(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルミナ純度が９９．７５％以上であり、平均結晶粒径が４μｍ〜１５μｍでありかつ嵩密度が３．９４ｇ／ｃｍ３以上であるアルミナセラミックスからなり、かつ
Ｘ線回折測定において式Ｉ０３０／（Ｉ１１３＋Ｉ０３０）（式中、Ｉ０３０およびＩ１１３はそれぞれ前記Ｘ線回折測定により得られる回折パターンのアルミナ結晶｛０３０｝面および｛１１３｝面に対応するピークの強度である）によって求められる結晶配向率が０．３４以上である表面をプラズマ耐食性の表面として有することを特徴とする、プラズマ耐食性に優れたアルミナセラミックス材料。
【請求項２】
アルミナ原料粉末を成形しかつ得られた成形体を焼結することにより請求項１に記載のアルミナセラミックス材料を製造する方法において、
前記アルミナ原料粉末を成形する前に、前記アルミナ原料粉末を１０００℃〜１１５０℃の温度で仮焼する工程と、
前記仮焼を施した材料について一軸方向に加圧成形を施す工程とを備えることを特徴とする、プラズマ耐食性に優れたアルミナセラミックス材料の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プラズマ耐食性に優れたアルミナセラミックスおよびその製造方法に関し、特に、エッチング、半導体エピタキシャル成長膜の作製、ＬＳＩ回路の製造などの半導体プロセスに必要なフッ素系プラズマ照射に対して優れた耐食性を有するアルミナセラミックス材料およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
プラズマエッチング装置、プラズマアッシング装置、プラズマＣＶＤ装置等のプラズマを用いて処理を行なう装置は、低温で効率よく必要な処理を行なうことができ、処理の制御も比較的簡単であり、半導体基板等の材料にダメージを与えるおそれが少ないという点から、高集積半導体装置、液晶表示装置等の製造において欠くことができないものとなっている。
【０００３】
これらの装置では、真空近くに減圧した処理を行なうべき容器内に、反応ガスを導入し、高周波やマイクロ波を印加してガス放電を起こさせてプラズマを生成させる。図１は、この種のプラズマ処理装置の一例を模式的に示すものである。この装置において、たとえば、試料台２３上に載置され、その周りを保護プレート２４で囲まれ、かつクランパ２５によって保持された材料の表面にプラズマ処理を施す場合、排気口１４から排気を行なって反応容器１１内を所定の真空度に設定した後、ガス供給管１３からプラズマ生成室２０内にＣＦ４  、Ｃ３  Ｆ８  、Ｃｌ２  、ＨＢｒ、Ａｒ、Ｏ２  等の反応性ガスを供給する。装置の作動中、冷却水が冷却水流通室１８に流され、反応容器１１の周辺は冷却される。マイクロ波は、マイクロ波発振器１６から導波管１５を介して誘電体線路１２に導入される。これにより誘電体線路１２下方に電界が形成され、形成された電界がマイクロ波導入窓２２を通過してプラズマ生成室２０内に導入される。ガス供給管１３から供給されたガスは、プラズマ生成室２０内に導入され、マイクロ波の照射によりプラズマ化される。プラズマのうち電気的に中性のラジカルが主にメッシュ状の仕切板１７を通過して反応室２１内に広がり、材料の表面に到達し、プラズマ処理が施される。またこのような装置において、プラズマ処理すべき材料を保持する治具として、静電チャック等が用いられる。
【０００４】
このようなプラズマ処理装置において、マイクロ波導入窓、保護プレート、クランパ、静電チャック等はプラズマに晒される。したがって、これらの部材は、プラズマに対して耐食性を有する必要がある。特に、フルオロカーボンおよび他のフッ素含有ガスより生成される反応性のより高いフッ素系プラズマに対し、優れた耐食性を有する部材が望まれている。
【０００５】
特開平８−８１２５８号公報は、耐ドライエッチング性に優れるアルミナセラミックス焼結体を提供するための技術を開示する。同公報によれば、アルミナセラミックス焼結体は、９９．２重量％以上９９．９９重量％以下の酸化アルミニウムと残部がアルミニウム以外の金属の酸化物からなり、そこにおいて平均粒子径は０．５μｍ以上１．５μｍ以下であり、かつ密度は３．８８ｇ／ｃｍ３  以上３．９７ｇ／ｃｍ３  以下である。また研削加工した該焼結体は、１０００℃以上１５５０℃以下の温度で０．１時間以上６時間以下にわたり加熱処理されている。
【０００６】
特開平８−２３１２６６号公報は、フッ素プラズマによるエッチングに対して強い抵抗性を有する改良されたアルミニウムセラミックス材料を提供するための技術を開示する。同公報によれば、改良されたアルミナセラミックス材料は、９９．５重量％〜９９．８重量％のアルミナと、０．５重量％〜０．２重量％のシリカ、ＣａＯ、ＭｇＯ等のバインダとからなり、かつ１５μｍ〜３０μｍを中心とする単一モードの粒径分布を有する。
【０００７】
特開平９−２８６４号公報もまた、フッ素プラズマに対して高い耐性を有するアルミナセラミックス材料を提供するための技術を開示する。同公報によれば、多結晶アルミナセラミックス材料は、９９．３重量％〜９９．７重量％のアルミナと、０．７重量％〜０．３重量％のバインダとからなる未焼結体を形成し、約１４００℃〜１７００℃の温度で約８〜１２時間焼結することにより製造される。このとき、多結晶アルミナセラミックス材料中の未焼結粒子の面積％は０．１面積％を超えない。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
半導体プロセス等のための装置に用いられるアルミナセラミックス部材には、プラズマ、特にフッ素系プラズマに対して優れた耐食性を有することの他に、プラズマ照射により局所的に損傷が進まないこと、ウエハ等の加工物への汚染が無視できるレベルのものであること、材料強度が比較的大きいこと、適当な工数によって製造できること等の条件を満たすことが望まれている。特開平８−２３１２６６号公報に開示されるアルミナセラミックス材料では、アルミナ純度が比較的低く、またバインダとしてＣａ、Ｍｇ等の元素を含むため、ウエハへの汚染が無視できないレベルになる可能性が考えられる。また、この材料では、粒径密度が比較的大きいため、典型的な強度の目安が４０，０００ｐｓｉ（約２８ｋｇ／ｍｍ２  ）と比較的小さい。また、このような材料は焼結体密度が比較的小さいため、プラズマ照射により局所的に損傷が進みやすい（深く掘れやすい）と考えられる。特開平９−２８６４号公報に開示されるセラミックス材料も、比較的アルミナ純度が低く、またバイダとしてＣａ、Ｍｇ等の元素を含むため、ウエハへの汚染が無視できないレベルになる可能性があると考えられる。また同公報に開示される製造プロセスは、工程数が比較的多く、焼結時間が８〜１２時間と比較的長いため、生産効率がそれほど良好なものではないと考えられる。特開平８−８１２５８号公報に開示される技術では、焼結および研削加工の後に１０００〜１５５０℃で０．１〜６時間の加熱処理が必要である。そのような加熱処理のために、焼結時に発生した歪み、マイクロクラック量等に応じて適正な条件を探す必要があり、製造工程がより複雑になってくる。また、この技術では、具体的に示される焼結体密度がそれほど高くなっておらず、耐エッチング特性をさらに向上させるべき余地があると考えられる。
【０００９】
本発明の目的は、従来の材料よりもプラズマ照射に対する耐食性の優れたアルミナセラミックス材料を提供することである。
【００１０】
本発明のさらなる目的は、フッ素系プラズマに対する耐食性が優れかつ強度が高いアルミナセラミックス材料を比較的シンプルなプロセスによって製造できる技術を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、アルミナ焼結体のフッ素プラズマに対する耐食性が、アルミナ純度、焼結体密度、平均粒径および結晶配向性に依存することを見いだし、それらについてより好ましい条件を設定することにより、本発明を完成させるに至った。
【００１２】
すなわち、本発明によるプラズマ耐食性に優れたアルミナセラミックス材料は、アルミナ純度が９９．７５％以上であり、平均結晶粒径が４μｍ〜１５μｍでありかつ嵩密度が３．９４ｇ／ｃｍ３  以上であるアルミナセラミックスからなり、かつＸ線回折測定において式Ｉ０３０  ／（Ｉ１１３  ＋Ｉ０３０  ）（式中、Ｉ０３０  およびＩ１１３  はそれぞれＸ線回折測定により得られる回折パターンのアルミナ結晶｛０３０｝面および｛１１３｝面に対応するピークの強度である）によって求められる結晶配向率が０．３４以上である表面をプラズマ耐食性の表面として有することを特徴とする。
【００１３】
また本発明によるプラズマ耐食性に優れたアルミナセラミックス材料の製造方法は、アルミナ原料粉末を成形しかつ得られた成形体を焼結することにより上記セラミックス材料を製造する方法において、アルミナ原料粉末を成形する前にアルミナ原料粉末を１０００℃〜１１５０℃の温度で仮焼する工程と、仮焼を施した材料について一軸方向に加圧成形を施す工程とを備えることを特徴とする。
【００１４】
以上の特徴を有する本発明によれば、たとえば、プラズマ照射に対するエッチング速度が従来技術による部材よりも１／２以下に抑えられた部材を提供することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
本発明は、たとえば、ウエハエッチング、アッシング、半導体エピタキシャル成長膜の作製、ＣＶＤ、ＬＳＩ回路製造、液晶表示装置製造などのプロセスに用いられる装置の構成要素または部品に適用することができる。より具体的には、本発明により、装置内壁材、シールド材、プレート材、クランプ材などの真空チャンバ部品、表面処理用ダミーウエハ、シリコンウエハ用ハンド、マイクロ波導入窓、静電チャックなどを構成することができる。以下、本発明をより具体的に説明する。
【００１６】
プラズマ照射によるセラミックス材の腐食は、結晶粒間の粒界と、結晶粒内とで進行する。セラミックス材料の耐食性を上げるためには、粒界に存在する耐食性の劣る不純物層の低減や空隙をなくすこと、結晶粒自体の耐食性を上げることの両方が重要である。
【００１７】
まず、アルミナセラミックスにおけるアルミナ純度を高めることで、焼結体中に含まれる不純物を減らし、粒界における不純物層の生成および析出を抑制することができる。本発明では、アルミナ純度を９９．７５％以上とすることによって、粒界でのプラズマによる腐食が少ない材料を提供する。この純度が９９．７５％を下回ると、より望ましい耐食性をセラミックス材料に付与することが困難になってくる。
【００１８】
また、成形体の嵩密度を上げる（緻密化する）ことで、粒界に存在する空隙部分を減少させることができ、プラズマに対する耐食性を向上させることができる。本発明では、セラミックス材料の嵩密度を３．９４ｇ／ｃｍ３  以上とすることによって、プラズマ耐食性を向上させている。この嵩密度が３．９４ｇ／ｃｍ３  を下回ると、より好ましい耐食性が得られなくなるほか、材料の強度も相対的に低くなる。
【００１９】
さらに、緻密化したアルミナ結晶粒の平均粒径を所定の範囲で大きくすることにより、プラズマ照射面に対してプラズマ抵抗性の低い（粒界）部分が占める割合（面積）を減らすことができる（すなわち粒界密度を減少させることができる）。本発明では、アルミナ結晶粒の平均粒径を４μｍ以上１５μｍ以下としている。アルミナ結晶粒の平均粒径が増加すれば、粒界密度は減少するが、部材の抗折強度が次第に低下するため、その平均粒径は１５μｍ以下が好ましい。また、その平均粒径が４μｍ未満の場合、粒界密度を十分に減少させることができず、粒界におけるプラズマ損傷の度合いが大きくなってくる。
【００２０】
さらに本発明者は、アルミナ結晶粒自体のプラズマによるエッチング量は、セラミックス材料におけるプラズマ照射面の結晶配向性に強く依存することを見いだした。そして、研究の結果、アルミナ結晶（ｈ００）面および（０ｋ０）面がセラミックス材料のプラズマ照射表面に多く分布しておれば、該表面は耐エッチング性に優れていることが判明した。図２は、そのような結果を具体的に裏付けるものであり、部材の結晶配向性とエッチング速度との相関関係を示している。図１において、縦軸はアルミナセラミックス材料の表面における結晶配向率（Ｉ０３０  ／（Ｉ１１３  ＋Ｉ０３０  ））を示し、横軸は該表面がプラズマによりエッチングされる速度（μｍ／時間）を示す。図１より、結晶配向率が高くなればなるほどエッチング速度が低下する、すなわちプラズマによりエッチングされにくくなることが明らかである。これは、アルミナの各結晶面の中で（ｈ００）面および（０ｋ０）面がプラズマ照射に対して高耐食性であることを意味する。したがって、（ｈ００）面および（０ｋ０）面を、アルミナセラミックス材の表面に多く配向させることで、プラズマ耐食性を上げることが可能となる。
【００２１】
ここで、結晶配向率は、材料表面のＸ線回折測定により求められるものである。通常のＸ線回折装置を用い、材料表面を２θ／θ法（バルク材、粉末材料の結晶構造の同定に用いられる一般的な方法）によって測定すれば、たとえば図３に示すような回折パターンが得られる。このパターンにおいて、アルミナ結晶系の｛１１３｝面および｛０３０｝面に由来するピークについて強度を得る。一般に、ピークの高さとして強度が得られる。そして、得られた強度Ｉ０３０  およびＩ１１３  より、式Ｉ０３０  ／（Ｉ１１３  ＋Ｉ０３０  ）に従って結晶配向率が求められる。なお、一般に安定なアルミナの結晶構造は、図４に示すような六方晶であり、３つある結晶軸のうちａ軸とｂ軸とは等価である。したがって、このような六方晶の構造の場合、（０３０）面と（３００）面とは等価であり、総称して｛０３０｝面とする。
【００２２】
図５は、本発明によるアルミナセラミックス材料において、その表面に｛０３０｝面が配向する様子を模式的に示している。図５に示す材料は、直方体の形状を有している。このような材料は、１対の主要面（上面および底面）とその間にある側面とを有する。本発明によれば、このような材料において、たとえば１対の主要面（上面および底面）に対してほぼ平行に｛０３０｝面を強く配向させ、これらの面において上述した結晶配向率を０．３４以上とすることができる。配向率が０．３４以上であるこれらの表面は、より優れたプラズマ耐食性を有し、プラズマ照射面として優れた性能を有する。一方、このような場合、側面には｛０３０｝面が強く配向していない。しかし、上述したようにアルミナ純度、焼結体密度および平均粒径の条件を満足する側面も、プラズマ耐食性を有するものである。以下に示す実施例によってより具体的に示すように、材料表面の結晶配向率を０．３４以上とすることにより、より優れたプラズマ耐食性を付与することができた。
【００２３】
このようなプラズマ耐食性により優れた表面は、粉末の成形および焼結の工程を含むセラミックスの製造プロセスにおいて、アルミナ原料粉末を１０００℃〜１１５０℃で仮焼し、そのような仮焼処理を施した原料について一軸方向に加圧成形することにより得ることができる。このような１０００℃〜１１５０℃での仮焼工程により、アルミナ粉末は、形状について異方性を有しかつ粒径の揃った原料粉末となる（すなわちネック成長が起こった原料が得られる）。そのような仮焼工程に供するための原料粉末には、比較的平均粒子径が小さいもの（たとえば０．３〜０．５μｍの平均粒子径）で、粒径が揃った高純度のアルミナ粉末を用いることが望ましい。そのようなアルミナ粉末は、市販品として得ることができる。上述したように、アルミナ粉末を仮焼した後、一軸方向に圧縮成形することによって、この一軸方向にほぼ垂直な方向に｛０３０｝面を強く配向させることができる。ここで、一軸方向の加圧成形とは、たとえば図６に示すように、ある１つの軸に平行な方向にのみ荷重をかける加圧成形法を意味する。これらの工程の後、得られる成形体において一軸方向に圧力がかけられた面を結晶配向率が０．３４以上の表面とすることができる。このような一軸方向のプレスの後、ＣＩＰ成形を行ない、次いで焼結を施すことにより、本発明に従うアルミナセラミックスを製造することができる。一方、一軸方向の加圧成形の後、ＣＩＰ成形を行なわずに焼結を施しても、焼結体表面の結晶配向性が高い材料を得ることができる。
【００２４】
上述した仮焼工程および一軸方向の加圧成形工程を必ず行なうこと以外は、本発明による製造方法は通常の条件に従うことができる。すなわち、一般的なプロセスにおいて、高純度のアルミナ粉末（一般に安定なα型（コランダム構造）アルミナの粉末）を上述したように仮焼した後、得られる原料粉末に有機バインダ、分散剤、水等を添加してスラリを調製する。得られたスラリを、必要に応じてスプレードライヤ等を用いて造粒、乾燥させて造粒粉末を得る。このようにして得られた造粒粉末をたとえば金型に入れて上述したように一軸方向に加圧成形した後、必要に応じてＣＩＰ成形を行なう。このようにして得られた成形体を、加熱して脱脂した後、焼結を行ない、用途に応じて必要な形状を有するアルミナセラミックスが得られる。焼結温度は、たとえば１５５０℃〜１７２０℃とすることができる。このようにして得られたアルミナセラミックス材について、研削加工、研磨加工等の必要な加工を行ない、適当な洗浄工程等を経て製品が得られる。得られた製品は、たとえば上述したような半導体プロセスに用いられる装置の構成要素または部品として提供することができる。
【００２５】
【実施例】
実施例
平均粒子径が０．５μｍであり、９９．８％〜９９．９９％の間で種々の純度を有するアルミナ原料粉末を１０００〜１１５０℃で１〜２時間仮焼し、ネック成長を行なわせた。このようにして仮焼した原料粉末１００重量部に、水６０重量部、アンモニウム系分散剤０．３重量部およびポリビニルアルコール系バインダ２重量部を添加し、ボールミルで１６時間混合することによりスラリを得た。得られたスラリをスプレードライヤで噴霧乾燥することにより、球状顆粒の造粒粉を調製した。得られた造粒粉を金型において一軸方向に３００ｋｇ／ｃｍ２  の圧力で加圧成形した。得られた成形体に、さらにゴム型において１．２ｔ／ｃｍ２  の圧力でＣＩＰ成形を施した。得られた成形体を小型電気炉において、昇温し、脱脂を行ない、１５５０〜１７２０℃で２時間焼成してアルミナセラミックスを得た。このようにして得られたアルミナセラミックスの表面を、平均粒径０．５〜１．０μｍのダイヤモンドスラリを研磨材として用い、精密研磨機によりラッピングし、部材表面を鏡面化した。
【００２６】
得られたアルミナセラミックス材料について、嵩密度、アルミナ純度、平均結晶粒径、結晶配向率、プラズマ照射によるエッチング速度、および抗折強度を測定した。嵩密度は、アルキメデス法により測定した。アルミナ純度はＩＣＰ発光分光法により測定した。平均結晶粒径は、ＳＥＭ観察による写真判定により測定した。結晶配向率の測定には、ゴニオ式Ｘ線回折装置を用い、各アルミナ材料（１０ｍｍ×１０ｍｍ）の主表面に対するＸ線回折像を観測し、回折角度４３．３６°、６８．１９°にそれぞれ表われる｛１１３｝面、｛０３０｝面のピークの回折強度から式Ｉ０３０  ／（Ｉ１１３  ＋Ｉ０３０  ）により結晶配向率を求めた。セラミックス材料へのプラズマ照射には、平行平板型イオンエッチング装置を用い、表１に示す条件でプラズマ照射を実施した。各試験材料の照射面（上述した研磨面）に部分的にテフロンテープによるマスクを設け、プラズマ照射を行なった。照射後テフロンテープを取り除き、マスクされていた非照射面（プラズマ未照射面）を基準としてプラズマ照射面における浸食量（損傷量）を求め、それからトータルのエッチング速度を求めた。この損傷量は、触針式段差計による照射面と非照射面との段差測定、および原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）による表面凹凸量の測定の両方から求めた。すなわち、図７に示すように、Ａで示される表面凹凸量はＡＦＭにより求められ、Ｂで示される段差量は触針式段差計によって求められた。プラズマによる損傷量は、これらの量をトータルしたものである。また、各試験材料の抗折強度は３点曲げ試験により求めた。
【００２７】
【表１】
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【００２８】
比較例
平均粒子径が０．５μｍであり９９．３％〜９９．９９％の間で種々の純度を有するアルミナ原料粉末を比較例１〜４については１０２０〜１２１０℃で１〜２時間仮焼し、ネック成長を行なわせた。このようにして仮焼した原料粉末１００重量部に、水６０重量部、アンモニウム系分散剤０．３重量部およびポリビニルアルコール系バインダ２重量部を添加し、ボールミルで１６時間混合することによりスラリを得た。得られたスラリをスプレードライヤで噴霧乾燥することにより球状顆粒の造粒粉を調製した。得られた造粒粉を金型おいて一軸方向に３００ｋｇ／ｃｍ２  の圧力で加圧成形した。得られた成形体にさらにゴム型において１．２ｔ／ｃｍ２  の圧力でＣＩＰ成形した。小型電気炉を用いて、得られた成形体を昇温し、脱脂を行なった後、１５１０〜１７７０℃の温度で２時間焼成した。得られたアルミナセラミックスについて上記実施例と同様に研磨加工を行ない表面を鏡面化した後、上記実施例と同様に嵩密度、純度、平均粒径、結晶配向率、エッチング速度および抗折強度を求めた。
【００２９】
また比較例５については、アルミナ原料粉末は仮焼せず、造粒粉も一軸方向の加圧成形は行なわずにＣＩＰ成形を行なった。その他の条件は比較例１〜４と同条件であった。
【００３０】
実施例および比較例においてそれぞれ得られた結果を、実施例については焼成温度および仮焼温度とともに、比較例については焼成温度とともに表２および表３に示す。これらの結果を比較して明らかなように、アルミナセラミックスの嵩密度を３．９４ｇ／ｃｍ３  以上、平均粒径を４μｍ〜１５μｍ、アルミナ純度を９９．７５％以上とし、その表面の結晶配向率を０．３４以上とすることにより、フッ素系プラズマに対する耐食性に優れかつ高い抗折強度を有する材料が得られることがわかる。また、焼結体表面の結晶配向率を増加させるには、仮焼工程（ネック成長過程）が必須であり、仮焼温度の上昇とともに材料表面の結晶配向率が増加することがわかる。なお、本発明において、好ましい仮焼温度は１０００〜１１５０℃であり、この仮焼温度が１０００℃を下回るとアルミナ粉末のネック成長が十分に進行せず、また仮焼温度が１１５０℃を超えると造粒径が大きくなり、したがって充填密度が下がり、得られる焼結体の嵩密度が小さくなる。嵩密度が低い材料（比較材１）、純度の低い材料（比較材２）、粒径が小さな材料（比較材３）、粒径が大きな材料（比較材４）および結晶配向率の低い材料（比較材５）と実施例で得られる材料とを比べて明らかなように、本発明によるアルミナセラミック材では、エッチング速度が０．５μｍ／時間以下と小さくかつ抗折強度が３５ｋｇ／ｃｍ２  以上と大きいことがわかる。また、焼結温度が１６７０℃である実施例の材料と比較例の材料（比較材２）とをエッチング速度について比較した様子を図８に示す。図から明らかなように、本発明による材料では、Ａで示される凹凸によるエッチング量およびＢで示される段差によるエッチング量のいずれについても比較材よりも少なく、本発明による材料がフッ素系プラズマに対して優れた耐食性を有することがわかる。
【００３１】
【表２】
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【００３２】
【表３】
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【００３３】
【発明の効果】
以上説明してきたとおり、本発明によれば、プラズマ、特にフッ素系プラズマに対する耐食性がより優れ、かつ強度が高いアルミナセラミックス材料を得ることができる。本発明は、エッチング、アッシング、半導体エピタキシャル成長膜の形成、ＬＳＩ回路の製造、液晶表示装置の製造など、半導体プロセスに用いられる装置の構成要素または部品として特に有用である。また、上述したように仮焼工程および一軸方向の加圧成形工程を組合せることによって、プラズマに対する耐食性のより優れた表面を有するアルミナセラミックス材料を得ることができる。このような製造方法は、特に複雑な工程を必要とするものでなく、適当な工数によって行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】プラズマ処理装置の一例を模式的に示す断面図である。
【図２】アルミナセラミックス部材の表面における結晶配向性と該表面でプラズマによりエッチングが進行する速度との相関関係を示す図である。
【図３】Ｘ線回折測定によって得られる回折パターンを示す模式図である。
【図４】一般的に安定なアルミナの結晶構造を示す模式図である。
【図５】本発明によるアルミナセラミックス材料において特定の結晶面（特定の結晶方位）がプラズマ照射面において配向する様子を示す模式図である。
【図６】一軸方向の加圧成形を説明するための模式図である。
【図７】プラズマ照射によりアルミナセラミックス材料が損傷する様子を示す模式図である。
【図８】エッチング速度について、本発明による材料と比較例による材料との違いを明らかにする図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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