(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハ上に下側配線を形成する金属系配線材料層を利用して該下側配線及び下側アライメント・マークを同時に形成する工程と、
次いで、該下側配線及び下側アライメント・マークを含む全面に下側層間絶縁膜を形成してから該下側層間絶縁膜を平坦化する工程と、
次いで、該平坦化された下側層間絶縁膜上に上側配線を形成する金属系配線材料層を利用して該上側配線及び上側アライメント・マーク及び該下側アライメント・マークを覆うアライメント・マーク被覆膜を同時に形成する工程と、
次いで、該上側配線及び上側アライメント・マーク及び該下側アライメント・マークを覆うアライメント・マーク被覆膜を含む全面に上側層間絶縁膜を形成する工程と、
次いで、該上側層間絶縁膜を利用して該アライメント・マーク被覆膜上にアライメント・マークを形成する工程と
が含まれてなることを特徴とするアライメント・マークの形成方法。
【請求項２】
表面にアライメント・マークが形成された第一の半導体ウエハを絶縁膜を介して第二の半導体ウエハと貼り合わせる工程と、
次いで、該アライメント・マークを残して第一の半導体ウエハを除去してから該アライメント・マークを含む全面に層間絶縁膜を形成する工程と
が前挿され、
その後、下側配線を形成する金属系配線材料層を利用して該下側配線及び下側アライメント・マーク及び第二の半導体ウエハ上に於いて該層間絶縁膜で覆われたアライメント・マークを覆うアライメント・マーク被覆膜を同時に形成する工程に連なること
を特徴とする請求項１記載のアライメント・マークの形成方法。
【請求項３】
アライメント・マーク被覆膜は少なくとも被覆対象であるアライメント・マークで反射されたアライメント光が検知されない厚さをもって形成されること
を特徴とする請求項１或いは２記載のアライメント・マークの形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、特に超ＬＳＩ（ｌａｒｇｅ  ｓｃａｌｅ  ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄｃｉｒｃｕｉｔ）を製造する工程中で適用されるリソグラフィ技術を実施する際に用いて好適なアライメント・マークの形成方法に関する。
【０００２】
一般に、超ＬＳＩの微細化が進むにつれ、そのパターンを形成する際のアライメント精度に厳密さが要求されるのは当然である。
【０００３】
アライメント精度を向上させる為には、アライメント・マークの形成方法、例えば配置の仕方などについても検討が必要であり、また、アライメント・マークが占有する面積を最小限に留めるようにすることで、チップ・サイズの小型化を図る必要があり、本発明は、このような要求に応える一手段を提供する。
【０００４】
【従来の技術】
図１０は従来の技術を解説する為の工程要所に於けるウエハを表す要部切断側面図である。
【０００５】
図に於いて、１はＳｉからなるウエハ、２は例えばＳｉＯ２  系からなる第一層目絶縁膜、３Ｍは例えばＡｌ系からなる第一層目配線で形成したアライメント・マーク、４は例えばＳｉＯ２  系からなる第二層目絶縁膜、４Ｍは第二層目絶縁膜４で形成したアライメント・マーク、５Ｍは例えばＡｌ系からなる第二層目配線で形成したアライメント・マーク、６は例えばＳｉＯ２  系からなる第三層目絶縁膜、６Ｍは第三層目絶縁膜６で形成したアライメント・マーク、Ｐ１乃至Ｐ４はアライメント・マークが占める領域をそれぞれ示している。
【０００６】
図から明らかなように、アライメント・マークを形成する場合、さきに形成したアライメント・マークとは異なる場所に等ピッチ、即ち、等間隔で配置するようにしている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
従来の技術に依ってアライメント・マークを形成する場合、必要とされるアライメント・マークの個数と同じ数の占有領域が必要であり、図１０に於いては、４個のアライメント・マーク３Ｍ、４Ｍ、５Ｍ、６Ｍが存在する為、それぞれが一つの占有領域を必要とし、従って、全部で四つの占有領域を用いている。
【０００８】
例えば、ロジック系の品種では、通常、五層分の加工工程を必要とするものが多く、その場合、アライメント・マークは８個を必要とし、その占有面積は、例えば２００〔μｍ２  〕／個であるから、全部で２００×８＝１６００〔μｍ２  〕にもなってしまい、かなりの大きさである。
【０００９】
また、アライメント・マークが、露光のショット中心を原点とするＸ軸及びＹ軸からずれて配置された場合、測定マーク座標に倍率成分が含まれてしまう為、正確な並進成分を捕らえることが不可能になり、アライメント・エラーの補正を正確に行うことができない。
【００１０】
更にまた、前記のように問題を生ずるおそれがあるアライメント・マークを例えば８個も軸上からずれないように形成する作業には、多くの困難が随伴するであろうことは云うまでもない。
【００１１】
本発明は、アライメント・マークを占有面積から見て効率良く配置し、且つ、アライメント精度を向上させようとする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明では、アライメント・マークを形成する為の条件として、金属配線層を形成する為の下地は、平坦化されていなければならない。
【００１３】
従って、絶縁膜を成膜した工程の後、或いは、ＳＯＩ（ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎｉｎｓｕｌａｔｏｒ）ウエハを得る為にＳｉウエハを貼り合わせた工程の後には、ＣＭＰ（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）法などを適用して平坦化することが必要である。
【００１４】
その後、ある層の金属配線を形成した際の金属配線層を利用して形成したアライメント・マーク上に次の層の金属配線を形成する為の金属配線層を部分的に残して覆った状態とし、そのアライメント・マークを覆っている金属配線層部分上に次の層の層間絶縁膜を利用したアライメント・マークを形成することが基本になっている。
【００１５】
図１は本発明の原理を解説する為の工程要所に於けるウエハを表す要部切断側面図である。
【００１６】
図に於いて、１１は例えばＳｉからなるウエハ、１２は例えばＳｉＯ２  系からなる第一層目絶縁膜、１３Ｍは例えばＡｌ系からなる第一層目配線材料層で形成したアライメント・マーク、１４は例えばＳｉＯ２  系からなる第二層目絶縁膜、１４Ｍは第二層目絶縁膜１４で形成したアライメント・マーク、１５Ｍは例えばＡｌ系からなる第二層目配線材料層で形成したアライメント・マーク、１５Ｃは同じくＡｌ系からなる第二層目配線材料層で形成したアライメント・マーク被覆膜、１６は例えばＳｉＯ２  系からなる第三層目絶縁膜、１６Ｍは第三層目絶縁膜１６で形成したアライメント・マーク、Ｐ１１乃至Ｐ１３はアライメント・マークが占める領域、即ち、アライメント・マーク占有領域をそれぞれ示している。
【００１７】
図から明らかなように、本発明に依るアライメント・マークの形成方法では、アライメント・マークは１３Ｍ、１４Ｍ、１５Ｍ、１６Ｍの４個を形成してあるが、その占有領域はＰ１１、Ｐ１２、Ｐ１３の三つであって、それ等の数は対応せず、占有領域の方が少なくなっている。
【００１８】
その理由は、云うまでもなく、アライメント・マーク１３Ｍ及び１６Ｍが、占有領域Ｐ１１を共有し、ウエハ１側から順に積層された状態に形成されていることに依るものであって、このように、アライメント・マーク１３Ｍと１６Ｍとを同一の占有領域Ｐ１１に形成しても、それらの間にはＡｌ系からなる第二層目配線を利用して形成したアライメント・マーク被覆膜１５Ｃが介在していることから、アライメント・マークとしての機能は些かも影響を受けない。
【００１９】
図２は図１について説明したアライメント・マークの作用について解説する為の工程要所に於けるウエハを表す要部切断側面図であり、図１に於いて用いた記号と同記号は同部分を表すか或いは同じ意味を持つものとする。
【００２０】
図に於いて、３０はレジスト膜、Ｌ１はアライメント入射光、Ｌ２はアライメント透過光、Ｌ３はアライメント透過光分反射光、Ｌ４はアライメント反射光をそれぞれ示している。
【００２１】
図示のアライメント・マーク１３Ｍを機能させる場合には、少なくとも、アライメント・マーク被覆膜１５Ｃや第三層目絶縁膜１６などが存在しない状態であるから、その作用については何らの問題も生じない。
【００２２】
図示された各光のうち、アライメント透過光Ｌ２は殆ど０であり、従って、アライメント透過光分反射光Ｌ３も殆ど０であるから、アライメント入射光Ｌ１をアライメント・マーク１６Ｍに照射したことに依る情報は、アライメント・マーク１３Ｍに擾乱されることなく、アライメント反射光Ｌ４のみに依って正確に得ることができる。
【００２３】
このように、本発明では、アライメント・マークが２個以上重なって配置されることになるが、下側アライメント・マークと上側アライメント・マークとの間に形成された層間絶縁膜が平坦化されていること、又、アライメント光を透過しない金属配線材料層を選択的に残すことに依って、上側アライメント・マークを機能させる場合、下側アライメント・マークに起因する反射光や回折光の影響を完全に排除するか、或いは、大きく低減することが可能である。
【００２４】
前記したように、金属配線材料層を形成する下地は、ＣＭＰ法などを利用して平坦化するので、工程の前歴、例えば、トランジスタ或いはメモリ・キャパシタの形成など、凹凸が生成されるような工程を経ても、その影響を受けることは皆無であり、例えば、厚い層間絶縁膜を有する半導体装置、或いは、ウエハ貼り合わせを必要とする半導体装置に於いても本発明を適用することができる。
【００２５】
また、金属配線を形成する為の金属配線材料層を三層以上繰り返し形成する多層工程が必要である場合、金属配線材料層毎にアライメント・マークを形成する筈であるから、本発明では、従来の技術に比較し、その金属配線層数の約１／２個分のアライメント・マーク占有領域を節減することができる。
【００２６】
図３はアライメント・マーク占有領域を節減できることを説明する為の工程要所に於けるウエハを表す要部切断側面図であり、図１及び図２に於いて用いた記号と同記号は同部分を表すか或いは同じ意味を持つものとする。尚、ここでは、７層の金属配線を形成する場合が対象になっている。
【００２７】
図に於いて、１７Ｍは例えばＡｌ系からなる第三層目配線材料層で形成したアライメント・マーク、１７Ｃは同じくＡｌ系からなる第三層目配線材料層で形成したアライメント・マーク被覆膜、１８は第四層目絶縁膜、１８Ｍは第四層目絶縁膜１８で形成したアライメント・マーク、１９Ｍは例えばＡｌ系からなる第四層目配線材料層で形成したアライメント・マーク、１９Ｃは同じくＡｌ系からなる第四層目配線材料層で形成したアライメント・マーク被覆膜、２０は第五層目絶縁膜、２０Ｍは第五層目絶縁膜２０で形成したアライメント・マーク、２１Ｍは例えばＡｌ系からなる第五層目配線材料層で形成したアライメント・マーク、２１Ｃは同じくＡｌ系からなる第五層目配線材料層で形成したアライメント・マーク被覆膜、２２は第六層目絶縁膜、２２Ｍは第六層目絶縁膜２２で形成したアライメント・マーク、２３Ｍは例えばＡｌ系からなる第六層目配線材料層で形成したアライメント・マーク、２３Ｃは同じくＡｌ系からなる第六層目配線材料層で形成したアライメント・マーク被覆膜、２４は第七層目絶縁膜、２４Ｍは第七層目絶縁膜２４で形成したアライメント・マーク、２５Ｍは例えばＡｌ系からなる第七層目配線材料層で形成したアライメント・マーク、２５Ｃは同じくＡｌ系からなる第七層目配線材料層で形成したアライメント・マーク被覆膜、２６は第八層目絶縁膜、２６Ｍは第八層目絶縁膜２６で形成したアライメント・マーク、Ｐ１１乃至Ｐ１８はアライメント・マーク占有領域をそれぞれ示し、又、○付き数字は、金属配線材料層で形成するアライメント・マーク及び絶縁膜で形成するアライメント・マークの形成順を指示するものである。
【００２８】
図から明らかなように、７層の多層配線を形成し、且つ、アライメント・マークを１４個形成するのに必要なアライメント・マーク占有領域は８個であるが、従来の技術に依った場合、アライメント・マーク占有領域の個数は、アライメント・マークと同数、即ち、１４個が必要である。
【００２９】
前記したところから、本発明に依るアライメント・マークの形成方法に於いては、
【００３０】
（１）
半導体ウエハ上に下側配線を形成する金属系配線材料層（例えばＡｌ系からなる第一層目配線材料層）を利用して該下側配線（例えば第一層目配線）及び下側アライメント・マーク（例えばアライメント・マーク１３Ｍ）を同時に形成する工程と、次いで、該下側配線及び下側アライメント・マークを含む全面に下側層間絶縁膜（例えばＳｉＯ２  系からなる第二層目絶縁膜１４）を形成してから該下側層間絶縁膜を平坦化する工程と、次いで、該平坦化された下側層間絶縁膜上に上側配線を形成する金属系配線材料層（例えばＡｌ系からなる第二層目配線材料層）を利用して該上側配線（例えば第二層目配線）及び上側アライメント・マーク（例えばアライメント・マーク１５Ｍ）及び該下側アライメント・マークを覆うアライメント・マーク被覆膜（例えばアライメント・マーク被覆膜１５Ｃ）を同時に形成する工程と、次いで、該上側配線及び上側アライメント・マーク及び該下側アライメント・マークを覆うアライメント・マーク被覆膜を含む全面に上側層間絶縁膜（例えばＳｉＯ２  からなる第三層目絶縁膜１６）を形成する工程と、次いで、該上側層間絶縁膜を利用して該アライメント・マーク被覆膜上にアライメント・マーク（例えばアライメント・マーク１６Ｍ）を形成する工程とが含まれてなることを特徴とするか、或いは、
【００３１】
（２）
前記（１）に於いて、表面にアライメント・マーク（例えばアライメント・マーク４２Ｍ）が形成された第一の半導体ウエハ（例えばＳｉウエハ４１）を絶縁膜（例えばＢＰＳＧからなる絶縁膜４３）を介して第二の半導体ウエハ（例えばＳｉウエハ４４）と貼り合わせる工程と、次いで、該アライメント・マークを残して第一の半導体ウエハを除去してから該アライメント・マークを含む全面に層間絶縁膜（例えばＳｉＯ２  からなる層間絶縁膜４５）を形成する工程とが前挿され、その後、下側配線を形成する金属系配線材料層（例えばＡｌ合金膜）を利用して該下側配線及び下側アライメント・マーク（例えばアライメント・マーク４６Ｍ）及び第二の半導体ウエハ上に在って該層間絶縁膜（例えばＳｉＯ２  からなる層間絶縁膜４５）で覆われたアライメント・マーク（例えばアライメント・マーク４２Ｍ）を覆うアライメント・マーク被覆膜（例えばアライメント・マーク被覆膜４６Ｃ）を同時に形成する工程に連なることを特徴とするか、或いは、
【００３２】
（３）
前記（１）又は（２）に於いて、アライメント・マーク被覆膜（例えばアライメント・マーク被覆膜１５Ｃやアライメント・マーク被覆膜４６Ｃ）は少なくとも被覆対象であるアライメント・マーク（例えばアライメント・マーク１３Ｍやアライメント・マーク４２Ｍ）で反射されたアライメント光が検知されない厚さをもって形成されることを特徴とする。
【００３３】
前記手段を採ることに依り、アライメント・マークを効率良く配設することができ、しかも、配設に於ける自由度は大きくなるので、所望の配設、或いは、それに近い配設が可能となる。又、アライメント・マークを露光のショット中心を原点とするＸ軸及びＹ軸からずれないように配設すると、位置ずれ成分の並進分から倍率分を排除できるので、アライメント精度は向上する。更にまた、アライメント・マークの占有面積は、従来の技術に依存した場合に比較し、略１／２に近い程度にすることが可能になるので、パターンに余裕をもたせることが可能になる。
【００３４】
【発明の実施の形態】
図４は本発明に於ける一実施の形態を説明する為の工程要所に於けるウエハを表す要部説明図である。
【００３５】
図に於いて、（Ａ）はウエハの要部切断側面、（Ｂ）はアライメント・マークの寸法を説明する為の平面、３１はウエハ、３２はｎ−１層目層間絶縁膜、３３Ｍはｎ−１層目配線の配線材料層を利用して形成したアライメント・マーク、３４はｎ層目層間絶縁膜、３５Ｍはｎ層目配線の配線材料層を利用して形成したアライメント・マーク、３５Ｃはｎ層目配線の配線材料層を利用して形成したアライメント・マーク被覆膜、３６はｎ＋１層目層間絶縁膜、３６Ｍはｎ＋１層目層間絶縁膜３６で形成したアライメント・マーク、ＡＭはアライメント・マーク、ＡＭ１，ＡＭ２・・・はアライメント・マークＡＭに於けるバー、Ｌ１はアライメント・マークの横方向長さ、Ｌ２はアライメント・マークの縦方向長さ、ｐはピッチ、ｓはスペース、ｌはラインをそれぞれ示している。
【００３６】
前記説明したウエハに於ける各部分の主要なデータを例示すると次の通りである。
【００３７】
（１）  ウエハ３１について
材料：Ｓｉ
【００３８】
（２）  ｎ−１層目層間絶縁膜３２について
材料：ＳｉＯ２  系
厚さ：０．５〔μｍ〕
【００３９】
（３）  アライメント・マーク３３Ｍについて
材料：Ａｌ合金系
厚さ：〜１〔μｍ〕
【００４０】
（４）  ｎ層目層間絶縁膜３４について
材料：ＳｉＯ２  系
厚さ：０．５〔μｍ〕
【００４１】
（５）  アライメント・マーク３５Ｍ及びアライメント・マーク被覆膜３５Ｃについて
材料：Ａｌ合金系
厚さ：〜１〔μｍ〕
【００４２】
（６）  ｎ＋１層目層間絶縁膜３６及びアライメント・マーク３６Ｍについて
材料：ＳｉＯ２  系
厚さ：０．５〔μｍ〕
【００４３】
図示の構成を得るに際しては、通常の技術、例えば化学気相堆積（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＣＶＤ）法、真空蒸着法、ウエット・エッチング法、ドライ・エッチング法などを適用すれば容易に実現できるのであるが、少なくともｎ層目層間絶縁膜３４は、例えば〜２〔μｍ〕程度成長させてからＣＭＰ法を適用して厚さが０．５〔μｍ〕になるよう研磨し、表面を平坦化する。
【００４４】
このようにすることで、その上に形成されるアライメント・マーク被覆膜３５Ｃの表面も平坦になるから、それを下地とするアライメント・マーク３６Ｍの機能には何らの問題も発生しない。
【００４５】
図４の（Ｂ）には、アライメント・マークＡＭの平面が表されていて、その横方向長さＬ１は例えば２２０〔μｍ〕、縦方向長さＬ２は例えば３６〔μｍ〕、ピッチｐは１２〔μｍ〕、ラインｌ：スペースｓ＝５：７であり、バーＡＭ１、ＡＭ２・・・・は８個含まれている。尚、図４の（Ａ）は、（Ｂ）に見られる線Ｘ−Ｘ方向で切断した側面である。
【００４６】
アライメント光としては、４００〔ｎｍ〕〜８００〔ｎｍ〕の単波長光、或いは、多波長光が用いられるので、厚さが〜１〔μｍ〕であるＡｌ合金系のアライメント・マーク被覆膜３５Ｃやアライメント・マーク３５Ｍを透過することはない。
【００４７】
従って、約０．５〔μｍ〕のＳｉＯ２  からなる層間絶縁膜３６を利用し、アライメント・マーク被覆膜３５Ｃ上に形成したアライメント・マーク３６Ｍは正確に機能し、その下方に在るアライメント・マーク３３Ｍの影響を受けることはない。
【００４８】
図５は本発明に於ける他の実施の形態を説明する為の工程要所に於けるＳＯＩウエハを表す要部説明図である。尚、ここに開示する実施の形態は、例えば、４ＧなどのＤＲＡＭ（ｄｙｎａｍｉｃ  ｒａｎｄｏｍ  ａｃｃｅｓｓ  ｍｅｍｏｒｙ）を製造する場合に特に有用と考えられる。
【００４９】
図に於いて、４２Ｍは貼り合わせウエハを作成する前に形成したアライメント・マーク、４３はＢＰＳＧ（ｂｏｒｏｐｈｏｓｐｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ  ｇｌａｓｓ）からなる絶縁膜、４４はＳｉからなるウエハ、４５はＳｉＯ２  からなる層間絶縁膜、４６Ｍは配線（図示せず）を得る為の配線材料層を利用して形成したアライメント・マーク、４６Ｃは同じく配線（図示せず）を得る為の配線材料層を利用して形成したアライメント・マーク被覆膜、４７はＳｉＯ２  からなる層間絶縁膜、４７Ｍは層間絶縁膜４７で形成したアライメント・マークをそれぞれ示している。
【００５０】
図６乃至図９は図５に見られるＳＯＩウエハの製造について説明する為の工程要所に於けるＳＯＩウエハを表す要部切断側面図であり、以下、これ等の図を参照しつつ解説する。
【００５１】
図６（Ａ）参照
６−（１）
ＣＶＤ法を適用することに依り、Ｓｉウエハ４１上にＳｉＯ２  からなるパッド膜及び厚さが例えば１１５〔ｎｍ〕であるＳｉ３  Ｎ４  膜を形成する。
【００５２】
６−（２）
リソグラフィ技術に於けるレジスト・プロセス、並びに、エッチング・ガスをＣＦ４  系とする反応性イオン・エッチング（ｒｅａｃｔｉｖｅ  ｉｏｎ  ｅｔｃｈｉｎｇ：ＲＩＥ）法を適用することに依り、工程６−（１）で形成したＳｉ３  Ｎ４  膜などのエッチングを行って、フィールド絶縁膜形成領域上及びアライメント・マーク形成領域上に在るものを除去する。
【００５３】
６−（３）
工程６−（１）及び６−（２）で形成したＳｉ３  Ｎ４  膜を耐酸化性マスクとする選択的熱酸化（ｌｏｃａｌ  ｏｘｉｄａｔｉｏｎ  ｏｆ  ｓｉｌｉｃｏｎ：ＬＯＣＯＳ）法を適用することに依り、ＳｉＯ２  からなるフィールド絶縁膜（図示せず）及びアライメント・マーク４２を形成する。
【００５４】
６−（４）
工程６−（３）で実施した選択酸化に於いて耐酸化性マスクとして利用したＳｉ３  Ｎ４  膜などを除去する。
【００５５】
６−（３）
ＣＶＤ法を適用することに依り、厚さが例えば２〔μｍ〕のＢＰＳＧからなる絶縁膜４３を形成する。
【００５６】
図６（Ｂ）参照
６−（４）
ＣＭＰ法を適用することに依り、ＢＰＳＧからなる絶縁膜４３の研磨を行って、厚さ例えば１〔μｍ〕を残し、他を除去する。
【００５７】
図７（Ａ）参照
７−（１）
ＢＰＳＧからなる絶縁膜４３に新たなＳｉウエハ４４を対向させて貼り合わせる。
【００５８】
図７（Ｂ）参照
７−（２）
ＣＭＰ法を適用することに依って、アライメント・マーク４２Ｍを形成したＳｉウエハ４１の研磨を行って全て除去する。
【００５９】
図８（Ａ）参照
８−（１）
ＣＶＤ法を適用することに依って、厚さが例えば５００〔ｎｍ〕であるＳｉＯ２  からなる層間絶縁膜４５を形成する。
【００６０】
図８（Ｂ）参照
８−（２）
ＣＶＤ法を適用することに依って、層間絶縁膜４５上に厚さが例えば１００〔ｎｍ〕であるＴｉ化合物系膜を形成する。
【００６１】
８−（３）
リソグラフィ技術に於けるレジスト・プロセス、及び、エッチング・ガスをＣｌ２  系ガスとするＲＩＥ法を適用することに依り、工程８−（２）で形成したＴｉ化合物系膜のエッチングを行ってアライメント・マーク４６Ｍ及びアライメント・マーク被覆膜４６Ｃを形成する。
【００６２】
勿論、アライメント・マーク被覆膜４６Ｃは、アライメント・マーク４２Ｍを覆い隠すような位置に形成される。
【００６３】
図９参照
９−（１）
ＣＶＤ法を適用することに依って、厚さが例えば１．５〔μｍ〕程度であるＳｉＯ２  からなる絶縁膜４７を形成する。
【００６４】
９−（２）
ＣＭＰ法を適用することに依り、ＳｉＯ２  からなる絶縁膜４７の研磨を行って、厚さ例えば１〔μｍ〕を残し、他を除去する。
【００６５】
９−（３）
リソグラフィ技術に於けるレジスト・プロセス、及び、エッチング・ガスをＣＦ４  系ガスとするＲＩＥ法を適用することに依って、アライメント・マーク被覆膜４６Ｃ上に在る絶縁膜４７をエッチングしてアライメント・マーク４７Ｍを形成する。
【００６６】
９−（４）
この後、必要あれば、前記同様、多層配線を形成することができる。
【００６７】
【発明の効果】
本発明に依るアライメント・マークの形成方法に於いては、下側配線を形成する金属系配線材料層を利用して該下側配線及び下側アライメント・マークを同時に形成し、全面に下側層間絶縁膜を形成してから平坦化し、その下側層間絶縁膜上に上側配線を形成する金属系配線材料層を利用して上側配線及び上側アライメント・マーク及び下側アライメント・マークを覆うアライメント・マーク被覆膜を同時に形成し、上側層間絶縁膜を形成し、その上側層間絶縁膜を利用してアライメント・マーク被覆膜上にアライメント・マークを形成する。
【００６８】
前記構成を採ることに依り、アライメント・マークを効率良く配設することができ、しかも、配設に於ける自由度は大きくなるので、所望の配設、或いは、それに近い配設が可能となる。又、アライメント・マークを露光のショット中心を原点とするＸ軸及びＹ軸からずれないように配設すると、位置ずれ成分の並進分から倍率分を排除できるので、アライメント精度は向上する。更にまた、アライメント・マークの占有面積は、従来の技術に依存した場合に比較し、略１／２に近い程度にすることが可能になるので、他のパターンに余裕を与えることができるし、また、チップ・サイズを小型化する場合には、多くの制約を取り払うことを可能にする。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の原理を解説する為の工程要所に於けるウエハを表す要部切断側面図である。
【図２】図１について説明したアライメント・マークの作用について解説する為の工程要所に於けるウエハを表す要部切断側面図である。
【図３】アライメント・マーク占有領域を節減できることを説明する為の工程要所に於けるウエハを表す要部切断側面図である。
【図４】本発明に於ける一実施の形態を説明する為の工程要所に於けるウエハを表す要部説明図である。
【図５】本発明に於ける他の実施の形態を説明する為の工程要所に於けるＳＯＩウエハを表す要部説明図である。
【図６】図５に見られるＳＯＩウエハの製造について説明する為の工程要所に於けるＳＯＩウエハを表す要部切断側面図である。
【図７】図５に見られるＳＯＩウエハの製造について説明する為の工程要所に於けるＳＯＩウエハを表す要部切断側面図である。
【図８】図５に見られるＳＯＩウエハの製造について説明する為の工程要所に於けるＳＯＩウエハを表す要部切断側面図である。
【図９】図５に見られるＳＯＩウエハの製造について説明する為の工程要所に於けるＳＯＩウエハを表す要部切断側面図である。
【図１０】従来の技術を解説する為の工程要所に於けるウエハを表す要部切断側面図である。
【符号の説明】
１１  ウエハ
１２  第一層目絶縁膜
１３Ｍ  アライメント・マーク
１４  第二層目絶縁膜
１４Ｍ  アライメント・マーク
１５Ｍ  アライメント・マーク
１５Ｃ  アライメント・マーク被覆膜
１６  第三層目絶縁膜
１６Ｍ  アライメント・マーク
Ｐ１１乃至Ｐ１３はアライメント・マーク占有領域
３０  レジスト膜
Ｌ１  アライメント入射光
Ｌ２  アライメント透過光
Ｌ３  アライメント透過光分反射光
Ｌ４  アライメント反射光
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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