(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を回転自在に保持する保持手段と，前記保持手段に保持された基板の裏面に処理液を供給する供給ノズルを備えた処理装置において，
前記基板の回転に伴って基板の裏面全体に処理液を均一に供給できるように，前記供給ノズルの吐出口を分布させて配置し，
前記供給ノズル内部に処理液の液溜め室を形成し，該液溜め室に処理液を供給するための処理液供給路を接続し，該処理液供給路の出口と前記吐出口との間に，処理液供給路から液溜め室に供給された処理液を吐出口に直接的に流さないようにさせる緩衝板を設けることにより，処理液供給路から供給された処理液が緩衝板を迂回した後，吐出口全体から均一に出るように構成したことを特徴とする，処理装置。
【請求項２】
前記基板の任意の周縁部から略中心部を通過し他の任意の周縁部までの間に，前記供給ノズルの吐出口を分布させて配置したことを特徴とする，請求項１に記載の処理装置。
【請求項３】
前記供給ノズルの上面の形状を，円形状に形成したことを特徴とする，請求項１または２に記載の処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，例えばＬＣＤ基板や半導体ウェハのような基板の表面及び裏面を処理する処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイスの製造工程においては，例えば半導体ウェハ（以下，「ウェハ」という）の基板の表面及び裏面を清浄な状態にすることが極めて重要である。そのため，ウェハの表面及び裏面に付着したパーティクル，有機汚染物，金属不純物等のコンタミネーションを除去するために洗浄処理システムが使用されている。ウェハを洗浄する洗浄処理システムの一つとして，枚葉型の処理装置を用いた洗浄処理システムが知られている。
【０００３】
枚葉式の洗浄処理システムには，例えばウェハを収納するキャリアを載置できる載置部と，ウェハの表面や裏面の洗浄処理，乾燥処理を行う処理装置が備えられた洗浄処理部と，載置部と洗浄処理部との間でのウェハの授受や洗浄処理部の各処理装置にウェハを搬送する搬送アームが設けられている。そして，載置部に載置されたキャリアから搬送アームによって取り出されたウェハは，洗浄処理部の各処理装置に順次搬送され，所定の洗浄処理，乾燥処理が行われる。所定の処理後のウェハは，搬送アームによって洗浄処理部から搬出され載置部に載置しているキャリアに再び搬入される。
【０００４】
ここで，図１７に示すように，ウェハＷの裏面を洗浄する従来の処理装置１００には，ウェハＷを回転自在に保持する回転テーブル１０１と，回転テーブル１０１に保持されたウェハＷの裏面に処理液を供給する供給ノズル１０２とが備えられている。そして，ウェハＷの裏面を洗浄処理する場合には，回転しているウェハＷの裏面に，供給ノズル１０２から処理液を供給して洗浄処理を行い，ウェハＷの裏面に付着したパーティクル等を除去する。その後，供給ノズル１０２から処理液の供給が停止し，回転テーブル１０１を更に高速回転させて，ウェハＷの裏面から処理液を振り切って乾燥処理を行う。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら，従来の処理装置１００において，ウェハＷの裏面に供給される供給ノズル１０２からの処理液の勢いは，供給ノズル１０２から離れていくに連れて弱まる。これにより，例えばウェハＷの裏面において，供給ノズル１０２に近い箇所に比べて供給ノズル１０２から離れた箇所では洗浄効果が劣ってしまう。さらに，ウェハＷの裏面における供給ノズル１０２から離れた箇所においては，供給ノズル１０２からの吐出された処理液がウェハＷの裏面に届く前にその勢いを失い，供給されない場合もある。その結果，ウェハＷの裏面において洗浄処理がされない箇所が発生し，ウェハＷの裏面全体を十分に洗浄処理できない。
【０００６】
また，例えば，フッ酸（ＨＦ）と純水（Ｈ２Ｏ）とを混合した薬液であるＤＨＦ溶液をウェハの裏面に供給して，ウェハの裏面に形成された酸化膜を除去する場合，このＤＨＦ溶液がウェハの表面に回り込んでしまうことがあった。ウェハの表面に半導体デバイス等が形成されていると，この回り込んだＤＨＦ溶液によって半導体デバイスが浸食され，デバイスの特性に悪影響を与えるおそれがある。そこで，従来では裏面洗浄処理前に，ウェハの表面にレジストを塗布し，裏面洗浄処理中に，ウェハの表面をレジストで保護し，裏面洗浄処理後に，ウェハの表面からレジスト除去を行っていた。しかしながら，このようにレジストを用いる方法によると，レジストの塗布工程や除去工程等が必要になるため，洗浄処理時間が長くなり，スループットが低下する。さらに，製造コストも高騰する。
【０００７】
本発明の目的は，基板の裏面全体に処理液を均一に供給でき，均一な処理が行える処理装置を提供することにある。また，本発明の目的は，基板の裏面を処理する際に，基板の表面を容易に保護できる処理装置及び処理方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
以上の課題を解決するために，本発明によれば，基板を回転自在に保持する保持手段と，前記保持手段に保持された基板の裏面に処理液を供給する供給ノズルを備えた処理装置において，前記基板の回転に伴って基板の裏面全体に処理液を均一に供給できるように，前記供給ノズルの吐出口を分布させて配置し，前記供給ノズル内部に処理液の液溜め室を形成し，該液溜め室に処理液を供給するための処理液供給路を接続し，該処理液供給路の出口と前記吐出口との間に，処理液供給路から液溜め室に供給された処理液を吐出口に直接的に流さないようにさせる緩衝板を設けることにより，処理液供給路から供給された処理液が緩衝板を迂回した後，吐出口全体から均一に出るように構成したことを特徴とする，処理装置が提供される。
【０００９】
本発明によれば，先ず処理をする場合，基板を保持手段により保持させ回転させる。そして，基板の略中心から任意の周縁部までに供給ノズルの吐出口から均一に処理液を供給し，この基板の回転により，基板の裏面全体を処理液を均一に供給する。従って，基板の裏面では未処理の箇所がなく，しかも均一な処理を行うことができる。
【００１０】
基板の任意の周縁部から略中心部を通過し他の任意の周縁部までの間に，供給ノズルの吐出口を分布させて配置するのが好ましい。かかる構成によれば，回転している基板の裏面の例えば直径方向に沿って処理液を均一に供給することができ，基板の裏面では未処理の箇所がなく，しかも均一な処理を行うことができる。
【００１１】
供給ノズル内部に処理液の液溜め室を形成し，液溜め室に処理液を供給するための処理液供給路を接続し，該処理液供給路の出口と前記吐出口との間に緩衝板を設けるのが好ましい。かかる構成によれば，処理液供給路から供給された処理液は，緩衝板に当たりその周面に沿って流れる。そして，このように緩衝板を迂回した後，処理液は供給ノズルに分布された吐出口全体に均等に分散して流れていく。従って，供給ノズルの吐出口のいずれからも，均一な流速，流圧等の処理液を供給することができる。
【００１２】
この場合，前記供給ノズルの上面の形状を，円形状に形成することや，略十字形状に形成するのがよい。いずれの供給ノズルの上面の形状においても，基板の裏面全体に対して効果的に処理液を供給することができる。さらに，前記供給ノズルの上面の形状を，略「８」の字形状に形成し，供給ノズルをチューブにより構成し，該チューブの上面に吐出口を分布させて配置するのがよい。かかる構成によれば，供給ノズルの表面積を最小限に抑えつつ基板の裏面全体に対して効果的に処理液を供給することができる。そして，チューブの両端に，チューブ内に処理液を供給するための処理液供給路を接続するのがよい。これにより，両端からチューブ内に供給された処理液同士が，チューブ中央付近において衝突し，吐出口から処理液が均一に供給されることになる。
【００１３】
前記供給ノズルの上面の形状を，中心から周辺に次第に低くなるように傾斜させてもよい。かかる構成によれば，供給ノズルから吐出された処理液を，供給ノズル上面に溜めることなく傾斜面に沿って流し落とすことができる。
【００１４】
前記保持手段に保持された基板の表面に第２の処理液を供給する第２の供給ノズルを設けることがことが好ましい。かかる構成によれば，回転する基板の裏面に処理液を供給すると同時に基板の表面に第２の処理液を供給する。基板の表面は第２の処理液によって覆われ，基板の裏面に供給された処理液が，基板の表面に回り込むことを防止できる。
【００１５】
この場合，前記第２の処理液は純水であることが好ましい。かかる構成によれば，回転する基板の裏面に例えば薬液を供給すると同時に基板の裏面に純水を供給する。基板の表面は純水によって覆われ，基板の裏面に供給された薬液が，ウェハＷの表面に回り込むことを防止できる。このように，基板の表面に純水を供給するだけで，基板の表面を薬液から容易に保護することができる。
【００１６】
回転する基板の裏面に処理液を供給して基板を処理する処理方法において，前記回転する基板の裏面に処理液を供給すると同時に基板の表面に前記処理液とは異なる第２の処理液を供給することを特徴とする。
【００１７】
回転する基板の裏面に処理液を供給して基板を処理する処理方法において，前記回転する基板の裏面に処理液を供給すると同時に基板の表面に前記処理液とは異なる第２の処理液を供給する工程と，前記回転する基板の表面と裏面に前記第２の処理液を供給する工程とを備えていることを特徴とする。
【００１８】
前記第２の処理液は純水であるのがよい。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下，本発明の好ましい実施の形態を，基板の一例としてウェハを回転させながら処理液を供給することによりウェハの表面及び裏面を洗浄処理し，回転によってウェハを乾燥させるように構成された処理装置に基づいて説明する。図１は，本実施の形態にかかる処理装置６〜１１を組み込んだ洗浄処理システム１の斜視図である。
【００２０】
この洗浄処理システム１は，ウェハＷを収納するキャリアＣを載置させる載置部２と，載置部２に載置されたキャリアＣから処理工程前の一枚ずつウェハＷを取り出すと共に，処理工程後のウェハＷをキャリアＣ内に一枚ずつ収納する搬送アーム３と，ウェハＷに対して所定の洗浄処理，乾燥処理を行う各処理装置６〜１１を備えた洗浄処理部４とを備えている。
【００２１】
載置部２は，ウェハを２５枚収納したキャリアＣを複数個載置できる構成になっている。搬送アーム３は，水平，昇降（Ｘ，Ｙ，Ｚ）方向に移動自在であると共に，かつ鉛直軸を中心に回転（θ方向）できるように構成されている。洗浄処理部４には，処理装置６，７，８が，所定の手順に従って処理を行えるように横並びに配置され，これらの下方には，処理装置９，１０，１１が，処理装置６〜８と同様に横並びに配置されている。処理装置６〜８及び処理装置９〜１１では同時に処理が進行できる構成になっている。
【００２２】
なお以上の配列，これら処理装置の組合わせは，ウェハＷに対する洗浄処理の種類によって任意に組み合わせることができる。例えば，ある処理装置を減じたり，逆にさらに他の処理装置を付加してもよい。
【００２３】
次に処理装置６〜１１の構成について説明する。各処理装置６〜１１は，いずれも同様の構成を有しているので，図２〜５を参照に処理装置６を代表として説明する。
【００２４】
図２は処理装置６の要部を示す断面図，図３はその平面図である。この処理装置６内には，上面が開口した略円筒形状の容器２０を備えている。この容器２０の上面の開口部を介して，前述した搬送アーム３によって処理装置６内に搬入されたウェハＷを，容器２０内に収納するようになっている。
【００２５】
この容器２０内には，回転，昇降自在な回転テーブル２１が設けられている。この回転テーブル２１の下面を支持している昇降回転軸２２の下方には昇降回転機構２３が取り付けられている。従って，昇降回転機構２３の稼働により，回転テーブル２１を回転，昇降させることができる構成になっている。
【００２６】
回転テーブル２１の上面にはメカニカルチャックなどから成る保持部２４が配置されている。この保持部２４は，回転テーブル２１の周囲に沿いながら平面からみて１２０゜間隔で合計で３個配置されており，ウェハＷを回転テーブル２１の上方に浮かせた状態で保持できる構成になっている。なお，回転テーブル２１の上面にはウェハＷの裏面を支持する図示しない支持ピンが垂直に取り付けられている。
【００２７】
また，ウェハＷの裏面に処理液を供給する供給ノズル３０を，回転テーブル２１の上方から突き出させている。この供給ノズル３０は，回転テーブル２１とは一体となっては回転せず静止した状態でウェハＷの裏面に処理液を供給するようになっている。
【００２８】
ここで，図４に示すように供給ノズル３０の上面４０の形状は，ほぼウェハＷの裏面全体を覆う表面積を有した水平な円形状に形成されている。そして，上面４０には吐出口４１を分布させて配置している。この吐出口４１の分布は，上面４０のある特定の領域に偏って集中しているものではなく，上面４０の全面に渡り均一に配置している。これにより，ウェハＷの回転に伴ってウェハＷの裏面全体に漏れなく処理液を供給できる構成になっている。
【００２９】
また，図５に示すように，供給ノズル３０内部に処理液の液溜め室４２を形成し，この液溜め室４２の下面には処理液供給路４３を接続し，この処理液供給路４３を前述した昇降回転軸２２の内部を貫通させ液溜め室４２に処理液を供給するようになっている。さらに液溜め室４２内に，処理液供給路４３から液溜め室４２に供給された処理液を吐出口４１に直接的に流さないように処理液供給路４３の出口と吐出口４１との間に緩衝板４４を設けている。この緩衝板４４が無いと，処理液供給路４３の出口に近い吐出口４１では，吐出される処理液の勢いが強くなり，処理液供給路４３の出口から離れた吐出口４１では，吐出される処理液の勢いが弱くなってしまう。しかしながら，このように緩衝板４４を設けることにより，処理液供給路４３から供給された処理液は緩衝板４４を迂回した後に，上面４０に分布されている吐出口４１全体に流れ出るようになっている。従って，処理液供給路４３の出口からの距離の差によって生じる処理液の勢いの強弱は解消されることになり，処理液を均一に供給できる構成になっている。
【００３０】
その他，容器２０の上方には，容器２０内に収納されたウェハＷの表面に薬液成分を主体とした処理液を供給する供給ノズル４５を設けている。この供給ノズル４５は容器２０上方を移動自在になるように構成されている。さらに，ウェハＷの回転によりウェハＷの裏面から振り切られた処理液は，容器２０の底部に設けられた排液管４６を通じて排液され，容器２０内の雰囲気は，容器２０の底部から，外部に設置されている真空ポンプなどの排気手段（図示せず）によって排気される。
【００３１】
なお，各処理装置７〜１１も処理装置６と同様な構成を備えており，各処理装置７〜１１内でも各種の処理液によってウェハＷを洗浄し乾燥するように構成されている。
【００３２】
次に，以上のように構成された本実施の形態にかかる処理装置６で行われる作用について説明する。まず，前述の洗浄処理システム１における一連の処理工程において，図示しない搬送ロボットが未だ洗浄されていないウェハＷを例えば２５枚ずつ収納したキャリアＣを洗浄処理システム１に搬送し載置部２に載置する。そして，この載置部２に載置されたキャリアＣからウェハＷが取り出され，搬送アーム３によってウェハＷは処理装置６，７，８に順次搬送される。そして，所定の手順に従って一連の処理工程が行われる。
【００３３】
ここで，処理装置６内の処理工程について説明すると，図２に示したように，回転テーブル２１に保持されたウェハＷを，昇降回転機構２３の駆動によって例えば２０ｒｐｍ程度で回転させる。そして，ウェハＷの表面及び裏面に対して所定の洗浄処理が開始される。先ず，ウェハＷの表面を洗浄処理する場合には，供給ノズル４５をウェハＷの上方に移動させ，ウェハＷの表面に処理液として薬液を供給して洗浄処理を行った後に，処理液として純水を供給してリンス洗浄を行う。
【００３４】
一方，ウェハＷの裏面を洗浄処理する場合，図５に示したように，処理液供給回路４３から供給された処理液は，処理液供給路４３の出口から液溜め室４２内に流れ込んで，緩衝板４４に当たりその周面に沿って流れる。そして，このように緩衝板４４を迂回した後，処理液は供給ノズル３０の上面４０に分布された吐出口４１全体に均等に分散して流れていく。このような液溜め室４２内での処理液の流れにより，供給ノズル３０の吐出口４１のいずれからも，均一な流速，流圧等の処理液が供給される。
【００３５】
そして，供給ノズル３０は，回転しているウェハＷの裏面の直径方向に沿って処理液を均一に供給する。さらに，吐出口４１は上面４０全体に分布して配置されているので，供給ノズル３０は，ウェハＷの裏面全体に向かって供給ノズル３０の吐出口４１から均一に処理液を供給する。従って，ウェハＷの裏面では未処理の箇所がなく，しかも洗浄処理されるいずれの箇所においても均一な洗浄処理が行われることになる。
【００３６】
こうして，ウェハＷを回転させながら表面及び裏面に処理液を供給し，ウェハＷの表面及び裏面を洗浄する。洗浄処理の終了後，回転テーブルク２１の回転速度を上げ，ウェハＷの表面及び裏面から処理液を振り切り乾燥処理を行う。なお，ウェハＷの裏面洗浄に用いる処理液は，薬液又は純水のどちらでもよい。
【００３７】
処理工程が終了すると，昇降回転機構２３の稼働が停止し，回転テーブル２１の回転も停止する。そして，ウェハＷは，処理装置６内から搬出され引き続き処理装置７，８に搬送される。洗浄処理部４での処理工程が終了したウェハＷは再びキャリアＣに収納され，続いて，残りの２４枚のウェハＷに対しても一枚ずつ同様な処理が行われていく。こうして，２５枚のウェハＷの処理が終了すると，キャリアＣ単位で洗浄処理システム１外に搬出される。
【００３８】
かくして，本実施の形態にかかる処理装置６によれば，供給ノズル３０は，ウェハＷの裏面全体に向かって，分布された吐出口４１のいずれからも均一な流速，流圧等の処理液を供給することができる。従って，ウェハＷの裏面では未処理の箇所がなく，しかも均一な洗浄処理を行うことができる。その結果，半導体デバイスの製造が円滑に行うことができ，その生産性を向上することができるようになる。
【００３９】
なお，本発明の実施の形態の一例について説明したが，本発明はこの例に限定されず種々の様態を採りうるものである。例えば，処理装置６において，本実供給ノズルの形状を，中心から周辺に次第に低くなるように傾斜させた，曲面形状に形成するようにしてもよい。図６は，曲面形状に形成された供給ノズル５０の斜視図であり，図７はその側面図である。図示の如く，ウェハＷの回転に伴ってウェハＷの裏面全体に漏れなく処理液を供給できるように，供給ノズル５０の上面５１の全面に渡り吐出口４１を分布させて配置している。かかる構成によれば，本実施の形態で説明した供給ノズル３０と同様の作用，効果を得ることができる。さらに供給ノズル５０から吐出された処理液を，供給ノズル５０の上面５１に溜めることなく，上面５１の曲面に沿って落と流すことができる。なお，図６及び図７で示した供給ノズル５０は，上記の説明以外は，先に図２〜５で説明した供給ノズル３０と同様の構成を有しているので，その他構成要素についての説明は省略する。
【００４０】
また，図８に示すように，供給ノズル５５の形状を，略十字形状に形成してもよい。この場合，ウェハＷの回転に伴ってウェハＷの裏面全体に処理液を均一に供給できるように，少なくともウェハＷの任意の周縁部から中心部を通過し他の任意の周縁部までに至る間に，即ち，ウェハＷの直径方向に沿って密な状態で吐出口４１を分布させて配置している。かかる構成によれば，ウェハＷの裏面全体に対して効果的に処理液を供給することができる。
【００４１】
また，図９及び図１０に示すように，供給ノズル６０の上面６１の形状を，略「８」の字形状に形成できるように，供給ノズル６０をチューブ６２により構成し，このチューブ６２の上面６１に吐出口４１を分布させて配置するようにしてもよい。この場合，チューブ６２を，中心から周辺に次第に低くなるように緩やかに傾斜させた支持台６３の上面に，載置した状態で支持する。かかる構成によれば，供給ノズル６０の表面積を最小限に抑えつつウェハＷの裏面全体に対して効果的に処理液を供給することができる。そして，図１１に示すように，チューブ６２において，一端の供給口６４ａと他端の供給口６４ｂの両端に，チューブ６２内に処理液を供給するための処理液供給路６５ａ，６５ｂをそれぞれ接続する。これにより，両端からチューブ６２内に供給された処理液同士が，チューブ中央付近において衝突し，吐出口４１から処理液が均一に供給されることになる。
【００４２】
図１２に示すように，略十字形状に形成されたチューブ７０の上面７１に吐出口４１を分布させた供給ノズル７３を構成してもよい。図１３は，このような供給ノズル７３が設けられた処理装置７４の断面図であるが，図１３に示すように，チューブ７０は，円柱形状の支持台７５の上面によって支持され，この支持台７５は，回転テーブル２１の上方に突き出る支柱７６によって支持されている。供給ノズル７３の底面中央に，昇降回転軸２２，回転テーブル２１，支柱７６，支持台７５の内部を貫通した上記処理液供給路４３が接続されており，処理液供給路４３から供給された処理液は，チューブ７１内において中央から十字形状の四つの端部へ均等に流れ，吐出口４１から均一に吐出される。これにより，供給ノズル７３の表面積を最小限に抑えつつウェハＷの裏面全体に対して効果的に処理液を供給することができる。なお，供給ノズル７３の底面中央に処理液供給路４３を接続しないで，供給ノズル７３の四つの端部全て又は中心を挟んで対向する二つの端部同士のいずれかに処理液供給路４３を接続するようにしてもよい。
【００４３】
この場合，容器２０の上方に，上記供給ノズル４５以外に，不活性ガスとしてＮ２（窒素）ガスをウェハＷの表面に供給してスピン乾燥させるためのＮ２供給ノズル７７を設ける。Ｎ２供給ノズル７７は，回転テーブル２１の回転に伴い，表面から処理液を周囲に振り切って回転しているウェハＷの表面にＮ２ガスを供給して，乾燥を促進するものである。さらに，ウェハＷの裏面に対しても乾燥処理が行えるように，図１２及び図１３に示すように，Ｎ２供給路８０を，昇降回転軸２２，回転テーブル２１，支柱７６，支持台７５の内部を貫通させ，Ｎ２供給路８０の出口を支持台７５の上面に設けられたＮ２供給ノズル８１に接続させる。そして，Ｎ２供給ノズル８１から供給されたＮ２ガスは，回転しているウェハＷの裏面全体に行き渡るようになっている。なお，Ｎ２供給ノズル８１を複数設けるようにしてもよい。この場合，各Ｎ２供給ノズル８１の向きを調整して，各Ｎ２供給ノズル８１から供給されるＮ２ガス同士を衝突させないように工夫することにより，Ｎ２ガスの気流が乱れないようにする。
【００４４】
図１４に示すように，供給ノズル４５に接続された処理液供給路８２と，供給ノズル７３に接続された処理液供給路４３に，純水供給源８３に通じている分岐回路８４，８５がそれぞれ接続され，同様に処理液供給路８２と処理液供給路４３に，薬液供給源８６に通じている分岐回路８７，８８がそれぞれ接続されている。また，ウェハＷの表面にＮ２ガスを供給するＮ２供給ノズル７７に接続されたＮ２供給路８９と，ウェハＷの裏面にＮ２ガスを供給するように支持台７５に接続されたＮ２供給路９０に，Ｎ２ガス供給源９１に通じている分岐回路９１，９２がそれぞれ接続されている。これら分岐回路８４，８５，８７，８８，９１，９２の途中には，開閉弁９３，９４，９５，９６，９７，９８や図示しないフィルタ等がそれぞれ介装されており，例えば，これら開閉弁９３〜９８を適宜開閉させることにより，薬液，純水，Ｎ２ガスを供給する時期を制御できるようになっている。
【００４５】
以上のような供給ノズル７３が備えられた処理装置７４では，薬液による薬液洗浄，純水によるリンス洗浄，スピン乾燥の順番でウェハＷに対して処理が行われる。具体的には，回転しているウェハＷの表面に供給ノズル４５から薬液を供給し，ウェハＷの裏面に供給ノズル７４から薬液を供給し，薬液洗浄の終了後に，供給ノズル４５及び供給ノズル７４から純水を供給し，ウェハＷから薬液を洗い流す。最後に，回転テーブル２１を高速回転させて，ウェハＷから純水を振り払いながら，供給ノズル４５及び供給ノズル７４からＮ２ガスを供給し，ウェハＷを乾燥させる。こうして，ウェハＷに対して良好な洗浄処理，乾燥処理が行われる。
【００４６】
次に，ウェハの裏面に形成された酸化膜を，ウェハの表面に形成された半導体デバイス等に影響を与えずに除去できるような処理装置の構成，及びこの処理装置で行われる洗浄処理の工程について説明する。このような処理装置１１０の基本的な構成は，先に図２において説明した処理装置６と概ね同様である。但し，処理装置１１０に設けられた供給ノズル３０，４５の回路系統は，図１５に示すように，供給ノズル４５に接続された処理液供給路８２に，純水供給源８３に通じている分岐回路８４のみが接続され，供給ノズル３０に接続された処理液供給路４３に，純水供給源８４に通じている分岐回路８５と，フッ酸（ＨＦ）と純水（Ｈ２Ｏ）とを混合した薬液であるＤＨＦ溶液を供給するＤＨＦ供給源１１１に通じている分岐回路１１２が接続されている。分岐回路１１２の途中にも，開閉弁１１３や図示しないフィルタ等が介装され，先に説明した処理装置７４と同様に，開閉弁９３，９４，１１３を適宜開閉させることにより，ＤＨＦ溶液，純水を供給する時期を制御できるようになっている。
【００４７】
以上のように構成された処理装置１１０で行われる洗浄処理の工程について，図１６（ａ），（ｂ）に基づいて説明すると，まず，図１６（ａ）に示すように，ウェハＷの裏面に形成された酸化膜１１４を除去するために，開閉弁９３，１１３を開かせ，ウェハＷの裏面に供給ノズル３０からＤＨＦ溶液を供給すると同時にウェハＷの表面に供給ノズル４５から純水を供給する。ウェハＷの表面は純水によって覆われ，ウェハＷの裏面に供給されたＤＨＦ溶液が，ウェハＷの表面には回り込むことを防止できる。そして，図２に示したように，回転テーブル２１からこぼれ落ちて，そのまま排液管４６を通じて容器２０から排液される。所定の時間が経過すると，ウェハＷの裏面から酸化膜１１４が完全に除去され，開閉弁１１３を閉じさせて替わりに開閉弁９４を開かせ，ウェハＷの裏面に供給ノズル３０から純水を供給する（図１６（ｂ））。こうして，ウェハＷからＤＨＦ溶液を洗い流すと，開閉弁９３，９４を閉じさせ，回転テーブル２１を高速回転させて，乾燥処理を行う。このように，ウェハＷの表面に純水を供給するだけで，ウェハＷの表面をＤＨＦ溶液から容易に保護することができる。これにより，従来のようなウェハＷの表面を保護するための，レジストの塗布工程や除去工程等を省くことができる。従って，ウェハＷの表面に半導体デバイス等が形成された場合でも，ウェハＷの裏面に形成された酸化膜１１４を短時間で除去することが可能となる。また，製造コストを削減することが可能となる。
【００４８】
なお，基板は上記した本実施の形態のように半導体ウェハに限るものでなく，ＬＣＤ基板，ガラス基板，ＣＤ基板，フォトマスク，プリント基板，セラミック基板等でもあってもよい。
【００４９】
【発明の効果】
本発明によれば，供給ノズルは，基板の裏面全体に対して，分布された配置された吐出口のいずれからも均一な流速，流圧等の処理液を供給することができる。従って，基板の裏面では未処理の箇所がなく，しかも均一な処理を行うことができる。その結果，例えば半導体デバイスの製造が円滑に行うことができ，その生産性を向上することができるようになる。また，本発明によれば，基板の表面に第２の処理液を供給することにより，基板の裏面を処理する際に，基板の表面を容易に保護できる。特に，例えば基板の裏面に形成された酸化膜を除去する場合，従来のような基板の表面を保護するための，レジストの塗布工程や除去工程等を省くことができる。従って，基板の裏面に形成された酸化膜を短時間で除去することが可能となる。その結果，スループットが向上するようになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施の形態にかかる処理装置を備えた洗浄処理システムの斜視図である。
【図２】本実施の形態にかかる処理装置の断面図である。
【図３】本実施の形態にかかる処理装置の平面図である。
【図４】供給ノズルの斜視図である。
【図５】供給ノズルの断面図である。
【図６】他の供給ノズルの例として曲面形状に形成された供給ノズルの斜視図である。
【図７】他の供給ノズルの例として曲面形状に形成された供給ノズルの側面図である。
【図８】他の供給ノズルの例として略十字形状に形成された供給ノズルの斜視図である。
【図９】他の供給ノズルの例としてチューブにより構成され略「８」字形状に形成された供給ノズルの平面図である。
【図１０】他の供給ノズルの例としてチューブにより構成され略「８」字形状に形成された供給ノズルの側面図である。
【図１１】他の供給ノズルの例としてチューブにより構成され略「８」字形状に形成された供給ノズルの斜視図である。
【図１２】他の供給ノズルの例としてチューブにより構成され略十字形状に形成された供給ノズルの平面図である。
【図１３】チューブにより構成され略十字形状に形成された供給ノズルを備えた処理装置の断面図である。
【図１４】各供給ノズルにかかる回路図と，Ｎ２供給ノズルと支持台にかかる回路図を合わせて示した図面である。
【図１５】図２の処理装置に備えられた各供給ノズルにかかる回路図である。
【図１６】ウェハの裏面から酸化膜を除去する際の工程図である。
【図１７】従来の処理装置の要部の断面図である。
【符号の説明】
１    洗浄処理システム
６    処理装置
２１    回転テーブル
３７    供給ノズル
４１        吐出口
４２    液溜め室
４３    処理液供給路
４４    緩衝板
Ｗ    ウェハ
【図１】
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【図２】
0003563605.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0003563605.tif 000008
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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