(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
発熱抵抗体に接して電気絶縁体の保護膜が設けられている薄膜抵抗素子を有する基板の製造方法において、前記保護膜を成膜する際に該保護膜中に含まれるアルゴン（Ａｒ）原子の割合を、平均で０．２ｗｔ％以上６．０ｗｔ％以下とすることを特徴とする薄膜抵抗素子を有する基板の製造方法。
【請求項２】
前記保護膜は多層構成であり、前記発熱抵抗体に接する側の保護膜の下部領域に含まれるアルゴン（Ａｒ）原子の割合を、平均で０．２ｗｔ％以上、６．０ｗｔ％以下とし、上部領域に含まれるアルゴン（Ａｒ）原子の割合を、平均で１．０ｗｔ％以上、６．０ｗｔ％以下とする請求項１に記載の薄膜抵抗素子を有する基板の製造方法。
【請求項３】
前記下部領域は前記発熱抵抗体に接する側の保護膜の厚さの５０％以上である請求項２に記載の薄膜抵抗素子を有する基板の製造方法。
【請求項４】
前記発熱抵抗体はＨｆＢ2 、若しくはＴａＮである請求項１に記載の薄膜抵抗素子を有する基板の製造方法。
【請求項５】
前記発熱抵抗体に接する保護膜はＳｉＯ2 である請求項１に記載の薄膜抵抗素子を有する基板の製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載の製造方法により製造された基板と、
前記薄膜抵抗素子に対応して設けられたインク流路とを有し、前記薄膜抵抗素子を用いて前記インク流路のインクを加熱することによって、インクを吐出して記録を行うことを特徴とするインクジェットヘッド。
【請求項７】
請求項６のインクジェットヘッドと、該ヘッドに信号を供給する手段とを有し、インクを吐出して記録を行うことを特徴とするインクジェット装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、発熱抵抗体の上部に電気絶縁体からなる保護膜を有する薄膜抵抗素子を有する基板の製造方法、及び薄膜抵抗素子を用いたインクジェットヘッド、インクジェットヘッドを搭載したインクジェット記録装置に関する。
【０００２】
【背景の技術】
薄膜抵抗素子は、感熱紙に熱印字をするために用いられるサーマルヘッドや、インクを加熱発泡してインクを吐出するインクジェット記録法に用いるインクジェット記録ヘッドに用いられている。
【０００３】
上記のような薄膜抵抗素子は、熱を発生する発熱抵抗体を有し、多くの場合はさらに該発熱抵抗体上部に、該発熱抵抗体の酸化防止や、耐摩耗性の向上等なんらかの理由により保護膜が設けられる。
【０００４】
特に、インクジェット記録法は、高速高密度で高精細高画質の記録が可能で、かつカラー化、コンパクト化に適しており、近年とみに注目を集めているが、インクジェット記録ヘッドの熱作用部がインクに直接接する点や、インクの発泡と消泡との繰返しによるキャビテーションが熱作用部にもたらす機械的衝撃が大きいという点また、熱作用部が１０−１〜１０マイクロ秒というオーダーの極めて短い時間に数百度の上昇及び下降にさらされるといった点などの理由により、インクジェット記録ヘッドはサーマルヘッドに比べて高性能の保護膜が必要とされている。最近の技術では、インクジェットヘッドの保護膜として、発熱抵抗体上にＳｉＯ２  、ＳｉＣ、Ｓｉ３  Ｎ４  等からなる電気的絶縁層又は該電気的絶縁層とさらにその上にＴａ等からなる耐キャビテーション層を積層して用いるのが一般的である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
このような保護膜が設けられた形態の薄膜抵抗素子では、保護膜の保護性能及びその持続安定性が素子の耐久性を支配することとなり、いかにして高信頼性の保護膜を形成するかが大きな技術課題である。
【０００６】
しかし前述のような薄膜抵抗素子は、素材や構成が同一にしても、成膜方法によっては、発熱抵抗体に通電した時に特に繰返し通電を行った場合に該抵抗体上部に設けてある保護膜が膨れや剥れを起こしやすいという欠陥品が多発することがあった。このような欠陥が生じた薄膜抵抗素子は、保護膜との熱接触が断たれるために抵抗体の溶断したり、インクジェットヘッドに用いる場合はインクへの熱伝導が悪くなるためインクが吐出しなくなるという解決すべき課題を持っていた。
【０００７】
本発明は、前記問題点の生じる原因を鑑みて成されたもので、信頼性の高い薄膜抵抗素子を有する基板の製造方法、前記薄膜抵抗素子を用いるインクジェットヘッド及びそのインクジェットヘッドを搭載したインクジェット記録装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
このような目的を達成するための本発明の主たる構成は発熱抵抗体に接して電気絶縁体の保護膜が設けられている薄膜抵抗素子を有する基板の製造方法において、前記保護膜を成膜する際に該保護膜中に含まれるアルゴン（Ａｒ）原子の割合を、平均で０．２ｗｔ％以上６．０ｗｔ％以下とすることを特徴とする薄膜抵抗素子を有する基板の製造方法であり、もしくは、このような薄膜抵抗素子において、前記保護膜は多層構成であり、前記発熱抵抗体に接する側の保護層の下部領域に含まれるアルゴン（Ａｒ）原子の割合を、平均で０．２ｗｔ％以上、６．０ｗｔ％以下とし、上部領域に含まれるアルゴン（Ａｒ）原子の割合を、平均で１．０ｗｔ％以上、６．０ｗｔ％以下とする薄膜抵抗素子を有する基板の製造方法である。
【０００９】
若しくはこれらの製造方法により製造された薄膜抵抗素子を有する基板を用いたインクジェットヘッド若しくはインクジェット装置である。
【００１０】
このような構成を取ることで、発熱抵抗体と保護膜との剥れ等を防止することができ、製造時には歩留りが高く、使用時には使用寿命が長く、信頼性の高い薄膜抵抗素子を有する基板、インクジェットヘッド、インクジェット装置を得ることができる。
【００１１】
【実施例】
以下本発明を説明するが、その前に本発明者らが実験により得た知見について説明する。
【００１２】
前記目的を達成するため、欠陥品と良品とを比較検討し、欠陥品の生じる原因を追及した。その結果、前者は後者に比較して発熱抵抗体に接する領域の保護膜中に含まれるＡｒ原子の量が多いということがわかった。図は、横軸を電子線マイクロアナライザー（ＥＰＭＡ）で測定された保護膜材料の原子種のＸ線強度比を原子種の違いを補正することによって求めた保護膜中のＡｒ含有量（ｗｔ％）、縦軸を薄膜抵抗素子に異常が現われた時の印加電圧とした時の関係を示したものである。ただし縦軸は、素子によって抵抗値が異なることを補正した任意単位である。
【００１３】
この実験においては、発熱抵抗体に接する領域の保護膜中に含まれるＡｒ原子量が多いほど薄膜抵抗素子の耐電圧が低く、スパッタ装置５で作成した薄膜抵抗素子のようにＡｒ原子量が多いものでは、実用としてあまり好ましくないものであることがわかった。
【００１４】
一方、詳しくは後の実験例の欄で説明するか、保護膜中のＡｒ原子の割合が０．２ｗｔ％未満の薄膜抵抗素子は、保護膜と該保護膜に接する発熱抵抗体との界面の密着性に寄与する物理的な歪や保護膜と抵抗発熱体とを架橋する結合の手が一般に少なくなるため、むしろ該界面で剥離しやすくなる傾向がある。従って、Ａｒ原子の割合は０．２ｗｔ％以上であることが好ましく、抵抗加熱による蒸着法などのＡｒを利用しない保護膜作成法は、保護膜中にＡｒを全く含まなくなるので一般に好ましくない。ただし、保護膜と発熱抵抗体との密着性を他の方法で確保できる場合はこの限りではない。
【００１５】
本発明においては、薄膜抵抗素子が良品であるためにはＡｒ量は０．２ｗｔ％以上であれば一般に少なければ少ないほど良いのであるが、製品として必要な信頼性を持つ条件は、ＥＰＭＡによる測定で、保護膜中に含まれるＡｒ原子の割合が、０．２ｗｔ％以上、６．０ｗｔ％以下、望ましくは０．２ｗｔ％以上、３．０ｗｔ％以下、より望ましくは０．２ｗｔ％以上、１．０ｗｔ％以下であることがわかった。
【００１６】
上記Ａｒ含有量の条件を満足するためには例えば以下のような手段がある。
【００１７】
１．保護膜の作成中又は作成後に、ヒーターや赤外線ランプを用いて保護膜を加熱する。
【００１８】
２．保護膜の作成中又は作成後に、電離放射線を照射する。
【００１９】
３．保護膜の作成条件を変える。
【００２０】
手段１を用いると、保護膜作成中であればＡｒ原子が保護膜に残留しない、保護膜作成後であればＡｒ原子が熱エネルギーを得て保護膜から脱出する等の効果があり、その結果、保護膜中にＡｒ原子の量を減少させることができる。この効果は一般に４００℃以上で見られ、温度を高くするほど効果が大きくなる。従って、保護膜中のＡｒ原子を減少させるためには発熱抵抗体を可能な限り高温にすることが望ましいが、温度を高くし過ぎると薄膜は凝集変形を起こすことがあり、特に配線材料として多用されるＡｌは融点が６６０℃という比較的低い温度なので注意が必要である。以上のことから、保護膜の作成中又は作成後に発熱抵抗体の温度を４００℃以上、６００℃以下にすることが望ましい。ただし、特に高温に耐えられる材料を用いた薄膜抵抗素子を作成する場合はこの限りではない。
【００２１】
手段２の効果は、電離放射線を照射することで保護膜中のＡｒ原子に励起エネルギーを与え、Ａｒ原子が保護膜外に脱出するのを助けることである。
【００２２】
手段３については、例として保護膜をスパッタリングによって作成する場合に、成膜条件又は成膜装置を変えて保護膜に混入するＡｒの量を減らすなどの方法がある。
【００２３】
上記説明では、発熱抵抗体に接する保護膜に必要とされるＡｒ含有量について検討を行ったことについて述べた。
【００２４】
しかしながら発明者はさらに次のような知見をも得た。
【００２５】
それは、発熱抵抗体に接して設けた保護膜（第１保護膜）の上にさらに保護膜（第２の保護膜）を積層させる構成の場合、第１の保護膜の第２の保護膜との接合面近傍（以下上部と称す）のＡｒ含有量を減らしすぎると、今度は、第１保護膜表面の物理的歪や結合の手が減少してしまい、両者の密着性が低下してしまう虞れがある。
【００２６】
そこで、保護膜を多層構成にする場合には、保護膜間の密着性を考慮してＡｒ含有量を決定すればよいことがわかった。
【００２７】
本発明においては、多層構成の保護膜の場合、第１保護膜の下部（発熱抵抗体近傍）では０．２ｗｔ％以上、６．０ｗｔ％以下のＡｒ含有量で、上部では１．０ｗｔ％以上、９．０ｗｔ％以下であることが望ましいことを見い出した。
【００２８】
上記のように保護膜中のＡｒ量に分布を作る場合、保護膜作成上の容易さという点では不連続的にＡｒ量を変化させる方が良いが、保護膜の強度という点ではＡｒ量は連続的に変化させた方が良い。
【００２９】
以下、より具体的な実施例に従い、さらに本発明を詳細に説明する。まず、保護膜を単層とした場合の薄膜抵抗素子に対して行った実施例について説明する。
【００３０】
実施例１
図１及び図２は、本発明の実施例１に係る薄膜抵抗素子のそれぞれ断面図及び平面図である。ここで、１は薄膜抵抗素子（全体）、２は発熱部分、３及び４は電極である。
【００３１】
以下に、本実施例による薄膜抵抗素子の作成工程を説明する。
【００３２】
まず、素子支持体５であるＳｉウェハの表面に熱酸化によって５μｍ厚のＳｉＯ２  膜を形成して素子１の下部層６とした。この下部層６上にスパッタリングによってＨｆＢ２  の発熱抵抗層７を１３００オングストロームの厚みに形成した。
【００３３】
続いて電子ビーム蒸着によりＴｉ層５０オングストローム、Ａｌ層５０００オングストロームを連続的に堆積して共通配線電極３と選択配線電極４とを形成した。この時、フォトリソ工程により図２に示すような回路パターンを形成し、電極３、４に通電することにより発熱する熱発生部１１の発熱部分２の熱作用面はその寸法を３０μｍ幅で、１５０μｍ長にし、Ａｌ配線電極３及び４の抵抗を含めて１００Ωの抵抗値にした。
【００３４】
最後に、素子支持体５をＡｒスパッタリング装置（図１０中に×印で示したＮｏ．５の装置）内に、４００℃に加熱したヒーターを接触させてセットし、厚さ１．９μｍのＳｉＯ２  からなる保護膜８を、図１に示すように素子１の全面上に、マグネトロン型ハイレートスパッタ法によって積層した。なお、その際のＡｒガス圧は４ｍＴｏｒｒ、Ｒｆ投入電極は４．０ｋＷとした。
【００３５】
なお、素子支持体５は必ずしもＳｉでなくても良く、例えば、ガラスあるいはセラミックスのような絶縁物でも良い。発熱抵抗層７は、発熱部分２が通電時に非常に高温になるため、その材料として高温で安定であり、かつ耐酸化性に優れる物質であればＨｆＢ２  以外の材料、例えば高融点金属あるいは遷移金属の窒化物、炭化物、珪化物、硼化物などでも良く、中でも窒化タンタルは好ましく用いられる。配線電極３及び４は、Ａｌではなく、Ａｕ、Ｃｕのような電気良導体でも形成できる。また、保護膜８の膜厚や発熱部分２の幅並びに長さ等に関しては、薄膜抵抗素子の設計に応じて該薄膜抵抗素子の熱発生部１１に必要な特性が得られるよう適宜選択すれば良い。さらに、保護膜８に関しては、ＳｉＯ２  以外に、ＳｉＣあるいはＳｉＮなどから形成することも可能である。
【００３６】
上記の方法で作成した薄膜抵抗素子についてＥＰＭＡを用いて保護膜中のＡｒ含有量を測定したところ、該保護膜中に平均して６．０ｗｔ％のＡｒが含まれていることがわかった。
【００３７】
同様にして作成した薄膜抵抗素子に１０μｓｅｃ、３ｋＨｚ、２６Ｖのパルス電圧を５×１０７  回印加１（以下条件１と称す）するか又は１０８  回印加（以下条件２と称す）したところ、保護膜が膨れる等の異常が現われる率は０％であった。後述する比較例１では、同条件でテストを行うと５×１０７  回駆動信号を与えた時約４５％の素子に、また１×１０８  回駆動信号を与えた時には約８０％の素子に異常が現われることから、実施例１では保護膜中のＡｒ量が少なくなるように作成したため、保護膜が膨れるという異常を示す素子がなくなるという本発明の効果が見られた。
【００３８】
実施例２
本発明の実施例２では、実施例１と同じ構造の薄膜抵抗素子を作製した。ただし保護膜８を作成する際の条件に関しては実施例１と異なり、素子支持体５を接触させるヒーターの温度を６００℃とした。
【００３９】
上記の方法で作成した薄膜抵抗素子についてＥＰＭＡを用いて保護膜中のＡｒ含有量を測定したところ、該保護膜中に平均して３．０ｗｔ％のＡｒが含まれていることがわかった。
【００４０】
同様にして作成した薄膜抵抗素子に１０μｓｅｃ、３ｋＨｚ、２６Ｖのパルス電圧を前述の第１の条件及び第２の条件で印加したところ、保護膜が膨れる等の異常が現われる率は両条件とも０％であった。実施例２においても保護膜中のＡｒ含有量が少なくなるように作成したため、保護膜が膨れるという異常を示す素子が少なくなるという本発明の効果が見られた。
【００４１】
実施例３
本発明の実施例３では、実施例１と同じ構造の薄膜抵抗素子を作製した。ただし保護膜８を作成する際に用いたスパッタリング装置に関しては実施例１及び実施例２と異なり、図１０中に○印で示したＮｏ．１のＡｒスパッタリング装置を用い、また、ヒーターは加熱せず、Ａｒガス圧は３ｍＴｏｒｒ、Ｒｆ投入電力は８．０ｋＷとした。
【００４２】
上記の方法で作成した薄膜抵抗素子についてＥＰＭＡを用いて保護膜中のＡｒ含有量を測定したところ、該保護膜中に平均して１．０ｗｔ％のＡｒが含まれていることがわかった。
【００４３】
同様にして作成した薄膜抵抗素子に１０μｓｅｃ、３ｋＨｚ、２６Ｖのパルス電圧を前述の第１の条件及び第２の条件で印加したところ、保護膜が膨れる等の異常が現われる率は両条件とも０％であった。実施例３においても保護膜中のＡｒ量が少なくなるように作成したため、保護膜が膨れるという異常を示す素子が少なくなるという本発明の効果が見られた。
【００４４】
実施例４
本発明の実施例４では、実施例１と同じ構造の薄膜抵抗素子を作製した。ただし保護膜８のを作成する際の条件に関しては実施例３とほぼ等しいが、ヒーターは６００℃の温度に加熱して保護膜８を作成した。
【００４５】
上記の方法で作成した薄膜抵抗素子についてＥＰＭＡを用いて保護膜中のＡｒ含有量を測定したところ、該保護膜中に平均して０．２ｗｔ％のＡｒが含まれていることがわかった。
【００４６】
同様にして作成した薄膜抵抗素子に１０μｓｅｃ、３ｋＨｚ、２６Ｖのパルス電圧を前述の第１の条件及び第２の条件で印加したところ、保護膜が膨れる等の異常が現われる率は両条件とも０％であった。実施例４においても保護膜中のＡｒ量が少なくなるように作成したため、保護膜が膨れるという異常を示す素子が少なくなるという本発明の効果が見られた。
【００４７】
実施例５
本発明の実施例５では、実施例１と同じ構造の薄膜抵抗素子を作製した。ただし保護膜８を作成する際の条件に関しては実施例１と異なり、素子支持体５を接触させるヒーターを加熱しなかった。そして、成膜後、Ｎ２  中で温度を６００℃として１時間ベークした。
【００４８】
上記の方法で作成した薄膜抵抗素子についてＥＰＭＡを用いて保護膜中のＡｒ含有量を測定したところ、該保護膜中に平均して１．０ｗｔ％のＡｒが含まれていることがわかった。
【００４９】
同様にして作成した薄膜抵抗素子に１０μｓｅｃ、３ｋＨｚ、２６Ｖのパルス電圧を前述の第１の条件及び第２の条件で印加したところ、保護膜が膨れる等の異常が現われる率は両条件とも０％であった。実施例５においても保護膜中のＡｒ量が少なくなるように作成したため、保護膜が膨れるという異常を示す素子が少なくなるという本発明の効果が見られた。
【００５０】
実施例６
本実施例では、実施例１と同じ構造の薄膜抵抗素子を作製した。保護膜８を作成する際の条件に関しては実施例１とほぼ等しいが、ヒータ−温度を若干高くした。
【００５１】
上記方法で作成した抵抗素子について前述のようにＡｒ含有量を測定したところ、保護膜中に平均して５．０％のＡｒが含まれていることがわかった。
【００５２】
同様にして作成した薄膜抵抗素子に１０μｓｅｃ、３ｋＨｚ、２６Ｖのパルス電圧を前述の第１の条件及び第２の条件で印加したところ、保護膜が膨れる等の異常が現われる率は両条件とも０％であった。実施例５においても保護膜中のＡｒ量が少なくなるように作成したため、保護膜が膨れるという異常を示す素子が少なくなるという本発明の効果が見られた。
【００５３】
実施例７
本実施例では、実施例１と同じ構造の薄膜抵抗素子を作製した。保護膜８を作成する条件に関しては、実施例１とほぼ等しいが先の実施例６よりヒーター温度をさらに高くした。
【００５４】
上記方法で作成した抵抗素子について前述のようにＡｒ含有量を測定したところ、保護膜中に平均して４．０％のＡｒが含まれていることがわかった。
【００５５】
同様にして作成した薄膜抵抗素子に１０μｓｅｃ、３ｋＨｚ、２６Ｖのパルス電圧を前述の第１の条件及び第２の条件で印加したところ、保護膜が膨れる等の異常が現われる率は両条件とも０％であった。実施例５においても保護膜中のＡｒ量が少なくなるように作成したため、保護膜が膨れるという異常を示す素子が少なくなるという本発明の効果が見られた。
【００５６】
実施例８
本実施例では、実施例１と同じ構造の薄膜抵抗素子を作製した。保護膜８を作成する際の条件に関しては実施例２とほぼ等しいが、ヒーター温度を若干高くした。
【００５７】
上記方法で作成した抵抗素子について前述のようにＡｒ含有量を測定したところ、保護膜中に平均して２．０％のＡｒが含まれていることがわかった。
【００５８】
同様にして作成した薄膜抵抗素子に１０μｓｅｃ、３ｋＨｚ、２６Ｖのパルス電圧を前述の第１の条件及び第２の条件で印加したところ、保護膜が膨れる等の異常が現われる率は両条件とも０％であった。実施例５においても保護膜中のＡｒ量が少なくなるように作成したため、保護膜が膨れるという異常を示す素子が少なくなるという本発明の効果が見られた。
【００５９】
比較例１
本発明の実施例１〜実施例８に対する比較例１では、本発明の実施例１と同じ構造の薄膜抵抗素子を作製した。ただし保護膜８を作成する際の条件に関しては実施例１と異なり、素子支持体５を接触させるヒーターを加熱しなかった。
【００６０】
上記の方法で作成した薄膜抵抗素子についてＥＰＭＡを用いて保護膜中のＡｒ含有量を測定したところ、該保護膜中に平均して７．０ｗｔ％のＡｒが含まれていることがわかった。
【００６１】
同様にして作成した薄膜抵抗素子に１０μｓｅｃ、３ｋＨｚ、２６Ｖのパルス電圧を前述の第１の条件及び第２の条件で印加したところ、保護膜が膨れる等の異常が現われる率は第１の条件では４５％第２の条件では８０％であった。
【００６２】
比較例２
比較例２では、本発明の実施例１と同じ構造の薄膜抵抗素子を作製した。ただし保護膜８を作成する際の条件に関しては実施例４の場合よりさらにヒーターの加熱温度を上げた。
【００６３】
上記の方法で作成した薄膜抵抗素子についてＥＰＭＡを用いて保護膜中のＡｒ含有量を測定したところ、該保護膜中に平均して０．１ｗｔ％のＡｒが含まれていることがわかった。
【００６４】
同様にして前述の第１の条件及び第２の条件で印加した所、保護膜の膨れる異常は起きなかった。
【００６５】
しかしながら、保護膜上に粘着テープを貼り、ピール試験を行ったところ、容易に膜はがれを起こした。
【００６６】
比較例３
本比較例３では、本発明の実施例１と同じ構造の薄膜抵抗素子を作成した。ただし保護膜８を作成する場合に成膜室内にＡｒガスが入らないように成膜すると共にヒーターによって加熱処理を行った。
【００６７】
上記方法で作成した薄膜抵抗素子についてＥＰＭＡを用いて保護膜中のＡｒ含有量を測定したところ、保護膜中には実質的Ａｒが含まれていなかった。
【００６８】
先の比較例２に順してピール試験を行ったところ容易に膜はがれを起こした。
【００６９】
比較例２、３においてはＡｒ含有量が低すぎるため、発熱抵抗層との密着性がかえって悪くなったためと考えられる。
【００７０】
以上、保護膜を単層とした場合の薄膜抵抗素子の実施例を説明したが、次に本発明の薄膜抵抗素子を用いた液体噴射ヘッドの実施例について説明を行う。
【００７１】
実施例９
図３は、本実施例の薄膜抵抗素子を用いたインクジェット記録ヘッドＩＪＨの一部の斜視図及び薄膜抵抗素子付近の断面図、図７はインクジェット記録ヘッドＩＪＨが組み込まれるインクジェットカートリッジＩＪＣの構造説明図である。さらに図８は、インクジェットカートリッジＩＪＣを、図９に示すインクジェット記録装置ＩＪＲＡのキャリッジＨＣに組み付けた様子を示す図である。
【００７２】
以下に、図３及び図７〜図９を用いて、本実施例による薄膜抵抗素子の作成工程を説明する。
【００７３】
まず、前述の実施例１と同様にして作成した薄膜抵抗素子を用意した。
【００７４】
薄膜抵抗素子１上に、図３（ａ）、（ｂ）に示すように、厚さ５０μｍの感光性樹脂ドライフィルム１２を積層して、所定のパターンマスクによる露光と現像を行うことにより、液流路１３と共通液室１４とを形成し、さらにそのフィルム１２上にエポキシ系接着剤を介してガラス製の天井板１５を接着積層してインクジェット記録ヘッドＩＪＨを作成した。なお、１６は吐出口、１７はインク流路壁、１８はインク供給口である。
【００７５】
ここで作成した薄膜抵抗素子１の第１保護膜８は、該素子を用いてインクジェット記録ヘッドＩＪＨを作製した際に、電極３及び４と発熱抵抗層７の、液流路１３直下に位置する部分がインクと接触するのを防ぐ機能を有するものであり、ＳｉＯ２  、ＳｉＣあるいはＳｉＮなどから形成することができる。
【００７６】
感光性ドライフィルム１２は、液浸透防止と耐液作用に優れたエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂等の有機絶縁物から選択した材料などを用いることができ、インク流路壁１７を形成することによって、吐出口１６、液流路１３、発熱抵抗層７の熱発生部１１を含むインク吐出のための吐出単位がマルチ化している。
【００７７】
天井板１５は、各吐出単位における液流路１３の天井に相当する部分で、ガラス以外でも、金属板、セラミック、プラスチックなどから形成することができる。
【００７８】
なお、感光性ドライフィルム１２と天井板１５の接合には、エポキシ樹脂あるいはシアノアクリレート樹脂などの接着剤を用いた接合等が利用できる。
【００７９】
このインクジェット記録ヘッドＩＪＨでは、発熱抵抗層７に高抵抗で高温安定性に優れる化合物であるＨｆＢ２  が用いられているので、該記録ヘッドは、高密度記録及び高速記録の要求に対して十分対応できる構成を有する。
【００８０】
また、本発明の記録ヘッドにおける構成は、上記した例に限定されず、種々の構成を取り得る。例えば、図示した記録ヘッドは、熱発生部に液体が供給される方向と、吐出口から液体が吐出される方向とがほぼ同一な構成を有しているが、これらの方向が異なる、例えばほぼ直角となるような構成を有しても良い。
【００８１】
前述の方法で作成したインクジェット記録ヘッドＩＪＨを、図７に示すようにインクタンクＩＴと一体になったジェットカートリッジＩＪＣに取り込み、さらに図８に示すようにキャリッジＨＣに組み付け、図９に示すインクジェット記録装置ＩＪＲＡを組み立てた。
【００８２】
以下に、インクジェット記録装置の構成について簡単な説明を行う。
【００８３】
インクジェットユニットＩＪＵは、電気信号に応じて膜沸騰をインクに対して生じせしめるための熱エネルギーを生成する電気熱変換体を用いて記録を行うバブルジェット方式のユニットである。
【００８４】
図７に於て、１９は薄膜抵抗素子１に対する配線基板であり、該素子の配線に対応する配線（例えばワイヤボンディングにより接続される）と、この配線の端部に位置し本体装置からの電気信号を受けるパッド２０とを有している。
【００８５】
２１は配線基板１９の裏面を平面で支持する例えば金属製の支持体で、インクジェットユニットＩＪＵの底板となる。２２は押えバネであり、Ｍ字形状でそのＭ字の中央で共通液室１４を軽圧で押圧すると共に前だれ部２３で液路の一部、好ましくは吐出口１６近傍の領域を線圧で集中押圧する。薄膜抵抗素子１及び天井板１５を押えバネの足部が底板２１の穴２４と通って底板２１の裏面側に係合することでこれらを挟み込んだ状態で両者を係合させることにより、押えバネ２２とその前だれ部２３の集中付勢力によって薄膜抵抗素子と天井板１５とを圧着固定する。
【００８６】
また底板２１は、インクタンクＩＴの２つの位置決め突起２５及び位置決め且つ熱融着保持用突起２７、２８（不図示）に係合する位置決め用穴２６、２９、３０を有する他、装置本体ＩＪＲＡのキャリッジＨＣに対する位置決め用の突起３１、３２を裏面側に有している。加えて底板２１はインクタンクＩＴからのインク供給を可能とするインク供給管３３を貫通可能にする穴３４をも有している。底板２１に対する配線基板１９の取付けは、接着剤等で貼着して行われる。尚、底板２１の凹部３５、３５はそれぞれ位置決め用突起３１、３２の近傍に設けられており、組み立てられたインクジェットカートリッジＩＪＣにおいて、その周辺の３辺を平行溝３６、３７の複数で形成されたヘッド先端域の延長点にあって、ゴミやインク等の不要物が突起３１、３２に至ることがないように位置している。この平行溝３６が形成されている蓋部材３８は、図７でわかるようにインクジェットカートリッジＩＪＣの外壁を形成すると共に、インクタンクＩＴとでインクジェットユニットＩＪＵを収納する空間部を形成している。また、この平行溝３７が形成されているインク供給部材３９は、前述したインク供給管３３に連続するインク導管４０を供給管３３側が固定の片持ちばりとして形成し、インク導管４０の固定側とインク供給管３３との毛管現象を確保するための封止めピン４１が挿入されている。尚、４２はインクタンクＩＴと供給管３３との結合シールを行うパッキン、４３は供給管のタンク側端部に設けられたフィルターである。
【００８７】
このインク供給部材３９は、モールド成型されているので、安価で位置精度が高く形成製造上の精度低下を無くしているだけではなく、片持ちばりの導管４０によって大量生産時においても導管４０の上述インク受け口１８に対する圧接状態が安定化できる。本例では、この圧接状態下で封止用接着剤をインク供給部材側から流し込むだけで、より完全な連通状態を確実に得ることができている。尚、インク供給部材３９の底板２１に対する固定は、底板２１の穴４４、４５に対するインク供給部材３９の裏面側ピン（不図示）を底板２１の穴４４、４５を介して貫通突出せしめ、底板２１の裏面側に突出した部分を熱融着することで簡単に行われる。尚、この熱融着された裏面部のわずかな突出領域は、インクタンクＩＴのインクジェットユニットＩＪＵ取付面側壁面のくぼみ（不図示）内に収められるのでユニットＩＪＵの位置決め面は正確に得られる。
【００８８】
インクタンクＩＴは、カートリッジＩＪＣ本体４６と、インク吸収体４７をカートリッジ本体４６の上記ユニットＩＪＵ取付け面とは反対側の側面から挿入した後、これを封止する蓋部材４８とで構成されている。
【００８９】
４７はインクを含浸させるための吸収体であり、カートリッジ本体４６内に配置される。４９は上記ユニットＩＪＵに対してインクを供給するための供給口であると共に、当該ユニットをカートリッジ本体４６に配置する前の工程で供給口４９よりインクを注入することにより吸収体４７のインク含浸を行うための注入口でもある。
【００９０】
この本例では、インクを供給可能な部分は、大気連通口とこの供給口とになるが、インク吸収体からのインク供給性を良好に行うための本体４６内リブ５０と蓋部材４８の部分リブ５１、５２とによって形成されたタンク内空気存在領域を、大気連通口５３側から連続させてインク供給口４９から最も遠い角部域にわたって形成している構成をとっているので、相対的に良好かつ均一な吸収体へのインク供給は、この供給口４９側から行われることが重要である。なお、５４は大気連通口５３の内方に配置される撥液剤であり、これにより大気連通口５３からのインク漏洩が防止される。大気連通口は突出した形に形成されていて、その内部を空洞化し、インク吸収体４７に対する大気圧供給空間５５を形成している。
【００９１】
尚、５６はインクタンクＩＴの先端ツバで、キャリッジの前板１００の穴に挿入されて、インクタンクの変位が極端に悪くなるような異変時に対して設けられている。１０１はキャリッジに対する抜け止めで、キャリッジＨＣの不図示のバーにたいして設けられ、カートリッジＩＪＣが旋回装着された位置でこのバーの下方に侵入して、不要に位置決め位置から離脱させる上方方向へ力が作用しても装着状態を維持するための保護用部材である。５７はカートリッジＩＪＣの上方面に設けられたスリットで、ヘッドＩＪＨからの発熱によるユニットＩＪＵの昇温を防止しつつもユニットＩＪＵ全体の温度分布の均一化を環境に左右されないように作用している。
【００９２】
また、インク供給部材３９は、組立後の形状において、その上面部５８がインクタンクＩＴの屋根部の端部６０との間にスリットを形成し、下面部５９がインクタンクＩＴの下方の蓋３８が接着される薄板部材のヘッド側端部６１との間に上記スリットと同様のスリットを形成する。これらのインクタンクＩＴとインク供給部材３９との間のスリットは、上記スリット５９の放熱を一層促進させる作用を実質的に行うとともに、タンクＩＴへ加わる不要な圧力があってもこれを直接供給部材、強いては、インクジェットユニットＩＪＵへ及ぼすことを防止している。
【００９３】
図８において、２００はプラテンローラで、記録媒体Ｐを紙面下方から上方へ案内する。キャリッジＨＣは、プラテンローラ２００に沿って移動するもので、キャリッジの前方プラテン側にインクジェットカートリッジＩＪＣの前面側に位置する前板１００（厚さ２ｍｍ）と、カートリッジＩＪＣの配線基板１９のパッド２０に対応するパッド１０２を具備したフレキシブルシート１０３及びこれを裏面側から各パッド１０２に対して押圧する弾性力を発生するためのゴムパッドシート１０３を保持する電気接続用支持板１０４と、インクジェットカートリッジＩＪＣを記録位置へ固定するための位置決め用フック１０５とが設けられている。前板１００は位置決め用突出面１０６をカートリッジの底板２１の前述した位置決め突起３１、３２に夫々対応して２個有し、カートリッジの装着後はこの突出面１０６に向かう垂直な力を受ける。このため、補強用のリブが前板のプラテンローラ側に、その垂直な力の方向に向かっているリブ（不図示）を複数有している。このリブは、カートリッジＩＪＣ装着時の前面位置Ｌよりもわずかに（約０．１ｍｍ程度）プラテンローラ側に突出しているヘッド保護用突出部をも形成している。電気接続用支持板１０４は、補強用リブ１０７を前記リブの方向ではなく垂直方向に複数有し、プラテン側からフック１０５側に向かって側方への突出割合が減じられている。これは、カートリッジ装着時の位置を図のように傾斜させるための機能も果たしている。また、支持板１０４は電気的接触状態を安定化させるため、上記２つの位置決め用突出面１０６がカートリッジに及ぼす作用方向と逆方向に、カートリッジへの作用力を及ぼすためのフック側の位置決め面１０８を突出面１０６に対応して２個有し、これらの間にパッドコンタクト域を形成すると共にパッド１０２対応のボッチ付ゴムシート１０３のボッチの変形量を一義的に規定する。これらの位置決め面は、カートリッジＩＪＣが記録可能な位置に固定されると、配線基板１９の表面に当接した状態となる。
【００９４】
フック１０５は、固定軸１０９に係合する長穴を有し、この長穴の移動空間を利用して図の位置から反時計方向に回動した後、プラテンローラ２００に沿って左方側へ移動することでキャリッジＨＣに対するインクジェットカートリッジＩＪＣの位置決めを行う。このフック１０５の移動はどのようなものでも良いが、レバー等で行える構成が好ましい。いずれにしてもこのフック１０５の回動時にカートリッジＩＪＣはプラテンローラ側へ移動しつつ位置決め突起３１、３２が前板の位置決め面１０６に当接可能な位置へ移動し、フック１０５の左方側移動によって９０°のフック面１１０がカートリッジＩＪＣの爪６２の９０°面に密着しつつカートリッジＩＪＣを位置決め面３１、１０６どうしの接触域を中心に水平面内で旋回して最終的にパッド２０、１０２どうしの接触が始まる。そしてフック１０５が所定位置、すなわち固定位置に保持されると、パッド２０、１０２どうしの完全接触状態と、位置決め面３１、１０６どうしの完全面接触と、９０度面１１０と爪の９０度面の２面接触と、配線基板１９と位置決め面１０８との面接触とが同時に形成されてキャリッジに対するカートリッジＩＪＣの保持が完了する。
【００９５】
図９は本発明が適用されるインクジェット記録装置ＩＪＲＡの概観図で、駆動モータ２１３の正逆回転に連動して駆動力伝達ギア２０９、２１１を介して回転するリードスクリュー２０４の螺旋溝２０５に対して係合するキャリッジＨＣは、矢印ａ、ｂ方向に往復移動される。２０２は紙押え板であり、キャリッジ移動方向にわたって紙をプラテン２００に対して押圧する。２０７、２０８はフォトカプラでキャリッジのレバー２０６のこの域での存在を確認してモータ２１３の回転方向切換等を行うためのホームポジション検知手段である。２１６は記録ヘッドの前面をキャップするキャップ部材２２２を支持する部材で、２１５はこのキャップ内を吸収する吸引手段でキャップ内開口２２３を介して記録ヘッドの吸引回復を行う。２１７はクリーニングブレードで、２１９はこのブレードを前後方向に移動可能にする部材であり、本体支持板２１８にこれらは支持されている。ブレードは、この形態でなく周知のクリーニングブレードが本例に適用できることはいうまでもない。また、２１２は、吸引回復の吸引を開始するためのレバーで、キャリッジと係合するカム２２０の移動に伴って移動し、駆動モータからの駆動力がクラッチ切換等の公知の伝達手段でで移動制御される。
【００９６】
これらのキャッピング、クリーニング、吸引回復は、キャリッジがホームポジション側領域にきた時にリードスクリュー２０４の作用によってそれらの対応位置で所望の処理が行えるように構成されているが、周知のタイミングで所望の作動を行うようにすれば、本例には何れも適用できる。上述における各構成は単独でも複合的に見ても優れた構成であり、本発明にとって好ましい構成例を示している。
【００９７】
上記の方法で作成した薄膜抵抗素子の第１保護膜中のＡｒ含有量は、ＥＰＭＡを用いて測定したところ、実施例１と同様に、平均して６ｗｔ％であった。
【００９８】
また、上記の方法で作成した薄膜抵抗素子を使用したインクジェット記録装置を用いて、該薄膜抵抗素子に５×１０７  回の電気パルス（条件１）及び１０８  回の電気パルス（条件２）を加えたのに等しい記録を行い、（駆動条件１０μｓｅｃ、１ｋＨｚ、２６Ｖ）２０個の薄膜抵抗素子について異常発生率を調べた。ただし、キャリッジＨＣとインクジェット記録装置ＩＪＲＡの本体は共通の物を用い、インクジェットカートリッジＩＪＣのみを交換した。その結果、該薄膜抵抗素子のうち、保護膜が膨れるという異常を示したのは０％であった。すなわち、異常発生率は両条件とも０％であった。後述する比較例２では、同条件でテストを行うと、条件１の時には５５％で条件２の時には８５％の異常発生率になることから、第９実施例では、保護膜中のＡｒ量が少なくなるよう作成したため、保護膜の異常発生率が下がるすなわちインクジェットカートリッジの信頼性が上がるという本発明の効果が見られた。
【００９９】
本発明を補足すると、本発明は、特にインクジェット記録方式の中でもバブルジェット方式の記録ヘッド、記録装置において、優れた効果をもたらすものである。
【０１００】
その代表的な構成や原理については、例えば、米国特許第４７２３１２９号明細書、同第４７４０７９６号明細書に開示されている基本的な原理を用いて行うものが好ましい。この方式は所謂オンデマンド型、コンティニュアス型のＰいずれにも適用可能であるが、特に、オンデマンド型の場合には、液体（インク）が保持されているシートや液路に対応して配置されている電気熱変換体に、記録情報に対応していて核沸騰を越える急速な温度上昇を与える少なくとも一つの駆動信号を印加することによって、電気熱変換体に熱エネルギーを発生せしめ、記録ヘッドの熱作用面に膜沸騰させて、結果的にこの駆動信号に一対一対応して液体（インク）内の気泡を形成できるので有効である。この気泡に成長、収縮により吐出用開口部を介して液体（インク）を吐出させて、少なくとも一つの滴を形成する。この駆動信号をパルス形状とすると、即時適切に気泡の成長収縮が行われるので、特に応答性に優れた液体（インク）の吐出が達成でき、より好ましい。このパルス形状の駆動信号としては、米国特許第４４６３３５９号明細書、同第４３４５２６２号明細書に記載されているようなものが適している。尚、上記熱作用面の温度上昇率に関する発明の米国特許第４３１３１２４号明細書に記載されている条件を採用すると、更に優れた記録を行うことができる。
【０１０１】
記録ヘッドの構成としては、上述の各明細書に開示されているような吐出口、液路、電気熱変換体の組合せ構成（直線状液流路又は直角液流路）の他に熱作用部が屈曲する領域に配置されている構成を開示する米国特許第４５５８３３３号明細書、米国特許第４４５９６００号明細書を用いた構成も本発明に含まれるものである。加えて、複数の電気熱変換体に対して、共通するスリットを電気熱変換体の吐出部とする構成を開示する特開昭５９−１２３６７０号公報や熱エネルギーの圧力波を吸収する開孔を吐出部に対応せる構成を開示する特開昭５９−１３８４６１号公報に基づいた構成としても本発明は有効である。
【０１０２】
更に、記録装置が記録できる最大記録媒体の幅に対応した長さを有するフルラインタイプの記録ヘッドとしては、上述した明細書に開示されているような複数記録ヘッドの組合せによって、その長さを満たす構成や一体的に形成された一個の記録ヘッドとしての構成のいずれでも良いが、本発明は、上述した効果を一層有効に発揮することができる。
【０１０３】
加えて、装置本体に装着されることで、装置本体との電気的な接続や装置本体からのインクの供給が可能になる交換自在のチップタイプの記録ヘッド、あるいは記録ヘッド自体に一体的に設けられたカートリッジタイプの記録ヘッドを用いた場合にも本発明は有効である。
【０１０４】
また、本発明の記録装置の構成として設けられる、記録ヘッドに対しての回復手段、予備的な補助手段等を付加することは本発明の効果を一層安定できるので好ましいものである。これらを具体的に挙げれば、記録ヘッドに対しての、キャピング手段、クリーニング手段、加圧或は吸引手段、電気熱変換体或はこれとは別の加熱素子或はこれらの組合せによる予備加熱手段、記録とは別の吐出を行う予備吐出モードを行うことも安定した記録を行うために有効である。
【０１０５】
更に、記録装置の記録モードとしては黒色等の主流色のみの記録モードだけではなく、記録ヘッドを一体的に構成するか複数個の組合せによってでもよいが、異なる色の複色カラー又は、混色によるフルカラーの少なくとも一つを備えた装置にも本発明は極めて有効である。
【０１０６】
実施例１０
本発明の実施例１０では、実施例９と同じ構造の薄膜抵抗素子を作成し、該薄膜抵抗素子を用いて実施例９と同じ構成のインクジェットカートリッジＩＪＣを２０個作成した。ただし、保護膜８を作成する条件は、実施例３で保護膜８を作成した条件と等しく、図１０に○印で示したＮｏ．１のＡｒスパッタリング装置を用い、また、ヒーターは加熱せず、Ａｒガス圧は３ｍＴｏｒｒ、Ｒｆ投入電力は８．０ｋＷとした。
【０１０７】
上記の方法で作成した薄膜抵抗素子の第１保護膜中のＡｒ含有量は、ＥＰＭＡを用いて測定したところ、実施例３と同様に、平均して１．０ｗｔ％であった。
【０１０８】
また、上記の方法で作成した２０個のインクジェットカートリッジＩＪＣについて、実施例９で使用したインクジェット記録装置ＩＪＲＡを使用して、該薄膜抵抗素子に前述の条件１及び条件２の電気パルスを加えたのに等しい記録を行い、（駆動条件１０μｓｅｃ、１ｋＨｚ、２６Ｖ）各カートリッジの薄膜抵抗素子について異常発生率を調べた。その結果、該薄膜抵抗素子のうち、保護膜が膨れるという異常を示したのは、両条件とも０％であった。、実施例１０でも保護膜中Ａｒ量が少なくなるよう作成した。保護膜の異常発生率が下がりすなわちインクジェットカートリッジの信頼性が上がるという本発明の効果が見られる。
【０１０９】
比較例４
本発明の実施例９、実施例１０に対する比較例２では、実施例９と同じ構造の薄膜抵抗素子を作成し、該薄膜抵抗素子を用いて実施例９と同じ構成のインクジェットカートリッジＩＪＣを２０個作成した。ただし、第１保護膜８を作成する条件は、比較例１で保護膜８を作成した条件と等しく、図１０に×印で示したＮｏ．５のＡｒスパッタリング装置を用い、また、ヒーターは加熱せず、Ａｒガス圧は４ｍＴｏｒｒ、Ｒｆ投入電力は４．０ｋＷとした。
【０１１０】
上記の方法で作成した薄膜抵抗素子の第１保護膜中のＡｒ含有量は、ＥＰＭＡを用いて測定したところ、比較例１と同様に、平均して７．０ｗｔ％であった。
【０１１１】
また、上記の方法で作成した２０個のインクジェットカートリッジＩＪＣについて、実施例９で使用したインクジェット記録装置ＩＪＲＡを使用して、該薄膜抵抗素子に１０８  回の電気パルスを加えたのに等しい記録を行い、（駆動条件１０μｓｅｃ、１ｋＨｚ、２６Ｖ）各カートリッジの薄膜抵抗素子について異常発生率を調べた。その結果、該薄膜抵抗素子のうち、保護膜が膨れるという異常を示したのは前述の条件１では５５％、条件２では８５％もあった。
【０１１２】
以上の実施例１〜実施例１０及び比較例１〜２の結果を図１１に示す。
【０１１３】
また、上述した各実施例及び比較例１、４において作成した薄膜抵抗素子及び薄膜抵抗素子を有するインクジェットヘッドに対して、それぞれ３０Ｖパルス幅３．０μｓｅｃのパルスを駆動周波数３．０ｋＨｚで印加した場合に、薄膜抵抗素子が断線するのに至るまでのパルス数を比較例１のパルス数を基準として比較した値を図１２に示す。
【０１１４】
以上の結果から本発明の薄膜抵抗素子及びインクジェットヘッドで用いられる薄膜抵抗素子の発熱抵抗層の発熱部に接する保護膜中のＡｒ％は０．２ｗｔ％〜６．０ｗｔ％、より望ましくは０．２ｗｔ％〜３０ｗｔ％、さらに望ましくは０．２ｗｔ％〜１．０ｗｔ％である。
【０１１５】
以上、発熱抵抗層の発熱する部分の上に設けられる保護膜が単層である場合の実施例を説明した。
【０１１６】
しかしながら前述したようにこの保護膜上にさらに保護膜を積層させる多層保護膜の場合の実施例につてい以下の実施例で説明する。
【０１１７】
実施例１１
図４は、本発明の実施例８に係る薄膜抵抗素子のそれぞれ平面図（ａ）及び断面図（ｂ）である。ここで、１は素子（全体）、２は発熱部分、３及び４は配線電極である。
【０１１８】
以下に、本実施例による薄膜抵抗素子の作成工程を説明する。
【０１１９】
まず、素子支持体５であるＳｉウェハの表面に熱酸化によって５μｍ厚のＳｉＯ２  膜を形成して素子１の下部層６とした。この下部層６上にスパッタリングによってＨｆＢ２  の発熱抵抗層７を１３００オングストロームの厚みに形成した。
【０１２０】
続いて電子ビーム蒸着によりＴｉ層５０オングストローム、Ａｌ層５０００オングストロームを連続的に堆積して共通配線電極３と選択配線電極４とを形成した。この時、フォトリソ工程により図５に示すような回路パターンを形成し、配線電極３、４に通電することにより発熱する熱発生部１１の発熱部分２の熱作用面はその寸法を３０μｍ幅で、１５０μｍ長にし、Ａｌ配線電極３及び４の抵抗を含めて１００Ωの抵抗値にした。
【０１２１】
次に、第１の保護膜８を２段階に分けて成膜した。まず、第１段階として素子支持体５をＡｒスパッタリング装置（図１０中に×印で示したＮｏ．５の装置）内に、４００℃に加熱したヒーターを接続させてセットし、厚さ１．０μｍのＳｉＯ２  からなる第１下部保護膜８を、図４に示すように素子１の全面上に、マグネトロン型ハイレートスパッタ法によって積層した。なお、その際のＡｒガス圧は４ｍＴｏｒｒ、Ｒｆ投入電力は４．０ｋＷとした。次に第２段階としてＡｒスパッタリング装置（図１０中に×印で示したＮｏ．５の装置）で基板を加熱しないで厚さ１．０μｍのＳｉＯ２  からなる第１上部保護膜８を上に成膜した。なお、その際のＡｒガス圧は４ｍＴｏｒｒ、Ｒｆ投入電力は２．０ｋＷとした。次に、第２の上部保護層１０として、Ｔａを０．５μｍ厚にマグネトロン型ハイレートスパッタ法によって積層した。次に、第２の保護層１０をフォトリソ工程により、図４（ａ）、（ｂ）に示すような発熱部分２の上部を覆うパターンに形成した。なお、素子支持体５は必ずしもＳｉでなくても良く、例えば、ガラスあるいはセラミックスのような絶縁物でも良い。発熱抵抗層７は、発熱部分２が通電時に非常に高温になるため、その材料として高温で安定であり、かつ耐酸化性に優れる物質であればＨｆＢ２  以外の材料、例えば高融点金属あるいは遷移金属の窒化物、炭化物、珪化物、硼化物などでも良い。配線電極３及び４は、Ａｌではなく、Ａｕ、Ｃｕのような電気良導体でも形成できる。
【０１２２】
また、保護膜８の膜厚や発熱部分２の幅並びに長さ等に関しては、薄膜抵抗素子の設計に応じて該薄膜抵抗素子の熱発生部１１に必要な特性が得られるよう適宜選択すれば良い。さらに、保護膜８に関しては、ＳｉＯ２  以外に、ＳｉＣあるいはＳｉＮなどから形成することも可能である。
【０１２３】
上記の方法で作成した薄膜抵抗素子についてＥＰＭＡを用いて保護膜中のＡｒ含有量を測定したところ、第１の保護膜８の下部保護膜として成膜したものは、平均して６ｗｔ％、上部保護膜として成膜したものは平均して９ｗｔ％のＡｒが含まれていることがわかった。
【０１２４】
上記の方法で作成した薄膜抵抗素子に１０μｓｅｃ、３ｋＨｚのパルス電圧を５×１０７  回（条件１）、１０８  回（条件２）印加したところ、保護膜が膨れる等の異常が現われる率は両条件とも０％であった。
【０１２５】
実施例１２
本発明の実施例１２では、実施例１１と同じ構造の薄膜抵抗素子を作製した。ただし第１の保護膜８を作成する際の条件に関しては実施例１１と異なり、第１段階として素子支持体５をＡｒスパッタリング装置（図１０中に×印で示したＮｏ．５装置）内に、４００℃に加熱したヒーターを接触させてセットし、厚さ１．０μｍのＳｉＯ２  からなる第１の下部保護膜８を、図４に示すように素子１の全面上に、マグネトロン型ハイレートスパッタ法によって積層した。なお、その際のＡｒガス圧は４ｍＴｏｒｒ、Ｒｆ投入電力は４．０ｋＷとした。次に第２段階としてＡｒスパッタリング装置（図１０中に○印で示したＮｏ．１の装置）で基板を加熱しないで厚さ１．０μｍのＳｉＯ２  からなる第１の上部保護膜８を上に成膜した。なお、その際のＡｒガス圧は３ｍＴｏｒｒ、Ｒｆ投入電力は８．０ｋＷとした。上記の方法で作成した薄膜抵抗素子についてＥＰＭＡを用いて保護膜中のＡｒ含有量を測定したところ、第１の保護膜８の下部保護膜として成膜したものは、平均して６．０ｗｔ％、第２段階として成膜した第１の上部保護膜は平均して１．０ｗｔ％のＡｒが含まれていることがわかった。
【０１２６】
上記の方法で作成した薄膜抵抗素子に１０μｓｅｃ、３ｋＨｚのパルス電圧を上述の条件１、２に順じて印加したところ、保護膜が膨れる等の異常が現われる率は０％であった。
【０１２７】
実施例１３
本発明の実施例１３では、実施例１１と同じ構造の薄膜抵抗素子を作製した。ただし第１の保護膜８を作成する際の条件に関しては実施例１１と異なり、第１段階として素子支持体５をＡｒスパッタリング装置（図１０中に○印で示したＮｏ．１の装置）内に、６００℃に加熱したヒーターを接触させてセットし、厚さ１．０μｍのＳｉＯ２  からなる第１の下部保護膜８を、図４に示すように素子１の全面上に、マグネトロン型ハイレートスパッタ法によって積層した。なお、その際のＡｒガス圧は３ｍＴｏｒｒ、Ｒｆ投入電力は８．０ｋＷとした、次に第２段階としてＡｒスパッタリング装置（図１０中に×印で示したＮｏ．５の装置）で基板を加熱しないで厚さ１．０μｍのＳｉＯ２  からなる第１の上部保護膜８を上に成膜した。なお、その際のＡｒガス圧は４ｍＴｏｒｒ、Ｒｆ投入電力は４．０ｋＷとした。上記の方法で作成した薄膜抵抗素子についてＥＰＭＡを用いて保護膜中のＡｒ含有量を測定したところ、第１の保護膜８の下部保護膜として成膜したものは、平均して０．２ｗｔ％、第２段階として成膜した上部保護膜は平均して９．０ｗｔ％のＡｒが含まれていることがわかった。上記の方法で作成した薄膜抵抗素子に１０μｓｅｃ、３ｋＨｚのパルス電圧を上述の条件１、２に準じて印加したところ、保護膜が膨れる等の異常が現われる率は０％であった。
【０１２８】
実施例１４
本発明の実施例１４では、実施例１１と同じ構造の薄膜抵抗素子を作製した。ただし第１の上部保護膜８を作成する際の条件に関しては実施例１１と異なり、第１段階として素子支持体５をＡｒスパッタリング装置（図１０中に○印で示したＮｏ．１の装置）内に、６００℃に加熱したヒーターを接触させてセットし、厚さ１．０μｍのＳｉＯ２  からなる保護膜８を、図４に示すように素子１の全面上に、マグネトロン型ハイレートスパッタ法によって積層した。なお、その際のＡｒガス圧は３ｍＴｏｒｒ、Ｒｆ投入電力は８．０ｋＷとした。次に第２段階としてＡｒスパッタリング装置（図１０中に○印で示したＮｏ．１の装置）で基板を加熱しないで厚さ１．０μｍのＳｉＯ２  からなる保護膜８を上に成膜した。なお、その際のＡｒガス圧は３ｍＴｏｒｒ、Ｒｆ投入電力は８．０ｋＷとした。上記の方法で作成した薄膜抵抗素子についてＥＰＭＡを用いて保護膜中のＡｒ含有量を測定したところ、第１の保護膜８の第１段階として成膜したものは（下部保護膜）、平均して０．２ｗｔ％、第２段階として成膜したもの（上部保護膜）は平均して１．０ｗｔ％のＡｒが含まれていることがわかった。上記の方法で作成した薄膜抵抗素子に１０μｓｅｃ、３ｋＨｚのパルス電圧を条件１、２に順じて印加したところ、保護膜が膨れる等の異常が現われる率は０％であった。
【０１２９】
比較例５
本発明の実施例１１〜実施例１４に対する比較例５では、本発明の実施例１１と同じ構造の薄膜抵抗素子を作製した。ただし第１の保護膜８を作成する際の条件に関しては第１の実施例と異なり、２段階に分けず１条件１装置で成膜した。素子支持体５をＡｒスパッタリング装置（図１０中に×印で示したＮｏ．５の装置）内に、加熱しないようにセットし、厚さ２．０μｍのＳｉＯ２  からなる保護膜８を、図４に示すように素子１の全面上に、マグネトロン型ハイレートスパッタ法によって積層した。なお、その際のＡｒガス圧は４ｍＴｏｒｒ、Ｒｆ投入電力は４．０ｋＷとした。
【０１３０】
上記の方法で作成した薄膜抵抗素子についてＥＰＭＡを用いて保護膜中のＡｒ含有量を測定したところ、該保護膜中に平均して７．０ｗｔ％のＡｒが含まれていることがわかった。
【０１３１】
同様にして作成した薄膜抵抗素子に１０μｓｅｃ、３ｋＨｚのパルス電圧を前述の条件１、２で印加したところ、保護膜が膨れるの異常が現われる率は６０％であった。ただし、第１の保護膜と第２の保護膜の間で剥離しているものはなかった。
【０１３２】
これは、発熱抵抗層に接する側の膜のＡｒ含有量が多すぎるためであると考えられる。
【０１３３】
比較例６
比較例６では、本発明の実施例１１と同じ構造の薄膜抵抗素子を作製した。ただし第１の保護膜８を作成する際の条件に関しては実施例１１と異なり、２段階に分けず１条件１装置で成膜した。素子支持体５をＡｒスパッタリング装置（図１０中に○印で示したＮｏ．１の装置）内に、６００℃に加熱したヒーターを接触させてセットし、厚さ２．０μｍのＳｉＯ２  からなる第１の保護膜８を、図４に示すように素子１の全面上に、マグネトロン型ハイレートスパッタ法によって積層した。尚、その際のＡｒガス圧は３ｍＴｏｒｒ、Ｒｆ投入電力は８．０ｋＷとした。
【０１３４】
上記の方法で作成した薄膜抵抗素子についてＥＰＭＡを用いて保護膜中のＡｒ含有量を測定したところ、該保護膜中に平均して０．２ｗｔ％のＡｒが含まれていることがわかった。
【０１３５】
同様にして作成した薄膜抵抗素子に１０μｓｅｃ、３ｋＨｚのパルス電圧を前述の条件１、２に順じて印加したところ、保護膜が膨れる異常はなかったが、保護膜の剥れが第１の保護膜と第２の保護膜との間で現われる率は５０％であった。
【０１３６】
比較例７
比較例７では、本発明の実施例１１と同じ構造の薄膜抵抗素子を作製した。だたし、第１の保護膜８を作成する際の条件に関しては実施例１１と異なり、２段階に分けず１条件１装置で成膜した。素子支持体５をＡｒスパッタリング装置（図１０中に○印で示したＮｏ．１の装置）内に、５００℃に加熱したヒーターを接触させてセットし、厚さ２．０μｍのＳｉＯ２  からなる第１の保護膜８を、図４に示すように素子１の全面上に、マグネトロン型ハイレートスパッタ法によって積層した。なお、その際のＡｒガス圧は３ｍＴｏｒｒ、Ｒｆ投入電力は８．０ｋＷとした。
【０１３７】
上記の方法で作成した薄膜抵抗素子についてＥＰＭＡを用いて保護膜中のＡｒ含有量を測定したところ、該保護膜中に平均して０．９ｗｔ％のＡｒが含まれていることがわかった。
【０１３８】
同様にして作成した薄膜抵抗素子に１０μｓｅｃ、３ｋＨｚのパルス電圧を前述の条件１、２に順じて印加したところ、保護膜が膨れる異常はなかった。保護膜の剥れが第１の保護膜と第２の保護膜との間で現われる率は２０％であった。
【０１３９】
比較例８
本発明の実施例１１〜実施例１４に対する比較例８では、本発明の実施例１１と同じ構造の薄膜抵抗素子を作製した。ただし、第１の保護膜８を作成する際の条件に関しては実施例１１と異なり、第１段階として素子支持体５をＡｒスパッタリング装置（図１０中に×印で示したＮｏ．５の装置）内に、加熱しないようにセットし、厚さ１．０μｍのＳｉＯ２  からなる保護膜８を、図４に示すように素子１の全面上に、マグネトロン型ハイレートスパッタ法によって積層した。なお、その際のＡｒガス圧は４ｍＴｏｒｒ、Ｒｆ投入電力は４．０ｋＷとした。次に第２段階としてＡｒスパッタリング装置（図１０中に×印で示したＮｏ．５の装置）で基板を加熱しないで厚さ１．０μｍのＳｉＯ２  からなる保護膜８を上に成膜した。なお、その際のＡｒガス圧は、１５ｍＴｏｒｒ、Ｒｆ投入電力は１．０ｋＷとした。
【０１４０】
上記の方法で作成した薄膜抵抗素子についてＥＰＭＡを用いて保護膜中のＡｒ含有量を測定したところ、第１の保護膜８の第１段階として成膜したもの（下部保護膜８）は、平均して７．０ｗｔ％、第２段階として成膜したもの（上部保護膜）は平均して１０．０ｗｔ％のＡｒが含まれていることがわかった。
【０１４１】
同様にして作成した薄膜抵抗素子に１０μｓｅｃ、３ｋＨｚのパルス電圧を条件１、２に順じて印加したところ、条件１において保護膜の膨れが現われる率は４０％条件２で保護膜が膨れる等の異常が現われる率は７０％であった。ただし、第１の上部保護膜と第２の保護膜の間で剥離が生ずる率は条件１の時は約５％、条件２では約１０％であった。
【０１４２】
次に、保護膜を多層にした場合の本発明のインクジェットヘッドの実施例について説明を行う。
【０１４３】
実施例１５
図５は、本実施例の薄膜抵抗素子の平面図（ａ）及び断面図（ｂ）である。また、図６は、本実施例の薄膜抵抗素子を用いたインクジェット記録ヘッドＩＪＨの一部の薄膜抵抗素子付近の断面図である。
【０１４４】
尚、インクジェットヘッド、インクジェットカートリッジ及びインクジェット装置の構成については、前述の図７〜図９と同様であるのでここでは説明を省く。
【０１４５】
まず、本発明の実施例１１と同様にして作成した薄膜抵抗素子を用意した。次に、第３の上部保護膜９として、感光性ポリイミド（商品名フォトニース）を素子１の第１保護膜８上に塗布し、フォトリソ工程により、図５（ａ）、（ｂ）に示すような回路パターンを形成した。
【０１４６】
このようにして作成した薄膜抵抗素子１上に、図６に示すように、厚さ５０μｍの感光性樹脂ドライフィルムを積層して、所定のパターンマスクによる露光と現像を行うことにより、液流路１３と共通液室とを形成し、さらにそのフィルム１２上にエポキシ系接着剤を介してガラス製の天井板１５を接着積層してインクジェット記録ヘッドＩＪＨを作成した。なお、１６は吐出口、１７はインク流路壁、１８はインク供給口である。
【０１４７】
ここで作成した薄膜抵抗素子１の第１保護膜８は、該素子を用いてインクジェット記録ヘッドＩＪＨを作製した際に、電極３及び４と発熱抵抗層７の、液流路１３直下に位置する部分がインクと接触するのを防ぐ機能を有するものであり、ＳｉＯ２  、ＳｉＣあるいはＳｉＮなどから形成することができる。また、第２保護膜１０は耐キャビテーション層であり、Ｔａ以外の金属薄膜層を用いることもできる。
【０１４８】
感光性ドライフィルム１２は、液浸透防止と耐液作用に優れたエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂等の有機絶縁物から選択した材料などを用いることができ、インク流路壁１７を形成することによって、吐出口１６、液流路１３、発熱抵抗層７の熱発生部１１を含むインク吐出のための吐出単位がマルチ化している。
【０１４９】
天井板１５は、各吐出単位における液流路１３の天井に相当する部分で、ガラス以外でも、金属板、セラミック、プラスチックなどから形成することができる。
【０１５０】
なお、感光性ドライフィルム１２と天井板１５の接合には、エポキシ樹脂あるいはシアノアクリレート樹脂などの接着剤を用いた接合等が利用できる。
【０１５１】
このインクジェット記録ヘッドＩＪＨでは、発熱抵抗層７に高抵抗で高温安定性に優れる化合物であるＨｆＢ２  が用いられているので、該記録ヘッドは、高密度記録及び高速記録の要求に対して十分対応できる構成を有する。
【０１５２】
また、本発明の記録ヘッドにおける構成は、上記した例に限定されず、種々の構成を取り得る。例えば、図示した記録ヘッドは、熱発生部に液体が供給される方向と、吐出口から液体が吐出される方向とがほぼ同一な構成を有しているが、これらの方向が異なる、例えばほぼ直角となるような構成を有しても良い。
【０１５３】
前述の方法で作成したインクジェット記録ヘッドＩＪＨを、図７に示すようにインクタンクＩＴと一体になったジェットカートリッジＩＪＣに組み込み、さらに図８に示すようにキャリッジＨＣに組み付け、図９に示すインクジェット記録装置ＩＪＲＡを組み立てた。
【０１５４】
なお、インクジェット記録装置の構成、図７、図８、図９による説明は、実施例６において説明したことと同様である。
【０１５５】
上記の方法で作成した薄膜抵抗素子の第１保護膜中のＡｒ含有量は、ＥＰＭＡを用いて測定したところ、第１１実施例と同様に、第１の下部保護膜、平均して６．０ｗｔ％、第２段階として成膜したもの第１の上部保護膜は、平均して９．０ｗｔ％のＡｒが含まれていることがわかった。
【０１５６】
また、上記の方法で作成した薄膜抵抗素子を使用したインクジェット記録装置を用いて、該薄膜抵抗素子に５×１０７  回（条件１）、１０８  回（条件２）の電気パルスを加えたのに等しい記録を行い、（駆動条件１０μｓｅｃ、１ｋＨｚ、２６Ｖ）２０個の薄膜抵抗素子について異常発生率を調べた。ただし、キャリッジＨＣとインクジェット記録装置ＩＪＲＡの本体は共通の物を用い、インクジェットカートリッジＩＪＣのみを交換した。その結果、該薄膜抵抗素子のうち、保護膜が膨れるという異常や第１と第２の保護層間で剥れを示したのは両条件とも０％であった。
【０１５７】
本発明は、特にインクジェット記録方式の中でもバブルジェット方式の記録ヘッド、記録装置において、優れた効果をもたらすものである。
【０１５８】
また、その代表的な構成や原理、記録ヘッドの構成、更に記録ヘッドに対する回復手段、予備的な補助手段等の付加、記録装置の記録モードについて、実施例６で既に説明されたことと同様である。
【０１５９】
実施例１６〜１８
本発明の実施例１６〜実施例１８では、実施例１５と同じ構造の薄膜抵抗素子を作成し、該薄膜抵抗素子を用いて実施例１５と同じ構成のインクジェットカートリッジＩＪＣを２０個作成した。ただし、第１の保護膜８を作成する条件は、実施例１２〜実施例１４で保護膜８を作成した条件と等しく、実施例１６は実施例１２、実施例１７は実施例１３、実施例１８は実施例１４に対応した同じ条件で成膜した。
【０１６０】
上記の方法で作成した薄膜抵抗素子の第１保護膜中のＡｒ含有量は、ＥＰＭＡを用いて測定したところ、実施例１０は実施例１２、実施例１７は実施例１３、実施例１８は実施例１４に対応して同じ値を示した。
【０１６１】
また、上記の方法で作成した２０個のインクジェットカートリッジＩＪＣについて、実施例１５で使用したインクジェット記録装置ＩＪＲＡを使用して、該薄膜抵抗素子に条件の１、２に順じての電気パルスを加えたのに等しい記録を行い、（駆動条件１０μｓｅｃ、１ｋＨｚ、２６Ｖ）各カートリッジの薄膜抵抗素子について異常発生率を調べた。その結果、該薄膜抵抗素子のうち、保護膜の膨れ、又は第１、第２の保護層という異常を示したのは実施例１６〜実施例１８すべて両条件とも０％であった。
【０１６２】
比較例９〜１０
本発明の実施例１５〜実施例１８に対する比較例９、１０では、実施例１５と同じ構造の薄膜抵抗素子を作成し、該薄膜抵抗素子を用いて実施例１５と同じ構成のインクジェットカートリッジＩＪＣを２０個作成した。ただし、第１の保護膜８を作成する条件は、比較例５〜比較例８で保護膜８を作成した条件と等しく、比較例９は比較例５、比較例１０は比較例６、比較例１１は比較例８に対応した同じ条件で成膜した。
【０１６３】
上記の方法で作成した薄膜抵抗素子の第１保護中のＡｒ含有量は、ＥＰＭＡを用いて測定したところ、比較例９は比較例５、比較例１０は比較例６、比較例１１は比較例８に対応して同じ値を示した。
【０１６４】
また、上記の方法で作成した２０個のインクジェットカートリッジＩＪＣについて、実施例６で使用したインクジェット記録装置ＩＪＲＡを使用して、該薄膜抵抗素子に１０８  回の電気パルスを加えたのに等しい記録を行い、（駆動条件１０μｓｅｃ、１ｋＨｚ、２６Ｖ）各カートリッジの薄膜抵抗素子について異常発生率を調べた。その結果、該薄膜抵抗素子のうち、保護膜が膨れるという異常を示したのは比較例９の条件１では、３０％条件２では７０％、比較例１０は０％、比較例１１の条件１では６０％、条件２では９０％であった。その中で第１の上部保護膜と第２の上部保護膜の間で剥離するものは、比較例９は０％、比較例１０は条件１では０％、条件２では５０％、比較例１１は、条件１では５％、条件２では２０％であった。
【０１６５】
以上の実施例１１〜実施例１８及び比較例５〜比較例１１の実験結果を図１３に示す。
【０１６６】
以上結果から、発熱抵抗層上に保護層を多層に設ける場合には、第１保護膜の下部（発熱抵抗層に接する側）中に含有されるＡｒ量は膜膨れの関点から０．２以上、６．０ｗｔ％以下であり、第１保護層の上部（第２保護層で接する側）中に含有されるＡｒ量は膜剥れの関点から１．０ｗｔ％以上、９．０ｗｔ％以下であることが好ましい。
【０１６７】
その他の実施例
次に本発明者らは、保護膜を多層構成にした場合に第１保護膜のどの範囲までを上部又は下部とした場合に良好な結果が得られるかについての実験を行ったので説明する。
【０１６８】
先に説明した実施例１１、及び１３で作成した薄膜抵抗素子と同様にそれぞれ薄膜抵抗素子を作成した。ただし、第１の保護膜中の下部と上部の領域を変化させるため、下部領域と上部領域とを作成する成膜時間を調整して、それぞれの資料を作成した。
【０１６９】
これらの結果を図１４に示す。尚、本実施例においては、第１保護膜の下部に６．０ｗｔ％、上部に９．０ｗｔ％のＡｒを含有する実施例１１、第１保護膜の下部に０．２ｗｔ％、上部に９．０ｗｔ％のＡｒを含有する実施例１３において上部領域と下部領域との比をそれぞれ図１４に示すように変化させている（１１−１〜１１−５及び１３−１〜１３−５）。
【０１７０】
以上の結果から第１保護膜の下部の割合が４０％以上（ただし上部領域は０ｗｔ％は除く）が好ましく、下部の割合が５０％以上であること（ただし、上部領域は０ｗｔ％は除く）がさらに好ましい。
【０１７１】
これは、第１及び第２の保護膜との剥れの問題は第１保護層の第２保護膜との接合面近傍の結合状態によって決まり、第１保護膜と発熱抵抗層との間の膨れの問題は、Ａｒの拡散が影響するためある程度の下部領域が必要であるためと考えられる。
【０１７２】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、薄膜抵抗素子において、電子線マイクロアナライザー（ＥＰＭＡ）による測定で該素子を構成する保護膜中に含まれるＡｒ原子の割合が０．２ｗｔ％以上、６．０ｗｔ％以下に作成することにより、または保護膜多層構成とする場合には該保護膜の発熱体直上部に配される第１の保護膜中の下部領域に含まれるＡｒ原子の割合、０．２ｗｔ％以上、６．０ｗｔ％以下であり、第１の保護膜中の上部領域では、１．０ｗｔ％以上、９．０ｗｔ％以下にするように作成し、保護膜の異常発生率を下げることにより、薄膜抵抗素子の信頼性を上げることができ、また該素子を用いたインクジェットヘッド及びインクジェット装置の信頼性を上げることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明及び比較例の薄膜抵抗素子の構造を説明する模式的断面図である。
【図２】本発明及び比較例の薄膜抵抗素子の構造を説明する模式的平面図である。
【図３】本発明の薄膜抵抗素子を用いたインクジェットヘッドの部分斜視図及び薄膜抵抗素子の模式的断面図である。
【図４】本発明及び比較例の薄膜抵抗素子の構造を説明する模式図である。
【図５】本発明及び比較例の薄膜抵抗素子の構造を説明する模式図である。
【図６】本発明のインクジェットヘッドの構成を説明する図である。
【図７】インクジェットカートリッジの構造説明図である。
【図８】インクジェットカートリッジを装置のキャリッジ上に取り付けた様子を示す図である。
【図９】インクジェット装置の全体を示す図である。
【図１０】薄膜抵抗素子の保護膜中のＡｒ量と素子の耐電圧との関係を示す図である。
【図１１】実施例１〜１０及び比較例１〜４の結果を示す図である。
【図１２】実施例１〜１０及び比較例１、４のＡｒ含有量と断線パルス数との関係を示す図である。
【図１３】実施例１１〜１８及び比較例５〜１１の結果を示す図である。
【図１４】第１保護膜中の上部領域と下部領域とを規定するための図である。
【符号の説明】
１  薄膜抵抗素子（全体）
２  発熱部分
３  共通電極
４  選択電極
５  素子支持体
６  下部層
７  発熱抵抗層
８  保護膜（第１保護膜）
１１  熱発生部
１２  感光性ドライフィルム
１３  液流路
１４  共通液室
１５  天井板
１６  吐出口
１７  インク流路壁
１８  インク供給口
１９  配線基板
２０  パッド
２１  インクジェットユニットＩＪＵの底板
２２  押えバネ
２３  押えバネ前だれ部
２４  底板２１の穴
２５  インクタンクＩＴの位置決め突起
２７、２８  インクタンクＩＴの位置決め且つ熱融着保持用突起
２６、２９、３０  インクタンクＩＴの位置決め且つ熱融着保持用穴
３１、３２  キャリッジＨＣに対する位置決め突起
３３  インク供給管
３４  インク供給管貫通穴
３５  底板２１の凹部
３６、３７  平行溝
３８  蓋
３９  インク供給部材
４０  インク導管
４１  封止ピン
４２  パッキン
４３  フィルター
４４、４５  底板２１の穴
４６  インクジェットカートリッジＩＪＣ本体
４７  インク吸収体
４８  蓋部材
４９  インク供給口
５０  リブ
５１、５２  部分リブ
５３  大気連通口
５４  撥液材
５５  大気圧供給空間
５６  ツバ
５７  スリット
５８  インク供給部材の上面部
５９  インク供給部材の下面部
６０  インクタンクＩＴの屋根部の端部
６１  インクジェット記録ヘッドＩＪＨの側端部
６２  インクジェットカートリッジＩＪＣの爪
１１０  キャリッジＨＣの前板
１０１  キャリッジＨＣに対する抜け止め
１０２  パッド
１０３  フレキシブルシート
１０４  電気接続用支持板
１０５  位置決め用フック
１０６  位置決め用突出面
１０７  補強用リブ
１０８  フック側の位置決め面
１０９  固定軸
１１０  ９０°のフック面
２００  プラテンローラ
２０２  紙押え板
２０４  リードスクリュー
２０５  螺旋溝
２０６  キャリッジＨＣのレバー
２０７、２０８  フォトカプラ
２０９、２１１  駆動力伝達ギア
２１２  吸引開始レバー
２１３  駆動モータ
２１５  キャップ内吸引機構
２１６  キャップ支持部材
２１７  クリーニングブレード
２１８  本体支持板
２１９  ブレード移動部材
２２０  カム
２２２  キャップ
２２２  キャップ内開口
Ｐ  記録媒体
Ｌ  インクジェットカートリッジＩＪＣ装着時の前面位置
【図１】
0003542369.tif 000002
【図２】
0003542369.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0003542369.tif 000008
【図８】
0003542369.tif 000009
【図９】
0003542369.tif 000010
【図１０】
0003542369.tif 000011
【図１１】
0003542369.tif 000012
【図１２】
0003542369.tif 000013
【図１３】
0003542369.tif 000014
【図１４】
0003542369.tif 000015