(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロ構造を有するプローブカードの製造方法であって、
ａ．ウェーハ基本材料を準備するステップと、
ｂ．前記ウェーハ基本材料の上部の所定の位置をエッチングして凹ませロングスロット形状のカンチレバー空間を形成し、前記カンチレバー空間の底部の一端をエッチングして凹ませニードルヘッド空間を形成するステップと、
ｃ．前記カンチレバー空間内および前記ニードルヘッド空間内にくぼみを埋めるようにカンチレバーおよびニードルヘッドを電気鋳造により成形するステップと、
ｄ．前記ウェーハ基本材料の上部に犠牲層としてフォトレジストを塗布し、前記フォトレジストの前記カンチレバーと前記ニードルヘッドとが離れる一端に対応する部分を平版印刷法により除去し、貫通くぼみを形成するステップと、
ｅ．前記フォトレジストの上部を絶縁性およびフォトレジスト特性を有するベースプレートにより覆い、前記ベースプレートの下方の前記貫通くぼみと対応する部分を平版印刷法により除去し、前記ベースプレートの上部から下へ向かって前記ベースプレートを貫通し前記カンチレバーと接続されるベース空間を形成するステップと、
ｆ．前記ベース空間内にくぼみを埋めるようにプローブベースを電気鋳造により成形するステップと、
ｇ．前記ウェーハ基本材料および前記犠牲層を除去するステップと、
を含み、
前記ステップｂおよび前記ステップｃの間で前記カンチレバー空間および前記ニードルヘッド空間の壁面に絶縁層を成形し、前記ステップｇの後、前記プローブカードを試験する電気回路と接触させるための前記ニードルヘッドの局部に設けられている前記絶縁層を除去することを特徴とするプローブカードの製造方法。
【請求項２】
前記ウェーハ基本材料は、シリコンウェーハであり、エッチングする前に予め洗浄および水除去などの前処理が行われることを特徴とする請求項１記載のプローブカードの製造方法。
【請求項３】
前記ステップｂでは、予め水酸化カリウム溶液により前記ウェーハ基本材料に異方性エッチングを行い、前記ニードルヘッド空間をピラミッド形状に凹むように形成した後、反応性イオンエッチングにより前記ウェーハ基本材料の上部より垂直に凹むように前記カンチレバー空間を形成することを特徴とする請求項１記載のプローブカードの製造方法。
【請求項４】
前記カンチレバー、前記ニードルヘッドおよび前記プローブベースの電気鋳造の材料にはニッケルコバルト合金が用いられることを特徴とする請求項１記載のプローブカードの製造方法。
【請求項５】
前記ステップｅで、前記フォトレジストの上部に予め別のフォトレジストを塗布して軟らかく焼き、前記ステップｅ中の平版印刷作業を行い、前記貫通くぼみを形成して硬く焼くことにより前記別のフォトレジストを硬化させ、前記ベースプレートを形成することを特徴とする請求項１記載のプローブカードの製造方法。
【請求項６】
前記別のフォトレジストは、ＳＵ−８フォトレジストであることを特徴とする請求項５記載のプローブカードの製造方法。
【請求項７】
前記ステップｅでは、前記フォトレジストの上にＰＭＭＡ材料から製造された前記ベースプレートを貼り合わせることを特徴とする請求項１記載のプローブカードの製造方法。
【請求項８】
絶縁性およびフォトレジスト特性を有するフォトレジストを焼いて硬化させることにより形成され、所定の位置には板面の両側を貫通するベース空間が形成されているベースプレートと、
導電性を有する材料で電気鋳造により成形され、前記ベースプレートのベース空間内にはめて接続され、一端は前記ベースプレートの板面と均し、他端は前記ベースプレートより突出しているプローブベースと、
導電性を有する材料から成形され、前記プローブベースの前記ベースプレートより突出している一端と接続され、前記プローブベースの一端より曲げられ前記ベースプレートの板面と平行に伸ばされているカンチレバーならびにニードルヘッドを有し、前記ベースプレートとの間に所定の間隔が設けられ、前記ニードルヘッドは前記カンチレバーの伸ばされた末端と接続され、前記カンチレバーより前記ベースプレートと離れる方向に突出しているプローブとを備えるプローブカードであって、
前記プローブにおいて前記プローブカードを試験する電気回路と接触させるための局部以外の表面は、絶縁層で被覆されていることを特徴とするプローブカード。
【請求項９】
前記プローブベースおよび前記プローブの材質はニッケルコバルト合金であることを特徴とする請求項８記載のプローブカード。
【請求項１０】
前記プローブのニードルヘッドは、尖端が外部へ向かったピラミッドの形状を呈していることを特徴とする請求項８記載のプローブカード。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はプローブカード（ｐｒｏｂｅ  ｃａｒｄ）に関し、特にマイクロシステム技術（Ｍｉｃｒｏ  Ｓｙｓｔｅｍ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ；ＭＳＴ）を利用するプローブカードの製造方法およびプローブカードに関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体製造において、ウェーハ（ｗａｆｅｒ）が完成して梱包する前に、まず、その電気回路の機能が正常かどうかのテストを行なわなければならない。そのウェーハ（ｗａｆｅｒ）をテストする場合、一般的に、“プローブカード（ｐｒｏｂｅ  ｃａｒｄ）”が用いられる。テスト作業を行なう場合、そのプローブカードを試験する装置（ＤＵＴ）とテスターの間に置き、対応して分布している多数のプローブに試験する電気回路の接点と接触させ、接点の電気信号を導電線路でテスターまで送信する。
【０００３】
現在使用されているプローブカードにはいろいろなタイプがある。世界中にも特許を取得したプローブカードがたくさんあり、その中の典型的なケースとしては、米国特許第４７５７２５６号、５０９０１１８号、５４７５３１８号、６０７２１９０号等がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上述の各種のプローブカードの構造、動作原理および製造方式はすべて同じではない。従来のプローブカードにはいろいろな欠点がある。例えば、より伝統的なプローブカード（前述の米国特許第４７５７２５６号の発明を含む）のプローブは、その組み込みおよびプローブの高さの調整はすべて人の作業によるので、時間および作業工数がかかる。製品の精密性が良好でないため、テストの安定性に影響する。また、プローブの露出した部分が多すぎ、絶縁被覆が実施されていないため、寄生電気容量およびインダクタンスを生じ、高周波のテスト信号が弱くなって、漏話が増加する問題等がある。その他、カンチレバーの密度に問題があるため、だんだん精密になっているウェーハ電気回路に対応できなくなり、又、プローブの変形能力が小さすぎるため、試験中の電気回路の共同平面度が良くない場合、すべてのプローブが全部安定に、その接点にコンタクトすることを保証できない。
【０００５】
上述の米国特許第４７５７２５６号の発明によるプローブカードについては、テストを行なう前に、プローブの熱変形を行なわなければならないので、高速テストに応用できない。
したがって本発明の目的は、プローブ密度が高く、電気回路構造が精密でウェーハのテストが可能なプローブカードの製造方法およびプローブカードを提供することにある。
【０００６】
本発明の別の目的は、プローブの大幅変形を実施可能で、試験中電気回路の間の接触安定性が高いプローブカードの製造方法およびプローブカードを提供することにある。
本発明のもう一つの目的は、プローブで高周波テストおよび高速テストが可能なプローブカードの製造方法およびプローブカードを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上述の目的を達成するため、本発明の請求項１記載のマイクロ構造を有するプローブカードの製造方法は、下記のステップを含んでいる。
ａ．ウェーハ基本材料を１個準備する。
ｂ．基本材料上の所定位置に、基本材料の上部より凹むようにロングスロット形状のカンチレバー空間をエッチングにより形成し、カンチレバー空間の底部の一端より凹むようにニードルヘッド空間をエッチングで形成する。
【０００８】
ｃ．カンチレバー空間およびニードルヘッド空間の中に、くぼみを埋めるようにカンチレバーおよびニードルヘッドを電気鋳造（ｅｌｅｃｔｒｏ−ｆｏｒｍｉｎｇ）で成形する。
ｄ．犠牲層として、基本材料の上部に一層のフォトレジストを塗布する。平版印刷法で、そのフォトレジストの各カンチレバーがニードルヘッドと離れる一端と対応する部分を除去して、貫通くぼみを形成する。
【０００９】
ｅ．フォトレジストの上部を絶縁性およびフォトレジスト特性を有するベースプレートにより覆う。平版印刷法により、そのベースプレートの、下方の各貫通くぼみと対応する部分を除去した後、上部から下へ向かってベースプレートを貫通しカンチレバーと接続するべース空間を成形する。
【００１０】
ｆ．べース空間の中に、くぼみを埋めるようにプローブベースを電気鋳造で成形する。
ｇ．基本材料および犠牲層を除去する。
本発明の請求項２記載のマイクロ構造を有するプローブカードの製造方法は、基本材料はシリコンウェーハであり、エッチングする前に、予め洗浄および水除去などの前処理を行う。
【００１１】
本発明の請求項３記載のマイクロ構造を有するプローブカードの製造方法は、ｂのステップで、予め水酸化カリウムの溶液により、前記基本材料へ異方性エッチングを行い、ピラミッド形状に凹んだニードルヘッド空間を成形した後、反応性イオンエッチングにより、基本材料の上部より垂直に凹んだカンチレバー空間を成形する。
【００１３】
本発明の請求項４記載のマイクロ構造を有するプローブカードの製造方法は、カンチレバー、ニードルヘッドおよびプローブベースの電気鋳造の材料には、ニッケルコバルト合金が用いられている。
本発明の請求項５記載のマイクロ構造を有するプローブカードの製造方法は、ｅのステップで、フォトレジストの上部に、予め一層の別のフォトレジストを塗布し、軟らかく焼き、ｅのステップ中の平版印刷作業を行い、貫通くぼみを成形し、硬く焼くことにより、前記別のフォトレジストを硬化させ、ベースプレートを形成する。
【００１４】
本発明の請求項６記載のマイクロ構造を有するプローブカードの製造方法は、前記別のフォトレジストはＳＵ−８フォトレジストであることを特徴とする。
本発明の請求項７記載のマイクロ構造を有するプローブカードの製造方法は、ｅのステップでは、フォトレジストの上にＰＭＭＡ（Ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌ  ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）の材料から製造されたベースプレートが貼り合わされる。
【００１５】
本発明の請求項１記載のマイクロ構造を有するプローブカードの製造方法は、ｂおよびｃのステップ間で、カンチレバー空間およびニードルヘッド空間の壁面に、絶縁層を成形する。ｇのステップ後、前記プローブカードを試験する電気回路と接触させるためのニードルヘッドの局部に設けられている前記絶縁層が除去される。
【００１６】
本発明の請求項８記載のマイクロ構造を有するプローブカードには、ベースプレートが設けられている。ベースプレート上の所定の位置には、板面の両側を貫通するベース空間が成形されている。導電性を有する材料で電気鋳造により成形されているプローブベースが、ベースプレートのベース空間内にはめられて接続されている。一端はベースプレートの板面と均し、他端はベースプレートより突出している。導電性を有する材料により成形されているプローブが、プローブベースのベースプレートより突出している一端と接続されている。プローブは、プローブベースの一端より曲げられベースプレートの板面と平行に伸ばされているカンチレバーとニードルヘッドとを有し、ベースプレートとプローブとの間には、所定の間隔が設けられ、プローブのニードルヘッドはカンチレバーの伸ばされている末端と接続され、カンチレバーより、ベースプレートと離れる方向に少し突出している。
【００１７】
本発明の請求項８記載のマイクロ構造を有するプローブカードは、ベースプレートは絶縁性およびフォトレジスト特性を有するフォトレジストを焼いて硬化させることにより形成される。
【００１８】
本発明の請求項９記載のマイクロ構造を有するプローブカードは、プローブベースおよびプローブの材質はニッケルコバルト合金である。
本発明の請求項１０記載のマイクロ構造を有するプローブカードは、プローブのニードルヘッドは、尖端が外へ向かったピラミッドの形状を呈している。
本発明の請求項８記載のマイクロ構造を有するプローブカードは、プローブにおいてプローブカードを試験する電気回路と接触させるための局部以外の表面が絶縁層で被覆されている。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
本発明の一実施例によるマイクロ構造を有するプローブカードの製造方法のステップは下記の通りである。
図１に示すように、本実施例のステップａで基本材料を準備する。プレート状のウェーハ基本材料１０（図中には側辺の断面を示す）を準備してから、洗浄および水除去などの前処理を行なう。本実施例で用いられている基本材料１０はシリコンウェーハである。
【００２０】
図２のａに示すように、本実施例のステップｂで基本材料の上にくぼみをエッチングする。プローブカードの設計としては、基本材料１０上の所定位置に、ＫＯＨ（水酸化カリウム）の溶液で異方性エッチング（ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  ｅｔｃｈｉｎｇ）を行なうが、各々決められたポイントに、基本材料１０の上部より下へ凹んだピラミッド形状のニードルヘッド空間１２を成形する。進行中、ＫＯＨの溶液の処方の高度”選択性（ｓｅｌｅｃｔｉｖｉｔｙ）”によって、ニードルヘッド空間１２のエッチング深さは正確に把握可能である。すべてのニードルヘッド空間１２を同一の深さに位置させてから、反応性イオンエッチング（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  ｌｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ；ＲＩＥ）により、各ニードルヘッド空間１２のそばに、基本材料１０の上部より垂直に凹んだロングスロット形状のカンチレバー空間１４を成形する。各カンチレバー空間１４の一端をその対応するニードルヘッド空間１２と接読させる。
【００２１】
図２のｂに示すように本実施例ではエッチング深さをニードルヘッド空間１２までに及ぼさせずに、上述のＲＩＥにてカンチレバー空間を成形してから、異方性エッチングにてカンチレバー空間の底部の端にピラミッド形状のニードルヘッド空間を成形することも可能である。
【００２２】
尚、図２のｃに示すように、本実施例ではニードルヘッド空間もＲＩＥにて長方形スロットとして成形可能である。上述の異方性エッチングおよびＲＩＥは従来の技術なので、その原理および詳しい内容は重ねて記述しない。後の文章で出るその他の従来技術も同様である。
【００２３】
図３に示すように、本実施例のステップｂの後、くぼみの底部にシードレーヤ（ｓｅｅｄ  ｌａｙｅｒ）を成形する。従来のスパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）技術で、ニードルヘッド空間１２およびカンチレバー空間１４の底部に、シードレーヤ２０を成形する。本実施例で使用される材料は導電材料であり、例えば、銅、ニッケル又はチタン等がある。尚、スパッタリングの方式以外、蒸着（ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）又は沈積（ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）等、その他の方式を使用して、シードレーヤを成形することも可能である。
【００２４】
図４に示すように、本実施例のステップｃで、くぼみの中に、ニードルヘッドおよびカンチレバーを電気鋳造（ｅｌｅｃｔｒｏ−ｆｏｒｍｉｎｇ）で成形する。従来のマイクロ電気鋳造技術にてニードルヘッド空間１２およびカンチレバー空間１４の中のくぼみを埋めて、ニードルヘッド３２およびカンチレバー３４をそれぞれ成形する。本実施例の電気鋳造で用いられている金属はニッケルコバルト合金であり、それは導電性、機械性能に優れている。
【００２５】
図５に示すように、本実施例のステップｄで、基本材料の上部にフォトレジスト（ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ）平版印刷法（ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）で貫通くぼみを成形する。従来のシックレジスト平版印刷法（ｔｈｉｃｋ  ｒｅｓｉｓｔｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）技術を用いて、まず基本材料１０の上部に一層の約５０〜１００μｍのフォトレジスト４０を塗布し（本実施例はＪＳＲフォトレジストを用いた）、予め設計して作成したライトシールドによって、紫外線にて露光現像（即ちパターン（ｐａｔｔｅｒｎ）を定義する）を行ない、フォトレジスト４０のカンチレバー３４がニードルヘッド３２より離れる一端（約カンチレバーの半分）の部分を除去し、貫通くぼみ４２が形成される。貫通くぼみ４２がエッチングされたフォトレジスト４０は犠牲層（ｓａｃｒｉｆｉｃａｌ  ｌａｙｅｒ）として使用されたのである。
【００２６】
図６に示すように、本実施例によるステップｅで、フォトレジストの上部をベースプレートで覆った後、べース空間を成形する。このステップには、下記の２種類の実施方式がある。
１種類目の方式は、図６のａに示すように、予めフォトレジスト４０の上部を、回転塗布（ｓｐｉｎ  ｃｏａｔｉｎｇ）の方式で一層の厚膜フォトレジスト５０で覆う。この厚膜フォトレジスト５０は、耐高温性のものを用いることが望ましい（例えば、ＳＵ−８シリーズのフォトレジスト）。それを軟らかく焼いてから（予め焼く）、従来の平版印刷法（ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）によって、パターンを定義する。厚膜フォトレジスト５０下方の貫通くぼみ４２と対応する部分を除去した後、上部から厚膜フォトレジスト５０をエッチングし、カンチレバー３４と接続したべ一ス空間６２がそれぞれ形成される。露光現像してから硬く焼くことで、厚膜フォトレジスト５０を硬化させて、上述のベースプレート６０を形成する。
【００２７】
２種類目の方式は、図６のｂに示すように、直接フォトレジスト４０の上部に硬質のベースプレート６０’を張るのである。本実施例で用いられている材質は、ＰＭＭＡ（Ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌ  ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ；メタクリル酸メチル）であるが、アクリル等のその他の物質は絶縁およびフォトレジスト特性があるため、この方法に用いることが可能である。その方法は同様に従来の平版印刷法にて、ベースプレート６０’ヘパターン定義を行なって、ベースプレート６０’の上に、上部よりカンチレバー３４まで接続したべース空間６２’を成形した。
【００２８】
図７に示すように、本実施例によるステップｆで、べース空間の中に、プローブベースを成形する。ベースプレート６０の各ベース空間６２の中に、くぼみを埋めたプローブベース７０が電気鋳造により成形され、プローブベース７０の底部はカンチレバー３４と結び付けられている。プローブベース７０の電気鋳造の材質は、カンチレバー３４、ニードルヘッド３２と同様にニッケルコバルト合金が用いられている。
【００２９】
図８に示すように、本実施例によるステップｇで、ベースプレート６０、シードレーヤおよびフォトレジスト（犠牲層）を除去する。
図９に示すように、基本材料１０、シードレーヤ２０およびフォトレジスト４０（犠牲層）をエッチングして除去し、ベースプレート６０の下方のカンチレバー３４およびニードルヘッド３２を露出したものは、この方法で製造されたプローブカード８０である。プローブカード８０は、ベースプレート６０を含み、そのベースプレート６０の中に、導電性のあるプローブベース７０が複数はめられ、各プローブベース７０の底部は、ベースプレート６０の底部より突出している。垂直に曲げられ底部に水平なカンチレバー３４の末端に、下へ向かって突出するニードルヘッド３２が設けられ、カンチレバー３４およびニードルヘッド３２の上に、それぞれプローブ３０が構成され、カンチレバー３４およびベースプレート６０の間に、所定の隙間（即ち、そのフォトレジスト４０の厚さ）を保有している。ニードルヘッド３２を利用して、試験中のウェーハの予定接点と接触するのであるが、プローブベース７０の上部は、ベースプレート６０の上部と均されることで、導線の溶接に提供され、プローブカード８０（およびそのプローブ３０）の電気をテスト電気回路の接点まで接続させ、ウェーハの機能をテストする。その使用状態は図１０に示す。プローブカード８０の底部のプローブ３０は、一つ一つニードルヘッド３２でウェーハ９０上の予定接点９２と接触する。
【００３０】
上述のプローブカード８０は、下記の長所を有する。
１．プローブの位置が高く、その位置が精密である。本実施例で用いた技術は、マイクロシステム技術（ＭＳＴ）であり、各部品のサイズ、位置および相互の関係は非常に精密である。隣接する２個のプローブ３０の間での隙間の最小限度は１０μｍまで達するので、電気回路の構造が大変精密な試験ウェーハと対応可能である。
【００３１】
２．接触の安定性が非常に良好である。プローブ３０の水平カンチレバー３４とベースプレート６０との間に隙間が設けられている。プローブ３０は、機械性能の良いもので製造されているので、相当な程度の撓み変形（ニードルヘッド３２およびベースプレート６０の底部の間での距離が変更できることを指す）を行なうことが可能で、その最大の変形量は１００μｍまで達成できるため、試験中の電気回路の共有平面度が不要であっても、図１１に示すようにそれぞれのプローブ３０が状況によって適度に上へ撓むため、すべてのニードルヘッド３２は、安定して試験する接点にコンタクト可能である。
【００３２】
３．高速テストを行なうことができる。プローブ３０の上述のような変形は、自体の弾力にて達成しているので、試験するウェーハは離れてから、直ちに現状を回復可能で、本実施例によるプローブカード８０は、高速テストを行なうことが可能である。尚、本実施例はマイクロ電気鋳造の技術で、くぼみの部位の中に、プローブのカンチレバー、ニードルヘッドおよびベースプレートを成形する場合、予めそのくぼみの壁面に絶縁層を成形してから、くぼみを埋めた導電部を成形（例えば、上述の実施例の中でのニッケルコバルト合金）することで、カンチレバー、ニードルヘッドおよびベースプレートを成形した後、その表面は直ちに一つの絶縁層で被覆される。エッチング又はレーザ加工等の方式で絶縁層を除去することで、プローブカードを試験する電気回路と正常に接触させることができる。プローブおよびプローブベースの表面にすべて絶縁体を有するので、寄生電気容量およびインダクタンスを大幅に低下可能で、高周波のテストに応用できる。
【００３３】
最後に説明したいのは、上述の実施例によるプロセス中の手順は、本発明の原理と近い原理を有する従来の技術に取って代わることが可能で、本発明の特許請求範囲で述べた内容と等しい実施を行なう場合、すべて本発明の創作精神の範囲であることを認められるべきである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例によるプローブカードの製造方法におけるステップａの基本材料準備を説明するための模式図である。
【図２】本発明の一実施例によるプローブカードの製造方法におけるステップｂで、基本材料にくぼみを設けた状態を示す模式図である。
【図３】本発明の一実施例によるプローブカードの製造方法で、くぼみのボトムにシードレーヤを成形した状態を示す模式図である。
【図４】本発明の一実施例によるプローブカードの製造方法におけるステップｃで、くぼみの中にニードルヘッドおよびカンチレバーを成形した状態を示す模式図である。
【図５】本発明の一実施例によるプローブカードの製造方法におけるステップｄで、基本材料の上部にフォトレジストを塗布してから、貫通くぼみを成形した状態を示す模式図である。
【図６】本発明の一実施例によるプローブカードの製造方法におけるステップｅで、フォトレジストの上部にベースプレートを成形し、その上にべース空間を成形した状態を示す模式図である。
【図７】本発明の一実施例によるプローブカードの製造方法におけるステップｆで、べース空間にプローブベースを成形した状態を示す模式図である。
【図８】本発明の一実施例によるプローブカードの製造方法におけるステップｇで、基本材料、シードレーヤおよびフォトレジスト（犠牲層）が除去された状態、すなわち、本実施例によるプローブカードを示す模式図である。
【図９】本発明の一実施例によるプローブカードの底部を示す斜視図である。
【図１０】本発明の一実施例によるプローブカードの底部を示す斜視図である。
【図１１】本発明の一実施例によるプローブカードの使用時、プローブのカンチレバーに撓み変形を生じた状態を示す模式図である。
【符号の説明】
１０    基本材料
１２    ニードルヘッド空間
１４    カンチレバー空間
２０    シードレーヤ
３２    ニードルヘッド
３４    カンチレバー
４０    フォトレジスト
４２    貫通くぼみ
５０    厚膜フォトレジスト
６０    ベースプレート
６２    ベース空間
７０    プローブベース
８０    プローブガード
９０    ウェーハ
９２    予定接点
【図１】
0003584219.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0003584219.tif 000008
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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