(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
中心導体１の外周に多孔質絶縁体２を設け、この絶縁体２の外周に外部導体５として、無電解めっきによるアンカー金属層３及び電気めっきによる良導電性金属層４を設けたセミリジッド同軸ケーブルであって、
前記多孔質絶縁体２は、比誘電率（ε）が、
１．７５≦ε＜２．００
の条件範囲内の多孔質ポリテトラフルオロエチレン樹脂であり、また前記多孔質絶縁体２の外周に形成されるアンカー金属層３に必要な予備的処理として、前記多孔質絶縁体２の外周に、めっきが可能な金属触媒の金属濃度（Ｃ）μｇ／ｃｍ２  が、
０．８≦Ｃ＜２．６
の条件範囲内で施されていることを特徴とするセミリジッド同軸ケーブル。
【請求項２】
中心導体１の外周に多孔質絶縁体２を設け、この絶縁体２の外周に外部導体５として、無電解めっきによるアンカー金属層３及び電気めっきによる良導電性金属層４を設けたセミリジッド同軸ケーブルであって、
前記多孔質絶縁体２は、比誘電率（ε）が、
１．８５≦ε≦１．９５
の条件範囲内の多孔質ポリテトラフルオロエチレン樹脂であり、また前記多孔質絶縁体２の外周に形成されるアンカー金属層３に必要な予備的処理として、前記多孔質絶縁体２の外周に、めっきが可能な金属触媒の金属濃度（Ｃ）μｇ／ｃｍ２  が、
１．５≦Ｃ≦２．５
の条件範囲内で施されていることを特徴とするセミリジッド同軸ケーブル。
【請求項３】
前記めっきが可能な金属触媒が、パラジウム、金、銀、銅等標準酸化還元電位が１．５Ｖ以上の金属であることを特徴とする請求項１または２記載のセミリジッド同軸ケーブル。
【請求項４】
中心導体１の外周に多孔質絶縁体２を設け、この絶縁体２の外周に外部導体５として、無電解めっきによるアンカー金属層３及び電気めっきによる良導電性金属層４を設けてセミリジッド同軸ケーブル１０とするセミリジッド同軸ケーブルの製造方法であって、
前記多孔質絶縁体２は、比誘電率（ε）が、１．７５≦ε＜２．００
の多孔質ポリテトラフルオロエチレン樹脂をペースト押出しにより形成し、また前記外部導体５を形成する前の予備的処理として、前記多孔質絶縁体２の外周に、金属濃度（Ｃ）μｇ／ｃｍ２  が、０．８≦Ｃ＜２．６
の、めっきが可能な金属触媒を設けてからアンカー金属層３を形成することを特徴とするセミリジッド同軸ケーブルの製造方法。
【請求項５】
中心導体１の外周に多孔質絶縁体２を設け、この絶縁体２の外周に外部導体５として，無電解めっきによるアンカー金属層３及び電気めっきによる良導電性金属層４を設けてセミリジッド同軸ケーブル１０とするセミリジッド同軸ケーブルの製造方法であって、
前記多孔質絶縁体２は、比誘電率（ε）が、１．８５≦ε≦１．９５
の多孔質ポリテトラフルオロエチレン樹脂をペースト押出しにより形成し、また前記外部導体５を形成する前の予備的処理として、前記多孔質絶縁体２の外周に、金属濃度（Ｃ）μｇ／ｃｍ２  が、１．５≦Ｃ≦２．５
の、めっきが可能な金属触媒を設けてからアンカー金属層３を形成することを特徴とするセミリジッド同軸ケーブルの製造方法。
【請求項６】
前記めっきが可能な金属触媒が、パラジウム、金、銀、銅等標準酸化還元電位が１．５Ｖ以上の金属であることを特徴とする請求項４または５記載のセミリジッド同軸ケーブルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、セミリジッド同軸ケーブル及びその製造方法に関する。更に詳しくは、小型電子機器の高周波伝送線路に好適な、外部導体をめっきにより形成させるセミリジッド同軸ケーブル及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近時、携帯電話に代表される民生機器等の高周波回路基板、高周波部品間の伝送線路としてセミリジッド同軸ケーブルが広く採用されるようになり、基板へのはんだ付け作業に於いても、従来のはんだゴテによる手作業から、自動化が可能なリフローはんだ付け炉（以下、リフロー炉と略記する）に変わりつつある。
従来より公知のセミリジッド同軸ケーブルとしては、銀めっき銅覆鋼線からなる中心導体の外周に充実絶縁体、例えばポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）をペースト押出しにより形成し、その外周に銅等の良導電性金属パイプを封入し、ダイスにより引き抜き加工を施し、絶縁体と密着させて外部導体を形成させたセミリジッド同軸ケーブル（以下、パイプ引き抜きセミリジッド同軸ケーブルと略記する）がある。
【０００３】
また、前記良導電性金属パイプの引き抜き加工の代わりに、外部導体をめっきにより形成させたセミリジッド同軸ケーブル（以下、めっきによるセミリジッド同軸ケーブルと略記する）もある。例えば、外部導体にアンカー金属層からなる無電解めっきと、電気めっきを併用させた特開平６−１８７８４７号の同軸ケーブルの製造方法（本発明者等の発明）は、電気めっき厚さを容易にコントロールできるため細径化が可能であり、軽薄・短小化には好適である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記パイプ引き抜きセミリジッド同軸ケーブルは、リフロー炉を通した時、引き抜き加工で生じた外部導体の歪みや絶縁体へのストレス、または外部導体と絶縁体との熱膨張の相違いによって、端末部では絶縁体が突き出したり、外部導体にクラックが生じ易くなり、そのことによって、電圧定在波比の悪化やシールド効果の低下を招来するという欠点を有している。そのため、外部導体厚さを必要以上に厚く（例えば１５０μｍ）することで外部導体のクラックや絶縁体の突き出しを抑制しており、軽薄・短小化の要求に答えられないという問題があった。
【０００５】
一方、前記めっきによるセミリジッド同軸ケーブルに於いては、通常、絶縁体としてフッ素樹脂の充実体を用いるので、リフロー炉を通した時、前記パイプ引き抜きセミリジッド同軸ケーブル程ではないが、端末部では絶縁体が突き出したり、外部導体にクラックが生じてしまうという問題があった。
【０００６】
本発明は、上記従来技術が有する各種問題点を解決するためになされたもので、リフロー炉を通した時に、端末部での絶縁体の突き出しや外部導体のクラックの発生を防止することができ、端末加工性が良好にでき、更には、めっきによる外部導体の形成が良好にできるセミリジッド同軸ケーブル及びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、第１の観点として本発明は、中心導体１の外周に多孔質絶縁体２を設け、この絶縁体２の外周に外部導体５として、無電解めっきによるアンカー金属層３及び電気めっきによる良導電性金属層４を設けたセミリジッド同軸ケーブルであって、
前記多孔質絶縁体２は、比誘電率（ε）が、１．７５≦ε＜２．００
の条件範囲内の多孔質ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂（以下、多孔質ＰＴＦＥ樹脂と略記する）であり、また前記多孔質絶縁体２の外周に形成されるアンカー金属層３に必要な予備的処理として、前記多孔質絶縁体２の外周に、めっきが可能な金属触媒（以下、金属触媒と略記する）の金属濃度（Ｃ）μｇ／ｃｍ２  が、０．８≦Ｃ＜２．６の条件範囲内で施されているセミリジッド同軸ケーブルにある。
【０００８】
上記本発明の第１の観点のセミリジッド同軸ケーブルは、ＰＴＦＥからなる多孔質絶縁体２の比誘電率（ε）が、１．７５≦ε＜２．００の条件範囲内であることによって、リフロー炉等によるはんだ付け時の熱膨張が緩和され、外部導体５のクラックが抑制できる。また、端末剥離工程に於いて、外部導体５の引き抜き時に多孔質絶縁体２が引きちぎれたり、延ばされてしまうことがなく好ましい。
【０００９】
なお、比誘電率（ε）が１．７５未満の場合は、絶縁体の強度が脆いため、端末剥離工程に於いて、外部導体５の引き抜き時に多孔質絶縁体２が引きちぎれたり、引き延ばされてしまうので好ましくない。多孔質絶縁体２が引き延ばされた状態を図２の写真図に示す。また、比誘電率（ε）が２．００以上の場合は、外部導体５のクラックの抑制に効果がないので好ましくない。
【００１０】
更に、前記多孔質絶縁体２の外周には、金属濃度（Ｃ）μｇ／ｃｍ２  が０．８≦Ｃ＜２．６の、金属触媒が設けられているので、良好な無電解めっきが可能となるため、アンカー金属層３が良好に設けられ、更に電気めっきを併用することによって良導電性金属層４が設けられ、めっきによる外部導体５が良好に形成される。なお、金属触媒の金属濃度（Ｃ）μｇ／ｃｍ２  の測定方法としては、金属触媒付与後、濃硝酸によって剥離溶解させ、原子吸光光度計によって濃度測定を行える。
【００１１】
なお、前記金属濃度（Ｃ）μｇ／ｃｍ２  が０．８未満の場合は、良好な無電解めっきが出来ないため好ましくない。また、金属濃度（Ｃ）μｇ／ｃｍ２  が２．６以上の場合は、必要以上に金属触媒が吸着されているため、めっき反応が促進され、絶縁体と外部導体との間の密着を低下させてしまうばかりでなく、電気めっき時にアンカー金属層が剥離され、一部に無めっきを招来させてしまうため、良好な外部導体を形成させることが困難となってしまう。
【００１２】
第２の観点として本発明は、中心導体１の外周に多孔質絶縁体２を設け、この絶縁体２の外周に外部導体５として、無電解めっきによるアンカー金属層３及び電気めっきによる良導電性金属層４を設けたセミリジッド同軸ケーブルであって、
前記多孔質絶縁体２は、比誘電率（ε）が、１．８５≦ε≦１．９５
の条件範囲内の多孔質ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂であり、また前記多孔質絶縁体２の外周に形成されるアンカー金属層３に必要な予備的処理として、前記多孔質絶縁体２の外周に、金属触媒の金属濃度（Ｃ）μｇ／ｃｍ２  が、１．５≦Ｃ≦２．５の条件範囲内で施されているセミリジッド同軸ケーブルにある。
【００１３】
上記本発明の第２の観点のセミリジッド同軸ケーブルは、ＰＴＦＥからなる多孔質絶縁体２の比誘電率（ε）が、１．８５≦ε≦１．９５の条件範囲内であることによって、リフロー炉等によるはんだ付け時の熱膨張が緩和され、外部導体５のクラックが抑制できる。また、端末剥離工程に於いて、外部導体５の引き抜き時に多孔質絶縁体２が引きちぎれたり、引き延ばされてしまうことがなく端末加工精度が良好である。この状態を図３の写真図に示す。
【００１４】
なお、比誘電率（ε）が１．８５未満の場合は、端末剥離工程に於いて、中心導体、多孔質絶縁体、外部導体の段差加工寸法精度が厳しい場合（例えば、±０．１ｍｍ）、その寸法精度を十分に満足できない。また、比誘電率（ε）が、１．９５を超える場合は、厳しいはんだ付け条件を強いられた場合（例えば、はんだ付け温度３８０℃、はんだ付け時間１０秒）、外部導体５にクラックを招来してしまうので好ましくない。
【００１５】
更に、前記多孔質絶縁体２の外周には、金属濃度（Ｃ）μｇ／ｃｍ２  が１．５≦Ｃ≦２．５の、金属触媒が設けられているので、良好な無電解めっきが可能となるため、アンカー金属層３が良好に設けられ、更に電気めっきを併用することによって良導電性金属層４が設けられ、めっきによる外部導体５が良好に形成される。
【００１６】
なお、金属触媒の金属濃度（Ｃ）μｇ／ｃｍ２  が１．５未満の場合、絶縁体外径が細径の時（例えば、０．５ｍｍ以下）は、めっき液と被めっき体（多孔質絶縁体２）とのバランスが悪く、無電解めっきによるアンカー金属層３形成時に、一部無めっきを招来させてしまうので好ましくない。また、金属触媒の金属濃度（Ｃ）μｇ／ｃｍ２  が２．５を超える場合、絶縁体外径が細径の時（例えば、０．５ｍｍ以下）は、必要以上に金属触媒が吸着されているため、めっき反応が促進され、多孔質絶縁体２と外部導体５との間の密着を低下させてしまうばかりでなく、電気めっき時にアンカー金属層３が剥離され、一部無めっきを招来させてしまうため、良好な外部導体を形成させることが困難となってしまうので好ましくない。
【００１７】
第３の観点として本発明は、前記めっきが可能な金属触媒が、パラジウム、金、銀、銅等標準酸化還元電位が１．５Ｖ以上の金属である前記第１および第２の観点のセミリジッド同軸ケーブルにある。
【００１８】
上記本発明の第３の観点のセミリジッド同軸ケーブルは、金属触媒として、パラジウム、金、銀、銅等標準酸化還元電位が１．５Ｖ以上の金属を好ましく用いることが出来る。
【００１９】
第４の観点として本発明は、中心導体１の外周に多孔質絶縁体２を設け、この絶縁体２の外周に外部導体５として，無電解めっきによるアンカー金属層３及び電気めっきによる良導電性金属層４を設けてセミリジッド同軸ケーブル１０とするセミリジッド同軸ケーブルの製造方法であって、
前記多孔質絶縁体２は、比誘電率（ε）が、１．７５≦ε＜２．００
の多孔質ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂をペースト押出しにより形成し、また前記外部導体５を形成する前の予備的処理として、前記多孔質絶縁体２の外周に、金属濃度（Ｃ）μｇ／ｃｍ２  が、０．８≦Ｃ＜２．６
の、金属触媒を設けてからアンカー金属層３を形成するセミリジッド同軸ケーブルの製造方法にある。
【００２０】
上記本発明の第４の観点のセミリジッド同軸ケーブルの製造方法によれば、前記第１の観点のセミリジッド同軸ケーブルを効率よく製造することが出来る。
【００２１】
第５の観点として本発明は、中心導体１の外周に多孔質絶縁体２を設け、この絶縁体２の外周に外部導体５として，無電解めっきによるアンカー金属層３及び電気めっきによる良導電性金属層４を設けてセミリジッド同軸ケーブル１０とするセミリジッド同軸ケーブルの製造方法であって、
前記多孔質絶縁体２は、比誘電率（ε）が、１．８５≦ε≦１．９５の多孔質ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂をペースト押出しにより形成し、また前記外部導体５を形成する前の予備的処理として、前記多孔質絶縁体２の外周に、金属濃度（Ｃ）μｇ／ｃｍ２  が、１．５≦Ｃ≦２．５の、めっきが可能な金属触媒を設けてからアンカー金属層３を形成するセミリジッド同軸ケーブルの製造方法にある。
【００２２】
上記本発明の第５の観点のセミリジッド同軸ケーブルの製造方法によれば、前記第２の観点のセミリジッド同軸ケーブルを効率よく製造することが出来る。
【００２３】
第６の観点として本発明は、前記めっきが可能な金属触媒が、パラジウム、金、銀、銅等標準酸化還元電位が１．５Ｖ以上の金属である前記第４および第５の観点のセミリジッド同軸ケーブルの製造方法にある。
【００２４】
上記本発明の第６の観点のセミリジッド同軸ケーブルの製造方法によれば、前記第３の観点のセミリジッド同軸ケーブルを効率よく製造することができる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の内容を実施の形態により詳細に説明する。図１は本発明のセミリジッド同軸ケーブルの一実施例を示す横断面図である。また、外部導体の形成方法は、本発明者等の発明である特開平６−１８７８４７号に準拠している。なお、本発明は本実施の形態に限定されるものではない。
【００２６】
１．第１の実施の形態
中心導体１として、φ０．１６２ｍｍの銀めっき銅覆鋼線（Ａｇ−ＣＰ）の外周に、絶縁体外径０．５０ｍｍ、比誘電率１．８５の多孔質ＰＴＦＥ樹脂をペースト押し出しによって形成し、多孔質絶縁体２を設けた。次に前記多孔質絶縁体２の表面を金属ナトリウム−ナフタレン錯体溶液中に浸漬させて親水性化した後水洗し、パラジウム−スズコロイド溶液中に浴温３０℃，３分間の条件によって浸漬し、該絶縁体２の表面上にパラジウムイオンを吸着させた。更に水洗後、酸性溶液中に浸漬し、パラジウムイオンを金属として還元析出させた。この条件下によって、めっきが可能な金属触媒を原子吸光によって測定したところ１．５μｇ／ｃｍ２  であった。続いて、無電解ニッケルめっきによってニッケルからなるアンカー金属層３を０．５μｍ厚さに形成させ、更にその外周に電気硫酸銅めっきによって５０μｍ厚さの銅からなる良導電性金属層４を施し、前記アンカー金属層３と良導電性金属層４により外部導体５とし、仕上がり外径が０．６０ｍｍのセミリジッド同軸ケーブル１０を製造した。表１にその要部構成を示す。
【００２７】
２．第２の実施の形態
中心導体１として、φ０．１６２ｍｍの銀めっき銅覆鋼線の外周に、絶縁体外径０．５０ｍｍ、比誘電率１．９０の多孔質ＰＴＦＥ樹脂をペースト押し出しによって形成し、多孔質絶縁体２を設けた。次に前記第１の実施の形態と同様にして、前記多孔質絶縁体２の表面上にパラジウムイオンを金属として還元析出させた。この条件下によって、めっきが可能な金属触媒を原子吸光によって測定したところ２．０μｇ／ｃｍ２  であった。続いて、前記第１の実施の形態と同様にして、ニッケルからなるアンカー金属層３を０．５μｍ厚さに形成させ、更にその外周に５０μｍ厚さの銅からなる良導電性金属層４を施し、仕上がり外径が０．６０ｍｍのセミリジッド同軸ケーブル１０を製造した。表１にその要部構成を示す。
【００２８】
３．第３の実施の形態
中心導体１として、φ０．１６２ｍｍの銀めっき銅覆鋼線の外周に、絶縁体外径０．５０ｍｍ、比誘電率１．９５の多孔質ＰＴＦＥ樹脂をペースト押し出しによって形成し、多孔質絶縁体２を設けた。次に前記第１の実施の形態と同様にして、前記多孔質絶縁体２の表面上にパラジウムイオンを金属として還元析出させた。この条件下によって、めっきが可能な金属触媒を原子吸光によって測定したところ２．５μｇ／ｃｍ２  であった。続いて、前記第１の実施の形態と同様にして、ニッケルからなるアンカー金属層３を０．５μｍ厚さに形成させ、更にその外周に５０μｍ厚さの銅からなる良導電性金属層４を施し、仕上がり外径が０．６０ｍｍのセミリジッド同軸ケーブル１０を製造した。表１にその要部構成を示す。
【００２９】
４．第４の実施の形態
中心導体１として、φ０．１６２ｍｍの銀めっき銅覆鋼線の外周に、絶縁体外径０．５０ｍｍ、比誘電率１．９０の多孔質ＰＴＦＥ樹脂をペースト押し出しによって形成し、多孔質絶縁体２を設けた。次に前記多孔質絶縁体２の表面を金属ナトリウム−ナフタレン錯体溶液中に浸漬させて親水性化した後水洗し、塩化金水溶液中に浴温４０℃，３分間の条件によって浸漬し、該絶縁体２の表面上に塩化金イオンを吸着させた。更に水洗後、酸性溶液中に浸漬し、塩化金イオンを金属として還元析出させた。この条件下によって、めっきが可能な金属触媒を原子吸光によって測定したところ２．５μｇ／ｃｍ２  であった。続いて、前記第１の実施の形態と同様にして、ニッケルからなるアンカー金属層３を０．５μｍ厚さに形成させ、更にその外周に５０μｍ厚さの銅からなる良導電性金属層４を施し、仕上がり外径が０．６０ｍｍのセミリジッド同軸ケーブル１０を製造した。表１にその要部構成を示す。
【００３０】
５．第５〜７の実施の形態
第５〜７の実施の形態については、多孔質絶縁体２の比誘電率と、金属触媒の種類，濃度を表１のように設定し、その他は前記第１の実施の形態に準じて仕上がり外径が０．６０ｍｍのセミリジッド同軸ケーブル１０を製造した。
【００３１】
６．比較例
比較例１、２
比較例１、２については、多孔質絶縁体の比誘電率と、金属触媒の種類，濃度を表１のように設定し、その他は前記第１の実施の形態に準じて仕上がり外径が０．６０ｍｍのセミリジッド同軸ケーブルを製造した。
【００３２】
上記本発明の実施の形態及び比較例のセミリジッド同軸ケーブルについて、その要部構成を下記表１に示す。また、本発明の実施の形態及び比較例のセミリジッド同軸ケーブルついての特性試験として、端末加工性とはんだ付け性（はんだ付け時の外部導体のクラック）を調査した。なお、はんだ付けは、コテ先温度３８０℃，５秒間の条件で直接コテ先をケーブルに接触させた。その結果を、下記表２に示す。
【００３３】
【表１】
0003599308.tif 000002
【００３４】
【表２】
0003599308.tif 000003
【００３５】
上記表２から明らかなように、本発明のセミリジッド同軸ケーブルは端末加工性及びはんだ付け性が良いことが分かる。一方比較例のセミリジッド同軸ケーブルは端末加工性又ははんだ付け性のどちらかが悪いことが分かる。
【００３６】
【発明の効果】
本発明の製造方法により得られるセミリジッド同軸ケーブルでは、ＰＴＦＥからなる多孔質絶縁体の比誘電率（ε）が、１．７５≦ε＜２．００の条件範囲内であることによって、リフロー炉等によるはんだ付け時の熱膨張が緩和され、外部導体のクラックが抑制できるようになった。
また、その外周に形成されるアンカー金属層に必要な予備的処理として、金属触媒の金属濃度（Ｃ）μｇ／ｃｍ２  が０．８≦Ｃ＜２．６であることによって、良好な無電解めっきが可能となるため、電気めっきを併用することによって、めっきによる外部導体の形成が良好となった。
【００３７】
更に好ましくは、ＰＴＦＥからなる多孔質絶縁体の比誘電率（ε）が、１．８５≦ε＜１．９５の条件範囲内であることによって、はんだ付け時の熱膨張が緩和され、外部導体のクラックが抑制できるとともに端末加工精度が良好となった。
また、その外周に形成されるアンカー金属層に必要な予備的処理として、金属触媒の金属濃度（Ｃ）μｇ／ｃｍ２  を１．５≦Ｃ＜２．５の条件範囲内にすることによって、絶縁体外径が細径の場合においても良好な外部導体を形成させることが容易となった。
従って、本発明のセミリジッド同軸ケーブルは、軽薄・短小化に好適となり、産業上に寄与するところ極めて大である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のセミリジッド同軸ケーブルの一実施例を示す横断面図である。（従来例にも使用）
【図２】端末剥離工程に於いて、外部導体の引き抜き時に多孔質絶縁体が引き延ばされた状態を示す写真図である。
【図３】端末剥離工程に於いて、外部導体の引き抜き時に多孔質絶縁体が引きちぎれたり、引き延ばされてしまうことがなく、端末加工精度が良好な状態を示す写真図である。
【符号の説明】
１  中心導体
２  多孔質絶縁体
３  アンカー金属層
４  良導電性金属層
５  外部導体
１０  セミリジッド同軸ケーブル
【図１】
0003599308.tif 000004
【図２】
0003599308.tif 000005
【図３】
0003599308.tif 000006