２を超えるようになる。
【００１９】
図４は，図３と同じ仮焼粉中の水分量と超電導焼結体のＪｃの測定値を示したものである。この水分量の調整は，図３の場合と全く同様に，デシケータ内に放置する時間を変化させることによって行なったものである。図３と同一サンプルについて，３００まで加熱した際に出てくる水分をカールフイッシャー水分計を用いて測定した。
【００２０】
図４から明らかなように，焼結体中のＪｃ（Ａ／ｃｍ２）は仮焼粉中の水分含有量の低下と共に急激に向上することがわかる。本例の場合，仮焼粉の水分含有量が０．２重量％付近を境にして，これ以下になるとＪｃ値は急激に立ち上がっている。
【００２１】
図５は，図３と図４のデータにおいて，仮焼粉中のＣ含有量と水分含有量の関係を示したものである。図５から明らかなように，仮焼粉中のＣ含有量と水分含有量の間には明確な相関があることがわかる。
【００２２】
このように仮焼粉中のＣ含有量と水分含有量は焼結体のＪｃに重大な影響を与えるのであり，従来の水準を超えたＪｃを得るにはＣ含有量と水分含有量の抑制が不可避な要件であることが明らかである。
【００２３】
しかし，仮焼粉中のＣ含有量と水分含有量を可及的に抑制できたとしても，仮焼粉製造中に容器や冶具から不純物が混入しては，その効果も減少してしまう。焼成時の容器や粉砕時の粉砕冶具からの不純物の混入を回避する手段としては，製造しようとする仮焼粉と同一組成の粉体ペーストを作り，これをそれら容器や冶具の表面に０．０１〜１ｍｍ程度の厚さに塗布し，７００〜９５０℃でその塗膜を焼成するのがよい。これによって，十分な強度を有する同一組成の保護皮膜が形成されるので，該不純物の混入が効果的に防止できる。
【００２４】
このようにして製造された本発明の仮焼粉はＣ≦０．０５重量％，水分≦０．２重量％，その他の不純物≦０．０１重量％とすることができ，これを焼結した超電導体物質の臨界電流密度は安定して１０００Ａ／ｃｍ２  以上，ビスマス系では３０００Ａ／ｃｍ２  以上，さらには５０００Ａ／ｃｍ２  以上にも高めることができる。
【００２５】
【実施例】
〔実施例１〕
Ｂｉ２Ｏ３，ＰｂＯ，ＳｒＣＯ３，ＣａＯおよびＣｕＯの粉状物を，Ｂｉ系超電導材料の高温相（２２２３相）が得られる割合いで混合し，８００℃×１０時間の焼成と露点１０℃以下の雰囲気下での粉砕とからなる工程を２回繰り返し，最後に露点１０℃以下の雰囲気下で８００℃で５時間の熱処理を行ったあと，露点１０℃以下の雰囲気下で粉砕した。そのさい，粉砕に用いた冶具並びに熱処理に用いた容器は，予めその表面を同一組成のペーストで塗布し，その塗膜を焼成処理しておいた。得られた仮焼粉の一部をサンプリングし，Ｃ濃度，水分濃度および不純物濃度を本文に記載の方法で測定した。
【００２６】
また，得られた仮焼粉をプレス成型し，８５０℃で５０時間焼成し，更にＣＩＰ（冷間等方圧縮法）にて再度圧縮し，再び８５０℃で５０時間焼成した。得られた焼結体を切り出し，Ｊｃを本文に記載の方法で測定した。各測定結果を表１に示した。
【００２７】
〔実施例２〕
原料の粉状物として各成分を共沈させた共沈粉を使用した以外は，実施例１と同じ条件で同一組成の仮焼粉を製造し，得られた仮焼粉を実施例１と同じ条件で焼結した。焼結体のＪｃおよび仮焼粉のＣ濃度，水分濃度および不純物量を実施例１と同様の方法で測定した。その結果を表１に示した。
【００２８】
〔参考例〕
Ｙ2Ｏ3，ＢａＣＯ3，ＣｕＯの粉状物をモル比で１：２：３の割合いで混合し，９４０℃×３０時間の焼成と露点１０℃以下の雰囲気下での粉砕とからなる工程を２回繰り返し，最後に露点１０℃以下の雰囲気下で９００℃で１０時間の熱処理を行ったあと露点１０℃以下の雰囲気下で粉砕した。使用した冶具および容器は，本例の組成物と同じ組成のペーストをその表面に塗布し，これを焼成処理しておいた。
【００２９】
得られた仮焼粉をプレス成型し，９５０℃で５０時間焼成した。得られた焼結体からＪｃ測定用試料を切り出して焼結体のＪｃを実施例１と同様の方法で測定した。また仮焼粉のＣ濃度，水分濃度および不純物量を実施例１と同様の方法で測定した。その結果を表１に示した。
【００３０】
〔比較例１〕
仮焼粉の製造過程において，８００℃で５時間の最終熱処理を行わなかった以外は，実施例１と同様の方法で焼結体を得た。また，冶具および容器はペーストの塗布・焼結処理なしのものを用い，また粉砕は大気中で行った。得られた焼結体のＪｃおよび仮焼粉のＣ濃度，水分濃度および不純物量を実施例１と同様の方法で測定し，その結果を表１に示した。
【００３１】
〔比較例２〕
仮焼粉の製造過程において，９００℃で１０時間の最終熱処理を行わなかった以外は，実施例３と同様の方法で焼結体を得た。冶具および容器はペーストの塗布・焼結処理なしのものを用い，また粉砕は大気中で行った。得られた焼結体のＪｃおよび仮焼粉のＣ濃度，水分濃度および不純物量を実施例１と同様の方法で測定し，その結果を表１に示した。
【００３２】
【表１】
0003568657.tif 000002
【００３３】
表１から，仮焼粉製造のさいの最終工程で高温熱処理を施さなかった比較例のものに比べて，高温熱処理を施した本発明実施例のものは，Ｃ量と水分量が極低域にまで低減し，これらの仮焼粉を用いた超電導焼結体は高いＪｃを示すことがわかる。また表面を同一組成物の焼成被覆で覆った冶具や容器を用いると不純物の混入が回避でき，このことも高いＪｃを得るうえで寄与している。
【００３４】
なお，表１に記載した密度は各焼結体の単位容積当りの重量測定を行ない，次の３段階で評価したものである。
◎印：相対密度８０％以上
○印：相対密度７０〜８０％未満
△印：相対密度６０〜７０％未満
【００３５】
また，表１に記載した成形性は，各仮焼粉を圧粉法による成形性試験に供し，所定圧力でペレット状に成形したものを１００ｍｍの高さから落とした場合の状態を次の３段階で評価したものである。
◎印：ペレット形状を維持する。
○印：一部が崩れる。
△印：ペレット形状を維持しない。
表１から本発明実施例のものは密度および成形性が良好であり，酸化物超電導材料をバルク材として安定して製造できることがわかる。
【００３６】
【発明の効果】
以上説明したように，本発明によれば，従来の水準を超えた高いＪｃを有する酸化物超電導体物質を提供でき，ビスマス系では５０００Ａ／ｃｍ２  程度の臨界電流密度も達成可能である。また，Ｃ≦０．０５重量％，水分≦０．２重量％，
その他の不純物≦０．０１重量％といった高純度の仮焼粉を使用する本発明の超電導体は，成形性および密度の点でも優れているので，例えば線材の製造時にもふくれが抑制される結果，超電導線材の製造技術にも大きく貢献できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１の熱処理温度を変えた場合の該温度と焼結体中のＣ含有量との関係を示す図である。
【図２】実施例３の熱処理温度を変えた場合の該温度と焼結体中のＣ含有量との関係を示す図である。
【図３】Ｂｉ系超電導体についての仮焼粉中のＣ含有量と焼結体のＪｃの関係を示す図である。
【図４】Ｂｉ系超電導体についての仮焼粉中の水分含有量と焼結体のＪｃの関係を示す図である。
【図５】Ｂｉ系超電導体についての仮焼粉中の炭素含有量と水分含有量の関係を示す図である。
【図１】
0003568657.tif 000003
【図２】
0003568657.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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