(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に薄膜を形成するために所定の原料ガスを供給するか、又は真空容器内に付着した膜を除去するためのクリーニングガスが供給される真空容器内に配設される電極間に、前記真空容器の外部に配設された高周波電源から高周波電圧を印加することにより、前記電極間に原料ガス又はクリーニングガスのプラズマを形成して成膜又はクリーニング等の所定の処理を行う真空処理装置の電流導入端子であって、
一方の面が前記真空容器内に臨むとともに他方の面が前記真空容器外に臨んでこの真空容器に固定された絶縁材と、
この絶縁材の中央部を貫通して大気側から真空側に至り、前記高周波電源から前記電極に至る電路の一部となる導電体のロッドとを有するとともに、
前記絶縁材とロッドとの間の間隙を除去するため両者を接合するロウ付部を、真空容器の外部に設けたことを特徴とする電流導入端子。
【請求項２】
所定の原料ガス又はクリーニングガスが供給される真空容器内に配設される電極間に、前記真空容器の外部に配設された高周波電源から高周波電圧を印加することにより、前記電極間に原料ガス又はクリーニングガスのプラズマを形成して成膜又はクリーニング等の所定の処理を行う真空処理装置の電流導入端子であって、
一方の面が前記真空容器内に臨むとともに他方の面が前記真空容器外に臨んでこの真空容器に固定された絶縁材と、
この絶縁材の中央部を貫通して大気側から真空側に至り、前記高周波電源から前記電極に至る電路の一部となる導電体のロッドとを有するとともに、
前記絶縁材とロッドとの間の間隙を除去するため両者を接合するロウ付部を、真空容器の外部に設け、
さらにロウ付部の表面にニッケルメッキを施したことを特徴とする電流導入端子。
【請求項３】
所定の原料ガス又はクリーニングガスが供給される真空容器内に配設される電極間に、前記真空容器の外部に配設された高周波電源から高周波電圧を印加することにより、前記電極間に原料ガス又はクリーニングガスのプラズマを形成して成膜又はクリーニング等の所定の処理を行う真空処理装置の電流導入端子であって、
一方の面が前記真空容器内に臨むとともに他方の面が前記真空容器外に臨んでこの真空容器に固定された絶縁材と、
この絶縁材の中央部を貫通して大気側から真空側に至り、前記高周波電源から前記電極に至る電路の一部となる導電体のロッドとを有するとともに、
前記絶縁材とロッドとの間の間隙を除去するため両者を接合するロウ付部を、真空容器の外部に設け、
さらにロウ付部を含む前記ロッドの表面に、このロッドを構成する材料よりも低抵抗の金属材料のメッキを施したことを特徴とする電流導入端子。
【請求項４】
〔請求項３〕に記載する電流導入端子において、
メッキは金メッキであることを特徴とする電流導入端子。
【請求項５】
所定の原料ガス又はクリーニングガスが供給される真空容器内に配設される電極間に、前記真空容器の外部に配設された高周波電源から高周波電圧を印加することにより、前記電極間に原料ガス又はクリーニングガスのプラズマを形成して成膜又はクリーニング等の所定の処理を行う真空処理装置の電流導入端子であって、
一方の面が前記真空容器内に臨むとともに他方の面が前記真空容器外に臨んでこの真空容器に固定された絶縁材と、
この絶縁材の中央部を貫通して大気側から真空側に至り、前記高周波電源から前記電極に至る電路の一部となる導電体のロッドとを有するとともに、
前記絶縁材とロッドとの間の間隙を除去するため両者を接合するロウ付部を、真空容器の外部に設け、
さらに真空容器の外部でロッドの外周面に、内周面を密着させて配設するとともに内部に冷却媒体を流通させて前記ロッドを冷却する流路を有する絶縁材で形成した冷却ジャケットを設けたことを特徴とする電流導入端子。
【請求項６】
〔請求項１〕乃至〔請求項５〕に記載する何れか一つの電流導入端子を有することを特徴とする真空処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は電流導入端子及びこれを有する真空処理装置に関し、特にクリーニングガスのプラズマを発生させてそのラジカルによりＳｉ膜等を除去するセルフクリーニング機能を有するプラズマＣＶＤ装置やドライエッチング装置等に適用して有用なものである。
【０００２】
【従来の技術】
例えば太陽電池に用いるアモルファスシリコン膜の成膜を行う成膜装置としてプラズマＣＶＤ装置装置が知られている。従来技術に係るこの種のプラズマＣＶＤ装置の一例を図５に示す。同図に示すように、当該プラズマＣＶＤ装置は、真空容器１内に相対向して配設するとともに高周波電源２に接続した電極３、４を有している。そして、前記真空容器１内にこの場合の原料ガスとして主としてシランガス（ＳｉＨ４）を供給するとともに、両電極３、４間に高周波（例えば１３．５６ＭＨｚ〜１００ＭＨｚ）電力を印加する。このことにより、電極３、４間に原料ガスであるシランガス（ＳｉＨ４）のプラズマを形成し、このとき生成する原料ガスのラジカル（主としてＳｉＨ３  ラジカル  ）を利用して基板５上にＳｉ膜を形成する。
【０００３】
ここで、当該プラズマＣＶＤ装置においては一方の電極３が原料ガスの供給手段としての機能も有する。すなわち、電極３は、外部から供給される原料ガスが流入する中空部を有するとともに、他方の電極４と相対向する面に形成した多数の孔３ａを有しており、この孔３ａを介して電極３、４間に原料ガスを供給するようになっている。
【０００４】
他方の電極４はその表面に基板５を載置するとともに、この基板５の電極４との密着性を良好に保持するため、基板５の周辺部に当接してこれを電極４側に押圧する押え板６を有している。また、電極４はヒータ７で加温するように構成してある。電極４及び基板５を所定の温度に保持することにより基板５上の膜の形成を容易、且つ良好なものとするためである。ここで、ヒータ７は電極４の裏面側に相対向して配設してある。したがって、電極４はプラズマに対するヒータカバーとしても機能する。なお、図中、８は真空容器１内を真空に引く真空ポンプである。
【０００５】
上記プラズマＣＶＤ装置において、高周波電源２は真空容器１の外部に、また電極３、４は真空容器１の内部に配設されているので、高周波電源２から電極３、４に至る電路は、真空容器１を貫通する必要がある。この貫通部分である電流導入端子部分の従来構造のものを抽出・拡大して図６に示す。同図は、図５のＡ部分を抽出・拡大したものである。
【０００６】
図６に示すように、当該電流導入端子は、円板状の絶縁材である絶縁セラミックス１１と、この絶縁セラミックス１１の中央部を貫通する導電部材のロッドで形成したフィードスルー１２とを有している。ここで絶縁セラミックス１１はその外周面を介して導電部材である円筒状のスリーブ１３の内周面に固着してあり、さらにスリーブ１３はその外周面を介してフランジ部材１４の中央部の孔に嵌め込んで固着してある。フランジ部材１４はボルト１５を介して真空容器１の壁面にその外部から固着してある。このとき、真空容器１の壁面にはその一部に孔１ａが設けてあり、前記絶縁セラミックス１１、フィードスルー１２及びスリーブ１３は前記孔１ａを介して真空容器１の内部に臨んでいる。したがって、絶縁セラミックス１１は、その一方の面が真空容器１の内部に臨むとともに他方の面が真空容器１の外部に臨んで、真空容器１に固定してある。また、フィードスルー１２は、絶縁セラミックス１１の中央部を貫通して大気側から真空側に至り、その上端部及び下端部には、コネクタ（図示せず。）を介してそれぞれケーブル（図示せず。）が接続されており、これらのケーブルとともに高周波電源２（図５参照；以下同じ。）から電極３（図５参照；以下同じ。）に至る電路を構成している。また、大型の電極３では、高周波電力を均等に供給するために、ケーブル（図示せず。）を複数本用いており、このフィールドスルー１２とケーブルは複数組設置してある。
【０００７】
絶縁セラミックス１１におけるフィードスルー１２の貫通部分及び絶縁セラミックス１１とスリーブ１３との接触部分には、両者の密着性を良好に確保し、真空容器１内の気密を保持すべく両者を接合するためのロー付部１６ａ、１６ｂが形成してある。ロー付部１６ａ、１６ｂは、通常Ａｇ−Ｃｕ系のろう材が使用され、しかも真空容器１の内部に臨む側（真空側）に形成される。真空側からの脱ガスを抑制するためである。なお、図６中、１７はＯリングで、真空容器１の気密性を確保すべくフランジ部材１４と真空容器１の壁面との間に介在されている。
【０００８】
上述の如きプラズマＣＶＤ装置における成膜時には、基板５以外の部分にもＳｉ膜が成膜され、成膜処理回数を重ねる毎に成長し、真空容器１内の構成材との熱膨張率の差により剥がれ落ちて成膜中の膜の欠陥や不純物の原因となるので、定期的にクリーニング処理を行い、基板５以外の部分に付着したＳｉ膜を除去してやる必要がある。このときのクリーニング方式の一つにセルフクリーニング方式と呼称される方式がある。このセルフクリーニング方式においては、、原料ガスの代わりにクリーニングガスである、例えばＮＦ３  等のＦ系ガスを真空容器１内に供給して、真空容器１を開放することなく電極３、４間にそのプラズマを形成し、これにより生成するＦラジカルをＳｉ膜に作用させてＳｉＦ４  のガスを生成し、これを排気する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来技術に係るプラズマＣＶＤ装置におけるＮＦ３  ガスのプラズマを利用するクリーニング処理においては、Ｆラジカルが発生するが、このＦラジカルが電流導入端子のロー付部１６ａ、１６ｂに直接作用する。ロー付部１６ａ、１６ｂは、真空側に臨んでいるからである。このとき、ロー付部１６ａ、１６ｂは、上述の如く、Ａｇ−Ｃｕ系のろう材で形成してある。したがって、ＦラジカルがＡｇに作用してこのＡｇを蒸発させるばかりでなく、絶縁セラミックス１１の真空容器１に臨む面（真空側の面）に薄膜として再付着し、これによりフィードスルー１２とスリーブ１３との間が短絡されてしまう等の不都合を生起する。すなわち、所定の絶縁を確保することができず、電気的なトラブルの原因となる。
【００１０】
本発明は、上記従来技術に鑑み、真空容器内に発生するプラズマの影響を受けず長期に亘り安定した絶縁性能を保持し得る電流導入端子及びこれを有する真空処理装置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成する本発明の構成は次の点を特徴とする。
【００１２】
１）  基板に薄膜を形成するために所定の原料ガスを供給するか、又は真空容器内に付着した膜を除去するためのクリーニングガスが供給される真空容器内に配設される電極間に、前記真空容器の外部に配設された高周波電源から高周波電圧を印加することにより、前記電極間に原料ガス又はクリーニングガスのプラズマを形成して成膜又はクリーニング等の所定の処理を行う真空処理装置の電流導入端子であって、
一方の面が前記真空容器内に臨むとともに他方の面が前記真空容器外に臨んでこの真空容器に固定された絶縁材と、
この絶縁材の中央部を貫通して大気側から真空側に至り、前記高周波電源から前記電極に至る電路の一部となる導電体のロッドとを有するとともに、
前記絶縁材とロッドとの間の間隙を除去するため両者を接合するロウ付部を、真空容器の外部に設けたこと。
【００１３】
２）  所定の原料ガス又はクリーニングガスが供給される真空容器内に配設される電極間に、前記真空容器の外部に配設された高周波電源から高周波電圧を印加することにより、前記電極間に原料ガス又はクリーニングガスのプラズマを形成して成膜又はクリーニング等の所定の処理を行う真空処理装置の電流導入端子であって、
一方の面が前記真空容器内に臨むとともに他方の面が前記真空容器外に臨んでこの真空容器に固定された絶縁材と、
この絶縁材の中央部を貫通して大気側から真空側に至り、前記高周波電源から前記電極に至る電路の一部となる導電体のロッドとを有するとともに、
前記絶縁材とロッドとの間の間隙を除去するため両者を接合するロウ付部を、真空容器の外部に設け、
さらにロウ付部の表面にニッケルメッキを施したこと。
【００１４】
３）  所定の原料ガス又はクリーニングガスが供給される真空容器内に配設される電極間に、前記真空容器の外部に配設された高周波電源から高周波電圧を印加することにより、前記電極間に原料ガス又はクリーニングガスのプラズマを形成して成膜又はクリーニング等の所定の処理を行う真空処理装置の電流導入端子であって、
一方の面が前記真空容器内に臨むとともに他方の面が前記真空容器外に臨んでこの真空容器に固定された絶縁材と、
この絶縁材の中央部を貫通して大気側から真空側に至り、前記高周波電源から前記電極に至る電路の一部となる導電体のロッドとを有するとともに、
前記絶縁材とロッドとの間の間隙を除去するため両者を接合するロウ付部を、真空容器の外部に設け、
さらにロウ付部を含む前記ロッドの表面に、このロッドを構成する材料よりも低抵抗の金属材料のメッキを施したこと。
【００１５】
４）  上記３）に記載する電流導入端子において、
メッキは金メッキであること。
【００１６】
５）  所定の原料ガス又はクリーニングガスが供給される真空容器内に配設される電極間に、前記真空容器の外部に配設された高周波電源から高周波電圧を印加することにより、前記電極間に原料ガス又はクリーニングガスのプラズマを形成して成膜又はクリーニング等の所定の処理を行う真空処理装置の電流導入端子であって、
一方の面が前記真空容器内に臨むとともに他方の面が前記真空容器外に臨んでこの真空容器に固定された絶縁材と、
この絶縁材の中央部を貫通して大気側から真空側に至り、前記高周波電源から前記電極に至る電路の一部となる導電体のロッドとを有するとともに、
前記絶縁材とロッドとの間の間隙を除去するため両者を接合するロウ付部を、真空容器の外部に設け、
さらに真空容器の外部でロッドの外周面に、内周面を密着させて配設するとともに内部に冷却媒体を流通させて前記ロッドを冷却する流路を有する絶縁材で形成した冷却ジャケットを設けたこと。
【００１７】
６）  上記１）乃至５）に記載する何れか一つの電流導入端子を有すること。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下本発明の実施の形態を図面に基づき詳細に説明する。実施の形態としては電流導入端子部分のみを抽出して、当該部分についてのみ説明する。各実施の形態に係る電流導入端子は、何れも図５に示すＡ部分に適用され得る。すなわち、各実施の形態を適用する真空処理装置は、例えばプラズマＣＶＤ装置であり、しかもクリーニングガスであるＮＦ３  ガスを真空容器１内に供給して電極３、４間にそのプラズマを形成し、これにより生成するＦラジカルを真空容器１内、特に電極３や基板押え板６付近に付着堆積したＳｉ膜に作用させてＳｉＦ４  に変化させて真空容器１内から除去するセルフクリーニング処理を行う装置である。
【００１９】
＜第１の実施の形態＞
図１は本発明の第１の実施の形態に係る電流導入端子を示す断面図である。同図に示すように、当該電流導入端子は、絶縁セラミックス２１と導電体のロッドであるフィードスルー２２との接合部及び絶縁セラミックス２１とスリーブ２３との接合部に、ロー付部２６ａ、２６ｂを設けたもので、しかもこれらのロー付部２６ａ、２６ｂを、真空容器１の外部側で設けたものである。他の基本的な構成は、図６に示す電流導入端子と同様である。
【００２０】
すなわち、絶縁セラミックス２１とフィードスルー２２の接合部及び絶縁セラミックス２１とスリーブ２３との接合部には、両者の密着性を確保し、真空容器１の気密性を保持すべく、ロー付部２６ａ、２６ｂが形成してあるが、本形態におけるろう材ロー付部（通常Ａｇ−Ｃｕ系の使用される。）２６ａ、２６ｂは、真空容器１の外部に臨む側（大気側）に形成してある。当該電流導入端子を適用するプラズマＣＶＤ装置では、真空ポンプ８（図５参照。）で真空容器１内を連続的に真空に引いており、絶縁セラミックス２１とフィードスルー２２の接合部の隙間が不純ガス溜りとなることがなく、ここからの脱ガス量を重要視する必要はないからである。
【００２１】
なお、当該電流導入端子も、円板状の絶縁材である絶縁セラミックス２１と、この絶縁セラミックス２１の中央部を貫通する導電部材で形成したフィードスルー２２とを有しており、さらに絶縁セラミックス２１がその外周面を介して導電部材である円筒状のスリーブ２３の内周面にロー付で固着してある。スリーブ２３はその外周面を介してフランジ部材１４の中央部の孔に嵌め込んで、点付け溶接にて固着してある。その他の構成は図６に示す電流導入端子と同様であるため、同一部分には、同一番号を付し、重複す説明は省略する。
【００２２】
上述の如き本実施の形態に係る電流導入端子では、当該プラズマＣＶＤ装置のクリーニング時に真空側に形成されるＦラジカルにロー付部２６ａ、２６ｂが接触することはなく、したがってこれが蒸発することもない。この結果、当該ロー付部２６ａ、２６ｂの長寿命化を図ることができる。
【００２３】
＜第２の実施の形態＞
図２は本発明の第２の実施の形態に係る電流導入端子を示す断面図である。同図に示すように、当該電流導入端子は、図１に示す電流導入端子のロー付部２６ａ、２６ｂと同様のロー付部３６ａ、３６ｂの表面に、さらにＮｉメッキ３８ａ、３８ｂを施したものである。
【００２４】
すなわち、絶縁セラミックス３１とフィードスルー３２の接合部及び絶縁セラミックス３１とスリーブ３３の接合部にはロー付部３６ａ、３６ｂが形成してあるが、本形態におけるろう材ロー付部３６ａ、３６ｂは、真空容器１の外部に臨む側（大気側）に形成してあるばかりでなく、これらロー付部３６ａ、３６ｂの表面に、さらにＮｉメッキ３８ａ、３８ｂを施してある。この場合のメッキ厚は周囲とのガスバリヤとして機能すれば良いので、１μｍ程度で十分である。なお、図２中、図１と同一部分には同一番号を付し、重複する説明は省略する。
【００２５】
本形態に係る電流導入端子では、図１に示す電流導入端子と同様にロー付部３６ａ、３６ｂがＦラジカルに接触することはなく、これが蒸発することもないため、当該ロー付部３６ａ、３６ｂの長寿命化を図ることができる。また、ロー付部３６ａ、３６ｂには耐蝕性が高いＮｉメッキ３８ａ、３８ｂが施してあるので、さらにロー付部３６ａ、３６ｂが大気圧下で酸化等で劣化することを抑制して長寿命化を図ることができる。さらに、この場合のＮｉメッキ３８ａは、絶縁セラミックス３１とフィードスルー３２との間及び絶縁セラミックス３１とスリーブ３３との間の間隙にも入り込む。このことによっても真空側のロー付部３６ａ、３６ｂのＦラジカルに対する耐蝕性を向上させることができる。
【００２６】
＜第３の実施の形態＞
図３は本発明の第３の実施の形態に係る電流導入端子を示す断面図である。同図に示すように、当該電流導入端子は、図１に示す電流導入端子におけるロー付部２６ａ、２６ｂと同様のロー付部４６ａ、４６ｂの表面を含むフィードスルー４２の表面及びスリーブ４３の内周面に、さらにＡｕメッキ４８ａ、４８ｂを施したものである。
【００２７】
すなわち、絶縁セラミックス４１とフィードスルー４２の接合部及び絶縁セラミックス４１とスリーブ４３の接合部にはロー付部４６ａ、４６ｂが形成してあるが、本形態におけるろう材ロー付部４６ａ、４６ｂは、真空容器１の外部に臨む側（大気側）に形成してあるばかりでなく、これらロー付部４６ａ、４６ｂの表面を含むフィードスルー４２の表面及びスリーブ４３の内周面に、さらにＡｕメッキ４８ａ、４８ｂが施してある。この場合のＡｕは化学的に安定であるばかりでなく、通常フィードスルー４２よりも低抵抗である。フィードスルー４２は、絶縁セラミックス４１とのロー付による密着性を良好に確保すべく、通常Ｆｅ−Ｃｏ系の合金で形成するからである。このように、本形態においては、原理的には、フィードスルー４２よりも低抵抗の部材でメッキを施せば、特にＡｕメッキ４８ａ、４８ｂに限定する必要はない。したがって、Ａｕメッキ４８ａ、４８ｂの代わりにＡｇ、Ｃｕ、ＡＩ等のメッキでも良い。ただ、これらのメッキは、Ａｕに比べＦラジカル等に対する耐蝕性が劣る。すなわち、導電率及び耐蝕性の観点からＡｕメッキ４８ａ、４８ｂが最適である。この場合のメッキ厚は、高周波（１３．５６ＭＨｚ〜１００ＭＨｚ）の高い側の周波数を印加するに際して、その表皮効果により導通抵抗を少なくするために、少なくとも１０μｍ程度とするのが望ましい。なお、図３中、図１と同一部分には同一番号を付し、重複する説明は省略する。
【００２８】
本形態に係る電流導入端子では、図１に示す電流導入端子と同様に、真空側はロー付部４６ａ、４６ｂがＦラジカルに接触することはなく、これが蒸発することもなく、また大気側部分が酸化することもないため、当該ロー付部４６ａ、４６ｂの長寿命化を図ることができる。また、ロー付部４６ａ、４６ｂの表面を含むフィードスルー４２の表面及びスリーブ４３の内周面にはフィードスルー４２よりも低抵抗のＡｕメッキ４８ａ、４８ｂを施してあるので、この部分の抵抗を低減し得る。特に、高周波電源２（図５参照。）から供給される高周波電流の周波数が高くなると、表皮効果により電流がフィードスルー４２の表面乃至スリーブ４３の表面に集中するので、供給電流の周波数が高くなればなる程、顕著にＡｕメッキ４８ａ、４８ｂによる低抵抗化を図り得る。なお、このときＡｕメッキ４８ａ、４８ｂの範囲は、図３に示す範囲に限るものではなく、任意に選定し得る。また、フィードスルー４２部分に対するＡｕメッキ４８ａのみならずスリーブ４３の内周面に対してもＡｕメッキ４８ｂを施したのは、フィードスルー４２に接続するケーブル（図示せず。）としては、通常シールドケーブルが使用される点を考慮したものである。すなわち、当該シールドケーブルのシールド部がスリーブ４３に接続される点を考慮したものである。
【００２９】
＜第４の実施の形態＞
図４は本発明の第４の実施の形態に係る電流導入端子を示す断面図である。同図に示すように、当該電流導入端子は、図１に示す電流導入端子におけるロー付部２６ａ、２６ｂと同様のロー付部５６ａ、５６ｂの他に、真空容器１の外部でフィードスルー５２を冷却する冷却ジャケット５８を設けたものである。
【００３０】
すなわち、絶縁セラミックス５１とフィードスルー５２の接合部及び絶縁セラミックス５１とスリーブ５３の接合部にはロー付部５６ａ、５６ｂが形成してあるが、さらに冷却ジャケット５８を有する。この冷却ジャケット５８は、真空容器１の外部でフィードスルー５２の外周面に、その内周面を密着させて配設するとともに、内部に冷却媒体（冷却水）を流通させる流路５８ａを有し、且つ電気的接触を防止できる絶縁材で形成してある。この場合の冷却ジャケット５８は、フィードスルー４２の表面が通電時のジュール熱により８０°Ｃ程度の高温になる場合があるので、この程度の温度に対する耐熱性を有する絶縁材料で形成する。例えばポリイミド材及びＰＴＦＥ（商品名；テフロン）が好適である。なお、図４中、図１と同一部分には同一番号を付し、重複する説明は省略する。
【００３１】
本形態に係る電流導入端子では、図１に示す電流導入端子と同様に、ロー付部５６ａ、５６ｂがＦラジカルに接触することはなく、これが蒸発することもないため、当該ロー付部５６ａ、５６ｂの長寿命化を図ることができる。また、通電時には冷却ジャケット５８の入口５８ｂから流路５８ａに冷却水等の冷却媒体を供給し、出口５８ｃを介して流出させることができるので、この冷却媒体によりフィードスルー５２を効果的に冷却することができ、このフィードスルー５２部分のロー付のある付近の全ての領域において、常時８０°Ｃ以下に保持することができる。Ｆラジカルによる腐食は１００°Ｃ以下では殆ど発生しないので、このように冷却することにより、さらに確実にロー付部５６ａ、５６ｂの耐蝕性を向上させることができる。
【００３２】
なお、上記各実施の形態の何れか２つ乃至３つ以上を組み合わせた電流導入端子を構成することも当然可能である。そしてこの組み合わせにより、各実施の形態が有する作用・効果を重畳した作用・効果を得ることができる。
【００３３】
また、プラズマＣＶＤ装置等の真空処理装置の中には、電極に対する給電点を複数箇所に設けたものがある。給電点を複数箇所に設けることにより、発生するプラズマの均一化を図るためである。この場合、給電用のケーブルも多導体として対応している。このためフィードスルーもこの場合の導体の数に対応させて、複数個必要になる場合もある。この場合には絶縁セラミックス２１等に必要な数のフィードスルー２２等を集中的に貫通して固着し、各実施の形態と同様に構成することにより、かかる多導体仕様の電流導入端子を良好に形成することができる。この場合、各フィードスルー２２等を分散配置するよりも、当然占有面積の削減を図り、合理的な真空処理装置の構造とすることができる。
【００３４】
さらに、上記各実施の形態に係る電流導入端子はプラズマＣＶＤ装置に限らず、プラズマを発生させて所定の処理を行う真空処理装置に一般的に適用し得る。例えば、ドライエッチング装置及びスパッタリング装置にも同様に適用し得る。
【００３５】
【発明の効果】
以上実施の形態とともに具体的に説明した通り、〔請求項１〕に記載する発明は、基板に薄膜を形成するために所定の原料ガスを供給するか、又は真空容器内に付着した膜を除去するためのクリーニングガスが供給される真空容器内に配設される電極間に、前記真空容器の外部に配設された高周波電源から高周波電圧を印加することにより、前記電極間に原料ガス又はクリーニングガスのプラズマを形成して成膜又はクリーニング等の所定の処理を行う真空処理装置の電流導入端子であって、一方の面が前記真空容器内に臨むとともに他方の面が前記真空容器外に臨んでこの真空容器に固定された絶縁材と、この絶縁材の中央部を貫通して大気側から真空側に至り、前記高周波電源から前記電極に至る電路の一部となる導電体のロッドとを有するとともに、前記絶縁材とロッドとの間の間隙を除去するため両者を接合するロウ付部を、真空容器の外部に設けたので、
真空処理装置内で発生させるプラズマによるラジカルにロー付部が接触することはなく、したがってこれが蒸発することもない。
この結果、本発明によれば、前記ロー付部の長寿命化を図ることができる。
【００３６】
〔請求項２〕に記載する発明は、所定の原料ガス又はクリーニングガスが供給される真空容器内に配設される電極間に、前記真空容器の外部に配設された高周波電源から高周波電圧を印加することにより、前記電極間に原料ガス又はクリーニングガスのプラズマを形成して成膜又はクリーニング等の所定の処理を行う真空処理装置の電流導入端子であって、一方の面が前記真空容器内に臨むとともに他方の面が前記真空容器外に臨んでこの真空容器に固定された絶縁材と、この絶縁材の中央部を貫通して大気側から真空側に至り、前記高周波電源から前記電極に至る電路の一部となる導電体のロッドとを有するとともに、前記絶縁材とロッドとの間の間隙を除去するため両者を接合するロウ付部を、真空容器の外部に設け、さらにロウ付部の表面にニッケルメッキを施したので、
〔請求項１〕に記載する発明の作用・効果に加え、ロー付部には耐蝕性が高いニッケルメッキによりさらにロー付部の長寿命化を図ることができる。さらに、この場合のニッケルメッキは、絶縁材とロッドとの間の間隙にも入り込むので、このことによってもロー付部の耐蝕性を向上させることができる。
【００３７】
〔請求項３〕に記載する発明は、所定の原料ガス又はクリーニングガスが供給される真空容器内に配設される電極間に、前記真空容器の外部に配設された高周波電源から高周波電圧を印加することにより、前記電極間に原料ガス又はクリーニングガスのプラズマを形成して成膜又はクリーニング等の所定の処理を行う真空処理装置の電流導入端子であって、一方の面が前記真空容器内に臨むとともに他方の面が前記真空容器外に臨んでこの真空容器に固定された絶縁材と、この絶縁材の中央部を貫通して大気側から真空側に至り、前記高周波電源から前記電極に至る電路の一部となる導電体のロッドとを有するとともに、前記絶縁材とロッドとの間の間隙を除去するため両者を接合するロウ付部を、真空容器の外部に設け、さらにロウ付部を含む前記ロッドの表面に、このロッドを構成する材料よりも低抵抗の金属材料のメッキを施したので、
〔請求項１〕に記載する発明の作用・効果に加え、ロー付部の表面を含むロッドの表面にはロッドよりも低抵抗の金属材料のメッキを施してことにより、この部分の抵抗を低減し得る。特に、高周波電源から供給される高周波電流の周波数が高くなった場合の表皮効果による影響を除去して良好な通電を行うことができる。
【００３８】
〔請求項４〕に記載する発明は、〔請求項３〕に記載する電流導入端子において、メッキは金メッキであるので、
〔請求項３〕に記載する発明におけるロッドの低抵抗を確保した上で化学的な安定性も最も優れたものとすることができる。すなわち、〔請求項３〕に記載する発明の効果を最も顕著に発揮させることができる。
【００３９】
〔請求項５〕に記載する発明は、所定の原料ガス又はクリーニングガスが供給される真空容器内に配設される電極間に、前記真空容器の外部に配設された高周波電源から高周波電圧を印加することにより、前記電極間に原料ガス又はクリーニングガスのプラズマを形成して成膜又はクリーニング等の所定の処理を行う真空処理装置の電流導入端子であって、一方の面が前記真空容器内に臨むとともに他方の面が前記真空容器外に臨んでこの真空容器に固定された絶縁材と、この絶縁材の中央部を貫通して大気側から真空側に至り、前記高周波電源から前記電極に至る電路の一部となる導電体のロッドとを有するとともに、前記絶縁材とロッドとの間の間隙を除去するため両者を接合するロウ付部を、真空容器の外部に設け、さらに真空容器の外部でロッドの外周面に、内周面を密着させて配設するとともに内部に冷却媒体を流通させて前記ロッドを冷却する流路を有する絶縁材で形成した冷却ジャケットを設けたので、
〔請求項１〕に記載する発明の作用・効果に加え、通電時には冷却ジャケットの入口から流路に冷却水等の冷却媒体を供給し、出口を介して流出させることができる結果、この冷却媒体によりロッドを効果的に冷却することができ、このロッド部分を所定の低温に保持することができる。この結果、当該低温域では、ラジカルによる腐食が殆ど発生しないことを利用してさらに確実にロー付部の耐蝕性を向上させることができる。
【００４０】
〔請求項６〕に記載する発明は、〔請求項１〕乃至〔請求項５〕に記載する何れか一つの電流導入端子を有するので、
〔請求項１〕乃至〔請求項５〕に記載する電流導入端子の作用・効果に基づき当該部分の寿命が伸びることにより、電気的なトラブルのない当該真空処理装置の運転を長期に亘り継続することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る電流導入端子を示す断面図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態に係る電流導入端子を示す断面図である。
【図３】本発明の第３の実施の形態に係る電流導入端子を示す断面図である。
【図４】本発明の第４の実施の形態に係る電流導入端子を示す断面図である。
【図５】従来技術に係るプラズマＣＶＤ装置を概念的に示す説明図である。
【図６】図５のＡ部分である従来構造の電流導入端子を抽出して断面図である。
【符号の説明】
１        真空容器
２        高周波電源
３、４        電極
２２、３２、４２、５２        フィードスルー
２３、３３、４３、５３        スリーブ
２６ａ、３６ａ、４６ａ、５６ａ        ロー付部
２６ｂ、３６ｂ、４６ｂ、５６ｂ        ロー付部
３８ａ、３８ｂ        Ｎｉメッキ
４８ａ、４８ｂ        Ａｕメッキ
【図１】
0003572293.tif 000002
【図２】
0003572293.tif 000003
【図３】
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【図４】
0003572293.tif 000005
【図５】
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【図６】
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