(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属を素材として形成されて界磁電流制御式の自動車用交流発電機のハウジングに固定される放熱プレートと、
前記放熱プレートの主面に接着された回路基板と、
前記発電機の界磁電流を制御する単一の出力用バイポーラトランジスタからなり前記回路基板の表面に配設されるドライバ素子用Ｔｒチップと、
前記ドライバ素子用Ｔｒチップと別個に前記回路基板に配設されて前記トランジスタのベース電流を制限するベース電流制限抵抗素子と、
前記ベース電流制限抵抗素子を通じての前記出力用バイポーラトランジスタへのベース電流の供給を制御する制御回路用ＩＣチップとを備え、
前記ドライバ素子用Ｔｒチップと前記ベース電流制限抵抗素子と前記制御回路用ＩＣチップとは、前記回路基板上にて三角関係に配設され、
前記ドライバ素子用Ｔｒチップと前記ベース電流制限抵抗素子との間の距離をｄ１とし、前記ベース電流制限抵抗素子と前記制御回路用ＩＣチップとの間の距離をｄ２とし、前記ドライバ素子用Ｔｒチップと前記制御回路用ＩＣチップとの間の距離をｄ３とする場合に、前記距離ｄ２又はｄ３は前記距離ｄ１より小さく設定されることを特徴とする自動車用交流発電機の電圧制御装置。
【請求項２】
前記制御回路用ＩＣチップは、前記ドライバ素子用Ｔｒチップ及び前記ベース電流制限抵抗素子との間にて前記ベース電流制限抵抗素子寄りに配設される請求項１記載の自動車用交流発電機の電圧制御装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、界磁電流制御式の自動車用交流発電機の電圧制御装置に関する。
【０００２】
【従来技術】
オルタネータと通常呼ばれる従来の自動車用交流発電機は、バッテリ端子電圧などに基づいてバイポーラトランジスタからなる界磁電流制御用のドライバ素子（スイッチングトランジスタ）により界磁電流をスイッチングすることにより発電制御を行っている。
【０００３】
このため、界磁電流の通電損失を低減するために界磁電流制御用のドライバ素子をできるだけ界磁コイルに近接配置することが好ましく、そのために、従来はドライバ素子及びこのドライバ素子を制御するための制御回路部が搭載されたレギュレータ（電圧制御装置）を自動車用交流発電機のハウジングに固定するのが通例となっている。
【０００４】
一方、自動車用交流発電機はその出力電流を車両両負荷及びバッテリに給電するために少なくとも数Ａの界磁電流を駆動する必要があり、これを単一のバイポーラトランジスタで断続するためにはベース電流が数十ｍＡ以上必要となり、バッテリ電圧が１２Ｖとする場合、ベース電流を安定な所定値に設定するためのベース電流制限抵抗素子の消費電力が１Ｗ超となってしまう。このため、従来は、図９に示すように、ベース電流が極めて小さいダーリントン接続タイプのバイポーラトランジスタ４０１で界磁電流制御用のドライバ素子用Ｔｒチップを構成する場合もあるが、ダーリントン接続タイプのバイポーラトランジスタ４０１はコレクタ・エミッタ間電圧降下が大きい為電力消費が大きいので、上記過酷な熱的条件下での使用を可能とするために、図１０に示すように、回路基板３００上にヒートシンク７００を介してドライバ素子用Ｔｒチップ４００を配設するのが一般的である。
【０００５】
なお、図９において、５００はベース電流給電制御用の制御回路用ＩＣチップ、５０１はベース電流制御トランジスタ、５０２はベース電流制限抵抗素子、１０は界磁コイルであり、図１０において、２００は放熱プレートである。
なお、本出願人により出願中の実開昭６１−９７８９６号公報及び実開昭６１−１１９３９６号公報は、上記ヒートシンクを有する電子回路装置、特にレギュレータの出力段の例を開示している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上記説明したように、従来の自動車用交流発電機の電圧制御装置では、ヒートシンクを設けることにより、過渡的熱抵抗及び定常的熱抵抗を低減することにより、ダーリントン接続タイプのバイポーラトランジスタで構成したドライバ素子の温度を低減することが行われている。
【０００７】
しかしながら、装置の小型化（その反対として大出力電流化）を図る場合、ドライバ素子用Ｔｒチップから周囲に張り出すヒートシンクの張出部分の面積だけドライバ素子の所要スペースが増大するという不具合がある。もちろん、上記張出しをなくせば所要スペースの増大は無いが、その結果として、ヒートシンクをドライバ素子用Ｔｒチップ及び回路基板間に接合することで熱伝導経路が増加する為上記定常的熱抵抗はかえって増大してしまう欠点が生じる。
【０００８】
また、ヒートシンクの材質選定にあたっては、接合材の熱疲労寿命を考慮して、パワートランジスタの材質であるシリコンと通常使用される絶縁基板（回路基板）の材質であるアルミナ（Ａｌ２  Ｏ３  ）との線熱膨張率の整合をはかる為に、３．５ｐｐｍ／℃（シリコンの線熱膨張率）から７ｐｐｍ／℃（Ａｌ２  Ｏ３  の線熱膨張率）の間の線熱膨張率を有する高価な材料（モリブデン（線熱膨張率５．３ｐｐｍ／℃やタングステン（線熱膨張率４．５ｐｐｍ／℃））を選定せねばならないという面倒も生じる。
【０００９】
一方、発熱が大きいダーリントン接続タイプのバイポーラトランジスタの代わりに単一のバイポーラトランジスタを用いる場合には、ベース電流制限抵抗素子とドライバ素子用Ｔｒチップとを接近させて配設させると、上記説明したようにベース電流制限抵抗素子の発熱が大きいので、ベース電流制限抵抗素子の発熱の影響によりドライバ素子用Ｔｒチップの温度が上昇してしまうという不具合があった。
【００１０】
本発明は上記問題点に鑑みなされたものであり、最も温度上昇の影響が重大であるドライバ素子用Ｔｒチップの温度上昇を抑止しつつ、装置の小型化又は大出力電流化を実現可能な車両用交流発電機の出力電力制御装置を提供することを、その目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の自動車用交流発電機の電圧制御装置の第１の構成は、金属を素材として形成されて界磁電流制御式の自動車用交流発電機のハウジングに固定される放熱プレートと、前記放熱プレートの主面に接着された回路基板と、前記発電機の界磁電流を制御する単一の出力用バイポーラトランジスタからなり前記回路基板の表面に配設されるドライバ素子用Ｔｒチップと、前記ドライバ素子用Ｔｒチップと別個に前記回路基板に配設されて前記トランジスタのベース電流を制限するベース電流制限抵抗素子と、前記ベース電流制限抵抗素子を通じての前記出力用バイポーラトランジスタへのベース電流の供給を制御する制御回路用ＩＣチップとを備え、
前記ドライバ素子用Ｔｒチップと前記ベース電流制限抵抗素子と前記制御回路用ＩＣチップとは、前記回路基板上にて三角関係に配設され、
前記ドライバ素子用Ｔｒチップと前記ベース電流制限抵抗素子との間の距離をｄ１とし、前記ベース電流制限抵抗素子と前記制御回路用ＩＣチップとの間の距離をｄ２とし、前記ドライバ素子用Ｔｒチップと前記制御回路用ＩＣチップとの間の距離をｄ３とする場合に、前記距離ｄ２又はｄ３は前記距離ｄ１より小さく設定されることを特徴としている。
【００１２】
すなわち、前記ベース電流制限抵抗素子が、前記制御回路用ＩＣチップ及び前記ドライバ素子用Ｔｒチップとの間にて前記制御回路用ＩＣチップ寄りに配設されるか、あるいは前記ドライバ素子用Ｔｒチップが前記ベース電流制限抵抗素子及び前記制御回路用ＩＣチップとの間にて前記制御回路用ＩＣチップ寄りに配設される。
【００１３】
本発明の第２の構成は、上記第１の構成において更に、前記制御回路用ＩＣチップが、前記ドライバ素子用Ｔｒチップ及び前記ベース電流制限抵抗素子との間にて前記ベース電流制限抵抗素子寄りに配設されることを特徴としている。
【００１４】
【作用及び発明の効果】
本発明の第１の構成では、界磁電流制御式の自動車用交流発電機のハウジングに固定される放熱プレートに接着された回路基板上に、界磁電流制御用のドライバ素子用Ｔｒチップと、ドライバ素子用Ｔｒチップへのベース電流の供給を制御する制御回路用ＩＣチップと、上記ベース電流を制限するベース電流制限抵抗素子とが、三角関係に配設されるので、最も温度上昇の影響が重大であるドライバ素子用Ｔｒチップの温度上昇を抑止しつつ、装置の小型化又は大出力電流化を実現することができる。
【００１５】
具体的に説明すれば、熱的に過酷な環境であるエンジン近傍に配設され、しかも、自身が発熱体である自動車用交流発電機に放熱プレートを介して固定される回路基板上に、それぞれが発熱源であるドライバ素子用Ｔｒチップ、制御回路用ＩＣチップ及びベース電流制限抵抗素子がヒートシンクなしに配設される。ドライバ素子用Ｔｒチップは単一の（いわゆるシングル構成の）バイポーラトランジスタからなる。
【００１６】
このようにすれば、ダーリントン接続タイプのバイポーラトランジスタによりドライバ素子用Ｔｒチップを構成するのに比べて、ベース電流制限抵抗素子の発熱は増加するものの、ドライバ素子用Ｔｒチップの発熱が格段に減少する。言い換えれば、発熱源を分散させることができる。
したがって、ドライバ素子用Ｔｒチップ及び抵抗素子に発熱が分散するので、従来、最も発熱が大きく、接合温度上昇が大きくてそれにより最大出力電流が制限されるドライバ素子用Ｔｒチップの最高温度が低減されるか、もしくは出力電流の増大やヒートシンクの省略が可能となる。
【００１７】
ただ、ドライバ素子用Ｔｒチップ及び抵抗素子に発熱を分散しても、これらが近接していてはそれらの発熱が互いに影響し合って、熱源分散効果が生じない。又、比較的発熱の小さい制御回路用ＩＣチップへの熱的影響も大きくなる。かといって、これらの両チップ及び抵抗素子を離し過ぎると、回路基板の大型化、装置の大型化を招いてしまう。
【００１８】
そこで、本発明では、発熱源であるシングル構成のバイポーラトランジスタからなるドライバ素子用Ｔｒチップと、比較的発熱の少ない制御回路用ＩＣチップと、発熱源であるベース電流制限抵抗素子とを回路基板上にて三角関係に配置する。このようにすれば、回路基板の必要面積の増大を抑止しつつ、ドライバ素子用Ｔｒチップとベース電流制限抵抗素子との間の距離（以下、ｄ１とする）、ベース電流制限抵抗素子と制御回路用ＩＣチップとの間の距離（以下、ｄ２とする）、ドライバ素子用Ｔｒチップと制御回路用ＩＣチップとの間の距離（以下、ｄ３とする）をそれぞれ増大することができ、これにより両チップ及び抵抗素子間の熱的影響を抑止し、その結果として、回路基板面積増大を招くことなく出力電流の増大を実現することができる。又は、出力電流（界磁電流）の低下を招くことなく回路基板面積を縮小することができる。
【００１９】
また、本発明の第１の構成によれば、上記距離ｄ２が、上記距離ｄ１より小さく設定される。あるいは、上記第１の構成において更に、上記距離ｄ３が、上記距離ｄ１より小さく設定される。
この構成によれば、比較的発熱の少ない制御回路用ＩＣチップとの距離を、互いに発熱源であるドライバ素子用Ｔｒチップとベース電流制限抵抗素子との間の距離よりも小さく設定する事で、発熱の大小により部品の配置関係を合理的に行なうことができ、回路基板面積をさらに縮小することができる。具体的に説明すれば、発熱源であるベース電流制限抵抗素子がドライバ素子用Ｔｒチップに近づくことにより、ベース電流制限抵抗素子の発熱の影響でドライバ素子用Ｔｒチップのバイポーラトランジスタの接合温度が△Ｔ１だけ上昇すると、この温度上昇△Ｔ１は距離ｄ１の対数関数値（底は１超過）に略比例する。従って、上記距離ｄ１がある所定のしきい値より小さくなると、ベース電流制限抵抗素子の発熱の影響により、ドライバ素子用Ｔｒチップの接合温度が急激に増大して許容温度を越えてしまう。
【００２０】
また、発熱源であるベース電流制限抵抗素子が、比較的発熱の少ない制御回路用ＩＣチップに近づくことにより、ベース電流制限抵抗素子の発熱の影響により制御回路用ＩＣチップ内のトランジスタの接合温度が△Ｔ２だけ上昇するとすると、この温度上昇△Ｔ２も△Ｔ１と同様に、距離ｄ２の対数関数値（底は１超）に略比例する。従って、上記距離ｄ２がある所定のしきい値より小さくなると、ベース電流制限抵抗素子の発熱の影響により、制御回路用ＩＣチップ内のトランジスタの接合温度が急激に増大して許容温度を越えてしまう。又、制御回路用ＩＣチップの温度上昇についてはドライバ素子用Ｔｒチップからの発熱の影響についてもベース電流制限抵抗素子の場合と同様のことが言える。
【００２１】
したがって、両チップの接合温度を許容温度以内とするために、回路基板にて上記各しきい値により規定される両チップ及び抵抗素子の配設可能領域が存在することになる。しかしながら両チップ及び抵抗素子は、それぞれ発熱の大小がある為に、距離ｄ１、ｄ２、ｄ３は回路基板内にてただやみくもに大きくするのではなく、配線引回し等を考慮しつつ、部品をコンパクトに配設するのが好ましい。
【００２２】
本構成では、ドライバ素子用Ｔｒチップ及びベース電流制限抵抗素子が発熱源であり、互いに発熱の影響を及ぼし合うこと、さらに制御回路用ＩＣチップの発熱量は、ドライバ素子用Ｔｒチップ及びベース電流制限抵抗素子の発熱量と比較して小さいことに基づいて距離ｄ２を距離ｄ１より小さく設定するか、あるいは距離ｄ３を距離ｄ１より小さく設定している。この様にすれば、発熱量の異なる両チップの接合温度を許容温度以内に維持しつつ、効率良くコンパクトにドライバ素子用Ｔｒチップ、制御回路用ＩＣチップ及びベース電流制限抵抗素子を配設することができる。
【００２３】
本発明の第２の構成では、上記第１の構成において更に、上記距離ｄ２が、上記距離ｄ３より小さく設定される。この構成では、ドライバ素子用Ｔｒチップの発熱量がベース電流制限抵抗素子の発熱量に比較して、大きいことに基づいて、発熱のより小さい制御回路用ＩＣチップをベース電流制限抵抗素子寄りに配設される。
【００２４】
すなわち、ドライバ素子用Ｔｒチップは、ダーリントン接続タイプのバイポーラトランジスタではなくシングル構成のバイポーラトランジスタで構成されるので、従来より電力消費は低減されているものの、元々、制御回路用ＩＣチップよりは格段に大きくかつベース電流制限抵抗素子よりも大きいので、制御回路用ＩＣチップをドライバ素子用Ｔｒチップより電力消費の少ない方のベース電流制限抵抗素子に近づけることにより、回路基板面積を縮小しつつ、両チップの接合温度を許容温度以内にすることができる。
【００２５】
【実施例】
以下、本発明の自動車用交流発電機の電圧制御装置の一実施例を図面に基づいて説明する。
図１及び図２に示すように、後述する界磁電流制御式の自動車用交流発電機１のハウジングにはアルミニウムからなる放熱プレート２が固定されており、放熱プレート２には高熱伝導の接着剤２０により例えばアルミナからなる回路基板３が接着されている。回路基板３上には、互いに三角形となる位置にドライバ素子用Ｔｒチップ４、制御回路用ＩＣチップ５が接着され、更にベース電流制限抵抗素子６が厚膜抵抗により形成されている。
【００２６】
２１は放熱プレート２の放熱フィンであり、３１は、回路基板３上に半田付け等により固着されたボンディング用のパッドであり、３２はパッド３１とベース電流制限抵抗素子６の一端とを、さらにベース電流制限抵抗素子６の他端と制御回路用ＩＣチップ５の外部引出し電極（図示せず）とを個別に接続する印刷配線であり、４１はドライバ素子用Ｔｒチップ上のボンディング用のパッドであり、７は、パッド３１とパッド４１とを個別に接続するボンディングワイヤである。
【００２７】
図３にこの電圧制御装置の界磁電流駆動部回路図を示す。
５２は、制御回路用ＩＣチップ５の出力回路段であって、バッテリ電圧端（又は発電電圧端）と接地端との間に、ベース電流制限抵抗素子６、エミッタ接地トランジスタＴ１が直列接続されており、トランジスタＴ１を動作させて出力端５３の電位をスイッチングしている。
【００２８】
ドライバ素子用Ｔｒチップ４は、１段のエミッタ接地パワートランジスタ４０により構成されており、制御回路用ＩＣチップ５の出力端はベース電流制限抵抗素子６とトランジスタ４０のベース電極の接続点に接続されており、エミッタ接地トランジスタＴ１がＯＦＦの時ベース電流を給電し、エミッタ接地トランジスタＴ１がＯＮの時ベース電流を遮断している。トランジスタ４０のコレクタは後述する自動車用交流発電機１の界磁コイル１０を通じてバッテリ電源に接続されている。Ｄは界磁コイル１０と並列接続されたフライホイルダイオードである。
【００２９】
両チップ４、５及びベース電流制限抵抗素子６は、図１に示す三角関係に配置されている。ドライバ素子用ＩＣチップ４の端部とベース電流制限抵抗素子６の端部との距離はｄ１、制御回路用ＩＣチップ５の端部とベース電流制限抵抗素子６の端部との距離はｄ２、両チップ４、５の端部間の距離はｄ３とされている。発熱体であるドライバ素子用Ｔｒチップ４及びベース電流制限抵抗素子６と、比較的発熱の少ない制御回路用ＩＣチップ５をこのように三角配置とすることにより、必要な回路基板３の面積を縮小しつつ、相互の距離ｄ１〜ｄ３を充分に確保し、相互の発熱の影響による両チップ４、５のトランジスタの接合温度上昇を抑止することができる。
【００３０】
例えば、ドライバ素子用Ｔｒチップ４の通電電流を５Ａとすると、ダーリントン接続タイプのトランジスタの出力トランジスタのエミッタ・コレクタ間の電圧降下は４ｍｍ×４ｍｍ相当のチップにおいて１Ｖ程度となるので、その損失は約５Ｗとなる。シングルトランジスタでは、そのエミッタ・コレクタ間の電圧降下は同等のサイズのチップで約０．４Ｖ程度であるので、その損失は約２Ｗとなる。
【００３１】
一方、図３のシングル構成のトランジスタ４０の電流増幅率を約６０倍とすれば、トランジスタ４０にて５Ａのコレクタ電流を駆動する為に必要なベース電流は約８０ｍＡとなる。そこで、安定なベース電流を得るためにベース電流制限抵抗素子６の抵抗値を充分余裕をみて１００オームに設定するものとすれば、ベース電流制限抵抗素子６の損失はバッテリ電圧を１４Ｖ、トランジスタ４０のベース・エミッタ間電圧降下を０．８Ｖとすると（１４−０．８）２  ／１００＝約１．７Ｗとなる。
【００３２】
また、制御回路用ＩＣチップ５の損失は、バッテリ電圧を約１４Ｖとすれば、バッテリ電圧などを所定のしきい値電圧と比較する周知のコンパレータなどを集積して微少電流で駆動しているために、その消費電流はせいぜい１０ｍＡ程度で、消費電力としては約０．１４Ｗとなる。これは上記のドライバ素子用Ｔｒチップ４及びベース電流制限抵抗素子６に比較して相当小さい値となることがわかる。
【００３３】
一方、回路基板３内において発熱体からの距離と、その距離における発熱体との温度差との関係は一般的に次の様に表わすことができる。発熱体の中心からの距離ｄ、発熱体の発熱量Ｐ、発熱体との温度差△Ｔ、回路基板の熱伝導率Ｋ、回路基板の厚みｔ及び発熱体を円板として半径ｒとすると、
【００３４】
【数１】
0003552296.tif 000002
まずドライバ素子用Ｔｒチップが発熱体とした場合、回路基板３はアルミナを主体としたセラミック基板で熱伝導率Ｋ＝０．１７１Ｗ／ｃｍ・℃、厚みｔ＝０．８ｍｍ、ドライバ素子用Ｔｒチップ４のサイズは４ｍｍ×４ｍｍで、これを半径ｒ＝２ｍｍの円板の発熱体として近似し、発熱量Ｐ＝２Ｗとすると、
【００３５】
【数２】
△Ｔ４  ＝２３．３×ｌｎｄ−１６．１
次にベース電流制限抵抗素子６の場合、同様の計算で、
【００３６】
【数３】
△Ｔ６  ＝１９．８×ｌｎｄ−１３．７
（但し、Ｐ＝１．７Ｗとし、その他は同条件）
数２、数３の式をグラフに表わしたものが図４である。
この数２、数３の式によれば、例えば発熱体中心から４ｍｍ離れた点においては発熱体温度より数２の式で１６．１℃、数３の式で１３．７℃低減される。
【００３７】
また、発熱体の温度は、ドライバ素子用Ｔｒチップ４の温度をＴｊ４、発熱量をＰ４  、放熱プレート２までの熱抵抗をθ４  とし、ベース電流制限抵抗素子６の温度をＴ６  、発熱量Ｐ６  、放熱プレート２までの熱抵抗をθ６  とすると、放熱プレート２の温度ＴＦ  はアルミニウムで高熱伝導の金属から成る為、位置によらずほぼ同等の温度分布をするので次の様な関係が成り立つ。
【００３８】
Ｔｊ４−ＴＦ  ＝Ｐ４  ×θ４  、  Ｔ６  −ＴＦ  ＝Ｐ６  ×θ６
これらの式に有限要素法により計算した定常熱抵抗θ４  ＝６．７℃／Ｗ、θ６  ＝６．５℃／Ｗと前述の発熱量Ｐ４  ＝２Ｗ、Ｐ６  ＝１．７Ｗを代入すると（但し、発熱体面積は同じとする）
【００３９】
【数４】
Ｔｊ４＝１３．４＋ＴＦ
【００４０】
【数５】
Ｔ６  ＝１１．１＋ＴＦ
前出の数２、数３の式では、回路基板３が高熱伝導の接着剤２０により放熱プレート２に接着されていることが考慮されていないので、例えば発熱体中心から４ｍｍ離れた点においては数４、数５の式より、
【００４１】
【数６】
Ｔｊ４−△Ｔ４  ＝ＴＦ  −２．７
【００４２】
【数７】
Ｔ６  −△Ｔ６  ＝ＴＦ  −２．６
となり、いずれも放熱プレート２の温度ＴＦ  より温度が低くなる様な結果が得られる。
図５にドライバ素子用Ｔｒチップ４を発熱体とした場合の発熱体中心からの距離ｄと放熱プレート２からの温度上昇との関係を表わすグラフを示す。発熱体としてのドライバ素子用Ｔｒチップ４からの距離が４ｍｍの位置では放熱プレート２からの熱伝導により破線グラフで示す様に、温度がややもち上げられると考えられるが、いずれにせよ上記条件下においては発熱体中心から４ｍｍ離れた点ではすでに発熱体の発熱の影響を無視して良いことを示しているといえる。即ち、上記条件下においては比較的発熱の大きいドライバ素子用Ｔｒチップ４やベース電流制限抵抗素子６だけではなく、その他の例えば比較的発熱の小さい制御回路用ＩＣチップ５についても、互いに４ｍｍ以上離して配設する事により効果的に温度低減が可能となる。一般論としては、回路基板３がアルミナ（熱伝導率Ｋ＝０．１７１Ｗ／ｃｍ・℃）、発熱体のサイズがｒ＝２ｍｍの場合に、回路基板３の厚みｔと温度差を少なくとも１５℃とする為の距離ｄとの関係は数１の式により、ｄ＝ｅｘｐ（８．０５ｔ＋０．６９）・・・（５）となる。温度差を１５℃としたのは、前述の具体例で示した様に発熱体からの発熱の影響を無視できる温度差であり、発熱体のサイズをｒ＝２ｍｍとしたのは、ドライバ素子用Ｔｒチップ４のサイズとして最も大きいクラスであるためである。また回路基板３の材料としてはアルミナが安価で最も一般的な為である。
【００４３】
（５）式において発熱体端部からの距離ｄ’としては、ｄ’＝ｅｘｐ（８．０５ｔ＋０．６９）−２・・・（５）’となる。
回路基板３としては最も一般的なアルミナのなかでもｔ＝０．６〜０．８ｍｍ程度の厚みのものがよく使用され、この時の距離ｄ’はｄ’＝１．２ｍｍ（ｔ＝０．６ｍｍ）〜１．８ｍｍ（ｔ＝０．８ｍｍ）であり、回路基板３の厚みに対し距離ｄ’は２〜２．２５倍でこの厚みｔ＝０．６〜０．８ｍｍクラスの基板に対しては発熱体端部からの距離を回路基板３の厚みの２倍程度離せば発熱体の影響を無視できると考えてよい。
【００４４】
さらに発熱体の発熱量を考え合わせれば、発熱量の大小により発熱体からの距離を変える方が合理的である。発熱量は比較的発熱が大きく同等の発熱のドライバ素子用Ｔｒチップ４及びベース電流制限抵抗素子６と、比較的発熱小さい制御回路用ＩＣチップ５とに大別できる。この場合、発熱の大きいドライバ素子用Ｔｒチップ４とベース電流制限抵抗素子６の距離を制御回路用ＩＣチップ５との距離よりも大きくとる様な配置が考えられる。即ち、ｄ１＞ｄ２あるいはｄ１＞ｄ３なる関係に配設することである。発熱の大きいドライバ素子用Ｔｒチップ４とベース電流制限抵抗素子６との距離を互いの発熱の影響のない距離（例えば回路基板３の厚さの２倍以上）だけ離しさえすれば、発熱の小さい制御回路用ＩＣチップ５の温度上昇は殆どないので、発熱体からの熱的影響を受ける距離（回路基板３の厚さの２倍未満）でも構わない。但し、この時発熱体からの熱的影響を受けて許容接合温度を越える様な位置まで近づけることはないのは言うまでもない。
【００４５】
さらにつけ加えれば、比較的発熱量の大きいドライバ素子用Ｔｒチップ４とベース電流制限抵抗素子６の両者においても、ベース電流制限抵抗素子６の発熱がやや小さい。この場合には、発熱のより小さい制御回路用ＩＣチップ５を、ドライバ素子用Ｔｒチップ４よりもベース電流制限抵抗素子６寄りに配置することが考えられる。即ちｄ３＞ｄ１なる関係に配設することである。発熱体のうちでも大きいドライバ素子用Ｔｒチップ４に近いよりは、発熱が小さい方のベース電流制限抵抗素子６に近い方が有利である。
【００４６】
以上説明した通りドライバ素子用Ｔｒチップ４、制御回路用ＩＣチップ５及びベース電流制限抵抗素子６は互いに熱的影響の及ばない様な距離（回路基板３の厚みの２倍以上）を保ちつつ三角関係に配設されれば発熱体の分散配置による温度低減効果の恩恵を享受し、かつ、むやみに回路基板を大型化する必要もなくなるのでコンパクトな設計が可能となる利点がある。さらに発熱量の大小により、発熱体の熱的影響の及ぶ距離（回路基板３の２倍未満）に配設したり、発熱の殆どない制御回路用ＩＣチップ５を発熱体のうちでも発熱の小さい方のベース電流制限抵抗素子６に近い方に配設したりすることで回路基板３をさらにコンパクトにできる。
【００４７】
図６に上記自動車用交流発電機の一例を示す。
１は自動車用交流発電機で、ベルト駆動などの手段により内燃機関に隣接されるとともに駆動される。９は電圧制御装置で、図６の如く発電機１内部に一体的に内蔵される（ビルトイン）が、その代わりに外部に密着し一体的に搭載してもよい（アドオン、図示せず）。
【００４８】
１３はリアカバーで、車両用発電機１の構成部品を外部からの異物侵入などから保護している。リアカバー１３には、冷却の為に外気を導入する目的で、電圧制御装置９や整流装置（図示せず）に対応した位置にそれぞれ吸気孔１３ａ、１３ｂが設置されている。
次に、図７及び図８に基づいて、電圧制御装置９を説明する。
【００４９】
９４は電圧制御装置９のケースで、ガラス繊維などの充填剤で強化されたエンジニアリングプラスチック（ＰＰＳ、ＰＢＴ、ＰＥＴなど）で形成されている。ケース９４にはターミナル１３０などがインサート成形されており、コネクタハウジング９４ａ、後述する回路基板３を収納する為のスペース９４ｂを形成している。
【００５０】
２１は、放熱プレート２の放熱フィンで熱伝導率の良好な材料、例えばＡｌ、Ｃｕなどの材料で、板状のベース材２２に所定間隔で設けてある。接着剤２０には熱伝導率の良好な材料を使用する。回路基板３はセラミックより成る絶縁回路基板かまたは、Ａｌなどをベースとした金属基板上に絶縁層を介して形成された金属ベース回路基板である。セラミック材としては通常はアルミナ（Ａｌ２  Ｏ３  ）であるが、窒化アルミ（ＡｌＮ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）などからも構成される。図１に示す配線３２は回路基板３上に印刷焼成された厚膜配線（一般的にはＡｇ系、Ｃｕ系）で形成されている。また、ベース電流制限抵抗素子６も回路基板３上に印刷、焼成により形成されている。両チップ４、５は、はんだ材、導電性接着剤などの高導電性の接合材で回路基板３上の所定のランド（図示せず）に接合されている。
【図面の簡単な説明】
【図１】
本発明の自動車用交流発電機の電圧制御装置の一実施例を示す模式平面図であ
る。
【図２】
図１のＡ−Ａ線矢視断面図である。
【図３】
図１の電圧制御装置の界磁電流駆動部の一実施例を示す回路図である。
【図４】
発熱体中心からの距離と、発熱体中心から離れた回路基板上の点での発熱体と
の温度差を示す特性図である。
【図５】
ドライバ素子用Ｔｒチップ４の中心からの距離と、ドライバ素子用Ｔｒチップ
４の中心から離れた回路基板３上の点での放熱プレート２からの温度上昇との関係を示す特性図である。
【図６】実施例１の電圧制御装置の搭載状態を示す自動車用交流発電機の平面図である。
【図７】図６の電圧制御装置の平面図である。
【図８】図７のＢ−Ｂ線矢視断面図である。
【図９】従来の自動車用交流発電機の電圧制御装置の界磁電流駆動部の一実施例を示す回路図である。
【図１０】図９の電圧制御装置のドライバ素子用Ｔｒチップ搭載部の断面図である。
【符号の説明】
１は自動車用交流発電機、２は放熱プレート、３は回路基板、４はドライバ素子用Ｔｒチップ、５は制御回路用ＩＣチップ、６はベース電流制限抵抗素子。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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