(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一主面部上に光源が配設され入射された光束の光出力を検出する信号読み取り用光検出器及び光出力検出器が該一主面部上に形成された半導体基板と、
上記半導体基板の一主面部側に配設され光学記録媒体の信号記録面に対向される集光手段と、
上記信号読み取り用光検出器上に位置して上記半導体基板の一主面部側に配設され、上記光源より発射された光束の一部を上記集光手段に入射させ、この光束の残部を上記光出力検出器の受光部に導くとともに、該集光手段に入射された光束が上記光学記録媒体の信号記録面において反射された反射光束が該集光手段を介して戻されてこの反射光束を上記信号読み取り用光検出器に導く光束分岐手段と、
上記半導体基板上に上記信号読み取り用光検出器及び光出力検出器に対応して配設され、該信号読み取り用光検出器及び該光出力検出器より出力される光出力検出信号を電圧に変換して増幅する複数の電流電圧増幅器と、
上記半導体基板上に配設され上記各電流電圧増幅器の利得を制御する制御回路とを備え、
上記光源より発せられる光束の光出力が動作モードに応じて選択的に変更され、上記光出力検出器により得られる出力値が変化することにより、上記各信号読み取り用光検出器に対応する電流電圧増幅器の利得を選択的に設定することを特徴とする光学ピックアップ装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光ディスクや光磁気ディスクの如き光学記録媒体に対して情報信号の書き込み及び読み取りを行う光学ピックアップ装置に関する技術分野に属する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、光ディスク（いわゆるピットディスク）や光磁気ディスク（いわゆるＭＯディスク）の如き光学記録媒体が提案されている。このような光学記録媒体は、透明な基板とこの基板に被着形成された信号記録層とを有して構成されている。光ディスクや光磁気ディスクにおいては、上記基板は、円盤状のディスク基板として形成されている。また、この光ディスクや光磁気ディスクにおいては、上記信号記録層において、情報信号は、略々同心円状となされた螺旋状に形成された記録トラックに沿って記録される。
【０００３】
そして、このような光学記録媒体に対する情報信号の書き込み及び読み取りを行う光学ピックアップ装置が提案されている。この光学ピックアップ装置は、光源として半導体レーザを有し、この半導体レーザより発せられる光束を対物レンズにより上記光学記録媒体の信号記録面、すなわち、上記信号記録層の表面部上に集光して照射するように構成されている。上記半導体レーザより発せられた光束は、グレーティング（回折格子）、ビームスプリッタ及びコリメータレンズを介して、上記対物レンズに導かれる。上記グレーティングは、後述するトラッキングエラー信号の検出を可能とするものである。
【０００４】
そして、この光学ピックアップ装置においては、上記信号記録面に照射された光束の該信号記録面による反射光を光検出器によって検出することにより、上記光学記録媒体の信号記録層に記録された情報信号の読み取りや、上記光束の該信号記録面上への集光を維持するためのエラー信号、すなわち、フォーカスエラー信号及びトラッキングエラー信号の検出が行われる。
【０００５】
上記反射光は、上記対物レンズ及び上記コリメータレンズを経て、上記ビームスプリッタに戻る。この反射光は、上記ビームスプリッタにおいて反射されて、ウォラストンプリズム及びマルチレンズを介して、上記光検出器に入射される。上記ウォラストンプリズムは、入射された光束の偏光成分に応じて、この光束を分割させるプリズムである。上記マルチレンズは、入射面がシリンドリカル（円筒）面となされ、出射面が凹面となされたレンズであって、入射光束に上記フォーカスエラー信号の検出のための非点収差を生じさせるとともに、この入射光束の集光点を後方側に移動させるレンズである。
【０００６】
上記フォーカスエラー信号は、上記光束の集光点と上記信号記録面との上記対物レンズの光軸方向についての距離を示す信号である。上記光学ピックアップ装置においては、上記フォーカスエラー信号が０となるように、上記対物レンズのこの対物レンズの光軸方向への移動操作、すなわち、フォーカスサーボ動作が行われる。
【０００７】
上記トラッキングエラー信号は、上記光束の集光点と上記記録トラックとのこの記録トラックの接線及び上記対物レンズの光軸に直交する方向、すなわち、上記光ディスクの径方向についての距離を示す信号である。上記光学ピックアップ装置においては、上記トラッキングエラー信号が０となるように、上記対物レンズのこの対物レンズの光軸に直交する方向への移動操作、すなわち、トラッキングサーボ動作が行われる。
【０００８】
なお、この光学ピックアップ装置においては、上記半導体レーザより発せられた光束の一部は、上記ビームスプリッタにおいて、上記コリメータレンズに入射されることなく、光出力検出器に入射されて受光される。この光出力検出器は、上記半導体レーザの発光出力をモニタしてこの半導体レーザの発光出力を制御する、いわゆるオート・パワー・コントロール（ＡＰＣ）を行うためのものである。このように、光出力検出器を半導体レーザの外部に設けてオート・パワー・コントロールを行う方式を、フロント・オート・パワー・コントロール（ＦＡＰＣ）という。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述のような光学ピックアップ装置において光源として使用される半導体レーザより発せられる光束の光出力は、上記光ディスクよりの情報信号の読み取り、上記光磁気ディスクよりの情報信号の読み取り、及び、該光磁気ディスクに対する情報信号の書き込みというそれぞれの動作モードの選択に応じて、選択的に切換えられる。これは、上記光ディスクの信号記録面は、上記光磁気ディスクの信号記録面に比して、反射率が高いからである。また、上記光磁気ディスクにおいて、情報信号の読み取りのために必要とされる上記光束の光出力に比して、情報信号の書き込みのためには大きな（１０倍程度の）光出力が必要であるからである。
【００１０】
このように、上記半導体レーザが発する光束の光出力が変更されると、この光束が上記信号記録面により反射された反射光束の光強度もこの変更に応じて変化する。特に、上記光磁気ディスクよりの情報信号の読み取りモード時と該光磁気ディスクに対する情報信号の書き込みモード時とでは、上記反射光光束の光強度は、約１０倍の格差がある。
【００１１】
このように、動作モードの選択に応じて上記反射光光束の光強度が大きく変化する場合には、上記光検出器の出力信号を増幅する増幅器（電流電圧増幅器：Ｉ−Ｖアンプ）の利得（ゲイン）を該動作モードに応じて切換えるようにしないと、正確な信号読み取りができない虞れがある。例えば、上記増幅器の利得が上記光磁気ディスクよりの情報信号の読み取りモードに適合した利得となっているときに、上記半導体レーザの発光出力を該光磁気ディスクに対する情報信号の書き込みモードに適合した出力としたとすると、該増幅器においては、増幅後の信号が非常に高レベルとなってしまって飽和状態になってしまう。逆に、上記増幅器の利得が上記光磁気ディスクに対する情報信号の書き込みモードに適合した利得となっているときに、上記半導体レーザの発光出力を該光磁気ディスクよりの情報信号の読み取りモードに適合した出力としたとすると、該増幅器においては、増幅後の信号が非常に低レベルとなってしまい信号の読み取りができない。
【００１２】
従来、上記増幅器の利得は、上記光学ピックアップ装置を備えて構成される記録再生装置の制御回路によって実行されている動作モードがいずれのモードであるかを判別し、この判別結果に応じて、該制御回路によって制御することとしている。しかしながら、このように上記制御回路によって上記増幅器の利得を切換えることとした場合、この制御回路と上記増幅器とを接続しなければならない。したがって、光学ピックアップ装置を上記増幅器を内蔵したものとして構成した場合には、この光学ピックアップ装置の装置構成の複雑化、大型化が招来されることとなる。
【００１３】
そこで、本発明は、上述の実情に鑑みて提案されるものであって、構成の複雑化、大型化が招来されることなく、光源より発せられる光束の光出力が動作モードに応じて選択的に変更された場合であっても、光学記録媒体よりの反射光束を受光する光検出器の出力信号を増幅する電流電圧増幅器の利得が適正な値に設定され、良好な感度にて該光学記録媒体よりの情報信号の読み取りが行えるようになされた光学ピックアップ装置の提供という課題を解決しようとするものである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上述の課題を解決するため、本発明に係る光学ピックアップ装置は、一主面部上に光源が配設され入射された光束の光出力を検出する信号読み取り用光検出器及び光出力検出器が該一主面部上に形成された半導体基板と、上記半導体基板の一主面部側に配設され光学記録媒体の信号記録面に対向される集光手段と、上記信号読み取り用光検出器上に位置して上記半導体基板の一主面部側に配設され、上記光源より発射された光束の一部を上記集光手段に入射させ、この光束の残部を上記光出力検出器の受光部に導くとともに、該集光手段に入射された光束が上記光学記録媒体の信号記録面において反射された反射光束が該集光手段を介して戻されてこの反射光束を上記信号読み取り用光検出器に導く光束分岐手段と、上記半導体基板上に上記信号読み取り用光検出器及び光出力検出器に対応して配設され、該信号読み取り用光検出器及び該光出力検出器より出力される光出力検出信号を電圧に変換して増幅する複数の電流電圧増幅器と、上記半導体基板上に配設され上記各電流電圧増幅器の利得を制御する制御回路とを備え、上記光源より発せられる光束の光出力が動作モードに応じて選択的に変更され、上記光出力検出器により得られる出力値が変化することにより、上記各信号読み取り用光検出器に対応する電流電圧増幅器の利得を選択的に設定することを特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照しながら説明する。
【００１６】
この実施の形態は、本発明に係る光学ピックアップ装置を、図１に示すように、光学記録媒体として光ディスク（いわゆるピットディスク）１０１及び光磁気ディスク（いわゆるＭＯディスク）１０３を用いて、情報信号の書き込み及び読み取りを行う装置として構成したものである。これら光ディスク１０１及び光磁気ディスク１０３は、ポリカーボネイト（Ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ）やポリメチルメタクリレート（Ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）の如き透明材料からなる円盤状のディスク基板と、このディスク基板に被着形成された信号記録層１０２，１０４とを有して構成されている。
【００１７】
上記光ディスク１０１における信号記録層１０２は、上記ディスク基板上に形成されたピットを覆って形成された金属反射膜により形成されている。また、上記光磁気ディスク１０３における信号記録層１０４は、磁性材料膜から形成されている。これら信号記録層１０２，１０４の上記ディスク基板に接合された表面部は、信号記録面となっている。
【００１８】
そして、本発明に係る光学ピックアップ装置は、光源となる半導体レーザチップ１、第１及び第２の信号読み取り用光検出器４，５及び光出力検出器６Ｆが上面部上に配設、形成された半導体基板３を有して構成されている。上記半導体レーザチップ１は、上記半導体基板３の上面部上に配設されたヒートシンク部２の上面部に配設されている。上記信号読み取り用光検出器４，５及び上記光出力検出器６Ｆは、上記半導体基板３の表面部に形成されている。
【００１９】
上記半導体レーザチップ１は、光束を、上記半導体基板３の上面部に平行に、上記各信号読み取り用光検出器４，５及び上記光出力検出器６Ｆが設けられた側に向けて射出する。この半導体レーザチップ１より発せられる光束は、発散光束であって、断面形状が楕円形となっている。すなわち、上記半導体レーザチップ１より発せられる光束の発散角は、この光束が該半導体レーザチップ１より射出されるときの回折の影響等によって、この半導体レーザチップ１における半導体層の接合面に垂直な方向の垂直発散角θＬよりも、該接合面に平行な方向の平行発散角θ／／のほうが狭くなっている。例えば、上記垂直発散角θＬは、２０°程度なの対し、上記平行発散角θ／／は、１０°程度である。また、この半導体レーザチップ１において、発光光束の短波長化（例えば６３５ｎｍ）を図った場合には、上記平行発散角θ／／は、６°程度となる。この半導体レーザチップ１は、上記平行発散角θ／／の方向を半導体基板３の表面部に平行として配設されている。
【００２０】
そして、この光学ピックアップ装置は、一端部が傾斜面部８となされ上記各信号読み取り用光検出器４，５上に位置して上記半導体基板３上に配設された光束分岐手段となるプリズム７を有している。上記傾斜面部８は、上記半導体基板３の表面部に対する傾斜角が、４５°となされている。この傾斜面部８上には、偏光ビームスプリッタ（ＰＢＳ）膜が形成されている。上記プリズム７は、一軸性結晶または二軸性結晶により形成されている。このプリズム７を形成する結晶の結晶軸は、このプリズム７内の反射面（すなわち、天面部及び底面部）の法線に垂直な面内に設定されている。
【００２１】
上記プリズム７は、上記半導体レーザチップ１より発射された光束が、上記傾斜面部８に入射される。この傾斜面部８には、上記半導体レーザチップ１よりの光束が、Ｓ偏光状態で入射される。この傾斜面部８は、上記半導体レーザチップ１より入射された光束の大部分を上記偏光ビームスプリッタ膜により反射して上記半導体基板３の表面部に対して垂直な方向に偏向させる。このように上記傾斜面部８上の偏光ビームスプリッタ膜により反射された光束は、後述する対物レンズ駆動機構により上記半導体基板３の上方側に支持され上記光ディスク１０１または上記光磁気ディスク１０３の信号記録面に対向される集光手段となる対物レンズ１１に入射される。この対物レンズ１１は、入射された光束を、上記光ディスク１０１、または、光磁気ディスク１０３の信号記録面上に集光させる。
【００２２】
また、上記傾斜面部８は、上記半導体レーザチップ１より入射された光束の残部を透過させ、上記光出力検出器６Ｆの受光部に導く。この光出力検出器６Ｆは、上記半導体レーザチップ１の側より見て上記プリズム７の後方側に位置して形成されている。すなわち、上記半導体レーザチップ１より射出されて上記傾斜面部８を透過した光束は、上記プリズム７中を進行し、このプリズム７の他端面を介してこのプリズム７の外方側に射出されて、上記光出力検出器６Ｆにより受光される。この光出力検出器６Ｆは、上記半導体レーザチップ１の発光出力をモニタしてこの半導体レーザチップ１の発光出力を制御する、いわゆるオート・パワー・コントロール（ＡＰＣ）に使用される光検出出力を得るものである。この光出力検出器６Ｆは、フォトダイオードであり、一の受光部を有して構成されている。
【００２３】
一方、上記対物レンズ１１により上記信号記録面上に集光された光束は、この信号記録面により反射され、該対物レンズ１１を介して、上記傾斜面部８に戻る。この傾斜面部８に戻った上記信号記録面による反射光は、この傾斜面部８を透過して上記プリズム７内に進入し、このプリズム７の下面部よりこのプリズム７の外方側に射出されて上記各信号読み取り用光検出器４，５に導かれ受光される。
【００２４】
すなわち、上記対物レンズ１１を経て上記傾斜面部８に入射した反射光は、この傾斜面部８において屈折されて上記プリズム７内に進入し、一部がこのプリズム７の底面部を透過して上記第１の信号読み取り用光検出器４に受光され、残部が該底面部により反射される。この底面部により反射された光束は、上記プリズム７の天面部において全反射された後、このプリズム７の底面部を透過して上記第２の信号読み取り用光検出器５に受光される。
【００２５】
上記第１の信号読み取り用光検出器４の受光部は、中央部分の一対の受光部４ｂ，４ｃとこれら中央部分の各受光部４ｂ，４ｃの両側側に位置する一対の受光部４ａ，４ｄの４面の受光部に平行に分割されている（端から順に、４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ）。これら受光部４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄは、それぞれフォトダイオードである。また、上記第２の信号読み取り用光検出器５の受光部は、前後の部分に分割され、これら前後部分のそれぞれが、中央部分の受光部５ｙ１，５ｙ２とこれら中央部分の受光部５ｙ１，５ｙ２の両側側に位置する一対の受光部５ｘ１，５ｘ１、５ｘ２，５ｘ２の３面の受光部に平行に分割されている。これら受光部５ｙ１，５ｘ１，５ｘ１、５ｙ２，５ｘ２，５ｘ２は、それぞれフォトダイオードである。
【００２６】
この光学ピックアップ装置を用いた記録再生装置においては、上記各信号読み取り用光検出器４，５を構成する各受光部より個々に出力され増幅された光検出出力を演算することにより、上記光ディスク１０１、または、光磁気ディスク１０３よりの情報信号の読み取り信号、フォーカスエラー信号、トラッキングエラー信号を得ることができる。上記フォーカスエラー信号は、上記光束の集光点と上記信号記録面との、上記対物レンズ１１の光軸方向についての距離を示す信号である。上記光学ピックアップ装置においては、上記フォーカスエラー信号が０となるように、図１及び図２中矢印Ｆで示すように、上記対物レンズ１１のこの対物レンズ１１の光軸方向への移動操作、すなわち、フォーカスサーボ動作が行われる。また、上記トラッキングエラー信号は、上記光束の集光点と上記記録トラックとの、この記録トラックの接線及び上記対物レンズ１１の光軸に直交する方向、すなわち、上記光ディスクの径方向についての距離を示す信号である。上記光学ピックアップ装置においては、上記トラッキングエラー信号が０となるように、図１及び図２中矢印Ｔで示すように、上記記録トラックの接線方向及び上記対物レンズ１１の光軸に直交する方向への該対物レンズ１１の移動操作、すなわち、トラッキングサーボ動作が行われる。
【００２７】
この光学ピックアップ装置において、上記光ディスク１０１より情報信号を読み取る場合には、この光ディスク１０１の信号記録面上に照射された光束は、この信号記録面上のピットによる回折により、この信号記録面に記録された情報信号に応じて反射光量を変調されて反射される。
【００２８】
このとき、上記プリズム７においては、上記光ディスク１０１の信号記録面により反射され上記対物レンズ１１を経て上記傾斜面部８に入射した反射光は、この傾斜面部８において屈折されて上記プリズム７内に進入し、一部がこのプリズム７の底面部を透過して上記第１の信号読み取り用光検出器４に受光され、残部が該底面部により反射される。この上記第１の信号読み取り用光検出器４を構成する各受光部４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄより後述する電流電圧増幅器を介して出力される各光検出出力ａ，ｂ，ｃ，ｄの合計が、上記光ディスク１０１よりの読み取り信号（いわゆるＲＦ信号）となる。すなわち、読み取り信号ＲＦは、以下の信号となる。
【００２９】
ＲＦ＝ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ
上記底面部により反射された光束は、上記プリズム７の天面部において全反射された後、このプリズム７の底面部を透過して上記第２の信号読み取り用光検出器５に受光される。この上記第２の信号読み取り用光検出器５において、上記反射光は、前側の３面の受光部５ｘ１，５ｙ１，５ｘ１、または、後側の３面の受光部５ｘ２，５ｙ２，５ｘ２により受光される。これら第２の信号読み取り用光検出器５を構成する各受光部５ｘ１，５ｙ１，５ｘ１、５ｘ２，５ｙ２，５ｘ２より上記電流電圧増幅器を介して出力される光検出信号をｘ１（分割された２面の受光部５ｘ１，５ｘ１よりの出力の合計），ｙ１，ｘ２（分割された２面の受光部５ｘ２，５ｘ２よりの出力の合計），ｙ２とすると、上記フォーカスエラー信号ＦＣＳは、いわゆる作動同心円法により、以下の信号となる。
【００３０】
ＦＣＳ＝（（ａ＋ｄ）−（ｂ＋ｃ））−（ｘ１−ｙ１）
または、ＦＣＳ＝（（ａ＋ｄ）−（ｂ＋ｃ））−（ｘ２−ｙ２）
また、トラッキングエラー信号ＴＲＫは、いわゆるプッシュプル法により、以下の信号となる。
【００３１】
ＴＲＫ＝（ａ＋ｂ）−（ｃ＋ｄ）
また、この光学ピックアップ装置において、上記光磁気ディスク１０３より情報信号を読み取る場合には、この光磁気ディスク１０３の信号記録面上に照射された光束は、いわゆるカー効果により、この信号記録面に記録された情報信号に応じて偏光方向を変調されて反射される。
【００３２】
このとき、上記プリズム７においては、上記光磁気ディスク１０３の信号記録面により反射され上記対物レンズ１１を経て上記傾斜面部８に入射した反射光は、この傾斜面部８において屈折されて上記プリズム７内に進入し、このプリズム７内において偏光方向成分に応じて分岐され、一部がこのプリズム７の底面部を透過して上記第１の信号読み取り用光検出器４に受光され、残部が該底面部により反射される。この底面部により反射された光束は、上記プリズム７の天面部において全反射された後、このプリズム７の底面部を透過して上記第２の信号読み取り用光検出器５に受光される。この上記第２の信号読み取り用光検出器５において、上記反射光は、偏光方向成分に応じて分離されて集光され、それぞれが受光される。したがって、これら偏光方向成分に応じて分離されて集光された各光束に対応する２つの光検出出力の差信号を得れば、この差信号は、上記光磁気ディスク１０３に記録された情報信号の読み取り信号（いわゆるＭＯ信号）である。すなわち、上記第２の信号読み取り用光検出器５を構成する各受光部５ｘ１，５ｙ１，５ｘ２，５ｙ２より上記電流電圧増幅器を介して出力される光検出出力をそれぞれｘ１（分割された２面の受光部５ｘ１，５ｘ１からの出力の合計），ｙ１，ｘ２（分割された２面の受光部５ｘ２，５ｘ２からの出力の合計），ｙ２とすれば、読み取り信号ＭＯは、以下の信号となる。
【００３３】
ＭＯ＝（ｘ１＋ｙ１）−（ｘ２＋ｙ２）
そして、上記フォーカスエラー信号ＦＣＳは、上述と同様の作動同心円法により、以下の信号となる。
【００３４】
ＦＣＳ＝（（ａ＋ｄ）−（ｂ＋ｃ））−（（ｘ１−ｙ１）＋（ｘ２−ｙ２））
また、トラッキングエラー信号ＴＲＫは、上述と同様に、以下の信号となる。
ＴＲＫ＝（ａ＋ｂ）−（ｃ＋ｄ）
そして、この光学ピックアップ装置において、上記光磁気ディスク１０３に対して情報信号を書き込む場合には、上記半導体レーザチップ１が発する光束の光出力は、該光束が該光磁気ディスク１０３の信号記録面上において上記対物レンズ１１により集光されたときに、この光磁気ディスク１０３の信号記録層を、該光束の集光点において該信号記録層をなす材料のいわゆるキュリー温度以上の温度に加熱できる程度の出力となされる。そして、上記信号記録層には、上記光束の集光点に対応して、磁気ヘッドにより外部磁界が印加される。この外部磁界は、上記光磁気ディスク１０３に書き込まれる情報信号に応じて変調されている。すなわち、上記光磁気ディスク１０３の信号記録層には、いわゆる磁界変調方式により、情報信号の書き込みがなされる。
【００３５】
このとき、上記フォーカスエラー信号ＦＣＳは、上述と同様に、以下の信号となる。
【００３６】
ＦＣＳ＝（（ａ＋ｄ）−（ｂ＋ｃ））−（（ｘ１−ｙ１）＋（ｘ２−ｙ２））
また、トラッキングエラー信号ＴＲＫは、上述と同様に、以下の信号となる。
ＴＲＫ＝（ａ＋ｂ）−（ｃ＋ｄ）
ところで、この光学ピックアップ装置において、上記フォーカスサーボ動作及びトラッキングサーボ動作は、上記対物レンズ１１を移動操作可能に支持する対物レンズ駆動機構（２軸アクチュエータ）によって行われる。この対物レンズ駆動機構は、アクチュエータベース１５を有して構成されている。このアクチュエータベース１５は、略々平板状に形成され、上記半導体基板３を収納するフレーム９上に固定して配設される。このアクチュエータベース１５の一端側上には、支持壁部１６が設けられている。この支持壁部１６には、弾性支持部材１７の基端側が固定されている。この弾性支持部材１７は、金属材料や合成樹脂材料からなる板バネの如き部材であり、弾性変位により、先端側を移動可能としている。この弾性支持部材１７の先端側には、レンズホルダ１２が取付けられている。
【００３７】
上記レンズホルダ１２は、上記弾性支持部材１７の変位により、移動可能となされている。このレンズホルダ１２には、上記対物レンズ１１が嵌合される対物レンズ取付け孔２３が設けられている。この対物レンズ取付け孔２３内には、上記対物レンズ１１が両面部を外方側に臨ませた状態で取付けられている。上記アクチュエータベース１５の上記対物レンズ１１に対向する部分には、この対物レンズ１１に入射される光束が通過するための透孔２２が設けられている。
【００３８】
そして、上記レンズホルダ１２には、フォーカスコイル１３及びトラッキングコイル１４が取付けられている。上記アクチュエータベース１５上には、上記フォーカスコイル１３及びトラッキングコイル１４に対向して、それぞれマグネット１９，２１が取付けられた一対のコ字状のヨーク１８，２０が立設されている。これらマグネット１９，２１及びヨーク１８，２０は、上記各コイル１３，１４を、発生する磁界中に位置させている。
【００３９】
この対物レンズ駆動機構においては、上記フォーカスコイル１３にフォーカス駆動電流が供給されると、このフォーカスコイル１３が上記マグネット１９，２１の発する磁界より力を受け、図１及び図２中矢印Ｆで示すように、上記レンズホルダ１２を上記対物レンズ１１の光軸方向、すなわち、フォーカス方向に移動操作する。上記フォーカス駆動電流が上記フォーカスエラー信号に基づいて供給されることにより、上記フォーカスサーボ動作が実行される。また、この対物レンズ駆動機構においては、上記トラッキングコイル１４にトラッキング駆動電流が供給されると、このトラッキングコイル１４が上記マグネット１９，２１の発する磁界より力を受け、図１及び図２中矢印Ｔで示すように、上記レンズホルダ１２を上記対物レンズ１１の光軸に直交する方向、すなわち、トラッキング方向に移動操作する。上記トラッキング駆動電流が上記トラッキングエラー信号に基づいて供給されることにより、上記トラッキングサーボ動作が実行される。上記トラッキング方向は、上記光ディスク１０１、または、光磁気ディスク１０３上において上記光束が集光されて形成されるビームスポットの記録トラックに沿う方向の径を小さくするために、上記半導体レーザチップ１における平行発散角θ／／の方向となされている。
【００４０】
そして、この光学ピックアップ装置は、図３に示すように、上記半導体基板３上に電流電圧増幅器及び制御回路が集積化された集積回路２４を有している。この集積回路２４において、上記電流電圧増幅器は、上記各信号読み取り用光検出器４，５を構成する各受光部及び上記光出力検出器６Ｆに対応して配設され、該各信号読み取り用光検出器４，５の各受光部及び該光出力検出器６Ｆより出力される光出力検出信号を電圧に変換して増幅する。これら電流電圧増幅器は、それぞれ減算器２５，２６，２７，２８，２９，３０，３１，３２，３３を有して構成されている。
【００４１】
これら減算器２５，２６，２７，２８，２９，３０，３１，３２，３３は、反転入力端子（−）と出力端子との間が互いに並列接続された第１乃至第３の抵抗（Ｒ８ｋ，Ｒ４８ｋ，Ｒ２４ｋ、または、Ｒ４ｋ，Ｒ２４ｋ，Ｒ１２ｋ）、あるいは、互いに並列接続された抵抗Ｒ１及びコンデンサＣ１を介して接続され、非反転入力端子（＋）が基準電圧となるオフセット除去電圧Ｖ０、または、基準電圧Ｖｃに接続されることにより、それぞれ電流電圧増幅器を構成している。これら電流電圧増幅器を構成する減算器２５，２６，２７，２８，２９，３０，３１，３２，３３は、それぞれ、反転入力端子（−）に、上記各信号読み取り用光検出器４，５を構成する各受光部４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ，５ｘ１，５ｙ１，５ｘ２，５ｙ２及び上記光出力検出器６Ｆより出力される光出力検出信号が対応して供給される。上記各受光部４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ，５ｘ１，５ｙ１，５ｘ２，５ｙ２及び上記光出力検出器６Ｆの入力側端子は、接地（グランド）端子４２（ＧＮＤ）に接続されている。
【００４２】
すなわち、上記第１の信号読み取り用光検出器４を構成する各受光部４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄより出力される光出力検出信号は、上記オフセット除去電圧Ｖ０を基準として電流電圧増幅され、上記各光検出出力ａ，ｂ，ｃ，ｄとなり、それぞれ上記集積回路２４の出力端子３４（ａ），３５（ｂ），３６（ｃ），３７（ｄ）より出力される。上記オフセット除去電圧Ｖ０は、上記半導体レーザチップ１より直接に上記第１の信号読み取り用光検出器４を構成する各受光部４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄに入射される迷光によるオフセット分を基準電圧Ｖｃより除去した電圧であり、この集積回路２４に設けられたバンドギャップレギュレータ５２より出力される。また、上記第２の信号読み取り用光検出器５を構成する各受光部５ｘ１，５ｙ１，５ｘ２，５ｙ２より出力される光出力検出信号は、上記基準電圧Ｖｃを基準として電流電圧増幅され、上記各光検出出力ｘ１，ｙ１，ｘ２，ｙ２となり、それぞれ上記集積回路２４の出力端子３８（ｘ１），３９（ｙ１），４０（ｘ２），４１（ｙ２）より出力される。そして、上記光出力検出器６Ｆより出力される光出力検出信号は、上記基準電圧Ｖｃを基準として電流電圧増幅され、光検出出力Ｆ（Ｆ  Ｄｅｔ）となり、上記集積回路２４の出力端子４５（Ｆ）より出力される。
【００４３】
上記第１及び第２の信号読み取り用光検出器４，５の受光部に対応する各電流電圧増幅器においては、第１及び第２の抵抗（Ｒ８ｋ，Ｒ４８ｋ、または、Ｒ４ｋ，Ｒ２４ｋ）と各減算器の出力端子との間に、第１のゲインスイッチＧＳＷ１がそれぞれ介在接続されている。この第１のゲインスイッチＧＳＷ１は、切換え操作されることにより、上記第１及び第２の抵抗のいずれか一方のみを、上記減算器の出力端子に接続させる。また、これら電流電圧増幅器においては、第３の抵抗（Ｒ２４ｋ、または、Ｒ１２ｋ）と各減算器の出力端子との間に、第２のゲインスイッチＧＳＷ２がそれぞれ介在接続されている。この第１のゲインスイッチＧＳＷ１は、上記第３の抵抗を上記減算器の出力端子に接続させる状態と、該第３の抵抗を該減算器の出力端子に接続させない状態とを切換える。
【００４４】
すなわち、上記各電流電圧増幅器においては、上記各ゲインスイッチＧＳＷ１，ＧＳＷ２を切換え操作することにより、利得（ゲイン）を可変することができる。
【００４５】
そして、上記制御回路は、上記光出力検出器６Ｆよりの光検出出力Ｆ（Ｆ  Ｄｅｔ）及び上記第１の信号読み取り用光検出器４よりの光検出出力ａ，ｂ，ｃ，ｄの値に応じて、上記各電流電圧増幅器の利得を選択的に設定する回路である。
【００４６】
すなわち、この制御回路においては、上記光検出出力Ｆは、第１のローパスフィルタ（ＬＰＦ）４６を経て、第１のレベル検出（Ｌｅｖｅｌ  Ｄｅｔ）回路４７に送られる。この第１のレベル検出回路４７は、上記光検出出力Ｆの値に応じて、上記第１のゲインスイッチＧＳＷ１を切換え操作する。すなわち、この第１のレベル検出回路４７は、上記光検出出力Ｆの値が所定の閾値を越えているかを判別し、この判別結果に依り、上記上記第１のゲインスイッチＧＳＷ１を上記第１の抵抗側か、上記第２の抵抗側に切換え操作する。
【００４７】
また、この制御回路においては、上記各光検出出力ａ，ｂ，ｃ，ｄは、加算器４８により合算され、第２のローパスフィルタ（ＬＰＦ）４９及びピークホールド（Ｐｅａｋ  Ｈｏｌｄ）回路５０を経て、第２のレベル検出（Ｌｅｖｅｌ  Ｄｅｔ）回路５１に送られる。この第２のレベル検出回路５１は、上記各光検出出力ａ，ｂ，ｃ，ｄの和の値及び上記第１のレベル検出回路４７より送られる判別結果に応じて、上記第２のゲインスイッチＧＳＷ２を切換え操作する。すなわち、この第２のレベル検出回路５１は、上記第１のレベル検出回路４７より送られる判別結果を踏まえたうえで、上記各光検出出力ａ，ｂ，ｃ，ｄの和の値が所定の閾値を越えている否かに依り、上記上記第２のゲインスイッチＧＳＷ２を上記第３の抵抗を接続させる側か、該第３の抵抗を接続させない側に切換え操作する。
【００４８】
このような、上記制御回路の動作により、動作モードの選択と上記各電流電圧増幅器の利得との関係は、以下の〔表１〕に示すようになる。
【００４９】
【表１】
0003564883.tif 000002
【００５０】
すなわち、上記光ディスク（ピットディスク）１０１よりの情報信号の読み取りモード（ピットディスク再生モード）においては、上記半導体レーザチップ１の発光出力（盤面ＬＤ  Ｐｏｗｅｒ）が例えば０．５ｍＷとなされ、上記光出力検出器６Ｆよりの光検出出力Ｆ（Ｆ  Ｄｅｔ）の値は、上記第１のレベル検出回路４７において“Ｌ（ロー）”レベルと判別される。上記光検出出力Ｆの値が“Ｌ”レベルと判別されることにより、上記第１のゲインスイッチＧＳＷ１は、上記第２の抵抗（Ｒ４８ｋ，Ｒ２４ｋ）側に切換えられる。ここで、上記光ディスク１０１の信号記録面の反射率（Ｄｉｓｃ反射率）が上記光磁気ディスク（ＭＯディスク）の信号記録面の反射率の約２倍の「２」であることから、上記第２のレベル検出回路５１において上記各光検出出力ａ，ｂ，ｃ，ｄの和の値が所定の閾値を越えていると判別される。上記各光検出出力ａ，ｂ，ｃ，ｄの和の値が上記閾値を越えていることにより、上記第２のゲインスイッチＧＳＷ２は、上記第３の抵抗（Ｒ２４ｋ，Ｒ１２ｋ）を接続する側に切換えられる。このように上記各ゲインスイッチＧＳＷ１，ＧＳＷ２が切換え操作されることにより、上記第２の抵抗と上記第３の抵抗とが並列に上記各減算器に対して接続されることとなり、合成抵抗値は、１６ｋΩ、または、８ｋΩとなり、上記各電流電圧増幅器の利得（アンプＧａｉｎ）は、「０．５」となされる。したがって、上記各電流電圧増幅器の出力レベル（Ｉ／Ｖ出力）は、「０．５」となされる。
【００５１】
また、上記光磁気ディスク（ＭＯディスク）１０３よりの情報信号の読み取りモード（ＭＯディスク再生モード）においては、上記半導体レーザチップ１の発光出力（盤面ＬＤ  Ｐｏｗｅｒ）が例えば０．５ｍＷとなされ、上記光出力検出器６Ｆよりの光検出出力Ｆ（Ｆ  Ｄｅｔ）の値は、上記第１のレベル検出回路４７において“Ｌ”レベルと判別される。上記光検出出力Ｆの値が“Ｌ”レベルと判別されることにより、上記第１のゲインスイッチＧＳＷ１は、上記第２の抵抗（Ｒ４８ｋ，Ｒ２４ｋ）側に切換えられる。ここで、上記光磁気ディスク１０３の信号記録面の反射率（Ｄｉｓｃ反射率）が上記光ディスク（ピットディスク）の信号記録面の反射率の約半分の「１」であることから、上記第２のレベル検出回路５１において上記各光検出出力ａ，ｂ，ｃ，ｄの和の値が所定の閾値を越えていないと判別される。上記各光検出出力ａ，ｂ，ｃ，ｄの和の値が上記閾値を越えていないことにより、上記第２のゲインスイッチＧＳＷ２は、上記第３の抵抗（Ｒ２４ｋ，Ｒ１２ｋ）を接続させない側に切換えられる。このように上記各ゲインスイッチＧＳＷ１，ＧＳＷ２が切換え操作されることにより、上記第２の抵抗のみが上記各減算器に対して接続されることとなり、抵抗値は、４８ｋΩ、または、２４ｋΩとなり、上記各電流電圧増幅器の利得（アンプＧａｉｎ）は、「１」となされる。したがって、上記各電流電圧増幅器の出力レベル（Ｉ／Ｖ出力）は、「０．５」となされる。
【００５２】
そして、上記光磁気ディスク（ＭＯディスク）１０３に対する情報信号の書き込みモード（ＭＯディスク記録モード）においては、上記半導体レーザチップ１の発光出力（盤面ＬＤ  Ｐｏｗｅｒ）が例えば５ｍＷとなされ、上記光出力検出器６Ｆよりの光検出出力Ｆ（Ｆ  Ｄｅｔ）の値は、上記第１のレベル検出回路４７において“Ｈ（ハイ）”レベルと判別される。上記光検出出力Ｆの値が“Ｈ”レベルと判別されることにより、上記第１のゲインスイッチＧＳＷ１は、上記第１の抵抗（Ｒ８ｋ，Ｒ４ｋ）側に切換えられる。上記光出力検出器６Ｆよりの光検出出力Ｆ（ＦＤｅｔ）の値が“Ｈ”レベルと判別された場合には、上記第２のレベル検出回路５１においては、上記各光検出出力ａ，ｂ，ｃ，ｄの和の値についての判別を行わない。したがって、上記第２のゲインスイッチＧＳＷ２は、上記第３の抵抗（Ｒ２４ｋ，Ｒ１２ｋ）を接続させない側に切換えられたままである。このように上記各ゲインスイッチＧＳＷ１，ＧＳＷ２が切換え操作されることにより、上記第１の抵抗のみが上記各減算器に対して接続されることとなり、合成抵抗値は、８ｋΩ、または、４ｋΩとなり、上記各電流電圧増幅器の利得（アンプＧａｉｎ）は、「０．１」となされる。したがって、上記各電流電圧増幅器の出力レベル（Ｉ／Ｖ出力）は、「０．５」となされる。
【００５３】
また、上記半導体レーザチップ１の発光出力が、上記ピットディスク再生モード、上記ＭＯディスク再生モード及び上記ＭＯディスク記録モードに対応して３段階に切換えられる場合には、上記制御回路の動作による動作モードの選択と上記各電流電圧増幅器の利得との関係は、以下の〔表２〕に示すようになる。
【００５４】
【表２】
0003564883.tif 000003
【００５５】
すなわち、上記光ディスク（ピットディスク）１０１よりの情報信号の読み取りモード（ピットディスク再生モード）においては、上記半導体レーザチップ１の発光出力（盤面ＬＤ  Ｐｏｗｅｒ）が例えば０．２５ｍＷとなされ、上記光出力検出器６Ｆよりの光検出出力Ｆ（Ｆ  Ｄｅｔ）の値は、上記第１のレベル検出回路４７において“Ｌ”レベルと判別される。上記光検出出力Ｆの値が“Ｌ”レベルと判別されることにより、上記第１のゲインスイッチＧＳＷ１は、上記第２の抵抗（Ｒ４８ｋ，Ｒ２４ｋ）側に切換えられる。ここで、上記光ディスク１０１の信号記録面の反射率（Ｄｉｓｃ反射率）が上記光磁気ディスク（ＭＯディスク）の信号記録面の反射率の約２倍の「２」であることから、上記第２のレベル検出回路５１において上記各光検出出力ａ，ｂ，ｃ，ｄの和の値が所定の閾値を越えていないと判別される。上記各光検出出力ａ，ｂ，ｃ，ｄの和の値が上記閾値を越えていないことにより、上記第２のゲインスイッチＧＳＷ２は、上記第３の抵抗（Ｒ２４ｋ，Ｒ１２ｋ）を接続させない側に切換えられる。このように上記各ゲインスイッチＧＳＷ１，ＧＳＷ２が切換え操作されることにより、上記第２の抵抗のみが上記各減算器に対して接続されることとなり、抵抗値は、４８ｋΩ、または、２４ｋΩとなり、上記各電流電圧増幅器の利得（アンプＧａｉｎ）は、「１」となされる。したがって、上記各電流電圧増幅器の出力レベル（Ｉ／Ｖ出力）は、「０．５」となされる。
【００５６】
また、上記光磁気ディスク（ＭＯディスク）１０３よりの情報信号の読み取りモード（ＭＯディスク再生モード）においては、上記半導体レーザチップ１の発光出力（盤面ＬＤ  Ｐｏｗｅｒ）が例えば０．５ｍＷとなされ、上記光出力検出器６Ｆよりの光検出出力Ｆ（Ｆ  Ｄｅｔ）の値は、上記第１のレベル検出回路４７において“Ｌ”レベルと判別される。上記光検出出力Ｆの値が“Ｌ”レベルと判別されることにより、上記第１のゲインスイッチＧＳＷ１は、上記第２の抵抗（Ｒ４８ｋ，Ｒ２４ｋ）側に切換えられる。ここで、上記光磁気ディスク１０３の信号記録面の反射率（Ｄｉｓｃ反射率）が上記光ディスク（ピットディスク）の信号記録面の反射率の約半分の「１」であることから、上記第２のレベル検出回路５１において上記各光検出出力ａ，ｂ，ｃ，ｄの和の値が所定の閾値を越えていないと判別される。上記各光検出出力ａ，ｂ，ｃ，ｄの和の値が上記閾値を越えていないことにより、上記第２のゲインスイッチＧＳＷ２は、上記第３の抵抗（Ｒ２４ｋ，Ｒ１２ｋ）を接続させない側に切換えられる。このように上記各ゲインスイッチＧＳＷ１，ＧＳＷ２が切換え操作されることにより、上記第２の抵抗のみが上記各減算器に対して接続されることとなり、抵抗値は、４８ｋΩ、または、２４ｋΩとなり、上記各電流電圧増幅器の利得（アンプＧａｉｎ）は、「１」となされる。したがって、上記各電流電圧増幅器の出力レベル（Ｉ／Ｖ出力）は、「０．５」となされる。
【００５７】
そして、上記光磁気ディスク（ＭＯディスク）１０３に対する情報信号の書き込みモード（ＭＯディスク記録モード）においては、上記半導体レーザチップ１の発光出力（盤面ＬＤ  Ｐｏｗｅｒ）が例えば５ｍＷとなされ、上記光出力検出器６Ｆよりの光検出出力Ｆ（Ｆ  Ｄｅｔ）の値は、上記第１のレベル検出回路４７において“Ｈ（ハイ）”レベルと判別される。上記光検出出力Ｆの値が“Ｈ”レベルと判別されることにより、上記第１のゲインスイッチＧＳＷ１は、上記第１の抵抗（Ｒ８ｋ，Ｒ４ｋ）側に切換えられる。上記光出力検出器６Ｆよりの光検出出力Ｆ（ＦＤｅｔ）の値が“Ｈ”レベルと判別された場合には、上記第２のレベル検出回路５１においては、上記各光検出出力ａ，ｂ，ｃ，ｄの和の値についての判別を行わない。したがって、上記第２のゲインスイッチＧＳＷ２は、上記第３の抵抗（Ｒ２４ｋ，Ｒ１２ｋ）を接続させない側に切換えられたままである。このように上記各ゲインスイッチＧＳＷ１，ＧＳＷ２が切換え操作されることにより、上記第１の抵抗のみが上記各減算器に対して接続されることとなり、合成抵抗値は、８ｋΩ、または、４ｋΩとなり、これらの結果として上記各ゲインスイッチＧＳＷ１，ＧＳＷ２が切換え操作され、上記各電流電圧増幅器の利得（アンプＧａｉｎ）は、「０．１」となされる。したがって、上記各電流電圧増幅器の出力レベル（Ｉ／Ｖ出力）は、「０．５」となされる。
【００５８】
このように、本発明に係る光学ピックアップ装置においては、動作モードの選択により、上記半導体レーザチップ１の発光出力及び光学記録媒体の反射率が異なっても、上記各電流電圧増幅器の利得が切換えられ、これら電流電圧増幅器よりの出力レベルが一定に維持されるようになされている。
【００５９】
そして、本発明に係る光学ピックアップ装置は、この光学ピックアップ装置を備えて構成される記録再生装置において、上記光ディスク１０１、または、光磁気ディスク１０３を保持して回転操作するためのスピンドルモータに対する接離方向に移動操作可能に配設される。上記スピンドルモータの駆動軸には、ディスクテーブルが取付けられている。このディスクテーブルは、上記光ディスク１０１、または、光磁気ディスク１０３の中心部分を保持するように構成されている。上記スピンドルモータは、上記ディスクテーブルとともに、このディスクテーブルが保持している光ディスク１０１、または、光磁気ディスク１０３を回転操作する。
【００６０】
そして、この記録再生装置においては、上記光学ピックアップ装置は、上記ディスクテーブルに保持された光ディスク１０１、または、光磁気ディスク１０３の信号記録面に上記対物レンズ１１を対向させた状態で支持される。この光学ピックアップ装置は、上記スピンドルモータに対する接離方向に移動操作されることにより、上記ディスクテーブル上に支持された上記光ディスク１０１、または、光磁気ディスク１０３の内外周に亘る移動操作が可能となされる。
【００６１】
なお、本発明に係る光学ピックアップ装置における上記各電流電圧増幅器の利得の切換えについて、上記光ディスク１０１及び上記光磁気ディスク１０３の信号記録面の反射率の違いに基づく上記第２のゲインスイッチＧＳＷ２の切換え操作については、上記制御回路による切換えではなく、外部入力信号に基づいて切換えることとしてもよい。また、この場合において、図４に示すように、上記各電流電圧増幅器を構成する減算器（ＩＣ１）の非反転入力端子（＋）を第４の抵抗Ｒ５及び第１のゲインスイッチＧＳＷ１を介して上記基準電圧Ｖｃに接続し、また、第５の抵抗Ｒ６及び第２のゲインスイッチＧＳＷ２を介して該基準電圧Ｖｃに接続し、さらに、第６の抵抗Ｒ７を介して該基準電圧Ｖｃに接続し、これら第１及び第２のゲインスイッチＧＳＷ１，ＧＳＷ２の切換えにより、合成抵抗を切換えるようにしてもよい（なお、この図４においては、上記第１及び第２の信号読み取り用光検出器４，５の各受光部をＰＤ１で示しており、上記減算器ＩＣ１の反転入力端子（−）と出力端子との間は、第１の抵抗Ｒ２及び上記第１のゲインスイッチＧＳＷ１により接続され、また、第２の抵抗Ｒ３及び上記第２のゲインスイッチＧＳＷ２により接続され、さらに、上記第３の抵抗Ｒ４により接続されている）。
【００６２】
また、上述のように、上記半導体レーザチップ１の発光出力が、上記ピットディスク再生モード、上記ＭＯディスク再生モード及び上記ＭＯディスク記録モードに対応して３段階に切換えられる場合には、上記第２のゲインスイッチＧＳＷ２が上記第３の抵抗を接続させる側に切換えられることがないので、これら第２のゲインスイッチＧＳＷ２及び第３の抵抗は、設ける必要がない。そして、この場合において、図５に示すように、上記各電流電圧増幅器を構成する減算器（ＩＣ１）の非反転入力端子（＋）を第４の抵抗Ｒ１０及び第１のゲインスイッチＧＳＷ１を介して上記基準電圧Ｖｃに接続し、また、第６の抵抗Ｒ１１を介して該基準電圧Ｖｃに接続し、この第１のゲインスイッチＧＳＷ１の切換えにより、合成抵抗を切換えるようにしてもよい（なお、この図５においては、上記第１及び第２の信号読み取り用光検出器４，５の各受光部をＰＤ１で示しており、上記減算器ＩＣ１の反転入力端子（−）と出力端子との間は、第１の抵抗Ｒ８及び上記第１のゲインスイッチＧＳＷ１により接続され、また、第２の抵抗Ｒ９により接続されている）。
【００６３】
さらに、本発明に係る光学ピックアップ装置は、図６乃至図８に示すように、上記光束分岐手段及び上記集光手段としてホログラムレンズ６３を用いて構成してもよい。上記ホログラムレンズ６３は、上記フレーム９上に支持されたカバーガラス６４の上面部に配設されている。この光学ピックアップ装置においては、図６に示すように、上記半導体基板３上に配設された半導体レーザチップ１より発せられた光束は、上記カバーガラス６４を透して上記ホログラムレンズ６３に入射され、このホログラムレンズ６３により、上記光学記録媒体の信号記録面上に集光される。そして、この信号記録面により反射された反射光束は、上記ホログラムレンズ６３に戻り、このホログラムレンズ６３により、上記半導体レーザチップ１に戻る光路より分岐されて上記各信号読み取り用光検出器４，５に向かう。そして、上記半導体レーザチップ１より発せられた光束の一部は、上記カバーガラス６４の下面部により反射されて、上記半導体基板３上に形成された光出力検出器６Ｆにより受光される。
【００６４】
また、この光学ピックアップ装置は、図７に示すように、上記半導体レーザチップ１より発せられた光束の一部が、上記カバーガラス６４内に進入しこのカバーガラス６４の上面部により反射されて、上記光出力検出器６Ｆにより受光されるように構成してもよい。
【００６５】
さらに、この光学ピックアップ装置は、図８に示すように、上記半導体レーザチップ１より発せられた光束が上記半導体基板３上に設けられた斜面部６５により反射されて上記ホログラムレンズ６３に入射されるように構成してもよい。この場合には、上記半導体レーザチップ１より発せられた光束の一部は、上記斜面部６５上に形成された光出力検出器６Ｆにより受光される。
【００６６】
【発明の効果】
上述のように、本発明に係る光学ピックアップ装置においては、半導体基板上に設けられた制御回路により、該半導体基板上に形成され光源より光束分岐手段を介して光束を入射される光出力検出器の出力値に応じて、該半導体基板上に形成された信号読み取り用光検出器より出力される光出力検出信号を電圧に変換して増幅する電流電圧増幅器の利得が選択的に設定される。
【００６７】
すなわち、本発明は、構成の複雑化、大型化が招来されることなく、光源より発せられる光束の光出力が動作モードに応じて選択的に変更された場合であっても、光学記録媒体よりの反射光束を受光する光検出器の出力信号を増幅する電流電圧増幅器の利得が適正な値に設定され、良好な感度にて該光学記録媒体よりの情報信号の読み取りが行えるようになされた光学ピックアップ装置を提供することができるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る光学ピックアップ装置の構成を示す縦断面図である。
【図２】上記光学ピックアップ装置の要部の構成を示す平面図である。
【図３】上記光学ピックアップ装置の電流電圧増幅器及び制御回路の構成を示すブロック図である。
【図４】上記光学ピックアップ装置の電流電圧増幅器の構成の他の例を示すブロック図である。
【図５】上記光学ピックアップ装置の電流電圧増幅器の構成のさらに他の例を示すブロック図である。
【図６】上記光学ピックアップ装置において集光手段としてホログラムレンズを用いた場合の構成を示す縦断面図である。
【図７】上記光学ピックアップ装置において集光手段としてホログラムレンズを用いた場合の構成の他の例を示す縦断面図である。
【図８】上記光学ピックアップ装置において集光手段としてホログラムレンズを用いた場合の構成のさらに他の例を示す縦断面図である。
【符号の説明】
１  半導体レーザチップ、３  半導体基板、４  信号読み取り用光検出器、６Ｆ  光出力検出器、７  プリズム、８  傾斜面部、１１  対物レンズ、２５，２６，２７，２８，２９，３０，３１，３２，３３  減算器、４６  第１のローパスフィルタ（ＬＰＦ）、４７  第１のレベル検出（Ｌｅｖｅｌ  Ｄｅｔ）回路、４９  第２のローパスフィルタ（ＬＰＦ）、５０  ピークホールド（Ｐｅａｋ  Ｈｏｌｄ）回路、５１  第２のレベル検出（Ｌｅｖｅｌ  Ｄｅｔ）回路、６３  ホログラムレンズ、１０１光ディスク（ピットディスク）、１０２，１０４  信号記録層、１０３  光磁気ディスク（ＭＯディスク）、ＧＳＷ１  第１のゲインスイッチ、ＧＳＷ２  第２のゲインスイッチ、Ｒ４ｋ，Ｒ８ｋ  第１の抵抗、Ｒ２４ｋ，Ｒ４８ｋ  第２の抵抗、Ｒ１２ｋ，Ｒ２４ｋ  第３の抵抗
【図１】
0003564883.tif 000004
【図２】
0003564883.tif 000005
【図３】
0003564883.tif 000006
【図４】
0003564883.tif 000007
【図５】
0003564883.tif 000008
【図６】
0003564883.tif 000009
【図７】
0003564883.tif 000010
【図８】
0003564883.tif 000011