(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
バッキングプレートと、
上記バッキングプレートの表面に取り付けられたターゲットと、
上記バッキングプレートの裏面側に配設された磁石装置と、
上記ターゲットの一端部と他端部との間で、各端部においてはみ出すようになるまで上記磁石装置を上記バッキングプレートに沿って動かす移動手段と、
上記バッキングプレートの表面側であって、上記ターゲットの一端部と他端部とに配置され、上記ターゲットの一端部と他端部に紫外線又は近紫外線を照射する光源と
を有することを特徴とするマグネトロンスパッタ装置。
【請求項２】
バッキングプレートと、
上記バッキングプレートの表面に取り付けられたターゲットと、
上記バッキングプレートの裏面側に配設された磁石装置と、
上記ターゲットの一端部と他端部との間で、各端部においてはみ出すようになるまで上記磁石装置を上記バッキングプレートに沿って動かす移動手段と、
上記バッキングプレートの表面側であって、上記ターゲットの一端部と他端部に配置され、上記ターゲットの一端部と他端部に熱電子を供給する熱陰極と、
を有することを特徴とするマグネトロンスパッタ装置。
【請求項３】
バッキングプレートと、
上記バッキングプレートの表面に取り付けられたターゲットと、
上記バッキングプレートの裏面側に配設された磁石装置と、
上記ターゲットの一端部と他端部との間で、各端部においてはみ出すようになるまで上記磁石装置を上記バッキングプレートに沿って動かす移動手段と、
上記ターゲットの一端部と他端部に局所的にマイクロ波電力を供給するマイクロ波電力供給手段と、
を有することを特徴とするマグネトロンスパッタ装置。
【請求項４】
上記ターゲットの端部の廻りを取り囲むように、上記端部と隙間をもって配置され、上記隙間にプラズマを流入させないアースシールドを有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載のマグネトロンスパッタ装置。
【請求項５】
上記磁石装置は、中央部磁石と、この中央部磁石の廻りにこれと間隔をおいて配置された周縁部磁石とを備えたことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項記載のマグネトロンスパッタ装置。
【請求項６】
上記磁石装置は、少なくとも２つの棒状磁石を間隔をおいて平行に配置したものであって、各棒状磁石は上記ターゲットの一端部と他端部とに同方向に伸びていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項記載のマグネトロンスパッタ装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
この発明は、ターゲットを表面に取り付けたバッキングプレートの裏面側に配設した磁石装置を移動させるマグネトロンスパッタ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ターゲットを表面に取り付けたバッキングプレートの裏面側に磁石装置を配設し、この磁石装置によりターゲットの表面近傍の空間にマグネトロン放電を起こさせて、高密度のプラズマを発生させ、ターゲット材料のＩＴＯ（インジュウム・スズ・酸化物）等をスパッタして、基板にＩＴＯ等の薄膜を形成するマグネトロンスパッタ装置が広く工業的に用いられてきた。
【０００３】
従来のマグネトロンスパッタ装置の一例が図１８、図１９、図２０に示されている。これらの図において、バッキングプレート１の表面にはターゲット２が取り付けられ、また、バッキングプレート１の裏面側には磁石装置３が移動できないように配設されている。磁石装置３は中央部磁石３ａの廻りにこれと間隔をおいて配置された周縁部磁石３ｂとが備えられている。ターゲット２の上方にはこれと対向するように基板４が配置され、また、ターゲット２の端部の廻りには接地されたアースシールド５がターゲット２を取り囲むように端部と隙間をもって配置され、隙間にプラズマが流入しないようにしている。ターゲット２と基板４との間の空間にはリング状のアノード電極６が配置され、このアノード電極６は接地電位となっている。一方、バッキングプレート１には負電圧が印加されている。
【０００４】
なお、図中、７は磁石ケース、８は冷却パイプである。
【０００５】
従来のマグネトロンスパッタ装置では、図２１に示されるようにターゲット２の表面近傍の空間において磁石装置３による湾曲したポロイダル磁場が形成されると共に、ターゲット２とアノード電極６との間の電位差による電場が形成され、これらの磁場と電場とによって直交電磁場が生じるようになる。ターゲット２の表面から宇宙線、自然放射能による二次電子またはエキソ電子が放射されたとすると、これらの電子はターゲット２の表面近傍の空間の直交電磁場により、これに垂直な方向で電場ベクトル（Ｅ）と磁場ベクトル（Ｂ）とのベクトル積（Ｅ×Ｂ）の向きに数回のサイクロイドを描きながら運動する。この間にキャリヤー・ガス（普通アルゴンが用いられる）分子と衝突してエネルギーの一部を失った電子は、電子に対するポテンシャルの高いターゲット２には戻れず直交電磁場中をトロコイド軌道を描きながら、レース・トラック状のポロイダル磁場の中をドリフトしてゆく。１ｃｍドリフトして行く間のトロコイド軌道の延べ軌道長は数十ｃｍから数百ｃｍに達する。此の間にキャリア・ガスと衝突してイオン化し、電子とイオンを発生させる（α作用）機会を生じ、生じた電子はやはりトロコイド軌道を描きながらドリフトし、生じたイオンはターゲット２へと加速されてこれと衝突し、ターゲット２の材料のスパッタと二次電子の放出を行い（γ（ガンマー）作用）、放出された二次電子は一次電子と同様のことをおこなう。この様にして、プラズマが成長し、ターゲット２の表面近傍の空間にレース・トラック状のプラズマが発生する。ターゲット２、プラズマ間のシース電圧によってキャリア・ガスのイオンがターゲット２へと加速され、ターゲット２の材料をスパッタして基板４に薄膜を形成させる。上記のトロコイド軌道を描きながらベクトル積（Ｅ×Ｂ）の方向にドリフトをしてゆく電子は図２１に示されるように磁力線が上方に凸に湾曲しているため、シースまたはシースの遷移領域における電場と直交しない場合には、電子が電場ベクトル（Ｅ）からうける力  −ｅ×ベクトル（Ｅ）の磁力線方向の力の成分により湾曲している磁力線の頂点の方向へと曲がってゆき、この部分がもっとも電子の濃度が高くなる。従ってイオンも此処に集まりプラズマはこの部分が最も粒子密度が高くなり、従ってこの部分に対応するターゲット２の部分が最もスパッタされ、部分的にエロードされる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
従来のマグネトロンスパッタ装置は、上記のようにターゲット２を表面に取り付けたバッキングプレート１の裏面側に移動できない磁石装置３を配設しているので、ターゲット２の表面近傍の空間において形成される湾曲したポロイダル磁場により高密度のプラズマが形成されるようになる。そのため、ターゲット２の上では、形成された高密度のプラズマ直下の部分が最もスパッタされ、部分的にエロードされるようになる。逆にいえば、ターゲット２の周縁部ではスパッタされる機会に恵まれず、ターゲット２の使用効率が低下する原因となっていた。
【０００７】
従来のマグネトロンスパッタ装置の他の一例が図２２、図２３に示されている。これらの図において、バッキングプレート１の表面にはターゲット２が取り付けられ、また、バッキングプレート１の裏面にはターゲット２の表面にレーストラック状のポロイダル磁場を発生させる磁石装置３と、この磁石装置３をバッキングプレート１の裏面に沿って移動させる移動装置９が取り付けられている。但し、磁石装置３はターゲット２の表面に発生したプラズマがターゲット２外にはみ出さない範囲で移動し、また、ターゲット２の端部に特別に電子を発生させるような外部電子発生装置は設けていない。
【０００８】
この従来のマグネトロンスパッタ装置の他の一例では、プラズマは磁石装置３の移動と共に、ターゲット２の表面に沿って移動し、磁石装置の固定型で見られるような部分的にエロードされる領域がターゲット２にそって動いてゆくので、磁石装置の固定型より広い範囲のターゲット２がエロードされる。しかし、ターゲット２の端に特別に電子を発生させるような外部電子発生装置は設けていないので、プラズマがターゲット２の外にはみ出すような位置まで移動させると、レーストラック状のポロイダル磁場の中をトロコイド軌跡を描きながら運動して、α作用によって、イオン・電子対を発生させていた電子の道筋が、プラズマの一部がターゲット２の外にはみ出した途端に中断されて、プラズマが消えてしまうので、磁石装置３を、ターゲット２をはみ出さない所までしか移動させることができない。したがって、ターゲット２の周辺部がエロードされずに残り、又、磁石装置３の移動にも制限がつけられるので、ターゲット２の使用効率は十分にあがらない。又、エロードされずに残った部分にスパッタされたターゲット材料が付着して、はがれ、好ましくないゴミ（パーティキュレイト）を発生し、又、異常放電を発生させる原因となる。
【０００９】
この発明の目的は、従来の上記問題等を解決して、ターゲットの使用効率を向上させると共に、スパッタによる不純物の発生等を防止することの可能なマグネトロンスパッタ装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、この発明は、請求項１に記載するようにマグネトロンスパッタ装置であって、バッキングプレートと、上記バッキングプレートの表面に取り付けられたターゲットと、上記バッキングプレートの裏面側に配設された磁石装置と、上記ターゲットの一端部と他端部との間で、各端部においてはみ出すようになるまで上記磁石装置を上記バッキングプレートに沿って動かす移動手段と、上記バッキングプレートの表面側であって、上記ターゲットの一端部と他端部とに配置され、上記ターゲットの一端部と他端部に紫外線又は近紫外線を照射する光源とを有することを特徴とする。
また、請求項２に記載するように、マグネトロンスパッタ装置であって、バッキングプレートと、上記バッキングプレートの表面に取り付けられたターゲットと、上記バッキングプレートの裏面側に配設された磁石装置と、上記ターゲットの一端部と他端部との間で、各端部においてはみ出すようになるまで上記磁石装置を上記バッキングプレートに沿って動かす移動手段と、上記バッキングプレートの表面側であって、上記ターゲットの一端部と他端部に配置され、上記ターゲットの一端部と他端部に熱電子を供給する熱陰極とを有することを特徴とする。また、請求項３に記載するように、マグネトロンスパッタ装置であって、バッキングプレートと、上記バッキングプレートの表面に取り付けられたターゲットと、上記バッキングプレートの裏面側に配設された磁石装置と、上記ターゲットの一端部と他端部との間で、各端部においてはみ出すようになるまで上記磁石装置を上記バッキングプレートに沿って動かす移動手段と、上記ターゲットの一端部と他端部に局所的にマイクロ波電力を供給するマイクロ波電力供給手段とを有することを特徴とする。
請求項４記載の発明は、請求項１乃至３のいずれか１項記載のマグネトロンスパッタ装置であって、上記ターゲットの端部の廻りを取り囲むように、上記端部と隙間をもって配置され、上記隙間にプラズマを流入させないアースシールドを有することを特徴とする。
請求項５記載の発明は、請求項１乃至４のいずれか１項記載のマグネトロンスパッタ装置であって、上記磁石装置は、中央部磁石と、この中央部磁石の廻りにこれと間隔をおいて配置された周縁部磁石とを備えたことを特徴とする。
請求項６記載の発明は、請求項１乃至４のいずれか１項記載のマグネトロンスパッタ装置であって、上記磁石装置は、少なくとも２つの棒状磁石を間隔をおいて平行に配置したものであって、各棒状磁石は上記ターゲットの一端部と他端部とに同方向に伸びていることを特徴とする。
【００１１】
なお、この発明においては、上記ターゲットの端部の廻りを取り囲むように、この端部と隙間をおいてアースシールドを配置する。そして、上記隙間にプラズマを流入させないようにすることが必要である。また、上記磁石装置は、中央部磁石と、この中央部磁石の廻りにこれと間隔をおいて配置された周縁部磁石とを備えたものを使用することが必要である。更に、上記磁石装置は少なくとも２つの棒状磁石を間隔をおいて平行に配置したものであって、各棒状磁石は上記ターゲットの端部と同方向に伸びているものを使用することも必要である。更にその上、上記ターゲットの端部に光電子又は熱電子を供給する電子供給手段、もしくは、上記ターゲットに接続する高周波電力供給手段、又は、ターゲットの端部に局所的にマイクロ波電力を供給する手段を備え、この部分に電子サイクトロン共鳴（ＥＣＲ）放電を起こさせることも必要である。
【００１２】
【作用】
この発明においては、磁石装置に移動手段を取り付け、この移動手段によって磁石装置をバッキングプレートの裏面に沿って移動させ、その移動により高密度のプラズマをターゲットの一端部と他端部との間で各端部においてはみ出すようになるまで動かしているので、ターゲットの周縁部においてもスパッタされ、ターゲットが全体にわたって均等にスパッタされるようになる。
【００１３】
なお、ターゲットの端部の廻りを取り囲むように、端部と隙間をもってアースシールドを配置し、隙間にプラズマを流入させないようにしたときには、ターゲット以外の物質をスパッタすることがなくなるので、スパッタによる不純物の発生を防止させることができるようになる。また、ターゲットの端部に光電子又は熱電子を供給する電子供給手段、もしくは、ターゲットに接続する高周波電力供給手段、又は、マイクロ波電力供給手段を備えているときには、プラズマの出発点で光電子、熱電子の補給、ＲＦ電圧による強勢、又はマイクロ波によるＥＣＲ放電が起こり、上記の手段を設けない従来の他の一例では、レーストラック状のプラズマの一部分がターゲットの外側にはみ出すような位置まで磁石装置が移動してきたとき、ターゲットの外側にはみ出した部分のプラズマが消えるばかりでなく、磁石装置の他の一部がターゲットの下にあるような部分までプラズマが非常に弱くなるが、本発明のように上記の手段を設けることにより、このような位置まで磁石装置が動いてきたときもターゲットの外側にはみ出したプラズマの部分は消えるが、磁石装置の他の一部がターゲットの下にあるような部分では、磁石装置がターゲットの下にある部分のはじまりの場所からプラズマが強く立ち上がり、プラズマを出発点から強くし、ターゲットの外にはみ出した一部は消えても、残りの部分では磁石装置がターゲットの外にはみ出さない場合と全く同一の強度となり、スパッタの不均一性を生じさせなくなる。
【００１４】
更に、２本の棒状磁石の場合（棒状磁石といってもこの言葉から連想されるように長手方向の両端にＮ極とＳ極とがあるものとは全くことなり、上方にＳ極、下方にＮ極をもつ立方体磁石辺を横一列に図９、図１０のように並べたものと、上方にＮ極、下方にＳ極をもつ立方体磁石辺を横一列に並べたものとを、図９、図１０のように向い合せたものであるが、以後、棒状磁石（直線コース状磁石）と称するが、直線コース状磁石ではターゲット上に上方に凸の磁場トンネルができるが、これはレーストラック状磁石のように環状に閉じているものではないので、レーストラック状磁石の場合、環状ポロイダル磁場中をレースライン磁場の一端から発生し、長手方向に成長して行かねばならぬ。このとき、特別の電子発生装置がない場合にはこの部分に発生する電子が少なく長手方向にトロコイド運動をしながら進んでいって数を増してゆくのであるが、普通の条件ではプラズマが成長するまでに進まねばならぬ距離が１０ｃｍにもなり、この間はプラズマは非常に弱いものである。しかし、上記の特別に電子を発生させる手段の一つを備えていれば、始めから十分な数の電子が存在し、プラズマは１〜２ｃｍで十分強くなり、プラズマの弱い部分は無視できるほど短くなる。
【００１５】
【実施例】
以下、この発明の実施例を図面に基づいて説明する。
この発明の第１実施例は図１および図２に示されており、これらの図において、バッキングプレート１１の表面にはターゲット１２が取り付けられ、また、バッキングプレート１の裏面側には磁石装置１３が配設されている。磁石装置１３にはネジ棒をもった移動手段１４が取り付けられ、この移動手段１４によって磁石装置１３がバッキングプレート１１の裏面に沿って直線移動するようになっている。磁石装置１３は中央部磁石１３ａの廻りにこれと間隔をおいて配置された周縁部磁石１３ｂとが備えられている。ターゲット１２の上方にはこれと対向するように基板１５が配置され、また、ターゲット１２の端部の廻りには接地されたアースシールド１６がターゲット１２を取り囲むように端部と隙間をもって配置され、隙間にプラズマが流入しないようにしている。ターゲット１２と基板１５との間の空間にはリング状のアノード電極１７が配置され、このアノード電極１７は接地電位となっている。一方、バッキングプレート１１には負電圧が印加されている。ターゲット１２の左右端部上方の空間には紫外線または近紫外線光源１８が配置され、この光源１８からの紫外線または近紫外線を当てて光電子をターゲット１２の左端部の符号１２ａの場所および右端部の符号１２ｂの場所に補給している。バッキングプレート１１内には冷却パイプ１９が配設されている。
【００１６】
第１実施例においては、ターゲット１２の表面近傍の空間において磁石装置１３による湾曲したポロイダル磁場が形成されると共に、ターゲット１２とアノード電極１７との間の電位差による電場が形成され、これらの磁場と電場とによって直交電磁場が生じるようになる。しかしながら、移動手段１４によって磁石装置１３をバッキングプレート１１の裏面に沿って直線移動させるようにしているので、直交電磁場もそれに伴って移動し、高密度のプラズマがターゲット１２の左端部と右端部との間で各端部においてはみ出すようになるまで動くようになる。その際、ターゲット１２の左端部の符号１２ａの場所および右端部の符号１２ｂの場所に光源１８からの紫外線または近紫外線を当てて光電子を補給すると、磁石装置１３がターゲット１２よりはみ出していても、プラズマ３０は図１７に示されるようにターゲット１２の左端部又は右端部においても発生するようになる。電子はターゲット２の表面近傍の空間の直交電磁場により、これに垂直な方向で電場ベクトル（Ｅ）と磁場ベクトル（Ｂ）とのベクトル積（Ｅ×Ｂ）の向きに数回のサイクロイドを描きながら運動する。この間にキャリヤー・ガス（普通アルゴンが用いられる）分子と衝突してエネルギーの一部を失った電子は、電子に対するポテンシャルの高いターゲット１２には戻れず直交電磁場中をトロコイド軌道を描きながら、レース・トラック状のポロイダル磁場の中をドリフトしてゆく。１ｃｍドリフトして行く間のトロコイド軌道の延べ軌道長は数十ｃｍから数百ｃｍに達する。此の間にキャーリヤー・ガスと衝突してイオン化し、電子とイオンを発生させる（α作用）機会を生じ、生じた電子はやはりトロコイド軌道を描きながらドリフトし、生じたイオンはターゲット１２へと加速されてこれと衝突し、ターゲット１２の材料のスパッタと二次電子の放出を行い（γ（ガンマー）作用）、放出された二次電子は一次電子と同様のことをおこなう。この様にして、ターゲット１２の表面近傍の空間にレース・トラック状のプラズマが成長する。しかし、ターゲット１２の端部の廻りを取り囲むように、端部と隙間をもってアースシールド１６を配置し、隙間にプラズマを流入させないようにしていると、プラズマはターゲット１２の手前で切れ、アースシールド１６までも広がらず、しかも、ターゲット１２以外の物質をスパッタすることがなく、スパッタによる不純物の発生を防止させることができるようになる。
【００１７】
次に、第２実施例は図３および図４に示されている。第２実施例は第１実施例の紫外線または近紫外線光源１８の代わりに、熱陰極２０を用いて、熱電子を補給するものである。
【００１８】
第３実施例は図５および図６に示されている。第３実施例は第１実施例の紫外線または近紫外線光源１８の代わりに、ターゲット１２に高周波電力供給手段２１を接続したものである。
【００１９】
第４実施例は図７および図８に示されている。第４実施例は第１実施例の紫外線または近紫外線光源１８の代わりに、マイクロ波電力供給手段２２を備えたものである。
【００２０】
第５実施例は図９および図１０に示されている。第５実施例は第１実施例の磁石装置１３の代わりに、少なくとも２つの棒状磁石（レースライン磁石）１３ｃ、１３ｄを間隔をおいて平行に配置し、各棒状磁石１３ｃ、１３ｄをターゲット１２の端部と同方向に伸ばした磁石装置１３を用いたものである。レースライン磁石は、上方にＮ極、下方にＳ極をもつ立方体磁石片を横一列に並べたもの、及び、上方にＳ極、下方にＮ極をもつ立方体磁石片を横一列に並べたものがあり、図９、図１０のように配置されている。
【００２１】
第６実施例は図１１および図１２に示されている。第６実施例は第５実施例の紫外線または近紫外線光源１８の代わりに、熱陰極２０を用いて、熱電子を補給するものである。
【００２２】
第７実施例は図１３および図１４に示されている。第７実施例は第５実施例の紫外線または近紫外線光源１８の代わりに、ターゲット１２に高周波電力供給手段２１を接続したものである。
【００２３】
第８実施例は図１５および図１６に示されている。第８実施例は第５実施例の紫外線または近紫外線光源１８の代わりに、マイクロ波電力供給手段２２を備えたものである。
【００２４】
【発明の効果】
この発明においては、磁石装置に移動手段を取り付け、この移動手段によって磁石装置をバッキングプレートの裏面に沿って移動させ、その移動により高密度のプラズマをターゲットの一端部と他端部との間で各端部においてはみ出すようになるまで動かしているので、ターゲットの周縁部においてもスパッタされ、ターゲットが全体にわたって均等にスパッタされるようになる。また、ターゲットの端部の廻りを取り囲むように、端部と隙間をもってアースシールドを配置し、隙間にプラズマを流入させないようにしたときには、ターゲット以外の物質をスパッタすることがなくなるので、スパッタによる不純物の発生を防止させることができるようになる。更に、ターゲットの端部に電子を供給する電子供給手段、もしくは、ターゲットに接続する高周波電力供給手段、又は、マイクロ波電力供給手段を備えているときには、プラズマの出発点で光電子、熱電子の補給、ＲＦ電圧による強勢、又はマイクロ波によるＥＣＲ放電が起こり、プラズマを出発点から強くし、スパッタの不均一性を生じさせなくなる。更に、図１７ａ、１７ｂにプラズマの成長が示されている。レーストラック状磁石の一部が図１７ａのようにターゲットの外にまではみ出すような位置まで動いてくると、プラズマははみ出し部分はとぎれ、磁石がターゲットにかかっている部分から徐々に１０ｃｍ位の暗部をへ発生するが、非常に弱い。しかし、光電子、熱電子、ｒｆ放電、マイクロ波による電子サイクトロン放電（ＥＣＲ）放電が端部にあって、十分な電子を補給すると、図１７ｂのように端部１〜２ｃｍから太く強いプラズマが立ち、スパッタリングの端部における効率低下が全然起こらなくなり、ターゲットは全面的に一様にスパッタエロードされる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１実施例の正面図
【図２】この発明の第１実施例の平面図
【図３】この発明の第２実施例の正面図
【図４】この発明の第２実施例の平面図
【図５】この発明の第３実施例の正面図
【図６】この発明の第３実施例の平面図
【図７】この発明の第４実施例の正面図
【図８】この発明の第４実施例の平面図
【図９】この発明の第５実施例の正面図
【図１０】この発明の第５実施例の平面図
【図１１】この発明の第６実施例の正面図
【図１２】この発明の第６実施例の平面図
【図１３】この発明の第７実施例の正面図
【図１４】この発明の第７実施例の平面図
【図１５】この発明の第８実施例の正面図
【図１６】この発明の第８実施例の平面図
【図１７ａ】この発明の第１実施例においてプラズマの成長を示す説明図
【図１７ｂ】この発明の第１実施例においてプラズマの成長を示す説明図
【図１８】従来のマグネトロンスパッタ装置の正面図
【図１９】従来のマグネトロンスパッタ装置の平面図
【図２０】従来のマグネトロンスパッタ装置の斜視図
【図２１】従来のマグネトロンスパッタ装置の磁場等を示す説明図
【図２２】従来のマグネトロンスパッタ装置の正面図
【図２３】従来のマグネトロンスパッタ装置における磁石装置の移動を示す説明図
【符号の説明】
１１・・・・・・バッキングプレート
１２・・・・・・ターゲット
１３・・・・・・磁石装置
１４・・・・・・移動手段
１５・・・・・・基板
１６・・・・・・アースシールド
１７・・・・・・アノード電極
１８・・・・・・光源
２０・・・・・・熱陰極
２１・・・・・・高周波電力供給手段
２２・・・・・・マイクロ波電力供給手段
【図１】
0003558655.tif 000002
【図２】
0003558655.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0003558655.tif 000008
【図８】
0003558655.tif 000009
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
0003558655.tif 000014
【図１４】
0003558655.tif 000015
【図１５】
0003558655.tif 000016
【図１６】
0003558655.tif 000017
【図１７ａ】
0003558655.tif 000018
【図１７ｂ】
0003558655.tif 000019
【図１８】
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【図１９】
0003558655.tif 000021
【図２０】
0003558655.tif 000022
【図２１】
0003558655.tif 000023
【図２２】
0003558655.tif 000024
【図２３】
0003558655.tif 000025