(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被蒸着物に化学蒸着を施した後に排出される副生成物を含む排出ガスを排出する排出ラインに配され、
細孔を有する薄肉リング状のオリフィスと、
該オリフィスを保持すると共に、排出ガスを集合するガス導入口とオリフィス通過後のガスを排出する排出口とを有するオリフィス本体とからなり、
上記該オリフィス本体内に、上記オリフィスをガス流れに直交するように所定間隔の間隙を有し、且つ該間隙に所定量の不活性ガスを導入しつつ保持してなることを特徴とする固定オリフィス。
【請求項２】
請求項１に記載する固定オリフィスにおいて、
上記不活性ガスが窒素ガス，ヘリウムガス，アルゴンガス，二酸化炭素，空気のいずれか一種又はこれらの混合物であり、オリフィス本体内を通過する排出ガス量が減少するにつれて上記不活性ガスの供給量を減少させ、排出ガス量を一定に保つことを特徴とする固定オリフィス。
【請求項３】
請求項１に記載する固定オリフィスにおいて、
上記リング状のオリフィスが、ガス流れの下流側が小径のフランジ付のテーパ筒であることを特徴とする固定オリフィス。
【請求項４】
請求項３に記載する固定オリフィスにおいて、
上記リング状のオリフィスのガス流れに直交する方向からのテーパ角度（θ）が８０度以下であることを特徴とする固定オリフィス。
【請求項５】
所定圧力下の収容室内に設置され、
被蒸着物の上へ化学蒸着を施す化学蒸着手段と、
該化学蒸着手段からの排出ガスを排出する排出ラインと、
該排出ラインに介装される請求項１ないし４のいずれかに記載する固定オリフィスと、
上記収納室の内外の何れかに設置され、上記排出ラインからの排出ガスを収容室外へ排出する送風ファンとからなり、
固定オリフィス前段の排出ライン内に化学蒸着物並びに副生成物が堆積し、排出ガスの排出量が減少した際、該排出量の減少につれて固定オリフィスへ供給する不活性ガスの供給量を減少させ、一定の排出量を維持し、化学蒸着雰囲気を一定に保持することを特徴とする固定オリフィスを用いた排出システム。
【請求項６】
請求項５に記載する固定オリフィスにおいて、
上記化学蒸着が常圧法又は減圧法のいずれかであることを特徴とする固定オリフィスを用いた排出システム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばＣＶＤ装置からの副生成物を含有する排出ガスを設定した圧力に対する一定量の排出ガスを経時的に変化なく効率よく排出する固定オリフィス及びそれを用いた排出システムに関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
例えばシリコン等の基板（ウェーハ）上に気相成長を行う気相成長装置においては、上記基板上に化学蒸着からの反応の副生成物等の副産物があり、この副産物を効率よく排出する必要がある。
このため、従来においては排出ラインにオリフィス制限面積を形成し、該オリフィス制限面積の清浄化を図ることがなされている。
【０００３】
図９に常圧ＣＶＤ装置の概略を示す。
図９に示すように、ディスパージョンヘッド０１へ化学蒸気及び化学ガス０２を供給し、窒素（Ｎ２  ）ガス雰囲気内のクリーントンネル０３内を図示しない基板供給手段により搬送されるウェーハＷの表面に化学蒸着させて成膜を行っている。この化学蒸着に寄与しないガス（プロセスガス）及び副生成物は、排出ガス０４としてディスパージョンヘッド０１に連結される排出管０５から外部へ排出されている。
【０００４】
上記排出システムは、ディスパージョンヘッド０１内の化学蒸着用ガスとウェーハＷとの間に所定の反応時間を提供するように、所定の割合でガスを排出することが必要である。これは、ガスを早急に排出すると、反応がなされる前に外部へ排出され、原料ガスが化学蒸着に寄与せず無駄となるからであり、一方ガスの排出が遅くなると、ガスフローに変動を生じ、均一な化学蒸着ができないからである。
【０００５】
このため、従来においては、一定量の排気量を供給されている排出ラインに、オリフィス面積制限を設け、該オリフィス面積制限により、排出ラインの好適化を図っていた。
この従来の固定オリフィス概略図の一例を図１０に示す。図１０に示すように、ディスパージョンヘッド０１に連結された排出ガス０４を排出する排出管０５には、外部に設けた手動又は自動による可変モータＭにより開口部０６が可変自在なボールバルブ０７が設けられており、副生成物の堆積と共に、該ボールバルブ０７の開口部０６を開き、エキゾーストボックス０８から排出される排出ガス０４の流量の制限をしている。
【０００６】
しかしながら、上記ボールバルブ０７を用いたものでは、副生成物のパウダーがオリフィス開口部にも堆積し、該開口部を狭くするため流量変化が起こり、開口部を開くが経時的に変化するオリフィス最大開口時においても、堆積物が堆積して目詰まり状態となる前に常に清掃する必要があり、その度に手間がかっていた。
また、開口部に堆積した堆積物が一度に排出され、そのことにより排気量変化が起こり、成膜に影響が生じる、という問題がある。
【０００７】
また、他の一例を図１１に示す。図１１に示すように、排出管０５内に対向して設けられた回転自在な一対のローラ０１１，０１１と、該ローラ０１１の外表面に摺接し、表面を清浄化するスクレイパ０１２を備えてなり、ローラ０１１の対向によりオリフィスを形成してなり、堆積した副生成物は該ローラが回転することにより、スクレイパ０１２にぶつかることで取り除くようにしている。
【０００８】
しかしながら、該ローラ０１１とスクレイパ０１２とにより、堆積物を除去する方法は、ローラとスクレイパとに堆積する堆積物が多いと、もはや回転により除去が不能となるという問題がある。
【０００９】
このため、例えば回転する金属製のワイヤ等を用い、オリフィス径内を該ワイアで回転させることで清浄化させる方法が提案されているが、オリフィス内に正確に当接することが困難であり、清浄化がうまくできず、堆積物の付着がおこり、この堆積物の付着により、正常なガスの流通を阻害してしまうという問題がある。
【００１０】
本発明は、上記事情に鑑み、ＣＶＤ装置等の排出ガスに含まれる副生成物を含む排出ガスを集合して変化のない一定のオリフィスを通過させることにより、反応部での圧力を一定に保ち、ウェーハ上に生成される薄膜の均一性を確保することができる固定オリフィス及びそれを用いた排出システムを提供することを課題とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決する［請求項１］の発明は、被蒸着物に化学蒸着を施した後に排出される副生成物を含む排出ガスを排出する排出ラインに配され、細孔を有する薄肉リング状のオリフィスと、該オリフィスを保持すると共に、排出ガスを集合するガス導入口とオリフィス通過後のガスを排出する排出口とを有するオリフィス本体とからなり、上記該オリフィス本体内に、上記オリフィスをガス流れに直交するように所定間隔の間隙を有し、且つ該間隙に所定量の不活性ガスを導入しつつ保持してなることを特徴とする。
【００１２】
［請求項２］の発明は、請求項１に記載する固定オリフィスにおいて、上記不活性ガスが窒素ガス，ヘリウムガス，アルゴンガス，二酸化炭素，空気のいずれか一種又はこれらの混合物であり、オリフィス本体内を通過する排出ガス量が減少するにつれて上記不活性ガスの供給量を減少させ、排出ガス量を一定に保つことを特徴とする。
【００１３】
［請求項３］の発明は、請求項１に記載する固定オリフィスにおいて、上記リング状のオリフィスが、ガス流れの下流側が小径のフランジ付のテーパ筒であることを特徴とする。
【００１４】
［請求項４］の発明は、請求項３に記載する固定オリフィスにおいて、上記リング状のオリフィスのガス流れに直交する方向からのテーパ角度（θ）が８０度以下であることを特徴とする。
【００１６】
［請求項５］の発明は、所定圧力下の収容室内に設置され、被蒸着物の上へ化学蒸着を施す化学蒸着手段と、該化学蒸着手段からの排出ガスを排出する排出ラインと、該排出ラインに介装される請求項１ないし４のいずれかに記載する固定オリフィスと、上記収納室の内外の何れかに設置され、上記排出ラインからの排出ガスを収容室外へ排出する送風ファンとからなり、固定オリフィス前段の排出ライン内に化学蒸着物並びに副生成物が堆積し、排出ガスの排出量が減少した際、該排出量の減少につれて固定オリフィスへ供給する不活性ガスの供給量を減少させ、一定の排出量を維持し、化学蒸着雰囲気を一定に保持することを特徴とする。
【００１７】
［請求項６］の発明は、請求項５に記載する固定オリフィスにおいて、上記化学蒸着が常圧法又は減圧法のいずれかであることを特徴とする。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００１９】
図１に本実施の形態にかかる固定オリフィスの概略図を示す。図２は固定オリフィスの一部切り欠き構造図、図３は図２のＩＩＩ  −ＩＩＩ  線断面図、図４は図２のＩＶ部拡大図である。
【００２０】
図１乃至図４に示すように、本実施の形態にかかる固定オリフィス１１は、ディスパージョンヘッド１２の下部反応部内でウェーハＷ上に化学蒸着を行った後、反応に寄与せずに排出されるプロセス排気ガス（反応ガス，窒素キャリアガス，セレクターガス）１３及びパウダー状の反応副生成物１４を含む排出ガス１５を排出する排出管１６に配されてなるもので、所定口径の孔（オリフィス開孔）１７を有する薄肉リング状のオリフィス１８と、該オリフィス１８を内部で保持すると共に、排出ガス１５を集合するガス導入口１９とオリフィス通過後の排出ガスを排出する排出口２０とを有するオリフィス本体２１とから構成されている。
【００２１】
上記薄肉リング状のオリフィス１８は、排出ガス１５のガス流れに直交するように所定間隔の間隙２２を有しつつ保持されており、且つ該間隙２２には、外部から所定量のシステムガスである不活性ガス（例えばＮ２  ）をガス供給部２３から供給し、所定の排気量を確保すると共に、該窒素ガスの供給量により、圧力を一定に保持しつつ排出ガス２４を排出口２０から排出するものである。なお、図中、符号２５はシール部材及び２６はシールリングを図示する。
【００２２】
ここで、本発明において、上記不活性ガスとは、Ｎ２  ガスに限定されるものではなく、ヘリウムガス，アルゴンガス，二酸化炭素，空気のいずれか一種又はこれらの混合物であってもよい。なお、以下においては、不活性ガスとして、Ｎ２  ガスを使用した場合について説明する。
また、固定オリフィス１１から排出される排出ガス（オリフィス後流排出ガス）２４とは、オリフィス本体２１に導入されたプロセスガス１３及びパウダ状の副生成物１４並びに不活性ガスとが併さって排出されるガスをいう。
【００２３】
本実施の形態における上記オリフィス１８を支持する方法としては、図４に示すように、例えば断面Ｌ型の切り欠き部２７を設けた第１支持部材２８と、該切り欠き部２７の端面２９側と当接して凹部を形成する第２支持部材３０とからなるオリフィス支持部３１を用いている。そして、図３に示すように上記支持部３１を複数個（本実施の形態では三箇所）同心状に配設してオリフィス１８を支持している。
上記オリフィス１８は、プロセスガスの排気を制御するよう最適なオリフィス径（細径）１７を有するものであり、該オリフィス径１７は特定されるものではなく、各排気ポート毎に異なる径を有するオリフィス１８を設置した固定オリフィス１１を介装させるようにしてもよい。
すなわち、ＣＶＤ装置は複数のディスパージョンヘッドを備えており、該ヘッドから個々に排出ラインが形成されているので、設置されるクリーンルーム等の雰囲気、ＣＶＤ装置のガス気密構造、ディスパージョンヘッドの構成の種々の特性により、圧力変動を個別に対応することができる。
上記オリフィス径（細径）１７の開口をｄとした場合、ｄ＝１ｄ〜０．４ｄの範囲とするのが好適である。すなわち、例えば開口ｄを１５ｍｍとした場合、ｄ＝１５ｍｍ〜０．６ｍｍの範囲となる。なお、このときの管径Ｄは４２ｍｍとしているが、本発明はこれに何ら限定されるものではない。
【００２４】
上記固定オリフィス本体２１にガス供給部２３を介して供給される窒素ガスは、内部に形成された窒素ガスの旋回導入部（Ｎ２  旋回部）３２から上記間隙２２に供給されて排気される。この結果、オリフィス本体２１内において乱流の発生を防止しつつ副生成物の付着を防止し、上記間隙２２に保持されるオリフィスを窒素の排出によって振動させることで、付着防止を図っている。
上記間隙２２は０．１ｍｍ程度とすることが好ましい。
【００２５】
すなわち、上記オリフィス本体２１に供給されるシステムＮ２  は、オリフィス径１７を維持し、プロセス排気ガスである排出ガス１５の排出量を制御するために導入され、内部に設けたＮ２  旋回部３２から間隙２２を介して周囲から満遍なく入り込み、音速に近いガス流れにより排出ガス１５中に含まれている副生成物等の付着を防止するようにしている。
【００２６】
上記固定オリフィス内においてオリフィスを支持する構造は、上述した構造に限定されるものではないが、オリフィスが間隙をもって支持され、且つ窒素ガスの供給によりオリフィスが振動するような支持方法であればいずれの方法も採用することができる。
なお、本発明では、上記リング状のオリフィスは上述したような振動する形式のものに限定されるものではなく、固定する場合であってもよい。
【００２７】
このような構成の固定オリフィス１１を設けることにより、ヘッド排気（オリフィス前流側）側からのプロセス排気ガスを取り入れ、窒素ガスの供給により圧力コントロールが可能となり、ディスパージョンヘッドの下部反応部内の排気圧力を一定とすることができ、しかも外部へ排出するオリフィス本体に導入されたプロセス排気ガスとシステムＮ２  とが合わさって排出されるガスは、送風ファンで吸引されるエキゾーストボックス内で常に一定排気圧力となるように排出することができる。
【００２８】
なお、長期間の使用によって経時変化により、副生成物の微粒子が固定オリフィス以前の排気管等やオリフィス等に多少付着した場合には、別途監視している差圧が降下した変化量に対応して、供給する窒素ガスの供給を次第に減少させることにより、全体としての排出ガスの量を変化することなく、ディスパージョンヘッドの下部反応部内の圧力を一定とすることができる。
【００２９】
図５に本発明の固定オリフィスを用いた排出システムの概略を示す。図５に示すように、所定圧力下のクリーンルーム４１内には、化学蒸着手段のディスパージョンヘッド４２に連結された排出ラインである排出管４３には、固定オリフィス１１が介装されており、記排出管４３からの排出ガス４４をクリーンルーム４１外へエキゾーストボックス４５を介して送風ファン４６により外部へ排出している。
上記クリーンルーム４１の第１圧力計Ｐ１  とし、送風ファン４６で吸引するエキゾーストボックス４５の排出量を一定とすると、第１圧力計Ｐ１  と排気管４３に設けた圧力計（陰圧）Ｐ２  ，Ｐ３  との差圧を、所定時間或いは常時計測することで、排出状況を確認することができる。
長期間の使用によって経時変化により、副生成物の微粒子パウダーが固定オリフィス以前の排気管等や固定オリフィス１１や固定オリフィス以後の排出管等の配管の各所等に多少付着した場合には、固定オリフィス１１を通過する排出ガス量が減少するので、供給する窒素ガスの供給を次第に減少させることにより、全体としての排出ガスの量を変化することなく、ディスパージョンヘッド４２の下部反応部内の圧力を一定とすることができる。
この結果、排出管４３内に化学蒸着物並びに副生成物が堆積し、排出ガス４４の排出量が減少しても、該排出量の減少につれて固定オリフィス１１へ供給する不活性ガスの供給量を減少させることで、一定の排出量を維持し、化学蒸着雰囲気を一定に保持することが可能となる。
【００３０】
このように、固定オリフィス１１は、物理的オリフィス径を有すると共に、内部にシステム窒素ガスを供給する空間を有し、ＣＶＤ装置のリアクター反応部、ディスパージョンヘッドとその周辺から吐出されるプロセスガス（反応ガス，窒素キャリアガス，セレクターＮ２  ガス）の反応後のパウダ状の副生成物を含む排気ガスを集合させて、通過させることにより反応部における圧力を一定に保ち、ウェーハ上に生成される薄膜の均一性を確保するように図っている。
このため、特定の排気量を確保するために、物理的オリフィス径を特定するようにしている。
複数の排気ポートを有する場合には、各ポートに取り付けた固定オリフィスの物理的オリフィス径を特定し、バランスを図るようにしている。
複数の排気ポートのバランスを調整したところで、供給しているシステム窒素ガス供給量を調整することにより、細かな排気バランスを調整することもできる。これにより、薄膜の均一性を一層向上させることができる。
【００３１】
特定の排気量を確保するために、差圧ポートを設け、その差圧に対してシステム窒素の流量をＭＦＣ（マスフローコントローラ）等で自動制御して、排気圧力を一定に保つことができる。すなわち、所定箇所に設けた圧力センサにより、監視しつつその差圧により、窒素ガスの導入量を自動的にコントロールすることにより、排気量を一定にすることが可能となる。
【００３２】
上述したオリフィスはリング状の平板オリフィスについて説明したが、本発明では上記平板オリフィスに限定されるものではなく、図６に示すようなリング状のオリフィスが、排出ガス１５のガス流れの下流側が小径のフランジ付のテーパ筒としてもよい。
すなわち、図６に示すように、図１に示す固定オリフィスと同様に、固定オリフィス１０１は、排出ガス１５のガス流れの下流側が小径の所定口径の孔（オリフィス開孔）１０２フランジ１０３を有するのテーパ筒１０４からなるオリフィス１０５と、該オリフィス１０５を内部で所定間隙をもって保持すると共に、排出ガス１５を集合するガス導入口１９とオリフィス通過後の排出ガスを排出する排出口２０とを有するオリフィス本体１０６とから構成されており、旋回導入部３２内へ導入したＮ２  ガスは所定間隙２２を通ってガス排出口２０へＮ２  ガスを排出するようにしている。
上記リング状のオリフィスのテーパ筒１０４の角度は、排出ガス１５のガス流れに直交する方向からのテーパ角度（θ）が８０度以下とするようにすればよい。上記テーパ角度０度は上述した図１に示す平板リング状のオリフィスであるが、テーパ筒形状とすることにより、供給ガスがガス流れの下流に向かって斜めに噴射され、副生成物の付着が少なくなり排気効率が向上し、リング状オリフィスと比べて更に長時間に亙って経時変化に柔軟に対応できることとなる。
なお、８０度以上の場合には、テーパ筒の形成が困難であり、排気効率の向上を図ることができないので、テーパ角度（θ）の上限を８０度程度とした。
なお、固定オリフィス１０１の保持形式，オリフィス孔径等は上述した固定オリフィス１１と同様であるので、その説明は省略する。
【００３３】
以上述べたように、本発明にかかる固定オリフィスは、被蒸着物に化学蒸着を施した後に排出される副生成物を含む排出ガスを排出する排出ラインに配され、細孔を有する薄肉リング状のオリフィスと、該オリフィスを保持すると共に、排出ガスを集合するガス導入口とオリフィス通過後のガスを排出する排出口とを有するオリフィス本体とからなり、上記該オリフィス本体内に、上記オリフィスをガス流れに直交〜約８０度程度までの角度を有するするように所定間隔の間隙を有し、且つ該間隙に所定量の不活性ガスを導入しつつ保持してなるので、以下のような効果を奏する。
▲１▼固定オリフィスの径を容易に選択できる。
▲２▼排気管毎に任意の径のオリフィスを設定できる。
▲３▼不活性ガス及び空気等のみを供給することで制御でき、電気，モータ等を使用するものではないので、ランニングコストが少ない。
▲４▼不活性ガス及び空気等をシステムガスとして流すことにより、パウダ等の副生成物の付着が防止され、さらに、オリフィス孔径を設置ラインに応じて個々に変化させることで、排気ガスの制御を長時間に亙っておこなうことができる。
▲５▼オリフィスはオリフィス本体内部に所定の間隙を有して保持してなるので、システムガスを流すことによりオリフィスが微小振動し、パウダ等の付着が防止される。
▲６▼不活性ガスの供給によるガスの流量を調節することにより、排気量を加減制御することができる。
▲７▼不活性ガスの流量調節を固定オリフィスの前後の差圧により、外部信号により、制御し、排気量を自動制御することができる。
▲８▼従来のようにモータ等の外部から駆動する駆動部品を使用するものではないので、故障等がない。
【００３４】
【実施例】
図７には３台のディスパージョンヘッドを用いた常圧ＣＶＤ装置の概略図を示す。
図７に示すＣＶＤ装置では、第１ヘッド５１，第２ヘッド５２，第３ヘッド５３から吐出されるプロセスガスの薄膜生成に寄与しない副生成物を含む排出ガスの排出管５４に介装される６台の固定オリフィス５５の孔径を変化させている。本実施の形態では、第１ヘッド５１及び第３ヘッド５３の外側に配設される排出管５６，５７に介装される第１固定オリフィス５５ａ及び第６固定オリフィス５５ｆは孔径を１７ｍｍとしている。それ以外の固定オリフィス５５ｂ，５５ｃ，５５ｄ，５５ｅはその孔径を１３ｍｍとしている。
各固定オリフィス５５ａ〜５５ｆに供給するＮ２  ガスを各々５リットル／分として、ウェーハに化学蒸着を施したところ、長期間に亙って良好な蒸着を施すことができた。なお、供給するＮ２  ガスの供給量は、排出ラインの排出管を流れるガス量及び中間付着物の付着量と関係するので、供給量は何ら限定されるものではなく、中間生成物が発生しない場合には、供給は不要であり、また大量には５０リットル／分の供給の場合でも効果的であるが、多量にＮ２  ガスを消費することとなるので、適宜交換するようにすればよい。
【００３５】
次に本発明にかかる固定オリフィスを設置した排ガス設備を設けたＣＶＤ装置の一例を以下に示す。
【００３６】
図８は本実施例にかかる常圧ＣＶＤ装置の全体システムである。
図８に示すように、本常圧ＣＶＤ装置は、ウェーハＷを搬送トレー上に自動的に供給又はウェーハ収納箱へ回収するウェーハ供給・回収部６１と、供給されたウェーハＷを化学蒸着装置へ搬送するウェーハ搬送部６２と、ウェーハＷ上へ酸化皮膜を形成する化学蒸着部６３と、酸化皮膜が蒸着されたウェーハをトレー上に載せたままウェーハ回収位置まで搬送するウェーハ返送部６４と、上記ウェーハ供給・回収部６１と、搬送部６２と、化学蒸着部６３と、返送部６４とを予め設定されたプログラムに従って制御する制御手段（図示せず）とから構成してなるものである。
【００３７】
以下、図８を参照して常圧ＣＶＤ装置のシステム流れを説明する。
▲１▼  ウェーハ供給・回収部６１は、第１のキャビネット６５内、搬送部６２と、化学蒸着部６３と、返送部６４は第２のキャビネット６６内にそれぞれ設置されている。
上記ウェーハ供給部６１を構成するウェーハカセットポート６７には、ウェーハＷが収納されている。
循環するウェーハＷを載置するトレー（ＳｉＣ製）６８は、アップリフト６９，アップリフトフォーク７０により下方から上方の定位置まで移動され、ウェーハＷをローディングできる状態で待機する。
ウェーハＷをウェーハカセットポート６７からウェーハ移載ロボット７１によりアップリフトフォーク７０上で待機しているＳｉＣトレー６８にピン部材８９をリフトアップしてピン部材８９上にウェーハＷをローディングしピンをリフトダウンしてウェーハＷをローディングする。
【００３８】
▲２▼  ウェーハＷをローディングしたＳｉＣトレー６８はアップリフトフォーク７０によりウェーハ搬送部６２のガイドレール７２に移載する。
上記ガイドレール７２に移載されたＳｉＣトレー６８は、トレー駆動装置機構７３により一定速度で順次ガイドレール７２上を搬送される。
上記ＳｉＣトレー６８はＮ２  クリーントンネル７４内を通過しながらガイドレール７２に仕込まれたヒーター（図示せず）によりＳｉＣトレー６８上のウェーハＷを均一に目的温度まで上昇させ、化学蒸着部６３の反応部へと導入する。
【００３９】
▲３▼  化学蒸着部６３の反応部は、ヘッドベース部材７５，ディスパージョンヘッド７６，三角ダクト７７，固定オリフィス７８，排出管７９から構成され、目的温度まで均一に上昇したウェーハＷ上に反応ガスをディスパージョンヘッド７６から均一に吐出し、三角ダクト７７と排出管７９とに介装された固定オリフィス７８によりコントロールされた排気によりウェーハＷ上に薄膜の酸化膜を形成する。排気されたプロセス残留ガスはプロセスエキゾーストボックス８０を経由し排気ダクト８１を通過し排出される。
酸化膜を形成したウェーハＷはＳｉＣトレー６８上にローディングされたまま化学蒸着部６３の反応部を出てダウンリフトフォーク８２により回収され、ダウンリフト８３により下方へと搬送される。
【００４０】
▲４▼  下方へと搬送されたＳｉＣトレー６８はトレー返送部６４の有するＳｉＣトレー受け８４よりウルパフィルター部材８５を通過した清浄な気流の中を通過して、ウェーハアップリフトフォーク７０上へと移載され、上方の定位置へと搬送される。
上方の定位置に到達したＳｉＣトレー６８はＳｉＣトレー上の酸化皮膜が形成されたウェーハＷのみをピン部材８９によりアップする。
リフトアップされたウェーハＷはウェーハ搬送ロボット７１により回収され、加熱されたウェーハＷを冷却する為の冷却ポート８６へと移載する。
【００４１】
▲５▼    冷却ポート８６で冷却されたウェーハＷは次に搬送されて来るウェーハと交代に基板集積装置としてのウェーハカセットポート６７の元の位置に回収、収容される。
▲６▼  以上の繰り返しにより連続でウェーハＷを処理する事ができる。
【００４２】
▲７▼  薄膜の連続形成によりＳｉＣトレー６８上に一定厚の膜が堆積した時には、自動ＳｉＣトレー交換機能によりＳｉＣトレー６８を一定速度で搬送しながらＳｉＣトレーラック８７に使用済みＳｉＣトレー６８を回収し、洗浄された清浄ＳｉＣトレー６８をＳｉＣトレーラック８７から搬出し自動交換する事が出来る。交換したＳｉＣトレー６８はトレーラック８７と共にトレーエックスチェンジャー機構８８にて装置外へと持ち出し洗浄工程へ移管する。
【００４３】
上記ＣＶＤ装置において、化学蒸着部６３の排気ラインに固定オリフィスを設け、該固定オリフィスに供給する窒素ガス量を調整することにより、所定の安定した排気ができ、良好な化学蒸着をウェーハＷ上に施すことができる。また、排出ラインにおいて副生成物のパウダ等が付着した場合であっても、排気制御手段により排気圧力の変動につれて、徐々に窒素供給量を減少することにより、引き続き安定した排気ができ、化学蒸着に変動を起こすことがない。
【００４４】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、被蒸着物に化学蒸着を施した後に排出される副生成物を含む排出ガスを排出する排出ラインに配され、細孔を有する薄肉リング状のオリフィスと、該オリフィスを保持すると共に、排出ガスを集合するガス導入口とオリフィス通過後のガスを排出する排出口とを有するオリフィス本体とからなり、上記該オリフィス本体内に、上記オリフィスをガス流れに直交から８０度程度の角度を有するように所定間隔の間隙を有し、且つ該間隙に所定量の不活性ガスを導入しつつ保持してなり、所定の排気量を確保すると共に、圧力を一定に保持しつつ排出ガスを排出することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施の形態にかかる固定オリフィスの概略図を示す。
【図２】固定オリフィスの一部切り欠き構造図である。
【図３】図２のＩＩＩ  −ＩＩＩ  線断面図である。
【図４】図２のＩＶ部拡大図である。
【図５】固定オリフィスを用いた排出システムの概略図である。
【図６】他の固定オリフィスの概略図である。
【図７】３台のディスパージョンヘッドを用いた常圧ＣＶＤ装置の概略図である。
【図８】本実施例にかかる常圧ＣＶＤ装置の全体システム図である。
【図９】常圧ＣＶＤ装置の概略を示す。
【図１０】従来の固定オリフィス概略図である。
【図１１】従来の他の固定オリフィス概略図である。
【符号の説明】
１１  固定オリフィス
１２  ディスパージョンヘッド
１３  プロセスガス
１４  反応副生成物
１５  排出ガス
１６  排出管
１７  孔（オリフィス開孔）
１８  オリフィス
１９  ガス導入口
２０  排出口
２１  オリフィス本体
２２  間隙
２３  ガス供給部
２４  排出ガス
２５  シール部材
２６  シールリング
【図１】
0003542733.tif 000002
【図２】
0003542733.tif 000003
【図３】
0003542733.tif 000004
【図４】
0003542733.tif 000005
【図５】
0003542733.tif 000006
【図６】
0003542733.tif 000007
【図７】
0003542733.tif 000008
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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