(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に塗布液が塗布された基板を処理室内に配置し、前記処理室内を密閉空間とした後、前記処理室内を減圧することによって、前記塗布液を乾燥させ、前記基板の上面に被膜を形成する減圧乾燥装置であって、
前記処理室内を前記密閉空間として形成するための密閉空間形成手段と、
前記処理室内の空気を排気することにより前記処理室内を減圧する減圧手段と、
搬送装置によって前記減圧乾燥装置に搬送される前記基板を前記処理室内で受け取り、前記処理室内で前記基板の下面の位置に当接して前記基板を水平に支持する第１支持手段と、
前記処理室内で前記第１支持手段が当接する基板の下面の位置と異なる位置に当接して前記基板を水平に支持する第２支持手段と、
前記基板を前記第１支持手段によって支持する第１支持状態と、前記基板を前記第２支持手段によって支持する第２支持状態とを相互に切り換える切換手段と、
を備えることを特徴とする減圧乾燥装置。
【請求項２】
請求項１に記載の減圧乾燥装置において、
前記第２支持手段は、前記基板の下面に当接する上端部の高さ位置が、前記第１支持状態において前記第１支持手段によって支持される前記基板の下面の高さより下方に配置されており、
前記切換手段は、前記第１支持手段を昇降させる昇降手段を備え、当該昇降手段によって前記第１支持状態にある前記第１支持手段を下降させることにより、前記基板を前記第２支持手段に受け渡すことを特徴とする減圧乾燥装置。
【請求項３】
請求項２に記載の減圧乾燥装置において、
前記第１支持手段は、昇降可能であるとともに上端部を前記基板の下面に当接させて前記基板を水平に支持する複数のリフトピンを備え、
前記第２支持手段は、上端部を前記基板の下面に当接することによって前記基板を支持する複数のピン部材を備え、
前記密閉空間形成手段は、
前記第２支持状態にある前記基板より下方に位置し、周囲に遮蔽部材が設けられたプレート部材と、
前記プレート部材に対して相対的に昇降自在であるとともに、下降時において周辺部が前記遮蔽部材に当接する処理室蓋部と、
前記処理室蓋部を前記プレート部材に対して相対的に昇降させる蓋昇降手段と、
を備えることを特徴とする減圧乾燥装置。
【請求項４】
請求項３に記載の減圧乾燥装置において、
前記蓋昇降手段によって前記処理室蓋部が前記プレート部材に対して相対的に上昇している状態で、前記第１支持手段の前記複数のリフトピンに対して、前記搬送装置による前記基板の搬出入が行われることを特徴とする減圧乾燥装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、プリント基板，ＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）用基板，半導体基板，ＰＤＰ（Ｐｌａｓｍａ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｐａｎｅｌ）用基板，ＬＣＤに用いられるカラーフィルタ用基板等（以下、「基板」）に塗布されたレジスト等の塗布液を減圧乾燥させて、基板にレジスト膜等の被膜を形成する減圧乾燥装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図７は、従来の減圧乾燥装置を示す側面断面図である。この減圧乾燥装置は、処理室（チャンバ）を形成するチャンバ蓋１と下部プレート３とを備えている。チャンバ蓋１は上下に昇降自在であるが、下部プレート３は装置筐体に固定されている。なお、チャンバ蓋１は、シリンダ２によって上下駆動するよう構成されている。また、下部プレート３には、基板を支持するための昇降可能なリフトピン４が挿通される複数の貫通孔１９と、処理室内の空気を排気するための複数の排気口１１と、処理室内にＮ２等のガスを供給するためのガス供給口２５とが形成されている。さらに、下部プレート３の周囲には、Ｏリング１０が設けられており、チャンバ蓋１が下降した際の処理室の密閉状態を確保している。
【０００３】
そして、リフトピン４は昇降台６に固定されるとともに、下部プレート３に設けられた貫通孔１９に挿通されている。さらに、昇降台６は昇降棒７に連結しており、シリンダ８によって昇降棒７が昇降駆動すると、リフトピン４が昇降する構成となっている。そして処理室内の密閉性を確保するために、この下部プレート３と昇降台６との間にベローズ５が設けられている。また、排気口１１には、排気管１２が接続されており、さらに、排気管１２は図示しない真空ポンプに接続されている。また、ガス供給口２５は、ガス供給管２６に連通しており、ガス供給管２６は図示しないガス供給源に接続されている。
【０００４】
このように構成された従来の減圧乾燥装置における基板の処理手順を次に示す。まず、チャンバ蓋１が上昇した状態において、図示しない搬送アームによってその上面に塗布液が塗布された基板２０が処理室内に搬送される。そして、リフトピン４が上昇した位置において、搬送アームが基板２０をリフトピン４の上端部に載置する。基板２０を載置した後、搬送アームは処理室外に退避する。そして、シリンダ８が駆動し、リフトピン４を下降させる。基板２０に対して減圧乾燥処理を行うことが可能な高さ位置まで基板２０を下降させると、リフトピン４は停止するとともに、チャンバ蓋１がシリンダ２の駆動によって下降し、処理室内が密閉される。次に、処理室内を減圧するために、図示しない真空ポンプを作動して処理室内を減圧する。この減圧によって、基板の上面に塗布されたレジスト等の塗布液が乾燥し、基板の上面に被膜を形成する。
【０００５】
基板２０に対する処理が終了すると真空ポンプを停止させ、ガス供給口２５より処理室内にＮ２等のガスを吹き込んで処理室内の減圧状態を解除した後、チャンバ蓋１を上昇させる。そして、シリンダ８を駆動することによってリフトピン４を上昇させ、基板２０を搬送アームに渡す所定の位置まで上昇させる。そこに、搬送アームが進入してきて基板２０を受け取り、処理室外に搬出する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の減圧乾燥装置によって、基板２０の上面に塗布されたレジスト等の塗布液を乾燥させると、基板２０のリフトピン４が接触している付近の領域（接触領域）と、それ以外の領域（非接触領域）とでは、温度差が生じる。これは、基板２０の温度と、リフトピン４の温度が異なるためで、基板２０に対して温度の異なるものが接触すると、その接触した付近の温度が、変化するためである。この温度差のために、基板２０を搬送アームから受け取ってから減圧乾燥処理が終了し再び搬送アームに基板２０を渡すまでの間、同一のリフトピンによって基板を支持しておくと、減圧乾燥処理を終え、基板２０の上面に形成された被膜の乾燥度合いが、接触領域と非接触領域とで異なってしまう。このように領域によって乾燥度合いの異なる被膜が形成された基板２０をナトリウムランプに翳すと、乾燥度合いの違いが濃淡の差であるピン跡として目視できる。
【０００７】
このピン跡の発生は、基板の下面内の任意の位置に基板と温度の異なる物を長時間接触させることに起因する。したがって基板を支持する形態がピン等による支持の場合だけでなく、プレート状の面による支持形態であっても基板に接触した部分がプレート跡となって現れる。
【０００８】
このようなピン跡が発生した基板を用いて、例えば、カラーフィルタを製造して、このカラーフィルタをＬＣＤに備え付けて画像を表示すると、ピン跡に対応した画像ムラが画面に表れるという問題や、ＬＣＤ等を製造した場合は、ピン跡が発生した領域とそれ以外の領域とで、基板上に形成される素子の電気的特性が異なるという問題が発生する。
【０００９】
この発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、基板に対してピン跡等を生じさせない減圧乾燥装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、上面に塗布液が塗布された基板を処理室内に配置し、処理室内を密閉空間とした後、処理室内を減圧することによって、塗布液を乾燥させ、基板の上面に被膜を形成する減圧乾燥装置であって、処理室内を密閉空間として形成するための密閉空間形成手段と、処理室内の空気を排気することにより処理室内を減圧する減圧手段と、搬送装置によって減圧乾燥装置に搬送される基板を処理室内で受け取り、処理室内で基板の下面の位置に当接して基板を水平に支持する第１支持手段と、処理室内で第１支持手段が当接する基板の下面の位置と異なる位置に当接して基板を水平に支持する第２支持手段と、基板を第１支持手段によって支持する第１支持状態と、基板を第２支持手段によって支持する第２支持状態とを相互に切り換える切換手段とを備えている。
【００１１】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の減圧乾燥装置において、第２支持手段は、基板の下面に当接する上端部の高さ位置が、第１支持状態において第１支持手段によって支持される基板の下面の高さより下方に配置されており、切換手段は、第１支持手段を昇降させる昇降手段を備え、当該昇降手段によって第１支持状態にある第１支持手段を下降させることにより、基板を第２支持手段に受け渡す。
【００１２】
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の減圧乾燥装置において、第１支持手段は、昇降可能であるとともに上端部を基板の下面に当接させて基板を水平に支持する複数のリフトピンを備え、第２支持手段は、上端部を基板の下面に当接することによって基板を支持する複数のピン部材を備え、密閉空間形成手段は、第２支持状態にある基板より下方に位置し、周囲に遮蔽部材が設けられたプレート部材と、プレート部材に対して相対的に昇降自在であるとともに、下降時において周辺部が遮蔽部材に当接する処理室蓋部と、処理室蓋部をプレート部材に対して相対的に昇降させる蓋昇降手段とを備えている。
【００１３】
請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の減圧乾燥装置において、蓋昇降手段によって処理室蓋部がプレート部材に対して相対的に上昇している状態で、第１支持手段の複数のリフトピンに対して、搬送装置による基板の搬出入が行われる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
＜第１の実施の形態＞
図１は、この発明の第１の実施の形態である減圧乾燥装置の側面断面図である。この減圧乾燥装置は、処理室（チャンバ）を形成するチャンバ蓋１と下部プレート３とを備えている。チャンバ蓋１は上下に昇降自在であるが、下部プレート３は装置筐体に固定されている。なお、チャンバ蓋１は、シリンダ２によって上下駆動するよう構成されている。そしてこの実施の形態の減圧乾燥装置の下部プレート３には、基板を支持するための昇降可能なリフトピン１４が挿通される複数の貫通孔１９と、処理室内の空気を排気するための複数の排気口１１と、処理室内にＮ２等のガスを供給するためのガス供給口２５と、さらに、複数の固定ピン１５が形成されている。そしてガス供給口２５は、ガス供給管２６に連通しており、ガス供給管２６は図示しないガス供給源に接続されている。このガス供給源が作動することによって、ガス供給口２５から処理室内にＮ２等のガスを供給し、処理室の減圧状態を解除することができる。また、下部プレート３の周囲には、Ｏリング１０が設けられており、チャンバ蓋１が下降した際の処理室の密閉状態を確保している。
【００１５】
そして、リフトピン１４は昇降台６に固定されるとともに、下部プレート３に設けられた貫通孔１９に挿通されている。さらに、昇降台６は昇降棒７に連結しており、シリンダ８によって昇降棒７が昇降駆動すると、リフトピン１４が昇降する構成となっている。この実施の形態において昇降駆動機構は従来と同様に１つである。そして処理室内の密閉性を確保するために、この下部プレート３と昇降台６との間にベローズ５が設けられている。そして、リフトピン１４はベローズ５の内側に設置されている。また、排気口１１には、排気管１２が接続されている。そして排気管１２は真空ポンプＰに接続されており、当該真空ポンプＰによって密閉状態とされた処理室内の減圧が行われる。そして、処理室内の減圧を解除する際には、ガス供給源を作動させ、ガス供給管２６を介してガス供給口２５より処理室内にＮ２等のガスを吹き込んで処理室内の減圧状態を解除する。
【００１６】
この実施の形態において、その上面にレジスト等の塗布液が塗布された基板２０を減圧乾燥処理する手順を図２，図３により説明する。図２は、搬送アーム３０によって基板２０が搬送される状態を示す側面図である。そして、図３は、この実施の形態の減圧乾燥装置の斜視図であるが、シリンダ２，排気管１２，ガス供給管２６，真空ポンプＰは省略している。
【００１７】
まず、基板２０を処理室内に搬入する際には、チャンバ蓋１が上昇した状態である。この状態でシリンダ８が作動してリフトピン１４をＺ方向に駆動し、搬送アーム３０から基板２０を受け取る位置まで上昇させる。そして、当該処理室内に隣接して設けられた基板搬送ロボットなどの搬送アーム３０がＹ方向に進入して、リフトピン１４の上方に基板２０を位置させる。そしてその位置で搬送アーム３０が下降することによって、上昇した位置で待機しているリフトピン１４に基板２０が載置される。このとき基板２０はリフトピン１４によって水平に支持されている。リフトピン１４に基板２０を受け渡した後、搬送アームは、処理室外に退避する。そしてシリンダ８が作動することによって、基板２０を載置したリフトピン１４は（−Ｚ）方向に下降する。リフトピン１４が下降していくと、基板２０の下面が複数の固定ピン１５の上端に当接する位置で、リフトピン１４から固定ピン１５に基板２０の受け渡しが行われる。そして基板２０に対する減圧乾燥処理は、基板２０を固定ピン１５が水平に支持した状態で行われる。このとき、リフトピン１４は基板２０の下面に接触しないように、十分下降している。そして、シリンダ２によってチャンバ蓋１を（−Ｚ）方向に下降し、処理室内を密閉状態とし、その後に真空ポンプＰが作動して処理室内を減圧する。
【００１８】
基板２０に塗布されたレジスト等の塗布液が乾燥するのに要する時間が十分経過すると、真空ポンプＰの減圧動作は停止する。そして図示しないガス供給源を作動させる。ガス供給源によって供給されるＮ２等のガスは、ガス供給管２６，ガス供給口２５を介して処理室内に導かれる。このようにして処理室内の減圧状態を解除する。そして、チャンバ蓋１がシリンダ２によってＺ方向に上昇し、処理室から基板２０を搬出することができる状態にする。そしてシリンダ８がリフトピン１４をＺ方向に駆動し、上昇させる。リフトピン１４の上昇する際に、リフトピン１４の上端部が基板２０の下面に当接する位置で、固定ピン１５からリフトピン１４に対して基板２０の受け渡しが行われる。そしてさらにリフトピン１４が上昇し、搬送アーム３０との間で基板２０の受け渡しを行う所定の位置で停止する。その後、搬送アーム３０が処理室内に進入して基板２０をリフトピン１４から受け取り、処理室内から搬出する。
【００１９】
このような減圧乾燥装置では、基板２０を搬送アームから受け取ってから減圧乾燥処理が終了し再び搬送アームに基板２０を渡すまでの間、従来のように同一のピンによって基板を支持するものではなく、リフトピン１４と固定ピン１５とよって基板２０を受け渡ししている。また、リフトピン１４と固定ピン１５とによる２つの支持状態は、それぞれ基板２０の下面内の異なる位置を支持している。したがって、リフトピン１４が基板２０を支持している状態の時間と固定ピン１５が基板２０を支持している状態の時間は、それぞれ従来のリフトピンが支持していた時間に比べると短くなっている。したがって、この減圧乾燥装置では、基板２０にピン跡が発生することがない。
【００２０】
また、この実施の形態において、減圧乾燥処理中にリフトピン１４と固定ピン１５との間で基板２０を受け渡ししても良い。すなわち、処理室が密閉され、固定ピン１５に基板２０が載置された状態において、真空ポンプＰによって処理室内が減圧状態とされている際に、リフトピン１４を上昇させ、固定ピン１５に支持された基板２０をリフトピン１４が支持する形態とする。さらに、減圧乾燥処理中に、リフトピン１４によって基板２０が支持されている際に、リフトピン１４を下降して固定ピン１５に基板２０を受け渡すことも可能である。
【００２１】
これによって、リフトピン１４が基板２０を支持する状態と固定ピン１５が基板２０を支持する状態とがそれぞれ交互に行われるため、従来に比べると同一のピンによって支持される時間が短くなり、ピン跡が発生しない。
【００２２】
なお、この実施の形態において、各図面に示した排気口１１，固定ピン１５，リフトピン１４の位置または数はこれに限定するものでない。しかし、固定ピン１５，リフトピン１４の配置位置は、基板２０を支持した際に、基板２０の撓みが最も小さくなる位置に配置することが望ましい。
【００２３】
＜第２の実施の形態＞
図４は、この発明の第２の実施の形態である減圧乾燥装置の概念的斜視図である。この実施の形態が、第１の実施の形態と異なる点は、基板の支持部がピン状ではなく線状の支持形態が構成されていることである。
【００２４】
線状の支持部には、昇降可能なリフト支持部１７と固定支持部１６との２種類が設置されている。この実施の形態では貫通孔を介してリフト支持部１７が設けられており、シリンダ８が駆動すると昇降棒７の昇降によってリフト支持部１７が昇降する構成となっている。また、固定支持部１６は、下部プレート３に固定されている。そして、下部プレート３の周囲には、Ｏリング１０が設けられており、チャンバ蓋１が下降した際の処理室の密閉状態を確保する遮蔽部材として機能している。なお、この実施の形態において、基板を搬出入する際の基板の搬送アームは、第１の実施の形態と同様である。そして図示を省略する処理室を減圧および減圧を解除するための構成（排気口，排気管，ガス供給口，ガス供給管，ベローズ，真空ポンプ）も、第１の実施の形態と同様の形式である。
【００２５】
この実施の形態において基板が当該減圧乾燥装置に搬入される際には、リフト支持部１７がシリンダ８の駆動によってＺ方向に上昇し、搬送アームがリフト支持部の上端部に基板を載置する。そしてリフト支持部１７は、基板を水平に支持した状態で下降し、固定支持部１６に基板を載置する。そして、チャンバ蓋１が下降し、処理室を減圧することによって、基板に対して減圧乾燥処理を施す。その際に、リフト支持部１７は基板の下面に接触しないことが必要である。
【００２６】
以上のように搬送アームから基板を受け取り、基板に減圧乾燥処理を施し、塗布液が乾燥した基板を再び搬送アームに渡すまでの間には、リフト支持部１７による基板の支持と固定支持部１６による基板の支持との２つの支持状態がある。そしてそれぞれの支持状態で基板の支持する位置が異なるように構成されている。
【００２７】
したがってそれぞれの支持状態において、基板と各支持部との接触時間が短くなり、ピン跡のようなものは発生しない。
【００２８】
また、この実施の形態において、基板に対して減圧乾燥処理を施している間に、リフト支持部１７が昇降を繰り返すことによって、リフト支持部１７と固定支持部１６とが幾度か基板を受け渡しても良く、これによっても基板にピン跡のようなものが発生することを防止することができる。
【００２９】
＜第３の実施の形態＞
図５は、第３の実施の形態である減圧乾燥装置の概念的斜視図である。この実施の形態が、第１および第２の実施の形態と異なる点は、基板を支持する部分が、ピン状ではなく、線状でもなく、面状の支持形態が構成されていることである。
【００３０】
この実施の形態において、基板の外形よりも小さいリフトプレート１８が設けられており、処理室の下部プレート３の中央部には基板の外形よりも小さく、かつ、このリフトプレート１８が挿通する貫通孔が設けられている。そして、下部プレートの周囲には、チャンバ蓋１が下降した際に処理室の密閉状態を確保するためのＯリング１０が設けられている。また、シリンダ８は昇降棒７をＺ方向または（−Ｚ）方向に昇降駆動することによってリフトプレート１８をＺ軸に沿って昇降させることが可能なように構成されている。なお、この実施の形態において、基板を搬出入する際の基板の搬送アームは、第１の実施の形態と同様である。そして図示を省略する処理室を減圧および減圧を解除するための構成（排気口，排気管，ガス供給口，ガス供給管，ベローズ，真空ポンプ）も、第１の実施の形態と同様の形式である。
【００３１】
この実施の形態において、基板に減圧乾燥処理を施す手順を説明する。まずチャンバ蓋１が上方に位置し、基板を搬出入することが可能な状態で、シリンダ８によってリフトプレート１８が上昇し、搬送アームから基板を受け取る準備をする。そこに搬送アームが進入して処理対象である基板をリフトプレートの上面に載置する。その後搬送アームは退避するとともに、シリンダ８が駆動してリフトプレート１８を（−Ｚ）方向に下降する。リフトプレート８が下降すると、基板の外周部が下部プレートの基板支持部３ａに接触する。すなわちこの実施の形態では、基板の受け渡しは、リフトプレート１８と下部プレートの基板支持部３ａとで行われる。リフトプレート１８が下降し、リフトプレート１８の上面が下部プレート３の上面よりも低い位置になると、基板はリフトプレート１８による支持状態から下部プレートの基板支持部３ａによる支持状態になる。そして、チャンバ蓋１を（−Ｚ）方向に下降し、処理室内を密閉し、減圧することによって基板に対する減圧乾燥処理が行われる。
【００３２】
基板に塗布された塗布液の乾燥が十分に行われると、チャンバ蓋１がＺ軸に沿って上昇する。そしてシリンダ８が駆動してリフトプレート１８を上昇させ、基板支持部３ａに支持された状態にある基板をリフトプレート１８が受け取る。そして搬送アームとの基板の受け渡しを行う所定の位置まで上昇して停止する。そこに搬送アームが進入してきて処理済みの基板を搬出する。
【００３３】
このような構成によって、基板に減圧乾燥処理を行う間、リフトプレート１８による支持状態と基板支持部３ａによる支持状態との２つの支持状態が存在し、それぞれの支持状態では基板の面内の異なる位置を支持している。したがって、１つ当たりの支持部材が基板を支持する時間が短縮されるため、基板にプレート跡などを形成することがない。
【００３４】
また、この実施の形態において、基板に対して減圧乾燥処理を施している間に、リフトプレート１８が昇降を繰り返すことによって、リフトプレート１８と基板支持部３ａとが幾度か基板を受け渡しても良く、これによっても基板にプレート跡などが発生することを防止することができる。
【００３５】
＜第４の実施の形態＞
図６は、この発明の第４の実施の形態である減圧乾燥装置の側面断面図である。この減圧乾燥装置は、処理室を形成するチャンバ蓋１と下部プレート３とを備えており、チャンバ蓋１は上下に昇降自在であり、下部プレート３は装置筐体に固定されている。ここで、チャンバ蓋１の昇降運動は、シリンダ２によって実現されている。そしてこの実施の形態の減圧乾燥装置の下部プレート３には、複数の貫通孔１９と、固定ピン１５と、処理室内の空気を排気するための複数の排気口１１と、ガス供給管２６を介してガス供給源に連通されているガス供給口２５と、チャンバ蓋１が下降した際の処理室の密閉状態を確保してＯリング１０とが設けられている。
【００３６】
この実施の形態において基板２０を支持するための支持形態は、第１の実施の形態と同様のピン状の支持形態である。そしてこの実施の形態には、図６に示すように第１リフトピン１４ａと第２リフトピン１４ｂとが設けられており、それぞれが独立して昇降可能な構成となっている。詳しく説明すると、第１リフトピン１４ａは、昇降台６ａに設けられており、昇降台６ａには昇降棒７ａが接続されている。この昇降棒７ａはシリンダ８ａが作動することによって、上下方向に昇降する。したがってシリンダ８ａが作動すれば、それに伴って第１リフトピン１４ａが昇降する構成となっている。また、第２リフトピン１４ｂも同様に昇降台６ｂに設けられており、昇降台６ｂには昇降棒７ｂが接続されている。そしてこの昇降棒７ｂはシリンダ８ｂが作動することによって上下方向に昇降し、これに伴って第２リフトピン１４ｂも昇降する構成となっている。
【００３７】
そして第１リフトピン１４ａおよび第２リフトピン１４ｂは、それぞれ下部プレート３に設けられている複数の貫通孔１９に挿通されている。さらに、第１リフトピン１４ａを構成するリフトピンの全てに処理室の密閉性を確保するためのベローズ５ａが、第２リフトピン１４ｂを構成するリフトピンの全てに同じ目的でベローズ５ｂが設けられている。
【００３８】
そして、排気口１１には、排気管１２が接続されており、図示しない真空ポンプに接続されて、密閉状態とされた処理室内の減圧が可能な構成となっている。また、基板２０を搬出入する搬送アームは第１の実施の形態で示したものと同様である。
【００３９】
このような構成において、基板２０に対して減圧乾燥処理を行う際は、チャンバ蓋１が上昇した状態において第１リフトピン１４ａを上昇させる。このとき第２リフトピン１４ｂは、第１リフトピン１４ａと搬送アームとが行う基板２０の受け渡し行為に干渉しない位置まで下降している。この状態で搬送アームが基板２０を第１リフトピン１４ａの上端部に載置する。そして、第１リフトピン１４ａは基板２０を支持した状態で下降する。このとき第２リフトピン１４ｂは、必要に応じて上昇させる。そして第２リフトピン１４ｂの上端部が基板２０の下面に当接し、第１リフトピン１４ａと第２リフトピン１４ｂの間で基板の受け渡しが行われる。このようにして第１リフトピン１４ａによる支持状態から第２リフトピン１４ｂによる支持状態に移行する。そして、第１リフトピン１４ａは下降し、これに遅れて第２リフトピン１４ｂが下降する。そして、基板２０が固定ピン１５の上端部に接する位置まで下降すると、第２リフトピン１４ｂによる支持状態から固定ピン１５による支持状態に移行する。そしてチャンバ蓋１が下降して処理室を密閉し、処理室の減圧が行われる。
【００４０】
また、処理中も第１リフトピン１４ａと第２リフトピン１４ｂとを独立して昇降させることにより、基板２０の支持状態を変更することが可能である。そして、この実施の形態でも第１リフトピン１４ａによる支持状態と、第２リフトピン１４ｂによる支持状態と、固定ピン１５による支持状態との３つの基板２０の支持状態が存在するため、支持状態を切り換えることにより、各支持状態における基板を支持する時間を短くすることができ、基板にピン跡が生じることをより確実に防止することができる。
【００４１】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項１に記載の発明によれば、上面に塗布液が塗布された基板を処理室内に配置し、処理室内を密閉空間とした後、処理室内を減圧することによって、塗布液を乾燥させ、基板の上面に被膜を形成する減圧乾燥装置において、搬送装置によって減圧乾燥装置に搬送される基板を処理室内で受け取り、処理室内で基板の下面の位置に当接して基板を水平に支持する第１支持手段と、処理室内で第１支持手段が当接する基板の下面の位置と異なる位置に当接して基板を水平に支持する第２支持手段と、基板を第１支持手段によって支持する第１支持状態と、基板を第２支持手段によって支持する第２支持状態とを相互に切り換える切換手段とを備えるため、第１支持手段が基板を支持している第１支持状態の時間と第２支持手段が基板を支持している第２支持状態のそれぞれの時間は、それぞれ従来の基板支持部が基板を支持していた時間に比べると短くなる。したがって、この減圧乾燥装置では、基板にピン跡が発生することがない。
【００４２】
請求項２に記載の発明によれば、請求項１に記載の減圧乾燥装置において、第２支持手段は、基板の下面に当接する上端部の高さ位置が、第１支持状態において第１支持手段によって支持される基板の下面の高さより下方に配置されており、さらに、切換手段は、第１支持手段を昇降させる昇降手段を備え、当該昇降手段によって第１支持状態にある第１支持手段を下降させることにより、基板を第２支持手段に受け渡すため、従来と同様に１つの昇降駆動機構で基板を第１支持手段によって支持する第１支持状態と、基板を第２支持手段によって支持する第２支持状態とのいずれかに切り換えることができ、さらに、第１支持手段が基板を支持している第１支持状態の時間と第２支持手段が基板を支持している第２支持状態のそれぞれの時間は、それぞれ従来の基板支持部が基板を支持していた時間に比べると短くなり、基板にピン跡が発生することがない。
【００４３】
請求項３に記載の発明によれば、請求項２に記載の減圧乾燥装置において、第１支持手段は昇降可能であるとともに上端部を基板の下面に当接させて基板を水平に支持する複数のリフトピンを備え、第２支持手段は上端部を基板の下面に当接することによって基板を支持する複数のピン部材を備え、密閉空間形成手段は、第２支持状態にある基板より下方に位置し、周囲に遮蔽部材が設けられたプレート部材と、プレート部材に対して相対的に昇降自在であるとともに、下降時において周辺部が遮蔽部材に当接する処理室蓋部と、処理室蓋部をプレート部材に対して相対的に昇降させる蓋昇降手段とを備えることによって、基板にピン跡が生じることのない減圧乾燥装置が実現できる。
【００４４】
請求項４に記載の発明によれば、請求項３に記載の減圧乾燥装置において、蓋昇降手段によって処理室蓋部がプレート部材に対して相対的に上昇している状態で、第１支持手段の複数のリフトピンに対して、搬送装置による基板の搬出入が行われるため、当該処理室内に基板を搬入したり、また当該処理室内から基板を搬出したりできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１の実施の形態である減圧乾燥装置の側面断面図である。
【図２】搬送アーム３０によって基板２０が搬送されることを示す側面図である。
【図３】この発明の第１の実施の形態である減圧乾燥装置の斜視図である。
【図４】この発明の第２の実施の形態である減圧乾燥装置の概念的斜視図である。
【図５】この発明の第３の実施の形態である減圧乾燥装置の概念的斜視図である。
【図６】この発明の第４の実施の形態である減圧乾燥装置の側面断面図である。
【図７】従来の減圧乾燥装置を示す側面断面図である。
【符号の説明】
１    チャンバ蓋
２，８，８ａ，８ｂ    シリンダ
３    下部プレート
５    ベローズ
１０  Ｏリング
１１  排気口
１２  排気管
１４  リフトピン
１４ａ  第１リフトピン
１４ｂ  第２リフトピン
１５  固定ピン
１６  固定支持部
１７  リフト支持部
１８  リフトプレート
１９  貫通孔
２０  基板
２５  ガス供給口
２６  ガス供給管
３０  搬送アーム
Ｐ    真空ポンプ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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