(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶の比抵抗値の対数の低下量に関し、下記の測定方法Ａに従って測定された値が、１％以下となり、かつ、該液晶の相転移温度の変化量に関し、下記の測定方法Ｂに従って測定された値が、０．５℃以下となる、部分アクリル化又は部分メタクリル化エポキシ樹脂から選択した光硬化成分、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂から選択した熱硬化成分及び光開始剤を含有する、水可溶イオン性物質の含有量が、イオン電導度で２０μS/cm以下であり、粘度が２００，０００〜１，０００，０００mPa・sの範囲にある、ＬＣＤパネルの滴下工法用シール剤。
測定方法Ａ
アンプル瓶にシール剤０．３ｇ入れ、液晶１mlを加える。この瓶を１００℃オーブンに１時間投入しその後放置して室温（２５℃）に戻ってから液体電極に液晶部分を入れ、１０Ｖの電圧をかけ、１０分後の液晶（硬化物及び液体について）の比抵抗値（Ωcm）を測定する。「液晶の比抵抗値の対数の低下量」は、次式に従って算出される。
【数１】
0003583326.tif 000005
測定方法Ｂ
アンプル瓶にシール剤０．３ｇ入れ、液晶１mlを加える。この瓶を１００℃オーブンに１時間投入しその後放置して室温（２５℃）に戻ってからＤＳＣセルに液晶部分を入れ昇温速度１０℃／分で測定しピーク温度を測定する。
【請求項２】
室温下及び１５０℃下での減量に関し、下記の測定方法Ｃに従って測定された値が、それぞれ０．０５重量％以下及び０．５重量％以下となる、請求項１記載のシール剤。
測定方法Ｃ
ＴＧセルにシール剤を１０mg入れ、室温（２５℃）及び１５０℃で１時間置いた後の重量減少率を測定する。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【従来技術】
ＬＣＤパネル製造技術として、現在、滴下工法なる手段が知られており、この方法で用いられるシール剤としては、例えば、特開平９−５７５９号公報記載のものがある。しかし、これまでのシール剤を用いると、シール剤から液晶への汚染がある等の理由から、得られるパネルの信頼性も低いのが実状であった。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、液晶への汚染が極めて少なく、好ましくは真空中でアウトガスの殆ど発生しない、ＬＣＤパネル製造の滴下工法用シール剤を提供することである。
【０００３】
【課題を解決するための手段】
本発明は、液晶の比抵抗値の対数の低下量に関し、発明の詳細な説明に記載の測定方法Ａに従って測定された値が、１％以下となり、かつ、該液晶の相転移温度の変化量に関し、発明の詳細な説明に記載の測定方法Ｂに従って測定された値が、０．５℃以下となる、光硬化成分、熱硬化成分及び光開始剤を含有する、水可溶イオン性物質の含有量が、イオン電導度で２０μS/cm以下であり、粘度が２００，０００〜１，０００，０００mPa・sの範囲にある、ＬＣＤパネルの滴下工法用シール剤に関する。
【０００４】
また、本発明は、室温下及び１５０℃下での減量に関し、発明の詳細な説明に記載の測定方法Ｃに従って測定された値が、それぞれ０．０５重量％以下及び０．５重量％以下となる、前記シール剤に関する。
【０００５】
【発明の実施の態様】
本発明に係るシール剤に含まれる光硬化成分は、特に限定されないが、シール剤に用いられている既知の、例えば紫外線硬化成分が使用しうる。好ましくは、使用液晶との極性が背反し、分子量が比較的大きい（好ましくは４００〜１０００の範囲）オリゴマーである。例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とアクリル酸（又はメタクリル酸）との反応生成物である、部分アクリル化（又は部分メタクリル化）エポキシ樹脂が挙げられる。部分アクリル化（又は部分メタクリル化）エポキシ樹脂は、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とアクリル酸（又はメタクリル酸）との反応生成物である部分アクリル化（又は部分メタクリル化）エポキシ樹脂が挙げられる。この樹脂は、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とアクリル酸（又はメタクリル酸）を、常法に従い、塩基性触媒の存在下で、エポキシ基２当量に対してカルボン酸基０．９〜１．１当量を反応させることにより得られる。次いで、この反応生成物に、重量比で約４倍のトルエンと、同量の純水を加え、６０〜８０℃で１時間撹拌した後、静置して有機層と水層とに分離し、水層は除去する。この操作を３〜５回繰り返し、最後に有機層を回収し残存するトルエンを真空蒸留により除去して水可溶イオン性物質を低減化処理した部分アクリル化（又は部分メタクリル化）エポキシ樹脂を精製する。上述のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂の具体例として、例えば、エピコート８２８、８３４、１００１、１００４〔油化シエルエポキシ（株）製〕、エピクロン８５０、８６０、４０５５〔（大日本インキ化学工業（株）製〕等が挙げられる。これら原料樹脂の中で、水可溶イオン性物質の低減化処理（以下、高純度化処理という）を行った樹脂が好ましく、例えばエピクロン８５０Ｓ〔（大日本インキ化学工業（株）製〕等が好適である。
【０００６】
次に、本発明に係るシール剤に含まれる熱硬化成分は、特に限定されないが、シール剤に用いられている既知のものが使用しうる。例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（好ましくは分子量が４００以上のもの）が挙げられる。ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂の具体例として、例えば、エピコート８２８、８３４、１００１、１００４〔油化シエルエポキシ（株）製〕、エピクロン８５０、８６０、４０５５〔（大日本インキ化学工業（株）製〕等が挙げられる。これら原料樹脂の中で、水可溶イオン性物質の低減化処理（以下、高純度化処理という）を行った樹脂が好ましく、例えばエピクロン８５０Ｓ、８６０〔（大日本インキ化学工業（株）製〕等が好適である。
【０００７】
次に、本発明に係るシール剤に含まれる光開始剤は、特に限定されず、様々なものが使用されうる。好ましくは、使用液晶と相溶性が乏しく、またそれ自身での光照射時の分解物もガス化しないようなものである。例えば、次の化合物が挙げられ、ＥＹレジン  ＫＲ−０２（ライトケミカル（株）製）という商品名で入手可能である：
【０００８】
【化１】
0003583326.tif 000002
【０００９】
熱硬化成分としてエポキシ樹脂を用いた場合、潜在性エポキシ硬化剤を含有することが好ましい。潜在性硬化剤として、反応温度でガス化しにくいものがより好ましく、具体的には、イ）メタフェニレンジアミン、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルフォン等の芳香族アミン類、ロ）ジシアンジアミド、ハ）キュアゾールＯＲ、キュアゾールＣＮ、キュアゾールＡＺＩＮＥ（四国化成工業（株）製）に代表されるイミダゾール誘導体及びニ）有機酸ジヒドラジド等が挙げられる。特に、特殊有機酸ジヒドラジド、具体的にはアミキュア−ＶＤＨ、−ＬＤＨ、−ＵＤＨ〔味の素（株）〕が好ましい。潜在性硬化剤についての高純度化処理方法としては、▲１▼メタノール、▲２▼メタノールと有機溶剤の混合溶液、▲３▼メタノールと純水の混合溶液のいずれかを用いて加温しながら溶解し、充分な撹拌を加えた後、濾過操作を繰り返し、乾燥して精製する方法を用いることができる。
【００１０】
本発明に係るシール剤は、無機充填剤を配合してもよい。この無機充填剤として具体的には、合成シリカ、タルク等を挙げることができる。この成分についても必要に応じて高純度化処理を行うが、この方法としては純水を用いた洗浄を繰り返すことで所望の精製品を得ることができる。配合液の濃度を調製する揺変剤、接着性を改良するためのカップリング剤、添加剤、所定のギャップを確保するためのスペーサー等を配合してもよい。揺変剤としては、具体的には、無水珪酸、接着性改良のためのシランカップリング剤としては、ビニルシラン、エポキシシラン、アミノシラン、メルカプトシラン等の単独又は組み合わせ、添加剤としては、主としてブタジエン−アクリルニトリル共重合体の変性オリゴマー等、ギャップ出しのスペーサーとしては、所定のサイズに調整されたポリマービーズ等が、例として挙げられる。
【００１１】
本発明に係るシール剤は、水可溶イオン性物質の含有量が、イオン電導度で２０μＳ／ｃｍ以下であることが好ましく、１５μＳ／ｃｍ以下であることがより好ましい。このイオン電導度は、例えば（株）堀場製作所製の導電率計を用いて測定される。また、本発明に係るシール剤は、粘度が２００，０００〜１，０００，０００ｍＰａ・ｓの範囲にあることが好ましい。ここで、この粘度は、２５℃下で、例えば、東機産業ＥＨ型粘度を用いて測定したものである。
【００１２】
本発明の本質は、以下の測定方法Ａ及びＢに従ってシール剤を液晶に入れたときに、液晶の比抵抗値の対数の低下量に関しては、硬化物及び液体について、前記比抵抗値の対数の１％以下となり、かつ、前記液晶の相転移温度の変化量に関しては、０．５℃以下となるシール剤を用いる点にある。
【００１３】
測定方法Ａ
アンプル瓶にシール剤０．３ｇ入れ、液晶１ｍｌを加える。この瓶を１００℃オーブンに１時間投入しその後放置して室温（２５℃）に戻ってから液体電極に液晶部分を入れ、１０Ｖの電圧をかけ、１０分後の液晶（硬化物及び液体について）の比抵抗値（Ωｃｍ）を測定する。なお、本発明においては、東陽テクニカ比抵抗測定装置、エレクトロメーター６５１７（ケースレー社製）、液体電極  ＬＥ２１（安藤電気製）を使用した。本発明に係る「液晶の比抵抗値の対数の低下量」は、次式に従って算出される。
【００１４】
【数１】
0003583326.tif 000003
【００１５】
測定方法Ｂ
アンプル瓶にシール剤０．３ｇ入れ、液晶１ｍｌを加える。この瓶を１００℃オーブンに１時間投入しその後放置して室温（２５℃）に戻ってからＤＳＣセルに液晶部分を入れ昇温速度１０℃／分で測定しピーク温度を測定する。なお、本発明においては、熱分析装置  ＤＴ−４０（島津製作所製）を使用した。
【００１６】
測定方法Ａに従い、本発明に従うシール剤を液晶に添加した場合の、この液晶の比抵抗値の対数の低下量は、比抵抗値の対数の１％以下となる。また、測定方法Ｂに従い、本発明に従うシール剤を液晶に添加した場合の、この液晶の相転移温度の変化量が、０．３℃以下となるのが好ましい。
【００１７】
また、本発明のより好ましい態様は、シール剤が、以下の測定方法Ｃに従った測定値が、室温下での減量は０．０５重量％以下であり、１５０℃下での減量は０．５重量％以下であるものである。
【００１８】
測定方法Ｃ
ＴＧセルにシール剤を１０ｍｇ入れ、室温（２５℃）及び１５０℃で１時間置いた後の重量減少率を測定する。なお、本発明においては、サーモプラス  ＴＧ８１２０（リガク製）を使用した。
【００１９】
また、測定方法Ｃに従った室温下での減量は、元の重量に対して０．０２重量％以下であることが好ましく、０．０１重量％以下であることがより好ましい。そして、１５０℃下での減量は、元の重量に対して０．２重量％以下であることが好ましく、０．１重量％以下であることがより好ましい。
【００２０】
【実施例】
以下に、本発明に係るシール剤の実施例を挙げる。ただし、本発明は、下記例に限定されるものではなく、また、下記例以外の態様については、当業者が、使用する液晶との関係で上記測定方法に従い試験を行えば容易に実施可能である。
【００２１】
実施例１〜３
表１に示す成分及び量（単位は重量％）で、実施例１〜３のシール剤を作製した。なお、部分部分メタクリルエポキシ樹脂は、特開平５−２９５０８７号公報の合成例で調製されたものを用いた。そして、これら成分は、下記のように高純度処理を施したものである。部分メタクリル化エポキシ樹脂に関しては、最終洗浄時の処理純水の電気伝導度が一定値に低下するまで、超純水により繰り返し洗浄した。最後に、１５０℃、２５００Ｐａで１時間減圧処理を行い、アウトガス成分を除去した。また、エピクロン８６０及び８５０Ｓに関しては、１５０℃、２５００Ｐａで１時間減圧処理を行ってアウトガス成分を除去した。ＡＣＲエポキシＲ−１４１５に関しては、最終洗浄時の処理純水の電気伝導度が一定値に低下するまで、超純水により繰り返し洗浄した。最後に、１５０℃、２５００Ｐａで１時間減圧処理を行い、アウトガス成分を除去した。また、ジシクロペンチニルアクリレートに関しては、１６０℃、１３３Ｐａで減圧蒸留を行った。ビスフェノールＡジメタクリレートに関しては、最終洗浄時の処理純水の電気伝導度が一定値に低下するまで、超純水により繰り返し洗浄した。最後に、１５０℃、２５００Ｐａで１時間減圧処理を行い、アウトガス成分を除去した。アミキュアーＶＤＨに関しては、メタノールで加温溶解し３００メッシュフィルター処理後、再結晶処理を行い、６０℃、１３３Ｐａで減圧乾燥処理を行った。
【００２２】
【表１】
0003583326.tif 000004
【００２３】
次に、図１に従って、得られた実施例１〜３のシール剤を用いたパネル製造法を説明する。まず、工程▲１▼に示すように、実施例１〜３のシール剤｛使用直前に、ギャップ剤ＰＦ−５０（５μｍ）を１重量％添加｝を、塗布幅０．３ｍｍ、高さ３０μｍで、ガラス上にディスペンス塗布した。その後、工程▲２▼に示すように、液晶（ＺＬＩ−４７９２）を所定量滴下し、その後、工程▲３▼に示すように、減圧下（１３．３Ｐａ）でガラスを貼り合わせた。そして、工程▲４▼に示すように、貼り合わせたものを真空より取り出し、数分間で５μｍまでギャップ出しを行った。そして、工程▲５▼に示すように、紫外線を照射（２０００ｍＪ）した後、圧締ジグなしで１２０℃で６０分加熱することにより本硬化させて、パネルを得た。
【００２４】
得られたパネルについて、既知の方法に従い、接着強度や配向異常試験等を行い、その結果を表１に示す。このように、本発明に係るシール剤は、ＬＣＤパネル、例えば低電圧駆動ＴＦＴパネル、垂直配向ＴＦＴパネルの製造に適したものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るシール剤の使用方法を示したものである。
【符号の説明】
１  シール剤
２、４  ガラス
３  液晶
５  紫外線
【図１】
0003583326.tif 000006