(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の発光個所を有する半導体レーザと、前記半導体レーザの個々のバックビームを検出する１つの光検出装置と、前記半導体レーザと光検出装置が一体化された半導体レーザユニットと、前記光検出装置の出力を規定値にするためのサンプルホールド方式の自動光量制御を有するレーザ駆動回路と、レーザ光をラスタースキャンニングする回転多面鏡と、走査されたレーザ光の位置を検出する基準位置光検出手段とを有するレーザスキャナユニットにおいて、前記各発光個所のレーザ発光を規定光量にするために、最初にすべてのレーザ発光個所に対して電流を印加し、本印加時にサンプルモードで自動光量制御を開始し、前記基準位置光検出手段がレーザ光を検知した時点で、前記半導体レーザの内１つの発光個所を除いて前記各発光個所に対して印加する電流を前記ホールドモードで固定し、その後個々の発光個所に対して個別に前記サンプルモードで自動光量制御を行うことを特徴とするレーザ駆動方式。
【請求項２】
請求項１記載のレーザ駆動方式において、前記レーザスキャナニットについて、前記各発光個所のレーザ発光を前記規定光量にするために、最初にすべてのレーザ発光個所に対して電流を印加し、本印加時にサンプルモードで自動光量制御を開始し、前記光検出装置の検出量情報を前記自動光量制御にフィードバックしない状態にし、前記基準位置光検出手段がレーザ光を検知した時点で、前記半導体レーザの内１つの発光個所を除いて各発光個所に対して印加する電流をホールドモードで固定し、その後前記検出装置の検出量情報を前記自動光量制御にフィードバックし、前記個々の発光個所に対して個別に前記サンプルモードで自動光量制御を行うことを特徴とするレーザ駆動方式。
【請求項３】
複数の発光個所を有する半導体レーザと、前記半導体レーザの個々のバックビームを検出する１つの光検出装置と、前記半導体レーザと光検出装置が一体化された半導体レーザユニットと、前記光検出装置の出力を規定値にするためのサンプルホールド方式の自動光量制御を有するレーザ駆動回路と、レーザ光をラスタースキャンニングする回転多面鏡と、走査されたレーザ光の位置を検出する基準位置光検出手段とを有するレーザスキャナユニットにおいて、第１のレーザ発光個所と、第２のレーザ発光個所を有する半導体マルチビームレーザと、前記光検出装置であるフォトダイオードの検出電流を電圧に変換する第１の調整用可変抵抗とを有し、前記第１の調整用可変抵抗で変換された電圧と基準電圧を比較する比較手段を有し、前記基準電圧を調整するための第２の調整用可変抵抗を有し、前記第１の発光個所のレーザ光量を前記第１の調整用可変抵抗で調整し、前記第２の発光個所のレーザ光量を前記第２の調整用可変抵抗で調整することを特徴としたレーザ光量調整方法。
【請求項４】
複数の発光個所を有する半導体レーザと、前記半導体レーザの個々のバックビームを検出する１つの光検出装置と、前記半導体レーザと前記光検出装置が一体化された半導体レーザユニットと、前記光検出装置の出力を規定値にするためのサンプルホールド方式の自動光量制御を有するレーザ駆動回路と、レーザ光をラスタースキャンニングする回転多面鏡と、該回転多面鏡で走査されたレーザ光の同期信号を検出する基準同期検出手段とを有する画像形成装置において、
前記各発光個所のレーザ発光を規定光量にするために、前記各半導体レーザ毎に該発光光量を安定化するＡＰＣ回路を備え、最初にすべての前記ＡＰＣ回路を動作させ、前記光検出装置が前記レーザ発光を検出したときから、最初に検出した前記ＡＰＣ回路毎にサンプルモードとしてＡＰＣ動作させ且つ他のＡＰＣ回路がホールドモードとして動作させることを特徴とする画像形成装置。
【請求項５】
複数の発光個所を有する半導体レーザと、前記半導体レーザの個々のバックビームを検出する１つの光検出装置と、前記半導体レーザと光検出装置が一体化された半導体レーザユニットと、前記光検出装置の出力を規定値にするためのサンプルホールド方式の自動光量制御を有するレーザ駆動回路と、レーザ光をラスタースキャンニングする回転多面鏡と、走査されたレーザ光の同期信号を検出する基準同期検出手段とを有する画像形成装置において、
前記各半導体レーザ毎に該発光光量を安定化し基準電圧を調整する可変抵抗を具備するＡＰＣ回路を備え、最初にすべての前記ＡＰＣ回路を動作させ、前記光検出装置が前記レーザ発光を検出したときから、最初に検出した前記ＡＰＣ回路毎にサンプルモードとしてＡＰＣ動作させて前記可変抵抗を調節し且つ他のＡＰＣ回路がホールドモードとして動作させることを特徴とする画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は複数の発光部を持つマルチビームレーザを用いたレーザスキャナユニット、レーザプリンタ等の画像記録装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、レーザプリンタ等の画像記録装置に用いられ、回転感光体ドラムにレーザー光を照射・露光して画像を形成する際に主走査方向に走査するポリゴンミラーを有するレーザスキャナユニットには、シングルの半導体レーザが用いられてきた。また、近年レーザプリンタの高速化、高精細化が進むにつれてレーザ発光点を複数持つマルチビームレーザの使用が検討されつつある。マルチビームレーザ方式にすることにより、一度の走査で複数行の画像を形成できるので、ポリゴンミラーの回転数が同一である場合には、その複数倍の速度でプリント出力することができる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
市販されている半導体マルチビームレーザは、複数のレーザ発光点に対し、１つのレーザ光モニタ用のフォトダイオードを持っている。従って、個々のレーザ発光点のレーザ光量を規定の光量にするための自動光量制御（ＡＰＣ：Ａｕｔｏｍａｔｉｃ  Ｐｏｗｅｒ  Ｃｏｎｔｒｏｌ）においては、個々のレーザ発光点に対して個別に電流を増加していく必要があった。したがって、１つのレーザ発光点に電流を印加し、ＡＰＣ動作を行っている期間は、他のレーザ発光点はオフする必要があった。
【０００４】
したがって、発火点の数が多いマルチビームレーザにおいては、各発光点のレーザ光量を規定値にするために多大な時間がかかっていた。その結果、マルチビームレーザを用いたレーザプリンタにおいて、プリント開始時に各発光点のレーザ光量を規定値にするＡＰＣ動作を行うため、印字動作に移行する時間が長くなり、ファーストプリントタイムが長くなっていた。
【０００５】
また、マルチビームレーザを用いた記録装置において、製造時にレーザ光量の規定値を決める調整用可変抵抗（本調整用可変抵抗はレーザ光モニタ用のフォトダイオードの電流を電圧に変換し、ＡＰＣ時の目標電圧となる）は、一つの発光点に対してのみ調整され、他の発光点に対しては一つの調整された結果を流用していた。これは、マルチビームレーザの各発光点からのフロントビーム、バックビームの関係がほぼ等しく、バックビームを検出するモニタ用フォトダイオードの電流電圧変換調整は、１つの発光点でのみ行うに事足りていた。しかしながら、各レーザ発光点のフロントビーム、バックビームの比率を決めるレーザ共振器の端面コーティングのばらつき等により、各レーザ発光点のフロントビーム、バックビームの関係が微妙に異なっており、高精細な画像を印字する記録装置においては、画像の濃度ムラとなる可能性があった。
【０００６】
本発明の第１の目的とするところは、マルチビームレーザを用いた記録装置において、各レーザ発光点を規定光量にする時間を短縮し、ファーストプリント時間の短い記録装置を提供しようとするものである。
【０００７】
本発明の第２の目的とするところは、マルチビームを用いた記録装置において、各レーザ発光点のレーザ光量を精度良く、安全に調整する手段を提供しようとするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記第１の目的を達成するために、本発明のレーザ駆動方式は、複数の発光個所を有する半導体レーザと、前記半導体レーザの個々のバックビームを検出する１つの光検出装置と、前記半導体レーザと光検出装置が一体化された半導体レーザユニットと、光検出装置の出力を規定値にするためのサンプルホールド方式の自動光量制御を有するレーザ駆動回路と、レーザ光をラスタースキャンニングする回転多面鏡と、走査されたレーザ光の位置を検出する基準位置光検出手段とを有するレーザスキャナユニットにおいて、各発光個所のレーザ発光を規定光量にするために最初にすべてのレーザ発光個所に対して電流を印加し、本印加時にサンプルモードで自動光量制御を開始し、前記基準位置光検出手段がレーザ光を検知した時点で前記半導体レーザの各発光個所に対して印加する電流をホールドモードで固定し、その後個々の発光個所に対して個別にサンプルモードで自動光量制御を行うことによって、各レーザ発光点の光量を規定光量にする時間を短縮し、記録装置のファーストプリント時間を短くすることを特徴とする。
【０００９】
上記第１の目的を達成するために、本発明のレーザ駆動方式は、複数の発光個所を有する半導体レーザと、前記半導体レーザの個々のバックビームを検出する１つの光検出装置と、前記半導体レーザと光検出装置が一体化された半導体レーザユニットと、光検出装置の出力を規定値にするためのサンプルホールド方式の自動光量制御を有するレーザ駆動回路と、レーザ光をラスタースキャンニングする回転多面鏡と、走査されたレーザ光の位置を検出する基準位置光検出手段とを有するレーザスキャナユニットにおいて、各発光個所のレーザ発光を規定光量にするために、最初にすべてのレーザ発光個所に対して電流を印加し、本印加時にサンプルモードで自動光量制御を開始し、前記光検出装置の検出量情報を前記自動光量制御にフィードバックしない状態にし、前記基準位置光検出手段がレーザ光を検知した時点で前記半導体レーザの各発光個所に対して印加する電流をホールドモードで固定し、その後前記検出装置の検出量情報を前記自動光量制御にフィードバックし、個々の発光個所に対して個別にサンプルモードで自動光量制御を行うことによって、各レーザ発光点の光量を規定光量にする時間を短縮し、記録装置のファーストプリント時間を短くすることを特徴とする。
【００１０】
上記第２の目的を達成するために、本発明のレーザ光量調整方法は、第１のレーザ発光個所と第２のレーザ発光個所を有する半導体マルチビームレーザと、前記光検出装置であるフォトダイオードの検出電流を電圧に変換する第１の調整用可変抵抗とを有し、前記第１の調整用可変抵抗で変換された電圧と基準電圧を比較する比較手段を有し、前記基準電圧を調整するための第２の調整用可変抵抗を有し、前記第１の発光個所のレーザ光量を前記第１の調整用可変抵抗で調整し、前記第２の発光個所のレーザ光量を前記第２の調整用可変抵抗で調整することを特徴とする。
【００１１】
さらに、本発明は、複数の発光個所を有する半導体レーザと、前記半導体レーザの個々のバックビームを検出する１つの光検出装置と、前記半導体レーザと前記光検出装置が一体化された半導体レーザユニットと、前記光検出装置の出力を規定値にするためのサンプルホールド方式の自動光量制御を有するレーザ駆動回路と、レーザ光をラスタースキャンニングする回転多面鏡と、該回転多面鏡で走査されたレーザ光の同期信号を検出する基準同期検出手段とを有する画像形成装置において、前記各発光個所のレーザ発光を規定光量にするために、前記各半導体レーザ毎に該発光光量を安定化するＡＰＣ回路を備え、最初にすべての前記ＡＰＣ回路を動作させ、前記光検出装置が前記レーザ発光を検出したときから、前記ＡＰＣ回路毎にサンプルモードとしてＡＰＣ動作させ且つ他のＡＰＣ回路がホールドモードとして動作させることを特徴とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】
（第１の実施形態）
図１に本発明の第１の実施形態を表わすマルチビームレーザの駆動回路機能の説明図を示す。マルチビームレーザとして、本実施形態では２個の発光点を持った半導体マルチレーザを記しているが、３個以上の発光点を持つマルチビームレーザについては、本図１から類推できるので説明を省略する。
【００１３】
図１において、ＬＤ１、ＬＤ２はマルチビームレーザの各発光点を表わすレーザダイオード（以下、ＬＤとも称する）であり、そのアノードを電源Ｖ１に接続されている。ＰＤは各レーザダイオードＬＤ１，ＬＤ２のバックビームレーザ光を検出するフォトダイオード（以下、ＰＤとも称する）である。１，２はフォトダイオードＰＤの検出電流を調整用可変抵抗ＶＲ１，ＶＲ２に流す、流さないを制御するアナログスィッチで信号９，１０で制御されている。３，４は画像データに基づいてレーザダイオードＬＤ１，ＬＤ２を点灯するのかどうかのスイッチングを行うトランジスタで、画像データは信号５，６から印加される。７，８は可変定電流源で、サンプルホールドコンデンサ１５，１６の電圧情報で、レーザダイオードＬＤ１，ＬＤ２に流す電流を決定する。また、１１，１２はＰＤの電流に応じた電圧を検出して比較するエラー検出アンプで、フォトダイオードＰＤの検出電流を調整用可変抵抗ＶＲ１，ＶＲ２で電圧に変換した値と、基準電圧Ｖｒｅｆ  との差でサンプルホールドコンデンサ１５，１６をチャージ、ディスチャージする。１３，１４はサンプルホールドコンデンサ１５，１６のサンプル、ホールド状態をコントロールするスイッチ回路で、不図示の制御信号によってその状態が制御されている。
【００１４】
図２は各レーザダイオードＬＤ１，ＬＤ２とフォトダイオードＰＤとを一体化した場合の概念的斜視図である。ステム３３の一方の面にはステム３３の台に垂直に基台３４が設けられ、基台３４上に発光点３５ａ，３５ｂを有するレーザーチップ３５とフォトダイオード３６とが固定されている。これらレーザーチップ３５とフォトダイオード３６を載置した基台３４をカバーするようにしてキャップ３７がステム３３に取り付けられ、キャップ３７の先端面にはレーザフロントビームＬａ，Ｌｂを通過する窓３８が設けられている。また、そのバックビームＬａ’，Ｌｂ’をフォトダイオードＰＤ３６が受光している。一方、ステム３３の逆側の面には、レーザーチップ３５とフォトダイオード３６を図示しないレーザー駆動制御系に接続するための通電端子３９が設けられている。なお、レーザーチップ３５とフォトダイオード３６の光送受信部３０を１チップで構成してもよいことは勿論である。
【００１５】
図３に本発明による第１の実施形態を示す、レーザスキャナユニットの機能説明図を示している。ＬＤはマルチビームレーザダイオードを表わす。マルチビームレーザダイオードＬＤからのレーザ放射光は、コリメータレンズ１７で平行光に変換され、シリンドリカルレンズ１８に入射される。１９はポリゴンミラーで、不図示のスピンドルモータで矢印Ｍの方向に回転している。２０はｆθレンズと倒れ補正レンズを組み合わせた複合レンズで、感光体ドラム２４上のレーザスポット径、走査速度を決めている。また、２１は折り返しミラー、２２は結像レンズである。２３は画像形成の主走査方向の走査開始前のレーザー光を検出してポリゴンミラー１９の回転速度と同期する同期信号を検出して、基準位置検出とする光検出センサ（以後ＢＤセンサーと称す）である。ここで、折り返しミラー２１、結像レンズ２２を介して入射されたレーザ光を検出し、主走査方向の画像書き出し信号を発生する。
【００１６】
以下、図４のタイミングチャートに沿って、本発明の第１の実施形態の動作について説明する。時刻ｔ０で、アナログスイッチ１，２を信号９，１０でオン状態にする。レーザオン信号５，６でトランジスタ３，４をオン状態にする。スイッチ回路１３，１４をサンプルモード（Ｓ）を示すハイレベルとしてオンし、エラー検出アンプ１１，１２の出力電圧をサンプルホールドコンデンサ１５，１６に蓄積してサンプル状態にする。この時点でポリゴンミラー１９は規定回転数になっている。レーザダイオードＬＤ１，ＬＤ２の電流が徐々に増加し、発光光量が増加してゆき、フォトダイオードＰＤの電流が増加していく。この際、レーザダイオードＬＤ１，ＬＤ２のバックビームをフォトダイオードＰＤが検出して、レーザ光量が判る。しかし、フォトダイオードＰＤの応答速度が遅いため、例えばせいぜい数百ＫＨｚの応答で、レーザ電流を急激に上昇させると、レーザが、レーザが過大発光しても、フォトダイオードＰＤはまだ応答していない状態が生じてしまう。これは、レーザ破壊の一因になる。従って、ＡＰＣにおいては、レーザダイオードＬＤに流す電流を徐々に上昇させていく必要がある。本実施形態では、サンプルホールドコンデンサ回路がレーザダイオードＬＤの電流上昇を抑えています。なお、印字時の高速スイッチング時は、定電流モード（ホールドモード）になっているので問題はない。
【００１７】
このサンプルモードにおいては、ＬＤ１，２の光量が増加し、フォトダイオードＰＤの電流が増加してゆけば、調整用抵抗ＶＲ１，ＶＲ２の端子電圧が増加し、エラー検出アンプ１１，１２の反転端子の電圧が増加し、基準電圧Ｖｒｅｆ近傍でエラー検出アンプ１１，１２の出力が減少し、そのエラー検出アンプ１１，１２の出力に応じて可変定電流源７，８の電流値が減少し、ＬＤ１，ＬＤ２の電流が減少し、ＬＤ１，ＬＤ２の発光光量が減少してゆき、かかるＡＰＣ回路のループ回路によって、ＬＤ１，ＬＤ２の発光光量が一定に保持される。
【００１８】
時刻ｔ１でＢＤセンサー２３がＬＤ１のレーザ光を検出する。レーザ光を利用した記録装置において、通常、記録時のレーザ光量＞ＢＤ検出可能なレーザ光量の関係式が成立している。本実施形態ではＢＤセンサー２３にはＬＤ１のレーザ光を検出する部分と、ＬＤ２のレーザ光を検出する部分と２箇所存在する構成になっている。また、本実施形態ではＬＤ１のレーザ光の方が早く基準のＢＤセンサー検出レベルになっている。なお、図４から、ＬＤ２のレーザ光が先にＢＤセンサーに検出される例は容易に類推できる。また、ＬＤ１，ＬＤ２のレーザ光をＢＤセンサー２３の１つの光検出部が同時に検出する構成も容易に類推できる。
【００１９】
時刻ｔ１でレーザダイオードＬＤ２の印加電流をホールドモードにするために、スイッチ回路１４がホールドモード（Ｈ）を示すローレベルとしてオフするとともに、ＬＤ２オンの信号６でトランジスタ４を非導通として、レーザダイオードＬＤ２をオフする。規定時間経過後の時刻ｔ２で、レーザダイオードＬＤ１の印加電流をホールドモードにするため、スイッチ回路１３をオフし、ＬＤ１オン信号５をオフしてトランジスタ３を非導通としレーザＬＤ１をオフにすると同時に、ＬＤ２オン信号６をオンしスイッチ回路１４をオンとして、レーザダイオードＬＤ２をオンし、サンプルモードにする。そうして、ＬＤ２のレーザ光が増し、ＢＤセンサー検出レベルに到達すると、時刻ｔ３でレーザダイオードＬＤ２をオフし、レーザダイオードＬＤ２をホールドモードにする。
【００２０】
この後、各レーザダイオードＬＤ１，ＬＤ２を交互にオン、オフを繰り返し、レーザダイオードＬＤ１，ＬＤ２の発光光量が規定光量に達する。その際、アナログスイッチ１，２はそれぞれ、ＬＤ１がオンしている時にはアナログスイッチ１だけがオン、ＬＤ２がオンしている時にはアナログスイッチ２だけがオンしている。この際、レーザダイオードの供給電流と光量との関係は、供給電流ＩＬがしきい値電流Ｉｔｈ迄は発光せず、しきい値電流ＩｔｈからＢＤ検出光量ＰＢのときの供給電流ＩＢまで急激に電流増加と共に光量も増加し、供給電流ＩＢから規定光量ＰＳのときの供給電流ＩＳまでも電流に応じて急激に光量も増加するが、供給電流が零からＩＢまでと、ＩＢからＩＳまでの電流値は明らかに前者が直線性的に大きい。よって、複数のレーザを個別にＡＰＣを行った場合は、一般には、供給電流が零からＩＳまでの時間にレーザ数を乗算した時間が必要となるが、本実施形態では、供給電流が零からＩＢまでの時間に、ＩＢからＩＳまでの時間にレーザ数を乗算した時間となって、明らかに時間短縮が可能となり、ファーストプリント時間短縮に寄与することは明らかである。
【００２１】
このように動作において、各発光個所のレーザ発光を規定光量で感光体ドラム２４を露光するために、最初の時刻ｔ０に、すべてのレーザ発光個所に対して電流を印加し、全発光個所のレーザの印加時に、各レーザをサンプルモードで自動光量制御を開始し、基準位置光検出手段によるＢＤ信号がレーザ光を検知した時点ｔ１で、半導体レーザの各発光個所に対して印加する電流をホールドモードで固定し、その後時刻ｔ２で、個々の発光個所に対して、個別にサンプルモードで自動光量制御を行うことによって、各レーザ発光点の光量を規定光量にする時間を短縮することが可能となり、記録装置のファーストプリント時間を短くすることができる。
【００２２】
また、言い換えれば、各発光個所のレーザ発光を感光体ドラムの露光に必要な規定光量にするために、最初の時刻ｔ０に、すべてのレーザ発光個所に対して電流を印加し、全発光個所のレーザの印加時に、サンプルモードで自動光量制御を開始し、光検出装置の検出量情報を自動光量制御にフィードバックしない状態にし、基準位置光検出手段がレーザ光を検知した時点で、半導体レーザの各発光個所に対して印加する電流をホールドモードで固定し、その後、検出装置の検出量情報を自動光量制御にフィードバックし、個々の発光個所に対して個別にサンプルモードで自動光量制御を行うことによって、各レーザ発光点の光量を規定光量にする時間を短縮し、記録装置のファーストプリント時間を短くすることができる。
【００２３】
（第２の実施形態）
図５に本発明による第２の実施形態を示すタイミングチャートを記す。画像形成装置の構成は第１の実施形態で説明した図１、図３と同じである。
【００２４】
図５において、時刻ｔ０でアナログスイッチ１，２をオフ状態にし、その後は上記第１の実施形態と同様に、レーザオン信号５，６でオン状態にする。スイッチ回路１３，１４をオンして、サンプルモード状態にする。この時点でポリゴンミラー１９は規定回転数になっている。レーザダイオードＬＤ１，ＬＤ２の電流が徐々に増加し、レーザダイオードＬＤ１，ＬＤ２の光量が増大してゆき、フォトダイオードＰＤの電流が増加していく。
【００２５】
時刻ｔ１でＢＤセンサー２３がＬＤ１のレーザ光を検出する。ＢＤセンサー２３がＬＤ１のレーザ光検出レベルになった時刻ｔ１で、レーザダイオードＬＤ２の印加電流をホールドモードにするために、スイッチ回路１４をオフするとともに、信号６でレーザダイオードＬＤ２をオフする。さらに、レーザダイオードＬＤ１は続けてサンプルモードであり、アナログスイッチ１のオン信号９でアナログスイッチ１をオンし、フォトダイオードＰＤの検出電流を電流−電圧変換用調整抵抗ＶＲ１に流し、レーザダイオードＬＤ１のレーザ光量情報をエラー検出アンプ１１に伝える。エラー検出アンプ１１は基準電圧Ｖｒｅｆと比較され、調整抵抗ＶＲ１の電圧が大きくなったときにエラー検出アンプ１１の出力はローレベルとなる。一方、フォトダイオードＰＤの検出電流が小さいときは、調整抵抗ＶＲ１の電圧が小さく、エラー検出アンプ１１の出力は高いレベルであり、可変定電流源７の電流吸収が最大であっても、ＬＤ１は即座に高出力光量とはならず、フォトダイオードＰＤの検出電流が徐々に大きくなる。
【００２６】
規定時間経過後、時刻ｔ２で、レーザダイオードＬＤ１をスイッチ１３をオフしてホールドモードとし、レーザＬＤ１のオン信号５をオフし、アナログスイッチ１をオフにすると同時に、トランジスタ４をオンしてレーザダイオードＬＤ２をオンし、アナログスイッチ２をオンし、サンプルモードにする。ＬＤ２のレーザ光が増し、基準電圧ＶｒｅｆであるＢＤセンサー検出レベルに到達すると、時刻ｔ３でレーザダイオードＬＤ２をオフし、ホールドモードにする。この後、各レーザダイオードＬＤ１，ＬＤ２を交互にオン、オフを繰り返し、規定光量に達する。その際、アナログスイッチ１，２はそれぞれ、ＬＤ１がオンしている時には、アナログスイッチ１だけがオンし、ＬＤ２がオンしている時にはアナログスイッチ２だけがオンしている。
【００２７】
本第２の実施形態では、初期にアナログスイッチ１，２をオフし、レーザダイオードＬＤ１，ＬＤ２の光量情報をエラー検出アンプ１１，１２に伝えないため、エラー検出アンプ１１，１２のゲインが最大で維持され、初期の電流の立ち上がりが早く、第１の実施形態よりも、ＬＤ１，ＬＤ２のレーザ光量が速く規定値に到達する。
【００２８】
（第３の実施形態）
図６に本発明の第３の実施形態による画像形成装置の複数の半導体レーザを駆動する駆動回路図を示す。図１と同一の部材には同一の符号を付し、重複す
る説明を省略する。
【００２９】
通常、画像形成装置において、感光体ドラムの感度特性に応じて、レーザ光量の値を規定光量に設定する必要がある。レーザスキャナユニットのレーザ光量を、この規定光量に設定するために、まず基準となる光センサーを感光体ドラム位置、又はレーザスポットが焦点を結ばない感光体ドラム位置よりも少し手前に置いてレーザ光を検出する。この基準となる光センサーで、レーザ光が規定光量になった時点で、レーザ光を一定にする制御を行う。
【００３０】
レーザ光が規定光量の時、内蔵のフォトダイオードの光電流を規定の電圧に変換すべく、調整用可変抵抗の値を決める。その後、画像形成装置では、上記内蔵のフォトダイオードの光電流を変換した規定電圧でＡＰＣ動作が行われ、レーザ光量が規定光量で一定に保たれる。
【００３１】
複数の発光個所を有する半導体マルチビームレーザに関して、以下に調整用可変抵抗の調整方法を説明する。
【００３２】
図６において、抵抗２５、可変抵抗ＶＲ３で基準電圧Ｖｒｅｆ  ２の電圧を分圧し、エラー検出アンプ１２の基準電圧としている。まず、レーザＬＤ１のオン信号５によりトランジスタ３をオンして、レーザダイオードＬＤ１だけをオンする。レーザダイオードＬＤ１のレーザ光量を不図示の光センサーで検出し、規定光量になった時点で可変抵抗ＶＲ１を調整し、エラー検出アンプ１１の基準電圧Ｖｒｅｆ  と等しくする。次にレーザダイオードＬＤ１をオフし、レーザダイオードＬＤ２をオンする。レーザダイオードＬＤ２のレーザ光量を不図示の光センサーで検出し、規定光量となった時点で可変抵抗ＶＲ３を調整してエラー検出アンプ１２の２つの入力を等しくする。
【００３３】
別の調整方法としては、可変抵抗ＶＲ１を最大値付近に設定し、レーザダイオードＬＤ１だけをオンする。スイッチ回路１３をオンし、ＡＰＣを開始する。徐々に可変抵抗ＶＲ１の抵抗値を減少させていき、不図示の光センサーのレーザ光量検出値が規定値になった時点で可変抵抗ＶＲ１の調整を止める。
【００３４】
次に可変抵抗ＶＲ３を最小値付近に設定、レーザダイオードＬＤ１をオフし、レーザダイオードＬＤ２をオンする。スイッチ回路１４をオンし、ＡＰＣを開始する。徐々に可変抵抗ＶＲ３の抵抗値を増加させていき、不図示の光センサーのレーザ光量検出値が規定値になった時点で、可変抵抗ＶＲ３の調整を止める。
【００３５】
本調整を行うことにより、レーザダイオードＬＤ１，ＬＤ２のレーザ光量を精度良く安全に規定光量に調整することができる。
【００３６】
こうして、第１のレーザ発光個所ＬＤ１と、第２のレーザ発光個所ＬＤ２を有する半導体マルチビームレーザによって、光検出装置であるフォトダイオードＰＤの検出電流を電圧に変換する第１の調整用可変抵抗ＶＲ１を有し、第１の調整用可変抵抗ＶＲ１で変換された電圧と基準電圧Ｖｒｅｆを比較する比較手段を有し、基準電圧を調整するための第２の調整用可変抵抗ＶＲ３を有し、前記第１の発光個所のレーザ光量を前記第１の調整用可変抵抗ＶＲ１で調整し、前記第２の発光個所のレーザ光量を前記第２の調整用可変抵抗ＶＲ３で調整することにより、その後レーザダイオードＬＤ１，ＬＤ２のレーザ光量を精度良く、安全に規定光量に調整することができるとともに、ＡＰＣ動作時に各レーザダイオードの光量安定性を増加することができる。
【００３７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のレーザ駆動方式によれば、マルチビームを用いた記録装置において、各レーザ発光点を規定光量にする時間を短縮、ファーストプリント時間の短い記録装置を提供することが可能となる。
【００３８】
また、本発明のレーザ光調整方法によれば、マルチビームレーザを用いた記録装置において、各レーザ発光点のレーザ光量を精度良く、安全に調整することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るレーザ駆動回路の機能説明図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係るレーザ部の外観図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係るレーザスキャナユニットの機能説明図である。
【図４】本発明の第１の実施形態に係るタイミングチャートである。
【図５】本発明の第２の実施形態に係るタイミングチャートである。
【図６】本発明の第３の実施形態に係るレーザ駆動回路の機能説明図である。
【符号の説明】
１Ｄ１  レーザダイオード
ＬＤ２  レーザダイオード
ＰＤ  フォトダイオード
ＶＲ１  調整用可変抵抗
ＶＲ２  調整用可変抵抗
ＶＲ３  調整用可変抵抗
Ｖｒｅｆ    基準電圧
Ｖｒｅｆ  ２  基準電圧
１  アナログスイッチ
２  アナログスイッチ
３  スイッチングトランジスタ
４  スイッチングトランジスタ
７  電流源
８  電流源
１１  エラー検出アンプ
１２  エラー検出アンプ
１３  スイッチ回路
１４  スイッチ回路
１５  サンプルホールドコンデンサ
１６  サンプルホールドコンデンサ
１７  コリメータレンズ
１８  シリンドリカルレンズ
１９  ポリゴンミラー
２０  複合レンズ
２１  折り返しミラー
２２  結像レンズ
２３  ＢＤセンサー
２４  感光体ドラム
３５  レーザチップ
３６    フォトダイオード
３８  照射窓
３９  入出力ピン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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