(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子と該半導体素子の温度検出用のダイオードとが集積された半導体チップが複数個収納されているインテリジェントパワーモジュールにおいて、各温度検出用のダイオードのアノード端子が個別のコンパレータのプラス端子にそれぞれ接続され、該個別のコンパレータのマイナス端子が共通の基準電圧に接続され、個別のコンパレータの出力端子が切換え器を介してＮＡＮＤ回路の一方の入力端子に接続され、ＮＡＮＤ回路の他方の入力端子に外部信号が入力され、前記切換え器が外部電源と接続する電源端子を有し、前記ＮＡＮＤ回路の出力端子がＮＯＴ回路の入力端子に接続され、ＮＯＴ回路の出力端子が複数の半導体素子のゲート端子に共通に接続され、前記温度検出用のダイオードのカソード端子がアース端子に接続されていることを特徴とするインテリジェントパワーモジュール。
【請求項２】
前記切換え器の電源端子に与える電圧によりＮＡＮＤ回路に接続するコンパレータを選定することを特徴とする請求項１記載のインテリジェントパワーモジュール。
【請求項３】
前記切換え器が専用信号により複数のコンパレータの出力信号から一つのコンパレータの出力信号を選定することを特徴とする請求項１記載のインテリジェントパワーモジュール。
【請求項４】
前記切換え器が少なくとも複数の分圧抵抗と、該分圧抵抗とゲートが個別に接続するトランジスタと、一部のトランジスタのコレクタと接続する論理回路と、ダイオードとから構成されることを特徴とする請求項２または３記載のインテリジェントパワーモジュール。
【請求項５】
半導体素子と該半導体素子の温度検出用のダイオードとが集積された半導体チップが複数個収納されているインテリジェントパワーモジュールにおいて、温度検出用のダイオードのオン電圧と共通の基準電圧とをそれぞれ比較する複数のコンパレータと、前記複数のコンパレータの出力のいずれかを選択して出力するか、全てのコンパレータ出力を通過させて出力するかを切換えて出力する切換え器と、前記切換え器の出力に基づいて前記半導体素子へのゲート信号を遮断する論理回路とを備えたことを特徴とするインテリジェントパワーモジュール。
【請求項６】
請求項５に記載のインテリジェントパワーモジュールの試験方法において、前記切換え器に外部から試験信号を入力して前記コンパレータの出力信号のうちの１つを選択し、該選択されたコンパレータに接続された温度検出用ダイオードオン電圧を検出することによって、該ダイオードが集積された半導体チップの過熱保護試験を個々に行うことを特徴とするインテリジェントパワーモジュールの試験方法。
【請求項７】
前記試験信号の電圧値を切換えることにより、前記コンパレータ出力を切換えることを特徴とする請求項６記載のインテリジェントパワーモジュールの試験方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
複数個並列接続されたＩＧＢＴなどの半導体チップと各種保護回路および検出回路が同一の樹脂ケースに収納されているインテリジェントパワーモジュール（以下、ＩＰＭと称す）に関する。
【０００２】
【従来の技術】
インバータやチョッパーなどの電力変換装置に使用される半導体装置にＩＰＭがある。このＩＰＭは複数個のＩＧＢＴチップなどの半導体チップと各種保護回路や検出回路が同一の樹脂ケースに収納されている。大きな電流を通電できるＩＰＭはこれらのＩＧＢＴチップなどの半導体チップが複数個並列接続される。以下、半導体チップとしてＩＧＢＴチップを例として説明する。これらのＩＰＭを破壊なしに安全に電力変換装置に適用できるように、各種試験をして、基準を満たすもののみ顧客に提供される。その試験の中で、ＩＧＢＴチップに通電して異常にＩＧＢＴチップが温度上昇しないかチェックする重要な試験がある。この試験はＩＧＢＴチップ上に形成された温度検出用のダイオードに検出電流を流し、検出電流で生じたダイオードのオン電圧から温度を検出する。オン電圧から温度が検出できるのは、温度が高くなると、ダイオードのオン電圧が低下するという温度依存性をもっているためである。
【０００３】
図５は従来のＩＰＭの要部回路図である。ここでは温度検出用のダイオードをＩＧＢＴチップ上に集積した半導体チップとして、ＩＧＢＴチップを例に挙げ、このＩＧＢＴチップが２個収納されているＩＰＭ１００を点線で示した。このＩＧＢＴ１、１１および温度検出用のダイオード（以下、Ｄと称す）５、１５を集積したＩＧＢＴチップと論理回路などの各種回路が樹脂ケース内に収納されている。ドライブ電源７０に接続された定電流回路２１を介してＤ５のアノード端子６が接続されている。また定電流回路２１がコンパレータ３１のプラス端子に接続され、マイナス端子は基準電圧３５に接続されている。コンパレータ３１の出力端子３４はＮＡＮＤ回路４１の入力端子４２に接続され、また外部信号はＮＯＴ回路６１を介してＮＡＮＤ回路４１の入力端子４３に接続される。ＮＡＮＤ回路４１の出力端子４４はＮＯＴ回路５１の入力端子５２に接続され、出力端子５３はＩＧＢＴ１のゲート端子４に接続される。またゲート端子４はＩＧＢＴ１１のゲート端子１４と接続される。Ｄ５およびＤ１５のカソード端子７、１７はアース７３に接続される。
【０００４】
つぎに、この回路の過熱保護動作を説明する。並列接続されたＩＧＢＴ１とＩＧＢＴ１１のコレクタ端子２、１２からエミッタ端子３、１３に向かって負荷電流を流す。また定電流回路２１からＤ５のみに一定の微小な検出電流を流す。負荷電流でＩＧＢＴ１が温度上昇すると当然Ｄ５の温度も上昇する。ＩＧＢＴ１上にＤ５が形成されているため、ＩＧＢＴ１の温度はＤ５の温度とほぼ一致する。Ｄ１の温度上昇とともにＤ１のオン電圧は低下する。ＩＧＢＴ１が異常過熱状態となると、Ｄ５のオン電圧がコンパレータ３１の基準電圧まで低下し、コンパレータ３１の出力がＨレベルからＬレベルに移行する。このコンパレータ３１からＬレベルの信号がＮＡＮＤ回路４１の入力端子４２に与えられ、ゲート信号が外部端子８０からＮＯＴ回路６１を介してＮＡＮＤ回路４１の入力端子４３に与えられる。入力端子４２がＬレベルのため、ゲート信号がＨレベル、Ｌレベルに係わらず、出力端子４４はＨレベルとなる。出力端子４４がＨレベルになると、ＮＯＴ回路５１の出力はＬレベルとなり、ＩＧＢＴ１、１１のゲート端子４、１４へ与えられるゲート電圧が零となるため、ＩＧＢＴ１とＩＧＢＴ１１は負荷電流の通電を停止する。
【０００５】
また、ＩＧＢＴ１が正常状態ではコンパレータ３１の出力がＨレベルとなり、ＮＡＮＤ回路４１およびＮＯＴ回路５１を介してゲート端子４、１４にオン・オフのゲート信号が与えられ、ＩＧＢＴ１、１１は正常動作する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、この方法では２個のＩＧＢＴのうち一個を代表させて過熱保護動作の確認試験を実施するために、もう一方のＩＧＢＴの過熱保護動作の確認ができない。そのため、このＩＰＭをインバータやチャッパーなどの電力変換装置に搭載した場合、無試験側のＩＧＢＴが異常温度上昇しても過熱保護動作せずに破壊する場合が生ずる。
【０００７】
この発明の目的は、前記の課題を解決して、すべてのＩＧＢＴの過熱保護動作を確認できるインテリジェントパワーモジュールを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
前記の目的を達成するために、半導体素子と該半導体素子の温度検出用のダイオードが集積された半導体チップが複数個収納されているインテリジェントパワーモジュールにおいて、各温度検出用のダイオードのアノード端子が個別のコンパレータのプラス端子にそれぞれ接続され、該個別のコンパレータのマイナス端子が共通の基準電圧に接続され、個別のコンパレータの出力端子が切換え器を介してＮＡＮＤ回路の一方の入力端子に接続され、ＮＡＮＤ回路の他方の入力端子に外部信号が入力され、前記切換え器が外部電源と接続する電源端子を有し、前記ＮＡＮＤ回路の出力端子がＮＯＴ回路の入力端子に接続され、ＮＯＴ回路の出力端子が複数の半導体素子のゲート端子に共通に接続され、前記温度検出用のダイオードのカソード端子がアース端子に接続される構成とする。
【０００９】
前記切換え器が専用信号により複数のコンパレータの出力信号から一つのコンパレータの出力信号を選定できるようにするとよい。またこの切換え器が少なくとも複数の分圧抵抗と、該分圧抵抗とゲートが個別に接続するトランジスタと、一部のトランジスタのコレクタと接続する論理回路（ＯＲ回路およびＡＮＤ回路など）と、ダイオードとから構成されるとよい。
【００１０】
【発明の実施の形態】
図１はこの発明の第１実施例のＩＧＢＴチップが内蔵されているＩＰＭの要部回路図である。ここでは２個のＩＧＢＴチップが並列接続されたＩＰＭ１００を示した。また、ＩＧＢＴチップにはＩＧＢＴとこのＩＧＢＴの温度検出用のダイオードとが集積されている。ＩＰＭ１００にはＩＧＢＴ１、ＩＧＢＴ１１、ＩＧＢＴ１の温度検出用のダイオード（以下、Ｄと略す）５およびＩＧＢＴ１１の温度検出用のダイオード（Ｄ）１５の他にコンパレータ３１、３６、ＮＡＮＤ回路４１、ＮＯＴ回路５１およびＮＯＴ回路６１などが同一の樹脂ケースに収納されている。ドライブ電源７０に接続された第１定電流回路２１と第２定電流回路２２にＤ１とＤ２のアノード端子６、１６がそれぞれ接続され、Ｄ１とＤ２のカソード端子７、１７はアース７３に接続されている。また第１定電流回路２１と第２定電流回路２２が第１コンパレータ３１と第２コンパレータ３６のプラス端子とそれぞれ接続され、マイナス端子は共通の基準電圧３５と接続されている。第１コンパレータ３１、第２コンパレータ３６の出力３４、３９は切換え器３０に入力される。また切変え器３０はドライブ電源７０の高電位端子７１およびアース７３（このアースは当然アース端子７２と接続する）に接続される。切換え器３０の出力端子５０はＮＡＮＤ回路４１の入力端子４２に接続され、また外部信号端子８０はＮＯＴ回路６１の入力端子６２と接続され、ＮＯＴ回路の出力端子６３はＮＡＮＤ回路４１の入力端子４３と接続される。ＮＡＮＤ回路４１の出力端子４４はＮＯＴ回路５１の入力端子５２と接続され、ＮＯＴ回路５１の出力端子５３はＩＧＢＴ１、１１のゲート端子４、１４と接続される。またＤ５およびＤ１５のカソード端子７、１７はアース７３に接続される。ＩＧＢＴ１とＩＧＢＴ１１のコレクタ端子２、１２およびエミッタ端子３、１３同志はそれぞれ接続され、ＩＧＢＴ１とＩＧＢＴ１１は並列接続されている。
【００１１】
この回路の過熱保護動作についてつぎに説明する。並列接続されたＩＧＢＴ１とＩＧＢＴ１１のコレクタ端子２、１２からエミッタ端子３、１３に向かって負荷電流を流す。またドライブ電源７０の電圧を実機搭載時の電圧（１５Ｖから１７Ｖ）より高い電圧（１７．５Ｖから２０Ｖ）にして、ドライブ電源７０に接続された第１、第２定電流回路２１、２２を介してＤ１とＤ２に一定の微小な検出電流を流す。負荷電流によりＩＧＢＴ１とＩＧＢＴ１１が温度上昇すると当然Ｄ５とＤ１５の温度も上昇する。これはＩＧＢＴ１とＤ５およびＩＧＢＴ１１とＤ１５はそれぞれＩＧＢＴチップ（Ｑ１  、Ｑ２  ）１０ａ、１０ｂに集積されているためであり、ＩＧＢＴ１の温度はＤ１の温度と、またＩＧＢＴ１１の温度はＤ１５温度とほぼ同一である。温度上昇とともにＤ５およびＤ１５のオン電圧は低下する。基準電圧３５にＤ５のオン電圧が達した時点で第１コンパレータ３１の出力信号が切変え器３０の入力端子３４に送られ、また基準電圧３５にＤ１５のオン電圧が達した時点で第２コンパレータ３６の出力信号が切換え器３０の入力端子３９に送られる。これらのコンパレータ３１、３６の出力信号はオン電圧が基準電圧に達した時点でＨレベルからＬレベルに切り替わる。このコンパレータのＬレベルの信号が切換え器３０を通過して、出力信号になると、この切換え器３０のＬレベルの出力信号と外部信号端子８０からＮＯＴ回路６１を介して与えられるゲート信号（オン・オフ信号：Ｈ／Ｌ信号）とがＮＡＮＤ回路の入力端子４２、４３に入力される。ＮＡＮＤ回路４１の出力信号は、入力端子４２がＬレベルのため、ゲート信号のＨレベルまたはＬレベルに関係なく、Ｈレベルとなる。従って、ＮＯＴ回路５１を介してＩＧＢＴ１、１１のゲート端子４、１４に送られる信号はＬレベルとなり、つまり、ゲート端子４、１４へ与えられるゲート電圧は０Ｖであり、ＩＧＢＴ１、１１の負荷電流は停止する。
【００１２】
この切換え器３０の電源端子４０に与えられる電圧が１９Ｖから２０Ｖの電圧のとき、第１コンパレータ３１からの信号が切換え器３０を通過しＮＡＮＤ回路４１に伝送されるようにし、またその中間の１７．５Ｖから１８．５Ｖ与えたときは、第２コンパレータ３６からの信号がＮＡＮＤ回路４１に伝送されるように切変え器３０を構成する。例えば１９．５Ｖを与えたとすると、第１コンパレータ３１に接続されているＩＧＢＴ１の温度を捉えて、この温度が設定温度に達すると（Ｄ５のオン電圧が基準電圧３５に達すると）ＩＧＢＴ１とＩＧＢＴ１１がオフ状態となる。また１８Ｖ与えたとすると今度はＩＧＢＴ１１の温度を捉えてＩＧＢＴ１とＩＧＢＴ１１がオフする。このようにして、ＩＧＢＴ１もＩＧＢＴ１１も正常に過熱保護動作することが確認できる。また、実機に搭載した場合には、ドライブ電源７０の電圧をＩＰＭを動作させる電圧である１５Ｖから１７Ｖにする。その場合は第１コンパレータ３１の信号も第２コンパレータ３６の信号もＮＡＮＤ回路４１に伝送されるようにする。従って、温度の高いＩＧＢＴの方に接続されたコンパレータの信号でＩＰＭは過熱保護動作をすることになる。このように過熱保護動作の確認試験を全てのＩＧＢＴに対して実施できるために、電力変換装置に搭載した場合は、ＩＰＭに収納されているすべてのＩＧＢＴが確実に過熱保護動作を確認されているため、電力変換装置の信頼性を大幅に向上させることができる。尚、図１ではＩＧＢＴチップを２個並列接続した場合を説明したが、さらにＩＧＢＴチップの個数が増えた場合でも、同様の方法で各ＩＧＢＴチップの過熱保護機能を確実に行われているかどうかを試験できる。
【００１３】
図２は図１の切換え器の一例の要部回路図である。電源端子４０と抵抗１１４、１１６および抵抗１０６、１０８、１１０、１１２とが接続する。抵抗１１４とコンパレータの出力端子３４はＯＲ回路１１６の入力に接続され、抵抗１１５とコンパレータ３６の出力端子３９はＯＲ回路１１７の入力に接続される。ＯＲ回路１１６、１１７の出力はＡＮＤ回路１１８の入力に接続される。ＡＮＤ回路１１８の出力は切換え器３０の出力端子５０に接続される。抵抗１０６、１０８、１１０、１１２はトランジスタ１０１、１０２、１０３、１０４のゲートとそれぞれ接続され、さらに、抵抗１０７、１０９、１１１、１１３と接続される。ダイオード１０５のカソードはトランジスタ１０１のゲートおよびトランジスタ１０２のコレクタと接続され、アノードはトランジスタ１０４のゲートと接続される。トランジスタ１０１、１０２、１０３、１０４のエミッタと抵抗１０７、１０９、１１１、１１３の他端はアース７３と接続される。
【００１４】
この切換え器３０の動作を説明する。入力端子４０の電圧をＩＰＭの動作電圧である１５Ｖから１７Ｖでは、トランジスタ１０２、１０４がオフ状態となり、１７．５Ｖから１８．５Ｖではトランジスタ１０２がオフ状態、トランジスタ１０４がオン状態となり、１９Ｖから２０Ｖではトランジスタ１０２がオン状態、トランジスタ１０４がオフ状態となるように抵抗１０８、１１２の抵抗値を抵抗１０９、１１３の抵抗値に比べ大きく設定する。トランジスタをオフ状態にするには、トランジスタのエミッタ・ベース間の電圧を０．６Ｖ以下となるように前記抵抗の抵抗値を選定する。
【００１５】
ＩＰＭの動作電圧である１５Ｖから１７Ｖではトランジスタ１０２、１０４ともオフ状態であるので、トランジスタ１０１、１０３はオン状態となる。丁度トランジスタ１０２、１０４とトランジスタ１０１、１０３とはオン、オフが逆になる。トランジスタ１０１、１０３がオン状態ではＯＲ回路１１６、１１７の入力がＬレベルにセットされることになるため、コンパレータ３４、３６からの入力信号のレベルがそのまま、ＯＲ回路１１６、１１７の出力の信号レベルとなる。この信号レベルがＡＮＤ回路１１８に入力されることになる。今、異常に過熱されたＩＧＢＴ１の温度検出用のＤ５と接続する第１コンパレータ３１の出力信号がＬレベルとなったとし、正常動作しているＩＧＢＴ１１の温度検出用のＤ１５に接続する第２コンパレータ３６はＨレベルの状態にあり、ＯＲ回路１１６の出力はＬレベルでＯＲ回路１１７の出力はＨレベルとなる。これらの出力がＡＮＤ回路１１８に入力されるとＡＮＤ回路１１８の出力はＬレベルとなり、この信号が出力端子５０から出力されて、前記のようにＩＧＢＴ１、１１はオフ状態となる。
【００１６】
一方、両方のＩＧＢＴが正常動作の場合は、ＯＲ回路１１６、１１７の出力はＨレベルとなり、ＡＮＤ回路１１８の出力もＨレベルとなり、ＩＧＢＴ１、１１は正常動作状態を維持する。
つぎに、電源端子４０の電圧を１７．５Ｖから１８．５Ｖの間に設定して、トランジスタ１０４をオン状態、トランジスタ１０２をオフ状態とすると、トランジスタ１０３はオフ状態、トランジスタ１０１はオン状態となる。つまりＯＲ回路１１６の入力はＨレベルで、ＯＲ回路１１７の入力はＬレベルとなる。従って、ＯＲ回路１１６の出力は第１コンパレータ３１の信号レベルに関係なく常にＨレベルであり、一方ＯＲ回路１１７の出力は第２コンパレータ３６の信号レベルに合わせて、Ｈレベル、Ｌレベルとなる。そのため、ＩＧＢＴ１１が異常過熱状態となった場合は第２コンパレータ３６の出力はＬレベルとなり、従って、ＡＮＤ回路１１８の出力がＬレベルとなって、ＩＧＢＴ１、１１はオフ状態となる。このことから、電源電圧１７．５Ｖから１８．５Ｖの間に設定すると第２コンパレータ３６に接続するＩＧＢＴ１１の異常過熱状態を試験することができる。
【００１７】
一方、電源端子４０の電圧を１９Ｖから２０Ｖに設定すると、第１コンパレータ３１に接続するＩＧＢＴ１の試験をすることができる。
前記のように電源端子４０に与える電圧を変えるだけで、個別にＩＧＢＴの異常過熱試験を実施することができる。
図３はこの発明の第２実施例のＩＧＢＴが内蔵されているＩＰＭの要部回路図である。図１では切換え器３０の電源端子４０に与える電圧で第１コンパレータ３１の信号をＮＡＮＤ回路４１に伝送するか、第２コンパレータ３６の信号をＮＡＮＤ回路４１に伝送するかを選択するが、この図３では、切変え器に選択のための専用信号端子９０を設けてこの専用信号端子９０に与える電圧レベルで、前記の選択を行わせるようにした点である。
【００１８】
図４は図３の切換え器の一例の要部回路図を示す。この切換え器３０は、電源端子４０の電圧はＩＰＭ動作電圧（１５Ｖから１７Ｖ）に固定し、外部から専用信号供給器１２０を専用信号端子９０に接続して、この切換え器のスイッチ１２２をオンまたはオフすることで、第１コンパレータ３１または第２コンパレータ３６の出力信号で動作させるかを決める。この外部信号供給器４０を取り外せば両方のコンパレータ３１、３６で動作するようにする。この切換え器３０の構成は図２とほぼ同じで抵抗１０８、１１２が専用信号端子９０に接続している点が異なる。
【００１９】
この切変え器３０の動作を説明する。顧客でこのＩＰＭを使用する場合は専用信号端子９０には何も接続しない。その状態ではトランジスタ１０２、１０４ともオフ状態となり、従って、トランジスタ１０１、１０３はオン状態となる。その状態では第１コンパレータ３１、第２コンパレータ３６とも有効に動作し、早く異常過熱したＩＧＢＴチップの信号でＩＧＢＴ１、ＩＧＢＴ１１ともオフ状態となる。
【００２０】
つぎにスイッチ１２２をオフ状態にした場合、トランジスタ１０２がオフ状態となり、トランジスタ１０４がオン状態になり、スイッチ１２２をオン状態にした場合にトランジスタ１０２がオン状態、トランジスタ１０４がオフ状態になるよう抵抗１２１、抵抗１０８、１０９、抵抗１１２、１１３を設定する。さらに説明すると、スイッチ１２２をオン状態にすると、専用信号端子９０の電位が上がり、トランジスタ１０２がオン状態となる。トランジスタ１０２がオン状態となること、ダイオード１０５と接続しているトランジスタ１０４のゲート電位が低下して、トランジスタ１０４はオフ状態となる。尚、トランジスタ１０１とトランジスタ１０２、トランジスタ１０３とトランジスタ１０４はオン・オフ状態が逆となる。さて、スイッチ１２２をオフ状態にすると、トランジスタ１０１はオン状態で、トランジスタ１０３はオフ状態となるため、第２コンパレータ３４の出力信号で過熱保護動作し、一方、スイッチ１２２をオン状態とすると第１コンパレータ３１の出力信号で過熱保護動作するようにできる。
【００２１】
前記のように、専用信号端子９０に外部から専用信号供給器１２０を接続することで、個別にＩＧＢＴの過熱保護動作の確認試験を実施することができる。
【００２２】
【発明の効果】
この発明によれば、複数のＩＧＢＴチップが収納されているＩＰＭの過熱保護動作の確認試験において、ＩＰＭ内に切換え器を設けることで、個々のＩＧＢＴチップの過熱保護動作を確認することできる。個々のＩＧＢＴの過熱保護動作が確実に実行されることでＩＰＭの信頼性が著しく向上し、さらに、このＩＰＭを搭載した電力変換装置の信頼性も大幅に向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１実施例のＩＧＢＴが内蔵されているＩＰＭの要部回路図
【図２】図１の切換え器の要部回路図
【図３】この発明の第２実施例のＩＧＢＴが内蔵されているＩＰＭの要部回路図
【図４】図２の切換え器の要部回路図
【図５】従来のＩＰＭの要部回路図
【符号の説明】
１    ＩＧＢＴ
２    コレクタ端子
３    エミッタ端子
４    ゲート端子
５    温度検出用のダイオード（Ｄ）
６    アノード端子
７    カソード端子
１０ａ  チップ
１０ｂ  チップ
１１    ＩＧＢＴ
１２    コレクタ端子
１３    エミッタ端子
１４    ゲート端子
１５    温度検出用のダイオード（Ｄ）
１６    アノード端子
１７    カソード端子
２１    第１定電流回路
２２    第２定電流回路
３０    切換え器
３１    第１コンパレータ
３２    入力端子
３３    入力端子
３４    出力端子
３５    基準電圧
３６    第２コンパレータ
３７    入力端子
３８    入力端子
３９    出力端子
４０    電源端子
４１    ＮＡＮＤ回路
４２    入力端子
４３    入力端子
４４    出力端子
５０    出力端子
５１    ＮＯＴ回路
５２    入力端子
５３    出力端子
６１    ＮＯＴ回路
６２    入力端子
６３    出力端子
７０    ドライブ電源
７１    高電位端子
７２    アース端子
７３    アース
９０    専用信号端子
１００    ＩＰＭ
１０１〜１０４    トランジスタ
１０５    ダイオード
１０６〜１１５    抵抗
１１６、１１７    ＯＲ回路
１１８    ＡＮＤ回路
１２０    専用信号供給器
１２１    抵抗
１２２    スイッチ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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