(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィに係るパターンを露光する露光装置であって、
筐体と、
前記筐体内の雰囲気を調節する調節手段と、
前記筐体に設けられたゲート弁と、
前記ゲート弁の開口部にガスカーテンを生成する生成手段と、
前記筐体内の酸素および水のいずれかの濃度を計測する計測手段と、
前記計測手段の計測結果に基づいて前記生成手段によるガスカーテンのガス流量を制御する制御手段と
を有することを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記生成手段は、前記ゲート弁を介して搬送される基板の側面からガスを噴射する噴射手段を含むことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記生成手段は、ガスの流動方向を規制するガイド部材を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記ガスカーテンを構成するガスが大気および不活性ガスのいずれかであることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の露光装置。
【請求項５】
基板を検知する検知手段を有し、前記制御手段は、前記検知手段の検知結果に基づいて前記生成手段によるガスカーテンのガス流量を制御することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の露光装置。
【請求項６】
前記ゲート弁を介して基板を搬送する搬送手段を有することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の露光装置。
【請求項７】
前記基板は、ウエハおよびレチクルのいずれかであることを特徴とする請求項６に記載の露光装置。
【請求項８】
ロードロック装置との間に前記ゲート弁を介在させたことを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の露光装置。
【請求項９】
リソグラフィ装置であって、
筐体と、
前記筐体に設けられたゲート弁と、
前記ゲート弁の開口部にガスカーテンを生成する生成手段と、
前記筐体内の酸素および水のいずれかの濃度を計測する計測手段と、
前記計測手段の計測結果に基づいて前記生成手段によるガスカーテンのガス流量を制御する制御手段と
を有することを特徴とするリソグラフィ装置。
【請求項１０】
露光装置、レジスト・コータおよびレジスト・ディベロッパの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項９に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１１】
ロードロック装置であって、
筐体と、
前記筐体に設けられたゲート弁と、
前記ゲート弁の開口部にガスカーテンを生成する生成手段と、
前記筐体内の酸素および水のいずれかの濃度を計測する計測手段と、
前記計測手段の計測結果に基づいて前記生成手段によるガスカーテンのガス流量を制御する制御手段と
を有することを特徴とするロードロック装置。
【請求項１２】
請求項１〜８のいずれかに記載の露光装置、請求項９および１０のいずれかに記載のリソグラフィ装置、または請求項１１に記載のロードロック装置を用いることを特徴とするデバイス製造方法。
【請求項１３】
筐体と、前記筐体に設けられたゲート弁とを有するリソグラフィ装置を用いたリソグラフィ方法であって、
ガスカーテンが生成された前記ゲート弁の開口部を介して基板を搬送する搬送工程と、
前記筐体内の酸素および水のいずれかの濃度の計測結果に基づいて前記ガスカーテンのガス流量を制御する制御工程と
を含むことを特徴とするリソグラフィ方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、露光装置、リソグラフィ装置、ロードロック装置、デバイス製造方法およびリソグラフィ方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、露光装置に用いられる露光光は、解像度を上げて、より微細なパターンを露光するため、波長を短くする傾向にある。一方、短波長の光を発するフッ素エキシマレーザ（Ｆ２  エキシマレーザ）を光源とする露光装置の場合、光の透過率を低下させないため、露光光の光路からＯ２    をパージする必要がある。このとき、Ｏ２  濃度は１ｐｐｍ以下程度にするのが好ましいとされている。
【０００３】
そのため、コーターデベロッパ（コートディベロップ装置、ＣＤ装置）と呼ぶ塗布・現像機から露光装置にウエハおよびレチクル等の基板の受け渡しを行う際には、外部雰囲気からＯ２  等の侵入を防ぐためロードロック室（ＬＬ室）を介して行われる。該ロードロック室内は、コーターデベロッパ側雰囲気が不活性ガスで満たされた露光装置側雰囲気に入り込まないように、基板の移動に伴い、内部雰囲気を大気にしたり、不活性ガスにしたりと変換する必要がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ロードロック室内雰囲気をガス変換している間はロードロック室内に基板を待機させておく必要があるため、スループット向上の限界要因となっていた。
【０００５】
本発明は、このような従来技術の課題を解決し、露光装置、コートディベロップ装置、ロードロック室のような装置における基板の搬入・搬出時の雰囲気ガスの流入、流出を抑制して、スループットの向上を図ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の露光装置は、リソグラフィに係るパターンを露光する露光装置であって、筐体と、前記筐体内の雰囲気を調節する調節手段と、前記筐体に設けられたゲート弁と、前記ゲート弁の開口部にガスカーテンを生成する生成手段と、前記筐体内の酸素および水のいずれかの濃度を計測する計測手段と、前記計測手段の計測結果に基づいて前記生成手段によるガスカーテンのガス流量を制御する制御手段とを有することを特徴とする。
【０００７】
また、本発明のリソグラフィ装置およびロードロック装置は、それぞれ、筐体と、前記筐体に設けられたゲート弁と、前記ゲート弁の開口部にガスカーテンを生成する生成手段と、前記筐体内の酸素および水のいずれかの濃度を計測する計測手段と、前記計測手段の計測結果に基づいて前記生成手段によるガスカーテンのガス流量を制御する制御手段とを有することを特徴とする。
【０００８】
本発明において、前記生成手段は、前記ゲート弁を介して搬送される基板の側面からガスを噴射する噴射手段を含むことが好ましい。また、前記生成手段は、ガスの流動方向を規制するガイド部材を含むことが好ましい。こうすることによって、基板がガスカーテンを通過する際、ガスカーテンの流れを乱すのを防ぐことができる。
【０００９】
噴射するガスは、大気と同じ組成であってもよいが、各部屋の雰囲気と同じ組成の物を使用することが望ましい。各部屋の雰囲気と同じ組成とは、酸素や水分をパージするためのパージガスと同じものであれば良く、例えば、純粋な窒素ガスまたはヘリウムガス等の純粋な不活性ガスが挙げられる。これにより、管理している装置内部の酸素濃度等を上昇させることなく安定したガスカーテンを生成させることができる。
【００１０】
また、ガスカーテンのガス噴射部と、その反対側端部に、ガスの流動方向を規制するためのガイドを設けてもよい。これにより、ガスカーテンとパージ空間内の雰囲気との混入を避けることができるため、大気（あるいは雰囲気よりＯ２濃度が高いエアー）のようなコストの安いエアーを用いてガスカーテンを生成することができる。また、不活性ガスを使用する場合でも、ガスカーテンの乱流を防ぐことができるので、シール能力が向上する。
【００１１】
本発明において、ガスカーテンのガスは常に一定量噴射されても良いが、装置の運用コスト等を考慮して、必要時のみ発生させたり、流量を調節させることができる。
【００１２】
具体的には、第１の構成として、前記筐体内の酸素および水のいずれかの濃度を計測する計測手段（センサ、Ｆ２光透過率測定器等）と、前記計測手段の計測結果に基づいて前記生成手段によるガスカーテンのガス流量を制御する制御手段とを有する構成とすることができる。
【００１３】
また第２の構成として、基板を検知する検知手段（センサまたはシーケンスで検知する手段）と、前記検知手段の検知結果に基づいて、前記生成手段によるガスカーテンのガス流量を制御する制御手段とを有する構成とすることができる。
【００１４】
このような構成として、ゲート弁を開き、基板を移動させる時、基板が通過することをセンサで検知し、流量コントローラに信号を送り、ガスカーテンの流量を増加させＣＤ装置側からの酸素流入を防ぐことができる。また、基板連続搬出入時は、ガスカーテンでシールし、しばらく使わないときにはゲート弁でシールすれば、ガスを節約することができる。
【００１５】
以上のような構成により、例えば、外部環境の酸素等の濃度が比較的高い状態でウエハあるいはレチクルを露光装置に搬入することが可能となる。そのため、例えば、ロードロック室内での不活性ガス置換の時間短縮が可能となる。
【００１７】
本発明のデバイス製造方法は、前記露光装置、リソグラフィ装置、またはロードロック装置を用いることを特徴とする。
【００１９】
本発明のリソグラフィ方法は、筐体と、前記筐体に設けられたゲート弁とを有するリソグラフィ装置を用いたリソグラフィ方法であって、ガスカーテンが生成された前記ゲート弁の開口部を介して基板を搬送する搬送工程と、前記筐体内の酸素および水のいずれかの濃度の計測結果に基づいて前記ガスカーテンのガス流量を制御する制御工程とを含むことを特徴とする。
【００２０】
【実施例】
（実施例１）
図１は本発明に係るＦ２  エキシマレーザを光源とする半導体露光装置の一例を示す断面模式図である。
【００２１】
同図において、１はパターンの描画されたレチクルを搭載するレチクルステージ、２はレチクル上のパターンをウエハに投影する投影光学系（鏡筒）、３はウエハを搭載しＸ、Ｙ、Ｚ、θおよびチルト方向に駆動するウエハステージ、４は照明光をレチクル上に照射するための照明光学系、５は光源からの光を照明光学系４に導光する引き回し光学系、６は光源であるＦ２  レーザ部、７はレチクル上のパターン領域以外が照明されないように露光光を遮光するマスキングブレード、８および９は各々レチクルステージ１およびウエハステージ３周囲の露光光軸を覆う筐体、１０は鏡筒２および照明光学系４の内部を所定のＨｅ雰囲気に調節するＨｅ空調機、１１および１２は筐体８および９各々の内部を所定のＮ２  雰囲気に調節するＮ２  空調機、１３および１４  はレチクルおよびウエハを各々筐体８および９内に搬入する時に使用するロードロック室（ＬＬ室）、１５および１６は各々レチクルおよびウエハを搬送するためのレチクルハンドおよびウエハハンド、１７はレチクルの位置調節に用いるレチクルアライメント検出系、１８は複数のレチクルを筐体８内で保管するレチクル保管庫、１９はウエハのプリアライメントを行うプリアライメント部である。
【００２２】
図２は、本実施例に係る露光装置とその周辺装置との関係を説明するための模式図である。同図において、２１はウエハ２６にレジストを塗布するコータと露光後のウエハを現像するディベロッパを有するコートディベロップ装置（ＣＤ装置）、２２は露光装置、１４はＣＤ装置２１と露光装置２２の間でウエハ２６の受け渡しを行うＬＬ室である。２３ａはＣＤ装置２１とＬＬ室１４との間のエアーカーテン、２３ｂはＬＬ室１４と露光装置２２との間のエアーカーテン、２４ａはＣＤ装置２１とＬＬ室１４との間のゲート弁、２４ｂはＬＬ室１４と露光装置２２との間のゲート弁、２５はエアーカーテン２３ａのガイドである。
【００２３】
本実施例において、ＣＤ装置２１内のＯ２  は、濃度１％程度になるようにＮ２  等の不活性ガ  スでパージされている。同様にＬＬ室１４内部および露光装置２２内部もＯ２  がパージされ、ＬＬ室１４でＯ２  濃度１０ｐｐｍ程度、露光装置２２でＯ２  濃度１ｐｐｍ程度となるように調節  されている。ここでは、Ｏ２  濃度をＣＤ装置２１内では１％、ＬＬ室内で１０ｐｐｍ、露光装置内で１ｐｐｍとしているが、これは一例であり、露光装置内の雰囲気を乱さないというエアーカーテンの効果の程度に応じて、それぞれのＯ２  濃度の許容値を変えることも可能である。ただし、ＬＬ室内のＯ２  濃度は露光装置内より高く、ＣＤ装置内のＯ２  濃度はＬＬ室内より高く設定す  ることが好ましい。エアーカーテン２３ａは大気と同じ組成であり、エアーカーテンはＣＤ装置２１内に流れ込まないように、ガイド２５によって不図示の循環係に導かれている。一方、エアーカーテン２３ｂは露光装置２２内のＨ２  Ｏ、Ｏ２  濃度等を上昇させないように、Ｎ２  ガスの流体と  なっている。また、ＬＬ室１４は、ＣＤ装置２１から露光装置２３へウエハ２６を搬送するときに、内部にウエハ２６のある状態で両端のゲート弁２４ａおよび２４ｂを閉じて内部雰囲気の入れ替えを行い酸素濃度が許容値になるまでパージすることができるように雰囲気置換機能を有している。
【００２４】
本実施例の構成において、エアーカーテン２３ａ，２３ｂは、ガス噴射ノズル２７ａおよび２７ｂから噴出される。エアーの噴出量は、装置稼働中、常に一定量噴出してもよいが、ウエハ２６を搬送するためのウエハ搬送手段（不図示）や、各装置間のゲート弁２４ａ，２４ｂと連動できるように装置全体を制御する手段（不図示）を有する。この制御手段により、エアーカーテンのＯＮ−ＯＦＦ制御あるいは流量調整の方法を図３を用いて説明する。
【００２５】
図３は、ウエハ２６をＬＬ室１４から露光装置２２に移動させる際の手順を示すフローチャートである。
【００２６】
ＣＤ装置２１においてレジストを塗布されたウエハ２６は、まず、ゲート弁２４ａからＬＬ室１４に搬入される。この状態で、露光装置２２側のゲート弁２４ｂは閉じており、エアーカーテン２３ｂは初期状態、即ちノズル２７ｂのエアー噴出を行っていない（あるいは少量のエアーを噴出している）状態となっている（ステップＳ１０１）。そしてＣＤ装置２１側のゲート弁２４ａを閉じてウエハ２６搬入のため移動を開始する（ステップＳ１０２）。ステップＳ１０２でウエハ２６の移動を開始すると、それに連動し、ノズル２７ｂからエアーの噴出を行い（あるいはエアー噴出量を増加させ）、エアーカーテン２３ｂを発生する（ステップＳ１０３）。次にＬＬ室１４と露光装置２２の間のゲート弁２４ｂを開き（ステップＳ１０４）、ウエハ２６をＬＬ室１４から露光装置２２へ移動する（ステップＳ１０５）。このとき、ウエハ２６の表面にエアーが当たって乱流が発生するのを防ぐため、エアーはウエハ２６の側面から噴出される。ウエハ２６の露光装置２２内への移動が終了したら（ステップＳ１０６）、ゲート弁２４ｂを閉じて（ステップＳ１０７）、エアーカーテン２３ｂのエアーを止める（ステップＳ１０８）。
【００２７】
このようにエアーカーテン２３ｂのＯＮ−ＯＦＦあるいは流量を調整することによって、不活性ガスを節約し運用コストを低減することが可能となる。
【００２８】
また、同様にＣＤ装置２１内に設けたエアーカーテン２３ａについても、ＯＮ−ＯＦＦあるいは流量を調整することができる。本実施例の場合、エアーカーテン２３ａとしては大気を使用しているので、ＣＤ装置２１内の雰囲気劣化を最小限に抑えることができる。
【００２９】
なお、本実施例において、エアーカーテン２３ａはＣＤ装置２１内に設け、２３ｂは露光装置２２内に設けたが、この構成に限らず、エアーカーテン２３ａの代わりにＬＬ室１４内のＣＤ装置側に設け（２３ａ’）、エアーカーテン２３ｂの代わりにＬＬ室１４内の露光装置側に設け（２３ｂ’）てもよい。これらは、エアーカーテン２３ａと２３ｂ、エアーカーテン２３ａと２３ｂ’、エアーカーテン２３ａ’と２３ｂ、エアーカーテン２３ａ’と２３ｂ’の組み合わせのいずれの配置としても良い。
【００３０】
（実施例２）
図４に、本実施例に係る露光装置とその周辺装置との関係を示す。
本実施例では、ＬＬ室１４の内部に酸素濃度を計測するための酸素濃度計２８ａが設けられ、その計測値に基づいてガス噴射ノズル２７ａの噴出量を調節するための流量コントローラ２９ａが設けられている。これと同様に、露光装置２２の内部にも酸素濃度計２８ｂが設けられ、その計測値に基づいてガス噴射ノズル２７ｂ’の噴出量を調節するための流量コントローラ２９ｂが設けられている。この流量コントローラ２９ａおよび２９ｂは、ガス噴出量をアナログ的に可変にする機能とエアーをＯＮ−ＯＦＦする機能を有している。
また、本実施例ではエアーカーテン２３ａおよび２３ｂ’はいずれもＮ２  ガスを用いているが、その他の構成は実施例１と同様である。
【００３１】
以下、本実施例の装置においてウエハ２６をＬＬ室１４から露光装置２２に移動させる際の手順を図５のフローチャートを用いて説明する。
ＣＤ装置２１においてレジストを塗布されたウエハ２６は、まず、ゲート弁２４ａからＬＬ室１４に搬入される。この状態で、露光装置２２側のゲート弁２４ｂは閉じており、エアーカーテン２３ｂ’は初期状態、即ちノズル２７ｂ’のエアー噴出を行っていない（あるいは少量のエアーを噴出している）状態となっている（ステップＳ２０１）。そして、ＣＤ装置２１側のゲート弁２４ａを閉じてウエハ２６搬入のため移動を開始する（ステップＳ２０２）。
【００３２】
この後、不図示の制御手段で、以下の並列処理を行う。
まず一方では、ＬＬ室１４と露光装置２２の間のゲート弁２４ｂを開き（ステップＳ２０３）、ウエハ２６をＬＬ室１４から露光装置２２へ移動し（ステップＳ２０４）、移動が終了したら（ステップＳ２０５）、ゲート弁２４ｂを閉じ（ステップＳ２０６）処理を終了する。
【００３３】
さて、上記ステップＳ２０２においてウエハ２６の移動を開始してから、ゲート弁２４ｂを閉じるまでの間（ステップＳ２０３〜Ｓ２０６）、並行して、エアーカーテン２３ｂ’の流量の制御処理を行う。この流量の制御処理を以下に説明する。
【００３４】
まず、不図示の制御手段により酸素濃度計２８ｂの計測値を読み込み、酸素濃度が設定値以上か否かを判断する（ステップＳ２０７）。計測値が設定値以上であったら、ステップＳ２０８に進み、酸素濃度が高すぎるのでパージガスを噴出するように（ステップＳ２０１の初期状態で少量のパージガスを噴出している場合はパージガスの流量を増加させるように）流量コントローラ２９ｂに信号を送る。流量コントローラ２９ｂは、制御手段からの信号に従って、エアーカーテン２３ｂ’の流量を調節して（ステップＳ２０９）、ステップＳ２１０に進む。一方、ステップＳ２０７で計測値が設定値未満であったら、ステップＳ２１１に進み、酸素濃度が高すぎるのでパージガスの噴出を行わないように（ステップＳ２０１の初期状態で少量のパージガスを噴出している場合はパージガスの流量を減少させるように）流量コントローラ２９ｂに信号を送る。流量コントローラ２９ｂは、制御手段からの信号に従って、エアーカーテン２３ｂ’の流量を調節して（ステップＳ２１２）、ステップＳ２１０に進む。
【００３５】
ステップＳ２１０では、ゲート弁２４ｂが閉じたか否かを判断して、閉じていなければステップＳ２０７に戻り、閉じていれば処理を終了する。
【００３６】
以上のように、本実施例によれば、エアーの流量を調節することで露光装置２２内の酸素濃度を常に１ｐｐｍ以下に保つことができる。
【００３７】
また、本実施例の装置においてウエハ２６をＣＤ装置２１からＬＬ室１４に移動させる際も同様の手順でエアーカーテン２３ａの流量調節をしている。流量コントローラ２９ａ側の処理は、酸素濃度計２８ａの値が１０ｐｐｍを越えたらエアーカーテン２３ａの流量を増加させＬＬ室への酸素の進入を抑える。
【００３８】
（実施例３）
本実施例の装置間構成は、実施例２のもの（図５）とほぼ同様である。
以下、本例の構成においてウエハ２６をＬＬ室１４から露光装置２２に移動させる際の手順を図６のフローチャートを用いて説明する。
【００３９】
ＣＤ装置２１においてレジストを塗布されたウエハ２６は、まず、ゲート弁２４ａからＬＬ室１４に搬入される。この状態で、露光装置２２側のゲート弁２４ｂは閉じており、エアーカーテン２３ｂ’は初期状態、即ちノズル２７ｂ’のエアー噴出を行っていない状態となっている（ステップＳ３０１）。そしてＣＤ装置２１側のゲート弁２４ａを閉じてウエハ２６搬入のため移動を開始する（ステップＳ３０２）。ステップＳ３０２でウエハ２６の移動を開始すると、それに連動し、ノズル２７ｂ’から所定量のエアーの噴出を行い、エアーカーテン２３ｂ’を発生する（ステップＳ３０３）。次に、ＬＬ室１４と露光装置２２の間のゲート弁２４ｂを開き（ステップＳ３０４）、ウエハ２６をＬＬ室１４から露光装置２２へ移動する（ステップＳ３０５）。ウエハ２６の露光装置２２内への移動が終了したら（ステップＳ３０６）、ゲート弁２４ｂを閉じて（ステップＳ３０７）、エアーカーテン２３ｂ’のエアーを止めて（ステップＳ３０８）処理を終了する。
【００４０】
一方、ステップＳ３０３においてエアーカーテン２３ｂ’を発生するのとほぼ同時に、制御手段（不図示）は酸素濃度計２８ｂのモニタリングを開始する（ステップＳ３０９）。その後、制御手段は、処理（ステップＳ３０３〜Ｓ３０７）と並行して、酸素濃度計２８ｂの計測値に基づき流量コントローラ２９ｂに対して、エアー噴出量の制御を行う（ステップＳ３１０）。本例の場合は、酸素濃度計２８ｂの値が１ｐｐｍを越えたらエアーカーテン２３ｂ’の流量を増加させ、露光装置へのＯ２  の進入を抑える。流量コントローラ２９ｂは、制御手段（不図示）からの信号に基づいてゲート弁２４ｂが閉じたか否かを判断し（ステップＳ３１１）、閉じていれば流量コントローラ２９ｂは処理を終了する。
【００４１】
以上のように、本実施例によれば、エアーの流量を調節することで露光装置２２内の酸素濃度を常に１ｐｐｍ以下に保つことができる。
【００４２】
また、本実施例の構成においてウエハ２６をＣＤ装置２１からＬＬ室１４に移動させる際も同様の手順でエアーカーテン２３ａの流量調節をしている。流量コントローラ２９ａ側の処理は、酸素濃度計２８ａの値が１０ｐｐｍを越えたらエアーカーテン２３ａの流量を増加させＬＬ室１４へのＯ２  の進入を抑える。
【００４３】
（実施例４）
図７に、本実施例に係る露光装置とその周辺装置との関係を示す。
本実施例では、ＣＤ装置２１とＬＬ室１４の間にウエハ２６を検知するためのウエハ検知手段３０ａが設けられ、その計測値に基づいてガス噴射ノズル２７ａの噴出量を調節するための流量コントローラ２９ａが設けられている。これと同様に、ＬＬ室１４と露光装置２２の間にもウエハ検知手段３０ｂが設けられ、その計測値に基づいてガス噴射ノズル２７ｂ’の噴出量を調節するための流量コントローラ２９ｂが設けられている。この流量コントローラ２９ａおよび２９ｂは、ガス噴出量をアナログ的に可変にする機能とエアーをＯＮ−ＯＦＦする機能を有している。
【００４４】
また、本実施例ではエアーカーテン２３ａおよび２３ｂ’は、いずれもＮ２  ガスを用いているが、その他の構成は実施例１と同様である。
【００４５】
以下、本例の構成においてウエハ２６をＬＬ室１４から露光装置２２に移動させる際の手順を図８のフローチャートを用いて説明する。なお、ＣＤ装置２１からＬＬ室１４に移す場合も同様のシーケンスとなる。
【００４６】
ＣＤ装置２１においてレジストを塗布されたウエハ２６は、まず、ゲート弁２４ａからＬＬ室１４に搬入され、ＣＤ装置２１側のゲート弁２４ａを閉じてウエハ２６搬入のため移動を開始する（ステップＳ４０１）。移動開始後も、露光装置２２側のゲート弁２４ｂは閉じており、エアーカーテン２３ｂ’は初期状態、即ちノズル２７ｂ’のエアー噴出を行っていない（あるいは少量のエアーを噴出している）状態となっている（ステップＳ４０２）。ウエハ検知手段３０ｂがウエハ２６を検知するまでエアーカーテンは初期状態を維持し、ステップＳ４０３でウエハ２６を検知したら、ステップＳ４０４〜Ｓ４０７およびステップＳ４０８〜Ｓ４１２を並行処理する。
【００４７】
このステップＳ４０４〜Ｓ４０７では、ＬＬ室１４と露光装置２２の間のゲート弁２４ｂを開き（ステップＳ４０４）、ウエハ２６をＬＬ室１４から露光装置２２へ移動する（ステップＳ４０５）。ウエハ２６の露光装置２２内への移動が終了したら（ステップＳ４０６）、ゲート弁２４ｂを閉じて（ステップＳ４０７）、処理を終了する。
【００４８】
一方、ステップＳ４０８〜Ｓ４１２では、まず、不図示の制御手段により、ステップＳ４０８に進み、パージガスを噴出するように（ステップＳ４０２の初期状態で少量のパージガスを噴出している場合はパージガスの流量を増加させるように）流量コントローラ２９ｂに信号を送る。流量コントローラ２９ｂは、制御手段からの信号に従って、所定量のエアーカーテン２３ｂ’を発生させる（ステップＳ４０９）、そして、ゲート弁２４ｂが閉じられるまでこの状態を維持し、ステップＳ４１０においてゲート弁２４ｂが閉じられたと判断したら、ステップＳ４１１に進む。ステップＳ４１１ではパージガスの噴出を行わないように（ステップＳ２０１の初期状態で少量のパージガスを噴出している場合はパージガスの流量を減少させるように）流量コントローラ２９ｂに信号を送る。流量コントローラ２９ｂは、制御手段からの信号に従って、エアーカーテン２３ｂ’の流量を調節して（ステップＳ４１２）、処理を終了する。
【００４９】
以上のように、本実施例によれば、ウエハ検知手段２７ａあるいは２７ｂ’を配置し、ウエハ２６が通過する際にエアーカーテン２３ａあるいは２３ｂ’の流量を増加させ、Ｏ２  の進入を防ぐことができる。
【００５０】
以上説明した、実施例１〜４では、ウエハを露光装置に搬入する際の構成を示したが、ＣＤ装置からＬＬ室に搬出する場合や、レチクルを露光装置に搬入する場合も同様の構成とすることができる。
【００５１】
上記構成により、ロードロック室内の雰囲気をほとんど変化させずにすむため、ロードロック室内雰囲気の交換による処理の待ち時間を省略することができ、スループットを劣化させることなく、ウエハあるいはレチクルの搬出入を行うことができる。
【００５２】
（半導体生産システムの実施例）
次に、半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の生産システムの例を説明する。これは半導体製造工場に設置された製造装置のトラブル対応や定期メンテナンス、あるいはソフトウェア提供などの保守サービスを、製造工場外のコンピュータネットワークを利用して行うものである。
【００５３】
図９は全体システムをある角度から切り出して表現したものである。図中、１０１は半導体デバイスの製造装置を提供するベンダー（装置供給メーカ）の事業所である。製造装置の実例として、半導体製造工場で使用する各種プロセス用の半導体製造装置、例えば、前工程用機器（露光装置、レジスト処理装置、エッチング装置等のリソグラフィ装置、熱処理装置、成膜装置、平坦化装置等）や後工程用機器（組立て装置、検査装置等）を想定している。事業所１０１内には、製造装置の保守データベースを提供するホスト管理システム１０８、複数の操作端末コンピュータ１１０、これらを結んでイントラネットを構築するローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）１０９を備える。ホスト管理システム１０８は、ＬＡＮ１０９を事業所の外部ネットワークであるインタネット１０５に接続するためのゲートウェイと、外部からのアクセスを制限するセキュリティ機能を備える。
【００５４】
一方、１０２〜１０４は、製造装置のユーザとしての半導体製造メーカの製造工場である。製造工場１０２〜１０４は、互いに異なるメーカに属する工場であっても良いし、同一のメーカに属する工場（例えば、前工程用の工場、後工程用の工場等）であっても良い。各工場１０２〜１０４内には、夫々、複数の製造装置１０６と、それらを結んでイントラネットを構築するローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）１１１と、各製造装置１０６の稼動状況を監視する監視装置としてホスト管理システム１０７とが設けられている。各工場１０２〜１０４に設けられたホスト管理システム１０７は、各工場内のＬＡＮ１１１を工場の外部ネットワークであるインタネット１０５に接続するためのゲートウェイを備える。これにより各工場のＬＡＮ１１１からインタネット１０５を介してベンダー１０１側のホスト管理システム１０８にアクセスが可能となり、ホスト管理システム１０８のセキュリティ機能によって限られたユーザだけがアクセスが許可となっている。具体的には、インタネット１０５を介して、各製造装置１０６の稼動状況を示すステータス情報（例えば、トラブルが発生した製造装置の症状）を工場側からベンダー側に通知する他、その通知に対応する応答情報（例えば、トラブルに対する対処方法を指示する情報、対処用のソフトウェアやデータ）や、最新のソフトウェア、ヘルプ情報などの保守情報をベンダー側から受け取ることができる。各工場１０２〜１０４とベンダー１０１との間のデータ通信および各工場内のＬＡＮ１１１でのデータ通信には、インタネットで一般的に使用されている通信プロトコル（ＴＣＰ／ＩＰ）が使用される。なお、工場外の外部ネットワークとしてインタネットを利用する代わりに、第三者からのアクセスができずにセキュリティの高い専用線ネットワーク（ＩＳＤＮなど）を利用することもできる。また、ホスト管理システムはベンダーが提供するものに限らずユーザがデータベースを構築して外部ネットワーク上に置き、ユーザの複数の工場から該データベースへのアクセスを許可するようにしてもよい。
【００５５】
さて、図１０は本実施形態の全体システムを図９とは別の角度から切り出して表現した概念図である。先の例ではそれぞれが製造装置を備えた複数のユーザ工場と、該製造装置のベンダーの管理システムとを外部ネットワークで接続して、該外部ネットワークを介して各工場の生産管理や少なくとも１台の製造装置の情報をデータ通信するものであった。これに対し本例は、複数のベンダーの製造装置を備えた工場と、該複数の製造装置のそれぞれのベンダーの管理システムとを工場外の外部ネットワークで接続して、各製造装置の保守情報をデータ通信するものである。図中、２０１は製造装置ユーザ（半導体デバイス製造メーカ）の製造工場であり、工場の製造ラインには各種プロセスを行う製造装置、ここでは例として露光装置２０２、レジスト処理装置２０３、成膜処理装置２０４が導入されている。なお図１０では製造工場２０１は１つだけ描いているが、実際は複数の工場が同様にネットワーク化されている。工場内の各装置はＬＡＮ２０６で接続されてイントラネットを構成し、ホスト管理システム２０５で製造ラインの稼動管理がされている。一方、露光装置メーカ２１０、レジスト処理装置メーカ２２０、成膜装置メーカ２３０などベンダー（装置供給メーカ）の各事業所には、それぞれ供給した機器の遠隔保守を行なうためのホスト管理システム２１１，２２１，２３１を備え、これらは上述したように保守データベースと外部ネットワークのゲートウェイを備える。ユーザの製造工場内の各装置を管理するホスト管理システム２０５と、各装置のベンダーの管理システム２１１，２２１，２３１とは、外部ネットワーク２００であるインタネットもしくは専用線ネットワークによって接続されている。このシステムにおいて、製造ラインの一連の製造機器の中のどれかにトラブルが起きると、製造ラインの稼動が休止してしまうが、トラブルが起きた機器のベンダーからインタネット２００を介した遠隔保守を受けることで迅速な対応が可能で、製造ラインの休止を最小限に抑えることができる。
【００５６】
半導体製造工場に設置された各製造装置はそれぞれ、ディスプレイと、ネットワークインタフェースと、記憶装置にストアされたネットワークアクセス用ソフトウェアならびに装置動作用のソフトウェアを実行するコンピュータを備える。記憶装置としては内蔵メモリやハードディスク、あるいはネットワークファイルサーバーなどである。上記ネットワークアクセス用ソフトウェアは、専用又は汎用のウェブブラウザを含み、例えば図１１に一例を示す様な画面のユーザインタフェースをディスプレイ上に提供する。各工場で製造装置を管理するオペレータは、画面を参照しながら、製造装置の機種（４０１）、シリアルナンバー（４０２）、トラブルの件名（４０３）、発生日（４０４）、緊急度（４０５）、症状（４０６）、対処法（４０７）、経過（４０８）等の情報を画面上の入力項目に入力する。入力された情報はインタネットを介して保守データベースに送信され、その結果の適切な保守情報が保守データベースから返信されディスプレイ上に提示される。またウェブブラウザが提供するユーザインタフェースはさらに図示のごとくハイパーリンク機能（４１０〜４１２）を実現し、オペレータは各項目の更に詳細な情報にアクセスしたり、ベンダーが提供するソフトウェアライブラリから製造装置に使用する最新バージョンのソフトウェアを引出したり、工場のオペレータの参考に供する操作ガイド（ヘルプ情報）を引出したりすることができる。
【００５７】
次に上記説明した生産システムを利用した半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図１２は半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す。ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行なう。ステップ２（マスク製作）では設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組立て工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これを出荷（ステップ７）する。前工程と後工程はそれぞれ専用の別の工場で行い、これらの工場毎に上記説明した遠隔保守システムによって保守がなされる。また前工程工場と後工程工場との間でも、インタネットまたは専用線ネットワークを介して生産管理や装置保守のための情報がデータ通信される。
【００５８】
図１３は上記ウエハプロセスの詳細なフローを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁膜を成膜する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステップ１６（露光）では上記説明した露光装置によってマスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。各工程で使用する製造機器は上記説明した遠隔保守システムによって保守がなされているので、トラブルを未然に防ぐと共に、もしトラブルが発生しても迅速な復旧が可能で、従来に比べて半導体デバイスの生産性を向上させることができる。
【００５９】
【発明の効果】
装置における基板の搬入または搬出時の雰囲気ガスの流入、流出を抑制して、スループットの向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るＦ２  エキシマレーザを光源とする半導体露光装置の一例を示す断  面模式図。
【図２】実施例１に係る露光装置とその周辺装置との関係を説明するための模式図。
【図３】図２の構成でウエハをＬＬ室から露光装置に移動させる際の手順を示すフローチャート。
【図４】実施例２に係る露光装置とその周辺装置との関係を説明するための模式図。
【図５】図４の構成でウエハをＬＬ室から露光装置に移動させる際の手順の一例を示すフローチャート。
【図６】図４の構成でウエハをＬＬ室から露光装置に移動させる際の手順の他の例を示すフローチャート。
【図７】実施例４に係る露光装置とその周辺装置との関係を説明するための模式図。
【図８】図７の構成でウエハをＬＬ室から露光装置に移動させる際の手順を示すフローチャート。
【図９】半導体デバイスの生産システムをある角度から見た概念図。
【図１０】半導体デバイスの生産システムを別の角度から見た概念図。
【図１１】ユーザインタフェースの具体例。
【図１２】デバイスの製造プロセスのフローを説明する図。
【図１３】ウエハプロセスを説明する図。
【符号の説明】
１：レチクルステージ、２：投影光学系（鏡筒）、３：ウエハステージ、４：照明光学系、５：引き回し光学系、６：Ｆ２  レーザ部、７：マスキングブレード、８，９：筐体、１０：Ｈｅ空調機、１１，１２：Ｎ２  空調機、１３，１４：ＬＬ室、１５，１６：ハンド、１７：レチクルアライメント検出系、１８：レチクル保管庫、１９：プリアライメント部、２１：ＣＤ装置、２２：露光装置、２３ａ，２３ａ’，２３ｂ，２３ｂ’：エアーカーテン、２４ａ，２４ｂ：ゲート弁、２５：ガイド、２６：ウエハ、２７ａ，２７ｂ，２７ｂ’：ガス噴射ノズル、２８ａ，２８ｂ：酸素濃度計、２９ａ，２９ｂ：流量コントローラ、３０ａ，３０ｂ：ウエハ検知手段。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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