(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化亜鉛系セラミック材料からなる複数のバリスタ層および前記バリスタ層を介して互いに対向する少なくとも１対の内部電極を含む、バリスタ本体を用意し、
前記内部電極の特定のものに電気的に接続されるように、前記バリスタ本体の外表面上の特定の部分に、金属成分とガラス成分とを付与し、熱処理することによって、外部電極のための第１層を形成し、
前記第１層上に、ガラス成分を付与し、熱処理することによって、前記第１層上に外部電極のための第２層を形成し、
前記第２層上に、前記第２層の形成のために付与されたガラス成分とは異なるガラス成分を付与し、熱処理することによって、前記第２層上に外部電極のための第３層を形成し、
前記第３層上に、前記第１層の形成のために付与された金属成分とは異なる金属成分を付与し、前記第１層の形成のために適用された熱処理条件と実質的に同じ条件で熱処理することによって、外部電極のための第４層を形成し、
前記第４層上に、半田付け性の良好な金属からなる電気めっき膜を形成することによって、外部電極のための第５層を形成する、
各工程を備え、
前記第４層を形成するための熱処理において、前記第４層に含まれる金属成分を前記第２層および前記第３層中へ拡散させることが行なわれる、
積層チップバリスタの製造方法。
【請求項２】
前記第１層を形成する工程において、ガラス成分の付与量は、金属成分に対して５〜１０重量％である、請求項１に記載の積層チップバリスタの製造方法。
【請求項３】
前記第４層を形成する工程において、金属成分に対して５重量％以下のガラス成分が付与される、請求項１または２に記載の積層チップバリスタの製造方法。
【請求項４】
前記第２層の形成と同時に、前記第１層から露出している前記バリスタ本体の外表面上に、前記第２層に含まれるガラス成分からなる第１の絶縁層を形成し、
前記第３層の形成と同時に、前記第１の絶縁層上に、前記第３層に含まれるガラス成分からなる第２の絶縁層を形成する、
各工程を備える、請求項１ないし３のいずれかに記載の積層チップバリスタの製造方法。
【請求項５】
酸化亜鉛系セラミック材料からなる複数のバリスタ層および前記バリスタ層を介して互いに対向する少なくとも１対の内部電極を含む、バリスタ本体と、
前記バリスタ本体の外表面上の特定の部分にそれぞれ形成される１対の外部電極と
を備え、
前記外部電極の一方および他方は、それぞれ、特定の前記バリスタ層を介して対向している前記内部電極の一方および他方に電気的に接続されている、
積層チップバリスタであって、
前記外部電極は、前記バリスタ本体の外表面上に形成されかつ前記内部電極に電気的に接続される第１層と、前記第１層上に形成される第２層と、前記第２層上に形成される第３層と、前記第３層上に形成される第４層と、前記第４層上に形成される第５層とを備え、
前記第１層は金属成分とガラス成分とを含み、前記第２層はガラス成分を含み、前記第３層は前記第２層に含まれるガラス成分とは異なるガラス成分を含み、前記第４層は前記第１層に含まれる金属成分とは異なる金属成分を含み、前記第５層は半田付け性の良好な金属からなる電気めっき膜を含み、
前記第２層および前記第３層は、さらに、前記第４層に含まれる金属成分を含む、
積層チップバリスタ。
【請求項６】
前記第１層において、ガラス成分は、金属成分に対して５〜１０重量％含む、請求項５に記載の積層チップバリスタ。
【請求項７】
前記第４層において、金属成分に対して５重量％以下のガラス成分を含む、請求項５または６に記載の積層チップバリスタ。
【請求項８】
前記バリスタ本体の、前記外部電極が形成される部分以外の外表面上には、前記第２層に含まれるガラス成分からなる第１の絶縁層およびその上に前記第３層に含まれるガラス成分からなる第２の絶縁層が形成されている、請求項５ないし７のいずれかに記載の積層チップバリスタ。
【請求項９】
前記第１層に含まれる金属成分は、ＡｇまたはＡｇＰｄ合金を含み、前記第２層および前記第３層に含まれる金属成分は、Ａｇを含み、前記第４層に含まれる金属成分は、Ａｇを含む、請求項５ないし８のいずれかに記載の積層チップバリスタ。
【請求項１０】
前記第２層に含まれるガラス成分は、硼素／珪酸／亜鉛系ガラスを含み、前記第３層に含まれるガラス成分は、鉛／硼素／珪酸／亜鉛系ガラスを含む、請求項５ないし９のいずれかに記載の積層チップバリスタ。
【請求項１１】
前記第１層に含まれるガラス成分は、鉛、硼素および珪酸の少なくとも１種を含む、請求項５ないし１０のいずれかに記載の積層チップバリスタ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、積層チップバリスタの製造方法および積層チップバリスタに関するもので、特に、積層チップバリスタの外部電極の形成方法の改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
積層チップバリスタは、一般的に、酸化亜鉛系セラミック材料からなる複数のバリスタ層およびバリスタ層を介して互いに対向する少なくとも１対の内部電極を含むバリスタ本体と、このバリスタ本体の外表面上の特定の部分にそれぞれ形成される１対の外部電極とを備えている。外部電極の一方および他方は、それぞれ、特定のバリスタ層を介して対向している内部電極の一方および他方に電気的に接続されている。
【０００３】
上述したような積層チップバリスタにおいて、外部電極は、典型的には、互いに材質の異なる複数の層から構成され、その最外層は、外部電極に対して良好な半田付け性を与えるため、半田付け性の良好な金属からなる膜をもって構成され、このような半田付け性の良好な金属膜は、通常、電気めっきを施すことによって形成される。
【０００４】
上述のような外部電極を備える積層セラミック電子部品に関連するもので、この発明にとって興味ある従来技術が、たとえば特開平８−９７０７２号公報に記載されている。
【０００５】
ここでは、セラミックをもって構成される電子部品本体の端面上に、内部電極に電気的に接続されるように、ガラスフリットを含有する外部電極のための第１層を形成し、次に、ガラスフリットを含有しない外部電極のための第２層を形成した後、電気めっきによって最外層を形成することが記載されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した特開平８−９７０７２号公報に記載の方法を、酸化亜鉛系セラミック材料からなるバリスタ層を備えるバリスタ本体上の外部電極の形成に適用すると、酸化亜鉛系セラミック材料は電気抵抗が比較的低いため、外部電極のたとえば第２層と露出したバリスタ本体の外表面との間での表面電位差が比較的小さくなる。したがって、電気めっきを実施すると、バリスタ本体の露出した外表面が還元され、第２層上だけでなく、バリスタ本体の外表面にもめっき膜が形成されてしまい、得られた積層チップバリスタの特性の劣化を招くことがある。
【０００７】
また、酸化亜鉛系セラミック材料は、酸またはアルカリに弱いため、バリスタ本体の露出した外表面が電気めっきを行なう際にめっき液に接触すると、溶解が生じ、それによってバリスタ本体の劣化をもたらすことになり、バリスタ特性を維持できないという問題を生じることもある。
【０００８】
さらに、外部電極の最外層を形成するため、電気めっきを適用したとき、バリスタ本体の内部欠陥が生じやすく、これによっても、積層チップバリスタの特性の劣化を引き起こすという問題に遭遇することがある。したがって、この問題は、外部電極とバリスタ本体との隙間等からバリスタ本体中へ浸入するめっき液が原因と考えられる。特に、このめっき液の浸入は、バリスタ本体の内部電極の引き出し部分において生じるものがより深刻であり、内部電極とバリスタ層との接合状態を悪化させ、特に寿命試験において積層チップバリスタの特性が劣化してしまうという問題を引き起こす。
【０００９】
上述したバリスタ本体の露出した外表面がめっき液と接触することによってもたらされる問題は、たとえば特開平８−１５３６０７号公報に記載されるように、バリスタ本体の露出した外表面をガラス膜で覆うことによって、一応の解決を図ることができる。
【００１０】
しかしながら、バリスタ本体の露出した外表面にのみ高い精度をもってガラス膜を形成することは比較的困難である。たとえば、外部電極部分にもガラス膜が形成されたり、逆に、露出した外表面をガラス膜が完全には覆わない状態となることがある。前者の場合には、最外層のめっき膜の形成が阻害され、後者の場合には、このようなガラス膜を形成しない場合の前述した問題を完全には解消することができない。
【００１１】
そこで、この発明の目的は、上述したような問題を解決し得る、積層チップバリスタの製造方法およびこの製造方法によって得られる積層チップバリスタの構造を提供しようとすることである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
この発明は、まず、積層チップバリスタの製造方法に向けられる。この製造方法において、上述した技術的課題を解決するため、次のような各工程が実施される。
【００１３】
まず、酸化亜鉛系セラミック材料からなる複数のバリスタ層およびバリスタ層を介して互いに対向する少なくとも１対の内部電極を含む、バリスタ本体を用意する。
【００１４】
次いで、内部電極の特定のものに電気的に接続されるように、バリスタ本体の外表面上の特定の部分に、金属成分とガラス成分とを付与し、熱処理することによって、外部電極のための第１層を形成する。
【００１５】
次いで、第１層上に、ガラス成分を付与し、熱処理することによって、第１層上に外部電極のための第２層を形成する。
【００１６】
次いで、第２層上に、第２層の形成のために付与されたガラス成分とは異なるガラス成分を付与し、熱処理することによって、第２層上に外部電極のための第３層を形成する。
【００１７】
次いで、第３層上に、第１層の形成のために付与された金属成分とは異なる金属成分を付与し、第１層の形成のために適用された熱処理条件と実質的に同じ条件で熱処理することによって、外部電極のための第４層を形成する。
【００１８】
次いで、第４層上に、半田付け性の良好な金属からなる電気めっき膜を形成することによって、外部電極のための第５層を形成する。
【００１９】
そして、上述の第４層を形成するための熱処理において、第４層に含まれる金属成分を第２層および第３層中へ拡散させることが行なわれる。
【００２０】
好ましくは、上述の第１層を形成する工程において、ガラス成分の付与量は、金属成分に対して５〜１０重量％となるようにされる。
【００２１】
また、好ましくは、第４層を形成する工程において、金属成分に対して５重量％以下のガラス成分が付与される。
【００２２】
また、この発明に係る積層チップバリスタの製造方法において、好ましくは、第２層の形成と同時に、第１層から露出しているバリスタ本体の外表面上に、第２層に含まれるガラス成分からなる第１の絶縁層を形成し、また、第３層の形成と同時に、第１の絶縁層上に、第３層に含まれるガラス成分からなる第２の絶縁層を形成することが行なわれる。
【００２３】
この発明は、また、上述したような方法によって製造されることができる積層チップバリスタの構造にも向けられる。
【００２４】
この発明に係る積層チップバリスタは、酸化亜鉛系セラミック材料からなる複数のバリスタ層およびバリスタ層を介して互いに対向する少なくとも１対の内部電極を含む、バリスタ本体と、バリスタ本体の外表面上の特定の部分にそれぞれ形成される１対の外部電極とを備え、外部電極の一方および他方は、それぞれ、特定のバリスタ層を介して対向している内部電極の一方および他方に電気的に接続されている。
【００２５】
また、外部電極は、バリスタ本体の外表面上に形成されかつ内部電極に電気的に接続される第１層と、第１層上に形成される第２層と、第２層上に形成される第３層と、第３層上に形成される第４層と、第４層上に形成される第５層とを備える。
【００２６】
上述の第１層は金属成分とガラス成分とを含み、第２層はガラス成分を含み、第３層は第２層に含まれるガラス成分とは異なるガラス成分を含み、第４層は第１層に含まれる金属成分とは異なる金属成分を含み、第５層は半田付け性の良好な金属からなる電気めっき膜を含む。
【００２７】
そして、第２層および第３層は、さらに、第４層に含まれる金属成分を含む。
【００２８】
好ましくは、上述の第１層において、ガラス成分は、金属成分に対して５〜１０重量％含むようにされる。
【００２９】
また、好ましくは、第４層において、金属成分に対して５重量％以下のガラス成分を含むようにされる。
【００３０】
また、この発明に係る積層チップバリスタにおいて、好ましくは、バリスタ本体の、外部電極が形成される部分以外の外表面上には、第２層に含まれるガラス成分からなる第１の絶縁層およびその上に第３層に含まれるガラス成分からなる第２の絶縁層が形成されている。
【００３１】
また、好ましくは、第１層に含まれる金属成分は、ＡｇまたはＡｇＰｄ合金を含み、第２層および第３層に含まれる金属成分は、Ａｇを含み、第４層に含まれる金属成分は、Ａｇを含む。
【００３２】
また、好ましくは、第２層に含まれるガラス成分は、硼素／珪酸／亜鉛系ガラスを含み、第３層に含まれるガラス成分は、鉛／硼素／珪酸／亜鉛系ガラスを含む。
【００３３】
また、好ましくは、第１層に含まれるガラス成分および第４層に含まれるガラス成分は、鉛、硼素および珪酸の少なくとも１種を含む。
【００３４】
【発明の実施の形態】
図１は、この発明の一実施形態による積層チップバリスタ１を示す断面図である。
【００３５】
積層チップバリスタ１は、酸化亜鉛系セラミック材料からなる複数のバリスタ層２およびバリスタ層２を介して互いに対向する複数対の内部電極３を含む、バリスタ本体４を備えている。
【００３６】
このようなバリスタ本体４は、たとえば、次のようにして製造される。
【００３７】
酸化亜鉛および酸化ビスマス等の各粉末を含む混合原料に、有機バインダ、分散剤および可塑剤等を添加し、シート成形用スラリーを作製する。
【００３８】
次いで、得られたシート成形用スラリーに対してドクターブレード法を適用することにより、任意の厚みのセラミックグリーンシートを作製する。
【００３９】
次いで、これらセラミックグリーンシートを所定の大きさの矩形となるように打ち抜いた後、特定のセラミックグリーンシート上に、内部電極３となるべきＡｇを含むペーストを塗布するとともに、複数のセラミックグリーンシートを積み重ね、プレスし、次いで、個々のバリスタ本体４となるべき寸法に切断し、複数のバリスタ本体４のための生のチップを得る。
【００４０】
次いで、これら生のチップを、たとえば４００〜５００℃の温度で脱バインダ処理した後、たとえば８８０〜９２０℃の温度で焼成し、焼結されたバリスタ本体４を得る。
【００４１】
このようなバリスタ本体４の外表面上の特定の部分には、１対の外部電極５がそれぞれ形成される。外部電極５は、バリスタ本体４の外表面上に形成されかつ内部電極３に電気的に接続される第１層６と、この第１層６上に形成される第２層７と、この第２層７上に形成される第３層８と、この第３層８上に形成される第４層９と、この第４層９上に形成される第５層１０とを備えている。
【００４２】
第１層６は金属成分とガラス成分とを含み、第２層７はガラス成分を含み、第３層８は第２層に含まれるガラス成分とは異なるガラス成分を含み、第４層９は第１層に含まれる金属成分とは異なる金属成分を含み、第５層１０は半田付け性の良好な金属からなる電気めっき膜を含んでいる。また、第２層７および第３層８は、さらに、第４層９に含まれる金属成分を含んでいる。
【００４３】
また、バリスタ本体４の、外部電極５が形成される部分以外の外表面上には、第２層７に含まれるガラス成分からなる第１の絶縁層１１およびその上に第３層８に含まれるガラス成分からなる第２の絶縁層１２が形成されている。
【００４４】
上述した第１層６に含まれる金属成分としては、たとえば、Ａｇ、Ｐｄ、ＡｕおよびＰｔから選ばれた少なくとも１種を用いることができるが、好ましくは、ＡｇＰｄ合金を含むようにされる。また、第２層７および第３層８に含まれる金属成分は、好ましくは、Ａｇを含む。また、第４層９に含まれる金属成分としては、たとえば、ＡｇおよびＰｄの少なくとも一方を用いることができるが、好ましくは、Ａｇを含むようにされる。また、第５層１０に含まれるめっき膜は、たとえば、ニッケルめっき膜およびその上に形成される錫めっき膜をもって構成されたり、ニッケルめっき膜およびその上に形成される半田めっき膜をもって構成されたり、半田めっき膜のみをもって構成されたりすることができる。
【００４５】
また、第２層７に含まれるガラス成分は、好ましくは、硼素／珪酸／亜鉛系ガラスを含み、第３層８に含まれるガラス成分は、鉛／硼素／珪酸／亜鉛系ガラスを含む。
【００４６】
また、第１層６に含まれるガラス成分は、鉛、硼素および珪酸の少なくとも１種を含むことが好ましい。
【００４７】
このような外部電極５ならびに絶縁層１１および１２は、たとえば、次のようにして形成される。
【００４８】
まず、第１層６は、バリスタ本体４の外表面上に、たとえば、Ａｇ含有率９０重量％のＡｇＰｄ合金を金属成分として含み、かつガラス成分として鉛／珪酸／硼素系ガラスを５〜１０重量％含有するペーストを塗布し、８８０〜９２０℃の温度で焼き付けることによって形成される。
【００４９】
次に、第２層７および第１の絶縁層１１は、第１層６上および第１層６から露出しているバリスタ本体４の外表面上に、すなわち、バリスタ本体４上に第１層６を形成することによって得られた構造物の外表面の全域にわたって、ガラス成分を付与し、ガラス膜の形成を可能にする条件で熱処理することによって形成される。ここで、ガラス成分として、硼素／珪酸／亜鉛系ガラスが有利に用いられる。
【００５０】
より具体的には、第１層６が形成されたバリスタ本体４を、アルミナポット内にたとえば数千個投入し、硼素／珪酸／亜鉛系ガラスを粉末状の形態をもってバリスタ本体４に対して１〜２重量％添加し、低速で回転させながら、８００〜９００℃の温度で加熱することによって、第２層７および第１の絶縁層１１となるガラス膜を第１層６上からバリスタ本体４の露出した外表面上にわたって形成するようにされる。
【００５１】
次に、第３層８および第２の絶縁層１２は、第２層７上および第１の絶縁層１１上に、すなわち、上述の第２層７および第１の絶縁層１１を形成する工程を終えた構造物の外表面の全域にわたって、第２層７の形成のために付与されたガラス成分とは異なるガラス成分を付与し、ガラス膜の形成を可能にする条件で熱処理することによって形成される。ここで、ガラス成分として、鉛／硼素／珪酸／亜鉛系ガラスが有利に用いられる。
【００５２】
より具体的には、第２層７および第１の絶縁層１１が形成された後のバリスタ本体４を、アルミナポット内にたとえば数千個投入し、鉛／硼素／珪酸／亜鉛系ガラスを粉末状の形態をもってバリスタ本体４に対して１〜２重量％添加し、低速で回転させながら、７００〜８００℃の温度で加熱することによって、第３層８上および第２の絶縁層１２となるガラス膜を第２層７上から第１の絶縁層１１上にわたって形成するようにされる。
【００５３】
次に、第４層９は、第１層６の形成のために付与された金属成分とは異なる金属成分を第３層８上に付与し、第１層６の形成のために適用された熱処理条件と実質的に同じ条件で熱処理することによって形成される。たとえば、金属成分としては、Ａｇが用いられる。
【００５４】
また、第４層９を形成する工程において、ガラス成分が付与されると、外部電極５の強度を向上させることができる。この場合、金属成分に対して５重量％以下のガラス成分を含むようにすることが好ましい。第４層９において、５重量％を超えてガラス成分が付与されると、後述する第５層１０となる電気めっき膜の第４層９に対する濡れ性が低下するからである。また、第４層９にガラス成分を付与するならば、鉛／珪酸／硼素系ガラスが用いられる。
【００５５】
より具体的には、第３層８上に、Ａｇを金属成分として含み、かつガラス成分として鉛／珪酸／硼素系ガラスを０．２〜５重量％含有するペーストを塗布し、６００〜７００℃の温度で焼き付けることによって第４層９が形成される。
【００５６】
上述した第４層９を形成するための熱処理において、第４層９に含まれる金属成分は、各々ガラス成分を含む第２層７および第３層８中へ拡散される。たとえば、第４層４に含まれるＡｇが、第２層７および第３層８中へ拡散し、それによって、第１層６および第４層９間の電気的接続が得られる。
【００５７】
次に、第５層１０は、第４層９上に、半田付け性の良好な金属からなる電気めっき膜を形成することによって与えられる。より具体的には、第４層９上に、電気めっきによって、ニッケルめっき膜およびその上に錫めっき膜が形成される。
【００５８】
このようにして得られた積層チップバリスタ１の外部電極５において、第１層６は、内部電極３との間での良好な電気的導通を図るように作用する。また、前述したように、ガラス成分をたとえば５〜１０重量％含有させることにより、第１層６の焼結性を向上させ、第１層６を緻密な状態とし、めっき液の浸入を防ぐ作用がより確実に営まれる。
【００５９】
第１の絶縁層１１は、バリスタ本体４の外表面と第２の絶縁層１２との密着性を良好なものとするとともに、バリスタ本体４の外表面での絶縁性を確保するように作用する。また、第２層７および第１の絶縁層１１に含まれるガラス成分としては、バリスタ本体４内に拡散してもバリスタ本体４の特性を劣化させない組成のものを用いることが好ましく、この要望を満たすため、前述したような硼素／珪酸／亜鉛系ガラスが有利に用いられる。
【００６０】
第２の絶縁層１２は、ガラスに対する濡れ性に優れた組成のガラス成分を含むことが好ましく、これによって、第２の絶縁層１２が第１の絶縁層１１上で均一な膜を形成することが可能となり、バリスタ本体４の外表面に対して良好な耐めっき液性を与えるように作用するとともに、バリスタ本体４の外表面上の不所望な領域へのめっき成長を抑制するように作用する。この目的のために、前述した鉛／硼素／珪酸／亜鉛系ガラスが有利に用いられる。
【００６１】
外部電極５を形成すべき領域において、第３層８等の形成によってもたらされるガラスの点在は、めっき付与性を阻害することになるが、第４層９は、このようなめっき付与性を向上させるように作用する。また、第４層９の形成によって、第４層９に含まれる金属成分は、第２層７および第３層８中へ拡散し、第１層６および第４層９間の電気的接続が得られるように作用する。
【００６２】
第５層１０は、外部電極５の半田付け性を良好なものとするように作用する。また、第５層１０に含まれる前述したようなニッケルめっき層は、Ａｇのマイグレーションを防止するようにも作用する。
【００６３】
なお、積層チップバリスタ１において、第２層７と第３層８との間には、明確な境界が現れないこともある。しかしながら、互いに異なるガラス成分からなる２つの層が層状に形成されている限り、第２層７と第３層８とが形成されていると認識すべきである。
【００６４】
また、第１層６と第４層９との間に形成されている第２層７および第３層８においては、第１層６と第４層９に含まれる金属成分と第２層７および第３層８に含まれるガラス成分とが部分的に混在し、あたかも第２層７および第３層８が一部形成されていないように見える箇所があったとしても、特性上は何ら問題はないことを付記しておく。
【００６５】
【発明の効果】
以上のように、この発明に係る積層チップバリスタの製造方法においては、バリスタ本体の外表面上に外部電極を形成するため、金属成分とガラス成分とをバリスタ本体の外表面上に付与し、熱処理することによって、第１層を形成し、この第１層上に、ガラス成分を付与し、ガラス膜の形成を可能にする条件で熱処理することによって、第２層を形成し、この第２層上に、第２層の形成のために付与されたガラス成分とは異なるガラス成分を付与し、ガラス膜の形成を可能にする条件で熱処理することによって、第３層を形成し、この第３層上に、第１層の形成のために付与された金属成分とは異なる金属成分を付与し、第１層の形成のために適用された熱処理条件と実質的に同じ条件で熱処理することによって、第４層を形成し、この第４層上に、半田付け性の良好な金属からなる電気めっき膜を形成することによって、第５層を形成する、各工程を実施し、また、第４層を形成するための熱処理において、第４層に含まれる金属成分を第２層および第３層中へ拡散させることが行なわれる。
【００６６】
したがって、第５層を形成するための電気めっきにおいて適用されるめっき液がバリスタ本体中へ浸入することが、第１層ないし第４層の存在、特にガラス成分を含んで緻密な構造とされた第１層の存在によって有利に防止され、積層チップバリスタの高い信頼性を確保することができる。
【００６７】
上述の第１層において、ガラス成分が金属成分に対して５〜１０重量％含むようにされると、より高い焼結性が得られ、第１層がより緻密な構造となり得るので、めっき液の浸入防止効果がより高められ、積層チップバリスタの信頼性をより高めることができる。
【００６８】
また、第４層において、金属成分に対して５重量％以下のガラス成分を含むようにされると、第５層となる電気めっき膜の第４層に対する濡れ性を低下させることなく、外部電極の強度を向上させることができる。
【００６９】
また、この発明において、バリスタ本体の、外部電極が形成される部分以外の外表面上に、第２層に含まれるガラス成分からなる第１の絶縁層およびその上に第３層に含まれるガラス成分からなる第２の絶縁層が形成されると、バリスタ本体４の露出した外表面での良好な耐めっき液性がこれら絶縁層によって与えられるとともに、第５層の電気めっき膜が、バリスタ本体の、外部電極が形成される部分以外の外表面上に不所望にも成長することを抑制することができる。また、積層チップバリスタの耐湿性を向上させることもできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施形態による積層チップバリスタ１を示す断面図である。
【符号の説明】
１  積層チップバリスタ
２  バリスタ層
３  内部電極
４  バリスタ本体
５  外部電極
６  第１層
７  第２層
８  第３層
９  第４層
１０  第５層
１１  第１の絶縁層
１２  第２の絶縁層
【図１】
0003555563.tif 000002