(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電源とモータの一端とに接続される第１半導体スイッチと、前記モータの他端と大地とに接続される第２半導体スイッチと、前記第１の電源と前記モータの他端とに接続される第３半導体スイッチと、前記モータの一端と大地とに接続される第４半導体スイッチと、前記第１の電源の第１の電圧よりも大きく且つ前記第１及び第３半導体スイッチをオン／オフ制御可能な第２の電圧を持つ第２の電源と、前記第２の電圧により前記第１半導体スイッチをオン／オフ制御する制御信号を前記第１半導体スイッチの制御入力端子に出力する第１駆動手段と、前記第１半導体スイッチのオン／オフ制御に連動して前記第２半導体スイッチをオン／オフ制御する第２駆動手段と、前記第２の電圧により前記第３半導体スイッチをオン／オフ制御する制御信号を前記第３半導体スイッチの制御入力端子に出力する第３駆動手段と、前記第３半導体スイッチのオン／オフ制御に連動して前記第４半導体スイッチをオン／オフ制御する第４駆動手段とを備えることを特徴とする電源供給装置。
【請求項２】
前記第１及び第３半導体スイッチのそれぞれは、Ｎチャンネル型の電界効果トランジスタであることを特徴とする請求項１記載の電源供給装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は電源供給装置に関し、より詳しくは、制御信号に応じてスイッチング制御により、電源から負荷への電力供給を制御する半導体スイッチを備えた電源供給装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体スイッチを備えた電源供給装置は、半導体スイッチが制御信号に応じてスイッチング制御することにより、バッテリからの電源を負荷に供給して、負荷への電力供給を制御している。
【０００３】
このような電源供給装置に備えられた半導体スイッチとしては、例えば、Ｎチャンネル型ＭＯＳ（金属酸化膜半導体）−ＦＥＴ（電界効果トランジスタ）が用いられているが、このＮチャンネル型ＭＯＳ−ＦＥＴは、オン抵抗が非常に小さく、デバイスコストも安価であることから、自動車用にも使用されるようになってきた。
【０００４】
図７に従来のこの種の自動車に搭載された電源供給装置の回路構成図を示す。図７において、１２Ｖ系電源１０１からの出力電圧をＮチャンネル型ＭＯＳ−ＦＥＴ１０５のドレインＤ−ソースＳを介して負荷１０３に供給する。
【０００５】
また、１２Ｖ系電源１０１からの出力電圧をＯＮ／ＯＦＦ回路１０７でオン／オフさせ、ＯＮ／ＯＦＦ回路１０７からの電圧をチャージポンプ回路１０９内の昇圧回路１１１で昇圧し、昇圧された電圧に基づき発振回路１１３で所定の周波数を持つ昇圧電圧を発振させてその電圧を制御信号としてＮチャンネル型ＭＯＳ−ＦＥＴ１０５のゲートＧに供給している。これにより、Ｎチャンネル型ＭＯＳ−ＦＥＴ１０５がオン／オフして、１２Ｖ系電源１０１からの電力が負荷１０３に供給される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、自動車のアプリケーションにはハイサイド（負荷の上流側）でＮチャンネル型ＭＯＳ−ＦＥＴ１０５をオン／オフすることが多く、Ｎチャンネル型ＭＯＳ−ＦＥＴ１０５をハイサイドで使用するためには、ゲート−ソース間電圧ＶＧＳを常にオン電圧以上に上げておくためにチャージポンプ回路１０９を設けなければならなかった。
【０００７】
すなわち、電源供給装置が安価で低オン抵抗なメリットがある反面、自動車用としては、チャージポンプ回路１０９等の余分な回路が必要であった。また、このチャージポンプ回路を用いたものとして、例えば、チャージポンプ回路と保護回路内蔵のＮチャンネル型ＭＯＳ−ＦＥＴとを有するインテリジェントパワーシステム（ＩＰＳ）があげられるが、このＩＰＳにもかなりのコストがかかっていた。
【０００８】
また、チャージポンプ回路１０９には発振回路１１３が設けられているが、この発振回路１１３により発振した発振周波数は、電源供給装置の小型化のために高周波数（数百ＫＨｚ以上）であった。このため、自動車用ラジオノイズの原因となる可能性が高くなる。その結果、ラジオノイズを低減させる回路が必要となり、電源供給装置がコストアップしてしまう。
【０００９】
一方、ハイサイドに使用できるものとしてＰチャンネル型ＭＯＳ−ＦＥＴもあるが、このＰチャンネル型ＭＯＳ−ＦＥＴは、Ｎチャンネル型ＭＯＳ−ＦＥＴよりもチップサイズが大きくなり、Ｎチャンネル型ＭＯＳ−ＦＥＴと同一の性能を実現するためには、コストが非常に高くなる。
【００１０】
また、従来の電源供給装置として、図８に示すような多電圧化の電源供給装置が知られている。なお、図８に示すような電源供給装置は、未だ自動車には搭載されていない。図８において、オールタネータ１２１で発生した電圧（４２Ｖ）は、ダイオードＤ１を介して３６Ｖ系バッテリＢ１に供給され、３６Ｖ系バッテリＢ１の電力が駆動モータ等の負荷１２３に供給される。
【００１１】
また、オールタネータ１２１で発生した電圧（４２Ｖ）は、ＤＣ／ＤＣコンバータ１２５により１４Ｖに変換されて１２Ｖ系バッテリＢ２に供給され、１２Ｖ系バッテリＢ２の電力がランプ等の負荷１２７に供給される。
【００１２】
このように、ＤＣ／ＤＣコンバータ１２５により４２Ｖを１４Ｖに変換することにより、３６Ｖ系バッテリＢ１と１２Ｖ系バッテリＢ２とに多電圧化して、駆動モータ等の３６Ｖ系の負荷１２３に電力を供給できるとともに、ランプ等の１２Ｖ系の負荷１２７にも電力を供給することができる。
【００１３】
この場合、３６Ｖ系バッテリＢ１は、１２Ｖ系バッテリＢ２に対して電圧が３倍であるため、電流は１／３倍で済む。このため、３６Ｖ系では、ワイヤーハーネス（Ｗ／Ｈ）径を１２Ｖ系に対して約１／３倍とすることができ、Ｗ／Ｈを軽量化することができるとともに負荷効率を向上することができるという効果がある。
【００１４】
そこで、本発明は、多電圧化を利用し、複雑なチャージポンプ回路を用いずに、安価で且つ簡単な回路構成からなり、容易に従来の電源系（１２Ｖ系）の負荷をオン／オフ制御可能な電源供給装置を提供することを課題とする。
【００２２】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明のように、第１の電源とモータの一端とに接続される第１半導体スイッチと、前記モータの他端と大地とに接続される第２半導体スイッチと、前記第１の電源と前記モータの他端とに接続される第３半導体スイッチと、前記モータの一端と大地とに接続される第４半導体スイッチと、前記第１の電源の第１の電圧よりも大きく且つ前記第１及び第３半導体スイッチをオン／オフ制御可能な第２の電圧を持つ第２の電源と、前記第２の電圧により前記第１半導体スイッチをオン／オフ制御する制御信号を前記第１半導体スイッチの制御入力端子に出力する第１駆動手段と、前記第１半導体スイッチのオン／オフ制御に連動して前記第２半導体スイッチをオン／オフ制御する第２駆動手段と、前記第２の電圧により前記第３半導体スイッチをオン／オフ制御する制御信号を前記第３半導体スイッチの制御入力端子に出力する第３駆動手段と、前記第３半導体スイッチのオン／オフ制御に連動して前記第４半導体スイッチをオン／オフ制御する第４駆動手段とを備えることを特徴とする。
【００２３】
請求項１の発明によれば、第２の電源の電圧により第１駆動手段が第１半導体スイッチをオンさせ、第２駆動手段が第２半導体スイッチをオンさせるため、第１の電源から第１半導体スイッチ、モータ、第２半導体スイッチ、大地へ電流が流れるからモータが例えば正回転する。
【００２４】
また、第２の電源の電圧により第３駆動手段が第３半導体スイッチをオンさせ、第４駆動手段が第４半導体スイッチをオンさせるため、第１の電源から第３半導体スイッチ、モータ、第４半導体スイッチ、大地へ電流が流れるからモータが例えば逆回転する。
【００２５】
従って、複雑なチャージポンプ回路を用いずに、安価で且つ簡単な回路構成からなり、容易にモータを正回転及び逆回転させることができる電源供給装置を提供することができる。
【００２６】
請求項２の発明のように、前記第１及び第３半導体スイッチのそれぞれは、Ｎチャンネル型の電界効果トランジスタであることを特徴とする。
【００２７】
請求項２の発明によれば、第１及び第３半導体スイッチのそれぞれが、Ｎチャンネル型の電界効果トランジスタであることにより、第２の電源をＮチャンネル型の電界効果トランジスタのオン／オフ制御に利用できる。
【００３１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の電源供給装置の実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。電源供給装置は、例えば自動車においてバッテリからの電源をランプ等の負荷に供給して、負荷への電力供給を制御する装置に適用した例について説明する。なお、実施の形態の電源供給装置は、自動車以外のものにも適用可能であるのは勿論である。
【００３２】
図１は本発明の実施の形態の電源供給装置の回路構成図である。図２は実施の形態の電源供給装置を車両に搭載したときの第１の実施例を示す図である。図３は実施の形態の電源供給装置を車両に搭載したときの第２の実施例を示す図である。図４は実施の形態の電源供給装置をモータの駆動に適用した例を示す図である。図５は複数のＮチャンネル型ＭＯＳ−ＦＥＴを備えた従来の電源供給装置をモータの駆動に適用した例を示す図である。図６はＮチャンネル型ＭＯＳ−ＦＥＴとＰチャンネル型ＭＯＳ−ＦＥＴとを併用した電源供給装置をモータの駆動に適用した例を示す図である。
【００３３】
図１に示す電源供給装置は、１２Ｖ系電源１１、負荷１３、Ｎチャンネル型ＭＯＳ−ＦＥＴ１５、３６Ｖ系電源１７、ＯＮ／ＯＦＦ単純回路１９等を備え、１２Ｖ系電源１１及び３６Ｖ系電源１７の多電圧を利用し、３６Ｖ系電源１７をＮチャンネル型ＭＯＳ−ＦＥＴ１５のゲートＧ−ソースＳ間電圧のオン／オフ制御に利用し、且つ、従来の１２Ｖ系電源１１からの出力電圧を負荷１３に供給して、負荷１３への電力供給を制御したことを特徴とする。
【００３４】
図１において、１２Ｖ系電源１１の出力電圧は、半導体スイッチとしてのＮチャンネル型ＭＯＳ−ＦＥＴ１５のドレインＤ−ソースＳを介して負荷１３に供給されている。負荷１３は、例えばテールランプ、ヘッドランプ等であり、ＯＮ／ＯＦＦ単純回路１９がオンすることにより機能する。
【００３５】
Ｎチャンネル型ＭＯＳ−ＦＥＴ１５のゲートＧ−ソースＳ間にはツェナーダイオードＺＤが接続されており、このツェナーダイオードＺＤはゲートＧ−ソースＳ間を約１０［Ｖ］にクランプしてゲートＧに過電圧が印加された場合にバイパスさせる。ゲート−ソース間の最大電圧は、ツェナーダイオードＺＤのツェナー電圧よりも十分に大きいものとする。
【００３６】
駆動手段としてのＯＮ／ＯＦＦ単純回路１９は、エミッタが接地されコレクタに抵抗Ｒ２の一端が接続され且つベースに入力されるＯＮ／ＯＦＦ信号に応じてオン／オフするトランジスタＱ２、エミッタが３６Ｖ系電源１７に接続されベースに抵抗Ｒ２の他端が接続され且つコレクタに抵抗Ｒ１の一端が接続されトランジスタＱ２のオン／オフに応じてオン／オフし抵抗Ｒ１を介してゲートＧに３６Ｖ系電源１７の電圧を供給するトランジスタＱ１を有して構成される。
【００３７】
すなわち、Ｎチャンネル型ＭＯＳ−ＦＥＴ１５を駆動制御するための制御信号をＮチャンネル型ＭＯＳ−ＦＥＴ１５のゲートＧに出力する。なお、Ｎチャンネル型ＭＯＳ−ＦＥＴ１５は、温度保護機能内蔵のサーマルＦＥＴを用いても良い。
【００３８】
次に、このように構成された実施の形態の電源供給装置の動作を説明する。まず、トランジスタＱ２のベースに例えば、ＯＮ信号が入力されると、このＯＮ信号に応じてトランジスタＱ２がオンし、トランジスタＱ２のオンに応じてトランジスタＱ１がオンする。
【００３９】
すると、抵抗Ｒ１を介してＮチャンネル型ＭＯＳ−ＦＥＴ１５のゲートＧに３６Ｖ系電源１７の電圧が供給される。すなわち、ゲートＧに供給される電圧は、負荷１３にかかる電圧よりも十分に高いため、Ｎチャンネル型ＭＯＳ−ＦＥＴ１５がオンして、１２Ｖ系電源１１の電圧が負荷１３に供給される。
【００４０】
このように、実施の形態の電源供給装置によれば、１２Ｖ系や３６Ｖ系等の多電圧化が自動車に採用された場合に、多電圧の内、３６Ｖ系電源１７をＮチャンネル型ＭＯＳ−ＦＥＴ１５のゲートＧ−ソースＳ間電圧のオン／オフ制御に利用し、且つ、従来の１２Ｖ系電源１１からの出力電圧を負荷１３に供給して、負荷１３への電力供給を制御したので、従来のような複雑なチャージポンプ回路１０９を用いることがなくなり、安価で簡単な回路構成からなり、しかも極めて容易に従来の１２Ｖ系の負荷１３のオン／オフ制御を実現することができる。
【００４１】
また、簡単なＯＮ／ＯＦＦ単純回路１９によるオン／オフ制御では、チャージポンプ回路１０９に有する発振回路１１３を必要とせず、静的な動作が行え、ラジオノイズ等の問題もほとんどなくなる。
【００４２】
さらに、３６Ｖ系電源１７の出力インピーダンスは、極めて低いため、ＯＮ／ＯＦＦ単純回路１９により高速なオン／オフ制御、例えば、オン時間とオフ時間とのデューティ比を可変させたＰＷＭ制御を行うことができる。このＰＷＭ制御を行うことで、ランプ等の負荷１３の照度調整、モータのリニア制御等を行うことができる。
【００４３】
また、自動車用の電源分配用ボックス、すなわち、ジャンクションボックス（以下、Ｊ／Ｂと称する。）等に前述した２種類の電源系を配備すれば、極めて簡単で且つ超小型な電源供給装置を提供することができる。
【００４４】
さらに、現在のＩＳＯリレー、マイクロリレー等は内部にメカニカル式のリレーが内蔵されているが、実施の形態の電源供給装置に備えたＦＥＴ１５または温度保護内蔵のサーマルＦＥＴを用いることで、無接点式メンテナンスフリーリレーを実現できる。また、温度保護内蔵のサーマルＦＥＴでは、ヒューズ等の保護部材も不要となる。
【００４５】
次に、図２を参照して電源供給装置が車両に搭載された場合の第１の実施例を説明する。図２において、車両２１の前部２３には、エンジン２７、このエンジン２７の駆動力により交流電圧を発生するオールタネータ２９、オールタネータ２９で発生した電圧（例えば、４２Ｖ）を１４Ｖに変換するＤＣ／ＤＣコンバータ３１、３６Ｖ系バッテリ（３６Ｖ系電源１７に対応）Ｂ１、及び１２Ｖ系バッテリ（１２Ｖ系電源１１に対応）Ｂ２が配置される。
【００４６】
また、車両２１の後部２５には、電線３３ａを介して１２Ｖ系バッテリＢ２が供給されるとともに、電線３３ｂを介して３６Ｖ系バッテリＢ１が供給されるＪ／Ｂ３５、及びテールランプ１３ａが配置される。Ｊ／Ｂ３５は、３６Ｖ系バッテリＢ１が供給されるＯＮ／ＯＦＦ単純回路１９、ヒューズ３７を介して１２Ｖ系バッテリＢ２が供給されるＮチャンネル型ＭＯＳ−ＦＥＴ１５を有する。
【００４７】
このように、車両２１に実施の形態の電源供給装置を搭載することで、安価で極めて簡単で且つ超小型な電源供給装置を提供することができる。
【００４８】
次に、図３を参照して電源供給装置が車両に搭載された場合の第２の実施例を説明する。第２の実施例が第１の実施例に対して特徴とするところは、車両２１の後部２５に、ＤＣ／ＤＣコンバータ３１及び１２Ｖ系バッテリＢ２を配置した点にある。
【００４９】
このような第２の実施例によれば、第１の実施例の効果が得られるとともに、車両２１の前部２３に３６Ｖ系バッテリＢ１を配置し、車両２１の後部２５に１２Ｖ系バッテリＢ２を分配して配置したので、車両の重量配分に効果がある。
【００５０】
次に、図４を参照して実施の形態の電源供給装置をモータの駆動に適用した例を説明する。ここでは、モータは、例えば、パワーウィンドモータであり、ウィンドガラスをアップ／ダウンさせるために、モータを正回転／逆回転させるものとする。
【００５１】
図４に示す電源供給装置は、１２Ｖ系電源１１とモータ４１の一端とに接続されるＮチャンネル型ＭＯＳ−ＦＥＴ（以下、Ｎ−ＦＥＴ）１５ａと、モータ４１の他端と大地とに接続されるＮ−ＦＥＴ１５ｃと、１２Ｖ系電源１１とモータ４１の他端とに接続されるＮ−ＦＥＴ１５ｂと、モータ４１の一端と大地とに接続されるＮ−ＦＥＴ１５ｄとを備える。
【００５２】
また、電源供給装置は、Ｎ−ＦＥＴ１５ａ，Ｎ−ＦＥＴ１５ｂをオン／オフ制御可能な高電圧を持つ３６Ｖ系電源１７と、高電圧によりＮ−ＦＥＴ１５ａをオン／オフ制御する制御信号をＮ−ＦＥＴ１５ａのゲートＧに出力するＯＮ／ＯＦＦ単純回路１９ａと、Ｎ−ＦＥＴ１５ａのオン／オフ制御に連動してＮ−ＦＥＴ１５ｃをオン／オフ制御するＯＮ／ＯＦＦ単純回路１９ｃと、高電圧によりＮ−ＦＥＴ１５ｂをオン／オフ制御する制御信号をＮ−ＦＥＴ１５ｂのゲートＧに出力するＯＮ／ＯＦＦ単純回路１９ｂと、Ｎ−ＦＥＴ１５ｂのオン／オフ制御に連動してＮ−ＦＥＴ１５ｄをオン／オフ制御するＯＮ／ＯＦＦ単純回路１９ｄとを備える。
【００５３】
以上の構成によれば、３６Ｖ系電源１７の電圧によりＯＮ／ＯＦＦ単純回路１９ａがＮ−ＦＥＴ１５ａをオンさせ、ＯＮ／ＯＦＦ単純回路１９ｃがＮ−ＦＥＴ１５ｃをオンさせる。このため、１２Ｖ系電源１１からＮ−ＦＥＴ１５ａ、モータ４１、Ｎ−ＦＥＴ１５ｃ、大地へ電流が流れるからモータ４１が例えば正回転する。
【００５４】
また、３６Ｖ系電源１７の電圧によりＯＮ／ＯＦＦ単純回路１９ｂがＮ−ＦＥＴ１５ｂをオンさせ、ＯＮ／ＯＦＦ単純回路１９ｄがＮ−ＦＥＴ１５ｄをオンさせる。このため、１２Ｖ系電源１１からＮ−ＦＥＴ１５ｂ、モータ４１、Ｎ−ＦＥＴ１５ｄ、大地へ電流が流れるからモータ４１が例えば逆回転する。
【００５５】
従って、複雑なチャージポンプ回路１０９を用いずに、安価で且つ簡単な回路構成からなり、容易にモータ４１を正回転及び逆回転させることができる電源供給装置を提供することができる。なお、図４の電源供給装置に備えたＦＥＴとしては、サーマルＦＥＴを用いても良い。
【００５６】
また、図５に示すように、４つのＮ−ＦＥＴ１５ａ〜１５ｄを備えた従来の電源供給装置をモータ４１の駆動に適用した場合には、Ｎ−ＦＥＴ１５ａ，Ｎ−ＦＥＴ１５ｂをオンさせるために、チャージポンプ回路１０９ａ、チャージポンプ回路１０９ｂが必要となり、装置がさらに複雑になるとともに、ラジオノイズ等の問題が発生することが容易にわかる。
【００５７】
次に、図６を参照して、Ｎチャンネル型ＭＯＳ−ＦＥＴとＰチャンネル型ＭＯＳ−ＦＥＴとを併用した電源供給装置をモータ４１の駆動に適用した例を説明する。
【００５８】
図６に示す電源供給装置は、１２Ｖ系電源１１とモータ４１の一端とに接続されゲートＧ−ソース間にツェナーダイオードＺＤ１が接続されるＰチャンネル型ＭＯＳ−ＦＥＴ（以下、Ｐ−ＦＥＴ）１６ａと、モータ４１の他端と大地とに接続されるＮ−ＦＥＴ１５ｃと、１２Ｖ系電源１１とモータ４１の他端とに接続されゲートＧ−ソース間にツェナーダイオードＺＤ２が接続されるＰ−ＦＥＴ１６ｂと、モータ４１の一端と大地とに接続されるＮ−ＦＥＴ１５ｄとを備える。
【００５９】
また、電源供給装置は、ＯＮ／ＯＦＦ信号に応じてＰ−ＦＥＴ１６ａをオン／オフ制御する制御信号を抵抗Ｒ３を介してＰ−ＦＥＴ１６ａのゲートＧに出力するトランジスタＱ３、ＯＮ／ＯＦＦ信号に応じてＰ−ＦＥＴ１６ｂをオン／オフ制御する制御信号を抵抗Ｒ４を介してＰ−ＦＥＴ１６ｂのゲートＧに出力するトランジスタＱ４を備える。
【００６０】
以上の構成によっても、モータ４１を正回転／逆回転させることができるが、Ｐチャンネル型ＭＯＳ−ＦＥＴは高価であることから、Ｎチャンネル型ＭＯＳ−ＦＥＴのみを用いた図４に示す実施の形態の電源供給装置が最適である。
【００６１】
なお、本発明は、前述した実施の形態の電源供給装置に限定されるものではない。実施の形態では、Ｎチャンネル型ＭＯＳ−ＦＥＴ１５のオン／オフ制御用として３６Ｖ系電源１７を例示したが、この３６Ｖ系電源１７の代わりに、例えば、２４Ｖ系電源を用いても良い。このほか、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲で種々変形して実施可能であるのは勿論である。
【００６５】
【発明の効果】
請求項１の発明によれば、第２の電源の電圧により第１駆動手段が第１半導体スイッチをオンさせ、第２駆動手段が第２半導体スイッチをオンさせるため、第１の電源から第１半導体スイッチ、モータ、第２半導体スイッチ、大地へ電流が流れるからモータが例えば正回転する。
【００６６】
また、第２の電源の電圧により第３駆動手段が第３半導体スイッチをオンさせ、第４駆動手段が第４半導体スイッチをオンさせるため、第１の電源から第３半導体スイッチ、モータ、第４半導体スイッチ、大地へ電流が流れるからモータが例えば逆回転する。
【００６７】
従って、複雑なチャージポンプ回路を用いずに、安価で且つ簡単な回路構成からなり、容易にモータを正回転及び逆回転させることができる電源供給装置を提供することができる。
【００６８】
請求項２の発明によれば、第１及び第３半導体スイッチのそれぞれが、Ｎチャンネル型の電界効果トランジスタであることにより、第２の電源をＮチャンネル型の電界効果トランジスタのオン／オフ制御に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態の電源供給装置の回路構成図である。
【図２】実施の形態の電源供給装置を車両に搭載したときの第１の実施例を示す図である。
【図３】実施の形態の電源供給装置を車両に搭載したときの第２の実施例を示す図である。
【図４】実施の形態の電源供給装置をモータの駆動に適用した例を示す図である。
【図５】複数のＮチャンネル型ＭＯＳ−ＦＥＴを備えた従来の電源供給装置をモータの駆動に適用した例を示す図である。
【図６】Ｎチャンネル型ＭＯＳ−ＦＥＴとＰチャンネル型ＭＯＳ−ＦＥＴとを併用した電源供給装置をモータの駆動に適用した例を示す図である。
【図７】従来の電源供給装置の回路構成図である。
【図８】従来の電源供給装置の他の回路構成図である。
【符号の説明】
１１  １２Ｖ系電源
１３  負荷
１３ａ  テールランプ
１５  Ｎチャンネル型ＭＯＳ−ＦＥＴ
１７  ３６Ｖ系電源
１９  ＯＮ／ＯＦＦ単純回路
ＺＤ  ツェナーダイオード
２１  車両
２７  エンジン
２９  オールタネータ
３１  ＤＣ／ＤＣコンバータ
３３ａ，３３ｂ  電線
Ｂ１  ３６Ｖ系バッテリ
Ｂ２  １２Ｖ系バッテリ
３５  Ｊ／Ｂ（ジャンクションボックス）
３７  ヒューズ
【図１】
0003578656.tif 000002
【図２】
0003578656.tif 000003
【図３】
0003578656.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
0003578656.tif 000009