(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
エレクトレット誘電体膜を上面に張り付けた背極或いは振動膜が張り付けられた金属材料より成る振動膜リングを上端面に載置して保持するセラミックパッケージを具備し、
セラミックパッケージ７の周側壁の上端面に入力端子面を構成する金属材料被膜を全周に亘って成膜形成し、
周側壁の内側面および底部の上面に亘って入力端子面から延伸して入力導電被膜を成膜形成し、
インピーダンス変換回路を含むＩＣベアチップをセラミックパッケージの底部に取り付け、
入力導電被膜をＩＣベアチップの入力端に電気接続し、
金属の筒体より成るカプセルを具備し、
セラミックパッケージをカプセル内に収容したことを特徴とするエレクトレットコンデンサマイクロホン。
【請求項２】
請求項１に記載されるエレクトレットコンデンサマイクロホンにおいて、
カプセルの前面板の内面にエレクトレット誘電体膜を被着形成し、
カプセル内にスペーサを介して振動膜リングを収容し、次いでセラミックパッケージを収容し、
カプセルをセラミックパッケージにカシメ付けたことを特徴とするエレクトレットコンデンサマイクロホン。
【請求項３】
請求項１に記載されるエレクトレットコンデンサマイクロホンにおいて、
振動膜リングをカプセルの前面板の内面に接触して収容し、次いでエレクトレット誘電体膜を上側にしスペーサを介して背極を収容し、更にセラミックパッケージを収容し、
カプセルをセラミックパッケージにカシメ付けたことを特徴とするエレクトレットコンデンサマイクロホン。
【請求項４】
請求項１に記載されるエレクトレットコンデンサマイクロホンにおいて、
下面にエレクトレット誘電体膜が被着形成される振動膜が張り付けられた振動膜リングをカプセルの前面板の内面に接触して収容し、次いでスペーサを介して背極を収容し、更にセラミックパッケージを収容し、
カプセルをセラミックパッケージにカシメ付けたことを特徴とするエレクトレットコンデンサマイクロホン。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４の内の何れかに記載されるエレクトレットコンデンサマイクロホンにおいて、
セラミックパッケージは底部とこれに結合一体化した周側壁より成るものであることを特徴とするエレクトレットコンデンサマイクロホン。
【請求項６】
請求項５に記載されるエレクトレットコンデンサマイクロホンにおいて、
セラミックグリーンシートから底部素片および周側壁素片を切り出し、底部素片に周側壁素片を重ね加圧一体化し、焼成して構成したものであることを特徴とするエレクトレットコンデンサマイクロホン。
【請求項７】
請求項２ないし請求項４の内の何れかに記載されるエレクトレットコンデンサマイクロホンにおいて、
セラミックパッケージの周側壁の下端部にカプセルをカシメ付ける係合段部を互いに対向して形成したことを特徴とするエレクトレットコンデンサマイクロホン。
【請求項８】
請求項１ないし請求項７の内の何れかに記載されるエレクトレットコンデンサマイクロホンにおいて、
ＩＣベアチップをセラミックパッケージ７にフリップチップボンディングしたことを特徴とするエレクトレットコンデンサマイクロホン。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、エレクトレットコンデンサマイクロホンに関し、特に、背極或いは振動膜が張り付けられた振動膜リングの機械的保持とこれらを含む種々の電気部品の電気接続を実施する部材として１個のセラミックパッケージを採用するエレクトレットコンデンサマイクロホンに関する。
【０００２】
【従来の技術】
エレクトレットコンデンサマイクロホン（以下、これをＥＣＭ、と称す）の従来例を図８を参照して説明する。図８に示されるＥＣＭはバックエレクトレット型のＥＣＭである。
図８において、カプセル１はアルミニウムの如き金属の筒体より成る。カプセル１の一端面はその前面板１０により閉塞されている。前面板１０の中心には音孔である中心孔１ａが形成されている。カプセル１内には、金属材料より成る振動膜リング８に張り付けられた振動膜７が収容され、振動膜リング８は前面板１０に接触している。背極４の上表面にはエレクトレット誘電体膜５が被着形成されている。振動膜７は絶縁性のスペーサ６を介して背極４上表面のエレクトレット誘電体膜５と対向、位置決めされている。３は樹脂ホルダである。樹脂ホルダ３はその上端部全周縁に段部が形成され、ここに背極４を嵌合保持する。樹脂ホルダ３の中央部には背室１１が形成されている。この背室１１内にインピーダンス変換用ＩＣ素子９が配置されている。２はプリント配線基板である。
【０００３】
以上のＥＣＭにおいて、エレクトレット誘電体膜５が上面に形成される背極４が一方の電極を構成し、振動膜７が他方の電極を構成する。この一方の電極である背極４はインピーダンス変換用ＩＣ素子９の入力端子と接続し、他方の端子をプリント配線基板２の配線に接続する。他方の電極である振動膜７は金属材料より成る振動膜リング８、カプセル１および図示されない導線を介してアース端子５２に電気接続する。ここで、ＥＣＭは、中心孔１ａを介して音波が進入するとこれにより振動膜７は振動し、この振動に対応する振動膜７と背極４との間の電気容量変化を音声信号として出力５１に出力することができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、以上の従来例において、背極４を固定保持するホルダとして樹脂ホルダ３を使用している。この樹脂ホルダ３は、上端部全周縁に背極４を保持する段部を形成するが、外形寸法が微小なものであるので機械加工は必ずしも容易ではなく、そして、機械的強度を或る程度大きいものにする必要上、樹脂ホルダ３自体の重量のＥＣＭの全重量に占める割合は比較的に大きくなる。プリント配線基板２は、インピーダンス変換用ＩＣ素子９を配置してこれと電気機械的に結合し、更に、出力端子、アース端子その他の電気接続部材が形成される。
【０００５】
このＥＣＭは、背極４の機械的保持と背極４を含む種々の電気接続を構成する上において、結局、樹脂ホルダ３と、プリント配線基板２の２個の電気部品を使用している。部品の数が１個でも増加すると、その分だけ組み立て工数は増加すると共に部品の組み込み忘れ或いは組み込み誤りその他の不良発生の恐れを増大することとなるので、部品点数は極力少なくしたい。
この発明は、背極或いは振動膜が張り付けられた振動膜リングの機械的保持とこれらを含む種々の電気部品の電気接続を実施する部材として１個のセラミックパッケージを採用して上述の問題を解消したＥＣＭを提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
請求項１：エレクトレット誘電体膜１６１を上面に張り付けた背極１８或いは振動膜１６が張り付けられた金属材料より成る振動膜リング１５を上端面に載置して保持するセラミックパッケージ７を具備し、セラミックパッケージ７の周側壁７２の上端面に入力端子面７３を構成する金属材料被膜を全周に亘って成膜形成し、周側壁７２の内側面および底部７１の上面に亘って入力端子面７３から延伸して入力導電被膜７４を成膜形成し、インピーダンス変換回路を含むＩＣベアチップをセラミックパッケージ７の底部７１に取り付け、入力導電被膜７４をＩＣベアチップ５０’の入力端５３’に電気接続し、金属の筒体より成るカプセル１０を具備し、セラミックパッケージ７をカプセル１０内に収容したエレクトレットコンデンサマイクロホンを構成した。
【０００７】
そして、請求項２：請求項１に記載されるエレクトレットコンデンサマイクロホンにおいて、カプセル１０の前面板１２の内面にエレクトレット誘電体膜１６１を被着形成し、カプセル１０内にスペーサ１７を介して振動膜リング１５を収容し、次いでセラミックパッケージ７を収容し、カプセル１０をセラミックパッケージ７にカシメ付けたエレクトレットコンデンサマイクロホンを構成した。
また、請求項３：請求項１に記載されるエレクトレットコンデンサマイクロホンにおいて、振動膜リング１５をカプセル１０の前面板１２の内面に接触して収容し、次いでエレクトレット誘電体膜１６１を上側にしスペーサ１７を介して背極１８を収容し、更にセラミックパッケージ７を収容し、カプセル１０をセラミックパッケージ７にカシメ付けたエレクトレットコンデンサマイクロホンを構成した。
【０００８】
更に、請求項４：請求項１に記載されるエレクトレットコンデンサマイクロホンにおいて、下面にエレクトレット誘電体膜１６１が被着形成される振動膜１６が張り付けられた振動膜リング１５をカプセル１０の前面板１２の内面に接触して収容し、次いでスペーサ１７を介して背極１８を収容し、更にセラミックパッケージ７を収容し、カプセル１０をセラミックパッケージ７にカシメ付けたエレクトレットコンデンサマイクロホンを構成した。
【０００９】
ここで、請求項５：請求項１ないし請求項４の内の何れかに記載されるエレクトレットコンデンサマイクロホンにおいて、セラミックパッケージ７は底部７１とこれに結合一体化した周側壁７２より成るものであるエレクトレットコンデンサマイクロホンを構成した。
そして、請求項６：請求項５に記載されるエレクトレットコンデンサマイクロホンにおいて、セラミックグリーンシート７９から底部素片７１’および周側壁素片７２’を切り出し、底部素片７１’に周側壁素片７２’を重ねて加圧一体化し、焼成して構成したものであるエレクトレットコンデンサマイクロホンを構成した。
【００１０】
また、請求項７：請求項２ないし請求項４の内の何れかに記載されるエレクトレットコンデンサマイクロホンにおいて、セラミックパッケージ７の周側壁７２の下端部にカプセルをカシメ付ける係合段部７２１を互いに対向して形成したエレクトレットコンデンサマイクロホンを構成した。
更に、請求項８：請求項１ないし請求項７の内の何れかに記載されるエレクトレットコンデンサマイクロホンにおいて、ＩＣベアチップ５０’をセラミックパッケージ７にフリップチップボンディングしたエレクトレットコンデンサマイクロホンを構成したを構成した。
【００１１】
【発明の実施の形態】
この発明の実施の形態を図の実施例を参照して説明する。
図１は実施例のカプセルおよびセラミックパッケージの外観を説明する。図１（ａ）はカプセルの内側を示す斜視図、図１（ｂ）はカプセルの原材料板金を示す図、図１（ｃ）はセラミックパッケージにカプセルをカシメ付けて組み立てられたＥＣＭの下側を示す斜視図、図１（ｄ）は組み立てられたＥＣＭの上側を示す斜視図である。
【００１２】
カプセル１０は、図１（ｂ）に示されるカプセルの原材料板金に絞り、切断加工を施すことにより形成される。１１１は後で説明されるカシメ片である。１６１はエレクトレット誘電体膜である。このエレクトレット誘電体膜１６１は、原材料板金に予め塗布し熱溶着せしめられていたテトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）を帯電処理することにより形成される。
図２を参照してフロントエレクトレット型ＥＣＭの実施例を説明する。
【００１３】
図２において、カプセル１０はアルミニウム或いは洋白の如き金属板を四角筒体に加工して形成されたものである。カプセル１０の一端面はその前面板１２により閉塞されている。前面板１２の中心部には音孔であるスリット１３が形成されている。前面板１２の下表面にはエレクトレット誘電体膜１６１が被着形成されている。エレクトレット誘電体膜１６１は、１３μｔ  の膜厚にＦＥＰを前面板１２の下表面に塗布して３３０℃前後、３０分程の熱処理を施し、或いはフィルムをラミネートすることにより形成される。カプセル１０内には金属材料より成る振動膜リング１５に張り付けられた振動膜１６が収容されている。この場合、振動膜１６は絶縁性のスペーサ１７を介してエレクトレット誘電体膜１６１の下面に対向位置決めされている。振動膜１６は２μｔ  の膜厚のポリプロピレンサルファイド（ＰＰＳ）或いはポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）の片面に４００Ａ゜の膜厚のニッケル蒸着薄膜を成膜したものより成る。ＥＣＭをリフロー半田付けすることを念頭におく場合、振動膜１６は膜厚１〜２μｔ  のニッケル薄膜が使用される。
【００１４】
７はこの発明によるセラミックパッケージを示す。セラミックパッケージ７はセラミックより成る高さの極く低い皿状の四角筒体より成る。セラミックパッケージ７は底部７１と底部７１に一体に構成される周側壁７２より成る。周側壁７２の上端面は振動膜リング１５を支持している。セラミックパッケージ７の周側壁７２の下端部中央には係合段部７２１が対向して２組形成されている。角型のカプセル１０の側壁１１の開口端には４個のカシメ片１１１が形成されている。セラミックパッケージ７の底部７１の上面にはＩＣベアチップ５０’が位置決めされ、導電性熱硬化エポキシ接着剤によりダイボンドされ、ワイヤーボンディング後、ＩＣベアチップ５０’全体を合成樹脂により完全封印する。側壁１１のカシメ片１１１を係合段部７２１にカシメ付けることによりＥＣＭは封止される。
【００１５】
図３を参照してセラミックパッケージ内の電気接続を説明する。図３（ａ）はセラミックパッケージおよび内部におけるＩＣベアチップの電気接続を説明する斜視図、図３（ｂ）はセラミックパッケージの下面を示す斜視図である。
図３において、上述した通り、セラミックパッケージ７の周側壁７２の外側下端部中央には底部７１下面から係合段部７２１が４辺共に形成されている。周側壁７２の上端面には入力端子面７３を構成する金属材料被膜が全周に亘って成膜形成されている。入力導電被膜７４は、周側壁７２の内側面および底部７１の上面に亘って、入力端子面７３から延伸して成膜形成されている。入力導電被膜７４は、ＩＣベアチップ５０’の入力端５３’にボンディングワイヤ５９を介して接続している。７５は底部７１の上面に成膜形成される出力接続被膜である。ＩＣベアチップ５０’の出力端５１’はボンディングワイヤ５９を介してこの出力接続被膜７５に接続している。７６はアース接続被膜である。ＩＣベアチップ５０’のアース端５２’はボンディングワイヤ５９を介してこのアース接続被膜７６に接続している。出力接続被膜７５とアース接続被膜７６の間にはチップコンデンサが接続している。セラミックパッケージ７の下面中央部には出力端子５１が成膜形成されている。図に明示されたいる訳ではないが、出力端子５１は底部７１を貫通するスルーホールを介して出力接続被膜７５に電気接続している。セラミックパッケージ７の下面には出力端子５１を包囲してアース端子５２が全面に成膜形成されている。そして、アース端子５２は、更に、周側壁７２の下端部中央に底部７１下面から形成される係合段部７２１に連続して一体に成膜形成されている。アース接続被膜７６も、図に明示されたいる訳ではないが、底部７１を貫通するスルーホールを介してセラミックパッケージ７の下面に成膜形成されるアース端子５２に電気接続している。
【００１６】
図２および図３の他に先の図９をも参照してＥＣＭの電気接続について説明する。ＥＣＭにおいて、振動膜１６が一方の電極を構成し、カプセル１０の前面板１２が他方の電極を構成する。この一方の電極である振動膜１６は、金属材料より成る振動膜リング１５、周側壁７２の上端面全周に亘って形成される入力端子面７３、入力導電被膜７４、ボンディングワイヤ５９を介してＩＣベアチップ５０’の入力端５３’に接続している。他方の電極であるカプセル１０の前面板１２は、セラミックパッケージ７の係合段部７２１および下面に成膜形成されるアース端子５２、スルーホール、出力接続被膜７６、ボンディングワイヤ５９を介してＩＣベアチップ５０’のアース端５２’に電気接続している。
【００１７】
ここで、ＥＣＭは、中心孔１３を介してカプセル１０内に音響振動が進入すると、これにより振動膜１６は振動し、この振動に対応する振動膜１６とカプセル１０の前面板１２との間の電気容量変化を音声信号として抵抗５５両端間に出力することができる。
図４および図５を参照してセラミックパッケージの製造工程を説明する。図４はセラミックグリーンシートを示す図であり、図４（ａ）は切り出し前のセラミックグリーンシートを示す図、図４（ｂ）は切り出された個片を示す図である。図５はセラミックパッケージを構成する素片を示す図であり、図５（ａ）はセラミックパッケージの底部素片を示す斜視図、図５（ｂ）は底部に一体に構成される周側壁素片を示す斜視図である。
【００１８】
セラミックグリーンシート７９は縦６２ｍｍ×横１００ｍｍ程度の形状寸法を有している。この１枚のセラミックグリーンシート７９から４．  ０ｍｍ角程度の個片７’を切り出す。この個片７’は底部素片７１’と周側壁素片７２’より成る。ここで、１枚のセラミックグリーンシート７９を準備し、これを使用して図５（ａ）に示される底部素片７１’を切り出す。そして、小さな丸により示されるスルーホールも形成しておく。次いで、別の１枚のセラミックグリーンシート７９を準備し、これを使用して図５（ｂ）に示される周側壁素片７２’を切り出す。焼成するに先だって、底部素片７１’に周側壁素片７２’を重ね加圧して両者を一体化する。底部素片７１’に周側壁素片７２’を重ね合わせたところで、底部素片７１’の切り欠き７２１’と周側壁素片７２’の下面により係合段部７２１が形成される。一体化された底部素片７１’と周側壁素片７２’を焼成炉において焼成してセラミックパッケージ７が形成される。出力端５１’、アース端５２’、入力端５３’、導電被膜５４は焼成後に成膜形成される。
【００１９】
図６はバックエレクトレット型ＥＣＭの実施例の断面を示す図である。先の実施例と共通する部材には共通する参照符号を付与している。
図６において、カプセル１０はアルミニウム洋白の如き金属の筒体より成る。カプセル１０の一端面はその前面板１２により閉塞されている。前面板１２の中心部には音孔である中心孔或いはスリット１３が形成されている。カプセル１０内には、金属材料より成る振動膜リング１５に張り付けられた振動膜１６が収容され、振動膜リング１５は前面板１２に接触している。振動膜１６はＰＰＳ或いはＰＥＴの片面に４００Ａ゜膜厚のニッケル蒸着薄膜を成膜したものより成る。ＥＣＭをリフロー半田付けすることを念頭におく場合、振動膜１６は膜厚１〜２μｔ  のニッケル薄膜が使用される。黄銅或いは真鍮より成る背極１８の上表面にはエレクトレット誘電体膜１６１が被着形成されている。エレクトレット誘電体膜１６１は、膜厚１０〜２５μｔ  のＦＥＰを蒸着し、或いは膜厚２〜５μｔ  の２酸化珪素を蒸着することにより形成される。振動膜１６は絶縁性のスペーサ１７を介して背極１８上表面のエレクトレット誘電体膜１６１と対向、位置決めされている。セラミックパッケージ７の周側壁７２はその上端部内側全周縁に段部４１が形成され、ここに背極１８を嵌合保持している。この段部４１の上面には入力端子面７３が成膜形成されている。
【００２０】
図６の他に図９をも参照して説明するに、このバックエレクトレット型ＥＣＭは、エレクトレット誘電体膜１６１が上面に形成される背極１８が一方の電極を構成し、振動膜１６が他方の電極を構成する。この一方の電極である背極１８は段部４１の上面に成膜形成される入力端子面７３に接触し、入力導電被膜７４、ボンディングワイヤ５９を介してＩＣベアチップ５０’の入力端５３’に接続している。他方の電極である振動膜１６は金属材料より成る振動膜リング１５、カプセル１０、そのカシメ片１１１および係合段部７２１に成膜形成されるアース端子５２およびアース端５２’に電気接続する。ここで、ＥＣＭは、中心孔１３を介して音響振動が進入すると、これにより振動膜１６は振動し、この振動に対応する振動膜１６と背極１８との間の電気容量変化を音声信号として抵抗５５両端間に出力することができる。
【００２１】
図７はフォイルエレクトレット型ＥＣＭの実施例の断面を示す図である。図６の実施例と共通する部材には共通する参照符号を付与している。
図７において、振動膜１６はその下面にエレクトレット誘電体膜１６１が被着形成されている。この振動膜１６の上面は金属材料より成る振動膜リング１５に張り付けられ、このリングを介してカプセル１０の前面板１２の裏面に電気機械的に接続している。この振動膜１６の下面は絶縁性のスペーサ１７を介して背極１８上表面に位置決め保持されている。
【００２２】
このフォイルエレクトレット型ＥＣＭは、背極１８が一方の電極を構成し、振動膜１６が他方の電極を構成する。この一方の電極である背極１８は、段部４１の上面に成膜形成される入力端子面７３に接触し、入力導電被膜７４、ボンディングワイヤ５９を介してＩＣベアチップ５０’の入力端５３’に接続している。他方の電極である振動膜１６は金属材料より成る振動膜リング１５、カプセル１０、そのカシメ片１１１および係合段部７２１に成膜形成されるアース端子５２およびアース端５２’に電気接続する。ここで、ＥＣＭは、中心孔１３を介して音響振動が進入すると、これにより振動膜１６は振動し、この振動に対応する振動膜１６と背極１８との間の電気容量変化を音声信号として抵抗５５両端間に出力することができる。
【００２３】
ここで、ベアチップ５０’をセラミックパッケージ７にフリップチップボンディングすることにより、ＥＣＭの外形寸法を小さくすると共に、コストを低減する効果を奏す。これを図１０を参照する。ベアチップ５０’は下面に端子として金、或いは半田の如き金属より成るバンプ５０１が形成されている。セラミックパッケージ７の底部７１には入力端５３’が形成されている。バンプ５０１と入力端５３’の間の接続は両者の間に異方性導電膜６１を適用して実施される。異方性導電膜６１を形成する接合材料は熱硬化性合成樹脂６１１中に微小な金ボール６１２を分散させたものより成る。この接合材料をセラミックパッケージ７の底部７１におけるベアチップ５０’を接合しようとする領域に塗布し、バンプ５０１と入力端５３’を対向させた状態でこの領域にベアチップ５０’を載置し、加熱しながらベアチップ５０’を底部７１に圧し付ける。この場合、押圧力が加えられるバンプ５０１とゲート端５３’の間の熱硬化性合成樹脂６１１中に分散する微小な金ボール６１２は、熱硬化性合成樹脂を排除しながら凝集接触するに到り、結局、バンプ５０１とゲート端５３’の間はこの凝集接触した微小な金ボール６１２を介して電気的に接続される。
【００２４】
【発明の効果】
以上の通りであって、この発明は、背極或いは振動膜が張り付けられた振動膜リングの機械的保持とこれらを含む種々の電気部品の電気接続を実施する部材として１個のセラミックパッケージを採用することにより、部品数を少なくした組み立て容易なＥＣＭを提供するものである。即ち、セラミックパッケージは、従来例における樹脂ホルダおよびプリント配線基板の２部品の役割を１個の部品で果たしており、部品数の減少と組み立て工程数の減少に大きく貢献している。そして、部品数が減少して部品の組み込み忘れ或いは組み込み誤りその他の不良発生の恐れも少なくしている。
【００２５】
また、セラミックパッケージ７を底部とこれに結合一体化した周側壁より成るものとし、セラミックグリーンシートから底部素片および周側壁素片を切り出して、両者をを重ねて加圧一体化し、焼成することにより多数のセラミックパッケージ７を能率良く製造することができる。
更に、カプセルをカシメ付ける係合段部をセラミックパッケージの周側壁に形成することにより、カプセルをカシメ付ける力はセラミックパッケージの周側壁にその高さ方向のみに加わるに過ぎず、底部に加わることはないので、底部の厚さを小さくしてもセラミックパッケージが損傷する恐れは少ない。従って、底部の厚さを小さくする分だけ、ＥＣＭの高さを小さくすることができる。また、ＩＣベアチップをセラミックパッケージ７にフリップチップボンディングすることにより、ＩＣベアチップおよびこの取り付けに関する高さを小さくすることができ、これもＥＣＭの高さを小さくすることに貢献している。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例の外観を示す図。
【図２】フロントエレクトレット型ＥＣＭの断面を示す図。
【図３】セラミックパッケージを説明する斜視図。
【図４】セラミックパッケージの製造工程を説明する図。
【図５】セラミックパッケージを構成する素片を示す図。
【図６】バックエレクトレット型ＥＣＭの断面を示す図。
【図７】フォイルエレクトレット型ＥＣＭの断面を示す図。
【図８】従来例を説明する図。
【図９】ＥＣＭ内の電気接続を説明する図。
【図１０】フリップチップボンディングを説明する図。
【符号の説明】
１０  カプセル
１５  振動膜リング
１６  振動膜
１６１  エレクトレット誘電体膜
１８  背極
５０’ＩＣベアチップ
５３’入力端
７  セラミックパッケージ
７１  底部
７２  周側壁
７３  入力端子面
７４  入力導電被膜
【図１】
0003574774.tif 000002
【図２】
0003574774.tif 000003
【図３】
0003574774.tif 000004
【図４】
0003574774.tif 000005
【図５】
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【図６】
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【図７】
0003574774.tif 000008
【図８】
0003574774.tif 000009
【図９】
0003574774.tif 000010
【図１０】
0003574774.tif 000011