(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
両端が開放された筒状セラミックス体の製造方法において、成形型に対し第１回の泥漿鋳込み成形を行った後、前記成形型の向きを反転させて第２回の泥漿鋳込み成形を行い、しかも、第１回の泥漿鋳込み成形で成形型の一端部側から泥漿を投入し、第２回の泥漿鋳込み成形で成形型の他端部側から泥漿を投入することを特徴とする筒状セラミックス体の製造方法。
【請求項２】
第１回及び第２回の泥漿鋳込み成形を行うごとに、異なる粒度配合の泥漿を用いることを特徴とする請求項１に記載の筒状セラミックス体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、両端が開放された筒状セラミックス体の泥漿鋳込み成形による製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
セラミックスのスリップキャスト成形、いわゆる鋳込み成形は、セラミック原料粉末と水等の溶媒から成る泥漿に、必要に応じ焼結助剤、成形助剤、分散剤等の添加剤を添加し、石膏型等の吸水性鋳型に流し込み、所定形状の成形体を得る方法である。
【０００３】
上記泥漿鋳込み成形は、食器類、衛生陶器等の陶磁器の製造分野、いわゆるオールドセラミックス分野では、古くから採用されている手法である。上記泥漿鋳込み成形は、製品を高歩留まりで量産的に生産できる。
【０００４】
近年、進展の著しいファインセラミックス分野においても、泥漿鋳込み成形は、各種ファインセラミックス成形体の成形に多用されている。
【０００５】
泥漿鋳込み成形は、金型成形や冷間静水圧成形（ＣＩＰ）に比し、成形に際し、特に顆粒を形成する必要がなく、泥漿から直接成形体を成形する。このため、均質な成形体を得ることができる。
【０００６】
また、泥漿鋳込み成形は、複雑形状の成形体も容易に成形できる。
【０００７】
通常、半導体の熱処理に用いられるチューブは、泥漿鋳込み成形やラバープレス成形によって得られたＳｉＣ多孔体の成形体に、Ｓｉを注入することによって得られる。チューブの大きさは、熱処理を行う半導体ウェーハの大きさによって異なる。８インチの半導体ウェーハの場合、チューブの大きさは外形３００ｍｍ以上もの大きさとなる。１２インチの半導体ウェーハの場合、チューブの大きさは外形４００ｍｍ以上もの大きさとなる。
【０００８】
これらの半導体熱処理に用いられるチューブには、厳しい形状精度が要求される。特に、チューブの肉厚には、外形のつぶれなどよりも厳しい精度が要求される。これは、熱処理時にウェーハに及ぶ影響を考慮する必要があるからである。最近では、肉厚４ｍｍに対し、公差＋０．５、−０といった厳しい要求もある。
【０００９】
泥漿鋳込み成形法により半導体熱処理に用いられるチューブを成形する場合、吸水性の型（主に石膏型）の一端部から泥漿を投入し、型内を泥漿で満たす。その後、任意の時間だけ保持し、型内に残っている泥漿を排泥する。このような方法で鋳込むと、成形されたチューブは、一端部が薄く、他端部が厚くなる。つまり、成形されたチューブの一端部と他端部の間に、肉厚差が生じる。これは、泥漿が石膏型内を満たすのに時間がかかるためである。
【００１０】
一端部と他端部の間に肉厚差を有するチューブでは、均一な条件でウェーハを熱処理することができない。
【００１１】
一端部と他端部との肉厚差が大きいチューブから、一端部と他端部との肉厚差が小さいチューブを得るためには、チューブの内周や外周を加工することが効果的である。
【００１２】
しかし、チューブの外周にテーパーがついている場合、外周加工によって一端部と他端部との肉厚差が小さいチューブを得ることは、極めて困難である。また、内周加工はチューブの外形にもよるが、長さ約５００ｍｍまでの加工が限界である。これは、実用的な方法ではない。
【００１３】
これらのことから、泥漿鋳込み成形によって一端部と他端部との肉厚差が小さいチューブを製造できるようにすることが望まれていた。
【００１４】
一方、半導体熱処理に用いられるチューブは、ＬＰ−ＣＶＤ工程や拡散工程で使用されている。ＬＰ−ＣＶＤ工程では、半導体にＳｉＮ、ｐｏｌｙ−Ｓｉ、ＳｉＯ２  などがコーティングされる。ＬＰ−ＣＶＤ工程でチューブに付着した堆積物は、一定期間で洗浄によって除去する。チューブに付着した堆積物を除去しないと、チューブとの熱膨張差等の原因によって、堆積物がチューブからはがれる。その結果、ダストが発生し、半導体に悪影響を与える。
【００１５】
しかしながら、実際の作業においては、処理能力を向上するために上述の洗浄回数をできるだけ少なくすることが重要である。ＬＰ−ＣＶＤ工程においてチューブの洗浄回数を減らすには、チューブの内面を粗くする。チューブの内面を粗くすると、チューブの内面の表面積が大きくなる。チューブの内面の表面積が大きいと、堆積物が粗い内面に強固に付着し、膜の堆積量を増やすことができる。つまり、チューブの内面を粗くすると、堆積物がチューブからはがれにくくなる。その結果、上述の洗浄回数を減らすことができる。
【００１６】
チューブの内面を粗くするには、泥漿に粗い粒子を入れて成形することが望ましい。しかし、チューブの外面は堆積物の付着がチューブの内面に比べて少ないため、ガスの整流を考慮してできるだけ荒れていない状態が望ましい。
【００１７】
これらのことから、内面と外面で異なる表面粗さを有するチューブを泥漿鋳込み成形によって容易に製造できるようにすることが望まれていた。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の１つの目的は、一端部と他端部との肉厚差が小さいか、ほぼ同一の筒状セラミックス体の製造方法を提供することである。
【００１９】
本発明の別の目的は、一端部と他端部との肉厚差が小さく、内表面と外表面が異なった状態になっている筒状セラミックス体の製造方法を提供することである。
【００２１】
【課題を解決するための手段】
本発明の１つの解決手段は、両端が開放された筒状セラミックス体の製造方法において、成形型に対し第１回の泥漿鋳込み成形を行った後、前記成形型の向きを反転させて第２回の泥漿鋳込み成形を行うことを特徴とする筒状セラミックス体の製造方法である。
【００２２】
好ましくは、第１回及び第２回の泥漿鋳込み成形を行うごとに、異なる粒度配合の泥漿を用いる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
本発明は、一端部と他端部との肉厚差が小さい筒状セラミックス体とその製造方法、一端部と他端部との肉厚差が小さく、内表面と外表面の状態が異なる筒状セラミックス体とその製造方法に関する。
【００２６】
本発明の典型例は、両端が開放された筒状セラミックス体の製造方法において、第１回の泥漿鋳込み成形を行った後、成形型の向きを反転させて、同一の成形型に対し第２回の泥漿鋳込み成形を行うことを特徴とする筒状セラミックス体の製造方法である。
【００２７】
成形型としては、石膏型を用いるのが好ましい。
【００２８】
好ましくは、１回目の成形による成形体の薄肉部に、２回目の成形による成形体の厚肉部を対応させる。１回目の成形による成形体の厚肉部に、２回目の成形による筒状成形層の薄肉部を対応させる。上述のようにして、筒状セラミックス体を得ることが好ましい。
【００２９】
さらに、複数回の泥漿鋳込み成形ごとに、異なる配合の泥漿を用いることも好ましい。
【００３０】
なお、筒状セラミックス体は、両端が開放されているセラミックス体であればどのようなものでもよい。したがって、一端が細くなっているものや両端が細くなっているもの、一端が広くなっているものや両端が広くなっているもの等でもよい。また、開放端の形状は、円形のものに限らず様々な形状にすることができる。
【００３１】
筒状セラミックス体は、たとえば、半導体製造用の均熱管（ライナーチューブ）、反応管あるいはインナーチューブ等として構成することができる。通常は、これらの用途の場合、筒状セラミックス体の内表面にＣＶＤ（−ＳｉＣ）被膜が行われる。インナーチューブの場合には、外表面にもＣＶＤ（−ＳｉＣ）被膜が行われる。
【００３２】
筒状セラミックス体の材質は、たとえば炭化珪素、アルミナ、窒化珪素等にすることができる。
【００３３】
【実施例】
以下、図面を参照して本発明の第１の実施例について説明する。
【００３４】
図１は、本発明の実施例で用いる石膏型を示す概略縦断面図である。
【００３５】
石膏型１２は、両端が開放された円筒である。
【００３６】
まず、１回目の鋳込み作業を行う。石膏型１２の他端１２ｂ  側の開放端を塞いで、石膏型の一端１２ａ  側から例えば適宜粒度配合されたＳｉＣ（炭化珪素）等のセラミックス粉末を溶媒中に分散させた泥漿を投入する。任意の時間だけ保持した後、石膏型１２から泥漿を排泥する。その結果、石膏型１２の内面に、図２に示す多孔体の第１筒状成形層１４ができる。
【００３７】
図２は、第１の実施例における石膏型１２及びこれに対し、１回目の鋳込み終了後の成形体を示す第１筒状成形層の概略縦断面図である。第１筒状成形層は、両端が開放された筒型である。第１筒状成形層１４の肉厚は、一端部１４ａ  が薄く他端部１４ｂ  が厚くなる。これは、泥漿投入開始から石膏型がいっぱいになるまでに、タイムラグがあるからである。また、泥漿中の粉末分の沈降によってもその傾向は生じ易い。
【００３８】
次に、２回目の鋳込み作業を行う。石膏型１２からの脱型を行わずに、石膏型１２の一端１２ａ  と他端１２ｂ  を反転させる。下側に位置する石膏型の一端１２ａ  側の開放端を塞いで、石膏型の他端１２ｂ  側から上記第１筒状成形層の内側に対し、第１回目と同質の泥漿を投入する。任意の時間だけ保持した後、石膏型１２から泥漿を排泥する。その結果、図３に示すように、第１筒状成形層１４の内面に多孔体の第２筒状成形層１６ができる。
【００３９】
図３は、第１の実施例における石膏型１２及び２回目の泥漿鋳込み成形終了後の筒状セラミックス体１８を示す概略縦断面図である。第１筒状成形層１４の内面に多孔体の第２筒状成形層１６が成形されて、多孔体の筒状セラミックス体１８を構成している。筒状セラミックス体１８は、両端が開放された筒型である。
【００４０】
第２筒状成形層１６も、両端が開放された筒型である。第２筒状成形層１６の肉厚は、一端部１６ａ  が薄く他端部１６ｂ  が厚くなる。これは、泥漿投入開始から石膏型がいっぱいになるまでに、タイムラグがあるからである。また、泥漿中の粉末分の沈降によってもその傾向は生じ易い。
【００４１】
このようにして、２回目の鋳込み作業終了時には、多孔体である筒状のセラミックス体１８を得ることができる。
【００４２】
この方法においては、１回目の鋳込み作業終了時の成形体である第１筒状成形層１４は、一端部１４ａ  と他端部１４ｂ  との肉厚差が大きいままである。しかし、２回目の鋳込み作業終了時には、肉厚の厚い第１  筒状成形層の他端部１４ｂ  に肉厚の薄い第２筒状成形層の一端部１６ａ  が対応して、第２筒状成形層１６ができる。肉厚の薄い第１筒状成形層の一端部１４ａ  には肉厚の厚い第２筒状成形層の他端部１６ｂ  が対応して、第２筒状成形層１６ができる。また、１回目と２回目の肉厚を合計した分が筒状セラミックス体１８の肉厚になる。したがって、最終的に、一端部１８ａ  と他端部１８ｂ  との肉厚差が通常の鋳込み方に比べて小さい筒状セラミックス体１８を成形することができる。
【００４３】
必要であれば、さらに石膏型の一端と他端を反転させて、さらに鋳込み作業を行ってもよい。
【００４４】
また、泥漿鋳込み成形を行う回数は、２回に限定されない。複数回の泥漿鋳込み成形を行うことができる。複数回の泥漿鋳込み成形において、任意の回数だけ型の一端と他端を反転させることもできる。そのようにして、最終的に、一端部と他端部との肉厚差が小さい筒状セラミックス体が得られれば、本発明の目的を達成できる。
【００４５】
このようにして得られた多孔質の筒状セラミックス体がＳｉＣの場合には、これにＳｉ含浸を行うことができる。
【００４６】
第１の実施例の詳細な製造条件
Ｓｉ含浸ＳｉＣ（反応焼結炭化珪素）製のライナーチューブを製造するのに必要な泥漿を表１に準じて秤量した。
【００４７】
【表１】
0003594223.tif 000002
ポリポットにて１０時間以上混合した後、泡を除去し、石膏型に投入する。
【００４８】
実験例１
直径３００ｍｍ×長さ１２００ｍｍのライナーチューブを得るために、図４に示す石膏型２０を用意し、２回泥漿鋳込み成形を行った。石膏型２０は、以下の寸法を持つ。
【００４９】
石膏型の一端部２０ａ  の内径（製品の外形に相当）：３００ｍｍ
石膏型の他端部２０ｂ  の内径（製品の外形に相当）：３０１ｍｍ
全長：１２５０ｍｍ
１回目の成形：石膏型の一端部側の泥漿出入口２４から泥漿を投入し、石膏型２０と中子２２の隙間を満たした。泥漿を投入し始めてから３０分で、石膏型の他端部側の泥漿出入口２６から排泥を行った。
【００５０】
２回目の成形：石膏型２０の一端と他端を反転させ、石膏型の他端部側の泥漿出入口２６から泥漿を投入した。１回目の成形と同様に、石膏型２０と中子２２の隙間を泥漿で満たした。４０分後、排泥を行った。
【００５１】
２回目の成形が終わった後、成形体と石膏型２０を２４時間乾燥させた。その後、成形体を石膏型２０から脱型し、多孔質のＳｉＣ製筒状セラミックス体を得た。
【００５２】
このＳｉＣ製筒状セラミックス体について、溶融Ｓｉの含浸を行い、Ｓｉ含浸ＳｉＣ製ライナーチューブを製造した。その後、ライナーチューブの肉厚寸法を測定した。その結果、表２に示すように、ライナーチューブの一端部と他端部との肉厚差は０．２ｍｍであった。
【００５３】
【表２】
0003594223.tif 000003
次に、本発明の第２の実施例について説明する。
【００５４】
第２の実施例においては、第１の実施例と同様に図１に示す石膏型を用いることができる。
【００５５】
まず、１回目の鋳込み作業を行う。石膏型１２の他端１２ｂ  側の開放端を塞いで、石膏型の一端１２ａ  側から例えば適宜粒度配合されたＳｉＣ（炭化珪素）等のセラミックス粉末を溶媒中に分散させた泥漿を投入する。任意の時間だけ保持した後、石膏型１２から泥漿を排泥する。その結果、石膏型１２の内面に、図５に示す多孔体の第１筒状成形層１１４  ができる。
【００５６】
図５は、第２の実施例における石膏型１２及びこの内表面に形成された第１筒状成形層の概略縦断面図である。第１筒状成形層１１４  は、両端が開放された筒型である。第１筒状成形層１１４  の肉厚は、一端部１１４ａが薄く他端部１１４ｂが厚い。
【００５７】
次に、２回目の鋳込み作業を行う。石膏型１２からの脱型を行わずに、石膏型１２の一端１２ａ  と他端１２ｂ  を反転させる。下側に位置する石膏型の一端１２ａ  側の開放端を塞いで、石膏型の他端１２ｂ  側から粗粒子の入った泥漿を投入する。任意の時間だけ保持した後、石膏型１２から上記第１筒状成形層１１４の内側に対し、第１回  目の泥漿よりも粗い粒度（配合）のセラミックス粉末で作成した泥漿を排泥する。その結果、図６に示すように、第１筒状成形層１１４  の内面に多孔体の第２筒状成形層１１６  ができる。
【００５８】
図６は、第２の実施例における石膏型１２及び２回目の泥漿鋳込み成形終了後の成形体を示す概略縦断面図である。第２筒状成形層の肉厚は、一端部１１６ａが薄く、他端部１１６ｂは厚い。この第２の実施例における第２筒状成形層１１６  は、粗い粒子の入った泥漿で成形しているため表面を粗くすることができる。
【００５９】
この方法を用いることで、２回目の鋳込み作業終了時には、外表面はなめらかで内表面が粗い、多孔体である筒型の筒状セラミックス体１１８  を泥漿鋳込み成形によって得ることができる。
【００６０】
このようにして得られた多孔質の筒状セラミックス体１１８  が、ＳｉＣの場合には、これにＳｉ含浸を行うことができる。
【００６１】
ここで、筒状セラミックス体１１８  は、たとえば半導体の熱処理に用いられるチューブとして利用することができる。チューブは、熱処理の際の半導体シリコンウェーハへの熱的影響を均一にするために、肉厚が一定であることが望ましい。このため、２回目の鋳込み作業の際には、石膏型１２の一端１２ａ  と他端１２ｂ  を反転させている。２回目の鋳込み作業の際に石膏型１２の一端１２ａ  と他端１２ｂ  を反転させると、第１の実施例と同様に一端部１１８ａと他端部１１８ｂとの肉厚差が小さい筒状セラミックス体を得ることができる。しかし、第２の実施例において、肉厚の均一性をあまり重視せず、内外表面の表面粗さの調整を重視する場合においては、２回目の成形時において石膏型の一端と他端を反転させることは必須のことではない。第２の実施例においては、２回目の鋳込み作業で用いる泥漿が異なる配合であればよい。石膏型の一端と他端を反転させない場合は、一端が開放されていない型を用いることもできる。
【００６２】
泥漿鋳込み成形を行う回数は、２回に限定されない。複数回の泥漿鋳込み成形を行うことができる。
【００６３】
また、複数回の泥漿鋳込み成形において、泥漿鋳込み成形ごとに異なる配合の泥漿を用いることができる。この場合、複数の筒状成形層が組み合わされ、しかも、複数の筒状成形層の成分が互いに異なっている筒状セラミックス体を得ることができる。
【００６４】
第２の実施例の詳細な製造条件
表３に示す材料をポリポットにて混合し、Ｓｉ含浸ＳｉＣ製のチューブを製造するのに必要な２種の泥漿を得た。
【００６５】
【表３】
0003594223.tif 000004
実験例２
実験例２においては、実験例１と同様の石膏型を用いることができる。
【００６６】
φ３００×１２００Ｌのチューブを得るために、図４に示す石膏型２０を用意し、上記２種の泥漿を用いて２回泥漿鋳込み成形を行った。石膏型２０は、以下の寸法を持つ。
【００６７】
石膏型の一端部２０ａ  の内径（製品の外形に相当）：３００ｍｍ
石膏型の他端部２０ｂ  の内径（製品の外形に相当）：３０１ｍｍ
全長：１２５０ｍｍ
１回目の成形：石膏型の一端部側の泥漿出入口２４から表３に示す配合Ｂの泥漿を投入して、石膏型２０と中子２２の隙間を満たした。配合Ｂの泥漿を投入し始めてから３０分で、石膏型の他端部側の泥漿出入口２６から排泥を行った。
【００６８】
２回目の成形：石膏型２０の一端と他端を反転させ、石膏型の他端部側の泥漿出入口２６から配合Ａの泥漿を投入する。１回目の成形と同様に、石膏型２０と中子２２の隙間を配合Ｂの泥漿で満たし１５分後排泥を行った。
【００６９】
２回目の成形が終わった後、成形体と石膏型２０を２４時間乾燥させた。その後、成形体を石膏型２０から脱型し、多孔質のＳｉＣ製筒状セラミックス体を得た。
【００７０】
この多孔質のＳｉＣ製筒状セラミックス体について、溶融Ｓｉの含浸を行い、Ｓｉ含浸ＳｉＣ製チューブを製造した。その後、チューブの内表面と外表面の表面粗さを測定した。その結果、内表面はＲａ＝５〜７μｍ、外表面はＲａ＝０．７〜１．３μｍであった。
【００７１】
また、表４に示すように、チューブの一端部と他端部との肉厚差は０．２ｍｍであった。
【００７２】
【表４】
0003594223.tif 000005
比較例１
実験例２で使用した石膏型と配合Ａの泥漿を用いて、１回泥漿鋳込み成形を行った。
【００７３】
１回目の成形：石膏型の一端部側の泥漿出入口２４から配合Ａの泥漿を投入し、石膏型２０と中子２２の隙間を満たした。配合Ａの泥漿を投入し始めてから６５分で、石膏型の他端部側の泥漿出入口２６から排泥を行った。
【００７４】
この１回目の成形が終わった後、成形体と石膏型を乾燥させた。その後、成形体を石膏型から脱型し、多孔質の筒状成形品を得た。
【００７５】
この多孔質の筒状成形品について、Ｓｉ含浸を行った。その後、筒状成形品の内表面と外表面の表面粗さを測定した。その結果、筒状成形品の内表面と外表面の表面粗さは、どちらも５〜７μｍであった。
【００７６】
また、表５に示すように、筒状成形品の一端部と他端部との肉厚差は、１．４ｍｍ以上となった。
【００７７】
【表５】
0003594223.tif 000006
本発明は、以上の実施例に限定されるものではない。
【００７８】
本発明の前述の実施例においては泥漿の材料にＳｉＣを用いているが、他の材料を用いることもできる。たとえば、Ａｌ２  Ｏ３  である。
【００７９】
このＡｌ２  Ｏ３  を用いた泥漿は、次のようにして得ることができる。セラッミックス原料粉末として平均粒径１μｍのＡｌ２  Ｏ３  ２００ｇに対し、バインダーとして２液混合タイプのウレタン樹脂の主剤８７ｇ、硬化剤１１３ｇをそれぞれ秤量し、硬化剤にＡｌ２  Ｏ３  を加えて攪拌混合する。次に、約１〜２ｔｏｒｒに減圧した真空中型装置内に、上記主剤及びＡｌ２  Ｏ３  を分散させた硬化材を静置して予備脱泡する。その後、主剤とＡｌ２  Ｏ３  を分散させた硬化材とを同様に真空中型装置内で攪拌混合して、脱泡セラミックス原料粉末泥漿を得ることができる。
【００８０】
このようなＡｌ２  Ｏ３  を用いた泥漿で前述の実施例における泥漿鋳込み成形を行っても、本発明の効果を奏することができる。
【００８１】
また、泥漿鋳込み成形に用いる型は、石膏型に限定されない。泥漿鋳込み成形に用いる型は、吸水性の型ならどのようなものでもよい。
【００８２】
本発明の実施例においては、筒状セラミックス体を型の内面に形成している。しかし、次のようにして石膏型の外面に筒状セラミックス体を形成することもできる。
【００８３】
まず、両端が開放された筒状の石膏型を筒状容器の中に配置する。その際、石膏型の一端は筒状容器の上端側に位置させる。石膏型の他端は、筒状容器の底面に接するようにする。次に、石膏型の外面と筒状容器の間に泥漿を満たす。その後、一定時間保持して泥漿を排泥する。次に、石膏型の向きを反転させて、石膏型を円筒容器の中に配置する。その際、石膏型の前記他端は筒状容器の上端側に位置させる。石膏型の前記一端は、筒状容器の底面に接するようにする。さらに、石膏型と筒状容器の間に泥漿を満たす。その後、一定時間保持して泥漿を排泥する。このようにして、石膏型の外面に一端部と他端部との肉厚差が小さい筒状セラミックス体を成形することができる。石膏型の外面に、表面の特徴が異なる筒状セラミックス体を成形することができる。
【００８４】
第２の実施例においては、２回目の泥漿鋳込み成形の際に粗い粒子の入った泥漿を用いている。しかし、本発明はこれに限定されるものではなく、複数回の泥漿鋳込み成形において、泥漿鋳込み成形ごとに異なる配合の泥漿が用いられていればよい。したがって、内面が粗く外面が滑らかな筒状セラミックス体を得るだけでなく、内面が滑らかで外面が粗い筒状セラミックス体や内面が外面より少し粗い筒状セラミックス体等、適宜必要に応じた内面と外面を有する筒状セラミックス体を泥漿鋳込み成形によって容易に得ることができる。
【００８５】
【発明の効果】
本発明によれば、一端部と他端部との肉厚差が小さい筒状セラミックス体を、泥漿鋳込み成形によって容易に得ることができる。全体的に厚みがほぼ同一である筒状セラミックス体が、泥漿鋳込み成形によって容易に得ることができる。
【００８６】
本発明によれば、一端部と他端部との肉厚差が小さく、内表面と外表面の特徴が異なる筒状セラミックス体を、泥漿鋳込み成形によって容易に得ることができる。しかも、全体的に厚みがほぼ同一であり、内表面と外表面の状態が異なる筒状セラミックス体を、泥漿鋳込み成形によって容易に得ることができる。
【００８７】
本発明によれば、内表面と外表面の状態が異なる筒状セラミックス体を、泥漿鋳込み成形によって容易に得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例で用いる石膏型を示す概略縦断面図。
【図２】第１の実施例における石膏型及びこの内表面に形成された、１回目の泥漿鋳込み成形終了後の第１筒状成形層を示す概略縦断面図。
【図３】第１の実施例における石膏型及びこの内表面に形成された、２  回目の泥漿鋳込み成形終了後の成形体を示す概略縦断面図。
【図４】本発明の実験例で用いる石膏型を示す概略縦断面図。
【図５】第２の実施例における石膏型及びこの内表面に形成された、１回目の泥漿鋳込み成形終了後の第１筒状成形層を示す概略縦断面図。
【図６】第２の実施例における石膏型及びこの内表面に形成された、２回目の泥漿鋳込み成形終了後の成形体を示す概略縦断面図。
【符号の説明】
１２  石膏型
１２ａ    石膏型の一端
１２ｂ    石膏型の他端
１４、１１４    第１筒状成形層
１４ａ  、１１４ａ  第１筒状成形層の一端部
１４ｂ  、１１４ｂ  第１筒状成形層の他端部
１６、１１６    第２筒状成形層
１６ａ  、１１６ａ  第２筒状成形層の一端部
１６ｂ  、１１６ｂ  第２筒状成形層の他端部
１８、１１８    筒状セラミックス体
２０  石膏型
２０ａ    石膏型の一端部
２０ｂ    石膏型の他端部
２２  中子
２４、２６  泥漿出入口
【図１】
0003594223.tif 000007
【図２】
0003594223.tif 000008
【図３】
0003594223.tif 000009
【図４】
0003594223.tif 000010
【図５】
0003594223.tif 000011
【図６】
0003594223.tif 000012