(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路が形成された半導体チップの第１主表面上に、前記集積回路に一端が接続された突起電極を形成する工程と、
前記半導体チップを凹部を有する型の第１の部分の当該凹部内に前記第１主表面を上側にして配置する工程と、
前記半導体チップの前記第１主表面上に、固化させた状態の熱可塑性樹脂を配置する工程と、
前記熱可塑性樹脂を可塑性を示す温度に加熱する工程と、
前記型の第１の部分と該第１の部分に対向する型の第２の部分とにより、流動化した熱可塑性樹脂を押圧して前記半導体チップの前記第１主表面に形成されている前記突起電極を熱可塑性樹脂で覆う工程とを含むこと
を特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
固化させた状態の熱可塑性樹脂を凹部を有する型の第１の部分の当該凹部内に配置する工程と、
前記熱可塑性樹脂の表面上に、集積回路を具え、当該集積回路に一端が接続された突起電極が第１主表面上に形成されている半導体チップを前記第１主表面を上側にして配置する工程と、
前記固化させた状態の熱可塑性樹脂を可塑性を示す温度に加熱する工程と、
前記型の第１の部分と該第１の部分に対向する型の第２の部分とにより、流動化した熱可塑性樹脂を押圧して前記半導体チップの前記第１主表面に対向する第２主表面を熱可塑性樹脂で覆う工程とを含むこと
を特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記固化させた状態の熱可塑性樹脂の表面上に、集積回路を具え、当該集積回路に一端が接続された突起電極が第１主表面上に形成されている半導体チップを配置する工程の後に、
さらに前記半導体チップ表面上に固化させた状態の熱可塑性樹脂を配置する工程を含むこと
を特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記突起電極の他端を覆うように前記半導体チップを封止材により封止した後に、当該封止材を前記突起電極の他端が露出するまで研磨する工程を含むこと
を特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
凹部を有する第１の型の当該凹部内に、表面に突起電極が形成された半導体基板を配置する工程と、
前記第１の型内に配置された半導体基板の前記表面上に熱可塑性樹脂を配置する工程と、
前記熱可塑性樹脂が流動化する温度に加熱する工程と、
前記第１の型と当該第１の型に対向する第２の型とで前記熱可塑性樹脂を押圧することで、前記半導体基板を流動化した前記樹脂にて覆う工程とを含むこと
を特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記半導体基板の表面を樹脂で覆う工程の後、前記樹脂の表面を研磨する工程を含むこと
を特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
この発明は半導体装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、半導体チップを搭載したパッケージ（半導体パッケージ）として種々の構造のものが提案されている。図３１は従来の半導体パッケージの構造を概略的に示す断面図である。一例としてリードフレームを用いた樹脂モールドタイプの半導体パッケージの構造を、図３１に示した。
【０００３】
図３１に示す半導体パッケージは、リードフレーム１０に搭載した半導体チップ１２を封止樹脂１４で封止して成る。
【０００４】
リードフレーム１０はダイパッド部１０ａ及びリード部１０ｂを有する。半導体チップ１２を導電体１６を介してダイパッド部１０ａに固定する。また所定個数のリード部１０ｂをダイパッド部１０ａの周囲に配置し、リード部１０ｂ及び半導体チップ１２をボンディングワイヤ１８を介して電気接続する。そしてダイパッド部１０ａ、その近傍のリード部１０ｂの一部、半導体チップ１２、及びボンディングワイヤ１８を、封止樹脂１４で覆う。
【０００５】
リード部１０ｂを半導体チップ１２と電気接続するための内部リード端子を、リード部１０ｂの封止樹脂１４で封止する部分に設ける。またリード部１２を図示しない配線板と電気接続するための外部リード端子を、リード部１０ｂの封止樹脂１４で封止しない部分に設ける。
【０００６】
次に上述の従来パッケージの製造方法につき説明する。図３２及び図３３は図３１に示す従来パッケージの製造工程を概略的に示す断面図である。
【０００７】
まず、半導体チップ１２をフェースアップで導電体１６を介してダイパッド部１０ａに固定する（図３２（Ａ））。次に、半導体チップ１２に既に形成してある回路素子（図示せず）をボンディングワイヤ１８を介してリード部１０ｂと電気接続する（図３２（Ｂ））。次に、ダイパッド部１０ａ、その近傍のリード部１０ｂの一部、半導体チップ１２、及びボンディングワイヤ１８を、封止樹脂１４で封止する（図３３）。次に図３１にも示すように、リード部１０ｂの封止樹脂１４で封止していない部分を折り曲げ、半導体パッケージを完成する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら上述した従来パッケージでは、半導体チップをボンディングワイヤ及びリード部を介し配線板と接続する構造となっているため、半導体パッケージの外形サイズ（パッケージサイズ）を小さくすることに限界がある。
【０００９】
近年は半導体チップ１個当たりに形成される電気回路素子の集積度が増加する傾向が強く、その結果、半導体チップの外形サイズ（チップサイズ）はますます大きく成りつつある。一方、配線板への実装密度を高めるためには、パッケージサイズを小さくすることが必要である。従ってチップサイズが大きくなる中でパッケージサイズを小さくするには、ボンディングワイヤの長さを短くしたり、半導体パッケージから突出するボンディングワイヤの高さを低くしたりすることが望まれる。しかし長さを短くし過ぎたり高さを低くし過ぎたりすると半導体チップとリード部とをボンディングワイヤで電気接続することが出来なくなるため、パッケージサイズを必ずしも充分に満足できる程度まで小さく出来ない。
【００１０】
この発明の目的は上述した従来の問題点を解決し、サイズをより小さく出来る半導体装置とその製造に適した半導体装置の製造方法とを提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
この目的の達成を図るため、この出願に係る半導体装置の製造方法の発明によれば、集積回路が形成された半導体チップの第１主表面上に、集積回路に一端が接続された突起電極を形成する工程と、半導体チップを凹部を有する型の第１の部分の凹部内に第１主表面を上側にして配置する工程と、半導体チップの第１主表面上に、固化させた状態の熱可塑性樹脂を配置する工程と、熱可塑性樹脂を可塑性を示す温度に加熱する工程と、型の第１の部分と第１の部分に対向する型の第２の部分とにより、流動化した熱可塑性樹脂を押圧して半導体チップの第１主表面に形成されている突起電極を熱可塑性樹脂で覆う工程とを含んでいる。
【００１２】
また、この発明の製造方法によれば、固化させた状態の熱可塑性樹脂を凹部を有する型の第１の部分の凹部内に配置する工程と、熱可塑性樹脂の表面上に、集積回路を具え、集積回路に一端が接続された突起電極が第１主表面上に形成されている半導体チップを第１主表面を上側にして配置する工程と、固化させた状態の熱可塑性樹脂を可塑性を示す温度に加熱する工程と、型の第１の部分とこの第１の部分に対向する型の第２の部分とにより、流動化した熱可塑性樹脂を押圧して半導体チップの第１主表面に対向する第２主表面を熱可塑性樹脂で覆う工程とを含んでいる。なお、以下において、この発明の半導体装置自体に関する発明を第一発明と称し、これらの製造方法に関する発明を第二発明と総称することがある。
【００１３】
また、この発明の半導体装置の製造方法によれば、凹部を有する第１の型の当該凹部内に、表面に突起電極が形成された半導体基板を配置する工程と、第１の型内に配置された半導体基板の表面上に熱可塑性樹脂を配置する工程と、熱可塑性樹脂が流動化する温度に加熱する工程と、第１の型とこの第１の型に対向する第２の型とで熱可塑性樹脂を押圧することで、半導体基板を流動化した樹脂にて覆う工程とを含むことを特徴とする。
【００１４】
また、この出願で外部端子とは、突起電極と外部との電気的接続を補助するための導体であって、突起電極の第２端部に形成される導体を意味する。そのため、以下では、外部端子を補助導体と称することがある。
【００１５】
また、第一発明又は第二発明の実施に当たっては、半導体チップの第２主表面をセラミックス板で封止するのがよい。
【００１６】
さらに第一発明又は第二発明の実施に当たっては、集積回路部を封止する封止材が熱硬化型樹脂および熱可塑性樹脂のいずれか一方を含むのが好ましい。また第二発明は第一発明の半導体装置を製造するのに適した方法のひとつであって、従って第一発明を第二発明によって製造したものに限定するものではない。
【００１７】
【作用】
第一発明によれば、突起電極を集積回路部から突出させて形成するので、突起電極の突出方向から見た半導体装置の長さ及び幅を、半導体チップと同程度まで小さくできる。また突起電極の突出方向における半導体装置の高さを、突起電極の突出高さを低くすることによって低くできる。特に、第一発明のうちの特に外部端子を備える発明によれば、この外部端子を備えることにより、半導体装置を配線基板等に搭載する際に、半導体装置と配線基板とを電気的に確実に接続させることができる。また第一発明のうちの封止材の厚さを考慮した発明によれば、封止材の厚さを第１端部および第２端部間の距離と実質的に同じにしてあるので、突起電極を封止材によって保護することができる。
【００１８】
さらに少なくとも集積回路部を封止しているので、半導体装置を保管し或は運搬し或は実装するときに集積回路部が損傷するのを防止出来る。
【００１９】
また、第二発明によれば、小型であって、しかも保管や運搬や実装に便利な半導体装置を提供出来る。また、第二発明の好適例によれば、少なくとも突起電極及び集積回路部を封止材で覆った後に封止材を削って露出させると、集積回路部の封止と突起電極の露出とを簡略に行なえる。
【００２０】
【実施例】
以下、図面を参照し、発明の実施例につき説明する。尚、図面はこの発明が理解できる程度に概略的に示してあるにすぎず、従ってこの発明を図示例に限定するものではない。
【００２１】
図１は第一発明の第一実施例の構成を概略的に示す断面図である。この実施例の半導体装置（この実施例では半導体パッケージと称する。）３４は半導体チップ２２と、半導体チップ２２の集積回路部２２ａに突出させて設けた接続導体（突起電極）２０と、接続導体２０の突出端部（第２端部）を露出させて集積回路部２２ａを封止する封止材２８とを備える。図１に示すように、接続導体２０は、第１端部及び第２端部を両端に有しており、この第１端部が集積回路に接続されてかつこの第２端部が封止材２８から露出するように設けられている。また、半導体チップ２２の表面のうち集積回路が設けられている主表面を第１主表面と称し、集積回路が設けられていない第１主表面と反対側の主表面を第２主表面と称し、それ以外の半導体チップ２２の表面を側面と称する。この集積回路は、上述した集積回路部２２ａと等しい。
【００２２】
図示せずも、集積回路部２２ａは電気回路素子例えばトランジスタや容量や配線を有し、所望の電気回路素子の端子部分に接続導体２０を設ける。封止材２８は半導体チップ２２の集積回路部２２ａを覆いそれ以外の半導体チップ２２部分を覆わない。すなわち、半導体チップ２２の側面及び第２主表面は露出されている。また接続導体２０及び封止材２８が集積回路部２２ａから突出する高さをほぼ等しくしている。すなわち、封止材２８の表面が、接続導体２０の第２端部と略同一面に形成されている。
【００２３】
第一発明の第一実施例の半導体パッケージ３４と従来のリードフレームを用いた半導体パッケージ（図３３参照）とを比較すると、この実施例では、リードフレーム及びボンディングワイヤを用いないのでリードフレーム厚約０．２ｍｍ及びボンディングワイヤの結線時の突出高さ約０．２ｍｍが不要となり、従って半導体パッケージ３４の厚さを、従来よりも薄く出来る。従来パッケージでは厚さが例えば約１．０ｍｍであったのに対しこの実施例パッケージでは厚さを例えば半導体チップ２２の厚さ約０．３５ｍｍ及び封止材２８の厚さ約０．０２ｍｍとして合計約０．４ｍｍとすることが出来る。さらにこの実施例では、リードフレームを用いないので外部リード端子部が不要となり、従って半導体パッケージ３４の幅を、従来よりも狭く出来る。
【００２４】
図２〜図１１は第二発明の第一実施例の説明に供する製造工程図である。この実施例は、図１に示す半導体パッケージ３４を製造する例である。
【００２５】
まず、接続導体２０を、半導体チップ２２の集積回路部２２ａから突出させて集積回路部２２ａの所望の端子部分に形成する（図２）。この実施例では、接続導体２０の形成材料として、半田、金或はそのほかの導電性材料、好ましくはろう付けを行なえる導電性材料を用いる。接続導体２０の形成には任意好適な技術を用いることができ、例えば、厚膜印刷技術を用いて形成する。或はフォトリソ及びエッチング技術と蒸着そのほかの薄膜形成技術とを組み合わせて用いて形成する。或はフォトリソ及びエッチング技術と無電解めっき技術とを組み合わせて用いて形成する。或は球状又は半球状の接続導体２０を集積回路部２２ａの端子部分に圧着して形成する。また、接続導体２０の形成を、半導体ウエハから個々の半導体チップ２２を分離する前にウエハ状態で行ないその後個々の半導体チップ２２に分離しても良いし、半導体チップ２２を半導体ウエハから分離した状態で行なっても良い。
【００２６】
次に、接続導体２０及び集積回路部２２ａを封止材２８で覆う（図３〜図７）。この実施例では、封止材２８を熱硬化型樹脂とし、型の第１の部分２４（以下、単に型２４と称する。）及び型の第２の部分（以下、単に型２６と称する。）を用いて型成形技術により封止材２８で覆う。型２４は半導体チップ２２を入れる凹部２４ａを有する。凹部２４ａの深さＨを、半導体チップ２２を凹部２４ａ内に載置したときの凹部２４ａ下面から接続導体２０の突出端に至る高さｈよりも長くする（図４参照）。そして半導体チップ２２を凹部２４ａに入れた状態で半導体チップ２２が実質的に位置ずれしないように凹部２４ａの側壁面で半導体チップを支持し、しかも半導体チップ２２を凹部２４ａ内へ入れ或は凹部２４ａ外へ出す作業が自在に行なえるように凹部２４ａを形成する。また型２６は封止材流路２６ａと凹部２４ａを開閉自在に閉じる蓋部分２６ｂとを有する（図５参照）。そして凹部２４ａを閉じたとき凹部２４ａ内の気体を凹部２４ａ外へ抜き出すための気体流路（図示せず）を、型成形技術で通常行なわれている如く、型２４及び又は２６に設ける。型２４及び２６の形成材料は例えば金属であり、すなわち金型２４及び２６とできる。
【００２７】
封止材２８で覆うに当っては、まず、型２４、２６を封止材２８が流動しやすい温度に予め加熱しておく。そして半導体チップ２２を、集積回路部２２ａが凹部２４ａの外側へ向くようにして型２４の凹部２４ａ内に入れる（図３〜図４）。次いで、凹部２４ａを型２６の蓋部分２６ｂで閉じる（図５）。凹部２４ａを閉じた状態で蓋部分２６ｂと接続導体２０とを離間させる。蓋部分２６ｂと集積回路部２２ａとの離間距離は例えば５０μｍである。次いで、流動性を有し硬化させていない状態の封止材２８を封止材流路２６ａを介して凹部２４ａ内に注入し、凹部２４ａ及び蓋部分２６ｂが囲む空間内に封止材２８を充満させ、接続導体２０及び集積回路部２２ａを封止材２８中に埋め込む（図５〜図６）。好ましくは、接続導体２０及び集積回路部２２ａ特に集積回路部２２ａと封止材２８との間に気泡を残存させないようにする。次いで、封止材２８を加熱して硬化させ、その後、半導体チップ２２を型２４及び２６から取り外して接続導体２０及び集積回路部２２ａを封止材２８中に埋め込んだ半導体チップ２２を得る（図７）。封止材２８を硬化させる際には、例えば、型２４を封止材２８が硬化する温度に加熱し、型２６を封止材２８が硬化しない温度に加熱し、これら型２４、２６の加熱温度の差を小さくして封止材２８の熱応力を小さくするようにするのが良い。また、半導体チップ２２を型２４から取り外すのを容易にするため、例えば、突き棒ｐ（この棒ｐを図３（Ｂ）中に一点鎖線で示した）が凹部２４ａの底から凹部２４ａの高さ方向ｑに突出する高さの調整自在に、突き棒ｐを型２４に摺動自在に設け、半導体チップ２２を凹部２４ａから突き棒ｐで突き出して取り外すのが良い。或は、型２４の底を形成する部分ｒ（この部分ｒを図３（Ｂ）中に点線で示した）を凹部２４ａの高さの調整を自在に行なえるように構成しても良い。
【００２８】
次に、接続導体２０及び集積回路部２２ａを覆う封止材２８を、研磨、研削、切削或はそのほかの任意好適な削り取り装置を用いて削って接続導体２０の突出端部を露出させる（図８〜図１１）。この実施例で用いる削り取り装置は固定部３０（図８参照）及び削り部３２を備える。固定部３０は半導体チップ２２を位置決め固定するための位置決め部３０ａを有し、削り部３２は半導体チップ２２を削るための削り面３２ａを有する。例えば、位置決め部３０ａは凹部であって半導体チップ２２をこの位置決め部３０ａに嵌め込むことによって位置決めする。また削り面３２ａには例えば研磨材、砥粒、或は切削刃を設ける。
【００２９】
接続導体２０を露出させるに当っては、まず、接続導体２０とは反対側の半導体チップ２２部分を固定部３０に取り付けて、半導体チップ２２を固定部３０に位置決め固定する（図８〜図９）。次いで、接続導体２０上の封止材２８部分を削り部３２の削り面３２ａに当接させる（図１０）。次いで、封止材２８を削り面３２ａに押し付けた状態で封止材２８及び削り面３２ａを相対的に動かして、接続導体２０の突出端部が削り面３２ａと接触するまで封止材２８を削り、これにより接続導体２０の突出端部を封止材２８から露出させる（図１１）。
【００３０】
次に、半導体チップ２２を固定部３０から取り外し、集積回路部２２ａを封止材２８で封じ込んで成る半導体パッケージ３４を得る（図１）。半導体チップ２を固定部３０から取り外すのを容易にするため、型２４と同様の突き棒ｐや部分ｒを固定部３０に設けるようにしても良い。
【００３１】
第二発明の第一実施例の製造方法と従来のリードフレームを用いた半導体パッケージの製造方法とを比較すれば、この実施例ではボンディングワイヤ及びリードフレームを用いないので、ボンディング工程及びリードフレームのめっき工程が不要であり従って従来よりもＴＡＴ（Ｔｕｒｎ  Ａｒｏｕｎｄ  Ｔｉｍｅ）を大幅に短縮出来、しかも製造設備に対する投資を低減出来る。またこの実施例では従来よりも工程が簡略になるので、不良品検出のためのチェック項目を従来よりも少なく出来る。
【００３２】
図１２は半導体チップの実装状態を概略的に示す断面図である。同図に示す配線板３６は基板３６ａと基板３６ａに設けた配線パターン３６ｂと配線パターン３６ｂの端子部分に設けた接続導体３６ｃとを備える。接続導体３６の形成材料を半田、金、導電性接着材或はそのほかの導電性材料、好ましくはろう付けを行なえる導電性材料とする。半導体パッケージ３４の接続導体２０及び配線板３６の接続導体３６ｃの少なくとも一方をろう付けを行なえる導電性材料とする。
【００３３】
上述のようにして製造した半導体パッケージ３４を配線板３６に実装するに当っては、半導体パッケージ３４の接続導体２０及び配線板３６の接続導体３６ｃを位置合わせして、接続導体２０を接続導体３６ｃ上に位置させる。次いで接続導体２０及び又は３６ｃを加熱溶融し然る後に冷却凝固させて、集積回路部２２ａと配線パターン３６ｂとを接続導体２０、３６ｃを介して電気接続する。
【００３４】
尚、半導体パッケージ３４の接続導体２０がろう付けを行なえる導電性材料である場合には、配線板３６の接続導体３６ｃを必ずしも設けなくとも良い。
【００３５】
図１３は第一及び第二発明の第一実施例の変形例の説明に供する図である。
【００３６】
この変形例の半導体パッケージ３７は、図１３にも示すように、第一実施例の半導体パッケージ３４に補助導体３８を設けて成る。補助導体３８を接続導体２０上及び当該導体２０近傍の封止材２８上に突出させて設けている。この補助導体３８は、接続導体２０の露出した第２端部上に形成されており、従って、この第２端部と電気的に接続されている。接続導体２０の突出方向から見て補助導体３８を接続導体２０よりも広く形成する。図１３に示すように、接続導体２０が突出した方向から見た接続導体２０の最大幅よりも広い最大幅を有するように、補助導体３８が設けられている。
【００３７】
さらに第二発明の変形例は半導体パッケージ３７を製造する例であって、この例では、まず、半導体パッケージ３４を上述した第一実施例と同様の工程を経て完成する（図２〜図１１及び図１）。
【００３８】
次に、補助導体３８を接続導体２０の突出方向から見て接続導体２０よりも広く成るように接続導体２０上及び当該導体２０近傍の封止材２８上に形成し、補助導体３８を有する半導体パッケージ３７を得る（図１３）。
【００３９】
補助導体３８の形成材料は半田、金或はそのほかの導電性材料、好ましくはろう付けを行なえる導電性材料である。補助導体３８の形成には任意好適な技術を用いることができ、例えば、厚膜印刷技術を用いて形成する。或はフォトリソ及びエッチング技術と蒸着そのほかの薄膜形成技術とを組み合わせて用いて形成する。或はフォトリソ及びエッチング技術と無電解めっき技術とを組み合わせて用いて形成する。或は球状又は半球状の補助導体３８を接続導体２０に圧着して形成する。第二発明の第一実施例の変形例でも、第二発明の第一実施例と同様の効果が得られる。
【００４０】
図１４は第一発明の第二実施例の構成を概略的に示す断面図である。尚、上述した第一実施例の構成成分に対応する構成成分については同一の符号を付して示し、第一実施例と同様の点についてはその詳細な説明を省略する。
【００４１】
この実施例の半導体パッケージ４４は半導体チップ２２、接続導体２０、封止材２８、４０を備える。この実施例では、接続導体２０を設けた半導体チップ２２の全体を封止材２８、４０で覆う。封止材４０例えばセラミック板で半導体チップ２２の集積回路部２２ａとは反対側の部分を覆うと共に、封止材２８例えば熱硬化型の樹脂で接続導体２０を露出させるようにしながら残りの半導体チップ２２部分を覆う。
【００４２】
第一発明の第二実施例でも、半導体パッケージ４４の厚さを、第一実施例よりは厚いが従来パッケージよりも薄くすることが出来る。また半導体パッケージ４４の幅を従来パッケージよりも狭く出来る。
【００４３】
図１５〜図２１はこの発明の第二実施例の説明に供する製造工程図である。この実施例は半導体パッケージ４４を製造する例である。尚、第一実施例の構成成分に対応する構成成分を同一の符号を付して示し、第一実施例と同様の点についてはその詳細な説明を省略する。
【００４４】
まず、接続導体２０を半導体チップ２２の集積回路部２２ａから突出させて集積回路部２２ａに形成する。
【００４５】
次に、接続導体２０を設けた半導体チップ２２の全体を、封止材２８、４０で覆う（図１５〜図１９）。この実施例では、半導体チップ２２を型２４の凹部２４ａ内に入れた状態で半導体チップ２２の側壁と凹部２４ａの側壁との間にこれら側壁の全周にわたり封止材を流し込むための間隙ｔが出来るように、凹部２４ａを半導体チップ２２よりも幅広く形成する（図１６参照）。
【００４６】
封止材２８、４０で覆うに当っては、まず、集積回路部２２ａとは反対側の半導体チップ２２部分に板状の封止材４０例えばセラミック板を接着剤４２を介して固着する（図１５）。そして型２４、２６を封止材２８が流動しやすい温度に予め加熱しておく。次いで、半導体チップ２２を凹部２４ａ内に入れ、半導体チップ２２及び凹部２４ａの側壁の間にこれら側壁の全周にわたり間隙ｔが出来るように、任意好適な手段を用いて半導体チップ２２を位置決めする（図１６）。次いで、凹部２４ａを型２６の蓋部分２６ｂで閉じる（図１７）。次いで、流動性を有し硬化していない状態の封止材２８を型２６の封止材流路２６ａを介して凹部２４ａ内に注入し、接続導体２０、集積回路部２２ａ及び半導体チップ２２の側壁を封止材２８中に埋め込む（図１８）。好ましくは、接続導体２０及び集積回路部２２ａ特に集積回路部２２ａと封止材２８との間に気泡を残存させないようにする。次いで、封止材２８を加熱して硬化させ、その後、半導体チップ２２を型２４及び２６から取り外す（図１９）。封止材２８を硬化させる際には、例えば、型２４を封止材２８が硬化する温度に加熱し、型２６を封止材２８が硬化しない温度に加熱し、型２４、２６の加熱温度の差を小さくして封止材２８の熱応力を小さくするようにするのが良い。
【００４７】
次に、図２０〜図２１にも示すように、封止材２８を削って接続導体２０を露出させる（図２０〜図２１）。
【００４８】
接続導体２０を露出させるに当っては、まず、接続導体２０とは反対側の半導体チップ２２部分を封止材２８、４０を介して固定部３０に取り付け、接続導体２０上の封止材２８を削り部３２の削り面３２ａに当接させる（図２０）。次いで、封止材２８を削り面３２ａに圧接した状態で封止材２８及び削り面３２ａを相対的に動かし、接続導体２０が露出するまで封止材２８を削る（図２１）。
【００４９】
次に、半導体チップ２２を固定部３０から取り外し、半導体チップ２２を封止材２８、４０で封じ込んで成る半導体パッケージ４４を得る（図１４）。第二発明の第二実施例でも、第一実施例と同様の効果が得られる。
【００５０】
図２２は第一発明の第三実施例の構成を概略的に示す断面図である。尚、第一実施例の構成成分に対応する構成成分については同一の符号を付して示し、第一実施例と同様の点についてはその詳細な説明を省略する。
【００５１】
この実施例の半導体パッケージ４８は接続導体２０、半導体チップ２２及び封止材４６、４７を備える。この実施例では、接続導体２０を設けた半導体チップ２２の全体を封止材４６、４７で覆う。封止材４６例えば熱可塑性樹脂で半導体チップ２２の集積回路部２２ａとは反対側の部分を覆うと共に封止材４７例えば熱可塑性樹脂で接続導体２０を露出させるようにしながら残りの半導体チップ２２部分を覆う。
【００５２】
第一発明の第三実施例でも、半導体パッケージ４８の厚さを、第一実施例よりは厚いが従来パッケージよりも薄く出来る。また半導体パッケージ４８の幅を従来パッケージよりも狭く出来る。
【００５３】
図２３〜図３０は第二発明の第三実施例の説明に供する製造工程図である。この実施例は図２２に示す半導体パッケージ４８を製造する例である。尚、第一実施例の構成成分に対応する構成成分については同一の符号を付して示し、第一実施例と同様の点についてはその詳細な説明を省略する。
【００５４】
まず、第一実施例と同様にして、半導体チップ２２及び接続導体２０を形成する。
【００５５】
次に、接続導体２０を設けた半導体チップ２２の全体を、封止材４６、４７で覆う（図２３〜図２８）。
【００５６】
封止材４６、４７で覆うに当っては、まず、封止材４６例えば熱可塑性樹脂を固化させた状態で型２４の凹部２４ａ内に嵌め込み、封止材４６を凹部２４ａで支持して位置決めする（図２３）。封止材４６は固化させた状態でその中央部に凹部４６ａを備え、従って封止材４６の周辺部の高さをその中央部の高さよりも高くしてある。次いで、集積回路部２２ａとは反対側の半導体チップ２２部分を封止材４６の凹部４６ａ内に嵌め込み、封止材４７の周辺部を半導体チップ２２及び凹部２４ａの側壁の間に挿入すると共に半導体チップ２２を凹部４６ａで支持して位置決めする（図２４）。次いで、封止材４７例えば熱可塑性樹脂を固化させた状態で、型２４の凹部２４ａ内に嵌め込み、半導体チップ２２の接続導電体２０上に載置する（図２５）。封止材４７は固化させた状態でその中央部に凹部４７ａを備え、従って封止材４６の周辺部の高さをその中央部の高さよりも高くしてある。この凹部４７ａ内に接続導体２０を入れるようにして封止材４７を型２４の凹部２４ａ内に嵌め込み、封止材４７の周辺部を半導体チップ２２及び凹部２４ａの側壁の間に挿入する。次いで、型２６の蓋部分２６ｂを摺動自在に型２４の凹部２４ａ内に嵌め込み、蓋部分２６ｂを封止材４７に当接させる（図２６）。尚、この例では封止材流路２６ａを型２６に設けていない。次いで、封止材４６、４７を、これらが可塑性を示す、すなわち流動化する温度に型２４、２６を介して加熱しながら型２４、２６の間に押圧し、この押圧により、封止材４６、４７の周辺部を互いに圧接させると共に接続導体２０を設けた半導体チップ２２全体を封止材４６、４７中に埋め込む。好ましくは、接続導体２０及び集積回路部２２ａ特に集積回路部２２ａと封止材４７との間に気泡を残存させないようにする。次いで、封止材４６、４７の周辺部を圧接したまま封止材４６、４７を型２４、２６を介し冷却して固化させ、これにより封止材４６、４７の周辺部を互いに接着する（図２７）。次いで、半導体チップ２２を型２４、２６から取り外し、封止材４６、４７で覆われた半導体チップ２２及び接続導体２０を得る（図２８）。
【００５７】
次に、接続導体２０及び集積回路部２２ａを覆う封止材４７を削って接続導体２０を露出させる（図２９〜図３０）。
【００５８】
接続導体２０を露出させるに当っては、まず半導体チップ２２を固定部３０に取り付けて位置決め固定し、然る後、接続導体２０上の封止材４７部分を削り部３２の削り面３２ａに当接させる（図２９）。次いで、削り面３２ａにより、接続導体２０が露出するまで封止材４７を削る（図３０）。
【００５９】
次に、半導体チップ２２を固定部３０から取り外し、接続導体２０を設けた半導体チップ２２全体を封止材４６、４７で封じ込んで成る半導体パッケージ４８を得る（図２２）。第二発明の第三実施例でも、第一実施例と同様の効果を得られる。
【００６０】
発明は上述した実施例にのみ限定されるものではなく、従って各構成成分の形状、配設位置、形成材料、数値的条件及びそのほかを任意好適に変更出来る。
【００６１】
【発明の効果】
上述した説明からも明らかなように、第一発明の半導体装置によれば、半導体チップをこれとは別の電気回路に接続するための突起電極を半導体チップの集積回路部から突出させて形成するので、突起電極の突出方向から見た半導体装置の長さ及び幅を小さく出来る。また突起電極の突出方向における半導体装置の高さを、突起電極の突出高さを低くすることによって低く出来る。従って従来のリードフレームを用いた半導体装置に比較して、半導体装置自体のサイズを小さく出来る。さらに少なくとも集積回路部を封止しているので、半導体装置を保管し或は運搬し或は実装するときに集積回路部が破損するのを防止出来る。従来周知のフリップチップと比較すれば、フリップチップでは集積回路部を保護膜で保護しているものの保護膜のみでは湿気や衝撃から集積回路部を必ずしも充分に保護することが出来ず従ってフリップチップを封止材で封止しない状態ではその保管や運搬や実装に注意を要し不便である。これに対しこの発明の半導体装置は封止材により集積回路部を湿気や衝撃から保護しているので、この半導体装置の保管や運搬や実装を行なうときに損傷が生じにくく便利である。
【００６２】
従って第一発明の半導体装置によれば、小型であって、しかも保管や運搬や実装に便利な半導体装置を提供出来る。
【００６３】
さらに第二発明の半導体装置の製造方法によれば、小型であって、しかも保管や運搬や実装に便利な半導体装置を提供できる。また第二発明の好適例によれば、少なくとも突起電極及び集積回路部を封止材で覆ったのちに封止材を削って突起電極を露出させるので、集積回路部の封止と突起電極の露出とを簡略に行なえ、従って第一発明の半導体装置を簡略に製造出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】第一発明の第一実施例の構成を概略的に示す断面図である。
【図２】第二発明の第一実施例における製造工程の一段階を概略的に示す断面図である。
【図３】（Ａ）及び（Ｂ）は第二発明の第一実施例における製造工程の同一工程段階を概略的に示す上面図及び断面図である。
【図４】（Ａ）及び（Ｂ）は第二発明の第一実施例における製造工程の同一工程段階を概略的に示す上面図及び断面図である。
【図５】（Ａ）及び（Ｂ）は第二発明の第一実施例における製造工程の同一工程段階を概略的に示す上面図及び断面図である。
【図６】第二発明の第一実施例における製造工程の一段階を概略的に示す断面図である。
【図７】第二発明の第一実施例における製造工程の一段階を概略的に示す断面図である。
【図８】（Ａ）及び（Ｂ）は第二発明の第一実施例における製造工程の同一工程段階を概略的に示す下面図及び断面図である。
【図９】（Ａ）及び（Ｂ）は第二発明の第一実施例における製造工程の同一工程段階を概略的に示す下面図及び断面図である。
【図１０】第二発明の第一実施例における製造工程の一段階を概略的に示す断面図である。
【図１１】第二発明の第一実施例における製造工程の一段階を概略的に示す断面図である。
【図１２】半導体パッケージの実装状態を概略的に示す断面図である。
【図１３】（Ａ）及び（Ｂ）は第一発明の第一実施例の変形例の構成を概略的に示す上面及び断面図である。
【図１４】第一発明の第二実施例の構成を概略的に示す断面図である。
【図１５】第二発明の第二実施例における製造工程の一段階を概略的に示す断面図である。
【図１６】（Ａ）及び（Ｂ）は第二発明の第二実施例における製造工程の同一工程段階を概略的に示す上面図及び断面図である。
【図１７】（Ａ）及び（Ｂ）は第二発明の第二実施例における製造工程の同一工程段階を概略的に示す上面図及び断面図である。
【図１８】第二発明の第二実施例における製造工程の一段階を概略的に示す断面図である。
【図１９】第二発明の第二実施例における製造工程の一段階を概略的に示す断面図である。
【図２０】第二発明の第二実施例における製造工程の一段階を概略的に示す断面図である。
【図２１】第二発明の第二実施例における製造工程の一段階を概略的に示す断面図である。
【図２２】第一発明の第三実施例の構成を概略的に示す断面図である。
【図２３】（Ａ）及び（Ｂ）は第二発明の第三実施例における製造工程の同一工程段階を概略的に示す上面図及び断面図である。
【図２４】（Ａ）及び（Ｂ）は第二発明の第三実施例における製造工程の同一工程段階を概略的に示す上面図及び断面図である。
【図２５】（Ａ）及び（Ｂ）は第二発明の第三実施例における製造工程の同一工程段階を概略的に示す上面図及び断面図である。
【図２６】（Ａ）及び（Ｂ）は第二発明の第三実施例における製造工程の一段階を概略的に示す断面図である。
【図２７】第二発明の第三実施例における製造工程の一段階を概略的に示す断面図である。
【図２８】第二発明の第三実施例における製造工程の一段階を概略的に示す断面図である。
【図２９】第二発明の第三実施例における製造工程の一段階を概略的に示す断面図である。
【図３０】第二発明の第三実施例における製造工程の一段階を概略的に示す断面図である。
【図３１】従来の半導体パッケージの構成を概略的に示す断面図である。
【図３２】（Ａ）及び（Ｂ）は従来の半導体パッケージの製造工程における異なる一段階を概略的に示す断面図である。
【図３３】従来の半導体パッケージの製造工程における一段階を概略的に示す断面図である。
【符号の説明】
２０：接続導体
２２：半導体チップ
２２ａ：集積回路部
２８：封止材
３４、３７、４４、４８：半導体パッケージ
３８：補助導体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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