(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザの駆動信号に高周波を重畳する高周波重畳回路をオン／オフさせる高周波重畳オン／オフ回路であって、所定の電圧を設定する電圧設定部と、この電圧設定部により設定された電圧に応じた電圧を前記高周波重畳回路の電源端子あるいはコントロール端子に供給する供給回路と、前記電圧設定部により設定された電圧をオン／オフさせて前記高周波重畳回路をオン／オフさせるＮＰＮ形トランジスタと、前記高周波重畳回路の電源端子あるいはコントロール端子と接地点との間に接続されたコンデンサと、前記高周波重畳回路の電源端子あるいはコントロール端子にエミッタが接続されてコレクタが接地され前記電圧設定部により設定された電圧が前記ＮＰＮ形トランジスタによりオン状態からオフ状態に遷移するときに前記コンデンサを高速に放電させて前記遷移を高速化するＰＮＰ形トランジスタとを備えたことを特徴とする高周波重畳オン／オフ回路。
【請求項２】
半導体レーザの駆動信号に高周波を重畳する高周波重畳回路をオン／オフさせる高周波重畳オン／オフ回路であって、所定の電圧を設定する電圧設定部と、この電圧設定部により設定された電圧に応じた電圧を前記高周波重畳回路の電源端子あるいはコントロール端子に供給する供給回路と、前記電圧設定部により設定された電圧をオン／オフさせて前記高周波重畳回路をオン／オフさせるＮＰＮ形トランジスタと、前記高周波重畳回路の電源端子あるいはコントロール端子と接地点との間に接続されたコンデンサと、前記高周波重畳回路の電源端子あるいはコントロール端子にアノードが接続されて前記ＮＰＮ形トランジスタのコレクタにカソードが接続され前記電圧設定部により設定された電圧が前記ＮＰＮ形トランジスタによりオン状態からオフ状態に遷移するときに前記コンデンサから前記ＮＰＮ形トランジスタを介して高速に放電させることにより前記遷移を高速化するダイオードとを備えたことを特徴とする高周波重畳オン／オフ回路。
【請求項３】
請求項１または２記載の高周波重畳オン／オフ回路において、前記電圧設定部の出力側に挿入されたエミッタフォロワ及び直列抵抗を備えたことを特徴とする高周波重畳オン／オフ回路。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は光ディスク装置において半導体レーザの駆動信号に高周波を重畳する高周波重畳回路をオン／オフさせる高周波重畳オン／オフ回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】
特開平３ー３１２６号公報には、光ディスク装置において高周波発振回路からなる高周波重畳回路により高周波を半導体レーザの駆動信号に重畳し、その高周波重畳回路と並列にコンデンサを接続して高周波重畳回路の電源をオン／オフすることで高周波の重畳をオン／オフするものが図４及びその説明として記載されている。また、特開平３ー３１２６号公報には、リード・ライト信号によりスイッチングトランジスタをオン／オフさせて上記高周波重畳回路の電源電圧を切り換えることにより高周波重畳回路を通常発振状態と微小振幅発振状態とに切り換えるものが図１及びその説明として記載されている。さらに、特開平３ー３１２６号公報には、図１及びその説明として記載されているものにおいて、上記スイッチングトランジスタなどの代りに抵抗やトランジスタ等を加えることにより高速化を計ったものが図３及びその説明として記載されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
光ディスク装置において、半導体レーザを駆動する場合には光ディスクからの戻り光の影響を少なくするために、再生時には半導体レーザに駆動電流（直流電流）Ｉdcを流すと同時に高周波重畳をかけ（駆動電流Ｉdcに交流電流を重畳し)、記録/消去時には半導体レーザの発光パワーが絶対最大定格を越えないように高周波重畳をオフしている。
【０００４】
ここで、高周波重畳のオン/オフの速度を考えると、高周波重畳のオン/オフは、当然に再生時と記録/消去時の切り換えの間で実施する必要があり、一般に数μｓ以下のオン/オフ時間が要求されている。
そこで、特開平３ー３１２６号公報記載のものが提案されている。しかし、特開平３ー３１２６号公報記載のものでは以下のような欠点▲１▼，▲２▼を有する。
【０００５】
▲１▼特開平３ー３１２６号公報の図１及びその説明として記載されているものでは、リード・ライト信号によりスイッチングトランジスタをオフさせて高周波重畳回路の電源電圧を低い電圧に切り換え、コンデンサに充電された電荷を高周波重畳回路に放電させて高周波重畳回路を通常発振状態から微小振幅発振状態に遷移させるので、高周波重畳回路を通常発振状態から微小振幅発振状態に遷移させることはできるが、この遷移を高速に行うことはできい。
【０００６】
▲２▼特開平３ー３１２６号公報の図３及びその説明として記載されているものでは、図１及びその説明として記載されているものにおいて、スイッチングトランジスタなどの代りに抵抗やトランジスタ等を加えることにより高速化を計っているが、これらは、いずれも高周波重畳回路をオフさせずに微小振幅発振状態とするので、半導体レーザの発光パワーに制限が加えられてしまう。
【０００７】
本発明は、上記欠点を改善し、高速に高周波重畳回路をオン／オフさせることができる高周波重畳オン／オフ回路を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項１記載の発明は、半導体レーザの駆動信号に高周波を重畳する高周波重畳回路をオン／オフさせる高周波重畳オン／オフ回路であって、所定の電圧を設定する電圧設定部と、この電圧設定部により設定された電圧に応じた電圧を前記高周波重畳回路の電源端子あるいはコントロール端子に供給する供給回路と、前記電圧設定部により設定された電圧をオン／オフさせて前記高周波重畳回路をオン／オフさせるＮＰＮ形トランジスタと、前記高周波重畳回路の電源端子あるいはコントロール端子と接地点との間に接続されたコンデンサと、前記高周波重畳回路の電源端子あるいはコントロール端子にエミッタが接続されてコレクタが接地され前記電圧設定部により設定された電圧が前記ＮＰＮ形トランジスタによりオン状態からオフ状態に遷移するときに前記コンデンサを高速に放電させて前記遷移を高速化するＰＮＰ形トランジスタとを備えたものである。
【０００９】
請求項２記載の発明は、半導体レーザの駆動信号に高周波を重畳する高周波重畳回路をオン／オフさせる高周波重畳オン／オフ回路であって、所定の電圧を設定する電圧設定部と、この電圧設定部により設定された電圧に応じた電圧を前記高周波重畳回路の電源端子あるいはコントロール端子に供給する供給回路と、前記電圧設定部により設定された電圧をオン／オフさせて前記高周波重畳回路をオン／オフさせるＮＰＮ形トランジスタと、前記高周波重畳回路の電源端子あるいはコントロール端子と接地点との間に接続されたコンデンサと、前記高周波重畳回路の電源端子あるいはコントロール端子にアノードが接続されて前記ＮＰＮ形トランジスタのコレクタにカソードが接続され前記電圧設定部により設定された電圧が前記ＮＰＮ形トランジスタによりオン状態からオフ状態に遷移するときに前記コンデンサから前記ＮＰＮ形トランジスタを介して高速に放電させることにより前記遷移を高速化するダイオードとを備えたものである。
【００１０】
請求項３記載の発明は、請求項１または２記載の高周波重畳オン／オフ回路において、前記電圧設定部の出力側に挿入されたエミッタフォロワ及び直列抵抗を備えたものである。
【００１１】
【作用】
請求項１記載の発明では、所定の電圧が電圧設定部により設定され、供給回路が電圧設定部により設定された電圧に応じた電圧を高周波重畳回路の電源端子あるいはコントロール端子及びコンデンサに供給し、コンデンサが充電される。ＮＰＮ形トランジスタは電圧設定部により設定された電圧をオン／オフさせて高周波重畳回路をオン／オフさせ、ＰＮＰ形トランジスタは電圧設定部により設定された電圧がＮＰＮ形トランジスタによりオン状態からオフ状態に遷移するときにコンデンサを高速に放電させて該遷移を高速化する。このため、高速に高周波重畳回路をオン／オフさせることができる。
【００１２】
請求項２記載の発明では、所定の電圧が電圧設定部により設定され、供給回路が電圧設定部により設定された電圧に応じた電圧を高周波重畳回路の電源端子あるいはコントロール端子及びコンデンサに供給し、コンデンサが充電される。ＮＰＮ形トランジスタは電圧設定部により設定された電圧をオン／オフさせて高周波重畳回路をオン／オフさせ、電圧設定部により設定された電圧がＮＰＮ形トランジスタによりオン状態からオフ状態に遷移するときにコンデンサからダイオード及びＮＰＮ形トランジスタを介して高速に放電されて該遷移が高速化される。このため、高速に高周波重畳回路をオン／オフさせることができ、かつ、低コストで実現できる。
【００１３】
請求項３記載の発明では、請求項１または２記載の高周波重畳オン／オフ回路において、電圧設定部の出力側にエミッタフォロワ及び直列抵抗が挿入されていることにより、電圧設定部の出力インピーダンスや回路構成に関係なく、高速に高周波重畳回路をオン／オフさせることができる。
【００１４】
【実施例】
図１は本発明の第１実施例を示す。
この第１実施例は、請求項１記載の発明の実施例であり、ツェナーダイオードＺＤ１及び可変抵抗ＶＲ１、抵抗Ｒ１，Ｒ２により電圧設定部が構成される。ツェナーダイオードＺＤ１及び抵抗Ｒ１は直流電源と接地点との間に直列に接続され、可変抵抗ＶＲ１及び抵抗Ｒ２の直列回路がツェナーダイオードＺＤ１と並列に接続される。直流電源の電圧が抵抗Ｒ１及びツェナーダイオードＺＤ１により安定化されて可変抵抗ＶＲ１と抵抗Ｒ２により分割され、可変抵抗ＶＲ１の摺動端子から電圧Ｖａとして出力される。
【００１５】
ＮＰＮ形トランジスタＴｒ１及び抵抗Ｒ３は高周波重畳回路（ＨＦ−Ｍ）１の電源端子（あるいはコントロール端子）に電圧を供給して高周波を発生させる供給回路を構成し、直流電源と高周波重畳回路１の電源端子（あるいはコントロール端子）との間に直列に接続される。トランジスタＴｒ１のベースには可変抵抗ＶＲ１の摺動端子から電圧Ｖａが印加され、直流電源の電圧が抵抗Ｒ３及びトランジスタＴｒ１を介して高周波重畳回路１の電源端子に供給される。また、高周波重畳回路１の電源端子（あるいはコントロール端子）と接地点との間にはコンデンサＣ２が接続され、高周波重畳回路１の出力端子はコンデンサＣ１を介して光ディスク装置における半導体レーザ（ＬＤ）に接続される。
【００１６】
ＮＰＮ形トランジスタＴｒ２はベースがコンデンサＣ３及び抵抗Ｒ４を並列に介して入力端子２に接続されと共に抵抗Ｒ５を介して接地点に接続され、エミッタが接地されてコレクタが可変抵抗ＶＲ１の摺動端子に接続される。ＰＮＰ形トランジスタＴｒ３はエミッタが高周波重畳回路１の電源端子（あるいはコントロール端子）に接続されてベースが可変抵抗ＶＲ１の摺動端子に接続され、コレクタが抵抗Ｒ６を介して接地される。
【００１７】
入力端子２に入力されるオン／オフ信号ＯＮ／ＯＦＦが低レベルになった時には、そのオン／オフ信号ＯＮ／ＯＦＦがコンデンサＣ３及び抵抗Ｒ４を並列に介してトランジスタＴｒ２のベースに加えられてトランジスタＴｒ２がオフとなり、トランジスタＴｒ２のコレクタ電位は電源設定部により設定された電圧Ｖａになる。よって、高周波重畳回路１の電源端子に供給される電圧ＶHFはトランジスタＴｒ２のコレクタ電圧ＶａよりトランジスタＴｒ１のベース・エミッタ間電圧Ｖｂｅだけ低下した電圧（Ｖａ−Ｖｂｅ）となり、高周波重畳回路１が高周波電流を発生する。この高周波電流はコンデンサＣ１を介して半導体レーザの駆動信号（直流電流）に重畳される。
【００１８】
また、入力端子２に入力されるオン／オフ信号ＯＮ／ＯＦＦが高レベルになった時には、トランジスタＴｒ２がオンとなり、トランジスタＴｒ２のコレクタ電位はトランジスタＴｒ２のコレクタ・エミッタ間電圧となる。このため、トランジスタＴｒ１は完全にオフとなり、高周波重畳回路１の電源端子への供給電圧ＶHFがほぼ０Ｖになって高周波重畳回路１がオフとなる。
【００１９】
また、高周波重畳回路１の電源端子への供給電圧ＶＨＦが（Ｖａ−Ｖｂｅ）からほぼ０Ｖになる過渡状態においては、トランジスタＴｒ３がオンになってコンデンサＣ２に充電されている電荷を放電させ、高周波重畳回路１の電源端子への供給電圧ＶＨＦの（Ｖａ−Ｖｂｅ）からほぼ０Ｖへの切り換えを高速化する。コンデンサＣ２は高周波重畳回路１の動作の安定化のために付加され、トランジスタＴｒ２のオフ時には高周波重畳回路１の電源端子への供給電圧ＶＨＦにより充電されるが、トランジスタＴｒ２のオン時にはコンデンサＣ２に充電されている電荷がトランジスタＴｒ３により高速に放電される。このため、高周波重畳回路１の電源端子への供給電圧ＶＨＦは（Ｖａ−Ｖｂｅ）からほぼ０Ｖに高速に切り換えられ、高周波重畳回路１のオンからオフへの変化が高速に行われる。また、オン／オフ信号ＯＮ／ＯＦＦが低レベルになってトランジスタＴｒ２がオンからオフになる時には、コンデンサＣ２が高速に充電されて高周波重畳回路１の電源端子への供給電圧ＶＨＦがほぼ０Ｖから（Ｖａ−Ｖｂｅ）に高速に切り換えられ、高周波重畳回路１のオフからオンへの変化が高速に行われる。
【００２０】
このように第１実施例では、電圧ＶＨＦはオン時には安定に高周波重畳回路１に与えられ、オンからオフへの変化、オフからオンへの変化が高速に行われ、オフ時には完全にオフになる。このため、高速に高周波重畳回路１をオン／オフさせることができる。
【００２１】
図２は本発明の第２実施例を示し、図１と同一部分には同一符号が付してある。この第２実施例では、上記第１実施例において、トランジスタＴｒ１の前段にＮＰＮ形トランジスタＴｒ４が追加されて高周波重畳回路１への供給電流が多くなり、トランジスタＴｒ１のベース電流が多くなっても高周波重畳回路１の電源端子への供給電圧ＶHFが安定化される。トランジスタＴｒ４はベースが可変抵抗ＶＲ１の摺動端子に接続されてコレクタが抵抗Ｒ７を介して直流電源に接続され、エミッタがトランジスタＴｒ１のベースに接続されると共に抵抗Ｒ８を介して接地されている。
【００２２】
図３は本発明の第３実施例を示し、図２と同一部分には同一符号が付してある。この第３実施例では、請求項２記載の発明の実施例であり、上記第２実施例において、トランジスタＴｒ３及び抵抗Ｒ６の代りにダイオードＤ１が用いられている。ダイオードＤ１はアノードが高周波重畳回路１の電源端子に接続され、カソードが可変抵抗ＶＲ１の摺動端子に接続される。トランジスタＴｒ２がオンからオフになって高周波重畳回路１がオンからオフになる時には、コンデンサＣ２の放電はトランジスタＴｒ３により行われるのではなく、ダイオードＤ１により行われ、コンデンサＣ２の電荷がダイオードＤ１及びトランジスタＴｒ２を介して高速に放電される。このため、トランジスタＴｒ３をダイオードＤ１に変えることができ、低コスト化を計ることができる。ここに、コンデンサＣ２の電荷がダイオードＤ１及びトランジスタＴｒ２を介して高速に放電されることにより、高周波重畳回路１の電源端子への供給電圧ＶＨＦは（Ｖａ−Ｖｂｅ）からほぼ０Ｖに高速に切り換えられ、高周波重畳回路１のオンからオフへの変化が高速に行われる。
【００２３】
図４は本発明の第４実施例を示し、図１と同一部分には同一符号が付してある。この第４実施例では、請求項３記載の発明の実施例であり、上記第１実施例において、可変抵抗ＶＲ１の出力側にＮＰＮ形トランジスタＴＲ５により構成されるエミッタフォロワを挿入したものである。トランジスタＴＲ５はベースが可変抵抗ＶＲ１の摺動端子に接続されてコレクタが直流電源に接続され、エミッタが抵抗Ｒ８を介して接地されると共に抵抗Ｒ９を介してトランジスタＴｒ１，Ｔｒ３のベース及びトランジスタＴｒ２のコレクタに接続される。
【００２４】
可変抵抗ＶＲ１の摺動端子の電圧はトランジスタＴＲ５により構成されるエミッタフォロワ及び抵抗Ｒ９を介してトランジスタＴｒ１，Ｔｒ３のベース及びトランジスタＴｒ２のコレクタに印加される。可変抵抗ＶＲ１の出力インピーダンスが高い場合、トランジスタＴｒ２がオン状態からオフ状態になるとき（トランジスタＴｒ２のコレクタ電位がトランジスタＴｒ１のベース・エミッタ間電圧Ｖｂｅから上昇しようとするとき）に、トランジスタＴｒ１，Ｔｒ３のベースの入力容量や、トランジスタＴｒ２のコレクタの浮遊容量などの影響でトランジスタＴｒ２のコレクタ電位の上昇が遅くなるのがトランジスタＴＲ５により構成されたエミッタフォロワ及び抵抗Ｒ９で防止される。
【００２５】
トランジスタＴＲ５により構成されるエミッタフォロワの出力インピーダンスは十分に低いので、図４のＡ点から見た可変抵抗ＶＲ１側の出力インピーダンスは抵抗Ｒ９になるので、抵抗Ｒ９の値を適当な値に設定することにより、トランジスタＴｒ２のコレクタ電位の立上り速度が十分に速くなる。
【００２６】
図５は本発明の第５実施例を示し、図４と同一部分には同一符号が付してある。この第５実施例では、上記第４実施例において、可変抵抗ＶＲ１の摺動端子とトランジスタＴＲ５のベースとの間に演算増幅器ＯＡが挿入され、可変抵抗ＶＲ１の出力電圧が演算増幅器ＯＡを介してトランジスタＴＲ５のベースに入力される。トランジスタＴＲ５により構成されるエミッタフォロワ及び抵抗Ｒ９が設けられていない場合には、演算増幅器ＯＡの出力電圧を直接にトランジスタＴｒ２により低電位にすることが演算増幅器ＯＡの破壊につながる恐れがあり、また、トランジスタＴｒ２がオンからオフになったときにＡ点の電圧が演算増幅器ＯＡの動作速度でしか上昇しない。この第５実施例では、トランジスタＴＲ５により構成されたエミッタフォロワ及び抵抗Ｒ９は、トランジスタＴｒ２がオン状態からオフ状態になるときにトランジスタＴｒ２のコレクタ電位の上昇が遅くなるのを防止し、上記演算増幅器ＯＡの破壊を防止する。
【００２７】
【発明の効果】
以上のように請求項１記載の発明によれば、半導体レーザの駆動信号に高周波を重畳する高周波重畳回路をオン／オフさせる高周波重畳オン／オフ回路であって、所定の電圧を設定する電圧設定部と、この電圧設定部により設定された電圧に応じた電圧を前記高周波重畳回路の電源端子あるいはコントロール端子に供給する供給回路と、前記電圧設定部により設定された電圧をオン／オフさせて前記高周波重畳回路をオン／オフさせるＮＰＮ形トランジスタと、前記高周波重畳回路の電源端子あるいはコントロール端子と接地点との間に接続されたコンデンサと、前記高周波重畳回路の電源端子あるいはコントロール端子にエミッタが接続されてコレクタが接地され前記電圧設定部により設定された電圧が前記ＮＰＮ形トランジスタによりオン状態からオフ状態に遷移するときに前記コンデンサを高速に放電させて前記遷移を高速化するＰＮＰ形トランジスタとを備えたので、高速に高周波重畳回路をオン／オフさせることができる。
【００２８】
請求項２記載の発明によれば、半導体レーザの駆動信号に高周波を重畳する高周波重畳回路をオン／オフさせる高周波重畳オン／オフ回路であって、所定の電圧を設定する電圧設定部と、この電圧設定部により設定された電圧に応じた電圧を前記高周波重畳回路の電源端子あるいはコントロール端子に供給する供給回路と、前記電圧設定部により設定された電圧をオン／オフさせて前記高周波重畳回路をオン／オフさせるＮＰＮ形トランジスタと、前記高周波重畳回路の電源端子あるいはコントロール端子と接地点との間に接続されたコンデンサと、前記高周波重畳回路の電源端子あるいはコントロール端子にアノードが接続されて前記ＮＰＮ形トランジスタのコレクタにカソードが接続され前記電圧設定部により設定された電圧が前記ＮＰＮ形トランジスタによりオン状態からオフ状態に遷移するときに前記コンデンサから前記ＮＰＮ形トランジスタを介して高速に放電させることにより前記遷移を高速化するダイオードとを備えたので、高速に高周波重畳回路をオン／オフさせることができ、かつ、低コストにできる。
【００２９】
請求項３記載の発明によれば、請求項１または２記載の高周波重畳オン／オフ回路において、前記電圧設定部の出力側に挿入されたエミッタフォロワ及び直列抵抗を備えたので、電圧設定部の出力インピーダンスや回路構成に関係なく高速に高周波重畳回路をオン／オフさせることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例を示す回路図である。
【図２】本発明の第２実施例を示す回路図である。
【図３】本発明の第３実施例を示す回路図である。
【図４】本発明の第４実施例を示す回路図である。
【図５】本発明の第５実施例を示す回路図である。
【符号の説明】
ＺＤ１      ツェナーダイオード
ＶＲ１      可変抵抗
Ｒ１〜Ｒ９      抵抗
Ｔｒ１，Ｔｒ２，Ｔｒ４，Ｔｒ５      ＮＰＮ形トランジスタ
Ｔｒ３      ＰＮＰ形トランジスタ
１      高周波重畳回路
Ｄ１      ダイオード
Ｃ１〜Ｃ３      コンデンサ
ＯＡ      演算増幅器
【図１】
0003545773.tif 000002
【図２】
0003545773.tif 000003
【図３】
0003545773.tif 000004
【図４】
0003545773.tif 000005
【図５】
0003545773.tif 000006