(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁膜と金属膜とが積層された半導体基板に研磨液を供給しながら前記絶縁膜が露出するまで前記金属膜を化学的機械的に研磨し、前記絶縁膜に形成された開口部に前記金属膜を残存させる工程と、
前記半導体基板を有機アミン系溶液又は有機アミン系雰囲気に暴露することにより、研磨後に前記開口部内の前記金属膜上に残存する異物を除去する工程と
を有することを特徴とする研磨方法。
【請求項２】
請求項１記載の研磨方法において、
前記異物を除去する工程では、前記半導体基板を前記有機アミン系溶液中に浸漬する
ことを特徴とする研磨方法。
【請求項３】
請求項１記載の研磨方法において、
前記半導体基板を研磨する工程では、研磨装置内の第１の定盤上に前記研磨液を滴下しながら前記半導体基板を研磨し、
前記異物を除去する工程では、前記研磨装置内の第２の定盤上に前記有機アミン系溶液を滴下しながら前記半導体基板基板をスクラブ洗浄する
ことを特徴とする研磨方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の研磨方法において、
前記異物を除去する工程では、金属に対して溶解抑止効果のある化合物を含有する有機アミン系溶液又は有機アミン系雰囲気中において前記半導体基板上の前記異物を除去する
ことを特徴とする研磨方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の研磨方法において、
研磨後の前記半導体基板上に残存する前記研磨液の汚染物質を除去する工程を更に有する
ことを特徴とする研磨方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の研磨方法において、
前記半導体基板を研磨する工程では、アルミナ系又はシリカ系の前記研磨液を用いて前記半導体基板基板を研磨する
ことを特徴とする研磨方法。
【請求項７】
絶縁膜と金属膜とが積層された半導体基板に研磨液を供給しながら前記絶縁膜が露出するまで前記金属膜を化学的機械的に研磨し、前記絶縁膜に形成された開口部に前記金属膜を残存させる工程と、
前記半導体基板を有機アミン系溶液又は有機アミン系雰囲気に暴露することにより、研磨後に前記開口部内の前記金属膜上に残存する異物を除去する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、研磨方法及び半導体装置の製造方法に係り、特に、化学的機械的研磨により基板表面を平坦化する研磨方法及び研磨工程を有する半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体装置の多層配線化やグローバル平坦性の向上などの要請から、ＣＭＰ（化学的機械的研磨：Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）技術が注目されている。ＣＭＰ技術とは、ウェーハ上の被研磨膜を化学的機械的に研磨することによりウェーハ表面を平坦化する技術である。
【０００３】
ＣＭＰ法を用いたウェーハの平坦化は、定盤に貼り付けられた研磨布に研磨液（スラリー）を供給しつつ、スピンドルヘッドに取り付けられたウェーハ上の被研磨膜を定盤上の研磨布に押し当て、この状態で定盤及びスピンドルヘッドを回転し、ウェーハ上の被研磨膜を研磨することにより行われる。
このようなＣＭＰ技術においては、ウェーハ及び被研磨膜と研磨布とが機械的物理的に接触した状態で行われるため、ウェーハ若しくは被研磨膜に傷が付き易く、また、研磨布の磨耗により異物がウェーハに付着することがあり、これらを低減するための技術が盛んに研究されている。
【０００４】
例えば、研磨液中にはナトリウムやカリウムなど半導体装置の特性に影響を与える汚染物質が含まれていることがあり、研磨後には、これら汚染物質除去のための処理が行われていた。汚染物質を除去するための従来の処理としては、純水による再研磨、ブラシによるスクラブ処理、高圧純水処理、超音波洗浄、ＨＦ処理、アンモニア水処理、或いはこれらの複合処理などが行われていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ＣＭＰ技術を用いた従来の研磨方法により深い窪みや溝があるウェーハや被研磨膜を研磨した場合、これら窪みや溝に異物が詰まることが本願発明者により初めて見い出された。このような異物は、上記従来の汚染物質除去のための処理では除去することができず、異物の発生原因の究明や効果的な除去方法が望まれていた。
【０００６】
また、上記窪みや溝がフォトリソグラフィー工程で使用する位置合わせマークや位置ズレ量を測定するためのマークであった場合、窪みや溝の目詰まりによって位置合わせや位置ズレ測定ができなくなることがあった。
また、このような目的で使用する窪み等でない場合であっても、以降の処理時に削り屑が剥がれ落ち、異物発生の原因となることがあった。
【０００７】
本発明の目的は、研磨後の被研磨膜やウェーハ表面の窪みに詰まった研磨布の削り屑等を除去しうる研磨方法及び半導体装置の製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、絶縁膜と金属膜とが積層された半導体基板に研磨液を供給しながら前記絶縁膜が露出するまで前記金属膜を化学的機械的に研磨し、前記絶縁膜に形成された開口部に前記金属膜を残存させる工程と、前記半導体基板を有機アミン系溶液又は有機アミン系雰囲気に暴露することにより、研磨後に前記開口部内の前記金属膜上に残存する異物を除去する工程とを有することを特徴とする研磨方法によって達成される。基板を研磨した後、その基板を有機アミン系溶液又は有機アミン系雰囲気に暴露すれば、基板の窪みや溝に研磨布などの削り屑が詰まった場合であっても、この洗浄によってこの削り屑を除去することができる。したがって、後工程においてこの削り屑による不具合、例えば、位置合わせマークの検出が不十分となったり、削り屑に起因する異物が生じることを防止することができる。
【０００９】
また、上記の研磨方法において、前記異物を除去する工程では、前記半導体基板を前記有機アミン系溶液中に浸漬するようにしてもよい。
また、上記の研磨方法において、前記半導体基板を研磨する工程では、研磨装置内の第１の定盤上に前記研磨液を滴下しながら前記半導体基板を研磨し、前記異物を除去する工程では、前記研磨装置内の第２の定盤上に前記有機アミン系溶液を滴下しながら前記半導体基板基板をスクラブ洗浄するようにしてもよい。
【００１０】
また、上記の研磨方法において、前記異物を除去する工程では、金属に対して溶解抑止効果のある化合物を含有する有機アミン系溶液又は有機アミン系雰囲気中において前記半導体基板上の前記異物を除去するようにしてもよい。金属に対して溶解抑止効果のある化合物を有機アミン系溶液又は有機アミン系雰囲気に混入すれば、有機アミン系物質によって金属膜がダメージを受けることを防止することができる。したがって、研磨後に金属膜が露出するような基板を研磨する場合には、金属に対して溶解抑止効果のある化合物を混入することが極めて有効である。
【００１１】
また、上記の研磨方法において、研磨後の前記半導体基板上に残存する前記研磨液の汚染物質を除去する工程を更に有するようにしてもよい。
また、上記の研磨方法において、前記半導体基板を研磨する工程では、アルミナ系又はシリカ系の前記研磨液を用いて前記半導体基板基板を研磨するようにしてもよい。
【００１２】
また、上記目的は、絶縁膜と金属膜とが積層された半導体基板に研磨液を供給しながら前記絶縁膜が露出するまで前記金属膜を化学的機械的に研磨し、前記絶縁膜に形成された開口部に前記金属膜を残存させる工程と、前記半導体基板を有機アミン系溶液又は有機アミン系雰囲気に暴露することにより、研磨後に前記開口部内の前記金属膜上に残存する異物を除去する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法によっても達成される。
【００１３】
【発明の実施の形態】
［第１実施形態］
本発明の第１実施形態による研磨方法及び半導体装置の製造方法について図１乃至図４を用いて説明する。
図１は本実施形態による研磨方法を示す工程図、図２及び図３は本実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図、図４は従来及び本実施形態による半導体装置の製造方法により洗浄を行った後の位置合わせマークの状態を示す平面図である。
【００１４】
本実施形態による研磨方法は、図１に示すように、研磨によりウェーハ表面を平坦化する工程（ステップＳ１１）と、主としてウェーハ上に付着した研磨液の汚染物質を取り除くための洗浄工程（ステップＳ１２）と、主として研磨後の被研磨膜やウェーハ表面の窪みに詰まった異物を取り除くための洗浄工程（ステップＳ１３）とによりウェーハの表面を平坦化することに特徴がある。
【００１５】
ここで、ステップＳ１１及びステップＳ１２は、従来の研磨方法と同様の研磨工程、洗浄工程である。ステップＳ１１の研磨工程では、例えば、シリカ系或いはアルミナ系の研磨液を用いたＣＭＰ（化学的機械研磨：Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）法によりウェーハの表面を平坦化する。また、ステップＳ１２の洗浄工程では、例えば、純水による再研磨、ブラシによるスクラブ処理、高圧純水処理、超音波洗浄、ＨＦ処理、アンモニア水処理、或いはこれらの複合処理により、研磨の際にウェーハ表面に付着した研磨液中のナトリウムやカリウムなど半導体装置の特性に悪影響を与える汚染物質を除去する。
【００１６】
ステップＳ１３の洗浄工程は、本実施形態による研磨方法の主たる特徴となる工程であり、ウェーハを有機アミン系溶液、或いは、有機アミン系の雰囲気に暴露することにより、研磨後の被研磨膜やウェーハ表面の窪みに詰まった異物を取り除く工程である。
本願発明者が鋭意検討を行った結果、研磨後の被研磨膜やウェーハ表面の窪みに詰まった異物は、主として、研磨布の連続使用による研磨布表面の荒れや被研磨膜と比較した研磨布の硬度の低下により発生する研磨布の削り屑等であり、このような異物の発生量は研磨液や研磨布の種類によって変化することが初めて明らかとなった。また、有機アミン系の溶液を用いた処理により、このような異物を除去できることをも初めて見いだした。したがって、深い窪みや溝があるウェーハや被研磨膜を研磨することにより異物が発生した場合であっても、本洗浄工程を行うことにより、このような異物を除去することができる。
【００１７】
本実施形態による研磨方法に適用しうる有機アミン系の溶液は、特に限定されるものではないが、例えば、モノメチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、モノメタノールアミン、モノエタノールアミン、コリン、テトラメチルハイドロオキサイドの水溶液などが挙げられる。
なお、基板又は被研磨膜の窪み内に残存する異物を除去する洗浄に有機アミン系水溶液を用いた場合、基板表面に金属膜（例えばタングステン膜）が露出していると、有機アミン系水溶液により金属膜がダメージを受けることがある。そこで、このような場合には、金属に対して溶解抑止効果のある化合物を含有する有機アミン系溶液若しくは有機アミン系雰囲気を用いることが望ましい。
【００１８】
有機アミン系水溶液等に混合することにより金属に対する溶解抑止効果を得ることができる化合物としては、特に限定されるものではないが、フェノール、カテコール、ピロガロールなどのフェノール系の化合物を適用することができる。以下、具体的な例を挙げ、本実施形態による半導体装置の製造方法について説明する。以下の例は、電極プラグの埋め込みプロセスにおいて本実施形態による研磨方法を適用した一例である。
【００１９】
図２及び図３は本実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図であり、各図左側が位置合わせマークの形成領域を、右側がデバイス領域を示している。
まず、下地基板１０上に、例えばＣＶＤ法により、膜厚約１μｍのシリコン酸化膜を堆積し、シリコン酸化膜よりなる層間絶縁膜１４を形成する（図２（ａ））。下地基板１０は、半導体基板であってもよいし、既に１層又は２層以上の配線層が形成されているような場合であってもよい。図２（ａ）では、配線層１２が形成されている下地基板１０を想定している。
【００２０】
次いで、通常のリソグラフィー技術及びエッチング技術を用い、層間絶縁膜１４に、開口径約０．５μｍの配線層１２に達するコンタクトホール１６を形成する。この際、位置合わせマーク形成領域には、コンタクトホール１６と上層に形成する配線層との位置合わせを行うためのアライメントマークを構成する開口部１８を形成する（図２（ｂ））。
【００２１】
続いて、全面に、例えばＣＶＤ法により、膜厚約０．５μｍのタングステン膜２０を堆積する。これにより、コンタクトホール１６内はタングステン膜２０によって完全に埋め込まれる。一方、開口部１８はその開口幅が大きいためタングステン膜２０によっては完全に埋め込まれず、表面には窪み２２が形成される（図２（ｃ））。
【００２２】
この後、例えばシリカ系又はアルミナ系の研磨液を用いたＣＭＰ法により層間絶縁膜１４が露出するまでタングステン膜２０を研磨し、コンタクトホール１６内にタングステン膜２０を残存させる。こうして、コンタクトホール１６内に埋め込まれた電極プラグ２４を形成する（図２（ｄ））。
この際、例えば研磨布の連続使用による研磨布表面の荒れや被研磨膜と比較した研磨布の硬度の低下が発生していると、図２（ｄ）に示すように、窪み２２内には研磨布の削り屑２６が残存することとなる。
【００２３】
次いで、ＣＭＰ後のウェーハを、例えば、石英製水槽内で５％アンモニア水に６０秒間浸漬し、その後、テフロン製水槽内で２％弗酸で６０秒間浸漬し、ウェーハに付着した研磨液の汚染物質を除去する。洗浄処理後のウェーハは、例えば、超純水にて水洗した後、スピン乾燥する。なお、この洗浄工程では、研磨液中に含まれるナトリウムやカリウムなどの汚染物質は除去されるが、窪み２２内の削り屑２６を除去することはできない。
【００２４】
なお、有機アミン系溶液等を用いた後述の洗浄処理又はこの後の後処理によってこれら汚染物質をも除去できるような場合には、ステップＳ１２の洗浄工程は必ずしも必要ではない。
続いて、例えば、５０％モノメタノールアミン水溶液中にウェーハを１０分間浸漬する。これにより、窪み２２内の削り屑２６が除去される（図３（ａ））。なお、有機アミン系溶液中に浸漬する代わりに、ノズルから有機アミン系水溶液を噴出させ、これにより洗浄してもよい。研磨後の基板を有機アミン系雰囲気に曝して洗浄することができれば、上記の他、いかなる方法であっても差し支えない。
【００２５】
この後、全面に、例えばスパッタ法によりアルミ膜２８を堆積し（図３（ｂ））、開口部１８よりなるアライメントマークを利用して通常のリソグラフィー技術及びエッチング技術によりアルミ膜２８をパターニングし、配線層３０を形成する（図３（ｃ））。この際、窪み２２内には削り屑２６が残存していないので、アライメントマークより得られるアライメント信号が弱められることはない。これにより、アルミ膜２８を、コンタクトホール１６のパターンに正確にアライメントすることができる。
【００２６】
なお、上記のプロセスにより半導体装置を製造し、走査型電子顕微鏡にてアライメントマークの観察を行った結果、５０％モノメタノールアミン水溶液による洗浄処理を行わなかった試料では約２μｍ幅のタングステン膜２０により覆われた開口部１８内の窪み２２に異物３２が詰まっていることが確認されたが（図４（ａ））、５０％モノメタノールアミン水溶液による洗浄処理を行った試料ではこのような異物は確認されなかった（図４（ｂ））。また、５０％モノメタノールアミン水溶液の代わりに５％テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液を用いた場合にも同様に異物は確認されなかった。また、５０％モノメタノールアミン水溶液５００ｍｌにフェノール２０ｍｇを溶解した水溶液を用いた場合にも同様に異物は確認されなかった。
【００２７】
このように、本実施形態によれば、研磨工程の後に有機アミン系溶液を用いた洗浄処理を行うので、例えば研磨布の連続使用による研磨布表面の荒れや被研磨膜と比較した研磨布の硬度の低下が発生して窪み内に削り屑が残存した場合であっても、これら削り屑を効果的に除去することができる。また、窪み内の削り屑異物が後工程で剥がれ落ち、異物発生の原因となることも防止することができる。
【００２８】
なお、上記実施形態では、ウェーハ上に付着した研磨液の汚染物質を取り除くための洗浄工程（ステップＳ１２）を行った後に、研磨後の被研磨膜やウェーハ表面の窪みに詰まった研磨布の削り屑等を取り除くための洗浄工程（ステップＳ１３）を行ったが、これら洗浄工程は、いずれを先に行ってもよい。
［第２実施形態］
本発明の第２実施形態による研磨方法及び半導体装置の製造方法について図５及び図６を用いて説明する。
【００２９】
図５は本実施形態による研磨方法を示す工程図、図６は本実施形態による研磨方法に用いる研磨装置の構造を示す概略図である。
本実施形態による研磨方法は、図５に示すように、研磨によりウェーハ表面を平坦化する工程（ステップＳ２１）と、主として研磨後の被研磨膜やウェーハ表面の窪みに詰まった異物を取り除くための洗浄工程（ステップＳ２２）と、主としてウェーハ上に付着した研磨液の汚染物質を取り除くための洗浄工程（ステップＳ２３）とによりウェーハの表面を平坦化する研磨方法であって、ステップＳ２１と、ステップＳ２２を、ともに同一の研磨装置内で行うことに特徴がある。
【００３０】
通常、研磨装置内には二つ以上の定盤が設けられており、例えば、一の定盤を用いて本研磨（研磨液を用いた研磨）を行い、その後、他の定盤を用いて純水研磨（純水による洗浄）が行われている。
純水研磨は、ウェーハが載置された定盤上に純水を滴下しながらウェーハ表面を研磨布でスクラブして洗浄を行うものであるが、このときに純水の代わりに有機アミン系水溶液を滴下しつつスクラブ処理を行えば、第１実施形態による研磨方法におけるステップＳ１３と同様の洗浄を行うことができる。
【００３１】
そこで、本実施形態による研磨方法では、研磨装置内の第１の定盤上にウェーハを載置して通常のＣＭＰ法と同様にウェーハの研磨を行い、次いでウェーハを第２の定盤に搬送し、続いて有機アミン系水溶液を滴下しつつ通常のバフ研磨と同様のスクラブ処理を行い、この後ウェーハを第２の定盤に載置したままで有機アミン系水溶液を純水に切り換えて通常のバフ研磨を行うこととしている。
【００３２】
以下、具体的な例を挙げ、本実施形態による半導体装置の製造方法について説明する。
まず、例えば図２（ａ）乃至図２（ｃ）に示す第１実施形態による半導体装置の製造方法と同様にして、下地基板１０上に、層間絶縁膜１４、コンタクトホール１６、開口部１８、タングステン膜２０を形成する。
【００３３】
次いで、この基板を、図６に示すような研磨装置内に装填する。図６に示す研磨装置４０は、装置内に複数の定盤４２ａ、４２ｂを有している。定盤４２ａ、４２ｂ上には、研磨４４ａ、４４ｂ布がそれぞれ設けられている。定盤４２ａ、４２ｂ上には、また、基板４６を把持して研磨布４４ａ、４４ｂと基板とを密着させるためのスピンドルヘッド４８ａ、４８ｂがそれぞれ設けられている。定盤４２ａ上には、研磨液を滴下する供給器５０ａが設けられており、定盤４２ｂ上には有機アミン系水溶液を滴下する供給器５０ｂと、純水を滴下する供給器５０ｃとが設けられている。
【００３４】
続いて、研磨装置４０内に装填された基板をスピンドルヘッド４８ａにより把持し、定盤４２ａ上において研磨する。例えば、シリカ系又はアルミナ系の研磨液を供給器５０ａから滴下しつつ層間絶縁膜１４が露出するまでタングステン膜２０を研磨し、コンタクトホール１６内にタングステン膜２０を残存させる。こうして、コンタクトホール１６内に埋め込まれた電極プラグ２０を形成する（図６、図２（ｄ）参照）。
【００３５】
この際、例えば研磨布の連続使用による研磨布表面の荒れや被研磨膜と比較した研磨布の硬度の低下が発生していると、図２（ｄ）に示すように、窪み２２内には研磨布の削り屑２６が残存することとなる。
この後、基板をスピンドルヘッド４８ａからスピンドルヘッド４８ｂに搬送し、定盤４２ｂ上において洗浄する。例えば、５０％モノメタノールアミン水溶液を供給器５０ｂから滴下しつつ基板を６０秒間研磨し、次いで、５０％モノメタノールアミン水溶液の滴下を停止した後に純水を供給器５０ｃから滴下しつつ基板を２０秒間研磨し、基板を洗浄する。この洗浄により、基板の窪み２２内に残存する研磨布の削り屑２６などを除去することができる（図６、図３（ａ）参照）。
【００３６】
次いで、基板を研磨装置内から取り出し、第１実施形態による半導体装置の製造方法におけるステップＳ１２と同様にして基板を洗浄する。例えば、石英製水槽内で５％アンモニア水に６０秒間浸漬し、その後、テフロン製水槽内で２％弗酸で６０秒間浸漬し、ウェーハに付着した研磨液の汚染物質を除去する。洗浄処理後のウェーハは、例えば、超純水にて水洗した後、スピン乾燥する。
【００３７】
この後、図３（ｂ）及び図３（ｃ）に示す第１実施形態による半導体装置の製造方法と同様にして、アルミ膜等を形成する。
上記のプロセスにより半導体装置を製造し、走査型電子顕微鏡にてアライメントマークの観察を行った結果、約２μｍ幅のタングステン膜２０により覆われた窪み２２内には異物は確認されなかった。
【００３８】
このように、本実施形態によれば、基板又は被研磨膜の窪み内に残存する異物を除去する洗浄を、研磨工程に引き続いて一の研磨装置内で行うことができる。
［変形実施形態］
本発明は上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
例えば、上記実施形態では、電極プラグの製造プロセスに本発明を適用した例を示したが、電極プラグの製造プロセスに限られるものではなく、研磨工程後の洗浄に広く適用することができる。また、半導体装置の製造プロセスにおける基板の研磨のみならず、他の基板の研磨にも同様に適用することができる。
【００３９】
また、上記実施形態では、ＣＭＰ法により研磨を行った後の洗浄処理について示したが、化学的な研磨を伴わない物理的な研磨のみによって基板を研磨する場合にも同様に適用することができる。
【００４０】
【発明の効果】
以上の通り、本発明によれば、半導体基板表面に研磨液を供給しながら前記半導体基板上に形成された被研磨膜を化学的機械的に研磨する工程と、半導体基板を有機アミン系溶液又は有機アミン系雰囲気に暴露することにより半導体基板上の異物を除去する工程とにより研磨を行うので、研磨工程において基板の窪みや溝に研磨布などの削り屑が詰まった場合であっても、異物除去工程の洗浄によってこの削り屑を除去することができる。したがって、後工程においてこの削り屑による不具合、例えば、位置合わせマークの検出が不十分となったり、削り屑に起因する異物が生じることを防止することができる。したがって、本発明により、ＶＬＳＩ、ＵＬＳＩなどの半導体装置の製造に有効な基板の平坦化及びその後の洗浄が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態による研磨方法を示す工程図である。
【図２】本発明の第１実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その１）である。
【図３】本発明の第１実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その２）である。
【図４】従来及び本発明の第１実施形態による半導体装置の製造方法により洗浄を行った後の位置合わせマークの状態を示す平面図である。
【図５】本発明の第２実施形態による研磨方法を示す工程図である。
【図６】本発明の第２実施形態による研磨方法に用いる研磨装置の構造を示す概略図である。
【符号の説明】
１０…下地基板
１２…配線層
１４…層間絶縁膜
１６…コンタクトホール
１８…開口部
２０…タングステン膜
２２…窪み
２４…電極プラグ
２６…削り屑
２８…アルミ膜
３０…配線層
３２…異物
４０…研磨装置
４２…定盤
４４…研磨布
４６…基板
４８…スピンドルヘッド
５０…供給器
【図１】
0003545220.tif 000002
【図２】
0003545220.tif 000003
【図３】
0003545220.tif 000004
【図４】
0003545220.tif 000005
【図５】
0003545220.tif 000006
【図６】
0003545220.tif 000007