(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップに設けられた複数の接続電極と前記半導体チップが実装されるパッケージに設けられた複数の外部引出し用端子とをそれぞれ複数のボンディングワイヤで接続した後、隣接するボンディングワイヤに逆向きの電流を流すように、前記複数のボンディングワイヤに通電し、この通電電流とこの通電電流によって発生する電流磁界との相互作用によって前記複数のボンディングワイヤを変形させることにより、隣接するボンディングワイヤ同士の接触を防止することを特徴とするボンディングワイヤの接触防止方法。
【請求項２】
前記通電電流と前記電流磁界とによる相互作用によって変形させられた前記複数のボンディングワイヤの弾性変形による応力を通電による発熱によって緩和させることにより、隣接するボンディングワイヤ同士の接触を防止することを特徴とする請求項１記載のボンディングワイヤの接触防止方法。
【請求項３】
針状の通電用端子を有する電源を用いて、前記複数のボンディングワイヤを通電することを特徴とする請求項１記載のボンディングワイヤの接触防止方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体チップをパッケージに実装する場合において、隣接するボンディングワイヤ同士の接触を防止するボンディングワイヤの接触防止方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、半導体ウェハ上に多数の能動素子を形成することによって高度な信号処理を行う半導体装置を製造する場合は、製造工程の最終段階で、半導体基板がむき出された状態にある半導体チップ（いわゆるベアチップ）をパッケージに実装する必要がある。この実装処理は、半導体チップをパッケージに搭載する処理と、半導体チップに設けられた接続電極とパッケージに設けられた外部引出し用電極とを電気的に接続する処理と、パッケージを封止する処理とからなる。
【０００３】
半導体チップに設けられた接続電極とパッケージに設けられた外部引出し用端子とを接続する方法としては、一般に、ワイヤボンディング法が用いられる。ここで、ワイヤボンディング法とは、接続電極と外部引出し用端子とを、ボンディングワイヤと呼ばれる金からなる細線によって接続する方法である。この場合、ボンディングワイヤと接続電極等との接続は、ボンディングワイヤを接続電極等に押し付けて熱及び超音波振動を加えることにより行われる。
【０００４】
なお、このワイヤボンディング法としては、一般に、ボールボンディング法が用いられる。ここで、ボールボンディング法とは、電気トーチによりボンディングワイヤの一端にボールを形成し、このボールを半導体チップ上の接続電極に押し付けて熱及び超音波振動を加えることにより、ボンディングワイヤを接続電極に接続する方法である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、近年、ワイヤボンディング法によって、半導体チップ上の接続電極とパッケージの外部引出し用端子とを接続する場合、ボンディングワイヤが少し曲がっただけでも、隣接するボンディングワイヤ同士が接触することがあるという問題が生じてきた。これは、半導体チップの高性能化によって、半導体チップ上の接続電極のピッチが狭くなってきているとともに、パッケージの外部引出し用端子のピッチ限界の低さから、ボンディングワイヤが長くなってきているためである。
【０００６】
この問題に対処するために、従来、ボンディング装置の高性能化やボンディングワイヤのループ形状の改善、さらには、ボンディングワイヤの製造材料の最適化が進められている。しかしながら、現在のところ、これらのいずれの方法でも、十分な効果が得られていない。
【０００７】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、ボンディングワイヤのピッチが狭く、かつ、長さが長い場合であっても、隣接するボンディングワイヤ同士の接触を防止可能なボンディングワイヤの接触防止方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載のボンディングワイヤの接触防止方法は、半導体チップに設けられた複数の接続電極と半導体チップが実装されるパッケージに設けられた複数の外部引出し用端子とをそれぞれ複数のボンディングワイヤで接続した後、隣接するボンディングワイヤに逆向きの電流を流すように、複数のボンディングワイヤに通電し、この通電電流とこの通電電流によって発生する電流磁界との相互作用によって複数のボンディングワイヤを変形させることにより、隣接するボンディングワイヤ同士の接触を防止するようにしたものである。
【０００９】
請求項２記載のボンディングワイヤの接触防止方法は、請求項１記載のボンディングワイヤの接触防止方法において、通電電流と電流磁界とによる相互作用によって変形させられた複数のボンディングワイヤの弾性変形による応力を通電による発熱によって緩和させることにより、隣接するボンディングワイヤ同士の接触を防止するようにしたものである。
【００１０】
請求項３記載の接触防止方法は、請求項１記載のボンディングワイヤの接触防止方法において、針状の通電用端子を有する電源を用いて、複数のボンディングワイヤに電流を流すようにしたものである。
【００１１】
請求項１記載のボンディングワイヤの接触防止方法では、半導体チップ上の複数の接続電極とパッケージの複数の外部引出し用端子との接続が終了すると、複数のボンディングワイヤは、隣接するボンディングワイヤに逆向きの電流を流すように通電される。これにより、隣接するボンディングワイヤの間に、通電電流と電流磁界との相互作用によって斥力が働く。その結果、隣接するボンディングワイヤは、互いに近づく方向に曲がっている場合であっても、互いに離れる方向に変形させられる。これにより、隣接するボンディングワイヤの接触が防止される。
【００１２】
請求項２記載のボンディングワイヤの接触防止方法では、複数のボンディングワイヤは所定時間通電される。これにより、複数のボンディングワイヤの温度がジュール熱によって高められる。その結果、複数のボンディングワイヤの温度が弾性降伏温度を越えると、これら複数のボンディングワイヤの弾性変形による応力が緩和される。これにより、単に電磁力によってボンディングワイヤを変形させる場合よりも、ボンディングワイヤの変形状態の保持効果を高めることができる。その結果、単に電磁力によってボンディングワイヤを変形させる場合より、隣接するボンディングワイヤの接触防止効果を高めることができる。
【００１３】
請求項３記載のボンディングワイヤの接触防止方法では、複数のボンディングワイヤは、針状の通電用端子を有する電源を用いて通電される。これにより、針状の通電端子をボンディング部に接触させるだけで、ボンディングワイヤを通電することができるので、ボンディングワイヤの通電処理（電源の接続処理）を簡単にすることができる。
【００１４】
【実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１５】
図１は、本発明の第１の実施の形態の構成を示す斜視図である。図において、１１（１）〜１１（４）は、ボンディングワイヤを示す。これらボンディングワイヤ１１（１）〜１１（４）は、直径が１０〜３５［μｍ］の金線で形成されている。ボンディングワイヤ１１（１）〜１１（４）の一端は、それぞれリードフレームにダイボンディングされた半導体チップ１２上の電極パッド（接続電極）１３（１）〜１３（４）に接続されている。また、ボンディングワイヤ１１（１）〜１１（４）の他端は、それぞれリードフレームの銀メッキされたインナリード（外部引出し用端子）１４（１）〜１４（４）に接続されている。
【００１６】
ボンディングワイヤ１１（１）〜１１（４）と電極パッド１３（１）〜１３（４）との接続は、例えば、ボールボンディング法によって行われている。すなわち、ボンディングワイヤ１１（１）〜１１（４）の一端には、電気トーチによりボール１５（１）〜１５（４）を形成されている。このボール１５（１）〜１５（４）は、電極パッド１３（１）〜１３（４）に押し付けて熱及び超音波振動を加えられる。これにより、ボンディングワイヤ１１（１）〜１１（４）の一端が電極パッド１３（１）〜１３（４）に接続される。
【００１７】
本実施の形態は、電極パッド１３（１）〜１３（４）とインナリード１４（１）〜１４（４）とをボンディングワイヤ１１（１）〜１１（４）で接続した後、隣接するボンディングワイヤ１１（ｍ），１１（ｍ＋１）（ｍ＝１，２，３）に逆向きの電流を流すように、ボンディングワイヤ１１（１）〜１１（４）に通電し、この通電電流とこの通電電流によって発生する電流磁界との相互作用によってボンディングワイヤ１１（１）〜１１（４）を変形させることにより、隣接するボンディングワイヤ１１（ｍ），１１（ｍ＋１）同士の接触を防止するようにしたものである。
【００１８】
ボンディングワイヤ１１（１）〜１１（４）の通電は、電源１６（１）〜１６（４）を用いて行われる。電源１６（１）〜１６（４）は、隣接するボンディングワイヤ１１（ｍ），１１（ｍ＋１）に逆向きの電流を流すように接続されている。すなわち、電源１６（１），１６（３）の正側端子は、例えば、それぞれボール１５（１），１５（３）に接続され、負側端子は接地されている。これに対し、電源１６（２），１６（４）の正側端子は接地され、負側端子はそれぞれボール１５（２），１５（４）に接続されている。これにより、ボンディングワイヤ１１（１），１１（３）とボンディングワイヤ１１（２），１１（４）とには逆向きの電流が流れる。なお、電源１６（１），１６（３）の負側端子と電源１６（２），１６（４）の正側端子とが接地されることに合わせて、インナリード１４（１）〜１４（４）も接地されている。
【００１９】
電源１６（１），１６（３）の正側端子とボール１５（１），１５（３）との接続は、電源１６（１），１６（３）の正側端子に設けられた針状の通電用端子（以下「通電用プローブ」という。）１７（１），１７（３）をボール１５（１），１５（３）に接触させることにより行われる。同様に、電源１６（２），１６（４）の負側端子とボール１５（２），１５（４）との接続は、電源１６（２），１６（４）の負側端子に設けられた通電用プローブ１７（２），１７（４）をボール１５（２），１５（４）に接触させることにより行われる。なお、通電用プローブ１７（１）〜１７（４）の接触位置は、ボール１５（１）〜１５（４）ではなく、電極パッド１３（１）〜１３（４）であってもよい。
【００２０】
上記構成において、隣接するボンディングワイヤ１１（ｍ），（ｍ＋１）の接触を防止するためのワイヤ整形動作を説明する。電極パッド１３（１）〜１３（４）とインナリード１４（１）〜１４（４）との接続が終了すると（ワイヤボンディングが終了すると）、ボンディングワイヤ１１（１）〜１１（４）は、電源１６（１）〜１６（４）によって通電される。これにより、各ボンディングワイヤ１６（ｎ）（ｎ＝１，２，３，４）の周囲には、通電電流の大きさに応じた電流磁界が発生する。また、この場合、隣接するボンディングワイヤ１１（ｍ），１１（ｍ＋１）には、逆向きの電流が流される。これにより、隣接するボンディングワイヤ１１（ｍ），１１（ｍ＋１）の間には、通電電流と電流磁界との相互作用により、互いに斥けあう力が働く。
【００２１】
この斥力は、隣接するボンディングワイヤ１１（ｍ），１１（ｍ＋１）の間隔に反比例し、通電電流の大きさの二乗に比例する。したがって、通電電流の大きさを大きくすれば、隣接するボンディングワイヤ１１（ｍ），１１（ｍ＋１）が互いに近づく方向に曲がっている場合であっても、これらを互いに離れる方向に変形させることができる。これにより、ワイヤボンディングが終了した時点で、隣接するボンディングワイヤ１１（ｍ），１１（ｍ＋１）同士が接触している場合であっても、これらを離すことができる。
【００２２】
但し、通電電流の大きさを大きくしすぎると、ボンディングワイヤ１１（ｍ），１１（ｍ＋１）の温度が上昇し、ボンディングワイヤ１１（ｍ），１１（ｍ＋１）が溶断する恐れがある。したがって、通電電流の大きさとしては、ボンディングワイヤ１１（１）〜１１（４）を変形させることができるような大きさであって、かつ、これらを溶断させることがないような大きさである必要がある。
【００２３】
このような通電電流の大きさを具体例を使って説明する。図２は、隣接するボンディングワイヤ１１（ｍ），１１（ｍ＋１）の間に生じる斥力の具体例を示す。図には、隣接するボンディングワイヤ１１（ｍ），１１（ｍ＋１）の間隔が１００［μｍ］，１５０［μｍ］，２００［μｍ］，２５０［μｍ］，３００［μｍ］である場合において、通電電流の大きさを５［Ａ］，１０［Ａ］，１５［Ａ］，２０［Ａ］，３０［Ａ］とした場合の斥力を示す。この斥力の単位はニュートン［Ｎ］である。
【００２４】
通常の半導体装置においては、ボンディングワイヤ１１（１）〜１１（４）に約０．０１Ｎ（約１ｇｆ）以上の力を与えることにより、ボンディングワイヤ１１（１）〜１１（４）を変形させることができる。また、通常のボンディングワイヤ１１（１）〜１１（４）は、１５［Ａ］程度の電流を流しても溶断することがない。したがって、図２の例では、５［Ａ］〜１５［Ａ］の電流を流すことにより、ワイヤ間隔が１００［μｍ］，１５０［μｍ］，２００［μｍ］，２５０［μｍ］，３００［μｍ］のいずれの場合であっても、ボンディングワイヤ１１（１）〜１１（４）を溶断させることなく変形させることができる。
【００２５】
なお、電磁力だけでボンディングワイヤ１１（１）〜１１（４）を変形させる構成では、通電を停止した場合、ボンディングワイヤ１１（１）〜１１（４）が途中までしか戻らない場合と完全に元に戻ってしまう場合とが生じる可能性がある。後者のような場合が生じると、隣接するボディングワイヤ１１（ｍ），１１（ｍ＋１）同士の接触防止を保障することができない。そこで、本実施の形態では、ボンディングワイヤ１１（１）〜１１（４）を塑性変形させることにより、隣接するボディングワイヤ１１（ｍ），１１（ｍ＋１）同士の接触防止を確実に保障するようになっている。
【００２６】
ボンディングワイヤ１１（１）〜１１（４）を塑性変形させるためには、ボンディングワイヤ１１（１）〜１１（４）の温度を高めればよい。ボンディングワイヤ１１（１）〜１１（４）の温度を高めるためには、通電時間を長くすればよい。但し、通電時間をあまり長くすると、ボンディングワイヤ１１（１）〜１１（４）の温度が融点に達し、ボンディングワイヤ１１（１）〜１１（４）が溶断してしまう。したがって、通電時間としては、ボンディングワイヤ１１（１）〜１１（４）の溶断を招くことなく、これを塑性変形させることができるような温度を確保可能な時間である必要がある。
【００２７】
上述したような温度としては、融点［°Ｋ］の半分程度の温度が望ましい。但し、この温度としては、塑性変形温度以上であることが望ましい。このような温度を得るためには、通電電流の大きさを５［Ａ］〜１５［Ａ］に設定するものとすると、放熱のばらつきを考慮して、通電時間を１０［μｓ］〜１０［ｍｓ］に設定すればよい。なお、この通電時間は、予めボンディングワイヤ１１（１）〜１１（４）を暖めておくようにすれば短縮することができる。
【００２８】
図３は、上述したワイヤ整形動作を示す平面図である。ここで、図３（ａ）は、ワイヤ整形動作を開始する前（ワイヤボンディングが終了した時点）のボンディングワイヤ１１（１）〜１１（４）の状態を示し、同図（ｂ）は、ワイヤ整形動作を開始した時点（通電を開始した時点）でのボンディングワイヤ１１（１）〜１１（４）の状態を示し、同図（ｃ）は、ワイヤ整形動作が終了したときのボンディングワイヤ１１（１）〜１１（４）の状態を示す。
【００２９】
ワイヤ整形動作を開始する前は、図３（ａ）に示すように、ボンディングワイヤ１１（１）〜１１（４）は、通常、曲がっている。図３（ａ）には、ボンディングワイヤ１１（１），１１（２）が互いに近づく方向に曲がって接触し、ボンディングワイヤ１１（３），１１（４）が接触はしないが互いに近づく方向に曲がっている場合を示す。
【００３０】
この状態で、ボンディングワイヤ１１（１）〜１１（４）に所定の大きさの電流Ｉを流すと、図３（ｂ）に示すように、電流Ｉと電流磁界との相互作用により、隣接するボンディングワイヤ１１（ｍ），１１（ｍ＋１）の間に斥力Ｆが働く。これにより、隣接するボンディング１１（ｍ），１１（ｍ＋１）が互いに離れる方向に変形する。その結果、隣接するボンディング１１（ｍ），１１（ｍ＋１）の間隔は、例えば、どの部分でもほぼ同じになる。
【００３１】
これと並行して、ボンディングワイヤ１１（１）〜１１（４）には、通電によるジュール熱が発生する。これにより、ボンディングワイヤ１１（１）〜１１（４）の温度が上昇する。
【００３２】
このあと、ボンディングワイヤ１１（１）〜１１（４）の温度が弾性降伏温度を越えると、ボンディングワイヤ１１（１）〜１１（４）の弾性変形による応力が消失する。その結果、通電を停止しても、図３（ｃ）に示すように、ボンディングワイヤ１１（１）〜１１（４）の形状は元に戻らない。これにより、ボンディングワイヤ１１（１），１１（２）の接触が解消される。
【００３３】
以上詳述したように本実施の形態によれば、ワイヤボンディングが終了した後、隣接するボンディングワイヤ１１（ｍ），１１（ｍ＋１）に逆向きの電流を流すように、ボンディングワイヤ１１（１）〜１１（４）に通電し、この通電電流とこの通電電流による電流磁界との相互作用によってボンディングワイヤ１１（１）〜１１（４）を変形させるようにしたので、ボンディングワイヤ１１（１）〜１１（４）のピッチが狭く、かつ、長さが長い場合であっても、隣接するボンディングワイヤ１１（ｍ），１１（ｍ＋１）同士が接触しないようにすることができる。
【００３４】
また、本実施の形態によれば、ボンディングワイヤ１１（１）〜１１（４）に所定の電流を所定時間流すことにより、ボンディングワイヤ１１（１）〜１１（４）を塑性変形させるようにしたので、単に電磁力によってボンディングワイヤ１１（１）〜１１（４）を変形させる場合より、変形状態の保持効果を高めることができる。これにより、単に電磁力によってボンディングワイヤ１１（１）〜１１（４）を変形させる場合より、隣接するボンディングワイヤ１１（ｍ），１１（ｍ＋１）同士の接触防止効果を高めることができる。
【００３５】
ちなみに、ボンディングワイヤ１１（１）〜１１（４）の直径を２５［μｍ］、スパンを２．５［ｍｍ］とし、ボール１５（１）〜１５（４）のピッチを２００［μｍ］とした場合、ワイヤボンディングが終了した時点では、ボンディングワイヤ１１（１）〜１１（４）の曲がりは、中心で最大１００［μｍ］あった。これに対し、ボンディングワイヤ１１（１）〜１１（４）に１０［Ａ］の電流を５［ｍｓ］間流して、ボンディングワイヤ１１（１）〜１１（４）を整形すると、ボンディングワイヤ１１（１）〜１１（４）の曲がりは、中心で最大２５［μｍ］となり、ワイヤ整形処理を施す前の２５％に減少した。これにより、ワイヤボンディングが終了した時点で、隣接するボンディングワイヤ１１（ｍ），１１（ｍ＋１）同士が接触している場合であっても、これらを確実に離すことができる。
【００３６】
また、本実施の形態によれば、ボンディングワイヤ１１（１）〜１１（４）と電極パッド１３（１）〜１３（４）との接続部（第１のボンディング部）に対して、電源１６（１）〜１６（４）を接続する場合、通電用プローブ１７（１）〜１７（４）を使って接続するようにしたので、電源１６（１）〜１６（４）の接続処理を簡単にすることができる。
【００３７】
図４は、本発明の第２の実施の形態の構成を示す斜視図である。なお、図４において、先の図１とほぼ同一機能を果たす部分には同一符号を付して詳細な説明を省略する。
【００３８】
先の実施の形態では、リードフレームにダイボンディングされた半導体チップ１２上の接続電極とパッケージの外部引出し用端子とを接続するボンディングワイヤ１１（１）〜１１（４）を整形する場合を説明した。これに対し、本実施の形態では、ＴＡＢ（テープオートメイテッドボンディング：ｔａｐｅ  ａｕｔｏｍａｔｅｄ  ｂｏｎｄｉｎｇ）テープ上にダイボンディングされた半導体チップ１２上の接続電極とパッケージの外部引出し用端子とを接続するボンディングワイヤ１１（１）〜１１（４）を整形するようにしたものである。
【００３９】
また、先の実施の形態では、電源１６（１），１６（３）の負側端子と電源１６（２），１６（４）の正側端子とを接地する場合を説明した。これに対し、本実施の形態では、これらを通電用プローブを介してボンディングワイヤ１１（１）〜１１（４）とパッケージの外部引出し用端子との接続部（第２ボンディング部）に接続するようにしたものである。
【００４０】
すなわち、図４において、ボンディングワイヤ１１（１）〜１１（４）の一端は、それぞれＴＡＢテープ上にダイボンディングされた半導体チップ１２上の電極パッド（接続電極）１３（１）〜１３（４）に接続されている。また、ボンディングワイヤ１１（１）〜１１（４）の他端は、それぞれＴＡＢテープ上のインナリード（外部引出し用端子）１８（１）〜１８（４）に設けられた電極パッド１９（１）〜１９（４）に接続されている。なお、インナリード１８（１）〜１８（４）及び電極パッド１９（１）〜１９（４）は、それぞれ、例えば、Ａｕ（金）、Ｎｉ（ニッケル），Ｃｕ（銅）によって構成されている。
【００４１】
電源１６（１）〜１６（４）の一端は、通電用プローブ１７（１）〜１７（４）を有し、これら通電用プローブ１７（１）〜１７（４）をボール１５（１）〜１５（４）に接触させることにより、ボール１５（１）〜１５（４）に接続されている。同様に、電源１６（１）〜１６（４）の他端は、通電用プローブ２０（１）〜２０（４）を有し、これら通電用プローブ２０（１）〜２０（４）を電極パッド１９（１）〜１９（４）に接触させることにより、電極パッド１９（１）〜１９（４）に接続されている。
【００４２】
上記構成においては、電源１６（１），１６（３）の正側端子から流れ出した電流は、通電用プローブ１７（１），１７（３）、ボール１５（１），１５（３）、電極パッド１３（１），１３（２）、ボンディングワイヤ１１（１），１１（３）、電極パッド１９（１），１９（３），通電用プローブ２０（１），２０（２）を介して電源１６（１），１６（３）の負側端子に戻る。また、電源１６（２），１６（４）の正側端子から流れ出した電流は、通電用プローブ２０（２），２０（４）、電極パッド１９（２），１９（４）、ボンディングワイヤ１１（２），１１（４）、電極パッド１３（２），１３（４）、ボール１５（２），１５（４）、プローブ１７（２），１７（４）を介して電源１６（１），１６（３）の負側端子に戻る。これにより、隣接するボンディングワイヤ１１（ｍ），１１（ｍ＋１）の間隔がどの部分でもほぼ同じになるように、ボンディングワイヤ１１（１）〜１１（４）を整形することができる。
【００４３】
以上詳述した本実施の形態においても、先の実施の形態と同様に、ボンディングワイヤ１１（１）〜１１（４）の直線性を改善することができるので、隣接するボンディングワイヤ１１（ｍ），１１（ｍ＋１）の接触を防止することができる。
【００４４】
ちなみに、ボンディングワイヤ１１（１）〜１１（４）のスパンを３．５［ｍｍ］とし、ボール１５（１）〜１５（４）のピッチと電極パッド１９（１）〜１９（４）のピッチを２００［μｍ］とした場合、ワイヤボンディングが終了した時点では、ボンディングワイヤ１１（１）〜１１（４）の曲がりは、中心で最大１５０［μｍ］あった。これに対し、ボンディングワイヤ１１（１）〜１１（４）に１０［Ａ］の電流を５［ｍｓ］間流して、ボンディングワイヤ１１（１）〜１１（４）を整形すると、ボンディングワイヤ１１（１）〜１１（４）の曲がりは、中心で最大３０［μｍ］となり、ワイヤ整形処理を施す前の２０％に減少した。これにより、ワイヤボンディングが終了した時点で、隣接するボンディングワイヤ１１（ｍ），１１（ｍ＋１）同士が接触している場合であっても、これらを確実に離すことができる。
【００４５】
また、本実施の形態によれば、第１のボンディング部だけでなく、第２のボンディング部においても、通電用プローブ２０（１）〜２０（４）を使って電源１６（１）〜１６（４）を接続するようにしたので、先の実施の形態より、電源１６（１）〜１６（４）の接続処理を簡単にすることができる。
【００４６】
さらに、このような構成によれば、インナリード１８（１）〜１８（４）を接地する処理を省略することができるので、先の実施の形態より、ボンディングワイヤ１１（１）〜１１（４）の整形処理を簡単にすることができる。
【００４７】
以上、本発明の一実施の形態を説明したが、本発明は、上述したような実施の形態に限定されるものではなく、他にも種々様々変形実施可能なことは勿論である。
【００４８】
【発明の効果】
以上詳述したように請求項１記載のボンディングワイヤの接触防止方法によれば、ワイヤボンディングが終了した後、隣接するボンディングワイヤに逆向きの電流を流すように、複数のボンディングワイヤに通電し、電磁力によって複数のボンディングワイヤを変形させるようにしたので、複数のボンディングワイヤのピッチが狭く、かつ、長さが長い場合であっても、隣接するボンディングワイヤ同士の接触を防止することができる。
【００４９】
また、請求項２記載のボンディングワイヤの接触防止方法によれば、ボンディングワイヤに所定の電流を所定時間流すことにより、ボンディングワイヤを塑性変形させるようにしたので、単に電磁力によってボンディングワイヤを変形させる場合より、変形状態の保持効果を高めることができる。これにより、単に電磁力によってボンディングワイヤを変形させる場合より、隣接するボンディングワイヤ同士の接触防止効果を高めることができる。
【００５０】
さらに、請求項３記載のボンディングワイヤの接触防止方法によれば、ボンディング部に電源を接続する場合、通電用プローブを使って接続するようにしたので、電源の接続処理を簡単にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態の構成を示す斜視図である。
【図２】隣接するボンディングワイヤ間に働く斥力の大きさを示す表図である。
【図３】第１の実施の形態におけるワイヤ整形処理を説明するための平面図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態の構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
１１（１）〜１１（４）…ボンディングワイヤ、１２…半導体チップ、１３（１）〜１３（４），１９（１）〜１９（４）…電極パッド、１４（１）〜１４（４），１８（１）〜１８（４）…インナリード、１５（１）〜１５（４）…ボール、１６（１）〜１６（４）…電源、１７（１）〜１７（４），２０（１）〜２０（４）…通電用プローブ
【図１】
0003560729.tif 000002
【図２】
0003560729.tif 000003
【図３】
0003560729.tif 000004
【図４】
0003560729.tif 000005