(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
投影露光装置を用いてマスクパターンをウェハ上のレジストに転写して形成されるレジストパターンの寸法を予測するレジストパターン予測方法において、
前記レジストパターンの寸法予測すべき位置及び所望寸法を設定する第１の工程と、前記ウェハ上に形成される光学像の勾配とプロセスファクタ及びエッジ光強度シフトとの関係を設定する第２の工程と、前記投影露光装置によりマスクパターンをウェハ上に投影して得られる光学像を計算して求める第３の工程と、この第３の工程で求められた光学像を基に、第１の工程で設定された寸法予測位置で所望寸法に対応する該光学像の勾配を求める第４の工程と、この第４の工程で求められた勾配に基づいて第２の工程で設定された関係からプロセスファクタとエッジ光強度シフトを求める第５の工程と、この第５の工程で求められたプロセスファクタ及びエッジ光強度シフトに応じて前記光学像に変調をかける第６の工程と、この第６の工程で変調をかけられた光学像から前記レジストパターンの寸法を抽出する第７の工程とを含むことを特徴とするレジストパターン予測方法。
【請求項２】
第６の工程で変調をかける際に、前記光学像に対して指数型減衰関数との畳み込み積分を行い、かつ第５の工程で求められたプロセスファクタを該指数型減数関数の減衰指標にとり、第５の工程で求められたエッジ光強度シフトを該指数型減衰関数の係数に選ぶことを特徴とする請求項１記載のレジストパターン予測方法。
【請求項３】
第２の工程として、異なるパターンサイズ及びパターンピッチの複数のマスクパターンを用意し、これらのマスクパターンを投影露光装置によりウェハ上のレジストに異なるデフォーカス及び露光量でそれぞれ転写し、転写されたパターンを測定して前記パターンサイズ，パターンピッチ，デフォーカス毎に適正露光量及び単位線幅変動するのに必要な露光量変化を算出し、前記パターンサイズ，パターンピッチ，デフォーカス毎に前記マスクパターンの対応する光学像を計算し、得られた光学像の勾配を求め、得られた光学像と指数型減衰関数との畳み込み積分を行うことによって該光学像を変調し、この変調された光学像から適正露光量及び単位線幅変動するのに必要な露光量変化を求め、求められた適正露光量と前記算出された適正露光量とが相関を持ち、且つ求められた単位線幅変動するのに必要な露光量変化と前記算出された単位線幅変動するのに必要な露光量変化とが相関を持つように指数型減衰関数を決定することを特徴とする請求項２記載のレジストパターン予測方法。
【請求項４】
前記プロセスファクタ及びエッジ光強度シフトをそれぞれ、前記光学像の勾配の一次関数とすることを特徴とする請求項３記載のレジストパターン予測方法。
【請求項５】
前記プロセスファクタ及びエッジ光強度シフトと光学像の勾配との関数関係をそれぞれ、パターンピッチ毎に変えることを特徴とする請求項４記載のレジストパターン予測方法。
【請求項６】
投影露光装置を用いてマスクパターンをウェハ上のレジストに転写して形成されるレジストパターンの寸法を予測するためのプログラムであって、
前記レジストパターンの寸法予測すべき位置及び所望寸法を設定する第１の手順と、前記ウェハ上に形成される光学像の勾配とプロセスファクタ及びエッジ光強度シフトとの関係を設定する第２の手順と、前記投影露光装置によりマスクパターンをウェハ上に投影して得られる光学像を計算して求める第３の手順と、この第３の手順で求められた光学像を基に、第１の手順で設定された寸法予測位置で所望寸法に対応する該光学像の勾配を求める第４の手順と、この第４の手順で求められた勾配に基づいて第２の手順で設定された関係からプロセスファクタとエッジ光強度シフトを求める第５の手順と、この第５の手順で求められたプロセスファクタ及びエッジ光強度シフトに応じて前記光学像に変調をかける第６の手順と、この第６の手順で変調をかけられた光学像から前記レジストパターンの寸法を抽出する第７の手順と、を実行させるようにコンピュータを制御するためのプログラムを格納したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体のリソグラフィ技術に係わり、特に露光装置を用いてマスクパターンを転写して得られるレジストパターンの寸法を予測するためのレジストパターン予測方法に関する。また、このレジストパターン予測方法をコンピュータで実現するためのプログラムを格納した記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ＬＳＩの集積度は指数関数的に増大の一途を辿っており、これに伴ってＬＳＩ内部での配線等のデザインルールは益々小さなものになってきている。例えば、露光波長をｉ線（λ＝３６５ｎｍ）からＫｒエキシマレーザ（λ＝２４８ｎｍ）へと短波長化し、露光装置のレンズも大口径化（高開口数化）し、解像度の向上をはかっている。
【０００３】
ところが、露光波長の短波長化及びレンズの高開口数化による高解像度化は、デザインルールの減少に追いつかなくなっている。そこで、シミュレーションによる露光後のレジストパターンの予測が益々重要になっている。例えば、複雑なデバイスパターンを形成しようとした場合に、光近接効果のために所望通りのパターン形状及びパターン寸法が得られない。この場合に、予めマスクパターンを近接効果を見込んだ量だけ補正しなければならない。この補正を精度良く求めるためにも、レジストパターンの寸法を高精度に予測できるシミュレーション方法が必要になってきている。
【０００４】
これまでのシミュレーション方法としては、厳密なモデルを用いた方法から簡易的な方法まで様々提案されているが、厳密モデルでは計算時間が長く実用に耐えない。また、簡易的なものとしては、図７に示すような方法がある（特願平８−１４８４０８号）。この方法では、マスクパターン及び露光条件、線幅測定位置の及び所望レジスト寸法、スライスレベルを入力した後に、プロセスファクタΔＬを設定する。そして、マスクパターンに対する光学像の計算を行い、得られた光学像とΔＬを用いた指数型減衰関数との畳み込み積分を実行し、スライスレベルでの線幅を抽出することにより、高速でシミュレーションすることができる。
【０００５】
しかしながら、この種の方法にあっては次のような問題があった。即ち、図７の例は、光学像とガウス関数との畳み込み積分により光学像を暈かしてレジストプロセスを模擬したものであり、計算スピードは高速であるものの、精度があまり良くなかった。図２（ｂ）に、０．２１２５μｍの１：１ラインアンドスペースの結果を示す。図から分かるように、ベストフォーカスでは良い一致を示すが、デフォーカス時はかなり実験結果と異なることが分かる。このように従来の簡易的な方法では、デフォーカス時までの良い予測精度は得られなかった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上記に説明したように、特願平８−１４８４０８号に提案されているようなレジストパターン予測の簡易なシミュレーションモデルでは、計算スピードは高速であるものの、デフォーカス時までの良い予測精度は得られないという問題があった。
【０００７】
本発明は、上記事情を考慮して成されたもので、その目的とするところは、簡易なシミュレーションモデルでありながら、デフォーカス時までの精度良い予測精度が得られるレジストパターン予測方法を提供することにある。
また本発明の他の目的は、上記レジストパターン予測方法をコンピュータで実現するためのプログラムを格納した記録媒体を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
（構成）
上記課題を解決するために本発明は次のような構成を採用している。
即ち本発明は、投影露光装置を用いてマスクパターンをウェハ上のレジストに転写して形成されるレジストパターンの寸法を予測するレジストパターン予測方法において、前記レジストパターンの寸法予測すべき位置及び所望寸法を設定する第１の工程と、前記ウェハ上に形成される光学像の勾配とプロセスファクタ及びエッジ光強度シフトとの関係を設定する第２の工程と、前記投影露光装置によりマスクパターンをウェハ上に投影して得られる光学像を計算して求める第３の工程と、この第３の工程で求められた光学像を基に、第１の工程で設定された寸法予測位置で所望寸法に対応する該光学像の勾配を求める第４の工程と、この第４の工程で求められた勾配に基づいて第２の工程で設定された関係からプロセスファクタとエッジ光強度シフトを求める第５の工程と、この第５の工程で求められたプロセスファクタ及びエッジ光強度シフトに応じて前記光学像に変調をかける第６の工程と、この第６の工程で変調をかけられた光学像から前記レジストパターンの寸法を抽出する第７の工程とを含むことを特徴とする。
【０００９】
ここで、本発明の望ましい実施態様としては、次のものがあげられる。
（１）  第６の工程で変調をかける際に、光学像に対して指数型減衰関数との畳み込み積分を行うこと。
（２）  第５の工程で求められたプロセスファクタを指数型減数関数の減衰指標にとり、第５の工程で求められたエッジ光強度シフトを指数型減衰関数の係数に選ぶこと。
【００１０】
（３）  第２の工程として、異なるパターンサイズ及びパターンピッチの複数のマスクパターンを用意し、これらのマスクパターンを投影露光装置によりウェハ上のレジストに異なるデフォーカス及び露光量でそれぞれ転写し、転写されたパターンを測定して前記パターンサイズ，パターンピッチ，デフォーカス毎に適正露光量及び単位線幅変動するのに必要な露光量変化を算出し、前記パターンサイズ，パターンピッチ，デフォーカス毎に前記マスクパターンの対応する光学像を計算し、得られた光学像の勾配を求め、得られた光学像と指数型減衰関数との畳み込み積分を行うことによって該光学像を変調し、この変調された光学像から適正露光量及び単位線幅変動するのに必要な露光量変化を求め、求められた適正露光量と前記算出された適正露光量とが相関を持ち、且つ求められた単位線幅変動するのに必要な露光量変化と前記算出された単位線幅変動するのに必要な露光量変化とが相関を持つように指数型減衰関数を決定すること。
【００１１】
（４）  プロセスファクタを、光学像の勾配の一次関数とすること。
（５）  エッジ光強度シフトを、光学像の勾配の一数とすること。
（６）  プロセスファクタと光学像の勾配との関数関係を、パターンピッチ毎に変えること。
（７）  エッジ光強度シフトと光学像の勾配との関数関係、パターンピッチ毎に変えること。
【００１２】
また本発明は、投影露光装置を用いてマスクパターンをウェハ上のレジストに転写して形成されるレジストパターンの寸法を予測するためのプログラムを格納したコンピュータ読み取り可能な記録媒体であって、前記プログラムは、前記レジストパターンの寸法予測すべき位置及び所望寸法を設定する第１の手順と、前記ウェハ上に形成される光学像の勾配とプロセスファクタ及びエッジ光強度シフトとの関係を設定する第２の手順と、前記投影露光装置によりマスクパターンをウェハ上に投影して得られる光学像を計算して求める第３の手順と、この第３の手順で求められた光学像を基に、第１の手順で設定された寸法予測位置で所望寸法に対応する該光学像の勾配を求める第４の手順と、この第４の手順で求められた勾配に基づいて第２の手順で設定された関係からプロセスファクタとエッジ光強度シフトを求める第５の手順と、この第５の手順で求められたプロセスファクタ及びエッジ光強度シフトに応じて前記光学像に変調をかける第６の手順と、この第６の手順で変調をかけられた光学像から前記レジストパターンの寸法を抽出する第７の手順と、を実行させるようにコンピュータを制御することを特徴とする。
【００１３】
（作用）
本発明によれば、ウェハ上に形成される光学像の勾配とプロセスファクタ及びエッジ光強度シフトとの関係を予め設定しておき、この関係と光学像の勾配に基づいてプロセスファクタとエッジ光強度シフトを新たに求め、求められたプロセスファクタ及びエッジ光強度シフトに応じて光学像に変調をかけるようにしている。ここで、プロセスファクタはパターンピッチの情報を含み、エッジ光強度はデフォーカスの情報を含むため、デフォーカス及びパターンピッチに依存させて光学像に変調をかけることになる。従って、デフォーカス時やパターンピッチを変えた場合にも高精度なシミュレーションを行うことができ、露光後のレジストパターン寸法を高精度に求めることが可能となる。
【００１４】
なお、ウェハ上に形成される光学像の勾配とプロセスファクタ及びエッジ光強度シフトとの関係は予め求めておけば、シミュレーションの際に計算する必要はない。このため、上記のように光学像の傾きに応じて光学像への変調のかけ方を変えるようにしても、計算量の増加は極めて少なくでき、十分高速な計算スピードを維持できる。即ち、簡易なシミュレーションモデルで高速でありながら、デフォーカス時までの精度良い予測精度を得ることが可能となる。
【００１５】
また、光学像の変調の方法として、指数型減衰関数との畳み込み積分を行うことにより、数学的に扱い易く計算が容易になる。さらに、光学像の変調のパラメータを指数型減衰関数の減衰指標と係数に限定することによって、計算がより一層容易になる。
【００１６】
また、光学像への変調のかけ方を実験値から求めることによって、より高精度なレジストパターン予測が可能となる。そして、プロセスファクタやエッジ光強度シフトを光学像の勾配の一次関数とすることにより、実験値から光学像への変調のかけ方を求める際に関係式を単純化することができ、計算を容易にすることが可能となる。さらに、ピッチ毎に関係式を変えることによって、より精度を高めることが可能となる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の詳細を図示の実施形態によって説明する。
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係わるレジストパターン予測方法を説明するためのフローチャートである。なお、本実施形態の方法は、例えば磁気ディスク等の記録媒体に記録されたプログラムを読み込み、このプログラムによって動作が制御されるコンピュータによって実現される。
【００１８】
まず、レジストの寸法（線幅）を予測すべきマスクパターン及び露光条件を入力する（ステップＳ１）。次いで、寸法予測を行う位置の座標及び所望とするレジスト寸法を入力する（ステップＳ２）。このとき、線幅予測を行う位置は複数あっても構わない。次いで、露光の際の露光量に相当する光強度レベル（又はスライスレベル）を入力する（ステップＳ３）。次いで、光学像の勾配とプロセスファクタΔＬとの関係式又はテーブルを入力する（ステップＳ４）。さらに、光学像の勾配とエッジ光強度シフトΔＰとの関係式又はテーブルを入力する（ステップＳ５）。次いで、与えられたマスクパターンに対する光学像Ｉｏ（ｘ，ｙ）の計算を行う（ステップＳ６）。なお、ステップＳ２〜Ｓ６の順序は上記に限らず適宜変更可能である。
【００１９】
次いで、ステップＳ６で計算された光学像Ｉｏに基づき、線幅予測位置で所望寸法に対応する位置での光学像の勾配を求める（ステップＳ７）。次いで、求められた光学像の勾配から、ΔＬ及びΔＰを求める（ステップＳ８）。次いで、次式に示すように、計算された光学像とΔＬ，ΔＰを用いた指数型減衰関数との畳み込み積分を実行する（ステップＳ９）。
【００２０】
【数１】
0003583622.tif 000002
【００２１】
最後に、スライスレベルでの線幅を抽出する（ステップＳ１０）。
図２（ａ）に、本実施形態方法によりシミュレーションした、０．２１２５μｍの１：１のラインアンドスペースの結果を示す。図２（ｂ）に従来方法での結果も示すが、本実施形態の方法ではデフォーカス時にも良く実験結果と一致しているのが分かる。
【００２２】
このように本実施形態では、光学像の傾きに応じて光学像への変調のかけ方を変えることにより、デフォーカス時やパターンピッチを変えた場合にも高精度なシミュレーションを行うことができ、露光後のレジストパターン寸法を高精度に求めることが可能となる。しかも、光学像の変調の方法として、変調のパラメータを指数型減衰関数の減衰指標と係数に限定し、指数型減衰関数との畳み込み積分を行うようにしているので、シミュレーションのための計算が数学的にも扱い易く簡易になる利点がある。
【００２３】
なお、ウェハ上に形成される光学像の勾配とプロセスファクタΔＬ及びエッジ光強度シフトΔＰとの関係は予め求めておけば、シミュレーションの際に計算する必要はない。このため、上記のように光学像の傾きに応じて光学像への変調のかけ方を変えるようにしても、計算量の増加は極めて少なくでき、十分高速な計算スピードを維持できる。
【００２４】
（第２の実施形態）
図３は、本発明の第２の実施形態に係わるレジストパターン予測方法を説明するためのもので、特に第１の実施形態におけるステップＳ４を具体的に示すフローチャートである。
【００２５】
まず、異なるパターンサイズ及びパターンピッチの複数のマスクパターンを用意する。具体的には、種々のパターンサイズとして例えば  ０．１８１２５μｍ〜０．２５μｍまでのパターンサイズ、種々のパターンピッチとして例えばライン：スペース＝１：１０の入ったマスクを準備する（ステップＳ１１）。
【００２６】
次いで、処理すべきパターンサイズ，パターンピッチ及び露光装置のデフォーカス値を設定し、そのパターンの露光を露光量を種々変えて行う（ステップＳ１２）。例えば、Ｗｏ  ＝０．２５μｍのサイズでライン：スペース＝１：１のパターンに対して、露光装置のデフォーカスを０μｍと設定し、露光量をＥ＝１０ｍＪ／ｃｍ２  〜２０ｍＪ／ｃｍ２  まで１ｍＪ／ｃｍ２  刻みに設定して露光を行う。
【００２７】
次いで、露光されたパターンに対するレジスト線幅を、例えばＳＥＭ等の測定装置で測定し、レジスト線幅の露光量依存性を測定する（ステップＳ１３）。その結果の例を、図４に示す。そして図４から、所望寸法（例えばマスクの設計寸法）Ｗｏ  に仕上げるのに必要な露光量Ｅｅｘｐ  を求める。さらに図４から、所望寸法近傍での線幅変動に対する必要露光量の変化率δｅｘｐ  を求める（ステップＳ１４）。ここで、δｅｘｐ  は次式で定義される。
【００２８】
Ｐｅｘｐ  ＝  ｌｏｇ１０Ｅｅｘｐ
δｅｘｐ  ＝−ｄＰｅｘｐ  ／ｄＷ
次いで、対象となるパターンに対する光学像Ｉｏ（ｘ）    を計算する（ステップＳ１５）。次いで、光学像での所望寸法近傍での勾配δｃａｌｏを求める（ステップＳ１６）。但し、δｃａｌｏは次式で定義される。
【００２９】
δｃａｌｏ＝ｄ  ｌｏｇ１０Ｉｏ  ／ｄＷ
次いで、適当なΔＬを与える（ステップＳ１７）。次いで、ΔＰ＝１として、次式のように指数型減衰関数と光学像Ｉｏ  との畳み込み積分を実行する（ステップＳ１８）。
【００３０】
【数２】
0003583622.tif 000003
【００３１】
次いで、畳み込み積分Ｉの所望寸法近傍での勾配δｃａｌ  を求める（ステップＳ１９）。但し、δｃａｌ  は次式で定義される。
δｃａｌ  ＝ｄ  ｌｏｇ１０Ｉ／ｄＷ
次いで、δｅｘｐ  とδｃａｌ  との差が適当な誤差値ε以内に収まっているかの判定を行う（ステップＳ２０）。即ち、次式が成立するかどうかである。
【００３２】
｜δｅｘｐ  −δｃａｌ  ｜＜ε
上式が成り立っていれば次のステップＳ２１へ進み、そうでなければステップＳ１７に戻り、再度ΔＬを設定し計算をやり直し、上式が成り立つまで繰り返す。ステップＳ２１では、所定寸法での畳み込み積分の値Ｉｃａｌ  を用いて次式に従ってΔＰを求める。
【００３３】
Ｐｃａｌ  ＝  ｌｏｇ１０Ｉｃａｌ
ΔＰ＝Ｐｅｘｐ  −Ｐｃａｌ
次いで、全てのデフォーカス，パターンサイズ，パターンピッチで上記操作を行ったか否かを判定し、行っていない場合はステップＳ１２に戻り、パターンサイズ，パターンピッチ及び露光装置のデフォーカス値を再設定する（ステップＳ２２）。即ち、上記のステップＳ１２〜Ｓ２１を、デフォーカス，パターンサイズを変えて繰り返し行い、最終的にδｃａｌｏとΔＬ、δｃａｌｏとΔＰとの関係を求める（ステップＳ２３）。図５（ａ）（ｂ）にその結果を示す。この図からそれぞれの関係を求めると、次式のようになる。
【００３４】
ΔＬ＝６４．５３６δｃａｌｏ−８０．４７６
ΔＰ＝−０．０１７δｃａｌｏ＋０．８０９２
これらの関係式を用いて第１の実施形態によりシミュレーションを行ったところ、極めて高精度なレジストパターン寸法の予測を行うことができた。なお、図５（ａ）（ｂ）に示す関係は、式として入力してもよいし、様々な値のδｃａｌｏに対するΔＬ，ΔＰの値をメモリに記憶させたテーブルを用いてもよい。
【００３５】
（第３の実施形態）
図６を用いて、本発明の第３の実施形態を説明する。
第２の実施形態では、光学像の勾配とΔＬ，ΔＰとの関係を求める際にパターンピッチは固定していたが、パターンピッチが異なるとこれらの関係も変わることがある。そこで本実施形態では、パターンピッチを様々に変えて第２の実施形態の操作を行い、パターンピッチ毎にδｃａｌｏとΔＬ、δｃａｌｏとΔＰとの関係を求めた。その結果をまとめると、図６のようになった。なお、図中の  ｐｉｔｃｈ／ｗｄ  は規格化寸法であり、例えばレジストＡの  ｐｉｔｃｈ／ｗｄ＝２は１：１のラインアンドスペース、ｐｉｔｃｈ／ｗｄ＝２．５は１：１．５のラインアンドスペースを示している。
【００３６】
このように、パターンピッチ毎に関係が異なっている場合には、ピッチ毎に用いる関係式を変えて予測を行う。また、関係式の求まっていないピッチに関しては外挿又は内挿することによって関係式を求めればよい。こうして求めた関係式を用いて第１の実施形態と同様にシミュレーションを行ったところ、より高精度な予測を行うことができた。そして、ロジック回路のゲートパターンであっても、十分精度良い予測を行うことができた。
【００３７】
なお、本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することができる。実施形態では、光学像に変調をかける手法として、指数型減衰関数との畳み込み積分を行うようにしたが、必ずしもこれに限らず他の手法を用いてもよい。例えば、重み付けが不要な場合は、定数関数による平均化操作を行うようにしてもよい。
【００３８】
また、上述した実施形態において記載した手法は、コンピュータに実行させることのできるプログラムとして、例えば磁気ディスク（フロッピーディスク，ハードディスク等）、光デイスク（ＣＤ−ＲＯＭ，ＤＶＤ等）、半導体メモリなどの記録媒体に書き込んで各種装置に適用したり、通信媒体により伝送して各種装置に適用することも可能である。本発明を実現するコンピュータは、記録媒体に記録されたプログラムを読み込み、このプログラムによって動作が制御されることにより、上述した処理を実行するものであればよい。
【００３９】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明によれば、光学像の傾きに応じて光学像への変調のかけ方を変えることにより、デフォーカス時やパターンピッチを変えた場合にも高精度なシミュレーションを行うことができ、簡易なシミュレーションモデルでありながら、デフォーカス時までの良い予測精度が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施形態に係わるレジストパターン予測方法を説明するためのフローチャート。
【図２】レジスト線幅のＥＤ−ｔｒｅｅを示す図。
【図３】第２の実施形態に係わるレジストパターン予測方法の要部を説明するためのフローチャート。
【図４】レジスト線幅の露光量依存性を示す図。
【図５】第２の実施形態におけるδｃａｌｏとΔＬ及びΔＰとの相関を示す図。
【図６】第３の実施形態におけるδｃａｌｏとΔＬ及びΔＰとの相関に対するレジスト及びパターンピッチ依存性を示す図。
【図７】従来のレジストパターン予測方法を示すフローチャート。
【符号の説明】
Ｓ１…マスクパターン及び露光条件の入力ステップ
Ｓ２…線幅測定位置及び所望寸法の入力ステップ（第１の工程）
Ｓ３…スライスレベルの入力ステップ
Ｓ４…光学像の勾配とΔＬとの関係式の入力ステップ（第２の工程）
Ｓ５…光学像の勾配とΔＰとの関係式の入力ステップ（第２の工程）
Ｓ６…光学像の計算ステップ（第３の工程）
Ｓ７…光学像の勾配を求めるステップ（第４の工程）
Ｓ８…ΔＬ，ΔＰの算出ステップ（第５の工程）
Ｓ９…光学像の畳み込み積分を行うステップ（第６の工程）
Ｓ１０…スライスレベルでの線幅抽出ステップ（第７の工程）
【図１】
0003583622.tif 000004
【図２】
0003583622.tif 000005
【図３】
0003583622.tif 000006
【図４】
0003583622.tif 000007
【図５】
0003583622.tif 000008
【図６】
0003583622.tif 000009
【図７】
0003583622.tif 000010