(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
再生層と、
前記再生層に接して形成された非磁性層と、
前記非磁性層に接して形成された補助磁界層と、
前記補助磁界層に接して形成された第１のマスク層と、
前記第１のマスク層に接して形成された第２のマスク層と、
前記第２のマスク層に接して形成された記録層とを含む光磁気記録媒体において、
前記補助磁界層は、室温付近に補償温度を有し、再生温度において前記第１のマスク層より漏洩磁界が強くなる磁性層であり、
前記第１のマスク層は、第１の温度で面内磁化膜から垂直磁化膜へ変化する磁性層であり、
前記第２のマスク層は、前記第１の温度より高い第２の温度で垂直磁化膜から面内磁化膜へ変化する磁性層である光磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁界を印加し、レーザ光を照射して信号を再生する光磁気記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
光磁気記録媒体は、書き換え可能で、記憶容量が大きく、且つ、信頼性の高い記録媒体として注目されており、コンピュータメモリ等として実用化され始めている。また、最近では、記録容量が６．１Ｇｂｙｔｅｓの光磁気記録媒体が規格化され、実用化がされようとしている。
【０００３】
また、光磁気記録媒体からの信号再生において交番磁界を印加し、再生層から記録層に転写された磁区を交番磁界により拡大して信号を再生する磁区拡大再生技術も開発されており、この技術を用いることにより１４Ｇｂｙｔｅｓの信号を記録および／または再生することができる光磁気記録媒体も提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、磁区拡大により信号再生を行う光磁気記録媒体は、一般に図７に示すような断面構造を有する。即ち、光磁気記録媒体２００は、再生層３と、再生層３に接して形成された非磁性層４と、非磁性層４に接して形成された記録層８とを備える。記録密度が向上し、記録層８に形成される磁区が微小になると図８に示すように、レーザ光ＬＢが照射されると、記録層８のうち、２つの磁区８０１、８０２の領域が所定温度以上になり、非磁性層４を介して再生層３へ２つの磁区３０１、３０２が転写される。そうすると、レーザ光ＬＢのビーム径の中に２つの磁区３０１、３０２が存在し、各々の磁区３０１、３０２を独立に検出できず、従来の光磁気記録媒体では、磁区拡大による正確な信号再生ができないという問題がある。
【０００５】
そこで、本願発明は、かかる問題を解決し、記録層の各磁区を各々別個に高分解能で再生層へ転写して磁区拡大による信号再生が可能な光磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
請求項１に係る発明は、再生層と、非磁性層と、補助磁界層と、第１のマスク層と、第２のマスク層と、記録層とを含む光磁気記録媒体である。
【０００７】
非磁性層は、再生層に接して形成され、補助磁界層は、非磁性層に接して形成され、第１のマスク層は、補助磁界層に接して形成され、第２のマスク層は、第１のマスク層に接して形成され、記録層は、第２のマスク層に接して形成される。
【０００８】
また、補助磁界層は、室温付近に補償温度を有し、再生温度において第１のマスク層より漏洩磁界が強くなる磁性層であり、
第１のマスク層は、第１の温度で面内磁化膜から垂直磁化膜へ変化する磁性層であり、
第２のマスク層は、第１の温度より高い第２の温度で垂直磁化膜から面内磁化膜へ変化する磁性層である。
【０００９】
請求項１に記載された光磁気記録媒体においては、レーザ光が照射されると、第２のマスク層のうち、第２の温度以上の領域は垂直磁化膜から面内磁化膜に変化し、第１のマスク層のうち、第１の温度以上の領域は、面内磁化膜から垂直磁化膜に変化する。そして、記録層のうち、第１の温度以下の領域に存在する各磁区は第１のマスク層の面内磁化を保持する領域により再生層への転写を阻止され、記録層のうち、第２の温度以上の領域に存在する各磁区は第２のマスク層の面内磁化を保持する領域により再生層への転写を阻止される。
【００１０】
そうすると、記録層のうち、第１の温度から第２の温度範囲に存在する磁区は、交換結合により、順次、第２のマスク層、第１のマスク層、および補助磁界層へと転写され、補助磁界層から強い漏洩磁界が非磁性層を介して再生層に及ぶ。その結果、補助磁界層から非磁性層を介して静磁結合により再生層へ確実に磁区が転写される。
【００１１】
従って、請求項１に記載された発明によれば、光磁気記録媒体に照射するレーザ光の強度等を制御して、第１の温度から第２の温度になる記録層の領域を最短ドメイン長程度に小さくすることにより、記録層の各磁区を高分解能で再生層へ確実に転写でき、外部磁界を印加することにより磁区拡大による再生を正確に行うことができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を図を参照しつつ説明する。図１を参照して、本願発明に係る光磁気記録媒体の断面構造について説明する。光磁気記録媒体１０は、透光性基板１と、下地層２と、再生層３と、非磁性層４と、補助磁界層５と、第１のマスク層６と、第２のマスク層７と、記録層８と、保護膜９とを備える。
【００１３】
透光性基板１は、ガラス、ポリカーボネート等から成り、下地層２は、ＳｉＮから成り、再生層３は、遷移金属リッチなＧｄＦｅＣｏから成り、非磁性層４は、ＳｉＮから成り、補助磁界層５は、遷移金属リッチなＧｄＦｅＣｏから成り、第１のマスク層６は、遷移金属リッチなＧｄＦｅＣｏから成り、第２のマスク層７は、希土類金属リッチなＧｄＦｅＣｏから成り、記録層８は、ＴｂＦｅＣｏから成り、保護膜９は、ＳｉＮから成る。
【００１４】
下地層２を構成するＳｉＮ、再生層３を構成する遷移金属リッチなＧｄＦｅＣｏ、非磁性層４を構成するＳｉＮ、補助磁界層５を構成するＧｄＦｅＣｏ、第１のマスク層６を構成する遷移金属リッチなＧｄＦｅＣｏ、第２のマスク層７を構成する希土類金属リッチなＧｄＦｅＣｏ、記録層８を構成するＴｂＦｅＣｏ、および保護膜９を構成するＳｉＮは、ＲＦマグネトロンスパッタリング法により形成される。
【００１５】
また、下地層２の膜厚は、４００〜８００Åであり、再生層３の膜厚は、１５０〜５００Åであり、非磁性層４の膜厚は、５０〜３００Åであり、補助磁界層５の膜厚は、４００〜１５００Åであり、第１のマスク層６の膜厚は４００〜１５００Åであり、第２のマスク層７の膜厚は、４００〜１５００Åであり、記録層８の膜厚は、３００〜２０００Åであり、保護膜９の膜厚は４００〜８００Å程度である。
【００１６】
図２を参照して、再生層３、非磁性層４、補助磁界層５、第１のマスク層６、第２のマスク層７、および記録層８について説明する。再生層３は、垂直磁化膜であり、光磁気記録媒体１０から信号が再生される際には、予め、外部磁界により一定方向の磁化を有するように初期化されている。但し、この初期化は一度行えば良く、繰り返し再生を行う場合は、その再生毎に初期化を行う必要はない。補助磁界層５は、垂直磁化膜であり、再生層３が初期化される際に、同時に初期化され、一定方向の磁化を有する。第１のマスク層６は、室温で面内磁化膜であり、所定温度以上で垂直磁化膜となる磁性層である。また、第２のマスク層７は、室温で垂直磁化膜であり、所定温度以上で垂面内直磁化膜となる磁性層である。そして、第２のマスク層７は、再生層３が初期化される際に同時に初期化され、一定方向の磁化を有する。また、記録層８は記録信号に基づいて異なる方向に磁化された垂直磁化膜である。
【００１７】
従って、光磁気記録媒体１０は、信号が再生される前は、図２に示すように各層は磁化を有する。
【００１８】
図３を参照して、記録層８の各磁区が高分解能で再生層３へ転写される機構について詳細に説明する。所定の回転数で回転している光磁気記録媒体１０にレーザ光ＬＢが照射されると、レーザ光ＬＢの光軸ＬＢ０より後方の位置Ｌ１で光磁気記録媒体１０の温度は最高になり、位置Ｌ１よりレーザ光ＬＢの進行方向１１側では光磁気記録媒体１０の温度分布は急峻になり、位置Ｌ１よりレーザ光ＬＢの進行方向１１と反対側では光磁気記録媒体の温度分布はブロードになる。
【００１９】
かかる温度分布のもと、第２のマスク層７は、温度Ｔ２以上で垂直磁化膜から面内磁化膜へ変化し、第１のマスク層６は、温度Ｔ２より低い温度Ｔ２以上で面内磁化膜から垂直磁化膜へ変化する。従って、第２のマスク層７のうち、温度Ｔ１より低い温度領域には、記録層８の磁区８３と交換結合した垂直磁化を有する磁区７３が存在し、温度Ｔ２より高い温度領域は面内磁化を有する磁区７２が存在する。また、第１のマスク層６のうち、温度Ｔ１より低い温度領域では、面内磁化を有する磁区６２が存在し、温度Ｔ２より高い温度領域では垂直磁化を保持する。
【００２０】
そうすると、記録層８のうち、温度Ｔ２より高い温度領域に存在する磁区８２は、第２のマスク層７の面内磁化を有する磁区７２により再生層３への転写を阻止される。また、記録層８のうち、温度Ｔ１より低い温度領域に存在する磁区８３は、第２のマスク層７へ磁区７３として転写されるが、第１のマスク層６の面内磁化を有する磁区６２により再生層３への転写を阻止される。
【００２１】
従って、記録層８のうち、温度Ｔ１から温度Ｔ２の範囲にある磁化８１を有する磁区８０は、第２のマスク層７が温度Ｔ２で面内磁化膜になるため交換結合により第２のマスク層７へ磁化８１と同じ方向の磁化７１を有する磁区７０として転写され、第１のマスク層６では温度Ｔ１以上では垂直磁化膜になるので第２のマスク層７の磁区７０は、交換結合により磁化７１と同じ方向の磁化６１を有する磁区６０として第１のマスク層６へ転写される。そして、第１のマスク層６の磁区６０は交換結合により、更に、補助磁界層５へ磁化６１と同じ方向の磁化５１を有する磁区５０として転写され、補助磁界層５の磁区５０からは、強い漏洩磁界が非磁性層４を介して再生層３へ及ぶ。その結果、補助磁界層５の磁区５０は、確実に非磁性層４を介して再生層３へ磁区３０として転写される。
【００２２】
ここで、図６を参照して、補助磁界層５は曲線ｋ１で示すされるように、室温付近で補償温度となり、室温から１８０℃の範囲では温度上昇と共に飽和磁化が増加し、１８０℃から３５０℃の範囲では温度上昇と共に飽和磁化が小さくなる磁気特性を有する。一方、第１のマスク層６は曲線ｋ２で示されるように、２００℃付近に補償温度を有し、１２０℃から２００℃の範囲では補助磁界層５より小さい飽和磁化を有する。光磁気記録媒体から信号を再生する場合は、磁性層の温度は１２０〜１８０℃の範囲であるので、再生時には、補助磁界層５の飽和磁化は、第１のマスク層６より大きい。この飽和磁化は大きいということは、補助磁界層５からの漏洩磁界が大きいことを意味する。従って、光磁気記録媒体１０においては、補助磁界層５を用いることにより、記録層８から転写された磁区５０を漏洩磁界を大きくして再生層３へ転写できることになり、再生層３への磁区の転写を確実に行うことができる。
【００２３】
本願発明においては、第１のマスク層６が面内磁化膜から垂直磁化膜へ変化する温度Ｔ１は、１００〜１６０℃の範囲に設定され、第２のマスク層７が垂直磁化膜から面内磁化膜へ変化する温度Ｔ２は１２０〜１８０℃の範囲に設定される。そして、温度Ｔ１と温度Ｔ２の温度差は、２０〜４０℃の範囲が適しており、Ｔ２−Ｔ１を２０〜４０℃の範囲に設定することにより記録層８の各磁区を独立に再生層３へ転写できる。
【００２４】
レーザ光ＬＢの強度、光磁気記録媒体１０の回転数を制御することにより記録層８のうち、温度がＴ１からＴ２になる領域を最短ドメイン長程度に小さくできるので、光磁気記録媒体１０においては、記録層８の各磁区を独立に再生層３へ確実に転写できる。その結果、高分解能の信号再生が可能である。
【００２５】
図４を参照して、光磁気記録媒体１０における磁区拡大再生の過程について説明する。光磁気記録媒体１０にレーザ光ＬＢが照射される前に、再生層３、補助磁界層５、第２のマスク層７は、外部磁界により初期化される（図４の（ａ）参照）。光磁気記録媒体１０にレーザ光が照射されると、上記図３で説明したように記録層８のうち、温度がＴ１からＴ２の範囲にある磁区８０が再生層３へ磁区３０として転写される（図４の（ｂ）参照）。再生層３へ磁区３０が転写されると、外部から交番磁界Ｈｅｘが印加され、交番磁界Ｈｅｘのうち、磁区３０の磁化と同じ方向の磁界が印加されたタイミングで磁区３０は磁区３００へ拡大される。そして、拡大された磁区３００とレーザ光ＬＢとの磁気光学作用によりレーザ光ＬＢの反射光はその偏光面を回転され、偏光面が回転された反射光を検出することにより磁区３００が検出される（図４の（ｃ）参照）。磁区３００が検出された後、レーザ光ＬＢが移動し、磁区８０、７０、６０、５０、３００の領域の温度が下がると最初の状態に戻る（図４の（ａ）参照）。
【００２６】
上記説明した図４の（ａ）から（ｃ）の過程を経て記録層８の各磁区は独立に再生層３へ転写され、再生層３で交番磁界Ｈｅｘにより拡大されて検出される。光磁気記録媒体１０に照射されるレーザ光ＬＢの強度は、２．０ｍＷ程度であり、光磁気記録媒体１０に印加される交番磁界Ｈｅｘの強度は、±３００Ｏｅ程度であり、周波数は、２５ＭＨｚ程度である。
【００２７】
上記説明においては、光磁気記録媒体１０の再生層３は垂直磁化膜であるとして説明したが、これに限られるものではなく、室温で面内磁化膜であり、所定の温度以上で垂直磁化膜に変化する磁性層であっても良い。図５を参照して、再生層３３が室温で面内磁化膜であり、所定の温度以上で垂直磁化膜となる磁性層である場合には、レーザ光ＬＢを照射することにより所定の範囲ｒが垂直磁化膜に変化する。従って、記録層８のうち、温度がＴ１からＴ２の範囲にある磁区８０は上記図４で説明した過程を経て再生層３３へ転写され、拡大されて検出される。この場合、再生層３３が面内磁化膜から垂直磁化膜へ変化する温度Ｔ０は、Ｔ１−Ｔ０が０〜２０℃の範囲に設定される。
【００２８】
図９を参照して、光磁気記録媒体１０の再生層３に用いるＧｄＦｅＣｏのＧｄ含有量を変化させた時の再生信号のエラーレートについて説明する。この場合、Ｆｅ：Ｃｏ＝７５：２５と一定にしてＧｄ含有量を変化させた。また、膜厚は３００Å（■）と８００（○）Åの場合について示した。膜厚が３００Å（■）の場合、エラーレートは、Ｇｄ含有量の増加に伴って下に凸の放物線上に変化し、Ｇｄ含有量が２２〜２３ａｔ．％の範囲でエラーレートは最小になる。そして、Ｇｄ含有量が１８〜２８ａｔ．％の範囲で１０-4以下のエラーレートが得られる。従って、膜厚が３００Å（■）の場合は、Ｇｄ含有量が１８〜２８ａｔ．％の範囲のＧｄＦｅＣｏが再生層３として適している。一方、膜厚が８００（○）Åの場合は、Ｇｄ含有量の増加に伴って、エラーレートが減少し、Ｇｄ含有量が２５〜３４ａｔ．％の範囲で１０-4以下のエラーレートが得られる。従って、膜厚が膜厚が８００（○）Åの場合は、Ｇｄ含有量が２５〜３４ａｔ．％の範囲のＧｄＦｅＣｏが再生層３として適している。
【００２９】
図１０を参照して、光磁気記録媒体１０の再生層３に用いるＧｄＦｅＣｏの膜厚を変化させた時の再生信号のエラーレートについて説明する。この場合、Ｇｄの含有量は、２３ａｔ．％（■）と３０ａｔ．％（○）である。Ｇｄ含有量が２３ａｔ．％（■）の場合には、膜厚が１５０〜５００Åの範囲でエラーレートがが１０-4以下となり、Ｇｄの含有量が３０ａｔ．％（○）の場合には、膜厚が３００〜８００Åの範囲でエラーレートが１０-4以下とな。従って、Ｇｄの含有量が２３ａｔ．％（■）の場合には、１５０〜５００Åの範囲の膜厚が再生層３として適しており、Ｇｄの含有量が３０ａｔ．％（○）の場合には、３００〜８００Åの範囲の膜厚が再生層３として適している。また、Ｇｄの含有量を減少させることにより最適な膜厚は薄膜化の方向へシフトする。
【００３０】
図１１を参照して、光磁気記録媒体１０の補助磁界層５に用いるＧｄＦｅＣｏのＧｄ含有量を変化させた時の再生信号のエラーレートについて説明する。この場合、Ｆｅ：Ｃｏ＝７５：２５と一定にしてＧｄ含有量を変化させた。また、膜厚は３００Å（■）と８００（○）Åの場合について示した。膜厚が３００Å（■）の場合、エラーレートは、Ｇｄ含有量が１５〜３１ａｔ．％の範囲でエラーレートが１０-4以下になる。従って、膜厚が３００Å（■）の場合は、Ｇｄ含有量が１５〜３１ａｔ．％の範囲のＧｄＦｅＣｏが補助磁界層５として適している。一方、膜厚が８００（○）Åの場合は、Ｇｄ含有量が１５〜２５ａｔ．％の範囲で１０-4以下のエラーレートが得られる。従って、膜厚が膜厚が８００（○）Åの場合は、Ｇｄ含有量が１５〜２５ａｔ．％の範囲のＧｄＦｅＣｏが補助磁界層５として適している。
【００３１】
図１２を参照して、光磁気記録媒体１０の補助磁界層５に用いるＧｄＦｅＣｏの膜厚を変化させた時の再生信号のエラーレートについて説明する。この場合、Ｇｄの含有量は、１８ａｔ．％（●）、２３ａｔ．％（■）、および３０ａｔ．％（○）と変化させた。Ｇｄ含有量が１８ａｔ．％（●）の場合には、膜厚が１００〜１５００Åの範囲でエラーレートが１０-4以下となり、Ｇｄ含有量が２３ａｔ．％（■）の場合も、膜厚が１００〜１５００Åの範囲でエラーレートが１０-4以下となり、Ｇｄの含有量が３０ａｔ．％（○）の場合には、膜厚が１００〜４００Åの範囲でエラーレートが１０-4以下とな。従って、Ｇｄの含有量が１８ａｔ．％（●）、および２３ａｔ．％（■）の場合には、１００〜１５００Åの範囲の膜厚が補助磁界層５として適しており、Ｇｄの含有量が３０ａｔ．％（○）の場合には、１００〜４００Åの範囲の膜厚が補助磁界層５として適している。また、Ｇｄの含有量を減少させることにより最適な膜厚は厚膜化の方向へシフトする。
【００３２】
図１３を参照して、光磁気記録媒体１０の第１のマスク層６に用いるＧｄＦｅＣｏのＧｄ含有量を変化させた時の再生信号のエラーレートについて説明する。この場合、ＦｅとＣｏの比をＦｅ：Ｃｏ＝７０：３０（●）、Ｆｅ：Ｃｏ＝７５：２５（■）、およびＦｅ：Ｃｏ＝８０：２０（○）と変化させた。Ｆｅ：Ｃｏ＝７０：３０（●）の場合は、Ｇｄの含有量が２４〜３２ａｔ．％の範囲でエラーレートが１０-4以下になり、Ｆｅ：Ｃｏ＝７５：２５（■）の場合は、Ｇｄの含有量が２５〜３５ａｔ．％の範囲でエラーレートが１０-4以下になり、Ｆｅ：Ｃｏ＝８０：２０（○）の場合は、Ｇｄの含有量が２８〜３７ａｔ．％の範囲でエラーレートが１０-4以下になる。従って、第２のマスク層７としては、Ｆｅ：Ｃｏ＝７０：３０（●）の場合は、２４〜３２ａｔ．％の範囲のＧｄを含むＧｄＦｅＣｏが適しており、Ｆｅ：Ｃｏ＝７５：２５（■）の場合は２５〜３５ａｔ．％の範囲のＧｄを含むＧｄＦｅＣｏが適しており、Ｆｅ：Ｃｏ＝８０：２０（○）の場合は２８〜３７ａｔ．％の範囲のＧｄを含むＧｄＦｅＣｏが適している。
【００３３】
図１４を参照して、光磁気記録媒体１０の第１のマスク層６に用いるＧｄＦｅＣｏの膜厚を変化させた時の再生信号のエラーレートについて説明する。この場合、第１のマスク層６に用いるＧｄＦｅＣｏの組成は、ＦｅとＣｏの比をＦｅ：Ｃｏ＝７５：２５一定として、Ｇｄの含有量を２５ａｔ．％（●）、３０ａｔ．％（■）、３５ａｔ．％（○）と変化させた。Ｇｄの含有量が２５ａｔ．％（●）の場合には、８００〜１５００Åの範囲でエラーレートが１０-4以下となり、Ｇｄの含有量が３０ａｔ．％（■）の場合には、５００〜１５００Åの範囲でエラーレートが１０-4以下となり、Ｇｄの含有量が３５ａｔ．％（○）の場合には、４００〜８００Åの範囲でエラーレートが１０-4以下となる。
【００３４】
図１５を参照して、光磁気記録媒体１０の第２のマスク層７に用いるＧｄＦｅＣｏのＧｄ含有量を変化させた時の再生信号のエラーレートについて説明する。この場合、ＦｅとＣｏの比をＦｅ：Ｃｏ＝６０：４０（●）、Ｆｅ：Ｃｏ＝６５：３５（■）、およびＦｅ：Ｃｏ＝７０：３０（○）と変化させた。Ｆｅ：Ｃｏ＝６０：４０（●）の場合は、Ｇｄの含有量が２０〜２５ａｔ．％の範囲でエラーレートが１０-4以下になり、Ｆｅ：Ｃｏ＝６５：３５（■）の場合は、Ｇｄの含有量が１８〜２８ａｔ．％の範囲でエラーレートが１０-4以下になり、Ｆｅ：Ｃｏ＝７０：３０（○）の場合は、Ｇｄの含有量が１９〜２５ａｔ．％の範囲でエラーレートが１０-4以下になる。従って、第１のマスク層６としては、Ｆｅ：Ｃｏ＝６０：４０（●）の場合は、２０〜２５ａｔ．％の範囲のＧｄを含むＧｄＦｅＣｏが適しており、Ｆｅ：Ｃｏ＝６５：３５（■）の場合は１８〜２８ａｔ．％の範囲のＧｄを含むＧｄＦｅＣｏが適しており、Ｆｅ：Ｃｏ＝７０：３０（○）の場合は１９〜２５ａｔ．％の範囲のＧｄを含むＧｄＦｅＣｏが適している。
【００３５】
図１６を参照して、光磁気記録媒体１０の第２のマスク層７に用いるＧｄＦｅＣｏの膜厚を変化させた時の再生信号のエラーレートについて説明する。この場合、第２のマスク層７に用いるＧｄＦｅＣｏの組成は、ＦｅとＣｏの比をＦｅ：Ｃｏ＝６５：３５一定として、Ｇｄの含有量を１８ａｔ．％（●）、２３ａｔ．％（■）、２８ａｔ．％（○）と変化させた。Ｇｄの含有量が１８ａｔ．％（●）の場合には、８００〜１２００Åの範囲でエラーレートが１０-4となり、Ｇｄの含有量が２３ａｔ．％（■）の場合には、５００〜１５００Åの範囲でエラーレートが１０-4以下となり、Ｇｄの含有量が２８ａｔ．％（○）の場合には、８００Å付近ででエラーレートが１０-4となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本願発明に係る光磁気記録媒体の断面構造図である。
【図２】図１に示す光磁気記録媒体の各層の磁化分布を説明する図である。
【図３】図１に示す光磁気記録媒体の記録層から再生層への磁区の転写を説明する図である。
【図４】図１に示す光磁気記録媒体の磁区拡大再生の過程を説明する図である。
【図５】図１に示す光磁気記録媒体の再生層に室温で面内磁化膜であり、所定温度以上で垂直磁化膜となる磁性層を用いた場合の記録層から再生層への磁区の転写を説明する図である。
【図６】図１に示す光磁気記録媒体の補助磁界層と第１のマスク層との磁気特性図である。
【図７】従来の光磁気記録媒体の断面構造である。
【図８】従来の光磁気記録媒体の問題点を説明する図である。
【図９】図１の光磁気記録媒体の再生層に用いるＧｄＦｅＣｏのＧｄ含有量に対する再生信号のエラーレートの変化を示す図である。
【図１０】図１の光磁気記録媒体の再生層に用いるＧｄＦｅＣｏの膜厚に対する再生信号のエラーレートの変化を示す図である。
【図１１】図１の光磁気記録媒体の補助磁界層に用いるＧｄＦｅＣｏのＧｄ含有量に対する再生信号のエラーレートの変化を示す図である。
【図１２】図１の光磁気記録媒体の補助層に用いるＧｄＦｅＣｏの膜厚に対する再生信号のエラーレートの変化を示す図である。
【図１３】図１の光磁気記録媒体の第１のマスク層に用いるＧｄＦｅＣｏのＧｄ含有量に対する再生信号のエラーレートの変化を示す図である。
【図１４】図１の光磁気記録媒体の第１のマスク層に用いるＧｄＦｅＣｏの膜厚に対する再生信号のエラーレートの変化を示す図である。
【図１５】図１の光磁気記録媒体の第２のマスク層に用いるＧｄＦｅＣｏのＧｄ含有量に対する再生信号のエラーレートの変化を示す図である。
【図１６】図１の光磁気記録媒体の第２のマスク層に用いるＧｄＦｅＣｏの膜厚に対する再生信号のエラーレートの変化を示す図である。
【符号の説明】
１・・・基板
２・・・下地層
３、３３・・・再生層
４・・・非磁性層
５・・・補助磁界層
６・・・第１のマスク層
７・・・第２のマスク層
８・・・記録層
９・・・保護層
１０・・・光磁気記録媒体
３０、５０、６０、６２、７０、７２、７３、８０、８２、８３、３００、・・・磁区
５１、６１、７１、８１・・・磁化
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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