(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源と、
前記光源から光磁気記録媒体に至る光路上に配置されたレンズと、
前記光源から前記レンズに至る光路上に配置され、前記光磁気記録媒体からの反射光の偏光を分離する光学素子と、
前記光学素子で分離された光を検出する光検出器とを含み、
前記光学素子は、
等方性光学媒質からなり、前記光源からの光を反射して前記光磁気記録媒体に至らしめ、前記光磁気記録媒体からの反射光を通過させる第１部材と、
前記第１部材に隣接し、等方性光学媒質からなり、前記第１部材を通過した前記光磁気記録媒体からの反射光をさらに通過させるための第２部材と、
前記第２部材に隣接し、異方性光学媒質からなり、前記第２部材を通過した光を、前記第２部材との境界面で分離し、前記光検出器に至らしめる第３部材とを含み、
前記異方性光学媒質は、ＬｉＮｂＯ3であり、前記等方性光学媒質は、前記異方性光学媒質の大きい方の屈折率に対する比屈折率が略０．７７以上であり、
前記等方性光学媒質の屈折率をｎ、前記異方性光学媒質の大きい方の屈折率をｎ１とし、前記第２部材および前記第３部材の境界面の前記反射光の光軸に対する傾斜角をα度とすると、前記αは概ね次式
α＝６５±５×（ｎ／ｎ１／０．７７）
で表わされる角度範囲に設定される、光ピックアップ装置。
【請求項２】
光源と、
前記光源から光磁気記録媒体に至る光路上に配置されたレンズと、
前記光源から前記レンズに至る光路上に配置され、前記光磁気記録媒体からの反射光の偏光を分離する光学素子と、
前記光学素子で分離された光を検出する光検出器とを含み、
前記光学素子は、
等方性光学媒質からなり、前記光源からの光を反射して前記光磁気記録媒体に至らしめ、前記光磁気記録媒体からの反射光を通過させる第１部材と、
前記第１部材に隣接し、等方性光学媒質からなり、前記第１部材を通過した前記光磁気記録媒体からの反射光をさらに通過させるための第２部材と、
前記第２部材に隣接し、異方性光学媒質からなり、前記第２部材を通過した光を、前記第２部材との境界面で分離し、前記光検出器に至らしめる第３部材とを含み、
前記異方性光学媒質は、ＹＶＯ4であり、
前記等方性光学媒質は、前記異方性光学媒質の大きい方の屈折率に対する比屈折率が略０．７２以上である、光ピックアップ装置。
【請求項３】
前記等方性光学媒質の屈折率をｎ、前記異方性光学媒質の大きい方の屈折率をｎ１とし、
前記第２部材および前記第３部材の境界面の前記反射光の光軸に達する傾斜角をα度とすると、前記αは概ね次式
α＝６７±７×（ｎ／ｎ１／０．７２）
で表わされる角度範囲に設定される、請求項２に記載の光ピックアップ装置。
【請求項４】
前記第１部材は、互いに対向する第１の平行面と、互いに対向し、かつ各々前記第１の平行面と所定の角度をなして交差する第２の平行面とを有する断面が平行四辺形の角柱であり、前記第１の平行面の一方は、前記第２部材と接しており、前記第２の平行面の一方は前記光源と対向するように、前記第２の平行面の他方は前記レンズと対向するように、それぞれ配置されている、請求項１〜３のいずれかに記載の光ピックアップ装置。
【請求項５】
前記第１部材および前記第２部材は、同一の屈折率を有する、請求項１〜４のいずれかに記載の光ピックアップ装置。
【請求項６】
さらに、前記光源と前記第２部材および前記第３部材の境界面との間、および前記第２部材および前記第３部材の境界面と前記レンズとの間にそれぞれ設けられた、２つの１／２波長板を含む、請求項１〜５のいずれかに記載の光ピックアップ装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は光ピックアップ装置に関し、特に光磁気ディスク装置に用いられる光ピックアップ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、音声、画像および文書などのデータを繰返し記録再生することができる光磁気ディスク再生装置が開発されている。光ピックアップ装置は、この光磁気ディスク再生装置の基本的な構成要素として、その小型化が重要視されている。
【０００３】
本願発明者らは、特願平１１−２０６８４２において、小型化を図った光ピックアップ装置を提案している。
【０００４】
図８を参照して、特願平１１−２０６８４２に開示されている光ピックアップ装置は、光源１０３と、光源１０３からの光をＭＯ（Ｍａｇｎｅｔｏ−Ｏｐｔｉｃａｌ）ディスク１１０へ集光するコリメートレンズ１０８および対物レンズ１０９と、ＭＯディスク１１０からの反射光を検出する光検出器１２４と、光源１０３からコリメートレンズ１０８に至る光路上に配置され、等方性光学部材１０１および異方性光学部材１０２で構成され、光源１０３からの光を内部で反射してコリメートレンズ１０８に導くとともに、ＭＯディスク１１０からの反射光を透過する光分岐機能を有する光学素子１０５とを含む。
【０００５】
等方性光学部材１０１および異方性光学部材１０２の境界面１０５ａが反射光の光軸１１４に対して４５度傾斜するように、等方性光学部材１０１および異方性光学部材１０２が配置される。
【０００６】
これにより光源１０３からの光Ｂ１の進行方向が光軸１１４と平行となり、さらに反射面１０１ｃで反射した光Ｂ２の進行方向が光軸１１４と垂直になる。
【０００７】
この構成では、異方性光学部材１０２として、たとえば、電気化学的に安定で、屈折率差が大きく、量産効果により安価に入手できるＬｉＮｂＯ３が、等方性光学部材１０１として、屈折率の高い硝材で安価に入手できるＴａＦＤ３０（ＨＯＹＡ社製光学ガラス）がそれぞれ用いられる。
【０００８】
境界面１０５ａを透過した光は収差を有する。このため、光検出器１２４上でのスポット形状は図９に示すように、元の光に比べ拡大する。境界面１０５ａを通過した光は、常光線Ｒ１および異常光線Ｒ２に分離されるが、常光線Ｒ１のスポット長は、Ｔ１方向が８０μｍ、Ｔ１と直交する方向が１００μｍとなる。異常光線Ｒ２のスポット長は、Ｔ２方向とその直交方向とがともに６０μｍとなる。ここでＴ１およびＴ２はＭＯディスクの案内溝に対応する方向である。この収差により拡大したビームを４分割された受光部１２６で検出することで非点収差法に基づくフォーカスサーボが行なわれ、ビームを２分割された受光部１２５で検出することでプッシュプル法（１ビーム法）に基づくトラッキングサーボが行なわれる。
【０００９】
一般に、１ビーム法では、対物レンズ１０９のシフト時に光検出器１２５上に光のアンバランス（以下「ラジアルオフセット」という）が生じる。このため１ビーム法を実施する際には、ラジアルオフセットの抑制技術も合わせて必要になる。しかし、ラジアルオフセットの抑制には高度な技術を要するため、多くのメーカにおいて１ビーム法の採用を敬遠する傾向があり、市場での普及効果が小さい。
【００１０】
これに比べて、３ビーム法では、ラジアルオフセットの対策が不要である。このため、簡便な技術で安定なトラッキングサーボが可能となり、光ピックアップ装置の普及効果が大きい。
【００１１】
図１０を参照して、一般的な３ビーム方式の光ピックアップ装置における主ビームおよび副ビームの間隔を示す。ＭＯディスク１３１上でのタンジェンシャル方向の主ビームおよび副ビームの間隔を１７μｍとすると、光検出器１３２上の主ビームおよび副ビームの間隔は、コリメートレンズ１３３、対物レンズ１３４の定数によって概ね５０〜６０μｍとなっている。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、図８に示した光ピックアップ装置では、収差により光検出器１２４上のビームサイズが図９に示すように６０μｍ以上に拡大する。このため、プッシュプル法（１ビーム法）には有利であるが、逆に３ビーム方式に対しては主ビームおよび副ビームの配置が困難となり、３ビーム方式の光ピックアップとしてはそのままでは適用することができない。
【００１３】
本発明は上述の課題を解決するためになされたもので、その目的は、小型の３ビーム方式の光ピックアップ装置を提供することである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明のある局面に従う光ピックアップ装置は、光源と、前記光源から光磁気記録媒体に至る光路上に配置されたレンズと、前記光源から前記レンズに至る光路上に配置され、前記光磁気記録媒体からの反射光の偏光を分離する光学素子と、前記光学素子で分離された光を検出する光検出器とを含む。前記光学素子は、等方性光学媒質からなり、前記光源からの光を反射して前記光磁気記録媒体に至らしめ、前記光磁気記録媒体からの反射光を通過させる第１部材と、前記第１部材に隣接し、等方性光学媒質からなり、前記第１部材を通過した前記光磁気記録媒体からの反射光をさらに通過させるための第２部材と、前記第２部材に隣接し、異方性光学媒質からなり、前記第２部材を通過した光を、前記第２部材との境界面で分離し、前記光検出器に至らしめる第３部材とを含む。また、異方性光学媒質は、ＬｉＮｂＯ3であり、前記等方性光学媒質は、前記異方性光学媒質の大きい方の屈折率に対する比屈折率が略０．７７以上であり、等方性光学媒質の屈折率をｎ、異方性光学媒質の大きい方の屈折率をｎ１とし、第２部材および第３部材の境界面の反射光の光軸に対する傾斜角をα度とすると、αは概ね次式α＝６５±５×（ｎ／ｎ１／０．７７）で表わされる角度範囲に設定される。
【００１５】
第１部材および第２部材の境界面で光が分岐し、等方性光学媒質からなる第２部材および異方性光学媒質からなる第３部材の境界面で光磁気記録媒体の反射光の偏光が分離する。このため、光分岐と光分離とを独立して行なうことができ、偏光分離された後の光の収差を独立して調整することができる。よって、光検出器上のビーム形状を小さくすることができるなどの設計の自由度が向上し、３ビーム方式の光ピックアップ装置を小型化することができる。上記のように、異方性光学媒質としてＬｉＮｂＯ3を用いることにより、安価な光ピックアップ装置を提供できる。さらに、ＬｉＮｂＯ3の大きい方の屈折率に対する等方性光学媒質の比屈折率を略０．７７以上にすることにより、ビームの収差を少なくすることができる。それとともに、構成部品の寸法公差や組立公差の影響によるビーム位置の変化が生じる場合であっても、光検出器の受光部からのビームのはみ出しを防止することができる。さらに、実験的に、傾斜角αが上述の式で表わされる角度範囲に収まっている場合には、ビームの収差を少なくするとともに、構成部品の寸法公差や組立公差の影響によるビーム位置の変化が生じる場合であっても、受光部からのビームのはみ出しを防止できることを確認した。
本発明の別の光ピックアップ装置は、光源と、光源から光磁気記録媒体に至る光路上に配置されたレンズと、光源からレンズに至る光路上に配置され、光磁気記録媒体からの反射光の偏光を分離する光学素子と、光学素子で分離された光を検出する光検出器とを含む。上記光学素子は、等方性光学媒質からなり、光源からの光を反射して光磁気記録媒体に至らしめ、光磁気記録媒体からの反射光を通過させる第１部材と、その第１部材に隣接し、等方性光学媒質からなり、第１部材を通過した光磁気記録媒体からの反射光をさらに通過させるための第２部材と、第２部材に隣接し、異方性光学媒質からなり、第２部材を通過した光を、第２部材との境界面で分離し、光検出器に至らしめる第３部材とを含む。そして、異方性光学媒質は、ＹＶＯ4であり、前記等方性光学媒質は、前記異方性光学媒質の大きい方の屈折率に対する比屈折率が略０．７２以上である。
上記のように、異方性光学媒質としてＹＶＯ4を用いることにより、常光、異常光の分離幅を大きくすることができ、光検出器上のビーム配置の自由度が向上する。また、ＹＶＯ4の大きい方の屈折率に対する等方性光学媒質の比屈折率を略０．７２以上にすることにより、ビームの収差を少なくすることができる。それとともに、構成部品の寸法公差や組立公差の影響によるビーム位置の変化が生じる場合であっても、光検出器の受光部からのビームのはみ出しを防止することができる。
上記のように、異方性光学媒質にＹＶＯ4を用いる場合、さらに好ましくは、前記等方性光学媒質の屈折率をｎ、前記異方性光学媒質の大きい方の屈折率をｎ１とし、前記第２部材および前記第３部材の境界面の前記反射光の光軸に達する傾斜角をα度とすると、前記αは概ね次式
α＝６７±７×（ｎ／ｎ１／０．７２）
で表わされる角度範囲に設定される。
上記の構成に基づき、傾斜角αが上述の式で表わされる角度範囲に収まっている場合には、ビームの収差を少なくするとともに、構成部品の寸法公差や組立公差の影響によるビーム位置の変化が生じる場合であっても、受光部からのビームのはみ出しを防止できることを、実験的に確認した。
【００１６】
好ましくは、前記第１部材は、互いに対向する第１の平行面と、互いに対向し、かつ各々前記第１の平行面と所定の角度をなして交差する第２の平行面とを有する断面が平行四辺形の角柱であり、前記第１の平行面の一方は、前記第２部材と接しており、前記第２の平行面の一方は前記光源と対向するように、前記第２の平行面の他方は前記レンズと対向するように、それぞれ配置されている。
【００１７】
このようにすれば、光源をパッケージの内部に収めることができ、光ピックアップ装置の小型化が可能となる。
【００１８】
さらに好ましくは、前記第１部材および前記第２部材は、同一の屈折率を有する。
【００１９】
第１部材と第２部材とを同一の屈折率とすることにより、第１部材および第２部材の境界面を透過した反射光に収差が発生することを防止できる。
【００３０】
さらに好ましくは、光ピックアップ装置は、さらに、前記光源と前記第２部材および前記第３部材の境界面との間、および前記第２部材および前記第３部材の境界面と前記レンズとの間にそれぞれ設けられた、２つの１／２波長板を含む。
【００３１】
２つの１／２波長板を配置したことにより、往路の光路上においては第１部材および第２部材の境界面に、反射しやすいＳ偏光を到達させるとともに、光磁気記録媒体に対しては、案内溝に直交する偏光を照射するという機能を備えた上で、光ピックアップ装置全体を薄型化できる。
【００３２】
【発明の実施の形態】
［実施の形態１］
図１を参照して本発明の実施の形態１に係る光ピックアップ装置は、光源である半導体レーザ１および光検出器４が内部に設けられたパッケージ６と、パッケージ６上に載置され、回折格子１２および１３が形成された石英基板１４と、石英基板１４上に載置された１／２波長板１５と、１／２波長板１５上に載置された光学素子５と、光学素子５上に載置された１／２波長板１６と、半導体レーザ１からの光をＭＯディスク１０へ集光するために、１／２波長板１６とＭＯディスク１０との間の光路上に設けられたコリメートレンズ８および対物レンズ９とを含む。
【００３３】
光学素子５は、第１部材２０、第２部材１９および第３部材２１を含み、半導体レーザ１からの光を反射してコリメートレンズ８側に導くとともに、ＭＯディスク１０で反射した光を透過して光検出器４に導く第１の境界面１７と、第１の境界面１７を透過した光の偏光を分離する第２の境界面１８とを有する。
【００３４】
第１の境界面１７は、それぞれ等方性光学媒質で同一屈折率の硝材からなる第１部材２０および第２部材１９の境界面であり、上記反射光の光軸２２に対し、β（＝４５度）傾斜して配置される。このようにすれば、光軸２２に対し、半導体レーザ１からの光を光路Ｂ１では平行に、光路Ｂ２では垂直に、さらに光路Ｂ３では同軸上にすることができる。このため、半導体レーザ１および第１の境界面１７の配置や組立が簡便となる。
【００３５】
第２の境界面１８は、第２部材１９と異方性光学媒質の第３部材２１との境界面であり、光軸２２に対しα傾斜して配置される。αについては後に詳細に説明する。
【００３６】
第１部材２０は、第１の境界面１７と平行な面２０ａと、第１の境界面１７と隣接する方向の面２０ｂと、面２０ｂに平行な面２０ｃとを有する。半導体レーザ１からの光は面２０ｂから光軸２２と平行に入射し、面２０ａで反射された後、光軸２２に垂直に進み、境界面１７で反射され、光軸２２上を進み、面２０ｃから出射する。
【００３７】
以上の光路における偏光について説明すると、以下のようになる。ＭＯディスク１０へは、案内溝方向１０ａに対し直交する偏光が到達するのが好ましい。このため、半導体レーザ１はＰ偏光１ｐを出射するように設置されており、１／２波長板１５によって境界面１７で反射されやすいＳ偏光１ｓとなり、１／２波長板１６により再度Ｐ偏光１ｐとされた後、ＭＯディスク１０に到達する。
【００３８】
また、この構成を用いることにより、図１の紙面に垂直な方向が光ピックアップ装置の厚さ方向とすることができる。このため、光ピックアップ装置全体を薄型にできる。１／２波長板には、樹脂製の単板０次モード型（たとえばＪＳＲ製アートン）の波長板を用いることで、光ピックアップ装置の大型化を抑制することができる。
【００３９】
ＭＯディスク１０からの反射光Ｒは、ＭＯディスク１０に記録された情報に基づいて偏光方向が回転（カー回転）される。
【００４０】
この反射光Ｒは面２０ｃから光学素子５内に入射し、第１の境界面１７に達する。ここで、反射光Ｒは半導体レーザ１からの光路Ｂ２から分岐され、第２部材１９内に進入する。第１部材２０と第２部材１９とは、同一の屈折率の硝材である。このため、反射光Ｒは進行方向を変えずかつ収差を発生しないで第２の境界面１８に達する。この境界面１８を透過し、第３部材２１へ進入した反射光Ｒは、境界面１８を透過する際に、第３部材の光学異方性により偏光方向が互いに直交する常光線Ｒ１と異常光線Ｒ２とに分離される。
【００４１】
半導体レーザ１からの光は、図２に示す形状を有する回折格子１２により予め２つのトラッキング用副ビーム（以下「副ビーム」という）と、１つの情報記録再生用主ビーム（以下「主ビーム」という）との合計３つのビームに分割されており、これら３つのビームの各々について、常光線および異常光線が発生する。このため、合計６つの光が回折格子１３を透過する。
【００４２】
図３を参照して、回折格子１３は、格子間隔および格子方向が異なる３つの領域１３ａ、１３ｂおよび１３ｃに分割されている。図４を参照して、領域１３ａで回折された主ビームは、光検出器４の受光部４ａに、領域１３ｂで回折された主ビームは受光部４ｂに、領域１３ｃで回折された主ビームは受光部４ｃおよび４ｄの境界線上にそれぞれ入射する。回折格子１３を０次回折光として透過した主ビームは受光部４ｅおよび４ｆに入射する。回折格子１３を０次回折光として透過した２つの副ビームは受光部４ｇおよび４ｈに入射する。
【００４３】
したがって、受光部４ｃおよび４ｄの出力信号の差動によりフーコー法に基づくフォーカス誤差信号が得られ、受光部４ｇおよび４ｈの出力信号の差動により３ビーム法に基づくトラッキング誤差信号が得られる。また、受光部４ａおよび４ｂの出力信号の差動によりプッシュプル信号が得られ、ＭＯディスク１０上の案内溝を蛇行させて形成したアドレス信号の検出に用いられる。光磁気信号は受光部４ｅおよび４ｆの出力信号の差動により得られる。
【００４４】
次にαについて以下に例を挙げ詳細に説明する。
図４は、第３部材２１に常光線の屈折率が２．２５８、異常光線の屈折率が２．１７８なるＬｉＮｂＯ３を用い、第１部材２０および第２部材１９として屈折率１．８６９なる硝材ＴａＦＤ３０を用いて、αを６５度とした場合の光検出器４上のビーム配置を表わしている。
【００４５】
受光部４ｇ、４ｅおよび４ｈ（受光部４ｇ、４ｆおよび４ｈの組合わせも同様）は、幅４０μｍ、各々の間隔が２０μｍで配置されている。しかし、境界面１８を光軸２２に対し６５度傾斜させたことによりビームの収差を抑制している。このため、３ビーム法での主ビームおよび副ビームの配置が可能となっている。
【００４６】
ここで、第３部材の大きい方の屈折率に対する第２部材の比屈折率（以下、単に「比屈折率」という）は０．８３である。このような組合せを、以下の説明では組合せ（Ａ）という。
【００４７】
図５は、傾斜角αと受光部からのビームのはみ出しに対する余裕量（以下、単に「余裕量」という）との関係を、第３部材２１に対する第２部材１９の比屈折率の組合せにより示したグラフである。上記余裕量は、光ピックアップ装置のすべての構成部品の寸法公差や組立公差の影響を考慮した場合の余裕量である。光検出器４の長手方向（図４のＸ方向）の余裕量を実線で表わし、短手方向（図４のＹ方向）の余裕量を点線で表わしている。ここでは、比屈折率の組合せとして、組合せ（Ａ）の他に、２つの組合せを考える。
【００４８】
第１に、第３部材２１にＬｉＮｂＯ３を用い、第１部材２０および第２部材１９には屈折率１．７４４なる硝材ＳＦ５５（ショット社製光学ガラス）を用い、比屈折率を０．７７とした組合せである（以下「組合せ（Ｂ）」という）。
【００４９】
第２に、第３部材２１にＬｉＮｂＯ３を用い、第１部材２０および第２部材１９には屈折率２．０００３なる硝材ＬａＳＦ３５（ショット社製光学ガラス）を用い、比屈折率を０．８９とした組合せである（以下「組合せ（Ｃ）」という）。
【００５０】
図５によれば、第３部材２１にＬｉＮｂＯ３を用いる場合には、余裕量を確保する（縦軸の値が０以上である）ためには、比屈折率が０．７７以上必要であることが分かる。組合せ（Ａ）の場合は、αを概ね６０〜７０度の範囲に設定すれば、余裕量を確保することができる。組合せ（Ｃ）の場合は、αを概ね５５〜７５度の範囲に設定すれば、余裕量を確保することができる。組合せ（Ｂ）の場合には、α＝６５度付近で余裕量を確保できる。
【００５１】
以上により、硝材の屈折率をｎとすると概ね次式（１）で表わされる角度範囲に傾斜角αを設定すれば余裕量を確保できる。
【００５２】
α＝６５±５×（ｎ／２．２５８／０．７７）  （単位：度）  …（１）
なお、傾斜角α＝６５度の場合が最も余裕量が大きくなる。
【００５３】
以上説明したように本実施の形態によると、第１部材２０および第２部材１９の境界面１７で光が分岐し、等方性光学媒質からなる第２部材１９および異方性光学媒質からなる第３部材２１の境界面１８で光磁気記録媒体の反射光の偏光が分離する。このため、光分岐と光分離とを独立して行なうことができ、偏光分離された後の光の収差を独立して調整することができる。よって、光検出器４上のビーム形状を小さくすることができるなどの設計の自由度が向上し、３ビーム方式の光ピックアップ装置を小型化することができる。
【００５４】
また、第１部材２０と第２部材１９とを同一の屈折率としているため、第１部材２０および第２部材１９の境界面１７を透過した反射光に収差が発生することを防止できる。
【００５５】
さらに、異方性光学媒質としてＬｉＮｂＯ３を用いているため、安価な光ピックアップ装置を提供できる。
【００５６】
［実施の形態２］
実施の形態２による光ピックアップ装置は、図１を参照して説明した実施の形態１による光ピックアップ装置と同様の構成を有する。ただし、実施の形態２では、第３部材２１として常光線の屈折率が１．９７３、異常光線の屈折率が２．１８９なるＹＶＯ４を用いている。また、光検出器４内の受光部が後述するように一部異なる。
【００５７】
図６は、第２部材１９に屈折率が１．５７２である硝材ＬＦ５（ショット社製の光学ガラス）を用い、第３部材２１にＹＶＯ４を用い、第２の境界面１８の光軸２２に対する傾斜角αを６５度に設定した場合の光検出器４上のビーム配置を表わしている。図６より、３ビーム方式での主ビームおよび副ビームの配置が可能となっていることがわかる。ここでは比屈折率は０．７２となる。このような組合せを、以下の説明では組合せ（Ｄ）という。
【００５８】
すでに説明した図４に記載の受光部４ｇおよび４ｈに相当する受光部は、受光部４ｇ１および４ｇ２、ならびに受光部４ｈ１および４ｈ２にそれぞれ分割されている。受光部４ｇ１および４ｇ２は互いに電気的に接続されている。受光部４ｈ１および４ｈ２も互いに電気的に接続されている。
【００５９】
なお、受光部４ｇ２、４ｆおよび４ｈ２は、それぞれ受光部４ｇ１、４ｅおよび４ｈ１に比べて、図中下方向にわずかにずれて配置されている。これはＹＶＯ４の常光線と異常光線の屈折率差が０．２１６と大きく、異常光線のウォークオフが顕著に表われるためである。
【００６０】
図７は、傾斜角αと余裕量との関係を、第３部材２１に対する第２部材１９の比屈折率の組合せにより示したグラフである。余裕量は、光ピックアップ装置のすべての構成部品の寸法公差や組立公差の影響を考慮した場合の余裕量である。光検出器４の長手方向（図６のＸ方向）の余裕量を実線で表わし、短手方向（図６のＹ方向）の余裕量を点線で表わしている。ここでは、比屈折率の組合せとして、組合せ（Ｄ）の他に、第３部材２１にＹＶＯ４を用い、第２部材１９には屈折率１．８６９なる硝材ＴａＦＤ３０を用い、比屈折率を０．８５とした組合せ（Ｅ）を考える。
【００６１】
図７によれば、第３部材２１にＹＶＯ４を用いる場合、余裕量を確保するためには、比屈折率が０．７２以上であることが必要であることが分かる。組合せ（Ｅ）の場合は、αを概ね６０〜７４度の範囲に設定すれば、余裕量を確保することができる。組合せ（Ｄ）の場合は、αを概ね６７度付近に設定すれば、余裕量を確保することができる。
【００６２】
以上より、硝材の屈折率をｎとすると概ね次式（２）で表わされる角度範囲に傾斜角αを設定すれば余裕量を確保できる。
【００６３】
α＝６７±７×（ｎ／２．１８９／０．７２）  （単位：度）  …（２）
なお、傾斜角α＝６７度の場合が最も余裕量が大きくなる。
【００６４】
ここで、実施の形態２の構成による傾斜角αの取り得る値の範囲の方が、実施の形態１で説明したＬｉＮｂＯ３による構成の場合よりも大きくなるのは、ＹＶＯ４では、常光線Ｒ１および異常光線Ｒ２の屈折率差がＬｉＮｂＯ３に比べて大きく、光検出器４上での常光線Ｒ１および異常光線Ｒ２の分離幅が大きく確保できることが影響している。
【００６５】
実施の形態１および２における比屈折率の上限値について考察すれば以下のようになる。異方性光学部材がＬｉＮｂＯ３である場合、比屈折率の上限値は、小さい方向の屈折率の１／０．７７倍（ＹＶＯ４の場合は１／０．７２倍）となるが、このような屈折率を有する硝材は一般に存在しない。このため、上限値については言及しないものとする。
【００６６】
実施の形態１および２では、異方性光学部材にＬｉＮｂＯ３およびＹＶＯ４をそれぞれ用いたが、これに限られるものではなく、一般的な硝材より高屈折率でｎｘ、ｎｙおよびｎｚ間（ｎｘ，ｎｙ，ｎｚは、相互に直交する単位ベクトル）の屈折率差の大きい異方性光学部材（たとえばＫＴｉＯＰＯ４、Ｇｄ２ＳｉＯ５）などであってもかまわない。
【００６７】
また、情報記録媒体はＭＯディスク１０に限られるものではなく、ピットを形成したＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）ディスクや、相変化ディスク等であってもかまわない。これらの場合の情報記録信号は受光部４ｅおよび４ｆの和信号により得られる。特に相変化ディスクの場合、１／２波長板１５および１６の少なくとも一方に位相差板を配置し、相変化ディスクに照射される偏光を円偏光または楕円偏光とすることで、信号品質を向上させることができる。位相差板として樹脂製波長板を用いた場合、厚みをわずかに変えることで信号品質の向上が可能となる。
【００６８】
本実施の形態によると、異方性光学媒質としてＹＶＯ４を用いている。このため、常光、異常光の分離幅を大きくすることができ、光検出器４上のビーム配置の自由度が向上する。
【００６９】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【００７０】
【発明の効果】
光分岐と光分離とを独立して行なうことができ、偏光分離された後の光の収差を独立して調整することができる。よって、光検出器上のビーム形状を小さくすることができるなどの設計の自由度が向上し、３ビーム方式の光ピックアップ装置を小型化することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１に係る光ピックアップ装置の概略構成図である。
【図２】回折格子１２を示す図である。
【図３】回折格子１３を示す図である。
【図４】光検出器４の構成と光検出器４に入射するビームの位置を示す図である。
【図５】傾斜角αと受光部からのビームのはみ出しに対する余裕量との関係を示す図である。
【図６】光検出器４の構成と光検出器４に入射するビームの位置を示す図である。
【図７】傾斜角αと受光部からのビームのはみ出しに対する余裕量との関係を示す図である。
【図８】従来の光ピックアップ装置の概略構成図である。
【図９】光検出器１２４の構成と光検出器１２４に入射するビームのビーム長を示す図である。
【図１０】一般的な３ビーム方式の光ピックアップ装置の概略構成図である。
【符号の説明】
１  半導体レーザ、４  光検出器、５  光学素子、６  パッケージ、８  コリメートレンズ、９  対物レンズ、１０  ＭＯディスク、１２，１３  回折格子、１４  石英基板、１５，１６  １／２波長板、１７  第１の境界面、１８  第２の境界面、１９  第２部材、２０  第１部材、２１  第３部材。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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