(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
棒状又は板状の形状を有する炭素部材の端面に１８Ｆが結合していることを特徴とする陽電子線源。
【請求項２】
前記炭素部材はグラファイト又はガラス状カーボンからなることを特徴とする請求項１記載の陽電子線源。
【請求項３】
Ｈ２１８Ｏを含む液体ターゲットに荷電粒子線を照射して１８Ｆを生成させるステップと、
棒状又は板状の形状を有する炭素部材の先端領域を前記液体ターゲットに接触させるステップと、
前記炭素部材を陽極として前記液体ターゲットに通電し前記炭素部材の端面に１８Ｆを結合させるステップとを含むことを特徴とする陽電子線源の製造方法。
【請求項４】
前記液体ターゲットは微量の天然フッ素イオンを含むことを特徴とする請求項３記載の陽電子線源の製造方法。
【請求項５】
１８Ｆを含有する溶液が入った通電容器を通電位置に移動させる手段と、前記通電位置において炭素部材を陽極として前記溶液に通電する手段と、前記通電後の炭素部材を陽電子ビーム発生装置に移送する手段とを備えることを特徴とする陽電子線源自動供給装置。
【請求項６】
容器を載置して回転する回転台と、前記容器に１８Ｆを含有する溶液を供給する手段と、前記回転台を回転駆動して前記容器を溶液供給位置と通電位置との間に移動させる第１の駆動手段と、炭素部材が取り付けられた回転体と、前記回転体を回転駆動して前記炭素部材を前記通電位置にある容器内の溶液に対向する位置と陽電子ビーム発生装置の陽電子線源受け入れ部に対向する位置との間に移動させる第２の駆動手段と、前記回転体を上下動させる昇降手段と、前記炭素部材を陽極として前記容器内の溶液に通電する電源とを備え、
前記通電位置に置かれた容器内の溶液に前記炭素部材を陽極として通電することで表面に１８Ｆを結合させた炭素部材を前記陽電子ビーム発生装置の陽電子線源受け入れ部に結合させることを特徴とする陽電子線源自動供給装置。
【請求項７】
前記炭素部材と前記容器内の溶液との接触を検知する接触感知手段を備えることを特徴とする請求項６記載の陽電子線源自動供給装置。
【請求項８】
前記回転台には複数個の容器が載置され、前記回転体には前記容器の個数と同数の炭素部材が取り付けられていることを特徴とする請求項６又は７記載の陽電子線源自動供給装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、陽電子ビームを高強度で発生することのできる陽電子線源及びその製造方法並びに陽電子線源自動供給装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
低速陽電子ビームは、陽電子顕微鏡や物性研究、半導体や金属材料の表面、界面の結晶欠陥評価等に利用され、近年その利用は益々盛んになってきている。現在、低速陽電子ビームは、陽電子放出体（ラジオアイソトープ）から放出されたり、制動放射からの対生成で作られた陽電子をモデレータに入射させて減速することで得ている。陽電子放出体を得るには、アルミニウムや窒化ホウ素等の固体ターゲットをサイクロトロン等で加速した陽子等の荷電粒子で照射し、固体ターゲット中に生成させた陽電子放出体を使う方法が多くとられている。また、制動放射を得るには、線形加速器等で加速した電子線を重金属ターゲットに照射する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
陽電子ビームの利用にあたっては、強度の大きな陽電子放出体の点線源が必要である。陽電子ビームの強度を増大させる方法にはモデレータ効率の改善、強力な陽電子源の使用等の方法が考えられる。現在のところ、モデレータとしてはタングステン箔を２０００℃でアニールしたものが用いられているが、１０−４以上の効率は得られていない。モデレータの改善には多くの努力が払われているが飛躍的な実用上の改善は望み薄なのが現状である。また、強力な陽電子源のためには大規模で高価な装置を必要とする。
【０００４】
高強度陽電子源のための固体ターゲットを用いる方法では、大電流照射における熱除去の問題が大きい。また、固体ターゲットは、ターゲット内に生成された陽電子放出体から放出されたり、制動放射から対生成される陽電子のモデレータへの入射効率を上げるためにモデレータに近接して配置される。このようにモデレータに近接した固体ターゲットに電子ビームやイオンビームを照射すると、発生する陽電子以外の２次放射線によってモデレータが損傷を受けたり、放射化されるという問題がある。モデレータから離れた照射位置で固体ターゲットに放射線を照射し、そののちターゲットをモデレータの位置まで運んで固体ターゲット内に生成された陽電子放出体から放出される陽電子をモデレータに入射させることにより、ターゲット照射時の２次放射線の影響を回避する方法も考えられるが、固体ターゲットには照射による発熱を除去するための冷却装置などが付随しており、固体ターゲットを移送しようとすると装置が大がかりなものになってしまい実際的ではない。電子ビームによる制動放射を用いる方法では、重金属ターゲットとモデレータの分離は原理的に不可能である。更に、オペレータの放射線被曝を回避するためには、陽電子ビーム発生装置への陽電子線源の供給を自動化する必要がある。
【０００５】
本発明は、このような従来技術の問題点に鑑みてなされたもので、モデレータに損傷を与えることなく高強度の陽電子ビームを発生することのできる陽電子線源及びその製造方法並びに陽電子線源自動供給装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、陽電子放出体を生成するためのターゲットとしてＨ２１８Ｏ（１８Ｏ水）を含む液体ターゲットを用い、液体ターゲットを陽子照射することにより１８Ｏ（ｐ，ｎ）１８Ｆ反応によって生成させた陽電子放出体１８Ｆを炭素部材上に結合させて捕集することを検討し、本発明に至った。
すなわち、本発明による陽電子線源は、炭素部材の表面に１８Ｆが結合していることを特徴とする。炭素部材はグラファイト又はガラス状カーボンからなることが好ましい。また、炭素部材は柱状の形状を有し、その端面に１８Ｆが結合していることが好ましい。
【０００７】
本発明による陽電子線源の製造方法は、Ｈ２１８Ｏを含む液体ターゲットに荷電粒子線を照射して１８Ｆを生成させるステップと、炭素部材を陽極として液体ターゲットに通電し炭素部材の表面に１８Ｆを結合させるステップとを含むことを特徴とする。このとき、液体ターゲットには天然フッ素イオンを微量含ませておく。天然フッ素イオンは、液体ターゲットに可溶性で強電解質であるアルカリ金属のフッ化物、例えばＮａＦ，ＮａＨＦ２，ＫＦなどを添加することによって含ませることができる。
【０００８】
天然のフッ素イオンを液体ターゲット（１８Ｏ水）に予め極微量含有させておくのは、次のような理由からである。核反応で生成する１８Ｆの原子数は高々３．５×１０１５個であり、これはフッ素としては１．１×１０−８ｇにすぎない。このような極微量の原子では、電着の電流が充分に得られないおそれがある。これを防ぐために、この１００倍程度になるように天然のフッ素イオンを２μｇ／ｍｌの濃度で加える。これによって、生成した１８Ｆは水溶液中でのＦ−としての化学挙動を保証されることになる。しかし、加えるフッ素の量は極めて微量であるので、これを照射前に予め加えておくものである。
【０００９】
陽極とする炭素部材は棒状又は板状とし、その端面を液体ターゲットに接触させた状態で通電することで１８Ｆを炭素部材の端面に集中的に結合させるのが望ましい。炭素部材の表面への１８Ｆの結合はＣ−Ｆのような炭素との直接の結合か、黒鉛構造の結晶の層間化合物であるのかは未だ明らかではない。
本発明による陽電子線源自動供給装置は、１８Ｆを含有する溶液が入った容器を通電位置に移動させる手段と、通電位置において炭素部材を陽極として前記溶液に通電する手段と、通電後の炭素部材を陽電子ビーム発生装置に移送する手段とを備えることを特徴とする。１８Ｆを含有する溶液は、別室に置かれた通電容器に移送される。また、通電後の溶液を回収する手段を併設してもよい。
【００１０】
本発明による陽電子線源自動供給装置は、また、容器を載置して回転する回転台と、前記容器に１８Ｆを含有する溶液を供給する手段と、回転台を回転駆動して容器を溶液供給位置と通電位置との間に移動させる第１の駆動手段と、炭素部材が取り付けられた回転体と、回転体を回転駆動して炭素部材を通電位置にある容器内の溶液に対向する位置と陽電子ビーム発生装置の陽電子線源受け入れ部に対向する位置との間に移動させる第２の駆動手段と、回転体を上下動させる昇降手段と、炭素部材を陽極として前記容器内の溶液に通電する電源とを備え、通電位置に置かれた容器内の溶液に前記炭素部材を陽極として通電することで表面に１８Ｆを結合させた炭素部材を陽電子ビーム発生装置の陽電子線源受け入れ部に結合させることを特徴とする。
【００１１】
炭素部材と容器内の溶液との接触を検知する接触感知手段を備えると、溶液への炭素部材の浸漬深さを正確に管理することができる。この接触感知手段は、炭素部材が溶液の液面に接触した瞬間に流れる微小電流を検出する手段とすることができる。また、回転台に複数個の容器を載置し、回転体には容器の個数と同数の炭素部材を取り付けることにより、長時間の連続運転が可能となる。
【００１２】
Ｈ２１８Ｏを含む液体ターゲットは配管を通して任意の場所に移送することが容易なため、Ｈ２１８Ｏを含む液体ターゲットを照射してその中に陽電子放出体１８Ｆを生成させ、その陽電子放出体を含む液体を遠隔操作によって移動し、陽電子を使用する場所で１８Ｆを炭素部材の微小な表面に結合させて捕集することができれば、１８Ｆを結合させた炭素部材（陽電子線源）だけをモデレータの設置位置まで運ぶことにより、ターゲット照射時の２次放射線によるモデレータの損傷や測定ノイズの発生を防ぐことができる。また、陽電子放出体１８Ｆを結合させる炭素部材の表面積を小さく限定することにより、陽電子放出体の密度を高めて高強度の陽電子ビームを発生させることができる。また、本発明では、ターゲット照射をモデレータから離れた場所で行うため、ターゲット照射により発生する２次放射線の影響を受けることがない。
【００１３】
また、Ｈ２１８Ｏ水は非常に高価であるが、１回の照射で１８Ｆに変換する１８Ｏはごく微量である。そこで線源作成後、速やかにこれを回収する。速やかに回収せずに放置すると、Ｈ２１８Ｏが水蒸気として蒸発するのみならず、通常水の蒸気が溶け込んでＨ２１８Ｏの濃度を低下させる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
図１は、液体ターゲットに荷電粒子ビームを照射して液体ターゲット中に陽電子放出体（ラジオアイソトープ）を生成させる陽電子放出体生成部の略断面図である。陽電子放出体生成部１０は、各々貫通穴を有する上部ブロック１２と中間ブロック１３、及び凹部を有する下部ブロック１４の３個のブロックを貫通穴及び凹部の位置を合わせてねじ結合して構成されている。中間ブロック１３には、貫通穴の上方をチタン等の金属フォイル１５で閉じ、下方も銀等の金属フォイル１６で閉じることにより液体ターゲットが収容される空間（液体ターゲット容器）１７が形成されている。各ブロック１２，１３，１４の間はＯリング１３ａ，１３ｂ，１４ａによってシールされている。
【００１５】
荷電粒子ビーム１１は、上部ブロック１２の開口１２ａ、チタン等の金属フォイル１５を通過して、容器１７内に収容されている液体ターゲットに照射される。下部ブロック１４に設けられた凹部１８には冷却水配管１９ａ，１９ｂが接続され、冷却水配管１９ａ，１９ｂから凹部１８に冷却水を流すことにより、荷電粒子ビーム１１の照射を受けて発熱したターゲット液体を冷却する。また、容器１７には図示した液体ターゲット配管２３と、図１の紙面前後方向から容器１７に通じている図示しない液体ターゲット配管、及びＮ２ガスを導入するための図示しないガス配管が接続されている。
【００１６】
陽電子放出体生成部１０では、弁２３ａを閉じ、容器１７内に液体ターゲットを貯留した状態で荷電粒子ビーム１１を照射し、容器１７内の液体ターゲット中に陽電子放出体を生成させる。ここでは、液体ターゲットとしてＨ２１８Ｏ及び２ｐｐｍのＮａＦを含有する水を用い、容器内のＨ２１８Ｏに加速器で１６ＭｅＶに加速した陽子ビーム１１を照射することにより、１８Ｏ（ｐ，ｎ）１８Ｆの反応によって１８Ｆを生成させる。陽子ビーム１１の照射は、例えば３０分間行われる。その後、弁２３ａを開き、ガス配管から容器１７内にＮ２ガスを導入することにより、１８Ｆを含む容器１７内のＨ２１８Ｏを配管２３を通じて別の部屋に置かれた容器３０に移す。容器３０は、銅製のブロックに半球状の凹部３１を形成したもので、凹部３１の内面にロジウム鍍金３２を施してある。
【００１７】
図２は、容器３０に移されたターゲット液体３５中の陽電子放出体１８Ｆを炭素部材の端面に結合させて陽電子線源を作製する工程を説明する部分断面図である。容器３０には、陽子ビーム照射を受けた、１８Ｆ及び２ｐｐｍのＮａＦを含有する液体３５が入っている。炭素部材４０は、上端をプラスチック製の絶縁ホルダー４５で把持されてスタンド４６に固定されている。炭素部材４０と容器３０は、炭素部材４０が陽極側となり容器３０が陰極側となるようにして定電圧電源４７に接続されている。炭素部材４０は、１８Ｆが主に下端面に結合し、側面への１８Ｆの結合が最小限になるように、液体３５中への浸漬量をできるだけ少なくして下端面を液体３５に接触させた状態で通電するのが好ましい。
【００１８】
そのためには、例えば炭素部材４０を一旦容器３０中に入った液体３５の液面の上方に位置させ、その後、炭素部材４０を液体３５の液面に向けて徐々に降下させる。定電圧電源４７を流れる電流により炭素部材４０の下端面が液面に接触したのを確認した後、更に例えば０．１ｍｍだけ降下させた位置でスタンド４６に固定することにより、側面への液体３５の接触を最小限に抑えて炭素部材４０の下端面を確実に液体３５に接触させることができる。炭素部材４０が液体３５に接触した状態で定電圧電源４７から通電すると、液体３５中のＦは炭素部材（陽極）４０側に集まり、炭素部材４０と結合する。こうして端面に陽電子放出体である１８Ｆが高濃度に結合した陽電子線源が得られる。
【００１９】
図３は、本発明によって得られた陽電子線源の一例を示す模式図である。図３（ａ）は、図２に示した工程で得られた陽電子線源を示し、細い柱状の炭素部材４０の端面４１に陽電子放出体である１８Ｆが高濃度に結合している。図３（ｂ）は、本発明による陽電子線源の他の例を示す模式図である。この陽電子線源４０ａは、細い柱状の炭素部材４０ａの先端部の側面に電気絶縁被覆４２が施されている。絶縁被覆４２の存在により、図２に示す工程で通電する際に炭素部材４０ａを液体３５中へ比較的深く浸漬したとしても、炭素部材４０ａの側面への１８Ｆの結合が阻止され、陽電子放出体１８Ｆは端面４１ａのみに選択的に結合する。
【００２０】
本発明による陽電子線源においては、陽電子放出体１８Ｆが炭素部材４０，４０ａの端面４１，４１ａに厚みを無視できる無担体の状態で均一に結合しているため、陽電子放出体１８Ｆから放出された陽電子は点線源に近い微小面積から散乱や吸収を受けることなく効率よく放出される。
【００２１】
ここで、炭素部材への陽電子放出体１８Ｆの結合効率について調べた。純度９０％のＨ２１８Ｏに２μｇのＮａＦを加えた水１ｍｌを液体ターゲットとし、それに１６ＭｅＶに加速した陽子ビームを３０分間照射した。照射後の液体ターゲットを、図２に示す半径８ｍｍの半球型の容器（容積１ｍｌ）３０に入れ、炭素部材４０を図２に示すようにセットした。炭素部材４０としては、分光分析用高純度黒鉛を直径５ｍｍ及び直径３ｍｍ、長さ３ｃｍの円柱状に加工した黒鉛棒を用いた。黒鉛棒の一端には銅製の端子を取り付け、他端は断面を平滑に加工して研磨した。この黒鉛棒をプラスチック製のホルダー４５に取り付け、断面の中心が容器３０の中心に一致するように調節した後、定電圧電源４７に接続して通電した。印加電圧は７０Ｖから１８０Ｖまで１０Ｖ間隔で変化させ、通電時間は５分間、１０分間、２０分間と変化させた。黒鉛棒の端面から放出される０．５１１ＭｅＶのガンマ線を半導体検出器で測定し、陽子ビーム照射後の液体ターゲット１ｍｌをアルミ箔上で乾燥させた時、乾燥物から放出される０．５１１ＭｅＶのガンマ線を半導体検出器で測定した標準と比較して結合効率を求めた。
【００２２】
図４は、電着電圧を１２０Ｖとしたときの３ｍｍφ黒鉛棒への１８Ｆの結合効率を示す図であり、横軸は通電時間、縦軸は結合効率である。図から、２０分間あるいは３０分間通電することで５０％以上の結合効率が得られることが分かる。
ここでは、炭素部材として直径３ｍｍと直径５ｍｍの黒鉛棒を用いたが、ガラス状カーボンなど導電性に優れていて十分な材料強度を有する他の炭素部材を用いても同様の結果が得られる。炭素部材の太さは、ここでは直径３ｍｍと５ｍｍとしたが、直径３ｍｍ未満、例えば直径１ｍｍとすることも可能である。炭素部材の断面形状も四角形、六角形など、円形に限られないのは勿論である。
【００２３】
図５は、本発明の陽電子線源を用いた低速陽電子ビーム発生装置の一例を示す断面図である。段部７３を有する真空容器７２の端部は強度補強用のチタンフォイル７５及びモデレータ７６によって閉じられており、その前方にはグリッド７７が配置されている。グリッド７７には、電源７８により−３０Ｖ程度の電圧が印可されている。モデレータ７６は厚さ約１０μｍのタングステンフォイルからなる。端面に陽電子放出体１８Ｆが結合した陽電子線源５０は、真空容器７２の段部７３に係合することでモデレータ７６に対して位置決めして配置される。
【００２４】
この状態で陽電子線源５０の端面に存在する陽電子放出体から放出された陽電子は、チタンフォイル７５を透過して真空容器７２内に入る。その後、陽電子はモデレータ７６に入射して減速され、グリッド７７によって発生される電界によって加速され、コイル７９の発生する磁界に沿って低速陽電子ビーム７１となって利用位置に輸送される。
【００２５】
図６は本発明による陽電子線源自動供給装置の概略図、図７は装置の駆動系統図である。この陽電子線源自動供給装置は、複数個の容器３０ａ〜３０ｆが載置された回転台８０、及び容器の個数と同じ数の炭素部材４０ａ〜４０ｆが着脱可能に固定された回転体９０を備える。容器３０ａ〜３０ｆは、銅製のブロックに半球状の凹部を形成し、凹部内面をロジウムでめっきしたものである。回転台８０はパルスモータ８１によって３６０゜回転することができ、回転体９０はパルスモータ９１によって３６０゜回転することができる。また、回転体９０は、パルスモータ９２の駆動によって上下動することができる。
【００２６】
パルスモータ８１，９１，９２は、インターフェース１０５を介してコンピュータ１０６で制御されるモータドライバ９５，９６，９７によって駆動される。また、定電圧電源１００の出力は、リン青銅製のブラシ８３，８４を介してマイナス側が回転台８０に、プラス側が回転体９０に接続されている。電源１００と回転体９０の間には液面感知回路１０１が接続されており、液面感知回路１０１の出力はインターフェース１０５を介してコンピュータ１０６に入力される。
【００２７】
装置内には溶液供給位置Ａと通電位置Ｂが設定されている。溶液供給位置Ａでは、液体ターゲット配管２３を介して、図１に示した陽電子放出体生成部から陽電子放出体１８Ｆを含有する溶液が一つの容器３０ａに注入される。容器３０ａへの１８Ｆ含有溶液の注入が終わると、パルスモータ８１を駆動して回転台８０を回転し、容器３０ａを回転体９０に取り付けられた炭素部材４０ａの下方位置である通電位置Ｂに移動する。
【００２８】
次に、パルスモータ９２を駆動して回転体９０をゆっくりと下降させる。回転体９０に取り付けられた炭素部材４０ａが容器３０ａ内に蓄えられた溶液に向かって徐々に下降し、プラス電位を持つ炭素部材４０ａが容器３０ａ内のマイナス電位を持つ溶液の液面に接触すると、その瞬間に数ｍＡの電流が流れる。液面感知回路１０１は、このとき生じた微小電流をフォトカプラで検出し、超小型のリレーを介してコンピュータ１０６に液面感知信号として送信する。液面感知信号を受信したコンピュータ１０６は、ドライバ９７を制御して、その位置から更に０．１ｍｍ程度降下させる。その後、定電圧電源１００から９０Ｖで２０分間通電し、炭素部材４０ａの端面に陽電子放出体１８Ｆを結合させて、陽電子線源とする。
【００２９】
こうして陽電子線源が製造されると、パルスモータ９２を駆動して回転体９０を上昇させて、陽電子線源（炭素部材４０ａ）を容器３０ａの上方に引き上げ、更にパルスモータ９１を駆動して炭素部材４０ａを陽電子ビーム発生装置１１０の陽電子線源受け入れ部（段部）７３に対向する位置に移動する。その後、パルスモータ９２を駆動して回転体９０を所定距離上方に移動し、炭素部材４０ａを陽電子ビーム発生装置１１０の陽電子線源受け入れ部（段部）７３に結合させる。こうした一連の動作によって、陽電子ビーム発生装置１１０から低速陽電子ビーム７１が発生される。この一連の動作は、コンピュータ１０６の制御によって自動的に行われる。
【００３０】
陽電子放出体１８Ｆの半減期は約１１０分であるため、この陽電子線源（炭素部材４０ａ）を用いて約２時間の間陽電子ビームを発生することができる。陽電子ビーム７１の強度が低下してきたら、予め図１に示した陽電子放出体生成部で生成していた陽電子放出体１８Ｆを含有する溶液を液体ターゲット配管２３を介して回転台８０上の次の容器３０ｂに注入する。そして、容器３０ｂ内の陽電子放出体１８Ｆを回転体９０の炭素部材４０ｂに結合させて陽電子ビーム発生装置１１０に供給する。このような運転を行うことで、例えば通電位置Ｂでの２０分間の通電とそれに続く２時間の陽電子ビーム発生を繰り返すことができ、装置に例えば６個の容器３０ａ〜３０ｆと６個の炭素部材４０ａ〜４０ｆを装着しておけば１２時間の連続運転が可能となり、１２個の容器３０と１２個の炭素部材４０を装着しておけば２４時間の連続運転が可能となる。なお、通電の終わった溶液は回収配管１０９から回収される。
【００３１】
【発明の効果】
本発明によると、点線源に近い微小面積から高強度の陽電子を効率よく発生することのできる陽電子線源を得ることができる。また、陽電子線源を陽電子ビーム発生装置に自動運転で供給することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】陽電子放出体生成部の略断面図。
【図２】陽電子線源を作製する工程を示す図。
【図３】本発明によって得られた陽電子線源の一例を示す模式図。
【図４】１８Ｆの結合効率を示す図。
【図５】本発明の陽電子線源を用いた低速陽電子ビーム発生装置の一例を示す断面図。
【図６】本発明による陽電子線源自動供給装置の概略図。
【図７】陽電子線源自動供給装置の駆動系統図。
【符号の説明】
１０…陽電子放出体生成部、１１…荷電粒子ビーム、１２…上部ブロック、１２ａ…開口、１３…中間ブロック、１３ａ，１３ｂ…Ｏリング、１４…下部ブロック、１４ａ…Ｏリング、１５…チタンフォイル、１６…チタンフォイル、１７…液体ターゲット容器、１８…凹部、１９ａ，１９ｂ…冷却水配管、２３…液体ターゲット配管、２３ａ…弁、３０，３０ａ〜３０ｆ…容器、３１…凹部、３２…ロジウム鍍金、３５…液体、４０，４０ａ〜４０ｆ…炭素部材、４１，４１ａ…端面、４２…絶縁被覆、４５…絶縁ホルダー、４６…スタンド、４７…定電圧電源、５０…陽電子線源、７１…低速陽電子ビーム、７２…真空容器、７３…段部、７５…チタンフォイル、７６…モデレータ、７７…グリッド、７８…電源、７９…コイル、８０…回転台、８１…パルスモータ、８３，８４…ブラシ、９０…回転体、９１，９２…パルスモータ、９５，９６，９７…パルスモータ用ドライバ、１００…電源、１０１…液面感知回路、１０５…インターフェース、１０６…コンピュータ、１０９…回収配管、１１０…陽電子ビーム発生装置、Ａ…溶液供給位置、Ｂ…通電位置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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