(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を有することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
（ａ）下部コア層上に、少なくとも非磁性のギャップ層と上部磁極層とを有する磁極部を記録媒体との対向面からハイト方向に所定の長さ寸法で形成する工程と、
（ｂ）前記磁極部のハイト方向後方に、前記下部コア層上にコイル絶縁下地層を形成し、前記コイル絶縁下地層上に前記磁極部の上面よりも低い高さで第１のコイル層をメッキ形成すると同時に、前記第１のコイル層とは離れた位置に第１のコイルリード層をメッキ形成する工程と、
（ｃ）前記第１のコイル層上及び前記第１のコイルリード層上をレジスト層で覆い、このとき前記第１のコイル層の巻き中心部上に露光現像によって第１のコンタクト部を形成するための抜きパターンを形成すると同時に、前記第１のコイルリード層のコイル接続端部上に露光現像によって第２のコンタクト部をメッキ形成するための抜きパターンを形成する工程と、
（ｄ）前記第１のコンタクト部を形成するための抜きパターン内に前記第１のコンタクト部をメッキ形成すると同時に、前記第２のコンタクト部をメッキ形成するための抜きパターン内に前記第２のコンタクト部をメッキ形成する工程と、
（ｅ）前記レジスト層を除去し、前記第１のコイル層上及び前記第１のコンタクト部上、さらには前記第１のコイルリード層上及び第２のコンタクト部上にコイル絶縁層を形成する工程と、
（ｆ）前記コイル絶縁層の上面を前記磁極部の上面と同一面となるように平坦化し、このとき前記絶縁層の上面に前記第１のコンタクト部及び第２のコンタクト部の上面を露出させる工程と、
（ｇ）前記コイル絶縁層上に第２のコイル層をメッキ形成し、このとき前記第２のコイル層の巻き中心部を前記第１のコンタクト部上に導通接続させると同時に、第２のコイル層の巻き終端部を、前記第２のコンタクト部の上面と導通接続させる工程と、
（ｈ）前記上部磁極層上から前記第２のコイル層上に形成された絶縁層上にかけて上部コア層を形成する工程。
【請求項２】
前記（ｃ）ないし（ｆ）工程と同時処理によって、前記第１のコイルリード層の外部接続端部上に第３のコンタクト部をメッキ形成し、前記（ｈ）工程の後に、前記第３のコンタクト部上に直接にあるいは他層を介してバンプを形成する請求項１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記（ｂ）工程と同時に、前記第１のコイル層の巻き終端部から前記第１のコイル層と一体で第２のコイルリード層をメッキ形成し、前記（ｃ）ないし（ｆ）工程と同時処理によって、前記第１のコイルリード層の外部接続端部上及び前記第２のコイルリード層の外部接続端部上に第３のコンタクト部をメッキ形成し、前記（ｈ）工程の後に、前記第３のコンタクト部上に直接にあるいは他層を介してバンプを形成する請求項１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記（ａ）工程の前に、前記下部コア層の下側に再生用の磁気抵抗効果素子を形成し、
前記（ｂ）工程と同時に、前記第１のコイル層とは離れた位置に、前記磁気抵抗効果素子に検出電流を供給するための電極リード層を形成し、前記（ｃ）ないし（ｆ）工程と同時処理によって、前記電極リード層上に第４のコンタクト部をメッキ形成し、前記（ｈ）工程の後に、前記第４のコンタクト部上に直接にあるいは他層を介してバンプを形成する請求項１ないし３のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記（ｄ）工程における第１のコンタクト部ないし第４のコンタクト部のいずれかのコンタクト部の形成時において、導電性材料層をメッキ形成した後、前記導電性材料層の上に、Ｎｉ，Ｃｒ，Ｐ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｂ又はＷのうち１種または２種以上の元素を含む単層構造又は多層構造を前記所定厚さでメッキ形成して導電性保護層を形成し、前記（ｆ）工程のとき、あるいは前記（ｆ）工程と（ｇ）工程の間に、前記導電性保護層の表面に形成された酸化層を除去して前記コイル絶縁層の上面から前記導電性保護層を露出させ、あるいは導電性保護層を全部除去して、前記コイル絶縁層の上面から導電性材料層を露出させる請求項１ないし４のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項６】
前記（ｂ）工程時における前記第１のコイル層、第１のコイルリード層、第２のコイルリード層及び電極リード層の形成時、あるいは前記（ｇ）工程時における第２のコイル層の形成時において、導電性材料層をメッキ形成した後、前記導電性材料層の上に、Ｎｉ，Ｃｒ，Ｐ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｂ又はＷのうち１種または２種以上の元素を含む単層構造又は多層構造を、前記所定厚さでメッキ形成して導電性保護層を形成し、次の工程に移行する前に、前記導電性保護層の表面に形成された酸化層を除去して前記コイル絶縁層の上面から前記導電性保護層を露出させ、あるいは導電性保護層を全部除去して、前記コイル絶縁層の上面から前記導電性材料層を露出させる請求項１ないし５のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項７】
前記導電性材料層を、Ｃｕ，Ａｕ，Ａｇのいずれか一方または両方の元素を含む単層構造又は多層構造でメッキ形成する請求項５または６に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、コア層間に２層のコイル層が形成された薄膜磁気ヘッドに係わり、特に前記コイル層の直流抵抗値の安定性を向上させることができ、また前記２層のコイル層間の導通性を良好に保つことが可能な薄膜磁気ヘッド及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ハードディスク装置などに搭載される磁気ヘッド装置には、スライダのトレーリング側端面に、例えば再生用のＭＲヘッドと記録用のインダクティブヘッドとを有する薄膜磁気ヘッドが形成されている。
【０００３】
前記インダクティブヘッドは、磁性材料で形成された下部コア層と上部コア層と、両コア層に記録磁界を誘導するコイル層が設けられて成り、記録媒体との対向面では、ギャップ層を介して両コア層からの漏れ磁界により、ハードディスクなどの記録媒体に磁気信号が記録される。
【０００４】
ところで今後の高記録密度化に伴い、狭トラック化に対応すべく薄膜磁気ヘッドの構造は幾度となく改良が施されている。図２４に示す薄膜磁気ヘッドは、その一例であり、図２４では、薄膜磁気ヘッドを縦断面図で示している。
【０００５】
符号１は、パーマロイなどの磁性材料で形成された下部コア層であり、記録媒体との対向面には、下から下部磁極層２、ギャップ層４及び上部磁極層５の３層膜で構成される磁極部６が形成されている。なお図２４に示すように、前記下部コア層１と磁極部６との間には、記録媒体との対向面からハイト方向へ後退した位置にＧｄ決め絶縁層１０が形成されている。
【０００６】
図２４に示すように前記下部コア層１上にはコイル絶縁下地層１１が形成され、その上に第１のコイル層１２が形成されている。前記第１のコイル層１２の上面は、前記上部磁極層５の上面を基準平面Ａとしたときに、前記基準平面Ａよりも図示下側に位置し、さらに前記第１のコイル層１２の上面にはコイル絶縁層１５が形成され、前記コイル絶縁層１５の上面が前記基準平面Ａと同一面となっている。
【０００７】
図２４に示すように、前記第１のコイル層１２の巻き中心部１２ａは、前記下部コア層１上に形成された磁性材料製のバックギャップ層１３よりもハイト方向（図示Ｙ方向）後方に形成されている。
【０００８】
また前記巻き中心部１２ａの下には、コイル絶縁下地層１１を介して持上げ層１４が形成されている。前記持上げ層１４の存在により前記巻き中心部１２ａの上面１２ｂは、前記第１のコイル層１２の各導体部の上面よりも高い位置に形成される。そして図２４に示すように前記巻き中心部１２ａの上面１２ｂは、前記基準平面Ａと同一面上に形成され、コイル絶縁層１５の上面から露出している。
【０００９】
この薄膜磁気ヘッドでは、前記コイル絶縁層１５上に第２のコイル層１６が巻回形成されている。図２４に示すように前記第２のコイル層１６の巻き中心部１６ａは、コイル絶縁層１５上面に露出した第１のコイル層１２の巻き中心部１２ａ上に直接、導通接続される。
【００１０】
また図２４に示すように、前記第２のコイル層１６上は有機絶縁材料で形成された絶縁層１７によって覆われている。さらに前記上部磁極層５の上面から前記絶縁層１７上面及びバックギャップ層１３上面にかけて上部コア層１８が例えばフレームメッキ法などによって形成されている。
【００１１】
上記したように図２４に示す薄膜磁気ヘッドは、狭トラック化に対応可能な構造となっているが、さらにコイル層が２層構造とされることで、磁極部６からバックギャップ層１３間に形成される前記第１のコイル層１２の幅寸法を、前記コイル層を１層構造とする場合に比べて短くできる。このため前記上部コア層１８の先端部１８ａから基端部１８ｂまでの長さを短く形成でき、上部コア層１８から下部コア層１を経る磁路長の短磁路化によりインダクティブヘッドのインダクタンスを低減させることが可能になっている。
【００１２】
図２５から図２７は、下部コア層１上に形成される持上げ層１４及び前記持上げ層１４上に形成される第１のコイル層１２の巻き中心部１２ａの形成方法を示す一工程図である。
【００１３】
図２５では、下部コア層１上にレジスト材料を塗布し、熱処理を施し硬化させて持上げ層１４を形成する。また下部コア層１上から前記持上げ層１４上にかけてコイル絶縁下地層１１を形成する。さらに前記コイル絶縁層下地層１１上にメッキ下地層２１を形成する。
【００１４】
次に図２６では、前記コイル絶縁下地層１１上にレジスト層１９を形成し、露光現像によって前記持上げ層１４上の前記レジスト層１９に、第１のコイル層１２の巻き中心部１２ａ形成のための抜きパターン２０を形成する。
【００１５】
そして前記抜きパターン２０内に第１のコイル層１２の巻き中心部１２ａをメッキ形成する。
【００１６】
図２７では、前記レジスト層１９を除去した後、前記巻き中心部１２ａの下に形成されたメッキ下地層２１以外の前記メッキ下地層２１を除去し、その後、前記コイル絶縁下地層１１上から前記巻き中心部１２ａ上にかけてアルミナなどのコイル絶縁層１５を形成し、ＣＭＰ技術などを用いて前記コイル絶縁層１５の上面を研磨する。このとき図２４に示す基準平面Ａと同一面となる例えばＢ−Ｂ線まで前記コイル絶縁層１５を研磨し、前記コイル絶縁層１５の上面から前記第１のコイル層１２の巻き中心部１２ａの上面を露出させる。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら前記持上げ層１４上に第１のコイル層１２の巻き中心部１２ａを形成し、前記巻き中心部１２ａと第２のコイル層１６の巻き中心部１６ａとを導通接続させる構造では、次のような課題があった。
【００１８】
まず図２７に示す研磨工程において、前記第１のコイル層１２の巻き中心部１２ａの上面１２ｂの露出面積は一定の大きさで形成され難い。
【００１９】
図２６の工程に示すように前記持上げ層１４の上面１４ａは、硬化のための熱処理の影響を受けてだれて丸みを帯びる。このため前記持上げ層１４上にメッキ形成される前記第１のコイル層１２の巻き中心部１２ａの上面１２ｂも前記持上げ層１４の上面１４ａの形状に追従して丸みを帯びて形成されてしまう。
【００２０】
このように前記巻き中心部１２ａの上面１２ｂが平坦化面とされず曲面状で形成されると、図２７の工程時に、前記巻き中心部１２ａの上面１２ｂをどこまで研磨するかによって、前記コイル絶縁層１５の上面から露出する前記巻き中心部１２ａの上面１２ｂの露出面積は変動してしまう。ここで前記研磨量は、図２４に示す基準平面Ａとコイル絶縁層１５の上面とが同一平面となる位置で決定される。
【００２１】
このため図２７に示す工程において、例えばＢ−Ｂ線までコイル絶縁層１５を削って前記基準平面Ａとの同一面化を図る場合と、Ｃ−Ｃ線までコイル絶縁層１５を削って前記基準平面Ａとの同一面化を図る場合とでは、前記コイル絶縁層１５の上面から露出する前記巻き中心部１２ａの上面１２ｂの露出面積は異なってしまう。よって持上げ層１４上に第１のコイル層１２の巻き中心部１２ａを形成する構造では、第２のコイル層１６の巻き中心部１６ａと第１のコイル層１２の巻き中心部１２ａとの接触面積が製品毎で異なりやすく、このため直流抵抗値が変動し、品質を一定に保つことができない。
【００２２】
さらに図２７に示すＣ−Ｃ線で切断した場合のように、前記第１のコイル層１２の巻き中心部１２ａと前記第２のコイル層１６の巻き中心部１６ａとの接触面積が極端に小さくなる場合には、前記巻き中心部間の導通性が低下する。
【００２３】
また上記の製造方法では、図２７に示す工程において、前記巻き中心部１２ａの高さは研磨量によって変化し、これによって直流抵抗値は変動する。このため研磨された後に全製品の巻き中心部１２ａの高さが一定となるように、持上げ層１４の膜厚を一定の大きさに設定する必要性がある。しかし前記持上げ層１４の膜厚は、硬化のための熱処理条件などによって変化しやすく、前記持上げ層１４の膜厚を一定値に設定することは難しい。このため前記持上げ層１４の膜厚の変動により、その上に形成される巻き中心部１２ａの高さ寸法も変動し、製品毎に巻き中心部１２ａの高さ寸法がばらつきやすく、一定の直流抵抗値を有する製品を製造しにくい。
【００２４】
また図２８に示すように、レジスト層１９の露光現像の際に、抜きパターン２０の形成位置が、持上げ層１４の真上ではなくずれて形成された場合、前記抜きパターン２０内に形成される第１のコイル層１２の巻き中心部１２ａの形状は前記抜きパターン２０の形成位置によって変わってしまう。このため製品毎に、前記第１のコイル層１２の巻き中心部１２ａの上面１２ｂの露出面積や前記巻き中心部１２ａの高さ寸法が変動し、直流抵抗値の安定化を図ることができない。
【００２５】
このように持上げ層１４上に第１のコイル層１２の巻き中心部１２ａを形成し、前記巻き中心部１２ａ上に第２のコイル層１６の巻き中心部１６ａを導通接続させる構造では、安定した直流抵抗値を得ることはできず、また良好な導通性も図りにくいといった課題があった。
【００２６】
なお上記した直流抵抗値の変動や導通不良の問題は、外部接続用端子の下に形成されるバンプとリード層間でも起こりやすい。
【００２７】
本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、特に第１のコイル層の巻き中心部と第２のコイル層の巻き中心部間にコンタクト部をメッキ形成することで、直流抵抗値を安定化でき、しかも導通性を良好にできる薄膜磁気ヘッドを提供することを目的としている。
【００２８】
さらに本発明は、前記コンタクト部の形成を容易にしかも少ない製造工程数でメッキ形成できるとともに、例えばＭＲヘッドの電極リード層とバンプ間の導通接続なども前記コイル層間の導通接続と同じ工程時に行うことができ、製造工程を簡略化できる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的としている。
【００５４】
【課題を解決するための手段】
本発明における薄膜磁気ヘッドの製造方法は、以下の工程を有することを特徴とするものである。
（ａ）下部コア層上に、少なくとも非磁性のギャップ層と上部磁極層とを有する磁極部を記録媒体との対向面からハイト方向に所定の長さ寸法で形成する工程と、
（ｂ）前記磁極部のハイト方向後方に、前記下部コア層上にコイル絶縁下地層を形成し、前記コイル絶縁下地層上に前記磁極部の上面よりも低い高さで第１のコイル層をメッキ形成すると同時に、前記第１のコイル層とは離れた位置に第１のコイルリード層をメッキ形成する工程と、
（ｃ）前記第１のコイル層上及び前記第１のコイルリード層上をレジスト層で覆い、このとき前記第１のコイル層の巻き中心部上に露光現像によって第１のコンタクト部を形成するための抜きパターンを形成すると同時に、前記第１のコイルリード層のコイル接続端部上に露光現像によって第２のコンタクト部をメッキ形成するための抜きパターンを形成する工程と、
（ｄ）前記第１のコンタクト部を形成するための抜きパターン内に前記第１のコンタクト部をメッキ形成すると同時に、前記第２のコンタクト部をメッキ形成するための抜きパターン内に前記第２のコンタクト部をメッキ形成する工程と、
（ｅ）前記レジスト層を除去し、前記第１のコイル層上及び前記第１のコンタクト部上、さらには前記第１のコイルリード層上及び第２のコンタクト部上にコイル絶縁層を形成する工程と、
（ｆ）前記コイル絶縁層の上面を前記磁極部の上面と同一面となるように平坦化し、このとき前記絶縁層の上面に前記第１のコンタクト部及び第２のコンタクト部の上面を露出させる工程と、
（ｇ）前記コイル絶縁層上に第２のコイル層をメッキ形成し、このとき前記第２のコイル層の巻き中心部を前記第１のコンタクト部上に導通接続させると同時に、第２のコイル層の巻き終端部を、前記第２のコンタクト部の上面と導通接続させる工程と、
（ｈ）前記上部磁極層上から前記第２のコイル層上に形成された絶縁層上にかけて上部コア層を形成する工程。
本発明では、上記のようにレジストを用いることで容易に第１のコイル層の巻き中心部上に第１のコンタクト部をメッキ形成できる。また本発明では、前記第１のコンタクト部を第１のコイル層上に直接メッキ形成するから、前記第１のコンタクト部の形成時にメッキ下地層は必要ないなど少ない製造工程数で前記第１のコンタクト部をメッキ形成することができる。
【００５５】
また本発明では、前記（ｂ）工程のときに、前記第１のコイル層とは離れた位置に第１のコイルリード層をメッキ形成し、前記（ｃ）ないし（ｆ）工程と同一工程によって、前記第１のコイルリード層のコイル接続端部上に第２のコンタクト部をメッキ形成し、前記（ｇ）工程のときに第２のコイル層の巻き終端部を、前記第２のコンタクト部の上面と導通接続させることが好ましい。
【００５６】
本発明によれば、第１のコンタクト部の形成工程と同じ工程時に、第１のコイルリード層と第２のコイル層間を導通接続するための第２のコンタクト部をメッキ形成できるため、製造工程の容易化・製造工程数の簡略化を実現することが可能である。また前記第１のコイルリード層と第２のコイル層間の導通接続を適切に行うことが可能である。
【００５７】
また本発明では、前記（ｃ）ないし（ｆ）工程と同時処理によって、前記第１のコイルリード層の外部接続端部上に第３のコンタクト部をメッキ形成し、前記（ｈ）工程の後に、前記第３のコンタクト部上に直接にあるいは他層を介してバンプを形成することが好ましい。
あるいは、前記（ｂ）工程と同時に、前記第１のコイル層の巻き終端部から前記第１のコイル層と一体で第２のコイルリード層をメッキ形成し、前記（ｃ）ないし（ｆ）工程と同時処理によって、前記第１のコイルリード層の外部接続端部上及び前記第２のコイルリード層の外部接続端部上に第３のコンタクト部をメッキ形成し、前記（ｈ）工程の後に、前記第３のコンタクト部上に直接にあるいは他層を介してバンプを形成することが好ましい。
【００５８】
本発明によれば、前記第１のコイルリード層の外部接続端部及び／あるいは第２のコイルリード層の外部接続端部とバンプ間を導通接続するための第３のコンタクト部を、第１のコンタクト部と同じ工程時に形成できるため、製造工程の容易化・製造工程数の簡略化を実現することが可能である。また本発明では前記第１のコイルリード層の外部接続端部及び／あるいは第２のコイルリード層の外部接続端部とバンプ間の導通接続を適切に行うことが可能である。
【００５９】
また本発明では、前記（ａ）工程の前に、前記下部コア層の下側に再生用の磁気抵抗効果素子を形成し、
前記（ｂ）工程と同時に、前記第１のコイル層とは離れた位置に、前記磁気抵抗効果素子に検出電流を供給するための電極リード層を形成し、前記（ｃ）ないし（ｆ）工程と同時処理によって、前記電極リード層上に第４のコンタクト部をメッキ形成し、前記（ｈ）工程の後に、前記第４のコンタクト部上に直接にあるいは他層を介してバンプを形成することが好ましい。
【００６０】
このように本発明によれば、磁気抵抗効果素子にセンス電流を供給するための電極リード層とバンプ間を導通接続するための第４のコンタクト部を、第１のコンタクト部と同じ工程で形成できるので、製造工程の容易化・製造工程数の簡略化を図ることが可能である。
【００６１】
また本発明では、前記（ｄ）工程における第１のコンタクト部ないし第４のコンタクト部のいずれかのコンタクト部の形成時において、導電性材料層をメッキ形成した後、前記導電性材料層の上に、Ｎｉ，Ｃｒ，Ｐ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｂ又はＷのうち１種または２種以上の元素を含む単層構造又は多層構造を前記所定厚さでメッキ形成して導電性保護層を形成し、前記（ｆ）工程のとき、あるいは前記（ｆ）工程と（ｇ）工程の間に、前記導電性保護層の表面に形成された酸化層を除去して前記コイル絶縁層の上面から前記導電性保護層を露出させ、あるいは導電性保護層を全部除去して、前記コイル絶縁層の上面から導電性材料層を露出させることが好ましい。
【００６２】
さらには本発明では、前記（ｂ）工程時における前記第１のコイル層、第１のコイルリード層、第２のコイルリード層及び電極リード層の形成時、あるいは前記（ｇ）工程時における第２のコイル層の形成時において、導電性材料層をメッキ形成した後、前記導電性材料層の上に、Ｎｉ，Ｃｒ，Ｐ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｂ又はＷのうち１種または２種以上の元素を含む単層構造又は多層構造を、前記所定厚さでメッキ形成して導電性保護層を形成し、次の工程に移行する前に、前記導電性保護層の表面に形成された酸化層を除去して前記コイル絶縁層の上面から前記導電性保護層を露出させ、あるいは導電性保護層を全部除去して、前記コイル絶縁層の上面から前記導電性材料層を露出させることが好ましい。
【００６３】
また本発明では、前記導電性材料層を、Ｃｕ，Ａｕ，Ａｇのいずれか一方または両方の元素を含む単層構造又は多層構造でメッキ形成することが好ましい。
【００６４】
上記のように本発明では、コンタクト部やコイル層などが導電性材料層と導電性保護層との積層構造でメッキ形成されている。前記導電性材料層は、例えばＣｕなどの電気抵抗の低い導電性材料により形成されるが、前記導電性材料単体で前記コンタクト部をメッキ形成した場合、（ｆ）工程時に例えばＣＭＰ技術などを用いて前記コンタクト部表面を研磨加工したとき、前記導電性材料層は、軟らかい金属で形成されているために、前記導電性材料層が前記研磨加工によってだれやすく、これによって前記コンタクト部上に形成される導電層（第２のコイル層など）との密着性が悪化したり、あるいは直流抵抗値が変動したりする。
【００６５】
このため本発明では、導電性材料層に比べて硬い金属、例えばＮｉなどで形成される導電性保護層を設け、前記導電性保護層が研磨加工されるようにする。これによって前記導電性材料層が研磨される心配は無く、研磨加工によるだれの問題は生じにくくなる。
【００６６】
また導電性材料層は、空気中に曝されると酸化しやすいために、前記導電性材料層上に導電性保護層を設けることで、前記導電性材料層の酸化を防止することができる。なお前記導電性保護層は、常温または加熱雰囲気中での表面の酸化層が、この導電性保護層の厚さ以上に進行しない材料で形成されることが好ましい。上記したＮｉなどの導電性材料がそれに該当する。なお本発明では、前記導電性保護層に形成された酸化層は、次の製造工程に移行する前にエッチングによって除去される。
【００６７】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明におけるスライダ３０のトレーリング側端面３１の構造を示す部分平面図である。なお前記スライダ３０の図示上面が記録媒体との対向面である。
【００６８】
図１に示すスライダ３０は、アルミナ−チタンカーバイト（Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ）などのセラミック材料で形成されており、そのトレーリング側端面３１上には、記録媒体との対向面側に薄膜磁気ヘッド３２が積層形成されている。
【００６９】
前記薄膜磁気ヘッド３２は、再生用のＭＲヘッドと記録用のインダクティブヘッドとが積層されたいわゆる複合型薄膜磁気ヘッドである。ただし本発明では、前記薄膜磁気ヘッド３２はインダクティブヘッドのみで構成されていてもよい。
【００７０】
図１に示すように、前記スライダ３０のトレーリング側端面３１上には、４つのリード層３３ないし３６がメッキ形成されている。このうちリード層３３及び３４は、前記インダクティブヘッドを構成するコイル層と導通接続されたコイルリード層である。図１に示すように前記第２のコイルリード層３４は、その終端部（外部接続端部）において、前記第２のコイルリード層３４上に直接あるいは間接的にメッキ形成されたバンプ３７を介して外部接続用端子３８に導通接続されている。なお前記第１のコイルリード層３３の終端部（外部接続端部）の構造については図示されていないが、前記第２のコイルリード層３４と同様に外部接続用端子にバンプを介して導通接続されている。
【００７１】
図１に示すリード層３５及び３６は、ＭＲヘッドの磁気抵抗効果素子にセンス電流を供給するための電極リード層であり、電極リード層３６の終端部（外部接続端部）は、その上に直接にあるいは間接的にメッキ形成されたバンプ３９を介して外部接続用端子４０に導通接続されている。なお前記電極リード層３５の終端部（外部接続端部）の構造については図示されていないが、前記電極リード層３６と同様に外部接続用端子にバンプを介して導通接続されている。
【００７２】
図２は、インダクティブヘッドを構成する２層コイル間の導通接続構造や、図１に示した各リード層３３ないし３６の終端部（外部接続端部）での構造を示す部分模式図、図３は図１に示す薄膜磁気ヘッド３２を３−３線から切断したときの部分縦断面図である。
【００７３】
まず本発明の薄膜磁気ヘッド３２を構成する各層について説明する。図３に示すように、スライダ３０上には、アルミナアンダーコート膜４１が形成され、さらにその上に、パーマロイ（ＮｉＦｅ合金）などの磁性材料で形成された下部シールド層４２が形成されている。
【００７４】
図３に示すように前記下シールド層４２上には、アルミナなどの下部ギャップ層４３を介して記録媒体との対向面に露出する磁気抵抗効果素子４４が形成されている。前記磁気抵抗効果素子４４は、スピンバルブ膜に代表されるＧＭＲ素子やＡＭＲ素子であり、前記磁気抵抗効果素子４４が外部磁界の影響を受けることによる電気抵抗値の変化を用いて記録媒体に記録された磁気信号が再生される。
【００７５】
前記磁気抵抗効果素子４４には、トラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側からハイト方向後方（図示Ｙ方向）に向けて広がる電極層４５が接続されている。
【００７６】
図３に示すように前記電極層４５及び磁気抵抗効果素子４４の上にはアルミナなどで形成された上部ギャップ層４６を介して上部シールド層（下部コア層）４７が形成されている。前記上部シールド層４７は例えばパーマロイ（ＮｉＦｅ合金）などの磁性材料で形成されている。なお前記下部シールド層４２から上部シールド層（下部コア層）４７までが再生用のＭＲヘッドである。
【００７７】
この実施形態では前記上部シールド層４７が、インダクティブヘッドの下部コア層としても機能している。なお前記上部シールド層と下部コア層とを別々に形成してもよい。かかる場合、前記上部シールド層と下部コア層間に絶縁層を介在させる。
【００７８】
図３に示すように前記下部コア層４７上には、記録媒体との対向面からハイト方向後方に向けて所定の長さ寸法で磁極部４８が形成されている。前記磁極部４８はトラック幅方向（図示Ｘ方向）への幅寸法がトラック幅Ｔｗで形成されている。前記トラック幅Ｔｗは、例えば０．５μｍ以下で形成される。
【００７９】
図１に示す実施形態では、前記磁極部４８は、下部磁極層４９、ギャップ層５０、および上部磁極層５１の３層膜の積層構造で構成されている。以下、前記磁極層４９、５１およびギャップ層５０について説明する。
【００８０】
図３に示すように、前記下部コア層４７上には磁極部４８の最下層となる下部磁極層４９がメッキ形成されている。前記下部磁極層４９は、下部コア層４７と磁気的に接続されており、前記下部磁極層４９は、前記下部コア層４７と同じ材質でも異なる材質で形成されていてもどちらでもよい。また単層膜でも多層膜で形成されていてもどちらでもよい。
【００８１】
また図３に示すように前記下部磁極層４９上には、非磁性のギャップ層５０が積層されている。
【００８２】
本発明では、前記ギャップ層５０は非磁性金属材料で形成されて、下部磁極層４９上にメッキ形成されることが好ましい。なお本発明では、前記非磁性金属材料として、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、ＮｉＲｈ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒのうち１種または２種以上を選択することが好ましく、前記ギャップ層５０は、単層膜で形成されていても多層膜で形成されていてもどちらであってもよい。
【００８３】
次に前記ギャップ層５０上には、後述する上部コア層６０と磁気的に接続する上部磁極層５１がメッキ形成されている。なお前記上部磁極層５１は、上部コア層６０と同じ材質で形成されていてもよいし、異なる材質で形成されていてもよい。また単層膜でも多層膜で形成されていてもどちらでもよい。
【００８４】
上記したようにギャップ層５０が、非磁性金属材料で形成されていれば、下部磁極層４９、ギャップ層５０および上部磁極層５１を連続してメッキ形成することが可能になる。
【００８５】
なお本発明では前記磁極部４８は、少なくも非磁性のギャップ層５０と上部磁極層５１とで構成されていれば良い。
【００８６】
また図３に示すように下部コア層４７上には記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）に離れた位置にＧｄ決め絶縁層５２が形成されている。前記Ｇｄ決め絶縁層５２は例えばレジスト材料などで形成される。そしてギャップデプス（Ｇｄ）は、前記Ｇｄ決め絶縁層５２の先端部から記録媒体との対向面間の距離によって規制される。
【００８７】
図３に示す実施形態では、記録媒体との対向面で下部コア層４７と上部コア層６０との間にトラック幅Ｔｗで露出する磁極部４８をメッキ形成することで、狭トラック化に対応可能な構成となっている。
【００８８】
次に図３に示すように前記磁極部４８よりもハイト側における前記下部コア層４７上には、コイル絶縁下地層５３が形成されている。前記コイル絶縁下地層５３は、例えば、ＡｌＯ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ、ＡｌＮ、ＡｌＳｉＮ、ＴｉＮ、ＳｉＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＮｉＯ、ＷＯ、ＷＯ３、ＢＮ、ＣｒＮ、ＳｉＯＮのうち少なくとも１種からなる絶縁材料で形成されていることが好ましい。
【００８９】
図３に示すように前記コイル絶縁下地層５３上には、例えばＣｕなどの電気抵抗の低い導電性材料で形成された第１のコイル層５４がメッキ形成されている。
【００９０】
図３に示すように、前記第１のコイル層５４は、その巻き中心部５４ａが、下部コア層４７上に磁気的に接続されたバックギャップ層５５よりもハイト方向（図示Ｙ方向）後方に位置し、前記巻き中心部５４ａを中心として螺旋状にパターン形成されている。
【００９１】
図３に示すように、前記第１のコイル層５４の上面は、前記上部磁極層５１と上部コア層６０との接合面を基準平面Ｄとしたときに、前記基準平面Ｄよりも低い位置に形成されている。
【００９２】
また前記第１のコイル層５４は、平坦化されたコイル絶縁下地層５３上に形成できるため前記第１のコイル層５４の各導体部を狭ピッチで形成することができる。
【００９３】
またこの実施形態では前記第１のコイル層５４の各導体部のピッチ間は、レジスト材料などの有機絶縁材料による絶縁層５６によって塞がれている。有機絶縁材料製の絶縁層５６を使用する理由は、第１のコイル層５４の各導体部のピッチ間を、確実に埋めることができるからである。
【００９４】
そして図３に示すように前記第１のコイル層５４上は、例えば無機絶縁材料製のコイル絶縁層５７によって覆われている。前記無機絶縁材料には、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＮ、ＳｉＯ２から１種または２種以上が選択されることが好ましい。
【００９５】
図３に示すように前記コイル絶縁層５７の上面５７ａは、前記基準平面Ｄと同一面となって平坦化されている。
【００９６】
さらに図３に示すように前記コイル絶縁層５７の上面５７ａには、螺旋状にパターン形成された第２のコイル層５８がメッキ形成されている。前記第２のコイル層５８も第１のコイル層５４と同じようにＣｕなどの低い電気抵抗を有する導電材料によって形成されている。なお前記第２のコイル層５８は図２を見てもわかるように、その巻き方向が第１のコイル層５４のそれとは逆にされている。
【００９７】
上記したように前記第２のコイル層５８のコイル形成面であるコイル絶縁層５７の上面５７ａは平坦化面であるので、前記第２のコイル層５８はパターン精度良く形成される。このため前記第２のコイル層５８の各導体部を狭ピッチで形成できる。
【００９８】
前記第２のコイル層５８上は、レジスト材料などの有機絶縁材料で形成された絶縁層５９によって覆われている。さらに前記絶縁層５９上には例えばフレームメッキ法などで形成された上部コア層６０がパターン形成されている。図３に示すように前記上部コア層６０の先端部６０ａは上部磁極層５１上に磁気的に接続され、前記上部コア層６０の基端部６０ｂはバックギャップ層５５上に磁気的に接続されている。
【００９９】
さらに前記上部コア層６０上は、アルミナなどによる保護層６１によって覆われている。
【０１００】
次に上記した第１のコイル層５４の巻き中心部５４ａと第２のコイル層５８の巻き中心部５８ａとの導通接続構造について説明する。
【０１０１】
図２及び図３に示すように本発明では、前記第１のコイル層５４の巻き中心部５４ａと第２のコイル層５８の巻き中心部５８ａ間は、第１のコンタクト部６２を介して導通接続される。
【０１０２】
図４は、図３に示す符号Ｅで囲ったコイル間の導通接続構造の部分拡大図である。図４に示すように、第１のコイル層５４の巻き中心部５４ａは、平坦化されたコイル絶縁下地層５３上に形成されている。このため前記巻き中心部５４ａの上面５４ｂも平坦化面として形成することができる。
【０１０３】
図４に示すように前記巻き中心部５４ａ上にはコイル絶縁層５７内を貫通して第１のコンタクト部６２がメッキ形成されている。
【０１０４】
なお図４に示す実施形態では、前記第１のコンタクト部６２の上面６２ａが前記コイル絶縁層５７の上面５７ａと同一面上に形成されている。
【０１０５】
また図４に示すように、前記第１のコンタクト部６２の幅寸法は、第１のコイル層５４の巻き中心部５４ａの幅寸法より小さい方が好ましい。これによって前記第１のコンタクト部６２を、平坦化された第１のコイル層５４の巻き中心部５４ａ上に適切に形成することが可能である。
【０１０６】
そして図４に示すように前記第１のコンタクト部６２の上には第２のコイル層５８の巻き中心部５８ａが導通接続されている。
【０１０７】
本発明では、後述する製造方法によって前記第１のコンタクト部６２をレジスト層を用いてパターン形成できる。上記したように、前記巻き中心部５４ａの上面は平坦化面とされているから、この上に前記第１のコンタクト部６２を、矩形状や円柱状などの水平断面（下部コア層の上面と平行な方向の断面）が一定の面積である形状で形成できる。
【０１０８】
ところで後述する製造方法で説明するように、図４に示す第１のコンタクト部６２の上面６２ａ及びコイル絶縁層５７の上面５７ａは、共に研磨加工面であるが、本発明では、前記第１のコンタクト部６２をその水平断面が一定の面積を有する形状で形成できるため、前記第１のコンタクト部６２を研磨加工したとき、前記コイル絶縁層５７の上面５７ａから露出する前記第１のコンタクト部６２の上面６２ａの露出面積をほぼ常に一定にすることができる。従って第２のコイル層５８の巻き中心部５８ａと第１のコンタクト部６２との接触面積を一定にできるから、安定した直流抵抗値を得ることができるとともに、第２のコイル層５８の巻き中心部５８ａとの導通性を良好に保つことができる。
【０１０９】
また本発明では、前記第１のコイル層５４の巻き中心部５４ａを所定の高さ寸法で形成することができるため、その上に形成される前記第１のコンタクト部６２に対する研磨位置を考慮することで、前記第１のコンタクト部６２の高さ寸法を所定の大きさに設定でき、前記直流抵抗値の安定化を図ることができる。
【０１１０】
また上記したように、前記第１のコンタクト部６２の幅寸法は、第１のコイル層５４の巻き中心部５４ａの幅寸法よりも小さく形成されるため、前記第１のコンタクト部６２が前記巻き中心部５４ａの真上でなく多少ずれて形成されても、前記第１のコンタクト部６２が前記巻き中心部５４ａ上に乗って形成されれば、安定した直流抵抗値を図ることができる。
【０１１１】
また図４に示す実施形態では、第１のコンタクト部６２の上面６２ａがコイル絶縁層５７の上面５７ａと同一面上で形成されているため、前記第１のコンタクト部６２と第２のコイル層５８の巻き中心部５８ａとの導通性をより適切に図ることができる。
【０１１２】
次に図４に示す実施形態では、第１のコイル層５４と第２のコイル層５８、及び第１のコンタクト部６２は、Ｃｕなどの低電気抵抗の導電性材料のみで形成されておらず、導電性材料層の上に所定厚さの導電性保護層がメッキ形成された積層構造となっている。
【０１１３】
図４に示すように第１のコイル層５４とコイル絶縁下地層５３との間には、Ｃｕなどの導電性材料で形成されたメッキ下地層６３が形成されている。前記メッキ下地層６３の上には、前記第１のコイル層５４を構成する導電性材料層６４がメッキ形成されている。
【０１１４】
本発明では前記導電性材料層６４は、Ｃｕ，Ａｕ，Ａｇのいずれか一方または両方の元素を含む単層構造又は多層構造から成ることが好ましい。
【０１１５】
そして図４に示すように前記導電性材料層６４の上には導電性保護層６５がメッキ形成されている。前記導電性保護層６５は、Ｎｉ，Ｃｒ，Ｐ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｂ又はＷのうち１種または２種以上の元素を含む単層構造又は多層構造から成ることが好ましい。
【０１１６】
前記導電性保護層６５は前記導電性材料層６４が空気中に曝されたときに、酸化されるのを防止する役割を有する。
【０１１７】
前記導電性保護層６５をＮｉで形成すると、前記導電性保護層６５は、常温または加熱雰囲気中での表面の酸化層が、３．０ｎｍ以上に進行しないことがわかっている。したがってイオンミリングなどのドライエッチング法によって、前記導電性保護層６５から３．０ｎｍ以上削り取ることにより、前記導電性保護層６５から酸化層を確実に除去することが可能になっている。なお図４に示す前記導電性保護層６５は前記酸化層が除去されており、前記導電性保護層６５の表面に酸化層が存在しない状態となっている。
【０１１８】
なお本発明における実施形態では、前記導電性保護層６５の膜厚は、２００〜６００ｎｍに設定されている。上記したようにＮｉで形成された導電性保護層６５の酸化層は３．０ｎｍ以上進行しないから、酸洗浄やイオンミリング等によって前記導電性保護層６５の酸化層を除去する場合に、前記導電性保護層６５のみを削り取り、導電性材料層６４を削り取らないようにすることができる。すなわち導電性保護層６５の体積変化を防ぐことができる。前記導電性材料層６４は、コイル層の許容電流や直流抵抗値を決定する要素であるので、前記導電性材料層６４の体積変化を防止できると、コイル層の許容電流や直流抵抗値が一定であるインダクティブヘッドを形成することができ、インダクティブヘッドの品質を一定に保つことが可能である。
【０１１９】
またＣｕで形成された導電性材料層６４の上にＮｉで形成された導電性保護層６５を積層することによって前記第１のコイル層５４とコイル絶縁層５７との密着性や、前記第１のコイル層５４の巻き中心部５４ａ上にメッキ形成される第１のコンタクト部６２との密着性を良好にすることができ、インダクティブヘッドの直流抵抗値の安定化を図ることができる。
【０１２０】
なお本発明では、空気に曝されて前記導電性保護層６５に酸化層が形成された後、酸洗浄やイオンミリング等によって前記導電性保護層６５を全て除去し、導電性材料層６４のみで第１のコイル層５４を構成してもよい。この場合、前記導電性材料層６４には酸化層が存在せず、第１のコンタクト部６２などとの密着性や直流抵抗値の安定化を適切に図ることができる。
【０１２１】
次に前記第１のコンタクト部６２もまた導電性材料層６４と表面に酸化層が存在しない所定厚さの導電性保護層６５との積層構造でメッキ形成される。なお材質や膜厚について上記した通りである。また前記第１のコンタクト部６２は表面に酸化層が存在しない前記導電性材料層６４のみでメッキ形成されていてもよい。
【０１２２】
また前記第１のコンタクト部６２の形成面は、第１のコイル層５４の表面であるため前記第１のコンタクト部６２をメッキ形成するときに、メッキ下地層６３を必要としない。
【０１２３】
また図４に示すように、前記第１のコンタクト部６２上にメッキ形成される第２のコイル層５８の巻き中心部５８ａは、第１のコイル層５４と同様に下からメッキ下地層６３、導電性材料層６４及び表面に酸化層が存在しない所定厚さの導電性保護層６５の順に積層形成される。なお前記第２のコイル層５８はメッキ下地層６３上に、表面に酸化層が存在しない導電性材料層６４のみでメッキ形成されていてもよい。
【０１２４】
前記第２のコイル層５８の巻き中心部５８ａをメッキ形成する際にまずメッキ下地層６３を形成するのは、図４に示すように前記巻き中心部５８ａの幅寸法が第１のコンタクト部６２の幅寸法よりも大きいからである。前記メッキ下地層６３が形成されていない場合は、第１のコンタクト部６２上にのみ導電性材料層６４がメッキ成長しやすく、図４に示すような矩形状の巻き中心部５８ａを形成しづらくなる。なお前記第２のコイル層５８の巻き中心部５８ａの幅寸法が、第１のコンタクト部６２の幅寸法と同程度、あるいはそれよりも小さく形成される場合には、前記巻き中心部５８ａの形成の際にメッキ下地層６３の形成は必要ない。
【０１２５】
図５は本発明の第１のコイル層５４の巻き中心部５４ａと第２のコイル層５８の巻き中心部５８ａとの導通接続構造を示す別の実施形態を示す拡大断面図である。
【０１２６】
この実施形態では図４と同様に第１のコイル層５４及び第２のコイル層５８がメッキ下地層６３、導電性材料層６４及び表面に酸化層が存在しない所定厚さの導電性保護層６５の３層メッキ構造で形成されている。また第１のコンタクト部６２は、導電性材料層６４及び表面に酸化層が存在しない所定厚さの導電性保護層６５の２層メッキ構造で形成されている。
【０１２７】
図４に示す実施形態との相違は、第１のコンタクト部６２の上面６２ａが、コイル絶縁層５７の上面５７ａと同一面ではなく、前記コイル絶縁層５７の上面５７ａよりも低い位置に形成されていることである。なお、前記第１のコンタクト部６２の上面６２ａは前記コイル絶縁層５７の上面５７ａと同一面上で形成されていてもかまわない。
【０１２８】
また前記第１のコンタクト部６２は下面から上面６２ａに向かうにしたがって幅寸法が徐々に広がって形成されている。
【０１２９】
このように図４と図５とでは第１のコンタクト部６２の形状に相違点が見られるが、これは後述するように製造方法に起因するものである。
【０１３０】
この実施形態では、コイル絶縁層５７にまず第１のコンタクト部６２の形成のための溝部を形成した後、前記溝部内に前記第１のコンタクト部６２をメッキ成長させるため、前記第１のコンタクト部６２をＣＭＰ技術などを用いて研磨加工することが無い。
【０１３１】
このためメッキ時間などを適切に調整することにより、前記第１のコンタクト部６２の高さ寸法を調整でき、また平坦化面で形成された第１のコンタクト部６２の上面６２ａの露出面積を一定の大きさに保ちやすい。
【０１３２】
また図５に示す実施形態では、前記コイル絶縁層５７に前記溝部を形成する際の前記コイル絶縁層５７上に形成されるレジストの形状やイオンミリングの照射角度などを適切に調整することで、前記第１のコンタクト部６２の両側に形成される傾斜面をより垂直面に近い向きに形成できる。このため前記傾斜面は極端に傾斜する面になることはなく、従って第１のコンタクト部６２の上面６２ａの露出面積を所定値内に収めやすい。
【０１３３】
よって図５に示す実施形態においても、コイル層の直流抵抗値の安定化を図りやすいと同時に、第２のコイル層５８の巻き中心部５８ａとの導通接続を良好に行うことが可能である。
【０１３４】
次に本発明では上記した図４及び図５に示す第１のコイル層５４の巻き中心部５４ａと第２のコイル層５８の巻き中心部５８ａとの導通接続構造は図３に示す形態の薄膜磁気ヘッド以外に使用可能である。
【０１３５】
例えば本発明では図６に示す薄膜磁気ヘッドの実施形態を提示することができる。なお図６に示す薄膜磁気ヘッドは縦断面図で示されている。
【０１３６】
図６に示す薄膜磁気ヘッドは図３に示す薄膜磁気ヘッドと同様に再生用のＭＲヘッドと記録用のインダクティブヘッドとが積層されたいわゆる複合型薄膜磁気ヘッドであり、相違点は記録媒体との対向面における下部コア層４７と上部コア層６０間に形成された磁極部の構成にある。
【０１３７】
図６に示すように下部コア層４７上には記録媒体との対向面に磁性材料製の下部磁極層６６が形成されている。図６に示すように前記下部磁極層６６の上面６６ａは前記下部磁極層６６のハイト方向（図示Ｙ方向）の後方に形成されるコイル絶縁層５７の上面５７ａと同一面上で形成される。
【０１３８】
前記下部磁極層６６の上には非磁性のギャップ層６７が形成される。前記ギャップ層６７の後端部は、第１のコイル層５４の最も先端側に位置する導体部よりも記録媒体との対向面側に位置することが好ましい。これにより第２のコイル層５８を平坦化されたコイル絶縁層５７上に形成することができ、前記第２のコイル層５８の巻き中心部５８ａと第１のコンタクト部６２との導通接続を適切に図ることが可能である。
【０１３９】
なお前記ギャップ層６７はハイト方向後方に延ばされて形成されてもよい。かかる構成の場合、第１のコイル層５４と第２のコイル層５８間にはコイル絶縁層５７とギャップ層６７とが介在することになる。ただし前記ギャップ層６７は、第１のコンタクト部６２上に形成されないようにし、前記第１のコンタクト部６２と第２のコイル層５８の巻き中心部５８ａとが導通接続されるようにしておく必要がある。
【０１４０】
また図６に示す実施形態の場合は、図３に示す薄膜磁気ヘッドと同様に前記ギャップ層６７はＮｉＰ等の非磁性の導電性材料で形成されてもよいが、従来からギャップ層として一般的に使用されているＡｌ２Ｏ３やＳｉＯ２などの非磁性・非導電性材料を用いることもできる。
【０１４１】
また図６に示す実施形態では前記第１のコイル層５４の各導体層のピッチ間はコイル絶縁層５７によって埋められているが、図３と同様にレジストなどの有機絶縁材料による絶縁層５６によって埋められていてもよい。
【０１４２】
以上のように本発明では、第１のコイル層５４の巻き中心部５４ａと第２のコイル層５８の巻き中心部５８ａとを第１のコンタクト部６２を用いて導通接続するものであるが、前記コンタクト部による導通接続構造は他の部分においても使用することができる。
【０１４３】
図７は図１に示す７−７線から切断した薄膜磁気ヘッドの部分断面図であり、まず図７に現れる各層について図２を用いて説明する。
【０１４４】
図２に示すように、第１のコイル層５４には、その巻き終端部５４ｃから一体となって長く引き延ばされた第２のコイルリード層３４がメッキ形成されている。
【０１４５】
また図２に示すように第１のコイルリード層３３が前記第１のコイル層５４とは離れた位置にメッキ形成されている。前記第１のコイルリード層３３は第１のコイル層５４と同じ形成面にしかも同じ工程時にメッキ形成されることが好ましい。
【０１４６】
図２に示すように前記第１のコイルリード層３３のコイル接続端部３３ａは、第２のコイル層５８の巻き終端部５８ｂと対向する位置に形成され、前記第１のコイルリード層３３のコイル接続端部３３ａと前記第２のコイル層５８の巻き終端部５８ｂ間が第２のコンタクト部６８によって導通接続されている。
【０１４７】
また図２に示すように、２つの電極リード層３５及び３６が第１のコイル層５４とは離れた位置にメッキ形成されている。前記電極リード層３５及び３６の下面は、ＭＲヘッドの磁気抵抗効果素子４４にセンス電流を供給するための電極層４５と導通接続されている。前記電極リード層３５及び３６は、第１のコイル層５４と同じ形成面にしかも同じ工程時にメッキ形成されることが好ましい。
【０１４８】
図７には上記した第１のコイルリード層３３と第２のコイル層５８との導通接続構造、第２のコイルリード層３４、及び電極リード層３６の電極層４５との導通接続構造が断面図として現れている。
【０１４９】
図７に示すように、第１のコイルリード層３３のコイル接続端部３３ａは、図３に示す下部コア層４７の周囲に形成された絶縁層７０上にメッキ形成されている。
【０１５０】
また前記絶縁層７０上には前記第１のコイルリード層３３の他に第２のコイルリード層３４及び電極リード層３６がメッキ形成され、図７では、これらの層間はレジストなどの有機絶縁材料による絶縁層５６によって埋められている。さらに前記絶縁層５６上には無機絶縁材料によるコイル絶縁層５７が形成されている。
【０１５１】
図７に示すように前記第１のコイルリード層３３のコイル接続端部３３ａ上には、前記コイル絶縁層５７を貫通する第２のコンタクト部６８がメッキ形成されている。前記第２のコンタクト部６８の上面６８ａは、前記コイル絶縁層５７の上面５７ａと同一平面となっていることが好ましい。
【０１５２】
そして図７に示すように前記第２のコンタクト部６８上には第２のコイル層５８の巻き終端部５８ｂが導通接続されている。
【０１５３】
かかる構成によってコイル層の直流抵抗値の安定化を図ることができると共に、第２のコンタクト部６８と第２のコイル層５８の巻き終端部５８ｂとの導通性を良好に保つことが可能である。
【０１５４】
また前記第２のコンタクト部６８は、図４に示す第１のコンタクト部６２と同様に導電性材料層６４と表面に酸化層が存在しない所定厚さの導電性保護層６５との積層メッキ構造、あるいは表面に酸化層が存在しない前記導電性材料層６４であることが好ましい。またコイルリード層３３、３４及び電極リード層３５、３６は、図４に示すコイル層と同様に、メッキ下地層６３、導電性材料層６４及び表面に酸化層が存在しない所定厚さの導電性保護層６５の３層メッキ構造、あるいはメッキ下地層６３上に表面に酸化層が存在しない導電性材料層６４で形成されることが好ましい。
【０１５５】
なお図７に示すように第２の電極リード層３６と電極層４５との間には、上部ギャップ層４６及び図３に示す下部コア層４７の周囲に形成された絶縁層７０を貫通するコンタクト部６９が形成されている。前記コンタクト部６９の上面６９ａは、前記絶縁層７０の上面７０ａと同一面上に形成されていることが好ましい。
【０１５６】
前記電極層４５上に形成されたコンタクト部６９は、例えば下部コア層４７の形成と同じ工程時にレジスト層を用いてパターン形成する。前記コンタクト部６９は前記下部コア層４７と同じ材質で形成されることが製造工程を容易化できて好ましいが異なる材質で形成されていてもかまわない。その後、前記レジスト層を除去した後、前記下部コア層４７の周囲に絶縁層７０を形成する。そして例えばＣＭＰ技術などを用いて前記下部コア層４７及び前記絶縁層７０の上面７０ａを研磨加工することにより、前記絶縁層７０の上面７０ａと前記コンタクト部６９の上面６９ａとを同一面に形成することができる。
【０１５７】
図８は図１に示す８−８線から切断した薄膜磁気ヘッドの部分断面図である。図８に現れる部分は図２で説明すると、第１のコイル層５４と一体にメッキ形成された第２のコイルリード層３４の外部接続端部３４ａ上における導通接続構造である。
【０１５８】
図８に示すように前記第２のコイルリード層３４の外部接続端部３４ａは、下部コア層４７の周囲に形成された絶縁層７０上に形成され、その上にコイル絶縁層５７を貫通する第３のコンタクト部７１がメッキ形成されている。前記第３のコンタクト部７１の上面７１ａは、前記コイル絶縁層５７の上面５７ａと同一面上で形成されることが好ましい。
【０１５９】
前記第３のコンタクト部７１上には図３に示す上部コア層６０と同じ形成時に形成された持上げ層７２が形成されている。前記持上げ層７２は上部コア層６０と同じ材質で形成される方が製造工程を簡略化できて好ましいが、異なる材質で形成されていてもかまわない。また前記持上げ層７２は形成されていなくても良く、この場合、次に説明するバンプ３７が前記第３のコンタクト部７１上に直接導通接続される。
【０１６０】
前記持上げ層７２上には薄膜磁気ヘッド上を覆う保護層６１を貫通するバンプ３７がメッキ形成されている。前記バンプ３７は前記保護層６１の上面６１ａから露出して形成されており、前記保護層６１上に形成された外部接続用端子３８と導通接続されている。
【０１６１】
なお図８では、第２のコイルリード層３４の外部接続端部３４ａにおける導通接続構造について説明したが、図２に示す第１のコイルリード層３３の外部接続端部３３ｂにおける導通接続構造も図８と同じである。
【０１６２】
すなわち前記第１のコイルリード層３３の上には第３のコンタクト部７１がコイル絶縁層５７を貫通してメッキ形成され、さらに前記第３のコンタクト部７１上には、持上げ層７２、バンプ３７及び外部接続用端子３８がそれぞれ形成されている。
【０１６３】
なお前記第３のコンタクト部７１は第１のコンタクト部６２と同様に導電性材料層６４と表面に酸化層が存在しない所定厚さの導電性保護層６５との積層メッキ構造、あるいは表面に酸化層が存在しない導電性材料層６４で構成されていることが好ましい。
【０１６４】
図８に示す構成によって、コイル層の直流抵抗値の安定化を図ることができると共に、第３のコンタクト部７１とバンプ３７との導通性を良好に保つことが可能である。
【０１６５】
図９は、図１に示す９−９線から切断した薄膜磁気ヘッドの縦断面図である。図９に現れる部分は図２で説明すると、電極リード層３６の外部接続端部３６ａ上における導通接続構造である。
【０１６６】
図９に示すように、前記電極リード層３６の外部接続端部３６ａは、下部コア層４７の周囲に形成された絶縁層７０上に形成され、その上にコイル絶縁層５７を貫通する第４のコンタクト部７３がメッキ形成されている。前記第４のコンタクト部７３の上面７３ａは、前記コイル絶縁層５７の上面５７ａと同一面上で形成されることが好ましい。
【０１６７】
前記第４のコンタクト部７３上には図３に示す上部コア層６０と同じ形成時に形成された持上げ層７２が形成されている。前記持上げ層７２は上部コア層６０と同じ材質で形成される方が製造工程を簡略化できて好ましいが、異なる材質で形成されていてもかまわない。また前記持上げ層７２は形成されていなくても良く、この場合、次に説明するバンプ３９が前記第４のコンタクト部７３上に直接導通接続される。
【０１６８】
前記持上げ層７２上には図３に示す上部コア層６０上を覆う保護層６１を貫通するバンプ３９がメッキ形成されている。前記バンプ３９は前記保護層６１の上面６１ａから露出して形成されており、前記保護層６１上に形成された外部接続用端子４０と導通接続されている。
【０１６９】
なお図９では、電極リード層３６の外部接続端部３６ａにおける導通接続構造について説明したが、図２に示す電極リード層３５の外部接続端部３５ａにおける導通接続構造も図９と同じである。
【０１７０】
すなわち前記電極リード層３５の上には第４のコンタクト部７３がコイル絶縁層５７を貫通してメッキ形成され、さらに前記第４のコンタクト部７３上には、持上げ層７２、バンプ３９及び外部接続用端子４０がそれぞれ形成されている。
【０１７１】
なお前記第４のコンタクト部７３は第１のコンタクト部６２と同様に導電性材料層６４と表面に酸化層が存在しない所定厚さの導電性保護層６５との積層メッキ構造、あるいは表面に酸化層が存在しない導電性材料層６４で構成されていることが好ましい。
【０１７２】
図９に示す構成によって、ＭＲヘッドの直流抵抗値の安定化を図ることができると共に、第４のコンタクト部７３とバンプ３９との導通性を良好に保つことが可能である。
【０１７３】
次に図３に示す薄膜磁気ヘッドの製造方法について以下に説明する。図１０ないし図２０は薄膜磁気ヘッドの部分縦断面図である。
【０１７４】
図１０に示すように、下部コア層４７上にＧｄ決め絶縁層５２を形成した後、前記下部コア層４７上にレジスト層７４を形成する。前記レジスト層７４には記録媒体との対向面側にトラック幅方向（図示Ｘ方向）の幅寸法がトラック幅Ｔｗで形成された磁極部形成溝７４ａを露光現像によりパターン形成する。
【０１７５】
次に前記磁極部形成溝７４ａ内に下から下部磁極層４９、ギャップ層５０及び上部磁極層５１から成る磁極部４８を形成する。前記ギャップ層５０にはメッキ形成可能な非磁性金属材料を選択することが好ましく、具体的には、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒのうち１種または２種以上から選択することが好ましい。
【０１７６】
これによって下部磁極層４９、ギャップ層５０及び上部磁極層５１を連続してメッキ形成することが可能である。また本発明では、前記磁極部４８をギャップ層５０と上部磁極層５１の２層構造で形成してもよい。
【０１７７】
そして本発明では、前記レジスト層７４を除去した後、前記バックギャップ層５５形成のための抜きパターンを有するレジスト層を新たに形成して、前記バックギャップ層５５を形成する。
【０１７８】
あるいは図１０に示すように前記記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）に離れた位置に、前記下部コア層４７上にバックギャップ層５５を形成するための抜きパターン７４ｂを露光現像によって形成し、前記抜きパターン７４ｂ内にバックギャップ層５５を形成してもよい。
【０１７９】
図１１は下部コア層４７上に磁極部４８とバックギャップ層５５とが形成された状態を示している。
【０１８０】
次に図１２に示す工程では、磁極部４８上から下部コア層４７及びバックギャップ層５５上にかけてコイル絶縁下地層５３を形成する。
【０１８１】
さらに前記コイル絶縁下地層５３上に第１のコイル層５４をパターン形成する。図１２に示すように前記第１のコイル層５４の巻き中心部５４ａをバックギャップ層５５よりもハイト方向（図示Ｙ方向）に位置させ、前記巻き中心部５４ａから螺旋状に第１のコイル層５４をメッキ形成する。
【０１８２】
また図１２に示すように前記第１のコイル層５４の上面を前記磁極部４８の上面４８ａよりも低い位置で形成する。
【０１８３】
このように本発明では、前記第１のコイル層５４の各導体部及び巻き中心部５４ａを平坦化されたコイル絶縁下地層５３の上に形成することができる。よって前記第１のコイル層５４を所定の形状で、しかも各導体部のピッチ間を狭く形成することが可能である。
【０１８４】
次に図１３ないし図１６に示すように前記第１のコイル層５４の巻き中心部５４ａ上に第１のコンタクト部６２をメッキ形成する。
【０１８５】
図１３は、前記コイル絶縁下地層５３の全面にメッキ下地層６３を形成し、その上に導電性材料層６４及び導電性保護層６５が連続メッキ形成された第１のコイル層５４の断面が表されている。
【０１８６】
なお本発明では前記導電性材料層６４を、Ｃｕ，Ａｕ，Ａｇのいずれか一方または両方の元素を含む単層構造又は多層構造でメッキ形成し、また前記導電性保護層６５を、Ｎｉ，Ｃｒ，Ｐ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｂ又はＷのうち１種または２種以上の元素を含む単層構造又は多層構造でメッキ形成することが好ましい。
【０１８７】
前記導電性保護層６５に酸化層が形成されても、前記酸化層の厚さは前記導電性保護層６５の厚さ以上に進行せず、したがってイオンミリングなどによって、前記酸化層を確実に除去でき、この際前記導電性材料層６４を傷つける心配が無い。なお前記酸化層をエッチングにより除去するときには、前記導電性保護層６５の酸化層が形成された部分のみを除去するか、あるいは前記導電性保護層６５の全てを除去する。これによって前記第１のコイル層６４の上面には酸化層が存在しない前記導電性保護層６５が残され、あるいは酸化層が存在しない導電性材料層６４が露出する。これにより直流抵抗値を安定させることができ、また密着性を良好にできる。
【０１８８】
次に図１４に示すように前記第１のコイル層５４上をレジスト層７５によって覆う。図１４に示すように前記レジスト層７５は膜厚Ｈ１で形成されるが、前記膜厚Ｈ１は、図１２に示す磁極部４８の高さ寸法と同程度かあるいは大きいことが好ましい。これは前記第１のコイル層５４の巻き中心部５４ａ上にメッキ形成される第１のコンタクト部６２の上面をコイル絶縁層５７の上面と同一面上に形成しやすくするためである。
【０１８９】
図１４に示すように前記第１のコイル層５４上にレジスト層７５を形成した後、前記第１のコイル層５４の巻き中心部５４ａ上に形成された前記レジスト層７５の部分に露光現像によって抜きパターン７５ａを形成する。
【０１９０】
前記レジスト層７５への露光現像によって形成された抜きパターン７５ａは、矩形状や円柱状などの下部コア層４７の上面と平行な方向の断面が一定の大きさとなるように形成される。
【０１９１】
次に前記レジスト層７５の抜きパターン７５ａ内に第１のコンタクト部６２をメッキ形成する。前述したように第１のコイル層５４の上面に形成された酸化層は除去されているので、前記第１のコイル層５４の巻き中心部５４ａ上に前記第１のコンタクト部６２を密着性良くメッキ形成することができる。
【０１９２】
また図１４に示すように前記第１のコンタクト部６２は、導電性材料層６４と導電性保護層６５との積層構造で形成することが好ましい。前記導電性材料層６４及び導電性保護層６５の材質については上述した通りである。
【０１９３】
なお本発明では前記第１のコンタクト部６２の形成のときに、メッキ下地層６３を形成する必要が無い。前記第１のコンタクト部６２を第１のコイル層５４の巻き中心部５４ａ上に直接メッキ成長させるからである。このため前記第１のコンタクト部６２の形成工程を容易化できる。
【０１９４】
また前記第１のコンタクト部６２の上面は、レジスト層７５の上面とほぼ同一面上で形成されるか、あるいは図１４に示すように若干低く形成される。そして前記レジスト層７５を除去すると図１５に示すような構造となる。
【０１９５】
本発明では、図１４に示す工程において前記第１のコンタクト部６２を形成するための抜きパターン７５ａを矩形状や円柱状などの下部コア層４７の上面と平行な方向の断面が一定の大きさになる形状で形成できるから、前記第１のコンタクト部も下部コア層４７の上面と平行な方向の断面が一定の大きさになる形状で形成できる。
【０１９６】
次に図１６の工程時に、第１のコイル層５４の導電材料層６４下に形成されたメッキ下地層６３以外のメッキ下地層６３をエッチングにて除去する。
【０１９７】
次に図１７に示すように、第１のコイル層５４の各導体部のピッチ間にレジスト等の有機材料製の絶縁層５６を埋めた後、前記第１のコイル層５４上にコイル絶縁層５７をスパッタ形成する。前記コイル絶縁層５７は無機絶縁材料で形成されることが好ましい。前記コイル絶縁層５７の上面は、ＣＭＰ技術などによって研磨されるからである。なお前記無機絶縁材料には、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＮ、ＳｉＯ２から１種または２種以上を選択することが好ましい。
【０１９８】
また図１７に示すように前記コイル絶縁層５７は磁極部４８及びバックギャップ層５５上にもスパッタ形成される。
【０１９９】
次に図１７に示すように前記コイル絶縁層５７の上面をＦ−Ｆ線まで例えばＣＭＰ技術などを用いて研磨加工する。この研磨加工によって、磁極部４８、バックギャップ層５５及び第１のコイル層５４の巻き中心部５４ａ上にメッキ形成された第１のコンタクト部６２の上面が前記コイル絶縁層５７の上面５７ａと同一平面となって露出する（図１８を参照のこと）。
【０２００】
本発明では前述した図１６に示す工程において、前記第１のコンタクト部６２を矩形状や円柱状など下部コア層４７の上面と平行な方向に対する断面が一定の大きさとなる形状で形成できるから、前記第１のコンタクト部６２の上面の露出面積を一定の大きさで形成できる。
【０２０１】
なお前記研磨加工によって、前記第１のコンタクト部６２の導電性保護層６５に形成された酸化層が研磨除去され、前記導電性保護層６５の一部が残されて、前記導電性保護層６５が前記コイル絶縁層５７の上面から露出することが好ましい。あるいは前記導電性保護層６５をすべて除去し、酸化層が存在しない導電性材料層６４の上面を露出させてもよい。
【０２０２】
第１のコンタクト部６２にＮｉなどで形成された導電性保護層６５が設けられていないと、Ｃｕなどで形成された導電性材料層６４は、軟らかい金属なので、前記導電性材料層６４の上面を研磨加工した場合、前記導電性材料層６４にだれが発生し、直流抵抗値の不安定化や密着性の低下を招きやすくなる。このため本発明では、前記導電性材料層６４よりも硬い金属である導電性保護層６５を設け、この導電性保護層６５が研磨加工されるようにすることにより、上面にだれなどが発生しない第１のコンタクト部６２を形成することができる。
【０２０３】
なお前記研磨工程と次に説明する第２のコイル層５８の形成工程との間に、薄膜磁気ヘッドが空気に曝される場合があるときは、前記第２のコイル層５８の形成前にエッチングを施し、新たに前記導電性保護層６５に形成された酸化層を除去することが好ましい。
【０２０４】
これによって前記第１のコンタクト部６２の上面には酸化層が存在せず、第２のコイル層５８の巻き中心部５８ａとの密着性を向上させることができる。
【０２０５】
次に図１９に示すように、前記コイル絶縁層５７の上面５７ａに第２のコイル層５８をパターン形成する。このとき前記第２のコイル層５８の巻き中心部５８ａをコイル絶縁層５７から露出する第１のコンタクト部６２上に導通接続させる。そして前記巻き中心部５８ａを中心として螺旋状に各導体部をメッキ形成する。なお前記第２のコイル層５８は下からメッキ下地層６３、導電性材料層６４及び導電性保護層６５の３層メッキ構造で形成することが好ましい。前記第２のコイル層５８を形成した後、エッチングにより前記導電性保護層６５に形成された酸化層、あるいは前記導電性保護層６５全体及び第２のコイル層５８の下以外の前記メッキ下地層を除去する。さらに前記第２のコイル層５８上を有機絶縁材料で形成された絶縁層５９によって覆う。
【０２０６】
図２０に示す工程では、前記磁極部４８上から前記絶縁層５９上、さらには前記バックギャップ層５５上にかけて上部コア層６０をフレームメッキ法などによりパターン形成する。これによって図３に示す薄膜磁気ヘッドが完成する。
【０２０７】
上記のように本発明では、第１のコンタクト部６２をレジスト層を用いたパターン形成のみで形成することができ、容易にしかも少ない工程数で前記第１のコンタクト部６２をメッキ形成できる。
【０２０８】
また本発明では、前記第１のコイル層５４の巻き中心部５４ａを平坦化されたコイル絶縁下地層５４上に形成することができ、前記巻き中心部５４ａの上面を平坦化面として形成でき、さらに前記巻き中心部５４ａ上にメッキ形成される前記第１のコンタクト部６２の上面も平坦化面として形成できる。特に本発明では前記第１のコンタクト部６２を下部コア層４７の上面と平行な方向への断面が一定の大きさとなる形状で形成できる。したがって前記第１のコンタクト部６２の上面の面積を一定に保ち、安定した直流抵抗値を得ることができるとともに、第２のコイル層５８の巻き中心部５８ａとの導通性を良好にすることができる。
【０２０９】
図２１ないし図２３に示す工程図は図５に示す導通接続構造の製造方法を示す一工程図である。
【０２１０】
図２１に示す工程では、まずコイル絶縁下地層５３上に形成された第１のコイル層５４の各導体部間をレジストなどの有機絶縁材料による絶縁層５６で埋めた後、前記絶縁層５６及び第１のコイル層５４上にコイル絶縁層５７をスパッタ形成する。なお図２１に示すように前記第１のコイル層５４は、例えば下からメッキ下地層６３、導電性材料層６４及び導電性保護層６５の３層メッキ構造で形成される。
【０２１１】
なお前記コイル絶縁層５７の上面５７ａは、図１７に示す工程におけるＣＭＰ技術などによる研磨工程により平坦化されている。
【０２１２】
図２２に示す工程では、前記コイル絶縁層５７の上面５７ａにレジスト層７６を形成した後、前記第１のコイル層５４の巻き中心部５４ａと対向する位置に形成されたレジスト層７６に露光現像により抜きパターン７６ａを形成する。このとき前記レジスト層７６に熱処理を施すことにより前記抜きパターン７６ａの両側端面７６ｂは若干傾斜する。
【０２１３】
そして前記抜きパターン７６ａ内に露出した絶縁層５７ｂの部分をエッチングにより除去する。このエッチング工程によって第１のコイル層５４の巻き中心部５４ａを露出させる。このとき前記巻き中心部５４ａの表面に形成された導電性保護層６５の一部を残し前記導電性保護層６５下に形成された導電性材料層６４までエッチングされないことが好ましい。
【０２１４】
次に図２３に示す工程では、前記巻き中心部５４ａ上に第１のコンタクト部６２をメッキ形成する。前記第１のコンタクト部６２は導電性材料層６４と導電性保護層６５との積層メッキ構造であることが好ましい。
【０２１５】
次に前記第１のコンタクト部６２の導電性保護層６５に形成された酸化層を除去した後、図１９に示す工程においてコイル絶縁層５７上に第２のコイル層５８をメッキ形成する。このとき前記第２のコイル層５８の巻き中心部５８ａを第１のコンタクト部６２上に形成して導通接続させる。
【０２１６】
その後、図１９に示すように前記第２のコイル層５８上を絶縁層５９で覆い、さらに図２０工程で上部コア層６０を形成する。
【０２１７】
この製造方法によっても、前記第１のコンタクト部６２を平坦化された第１のコイル層５４の巻き中心部５４ａ上に形成できるから、前記第１のコンタクト部６２の上面を平坦化面として形成できる。
【０２１８】
なお図２２に示す工程において、レジスト層７６に形成された抜きパターン７６ａの両側端面７６ｂには傾斜面が形成されるが、これによって前記第１のコンタクト部６２の両側端面にも傾斜が付きやすくなり（図２３を参照のこと）、前記第１のコンタクト部６２の高さ寸法によって前記第１のコンタクト部６２の上面の面積が変動しやすくなる。このため前記第１のコンタクト部６２の両側端面にはできる限り傾斜が付かないようにすることが好ましいが、それは、図２２に示す工程においてコイル絶縁層５７をエッチングするとき、異方性エッチングを使用したり、あるいは図２２に示すレジスト層７６の硬化温度などを調整しながら、抜きパターン７６ａの両側端面７６ｂに傾斜ができる限り付かないようにすることによって改善することができる。
【０２１９】
また第１のコンタクト部６２の両側端面が傾斜面とされていても、メッキ時間などを適切に調整することで、前記第１のコンタクト部６２の高さ寸法を所定値に設定でき、また前記第１のコンタクト部６２の上面６２ａの露出面積を所定値内に収めることができる。
【０２２０】
次に本発明では、図１２に示す工程のときに、第１のコイル層５４とは離れた位置に図２あるいは図７に示す第１のコイルリード層３３をメッキ形成し、図１３ないし図１６、あるいは図２１ないし図２３と同一工程によって、前記第１のコイルリード層３３のコイル接続端部３３ａ上に第２のコンタクト部６８を形成することができる。
【０２２１】
そして図１９に示す第２のコイル層５８形成時に、前記第２のコイル層５８の巻き終端部５８ｂを、前記第２のコンタクト部６８に導通接続させることができる。
【０２２２】
また本発明では、図２に示す第１のコイル層５４の巻き終端部から一体にして形成された第２のコイルリード層３４の外部接続端部３４ａ及び／または前記第１のコイルリード層３３の外部接続端部３３ｂ上に、図１３ないし図１６、あるいは図２１ないし図２３と同一工程によって、第３のコンタクト部７１をメッキ形成することができる。
【０２２３】
その後、図２０に示す上部コア層６０の製造工程と同一工程時に、図８に示す前記第３のコンタクト部７１上に持上げ層７２を形成し、前記持上げ層７２上にバンプ３７を形成し、さらに保護層６１の上面から露出する前記バンプ３７の表面に外部接続用端子３８を形成する。
【０２２４】
さらには本発明では、図１２に示す第１のコイル層５４の形成時に、前記第１のコイル層５４とは離れた位置に、図２あるいは図９に示す電極リード層３５及び３６をメッキ形成し、図１３ないし図１６、あるいは図２１ないし図２３と同一工程によって、第４のコンタクト部７３を前記電極リード層３５及び３６の外部接続端部３５ａ及び３６ａ上にメッキ形成することができる。
【０２２５】
その後、図２０に示す上部コア層６０の製造工程と同一工程時に、図９に示す前記第４のコンタクト部７３上に持上げ層７２を形成し、前記持上げ層７２上にバンプ３９を形成し、さらに保護層６１の上面から露出する前記バンプ３９の表面に外部接続用端子４０を形成する。
【０２２６】
なお上記した第２のコンタクト部６８、第３のコンタクト部７１及び第４のコンタクト部７３を、第１のコンタクト部６２と同様に、導電性材料層６４及び導電性保護層６５の積層メッキ構造で形成することが好ましい。
【０２２７】
また本発明では、第１のコイルリード層３３、電極リード層３５及ぶ３６を、第１のコイル層５４と同様に下からメッキ下地層６３、導電性材料層６４及び導電性保護層６５の３層メッキ構造で形成することが好ましい。
【０２２８】
以上のように本発明では、第１のコンタクト部６２と同じ製造工程時に、第２のコンタクト部６８、第３のコンタクト部７１及び第４のコンタクト部７３をメッキ形成することができるため、製造工程数を少なくでき、製造効率を向上させることができる。
【０２２９】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明では、第１のコイル層の巻き中心部と第２のコイル層の巻き中心部間を第１のコンタクト部によって導通接続させるものである。
【０２３０】
本発明では、前記第１のコイル層の巻き中心部を平坦化された面上に形成するため、前記巻き中心部の上面を平坦化面として形成できる。
【０２３１】
よって前記巻き中心部上に第１のコンタクト部を矩形状や円柱状などの水平断面が一定の面積を有する形状で形成しやすく、したがってコイル絶縁層の上面から研磨加工によって露出する前記第１のコンタクト部の上面の露出面積をほぼ常に一定に保つことができる。
【０２３２】
従って本発明では、前記第１のコンタクト部上に導通接続される第２のコイル層の巻き中心部との導通性を良好にできるとともに、安定した直流抵抗を得ることができる。
【０２３３】
また本発明における製造方法によれば、前記コイル層間の第１のコンタクト部による導通接続を容易にしかも少ない製造工程で形成できるとともに、例えばＭＲヘッドの電極リード層とバンプ間の導通接続も、前記コイル層間の導通接続工程と同じ工程時に行うことができ、製造工程の容易化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明におけるスライダのトレーリング側端面の部分正面図、
【図２】２層コイル間の導通接続構造や、各リード層の導通接続構造を示す模式図、
【図３】図１に示す３−３線から切断した本発明における薄膜磁気ヘッドの部分縦断面図、
【図４】図３に示す符号Ｅ内のコイル層間の導通接続構造を示す部分拡大断面図、
【図５】本発明における他の実施形態のコイル層間の導通接続構造を示す部分拡大断面図、
【図６】本発明における他の実施形態の薄膜磁気ヘッドの部分縦断面図、
【図７】図１に示す７−７線から切断した本発明における薄膜磁気ヘッドの部分断面図、
【図８】図１に示す８−８線から切断した本発明における薄膜磁気ヘッドの部分断面図、
【図９】図１に示す９−９線から切断した本発明における薄膜磁気ヘッドの部分断面図、
【図１０】本発明における薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す一工程図、
【図１１】図１０の工程の次に行なわれる一工程図、
【図１２】図１１の工程の次に行なわれる一工程図、
【図１３】第１のコイル層の巻き中心部上にメッキ形成される第１のコンタクト部の製造方法を示す図１２の工程の次に行なわれる一工程図、
【図１４】図１３の工程の次に行なわれる一工程図、
【図１５】図１４の工程の次に行なわれる一工程図、
【図１６】図１５の工程の次に行なわれる一工程図、
【図１７】図１６の工程の次に行なわれる一工程図、
【図１８】図１７の工程の次に行なわれる一工程図、
【図１９】図１８の工程の次に行なわれる一工程図、
【図２０】図１９の工程の次に行なわれる一工程図、
【図２１】第１のコイル層の巻き中心部上にメッキ形成される第１のコンタクト部の他の製造方法を示す一工程図、
【図２２】図２１の工程の次に行なわれる一工程図、
【図２３】図２２の工程の次に行なわれる一工程図、
【図２４】従来の薄膜磁気ヘッドの部分縦断面図、
【図２５】図２４に示すコイル層間の導通接続構造の製造方法を示す一工程図、
【図２６】図２５の工程の次に行なわれる一工程図、
【図２７】図２６の工程の次に行なわれる一工程図、
【図２８】図２４に示すコイル層間の導通接続構造の製造方法の問題点を示す一工程図、
【符号の説明】
３３  第１のコイルリード層
３４  第２のコイルリード層
３５、３６  電極リード層
３７、３９  バンプ
３８、４０  外部接続用端子
４７  下部コア層
４８  磁極部
５４  第１のコイル層
５４ａ  （第１のコイル層の）巻き中心部
５７  コイル絶縁層
５８  第２のコイル層
５８ａ  （第２のコイル層の）巻き中心部
６０  上部コア層
６２  第１のコンタクト部
６３  メッキ下地層
６４  導電性材料層
６５  導電性保護層
６８  第２のコンタクト部
６９  コンタクト部
７０  絶縁層
７１  第３のコンタクト部
７２  持上げ層
７５、７６  レジスト層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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