(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成した導電体薄膜と非晶質絶縁体とを陽極接合により接合してなる接合体において、前記非晶質絶縁体がリチウムイオンを可動イオンとして含有していることを特徴とする導電体薄膜と非晶質絶縁体との接合体。
【請求項２】
前記非晶質絶縁体が、感光性ガラスよりなることを特徴とする請求項１に記載の導電体薄膜と非晶質絶縁体との接合体。
【請求項３】
前記基板が、圧電体よりなることを特徴とする請求項１に記載の導電体薄膜と非晶質絶縁体との接合体。
【請求項４】
前記圧電体が、圧電セラミックスよりなることを特徴とする請求項３に記載の導電体薄膜と非晶質絶縁体との接合体。
【請求項５】
前記非晶質絶縁体が、前記導電体薄膜の形成された基板と別の基板上に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の導電体薄膜と非晶質絶縁体との接合体。
【請求項６】
前記導電体薄膜の形成された基板又は／及び前記非晶質絶縁体の形成された基板が、圧電体よりなることを特徴とする請求項５に記載の導電体薄膜と非晶質絶縁体との接合体。
【請求項７】
前記圧電体が、圧電セラミックスよりなることを特徴とする請求項６に記載の導電体薄膜と非晶質絶縁体との接合体。
【請求項８】
基板上に導電体薄膜を形成し、該導電体薄膜にリチウムを含有する非晶質絶縁体を接し、加熱しつつ前記導電体薄膜を陽極側、前記非晶質絶縁体を陰極側として電圧を印加し、前記導電体薄膜と前記非晶質絶縁体とを接合することを特徴とする接合体の形成方法。
【請求項９】
前記非晶質絶縁体が前記導電体薄膜の形成された基板とは別の基板上に形成された非晶質絶縁体であることを特徴とする請求項８に記載の接合体の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は基板上に形成した導電体薄膜と非晶質絶縁体とを陽極接合により接合してなる接合体及びその形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ガラスと導電体材料の接合を行う方法としては、ガラスを高温加熱し液状にして金属に接着する、あるいは接着剤による接合が用いられてきた。
高温加熱ではガラスを液状になる温度まで加熱する必要があり、ガラスの原形を留めることができない。
接着剤を用いる方法では、接合体の使用可能温度範囲が低く、また経時変化等の問題がある。
また、これら接着方法では接着時の接合寸法精度を保った精密な接合は期待できない。
これに対して、陽極接合法では、熱膨張係数の比較的近い非晶質絶縁体であるナトリウムイオンを可動イオンとするガラスと導電体材料を２００〜４００℃と比較的低温で、数十〜数ｋＶ程度の電圧を印加することにより接合できるために、上述の問題点が解消される（Ｇ．Ｗａｌｌｉｓ  ｅｔ  ａｌ．，“Ｆｉｅｌｄ  Ａｓｓｉｓｔｅｄ  Ｇｌａｓｓ−Ｍｅｔａｌ  Ｓｅａｌｉｎｇ”，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，Ｖｏｌ．４０，Ｎｏ．１０，ｐｐ３９４６−３９４９，１９６９）。導電体材料とガラスの熱膨張係数差が大きい場合にはガラスと熱膨張係数の略一致した基板上に成膜した導電体薄膜を用いることにより接合することが可能である（須田  他、“マロリー接着法による機密シール技術”、東北大学科学計測研究会報告、第３３巻、第１号、ｐｐｌ６５〜１７５、１９８４）。
導電体薄膜はガラス、半導体、金属、セラミックス等の様々な基板上に真空蒸着法を用いることにより形成でき、基板の熱膨張係数と略一致したガラスを用いることで導電体薄膜を介してガラスと他種類の基板との接合体を形成することが可能となる。
これにより、導電体薄膜とガラスとの陽極接合を行い、ガス封入、真空管、マイクロメカニクスデバイス、光学品等の様々な分野への応用が期待できる。
このような陽極接合では、導電体薄膜としてＡｌ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｗ等の酸化物を比較的容易に形成する材料が用いられ、抵抗加熱蒸着法、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法、化学気相成長法（ＣＶＤ）等により形成される。
特に、Ａｌは抵抗が小さく、作製が容易かつ安価な導電体材料であり、様々なデバイスに適合しやすく、陽極接合用の導電体薄膜として好ましい材料である。
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、Ａｌは陽極接合時にガラス中への引き込み、及びＡｌの表面酸化が起こるという問題を生じる（Ｐ．Ｂ．ＤｅＮｅｅ，“Ｌｏｗ  ＥｎｅｒｇｙＭｅｔａｌ−Ｇｌａｓｓ  Ｂｏｎｄｉｎｇ”，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，Ｎｏ．４０，ｐｐ５３９６−５３９７，１９６９）。
したがって、陽極接合にＡｌ薄膜を用いる場合には、Ａｌ薄膜が酸化されＡｌ酸化物が形成される。
図２（Ｂ）、（Ｃ）に青板ガラス上に形成したＡｌ薄膜（膜厚１００ｎｍ）を青板ガラスに陽極接合した接合体のＡｌ接合面の２００倍の光学顕微鏡写真を示す。図（Ｂ）の陽極接合条件は、接合温度が２５０℃、印加電圧が５００Ｖであり、２０分間電圧を印加し接合した。
図（Ｃ）の陽極接合条件は、接合温度が３５０℃、印加電圧が３００Ｖであり、２０分間電圧を印加し接合した。図２（Ｂ）、（Ｃ）において、黒く見える箇所は透過光による顕微鏡観察により光が透過しておりＡｌの酸化が起こった箇所であり、Ａｌ薄膜の反射像を観察しているために黒く見える。
前記接合体をせん断し、Ａｌとガラスとの接合面を観察したところ、Ａｌの酸化が起こった部分はガラスと接合していなかった。
すなわち、Ａｌの酸化は接合に寄与せず、Ａｌとガラスとの接合する面積を減少させ、有効接合面積を小さくし、接合強度を低下させる原因となる。
図２（Ｂ）、（Ｃ）に見られる様に接合温度が高いとＡｌの酸化は促進され、また陽極接合時間の経過と共にＡｌ薄膜の酸化が促進される。
上記導電体薄膜の酸化の問題は、Ａｌ薄膜のみならず陽極接合に用いる導電体薄膜に共通の課題であり、酸化を防止することは、接合強度の低下を抑さえると共に安定した接合を行う上で重要である。
導電体薄膜の酸化を抑さえるには、より低温での陽極接合をする必要がある。
さらに、ナトリウムイオンを可動イオンとするガラスを用いた場合、陽極接合時の接合温度は２００℃から４００℃程度であり、該温度で接合した後に接合体を室温に除冷する際に生じる熱応力により基板またはガラスが破損しないよう導電体薄膜を形成した基板とほぼ等しい熱膨張係数を有するガラス基板を用いる必要がある。また、強誘電体からなる圧電体を基板として用いる場合、接合後室温に除冷する際、接合温度まで加熱された該基板の焦電性による自発分極にて生じた応力により圧電体またはガラスが破損することがある。
しかしながら、ガラスと基板の熱膨張係数を室温から接合温度までの各温度で略一致させることは困難であり、陽極接合に用いる基板の材料が自ずと制限されることになる。
基板材料によらずに陽極接合法にて接合体を形成するには、熱膨張係数による熱応力を低減する上で、より低温での陽極接合をすることが好ましい。
【０００３】
そこで、本発明は上記問題を解決し、基板の材料が制限されることなく、導電体薄膜の酸化を抑さえ、接合強度が高く低温にて形成可能な導電体薄膜と非晶質絶縁体との接合体及びその形成方法を提供することを目的とするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記目的を達成するため、リチウムイオンを可動イオンとして含有する非晶質絶縁体を構成し、基板上に形成した導電体薄膜と陽極接合により接合するようにしたものである。
本発明の接合体は、上記のように構成した点に特徴を有するものであるが、本発明においてはその非晶質絶縁体を、感光性ガラスで構成し、また、基板を圧電体、特に圧電セラミックスを用いて構成している。
そして、本発明においてはその非晶質絶縁体を、前記導電体薄膜の形成された基板と別の基板上に形成するようにしてもよい。
また、その接合体の形成方法として、基板上に導電体薄膜を形成し、該導電体薄膜にリチウムを含有する非晶質絶縁体を接し、加熱しつつ前記導電体薄膜を陽極側、前記非晶質絶縁体を陰極側として電圧を印加し、前記導電体薄膜と前記非晶質絶縁体とを接合することにより行うことができる。この場合においても、その非晶質絶縁体を前記導電体薄膜の形成された基板とは別の基板上に形成するようにしてもよい。
【０００５】
【作用】
本発明は上記したように、リチウムイオンを可動イオンとして含有する非晶質絶縁体を構成し、これを基板上に形成した導電体薄膜と陽極接合によって接合することにより、低温による陽極接合が可能となり、前記基板の材料が制限されることなく、導電体薄膜の酸化を抑さえて接合強度の高い接合体を提供することが可能となる。
以下に、これを更に詳細に説明する。
陽極接合法では、導電体薄膜とガラスに電圧を印加し接合時の温度を上げることによりガラス中の可動イオン（陽イオン）が移動し易くなり、ガラス界面近傍に空間電荷層が形成され、このとき発生する静電引力にて導電体薄膜とガラスが接合する。
本発明の接合体では、ナトリウムイオンに比ベイオン半径の小さいリチウムイオンを主たる可動イオンとする非晶質絶縁体を用いることにより、２００℃以下の低温でも移動することが容易となり、接合に寄与するに十分な静電引力を発生できる空間電荷層が形成でき、約２００℃以下の低温にて陽極接合が可能となる。これにより導電体薄膜の酸化を抑さえることができ、熱膨張係数の異なる様々な基板との接合体を形成することが可能となる。上記理由により本発明の非晶質絶縁体はリチウムイオンを含有しておればよく、他の可動イオンであるナトリウムイオンを含有していても何ら差しつかえない。
本発明の非晶質絶縁体のリチウムの濃度としては、リチウムイオンが移動し静電引力を発生させるため非晶質絶縁体の界面の空間電荷層とバルクとの電気抵抗の差が必要であり、リチウムイオンを形成する修飾酸化物であるＬｉ２Ｏ、Ｌｉ２Ｏ３、Ｌｉ２ＣＯ３等の含有率としては少なくとも１％以上が必要である。また、リチウムイオン量が多すぎると、抵抗率が減少し陽極接合時の電圧印加により絶縁破壊が起こりやすく、さらにガラスの網状構造の弛みが大きくなり機械的強度も低減するために、安定して接合でき且つ機械的強度の高い接合体を得るにはリチウムイオンを形成する修飾酸化物の含有率は３０％以下が好ましい。
感光性ガラスは、Ｌｉ２Ｏ、又は／及びＬｉ２ＣＯ３の含有率が１０〜２０％であり（ガラス工学ハンドブック、森谷、他  編集、朝倉書店、昭和４１年発刊、ｐ７６３−７７４）、本発明の接合体に用いる非晶質絶縁体として好ましい。また化学切削用感光ガラスでは、紫外線を照射した後に加熱し光の照射部と未照射部とでのフッ酸エッチング速度が異なることを利用しガラス基板への高精度の加工が可能であり、体積抵抗率が高く絶縁性に優れており、機械的強度も高いことから、マイクロメカニクス等に用いる構造体形成材料として最適である。
これら、リチウムイオンを有するガラスを用い他の基板上に薄膜形成し該リチウムイオンを有する非晶質絶縁体の薄膜と導電体薄膜を陽極接合してもよいことは言うまでもない。
【０００６】
本発明の接合体は低温にて接合し形成することから、導電体薄膜を形成する基板としては、Ｓｉ、Ｇｅ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ等の半導体、ガラス、石英、アルミナ、ＭｇＯ等の絶縁体、圧電体等様々の材料を用いることが可能である。圧電体としては、ＬｉＮｂＯ３、ＬｉＴａＯ３、水晶等の単結晶圧電体、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）、チタン酸ジルコン酸鉛（Ｐｂ（Ｚｒ−Ｔｉ）Ｏ３、以下ＰＺＴと略記）、（Ｐｂ、Ｌａ）（Ｚｒ、Ｔｉ）Ｏ３等の圧電セラミックスを用いることが可能である。
陽極接合では、導電体薄膜としてはＡｌ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｗ等の材料が用いられる。また、これら材料とＡｕ、Ｐｔ等の非酸化性の貴金属材料との合金を用いることも可能である。
陽極接合法によりガラスと基板上に形成した導電体薄膜を接合する場合、接合する面の凹凸が大きいと接合に寄与する実行面積が凸部での接触部分のみとなり接合強度が低下することから、平滑性の良い基板を用いる必要がある。導電体薄膜を形成する基板として焼結体からなるセラミックスを用いる場合には接合面は研磨したものを用いる。
図１は本発明の接合体を形成する陽極接合装置を示す概略図であり、また本発明の接合体の実施形態も示している。
導電体薄膜１２を蒸着した基板１をヒーター付きプラテン２０に設置し、リチウムイオンを含む非晶質絶縁体であるガラス４を接する。陽極接合用の直流電源２１と前記導電体薄膜１２に電気的に接続している針状電極２２、及びガラス４に電気的に接続している針状電極２３との間をリード線２４にて電気的に接続する。プラテン２０を加熱し、電圧を印加しガラス４と、導電体薄膜を蒸着した基板１を陽極接合する。
【０００７】
【実施例】
以下、本発明を実施例に基づき詳細に説明する。
［実施例１］
図１に本発明の実施例１における接合体の構成及び陽極接合装置の概略図を示す。
本実施例の接合体の構成は以下の通りである。
基板１：青板ガラス（日本板硝子社製）
３０ｍｍ×ｌ２ｍｍ×０．５ｍｍ（厚さ）
導電体薄膜１２：Ａｌ（１００ｎｍ）
非晶質絶縁体４：感光性ガラス（ＨＯＹＡ社製、商品名ＰＥＧ３）
３０ｍｍ×１２ｍｍ×ｌｍｍ（厚さ）
Ａｌ導電体薄膜は電子ビーム蒸着法を用いて成膜した。
以上の構成にて、図１における陽極接合装置を用いて陽極接合を行い接合体を形成した。
表１に、実施例の接合体である試料（ａ）の陽極接合条件を示す。比較の為に形成した非晶質絶縁体を青板ガラスにした以外は同様の構成の試料（ｂ）、（ｃ）の陽極接合条件も表１に合わせて示す。
なお、青板ガラスは板ソーダガラスであり、アルカリ酸化物Ｎａ２Ｏの組成成分比が１３〜１５％のものを用いてあり、リチウムは含有していない。
【０００８】
【表１】
0003599428.tif 000002
接合後の非晶質絶縁体４と導電体薄膜の接合面の光学顕微鏡写真を図２に示す。導電体薄膜の反射像を観察しているために光が透過した部分は黒く見え、酸化が起こった箇所である。
図２（Ａ）は試料（ａ）、図２（Ｂ）は試料（ｂ）、図２（Ｃ）は試料（ｃ）の写真に基づく図である。
写真の倍率はすべて２００倍となっている。図２（Ｂ）、（Ｃ）と比較して低温にて接合した図２（Ａ）では酸化した部分が減少しており、図２（Ｂ）と比べ酸化された箇所の数は２分の１以下となっている。
図３を用いて、本実施例の構成の接合体の接合温度と接合強度の依存性を測定した結果（黒丸）を示す。
なお、接合強度は曲げ強度試験にて測定した。結果に示すせん断応力は接合した接合体の剥がれた際の曲げ荷重により計算した接合面にかかるせん断応力である。比較に非晶質絶縁体を青板ガラスとした接合体の接合強度の結果（白抜き丸）も示す。
実施例の接合体では９０℃以上で導電体薄膜と感光性ガラスは接合され、１０５℃を越える接合温度では接合した界面でせん断する前にガラスが表面の引っ張り応力により破損し、せん断応力を測定することはできなかった。
この試料寸法の測定可能なせん断応力の上限は３０ｋｇ／ｃｍ２であり、これ以上の機械的強度で接合されていることが分かった。
このため、図３では１０５℃を越えるせん断応力を示さなかった。比較例である青板ガラスからなる接合体では２２０℃にてせん断応力は２０ｋｇ／ｃｍ２となり、２５０℃以上ではせん断する前にガラスが破損した。
青板ガラスからなる接合体では、本実施例の接合体と同じ接合強度を得る接合温度が１００℃以上高いことが分かる。
すなはち、本実施例において低温にて陽極接合した接合体は、陽極接合時に発生する導電体薄膜の酸化が抑さえられており、高い接合強度を有している。
【０００９】
［実施例２］
図４に本発明の接合体の実施例２の断面図を示す。
本実施例の接合体の構成は以下の通りである。
基板３１：圧電セラミックス（富士セラミックス社製、製品番号Ｃ−８）
１２ｍｍ×８ｍｍ×０．３ｍｍ（厚さ）
導電体薄膜３６、３７：Ａｌ（３００ｎｍ）
非晶質絶縁体３４：感光性ガラス（ＨＯＹＡ社製、商品名ＰＥＧ３）
１２ｍｍ×８ｍｍ×ｌｍｍ（厚さ）
用いた圧電セラミックスは分極処理された角板形であり、その熱膨張係数は２０℃〜２１０℃で分極方向で−１〜−３．６×１０−６／℃、長手方向では２．２〜３．６×１０−６／℃である。
また、非晶質絶縁体３４の熱膨張係数は８．４×１０−６／℃である。本実施例の非晶質絶縁体と基板との熱膨張係数は２倍以上異なっている。
圧電セラミックスは焼結体であるため、表面を研磨した後に導電体薄膜３６、３７を形成した。
Ａｌ導電体薄膜３６、３７は電子ビーム蒸着法を用いて圧電セラミックスの両面に成膜した。以上の構成にて、図１における陽極接合装置を用いて陽極接合を行い接合体を形成した。
陽極接合条件は、接合温度が１１０℃、印加電圧が１０００Ｖであり、２０分間電圧を印加し接合した。
接合後の非晶質絶縁体３４と導電体薄膜３６の接合面を光学顕微鏡にて観察したところ、図２（Ａ）と同様に導電体薄膜の酸化は抑さえられていた。
【００１０】
接合後に接合体の長手方向の一端を固定し、基板の両面の導電体薄膜３６、３７を電極として直流電圧を印加したところ接合体は屈曲し、キュリー点（Ｔｃ＝２１０℃）以下の低温にて接合したことにより、接合後も圧電セラミックスは圧電性を有していた。
次に交流電圧（周波数１０ｋＨｚ、５０Ｖｐ−ｐ）を１時間印加し振動させた後に、接合体を観察したところ、接合面での剥がれは見られず、十分な接合強度を有していた。
このことから、本実施例の接合体は圧電アクチュエータとして利用することが可能である。
すなはち、本実施例において低温にて陽極接合した接合体は、陽極接合時に発生する導電体薄膜の酸化が抑さえられており、さらに、熱膨張係数の異なる基板材料を用いても破損することなく高い接合強度を有していた。本発明の接合体に用いる基板は、熱応力や焦電性に起因する材料制限がない。
【００１１】
［実施例３］
本発明の実施例３として、基板に分極処理された角板形の基板寸法１２ｍｍ×８ｍｍ×０．３ｍｍ（厚さ）のチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）を用い、実施例２と同様の構成の接合体を形成した。
基板の両面に成膜した導電体薄膜には、Ｃｒを下敷き層とするＡｌ−Ａｕ合金薄膜を用いた。
該導電体薄膜は、電子ビーム蒸着法を用いてＣｒ（膜厚５０ｎｍ）、Ａｕ（膜厚９０ｎｍ）、Ａｌ（膜厚ｌ０ｎｍ）を同一真空中で順次基板上に成膜した後に、該基板を１００℃で３０分間熱処理し合金化することにより作製した。Ｃｒは基板と導電体薄膜の密着力を上げるために導入した。
非晶質絶縁体は同様のものを用いた。以上の構成にて、図１における陽極接合装置を用いて実施例２と同様の陽極接合条件にて接合体を形成した。接合後に接合体の長手方向の一端を固定し、基板の両面の圧電セラミックスの両面の導電体薄膜を電極として直流電圧を印加したところ接合体は屈曲した。
キュリー点（Ｔｃ＝１２０℃）以下の低温にて接合したことにより、接合後も圧電セラミックスは圧電性を有していた。
すなはち、本実施例において低温にて陽極接合し形成した接合体は、予め分極処理されたチタン酸バリウムの圧電性をなくすことなく非晶質絶縁体と高い接合強度で接合できていた。
【００１２】
［実施例４］
図５に本発明の接合体の実施例４の断面図を示す。
本実施例はリチウムイオンを有するガラスからなる非晶質絶縁体を真空蒸着法を用い第２基板上に薄膜形成し、該非晶質絶縁体薄膜と第１基板上の導電体薄膜を陽極接合した接合体に関するものである。
非晶質絶縁体薄膜４４は、酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）粉末のペレットを石英ガラスのスパッタリング用ターゲット上に置き、真空蒸着法の一つであるスパッタリング法を用いて第２基板４１上に膜厚が１０μｍとなるように形成した。非晶質絶縁体薄膜４４は、リチウム酸化物を８％含有するシリコン酸化膜となっている。
図５において、本実施例の接合体の構成は以下の通りである。第１基板４０はＡｌ導電体薄膜（１００ｎｍ）４６、４７を電子ビーム蒸着法により圧電セラミックス４２（富士セラミックス社製、製品番号Ｃ−８、１２ｍｍ×８ｍｍ×０．３ｍｍ（厚さ））の両面に成膜したものであり、第２基板４１はＡｌ導電体薄膜（１００ｎｍ）４８を電子ビーム蒸着法によりパイレックスガラス４３（コーニング＃７７４０、１２ｍｍ×８ｍｍ×０．５ｍｍ（厚さ））に成膜したものである。
用いた圧電セラミックスは予め分極処理してある。以上の構成にて、図１における陽極接合装置を用いて非晶質絶縁体薄膜４４とＡｌ導電体薄膜４６を陽極接合し接合体を形成した。
陽極接合条件は、接合温度が１５０℃、導電体薄膜４６と導電体薄膜４８に３０Ｖの電圧を１０分間印加し接合した。
接合後に接合体の長手方向の一端を固定し、基板の両面の導電体薄膜４６、４７を電極として直流電圧を印加したところ接合体は屈曲し、キュリー点（Ｔｃ＝２１０℃）以下の低温にて接合したことにより、接合後も圧電セラミックスは圧電性を有していた。次に交流電圧（周波数１０ｋＨｚ、５０Ｖｐ−ｐ）を１時間印加し振動させた後に、接合体を観察したところ、接合面での剥がれは見られず、十分な接合強度を有していた。
このことから、本実施例の接合体は圧電アクチュエータとして利用することが可能である。
すなはち、本実施例により、リチウムを含有する非晶質絶縁体薄膜と導電体薄膜を陽極接合し高い接合強度を有する接合体を提供することが可能となった。
【００１３】
【発明の効果】
本発明は、以上のようにリチウムイオンを可動イオンとして含有する非晶質絶縁体を構成し、これを基板上に形成した導電体薄膜と陽極接合によって接合することにより、低温による陽極接合が可能となり、これにより基板の材料が制限されることなく、導電体薄膜の酸化を抑さえて接合強度の高い接合体を形成することができる。
また、本発明においては、その非晶質絶縁体を前記導電体薄膜の形成された基板とは別の基板上に形成し、導電体薄膜と接合する構成を採用することによっても、同様に陽極接合時の接合温度を低温化することができ、上記効果を達成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の接合体の実施例１の構成及び形成する陽極接合装置の概略図である。
【図２】本発明の実施例１である接合体のガラスから見た導電体薄膜の接合面の光学顕微鏡写真に基づく図である。
【図３】本発明の実施例１である接合体の接合温度と接合強度の依存性を示す図である。
【図４】本発明の接合体の実施例２の断面図である。
【図５】本発明の接合体の実施例３の断面図である。
【符号の説明】
１、３１    基板
４、３４    非晶質絶縁体
１２、３６、３７、４６、４７、４８    導電体薄膜
２０    プラテン
２１    直流電源
２２、２３  針状電極
２４    リード線
４０    第１基板
４１    第２基板
４２    圧電セラミックス
４３    パイレックスガラス
４４    非晶質絶縁体薄膜
【図１】
0003599428.tif 000003
【図２】
0003599428.tif 000004
【図３】
0003599428.tif 000005
【図４】
0003599428.tif 000006
【図５】
0003599428.tif 000007