(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気抵抗素子と、
この磁気抵抗素子を挟んで対向するように配置され、前記磁気抵抗素子をシールドするための２つのシールド層と、
前記磁気抵抗素子に接続された第１の導電層と、
前記磁気抵抗素子および前記第１の導電層と各シールド層との間に設けられた２つの絶縁層と、
一方の絶縁層に形成されたコンタクトホールを通して前記第１の導電層に接続された第２の導電層とを備えた薄膜磁気ヘッドであって、
前記一方の絶縁層側に位置する一方のシールド層は、前記一方の絶縁層に接する第１の層と、前記第２の導電層と同じ材料によって形成された第２の層とを有し、
薄膜磁気ヘッドは、更に、前記一方のシールド層の第１の層と同じ材料よりなり、前記第２の導電層の下地となる下地層を備え、
前記コンタクトホールは、前記下地層と前記第２の絶縁層とを貫通するように形成されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
更に、磁気的に連結され、且つ記録媒体に対向する側の一部が記録ギャップ層を介して互いに対向する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層からなる２つの磁性層と、この２つの磁性層の間に配設された薄膜コイルとを有する書き込み用の誘導型磁気変換素子を備えたことを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
前記一方のシールド層は、前記２つの磁性層のうちの一方の磁性層を兼ねていることを特徴とする請求項２記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
磁気抵抗素子と、この磁気抵抗素子を挟んで対向するように配置され、前記磁気抵抗素子をシールドするための第１および第２のシールド層と、前記磁気抵抗素子に接続された第１の導電層と、前記磁気抵抗素子および前記第１の導電層と前記第１および第２のシールド層との間に設けられた第１および第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層に形成されたコンタクトホールを通して前記第１の導電層に接続された第２の導電層とを備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
前記第１のシールド層を形成する工程と、
前記第１のシールド層の上に、前記第１の絶縁層を形成する工程と、
前記第１の絶縁層の上に、前記磁気抵抗素子を形成する工程と、
前記第１の絶縁層の上に、前記第１の導電層を形成する工程と、
前記磁気抵抗素子、第１の導電層および第１の絶縁層の上に、前記第２の絶縁層を形成する工程と、
前記第２の絶縁層の上に、前記第２のシールド層の第１の層を形成する工程と、
前記第２のシールド層の第１の層を形成する工程の後に、前記第２の絶縁層のうちの前記第１の導電層と前記第２の導電層との接続部分に前記コンタクトホールを形成する工程と、
前記第２のシールド層の第１の層の上に、前記第２のシールド層の第２の層を形成する工程と、
前記コンタクトホールを通して前記第１の導電層に接続されるように、前記第２の導電層を形成する工程と
を含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記第２の導電層を形成する工程は、めっき法によって前記第２の導電層を形成することを特徴とする請求項４記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項６】
更に、前記第２の導電層を形成する工程の前に、前記第２の導電層との接続部分における前記第１の導電層のオーミック抵抗を低減させる処理を行う工程を含むことを特徴とする請求項４または５記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項７】
前記第２の導電層を形成する工程は、前記第２のシールド層の第２の層を形成する工程と同時に行われ、前記第２のシールド層の第２の層と同じ材料を用いて、前記第２の導電層を形成することを特徴とする請求項４ないし６のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項８】
前記第２のシールド層の第１の層を形成する工程は、同時に、前記第２の絶縁層のうちの前記コンタクトホールを形成する予定の部分の上に、前記第２のシールド層の第１の層と同じ材料よりなり、前記第２の導電層の下地となる下地層を形成し、
前記コンタクトホールを形成する工程は、前記下地層と前記第２の絶縁層とを貫通するように、前記コンタクトホールを形成することを特徴とする請求項４ないし７のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項９】
更に、磁気的に連結され、且つ記録媒体に対向する側の一部が記録ギャップ層を介して互いに対向する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層からなる２つの磁性層と、この２つの磁性層の間に配設された薄膜コイルとを有する書き込み用の誘導型磁気変換素子を形成する工程を含むことを特徴とする請求項４ないし８のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１０】
前記一方のシールド層は、前記２つの磁性層のうちの一方の磁性層を兼ねていることを特徴とする請求項９記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１１】
磁気抵抗素子と、
この磁気抵抗素子を挟んで対向するように配置され、前記磁気抵抗素子をシールドするための２つのシールド層と、
前記磁気抵抗素子に接続された第１の導電層と、
前記磁気抵抗素子および前記第１の導電層と各シールド層との間に設けられた２つの絶縁層と、
一方の絶縁層に形成されたコンタクトホールを通して前記第１の導電層に接続された第２の導電層とを備えた磁気抵抗効果装置であって、
前記一方の絶縁層側に位置する一方のシールド層は、前記一方の絶縁層に接する第１の層と、前記第２の導電層と同じ材料によって形成された第２の層とを有し、
磁気抵抗効果装置は、更に、前記一方のシールド層の第１の層と同じ材料よりなり、前記第２の導電層の下地となる下地層を備え、
前記コンタクトホールは、前記下地層と前記第２の絶縁層とを貫通するように形成されていることを特徴とする磁気抵抗効果装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、少なくとも読み出し用の磁気抵抗素子を有する薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法、ならびに磁気抵抗素子を有する磁気抵抗効果装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ハードディスク装置の面記録密度の向上に伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められている。薄膜磁気ヘッドとしては、書き込み用の誘導型磁気変換素子を有する記録ヘッドと読み出し用の磁気抵抗（以下、ＭＲ（Ｍａｇｎｅｔｏ−ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）とも記す。）素子を有する再生ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁気ヘッドが広く用いられている。ＭＲ素子としては、異方性磁気抵抗（以下、ＡＭＲ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｍａｇｎｅｔｏ−ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）と記す。）効果を用いたＡＭＲ素子と、巨大磁気抵抗（以下、ＧＭＲ（Ｇｉａｎｔ  Ｍａｇｎｅｔｏ−ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ  ）と記す。）効果を用いたＧＭＲ素子とがあり、ＡＭＲ素子を用いた再生ヘッドはＡＭＲヘッドあるいは単にＭＲヘッドと呼ばれ、ＧＭＲ素子を用いた再生ヘッドはＧＭＲヘッドと呼ばれる。ＡＭＲヘッドは、面記録密度が１ギガビット／（インチ）２を超える再生ヘッドとして利用され、ＧＭＲヘッドは、面記録密度が３ギガビット／（インチ）２を超える再生ヘッドとして利用されている。
【０００３】
ところで、再生ヘッドとしては、ＭＲ素子を磁性材料によって電気的および磁気的にシールド（遮蔽）した構造のものが多い。
【０００４】
ここで、図１４ないし図１９を参照して、従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例として、複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例について説明する。なお、図１４ないし図１９において、（ａ）はエアベアリング面に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示している。
【０００５】
この製造方法では、まず、図１４に示したように、例えばアルティック（Ａｌ２Ｏ３・ＴｉＣ）よりなる基板１０１の上に、例えばアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）よりなる絶縁層１０２を、約５〜１０μｍ程度の厚みで堆積する。次に、絶縁層１０２の上に、磁性材料よりなる再生ヘッド用の下部シールド層１０３を、２〜３μｍの厚みに形成する。
【０００６】
次に、下部シールド層１０３の上に、例えばアルミナよりなる絶縁層としての第１の下部シールドギャップ膜１０４ａを、例えば４０〜７０ｎｍの厚みに形成する。次に、第１の下部シールドギャップ膜１０４ａの上に、再生用のＭＲ素子１０５を形成するためのＭＲ膜を、数十ｎｍの厚みに形成する。次に、このＭＲ膜の上に、ＭＲ素子１０５を形成すべき位置に選択的にフォトレジストパターン１０６を形成する。このとき、リフトオフを容易に行うことができるような形状、例えば断面形状がＴ型のフォトレジストパターン１０６を形成する。次に、フォトレジストパターン１０６をマスクとして、例えばイオンミリングによってＭＲ膜をエッチングして、ＭＲ素子１０５を形成する。なお、ＭＲ素子１０５は、ＧＭＲ素子でもよいし、ＡＭＲ素子でもよい。
【０００７】
次に、図１５に示したように、ＭＲ素子１０５の近傍を除く、第１の下部シールドギャップ膜１０４ａの上に、例えばアルミナよりなる絶縁層としての第２の下部シールドギャップ膜１０４ｂを、例えば１００〜２００ｎｍの厚みに形成する。次に、第１の下部シールドギャップ膜１０４ａおよび第２の下部シールドギャップ膜１０４ｂの上に、フォトレジストパターン１０６をマスクとして、ＭＲ素子１０５に電気的に接続される一対の第１の導電層（リードともいう。）１０７を、例えば５０〜１００ｎｍの厚みで、所定のパターンに形成する。第１の導電層１０７は、例えば、銅（Ｃｕ）によって形成される。
【０００８】
次に、図１６に示したように、フォトレジストパターン１０６をリフトオフする。次に、下部シールドギャップ膜１０４ａ，１０４ｂ、ＭＲ素子１０５および第１の導電層１０７の上に、例えばアルミナよりなる絶縁層としての第１の上部シールドギャップ膜１０８ａを、例えば４０〜７０ｎｍの厚みに形成し、ＭＲ素子１０５をシールドギャップ膜１０４ａ，１０８ａ内に埋設する。次に、ＭＲ素子１０５の近傍を除く、第１の上部シールドギャップ膜１０８ａの上に、例えばアルミナよりなる絶縁層としての第２の上部シールドギャップ膜１０８ｂを、例えば１００〜２００ｎｍの厚みに形成する。
【０００９】
次に、図１７に示したように、第１の導電層１０７におけるＭＲ素子１０５とは反対側（図１７（ａ）において右側）の端部の上に位置する上部シールドギャップ膜１０８ａ，１０８ｂを選択的にエッチングして、第１の導電層１０７が露出するようにコンタクトホール１３０を形成する。
【００１０】
次に、図１８に示したように、上部シールドギャップ膜１０８ａ，１０８ｂの上に、磁性材料からなり、再生ヘッドと記録ヘッドの双方に用いられる上部シールド層兼下部磁極層（以下、上部シールド層と記す。）１０９を、約３μｍの厚みに形成する。このとき同時に、上部シールド層１０９と同じ材料を用いて、コンタクトホール１３０（図１７（ａ））の上に、第１の導電層１０７に接続される第２の導電層１１０を、約３μｍの厚みに形成する。次に、全体に、例えばアルミナよりなる絶縁層１１２を、例えば４〜６μｍの厚みに形成し、例えばＣＭＰ（化学機械研磨）によって、上部シールド層１０９と第２の導電層１１０が露出するまで研磨して、表面を平坦化する。
【００１１】
次に、図１９に示したように、上部シールド層１０９の上に、絶縁膜、例えばアルミナ膜よりなる記録ギャップ層１１３を、０．２〜０．３μｍの厚みに形成する。次に、記録ギャップ層１１３において、後述する薄膜コイルを形成する領域の中央部分と、第２の導電層１１０の上に位置する部分とを、選択的にエッチングして、コンタクトホールを形成する。次に、第２の導電層１１０に対応するコンタクトホールの上に、第２の導電層１１０に接続される第３の導電層１１４を形成する。
【００１２】
次に、記録ギャップ層１１３の上に、スロートハイトを決定するフォトレジスト層１１５を、約１．０〜２．０μｍの厚みで、所定のパターンに形成する。なお、スロートハイトとは、記録ヘッドにおける２つの磁性層が記録ギャップ層を介して対向する部分の、エアベアリング面側の端部から反対側の端部までの長さ（高さ）をいう。
【００１３】
次に、フォトレジスト層１１５の上に、記録ヘッドの薄膜コイル１１６を、例えば３μｍの厚みに形成する。次に、フォトレジスト層１１５、コイル１１６および第３の導電層１１４の上に、フォトレジスト層１１７を、所定のパターンに形成する。
【００１４】
次に、記録ギャップ層１１３、フォトレジスト層１１５，１１７の上に、記録ヘッド用の磁性材料、例えばパーマロイ（ＮｉＦｅ）よりなる上部磁極層１１８を、約３μｍの厚みに形成する。この上部磁極層１１８は、薄膜コイル１１６が形成された領域の中央部分に形成されたコンタクトホールを通して、上部シールド層（下部磁極層）１０９と接触し、磁気的に連結している。
【００１５】
次に、上部磁極層１１８をマスクとして、例えばイオンミリングによって、記録ギャップ層１１３と上部シールド層（下部磁極層）１０９をエッチングする。図１９（ｂ）に示したように、上部磁極層１１８、記録ギャップ層１１３および上部シールド層（下部磁極層）１０９の一部の各側壁が垂直に自己整合的に形成された構造は、トリム（Ｔｒｉｍ）構造と呼ばれる。このトリム構造によれば、狭トラックの書き込み時に発生する磁束の広がりによる実効トラック幅の増加を防止することができる。
【００１６】
次に、上部磁極層１１８上に、例えばアルミナよりなるオーバーコート層１１９を、２０〜３０μｍの厚みに形成する。次に、オーバーコート層１１９の表面を平坦化し、その上に、図示しない電極用パッドを形成する。最後に、スライダの機械加工（研磨）を行って、記録ヘッドおよび再生ヘッドのエアベアリング面を形成して、薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、再生ヘッドの性能が向上してくると、サーマルアスピリティ（Ｔｈｅｒｍａｌ  Ａｓｐｅｒｉｔｙ）が問題となってくる。サーマルアスピリティとは、再生時における再生ヘッドの自己発熱による再生特性の劣化を言う。このサーマルアスピリティを克服するため、最近では、シールドギャップ膜の厚みを、例えば４０〜７０ｎｍ程度に薄くする等して、冷却効率を上げる方法が採られている。
【００１８】
しかしながら、このようにシールドギャップ膜が薄くなると、ＭＲ素子またはこれに接続された第１の導電層とシールド層との間の磁気的および電気的な絶縁不良が発生しやすくなるという問題点がある。
【００１９】
これに関連して、従来の薄膜磁気ヘッドでは、ＭＲ素子またはこれに接続された第１の導電層とシールド層との電気的短絡が問題となっていた。以下、この問題について、図１４ないし図１９に示した例を用いて説明する。
【００２０】
従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、図１８に示したような上部シールド層１０９と第２の導電層１１０を、例えばめっき法によって形成する。この場合には、上部シールド層１０９および第２の導電層１１０のめっき層を形成する前に、このめっき層を成長させるのに必要なシード層をスパッタによって形成しておく。
【００２１】
ところで、第２の導電層１１０は、図１７に示したコンタクトホール１３０を通して、第１の導電層１０７と電気的に接続されるので、第２の導電層１１０と第１の導電層１０７との間のオーミック抵抗は小さくなければならない。そこで、従来は、第１の導電層１０７の上にシード層を形成する前に、逆スパッタを用いて、第１の導電層１０７の表面の酸化物を除去して、第１の導電層１０７の表面のオーミック抵抗を低減させるようにしていた。
【００２２】
ところが、従来は、上述の逆スパッタにより、ＭＲ素子１０５の近傍において、上部シールドギャップ膜１０８ａ，１０８ｂがプラズマ損傷を受けて劣化したりエッチングされたりして、上部シールドギャップ膜１０８ａ，１０８ｂに穴が開く場合があるという問題点があった。図２０は、ＭＲ素子１０５の近傍において、上部シールドギャップ膜１０８ａ，１０８ｂに穴１４０が開いた状態を示している。
【００２３】
上部シールドギャップ膜１０８ａ，１０８ｂに穴１４０が開いた状態で上部シールド層１０９を形成すると、図２１に示したように、ＭＲ素子１０５または第１の導電層１０７と上部シールド層１０９とが電気的に短絡してしまう。このように、ＭＲ素子１０５または第１の導電層１０７と上部シールド層１０９とが電気的に短絡すると、ＭＲ素子１０５に対するノイズが増加するという問題が発生する。
【００２４】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、磁気抵抗素子またはこれに接続された第１の導電層とシールド層との電気的短絡を防止できるようにした薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法ならびに磁気抵抗効果装置を提供することにある。
【００２５】
【課題を解決するための手段】
本発明の薄膜磁気ヘッドは、磁気抵抗素子と、この磁気抵抗素子を挟んで対向するように配置され、磁気抵抗素子をシールドするための２つのシールド層と、磁気抵抗素子に接続された第１の導電層と、磁気抵抗素子および第１の導電層と各シールド層との間に設けられた２つの絶縁層と、一方の絶縁層に形成されたコンタクトホールを通して第１の導電層に接続された第２の導電層とを備えた薄膜磁気ヘッドであって、一方の絶縁層側に位置する一方のシールド層は、一方の絶縁層に接する第１の層と、第２の導電層と同じ材料によって形成された第２の層とを有するものである。
【００２６】
本発明の薄膜磁気ヘッドでは、コンタクトホールが形成される一方の絶縁層に接するように一方のシールド層の第１の層が設けられているので、一方のシールド層の第２の層と同じ材料によって形成される第２の導電層を形成する際に、一方の絶縁層は一方のシールド層の第１の層によって保護される。
【００２７】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、更に、一方のシールド層の第１の層と同じ材料よりなり、第２の導電層の下地となる下地層を備え、コンタクトホールは、下地層と第２の絶縁層とを貫通するように形成されている。
【００２８】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、更に、磁気的に連結され、且つ記録媒体に対向する側の一部が記録ギャップ層を介して互いに対向する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層からなる２つの磁性層と、この２つの磁性層の間に配設された薄膜コイルとを有する書き込み用の誘導型磁気変換素子を備えていてもよい。この場合、一方のシールド層は、２つの磁性層のうちの一方の磁性層を兼ねていてもよい。
【００２９】
本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、磁気抵抗素子と、この磁気抵抗素子を挟んで対向するように配置され、磁気抵抗素子をシールドするための第１および第２のシールド層と、磁気抵抗素子に接続された第１の導電層と、磁気抵抗素子および第１の導電層と第１および第２のシールド層との間に設けられた第１および第２の絶縁層と、第２の絶縁層に形成されたコンタクトホールを通して第１の導電層に接続された第２の導電層とを備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
第１のシールド層を形成する工程と、
第１のシールド層の上に、第１の絶縁層を形成する工程と、
第１の絶縁層の上に、磁気抵抗素子を形成する工程と、
第１の絶縁層の上に、第１の導電層を形成する工程と、
磁気抵抗素子、第１の導電層および第１の絶縁層の上に、第２の絶縁層を形成する工程と、
第２の絶縁層の上に、第２のシールド層の第１の層を形成する工程と、
第２のシールド層の第１の層を形成する工程の後に、第２の絶縁層のうちの第１の導電層と第２の導電層との接続部分にコンタクトホールを形成する工程と、第２のシールド層の第１の層の上に、第２のシールド層の第２の層を形成する工程と、
コンタクトホールを通して第１の導電層に接続されるように、第２の導電層を形成する工程とを含むものである。
【００３０】
本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、第２の絶縁層の上に第２のシールド層の第１の層を形成した後に、第２の絶縁層のうちの第１の導電層と第２の導電層との接続部分にコンタクトホールを形成するので、第２の導電層を形成する際に、第２の絶縁層は第２のシールド層の第１の層によって保護される。
【００３１】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、第２の導電層を形成する工程は、例えばめっき法によって第２の導電層を形成する。
【００３２】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、更に、第２の導電層を形成する工程の前に、第２の導電層との接続部分における第１の導電層のオーミック抵抗を低減させる処理を行う工程を含んでいてもよい。
【００３３】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、例えば、第２の導電層を形成する工程は、第２のシールド層の第２の層を形成する工程と同時に行われ、第２のシールド層の第２の層と同じ材料を用いて、第２の導電層を形成する。
【００３４】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、例えば、第２のシールド層の第１の層を形成する工程は、同時に、第２の絶縁層のうちのコンタクトホールを形成する予定の部分の上に、第２のシールド層の第１の層と同じ材料よりなり、第２の導電層の下地となる下地層を形成し、コンタクトホールを形成する工程は、下地層と第２の絶縁層とを貫通するように、コンタクトホールを形成する。
【００３５】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、更に、磁気的に連結され、且つ記録媒体に対向する側の一部が記録ギャップ層を介して互いに対向する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層からなる２つの磁性層と、この２つの磁性層の間に配設された薄膜コイルとを有する書き込み用の誘導型磁気変換素子を形成する工程を含んでいてもよい。この場合、一方のシールド層は、２つの磁性層のうちの一方の磁性層を兼ねていてもよい。
【００３６】
本発明の磁気抵抗効果装置は、磁気抵抗素子と、この磁気抵抗素子を挟んで対向するように配置され、磁気抵抗素子をシールドするための２つのシールド層と、磁気抵抗素子に接続された第１の導電層と、磁気抵抗素子および第１の導電層と各シールド層との間に設けられた２つの絶縁層と、一方の絶縁層に形成されたコンタクトホールを通して第１の導電層に接続された第２の導電層とを備えた磁気抵抗効果装置であって、一方の絶縁層側に位置する一方のシールド層は、一方の絶縁層に接する第１の層と、第２の導電層と同じ材料によって形成された第２の層とを有するものである。
【００３７】
本発明の磁気抵抗効果装置では、コンタクトホールが形成される一方の絶縁層に接するように一方のシールド層の第１の層が設けられているので、一方のシールド層の第２の層と同じ材料によって形成される第２の導電層を形成する際に、一方の絶縁層は一方のシールド層の第１の層によって保護される。
【００３８】
また、本発明の磁気抵抗効果装置では、更に、一方のシールド層の第１の層と同じ材料よりなり、第２の導電層の下地となる下地層を備え、コンタクトホールは、下地層と第２の絶縁層とを貫通するように形成されている。
【００３９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。まず、図１ないし図１３を参照して、本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法ならびに磁気抵抗効果装置について説明する。なお、図１ないし図１０において、（ａ）はエアベアリング面に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示している。
【００４０】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、まず、図１に示したように、例えばアルティック（Ａｌ２Ｏ３・ＴｉＣ）よりなる基板１の上に、例えばアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）よりなる絶縁層２を、約５〜１０μｍ程度の厚みで堆積する。次に、絶縁層２の上に、磁性材料よりなる再生ヘッド用の下部シールド層３を、２〜３μｍの厚みに形成する。
【００４１】
次に、図２に示したように、下部シールド層３の上に、例えばアルミナよりなる絶縁層としての第１の下部シールドギャップ膜４ａを、例えば４０〜７０ｎｍの厚みに形成する。次に、第１の下部シールドギャップ膜４ａの上に、再生用のＭＲ素子５を形成するためのＭＲ膜を、数十ｎｍの厚みに形成する。次に、このＭＲ膜の上に、ＭＲ素子５を形成すべき位置に選択的にフォトレジストパターン６を形成する。このとき、リフトオフを容易に行うことができるような形状、例えば断面形状がＴ型のフォトレジストパターン６を形成する。次に、フォトレジストパターン６をマスクとして、例えばイオンミリングによってＭＲ膜をエッチングして、ＭＲ素子５を形成する。なお、ＭＲ素子５には、ＡＭＲ素子、ＧＭＲ素子、あるいはＴＭＲ（トンネル磁気抵抗効果）素子等の磁気抵抗効果を示す感磁膜を用いた素子を用いることができる。
【００４２】
次に、図３に示したように、ＭＲ素子５の近傍を除く、第１の下部シールドギャップ膜４ａの上に、例えばアルミナよりなる絶縁層としての第２の下部シールドギャップ膜４ｂを、例えば１００〜２００ｎｍの厚みに形成する。次に、第１の下部シールドギャップ膜４ａおよび第２の下部シールドギャップ膜４ｂの上に、フォトレジストパターン６をマスクとして、ＭＲ素子５に電気的に接続される一対の第１の導電層（リードともいう。）７を、例えば５０〜１００ｎｍの厚みで、所定のパターンに形成する。第１の導電層７は、例えば、銅（Ｃｕ）によって形成される。次に、図４に示したように、フォトレジストパターン６をリフトオフする。
【００４３】
次に、図５に示したように、下部シールドギャップ膜４ａ，４ｂ、ＭＲ素子５および第１の導電層７の上に、例えばアルミナよりなる絶縁層としての第１の上部シールドギャップ膜８ａを、例えば４０〜７０ｎｍの厚みに形成し、ＭＲ素子５をシールドギャップ膜４ａ，８ａ内に埋設する。次に、ＭＲ素子５の近傍を除く、第１の上部シールドギャップ膜８ａの上に、例えばアルミナよりなる絶縁層としての第２の上部シールドギャップ膜８ｂを、例えば１００〜２００ｎｍの厚みに形成する。
【００４４】
次に、上部シールドギャップ膜８ａ，８ｂの上に、ＮｉＦｅ等の磁性材料を用いて、再生ヘッドと記録ヘッドの双方に用いられる上部シールド層兼下部磁極層（以下、上部シールド層と記す。）の第１の層９ａを、例えばスパッタにより、例えば５０〜１００ｎｍの厚みに形成する。このとき同時に、上部シールド層の第１の層９ａと同じ材料を用いて、第１の導電層７におけるＭＲ素子５とは反対側（図５（ａ）において右側）の端部の上に位置する上部シールドギャップ膜８ｂの上に、後述する第２の導電層の下地となる下地層１０ａを、例えばスパッタにより、例えば５０〜１００ｎｍの厚みに形成する。
【００４５】
次に、図６に示したように、下地層１０ａのうちの周縁部を除く内側の部分と、その下側の上部シールドギャップ膜８ａ，８ｂを、例えばイオンミリングによって選択的にエッチングして、第１の導電層７が露出するようにコンタクトホール１１を形成する。ここで、下地層１０ａを、上記のように５０〜１００ｎｍ程度に薄く形成しておくことにより、コンタクトホール１１の形成が容易になる。
【００４６】
図１１は、図６に対応し、コンタクトホール１１の形成までの工程が終了した状態を示す平面図である。なお、図１ないし図１０における（ａ）は、図１１におけるＡ−Ａ´線で切断した断面を示している。
【００４７】
次に、第１の導電層７の表面の酸化物を除去して、第１の導電層７の表面のオーミック抵抗を低減させる処理を行う。この処理は、例えば、放電用ガスとしてアルゴン（Ａｒ）を用いた逆スパッタを用いて行われる。
【００４８】
次に、上部シールド層の第１の層９ａと下地層１０ａの上、およびコンタクトホール１１より露出する第１の導電層７の上に、めっき層を成長させるのに必要なシード層（図示せず）をスパッタによって形成する。
【００４９】
次に、図７に示したように、上部シールド層の第１の層９ａの上に、ＮｉＦｅ等の磁性材料を用いて、上部シールド層の第２の層９ｂを、めっき法により約３μｍの厚みに形成する。このとき同時に、上部シールド層の第２の層９ｂと同じ材料を用いて、下地層１０ａおよびコンタクトホール１１（図６（ａ））の上に、第１の導電層７に接続される第２の導電層１０ｂを、めっき法により約３μｍの厚みに形成する。
【００５０】
次に、全体に、例えばアルミナよりなる絶縁層１２を、例えば４〜６μｍの厚みに形成し、例えばＣＭＰ（化学機械研磨）によって、上部シールド層の第２の層９ｂと第２の導電層１０ｂが露出するまで研磨して、表面を平坦化する。
【００５１】
図１２は、図７に対応する平面図である。ただし、図１２では、絶縁層１２を省略している。
【００５２】
次に、図８に示したように、上部シールド層の第２の層９ｂの上において、エアベアリング面側（図８（ａ）において左側）の端部の近傍に、下部磁極層（上部シールド層）の磁極部分を形成する下部磁極チップ１３ａを形成すると共に、後述する薄膜コイルを形成する領域の中央部分に、磁性層１３ｂを形成する。これらの下部磁極チップ１３ａおよび磁性層１３ｂの厚みは、例えば約１．５〜２．５μｍとする。磁性層１３ｂは、上部シールド層の第２の層９ｂと後述する上部磁極層とを接続するための部分である。本実施の形態において、下部磁極チップ１３ａのエアベアリング面とは反対側（図において右側）の端部の位置は、磁極部分のエアベアリング面とは反対側の端部の位置であるスロートハイトゼロ位置となる。
【００５３】
下部磁極チップ１３ａおよび磁性層１３ｂは、上部シールド層（下部磁極層）の一部である。下部磁極チップ１３ａおよび磁性層１３ｂは、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）や、高飽和磁束密度材料であるＮｉＦｅ（Ｎｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）の材料を用い、めっき法によって形成してもよいし、高飽和磁束密度材料であるＦｅＮ，ＦｅＺｒＮ等の材料を用い、スパッタによって形成してもよい。この他にも、高飽和磁束密度材料であるＣｏＦｅ，Ｃｏ系アモルファス材等を用いてもよい。
【００５４】
次に、全体に、例えばアルミナよりなる絶縁膜１４を、約０．３〜０．６μｍの厚みに形成する。
【００５５】
次に、フレームめっき法によって、例えば銅（Ｃｕ）よりなる薄膜コイル１５を、例えば約１．０〜２．０μｍの厚みに形成する。このとき同時に、薄膜コイル１５と同じ材料を用いて、第２の導電層１０ｂの上に、第３の導電層１６を、例えば約１．０〜２．０μｍの厚みに形成する。第３の導電層１６は、後述する電極用パッドに接続される。図１３は、図８に対応する平面図である。
【００５６】
次に、図９に示したように、全体に、例えばアルミナよりなる絶縁層１７を、約３〜４μｍの厚みで形成する。次に、例えばＣＭＰによって、下部磁極チップ１３ａおよび磁性層１３ｂが露出するまで、絶縁層１７を研磨して、表面を平坦化処理する。ここで、図９では、薄膜コイル１５は露出していないが、薄膜コイル１５が露出するようにしてもよい。薄膜コイル１５が露出するようにした場合には、薄膜コイル１５および絶縁層１７の上に他の絶縁層を形成する。
【００５７】
次に、露出した下部磁極チップ１３ａおよび磁性層１３ｂと絶縁層１７の上に、絶縁材料よりなる記録ギャップ層１８を、例えば０．２〜０．３μｍの厚みに形成する。記録ギャップ層１８に使用する絶縁材料としては、一般的に、アルミナ、窒化アルミニウム、シリコン酸化物系材料、シリコン窒化物系材料、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）等がある。
【００５８】
次に、磁路形成のために、磁性層１３ｂの上の部分において、記録ギャップ層１８を部分的にエッチングしてコンタクトホールを形成する。
【００５９】
次に、図１０に示したように、記録ギャップ層１８の上に、磁性材料よりなる上部磁極層１９を、例えば約２〜４μｍの厚みで、所定のパターンに形成する。上部磁極層１９は、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）や、高飽和磁束密度材料であるＮｉＦｅ（Ｎｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）の材料を用い、めっき法によって形成してもよいし、高飽和磁束密度材料であるＦｅＮ，ＦｅＺｒＮ等の材料を用い、スパッタによって形成してもよい。この他にも、高飽和磁束密度材料であるＣｏＦｅ，Ｃｏ系アモルファス材等を用いてもよい。
【００６０】
上部磁極層１９は、記録ギャップ層１８を介して下部磁極チップ１３ａに対向する位置に配置された磁極部分と、薄膜コイル１５に対向する領域に配置されると共に磁極部分に連結されたヨーク部分とを有している。磁極部分とヨーク部分との連結部の位置は、スロートハイトゼロ位置またはその近傍の位置になっている。磁極部分は狭い一定の幅を有している。この磁極部分の幅が記録ヘッドのトラック幅を規定する。
【００６１】
次に、上部磁極層１９をマスクとして、ドライエッチングにより、記録ギャップ層１８を選択的にエッチングし、更に、例えばアルゴンイオンミリングによって、上部シールド層の第２の層９ｂを選択的に約０．３〜０．６μｍ程度エッチングして、図１０（ｂ）に示したようなトリム構造とする。このトリム構造によれば、狭トラックの書き込み時に発生する磁束の広がりによる実効トラック幅の増加を防止することができる。
【００６２】
次に、全体に、例えばアルミナよりなるオーバーコート層２０を、２０〜４０μｍの厚みに形成し、その表面を平坦化して、その上に、図示しない電極用パッドを形成する。最後に、スライダの研磨加工を行って、記録ヘッドおよび再生ヘッドのエアベアリング面を形成して、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００６３】
ここで、下部シールド層３は、本発明における第１のシールド層に対応し、第１の層９ａ、第２の層９ｂ、下部磁極チップ１３ａおよび磁性層１３ｂを含む上部シールド層（下部磁極層）は、本発明における第２のシールド層に対応する。また、下部シールドギャップ膜４ａ，４ｂは、本発明における第１の絶縁層に対応し、上部シールドギャップ膜８ａ，８ｂは、本発明における第２の絶縁層に対応する。
【００６４】
また、上部シールド層（下部磁極層）、記録ギャップ層１８、上部磁極層１９および薄膜コイル１５は、本発明における誘導型磁気変換素子に対応する。
【００６５】
以上説明したように、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、再生ヘッドと記録ヘッドとを備えている。再生ヘッドは、ＭＲ素子５と、記録媒体に対向する側の一部が、絶縁層を介してＭＲ素子５を挟んで対向するように配置され、ＭＲ素子５をシールドするための下部シールド層３および上部シールド層（下部磁極層）（９ａ，９ｂ，１３ａ，１３ｂ）と、ＭＲ素子５に接続された第１の導電層７と、ＭＲ素子５および第１の導電層７と各シールド層との間に設けられた下部シールドギャップ膜４ａ，４ｂおよび上部シールドギャップ膜８ａ，８ｂと、上部シールドギャップ膜８ａ，８ｂに形成されたコンタクトホール１１（図６）を通して第１の導電層７に接続された第２の導電層１０ｂとを有している。再生ヘッドは、本実施の形態に係る磁気抵抗効果装置に対応する。
【００６６】
記録ヘッドは、磁気的に連結され、且つ記録媒体に対向する側の一部が記録ギャップ層１８を介して互いに対向する磁極部分を含む下部磁極層（上部シールド層）（９ａ，９ｂ，１３ａ，１３ｂ）および上部磁極層１９と、この下部磁極層および上部磁極層１９の間に、これらに対して絶縁された状態で配設された薄膜コイル１５とを有している。
【００６７】
本実施の形態における再生ヘッドでは、上部シールド層は、上部シールドギャップ膜８ａ，８ｂに接する第１の層９ａと、第２の導電層１０ｂと同じ材料によって形成された第２の層９ｂとを有している。
【００６８】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドでは、コンタクトホール１１が形成される上部シールドギャップ膜８ａ，８ｂに接するように、上部シールド層の第１の層９ａが設けられている。また、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、上部シールドギャップ膜８ａ，８ｂの上に上部シールド層の第１の層９ａを形成した後に、上部シールドギャップ膜８ａ，８ｂのうちの第１の導電層７と第２の導電層１０ｂとの接続部分にコンタクトホール１１を形成する。そのため、例えば逆スパッタを用いて第１の導電層７の表面のオーミック抵抗を低減させる処理を行う際に、ＭＲ素子５の近傍における上部シールドギャップ膜８ａ，８ｂは、上部シールド層の第１の層９ａによって保護される。
【００６９】
従って、本実施の形態によれば、逆スパッタによって、ＭＲ素子５の近傍において、上部シールドギャップ膜８ａ，８ｂがプラズマ損傷を受けて劣化したりエッチングされたりして上部シールドギャップ膜８ａ，８ｂに穴が開くことを防止することができる。これにより、ＭＲ素子５またはこれに接続された第１の導電層７と上部シールド層との電気的短絡を防止することができる。本実施の形態によれば、更に、ＭＲ素子５が直接にプラズマ損傷を受けることも防止することができる。これらのことから、本実施の形態によれば、ＭＲ素子５に対するノイズを低減することができる。
【００７０】
また、本実施の形態によれば、サーマルアスピリティを改善するために、下部シールドギャップ膜４ａ，４ｂおよび上部シールドギャップ膜８ａ，８ｂを十分薄くすることが可能となり、再生ヘッドの性能を向上させることができる。
【００７１】
また、本実施の形態によれば、薄膜コイル１５を、上部シールド層の第２の層９ｂの上であって、下部磁極チップ１３ａの側方に配置し、薄膜コイル１５を覆う絶縁層１７の上面を平坦化したので、上部磁極層１９を平坦な面の上に形成することができる。従って、本実施の形態によれば、上部磁極層１９の磁極部分を、例えばハーフミクロン寸法やクォータミクロン寸法にも微細に形成可能となり、記録ヘッドのトラック幅の縮小が可能となる。
【００７２】
また、本実施の形態では、記録ヘッドのトラック幅を規定する上部磁極層１９の磁極部分がスロートハイトを規定するのではなく、下部磁極チップ１３ａがスロートハイトを規定する。従って、本実施の形態によれば、トラック幅が小さくなっても、スロートハイトを精度よく、均一に規定することが可能となる。
【００７３】
更に、本実施の形態によれば、薄膜コイル１５を、平坦な面の上に形成することができるので、薄膜コイル１５を微細に形成することが可能になる。これにより、記録ヘッドの磁路長の縮小が可能になる。
【００７４】
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されない。例えば、上記実施の形態では、下部シールドギャップ膜と上部シールドギャップ膜をそれぞれ２層としたが、下部シールドギャップ膜と上部シールドギャップ膜の一方または両方を、１層または３層以上としてもよい。
【００７５】
また、上記実施の形態では、基体側に読み取り用のＭＲ素子を形成し、その上に、書き込み用の誘導型磁気変換素子を積層した構造の薄膜磁気ヘッドについて説明したが、この積層順序を逆にしてもよい。
【００７６】
つまり、基体側に書き込み用の誘導型磁気変換素子を形成し、その上に、読み取り用のＭＲ素子を形成してもよい。このような構造は、例えば、上記実施の形態に示した上部磁極層の機能を有する磁性膜を下部磁極層として基体側に形成し、記録ギャップ膜を介して、それに対向するように上記実施の形態に示した下部磁極層の機能を有する磁性膜を上部磁極層として形成することにより実現できる。この場合、誘導型磁気変換素子の上部磁極層とＭＲ素子の下部シールド層を兼用させることが好ましい。
【００７７】
なお、このような構造の薄膜磁気ヘッドでは、凹部を形成した基体を用いることが好ましい。そして、基体の凹部に、コイル部を形成することによって、薄膜磁気ヘッド自体の大きさを更に縮小化することができる。
【００７８】
また、読み取り専用として用いる場合には、薄膜磁気ヘッドを、読み取り用の磁気抵抗素子だけを備えた構成としてもよい。
【００７９】
また、本発明の磁気抵抗効果装置は、薄膜磁気ヘッドの再生ヘッドに限らず、回転位置センサ、磁気センサ、電流センサ等にも適用することができる。また、本発明の磁気抵抗効果装置の製造方法は、本発明の薄膜磁気ヘッドにおける再生ヘッドの製造方法と同様である。
【００８０】
【発明の効果】
以上説明したように請求項１ないし３のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドあるいは請求項１１記載の磁気抵抗効果装置によれば、コンタクトホールが形成される一方の絶縁層に接するように一方のシールド層の第１の層を設けたので、一方のシールド層の第２の層と同じ材料によって形成される第２の導電層を形成する際に、一方の絶縁層を一方のシールド層の第１の層によって保護することができ、これにより、磁気抵抗素子またはこれに接続された第１の導電層とシールド層との電気的短絡を防止することができるという効果を奏する。
【００８１】
また、請求項４ないし１０のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、第２の絶縁層の上に第２のシールド層の第１の層を形成した後に、第２の絶縁層のうちの第１の導電層と第２の導電層との接続部分にコンタクトホールを形成するようにしたので、第２の導電層を形成する際に、第２の絶縁層を第２のシールド層の第１の層によって保護することができ、これにより、磁気抵抗素子またはこれに接続された第１の導電層とシールド層との電気的短絡を防止することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法における一工程を説明するための断面図である。
【図２】図１に続く工程を説明するための断面図である。
【図３】図２に続く工程を説明するための断面図である。
【図４】図３に続く工程を説明するための断面図である。
【図５】図４に続く工程を説明するための断面図である。
【図６】図５に続く工程を説明するための断面図である。
【図７】図６に続く工程を説明するための断面図である。
【図８】図７に続く工程を説明するための断面図である。
【図９】図８に続く工程を説明するための断面図である。
【図１０】図９に続く工程を説明するための断面図である。
【図１１】図６に対応する平面図である。
【図１２】図７に対応する平面図である。
【図１３】図８に対応する平面図である。
【図１４】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法における一工程を説明するための断面図である。
【図１５】図１４に続く工程を説明するための断面図である。
【図１６】図１５に続く工程を説明するための断面図である。
【図１７】図１６に続く工程を説明するための断面図である。
【図１８】図１７に続く工程を説明するための断面図である。
【図１９】図１８に続く工程を説明するための断面図である。
【図２０】従来技術の問題点を説明するための断面図である。
【図２１】従来技術の問題点を説明するための断面図である。
【符号の説明】
１…基板、２…絶縁層、３…下部シールド層、４ａ，４ｂ…下部シールドギャップ膜、５…ＭＲ素子、７…第１の導電層、８ａ，８ｂ…上部シールドギャップ膜、９ａ…上部シールド層の第１の層、９ｂ…上部シールド層の第２の層、１０ｂ…第２の導電層、１１…コンタクトホール、１３ａ…下部磁極チップ、１３ｂ…磁性層、１５…薄膜コイル、１８…記録ギャップ層、１９…上部磁極層、２０…オーバーコート層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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