(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性のギャップ層に磁気抵抗効果素子を配設し、該磁気抵抗効果素子にイオンミーリングにより削り取られるよりも厚い厚さのイオンミーリング防止用の保護層を施し、前記磁気抵抗効果素子の中央部で端面が互いに対向する一対の引き出し導体層の各々を前記磁気抵抗効果素子の両端部の各々に前記保護層を介して接続されるように形成し、前記引き出し導体層の前記磁気抵抗効果素子に面する面と反対側の面側から前記一対の引き出し導体層と前記端面間の保護層との表面を前記保護層の厚さが残る範囲内でイオンミーリングし、前記イオンミーリングにより表面が清浄化された前記一対の引き出し層体層と前記端面間の保護層とに非磁性のギャップ層を形成することを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記保護層が、非磁性導体層であることを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記保護層が、上記磁気抵抗効果素子よりも小さなＭＲ効果を有する導電性磁性膜であることを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記保護層の膜厚が、イオンミーリングされる深さよりも厚く、且つ１００Å以下であることを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、各種コンピュータの外部記憶装置の磁気ディスク装置あるいは磁気テープ装置に広く使用される再生専用の磁気抵抗効果型ヘッドに関する。
【０００２】
磁気抵抗効果型ヘッドは再生出力が記録媒体の移動速度に依存せずに高出力がえられ、一般に用いられているインダクティブ型の記録・再生用磁気ヘッドに比べて狭トラックの情報再生に有利であることから、高密度記録化における再生専用ヘッドとして使用され、その磁気抵抗効果型ヘッドの性能および信頼性をより向上することが必要とされている。
【０００３】
【従来の技術】
従来広く使用されている磁気ディスク装置等の磁気抵抗効果型ヘッドは、図３に示すように例えばＮｉ−Ｚｎフェライト等からなる磁性体の一方のシールド１内部に、Ａｌ２  Ｏ３  よりなる非磁性のギヤップ層２を形成して、この上にＮｉ−Ｆｅ等の薄膜からなる磁気抵抗効果素子（以下ＭＲ素子と略称する）３を配設し、このＭＲ素子３の中央部でそれぞれの端面が微小間隔で対向するようにＡｕ，ＣｕあるいはＡｌからなる引出し導体層４−１，４−２  が施されている。
【０００４】
この引出し導体層４−１，４−２  の上部に配する非磁性のギヤップ層５との密着性を向上させるために、導体層４−１，４−２の上面をイオンミーリング等によって面を清掃し、上記ギヤップ層２と同一材質のギヤップ層５を形成して、上記一方のシールド１と同一材質の他方のシールド６によりシールドされて磁気抵抗効果型のヘッドが構成されている。
【０００５】
そして、移動する磁気記録媒体上に所定間隔をもって磁気抵抗効果型ヘッドを浮上配置し、上記引出し導体層４−１，４−２  からＭＲ素子３にセンス電流を供給することによって発生する磁界により一方の前記シールド１が磁化され、この磁化によりＭＲ素子３にバイアス磁界が印加される。
【０００６】
このような状態のＭＲ素子３の前記一対の引出し導体層４−１，４−２  によって画定された長方形の信号検出領域において、検出された前記磁気記録媒体からの信号磁界の変化に応じて生じる抵抗値の変化を、前記一対の引出し導体層４−１，４−２  より電圧の変化として取り出すことにより再生が行われている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
以上説明した従来のヘッドアッセンブリで問題となるのは、引出し導体層４−１，４−２  の上部に施されるギヤップ層５との密着性を向上させるために、当該引出し導体層４−１，４−２  の上面をイオンミーリング等によって面を清浄化しているが、この引出し導体層４−１，４−２  は、図４に示すように端面がＭＲ素子３の中央部において微小間隔で対向しているから、当該ＭＲ素子３のコア部分が前記微小間隔だけ露出して、イオンミーリング等により溝状に削り取られ、この段差により磁壁ができやすくなってバルクハウゼンノイズを誘発し易くなるという問題が生じている。
【０００８】
本発明は上記のような問題点に鑑み、ＭＲ素子３のコア部分に段差が発生しない構成にしてバルクハウゼンノイズの発生を防止することができる磁気抵抗効果型ヘッドの提供を目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、図１に示すように磁性体の一方のシールド１と薄膜のＭＲ素子３の間に非磁性のギヤップ層２を形成して、当該ＭＲ素子３の引出し導体層４−１，４−２  側の面に、非磁性で且つ優れた導電性を有する保護層１１をイオンミーリング量以上１００Å以下の厚みに形成し、中央部に微小間隔で端面が対向するように引出し導体層４−１，４−２  を施した後に、この引出し導体層４−１，４−２  の上面をイオンミーリングにより面を清浄化し、当該イオンミーリング側と磁性体の他方のシールド６の間に非磁性のギヤップ層５を形成する。
【００１０】
【作用】
本発明では、図１に示すようにＭＲ素子３の引出し導体層４−１，４−２  側の面に、非磁性で且つ優れた導電性を有する保護層１１をイオンミーリング量以上１００Å以下の厚みに形成して、その保護層１１の上に上記ＭＲ素子３の中央部で端面が微小間隔で対向するよう引出し導体層４−１，４−２  を施しているから、当該引出し導体層４−１，４−２  の上面をイオンミーリング等によって面を清浄化しても、図２に示すように該導体層４−１，４−２  の端面間より露出した保護層１１が削られて溝ができるが、上記ＭＲ素子３のコア部分には溝による段差が発生しないので、当該ＭＲ素子３の段差による磁壁がなくなってバルクハウゼンノイズの発生を防止することが可能となる。
【００１１】
【実施例】
以下図１および図２について本発明の実施例を詳細に説明する。
図１は一実施例による磁気抵抗効果型ヘッドを示す要部斜視図、図２は作用の要部断面図を示し、図中において、図３と同一部材には同一記号が付してある。
【００１２】
本発明の磁気抵抗効果型ヘッドは、図１に示すように例えばＮｉ−Ｚｎフェライト等からなる磁性体の一方のシールド１の上部に、Ａｌ２  Ｏ２  よりなる非磁性のギヤップ層２を形成して、この上にＮｉ−Ｆｅ等の薄膜からなるＭＲ素子３を従来と同様に配設する。
【００１３】
このＭＲ素子３の引出し導体層４−１，４−２  を形成する面にスパッタまたは蒸着等により、例えば非磁性且つ優れた導電性を有する，  例えばＴｉあるいはＴａからなる保護層１１、または前記ＭＲ素子３よりも小さなＭＲ効果を有する導電性磁性膜，  例えばＮｉＦｅＣｒからなる保護層１１を、後工程のイオンミーリングで削り取られて生じる段差より厚く，  且つ１００Å以下の膜厚に施して、その保護層１１上面にＡｕ，ＣｕあるいはＡｌからなる引出し導体層４−１，４−２  を、当該保護層１１の中央部でそれぞれの端面が微小間隔で対向するように形成する。
【００１４】
そして、従来と同様に、この引出し導体層４−１，４−２  の上面をイオンミーリング等によって面を清浄化し、上記ギヤップ層２と同一材質のギヤップ層５を形成するとともに、一方の上記シールド１と同一材質の他方のシールド６により磁気抵抗効果型のヘッドを構成する。
【００１５】
その結果、ＭＲ素子３のコア部分には溝による段差が発生しないので、当該ＭＲ素子３の段差による磁壁がなくなってバルクハウゼンノイズの発生を防止することができ、磁気抵抗効果型ヘッドの信頼性を向上させることができる。
【００１６】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように本発明によれば極めて簡単な構成で、磁気抵抗効果型素子のコア部分には溝による段差がないのでバルクハウゼンノイズの発生を防止できて、磁気抵抗効果型ヘッドの信頼性を向上させることができる等の利点があり、著しい経済的及び、信頼性向上の効果が期待できる磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例による磁気抵抗効果型ヘッドを示す要部斜視図である。
【図２】作用を示す要部断面図である。
【図３】従来の磁気抵抗効果型ヘッドを示す要部概略斜視図である。
【図４】従来の問題点を説明するための断面図である。
【符号の説明】
１，６はシールド、
２，５はギヤップ層、
３はＭＲ素子、
４−１，４−２  は引出し導体層、
１１は保護層、
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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