(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハの電極端子形成面を電極端子を露出して絶縁層により被覆し、前記電極端子及び絶縁層の表面に導体層を形成した後、導体層の表面にレジストパターンを形成して前記導体層をめっき給電層として銅めっきを施すことにより一端側が各電極端子に接続する配線パターンを形成し、
前記レジストパターンを除去した後、半導体ウエハの電極端子形成面にレジストを塗布し、配線パターンの他端側の柱状電極を形成する部位のレジストに、底面に配線パターンの他端側が露出する開口穴を形成し、
前記導体層をめっき給電層として前記開口穴内に銅めっきを施して、前記配線パターンの他端側に柱状電極を形成した後、
該柱状電極の頂部端面にはんだめっき被膜を形成し、
前記レジストを除去して、表面に露出する前記導体層を除去した後、前記はんだめっき被膜の表面が露出するように半導体ウエハの電極端子形成面側を樹脂封止することを特徴とする柱状電極付き半導体ウエハの製造方法。
【請求項２】
はんだめっき被膜の表面が露出するように半導体ウエハの電極端子形成面側を樹脂封止する際に、はんだめっき被膜の表面が封止樹脂の外表面よりも突出するとともに、はんだめっき被膜と表面にはんだめっき被膜が形成される下地層との界面が封止樹脂内に位置するように樹脂封止することを特徴とする請求項１記載の柱状電極付き半導体ウエハの製造方法。
【請求項３】
柱状電極の頂部端面に、はんだめっき被膜の下地層としてニッケルめっき被膜を形成し、次いではんだめっき被膜を形成することを特徴とする請求項２記載の柱状電極付き半導体ウエハの製造方法。
【請求項４】
柱状電極の頂部端面に、ニッケルめっき被膜と、はんだめっき被膜の下地層としてパラジウムめっき被膜とをこの順に形成し、次いではんだめっき被膜を形成することを特徴とする請求項２記載の柱状電極付き半導体ウエハの製造方法。
【請求項５】
柱状電極の頂部端面に、ニッケルめっき被膜と、はんだめっき被膜の下地層として金めっき被膜とをこの順に形成し、次いではんだめっき被膜を形成することを特徴とする請求項２記載の柱状電極付き半導体ウエハの製造方法。
【請求項６】
柱状電極の頂部端面に、ニッケルめっき被膜と、パラジウムめっき被膜と、はんだめっき被膜の下地層として金めっき被膜とをこの順に形成し、次いではんだめっき被膜を形成することを特徴とする請求項２記載の柱状電極付き半導体ウエハの製造方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項記載の半導体ウエハの製造方法にしたがって柱状電極付き半導体ウエハを形成し、
該柱状電極付き半導体ウエハの電極端子形成面に形成された各々の柱状電極に外部接続端子を接合した後、
前記半導体ウエハを所定位置で個片に切断することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
柱状電極に接合する外部接続端子が、はんだボールであることを特徴とする請求項７記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体ウエハを用いてチップサイズパッケージを製造する際に使用する柱状電極付き半導体ウエハの製造方法及び半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
図８は半導体ウエハを用いてチップサイズパッケージを製造する際に使用する柱状電極が形成された半導体ウエハの製造方法を示す。図８（ａ）  は半導体ウエハ１０を拡大して示す断面図で、半導体ウエハ１０の表面に電極端子１２とパッシベーション膜１４が形成された状態を示す。この半導体ウエハ１０の表面にまず、ポリイミド膜をコーティングし、電極端子１２を露出させた絶縁層１６を形成する（図８（ｂ））。次に、スパッタリングを施して絶縁層１６と電極端子１２の表面にめっき給電層となる導体層１８を形成する（図８（ｃ））。次に、レジストを塗布し、半導体ウエハ１０の表面に形成する配線パターンにしたがってレジストパターン２０を形成し（図８（ｄ））、前記導体層１８をめっき給電層として銅めっきを施して配線パターン２２を形成する（図８（ｅ））。配線パターン２２は一端側が電極端子１２に接続し、他端側に柱状電極を立設するためのパッド部が形成されたものである。
【０００３】
次に、電解めっきを施して柱状電極２４を形成する。そのため、まず、図８（ｅ）  の状態からレジストパターン２０を除去した後、再度、半導体ウエハ１０の表面にめっき用のレジスト２６を塗布し、配線パターン２２のパッド部に位置合わせして柱状電極２４を形成する部位のレジスト２６を除去し、開口穴２６ａを形成する。柱状電極２４は高さ１００μｍ程度に形成するもので、レジスト２６は柱状電極２４の高さよりもやや厚く形成する。
【０００４】
柱状電極２４は電解銅めっきを施して開口穴２６ａ内に銅めっきを盛り上げて形成する。図８（ｆ）  は柱状電極２４を形成した状態で、柱状電極２４の頂部端面には保護めっき被膜が形成されている。
図８（ｇ）  はレジスト２６を除去した後、半導体ウエハの表面に露出した導体層１８をエッチングして除去した状態である。導体層１８をエッチングすることによって、電極端子形成面に一端側で電極端子１２に電気的に接続された配線パターン２２が形成され、配線パターン２２の他端側に柱状電極２４が形成された半導体ウエハ１０が得られる。
【０００５】
こうして得られた半導体ウエハ１０は各々の電極端子１２に対応して一つずつ柱状電極２４が形成されたものであり、半導体ウエハ１０の表面には多数個の柱状電極２４が形成されている。
図９はこの柱状電極２４が形成された半導体ウエハ１０を樹脂封止する方法を示す。柱状電極２４を上向きにして下型３１に半導体ウエハ１０をのせ、半導体ウエハ１０の上に封止用の樹脂材２８を供給した後、封止用フィルム３０をクランプ面に吸着した上型３２により下型３１との間で半導体ウエハ１０をクランプする。このクランプ操作により半導体ウエハ１０の電極端子形成面側に溶融樹脂が広がって樹脂封止される。樹脂封止後、封止用フィルム３０が被着した半導体ウエハ１０を金型から取り出し、封止用フィルム３０を半導体ウエハ１０から引き剥がす。柱状電極２４の頂部端面に実装用の端子（例えば、はんだボール）を接合した後、半導体ウエハを個片のチップサイズに切断することによってチップサイズパッケージが得られる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上述した製造方法で、半導体ウエハ１０を樹脂封止する際に封止用フィルム３０で柱状電極２４の頂部端面を被覆しているのは、柱状電極２４の頂部端面に樹脂が付着しないようにするためであるが、柱状電極２４の高さにばらつきがあるといったことにより、樹脂封止の際に柱状電極２４の頂部端面に樹脂が侵入し柱状電極２４に樹脂が付着して残留することがある。半導体ウエハ１０を樹脂封止した後、封止用フィルム３０を半導体ウエハ１０から引き剥がすようにするのは、柱状電極２４の頂部端面に残留した樹脂を封止用フィルム３０に付着させて除去するためである。
【０００７】
しかし、封止用フィルム３０を半導体ウエハ１０から引き剥がしただけで柱状電極２４の頂部端面に残留した樹脂が確実に除去されるとは限らない。柱状電極２４の頂部端面は、はんだボール等の実装用の端子を接合する接合面であるから、樹脂が柱状電極２４の頂部端面に付着していることは柱状電極２４と端子との接合性の点で問題となる。このため、封止用フィルム３０を引き剥がした後、ブラスト等によって柱状電極２４の頂部端面をクリーニングすることがなされている。
【０００８】
しかしながら、このようなクリーニングによっても必ずしも柱状電極２４の頂部端面に残留した樹脂を完全に取り除くことができず、また、柱状電極２４の頂部端面から完全に樹脂を取り除くため過度にクリーニングすると、逆に樹脂を劣化させてしまうといった問題も生じる。
このように、従来の柱状電極付きウエハの製造方法では柱状電極の頂部端面に樹脂が残留して、柱状電極と実装用の端子との接合性が阻害されることが課題となっていた。
本発明はこれら従来の課題を解決すべくなされたものであり、その目的とするところは、柱状電極の頂部端面に確実に端子を接合することができ、これによって信頼性の高いチップサイズパッケージを得ることができる柱状電極付き半導体ウエハの好適な製造方法、及び柱状電極付き半導体ウエハを用いて作製する半導体装置の好適な製造方法を提供するにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明は次の構成を備える。
すなわち、柱状電極付き半導体ウエハの製造方法として、半導体ウエハの電極端子形成面を電極端子を露出して絶縁層により被覆し、前記電極端子及び絶縁層の表面に導体層を形成した後、導体層の表面にレジストパターンを形成して前記導体層をめっき給電層として銅めっきを施すことにより一端側が各電極端子に接続する配線パターンを形成し、前記レジストパターンを除去した後、半導体ウエハの電極端子形成面にレジストを塗布し、配線パターンの他端側の柱状電極を形成する部位のレジストに、底面に配線パターンの他端側が露出する開口穴を形成し、前記導体層をめっき給電層として前記開口穴内に銅めっきを施して、前記配線パターンの他端側に柱状電極を形成した後、該柱状電極の頂部端面にはんだめっき被膜を形成し、前記レジストを除去して、表面に露出する前記導体層を除去した後、前記はんだめっき被膜の表面が露出するように半導体ウエハの電極端子形成面側を樹脂封止することを特徴とする。
【００１０】
また、はんだめっき被膜の表面が露出するように半導体ウエハの電極端子形成面側を樹脂封止する際に、はんだめっき被膜の表面が封止樹脂の外表面よりも突出するとともに、はんだめっき被膜と表面にはんだめっき被膜が形成される下地層との界面が封止樹脂内に位置するように樹脂封止することを特徴とする。
【００１１】
また、柱状電極の頂部端面に、はんだめっき被膜の下地層としてニッケルめっき被膜を形成し、次いではんだめっき被膜を形成することを特徴とし、また、柱状電極の頂部端面に、ニッケルめっき被膜と、はんだめっき被膜の下地層としてパラジウムめっき被膜とをこの順に形成し、次いではんだめっき被膜を形成することを特徴とし、また、柱状電極の頂部端面に、ニッケルめっき被膜と、はんだめっき被膜の下地層として金めっき被膜とをこの順に形成し、次いではんだめっき被膜を形成することを特徴とし、また、柱状電極の頂部端面に、ニッケルめっき被膜と、パラジウムめっき被膜と、はんだめっき被膜の下地層として金めっき被膜とをこの順に形成し、次いではんだめっき被膜を形成することを特徴とする。
【００１２】
また、半導体装置の製造方法として、前記半導体ウエハの製造方法にしたがって柱状電極付き半導体ウエハを形成し、該柱状電極付き半導体ウエハの電極端子形成面に形成された各々の柱状電極に外部接続端子を接合した後、前記半導体ウエハを所定位置で個片に切断することを特徴とし、また、前記柱状電極に接合する外部接続端子が、はんだボールであることを特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。
本発明に係る柱状電極付き半導体ウエハは半導体ウエハを用いてチップサイズパッケージを作製する際に使用する柱状電極付き半導体ウエハであり、従来の柱状電極付き半導体ウエハと比較して柱状電極の構成を除いては変わらない。したがって、以下では、本発明で特徴的な柱状電極の構成について説明する。なお、以下の説明で従来の柱状電極付き半導体ウエハと同一の部位については同一の番号を付している。
【００１４】
前述したように、柱状電極付半導体ウエハは半導体ウエハ１０の電極端子形成面に電気的絶縁層を介して一端側で電極端子１２に電気的に接続する配線パターン２２を形成し、配線パターン２２の他端側に柱状電極２４を立設し、半導体ウエハ１０の電極端子形成面側を柱状電極２４の頂部端面を露出して樹脂２８によって封止したものである。図１に示すように、樹脂２８は隣接するすべての柱状電極２４の間を充填する。
【００１５】
図２は柱状電極付きウエハの柱状電極２４の近傍部分を拡大して示す断面図である。本実施形態の柱状電極付き半導体ウエハは柱状電極２４の基体部（導体部）が銅めっき部４０であり、柱状に形成された銅めっき部４０の頂部端面にめっき被膜としてニッケルめっき被膜４２、パラジウムめっき被膜４４、はんだめっき被膜４６をこの順に設けたことを特徴とする。
【００１６】
前述したように、柱状電極２４の頂部端面にめっき被膜を設けることは従来も行われている。すなわち、はんだ接合性を良好にするめっき被膜として、はんだ拡散防止用のニッケルめっき被膜を設け、ニッケルめっき被膜の上にはんだ濡れ性を良好にするパラジウムめっき被膜を設けることがなされている。
【００１７】
本実施形態では柱状電極２４の頂部端面にニッケルめっき被膜４２、パラジウムめっき被膜４４、はんだめっき被膜４６を設けるが、これらのめっき被膜の構成として特徴的な点は、最外層に比較的厚くはんだめっき被膜４６を設けることと、はんだめっき被膜４６とその下地（下地層）のパラジウムめっき被膜４４との界面の高さ位置を樹脂２８の外表面の高さ位置よりも低位置にしたことにある。図２でｈは、はんだめっき被膜４６とパラジウムめっき被膜４４の界面の高さ位置が樹脂２８の外表面の高さ位置よりもｈだけ低位置（封止樹脂内）にあることを示す。
【００１８】
前述したように、ニッケルめっき被膜４２ははんだの拡散防止を目的とし、パラジウムめっき被膜４４ははんだの濡れ性を向上させることを目的とするものであり、はんだめっき被膜４６は実装用の端子の濡れ性を向上させ、はんだボール等の実装用の端子を強固に接合することを目的とする。
図３は柱状電極２４にはんだボール５０を接合した状態を示す。はんだリフローにより、はんだめっき被膜４６のはんだ、およびパラジウムめっき被膜４４のパラジウムは溶融したはんだ中に拡散し、はんだボール５０はニッケルめっき被膜４２に接合することになる。
【００１９】
はんだめっき被膜４６とパラジウムめっき被膜４４の界面の高さ位置が樹脂２８の外表面の高さ位置よりも低位置にあることから、柱状電極２４にはんだボール５０を接合した状態で、はんだボール５０の基部が樹脂２８の外表面よりも内側（封止樹脂内）に入り込んでニッケルめっき被膜４２に接合されることになる。すなわち、はんだボール５０と柱状電極２４との接合部は、樹脂２８の内壁面とニッケルめっき被膜４２によって囲まれた凹部内に支持されることになり、はんだボール５０が強固に支持されて外力に対する耐久性を向上させることが可能となる。
【００２０】
前述したように、柱状電極付き半導体ウエハは封止用フィルム３０を介して上型３２と下型３１とでクランプして樹脂封止する。このときに、封止用フィルム３０は圧縮されて柱状電極２４の頂部端面が封止用フィルム３０に若干くい込むようになる。このため、樹脂封止した状態で柱状電極付き半導体ウエハは柱状電極２４の頂部端面が樹脂２８の外表面よりも若干突出した形状になる。このように、樹脂２８の外表面よりも柱状電極２４の頂部端面が突出した形状となることは、柱状電極２４の頂部端面にはんだボール等の実装用の端子を接合した際に、端子の基部が柱状電極２４の頂部端面に接合し、柱状電極２４の頂部端面に樹脂が付着していたりすると十分な接触面積が確保できなくなり、端子の接合性を阻害するおそれがある。
【００２１】
この点、本実施形態のように柱状電極２４の頂部端面にはんだめっき被膜４６を設けると、柱状電極２４の頂部端面に設けたはんだめっき被膜４６の下地層に樹脂が付着することはないから、下地層の全面にはんだボール５０を確実に接合することが可能になる。また、はんだボール５０の基部が樹脂２８とニッケルめっき被膜４２によって形成された凹部内に入り込んで接合されることにより、はんだボール５０の基部で柱状電極２４との接触面積が大きくなり、凹部内で樹脂２８の内壁面によって支持される作用と合わせて、実装用の端子の接合強度を増大させることができるという利点がある。
【００２２】
柱状電極２４の頂部に設けるニッケルめっき被膜４２、パラジウムめっき被膜４４、はんだめっき被膜４６の厚さは適宜設定できるが、本実施形態ではニッケルめっき被膜４２の厚さを３μｍ、パラジウムめっき被膜４４の厚さを０．１５μｍ、はんだめっき被膜４６の厚さを３μｍとした。
はんだボールを接合した際のはんだボールと柱状電極２４との界面の高さ位置の関係は、接合時にパラジウムめっきが溶融したはんだ中に拡散するから正確には、ニッケルめっき被膜４２とパラジウムめっき被膜４４との界面になるが、パラジウムめっき被膜４４の厚さははんだめっき被膜４６の厚さにくらべてはるかに薄いから、柱状電極２４にはんだめっき被膜４６を形成する場合には、はんだめっき被膜４６の底面の高さ位置又はニッケルめっき被膜４２の表面の高さ位置に注意して柱状電極２４を形成するようにすればよい。
【００２３】
なお、図２に示すめっき被膜４１のうち、パラジウムめっき被膜４４にかえて金めっき被膜を設けることも可能である。金めっき被膜を設ける場合も、金めっき被膜はパラジウムめっき被膜と同程度の厚さに形成すればよい。金めっき被膜を設けることによって、パラジウムめっき被膜と同様にはんだとニッケルめっき被膜４２との濡れ性を向上させ、はんだボール等の実装用の端子と柱状電極２４との接合性を良好にすることができる。
【００２４】
図４は柱状電極付き半導体ウエハに形成する柱状電極２４の他の構成例を示す。本実施形態では柱状電極２４の頂部端面にニッケルめっき被膜４２、パラジウムめっき被膜４４、金めっき被膜４８、はんだめっき被膜４６をこの順に設けたことを特徴とする。はんだめっき被膜４６と金めっき被膜４８との界面の高さ位置を樹脂２８の外表面の高さ位置よりも低位置にしたことは上記実施形態と同様である。
【００２５】
本実施形態のように、パラジウムめっき被膜４４の上に金めっき被膜４８を設けた場合は、金めっき被膜４８を設けない場合にくらべてパラジウムめっき被膜４４の厚さを薄くできるという利点がある。本実施形態で各層の厚さは、ニッケルめっき被膜４２が３μｍ、パラジウムめっき被膜４４が０．０５μｍ、金めっき被膜４８が０．０１μｍ、はんだめっき被膜４６が３μｍである。パラジウムめっき被膜４４と金めっき被膜４８を設けた場合は、これらの各層の厚さを薄くして、かつはんだの濡れ性を向上させることができ、はんだボール５０を柱状電極２４に確実に接合することが可能になる。
【００２６】
図５は柱状電極付き半導体ウエハに形成する柱状電極２４の他の構成例を示す。本実施形態では柱状電極２４に設けるめっき被膜をニッケルめっき被膜４２とはんだめっき被膜４６としたものである。めっき被膜がニッケルめっき被膜４２とはんだめっき被膜４６によることから、製造工程が簡素であり製造コストが安くなるという利点がある。
本実施形態でニッケルめっき被膜４２とはんだめっき被膜４６の厚さはともに３μｍである。はんだめっき被膜４６とニッケルめっき被膜４２の界面の高さ位置を樹脂２８の外表面の高さ位置よりも低位置にすることは上記各実施形態と同様である。
【００２７】
図６は柱状電極付き半導体ウエハの製造方法の実施形態を示す。本発明に係る柱状電極付き半導体ウエハの製造方法は柱状電極に設けるめっき被膜の形成方法を除いて従来方法と同一である。したがって、図６で柱状電極２４を形成する製造工程を示す。
図６（ａ）  は、半導体ウエハ１０の表面に絶縁層１６を介して一端側で電極端子１２と電気的に接続して配線パターン２２を設け、導体層１８及び配線パターン２２の表面にレジスト２６を塗布し、配線パターン２２の他端側の柱状電極２４を形成する部位のレジスト２６に、底面に配線パターン２２の他端側が露出する開口穴２６ａを形成した状態を示す。
【００２８】
開口穴２６ａを形成した後、導体層１８をめっき給電層として電解銅めっきを施し開口穴２６ａ内に銅めっき部４０を形成する（図６（ｂ））。銅めっき部４０は柱状電極２４の導体部の主要部となるもので、開口穴２６ａをほぼ充填する程度の厚さにめっきを盛り上げて形成する。柱状電極２４の高さは１００μｍ程度であり、レジスト２６もこれに合わせて１００μｍ程度の厚さに形成する。
【００２９】
次に、めっき被膜を形成するため所要の電解めっきを施す。図示例は銅めっき部４０の上に、めっき被膜４１としてニッケルめっき被膜４２、パラジウムめっき被膜４４、はんだめっき被膜４６を形成した状態を示す（図６（ｃ）  ）  。前述したように、ニッケルめっき被膜４２の厚さは３μｍ、パラジウムめっき被膜４４の厚さは０．１５μｍ、はんだめっき被膜４６の厚さは３μｍである。
銅めっき部４０、ニッケルめっき被膜４２、パラジウムめっき被膜４４、はんだめっき被膜４６の厚さは適宜選択できるが、柱状電極付き半導体ウエハを樹脂封止した際に樹脂２８の外表面の高さ位置よりも、はんだめっき被膜４６とパラジウムめっき被膜４４との界面の高さ位置が低位置になるように、これらのめっき被膜の厚さを設定しておくことが必要である。
【００３０】
めっき被膜４１を形成した後、レジスト２６を溶解除去し、半導体ウエハ１０の表面に露出した導体層１８をエッチングすることにより、ニッケルめっき被膜４２、パラジウムめっき被膜４４、はんだめっき被膜４６の３層構造からなるめっき被膜４１が頂部端面に形成された柱状電極２４を有する半導体ウエハが得られる（図６（ｄ））。導体層１８の厚さは０．０５μｍ程度であり、柱状電極２４及び配線パターン２２にくらべてはるかに薄いから、柱状電極２４と配線パターン２２をレジスト等で被覆して保護することなく、導体層１８のみをエッチングして除去することができる。
こうして得られた半導体ウエハの電極端子形成面側を柱状電極２４の頂部端面に形成したはんだめっき被膜４６の表面を露出させて樹脂封止することにより図１に示すような柱状電極付き半導体ウエハが得られる。
【００３１】
以上説明したように、本発明に係る柱状電極付き半導体ウエハの製造方法は、従来の柱状電極付き半導体ウエハの製造方法で柱状電極の頂部端面に形成するめっき被膜のめっき構成を変え、めっき厚を調節するだけで良いから、従来方法がそのまま適用できるという利点がある。
なお、柱状電極２４にはんだめっき被膜４６を形成する際に使用するはんだは、Ｓｎ−Ｐｂ等の鉛を含有するタイプのもの、Ｓｎ−Ａｇ等の鉛を含有しないタイプのもののどちらも使用可能である。
【００３２】
上記のようにして形成した柱状電極付き半導体ウエハからチップサイズの半導体装置を得るには、柱状電極付き半導体ウエハに形成されている各々の柱状電極２４に実装用の外部接続端子を接合し、所定の切断位置で半導体ウエハを個片に切断すればよい。前述したように、柱状電極２４の頂部端面に設けたはんだめっき被膜４６と表面にはんだめっき被膜が形成される下地層との界面の高さ位置を樹脂２８の外表面の高さ位置よりも低位置に形成したことから、図３に示すように、柱状電極の頂部端面に設けためっき被膜と外部接続端子の接合部との界面が封止樹脂内に位置して外部接続端子が接合される。これにより、外部接続端子が強固かつ確実に支持されるようになる。
【００３３】
従来の柱状電極付き半導体ウエハに設けられている柱状電極２４は、上述した各実施形態でも示したように円柱状に形成されたものである。図７（ｂ）  は従来の柱状電極２４を拡大して示す斜視図で、円柱状の柱状電極２４が配線パターン２２のパッド部２２ａ上に立設されている状態を示す。柱状電極付き半導体ウエハは柱状電極２４を形成した面側が樹脂封止され、図１、２に示すように、隣接する柱状電極２４の間に樹脂２８が充填される。ところが、樹脂と金属とは一般的に密着性が良いとはいえないから、柱状電極２４にはんだボール等の実装用の端子を接合した際に、柱状電極２４の側面と樹脂２８との界面にはんだが流れ込んだり、界面に水分が吸着されたりする。
【００３４】
この結果、柱状電極２４に接合された実装用の端子と柱状電極２４との接合信頼性が低下するという問題があった。図７（ａ）  はこれらの問題を解消する柱状電極２４の形態を示すもので、柱状電極２４の側面を凹凸面形状とした例である。このように、柱状電極２４の側面を凹凸面に形成しておけば、柱状電極２４の側面と樹脂２８との接触面積が増大し、柱状電極２４の側面での樹脂２８と柱状電極２４とのくいつき性が向上し、柱状電極２４と樹脂２８との密着性が改善される。
【００３５】
柱状電極２４は図６で示したように、レジスト２６に形成する開口穴２６ａの形状によって側面の形状が決められるから、レジスト２６を露光、現像する際に開口穴２６ａの内壁面が凹凸面になるように露光すればよい。開口穴２６ａの形状を選択することは容易であり、柱状電極２４の側面を任意の形状に形成することができる。そして、このように柱状電極２４の側面を凹凸面形状に形成することにより、柱状電極２４と樹脂２８との密着性が良好になり、柱状電極２４にはんだボール等の実装用の端子を接合した場合に柱状電極２４の側面と樹脂２８との界面にはんだが流れ込んだり、水分が侵入したりすることを防止することができる。
【００３６】
なお、柱状電極２４と樹脂２８との密着性をさらに高めるために、柱状電極２４を形成してレジスト２６を除去した後、プラズマアッシング等によって柱状電極２４の側面を粗面に形成することも有効である。
また、柱状電極２４の側面を凹凸面形状、粗面等に形成して樹脂２８との密着性を向上させることと合わせて、前述したように、柱状電極２４の頂部端面にはんだめっき被膜を設けることによってさらに柱状電極２４と実装用の端子との接合性を向上させることができ、信頼性の高い半導体装置を得ることができる。
【００３７】
【発明の効果】
本発明に係る柱状電極付き半導体ウエハの製造方法によれば、柱状電極と実装用の外部接続端子とのはんだ濡れ性が良好で、柱状電極に強固にかつ確実に外部接続端子を接合することができる柱状電極付き半導体ウエハを容易に製造することが可能となる。また、本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、外部接続端子の接合性が良好で信頼性の高いチップサイズの半導体装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】柱状電極付き半導体ウエハの構成を示す断面図である。
【図２】柱状電極付き半導体ウエハの柱状電極の構成を拡大して示す断面図である。
【図３】柱状電極にはんだボールを接合した状態を示す断面図である。
【図４】柱状電極付き半導体ウエハの柱状電極の構成を拡大して示す断面図である。
【図５】柱状電極付き半導体ウエハの柱状電極の構成を拡大して示す断面図である。
【図６】柱状電極付き半導体ウエハの製造方法を示す説明図である。
【図７】柱状電極の他の形成例を示す斜視図である。
【図８】半導体ウエハを用いたチップサイズパッケージの製造で用いる柱状電極付き半導体ウエハの従来の製造方法を示す説明図である。
【図９】半導体ウエハを用いたチップサイズパッケージの製造で用いる柱状電極付き半導体ウエハの製造方法を示す説明図である。
【符号の説明】
１０  半導体ウエハ
１２  電極端子
１８  導体層
２０  レジストパターン
２２  配線パターン
２４  柱状電極
２６  レジスト
２６ａ  開口穴
２８  樹脂
３０  封止用フィルム
３１  下型
３２  上型
４０  銅めっき部
４１  めっき被膜
４２  ニッケルめっき被膜
４４  パラジウムめっき被膜
４６  はんだめっき被膜
５０  はんだボール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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