(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の上面にストッパー膜を形成する工程と、
前記ストッパー膜の断面形状が順テーパー状になるようにエッチングして前記半導体基板の一部を露出させる工程と、
前記半導体基板の露出した部分に溝を形成する工程と、
全面に絶縁膜を形成する工程と、
前記ストッパー膜の上面より上方に形成されている前記絶縁膜を除去する工程と、
前記ストッパー膜を除去する工程と、
前記絶縁膜を熱処理して、前記絶縁膜の上部の形状を順テーパー状にする工程とを具備することを特徴とする素子分離方法。
【請求項２】
半導体基板の上面に第一のストッパー膜を形成する工程と、
前記第一のストッパー膜の上面に第二のストッパー膜を形成する工程と、
前記第一のストッパー膜及び前記第二のストッパー膜の形状が順テーパー状になるようにエッチングして前記半導体基板の一部を露出させる工程と、
前記半導体基板の露出した部分に溝を形成する工程と、
全面に絶縁膜を形成する工程と、
前記第二のストッパー膜の上面より上方に形成されている前記絶縁膜を除去する工程と、
前記第二のストッパー膜を除去する工程と、
前記絶縁膜を等方性エッチングして、前記絶縁膜の上部の形状を順テーパー状にする工程とを具備することを特徴とする素子分離方法。
【請求項３】
前記第一のストッパー膜がシリコン窒化膜であり、前記第二のストッパー膜がポリシリコン膜であることを特徴とする請求項２記載の素子分離方法。
【請求項４】
半導体基板の上面に第一のストッパー膜を形成する工程と、
前記第一のストッパー膜の上面に第二のストッパー膜を形成する工程と、
前記第一のストッパー膜及び前記第二のストッパー膜の形状が順テーパー状になるようにエッチングして前記半導体基板の一部を露出させる工程と、
前記半導体基板の露出した部分に溝を形成する工程と、
全面に第一の絶縁膜を形成する工程と、
前記第二のストッパー膜の上面より上方に形成されている前記第一の絶縁膜を除去する工程と、
前記第二のストッパー膜を除去する工程と、
全面に第二の絶縁膜を形成する工程と、
前記第二の絶縁膜を前記第一の絶縁膜の側面にのみ残し、前記第一の絶縁膜と前記第二の絶縁膜を合わせた形状が順テーパー状になるように前記第二の絶縁膜をエッチングする工程とを具備することを特徴とする素子分離方法。
【請求項５】
半導体基板の上面に第一の絶縁膜を形成する工程と、
前記第一の絶縁膜の上面に第一の導電膜を形成する工程と、
前記第一の導電膜の上面にストッパー膜を形成する工程と、
前記ストッパー膜及び前記第一の導電膜並びに前記第一の絶縁膜の形状が順テーパー状になるようにエッチングして前記半導体基板の一部を露出させる工程と、
前記半導体基板の露出した部分に溝を形成する工程と、
全面に第二の絶縁膜を形成する工程と、
前記ストッパー膜の上面より上方に形成されている前記第二の絶縁膜を除去する工程と、
前記ストッパー膜を除去する工程と、
前記第二の絶縁膜を等方性エッチングして、前記第二の絶縁膜の形状を順テーパー状にする工程と、
全面に第二の導電膜を形成する工程と、
前記第二の導電膜を所定の形状にエッチングする工程とを具備することを特徴とする素子分離方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本願発明は、半導体素子の製造方法に係わり、特に素子の分離方法である埋め込み素子分離方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年の半導体素子の高集積化と半導体素子表面の平坦化の要求に伴い、従来のＬＯＣＯＳ法に代わる新たな素子分離方法の開発が重要となっている。例えば、シリコン基板に形成した狭く深い溝の内部に絶縁膜を充填することにより素子分離を行う、埋め込み素子分離法がある。これは、従来のＬＯＣＯＳ法による素子分離に比べて素子分離領域の面積を小さくすることができ、半導体素子の微細化、高集積化に有利である。
【０００３】
以下、従来の埋め込み素子分離法の工程について、図面（図１〜図５）を参照して説明する。
まず、図１に示したように、半導体基板、例えばシリコン基板１上にＣＶＤ法を用いてシリコン酸化膜２を形成する。次いで、ＣＶＤ法を用いてシリコン酸化膜２上にシリコン窒化膜３を形成する。さらに、ＣＶＤ法を用いてシリコン窒化膜３上にシリコン酸化膜４を形成する。
【０００４】
次に、図２に示したように、シリコン酸化膜４の上面に所定の形状にパターニングされた図示せぬレジストをマスクとして異方性エッチング法、例えばＲＩＥ法を用いてシリコン酸化膜４及びシリコン窒化膜３並びにシリコン酸化膜２をエッチングする。そして、この図示せぬレジストをアッシングにより除去する。次にシリコン酸化膜４をマスクとして異方性エッチング法、例えばＲＩＥ法を用いてシリコン基板１をエッチングして溝５を形成する。この溝５が素子分離溝となる。
【０００５】
次に、図３に示したように、溝５の表面を安定化するために、熱酸化法を用いてシリコン酸化膜６を厚さ２０ｎｍ程度に形成する。そして、ＣＶＤ法を用いて全面に絶縁膜、例えばシリコン酸化膜７を形成する。
【０００６】
次に、図４に示したように、シリコン窒化膜３をストッパーとして、ＣＭＰ法を用いてシリコン酸化膜７の一部を除去する。これにより、シリコン酸化膜７はシリコン窒化膜３の上面の高さまでだけが残る。
【０００７】
次に、図５に示したように、燐酸系のウェットエッチング法を用いてシリコン窒化膜３を除去する。ここで、シリコン酸化膜２は素子形成領域８を保護するためのものである。
以上のようにして素子分離領域となるシリコン酸化膜７を形成し、素子分離を行う。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
従来の技術では、上述のようにして素子分離領域となるシリコン酸化膜７を形成していた。このシリコン酸化膜７の形状は、素子分離後の配線加工の工程に大きな影響を与える。ここで、このシリコン酸化膜７の形状は、図２に示したエッチング工程により大きく影響を受ける。この工程でエッチングされるシリコン窒化膜３の形状がシリコン酸化膜７の形状に直接反映するからである。通常は上記の通り、ＲＩＥ法などの加工精度の高いドライエッチング法を用いてエッチング対象膜に対して垂直に加工する。しかし、実際にはパターンの寸法、密度、半導体基板内のチップ位置、処理する基板ごとの不均一性など、様々な要因で加工角度に揺らぎが存在する。この加工角度の揺らぎによりシリコン窒化膜３の形状に揺らぎが生じる。そして、このシリコン窒化膜３の形状がシリコン酸化膜７の形状に揺らぎを与え、ひいては配線加工の工程に影響を与えるのである。そこで、この加工角度の揺らぎによりシリコン窒化膜３の形状が順テーパー形状になった場合と逆テーパー形状になった場合とについて、それぞれの影響を説明する。ここで、順テーパー形状とは台形の形状をいい、逆テーパー形状とは台形の上下逆の形状をいう。
【０００９】
まず、シリコン窒化膜３の形状が順テーパー形状である場合について説明する。図６に示したように、シリコン窒化膜３が順テーパー形状だと、ＣＶＤ法等を用いて全面にシリコン酸化膜７を形成する際に（図３参照）、その形成が容易となる利点がある。しかし、これにより形成されるシリコン酸化膜７の上部の形状は逆テーパー形状となる。
【００１０】
すると、図７に示したように、素子分離領域となるシリコン酸化膜７の形成後に、ゲート電極等の電極や配線を形成するときに以下の問題が生じる。まず、素子分離後に全面に導電膜９を形成し、これをＲＩＥ法等により垂直加工することとなる。これにより、シリコン酸化膜７及び素子形成領域８を横切って導電膜９が形成される。しかし、シリコン酸化膜７が逆テーパー形状であることから、垂直方向に影となる部分ができている。この影により、導電膜９のエッチング残り１０ができてしまう。このエッチング残り１０により、電極や配線がショートしてしまう問題が生じるのである。
【００１１】
次に、シリコン窒化膜３の形状が逆テーパー形状である場合について説明する。図８に示したように、シリコン窒化膜３が逆テーパー形状である場合、ＣＶＤ法等を用いて全面にシリコン酸化膜７を形成する際に（図３参照）、「す」と呼ばれる空洞１１ができてしまう。そしてこの空洞１１がシリコン酸化膜７の上中央部に溝として残ってしまう。
【００１２】
すると、図９に示したように、素子分離領域となるシリコン酸化膜７の形成後に、ゲート電極等の電極や配線を形成するときに以下の問題が生じる。まず、素子分離後にＣＶＤ法を用いて全面に導電膜９を形成し、これをＲＩＥ法等により垂直加工することとなる。これにより、シリコン酸化膜７及び素子形成領域８を横切って導電膜９が形成される。しかし、全面に導電膜９を形成したときに、空洞１１内にも導電膜９が形成されてしまう。このため、ＲＩＥ法等により垂直加工した際に空洞１１内に導電膜９のエッチング残り１２ができてしまう。このエッチング残り１２により、電極や配線がショートしてしまう問題が生じるのである。
【００１３】
ここで、上記の問題を解決するために、まずシリコン窒化膜３が順テーパー形状になるようにエッチングする、すると、シリコン酸化膜７の上部の形状は逆テーパー形状となる。そして、このシリコン酸化膜７の上部の形状を順テーパー形状に変化させることとする。そのための方法として、図１０に示したように、等方性エッチング法を用いてシリコン酸化膜７をエッチングすることが考えられる。しかしこの場合、シリコン酸化膜７をエッチングすると、溝５の側面のシリコン基板１が露出してしまう。すると、図１１に示したように、その後のゲート形成工程において、ゲート酸化膜１３が溝５の側面に露出したシリコン基板１の表面にも形成されてしまう。これにより、図示せぬゲート電極に電圧が印加されたときに、ゲート酸化膜１３の角１４に電界が集中してしまい、耐圧不良を起こすという欠点が生じる。また、溝５の側面に形成されるゲート酸化膜１３を制御することは困難であるため、各製品間でゲート酸化膜の均一性がとれず、信頼性を損なう欠点も生じる。
【００１４】
このように、素子分離領域の加工形状は垂直が好ましく、形状が素子領域側あるいは素子分離領域側のいずれに傾いても上記のような欠点が生じる。しかし、実際の加工においては、常に安定して垂直に加工することは不可能である。そのため、従来の技術では素子分離領域として用いる絶縁膜の形成工程や配線の加工工程において非常に厳密な制御を強いられていた。
【００１５】
本願発明は、上述の欠点に鑑みてなされたものであり、安定した絶縁膜の埋め込み及び配線加工を可能とした埋め込み素子分離法を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本願発明は、半導体基板の上面にストッパー膜を形成する工程と、前記ストッパー膜の断面形状が順テーパー状になるようにエッチングして前記半導体基板の一部を露出させる工程と、前記半導体基板の露出した部分に溝を形成する工程と、全面に絶縁膜を形成する工程と、前記ストッパー膜の上面より上方に形成されている前記絶縁膜を除去する工程と、前記ストッパー膜を除去する工程と、前記絶縁膜を熱処理して、前記絶縁膜の上部の形状を順テーパー状にする工程とを具備することを特徴とする。
【００１７】
また、本願発明は、半導体基板の上面に第一のストッパー膜を形成する工程と、前記第一のストッパー膜の上面に第二のストッパー膜を形成する工程と、前記第一のストッパー膜及び前記第二のストッパー膜の形状が順テーパー状になるようにエッチングして前記半導体基板の一部を露出させる工程と、前記半導体基板の露出した部分に溝を形成する工程と、全面に絶縁膜を形成する工程と、前記第二のストッパー膜の上面より上方に形成されている前記絶縁膜を除去する工程と、前記第二のストッパー膜を除去する工程と、前記絶縁膜を等方性エッチングして、前記絶縁膜の上部の形状を順テーパー状にする工程とを具備することを特徴とする。
【００１８】
また、本願発明は、半導体基板の上面に第一のストッパー膜を形成する工程と、前記第一のストッパー膜の上面に第二のストッパー膜を形成する工程と、前記第一のストッパー膜及び前記第二のストッパー膜の形状が台形になるようにエッチングして前記半導体基板の一部を露出させる工程と、前記半導体基板の露出した部分に溝を形成する工程と、全面に第一の絶縁膜を形成する工程と、前記第二のストッパー膜の上面より上方に形成されている前記第一の絶縁膜を除去する工程と、前記第二のストッパー膜を除去する工程と、全面に第二の絶縁膜を形成する工程と、前記第二の絶縁膜を前記第一の絶縁膜の側面にのみ残し、前記第一の絶縁膜と前記第二の絶縁膜を合わせた形状が順テーパー状になるように前記第二の絶縁膜をエッチングする工程とを具備することを特徴とする。
【００１９】
さらに、本願発明は、半導体基板の上面に第一の絶縁膜を形成する工程と、前記第一の絶縁膜の上面に第一の導電膜を形成する工程と、前記第一の導電膜の上面にストッパー膜を形成する工程と、前記ストッパー膜及び前記第一の導電膜並びに前記第一の絶縁膜の形状が順テーパー状になるようにエッチングして前記半導体基板の一部を露出させる工程と、前記半導体基板の露出した部分に溝を形成する工程と、全面に第二の絶縁膜を形成する工程と、前記ストッパー膜の上面より上方に形成されている前記第二の絶縁膜を除去する工程と、前記ストッパー膜を除去する工程と、前記第二の絶縁膜を等方性エッチングして、前記第二の絶縁膜の形状を順テーパー状にする工程と、全面に第二の導電膜を形成する工程と、前記第二の導電膜を所定の形状にエッチングする工程とを具備することを特徴とする。
本願発明は、上記構成を採ることにより、安定した絶縁膜の埋め込み及び配線加工を可能とした埋め込み素子分離法を提供することを可能とした。
【００２０】
【発明の実施の形態】
本願発明の第一の実施の形態について図面（図１２〜図１７）を参酌しながら説明する。
まず、図１２に示したように、熱酸化法を用いて、半導体基板、例えばシリコン基板２１の上面にシリコン酸化膜２２を厚さ８ｎｍ程度に形成する。そして、ＣＶＤ法を用いてシリコン酸化膜２２の上面にシリコン窒化膜２３を厚さ１５０ｎｍ程度に形成する。次いで、ＣＶＤ法を用いてシリコン窒化膜２３の上面にシリコン酸化膜２４を厚さ１００ｎｍ程度に形成する。
【００２１】
次に、図１３に示したように、シリコン酸化膜２４の上面に所定の形状にパターニングされた図示せぬレジストをマスクとして、異方性エッチング法、例えばＲＩＥ法を用いてシリコン酸化膜２４及びシリコン窒化膜２３並びにシリコン酸化膜２２を所定の形状にエッチングする。このとき、シリコン窒化膜２３が順テーパー形状になるようにする。ここで、順テーパー形状とは台形の形状をいう。これにより、シリコン基板２１の上面の一部が露出される。そして、図示せぬレジストをアッシングにより除去する。次に、シリコン酸化膜２４をマスクとして、異方性エッチング法、例えばＲＩＥ法を用いてシリコン基板２１に溝２５を深さ４００ｎｍ程度に形成する。シリコン基板２１のうち、この溝２５が形成されない部分が素子形成領域となる。さらに、例えばＮＨ４Ｆ（フッ化アンモニウム）を用いたフッ酸系のウェットエッチング法によりシリコン酸化膜２４を除去する。
【００２２】
次に、図１４に示したように、熱酸化法を用いて、溝２５の表面にシリコン酸化膜２６を厚さ１０ｎｍ程度に形成する。これにより溝２５の表面が安定化される。そして、ＣＶＤ法を用いて絶縁膜、例えばシリコン酸化膜２７を全面に厚さ８００ｎｍ程度に形成する。このとき、シリコン窒化膜２３の形状が順テーパー形状となっているため（図１３参照）、シリコン酸化膜２７は溝２５内に安定して埋め込めることとなる。これにより、溝２５内に形成されたシリコン酸化膜２７の中央部に「す」といわれる空洞ができることを防止できる。ここで、シリコン酸化膜２７を形成するときＣＶＤ法は、温度４５０℃程度で行われる。
【００２３】
次に、図１５に示したように、平坦化プロセス、例えばＣＭＰ法を用いてシリコン窒化膜２３の上面までシリコン酸化膜２７を除去する。このとき、シリコン窒化膜２３はストッパー膜として用いられる。
【００２４】
次に、図１６に示したように、燐酸系のウェットエッチング法を用いて、シリコン窒化膜２３を除去する。このとき、燐酸系のウェットエッチング法でなくても、ドライエッチングやダウンフローエッチング法を用いても構わない。これにより、シリコン酸化膜２７の上部が逆テーパー形状としてシリコン酸化膜２２の上方に現れる。このシリコン酸化膜２７が素子分離領域となる。ここで、逆テーパー形状とは、台形の上下逆の形状をいう。
【００２５】
次に、図１７に示したように、熱処理をする。この熱処理の条件としては、例えば、窒素雰囲気中で温度を１０５０℃程度として３０分間とする。このとき、窒素雰囲気中でなくても、非酸化系の雰囲気中であれば構わない。ここで、シリコン酸化膜２７は、ＣＶＤ法を用いて比較的低温の４５０℃程度で形成されたものである（図１４参照）。このため、成膜したままの状態ではシリコン原子と酸素原子との結合が不完全である。また、材料ガス中から混入するＣ（炭素）やＣＯ（一酸化炭素）、Ｈ（水素）、ＯＨ、ＣＨｘなどの不純物を結合中に含んでいる。そこで、この高熱での熱処理により、結合中に含む不純物を放出し、結合の組み替えを行いながら、シリコン原子や酸素原子が流動する。これにより、シリコン酸化膜２７の上部の角が丸くなり、シリコン酸化膜２７の上部は順テーパー形状となる。以上のようにして、素子分離領域となる順テーパー形状のシリコン酸化膜２７を形成することにより、素子分離を行う。
【００２６】
ここで、従来の技術によると、素子分離領域となるシリコン酸化膜７の形成後に、ゲート電極等の電極や配線がショートするといった問題が生じていた（図７参照）。これは、シリコン酸化膜７の上部が逆テーパー形状であることから生じていたものである。しかし、上述の通り、本願発明の第一の実施の形態によれば、素子分離領域となるシリコン酸化膜２７は順テーパー形状である。このため、後の工程で形成される電極や配線がショートするといった従来の技術における問題は生じない。また、シリコン酸化膜７の上部を順テーパー形状にすべく、シリコン窒化膜３を逆テーパー形状にすると、シリコン酸化膜７を形成する際に、その中央上部に「す」といわれる空洞１１が生じるといった問題が生じていた（図９参照）。しかし、本願発明の第一の実施の形態によれば、シリコン酸化膜２７を形成する工程においては（図１４参照）、シリコン窒化膜２３が順テーパー形状であるため、シリコン酸化膜２７の中央上部に「す」といわれる空洞が生じるといった問題もない。
【００２７】
さらに、シリコン酸化膜２４及びシリコン窒化膜２３並びにシリコン酸化膜２２をエッチングする工程（図１３参照）においても、シリコン窒化膜２３を垂直にエッチングする難しい制御は必要なく、順テーパー形状になるようすればよい。このため、加工角度の揺らぎが少しあっても、全体として順テーパー形状となっていればよく、加工角度の揺らぎの許容範囲を大きくとれる利点がある。
【００２８】
次に、本願発明の第二の実施の形態について、図面（図１８〜図２４）を参酌して説明する。
まず、図１８に示したように、熱酸化法を用いて、半導体基板、例えばシリコン基板４１の上面にシリコン酸化膜４２を厚さ１０ｎｍ程度に形成する。そして、ＣＶＤ法を用いて、シリコン酸化膜４２の上面にシリコン窒化膜４３を厚さ４０ｎｍ程度に形成する。次いで、ＣＶＤ法を用いて、シリコン窒化膜４３の上面にシリコン酸化膜４４を厚さ１０ｎｍ程度に形成する。さらに、ＣＶＤ法を用いて、シリコン酸化膜４４の上面にシリコン窒化膜４５を厚さ１５０ｎｍ程度に形成する。ここで、シリコン酸化膜４２は、シリコン基板４１の表面を保護したり、シリコン窒化膜４３がシリコン基板４１から剥がれないように間に入って接着力を強化する役割を果たす。
【００２９】
次に、図１９に示したように、シリコン窒化膜４５の上面に所定の形状にパターニングされた図示せぬレジストをマスクとして、異方性エッチング法、例えばＲＩＥ法を用いてシリコン窒化膜４５、シリコン酸化膜４４、シリコン窒化膜４３、シリコン酸化膜４２をそれぞれ所定の形状にエッチングする。このとき、シリコン窒化膜４５及びシリコン窒化膜４３が順テーパー形状になるようにする。ここで、順テーパー形状とは台形の形状をいう。これにより、シリコン基板４１の上面の一部が露出される。そして、図示せぬレジストをアッシングにより除去する。次に、シリコン窒化膜４５をマスクとして、異方性エッチング法、例えばＲＩＥ法を用いてシリコン基板４１に溝４６を深さ４００ｎｍ程度に形成する。シリコン基板４１のうち、この溝４６が形成されない部分が素子形成領域となる。
【００３０】
次に、図２０に示したように、ＣＶＤ法を用いて絶縁膜、例えばシリコン酸化膜４７を全面に厚さ８００ｎｍ程度に形成する。このとき、シリコン窒化膜４５及びシリコン窒化膜４３の形状が順テーパー形状となっているため（図１９参照）、シリコン酸化膜４７は溝４６内に安定して埋め込めることとなる。これにより、溝４６内に形成されたシリコン酸化膜４７の中央部に「す」といわれる空洞ができることを防止できる。
【００３１】
次に、図２１に示したように、平坦化プロセス、例えばＣＭＰ法を用いてシリコン窒化膜４５の上面までシリコン酸化膜４７を除去する。このとき、シリコン窒化膜４５はストッパー膜として用いられる。
【００３２】
次に、図２２に示したように、燐酸系のウェットエッチング法を用いて、シリコン窒化膜４５を除去する。このとき、燐酸系のウェットエッチング法でなくても、ドライエッチングやダウンフローエッチング法を用いても構わない。ここで、シリコン酸化膜４４は、シリコン窒化膜４３が除去されるのを防止するためのものである。これにより、シリコン酸化膜４７の上部が逆テーパー形状としてシリコン酸化膜４４の上方に現れる。このシリコン酸化膜４７が素子分離領域となる。ここで、逆テーパー形状とは、台形の上下逆の形状をいう。
【００３３】
次に、図２３に示したように、等方性エッチング法、例えばＮＨ４Ｆを用いたフッ酸系のウェットエッチング法により、シリコン窒化膜４３に対して選択的にシリコン酸化膜４７をエッチングする。この際、シリコン酸化膜４４はエッチング除去される。このとき、シリコン窒化膜４３はシリコン酸化膜４２がエッチングされ、シリコン基板４１が露出するのを防止するためのストッパー膜として使用される。すなわち、シリコン窒化膜４３の存在により、シリコン酸化膜４７の上部を順テーパー形状になるまでエッチングしても、シリコン基板４１が露出することを防止できる。これにより、シリコン酸化膜４７の上部の角が丸くなり、シリコン酸化膜４７の上部は順テーパー形状となる。ここで、シリコン酸化膜４７をエッチングする方法としては、ダウンフローエッチング法など、等方性エッチング法であれば構わない。
【００３４】
次に、図２４に示したように、燐酸系のウェットエッチング法を用いてシリコン窒化膜４３を除去する。以上のようにして、素子分離領域となる順テーパー形状のシリコン酸化膜４７を形成することにより、素子分離を行う。
【００３５】
ここで、図１０及び図１１に示したような従来の技術によると、シリコン酸化膜７をエッチングすると、溝５の側面のシリコン基板１が露出してしまう。すると、図１１に示したように、その後のゲート形成工程において、ゲート酸化膜１３が溝５の側面に露出したシリコン基板１の表面にも形成されてしまう。これにより、前述したように様々な問題が生じる。これに対し、本願発明によると、ストッパー膜としてシリコン窒化膜４３が存在することから、シリコン基板４１が露出しない。これにより、従来の技術において生じていた問題点が解消されることとなる。
【００３６】
また、従来の技術によると、素子分離領域となるシリコン酸化膜７の形成後に、ゲート電極等の電極や配線がショートするといった問題が生じていた（図７参照）。これは、シリコン酸化膜７の上部が逆テーパー形状であることから生じていたものである。しかし、上述の通り、本願発明の第二の実施の形態によれば、素子分離領域となるシリコン酸化膜４７は順テーパー形状である。このため、後の工程で形成される電極や配線がショートするといった従来の技術における問題は生じない。また、シリコン酸化膜７の上部を順テーパー形状にすべく、シリコン窒化膜３を逆テーパー形状にすると、シリコン酸化膜７を形成する際に、その中央上部に「す」といわれる空洞１１が生じるといった問題が生じていた（図９参照）。しかし、本願発明の第二の実施の形態によれば、シリコン酸化膜４７を形成する工程においては（図２０参照）、シリコン窒化膜４５及びシリコン窒化膜４３が順テーパー形状であるため、シリコン酸化膜４７の中央上部に「す」といわれる空洞が生じるといった問題もない。
【００３７】
さらに、シリコン窒化膜４５、シリコン酸化膜４４及びシリコン窒化膜４３並びにシリコン酸化膜４２をエッチングする工程（図１９参照）においても、シリコン窒化膜４５及びシリコン窒化膜４３を垂直にエッチングする難しい制御をする必要はなく、順テーパー形状になるようすればよい。このため、加工角度の揺らぎが少しあっても、全体として順テーパー形状となっていればよく、加工角度の揺らぎの許容範囲を大きくとれる利点がある。
【００３８】
次に、本願発明の第三の実施の形態について、図面（図２５〜図３０）を参酌して説明する。
まず、図２５に示したように、ＣＶＤ法を用いて半導体基板、例えばシリコン基板６１上にシリコン窒化膜６２を厚さ１０ｎｍ程度に形成する。次に、ＣＶＤ法を用いて、シリコン窒化膜６２の上面にポリシリコン膜６３を厚さ１５０ｎｍ程度に形成する。さらに、ＣＶＤ法を用いて、ポリシリコン膜６３の上面にシリコン酸化膜６４を厚さ１５０ｎｍ程度に形成する。ここで、熱酸化法を用いて、シリコン基板６１とシリコン窒化膜６２の間に厚さ１０ｎｍ程度の図示せぬシリコン酸化膜を形成してもよい。このシリコン酸化膜は、シリコン窒化膜６２がシリコン基板６１から剥がれないように、間に入って接着力を強化する役割を果たすこととなる。ただし、この実施の形態のように、シリコン窒化膜６２が薄い場合には、シリコン酸化膜がシリコン基板との間に入っていなくても、シリコン窒化膜６２が剥がれるという問題は生じない。
【００３９】
次に、図２６に示したように、シリコン酸化膜６４の上面に所定の形状にパターニングして形成された図示せぬレジストをマスクとして、異方性エッチング法、例えばＲＩＥ法を用いてシリコン酸化膜６４及びポリシリコン膜６３並びにシリコン窒化膜６２を所定の形状にエッチングする。このとき、ポリシリコン膜６３が順テーパー形状になるようにする。ここで、順テーパー形状とは台形の形状をいう。これにより、シリコン基板６１の上面の一部が露出される。ここで、図示せぬレジストをアッシングにより除去する。次いで、シリコン酸化膜６４をマスクとして、異方性エッチング法、例えばＲＩＥ法を用いてシリコン基板６１をエッチングする。これにより、深さ４００ｎｍ程度の溝６５を形成する。シリコン基板６１のうち、この溝６５が形成されない部分が素子形成領域となる。そして、例えばＮＨ４Ｆ（フッ化アンモニウム）を用いたフッ酸系のウェットエッチング法により、シリコン酸化膜６４を除去する。
【００４０】
次に、図２７に示したように、熱酸化法を用いて、溝６５の表面にシリコン酸化膜６６を厚さ１０ｎｍ程度に形成する。これにより溝６５の表面が安定化される。そして、ＣＶＤ法を用いて絶縁膜、例えばシリコン酸化膜６７を全面に厚さ８００ｎｍ程度に形成する。このとき、ポリシリコン膜６３の形状が順テーパー形状となっているため（図１３参照）、シリコン酸化膜６７は溝６５内に安定して埋め込めることとなる。これにより、溝６５内に形成されたシリコン酸化膜６７の中央部に「す」といわれる空洞ができることを防止できる。
【００４１】
次に、図２８に示したように、平坦化プロセス、例えばＣＭＰ法を用いてポリシリコン膜６３の上面までシリコン酸化膜６７を除去する。このとき、ポリシリコン膜６３はストッパー膜として用いられる。ここで、ポリシリコン膜６３の代わりに、タングステン膜、チタン膜、窒化チタン膜等のシリコン酸化膜よりもエッチング速度の遅いメタル膜やシリコン金属化合物膜でも同様の効果を得ることができる。
【００４２】
次に、図２９に示したように、ドライエッチング法、例えばダウンフローエッチング法を用いて、ポリシリコン膜６３を除去する。これにより、シリコン酸化膜６７の上部が逆テーパー形状としてシリコン窒化膜６２の上方に現れる。このシリコン酸化膜６７が素子分離領域となる。ここで、逆テーパー形状とは、台形の上下逆の形状をいう。
【００４３】
次に、図３０に示したように、等方性エッチング法、例えばＮＨ４Ｆを用いたフッ酸系のウェットエッチング法により、シリコン窒化膜６２に対して選択的にシリコン酸化膜６７をエッチングする。このとき、シリコン窒化膜６２はシリコン酸化膜６６がエッチングされ、シリコン基板６１が露出するのを防止するためのストッパー膜として使用される。すなわち、シリコン窒化膜６２の存在により、シリコン酸化膜６７の上部を順テーパー形状になるまでエッチングしても、シリコン酸化膜６６がエッチングされず、シリコン基板６１が露出することを防止できる。これにより、シリコン酸化膜６７の上部の角が丸くなり、シリコン酸化膜６７の上部は順テーパー形状とすることが可能となる。ここで、シリコン酸化膜６７をエッチングする方法としては、ダウンフローエッチング法など、等方性エッチング法であれば構わない。
【００４４】
以上のようにして、素子分離領域となる順テーパー形状のシリコン酸化膜６７を形成することにより、素子分離を行う。
ここで、図１０及び図１１に示したような従来の技術によると、シリコン酸化膜７をエッチングすると、溝５の側面のシリコン基板１が露出してしまう。すると、図１１に示したように、その後のゲート形成工程において、ゲート酸化膜１３が溝５の側面に露出したシリコン基板１の表面にも形成されてしまう。これにより、前述したように様々な欠点が生じる。これに対し、本願発明の第三の実施の形態によると、ストッパー膜としてシリコン窒化膜６２が存在することから、シリコン基板６１が露出しない。そのため、従来の技術における欠点を解消することができる。
【００４５】
また、従来の技術によると、素子分離領域となるシリコン酸化膜７の形成後に、ゲート電極等の電極や配線がショートするといった問題が生じていた（図７参照）。これは、シリコン酸化膜７の上部が逆テーパー形状であることから生じていたものである。しかし、上述の通り、本願発明の第三の実施の形態によれば、素子分離領域となるシリコン酸化膜６７は順テーパー形状である。このため、後の工程で形成される電極や配線がショートするといった従来の技術における問題は生じない。また、シリコン酸化膜７の上部を順テーパー形状にすべく、シリコン窒化膜３を逆テーパー形状にすると、シリコン酸化膜７を形成する際に、その中央上部に「す」といわれる空洞１１が生じるといった問題が生じていた（図９参照）。しかし、上述の通り、本願発明の第三の実施の形態によれば、シリコン酸化膜６７を形成する工程においては（図２７参照）、ポリシリコン膜６３が順テーパー形状であるため、シリコン酸化膜６７の中央上部に「す」といわれる空洞が生じるといった問題もない。
【００４６】
さらに、ポリシリコン膜６３、シリコン窒化膜６２をエッチングする工程（図２６参照）においても、ポリシリコン膜６３及びシリコン窒化膜６２を垂直にエッチングする難しい制御をする必要はなく、順テーパー形状になるようすればよい。このため、加工角度の揺らぎが少しあっても、全体として順テーパー形状となっていればよく、加工角度の揺らぎの許容範囲を大きくとれる利点がある。
【００４７】
次に、本願発明の第四の実施の形態について、図面（図３１〜図３３）を参酌して説明する。
まず、図２５から図２９に示したような本願発明の第二の実施の形態と同様の工程を行う。これにより、図３１に示したように、シリコン酸化膜６７の上部が逆テーパー形状としてシリコン窒化膜６２の上方に現れる。このシリコン酸化膜６７が素子分離領域となる。ここで、逆テーパー形状とは、台形の上下逆の形状をいう。
【００４８】
次に、図３２に示したように、ＣＶＤ法を用いて絶縁膜、例えばシリコン酸化膜７１を全面に厚さ１０ｎｍ程度に形成する。このとき、シリコン酸化膜６７は逆テーパー形状であり、垂直方向に影となる部分ができている。しかし、シリコン酸化膜７１の形成にＣＶＤ法を用いるため、材料ガスが回り込み、シリコン酸化膜６７の側面の垂直方向に影となる部分にもシリコン酸化膜７１は形成される。
【００４９】
次に、図３３に示したように、異方性エッチング法、例えばＲＩＥ法を用いて、シリコン酸化膜７１をエッチングする。このとき、垂直方向のエッチング速度が大きい異方性の強いＲＩＥ法を用いることにより、シリコン酸化膜６７の側面にのみシリコン酸化膜７１を残すことができる。これにより、シリコン酸化膜６７の側面の垂直方向に影となる部分を埋めて、この影を解消することが可能となる。ここで、シリコン窒化膜６２はエッチングに対するストッパー膜として利用され、シリコン基板６１がエッチングされるのを防ぐ役割を果たす。
【００５０】
以上のようにして、シリコン酸化膜６７及びシリコン酸化膜７１からなる素子分離領域を形成することにより、素子分離を行う。
ここで、従来の技術によると、素子分離領域となるシリコン酸化膜７の形成後に、ゲート電極等の電極や配線がショートするといった問題が生じていた（図７参照）。これは、シリコン酸化膜７の上部が逆テーパー形状であることから生じていたものである。しかし、上述の通り、本願発明の第四の実施の形態によれば、シリコン酸化膜６７及びシリコン酸化膜７１からなる素子分離領域はほぼ垂直なものである。このため、後の工程で形成される電極や配線がショートするといった従来の技術における問題は生じない。また、シリコン酸化膜７の上部を順テーパー形状にすべく、シリコン窒化膜３を逆テーパー形状にすると、シリコン酸化膜７を形成する際に、その中央上部に「す」といわれる空洞１１が生じるといった問題が生じていた（図９参照）。しかし、上述の通り、本願発明の第四の実施の形態によれば、シリコン酸化膜６７を形成する工程においては（図２７参照）、ポリシリコン膜６３が順テーパー形状であるため、シリコン酸化膜６７の中央上部に「す」といわれる空洞が生じるといった問題もない。
【００５１】
さらに、ポリシリコン膜６３、シリコン窒化膜６２をエッチングする工程（図２６参照）においても、ポリシリコン膜６３及びシリコン窒化膜６２を垂直にエッチングする難しい制御をする必要はなく、順テーパー形状になるようすればよい。このため、加工角度の揺らぎが少しあっても、全体として順テーパー形状となっていればよく、加工角度の揺らぎの許容範囲を大きくとれる利点がある。
【００５２】
次に、本願発明の第五の実施の形態について、図面（図３４〜図４０）を参酌して説明する。第一の実施の形態から第四の実施の形態まででは、素子形成領域の上方に平坦化プロセスに対するストッパー膜を形成し（図１５、図２１、図２８参照）、まずは素子分離領域のみを先に形成する場合を説明した（図１６、図２２、図２９、図３１参照）。これらの実施の形態では、素子分離領域を形成した後、改めて素子形成領域上にゲート絶縁膜やゲート電極などの素子形成を行うこととなる。しかし、例えばフラッシュ・メモリーのように、半導体素子の構造や回路構成によっては、素子形成領域上にあらかじめゲート絶縁膜やゲート電極を形成してから素子分離領域を形成する場合や、予めゲート電極層の不純物注入を行ってから素子分離領域を形成する場合がある。この場合にも、異なる種類の積層膜を垂直に加工することが必要となる。これは一般的に困難であり、積層膜の種類によって順テーパー形状、逆テーパー形状になるため、所望の素子分離領域を安定して形成することは不可能であった。そこで、本願発明の第五の実施の形態においては、ゲート電極を先に形成し、積層膜の加工を行い素子分離領域を形成する場合を説明する。
【００５３】
まず、図３４に示したように、熱酸化法を用いて、半導体基板、例えばシリコン基板８１の上面に絶縁膜であるシリコン酸化膜８２を厚さ８ｎｍ程度に形成する。このシリコン酸化膜８２はゲート酸化膜となる。そして、ＣＶＤ法を用いて、シリコン酸化膜８２の上面に不純物、例えばＰ（リン）を含んだドープト多結晶シリコン膜８３を厚さ６０ｎｍ程度に形成する。このドープト多結晶シリコン膜８３はゲート電極の一部となる。次いで、ＣＶＤ法を用いて、ドープト多結晶シリコン膜８３の上面にシリコン窒化膜８４を厚さ１５０ｎｍ程度に形成する。さらに、ＣＶＤ法を用いて、シリコン窒化膜８４の上面にシリコン酸化膜８５を厚さ１５０ｎｍ程度に形成する。
【００５４】
次に、図３５に示したように、シリコン酸化膜８５の上面に所定の形状にパターニングして形成された図示せぬレジストをマスクとして、異方性エッチング法、例えばＲＩＥ法を用いてシリコン酸化膜８５、シリコン窒化膜８４及びドープト多結晶シリコン膜８３並びにシリコン酸化膜８２を所定の形状にエッチングする。このとき、シリコン酸化膜８５及びドープト多結晶シリコン膜８３並びにシリコン酸化膜８２はほぼ垂直になるようにエッチングし、シリコン窒化膜８４は順テーパー形状になるようにする。ここで、順テーパー形状とは台形の形状をいう。これにより、シリコン基板８１の上面の一部が露出される。ここで、図示せぬレジストをアッシングにより除去する。次いで、シリコン酸化膜８５をマスクとして、異方性エッチング法、例えばＲＩＥ法を用いてシリコン基板８１をエッチングする。これにより、深さ４００ｎｍ程度の溝８６を形成する。シリコン基板８１のうち、この溝８６が形成されない部分が素子形成領域となる。そして、例えばＮＨ４Ｆ（フッ化アンモニウム）を用いたフッ酸系のウェットエッチング法により、シリコン酸化膜８５を除去する。
【００５５】
次に、図３６に示したように、ＣＶＤ法を用いて絶縁膜、例えばシリコン酸化膜８７を全面に厚さ８００ｎｍ程度に形成する。このとき、シリコン窒化膜８４が順テーパー形状となっているため（図３５参照）、シリコン酸化膜８７は溝８６内に安定して埋め込めることとなる。これにより、溝８６内に形成されたシリコン酸化膜８７の中央部に「す」といわれる空洞ができることを防止できる。さらに、平坦化プロセス、例えばＣＭＰ法を用いてシリコン窒化膜８４の上面までシリコン酸化膜８７を除去する。このとき、シリコン窒化膜８４はストッパー膜として用いられる。
【００５６】
次に、図３７に示したように、燐酸系のウェットエッチング法を用いて、シリコン窒化膜８４を除去する。このとき、燐酸系のウェットエッチング法でなくても、ドライエッチングやダウンフローエッチング法を用いても構わない。これにより、シリコン酸化膜８７の上部が逆テーパー形状としてドープト多結晶シリコン膜８３の上方に現れる。このシリコン酸化膜８７が素子分離領域となる。ここで、逆テーパー形状とは、台形の上下逆の形状をいう。
【００５７】
次に、図３８に示したように、等方性エッチング法、例えばＮＨ４Ｆを用いたフッ酸系のウェットエッチング法により、ドープト多結晶シリコン膜８３に対して選択的にシリコン酸化膜８７をエッチングする。このとき、ドープト多結晶シリコン膜８３はシリコン基板８１が露出するのを防止するためのストッパー膜となる。すなわち、ドープト多結晶シリコン膜８３の存在により、シリコン酸化膜８７の上部を順テーパー形状になるまでエッチングしても、シリコン基板８１が露出することを防止できる。これにより、シリコン酸化膜８７の上部の角が丸くなり、シリコン酸化膜８７の上部は順テーパー形状となる。ここで、シリコン酸化膜８７をエッチングする方法としては、ダウンフローエッチング法など、等方性エッチング法であれば構わない。また、図１７に示したのと同様に、等方性エッチング法を用いる代わりに、熱処理することによりシリコン酸化膜８７の上部を順テーパー形状にしても構わない。
【００５８】
次に、図３９に示したように、ＣＶＤ法を用いて、全面に多結晶シリコン膜８８を厚さ数百ｎｍ程度に形成する。この多結晶シリコン膜８８は、不純物をドープすることにより、ドープト多結晶シリコン膜８３とともに、ゲート電極の一部として用いられることとなる。ただし、この工程で不純物をドープしながら多結晶シリコン膜を形成することにより、ドープト多結晶シリコン膜を形成してしまえば、後に不純物をドープする必要はなくなる。
【００５９】
次に、図４０に示したように、多結晶シリコン膜８８の上面に所定の形状にパターニングして形成された図示せぬレジストをマスクとして、異方性エッチング法、例えばＲＩＥ法を用いて多結晶シリコン膜８８を所定の形状にエッチングする。その後、多結晶シリコン膜８８に不純物をドープすることにより、ドープト多結晶シリコン膜８３とともに、ゲート電極が形成されることとなる。
【００６０】
以上のようにして、シリコン酸化膜８７からなる素子分離領域を形成することにより、素子分離を行う。
ここで、図１０及び図１１に示したような従来の技術によると、シリコン酸化膜７をエッチングすると、溝５の側面のシリコン基板１が露出してしまう。すると、図１１に示したように、その後のゲート形成工程において、ゲート酸化膜１３が溝５の側面に露出したシリコン基板１の表面にも形成されてしまう。これにより、前述したように様々な欠点が生じる。これに対し、本願発明によると、ストッパー膜としてドープト多結晶シリコン膜８３が存在することから、シリコン基板８１が露出しない。このため、従来の技術において生じていた欠点を解消することが可能となる。
【００６１】
また、従来の技術によると、素子分離領域となるシリコン酸化膜７の形成後に、ゲート電極等の電極や配線がショートするといった問題が生じていた（図７参照）。これは、シリコン酸化膜７の上部が逆テーパー形状であることから生じていたものである。しかし、上述の通り、本願発明の第五の実施の形態によれば、素子分離領域となるシリコン酸化膜８７は順テーパー形状である。このため、後の工程で形成される電極や配線がショートするといった従来の技術における問題は生じない。また、シリコン酸化膜７の上部を順テーパー形状にすべく、シリコン窒化膜３を逆テーパー形状にすると、シリコン酸化膜７を形成する際に、その中央上部に「す」といわれる空洞１１が生じるといった問題が生じていた（図９参照）。しかし、上述の通り、本願発明の第五の実施の形態によれば、シリコン酸化膜８７を形成する工程においては（図３６参照）、シリコン窒化膜８４が順テーパー形状であるため、シリコン酸化膜８７の中央上部に「す」といわれる空洞が生じるといった問題もない。
【００６２】
さらに、シリコン酸化膜８５、シリコン窒化膜８４及びドープト多結晶シリコン膜８３並びにシリコン酸化膜８２をエッチングする工程（図３５参照）においても、上記すべての膜を垂直にエッチングするという難しい制御をする必要はない。シリコン酸化膜８５及びドープト多結晶シリコン膜８３並びにシリコン酸化膜８２をほぼ垂直にしておけば、シリコン窒化膜８４は順テーパー形状で十分であり、これは比較的容易な加工であるという利点がある。このため、シリコン窒化膜８４に関しては、加工角度の揺らぎの許容範囲を大きくとれる利点がある。
【００６３】
【発明の効果】
本願発明は、安定した絶縁膜の埋め込み及び配線加工を可能とした埋め込み素子分離法を提供することを可能とする。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の埋め込み素子分離法による素子分離の工程断面図。
【図２】従来の埋め込み素子分離法による素子分離の工程断面図。
【図３】従来の埋め込み素子分離法による素子分離の工程断面図。
【図４】従来の埋め込み素子分離法による素子分離の工程断面図。
【図５】従来の埋め込み素子分離法による素子分離の工程断面図。
【図６】従来の埋め込み素子分離法による素子分離における欠点を示した斜視図。
【図７】従来の埋め込み素子分離法による素子分離における欠点を示した斜視図。
【図８】従来の埋め込み素子分離法による素子分離における欠点を示した斜視図。
【図９】従来の埋め込み素子分離法による素子分離における欠点を示した斜視図。
【図１０】従来の埋め込み素子分離法による素子分離の工程断面図。
【図１１】従来の埋め込み素子分離法による素子分離における欠点を示した工程断面図。
【図１２】本願発明の第一の実施の形態にかかる素子分離法の工程断面図。
【図１３】本願発明の第一の実施の形態にかかる素子分離法の工程断面図。
【図１４】本願発明の第一の実施の形態にかかる素子分離法の工程断面図。
【図１５】本願発明の第一の実施の形態にかかる素子分離法の工程断面図。
【図１６】本願発明の第一の実施の形態にかかる素子分離法の工程断面図。
【図１７】本願発明の第一の実施の形態にかかる素子分離法の工程断面図。
【図１８】本願発明の第二の実施の形態にかかる素子分離法の工程断面図。
【図１９】本願発明の第二の実施の形態にかかる素子分離法の工程断面図。
【図２０】本願発明の第二の実施の形態にかかる素子分離法の工程断面図。
【図２１】本願発明の第二の実施の形態にかかる素子分離法の工程断面図。
【図２２】本願発明の第二の実施の形態にかかる素子分離法の工程断面図。
【図２３】本願発明の第二の実施の形態にかかる素子分離法の工程断面図。
【図２４】本願発明の第二の実施の形態にかかる素子分離法の工程断面図。
【図２５】本願発明の第三の実施の形態にかかる素子分離法の工程断面図。
【図２６】本願発明の第三の実施の形態にかかる素子分離法の工程断面図。
【図２７】本願発明の第三の実施の形態にかかる素子分離法の工程断面図。
【図２８】本願発明の第三の実施の形態にかかる素子分離法の工程断面図。
【図２９】本願発明の第三の実施の形態にかかる素子分離法の工程断面図。
【図３０】本願発明の第三の実施の形態にかかる素子分離法の工程断面図。
【図３１】本願発明の第四の実施の形態にかかる素子分離法の工程断面図。
【図３２】本願発明の第四の実施の形態にかかる素子分離法の工程断面図。
【図３３】本願発明の第四の実施の形態にかかる素子分離法の工程断面図。
【図３４】本願発明の第五の実施の形態にかかる素子分離法の工程断面図。
【図３５】本願発明の第五の実施の形態にかかる素子分離法の工程断面図。
【図３６】本願発明の第五の実施の形態にかかる素子分離法の工程断面図。
【図３７】本願発明の第五の実施の形態にかかる素子分離法の工程断面図。
【図３８】本願発明の第五の実施の形態にかかる素子分離法の工程断面図。
【図３９】本願発明の第五の実施の形態にかかる素子分離法の工程断面図。
【図４０】本願発明の第五の実施の形態にかかる素子分離法の工程断面図。
【符号の説明】
１・・・・シリコン基板
２・・・・シリコン酸化膜
３・・・・シリコン窒化膜
４・・・・シリコン酸化膜
５・・・・溝
６・・・・シリコン酸化膜
７・・・・シリコン酸化膜
８・・・・素子形成領域
９・・・・導電膜
１０・・・・エッチング残り
１１・・・・空洞
１２・・・・エッチング残り
１３・・・・ゲート酸化膜
１４・・・・ゲート酸化膜１３の角
２１・・・・シリコン基板
２２・・・・シリコン酸化膜
２３・・・・シリコン窒化膜
２４・・・・シリコン酸化膜
２５・・・・溝
２６・・・・シリコン酸化膜
２７・・・・シリコン酸化膜
４１・・・・シリコン基板
４２・・・・シリコン酸化膜
４３・・・・シリコン窒化膜
４４・・・・シリコン酸化膜
４５・・・・シリコン窒化膜
４６・・・・溝
４７・・・・シリコン酸化膜
６１・・・・シリコン基板
６２・・・・シリコン窒化膜
６３・・・・ポリシリコン膜
６４・・・・シリコン酸化膜
６５・・・・溝
６６・・・・シリコン酸化膜
６７・・・・シリコン酸化膜
７１・・・・シリコン酸化膜
８１・・・・シリコン基板
８２・・・・シリコン酸化膜
８３・・・・ドープト多結晶シリコン膜
８４・・・・シリコン窒化膜
８５・・・・シリコン酸化膜
８６・・・・溝
８７・・・・シリコン酸化膜
８８・・・・多結晶シリコン膜
【図１】
0003552913.tif 000002
【図２】
0003552913.tif 000003
【図３】
0003552913.tif 000004
【図４】
0003552913.tif 000005
【図５】
0003552913.tif 000006
【図６】
0003552913.tif 000007
【図７】
0003552913.tif 000008
【図８】
0003552913.tif 000009
【図９】
0003552913.tif 000010
【図１０】
0003552913.tif 000011
【図１１】
0003552913.tif 000012
【図１２】
0003552913.tif 000013
【図１３】
0003552913.tif 000014
【図１４】
0003552913.tif 000015
【図１５】
0003552913.tif 000016
【図１６】
0003552913.tif 000017
【図１７】
0003552913.tif 000018
【図１８】
0003552913.tif 000019
【図１９】
0003552913.tif 000020
【図２０】
0003552913.tif 000021
【図２１】
0003552913.tif 000022
【図２２】
0003552913.tif 000023
【図２３】
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【図２４】
0003552913.tif 000025
【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
0003552913.tif 000029
【図２９】
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【図３０】
0003552913.tif 000031
【図３１】
0003552913.tif 000032
【図３２】
0003552913.tif 000033
【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
0003552913.tif 000036
【図３６】
0003552913.tif 000037
【図３７】
0003552913.tif 000038
【図３８】
0003552913.tif 000039
【図３９】
0003552913.tif 000040
【図４０】
0003552913.tif 000041