(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂基板上に、相互に隣り合った状態で同一の第１方向に並走する一対の配線と、
前記一対の配線を挟んで両側で第１方向に垂直な第２方向に配置される一対の画素電極と、
配線および画素電極の間に配置され、配線および画素電極に接続される能動素子とを含むパターンが、
前記第２方向に、画素電極同士が隣り合う箇所と、配線同士が隣り合う箇所とが、交互に存在して、
マトリクス状に複数形成され、
前記配線を第１の同一フォトエッチング工程で形成し、
前記画素電極を別の第２の同一フォトエッチング工程で形成し、
前記能動素子によって接続される配線と画素電極との第１間隔Ｔ２を、液晶表示装置の製造工程時における樹脂基板の最大寸法変化量Ｔ１よりも大きく設計し、
前記一対の画素電極を、前記一対の各配線間の中心を通る軸線（１０９）に関して、線対称に形成し、
相互に隣り合って前記第１方向に並走する一対の配線の前記第２方向の第２間隔Ｔ３を、前記最大寸法変化量Ｔ１よりも小さく設計し、
画素電極は、前記第１方向および前記第２方向にそれぞれ相互に隣り合って第３間隔Ｔ４をあけて配置され、
前記第１方向および前記第２方向にそれぞれ相互に隣り合う各パターンの画素電極間の第３間隔Ｔ４を、前記最大寸法変化量Ｔ１よりも小さく設計することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項２】
相互に隣り合って並走する一対の配線の第２間隔Ｔ３を、前記最大寸法変化量Ｔ１の１／２以下に設計することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項３】
相互に隣り合う各パターンの画素電極間の第３間隔Ｔ４を、前記最大寸法変化量Ｔ１の１／２以下に設計することを特徴とする請求項１または２に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記能動素子は、金属膜、絶縁膜および金属膜が、この順番で積層されたＭＩＭ素子であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項５】
カラーフィルタを形成する工程を含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、情報機器用ディスプレイなどの各種表示装置として利用される液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ：以下ＬＣＤと略記する）の製造方法に関する。
【０００２】
さらに詳しくは、樹脂基板上に形成された金属膜、絶縁膜および金属膜の三層構造から成る能動素子（Ｍｅｔａｌ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ  Ｍｅｔａｌ：以下、ＭＩＭと略記する）を有する液晶表示装置（以下、ＭＩＭ−ＬＣＤと略記する）の製造方法に関する。
【０００３】
【従来の技術】
情報機器などのディスプレイとして使用される液晶表示装置（以下、ＬＣＤと略記する）は、近年、携帯電話や携帯用情報端末などにも搭載され、薄型化および軽量化などと言った携帯性の向上が強く望まれている。このため、基板としてガラス基板ではなく、樹脂基板を用いたＬＣＤ（以下、樹脂基板ＬＣＤと称する）が実用化されている。この樹脂基板ＬＣＤは、薄型かつ軽量で、割れにも強いと言う利点を有するので、近年、特に需要が高まっている。
【０００４】
さらに表示品位を向上するために、樹脂基板上にＴＦＴ（薄膜トランジスタ）やＭＩＭなどの能動素子を形成したＬＣＤ（以下、ＡＭＬＣＤと略記する）も開発が進められている。このように、樹脂基板を使用する場合には、この樹脂基板の耐熱性の低さによって、ＬＣＤ製造プロセスの温度に制約が生じる。したがって、実際にディスプレイとして報告されている従来例は、ＴＦＴなどの三端子素子ではなく、ＭＩＭ等の二端子素子を用いた方が多い。
【０００５】
刊行物「Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  ｔｈｅ  ＳＩＤ  ５／３  １９９７」  のｐｐ２７５〜２８１には、ＰＥＳ（ポリエーテルスルホン）基板上に、２００℃以下の製造プロセスで窒化シリコンを用いた二端子素子を作製し、この二端子素子によって駆動されるＬＣＤを形成する方法が記載されている。このＬＣＤは、１０８×９６画素の透過型モノクロモードの表示であり、表示エリアの対角長は４０ｍｍ程度と小さいものである。
【０００６】
また、刊行物「ＳＩＤ  １９９９  Ｄｉｇｅｓｔ」  のｐｐ１４〜１７には、上記のＬＣＤと同様に、ＰＥＳ基板を使用したＭＩＭ素子駆動のＬＣＤの形成方法が記載されている。このＬＣＤは、９６×１２８画素の透過型のＬＣＤであり、さらにカラーフィルタを用いたカラー表示が可能である。しかしながらこのＬＣＤでは、開口率が４５％と低く、コントラスト比も１０：１程度しかない。また、表示エリアの対角長は５０．８ｍｍ程度しかなく、やはり小型である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
前述したように樹脂基板上に能動素子を形成するためには、ガラス基板を用いたときとは異なる樹脂基板特有の問題点がある。最も代表的な問題点は、樹脂基板の耐熱性が低いため、ＬＣＤ製造プロセス温度が低く制限されることである。しかしながら、この問題に関しては既に製造プロセス技術の改善によって解決の目処が立ちつつある。
【０００８】
これとは別に、樹脂基板を使用したＬＣＤの実用化に向けて、現在、最も大きな障害となっているのが、製造プロセス中に樹脂基板が伸縮することによって、樹脂基板に寸法変化が生じる問題である。この場合、温度変化による伸縮も問題であるが、同時に、樹脂基板が水分や有機溶媒を吸収および放出することに起因する膨張および収縮も大きな問題となる。このことは、刊行物「ＳＩＤ  １９９８  Ｄｉｇｅｓｔ」  のｐｐ２９３〜２９６において指摘されている。先行技術では、この寸法変化の問題によって、樹脂基板を用いた大型ＬＣＤパネルや高精細ＬＣＤパネルの作製が妨げられてきた。
【０００９】
図６は、ＭＩＭ−ＬＣＤの製造工程における工程毎の樹脂基板の伸縮率の変化を示すグラフである。このとき、ＭＩＭ―ＬＣＤ製造プロセス温度は、最高でも１５０℃に設定することができるので、樹脂基板の耐熱性の問題は解消している。しかしながら図６に示すように、ＬＣＤ製造工程中の水分などの吸収および放出の影響によると思われる樹脂基板の膨張および収縮が見られ、その伸縮率は平均して２００ｐｐｍ前後とかなり大きな値を有している。ここで、伸縮率とは、ある２点間の樹脂基板の寸法変化量を、基準時における２点間の距離で割った値と定義する。ここでは、ＬＣＤ製造工程中で最初にパターン寸法が決定される下部電極の露光時の寸法を基準距離と定義する。なお図６において、負の伸縮率は、樹脂基板の収縮率を示し、正の伸縮率は樹脂基板の膨張率を示す。
【００１０】
図６に示すように、複数枚の樹脂基板に対して同じプロセス条件によりＬＣＤを作製したが、伸縮率は樹脂基板毎に１００ｐｐｍ、あるいはそれ以上のバラツキが見られた。また、場合によっては特定方向への伸縮が大きくなる異方性も見られた。前記プロセスに用いることの可能な、他の種類の樹脂基板に関しても同様な傾向が見られており、プロセス中の基板の伸縮に対して充分な特性を有する樹脂基板は無いのが現状である。
【００１１】
この樹脂基板の伸縮を防ぐために、各種溶媒を吸収しない樹脂や吸収した際の寸法変化がきわめて小さい樹脂から成る基板の開発や、基板コーティングの改良によって基板母材自体への溶媒の侵入の防止などの解決手段も検討されているが、未だ充分な特性を有した樹脂基板の実現には至っていない。したがって、現状では樹脂基板を用いる以上、各工程間での樹脂基板の伸縮による寸法変化は避けられず、さらに樹脂基板の伸縮量をコントロールすることも難しい。特に能動素子の形成工程では、複数回のフォト工程を必要とするため、要求される位置合わせ精度を高くする必要があり、ＡＭＬＣＤの作製は非常に困難である。
【００１２】
図６に示す製造工程では、画素電極の形成までに３回のフォト工程を必要とする。設計したパターン形状およびその寸法は、露光工程の時点でマスクからＬＣＤに反映されるため、少なくともこれら３回の露光の時点では、基板の寸法変化による各パターン間のずれは、設計したマージンの範囲内に収まっていなければならない。
【００１３】
ガラス基板を用いてＡＭＬＣＤを作製する場合には、このマージンの大きさは、工程における寸法変化を伸縮率で表すと、通常３〜５ｐｐｍ以下であることを想定して設計されている。これに対して、図６に示すように、収縮による樹脂基板の伸縮率は少なくとも２００ｐｐｍ程度に見積もっておく必要がある。
【００１４】
つまり、ガラス基板の場合では、一辺が８００ｍｍの基板を用いても、８００ｍｍ×５ｐｐｍ＝４μｍのマージンを確保するように設計すれば充分である。これに対して、樹脂基板の場合には、たとえ一辺が１００ｍｍの基板であっても、１００ｍｍ×２００ｐｐｍ＝２０μｍものマージンを確保しておく必要がある。このようにマージンを大きく確保すると、有効表示領域が減少して開口率が低下するため、表示品位が犠牲になってしまう。特に、高精細ＬＣＤや画素を分割してカラー表示を行うカラーＬＣＤでは、１画素あたりのサイズが小さいため、開口率の低下に与える影響が大きい。また大型ＬＣＤでは、基板の伸縮量自体が大きくなるため、やはり大きな影響が避けられない。このため先行技術では、樹脂基板を用いた高精細ＬＣＤや大型ＬＣＤなどの作製はきわめて困難であった。
【００１５】
図７に、先行技術の液晶表示装置の製造方法によって製造された一般的な構造を有するアクティブマトリクス基板３０の画素近傍の拡大図を示す。樹脂基板２０上に、表面が陽極酸化された信号伝送配線２１（以下、配線２１と略記する）、画素電極２４および上部電極２２が、この順番に成膜され、パターンニングすることによって形成される。このとき、配線２１と上部電極２２とが交差する領域２３がＭＩＭ素子として動作する。上記配線２１、画素電極２４および上部電極２２は、それぞれ異なるフォト工程によって形状が決定されるので、先行技術では、パターン間での位置がずれることによって、必要とされる機能が損なわれないように、充分大きなマージンを確保した設計を行っている。したがって、一般的なガラス基板から成るＬＣＤに比較すると開口率はきわめて低い。
【００１６】
たとえば、画素電極２４に着目して考えてみる。縦方向（図７の上下方向）に隣り合う各画素電極２４は、一回のフォト工程によって同時に形成されるので、これらの各画素電極２４間の間隔２６には樹脂基板２０の寸法変化を考慮する必要はない。しかしながら、画素電極２４を形成するフォト工程と配線２１を形成するフォト工程とは、異なる工程であるため、この２つのフォト工程間に樹脂基板２０の寸法が変化している可能性がある。
【００１７】
したがって、画素電極２４と配線２１との間隔２５には、これらが相互に重なることがないように、樹脂基板２０の寸法変化量を上回る大きいマージンを確保する必要がある。このような理由で、図７に示す先行技術のＡＭ基板３０では、画素電極２４の横方向両側（図７の左右方向）に、非常に大きな間隔２５を確保した設計にしている。これが、開口率を著しく低下させる要因となっている。
【００１８】
さらに、樹脂基板２０が大きく寸法変化した場合でも、配線２１および上部電極２２が確実に重なり、かつ上部電極２２および画素電極２４が確実に重なるように、この部分にも充分に大きなマージンを確保する必要がある。これも、開口率を下げる一要因となっている。
【００１９】
このように、樹脂基板２０を用いてアクティブマトリクス駆動のＡＭ基板３０を作製する際には、樹脂基板２０の伸縮による寸法変化が問題となり、充分に大きなマージンを確保した設計を必要とする。このような設計に基づいてＡＭ基板３０を作成すると、得られたＬＣＤの開口率は著しく低下する。特に、１画素あたりのサイズが小さいと開口率の低下に与える影響が大きい。また、基板サイズが大きくなると伸縮量が大きくなるため、高い表示品位を確保しつつ、ＬＣＤサイズの大型化や画素の高密度化、およびカラーフィルタを用いたカラー化などを進めることは困難であった。
【００２０】
したがって本発明の目的は、上記課題を克服し、表示品位が高く、かつ大型の樹脂基板を用いた液晶表示装置を製造することができる液晶表示装置の製造方法を提供することである。
【００２１】
さらに本発明の他の目的は、軽量、高開口率、および高画素密度な液晶表示装置を提供することである。
【００２２】
【課題を解決するための手段】
本発明は、樹脂基板上に、相互に隣り合った状態で同一の第１方向に並走する一対の配線と、
前記一対の配線を挟んで両側で第１方向に垂直な第２方向に配置される一対の画素電極と、
配線および画素電極の間に配置され、配線および画素電極に接続される能動素子とを含むパターンが、
前記第２方向に、画素電極同士が隣り合う箇所と、配線同士が隣り合う箇所とが、交互に存在して、
マトリクス状に複数形成され、
前記配線を第１の同一フォトエッチング工程で形成し、
前記画素電極を別の第２の同一フォトエッチング工程で形成し、
前記能動素子によって接続される配線と画素電極との第１間隔Ｔ２を、液晶表示装置の製造工程時における樹脂基板の最大寸法変化量Ｔ１よりも大きく設計し、
前記一対の画素電極を、前記一対の各配線間の中心を通る軸線（１０９）に関して、線対称に形成し、
相互に隣り合って前記第１方向に並走する一対の配線の前記第２方向の第２間隔Ｔ３を、前記最大寸法変化量Ｔ１よりも小さく設計し、
画素電極は、前記第１方向および前記第２方向にそれぞれ相互に隣り合って第３間隔Ｔ４をあけて配置され、
前記第１方向および前記第２方向にそれぞれ相互に隣り合う各パターンの画素電極間の第３間隔Ｔ４を、前記最大寸法変化量Ｔ１よりも小さく設計することを特徴とする液晶表示装置の製造方法である。
【００２３】
本発明に従えば、相互に隣り合った状態で同一の第１方向に並走する一対の配線と、この一対の配線を挟んで両側に配置される一対の画素電極と、配線および画素電極を接続する能動素子とは、それぞれ異なるフォトエッチング工程で形成される。まず、樹脂基板上に一対の配線を形成し、次に、この配線に能動素子を介して接続される画素電極との第１間隔Ｔ２を、樹脂基板の液晶表示装置の製造工程時における最大寸法変化量Ｔ１よりも大きく設計した状態で、一対の画素電極を形成する。このように、能動素子を介して接続される配線と画素電極との間に、充分なマージンを確保しておくことによって、樹脂基板が水分の吸収および放出などの要因によって、寸法変化したとしても、配線と画素電極とが直接接触するなどと言った不具合が防止される。
【００２５】
一回のフォトエッチング工程で同時に形成される各一対の配線間の第２間隔Ｔ３には、樹脂基板の伸縮の影響を考慮しておく必要がないので、一対の配線間の第２間隔Ｔ３を、最大寸法変化量Ｔ１よりも小さく設計しておく。したがって、能動素子を介して接続される配線と画素電極との間に、充分大きなマージンを確保したとしても、先行技術の液晶表示装置よりも、開口率を向上させることができる。つまり先行技術の液晶表示装置と同一サイズで、かつ同一画素密度の液晶表示装置を形成する場合であれば、開口率が向上し、表示品位が向上する。また、先行技術の液晶表示装置と、同一の開口率を有する液晶表示装置を製造する場合であれば、パネルサイズの大型化および画素の高密度化が実現できる。
一回のフォトエッチング工程で同時に形成され、相互に隣り合う各パターンの画素電極間の第３間隔Ｔ４には、樹脂基板の伸縮の影響を考慮しておく必要がないので、この画素電極間の第３間隔Ｔ４を、最大寸法変化量Ｔ１よりも小さく設計しておく。したがって、能動素子を介して接続される配線と画素電極との間に、充分大きなマージンを確保したとしても、先行技術の液晶表示装置よりも、開口率を向上させることができる。つまり、先行技術の液晶表示装置と同一サイズで、かつ同一画素密度の液晶表示装置を形成する場合であれば、開口率が向上し、表示品位が向上する。また、先行技術の液晶表示装置と、同一の開口率を有する液晶表示装置を製造する場合であれば、パネルサイズの大型化および画素の高密度化が実現できる。
【００２６】
また本発明は、相互に隣り合って並走する一対の配線の間隔Ｔ３を、前記最大寸法変化量Ｔ１の１／２以下に設計することを特徴とする。
【００２７】
本発明に従えば、一回のフォトエッチング工程で同時に形成される一対の配線間の第２間隔Ｔ３には、樹脂基板の伸縮の影響を考慮しておく必要がないので、一対の配線間の第２間隔Ｔ３を、最大寸法変化量Ｔ１の１／２以下に設計しておく。したがって、能動素子を介して接続される配線と画素電極との間に、充分大きなマージンを確保したとしても、先行技術の液晶表示装置よりも、開口率を向上させることができる。つまり、先行技術の液晶表示装置と同一サイズで、かつ同一画素密度の液晶表示装置を形成する場合であれば、開口率が向上し、表示品位が向上する。また、先行技術の液晶表示装置と、同一の開口率を有する液晶表示装置を製造する場合であれば、パネルサイズの大型化および画素の高密度化が実現できる。
【００３０】
また本発明は、相互に隣り合う各パターンの画素電極間の間隔Ｔ４を、前記最大寸法変化量Ｔ１の１／２以下に設計することを特徴とする。
【００３１】
本発明に従えば、一回のフォトエッチング工程で同時に形成され、相互に隣り合う各パターンの画素電極間の第３間隔Ｔ４には、樹脂基板の伸縮の影響を考慮しておく必要がないので、この画素電極間の第３間隔Ｔ４を、最大寸法変化量Ｔ１の１／２以下に設計しておく。したがって、能動素子を介して接続される配線と画素電極との間に、充分大きなマージンを確保したとしても、先行技術の液晶表示装置よりも、開口率を向上させることができる。つまり、先行技術の液晶表示装置と同一サイズで、かつ同一画素密度の液晶表示装置を形成する場合であれば、開口率が向上し、表示品位が向上する。また、先行技術の液晶表示装置と、同一の開口率を有する液晶表示装置を製造する場合であれば、パネルサイズの大型化および画素の高密度化が実現できる。
【００３２】
また本発明は、前記能動素子は、金属膜、絶縁膜および金属膜が、この順番で積層されたＭＩＭ素子であることを特徴とする。
【００３３】
本発明に従えば、能動素子はＭＩＭ素子である。ＭＩＭ素子は、ＴＦＴ素子に比較して、比較的低温の製造プロセスで形成することができるので、ガラス基板ではなく、耐熱温度の低い樹脂基板を使用することができる。さらに、低温の製造プロセスで済むので、液晶表示装置の製造工程全体での、樹脂基板の寸法変化量が小さくて済み、ＭＩＭ素子を介して接続される配線と画素電極との間の間隔を大きくとる必要がない。したがって、開口率が向上し、画素の高密度化が実現できる。
【００３４】
また本発明は、カラーフィルタを形成する工程を含むことを特徴とする。
本発明に従えば、樹脂基板を使用しても、開口率が向上し、かつ画素の高密度化が実現された表示品位の高いカラー液晶表示装置を得ることができる。
【００３５】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の一実施形態の液晶表示装置の製造方法によって製造されたＭＩＭ素子駆動の液晶表示装置のアクティブマトリクス基板１０１の画素近傍を拡大して示す図である。ＭＩＭ素子駆動のアクティブマトリクス基板（以下、ＡＭ基板１０１と称する）は、樹脂基板１０６上に、相互に隣り合った状態で同一方向に並走する一対の配線１０２ａ，１０２ｂと、この一対の配線１０２ａ，１０２ｂを挟んで両側に配置される一対の画素電極１０３ａ，１０３ｂと、各配線１０２ａ，１０２ｂおよび各画素電極１０３ａ，１０３ｂ間に介在され、各配線１０２ａ，１０２ｂおよび各画素電極１０３ａ，１０３ｂを電気的に接続する一対のＭＩＭ素子１０４ａ，１０４ｂとから成る一つのパターン１０５が、マトリクス状に複数形成されて構成される。
【００３６】
なお、上記一対の配線１０２ａ，１０２ｂを総称するときは、配線１０２と称し、上記一対の画素電極１０３ａ，１０３ｂを総称するときは、画素電極１０３と称し、上記一対のＭＩＭ素子１０４ａ，１０４ｂを総称するときは、ＭＩＭ素子１０４と称する。
【００３７】
ＡＭ基板１０１についてさらに詳しく述べると、表面に絶縁層が形成された一対の配線１０２ａ，１０２ｂは、２本１組となって縦方向（図１の上下方向）に並走した状態で、樹脂基板１０６上に形成される。ＭＩＭ素子１０４ａ，１０４ｂの下部電極１０７が、各画素に対応して各配線１０２ａ、１０２ｂから、縦方向に略垂直な横方向（図１の左右方向）両側に分岐して形成される。この下部電極１０７に直交して、上部電極１０８が形成される。下部電極１０７と上部電極１０８との交差領域がＭＩＭ素子１０４として動作する。さらにこの上部電極１０８の両端部に接続されて、画素電極１０３が形成されている。
【００３８】
このＡＭ基板１０１は、一対の配線１０２ａ，１０２ｂの両側にＭＩＭ素子１０４ａ，１０４ｂを介して接続された画素電極１０３ａ，１０３ｂの列が、各配線１０２ａ，１０２ｂ間の中心を通る軸線１０９に関して、線対称に形成された構成である。
【００３９】
図７に示す先行技術のＡＭ基板３０の構造と比較すると、本実施の形態のＡＭ基板１０１は、１列毎に画素電極１０３および配線１０２が左右逆向きに配置されている。したがってＡＭ基板１０１では、図１のＡ列およびＢ列間のように、画素電極１０３同士が隣り合う箇所と、Ｂ列およびＣ列間のように、配線１０２同士が隣り合う箇所とが、交互に存在する。
【００４０】
このとき画素電極１０３および、画素電極１０３にＭＩＭ素子１０４を介して接続される配線１０２との間隔Ｔ２とは、基本的には図７に示す先行技術のＡＭ基板３０と、同様に大きいマージンを確保している。
【００４１】
しかしながら、ＭＩＭ素子１０４を介在せずに隣り合う画素電極１０３間の間隔Ｔ４には、これらの画素電極１０３が、同一のフォトエッチング工程によって形成されるため、樹脂基板１０６の伸縮を考慮する必要がなく、大きなマージンを確保していない。
【００４２】
また、一対の配線１０２ａ，１０２ｂは同一のフォトエッチング工程によって形成されるので、樹脂基板１０６の伸縮の影響を考慮する必要がない。したがって、Ｂ列およびＣ列間のような隣り合う一対の配線１０２間の間隔Ｔ３も、大きなマージンを確保していない。
【００４３】
したがって、本発明のＡＭ基板１０１は、先行技術のＡＭ基板３０よりも、画素電極１０３を、斜線部の領域１１４の面積だけ大きく設計した状態で形成しているので、開口率が向上している。
【００４４】
なお、領域１１４の面積は、先行技術のＡＭ基板３０で必要とされていた間隔１１１が大きく、また、縦方向（図１の上下方向）に画素電極１０３が長いほど大きくなる。つまり、画素電極１０３の形状が実質的に配線１０２に沿う縦方向に長辺を持つ長方形である場合には、領域１７は大きくなって、開口率の向上効果が大きい。
【００４５】
また、カラーフィルタを用いたカラー表示を行うＭＩＭ―ＬＣＤでは、加法混色法によってカラー表示を行うため、白黒表示もしくは減法混色法を用いたカラー表示に比較すると画素が分割され、電極のサイズが小さくなる。したがって、先行技術のＭＩＭ―ＬＣＤをカラー化する場合には、開口率を大きく低下させるか、もしくは開口率の低下を防ぐために、画素密度を粗くしなければならず、表示品位の低下が著しいと言う問題がある。
【００４６】
しかしながら、本発明のＡＭ基板１０１にカラーフィルタを設けると、充分な表示品位を有する薄型、かつ軽量のカラーＭＩＭ―ＬＣＤを得ることができる。
【００４７】
なお、特開平１０−１４２６２９号公報には、本発明と同様に２本１組で並走する配線の両側に能動素子を介して接続された画素電極の列が左右対称に形成された形のＡＭ基板の例が報告されている。
【００４８】
しかしながら本発明では、樹脂基板上に能動素子形成を行う目的を達成するため、特開平１０−１４２６２９号公報に記載のＡＭ基板の構造から、さらに配線１０２と画素電極１０３との間隔Ｔ２を、製造工程中の樹脂基板の伸縮による最大寸法変化量Ｔ１を上回るよう設計し、かつ、隣り合う配線１０２同士の間隔Ｔ３を上記最大寸法変化量Ｔ１よりも小さく設計し、かつ隣り合う画素電極１０３同士の間隔Ｔ４を上記最大寸法変化量１よりも小さく設計した構造としている。
【００４９】
この結果、ＡＭ基板１０１は、特開平１０−１４２６２９号公報のＡＭ基板によって得られる視角特性の改善効果に加えて、高開口率化および高表示品位化の効果をも達成する。このように本発明のＡＭ基板１０１は、構造上、特開平１０−１４２６２９号公報に記載のＡＭ基板に類似した部分はあるものの、全く異なる効果を得られる新規の発明である。
【００５０】
次に、本発明の実施の一形態の液晶表示装置の製造方法について説明する。本発明の液晶表示装置の製造方法は、樹脂基板１０６上に形成されるパターン１０５を設計する設計工程と、この設計に基づいて樹脂基板１０６上に一対の配線１０２ａ，１０２ｂを形成する配線形成工程と、一対のＭＩＭ素子１０４ａ，１０４ｂを形成するＭＩＭ素子形成工程と、樹脂基板１０６上に一対の画素電極１０３ａ，１０３ｂを形成する画素電極形成工程とを含む。
【００５１】
図２は、配線形成工程後の状態を示す図であり、図３はＭＩＭ素子形成工程後の状態を示す図である。両面にガスバリアやハードコートなどのコーティング処理を施した縦１５０ｍｍ、横２００ｍｍおよび厚さ２５０μｍのＰＥＳ（ポリエーテルスルホン）基板１０６上に、マグネトロンスパッタ法によって膜厚２００ｎｍのＴａ膜を成膜した。
【００５２】
樹脂基板１０６としては特に限定されるものではないが、耐熱性、光透過性、耐薬品性に優れたものが望ましい。また樹脂基板１０６上の膜材料として、Ｔａ以外にＡｌ、ＭｏまたはＳｉなどを用いてもよく、あるいはこれらの合金材料を用いてもよい。また、膜厚は５０ｎｍ〜５００ｎｍ程度の範囲内にあることが望ましい。また、成膜時には温度やプラズマなどによって、樹脂基板１０６がダメージを受けないよう留意する必要がある。なお本実施形態では、成膜中の樹脂基板１０６の温度を１８０℃以下に保つことによって、樹脂基板１０６へのダメージを抑えた。
【００５３】
次に、レジスト塗布、プレベーキング、露光、現像、ポストベーキング、エッチングおよびレジスト剥離などの一連のフォトエッチング工程によって、Ｔａ膜をパターンニングした。この状態が、図２に示される。このようにＴａ膜をパターンニングすることによって、樹脂基板１０６上に、相互に隣り合った状態で、同一方向に並走する一対の配線１０２ａ，１０２ｂを形成した。
【００５４】
本実施形態では表示領域が、縦１２０ｍｍ、横１６０ｍｍおよび対角２００ｍｍの矩形状で、画素数が６００×８００個のＭＩＭ―ＬＣＤに対応する形状に、配線１０２を形成した。このとき、１画素あたりの表示領域は２００μｍ×２００μｍとなる。樹脂基板１０６の最大伸縮率を２００ｐｐｍとすると、縦方向（図２の上下方向）の最大寸法変化量Ｔ１１は、１２０ｍｍ×２００ｐｐｍ＝２４μｍと算出され、横方向（図２の左右方向）の最大寸法変化量Ｔ１２は、１６０ｍｍ×２００ｐｐｍ＝３２μｍと算出される。したがって本実施形態では、位置ずれに対する許容量として、縦方向および横方向ともに、上記最大寸法変化量Ｔ１１、Ｔ１２よりも大きい３５μｍに設計した。つまり配線１０２と、次の画素電極形成工程で形成される画素電極１０４との間隔Ｔ２として、３５μｍのマージンを確保した設計を行った。
【００５５】
なお上記最大伸縮率とは、図６に示す各工程間における樹脂基板１０６の収縮率の最大値のことを指す。つまり最大寸法変化量Ｔ１１，Ｔ１２とは、ＡＭ基板１０１の製造工程における樹脂基板１０６の各工程間の最大収縮量のことを指す。
【００５６】
これに対して、一回の配線形成工程で同時に形成される一対の配線１０２ａ，１０２ｂ間には、上記のような大きなマージンを必要としないので、各配線１０２ａ，１０２ｂの間隔Ｔ３を、５μｍに設計した。また、一回の画素電極形成工程で同時に形成される一対の画素電極１０３ａ，１０３ｂ間には、上記のような大きなマージンを必要としないので、各画素電極１０３ａ，１０３ｂの間隔Ｔ４を、５μｍに設計した。
【００５７】
本工程では、ガラス基板を使用した場合の通常のプロセス技術と比較して特に大きく異なる点はない。しかしながら、基板そのものは絶えず伸縮を繰返していることに注意しておく必要がある。なお、Ｔａ膜のパターン形成のためのエッチングはＣＦ４プラズマを用いたドライエッチングで行った。
【００５８】
パターン形成された配線１０２の表面に、０．０１％のクエン酸水溶液中で陽極酸化することによって、約５０ｎｍの酸化膜を形成した。この酸化膜の膜厚は、得るべき素子特性に応じて、１０〜２００ｎｍ程度の範囲内から設定することが望ましい。また、陽極酸化を行う溶液はクエン酸以外の有機酸、無機酸、およびこれらの塩などを用いてもよい。また、陽極酸化を行わず、窒化シリコンなどの絶縁膜を新たに成膜してもよい。
【００５９】
その後、マグネトロンスパッタ法によって、上部電極１０８を形成するために、Ｃｒを１００ｎｍ程度の厚さに成膜した。この上部電極１０８として用いる材料はＣｒに限定されるものでなく、Ｍｏ、ＡｌまたはＴｉなどの金属であってもよい。
【００６０】
Ｃｒ膜の成膜後、レジスト塗布、プレベーキング、露光、現像、ポストベーキング、エッチング、およびレジスト剥離などの一連のフォトエッチング工程によって、Ｃｒ膜をパターン形成し、上部電極１０８を形成した。なお、既に形成している配線１０２との間には、樹脂基板の寸法変化によって位置ずれが生じるおそれがあるため、前述のように３５μｍのマージンを確保して設計している。また露光時のマスクの位置合わせは、ＡＭ基板１０１の中央部でのずれが最も小さくなるように行った。このとき、樹脂基板１０６がプロセス中に水分を含んだことによって、膨張したため、表示領域の縁側の画素領域では、配線１０２のパターンと、上部電極１０８を形成するためのマスクのパターンとの間には、縦方向および横方向ともに、最大で２０μｍ前後の位置ずれが生じていた。
【００６１】
次に画素電極１０３を形成するために、ＩＴＯ膜を膜厚１５０ｎｍに成膜した。このＩＴＯ膜の膜厚は、５０〜５００ｎｍ程度であることが望ましい。また成膜手段としては、スパッタ法、蒸着法、またはイオンプレーティング法などを用いることができるが、良好なカバーレッジ特性を示し、低温で良質な膜形成が可能な手段が望ましい。なお、画素電極１０３の材料はＩＴＯに限定されるものではなく、酸化スズなどの他の透明伝導体を用いてもよい。また画素電極１０３を、ＡｌまたはＡｇなどの金属を用いて反射電極とし、反射モードのＬＣＤを作製することも可能である。さらに、ＩＴＯによって画素電極１０３を形成した後、その表面上の一部に反射電極を形成し、半透過モードのＬＣＤとすることも可能である。
【００６２】
ＩＴＯ膜の成膜後、レジスト塗布、プレベーキング、露光、現像、ポストベーキング、エッチングおよびレジスト剥離などの一連のフォトエッチング工程によって、ＩＴＯ膜を図３に示すようにパターン形成して、画素電極１０３を形成した。このとき、配線形成工程で既に形成している配線１０２との間には、樹脂基板１０６の寸法変化によって位置ずれが生じる恐れがあるため、前述のように、配線１０２と画素電極１０３との間隔Ｔ２として、横方向の最大寸法変化量Ｔ１２よりも大きい３５μｍのマージンを確保した設計を行い、この設計に基づいて画素電極１０３を形成した。
【００６３】
画素電極１０３を形成するための露光時の位置合わせは、パネル中央部でのずれが最も小さくなるように行った。このとき、樹脂基板１０６が水分吸収などによって膨張していたため、表示領域の最も端にある画素領域では、既に形成されている上部電極１０８と画素電極１０３を形成するためのマスクのパターンとの間には縦方向および横方向ともに最大で１０μｍ前後の位置ずれが生じていた。
【００６４】
ここで、隣り合う画素電極１０３は、一回の画素電極形成工程で同時に形成されるので、画素電極１０３同士の間隔Ｔ４に関しては、プロセス中の樹脂基板の寸法変化を考慮した大きなマージンを必要としない。したがって、画素電極１０３同士の間隔Ｔ４を５μｍに設計した。
【００６５】
つまり前述したように、相互に隣り合う配線１０２の間隔Ｔ３を５μｍとし、かつ相互に隣り合う画素電極１０３の間隔Ｔ４を５μｍに設計しているため、本実施の形態のＡＭ基板１０１は、図７に示す先行技術のＡＭ基板３０に比較して、一画素あたり画素電極１０３を斜線部の領域１１４の面積だけ大きくすることができ、有効表示領域の割合（開口率）が向上する。本実施形態では、配線１０２間の間隔Ｔ３および画素電極１０３間の間隔Ｔ４を５μｍにすることができたので、結果として、開口率を約１２〜１５％向上させることができた。
【００６６】
その後、樹脂基板に対応する通常の工程によって液晶表示パネルを形成し、液晶表示装置とした。なお本実施形態では、画素電極形成工程以降の工程も１８０℃以下のプロセス温度で行ったので、樹脂基板１０６への影響は見られなかった。
【００６７】
上述のようにして設計し、かつ製造したＡＭ基板１０１は、製造工程中に樹脂基板１０６が寸法変化したことによって、配線１０２と画素電極１０３と間には、設計時の位置に比較して、トータルで３０μｍ前後の位置ずれが生じていた。しかしながら、本実施形態の液晶表示装置の製造方法では、この位置ずれを吸収するために、３５μｍと非常に大きなマージンをとって設計していたにも拘わらず、明るく、かつ高表示品位を有するＭＩＭ―ＬＣＤを得ることができた。先行技術で作製したＭＩＭ−ＬＣＤの開口率は約２８〜３７％であったのに対し、本実施形態のＭＩＭ―ＬＣＤでは、開口率が約４０〜５２％まで向上し、有効表示領域を先行技術の約１．４倍にすることができた。
【００６８】
次に本発明の第２の実施形態の液晶表示装置製造方法について説明する。図４は、画素電極形成工程後の状態を示す図であり、図５はカラーフィルタ形成工程後の状態を示す図である。本実施形態の液晶表示装置の製造方法は、樹脂基板２０６上に一対の配線２０２ａ，２０２ｂを形成する配線形成工程と、一対のＭＩＭ素子２０４ａ，２０４ｂを形成するＭＩＭ素子形成工程と、樹脂基板１０６上に一対の画素電極２０３ａ，２０３ｂを形成する画素電極形成工程と、カラーフィルタ２５０を形成するカラーフィルタ形成工程とを含む。
【００６９】
まず、両面にガスバリア、ハードコート等のコーティング処理を施した縦６０ｍｍ、横８０ｍｍ、厚さ２５０μｍのＰＣ（ポリカーボネート）製樹脂基板２０６上に、マグネトロンスパッタ法によって膜厚１５０ｎｍのＴａ膜を成膜した。用いる樹脂基板２０６は特に限定されるものではないが、耐熱性、光透過性、耐薬品性に優れたものが望ましい。また、Ｔａ膜以外に、Ａｌ膜、Ｍｏ膜、Ｓｉ膜など、もしくはこれらの合金材料を用いてもよい。また、膜厚は５０〜５００ｎｍ程度の範囲内にあることが望ましい。成膜時には温度、プラズマなどによって樹脂基板２０６がダメージを受けないよう留意する必要がある。本実施形態では、成膜中の基板温度を１５０℃以下に保つことによって、樹脂基板２０６へのダメージを抑えた。
【００７０】
次に、レジスト塗布、プレベーキング、露光、現像、ポストベーキング、エッチングおよびレジスト剥離などの一連のフォトエッチング工程によって、Ｔａ膜のパターン形成を行った。本実施形態では表示領域が、縦４５ｍｍおよび横６０ｍｍの矩形状で、画素数が１５０×２００×３（ＲＧＢ）個で、１画素あたりの領域が３００μｍ×１００μｍ×３（ＲＧＢ）のカラーフィルタ２５０を用いたカラーＡＭ基板２０１に対応する形状に加工した。
【００７１】
一般に、カラーフィルタによってカラー表示を行う場合、１つの画素を赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）および青色（Ｂ）の各色を表示する３つの領域に分割する。分割後の画素電極２０３の形状は、おおよそ配線２０２の長手方向（図４の上下方向）に沿って伸びた長方形となる。したがって、配線２０２と画素電極２０３との間隔Ｔ２に充分大きなマージンを確保する必要があり、樹脂基板２０６上への作製は開口率の点できわめて不利となる。
【００７２】
このため、図７に示す先行技術のＡＭ基板３０にカラーフィルタを設けて、カラー表示を行う場合には、充分なマージンを確保し、かつ画素密度の高い液晶表示パネルを製造しようとすると、明るさを確保することはきわめて困難であった。しかしながら、本発明を適用することによって、先行技術よりも開口率が向上し、かつ明るい表示画面を得ることが可能になる。
【００７３】
本実施形態では、液晶表示装置の製造工程時における樹脂基板２０６の伸縮率が２００ｐｐｍであるとすると、画素が形成される領域の伸縮量は、縦方向（図４の上下方向）で４５ｍｍ×２００ｐｐｍ＝９μｍ、かつ横方向（図４の左右方向）で６０ｍｍ×２００ｐｐｍ＝１２μｍと算出される。このため、位置ずれに対しての許容量は、縦方向および横方向ともにこれよりも大きい１５μｍとして、素子の設計を行っている。つまり、配線２０２と画素電極２０３の間隔Ｔ２として、１５μｍのマージンを確保した設計を行う必要がある。
【００７４】
また、一回のフォト工程で同時に形成される配線２０２同士の間隔Ｔ３、および一回のフォト工程によって同時に形成される画素電極２０３同士の間隔Ｔ４に関しては、上記の大きなマージンを必要としないため、配線２０２同士の間隔Ｔ３を３μｍに設計し、画素電極２０３同士の間隔Ｔ４を３μｍに設計した。
【００７５】
本工程では、ガラス基板を使用した場合の通常のプロセス技術と比較して特に大きく異なる点はないが、プロセス中の温度、薬液などによって樹脂基板２０６が損傷を受けないよう留意しておく必要がある。
【００７６】
パターン形成したＴａ膜から成る配線２０２の表面を、１％の酒石酸アンモニウム水溶液中でＴａを陽極酸化することによって、配線２０２の表面に約６０ｎｍの酸化膜を形成した。酸化膜の膜厚は、得るべき素子特性に応じて、１０〜２００ｎｍ程度の範囲内から設定することが望ましい。また、陽極酸化を行う溶液は酒石酸アンモニウム以外にも、有機酸、無機酸、およびこれらの塩などを用いてもよい。また、陽極酸化を用いず、窒化シリコンなどの絶縁膜を新たに成膜してもよい。
【００７７】
その後、マグネトロンスパッタ法によって、上部電極２０８を形成するために、Ｔｉを１５０ｎｍ程度の厚さに成膜した。上部電極として用いる材料はＴｉに限定されるものでなく、Ｍｏ、ＡｌまたはＣｒなどの金属を用いてもよい。成膜後、レジスト塗布、プレベーキング、露光、現像、ポストベーキング、エッチングおよびレジスト剥離などの一連のフォトエッチング工程によって、上部電極２０８にパターン形成した。なお、既に形成している配線２０２との間には、樹脂基板２０６の寸法変化による位置ずれが生じる恐れがため、前述のように１５μｍのマージンを確保した設計を行っている。また露光時のマスクの位置合わせは、パネル中央部でのずれが最も小さくなるようにして行った。このとき、樹脂基板２０６がプロセス中に水分を含んだことによって、膨張したため、表示領域の最も縁側の画素領域では、配線２０２のパターンと、上部電極２０８を形成するためのマスクのパターンとの間には、縦方向および横方向ともに、最大で８０μｍ前後の位置ずれが生じていた。
【００７８】
次に画素電極２０３を形成するため、ＩＴＯ膜を膜厚１５０ｎｍに成膜した。このＩＴＯ膜の膜厚は、５０〜５００ｎｍ程度であることが望ましい。また成膜手段としては、スパッタ、蒸着、またはイオンプレーティングなどを用いることができるが、良好なカバーレッジ特性を示し、低温で良質な膜形成が可能な手法が望ましい。なお、画素電極２０３の材料はＩＴＯに限定されるものではなく、酸化スズなどの他の透明伝導体を用いてもよい。また、画素電極２０３を、ＡｌまたはＡｇなどの金属を用いて反射電極とし、反射モードのＬＣＤを作製することも可能である。さらに、ＩＴＯによって画素電極２０３を形成後、その表面上の一部に反射電極を形成し、半透過モードのＬＣＤとすることも可能である。
【００７９】
ＩＴＯ膜の成膜後、レジスト塗布、プレベーキング、露光、現像、ポストベーキング、エッチングおよびレジスト剥離などの一連のフォトエッチング工程によって、ＩＴＯ膜を図４に示すように、パターン形成して画素電極２０３を形成した。この状態が図４に示される。このとき、配線形成工程で既に形成している配線２０２や上部電極２０８との間には、樹脂基板２０６の寸法変化によって位置ずれが生じるおそれがあるため、前述のように配線２０２と画素電極２０３との間隔Ｔ２として、１５μｍのマージンを確保した設計を行い、この設計に基づいて画素電極２０３を形成した。
【００８０】
画素電極２０３を形成するための露光時の位置合わせは、パネル中央部でのずれが最も小さくなるように行った。このとき、樹脂基板２０６が水分吸収などによって膨張していたため、表示領域の縁側にある画素領域では、既に形成されている上部電極２０８と、画素電極２０３を形成するためのマスクのパターンとの間に、縦方向および横方向ともに最大で４μｍ前後の位置ずれが生じていた。
【００８１】
ここで、隣り合う画素電極２０３は、同一の画素電極形成工程で形成されるので、画素電極２０３同士の間隔Ｔ４に関しては、プロセス中の樹脂基板の寸法変化を考慮した大きなマージンを必要としない。したがって、画素電極２０３同士の間隔Ｔ４を３μｍに設計した。
【００８２】
つまり前述したように、相互に隣り合う配線２０２の間隔Ｔ３を３μｍに、かつ相互に隣り合う画素電極２０３の間隔Ｔ４を３μｍに設計しているため、本実施の形態のＡＭ基板２０１は、図７に示す先行技術のＡＭ基板３０に比較して、画素電極２０３を領域２１４の面積だけ大きくすることができ、有効表示領域の割合（開口率）が向上する。本実施形態では、配線２０２間の間隔Ｔ３および画素電極２０３間の間隔Ｔ４を３μｍにすることができたので、結果として、開口率を約１０〜１２％向上させることができた。
【００８３】
以降、樹脂基板に対応の通常の工程によって液晶表示パネルを形成し、液晶表示装置とした。カラーフィルタ２５０は列毎にＲ，Ｇ，Ｂの各色を順に対応させ、つまり、図５に示すように、Ａ列の画素電極２０３に赤色（Ｒ）、Ｂ列の画素電極２０３に緑色（Ｇ）、Ｃ列の画素電極２０３に青色（Ｂ）のカラーフィルタ２４０，２４１，２４２がそれぞれ対応するように、各色のカラーフィルタを配置して、カラー表示を行えるようにした。本実施形態では、画素電極形成工程以降の工程も、１５０℃以下の温度で行ったので、樹脂基板２０６への影響は見られなかった。
【００８４】
上述のようにして製造したカラーＭＩＭ―ＬＣＤは、製造工程中に樹脂基板２０６が寸法変化したことによって、配線２０２と画素電極２０３との間には、設計時の位置に比較して、トータルで１２μｍ前後の位置ずれが生じていた。しかしながら、本実施形態の液晶表示装置の製造方法では、このずれを吸収するために、１５μｍと非常に大きなマージンをとって設計していたにも拘わらず、明るくかつ高表示品位を有するカラーＭＩＭ―ＬＣＤを得ることができた。先行技術で作製したＭＩＭ―ＬＣＤ３０の開口率は約４０〜５３％であったのに対し、本実施形態では、開口率が約５０〜６５％まで向上し、有効表示領域を、先行技術の約１．２〜１．２５倍にすることができた。
【００８５】
【発明の効果】
本発明によれば、能動素子を介して接続される配線と画素電極との間に、充分なマージンを確保し多設計を行うことによって、樹脂基板が水分の吸収および放出などの要因によって、寸法変化したとしても、配線と画素電極とが直接接触するなどと言った不具合が防止される。
【００８６】
また本発明によれば、能動素子を介して接続される配線と画素電極との間に、充分なマージンを確保することによって、樹脂基板が水分の吸収および放出などの要因によって、寸法変化したとしても、配線と画素電極とが直接接触するなどと言った不具合が防止される。
【００８７】
また本発明によれば、一回のフォトエッチング工程で同時に形成される一対の配線間の第２間隔Ｔ３には、樹脂基板の伸縮の影響を考慮しておく必要がないので、一対の配線間の第２間隔Ｔ３を、最大寸法変化量Ｔ１の１／２以下に設計しておく。したがって、能動素子を介して接続される配線と画素電極との間に、充分大きなマージンを確保したとしても、先行技術の液晶表示装置よりも、開口率を向上させることができる。
【００８８】
また本発明によれば、一回のフォトエッチング工程で同時に形成され、相互に隣り合う各パターンの画素電極間の第３間隔Ｔ４には、樹脂基板の伸縮の影響を考慮しておく必要がないので、この画素電極間の第３間隔Ｔ４を、最大寸法変化量Ｔ１よりも小さく設計しておく。したがって、能動素子を介して接続される配線と画素電極との間に、充分大きなマージンを確保したとしても、先行技術の液晶表示装置よりも、開口率を向上させることができる。
【００８９】
また本発明によれば、一回のフォトエッチング工程で同時に形成され、相互に隣り合う各パターンの画素電極間の第３間隔Ｔ４には、樹脂基板の伸縮の影響を考慮しておく必要がないので、この画素電極間の第３間隔Ｔ４を、最大寸法変化量Ｔ１の１／２以下に設計しておく。したがって、能動素子を介して接続される配線と画素電極との間に、充分大きなマージンを確保したとしても、先行技術の液晶表示装置よりも、開口率を向上させることができる。
【００９０】
また本発明によれば、ＭＩＭ素子はＴＦＴ素子に比較して、比較的低温の製造プロセスで形成することができるので、ガラス基板ではなく、耐熱温度の低い樹脂基板を使用することができる。したがって、樹脂基板の寸法変化量が小さくて済み、ＭＩＭ素子を介して接続される配線と画素電極との間の間隔を大きくとる必要がない。したがって、開口率が向上し、画素の高密度化が実現できる。
【００９１】
また本発明によれば、樹脂基板を使用しても、開口率が向上し、かつ画素の高密度化が実現された表示品位の高いカラー液晶表示装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態の液晶表示装置の製造方法によって製造されたＭＩＭ素子駆動の液晶表示装置のアクティブマトリクス基板１０１の画素近傍を拡大して示す図である。
【図２】配線形成工程後の状態を示す図である。
【図３】ＭＩＭ素子形成工程後の状態を示す図である。
【図４】画素電極形成工程後の状態を示す図である。
【図５】カラーフィルタ形成工程後の状態を示す図である。
【図６】ＭＩＭ−ＬＣＤの製造工程における工程毎の樹脂基板の伸縮率の変化を示すグラフである。
【図７】先行技術の液晶表示装置の製造方法によって製造された一般的な構造を有するＡＭ基板３０の画素近傍の拡大図を示す図である。
【符号の説明】
１０２，２０２  配線
１０３，２０３  画素電極
１０４，２０４  ＭＩＭ素子
１０６，２０６  樹脂基板
１０７，２０７  下部電極
１０８，２０８  上部電極
１１４，２１４  一画素あたりの表示領域の増加領域
２４０  赤色のカラーフィルタに対応する領域
２４１  緑色のカラーフィルタに対応する領域
２４２  青色のカラーフィルタに対応する領域
２５０  カラーフィルタ
【図１】
0003588581.tif 000002
【図２】
0003588581.tif 000003
【図３】
0003588581.tif 000004
【図４】
0003588581.tif 000005
【図５】
0003588581.tif 000006
【図６】
0003588581.tif 000007
【図７】
0003588581.tif 000008