(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下層配線パターンの上方に形成され、該下層配線パターンの上面に少なくとも１つ以上のビアホールが形成された樹脂絶縁層の表面を粗化する表面粗化工程と、
該表面粗化された樹脂絶縁層の上面を所定の厚さ研磨して除去する研磨工程と、
その後、該研磨された樹脂絶縁層の表面を粗化する表面粗化工程と、を含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記表面粗化工程を複数回に渉って行い、その間において少なくとも１回前記研磨工程を行うことを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記表面粗化工程が、過マンガン酸、濃硫酸、又はクロム酸により前記樹脂絶縁層の表面をエッチングすることを特徴とする請求項１又は２に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記後の又は最後の表面粗化工程の後に、前記樹脂絶縁層の上面に上層配線パターンを形成し、且つ前記ビアホール内に上・下層配線パターン間を導通するビアを形成する工程を、含むことを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の多層配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、樹脂絶縁層を介して形成される配線パターンと樹脂絶縁層を貫通し配線パターン間を導通するビアとを有する多層配線基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、配線パターン間に樹脂絶縁層を介在させた多層配線基板７０は、図６（Ａ）に示すように、コア基板７１の上面に形成した下層配線パターン７２の上方に所定厚さの感光性樹脂ペーストを塗布し乾燥させ樹脂絶縁層７４を形成する。
この樹脂絶縁層７４に対し、図６（Ｂ）に示すように、露光と現像、又はレーザ加工を行って下層配線パターン７２の上面を露出させるビアホール７６を形成した後、樹脂絶縁層７４の上面に無電解銅メッキ及び電解銅メッキと露光・現像等により上層配線パターン８２を形成する。同時に、上記ビアホール７６内には上・下層配線パターン８２，７２間を導通するビア７８が形成される。
【０００３】
ところで、上記ビアホール７６を形成する際の加工のばら付きによって、図６（Ｃ）に示すように、ビアホール７６の孔明け不足によりビア７８の底面と下層配線パターン７２の上面との間に樹脂片７５が残る場合がある。
また、図６（Ｄ）に示すように、過剰現像により略円柱状で下部が斜めに広がる形状のビアホール７６が形成されると、上記銅メッキの付き周り不良が生じ、ビア７８の底部に狭隘部８０を形成する場合がある。
これらの樹脂片７５が残ったり狭隘部８０があると、ビア７８による上・下層配線パターン８２，７２間の導通が不安定になり、立体回路が形成されない場合を生じることがある。
【０００４】
係る導通不良を防ぐため、上記ビアホール７６を形成した樹脂絶縁層７４の上面を厚さ約５μｍ程研磨・除去して平坦化した後、該樹脂絶縁層７４の表面にアルカリ・過マンガン酸カリウム等のエッチング液を接触して、樹脂絶縁層７４の表面を粗化していた。その後、この表面粗化された樹脂絶縁層７４の表面にＳｎ／Ｐｄコロイドタイプのメッキ触媒核（図示せず）を吸着させ、前記無電解銅メッキ等により上層配線パターン８２を形成していた。
この方法では、前記ビアホール７６を形成する際の加工のばら付きによるビア７８の前記不良を若干低減できるが、未だ不十分で安定性を欠いている。
【０００５】
また、前記エッチング液による樹脂絶縁層７４の表面粗化を強く行うと、該樹脂絶縁層７４の上面が過剰に粗化され、そこに形成される上層配線パターン８２と樹脂絶縁層７４との密着強度が低下するという問題もあった。
更に、レーザを強く照射してビアホール７６内に樹脂片７５が残らないようにする方法も考えられるが、レーザ照射が過剰になると前記図６（Ｄ）に示した狭隘部８０が不用意にビア７８に形成されてしまうという問題があった。
【０００６】
【発明が解決すべき課題】
本発明は、以上の従来の技術における問題点を解決し、ビア底部における樹脂残りや形状不良をなくし、ビアの形状を正確にして上・下層配線パターン間の導通を確実にすると共に、樹脂絶縁層と上層配線パターンとの密着強度を維持させた多層配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を解決するため、樹脂絶縁層に対する表面粗化を複数回行い、その間に樹脂絶縁層の上面を研磨することにより、ビアホール内の表面と樹脂絶縁層の上面との粗度を相違させることに着目して成されたものである。
即ち、本発明の多層配線基板の製造方法は、下層配線パターンの上方に形成され、該下層配線パターンの上面に少なくとも１つ以上のビアホールが形成された樹脂絶縁層の表面を粗化する表面粗化工程と、該表面粗化された樹脂絶縁層の上面を所定の厚さ研磨して除去する研磨工程と、その後、該研磨された樹脂絶縁層の表面を粗化する表面粗化工程と、を含むことを特徴とする。
【０００８】
係る方法によれば、ビアホール内の表面が適度に粗化され、下層配線パターン上の樹脂残りを無くし、形状不良のビアホールの場合でも樹脂残りを低減し、且つ該ビアホールの形状不良を緩和することができる。従って、追って形成されるビアと下層配線パターンとの導通を確保すると共に、樹脂絶縁層とその上面に追って形成される上層配線パターンとの密着強度を維持することが可能となる。
尚、上記樹脂絶縁層の表面とはその上面とビアホール内の表面の双方を含む。
また、上記表面粗化工程を複数回に渉って行い、その間において少なくとも１回上記研磨工程を行う多層配線基板の製造方法も含まれる。
この場合、表面粗化工程と研磨工程を交互に繰り返しても良いが、最後の表面粗化工程の直前に研磨工程を１回行うと、ビアホール内の表面と樹脂絶縁層の上面との粗度を、容易にそれぞれに適したレベルにすることが可能となる。
【０００９】
更に、前記表面粗化工程が、過マンガン酸、濃硫酸、又はクロム酸により前記樹脂絶縁層の表面をエッチングするものである多層配線基板の製造方法も含む。
上記には具体的には過マンガン酸カリウムやクロム酸カリウム等が含まれる。
これによれば、樹脂絶縁層の材質に応じて上記何れかのエッチング液を用い、その濃度とエッチング時間を調整することにより、ビアホール内の樹脂残り等を減らし、樹脂絶縁層の上面の粗度を適度にすることが可能となる。
【００１０】
また、研磨工程の前と後で濃度や種類の異なるエッチング液を用いて各表面粗化工程を行うこともできる。即ち、研磨工程の前に行う表面粗化工程ではビアホールの底部に残存する樹脂片を完全に除去することを主目的とするので、エッチング液の濃度を濃くしたりエッチング時間を長くすると良い。或いは、研磨工程の後の表面粗化工程に用いるエッチング液と異なる種類のものを用いても良い。
この場合、樹脂絶縁層の上面が過剰に粗化されても、その後の研磨工程により樹脂絶縁層の表層における粗化部分が除去される。従って、研磨工程の後の表面粗化工程では、上層配線パターンと樹脂絶縁層との密着強度が最適となるエッチング液を用いると良い。
【００１１】
また、本発明は前記後の又は最後の表面粗化工程の後に、前記樹脂絶縁層の上面に上層配線パターンを形成し、且つ前記ビアホール内に上・下層配線パターン間を導通するビアを形成する工程を、含む多層配線基板の製造方法も提案する。
この方法により、樹脂残りや形状不良が無いか、少ないビアを形成できるので、上・下層配線パターン間の導通を確実にし得る。また、樹脂絶縁層の上面と上層配線パターンとの密着強度を低下させず維持することもできる。
【００１２】
また、上記上層配線パターンを形成する工程を、上記樹脂絶縁層の上面に導体薄膜を形成し、該薄膜の上面にドライフィルムの樹脂パターンを形成し、この樹脂パターン間に上層配線パターンを形成した後、上記樹脂パターンと該樹脂パターンの底面に位置する導体薄膜を除去するものともできる。
更に、前記上層配線パターンを形成する工程を、前記樹脂絶縁層の上面に導体層を形成し、該導体層の上面に樹脂パターンを形成した後、エッチングすることにより上記導体層を上記樹脂パターンに倣った上層配線パターンとすることもできる。
これらによれば、樹脂絶縁層の上面に上層配線パターンをその特性等に応じて強固に形成でき、複数層の配線パターンを確実に形成することが可能になる。
【００１３】
【実施の形態】
以下において本発明の実施に好適な形態を図面と共に説明する。
図１は本多層配線基板の製造方法の概略を示す各工程の断面図に関する。
図１（Ａ）に示すように、先ずコア基板１の両面に下層配線パターン４が形成される。係る下層配線パターン４は、予めその上面に形成された図示しない感光性樹脂を露光・現像した後、エッチングすることにより所定のパターンに形成されている。また、この配線パターン４は、厚さ１８μｍの銅からなる。この場合、両面の配線パターン４同士を導通するため、コア基板１に明けた貫通孔２内に、円筒形の導通部３が配線パターン４と同時に形成される。該導通部３の内側には図示しない熱硬化性樹脂がマスク印刷により充填される。尚、上記コア基板１は厚さ０．８ｍｍのＢＴ（ビスマレイミド・トリジアン）樹脂とガラス繊維布の複合材からなる。
【００１４】
次に、図１（Ｂ）に示すように、下層配線パターン４の上方に厚さ５５μｍの感光性を有するエポキシ系の樹脂絶縁層６が全面に形成される。この樹脂絶縁層６の所定の位置に露光と現像を行い、略円錐形のビアホール７が形成される。このビアホール７の底部には、下層配線パターン４の上面が露出する。
係るビアホール７を形成する上記現像の方法によっては、前述した樹脂残りが生じたり、ビアホール７自体に形状不良が生じ得る。このため、ビアホール７を含む樹脂絶縁層６の表面に対し、複数回の表面粗化とその間における上面研磨が施される。これについては、追って図２にもとづき詳しく説明する。
【００１５】
次いで、図１（Ｃ）に示すように、ビアホール７を含む樹脂絶縁層６の表面全体に渉り、無電解銅メッキを施して厚さ１μｍの銅薄膜８を形成する。この銅薄膜８は、ビアホール７内においてこれに倣った円錐状のビアの基部９を形成する。
更に、係る銅薄膜８の上面全体に水溶性ドライフィルムの感光性樹脂を貼着して、露光と現像を行うと、図１（Ｄ）に示すように、所定のパターンのメッキレジスト（樹脂パターン）１０が形成される。
次に、係るメッキレジスト１０が形成された銅薄膜８に対し硫酸銅メッキを施すと、図１（Ｅ）に示すように、上記メッキレジスト１０で覆われていない銅薄膜８の上面に厚さ１５μｍの上層配線パターン１４が形成される。同時に、ビアホール７内の上記銅薄膜の基部９上には同様の厚さのビア１２が形成される。
【００１６】
その後、上記メッキレジスト１０をＮａＯＨ水溶液に接触させることにより剥離し、これにより露出した銅薄膜８を除去するため、上層配線パターン１４やビア１２も含めてそれらの上面をエッチングし、約２μｍの厚さ除去する。この除去後の状態を図１（Ｆ）に示す。これにより、上・下層配線パターン１４，４がビア１２によって導通された立体回路が形成される。
更に、図１（Ｇ）に示すように、前記樹脂絶縁層６の上面全体に厚さ５５μｍの樹脂絶縁層１６が形成され、該絶縁層１６の所定の位置に露光と現像を行って、略円錐形のビアホール１７が形成される。このビアホール１７を含む樹脂絶縁層１６にも、複数回の表面粗化とその間における上面研磨が施される。
【００１７】
上記樹脂絶縁層１６の上面に前記同様の図示しない銅薄膜とメッキレジストが形成され、これらに対し硫酸銅メッキを施すと、上記メッキレジストのない銅薄膜の上面に厚さ１５μｍの最上層配線パターン２０が形成され、同時にビアホール１７内には上記同様のビア１８が形成される。これにより、図１（Ｇ）のように、下層・上層・最上層配線パターン４，１４，２０とこれらを導通するビア１２，１８からなる立体回路が形成される。
そして、図１（Ｈ）に示すように、上記樹脂絶縁層１６及び最上層配線パターン２０の上面全体に感光性のエポキシ変性樹脂からなるソルダーレジスト２２を形成し、露光と現像を行って最上層配線パターン２０の上面に開口部２４を形成する。この開口部内２４に露出する最上層配線パターン２０の上面に、無電解メッキによりＮｉ（Ｎｉ−Ｐ）メッキ層及びＡｕメッキ層からなるパッド２６を形成して、多層配線基板２８を得た。
【００１８】
この多層配線基板２８は、上層・最上層配線パターン１４，２０及びビア１２，１８を形成する直前の工程において、樹脂絶縁層６，１６とビアホール７，１７の表面に２回以上の表面粗化が施されているので、ビアホール７，１７の底部に樹脂残りや形状不良が少ない。且つ、その間に樹脂絶縁層６，１６の上面に研磨が施されるので、樹脂絶縁層６，１６の上面が過剰に粗化されることもない。
従って、樹脂絶縁層６，１６と上層・最上層配線パターン１４，２０との密着強度も強固に維持されるので、３層の配線パターン４，１４，２０間をビア１２，１８により確実に導通した安定性のある立体回路を提供することができる。
尚、最上層配線パターン２０は上下方向における相対的な名称で、仮に上層配線パターン１４を下層配線パターンとした場合、その上層配線パターンとなる。
【００１９】
次に図２により本発明の特徴的な製造工程について説明する。
図２（Ａ）は、前記図１（Ｂ）のビアホール７付近の模式的な拡大端面図で、下層配線パターン４の上方に樹脂絶縁層６とビアホール７が形成された状態である。
先ず、ビアホール７を含む樹脂絶縁層６の表面にエッチング液を接触させて表面粗化する工程を行う。上記エッチング液には、アルカリ・過マンガン酸タイプのエッチング液（過マンガン酸カリウム４５ｇ／リットル、奥野製薬製  商品名ＯＰＣ−１２００エポエッチ２００ｍリットル／リットル）を用いた。
このエッチング液の温度を８０℃にして、樹脂絶縁層６の表面を４分間浸漬すると、図２（Ｂ）に示すように、樹脂絶縁層６の上面はランダムな凹凸面６ａになり、ビアホール７の表面も凹凸面７ａになる。
【００２０】
次に、係る樹脂絶縁層６の表面を中和する。中和液には奥野製薬製の商品名ＯＰＣ−１３００ニュートライザー（２００ｍリットル／リットル）を用い、液温４５℃で４分間浸漬することで樹脂絶縁層６の表面（凹凸面６ａ，７ａ）が中和される。
次いで、樹脂絶縁層６の上面を研磨する工程を行う。この研磨は、ロール状の研磨材（＃３２０、商品名ＩＨバフ・日本特殊研砥製）を用い、樹脂絶縁層６の上面を約５μｍ除去した。
その結果、図２（Ｃ）に示すように、樹脂絶縁層６の上面から上記凹凸面６ａを含む表層が除去され、平坦面６ｂが形成される。この平坦面６ｂを形成した際の樹脂絶縁層６の厚さは略５０μｍであった。
【００２１】
更に、樹脂絶縁層６の表面（６ｂ，７ａ）を再度粗化する工程を行う。これは前記と同じエッチング液を同じ条件で用いて、樹脂絶縁層６の表面を粗化する。
その結果、図２（Ｄ）に示すように、ビアホール７の表面は更に粗化された凹凸面７ｂとなると共に、樹脂絶縁層６の上面は前記と同様の凹凸面６ａとなる。
この樹脂絶縁層６の表面（６ａ，７ｂ）に対しても、前記と同じ中和液を用いて中和する。この後、前記図１（Ｃ）以下に示す各工程が行われる。
そして、上記２回の表面粗化を受けたビアホール７の底部においては、下層配線パターン４の上に樹脂片が残らず除去される。また、ビアホール７の表面は粗い凹凸面７ｂとなり、角部が緩くなるため追って無電解銅メッキ等される際、ビア１２を形成する銅メッキの付き回りが確実になる。
【００２２】
従って、ビアホール７が適度の現像により略円錐形に形成されている場合、そこに形成されるビア１２は図３（Ａ）に示すように、前記樹脂残りのない略円錐形に形成され、下・上層配線パターン４，１４間の導通を確実に行う。
また、過剰現像によってビアホール７が略円柱状で下部が斜めに広がる形状不良に形成された場合でも、表面粗化により該ビアホール７の下部の傾斜した角部分が曲面化され、銅メッキの付き回り性が向上する。このため、図３（Ｂ）に示すように底部に狭隘な部分のないビア１２′が形成でき、下・上層配線パターン４，１４間の導通を確保できる。
一方、後の表面粗化工程のみにより凹凸面６ａとされた樹脂絶縁層６の上面には、上層配線パターン１４を形成する銅メッキが上記凹凸面６ａに強固に密着する。このため、該配線パターン１４と樹脂絶縁層６との密着強度を従来同様に維持することができる。
【００２３】
ここで上記表面粗化、上面研磨、及び表面粗化の工程順に行った本発明の実施例の効果を、従来の技術による従来例、及び比較例と共に具体的に説明する。
前記表面粗化、中和、上面研磨、表面粗化、及び中和工程の順に施した実施例の多層配線基板２８を２０個用意した。各配線基板２８内には、直径１００μｍのビア１２，１８が１０００個が形成されている。
これらの配線基板２８の前記パッド２６にプローブ（図示せず）を接触させ、外部電源から電流を各基板２８内部の１０００個のビア１２，１８を含む立体回路に流し、該立体回路の抵抗値を測定して、導通しているか否か判断した。
また、上層・最上層配線パターン１４，２０の樹脂絶縁層６，１６に対する密着強度を、銅箔引き剥がし強さ（ＪＩＳ：Ｃ６４８１）にもとづくピール強度を測定して判定した。
【００２４】
一方、上記実施例について施した工程のうち上面研磨工程のみを外して、表面粗化、中和、表面粗化、及び中和を施した実施例と同様の多層配線基板２８を比較例として２０個用意した。この比較例の各配線基板２８内にも直径１００μｍのビア１２，１８が１０００個が形成されている。更に、前記従来の技術の例として、樹脂絶縁層６，１６に前記エッチング液による表面粗化と中和液による中和のみを施した同じ構造の配線基板２８を２０個用意した。
これら比較例及び従来例も、上記と同じ方法でビア１２，１８を含む立体回路の導通の有無と、上層・最上層配線パターン１４，２０の密着強度を測定した。
上記プローブによる抵抗値測定から、１０００個のビア１２，１８のうち１個でも不導通個所のある立体回路を有する配線基板２８を不良として、各例の２０個の配線基板全体における導通不良の配線基板２８の発生率を算出した。また、上層・最上配線パターン１４，２０のピール強度の測定値についても、各例のレベルを把握した。これら実施例、比較例、従来例の各測定結果を表１に示す。
【００２５】
【表１】
0003599957.tif 000002
【００２６】
表１から、実施例はビア１２，１８が不導通の配線基板２８の比率が低く、且つ上層・最上層配線パターン１４，２０のピール強度も全ての配線基板２８が一応強固な密着強度とされる１ｋｇ／ｃｍ２以上であった。この結果から、実施例では樹脂残りや形状不良の少ないビア１２等が得られ、上層配線パターン１４等の密着強度も強固に維持されたことが理解される。
一方、比較例は同様にビア１２等による導通不良の基板の発生率が低くなった反面、上層配線パターン１４等の密着強度が従来例よりも低いレベルなった。これは比較例では２つの表面粗化工程間における研磨工程を省いたため、樹脂絶縁層６，１６の上面が過度にエッチングされ、大きく脆い凹凸面６ａが形成されたことによると思われる。
更に、従来例は上層配線パターン１４等の密着強度が高い反面、ビア１２等による不良の発生率が５０％以上と高く、生産性が低くなることも確認された。
【００２７】
係る結果から、本発明による実施例では樹脂絶縁層６，１６の表面のうち、ビアホール７，１７の表面に２回の粗化を行ってビア１２，１８の底部に樹脂残りや形状不良が生じるのを防ぎ、且つ樹脂絶縁層６等の上面は中間に研磨を施して実質１回の表面粗化のみとして上層配線パターン１４等の密着強度の低下を防いだことが容易に理解される。
尚、本発明は、表面粗化、上面研磨、及び表面粗化の工程順だけでなく、表面粗化の工程を３回以上としその間において上面研磨を行う形態や、同じく表面粗化の工程を３回以上として最後の表面粗化の直前のみに上面研磨を行う形態も含まれる。要するに、ビアホール７内等の表面には複数回の表面粗化を行う一方、樹脂絶縁層６等の上面には実質的に１回のみ表面粗化を行う方法であれば良い。
【００２８】
図４は本発明による異なる形態のビアに関する。
同図（Ａ）は上下２層の樹脂絶縁層を貫通するビアを示す。先ず、前記同様のコア基板３０の上面に下層配線パターン３２が形成され、その上方に感光性エポキシからなる樹脂絶縁層３４，３６が形成される。この樹脂絶縁層３４の上面の図示しない位置には上層配線パターンが形成されている。次に、下層配線パターン３２の上面における樹脂絶縁層３４，３６には、露光と現像により緩い円錐状のビアホール３５が形成される。更に、樹脂絶縁層３６（３４）の表面、即ちその上面とビアホール３５の表面には複数回の前記表面粗化が行われ、且つその間において樹脂絶縁層３６の上面に前記研磨が行われる。そして、樹脂絶縁層３６上に無電解銅メッキ等を行い、且つ図示しない感光性樹脂層を形成した後、露光、現像、及びエッチングを行って最上層配線パターン３９が形成される。同時に、ビアホール３５内に下・最上層配線パターン３２，３９間を導通する略円錐形状のビア３８を得ることができる。
【００２９】
また、図４（Ｂ）ではコア基板４０の上面に下層配線パターン４２が形成され、その上方に上記と同様の樹脂絶縁層４４，４６が形成されている。この樹脂絶縁層４４の上面の図示しない位置には上層配線パターンが形成されている。次に、上方からレーザを樹脂絶縁層４４，４６に対し下向きに照射し、下層配線パターン４２の上面が露出する円柱状のビアホール４５を形成する。更に、樹脂絶縁層４６の上面とビアホール４５の表面に複数回の前記表面粗化を行い、且つその間で樹脂絶縁層４６の上面を研磨する。そして、無電解メッキ等を行って最上層配線パターン４９と円柱状のビア４８が形成される。
【００３０】
更に、図４（Ｃ）は異なる方法により形成されるビアに関する。先ず、コア基板５０の上面に下層配線パターン５２が形成され、その上方に樹脂絶縁層５４が形成される。この樹脂絶縁層５４に露光と現像を行い、下層配線パターン５２の上に緩い円錐形状のビアホール５５を形成する。次に、樹脂絶縁層５４の上面とビアホール５５の表面に複数回の表面粗化を行い、その間に樹脂絶縁層５４の上面を研磨して図示しない位置に上層配線パターンを形成する。この際、ビアホール５５内にはメッキレジストが形成されているので、ビアは形成されない。
次いで、樹脂絶縁層５４の上面に樹脂絶縁層５６が形成され、露光と現像により上記ビアホール５５があった位置とも重なるビアホール５７が形成される。該ビアホール５７は、現像処理を強めとすることで底部側が略垂直に形成される。
【００３１】
このビアホール５７の表面と樹脂絶縁層５６の上面に複数回の表面粗化を行い、且つその間で樹脂絶縁層５６の上面を研磨する。そして、無電解メッキ等を行って最上層配線パターン５９を形成すると共に、断面形状が２段階のテーパを有するビア５８が形成される。
これらのビア３８，４８，５８は各ビアホール３５，４５，５７に倣った断面形状になると共に、それらの底部において前記樹脂残りや狭隘な形状不良を形成することが少ない。従って、上下に離隔した下層配線パターン３２等と最上層配線パターン３９等の間を直かに導通させることが可能となる。
【００３２】
本発明は、以上において説明した各形態に限定されるものではない。
例えば、図５（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、図１と同じくコア基板１の両面に下層配線パターン４を形成し、その上方に樹脂絶縁層６を形成し且つビアホール７を形成した後、前記複数回の表面粗化とその間に研磨を施したものを用意する。
次に、図５（Ｃ）に示すように、この樹脂絶縁層６の表面全体に無電解銅メッキ等を施して数１０μｍの厚さの銅膜（導体層）６０を形成し、更に、図５（Ｄ）に示すように、上記銅膜６０の上面に感光性の樹脂からなる絶縁層６２を形成する。
次いで、係る樹脂絶縁層６２に露光と現像を行い、図５（Ｅ）に示すように、所定の樹脂パターン６３とする。そして、係る樹脂パターン６３と上記銅膜６０とをエッチング液に浸漬することにより、図５（Ｆ）に示すように、上記樹脂パターン６３によって保護された位置に上層配線パターン６４及びビア６６が形成される。同様の方法により、図示しない樹脂絶縁層や最上層配線パターン等を形成して、前記配線基板２８と同様な多層配線基板６８を形成することができる。
【００３３】
また、前記多層配線基板２８のコア基板１には、ＢＴ樹脂とガラス繊維布との複合材（ガラス−ＢＴレジン材）の他、ガラス−エポキシ材、ガラス−ＰＰＥ材や、紙−エポキシ材等の複合材、或いはエポキシ、ＢＴレジン、ポリイミド、ＰＰＥ等の樹脂を用いても良い。
更に、コア基板１を上記樹脂に限らず、セラミック製としても良い。係る剛性の高いセラミックのコア基板１を用いる場合、その両面に同数の樹脂絶縁層６，１６と下層・上層・最上層配線パターン４，１４，２０を形成せず、互いに異なる層数としたり、或いはコア基板１の片面にのみ樹脂絶縁層６等や下層・上層配線パターン４，１４等を形成しても良い。後者の場合、前記貫通孔２等を省略することができる。
更にまた、上記コア基板１は必須の要素ではなく、例えば既設の樹脂絶縁層の上面に下層配線パターン４を形成して順次前記の各工程を行って、樹脂製多層配線基板を製造しても良い。或いは、既設のセラミック層又はセラミック多層配線基板の上面に下層配線パターン４を形成して順次前記の各工程を行い、セラミックと樹脂の複合多層配線基板を製造することも可能である。
【００３４】
また、前記表面粗化に用いるエッチング液には、過マンガン酸、濃硫酸、又はクロム酸を含むものを用いることもでき、樹脂絶縁層の表面等に形成すべき凹凸面に応じて適宜調整して使用される。
更に、前記多層配線基板２８の外部との導通用端子にパッド２６を用いたが、これに替えて半田バンプ、リード、又はピン等を使用することもできる。
尚、配線パターン４等を銅で形成したが、Ｎｉ及びその合金（Ｎｉ−Ｐ，Ｎｉ−Ｂ，Ｎｉ−Ｃｕ−Ｐ）、Ｃｏ及びその合金（Ｃｏ−Ｐ，Ｃｏ−Ｂ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐ）、Ｓｎとその合金（Ｓｎ−Ｐｂ，Ｓｎ−Ｐｂ−Ｐｄ）、Ａｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｒｈ，又はＲｕ等とそれらの合金の何れかを用いることもできる。
【００３５】
【発明の効果】
以上において説明した本発明の製造方法によれば、下層配線パターンの上方に形成された樹脂絶縁層のビアホール内を含む表面に複数回の表面粗化と、その間において樹脂絶縁層の上面を研磨する工程を行うため、追って形成されるビア底部の樹脂残りやビアの形状不良を確実に低減でき、ビアにおける導通不良を減らすことができる。同時に、樹脂絶縁層の上面に追って形成される上層配線パターンの密着強度を強固な状態で維持できる。
また、請求項４の発明によれば、樹脂絶縁層の上面に形成される上層配線パターンが強固に密着されるので、前記下層配線パターン及びビアと共に所定の立体回路を確実に形成することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（Ａ）乃至（Ｈ）は本発明の多層配線基板の製造工程の概略を示す部分断面図。
【図２】（Ａ）乃至（Ｄ）は本発明方法の各工程を示す部分端面図。
【図３】（Ａ）及び（Ｂ）は本発明により得られる各ビアを示す部分断面図。
【図４】（Ａ）乃至（Ｃ）は本発明により得られる異なるビアを示す部分断面図。
【図５】（Ａ）乃至（Ｆ）は本発明の異なる製造工程の概略を示す部分断面図。
【図６】（Ａ）及び（Ｂ）は従来の配線基板の製造工程を示す部分断面図、（Ｃ）及び（Ｄ）はこれにより形成されたビアを示す部分断面図。
【符号の説明】
４，３２，４２，５２……………………………下層配線パターン
６，１６，３４，３６，４４，４６，５４，５６…樹脂絶縁層
７，１７，３５，４５，５５，５７………………ビアホール
８………………………………………………導体薄膜
１０，６３………………………………………樹脂パターン
１２，１２′，１８，３８，４８，５８，６６……ビア
１４，６４………………………………………上層配線パターン
２０，３９，４９，５９…………………最上層配線パターン（上層配線パターン）
２８，６８……………………………………多層配線基板
６０……………………………………………導体層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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