(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式Ｉで表わされることを特徴とするジヒドロキシスチルベン化合物。
一般式Ｉ
【化１】
0003541076.tif 000018
（式中、Ａｒ1，Ａｒ2は、無置換の又はメチル基で置換された炭素環式芳香族基の一価基を表し、それぞれ同一でも異なっていてもよい）
【請求項２】
下記一般式IIで表わされることを特徴とするスチルベン化合物。
一般式II
【化２】
0003541076.tif 000019
（式中、Ａｒ1，Ａｒ2は、無置換の又はメチル基で置換された炭素環式芳香族基の一価基を表し、Ａｒ1とＡｒ2は同一。Ｒ1，Ｒ2はアルキル基、アシル基を表し、同一でも異なっていてもよい。）
【請求項３】
下記一般式IIIで表されることを特徴とするヒドロキシ基を有するスチルベン化合物。
一般式III
【化３】
0003541076.tif 000020
（式中、Ａｒ１，Ａｒ2は、無置換の又はメチル基で置換された炭素環式芳香族基の一価基を表し、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
Ｒ1はアルキル基、アシル基を表す。）
【請求項４】
下記一般式IVで表されることを特徴とするジアセトキシスチルベン化合物。
一般式IV
【化４】
0003541076.tif 000021
（式中、Ａｒ1，Ａｒ2は、無置換の又はメチル基で置換された炭素環式芳香族基の一価基を表し、それぞれ同一でも異なっていてもよい。）
【請求項５】
下記一般式Ｖ
一般式Ｖ
【化５】
0003541076.tif 000022
（式中、Ａｒ1，Ａｒ2は、無置換の又はメチル基で置換された炭素環式芳香族基の一価基を表し、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
Ｒ1，Ｒ2は水素原子、アルキル基、アシル基を表し、同一でも異なっていてもよい。ただし、Ｒ1，Ｒ2は同時に水素原子の場合はのぞく。）
で表されるスチルベン化合物を脱アルキル化または脱アシル化させることを特徴とする下記一般式VI
一般式VI
【化６】
0003541076.tif 000023
（式中、Ａｒ1，Ａｒ2は、無置換の又はメチル基で置換された炭素環式芳香族基の一価基を表し、それぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ1は水素原子、アルキル基、アシル基を表す。）
で表されるヒドロキシ基を有するスチルベン化合物の製造方法。
【請求項６】
下記一般式VII
一般式VII
【化７】
0003541076.tif 000024
（式中、Ａｒ1，Ａｒ2は、無置換の又はメチル基で置換された炭素環式芳香族基の一価基を表し、それぞれ同一でも異なっていてもよい。）
で表されるアルデヒド化合物と下記一般式VIII
一般式VIII
【化８】
0003541076.tif 000025
〔式中、Ｒ１，Ｒ2は水素原子、アルキル基、アシル基を表し、同一でも異なっていてもよい。
Ｙは−Ｐ+（Ｒ3）3Ｘ-（ここでＲ3はフェニル基または低級アルキル基、Ｘはハロゲン原子を表す。）で表されるホスホニウム塩または−ＰＯ（ＯＲ4）2（ここでＲ4は低級アルキル基を表す。）で表されるジアルキル亜燐酸基である。〕
で表されるリン化合物とを反応させることを特徴とする請求項１または請求項２記載のスチルベン化合物の製造方法。
【請求項７】
下記一般式IX
一般式IX
【化９】
0003541076.tif 000026
（式中、Ｒ1，Ｒ2は、アルキル基であって同一でも異なっていてもよい。）
で表されるアミノ化合物と下記一般式Ｘ
一般式Ｘ
Ａｒ1Ｘ
（式中、Ａｒ1は、無置換の又はメチル基で置換された炭素環式芳香族基の一価基を表し、Ｘはハロゲン原子を表す。）
および下記一般式XI
一般式XI
Ａｒ2Ｘ
（式中、Ａｒ2は、無置換の又はメチル基で置換された炭素環式芳香族基の一価基を表し、Ｘはハロゲン原子を表す。）
で表されるハロゲン化合物とを反応させることを特徴とする請求項２に記載のスチルベン化合物の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は新規なスチルベン化合物及びその製造方法に関し、詳しくは有機電荷搬送物質として有用なジヒドロキシスチルベン化合物及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、電子写真方式において使用される感光体の光導電性素材として用いられているものにセレン、硫化カドミウム、酸化亜鉛などの無機物質がある。ここにいう「電子写真方式」とは、一般に光導電性の感光体をまず暗所で、例えばコロナ放電によって帯電せしめ、次いで像露光し、露光部のみの電荷を選択的に逸散せしめて静電潜像を得、この潜像部を染料、顔料などの着色材と高分子物質などの結着剤とから構成される検電微粒子（トナー）で現像し可視化して画像を形成するようにした画像形成法の一つである。
この様な電子写真法において感光体に要求される基本的な特性としては、
（１）暗所で適当な電位に帯電できること、
（２）暗所において電荷の逸散が少ないこと、
（３）光照射によって速やかに電荷を逸散せしめうることなどが挙げられる。
【０００３】
ところで前記の無機物質はそれぞれが多くの長所を持っていると同時に、さまざまな欠点をも有しているのが実状である。例えば現在広く用いられているセレンは前記（１）から（３）の条件は十分に満足するが、製造する条件はむずかしく、製造コストが高くなり、可撓性がなく、ベルト状に加工することが難しく、熱や機械的な衝撃に鋭敏なため取扱いに注意を要するなどの欠点もある。硫化カドミウムや酸化亜鉛は、結着剤としての樹脂に分散させて感光体として用いられているが、平滑性、硬度、引張り強度、耐摩擦性などの機械的な欠点があるためにそのままでは反復して使用することができない。
近年、これら無機物質の欠点を排除するためにいろいろな有機物質を用いた電子写真用感光体が提案され、実用に供されているものもある。例えばポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールと２，４，７−トリニトロフルオレン−９−オンとからなる感光体（米国特許第３４８４２３７号明細書に記載）、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールをピリリウム塩系色素で増感してなる感光体（特公昭４８−２５６５８号公報に記載）、有機顔料を主成分とする感光体（特開昭４７−３７５４３号公報に記載）、染料と樹脂とからなる共晶錯体を主成分とする感光体（特開昭４７−１０７３５号公報に記載）、トリフェニルアミン化合物を色素増感してなる感光体（米国特許第３，１８０，７３０号）、トリアリールアミン誘導体を電荷輸送材料として用いる感光体（特開昭５８−６５４４０）、アミン誘導体を電荷輸送材料として用いる感光体（特開昭５７−１９５２５４号公報）、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールとアミン誘導体を電荷輸送材料として用いる感光体（特開昭５８−１１５５号公報）、多官能第３アミン化合物の中でもベンジジン化合物を光導電材料として用いる感光体（米国特許第３，２６５，４９６号、特公昭３９−１１５４６号公報、特開昭５３−２７０３３号公報）などである。これらの感光体は優れた特性を有しており実用的にも価値が高いと思われるものであるが、電子写真法において、感光体に対するいろいろな要求を考慮すると、まだ、これらの要求を十分に満足するものが得られていないのが実状である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は先に述べた従来の感光体のもつ種々の欠点を解消し、電子写真法において要求される条件を十分満足しうる電子写真感光体、特に積層型感光体に用いられる電荷搬送物質として有用なスチルベン化合物を提供することにある。更に本発明の他の目的は製造が容易でかつ比較的安価に行え、耐久性にも優れた電子写真用感光体を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するための本発明の構成は、特許請求の範囲に記載のとおりのジヒドロキシスチルベン化合物とその製造方法である。すなわち、（１）下記一般式Ｉで表わされるジヒドロキシスチルベン化合物。
一般式Ｉ
【０００６】
【化１０】
0003541076.tif 000002
【０００７】
（式中、Ａｒ1，Ａｒ2は、無置換の又はメチル基で置換された炭素環式芳香族基の一価基を表し、それぞれ同一でも異なっていてもよい）
（２）下記一般式IIで表わされるスチルベン化合物。
一般式II
【０００８】
【化１１】
0003541076.tif 000003
【０００９】
（式中、Ａｒ1，Ａｒ2は、無置換の又はメチル基で置換された炭素環式芳香族基の一価基を表し、Ａｒ1とＡｒ2は同一。Ｒ1，Ｒ2はアルキル基、アシル基を表し、同一でも異なっていてもよい。ただし、Ｒ1，Ｒ2が同時にアルキル基の場合は除く。）
（３）下記一般式IIIで表されることを特徴とするヒドロキシ基を有するスチルベン化合物。
一般式III
【００１０】
【化１２】
0003541076.tif 000004
【００１１】
（式中、Ａｒ１，Ａｒ2は、無置換の又はメチル基で置換された炭素環式芳香族基の一価基を表し、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
Ｒ1はアルキル基、アシル基を表す。）
（４）下記一般式IVで表されることを特徴とするジアセトキシスチルベン化合物。
一般式IV
【００１２】
【化１３】
0003541076.tif 000005
【００１３】
（式中、Ａｒ1，Ａｒ2は、無置換の又はメチル基で置換された炭素環式芳香族基の一価基を表し、それぞれ同一でも異なっていてもよい。）
（５）下記一般式Ｖ
一般式Ｖ
【００１４】
【化１４】
0003541076.tif 000006
【００１５】
（式中、Ａｒ1，Ａｒ2は、無置換の又はメチル基で置換された炭素環式芳香族基の一価基を表し、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
Ｒ1，Ｒ2は水素原子、アルキル基、アシル基を表し、同一でも異なっていてもよい。ただし、Ｒ1，Ｒ2は同時に水素原子の場合はのぞく。）
で表されるスチルベン化合物を脱アルキル化または脱アシル化させることを特徴とする下記一般式VI
一般式VI
【００１６】
【化１５】
0003541076.tif 000007
【００１７】
（式中、Ａｒ1，Ａｒ2は、無置換の又はメチル基で置換された炭素環式芳香族基の一価基を表し、それぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ1は水素原子、アルキル基、アシル基を表す。）
で表されるヒドロキシ基を有するスチルベン化合物の製造方法。
（６）下記一般式VII
一般式VII
【００１８】
【化１６】
0003541076.tif 000008
【００１９】
（式中、Ａｒ1，Ａｒ2は、無置換の又はメチル基で置換された炭素環式芳香族基の一価基を表し、それぞれ同一でも異なっていてもよい。）
で表されるアルデヒド化合物と下記一般式VIII
一般式VIII
【００２０】
【化１７】
0003541076.tif 000009
【００２１】
〔式中、Ｒ１，Ｒ2は水素原子、アルキル基、アシル基を表し、同一でも異なっていてもよい。
Ｙは−Ｐ+（Ｒ3）3Ｘ-（ここでＲ3はフェニル基または低級アルキル基、Ｘはハロゲン原子を表す。）で表されるホスホニウム塩または−ＰＯ（ＯＲ4）2（ここでＲ4は低級アルキル基を表す。）で表されるジアルキル亜燐酸基である。〕
で表されるリン化合物とを反応させることを特徴とする上記（１）または（２）記載のスチルベン化合物の製造方法。
（７）下記一般式IX
一般式ＩＸ
【００２２】
【化１８】
0003541076.tif 000010
【００２３】
（式中、Ｒ1，Ｒ2は、アルキル基であって同一でも異なっていてもよい。）
で表されるアミノ化合物と下記一般式Ｘ
一般式Ｘ
Ａｒ1Ｘ
（式中、Ａｒ1は、無置換の又はメチル基で置換された炭素環式芳香族基の一価基を表し、Ｘはハロゲン原子を表す。）
および下記一般式XI
一般式XI
Ａｒ2Ｘ
（式中、Ａｒ2は、無置換の又はメチル基で置換された炭素環式芳香族基の一価基を表し、Ｘはハロゲン原子を表す。）
で表されるハロゲン化合物とを反応させることを特徴とする上記（２）記載のスチルベン化合物の製造方法。
【００２４】
本発明における前記一般式Ｉで示されるジヒドロキシスチルベン化合物及び前記一般式IIないし一般式IVで示されるスチルベン化合物は何れも新規物質であり、前記一般式Ｉで示されるジヒドロキシスチルベン化合物は前記一般式IIの化合物の脱アルキル化もしくは脱アシル化によって得られる。詳しくは脱アルキル化の場合、酸性試薬による開裂反応、塩基性試薬による開裂反応が挙げられ、酸性試薬としては臭化水素、ヨウ化水素、トリフルオロ酢酸、ピリジンの塩酸塩、濃塩酸、ヨウ化マグネシウムエーテラート、塩化アルミニウム、臭化アルミニウム、三臭化ホウ素、三塩化ホウ素、三ヨウ化ホウ素等が、塩基性試薬としては水酸化カリウム、リチウムジフェニルホスフィド、ナトリウムチオラート等を挙げることができる。溶媒としてはジクロロメタン、ＴＨＦ、ＤＭＦ、ピリジン、ブタノール等を挙げることができ、反応温度は用いる試薬の反応性によるが、一般的には室温〜２００℃の間で行われる。また脱アシル化の場合は、酸性またはアルカリ性下で脱アシル化することによって製造される。この時の酸性及び塩基性試薬として、例えば塩酸、硫酸、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等を挙げることができ、反応溶媒としてはメタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、２−メトキシエタノール、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ベンゼン、トルエン、キシレン、ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンなどを挙げることができる。
又、前記一般式IIで表わされるスチルベン化合物は前記一般式IXで表わされるアミノ化合物と前記一般式Ｘ及び前記一般式XIで表わされるハロゲン化合物とを、銅粉、酸化銅あるいはハロゲン化銅等と、縮合反応中に生ずるハロゲン化水素を中和するのに充分な量のアルカリ性物質を加え、溶媒の存在下または無溶媒下で、窒素雰囲気下、１５０〜２５０℃程度の温度において反応させることによって製造される。
【００２５】
この場合、アルカリ性物質としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、水素化ナトリウム等を挙げることができる。また、反応溶媒としてはニトロベンゼン、ジクロルベンゼン、キノリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチルピロリドン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、テトラヒドロフラン、二硫化炭素等を挙げることができる。
更に前記一般式Ｉないし前記一般式IIは前記一般式VIIで表わされるアルデヒド化合物と前記一般式VIIIで表されるリン化合物とを塩基性触媒の存在下、室温から１００℃程度の温度において反応させることによっても製造される。この場合、塩基性触媒としてはフェニルリチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、ナトリウムアミド、水素化ナトリウム及びナトリウムメチラート、カリウム−ｔ−ブトキサイドなどのアルコラートを挙げることができる。また反応溶媒としては、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、２−メトキシエタノール、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ベンゼン、トルエン、キシレン、ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンなどを挙げることができる。中でも極性溶媒、例えばＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド及びメチルスルホキシドが好適である。
【００２６】
反応温度は１）使用する溶媒の塩基性触媒に対する安定性、２）縮合成分（前記一般式VII及びVIIIの化合物）の反応性、３）前記塩基性触媒の溶媒中における縮合剤としての反応性によって広範囲に選択することができる。例えば極性溶媒を用いるときは、実際には室温から１００℃、好ましくは室温から８０℃である。しかし、反応時間の短縮または活性の低い縮合剤を使用するときは更に高い温度でもよい。
又、前記一般式IIにおけるアルキル基の具体例として例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等が炭素環式芳香族基としては、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、アントリル基、ピレニル基等が、アシル基としてはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基を挙げることができる。
【００２７】
【実施例】
以下、本発明を実施例により詳細に説明する。
実施例１
４’−ビス（４−メチルフェニル）アミノ−３，５−ジメトキシスチルベンの製造
３，５−ジメトキシ−４’−アミノスチルベン４．１１ｇ（１６．１ｍｍｏｌ）をパラヨードトルエン６０ｇに採り、これに銅粉２．０５ｇ（３２．２ｍｍｏｌ）と炭酸カリウム８．９０ｇ（６４．４ｍｍｏｌ）を加え、窒素気流下、２０９℃で６時間撹拌した。この反応液を５０℃まで冷却した後、セライトと共に熱濾過し、濾液をクロロホルムで抽出した。この抽出物の溶媒を留去し、シリカゲルカラムクロマト処理（溶離液；トルエン）した結果、白黄色粉末５．０７ｇ（収率７２．３％）を得た。これを酢酸エチル−エタノールの混合溶媒から再結晶して、４’−ビス（４−メチルフェニル）アミノ−３，５−ジメトキシスチルベンの白黄色板状晶４．５８ｇ（収率６５．３％）を得た。融点は１３４．０〜１３５．０℃、元素分析値はＣ30Ｈ29ＮＯ2として下記のとおりであった。
【００２８】
【表１】
0003541076.tif 000011
【００２９】
また、赤外線吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）を図１に示したが以下のような吸収が認められた。
δＣＨ（トランスオレフィン）＝９６５ｃｍ-1
実施例２
４’−ビス（４−メチルフェニル）アミノ−３，５−ジヒドロキシスチルベンの製造
４’−ビス（４−メチルフェニル）アミノ−３，５−ジメトキシスチルベン４．３６ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）と９０％ナトリウムチオエチラート１４．０２ｇ（１５０．２ｍｍｏｌ）をモレキュラーシブス４Ａ処理したＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド４０ｍｌに加え、窒素気流下、１４５〜１５５℃で１２時間撹拌した。この反応液を室温まで冷却した後、氷水５００ｍｌに注ぎ、濃塩酸を加えて酸性とし、エーテル抽出を行った。この抽出物の溶媒を留去して、シリカゲルカラムクロマト処理（溶離液；トルエン／酢酸エチル５／１ｖｏｌ．）した結果、４’−ビス（４−メチルフェニル）アミノ−３，５−ジヒドロキシスチルベン１．６５ｇ（収率４０．５％）の黄色針状晶を得た。融点は１６１．３℃（ＴＧ−ＤＴＡ吸熱ピーク）であった。元素分析値はＣ28Ｈ25ＮＯ2として下記のとおりであった。
【００３０】
【表２】
0003541076.tif 000012
【００３１】
また赤外線吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）を図２に示したが以下のような吸収が認められた。
νｓＯＨ＝３４５０ｃｍ-1
δＣＨ（トランスオレフィン）＝９６５ｃｍ-1
実施例３
Ｎ−（４−メチルフェニル）−Ｎ−（１−ピレニル）−４’−アミノ−３，
５−ジアセトキシスチルベンの製造
トリフェニル−３，５−ジアセトキシベンジルホスホニウムブロミド２．７５ｇ（５．０ｍｍｏｌ）と６０％水素化ナトリウム０．６０ｇ（１５．０ｍｍｏｌ）を乾燥したテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）６０ｍｌに採り、室温で２時間撹拌した。これにＮ−（４−ホルミルフェニル）−Ｎ−（４−メチルフェニル）−１−アミノピレン２．０６ｇ（５．０ｍｍｏｌ）を先のＴＨＦ２０ｍｌに採り、この溶液を３０分かけて滴下した。室温で４時間撹拌した後、氷水６００ｍｌに注ぎ、塩酸を加え中和し、更に１時間撹拌した。これを酢酸エチルを用いて抽出し、３回水洗した後、硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧下留去して赤色油状物を得た。この油状物に無水酢酸３０ｍｌとトルエン３０ｍｌを加え、４時間加熱還流した後、放冷しトルエンを用いて抽出、水洗を行い、硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧下留去して赤色油状物を得た。この油状物をシリカゲルカラムクロマト処理（溶離液トルエン／酢酸エチル２０／１ｖｏｌ）し、未反応アルデヒド１．１５ｇとＮ−（４−メチルフェニル）−Ｎ−（１−ピレニル）−４’−アミノ−３，５−ジアセトキシスチルベン１．０１ｇ（収率３３．６％）を得た。
これをノルマルヘキサンで晶析して、Ｎ−（４−メチルフェニル）−Ｎ−（１−ピレニル）−４’−アミノ−３，５−ジアセトキシスチルベン０．９０ｇ（収率２９．９％）、融点１８５．５−１８８．５℃の白黄色粉末を得た。元素分析値はＣ41Ｈ31ＮＯ4として下記のとおりであった。
【００３２】
【表３】
0003541076.tif 000013
【００３３】
また、赤外線吸収スペクトル（ＫＢｒ錠法）を図３に示したが、以下のような吸収が認められた。
νＣＯ  １７６５ｃｍ-1
νＣＯＯ  １１９５ｃｍ-1
δＣＨ（トランスオレフィン）９６５ｃｍ-1
実施例４
４’−ビス（４−メチルフェニル）アミノ−３，５−ジメトキシスチルベンの製造
Ｎ，Ｎ−ビス（４−メチルフェニル）−Ｎ−（４−ホルミルフェニル）アミン８７．４０ｇ（０．２９ｍｏｌ）と３，５−ジメトキシベンジルホスホン酸ジエチル８９．３７ｇ（０．３１ｍｏｌ）をＤＭＦ６００ｍｌに採り、撹拌しながらカリウム−ｔ−ブトキシサイド５１．６１ｇ（０．４６ｍｏｌ）を１０分かけて投入し、室温で３時間反応させた。この内容物を氷水３０００ｍｌにあけ、酢酸を加えて中和し、生成した沈殿物を濾取し、水洗し、さらにメタノール洗浄後、乾燥して粗製物１２４．７３ｇ（収率９８．７％）を得た。これをシリカゲルカラムクロマト処理（溶離液；トルエン／シクロヘキサン３／２ｖｏｌ）した後、酢酸エチル／エタノールの混合溶媒から再結晶して、４’−ビス（４−メチルフェニル）アミノ−３，５−ジメトキシスチルベンの白黄色立方晶１０８．４３ｇ（収率８５．８％）を得た。融点は１３５．５〜１３６．５℃、元素分析値はＣ30Ｈ29ＮＯ2として下記のとおりであった。
【００３４】
【表４】
0003541076.tif 000014
【００３５】
また、赤外線吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）を測定したが、実施例１で得られた図１と同じものが得られた。
【００３６】
実施例５
４’−ビス（４−メチルフェニル）アミノ−３，５−ジアセトキシスチルベンの製造
Ｎ−（４−ホルミルフェニル）−Ｎ，Ｎ−ビス（４−メチルフェニル）アミン１．２１ｇ（４．０ｍｍｏｌ）と３，５−ジアセトキシベンジルホスホン酸ジエチル１．６５ｇ（４．８ｍｍｏｌ）を乾燥したＴＨＦ２５ｍｌに採り、６０％水素化ナトリウム０．３８ｇ（９．６ｍｍｏｌ）を加えて、室温で３６時間撹拌した。この内容物を氷水３００ｍｌにあけ、酢酸で中和し、酢酸エチルを用いて３回抽出し、この抽出層を６回水洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥してから溶媒を減圧下留去して黄褐色油状物を得た。
油状物をシリカゲルカラムクロマト処理（溶離液；トルエン／酢酸エチル２０／１ｖｏｌ．）し、黄色粉末を得た。これをｎ−ヘキサンより再結晶して４’−ビス（４−メチルフェニル）アミノ−３，５−ジアセトキシスチルベン０．１１ｇ（５．６％）、融点１２２．５−１２３．５℃の黄色針状晶を得た。元素分析値はＣ32Ｈ29ＮＯ4として下記のとおりであった。また、赤外線吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）を図４に示した以下のような吸収が認められた。
【００３７】
【表５】
0003541076.tif 000015
【００３８】
ＩＲ  Ｖco１７７０ｃｍ-1
δＣＨ（トランスオレフィン）＝９６５ｃｍ-1
実施例６
４’−ビス（４−メチルフェニル）アミノ−３，５−ジヒドロキシスチルベンの製造
４’−ビス（４−メチルフェニル）アミノ−３，５−ジアセトキシスチルベン０．３６ｇ（０．７ｍｍｏｌ）をメタノール２０ｍｌに採り、加熱還流下、３６％塩酸水溶液１．５ｍｌを滴下し、３０分間撹拌した。この内容物を水１００ｍｌに注ぎ、酢酸エチルで２回抽出を行い、この抽出層を３回水洗、硫酸マグネシウムで乾燥し、シリカゲルカラムクロマト処理（溶離液；トルエン／酢酸エチル５／１ｖｏｌ．）した結果、４’−ビス（４−メチルフェニル）アミノ−３，５−ジヒドロキシスチルベン０．２７ｇ（収率９０．０％）の黄色針状晶を得た。融点は１６１．０〜１６５．５℃であった。元素分析値はＣ28Ｈ25ＮＯ2として下記のとおりであった。
【００３９】
【表６】
0003541076.tif 000016
【００４０】
また、赤外線吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）を測定したが、実施例２で得られた図２と同じものが得られた。
【００４１】
実施例７
４’−ビス（４−メチルフェニル）アミノ−３−ヒドロキシ−５−メトキシスチルベンの製造
４’−ビス（４−メチルフェニル）アミノ−３，５−ジメトキシスチルベン３１．０７ｇ（７１．３４ｍｍｏｌ）をモレキュラーシブス４Ａ処理したＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１７５ｍｌに採り、窒素気流下、９０％ナトリウムチオエチラート２０．００ｇ（２１４．０１ｍｍｏｌ）を加え、１３０℃で３時間撹拌した。この反応液を室温まで冷却した後、氷水１５００ｍｌに注ぎ、濃塩酸を加えて酸性とし、２回エーテル抽出を行った。この抽出物の溶媒を留去して、シリカゲルカラムクロマト処理（溶離液；トルエン／酢酸エチル５／１ｖｏｌ．）した結果、４’−ビス（４−メチルフェニル）アミノ−３−ヒドロキシ−５−メトキシスチルベン２８．０６ｇ（収率９３．３％）の黄色粉末を得た。非晶質であった。元素分析値はＣ29Ｈ27ＮＯ2として下記のとおりであった。
【００４２】
【表７】
0003541076.tif 000017
【００４３】
また赤外線吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）を図５に示したが以下のような吸収が認められた。
νｓＯＨ＝３４４０ｃｍ-1
δＣＨ（トランスオレフィン）＝９６０ｃｍ-1
〔応用例〕
電荷発生物質としてダイアンブルー（シーアイピグメントブルー２５、Ｃ．Ｉ．Ｎo.２１１８０）７６部、ポリエステル樹脂〔バイロン２００，（株）東洋紡績製〕の２％テトラヒドロフラン溶液１２６０部およびテトラヒドロフラン３７００部をボールミル中で粉砕混合し、得られた分散液をアルミニウム蒸着したポリエステルベースよりなる導電性支持体のアルミニウム面上にドクターブレードを用いて塗布し、自然乾燥して厚さ約１μｍの電荷発生層を形成した。
【００４４】
一方、電荷搬送物質としては実施例２のスチルベン化合物２部、ポリカーボネート樹脂〔パンライトＫ１３００、（株）帝人製〕２部およびテトラヒドロフラン１６部を混合溶解して溶液とした後、これを前記電荷発生層上にドクターブレードを用いて塗布し、８０℃で２分間、ついで１２０℃で５分間乾燥して厚さ約２μｍの電荷搬送層を形成せしめて感光体を作製した。
ＶＰＯ（ボルト）−１０６８、Ｅ１／２（ルックス・秒）１．３２
【００４５】
【発明の効果】
以上、説明したように、本発明によって、新規なジヒドロキシスチルベン化合物とその製造方法が提供できる。
この化合物はジヒドロキシル基を高分子化の官能基として利用することにより、高分子型の電荷搬送物質に誘導することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１で製造した化合物の赤外線吸収スペクトル図、
【図２】実施例２で製造した化合物の赤外線吸収スペクトル図、
【図３】実施例３で製造した化合物の赤外線吸収スペクトル図、
【図４】実施例５で製造した化合物の赤外線吸収スペクトル図、
【図５】実施例７で製造した化合物の赤外線吸収スペクトル図。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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