(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に転写するための薄膜を転写元の基材上に形成する薄膜形成方法において、
前記基材の主表面の中央部に配置された中央領域の周囲に、表面の濡れ性が前記薄膜の材料である液状の薄膜材料に対して向上したリング状の処理領域を形成する表面処理工程と、
この表面処理工程の後、前記基材の主表面に前記薄膜材料を塗布し、前記中央領域を全て覆い周縁部が前記処理領域上にまで延在する薄膜を形成する塗布工程と
を備えたことを特徴とする薄膜形成方法。
【請求項２】
請求項１記載の薄膜形成方法において、
表面の濡れ性が前記薄膜材料に対して向上した部分処理領域を、前記中央領域内に前記処理領域とは離間して形成する部分処理工程を新たに備え、
前記表面処理工程と前記部分処理工程との後で前記塗布工程を行う
ことを特徴とする薄膜形成方法。
【請求項３】
請求項２記載の薄膜形成方法において、
前記部分処理領域は、前記中央領域の中央部に配置されて中心を前記中央領域と実質的に同一とした円形の領域である
ことを特徴とする薄膜形成方法。
【請求項４】
請求項２記載の薄膜形成方法において、
前記部分処理領域は、
前記中央領域の中央部に配置されて中心を前記中央領域と実質的に同一とした円形の領域と、
前記処理領域と前記円形の領域との間に配置されて中心を前記中央領域と実質的に同一としたリング状の領域と
から構成されたものであることを特徴とする薄膜形成方法。
【請求項５】
請求項２記載の薄膜形成方法において、
前記部分処理領域は、
前記中央領域の中央部に配置されて中心を前記中央領域と実質的に同一とした円形の領域と、
前記処理領域と前記円形の領域との間に配置されて、前記中央領域の中心部より実質的に等距離に配置された複数の部分領域と
から構成されたものであることを特徴とする薄膜形成方法。
【請求項６】
請求項２〜５いずれか１項に記載の薄膜形成方法において、前記薄膜を形成する領域内で、前記部分処理領域と前記処理領域とを合計した領域である表面処理領域Ａを、座標ｐをもつ点ｘ（ｐ１，ｐ２）の集合とし、
前記中央領域内の前記部分処理領域以外の領域である非処理領域Ｂを、座標ｑをもつ点ｙ（ｑ１，ｑ２）の集合とし、
この点ｙ（ｑ１，ｑ２）から前記表面処理領域Ａまでの距離をｒ（ｑ，ｐ）とするとき、
前記非処理領域Ｂ内の任意の点ｙ（ｑ１，ｑ２）における距離ｒ（ｑ，ｐ）の上限値と、前記表面処理領域Ａの全面積Ｓとの両者を同時に最小にするように、前記点ｘを配置する
ことを特徴とする薄膜形成方法。
【請求項７】
請求項１記載の薄膜形成方法において、
前記表面処理工程では、前記処理領域の形成に加え、
前記中央領域を、前記処理領域より弱く、表面の濡れ性が前記薄膜材料に対して向上した状態とする
ことを特徴とする薄膜形成方法。
【請求項８】
請求項１〜７いずれか１項に記載の薄膜形成方法において、前記表面処理領域は、表面の濡れ性が前記薄膜材料に対して向上した複数の微細な領域から構成されたものである
ことを特徴とする表面処理領域。
【請求項９】
請求項１〜７いずれか１項に記載の薄膜形成方法において、前記表面の濡れ性を前記薄膜材料に対して向上させる処理には、コロナ放電処理を用いる
ことを特徴とする薄膜形成方法。
【請求項１０】
請求項１〜７いずれか１項に記載の薄膜形成方法において、
前記薄膜材料の塗布は、回転塗布方式，ロールコート方式，スキャン塗布法式のいずれかにより行う
ことを特徴とする薄膜形成方法。
【請求項１１】
請求項１〜１０いずれか１項に記載の薄膜形成方法において、
前記中央領域内の前記薄膜の表面に基板の主表面を当接させて密着させ、前記基材と前記基板とが前記薄膜を介して展着した状態として貼り合わせ、
この後、前記基板と前記基材とを離間させて前記薄膜の前記基板上に密着している領域を前記基材より剥離し、前記基板上に前記薄膜の一部が形成された状態とする
ことを特徴とする薄膜形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば、基板に転写するなどの目的で、シート状の基材上に剥がれやすい状態で薄膜を形成する薄膜形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
フッ素化合物系の材料からなる基材上に薄膜材料を塗布する場合、基材表面と薄膜材料の濡れ性が悪く、薄膜材料が塗布できない。これを解消するため、コロナ放電処理などの表面処理によって基材の表面状態を変化させ、基材表面と薄膜材料との濡れ性および接着性を向上させるようにしている。
例えば、図１４（ａ）の平面図および図１４（ｂ）の概略的な断面図に示すように、フッ素系の合成樹脂フィルムからなる円形の基材１４０１を用意し、図１４（ｃ）の平面図および図１４（ｄ）の断面図に示すように、基材１４０１の表面にコロナ放電処理を施して表面処理領域１４０２を形成する。この後、回転塗布法により基材１４０１上に薄膜材料を形成すれば、図１４（ｅ）の平面図および図１４（ｆ）の断面図に示すように、基板１４０１の表面処理領域１４０２上に、薄膜１４０３が形成された状態が得られる。
【０００３】
また、つぎに示すようにして薄膜を形成する場合もある。まず、図１５（ａ）の平面図および図１５（ｂ）の概略的な断面図に示すように、フッ素系の合成樹脂フィルムからなる円形の基材１５０１の上に、リング状のカバー１５０２を配置する。この状態で、基材１５０１の露出している表面にコロナ放電処理を施し、カバー１５０２を取り除けば、図１５（ｃ）の平面図および図１５（ｄ）の断面図に示すように、部分的に表面処理領域１５０３を得ることができる。このように、コロナ放電処理を部分的に施すことで、表面処理領域１５０３を形成した後、回転塗布法により基材１５０１上に薄膜材料を形成し、周辺部分をエッジリンス（周辺リンス）などにより除去すれば、基板１５０１の表面処理領域１５０３上に、薄膜１５０４が形成された状態が得られる。
【０００４】
以上のようにして、基材１５０１上に薄膜１５０４を形成した後、図１６（ａ）の斜視図に示すように、ウエハ１６０１を位置合わせした状態で対向配置し、図１６（ｂ）の断面図に示すように、ウエハ１６０１を薄膜１５０４表面に貼り合わせ、これらを真空中で熱圧着する。この後、基材１５０１を剥がすことで、図１７（ａ）の平面図および図１７（ｂ）の断面図に示すように、ウエハ１６０１上に、薄膜１５０４ａが形成（転写）された状態が得られる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述したような表面処理，塗布，熱圧着を経た場合、基材のみを剥離して薄膜を基板（ウエハ）に転写する際に、転写が不良になる場合があった。
例えば、図１８（ａ）の断面図に示すように、基材１５０１上に選択的に形成された処理領域１５０３に、前述したように薄膜１５０４を形成し、この上にウエハ１６０１を貼り合わせて熱圧着した状態とする。この後、基材１５０１に力を加えてウエハ１６０１から剥離するが、図１８（ｂ）に示すように、薄膜１５０４が基材１５０１側より全く移動せず、ウエハ１６０１になにも転写されない場合がある。
【０００６】
また、薄膜１５０４が部分的に転写され、図１８（ｃ）に示すように、ウエハ１６０１に部分的に薄膜１５０４ｂが形成される場合もある。
これら不完全な転写は、薄膜１５０４とウエハ１６０１との接着力が、薄膜１５０４と基材１５０１との接着力より弱いために起こる問題である。
【０００７】
本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、例えば、基材上の薄膜を基板に転写し易いなど、基材上に形成した薄膜がより容易に剥離可能な状態で、基材上に薄膜が形成できるようにすることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の一形態における薄膜形成方法は、基板に転写するための薄膜を転写元の基材上に形成する薄膜形成方法において、基材の主表面の中央部に配置された中央領域の周囲に、表面の濡れ性が薄膜の材料である液状の薄膜材料に対して向上したリング状の処理領域を形成する表面処理工程と、この表面処理工程の後、基材の主表面に薄膜材料を塗布し、中央領域を全て覆い周縁部が処理領域上にまで延在する薄膜を形成する塗布工程とを備えたものである。
この薄膜形成方法によれば、基材上に形成された薄膜は、周縁部が基材と密着性よく形成される。
【０００９】
上記の薄膜形成方法において、例えば、表面の濡れ性が薄膜材料に対して向上した部分処理領域を、中央領域内に処理領域とは離間して形成する部分処理工程を新たに備え、表面処理工程と部分処理工程との後で塗布工程を行うようにしてもよい。また、例えば、部分処理領域は、中央領域の中央部に配置されて中心を中央領域と実質的に同一とした円形の領域としてもよく、部分処理領域は、中央領域の中央部に配置されて中心を中央領域と実質的に同一とした円形の領域と、処理領域と円形の領域との間に配置されて中心を中央領域と実質的に同一としたリング状の領域とするようにしてもよい。
【００１０】
また、上記薄膜形成方法において、部分処理領域は、例えば、中央領域の中央部に配置されて中心を中央領域と実質的に同一とした円形の領域と、処理領域と円形の領域との間に配置されて、中央領域の中心部より実質的に等距離に配置された複数の部分領域とから構成するようにしてもよい。
【００１１】
また、上記薄膜形成方法において、薄膜を形成する領域内で、部分処理領域と処理領域とを合計した領域である表面処理領域Ａを、座標ｐをもつ点ｘ（ｐ１，ｐ２）の集合とし、中央領域内の部分処理領域以外の領域である非処理領域Ｂを、座標ｑをもつ点ｙ（ｑ１，ｑ２）の集合とし、この点ｙ（ｑ１，ｑ２）から表面処理領域Ａまでの距離をｒ（ｑ，ｐ）とするとき、非処理領域Ｂ内の任意の点ｙ（ｑ１，ｑ２）における距離ｒ（ｑ，ｐ）の上限値と、表面処理領域Ａの全面積Ｓとの両者を同時に最小にするように、点ｘを配置するようにすればよい。
【００１２】
また、上記薄膜形成方法において、表面処理工程では、処理領域の形成に加え、中央領域を、処理領域より弱く、表面の濡れ性が薄膜材料に対して向上した状態としてもよい。
また、表面処理領域は、表面の濡れ性が薄膜材料に対して向上した複数の微細な領域から構成されたものとしてもよい。
【００１３】
また、上記薄膜形成方法において、表面の濡れ性を薄膜材料に対して向上させる処理には、コロナ放電処理を用いればよい。また、薄膜材料の塗布は、ロールコート方式，回転塗布方式，スキャン塗布法式のいずれかを用いればよい。
【００１４】
上記薄膜形成方法において、中央領域内の薄膜の表面に基板の主表面を当接させて密着させ、基材と基板とが薄膜を介して展着した状態とする貼り合わせ、この後、基板と基材とを離間させて薄膜の基板上に密着している領域を基材より剥離し、基板上に薄膜の一部が形成された状態とすることができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。
まず、図１（ａ）の平面図に示すように、膜厚５０μｍ程度のＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）からなるシートを直径３００ミリ程度の円形に切り出すことで形成した基材１０１上に、基材１０１の中央部の領域を覆い、周辺領域を露出させるカバー１０２を固定する。図１（ｂ）は、これらの状態を概略的に示す断面図である。
【００１６】
この状態で、カバー１０２上方よりコロナ放電処理を施すと、カバー１０２の周囲に露出している基材１０１の表面が、選択的に表面処理される。この処理の後、カバー１０２を取り外すことで、図２（ａ）の平面図および図２（ｂ）の断面図に示すように、基材１０１の周縁部より始まるリング状の領域に、コロナ放電処理によって濡れ性および接着性が向上した処理領域１０３が形成される。この処理領域１０３の内側は、未処理領域（中央領域）１０４となる。
【００１７】
つぎに、図３（ａ）の平面図に示すように、基材１０１の未処理領域１０４の中央部に、所定量の有機絶縁膜材料からなる薄膜材料１０５を滴下する。この後、基材１０１を基材１０１表面で形成される平面内で基材１０１の中心部を回転中心として回転させる。回転数は例えば１５００回転とし、また３０秒間回転を続ける。これらのことにより、図３（ｂ）に示すように、滴下した薄膜材料１０５は、回転の過程で遠心力によって基材１０１表面上を延伸し、未処理領域１０４を越えて処理領域１０３にまで達する。
【００１８】
以上の回転塗布を行った後、遠心力によって延伸した薄膜材料１０５の周辺部分を、例えばエッジリンス処理などにより除去し、図４の平面図に示すように、基材１０１上に、未処理領域１０４全域を覆う平面視円形の薄膜１０６が形成された状態とする。形成された薄膜１０６は、膜厚１５μｍ程度となる。
【００１９】
ところで、基材１０１上に形成された薄膜１０６の周縁部１０６ａは、表面処理によって濡れ性と接着力が向上した処理領域１０３上にある。従って、周縁部１０６ａは、基材１０１からはじかれることがなく、また、薄膜１０６（薄膜材料１０５）の凝集力によって周縁部１０６ａが基材１０１の中心部に収縮することなく安定した静止状態となる。
【００２０】
以上のことに対し、図５（ａ）に示すように、基材１０１の未処理領域１０４の中央部に、所定量の有機絶縁膜材料からなる薄膜材料１０５を滴下し、この後、基材１０１を基材１０１表面で形成される平面内で基材１０１の中心部を回転中心として回転させる。ここでは、例えば回転数を８００回転程度とし、また、回転を継続する時間を１０秒程度とする。このようにすると、薄膜材料１０５は、図５（ｂ）に示すように、遠心力が弱いため処理領域１０３に到達しない場合がある。この場合、基材１０１の回転を停止すると、図５（ｃ）に示すように、薄膜材料１０５は、未処理領域１０４の表面ではじかれて、基材１０１の中心部に凝集してしまう。この結果、この場合は、図４に示したように薄膜１０６を形成することができない。
【００２１】
以上説明したように、薄膜材料１０５を延伸させて基材１０１周辺部に形成した処理領域１０３にまで到達させれば、薄膜材料１０５の周縁部は処理領域でははじかれることがない。また、図２に示すように、処理領域１０３が、未処理領域１０４の周囲を完全に取り囲む状態となっていれば、図４に示したように、密着性の低い未処理領域１０４においても、薄膜１０６が形成された状態が得られる。
【００２２】
以上に説明したように、基材１０１の中央部の密着性の低い未処理領域１０４においても薄膜１０６が形成された状態としたら、つぎに説明するようにして、薄膜１０６を転写する。
まず、図６（ａ）に示すように、直径１５０ｍｍ程度の半導体からなるウエハ（基板）１０７を、薄膜１０６の表面に対向させ、図６（ｂ）の断面図に示すように、薄膜１０６表面とウエハ１０７の表面とを当接させる。このとき、基材１０１とウエハ１０７とが薄膜１０６を介して展着した状態とする。この後、基材１０１とウエハ１０７との圧力を加えて薄膜１０６とウエハ１０７とを圧着させ、かつこれらを真空中で加熱することで、ウエハ１０７に薄膜１０６が接合した状態とする。
【００２３】
以上のようにしてウエハ１０７に薄膜１０６を真空中で熱圧着した後、薄膜１０６より基材１０１を剥離することで、図７（ａ），（ｂ）に示すように、ウエハ１０７上に、薄膜１０６ｂが形成（転写）された状態となる。ウエハ１０７に転写される薄膜１０６ｂは、基材１０１の未処理領域１０４上に形成されていた部分であるため、基材１０１との接着性が弱い状態の部分である。この結果、上述した剥離において、ウエハ１０７に転写される薄膜１０６ｂの部分は、容易に基材１０１より剥離される状態となっているので、ウエハ１０７の表面の全域に薄膜１０６ｂが形成された状態が得られる。
【００２４】
一般に、薄膜１０６（薄膜１０６ｂ）と基材１０１との密着性が、薄膜１０６ｂとウエハ１０７の表面との密着性より小さければ、良好な剥離・転写状態が得られる。上述したように、本実施の形態によれば、転写する領域においては、基材１０１との密着性が小さい状態で、基材１０１の表面に薄膜１０６を形成できるので、良好な剥離・転写状態を得ることができる。
【００２５】
例えば、転写先となるウエハとの密着性があまり強くない材料からなる薄膜であっても、薄膜を破損することなく、基材からウエハに転写させることが可能となる。
また、微細な複数の凹部が表面に形成されているウエハに、上述したように基材上の薄膜を転写する場合、凹部内は局所的に薄膜との密着力が０となる。しかしながら、このような場合であっても、本実施の形態によれは、薄膜を破損・破壊することなく、また、ウエハ表面の凹部に中空構造が形成された状態で、これらを封止するように薄膜を転写・形成することができる。
【００２６】
ところで、上記実施の形態では、円板状の基材の周縁部に、コロナ放電処理によって濡れ性および接着性が向上した処理領域を形成するようにしたが、これに限るものではない。例えば、基材の周縁部より内側に、周縁部より離れたところから始まるリング状の処理領域を形成するようにしてもよい。これは、まず、図８（ａ），（ｂ）に示すように、基材１０１上に、基材１０１の周縁部と中心部の領域を隠してリング状の領域を開放したカバー８０２を固定する。この状態で、カバー８０２上方よりコロナ放電処理を施し、カバー８０２で覆われずに露出している基材１０１の表面を選択的に表面処理する。
【００２７】
この処理の後、カバー８０２を取り外すことで、図８（ｃ），（ｄ）に示すように、基材１０１上のリング状の領域に、コロナ放電処理によって濡れ性および接着性が向上した処理領域８０３を形成する。この状態で、図３を用いて説明したようにして薄膜材料を塗布すれば、図８（ｃ），（ｄ）に示すように、リング状の処理領域８０３に周縁部がかかるように薄膜１０６が形成できる。この場合、薄膜材料を回転により延伸・展開したとき、基材１０１の最外周の未処理領域には、薄膜材料が塗布されない。従って、エッジリンス処理における処理対象の面積を減少させることが可能となる。
【００２８】
ところで、薄膜材料の粘性が低い場合、基材上に塗布形成された薄膜の基材中央部の未処理領域上の部分は、時間がたつにつれて、この領域よりはじかれていく場合がある。また、場合によっては、前述したように回転塗布している段階で、すでに基材中央部では、薄膜材料がはじかれていく場合がある。
【００２９】
基材上に塗布形成された薄膜の、基材周囲の表面処理が施されている領域上の部分に比較し、基材中央部の未処理領域上の部分は、薄膜材料がエネルギー的に高い状態となっている。表面処理が施されていない領域における薄膜材料は、この下の基材に対する濡れ性が低いため、付着濡れに近い状態にあり、準安定な状態である。このため、薄膜材料の粘性が低い場合は、上述したように、基材中央部において、薄膜材料がはじかれる場合が発生する。
【００３０】
このはじかれる状態を解消するためには、例えば、基材の中央部の所定領域に、コロナ放電処理が施された表面処理領域を形成すればよい。例えば、図９（ａ），（ｂ）に示すように、基材１０１の上に、リング状の処理領域９０３とともに、中央部に小さな処理領域９０３ａを形成し、この基材１０１上に、薄膜１０６を形成するようにすればよい。
【００３１】
また、図１０（ａ），（ｂ）に示すように、基材１０１の上に、リング状の処理領域１００３とともに、中央部に小さな処理領域１００３ａおよび処理領域１００３より小さいリング状の処理領域１００３ｂを形成し、この基材１０１上に、薄膜１０６を形成するようにしてもよい。
また、図１１（ａ），（ｂ）に示すように、基材１０１の上に、リング状の処理領域１１０３とともに、中央部に小さな処理領域１１０３ａおよび部分的な処理領域１１０３ｂを形成し、この基材１０１上に、薄膜１０６を形成するようにしてもよい。
【００３２】
例えば、粘性が４００ｍＰａ・ｓの有機材料からなる絶縁膜材料を、回転数１５００ｒｐｍ，回転時間３０秒で、図１０に示すような基材１０１上に塗布すれば、薄膜１０６が膜厚７μｍ程度に形成できる。
基材１０１上において、処理領域から離れるほど薄膜材料ははじかれやすい。例えば、図８（ｃ）に示す状態では、薄膜１０６は、処理領域８０３から最も遠い、基材１０１中央部分が最もはじかれやすい状態となっている。このため、薄膜１０６が粘性の低い材料から構成されている場合、基材１０１中央部分からはじかれはじめることになる。
【００３３】
これに対し、図９，１０，１１に示す状態とすることで、処理された領域上より最も離れた未処理の領域上の点までの距離が、図８の場合より短くなる。この結果、図９，１０，１１に示すように、部分的に処理領域を増加させることで、図８に示した状態よりも、安定な状態で薄膜１０６を形成することができる。なお、基材１０１上より薄膜１０６を剥離するという観点から、処理領域を増やしすぎると剥離しにくくなるので、安定な状態で薄膜１０６が形成できる条件を満たした中で、処理領域は最小限にする方がよい。
【００３４】
より詳しく説明すると、まず、薄膜１０６を形成する領域内で、処理領域１１０３ａや処理領域１１０３ｂなどの部分処理領域と処理領域１１０３とを合計した領域である表面処理領域Ａを、座標ｐをもつ点ｘ（ｐ１，ｐ２）の集合とし、処理領域１１０３の内側の中央領域内の部分処理領域以外の領域である非処理領域Ｂを、座標ｑをもつ点ｙ（ｑ１，ｑ２）の集合とし、この点ｙ（ｑ１，ｑ２）から表面処理領域Ａまでの距離をｒ（ｑ，ｐ）とする。このとき、非処理領域Ｂ内の任意の点ｙ（ｑ１，ｑ２）における距離ｒ（ｑ，ｐ）の上限値と、表面処理領域Ａの全面積Ｓとの両者を同時に最小にするように、点ｘを配置すれば、剥がれにくくなることなく安定な状態で薄膜１０６を形成することができる。なお、ｐ，ｑは、ベクトルを示すものである。
【００３５】
また、コロナ放電処理による表面処理の強度を弱くした弱い処理領域を、基材１０１上により広い面積に形成するようにしてもよい。例えば、図８に示したカバー８０２の開口部を、複数の微細な円形の貫通部から構成し、このようなカバーを用いて表面処理を施す。この処理により、図１２（ａ）に示すように、表面処理強度を弱く調整した複数の点状の処理部から構成された処理領域１２０３を、基材１０１上に形成するようにしてもよい。
【００３６】
また、図８（ｃ）に示したように、強い表面処理でリング状の処理領域８０３を形成し、これに加え、図１３（ａ），（ｂ）に示すように、処理領域８０３の内側に、上述したような表面処理強度を弱く調整した複数の点状の処理部から構成された円形の処理領域１３０３を、基材１０１上に備えるようにしてもよい。このようにすることで、基材１０１中央部における薄膜の安定化をより図ることができる。
【００３７】
これら強く表面処理された領域と、弱く表面処理された領域とは、形成する薄膜材料の特性、この材料と基材との密着性，材料とウエハとの密着性などに応じ、形成する広さを適宜調整すればよい。
なお、上述では、基材上に、回転塗布法により薄膜を形成するようにしたが、これに限るものではなく、ロールコート方式，スキャン塗布法式などにより薄膜を形成するようにしてもよい。また、回転塗布法においても、途中で回転方向を変更する方法や、途中で回転速度を変化させる方法や、所望の回転数となるまでの加速度を変化させる方法など、種々の方法を用いるようにしても良い。
【００３８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、基材の中央領域の周囲にリング状の処理領域を設けるようにしたので、基材上に形成した薄膜の転写が、より完全に行えるようになるというすぐれた効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態における薄膜形成方法の一工程を示す平面図（ａ）と概略的な断面図（ｂ）である。
【図２】本発明の実施の形態における薄膜形成方法の一工程を示す平面図（ａ）と概略的な断面図（ｂ）である。
【図３】本発明の実施の形態における薄膜形成方法の一工程を示す平面図である。
【図４】本発明の実施の形態における薄膜形成方法の一工程を示す平面図である。
【図５】他の薄膜形成方法の一工程の状態を示す平面図である。
【図６】本発明の実施の形態における薄膜形成方法の一工程を示す斜視図（ａ）と断面図（ｂ）である。
【図７】本発明の実施の形態における薄膜形成方法の一工程を示す平面図（ａ）と断面図（ｂ）である。
【図８】本発明の他の形態における薄膜形成方法の一工程を示す平面図（ａ），（ｃ）と断面図（ｂ），（ｄ）である。
【図９】本発明の他の形態における薄膜形成方法の一工程を示す平面図（ａ）と断面図（ｂ）である。
【図１０】本発明の他の形態における薄膜形成方法の一工程を示す平面図（ａ）と断面図（ｂ）である。
【図１１】本発明の他の形態における薄膜形成方法の一工程を示す平面図である。
【図１２】本発明の他の形態における薄膜形成方法の一工程を示す平面図（ａ）と断面図（ｂ）である。
【図１３】本発明の他の形態における薄膜形成方法の一工程を示す平面図（ａ）と断面図（ｂ）である。
【図１４】従来の薄膜形成方法の一工程を示す平面図（ａ），（ｃ），（ｅ）と断面図（ｂ），（ｄ），（ｆ）である。
【図１５】従来の薄膜形成方法の一工程を示す平面図（ａ），（ｃ）と断面図（ｂ），（ｄ）である。
【図１６】従来の薄膜形成方法の一工程を示す斜視図（ａ）と断面図（ｂ）である。
【図１７】従来の薄膜形成方法の一工程を示す平面図（ａ）と断面図（ｂ）である。
【図１８】従来の薄膜形成方法の一工程を示す断面図である。
【符号の説明】
１０１…基材、１０２…カバー、１０３…処理領域、１０４…未処理領域（中央領域）、１０５…薄膜材料、１０６…薄膜、１０６ａ…周縁部、１０６ｂ…薄膜、１０７…ウエハ（基板）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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