(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
再生層と、
前記再生層に接して形成された非磁性層と、
前記非磁性層に接して形成された第１のマスク層と、
前記第１のマスク層に接して形成された第２のマスク層と、
前記第２のマスク層に接して形成された記録層とを含む光磁気記録媒体において、
前記第１のマスク層は、第１の温度で垂直磁化膜から面内磁化膜へ変化し、
前記第２のマスク層は、前記第１の温度より低い第２の温度で面内磁化膜から垂直磁化膜へ変化する光磁気記録媒体。
【請求項２】
再生層と、
前記再生層に接して形成された非磁性層と、
前記非磁性層に接して形成された第１のマスク層と、
前記第１のマスク層に接して形成された第２のマスク層と、
前記第２のマスク層に接して形成された記録層とを含む光磁気記録媒体において、
前記第１のマスク層は、第１の温度で面内磁化膜から垂直磁化膜へ変化し、
前記第２のマスク層は、前記第１の温度より高い第２の温度で垂直磁化膜から面内磁化膜へ変化する光磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁界を印加し、レーザ光を照射して信号を再生する光磁気記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
光磁気記録媒体は、書き換え可能で、記憶容量が大きく、且つ、信頼性の高い記録媒体として注目されており、コンピュータメモリ等として実用化され始めている。また、最近では、記録容量が６．１Ｇｂｙｔｅｓの光磁気記録媒体が規格化され、実用化がされようとしている。
【０００３】
また、光磁気記録媒体からの信号再生において交番磁界を印加し、再生層から記録層に転写された磁区を交番磁界により拡大して信号を再生する磁区拡大再生技術も開発されており、この技術を用いることにより１４Ｇｂｙｔｅｓの信号を記録および／または再生することができる光磁気記録媒体も提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、磁区拡大により信号再生を行う光磁気記録媒体は、一般に図８に示すような断面構造を有する。即ち、光磁気記録媒体２００は、再生層３と、再生層３に接して形成された非磁性層４と、非磁性層４に接して形成された記録層７とを備える。記録密度が向上し、記録層７に形成される磁区が微小になると図９に示すように、レーザ光ＬＢが照射されると、記録層７のうち、２つの磁区７０１、７０２の領域が所定温度以上になり、非磁性層４を介して再生層３へ２つの磁区３０１、３０２が転写される。そうすると、レーザ光ＬＢのビーム径の中に２つの磁区３０１、３０２が存在し、各々の磁区３０１、３０２を独立に検出できず、従来の光磁気記録媒体では、磁区拡大による正確な信号再生ができないという問題がある。
【０００５】
そこで、本願発明は、かかる問題を解決し、記録層の各磁区を各々別個に高分解能で再生層へ転写して磁区拡大による信号再生が可能な光磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
請求項１に係る発明は、再生層と、非磁性層と、第１のマスク層と、第２のマスク層と、記録層とを含む光磁気記録媒体である。
【０００７】
非磁性層は再生層に接して形成され、第１のマスク層は、非磁性層に接して形成され、第２のマスク層は、第１のマスク層に接して形成され、記録層は、第２のマスク層に接して形成される。
【０００８】
そして、第１のマスク層は、第１の温度で垂直磁化膜から面内磁化膜へ変化し、
第２のマスク層は、第１の温度より低い第２の温度で面内磁化膜から垂直磁化膜へ変化する。
【０００９】
請求項１に記載された光磁気記録媒体においては、レーザ光が照射されると、第２のマスク層のうち、第２の温度以上の領域は面内磁化膜から垂直磁化膜に変化し、第１のマスク層のうち、第１の温度以上の領域は垂直磁化膜から面内磁化膜に変化する。そして、記録層のうち、第２の温度以下の領域に存在する各磁区は第２のマスク層の面内磁化を保持する領域により再生層への転写を阻止され、記録層のうち、第１の温度以上の領域に存在する各磁区は、第１のマスク層の面内磁化を保持する領域により再生層への転写を阻止される。
【００１０】
そうすると、記録層のうち、第２の温度から第１の温度範囲に存在する磁区は交換結合により、順次、第２のマスク層、第１のマスク層へと転写され、第１のマスク層からは、非磁性層を介して静磁結合により再生層へ転写される。
【００１１】
従って、請求項１に記載された発明によれば、光磁気記録媒体に照射するレーザ光の強度等を制御して、第２の温度から第１の温度になる記録層の領域を最短ドメイン長程度に小さくすることにより、記録層の各磁区を高分解能で再生層へ転写でき、外部磁界を印加することにより磁区拡大による再生を正確に行うことができる。
【００１２】
また、請求項２に係る発明は、再生層と、非磁性層と、第１のマスク層と、第２のマスク層と、記録層とを含む光磁気記録媒体である。
【００１３】
非磁性層は、再生層に接して形成され、第１のマスク層は、非磁性層に接して形成され、第２のマスク層は、第１のマスク層に接して形成され、記録層は、第２のマスク層に接して形成される。
【００１４】
そして、第１のマスク層は、第１の温度で面内磁化膜から垂直磁化膜へ変化し、第２のマスク層は、第１の温度より高い第２の温度で垂直磁化膜から面内磁化膜へ変化する。
【００１５】
請求項２に記載された光磁気記録媒体においては、レーザ光が照射されると、第２のマスク層のうち、第２の温度以上の領域は垂直磁化膜から面内磁化膜に変化し、第１のマスク層のうち、第１の温度以上の領域は、面内磁化膜から垂直磁化膜に変化する。そして、記録層のうち、第１の温度以下の領域に存在する各磁区は第１のマスク層の面内磁化を保持する領域により再生層への転写を阻止され、記録層のうち、第２の温度以上の領域に存在する各磁区は第
２のマスク層の面内磁化を保持する領域により再生層への転写を阻止される。
【００１６】
そうすると、記録層のうち、第１の温度から第２の温度範囲に存在する磁区は、交換結合により、順次、第２のマスク層、第１のマスク層へと転写され、第１のマスク層からは、非磁性層を介して静磁結合により再生層へ転写される。
【００１７】
従って、請求項２に記載された発明によれば、光磁気記録媒体に照射するレーザ光の強度等を制御して、第１の温度から第２の温度になる記録層の領域を最短ドメイン長程度に小さくすることにより、記録層の各磁区を高分解能で再生層へ転写でき、外部磁界を印加することにより磁区拡大による再生を正確に行うことができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を図を参照しつつ説明する。図１を参照して、本願発明に係る光磁気記録媒体の断面構造について説明する。光磁気記録媒体１０は、透光性基板１と、下地層２と、再生層３と、非磁性層４と、第１のマスク層５と、第２のマスク層６と、記録層７と、保護膜８とを備える。
【００１９】
透光性基板１は、ガラス、ポリカーボネート等から成り、下地層２は、ＳｉＮから成り、再生層３は、遷移金属リッチなＧｄＦｅＣｏから成り、非磁性層４は、ＳｉＮから成り、第１のマスク層５は、遷移金属リッチなＧｄＦｅＣｏから成り、第２のマスク層６は、希土類金属リッチなＧｄＦｅＣｏから成り、記録層７は、ＴｂＦｅＣｏから成り、保護膜８は、ＳｉＮから成る。
【００２０】
下地層２を構成するＳｉＮ、再生層３を構成する遷移金属リッチなＧｄＦｅＣｏ、非磁性層４を構成するＳｉＮ、第１のマスク層５を構成する遷移金属リッチなＧｄＦｅＣｏ、第２のマスク層６を構成する希土類金属リッチなＧｄＦｅＣｏ、および記録層７を構成するＴｂＦｅＣｏは、ＲＦマグネトロンスパッタリング法により形成される。
【００２１】
また、下地層２の膜厚は、４００〜８００Åであり、再生層３の膜厚は、１５０〜５００Åであり、非磁性層４の膜厚は、５０〜３００Åであり、第１のマスク層５の膜厚は４００〜１５００Åであり、第２のマスク層６の膜厚は、４００〜１５００Åであり、記録層７の膜厚は、３００〜２０００Åであり、保護膜８の膜厚は４００〜８００Åである。
【００２２】
図２を参照して、再生層３、非磁性層４、第１のマスク層５、第２のマスク層６、および記録層７について説明する。再生層３は、垂直磁化膜であり、光磁気記録媒体１０から信号が再生される際には、予め、外部磁界により一定方向の磁化を有するように初期化されている。但し、この初期化は一度行えば良く、繰り返し再生を行う場合は、その再生毎に初期化を行う必要はない。第１のマスク層５は、室温で垂直磁化膜であり、所定温度以上で面内磁化膜となる磁性層である。そして、第１のマスク層５は、再生層３が初期化される際に同時に初期化され一定方向の磁化を有する。また、第２のマスク層６は、室温で面内磁化膜であり、所定温度以上で垂直磁化膜となる磁性層である。また、記録層７は記録信号に基づいて異なる方向に磁化された垂直磁化膜である。
【００２３】
従って、光磁気記録媒体１０は、信号が再生される前は、図２に示すように各層は磁化を有する。
【００２４】
図３を参照して、記録層７の各磁区が高分解能で再生層３へ転写される機構について詳細に説明する。所定の回転数で回転している光磁気記録媒体１０にレーザ光ＬＢが照射されると、レーザ光ＬＢの光軸ＬＢ０より後方の位置Ｌ１で光磁気記録媒体１０の温度は最高になり、位置Ｌ１よりレーザ光ＬＢの進行方向９側では光磁気記録媒体１０の温度分布は急峻になり、位置Ｌ１よりレーザ光ＬＢの進行方向９と反対側では光磁気記録媒体の温度分布はブロードになる。
【００２５】
かかる温度分布のもと、第２のマスク層６は、温度Ｔ１で面内磁化膜から垂直磁化膜へ変化し、第１のマスク層５は、温度Ｔ１より高い温度Ｔ２で垂直磁化膜から面内磁化膜へ変化する。従って、第２のマスク層６のうち、温度Ｔ１より高い温度領域には、記録層７の磁区７２と交換結合した垂直磁化を有する磁区６２が存在し、温度Ｔ１より低い温度領域は面内磁化を有する磁区６３が存在する。また、第１のマスク層５のうち、温度Ｔ２より高い温度領域では、面内磁化を有する磁区５２が存在し、温度Ｔ２より低い温度領域では垂直磁化を保持する。
【００２６】
そうすると、記録層７のうち、温度Ｔ２より高い温度領域に存在する磁区７２は、第２のマスク層６へ磁区６２として転写されるが、第１のマスク層５の面内磁化を有する磁区５２により再生層３への転写を阻止される。また、記録層７のうち、温度Ｔ１より低い温度領域に存在する磁区７３は第２のマスク層６の面内磁化を有する磁区６３により再生層３への転写を阻止される。
【００２７】
従って、記録層７のうち、温度Ｔ１から温度Ｔ２の範囲にある磁化７１を有する磁区７０は、第２のマスク層６が温度Ｔ１で垂直磁化膜になるため交換結合により第２のマスク層６へ磁化７１と同じ方向の磁化６１を有する磁区６０として転写され、第１のマスク層５では温度Ｔ２以下では垂直磁化を保持しようとするので第２のマスク層６の磁区６０は、交換結合により磁化６１と同じ方向の磁化５１を有する磁区５０として第１のマスク層５へ転写される。そして、第１のマスク層５の磁区５０は、漏洩磁界により非磁性層４を介して再生層３へ磁区３０として転写される。
【００２８】
本願発明においては、第１のマスク層５が垂直磁化膜から面内磁化膜へ変化する温度Ｔ２は、１２０〜１８０℃の範囲に設定され、第２のマスク層６が面内磁化膜から垂直磁化膜へ変化する温度Ｔ１は１００〜１６０℃の範囲に設定される。そして、温度Ｔ１と温度Ｔ２の温度差は、２０〜４０℃の範囲が適しており、Ｔ２−Ｔ１を２０〜４０℃の範囲に設定することにより記録層７の各磁区を独立に再生層３へ転写できる。
【００２９】
レーザ光ＬＢの強度、光磁気記録媒体１０の回転数を制御することにより記録層７のうち、温度がＴ１からＴ２になる領域を最短ドメイン長程度に小さくできるので、光磁気記録媒体１０においては、記録層７の各磁区を独立に再生層３へ転写できる。その結果、高分解能の信号再生が可能である。
【００３０】
図４を参照して、光磁気記録媒体１０における磁区拡大再生の過程について説明する。光磁気記録媒体１０にレーザ光ＬＢが照射される前に、再生層３、第１のマスク層５は、外部磁界により初期化される（図４の（ａ）参照）。光磁気記録媒体１０にレーザ光が照射されると、上記図３で説明したように記録層７のうち、温度がＴ１からＴ２の範囲にある磁区７０が再生層３へ磁区３０として転写される（図４の（ｂ）参照）。再生層３へ磁区３０が転写されると、外部から交番磁界Ｈｅｘが印加され、交番磁界Ｈｅｘのうち、磁区３０の磁化と同じ方向の磁界が印加されたタイミングで磁区３０は磁区３００へ拡大される。そして、拡大された磁区３００とレーザ光ＬＢとの磁気光学作用によりレーザ光ＬＢの反射光はその偏光面を回転され、偏光面が回転された反射光を検出することにより磁区３００が検出される（図４の（ｃ）参照）。磁区３００が検出された後、レーザ光ＬＢが移動し、磁区７０、６０、５０、３００の領域の温度が下がると最初の状態に戻る（図４の（ａ）参照）。
【００３１】
上記説明した図４の（ａ）から（ｃ）の過程を経て記録層７の各磁区は独立に再生層３へ転写され、再生層３で交番磁界Ｈｅｘにより拡大されて検出される。光磁気記録媒体１０に照射されるレーザ光ＬＢの強度は、２．０ｍＷ程度であり、光磁気記録媒体１０に印加される交番磁界Ｈｅｘの強度は、±３００Ｏｅ程度であり、周波数は、２５ＭＨｚ程度である。
【００３２】
上記説明においては、光磁気記録媒体１０の再生層３は垂直磁化膜であるとして説明したが、これに限られるものではなく、室温で面内磁化膜であり、所定の温度以上で垂直磁化膜に変化する磁性層であっても良い。図５を参照して、再生層３３が室温で面内磁化膜であり、所定の温度以上で垂直磁化膜となる磁性層である場合には、レーザ光ＬＢを照射することにより所定の範囲ｒが垂直磁化膜に変化する。従って、記録層７のうち、温度がＴ１からＴ２の範囲にある磁区７０は上記図４で説明した過程を経て再生層３３へ転写され、拡大されて検出される。この場合、再生層３３が面内磁化膜から垂直磁化膜へ変化する温度Ｔ０は、Ｔ１−Ｔ０が０〜２０℃の範囲に設定される。
【００３３】
本願発明に係る光磁気記録媒体は、上記説明した光磁気記録媒体１０に限らず、図６に示す光磁気記録媒体１００であっても良い。光磁気記録媒体１００は、光磁気記録媒体１０の第１のマスク層５を室温で面内磁化膜であり、所定の温度以上で垂直磁化膜となる磁性層５５に変え、第２のマスク層６を室温で垂直磁化膜であり所定の温度以上で面内磁化膜となる磁性層６６に変えた光磁気記録媒体である。
【００３４】
図７を参照して、光磁気記録媒体１００において記録層７の各磁区が独立に再生層３へ転写される機構について説明する。所定の回転数で回転している光磁気記録媒体１００にレーザ光ＬＢが照射された場合の温度分布は、上記図３に示す温度分布と同じである。
【００３５】
かかる温度分布のもと、第２のマスク層６６は、温度Ｔ２で垂直磁化膜から面内磁化膜へ変化し、第１のマスク層５５は、温度Ｔ２より低い温度Ｔ１で面内磁化膜から垂直磁化膜へ変化する。従って、第２のマスク層６６のうち、温度Ｔ２より高い温度領域には、面内磁化を有する磁区６６２が存在し、温度Ｔ２より低い温度領域には記録層７の磁区７３と交換結合した磁区６６３が存在する。また、第１のマスク層５５のうち、温度Ｔ１より低い温度領域では、面内磁化を有する磁区５５３が存在し、温度Ｔ１より高い温度領域では垂直磁化を保持する。
【００３６】
そうすると、記録層７のうち、温度Ｔ２より高い温度領域に存在する磁区７２は、第２のマスク層６６の面内磁化を有する磁区６６２により再生層３への転写を阻止される。また、記録層７のうち、温度Ｔ１より低い温度領域に存在する磁区７３は第２のマスク層６６へ磁区６６３として転写されるが、第１のマスク層５５の面内磁化を有する磁区５５３により再生層３への転写を阻止される。
【００３７】
従って、記録層７のうち、温度Ｔ１から温度Ｔ２の範囲にある磁化７１を有する磁区７０は、第２のマスク層６６が温度Ｔ２で面内磁化膜になるため交換結合により第２のマスク層６６へ磁化７１と同じ方向の磁化６６１を有する磁区６６０として転写され、第１のマスク層５５では温度Ｔ１以下では面内磁化を保持しようとするので第２のマスク層６６の磁区６６０は、交換結合により磁化６６１と同じ方向の磁化５５１を有する磁区５５０として第１のマスク層５５へ転写される。そして、第１のマスク層５５の磁区５５０は、漏洩磁界により非磁性層４を介して再生層３へ磁区３０として転写される。
【００３８】
光磁気記録媒体１００においては、第１のマスク層５５が面内磁化膜から垂直磁化膜へ変化する温度Ｔ１は、１００〜１６０℃の範囲に設定され、第２のマスク層６６が垂直磁化膜から面内磁化膜へ変化する温度Ｔ２は、１２０〜１８０℃の範囲に設定される。そして、温度Ｔ１と温度Ｔ２の温度差は、２０〜４０℃の範囲が適しており、Ｔ２−Ｔ１を２０〜４０℃の範囲に設定することにより記録層７の各磁区を独立に再生層３へ転写できる。
【００３９】
また、レーザ光ＬＢの強度、光磁気記録媒体１０の回転数を制御することにより記録層７のうち、温度がＴ１からＴ２になる領域を最短ドメイン長程度に小さくできるので、光磁気記録媒体１００においても、記録層７の各磁区を独立に再生層３へ転写できる。その結果、高分解能の信号再生が可能である。
【００４０】
光磁気記録媒体１００は、上記図４と同じ過程を経て記録層７の各磁区を独立に再生層３へ転写し、磁区拡大により信号を再生することができる。この場合、光磁気記録媒体１００に照射されるレーザ光ＬＢの強度は、２．０ｍＷ程度であり、光磁気記録媒体１００に印加される交番磁界Ｈｅｘの強度は、±３００Ｏｅ程度であり、周波数は、２５ＭＨｚ程度である。
【００４１】
また、図６、７の説明においては、再生層３は垂直磁化膜として説明したが、これに限られるものではなく、室温で面内磁化膜であり、所定の温度以上で垂直磁化膜となる上記図５の再生層３３を用いることも可能である。光磁気記録媒体１００に再生層３３を用いた場合に、記録層７の各磁区が独立に再生層３３に転写される機構は、上記図５の説明と同じである。そして、再生層３３が面内磁化膜から垂直磁化膜へ変化する温度Ｔ０は、Ｔ１−Ｔ０が０〜２０℃の範囲に設定される。従って、再生層３３を用いた光磁気記録媒体１００において、記録層７の各磁区が独立に再生層３３へ転写され、拡大されて再生される過程は上記図４と同じである。
【００４２】
図１０を参照して、光磁気記録媒体１０の再生層３に用いるＧｄＦｅＣｏのＧｄ含有量を変化させた時の再生信号のエラーレートについて説明する。この場合、Ｆｅ：Ｃｏ＝７５：２５と一定にしてＧｄ含有量を変化させた。また、膜厚は３００Å（■）と８００（○）Åの場合について示した。膜厚が３００Å（■）の場合、エラーレートは、Ｇｄ含有量の増加に伴って下に凸の放物線上に変化し、Ｇｄ含有量が２２〜２３ａｔ．％の範囲でエラーレートは最小になる。そして、Ｇｄ含有量が１８〜２８ａｔ．％の範囲で１０-4以下のエラーレートが得られる。従って、膜厚が３００Å（■）の場合は、Ｇｄ含有量が１８〜２８ａｔ．％の範囲のＧｄＦｅＣｏが再生層３として適している。一方、膜厚が８００（○）Åの場合は、Ｇｄ含有量の増加に伴って、エラーレートが減少し、Ｇｄ含有量が２５〜３４ａｔ．％の範囲で１０-4以下のエラーレートが得られる。従って、膜厚が膜厚が８００（○）Åの場合は、Ｇｄ含有量が２５〜３４ａｔ．％の範囲のＧｄＦｅＣｏが再生層３として適している。
【００４３】
図１１を参照して、光磁気記録媒体１０の再生層３に用いるＧｄＦｅＣｏの膜厚を変化させた時の再生信号のエラーレートについて説明する。この場合、Ｇｄの含有量は、２３ａｔ．％（■）と３０ａｔ．％（○）である。Ｇｄ含有量が２３ａｔ．％（■）の場合には、膜厚が１５０〜５００Åの範囲でエラーレートがが１０-4以下となり、Ｇｄの含有量が３０ａｔ．％（○）の場合には、膜厚が３００〜８００Åの範囲でエラーレートが１０-4以下となる。従って、Ｇｄの含有量が２３ａｔ．％（■）の場合には、１５０〜５００Åの範囲の膜厚が再生層３として適しており、Ｇｄの含有量が３０ａｔ．％（○）の場合には、３００〜８００Åの範囲の膜厚が再生層３として適している。また、Ｇｄの含有量を減少させることにより最適な膜厚は薄膜化の方向へシフトする。
【００４４】
図１２を参照して、光磁気記録媒体１０の第１のマスク層５に用いるＧｄＦｅＣｏのＧｄ含有量を変化させた時の再生信号のエラーレートについて説明する。この場合、ＦｅとＣｏの比をＦｅ：Ｃｏ＝６０：４０（●）、Ｆｅ：Ｃｏ＝６５：３５（■）、およびＦｅ：Ｃｏ＝７０：３０（○）と変化させた。Ｆｅ：Ｃｏ＝６０：４０（●）の場合は、Ｇｄの含有量が２０〜２５ａｔ．％の範囲でエラーレートが１０-4以下になり、Ｆｅ：Ｃｏ＝６５：３５（■）の場合は、Ｇｄの含有量が１８〜２８ａｔ．％の範囲でエラーレートが１０-4以下になり、Ｆｅ：Ｃｏ＝７０：３０（○）の場合は、Ｇｄの含有量が１９〜２５ａｔ．％の範囲でエラーレートが１０-4以下になる。従って、第１のマスク層５としては、Ｆｅ：Ｃｏ＝６０：４０（●）の場合は、２０〜２５ａｔ．％の範囲のＧｄを含むＧｄＦｅＣｏが適しており、Ｆｅ：Ｃｏ＝６５：３５（■）の場合は１８〜２８ａｔ．％の範囲のＧｄを含むＧｄＦｅＣｏが適しており、Ｆｅ：Ｃｏ＝７０：３０（○）の場合は１９〜２５ａｔ．％の範囲のＧｄを含むＧｄＦｅＣｏが適している。
【００４５】
図１３を参照して、光磁気記録媒体１０の第１のマスク層５に用いるＧｄＦｅＣｏの膜厚を変化させた時の再生信号のエラーレートについて説明する。この場合、第１のマスク層５に用いるＧｄＦｅＣｏの組成は、ＦｅとＣｏの比をＦｅ：Ｃｏ＝６５：３５一定として、Ｇｄの含有量を１８ａｔ．％（●）、２３ａｔ．％（■）、２８ａｔ．％（○）と変化させた。Ｇｄの含有量が１８ａｔ．％（●）の場合には、８００〜１２００Åの範囲でエラーレートが１０-4となり、Ｇｄの含有量が２３ａｔ．％（■）の場合には、５００〜１５００Åの範囲でエラーレートが１０-4以下となり、Ｇｄの含有量が２８ａｔ．％（○）の場合には、８００Å付近ででエラーレートが１０-4となる。
【００４６】
図１４を参照して、光磁気記録媒体１０の第２のマスク層６に用いるＧｄＦｅＣｏのＧｄ含有量を変化させた時の再生信号のエラーレートについて説明する。この場合、ＦｅとＣｏの比をＦｅ：Ｃｏ＝７０：３０（●）、Ｆｅ：Ｃｏ＝７５：２５（■）、およびＦｅ：Ｃｏ＝８０：２０（○）と変化させた。Ｆｅ：Ｃｏ＝７０：３０（●）の場合は、Ｇｄの含有量が２４〜３２ａｔ．％の範囲でエラーレートが１０-4以下になり、Ｆｅ：Ｃｏ＝７５：２５（■）の場合は、Ｇｄの含有量が２５〜３５ａｔ．％の範囲でエラーレートが１０-4以下になり、Ｆｅ：Ｃｏ＝８０：２０（○）の場合は、Ｇｄの含有量が２８〜３７ａｔ．％の範囲でエラーレートが１０-4以下になる。従って、第２のマスク層６としては、Ｆｅ：Ｃｏ＝７０：３０（●）の場合は、２４〜３２ａｔ．％の範囲のＧｄを含むＧｄＦｅＣｏが適しており、Ｆｅ：Ｃｏ＝７５：２５（■）の場合は２５〜３５ａｔ．％の範囲のＧｄを含むＧｄＦｅＣｏが適しており、Ｆｅ：Ｃｏ＝８０：２０（○）の場合は２８〜３７ａｔ．％の範囲のＧｄを含むＧｄＦｅＣｏが適している。
【００４７】
図１５を参照して、光磁気記録媒体１０の第２のマスク層６に用いるＧｄＦｅＣｏの膜厚を変化させた時の再生信号のエラーレートについて説明する。この場合、第２のマスク層６に用いるＧｄＦｅＣｏの組成は、ＦｅとＣｏの比をＦｅ：Ｃｏ＝７５：２５一定として、Ｇｄの含有量を２５ａｔ．％（●）、３０ａｔ．％（■）、３５ａｔ．％（○）と変化させた。Ｇｄの含有量が２５ａｔ．％（●）の場合には、８００〜１５００Åの範囲でエラーレートが１０-4以下となり、Ｇｄの含有量が３０ａｔ．％（■）の場合には、５００〜１５００Åの範囲でエラーレートが１０-4以下となり、Ｇｄの含有量が３５ａｔ．％（○）の場合には、４００〜８００Åの範囲でエラーレートが１０-4以下となる。
【００４８】
図１０、１１で説明したＧｄの含有量、膜厚については、光磁気記録媒体１００の再生層３に用いるＧｄＦｅＣｏに適用でき、図１２、１３で説明したＧｄの含有量、膜厚については、光磁気記録媒体１００の第２のマスク層６６に用いるＧｄＦｅＣｏに適用でき、図１４、１５で説明したＧｄの含有量、膜厚については、光磁気記録媒体１００の第１のマスク層５５に用いるＧｄＦｅＣｏに適用できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本願発明に係る光磁気記録媒体の断面構造図である。
【図２】図１に示す光磁気記録媒体の各層の磁化分布を説明する図である。
【図３】図１に示す光磁気記録媒体の記録層から再生層への磁区の転写を説明する図である。
【図４】図１に示す光磁気記録媒体の磁区拡大再生の過程を説明する図である。
【図５】図１に示す光磁気記録媒体の再生層に室温で面内磁化膜であり、所定温度以上で垂直磁化膜となる磁性層を用いた場合の記録層から再生層への磁区の転写を説明する図である。
【図６】本願発明に係る光磁気記録媒体の他の断面構造図である。
【図７】図６に示す光磁気記録媒体の再生層に室温で面内磁化膜であり、所定温度以上で垂直磁化膜となる磁性層を用いた場合の記録層から再生層への磁区の転写を説明する図である。
【図８】従来の光磁気記録媒体の断面構造である。
【図９】従来の光磁気記録媒体の問題点を説明する図である。
【図１０】図１の光磁気記録媒体の再生層に用いるＧｄＦｅＣｏのＧｄ含有量に対する再生信号のエラーレートの変化を示す図である。
【図１１】図１の光磁気記録媒体の再生層に用いるＧｄＦｅＣｏの膜厚に対する再生信号のエラーレートの変化を示す図である。
【図１２】図１の光磁気記録媒体の第１のマスク層に用いるＧｄＦｅＣｏのＧｄ含有量に対する再生信号のエラーレートの変化を示す図である。
【図１３】図１の光磁気記録媒体の第１のマスク層に用いるＧｄＦｅＣｏの膜厚に対する再生信号のエラーレートの変化を示す図である。
【図１４】図１の光磁気記録媒体の第２のマスク層に用いるＧｄＦｅＣｏのＧｄ含有量に対する再生信号のエラーレートの変化を示す図である。
【図１５】図１の光磁気記録媒体の第２のマスク層に用いるＧｄＦｅＣｏの膜厚に対する再生信号のエラーレートの変化を示す図である。
【符号の説明】
１・・・基板
２・・・下地層
３、３３・・・再生層
４・・・非磁性層
５、５５・・・第１のマスク層
６、６６・・・第２のマスク層
７・・・記録層
８・・・保護層
１０、１００・・・光磁気記録媒体
３０、５０、５２、５３、６０、６２、６３、７０、７２、７３、３００、
５５０、５５３、６６０、６６２、６６３・・・磁区
５１、６１、７１、５５１、６６１・・・磁化
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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