(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＡＴカット水晶基板の中央部を化学的にエッチングして基本波周波数が８０ＭＨｚ以上となる薄肉状の励振部を形成し、前記励振部の周りに外周フレーム部を形成した逆メサ構造を有する高周波振動子において、前記励振部の表裏何れか一方を凹レンズ状曲面に形成し、他方を平坦面に形成し、前記凹レンズ状曲面の中央部の厚みｔｃを外周部の厚みｔｅに対して０．９０ｔｅ〜０．９９５ｔｅに設定し、前記励振部上に主電極を形成したことを特徴とする高周波振動子。
【請求項２】
ＡＴカット水晶基板における中央部の励振部形成領域を化学的にエッチングして基本波周波数が８０ＭＨｚ以上となる薄肉状の励振部を形成し、前記励振部の周りに外周フレーム部を形成した逆メサ構造を有する高周波振動子の製造方法において、前記励振部形成領域にエッチング液をマイクロノズルにより滴下して一定時間経過させて凹レンズ状窪みを形成し、前記励振部形成領域全体を均一に化学的エッチングして基本周波数が８０ＭＨｚ以上となるように厚み調整して、中央部の厚みｔｃが外周部の厚みｔｅに対して０．９０ｔｅ〜０．９９５ｔｅとなるような凹レンズ状曲面を有する励振部を形成し、次いで前記励振部に主電極を形成するようにしたことを特徴とする高周波振動子の製造方法。
【請求項３】
ＡＴカット水晶基板における中央部の励振部形成領域を化学的にエッチングして基本波周波数が８０ＭＨｚ以上となる薄肉状の励振部を形成し、前記励振部の周りに外周フレーム部を形成した逆メサ構造を有する高周波振動子の製造方法において、前記励振部形成領域の中央部を薄く外周部に行くに従い厚くなるレジストを塗布し、フッ素系ガスを使用してプラズマエッチングすることにより凹レンズ状窪みを形成し、前記励振部形成領域全体を均一に化学的エッチングして基本周波数が８０ＭＨｚ以上となるように厚み調整して、中央部の厚みｔｃが外周部の厚みｔｅに対して０．９０ｔｅ〜０．９９５ｔｅとなるような凹レンズ状曲面を有する励振部を形成し、次いで前記励振部に主電極を形成するようにしたことを特徴とする高周波振動子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は基本周波数が８０ＭＨｚ以上となる高周波振動子及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、ＡＴカット水晶振動子の電極は、電界を直接かけるパッド部、電気信号を伝えるリード部、対極に配置され電界印加により励振を行う主電極部で構成されるが、端子から入力する電気信号を対極に配置された主電極部分に伝えるためには、沿面抵抗を低くする必要があり、最低８０ｎｍ程度の電極膜厚が必要であるとされている。
【０００３】
その場合、特に電極周辺では電極形成部の周波数が周辺部の周波数に比べて低くなるため主振動となる厚み滑り振動は周囲に伝播することができずに電極下に閉じ込められる。これをエネルギトラップ現象と呼び、周辺部の主振動より高い周波数を遮断周波数と呼ぶ。特に、逆メサ構造の振動子では、電極膜厚比が高く周波数低下が大きいから、遮断周波数との差が大きくなりエネルギーのトラップ程度が高くなる。
【０００４】
このような状況下では、主振動以外の高次厚み滑り副振動も電極下にトラップされ、主振動同様励振される。更に高周波では、水晶厚みに対する励振部分の寸法比が高いため、高次厚み滑り副振動は主振動に近くなり、エネルギートラップによる励振は、発振器の設計上邪魔な存在となってくる。
これらの課題を解決するために、従来、例えば特開平９−１９９９８０号公報に記載されているように、分割電極の周辺を取り囲むように分割電極とは所定の間隔を隔てて周囲電極を設けることにより、遮断周波数を低くして周波数の伝播を周辺に漏洩させ、エネルギートラップの程度を軽くすることが提案されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来例では、主振動以外の厚み滑り副振動のエネルギーを漏洩させて励振を抑制するには効果的な方法であるが、状況によっては主電極と周囲電極との電極膜厚を変えるなどの工夫が必要であるため、製造工程が煩雑になるという未解決の課題がある。
【０００６】
そこで、本発明は、上記従来例の未解決の課題に着目してなされたものであり、主振動に対してスプリアスの原因となる厚み滑り副振動を抑制して安定な周波数を得ることができる高周波振動子及びその製造方法を提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項１に係る高周波振動子は、ＡＴカット水晶基板における中央部の励振部形成領域を化学的にエッチングして基本波周波数が８０ＭＨｚ以上となる薄肉状の励振部を形成し、前記励振部の周りに外周フレーム部を形成した逆メサ構造を有する高周波振動子において、前記励振部の表裏何れか一方を凹レンズ状に形成し、他方を平坦面に形成し、前記凹レンズ状曲面の中央部の厚みｔｃを外周部の厚みｔｅに対して０．９０ｔｅ〜０．９９５ｔｅに設定し、前記励振部上に主電極を形成したことを特徴としている。
【０００８】
一般に、逆メサ型水晶振動子の特性は、薄板化された励振部の水晶厚とその上に形成した主電極の厚みで主振動周波数を決定し、励振部の形状と電極の形状都でスプリアス振動の周波数が決定される。本請求項１に係る発明では、励振部における電極部の周辺部で遮断周波数を決定するが、周辺部が電極直下の水晶厚に比べてやや厚いために遮断周波数と電極下の周波数との差が平板方式に比べ小さくなり、エネルギートラップが軽減される。凹部の形状を変えることによりエネルギートラップの程度、厚み滑り副振動の位置などを調整することができる。この結果、凹部を適当な形状に加工することにより、主振動に対して、スプリアスの原因となる厚み滑り副振動を抑制し、安定な周波数を得ることができる。
【０００９】
また、高周波振動子を電圧制御型発振器（ＶＣＸＯ）に適用した場合、電圧に対する感度を一般にγ値という指標を用いて判断することになるが、このγ値は低い方が電圧に対する感度が良く、周波数可変範囲が多く取れて有利である。
しかしながら、励振部に直接主電極を形成する場合には、励振部で発生される振動エネルギーが主電極によりトラップされることになり、γ値は高くなることが知られている。ところが、励振部を凹レンズ状に形成することにより、γ値が高くなることを抑制することができる。
また、凹レンズ状曲面の中央部の厚みｔｃを外周部の厚みｔｅの０．９０倍未満に設定すると、クリスタルインピーダンスが高くなり、周波数特性に影響を与えることになり、外周部の厚みｔｅの０．９９５倍を超える値に設定すると、特性が平板加工をした場合と変わりなく、過剰なエネルギートラップにより、γ値が大きく、電圧制御型発振器（ＶＣＸＯ）に適用した時に、周波数可変量が小さくなる。したがって、凹レンズ状曲面の中央部の厚みｔｃを励振部の外周部の厚みｔｅに対して０．９０ｔｅ〜０．９９５ｔｅに設定することにより、クリスタルインピーダンスを抑制しながらγ値を小さくして、周波数可変量を大きくすることができる。
【００１２】
請求項２に係る高周波振動子の製造方法は、ＡＴカット水晶基板における中央部の励振部形成領域を化学的にエッチングして基本波周波数が８０ＭＨｚ以上となる薄肉状の励振部を形成し、前記励振部の周りに外周フレーム部を形成した逆メサ構造を有する高周波振動子の製造方法において、前記励振部形成領域にエッチング液をマイクロノズルにより滴下して一定時間経過させて凹レンズ状窪みを形成し、前記励振部形成領域全体を均一に化学的エッチングして基本周波数が８０ＭＨｚ以上となるように厚み調整して、中央部の厚みｔｃが外周部の厚みｔｅに対して０．９０ｔｅ〜０．９９５ｔｅとなるような凹レンズ状曲面を有する励振部を形成し、次いで前記励振部に主電極を形成するようにしたことを特徴としている。
【００１３】
この請求項２に係る発明は、エッチング液をマイクロノズルで滴下してから一定時間経過させることにより、凹レンズ状窪みを容易に高精度で形成することができる。
【００１４】
なおさらに、請求項３に係る高周波振動子の製造方法は、ＡＴカット水晶基板るおける中央部の励振部形成領域を化学的にエッチングし、前記励振部の周りに外周フレーム部を形成した基本波周波数が８０ＭＨｚ以上となる薄肉状の励振部を形成した逆メサ構造を有する高周波振動子の製造方法において、前記励振部形成領域の中央部に薄く外周部に行くに従い厚くなるレジストを塗布し、フッ素系ガスを使用してプラズマエッチングすることにより凹レンズ状窪みを形成し、前記励振部形成領域全体を均一に化学的エッチングして基本周波数が８０ＭＨｚ以上となるように厚み調整して、中央部の厚みｔｃが外周部の厚みｔｅに対して０．９０ｔｅ〜０．９９５ｔｅとなるような凹レンズ状曲面を有する励振部を形成し、次いで前記励振部に主電極を形成するようにしたことを特徴としている。ここではレジストがフッ素系ガスプラズマに対して耐性が無いため、時間の経過と共に、プラズマにさらされる水晶面の面積が大きくなることを利用している。
【００１５】
この請求項３に係る発明でも、励振部の中央部を薄く外周部に行くに従い厚くなるレジストを塗布し、フッ素系ガスを使用してプラズマエッチングすることにより凹レンズ状窪みを容易に高精度で形成することができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面について説明する。
図１は本発明の一実施形態を示す斜視図、図２は図１のＡ−Ａ線断面図である。
図中、１は高周波振動子としての逆メサ型水晶振動子であって、この水晶振動子１は、平板形ＡＴカット水晶基板の中央部に両面から化学的エッチングを行って主振動周波数が８０ＭＨｚ以上となるように調整した薄板状の励振部２が形成され、この励振部２に表面側電極３Ｆ及び裏面側電極３Ｒが外周フレーム部４側から互いに直角に交差するように延長して形成されている。
【００１７】
ここで、励振部２は、図２で特に明らかなように、表面側は中央部から外周部行くに従い厚みが球面状に増加する凹レンズ状曲面２ａが形成され、裏面側は平坦面２ｂとされている。
そして、凹レンズ状曲面２ａは、その中央部の厚みｔｃが外周部の厚みｔｅに対して０．９０ｔｅ〜０．９９５ｔｅに選定されている。ここで、凹レンズ状の窪み２ａの中央部の厚みｔｃを外周部の厚みｔｅの０．９０倍未満に設定すると、クリスタルインピーダンスが高くなり、周波数特性に影響を与えることになり、外周部の厚みｔｅの０．９９５倍を超える値に設定すると、特性が平板加工をした場合と変わりなく、過剰なエネルギートラップにより、γ値が大きく、電圧制御型発振器（ＶＣＸＯ）に適用した時に、周波数可変量が小さくなる。したがって、中央部の厚みｔｃを外周部の厚みｔｅに対して０．９０ｔｅ〜０．９９５ｔｅに設定することにより、クリスタルインピーダンスを抑制しながらγ値を小さくして、周波数可変量を大きくすることができる。
【００１８】
ここで、励振部２に凹レンズ状曲面２ａを形成することにより、主振動周波数を決定すると同時に厚み滑り副振動を抑制する。また、励振部の形状が輪郭振動などスプリアス振動の周波数を決定する。さらに、励振部２の電極周辺部で遮断周波数を決定し、この部分の厚みを調整することにより、エネルギートラップの程度、厚み滑り副振動の位置などを調整できる。さらに外周フレーム部４は、振動にはほとんど寄与しないが、逆メサ型水晶振動子１の機械的強度を増強する上で重要な役目を果たす。
【００１９】
そして、上記構成を有する逆メサ型水晶振動子１を製造するには、エッチング液をジェット噴射する方法、マイクロノズルによりエッチング液を少量滴下する方法、レジストを不均一塗布する方法及びマイクロブラスト工法を使用する方法の４つの方法が適用される。
このうち、エッチング液をジェット噴射する方法は、図３に示すように、先ず、平板状のＡＴカット水晶ブランク１１を用意し、この水晶ブランク１１の上面における外周フレーム部１２の内側の励振部形成領域１３の中央部に、図３（ａ）に示すようにエッチング液をジェット噴射することにより、所定量（例えば直径２０μｍ程度）の初期窪み１４を形成する。
【００２０】
次いで、図３（ｂ）に示すように、励振部形成領域１３を除く外周フレーム部１２にレジスト１５を形成し、次いで図３（ｃ）に示すように、レジスト１５が形成された以外の励振部形成領域１３に対して表裏両面から均一な化学的エッチングを開始する。このときのエッチングレートは０．０５〜１μｍ／ｍｉｍ程度に選定されている。この化学的エッチングによって、表面側では初期窪み１４が徐々に外周側に広がって行くことにより表面側が凹レンズ状に形成され、裏面側では平坦面を維持したまま厚みが薄くなる。
【００２１】
そして、この化学的エッチングを継続して、図３（ｄ）に示すように、励振部形成領域１３での主振動周波数が８０ＭＨｚ以上の所望の周波数となるまで均一な化学的エッチングを継続し、主振動周波数が８０ＭＨｚ以上の所望周波数に達して励振部２が形成された時に均一な化学的エッチングを終了することにより、表面側を凹レンズ状曲面２ａとした励振部２を形成し、図３（ｅ）に示すように、励振部２の表裏両面に夫々表面側電極３Ｆ及び裏面側電極３Ｒを、電極部材の蒸着、その上に形成したレジストによるマスク形成、露光及びエッチング処理を順次行うことにより形成して、目的とする逆メサ型水晶振動子１を得る。
【００２２】
このように、エッチング液をジェット噴射する方法を適用することにより、ジェット噴射の圧力を制御することにより、初期窪み１４の大きさを容易に高精度で調整することができ、その後に均一な化学的エッチングを行うことにより、凹レンズ形状に形成した励振部２を容易に形成することができる。
また、マイクロノズルによりエッチング液を少量滴下する方法は、図４に示すように、先ず、平板状のＡＴカット水晶ブランク１１を用意し、この水晶ブランク１１の表面側の励振部形成領域１３の中央部に図４（ａ）に示すように、マイクロノズル２１によりエッチング液を少量滴下して、一定時間経過させることにより、前述した図３のエッチング液をジェット噴射する場合と同様に初期窪み２２を形成し、その後は、図３（ｂ）〜（ｅ）と同様に、外周フレーム部１２にレジスト１５を形成してから（図４（ｂ））、均一な化学的エッチングによって表面側の初期窪み２２を広げると共に、裏面側の厚みを均一に減少させ（図４（ｃ））、この均一な化学的エッチングを励振部２での主振動周波数が８０ＭＨｚ以上の所望値となるまで継続して、表面側を凹レンズ状曲面２ａに形成すると共に、裏面側を平坦面２ｂとする励振部２を形成し（図４（ｄ））、次いで励振部２の表裏両面に表面側電極３Ｆ及び裏面側電極３Ｒを形成して目的とする逆メサ型水晶振動子１を形成する（図４（ｅ））。
【００２３】
このマイクロノズルによりエッチング液を少量滴下する方法でも、マイクロノズル２１から滴下するエッチング液量を制御することにより、初期窪み２２の大きさを容易に調整することができ、その後の均一な化学的エッチングによって励振部２の表面を凹レンズ状に容易に形成することができる。
さらに、レジストを不均一塗布する方法は、図５に示すように、先ず、平板状のＡＴカット水晶ブランク１１を用意し、この水晶ブランク１１の表面側に図５（ａ）に示すように、励振部形成領域１３の中心から所望径の円形領域３１にはレジストを形成せず、この円形領域３１から外周に行くに従い徐々に厚みが線型に増加するレジスト３２を形成し、次いで図５（ｂ）に示すように、レジストとのアスペクト比を利用したフッ素系ガスによるプラズマ照射によって初期窪み３３を形成し、その後は、前述した図３及び図４と同様に、外周フレーム部１２にレジスト１５を形成してから（図５（ｃ））、均一な化学的エッチングによって表面側の初期窪み２２を広げると共に、裏面側の厚みを均一に減少させ（図５（ｄ））、この均一な化学的エッチングを励振部２での主振動周波数が８０ＭＨｚ以上の所望値となるまで継続して、表面側を凹レンズ状曲面２ａに形成すると共に、裏面側を平坦面２ｂとする励振部２を形成し（図５（ｅ））、次いで励振部２の表裏両面に表面側電極３Ｆ及び裏面側電極３Ｒを形成して目的とする逆メサ型水晶振動子１を形成する（図５（ｆ））。
【００２４】
このレジストを不均一塗布する方法を適用することにより、レジスト３２の不均一塗布に多少手間を要するが、初期窪み３３の形成位置を正確に規定することができると共に、初期窪み３３の大きさをプラズマ照射量を制御することにより容易に調整することができ、その後の均一な化学的エッチングによって励振部２の表面を凹レンズ状に容易に高精度で形成することができる。
【００２５】
さらにまた、マイクロブラスト工法を使用する方法は、図６に示すように、先ず、平板状のＡＴカット水晶ブランク１１を用意し、この水晶ブランク１１の表面側の励振部形成領域１３の中央部に図６（ａ）に示すように、マイクロブラスト工法によって研磨剤を噴射して初期窪み４１を形成し、その後は、図３（ｂ）〜（ｅ）と同様に、外周フレーム部１２にレジスト１５を形成してから（図６（ｂ））、均一な化学的エッチングによって表面側の初期窪み２２を広げると共に、裏面側の厚みを均一に減少させ（図６（ｃ））、この均一な化学的エッチングを励振部２での主振動周波数が８０ＭＨｚ以上の所望値となるまで継続して、表面側を凹レンズ状曲面２ａに形成すると共に、裏面側を平坦面２ｂとする励振部２を形成し（図６（ｄ））、次いで励振部２の表裏両面に表面側電極３Ｆ及び裏面側電極３Ｒを形成して目的とする逆メサ型水晶振動子１を形成する（図６（ｅ））。
【００２６】
このマイクロブラスト工法を使用する方法では、初期窪み４１をエッチングではなく、マイクロブラスト工法で研磨剤を噴射することにより機械的に形成するので、初期窪み４１を形成した後に洗浄等を行うことなく、次工程を開始することができ、工程間待ち時間を短縮することができる。
なお、上記図３〜図６の逆メサ型水晶振動子１の製造方法では、先ず、初期窪み１４、２１、３１、４１を形成した後に均一な化学的エッチングを行う場合について説明したが、これに限定されるものではなく、最初に均一な化学的エッチングを行って所望とする８０ＭＨｚ以上の主振動周波数を有する励振部２を形成し、その後に図３〜図６の各方法によって凹レンズ状曲面２ａを形成するようにしてもよい。
【００２７】
ここで、本実施形態では、逆メサ構造水晶振動子１の形状を下記表１に示すように設定し、この逆メサ構造水晶振動子１について周波数とインピーダンスとの関係を示す周波数応答特性を測定した結果を図７に示す。
【００２８】
【表１】
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【００２９】
この図７で、ｆ（１，１，０）は主振動を表し、ｆ（３，１，０）は高次厚み滑り副振動を表している。この主振動ｆ（１，１，０）と高次厚み滑り副振動ｆ（３，１，０）の周波数差をΔＳとした場合、ΔＳはＸ辺比（Ｘ寸法と水晶厚みとの比）とエネルギートラップの程度に大きく依存していることがわかっている。すなわち、Ｘ辺比が大きいほどΔＳは小さくなりエネルギートラップが進むほどΔＳは大きくなる。したがって、同じＸ辺比を持つ設計では、エネルギートラップの程度は、ΔＳを指標とすることができる。表１においては、本実施例におけるΔＳは５００ＫＨｚ程度と比較的小さな値となった。
【００３０】
一方、表１に表記した表裏とも平坦面とした従来例について周波数応答特性を測定した結果を図８に示す。この図８から明らかなように、従来例では、主振動ｆ（１，１，０）と高次厚み滑り副振動ｆ（３，１，０）の周波数差ΔＳが７５０ｋＨｚ程度と比較的大きい値を示す。
ところで、エネルギートラップを行う１つの方法として、従来、振動子のコンベックス（凸レンズ）加工が提案されており、このコンベックスが進むとエネルギーの漏洩がなくなるためにＣＩ値が低くなり、そのときの周波数差ΔＳは大きくなることが知られている。図９に主振動周波数が２５ＭＨｚの逆メサ型水晶振動子１でのコンベックス加工をしたことによるＣＩ値の低下と周波数差ΔＳとの変化を示す。この図９から明らかなように、ＣＩ値の低下に応じて周波数差ΔＳが線型に増加する。
【００３１】
そして、周波数差ΔＳと逆メサ型水晶振動子１を電圧制御型発振器（ＶＸＣＯ）に適用した場合のγ値との関係は、図１０に示すように、周波数差ΔＳが増加するに応じて、γ値の増加率が徐々に増加する非線型特性を有する。コンベックス加工が進み周波数差ΔＳが大きくなるとγ値は大きくなる。
したがって、図７の本実施形態の周波数応答特性と、図８の従来例の周波数応答特性を比較すると、本実施形態のように凹レンズ状曲面２ａを形成することにより、周波数差ΔＳが従来例に比較して２／３程度に減少しており、エネルギートラップの状態が軽減されていることが理解され、凹レンズ状曲面２ａを形成することにより、エネルギートラップの程度をコントロールすることができる。
【００３２】
すなわち、水晶振動子の等価回路は、図１１に示すように、インダクタンスＬ１、キャパシタＣ１及びレジスタンスＲ１の直列回路とこの直列回路に並列に介挿されたキャパシタＣ０とで表すことができ、この水晶振動子に負荷キャパシタンスＣＬを直列に接続し、この負荷キャパシタンスＣＬを変化させることにより、周波数コントロールを行う電圧制御型発振器を構成することができる。
【００３３】
このときの周波数可変幅ΔＦは下記（１）式で表すことができる。
ΔＦ＝１／２γ（１＋ＣＬ／Ｃ０）    …………（１）
ここで、γはＣ０／Ｃ１であり、２０ＭＨｚ迄の標準的な振動子では２５０〜３００程度である。
図１２に負荷キャパシタンスＣＬを０〜２ｐＦまで変化させた時の周波数可変量とγ値との関係を示す。この図１２から明らかなように、γ値が大きくなるほど、周波数可変量がとれなくなることが理解され、本実施形態では、上述したように凹レンズ状曲面２ａを形成することにより、周波数差ΔＳを小さく抑制してγ値を小さく抑制することができ、図１２から周波数可変量を大きくすることができ、電圧感度を向上させることができる。
【００３４】
なお、上記実施形態においては、励振部２の表面側に凹レンズ状曲面２ａを形成する場合について説明したが、これに限定されるものではなく、裏面側に凹レンズ状曲面２ａを形成することもでき、図１３に示すように、表裏両面に凹レンズ状曲面２ａを形成することもできる。
【００３５】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項１に係る発明によれば、逆メサ型水晶振動子における励振部の表裏何れか一方を凹レンズ状曲面に形成し、該励振部上に主電極を形成した構成としたので、エネルギートラップにより厚み滑り副振動が主振動に与える影響を抑制することができ、その結果温度特性の改善を行うことができるという効果が得られる。
【００３６】
また、γ値を小さい値に抑制することができるので、電圧制御型発振器（ＶＣＸＯ）に適用したときに、周波数可変量を大きくとって、電圧感度を向上させることができるという効果が得られる。
さらに、凹レンズ状曲面の中央部の厚みｔｃを励振部の外周部の厚みｔｅに対して０．９０ｔｅ〜０．９９５ｔｅに設定することにより、クリスタルインピーダンスを抑制しながらγ値を小さくして、周波数可変量を大きくすることができる。
【００３７】
また、請求項２に係る発明によれば、エッチング液をマイクロノズルで滴下してから一定時間経過させることにより、凹レンズ状曲面を容易に高精度で形成することができるという効果が得られる。
【００３８】
さらに、請求項３に係る発明によれば、励振部の中央部を薄く外周部に行くに従い厚くなるレジストを塗布し、フッ素系ガスを使用してプラズマエッチングすることにより凹レンズ状窪みを容易に高精度で形成することができるという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を逆メサ型構造水晶振動子に適用した場合の一例を示す斜視図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線上の断面図である。
【図３】エッチング液をジェット噴射することにより逆メサ型水晶振動子を製造する製造方法を示す説明図である。
【図４】マイクロノズルでエッチング液を滴下することにより逆メサ型水晶振動子を製造する製造方法を示す説明図である。
【図５】不均一レジストとプラズマ照射により逆メサ型水晶振動子を製造する製造方法を示す説明図である。
【図６】マイクロブラスト工法により逆メサ型水晶振動子を製造する製造方法を示す説明図である。
【図７】図１の実施形態における周波数応答特性を示す説明図である。
【図８】従来例における周波数応答特性を示す説明図である。
【図９】ＣＩ値と周波数差ΔＳとの関係を示す特性線図である。
【図１０】周波数差ΔＳとγ値との関係を示す特性線図である。
【図１１】電圧制御型発振器の原理を示す回路図である。
【図１２】γ値と周波数可変量との関係を示す特性線図である。
【図１３】本発明の他の実施形態を示す図２と同様の断面図である。
【符号の説明】
１  逆メサ型水晶振動子
２  励振部
２ａ  凹レンズ状曲面
２ｂ  平坦面
３Ｆ  表面側電極
３Ｒ  裏面側電極
４  外周フレーム部
１１  平板状ＡＴカット水晶ブランク
１２  外周フレーム部
１３  励振部形成領域
１４  初期窪み
１５  レジスト
２１  マイクロノズル
２２  初期窪み
３１  円形領域
３２  不均一レジスト
３３  初期窪み
４１  初期窪み
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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