(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体モジュールにおいて、
パワー半導体素子を内蔵し、底面部にヒートシンクの一主面が露出するとともに、外部端子の先端部が前記一主面が向く方向へと突出している半導体装置と、
ピンを有する回路素子と、
一方主面と他方主面とを有する板状の回路基板と、を備え、
前記外部端子および前記ピンが前記回路基板に固定されることによって、前記半導体装置と前記回路素子は前記回路基板に搭載されており、しかも、前記半導体装置と前記回路素子は、ともに、前記回路基板の前記一方主面の側に設置されており、
前記回路基板には、前記ヒートシンクの前記一主面に対向する部分に、選択的に開口部が形成されており、
平坦面を有し、前記開口部に挿入可能な突起状の台座部が、前記平坦面内に選択的に形成されており、しかも、前記台座部の頭部が平坦である、熱良導性の放熱フィンを更に備え、
この放熱フィンは、前記回路基板の前記他方主面の側に設置されており、しかも、前記台座部が前記開口部に挿入されることによって、前記頭部が前記ヒートシンクの前記一方主面に面接触していることを特徴とする半導体モジュール。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体モジュールにおいて、
前記平坦面は、前記回路基板の前記他方主面に隣接して平行に対向することを特徴とする半導体モジュール。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体モジュールにおいて、
前記平坦面の外周端縁と、前記回路基板の外周端縁とは、互いに略重なっていることを特徴とする半導体モジュール。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の半導体モジュールにおいて、
前記放熱フィンは、前記半導体装置に固定されていることを特徴とする半導体モジュール。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体モジュールにおいて、
前記放熱フィンは、ネジで前記半導体装置に締結されていることを特徴とする半導体モジュール。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、パワー半導体素子とヒートシンクとを有する半導体装置、およびこの半導体装置が他の回路素子とともに回路基板の上に搭載されて成る半導体モジュールに関し、特に、半導体装置を他の回路素子とともに回路基板へ取り付けることを容易化するための改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図１２は、この発明の背景となる従来の半導体装置の内部構造を示す正面断面図である。図１２に示すように、この従来装置１５１では、板状のヒートシンク５１の上主面に、絶縁基板本体３１が固着されている。さらに、この絶縁基板本体３１の上主面には、所定の形状にパターニングされた導体箔３２が配設されている。
【０００３】
導体箔３２の上の所定の部位には、発熱をともなうパワー半導体素子であるＩＧＢＴ素子１１が、ハンダによって固着されている。そして、導体箔３２の他の部位とＩＧＢＴ素子１１との間が、ボンディングワイヤ１３によって電気的に接続されている。導体箔３２の上には、さらに、制御用半導体素子１６、抵抗素子１７、容量素子１８などの、ＩＧＢＴ素子１１の制御に関わる素子が、それぞれ所定の部位に固着されている。
【０００４】
ヒートシンク５１は、上面部と底面部とが開口した枠状の電気絶縁性のケース８１に取り付けられている。ヒートシンク５１は、ケース８１の底面部に形成された開口部に嵌合している。そして、ヒートシンク５１の下主面、すなわち絶縁基板本体３１が取り付けられる側とは反対側の主面は、装置の外部へと露出している。
【０００５】
導体箔３２の他の所定の部位には、さらに、外部端子８５，８６が取り付けられている。これらの外部端子８５，８６は、ＩＧＢＴ素子１１等で構成される装置の回路と、外部装置とを電気的に接続するためのものである。そして、これらの外部端子８５，８６は、ケース８１の上面部から外部へ突出している。すなわち、外部端子８５，８６は、ヒートシンク５１の露出面（下主面）が向く方向とは反対方向に向かって突出している。
【０００６】
ＩＧＢＴ素子１１などの各素子は、ヒートシンク５１とケース８１とで囲まれて成る収納室に収納されている。そして、この収納室には、ＩＧＢＴ素子１１などの各素子、ボンディングワイヤ１３等の保護を目的として、電気絶縁性の封止樹脂８２が充填されている。
【０００７】
図１３は、もう一つの従来の半導体装置の正面断面図である。図１３に示すように、この従来装置１５２では、所定のパターン形状を有する銅製の板状のリードフレーム８３の上の複数の部位に、パワー半導体素子としてのＩＧＢＴ素子１１、および制御用半導体素子１６がハンダ付けされている。リードフレーム８３は、装置１５１の導体箔３２に相当する配線パターンを構成するとともに、外部へ露出する外部端子をも構成している。
【０００８】
この装置１５２には、さらに、リードフレーム８３の素子載置面とは反対側の主面に対向するように、板状のヒートシンク５２が設けられている。そして、電気絶縁性の封止樹脂２によって、リードフレーム８３の外部端子を除く部分、その上に搭載される各種素子、および、ヒートシンク５２が封止されている。
【０００９】
この装置１５２では、外部端子は、ヒートシンク５２の下主面すなわち露出面が向く方向とは反対方向に、それらの先端部が突出するように折り曲げられている。すなわち、装置１５２においても、装置１５１と同様に、外部端子の先端部は、ヒートシンク５２の露出面が向く方向とは反対方向に突出している。
【００１０】
つぎに、これらの従来装置の使用形態について説明する。図１４は、装置１５１の通常の使用形態を示す正面断面図である。この使用形態では、図示しない所定の配線パターンを有する回路基板９１に、装置１５１とともに、各種の回路素子７１，７２，７３が搭載されている。しかも、装置１５１は、各回路素子７１，７２，７３が設置される主面とは反対側の主面に設置されている。そうして、装置１５１のヒートシンク５２の露出面に接触するように、放熱フィン９５が装置１５２に固定されている。もう一つの装置１５２も、通常において同様の形態で使用される。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
以上に述べたように、従来の半導体装置１５１，１５２は、外部端子の先端部が放熱板５１，５２の露出面の向く方向とは反対方向に突出しているので、回路基板９１に半導体装置１５１（または１５２）を取り付ける際には、その他の回路素子７１，７２，７３が取り付けられる主面とは反対側に取り付けられるのが通例であった。
【００１２】
このため、半導体装置１５１（または１５２）を回路基板９１に取り付けるには、まず、回路基板９１の一方主面に各回路素子７１，７２，７３をハンダ付けによって固定した後に、他方主面に半導体装置１５１（または１５２）をハンダ付けによって固定する必要があった。すなわち、ハンダ付け工程を二度に分けて行う必要があり、工程が複雑であるという問題点があった。
【００１３】
ハンダ付けを一括的に行うために、例えば、図１５の正面断面図に示すように、半導体装置１５１と各回路素子７１，７２，７３とを同一主面に取り付けることも可能である。しかしながら、このような使用形態では、半導体装置１５１よりも背の高い回路素子（例えば、回路素子７３）を、回路基板９１と放熱フィン９５との間に設置することができないために、回路基板９１が広くならざるを得ないという問題点があった。すなわち、図１５の使用形態は、回路基板９１を含む応用装置の大型化につながるという、新たな問題を引き起こしていた。
【００１４】
この発明は、従来の装置における上記した問題点を解消するためになされたもので、他の回路素子とともに回路基板へ容易に搭載することが可能で、しかも回路基板を小型化し得る半導体装置、および、この半導体装置が他の回路素子とともに回路基板に搭載されて成る半導体モジュールを提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
第１の発明の装置は、半導体モジュールにおいて、パワー半導体素子を内蔵し、底面部にヒートシンクの一主面が露出するとともに、外部端子の先端部が前記一主面が向く方向へと突出している半導体装置と、ピンを有する回路素子と、一方主面と他方主面とを有する板状の回路基板と、を備え、前記外部端子および前記ピンが前記回路基板に固定されることによって、前記半導体装置と前記回路素子は前記回路基板に搭載されており、しかも、前記半導体装置と前記回路素子は、ともに、前記回路基板の前記一方主面の側に設置されており、前記回路基板には、前記ヒートシンクの前記一主面に対向する部分に、選択的に開口部が形成されており、平坦面を有し、前記開口部に挿入可能な突起状の台座部が、前記平坦面内に選択的に形成されており、しかも、前記台座部の頭部が平坦である、熱良導性の放熱フィンを更に備え、この放熱フィンは、前記回路基板の前記他方主面の側に設置されており、しかも、前記台座部が前記開口部に挿入されることによって、前記頭部が前記ヒートシンクの前記一方主面に面接触していることを特徴とする。
【００２３】
第２の発明の装置は、第１の発明の半導体モジュールにおいて、前記平坦面は、前記回路基板の前記他方主面に隣接して平行に対向することを特徴とする。
【００２４】
第３の発明の装置は、第２の発明の半導体モジュールにおいて、前記平坦面の外周端縁と、前記回路基板の外周端縁とは、互いに略重なっていることを特徴とする。
【００２５】
第４の発明の装置は、第１ないし第３のいずれかの発明の半導体モジュールにおいて、前記放熱フィンは、前記半導体装置に固定されていることを特徴とする。
【００２６】
第５の発明の装置は、第４の発明の半導体モジュールにおいて、前記放熱フィンは、ネジで前記半導体装置に締結されていることを特徴とする。
【００２７】
【発明の実施の形態】
＜１．実施の形態１＞
はじめに実施の形態１の半導体装置について説明する。
【００２８】
＜1-1.装置の構成＞
図２は、この実施の形態の半導体装置の回路構成を示す回路図である。この装置１０１は、負荷への電力の供給を担う主電流の流れを変調制御するパワー半導体素子を有する電力回路１０と、このパワー半導体素子の動作を制御する制御回路１５とを備えている。
【００２９】
電力回路１０は、パワー半導体素子としてのＩＧＢＴ素子１１に加えて、フリーホイールダイオード１２とを備えている。ＩＧＢＴ素子１１は、コレクタ電極Ｃからエミッタ電極Ｅへと流れる主電流を、ゲート電極Ｇに入力されるゲート電圧信号に応答して導通および遮断する（すなわちスイッチングする）。この主電流は、コレクタ電極Ｃおよびエミッタ電極Ｅに接続された外部端子５を通じて、外部の負荷へと供給される。ＩＧＢＴ素子１１に逆並列に接続されるフリーホイールダイオード１２は、ＩＧＢＴ素子１１への過大な逆電圧の印加を防止する役割を担っている。
【００３０】
電力回路１０に複数の配線１４を通じて結合した制御回路１５には、ＩＧＢＴ素子１１の制御において中心的役割を果たす集積回路素子としての制御用半導体素子１６の他に、これに付随する抵抗素子１７、および、容量素子１８などが備わっている。そして、これらの素子は駆動回路と保護回路とを構成している。駆動回路は、複数の外部端子６の一つに入力された制御信号に応答して、ゲート電極Ｇへゲート電圧信号を送出する制御回路内の回路部分である。保護回路は、ＩＧＢＴ素子１１の動作環境を監視し、異常発生時のＩＧＢＴ素子１１の損傷を防止する回路部分である。
【００３１】
図２に例示する保護回路は、一つには、コレクタ電極Ｃとエミッタ電極Ｅとの間の電圧、すなわちコレクタ・エミッタ間電圧をモニタし、この電圧が所定の基準値を超えて過大になったときに、外部からの制御信号とは無関係に、ＩＧＢＴ素子１１を遮断すべくゲート電極Ｇを駆動する。この保護回路は、さらに、ＩＧＢＴ素子１１を流れる主電流に比例してセンス電極Ｓを流れる微弱な電流、すなわちセンス電流をモニタすることによって、主電流が所定の基準値を超えて過大になったときに、外部からの制御信号とは無関係に、ＩＧＢＴ素子１１を遮断すべくゲート電極Ｇを駆動する。
【００３２】
また、図２の保護回路は、過電圧あるいは過電流が発生したときに、異常の発生を報知する信号を外部端子６を通じて外部へと送出する。このように、保護回路は、例えば過電圧あるいは過電流などの異常に起因する損傷から、ＩＧＢＴ素子１１を保護する役割を担っている。
【００３３】
図３および図４は、それぞれ装置１０１の底面図および正面図である。また、図１は、図３に示すＡ−Ａ切断線に沿った装置１０１の断面図である。これらの図に示すように、装置１０１では、例えばアルミニウムあるいは銅などの熱良導性の金属から実質的に成る板状のヒートシンク５１の上主面に、例えばエポキシ樹脂系の材料で構成される耐熱性の絶縁基板本体３１が固着されている。
【００３４】
さらに、この絶縁基板本体３１の上主面には、例えば銅から実質的に成り、しかも所定の形状にパターニングされた電気良導性の導体箔３２が配設されている。上述した配線１４は、この導体箔３２によって構成されている。そして、これらの部材５１，３１、３２によって、絶縁金属基板が構成される。
【００３５】
導体箔３２の上の所定の部位には、ＩＧＢＴ素子１１がハンダによって固着されている。そして、導体箔３２の他の部位とＩＧＢＴ素子１１との間が、例えばアルミニウム製のボンディングワイヤ１３によって電気的に接続されている。導体箔３２の上には、さらに、制御用半導体素子１６、抵抗素子１７、容量素子１８などのその他の素子が、それぞれ所定の部位に固着されている。発熱をともなうパワー半導体素子としてのＩＧＢＴ素子１１は、図１に例示するように、好ましくはベアチップ素子として構成される。
【００３６】
ヒートシンク５１は、上面部が開口し底面部も選択的に開口した枠状の電気絶縁性のケース２１に取り付けられている。ヒートシンク５１は、ケース２１の底面部に形成された開口部に嵌合し、しかも、この開口部の上端に形成され開口部の内側へと向かう出張り部によって、係止されている。そして、ヒートシンク５１の下主面、すなわち絶縁基板本体３１が取り付けられる側とは反対側の主面は、装置の外部へと露出している。
【００３７】
すなわち、ケース２１とヒートシンク５１とは、あたかも上面部が開口した箱の側面部と底面部とを構成している。そして、ＩＧＢＴ素子１１などの各素子は、この箱の内部、すなわちヒートシンク５１とケース２１とで囲まれて成る収納室に、収納されている。
【００３８】
ヒートシンク５１がはめ込まれる開口部は、ケース２１の底面部に辺縁部２１ａを残して選択的に形成されている。そして、ヒートシンク５１の外周に隣接するこの辺縁部２１ａには、外部端子５，６が取り付けられている。これらの外部端子５，６は、それらの各々の一端が収納室内にあり他端が外部へと突出するように、辺縁部２１ａを貫通している。しかも、外部端子５，６の他端は、ヒートシンク５１の露出面すなわち下主面が向く方向へと突出している。
【００３９】
収納室内にある外部端子５，６の一端は、ボンディングワイヤ１３によって、導体箔３２の所定の部位と、電気的に接続されている。そして、収納室には、ＩＧＢＴ素子１１などの各素子、およびボンディングワイヤ１３等の保護を目的として、電気絶縁性の封止樹脂２２が充填されている。なお、ケース２１は、外部端子５，６を封止するのに適した樹脂で構成されるのが望ましい。
【００４０】
装置１０１の通常の使用形態では、ヒートシンク５１の露出面すなわち下主面との熱的接触を保つように、外部の放熱フィン（図示を略する）が、装置１０１へと接続される。そうすることによって、ＩＧＢＴ素子１１で発生した損失熱が、ヒートシンク５１を通じて外部へと効率よく放散される。なお、放熱フィンの接続をネジを用いて容易に行うことを可能とするために、ケース２１には一対の貫通孔２３（図３）が設けられている。
【００４１】
＜1-2.装置の使用形態＞
図５は、装置１０１の使用形態を示す正面断面図である。この使用形態では、図示しない所定の配線パターンを有する回路基板６１に、装置１０１とともに、各種の回路素子７１，７２，７３が搭載されている。例えば、これらの回路素子７１，７２，７３は、それぞれ集積回路素子、抵抗素子、容量素子である。装置１０１は、各回路素子７１，７２，７３とともに、回路基板６１の一方主面（上主面）の側に設置されている。また、回路基板６１の他方主面（下主面）の側には、アルミニウムなどから実質的に成る熱良導性の放熱フィン４１が取り付けられている。
【００４２】
図６は、回路基板６１の平面図である。図６に示すように、回路基板６１の主面には、スルーホール６３，６４が随所に設けられている。装置１０１の外部端子５，６、および各回路素子７１，７２，７３のピンを、それぞれ、スルーホール６３、および６４に挿入してハンダ付けすることによって、装置１０１および各回路素子７１，７２，７３の回路基板６１への取付けが行われる。
【００４３】
回路基板６１の主面には、さらに、開口部６２が形成されている。そして、装置１０１を取り付けるためのスルーホール６３は、この開口部６２の周囲に配列している。このため、装置１０１がスルーホール６３へと固定されると、ヒートシンク５１が開口部６２を通して、回路基板６１の他方主面（下主面）へと露出する。
【００４４】
図７は、放熱フィン４１の全体斜視図である。図７に示すように、放熱フィン４１は、平坦面４３の一部に、突出した台座部４２を有している。そして、台座部４２の頭部は、平坦面４３と同様に平坦となっている。また、台座部４２の頭部には、一対のネジ孔４４が形成されている。
【００４５】
図５に戻って、台座部４２が回路基板６１の開口部６２を貫通することによって、装置１０１のヒートシンク５１の露出面と、台座部４２の平坦な頭部との間の面接触が実現する。ネジを装置１０１に設けられた貫通孔２３を通してネジ孔４４へと螺合させることによって、放熱フィン４１が装置１０１へと容易に締結される。すなわち、この例では、放熱フィン４１は装置１０１を介して、回路基板６１と固定的に連結している。
【００４６】
なお、回路基板６１、および、その上に装置１０１とその他の回路素子７１，７２，７３とを搭載した応用装置は、所定の機能を有するものであり、半導体モジュール１０２として製品化が可能である。半導体モジュール１０２に、さらに、放熱フィン４１を取り付けた応用装置も、さらに有用な半導体モジュール１０３として製品化が可能である。
【００４７】
＜1-3.装置およびモジュールの利点＞
以上に説明したように、装置１０１では、外部端子５，６がヒートシンク５１の露出面が向いている方向に突出しているので、装置１０１は、回路基板６１の放熱フィン４１が設置される側とは反対側の主面である上主面に、他の回路素子７１，７２，７３等とともに、取り付けることが可能である。このため、これらの装置１０１および各種回路素子７１，７２，７３を取り付けるために必要な、スルーホール６３，６４へのハンダの塗布、および、装置１０１と各種回路素子７１，７２，７３のハンダ付けが、一括的に行い得る。
【００４８】
すなわち、これらの装置１０１および回路素子７１，７２，７３の回路基板６１への取付けが能率よく行われ得る。このことは、さらに、装置１０１の応用装置である半導体モジュール１０２，１０３の製造工程が容易であると言い替えることも可能である。また、放熱フィン４１は、回路基板６１を挟んで装置１０１、各種の回路素子７１，７２，７３等とは反対側に設置されるので、回路基板６１の面積を小さく保って、半導体モジュール１０３を小型化することが可能である。
【００４９】
さらに、装置１０１では、外部端子５，６がケース２１へと固定されるために、従来の装置１５１とは異なり、外部端子５，６を導体箔３２へハンダ付けする工程が不要である。また、すでに述べたように、好ましくは、ケース２１は封止に適した樹脂で構成される。この場合には、外部端子５，６は、樹脂を金型へ注入してケース２１へと成型加工する際に、同時にこの樹脂で封止されることによって、ケース２１へと容易に固定される。
【００５０】
この工程では、特に、外部端子５，６を導体箔３２へとハンダ付けするという従来装置が必要とした工程に比べて、外部端子５，６を所定の位置に精度良く固定することがはるかに容易である。また、外部端子５，６とケース２１との間の良好な密着性も併せて得られる。すなわち、装置１０１そのものの製造工程も、従来の装置１５１に比べて簡略化を図ることができる。
【００５１】
また、装置１０１では、外部端子５，６は導体箔３２にハンダ付けされずに、ケース２１に固定されるので、絶縁基板本体３１とヒートシンク５１との熱膨張係数の相違に起因する熱変形によって外部端子５，６と導体箔３２との接続部に応力が集中するという従来装置に見られた不具合が解消される。特に、外部端子５，６は、ケース２１の底面部の一部を成す辺縁部２１ａを貫通するように取り付けられているので、図１に例示したように、外部端子５，６は略直線形状とすることができる。すなわち、外部端子５，６の形状を単純化することができるという利点も得られる。
【００５２】
さらに、外部端子５，６と導体箔３２との電気的接続が、ハンダ付けによらずに、ボンディングワイヤ１３を介して行われるので、外部端子５，６と導体箔３２とを電気的に接続する工程が簡略となる。特に、図１に例示するように、外部端子５，６は、それらとボンディングワイヤ１３との接続部が、導体箔３２の表面と略同一平面上に位置するように、ケース２１に取り付けられるのが望ましい。
【００５３】
このとき、ボンディングワイヤ１３による外部端子５，６と導体箔３２との間のボンディングが、さらに容易に行い得る。また、ＩＧＢＴ素子１１等の素子と導体箔３２との間を、ボンディングワイヤ１３でボンディングする工程の中で、外部端子５，６と導体箔３２との間のボンディングも同時に遂行可能となる。すなわち、装置１０１の製造工程が、一層簡略化される。
【００５４】
また、図５に例示した半導体モジュール１０３では、平坦面４３が回路基板６１の他方主面に隣接し、しかも、平行に対向しているので、放熱効率を一定とした条件下で、半導体モジュール１０３の高さすなわち回路基板６１の主面に垂直な方向の大きさを、最も小さくすることができるという利点がある。
【００５５】
半導体モジュール１０３では、さらに、回路基板６１の外周端縁から放熱フィン４１がはみ出さない範囲で、平坦面４３が最も広く設定されている。すなわち、平坦面４３の外周端縁と回路基板６１の外周端縁とが、互いに略重なり合っている。このため、半導体モジュール１０３の広さすなわち回路基板６１の主面に沿った方向の大きさを一定とした条件下で、放熱効率を最も高くすることができる。
【００５６】
また、図６に例示するように、開口部６２は、回路基板６１の主面の中央部近傍に形成するのが望ましい。そうすることによって、回路基板６１と同一面積の放熱フィン４１を用いて、最大の放熱効率を引き出すことが可能となる。
【００５７】
＜２．実施の形態２＞
図８は、実施の形態２の半導体モジュールの構成を示す正面断面図である。半導体モジュール１０５、およびこれに放熱フィン４１を取り付けて成る半導体モジュール１０６は、実施の形態１において、装置１０１が樹脂モールド型の半導体装置１０４に置き換えられた構造を成している。
【００５８】
図９は、装置１０４の正面断面図である。図９に示すように、装置１０４では、銅などの電気良導性の金属から実質的に成る板状のリードフレーム３の上の複数の部位に、制御回路１５および電力回路１０に含まれる各種の素子がハンダ付けされている。図９には、これらの素子の中のＩＧＢＴ素子１１および制御用半導体素子１６が代表として描かれている。また、これらの素子は、図９に例示するように、好ましくはベアチップ素子として構成される。
【００５９】
そして、ＩＧＢＴ素子１１とリードフレーム３の他の部位との間が、例えばアルミニウム製のボンディングワイヤ１３によって電気的に接続されている。同様に、制御用半導体素子１６とリードフレーム３のさらに別の部位との間が、例えば金製のボンディングワイヤ１９によって電気的に接続されている。リードフレーム３は所定のパターン形状を有しており、そのことによって、配線１４を含む制御回路１５および電力回路１０の配線パターン４を構成するとともに、外部端子６および外部端子５をも構成している。
【００６０】
各種の素子が搭載されるリードフレーム３の上主面（素子載置面）とは反対側の下主面に対向するように、例えばアルミニウムあるいは銅などの熱良導性の金属から実質的に成る板状のヒートシンク５２が設けられている。そして、電気絶縁性でしかも熱良導性の封止樹脂２によって、リードフレーム３の配線パターン４の部分、配線パターン４の上に搭載される各種素子、および、ヒートシンク５２が封止されている。
【００６１】
リードフレーム３とヒートシンク５２の間には、わずかに間隙が設けられており、この間隙には封止樹脂２が充填されている。この間隙に充填された封止樹脂２は、リードフレーム３とヒートシンク５２との間を電気的に絶縁するとともに、ＩＧＢＴ素子１１で発生する損失熱を、リードフレーム３からヒートシンク５２へと良好に伝える役割を果たしている。封止樹脂２は、さらに、リードフレーム３とヒートシンク５２とを固定的に結合するとともに、配線パターン４およびその上の各種素子を、外部の湿気その他から保護する機能をも果たしている。
【００６２】
図１０は、装置１０４の底面図である。上述した図９は、この図４におけるＣ−Ｃ切断線に沿った断面図に相当する。図１０に示すように、封止樹脂２の側壁から外部端子５および外部端子６が外部へ突出するとともに、底面にはヒートシンク５２の下主面、すなわちリードフレーム３へ対向する上主面とは反対側の主面が、露出している。
【００６３】
図１１は、装置１０４の正面図である。この図１１および上述した図９に示すように、外部端子５，６は、ともに、ヒートシンク５２の下主面すなわち露出面が向く方向に、それらの先端部が突出するように折り曲げられている。すなわち、装置１０４においても、装置１０１と同様に、外部端子５，６の先端部は、ヒートシンク５２の露出面が向く方向に突出している。
【００６４】
このため、図８に戻って、装置１０４は、回路基板６１の放熱フィン４１が設置される側とは反対側の主面である上主面に、他の回路素子７１，７２，７３等とともに、取り付けることが可能である。このため、実施の形態１と同様に、これらの装置および回路素子を取り付けるために必要な、スルーホール６３，６４（図６）へのハンダの塗布、および、装置と回路素子のハンダ付けが、一括的に行い得る。
【００６５】
また、放熱フィン４１は、回路基板６１を挟んで装置１０４、各種の回路素子７１，７２，７３等とは反対側に設置される。そして、開口部６２を通じて台座部４２の平坦な頭部とヒートシンク５２の露出面とが面接触することによって、ヒートシンク５２と放熱フィン４１との間の熱的接触が保たれる。このため、回路基板６１の広さを小さく保って、半導体モジュール１０６を小型化することが可能である。
【００６６】
＜３．変形例＞
以上の各実施の形態では、制御回路１５が駆動回路と保護回路とを構成する好ましい例を取り上げたが、一般には、制御回路１５に備わる制御用半導体素子１６などの各素子が、駆動回路のみを構成するものであってもよい。この場合には、図２の回路図において、ＩＧＢＴ素子１１にはセンス電極Ｓが不要となる。また、複数の配線１４の中で、コレクタ電極Ｃおよびセンス電極Ｓと制御回路１５とを結合する配線は不要となる。さらに、外部端子６の中で、一部は不要となる。
【００６７】
さらに一般に、電力回路１０のみが備わり、制御回路１５が存在しない半導体装置についても実施が可能である。また、さらに、回路素子としてＩＧＢＴ素子１１などのパワー半導体素子のみが備わる半導体装置にも実施可能である。
【００６８】
【発明の効果】
第１の発明の半導体モジュールでは、外部端子の先端部がヒートシンクの露出面が向く方向へと突出した半導体装置が、回路素子とともに回路基板の一方主面の側に設置されている。このため、回路基板の一方主面に一括してハンダを塗布し、半導体装置と回路素子とを一括的にハンダ付けすることが可能である。すなわち、半導体モジュールの組立てが容易である。
【００６９】
また、回路基板に形成された開口部を通じて、外部の放熱フィンとヒートシンクとの熱的接触を行うことができるので、回路基板の他方主面側に放熱フィンを設置することができる。このため、半導体装置よりも背の高い回路素子を回路基板に搭載する目的で回路基板を放熱フィンよりも広く設定する必要がないので、半導体モジュールを小型化することができる。更に、放熱フィンを備えているので、外部の放熱フィンを別途取り付ける必要がない。すなわち、半導体モジュールの有用性が高い。しかも、この放熱フィンは、開口部に挿入された台座部がヒートシンクと接触することでヒートシンクとの熱的接触を保ちつつ、回路基板の他方主面の側に設置されているので、半導体モジュールを小型化することができる。
【００７８】
第２の発明の半導体モジュールでは、放熱フィンの平坦面が、回路基板の他方主面に隣接し、しかもこの他方主面に平行に対向するので、放熱効率を一定とした条件下で、半導体モジュールの高さすなわち回路基板に垂直な方向の大きさを最も小さくすることができる。すなわち、半導体モジュールの薄型化が可能である。
【００７９】
第３の発明の半導体モジュールでは、放熱フィンの平坦面の外周端縁と回路基板の外周端縁とが、互いに略重なっているので、半導体モジュールの広さすなわち回路基板の主面に沿った方向の大きさを一定とした条件下で、放熱効率を最も高くすることができる。
【００８０】
第４の発明の半導体モジュールでは、放熱フィンが半導体装置に固定されているので、放熱フィンとヒートシンクとの間の熱的接触を、常に良好に維持することができる。
【００８１】
第５の発明の半導体モジュールでは、放熱フィンが半導体装置にネジで締結されているので、放熱フィンの半導体装置への取り付けが容易である。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施の形態１の半導体装置の正面断面図である。
【図２】実施の形態１の半導体装置の回路図である。
【図３】実施の形態１の半導体装置の底面図である。
【図４】実施の形態１の半導体装置の正面図である。
【図５】実施の形態１の半導体モジュールの正面断面図である。
【図６】実施の形態１の回路基板の平面図である。
【図７】実施の形態１の放熱フィンの斜視図である。
【図８】実施の形態２の半導体モジュールの正面断面図である。
【図９】実施の形態２の半導体装置の正面断面図である。
【図１０】実施の形態２の半導体装置の底面図である。
【図１１】実施の形態２の半導体装置の正面図である。
【図１２】従来の半導体装置の正面断面図である。
【図１３】従来のもう一つの半導体装置の正面断面図である。
【図１４】従来の半導体装置の使用形態を示す正面断面図である。
【図１５】従来の半導体装置のもう一つの使用形態を示す正面断面図である。
【符号の説明】
５，６  外部端子、１１  ＩＧＢＴ素子（パワー半導体素子）、１３  ボンディングワイヤ、１６  制御用半導体素子、２１  ケース、２１ａ  辺縁部、３１絶縁基板本体、３２  導体箔、４１  放熱フィン、４２  台座部、４３  平坦面、５１、５２  ヒートシンク、６１  回路基板、６２  開口部、７１，７２，７３  回路素子、１０１，１０４  半導体装置、１０２，１０３，１０５，１０６  半導体モジュール。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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