(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線が形成されたフィルムキャリアテープに半導体素子を実装する工程と、
前記半導体素子を樹脂で封止する工程と、
前記フィルムキャリアテープを前記個片のフィルム実装体に打ち抜く工程と、
各個片のフィルム実装体の検査を行って良品を選別する工程と、
複数の取付領域を有する補強部材の各取付領域に、良品として選別された前記個片のフィルム実装体を設ける工程と、
前記個片のフィルム実装体が設けられた取付領域に対応して、前記補強部材を切断して個片に分離する工程と、
を含み、
前記検査を行って良品を選別する工程は、前記半導体素子を樹脂で封止する工程の後に行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記補強部材の各取付領域に個片のフィルム実装体を貼り付けた後の工程を、Ｐ−BGA型パッケージの製造ラインで行う半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記補強部材の各取付領域に個片のフィルム実装体を貼り付ける工程後、前記補強部材を切断する工程前に、前記リードに外部電極を形成する工程を含む半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記補強部材は、切断位置に沿って前記取付領域を囲む長穴が形成され、前記取付領域が少なくとも一つの支持部のみにて支持され、前記補強部材を切断する工程は、前記支持部を切断して行われる半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記補強部材の各取付領域に個片のフィルム実装体を貼り付ける工程後、前記補強部材を切断する工程前に、各半導体素子を含む領域に放熱部材を貼り付ける工程を含む半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項４記載の半導体装置の製造方法において、
前記補強部材の各取付領域に個片のフィルム実装体を貼り付ける工程後、前記補強部材を切断する工程前に、各半導体素子を含む領域に放熱部材を貼り付ける工程を含む半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項５の記載半導体装置の製造方法において、
前記放熱部材の端部が、前記補強部材の切断位置よりも内側に位置するように配置され、
前記補強部材を切断する工程において、前記放熱部材よりも外側から前記補強部材の切断位置まで、前記補強部材の両面を一対の押さえ部材の間に挟ませて、この押さえ部材の外側の位置で、前記補強部材に対してせん断力をかけて切断される半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項６記載の半導体装置の製造方法において、
前記放熱部材の端部が、前記補強部材の切断位置よりも内側に位置するように配置され、
前記補強部材を切断する工程において、前記放熱部材よりも外側から前記補強部材の切断位置まで、前記補強部材の両面を一対の押さえ部材の間に挟ませて、この押さえ部材の外側の位置で、前記補強部材に対してせん断力をかけて切断される半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項６記載の半導体装置の製造方法において、
前記放熱部材の外形は、前記長穴における前記取付領域側の側端にほぼ合致し、かつ、前記取付領域における前記支持部との接続部に対して内側に位置し、
前記補強部材を切断する工程において、前記放熱部材よりも外側から前記支持部の切断位置まで、前記補強部材の両面を一対の押さえ部材の間に挟ませて、この押さえ部材の外側の位置で、前記支持部に対してせん断力がかけられる半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項６記載の半導体装置の製造方法において、
前記放熱部材は、前記補強部材の長穴、取付領域及び支持部に対応する平面形状をなして前記補強部材に重ね合わされ、前記補強部材とともに切断される半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項10記載の半導体装置の製造方法において、
前記放熱部材及び前記補強部材は、相互に係合する凸部及び凹部を有する半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、半導体装置及びその製造方法並びに電子機器に関する。
背景技術
半導体装置の小型化を追求するとベアチップ実装が理想的であるが、品質の保証及び取り扱いが難しいため、パッケージ形態に加工することで対応してきた。特に多端子化の要求に応じたパッケージ形態として、近年、BGA（Ball Grid Array）型パッケージが開発されてきた。BGA型パッケージは、基板に外部端子であるバンプをエリアアレイ状に配置し、面実装できるようにしたものである。
BGA型パッケージの一つとして、TAB（Tape Automated Bonding）技術に用いられるフレキシブル基板（フィルムキャリアテープ）が適用されて、このフィルムキャリアテープがベースになるＴ−BGA（Tape Ball Grid Array）型パッケージがある。これによれば、フィルムキャリアテープの特徴を活かして、狭ピッチ化及び多端子化の半導体装置が提供できる。
ただし、フィルムキャリアテープは、剛性がなく反りやすいことから、補強板（スティフナ）の貼り付けが必要であった。スティフナを張り付ける工程は、フィルムキャリアテープに半導体チップを実装して、これを個片のフィルムに打ち抜いてから行われていた。詳しくは、フィルムキャリアテープを個片のフィルムに打ち抜いて、良品選別を行い、良品のみにスティフナを貼り付けていた。こうすることで、完成品を得る前に予め不良品を排除できるので歩留まりを上げることができる。
以上の工程によれば、スティフナを貼り付けた後に行われるバンプ形成等の工程では、バラバラになったフィルムを取り扱わなければならないので、工程が煩雑になっていた。
本発明は、この問題点を解決するものであり、その目的は、量産性に優れ、取り扱いが容易になるＴ−BGA型パッケージの製造方法及びその方法により製造される半導体装置並びに電子機器を提供することにある。
発明の開示
（１）本発明に係る半導体装置の製造方法は、可撓性基板上に形成された配線パターンと半導体素子の電極とが接続されて良品として選別された個片のフィルム実装体を用意する工程と、
複数の取付領域を有する補強部材の各取付領域に、前記個片のフィルム実装体を貼り付ける工程と、
前記個片のフィルム実装体が貼り付けられた取付領域に対応して、前記補強部材を切断して個片に分離する工程と、
を含む。
ここでいう補強部材とは、フィルムキャリアテープの反りを防止する（平坦性を確保する）機能を有するもの全てを含み、例えばスティフナと呼ばれるものを用いることが多い。
本発明によれば、補強部材に複数の取付領域が設けられており、各取付領域に、個片のフィルム実装体が貼り付けられる。こうすることで、複数の半導体装置を構成することになる複数の個片のフィルム実装体が、補強部材と一体化するので、その後の工程を量産ラインにのせることができる。
また、補強部材の各取付領域に、正確に各個片のフィルム実装体を貼り付けておけば、補強部材と個片のフィルム実装体との相対的位置が固定されるので、位置精度が向上する。
さらに、半導体素子が実装された個片のフィルム実装体は、良品として選別されているもののみである。したがって、その選別後の工程において（具体的には補強部材にフィルム実装体が貼り付けられた工程以降）、歩留まりが著しく向上する。
（２）前記個片のフィルム実装体を用意する工程の前に、
複数箇所に前記配線パターンが形成されたフィルムキャリアテープに前記半導体素子を実装する工程と、
また、この半導体装置の製造方法は前記半導体素子と前記フィルムキャリアテープとの接合部を含む領域を樹脂でモールドする工程を含んでもよい。
前記フィルムキャリアテープを前記個片のフィルム実装体に打ち抜く工程と、
各個片のフィルム実装体の検査を行って良品のみを選別する工程と、を有してもよい。
これは、すなわち、TAB工程を適用した工程である。こうすることで、TAB工程の特徴を活かせることができ、TAB工程の製造ラインをそのまま使用することができる。
（３）前記補強部材の各取付領域に個片のフィルム実装体を貼り付けた後の工程を、Ｐ−BGA（Plastic Ball Grid Array）型パッケージの製造ラインで行ってもよい。
Ｐ−BGA型パッケージの製造ラインを利用して、具体的には、マーキング、ボール（バンプ）形成、洗浄、個片切断や外観検査等の各工程を行うことができる。
ここで、Ｐ−BGA型パッケージは、プリント基板がベースになっており、このプリント基板に複数の半導体チップを実装して、その後各半導体チップに対応して、プリント基板を個片に打ち抜いて製造される。
本発明では、複数の個片のフィルム実装体が貼り付けられた補強部材を、プリント基板の代わりにして、Ｐ−BGA型パッケージの製造ラインを利用することができる。そして、既存の製造ラインを使用すれば、設備投資も不要になり、コストの削減を図ることができる。
（４）前記補強部材の各取付領域に個片のフィルム実装体を貼り付ける工程後、前記補強部材を切断する工程前に、前記配線パターンに外部電極を形成する工程を含んでもよい。
補強部材を切断する前には、複数の個片のフイルム実装体が補強部材に貼り付けられている。したがって、この時点で外部電極を形成するので、複数の個片のフィルム実装体に対して同時に、又は、フィルム実装体に対して連続的に、外部電極を形成することができ、工程を短縮することができる。
（５）前記補強部材は、切断位置に沿って前記取付領域を囲む長穴が形成され、前記取付領域が少なくとも一つの支持部のみにて支持され、
前記補強部材を切断する工程は、前記支持部を切断して行われてもよい。
これによれば、支持部を切断すればよいため、堅い補強部材であっても簡単に切断することができる。また、支持部を切断するので、補強部材の取付領域の変形が防止され、取付部材に貼り付けられた個片のフィルム実装体の平坦性も確保される。
（６）前記補強部材の各取付領域に個片のフィルム実装体を貼り付ける工程後、前記補強部材を切断する工程前に、各半導体素子を含む領域に放熱部材を貼り付ける工程を含んでもよい。
放熱部材は、半導体素子に生じる熱の発散を促進するもので、半導体素子の発熱量に応じて貼り付けられる。補強部材を切断する前では、複数の半導体素子が補強部材に取り付けられているので、同時に各半導体素子に対応して放熱部材を貼り付けることができる。
（７）本発明では、前記放熱部材の端部が、前記補強部材の切断位置よりも内側に位置するように配置され、
前記補強部材を切断する工程において、前記放熱部材よりも外側から前記補強部材の切断位置まで、前記補強部材の両面を一対の押さえ部材の間に挟ませて、この押さえ部材の外側の位置で、前記補強部材に対してせん断力をかけて切断してもよい。
これによれば、補強部材の切断位置の付近が押さえ部材にて保持されるので、切断時に補強部材が曲がることを防止することができる。補強部材が曲がらないので、個片のフィルム実装体の平坦性が確保され、外部電極の良好な実装を行えるようになる。
（８）前記補強部材に、切断位置に沿って前記取付領域を囲む長穴が形成され、前記取付領域が少なくとも一つの支持部のみにて支持されるときには、
前記放熱部材の外形は、前記長穴における前記取付領域側の側端にほぼ合致し、かつ、前記取付領域における前記支持部材との接続部に対して内側に位置し、前記補強部材を切断する工程において、前記放熱部材よりも外側から前記支持部の切断位置まで、前記補強部材の両面を一対の押さえ部材の間に挟ませて、この押さえ部材の外側の位置で、前記支持部に対してせん断力がかけられてもよい。
これによれば、補強部材の支持部の切断位置の付近が押さえ部材にて保持されるので、切断時に補強部材が曲がることを防止することができる。
（９）前記補強部材に、切断位置に沿って前記取付領域を囲む長穴が形成され、前記取付領域が少なくとも一つの支持部のみにて支持されるときには、
前記放熱部材は、前記補強部材の長穴、取付領域及び支持部に対応する平面形状をなして前記補強部材に重ね合わされ、前記補強部材とともに切断されてもよい。
補強部材には複数の半導体素子が取り付けられている。したがって、補強部材に対応する平面形状をなす放熱部材を補強部材に重ね合わせれば、複数の半導体素子に対して同時に放熱部材を取り付けることができる。これによって、放熱部材の位置合わせや貼り付けの工程を短縮することができる。
（10）前記放熱部材及び前記補強部材は、相互に係合する凸部及び凹部を有してもよい。これによって、放熱部材と補強部材との位置合わせを簡単に行うことができる。
（11）本発明に係る半導体装置は、上記方法により製造される。
（12）本発明に係る回路基板は、上記半導体装置が実装されてなる。
（13）本発明に係る電子機器は、上記回路基板を有する。
【図面の簡単な説明】
図1A〜図1Cは、本発明の実施形態に係る半導体装置の製造工程を説明する図であり、図２は、実施形態におけるフィルムキャリアテープを示す図であり、図３は、フィルムキャリアテープから打ち抜かれた絶縁フィルムを示す図であり、図４は、実施形態における補強部材を示す図であり、図５は、絶縁フィルムが貼り付けられた補強部材を示す図であり、図６は、放熱部材が貼り付けられた補強部材を示す図であり、図７は、補強部材を切断する工程を示す図であり、図８は、実施形態における半導体装置を示す図であり、図９は、実施形態の変形例を示す図であり、図10は、本実施形態に係る回路基板を示す図であり、図11は、本発明に係る方法を適用して製造された半導体装置を実装した回路基板を備える電子機器を示す図である。
発明を実施するための最良の形態
以下、本発明の実施形態を、図面を参照して説明する。
図1A〜図７は、本発明の実施形態に係る半導体装置の製造工程を説明する図であり、図８は、本実施形態における完成した半導体装置を示す図である。
図８に示すように、半導体装置10は、BGAパッケージを適用したものである。すなわち、同図において、半導体装置10は、絶縁フィルム12と、絶縁フィルム12に形成された複数のリード20と、各リード20に設けられたバンプ14と、半導体チップ16と、を有し、複数のバンプ14によって面実装が可能になっている。バンプ14は外部電極として使用される。
絶縁フィルム12は、図1A〜図２に示す長尺のフィルムキャリアテープ30をパンチグして得られるもので、半導体チップ16よりも大きく形成されている。絶縁フィルム12には、デバイスホール14が形成されている。
デバイスホール24からは、リード20の端部20aが突出し、この端部20aに半導体チップ16の電極18が接続される。すなわち、絶縁フィルム12におけるリード20が形成される面とは反対側面であって、かつ、デバイスホール24の内側に電極18が位置するように、半導体チップ16を配置して、リード20の端部20aと電極18とがボンディングされる。
リード20は、半導体チップ16の電極18とランド21（図２参照）とを接続するようになっている。ランド21には、バンプ14が設けられている。バンプ14は、例えばハンダから形成されて上部はボール状に形成されている。また、ハンダ以外に例えば銅等が使用されてもよい。
さらに、絶縁フィルム12のリード20を有する面には、バンプ14を避けてソルダレジスト22が塗布されている。ソルダレジスト22は、特にリード20の表面を覆って保護するようになっている。
バンプ14とは反対側で絶縁フィルム12には、プレート状のスティフナ28が設けられる。スティフナ28は、銅やステンレス鋼や銅系合金等で形成されて平面形状を維持できる強度を有し、絶縁フィルム12上に絶縁接着剤29を介して貼り付けられる。なお、絶縁接着剤29は、熱硬化性又は熱可塑性のフィルムとして形成されている。また、スティフナ28は、半導体チップ16を避けて、絶縁フィルム12の全体に貼り付けられる。こうすることで、絶縁フィルム12の歪み、うねりがなくなり、バンプ14の高さが一定になって平面安定性が向上し、回路基板への実装歩留りが向上する。
さらに、半導体チップ16の実装面とは反対側の面には、銀ペースト等の熱伝導接着剤25を介して放熱板27が接着されている。これによって、半導体チップ16の放熱性を上げることができる。放熱板27は、半導体チップ16よりも大きく形成されており、スティフナ28の上にも接着されるようになっている。なお、スティフナ28と放熱板27との間も、熱伝導接着剤25で接着されて気密されている。熱伝導接着剤25は、半導体チップ16の発熱量によっては通常の絶縁接着剤もしくは上述の絶縁フィルムで代用してもよい。
半導体チップ16と絶縁フィルム12との間は、エポキシ樹脂26のポッティングによって封止されている。また、エポキシ樹脂26は、デバイスホール24及び半導体チップ16の外周にも回り込む。
本実施形態に係る半導体装置は、上述したように構成されており、以下その製造方法について説明する。
（TAB工程）
まず、図1A〜図1Cに示すように、TAB工程によって半導体チップ16をフィルムキャリアテープ30に実装し、エポキシ樹脂26のポッティングを行って、個片の絶縁フィルム12に打ち抜く。
詳しくは、図1Aに示すように、フィルムキャリアテープ30に半導体チップ16を実装する。フィルムキャリアテープ30の拡大図を図２に示す。
フィルムキャリアテープ30はポリイミド樹脂等で形成され、デバイスホール24が形成され、その外側に複数のリード20及び複数のランド21が形成されている。
詳しくは、フィルムキャリアテープ30には、複数のデバイスホール24が形成されるとともに、各デバイスホール24の外側に複数のリード20及び複数のランド21が形成されている。なお、図において、一部のリード20及びランド21のみを示し、その他を省略してある。
ランド21は、リード20におけるデバイスホール24から離れる方向に延びる部位を介して、メッキリード32に接続されている。メッキリード32には、図に示されないものを含み全てのリード20が接続されている。そして、メッキリード32を使用して、リード20及びランド21には、全て電気メッキが施されている。あるいは、無電解メッキ法を用いることで、リード20及びランド21にメッキを施しても良い。この場合には、メッキリード32は不要となる。
このようなフィルムキャリアテープ30は、図1Aに示すように、リール33に巻き取られてあり、端部が引き出されて他のリール35にて巻き取るようになっている。そして、リール33、35の間で、ボンティング治具31によって、半導体チップ16がフィルムキャリアテープ30にボンディングされる。このボンディングとして、シングルポイントボンディング方式及びギャングボンディング方式のいずれを採用してもよい。後者によれば、各半導体チップ16について、全てのリード20の端部20aと電極18とを一括でボンディングすることができる。
こうして、フィルムキャリアテープ30に、複数の半導体チップ16が連続的に実装されると、半導体チップ16を巻き込んだ状態でフィルムキャリアテープ30がリール35に巻き取られる。
次に、図1Bに示すように、リール35に巻き取られたフィルムキャリアテープ30を、別の製造装置にセットする。そして、リール35、37の間にフィルムキャリアテープ30を掛け渡して、エポキシ樹脂26をポッティングする。ポッティング箇所については、図８に示す通りである。
そして、リール37にてフィルムキャリアテープ30が巻き取られると、図1Cに示すように、これを更に別の製造装置にセットする。そして、リール37、39の間にフィルムキャリアテープ30を掛け渡して、個片の絶縁フィルム12に打ち抜く。
図３は、個片の絶縁フィルム12を示す図である。同図に示すように、打ち抜かれた絶縁フィルム12には、半導体チップ16が実装されているとともに、エポキシ樹脂26にて半導体チップ16が封止されている。
そして、各絶縁フィルム12について検査を行って、良品のみを選別する。検査として、例えば、実装状態の外観検査や電気的特性の検査などが挙げられる。
以上の工程は、全て従来行われてきたTAB工程にて行われるので、これまでの製造装置を使用することができる。なお、上記実施形態では、実装工程、ポッティング工程及び打ち抜き工程が、別の製造工程にて行われるが、各製造装置を合わせて一つの製造ラインとなっている。あるいは、実装工程、ポッティング工程及び打ち抜き工程を連続して行える製造装置を使用してもよい。または、打ち抜き工程と以下に述べる中間工程とを連続して行える製造装置を使用してもよい。
（中間工程）
次に、図４に示すプレート40を用意する。このプレート40は、その後スティフナ28（図８参照）に打ち抜かれるものである。
プレート40には、複数のデバイスホール42及び複数の長穴44が形成されている。デバイスホール42は、図８に示すように、半導体チップ16を避けられるように、半導体チップ16の外形よりも大きい矩形（正方形）に形成される。
各長穴44は、各デバイスホール42の四辺の外側において、各辺に平行に形成されている。長穴44を形成する平行な側端のうち、デバイスホール42側の側端は、スティフナ28の外形を形成する。すなわち、長穴44は、プレート40をスティフナ28に打ち抜くときの切断位置に沿って形成されている。
また、隣同士の長穴44は連通しないようになっている。したがって、図８に示すように個片の絶縁フィルム12が貼り付けられる取付部46は、長穴44によって囲まれているが、支持部48によって支持されている。支持部48は、各デバイスホール42の対角線の延長線上に位置する。
以上の形状をなすプレート40は、複数の半導体チップ16に対応して、複数の取付部46を有する。
そして、プレート40の各取付部46に、上述した絶縁フィルム12を貼り付ける。絶縁フィルム12には、既に半導体チップ16が実装してあり、しかも良品のみが選別されている。したがって、これ以後の工程での歩留まりを上げることができる。
図５は、絶縁フィルム12が貼り付けられたプレート40を示す図である。なお、同図において、プレート40の上に、半導体チップ16が実装された面を下にして、絶縁フィルム12が貼り付けられている。半導体チップ16は、プレート40のデバイスホール42内に位置する。したがって、プレート40とは反対側の面（図において表面）には、ランド21及び図示を省略したリードが露出する。
絶縁フィルム12とプレート40との接着は、図８に示す絶縁接着剤29によって行われる。絶縁接着剤29は、熱硬化性又は熱可塑性のフィルムとして形成し、予めプレート40に貼り付けておいてもよい。そして、プレート40を、絶縁フィルム12における半導体チップ16が突出する面に熱圧着することができる。
また、図５に示すように、絶縁フィルム12は、取付部46から長穴44にわずかにはみ出している。こうすることで、絶縁フィルム12の外形を基準として、バンプ14形成等の位置決めを行うことができる。
次に、図６に示すように、各半導体チップ16（図示せず）に対応して、個片の放熱板27を貼り付ける。詳しくは、図８に示すように、半導体チップ16における電極18とは反対側の面から、プレート40（スティフナ28）における取付部46に至るまで、放熱板27が接着される。この接着には、熱伝導接着剤25が使用される。なお、熱伝導性接着剤25は、ペースト状のものに限らずテープ状のものであってもよい。テープ状の熱伝導性接着剤25を使用する場合には、これを予め放熱板27に貼り付けておいてもよい。また、比較的発熱量の少ない半導体チップでは、熱伝導性接着剤の代わりに絶縁接着剤を用いても良い。
放熱板27は、図６に示すように、長穴44の側端からはみ出さない形状をなしている。さらに、放熱板27は、プレート40の取付部46における支持部48との接続部46aを避ける形状になっている。すなわち、接続部46aは、放熱板27によって覆われずに露出する。
なお、ここで支持部48は、プレート40をスティフナ28に切断するときの切断位置を境として、スティフナ28から突出する部分をいう。また、接続部46aは、スティフナ28に切断したときに、切断位置を境としてスティフナ28に残る部分をいう。したがって、プレート40をスティフナ28に切断するときには、支持部48を切断するということもできるし、接続部46aを切断するということもできる。
（後工程）
以上の工程が終わると、絶縁フィルム12及び放熱板27が貼り付けられたプレート40を、後工程として、Ｐ−BGA型パッケージの製造ラインにのせる。絶縁フィルム12が貼り付けられたプレート40を、従来のＰ−BGA型パッケージのプリント基板と同様の形状にすることで、この製造ラインを利用することができる。
ここでは、放熱板27に製品名などをマーキングし、絶縁フィルム12に形成されたランド21にバンプ14を形成して洗浄を行う。これらの工程は、従来と同様である。
続いて、プレート40を個片のスティフナ28に切断する。図７は、プレート40の切断工程を示す図であり、プレート40は図６のVII−VII線断面に対応する。
図７において、押さえ治具50、52によって、プレート40が挟まれている。詳しくは、プレート40、絶縁接着剤29、絶縁フィルム12、リード20及びソルダレジスト22が、押さえ治具50、52によって挟まれている。
また、プレート40の平面的位置として、取付部46における支持部48との接続部46aが、押さえ治具50、52によって挟まれ、支持部48が押さえ治具50、52の外側に突出するようになっている。言い換えると、放熱板27よりも外側から切断しようとする位置の手前までにおいて、プレート40が挟まれている。この状態で、カットポンチ54が支持部48に対してせん断力を加えてこれを切断する。
本実施形態によれば、カットポンチ54による切断位置の内側においてプレート40の両面が挟まれているので、カットポンチ54による切断時に、スティフナ28全体はもちろん、その端部となる接続部46aが変形しない。これによって、絶縁フィルム12の歪み、うねりがなくなり、バンプ14の高さが一定になって平面安定性が向上し、回路基板への実装歩留りが向上する。
以上の工程では、TAB工程の製造ライン及びＰ−BGAパッケージの製造ラインが利用できるので、従来の設備をそのまま活用することができる。
本発明は、上記実施形態に限定されず、種々の変形が可能である。例えば、上述した放熱板27をプレート40と同様の形状にして、両者を重ね合わせて同時に切断してもよい。図９は、放熱板及びプレートについて本実施形態の変形例を示す図である。
図９において、プレート60は、一方の面から突出する凸部62が形成されていることを除き、上述したプレート40と同じ形状をなしており、複数の取付部64を有する。そして、放熱板70も、凹部72が形成されていることを除き、上述したプレート40と同じ形状をなしており、複数の取付部74を有する。なお、凹部72とは、少なくともくぼんだ形状をなすものであって、貫通した穴であってもよい。
凸部62と凹部72とは、はまるように形成されており、かつ、両者がはまり合うと、プレート60と放熱板70とが一致して重なるようになっている。
ここで、凸部62及び凹部72が形成されていることで、プレート60に対する放熱板70の位置合わせを簡単に行うことができ、位置精度も優れている。しかも、放熱板70は、複数の取付部74を有するので、プレート60の複数の取付部64に対して同時に貼り付けることができる。また、この凸部62は、プレート60と放熱板70とを位置合わせするための治具に設けられていても良く、この場合にはプレート60及び放熱板70のそれぞれに凸部がない代わりに、プレート60及び放熱板70の凸部に対応する部位それぞれに、凹部（穴等）が設けられていれば上述と同様に組み立てることができる。
また、プレート60と放熱板70とが既に一体形成されたものを用いても良い。詳しくは、プレートのデバイスホール42に相当する部位を他の部位に比べて凸型になるように絞り加工されたものを用いることで対応が可能となる。なお、絞りの高さ（深さ）は上述の構造における放熱板の位置までとする。このようにすることで、部品点数を減らして製造コストを下げることができる。
また、図８に示すように、半導体チップ16がバンプ14形成面とは反対側に実装された裏TAB型のみならず、バンプ14形成面側に半導体チップ16を実装した表TAB型にも本発明を適用することができる。また、上記絶縁フィルム12の代わりに、配線側に突起が一体形成されたいわゆるＢ−TAB型の絶縁フィルムを用いても良い。あるいは、バンプ無しのフィルムキャリアテープを使用して、シングルポイントボンディングを行っても良い。
図10には、本発明を適用した半導体装置1100を実装した回路基板1000が示されている。回路基板には例えばガラスエポキシ基板等の有機系基板を用いることが一般的である。回路基板には例えば銅からなる配線パターンが所望の回路となるように形成されていて、それらの配線パターンと半導体装置のバンプとを機械的に接続することでそれらの電気的導通を図る。
そして、この回路基板1000を備える電子機器として、図11には、ノート型パーソナルコンピュータ1200が示されている。
なお、上記本発明を応用して、半導体装置と同様に多数のバンプを必要とする面実装用の電子部品（能動部品か受動部品かを問わない）を製造することもできる。電子部品として、例えば、抵抗器、コンデンサ、コイル、発振器、フィルタ、温度センサ、サーミスタ、バリスタ、ボリューム又はヒューズなどがある。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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