(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を載置するための基板載置部と、
この基板載置部により載置された基板を裏面側から加熱し、複数に分割されて各々独立に発熱制御される加熱手段と、
少なくとも前記加熱手段による基板の加熱時に、該基板及び前記基板載置部の周囲を囲う処理容器と、
前記基板と対向するように、かつ複数に分割された各加熱手段に対応して夫々設けられた複数の気流形成手段と、を備え、
前記複数の気流形成手段の各々は、給気口及び排気口を有し、給気口から基板に向かって気体を供給し、その気体を排気口から排気して、対応する加熱手段により加熱される基板上の領域に沿って気流を形成するように構成されたことを特徴とする加熱装置。
【請求項２】
加熱手段は帯状の抵抗発熱体であることを特徴とする請求項１記載の加熱装置。
【請求項３】
抵抗発熱体は同心円状に分割されていることを特徴とする請求項２記載の加熱装置。
【請求項４】
各気流形成手段は、抵抗発熱体に対向する帯状領域の一縁側及び他縁側のうちの一方側に沿って複数の給気口が配列されると共に、他方側に沿って複数の排気口が配列されることを特徴とする請求項２または３記載の加熱装置。
【請求項５】
抵抗発熱体に対向する帯状領域の幅方向に並ぶ複数の気流形成手段において、互いに隣接する気流形成手段の給気口及び排気口の配置はたがいに逆になっていることを特徴とする請求項４記載の加熱装置。
【請求項６】
各気流形成手段は、その長さ方向に沿って複数の給気口が配列された給気用パイプと、その長さ方向に沿って複数の排気口が配列された排気用パイプと、を含むことを特徴とする請求項２ないし５のいずれかに記載の加熱装置。
【請求項７】
処理容器内の基板載置部に載置された基板を、複数に分割されて各々独立に発熱制御される加熱手段により裏面側から加熱し、前記複数の加熱手段により加熱される基板上の夫々の領域に沿って、互いに独立した気流を形成することを特徴とする加熱方法。
【請求項８】
加熱手段は帯状の抵抗発熱体であることを特徴とする請求項７記載の加熱方法。
【請求項９】
互いに独立した気流は、前記基板と対向する給気口から基板に向かって気体を供給し、その気体を前記基板に対向する排気口から排気することにより形成されることを特徴とする請求項７または８記載の加熱方法
【請求項１０】
各気流は、抵抗発熱体に対向する帯状領域の幅方向に形成され、互いに隣接する複数の気流の流れは、前記帯状領域の幅方向で見たときに気流の流れが互いに逆向きであることを特徴とする請求項９記載の加熱方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば半導体ウエハや液晶ディスプレイ用のガラス基板（ＬＣＤ基板）などの基板に対してレジスト液の塗布、現像の前処理や後処理に利用される加熱装置及びその方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイスやＬＣＤの製造プロセスにおいては、フォトリソグラフィと呼ばれる技術により被処理基板へのレジスト処理が行われている。この技術は、例えば半導体ウエハ（以下ウエハという）にレジスト液を塗布して当該表面に液膜を形成し、フォトマスクを用いて当該レジスト膜を露光した後、現像処理を行うことにより所望のパターンを得る、一連の工程により行われる。
【０００３】
上述の工程におけるレジスト液の塗布工程はいわゆるスピンコーティング法により行なわれている。この方法はスピンチャックでウエハを水平に吸着保持し、ウエハ中央部上方のノズルからレジスト液をウエハに供給すると共に該ウエハを回転させるもので、遠心力によりレジスト液が拡散しウエハ全体に液膜が形成される。このためウエハ表面に形成されるレジスト液の液膜は中央から外方側に向かうにつれて膜厚が厚くなり、その断面は二次放物面をなしている。
【０００４】
このレジスト液の塗布工程の後には、レジスト液中の溶剤を除去するためにベーク処理と呼ばれるウエハの加熱処理が行われている。このベーク処理は、例えば図９に示すように載置台１１の表面近傍に例えば抵抗加熱体からなるリング状のヒータ１２（１２ａ、１２ｂ、１２ｃ）を内側から順に同心円上に配置し、当該載置台１１に載置されたウエハＷを裏面側から加熱するようにして行う。ここでヒータ１２をリング状に複数設けているのは、上述したようにレジスト膜の膜厚が径方向の各部位ごとに異なるので、当該部位に適した温度制御を独立して行うためである。
【０００５】
しかしこのままウエハＷの加熱を行うとウエハＷ上方に自然対流が生じ、ウエハＷ表面に温度分布が生じてしまう。また各ヒータ１２（１２ａ、１２ｂ、１２ｃ）による発熱制御だけではウエハＷの表面温度をコントロールし難いということもあり、図１０及び図１１に示すようにパージガスを流してウエハＷ表面近傍に気流を形成して放熱を行うと共に温度分布の発生を抑えるような装置構成としている。
【０００６】
この装置はウエハＷを囲む蓋体１３の天井部の外縁に周方向に亘って形成された複数の給気口１４から、例えばＮ２ガス（パージガス）を対向するウエハＷ外縁に供給すると共に蓋体１３の天井部中央の排気口１５を介して排気管１６から該Ｎ２ガスを排気するように構成したものであり、このようにすることで矢印で示すようにウエハＷ表面近傍で外縁側から中心方向へと気流が形成される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上述の装置ではパージガスがウエハＷ外縁側から中心側に向けて流れるため、各ヒータ１２により独立してウエハＷの加熱制御を行うにあたり、ウエハＷの中心部に近くなる加熱領域ほど、それより外側のヒータ１２による加熱制御の影響を受けやすくなる。例えば一番外側のヒータ１２ｃが受け持つウエハＷの加熱領域の温度が設定温度から外れていると、その誤差分がパージガスに乗って内側に流れるため、その内側のヒータ１２ｂの加熱制御に影響を与え、更にこのヒータ１２ｂが受け持つウエハＷ加熱領域の温度が設定温度から外れると、この誤差分も加わって一番内側のヒータ１２ａの加熱制御に影響を与えることになる。このためウエハＷの温度について面内均一性が悪くなる上、温度が不安定になり、結局精度の良い温度コントロールが困難になり、このことがベーク処理に反映されてしまうことになる。
【０００８】
本発明はこのような事情に基づきなされたものであり、その目的は、複数に分割された加熱手段による基板の加熱制御が互に干渉することを抑え、精度よく基板を加熱することのできる加熱装置及びその方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の加熱装置は、基板を載置するための基板載置部と、
この基板載置部により載置された基板を裏面側から加熱し、複数に分割されて各々独立に発熱制御される加熱手段と、
少なくとも前記加熱手段による基板の加熱時に、該基板及び前記基板載置部の周囲を囲う処理容器と、
前記基板と対向するように、かつ複数に分割された各加熱手段に対応して夫々設けられた複数の気流形成手段と、を備え、
前記複数の気流形成手段の各々は、給気口及び排気口を有し、給気口から基板に向かって気体を供給し、その気体を排気口から排気して、対応する加熱手段により加熱される基板上の領域に沿って気流を形成するように構成されたことを特徴とする。
【００１０】
加熱手段は例えば帯状の抵抗発熱体であり、例えば同心円状に分割される。この場合各気流形成手段は、抵抗発熱体に対向する帯状領域の一縁側及び他縁側のうちの一方側に沿って複数の給気口が配列されると共に、他方側に沿って複数の排気口が配列される構成とすることができる。
【００１１】
このような構成によれば、各加熱手段が受け持つ基板の加熱領域上に独立して気流が形成されるため、各加熱領域間で加熱制御の干渉を避けることができ、また各加熱手段における温度制御の独立性がよいので基板に対して高精度で安定した加熱制御を行うことができる。
【００１２】
この発明では、抵抗発熱体に対向する帯状領域の幅方向に並ぶ複数の気流形成手段において、互いに隣接する気流形成手段の給気口及び排気口の配置は逆になっていることが好ましい。このような構成にすれば、一の気流形成手段の給気口から給気された気体は隣りの気流形成手段の気流の影響をほとんど受けずに該気流形成手段の排気口に戻るので気流溜まりも少なく、各気流形成手段の気流の独立性がよい。
【００１３】
本発明の加熱方法は、処理容器内の基板載置部に載置された基板を、複数に分割されて各々独立に発熱制御される加熱手段により裏面側から加熱し、前記複数の加熱手段により加熱される基板上の夫々の領域に沿って、互いに独立した気流を形成することを特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】
図１は本発明に係る加熱装置の実施の形態を示す断面図である。２は被処理基板であるウエハＷを載置するための例えばアルミニウムよりなる載置台（基板支持部）である。この載置台２の表面の周縁には例えば０．１ｍｍ程度の突起（図示せず）が設けられており、ウエハＷは載置台２の表面から微小な隙間を介して浮いた状態で支持されている。載置台２の外縁部には全周に亘って凹部２１が形成され、また下方側は脚部２２により支持されている。この載置台２の表面近傍には加熱手段である例えば帯状にかつリング状に形成された抵抗発熱体からなる３つのヒータ２３（内側から順に２３ａ、２３ｂ、２３ｃ）が同心円をなすように埋設されており、各ヒータ２３ａ、２３ｂ、２３ｃにより生じる熱は載置台２の表面部を介してウエハＷ全体へ伝熱される構成となっている。各ヒータ２３（２３ａ、２３ｂ、２３ｃ）は、電力制御部８３（８３ａ、８３ｂ、８３ｃ）を介して電力供給源８４と接続されており、該電力制御部８３（８３ａ、８３ｂ、８３ｃ）にてヒータ２３（２３ａ、２３ｂ、２３ｃ）への電力供給量を調節することで独立した加熱制御が可能となっている。ウエハＷ表面にスピンコーティングにより形成されたレジスト膜は、外側ほど膜厚が高くなっているため、ヒータ２３（２３ａ、２３ｂ、２３ｃ）の温度はこれに対応するように例えば外側ほど高くしている。
【００１５】
また載置台２には当該載置台２を上下方向に貫通する孔部２４を介して複数の支持ピン２５が突没自在に設けられている。これらの支持ピン２５は支持プレート２６を介して昇降機構２７により昇降できるように構成されており、この支持ピン２５の昇降により図示しない搬送アームと載置台２との間でウエハＷの受け渡しが行なわれる。
【００１６】
載置台２の側方両端には、給気機構２８ａと排気機構２８ｂとが設けられている。この給気機構２８ａ及び排気機構２８ｂは、載置台２から脚部２２に跨るレベルにおいて一端側から他端側へ送風を行い、前記ヒータ２３（２３ａ、２３ｂ、２３ｃ）の発熱時に当該載置台２下部側の放熱を行うものである。
【００１７】
次に載置台２の上部側について説明を行う。載置台２の上部側には下方側が開口し、天井部３１及び側壁部３２からなる円筒状の蓋体３が駆動機構４により昇降自在に設けられている。蓋体３の側壁部３２の外面には一対の棒状部材４１と嵌合する図示しない溝が形成されており、蓋体３はこの溝を介して該棒状部材４１に保持されて昇降する。この蓋体３はヒータ２３（２３ａ、２３ｂ、２３ｃ）によるウエハＷの加熱時（ベーク処理時）に下降し、側壁部３２の下端が載置台２の凹部２１と嵌合して該載置台２に載置されたウエハＷの周囲を囲い、処理容器をなす構成となっている。
【００１８】
前記ヒータ２３（２３ａ、２３ｂ、２３ｃ）と対向する蓋体３の天井部３１には、図１及び図２に示すように径の異なるリング状の給気管５１及び排気管５２が夫々三本ずつ計六本設けられている。これら給気管５１及び排気管５２は全周に亘って夫々多数の給気口５３及び排気口５４がウエハＷと対向するように穿設されている。
【００１９】
互いに隣接する一の給気管５１と一の排気管５２とは組になって３つの気流形成手段５（５ａ、５ｂ、５ｃ）を形成し、各気流形成手段５（５ａ、５ｂ、５ｃ）は、対向する載置台２内に埋設されているヒータ２３（２３ａ、２３ｂ、２３ｃ）と一定の関係を持って位置決めされており、図２に示すように気流形成手段５（５ａ、５ｂ、５ｃ）を形成する一組の給気管５１、排気管５２が一のヒータ２３（２３ａ、２３ｂ、２３ｃ）と対向するリングをなす帯状領域を挟むようにして設けられる。ここで、一の気流形成手段５における給気管５１と排気管５２との位置は、詳細な理由は後述するが、各気流形成手段５の形成する気流が干渉しないように気流形成手段５同士が隣接する箇所で同じ種類の管が並ぶように選択され、例えば図示するように内側から気流形成手段５ａ（給気管５１ａ、排気管５２ａ）、同５ｂ（排気管５２ｂ、給気管５１ｂ）、同５ｃ（給気管５１ｃ、排気管５２ｃ）の順で設けられる。
【００２０】
各給気管５１ａ、５１ｂ、５１ｃには、図２に示すように該給気管５１へ気体を送る配管６１の一端が例えば２本ずつ対向する位置にて接続され、また同様に排気管５２ａ、５２ｂ、５２ｃには該排気管５２から気体の排出を行う配管６２の一端が２本ずつ接続されており、こうして給気管５１、排気管５２は各々がウエハＷ表面全体に万遍なく気体の給気、排気を行うことができる構成となっている。
【００２１】
ところで排気管５２（５２ａ、５２ｂ、５２ｃ）には例えば単管が用いられるが、給気管５１（５１ａ、５１ｂ、５１ｃ）には例えば図３及び図４に示す二重管を用いることが好ましい。外管をＱ１、内管をＱ２とすると該給気管５１へ気体を供給する配管６１は外管Ｑ１を貫通して内管Ｑ２側面に接続されている。内管Ｑ２の下方側は、全周に亘って多数の孔部５５が形成されており、前記配管６１から流入した気体が該孔部５５を介して外管Ｑ１の内部側へと流れる構成となっている。
【００２２】
外管Ｑ１に形成される給気口５３の列は、既述のようにウエハＷと対向する方向（下方）に向けて設けられているが、内側の孔部５５の列については例えば下方鉛直方向よりも幾分内側に傾いた位置に形成し、内管Ｑ２から外管Ｑ１側へと流れる気体が一旦外管Ｑ１の内壁面Ｑ１´に当るような構成とする。この給気口５３の列と孔部５５の列との位置関係は、例えば外管Ｑ１（給気管５１）を下方側から見たときに、図４に示すように給気口５３と孔部５５とが互違いに位置する千鳥状となるようにする。
【００２３】
ここで説明を図１に戻し、各気流形成手段５（５ａ、５ｂ、５ｃ）と接続する給気用の配管６１及び排気用の配管６２の他端側を説明する。図２に記載した各気流形成手段５毎に接続される２本の給気用の配管６１は合流して１本化され、これら一本化された各気流形成手段５の給気用の配管６１は夫々流量計７１（便宜上同じ符号を符してある）を介して気体導入手段８１と接続されている。また同様にして各気流形成手段５に接続される２本の排気用の配管６２も合流して１本化され、これら１本化された各気流形成手段５の排気用の配管６２は夫々バルブ７２を介して排気ポンプ８２と接続されており、例えば各々の流量計７１の値に応じたバルブ７２の開度の調節を行うことで各気流形成手段５（５ａ、５ｂ、５ｃ）ごとに気流を独立して制御できる構成となっている。気体導入手段８１より導入され、気流形成手段５（５ａ、５ｂ、５ｃ）により気流を形成する気体（パージガス）には例えば空気、窒素ガスなどが用いられる。なお図１では各気流形成手段５の給気管５１（排気管５２）に接続する２本の配管６１（配管６２）について、作図の都合上１本で表している。
【００２４】
次に上述実施の形態の作用について説明を行う。先ず、駆動機構４により蓋体３を持ち上げた状態で、ウエハＷが蓋体３と載置台２との隙間から図示しないウエハＷの搬送アームによって載置台２の上方へと搬入され、下方側から突出する支持ピン２５により水平に支持された後、該支持ピン２５が下降してウエハＷは所定の位置へ載置される。そして蓋体３を下降させて蓋体３及び載置台２により囲まれるウエハＷの処理空間を形成し、ヒータ２３（２３ａ、２３ｂ、２３ｃ）による加熱を開始する。
【００２５】
ここでウエハＷの表面には、従来の技術で述べたようにレジスト液の液膜が例えば中央から外縁側に向かって高くなるように形成されており、各ヒータ２３（２３ａ、２３ｂ、２３ｃ）により例えばウエハＷの中央制御よりも外周側の方が温度が高くなるように別個の加熱制御を行う。
【００２６】
このとき上述したように各ヒータ２３（２３ａ、２３ｂ、２３ｃ）に対応して設けられている気流形成手段５（５ａ、５ｂ、５ｃ）により気流形成が開始される。この気流形成の様子について図５を参照しながら説明を行う。図中ＢはウエハＷ及び蓋体３の天井部３１を通る中心線を示したものである。
【００２７】
例えばヒータ２３ａと対応する気流形成手段５ａでは、ヒータ２３に対応するリング状の帯状領域の内側位置において給気管５１ａの給気口５３から下降流が形成される。この下降流はウエハＷ表面に沿って内側と外側とに（Ｘ方向左右に）分かれて流れるが、この気流（下降流）は外側に隣接して形成される、当該気流形成手段５ａの排気管５２ａによる上昇気流に引き寄せられるため、一部は内側へも流れるものの、大半はヒータ２３ａの上方を幅方向に横断して結果的にＵ字型の気流を形成する。
【００２８】
同様にして最も外側の気流形成手段５ｃもヒータ２３ｃの上方にてＵ型の気流を形成し、そしてこれら気流形成手段５ａ、５ｃに挟まれる気流形成手段５ｂについてもＵ字型気流を形成する。即ち気流形成手段５ｂについては、給気管５１ｂから供給されるパージガスはウエハＷ表面に沿って内方側と外方側とに分かれて流れるが、給気管５１ｂの外方側（図中右隣り）には気流形成手段５ｂとは逆の配列で設けられている気流形成手段５ｃ（給気管５１ｃ）による下降流が形成されており、該下降流もまたウエハＷ表面にぶつかって分かれて流れる。従って給気管５１ｂの形成する下降流の外側への流れＣ１と給気管５１ｃの形成する内側への流れＣ２とが衝突するため、給気管５１ｂの下降流は流れやすい内方側、即ち排気管５２ｂの形成する上昇流側へと引き寄せられ、結果としてＵ字型の気流を形成するのである。
【００２９】
また給気管５１ｃの下降流Ｃ２についても同様に排気管５２ｃの形成する上昇流側へと引き寄せられ、気流形成手段５ｂ、５ｃの気流が独立することになる。更に給気管５１ｂにより形成された下降流がウエハＷ表面に沿って内側へ向かった流れＤ１は、隣りの給気管５１ａにより形成された下降流がウエハＷ表面に沿って外側へ向かった流れＤ２と衝突し、これら流れＤ１、Ｄ２は排気管５２ｂ、５２ａに引かれて上昇流となり、気流形成手段５ａ、５ｂの気流が独立することになる。なおここでいう気流が独立するとは、例えば給気管５１ｂから供給されたガスが概ね排気管５２ｂにより排気されるということである。
【００３０】
そして所定時間のベーク処理終了の後、蓋体３が上昇し、ウエハＷは上述の搬入と逆の工程で図示しない搬送アームへと受け渡され、該加熱装置（処理容器）から搬出される。
【００３１】
このように本実施の形態によれば、互いに独立に制御される複数のヒータ２３（２３ａ、２３ｂ、２３ｃ）の各々と対向するように複数の気流形成手段５（５ａ、５ｂ、５ｃ）を設け、各ヒータ２３が受け持つ（ヒータ２３により加熱される）ウエハＷの加熱領域上に独立して気流を形成しているため、各加熱領域間で加熱制御の干渉を避けることができる。即ち、一のヒータ２３に対応する加熱領域の温度が設定温度から外れていた場合、その誤差分がパージガスに乗って他の加熱領域の制御に影響を及ぼす程度が小さく、従って各ヒータ２３（２３ａ、２３ｂ、２３ｃ）における温度制御の独立性がよく、その結果ウエハＷに対して高精度で安定した加熱制御を行うことができ、全面に亘って均一なベーク処理を行うことができ、面内均一性の高いレジスト膜が得られる。
【００３２】
また、気流形成手段５における給気管５１及び排気管５２については、例えば上述した実施の形態において内側から順に給気管５１ａ、排気管５２ａ、排気管５１ｂ、給気管５２ｂとしたように、互に隣接する気流形成手段５の間では、給気管５１同士あるいは排気管５２同士が隣り合うような配置としているので、一の気流形成手段５の給気口５３から給気された気体は既述のように隣りの気流形成手段５の気流の影響をほとんど受けずに当該一の気流形成手段５の排気口５４に戻るので、気流溜まりも少なく、また各気流形成手段５の気流の独立性が良い。
【００３３】
更にまた、本実施の形態によれば、気流形成手段５（５ａ、５ｂ、５ｃ）に用いられる給気管５１について二重管構造とし、気体導入手段８１から該供給管５１の内管Ｑ２へと送られてくるパージガスを一旦外管Ｑ１の内壁面Ｑ１’に当て、しかる後に外管Ｑ１全周に設けられた給気口５３からウエハＷに向けて該パージガスを流す構成としているので、管径の小さな給気管５１を用いながら小さな流速で気流を吹き出させることができる。更に以上の効果に加え、ウエハＷの上方からパージガスを供給し、ウエハＷの上方から排気しているので、処理容器内の汚れが少ないという利点もある。
【００３４】
また本発明に係る加熱装置は、図６に示すように例えば角形のＬＣＤ基板を加熱するために直線的に帯状に伸びる形状に形成したヒータ２３（２３ａ、２３ｂ、２３ｃ）を用いるようにすると共に、上述した実施の形態と同様に天井部３１における該ヒータ２３（２３ａ、２３ｂ、２３ｃ）と対向する部位を挟む位置に直線状の給気管５１及び排気管５２からなる気流形成手段５（５ａ、５ｂ、５ｃ）を設けるようにしてもよい。このとき給気管５１及び排気管５２の配列は、気流形成手段５ａが設けられる図中Ｘ方向左側から順に、例えば給気管５１ａ、排気管５２ａ、排気管５２ｂ、給気管５１ｂ、給気管５１ｃ、排気管５２ｃと並ぶように構成され、このようにしても前述実施の形態と同様の効果が得られる。
【００３５】
なお上述実施の形態では気流形成手段５について多数の給気口５３及び排気口５４が穿設された２つの管（給気管５１、排気管５２）により構成されるものとしたが、これは管に限定されるものではなく、例えば蓋体３の天井部３１内に周状の溝を形成し、該天井部３１の内壁面に多数の供給口（排気口）を開口させる構成としてもよい。また各気流形成手段５の間で流速をかえるようにしてもよい。更にまた加熱手段としては、例えば同心円に沿って配置した多数の加熱ランプであってもよい。
【００３６】
次に上述の加熱装置を例えば加熱ユニットに組み込んだ塗布・現像装置の一例について図７及び図８を参照しながら説明する。図７及び図８中、９１は例えば２５枚のウエハＷが収納されたカセットＣを搬入出するためのカセットステーションであり、このカセットステーション９１には前記カセットＣを載置する載置部９１ａと、カセットＣからウエハＷを取り出すための受け渡し手段９２とが設けられている。カセットステーション９１の奥側には、例えばカセットステーション９１から奥を見て例えば右側には塗布・現像系のユニットＵ１が、左側、手前側、奥側には加熱・冷却系のユニット等を多段に積み重ねた棚ユニットＵ２，Ｕ３，Ｕ４が夫々配置されていると共に、塗布・現像系ユニットＵ１と棚ユニットＵ２，Ｕ３，Ｕ４との間でウエハＷの受け渡しを行うための搬送アームＭＡが設けられている。但し図７では便宜上受け渡し手段９２、ユニットＵ２及び搬送アームＭＡは描いていない。
【００３７】
塗布・現像系のユニットＵ１においては、例えば上段には２個の上述の現像装置を備えた現像ユニット９３が、下段には２個の塗布装置を備えた塗布ユニット９４が設けられている。棚ユニットＵ２，Ｕ３，Ｕ４においては、加熱ユニットや冷却ユニットのほか、ウエハの受け渡しユニットや疎水化処理ユニット等が上下に割り当てされている。
【００３８】
この搬送アームＭＡや塗布・現像系ユニットＵ１等が設けられている部分を処理ブロックと呼ぶことにすると、当該処理ブロックはインタ−フェイスユニット９５を介して露光ブロック９６と接続されている。インタ−フェイスユニット９５は例えば昇降自在、左右、前後に移動自在かつ鉛直軸まわりに回転自在に構成されたウエハＷの受け渡し手段９７により前記処理ブロックと露光ブロック９６との間でウエハＷの受け渡しを行うものである。
【００３９】
この装置のウエハの流れについて説明すると、先ず外部からウエハＷが収納されたウエハカセットＣが載置部９１ａに載置され、受け渡し手段９２によりカセットＣ内からウエハＷが取り出され、既述の加熱・冷却ユニットＵ３の棚の一つである受け渡し台を介して搬送アームＭＡに受け渡される。次いでユニットＵ３の一の棚の処理部内にて疎水化処理が行われた後、塗布ユニット９４にてレジスト液が塗布され、レジスト膜が形成される。レジスト膜が塗布されたウエハＷは加熱ユニットで加熱された後、ユニットＵ４のインターフェースユニット９５の受け渡し手段９７と受渡し可能な冷却ユニットに搬送され、処理後にインタ−フェイスユニット９５，受け渡し手段９７を介して露光装置９６に送られ、ここでパタ−ンに対応するマスクを介して露光が行われる。露光処理後のウエハを受け渡し手段９７で受け取り、ユニットＵ４の受け渡しユニットを介して処理ブロックのウエハ搬送アームＭＡに渡す。
【００４０】
この後ウエハＷは加熱ユニットで所定温度に加熱され、しかる後冷却ユニットで所定温度に冷却され、続いて現像ユニット９３に送られて現像処理され、レジストマスクが形成される。しかる後ウエハＷは載置部９１ａ上のカセットＣ内に戻される。
【００４１】
以上において塗布液としてはレジスト液に限らず層間絶縁材料、低誘電体材料、強誘電体材料、配線材料、有機金属材料、金属ペースト等を用いるようにしてもよい。
【００４２】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、複数に分割された加熱手段による基板の加熱制御が互に干渉することを抑え、精度よく基板を加熱することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態に係る加熱装置を示す縦断面図である。
【図２】前記実施の形態におけるヒータと気流形成手段との位置関係を説明するための分解斜視図である。
【図３】給気管の二重管構造を説明するための斜視図である。
【図４】給気管に形成される供給口と孔部との位置関係を示した説明図である。
【図５】本実施の形態の作用を説明するための説明図である。
【図６】本発明に係る加熱装置の他の実施の形態を示す概略斜視図である。
【図７】前記加熱装置を組み込んだ塗布・現像装置の一例を示す斜視図である。
【図８】前記加熱装置を組み込んだ塗布・現像装置の一例を示す平面図である。
【図９】従来発明に係る加熱装置を説明するための概略断面図である。
【図１０】従来発明に係る加熱装置を説明するための概略断面図である。
【図１１】従来発明に係る加熱装置における気流の流れを説明する説明図である。
【符号の説明】
Ｗ      ウエハ
２      載置台
２３    ヒータ
３      蓋体
４      駆動機構
５      気流形成手段
５１    給気管
５２    排気管
５３    給気口
５４    排気口
５５    孔部
６１，６２    配管
７１    流量計
７２    バルブ
８１    気体導入手段
８２    排気ポンプ
【図１】
0003545668.tif 000002
【図２】
0003545668.tif 000003
【図３】
0003545668.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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