(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気抵抗効果を発揮する部分を有する磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜のトラック幅方向の両側に設けられたバイアス層と、電極層とを有して成る磁気検出素子において、
前記電極層は、ハイト方向後方から前記磁気抵抗効果膜上にトラック幅方向に所定間隔を空けて形成され、
前記磁気抵抗効果膜は最上層にフリー磁性層を有しており、
前記バイアス層と前記電極層との間には、強磁性層が前記フリー磁性層の両側端部上に形成され、この強磁性層の上に反強磁性層が形成されており、
前記磁気抵抗効果膜よりもハイト方向に形成された前記電極層の内側端面の下には、前記バイアス層が形成されていないことを特徴とする磁気検出素子。
【請求項２】
記録媒体との対向面側を除いた前記磁気抵抗効果膜及びバイアス層の周囲は、絶縁層によって埋められており、前記電極層の前記内側端面は、前記絶縁層上に形成されている請求項１記載の磁気検出素子。
【請求項３】
前記磁気抵抗効果膜の上面、前記バイアス層の上面、および絶縁層の上面は、同一面で形成されている請求項２記載の磁気検出素子。
【請求項４】
前記電極層は、前記磁気抵抗効果膜のトラック幅方向の両側に形成されたバイアス層上にも形成される請求項２または３に記載の磁気検出素子。
【請求項５】
前記磁気抵抗効果膜は、反強磁性層、固定磁性層、非磁性中間層及びフリー磁性層を有して形成される請求項１ないし４のいずれかに記載の磁気検出素子。
【請求項６】
前記電極層の内側先端部が、前記磁気抵抗効果膜上に直接形成された請求項１ないし５のいずれかに記載の磁気検出素子。
【請求項７】
以下の工程を有することを特徴とする磁気検出素子の製造方法。
（ａ）基板上に磁気抵抗効果膜をフリー磁性層が最上層に位置するように成膜し、前記磁気抵抗効果膜にトラック幅方向の両側に対向するバイアス形成領域を形成した後、前記バイアス形成領域内にバイアス層を成膜する工程と、
（ｂ）前記磁気抵抗効果膜及びバイアス層上にハイト方向後端面を決めるためのレジスト層を形成し、前記レジスト層に覆われていない前記磁気抵抗効果膜及びバイアス層を除去した後、前記磁気抵抗効果膜及びバイアス層を除去したことによって露出した基板上を絶縁層で埋め、その後、前記レジスト層を除去し、前記フリー磁性層の両側端部上に強磁性層を形成した後、この強磁性層の上に反強磁性層を形成する工程と、
（ｃ）前記磁気抵抗効果膜上、前記反強磁性層上、および絶縁層上にレジスト層を形成した後、前記レジスト層に露光現像により、前記磁気抵抗効果膜の両側に対向する電極パターンを形成し、このとき少なくとも、前記電極パターン内に磁気抵抗効果膜の両側端部を露出させ、さらに前記電極パターンの内側端面が、前記磁気抵抗効果膜のハイト方向後方の絶縁層上に位置するように、前記電極パターンを形成する工程と、
（ｄ）前記電極パターン内に電極材料を成膜し、前記レジスト層を除去することで、ハイト方向後方から前記磁気抵抗効果膜上にトラック幅方向に所定間隔を空けて形成され、且つ内側端面が、前記磁気抵抗効果膜のハイト方向後方の絶縁層上に形成された電極層を形成する工程、
【請求項８】
前記（ｃ）工程時に、前記バイアス層上にまで電極層パターンを形成し、前記（ｄ）工程時に、前記電極層を前記バイアス層上にまで形成する請求項７記載の磁気検出素子の製造方法。
【請求項９】
前記（ｄ）工程後、絶縁層、前記磁気抵抗効果膜及びバイアス層を記録媒体との対向面から削り込んで、ハイト出し加工を行う請求項７または８記載の磁気検出素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばハードディスク装置などに搭載される磁気検出素子に係わり、特にトラック幅のばらつきを無くし、狭トラック化に適切に対応可能な磁気検出素子及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図２１は従来の磁気検出素子（スピンバルブ型薄膜素子）を記録媒体との対向面側から見た部分断面図である。
【０００３】
符号１はＴａなどの下地層であり、前記下地層１の上にはＰｔＭｎ合金などの反強磁性層２、ＮｉＦｅ合金などの固定磁性層３、Ｃｕなどの非磁性中間層４、ＮｉＦｅ合金などのフリー磁性層５及びＴａなどの保護層６が形成されている。前記下地層１から前記保護層６までの各層で磁気抵抗効果膜９が形成される。
【０００４】
図２１に示す従来例では、前記磁気抵抗効果膜９のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側には硬磁性材料製のハードバイアス層７が形成され、その上に電極層８が形成されている。
【０００５】
しかしながら図２１に示すスピンバルブ型薄膜素子では、以下のような問題点があった。
【０００６】
前記フリー磁性層５の上面のトラック幅方向における幅寸法はトラック幅Ｔｗとして規定されるが、今後の高記録密度化に伴い前記トラック幅Ｔｗを狭くすると、前記フリー磁性層５の両側端部５ａ、５ａが前記ハードバイアス層７からの強い縦バイアス磁界で磁化されて、前記両側端部５ａは外部磁界に対して反転しづらくなる。いわゆる不感領域となる。このため、実質的に磁化反転でき、磁気抵抗効果を発揮する領域（いわゆる感度領域という）は、トラック幅Ｔｗよりも狭くなり、狭トラック化に伴って前記領域はますます狭くなるため再生出力が低下するといった問題が発生したのである。
【０００７】
そこで従来では、フリー磁性層５の両側端部５ａが不感領域となっても、ある所定の大きさの感度領域を確保すべく、スピンバルブ型薄膜素子の構造は以下のように改良された。
【０００８】
図２２は改良された従来におけるスピンバルブ型薄膜素子を記録媒体との対向面側から見た部分断面図である。なお図２１と同じ符号の層は、図２１と同じ層を表している。
【０００９】
この従来例では、前記フリー磁性層５の上面のトラック幅方向の幅寸法はＴ１であり、前記幅寸法Ｔ１は図２１におけるトラック幅Ｔｗよりも長くなっている。
【００１０】
そして前記電極層８は、前記ハードバイアス層７上から前記フリー磁性層５上に形成された保護層６上にオーバーラップして形成されている。前記電極層８がオーバーラップした部分のフリー磁性層５は不感領域である。
【００１１】
この従来例では、前記電極層８の間隔でトラック幅Ｔｗが規定され、前記トラック幅Ｔｗ領域内は前記フリー磁性層５における感度領域に該当するため、前記トラック幅Ｔｗの全領域が実質的に磁気抵抗効果に関与する。
【００１２】
そしてこの従来例では、前記フリー磁性層５のトラック幅方向における幅寸法Ｔ１を適切に規制することで、今後の狭トラック化においても、所定の大きさの感度領域を確保することができるため、所定の大きさの再生出力を得ることができると期待された。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
ところで図２２に示す磁気検出素子を真上から見ると図２３のような構造になっている。
【００１４】
図２３の部分平面図に示すように、前記磁気抵抗効果膜９のトラック幅方向の両側に形成されたハードバイアス層７の上には、前記ハードバイアス層７の上面領域内に電極層８が重ねて形成されており、前記電極層８の内側先端部８ａが前記フリー磁性層５の両側端面５ａ上にオーバーラップしている。
【００１５】
図２４ないし図２７は、図２２及び図２３に示す磁気検出素子の製造工程である。なお図２４ないし図２７の各図の上図は、部分平面図を、下図は上図に示す一点鎖線から切断し矢印方向から見た部分断面図を示している。
【００１６】
図２４に示す工程では、基板１０上に磁気抵抗効果膜９を成膜した後、前記磁気抵抗効果膜９の上にレジスト層１２を形成し、さらに前記レジスト層１２にバイアス形成及び電極形成のためのパターン１２ａを露光現像によって形成する。そして前記パターン１２ａ内から露出する磁気抵抗効果膜９をイオンミリングなどで除去した後、前記パターン１２ａに基板１０に対しほぼ垂直方向からハードバイアス層７をスパッタ成膜する。
【００１７】
次に図２５に示す工程では、前記レジスト層１２を利用して前記ハードバイアス層７上に電極層８を重ねて形成する。このときスパッタ角度をハードバイアス層７形成時よりもより斜めにして、前記レジスト層１２の下面に形成された切欠部１２ｂ内に前記電極層８が形成されるようにする。これにより前記電極層８の内側先端部８ａを、前記フリー磁性層５の両側端部５ａ上に重ねて形成することが可能になる。そして前記レジスト層１２を除去する。
【００１８】
図２６に示す工程では、前記電極層８上から、前記電極層８の内側先端部８ａ間に挟まれた前記磁気抵抗効果膜９上にかけてハイト側後端面を決めるためのレジスト層１１を形成する。そして前記レジスト層１１に覆われていない電極層８及び磁気抵抗効果膜９を例えば矢印Ｆ方向のイオンミリングなどで除去する。その状態が図２７に示されている。なお図２７では、図を見やすくするため、前記電極層８が除去されたことによって露出したハードバイアス層７の部分を斜線で示している。
【００１９】
図２７に示すように、前記レジスト層１１がイオンミリング時のマスクとなって、前記レジスト層１１の下には前記レジスト層１１と同程度の大きさの電極層８が残されており、また前記電極層８の下には、前記電極層８の下面領域よりも大きい上面領域を有するハードバイアス層７が残されている。
【００２０】
そして前記レジスト層１１を除去し、さらに図２７に示す磁気検出素子をＡ−Ａ線までハイト出し加工のために削ると、図２７の下図（部分正面図）や図２２、２３に示す磁気検出素子が完成する。
【００２１】
従来では図２４、２５工程に示すように、同じレジスト層１２を利用してハードバイアス層７及び電極層８を連続スパッタ成膜して、前記ハードバイアス層７及び電極層８を形成していたが、上記のような製造方法で形成された磁気検出素子では以下のような問題が発生した。
【００２２】
前記電極層８からのセンス電流は、最短距離で流れようとするため、図２３の矢印方向に示すように前記センス電流は前記電極層８の内側端面８ｂ付近に集中して流れる。
【００２３】
ところが、図２３に示すように、前記電極層８の内側端面８ｂの下にはハードバイアス層７が存在しているため、前記センス電流が、前記電極層８の内側端面８ｂ付近を通って内側先端部８ａに到達する前に、図２２の矢印方向Ｂに示すように前記電極層８の下に設けられたハードバイアス層７に分流し、前記電極層８の内側先端部８ａでの電流密度が低下するといった問題が発生したのである。
【００２４】
このため再生出力の低下を招くと共に、ハードバイアス層７に分流したセンス電流は、磁気抵抗効果膜９の不感領域にも流れてしまう。不感領域での磁化は確実にピン止めされた状態にはなく、実際には前記不感領域の特に感度領域に近い領域での磁化は、前記感度領域より鈍いながらも外部磁界に対し反転してしまう。このため、この不感領域の一部も再生領域として機能してしまうため、トラック幅が広がり、狭トラック化に適切に対応できず、またトラック幅のばらつきを招くといった問題が発生した。
【００２５】
そこで本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、電極層から磁気抵抗効果膜へ流れるセンス電流の、バイアス層への分流を抑制し、トラック幅のばらつきを抑え、狭トラック化に適切に対応可能な磁気検出素子及びその製造方法を提供することを目的としている。
【００２６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、
磁気抵抗効果を発揮する部分を有する磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜のトラック幅方向の両側に設けられたバイアス層と、電極層とを有して成る磁気検出素子において、
前記電極層は、ハイト方向後方から前記磁気抵抗効果膜上にトラック幅方向に所定間隔を空けて形成され、
前記磁気抵抗効果膜は最上層にフリー磁性層を有しており、
前記バイアス層と前記電極層との間には、強磁性層が前記フリー磁性層の両側端部上に形成され、この強磁性層の上に反強磁性層が形成されており、
前記磁気抵抗効果膜よりもハイト方向に形成された前記電極層の内側端面の下には、前記バイアス層が形成されていないことを特徴とするものである。
【００２７】
本発明では、前記電極層を磁気抵抗効果膜上にオーバーラップさせて形成している。そして前記磁気抵抗効果膜上に形成された電極層のトラック幅方向における間隔でトラック幅Ｔｗが規制されている。
【００２８】
このため本発明では、前記磁気抵抗効果膜をトラック幅Ｔｗよりも長い幅寸法で形成することができ、よって狭トラック化の要請によっても、前記磁気抵抗効果膜の幅寸法を適切に規制することで、所定幅の感度領域を保つことができる。
【００２９】
次に本発明では、前記磁気抵抗効果膜のハイト方向後方に形成された電極層の内側端面を、その下にバイアス層が形成されていない領域に形成している。
【００３０】
既に説明したように、前記電極層からのセンス電流は、最短距離となる前記電極層の内側端面付近を集中的に流れる。したがって前記内側端面の下にバイアス層が形成されていないことで、前記電極層から流れるセンス電流が前記バイアス層へ分流するのを適切に抑制することができ、磁気抵抗効果膜上でオーバーラップする前記電極層の内側先端部での電流密度を向上させることが可能である。
【００３１】
よって本発明では再生出力の向上を図ることができると共に、バイアス層から不感領域に分流するセンス電流を抑制して、電極層の内側先端部から磁気抵抗効果膜の感度領域に適切にセンス電流を流すことが可能になるため、従来のようにトラック幅が広がる不具合はなく、狭トラック化に対応できると共にトラック幅Ｔｗのばらつきを抑えることが可能な磁気検出素子を製造することが可能になっている。
【００３２】
また本発明では、記録媒体との対向面側を除いた前記磁気抵抗効果膜及びバイアス層の周囲は、絶縁層によって埋められており、前記電極層の前記内側端面は、前記絶縁層上に形成されていることが好ましい。このように磁気抵抗効果膜及びバイアス層の周囲を絶縁層で埋めることで、段差の小さい領域上に電極層をパターン精度良く形成することが可能になる。
【００３３】
より好ましくは、前記磁気抵抗効果膜の上面、前記バイアス層の上面、および絶縁層の上面は、同一面で形成されていることである。
【００３４】
また本発明では、前記電極層は、前記磁気抵抗効果膜のトラック幅方向の両側に形成されたバイアス層上にも重ねて形成されていてもよい。
【００３５】
このように前記バイアス層上に電極層が重ねて形成されていても、前記電極層から流れるセンス電流は、主に、下にバイアス層が形成されていない前記電極層の内側端面付近であるから、前記センス電流が前記バイアス層に分流することを適切に抑制することができる。
【００３６】
またこのようにバイアス層上にも前記電極層を形成し、前記電極層を大きく形成することで、前記電極層上面に形成される上部ギャップ層を段差の緩やかな領域上に形成することができ、前記上部ギャップ層及びその上に形成される上部シールド層を所定形状で形成しやすくでき、再生特性に優れた磁気検出素子を製造できる。
【００３７】
また前記電極層を大きく形成することで、高度なアライメント精度を必要としてくても前記電極層を所定形状に容易に形成することができる。
【００３８】
また本発明では、前記磁気抵抗効果膜は、反強磁性層、固定磁性層、非磁性中間層及びフリー磁性層を有して形成される実施形態を提示できるが、この積層構造に限るものではない。
また、前記電極層の内側先端部が、前記磁気抵抗効果膜上に直接形成されたものとして構成することもできる。
【００３９】
次に本発明における磁気検出素子の製造方法は、以下の工程を有することを特徴とするものである。
（ａ）基板上に磁気抵抗効果膜をフリー磁性層が最上層に位置するように成膜し、前記磁気抵抗効果膜にトラック幅方向の両側に対向するバイアス形成領域を形成した後、前記バイアス形成領域内にバイアス層を成膜する工程と、
（ｂ）前記磁気抵抗効果膜及びバイアス層上にハイト方向後端面を決めるためのレジスト層を形成し、前記レジスト層に覆われていない前記磁気抵抗効果膜及びバイアス層を除去した後、前記磁気抵抗効果膜及びバイアス層を除去したことによって露出した基板上を絶縁層で埋め、その後、前記レジスト層を除去し、前記フリー磁性層の両側端部上に強磁性層を形成した後、この強磁性層の上に反強磁性層を形成する工程と、
（ｃ）前記磁気抵抗効果膜上、前記反強磁性層上、および絶縁層上にレジスト層を形成した後、前記レジスト層に露光現像により、前記磁気抵抗効果膜の両側に対向する電極パターンを形成し、このとき少なくとも、前記電極パターン内に磁気抵抗効果膜の両側端部を露出させ、さらに前記電極パターンの内側端面が、前記磁気抵抗効果膜のハイト方向後方の絶縁層上に位置するように、前記電極パターンを形成する工程と、
（ｄ）前記電極パターン内に電極材料を成膜し、前記レジスト層を除去することで、ハイト方向後方から前記磁気抵抗効果膜上にトラック幅方向に所定間隔を空けて形成され、且つ内側端面が、前記磁気抵抗効果膜のハイト方向後方の絶縁層上に形成された電極層を形成する工程、
上記の製造方法における特徴点は、従来と違って（図２４ないし図２７を参照されたい）、バイアス層と電極層を同じレジスト層を用いて連続して成膜せず、本発明ではバイアス層を成膜した後、その周囲を絶縁層で埋め、その後に、電極パターンが形成された新たなレジスト層を用いて電極層を形成する点にある。
【００４０】
すなわち本発明では、バイアス層と電極層の成膜工程を別にしているのである。これによって、本発明の製造方法における（ｃ）工程及び（ｄ）工程で、前記磁気抵抗効果膜のハイト方向後方に広がる絶縁層上にかけて前記電極層を形成することが可能になるのである。
【００４１】
また本発明では、前記（ｃ）工程時に、前記バイアス層上にまで電極層パターンを形成し、前記（ｄ）工程時に、前記電極層を前記バイアス層上にまで形成してもよい。
【００４２】
また本発明では、前記（ｄ）工程後、絶縁層、前記磁気抵抗効果膜及びバイアス層を記録媒体との対向面から削り込んで、ハイト出し加工を行うことが好ましい。
【００４３】
【発明の実施の形態】
図１は本発明における第１実施形態の磁気検出素子（スピンバルブ型薄膜素子）を備えた薄膜磁気ヘッドの構造を記録媒体との対向面側から見た部分断面図、図２は、前記磁気検出素子を真上から見た部分平面図である。
【００４４】
図１に示す薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に記録された外部信号を再生するためのＭＲヘッドｈ１である。図１には前記ＭＲヘッドｈ１のみが開示されているが、前記ＭＲヘッドｈ１の上に記録用のインダクティブヘッドが積層されていてもよい。前記インダクティブヘッドは磁性材料製のコア層とコイル層とを有して構成される。
【００４５】
なお前記インダクティブヘッドが前記ＭＲヘッドｈ１上に形成される場合は、前記ＭＲヘッドｈ１の上部シールド層が前記インダクティブヘッドの下部コア層を兼ねることもある。
【００４６】
また前記ＭＲヘッドｈ１は、例えばアルミナ−チタンカーバイト（Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ）で形成されたスライダのトレーリング側端面上に形成される。前記スライダは、記録媒体との対向面と逆面側で、ステンレス材などによる弾性変形可能な支持部材と接合され、磁気ヘッド装置が構成される。
【００４７】
図１に示す符号２１は、下部シールド層である。前記下部シールド層２１はＮｉＦｅ合金やセンダストなどの磁性材料によって形成される。
【００４８】
前記下部シールド層２１上にはＡｌ２Ｏ３やＳｉＯ２などの絶縁材料製の下部ギャップ層２２が形成されている。
【００４９】
図１に示すように、前記下部ギャップ層２２上面中央には磁気抵抗効果膜２３が形成される。図１に示す磁気抵抗効果膜２３は、例えばシングルスピンバルブ型薄膜素子と呼ばれる構成である。この磁気抵抗効果膜２３は、例えば反強磁性層、固定磁性層、非磁性中間層及びフリー磁性層の４層を有して構成されている。なお、この磁気抵抗効果膜２３の構造はシングルスピンバルブ型薄膜素子に限るものではなく、適用可能な前記磁気抵抗効果膜２３の構造は、後で詳しく説明することとする。
【００５０】
前記磁気抵抗効果膜２３は磁気抵抗効果を発揮する部分を有し、スピンバルブ型薄膜素子であれば、フリー磁性層、非磁性中間層及び固定磁性層の３層が該当する。前記フリー磁性層の磁化は、外部磁界によって自由に変動するようになっている。前記フリー磁性層の磁化はトラック幅方向（図示Ｘ方向）に磁化されている。一方、固定磁性層の磁化は、反強磁性層との間で発生する交換結合磁界により磁化がハイト方向（Ｙ方向）に固定されている。前記フリー磁性層の磁化の変動が、前記固定磁性層の固定磁化の方向との関係により電気抵抗が変化し、外部磁界の信号を検出できるようになっている。これを磁気抵抗効果という。なお前記磁気抵抗効果膜２３がＡＭＲ型薄膜素子である場合、磁気抵抗効果を発揮する層は、磁気抵抗効果層（ＭＲ層）である。
【００５１】
前記磁気抵抗効果膜２３のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側には、ハードバイアス層２４が形成されている。前記ハードバイアス層２４は、例えばＣｏ−Ｐｔ（コバルト−白金）合金やＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ（コバルト−クロム−白金）合金などで形成されている。またＣｒ／ＣｏＰｔ／ＴａやＣｒ／ＣｏＣｒＰｔ／Ｔａの積層構造であってもよい。前記ハードバイアス層２４は、前記磁気抵抗効果膜２３を構成するフリー磁性層の磁化をトラック幅方向（図示Ｘ方向）に単磁区化するために設けられたものである。
【００５２】
さらに本発明では、前記ハードバイアス層２４のトラック幅方向における両側には絶縁層（バックフィルギャップ）２５、２５が形成されている。前記絶縁層２５は、Ａｌ２Ｏ３やＳｉＯ２など、一般的に絶縁材料として使用される材質で形成される。
【００５３】
この実施形態では、前記磁気抵抗効果膜２３の上面２３ａ、ハードバイアス層２４の上面２４ａ、及び前記絶縁層２５の上面２５ａが同一面として形成されている。このように同一面として形成されることが、その上に形成される電極層２６をより適切に且つ容易に所定形状に形成できる点で好ましい。ただし完全な同一面でなく多少の段差があってもかまわない。この実施形態では特に前記絶縁層２５を形成することで、絶縁層２５とハードバイアス層２４と磁気抵抗効果膜２３とをほぼ同一面上に形成している点に特徴がある。
【００５４】
次に前記磁気抵抗効果膜２３上にはトラック幅方向（図示Ｘ方向）に所定間隔（＝トラック幅Ｔｗ）を開けて電極層２６が重ねて形成されており、この実施形態では、前記電極層２６は、前記磁気抵抗効果膜２３の両側に形成されたハードバイアス層２４及び絶縁層２５上にまで磁気抵抗効果膜２３から離れるトラック幅方向に延びて形成されているが、前記電極層２６のトラック幅方向の外側端面は、前記ハードバイアス層２４のトラック幅方向の外側端面と同じ位置か、あるいは前記ハードバイアス層２４の外側端面よりも磁気抵抗効果膜２３側に寄って形成されていてもかまわない。
【００５５】
なお前記電極層２６は、Ｃｒ、Ｔａ、Ａｌの単層構造、あるいはＴｉ／Ａｕ／Ｔｉ、Ｔａ／Ａｕ／Ｔａ、ＴｉＷ／Ａｕ／ＴｉＷ、ＴａＮ／Ａｕ／ＴａＮ、Ａｌ／Ｃｕ／Ａｌ、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ、Ｃｒ／Ｃｕ／Ａｌ／Ｃｕ／Ｃｒ、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒの積層構造を例示することができる。
【００５６】
図１に示すように、前記電極層２６上から前記磁気抵抗効果膜２３上にかけてＡｌ２Ｏ３やＳｉＯ２などの絶縁材料で形成された上部ギャップ層２７が形成されている。そして前記上部ギャップ層２７上にはＮｉＦｅ合金などの磁性材料で形成された上部シールド層２８が形成されている。
【００５７】
図１に示す本発明の薄膜磁気ヘッドでは、前記電極層２６の内側先端部２６ａが、前記磁気抵抗効果膜２３の上面にオーバーラップして形成されている。そして前記電極層２６のトラック幅方向における間隔でトラック幅Ｔｗを規制している。
【００５８】
このため前記磁気抵抗効果膜２３のトラック幅方向における幅寸法Ｔ２をトラック幅Ｔｗよりも長く形成することができ、狭トラック化の要請によっても、前記磁気抵抗効果膜２３の幅寸法を適切に調整することで、所定幅の感度領域を確保し、この感度領域の幅とトラック幅Ｔｗとを一致させることが可能である。
【００５９】
ここで感度領域とは実質的に磁気抵抗効果に寄与する領域をいい、この領域の幅は、例えばマイクロトラックプロファイル法により測定される。
【００６０】
マイクロトラックプロファイル法では、磁気抵抗効果膜２３を、ある微小トラックに記録された信号上にトラック幅方向で走査させた場合に、得られた再生出力のうち、例えば最大出力の５０％以上の出力が得られた領域を感度領域として定義する。また不感領域は、前記感度領域の両側であって、出力が最大出力の５０％以下となる領域として定義される。
【００６１】
そして前記不感領域として定義された磁気抵抗効果膜２３上を前記電極層２６で覆うことで、感度領域の幅とトラック幅Ｔｗとを一致させることができる。
【００６２】
なお前記磁気抵抗効果膜２３の幅寸法Ｔ２は、０．３μｍ以上で１．０μｍ以下程度で形成され、トラック幅Ｔｗは、０．１μｍ以上で０．２５μｍ以下程度で形成されることが好ましい。
【００６３】
ところで本発明の特徴点は、特に前記電極層２６のハイト方向後方の形状にある。
【００６４】
図２に示すように、磁気抵抗効果膜２３のトラック幅方向の両側には点線で示されたハードバイアス層２４が形成され、このハードバイアス層２４の両側端部の後方領域２４ｂ、２４ｂは、ハイト方向後方（図示Ｙ方向）に延びて形成されている。
【００６５】
図２に示すように、前記ハードバイアス層２４と磁気抵抗効果膜２３間の領域Ｂは、前記絶縁層（バックフィルギャップ）２５によって埋められている。
【００６６】
本発明における前記電極層２６は、その内側先端部２６ａが、前記磁気抵抗効果膜２３上に重ねて形成され、また前記電極層２６は前記ハードバイアス層２４を完全に覆い、さらに前記領域Ｂに形成された一部の絶縁層２５上にも広がって形成されている。
【００６７】
図２に示すように、前記磁気抵抗効果膜２３よりもハイト方向後方における前記電極層２６の内側端面２６ｂは、その下に絶縁層２５が形成された領域Ｂ上に形成されており、従来のように、この内側端面２６ｂがハードバイアス層２４の上に形成されていない（従来例については図２３を参照されたい）。
【００６８】
図２に示すように、前記電極層２６の内側端面２６ｂは、前記磁気抵抗効果膜２３とハードバイアス層２４との接合端Ｅよりも磁気抵抗効果膜２３の内側に寄り、そこからハイト方向後方に延びて形成され、前記内側端面２６ｂは、前記接合端Ｅからトラック幅方向で磁気抵抗効果膜２３から離れる方向に延びるハードバイアス層２４とは接触しないようになっている。
【００６９】
ところで前記電極層２６、２６間を流れるセンス電流は、最短距離で流れようとするから、前記電極層２６の内側端面２６ｂ付近に集中的に流れる。
【００７０】
従って本発明のように、前記電極層２６の内側端面２６ｂの下にハードバイアス層２４が形成されておらず、前記内側端面２６ｂが絶縁層２５上に形成された形態であると、前記電極層２６の内側端面２６ｂ付近に集中的に流れるセンス電流は、図２の矢印方向Ｃに示すように、ハードバイアス層２４が形成された領域から離れた位置に流れ、よって前記センス電流がハードバイアス層２４に分流することを抑制でき、前記磁気抵抗効果膜２３の両側端面上にオーバーラップして形成された前記電極層２６の内側先端部２６ａでの電流密度を従来よりも高めることができる。
【００７１】
よって再生出力を高めることができると共に、前記ハードバイアス層２４に分流して不感領域に流れるセンス電流を抑制でき、感度領域にのみ集中的にセンス電流を流すことができるから、トラック幅が広がることなく、狭トラック化に適切に対応でき、またトラック幅Ｔｗのばらつきを抑えることが可能な磁気検出素子を製造することができる。
【００７２】
また図１に示す実施形態では、図２に示すように、記録媒体との対向面を除いた前記磁気抵抗効果膜２３及びハードバイアス層２４の周囲を絶縁層２５によって埋めており、これによって段差の少ない領域上に前記電極層２６を容易にパターン精度良く形成することが可能になる。
【００７３】
また図２に示す本発明における実施形態では、前記電極層２６は、前記ハードバイアス層２４上を完全に覆って形成されているが、例えば図３に示すように、前記電極層２６の外側端面２６ｃが、ハードバイアス層２４の外側端面２４ｃよりもトラック幅方向（図示Ｘ方向）の内側に位置し、前記ハードバイアス層２４の一部が、前記電極層２６からはみ出す形態であってもかまわない。
【００７４】
あるいは図３に示す一点鎖線に示すように、前記電極層２６の外側端面２６ｃが、前記ハードバイアス層２４の内側端面２４ｄよりも、トラック幅方向の内側に位置し、前記ハードバイアス層２４が、前記電極層２６に全く覆われておらず、前記ハードバイアス層２４全体が前記電極層２６の両側から露出した形態であってもかまわない。
【００７５】
ただし図２のように、ハードバイアス層２４上を前記電極層２６で完全に覆い、あるいはハードバイアス層２４上の少なくとも一部を前記電極層２６で覆って、前記電極層２６を大きく形成することが、電極層２６形成時に高度なアライメント精度を必要とせず、また前記電極層２６上に形成される上部ギャップ層２７を緩やかな段差上に形成して前記上部ギャップ層にピンホールなどが形成されないようにでき、電気的絶縁性を適切に確保する上で好ましい。
【００７６】
また図２や図３では、前記ハードバイアス層２４には、両側端部からハイト方向後方に延びる後方領域２４ｂが形成されていたが、図４に示すように前記後方領域２４ｂが形成されておらず前記ハードバイアス層２４が、磁気抵抗効果膜２３のトラック幅方向の両側に略矩形状で形成された形態であってもかまわない。なお前記ハードバイアス層２４の形状は図２や図４以外の形状であってもかまわない。
【００７７】
次に図５は本発明における第２実施形態の磁気検出素子を有する薄膜磁気ヘッドの構造を記録媒体との対向面と平行な方向から切断した部分断面図、図６は、前記磁気検出素子の部分平面図である。
【００７８】
図５では、図１と異なり、ハードバイアス層２４と電極層２６との間に強磁性層２９と反強磁性層３０が設けられている。あるいは前記ハードバイアス層２４に代えて、Ｔａ、ＴａＮ、ＴｉＮ、ＷＴｉ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２などの高比抵抗層あるいは絶縁層が形成され、この高比抵抗層あるいは絶縁層と電極層２６との間に強磁性層２９と反強磁性層３０が設けられていてもよい。
【００７９】
この実施形態では、前記磁気抵抗効果膜２３を構成するフリー磁性層３１は、最上層に位置している。そして前記フリー磁性層３１の両側端部上に前記強磁性層２９が形成されており、さらにその上に反強磁性層３０が重ねて形成されている。
【００８０】
前記強磁性層２９は、ＮｉＦｅ合金、ＣｏＦｅＮｉ合金、ＣｏＦｅ合金、Ｃｏなどの磁性材料で形成される。前記反強磁性層３０は、例えば、元素Ｘ（ただしＸは、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｏｓのうち１種または２種以上の元素である）とＭｎとを含有する反強磁性材料、あるいは元素Ｘと元素Ｘ′（ただし元素Ｘ′は、Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ，Ｂｅ，Ｂ，Ｃ，Ｎ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｓｎ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ａｕ，Ｐｂ、及び希土類元素のうち１種または２種以上の元素である）とＭｎを含有する反強磁性材料により形成される。
【００８１】
これら反強磁性材料で形成された反強磁性層３０では磁場中熱処理を施すことで、前記強磁性層２９との間で交換結合磁界が発生し、前記強磁性層２９が図示Ｘ方向に磁化されると、前記フリー磁性層３１の両側端部３１ａ、３１ａは、前記強磁性層２９との間で強磁性結合することにより図示Ｘ方向に磁化される。
【００８２】
この実施形態では、前記磁気抵抗効果膜２３のトラック幅方向両側に形成されたハードバイアス層２４からの縦バイアス磁界と、前記強磁性層２９との強磁性結合との相乗効果により、前記フリー磁性層３１の両側端部３１ａの磁化は適切に図示Ｘ方向に固定され、外部磁界によってこの両側端部３１ａの磁化の揺らぎを小さくできる。また前記ハードバイアス層２４に代え高比抵抗層あるいは絶縁層を設けて、前記磁気抵抗効果膜２３の上面と高比抵抗層あるいは絶縁層の上面を平坦化面として形成することで、前記強磁性層２９と反強磁性層３０間の交換結合力を強めることができ、またプリクリーニングも可能になり、前記フリー磁性層３１と強磁性層２９間を適切に強磁性結合（カップリング）させることができる。
【００８３】
したがってこの形態であればよりトラック幅Ｔｗのばらつきを無くし、狭トラック化に適切に対応可能な磁気検出素子を製造することが可能になっている。
【００８４】
図６に示すようにこの実施形態でも、前記電極層２６の内側端面２６ｂは、前記磁気抵抗効果膜２３とハードバイアス層２４間を埋める絶縁層２５の領域Ｂ上に形成され、前記内側端面２６ｂの下には前記ハードバイアス層２４は形成されていない。
【００８５】
従って前記電極層２６から前記磁気抵抗効果膜２３に流れるセンス電流は、最短距離となる前記電極層２６の内側端面２６ｂ付近を主に流れ、このとき前記センス電流が前記ハードバイアス層２４に分流することを適切に抑制できるから、前記電極層２６の内側先端部２６ａでの電流密度を高めることができる。
【００８６】
よって再生出力を高めることができると共に、ハードバイアス層２４に分流して不感領域に流れるセンス電流を抑制し、前記センス電流を適切に感度領域に集中的に流すことができるので、トラック幅Ｔｗにばらつきが少なく、狭トラック化に適切に対応可能な磁気検出素子を製造することが可能になっている。
【００８７】
なおこの実施形態では図５に示すように、前記電極層２６の内側先端部２６ａが、強磁性層２９及び反強磁性層３０上に形成されているから、前記電極層２６から流れるセンス電流は、前記磁気抵抗効果膜２３に流れる前に、一旦、反強磁性層３０、および強磁性層２９内を流れることになるが、図７のように、前記磁気抵抗効果膜２３の上に形成された強磁性層２９及び反強磁性層３０よりも、前記電極層２６の内側先端部２６ａを、さらにトラック幅方向（図示Ｘ方向）の内側に位置させ、前記内側先端部２６ａを前記前記磁気抵抗効果膜２３上に直接形成すれば、前記電極層２６の内側先端部２６ａからのセンス電流が前記磁気抵抗効果膜２３に直接流れ、電流値の低減を抑制できて好ましい。
【００８８】
次に本発明における磁気検出素子の構造について以下に説明する。図８ないし図１３では、磁気検出素子の部分のみを、記録媒体との対向面と平行な方向から切断した部分拡大断面図である。
【００８９】
図８の実施形態では、磁気抵抗効果膜２３の部分が、下から下地層３２、反強磁性層３３、固定磁性層３４、非磁性中間層３５、フリー磁性層３６及び保護層３７の順に積層されている。
【００９０】
前記下地層３２及び保護層３７は、例えばＴａ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｆｅのうち少なくとも１種以上で形成されている。
【００９１】
前記反強磁性層３３は、例えば、元素Ｘ（ただしＸは、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｏｓのうち１種または２種以上の元素である）とＭｎとを含有する反強磁性材料で形成されることが好ましい。あるいは前記反強磁性層３３は、元素Ｘと元素Ｘ′（ただし元素Ｘ′は、Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ，Ｂｅ，Ｂ，Ｃ，Ｎ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｓｎ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ａｕ，Ｐｂ、及び希土類元素のうち１種または２種以上の元素である）とＭｎを含有する反強磁性材料により形成されることが好ましい。
【００９２】
また固定磁性層３４及びフリー磁性層３６は、ＮｉＦｅ合金、ＣｏＦｅＮｉ合金、ＣｏＦｅ合金、あるいはＣｏなどの磁性材料で形成される。なお前記固定磁性層３４及びフリー磁性層３６は単層膜で形成されていてもよいし多層膜で形成されていてもよい。また非磁性中間層３５はＣｕなどの非磁性導電材料で形成される。
【００９３】
また図８に示すように、前記磁気抵抗効果膜２３のトラック幅方向における両側に形成されたハードバイアス層２４の下にはバイアス下地層３８が形成されている。
【００９４】
なお前記バイアス下地層３８は前記ハードバイアス層２４の特性（保磁力Ｈｃ、角形比Ｓ）を向上させるために設けられたものである。
【００９５】
そして図８に示すように、前記磁気抵抗効果膜２３の上には、所定の間隔を開けて電極層２６が形成されており、前記電極層２６間の間隔でトラック幅Ｔｗが規制されている。
【００９６】
図９は、図８と異なり、磁気抵抗効果膜２３の積層構造が逆である。すなわち、図９では、下から下地層３３、フリー磁性層３６、非磁性中間層３５、固定磁性層３４、反強磁性層３３及び保護層３７の順に積層された磁気抵抗効果膜２３が構成されている。なお、各層の材質は図８で説明したのと同じである。
【００９７】
図１０における磁気検出素子の磁気抵抗効果膜２３は、下から反強磁性層３３、固定磁性層３４、非磁性導電層３５、フリー磁性層３６の順で形成されている。
【００９８】
この実施形態と図８との違いは、固定磁性層３４及びフリー磁性層３６の構造にある。
【００９９】
図１０では、前記固定磁性層３４が、磁性層６４／非磁性中間層６５／磁性層６６の膜構成で形成された積層フェリ構造となっている。前記磁性層６４、６６は、ＮｉＦｅ合金、ＣｏＦｅＮｉ合金、ＣｏＦｅ合金、Ｃｏなどの磁性材料で形成される。また非磁性中間層６５は、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｒｅ、Ｃｕのうち１種あるいは２種以上の非磁性材料で形成される。
【０１００】
積層フェリ構造では、磁性層６４と磁性層６６の単位面積当たりの磁気モーメント（飽和磁化Ｍｓ×膜厚ｔ）が互いに異なるように調整され、磁性層６４の磁化は例えば図示Ｙ方向と逆方向に磁化され、反強磁性層６０との間で発生する交換結合磁界によってピン止めされると、もう一方の磁性層６６の磁化は、磁性層６４との間で発生するＲＫＫＹ相互作用による交換結合磁界によって、図示Ｙ方向を向き前記磁性層６４の磁化と反平行状態になってピン止めされる。
【０１０１】
またこの実施形態ではフリー磁性層３６も固定磁性層３４と同じように積層フェリ構造となっている。前記フリー磁性層３６は例えば磁性層６７／非磁性中間層６８／磁性層６９の３層構造である。
【０１０２】
前記磁性層６７及び６９は互いに異なる単位面積当たりの磁気モーメントを有している。前記ハードバイアス層２４からの縦バイアス磁界の影響と、前記磁性層６９と前記磁性層６７との間で発生するＲＫＫＹ相互作用における交換結合磁界とによって、前記磁性層６７、６９はトラック幅方向に互いに反平行に磁化される。
【０１０３】
なおこの実施形態では、固定磁性層３４とフリー磁性層３６の双方が積層フェリ構造になっているが、どちらか一方のみが積層フェリ構造であってもよい。
【０１０４】
図１１は、いわゆるデュアルスピンバルブ型と呼ばれる構造である。
図１１に示す実施形態では、フリー磁性層３６の上下に非磁性中間層３５、３５、固定磁性層３４、３４、および反強磁性層３３、３３が１層づつ形成された構造である。
【０１０５】
この実施形態では、前記フリー磁性層３６は、ＣｏＦｅ合金やＣｏなどで形成された磁性層７６、７６、およびＮｉＦｅ合金などで形成された磁性層７７の３層構造である。前記磁性層７６は、非磁性中間層６２と前記磁性層７７間で金属元素が拡散することを防止するための拡散防止層であり、抵抗変化量（ΔＲ）及び抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）の向上を図ることができる。この拡散防止層を形成する構造は、図８ないし図１０の各実施形態において適用可能である。また前記フリー磁性層３６は、図１０と同じように積層フェリ構造で形成されていてもよい。
【０１０６】
また図１１に示す実施形態では固定磁性層３４が積層フェリ構造となっているが、前記固定磁性層３４は図８、９と同じ磁性材料の単層構造あるいは多層構造であってもよい。
【０１０７】
また図８ないし図１１以外の磁気検出素子の構造としては、ＮｉＦｅ合金などで形成された磁気抵抗層（ＭＲ層）と、Ｔａなどで形成されたシャント層と、ＮｉＦｅ合金などで形成されたＳＡＬ層との３層で形成された異方性磁気抵抗効果を用いたＡＭＲ型磁気抵抗効果素子であってもよい。
【０１０８】
図１２では、前記電極層２６と前記ハードバイアス層２４間に平坦化層５０が設けられている。図１２に示す磁気検出素子では、前記ハードバイアス層２４上に前記平坦化層５０が形成され、これによって前記磁気抵抗効果層２３の表面と前記平坦化層５０の表面とはほぼ平坦化面として形成され、前記平坦化層５０の形成によって磁気抵抗効果膜２３の周囲に平坦化面を形成しやすくできる。これによって前記平坦化層５０上から前記磁気抵抗効果膜２３上にかけて所定形状の電極層２６を形成することができる。
【０１０９】
また前記平坦化層５０は、前記電極層２６よりも比抵抗の高い材料で形成されることが好ましい。これによって前記平坦化層５０へのセンス電流の分流を抑制できる。また前記平坦化層５０は前記電極層２６とハードバイアス層２４間の拡散防止層としての役割も有する。前記平坦化層５０には、Ｔａ、Ｃｒ、ＷＴｉ、ＴｉＮなどの材料を使用することが可能である。
【０１１０】
図１３は、図５や図７のように、ハードバイアス層２４と電極層２６間に強磁性層２９及び反強磁性層３０を介在させたときの好ましい磁気検出素子の構造を記録媒体との対向面側から見た部分断面図である。
【０１１１】
図１３に示す磁気検出素子の磁気抵抗効果膜２３の積層構造は、下から下地層３２、反強磁性層３３、固定磁性層３５、およびフリー磁性層３６の順に形成され、前記フリー磁性層３６の上に所定の間隔を開けた強磁性層２９が直接、形成されている。これによって前記フリー磁性層３６と強磁性層２９間に強磁性結合が発生し、前記フリー磁性層３６の両側端部３６ａの磁化をより適切に図示Ｘ方向に固定することが可能になっている。
【０１１２】
なお前記強磁性層２９間に露出した前記フリー磁性層３６間に保護層３７が形成されていてもかまわない。
【０１１３】
また前記フリー磁性層３６及び固定磁性層３４は、図１０に示すような積層フェリ構造であってもかまわない。
【０１１４】
前記磁気抵抗効果膜２３の上に強磁性層２９及び反強磁性層３０を形成する構造では、前記フリー磁性層３６が磁気抵抗効果膜２３の最上層となるように積層構造を形成する必要がある。
【０１１５】
また図１３に示す実施形態では、ハードバイアス層２４と強磁性層２９間には非磁性の中間層４０が形成されているが、これにより前記強磁性層２９の特性を向上させることができる。具体的には前記強磁性層２９と前記反強磁性層３０間で発生する交換異方性磁界とブロッキング温度を高めることができる。なお前記中間層２９は形成されていなくてもかまわない。
【０１１６】
前記中間層４０は、Ｔａ、Ｃｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｖ，Ｍｎ，Ｎｂのいずれか１種または２種以上の元素で形成されることが好ましい。
【０１１７】
図１４から図２０は、本発明における磁気検出素子の製造方法を示す一工程図である。なお特に明示しない限り、各図の上図は、部分平面図を、下図は上図を一点鎖線から切断し矢印方向から見た部分断面図を示している。
【０１１８】
図１４に示す工程では、基板４１上に図８ないし図１１のいずれかの積層構造などから成る磁気抵抗効果膜２３を成膜し、その後、前記磁気抵抗効果膜２３の上にリフトオフ用のレジスト層４２を形成する。前記レジスト層４２には、ハードバイアス層２４を形成するためのバイアスパターン（バイアス形成領域）４２ａが露光現像によって形成されており、このバイアスパターン４２ａ内から露出する前記磁気抵抗効果膜２３をイオンミリングなどで除去する。
【０１１９】
次に前記バイアスパターン４２ａ内にハードバイアス層２４をスパッタあるいはイオンビームスパッタで成膜する。このときバイアス材料で形成された層２４ｅは、前記レジスト層４２の上にも成膜される。そして前記レジスト層４２を除去する。
【０１２０】
図１５に示す工程では、前記ハードバイアス層２４上から、記録媒体との対向面側で前記ハードバイアス層２４間に挟まれた磁気抵抗効果膜２３上にかけて、ハイト側後端面を決めるためのリフトオフ用のレジスト層４３を形成する。
【０１２１】
そして図１６に示す工程では、前記レジスト層４３に覆われていない磁気抵抗効果膜２３及びハードバイアス層２４をイオンミリングなどにより除去する。これによって前記磁気抵抗効果膜２３のハイト方向の後端面２３ｂが決定される。
【０１２２】
図１７に示す工程では、図１６に示すレジスト層４３を利用して、前工程で磁気抵抗効果膜２３及びハードバイアス層２４を除去したことによって露出した基板４１上にＡｌ２Ｏ３などの絶縁層２５をスパッタまたはイオンビームスパッタで成膜する。
【０１２３】
なお図１７の下図に示すように、前記絶縁層２５をスパッタ成膜するとき、その絶縁材料の層２５ａは、前記レジスト層４３にも成膜される。そして前記レジスト層４３を除去する。
【０１２４】
前記レジスト層４３を除去したときの磁気検出素子を真上から見ると、磁気抵抗効果膜２３と、前記磁気抵抗効果膜２３のトラック幅方向の両側に形成されたハードバイアス層２４と、前記磁気抵抗効果膜２３の周囲を覆う絶縁層２５とが現れた状態になっている。
【０１２５】
次に図１８に示す工程では、前記磁気抵抗効果膜２３上、ハードバイアス層２４上、および絶縁層２５上を一旦、レジスト層４４で覆った後、前記レジスト層４４に電極パターン４４ａ、４４ａを露光現像によって形成する。
【０１２６】
この電極パターン４４ａを形成するときには、以下の点に注意する必要がある。まず一点目は、前記磁気抵抗効果膜２３上に残されるレジスト層４４のトラック幅方向への幅寸法Ｔ３は、前記磁気抵抗効果膜２３のトラック幅方向への幅寸法Ｔ２よりも小さくし、前記レジスト層４４のトラック幅方向への両側から前記磁気抵抗効果膜２３の両側端部２３ａを露出させること、二点目は、前記磁気抵抗効果膜２３よりもハイト方向後方における前記電極パターン４４ａの内側端面４４ｂが、その下にハードバイアス層４４が形成されていない絶縁層２５上に形成されるようにすることである。
【０１２７】
そして図１９に示す工程では、前記レジスト層４４に形成された電極パターン４４ａ内に電極層２６をスパッタ成膜する。なおこのとき前記レジスト層４４の上にも電極材料の層２６ａがスパッタあるいはイオンビームスパッタで成膜される。
【０１２８】
上記したように前記磁気抵抗効果膜２３上に形成されたレジスト層４４は、前記磁気抵抗効果膜２３よりも幅狭で形成されており、前記レジスト層４４の両側からは前記磁気抵抗効果膜２３の両側端部２３ａ上が露出した状態になっているから、図１９工程で形成される電極層２６は、前記磁気抵抗効果膜２３の両側端部２３ａ上にオーバーラップして形成されていることになる。
【０１２９】
またこのスパッタ時、前記レジスト層４４の下面に形成された切欠部４４ａ内にも前記電極層２６が形成されるようにスパッタ角度を、基板４１面に対し垂直方向から斜めに傾ける。これによって前記切欠部４４ａの下にも前記電極層２６を形成することができ、より適切に前記磁気抵抗効果膜２３上に前記電極層２６をオーバーラップさせることができる。
【０１３０】
また前記磁気抵抗効果膜２３のハイト方向後方に延びる電極パターン４４ａの内側端面４４ｂは、ハードバイアス層２４が形成されていない絶縁層４５上に形成されているから、前記電極パターン４４ａ内に形成される電極層２６の内側端面２６ａは、ハードバイアス層２４が形成されていない絶縁層４５上に形成されることになる。
【０１３１】
なお前記電極層２６はスパッタ以外にもＩＢＤなどによって形成することもできる。そして前記レジスト層４４を除去する。
【０１３２】
次に図２０に示す工程では、前記磁気検出素子を記録媒体との対向面からＡ−Ａ線までハイト出し加工をする。これによって前記磁気抵抗効果膜２３の直流抵抗値を所定の範囲内に定めている。また前記ハイト出し加工によって、前記磁気抵抗効果膜２３、ハードバイアス層２４及び電極層２６が露出する。なお図２０の下図は、ハイト出し加工後における磁気検出素子の部分正面図を示している。
【０１３３】
以上詳述した本発明における磁気検出素子の製造方法では、図１４工程でハードバイアス層２４をレジスト層４２を利用して形成した後、このレジスト層４２を除去し、図１８工程で電極層２６を形成するためのレジスト層４４を新たに形成している。
【０１３４】
従来では、ハードバイアス層２４と電極層２６とを同じレジスト層を用いて形成していたが、本発明のようにハードバイアス層２４と電極層２６とを別々のレジスト層を用いて形成することにより、前記電極層２６の形状の自由度を増すことができる。
【０１３５】
そして本発明では、前記電極層２６の一部を磁気抵抗効果膜２３上にオーバーラップさせるとともに、前記磁気抵抗効果膜２３のハイト方向後方では、前記ハードバイアス層２４が形成されていない絶縁層２６の上に、前記電極層２６の内側端面２６ａを形成することが可能になり、トラック幅のばらつきが少なく狭トラック化に適切に対応可能な磁気検出素子を容易に形成することが可能になるのである。
【０１３６】
なお図３や図４に示す電極層２６やハードバイアス層２４の形状にするには、図１４工程時のレジスト層４２のバイアスパターン４２ａの形状や、図１８工程時のレジスト層４４の電極パターン４４ａの形状を、図３や図４に示す電極層２６やハードバイアス層２４の形状に露光現像すればよい。
【０１３７】
また図５のように、ハードバイアス層２４と電極層２６間に強磁性層２９及び反強磁性層３０を介在させるには、図１７工程後、図１８工程前に、前記強磁性層２９及び反強磁性層３０形成のためのレジスト層を形成して、前記強磁性層２９及び反強磁性層３０を形成し、その後、図１８工程を行う。
【０１３８】
また図１２のように、電極層を２層構造にするには、図１４工程時に、ハードバイアス層２４と平坦化層５０を同じレジスト層４２を用いてスパッタあるいはイオンビームスパッタで成膜する。その後の工程は上記と同じである。
【０１３９】
なお本発明における磁気検出素子は、ハードディスク装置に搭載される薄膜磁気ヘッドにのみ使用可能なものではなく、テープ用磁気ヘッドや磁気センサなどにも使用可能なものである。
【０１４０】
【発明の効果】
以上詳述した本発明によれば、電極層を磁気抵抗効果膜上にオーバーラップさせて形成しているため、前記磁気抵抗効果膜をトラック幅Ｔｗよりも長い幅寸法で形成することができ、よって狭トラック化の要請によっても、前記磁気抵抗効果膜の幅寸法を適切に規制することで、所定幅の感度領域を保つことができる。
【０１４１】
しかも本発明では、前記磁気抵抗効果膜のハイト方向後方に形成された電極層の内側端面を、その下にバイアス層が形成されていない領域に形成している。
【０１４２】
このように前記内側端面の下にバイアス層が形成されていないことで、前記電極層から流れるセンス電流が前記バイアス層へ分流するのを適切に抑制することができ、磁気抵抗効果膜上でオーバーラップする前記電極層の内側先端部での電流密度を向上させることが可能である。
【０１４３】
よって本発明では再生出力の向上を図ることができると共に、バイアス層から不感領域に分流するセンス電流を抑制して、電極層の内側先端部から磁気抵抗効果膜の感度領域に適切にセンス電流を流すことが可能になるため、従来のようにトラック幅が広がる不具合はなく、狭トラック化に対応できると共にトラック幅Ｔｗのばらつきを抑えることが可能な磁気検出素子を製造することが可能になっている。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明における第１の実施形態の磁気検出素子を備えた薄膜磁気ヘッドを記録媒体との対向面側から見た部分断面図、
【図２】図１に示す磁気検出素子を真上から見た部分平面図、
【図３】別の磁気検出素子の形態を真上から見た部分平面図、
【図４】別の磁気検出素子の形態を真上から見た部分平面図、
【図５】本発明における第２の実施形態の磁気検出素子を備えた薄膜磁気ヘッドを記録媒体との対向面側から見た部分断面図、
【図６】図５に示す磁気検出素子を真上から見た部分平面図、
【図７】本発明における別の形態の磁気検出素子を備えた薄膜磁気ヘッドを記録媒体との対向面側から見た部分断面図、
【図８】本発明における磁気検出素子の構造を記録媒体との対向面側から見た部分拡大断面図、
【図９】本発明における別の磁気検出素子の構造を記録媒体との対向面側から見た部分拡大断面図、
【図１０】本発明における別の磁気検出素子の構造を記録媒体との対向面側から見た部分拡大断面図、
【図１１】本発明における別の磁気検出素子の構造を記録媒体との対向面側から見た部分拡大断面図、
【図１２】本発明における別の磁気検出素子の構造を記録媒体との対向面側から見た部分拡大断面図、
【図１３】本発明における別の磁気検出素子の構造を記録媒体との対向面側から見た部分拡大断面図、
【図１４】図１３に示す磁気検出素子の製造方法を示す一工程図、
【図１５】図１４に示す工程の次に行われる一工程図、
【図１６】図１５に示す工程の次に行われる一工程図、
【図１７】図１６に示す工程の次に行われる一工程図、
【図１８】図１７に示す工程の次に行われる一工程図、
【図１９】図１８に示す工程の次に行われる一工程図、
【図２０】図１９に示す工程の次に行われる一工程図、
【図２１】従来における磁気検出素子を記録媒体との対向面側から見た部分断面図、
【図２２】従来における別の磁気検出素子を記録媒体との対向面側から見た部分断面図、
【図２３】図２２の磁気検出素子を真上から見た部分平面図、
【図２４】図２２、２２に示す磁気検出素子の製造方法を示す一工程図、
【図２５】図２４に示す工程の次に行われる一工程図、
【図２６】図２５に示す工程の次に行われる一工程図、
【図２７】図２６に示す工程の次に行われる一工程図、
【符号の説明】
２１  下部シールド層
２２  下部ギャップ層
２３  磁気抵抗効果膜
２４  ハードバイアス層
２５  絶縁層（バックフィルギャップ）
２６  電極層
２６ａ  （電極層の）内側先端部
２６ｂ  （電極層の）内側端面
２７  上部ギャップ層
２８  上部シールド層
２９  強磁性層
３０  反強磁性層
４１  基板
４２、４３、４４  レジスト層
４４ａ  電極パターン
４４ｂ（電極パターンの）内側端面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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