(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素部と駆動回路部とを有する第１の絶縁基板と、
前記第１の絶縁基板に対向する第２の絶縁基板とを有するアクティブマトリクス型表示装置の作製方法において、
前記第１の絶縁基板の前記画素部及び前記駆動回路部にそれぞれ薄膜トランジスタを形成し、
前記画素部の前記薄膜トランジスタ上にブラックマトリクスを形成すると同時に、前記駆動回路部の前記薄膜トランジスタに接続する配線を前記ブラックマトリクスと同じ材料で形成し、
前記第１の絶縁基板と前記第２の絶縁基板とを貼り合せた時に前記第１の絶縁基板上の前記駆動回路に対向する前記第２の絶縁基板上の部分に、Ｒ（赤）のカラーフィルタ、Ｇ（緑）のカラーフィルタおよびＢ（青）のカラーフィルタを重ねることによって遮光膜を形成し、
前記第２の絶縁基板上の前記遮光膜が前記第１の絶縁基板の前記駆動回路部に対向するように前記第１の絶縁基板と前記第２の絶縁基板とを貼り合わせることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置の作製方法。
【請求項２】
画素部とインバーターチェーンを有する駆動回路部とを有する第１の絶縁基板と、
前記第１の絶縁基板に対向する第２の絶縁基板とを有するアクティブマトリクス型表示装置の作製方法において、
前記第１の絶縁基板の前記画素部及び前記駆動回路部にそれぞれ薄膜トランジスタを形成し、
前記画素部の前記薄膜トランジスタ上にブラックマトリクスを形成すると同時に、前記駆動回路部の前記薄膜トランジスタに接続する配線を前記ブラックマトリクスと同じ材料で形成し、
前記第１の絶縁基板と前記第２の絶縁基板とを貼り合せた時に前記第１の絶縁基板上の前記駆動回路に対向する前記第２の絶縁基板上の部分に、Ｒ（赤）のカラーフィルタ、Ｇ（緑）のカラーフィルタおよびＢ（青）のカラーフィルタを重ねることによって遮光膜を形成し、
前記第２の絶縁基板上の前記遮光膜が前記第１の絶縁基板の前記駆動回路部に対向するように前記第１の絶縁基板と前記第２の絶縁基板とを貼り合わせることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記画素部の前記ブラックマトリクスおよび前記駆動回路部の前記配線は、チタンまたはクロムからなることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、前記薄膜トランジスタの活性層はポリシリコンからなることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はアクティブマトリクス型液晶表示装置に関し、とくにその開口率の向上と工程の削減をはかったアクティブマトリクス型液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
アクティブマトリクス型液晶表示装置とは、マトリクスの各交差部に画素が配置され、すべの画素にはスイッチング用の素子が設けられており、画素情報はスイッチング素子のオン／オフによって制御されるものをいう。このような表示装置の表示媒体としては液晶を用いる。本発明ではスイッチング素子として、特に三端子素子、すなわち、ゲート、ソース、ドレインを有する薄膜トランジスタを用いる。
【０００３】
また、本発明の記述においては、マトリクスにおける行とは、当該行に平行に配置された走査線（ゲート線）が当該行の薄膜トランジスタのゲート電極に接続されているものを言い、列とは当該行に平行に配置された信号線（ソース線）が当該列の薄膜トランジスタのソース（もしくはドレイン）電極に接続されているものを言う。さらに、走査線を駆動する回路を走査線駆動回路、信号線を駆動する回路を信号線駆動回路と称する。また、薄膜トランジスタをＴＦＴ  と称する。
近年、ビデオカメラのビュウファインダやプロジェクタの市場において、駆動回路をポリシリコンＴＦＴ  を用いてガラス基板上に画素ＴＦＴ  と同時形成した液晶表示装置が主流になりつつある。
さらに、その液晶表示装置の信頼性向上、基板サイズの縮小のため駆動回路を画素ＴＦＴ  と同様に液晶領域内に設けることがおこなわれている。
【０００４】
図２に示すのはアクティブマトリクス型液晶表示装置の第一の従来例である。この例にあるようにアクティブマトリクス型液晶表示装置は図２の上方に信号線駆動回路、左方に走査線駆動回路を配置し、信号線、走査線の駆動をおこなっている。
図３は、図２の画素マトリクスの一部を拡大したものである。図３は対向基板上のブラックマトリクスとＩＴＯ  画素電極が重なることによってＩＴＯ  画素電極間の光を通さない領域を示している。ブラックマトリクスとは画素電極間の隙間やＴＦＴ  エリアの光を遮る層で、パネルの開口率を決定し、表示輝度に重大な影響を与える。開口率とはブラックマトリクスの開口面積を画素セルの面積で割ったもので値が大きいほど表示には有利である。
この例の断面図を図４に示す。カラー表示では輝度の向上が大きな課題であり、開口率を上げる必要がある。また、開口率を向上させることでバックライト等の光源の明るさを小さくすることができ、液晶表示装置の消費電力を低減させることができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ブラックマトリクスを対向基板に作る場合、ＴＦＴ  基板と対向基板との張り合せ精度から、図３に示すようにブラックマトリクスはＩＴＯ  画素電極に５  〜７  μｍ程度入り込んでいるため開口部の面積を大きくできないという問題点があった。
【０００６】
図５に示すのはその問題の解決策を施した第二の従来例である。この例では、ブラックマトリクスを対向基板からＴＦＴ  基板に移した。このとき、ブラックマトリクスとＩＴＯ  画素電極を同一基板上に形成するため、張り合せ精度が向上し重なり領域が２  μｍ  程度で済む。
よって、ブラックマトリクスをＴＦＴ  基板に移すことで、図３の例では、図３（Ａ）に示す、開口率が約１５％（重なり領域７μｍ）から、図３（Ｂ）に示す、約４０％（重なり領域２μｍ）に大きく向上した。
特に、前述した様に、対向基板を、駆動回路に対向する大きさを有するものとし、駆動回路を液晶領域の中に設けたものでは、駆動回路領域と画素領域が近接となるため、駆動回路においても遮光の必要が発生する。
【０００７】
画素の遮光のためのブラックマトリクスをＴＦＴ  基板に移し、その遮光膜にて駆動回路の遮光を行った場合、遮光に関しては問題ないが、駆動回路のＴＦＴ  とブラックマトリクスとの間の層間絶縁膜の容量が無視できなくなる。
層間膜の厚さを３００ｎｍとし、窒化膜を使用すると単位面積当りの絶縁膜の容量は２．５０×１０−１６  〔Ｆ／μｍ２〕となり、たとえば、駆動回路のクロックライン等に巾１００  μｍ  、長さ５００００  μｍ  の配線があった場合、駆動回路の配線とブラックマトリクスの間の容量は１．２５×１０−９〔Ｆ〕となる。このとき、駆動回路の配線の遅延時間は配線のシート抵抗を０．２〔Ω／  μｍ２〕とすると１．２５×１０−７〔ｓ〕となり、数ＭＨｚ  で配線を駆動する場合に問題となる。
駆動回路は画素ＴＦＴ  と比較して回路特性が重要で改善が必要である。
【０００８】
図６に示すのはブラックマトリクスを対向基板からＴＦＴ  基板に移すことで駆動回路特性が悪くなる問題の解決策を施した第三の従来例である。この例では、画素部のブラックマトリクスのみＴＦＴ  基板に移し、駆動部のブラックマトリクスは対向基板に形成する。
しかし、この場合、開口率は向上するものの、ブラックマトリクスをＴＦＴ  基板と対向基板の両方に形成するため工程数が増えることになる。
【０００９】
本発明は、工程数を増やさずに、開口率を向上させた液晶表示装置を提供することを目的とする。
本発明は、工程数を増やさずに、駆動回路部の遮光できる液晶表示装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明は、
薄膜トランジスタが接続された画素が、複数マトクリクス状に配置された画素部と、薄膜トランジスタにより構成された、前記画素部を駆動する駆動回路部とを、同一面上に有する第一の絶縁基板と、
前記基板に対向し、カラーフィルタを有する第二の絶縁基板と、
前記第一の絶縁基板と前記第二の絶縁基板との間に充填された、液晶材と、
を少なくとも有する、アクティブマトリクス型液晶表示装置において、
前記第二の絶縁基板上の、前記駆動回路部に対向する位置に、Ｒ（赤）  、Ｇ（緑）  、Ｂ（青）  の三種のカラーフィルタが重ねて設けられることにより構成される、遮光膜が設けられていること
を特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置である。
【００１１】
また、本発明の他の構成は、
薄膜トランジスタが接続された画素が、複数マトクリクス状に配置された画素部と、薄膜トランジスタにより構成された、前記画素部を駆動する駆動回路部とを、同一面上に有する第一の絶縁基板と、
前記画素部に対向する位置に設けられたカラーフィルタを有する、前記第一の絶縁基板に対向する第二の絶縁基板と、
前記第一の絶縁基板と前記第二の絶縁基板との間に充填された、液晶材と、
を少なくとも有する、アクティブマトリクス型液晶表示装置において、
前記画素部には、ブラックマトリクスが設けられ、、
前記第二の絶縁基板上の、前記駆動回路部に対向する位置に、Ｒ（赤）  、Ｇ（緑）  、Ｂ（青）  の三種のカラーフィルタが重ねて設けられることにより構成される遮光膜が設けられていること
を特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置である。
【００１２】
また、本発明の他の構成は、
薄膜トランジスタが接続された画素が、複数マトクリクス状に配置された画素部と、薄膜トランジスタにより構成された、前記画素部を駆動する駆動回路部とを、同一面上に有する第一の絶縁基板と、
前記画素部に対向する位置に設けられたカラーフィルタを有する、前記第一の絶縁基板に対向する第二の絶縁基板と、
前記第一の絶縁基板と前記第二の絶縁基板との間に充填された、液晶材と、
を少なくとも有する、アクティブマトリクス型液晶表示装置において、
前記画素部には、ブラックマトリクスが設けられ、
前記駆動回路部は、前記ブラックマトリクスと同一材料によって構成される配線材を有し、
前記第二の絶縁基板上の、前記駆動回路部に対向する位置に、Ｒ（赤）  、Ｇ（緑）  、Ｂ（青）  の三種のカラーフィルタが重ねて設けられることにより構成される遮光膜が設けられていること
を特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置である。
【００１３】
また、本発明の他の構成は、
上記の各構成において、遮光膜を構成する、Ｒ（赤）  、Ｇ（緑）  、Ｂ（青）  の三種のカラーフィルタのそれぞれは、画素部に対向する位置に設けられた同種のカラーフィルタと、同一組成を有していることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置である。
【００１４】
また、本発明の他の構成は、
薄膜トランジスタが接続された画素が、複数マトクリクス状に配置された画素部と、薄膜トランジスタにより構成された、前記画素部を駆動する駆動回路部とを、同一面上に有する第一の絶縁基板と、
前記画素部に対向する位置に設けられたカラーフィルタを有する、前記第一の絶縁基板に対向する第二の絶縁基板と、
前記第一の絶縁基板と前記第二の絶縁基板との間に充填された、液晶材と、
を少なくとも有する、アクティブマトリクス型液晶表示装置において、
前記画素部には、ブラックマトリクスが設けられ、
前記駆動回路部は、前記ブラックマトリクスと同一材料によって構成される配線材を有し、
前記第二の絶縁基板上の、前記駆動回路部に対向する位置に、遮光膜が設けられていること
を特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置である。
【００１５】
また、本発明の他の構成は、
上記各構成において、駆動回路は、直接または薄膜を介して、液晶材に接していることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置である。
【００１６】
また、本発明の他の構成は、
上記各構成において、対向基板が、駆動回路に対向する大きさを有していることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置である。
【００１７】
本発明は上記の課題を克服した、工程数を増やさないで開口率を向上させるものであり、その構成を図１に示す。
この例では、画素部のブラックマトリクスを、開口率向上のためＴＦＴ  基板上に設け、駆動回路部の遮光膜としてカラーフィルタＲ  、Ｇ  、Ｂ  を、対向基板上の同一位置に三枚重ねて設ける。
図１０にカラーフィルタＲ  、Ｇ  、Ｂ  の分光特性を示す。
カラーフィルタＲ  、Ｇ  、Ｂ  を三枚重ねると、図１０に示すように可視光が透過せず、遮光膜として用いることができる。
また、駆動回路上に、画素部のブラックマトリクスと同層の遮光膜を作る必要がないため、画素部では、ブラックマトリクスとして用いられている材料を、駆動回路部の配線材を構成する材料として用いることが可能である。
【００１８】
【実施例】
〔実施例１〕
以下に本実施例におけるアクティブマトリクス回路を用いた液晶表示装置の基板の作製方法の説明を行う。
以下、本実施例のモノリシック型アクティブマトリクス回路を得る制作工程について、図７を用いて説明する。この工程は低温ポリシリコンプロセスのものである。
図７  の左側に駆動回路のＴＦＴ  の作製工程を、右側にアクティブマトリクス回路のＴＦＴ  の作製工程をそれぞれ示す。
まず、第一の絶縁基板としてガラス基板（７０１）の上に、下地酸化膜（７０２）として厚さ１００〜３００ｎｍの酸化珪素膜を形成した。この酸化珪素膜の形成方法としては、酸素雰囲気中でのスパッタ法やプラズマＣＶＤ  法を用いればよい。
【００１９】
その後、プラズマＣＶＤ  法やＬＰＣＶＤ  法によってアモルファスのシリコン膜を３０  〜１５０ｎｍ、好ましくは５０  〜１００ｎｍに形成した。そして、５００  ℃以上、好ましくは、５００  〜６００  ℃の温度で熱アニールを行い、シリコン膜を結晶化させた、もしくは、結晶性を高めた。熱アニールによって結晶化ののち、光（レーザーなど）アニールをおこなって、さらに結晶化を高めてもよい。また、熱アニールによる結晶化の際に特開平６−２４４１０３、同６−２４４１０４に記述されているように、ニッケル等のシリコンの結晶化を促進させる元素（触媒元素）を添加してもよい。
【００２０】
次にシリコン膜をエッチングして、島状の駆動回路のＴＦＴ  の活性層（７０３  ）（ｐ  チャネル型ＴＦＴ  用）、（７０４  ）（Ｎ  チャネル型ＴＦＴ  用）とマトリクス回路のＴＦＴ  （画素ＴＦＴ）の活性層（７０５  ）を形成した。さらに、酸素雰囲気中でのスパッタ法によって厚さ５０  〜２００ｎｍの酸化珪素のゲート絶縁膜（７０６  ）を形成した。ゲート絶縁膜の形成方法としては、プラズマＣＶＤ  法を用いてもよい。プラズマＣＶＤ  法によって酸化珪素膜を形成する場合には、原料ガスとして、一酸化二窒素（Ｎ２  Ｏ）もしくは酸素（Ｏ２  ）とモノシラン（ＳｉＨ４）  を用いることが好ましかった。
【００２１】
その後、厚さ２００〜６００ｎｍのアルミニウムをスパッタ法によって基板全面に形成した。ここでアルミニウムはその後の熱プロセスによってヒロックが発生するのを防止するため、シリコンまたはスカンジウム、パラジウムなどを含有するものを用いてもよい。そしてこれをエッチングしてゲート電極（７０７  、７０８  、７０９  ）を形成する。（図７  （Ａ  ））
次に、このアルミニウムを陽極酸化する。陽極酸化によってアルミニウムの表面は酸化アルミニウム（７１０  、７１１  、７１２  ）となり、絶縁物としての効果を有する様になる。（図７  （Ｂ  ））
【００２２】
次に、Ｐ  チャネル型ＴＦＴ  の活性層を覆うフォトレジストのマスク（７１３  ）を形成する。そしてイオンドーピング法によってフォスフィンをドーピングガスとして燐を注入する。ドーズ量は１  ×１０１２〜５  ×１０１３原子／ｃｍ２とする。この結果として、強いＮ  型領域（ソース、ドレイン）（７１４  、７１５  ）が形成される。（図７  （Ｃ  ））
次に、Ｎ  チャネル型ＴＦＴ  の活性層および画素ＴＦＴ  の活性層を覆うフォトレジストのマスク（７１６  ）を形成する。そして再びイオンドーピング法によってジボラン（Ｂ２Ｈ６）をドーピングガスとしてホウ素を注入する。
ドーズ量は５  ×１０１４〜８  ×１０１５原子／ｃｍ２とする。この結果として、Ｐ  型領域（７１７  ）が形成される。以上のドーピングにより、強いＮ  型領域（ソース、ドレイン）（７１４  、７１５  ）、強いＰ  型領域（ソース、ドレイン）（７１７  ）が形成される。（図７  （Ｄ  ））
【００２３】
その後、４５０  〜８５０  ℃で０．５  〜３  時間の熱アニールを施すことにより、ドーピングによるダメージを回復せしめ、ドーピング不純物を活性化、シリコンの結晶性を回復させた。その後、全面に層間絶縁物（７１８  ）として、プラズマＣＶＤ  法によって酸化珪素膜を厚さ３００〜６００ｎｍ形成した。これは、窒化珪素膜あるいは酸化珪素膜と窒化珪素膜の多層膜であってもよい。そして、層間絶縁膜（７１８  ）をウエットエッチング法またはドライエッチング法によって、エッチングして、ソース／  ドレインにコンタクトホールを形成した。
【００２４】
そして、スパッタ法によって厚さ２００〜６００ｎｍのアルミニウム膜、もしくはチタンとアルミニウムの多層膜を形成する。これをエッチングして、周辺回路の電極・配線（７１９  、７２０  、７２１  ）および画素ＴＦＴ  の電極・配線（７２２  、７２３  ）を形成した。（図７  （Ｅ  ））さらに、プラズマＣＶＤ  法によって、厚さ１００〜３００ｎｍの窒化珪素膜（７２４  ）をパッシベーション膜として形成し、これをエッチングして、画素ＴＦＴ  の電極（７２３  ）に達するコンタクトホールを形成した。次に、スパッタ法で成膜した厚さ５０  〜１５０ｎｍのＩＴＯ（インジウム錫酸化物）膜をエッチングして、画素電極（７２５  ）を形成した。そして、プラズマＣＶＤ  法によって、厚さ２００ｎｍの窒化珪素膜（７２６  ）を形成し、これをエッチングして層間膜とした。
【００２５】
最後に、スパッタ法によって厚さ２００ｎｍのチタンかクロム膜を形成する。これをエッチングして画素部ブラックマトリクス（７２７  ）を形成した。ここでは、ブラックマトリクスが最上層であるがＩＴＯ  とブラックマトリクスは逆でもよい。
【００２６】
次に、対向基板の製造方法について、図８を用いて説明する。
図８に、実施例１における対向基板の工程断面図を示す。
第二の絶縁基板としてガラス基板（８０１  ）の上に、カラーフィルタ（８０２  ）として厚さ１．６  μｍ  の赤のカラーレジストをスピナーを用いて塗布する。次に９０℃の温度で乾燥し、露光、現像、水洗を行い、２１０  ℃の温度で乾燥する。
それにより、第一の絶縁基板上に形成された、駆動回路部の全面、及び画素部のＲ（赤）領域に対向する、対向基板上の位置に、赤（Ｒ）のカラーフィルタが形成される。
次に、同じ方法で、前工程により駆動回路の全面に対向する赤（Ｒ）を塗布した領域、及び画素部のＧ（緑）領域に対向する、対向基板上の位置に、厚さ１．４  μｍ  のＧ（緑）のカラーフィルタ（８０３  ）を形成する。
次に、同じ方法で、前工程により駆動回路の全面に対向するＧ（緑）を塗布した領域、及び画素部のＧ（緑）領域に対向する、対向基板上の位置に、厚さ１．５  μｍ  のＢ（青）のカラーフィルタ（８０４  ）を形成する。
その後、残差除去のためにＯ２  アッシングを行い、次にカラーフィルタを保護するための厚さ１．１  μｍ  のオーバーコート膜を形成する。
最後に、スパッタ法で全面に厚さ５０  〜１５０ｎｍのＩＴＯ（インジウム錫酸化物）膜を成膜して、対向電極（８０５  ）を形成する。
【００２７】
このようにして、画素部に対向する、対向基板上の位置には、個々の画素に対応した、Ｒ、Ｇ、Ｂの三色のカラーフィルタを設け、駆動回路部全面に対向する、対向基板上の領域には、Ｒ、Ｇ、Ｂの三種（三色）のカラーフィルタが重ねて設けられる。
Ｒ、Ｇ、Ｂの三種（三色）のカラーフィルターを重ねると、可視光をほとんど通さなくなるため、視覚において黒表示となり、実質的な遮光膜を構成することができる。
【００２８】
次に、アクティブマトリクス型液晶表示装置の組立工程を以下に説明する。ＴＦＴ  基板、対向基板を洗浄し、薬液等を十分におとす。
次に、配向膜をＴＦＴ  基板、対向基板に付着させる。配向膜はある一定の溝が刻まれ、その溝にそって、液晶分子が均一に配列する。配向膜材料にはブチルセルソングかｎ−メチルピロリドンといった溶媒に溶媒の約１０重量％のポリイミドを溶解したものを用いる。これをポリイミドワニスと呼ぶ。ポリイミドワニスはフレキソ印刷装置によって印刷する。
【００２９】
そして、ＴＦＴ  基板、対向基板の両基板に付着した配向膜を加熱、硬化させる。これをベークとよび、最高温度約３００  ℃の熱風を送り加熱し、ポリイミドワニスを焼成、硬化させるものである。その次に配向膜の付着したガラス基板を毛足の長さ２  〜３ｍｍ  のバフ布（レイヨン、ナイロン等の繊維）で一定方向にこすり、微細な溝をつくるラビング工程を行う。
そして、ＴＦＴ  基板もしくは対向基板のいずれかに、ポリマー系、ガラス系、シリカ系等の球のスペーサを散布する。スペーサの散布の方式としては純水、アルコール等の溶媒にスペーサをまぜ、ガラス基板上に散布するウエット方式と、溶媒を一切使用せずスペーサを散布するドライ方式がある。
【００３０】
その次に、ＴＦＴ  基板の画素部の外枠に封止材を塗布する。封止材塗布にはＴＦＴ  基板と対向基板を接着する役割と注入した液晶材が外部に流出するのを防ぐ目的がある。封止材の材料はエポキシ樹脂とフェノール硬化材をエチルセルソルブの溶媒に溶かしたものが使用される。封止材塗布に２  枚のガラス基板の張り合わせを行う。方法は約１６０  ℃の高温プレスによって、約３  時間で封止材を硬化する加熱硬化方式をとる。
次に、ＴＦＴ  基板と対向基板を張り合せ、液晶注入口より液晶材をいれて、液晶材注入口を封止する。
以上、述べたようにして本実施例の液晶表示装置は構成される。
【００３１】
〔実施例２〕
図９に、本発明の第二の実施例であり、画素部のブラックマトリクスを構成する材料と、同じ材料を使用して駆動回路の配線材を形成する例を示す。
すなわち、画素部のブラックマトリクスを構成するために形成した、チタンやクロム等の薄膜を、ブラックマトリクスのみならず、駆動回路の配線材として用いるものである。
【００３２】
この様にブラックマトリクスがＴＦＴ  基板に存在する場合、前述した様に駆動回路上には容量結合の発生を防ぐため、画素部のブラックマトリクスと同一材料の、チタンやクロムの薄膜を加工して、遮光膜を形成することはできない。
しかし、チタンやクロムの薄膜を、駆動回路全体を覆うようにして設けるのではなく、容量結合が問題にならない程度に、駆動回路の一部を覆う程度に設けることは、何ら問題がない。
チタンやクロムの薄膜は、高い導電性を有しているので、この膜を使用し配線材を形成することにより、駆動回路の多層配線化及び、素子密度の向上による面積の縮小が可能である。
【００３３】
図１２に、インバーターチェーンの構成を示す。
図１２（Ｂ）は、ブラックマトリクスを形成するために成膜されるチタンやクロム等の薄膜を、ブラックスマトリクスのみでなく、駆動回路の配線材に使用して、インバーターチェーンを構成した例を示す。
図１２（Ａ）に示すように、インバータチェーンを他の配線が横切る場合、配線材を使用しない場合は、インバータとインバータの間に配線を通さなければならない。
しかし、図１２（Ｂ）に示すように、ブラックマトリクスを形成する際に同時に配線材を形成し、これを用いてインバーターチェーンを横切る配線を形成することで、インバータに配線を重ねることができる。
これにより、駆動回路の多層配線化、素子密度向上による、駆動回路の面積の縮小が可能となる。
【００３４】
〔実施例３〕
図１１に示すのは、本発明の第三の実施例であり、カラーフィルタを使用しない場合のＴＦＴ  基板の例である。
一般に、三板式の液晶プロジェクタ等ではカラーフィルタを使用しない。この場合は、対向基板上に、通常の遮光膜を形成し、画素のブラックマトリクスと同一膜で駆動回路の配線材を形成することにより、駆動回路の多層配線化、素子密度向上による面積の縮小が可能となる。
また、この例ではＩＴＯ  を最上層に形成した場合を示してある。
【００３５】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明では、画素部の遮光膜としてブラックマトリクスを用いてＴＦＴ  基板上に設け、駆動回路部の遮光膜としてカラーフィルタＲ  、Ｇ  、Ｂ  を対向基板上の同一位置に三枚重ねて設けることにより、工程数を増やさないで開口率を向上させることができる。
また、ブラックマトリクスと同じ膜を配線材として使うことにより、駆動回路の高密度化が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】アクティブマトリクス型液晶表示装置の断面図の一例
【図２】アクティブマトリクス型液晶表示装置の第一従来例を示す図
【図３】アクティブマトリクス型液晶表示装置の第一従来例の拡大図
【図４】アクティブマトリクス型液晶表示装置の第一従来例の断面図
【図５】アクティブマトリクス型液晶表示装置の第二従来例の断面図
【図６】アクティブマトリクス型液晶表示装置の第三従来例の断面図
【図７】本発明の低温ポリシリコンプロセスの工程断面図（ＴＦＴ  基板）の一例
【図８】本発明の対向基板の工程断面図の一例
【図９】本発明の第二の実施例を示す図
【図１０】カラーフィルタ（Ｒ，Ｇ，Ｂ  ）の分光特性を示す図
【図１１】本発明の第三の実施例を示す図
【図１２】本発明を使用した駆動回路のパターン例を示す図
【符号の説明】
７０１  、８０１                          ガラス基板
７０２                              下地酸化珪素
７０３  〜７０５                        シリコン活性層
７０６                                ゲート絶縁膜
７０７  〜７０９                        Ａｌゲート端子
７１０  〜７１２                        陽極酸化膜
７１３  〜７１６                          フォトレジスト
７１４  〜７１５                        強いＮ型領域（ソース、ドレイン）
７１７                            強いＰ型領域（ソース、ドレイン）
７１８  、７２６                        層間絶縁膜
７１９  〜７２４                        Ａｌ電極
７２５                              画素透明電極
７２７                                                      ブラックマトリクス
８０２  〜８０４                        カラーフィルタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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