(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
外周側を非表示領域で囲まれた有効表示領域内に画素電極および表示用ダイオード素子を備える画素がマトリクス構成され、かつ、同列上に位置する各ダイオード素子のそれぞれに接続する信号線が列方向に延びる第１の絶縁基板と、該第１の絶縁基板との間に所定のセルギャップを構成するように対向配置され、前記画素電極に対向する対向電極が構成された第２の絶縁基板と、該第２の絶縁基板と前記第１の絶縁基板との間に封入された液晶層とを有する液晶表示パネルにおいて、
前記第１の絶縁基板の前記非表示領域には、前記表示用ダイオード素子と同時形成されて前記信号線に接続する複数の静電破壊防止用ダイオード素子を備え、
該静電破壊防止用ダイオード素子は、上層側電極と下層側電極との重畳部分における前記下層側電極の段差部分の長さ寸法が、前記重畳部分に位置する前記下層側電極の外端縁が入り組んでいることにより前記段差部分の寸法が前記表示用ダイオード素子の前記段差部分の寸法よりも長い
ことを特徴とする液晶表示パネル。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ダイオード方式の液晶表示パネルに関するものである。更に詳しくは、液晶表示パネルの製造工程で発生する静電気からダイオード素子を保護するための技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ダイオード方式の液晶表示パネルでは、図６に示すように、２枚のガラス基板１０、２０を数μｍの隙間（セルギャップ）を介して対向するように固定し、その隙間に液晶３０を封入した構造になっている。そのうち、下側のガラス基板１０には多数の走査線１１（信号線）が列方向に形成されている。また、ガラス基板１０には周囲を非表示領域１０１で囲まれた部分が有効表示領域１０２として区画され、この有効表示領域１０２内には一定のピッチでＭＩＭダイオード１２（ダイオード素子）と、このＭＩＭダイオード１２に接続する画素電極１３とがマトリクス状に構成されている。一方、カラーフィルター２１が構成されている側のガラス基板２０には透明なデータ線が短冊状の対向電極２２として構成されている。また、ガラス基板１０、２０の外側には偏光板１９、２９が配置され、そのうち偏光板２９は検光子として機能する。
【０００３】
このようなガラス基板１０、２０は、それらを多数取りできる大型のガラス基板上にそれぞれ構成された後、大型のガラス基板の状態のままで貼り合わせ、その後に分割されたものである。なお、大型のガラス基板から分割された後のガラス基板１０、２０に対しては、走査線１１や対向電極２２に駆動信号や画像信号を出力するＩＣ（半導体装置）等が実装される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、液晶表示パネルでは、ＩＣ等が実装されるまでの間、液晶３０を配向させるためのラビング工程や大型のガラス基板を分割するダイシング工程などにおいてガラス基板１０に静電気が発生しやすく、発生した静電気はＭＩＭダイオード１２を損傷させるという問題点がある。このようなＭＩＭダイオード１２の損傷は点欠陥などといった表示不良の原因となる。特に、ダイオード方式の液晶表示パネルでは、ＭＩＭダイオード１２の絶縁膜が薄いので、その分、静電気によってＭＩＭダイオード１２が破壊しやすい。そこで、ダイオード方式の液晶表示パネルについては各種の静電破壊への対策が考えられているが、いずれの方法もＴＦＴ方式で行われているものをそのまま転用したものであるため、ダイオード方式の液晶表示パネルに適用したときには、製造工程数が増えてしまうなどといった問題点がある。
【０００５】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、ダイオード方式の液晶表示パネルにおいて、製造工程数を増やすことなく、製造工程中に発生する静電気からアクティブ素子としてのダイオード素子を保護し、点欠陥などといった表示不良の発生を防ぐことのできる構造を提案することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、本発明では、外周側を非表示領域で囲まれた有効表示領域内に画素電極および表示用ダイオード素子を備える画素がマトリクス構成され、かつ、同列上に位置する各ダイオード素子のそれぞれに接続する信号線が列方向に延びる第１の絶縁基板と、該第１の絶縁基板との間に所定のセルギャップを構成するように対向配置され、前記画素電極に対向する対向電極が構成された第２の絶縁基板と、該第２の絶縁基板と前記第１の絶縁基板との間に封入された液晶層とを有する液晶表示パネルにおいて、
前記第１の絶縁基板の前記非表示領域には、前記表示用ダイオード素子と同時形成されて前記信号線に接続する複数の静電破壊防止用ダイオード素子を備え、
該静電破壊防止用ダイオード素子は、上層側電極と下層側電極との重畳部分における前記下層側電極の段差部分の長さ寸法が、前記重畳部分に位置する前記下層側電極の外端縁が入り組んでいることにより前記段差部分の寸法が前記表示用ダイオード素子の前記段差部分の寸法よりも長いことを特徴とする。
【０００７】
本発明は、ダイオード素子では下層側電極と上層側電極との重畳部分において下層側電極の段差部分の寸法が長いほど絶縁破壊が発生しやすいことに着目したものである。すなわち、下層側電極の段差部分の長さ寸法を表示用ダイオード素子よりも静電破壊防止用ダイオード素子で長くすることによって、静電破壊防止用ダイオード素子の耐電圧を表示用ダイオード素子の耐電圧よりも低くしてある。従って、液晶表示パネルの製造工程中に静電気が発生しても、この静電気によって破壊されるのは、静電破壊防止用ダイオード素子であり、表示用ダイオード素子は静電気から保護される。それ故、ダイオード方式の液晶表示パネルにおいて、製造工程中に発生した静電気に起因する点欠陥などといった表示不良の発生を防ぐことができる。また、静電破壊防止用ダイオード素子は、あくまで有効表示領域の外周側にある非表示領域（液晶表示パネルの額縁部分に相当する部分）に形成され、この非表示領域を有効に利用しているだけであるので、有効表示領域を狭くする必要がない。さらに、静電破壊防止用ダイオード素子を構成する各要素部分は、いずれも表示用ダイオード素子の各要素部分を形成する際に同時形成したものであるため、製造工程数は従来のままであるという利点がある。
【０００８】
本発明において、静電破壊防止用ダイオード素子の前記段差部分の長さ寸法を表示用ダイオード素子の前記段差部分の長さ寸法よりも長くするにあたっては、たとえば、静電破壊防止用ダイオード素子の下層側電極は前記重畳部分において外端縁が入り組んでいる形状とする。
【０００９】
また、本発明において、静電破壊防止用ダイオード素子の前記段差部分の長さ寸法を表示用ダイオード素子の前記段差部分の長さ寸法よりも長くするにあたっては、静電破壊防止用ダイオード素子の下層側電極が前記重畳部分で複数の部分に分岐している形状としてもよい。このように構成すると、下層側電極に隙間がある分だけ、重畳面積の狭い静電破壊防止用ダイオード素子を形成できるとともに、１つの静電破壊防止用ダイオード素子が耐電圧の低い複数のダイオード素子に分割された状態となるので、表示用ダイオード素子を静電気からより確実に防止できるという利点がある。
【００１０】
本発明において、静電破壊防止用ダイオード素子の前記段差部分の長さ寸法は、静電破壊防止用ダイオード素子の前記段差部分の長さ寸法の２倍以上であることが好ましい。このように構成した場合には、ダイオード方式の液晶表示パネルの製造工程中に通常発生する静電気のレベルであれば、表示用ダイオード素子を確実に保護できる。
【００１１】
本発明では、さらに、静電破壊防止用ダイオード素子は、前記重畳部分の面積が表示用ダイオード素子の前記重畳部分の面積よりも狭いことが好ましい。たとえば、静電破壊防止用ダイオード素子の前記重畳部分の面積は、表示用ダイオード素子の前記重畳部分の面積の１／２以下であることが好ましい。このように構成すると、静電破壊防止用ダイオード素子は、表示用ダイオード素子よりも容量が小さい分、静電破壊を受けやすくなるので、表示用ダイオード素子をより確実に保護できる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明において従来技術と共通する部分については同じ符号を付すとともに、同じ図面を参照して説明する。
【００１３】
図１は、本発明を適用したＭＩＭダイオード方式の液晶表示パネルの概略構成図である。
【００１４】
図１において、液晶表示パネル１では、２枚のガラス基板１０、２０（絶縁基板）を数μｍの隙間を介して対向するように固定し、その隙間に液晶３０を封入した構造になっている。下側のガラス基板１０（第１の絶縁基板）には多数の走査線１１（信号線）が列方向に平行に形成されている。ガラス基板１０のうち、周りを非表示領域１０１で囲まれた有効表示領域１０２には、上記の走査線１１に対して、一定のピッチでＭＩＭダイオード１２（表示用ダイオード素子）と、このＭＩＭダイオード１２に接続する画素電極１３とを備える画素１６がマトリクス状に構成されている。非表示領域１０１は、液晶表示パネル１におけるいわゆる額縁領域に相当する部分であり、有効表示領域１０２においてのみ表示が行われる。一方、カラーフィルター２１が構成されている側のガラス基板２０に透明なデータ線が短冊状の対向電極２２として構成されている。カラーフィルター２１と対向電極２２との位置関係については、いずれが上層または下層であってもよい。なお、下側のガラス基板１０に信号線（データ線）が形成され、カラーフィルター２１が構成されている側のガラス基板２０に走査線１１が形成される場合もある。
【００１５】
このように構成すると、走査線１１と対向電極２２とが実質的に交差した状態にあり、これらの交差部分に対応するようにして、画素電極１３と対向電極２２との間に挟まれた部分に液晶セル３１が構成された状態にある。また、ガラス基板１０、２０の外側には偏光板１９、２９が光学的に直交配置され、そのうち、偏光板２９は検光子として機能する。
【００１６】
このようにして貼り合わされたガラス基板１０、２０の間において、液晶３０は、たとえば、図２（Ａ）に示すように、配向膜やラビング処理により所定のツイスト角およびプレチルト角をもって配向するＴＭ型の液晶であり、ノーマリホワイトホワイトモードであれば、液晶セル２２に電界が印加されていない状態では液晶分子３２がねじれ配向しているので白表示となる。これに対して、図２（Ｂ）に示すように、液晶セル２２に電界が印加されると、液晶分子３２のねじれ配向が解除されるので黒表示となる。
【００１７】
図３（Ａ）に示すように、有効表示領域１０２に表示用として構成されたＭＩＭダイオード１２では、タンタル酸化膜などといった下地保護膜（図示せず。）を形成した透明なガラス基板１０の表面に厚さが１５００オングストローム程度のタンタル電極１２１（表示用ＭＩＭダイオード素子の下層側電極）が形成され、その表面には陽極酸化によって厚さが５００オングストローム程度のタンタル酸化膜１２２（陽極酸化膜／絶縁膜）が形成されている。ガラス基板１０の表面にはＩＴＯ電極からなる画素電極１３も形成されている。タンタル酸化膜１２２の表面には厚さが８００オングストローム程度のクロム電極１２３（表示用ＭＩＭダイオード素子の上層側電極）が形成され、このクロム電極１２３とタンタル電極１２１とは、タンタル酸化膜１２２を介して対向しＭＩＭダイオード１２を構成している。クロム電極１２３は、画素電極１３に電気的接続しており、ＭＩＭダイオード１２は、この画素電極１３に対応する液晶セル３１をアドレスし、液晶セル３１に情報を書き込み可能である。なお、タンタル電極１２１は、図３（Ｂ）に示すように、走査線１１の一部として形成され、この走査線１１の表面にもタンタル酸化膜１２２が形成されている。
【００１８】
再び図１において、本発明を適用した液晶表示パネル１では、ガラス基板１０のうち非表示領域１０１を利用して、その製造工程中にガラス基板１０に発生した静電気からＭＩＭダイオード１２を保護するようになっている。すなわち、ガラス基板１０の非表示領域１０１には、有効表示領域１０２から両側に各走査線１１の両端部１１０がはみ出した状態にあり、この両端部１１０に対しては、ＭＩＭダイオード１２を静電破壊から保護するためのダミー画素１７が有効表示領域１０２の両側それぞれに画素１６と同じピッチ間隔で複数形成されている。
【００１９】
このダミー画素１７では、図３（Ａ）、（Ｂ）に示すように、まず、走査線１１の両端部１１０の一部としてのタンタル電極４３（静電破壊防止用ＭＩＭダイオード素子の下層側電極）が形成され、このタンタル電極４３の表面にはＭＩＭダイオード１２のタンタル酸化膜１２２と同時形成されたタンタル酸化膜１２２が形成されている。また、タンタル電極４３に対向するように、タンタル酸化膜１２２の表面にはクロム電極４２（静電破壊防止用ＭＩＭダイオード素子の上層側電極）が形成され、このクロム電極４２は、ＭＩＭダイオード１２のクロム電極１２３と同時形成されたクロム層である。すなわち、表示用のＭＩＭダイオード１２の製造工程を援用して、非表示領域１０１には静電破壊防止用のＭＩＭダイオード４１が形成されている。また、ダミー画素１７には、画素１６の画素電極１３と同時形成されたＩＴＯ膜からなるダミー画素電極４４も形成されている。
【００２０】
本発明では、ダイオード素子１２、４１においてタンタル電極１２１、４３とクロム電極１２３、４２との重畳部分１２０、４０におけるタンタル電極１２１、４３の段差部分１２１０、４３０で絶縁破壊が集中して起こることから、段差部分１２１０、４３０の寸法が長いほど絶縁破壊が発生しやすいことに着目したものである。よって、本発明では、表示用のＭＩＭダイオード１２の重畳部分１２０におけるタンタル電極１２１の段差部分１２１０の長さ寸法よりも、静電破壊防止用のＭＩＭダイオード４１の重畳部分４０におけるタンタル電極４３の段差部分４３０の長さ寸法を長くしてある。
【００２１】
すなわち、図３（Ｂ）に表示用のＭＩＭダイオード１２および静電破壊防止用のＭＩＭダイオード４１をそれぞれ拡大して示してあるように、表示用のＭＩＭダイオード１２では、タンタル電極１２１の外端縁が直線的であるのに対して、静電破壊防止用のＭＩＭダイオード４１では、タンタル電極４３の外端縁が入り組んだ形状になっている。従って、静電破壊防止用のＭＩＭダイオード４１では、タンタル電極４３の外端縁が入り組んでいる分だけ、タンタル電極４３の段差部分４３０が長いので、静電破壊防止用のダイオード素子４１の耐電圧は、表示用のダイオード素子１２の耐電圧よりも低い。
【００２２】
このように構成した液晶表示パネル１では、製造工程中に静電気が発生しても、この静電気は、複数の静電破壊防止用のＭＩＭダイオード４１のうち、外側のダミー画素１７に位置するものから順に破壊していくだけであり、表示用のＭＩＭダイオード１２は静電気から保護される。それ故、ダイオード方式の液晶表示パネル１において、製造工程中に発生した静電気に起因する点欠陥などといった表示不良の発生を防ぐことができる。また、静電破壊防止用のダイオード素子４１は、あくまで有効表示領域１０２の外周側にある非表示領域１０１に形成され、この非表示領域１０１を有効に利用しているだけであるので、ダミー画素１７を形成するといっても有効表示領域１０２を狭くする必要がない。さらに、静電破壊防止用のダイオード素子４１を構成する各要素部分は、いずれも表示用のダイオード素子１２の各要素部分を形成する際に同時形成したものであるため、製造工程数は従来のままであるという利点がある。
【００２３】
ここで、静電破壊防止用のＭＩＭダイオード４１におけるタンタル電極４３の段差部分４３０の長さ寸法を、表示用のＭＩＭダイオード１２におけるタンタル電極１２１の段差部分１２１０の長さ寸法に対して約２倍以上と設定すれば、通常の製造工程中で発生する静電気から表示用のＭＩＭダイオード１２を保護することができる。
【００２４】
また、本例では、表示用のＭＩＭダイオード１２におけるタンタル電極１２１の幅はたとえば４μｍであり、クロム電極１２３の幅はたとえば４μｍである。これに対して、静電破壊防止用のＭＩＭダイオード４１では、タンタル電極４３とクロム電極４２との重畳部分４０における面積を、表示用のダイオード素子１２におけるタンタル電極１２１とクロム電極１２３との重畳部分１２０の面積よりも狭くしてある。たとえば、静電破壊防止用のＭＩＭダイオード４１の重畳部分４０の面積を、表示用のダイオード素子１２の重畳部分１２０の面積の１／２としてある。従って、静電破壊防止用のＭＩＭダイオード４１は、表示用のＭＩＭダイオード１２よりも容量が小さい分、静電破壊を受けやすくなるので、表示用のＭＩＭダイオード１２をより確実に保護できる。
【００２５】
このような液晶表示パネル１は、たとえば、ガラス基板１０を多数取りできる大型のガラス基板上にＭＩＭダイオード１２、４１などを形成した後、この大型のガラス基板に対して対向電極などを形成した別の大型のガラス基板を貼り合わせ、しかる後に、貼り合わせた２枚の大型のガラス基板を分割することによって製造される。
【００２６】
すなわち、大型のガラス基板に対して厚さが１５００オングスローム程度のタンタル膜を形成した後、このタンタル膜をフォトリソグラフィ技術によりパターニングし、図３（Ａ）、（Ｂ）に示すように、タンタル電極１２１、４３および走査線１１を残す。ここで、走査線１１は、ガラス基板１０として分割される各領域を列方向に貫通するように形成されているので、各領域からすれば、走査線１１の両端部１１０が有効表示領域１０２から非表示領域１０１にはみ出した状態にある。
【００２７】
次に、タンタル電極１２１、４３の表面に陽極酸化を施し、厚さが５００オングストローム程度のタンタル酸化膜１２２を形成する。走査線１１上にもタンタル酸化膜１２２が形成され、その両端部１１０にもタンタル酸化膜１２２が形成される。
【００２８】
続いて、タンタル酸化膜１２２に対して３００℃〜４００℃の温度条件でアニール処理を行う。
【００２９】
次に、大型ガラス基板の表面にＩＴＯ膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術によりパターニングを行い、ＩＴＯ膜からなる画素電極１３およびダミー画素電極４４を残す。
【００３０】
次に、大型ガラス基板の表面に厚さが８００オングストローム程度のクロム膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術によりパターニングを行い、クロム電極１２３、４２を形成する。その結果、有効表示領域１０２には表示用のＭＩＭダイオード１２が形成され、非表示領域１０１には静電破壊防止用のＭＩＭダイオード４１が形成される。このＭＩＭダイオード４１は、以降の工程中に発生する静電気から有効表示領域１０２のＭＩＭダイオード１２を保護する。
【００３１】
次に、大型ガラス基板に対して、すでにカラーフィルタなどを形成した別の大型ガラス基板を貼り合わせた後、液晶３０の封入を行い、しかる後に、各基板に分割するダイシング工程を行う。この間には、配向膜の形成、ギャップ剤の散布、大型ガラス基板を布で擦って液晶３０を配向させるラビング工程などといった周知の工程が行われる。
【００３２】
ここで、ラビング工程やダイシング工程を行うと静電気が発生し、ここで発生した静電気は有効表示領域１０２にある表示用のＭＩＭダイオード１２を破壊しようとする。それでも、本発明では、ラビング工程やダイシング工程を行う前に、静電破壊防止用のＭＩＭダイオード４１がすでに形成されているので、静電気が発生したとしても、この静電気は走査線１１を伝って非表示領域１０１にある静電破壊防止用のＭＩＭダイオード４１の方に流れ、複数のＭＩＭダイオード４１のうち外側に位置するものから順に破壊していくだけで表示用のＭＩＭダイオード１２まで破壊することがない。ダイシング工程を行った後には、所定の検査工程、洗浄工程、乾燥工程、およびＩＣの実装工程が行われるが、ＩＣの実装工程を行った以降には、静電気がほとんど発生しないものとして扱える。なお、大型のガラス基板を分割してガラス基板１０とした後でも、乾燥工程で静電気が発生するが、ガラス基板１０に分割した後に発生した静電気も、走査線１１を伝って静電破壊防止用のＭＩＭダイオード４１を破壊するだけなので、表示用のＭＩＭダイオード１２を静電気から保護することができる。
【００３３】
［別の実施の形態］
本発明の別の実施の形態を、図４を参照して説明する。なお、この形態でも、先に説明した形態と共通する部分については同じ符号を付してそれらの詳細な説明を省略する。
【００３４】
図４（Ａ）、（Ｂ）において、本発明を適用した液晶表示パネル１でも、ガラス基板１０のうち非表示領域１０１を利用して、その製造工程中にガラス基板１０に発生した静電気からＭＩＭダイオード１２を保護するようになっている。すなわち、ガラス基板１０の非表示領域１０１には、有効表示領域１０２から両側に各走査線１１の両端部１１０がはみ出した状態にあり、この両端部１１０に対しては、ＭＩＭダイオード１２を静電破壊から保護するためのダミー画素１７が有効表示領域１０２の両側それぞれに画素１６と同じピッチ間隔で複数形成されている。
【００３５】
このダミー画素１７では、まず、走査線１１の両端部１１０の一部としてのタンタル電極４３（静電破壊防止用ＭＩＭダイオード素子の下層側電極）が形成され、このタンタル電極４３の表面にはＭＩＭダイオード１２のタンタル酸化膜１２２と同時形成されたタンタル酸化膜１２２が形成されている。また、タンタル電極４３に対向するように、タンタル酸化膜１２２の表面にはクロム電極４２（静電破壊防止用ＭＩＭダイオード素子の上層側電極）が形成され、このクロム電極４２は、ＭＩＭダイオード１２のクロム電極１２３と同時形成されたクロム層である。すなわち、表示用のＭＩＭダイオード１２の製造工程を援用して、非表示領域１０１には静電破壊防止用のＭＩＭダイオード４１が形成されている。また、ダミー画素１７には、画素１６の画素電極１３と同時形成されたＩＴＯ膜からなるダミー画素電極４４も形成されている。
【００３６】
本発明でも、ダイオード素子１２、４１においてタンタル電極１２１、４３とクロム電極１２３、４２との重畳部分１２０、４０におけるタンタル電極１２１、４３の段差部分１２１０、４３０で絶縁破壊が集中して起こることから、段差部分１２１０、４３０の寸法が長いほど絶縁破壊が発生しやすいことに着目したものである。よって、本発明では、表示用のＭＩＭダイオード１２の重畳部分１２０におけるタンタル電極１２１の段差部分１２１０の長さ寸法よりも、静電破壊防止用のＭＩＭダイオード４１の重畳部分４０におけるタンタル電極４３の段差部分４３０の長さ寸法を長くしてある。
【００３７】
すなわち、本発明では、静電破壊防止用のＭＩＭダイオード４１のタンタル電極４３が重畳部分４０で複数の部分４３Ａ、４３Ｂ、４３Ｃに分岐している形状になっている。このため、タンタル電極４３の各部分４３Ａ、４３Ｂ、４３Ｃのそれぞれに段差部分４３０があるので、その分だけ、タンタル電極４３の段差部分４０の長さ寸法は、タンタル電極１２１の段差部分１２１０の長さ寸法よりも長い。たとえば、タンタル電極４３を３つの部分４３Ａ、４３Ｂ、４３Ｃに分岐させると、それだけで、タンタル電極４３の段差部分４０の長さ寸法は、タンタル電極１２１の段差部分１２１０の長さ寸法よりも３倍となる。
【００３８】
それに加えて、各部分４３Ａ、４３Ｂ、４３Ｃの間に隙間がある分、容量の小さな静電破壊防止用のＭＩＭダイオード４１を構成できる。たとえば、３つの部分４３Ａ、４３Ｂ、４３Ｃの各重畳部分４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃの各面積を合計しても、表示用のＭＩＭダイオード１２の重畳部分１２０よりも狭く、たとえば、１／３以下にすることができる。よって、静電破壊防止用のＭＩＭダイオード４１は耐電圧が低い。
【００３９】
従って、液晶表示パネル１の製造工程中に静電気が発生しても、静電気は複数の静電破壊防止用のＭＩＭダイオード４１のうち外側に位置するダミー画素１７のものから順に破壊していくだけであり、表示用のＭＩＭダイオード１２は静電気から確実に保護される。それ故、ダイオード方式の液晶表示パネル１において、製造工程中に発生した静電気に起因する点欠陥などといった表示不良の発生を防ぐことができる。また、静電破壊防止用のダイオード素子４１は、あくまで有効表示領域１０２の外周側にある非表示領域１０１に形成され、この非表示領域１０１を有効に利用しているだけであるので、ダミー画素１７を形成するといっても有効表示領域１０２を狭くする必要がない。さらに、静電破壊防止用のダイオード素子４１を構成する各要素部分は、いずれも表示用のダイオード素子１２の各要素部分を形成する際に同時形成したものであるため、製造工程数は従来のままであるという利点がある。
【００４０】
しかも、本発明では、１つのダミー画素１７には、各部分４３Ａ、４３Ｂ、４３Ｃが狭い重畳部分４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃをもつ容量の小さなＭＩＭダイオード４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃ、すなわち、耐電圧の小さなＭＩＭダイオード４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃを構成している状態にある。従って、限られた領域内に耐電圧の低い静電破壊防止用のＭＩＭダイオード４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃを多数形成できる。それ故、液晶表示パネル１の製造工程中に発生した静電気によって破壊されるのは、１つのＭＩＭダイオード４１の中でも、個々のＭＩＭダイオード４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃ毎である。よって、表示用のＭＩＭダイオード１２は静電気からより確実に保護される。また、このような構成を採用する場合でも、タンタル電極４３に対するパターニング形状を変えるだけなので、製造工程が増えることがない。
【００４１】
［さらに別の実施の形態］
また、図５に示すように、静電破壊防止用のＭＩＭダイオード４１については、上記の２つの形態を組み合わせてもよい。すなわち、静電破壊防止用のＭＩＭダイオード４１では、タンタル電極４３が複数の部分４３Ａ、４３Ｂ、４３Ｃに分岐しているので、１つのＭＩＭダイオード４１は、容量が小さくて耐電圧の小さなＭＩＭダイオード４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃに分割された状態にある。しかも、各部分４３Ａ、４３Ｂ、４３Ｃの外端縁が入り組んだ形状になっているので、その分、タンタル電極４３の各部分４３Ａ、４３Ｂ、４３Ｃ毎の段差部分４３０が長い。従って、ＭＩＭダイオード４１として耐電圧が低く、かつ、それを分割したと見做せる各ＭＩＭダイオード４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃは、さらに耐電圧が低い。それ故、表示用のダイオード素子１２をより確実に静電気から保護できる。
【００４２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明では、ダイオード素子の下層側電極の段差部分を表示用ダイオード素子よりも静電破壊防止用ダイオード素子で長くし、静電破壊防止用ダイオード素子の耐電圧を表示用ダイオード素子の耐電圧よりも低くしたことに特徴を有する。従って、本発明によれば、液晶表示パネルの製造工程中に静電気が発生しても、この静電気によって破壊されるのは、静電破壊防止用ダイオード素子であり、表示用ダイオード素子は静電気から保護される。それ故、ダイオード方式の液晶表示パネルにおいて、製造工程中に発生した静電気に起因する点欠陥などといった表示不良の発生を防ぐことができる。また、静電破壊防止用ダイオード素子は、あくまで非表示領域に形成され、この非表示領域を有効に利用しているだけであるので、有効表示領域を狭くする必要がない。さらに、静電破壊防止用ダイオード素子を構成する各要素部分は、いずれも表示用ダイオード素子の各要素部分を形成する際に同時形成したものであるため、製造工程数は従来のままであるという利点がある。
【００４３】
特に、静電破壊防止用ダイオード素子の段差部分の長さ寸法を表示用ダイオード素子よりも長くするにあたって、静電破壊防止用ダイオード素子の下層側電極が重畳部分で複数の部分に分岐している形状とした場合には、分岐した部分の各間に隙間がある分だけ、重畳面積の狭い静電破壊防止用ダイオード素子を形成できるとともに、１つの静電破壊防止用ダイオード素子が耐電圧の低い複数のダイオード素子に分割された状態となるので、表示用ダイオード素子を静電気からより確実に防止できるという利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を適用したダイオード方式の液晶表示パネルの概略構成図である。
【図２】図１に示す液晶表示パネルにおいて、基板間に封入された液晶の挙動を模式的に示す説明図である。
【図３】図１に示す液晶表示パネルにおいて絶縁基板上に構成した表示用および静電破壊防止用のＭＩＭダイオードの説明図である。
【図４】本発明に係る別の液晶表示パネルにおいて、絶縁基板上に構成した表示用および静電破壊防止用のＭＩＭダイオードの説明図である。
【図５】本発明に係るさらに別の液晶表示パネルにおいて、絶縁基板上に構成した静電破壊防止用のＭＩＭダイオードの説明図である。
【図６】従来のダイオード方式の液晶表示パネルの概略構成図である。
【符号の説明】
１・・・液晶表示パネル
１０・・・ガラス基板（第１の絶縁基板）
１１・・・走査線（信号線）
１２・・・ＭＩＭダイオード（ダイオード素子）
１３・・・画素電極
２０・・・ガラス基板（第２の絶縁基板）
２２・・・対向電極
３０・・・液晶
４０、１２０・・・ＭＩＭダイオードの電極重畳部分
４１、４１Ａ〜４１Ｃ・・・静電破壊防止用のＭＩＭダイオード
４２・・・静電破壊防止用ＭＩＭダイオードのクロム電極
４３・・・静電破壊防止用ＭＩＭダイオードのタンタル電極
１２１・・・表示用ＭＩＭダイオードのタンタル電極
１２２・・・タンタル酸化膜
１２３・・・表示用ＭＩＭダイオードのクロム電極
４３０、１２３０・・・タンタル電極の段差部分
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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