(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式(Ｉ)で表される重合性化合物：
【化１】
0003563860.tif 000055
ここで、Ｘは、水素原子またはメチル基であり；ＹおよびＺは、フッ素原子であり；ｌは、０〜１４の整数であり；ｍおよびｎは、それぞれ独立して、０または１であり；Ｒは、下記式（II）、（III）または（IV）で表され；そして、ｍ＝１の場合にはｌ≧１である：
【化２】
0003563860.tif 000056
。
【請求項２】
一対の基板間に、高分子と該高分子で囲まれた液晶領域とを有する液晶層が挟持されている液晶表示素子であって、
該高分子が、請求項１のいずれかに記載の重合性化合物を少なくとも含有する重合前駆体から形成される、液晶表示素子。
【請求項３】
前記液晶領域内の液晶分子の配向状態が、軸対称状、放射状または同心円状配向、渦巻状配向、あるいはランダム配向である、請求項２に記載の液晶表示素子。
【請求項４】
前記基板上に液晶分子の配向状態を規制する絶縁膜を具備する、請求項２または３に記載の液晶表示素子。
【請求項５】
前記基板上に、前記液晶領域に対応して、一軸性の一様な液晶分子の配向状態を実現するための絶縁配向膜をさらに具備し、
該液晶領域の配向状態および該素子の全体構成が、ＴＮ、ＳＴＮ、ＥＣＢ、およびＳＳＦＬＣモードに適した配置とされる、請求項２または４に記載の液晶表示素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、重合性化合物およびそれを用いる液晶表示素子に関する。より詳細には、本発明は、高分子（または高分子壁）に囲まれた液晶層を有する液晶表示素子の高分子（または高分子壁）と液晶領域との界面において、液晶領域内の液晶分子の配向規制力を高めるための重合性化合物と、それを用いる液晶表示素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
（液晶材料と高分子材料とを用いた液晶表示素子）
（ｉ）特表昭５８−５０１６３１号公報には、高分子材料でカプセル化された液晶材料を有する高分子分散型液晶表示素子が記載されている。この液晶表示素子では、液晶材料と高分子材料との屈折率の違いを利用して、電圧無印加時には液晶分子の散乱による白濁状態を表示し、電圧印加時には液晶分子の屈折率の変化により透明状態を表示する。また、特表昭６１−５０２１２８号公報には、液晶組成物と光硬化性樹脂との混合物に紫外線を照射して、液晶材料と硬化した樹脂とを３次元的に相分離させてることにより形成した液晶層を有する液晶表示素子が記載されている。これらの素子は、基本的に、液晶層の入射光の散乱（白濁）−透過（透明）状態の変化を電気的に制御する液晶表示素子である。
【０００３】
（ｉｉ）特開平１−２６９９２２号公報には、液晶組成物と光硬化性樹脂（高分子材料）との混合物に対して、ホトマスクを介して紫外線を選択的に照射し（１段目）、さらに、ホトマスクを除いて紫外線照射（２段目）することにより、１段目の紫外線照射においてホトマスクで遮光した領域に選択的に紫外線を照射して、異なる特性の領域を形成する技術が記載されている。こうして得られる素子は基本的に散乱型素子である。
【０００４】
一方、特開平５−２５７１３５号公報には、配向規制力を有する配向膜が設けられた基板間に、液晶組成物と光硬化性樹脂との混合物を注入し、基板上に配設したホトマスクを介して紫外線を照射することにより得られる液晶層を有する液晶素子が記載されている。この素子は、ホトマスクが配置されていた内側部分と外側部分とで液晶領域の電圧印加による光学特性が異なることを利用して、ホトマスクのパターンの絵模様が液晶層に反映するように形成される。この素子は、各基板上に設けられた電極間に印加する電圧により、液晶層の光線透過率を制御するスタティック駆動用液晶素子である。従って、後述する本発明の素子のようなマトリックス駆動用液晶素子とは構成が異なる。
【０００５】
（液晶表示素子の視角特性の改善の原理）
液晶表示素子の視角特性を改善するためには、画素（液晶領域）内で少なくとも３方向以上の方向に液晶分子を配向させることが必要である。この視角特性の改善の原理を、図１５および図１６を参照して説明する。
【０００６】
図１５は、高分子壁を有さないＴＮモードの液晶表示素子の概略断面図であり、図１６は、高分子壁で囲まれた液晶領域を有する液晶表示素子の概略断面図である。図１５の液晶表示素子は、対向配設された基板１と、この基板１、１間に挟まれた液晶層１０とを有する。液晶層１０では、液晶分子は一方向に配向している。一方、図１６の液晶表示素子は、対向配設された基板１と、この基板１、１に挟まれた液晶層２０とを有し、液晶層２０は、高分子壁２１に囲まれた液晶領域２０とからなる。液晶領域２０では、液晶分子は、軸Ｘに対して軸対称状に配向している。図１５および図１６において、（ａ）は、それぞれ、液晶層１０および２０に電圧を印加していない状態を示し、（ｂ）は、それぞれ、液晶層１０および２０に電圧を印加して中間調を表示している状態を示し、（ｃ）は、それぞれ、液晶層１０および２０に飽和電圧を印加した状態を示す。
【０００７】
図１５（ｂ）からわかるように、中間調表示状態では、液晶表示素子を方向Ａから見た場合の液晶分子の屈折率と、方向Ｂから見た場合の液晶分子の屈折率とが異なる。従って、方向Ａから見た場合と、方向Ｂから見た場合とでは、コントラストが異なる。一方、図１６（ｂ）からわかるように、液晶分子が軸対称状に配向している場合は、中間調表示状態で、方向Ａから見た場合と、方向Ｂから見た場合の液晶分子の見かけ上の屈折率が平均化されて、両方向ＡおよびＢから見た場合のコントラストが等しくなる。
【０００８】
このように、図１６で示すように、液晶分子が軸対称状に配向している液晶表示素子の視角特性は、図１５で示すＴＮモードの液晶表示素子の視角特性と比べて改善されることになる。
【０００９】
（広視角モードを有する素子の具体例）
▲１▼特開平４−３３８９２３号公報および特開平４−２１２９２８号公報には、前述の高分子分散型液晶表示セルに互いに直交する偏光子を組み合わせた広視野角モードの液晶表示素子に関する技術が記載されている。
【００１０】
▲２▼特開平５−２７２４２号公報には、偏光板を用いる非散乱型液晶表示素子の視角特性を改善する方法として、液晶と光硬化性樹脂との混合物から相分離により、液晶と高分子体との複合材料を作製する方法が記載されている。この方法では、生成した高分子体の影響により液晶ドメインの配向状態がランダム状態になる。従って、電圧印加時に個々の液晶ドメインで液晶分子の立ち上がる方向が異なるために、各方向から見た液晶分子の見かけ上の屈折率が等しくなり、中間調表示状態での視角特性が改善される。
【００１１】
▲３▼特開平６−２６５９０２号公報および特開平６−３２４３３７号公報には、液晶表示セルを構成する基板の各画素毎に、同心円状または軸対称状の配向処理を施すことにより、広視野角モードの液晶表示素子を作製する技術が記載されている。これらの技術では、各画素毎に液晶分子の配向を制御することが重要であるが、そのためのプロセスが複雑であり、極めて制御性が低いことが問題である。
【００１２】
▲４▼最近、本発明者らは、特開平６−３０１０１５号公報にて、視角特性が改善された液晶表示素子を提案している。この液晶表示素子は、液晶組成物と光硬化性樹脂とを含有する液晶表示セル中に、ホトマスクを介して光照射をすることにより作製される。作製された液晶表示素子では、マスクの遮光領域に当たる画素部で液晶分子が全方向的な配向状態（軸対称状配向）となった液晶領域が形成され、マスクの透光部で主に光硬化性樹脂からなる高分子壁が形成される。この液晶表示素子では、液晶分子が全方向的な配向状態を形成しており、図１６で説明したような電圧応答挙動で動作することにより、視角特性が著しく改善されている。
【００１３】
図１７に、図１６に示した液晶表示素子の、電圧印加時の平面図を示す。図において、素子作製時にホトマスクを設けた位置を破線２３で示す。図１７からわかるように、液晶領域２０は、ほぼホトマスクの形状を反映して形成される。このように、液晶領域２０に存在する液晶分子が、軸（図１６（ａ）で示す基板面に対して垂直方向の軸Ｘ）に対して対称状に配向している場合、通常、電圧印加時の液晶領域２０外周部などにリバースチルトによるディスクリネーションライン２２が発生する。
【００１４】
▲５▼そこで、本発明者らは引き続いて、特願平６−１３２２８８号にて、上記▲４▼で説明した液晶表示素子で問題となった電圧印加時で発生するディスクリネーションを改善するために、液晶組成物と光硬化性樹脂との混合物に、液晶類似骨格を有する重合性化合物を添加することを提案している。
【００１５】
▲６▼さらに、本発明者らは上記▲５▼の発明において課題として残されていた応答速度および電圧−透過率特性の急峻性などの問題点を解決するためにパーフルオロ基などのフッ化アルキル基を導入した液晶類似骨格を有する重合性化合物を樹脂系として添加した材料組成物およびこれらの材料組成物を用いて作製した液晶素子に関する発明を特願平７−１７５２６４号において提案した。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
上記▲４▼で説明した液晶表示素子では、高分子壁と液晶領域との界面において、液晶分子のリバースティルトによるディスクリネーションが発生するという問題がある。このディスクリネーションが輝線として表示されるために黒状態での表示特性が低下する。
【００１７】
一方、このディスクリネーションの発生を抑制するために、上記▲５▼で提案したような重合性化合物を用いた液晶表示素子では、次のような２つの問題が認められている。第１に、液晶領域における液晶分子のプレティルトが大きくなり、電圧無印加時に明るさが減少するという問題がある。第２に、高分子−液晶複合層および高分子壁と液晶領域との界面に存在する相互作用などにより、液晶素子の応答速度の劣化、ならびに電圧−透過率特性の閾値特性および急峻性の劣化などの問題が認められる。
【００１８】
さらに、上記▲４▼などの液晶表示素子においては、視角特性改善に必要な画素内で全方位配向を取らせるための液晶の配向制御を行う方法と、液晶と高分子との界面で起こる散乱による脱偏光によるコントラストの低下を防ぐ方法とが問題となる。液晶と高分子との界面で起こる散乱を抑制するには、画素内に液晶と高分子との界面を少なくする方法が考えられる。しかし、従来の方法では、３次元高分子マトリクス中に生成する液晶ドロップレットのサイズ、形成位置などを制御することが極めて困難である。
【００１９】
これらの問題点を解決するために、ディスクリネーション発生の抑制だけでなく、応答速度および電圧−透過率特牲の劣化がないような重合性化合物を選択することは重要であり、あわせて、画素に少なくとも１つの液晶ドロップレットを形成することが有用である。すなわち、従来の液晶表示モードを疑似固体化した液晶表示素子を実現するためには、上述の液晶配向の制御と散乱強度の抑制という問題を両方または単独に解決する必要がある。
【００２０】
さらに、上記▲６▼で提案した液晶表示素子は、応答速度および電圧−透過率特性の急峻性などの問題点に対しては有効であるが、コントラストなどに問題を生じる場合がある。なぜなら、上記▲６▼で提案した液晶表示素子に用いられる重合性化合物は、液晶類似骨格が芳香族環のみで構成されているので、重合体（高分子）の屈折率（ｎｐ）が大きく、従って、液晶領域の液晶の常光屈折率（ｎｏ）との差が大きくなるからである。その結果、電圧無印加時の黒状態表示が良好ではなくなり、液晶表示素子のコントラストが低下する。さらに、液晶表示素子の耐熱性の観点から、上記▲６▼で提案した重合性化合物よりもガラス転移点の高い重合性化合物が望まれている。
【００２１】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記従来の課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、ディスクリネーションラインを発生させず、応答速度および電圧−透過率特性の劣化が少なく、電圧無印加時にも明るく、高いコントラストを有し、かつ耐熱性および耐圧力性に優れる液晶表示素子が得られる重合性化合物、およびそのような液晶表示素子を提供することにある。
【００２２】
本発明者らは、鋭意検討した結果、液晶類似骨格としてシクロヘキシル環を有する重合性化合物を用いることにより、ディスクリネーションラインを発生させず、応答速度および電圧−透過率特性の劣化が少なく、電圧無印加時にも明るく、高いコントラストを有し、かつ耐熱性および耐圧力性に優れる液晶表示素子が得られることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００２３】
本発明の重合性化合物は、下記式（Ｉ）で表される化合物である：
【００２４】
【化３】
0003563860.tif 000002
【００２５】
ここで、Ｘは、水素原子またはメチル基であり；ＹおよびＺは、それぞれ独立して、水素原子またはフッ素原子であり；ｌは、０〜１４の整数であり；ｍおよびｎは、それぞれ独立して、０または１であり；Ｒは、下記式（ＩＩ）、（ＩＩＩ）または（ＩＶ）で表され；そして、ｍ＝ｌの場合にはｌ≧１である：
【００２６】
【化４】
0003563860.tif 000003
【００２７】
好適な実施態様においては、上記式（Ｉ）において、ＹおよびＺはフッ素原子である。
【００２８】
好適な実施態様においては、上記式（Ｉ）において、ＹおよびＺのいずれか一方はフッ素原子である。
【００２９】
好適な実施態様においては、上記式（Ｉ）において、ＹおよびＺは水素原子である。
【００３０】
本発明の液晶表示素子は、一対の基板間に、高分子と該高分子で囲まれた液晶領域とを有する液晶層が挟持されている液晶表示素子であって、該高分子が、上記重合性化合物を少なくとも含有する重合前駆体から形成される。
【００３１】
好適な実施態様においては、上記液晶領域内の液晶分子の配向状態は、軸対称状、放射状または同心円状配向、渦巻状配向、あるいはランダム配向である。
【００３２】
好適な実施態様においては、上記液晶表示素子は、上記基板上に液晶分子の配向状態を規制する絶縁膜を具備する。
【００３３】
好適な実施態様においては、上記液晶表示素子は、上記基板上に、上記液晶領域に対応して、一軸性の一様な液晶分子の配向状態を実現するための絶縁配向膜をさらに具備し、該液晶領域の配向状態および該素子の全体構成が、ＴＮ、ＳＴＮ、ＥＣＢ、およびＳＳＦＬＣモードに適した配置とされる。
【００３４】
【発明の実施の形態】
本明細書において「高分子と該高分子で囲まれた液晶領域とを有する液晶層」とは、完全に液晶領域が高分子（重合体）により囲まれたり、覆われたりした液晶領域を有する液晶層、柱状または壁状の高分子により区切られた液晶領域を有する液晶層、または、高分子が形成する３次元網目構造によって区切られた液晶領域を有する液晶層など、液晶領域の液晶分子が高分子に接して区切られた構造を有する液晶層をいう。
【００３５】
（重合性化合物）
本発明において規定する重合性化合物は、分子中に液晶類似骨格と重合性の官能基とを有する化合物であり、液晶性類似骨格としてシクロヘキシル環を導入していることを最大の特徴としている。
【００３６】
本発明の重合性化合物は、分子中に液晶に類似した構造を有するメソーゲン基としてシクロヘキシル環が導入され、さらに分子末端に重合性官能基が結合した骨格を有する化合物群である。
【００３７】
本発明の重合性化合物の構造は特に限定されないが、好ましくは上記式（Ｉ）で表される構造を有する。この重合性化合物は、液晶に類似した構造を有するメソーゲン基としてシクロヘキシル環が導入されたコア骨格に重合基としてのエチレン性不飽和基とアルキル基などが連結基を介すかまたは介さないで結合している。
【００３８】
本発明の重合性化合物は、分子中に液晶に類似した構造を有するメソーゲン骨格を有するため、本発明の重合性化合物を含む単量体から形成された高分子では、シクロヘキシル環がメソーゲン基の一部として導入された重合体として形成される。このことにより、配向膜の配向規制力が液晶領域内の液晶分子にまでおよび得るため、液晶分子の配向状態が安定化する。さらに、液晶分子のプレティルトが発生するため、電圧印加時にディスクリネーションラインの発生が抑制される。併せて、シクロヘキシル環を導入した化合物を用いることにより、重合体（高分子）の屈折率が使用する液晶材料の常光屈折率（ｎｏ）の値と一致または近接するようになり、２枚の偏光子を直交（クロスニコル）配置した間に液晶セルを設置して評価すると、電圧印加時では液晶と高分子の界面で屈折率整合のために光線透過率が低下する。これらの要因のために電圧印加時では黒状態表示が良好となって高コントラストの表示が実現できる。さらに、シクロヘキシル環を導入した化合物は、立体効果などのために、対応する芳香族環を有する化合物よりも重合体（高分子）のガラス転移温度が高い場合が多い。そのため、液晶表示素子の耐熱性が向上し得る。
【００３９】
本発明の重合性化合物は、分子中に液晶に類似した構造を有するメソーゲン基としてシクロヘキシル環が導入される。これら、液晶に類似した構造を有する重合性化合物の効果について以下に詳細に記載する。
【００４０】
一般に、液晶材料と重合性樹脂材料との混合物から重合反応を伴う相分離により作製される液晶表示素子には、表１に示すような問題点がある。
【００４１】
【表１】
0003563860.tif 000004
【００４２】
上記問題点の原因は主に、高分子壁に対する液晶分子のアンカリング強度が強いこと、および高分子材料と液晶材料との相溶性が良好なことにある。これらの問題に対しては、フッ素化した重合性化合物を使用することが有効である。フッ素化した重合性化合物により形成された高分子部分は、フッ素化していない高分子部分と表面自由エネルギーが異なるため、高分子壁および高分子層の表面に出てくる。その結果、高分子の表面自由エネルギーが低下し高分子層と液晶分子のアンカリング強度が低減するので、液晶の配向状態が安定化し得る。あるいは、フッ素化した樹脂材料と液晶材料とは表面自由エネルギーが異なるために、高分子材料と液晶材料との相溶性が低下する。従って、本発明でも規定するようにメソーゲン基の一部ををフッ素化することも有効である。
【００４３】
さらに、本発明で規定するシクロヘキシル環を導入した液晶類似骨格を有する重合性化合物を用いることにより、重合体（高分子）の屈折率（ｎｐ）を低減させることが可能となる。このことにより、重合体（高分子）の液晶領域の液晶の常光屈折率（ｎｏ）の値と一致または近接するようになる。そのため、２枚の偏光子を直交（クロスニコル）配置した間に液晶セルを設置して評価すると、電圧印加時では液晶と高分子の界面で屈折率整合のために光線透過率が低下して黒状態表示が良好となり、高コントラストの表示が実現できる。さらに、シクロヘキシル環を導入した化合物は、立体効果などのために、対応する芳香族環を有する化合物よりも重合体（高分子）のガラス転移温度が高い場合が多い。そのため、液晶表示素子の耐熱性が向上し得る。
【００４４】
本発明の重合性化合物のメソーゲン骨格と重合活性基であるエチレン性不飽和基とは連結基を介すかまたは介さないで結合している。連結基として−（ＣＨ２）ｌ−（Ｏ）ｍ−が好ましい。ｌは、好ましくは０〜１４の整数、より好ましくは０〜１２の整数である。ｍが１の場合には、ｌは１以上であることが好ましい。ｌが１４より大きい場合には、液晶領域を包囲する高分子壁を構成する高分子表面からメソーゲン部分が突出して、液晶分子の応答速度を悪化させてしまう。さらに、ディスクリネーションライン発生を抑制する効果は、鎖長が長いほど少量で効果を発揮する傾向が認められる一方で、プレティルトが大きくなるためセルの透過率が低下する。従って、ディスクリネーションラインを制御し、かつ、プレティルトが大きくならないような添加量、化合物の種類を選択することが重要となる。
【００４５】
さらに、メソーゲン基のコア骨格の構造としては、１，４−トランスシクロヘキシル構造などの、環総数２または３のシクロヘキシル環を有する骨格を規定する。環総数がこの範囲を超えると、液晶分子と高分子層との相互作用が強くなり過ぎて液晶駆動電圧が高くなり過ぎるので、液晶分子および高分子層の応答速度が共に悪くなる。なお、環総数が３の場合には、第２環の骨格は、シクロヘキサン環、シクロヘキセン環、ベンゼン環のいずれでも構わない。
【００４６】
本発明の重合性化合物を用いて液晶領域を包囲する高分子壁を構成する高分子を得る場合、本発明の重合性化合物は、単独重合、または他の重合性単量体と共重合され得る。他の重合性単量体としては、アルキル基またはベンゼン環を有するアクリル酸、アクリル酸エステルおよびメタクリル酸エステルを含む単官能性単量体、および２官能性以上の多官能性単量体、例えば、ビスフェノールＡジアクリレート、ビスフェノールＡジメタクリレート、１，４−ブタンジオールジアクリレート、１，６−へキサンジオールジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、Ｒ−６８４（日本化薬社製）などを挙げることができる。
【００４７】
他の重合性単量体と共重合する場合には、本発明の重合性化合物は、全単量体重量の好ましくは３重量％〜６０重量％、より好ましくは３重量％〜４０重量％の割合で使用され得る。
【００４８】
（本発明の重合性化合物の合成方法）
次に、本発明で規定する重合性化合物の合成方法について具体的に説明する。以下に記載する合成経路は一例であり、これらによって本発明が限定されるものではない。
【００４９】
（合成経路１）
上記式（Ｉ）において、ｎ＝０、ｍ＝１の場合を説明する。図１に、合成経路１を模式的に示す。
【００５０】
Ｙ＝Ｚ＝Ｆ、または、Ｙ＝Ｆ、Ｚ＝Ｈの場合には、市販の化合物（１）にブチルリチウムを作用させリチウム塩とした後、市販の化合物（２）と縮合させることにより化合物（３）が得られる。Ｙ＝Ｈ、Ｚ＝Ｆ、または、Ｙ＝Ｚ＝Ｈの場合には、市販の化合物（１’）のグリニャール試薬と化合物（２）との縮合により化合物（３）が得られる。
【００５１】
化合物（３）をトルエンスルホン酸を用いて脱水反応することにより化合物（４）が得られ、化合物（４）をパラジウム触媒下、水素添加することにより化合物（５）が得られる。化合物（５）を、酸性条件下で脱保護することにより化合物（６）が得られる（Ｙ＝Ｚ＝Ｈの場合には、化合物（６）は市販されている）。
【００５２】
化合物（６）を水素化リチウムアルミニウムまたは水素化ホウ素ナトリウムで還元することにより化合物（７）が得られる。一方、市販の化合物（８）をベンジル化することにより化合物（９）が得られる。化合物（７）と化合物（９）とのエーテル化反応により化合物（１０）が得られる。化合物（１０）を、パラジウム触媒下での水素ガスによる脱ベンジル化により、化合物（１１）が得られる。化合物（１１）に、アクリル酸クロライドまたはメタクリル酸クロライドを作用させることにより、目的とする化合物（１２）が得られる。
【００５３】
（合成経路２）
上記式（Ｉ）において、ｎ＝０、ｍ＝０の場合を説明する。図２に、合成経路２を模式的に示す。
【００５４】
ｌ＝０の場合：合成経路１で得られる化合物（７）に、アクリル酸クロライドまたはメタクリル酸クロライドを作用させることにより、目的とする化合物（１３）が得られる。
【００５５】
ｌ＝１の場合：合成経路１で得られる化合物（６）に、（メトキシメチル）トリフェニルフォスフォニウムクロライドを作用させることにより、化合物（１４）が得られる。化合物（１４）を酸性条件下で加水分解し、さらに、アルカリ条件下で異性化反応を行った後、再結晶またはカラムクロマトグラフィーなどを用いてトランス体を単離することにより、化合物（１５）が得られる。化合物（１５）を水素化リチウムアルミニウムまたは水素化ホウ素ナトリウムで還元することにより、化合物（１６）が得られる。化合物（１６）に、アクリル酸クロライドまたはメタクリル酸クロライドを作用させることにより、目的とする化合物（１７）が得られる。
【００５６】
ｌ＝２の場合：化合物（１６）を、四臭化炭素または三臭化リンなどで臭素化することにより、化合物（１８）が得られる。化合物（１８）を、シアン化ナトリウムでシアノ化して化合物（１９）とした後、アルカリ条件下で加水分解すれば化合物（２０）が得られる。化合物（２０）を水素化リチウムアルミニウムで還元して化合物（２１）とした後、アクリル酸クロライドまたはメタクリル酸クロライドを作用させることにより、目的とする化合物（２２）が得られる。
【００５７】
ｌ≧３の場合：化合物（１５）と化合物（２３）または化合物（２４）とのＷｉｔｔｉｇ反応により、化合物（２５）が得られる。化合物（２５）を、パラジウム触媒下で水素添加して化合物（２６）とした後、水素化ホウ素リチウムで還元することにより、化合物（２７）が得られる。
【００５８】
あるいは、化合物（９）のヨウ素化により得られる化合物（２８）と化合物（１５）とのＷｉｔｔｉｇ反応により得られる化合物（２９）を、パラジウム触媒下で水素添加することによっても、化合物（２７）が得られる。
【００５９】
化合物（２７）に、アクリル酸クロライドまたはメタクリル酸クロライドを作用させることにより、目的とする化合物（３０）が得られる。
【００６０】
（合成経路３）
上記式（Ｉ）において、ｎ＝１、ｍ＝１、  Ｒが上記式（ＩＩ）で表される場合を説明する。図３に、合成経路３を模式的に示す。
【００６１】
市販の化合物（３１）から誘導される化合物（３２）を化合物（２）の代わりに用いること以外は、合成経路１と同様にして、化合物（１）および化合物（１’）から化合物（３４）が得られる。化合物（３４）に水素添加した後、アルカリ条件下で異性化反応を行うことにより、化合物（３５）が得られる。以下の手順は、合成経路１において化合物（５）から化合物（１２）を得るのと同様の操作を行うことにより、化合物（３５）から目的とする化合物（４０）が得られる。
【００６２】
（合成経路４）
上記式（Ｉ）において、ｎ＝１、ｍ＝０、Ｒが上記式（ＩＩ）で表される場合を説明する。図４に、合成経路４を模式的に示す。
【００６３】
ｌ＝０の場合：合成経路２において化合物（７）から化合物（１３）を得るのと同様の操作を行うことにより、化合物（３７）から目的とする化合物（４１）が得られる。
【００６４】
ｌ＝１の場合：合成経路２において化合物（６）から化合物（１７）を得るのと同様の操作を行うことにより、化合物（３６）から目的とする化合物（４５）が得られる。
【００６５】
ｌ＝２の場合：合成経路２において化合物（６）から化合物（２２）を得るのと同様の操作を行うことにより、化合物（３６）から目的とする化合物（５０）が得られる。
【００６６】
ｌ≧３の場合：合成経路２において化合物（１５）から化合物（３０）を得るのと同様の操作を行うことにより、化合物（４３）から目的とする化合物（５５）が得られる。
【００６７】
（合成経路５）
上記式（Ｉ）において、ｎ＝１、ｍ＝１、Ｒが上記式（ＩＶ）で表される場合を説明する。図５に、合成経路５を模式的に示す。
【００６８】
Ｙ＝Ｚ＝Ｆまたは、Ｙ＝Ｆ、Ｚ＝Ｈの場合には、化合物（１）をブチルリチウムを作用させリチウム塩とした後、ホウ酸トリメチルを作用させ、希硫酸で加水分解することにより化合物（５６）が得られる。Ｙ＝Ｈ、Ｚ＝Ｆ、または、Ｙ＝Ｚ＝Ｈの場合には、市販の化合物（１’）のグリニャール試薬にホウ酸トリメチルを作用させ、希硫酸で加水分解することにより化合物（５６）が得られる。
【００６９】
パラジウム触媒下、化合物（５６）と市販の化合物（５７）とをカップリング反応させることにより化合物（５８）が得られる。化合物（５８）のグリニャール試薬を調製した後、化合物（２）と縮合反応させることにより化合物（５９）が得られる。以下の手順は、合成経路１において化合物（３）から化合物（１２）を得るのと同様の操作を行うことにより、化合物（５９）から目的とする化合物（６６）が得られる。
【００７０】
（合成経路６）
上記式（Ｉ）において、ｎ＝１、ｍ＝０、Ｒが上記式（ＩＶ）で表される場合を説明する。図６に、合成経路６を模式的に示す。
【００７１】
ｌ＝０の場合：合成経路２において化合物（７）から化合物（１３）を得るのと同様の操作を行うことにより、化合物（６３）から目的とする化合物（６７）が得られる。
【００７２】
ｌ＝１の場合：合成経路２において化合物（６）から化合物（１７）を得るのと同様の操作を行うことにより、化合物（６２）から目的とする化合物（７１）が得られる。
【００７３】
ｌ＝２の場合：合成経路２において化合物（６）から化合物（２２）を得るのと同様の操作を行うことにより、化合物（６２）から目的とする化合物（７６）が得られる。
【００７４】
ｌ≧３の場合：合成経路２において化合物（１５）から化合物（３０）を得るのと同様の操作を行うことにより、化合物（６９）から目的とする化合物（８１）が得られる。
【００７５】
（合成経路７）
上記式（Ｉ）において、ｎ＝１、ｍ＝１、Ｒが上記式（ＩＩＩ）で表される場合を説明する。図７に、合成経路７を模式的に示す。
【００７６】
合成経路１において化合物（４）から化合物（７）を得るのと同様の操作を行うことにより、化合物（３４）から化合物（８３）が得られる。一方、化合物（８）に３，４−ジヒドロ−２Ｈ−ピランを作用させることにより、化合物（８４）が得られる。化合物（８３）と化合物（８４）とのエーテル化反応を行うことにより、化合物（８５）が得られる。化合物（８５）を、弱酸性下で脱保護することにより、化合物（８６）が得られる。化合物（８６）に、アクリル酸クロライドまたはメタクリル酸クロライドを作用させてエステル化反応を行うことにより、化合物（８７）が得られる。
【００７７】
（合成経路８）
上記式（Ｉ）において、ｎ＝１、ｍ＝０、Ｒが上記式（ＩＩＩ）で表される場合を説明する。図８に、合成経路８を模式的に示す。
【００７８】
ｌ＝０の場合：合成経路２において化合物（７）から化合物（１３）を得るのと同様の操作を行うことにより、化合物（８３）から目的とする化合物（８８）が得られる。
【００７９】
ｌ＝１の場合：合成経路２において化合物（６）から化合物（１７）を得るのと同様の操作を行うことにより、化合物（８２）から目的とする化合物（９２）が得られる。
【００８０】
ｌ＝２の場合：合成経路２において化合物（６）から化合物（２２）を得るのと同様の操作を行うことにより、化合物（８２）から目的とする化合物（９７）が得られる。
【００８１】
ｌ≧３の場合：化合物（８４）のグリニャール試薬（９８）と化合物（９３）とを、銅触媒下でカップリング反応させることにより、化合物（９９）が得られる。化合物（９９）を、弱酸性下で脱保護することにより、化合物（１００）が得られる。化合物（１００）に、アクリル酸クロライドまたはメタクリル酸クロライドを作用させることにより、化合物（１０１）が得られる。
【００８２】
（液晶表示素子）
本発明の液晶表示素子は、少なくとも一方が透明である一対の基板とその基板間に挟まれた高分子または高分子壁と、この高分子または高分子壁で囲まれた液晶領域とを有する液晶層を有し、この高分子または高分子壁は、重合前駆体として少なくとも１種類の本発明の重合性化合物を含む単量体から形成される。
【００８３】
本発明に用いられる液晶材料は、常温付近で液晶伏態を示す有機物混合体であれば特に制限されないが、好ましい液晶材料としてネマティック液晶（２周波駆動用液晶、△ε＜０の液晶を含む）、コレステリック液晶（特に、可視光に選択反射特性を有する液晶）、もしくはスメクティック液晶、ディスコティック液晶などを挙げることができる。これらの中では、特に、ネマティック液晶またはコレステリック液晶、あるいはカイラル剤の添加されたネマティック液晶が特性上好ましい。カイラル剤の添加されたネマティック液晶においては、ヒステリシス、均一性、ｄ△ｎ（位相差）による着色の問題などから１０μｍ以上の螺旋ピッチを有するようにカイラル剤を添加することが好ましい。さらに、加工時に光重合反応を伴うため耐化学反応性に優れた液晶が好ましい。このような液晶は、化合物中にフッ素原子などの官能基を有する液晶であり、具体的には、ＺＬＩ−４８０１−０００、ＺＬＩ−４８０１−００１、ＺＬＩ−４７９２（メルク社製）などを挙げることができる。これらの液晶材料は、単独で、または混合して用いられ得る。
【００８４】
液晶材料と少なくとも本発明の重合性化合物を含む単量体との混合比は、液晶材料と単量体との重量比（液晶材料：重合性化合物）が、６０：４０〜９７：３が好ましい。６０：４０より単量体が多くなると、液晶素子において電極に印加する電圧に対して変化する液晶領域が減少するため、コントラストが不十分である場合が多い。一方、９７：３より単量体が少なくなると、高分子壁が十分に形成できなくなり、液晶表示素子の強度（例えば、耐圧性、耐衝撃性）が不十分となり実用上問題が多い。
【００８５】
本発明の液晶表示素子は、例えば、以下の手順で作製され得る：まず、ＩＴＯ（酸化インジュウムおよび酸化スズ複合物、膜厚５０ｎｍ）を透明電極とする液晶セルを作製し、その上に所定のホトマスクを配置する。セル中に少なくとも本発明の重合性化合物を含む単量体および液晶材料の均一混合物を毛管注入し、液晶セルを作製する。その後、透明電極間に電圧を印加しながらホトマスク側から平行光線を得られる高圧水銀ランプで紫外線を照射して単量体を硬化させて、液晶領域を包囲する高分子（壁）を有する液晶セルを作製する。この液晶セルの基板の両側に、互いの光軸が所定の角度を有するように偏光板を配置して液晶表示素子を作製する。
【００８６】
本発明の重合性化合物を用いて得られる液晶素子は、（１）飽和電圧印加時に液晶分子が基板に対してほぼ直立（△ε＞０の場合）しているために、偏光板が視角特性を有しており、そして（２）液晶層がリタデーションｄ・△ｎを有しているために偏光板の偏光軸から４５°方向に視角特性が十分ではない領域が存在し得る。（２）の原因としては、軸方向から入射した光は、液晶層の屈折率楕円体を横切る際には常光もしくは異常光のみの成分しか有さないが、偏光板の偏光軸から４５°方向から光が入射した場合、液晶層の屈折率楕円体を横切る際に常光と異常光との両成分を有するために（見かけ上、互いに直交した偏光板の偏光軸が互いに開いた状態に対応している）、楕円偏光となり光の漏れが顕著になるためである。従って、液晶層のリタデーションは、なるべく小さくし、楕円偏光を生じにくくすることが好ましい。しかし、電圧印加しない時の透過率Ｔ０が、液晶層のリタデーションに影響されるため、リタデーションは３００ｎｍ〜６５０ｎｍであることが、視角特性の全方位性とセルの明るさを確保する観点から好ましい。（３００ｎｍ以下では、電圧ＯＦＦ時の明るさが確保できず暗い表示となる。）ツイスト角は、４５〜１５０°が好ましく、特に、ファーストミニマム条件を満たす９０°付近が最も明るく好ましい。
【００８７】
本発明の重合性化合物を用いて液晶表示素子を作製すると、液晶分子の配向性が良好になるが、種々の配向法を用いて液晶分子の配向を制御することも可能である。本発明で使用し得る配向法としては、液晶セルを作製するために用いられる基板にポリイミドなどの高分子材料や無機材料を塗布後、布で擦るラビング法；表面張力の低い化合物を塗布する垂直配向法；ＳｉＯ２などの斜め蒸着による斜め配向法；ラビング処理を行わない水平配向膜を用いる方法；無処理基板（基板に透明電極を設置した基板）を用いる方法などが挙げられる。
【００８８】
本発明の液晶表示素子で使用できる基板としては、透明基板、非透明基板のいずれもが使用され得る。透明基板としては、ガラス基板、高分子フィルムなどのプラスティック基板などが挙げられる。非透明基板としては、金属薄膜が形成された基板、Ｓｉ基板などが挙げられる。反射型の液晶表示素子として使用する場合には、金属薄膜が形成された基板が有効である。また、プラスティック基板としては、可視光に吸収領域を持たない材料で形成することが好ましく、例えば、ＰＥＴ、アクリル系ポリマー、ポリカーボネートなどが挙げられる。プラスティック基板を使用する場合には、基板自身に偏光能が付与され得る。さらに、これらの異種の基板を２種組み合わせた積層基板を使用することも可能であり、同種異種を問わず厚みの異なった基板を２枚組み合わせた積層基板を使用することもできる。
【００８９】
上記形成方法によって形成される液晶セルに、さらに従来のラビング、Ｓｉ  Ｏ２斜方蒸着などの液晶配向技術を適用した場合、この液晶セルを２枚の偏光板で挟むことにより、ハイコントラストで低駆動電圧、電圧−透過率特性の急峻な従来の配向制御型液晶表示モード（ＴＮ、ＳＴＮ、ＥＣＢ、強誘電性液晶）の液晶をポリマー中に疑似固体化した液晶表示素子を作製し得る。
【００９０】
本発明の液晶表示素子は、特に限定されないが、単純マトリックス駆動、ａ−ＳｉＴＦＴ、ｐ−ＳｉＴＦＴ、ＭＩＭのようなアクティブ素子を用いてアクティブ駆動法で駆動し得る。
【００９１】
以下、作用について説明する。
【００９２】
液晶材料と光硬化樹脂などの重合性樹脂材料との混合物から、基板上の配向規制力を制御した表示モードの液晶表示素子を作製する場合、通常、配向膜と液晶領域間に高分子と液晶が混在した高分子層が形成される。この高分子層は、一般に、配向膜の液晶分子に対する配向規制力を弱める傾向にある。これに対して、高分子層に本発明の重合性化合物を含む単量体から形成された高分子を含有させると、この高分子中の本発明の重合性化合物に由来する部分が液晶材料に類似した骨格を有するので、高分子層に液晶領域内の液晶分子に対して配向規制効果を及ぼす能力が出現する。その結果として、液晶の配向状態が安定化する。
【００９３】
液晶領域内の液晶分子が軸（基板面に対して垂直方向の軸）対称状に配向した液晶表示素子においては、多くの場合、電圧印加時の液晶領域外周部にリバースティルト（図１７参照）によるディスクリネーションラインが発生する。しかし、本発明の重合性化合物を用いることにより、黒表示レベルを悪化させていた電圧印加時のディスクリネーションラインの発生が抑制される。さらに、本発明の重合性化合物は、メソーゲン骨格にシクロヘキシル環が導入されているので、重合体（高分子）の屈折率（ｎｐ）を低減させることが可能となり、このことにより、重合体（高分子）の屈折率が液晶領域を形成する液晶材科の常光屈折率（ｎｏ）の値と一致または近接するようになる。その結果、２枚の偏光子を直交（クロスニコル）配置した間に液晶セルを設置した場合、電圧印加時では液晶と高分子の界面で屈折率整合のために光線透過率が低下して黒状態表示が良好となり、高コントラストの液晶表示素子が得られる。しかも、本発明の重合性化合物は、従来問題となっていた重合性化合物の添加による応答速度の劣化、電圧−透過率特性の閾値特性または急峻性の劣化などの問題に対しても有効な解決手段となり得る。以上のように、本発明の重合性化合物を用いることにより、液晶表示素子の表示特性（例えば、視野角特性、コントラスト、応答速度、閾値特性、急峻性）が、飛躍的に向上し得る。
【００９４】
本発明者らは、上述したような重合性化合物の検討と併せて、これらの重合性化合物と液晶材料とを組み合わせることにより、高分子に囲まれた液晶滴（液晶領域）の大きさを画素とほぼ同じ大きさにし、１画素に対してほぼ１つの液晶滴が規則的に配置される手法について検討した結果、以下の２つの方法が極めて有効であることを見いだした。
【００９５】
▲１▼加工時に規則的で、かつ、画素の大きさとほぼ同等の液晶滴径に近いＵＶ照度むらをもつＵＶ光を、画素の大部分に当たる領域を遮光してＵＶ光が当たらないように照射することで高分子壁に囲まれた液晶領域を有する液晶層を備えた液晶表示素子を作製する方法、および
▲２▼液晶相と等方相とに対する界面自由エネルギーの異なる材料を予め基板上にパターニングして形成しておき、この表面パターンに基づいて液晶相を配置するなどの自由エネルギーをパターン化して制御することで高分子壁に囲まれた液晶領域を有する液晶表示素子を作製する方法。
【００９６】
【実施例】
以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。実施例に記載の略記号は、下記のことを意味する。
【００９７】
ＧＣ：ガスクロマトグラフィー
ＨＰＬＣ：高速液体クロマトグラフィー
ＴＬＣ：薄層クロマトグラフィー
ＩＲ：赤外線吸収スペクトル
Ｍａｓｓ：質量スペクトル
ｂ．ｐ：沸点
ｍ．ｐ：融点
Ｙ：収率
（実施例１）
下記化５で表される重合性化合物を合成した。
【００９８】
【化５】
0003563860.tif 000005
【００９９】
以下に合成手順を示す。
【０１００】
（ａ）  下記化６で表される化合物の合成：
【０１０１】
【化６】
0003563860.tif 000006
【０１０２】
アルゴン置換した３００ｍｌフラスコに、６０％水素化ナトリウム２．４ｇおよび無水テトラヒドロフラン１００ｍｌを仕込んだ。これに、ベンジルブロマイド１１．３ｇを溶解したテトラヒドロフラン溶液１５ｍｌ、１２−ブロモドデカノール１５．９ｇを溶解したテトラヒドロフラン溶液１５ｍｌ、およびテトラブチルアンモニウムヨーダイド０．１ｇを加え、還流下で２．５時間撹拌した。反応液に水を加え、有機層をトルエンで抽出した。トルエン層を水洗し、芒硝で乾燥させた後、溶媒を留去した。残留分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：トルエン／へキサン＝１／３）により精製し、１−ブロモ−１２−ベンジルオキシドデカン  １４．０ｇ（Ｙ：６５．７％）を得た。得られた化合物の純度は、ＧＣで９８．４％であった。
【０１０３】
（ｂ）  下記化７で表される化合物の合成：
【０１０４】
【化７】
0003563860.tif 000007
【０１０５】
アルゴン置換した２００ｍｌフラスコに、１−ブロモ−１２−ベンジルオキシドデカン１２．４ｇ、ヨウ化ナトリウム６．３ｇ、およびアセトン１２５ｍｌを仕込み、還流下で５時間撹拌した。不溶物を濾別し、濾液を濃縮した後、残留分にエーテルを投入した。エーテル層を水洗し、芒硝で乾燥させた後、溶媒を留去し、残留分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：トルエン／へキサン＝１／１）により精製し、１−ヨード−１２−ベンジルオキシドデカン  １４．７ｇ（Ｙ：１００％）を得た。得られた化合物の純度は、ＧＣで９６．１％であった。
【０１０６】
（ｃ）  下記化８で表される化合物の合成：
【０１０７】
【化８】
0003563860.tif 000008
【０１０８】
アルゴン置換した５００ｍｌシュレンク管に、１，２−ジフルオロベンゼン１８．３ｇおよび無水テトラヒドロフラン１５０ｍｌを仕込み、−６０〜−７０℃で１．６Ｍブチルリチウム／ヘキサン溶液１０２ｍｌを滴下し、同じ温度で３時間撹拌した。次いで、１，４−シクロヘキサンジオン・モノエチレンケタール２５．０ｇを溶解したテトラヒドロフラン溶液  ８０ｍｌを滴下し、室温まで徐々に昇温し、一夜撹拌した。反応液に、５％希塩酸を加えて酸性とした後、有機層をトルエンで抽出した。トルエン層を水洗し、芒硝で乾燥させた後、溶媒を留去した。残留分に、ｐ−トルエンスルホン酸・一水和物１ｇおよびトルエン３００ｍｌを加え、生成する水を除去しながら９時間加熱撹拌した。反応液を水洗し、芒硝で乾燥させた後、溶媒を留去して、粗製の４−（２，３−ジフルオロフェニル）−３−シクロヘキセノンエチレンケタール  ３９．４ｇ（Ｙ：７１．８％）を得た。得られた化合物の純度は、ＧＣで７３．６％であった。
【０１０９】
（ｄ）  下記化９で表される化合物の合成：
【０１１０】
【化９】
0003563860.tif 000009
【０１１１】
５００ｍｌオートクレーブに、４−（２，３−ジフルオロフェニル）−３−シクロヘキセノンエチレンケタール３９．４ｇ、酢酸エチル  １５０ｍｌ、および１０％パラジウム触媒（Ｐｄ−Ｃ）１．０ｇを仕込み、水素圧を１０ｋｇ／ｃｍ２に設定して、室温で４３時間撹拌した。触媒を濾別後、濾液を濃縮し、残留分に１，４−ジオキサン２２５ｍｌ、水６７５ｍｌ、およびｐ−トルエンスルホン酸・一水和物１ｇを加え、還流下で２時間撹拌した。反応液をエーテルで抽出し、エーテル層を水洗し、芒硝で乾燥させた後、溶媒を留去した。残留分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：トルエン／ヘキサン＝１９／１）により精製し、さらに、減圧蒸留して４−（２，３−ジフルオロフェニル）シクロヘキサノン  １７．５ｇ（Ｙ：７２％）を得た。得られた化合物の純度は、ＧＣで９８．９％であり、ｂ．ｐは１２５〜１２８℃／０．６ｍｍＨｇであった。
【０１１２】
（ｅ）  下記化１０で表される化合物の合成：
【０１１３】
【化１０】
0003563860.tif 000010
【０１１４】
アルゴン置換した５００ｍｌフラスコに、（メトキシメチル）トリフェニルフォスフォニウムクロライド２７．４ｇ、ｔ−ブトキシカリウム９ｇ、および無水エーテル２２５ｍｌを仕込み、氷水冷下で３０分間撹拌した。これに、４−（２，３−ジフルオロフェニル）シクロヘキサノン１６．８ｇを溶解したエーテル溶液５０ｍｌを滴下し、氷水冷下で３０分、室温で８時間撹拌した。次いで、沈殿物を濾別し、濾液を水洗し芒硝で乾燥させた。溶媒を留去した後、残留分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：トルエン／ヘキサン＝１／４）により精製し、１−（２，３−ジフルオロフェニル）−４−メトキシメチレンシクロヘキサン  １７．１ｇ（Ｙ：８９．７％）を得た。得られた化合物の純度は、ＧＣで９９．２％であった。
【０１１５】
（ｆ）  下記化１１で表される化合物の合成：
【０１１６】
【化１１】
0003563860.tif 000011
【０１１７】
２００ｍｌフラスコに、１−（２，３−ジフルオロフェニル）−４−メトキシメチレンシクロヘキサン１７．１ｇ、３Ｎ塩酸１９ｍｌ、テトラヒドロフラン８０ｍｌを仕込み、還流下で３０分間撹拌した。反応液に水を加え、有機層をエーテルで抽出した。エーテル層を水洗し、芒硝で乾燥させた後、溶媒を留去した。
【０１１８】
別のフラスコに、苛性カリ１ｇおよびメタノール１７０ｍｌを仕込んだ。これに、上記残留分をメタノール８５ｍｌに溶解した溶液を、０〜３℃で滴下した。同じ温度で１時間撹拌した後、反応液に水を加え、有機層をエーテルで抽出した。エーテル層を水洗し、芒硝で乾燥させた後、溶媒を留去してトランス−４−（２，３−ジフルオロフェニル）シクロヘキサンカルバルデヒド  １４．３ｇ（Ｙ：８８．９％）を得た。得られた化合物の純度は、ＧＣで９５％であった。
【０１１９】
（ｇ）  下記化１２で表される化合物の合成：
【０１２０】
【化１２】
0003563860.tif 000012
【０１２１】
アルゴン置換した１００ｍｌフラスコに、（ｂ）で得られた１−ヨード−１２−ベンジルオキシドデカン１４．７ｇ、トリフェニルホスフィン９．２ｇ、トルエン５０ｍｌを仕込み、還流下で３０時間撹拌した。溶媒を減圧下で留去し、フラスコ内部を再度アルゴン置換し、無水テトラヒドロフラン７０ｍｌを添加した。この反応系に、氷水冷下、１．６Ｍブチルリチウム／へキサン溶液２２．４ｍｌを滴下し、室温に戻して４０分間撹拌した後、再度、氷水冷下、トランス−４−（２，３−ジフルオロフェニル）シクロヘキサンカルバルデヒド７．８５ｇを溶解したテトラヒドロフラン溶液３５ｍｌを滴下した。室温に戻して一昼夜撹拌した後、不溶物を濾別し、濾液を塩化メチレンで希釈した。塩化メチレン層を水洗し、芒硝で乾燥させた後、溶媒を留去して１−［トランス−４−｛１３−ベンジルオキシ−１−トリデセニル｝シクロヘキシル］−２，３−ジフルオロベンゼン  １１．９ｇ（Ｙ：７０．４％）を得た。得られた化合物の純度は、ＧＣ：９６％（Ｅ、Ｚ体混合物）であった。
【０１２２】
（ｈ）  下記化１３で表される化合物の合成：
【０１２３】
【化１３】
0003563860.tif 000013
【０１２４】
５００ｍｌオートクレーブに、１−［トランス−４−｛１３−ベンジルオキシ−１−トリデセニル｝シクロヘキシル］−２，３−ジフルオロベンゼン１０．９ｇ、１０％Ｐｄ−Ｃ  １ｇ、エタノール５０ｍｌ、および酢酸エチル５０ｍｌを仕込み、水素圧を８ｋｇ／ｃｍ２に設定して、室温で５日間撹拌した。触媒を濾別し、濾液を濃縮した後、残留分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：トルエン／酢酸エチル＝４／１）により精製し、アセトンより再結晶することにより１−［トランス−４−（１３−ヒドロキシトリデシル）シクロヘキシル］−２，３−ジフルオロベンゼン  ５．７ｇ（Ｙ：６４％）を得た。得られた化合物の純度は、ＧＣで９７．２％、そしてＨＰＬＣで９９．８％であった。
【０１２５】
（ｉ）  下記化１４で表される化合物の合成：
【０１２６】
【化１４】
0003563860.tif 000014
【０１２７】
５０ｍｌフラスコに、１−［トランス−４−（１３−ヒドロキントリデシル）シクロヘキシル］−２，３−ジフルオロベンゼン２．８ｇ、トリエチルアミン０．８ｇ、無水テトラヒドロフラン３５ｍｌを仕込み、氷水冷下、アクリル酸クロライド０．７ｇを滴下した。室温に戻して一時間撹拌した後、反応液に水を加え、有機層をエーテルで抽出した。エーテル層を水洗し、芒硝で乾燥させた。溶媒を留去し、残留分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ベンゼン／ヘキサン＝３／２）により精製し、エタノールより再結晶して１−［トランス−４−（１３−プロペニルオキシ）トリデシルシクロヘキシル］−２，３−ジフルオロベンゼン  １．８９ｇ（Ｙ：６０．２％）を得た。得られた化合物の純度は、ＧＣで９９．３％、ＨＰＬＣで９９．４％であり、ＴＬＣで１スポットであった。さらに、ｍ．ｐは、５１．７〜５２．７℃であった。
【０１２８】
ＩＲ測定の結果により、およびＭａｓｓ分析で４４９（ＣＩ法）に分子イオンピークが認められたことにより、ならびに用いた原料の関係から、得られた物質が上記化５で表される化合物であることを確認した。
【０１２９】
（実施例２）
下記化１５で表される重合性化合物を合成した。
【０１３０】
【化１５】
0003563860.tif 000015
【０１３１】
以下に合成手順を示す。
【０１３２】
（ａ）  下記化１６で表される化合物の合成：
【０１３３】
【化１６】
0003563860.tif 000016
【０１３４】
１２−ブロモドデカノール１５．９ｇの代わりに６−ブロモヘキサノール１０．９ｇを用いたこと、およびカラムクロマトグラフィー後に減圧蒸留を行ったこと以外は、実施例１−（ａ）と同様に操作して、１−ブロモ−６−ベンジルオキシヘキサン  ８．６ｇ（Ｙ：５２．８％）を得た。得られた化合物の純度は、ＧＣで９７．９％、ｂ．ｐは１１５〜１２７℃／０．４ｍｍＨｇであった。
【０１３５】
（ｂ）  下記化１７で表される化合物の合成：
【０１３６】
【化１７】
0003563860.tif 000017
【０１３７】
１−ブロモ−１２−ベンジルオキシドデカン１２．４ｇの代わりに１−ブロモ−６−ベンジルオキシヘキサン９．５ｇを用いたこと、および得られた粗生成物を減圧蒸留したこと以外は、実施例１−（ｂ）と同様に操作して、１−ヨード−６−ベンジルオキシヘキサン  １０．５５ｇ（Ｙ：９４．８％）を得た。得られた化合物の純度は、ＧＣで９６．９％、ｂ．ｐは１２７〜１４０℃／０．２ｍｍＨｇであった。
【０１３８】
（ｃ）  下記化１８で表される化合物の合成：
【０１３９】
【化１８】
0003563860.tif 000018
【０１４０】
１−ヨード−１２−ベンジルオキシドデカン１４．７ｇの代わりに１−ヨード−６−ベンジルオキシヘキサン  １１．１ｇを用いたこと、得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：トルエン／ヘキサン＝１／１）により精製したこと以外は、実施例１−（ｇ）と同様に操作して、１−［トランス−４−（７−ベンジルオキシ−１−ヘプテニル）シクロヘキシル］−２，３−ジフルオロベンゼン  １０．１ｇ（Ｙ：７２．４％）を得た。得られた化合物の純度は、ＧＣで９７％（Ｅ、Ｚ体混合物）であった。
【０１４１】
（ｄ）  下記化１９で表される化合物の合成：
【０１４２】
【化１９】
0003563860.tif 000019
【０１４３】
３００ｍｌオートクレーブに、１−［トランス−４−（７−ベンジルオキシ−１−ヘプテニル）シクロヘキシル］−２，３−ジフルオロベンゼン６．５ｇ、１０％Ｐｄ−Ｃ  １ｇおよびエタノール５０ｍｌを仕込み、水素圧を１０ｋｇ／ｃｍ２に設定して、室温で二日間撹拌した。触媒を濾別し、濾液を濃縮した後、残留分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：トルエン／酢酸エチル＝３／１）により精製し、さらに、ヘキサンより再結晶することにより１−［トランス−４−（７−ヒドロキシヘプチル）シクロヘキシル］−２，３−ジフルオロベンゼン  ３．５ｇ（Ｙ：６９．６％）を得た。得られた化合物の純度は、ＧＣで９８．５％であった。
【０１４４】
（ｅ）  下記化２０で表される化合物の合成：
【０１４５】
【化２０】
0003563860.tif 000020
【０１４６】
１００ｍｌフラスコに、１−［トランス−４−（７−ヒドロキシヘプチル）シクロヘキシル］−２，３−ジフルオロべンゼン  ３．５ｇ、トリエチルアミン  １．３ｇおよび無水テトラヒドロフラン４５ｍｌを仕込んだ。この反応系に、氷水冷下、アクリル酸クロライド１．１ｇを滴下し、室温に戻して１時間撹拌した。反応液にエーテルを投入し、エーテル層を水洗した後、芒硝で乾燥させ、溶媒を留去した。残留分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ベンゼン／ヘキサン＝３／７〜４／６）により精製し、さらに、へキサンより再結晶することにより１−［トランス−４−（７−プロペノイルオキシヘプチル）シクロヘキシル］−２，３−ジフルオロベンゼン  ２．２３ｇ（Ｙ：５４％）を得た。得られた化合物の純度は、ＧＣで９９．６％、ＨＰＬＣで９９．５％、そしてＴＬＣで１スポットであった。さらに、得られた化合物のｍ．ｐは、３４．０〜３５．３℃であった。
【０１４７】
ＩＲ測定の結果により、およびＭａｓｓ分析で３６４に分子イオンピークが認められたことにより、ならびに用いた原料の関係から、得られた物質が上記化１５で表される化合物であることを確認した。
【０１４８】
（実施例３）
下記化２１で表される重合性化合物を合成した。
【０１４９】
【化２１】
0003563860.tif 000021
【０１５０】
以下に合成手順を示す。
【０１５１】
（ａ）  下記化２２で表される化合物の合成：
【０１５２】
【化２２】
0003563860.tif 000022
【０１５３】
アルゴン置換した２００ｍｌフラスコに、６０％水素化ナトリウム２ｇ、ジメトキシエタン８０ｍｌを仕込んだ。この反応系に、氷水冷下、ホスフォノ酢酸トリメチル９．１ｇを滴下し、室温に戻して水素の発生がなくなるまで撹拌した。この反応液に、再度、氷水冷下、トランス−４−（２，３−ジフルオロフェニル）シクロヘキサンカルバルデヒド１１．２ｇを滴下し、室温に戻して一昼夜撹拌した。反応液に水を加え、有機層をエーテルで抽出した。エーテル層を水洗し、芒硝で乾燥させた後、溶媒を留去した。残留分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：トルエン／ヘキサン＝３／１〜トルエン）により精製して１−［トランス−４−（２−メトキシカルボニルビニル）シクロヘキシル］−２，３−ジフルオロベンゼン  １３．６ｇ（Ｙ：９７．０％）を得た。得られた化合物の純度は、ＧＣで９６％（Ｅ、Ｚ体混合物）であった。
【０１５４】
（ｂ）  下記化２３で表される化合物の合成：
【０１５５】
【化２３】
0003563860.tif 000023
【０１５６】
３００ｍｌオートクレーブに、１−［トランス−４−（２−メトキシカルボニルビニル）シクロヘキシル］−２，３−ジフルオロベンゼン１３．６ｇ、酢酸エチル６５ｍｌ、１０％  Ｐｄ−Ｃ  １ｇを仕込み、水素圧を１５ｋｇ／ｃｍ２に設定して、室温で一昼夜撹拌した。触媒を濾別し、濾液を濃縮して１−［トランス−４−（２−メトキシカルボニルエチル）シクロヘキシル−２，３−ジフルオロベンゼン  １２．１ｇ（Ｙ：８８．４％）を得た。得られた化合物の純度は、ＧＣで９９％であった。
【０１５７】
（ｃ）  下記化２４で表される化合物の合成：
【０１５８】
【化２４】
0003563860.tif 000024
【０１５９】
アルゴン置換した２００ｍｌフラスコに、水素化ホウ素リチウム１．４ｇ、無水テトラヒドロフラン５０ｍｌを仕込んだ。この反応系に、１−［トランス−４−（２−メトキシカルボニルエチル）シクロヘキシル］−２，３−ジフルオロベンゼン１２．１ｇを溶解したテトラヒドロフラン溶液２５ｍｌを室温で滴下した後、還流下で一時間撹拌した。反応液に希塩酸を加え、有機層をエーテルで抽出した。エーテル層を水洗し、芒硝で乾燥させ、溶媒を留去した。残留分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：トルエン／酢酸エチル＝３／１）により精製し、さらに、ヘキサンより再結晶することにより１−［トランス−４−（３−ヒドロキシプロピル）シクロヘキシル］−２，３−ジフルオロベンゼン  ９．３ｇ（Ｙ：８５．１％）を得た。得られた化合物の純度は、ＧＣで９９．１％、ＨＰＬＣで９９．０％であった。
【０１６０】
（ｄ）  下記化２５で表される化合物の合成：
【０１６１】
【化２５】
0003563860.tif 000025
【０１６２】
２００ｍｌフラスコに、１−［トランス−４−（３−ヒドロキシプロピル）シクロヘキシル］−２，３−ジフルオロベンゼン９．３ｇ、トリエチルアミン４．１ｇ、および無水テトラヒドロフラン１００ｍｌを仕込んだ。この反応系に、氷水冷下、アクリル酸クロライド３．６ｇを滴下し、室温に戻して一夜撹拌した。反応液に水を加え、有機層をエーテルで抽出した。エーテル層を水洗し、芒硝で乾燥させた後、溶媒を留去した。残留分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ベンゼン／へキサン＝２／３）により精製し、さらに、へキサンより再結晶することにより１−［トランス−４−（３−プロペニルオキシプロピル）シクロヘキシル］−２，３−ジフルオロベンゼン  ６ｇ（Ｙ：５３％）を得た。得られた化合物の純度は、ＧＣで９９．８％、ＨＰＬＣで１００％、ＴＬＣで１スポットであった。さらに、得られた化合物のｍ．ｐは、３５．５〜３６．９℃であった。
【０１６３】
ＩＲ測定の結果により、およびＭａｓｓ分析で３０８に分子イオンピークが認められたことにより、ならびに用いた原料の関係から、得られた物質が上記化２１で表される化合物であることを確認した。
【０１６４】
（実施例４）
下記化２６で表される重合性化合物を合成した。
【０１６５】
【化２６】
0003563860.tif 000026
【０１６６】
以下に合成手順を示す。
【０１６７】
（ａ）  下記化２７で表される化合物の合成：
【０１６８】
【化２７】
0003563860.tif 000027
【０１６９】
１，４−シクロヘキサンジオン・モノエチレンケタール２５．０ｇの代わりに４，４’−ビシクロヘキサノン・モノエチレンケタール（特開平１−１５６９３５の実施例に準じて合成）３８ｇを用いたこと、および、得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：トルエン）により精製したこと以外は、実施例１−（ｃ）と同様に操作して、４−［４−（２，３−ジフルオロフェニル）−３−シクロヘキセニル］シクロヘキサノン・エチレンケタール  ２６．５ｇ（Ｙ：４９．６％）を得た。得られた化合物の純度は、ＧＣで９３．８％であった。
【０１７０】
（ｂ）  下記化２８で表される化合物の合成：
【０１７１】
【化２８】
0003563860.tif 000028
【０１７２】
２００ｍｌオートクレーブに、４−［４−（２，３−ジフルオロフェニル）−３−シクロヘキセニル］シクロヘキサノン・エチレンケタール５．８ｇ、１０％Ｐｄ−Ｃ  ０．５ｇ、およびテトラヒドロフラン２０ｍｌを仕込み、水素圧を５ｋｇ／ｃｍ２に設定して、室温で一昼夜撹拌した。触媒を濾別し、濾液を留去した残留分に、無水ジメチルスルフォキシド２５ｍｌ、ｔ−ブトキシカリウム２．４ｇを仕込み、アルゴン雰囲気下、室温で４時間撹拌した。反応液に希塩酸を加え、有機層をエーテルで抽出した。エーテル層を水洗し、芒硝で乾燥させた後、溶媒を留去して４−［トランス−４−（２，３−ジフルオロフェニル）シクロヘキシル］シクロヘキサノン・エチレンケタール  ５．８５ｇ（Ｙ：７５．３％）を得た。得られた化合物の純度は、ＧＣで７４．９％であった。
【０１７３】
（ｃ）  下記化２９で表される化合物の合成：
【０１７４】
【化２９】
0003563860.tif 000029
【０１７５】
２００ｍｌフラスコに、４−［トランス−４−（２，３−ジフルオロフェニル）シクロヘキシル］シクロヘキサノン・エチレンケタール５．８５ｇ、ｐ−トルエンスルホン酸・一水和物０．５ｇ、ジオキサン３５ｍｌ、および水１０５ｍｌを仕込み、還流下で２時間撹拌した。反応液をエーテルで抽出し、エーテル層を水洗し、芒硝で乾燥させた後、溶媒を留去した。残留分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：トルエン／酢酸エチル＝９／１）により精製し、さらに減圧蒸留した後、ヘキサンより再結晶することにより４−［トランス−４−（２，３−ジフルオロフェニル）シクロヘキシル］シクロヘキサノン  ２．２ｇ（Ｙ：５５．８％）を得た。得られた化合物の純度は、ＧＣで９８．１％、ｂ．ｐは１６５℃／０．５ｍｍＨｇであった。
【０１７６】
（ｄ）  下記化３０で表される化合物の合成：
【０１７７】
【化３０】
0003563860.tif 000030
【０１７８】
２００ｍｌフラスコに、メタノール／テトラヒドロフラン＝１／７の混合溶媒４０ｍｌを仕込み、−２０℃に冷却し、水素化ホウ素ナトリウム０．５５ｇを加えた。４−［トランス−４−（２，３−ジフルオロフェニル）シクロヘキシル］シクロヘキサノン２．１ｇをメタノール／テトラヒドロフラン＝１／７の混合溶媒３０ｍｌに溶解させ、滴下して一夜撹拌した。反応液に５％希塩酸を加えて酸性とした後、滅圧下でメタノールを留去し、残留分を酢酸エチルで抽出した。この溶液を水洗し、芒硝で乾燥させ、溶媒を留去した後、残留分をカラムクロマトグラフィー（溶離液：ヘキサン／酢酸エチル＝７／３〜１／１）により精製し、メタノールより再結晶することによりトランス−４−［トランス−４−（２，３−ジフルオロフェニル）シクロヘキシル］シクロヘキサノール  １．４４ｇ（Ｙ：６７％）を得た。得られた化合物の純度は、ＧＣで９８．１％であった。
【０１７９】
（ｅ）  下記化３１で表される化合物の合成：
【０１８０】
【化３１】
0003563860.tif 000031
【０１８１】
１００ｍｌフラスコに、トランス−４−［トランス−４−（２，３−ジフルオロフェニル）シクロヘキシル］シクロヘキサノール１．４４ｇ、トリエチルアミン０．６１ｇ、無水テトラヒドロフラン２０ｍｌを仕込んだ。この反応系に、氷水冷下、アクリル酸クロライド０．５３ｇを滴下し、室温に戻して一夜撹拌した。反応液に水を加え、有機層をエーテルで抽出した。エーテル層を水洗し、芒硝で乾燥させた後、溶媒を留去した。残留分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ベンゼン／へキサン＝１／２）により精製し、へキサンより再結晶することによりトランス−４−［トランス−４−（２，３−ジフルオロフェニル）シクロヘキシル］シクロヘキシル  アクリレート０．９１ｇ（Ｙ：５３．３％）を得た。得られた化合物の純度は、ＧＣで９８．８％、ＨＰＬＣで９９．４％であった。さらに、この化合物の相転移温度は、以下の通りであった。
【０１８２】
【表２】
0003563860.tif 000032
【０１８３】
ＩＲ測定の結果により、およびＭａｓｓ分析で３４８に分子イオンピークが認められたことにより、ならびに用いた原料の関係から、得られた物質が上記化２６で表される化合物であることを確認した。
【０１８４】
（実施例５）
下記化３２で表される重合性化合物を合成した。
【０１８５】
【化３２】
0003563860.tif 000033
【０１８６】
以下に合成手順を示す。
【０１８７】
（ａ）  下記化３３で表される化合物の合成：
【０１８８】
【化３３】
0003563860.tif 000034
【０１８９】
３００ｍｌフラスコに、４−［４−（２，３−ジフルオロフェニル）−３−シクロへキセニル］シクロヘキサノン・エチレンケタール８ｇ、ｐ−トルエンスルホン酸０．５ｇ、ジオキサン４０ｍｌ、水１１０ｍｌを仕込み、還流下で５時間撹拌した。反応液をエーテルで抽出し、エーテル層を水洗し、芒硝で乾燥させた。次いで、溶媒を留去し、残留分をヘキサンより再結晶することにより４−［４−（２，３−ジフルオロフェニル）−３−シクロへキセニル］シクロヘキサノン  ５．６５ｇ（Ｙ：８１．４％）を得た。得られた化合物の純度は、ＧＣで９８．４％であった。
【０１９０】
（ｂ）  下記化３４で表される化合物の合成：
【０１９１】
【化３４】
0003563860.tif 000035
【０１９２】
３００ｍｌフラスコに、メタノール／テトラヒドロフラン＝１／７の混合溶媒１００ｍｌ、水素化ホウ素ナトリウム１．５ｇを仕込んだ。これに、４−［４−（２，３−ジフルオロフェニル）−３−シクロヘキセニル］シクロヘキサノン５．６５ｇをメタノール／テトラヒドロフラン＝１／７の混合溶媒８０ｍｌに溶解した溶液を、−２５℃で滴下した。室温に戻して６時問撹拌した後、反応液に希硫酸を加え、有機層を酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を水洗し、芒硝で乾煤させた後、溶媒を留去し、残留分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：トルエン／酢酸エチル＝３／１）により精製してトランス−４−［４−（２，３−ジフルオロフェニル）−３−シクロヘキセニル］シクロヘキサノール  ４．６ｇ（Ｙ：８０．７％）を得た。得られた化合物の純度は、ＧＣで９９．３％であった。
【０１９３】
（ｃ）  下記化３５で表される化合物の合成：
【０１９４】
【化３５】
0003563860.tif 000036
【０１９５】
１００ｍｌフラスコに、トランス−４−［４−（２，３−ジフルオロフェニル）−３−シクロヘキセニル］シクロヘキサノール４．６ｇ、トリエチルアミン１．７６ｇ、無水テトラヒドロフラン６０ｍｌを仕込んだ。この反応系に、氷水冷下、アクリル酸クロライド１．５７ｇを滴下し、室温に戻して一夜撹拌した。反応液に水を加え、有機層をエーテルで抽出した。エーテル層を水洗し、芒硝で乾燥させた後、溶媒を留去した。残留分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ベンゼン／ヘキサン＝２／３）により精製し、ヘキサンより再結晶することによりトランス−４−［４−（２，３−ジフルオロフェニル）−３−シクロヘキセニル］シクロヘキシル  アクリレート  ２．７４ｇ（Ｙ：５０．４％）を得た。得られた化合物の純度は、ＨＰＬＣで９９．８％、ＴＬＣで１スポットであった。さらに、この化合物の相転移温度は、以下の通りであった。
【０１９６】
【表３】
0003563860.tif 000037
【０１９７】
ＩＲ測定の結果により、およびＭａｓｓ分析で３４６に分子イオンピークが認められたことにより、ならびに用いた原料の関係から、得られた物質が上記化３２で表される化合物であることを確認した。
【０１９８】
（実施例６）
下記化３６で表される重合性化合物を合成した。
【０１９９】
【化３６】
0003563860.tif 000038
【０２００】
以下に合成手順を示す。
【０２０１】
（ａ）  下記化３７で表される化合物の合成：
【０２０２】
【化３７】
0003563860.tif 000039
【０２０３】
２００ｍｌフラスコに、４−ブロモ酪酸エチル１９．６ｇ、トリフェニルフォスフィン２４．４ｇ、トルエン７０ｍｌを仕込み、還流下で１０時間撹拌した。冷却後、生成した結晶を濾別し、トルエンで洗浄して３−エトキシカルボニルプロピルトリフェニルフォスフォニウムブロマイド  ３１．４ｇ（Ｙ：６８％）を得た。得られた化合物のｍ．ｐは、１７３〜１８０℃であった。
【０２０４】
（ｂ）  下記化３８で表される化合物の合成：
【０２０５】
【化３８】
0003563860.tif 000040
【０２０６】
３００ｍｌフラスコに、３−エトキシカルボニルプロピルトリフェニルフォスフォニウムブロマイド２５．７ｇ、トランス−４−（２，３−ジフルオロフェニル）シクロヘキサンカルバルデヒド１０．１ｇ、無水テトラヒドロフラン１５０ｍｌを仕込んだ。この反応系に、−７０〜−６０℃で、１．０Ｍソジウムビス（トリメチルシリル）アミド／テトラヒドロフラン溶液５６．３ｍｌを滴下し、６時間かけて室温に戻しながら撹拌した。反応液にエーテルを加え、エーテル溶液を水洗し、芒硝で乾燥させた後、溶媒を留去した。残留分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：トルエン／ヘキサン＝１／１）により精製して２，３−ジフルオロ−１−［トランス−４−（４−エトキシカルボニル−１−ブテニル）シクロヘキシル］ベンゼン  ９．０ｇ（Ｙ：６２％）を得た。得られた化合物の純度は、ＧＣで８９．２％（Ｅ、Ｚ体混合物）であった。
【０２０７】
（ｃ）  下記化３９で表される化合物の合成：
【０２０８】
【化３９】
0003563860.tif 000041
【０２０９】
３００ｍｌオートクレーブに、２，３−ジフルオロ−１−［トランス−４−（４−エトキシカルボニル−１−ブテニル）シクロヘキシル］ベンゼン９ｇ、１０％Ｐｄ−Ｃ  ０．５ｇ、酢酸エチル  ５０ｍｌを仕込み、水素圧を３０ｋｇ／ｃｍ２に設定して、三日間撹拌した。触媒を濾別し、濾液を濃縮後、残留分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：トルエン／ヘキサン＝１／１）により精製して２，３−ジフルオロ−１−［トランス−４−（４−エトキシカルボニルブチル）シクロヘキシル］ベンゼン  ７．７１ｇ（Ｙ：８５．１％）を得た。得られた化合物の純度は、ＧＣで８５％であった。
【０２１０】
（ｄ）  下記化４０で表される化合物の合成：
【０２１１】
【化４０】
0003563860.tif 000042
【０２１２】
２００ｍｌフラスコに、水素化ホウ素リチウム１．３ｇおよび無水テトラヒドロフラン４５ｍｌを仕込んだ。これに、２，３−ジフルオロ−１−［トランス−４−（４−エトキシカルボニルブチル）シクロヘキシル］ベンゼン７．７ｇを溶解したテトラヒドロフラン溶液３０ｍｌを滴下し、還流下で１時間撹拌した。反応液に冷希塩酸を加え、有機層をエーテルで抽出した。エーテル層を水洗し、芒硝で乾燥させた後、溶媒を留去した。残留分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：トルエン／酢酸エチル＝３／１）により精製し、ヘキサンより再結晶して２，３−ジフルオロ−１−［トランス−４−（５−ヒドロキシペンチル）シクロヘキシル］ベンゼン  ４．７７ｇ（Ｙ：７１．２％）を得た。得られた化合物の純度は、ＧＣで９８．９％、ＨＰＬＣで９８．５％であった。
【０２１３】
（ｅ）  下記化４１で表される化合物の合成：
【０２１４】
【化４１】
0003563860.tif 000043
【０２１５】
１００ｍｌフラスコに、２，３−ジフルオロ−１−［トランス−４−（５−ヒドロキシペンチル）シクロヘキシル］ベンゼン４．７７ｇ、トリエチルアミン１．９ｇ、無水テトラヒドロフラン  ６０ｍｌを仕込んだ。この反応系に、氷水冷下、アクリル酸クロライド１．７ｇを滴下し、同じ温度で４時間撹拌した。反応液に水を加え、有機層をエーテルで抽出した。エーテル層を水洗し、芒硝で乾燥させた後、溶媒を留去した。残留分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ベンゼン／へキサン＝１／１）により精製し、ヘキサンより再結晶して２，３−ジフルオロ−１−［トランス−４−（５−プロペノイルオキシペンチル）シクロヘキシル］ベンゼン  ３ｇ（Ｙ：５２．９％）を得た。得られた化合物の純度は、ＧＣで９９．８％、ＨＰＬＣで９９．２％、ＴＬＣで１スポットであった。さらに、この化合物のｍ．ｐは、２９．６〜３０．７℃であった。
【０２１６】
ＩＲ測定の結果により、およびＭａｓｓ分析で３３６に分子イオンピークが認められたことにより、ならびに用いた原料の関係から、得られた物質が上記化３６で表される化合物であることを確認した。
【０２１７】
（実施例７）
下記化４２で表される重合性化合物を合成した。
【０２１８】
【化４２】
0003563860.tif 000044
【０２１９】
以下に合成手順を示す。
【０２２０】
（ａ）  下記化４３で表される化合物の合成：
【０２２１】
【化４３】
0003563860.tif 000045
【０２２２】
２００ｍｌフラスコに、メタノール／テトラヒドロフラン＝１／７の混合溶媒１００ｍｌおよび水素化ホウ素ナトリウム１．９ｇを仕込んだ。これに、実施例１−（ｄ）で得られた４−（２，３−ジフルオロフェニル）シクロヘキサノン５．２６ｇをメタノール／テトラヒドロフラン＝１／７の混合溶媒８０ｍｌに溶解させた溶液を、−２５℃で滴下した。室温に戻して３時間撹拌した後、反応液に希塩酸を加え、有機層を酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を水洗し、芒硝で乾燥させ、溶媒を留去した後、残留分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：トルエン／酢酸エチル＝１／１）により精製して、トランス−４−（２，３−ジフルオロフェニル）シクロヘキサノール  ４．２４ｇ（Ｙ：８０％）を得た。得られた化合物の純度は、ＧＣで１００％であった。
【０２２３】
（ｂ）  下記化４４で表される化合物の合成：
【０２２４】
【化４４】
0003563860.tif 000046
【０２２５】
１００ｍｌフラスコに、トランス−４−（２，３−ジフルオロフェニル）シクロヘキサノール４．２４ｇ、トリエチルアミン２ｇ、テトラヒドロフラン６０ｍｌを仕込んだ。これに、氷水冷下、アクリル酸クロライド２．３ｇを滴下し、同じ温度で３時間撹拌した。反応液に水を加え、有機層をエーテルで抽出した。エーテル層を水洗し、芒硝で乾燥させた後、溶媒を留去した。残留分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ベンゼン／へキサン＝１／１）により精製し、ヘキサンより再結晶してトランス−４−（２，３−ジフルオロフェニル）シクロヘキシル  アクリレート  ２．８ｇ（Ｙ：５２．６％）を得た。得られた化合物の純度は、ＧＣで９９．９％、ＨＰＬＣで９９．５％であった。さらに、この化合物のｍ．ｐは、７２．９〜７３．６℃であった。
【０２２６】
ＩＲ測定の結果により、およびＭａｓｓ分析で２６６に分子イオンピークが認められたことにより、ならびに用いた原料の関係から、得られた物質が上記化４２で表される化合物であることを確認した。
【０２２７】
（実施例８）
下記化４５で表される重合性化合物を合成した。
【０２２８】
【化４５】
0003563860.tif 000047
【０２２９】
以下に合成手順を示す。
【０２３０】
（ａ）  下記化４６で表される化合物の合成：
【０２３１】
【化４６】
0003563860.tif 000048
【０２３２】
３００ｍｌフラスコに、水素化リチウムアルミニウム２ｇ、テトラヒドロフラン２０ｍｌを仕込んだ。これに、４−フェニルシクロヘキサノン２５ｇをテトラヒドロフラン２００ｍｌに溶解した溶液を室温で滴下し、還流下で一時間撹拌した。反応液に冷希塩酸を加え、有機層をエーテルで抽出した。エーテル層を水洗し、芒硝で乾燥させた後、溶媒を留去した。残留分をアセトンより再結晶してトランス−４−フェニルシクロヘキサノール  １８ｇ（Ｙ：７１．５％）を得た。得られた化合物の純度は、ＧＣで９８．４％、ｍ．ｐは１１７〜１１９℃であった。
【０２３３】
（ｂ）  下記化４７で表される化合物の合成：
【０２３４】
【化４７】
0003563860.tif 000049
【０２３５】
１００ｍｌフラスコに、トランス−４−フェニルシクロヘキサノール２．５ｇ、テトラヒドロフラン５０ｍｌ、およびトリエチルアミン１．８ｇを仕込んだ。この反応系に、氷水冷下、アクリル酸クロライド１．７ｇをベンゼン５ｍｌに溶解した溶液を滴下し、室温に戻して５時間撹拌した。反応液に水を加え、有機層をエーテルで抽出した。エーテル層を水洗し、芒硝で乾燥させた後、溶媒を留去した。残留分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ヘキサン／酢酸エチル＝１０／１）により精製し、アセトンより再結晶してトランス−４−フェニルシクロヘキシル  アクリレート  １．８ｇ（Ｙ：５５．１％）を得た。得られた化合物の純度は、ＧＣで９９．７％、ＴＬＣで１スポットであった。さらに、この化合物のｍ．ｐは６７．３℃であった。
【０２３６】
ＩＲ測定の結果により、およびＭａｓｓ分析で２３０に分子イオンピークが認められたことにより、ならびに用いた原料の関係から、得られた物質が上記化４５で表される化合物であることを確認した。
【０２３７】
（実施例９）
本発明の重合性化合物を用いた液晶表示素子を、マスクパターン露光により作製した。以下、その作製方法を説明する。
【０２３８】
まず、ＩＴＯ（酸化インジュウムおよび酸化スズの混合物、厚み５０ｎｍ）を透明電極として有する、厚さ１．１ｍｍのガラス基板２枚を対向させ、平均粒径５μｍのスペーサーを挟持させることにより、セル厚が保たれたセルを作製した。作製したセルの片面上に、図９に示すような遮光部３１および透光部３２を有するホトマスク３を配置した。この遮光部３１は、画素に対応するように設けた。
【０２３９】
次いで、このセル中に、高分子（壁）を構成するための樹脂組成物として、イソボルニルアクリレート０．６ｇ、１，４−ブタンジオールジアクリレート０．３５ｇ、ｐ−フェニルスチレン０．１５ｇ、下記表４に示す重合性化合物Ｘ０．１０ｇと、液晶組成物ＭＬＣ−６４１９（メルク社製；△ｎ＝＋０．０９７７、ｎｏ＝１．４８０２、カイラル剤Ｓ−８１１をｄ／ｐ＝０．２５となるよう添加したもの）１２．０ｇと、光重合開始剤Ｉｒｇａｃｕｒｅ６５１  ０．０４ｇとの混合物を均一に混合した後、毛管注入して液晶セルとした。
【０２４０】
【表４】
0003563860.tif 000050
【０２４１】
その後、透明電極間に±３Ｖの電圧を印加しながら、ホトマスクを介して平行光線を得られる高圧水銀ランプ下８ｍＷ／ｃｍ２のところで、８０℃で８分間照射した。（なお、この状態で、紫外線は、液晶セルに対して空間的に規則性を有したパターンとして照射されている。）
次いで、電圧はそのまま印加した状態で、１０℃／ｈｒの冷却速度で、２５℃（液晶はネマティック状態となる）まで液晶セルを徐々に冷却し、さらに３分間連続で紫外線を照射することにより樹脂組成物を硬化させた。
【０２４２】
樹脂組成物硬化後の液晶セルを偏光顕微鏡で観察したところ、図１０に示すように、ほぼホトマスクの遮光部の形状を反映した液晶領域２０が形成され、かつ、液晶分子が液晶領域２０の中央を中心軸とした軸対称状の配向状態になっていることが観察された。
【０２４３】
この液晶セルの各基板の外側に、偏光板を互いに光軸が直交するように貼り合わせて、液晶表示素子を作製した。
【０２４４】
液晶表示素子の電気光学特性の評価は、液晶特性評価システムＬＣＤ−５０００（大塚電子社製）を用いて、上記ガラス基板を２枚貼り合わせた空セルの両側に偏光板を平行ニコルに配置して作製したセルをリファレンスとして、電圧−透過率特性および液晶セルの応答速度を測定した。ここで、応答速度は、電圧１０Ｖ印加による光線透過率変化が初期透過率から９０％変化するのに要した時間を、立ち上がりの応答速度τｒ（ｍｓ）とし、印加電圧遮断による光線透過率変化が黒状態透過率から９０％変化するのに要した時間を、立ち下がりの応答速度τｄ（ｍｓ）としたとき、それらの和τｒ＋τｄ（ｍｓ）として評価した。また、駆動特性の急峻性については全透過率変化幅の１０％および９０％の透過率変化をおこす電圧Ｖ１０とＶ９０の比（Ｖ９０／Ｖ１０）の絶対値αとして評価した。
【０２４５】
電気光学特性の測定結果を、後述の実施例１０、１４〜１７、比較例１および２、ならびに参考例１および２の結果と併せて表５に示す。
【０２４６】
【表５】
0003563860.tif 000051
【０２４７】
さらに、ディスクリネーションラインについて調べたところ、ディスクリネーションラインは全く認められなかった。
【０２４８】
（実施例１０）
重合性化合物Ｘとして上記表４に示す化合物を用いたこと以外は、実施例９と同様にして液晶表示素子を作製し、電気光学特性を評価した。結果を表４に示す。さらに、ディスクリネーションラインについて調べたところ、ディスクリネーションラインは全く認められなかった。
【０２４９】
さらに、得られた液晶表示素子の電圧−透過率特性を図１１に示す。この特性は、他の実施例で得られた液晶表示素子についてもほぼ同様であった。
【０２５０】
（実施例１１）
重合性化合物Ｘとして上記表４に示す化合物を用いたこと以外は、実施例９と同様にして液晶表示素子を作製し、ディスクリネーションラインについて調べたところ、ディスクリネーションラインは全く認められなかった。
【０２５１】
（実施例１２）
重合性化合物Ｘとして上記表４に示す化合物を用いたこと以外は、実施例９と同様にして液晶表示素子を作製し、ディスクリネーションラインについて調べたところ、ディスクリネーションラインがごくわずかに認められた。しかし、得られた液晶表示素子は、全体として明るい表示であった。
【０２５２】
（実施例１３）
本発明の重合性化合物を用いた液晶表示素子を、絶縁体パターン露光により作製した。以下、その作製方法を説明する。
【０２５３】
ガラス基板（１．１ｍｍ厚）上にＩＴＯ（５０ｎｍ）を透明電極として有する第１および第２の基板を使用した。第１の基板には、所定のレジスト材料（ＯＭＲ８３：東京応化社製）を用いて、図１２で示すような絶縁性物質のパターニング膜４０を形成した。パターニング膜４０は、具体的には、レジスト材料塗布、焼成、図９のホトマスク３を用いた露光、現像、リンスおよび焼成の各工程により形成した。パターニング膜４０は、非画素部に対応するように形成した。一方、第２の基板には、ポリイミド絶縁膜ＡＬ４５５２（日本合成ゴム社製）を塗布、形成した（ラビングは未処埋）。作製した上記第１および第２の基板を対向させ、この２枚の基板間に５μｍのスペーサーを挟持させることにより、セル厚が保たれたセルを作製した。次いで、このセル中に、高分子（壁）を構成するための光重合性樹脂材料としてイソボルニルアクリレート０．５５ｇ、ネオペンチルジアクリレート０．４ｇ、ｐ−メチルスチレン０．１５ｇ、下記表６に示される重合性化合物Ｚ０．１０ｇと、液晶組成物ＭＬＣ−６４１９（メルク社製：△ｎ＝＋０．０９７７、ｎｏ＝１．４８０２、カイラル剤Ｓ−８１１をｄ／ｐ＝０．２５となるように添加したもの）１２．０ｇと、光重合開始剤Ｉｒｇａｃｕｒｅ６５１  ０．０４ｇとを混合した均一混合物を、減圧下から真空注入し、液晶セルを作製した。
【０２５４】
【表６】
0003563860.tif 000052
【０２５５】
その後、液晶セルの温度を９０℃に保って、かつ、透明電極間に実効電圧２．５Ｖ：６０Ｈｚの電圧を印加しながら、第１の基板側から高圧水銀ランプ下６ｍＷ／ｃｍ２のところで８分間紫外線を照射することにより、樹脂組成物を硬化させた。
【０２５６】
次いで、電圧を印加した状態で、液晶セルを、５時間かけて４０℃まで冷却した後、室温（２５℃）に戻してから同じ紫外線照射装置で紫外線照射をして硬化を促進させた。
【０２５７】
樹脂組成物硬化後の液晶セルを偏光顕微鏡で観察した結果を、模式的に図１３に示す。図１３から明らかなように、レジストのパターニング膜が形成された部分（すなわち、非画素部）に高分子が、ＩＴＯの領域に一区面ごとに、液晶領域２０が、モノドメイン状態で、かつ液晶分子が軸対称状に配向して形成されていた。このことは、互いに直交する２枚の偏光板を固定して得られた液晶セルを回転させたところ、液晶領域２０のシュリーレン模様（消光模様）の位置が一定で、周りの高分子壁だけが回転しているように観察されたことからわかる。
【０２５８】
この液晶セルの各基板の外側に、偏光板を互いに光軸が直交するように貼り合わせて、高分子壁に囲まれた液晶領域を有する液晶表示素子を作製した。
【０２５９】
本実施例の液晶表示素子では、本発明の重合性化合物を用いないＴＮモード液晶表示素子（後述の比較例１）で見られるような反転現象は見られず、電圧飽和時の広視角方向での透過率の増加も見られない。さらに、中間調表示状態においても、ざらつきは観察されなかった。
【０２６０】
（実施例１４）
重合性化合物Ｚとして上記表６に示す化合物を用いたこと以外は、実施例１３と同様にして液晶表示素子を作製し、電気光学特性を評価した。結果を表５に示す。
【０２６１】
本実施例の液晶表示素子では、本発明の重合性化合物を用いないＴＮモード液晶表示素子（後述の比較例１）で見られるような反転現象は見られず、電圧飽和時の広視角方向での透過率の増加も見られない。さらに、中間調表示状態においても、ざらつきは観察されなかった。
【０２６２】
（実施例１５）
重合性化合物Ｚとして上記表６に示す化合物を用いたこと以外は、実施例１３と同様にして液晶表示素子を作製し、電気光学特性を評価した。結果を表５に示す。
【０２６３】
本実施例の液晶表示素子では、本発明の重合性化合物を用いないＴＮモード液晶表示素子（後述の比較例１）で見られるような反転現象は見られず、電圧飽和時の広視角方向での透過率の増加も見られない。さらに、中間調表示状態においても、ざらつきは観察されなかった。
【０２６４】
（実施例１６）
重合性化合物Ｚとして上記表６に示す化合物を用いたこと以外は、実施例１３と同様にして液晶表示素子を作製し、電気光学特性を評価した。結果を表５に示す。
【０２６５】
本実施例の液晶表示素子では、本発明の重合性化合物を用いないＴＮモード液晶表示素子（後述の比較例１）で見られるような反転現象は見られず、電圧飽和時の広視角方向での透過率の増加も見られない。さらに、中間調表示状態においても、ざらつきは観察されなかった。
【０２６６】
（実施例１７）
重合性化合物Ｚとして上記表６に示す化合物を用いたこと以外は、実施例１３と同様にして液晶表示素子を作製し、電気光学特性を評価した。結果を表５に示す。
【０２６７】
本実施例の液晶表示素子では、本発明の重合性化合物を用いないＴＮモード液晶表示素子（後述の比較例１）で見られるような反転現象は見られず、電圧飽和時の広視角方向での透過率の増加も見られない。さらに、中間調表示状態においても、ざらつきは観察されなかった。
【０２６８】
（実施例１８）
本発明の重合性化合物を用いて、ＴＮモードの液晶表示素子を作製した。以下、その作製方法を説明する。
【０２６９】
ＩＴＯ（５０ｎｍ）を透明電極として有するガラス基板（１．１ｍｍ厚）上に、ポリイミド配向膜（ＡＬ４５５２：日本合成ゴム社製）をスピンコート法により塗布した後、ナイロン布により所定のラビング処理を行った。このような基板を２枚作製した。作製した２枚の基板を互いにラビング方向が直交するように、平均粒径５μｍのＬＣＤスペーサーを介して貼り合わせた。
【０２７０】
このようにして貼り合わされた基板に、図９に示すホトマスクを配置し、さらに基板間に、実施例９と同様の樹脂組成物と液晶材料ＺＬＩ−４７９２（メルク社製：△ｎ＝０．０９４）と光重合開始剤Ｉｒｇａｃｕｒｅ６５１とを実施例９と同様の比率で混合した混合物を、毛管注入により注入した。以下の手順は実施例９と同様にして、高分子に囲まれた液晶領域を有する液晶セルを作製した。
【０２７１】
この液晶セルに、偏光軸がラビング方向と一致するように偏光板を貼り合わせてＴＭモードの液晶表示素子を得た。
【０２７２】
本実施例で作製した液晶表示素子は、均一な配向状態を有するＴＮ配向であった。この液晶表示素子は、表示面上をペンなどで押しても表示特性に変化が認められなかった。すなわち、この液晶表示素子は、液晶領域が高分子によって囲まれているため、従来のＴＮモード液晶表示素子（後述の比較例１）に比べて、素子の耐圧力性が飛躍的に向上することが確かめられた。
【０２７３】
（実施例１９）
本発明の重合性化合物を用いて、ＳＴＮモードの液晶表示素子を作製した。以下、その作製方法を説明する。
【０２７４】
ＩＴＯ（５０ｎｍ）を透明電極として有するガラス基板（１．１ｍｍ厚）上に、ポリイミド配向膜（サンエバー：日産化学社製）をスピンコート法により塗布した後、ナイロン布により所定のラビング処理を行った。このような基板を２枚作製した。作製した２枚の基板を互いにラビング方向が２４０゜になるように、平均粒径９μｍのＬＣＤスペーサーを介して貼り合わせた。
【０２７５】
このようにして貼り合わされた基板に、図９に示すホトマスクを配置し、さらに基板間に、実施例９と同様の樹脂組成物と液晶材料ＺＬＩ−４４２７（メルク社製）と光重合開始剤Ｉｒｇａｃｕｒｅ６５１とを実施例９と同様の比率で混合した混合物を、毛管注入により注入した。以下の手順は実施例９と同様にして、高分子に囲まれた液晶領域を有する液晶セルを作製した。
【０２７６】
この液晶セルに、偏光軸がラビング方向から４５°かつ、互いに１０５°となるように偏光板を貼り合わせてＳＴＮモードの液晶表示素子を得た。
【０２７７】
本実施例で作製した液晶表示素子は、均一な配向状態を有するＳＴＮ配向であった。この液晶表示素子は、表示面上をペンなどで押しても表示特性に変化が認められなかった。すなわち、この液晶表示素子は、液晶領域が高分子によって囲まれているため、従来のＳＴＮモード液晶表示素子に比べて、素子の耐圧力性が飛躍的に向上することが確かめられた。
【０２７８】
（実施例２０）
本発明の重合性化合物を用いて、ＳＳＦＬＣモードの液晶表示素子を作製した。以下、その作製方法を説明する。
【０２７９】
ＩＴＯ（５０ｎｍ）を透明電極として有するガラス基板（１．１ｍｍ厚）上に、ポリイミド配向膜（サンエバー：日産化学社製）をスピンコート法により塗布した後、ナイロン布により所定のラビング処理を行った。このような基板を２枚作製した。作製した２枚の基板を互いにラビング方向が直交するように、平均粒径２μｍのＬＣＤスペーサーを介して貼り合わせた。
【０２８０】
このようにして貼り合わされた基板に、図９に示すホトマスクを配置し、さらに基板間に、樹脂組成物としてポリエチレングリコールジアクリレート（ＮＫエステルＡ−２００、新中村化学工業社製）０．０２ｇ、ラウリルアクリレート  ０．０９ｇ、スチレン  ０．０１ｇ、および実施例９の化合物Ｘ０．０８ｇと、液晶材料としてＺＬＩ−４００３（メルク社製）０．８０ｇと、光重合開始剤Ｉｒｇａｃｕｒｅ６５１  ０．００５ｇとの混合物を、均一に混合した後、加熱状態で減圧下から真空注入した。以下の手順は実施例９と同様にして、高分子に囲まれた液晶領域を有する液晶セルを作製した。
【０２８１】
この液晶セルに、偏光軸が互いに９０゜になるように偏光板を貼り合わせてＦＬＣモード（ＳＳＦ型の配向）の液晶表示素子を得た。
【０２８２】
本実施例で作製した液晶表示素子は、均一な配向状態を有するＳＳＦＬＣ配向であった。この液晶表示素子は、表示面上をペンなどで押しても表示特性に変化が認められなかった。さらに、通常のＦＬＣモードの液晶表示素子で認められて問題となる外カによる配向乱れについても確認されなかった。すなわち、この液晶表示素子は、液晶領域が高分子によって囲まれているため、従来のＦＬＣモード液晶表示素子に比べて、素子の耐圧力性が飛躍的に向上することが確かめられた。
【０２８３】
（比較例および参考例）
以下、本発明の実施例の効果を検証するために有効な比較例および参考例を説明する。
【０２８４】
（比較例１）
従来のＴＮモードの液晶表示素子を作製した。
【０２８５】
実施例９と同様にして、透明電極が形成された２枚の基板を貼り合わせた。この基板間に、実施例９と同様の液晶材料ＭＬＣ−６４１９（メルク社製、カイラル剤Ｓ−８１１をｄ／ｐ＝０．２５となるように添加したもの）を注入し、液晶セルを作製した。この液晶セルの各基板の外側に、偏光板を互いに光軸が直交するように貼り合わせて、従来のＴＮモードの液晶表示素子を作製した。
【０２８６】
実施例９と同様にして、得られた液晶表示素子の電気光学特性を評価した。評価結果を表５に示す。さらに、この液晶表示素子の視角特性を図１４に示す。
【０２８７】
（比較例２）
実施例９と同様にして、透明電極が形成された２枚の基板を貼り合わせ、セルを作製した。作製したセルの片面上に、図９に示すような遮光部３１および透光部３２を有するホトマスク３を配置した。この遮光部３１は、画素に対応するように設けた。このセル中に、ステアリルアクリレート  ０．６５ｇ、１，４−ブタンジオールジアクリレート  ０．２５ｇ、ｐ−フェニルスチレン  ０．１０ｇ、および液晶材料ＭＬＣ−６４１９（メルク社製、カイラル剤Ｓ−８１１をｄ／ｐ＝０．２５となるように添加したもの）１０ｇと、光重合開始剤Ｉｒｇａｃｕｒｅ６５１  ０．０３ｇとの均一な混合物を毛管注入し、液晶セルを作製した。以下の手順は実施例９と同様にして、高分子に囲まれた液晶領域を有する液晶セルを作製した。
【０２８８】
次いで、作製した液晶セルに偏光板を直交ニコルに配置して貼り合わせ、液晶表示素子を作製した。実施例９と同様にして、得られた液晶表示素子の電気光学特性を評価した。評価結果を表５に示す。
【０２８９】
本比較例の液晶表示素子では、液晶と高分子との相分離が不十分であり、液晶領域中に樹脂材料の混在が認められた。さらに、電圧印加時にディスクリネーションラインの発生が観察されて表示特性の点で満足できるものではなかった。１０Ｖ電圧印加時の透過率は２．０％であった。この値は、実施例９〜１７の液晶表示素子の値よりも大きく、ディスクリネーションラインの発生が大きな原因であると思われる。
【０２９０】
（参考例１）
樹脂組成物としてイソボルニルアクリレート０．５５ｇ、ネオペンチルジアクリレート０．４０ｇ、ｐ−メチルスチレン  ０．１５ｇ、下記表７に示す重合性化合物Ａ０．１０ｇと、液晶組成物としてＭＬＣ−６４１９（メルク社製、カイラル剤Ｓ−８１１をｄ／ｐ＝０．２５となるように添加したもの）１２ｇと。光重合開始剤Ｉｒｇａｃｕｒｅ６５１  ０．０４ｇとの均一混合物を用いたこと以外は、実施例１３と同様にして液晶表示素子を作製した。実施例９と同様にして、得られた液晶表示素子の電気光学特性を評価した。評価結果を表５に示す。
【０２９１】
【表７】
0003563860.tif 000053
【０２９２】
（参考例２）
重合性化合物Ａとして上記表７に示す化合物を用いたこと以外は、参考例１と同様にして液晶表示素子を作製した。実施例９と同様にして、得られた液晶表示素子の電気光学特性を評価した。評価結果を表５に示す。
【０２９３】
参考例１および２で作製した液晶表示素子の偏光顕微鏡観察によれば、液晶類似骨格を分子中に有する重合性化合物の添加により、電圧印加時のディスクリネーションラインの発生が抑制されていることが観察された。そのため、１０Ｖ電圧印加時の透過率は０．７％程度と比較的良好な黒状態表示となっていた。
【０２９４】
このように、参考例の液晶表示素子は比較的良好な特性を示すものの、本発明の実施例の液晶表示素子と参考例の液晶表示素子とを比較すると、本発明の液晶表示素子が、より優れた特性を有することが確認された。以下に説明する。
【０２９５】
重合性化合物の特性を、屈折率、ガラス転移温度および液晶表示素子の加熱保存試験により評価した。具体的な手順は、以下の通りである：
（ａ）屈折率測定
実施例１３、１４および１６、ならびに参考例１および２で用いた樹脂組成物からフィルムを形成した。アッベ屈折率計を用いて２０℃でフィルム屈折率を測定した。
【０２９６】
（ｂ）ガラス転移温度（Ｔｇ）の測定および液晶表示素子の加熱保存試験
引っ張りモード（テンションモジュール）の粘弾性スペクトロメータ（セイコー電子工業社製；ＤＭＳ２１０）を用いて、測定周波数１ＨｚでのＥ’（貯蔵弾性率）とＥ”（損失弾性率）との比ｔａｎδ（＝Ｅ”／Ｅ’；損失正接）の最大値を与える温度として高分子フィルムのＴｇを規定した。さらに、液晶表示素子の１００時間での加熱保存試験により配向不良が発生する下限温度を調べ、Ｔｇとの関係を考察した。これらの結果を、屈折率測定の結果と併せて以下の表８に示す。
【０２９７】
【表８】
0003563860.tif 000054
【０２９８】
表８から明らかなように、重合性化合物の重合活性（不飽和結合）基からメソーゲン骨格を形成する環骨格までの結合基部分の原子数が同等の系を比較すると、本発明のシクロヘキシル環を有する重合性化合物を含む高分子の方が高分子フィルムの屈折率（ｎｐ）の点で、液晶表示素子に用いた液晶材料の常光屈折率（ｎｏ）の値と近接する。従って、上述の実施例の結果から明らかなように、本発明の液晶表示素子は、参考例の液晶表示素子に比べて、１０Ｖ電圧印加時での黒状態表示がさらに向上している。
【０２９９】
ガラス転移温度（Ｔｇ）と、液晶表示素子の１００時間での加熱保存試験により配向不良が発生する下限温度との関係を調べると、上記結合基部分の原子数が少ないほど、Ｔｇが大きくなり、かつ、耐熱温度が高くなる傾向が認められた。さらに、結合基部分の原子数が同等の構成体（高分子）を比べると、本発明のシクロヘキシル環を有する重合性化合物を含む高分子の方が芳香族環系の重合性化合物を含む高分子よりも、Ｔｇ、耐熱性が８℃程度向上することが確認できる。
【０３００】
以上のように、本発明の重合性化合物を用いる液晶表示素子は、ディスクリネーションラインを発生させず、応答速度および電圧−透過率特性の劣化が少なく、電圧無印加時にも明るく、高いコントラストを有し、かつ耐熱性および耐圧力性に優れることが確認された。
【０３０１】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、シクロヘキシル環が導入された液晶類似構造をメソーゲン骨格として有する本発明の重合性化合物によれば、液晶−高分子複合体から構成され、液晶領域が軸対称状の配向状態をした液晶表示素子において、従来の芳香族環だけで構成した化合物に比べて重合体（高分子）の屈折率（ｎｐ）を低減させることが可能となる。このことにより、重合体（高分子）の屈折率が使用する液晶材料の常光屈折率（ｎｏ）の値と一致または近接するようになり、２枚の偏光子を直交（クロスニコル）配置した間に液晶セルを設置して評価すると、電圧印加時では液晶と高分子の界面で屈折率整合のために光線透過率が低下して黒状態表示が良好となる。さらに、本発明の重合性化合物を液晶表示素子に用いると、電圧印加時のディスクリネーションラインの発生が抑制される。従って、液晶表示素子において、高コントラストの表示が実現できる。
【０３０２】
さらに、シクロヘキシル環を導入した本発明の重合性化合物は、立体効果などのために、対応する芳香族環系化合物よりも重合体（高分子）のガラス転移温度が高くなる場合が多い。従って、本発明のシクロへキシル環系化合物を重合体に導入することは、液晶表示素子の耐熱性向上の観点からも極めて有効である。
【０３０３】
本発明の重合性化合物はまた、液晶表示素子作製時に液晶と樹脂材料との分離性を向上させて液晶材料中への樹脂材料の混入を抑制し、かつ、高分子と液晶分子との表面でのアンカリングを低下させる効果を有しており、液晶分子の配向の安定化にも有効である。
【０３０４】
さらに、これらの重合性化合物を液晶表示素子に使用することにより、従来問題となっていた応答速度の劣化、あるいは電圧−透過率特性の閾値特性または急峻性の劣化などが、大きく改善される。すなわち、本発明の重合性化合物を用いることにより、液晶表示素子の表示特性が向上する。このような液晶表示素子は、以下の特徴を有している：（１）軸対称状の配向状態をしているために、視角特性が良好で、かつ、高分子壁をセル中に有するために、耐衝撃性に優れている。特に、大画面表示体やペン入力型の液晶表示素子等に広く応用することができる。（２）基板上の配向規制カを液晶領域内に生かせる液晶表示素子において、配向状態が均一化し、かつ、ペン入力などの外圧に対して耐圧性が向上する。
【０３０５】
以上のように、本発明の液晶表示素子は、液晶分子の配向規制力を向上せしめる効果を有する重合性化合物が構成体として具備されていることにより、液晶領域内の液晶分子の軸対称様配向状態が従来よりも優れたものとなる。従って、本発明の液晶表示素子は、視角特性が改善され、表示品位の高い表示素子である。このような液晶表示素子は、広視野角特性を生かしたディスプレイ（例えば、パソコン、ワープロ、液晶テレビ、カーナビゲーション用表示パネル）などに好適に使用され得る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の重合性化合物の合成経路１を示す図である。
【図２】本発明の重合性化合物の合成経路２を示す図である。
【図３】本発明の重合性化合物の合成経路３を示す図である。
【図４】本発明の重合性化合物の合成経路４を示す図である。
【図５】本発明の重合性化合物の合成経路５を示す図である。
【図６】本発明の重合性化合物の合成経路６を示す図である。
【図７】本発明の重合性化合物の合成経路７を示す図である。
【図８】本発明の重合性化合物の合成経路８を示す図である。
【図９】本発明の実施例で使用したホトマスクの概念図である。
【図１０】本発明の液晶表示素子の液晶セルの偏光顕微鏡による観察結果を示す概略図である。
【図１１】本発明の液晶表示素子の電気光学特性および視角特性を説明するグラフおよび概略図である。
【図１２】本発明の液晶表示素子におけるパターニング膜が形成された基板の概略図である。
【図１３】本発明の液晶表示素子における液晶領域の配向状態を示す概略図である。
【図１４】比較例１のＴＮモードの液晶表示素子の電気光学特性および視角特性を説明するグラフおよび概略図である。
【図１５】従来のＴＮモードの液晶表示素子の視角によるコントラスト変化を説明する概略図である。
【図１６】従来の広視角モードの液晶表示素子の視角によるコントラスト変化を説明する概略図である。
【図１７】従来の液晶表示素子における電圧印加時のディスクリネーションラインの発生状況を説明する概略図である。
【符号の説明】
１    基板
２    液晶層
３    ホトマスク
２０  液晶領域
２１  高分子壁
２２  ディスクリネーションライン
３０  画素部（ホトマスクのパタ−ン）
３１  ホトマスクの遮光部
３２  ホトマスクの透光部
４０  レジストのパターニング膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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