(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電圧の印加により記録媒体と探針との間に流れる電流を検出し、その検出信号によって前記探針の駆動機構を駆動制御して前記記録媒体と探針との間の距離を制御する情報処理装置の探針位置制御機構において、
前記駆動機構は、前記検出信号によって前記探針を前記記録媒体方向に変位させる分解能の低い粗動手段と分解能の高い微動手段を有し、該微動手段の駆動制御中心位置が、オフセット生成手段により生成されて該微動手段の駆動信号に加えられるオフセット信号によって、該微動手段の動作範囲の２分の１の位置よりも記録媒体と探針が近付く位置に偏倚していることを特徴とする情報処理装置の探針位置制御機構。
【請求項２】
前記粗動手段と微動手段は、相互に連係するように構成されていることを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置の探針位置制御機構。
【請求項３】
前記探針位置制御機構は、前記検出信号と所定の記録媒体・探針間距離で設定される参照値との差信号を生成する手段と、前記差信号から前記駆動機構の操作量を出力する駆動制御出力生成手段とを有することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の情報処理装置の探針位置制御機構。
【請求項４】
前記駆動制御出力生成手段は、ＰＩＤ制御によって前記差信号から前記駆動機構の操作量を出力する手段であることを特徴とする請求項３に記載の情報処理装置の探針位置制御機構。
【請求項５】
前記微動手段は、前記操作量とオフセット信号の加算信号によって駆動されるように構成されていることを特徴とする請求項３または請求項４に記載の情報処理装置の探針位置制御機構。
【請求項６】
前記粗動手段は、前記操作量の低周波成分によって駆動されるように構成されていることを特徴とする請求項３〜５のいずれか１項に記載の情報処理装置の探針位置制御機構。
【請求項７】
前記オフセット生成手段は、そのオフセット値が一定となるように構成されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の情報処理装置の探針位置制御機構。
【請求項８】
前記オフセット生成手段は、そのオフセット値が前記操作量から算出されるように構成されていることを特徴とする請求項３〜６のいずれか１項に記載の情報処理装置の探針位置制御機構。
【請求項９】
前記探針に流れる電流が、電圧の印加により記録媒体と探針との間に流れるトンネル電流であることを特徴とする請求項１〜８に記載の情報処理装置の探針位置制御機構。
【請求項１０】
前記微動手段が、円筒型の圧電素子であることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の情報処理装置の探針位置制御機構。
【請求項１１】
前記微動手段が、静電駆動型トーションレバーであることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の情報処理装置の探針位置制御機構。
【請求項１２】
探針を記録媒体に接近させることによって生じる物理現象を検出し、その検出信号によって前記探針の駆動機構を制御して前記記録媒体と探針との間の距離を制御する情報処理装置の探針位置制御方法において、
前記駆動機構を、前記検出信号によって前記探針を前記記録媒体方向に変位させる分解能の低い粗動手段と分解能の高い微動手段によって構成し、該微動手段の駆動制御中心位置を、オフセット生成手段により生成されて該微動手段の駆動信号に加えられるオフセット信号によって、該微動手段の動作範囲の２分の１の位置よりも記録媒体と探針が近付く位置に偏倚させることを特徴とする情報処理装置の探針位置制御方法。
【請求項１３】
前記探針に流れる電流が、電圧の印加により記録媒体と探針との間に流れるトンネル電流であることを特徴とする請求項１２に記載の情報処理装置の探針位置制御方法。
【請求項１４】
前記記録媒体をＡｕ電極上に積層されたＳＯＡＺ−ラングミュアープロジェット（ＬＢ）膜で構成し、前記微動手段の駆動制御中心位置を、少なくとも該記録媒体側からその動作範囲の４５％の位置より記録媒体と探針が近付く位置に偏倚させることを特徴とする請求項１２または請求項１３に記載の情報処理装置の探針位置制御方法。
【請求項１５】
前記記録媒体をＡｕ電極上に積層されたＳＯＡＺ−ラングミュアープロジェット（ＬＢ）膜で構成し、前記微動手段の駆動制御中心位置を、少なくとも該記録媒体側からその動作範囲の３０％の位置より記録媒体と探針が近付く位置に偏倚させることを特徴とする請求項１２または請求項１３に記載の情報処理装置の探針位置制御方法。
【請求項１６】
前記記録媒体をＡｕ電極上に積層されたＳＯＡＺ−ラングミュアープロジェット（ＬＢ）膜で構成し、前記微動手段の駆動制御中心位置を、少なくとも該記録媒体側からその動作範囲の１５％の位置より記録媒体と探針が近付く位置に偏倚させることを特徴とする請求項１２または請求項１３に記載の情報処理装置の探針位置制御方法。
【請求項１７】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の探針位置制御機構を有する情報処理装置。
【請求項１８】
請求項１２〜１６に記載の探針位置制御方法を用いた情報処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、探針を試料に接近させることによって生じる物理現象を利用した情報処理装置に係り、特に探針と試料との距離を制御する探針位置制御機構および探針位置制御方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、メモリ材料の用途は、コンピュータ及びその関連機器、ビデオディスク、ディジタルオーディオディスク等のエレクトロニクス産業の中核をなすものであり、その材料開発も極めて活発に進んでいる。
メモリ材料に要求される性能は用途により異なるが記録再生の応答速度が早いことは必要不可欠である。
従来まで磁性体や半導体を素材とした半導体メモリや磁気メモリが主であったが、近年レーザー技術の進展にともない、有機色素、フォトポリマーなどの有機薄膜を用いた光メモリによる安価で高密度な記録媒体が登場してきた。
一方、最近、導体の表面原子の電子構造を直接観察できる走査型トンネル顕微鏡（以後、ＳＴＭと略す）が開発され［Ｇ．Ｂｉｎｎｉｇ  ｅｔ  ａｌ．  Ｐｈｙｓ．  Ｒｅｖ．Ｌｅｔｔ，４９，５７（１９８２）］、単結晶、非結晶を問わず実空間像の高い分解能の測定ができるようになり、しかも試料に電流による損傷を与えずに低電力で測定できる利点も有し、更に大気中でも動作し、種々の材料に対して用いることができるため広範囲な応用が期待されている。
【０００３】
ＳＴＭは金属の探針（プローブ電極）と導電性物質間に電圧を加えて１ｎｍ程度の距離まで近付けるとトンネル電流が流れることを利用している。
この電流は両者の距離変化に指数関数的に応答するため非常に敏感である。
トンネル電流を一定に保つように探針を走査することにより実空間の全電子雲に関する種々の情報をも読み取ることができる。
そして、これによる面内方向の分解能は０．１ｎｍ程度であり、したがって、ＳＴＭの原理を応用すれば十分に原子オーダー（サブ・ナノメートル）での高密度記録再生を行うことが可能である。
【０００４】
例えば、特開昭６１−８０５３６号公報に開示されている情報処理装置では、電子ビーム等によって媒体表面に吸着した原子粒子を取り除き書き込みを行い、ＳＴＭによりこのデータを再生している。
また、記録層として電圧電流のスイッチング特性に対してメモリ効果を持つ材料、例えば共役π電子系をもつ有機化合物やカルコゲン化合物類の薄膜層を用いて、記録・再生をＳＴＭで行う方法が提案されている［特開昭６３−１６１５５２号公報、特開昭６３−１６１５５３号公報］。
この方法によれば、記録のビットサイズを１０ｎｍとすれば、１Ｔｂｉｔ／ｃｍもの大容量記録再生が可能である。
さらに、プローブ電極の走査機構としてはカンチレバータイプのもの（公開特許公報昭６２−２８１１３８）があり、Ｓｉ基板上にＳｉＯ２からなる長さ１００μｍ、幅１０〜２０μｍ、厚さ０．５μｍ程度の大きさのカンチレバー型の機構を複数個作り込むことが可能となっており、同一の基板上に書き込み読み出し回路も集積化されている。
【０００５】
このようなＳＴＭの原理から明らかなとおり、ＳＴＭで物質の表面構造を測定するためにはプローブの位置制御としてオングストロームレベルの制御が必要である。
そのために制御用のアクチュエータとして圧電素子を利用したものや静電力を利用したものが開発されている。
圧電素子を利用したものとしては、円筒型素子や積層型素子などが用いられているが、レバータイプのものとして圧電体２層を電極と交互に積層した片持ち梁であるバイモルフカンチレバーなども用いられる。
また、静電力を利用したものとしてはレバータイプが有り、片持ち梁タイプのものとトーションタイプのものが用いられる。トーションタイプのレバーはレバー側方からレバーを支持するためのトーションバーが出ており、静電力とそのバーのねじれの復元力を用いて変位する（図６及び図７）。
しかしながら、このようなアクチュエータは位置決め精度は非常に高いものの、反面、ダイナミックレンジが小さいために原子オーダの表面凹凸には十分追従するが、マクロな表面凹凸である基板のうねり等に対しては追従が困難であるばかりでなく、探針と媒体との接触が生じる場合があり探針先端の感度の低下や解像度の低下などのダメージが生じるという問題があった。
そこで従来からは粗動と微動の２つのアクチュエータによって制御される場合が一般的である。
これによると、原子レベルの凹凸には微動機構が対応し、比較的大きな凹凸には粗動機構が対応して、微動機構のみではカバーできなかった基板のうねりのような大きな凹凸にも追従することができるようになっている。
そして、このような制御をＳＴＭ観察に用いる場合、微動の制御の中心が微動全体の変位の真ん中になるように粗動を制御すると良いことが特開平０１−２３３３０３号公報に開示されている。
その理由としては、表面形状観察の場合は探針が基板に接近する方向と離反する方向に同程度のダイナミックレンジを持っていた方がより凹凸形状を詳細にとらえることができると考えられるからである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特開平０１−２３３３０３号公報に開示されているような従来の制御方法を情報処理装置に用いた場合、探針が表面形状の凹方向には追従できる反面、その分、探針の凸方向の可動範囲が小さくなってしまい、その結果凸部に探針が接触し、先端のダメージが生じてしまうという問題があった。
そして、これらの接触乃至は衝突は、記録媒体表面上の高さが１０ｎｍ以上の構造体、例えば媒体結晶のグレインバンダリ等の部分で起こることが多い。それは微動だけでは戻しきれずに衝突してしまうことが原因している。
そして、これは媒体基板として結晶金属基板を用いる場合に大きな問題となっている。
メモリシステムにおいては、探針のダメージは深刻である。
媒体の一部のエリアの破壊ならば、そのエリアを回避する、あるいは現在のコンパクトディスクのように記録場所を分散させる等をして記録再生を行えばよいが、探針のダメージは探針の清浄化、先端形状の再先鋭化、もしくは探針の交換などを行わない限りすべてのデータに誤りや検出不能などの影響が及ぶことになってしまう。
その上、探針再生などの機構を設けることは技術的にも困難である上、集積化などを考えると効率上も不利な面が多い。
また、微動機構に静電駆動型トーションレバーを用いた場合、制御中心が微動の駆動範囲の中心となっている時には、プローブ待避についてトーションの復元力を効率よく活かしていなかった。
【０００７】
そこで、本発明は、このような問題を解決するため、探針の媒体に対する衝突を回避し、探針先端の変形を防止してその清浄性をより長く持続させるようにした情報処理装置の探針位置制御機構および探針位置制御方法、情報処理装置を提供することを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するため、電圧の印加により記録媒体と探針との間に流れる電流を検出し、その検出信号によって前記探針の駆動機構を駆動制御して前記記録媒体と探針との間の距離を制御する情報処理装置の探針位置制御機構において、
前記駆動機構は前記検出信号によって前記探針を前記記録媒体方向に変位させる分解能の低い粗動手段と分解能の高い微動手段を有し、該微動手段の駆動制御中心位置を、オフセット生成手段により生成されて該微動手段の駆動信号に加えられるオフセット信号によって、該微動手段の動作範囲の２分の１の位置よりも記録媒体と探針が近付く位置に偏倚していることを特徴とするものである。
そして、本発明の前記粗動手段と微動手段は、相互に連係するように構成することができる。
また、前記探針位置制御機構は、前記検出信号と所定の記録媒体・探針間距離で設定される参照値との差信号を生成する手段と、前記差信号から前記駆動機構の操作量を出力する駆動制御出力生成手段とで構成することができる。その際、前記駆動制御出力生成手段は、ＰＩＤ制御によって前記差信号から前記駆動機構の操作量を出力する手段で構成することができる。
また、前記微動手段は、前記操作量とオフセット信号の加算信号によって駆動されるように構成され、前記粗動手段は、前記操作量の低周波成分によって駆動されるように構成することができる。
【０００９】
また、前記微動手段は、その駆動制御中心位置がオフセット生成手段の出力するオフセット信号によって偏倚可能に構成され、そのオフセット値が一定となるように、また、電流検出手段の出力信号から算出されるように構成することができる。その際、そのオフセット値によって前記微動手段の駆動制御中心位置をその動作範囲の２分の１の位置よりも記録媒体と探針が近付く位置に偏倚させることにより、探針の記録媒体からの引き離しマージンを多くとるようにすることができる。
そして、本発明においては、前記探針に流れる電流が、電圧の印加により記録媒体と探針との間に流れるトンネル電流であることを特徴としている。
【００１０】
さらに、本発明の探針位置制御方法は、探針を記録媒体に接近させることによって生じる物理現象を検出し、その検出信号によって前記探針の駆動機構を制御して前記記録媒体と探針との間の距離を制御する情報処理装置の探針位置制御方法において、
前記駆動機構を、前記検出信号によって前記探針を前記記録媒体方向に変位させる分解能の低い粗動手段と分解能の高い微動手段によって構成し、該微動手段の駆動制御中心位置を、オフセット生成手段により生成されて該微動手段の駆動信号に加えられるオフセット信号によって、該微動手段の動作範囲の２分の１の位置よりも記録媒体と探針が近付く位置に偏倚させることを特徴としている。
また、本発明においては、前記記録媒体をＡｕ電極上に積層されたＳＯＡＺ−ラングミュアープロジェット（ＬＢ）膜で構成した際に、少なくとも記録媒体側からその動作範囲の４５％の位置より記録媒体と探針が近付く位置に偏倚させることが、探針のダメージを有効に回避する上で好ましく、より好ましくはそれを記録媒体側からその動作範囲の３０％、さらに好ましくは１５％の位置より記録媒体と探針が近付く位置に偏倚させることが有効である。
そして、本発明のより細部の特徴は、以下の説明によって明らかとなる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
つぎに、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。
図１には本発明の基本的構成図が示されている。
探針位置制御機構は、ＸＹ走査ステージ上の記録媒体１０２と探針１０１との間に電圧を印加するバイアス印加回路１０８と、これにより電圧印加を行ったときに前記探針に流れるトンネル電流をＩ−Ｖ変換回路１０５を介して検出する電流検出回路１０６と、その検出された出力信号を入力するＺ位置制御回路１０７並びに情報抽出回路１１２と、前記位置制御手段の制御信号により前記探針を前記記録媒体表面に垂直な方向に駆動制御する微動機構１０３および粗動機構１０４とで構成されている。
本発明の実施例では、後に説明するように粗動機構１０４としては積層型圧電素子、微動機構１０３として円筒型の圧電素子を用いている。
精度は微動が０．１オングストローム、粗動が１ｎｍ、最大変位量は微動が５０ｎｍ、粗動が５μｍのものを用いている。
バイアス印加回路１０８は上述したようにトンネル電流検出用のバイアスを印加するほか、入力情報をバイアス信号に変えて探針媒体間に印加する。このバイアス信号はパルス信号などでも良く、例えば記録方式としては、記録媒体に電気的な加工を施すことにより記録ビットの書き込みを行うものなどがある。
【００１２】
このような構成のもとに、探針１０１と記録媒体１０２の間に所定の電圧をバイアス印加回路１０８によって印加し、探針１０１と媒体１０２との間にトンネル電流を発生させ、このトンネル電流をＩ−Ｖ変換回路１０５を通して電圧信号に変換した後、電流検出回路１０６が電流値として測定する。
その値はＺ位置制御回路１０７と情報抽出回路１１２に送られる。
そして情報抽出回路１１２ではその電流値とＸＹ走査ステージ１０９の位置制御を行うＸＹ方向走査制御回路１１１の出力するステージ位置情報から、音響データや画像データ等をデジタル信号あるいはアナログ信号として抽出される。
Ｚ位置制御回路１０７は検出電流値から探針１０１と媒体１０２の距離をＰＩＤ等の制御方式によりフィードバック制御しているが、その際、本発明においては粗動機構１０４と微動機構１０３とが連係制御を行うよう構成されており、また微動機構の駆動制御中心位置を偏倚させて探針の媒体からの引き離しマージンを可能な限り多くとることができるように構成されている。
そしてそれは、本発明においては例えばオフセット生成手段の出力するオフセット信号によって設定されるように構成されている。
【００１３】
【実施例】
以下、その詳細を実施例で具体的に説明する。
［実施例１］
図２は実施例１におけるＺ位置制御回路１０７の動作の詳細を示したブロック図である。
本実施例に於ては、記録媒体として特開昭６３−１６１５５２号公報及び特開昭６３−１６１５５３号公報に開示されている記録媒体であるＡｕ電極上に積層されたＳＯＡＺ−ラングミュアープロジェット（ＬＢ）膜（２層膜）を試料として用いた。
Ａｕ電極には抵抗加熱によるＡｕの蒸着膜を用いている。この媒体に対し、探針１０１を用いて波高値−６Ｖおよび＋１．５Ｖの連続したパルス電圧を重畳したバイアスを試料・探針間に印加することで電気的な情報の書き込みを行った。デジタルデータをビット情報として記録した。
【００１４】
記録媒体１０２から探針１０１を通って流れたトンネル電流値はＪｔ信号として右側からエラー信号生成部２０４に入る。
エラー信号生成部では所定の参照電流値と検出電流値との差信号を生成し、参照電流値で設定される探針・記録媒体間距離からどの程度ずれているかを算出してその信号を出力する。
出力されたこのエラー信号は微動制御出力生成部２０２に入力され、その信号の大きさに応じた微動機構１０３の制御量（操作量）がＰＩＤ制御にもとづいて算出され出力される。出力された制御量（操作量）はＬＰＦを通してその低周波成分（媒体うねり、傾き、圧電体のクリープ等によるもの）が抽出され粗動制御出力生成部２０１に入力され、その値に応じて粗動機構１０４を駆動するようになっている。
また一方、微動制御出力生成部２０２から出力された制御量（操作量）は、本発明に於ては特徴的であるオフセット生成部２０３によって生成されたオフセット値と加算機２０６で加算され、アンプ２０７を通して微動機構１０３を駆動する。
ここでオフセット生成部２０３によって生成されたオフセット値は外部からユーザが与えるオフセット調整信号によって調整される。
また、アンプ２０７はそれぞれのアクチュエータの制限電圧で出力が制限されるように作られている。
具体的には本実施例では微動機構１０３駆動用のアンプは±５０Ｖ、粗動機構１０４駆動用は０〜１００Ｖに固定してあり、その範囲外の電圧をアクチュエータに印加し、アクチュエータの破壊を避けるようにしてある。
したがって、オフセット値がどんな値でも微動機構１０３には±５０Ｖの範囲の電圧のみが印加される。
【００１５】
ここでオフセットを加えることの意味は、微動機構の駆動中心をずらすためであり、すなわち、オフセットを加えることによってその駆動中心を偏倚させることが可能になる。
すなわち、ここでは粗動機構でＤＣ成分の変位を分担させていることから、微動機構はＡＣ成分のみを分担することとなり、そのＡＣ成分の駆動中心を媒体に接近させる位置に持ってくる。
つまり、オフセットが０の場合は駆動中心は駆動電圧範囲±５０Ｖのちょうど真ん中である０Ｖとなるが、その位置よりもさらに媒体に近い側に駆動位置を持ってくることによって、探針の待避の場合のマージンを稼ぐことができる。
【００１６】
本実施例では微動機構として円筒型の圧電素子を用いており可動範囲は５０ｎｍである。
本実施例では、全体の駆動範囲の６０％を媒体と反対方向、残り４０％を媒体方向に取ったもの、全体の駆動範囲の７０％を媒体と反対方向、残り３０％を媒体方向に取ったもの、全体の駆動範囲の９０％を媒体と反対方向、残り１０％を媒体方向に取ったもの、そしてさらに全体の駆動範囲の３０％を媒体と反対方向、残り７０％を媒体方向に取ったもの、の４通りについてオフセットを設定し、試験を行った。
結果を以下の表１に示す。◎は全く探針先端のダメージが観察されなかったもの、○は記録再生にはほとんど問題はないが多少探針先端のダメージが観察されたもの、△はダメージにより検出信号の劣化が起こり再生データに影響を与えたもの、×は探針ダメージにより再生途中で再生不能となってしまったものである。
【００１７】
【表１】
0003599440.tif 000002
これらの結果より媒体側４５％以下の場合には衝突による探針のダメージを有効に回避することに成功した。
記録再生については以上の結果より媒体側５０％以下の場合について、ある程度の効果が得られているが、好ましくは３０％以下にすることで、誤り訂正のためのビットを少なくし、情報記録密度を向上させることができる。
また、さらに１５％に設定することで、探針のダメージが観察されないことから、再生情報の信頼性向上のみならず、プローブ寿命の向上も図れた。
なお、本実施例では記録媒体基板としてＡｕの抵抗加熱による蒸着膜を用いた場合に上記のような結果が得られたが、もっと異なった基板を用いた場合にはオフセット値の調整が必要である。
たとえばＡｕをエピタキシャル成長させた基板のような場合には結晶のドメイン間のバンダリは存在するが、一つのドメイン内での表面荒さは僅かに数オングストローム（原子ステップレベルの大きさ）であるためにオフセット値を上述のように１０％と９０％になるように決める必要はなく５％と９５％に設定することで更に効果が上がるものと考えられる。
また、本実施例で用いた蒸着Ａｕよりも表面凹凸が大きいようなものの場合には３０％と７０％にする等の基板にあわせた調整をすればよい。
いずれも探針の位置制御の中心を媒体に近い側に持っていくために、使用している媒体の表面性にあわせたいくらかのオフセットをかけることによって、探針の待避の距離を稼ぐことができる。
【００１８】
［実施例２］
図３に本発明の実施例２の概略図が示されている。
オフセットを加算するという基本的な構成は実施例１に示したものと全く変わりはないが、オフセットの調整の自動化を行っていることに特徴がある。
以下にそのＺ位置制御回路１０７の動作を説明する。
探針１０１と記録媒体１０２との間に流れたトンネル電流Ｊｔが図３の左から入力されている。
入力されたトンネル電流信号Ｊｔによってエラー信号生成部３０４は所定の参照電流値との差信号を生成し、参照電流値で設定される探針・記録媒体間距離からどの程度ずれているかを算出してその信号を出力する。
そのずれ量であるエラー信号が微動制御出力生成部３０２に入力され、実際の制御量に変換される。
このときに本実施例ではＰＩＤ制御が用いられている。
【００１９】
つぎに、この制御量信号は３方向に送られる。
まずＬＰＦ３０６を通ってコンパレータ３０９によって設定値と比較される。
比較の結果によって粗動制御出力生成部３０１に信号が送られ、粗動制御出力生成部３０１が粗動機構１０４をＬＰＦ３１０、アンプ３０８を通して駆動する。
ＬＰＦ３１０は粗動制御出力生成部によって出力された駆動信号のステップ状の変化を所定の時定数でゆっくり変化するようにするためのものである。
そして、微動制御出力生成部３０２によって出力された制御信号はまたＨＰＦ３０５を通ってＡＣ成分のみに変換されてからオフセット生成部３０３に入力される。
オフセット生成部３０３ではそのＡＣ成分の大きさからオフセット値を決定して出力する。
本実施例における設定値は測定されたＡＣ成分の変位幅に粗動機構１０４の最小分解能（０．５ｎｍ）を加えたものに自動的に設定されるようにしてある。
出力されたオフセット値は実施例１と同様に微動制御出力生成部３０２によって生成された制御量と加算機３０７により加算され、アンプ３０８を通して微動機構１０３に駆動信号として印加される。
なお、アンプ３０８は実施例１と全く同様な機構を有するものを用いた。
【００２０】
つぎに、図４および図５を用いて実施例２の粗動機構と微動機構の連係動作を説明する。
図４は、ある時刻を基準（０）として０からｔ１までは媒体の傾きなどにより探針・媒体間距離が徐々に小さくなっていった場合、ｔ１からｔ２までは徐々に大きくなっていった場合の微動機構の駆動量、粗動機構の駆動量、電流値などの関係を示したものである。
ｃはオフセット生成部によって設定されたオフセット値である。ｂｃ、ｄｃ間は粗動機構の１ステップ（０．５ｎｍ）になっており、ｅｆ間と同じ距離である。
またａｂ間は微動機構の駆動量の高周波成分の変位幅である。
微動機構の駆動量が徐々に小さくなり、その低周波成分がｄを下回るようになった瞬間にコンパレータ３０９から粗動制御出力生成部３０１に駆動量を１ステツプ下げるように信号が出力され、粗動機構１０４の変位が１ステップ小さくなる。このステップ動作はＬＰＦによって微動機構の動作速度に比べて十分ゆっくりとなるので電流の変化は観測されない。
上記と全く逆にｔ１からｔ２までの場合、微動機構の変位量は徐々に大きくなり、低周波成分がｂを上回るようになったときコンパレータ３０９から粗動制御出力生成部３０１に制御量を１ステップ上げるように信号が出力される。
その結果、粗動機構の変位量は１ステップ大きくなり、それに微動機構も合わせる形で制御される。この場合も電流の変化は観測されない。
【００２１】
さらに、大きな構造変化があった場合について図５を用いて説明する。
大きな登りの段差がｔ１で現れた場合、まず微動機構１０３がすばやく探針を引き上げる。
この場合僅かにスパイク状に電流が流れるが、探針の媒体への衝突などは生じていない。
微動制御出力の低周波成分はその後やや遅れて変化するがｄを下回るため粗動機構の変位が起こるが、この場合は低周波成分の変化量がｃｄの距離の丁度２倍であったためコンパレータは２ステップ粗動機構を駆動するように指令する。
その結果図５のｅｆは図４のｅｆの２倍量となった。
これによって再び微動機構のＡＣ駆動中心はｃの位置付近に戻ってくる。
つぎに、に大きな下りの段差があった場合はｔ２に示した。
この場合微動機構の駆動量はａ以上にはならないのでａで飽和してしまうが、微動制御出力生成部３０２はずれ量をそのまま算出して出力しているので微動制御出力の低周波成分もａで飽和することなくコンパレータに入力される。
コンパレータはその変位量が２ステップ分であると判断し粗動制御出力生成部３０１に粗動機構を２ステップ変位させるように指示する。
これによって粗動機構の駆動量は図５に示したようにｅｆ分変位することになる。しかしながらこの場合に微動機構の駆動量はａの位置で飽和してしまっていたために探針・媒体間距離を保持する事ができず、したがって電流値はこの位置で急激に減少している。
このような電流値の減少はＳＴＭにおける表面観察では問題であるが、メモリシステムにおいてはあらかじめ書き込み時にこのような場所を避けたり、または誤り訂正を行う等することによって十分使用可能である。
上記に述べたメモリシステムを用いて記録再生試験を行ったところ実施例１と同様に探針の耐久性が従来の場合よりも数倍向上した。
【００２２】
［実施例３］
次に微動機構として静電駆動型トーションレバーを用いた実施例３を示す。
図６は図１の回路に微動機構として静電駆動型トーションレバーを用いた場合の構成図である。
図示されていない部分は図１と同様である。
探針６０１はレバー６０２上に配置され、レバーはトーションバー６０３によって支持されている。
レバーは、Ｚ位置制御回路６０７によってレバー上の駆動電極６０４と支持基盤上の駆動電極６０５間にバイアスを印加することによって両者の間に静電引力を起こし、それによって変位する。
６０６は記録媒体側の電極、６０８は読み出し用あるいは書き込み用のバイアスを探針６０１、媒体基板６０６の間に印加するためのバイアス印加回路である。
実際に半導体プロセスにより作成したプローブの断面図及び平面図の概形を図７に示す。図７（ａ）はレバーを支持基盤面と平行に見たもの、図７（ｂ）は支持基盤面に向かって見たものである。
７０１から７０５までは図６の６０１から６０５までに相当しており、７０１は探針、７０２はレバー、７０３はトーションバー、７０４および７０５は駆動電極である。
７０６は支持基盤、７０７は電流検出用配線、７０８は支持基盤側駆動電極への駆動電圧印加用配線、７０９はレバー側駆動電極への駆動電圧印加用配線を示す。レバー側駆動電極への駆動電圧印加用配線７０９はレバーの裏から出て（点線）表へ回っている（実線）。
図６に示した一般的なトーションタイプのレバーは、電極間の引力とトーションバーのねじれの復元力によって駆動する。レバーが何の力も受けていない点（以降中立点と呼ぶ）に戻る時はトーションバーの復元力のみによって戻る。そのために中立点からの変位量が大きいほど、大きな力で速く中立点に戻ることができる。この戻り時間はレバーの共振周波数によるが、レバーの戻るスピードはあらかじめ変位していた量が大きいほど大きいことになる。
これを利用して大きな凸状の構造物が媒体基板上にあったときに、プローブを待避させるために用いた。
図６に示すように微動機構として静電駆動のトーション型レバーを用いた。粗動機構は図示されていない。そのほかの構成は実施例２と同様にオフセット自動調整の系を用いた。
上記のメモリシステムを用いて記録再生試験を行ったところ実施例２と同様に探針の耐久性が従来の場合よりも数倍向上した。
【００２３】
【発明の効果】
本発明は、以上のように駆動機構における微動手段の駆動制御中心を偏倚させ、試料表面の凹凸の大きさ等に対応すべく、探針の試料からの引き離しマージンを、必要に応じて可能な限り多くとることができるように構成されているため、探針と試料間の衝突が回避でき、探針先端の変形を抑えて探針先端の清浄性を従来に比して格段に長く持続させることが可能となる。
また、それに伴って探針交換の手間が軽減され、探針そのものの消費も少なくなるため、メモリシステムのランニングコストが大幅に軽減される。
さらに、本発明では微動機構と粗動機構の両方が連係できるよう構成されているから、基板電極の状態が超平滑でない結晶グレインのバンダリなどによる数ｎｍの大きさの溝や、グレイン間の結晶高さのばらつき等に対しても十分対応することが可能となる。
また、本発明の系を静電駆動型トーションレバーのプローブに対して用いると、あらかじめオフセットの変位を与えておき、レバー制御を行うことで、大きな復元力を得ることができるので、レバー待避のスピードが大きくなり、上述の溝や結晶グレイン間の結晶高さのばらつきに対してのプローブ待避動作を高速に行なうことができる。
また、局所的な表面凹凸を測定し、あらかじめ与えるオフセット量を調節することで、様々な基板に対して容易に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施例におけるメモリシステムの構成の概略である。
【図２】実施例１におけるＺ位置制御回路の動作を説明するブロック図である。
【図３】実施例２におけるＺ位置制御回路の動作を説明するブロック図である。
【図４】実施例２の粗動機構と微動機構の連係動作を説明する各信号波形を示したも  のである。
【図５】実施例２において大きな構造があった場合の粗動・微動構造の連係動作を説明するための各信号波形を示したものである。
【図６】微動機構として静電駆動型トーションレバーを用いた場合の、本発明の構成の概略ある。
【図７】静電駆動型トーションレバーの概形である。
【符号の説明】
１０１            探針
１０２            記録媒体
１０３            微動機構
１０４            粗動機構
１０５            Ｉ−Ｖ変換回路
１０６            電流検出回路
１０７            Ｚ位置制御回路
１０８            バイアス印加回路
１０９            ＸＹ走査ステージ
１１０            アンプ
１１１            ＸＹ方向走査制御回路
１１２            情報抽出回路
２０１            粗動制御出力生成部
２０２  ３０２    微動制御出力生成部
２０３  ３０３    オフセット生成部
２０４  ３０４    エラー信号生成部
２０５            ＬＰＦ
３０５            ＨＰＦ
３０６            ＬＰＦ
６０１            探針
６０２            レバー
６０３            トーションバー
６０４            駆動電極
６０５            駆動電極
６０６            記録媒体側の電極
６０７            Ｚ位置制御回路
６０８            バイアス印加回路
７０１            探針
７０２            レバー
７０３            トーションバー
７０４            駆動電極
７０５            駆動電極
７０６            支持基盤
７０７            電流検出用配線
７０８            駆動電圧印加用配線
７０９            駆動電圧印加用配線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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