(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱重量分析で５％減量開始温度が４００℃以下の物質の総量が１重量％以下であることを特徴とする光学用ポリカーボネート樹脂成形材料。
【請求項２】
粘度平均分子量が１００００〜２２０００である請求項１記載の光学用ポリカーボネート樹脂成形材料。
【請求項３】
請求項１記載の光学用ポリカーボネート樹脂成形材料よりなる光ディスク基板。
【請求項４】
請求項１記載の光学用ポリカーボネート樹脂成形材料よりなるＤＶＤ用光ディスク基板。
【請求項５】
シリンダー温度３４０℃、金型温度７５℃でＣＤ基板を１万枚成型した時、スタンパー上の付着物量が１５ｍｇ以下である光学用ポリカーボネート樹脂成形材料。
【請求項６】
シリンダー温度３８０℃、金型温度１１５℃でＤＶＤ基板を１万枚成型した時、スタンパー上の付着物量が１５ｍｇ以下である光学用ポリカーボネート樹脂成形材料。
【請求項７】
請求項５記載の光学用ポリカーボネート樹脂成形材料よりなる光ディスク基板。
【請求項８】
請求項６記載の光学用ポリカーボネート樹脂成形材料よりなる光ディスク基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、成形時に揮発し、金型・スタンパー上に堆積する物質（付着物）を低減させ連続生産性を向上した光学用ポリカーボネート樹脂成形材料および光ディスク基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ポリカーボネート樹脂は耐熱性や低吸水性に優れ、特に透明性に優れているがゆえに光学用途、特にコンパクトディスク、光磁気ディスク等の光ディスクの基板材料として使用されている。光ディスクは基板上に形成されたミクロンサイズの凹凸を利用してレーザー光による情報の記録や再生を行う為に、この凸凹形状やレーザー光の透過、反射が情報の記録再生の信頼性にきわめて大きな影響を与える。従って、基板を構成するポリカーボネート樹脂に対しては転写性、光学特性などに優れていることが要求されている。しかし、基板の連続成形を続けていると、転写性、光学および機械特性など基板の特性が悪化するだけでなくゴミが基板に付着すると言う問題が発生する。
【０００３】
この原因として、ポリカーボネート樹脂より発生した揮発分が金型やスタンパー上に付着し、ガス抜けの阻害などを引き起こし、前記した特性の悪化を招いたり、付着物が剥離しスタンパー上に落下、基板に転写されていることが判明している。
【０００４】
このため、原料中の低分子量ポリカーボネート化合物が原因物質として、該物質の低減を図る手法が取られている。例えば特開平９−２０８６８４号公報に記載されているようにポリカーボネート中に含まれる分子量１，０００以下の低分子量ポリカーボネート化合物量を低減することで付着物を防止することが記載されている。しかしながら付着物の原因物質は低分子量ポリカーボネート化合物のみではないことが判明し、この効果は十分でないことが判った。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
現在、一般的に普及しているコンパクトディスク（ＣＤ）用の基板の成形においては付着物の問題の為、金型・スタンパー洗浄をする為に、成形機を一旦休止せねばならず、それ故連続生産枚数に限界があり、特にＣＤ−Ｒ、ＭＯ、ＭＤ−ＭＯ等や、更にはＤＶＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ｖｉｄｅｏ、ＤＶＤ−Ｒ、ＤＶＤ−ＲＡＭ等で代表される高密度光ディスク用の基板材料の成形においてはその生産性が向上しないことがわかった。
【０００６】
また、ＤＶＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＡＭなどの高密度光ディスク基板の成形では流動性、転写性を向上させる為に成型温度を３８０℃程度にまで上げる必要があるが、これはポリカーボネートからの揮発成分をより増やす方向であり、一方金型のガス抜きクリアランスも狭くなる傾向にあるため、揮発成分が一段と堆積しやすい傾向になっている。
本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、該問題点について鋭意検討を重ねた結果、ポリカーボネートからの揮発成分を低減する方法として熱重量分析で５％減量開始温度が４００℃以下の物質の総量が１重量％以下とすることにより極めて成形中の付着物が少なく、基板特性を十分維持したまま、驚くほど生産性が向上することを見出した。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
かくして本発明によれば、（１）熱重量分析で５％減量開始温度が４００℃以下の物質の総量が１重量％以下のことを特徴とする光学用ポリカーボネート樹脂成形材料、（２）シリンダー温度３４０℃、金型温度７５℃でＣＤ基板を１万枚成型した時、スタンパー上の付着物量が１５ｍｇ以下である光学用ポリカーボネート樹脂成形材料、（３）シリンダー温度３８０℃、金型温度１１５℃でＤＶＤ基板を１万枚成型した時、スタンパー上の付着物量が１５ｍｇ以下である光学用ポリカーボネート樹脂成形材料および（４）これら成形材料よりなる光ディスク基板が提供される。
【０００８】
本明細書において「付着物」とは光ディスク基板の成形を続けることによって、スタンパー外周上や金型のガス抜き部や隙間に堆積する液状または固形の物質を示す。
【０００９】
本発明によればデジタルビデオディスク等の高密度光ディスクに用いるディスク基板として十分な信頼性を得るためには、該基板を成形するために供する成形材料（芳香族ポリカーボネート樹脂）の中に含まれる物質に関して熱重量分析で５％減量開始温度が４００℃以下であり、該物質の含有量の総量が１重量％以下であることが必要である。
【００１０】
５％減量開始温度が４００℃以上の物質はポリカーボネートから揮発することはほとんどなく、一方、５％減量開始温度が１００℃以下である物質は揮発するが堆積する事なく金型系外へ排気されてしまい、スタンパーまたは／および金型内に付着することはない。また５％減量開始温度が４００℃以下の物質の総量が１重量％を超える材料で連続成形した場合、付着物が比較的早い段階で堆積し十分な生産性が得られない。
【００１１】
なお、５％減量開始温度が４００℃以下の好ましくは１００〜４００℃の物質の総量が１．０重量％以下であり、好ましくは該物質の総量が０．５重量％以下、より好ましくは０．３重量％以下であることが一層確実な効果を得ることが出来る。これらの物質は可能な限り低減することが好ましいが、完全に零にすることは実質的に不可能である。最も少ないもので０．０００１重量％であり、０．００１重量％以上が経済的に効率がよい。
また、ここで示している５％減量開始温度が４００℃以下のポリカーボネート中に含まれる物質は、たとえばポリカーボネートの製造に使用する原料、末端停止剤の未反応物やその変性物、触媒、失活剤、更にはポリカーボネートオリゴマー等の低分子量体等のポリカーボネートの製造に関連した物質（以下、ＰＣ製造由来物質と称することがある）、熱安定剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤などの安定剤、離型剤およびこれらの変性物などのポリカーボネートの樹脂特性を向上させるために添加したもの（以下、添加剤由来物質と称することがある）がこれに含まれる。
【００１２】
ここで、ＰＣ製造由来物質の例を詳細に述べる。ポリカーボネートオリゴマー等の低分子量体としては原料として使用した二価フェノール骨格（または、原料モノマー骨格）を１〜２個含む低分子量ポリカーボネートである。
【００１３】
原料の例としてはビスフェノールＡなどに代表される二価フェノール、ジフェニルカーボネートに代表されるカーボネートエステル、末端停止剤の例としてはｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノールおよびｐ−クミルフェノールに代表される単官能フェノール類などがある。原料、末端停止剤の未反応物の変性物としては、例えば原料モノマーと末端停止剤のモノカーボネート化合物、末端停止剤同士のカーボネート化合物などがある。
【００１４】
これらの物質を低減する方法は特に限定されないが、特にポリカーボネートの低分子量体低減に関してはこれまで様々な手法の提案がされている。例えば特開昭６３−２７８９２９号公報、特開昭６３−３１６３１３号公報、特開平１−１４６９２６号公報に記載されている。
【００１５】
また、添加剤由来物質の具体例として、リン酸エステル、亜リン酸、亜リン酸エステルに代表される酸化防止剤、例えばトリス（２，４−ジーｔ−ブチルフェニル）フォスファイト、トリス（モノおよびジ−ノニルフェニル）フォスファイトなどがあり、高級脂肪酸エステル、多価アルコール脂肪酸エステルなどに代表される離型剤、例えばステアリルステアレート、ベヘニルベヘネート、ペンタエリスリトールテトラステアレート、グリセリントリステアレート、グリセリンモノステアレートなどがある。これらの添加剤は可能な限り少量で添加することが好ましい。
【００１６】
これらをＤｕＰｏｎｔ社製９５１ＴＧＡ装置を用いて、窒素雰囲気中昇温速度毎分１０℃の条件下で５％減量開始温度を測定した。５％減量開始温度はビスフェノールＡ骨格を１〜２個含む低分子量ポリカーボネートオリゴマーでは３７０±１０℃であった。この他原料関係ではビスフェノールＡは２５７±５℃、ジフェニルカーボネートは１３９±５℃、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノールは１４５±５℃、ｐ−クミルフェノールは１７０±５℃、末端停止剤のカーボネート結合物であるジーｔ−ブチルフェニルカーボネートは２４０℃±５℃であった。  また、添加剤由来物質では酸化防止剤のトリス（２，４−ジーｔ−ブチルフェニル）フォスファイトは２５４±５℃、トリス（モノ−ノニルフェニル）フォスファイトは２１８±５℃、４，４’−ビフェニレンジフォスフィン酸（２，４ジ−ｔ−ブチルフェニル）は２４９±５℃、亜リン酸は２１４±５℃、離型剤のステアリルステアレート２７６±５℃、ベヘニルベヘネート３０２±５℃、ペンタエリスリトールテトラステアレート３５６±５℃、グリセリントリステアレート３５５±５℃、グリセリンモノステアレート２４５±５℃であった。
【００１７】
なお、これらの測定値は製品純度、結晶化度により１０℃前後変化するので何ら限定するのもではなく、５％減量開始温度が４００℃以下であることを示したに過ぎない。
一方、トリメチルフォスフェートは５％減量開始温度が６８℃と低く、スタンパー汚れの原因になりにくいので、実用的には１００℃以上のものが対象物質となる。
【００１８】本発明で使用されるポリカーボネート樹脂は、通常二価フェノールとカーボネート前駆体とを溶液法または溶融法で反応させて得られるものである。ここで使用される二価フェノールの代表的な例としては、ハイドロキノン、レゾルシノール、４，４’−ジヒドロキシジフェニル、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス｛（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチル）フェニル｝メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（通称ビスフェノールＡ）、２，２−ビス｛（４−ヒドロキシ−３−メチル）フェニル｝プロパン、２，２−ビス｛（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチル）フェニル｝プロパン、２，２−ビス｛（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシ）フェニル｝プロパン、２，２−ビス｛（３−イソプロピル−４−ヒドロキシ）フェニル｝プロパン、２，２−ビス｛（４−ヒドロキシ−３−フェニル）フェニル｝プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３−メチルブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３−ジメチルブタン、２，４−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−２−メチルブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ペンタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−メチルペンタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−イソプロピルシクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン、９，９−ビス｛（４−ヒドロキシ−３−メチル）フェニル｝フルオレン、α，α’−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−ｏ−ジイソプロピルベンゼン、α，α’−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−ｍ−ジイソプロピルベンゼン、α，α’−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−ｐ−ジイソプロピルベンゼン、１，３−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−５，７−ジメチルアダマンタン、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホキシド、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、４，４’−ジヒドロキシジフェニルケトン、４，４’−ジヒドロキシジフェニルエーテルおよび４，４’−ジヒドロキシジフェニルエステル等があげられ、これらは単独または２種以上を混合して使用できる。
【００１９】
なかでもビスフェノールＡ、２，２−ビス｛（４−ヒドロキシ−３−メチル）フェニル｝プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３−メチルブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３−ジメチルブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−メチルペンタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサンおよびα，α’−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−ｍ−ジイソプロピルベンゼンからなる群より選ばれた少なくとも１種のビスフェノールより得られる単独重合体または共重合体が好ましく、特に、ビスフェノールＡの単独重合体および１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサンとビスフェノールＡ、２，２−ビス｛（４−ヒドロキシ−３−メチル）フェニル｝プロパンまたはα，α’−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−ｍ−ジイソプロピルベンゼンとの共重合体が好ましく使用される。
【００２０】
カーボネート前駆体としてはカルボニルハライド、カーボネートエステルまたはハロホルメート等が使用され、具体的にはホスゲン、ジフェニルカーボネートまたは二価フェノールのジハロホルメート等が挙げられる。
【００２１】
上記二価フェノールとカーボネート前駆体を溶液法または溶融法によって反応させてポリカーボネート樹脂を製造するに当っては、必要に応じて触媒、末端停止剤、二価フェノールの酸化防止剤等を使用してもよい。またポリカーボネート樹脂は三官能以上の多官能性芳香族化合物を共重合した分岐ポリカーボネート樹脂であっても、芳香族または脂肪族の二官能性カルボン酸を共重合したポリエステルカーボネート樹脂であってもよく、また、得られたポリカーボネート樹脂の２種以上を混合した混合物であってもよい。
【００２２】
溶液法による反応は、通常二価フェノールとホスゲンとの反応であり、酸結合剤および有機溶媒の存在下に反応させる。酸結合剤としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物またはピリジン等のアミン化合物が用いられる。有機溶媒としては、例えば塩化メチレン、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素が用いられる。また、反応促進のために例えばトリエチルアミン、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムブロマイド、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムブロマイド等の第三級アミン、第四級アンモニウム化合物、第四級ホスホニウム化合物等の触媒を用いることもできる。その際、反応温度は通常０〜４０℃、反応時間は１０分〜５時間程度、反応中のｐＨは９以上に保つのが好ましい。
【００２３】
また、かかる重合反応において、通常末端停止剤が使用される。かかる末端停止剤として単官能フェノール類を使用することができる。単官能フェノール類は末端停止剤として分子量調節のために一般的に使用され、また得られたポリカーボネート樹脂は、末端が単官能フェノール類に基づく基によって封鎖されているので、そうでないものと比べて熱安定性に優れている。かかる単官能フェノール類としては、一般にはフェノールまたは低級アルキル置換フェノールであって、下記一般式（１）で表される単官能フェノール類を示すことができる。
【００２４】
【化１】
0003588558.tif 000002
［式中、Ａは水素原子または炭素数１〜９の直鎖または分岐のアルキル基あるいはフェニル置換アルキル基であり、ｒは１〜５、好ましくは１〜３の整数である］。
【００２５】
上記単官能フェノール類の具体例としては、例えばフェノール、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、ｐ−クミルフェノールおよびイソオクチルフェノールが挙げられる。
【００２６】
また、他の単官能フェノール類としては、長鎖のアルキル基あるいは脂肪族ポリエステル基を置換基として有するフェノール類または安息香酸クロライド類、もしくは長鎖のアルキルカルボン酸クロライド類を使用することができ、これらを用いてポリカーボネート共重合体の末端を封鎖すると、これらは末端停止剤または分子量調節剤として機能するのみならず、樹脂の溶融流動性が改良され、成形加工が容易になるばかりでなく、基板としての物性、特に樹脂の吸水率を低くする効果があり、また、基板の複屈折が低減される効果もあり好ましく使用される。なかでも、下記一般式（２）および（３）で表される長鎖のアルキル基を置換基として有するフェノール類が好ましく使用される。
【００２７】
【化２】
0003588558.tif 000003
【００２８】
【化３】
0003588558.tif 000004
［式中、Ｘは−Ｒ−Ｏ−、−Ｒ−ＣＯ−Ｏ−または−Ｒ−Ｏ−ＣＯ−である、ここでＲは単結合または炭素数１〜１０、好ましくは１〜５の二価の脂肪族炭化水素基を示し、ｎは１０〜５０の整数を示す。］
【００２９】
かかる式（１）の置換フェノール類としてはｎが１０〜３０、特に１０〜２６のものが好ましく、その具体例としては例えばデシルフェノール、ドデシルフェノール、テトラデシルフェノール、ヘキサデシルフェノール、オクタデシルフェノール、エイコシルフェノール、ドコシルフェノールおよびトリアコンチルフェノール等を挙げることができる。
【００３０】
また、式（２）の置換フェノール類としてはＸが−Ｒ−ＣＯ−Ｏ−であり、Ｒが単結合である化合物が適当であり、ｎが１０〜３０、特に１０〜２６のものが好適であって、その具体例としては例えばヒドロキシ安息香酸デシル、ヒドロキシ安息香酸ドデシル、ヒドロキシ安息香酸テトラデシル、ヒドロキシ安息香酸ヘキサデシル、ヒドロキシ安息香酸エイコシル、ヒドロキシ安息香酸ドコシルおよびヒドロキシ安息香酸トリアコンチルが挙げられる。
【００３１】
これらの末端停止剤は、得られたポリカーボネート樹脂の全末端に対して少くとも５モル％、好ましくは少くとも１０モル％末端に導入されることが望ましく、また、末端停止剤は単独でまたは２種以上混合して使用してもよい。
【００３２】
溶融法による反応は、通常二価フェノールとカーボネートエステルとのエステル交換反応であり、不活性ガスの存在下に二価フェノールとカーボネートエステルとを加熱しながら混合して、生成するアルコールまたはフェノールを留出させる方法により行われる。反応温度は生成するアルコールまたはフェノールの沸点等により異なるが、通常１２０〜３５０℃の範囲である。反応後期には系を１０〜０．１Ｔｏｒｒ程度に減圧して生成するアルコールまたはフェノールの留出を容易にさせる。反応時間は通常１〜４時間程度である。
【００３３】
カーボネートエステルとしては、置換されていてもよい炭素数６〜１０のアリール基、アラルキル基あるいは炭素数１〜４のアルキル基などのエステルが挙げられる。具体的にはジフェニルカーボネート、ジトリルカーボネート、ビス（クロロフェニル）カーボネート、ｍ―クレジルカーボネート、ジナフチルカーボネート、ビス（ジフェニル）カーボネート、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、ジブチルカーボネートなどが挙げられ、なかでもジフェニルカーボネートが好ましい。
【００３４】
また、重合速度を速めるために重合触媒を用いることができ、かかる重合触媒としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、二価フェノールのナトリウム塩、カリウム塩等のアルカリ金属化合物、水酸化カルシウム、水酸化バリウム、水酸化マグネシウム等のアルカリ土類金属化合物、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルアミン、トリエチルアミン等の含窒素塩基性化合物、アルカリ金属やアルカリ土類金属のアルコキシド類、アルカリ金属やアルカリ土類金属の有機酸塩類、亜鉛化合物類、ホウ素化合物類、アルミニウム化合物類、珪素化合物類、ゲルマニウム化合物類、有機スズ化合物類、鉛化合物類、オスミウム化合物類、アンチモン化合物類マンガン化合物類、チタン化合物類、ジルコニウム化合物類などの通常エステル化反応、エステル交換反応に使用される触媒を用いることができる。触媒は単独で使用してもよいし、２種以上組み合わせ使用してもよい。これらの重合触媒の使用量は、原料の二価フェノール１モルに対し、好ましくは１×１０−８〜１×１０−３当量、より好ましくは１×１０−７〜５×１０−４当量の範囲で選ばれる。
【００３５】
また、かかる重合反応において、フェノール性の末端基を減少するために、重縮反応の後期あるいは終了後に、例えばビス（クロロフェニル）カーボネート、ビス（ブロモフェニル）カーボネート、ビス（ニトロフェニル）カーボネート、ビス（フェニルフェニル）カーボネート、クロロフェニルフェニルカーボネート、ブロモフェニルフェニルカーボネート、ニトロフェニルフェニルカーボネート、フェニルフェニルカーボネート、メトキシカルボニルフェニルフェニルカーボネートおよびエトキシカルボニルフェニルフェニルカーボネート等の化合物を加えることが好ましい。なかでも２−クロロフェニルフェニルカーボネート、２−メトキシカルボニルフェニルフェニルカーボネートおよび２−エトキシカルボニルフェニルフェニルカーボネートが好ましく、特に２−メトキシカルボニルフェニルフェニルカーボネートが好ましく使用される。
【００３６】
ポリカーボネート樹脂の分子量は、粘度平均分子量（Ｍ）で１０，０００〜２２，０００が好ましく、１２，０００〜２０，０００がより好ましく、１３，０００〜１８，０００が特に好ましい。かかる粘度平均分子量を有するポリカーボネート樹脂は、光学用材料として十分な強度が得られ、また、成形時の溶融流動性も良好であり成形歪みが発生せず好ましい。本発明でいう粘度平均分子量は塩化メチレン１００ｍＬにポリカーボネート樹脂０．７ｇを２０℃で溶解した溶液から求めた比粘度（ηｓｐ）を次式に挿入して求めたものである。
【００３７】
ηｓｐ／ｃ＝［η］＋０．４５×［η］２ｃ（但し［η］は極限粘度）
［η］＝１．２３×１０−４Ｍ０．８３
ｃ＝０．７
【００３８】
原料ポリカーボネート樹脂は、従来公知の常法（溶液重合法、溶融重合法など）により製造した後、溶液状態において濾過処理をしたり、造粒（脱溶媒）後の粒状原料を例えば加熱条件下でアセトンなどの貧溶媒で洗浄したりして低分子量成分や未反応成分等の不純物や異物を除去することが好ましい。更に射出成形に供するためのペレット状ポリカーボネート樹脂を得る押出工程（ペレット化工程）では溶融状態の時に濾過精度１０μｍの焼結金属フィルターを通すなどして異物を除去したりすることが好ましい。必要により、例えばリン系等の酸化防止剤などの添加剤を加えることも好ましい。いずれにしても射出成形前の原料樹脂は異物、不純物、溶媒などの含有量を極力低くしておくことが必要である。
【００３９】
上記ポリカーボネート樹脂より光ディスク基板を製造する場合には射出成形機（射出圧縮成形機を含む）を用いる。この射出成形機としては一般的に使用されているものでよいが、炭化物の発生を抑制しディスク基板の信頼性を高める観点からシリンダーやスクリューとして樹脂との付着性が低く、かつ耐食性、耐摩耗性を示す材料を使用してなるものを用いるのが好ましい。射出成形の条件としてはシリンダー温度３００〜４００℃、金型温度５０〜１４０℃が好ましく、これらにより光学的に優れた光ディスク基板を得ることができる。成形工程での環境は、本発明の目的から考えて、可能な限りクリーンであることが好ましい。また、成形に供する材料を十分乾燥して水分を除去することや、溶融樹脂の分解を招くような滞留を起こさないように配慮することも重要となる。
【００４０】
このように成形された光ディスク基板は、コンパクトディスク（以下、ＣＤと称することがある）、ＣＤ−Ｒ、ＭＯ、ＭＤ−ＭＯ等や、更にはデジタルビデオディスク（以下、ＤＶＤと称することがある）、ＤＶＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ｖｉｄｅｏ、ＤＶＤ−Ｒ、ＤＶＤ−ＲＡＭ等で代表される高密度光ディスク用基板として使用される。
【００４１】
【実施例】
以下、実施例を挙げて詳細に説明するが、本発明は何らこれに限定されるものではない。なお、評価は下記の方法に従った。
【００４２】
（１）付着物の評価
射出成形機、住友重機械工業製ＤＩＳＫ３    Ｍ    ＩＩＩ  にＣＤ専用の金型を取り付け、この金型にピットの入ったニッケル製のＣＤ用スタンパーを装着し、成形材料を自動搬送にて成形機のホッパに投入し、シリンダー温度３４０℃、金型温度７５℃、射出速度１００ｍｍ／ｓｅｃ、保持圧力４０ｋｇｆ／ｃｍ２の条件で直径１２０ｍｍ、肉厚１．２ｍｍのＣＤ基板を連続的に１万枚成形した。
【００４３】
また同成形機にＤＶＤ専用の金型を取り付け、この金型にアドレス信号などの情報の入ったニッケル製のＤＶＤ用スタンパーを装着し、成形材料を自動搬送にて成形機のホッパに投入し、シリンダー温度３８０℃、金型温度１１５℃、射出速度３００ｍｍ／ｓｅｃ、保持圧力４０ｋｇｆ／ｃｍ２の条件で直径１２０ｍｍ、肉厚０．６ｍｍのＤＶＤ基板を連続的に１万枚成形した。
【００４４】
連続１０，０００枚を成形した後、成形後のスタンパー付着物をクロロホルムで抽出乾固し、付着量を測定し、下記４段階に評価した。
Ａ：１万枚成形後の付着量が１〜７ｍｇのもの
Ｂ：付着量が８〜１５ｍｇのもの
Ｃ：付着量が１６ｍｇ以上のもの
Ｄ：１万枚の成形終了以前に、付着物が剥離して基板に転写したもの
【００４５】
（２）ＰＣ製造由来物質の定量
Ｗａｔｅｒｓ社製ＧＰＣ装置（カラム充填剤；東ソーＴＳＫ−ｇｅｌ    Ｇ−２０００ＨＸＬ＋３０００ＨＸＬ）を用いて得られた試料ポリカーボネートのチャートに対してビスフェノールＡ骨格を少なくとも１〜２個を含む低分子量ポリカーボネート、ポリカーボネート原料、末端停止剤、およびのその変性物などＰＣ由来物質のピーク面積求めた。この面積をポリカーボネートポリマー面積の１００分率で表したものをＰＣ製造由来物質の総含有率（重量％）とした。
【００４６】
実施例１〜６
温度計、攪拌機及び還流冷却器付き反応器にイオン交換水２１９．４部、４８％水酸化ナトリウム水溶液４０．２部を仕込み、これに２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン５７．５部（０．２５２モル）およびハイドロサルファイト０．１２部を溶解した後、塩化メチレン１８１部を加え、攪拌下１５〜２５℃でホスゲン２８．３部を４０分要して吹込んだ。ホスゲン吹き込み終了後、４８％水酸化ナトリウム水溶液７．２部およびｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール２．４２部を加え、攪拌を始め、乳化後トリエチルアミン０．０６部を加え、さらに２８〜３３℃で１時間攪拌して反応を完結させた。反応終了後生成物を塩化メチレンで希釈して水洗した後塩酸酸性にして水洗し、水相の導電率がイオン交換水と殆ど同じになったところで、軸受け部に異物取出口を有する隔離室を設けたニーダーにて塩化メチレンを蒸発して、粘度平均分子量１５０００のパウダーを得た。このパウダーに添加剤として熱安定剤と離型剤を表１に示す配合で加え、ベント式二軸押出機［神戸製鋼（株）製ＫＴＸ−４６］によりシリンダー温度２４０℃で脱気しながら溶融混練し、実施例１〜６に示すペレットを得た。これらペレットのＰＣ製造由来物質および添加物由来物質の総含有率を表２に示す。
これらのペレットを用いてＣＤ基板を１万枚成形した。成形後、スタンパー上の付着物の重量を測定した。その結果を表２に示す。
【００４７】
実施例７〜１２
実施例１〜６の試料ペレットを用いてＤＶＤ基板を成形した以外は、全て実施例１〜６と同条件で評価した。その結果を表１および２に示す。
【００４８】
実施例１３〜１８
実施例１で得られたポリカーボネートパウダー２ｋｇ当たりアセトン５．５Ｌを加え室温で２時間撹拌し、濾過、減圧乾燥し精製ポリカーボネートを得た以外は全て実施例１〜６と同様に実施例１３〜１８に示す原料ペレットを製造した。こうして得られたペレットのＰＣ製造由来物質および添加物由来物質の総含有率を表１に示す。更に以後、実施例１〜６と同様にＣＤ基板を成形し、これを評価した。その結果を表１および２に示す。
【００４９】
実施例１９〜２４
実施例１３〜１８の試料ペレットを用いてＤＶＤ基板を成形した以外は、全て実施例１〜６と同条件で評価した。その結果を表１および２に示す。
【００５０】
実施例２５〜３０
ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノールを２．７２部加えて粘度平均分子量１４０００のパウダーを得た以外は、全て実施例１〜６と同様に実施例２５〜３０に示す原料ペレットを製造した。こうして得られたペレットのポリカーボネート由来物量を表２に示す。以後、全て実施例１〜６と同様にＣＤ基板を成形し、これを評価した。その結果を表１および２に示す。
【００５１】
実施例３１〜３６
攪拌機および蒸留塔を備えた反応器に２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（ビスフェノールＡ）２２８部（約１モル）、ジフェニルカーボネート（バイエル社製）２２０部（約１．０３モル）および触媒として水酸化ナトリウム０．００００２４部（約６×１０−７モル／ビスフェノールＡ１モル）とテトラメチルアンモニウムヒドロキシド０．００７３部（約８×１０−５モル／ビスフェノールＡ１モル）を仕込み、窒素置換した。この混合物を２００℃まで加熱して撹拌しながら溶解させた。次いで減圧度を３０Ｔｏｒｒとして加熱しながら１時間半で大半のフェノールを留去し、さらに２７０℃まで温度を上げ、減圧度を１Ｔｏｒｒとして重合反応を行ったところで、末端停止剤として２−メトキシカルボニルフェニルフェニルカーボネート３．１部を添加した。その後２７０℃、１Ｔｏｒｒ以下で５分間末端封鎖反応を行った。次に溶融状態のままで、触媒中和剤としてドデシルベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩０．０００２３部添加し、さらに２７０℃、１０Ｔｏｒｒ以下で１０分間反応を継続し、粘度平均分子量１５０００のポリマーを得た。このポリマーをギアポンプでエクストルーダーに送った。エクストルーダー途中で添加剤として熱安定剤と離型剤を表１に示す配合で加え、実施例３１〜３６に示すポリカーボネートペレットを得た。
こうして得られたペレットのＰＣ製造由来物質および添加物由来物質の総含有率を表２に示す。以下、実施例１〜６と同様にＣＤ基板を成形し、これを評価した。その結果を表２に示す。
【００５２】
比較例１〜５
トリエチルアミンを加えずそのまま２時間撹拌し反応を終了させ、水洗のみ実施した以外は全て実施例１〜６で使用したパウダーと同様に製造した。このパウダーに添加剤として熱安定剤と離型剤を表１に示す配合で加え、実施例１〜６と同様に比較例１〜５に示すペレットを得た。これらペレットのＰＣ製造由来物質および添加物由来物質の総含有率を表２に示す。
比較例１〜２はＣＤ基板を成形し、比較例３〜５はＤＶＤ基板を成型し、実施例１〜６と同様にこれを評価した。その結果を表３に示す。
【００５３】
比較例６〜９
実施例２５〜３０で得られたポリカーボネートパウダーに添加剤として熱安定剤と離型剤を表３に示す配合で加えた以外は全て実施例１〜６と同様に比較例６〜９に示す原料ペレットを製造した。これらペレットのＰＣ製造由来物質および添加物由来物質の総含有率を表１に示す。以後、比較例６〜８はＣＤ基板を成形し、比較例９はＤＶＤ基板を成型し、実施例１〜６と同様にこれを評価した。その結果を表２に示す。
この結果から、信頼性の高い高密度光ディスク基板を得るには基板成形に供する光学用ポリカーボネート樹脂成形材料に関して、その中に含まれる熱重量分析で５％減量開始温度が４００℃以下の物質の総量を１重量％以下まで低減しなければならないことは明白である。
【００５４】
【表１】
0003588558.tif 000005
【００５５】
【表２】
0003588558.tif 000006
【００５６】
【発明の効果】
以上説明してきたように、本発明の成形材料によれば該材料中の熱重量分析で５％減量開始温度が４００℃以下の物質の総量１重量％以下とすることにより、付着物を低減し連続生産性を向上させ得ることができ、その奏する効果は格別のものである。