(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ型化合物半導体の基板上に、予めＺｎをドープしたＺｎドープドＳｉＯ２ 膜、ＺｎＯ膜およびアニーリングキャップ膜を順次に積層した積層構造体を形成する工程と、
該積層構造体に熱処理を行うことにより、前記ＺｎドープドＳｉＯ2 膜および前記ＺｎＯ膜を拡散源として、前記基板に、前記Ｚｎを固相拡散させる工程とを含み、
前記ＺｎドープドＳｉＯ2 膜の膜厚を１００〜５００Åとすることを特徴とするＺｎの固相拡散方法。
【請求項２】
ｎ型化合物半導体の基板上に、予めＺｎをドープしたＺｎドープドＳｉＯ2 膜、ＺｎＯ膜およびアニーリングキャップ膜を順次に積層した積層構造体を形成する工程と、
該積層構造体に熱処理を行うことにより、前記ＺｎドープドＳｉＯ2 膜および前記ＺｎＯ膜を拡散源として、前記基板に、前記Ｚｎを固相拡散させる工程とを含み、
前記ＺｎドープドＳｉＯ2 膜のＺｎとＳｉとのモル比を、
０．１≦Ｚｎ／（Ｚｎ＋Ｓｉ）≦０．５の範囲とする
ことを特徴とするＺｎの固相拡散方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のＺｎの固相拡散方法において、
前記ｎ型化合物半導体基板として、ｎ型ＧａＡｓ1-X ＰX エピタキシャル基板（但しＸは組成比を表し、０≦Ｘ≦０．４）を用いる
ことを特徴とするＺｎの固相拡散方法。
【請求項４】
ｎ型化合物半導体の基板上に、順次に積層された、予めＺｎをドープし、かつ膜厚を１００〜５００ÅとしたＺｎドープドＳｉＯ２ 膜およびＺｎＯ膜からなる拡散源を形成する工程と、
該拡散源上に、アニーリングキャップ膜を形成する工程と、
該アニーリングキャップ膜を形成した基板を熱処理して、前記拡散源から前記基板へＺｎを拡散させることにより、拡散領域を形成する工程と、
該拡散源および該拡散源上のアニーリングキャップ膜を除去する工程と、
前記基板のｎ型の部分に電気的に接続された第１主電極と、前記拡散領域に電気的に接続された第２主電極とを形成する工程と
を含むことを特徴とするＬＥＤの製造方法。
【請求項５】
ｎ型化合物半導体の基板上に、順次に積層された、予めＺｎをドープしたＺｎドープドＳｉＯ２ 膜であって、ＺｎとＳｉとのモル比を、０．１≦Ｚｎ／（Ｚｎ＋Ｓｉ）≦０．５の範囲とする前記ＺｎドープドＳｉＯ２ 膜およびＺｎＯ膜からなる拡散源を形成する工程と、
該拡散源上に、アニーリングキャップ膜を形成する工程と、
該アニーリングキャップ膜を形成した基板を熱処理して、前記拡散源から前記基板へＺｎを拡散させることにより、拡散領域を形成する工程と、
該拡散源および該拡散源上のアニーリングキャップ膜を除去する工程と、
前記基板のｎ型の部分に電気的に接続された第１主電極と、前記拡散領域に電気的に接続された第２主電極とを形成する工程と
を含むことを特徴とするＬＥＤの製造方法。
【請求項６】
請求項４又は５に記載のＬＥＤの製造方法において、
前記基板として、ｎ型ＧａＡｓ1-X ＰX エピタキシャル基板（但しＸは組成比を表し、０≦Ｘ≦０．４）を用いる
ことを特徴とするＺｎの固相拡散方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
この出願に係る発明は、半導体に対するＺｎの固相拡散方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のＺｎの固相拡散方法の一例として、ＩＩＩ−Ｖ化合物半導体へのＺｎ固相拡散方法の例が、文献：「特開昭６２−９８７２１号公報」に開示されている。
【０００３】
この文献に記載の固相拡散方法によれば、先ず、Ｎ型のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の基板上に、Ｚｎがドープされた酸化物、例えばＺｎＯ・ＳｉＯ２  混合膜をスパッタ法を用いて膜付けする。次に、ＺｎＯ・ＳｉＯ２  膜をアニーリングキャップ膜で被覆してアニールする。アニールにより、ＺｎＯ・ＳｉＯ２  膜を拡散源として、基板の表面の境面を損なうことなく基板へＺｎを固相拡散する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記文献に開示のＺｎの拡散方法では、基板中のＺｎの拡散濃度を充分に高くすることができない。一般に、シート抵抗が低く、接合深さが１μｍ以下の浅い拡散領域を有する発光強度の強いＬＥＤを形成するためには、Ｚｎの拡散濃度を１０２０個／ｃｍ−３以上にする必要がある。しかし、上記文献に開示の方法では、この濃度に達することが極めて困難である。例えば、ＺｎＯ：ＳｉＯ２  ＝１：１のｍｏｌ比のターゲットを使用してスパッタリング法により成膜した拡散源を用いた場合、基板中のＺｎの拡散濃度は１０２０個／ｃｍ−３に達しない。
【０００５】
一方、基板上に直に、拡散源としてのＺｎＯ膜を設ければ、拡散濃度を高くすることはできる。しかし、ＺｎＯ膜と基板とが反応してしまうため、基板の基板の表面が粗となり境面が得られない。その結果、基板の表面に電極を形成しても接触抵抗が高くなってしまう。
【０００６】
このため、基板の表面が境面を損うことなく、拡散後に電極との接触抵抗が低く、Ｚｎの表面濃度が１０２０ｃｍ−３に達するような高濃度のＺｎ拡散を行うことができる、固相拡散方法の実現が望まれていた。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
＜第１の発明＞
この出願に係る第１の発明のＺｎの拡散方法によれば、ｎ型化合物半導体の基板上に、予めＺｎをドープしたＺｎドープドＳｉＯ２ 膜、ＺｎＯ膜およびアニーリングキャップ膜を順次に積層した積層構造体を形成する工程と、積層構造体に熱処理を行うことにより、ＺｎドープドＳｉＯ２ 膜およびＺｎＯ膜を拡散源として、基板に、Ｚｎを固相拡散させる工程とを含み、ＺｎドープドＳｉＯ２ 膜の膜厚を１００〜５００Åとすることを特徴とする。
【０００８】
また、第１の発明のＺｎの固相拡散方法によれば、ｎ型化合物半導体の基板上に、予めＺｎをドープしたＺｎドープドＳｉＯ２ 膜、ＺｎＯ膜およびアニーリングキャップ膜を順次に積層した積層構造体を形成する工程と、積層構造体に熱処理を行うことにより、ＺｎドープドＳｉＯ２ 膜およびＺｎＯ膜を拡散源として、基板に、Ｚｎを固相拡散させる工程とを含み、ＺｎドープドＳｉＯ２ 膜のＺｎとＳｉとのモル比を、０．１≦Ｚｎ／（Ｚｎ＋Ｓｉ）≦０．５の範囲とすることを特徴とする。
【００１０】
上述した拡散方法においては、ｎ型化合物半導体基板として、ｎ型ＧａＡｓ1-X ＰX エピタキシャル基板（但しＸは組成比を表し、０≦Ｘ≦０．４）を用いると良い。
【００１１】
＜第２の発明＞
また、この出願に係る第２の発明のＬＥＤの製造方法によれば、ｎ型化合物半導体の基板上に、順次に積層された、予めＺｎをドープし、かつ膜厚を１００〜５００ÅとしたＺｎドープドＳｉＯ２ 膜およびＺｎＯ膜からなる拡散源を形成する工程と、拡散源上に、アニーリングキャップ膜を形成する工程と、アニーリングキャップ膜を形成した基板を熱処理して、拡散源から基板へＺｎを拡散させることにより、拡散領域を形成する工程と、拡散源および拡散源上のアニーリングキャップ膜を除去する工程と、基板のｎ型の部分に電気的に接続された第１主電極と、拡散領域に電気的に接続された第２主電極とを形成する工程とを含むことを特徴とする。
また、ＬＥＤの製造方法は、ｎ型化合物半導体の基板上に、順次に積層された、予めＺｎをドープしたＺｎドープドＳｉＯ２ 膜であって、ＺｎとＳｉとのモル比を、０．１≦Ｚｎ／（Ｚｎ＋Ｓｉ）≦０．５の範囲とするＺｎドープドＳｉＯ２ 膜およびＺｎＯ膜からなる拡散源を形成する工程と、拡散源上に、アニーリングキャップ膜を形成する工程と、アニーリングキャップ膜を形成した基板を熱処理して、拡散源から基板へＺｎを拡散させることにより、拡散領域を形成する工程と、拡散源および拡散源上のアニーリングキャップ膜を除去する工程と、基板のｎ型の部分に電気的に接続された第１主電極と、拡散領域に電気的に接続された第２主電極とを形成する工程とを含むことを特徴とする。
【００１２】
上述した、第２の発明のＬＥＤの製造方法において、基板として、ｎ型ＧａＡｓ1-X ＰX エピタキシャル基板（但しＸは組成比を表し、０≦Ｘ≦０．４）を用いると良い。
【００１３】
尚、第１および第２の発明において、基板とは、例えば通常の基板上に成長させたエピタキシャル層を初めとする、Ｚｎを拡散することができる下地となるものを含む。
【００１４】
【作用】
この出願に係る第１の発明のＺｎの拡散方法によれば、ｎ型化合物半導体の基板上に、順次に積層した、Ｚｎドープドオキサイド膜、Ｚｎ酸化膜を拡散源としてＺｎの固相拡散を行う。その結果、基板の表面へのダメージを抑制して、且つ、基板へ高濃度のＺｎの固相拡散を行うことができる。
【００１５】
また、この出願に係る第２の発明のＬＥＤの製造方法によれば、基板上に、順次に積層した、Ｚｎドープドオキサイド膜、Ｚｎ酸化膜を拡散源としてＺｎの固相拡散を行う。その結果、基板の表面へのダメージを抑制して、且つ、基板への高濃度のＺｎの固相拡散を行うことができる。その結果、拡散領域の結合深さが例えば１μｍ程度と浅くとも、拡散領域のシート抵抗が低い発光層を形成することができる。このため、電極付近直下の領域への電流集中を抑制でき、拡散領域の上面での発光強度を均一にすることができる。
【００１６】
【実施例】
以下、図面を参照して、この出願に係る第１の発明のＺｎの固相拡散方法およびＬＥＤの製造方法の一例について、それぞれ図面を参照して説明する。尚、参照する図面は、これらの発明が理解できる程度に各構成成分の大きさ、形状および配置関係を概略的に示してあるにすぎない。従って、これらの発明は図示例にのみ限定されるものではない。
【００１７】
＜第１実施例＞
第１実施例では、第１の発明のＺｎの固相拡散方法の一例について説明する。図１は、第１実施例のＺｎの固相拡散方法の説明に供する図である。
【００１８】
第１実施例では、ｎ型ＧａＡｓ０．８  Ｐ０．２  エピタキシャル基板（以下、単にＧａＡｓＰ基板、基板とも称する）１０上に、スパッタリング法を用いて、ＺｎがドープされたＳｉＯ２  膜（以下、ＺｎＯ・ＳｉＯ２  膜とも称する）１２を形成する。このＺｎＯ・ＳｉＯ２  膜１２に含まれるＺｎとＳｉとのモル比は、Ｚｎ／（Ｚｎ＋Ｓｉ）＝０．３である。尚、ＺｎとＳｉとのモル比は、０．１≦Ｚｎ／（Ｚｎ＋Ｓｉ）≦０．５であることが望ましい。このモル比を０．１以上としたのは、Ｚｎのモル比を極端に低くすると、ＺｎＯ・ＳｉＯ２  膜１２がＳｉＯ２  バリア膜として主に働くことにより、Ｚｎの拡散を抑制しすぎてしまうからであり、その結果、高濃度拡散を行うことが困難となるためである。また、このモル比を０．５以下としたのは、Ｚｎのモル比を極端に高くすると、このＺｎＯ・ＳｉＯ２  膜１２が実質的にＺｎＯ膜として振舞って基板の表面と反応してしまい、その結果、基板の表面の境面を損ねてしまうためである。
【００１９】
また、この出願に係る発明者の行った実験結果によれば、このＺｎＯ・ＳｉＯ２  膜１２の膜厚が、１００〜５００Åの膜厚の場合に、Ｚｎの拡散濃度が上昇する。従って、このＺｎＯ・ＳｉＯ２  膜１２の膜厚は１００〜５００Åが望ましい。
【００２０】
この実施例では、ＺｎＯ・ＳｉＯ２  膜の膜厚を１５０Åとする。
【００２１】
次に、このＺｎＯ・ＳｉＯ２  膜１２の上に、Ｚｎの酸化物膜としてのＺｎＯ膜を形成する。このＺｎＯ膜１４は、その膜厚が２００Å以上あれば、実質的に無限の拡散源としてＺｎの固相拡散を行うことができる。この実施例ではＺｎＯ膜の膜厚を１５００Åとする。
【００２２】
次に、このＺｎＯ膜上に、アニーリングキャップ膜１６として厚さ１０００ÅのＳｉＮ膜を形成して拡散源を被覆する。このアニーリングキャップ膜を形成した状態での積層構造体の断面を図１に示す。
【００２３】
次に、この積層構造体に熱処理（アニーリング）を行うことにより、ＺｎＯ・ＳｉＯ膜１２およびＺｎＯ膜１４を拡散源２０として、基板１０に、Ｚｎを固相拡散させる。
【００２４】
アニーリングにあたっては、７５０℃以下の温度で行うことが望ましい。７５０℃より高い温度でアニールすると、拡散源の膜にクラックやピンホールの発生が著しくなり、拡散源の膜のダメージが大きくなる。また、高温でアニールすると、拡散源の膜と基板の表面との反応が起こって、拡散源の膜を除去した後に、境面の表面を得ることが困難となるためである。このため、アニーリングの温度は、より望ましくは６００〜７００℃程度が良い。この実施例では、７００℃の温度で６０分間アニーリングを行って、結合深さが約１．５μｍのＺｎの拡散領域を形成した。
【００２５】
尚、ｎ型ＧａＡｓ１−Ｘ  ＰＸ  エピタキシャル基板のＰの組成比Ｘは、０≦Ｘ≦０．４であることが望ましい。これは、組成比Ｘが０．４よりも大きくなると間接半導体となるためである。また、組成比Ｘが０、即ち、ｎ型ＧａＡｓエピタキシャル基板であっても良い。
【００２６】
次に、図２のグラフに、第１実施例で得られた拡散領域の、Ｚｎ濃度プロフィールを２次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）によって分析した結果を示す。尚、ＳＩＭＳによる分析にあたっては、５．５ｋＶでセシウム（Ｃｅ）を用いた。
【００２７】
図２のグラフの横軸は、基板の化合物半導体の表面からの深さ（μｍ）を表しており、縦軸は、Ｚｎ濃度（個／ｃｍ−３）を対数で表している。そして、グラフ中の曲線Ｉは、第１実施例で得られた拡散領域のＺｎ濃度プロフィールを示している。曲線Ｉに示すように、この実施例では、表面からの深さが１．５μｍ付近までのＺｎ濃度は１０２０個／ｃｍ−３以上を達成している。
【００２８】
また、図２のグラフには、比較例として、従来周知の方法でＺｎを拡散して得られた拡散領域のＺｎ濃度プロフィールのＳＩＭＳによる分析結果も、曲線ＩＩとして重ねて示しある。比較例においては、基板上に、厚さ１５００ÅのＺｎＯ・ＳｉＯ２  膜および厚さ１０００ÅのＳｉＮ膜を順次に積層し、７５０℃の温度で３０分間加熱処理を行ってＺｎを拡散させている。曲線ＩＩに示すように、比較例では、基板の表面付近においてもＺｎ濃度は高々５×１０１９個／ｃｍ−３を越えない程度であり、１０２０個／ｃｍ−３には達しない。
【００２９】
この点、第１実施例では、１０２０個／ｃｍ−３以上の高濃度のＺｎの固相拡散を容易に再現性良く実現することができる。また、基板の化合物半導体基板の表面と、拡散源を構成するＺｎＯ・ＳｉＯ２  膜との反応が弱いため、拡散源を除去した後に境面を得ることができる。
【００３０】
＜第２実施例＞
第２実施例では、第２の発明のＬＥＤの製造方法の一例について説明する。
図３の（Ａ）〜（Ｃ）は、第２実施例のＬＥＤの製造方法の説明に供する前半の断面工程図である。図４の（Ａ）および（Ｂ）は、図３の（Ｃ）に続く、後半の断面工程図である。
【００３１】
第２実施例のＬＥＤの製造方法によれば、先ず、ｎ型ＧａＡｓ０．８  Ｐ０．２  エピタキシャル基板（以下、単にＧａＡｓＰ基板、基板とも称する）３０上に、開口部３２ａを有する、Ａｌ２  Ｏ３  の拡散マスクパターン３２を形成する（図３の（Ａ））。
【００３２】
次に、拡散マスクパターン３２を設けた基板上全面に、Ｐ型のＺｎであるＺｎがドープされたＳｉＯ２  膜（以下、ＺｎＯ・ＳｉＯ２  膜と称する）３４およびＺｎＯ膜３６をスパッタリング法を用いて順次に積層して、ＺｎＯ・ＳｉＯ２  膜３４およびＺｎＯ膜３６からなる拡散源４０を形成する。ここでは、ＺｎＯ・ＳｉＯ２  膜３４の膜厚を１５０Åとし、ＺｎＯ膜３６の膜厚を１５００Åとする。次に、この拡散源４０上に、ＳｉＮからなるアニーリングキャップ膜３８を形成して拡散源４０を被覆する（図３の（Ｂ））。
【００３３】
次に、このアニーリングキャップ膜３８を形成した基板を熱処理する。この熱処理により、拡散源４０から基板３０へ開口部３２ａを介してＺｎを選択的に拡散させて、拡散領域４２を形成する（図３の（Ｃ））。
【００３４】
次に、この拡散源およびこの拡散源上のアニーリングキャップ膜を除去する。この実施例では、基板上に、ＺｎＯ・ＳｉＯ２  膜を設けてあるため、基板の表面と拡散源との反応を抑制することができる。その結果、拡散源を除去することにより、開口部３２ａに露出した拡散領域の表面４４は境面となる（図４の（Ａ））。
【００３５】
次に、開口部３２ａに露出した拡散領域の表面４４の一部に電気的に接続されたＰ側電極としてＡｌ電極４８を形成する。次に、基板の裏面を研磨した後、基板の底面にＮ側電極としてＡｕ合金電極４６を形成する。このＬＥＤでは、この露出した拡散領域の表面４４が発光面４４となる（図４の（Ｂ））。
【００３６】
次に、図５のグラフに、第２実施例で製造したＬＥＤに１．６Ｖ程度の電圧を印加して発光させたときの発光面の発光強度分布を示す。グラフの横軸は、ＬＥＤの発光面の電極からの距離を表し、縦軸は、ＬＥＤの発光強度（任意単位）を表している。そして、図５のグラフ中の曲線ＩＩＩ  は、この実施例で製造したＬＥＤの発光強度分布を示している。曲線ＩＩＩ  に示すように、この実施例で製造したＬＥＤは、発光面全体にわたって、幅１００μｍ程度の範囲で均一な発光強度となっている。
【００３７】
また、図５のグラフには、比較例のＬＥＤの発光強度分布を曲線ＩＶとして重ねて示す。この比較例のＬＥＤは、拡散領域の形成にあたり、従来周知の気相拡散法を用い、７５０℃の温度で、１時間熱処理を行って接合深さ約１．５μｍの拡散領域を形成している。曲線ＩＶに示す比較例では、Ａｌ電極の直近の発光強度のみが強く、Ａｌ電極から遠ざかるにつれて発光強度は急激に減少している。このように、従来の気相拡散によるＬＥＤでは、特に、拡散領域の結合の深さＸｊ  が１．５μｍ以下の浅い場合に、発光強度の面内分布の不均一が顕著となる。
【００３８】
この点、第２実施例のＬＥＤでは、拡散領域の結合深さが浅くとも、Ｚｎの拡散濃度が高くなっている。このため、浅い結合深さであっても、電極付近直下の領域に電流が集中せずにＬＥＤの発光面内での発光強度を均一にすることができる。その結果、電極から離れても発光強度がほとんど減少しないので、高い光量のＬＥＤを得ることができる。また、結合深さが浅いと、発光層におけるＺｎのサイド拡散を抑制することができ、高密度のＬＥＤアレイが作成可能というメリットもある。
【００３９】
＜第３実施例＞
第３実施例では、第２の発明のＬＥＤの製造方法の一例について説明する。
図６の（Ａ）〜（Ｃ）は、第３実施例のＬＥＤの製造方法の説明に供する前半の断面工程図である。図７の（Ａ）および（Ｂ）は、図６の（Ｃ）に続く、後半の断面工程図である。
【００４０】
第３実施例のＬＥＤの製造方法によれば、先ず、ｎ型ＧａＡｓＰエピタキシャル基板（以下、単にＧａＡｓＰ基板、基板とも称する）５０上全面に、Ｐ型のＺｎであるＺｎがドープされたＳｉＯ２  膜（以下、ＺｎＯ・ＳｉＯ２  膜と称する）５４およびＺｎＯ膜５６をスパッタリング法を用いて順次にスパッタリング法を用いて積層して、ＺｎＯ・ＳｉＯ２  膜５４およびＺｎＯ膜５６からなる拡散源（図示せず）を形成する。この実施例では、ＺｎＯ・ＳｉＯ２  膜５４の膜厚を１５０Åとし、ＺｎＯ膜５６の膜厚を１５００Åとする。次に、フォトリソグラフィーおよびエッチングを行って、島状の拡散源パターン６０を画成する（図６の（Ａ））。
【００４１】
次に、拡散源パターン６０を画成した基板状全面に、ＳｉＮからなるアニーリングキャップ膜５８を形成する（図６の（Ｂ））。
【００４２】
次に、このアニーリングキャップ膜５８を形成した基板を熱処理する。この熱処理により、拡散源パターン６０から基板５０へＺｎを選択的に拡散させて、拡散領域６２を形成する（図６の（Ｃ））。
【００４３】
次に、拡散源パターン６０上に開口部６４ａを具えたレジストパターン６４を形成する（図７の（Ａ））。
【００４４】
次に、バッファードフッ酸を用いてレジストパターンを介してエッチングを行って、開口部６４ａに露出したアニーリングキャップ膜５８部分および拡散源パターン６０を除去して、拡散領域６２の表面を露出させる。この表面は、第２実施例で得られた表面４４と同様に境面となる。
【００４５】
次に、開口部６４ａに露出した拡散領域の表面６４の一部に電気的に接続されたＰ側電極としてＡｌ電極６８を形成する。次に、基板の裏面を研磨した後、Ｎ側電極としてＡｕ合金電極６６を形成する。このようにして、ＬＥＤを得ることができる（図７の（Ｂ））。
【００４６】
第３実施例のＬＥＤは、第２実施例のＬＥＤと同様に、拡散領域の結合深さが浅くとも、Ｚｎの拡散濃度が高くなっている。このため、浅い結合深さであってもＬＥＤの発光面内での発光強度を均一にすることができる。その結果、電極から離れても発光強度がほとんど減少しないので、高い光量のＬＥＤを得ることができる。また、結合深さが浅いと、発光層におけるＺｎのサイド拡散を抑制することができる。このため、高密度のＬＥＤアレイが作成可能となる。
【００４７】
上述した各実施例では、この出願に係る各発明を特定の材料を使用し、特定の条件で形成した例について説明したが、これらの発明は多くの変更および変形を行うことができる。例えば、上述した各実施例では、拡散源となる膜をスパッタ法を用いて形成したが、これらの発明では、拡散源となる膜をスパッタ法以外の方法、例えばＣＶＤ法を用いて形成することも考え得る。
【００４８】
また、上述した各実施例では、アニーリングキャップ膜として、ＳｉＮ膜を形成したが、これらの発明では、アニーリングキャップ膜として、例えば、Ａｌ２  Ｏ３  膜、ＳｉＯ２  膜、ＳｉＯＮ膜またはＡｌＮ膜を形成しても良い。
【００４９】
また、上述した各実施例では、Ｚｎドープド酸化膜として、ＳｉＯ２  にＺｎをドープしたものを用いたが、これらの発明では、例えばＡｌ２  Ｏ３  にＺｎをドープしたものをＺｎドープド酸化膜として用いても良い。
【００５０】
また、上述した各実施例では、基板や基板としてＧａＡｓＰ基板を用いたが、これらの発明では、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓＩｎＰといった化合物半導体を材料として用いることも考えられる。
【００５１】
【発明の効果】
この出願に係る第１の発明のＺｎの拡散方法によれば、ｎ型化合物半導体の基板上に、順次に積層した、Ｚｎドープドオキサイド膜、Ｚｎ酸化膜を拡散源としてＺｎの固相拡散を行う。その結果、基板の表面と拡散源との反応を抑制して、且つ、基板へ高濃度のＺｎの固相拡散を行うことができる。
【００５２】
また、この出願に係る第２の発明のＬＥＤの製造方法によれば、ｎ型化合物半導体の基板上に、順次に積層した、Ｚｎドープドオキサイド膜、Ｚｎ酸化膜を拡散源としてＺｎの固相拡散を行う。その結果、基板の表面と拡散源との反応を抑制して、且つ、基板への高濃度のＺｎの固相拡散を行うことができる。その結果、拡散領域の結合深さが浅くとも、Ｚｎ濃度が高く、シート抵抗の低い拡散領域を形成することができる。このため、拡散領域の上面での発光強度が均一なＬＥＤを作成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施例のＺｎの固相拡散方法の説明に供する断面図である。
【図２】第１実施例において得られた拡散領域の、Ｚｎ濃度プロフィールの分析結果を示すグラフである。
【図３】（Ａ）〜（Ｃ）は、第２実施例のＬＥＤの製造方法の説明に供する前半の断面工程図である。
【図４】（Ａ）および（Ｂ）は、図３の（Ｃ）に続く後半の断面工程図である。
【図５】第２実施例で製造したＬＥＤの平面図および発光強度分布のグラフである。
【図６】（Ａ）〜（Ｃ）は、第３実施例のＬＥＤの製造方法の説明に供する前半の断面工程図である。
【図７】（Ａ）および（Ｂ）は、図６の（Ｃ）に続く後半の断面工程図である。
【符号の説明】
１０：ＧａＡｓＰ基板
１２：ＺｎＯ・ＳｉＯ２  膜
１４：ＺｎＯ膜
１６：アニーリングキャップ膜（ＳｉＮ膜）
２０：拡散源
３０：ｎ型ＧａＡｓＰ基板
３２：マスクパターン
３２ａ：開口部
３４：ＺｎＯ・ＳｉＯ２  膜
３６：ＺｎＯ膜
３８：アニーリングキャップ膜（ＳｉＮ膜）
４０：拡散源
４２：拡散領域
４４：表面
４６：Ａｕ合金電極
４８：Ａｌ電極
５０：基板
５４：ＺｎＯ・ＳｉＯ２  膜
５６：ＺｎＯ膜
５８：アニーリングキャップ膜（ＳｉＮ膜）
６０：拡散源パターン
６２：拡散領域
６４：レジストパターン
６４ａ：開口部
６６：Ａｕ合金電極
６８：Ａｌ電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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