(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極を有する複数のＩＣチップと、
前記複数のＩＣチップを搭載したダイパッドと、
前記ダイパッドに搭載され、金属プレートと前記金属プレートの上に設けられた絶縁層と前記絶縁層の上に設けられた導電性のパターンとを有するプレートと、
前記複数のＩＣチップの前記電極と前記導電性のパターンとを電気的に接続することにより、前記複数のＩＣチップの相互間を電気的に接続する導電性接続手段と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、
前記プレートの上面のみ、下面のみまたは上・下両面には、前記導電性パターンと前記導電性接続手段とのコンタクト部分以外に凸部分が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置において、
前記ダイパッドは、穴を有しており、
前記プレートの下面のみ、または、上・下両面には、前記導電性パターンと前記導電性接続手段とのコンタクト部分以外に凸部分が設けられ、
前記凸部分のうち前記プレートの下面に設けられたものは、前記穴から突出していることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項２または３に記載の半導体装置において、
前記凸部分は、前記導電性接続手段が前記モールド部分から露出しない高さに設けられたものであることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載の半導体装置において、
前記凸部分の少なくとも一部は、前記モールド部分から露出していることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
第１の凸部分を有するプレートと、
穴を有するダイパッドであって、前記第１の凸部分が前記穴から突出するように前記プレート上に設けられたダイパッドと、
電極を有するＩＣチップであって、前記ダイパッド上に設けられた複数の前記ＩＣチップと、
前記複数のＩＣチップの前記電極と前記導電性のパターンとを電気的に接続することにより、前記ＩＣチップの相互間を電気的に接続する導電性接続手段と、を有することを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、半導体装置の構造に関するもので、特にパッケージ内部に封入されるＩＣチップが複数ある場合に、ＩＣチップ間の電気的な接続構造を考慮した半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来この種の半導体装置は、例えばパッケージにＩＣチップを２チップ搭載する場合、図２５に従来の半導体装置の第一の例に関する断面図を示すが、本例によると、ＩＣチップａ・１、ＩＣチップｂ・２は、ダイパッド３上に銀ペースト等の接着剤７によって接合され、金線４によって各々電極ｃ・１０、電極ｄ・１１からダイパッド３の周辺に設けられたリード５に対して電気的に接続され、またＩＣチップａ・１、ＩＣチップｂ・２間も金線４によってＩＣチップａ・１上の電極ａ・８を１ｓｔボンディング側（ワイヤに形成された金ボールを電極に加熱圧着する側）とし、電極ａ・８からＩＣチップｂ・２上の電極ｂ・９へ金線４を引き、電極ｂ・９を２ｎｄボンディング側（金線を加熱圧着するとともにボンディング用の治具によって金線を分離する側）とするようになっていた。なお、ワイヤボンディング後は、封止材６で封止し、必要に応じてリードを整形加工することもある。
【０００３】
また、図２６には、従来の半導体装置の第二の例に関する断面図を示すが、本例によると、ＩＣチップａ・１、ＩＣチップｂ・２は、基板１２上に接着剤７によって接続され、各々の電極から基板１２上の配線パターン１３に対して金線４によって電気的に接続され、さらに基板１２上の配線パターン１３とリード５を金線４を用いて電気的に接続することによって、ＩＣチップａ・１、ＩＣチップｂ・２とリード５は配線パターン１３を介して間接的に電気的な接続をされるようになっていた。なお、図２６中に点線で示すように、ＩＣ上の電極ｄ・１１から直接金線４等で電気的コンタクトをとることもある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
前述の半導体装置においては、例えば第一の例の場合は、図２７に従来の半導体装置の第一の例に関する２ｎｄボンディング側での金線切断状態を示す断面図を示すが、ＩＣチップｂ・２の２ｎｄボンディング側である電極ｂ・９においては、金線４をカットするためにワイヤボンディング治具１４によって加えられる荷重によって電極ｂ・９にクラック１５等のダメージが発生する可能性があるとともに、金線４が電極ｂ・９の周辺でＩＣチップｂ・２の上面に点線で示すように下降して接触し、電極の開口部が周辺にあった場合は接触した金線４によってショートすることがあるという課題を有していた。また所望の電極間が離れている場合は、金線が長くなったり、交差したりして金線間や金線とＩＣチップとの間でショートが発生する可能性が生じるという課題もあった。またＩＣチップ間を直接ワイヤボンディングすることは、もし直接ワイヤボンディングされた電極からさらに他の電極との接続や外部との入出力を行いたいときは実施できないという課題もあった。
【０００５】
また第二の例の場合、一般的にはパッケージ内部に用いる基板１２の厚さが約０．４ｍｍ以上になるため、パッケージの厚さ方向の寸法、すなわち図２６における上下方向の寸法に関して、基板の厚さ、ＩＣチップの厚さ、金線の高さの合計が厚くなり（すなわち厚さ方向において、封止材で覆う分の厚さは逆に薄くなり）、例えば厚さ１ｍｍ程度のパッケージを製造する場合は、封止後に金線やＩＣチップ、または基板が封止材から露出する可能性が生じ、品質上の問題となることがあった。また、ＩＣチップを基板上に搭載するため基板サイズが大きくなり、樹脂封止時のパッケージ内部の抵抗が大きくなり、基板自体が封止樹脂によって圧力を受け、パッケージから露出したりする可能性もある。さらに、サイズの大きい基板を使用することは、材料費が高くなりパッケージのコストがアップしてしまうという課題があった。
【０００６】
本発明の目的は、以上のような半導体装置に関し、ＩＣチップ間の電気的接合によって発生する可能性のある、ＩＣチップ上の電極におけるダメージやショートが発生するという問題がなく、また同時にパッケージの薄型化を実現できる半導体装置を供給しようとするもので、特に次のような目的を有する。
【０００７】
１．ＩＣ間の電気的コンタクトをとるのに、中間に中継部を設けてＩＣチップに直接ダメージが加わらないようにする半導体装置の供給。
【０００８】
２．中継部をＩＣチップ間の電気的コンタクトのみならず、外部とのコンタクトもとれるようにする半導体装置の供給。
【０００９】
３．パッケージ内部に中継部を設けたことによりパッケージ内部体積が大きくなり、封止材封入時におけるパッケージ内部の抵抗によって中継部やＩＣチップがパッケージ外部に露出しないようにするもので、凸部を持った中継部を有する半導体装置の供給。
【００１０】
４．パッケージ内部に中継部を設けたことによりパッケージ内部体積が大きくなり、封止材封入時におけるパッケージ内部の抵抗によって中継部やＩＣチップがパッケージ外部に露出しないようにするもので、凸部を持った中継部が中継部を固定するダイパッド裏面に広い面で固定され傾きにくくした半導体装置の供給。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
（１）本発明の半導体装置は、電極を有する複数のＩＣチップと、
前記複数のＩＣチップを搭載したダイパッドと、
前記ダイパッドに搭載され、金属プレートと前記金属プレートの上に設けられた絶縁層と前記絶縁層の上に設けられた導電性のパターンとを有するプレートと、
前記複数のＩＣチップの前記電極と前記導電性のパターンとを電気的に接続することにより、前記複数のＩＣチップの相互間を電気的に接続する導電性接続手段と、
を有することを特徴とする。
（２）本発明の半導体装置は、第１の凸部分を有するプレートと、
穴を有するダイパッドであって、前記第１の凸部分が前記穴から突出するように前記プレート上に設けられたダイパッドと、
電極を有するＩＣチップであって、前記ダイパッド上に設けられた複数の前記ＩＣチップと、
前記複数のＩＣチップの前記電極と前記導電性のパターンとを電気的に接続することにより、前記ＩＣチップの相互間を電気的に接続する導電性接続手段と、を有することを特徴とする。
【００１２】
【作用】
予め所望の導電性のパターンを絶縁層の上に形成されたプレートをダイパッド上に搭載し、ＩＣチップ間で接続する必要のある電極を、導電性接合手段を用いて該プレート上の導電性パターンに相互に接続し、特にＩＣチップ側を１ｓｔボンディング側として、導電性パターンを介してＩＣチップ間の電気的コンタクトをとることによって、２ｎｄボンディング側がＩＣチップ上に来ることがないので、ＩＣチップ間を直接ワイヤボンディングする場合に２ｎｄボンディング側となるＩＣチップ上の電極において発生する可能性のあるクラック等のダメージや、金線がＩＣチップ上の開口部に接触することに起因するショートが発生しない。また導電性パターンを形成され、かつダイパッド上に搭載され、ＩＣチップと導電性接合手段によって電気的に接合されたプレートからダイパッド周辺に設けられたリードにも必要に応じて導電性接合手段を中継して電気的に接続することによって、金線が長くなったり交差したりせずにプレート上の導電性パターンを介してＩＣチップ間の電気的コンタクトのみならず、外部とのコンタクトもとれる。さらに該プレート片面または両面に凸部を設け、該プレート上の平坦部分にパターンを形成し、平坦部をダイパッドに搭載するか、ダイパッドに穴を設け、ダイパッド裏面より穴を通して凸部を突出させることによって、凸部が支えとなってダイパッドの浮きを押さえることができ、パッケージの厚さを薄くしてもダイパッド浮きによる金線やＩＣチップ、ダイパッドの封止部分からの露出といった不具合がなくなる。また、いずれの場合もプレートの大きさに関しては、ＩＣチップ上の電極のうち、電気的中継が必要な電極の分だけ配線パターンを形成すれば良いので、基板サイズ（面積）を小さくすることができ、基板上にＩＣチップを搭載する方式に比べ資材費を低く押さえることが出来る。
【００１３】
【実施例】
本発明の実施例を以下に説明する。
【００１４】
図１は、本発明の半導体装置に関する第一の実施例のパッケージ内部の平面図である。図１によれば、本発明の半導体装置は、ダイパッド３上にＩＣチップａ・１、ＩＣチップｂ・２が搭載され、さらにダイパッド３上に導電性の配線パターン１３が形成されたプレート１７が搭載される。ＩＣチップａ・１上の電極ａ・８、及びＩＣチップｂ・２上の電極ｂ・９は各々１ｓｔボンディング側とし、プレート１７上の配線パターン１３を２ｎｄボンディング側として金線４によってワイヤボンディングされている。そのほかリードに直接ワイヤボンディングする電極のうちＩＣチップａ・１のプレート１７と反対側の電極ｃ・１０、ＩＣチップｂ・２のプレート１７と反対側の電極ｄ・１１、ＩＣチップａ・１の側面側の電極ｅ・１８、ＩＣチップｂ・２の側面側の電極ｄ・２４に関しては、金線４を用いて直接電極からリード５へワイヤボンディングされている。ワイヤボンディングの順序はどの電極から始めても良い。すなわち、本発明のポイントは常に１ｓｔボンディング側がＩＣチップの電極になることであって、ワイヤボンディングの順序は問題にならない。次にさらに詳しく説明するために、図２に本発明の半導体装置に関する第一の実施例のパッケージ内部の断面図を示すが、図２によれば本発明の第一の実施例の場合に用いられるプレート１７は接着剤７によってダイパッド３に接合されているが、接着剤７は必要に応じて導電性でも非道電性でも構わない。図２中で、導電性の配線パターン１３は、プレート１７上の絶縁層１６の上に形成されている。接着剤７の材質は、ポリイミドやアルミ箔、ポリエチレンの両面テープのようなテープ材でも銀ペーストやエポキシ樹脂のような液状の接着剤でも良いがプレート１７の高さの安定性を考えると厚さの安定しているテープ材の方がよい。なおプレートの厚さは、金線４がパッケージから飛び出さない程度であれば良いのであって、特に限定する必要はないがダイパッドへの張り付け前の取扱易さを考えると、樹脂基板で０．２ｍｍ以上、金属板で０．１ｍｍ程度以上はあった方がよい。もちろん、基板の厚さとＩＣチップ（ａ・１またはｂ・２）の厚さと金線の厚さを足した合計がパッケージの厚さ以内にしなければならないのは言うまでもない。またプレート１７の材質も導電性か非導電性かは必要に応じて決定する。材質としては、ポリイミド樹脂基板、ガラスエポキシ基板、ＢＴレジン等の樹脂基板やセラミック基板、アルミや銅等の金属の板に酸化膜形成やポリイミドフィルム貼付け等の絶縁処理をしその上に金や銅の薄膜導電パターンを形成したものでもよい。コスト面からすれば樹脂基板が有利であるがプレートの反りや耐湿性等の信頼性を考慮すれば金属のプレートの方がよい。図３には本発明の半導体装置の第一に関するプレートの形成方法を示した斜視図を示す。図３（ａ）はプレート１７の斜視図で、基になる板であるが、材質については前述のとおりである。次に、図３（ｂ）はプレートの上に絶縁層を形成した時の斜視図であるが、絶縁層は酸化膜やエポキシ樹脂、ポリエステルシート等プレートと電極を絶縁していれば特に材質は特定しなくてもよい。またプレートが絶縁性の材質の場合は、絶縁層１６を形成しなくてもよい。（すなわち、プレート上に直接配線パターン１３を形成してもよい。）次に図３（ｃ）は配線パターンの層を形成した時の斜視図で、配線パターンは、初めは絶縁層１６上一帯に形成される。次に図３（ｄ）は表面に感光性のレジスト２７を塗布したときの斜視図で、絶縁層１６上に形成された配線パターン１３上に感光性のレジスト２７が塗布される。さらに図３（ｅ）はレジストに必要なパターン２８を焼き付けた場合の斜視図である。レジスト２７上にはＩＣチップ間を中継するためのパターン２８が、必要なパターンの形状に、必要な形状をトレースしたマスク（例えば鉄や銅、アルミ等の金属やガラスにアルミや銅、金等のパターンを塗布したもの）によって紫外光を必要な部分にだけ限って当てることによって焼き付けられる。図３（ｆ）は、不必要なレジストが除去された時の斜視図で、不必要なレジスト（すなわち焼き付けられなかった部分）を取り除く。除去方法は、酸系の溶液、例えば硫酸や過酸化水素水を用いて剥離させる。図３（ｇ）は個別に配線パターン１３を形成したときの斜視図で、図３（ｆ）で残されたレジストの形状にエッチングして必要なパターン以外を除去したものである。エッチングの方法は、ウェット、電解、ドライ、無電解何れの方法でもよい。最後に、図３（ｈ）にプレートの配線パターンの出来上りの斜視図を示したが、配線パターン１３の上のレジストは、紫外光による表面の変質層をプラズマや或は研磨等の機械的方法でもよいが除去した後に、硫酸や過酸化水素水等の酸系の溶液で除去し、配線パターン１３のみを、絶縁層１６の上に形成する。何れにしても、基板の上に絶縁層を設けて（基板自身が非道電性であれば絶縁層は形成する必要はない）、その上に導電性の配線パターンさえ形成されていればよい。
【００１５】
図４は、本発明の半導体装置に関する第二の実施例に関するパッケージ内部の平面図を示すが、本実施例はプレート１７に対するＩＣチップ電極が複数共用できる場合に関するもので、プレート１７上の共通の配線パターン２５は各電極のペア（例えば図１における電極ａ・８、電極ｂ・９各々の組合せ）個別に設けず、共通の配線パターン２５とし、これに各電極ａ・８、電極ｂ・９から配線する。プレート周辺の詳細については、図５に本発明の半導体装置の第二の実施例に関するプレート周辺の斜視図を示すので参照されたい。
【００１６】
また、図６には本発明の半導体装置の第三の実施例に関するパッケージ内部の平面図を示すが、本実施例は本発明の請求項１に関する半導体装置の第２の実施例のごとく共通の配線パターンを設ける代わりにプレート１７の材質を銅や鉄等の金属のままとし、前述のごとく絶縁処理や配線パターンを設けず導電性のままとして各電極ａ・８、ｂ・９からプレート１７に直接接続したもので、わかりやすくするために図７に本発明の半導体装置の第三の実施例に関するプレート付近の斜視図を示す。本実施例の場合には、請求項１による第２の実施例のようにパターンの形成が要らない。
【００１７】
また図８には、本発明の半導体装置の第四の実施例に関するパッケージ内部の平面図を示すが、本実施例はプレート１７に対しＩＣチップａ・１、ｂ・２の電極が一部共通で一部独立した場合で、独立した電極は銅や鉄などの金属のプレート１７の一部に前述のごとく絶縁層１６を設け、その上に導電性の共通の配線パターン２５を形成し、この共通の配線パターン２５にＩＣチップａ・１、ＩＣチップｂ・２を１ｓｔボンディング側とし、プレート１７上の共通の配線パターン２５を２ｎｄボンディング側としてワイヤボンディングし、共通電極部分はプレート１７の地を２ｎｄボンディング側として直接ボンディングしたものである。わかりやすくするために、図９に本発明の半導体装置の第四の実施例に関するプレート付近の斜視図を示すので図８と併せて参照されたい。
【００１８】
次に図１０に、本発明の半導体装置に関する第五の実施例のパッケージ内部の平面図を示す。図１０によれば本発明の第五の実施例の場合、第一〜第四の実施例の構造に加え、さらに金線４によってプレート１７の配線パターン１３とリード５との間で電気的コンタクトがとられている。図１１は本発明の半導体装置に関する第五の実施例のプレート付近の斜視図である。配線パターン１３は図１０のように凸型に変形させても、図１のように長方形でも、△でも◇でもワイヤボンディングできればどの様な形でも良い。本実施例の場合は、ＩＣチップ間で電気的接続が可能なことに加え、さらにＩＣチップ間で接続された電極と外部との信号のやり取りが可能になる。またＩＣチップａ・１の近辺にあるリードに対してもプレート１７上の配線パターン１３を介してＩＣチップｂ・２から導通を得ることができ、ＩＣチップ上の電極とリードが離れていても電気的に接続できる点での実施例とは相違性を有する。
【００１９】
次に図１２に、本発明の半導体装置に関する第六の実施例のパッケージ内部の平面図を示す。図１２によれば、本発明の第一〜第四の実施例の構造に加え、プレート１７に金線４より高い凸部ａ・２０を設けている。さらに詳しく説明するために図１３に、本発明の半導体装置に関する第六の実施例のパッケージ内部の断面図を示す。図１３によれば、金線４より高い凸部ａ・２０はパッケージの外周部に達していて、基板がそれ以上浮かないようにストッパになっている。但し図１３の凸部ａ・２０の点線の部分に示すように、パッケージの外周にまで達していなくてもよい。これは、基板が浮いたときのストッパになれば良いので、通常はパッケージの内部に隠れる程度の寸法で金線の高さより高ければよい。図１４には、本発明の半導体装置に関する第六の実施例の凸部の形成方法を示す斜視図を示す。先ず図１４（ａ）は、凸部とその取付前の状態を示す斜視図であるが、図１４（ａ）によれば凸部ａ・２０は、予め旋盤による研削加工、或は金型による射出成形等によって形成しておく。形は図１４（ａ）のごとく円筒型でも角柱でも、何でもよいがプレート１７との接合面は特に平坦にしておく。プレート１７と凸部の接合は接着剤７によっておこなう。接着剤７の材質は前述のとおり。次に図１４（ｂ）は凸部とその取付後の状態を示す斜視図であるが、凸部ａ・（２０）は接着剤７によってプレート１７に接合されている。本実施例の場合、樹脂封止の際にダイパッド３が図１３の上方向に浮いても凸部ａ・２０がストッパになって金線４が封止材の外に露出しないという点で第一〜第五の実施例と相違性を有する。
【００２０】
また図１５に、本発明の半導体装置に関する第七の実施例のパッケージ内部の裏面側の平面図を示す。図１５によれば、本発明の第一〜第四の実施例の構造に加え、プレート１７にパッケージの下方向に向けた凸部ｂ・２１を設け、さらにダイパッド３に穴２２を開けておき、この穴２２にプレート１７の凸部ｂ・２１を通している。さらに詳しく説明するために図１６に、本発明の半導体装置に関する第七の実施例のパッケージ内部の断面図を示す。図１６によれば、プレート１７に設けられたパッケージの下方向に向けた凸部ｂ・２１は、穴２２を通ってパッケージの下側に貫通している。ＩＣチップａ・１、ＩＣチップｂ・２とプレート１７との電気的コンタクトは、プレート１７上の凸部と反対側に設けられた配線パターン１３と各ＩＣチップ上の電極ａ・８、電極ｂ・９とを金線４で結ぶことでとられている。凸部ｂ・２１とプレート１７の接合は接着剤７で行う。本実施例の場合は、樹脂封止の際にダイパッド３が図の下方向に下げられるようなことがあっても、凸部ｂ・２１がストッパになってダイパッド３が封止材６の外に露出しないという点で前述の各実施例と相違性を有する。
【００２１】
次に図１７に、本発明の半導体装置に関する第八の実施例のパッケージ内部の平面図を示す。ここで、図１７（ａ）はＩＣチップの搭載された表面の平面図、図１７（ｂ）は裏面の平面図を示す。図１７（ａ）によれば、本発明の第一の実施例の構造に加え、プレート１７に本発明の半導体装置に関する第六の実施例のように凸部ａ・２０を設け、また図１１（ｂ）によればプレート１７の下面には本発明の半導体装置に関する第七の実施例のようにパッケージの下方向に向けた凸部ｂ・２１を設けてダイパッド３の穴２２を通って凸部ｂ・２１が突出している。
【００２２】
さらに詳しく説明するために図１８に、本発明の半導体装置に関する第八の実施例のパッケージ内部の断面図を示す。図１８によれば、プレート１７上面には凸部ａ・２０が、また下面にはパッケージの下方向に向けた凸部ｂ・２１がそれぞれ設けられ、凸部ｂ・２１はダイパッド３の穴２２を通ってパッケージの下側に貫通している。ＩＣチップａ・１、ＩＣチップｂ・２とプレート１７との電気的コンタクトは、プレート１７に設けられた配線パターン１３と各ＩＣチップ上の電極ａ・８、電極ｂ・９とを金線４で結ぶことでとられている。本実施例の場合は、樹脂封止の際にダイパッド３が図の上方向または下方向のどちらの方向に動かされても、凸部ａ・２０及び凸部ｂ・２１がストッパになって金線４やダイパッド３が封止材６の外に露出しないという点で前述の各実施例と相違性を有する。なお、凸部ａ・２０、凸部ｂ・２１の形成方法は、図１４で説明した方法に準ずるものとする。
【００２３】
次に図１９に、本発明の半導体装置に関する第九の実施例のパッケージ内部の平面図を示す。図１９によれば、本発明の第一の実施例の構造に加え、プレート１７に金線４との電気的接続用配線パターン１３を形成した凸部ｃ・２３を設け、ダイパッド３の穴２４を通してダイパッド３の上側すなわちＩＣチップの搭載側で突出させている。さらに詳しく説明するために、図２０に、本発明の半導体装置に関する第九の実施例のパッケージ内部の断面図を示す。図２０によれば、プレート１７に設けられた金線４との電気的接続用配線パターン１３を形成した凸部ｃ・２３は、ダイパッド３の穴２４を通してダイパッド３の上側すなわちＩＣチップ側へ突出している。プレート１７は接着剤７でダイパッド３へ接合されている。図２１に本発明の半導体装置に関する第九の実施例の凸部ｃ・２３の形成方法を示す斜視図を示す。図２１（ａ）は基になるプレート１７の斜視図である。次に図２１（ｂ）はプレート１７上に酸化膜やエポキシ樹脂等の絶縁層１６を形成し、さらにその上に導電性の配線パターン１３を形成した時の斜視図（絶縁層の材質及び配線パターンの形成方法については図３の説明を参照願いたい。）、図２１（ｃ）はさらに配線パターン１３上に感光性のレジスト２７を塗布したときの斜視図。図２１（ｄ）は、配線パターン１３の上に必要な形状をレジスト上に焼き付けたときの斜視図で、最終的に残したいパターンの部分（つまり配線パターン１３の部分・図の斜線部分）を露光させる。図中では斜線の部分が露光して硬膜化したレジスト２８である。露光の方法については図３の方法に従う。図２１（ｅ）は、凸部を形成したときの斜視図である。ダイパッドに接合する部分をカットしたもので図の点線の部分である。カットする深さは、導電性のパターンを形成されたプレートが最終的な製品から飛び出さない程度であればよいが、概ね、カットした部分の残りの厚さが０．２ｍｍ以上あれば強度上問題はない。点線部分の加工はフライスでも旋盤でも、研磨でもカットさえできれば何を用いてもよいが、フライスまたは旋盤程度の加工でよい。図２１（ｆ）は凸部２１の出来上り状態を示す斜視図で、配線パターン部以外の未硬化のレジスト２９（図２１（ｅ）参照）を除去し、さらにエッチングして本図では中央部の不要なパターン（点線で示す）を除去し、両端の硬膜化したレジスト２８を落したものである。硬膜化したレジストの除去については図３（ｈ）の説明を参照のこと。図２２は本発明の半導体装置に関する第九に実施例のプレートの実装方法を示す斜視図を示す。図２２によれば、プレート１７は、図ではダイパッド３の下方より凸部を上にして接着剤７を介してダイパッド３に接着される。接着剤７は先にプレート１７またはダイパッド３の接合面に塗布しても良いし、テープならばその都度貼ってもよい。接着剤７の材質は前述のとおり。本実施例の場合、ダイパッド３とプレート１７との接合面を広く取れるので、ダイパッド３とプレート１７の接合強度が高くなる上に、プレート１７のダイパッド３より下側の部分の面積が必要に応じて広く取れる（場合によってはダイパッド３より広くできる）ので、樹脂封止時にダイパッド３が図２０における下側に押し下げられても、プレート１７が広い面でストッパとして作用するため、より確実にダイパッド３が封止材６の外に露出することを防ぐという点で前述の各実施例と相違性を有する。
【００２４】
次に図２３に、本発明の半導体装置に関する第十の実施例のパッケージ内部の平面図を示す。図２３によれば、本発明の第一の実施例の構造に加え、プレート１７に設けた金線４との電気的接続用配線パターン１３を形成した凸部ｃ・２３の上方にさらに凸部ｄ・１９を設け（凸部ｄ・１９の形成方法は凸部ａ・２０の形成方法と同様にする。図１４の説明を参照のこと。）、ダイパッド３に穴２４を開けておき、上向きの凸部ｃ・２３、凸部ｄ・１９を穴２２から突出させる。さらに詳しく説明するために、図２４に、本発明の半導体装置に関する第十の実施例のパッケージ内部の断面図を示す。図２４によれば、プレート１７に設けた凸部ｃ・２３とその上方に設けられた凸部ｄ・１９は、ダイパッド３の穴２４を貫通してダイパッド３の上面に突出している。金線４はＩＣチップａ・１、ｂ・２の各々の電極から凸部ｃ・２０に設けられた配線パターン１３に配線パターン側を２ｎｄボンディング側としてワイヤボンディングされる。本実施例の場合、ダイパッド３とプレート１７との接合面を広く取れる上に樹脂封止時にダイパッド３が図の上側または下側のどちらにに押されても、プレート１７のダイパッド３より下側の部分や凸部ｄ１９がストッパとなるので、ダイパッド３や金線４が封止材６の外に露出しないという点で前述の各実施例と相違性を有する。
【００２５】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、予め所望の導電性のパターンを形成されたプレートをダイパッド上に搭載し、プレート上の導電性配線パターンに、該ＩＣチップの電極のうちＩＣチップ間で接続する必要のあるものを１ｓｔボンディング側として導電性接合手段を用いて接続し、導電性配線パターンを介してＩＣチップ間の電気的コンタクトをとることによって、２ｎｄボンディング側がＩＣチップ上に来ることがないので、ＩＣチップ間を直接ワイヤボンディングする場合に発生する可能性がある２ｎｄボンディング側ＩＣチップ上の電極におけるクラック等のダメージの発生や金線がＩＣチップ上の開口部に接触することに起因するショートが発生しない。また導電性配線パターンを形成されダイパッド上に搭載され、ＩＣチップと導電性接合手段によって電気的に接合されたプレートからダイパッド周辺に設けられたリードにも必要に応じて導電性接合手段を介して電気的に接合することによって、ＩＣチップ間の電気的接続をとりつつ、それらのＩＣチップ間接続電極と外部との信号のやり取りが可能になる。さらに該プレート片面または両面に凸部を設けることによって、凸部がストッパとなってダイパッドの浮きを押さえることができ、パッケージの厚さをを薄くしてもダイパッド浮きによる金線やＩＣチップ、ダイパッドの封止部分からの露出といった不具合がなくなるという効果を有する。また、ダイパッドに穴を設け、ダイパッドに穴を設け、プレートをダイパッドに接着すると共に、プレートに設けた凸部をダイパッドの穴から突出させることによって、より広い面でダイパッドにプレートを固定することが出来、プレートが取れにくく、かつ高さが安定する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体装置に関する第一の実施例のパッケージ内部の平面図。
【図２】本発明の半導体装置に関する第一の実施例のパッケージ内部の断面図。
【図３】本発明のプレートの形成方法を示した斜視図。
【図４】本発明の半導体装置の第二の実施例に関する平面図。
【図５】本発明の半導体装置の第二の実施例に関するプレート周辺の斜視図。
【図６】本発明の半導体装置に関する第三の実施例に関するパッケージ内部の平面図。
【図７】本発明の半導体装置に関する第三の実施例に関するプレート付近の斜視図。
【図８】本発明の半導体装置に関する第四の実施例に関するパッケージ内部の平面図。
【図９】本発明の半導体装置に関する第四の実施例に関するプレート付近の斜視図。
【図１０】本発明の半導体装置に関する第五の実施例のパッケージ内部の平面図。
【図１１】本発明の半導体装置に関する第五の実施例のプレート付近の斜視図。
【図１２】本発明の半導体装置に関する第六の実施例のパッケージ内部の平面図。
【図１３】本発明の半導体装置に関する第六の実施例のパッケージ内部の断面図。
【図１４】本発明の半導体装置に関する第六の実施例の凸部の形成方法を示す斜視図。
【図１５】本発明の半導体装置に関する第七の実施例のパッケージ内部の裏面側の平面図。
【図１６】本発明の半導体装置に関する第七の実施例のパッケージ内部の断面図。
【図１７】本発明の半導体装置に関する第八の実施例のパッケージ内部の平面図。
【図１８】本発明の半導体装置に関する第八の実施例のパッケージ内部の断面図。
【図１９】本発明の半導体装置に関する第九の実施例のパッケージ内部の平面図。
【図２０】本発明の半導体装置に関する第九の実施例のパッケージ内部の断面図。
【図２１】本発明の半導体装置に関する第九の実施例の凸部ｃの形成方法を示す斜視図。
【図２２】本発明の半導体装置に関する第九の実施例のプレートの実装方法を示す斜視図。
【図２３】本発明の半導体装置に関する第十の実施例のパッケージ内部の平面図。
【図２４】本発明の半導体装置に関する第十の実施例のパッケージ内部の断面図。
【図２５】従来の半導体装置の第一の例に関する断面図。
【図２６】従来の半導体装置の第二の例に関する断面図。
【図２７】従来の半導体装置の第一の例に関する２ｎｄボンディング側での金線切断状態を示す断面図。
【符号の説明】
１．ＩＣチップａ
２．ＩＣチップｂ
３．ダイパッド
４．金線
５．リード
６．封止材
７．接着剤
８．電極ａ
９．電極ｂ
１０．電極ｃ
１１．電極ｄ
１２．基板
１３．配線パターン
１４．ワイヤボンディング治具
１５．クラック
１６．絶縁層
１７．プレート
１８．電極ｅ
１９．凸部ｄ
２０．凸部ａ
２１．凸部ｂ
２２．穴
２３．凸部ｃ
２４．穴
２５．共通のパターン
２６．ＩＣチップａの近くにあるリード
２７．レジスト
２８．硬膜化したレジスト
２９．未硬化のレジスト
【図１】
0003599031.tif 000002
【図２】
0003599031.tif 000003
【図３】
0003599031.tif 000004
【図４】
0003599031.tif 000005
【図５】
0003599031.tif 000006
【図６】
0003599031.tif 000007
【図７】
0003599031.tif 000008
【図８】
0003599031.tif 000009
【図９】
0003599031.tif 000010
【図１０】
0003599031.tif 000011
【図１１】
0003599031.tif 000012
【図１２】
0003599031.tif 000013
【図１３】
0003599031.tif 000014
【図１４】
0003599031.tif 000015
【図１５】
0003599031.tif 000016
【図１６】
0003599031.tif 000017
【図１７】
0003599031.tif 000018
【図１８】
0003599031.tif 000019
【図１９】
0003599031.tif 000020
【図２０】
0003599031.tif 000021
【図２１】
0003599031.tif 000022
【図２２】
0003599031.tif 000023
【図２３】
0003599031.tif 000024
【図２４】
0003599031.tif 000025
【図２５】
0003599031.tif 000026
【図２６】
0003599031.tif 000027
【図２７】
0003599031.tif 000028