(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
不揮発性メモリを有する半導体チップを備えたＩＣカードにおいて、
前記半導体チップにおける前記不揮発性メモリの形成された面を少なくとも被覆しかつ正極および負極がそれぞれ電極を介して前記半導体チップに接続された電池と、
前記電池により充電されるとともに、放電時に前記不揮発性メモリに電力を供給して記憶情報を消去するコンデンサと、
前記コンデンサの充放電を制御する充放電制御回路とを備え、
前記コンデンサと前記充放電制御回路と前記電極は、前記半導体チップ上に形成され、
前記充放電制御回路は、
前記電極と前記コンデンサとの間に接続された第１のスイッチ用トランジスタと、
前記コンデンサと前記不揮発性メモリとの間に接続された第２のスイッチ用トランジスタと、
前記電極の少なくとも一方における電圧を検出し、前記電圧が所定値以上である場合には前記第１のスイッチ用トランジスタを導通にするとともに前記第２のスイッチ用トランジスタを非導通にし、前記電圧が所定値未満に降下すると前記第１のスイッチ用トランジスタを非導通にするとともに前記第２のスイッチ用トランジスタを導通にする電圧検出回路とを有することを特徴とするＩＣカード。
【請求項２】
請求項１において、
前記不揮発性メモリは、フラッシュメモリであることを特徴とするＩＣカード。
【請求項３】
請求項１において、
前記不揮発性メモリは、強誘電体メモリであることを特徴とするＩＣカード。
【請求項４】
請求項１において、
前記電池は、リチウムイオンポリマー電池であることを特徴とするＩＣカード。
【請求項５】
請求項１において、
前記半導体チップと前記電池との間に、新たに電池を搭載し、前記電池同士を直列に接続したことを特徴とするＩＣカード。
【請求項６】
請求項１において、
前記電池は、折り曲げられて前記半導体チップを挟み込んでいることを特徴とするＩＣカード。
【請求項７】
請求項１において、
前記電池は、積層された複数個の電池であることを特徴とするＩＣカード。
【請求項８】
請求項１において、
前記電池は、前記半導体チップ上に設けられた電極のうち、前記電池に接続される以外の電極と対向する位置に、貫通孔が設けられていることを特徴とするＩＣカード。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＩＣカードに関し、特に電子現金等の高度のセキュリティが要求されるＩＣカードに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、電子現金用のＩＣカードの開発が活発に行われているが、セキュリティの観点からは充分な対応がなされていないのが現状である。そこで、従来のＩＣカードについて図を参照して説明する。
【０００３】
図９は、一般的な接触型のＩＣカードを示す斜視図である。同図に示すように、樹脂製のコアシート１９に、ＩＣチップを搭載したモジュール８を取り付けることによりＩＣカード２２は作られる。このモジュール８は、樹脂製の基体８ａと、この基体８ａの一方の面に形成された金属製の外部端子８ｂと、外部端子８ｂとは逆の面に取り付けられたＩＣチップ（図示せず）等によって構成されている。
【０００４】
したがって、このようにして作られたモジュール８を、コアシート１９の凹部にはめ込み、さらにコアシート１９の両面にオーバシート２０，２１を張り合わせてから熱プレスすることにより、接触型のＩＣカード２２ができあがる。このように、ＩＣカード２２の種々の機能は、このモジュール８に集約されており、その詳細な構成は以下に示すとおりである。
【０００５】
図１０は、一般的なＩＣカードに搭載されたＩＣチップのレイアウトを示す平面図である。同図に示すように、ＩＣチップ６は、Ｓｉ等からなる半導体チップであり、不揮発性メモリ１，ＲＯＭ２，ＣＰＵ３、ＲＡＭ４等が集積されている。また、外部の読みとり装置との電気信号の交信のため、ＩＣチップ６の縁周辺部には、Ａｌ製の電極５が複数（ここでは、８個）配置されている。
【０００６】
不揮発性メモリ１は、パスワードや金額、暗号化のための鍵等の重要な情報を記憶するメモリ素子であり、例えばフラッシュメモリ，強誘電体メモリまたはＥＥＰＲＯＭ等によって構成されている。
ＲＯＭ２は読み出し専用のメモリ素子であり、ＲＡＭ４は揮発性のランダムアクセス可能なメモリ素子であり、これらはデータ転送の際等に使用される。
【０００７】
ＣＰＵ３は、外部端子８ｂを介して送られてきた要求に応じて、ＩＣチップ６内の各回路を制御する中央演算回路である。例えば、不揮発性メモリ１からの情報の読み出し、情報の書き込み、情報の暗号化およびデコード等を行う。
【０００８】
このように構成されたＩＣチップ６は、樹脂製の基体８ａに搭載されて図９で示したようなモジュール８が作られる。
図１１は、図９に係るモジュール８を示す断面図である。同図において、基体８ａ上には予め所望の配線パタンが形成されており、配線パタンと同じ面には電極１０が設けられている。また、配線パタンとは反対側の面には読み取り装置との接点になる外部端子８ｂが形成されており、上記配線パタンと外部端子８ｂとは基体８ａ中の図示しないスルーホールを介して電気的に接続されている。
【０００９】
このような基体８ａに対してＩＣチップ６は、次のようにして取り付けられる。すなわち、電極１０の上にＡｕ製のバンプを形成してから、さらにその上に異方性導電膜（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ  ）１１およびＩＣチップ６を載置し、上下から加熱または加圧することにより電極１０，５を接続する。
【００１０】
この異方性導電膜は、熱可塑性または熱硬化性の樹脂からなるシートに導電性の微小な粒子を分散させたものであり、上下から加熱または加圧するなどして樹脂を軟化させると導電性粒子が接触して図の縦方向にのみ電気的接続をとることができる。一方、横方向には導電性粒子は分散した状態であるため導通がなく、隣接電極間のショートを防止することができる。
【００１１】
したがって、ＩＣチップ６を電極５が電極１０と対向するように載置し、上下から加熱または加圧することにより、電極５と電極１０とを導電性粒子によって電気的に接続することができるわけである。
【００１２】
その後においては、湿気の侵入やＩＣチップ６の不正な取り出しを防止するため、ＩＣチップ６の露出した表面を、はみ出たＡＣＦとともにエポキシ樹脂やポリイミド等からなる防御膜１２によって覆うことにより、モジュール８が完成する。
【００１３】
なお、上記では接触型のＩＣカードについて述べたが、非接触型のＩＣカードについても、電源電圧の平滑のためのコンデンサやアンテナ用のコイル等がさらに設けられている等の違いを除けば、上記とほぼ同様であることは明らかである。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、電子現金に用いられるようなＩＣカードにおいては、セキュリティに必須なパスワードや金額等の重要な情報は、不揮発性メモリに暗号化されて格納されており、これらのデータを引き出すには暗号化のための鍵情報を知る必要がある。したがって、鍵情報が知られない限り、不揮発性メモリに蓄えられている重要な情報を解読することは、事実上不可能といえる。
しかしながら、金額の改ざん等の不正使用を目的とする者の中には、鍵情報を読み出すため、ＩＣカードを破砕してＩＣチップを取り出し、取り出したＩＣチップの表面を機械的または化学的に研磨してから光学的に読み出そうとする者がいる。そのような場合、従来のＩＣカードでは、ＩＣチップを防御膜で覆っているだけであるため、このような攻撃に対する防御が充分とはいえないという問題点があった。
本発明は、このような課題を解決するためのものであり、防御膜を機械的、物理的あるいは化学的に削って、集積回路の表面を露出させても、不揮発性メモリ内の情報を容易に読み出すことができないＩＣカードを提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
このような目的を達成するために、本発明に係るＩＣカードは、不揮発性メモリを有する半導体チップを備えたＩＣカードにおいて、上記半導体チップにおける上記不揮発性メモリの形成された面を少なくとも被覆しかつ正極および負極がそれぞれ電極を介して上記半導体チップに接続された電池と、上記電池により充電されるとともに、放電時に上記不揮発性メモリに電力を供給して記憶情報を消去するコンデンサと、上記コンデンサの充放電を制御する充放電制御回路とを備え、上記コンデンサと上記充放電制御回路と上記電極は、上記半導体チップ上に形成され、上記充放電制御回路は、上記電極と上記コンデンサとの間に接続された第１のスイッチ用トランジスタと、上記コンデンサと上記不揮発性メモリとの間に接続された第２のスイッチ用トランジスタと、上記電極の少なくとも一方における電圧を検出し、上記電圧が所定値以上である場合には上記第１のスイッチ用トランジスタを導通にするとともに上記第２のスイッチ用トランジスタを非導通にし、上記電圧が所定値未満に降下すると上記第１のスイッチ用トランジスタを非導通にするとともに上記第２のスイッチ用トランジスタを導通にする電圧検出回路とを有している。
このように構成することにより本発明は、不揮発性メモリを電池によって遮っているため、不揮発性メモリ内の記憶情報を読みとることができない。また、ＩＣカード内からＩＣチップを取り出そうとすると、不揮発性メモリに電圧が印加され、記憶されている情報を消去させることができる。したがって、ＩＣチップを取り出すことができても、記憶情報は既に消去されているため、上記のような不正行為を防止することができ、電子現金等の高度なセキュリティが要求されるＩＣカードへの適用に有効であるといえる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の一つの実施の形態について図を用いて説明する。
上記で説明したとおり、不正使用を目的として集積回路の表面を機械的、物理的または化学的に削り出し、不揮発性メモリ内の情報を続み出そうとする試みに対しては、その試みを検知してすばやく不揮発性メモリ内の情報を消去する仕組みが必要である。また、光学的な読み取りを阻止するため、不揮発性メモリの素子形成領域を遮蔽する必要がある。
そのため、本実施の形態では、ＩＣチップに近接させて薄板状の電池を配置し、緊急時にその電気的エネルギーで不揮発性メモリ内の情報を消去するように構成している。以下、４種類の実施の形態について説明する。
【００１７】
［第１の実施の形態］
図１は、本発明の一つの実施の形態を示す（ａ）斜視図、（ｂ）平面図および（ｃ）Ａ−Ａ’線断面図である。これらの図において、図９，１０における同一または同等の部品には同一符号を付している。
【００１８】
同図に示すように、本実施の形態と従来例との大きな違いは、不揮発性メモリ１等の集積回路の脇に不揮発性メモリ１内の情報を消去するためのコンデンサ１７と、コンデンサ１７の充放電を制御する充放電制御回路１８とを形成し、さらにはＩＣチップ６の全体を覆う薄板状の電池１３を備えている点にある。すなわち、電池で不揮発性メモリ１を覆うことにより記憶情報が読みとられることを防止することができ、また無理に電池を取り外そうとすると記憶情報を消去させることができる。
【００１９】
特に、本実施の形態では、よりセキュリティ性を向上させるためにＩＣチップ６を電池１３で挟み込んでいる。また、図１１の場合と同じようにＩＣチップ６は、樹脂製の基体８ａ上に取り付けられて図２に示すようなモジュール８を構成している。各部品の構成は以下のとおりである。
コンデンサ１７は、ＩＣチップ６内の配線を介して不揮発性メモリ１に接続され、放電時に不揮発性メモリ１に電力を供給して記憶情報を消去するためのものである。
【００２０】
また、充放電制御回路１８は、その詳細な構成は図３に示されるとおりである。コンパレータからなり電極１５，１６の少なくとも一方における電圧を検出する電圧検出回路１８ａと、抵抗１８ｂと、２個のスイッチ用のトランジスタ（ノーマリオンのＭＯＳＦＥＴ１８ｃ，ノーマリオフのＭＯＳＦＥＴ１８ｄ）とから構成され、検出された電圧を予め設定された電圧と比較しその結果に基づいてコンデンサ１７の充放電を制御する。すなわち、検出電圧が所定値以上であり異常がない場合においては、ＭＯＳＦＥＴ１８ｃが導通し、電池１３の電圧がコンデンサ１７に印加され、コンデンサ１７は一定の電気エネルギーを蓄える。その一方で、ＭＯＳＦＥＴ１８ｄは非導通であるため、コンデンサ１７の電圧が不揮発性メモリ１に印加されることはない。異常が発生した場合については後述する。
【００２１】
また、電池１３は、薄板状の１個の電池（例えば、厚さが０．１ｍｍ程度のリチウムイオンポリマー電池を用いるとよい）であり、一方の面が正極側１３＋、他方の面が負極側１３−となっている。そして、外部に引き出すための電極５と対向する位置には、貫通孔１４が設けれられており、すなわち電極５は露出されて基体８ａ上に形成された配線パタン（図示せず）と接続させることが可能となる。
【００２２】
ところで、リチウムイオンポリマー電池とは、ポリマー電解質を利用した電池であり、従来のリチウムイオン電池のように金属容器を使用しなくても液漏れが生じることがなく、薄いフィルムによるパッケージを可能とするものである。また、その形状も薄板状であることから、ユーザのニーズに合わせて自由に変形させることができる。
【００２３】
したがって、本実施の形態においては、このようなリチウムイオンポリマー電池の特徴を利用し、電池１３を折り曲げてＩＣチップ６を挟み込んでいる。
図１（ａ）に示すように、電池１３は負極側１３−が内側になるように３カ所で折り曲げられており、ＩＣチップ６は負極側１３−の面に挟まれ、ＩＣチップ６と電池１３とは接着剤によって接着されている。電極１５，１６はそれぞれはんだ等によってそれぞれ正極側１３＋，負極側１３−と接続されている。
【００２４】
次に、本実施の形態の動作について説明する。
不正使用を目的としてＩＣチップ６の素子形成領域（パターン面）７を観察しようとした場合、図１に示したとおり電池１３が邪魔であるため、素子形成領域７を観察することはできない。そのため、不心得者は電池１３を折り返して観察するものと考えられる。しかし、電池１３を剥がすことにより、正極側１３＋と電極１５との電気的接続が失われることになる。
【００２５】
その結果、電圧検出回路１８ａは検出電圧が所定値未満となって電圧降下を検出すると、ＭＯＳＦＥＴ１８ｃを非導通にするとともにＭＯＳＦＥＴ１８ｄを導通にする。したがって、コンデンサ１７の放電によって生じた電圧（または電気的エネルギー）は、不揮発性メモリ１に印加されて記憶情報は消去され、不揮発性メモリ１内の記憶情報の漏洩を阻止することができる。
【００２６】
一方、電池１３を破壊しようとした場合においても、電池１３の損傷により電圧降下が生じるため、電圧検出回路１８ａがそれを感知すると上記同様に不揮発性メモリ１内の情報は消去される。したがって、少なくとも不揮発性メモリ１の形成された主表面側を電池１３で覆っておけば、いかなる場合においても不揮発性メモリ内の情報が読みとられることを防止することができる。
【００２７】
ところで、不揮発性メモリ１が強誘電体メモリである場合、書き換えに必要な電圧は３〜５Ｖであり、出力電圧３．６Ｖのリチウムイオンポリマー電池をそのまま使ってもよいし、あるいはリチウムイオンポリマー電池を２層配置して両者を直列に接続し、出力電圧を７．２Ｖにしてやってもよい。
【００２８】
前者の場合、ＩＣチップ６の厚さを０．０５ｍｍ、電池１３の厚さを０．１ｍｍとすると、最も厚い部分（電極１５付近）は合計０．３５ｍｍ（＝０．１ｍｍ×３＋０．０５ｍｍ）となる。後者の場合は、図４に示すようになり、最も厚い部分（電極１５付近）は合計０．６５ｍｍ（＝０．１ｍｍ×２×３＋０．０５ｍｍ）となる。したがって、図１の場合の約２倍の厚さになる。
【００２９】
なお、１Ｍ（メガ）ビットの強誘電体メモリを消去するのに必要な電気量から算定すると、コンデンサの面積は１ｍｍ２  程度で済む。また、電池の容量（約１ｍＡｈ／ｃｍ２  ）を考慮すると電池の面積は１ｍｍ２  でも充分であり、それ以上の面積であれぱさらによいといえる。通常、ＩＣチップは一辺が数ｍｍの四角形であることが多く、これを電池でくるむことを考えると、電池の面積は１ｍｍ２  より大きくなるためかえって都合がよいといえる。
【００３０】
一方、不揮発性メモリ１がフラッシュメモリである場合、書き換えに必要な電圧は１２〜１５Ｖであるので、１個のリチウムイオンポリマー電池では十分な電圧を得ることができない。そこで、集積回路内部に昇圧回路を設けるか、あるいはリチウム電池を４層にして１４．４Ｖで使うことになる。
【００３１】
後者の場合、最も厚いところは、合計１．２５ｍｍ（＝０．１ｍｍ×４×３＋０．０５ｍｍ）となる。また、１Ｍビットのフラッシュメモリを消去する場合も、コンデンサの面積は１ｍｍ２  程度で済み、電池の面積も１ｍｍ２  で充分である。
【００３２】
なお、本実施の形態で使用される電池１３は、セキュリティ専用の電池であり、通常の集積回路の動作には使われないため、電力の消耗が極めて少ない。また、熱酸化膜（ＳｉＯ２  ）を絶縁膜としたコンデンサ（ＭＯＳ型キャパシタ）１７のリーク電流も極めて小さく、このコンデンサ１７を充電した後、電池をはずして放電特性を調べたところ、半年経過した段階でも電気エネルギーの９０％以上が保持されることが、本願の発明者らによって既に確認されている。
以上説明したように、本実施の形態を用いることにより、物理的セキュリティの優れたＩＣカードを実現することができる。
【００３３】
［第２の実施の形態］
ところで、図１の構造は、ＩＣチップ６のほとんどが電池１３で覆われるためセキュリティの観点からは望ましいといえるが、電池１３に対して２個の貫通孔１４を開ける必要があるため、電池１３の製造工程が複雑になり、製造コストの上昇の原因になることが考えられる。そこで、図１の構成に限らず、以下のような構成を採用してもよい。
【００３４】
図５は、本発明の第２の実施の形態を示す（ａ）斜視図、（ｂ）平面図および（ｃ）Ｂ−Ｂ’線断面図である。これらの図において、図１における同一または同等の部品には同一符号を付している。電池１３の図中における上下方向の幅を狭くすることにより、素子の形成された面だけを電池１３で覆い電極５が外側に露出するように構成した。
【００３５】
本構造においても、電池１３によって不揮発性メモリ１、ＲＯＭ２、ＣＰＵ３、ＲＡＭ４、コンデンサ１７、充放電制御回路１８、電極１５，１６は覆われているため、光学的に記憶情報を読みとることはできない。
また、電池１３を取り外す、あるいは破損するといった攻撃を受けても、図１で説明したように、電圧検出回路１８ａがそれをすばやく感知して不揮発性メモリ１内の情報を消去させることができる。
【００３６】
［第３の実施の形態］
第１および第２の実施の形態においては、何れもＩＣチップ６の裏面側も電池１３によって覆っていたが、必ずしもこのように構成する必要はない。
図６は、本発明に係る第３の実施の形態を示す（ａ）斜視図、（ｂ）平面図および（ｃ）Ｃ−Ｃ’線断面図である。これらの図において図１と同一または同等の構成には同一符号を付している。
【００３７】
第１の実施の形態でも述べたが、不揮発性メモリ１に記憶された情報を光学的に読み出そうとする場合、最低限、主表面側からの観察を阻止する必要がある。もちろん、裏面側からの観察も阻止できればより完璧ではあるのだが、実装上の問題から、いつでもＩＣチップ６を電池１３によって覆うことができるとは限らないのが実状である。
【００３８】
そこで、そのような場合においては、最低限ＩＣチップ６の主表面側のみを電池１３によって覆えばよく、また主表面側さえ覆っておけば図１ほどではないが十分効果を得られるものと考える。その場合、図６（ｃ）に示すように、合計の厚さは図１（ｃ）、図５（ｃ）の約２／３となり、ＩＣカードを薄くすることができる。したがって、ＩＣカードの薄膜化を優先させたいときは、本構造を用いるとよい。
【００３９】
［第４の実施の形態］
不揮発性メモリ１にフラッシュメモリを用い、書き換えに必要な電圧（１２〜１５Ｖ）を供給する場合、リチウム電池を４層にして１４．４Ｖで使うことについて上述したが、この場合の厚さは合計１．２５ｍｍ（＝０．１ｍｍ×４×３＋０．０５ｍｍ）と厚くなってしまう。そこで、これでは厚過ぎるという場合には、図７の構成をとることも可能である。
【００４０】
図７は、本発明に係る第４の実施の形態を示す（ａ）斜視図、（ｂ）平面図および（ｃ）Ｄ−Ｄ’線断面図である。これらの図において図１と同一または同等の構成には同一符号を付している。同図に示すように、新たに３層の電池１３ｃ，１３ｄ，１３ｅをＩＣチップ６の素子形成面７側に設け、電池１３は折り返し部分を含め、ＩＣチップ６の素子形成面７側と裏面側との両方をくるむ構成にする。
【００４１】
その結果、電極１５，１６間の電圧は、電池４層分の１４．４Ｖになる。また、電池１３を張り合わせたＩＣチップ１３において、最も厚い部分で０．５５ｍｍ（＝０．１ｍｍ×５＋０．０５ｍｍ）となる。したがって、本構成を用いることにより、ＩＣカードの薄膜化を可能とし、セキュリティ面については図１で述ぺたとおりである。
【００４２】
なお、電池の正極側１３＋と負極側１３−は、必ずしも全面に電極を露出させる必要はなく、必要に応じて表面に絶縁膜をコーティングする等して、不要な導通を避けるとよい。電池１３の具体例についてもリチウムイオンポリマー電池に限られるものではなく、薄板状で変形自在なものであればその他の電池であってもよい。ＩＣカード２２についても、本発明は接触型、非接触型の何れに対しても適用できることは明らかである。
【００４３】
また、電極１５と正極側１３＋とを接続するために、電池１３を折り曲げているが、電池１３を折り曲げる代わりに配線を取り付けてやってもよいが、本実施の形態のように電池１３を折り曲げた場合においては電極１５の位置が一見しただけではわかりにくく、電池１３を剥がし難くなるためセキュリティ上有利であるものと考えられる
【００４４】
さらに、電極１５，１６の配置の仕方は上記に限られるものではない。ただし、両電極が半導体チップ６の一方の側に偏って配置されてしまうと、両電極の導通を保ったまま電池の一部を折り返し、不揮発性メモリ１の内容を読みとられてしまうおそれがある。そこで、図８（ａ），（ｂ）に示すように、少なくとも電極１５，１６を結ぶ直線が、不揮発性メモリ１、コンデンサ１７および充放電制御回路１８上に載るようにしてやると、上記の不正防止に対してより効果的であるといえる。
【００４５】
【発明の効果】
以上説明したとおり本発明は、少なくとも不揮発性メモリの形成された面を被覆する電池を備えているため、光学的に記憶情報を読みとることができない。
また、ＩＣチップを取り出そうとして電池を外したり破壊しようとしたりすると、即座に不揮発性メモリ内の記憶情報を消去してしまうため、この場合においても記憶情報の漏洩を阻止することができる。
すなわち、本発明は優れた物理セキュリティを確保することができ、機密保持および記憶情報の改ざん防止を可能とし、電子現金等の高度のセキュリティの要求されるＩＣカードへの適用が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態を示す（ａ）斜視図、（ｂ）平面図および（ｃ）断面図である。
【図２】モジュール８を示す断面図である。
【図３】充放電制御回路１８を示す回路図である。
【図４】２層の電池（１３ａ，１３ｂ）を備えた本発明の実施の形態を示す断面図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態を示す（ａ）斜視図、（ｂ）平面図および（ｃ）断面図である。
【図６】本発明の第３の実施の形態を示す（ａ）斜視図、（ｂ）平面図および（ｃ）断面図である。
【図７】本発明の第４の実施の形態を示す（ａ）斜視図、（ｂ）平面図および（ｃ）断面図である
【図８】ＩＣチップと電池とを接続する電極の配置を示す平面図である。
【図９】一般的な接触型のＩＣカードを示す斜視図である。
【図１０】従来のＩＣカードで使用されているＩＣチップを示す平面図である。
【図１１】従来のＩＣカードを示す断面図である。
【符号の説明】
１…不揮発性メモリ、２…ＲＯＭ、３…ＣＰＵ、４…ＲＡＭ、５，１５，１６…電極、６…ＩＣチップ、７…素子形成面、８…モジュール、８ａ…基体、８ｂ…外部端子、９…バンプ、１１…異方性導電膜、１２…防御膜、１３，１３ａ，１３ｂ…電池、１３＋…正極側、１３−…負極側、１４…貫通孔、１７…コンデンサ、１８…充放電制御回路、１９…コアシート、２０，２１…オーバシート、２２…ＩＣカード。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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