(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（メタ）アクリロイル基を有する共重合可能な化合物（Ａ）と、
第４級アンモニウム塩基、エチレングリコール鎖、炭素数４以上の炭化水素基、及び共重合可能な反応基を有する下記の一般式〔Ｉ〕，〔ＩＩ〕，〔ＩＩＩ〕又は〔ＩＶ〕で表される構造の反応型帯電防止剤（Ｂ）と、
シリコーン化合物（Ｃ）
とを含有することを特徴とする帯電防止材料。
0003552060.tif 000018
［但し、Ｒ1，Ｒ2は炭素数４以上の炭化水素基、Ａ−は対イオン、ｎは１〜２５の数］
【請求項２】
（メタ）アクリロイル基を有する共重合可能な化合物（Ａ）と、
第４級アンモニウム塩基、エチレングリコール鎖、炭素数４以上の炭化水素基、及び共重合可能な反応基を有する下記の一般式〔Ｉ〕，〔ＩＩ〕，〔ＩＩＩ〕又は〔ＩＶ〕で表される構造の反応型帯電防止剤（Ｂ）と、
シリコーン化合物（Ｃ）
とが用いられて重合されてなることを特徴とする帯電防止材料。
0003552060.tif 000019
［但し、Ｒ1，Ｒ2は炭素数４以上の炭化水素基、Ａ−は対イオン、ｎは１〜２５の数］
【請求項３】
化合物（Ａ）は、分子中に（メタ）アクリロイル基を２個以上有する（メタ）アクリレート、分子中に（メタ）アクリロイル基を２個以上有し、かつ、エチレングリコール基を有する（メタ）アクリレート、及び共重合可能な単官能（メタ）アクリレートの群の中から選ばれるものであることを特徴とする請求項１または請求項２の帯電防止材料。
【請求項４】
反応型帯電防止剤（Ｂ）はビニル基及び／又はアリル基を有し、下記の一般式で表される構造を有するものであることを特徴とする請求項１または請求項２の帯電防止材料。
0003552060.tif 000020
【請求項５】
シリコーン化合物（Ｃ）がポリエーテル変性シリコーンであることを特徴とする請求項１または請求項２の帯電防止材料。
【請求項６】
シリコーン化合物（Ｃ）が反応基を有するポリエーテル変性シリコーンであることを特徴とする請求項１または請求項２の帯電防止材料。
【請求項７】
シリコーン化合物（Ｃ）が下記の一般式〔Ｖ〕で表される構造を有するものであることを特徴とする請求項１または請求項２の帯電防止材料。
0003552060.tif 000021
〔但し、Ｒ3 は炭素数１〜２０のアルキル基、Ｒ4 ，Ｒ5 はＨ又はメチル基、ｘ，ｙは１〜１０００、ｓは１〜２０の数〕
【請求項８】
シリコーン化合物（Ｃ）が下記の一般式〔ＶＩ〕で表される構造を有するものであることを特徴とする請求項１または請求項２の帯電防止材料。
0003552060.tif 000022
〔但し、Ｒ3 は炭素数１〜２０のアルキル基、Ｒ4 ，Ｒ5 ，Ｒ6 はＨ又はメチル基、ｘ，ｙは１〜１０００、ｓは１〜２０の数〕
【請求項９】
化合物（Ａ）１００重量部に対して反応型帯電防止剤（Ｂ）が０．１〜２０重量部、シリコーン化合物（Ｃ）が０．１〜１０重量部の割合であることを特徴とする請求項１または請求項２の帯電防止材料。
【請求項１０】
請求項１〜請求項９の帯電防止材料が表面にコートされてなることを特徴とする記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、帯電防止材料並びにこの帯電防止材料がコートされた記録媒体に関するものである。
【０００２】
【発明の背景】
光ディスク基板や光学レンズの材料として、成形性や透明性の観点からポリカーボネートやポリメチルメタクリレート等が提案されていることは周知の通りである。
ところで、この種のプラスチック材料は耐擦傷性が十分ではなく、かつ、静電気が帯電し易く、表面に塵や埃が付着し易いといった問題を抱えている。この為、ポリカーボネートやポリメチルメタクリレート等の樹脂製品の表面に透明で耐擦傷性に富み、そして帯電防止機能を備えた膜を設けることが提案されている。例えば、導電性フィラーを添加したハードコート膜を設ける手段や、界面活性剤を練り込んだハードコート膜を設ける手段が知られている。
【０００３】
しかしながら、前記の技術手段のうち前者のものでは、帯電特性をある程度満足することが出来るものの、導電性フィラーを多量に添加する為、光学特性、硬度、その他コーティング特性に問題が有る。又、後者のものでは、静電気が帯電し易い低湿下においては十分な効果が期待でき難く、又、ブリード現象の為に濁りの問題や帯電防止機能の失活といった問題が有る。
【０００４】
このような問題に対処する為、例えばチオシアン酸塩及びアルキレングリコール鎖を有するアニオン性界面活性剤からなる帯電防止性組成物と、共重合可能な（メタ）アクリル酸エステルと、光重合開始剤とが混合されてなる帯電防止性紫外線硬化型コーティング材が提案（特開平４−８０２６６号公報）されている。この他にも、特開平４−３３９６８号公報や特開平３−２７５７０５号公報において帯電防止性の組成物が提案されている。
【０００５】
しかしながら、これらの提案による組成物にあっても帯電防止機能が十分なものとは言えなかった。
又、汚れは静電気の帯電による塵や埃の付着といったことにのみ起因するものではない。例えば、油性粘着物質、水溶性粘着物質、あるいは高湿環境での液架橋力からの粒子の付着による汚れが有る。
【０００６】
そして、この種の汚れが付かないようにする為には、あるいは付着した汚れを簡単に除去できるようにする為には、表面エネルギーを低いものとしておく必要がある。
ところで、前述したような物質で表面処理してなる場合には、帯電防止の役割が発揮され、塵や埃の付着が防止されても、表面エネルギーが高いものとなっていることから、油性粘着物質、水溶性粘着物質、あるいは高湿環境での液架橋力からの粒子の付着による汚れが大きなものとなっている。
【０００７】
そして、このような汚れが光ディスク等の記録媒体の分野では大きな問題であると指摘されている。
【０００８】
【発明の開示】
本発明の目的は、汚れ防止機能に優れた技術を提供することである。
この本発明の目的は、（メタ）アクリロイル基を有する共重合可能な化合物（Ａ）と、
第４級アンモニウム塩基、エチレングリコール鎖、炭素数４以上の炭化水素基、及び共重合可能な反応基を有する下記の一般式〔Ｉ〕，〔ＩＩ〕，〔ＩＩＩ〕又は〔ＩＶ〕で表される構造の反応型帯電防止剤（Ｂ）と、
シリコーン化合物（Ｃ）
とを含有することを特徴とする帯電防止材料によって達成される。
0003552060.tif 000002
［但し、Ｒ1，Ｒ2は炭素数４以上の炭化水素基、Ａ−は対イオン、ｎは１〜２５の数］
【０００９】
又、（メタ）アクリロイル基を有する共重合可能な化合物（Ａ）と、
第４級アンモニウム塩基、エチレングリコール鎖、炭素数４以上の炭化水素基、及び共重合可能な反応基を有する上記の一般式〔Ｉ〕，〔ＩＩ〕，〔ＩＩＩ〕又は〔ＩＶ〕で表される構造の反応型帯電防止剤（Ｂ）と、
シリコーン化合物（Ｃ）
とが用いられて重合されてなることを特徴とする帯電防止材料によって達成される。
【００１０】
又、上記の帯電防止材料が表面にコートされてなることを特徴とする記録媒体によって達成される。
尚、上記の帯電防止材料において、化合物（Ａ）は、分子中に（メタ）アクリロイル基を２個以上有する（メタ）アクリレート、分子中に（メタ）アクリロイル基を２個以上有し、かつ、エチレングリコール基を有する（メタ）アクリレート、及び共重合可能な単官能（メタ）アクリレートの群の中から選ばれるものであることが好ましく、特に、分子中に（メタ）アクリロイル基を２個以上有する（メタ）アクリレートが２０〜８０重量％、分子中に（メタ）アクリロイル基を２個以上有し、かつ、エチレングリコール基を有する（メタ）アクリレート５〜５０重量％、及び共重合可能な単官能（メタ）アクリレート０〜３０重量％の割合からなる混合物であるものが好ましい。
【００１１】
又、反応型帯電防止剤（Ｂ）はビニル基及び／又はアリル基を有し、下記の一般式
【００１２】
【化５】
0003552060.tif 000003
【００１３】
で表されるもの、特に、下記の一般式〔Ｉ〕，〔ＩＩ〕，〔ＩＩＩ〕，〔ＩＶ〕
【００１４】
【化６】
0003552060.tif 000004
【００１５】
〔但し、Ｒ１  ，Ｒ２  は炭素数４以上の炭化水素基、Ａ−  は対イオン、ｎは１〜２５の数〕
で表されるものが好ましい。
又、シリコーン化合物（Ｃ）はポリエーテル変性シリコーン（特に、下記の一般式〔Ｖ〕で表されるもの）、より好ましくは反応基を有するポリエーテル変性シリコーン（特に、下記の一般式〔ＶＩ〕で表されるもの）であることが好ましい。
【００１６】
【化７】
0003552060.tif 000005
【００１７】
〔但し、Ｒ３  は炭素数１〜２０のアルキル基、Ｒ４  ，Ｒ５  はＨ又はメチル基、ｘ，ｙは１〜１０００、ｓは１〜２０の数〕
【００１８】
【化８】
0003552060.tif 000006
【００１９】
〔但し、Ｒ３  は炭素数１〜２０のアルキル基、Ｒ４  ，Ｒ５  ，Ｒ６  はＨ又はメチル基、ｘ，ｙは１〜１０００、ｓは１〜２０の数〕
又、化合物（Ａ）と反応型帯電防止剤（Ｂ）とシリコーン化合物（Ｃ）との割合は、化合物（Ａ）１００重量部に対して反応型帯電防止剤（Ｂ）が０．１〜２０重量部、シリコーン化合物（Ｃ）が０．１〜１０重量部の割合であることが好ましい。
【００２０】
そして、この本発明になる帯電防止材料は、化合物（Ａ）の架橋によって硬度を発現させており、この硬化重合に際して長鎖炭化水素成分の存在によって反応型帯電防止剤（Ｂ）の表面への偏析が促進され、反応型帯電防止剤（Ｂ）は少量でも帯電防止機能が効果的に発揮され、硬度や光学的透明性にも優れた特長が奏される。ところで、前記の帯電防止機能は、空気中の水分子を表面に吸着させ、導電回路を構成することによって発揮されるものであるが、本発明になる帯電防止材料における化合物（Ｂ）は長い分子鎖に第４級アンモニウム塩基とエチレングリコール鎖を側鎖に有しているから、低湿下においても良好な帯電防止特性が奏されるのである。又、化合物（Ａ）と反応型帯電防止剤（Ｂ）とは化学反応によってベース表面に完全に固定され、エタノール等による拭き取りによっても帯電防止機能の失活は認められない。かつ、シリコーン化合物（Ｃ）が複合化されていることから、表面エネルギーが低い（水の接触角が８０℃以上）ものとなっており、汚れが付き難いものとなっている。又、潤滑性も付与される為、表面の滑性が向上し、拭き取りの際に一層傷が付き難くなる。そして、磁界変調型の光磁気ディスクにおいては、磁気ヘッドとの摺動性向上にも効果が発揮される。
【００２１】
以下、本発明について詳細に説明する。
（メタ）アクリロイル基を有する共重合可能な化合物（Ａ）〔モノマーあるいはオリゴマー等の形であっても良い〕としては、耐擦傷性や表面保護効果を発現させる為、１分子中に２個以上の官能基を持つ架橋性のあるものを含むことが好ましく、例えばトリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、トリメチロールエタントリ（メタ）アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ（メタ）アクリレート、グリセリントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、及びそのエチレンオキサイドやプロピレンオキサイド変性物などの３官能以上の多官能（メタ）アクリレート、１，３−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、シクロペンタジエニルアルコールジ（メタ）アクリレート等の２官能（メタ）アクリレート、その他ポリエステルポリ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ウレタンポリ（メタ）アクリレート、ポリシロキサンポリ（メタ）アクリレート、ポリアミドポリ（メタ）アクリレート等の中から一種又は二種以上用いられる。
【００２２】
そして、帯電防止性共重合物との溶解性促進、粘度調節、基材との密着性向上の観点から、例えば２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、３−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、４−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシペンチル（メタ）アクリレート、４−ヒドロキシペンチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、エトキシエチル（メタ）アクリレート、Ｎ−ヒドロキシメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−メトキシメチル（メタ）アクリルアミド等を用いることも出来る。
【００２３】
上記モノマー、すなわち化合物（Ａ）は、３官能以上の多官能（メタ）アクリレートを２０〜８０重量％、望ましくは５０〜７０重量％、２官能（メタ）アクリレート、特に鎖長が２〜２０のポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレートを５〜５０重量％、望ましくは２０〜４０重量％、そして必要に応じて３０重量％以下の単官能（メタ）アクリレートの混合物であることが好ましいものである。
【００２４】
反応型帯電防止剤（Ｂ）は、第４級アンモニウム塩基、エチレングリコール鎖、炭素数４以上の炭化水素基、及び共重合可能な反応基を分子中に有するものである。
ここで、炭素数４以上の炭化水素基は、相分離（表面への偏析）を促進させる為に必要な基であって、炭化水素は飽和、不飽和、直鎖、分岐、環状構造の如何を問わないが、炭素数が４〜３０、より望ましくは８〜２２の直鎖状のものであることが好ましい。そして、この炭素数４以上の炭化水素基は（Ｂ）中に一つであっても、二つ以上あっても良い。
【００２５】
帯電防止機能の面から（Ｂ）中に第４級アンモニウム塩基及びエチレングリコール鎖（好ましくは炭素数が２〜５０、より好ましくは炭素数が４〜３０のポリエチレングリコール鎖）を持たせる必要が有る。これは、如何なる型のものであっても良いが、
【００２６】
【化９】
0003552060.tif 000007
【００２７】
といった構造のものであることが好ましい。
共重合可能な反応基は、例えば光重合可能なものであれば良く、例えば（メタ）アクリロイル基、ビニル基、アリル基などが好ましいものとして挙げられる。又、電子線やγ線を照射することにより化合物（Ａ）と化合物（Ｂ）の重合を図る場合には不要なものでもあるが、例えば紫外線照射によって重合を図るには、重合開始剤を用いることが好ましい。例えば、４−フェノキシジクロロアセトフェノン、４−ｔ−ブチルジクロロアセトフェノン、ジエトキシアセトフェノン、２−ヒドロキシ−２−メチル−フェニルプロパン−１−オン等のアセトフェノン系の光重合開始剤、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルジメチルケタール等のベンゾイン系の光重合開始剤、チオキサンソン、２−クロルチオキサンソン、２，４−ジメチルチオキサンソン、２，４−ジエチルチオキサンソン等のチオキサンソン系の光重合開始剤などが挙げられる。勿論、一種でも二種以上の重合開始剤が用いられても良い。添加量は、化合物（Ａ）１００重量部に対して１０重量部以下であることが好ましい。
【００２８】
シリコーン化合物（Ｃ）は有機基の付いたケイ素（オルガノシリコン）と酸素とが交互に結合して出来たポリマーであり、化合物（Ａ）との相溶性を考慮すると、前記の一般式〔Ｖ〕や〔ＶＩ〕で表されるようなポリエーテル（ポリオキシアルキレン、例えばポリエチレングリコールやポリプロピレングリコール等）変性シリコーンが好適であり、特にポリエチレングリコール（炭素数２〜１００）変性、あるいはポリエチレングリコール（炭素数２〜１００）変性とポリプロピレングリコール（炭素数３〜１８０）変性との混合されたものが好ましい。
【００２９】
尚、一般式〔Ｖ〕や〔ＶＩ〕において、ｘやｙは５〜２００であることが好ましいものである。
又、シリコーン化合物（Ｃ）は、粘度が１０〜５０００ｃＳｔ（２５℃）、より望ましくは５０〜２０００ｃＳｔ（２５℃）のものであることが好ましい。
そして、上記のような特徴のシリコーン化合物（Ｃ）は、ポリエーテル鎖がベース樹脂と相溶することから、表面に固定されるものとなる。尚、一般式〔ＶＩ〕で表された共重合性の反応基（例えば、（メタ）アクリロイル基）を有するタイプの場合には、完全にベース表面に固定できることから好ましいものである。
【００３０】
そして、上記の組成物をメタノール、エタノール、イソプロピルアルコール等の溶剤で希釈し、所定のプラスチック表面に所望の手段でコーティングし、活性エネルギー線（紫外線、電子線やγ線）を照射して重合処理することにより、透明で耐擦傷性に富み、そして帯電防止機能に優れ、又、汚れが付き難いものが得られる。
【００３１】
例えば、光ディスクの保護膜（記録面側、あるいは両面の保護膜）とする場合には、スピンコート法により上記の組成物を約０．５〜２０μｍ厚塗布し、紫外線照射することによって硬化させれば、透明で、耐擦傷性に富み、かつ、帯電防止機能に優れ、さらには汚れが付き難いものが得られる。又、磁気ヘッドに接触する面では、これらの特性に加えてヘッドとの摺動性を向上できる。
【００３２】
尚、上記の組成物の他に、例えば表面調整剤、紫外線吸収剤、酸化防止剤などの各種の添加剤が用いられても良いものである。
又、本発明の帯電防止材料は記録媒体にコートされたもので説明しているが、これを再生装置のピックアップ側に塗布しても良い。すなわち、ピックアップ側に塗布しておけば、ピックアップに静電気が帯電し難くなり、この結果再生時に塵や埃が記録媒体に付着し難くなるといった特長が奏されるのである。
【００３３】
【実施例】
〔反応型帯電防止剤（Ｂ−１）〕
アミート３２０（花王（株）製の界面活性剤）７．１５ｇ（１１．５ミリモル）、クロロメチルスチレン１．９３ｇ（１２．７ミリモル）及びハイドロキノンモノメチルエーテル（重合禁止剤）３０ｍｇのエタノール２５ｇ溶液を４８時間還流し、反応溶液を減圧下で留去した。残渣をシリカゲルクロマトグラフィ（ジクロロメタン〜クロロホルム：メタノール＝１０：１（ｖ／ｖ））により精製し、下記の構造式で表される化合物（Ｂ−１）を得た。
【００３４】
【化１０】
0003552060.tif 000008
【００３５】
〔反応型帯電防止剤（Ｂ−２）〕
１５０℃下でジオレイルアミンにエチレンオキサイドを反応させ、エチレンオキサイド鎖を６モル付加した。次に、この反応物１２．５ｇ（１６ミリモル）とアリルグリシジルエーテル９．１３ｇ（８０ミリモル）、２Ｎ−ＨＣｌ  ８ｍｌ、水４ｍｌ、ハイドロキノンモノメチルエーテル（重合禁止剤）２０ｍｇのイソプロピルアルコール５０ｍｌ溶液を７時間還流し、その後クロロホルム、水、及び過剰のアリルグリシジルエーテルを除去する為にアンモニア水を添加し、抽出液を塩酸で洗浄した後、水洗を繰り返して行い、そしてクロロホルムで抽出し、溶媒を留去して下記の構造式で表される化合物（Ｂ−２）を得た。
【００３６】
【化１１】
0003552060.tif 000009
【００３７】
〔シリコーン化合物（Ｃ−２）〕
【００３８】
【化１２】
0003552060.tif 000010
【００３９】
上記の構造式で表されるハイドロジエン変性ポリシロキサン化合物（東芝シリコーン（株）製ＸＦ４０−Ａ２３４６）１０重量部、ポリエチレングリコールモノアクリルエーテル（エチレンオキサイドの平均付加数１０モル；ＰＥＧＭＡ１０）２０重量部、トルエン２０重量部、テトラヒドロフラン３０重量部、メチルハイドロキノン０．０２重量部を窒素雰囲気中で混合攪拌する。
【００４０】
次に、酢酸カリウム１０％エタノール溶液０．０３重量部、ヘキサクロロ白金（ＩＶ）酸六水和物の１０％イソプロピルアルコール溶液０．０３重量部を添加し、６０℃で約１０時間反応させる。さらに、アリルメタクリレート５．２重量部を添加して約７時間反応させ、そして常温に冷却後に活性炭を加えて１時間攪拌した後、濾過し、続いて溶媒を減圧下で留去し、下記の構造式で表されるメタクリロイル基をもつポリエーテル変性シリコーン（Ｃ−２）を得た。
【００４１】
【化１３】
0003552060.tif 000011
【００４２】
〔Ｒ３  ＝Ｒ６  ＝ＣＨ３  ，Ｒ４  ＝Ｒ５  ＝Ｈ，ｘ＝１２，ｙ＋ｚ＝１２，ｓ＝１０〕
〔実施例１〕
アクリロイル基（多官能アクリレート）を有する共重合可能な化合物（Ａ）として７０重量部のエチレンオキサイド変性トリメチロールプロパントリアクリレート（ＴＭＰＴＡ）と３０重量部のポリエチレングリコールジアクリレート（Ｐｅｇ鎖長９）に、上記の反応型帯電防止剤（Ｂ−１）を５重量部、光重合開始剤Ｉｒｇ．６５１（日本チバガイギー製）を３重量部、及びポリエーテル変性シリコーンＴＳＦ４４４１（東芝シリコーン（株）製）を１重量部添加し、さらにエタノール１０重量部添加し、４５℃で完全に溶解させた。
【００４３】
この溶液をポリカーボネート基板上に乾燥厚が４〜５μｍとなるようにスピンコート法で塗布し、そして窒素気流下で紫外線照射（高圧水銀タイプ；６５０ｍＷ／ｃｍ２  ，１８００ｍＪ／ｃｍ２  ）により硬化を行わせ、表面に放射線硬化型コーテイング膜を設けた。
〔実施例２〕
アクリロイル基（多官能アクリレート）を有する共重合可能な化合物（Ａ）として７０重量部のエチレンオキサイド変性トリメチロールプロパントリアクリレート（ＴＭＰＴＡ）と３０重量部のポリエチレングリコールジアクリレート（Ｐｅｇ鎖長９）に、上記の反応型帯電防止剤（Ｂ−１）を５重量部、光重合開始剤Ｉｒｇ．６５１（日本チバガイギー製）を３重量部、及び上記のシリコーン化合物（Ｃ−２）を１重量部添加し、さらにエタノール１０重量部添加し、４５℃で完全に溶解させた。
【００４４】
この溶液をポリカーボネート基板上に乾燥厚が４〜５μｍとなるようにスピンコート法で塗布し、そして窒素気流下で紫外線照射（高圧水銀タイプ；６５０ｍＷ／ｃｍ２  ，１８００ｍＪ／ｃｍ２  ）により硬化を行わせ、表面に放射線硬化型コーテイング膜を設けた。
〔実施例３〕
実施例１において、反応型帯電防止剤（Ｂ−１）の代わりに上記反応型帯電防止剤（Ｂ−２）を用いて同様に行った。
【００４５】
〔実施例４〕
アクリロイル基（多官能アクリレート）を有する共重合可能な化合物（Ａ）として７０重量部のエチレンオキサイド変性トリメチロールプロパントリアクリレート（ＴＭＰＴＡ）と３０重量部のポリエチレングリコールジアクリレート（Ｐｅｇ鎖長９）に、上記の反応型帯電防止剤（Ｂ−１）を５重量部、光重合開始剤Ｉｒｇ．６５１（日本チバガイギー製）を３重量部、及びポリエーテル変性シリコーンＴＳＦ４４４１（東芝シリコーン（株）製）を１重量部添加し、さらにエタノール１０重量部添加し、４５℃で完全に溶解させた。
【００４６】
この溶液を３．５インチ径の光磁気ディスク基板（ポリカーボネート）上に乾燥厚が４μｍとなるようにスピンコート法で塗布し、そして窒素気流下で紫外線照射（高圧水銀タイプ；６５０ｍＷ／ｃｍ２  ，１８００ｍＪ／ｃｍ２  ）により硬化を行わせ、表面に放射線硬化型コーテイング膜を設けた。
このようにして得られたものを基にして光磁気ディスクを作製した。
【００４７】
〔実施例５〕
アクリロイル基（多官能アクリレート）を有する共重合可能な化合物（Ａ）として７０重量部のエチレンオキサイド変性トリメチロールプロパントリアクリレート（ＴＭＰＴＡ）と３０重量部のポリエチレングリコールジアクリレート（Ｐｅｇ鎖長９）に、上記の反応型帯電防止剤（Ｂ−１）を５重量部、光重合開始剤Ｉｒｇ．６５１（日本チバガイギー製）を３重量部、及びポリエーテル変性シリコーンＴＳＦ４４４１（東芝シリコーン（株）製）を１重量部添加し、さらにエタノール１０重量部添加し、４５℃で完全に溶解させた。
【００４８】
この溶液を３．５インチ径の光磁気ディスク（基板はポリカーボネート製）の磁気ヘッド面側に乾燥厚が５μｍとなるように塗布し、そして窒素気流下で紫外線照射（高圧水銀タイプ；６５０ｍＷ／ｃｍ２  ，１８００ｍＪ／ｃｍ２  ）により硬化を行わせ、放射線硬化型コーテイング膜を設けた。
〔比較例１〕
アミート３２０（花王（株）製）をベンジルクロライドで４級化することにより下記の構造式で表される化合物（Ｂ−Ｘ）を得た。
【００４９】
【化１４】
0003552060.tif 000012
【００５０】
アクリロイル基（多官能アクリレート）を有する共重合可能な化合物（Ａ）として７０重量部のエチレンオキサイド変性トリメチロールプロパントリアクリレート（ＴＭＰＴＡ）と３０重量部のポリエチレングリコールジアクリレート（Ｐｅｇ鎖長９）に、上記の化合物（Ｂ−Ｘ）を５重量部、光重合開始剤Ｉｒｇ．６５１（日本チバガイギー製）を３重量部、及びポリエーテル変性シリコーンＴＳＦ４４４１（東芝シリコーン（株）製）を１重量部添加し、さらにエタノール１０重量部添加し、４５℃で完全に溶解させた。
【００５１】
この溶液をポリカーボネート基板上に乾燥厚が４〜５μｍとなるようにスピンコート法で塗布し、そして窒素気流下で紫外線照射（高圧水銀タイプ；６５０ｍＷ／ｃｍ２  ，１８００ｍＪ／ｃｍ２  ）により硬化を行わせ、表面に放射線硬化型コーテイング膜を設けた。
〔比較例２〕
アクリロイル基（多官能アクリレート）を有する共重合可能な化合物（Ａ）として７０重量部のエチレンオキサイド変性トリメチロールプロパントリアクリレート（ＴＭＰＴＡ）と３０重量部のポリエチレングリコールジアクリレート（Ｐｅｇ鎖長９）に、上記の反応型帯電防止剤（Ｂ−１）を５重量部、光重合開始剤Ｉｒｇ．６５１（日本チバガイギー製）を３重量部添加し、さらにエタノール１０重量部添加し、４５℃で完全に溶解させた。
【００５２】
この溶液をポリカーボネート基板上に乾燥厚が４〜５μｍとなるようにスピンコート法で塗布し、そして窒素気流下で紫外線照射（高圧水銀タイプ；６５０ｍＷ／ｃｍ２  ，１８００ｍＪ／ｃｍ２  ）により硬化を行わせ、表面に放射線硬化型コーテイング膜を設けた。
〔比較例３〕
比較例２の材料を基にして光磁気ディスクを作製した。
【００５３】
〔特性〕
上記各例で得たものについて、下記の諸特性を調べたので、その結果を表１、表２、表３及び表４に示す。
表面電気抵抗：印加電圧５００Ｖ（ＤＣ），１分値    リング電極（ＪＩＳＫ−６９１１に準拠）  単位はΩ／□  ２４℃、５０％ＲＨで測定
親水性接触角：基板を水平に置き、その表面に水（純水）滴を滴下し、接触角（θ）を協和界面化学（株）社製のＣＡ−Ｚ１５０で測定した。測定は、２４℃，５０％ＲＨで実施。
【００５４】
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【００５５】
バイトエラーレート：再生装置に装着し、４０℃、８０％ＲＨの環境下で３０日連続走行させ、そしてダートチャンバー試験（ＡＳＴＭ  Ｄ２７４１−６８）を行い、その後ディスクのエラーレートを測定
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又、実施例５のものについて、２４℃、４０％ＲＨ中で、ソニー製録音型ＭＤドライブから取り外した磁気ヘッドをコート面に接触させた状態にて３０００ｒｐｍで回転させ、２０００時間後に動摩擦係数を測定した処、動摩擦係数は約０．２であり、試験前後における差は認められなかった。又、コート面に塵や埃の付着も認められなかった。これに対して、比較例２のコーテイング膜を設けたものでは、磁気ヘッドをコート面に接触させた直後においてコート面及び磁気ヘッドの双方に傷が付いた。
【００５６】
【効果】
帯電防止特性に優れ、又、塵や埃が付着し難く、そして硬度や光学的透明性にも優れた特長が奏され、これが記録媒体の保護膜として用いられた場合にはエラーレートが著しく低く、再生特性が優れたものである。