(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にレジストを塗布して露光装置に受け渡し，前記露光装置から受け取った前記基板を現像処理するレジスト処理装置であって，
・少なくとも前記露光装置から受け取った基板を加熱処理する加熱処理部と，
・少なくとも前記露光装置と加熱処理部との間で基板を受け渡す搬送機構と，
・熱センサを有するダミー基板が待機する待機部と，
・前記加熱処理部に配置され，前記搬送機構によって前記基板待機部から前記加熱処理部へ受け渡されて当該加熱処理部で加熱処理された前記ダミー基板の前記熱センサでセンシングされた温度を計測する計測手段とを具備し，
前記ダミー基板が，当該ダミー基板の表面に露出し，前記熱センサでセンシングされた結果を出力するための端子を有し，
前記計測手段は，前記加熱処理部内で前記ダミー基板の前記端子に接触し，前記端子から出力されるセンシングされた結果を入力するためのピンを有することを特徴とする，レジスト処理装置。
【請求項２】
基板上にレジストを塗布して露光装置に受け渡し，前記露光装置から受け取った前記基板を現像処理するレジスト処理装置であって，
・少なくとも前記露光装置から受け取った基板を加熱処理する加熱処理部と，
・少なくとも前記露光装置と加熱処理部との間で基板を受け渡す搬送機構と，
・熱センサを有するダミー基板が待機する待機部と，
・前記加熱処理部に配置され，前記搬送機構によって前記基板待機部から前記加熱処理部へ受け渡されて当該加熱処理部で加熱処理された前記ダミー基板の前記熱センサでセンシングされた温度を計測する計測手段とを具備し，
前記ダミー基板が，当該ダミー基板の表面に露出し，前記熱センサでセンシングされた結果を出力するための端子を有し，
前記計測手段は，前記加熱処理部内で前記ダミー基板の前記端子に接触し，前記端子から出力されるセンシングされた結果を入力するためのピンを有し，
前記加熱処理部が，前記基板の上部より前記基板を覆うように上下動可能に配置された蓋を有し，
前記ピンは，前記蓋が基板を覆ったときに前記ダミー基板の前記端子に接触する位置に配置されていることを特徴とする，レジスト処理装置。
【請求項３】
前記待機部が，前記露光装置と前記加熱処理部との搬送路上の温度雰囲気内に配置されていることを特徴とする，請求項１又は２に記載のレジスト処理装置。
【請求項４】
前記露光装置との間で基板を受け渡すためのインターフェイス部を有し，前記待機部が，前記インターフェイス部に配置されていることを特徴とする，請求項１，２又は３のいずれかに記載のレジスト処理装置。
【請求項５】
基板上にレジストを塗布して露光装置に受け渡し，前記露光装置から受け取った前記基板を現像処理するレジスト処理装置であって，
・前記基板を加熱処理する加熱処理部と，
・熱センサ及び前記熱センサによるセンシング結果を記憶する記憶素子を有するダミー基板が待機する待機部と，
・前記加熱処理部で加熱処理された前記ダミー基板の記憶素子に記憶されたセンシング結果を読み出す手段と
を具備したことを特徴とする，レジスト処理装置。
【請求項６】
前記記憶素子が，前記ダミー基板上に直接形成されていることを特徴とする，請求項５に記載のレジスト処理装置。
【請求項７】
基板上にレジストを塗布して露光装置に受け渡し，前記露光装置から受け取った前記基板を現像処理するレジスト処理装置であって，
・前記基板を加熱処理する加熱処理部と，
・熱センサ及び前記熱センサによるセンシング結果を無線で送信する送信機を有するダミー基板が待機する待機部と，
・前記加熱処理部で加熱処理された前記ダミー基板の前記送信機から送信されたセンシング結果を受信する手段と
を具備したことを特徴とする，レジスト処理装置。
【請求項８】
前記送信機は，赤外線を使った無線で送信するように構成されたことを特徴とする，請求項７に記載のレジスト処理装置。
【請求項９】
前記ダミー基板は，前記基板と同じ部材で構成されていることを特徴とする，請求項１，２，３，４，５，６，７又は８のいずれかに記載のレジスト処理装置。
【請求項１０】
基板上にレジストを塗布して露光装置に受け渡し，前記露光装置から受け取った前記基板を現像処理するレジスト処理装置における，測定方法であって，
・熱センサを有するダミー基板をあらかじめ待機させる工程と，
・前記露光装置から受け取った基板を加熱処理する加熱処理部に所定のタイミングで前記ダミー基板を搬入する工程と，
・前記加熱処理部において前記搬入されたダミー基板を加熱処理する工程と，
・前記加熱処理されたダミー基板の熱センサでセンシングされた温度を計測する工程とを具備し，
前記熱センサでセンシングされた温度の計測は，前記ダミー基板の表面に露出して，前記熱センサでセンシングされた結果を出力するための端子が，前記端子から出力されるセンシングされた結果を入力するためのピンと，前記加熱処理部内において接触することで行われることを特徴とする，測定方法。
【請求項１１】
基板上にレジストを塗布して露光装置に受け渡し，前記露光装置から受け取った前記基板を現像処理するレジスト処理装置における，測定方法であって，
・熱センサを有するダミー基板をあらかじめ待機させる工程と，
・前記露光装置から受け取った基板を加熱処理する加熱処理部に所定のタイミングで前記ダミー基板を搬入する工程と，
・前記加熱処理部において前記搬入されたダミー基板を加熱処理する工程と，
・前記加熱処理されたダミー基板の熱センサでセンシングされた温度を計測する工程とを具備し，
前記熱センサでセンシングされた温度の計測は，前記ダミー基板の表面に露出して前記熱センサでセンシングされた結果を出力するための端子が，前記端子から出力されるセンシングされた結果を入力するためのピンと，前記加熱処理部内において接触することで行われ，
前記ピンは，前記基板の上部より前記基板を覆うように上下動可能に配置された前記加熱処理部の蓋が前記基板を覆ったときに，前記ダミー基板の前記端子に接触する位置に配置されていることを特徴とする，測定方法。
【請求項１２】
基板上にレジストを塗布して露光装置に受け渡し，前記露光装置から受け取った前記基板を現像処理するレジスト処理装置における，測定方法であって，
・熱センサ及び前記熱センサによるセンシング結果を記憶する記憶素子を有するダミー基板をあらかじめ待機させる工程と，
・前記露光装置から受け取った基板を加熱処理する加熱処理部に所定のタイミングで前記ダミー基板を搬入する工程と，
・前記加熱処理部で前記搬入されたダミー基板を加熱処理する工程と，
・前記加熱処理されたダミー基板の記憶素子に記憶されたセンシング結果を読み出す工程と
を具備することを特徴とする，測定方法。
【請求項１３】
前記読み出し工程前に，前記加熱処理されたダミー基板を加熱処理部から前記加熱処理されたダミー基板の記憶素子に記憶されたセンシング結果を読み出す読み出し部に搬送する工程を更に具備することを特徴とする，請求項１２に記載の測定方法。
【請求項１４】
基板上にレジストを塗布して露光装置に受け渡し，前記露光装置から受け取った前記基板を現像処理するレジスト処理装置における測定方法であって，
熱センサ及び前記熱センサによるセンシング結果を無線で送信する送信機を有するダミー基板をあらかじめ待機させ，
・前記露光装置から受け取った基板を加熱処理する加熱処理部に所定のタイミングで前記ダミー基板を搬入する工程と，
・前記加熱処理部で前記搬入されたダミー基板を加熱処理する工程と，
・前記加熱処理された前記ダミー基板の前記送信機から送信されたセンシング結果を受信する工程と，
を具備したことを特徴とする，測定方法。
【請求項１５】
前記受信する工程前に，前記加熱処理されたダミー基板を加熱処理部から前記加熱処理されたダミー基板の送信機から送信されたセンシング結果を受信する受信部に搬送する工程を更に具備することを特徴とする，請求項１４に記載の測定方法。
【請求項１６】
前記所定のタイミングは，メンテナンス時であることを特徴とする，請求項１１，１２，１３，１４又は１５のいずれかに記載の測定方法。
【請求項１７】
前記所定のタイミングは，前記基板のロット単位での処理の開始前であることを特徴とする，請求項１１，１２，１３，１４又は１５のいずれかに記載の測定方法。
【請求項１８】
前記所定のタイミングは，レジスト処理装置の稼働立ち上げ時であることを特徴とする，請求項１１，１２，１３，１４又は１５のいずれかに記載の測定方法。
【請求項１９】
前記基板の異常を検出する工程を更に具備し，前記所定のタイミングが，前記基板の異常が検出されたときであることを特徴とする，請求項１１，１２，１３，１４又は１５のいずれかに記載の測定方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，基板上にレジストを塗布して露光装置に受け渡し，露光装置から受け取った基板を現像処理するレジスト処理装置及びその装置の測定方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
例えば半導体デバイスの製造におけるフォトレジスト処理工程においては，半導体ウエハ（以下，「ウエハ」と称する。）などの基板の表面にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し，次いで該レジスト膜上に所定のパターンを露光した後，当該基板に現像液を塗布して現像処理することが行われる。このような一連の処理を行うにあたっては，従来からレジスト処理装置及び露光装置が使用されている。
【０００３】
従来のこの種のレジスト処理装置は，塗布現像処理に必要な一連の処理を個別に行う処理ユニット備えている。例えば，疎水化処理ユニット，塗布処理ユニット，加熱処理ユニット，現像処理ユニット等を備えている。疎水化処理ユニットは，レジストの定着性を向上させるための疎水化処理（アドヒージョン処理）を行う。塗布処理ユニットは，レジスト液の塗布を行う。加熱処理ユニットは，レジスト液塗布後の基板を加熱してレジスト膜を硬化させる。また別の加熱処理ユニットは，露光後の基板を所定の温度で加熱する。現像処理ユニットは，露光後の基板を現像する現像処理を行う。各処理ユニット間のウエハの搬送，並びに各処理ユニットに対するウエハの搬入出には，たとえばウエハを保持した状態で搬送可能に構成されている搬送装置が用いられている。
【０００４】
上記の加熱処理ユニットにおける温度管理は非常に重要である。温度管理が悪いと，レジストの膜厚不良や現像不良を引き起こすからである。そのため従来は，熱電対が埋め込まれたダミーウエハを使って，加熱処理ユニット内の温度ではなく加熱処理ユニット内のウエハの実際の温度を測定している。
【０００５】
より具体的に説明すると，測定が必要なときにレジスト処理装置の動作を停止し，加熱処理ユニットの蓋を開ける。そして前記熱電対を有するウエハ（以下，熱電対ウエハ）を加熱処理ユニットのウエハ加熱位置に作業員が注意深く置いた後，通常の加熱処理と同様に熱電対ウエハを加熱処理する。その後，別設の温度測定器によって，熱電対ウエハに埋め込まれた熱電対を介して温度を測定し，測定結果を処理するようにしていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら，従来は上述した一連の作業を人手を介してマニュアルで行っていたため，加熱処理されたウエハの温度を正確に測定するのは困難であった。また熱電対ウエハと温度測定器とを結ぶ複数のケーブルと加熱処理ユニットのカバーとの緩衝や，熱電対ウエハを加熱処理ユニットの加熱位置にマニュアルで載置する際の人為的ミスなどもその原因として挙げられる。しかも，上述したようなマニュアルによる測定では，実際のラインを相当の間停止することになるため，装置の稼動ロスタイムに影響を及ぼしている。さらにまた，ピンセットから熱電対ウエハを落下させて破損させてしまう等の人為的なミスも誘発するという問題もあった。
【０００７】
本発明はこのような問題に鑑みてなされたものであり，本発明の目的は，加熱処理された基板の温度を正確に測定することができるレジスト処理装置及びその測定方法を提供することにある。また本発明の別の目的は，可能な限り装置の稼動ロスタイムに影響を与えることなく，加熱処理された基板の温度を測定することができるレジスト処理装置及びその測定方法を提供することにある。また本発明のさらに別の目的は，熱処理された基板の温度を人為的なミスなく測定できるレジスト処理装置及びその測定方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するため，請求項１によれば，基板上にレジストを塗布して露光装置に受け渡し，前記露光装置から受け取った前記基板を現像処理するレジスト処理装置であって，少なくとも前記露光装置から受け取った基板を加熱処理する加熱処理部と，少なくとも前記露光装置と加熱処理部との間で基板を受け渡す搬送機構と，熱センサを有するダミー基板が待機する待機部と，前記加熱処理部に配置され，前記搬送機構によって前記基板待機部から前記加熱処理部へ受け渡されて当該加熱処理部で加熱処理された前記ダミー基板の前記熱センサでセンシングされた温度を計測する計測手段とを具備し，前記ダミー基板が，当該ダミー基板の表面に露出し，前記熱センサでセンシングされた結果を出力するための端子を有し，前記計測手段は，前記加熱処理部内で前記ダミー基板の前記端子に接触し，前記端子から出力されるセンシングされた結果を入力するためのピンを有することを特徴とする，レジスト処理装置が提供される。
【０００９】
このように請求項１の発明では，搬送機構によって前記基板待機部から前記加熱処理部へ受け渡されて当該加熱処理部で加熱処理された前記ダミー基板の前記熱センサでセンシングされた温度を，計測手段によって計測するようにしたので，加熱処理された基板の温度を正確に測定することができる。また可能な限り装置の稼働ロスタイムに影響を与えることなく，加熱処理された基板の温度を人為的なミスがなく測定できる。またケーブルレスの測定系も実現できる。
【００１０】
また請求項２では，基板上にレジストを塗布して露光装置に受け渡し，前記露光装置から受け取った前記基板を現像処理するレジスト処理装置であって，・少なくとも前記露光装置から受け取った基板を加熱処理する加熱処理部と，・少なくとも前記露光装置と加熱処理部との間で基板を受け渡す搬送機構と，・熱センサを有するダミー基板が待機する待機部と，・前記加熱処理部に配置され，前記搬送機構によって前記基板待機部から前記加熱処理部へ受け渡されて当該加熱処理部で加熱処理された前記ダミー基板の前記熱センサでセンシングされた温度を計測する計測手段とを具備し，前記ダミー基板が，当該ダミー基板の表面に露出し，前記熱センサでセンシングされた結果を出力するための端子を有し，前記計測手段は，前記加熱処理部内で前記ダミー基板の前記端子に接触し，前記端子から出力されるセンシングされた結果を入力するためのピンを有し，前記加熱処理部が，前記基板の上部より前記基板を覆うように上下動可能に配置された蓋を有し，前記ピンは，前記蓋が基板を覆ったときに前記ダミー基板の前記端子に接触する位置に配置されていることを特徴とする，レジスト処理装置が提供される。
【００１１】
これらの場合，請求項３のように，前記待機部は，前記露光装置と前記加熱処理部との搬送路上の温度雰囲気内に配置されていることが好ましい。さらにまた請求項４のように，前記露光装置との間で基板を受け渡すためのインターフェイス部を有し，前記待機部は，このインターフェイス部に配置されていてもよい。
【００１４】
請求項５によれば，基板上にレジストを塗布して露光装置に受け渡し，前記露光装置から受け取った前記基板を現像処理するレジスト処理装置であって，前記基板を加熱処理する加熱処理部と，熱センサ及び前記熱センサによるセンシング結果を記憶する記憶素子を有するダミー基板が待機する待機部と，前記加熱処理部で加熱処理された前記ダミー基板の記憶素子に記憶されたセンシング結果を読み出す手段とを具備したことを特徴とする，レジスト処理装置が提供される。
【００１５】
この場合，請求項６のように，前記記憶素子が，前記ダミー基板上に直接形成されていてもよい。
【００１６】
請求項７によれば，基板上にレジストを塗布して露光装置に受け渡し，前記露光装置から受け取った前記基板を現像処理するレジスト処理装置であって，前記基板を加熱処理する加熱処理部と，熱センサ及び前記熱センサによるセンシング結果を無線で送信する送信機を有するダミー基板が待機する待機部と，前記加熱処理部で加熱処理された前記ダミー基板の前記送信機から送信されたセンシング結果を受信する手段とを具備したことを特徴とする，レジスト処理装置が提供される。
【００１７】
この場合，請求項８のように，前記送信機は，赤外線を使った無線で送信するように構成すれば好ましい。
【００１８】
また以上の各レジスト処理装置において使用するダミー基板は，請求項９に記載したように，前記基板と同じ部材で構成されていることが好ましい。
【００１９】
請求項１０によれば，基板上にレジストを塗布して露光装置に受け渡し，前記露光装置から受け取った前記基板を現像処理するレジスト処理装置における，温度を測定方法であって，熱センサを有するダミー基板をあらかじめ待機させる工程と，前記露光装置から受け取った基板を加熱処理する加熱処理部に所定のタイミングで前記ダミー基板を搬入する工程と，前記加熱処理部において前記搬入されたダミー基板を加熱処理する工程と，前記加熱処理されたダミー基板の熱センサでセンシングされた温度を計測する工程とを具備し，前記熱センサでセンシングされた温度の計測は，前記ダミー基板の表面に露出して，前記熱センサでセンシングされた結果を出力するための端子が，前記端子から出力されるセンシングされた結果を入力するためのピンと，前記加熱処理部内において接触することで行われることを特徴とする，測定方法が提供される。
また請求項１１によれば，基板上にレジストを塗布して露光装置に受け渡し，前記露光装置から受け取った前記基板を現像処理するレジスト処理装置における，測定方法であって，・熱センサを有するダミー基板をあらかじめ待機させる工程と，・前記露光装置から受け取った基板を加熱処理する加熱処理部に所定のタイミングで前記ダミー基板を搬入する工程と，・前記加熱処理部において前記搬入されたダミー基板を加熱処理する工程と，・前記加熱処理されたダミー基板の熱センサでセンシングされた温度を計測する工程とを具備し，
前記熱センサでセンシングされた温度の計測は，前記ダミー基板の表面に露出して前記熱センサでセンシングされた結果を出力するための端子が，前記端子から出力されるセンシングされた結果を入力するためのピンと，前記加熱処理部内において接触することで行われ，前記ピンは，前記基板の上部より前記基板を覆うように上下動可能に配置された前記加熱処理部の蓋が前記基板を覆ったときに，前記ダミー基板の前記端子に接触する位置に配置されていることを特徴とする，測定方法が提供される。
前記ダミー基板を搬入する際には，搬送機構を用いることが好ましい。
【００２０】
請求項１２によれば，基板上にレジストを塗布して露光装置に受け渡し，前記露光装置から受け取った前記基板を現像処理するレジスト処理装置における，温度の測定方法であって，熱センサ及び前記熱センサによるセンシング結果を記憶する記憶素子を有するダミー基板をあらかじめ待機させる工程と，前記露光装置から受け取った基板を加熱処理する加熱処理部に所定のタイミングで前記ダミー基板を搬入する工程と，前記加熱処理部で前記搬入されたダミー基板を加熱処理する工程と，前記加熱処理されたダミー基板の記憶素子に記憶されたセンシング結果を読み出す工程とを具備することを特徴とする，測定方法が提供される。
【００２１】
この場合，請求項１３のように，前記読み出し工程前に，前記加熱処理されたダミー基板を加熱処理部から，前記加熱処理されたダミー基板の記憶素子に記憶されたセンシング結果を読み出す読み出し部に，搬送する工程を更に具備するようにしてもよい。
【００２２】
請求項１４によれば，基板上にレジストを塗布して露光装置に受け渡し，前記露光装置から受け取った前記基板を現像処理するレジスト処理装置における測定方法であって，熱センサ及び前記熱センサによるセンシング結果を無線で送信する送信機を有するダミー基板をあらかじめ待機させ，前記露光装置から受け取った基板を加熱処理する加熱処理部に所定のタイミングで前記ダミー基板を搬入する工程と，前記加熱処理部で前記搬入されたダミー基板を加熱処理する工程と，前記加熱処理された前記ダミー基板の前記送信機から送信されたセンシング結果を受信する工程とを具備したことを特徴とする，測定方法が提供される。
【００２３】
この場合，請求項１５のように，前記受信する工程前に，前記加熱処理されたダミー基板を加熱処理部から前記加熱処理されたダミー基板の送信機から送信されたセンシング結果を受信する受信部に搬送する工程を更に具備するようにしててもよい。
【００２４】
前記各測定方法における所定のタイミングは，請求項１６のように，メンテナンス時や，請求項１７のような基板のロット単位での処理の開始前や，請求項１８のようなレジスト処理装置の稼働立ち上げ時を提案することができる。さらにその他，請求項１９のように，前記基板の異常を検出する工程を更に具備し，その際に前記基板の異常が検出されたときであってもよい。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下，本発明の好ましい実施の形態について説明するが，用語は単に説明の便宜のため以下に記述されたものが用いられるのであって，これらに限定されない。上，下，右および左なる語は参照された図面での方向を示すものである。ＩＮ，ＯＵＴなる語は装置やそれらの示された部分の中心へ向かう，あるいは離れることを表している。そのような用語は派生語及び同趣旨の語も含む。
【００２６】
図１〜図３に示すように，本実施の形態かかるレジスト処理装置１は，カセットステーション１０，処理ステーション１１及びインターフェイス部１２を一体に接続した構成を有している。カセットステーション１０では，ウエハＷが（カセットＣ単位で複数枚，たとえば２５枚単位で）外部からレジスト処理装置１に搬入され，またレジスト処理装置１から外部に搬出される。また，カセットＣに対してもウエハＷが搬出・搬入される。処理ステーション１１では，塗布現像処理工程の中で１枚ずつウエハＷに所定の処理を施す枚葉式の各種処理ユニットが所定位置に多段に配置されている。インターフェイス部１２では，このレジスト処理装置１に隣接して設けられる露光装置１３との間でウエハＷが受け渡されるようになっている。
【００２７】
カセットステーション１０では，図１に示すように，載置部となるカセット載置台２０上の位置決め突起２０ａの位置に複数個（たとえば４個）のカセットＣが，それぞれのウエハＷ出入口を処理ステーション１１側に向けてＸ方向（図１中の上下方向）一列に載置される。このカセットＣ配列方向（Ｘ方向）およびカセットＣ内に収容されたウエハＷのウエハＷ配列方向（Ｚ方向；垂直方向）に移動可能なウエハ搬送体２１が，搬送路２１ａに沿って移動自在であり，各カセットＣに選択的にアクセスする。
【００２８】
ウエハ搬送体２１は，θ方向に回転自在に構成されており，後述するように処理ステーション１１側の第３の処理装置群Ｇ３の多段ユニット部に属するアライメントユニット（ＡＬＩＭ）およびエクステンションユニット（ＥＸＴ）にもアクセスできるようになっている。
【００２９】
処理ステーション１１では，図１に示すように，その中心部には垂直搬送型の搬送装置２２が設けられ，その周りにユニットとしての各種処理装置が１組または複数の組に亙って多段集積配置されて処理装置群を構成している。かかるレジスト処理装置１においては，５つの処理装置群Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４，Ｇ５が配置可能な構成であり，第１および第２の処理装置群Ｇ１，Ｇ２はシステム正面側に配置され，第３の処理装置群Ｇ３はカセットステーション１０に隣接して配置され，第４の処理装置群Ｇ４はインターフェイス部１２に隣接して配置され，さらに破線で示した第５の処理装置群Ｇ５を背面側に配置することが可能となっている。搬送装置２２は，θ方向に回転自在でＺ方向に移動可能に構成されており，各処理装置との間でウエハＷの受け渡しが可能とされている。
【００３０】
第１の処理装置群Ｇ１では，図２に示すように，カップＣＰ内でウエハＷをスピンチャックに載せて所定の処理を行う２台のスピンナ型処理装置，たとえばレジスト液塗布装置（ＣＯＴ）および現像処理装置（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ねられている。そして第１の処理装置群Ｇ１と同様に，第２の処理装置群Ｇ２においても，２台のスピンナ型処理装置，たとえばレジスト液塗布装置（ＣＯＴ）および現像処理装置（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ねられている。
【００３１】
図２に示すように，このレジスト処理装置１の上部には，たとえばＵＬＰＡフィルタなどの高性能フィルタ２３が，前記３つのゾーン（カセットステーション１０，処理ステーション１１，インターフェイス部１２）毎に設けられている。この高性能フィルタ２３の上流側から供給された空気は，当該高性能フィルタ２３を通過する際に，パーティクルや有機成分が捕集，除去される。したがって，この高性能フィルタ２３を介して，上記のカセット載置台２０，ウエハ搬送体２１の搬送路２１ａ，第１〜第２の処理装置群Ｇ１，Ｇ２，後述する第３〜第５の処理装置群Ｇ３，Ｇ４，Ｇ５およびインターフェイス部１２には，上方からの清浄な空気のダウンフローが，同図の実線矢印または点線矢印の方向に供給されている。
【００３２】
第３の処理装置群Ｇ３では，図３に示すように，ウエハＷを載置台（図示せず）に載せて所定の処理を行うオーブン型の処理装置，たとえば冷却処理を行うクーリング装置（ＣＯＬ），レジストの定着性を高めるためのいわゆる疎水化処理を行うアドヒージョン装置（ＡＤ），位置合わせを行うアライメント装置（ＡＬＩＭ），エクステンション装置（ＥＸＴ），露光処理前の加熱処理を行うプリベーキング装置（ＰＲＥＢＡＫＥ）およびポストベーキング装置（ＰＯＢＡＫＥ）が下から順に，たとえば８段に重ねられている。
【００３３】
同様に，第４の処理装置群Ｇ４では，図３に示すように，ウエハＷを載置台（図示せず）に載せて所定の処理を行うオーブン型の処理装置，たとえば冷却処理を行うクーリング装置（ＣＯＬ），冷却処理も兼ねたエクステンション・クーリング装置（ＥＸＴＣＯＬ），エクステンション装置（ＥＸＴ），アドヒージョン装置（ＡＤ），プリベーキング装置（ＰＲＥＢＡＫＥ）およびポストベーキング装置（ＰＯＢＡＫＥ）が下から順に，たとえば８段に重ねられている。このように処理温度の低いクーリング装置（ＣＯＬ）やエクステンション・クーリング装置（ＥＸＴＣＯＬ）を下段に配置し，処理温度の高いプリベーキング装置（ＰＲＥＢＡＫＥ），ポストベーキング装置（ＰＯＢＡＫＥ）およびアドヒージョン装置（ＡＤ）を上段に配置することで，装置間の熱的な相互干渉を少なくすることができる。
【００３４】
インターフェイス部１２では，図１に示すように，奥行き方向（Ｘ方向）については，上記処理ステーション１１と同じ寸法を有するが，幅方向についてはより小さなサイズに設定されている。図１および図２に示すように，このインターフェイス部１２の正面側には，可搬性のピックアップカセットＣＲと，定置型のバッファカセットＢＲが２段に配置され，他方背面部には周辺露光装置２４が配設されている。可搬性のピックアップカセットＣＲまたは定置型のバッファカセットＢＲには，後述する少なくと１枚のダミーウエハＤＷがあらかじめ待機している。
【００３５】
インターフェイス部１２の中央部には，ウエハ搬送体２５が設けられている。ウエハ搬送体２５は，Ｘ方向，Ｚ方向（垂直方向）に移動して両カセットＣＲ，ＢＲおよび周辺露光装置２４にアクセスできるようになっている。ウエハ搬送体２５は，θ方向にも回転自在となるように構成されており，処理ステーション１１側の第４の処理装置群Ｇ４に属するエクステンション装置（ＥＸＴ）や，さらには隣接する露光装置１３側のウエハ受け渡し台（図示せず）にもアクセスできるようになっている。
【００３６】
図４および図５に示すように，ダミーウエハＤＷでは，基本的はウエハＷと同一の部材であって同一寸法で構成された本体３１に，熱センサとしての熱電対３２が埋め込まれている。本体３１の表面には，後述する測定用のピンが接触し，熱電対３２でセンシングされた結果を測定用のピンを介して外部に出力するための端子３３が設けられている。熱電対３２と端子３３との間は，配線３４により電気的に接続されている。複数の熱電対３２を本体３１に埋め込むことで温度分布も知ることができる。
【００３７】
第３の処理装置群Ｇ３および第４の処理装置群Ｇ４におけるポストベーキング装置（ＰＯＢＡＫＥ）として，図６に示すように，温度管理をより正確に行い，また加熱処理後の冷却を迅速に行うためにチリングホットプレート４１を採用している。
【００３８】
チリングホットプレート４１では，ベース４２上に加熱処理部４３と冷却部４４とが隣接して配置されている。加熱処理部４２では，ウエハＷを支持する支持ピン４５がホットプレート４６表面から出没可能に配置されている。支持ピン４５は駆動装置４７により上下動されるもので，駆動装置４７の駆動によりウエハＷを搬送装置２２などから受け取る際にはホットプレート４６表面より突き出るようにされ，ウエハＷを加熱処理する際にはホットプレート４６より没するようにされている（図６の状態）。
【００３９】
また，ウエハＷの上部よりウエハＷを覆うように蓋４８が配置されている。蓋４８は駆動装置（図示省略）により上下動される。加熱処理部４３よりウエハＷを出し入れする際には蓋４８が空き，ウエハＷを加熱処理する際には蓋４８が閉じてホットプレート４６と蓋４８との間で処理空間が形成される（図６の状態）。蓋４８の頂部には排気口４９が設けられている。また，蓋４８の内側には，蓋４８が閉じたときにダミーウエハＤＷの端子３３に接触するように測定用のピン５０が配置されている。
【００４０】
蓋４８が閉じたとき，測定用のピン５０の先端の位置は，図７に示すように通常のウエハＷの表面に接触しないが，図８に示すようにダミーウエハＤＷの端子３３（表面より突き出ているので）には接触するようにされている。このような構造により，特別の駆動や制御をすることなくダミーウエハＤＷからデータを採取することが可能となる。
【００４１】
図６に示すように，測定用のピン５０は当該ピン５０を介して入力したデータを処理をする例えばパソコンで構成される処理部５１に接続されている。処理部５１は，所定のタイミングでダミーウエハＤＷを待機位置からこの加熱処理部４３内に送り込み，温度を測定し，その結果を例えば液晶パネルから構成される表示部５２に表示する。
【００４２】
ここで，ダミーウエハＤＷを使って温度を測定する上記の所定のタイミングとは，
１）メンテナンス時
２）ウエハＷのロット単位
３）ウエハの異常が検出されたとき
４）レジスト処理装置１の稼働立ち上げ時
等が有る。ウエハの異常とは，例えば露光不良やレジストの膜厚不良のことである。
【００４３】
図６に示すように，チリングホットプレート４１における冷却部４４では，チルアーム５３が駆動部５４の駆動により加熱処理部４３内にアクセスできるように構成されている。このように構成されたチリングホットプレート４１では，図６中左側の搬送装置２２からウエハＷを受け取り，加熱処理部４３で加熱処理を行った後，冷却部４４に受け渡してここで冷却を行い。その後，冷却されたウエハＷを加熱処理部４３を介して搬送装置２２に受け渡す。
【００４４】
以上のように構成されたレジスト処理装置１において，ダミーウエハＤＷによる温度測定は次のように行われる。
温度測定が必要になると，処理部５１による制御の下で，例えばインターフェイス部１２のバッファカセットＢＲに待機しているダミーウエハＤＷは，ウエハ搬送体２５→エクステンション装置（ＥＸＴ）→搬送装置２２を介してチリングホットプレート４１によって構成されるポストベーキング装置（ＰＯＢＡＫＥ）に搬入される。この経路は，露光された通常の処理基板としてのウエハＷと同じ経路である。即ち，ダミーウエハＤＷの待機部が露光装置１３とポストベーキング装置（ＰＯＢＡＫＥ）との搬送路上の温度雰囲気内に配置されることにより，露光された通常のウエハＷと同じ経路を辿ってポストベーキング装置（ＰＯＢＡＫＥ）に搬入されることが可能となる。従って，ダミーウエハＤＷは通常のウエハＷと同様の熱的履歴をもつことになる。
【００４５】
ダミーウエハＤＷがチリングホットプレート４１に搬入された後，蓋４８が閉じる。その際，蓋４８の内側に配置された測定用のピン５０がダミーウエハＤＷの端子３３に接触する。その後，チリングホットプレート４１内でダミーウエハＤＷが通常のウエハＷと同じ加熱条件で加熱される。その際，ダミーウエハＤＷの熱電対３２でセンシングされた結果は，端子３３，測定用のピン５０を介して処理部５１に入力される。処理部５１によって処理された測定データは表示部５２に表示される。
【００４６】
上述したようにダミーウエハＤＷは通常のウエハＷと同様の熱的履歴をもっているので，ダミーウエハＤＷの測定結果は通常のウエハＷのそれと同じとみなしてよい。つまり，本発明により加熱処理されたウエハＷの温度を正確に検出できることになる。そして，この結果を加熱処理の際の温度制御に用いることによって，ウエハの露光不良やレジストの膜厚不良等を低減することができる。しかもダミーウエハＤＷは通常のウエハＷと同一の材質，同一の大きさであるから，ウエハＷの温度を実際の状態と同一条件で測定することができる。
【００４７】
次に本発明の他の実施形態を説明する。この実施形態では，図９に示すようにダミーウエハＤＷに熱電対９１を埋め込み，さらにこの熱電対９１でセンシングされた結果を記憶する記憶素子９２を設けている。ダミーウエハＤＷがウエハＷと同じシリコンの場合には，ダミーウエハＤＷ上に直接記憶素子９２を形成してもよいが，もちろん別個に形成した記憶素子９２をダミーウエハＤＷに埋め込むようにしてもよい。記憶素子９２に記憶されたデータは端子９３より外部に出力される。
【００４８】
一方，例えば加熱処理部に近い第３または第４の処理装置群Ｇ３またはＧ４の何れかのユニットに読み取り部を設ける。読み取り部は，図１０に示すように端子９３に接触してデータを入力する測定用のピン１００１，当該ピン１００１を介して入力したデータを処理する例えばパソコンで構成される処理部１００２及びその結果を表示する例えば液晶パネルから構成される表示部１００３を有する。
【００４９】
次に本発明のさらに別の実施形態を説明する。この実施形態では，図１１に示すようにダミーウエハＤＷに熱電対１１０１を埋め込み，さらにこの熱電対１１０１でセンシングされた結果を無線で送信する送信機１１０２を埋め込んでいる。送信機１１０２は，無線として赤外線を使うのが好ましい。耐熱性のある部品で回路構成できるからである。
【００５０】
一方，例えば加熱処理部に近い第３または第４の処理装置群Ｇ３またはＧ４の何れかのユニットに受信・データ処理部を設ける。受信・データ処理部は，図１２に示すように送信機１１０２より信号を受信する，例えば赤外線であれば受光素子により構成される受信部１２０１，当該受信部１２０１を介して入力したデータを処理する例えばパソコンで構成される処理部１２０２及びその結果を表示する例えば液晶パネルから構成される表示部１２０３を有する。
【００５１】
以上の実施形態では，処理ステーション１１が垂直搬送型の搬送装置２２を有するものであったが，図１３に示すように搬送装置２２’がＹ方向に移動可能で搬送装置２２’の移動路１３０１の両側に塗布装置や現像装置などの処理装置１３０２を配置した処理ステーション１１’を有するレジスト処理装置にも本発明を適用することができる。
【００５２】
以上の実施の形態においては，基板にウエハＷを用いた例について説明したが，本発明はかかる例には限定されず，ＬＣＤ基板を使用する例についても適用が可能である。
【００５３】
以上説明した実施形態は，あくまでも本発明の技術的内容を明らかにする意図のものであって，本発明はそうした具体例にのみ限定して狭義に解釈されるものではなく，本発明の精神とクレームに述べる範囲で，いろいろと変更して実施することができるものである。
【００５４】
例えば前記実施の形態においては，チリングホットプレート４１を主として加熱処理部として例に挙げたが，冷却機能を持たない単独の加熱処理装置での温度測定に適用してもよく，その他高温，低温の異なった温度で加熱処理を行う加熱処理装置や，低温用，高温用の加熱処理装置に対しても適用可能であることはもちろんである。
【００５５】
【発明の効果】
請求項１のレジスト処理装置によれば，搬送機構によって搬送されたダミー基板からの温度を，加熱処理部に配置された計測手段によって計測するので，正確な温度測定が行える。またケーブルレスで温度測定が行える。請求項２の場合には，さらに格別温度測定のための専用の動作が不要である。請求項３の場合には，待機部の温度雰囲気が搬送路上の温度雰囲気であるから搬送中に周囲雰囲気によってダミー基板の温度が変化することはない，従って，好ましい温度測定が可能である。請求項４のように待機部をインターフェース部に配置すれば，搬送機構による搬送が通常の基板の搬送と同様に行える。
【００５６】
請求項５の場合には，記憶素子に測定結果が記憶されるので，任意の時間，場所にて測定結果を知ることができる。請求項６の場合には，ダミー基板の搬送上，取り扱い上有利であり，またダミー基板の大きさを実際の基板と同等することが容易である。請求項７の場合には，無線でデータの送信が可能になり，通常の基板の処理と全く同様にして測定が可能である。請求項８の場合には，回路設計上有利である。請求項９の場合には，通常の基板と同様の条件で測定ができる。
【００５７】
請求項１０，１１の場合には，予め待機させてあったダミー基板を搬入して測定するので，通常の処理と同様な手順で測定できる。請求項１２の場合には，任意のときに測定結果を知ることができる。請求項１３の場合には，読み出し部に搬送してから読み出すので，他の処理に支障を生じない。請求項１４の場合には，無線で測定結果を知ることができる。請求項１５の場合には，より良好な送受信環境に測定結果を知ることができる。請求項１６の場合には，メンテナンス時を有効に利用することが可能である。請求項１７の場合には，ロットの切れ目毎に測定するので，ロット毎の基板の均質性を確保することができる。請求項１８の場合には，装置の立ち上げ時に必要な補正を行うことができる。請求項１９の場合には，異常のさらなる発生を未然に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態にかかるレジスト処理装置の平面図である。
【図２】図１に示したレジスト処理装置の正面図である。
【図３】図１に示したレジスト処理装置の背面図である。
【図４】図１に示したレジスト処理装置に使用したダミーウエハの正面図である。
【図５】図４に示したダミーウエハの平面図である。
【図６】図１に示したレジスト処理装置におけるチリングホットプレートの正面図である。
【図７】図６に示したチリングホットプレートの一部拡大図である。
【図８】図６に示したチリングホットプレートの一部拡大図である。
【図９】ダミーウエハの他の例を示す正面図である。
【図１０】図９に示したダミーウエハを使った場合の温度データ処理系を示すブロック図である。
【図１１】ダミーウエハのさらに別の例を示す正面図である。
【図１２】図１１に示したダミーウエハを使った場合の温度データ処理系を示すブロック図である。
【図１３】本発明が適用可能なレジスト処理装置の別の例を示す平面図である。
【符号の説明】
１    レジスト処理装置
１２    インターフェイス部
３２    熱電対
３３    端子
４１    チリングホットプレート
４３    加熱処理部
５０    ピン
ＤＷ    ダミーウエハ
Ｗ    ウエハ
【図１】
0003583665.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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