(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリイミド層の第一及び第二の面に第一及び第二の銅箔層をそれぞれ積層した接着剤レス両面銅貼りＣＣＬ（Ｃｏｐｐｅｒ  Ｃ１ａｄ  Ｌａｍｉｎａｔｅ）基材の前記第二の銅箔層にエッチング加工を施し、また前記ポリイミド層に直接レーザ（Ｌａｓｅｒ）加工を施して第一のブラインドビアを形成した後、デスミヤ処理後導電処理して前記第一のブラインドビアに第一の銅めっき層を形成し、前記第一の銅箔層を所定のパターンの第一の配線層に加工するとともに、前記第二の銅箔層を所定のパターンの第二の配線層に加工して、加工ＣＣＬ基材を形成し、前記加工ＣＣＬ基材の第一及び第二の面に、予め第三の銅箔層及び第一の接着性絶縁層を積層した第一の積層体、及び第四の銅箔層及び第二の接着性絶縁層を積層した第二の積層体を、前記第一及び第二の接着性絶縁層を内側にしてそれぞれ貼付してキュアし、前記第三及び第四の銅箔層にエッチング加工を施し、また前記第一及び第二の接着性絶縁層に直接レーザ加工を施して第二のブラインドビア及び第三のブラインドビアを形成し、デスミヤ処理後導電処理して前記第二及び第三のブラインドビアに第二及び第三の銅めっき層を形成し、前記第三の銅箔層を所定のパターンの第三の配線層に加工するとともに、前記第四の銅箔層を所定のパターンの第四の配線層に加工して、前記第一〜第四の配線層を前記第一〜第三の銅めっき層によって相互に電気的に接続し、さらに、前記第四の配線層の表面に所定のパターンのボール・パッド層を形成し、前記ボール・パッド層にはんだボールを配設し、さらに、前記第四の配線層の表面の前記ボール・ パッド層を除く領域にフォトソルダレジストを形成することを特徴とする多層ＴＡＢテープの製造方法。
【請求項２】
前記第三の配線層の表面に、又は前記第一〜第四の配線層を貫通して形成した内部空間に、半導体チップを搭載する領域を形成する請求項１に記載の多層ＴＡＢテープの製造方法。
【請求項３】
前記第三の配線層の表面に、接着剤層を介してステフナーを貼付する領域を形成する請求項１に記載の多層ＴＡＢテープの製造方法。
【請求項４】
前記第一〜第四の配線層のそれぞれの表面に、ニッケル層、金層、スズ層、又は、はんだめっき層をさらに形成する請求項１〜３のいずれかに記載の多層ＴＡＢテープの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、多層ＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）テープの製造方法に関し、特に、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｃａｌｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）用及びＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）用として好適であり、各層間の密着性が良好で信頼性の高い多層ＴＡＢテープを高生産性かつ低コストで製造することができる多層ＴＡＢテープの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の多層プリント配線板の回路形成方法としては、例えば、特開平９−４６０４２号公報に示されるものがある。この回路形成方法は、絶縁層の両面にブラインドビアを介して接続された第一及び第二の導電層を形成した後、第二の導電層側に追加の絶縁層と第三の導電層を積層し、第三の導電層から追加の絶縁層にブラインドビアを形成した後、めっき処理を施して、第二及び第三の導電層を電気的に接続することによって多層プリント配線板を形成している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の多層プリント配線板の回路形成方法によれば、第二の導電層上に、絶縁層と第三の導電層を順に積層しているため、多層化すればする程積層工程数が増加するため、生産性が低下してコストアップを招く。また、絶縁層と導電層を一層ずつ積層するため、各層間に剥離が生じやすくなり、製品の信頼性が低下する。さらに、導電層と絶縁層をリールから供給して製造された多層プリント配線板をリールに巻き取る連続生産方式の採用が困難である。
【０００４】
従って、本発明の目的は、各層間の密着性が良好で信頼性の高い多層ＴＡＢテープを連続生産方式により低コストで製造することができる方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、上述の課題を解決するため、下記［１］〜［４］の多層ＴＡＢテープの製造方法を提供する。すなわち、
【０００６】
［１］  ポリイミド層の第一及び第二の面に第一及び第二の銅箔層をそれぞれ積層した接着剤レス両面銅貼りＣＣＬ（Ｃｏｐｐｅｒ  Ｃ１ａｄ  Ｌａｍｉｎａｔｅ）基材の前記第二の銅箔層にエッチング加工を施し、また前記ポリイミド層に直接レーザ（Ｌａｓｅｒ）加工を施して第一のブラインドビアを形成した後、デスミヤ処理後導電処理して前記第一のブラインドビアに第一の銅めっき層を形成し、前記第一の銅箔層を所定のパターンの第一の配線層に加工するとともに、前記第二の銅箔層を所定のパターンの第二の配線層に加工して、加工ＣＣＬ基材を形成し、前記加工ＣＣＬ基材の第一及び第二の面に、予め第三の銅箔層及び第一の接着性絶縁層を積層した第一の積層体、及び第四の銅箔層及び第二の接着性絶縁層を積層した第二の積層体を、前記第一及び第二の接着性絶縁層を内側にしてそれぞれ貼付してキュアし、前記第三及び第四の銅箔層にエッチング加工を施し、また前記第一及び第二の接着性絶縁層に直接レーザ加工を施して第二のブラインドビア及び第三のブラインドビアを形成し、デスミヤ処理後導電処理して前記第二及び第三のブラインドビアに第二及び第三の銅めっき層を形成し、前記第三の銅箔層を所定のパターンの第三の配線層に加工するとともに、前記第四の銅箔層を所定のパターンの第四の配線層に加工して、前記第一〜第四の配線層を前記第一〜第三の銅めっき層によって相互に電気的に接続し、さらに、前記第四の配線層の表面に所定のパターンのボール・パッド層を形成し、前記ボール・パッド層にはんだボールを配設し、さらに、前記第四の配線層の表面の前記ボール・ パッド層を除く領域にフォトソルダレジストを形成することを特徴とする多層ＴＡＢテープの製造方法。
【０００７】
［２］  前記第三の配線層の表面に、又は前記第一〜第四の配線層を貫通して形成した内部空間に、半導体チップを搭載する領域を形成する前記［１］に記載の多層ＴＡＢテープの製造方法。
【０００８】
［３］  前記第三の配線層の表面に、前記フォトソルダレジストからなるボール・パッド層及び接着剤層を介してステフナーを貼付する領域を形成する前記［１］又は［２］に記載の多層ＴＡＢテープの製造方法。
【０００９】
［４］  前記第一〜第四の配線層のそれぞれの表面に、ニッケル層、金層、スズ層、又は、はんだめっき層をさらに形成する前記［１］〜［３］のいずれかに記載の多層ＴＡＢテープの製造方法。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照しつつ具体的に説明する。
図１は、本発明の多層ＴＡＢテープの一実施の形態の一連の製造工程［（イ）〜（ホ）］を模式的に示す断面図である。
図１（イ）〜（ホ）に示すように、本発明の多層ＴＡＢテープの製造方法は、ポリイミド層１の両面に第一及び第二の銅箔層２’，２をそれぞれ積層した接着剤レス両面銅貼りＣＣＬ（Ｃｏｐｐｅｒ  Ｃ１ａｄ  Ｌａｍｉｎａｔｅ）基材３の第二の銅箔層２にフォトプロセスとエッチング加工を施し、またポリイミド層１に直接レーザ（Ｌａｓｅｒ）加工を施して第一のブラインドビア４を形成した後、デスミヤ処理後導電処理して第一のブラインドビア４に第一の銅めっき層６を形成し、一方の第一の銅箔層２’を所定のパターンの第一の配線層５に加工するとともに、他方の第二の銅箔層２を所定のパターンの第二の配線層７に加工して、加工ＣＣＬ基材３’を形成し、加工ＣＣＬ基材３’の両面に、予め第三及び第四の銅箔層８，９及び接着性絶縁層１０，１１を積層した第一及び第二の積層体Ｓ１，Ｓ２を、接着性絶縁層１０，１１を内側にしてそれぞれ貼付してキュアし、第三及び第四の銅箔層８，９にフォトプロセスとエッチング加工を施し、また接着性絶縁層１０，１１に直接レーザ加工を施して第二及び第三のブラインドビア１２，１３を形成し、デスミヤ処理後導電処理して第二及び第三のブラインドビア１２，１３に第二及び第三の銅めっき層１４，１５を形成し、第一の配線層５側の第三の銅箔層８を所定のパターンの第三の配線層１６に加工するとともに、第二の配線層７側の第四の銅箔層９を所定のパターンの第四の配線層１７に加工して、第一〜第四の配線層５，７，１６，１７を第一〜第三の銅めっき層６，１４，１５によって相互に電気的に接続する。
【００１１】
図２は、本発明によって製造された多層ＴＡＢテープを、４層配線のＢＧＡに適用した場合を模式的に示す断面図（イ）及びその一部拡大図（ロ）である。
図２（イ）〜（ロ）に示すように、第四の配線層１７の表面に所定のパターンのボール・パッド層（図示せず）を形成し、ボール・パッド層にはんだボール２６を配設し、さらに第四の配線層１７の表面のボール・ パッド層を除く領域にフォトソルダレジスト１８を形成する。
【００１２】
ここで、ＣＣＬ基材３の厚さは、５〜３５μｍが好ましい。ポリイミド層１の厚さは、２０〜３０μｍであることが好ましい。２０μｍ未満であると機械的強度が不十分となることがあり、３０μｍを超えると、熱による歪みが発生し形状性が低下することがある。また、各配線層５，７，１６，１７の厚さは、５〜３５μｍが好ましい。この範囲を外れると、電解銅箔では製造できないことがある。また、ブラインドビアの４，１２，１３の径は、３０〜８０μｍが好ましい。８０μｍを超えると、リード配線ピッチが８０μｍ未満のファインピツチの配線の引き回しが困難となることがあり、３０μｍ未満であると、レーザの穴明けが不安定となり、またデスミヤ処理が不確実となることがある。さらに、接着性絶縁層１０，１１の厚さは、１２〜５０μｍであることが好ましい。１２μｍ未満であると、機械的強度が不十分となり、かつ配線の絶縁を保持できないことがあり、５０μｍを超えるとフレキシビリティが不十分となることがある。
【００１３】
本発明の多層ＴＡＢテープの製造方法の好適な例として、第三の配線層１６の表面に、又は第一〜第四の配線層５，７，１６，１７を貫通して形成した内部空間に、半導体チップ２０を搭載する領域を形成するものを挙げることができる。
【００１４】
また、好適な例として、第四の配線層１７の表面に、接着剤層２５を介してステフナー２４を貼付する領域を形成するものを挙げることができる。
【００１５】
さらに好適な例として、第一〜第四の配線層５，７，１６，１７のそれぞれの表面に、ニッケル層、金層、スズ層、又は、はんだめっき層をさらに形成するものを挙げることができる。
【００１６】
（実施例１）
図１（イ）に示すように、厚さが２５μｍのポリイミド層１の両面に、厚さが１８μｍの第一及び第二の銅箔層２’、２をそれぞれ積層した、幅が７０ｍｍの接着剤レス両面銅貼りＣＣＬ基材３を用い、図１（ロ）に示すように、ポリイミド層１及び第二の銅箔層２（図１（イ）参照）に直接６０μｍ径の第一のブラインドビア（Ｂｌｉｎｄ  Ｖｉａ）４を６４個形成した後、過マンガン酸カリでデスミヤ処理をし、その後にカーボン導通化処理して厚さ１０μｍの第一の銅めっき層６を形成し、次に、一方の第二の銅箔層２をフォトプロセスとエッチングで所定のパターンの第二の配線層７に加工するとともに、他方の第一の銅箔層２’をフォトプロセスとエッチングで所定のパターンの第一の配線層５に加工して、加工ＣＣＬ（Ｃｏｐｐｅｒ  Ｃ１ａｄ  Ｌａｍｉｎａｔｅ）基材３’を形成した。
【００１７】
図１（ハ）に示すように、加工ＣＣＬ基材３’の両面に、予め用意した厚さ１７μｍの第三及び第四の銅箔層８，９に、厚さ５０μｍの接着性絶縁層１０，１１を塗布積層したものを真空ラミネートでそれぞれ貼付し、キュアした。
【００１８】
次に、図１（ニ）及び（ホ）に示すように、第三及び第四の銅箔層８，９及び接着性絶縁層１０，１１を直接６０μｍ径の第二及び第三のブラインドビア（Ｂｌｉｎｄ  Ｖｉａ）１２，１３を６４個あけ、過マンガン酸カリでデスミヤ処理をし、その後にカーボン導通化処理して、厚さ１０μｍの、第二及び第三の銅めっき層１４，１５を第三及び第四の銅箔層８，９に形成した。
【００１９】
次に、第二の配線層７の側の第四の銅箔層９と第三の銅めっき層１５をフォトプロセスとエッチングプロセスで、所定のパターンの第四の配線層１７に加工するとともに、第一の配線層５側の第三の銅箔層８と第二の銅めっき層１４をフォトプロセスとエッチングプロセスで、所定のパターンの第三の配線層１６に加工した。
【００２０】
次に、図２（イ）及び（ロ）に示すように、第四の配線層１７の表面に所定のパターンで、ボンディング・パツド層（図示せず）を形成し、第四の配線層１７のボンディング・ パッド層を形成していない領域にフォトソルダレジスト１８を形成し、さらに第一〜第四の配線層５，７，１６，１７にＮｉ，Ａｕめっき層（図示せず）を形成し、４層配線構造のＴＡＢテープを製造した。
【００２１】
次に、ＬＳＩチップ２０を第三の配線層１６にダイアタッチ剤２１で貼付し、シングルポイントボンダでアウタリード２２をボンディング後ポッテング封止樹脂２３で封止した。ステフナー２４をステフナー貼り付け接着剤２５で貼付し、パッケージとした。
次に、はんだボール２６を搭載後、ＦＲ４基板（図示せず）に実装して信頼性を測定した。その結果、温度サイクル試験（−５５℃（３０分保持）⇔１２５℃（３０分保持）の１０００サイクル）と高温バイアス試験（８５℃ｘ８５％ＲＨ、印荷電圧７Ｖ）を１０００時間でも不具合がなく良好な結果を得た。
【００２２】
図３は、本発明の多層ＴＡＢテープの他の実施例を４層配線のＢＧＡに適用した場合を模式的に示す断面図（イ）及びその一部拡大図（ロ）である。
図３に示すように、ＬＳＩチップ２０は、本発明の４層配線構造のＴＡＢテープの中に埋め込まれている（第一〜第四の配線層５，７，１６，１７を貫通して形成した内部空間に配設されている）。ここで、図２における場合と同一の構成要素は図２における場合と同一の符号を用いて示している。
【００２３】
なお、アウターホール無しでデバイスホール無しのＦｌｉｐ  Ｃｈｉｐ接合の４層配線ＴＡＢテープの構造にも適用可能である。
【００２４】
また、本発明の多層ＴＡＢテープは，微細配線リードピッチが８０μｍ以下のＷｉｒｅ  ＢｏｎｄｉｎｇタイプのＣＳＰ及びＴａｐｅ  ＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄｅ  Ａｒｒａｙ）等にも適用可能である。
【００２５】
【発明の効果】
以上説明した通り、本発明の多層ＴＡＢテープの製造方法によると、各層間の密着性が良好で信頼性の高い多層ＴＡＢテープを連続生産方式により低コストで製造することができる。
当然、連続生産方式を採用しない場合であっても高い生産性で製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の多層ＴＡＢテープの一実施例の一連の製造工程［（イ）〜（ホ）］を模式的に示す断面図である。
【図２】本発明の多層ＴＡＢテープの一実施例を、４層配線のＢＧＡに適用した場合を模式的に示す断面図（イ）及びその一部拡大図（ロ）である。
【図３】本発明の多層ＴＡＢテープの他の実施例を４層配線のＢＧＡに適用した場合を模式的に示す断面図（イ）及びその一部拡大図（ロ）である。
【符号の説明】
１：ポリイミド層
２’：第一の銅箔層
２：第二の銅箔層
３：ＣＣＬ基材
３’：加工ＣＣＬ基材
４：第一のブラインドビア
５：第一の配線層
６：第一の銅めっき層
７：第二の配線層
８：第三の銅箔層
９：第四の銅箔層
１０：絶縁層（接着剤層）
１１：絶縁層（接着剤層）
１２：第二のブラインドビア
１３：第三のブラインドビア
１４：第二の銅めっき層
１５：第三の銅めっき層
１６：第三の配線層
１７：第四の配線層
１８：フォトソルダレジスト
２０：ＬＳＩチップ
２１：ダイアタッチ剤
２２：アウターリード
２３：ポッティング封止樹脂
２４：ステフナー
２５：ステフナー貼り付け接着剤
２６：はんだボール
２７：ボンディングワイヤー
【図１】
0003541741.tif 000002
【図２】
0003541741.tif 000003
【図３】
0003541741.tif 000004