(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
２種以上の原子を含む化合物または合金からなる薄膜に、イオンビームまたは中性原子ビームを局所的に照射することにより、その薄膜内の質量の小さい特定の原子を選択的に薄膜外に反跳させ、その特定原子の存在数比が当該薄膜内の他の部位に比して低い領域のパターンを作成する、微細パターン作成方法。
【請求項２】
２種以上の原子を含む化合物または合金からなる薄膜に、イオンビームまたは中性原子ビームを局所的に照射することにより、その薄膜内の特定物質の原子を選択的に薄膜外に反跳させ、その特定原子の存在数比が当該薄膜内の他の部位に比して低い領域のパターンを作成するに際して、前記反跳すべき物質と同じ物質をビーム源に用いることを特徴とする微細パターン作成方法。
【請求項３】
２種以上の原子を含む化合物または合金からなる薄膜を他の物質からなる層で挟み込んだ構造の積層体に法線方向に対して傾斜した端面を形成し、この積層体の端面部分にイオンビームまたは中性原子ビームを照射して、前記ビームの飛程にて定まる深さに注入領域を形成し、この注入領域と前記薄膜とが交差する領域を当該薄膜内の特定の原子の存在数比が多い領域とすることにより、微細パターンを作成することを特徴とする微細パターン作成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、薄膜中に微細なパターンを作成する方法に関し、例えば金属あるいは半導体の微細なパターンを利用する量子効果デバイスをはじめとする電子デバイスにおける微細パターンの作成等に適した方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体において量子薄膜（１次元量子井戸構造）を作成する技術は、ＭＢＥ（分子線エピタキシー）を用いる方法等が既に開発されている。
【０００３】
しかし、量子細線（２次元量子井戸構造）、量子箱（３次元量子井戸構造）については、量子薄膜を作成するときの薄膜作成技術に加えて、１０ｎｍレベルの２次元の微細加工が必要であり、未だその作成技術は確立されていない。すなわち、２次元的な微細加工方法として確立しているリソグラフィ技術では、数１００ｎｍ程度の精度しかないために、上記した構造を得るための微細加工としては採用できない。現時点において、様々な手法が模索されてはいるものの、実用域に達したものは未だないのが実情である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、従来技術では作成不可能であった量子細線（２次元微細パターン）や量子箱（３次元微細パターン）のような、ｎｍ程度の精度を持つ１０ｎｍレベルの微細パターンを、良好な制御性のもとに、かつ、良好な再現性のもとに量産することのできる方法を提供することを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明の微細パターンの作成方法は、２種以上の原子を含む化合物または合金からなる薄膜に、局所的に粒子ビームを照射することにより、その薄膜内の質量の小さい特定の原子を選択的に薄膜外に反跳させ、その特定原子の存在数比が当該薄膜内の他の部位に比して低い領域のパターンを作成することによって特徴づけられる。
本発明の微細パターンの作成方法は、２種以上の原子を含む化合物または合金からなる薄膜に、局所的に粒子ビームを照射することにより、その薄膜内の特定物質の原子を選択的に薄膜外に反跳させ、その特定原子の存在数比が当該薄膜内の他の部位に比して低い領域のパターンを作成するに際して、前記反跳すべき物質と同じ物質をビーム源に用いることによって特徴づけられる。
本発明の微細パターンの作成方法は、２種以上の原子を含む化合物または合金からなる薄膜を他の物質からなる層で挟み込んだ状態で、その積層構造の端面部分に粒子ビームを照射して、前記粒子ビームの飛程にて定まる深さに注入領域を形成し、この注入領域と前記薄膜とが交差する領域を当該薄膜内の特定の原子の存在数比が多い領域とすることにより、微細パターンを作成することによって特徴づけられる。
【０００６】
ここで、本発明における粒子ビームとは、イオンビームおよび中性原子ビームのいずれをも含み、ビームの形態としては集束されていないものおよび集束されているもののいずれでもよい。そして、集束されていない粒子ビームによるパターニングに際しては、必要に応じてマスクを用いることができる。
【０００７】
また、本発明は、対象とする薄膜の表面に対して粒子ビームを直接的に打ち込むほか、その薄膜とは異なる物質からなる層により薄膜を挟んだ状態で、その積層構造の端面部分から粒子ビームを照射することにより、対象薄膜内に、粒子ビームの飛程に相当する奥行きと、粒子ビームのビーム幅に相当する幅を持つ、特定原子の存在数比の低い領域のパターンを作成する場合を含む。
【０００８】
【作用】
例えば物質Ａと物質Ｂの化合物であり、物性が物質Ａとは異なると物質ＡＢからなる薄膜に、高速粒子ビームないしは集束イオンビームを照射すると、ビームの粒子と薄膜の構成物質ＡＢとの衝突が生じ、ＡまたはＢの原子が反跳する。反跳したＡ，Ｂの原子（または分子、以下同）は反跳エネルギに対応した飛程だけ移動する。ＡとＢの原子の質量が異なると飛程が異なり、例えばＢの原子の方が質量が小さい場合にはその飛程はより大きくなる。Ｂ原子の飛程が薄膜を通過してしまう程度に大きく、かつ、Ａ原子の飛程が薄膜を通過しない程度である場合には、物質ＡＢからなる薄膜からＢ原子が選択的に抜け出すことになり（キックアウト効果）、ビーム照射領域においてのみ相対的にＡ原子のリッチな領域が形成され、薄膜中に他とは異質な組成を持つ微細パターンが作成される。粒子ビームにより反跳するＢ原子の数を次第に増やしていくと、そのビーム照射領域の組成は次第に物質Ａに近づき、ＡＢ薄膜中に、ほぼ物質Ａに近い物質からなる微細なパターンを作成することができる。
【０００９】
このパターンの厚さは、薄膜の厚さとほぼ同じで、パターンの薄膜中での大きさは、集束イオンビームを用いた場合には、スポット的に照射するとビームその断面と同等のサイズを持つ点となり、ビームを操作すればビームサイズと同等の幅をもつ線となり、また、マスクを用いた場合にはそのマスクパターンのサイズと同等となる。
【００１０】
一方、上記と同様な物質ＡＢからなる薄膜を他の物質からなる層で挟み込み、その積層構造の端面部から粒子ビームを照射した場合には、その端面から粒子ビームの飛程により定まる深さにビーム打ち込み領域が形成されるが、このビーム打ち込み領域とＡＢ薄膜とが交差する領域がＡ原子のリッチな領域となり（図３参照）、粒子ビームのエネルギを制御することで、容易に１０ｎｍレベルの２次元パターンを、良好な制御性のもとに再現性良く作成可能である。
【００１１】
【実施例】
図１は本発明実施例の微細パターン作成工程の説明図で、素子の模式的断面図を示している。
【００１２】
基板１上に、物質Ａと物質Ｂの化合物で、かつ、物質Ａとは物性が異なる物質ＡＢからなる薄膜２を形成している。この薄膜２の膜厚は１０ｎｍ程度である。ここで、物質Ａの原子は、物質Ｂの原子よりも質量が大きく、その質量差は大きい方が望ましい。このような組み合わせの一例としては、物質Ａが金属または半導体の原子あるいは分子で、物質Ｂは物質Ａとの結合により物性が大きく異なるもので、かつ、質量が物質Ａに比して大幅に異なるものが望ましいことから、例えば酸素、窒素、または水素等である。
【００１３】
以上のような物質ＡＢからなる薄膜２に、エネルギが数ｋｅＶから数１０ｋｅＶ程度の集束イオンビーム（例えば金属集束イオンビーム、ガス集束イオンビーム）３を照射する。これにより、集束イオンビーム３を構成するイオンが、薄膜２を構成するＡ原子（または分子）あるいはＢ原子に衝突してこれらを反跳させるが、この反跳時のＡ，Ｂ各原子の飛程は、これらの原子の質量の相違に起因して、Ｂ原子の方が大きく、よって薄膜２中の集束イオンビーム３の照射領域４から選択的にＢ原子が抜け、その領域４は物質Ａそのもの、あるいは物質Ａに近い物性を持つに至る。集束イオンビーム３を適当に走査することで、そのビーム照射部位に対応した任意の微細パターンを作成できる。このパターンの厚みは薄膜２の厚みと同等となり、それ以外のパターンの寸法精度は、集束イオンビーム３のサイズにより定まることになる。
【００１４】
ここで、集束イオンビーム３を構成するイオンは、少なくともその一部が薄膜２中に注入されるが、物質Ａそのものをビーム源に用いたり、あるいは物質Ａの物性を損なわない元素をビーム源に用いることにより、その影響を抑制することができる。
【００１５】
図２は本発明の他の実施例の微細パターンの作成工程の説明図で、同じく素子の模式的断面図を示している。
この例は、集束されていない高速粒子ビーム５を用いる例であり、先の例と同じ基板１上の薄膜２の表面に、所望のパターニングを施したマスク６を設け、そのマスク６を介して薄膜２に向けて集束されていない高速粒子ビーム５を照射する。この例においても、上記した図１の例と同様に、物質ＡＢからなる薄膜２内に、物質Ａまたはそれに近い物性を持つ領域７が形成される。この例における領域７の厚みは薄膜２の厚みと同等で、それ以外の寸法精度はマスク６のパターニング精度で決まる。
【００１６】
図３は本発明の更に他の実施例の微細パターンの作成工程の説明図で、同じく素子の模式的断面図を示している。
この図３の例では、上記各例と同様の物質ＡＢからなる薄膜２を、これとは異なる物質Ｃからなる層８ａ，８ｂで挟んだ構造の積層体を基板１上に形成するとともに、その一部をエッチングする等により、薄膜２の端面部が露呈し、かつ、基板１の法線方向に対して傾斜した端面９を形成している。そして、この積層体の端面９に向けて、先の例と同様な高速粒子ビーム５を照射する。照射したビーム５は、そのエネルギによって決まる深さに注入されるため、端面９から所定の深さを持つ層状の注入領域１０が形成される。そして、この層状注入領域１０と薄膜２とが交差する領域１１が先の各例と同様に組成変化を受け、物質Ａまたはそれに近い物性を持つ領域１１が形成される。この領域１１の厚みＴは、元の薄膜２の厚みと同等であり、奥行きＤは照射ビーム５の飛程によって決まる。照射ビーム５のエネルギは精密に制御が可能であるため、領域１１の奥行きＤはｎｍ程度の精度で容易に制御可能である。このようにして、ｎｍ程度の精度を持つ１０ｎｍレベルの厚みＴおよび奥行きＤを持つ２次元微細パターン１１を作成することができる。
【００１７】
更に、この図３の例において、照射ビームを集束イオンビームとすれば、厚みＴ、奥行きＤのほか、幅（紙面に直交する方向）もビームサイズで制御できるので、３次元微細パターンの作成が可能となる。
【００１８】
ここで、以上の各実施例では、主に物質ＡとＢの反跳時における飛程の違いを利用して、一方の物質Ｂをキックアウトしているわけであるが、キックアウトすべき物質Ｂをビーム源に用いると、物質Ｂに与える反跳エネルギは最大となることが知られている。この点を利用して、物質Ｂからなる粒子ビームを薄膜２に照射し、物質Ｂを効率的にキックアウトすることも可能である。
【００１９】
以上の各例において、薄膜２を例えば金属酸化物とし、ビーム照射領域から酸素原子を選択的にキックアウトすると、金属酸化物からなる絶縁体膜中に、微細な導電パターンを形成することができる。また、薄膜２をSiO2として、ビームにより酸素原子を選択的にキックアウトすれば、絶縁膜中に微細なSiパターンないしはSiリッチなパターンを形成することができる。更に、薄膜２をAgCl2 とし、ビームによりCl原子を選択的にキックアウトすれば、誘電膜中に微細な導電パターンを形成することができる。更にまた、薄膜２を金属超伝導体の酸化物とし、ビーム照射領域から酸素原子をキックアウトすると、絶縁膜中に微細な超伝導パターンを形成することができる。また、薄膜２を有機化合物とし、ビーム照射によりそのうちの特定の原子ないしは分子をキックアウトすることにより、特定原子ないしは分子の少ない、他領域とは異なる組成の微細パターンの形成が可能である。また更に、薄膜２を合金として、ビーム照射によってその合金組成中の特定の原子をキックアウトすれば、合金薄膜中に、それとは異なる組成ないしは単体金属からなるパターンを形成することができる。
【００２０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、２種以上の原子を含む化合物または合金からなる薄膜に対して局所的に粒子ビームを照射することで、そのビーム照射領域から特定の原子を選択的に薄膜外に反跳させ、特定原子の存在数比が他の部位に比して低い領域のパターンを作成するため、比較的簡単で制御性の良好なプロセスにより、２次元あるいは３次元的な微細パターンを再現性良く作成することが可能となった。また、対象薄膜の上下を他の物質からなる層で積層した積層体の端面部分に粒子ビームを照射すると、表面に露呈しない薄膜の所望領域に２次元あるいは３次元の微細パターンを形成することも可能となった。
【図面の簡単な説明】
【図１】素子の模式的断面図で示す本発明実施例の微細パターンの作成工程の説明図
【図２】同じく素子の模式的断面図で示す本発明の他の実施例の微細パターンの作成工程の説明図
【図３】同じく素子の模式的断面図で示す本発明の更に他の実施例の微細パターンの作成工程の説明図
【符号の説明】
１  基板
２  薄膜（物質ＡＢ）
３  集束イオンビーム
４，７，１１  ビーム照射領域（物質Ａまたはそれに近い物性の領域）
５  高速粒子ビーム
６  マスク
８ａ，８ｂ  物質Ｃの層
９  端面
１０  ビーム注入領域
【図１】
0003540047.tif 000002
【図２】
0003540047.tif 000003
【図３】
0003540047.tif 000004