(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
MnZnフェライト原料混合粉またはスピネル相を含む粉体からなる平均粒径が0.45〜1.3μmである成形粉を所定の形状に成形し、得られた成形体を、炭酸ガスまたは水素含有炭酸ガスの雰囲気中、800〜1100℃未満の焼成温度で焼成することにより、密度が少なくとも4.5ｇ/cm3以上である焼結体を得ることを特徴とするMnZnフェライトの製造方法。
【請求項２】
スピネル相を含む粉体は、MnZnフェライトの原料混合粉を、大気中、窒素中、水素含有窒素中、炭酸ガス中および水素含有炭酸ガス中のうちから選ばれるいずれか一の雰囲気中で処理した仮焼粉、またはこれらを粉砕した粉砕粉である請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
スピネル相を含む粉体は、共沈法によって製造された粉体、またはこれを仮焼，粉砕した粉体である請求項１に記載の製造方法。
【請求項４】
前記成形体は、３ｔ/cm2以下の圧力にて成形されたものである請求項１に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＭｎＺｎフェライトの製造方法に関し、特に、磁心材や表面実装型チップ部品材として好適に用いられるＭｎＺｎフェライトを有利に製造する技術について提案する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、酸化物磁性材料は、最終形状に成形されたのちに１１００℃を超える高温で焼成されて製品となる。例えば、ＭｎＺｎフェライトは、代表的な酸化物磁性材料であり、１１００〜１４００℃での焼成が必要とされる。その具体的な例を挙げると、ＭｎＺｎフェライトの焼成条件として、特開昭５８−１５０３７  号公報では「通常１２５０〜１３５０℃の範囲の所定の温度に、１〜１０時間保持することによって行われる。」という記載が、特開平１−２２４２６５号公報では「１１５０〜１２５０℃であることが好ましい。」という記載があり、また、特開平６−２６７７２９号公報の実施例には、「１１００℃で５時間保持」という焼成条件の記載がある。
このように、ＭｎＺｎフェライトに関する従来の技術において、優れた磁気特性と高い強度を有する高密度な焼結体を製造するためには、１１００〜１３５０℃での高温焼成が不可欠であった。
【０００３】
また、上記ＭｎＺｎフェライトの場合、高密度な焼結体を製造するためには、焼成時の昇温速度や降温速度、あるいは焼成雰囲気の制御もまた重要な因子となる。その具体的な例として、上記引用の特開昭５８−１５０３７  号公報には、「成形品を、まず大気圧下で、  ８００〜１１００℃の範囲の所定温度まで  ２００〜３５０  ℃／時間の昇温速度で急熱した後、その温度から１０００〜１１５０℃の範囲内のあらかじめ選択された温度まで３０〜７０℃／時間の昇温速度で徐熱する。次いで、酸素濃度を制御した雰囲気下において、所要の焼結温度まで  ２００〜３００  ℃／時間の昇温速度で急熱し、その温度で成形品の焼成を完了させる。このときの焼成雰囲気としては、酸素濃度を  ０．１〜５％程度に制御した窒素雰囲気が好ましい。」旨が記載されている。
【０００４】
一方で、ＭｎＺｎフェライトの一用途である、磁気ヘッドの製造技術において、熱間静水圧プレス  （ＨＩＰ）  焼結法を用いずに、高密度のＭｎＺｎフェライト焼結体を製造する技術として、共沈法で作製した粉末の成形体を、０．０５％あるいは１％の水素を含む窒素雰囲気中で焼成する方法が提案されている（特開昭６０−１４１６６９号公報、特開昭６１−６８３６８  号公報参照）。しかしながら、これらの提案にかかる技術においても、焼成温度は、１１００〜１４００℃と高い温度域が適用されている。
【０００５】
また同様に、共沈法によって作製した粉末からなる成形体の焼成をできるだけ低温化することを目的とし、前記成形体を、水素を含む炭酸ガス雰囲気中で焼成する技術が報告されている（ＦＥＲＲＩＴＥＳ：  Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ  ｏｆ  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｃｏｎｆｅｒ−ｅｎｃｅ，  Ｊｕｌｙ  １９７０，  Ｊａｐａｎ  ｐｐ．９６−９８  ）。この報告にかかる技術は、共沈法による粉の使用が必須であり、しかも、高い焼結密度を得るためには、プレス成形において、通常のプレス成形圧力（１〜１．５  ｔ／ｃｍ２  程度）と比べて著しく高い成形圧力が必要となる。また、上記報告中の図表によれば、成形圧力２．５  ｔ／ｃｍ２  で４．５０  ｇ／ｃｍ３の焼結密度を得るには、１１００℃の焼成温度が必要である。さらに、通常の酸化物等の原料粉末（報告中では「ｄｒｙ  ｍｅｔｈｏｄ  ｐｏｗｄｅｒ  」と記述されている。）を用いると、成形圧力を  １０ｔ／ｃｍ２と著しく高くした場合でも、理論密度  （約５．１ｇ／ｃｍ３）の約９０％に相当する焼結密度４．５ｇ／ｃｍ３  を得るためには、更に高い約１１５０℃の焼成温度が必要であることは明らかである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
以上説明したように、高密度で欠陥がなく、優れた材料特性を持つＭｎＺｎフェライトを製造するに当たっては、１１００〜１４００℃に及ぶ高温の焼成温度で成形体を焼成することが必要とされているのが現状であり、製造技術の難しさ、あるいは製造費が嵩む等の問題点があった。
このため、ＭｎＺｎフェライトの焼成温度を１１００℃未満に低温化できれば、技術上の困難さが飛躍的に緩和されると同時に製造費も大幅に低減でき、また、高密度で微細な結晶組織を調整することが可能になり、磁気特性的にも従来と異なる材質の実現が期待される。
【０００７】
一方、近年における各種電子機器の小型化・薄型化の趨勢を反映して、酸化物磁性材料が使用される回路部品についても高密度実装に対応する技術の開発が求められている。このような要請に対応した技術として、厚膜印刷法やドクターブレード法によって厚さ１０〜１００  μｍのフェライトシートを作製し、これにＡｇやＡｇ−Ｐｄの導電体を螺旋形状等にコイルとして形成し、最終的にこれらを同時に焼成してインダクターやトランス素子とする表面実装型のチップ部品が開発されている。このような表面実装型のチップ部品を構成する酸化物磁性材料としては、従来から、特公昭６０−５０３３１  号公報や特開平１  −３１３９０８号公報などに開示されているように、例外なくＮｉＺｎフェライトが適用されている。
【０００８】
このＮｉＺｎフェライトは、比抵抗が  １０６〜１０８  Ωｍと高く、直に導電体と接しても絶縁処理を施す必要がない。また、Ａｇ等と同時に焼成を行うに当たって、Ａｇの融点  （約９６０  ℃）  以下の温度でも十分に高い焼結密度が得られる。これらの点が上記ＮｉＺｎフェライトがチップ部品材として適用された根本的な理由である。
これに対しＭｎＺｎフェライトは、ＮｉＺｎフェライトと比べて飽和磁束密度が高く、高透磁率や低磁気損失を示すという点で優れた磁気特性を示す。しかしながら、ＭｎＺｎフェライトは、前述したように十分に高い焼結密度を得るためには、一般的に使用されるＡｇ等の導電体材料の融点よりも高い、１１００℃以上の温度での焼成が必要である。そのため、ＭｎＺｎフェライトは、Ａｇ等の融点以下の温度でＡｇ等と同時に焼成することが不可能であり、これまでチップ部品の材料として適用されなかったのである。
【０００９】
本発明は、上述したようなＭｎＺｎフェライトに関する従来技術の制約を排除するためになされたものであり、その目的は、ＭｎＺｎフェライト成形体の焼成温度を、１１００℃未満、好ましくは  ９５０℃以下に低温化できる技術を確立することにより、高密度で欠陥がなく、優れた材料特性を持つＭｎＺｎフェライトを容易に製造する方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
発明者らは、前記従来技術の課題に鑑みて、上記の目的を達成するために鋭意研究を行った。その結果、下記内容を要旨構成とする本発明に想到した。すなわち、本発明は、MnZnフェライト原料混合粉またはスピネル相を含む粉体からなる平均粒径が0.45〜1.3μmである成形粉を所定の形状に成形し、得られた成形体を、炭酸ガスまたは水素含有炭酸ガスの雰囲気中、800〜1100℃未満の焼成温度で焼成することにより、空孔等の欠陥の少ない、密度が少なくとも4.5ｇ/cm3以上で、磁気特性および機械的強度にも優れるMnZnフェライト焼結体を得ることができるMnZnフェライトの製造方法を実現したのである。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明にかかるＭｎＺｎフェライトの製造方法を具体的に説明する。
（１）  本発明では、まず、成形粉としてのＭｎＺｎフェライト原料混合粉またはスピネル相を含む粉体を所定の形状に成形する。
ここで、本発明の方法に供する成形粉は、引用文献（ＦＥＲＲＩＴＥＳ：  Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ  ｏｆ  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ．  Ｊｕｌｙ  １９７０，  Ｊａｐａｎ  ｐｐ．９６−９８）で必須の条件とされている共沈法によって作製されたフェライト粉末に限定されることはない。即ち、上記成形粉は、▲１▼．ＭｎＺｎフェライトの原料として通常使用される鉄やマンガン、亜鉛の酸化物と炭酸塩からなるＭｎＺｎフェライト原料混合粉、▲２▼．この原料混合粉を、大気中、窒素中、水素含有窒素中、炭酸ガス中および水素含有炭酸ガス中のうちから選ばれるいずれか一の雰囲気中、  ７００〜１０００℃の温度で仮焼処理した仮焼粉、またはこれらをボールミル等で粉砕した粉砕粉からなるスピネル相を含む粉体、▲３▼．共沈法によって製造された粉体、またはこれを前記▲２▼と同様の条件で仮焼，粉砕した粉体からなるスピネル相を含む粉体、から選ばれることが望ましい。なお、スピネル相を含む粉体とは、スピネル単一相からなる粉体、あるいは一部がスピネル相である粉体を意味する。
【００１２】
特に、上記▲２▼または▲３▼における仮焼粉は、その仮焼処理を窒素中、水素含有窒素中、炭酸ガス中および水素含有炭酸ガス中のうちから選ばれるいずれか一の雰囲気中で行ったものを用いることがより望ましい。この仮焼方法によれば、より低い仮焼温度でスピネル相の形成等の相の調整ができ、かつ仮焼中の粉の粒成長を抑制することができるからである。従って、このような雰囲気中で仮焼処理を行うことは、成形体の最終焼成に当たって、焼成温度の一層の低温化を可能とするという観点から好ましい。
【００１３】
このような本発明の方法に供する成形粉は、平均粒径が0.45〜1.3μmであることが望ましい。この理由は、この範囲を逸脱すると、1100℃未満の焼成温度で4.5ｇ/cm3以上である焼結体を得るには、成形体の成形圧力を著しく高くする必要があり、通常の成形圧（約３ｔ/cm2以下）では実現できないからである。従って、粉体の平均粒径が、仮焼処理によって1.3μmを超えた場合には、仮焼粉を粉砕することが望ましい。
【００１４】
なお、ＭｎＺｎフェライトは、高透磁率や低損失、高飽和磁束密度など、目的とする材質に応じてＦｅ２Ｏ３，  ＭｎＯ，  ＺｎＯ  の主要酸化物の組成比が調整され、必要によりこれにそれぞれの材質改善のために各種微量化合物が添加されることが通常行われている。本発明においても、ＳｉＯ２，  ＣａＯ，  Ｎｂ２Ｏ５，  Ｖ２Ｏ５，  ＴｉＯ２，  ＭｏＯ２，  ＨｆＯ２，  Ｉｎ２Ｏ８，  ＺｒＯ２，  Ｔａ２Ｏ５，  ＣｕＯ，  ＳｎＯ２  等の微量添加物を配合することができる。
【００１５】
本発明の方法において、トランス、チョークコイル、ノイズフィルター等の磁心材を得るために、上記成形粉を、ＥＥ、ＥＩ、トロイダル型等の形状に成形する場合には、油圧または機械駆動式の通常のプレス機を使用して、３ｔ／ｃｍ２  以下の成形圧力で行えばよく、従来技術と何ら変わらない方法が適用できる。３ｔ／ｃｍ２  を超えると、金型の損耗が激しい等の弊害を招き実用的でないからである。
また、インダクターやトランス素子等のチップ部品材を得るために、シート形状に成形する場合には、前述の発明（特公昭６０−５０３３１  号公報、特開平１−３１３９０８号公報参照）で開示されている厚膜印刷法やドクターブレード法等が主として適用される。
【００１６】
（２）  そして、上記（１）  で得られた成形体を、炭酸ガスまたは水素含有炭酸ガス雰囲気中、  ８００〜１１００℃未満の焼成温度で焼成することにより、低温焼成で高密度（  ４．５ｇ／ｃｍ３  以上）なＭｎＺｎフェライト焼結体を得る。
本発明の方法では、上述の手順によって得たＭｎＺｎフェライト成形体の、最終焼成時の雰囲気として、炭酸ガスまたは水素含有炭酸ガスを用いることが必要である。特に、焼成雰囲気として水素含有炭酸ガスを用いる場合、この水素の濃度は、４０％以下、より好ましくは２０％以下とすることが望ましい。これにより、従来技術では不可能とされていた１１００℃未満での焼成で、高密度で優れた材料特性を持つＭｎＺｎフェライト焼結体を製造することが可能となる。
【００１７】
このような焼成雰囲気による焼成温度の低温化作用の詳細は、現時点では必ずしも明確にはなっていない。しかし、焼成時に室温から昇温していく過程で、成形体の構成粉の相組織が、焼結が開始する以前に実質的にスピネル相から成る状態を形成することが、低温域での焼成を可能にする上で重要な要素となっている可能性があり、そのためには上記雰囲気が大きな役割を果たしているものと考えられる。
【００１８】
本発明の方法において、焼成温度および焼成雰囲気以外の焼成条件は、特に限定されず、従来技術と同様の条件が適用され得る。
【００１９】
なお、最近、チップトランスにＭｎＺｎフェライトを用いる技術が提案されている（特開平７−３２０９２４号公報参照）。この提案の実施例によれば、焼成は酸素分圧をコントロールされた窒素気流中で  ７５０〜９００  ℃の温度範囲で行われている。しかしながら、この提案にかかる技術は、特許請求の範囲の欄にも述べられているように、焼結体の気孔率が１０％以上２５％以下  （実施例では１４．５，  １５．０，  ２２．０％）  の範囲となっており、実質的な焼結密度は約４．５ｇ／ｃｍ３  未満であり、十分に高い焼結密度は得られていない。
【００２０】
【実施例】
（実施例１）
（１）  α−Ｆｅ２Ｏ３，  ＭｎＣＯ３，  ＺｎＯ  粉末を原料とし、ＭｎＺｎフェライトの基本成分組成がモル％でＦｅ２Ｏ３：  ＭｎＯ  ：  ＺｎＯ＝５２．７：３５．３：１２．０（以下、単に材質Ｘと呼ぶ。）および５２．３：２７．２：２０．５（以下、単に材質Ｙと呼ぶ。）となるように配合し、ボールミルを用いて混合した後、得られた原料混合粉を  ０．５％の水素を含む炭酸ガス雰囲気中で８３０  ℃、１時間の仮焼処理に供した。
（２）  次に、上記（１）  の処理で得た仮焼粉を、ボールミルを用いた３〜４０時間の混合および粉砕処理に供し、平均粒径  ０．１〜１．４  μｍの範囲にあるＭｎＺｎフェライト成形粉とした。
（３）  このＭｎＺｎフェライト成形粉を、プレス機を用いて  １．２  ｔ／ｃｍ２  の圧力で成形し、直径１１．５ｍｍ、厚さ  ３．５ｍｍの円板型の成形体を得た。
（４）  この成形体を  ０．５％の水素を含む炭酸ガス雰囲気中で焼成し、ＭｎＺｎフェライト焼結体を得た。このときの焼成は、  ３００℃／時間の昇温速度で最高温度  ８７０〜１０５０℃まで昇温した後、１時間保持し、３００  ℃／時間の降温速度で室温まで冷却する条件で行った。
【００２１】
このようにして得られた焼結体の焼結密度をアルキメデス法で測定した。その結果、MnZnフェライト成形粉の平均粒径が0.45〜1.3μmの場合には、1100℃以下の焼成温度でも4.5ｇ/cm3以上の焼成密度をもつMnZnフェライト焼結体が得られることが判った。また、材質Ｘと材質Ｙという材質の違いによっては、上記結果に大きな差異は見られなかった。例えば、材質Ｙからなる平均粒径0.45μmの粉砕粉を用いた成形体については、0.5％の水素を含む炭酸ガス雰囲気中で850℃、１時間の焼成を行った時の焼結体密度として4.67ｇ/cm3が得られた。
【００２２】
（実施例２）
材質Ｙからなる平均粒径０．５４μｍの粉砕粉を、圧力２．０，  ２．５，  ３．０  ｔ  ／ｃｍ２  で成形したこと以外は、実施例１と同様にしてＭｎＺｎフェライト焼結体を得た。その結果、このようにして得られた焼結体の焼結密度は、いずれも  ４．５  ｇ／ｃｍ３  以上であった。
【００２３】
（実施例３）
材質Ｙとなるように配合した原料混合粉（平均粒径０．６７μｍ）を、仮焼，粉砕をせずにそのまま成形粉として用いて成形し、次いで、実施例１と同様に仮焼した後、  ０．５％Ｈ２＋ＣＯ２  ガス雰囲気中、  ８９０℃で２時間の焼成（昇温速度，降温速度は実施例１と同じ）を行い、ＭｎＺｎフェライト焼結体を得た。その結果、このようにして得られた焼結体の焼結密度は、  ４．５  ｇ／ｃｍ３  以上であった。
【００２４】
（実施例４）
（１）  実施例１で得た材質Ｙからなる平均粒径  ０．６μｍのＭｎＺｎフェライト成形粉に、バインダーとしてポリビニルブチラール等を加えてスラリーを調製し、このスラリーをドクターブレード法によりシート状に成形し、幅１００  ｍｍ、長さ２５０  ｍｍ，厚さ約５０μｍのシートを作製した。
（２）  次に、上記（１）  で作製したシート上に、Ａｇの導電ペーストを用いたスクリーン印刷により、一辺５ｍｍ、幅  ２００μｍ、厚さ２０μｍの額縁状に導体パターンを形成した。
（３）  このようにして得たフェライト層と導体層からなるシートを、一つの導体パターンを含む８ｍｍ角の大きさに切断して複数枚のシートとした。次いで、これらのシートを１０枚重ね合わせ、温度  １５０℃、圧力４００  ｋｇ／ｃｍ２の条件で１０分間プレス保持して熱圧着し、積層シートとした。そして、この積層シートを、０．５  ％の水素を含む炭酸ガス雰囲気中で  ９００℃、１時間の焼成処理に供し、積層焼結体のチップ製品を得た。このときの昇温速度および降温速度の条件は、実施例１と同一とした。
【００２５】
このようにして得られたチップ製品の断面を顕微鏡観察した。その結果、フェライト層と導体層の間には、割れ等の欠陥は認められなかった。しかも、フェライト層の焼結密度は約  ４．９８ｇ／ｃｍ３  であり、十分に高い値であることが確認できた。
【００２６】
（実施例５）
実施例１で得た材質Ｘからなる平均粒径０．６６μｍのＭｎＺｎフェライト成形粉を、プレス機を用い  １．２  ｔ／ｃｍ２  の成形圧力で、直径１１．５ｍｍ、厚さ  ３．５ｍｍの円板型の成形体に成形した。
この成形体を、炭酸ガス雰囲気中、あるいは  ０．１％の水素を含む炭酸ガス雰囲気中で焼成し、ＭｎＺｎフェライト焼結体を得た。このときの焼成条件は、焼成温度８７０  ℃、焼成時間２時間とした。
このようにして得られた焼結体の焼結密度をアルキメデス法で測定した結果、前者の炭酸ガス雰囲気中で得られた焼結体の密度は４．９３  ｇ／ｃｍ３  で、後者の  ０．１％の水素を含む炭酸ガス雰囲気中で得られた焼結体の密度は４．７５  ｇ／ｃｍ３  であった。
【００２７】
（実施例６）
仮焼粉の粉砕時にＳｉＯ２：１４０ｐｐｍ，  ＣａＯ  ：４００ｐｐｍ，  Ｎｂ２Ｏ５  ：１５０ｐｐｍを添加したこと以外は、実施例１と同様にして得た材質Ｘからなる平均粒径０．５５μｍ  のＭｎＺｎフェライト成形粉を、直径１２ｍｍ、内径９ｍｍ、厚さ５．５  ｍｍのトロイダル形状の成形体に成形した  （成形圧力１．２  ｔ／ｃｍ２）。
この成形体を、実施例１と同一の昇温速度，降温速度条件で、９００  ℃、１時間の焼成を行った。その結果、得られたＭｎＺｎフェライト焼結体の焼結密度は、４．７５  ｇ／ｃｍ３  であった。
【００２８】
（実施例７）
（１）  α−Ｆｅ２Ｏ３，  ＭｎＣＯ３，  ＺｎＯ  粉末を原料とし、ＭｎＺｎフェライトの基本成分組成がモル％でＦｅ２Ｏ３：  ＭｎＯ  ：  ＺｎＯ＝５３．８：３７．７：８．５  となるように配合し、ボールミルを用いて混合した後、得られた原料混合粉を大気中で９５０  ℃の仮焼処理に供した。
（２）  次に、上記（１）  の処理で得た仮焼粉を、ボールミルにて粉砕し、平均粒径０．５９μｍのＭｎＺｎフェライト成形粉とした。
（３）  このＭｎＺｎフェライト成形粉および仮焼前の原料混合粉をそれぞれ、プレス機を用いて成形し、直径１１．５ｍｍ，厚さ３．５  ｍｍの円板型の成形体を得た。
（４）  これらの成形体を、２％の水素を含む炭酸ガス雰囲気中で、  ３００℃／時間の昇温速度で室温から７８０  ℃まで昇温し、この温度で１．５  時間保持した後、雰囲気を炭酸ガスに切り換えてさらに  ２００℃／時間の昇温速度で  ９４０℃まで昇温し、この温度で２時間保持した後、３００  ℃／時間の降温速度で室温まで冷却して、焼成した。
【００２９】
このようにして得られた焼結体の焼結密度をアルキメデス法で測定した。その結果、上記ＭｎＺｎフェライト成形粉では、焼結密度が４．８３  ｇ／ｃｍ３の焼結体が得られ、一方、仮焼前の原料混合粉では、焼結密度が４．６８  ｇ／ｃｍ３の焼結体が得られた。
【００３０】
（実施例８）
（１）  共沈法により、基本成分組成が  ｍｏｌ％でＦｅ２Ｏ３：  ＭｎＯ  ：  ＺｎＯ＝５３．８：３７．２：９．０  であるスピネル相を含む粉体（平均粒径０．５５μｍ）を作製し、炭酸ガス雰囲気中で  ８００℃、１時間の仮焼処理を行った。
（２）  上記（１）  の処理で得た仮焼粉を、ボールミルで３時間粉砕して得たＭｎＺｎフェライト成形粉（平均粒径０．３８μｍ）を用い、実施例２と同様な処理によってＡｇの導体パターンを含む積層シートを作製し、この積層シートを、炭酸ガス雰囲気中、９４０  ℃で１時間の焼成処理に供し、積層焼結体のチップ製品を得た。
このようにして得られたチップ製品は内部欠陥は見られず、フェライト層の焼結密度は５．００  ｇ／ｃｍ３であり極めて高い値であった。
【００３１】
（実施例９）
上記実施例８において作製したスピネル相を含む粉体（平均粒径０．５５μｍ）を仮焼，粉砕をせずにそのまま成形粉として用いたこと以外は、実施例８と同様にして積層焼結体のチップ製品を得た。その結果、このようにして得られたチップ製品は内部欠陥は見られず、フェライト層の焼結密度は  ４．９５ｇ／ｃｍ３であり充分高い値であった。
【００３２】
【発明の効果】
以上説明したように、ＭｎＺｎフェライト原料混合粉またはスピネル相を含む粉体からなる成形体を、炭酸ガスまたは水素含有炭酸ガス雰囲気中、  ８００〜１１００℃未満で焼成する、本発明にかかるＭｎＺｎフェライトの製造方法によれば、低温焼成温度域で、高密度かつ優れた材料特性を持つＭｎＺｎフェライト焼結体を容易に製造することができる。これにより、従来技術で必要とされた１１００〜１４００℃での高温焼成という制約が排除される。