(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱伝導性絶縁基板の片面に低融点可溶金属片からなるヒュ−ズエレメントを設け、同基板の他面に膜抵抗体を設け、ヒュ−ズエレメント並びに膜抵抗体にそれぞれリ−ド線を接続してなる本体の絶縁基板に、下側を開放したケ−スを、当該基板のヒュ−ズエレメント側をケ−ス内上面側に向けて被設し、ケ−ス内に一定量の硬化性絶縁材を滴下充填したことを特徴とする抵抗体付き温度ヒュ−ズ。
【請求項２】
膜抵抗体がヒュ−ズエレメントに対し左右に２個設けられていることを特徴とする請求項１記載の抵抗体付き温度ヒュ−ズ。
【請求項３】
ケ−スの上面中央部に対し同上面の他の部分を絶縁基板に接近させて当該中央部を突出させ、該突出部内にヒュ−ズエレメントを配設した請求項１または２記載の抵抗体付き温度ヒュ−ズ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、基板タイプの合金型温度ヒュ−ズに抵抗体を内蔵させた抵抗体付き温度ヒュ−ズに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
抵抗体付き温度ヒュ−ズにおいては、合金型の温度ヒュ−ズエレメントと抵抗体とを近接配置で一体化し、抵抗体における過電流に基づく発生熱で温度ヒュ−ズエレメントを溶断させ、その過電流を遮断している。
【０００３】
従来、抵抗体付き温度ヒュ−ズとして、ケ−ス型並びに基板型が公知である。
図６の（イ）はケ−ス型抵抗体付き温度ヒュ−ズの断面図を、図６の（ロ）は図６の（イ）におけるロ−ロ断面図をそれぞれ示し、合金型温度ヒュ−ズ１４’、例えば、筒状ケ−スタイプの合金型温度ヒュ−ズ（一直線状のリ−ド線間に温度ヒュ−ズエレメントとしての低融点金属片を橋設し、この低融点金属片にフラックスを塗布し、このフラックス塗布低融点金属片上に筒状ケ−スを挿通し、このケ−スの各端と各リ−ド線との間をエポキシ樹脂等の接着剤で封止したもの）と巻線型抵抗体１７’とを直列に接続し、この接続体をＵ字状に曲げて、一端に開口を有するケ−ス２’（例えば、セラミックスケ−ス）内に収容し、該ケ−ス内に封止材３’、例えば白セメントを充填している。
【０００４】
図７の（イ）は片面タイプの基板型抵抗体付き温度ヒュ−ズの平面説明図を、図７の（ロ）は図７の（イ）におけるロ−ロ断面図をそれぞれ示し、熱伝導性絶縁基板１１’、例えば、セラミックス基板の片面に温度ヒュ−ズ用膜電極１２’，１２’と抵抗用膜電極１６’，１６’とを印刷し、温度ヒュ−ズ用電極１２’，１２’間に低融点金属片１４’を橋設し、この低融点金属片１４’にフラックス１５’を塗布し、また、抵抗用電極１６’，１６’間に膜抵抗体１７’を絶縁基板への焼き付けにより橋設し、各電極１２’（１６’）にリ−ド線１３’（１９’）を接続し、上記絶縁基板１１’の片面上にエポキシ樹脂のような硬化性樹脂層２’を滴下塗装法により被覆している。
【０００５】
図８の（イ）は両面タイプの基板型抵抗体付き温度ヒュ−ズの平面説明図を、図８の（ロ）は同じく底面説明図を、図８の（ハ）は図８の（イ）におけるハ−ハ断面図を、図８の（ニ）は図８の（ロ）におけるニ−ニ断面図をそれぞれ示し、熱伝導性絶縁基板１１’の片面に温度ヒュ−ズ用膜電極１２’，１２’を印刷し、この電極間に低融点金属片１４’を橋設し、この低融点金属片にフラックス１５’を塗布し、また、同絶縁基板１１’の他面に抵抗用膜電極１６’，１６’を印刷し、これらの電極間に膜抵抗体１７’を絶縁基板１１’への焼き付けにより橋設し、各電極１２’（１６’）にリ−ド線１３’（１９’）を接続し、上記絶縁基板１１’の全面にエポキシ樹脂のような硬化性樹脂層３’を浸漬塗装法により被覆している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上記抵抗体付き温度ヒュ−ズにおいては、温度ヒュ−ズエレメントと膜抵抗体との相対的位置にずれがあると、抵抗体発生熱の温度ヒュ−ズエレメントへの熱伝達速度にバラツキが生じる。従って、作動特性にバラツキが生じる。
而るに、図６の（イ）並びに図６の（ロ）に示すケ−ス型抵抗体付き温度ヒュ−ズにおいては、抵抗体１７’と温度ヒュ−ズ１４’とを一定の相対的位置のもとでケ−ス内に挿入することは困難であり（その主な原因は、挿入時でのケ−ス内面との摩擦で抵抗体と温度ヒュ−ズとの間にずれが生じる）、作動特性にバラツキが生じ易い。
【０００７】
これに対し、基板型抵抗体付き温度ヒュ−ズにおいては、膜電極、膜抵抗体を印刷法により形成でき、高い印刷精度のために膜電極、膜抵抗体を実質上位置ずれなく形成でき、かつ、温度ヒュ−ズエレメントを電極に高い位置精度で溶接できるから、温度ヒュ−ズエレメントと膜抵抗体との相対的位置を充分に一定にできる。
【０００８】
しかしながら、本発明者等が行った基板型抵抗体付き温度ヒュ−ズについての作動特性の実験結果によれば、図７の（イ）並びに図７の（ロ）に示した片面タイプの基板型抵抗体付き温度ヒュ−ズにおいては、予想通り、作動特性のバラツキを無視できる程度にとどめ得たが、図８の（イ）乃至図８の（ニ）に示した両面タイプの基板型抵抗体付き温度ヒュ−ズにおいては、作動特性のバラツキが予想以上に大であった。
【０００９】
そこで、本発明者等において、その原因を究明したところ、両面タイプの基板型抵抗体付き温度ヒュ−ズにおいては、エポキシ樹脂層を浸漬塗装法により形成しており、エポキシ樹脂浴の硬化に基づくゲル化が経時的に進行し、それに伴い樹脂浴の粘度が変化して浸漬塗布厚が変化し、その結果、抵抗体付き温度ヒュ−ズの絶縁物の体積が変化し、熱容量にバラツキが生じる。而るに、抵抗体付き温度ヒュ−ズにおいて、抵抗体から温度ヒュ−ズエレメントに至る熱伝達路の熱抵抗をＲ、熱容量をＣとすれば、温度ヒュ−ズエレメントの温度上昇速度は、ＲＣにより評価され、その熱容量Ｃが絶縁物の体積の函数となるから、浸漬塗装厚のバラツキが温度ヒュ−ズエレメントが温度上昇速度、従って作動特性のバラツキを招来するのである。
これに対し、片面タイプの基板型抵抗体付き温度ヒュ−ズにおいては、一滴当りのエポキシ樹脂滴下量を計量できるので、Ｃのバラツキを排除できるのである。
【００１０】
本発明の目的は、絶縁基板の片面に温度ヒュ−ズエレメントを、同基板の他面に膜抵抗体をそれぞれ設けてなる抵抗体付き温度ヒュ−ズの作動特性のバラツキを低減乃至は防止することにある。
【００１１】
本発明に係る抵抗体付き温度ヒュ−ズは、熱伝導性絶縁基板の片面に低融点可溶金属片からなるヒュ−ズエレメントを設け、同基板の他面に膜抵抗体を設け、ヒュ−ズエレメント並びに膜抵抗体にそれぞれリ−ド線を接続してなる本体の絶縁基板に、下側を開放したケ−スを、当該基板のヒュ−ズエレメント側をケ−ス内上面側に向けて被設し、ケ−ス内に一定量の硬化性絶縁材を滴下充填したことを特徴とし、膜抵抗体をヒュ−ズエレメントに対し左右に２個設けること、更に、ケ−スの上面中央部に対し同上面の他の部分を絶縁基板に接近させて当該中央部を突出させ、該突出部内にヒュ−ズエレメントを配設することもできる。
【００１２】
以下、図面を参照しつつ本発明の構成について説明する。
図１の（イ）は本発明において使用する抵抗・温度ヒュ−ズ本体の平面図を、図１の（ロ）は同じく底面図を、図１の（ハ）は図１の（イ）におけるハ−ハ断面図を、図１の（ニ）は図１の（ロ）におけるニ−ニ断面図をそれぞれ示している。
図１の（イ）乃至図１の（ニ）において、１１は熱伝導性の絶縁基板であり、セラミックス基板が好適である。１２，１２は絶縁基板１１の片面に設けた一対の膜電極であり、リ−ド線取付部１２１と温度ヒュ−ズエレメント取付部１２２とを備え、縦方向中心線ａ−ａに対し左右対称の膜電極を横方向中心線ｂ−ｂに対し上下対称に配設してある。この膜電極１２は、印刷法、例えば、導電塗料をスクリ−ン印刷し、これを焼き付けたものを使用できる。１３は各膜電極１２に溶接またはろう接したリ−ド線である。１４は膜電極間に溶接により縦方向中央線ａ−ａに沿い橋設した温度ヒュ−ズエレメントであり、丸線または角線（例えば、丸線を扁平化したもの）の低融点可溶合金線材が使用されている。１５は温度ヒュ−ズエレメント１４上に塗布したフラツクスであり、ロジンを主成分とするものが使用されている。
【００１３】
【００１３】
１６，１６、１６，１６は絶縁基板１１の他面に、縦方向中心線ａ−ａに対し左右対称に設けた２対の膜電極であり、一端にリ−ド線取付部１６１を有する帯状膜電極１６２をリ−ド線取付部１６１を絶縁基板１１の左右両端側に位置させるように配設してある。この膜電極１６も上記の印刷法により形成してある。１７は各一対の膜電極１６，１６間に跨り、絶縁基板１１の他面に焼成した膜抵抗体であり、抵抗塗料（抵抗粒子とバインダ−との混合物であり、抵抗粒子には酸化ルテニウム等の酸化金属物の粉末、ニッケルや鉄等の高抵抗金属の粉末を使用でき、バインダ−にはガラスフリツトを使用できる）の印刷・焼き付けにより形成できる。１８は両膜抵抗体１７，１７を覆って設けた保護膜であり、前記ガラスフリツトよりも低融点のガラスフリツトが使用され、膜抵抗体に切り込みを入れる（トリミング）ことによりその抵抗値を調整する際での膜抵抗体のクラック等の発生防止に有効である。１９は膜電極１６に溶接またはろう接により接続したリ−ド線である。
【００１４】
図２の（イ）は本発明に係る抵抗体付き温度ヒュ−ズの一例を示す断面図、図２の（ロ）は図２の（イ）におけるロ−ロ断面図である。
図２の（イ）並びに図２の（ロ）において、１は上記した抵抗体付き温度ヒュ−ズ本体である。２は下側を開放したケ−スであり、上板部２１の周囲に枠縁２２を有し、このケ−ス２を抵抗体付き温度ヒュ−ズ本体１にヒュ−ズエレメント１４側をケ−ス内上面側に向けて被設し、枠縁２２に設けた各Ｖノッチ２２１から各リ−ド線１３，１９を引出してある。
【００１５】
このケ−ス２の枠縁２２の内郭は抵抗体付き温度ヒュ−ズ本体１の絶縁基板１１の外郭を実質上ギャップを残すことなく密嵌状態で被設し得るように設定してあり、当該内郭の縦寸法並びに横寸法を絶縁基板の縦寸法並びに横寸法のそれぞれに対し、１．１倍以下、好ましくは１．０７倍以下としてある。３はケ−ス２内に充填固化した絶縁材であり、ケ−ス開放側を上に向け、粘度が２００００ｃｐｓ〜２０００００ｃｐｓ程度のエポキシ樹脂液を該ケ−ス２内に計量滴下し、常温下で硬化させてある。
【００１６】
上記において、保護層１８を含めた膜抵抗体１７の厚みはリ−ド線１９の直径ｄよりも小であり、フラックス塗布温度ヒュ−ズエレメント１４の高さｈはリ−ド線１３の直径よりも大であり、膜抵抗体１７のリ−ド線１９上の必要絶縁厚みをｔ、絶縁基板の厚みをｅ、膜電極の厚さをｅ’とすれば、ケ−ス２内の高さＴは、
Ｔ≧ｔ＋ｈ＋ｄ＋ｅ＋ｅ’            ▲１▼
に設定される。
【００１７】
上記ケ−スには、電気絶縁物の他、アルミニウム、ステンレス等の金属のプレス成形品の使用も可能であるが、ケ−ス枠縁のＶノッチとリ−ド線との間の絶縁保証の面から、電気絶縁物、特にプラスチック、例えば、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル、ビニルエステル樹脂、フェノ−ル樹脂等の熱硬化性樹脂、ポリ塩化ビニル、塩素化ポリ塩化ビニル、ポリエチレン、ポリプロピレン、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、ポリスチレン、ポリカ−ボネ−ト、ポリアミド、ポリフッ化ビニリデン、ポリフェニレンサルファイド、ポリスルホン、ポリエ−テル・エ−テルケトン等の熱可塑性樹脂等の射出成形品を使用することが好ましい。
【００１８】
上記抵抗体付き温度ヒュ−ズの各部の寸法は通常、次ぎのように設定される。
すなわち、基板の縦（温度ヒュ−ズエレメントの方向）寸法：５〜１２ｍｍ、同横寸法：６〜１８ｍｍ、厚み０．５〜１．５ｍｍ、膜電極の厚み：１０〜８０μｍ、膜抵抗体の厚み：１０〜３５μｍ、保護層の厚み：２０〜２００μｍ、温度ヒュ−ズエレメントの直径：０．３〜１．０ｍｍ、温度ヒュ−ズエレメント上の基板からのフラックスの塗布厚み：０．４〜２．０ｍｍ、リ−ド線の直径：０．３〜１．３ｍｍ、膜抵抗体リ−ド線の絶縁材厚み：０．１〜２ｍｍ、ケ−スの内郭：基板の外郭寸法の１．００５〜１．１倍、ケ−スの厚み：０．１〜１．０ｍｍとされ、ケ−ス内の高さＴは上記▲１▼式により設定される。
【００１９】
上記の抵抗・温度ヒュ−ズにおいては、保護すべき電気回路に対し、一方の膜抵抗体を回路のある部分に、他方の膜抵抗体を回路の他部分にそれぞれ挿入接続し、温度ヒュ−ズエレメントを回路の入力端に挿入接続することによって使用され、何れか一方の膜抵抗体に過電流が流れて当該膜抵抗体が発熱すると、その発生熱で温度ヒュ−ズエレメントが溶断され、回路の通電が遮断される。
【００２０】
本発明に係る抵抗体付き温度ヒュ−ズの膜抵抗体の箇数は、回路の如何によっては一箇または三箇とすることもでき、図３の（イ）は膜抵抗体１７が一箇の場合の抵抗・温度ヒュ−ズ本体の平面図を、図３の（ロ）は同じく底面図をそれぞれ示し、抵抗用の一対の膜電極１６，１６を絶縁基板１１の他面の左右両端側に縦方向中心線ａ−ａに対し対称な配置で設け、この膜電極１６，１６に跨って絶縁基板面に膜抵抗体１７を膜成固着し、この膜抵抗体１７を覆って保護膜１８を設けてある。図３の（イ）において、１４は温度ヒュ−ズエレメントを示している。
【００２１】
上記において、ケ−ス２の上面２１と絶縁基板１１との間は、少なくとも、温度ヒュ−ズエレメント１４の直径とフラックス１５の塗布厚みとの総和の間隔で隔離されており、この隔離部分には上記硬化性絶縁材を充填してもよいし、または、未充填の空間のままにしておくこともできる。
【００２２】
請求項２記載の発明においては、図４の（イ）に示すように、ケ−ス２の上面中央部２０に対し同上面の他の部分２０１を絶縁基板１１に接近させて当該中央部を突出させ、該突出部内にフラックス塗布ヒュ−ズエレメント１４を配設することにより、上記した、ケ−ス上面と絶縁基板との間の硬化性絶縁材充填部分または空間部分を極力排除しており、この排除した硬化性絶縁材充填部分または空間部分の分だけ熱容量を小にできる。
【００２３】
このケ−スの寸法は通常、図４の（ロ）に示すように、突出部の内部高さａ＝０．４ｍｍ〜３．０ｍｍ、内部巾ｂ＝１ｍｍ〜１０ｍｍ、他の部分の巾ｃ＝１ｍｍ〜８．５ｍｍ、他の部分の内部高さｄ＝０．９ｍｍ〜３．０ｍｍ、ケ−スの内部長さ＝６．０３〜１９．８ｍｍ、厚み＝０．１ｍｍ〜１．０ｍｍとされる。
また、請求項２記載の発明において使用するケ−ス２の上面は、図５の（イ）や（ロ）に示すような台形、かまぼこ型とすることもできる。
【００２４】
【作用】
抵抗体付き温度ヒュ−ズにおいて、膜抵抗体から温度ヒュ−ズエレメントに至る熱伝達経路の媒質の熱抵抗をＲ、熱容量をＣとすると、膜抵抗体の発生熱による温度ヒュ−ズエレメントの温度上昇速度は、既述した通りＲＣで制せられ、Ｃにバラツキがあれば、温度ヒュ−ズエレメントの温度上昇速度にもバラツキが生じる。
【００２５】
Ｃのバラツキには、第１に絶縁体の体積のバラツキが関与する。而るに、本発明に係る抵抗体付き温度ヒュ−ズにおいては、ケ−ス内に硬化性絶縁材を計量滴下して絶縁体を形成できるから、絶縁体の体積を高精度で一定にでき、更に、ケ−ス、絶縁基板の体積も高精度で一定とでき、絶縁体の体積のバラツキをよく排除でる。
【００２６】
Ｃのバラツキには、第２に外形の定形性が関与する。而るに、ケ−スの外形については、例えば射出成形により定形性をよく保証でき、更に、絶縁基板の膜抵抗体側の面がほぼ平坦であってケ−ス内に充填した絶縁材の表面も、容易に平坦にし得て定形性をよく保証できるから、外形のバラツキもよく排除できる（これに対し、絶縁基板の温度ヒュ−ズエレメント側に、充填絶縁材の表面を配すると、フラックス塗布温度ヒュ−ズエレメントの基板面からの突出高さが大であり、充填絶縁材厚さが薄いと充填絶縁材の表面を平坦にし難く不定形化が余儀なくされ、平坦定形とするには絶縁材の充填厚さを相当に厚くする必要がある。しかし、これでは熱容量が大となって抵抗体付き温度ヒュ−ズの作動速度が遅くなってしまう）。
【００２７】
Ｃのバラツキには、第３に温度ヒュ−ズエレメントと膜抵抗体との相対的位置の精度が関与する。而るに、膜電極、膜抵抗体を印刷法により形成でき、高い印刷精度のために膜電極、膜抵抗体を実質上位置ずれなく形成でき、かつ、温度ヒュ−ズエレメントを膜電極に高い位置精度で溶接できるから、温度ヒュ−ズエレメントと膜抵抗体との相対的位置精度を充分に高精度にできる。
従って、温度ヒュ−ズエレメントの温度上昇速度のバラツキを充分に低減若しくは防止でき、作動特性の一様な抵抗体付き温度ヒュ−ズを量産できる。
更に、請求項２記載の抵抗体付き温度ヒュ−ズにおいては、Ｃを小にできるので、迅速作動が可能となる。
【００２８】
【実施例】
実施例１
図２の（イ）並びに図２の（ロ）に示す構成を用い、抵抗体付き温度ヒュ−ズ本体には図１の（イ）乃至図１の（ニ）に示す構成を使用した。熱伝導性絶縁基板には、厚さ０．６ｍｍ、縦９ｍｍ、横１４ｍｍのセラミックス基板を使用し、全ての膜電極を銀ペ−ストの印刷・焼き付けにより形成し、電極厚みを２５μｍとした。温度ヒュ−ズエレメントには直径０．５ｍｍ、液相温度９６℃の低融点可溶合金線を使用し、フラックス（温度ヒュ−ズエレメントの融点以下の軟化点）の塗布厚みを１．２ｍｍとした。膜抵抗体は、抵抗塗料（酸化ルテニウム粉末とガラスフリットとの混合物）の厚み２０μｍの印刷・焼き付けにより、保護膜は低融点ガラスフリットの厚み８０μｍの焼き付けにそれぞれ膜成し、両膜抵抗体の抵抗値をトリミングにより共に１０００Ωに調整した。リ−ド線には、直径０．６ｍｍの銅線を使用した。ケ−スには、フェノ−ル樹脂の射出成形品で、内郭寸法が縦９．７ｍｍ，横１４．９ｍｍ、内部高さ２．７ｍｍであり、厚みが０．６ｍｍのものを使用し、硬化性絶縁材には、浸漬塗装用のエポキシ樹脂液を使用した。
【００２９】
比較例１
実施例１で使用した抵抗体付き温度ヒュ−ズ本体に、実施例で使用したエポキシ樹脂液を浸漬塗装法により塗布した抵抗体付き温度ヒュ−ズを製作した。
【００３０】
比較例２
実施例１に対し、抵抗体付き温度ヒュ−ズ本体の上下面を逆にし、絶縁基板の温度ヒュ−ズエレメント側に充填絶縁材の表面を配し、かつ、この充填絶縁材の表面を平坦にするように、ケ−ス内部の高さを３ｍｍにしてフラックス塗布温度ヒュ−ズエレメントの上面と充填絶縁材表面との間隔を０．３ｍｍにし、かつ、ケ−ス枠縁のリ−ド線引出用Ｖノッチの深さをリ−ド線の引出し高さに応じて変更した以外、実施例１に同じとした。
【００３１】
実施例並びに比較例で使用したエポキシ樹脂液の常温下でのポットライフは、ほぼ５時間であり、このエポキシ樹脂液のゲル化に起因する抵抗・温度ヒュ−ズの作動特性の変動をチェックするために、実施例１及び比較例２でのエポキシ樹脂液の滴下充填並びに比較例１でのエポキシ樹脂液の浸漬塗布を３０分経過ごとに行い、実施例１及び比較例２については滴下時点の異なるもの各５箇、比較例１については浸漬塗布時点の異なるもの５箇をそれぞれ作成した。
【００３２】
これらの実施例品並びに比較例品のそれぞれにつき、一の各膜抵抗体と温度ヒュ−ズエレメントとをそれぞれ直列に接続し、定格電力（１Ｗ）の９倍の電力を印加し、作動時間（通電開始の後、通電が遮断されるまでの時間）を測定したところ、実施例１では２４秒〜２７秒であったのに対し、比較例１においては、２１秒〜３１秒であり、実施例１では作動時間のバラツキが僅小であるのに対して比較例１においては極めて大であった。
また、比較例２においては、３２秒〜３６秒であり、バラツキは小であったが、作動時間が遅く、作動迅速性（感温性）の点で不合格であった。
【００３３】
実施例２
図４の（イ）に示す構成を用い、抵抗体付き温度ヒュ−ズ本体には、実施例１と同じものを使用した。ケ−スには、フェノ−ル製であり、図４の（ロ）において、突出部の内部高さａ＝１．２ｍｍ、内部巾ｂ＝６．３、他の部分の巾ｃ＝４．３ｍｍ、他の部分の内部高さｄ＝１．５ｍｍ、ケ−スの厚み＝０．６ｍｍとし、ケ−スの縦寸法（温度ヒュ−ズエレメントの方向の長さ）＝９．７ｍｍとした。
他は実施例１と同様とし、エポキシ樹脂液の滴下時点の異なるもの５箇を作成した。
【００３４】
これらの実施例品につき、実施例１と同様に、一の各膜抵抗体と温度ヒュ−ズエレメントとをそれぞれ直列に接続し、定格電力（１Ｗ）の９倍の電力を印加し、作動時間（通電開始の後、通電が遮断されるまでの時間）を測定したところ、２０秒〜２３秒であり、作動時間のバラツキは実施例１と同程度であって僅小であり、また作動時間は実施例１よりも短かった。
【００３５】
【発明の効果】
本発明の抵抗体付き温度ヒュ−ズは上述した通りの構成であり、作動時間のバラツキを低減若しくは防止でき、所定の過電流が流れたのち、バラツキをよく排除して一定時間で通電を遮断できるから、電気回路を高度の信頼性のもとで保護できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１の（イ）は本発明において使用する抵抗体付き温度ヒュ−ズ本体の一例を示す平面図、図１の（ロ）は同じく底面図、図１の（ハ）は図１の（イ）におけるハ−ハ断面図、図１の（ニ）は図１の（ロ）におけるニ−ニ断面図である。
【図２】図２の（イ）は本発明の実施例を示す断面図、図２の（ロ）は図２の（イ）におけるロ−ロ断面図である。
【図３】図３の（イ）は本発明において使用する抵抗体付き温度ヒュ−ズ本体の別例を示す平面図、図３の（ロ）は同じく底面図である。
【図４】図４の（イ）は請求項２記載の発明の実施例を示す断面図、図４の（ロ）は図４の（イ）におけるケ−スを示す説明図である。
【図５】請求項２記載の発明において使用するケ−スの他の異なる例を示す正面図である。
【図６】図６の（イ）は従来のケ−ス型抵抗体付き温度ヒュ−ズを示す断面図、図６の（ロ）は図６の（イ）におけるロ−ロ断面図である。
【図７】図７の（イ）は従来の片面タイプの基板型抵抗体付き温度ヒュ−ズを示す平面説明図、図７の（ロ）は図７の（イ）におけるロ−ロ断面図である。
【図８】図８の（イ）は従来の両面タイプの基板型抵抗体付き温度ヒュ−ズを示す平面説明図、図８の（ロ）は同じく底面説明図、図８の（ハ）は図８の（イ）におけるハ−ハ断面図、図８の（ニ）は図８の（ロ）におけるニ−ニ断面図である。
【符号の説明】
１１        絶縁基板
１２        膜電極
１３        リ−ド線
１４        温度ヒュ−ズエレメント
１５        フラックス
１６        膜電極
１７        膜抵抗体
１９        リ−ド線
１          抵抗体付き温度ヒュ−ズ本体
２          ケ−ス
２０        突出部
２１        上板部
２２        枠縁
３          硬化性絶縁材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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