(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板（１３）を被覆するための装置（１）であって、基板ホルダ（５）が設けられており、被覆したい基板面（１５）が露出しかつ下方へ向けられるように基板ホルダ（５）に基板が保持されており、さらに、基板ホルダ（５）を回転させるための装置が設けられている形式のものにおいて、基板ホルダ（５）に固定可能なカバー（２０）が設けられており、該カバー（２０）が、基板ホルダ（５）と共に、基板（１３）を収容するシールされたチャンバ（３６）を形成するようになっており、カバー（２０）の、前記チャンバを規定する部分の外側範囲に切欠き（３２）が設けられており、該切欠き（３２）が外方に向かって先細りになっており、該切欠き（３２）の、基板ホルダに向けられた側の面（６０）が、斜めに形成されていることを特徴とする、基板を被覆するための装置。
【請求項２】
基板ホルダ（５）に、基板（１３）を負圧によって保持するための保持装置（５０）が設けられている、請求項１記載の装置。
【請求項３】
基板ホルダ（５）に、カバー（２０）を負圧によって保持するための保持装置（１８；５４）が設けられている、請求項１または２記載の装置。
【請求項４】
基板（１３）を保持するための保持装置（５０）と、カバー（２０）を保持するための保持装置（１８；５４）とが、１つの共通の負圧源に接続されている、請求項１から３までのいずれか１項記載の装置。
【請求項５】
基板（１３）を保持するための保持装置（５０）と、カバー（２０）を保持するための保持装置（１８；５４）とが、互いに別個に独立して制御可能である、請求項１から４までのいずれか１項記載の装置。
【請求項６】
基板ホルダ（５）とカバー（２０）との間の負圧範囲を仕切る少なくとも１つのシール部材が設けられている、請求項１から５までのいずれか１項記載の装置。
【請求項７】
基板ホルダ（５）に、基板（１３）を少なくとも部分的に収容するための凹部（１２）が設けられている、請求項１から６までのいずれか１項記載の装置。
【請求項８】
カバー（２０）と基板ホルダ（５）とを互いに相対的にセンタリングするためのセンタリング装置が設けられている、請求項１から７までのいずれか１項記載の装置。
【請求項９】
基板ホルダおよび／またはカバーに、少なくとも１つのセンタリング斜面（１６；６６）が設けられている、請求項１から８までのいずれか１項記載の装置。
【請求項１０】
カバー（２０）が中心軸線（Ｃ）に対して対称的に形成されている、請求項１から９までのいずれか１項記載の装置。
【請求項１１】
カバー（２０）がその中心平面（Ｂ）に対して対称的に形成されている、請求項１から１０までのいずれか１項記載の装置。
【請求項１２】
カバー（２０）をひっくり返すための装置が設けられている、請求項１から１１までのいずれか１項記載の装置。
【請求項１３】
カバー（２０）を保持するための収容部（２２）が設けられている、請求項１から１２までのいずれか１項記載の装置。
【請求項１４】
前記収容部（２２）を昇降させるための装置が設けられている、請求項１３記載の装置。
【請求項１５】
カバー（２０）のためのすすぎおよび／または乾燥のための装置が設けられている、請求項１から１４までのいずれか１項記載の装置。
【請求項１６】
前記すすぎおよび／または乾燥のための装置が、前記収容部（２２）の一部であり、カバー（２０）および／または前記切欠き（３２）に向けられた少なくとも１つのノズル（４０）を有している、請求項１５記載の装置。
【請求項１７】
少なくとも１つのノズル（４０）に、すすぎ流体および／または乾燥流体が供給可能である、請求項１から１６までのいずれか１項記載の装置。
【請求項１８】
すすぎ流体が溶剤を含有している、請求項１から１７までのいずれか１項記載の装置。
【請求項１９】
被覆したい基板面（１５）が露出しかつ下方へ向けられるように基板ホルダ（５）に基板（１３）を保持して、基板（１３）を被覆するための方法において、以下の方法ステップ：
−基板ホルダ（５）にカバー（２０）を固定し、該カバー（２０）により、基板ホルダ（５）と共に、基板（１３）のためのシールされたチャンバ（３６）を形成し、
−基板（１３）を、基板ホルダ（５）および該基板ホルダ（５）に固定されたカバー（２０）と共に回転させ、
−遠心力により振り飛ばされた材料残分を、基板（１３）および基板ホルダ（５）から離れる方向で、カバー（２０）の、前記チャンバを規定する部分の外側範囲に設けられた、外方に向かって先細りになりかつ基板ホルダに向けられた側の面（６０）が斜めに形成されている切欠き（３２）内へ案内する
を実施することを特徴とする、基板を被覆するための方法。
【請求項２０】
基板（１３）を負圧によって基板ホルダ（５）に保持する、請求項１９記載の方法。
【請求項２１】
カバー（２０）を負圧によって基板ホルダ（５）に保持する、請求項１９または２０記載の方法。
【請求項２２】
カバー（２０）と基板ホルダ（５）とを、固定の前に互いに相対的にセンタリングする、請求項１９から２１までのいずれか１項記載の方法。
【請求項２３】
カバー（２０）の固定を、回転処理の後に基板（１３）の固定とは別個に解離する、請求項１９から２２までのいずれか１項記載の方法。
【請求項２４】
カバー（２０）の、基板（１３）とは反対の側の面を回転過程中にすすぎかつ／または乾燥させる、請求項１９から２３までのいずれか１項記載の方法。
【請求項２５】
すすぎ流体および／または乾燥流体を、少なくとも１つのノズル（４０）によってカバーへ案内する、請求項１９から２４までのいずれか１項記載の方法。
【請求項２６】
カバー（２０）を、互いに連続する回転過程の間にひっくり返す、請求項１９から２５までのいずれか１項記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明は、被覆したい基板面が露出しかつ基板が基板ホルダと共に回転させられるように基板を基板ホルダに保持して、基板を被覆するための方法に関する。さらに本発明は、基板を被覆するための装置であって、被覆したい基板面が露出しかつ基板が基板ホルダと共に回転させられるように基板が基板ホルダに保持されている形式のものに関する。
【０００２】
このような形式の装置は、たとえば欧州特許出願公開第０７１１１０８号明細書に基づき公知である。この公知の装置は前ラッカ塗布ステーション（プリラッカコーティングステーション）を有している。この前ラッカ塗布ステーションでは、下方に向けられた、被覆したい基板面が、ラッカ供給されたキャピラリギャップの傍らを通って運動させられ、これによりこの基板面がラッカ塗布される。引き続き、基板はスピンステーションへ運動させられ、保護リングの内部で回転させられるか、もしくはスピンさせられる。この保護リングは、基板から遠心力により振り飛ばされたラッカ残分を導出するために働く。
【０００３】
ドイツ連邦共和国特許出願公開第１９５４５５７３号明細書には、基板にラッカ層を均一に被着させるための装置が開示されている。この公知の装置では、基板の、被覆したい側の面が上方へ向けられるように基板がターンテーブルに載置される。スピン過程の間、基板を少なくとも部分的にカバーするフードが、上方から小さな間隔を置いて基板上方へ運動させられるか、または直接に基板上に位置決めされる。
【０００４】
ドイツ連邦共和国特許出願公開第９２１８９７４号明細書に基づき、スピン装置によって基板に薄い層、たとえばラッカを被着させるための装置が公知である。この公知の装置はターンテーブルを有しており、このターンテーブル上には、被覆したい表面が上方に向けられるように、被覆したい基板が配置されている。このターンテーブルには、上方からフードが位置決め可能であり、これにより、基板を収容するための室が形成される。この場合、このフードとターンテーブルとの間に形成された室は、ターンテーブルに設けられた複数の貫通孔を介して周辺大気に接続されている。さらに、このフードには複数の弾性的なカバー条片が設けられており、これらのカバー条片は基板の、上方へ向けられた縁部と接触しており、これによりカバーと基板との間に室が形成される。
【０００５】
米国特許第５０４２４２１号明細書には、半導体を被覆するための回転ヘッド装置が開示されている。この公知の装置はウエーハを載置するためのターンテーブルと、ウエーハを取り囲むディスクとを備えており、このディスクは前記ターンテーブルに固定可能である。
【０００６】
ドイツ連邦共和国特許出願公開第４０２４６４２号明細書には、さらに、基板を収容するためのターンテーブルが開示されている。基板は真空によってターンテーブルに保持される。
【０００７】
上で挙げた装置では、スピン過程により達成される、層厚さの均一性がいずれの場合にも十分に高くないという問題が生じる。
【０００８】
したがって、本発明の課題は、冒頭で述べた形式の、基板を処理するための方法および装置を改良して、処理したい基板面の一層均質な被覆が達成されるような方法および装置を提供することである。
【０００９】
このように課せられた課題は、本発明によれば、基板ホルダに取付け可能もしくは固定可能なカバーが設けられており、該カバーが、基板ホルダと共に、基板を収容するシールされたチャンバを形成していることにより解決される。基板ホルダに固定可能なカバーによって、基板ホルダとカバーとの間には、基板のための規定された環境条件が達成される。特に、チャンバの内部には、定在範囲（ｓｔｅｈｅｎｄ．Ｂｅｒｅｉｃｈ）が形成され、この場合、チャンバ内に存在するガス、たとえば空気が、基板ホルダおよびこの基板ホルダに固定されたカバーと一緒に回転するようになる。さらに、回転過程中に、カバーの、基板に向けられた側との間の間隔が一定の規定された値に保持される。これにより、基板と、チャンバ内に存在するガスとの間での相対運動および渦流形成が最小限にまで減じられ、このことは基板の極めて均質な被覆をもたらす。この場合、被覆したい基板面全体が前被覆されているのかどうか、または基板面の部分範囲、たとえば中心範囲しか前被覆されていないのかどうか、そして完全な被覆が回転過程によって行なわれるのかどうか、はあまり重要ではない。基板のための規定された周辺条件もしくは環境条件はさらに、被覆層に含まれた溶剤を、一層均一にかつ徐々に乾燥除去することを可能にする。この場合、被覆したい表面は下方へ向けられて保持される。さらに、基板から剥離された被覆剤が基板の側縁または裏面と接触しないことが確保される。
【００１０】
被覆したい基板面を損なうことなしに、基板ホルダにおける基板の良好な保持を確保するためには、基板ホルダが、基板を負圧によって保持するための保持装置を有している。
【００１１】
本発明の別の有利な構成では、基板ホルダがさらに、カバーを負圧によって保持するための保持装置を有している。基板のための保持装置と、カバーのための保持装置とが、１つの共通の負圧供給部に接続されていると有利である。これにより、１つの真空源、たとえば１つの真空ポンプを設けるだけで済む。この場合、基板のための保持装置と、カバーのための保持装置とは、たとえば弁ユニットを介して互いに別個に独立して制御可能であると有利である。なぜならば、カバーは回転過程もしくはスピン過程のためにのみ基板ホルダに固定されるだけであるのに対して、基板は比較的長い時間にわたって、特に前被覆もしくはプレコーティングの際にも、基板ホルダに保持されるからである。
【００１２】
基板ホルダとカバーとの間の良好に規定された負圧範囲を達成し、ひいては良好な保持を達成するためには、基板ホルダとカバーとの間にシール部材が設けられている。
【００１３】
本発明のさらに別の有利な構成では、基板ホルダに、基板を少なくとも部分的に収容するための凹部が設けられている。この凹部を介して、基板ホルダに対する基板のセンタリングが達成可能となる。さらに、この凹部は回転過程もしくはスピン過程において基板に側方の保持を提供することができる。
【００１４】
当該装置が、カバーと基板ホルダとを互いに相対的にセンタリングするためのセンタリング装置を有していると有利である。これにより、基板ホルダと基板とに対するカバーの規定された位置が確保される。廉価でかつ簡単なセンタリングを実現するためには、センタリング装置が、カバーおよび／または基板ホルダに設けられた少なくとも１つのセンタリング斜面を有していると有利である。アンバランスおよび基板ホルダの回転時における基板ホルダに対するカバーの側方ずれを阻止するためには、カバーが中心軸線に対して対称的に形成されていると有利である。
【００１５】
本発明のさらに別の特に有利な構成では、カバーの、前記チャンバを規定する部分の外側範囲に切欠きが設けられており、これにより遠心力によって振り飛ばされたラッカ残分のための十分な室が形成される。外側範囲に切欠きを形成することにより、ラッカ残分が、回転時に生じる遠心力によって基板の範囲ならびに基板ホルダの範囲から離れる方向へ確実に案内されることが確保される。これにより、基板および基板ホルダは汚染に対して保護される。この場合、前記切欠きは外側に向かって先細りになっていて、基板ホルダに向けられた側の面が斜めに面取りされていると有利である。これにより、基板と基板ホルダとからのラッカの導出がさらに改善される。
【００１６】
本発明のさらに別の特に有利な構成では、カバーがその水平方向の中心平面に対して対称的に形成されており、カバーをひっくり返す（反転させる）ための装置が設けられているので、カバーは第１の位置と、１８０°だけ反転された位置とで使用可能となる。カバーを保持するために高さ調節可能な収容部が設けられていると有利である。これにより、カバーは、このカバーが基板ホルダに固定されている状態で行われる各回転過程の間の時間に保持される。各スピン過程中に、または各スピン過程の間に、カバーの洗浄を可能にするためには、カバーのためのすすぎおよび／または乾燥のための装置が設けられている。すすぎおよび／または乾燥により、次に処理したい基板が、カバーに付着した不純物によって汚染されてしまうことが阻止される。本発明のさらに別の特に有利な構成では、すすぎおよび／または乾燥のための装置が、前記収容部の一部であり、カバーおよび／または前記切欠きに向けられて少なくとも１つのノズルを有している。前記切欠きにノズルが向けられていることは特に有利である。なぜならば、上で説明したように、ラッカ残分はこれらの切欠き内に有利に捕集されるので、もしもこの切欠きが洗浄されなければ、時間と共に切欠きが満たされてしまうからである。ラッカ残分を除去するためには、少なくとも１つのノズルが、溶剤を含有したすすぎ流体で負荷可能であると有利である。すなわち、少なくとも１つのノズルに、溶剤を含有したすすぎ流体が供給可能であると有利である。すすぎの後に、カバーを乾燥させるために、乾燥流体が同一のノズルまたは別のノズルを介してカバーへ向けられると有利である。
【００１７】
本発明に課せられた課題は、被覆したい基板面が露出しかつ下方へ向けられるように基板ホルダに基板を保持し、該基板ホルダと共に基板を回転させて、基板を処理するための方法において、基板ホルダにカバーを固定し、該カバーにより、基板ホルダと共に、基板のためのシールされたチャンバを形成することを特徴とする、基板を被覆するための方法により解決される。基板ホルダにカバーを固定し、かつ閉鎖されたチャンバを形成することにより、既に上で説明した利点が得られる。
【００１８】
本発明の特に有利な実施態様では、カバーの、基板とは反対の側の面が、回転過程時にすすがれかつ／または乾燥される。回転過程と同時に行われるすすぎおよび／または乾燥により、時間節約が得られる。なぜならば、すすぎおよび／または乾燥が各回転過程の間の中間ステップで実施される必要がないからである。さらに、回転過程により生じる遠心力がすすぎおよび／または乾燥を促進する。
【００１９】
カバーが、順次連続して行なわれる回転過程の間にひっくり返されると有利である。これにより、常にカバーの洗浄された方の面が、処理したい基板に向けられていて、先行して行われた回転過程により汚染された方の面は基板とは反対の側に向けられて、洗浄され得るようになる。
【００２０】
本発明は、薄膜技術、特にＬＣＤスクリーン、半導体製作のためのマスク、半導体基板またはセラミック基板の製造において、方形または円形のプレートに、ラッカまたは別の、最初は液状である媒体、たとえばカラーフィルタまたは特殊な保護層から成る均一な層を施与するために特に適している。
【００２１】
図１〜図６には、本発明による被覆装置１のための機能経過が示されている。本発明による被覆装置１は主として、基板収容・搬送ユニット２とカバーユニット３とから成っている。
【００２２】
基板収容・搬送ユニット２は搬送装置（図示しない）と基板ホルダ５とを有している。この基板ホルダ５は回転軸６を介して回転装置（図示しない）と連結されている。この回転装置は搬送装置に結合されており、これによってこの回転装置は運動可能である。搬送装置と回転装置と基板ホルダとを備えたこのような基板収容・搬送ユニットは、たとえば前で挙げた欧州特許出願公開第０７１１１０８号明細書に基づき公知であるので、本明細書では、繰り返しを避けるために基板収容・搬送ユニットの具体的構成に関する詳しい説明は省略する。
【００２３】
基板ホルダ５はベースプレート８を有しており、このベースプレート８の、搬送装置に向けられた上面は、回転軸６を適宜に収容するための切欠き１０を有している。基板ホルダ５は回転軸６の回転軸線Ａに対して回転対称的に形成されている。ベースプレート８の、搬送装置とは反対の側に向けられた下面１１には、基板１３を収容するための切欠き１２が形成されている。基板１３は、この基板１３の被覆されるべき表面１５が基板ホルダとは反対の側に向けられて、露出するように切欠き１２内に収容される。切欠き１２の深さは、収容したい基板１３の厚さに相当している。これにより、ベースプレート８の下面１１は、基板１３が挿入された状態では、基板１３の被覆されるべき表面１５と整合し、つまり表面１５と同一平面に位置するようになる。しかし、選択的に表面１５を、ベースプレート８の下面１１により規定された平面から間隔を置いて配置することもでき、特に表面１５を、下面１１を超えて下方へ突出させることもできる。基板１３は、ベースプレート８に形成された複数の真空開口（図示しない）を介して、基板ホルダ５に保持される。これらの真空開口は１つの負圧源（図示しない）、たとえば１つの真空ポンプに接続されている。
【００２４】
ベースプレート８は軽度の円錐度を有する、下方に向かって先細りになった外周面１６を有している。この外周面１６は、以下に詳しく説明するようにセンタリング斜面として働く。
【００２５】
基板ホルダ５は、基板１３を保持するための前記真空開口の他に、別の真空保持装置１７を有している。この真空保持装置１７は複数のカップ形の真空グリッパ１８を備えており、これらの真空グリッパ１８は、それぞれ管路（図示しない）を介して１つの負圧源に接続されている。この負圧源は、基板１３を保持するための前記真空開口に接続されている負圧源と同じ負圧源である。しかし、真空グリッパ１８はそれぞれ弁を介して、基板１３を保持するための真空開口とは別個に独立して負圧で負荷可能となる。真空グリッパ１８は基板ホルダ５のベースプレート８に対して半径方向で隣接して位置していて、ベースプレート８の下面１１に対して引き込まれている（セットバック）。図１には２つの真空グリッパ１８しか図示されていないが、しかし実際には、基板ホルダ５の全周を巡って多数の真空グリッパ１８が回転対称的に設けられている。真空グリッパ１８と、基板１３を保持するための真空開口とのために１つの共通の負圧源を使用する代わりに、２つの別個の負圧源を使用することもできる。
【００２６】
カバーユニット３は主として、カバーエレメント（以下、単に「カバー２０」と呼ぶ）と、このカバー２０を収容する収容エレメントもしくは収容部２２とから成っている。収容部２２は、図１に示したようにたらい形の横断面を有していて、底部プレート２４と、この底部プレート２４に対して垂直に延びる側壁２５とを有している。
【００２７】
カバー２０は、水平方向の中心平面Ｂを有する中心壁２８を有している。カバー２０は水平方向の中心平面Ｂに対して対称的に形成されているので、カバー２０の上側の部分についてのみ説明する。中心壁２８からは、カバー２０の中心軸線Ｃに対して回転対称的にフランジ３０が上方に向かって延びている。このフランジ３０は平らな面３１を形成しており、この面３１は、以下に説明するように真空グリッパ１８と接触させられ、これによりこの面３１と真空グリッパ１８との間に結合が形成される。中心壁２８に対して隣接して、フランジ３０は中心軸線Ｃに対して回転対称的に形成された切欠き３２を有している。この切欠き３２は中心壁２８と整合するように形成されている。この切欠き３２によって、フランジ３０には、切欠き３２の上方に位置する回転対称的な半径方向の突出部３４が形成される。この半径方向の突出部３４は平らな面３１の一部を形成している。半径方向の突出部３４の内周は、ベースプレート８の外周に適合されているので、ベースプレート８はフランジ３０の半径方向の突出部３４の間に収容され得る。この場合、ベースプレート８の先細りになった外周面により、基板ホルダ５とカバー２０との間のセンタリングが行われる。
【００２８】
基板ホルダ５のベースプレート８がカバー２０内に収容されると、真空グリッパ１８はフランジ３０の平らな面３１と係合する。この位置で基板ホルダ５とカバー２０との間には、たとえば図２に示したようにチャンバ３６が形成される。この位置において、真空グリッパ１８は負圧で負荷されるので、カバー２０は基板ホルダ５にしっかりと保持される。
【００２９】
図３に示したように、収容部２２の内部には、カバー２０の下面、特にカバー２０に設けられた切欠きに向けられたノズル４０が設けられている。このノズル４０を介して、すすぎ流体および／または乾燥流体がカバー２０の下面に吹き付けられる。ノズル４０は、矢印Ｄで示したように収容部２２の内部で運動可能である。１つのノズルの代わりに、多数のノズルが設けられていてもよい。
【００３０】
カバーユニット３はさらに、図５に示したようにカバー２０を中心平面Ｂを中心にしてひっくり返すための反転装置（図示しない）を有している。
【００３１】
図７および図８には、カバー２０の択一的な別の構成を有する基板ホルダ５の別の実施例が示されている。図７および図８では、図１〜図６に示した実施例における構成部分と類似の構成部分または同一の構成部分に関して、図１〜図６に示した実施例の場合と同じ符号を使用する。
【００３２】
基板ホルダ５はやはりベースプレート８を有している。このベースプレート８の上面は、回転軸を収容するための切欠き１０を有している。図１〜図６に示した実施例とは異なり、ベースプレート８の、基板に向けられた側の下面１１は、基板１３を収容するための切欠きを有していない。下面１１はフラットに形成されており、そして基板１３は下面１１に設けられた複数の真空開口５０を介して、ベースプレート８に保持される。これらの真空開口５０は、図１〜図６に示した第１実施例の場合と同様に、１つの負圧源に接続されている。ベースプレート８の下面１１には、シールエレメント、たとえばＯリング５２を収容するために、前記真空開口５０を取り囲む１つの溝が形成されている。
【００３３】
基板ホルダ５のベースプレート８の外側範囲には、図１〜図６に示した第１実施例で使用された真空グリッパ１８の代わりに、負圧源に接続された複数の真空開口５４が形成されている。図７には、２つの真空開口５４しか図示されていないが、しかし実際には多数の真空開口５４が、基板ホルダ５の回転軸線Ａに対して回転対称的に設けられている。下面１１には、真空開口５４に隣接して、２つの環状の溝が設けられており、これらの溝はシールエレメント５６、たとえばＯリングを収容するために働く。
【００３４】
カバー２０はやはり中心平面Ｂを有する中心壁２８を有している。中心平面Ｂに対してカバー２０の上側と下側とが対称的に形成されている。したがって、カバー２０の上側部分についてのみ説明する。中心壁２８の外側範囲には、平らな上面３１を有する環状のフランジ３０が上方に向かって延びている。このフランジ３０は、図７に示したように基板ホルダ５の回転軸線Ａと合致する中心軸線Ｃに対して回転対称的に形成されている。フランジ３０はやはり、中心壁２８に対して隣接して位置しかつ中心壁２８と整合した切欠き３２を有している。この切欠き３２によって、フランジ３０の、内方に向かって突出した突出部３４が形成される。この突出部３４の内周面６２は、被覆したい基板１３が突出部３４との接触なしにこの突出部３４の間に収容可能となるように寸法設定されている。切欠き３２は斜めの上面６０を有しているので、切欠き３２は半径方向外側に向かって先細りになっている。
【００３５】
フランジ３０は、平らな上面３１から軸方向に延びる別の突出部６４を有している。この突出部６４は、下方に向かって先細りになった内周面を規定している。下方に向かって先細りになった内周面は、基板ホルダ５のベースプレート８の外周面形状に適合されていて、センタリング斜面６６を形成している。これにより、基板ホルダ５は、基板ホルダ５のベースプレート８の下面１１がカバー２０のフランジ３０の平らな上面３１に載着するまで、このセンタリング斜面６６に沿ってスライドすることができる。先細りになった内周面形状に基づき、カバー２０に対する基板ホルダ５のセンタリングが保証され、ひいては基板ホルダ５に対する基板１３のセンタリングが保証される。
【００３６】
図７の構成では、シールエレメント５６がベースプレート８に設けられているが、しかしこれらのシールエレメントは同様にカバー２０の平らな上面３１に設けられた切欠き内に形成されていてもよい。
【００３７】
カバー２０の平面図を示す図８からは、円形の形状の他に、フランジ３０の平らな上面３１の位置も判る。この位置は、基板ホルダ５におけるカバー２０の付着を保証する真空範囲を形成している。この範囲の汚染は、この範囲の位置に基づき、ほぼ完全に排除されている。
【００３８】
次に、図１〜図６につき、本発明による被覆方法の機能経過を説明する。この場合、この機能経過は図７に示した構成部分に対しても該当する。
【００３９】
図１に示したように、基板収容・搬送ユニット２はカバーユニット３の上方で運動させられ、カバーユニット３は昇降装置（図示しない）を介して、基板収容・搬送ユニット２の方向へ持ち上げられる（それぞれの運動を矢印で示す）。基板１３の表面１５はこの時点で、たとえば前で挙げた欧州特許出願公開第０７１１１０８号明細書に記載されているような「キャップコーティング（ＣａｐＣｏａｔｉｎｇ）」過程によって前被覆されている。キャップコーティング過程により、被覆したい基板面には、たとえば１μｍ〜２μｍの厚さ範囲の均一な層が被着される。
【００４０】
基板ホルダ５は、図２に示したようにカバー２０と接触させられて、基板ホルダ５に設けられたセンタリング斜面もしくは外周面１６もしくはカバー２０に設けられたセンタリング斜面もしくは内周面６６を介してカバー２０にセンタリングされるので、基板ホルダ５の回転軸線Ａとカバー２０の中心軸線Ｃとが整合し合う。次いで、カバー２０は真空グリッパ１８または真空開口５４を介して負圧によって吸引されて、基板ホルダ５にしっかりと保持される。これにより、基板ホルダ５とカバー２０との間には、図７からよく判るように、気密に閉じられたチャンバ３６が形成される。
【００４１】
引き続き、図３に示したように収容部２２が少しだけ降下させられるので、カバー２０はもはや収容部２２とは接触していない。次いで、基板ホルダ５が回転装置（図示しない）を介して、基板ホルダ５に固定された基板１３およびカバー２０と一緒に回転させられ、この場合、基板１３の前被覆された表面１５から、過剰材料が遠心力により振り飛ばされる。この過剰材料は遠心力に基づき、カバー２０の切欠き３２内に溜まる。基板１３がスピン過程の間、気密に閉じられたチャンバ３６内に存在していることにより、全基板面にわたって０．２μｍ〜１．０μｍの範囲の層厚さにおいて被覆層厚さに関して１％よりも小さな偏差しか有しない基板の均質な被覆が達成される。特に、方形の基板の角隅範囲における被覆の均一性が改善される。２ｍｍよりも少ない小さな縁範囲しか残らない。この縁範囲では、被覆の均一性を十分に保証することができない。
【００４２】
それと同時に、ノズル４０を介して、溶剤を含有したすすぎ液がカバー２０の下面に吹き付けられ、これによりカバー２０が洗浄される。洗浄作用はこの場合、カバー２０を回転させることにより助成される。すすぎ液の吹付け後に、乾燥流体がカバー２０の下面へ案内され、これによりカバー２０が乾燥される。
【００４３】
図４に示したように、カバー２０はスピン過程の後に再び収容部２２に載置され、基板収容・搬送ユニット２はカバーユニット３の範囲から離れる方向へ運動させられる。図５から判るように、カバー２０は反転装置（図示しない）によって、水平方向の中心平面に対して１８０゜だけひっくり返され、収容部２２は、このひっくり返しを可能にするために降下されている。
【００４４】
図６に示したように、収容部２２は反転過程の後に再び持ち上げられ、そしてこの収容部２２にカバー２０が載置される。反転過程後では、カバー２０の、先に洗浄された方の側が上方へ向けられており、直前のスピン過程により汚染された方の側は下方へ向けられている。したがって、カバー２０は既に新たなスピン過程のためにいつでも使用できる状態にある。
【００４５】
上記説明から明らかであるように、カバー２０は固有の回転軸線を有していない。すなわち、カバー２０はそれ自体が固有の回転装置によって回転させられるのではなく、駆動される基板ホルダによってパッシブに回転させられる。もしもカバーが固有の回転装置によってアクティブに回転されるものであるならば、その場合に生じる２つの回転軸線の複雑な適合および位置調整が必要となってしまう。
【００４６】
以上、本発明を有利な実施例につき説明したが、しかし本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。たとえば、カバー２０はスピン過程のために電磁石または別の手段、たとえば機械的なクランプ装置を用いて、基板ホルダに固定され得る。また、カバーの洗浄をスピン過程と同時に実施する必要もない。カバーの洗浄をスピン過程の前またはスピン過程の間に、ブラシによって行うこともできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による装置を、基板を保持する基板ホルダと、カバーとが互いに引き離されている状態で示す概略図である。
【図２】図１に示した本発明による装置を、カバーが基板ホルダと接触している状態で示す概略図である。
【図３】図１に示した本発明による装置を、カバーが基板ホルダに固定されかつ基板ホルダと共に回転している状態を示す概略図である。
【図４】図１に示した本発明による装置を、カバーが再び基板ホルダから引き離されかつ基板ホルダがカバーから離れる方向へ運動させられている状態を示す概略図である。
【図５】本発明によるカバーと、カバーのための収容部とを、カバーの反転過程の状態で示す概略図である。
【図６】カバーが収容部に載置された状態を示す概略図である。
【図７】本発明の別の実施例による基板ホルダとカバーとを示す拡大断面図である。
【図８】図７に示した本発明によるカバーの平面図である。
【符号の説明】
１  被覆装置、  ２  基板収容・搬送ユニット、  ３  カバーユニット、  ５  基板ホルダ、  ６  回転軸、  ８  ベースプレート、  １０  切欠き、  １１  下面、  １２  切欠き、  １３  基板、  １５  表面、  １６  外周面、  １７  真空保持装置、  １８  真空グリッパ、  ２０  カバー、  ２２  収容部、  ２４  底部プレート、  ２５  側壁、  ２８  中心壁、  ３０  フランジ、  ３１  平らな面、  ３２  切欠き、  ３４  突出部、  ３６  チャンバ、  ４０  ノズル、  ５０  真空開口、  ５２  Ｏリング、  ５４  真空開口、  ５６  シールエレメント、  ６０  上面、  ６２  内周面、  ６４  突出部、  ６６  内周面、  Ａ  回転軸線、  Ｂ  中心平面、  Ｃ  中心軸線
【図１】
0003574790.tif 000002
【図２】
0003574790.tif 000003
【図３】
0003574790.tif 000004
【図４】
0003574790.tif 000005
【図５】
0003574790.tif 000006
【図６】
0003574790.tif 000007
【図７】
0003574790.tif 000008
【図８】
0003574790.tif 000009