(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも複数の走査線と複数の信号線とが形成された表示領域と、該複数の走査線に信号を送る駆動用ドライバおよび該複数の信号線に信号を送る駆動用ドライバがそれぞれ複数設けられた駆動領域とを備えた第１の基板と、該第１の基板に対向して設けられている第２の基板とを有し、前記第１の基板と該第２の基板との間に液晶が封入された液晶表示装置であって、
前記第１の基板上の表示領域の周囲に前記駆動領域が形成されており、
隣接する前記駆動用ドライバどうしを接続するために該駆動領域に設けられた共通配線の端部上に、接続される駆動用ドライバが導電状態で設けられるとともに、外部入力端子に隣接する前記駆動用ドライバと該外部入力端子とを結ぶために該駆動領域に設けられた共通配線の端部上に、接続される駆動用ドライバが導電状態で設けられており、
前記共通配線の少なくとも一方における前記駆動用ドライバが設けられていない領域が、比誘電率が３．４程度の感光性アクリル樹脂によって形成された絶縁膜によって覆われ、該絶縁膜上には導電膜が形成されており、
該導電膜は、該導電膜に隣接する前記駆動用ドライバに接続されるとともに、前記駆動領域において前記絶縁膜にて覆われたＧＮＤ配線に接続されており、
前記絶縁膜は、前記表示領域において前記走査線または前記信号線を覆う層間絶縁膜と同一の膜によって形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記導電膜と画素電極とが同一の膜をパターニングすることによって形成されている請求項１に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示装置やプラズマディスプレイなどの平面表示装置及びその製造方法に関し、特に、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等のスイッチング素子を備えたアクティブマトリクス型の液晶表示装置とその製造方法に適している。
【０００２】
【従来の技術】
図７から図８を参照しながら、従来の平面表示装置として、アクティブマトリクス型の液晶表示装置を説明する。
【０００３】
まず、図７を参照する。図示されている液晶表示装置７０は、アクティブマトリクス基板５９と、それに対向配置された対向基板６０とを備えている。両基板５９及び６０の間には液晶層（不図示）が封入され、表示領域５１が構成されている。アクティブマトリクス基板５９の上には、表示領域５１の周囲に駆動領域７１設けられている。
【０００４】
駆動領域７１には、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ    ｏｎ    Ｇ１ａｓｓ）方式で複数の駆動用ドライバ５５が実装されている。駆動領域７１の駆動用ドライバ５５から所定の信号を走査配線５３および信号配線５４に送り、表示領域５１に設けられたスイッチング素子（不図示）を駆動している。駆動用ドライバ５５どうしは駆動領域７１に設けられた共通配線５２で接続されている。共通配線５２は、駆動用ドライバ５５への電源の接続や信号伝送などのために共通に用いられる配線である。
【０００５】
駆動用ドライバ５５へは、図示しないＦＰＣ（Ｆ１ｅｘｉｂ１ｅ    Ｐｒｉｎｔｅｄ    Ｃｉｒｃｕｉｔ）等を用いて入力端子５８から共通配線５２を介して駆動電流や信号が入力される。
【０００６】
図８は、アクティブマトリクス基板５９のドライバ領域７１のＢ−Ｂ’線断面図である。図８からわかるように、アクティブマトリクス基板５９上のドライバ領域７１には、共通配線５２が設けられている。駆動用ドライバ５５と共通配線５２、走査配線５３または信号配線５４とが、駆動用ドライバ５５のバンプ５６および異方性導電膜（以下、ＡＣＦと呼ぶ）５７を介して接続されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
近年、ＥＭＩ（不要輻射）に対する規制が厳しくなり、表示装置のＥＭＩを低減することが必要不可欠である。表示装置のＥＭＩを低減する方法として、例えば、図９に示す特開平６−３７４７８号公報に開示されている液晶駆動装置のように、金属箔テープを電源系配線に貼付けることでＥＭＩを低減する方法が提案されている。
【０００８】
しかし、上記の方法を効果的に用いるためには、駆動領域のほぼ全面に金属箔テープを貼付けなければならないため、表示装置のコストアップの要因になる。また、上記の方法では、配線に金属箔テープを貼る際に、配線を傷つけたり、断線させる可能性が大きいため、表示装置の良品率が低下してしまう。そのうえ、表示装置の製造工程間で、製造中の表示装置を移動する際に配線がむき出しの状態で移動することになるので、表示装置の移動中に配線の断線が起こりやすく、表示装置の良品率が低下していた。
【０００９】
本発明は、上記従来技術の問題点を解決するためになされたものであって、その目的とするところは、表示装置を形成する際に用いる各種絶縁膜（層間絶縁膜、カラーフィルタ一など）を共通配線の上に設け、その共通配線上に導電膜を形成することにより、配線の保護を達成するとともに製造工程の増加をほとんど生じない安価なＥＭＩ対策を施した表示装置とその製造方法を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の液晶表示装置は、少なくとも複数の走査線と複数の信号線とが形成された表示領域と、該複数の走査線に信号を送る駆動用ドライバおよび該複数の信号線に信号を送る駆動用ドライバがそれぞれ複数設けられた駆動領域とを備えた第１の基板と、該第１の基板に対向して設けられている第２の基板とを有し、前記第１の基板と該第２の基板との間に液晶が封入された液晶表示装置であって、前記第１の基板上の表示領域の周囲に前記駆動領域が形成されており、隣接する前記駆動用ドライバどうしを接続するために該駆動領域に設けられた共通配線の端部上に、接続される駆動用ドライバが導電状態で設けられるとともに、外部入力端子に隣接する前記駆動用ドライバと該外部入力端子とを結ぶために該駆動領域に設けられた共通配線の端部上に、接続される駆動用ドライバが導電状態で設けられており、前記共通配線の少なくとも一方における前記駆動用ドライバが設けられていない領域が、比誘電率が３．４程度の感光性アクリル樹脂によって形成された絶縁膜によって覆われ、該絶縁膜上には導電膜が形成されており、該導電膜は、該導電膜に隣接する前記駆動用ドライバに接続されるとともに、前記駆動領域において前記絶縁膜にて覆われたＧＮＤ配線に接続されており、前記絶縁膜は、前記表示領域において前記走査線または前記信号線を覆う層間絶縁膜と同一の膜によって形成されていることを特徴とし、そのことにより上記目的が達成される。
【００１１】
本発明による平面表示装置は、上記の構造により、ＥＭＩの発生を簡単な構造で抑えることができる。また、絶縁膜はＥＭＩの発生を抑制するだけでなく、共通配線を保護する役目も同時に果すので、表示装置の信頼性が向上する。
【００１４】
上記導電膜がＧＮＤ配線に接続されていてもよい。
【００１５】
このことにより、さらにＥＭＩの発生を抑制することができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について説明する。
（実施形態１）
図１に、本発明によるアクティブマトリクス基板を備えた液晶表示装置１５の構成を示す。また、図２に液晶表示装置１５のＡ−Ａ’線断面を示す。
【００１９】
まず、液晶表示装置１５の構造を説明する。アクティブマトリクス基板９の上には、ＴＦＴ、ＭＩＭなどのスイッチング素子（図示せず）がマトリクス状に配列された表示領域１が設けられている。表示領域１の上には、ガラス基板などの透明な対向基板１０が所定間隔をあけて配置され、その対向基板１０とアクティブマトリクス基板９との間は液晶層が設けられている。
【００２０】
アクティブマトリクス基板９の表示領域１以外の領域に、駆動領域１６が設けられている。駆動領域１６は、アクティブマトリクス基板９の表示領域１の全周囲に形成されていてもよい。駆動領域１６には、ＣＯＧ方式で実装された複数の駆動用ドライバ５が設けられている。駆動用ドライバ５は、所定の信号を走査配線としてのゲート配線３および信号配線としてのソース配線４に送り、スイッチング素子を駆動する。駆動用ドライバ５どうしは駆動領域１６に設けられた共通配線２によって接続されている。
【００２１】
駆動用ドライバ５へは、共通配線２ａを介して、入力端子８から電源電圧や信号が供給される。入力端子８は図示しないＦＰＣ等を介して、電源に接続されている。駆動用ドライバ５と共通配線２、２ａ、ゲート配線３またはソース配線４とが、駆動用ドライバ５のバンプ６およびＡＣＦ７を介して接続されている。ＡＣＦのかわりにペースト材や半田を用いてもよい。
【００２２】
駆動領域１６のうち、駆動ドライバ５が設けられておらず、かつ共通配線２が設けられている領域１７上には、絶縁膜１１および絶縁膜１１上に形成された導電膜１２が設けられている。本実施形態では、表示領域１内に形成される層間絶縁膜（図示せず）の材料として用いられるアクリル樹脂によって絶縁膜１１が形成されている。また、表示領域１内に形成される画素電極の材料として用いられるＩＴＯによって導電膜１２が形成されている。
【００２３】
液晶表示装置１５では、ＥＭＩの発生が抑制され、かつ製造工程での断線が発生しにくい。また、絶縁膜１１にアクリル樹脂のような低誘電率の絶縁膜を用いることにより、共通配線２を通る信号の波形の変形を抑えることができる。さらに、絶縁膜１１が共通配線２を保護するため、表示装置を高温、多湿など非常に厳しい環境下、例えば車の中で用いる場合でも、性能が低下しない。
【００２４】
次に、液晶表示装置１５の製造方法を説明する。
【００２５】
まず、ガラス基板からなる透明な絶縁性基板上に、タンタルをＣＶＤ法により４０００オングストロームの厚さに成膜した後、パターニングしてゲート配線３を形成する。その後、前記ゲート配線３の表面に２０００オングストロームの厚さだけ陽極酸化を行った。このように陽極酸化を行うことにより、走査配線１と後に形成する半導体層との絶縁性が向上し、付加容量（Ｃｓ）が大きくなる。
【００２６】
その後、前記ゲート配線３上に、図示しないチッ化シリコン等からなるゲート絶縁膜をＣＶＤ法により５０００オングストロームの膜厚に成膜し、前記ゲート絶縁膜上に図示しないＳｉ半導体層を連続して１０００オングストロームの厚さだけ堆積した後、パターニングしてチャネル部を形成する。その後、図示しないｎ＋Ｓｉ等によりコンタクト部を形成する。
【００２７】
次に、ＣＶＤ法によりＡｌを１０００〜３０００オングストロームの膜厚に成膜した後、パターニングすることによりソース配線４を形成する。このとき同時に共通配線２およびゲート配線３の実装端子部も形成する。
【００２８】
次に、スピンコート法により、ソース配線４上に感光性のアクリル系樹脂を用いて３μｍの膜厚の層間絶縁膜を形成する。この層間絶縁膜は絶縁膜１１も兼ねている。アクリル系樹脂の比誘電率は３．４程度であり、無機膜の比誘電率（一般的に絶縁膜としてよく用いられているチッ化シリコンの比誘電率は８）に比べて低い。また、アクリル系樹脂は透明度が高く、かつスピンコート法、ロールコート法、またはスロットコート法により容易に３μｍという厚い膜厚に形成することができる。したがって、上記のように層間絶縁膜にアクリル系樹脂を用いることにより、ソース配線と画素電極との間の寄生容量を低くすることができ、各ソース配線４と画素電極との間の寄生容量が表示に与えるクロストーク等の影響をより低減することが可能となり、良好で明るい表示を得ることができる。
【００２９】
このとき、層間絶縁膜が絶縁膜１１を兼ねることにより、製造プロセスを増やすことなく絶縁膜１１が形成される。さらに、絶縁膜１１は比誘電率が低く、かつ容易にその膜厚を厚くすることができるので、共通配線２上の容量が抑えられ、信号遅延や信号波形の変形が抑制される。また、アクリルのような有機樹脂を用いることによりピンホールができないためリークを防止することができる。さらに、アルミのようにヒロックのできやすい金属を共通配線２に使用した場合でも、絶縁膜１１が共通配線２を保護するので、共通配線２のヒロックを防止できる。
【００３０】
また、上記のように、感光性のアクリル樹脂を用いれば、パターニングにフォトレジスト塗布工程が不要となるので、生産性の点で有利である。
【００３１】
本実施形態では、層間絶縁膜の材料として用いるアクリル系樹脂に、塗布前に着色しているものを使用する。その理由は、塗布前に着色しているアクリル系樹脂はパターニングが行い易く、またパターニング後に全面露光処理を施すことにより、透明化することができるからである。このような樹脂の透明化処理は、光学的に行うことができるだけでなく、化学的に行うことも可能である。
【００３２】
次に、前記層間絶縁膜上に、ＩＴＯを１５００オングストロームの膜厚に堆積した後、パターニングして、画素電極（図示せず）を形成した。このとき同時に、ＥＭＩ対策用導電膜１２および実装端子（駆動用ドライバ５の接続部および入力端子８の接続部）を形成した。このことにより、全く工程を増加させずにＥＭＩ対策や共通配線２の保護を行うことができる。また、実装端子の接続抵抗の安定化を図ることができる。その際に、アッシング等によって層間絶縁膜の樹脂の表面を荒すことにより、層間絶縁膜と画素電極との密着性および絶縁膜１１と導電膜１２との密着性を改善するとなお良い。
【００３３】
その後、ポリイミド等からなる配向膜を形成してラビング処理を行う（図示せず）。このとき、層間絶縁膜の膜厚は３μｍであり、層間絶縁膜は十分厚く形成されているため、層間絶縁膜の表面は平坦化され、配向乱れ等の問題は発生しない。その後、アクティブマトリクス基板９と、図示しないブラックマトリクス、対向電極およびカラーフィルターを備えた対向基板１０との問に液晶を挟んで液晶表示パネルを完成させる。
【００３４】
その後に、駆動用ドライバ５をＡＣＦ７を用いてゲート配線３およびソース配線４に接続し、本発明の実施形態１の液晶表示装置が完成する。
【００３５】
以上のようにして作製された本実施形態１の液晶表示装置では、その製造工程においてＥＭＩ対策のための新たな工程を全く必要としないため、液晶表示装置のコストアップが生じない。
【００３６】
また、従来の製造工程に比べて、共通配線２が基板表面に露出されている時間が少なくなるので、ゴミ等の原因による断線の確率が大幅に減少するため、良品率が大幅に向上する。
【００３７】
なお、層間絶縁膜を染色するなどしてカラーフィルタの機能を兼ねるようにすることもできる。また、層間絶縁膜および絶縁膜１１の材料としてアクリル樹脂以外のものを使用することも可能である。層間絶縁膜および絶縁膜１１の材料には、比誘電率が低く透明度の高いもの、具体的には可視光領域の透過率９０％以上のものを用いることが好ましい。例えば、ポリアミドイミド（比誘電率３．５〜４．０）、ポリアリレート（３．０）、ポリエーテルイミド（３．２）、エポキシ（３．５〜４．０）、透明度の高いポリイミド（３．０〜３．４：例えばヘキサフルオロプロピレンを含む酸二無水物とジアミンとの組合わせ）等を用いることができる。
【００３８】
（実施形態２）
図３および図４を参照して、実施形態２の液晶表示装置２５を説明する。図３は図４のＡ−Ａ’線の断面図である。なお、実施形態１の液晶表示装置１５と同様なものには同じ番号を付し説明を省く。
【００３９】
本実施形態２の液晶表示装置２５では、ＥＭＩ対策用導電膜２２が絶縁膜１１を覆っている。液晶表示装置２５では、ＥＭＩ対策用導電膜２２がアクティブマトリクス基板９上に形成された電気的にグランドな配線２３（以下、ＧＮＤ配線と呼ぶ）に接続されているので、さらに効果的なＥＭＩ対策が行われている。もちろん本実施形態でもコストアップは生じない。駆動ドライバ５、できることならＥＭＩ対策用導電膜１１と金属ベゼル２４（図４では図示せず）を接地するとさらに効果的である。
【００４０】
（実施形態３）
図５に、実施形態３の液晶表示装置３５を示す。図５は図１のＡ−Ａ’線の断面図に相当する。本実施形態の説明においても、実施形態１の液晶表示装置１５と同様のものには同じ番号を付し説明を省く。
【００４１】
図５に示すように、液晶表示装置３５では、ＥＭＩ対策用導電膜３２がアクティブマトリクス基板９上に形成されたＧＮＤ配線２３および駆動用ドライバ５と接続されていることにより、接地面積が大きくなるため、さらに電気的に安定したＧＮＤ電位を得ることができ、効果的なＥＭＩ対策が施されている。
【００４２】
もちろん本実施形態による液晶表示装置３５でも、コストアップは生じない。実施形態２と同様に、駆動ドライバ５、できることならＥＭＩ対策用導電膜１２と金属ベゼル（図示せず）を接地するとさらに効果的である。
【００４３】
（実施形態４）
本実施形態は、ドライバモノリッシク型液晶表示装置に本発明を適用したものである。
【００４４】
ドライバモノリッシク型液晶表示装置とは、ＴＦＴ型液晶表示装置で表示電極スイッチ用ＴＦＴを作成するときに表示部周辺部、つまり駆動領域に駆動用ドライバを一体的に形成したものである。ここで、ドライバモノリッシク型液晶表示装置の駆動ドライバをモノリッシクドライバと呼ぶ。
【００４５】
以下、図６を参照して、実施形態４の液晶表示装置を説明する。
【００４６】
透明な対向基板とスイッチング素子としてのＴＦＴを備えたアクティブマトリクス基板４３との間に液晶が封入されたアクティブマトリクス基板４３上の表示領域の周囲に、駆動領域が形成されている。表示領域の周辺部に駆動ドライバを設けているために熱や直流電圧により液晶の劣化が起きることがない。その駆動領域に駆動用ドライバとして形成されたモノリッシクドライバ４０が、アクティブマトリクス基板４３上に形成されたゲート配線、ソース配線に所定の信号を送り、ＴＦＴを駆動している。モノリッシクドライバ４０はアクティブマトリクス基板４３上にＴＦＴと同時に形成され、モノリッシクドライバ４０そのものがＥＭＩ等を発生する部分になる。そのため、ＥＭＩ等の発生を抑制するためには、モノリッシクドライバ４０を形成する素子の１つ１つを結ぶ配線だけでなく、素子も覆う必要がある。
【００４７】
モノリッシクドライバ４０ヘは、図示しないＦＰＣ等を用いて入力端子より電源電圧や信号を供給する。そして、駆動領域のほぼ全面に絶縁膜４１を形成し、さらにその絶縁膜４１上に導電膜４２を形成する。本実施形態でも、層間絶縁膜の材料として用いるアクリル樹脂で絶縁膜４１を、画素電極に用いるＩＴＯで導電膜４２を、それぞれ形成した。
【００４８】
上記の構成により、ＥＭＩの発生が抑制され、かつ製造工程途中でのドライバの不良がおこりにくくなる。また、絶縁膜４１にアクリル樹脂のような低誘電率の絶縁膜を用いることにより、ドライバモノリッシク部の信号のなまり（信号波形の変形）を抑えることができる。さらに、表示装置を車の中などの非常に厳しい環境下で用いる場合でも、絶縁膜４１がドライバモノリッシクを保護する。
【００４９】
以上のようにして、本実施形態の表示装置のアクティブマトリクス基板が構成される。
【００５０】
本実施形態のアクティブマトリクス基板の製造工程においては、実施形態１〜３のアクティブマトリクス基板の製造工程と同様に、層間絶縁膜の形成と同時に絶縁膜４１が形成される。したがって、その製造工程においてＥＭＩ対策のための新たな工程を全く必要としないため、本実施形態の液晶表示装置もコストアップが生じない。
【００５１】
本実施形態の液晶表示装置は、下記のようにして製造される。
【００５２】
まず、ガラス等からなる透明なアクティブマトリクス基板４３上に、スイッチング素子となるＴＦＴおよびドライバモノリッシク用のチャネル領域とソースおよびドレイン領域となる半導体層４４および４５を平面的に形成する。そして、半導体層４４、４５のソース領域およびドレイン領域となる部分にイオンビームで不純物を打込み、それぞれｎ＋部分、ｐ＋部分を形成する。なお、ここでドライバ用キャパシタやＣｓを形成する片側の導電膜を同時に形成する。
【００５３】
その後、半導体層４４および４５上に、チッ化シリコン等からなるゲート絶縁膜４６をＣＶＤ法により３０００オングストロームの膜厚に成膜した。その際に、前記ソース、ドレイン領域の上には当然コンタクトホールを形成しておく。
【００５４】
その後、アルミからなるゲート配線４７をＣＶＤ法により４０００オングストロームの厚さに成膜した後パターニングする。そのとき、同時に前記キャパシタやＣｓ部のもう片側の導電膜を形成する。
【００５５】
その後、ゲート配線４７上に、チッ化シリコン等からなる絶縁膜４６をＣＶＤ法により３０００オングストロームの膜厚に成膜する。その際も、前記ソース、ドレイン領域の上には当然コンタクトホールを形成しておく。
【００５６】
次に、ソース配線４８、ドレイン配線４９としてアルミをＣＶＤ法により３０００オングストロームの膜厚に成膜してパターニングする。そのとき同時に外部入力端子も形成する。
【００５７】
次に、ソース配線４８およびドレイン配線４９上に層間絶縁膜として感光性のアクリル系樹脂をスピンコート法により３μｍの膜厚で形成する。この層間絶縁膜はドライバ領域の絶縁膜４１も兼ねている。
【００５８】
層間絶縁膜が絶縁膜４１を兼ねるので、絶縁膜４１を形成するための製造プロセスを新たに増やすことなくアクティブマトリクス基板を形成できる。また、絶縁膜４１は比誘電率が低く、かつ容易に膜厚を厚くできるので、ドライバモノリッシク部の寄生容量が抑えられ、信号遅延・なまりが抑制される。また、絶縁膜４１の材料にアクリルのような有機樹脂を用いることにより、絶縁膜４１にピンホールができにくくなるため、リークが防止される。さらに、アルミのようにヒロックのできやすい金属を配線に用いた場合でも、絶縁膜４１が配線をカバーしてヒロックが防止される。
【００５９】
また、感光性のアクリル樹脂を用いると、パターニングに際してフォトレジスト塗布工程が不要となり、生産性の点で有利である。本実施形態では、層間絶縁膜の材料として用いたアクリル系樹脂に、塗布前に着色されているアクリル系樹脂を使用した。塗布前に着色したアクリル系樹脂はパターニングが行い易く、パ夕ーニング後に全面露光処理を施してより透明化することができるからである。このような樹脂の透明化処理は、光学的に行うことができるだけでなく、化学的に行うことも可能である。
【００６０】
次に、前記層間絶縁膜上に、ＩＴＯを１５００オングストロームの膜厚に堆積した後、パターニングして画素電極を形成する。このとき同時にＥＭＩ対策用導電膜４２を形成する。ＥＭＩ対策用導電膜４２は外部入力端子上にも形成する。このことにより、全く工程を増やさずに、ＥＭＩを抑制し、モノリッシクドライバを保護する絶縁膜４１を形成することができる。その際に、アッシング等により層間絶縁膜の樹脂の表面を荒し、層間絶縁膜と画素電極および導電膜４２との密着性を改善するとなお良い。
【００６１】
その後、ポリイミド等からなる配向膜を形成してラビング処理を行う。このとき、前記層間絶縁膜を十分厚く（例えば３μｍ）形成することにより、表面が平坦化され、配向乱れ等の問題は発生しなかった。その後、アクティブマトリクス基板とブラックマトリクス、対向電極およびカラーフィルターを備えた対向基板との間に液晶を挟んで、本実施形態４の液晶表示装置を完成させる。
【００６２】
上記の製造工程は従来の製造工程に比べて、製造工程中にモノリッシクドライバが基板表面に露出されている時間が少なくなるので、ゴミ等の原因による断線の確率が大幅に減少するため、良品率が大幅に向上する。
【００６３】
ここで、ＥＭＩ対策用導電膜をＧＮＤ配線に接地するとさらに効果的であることはいうまでもない。
【００６４】
（実施形態５）
実施形態５の液晶表示装置では、実施形態１〜４の液晶表示装置において、ＥＭＩ対策用導電膜を電源配線として用いる。駆動領域に形成されている電源配線は＋３Ｖ、＋５Ｖ、＋１２Ｖ、−８Ｖ等の直流電圧が印加される共通配線と、ＧＮＤ配線とを有している。共通配線およびＧＮＤ配線には交流電圧が印加されないので、これらの配線がＥＭＩの原因になることはない。そのため、ＥＭＩ対策用導電膜にこれらの配線を形成することができる。
【００６５】
本実施形態では、アクティブマトリクス基板上の配線とＥＭＩ対策用導電膜とが２層の電源配線を形成するので、低抵抗化が達成される。ＥＭＩ対策用導電膜の幅を広く形成すれば、さらに低抵抗化をはかることができる。
【００６６】
以上、本発明の実施形態を説明してきたが、実施形態１〜５以外にも、例えば絶縁膜としてカラーフィルターやゲート絶縁膜を用いることも可能である。
【００６７】
また、実施形態１〜５の表示装置は透過型のアクティブマトリクス型液晶表示装置であるが、本発明による表示装置は透過型アクティブマトリクス型液晶表示装置に限られず、反射型、ＤＵＴＹ液晶、ＥＬ、プラズマ表示装置でもよい。
【００６８】
【発明の効果】
以上のように、本発明による平面表示装置では、簡単な構造によってＥＭＩの発生を抑えることができる。また、絶縁膜が共通配線を保護するため、本発明による平面表示装置は信頼性が高い。
【００６９】
また、導電膜をＧＮＤ配線に接続することで、さらにＥＭＩの発生を抑制することができる。
【００７０】
本発明による平面表示装置の製造方法では、工程の増加を必要とせずにＥＭＩ対策ができ、コストアップが生じない。また、製造工程中においても共通配線が保護されるので断線などがおこらず、良品率が向上することにより、製造コストが安価となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態１の液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板の構成を示す平面図である。
【図２】図１の液晶表示装置のＡ−Ａ’線断面図である。
【図３】実施形態２の液晶表示装置を説明するための図であり、図４のＡ−Ａ’線の断面図である。
【図４】実施形態２の液晶表示装置を説明するための図である。
【図５】実施形態３の液晶表示装置を説明するための図であり、図１の液晶表示装置のＡ−Ａ’線の断面図に相当する図である。
【図６】実施形態４の液晶表示装置における駆動ドライバを説明するための図である。
【図７】従来の液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板の構成を示す平面図である。
【図８】図７の液晶表示装置のＢ−Ｂ’線断面図である。
【図９】特開平６−３７４７８号公報に開示されている液晶駆動装置を示す図である。
【符号の説明】
１    表示領域
２    共通配線
３    走査配線（ゲート配線）
４    信号配線（ソース配線）
５    駆動用ドライバ
６    バンプ
７    ＡＣＦ
８    外部入力端子
９    アクティブマトリクス基板
１０    対向基板
１１    絶縁膜
１２    導電膜
５１    表示領域
５２    共通配線
５３    走査配線（ゲート配線）
５４    信号配線（ソース配線）
５５    駆動用ドライバ
５６    バンプ
５７    ＡＣＦ
５８    外部入力端子
５９    アクティブマトリクス基板
６０    対向基板
【図１】
0003558621.tif 000002
【図２】
0003558621.tif 000003
【図３】
0003558621.tif 000004
【図４】
0003558621.tif 000005
【図５】
0003558621.tif 000006
【図６】
0003558621.tif 000007
【図７】
0003558621.tif 000008
【図８】
0003558621.tif 000009
【図９】
0003558621.tif 000010