(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源手段からの光束を光学系を介してオプティカルインテグレータに導光し、該オプティカルインテグレータの出射面からの光束で原板面上のパターンを照明し、該パターンを投影光学系により基板上に投影する露光装置において、
該オプティカルインテグレータの入射面の前方に、特定の開口形状を持つ光軸方向に移動可能な絞り手段を有し、
該絞り手段により該投影光学系の瞳面上に、その中心領域で所定の値の光強度分布を持ち、該中心領域の周辺の周方向で等間隔の複数の位置に所定の値の光強度分布を持つ有効光源を形成することを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記絞り手段は光路中より着脱自在であることを特徴とする請求項１の露光装置。
【請求項３】
前記光学系は焦点距離が変換可能な光学手段を有していることを特徴とする請求項１の露光装置。
【請求項４】
前記光学系は前記光源手段の発光面と前記オプティカルインテグレータの入射面とが略共役関係となるようにしていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項記載の露光装置を用いてウエハを露光し、該露光したウエハを現像してデバイスを製造していることを特徴とするデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法に関し、例えばＩＣ，ＬＳＩ，ＣＣＤ，液晶パネル，磁気ヘッド等の各種のデバイスの製造装置である所謂ステッパーにおいて、光源手段からの露光光で照明したフォトマスクやレチクル等の原板（以下「レチクル」という。）上の回路パターンを感光剤を塗布したウエハ面上に投影転写し、デバイスを製造する際に好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】
最近の半導体デバイスの製造技術においては、露光波長をｇ線からｉ線に変えて超高圧水銀灯を用いた露光法により解像力を向上させる試みが種々と行われている。又エキシマレーザに代表される更に短い波長のパルス光を用いることにより解像力の向上を図る方法が種々と提案されている。
【０００３】
露光装置（方法）として解像線幅を小さくしていく手段としては高ＮＡ化と短波長化がある。高ＮＡ化によりＮＡに逆比例して解像線幅は小さくなっていくが、同時に焦点深度の方はＮＡの２乗に逆比例して更に小さくなっていく。焦点深度は大きいのが望ましいので高ＮＡ化には、おのずと限界がある。
【０００４】
これに対して本出願人はレチクル面上への照明方法を種々と変えることにより、即ち投影光学系の瞳面上に形成される０次光の光強度分布（有効光源分布）を変えることにより、より解像力を高めた露光方法及びそれを用いた投影露光装置を、例えば、特開平４−２６７５１５号公報や特開平５−４７６２８号公報で提案している。
【０００５】
これらで提案されている照明方法は所謂斜入射照明と呼ばれ、その中でも特に輪帯照明と４重極照明が良く知られている。輪帯照明法（Ａｎｎｕｌａｒ）  は、図１１に示すようなドーナツ形状１１１の有効光源形状を投影光学系の瞳面上に有する。これは細い線幅に対して結像に寄与しない有効光源の中心付近の光を絞り等を用いてカットすることにより、解像力を向上させようとする技術である。又、４重極照明は、図１２に示すように光軸Ｓａを中心として所定の半径を有する円周方向の位置に４つの所定強度の有効光源１２１〜１２４を投影光学系の瞳面上に有する。有効光源中心付近の光に加えて十字形領域１２５の光もカットすることにより、縦横方向のパターンの解像力と焦点深度を飛躍的に向上させている。一般にＩＣやＬＳＩの回路パターンはほとんどの場合、縦横方向に辺をもつ図形で構成されており、斜め方向に辺をもつパターンは少ないので、このような照明法は特に有効である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
変形照明法（斜入射照明方法）は解像力を高め、又は焦点深度も比較的長くすることができるという特徴があるが、反面、次のような問題点がある。
・近接するパターンがくっつきやすい。
・孤立するパターンが細くなりやすい。
・通常照明よりも照度が低下する。
・パターンの粗密性や方向性に制限がある。特に４重極照明は斜めパターンの解像力が低い。
【０００７】
これらの問題点を解決する為に、本出願人は特開平５−４７６３９号公報で４重極照明の有効光源分布に有効光源中心付近及び十字形領域の光をある程度加えてやることにより、なだらかな４重極に類似の有効光源を形成する照明法を提案している。
【０００８】
図１３はこのときの有効光源の形状の摸式図である。この照明法（以下「照明法Ａ」と呼ぶ）は変形照明の持つ欠点をほとんど発生することなく、しかも図１４に示すように通常照明よりも焦点深度が向上し、輪帯照明と略同等の焦点深度を得ている。尚、この照明法Ａにおいては、有効光源中心付近の照度はピークの光強度に対して１０〜４０％程度、ピークとピークの間の照度（ピーク間照度）はピークに対して３５〜６５％程度、又ピークの位置（有効光源中心からピークまでの距離）はσ０．５〜０．６程度で良い結果が得られている。
【０００９】
本出願人による先の照明法Ａは光源としてエキシマレーザを用い、光線を複数本の光線に一旦分割し、再び重ね合わせるというインコヒーレント化光学系を利用している。
【００１０】
本発明は本出願人による先の照明法Ａを更に改良し、特に超高圧水銀ランプ等のインコヒーレントな光を放射する光源手段を用いた場合に照明光学系全体の簡素化及び照明光束の有効利用を図りつつ、レチクル面上（１原板上）のパターンを適切に照明し、高い解像力が容易に得られるようにした露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法の提供を目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明の露光装置は、
光源手段からの光束を光学系を介してオプティカルインテグレータに導光し、該オプティカルインテグレータの出射面からの光束で原板面上のパターンを照明し、該パターンを投影光学系により基板上に投影する露光装置において、
該オプティカルインテグレータの入射面の前方に、特定の開口形状を持つ光軸方向に移動可能な絞り手段を有し、
該絞り手段により該投影光学系の瞳面上に、その中心領域で所定の値の光強度分布を持ち、該中心領域の周辺の周方向で等間隔の複数の位置に所定の値の光強度分布を持つ有効光源を形成することを特徴としている。
【００１２】
請求項２の発明は請求項１の発明において、
前記絞り手段は光路中より着脱自在であることを特徴としている。
【００１３】
請求項３の発明は請求項１の発明において、
前記光学系は焦点距離が変換可能な光学手段を有していることを特徴としている。
【００１４】
請求項４の発明は請求項１から３のいずれか１項の発明において、
前記光学系は前記光源手段の発光面と前記オプティカルインテグレータの入射面とが略共役関係となるようにしていることを特徴としている。
【００１５】
請求項５の発明のデバイスの製造方法は、
請求項１から４のいずれか１項記載の露光装置を用いてウエハを露光し、該露光したウエハを現像してデバイスを製造していることを特徴としている。
【００２１】
【発明の実施の形態】
図１は本発明の露光装置の実施形態１を示す概略構成図であり、所謂ステッパーと呼称される縮小型の投影型露光装置に適用した例である。
【００２２】
図中１は紫外線や遠紫外線等を放射する高輝度の超高圧水銀灯等の光源（光源手段）でその発光部１ａは楕円ミラー２の第１焦点近傍に配置している。光源１より発した光が楕円ミラー２によって集光され、楕円ミラー２の第２焦点近傍２ａに発光部１ａの像（発光部像）１ｂを形成している。
【００２３】
３は光学系であり、レンズ系（第１コンデンサーレンズ）３ａとレンズ系（第２コンデンサーレンズ）３Ｃの２つのレンズ系を有しており、第２焦点近傍２ａに形成した発光部像１ｂを後述する光学素子３ｂを介してオプティカルインテグレータ４の入射面４ａに結像している。光学素子３ｂは光路中より挿脱可能な４角錐プリズムより成り、入射光束を所定方向に偏向させている。
【００２４】
レンズ系３ｃは光路中より挿脱可能で他の焦点距離の異なるレンズ系と交換可能又は焦点距離が可変のズームレンズ（光学手段）より成っている。光学系３は射出側でテレセントリックとなっている。光学素子３ｂは光学系３の瞳面近傍に位置している。
【００２５】
オプティカルインテグレータ４は複数の微小レンズを２次元的に配列して構成しており、その射出面４ｂ近傍に２次光源を形成している。５は光路折り曲げ用のミラーである。
【００２６】
６はレンズ系であり、オプティカルインテグレータ４の射出面４ｂからの光束をミラー５を介して集光し、レチクルステージに載置した被照射面であるレチクル（原板）７を照明している。
【００２７】
８は投影光学系であり、レチクル７に描かれたパターンをウエハチャックに載置したウエハ（基板）９面上に縮小投影している。本実施形態ではオプティカルインテグレータ４の射出面４ｂ近傍の２次光源はレンズ系６により投影光学系８の瞳８ａ近傍に形成されている。
【００２８】
又、オプティカルインテグレータ４の射出面４ｂとレチクル面７とは互いに像と瞳との関係となっている。オプティカルインテグレータ４上の光強度分布はレチクル７面上では光束の角度による強度分布特性に対応している。
【００２９】
そこで本実施形態ではレチクル７のパターンの方向性及び解像線巾等に応じて光学素子３ｂのプリズムを選択的に光路中に切り変えると共に必要に応じてレンズ系３ｃの焦点距離を変化させている。これにより投影光学系８の瞳面８ａに形成される２次光源像の光強度分布を変化させて種々な斜入射照明を作成して高解像度が可能な投影露光を行なっている。
【００３０】
次に本実施形態において光学素子３ｂとレンズ系３ｃとを利用することによりオプティカルインテグレータ４の入射面４ａの光強度分布を変更すると共に投影光学系８の瞳面８ａに形成される２次光源像の光強度分布の変更方法について説明する。
【００３１】
本実施形態においては、投影光学系８の瞳面８ａ上で光軸中心付近に所定の強度の有効光源を有し、かつ光軸を中心として所定の半径の円周方向で等間隔の複数位置に複数（４つ）の所定強度の有効光源（４重極照明）を有するようにしてレチクル７面上を照明し、これにより照明法Ａを達成している。
【００３２】
本実施形態において照明法Ａを得るには、光源１とオプティカルインテグレータ４との間のオプティカルインテグレータ４に対して瞳の関係になる位置に４角錐プリズムより成る光学素子３ｂを挿入し、それによって光線の角度を制御すると共にレンズ系３ｃの焦点距離を変えてオプティカルインテグレータ４の入射面４ａ（射出面３ｂ）上の照度分布を調整する方法をとっている。
【００３３】
図２は本実施形態において、レンズ系３ａとオプティカルインテグレータ４との間に設ける光学素子３ｂと、レンズ系３ｃをズームレンズ又は交換可能なレンズ系より構成して、その焦点距離を種々と変えたときの光路とオプティカルインテグレータ４の入射面４ａ（射出面４ｂ）に形成される光強度分布（照度分布）の説明図である。
【００３４】
本実施形態ではオプティカルインテグレータ４の射出面４ｂの光強度分布を変えて、それと共役関係にある投影光学系８の瞳面８ａ上での光強度分布を変えている。レンズ系３ｃはズーミングによりオプティカルインテグレータ４の射出面４ｂに形成される２次光源像を拡大及び縮小させている。
【００３５】
図２（Ａ）は光学素子（プリズム）３ｂを挿入していない通常照明の状態を示している。光源１とオプティカルインテグレータ４の入射面４ａは略共役関係にあるので、光源１の輝度分布がオプティカルインテグレータ４上に像として結像され、そのまま照度分布となっている。光源１の輝度分布は通常ガウス分布で表わされるので、オプティカルインテグレータ４上には中心にピークを持つガウス分布形状の光強度分布が得られる。
【００３６】
図２（Ｂ）はレンズ系３ｃの焦点距離を調節することによって、オプティカルインテグレータ４上に結像した光源の像を拡大又は縮小することができることを示している。
【００３７】
図２（Ｃ）は図２（Ａ）の状態にオプティカルインテグレータ４に対して瞳になる位置に４角錐形状のプリズム３ｂ１を挿入した状態を示している。この状態では光線が４角錐のそれぞれの面で折り曲げられて、オプティカルインテグレータ４上には光強度のピークが４つ現れる。この場合も図２（Ａ）と同様に、各々のピークはガウス分布形状をしている。
【００３８】
即ち、各々のガウス分布の裾野同士が重なっているので、有効光源中心付近及びピーク間領域においても光強度は０ではない。このような有効光源形状において、ピークの位置（ピークの中心からの距離）及び中心の照度、ピーク間の照度を適切な値に調整することによって照明系Ａを構成している。
【００３９】
本実施形態において、中心照度及びピーク間の照度を調節する為にプリズムの角度を変化させている。図２（Ｄ）はより角度の小さい（より底面から頂点までの高さが低い）プリズム３ｂ２を設置した状態を示している。角度の異なるプリズムを設置すると光線の折れ曲がる角度が変化し、各光強度ピーク同士の距離が変化する（しかし、各ピークの形状は略一定である）。そうすると、各ピークの裾野の重なり具合が変化することになり、即ち有効光源中心及びピーク間の照度も変化する。例えば図２（Ｃ）と図２（Ｄ）とを比較すると、図２（Ｄ）の場合の方が強度分布のピーク同士の距離が近いので、中心照度及びピーク間照度が高くなっている。
【００４０】
本実施形態ではこのような性質を利用して、光学素子として適切な角度のプリズムを配設することにより、適切な中心及びピーク間の照度の値を得ている。
【００４１】
次に、ピークの位置を調節する為にはレンズ系３ｃのズーム機構を利用している。レンズ系３ｃを調節することによって図２（Ｅ）に示すように中心の照度とピーク間の照度をほとんど変化させることなく、ガウス分布のピークの中心からの距離を変化させている。
【００４２】
図２（Ｆ）は光学素子として８角錐形状、或いは４角錐形状の各稜辺と頂角を削ぎ落した形状、又はそれに類似した形状のプリズム３ｂ３を使用した状態を示している。
【００４３】
プリズムの形状としては、例えば図３に示したようなものが挙げられる。このような形状のプリズムを使用しても照明系Ａを構成することができる。
【００４４】
この場合は、前述の４角錐形状のプリズムのように、光強度の山の裾野の重なり具合で中心照度及びピーク間照度を調節するのではなく、有効光源中心及びピーク間の位置に前述の４つのピークとは別の独立したピークを作り、その強度で各々の照度を調節する方式になる。各ピークは略８角錐形状のそれぞれの面で折り曲げられた光線が作っている。即ち、略８角錐の各々の面は、オプティカルインテグレータ４上において、それぞれの光強度のピークに対応している。そして各々のピークの強度は、その面を通過した光の量によって決まる。この場合、プリズムの各面の面積比やプリズムを挿入する箇所の光軸と垂直方向の照度分布が有効光源形状を決定する。
【００４５】
本実施形態では適切な形状のプリズムを選び、その面を通過する光量を適切な値にすることによって、中心照度及びピーク間照度を適切な値の範囲内に収めている。
【００４６】
以上のように本実施形態では、光学素子として４角錐形状のプリズムや８角錐型プリズム等の多角錐プリズムを用い、又レンズ系３ｃの焦点距離を変えることによって投影光学系の瞳面上で所望の照度分布を有する照明系Ａを構成している。尚、本実施形態における光学素子としてのプリズムは光路より挿脱可能となっているので、他の照明法、例えば通常照明や輪帯照明等にも簡単に切り換えることができる。
【００４７】
又、プリズムを使用しても所望の中心照度とピーク間照度が得られなかったときの為に微調整の方法として、光源位置を光軸方向に移動する手段を備えるようにしても良い。光源を光軸方向に動かすことにより輝度分布を変化させ、ガウス分布の形状（例えば半値幅など）を変化させることができるので、それによって中心照度及びピーク間照度を調節しても良い。
【００４８】
次に本発明の実施形態２について説明する。本実施形態では実施形態１に比べて、光学素子としてプリズムの代わりに部分的に透過率が異なる透過率制御手段を用いて照明系Ａを構成している点が異なっており、その他の構成は同じである。
【００４９】
本実施形態では、図１のオプティカルインテグレータ４の射出面４ｂの直後に光路より挿脱可能な部分的に透過率の異なる透過率分布を持ったＮＤフィルタを配設し、これにより照明系Ａを構成している。通常、オプティカルインテグレータ４上の照度分布はガウス分布形状又は均一な形状であるが、そのガウス分布形状に透過率制御を行って照明系Ａの照度分布を作っている。このときのＮＤフィルタ４１の透過率分布形状は、例えば図４（Ｂ）のようなものを用いている。
【００５０】
図４（Ｂ）の数値は透過率（％）を表わしている。図４（Ａ）はオプティカルインテグレータ４上のガウス分布状の照度分布を示している。このような照度分布に図４（Ｂ）のような透過率分布を持ったＮＤフィルタ４１を併用することにより、投影光学系８の瞳８ａ上に図４（Ｃ）のような照度分布の有効光源を形成している。
【００５１】
本実施形態におけるＮＤフィルタ４１の透過領域は主に９つの領域に分かれ、それぞれの領域毎に固有の透過率を持っているような形状をしているが、透過率は連続的に変化しても構わない。又、有効光源の元の形状がガウス分布でないような場合でも、ＮＤフィルタ４１の透過率分布を別の形状にすることによって対応できる。このフィルタも光路より挿脱可能であるので、他の照明法、例えば通常照明や輪帯照明等との切り換えが簡単に行える。又、このフィルタを挿入する箇所はオプティカルインテグレータ４の入射面直前であっても良い。
【００５２】
次に本発明の実施形態３について説明する。本実施形態では図１の実施形態１に比べて、光学素子としてのプリズムの代わりにオプティカルインテグレータを構成する各微小レンズの少なくとも１個１個に対して開口径や透過強度を調節する調整手段を利用して照明系Ａを構成している点が異なっており、その他の構成は同じである。
【００５３】
オプティカルインテグレータ４は、通常、図５に示すように、複数の微小レンズ５１を２次元的に配列し組み合わせた構成になっている。本実施形態ではオプティカルインテグレータ４を構成する各微小レンズ５１から射出される光の量を調整手段により個々に調整し、結果としてオプティカルインテグレータ４全体の照度分布を照明系Ａの形状にしている。
【００５４】
本実施形態では、図１のオプティカルインテグレータ４の射出面４ｂの直後に、例えば図６のような光路より挿脱可能なフィルタ６１を配設している。図６のフィルタ６１は照明系Ａにおける４つのピークがあるべき位置にある開口面積は大きく、有効光源中心付近やピーク間の位置にある開口面積は小さくなっている。当然、大きい開口面積からの光量は大きく、小さい開口面積からの光量は小さい。オプティカルインテグレータ６１上にこのフィルタ６１を装着することにより照明系Ａの照度分布を得ている。
【００５５】
この場合も、元の有効光源形状がどんな形状であっても、各開口面積の大きさを調整することにより照明系Ａの有効光源を得ることができる。開口の形状も長方形に限らず、どんな形状でも良い。この場合も、このフィルタは光路より挿脱可能であるので、他の照明法、例えば通常照明や輪帯照明等との切り換えが簡単に行える。又、このフィルタを挿入する箇所はオプティカルインテグレータの入射面直前でも構わない。
【００５６】
図７は本発明の実施形態４の光学系の一部分の要部概略図である。本実施形態は図１の実施形態１に比べて、光学素子としてのプリズムの代わりにオプティカルインテグレータ４の前方に図８に示すような４隅に開口を有する開口絞り７１を配設して、照明系Ａを構成している点が異なっており、その他の構成は同じである。
【００５７】
本実施形態では、オプティカルインテグレータ４の前方、ある程度距離をおいた所に特定の開口形状を持った開口絞り７１を配設する。開口絞り７１の形状としては、図８に示すような十字形の遮光領域を有するものを用いている。
【００５８】
本実施形態では、開口絞り７１をオプティカルインテグレータ４の入射面４ａの直前ではなく、少し距離をおいて配設する。直前に置いてしまうと、十字形の部分７２は完全に遮光されてしまうが、少し距離をおいて設置すると回り込む光によって中心部分も照度０ではなくなる。そして、この開口絞り７１を光軸方向に動かす手段を備えるようにして、開口絞りを光軸方向に動かして中心照度やピーク間照度を調節するようにしている。
【００５９】
この開口絞り７１を配設するのに適切な箇所としては、この他に、楕円ミラー２の第２焦点面２ａの近傍がある。楕円ミラーの第２焦点面２ａとオプティカルインテグレータ４の入射面４ａは略共役関係にあるので、楕円ミラー２の第２焦点面２ａに置かれた開口絞り７１の像はオプティカルインテグレータ４上に結像される。このときも同じように開口絞り７１を光軸方向に動かすことにより、オプティカルインテグレータ４上の像がぼけるので、それにより中心照度とピーク間照度を調節している。
【００６０】
本発明においては、以上の各実施形態の方法を独立に用いる他に互いに組み合わせて重複して用いても良い。又、本実施形態１〜４ではｉ線を用いた露光装置の他にｇ線やＫｒＦ線を用いた露光装置にも同様に適用することができる。
【００６１】
次に上記説明した投影露光装置を利用した半導体デバイスの製造方法の実施形態を説明する。
【００６２】
図９は半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、或いは液晶パネルやＣＣＤ等）の製造のフローを示す。
【００６３】
ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行なう。ステップ２（マスク製作）では設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。
【００６４】
一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、前記用意したマスクとウエハを用いてリソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。
【００６５】
次のステップ５（組立）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。
【００６６】
ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ステップ７）される。
【００６７】
図１０は上記ウエハプロセスの詳細なフローを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁膜を形成する。
【００６８】
ステップ１３（電極形成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステップ１６（露光）では前記説明した露光装置によってマスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。
【００６９】
ステップ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ１８（エッチング）では現像したレジスト以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチングがすんで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことによってウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
【００７０】
本実施形態の製造方法を用いれば、従来は製造が難しかった高集積度の半導体デバイスを容易に製造することができる。
【００７１】
【発明の効果】
本発明によれば以上のように各要素を設定することにより、超高圧水銀ランプ等のインコヒーレントな光を放射する光源手段を用いた場合に照明光学系全体の簡素化及び照明光束の有効利用を図りつつ、レチクル面上（１原板上）のパターンを適切に照明し、高い解像力が容易に得られるようにした露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法を達成することができる。
【００７２】
特に、斜入射照明による問題点を殆ど発生させずに高解像力及び焦点深度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態１の要部概略図
【図２】図１の一部分の光路とオプティカルインテグレータ上の光強度分布の説明図
【図３】本発明に係る光学素子の説明図
【図４】本発明に係る透過率制御手段の説明図
【図５】オプティカルインテグレータの説明図
【図６】本発明に係る調整手段の説明図
【図７】本発明の実施形態４の要部概略図
【図８】本発明の実施形態４に係る絞り手段の説明図
【図９】本発明のデバイスの製造方法のフローチャート
【図１０】本発明のデバイスの製造方法のフローチャート
【図１１】輪帯照明における有効光源像の説明図
【図１２】４重極照明における有効光源像の説明図
【図１３】斜入射照明における有効光源像の説明図
【図１４】斜入射照明における解像線幅と焦点深度との説明図
【符号の説明】
１    光源手段
２    楕円ミラー
３    光学系
３ａ  レンズ系
３ｂ，３ｂ１，３ｂ２，３ｂ３  光学素子
３ｃ  光学手段
４    オプティカルインテグレータ
５    ミラー
６    レンズ系
７    レチクル（原板）
８    投影光学系
９    基板（ウエハ）
４１    透過率制御手段
６１    調整手段
７１    絞り手段
【図１】
0003576685.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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