(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の絶縁表面上に形成された単結晶半導体層からなる基板側電極と、
前記基板側電極に対向して配置され、前記基板側電極との間に働く静電引力又は静電反発力により駆動するビームとを備え、
前記ビームが、前記単結晶半導体層上に堆積され後で除去される犠牲層上に堆積された絶縁膜とその上の駆動側電極とから形成されて成る
ことを特徴とするＭＥＭＳ素子。
【請求項２】
前記基板側電極が、前記基板の絶縁表面上に成長したエピタキシャル成長層で形成されて成る
ことを特徴とする請求項１記載のＭＥＭＳ素子。
【請求項３】
半導体基板上に絶縁層を介して単結晶半導体層を有するＳＯＩ基板を用い、前記単結晶半導体層で前記基板側電極が形成されて成る
ことを特徴とする請求項１記載のＭＥＭＳ素子。
【請求項４】
基板の絶縁表面上に単結晶半導体層による基板側電極を形成する工程と、
前記基板側電極上を含んで絶縁膜を介して、又は介さないで選択的に犠牲層を堆積する工程と、
前記犠牲層上に絶縁膜及び駆動側電極を順次堆積してビームを形成する工程と、
前記犠牲層を除去する工程を有する
ことを特徴とするＭＥＭＳ素子の製造方法。
【請求項５】
前記基板側電極をエピタキシャル成長層で形成する
ことを特徴とする請求項４記載のＭＥＭＳ素子の製造方法。
【請求項６】
半導体基板上に絶縁層を介して単結晶半導体層を有するＳＯＩ基板を用い、前記単結晶半導体層で基板側電極を形成する
ことを特徴とする請求項４記載のＭＥＭＳ素子の製造方法。
【請求項７】
基板の絶縁表面上に形成された単結晶半導体層からなる基板側電極と、
前記基板側電極に対向して配置され、前記基板側電極との間に働く静電引力又は静電反発力により駆動するビームとを備え、
前記ビームが、前記単結晶半導体層上に堆積され後で除去される犠牲層上に堆積された絶縁膜とその上の駆動側電極とから形成されて成る
ことを特徴とする光変調素子。
【請求項８】
前記基板側電極が、基板の絶縁表面上に成長したエピタキシャル成長層で形成されて成る
ことを特徴とする請求項７記載の光変調素子。
【請求項９】
半導体基板上に絶縁膜を介して単結晶半導体層を有するＳＯＩ基板を用い、前記単結晶半導体層で前記基板側電極が形成されて成る
ことを特徴とする請求項７記載の光変調素子。
【請求項１０】
基板上の絶縁表面上に形成された単結晶半導体層からなる共通の基板側電極と、
前記共通の基板側電極に対向して相互に独立に並列配置され、前記基板側電極との間に働く静電引力又は静電反発力により駆動する複数のビームとを備え、
前記各ビームが、前記単結晶半導体層上に堆積され後で除去される犠牲層上に堆積された絶縁膜とその上の光反射膜兼駆動側電極とから形成されて成る
ことを特徴とするＧＬＶデバイス。
【請求項１１】
前記基板側電極が、基板の絶縁表面上に成長したエピタキシャル成長層で形成されて成る
ことを特徴とする請求項１０記載のＧＬＶデバイス。
【請求項１２】
半導体基板上に絶縁膜を介して単結晶半導体層を有するＳＯＩ基板を用い、前記単結晶半導体層で前記共通の基板側電極が形成されて成る
ことを特徴とする請求項１０記載のＧＬＶデバイス。
【請求項１３】
基板の絶縁表面上に単結晶半導体層による共通の基板側電極を形成する工程と、
前記基板側電極上を含んで絶縁膜を介して、又は介さないで選択的に犠牲層を堆積する工程と、
前記犠牲層上に相互に独立に並列配置するように絶縁膜及び光反射膜兼駆動側電極を順次堆積して複数のビームを形成する工程と、
前記犠牲層を除去する工程を有する
ことを特徴とするＧＬＶデバイスの製造方法。
【請求項１４】
前記共通の基板側電極をエピタキシャル成長層で形成する
ことを特徴とする請求項１３記載のＧＬＶデバイスの製造方法。
【請求項１５】
半導体基板上に絶縁層を介して単結晶半導体層を有するＳＯＩ基板を用い、前記単結晶半導体層で前記共通の基板側電極を形成する
ことを特徴とする請求項１３記載のＧＬＶデバイスの製造方法。
【請求項１６】
レーザ光源と、該レーザ光源から出射されたレーザ光の光軸上に配置され、レーザ光の光強度を変調するＧＬＶデバイスとを有するレーザディスプレイであって、
前記ＧＬＶデバイスは、基板上の絶縁表面上に形成された単結晶半導体層からなる共通の基板側電極と、
前記共通の基板側電極に対向して相互に独立に並列配置され、前記基板側電極との間に働く静電引力又は静電反発力により駆動する複数のビームとを備え、
前記各ビームが、前記単結晶半導体層上に堆積され後で除去される犠牲層上に堆積された絶縁膜とその上の光反射膜兼駆動側電極とから形成されて成る
ことを特徴とするレーザディスプレイ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、静電駆動型のＭＥＭＳ素子とその製造方法、ＧＬＶデバイスとのそ製造方法、光変調素子、及びレーザディスプレイに関する。
【０００２】
【従来の技術】
微細技術の進展に伴い、いわゆるマイクロマシン（ＭＥＭＳ：Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ、超小型電気的・機械的複合体）素子、及びＭＥＭＳ素子を組み込んだ小型機器が、注目されている。
ＭＥＭＳ素子は、シリコン（Ｓｉ）やガリウム砒素（ＧａＡｓ）等の半導体基板上に絶縁膜を形成してなる基板、ガラス基板や石英基板などの絶縁性基板等の基板上に微細構造体として形成され、機械的駆動力を出力する駆動体と、駆動体を制御する半導体集積回路等とを電気的に結合させた素子ある。ＭＥＭＳ素子の基本的な特徴は、機械的構造として構成されている駆動体が素子の一部に組み込まれていることであって、駆動体の駆動は、電極間のクーロン引力などを応用して電気的に行われる。
【０００３】
図１３及び図１４は、光の反射や回折を利用し、光スイッチ、光変調素子に適用される光学ＭＥＭＳ素子の代表的な構成を示す。
【０００４】
図１３に示す光学ＭＥＭＳ素子１は、基板２と、基板２上に形成した基板側電極３と、基板側電極３に対向して平行に配置した駆動側電極４を有するビーム（梁）６と、このビーム６の一端を支持する支持部７とを備えて成る。ビーム６と基板側電極３とは、その間の空隙８によって電気的に絶縁されている。
基板２は、例えば、シリコン（Ｓｉ）やガリウム砒素（ＧａＡｓ）などの半導体基板上に絶縁膜を形成した基板、石英基板やガラス基板のような絶縁性基板などの所要基板が用いられる。基板側電極３は、不純物をドーピングした多結晶シリコン膜、金属膜（例えばＣｒ蒸着膜）などで形成される。ビーム６は、例えばシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）等の絶縁膜５と、その上面に形成された膜厚１００ｎｍ程度の例えばＡｌ膜からなる反射膜を兼ねる駆動側電極４とから構成される。このビーム６は、支持部７にその一端を支持した、所謂片持ち梁式に形成される。
この光学ＭＥＭＳ素子１では、基板側電極３と駆動側電極４に与える電位に応じて、ビーム６が基板側電極３との間の静電引力又は静電反発により変位し、例えば図１３の実線と破線で示すように、基板側電極３に対して平行状態と傾斜状態に変位する。
【０００５】
図１４に示す光学ＭＥＭＳ素子１１は、基板１２と、基板１２上に形成した基板側電極１３と、基板側電極１３をブリッジ状に跨ぐビーム１４とを備え成る。ビーム１４と基板側電極１３とは、その間の空隙１３によって電気的に絶縁されている。
ビーム１４は、基板側電極１３をブリッジ状に跨いで基板１２上に立脚する例えばＳｉＮ膜からなるブリッジ部材１５と、基板側電極１３に対向して相互に平行にブリッジ部材１５上に設けられた、例えば膜厚１００ｎｍ程度のＡｌ膜からなる反射膜を兼ねる駆動側電極１６とから構成される。基板１２、基板側電極１３、ビーム１４等は、図１３で説明したと同様の構成、材料を採り得る。ビーム１４は、その両端が支持された所謂ブリッジ式に形成される。
この光学ＭＥＭＳ素子１１では、基板側電極１３と駆動側電極１６に与える電位に応じて、ビーム１４が基板側電極１３との間の静電引力又は静電反発により変位し、例えば図１４の実線と破線で示すように、基板側電極１３に対して平行状態と凹み状態に変位する。
【０００６】
これ等の光学ＭＥＭＳ素子１、１１は、光反射膜を兼ねる駆動側電極４、１６の表面に光が照射され、ビーム４、１４の駆動位置に応じて、その光の反射方向が異なるのを利用して、一方向の反射光を検出してスイッチ機能を持たせた、光スイッチとして適用できる。
また、光学ＭＥＭＳ素子１、１１は、光強度を変調させる光変調素子として適用できる。光の反射を利用するときは、ビーム４、１４を振動させで単位時間当たりの一方向の反射光量で光強度を変調する。この光変調素子は、いわゆる時間変調である。
光の回折を利用するときは、共通の基板側電極３、１３に対して複数のビーム６、１４を並列配置して光変調素子を構成し、共通の基板側電極３、１３に対する例えば１つ置きのビーム６、１４の近接、離間の動作により、光反射膜を兼ねる駆動側電極の高さを変化させ、光の回折によって駆動側電極で反射する光の強度を変調する。この光変調素子は、いわゆる空間変調である。
【０００７】
図１５〜図１６は、従来のＭＥＭＳ素子の製造方法を示す。同図は、前述した図１４に示すビームがブリッジ式のＭＥＭＳ素子１１に適用した場合である。
先ず、図１５Ａに示すように、単結晶シリコン基板３１を用意する。次いで、図１５Ｂに示すように、基板３１の一主面に後の基板側電極との絶縁のための絶縁膜３２を形成する。例えば酸素雰囲気で９５０℃の熱処理により熱酸化膜（ＳｉＯ２  膜）３２を形成する。
【０００８】
次に、図１５Ｃに示すように、絶縁膜３２上に基板側電極となる例えば多結晶シリコン膜または非晶質シリコン膜による導電性膜３３を形成する。例えば、減圧ＣＶＤ法によりシラン（Ｓｉｈ４  ）、水素（Ｈ２  ）ガスを用いて真性多結晶シリコン膜または真性非晶質シリコン膜を形成した後、リン（Ｐ）をイオン注入し、または熱拡散により導入し、活性化処理を行う。または、成膜時にホスフィン（ＰＨ３  ）を添加することにより直接導電性膜３３を形成する。
【０００９】
次に、図１５Ｄに示すように、導電性膜３３をパターニングして基板側電極１３を形成する。
次いで、図１５Ｅに示すように、基板側電極１３を被覆するように全面に熱酸化（ＳｉＯ２  ）膜３４を形成する。例えば酸素雰囲気で９５０℃の熱処理を行い熱酸化膜３４を形成する。この際、下地の基板側電極１３である多結晶又は非晶質シリコンの結晶成長が促進され、熱酸化膜３４の表面凹凸が大きくなる。
【００１０】
次に、図１６Ｆに示すように、全面に例えば非晶質シリコン膜による空隙形成用の犠牲層３５を形成する。
次に、図１６Ｇに示すように、犠牲層３５を基板側電極１３に対応する部分が残り、他部が除去されるようにパターニングする。
【００１１】
次に、図１６Ｈに示すように、例えばシリコン窒化（ＳｉＮ）膜によるブリッジ部材１５を形成し、このブリッジ部材１５の基板側電極１３に対応する部分上に選択的に例えばＡｌによる駆動側電極１６を形成してブリッジ状のビーム１４を形成する。
次に、図１６Ｉに示すように、犠牲層３５を除去し、基板側電極１３とビーム１４との間に空隙１７を形成して静電駆動型のＭＥＭＳ素子１１を得る。
最終的にはビーム１４の駆動側電極１６の膜表面の粗度として、基板側電極１３の形成時の凹凸と、熱酸化膜３４の形成時に成長した凹凸と、最表面のＡｌ膜（駆動側電極１６）自身の凹凸の全てを反映した表面粗度を有するＭＥＭＳ素子１１となる。
【００１２】
図１７は、ＳＬＭ（シリコンライトマシーン）社がレーザディスプレイ用光強度変換素子、つまり光変調器として開発したＧＬＶ（Ｇｒａｔｉｎｇ  Ｌｉｇｈｔ  Ｖａｌｖｅ）デバイスの構成を示す。
ＧＬＶデバイス２１は、図１７Ａに示すように、ガラス基板等の絶縁基板２２上にＣｒ薄膜による共通の基板側電極２３が形成され、この基板側電極２３に交叉してブリッジ状に跨ぐ複数、本例では６つのビーム２４〔２４１  、２４２  、２４３  、２４４  、２４５  、２４６  〕が並列配置されてなる。基板側電極２３及びビーム２４の構成は、前述の図１４で説明したと同じ構成である。即ち、図１７Ｂに示すように、ビーム２４では、例えばＳｉＮ膜によるブリッジ部材２５の基板側電極２３と平行する面上に膜厚１００ｎｍ程度のＡｌ膜による反射膜兼駆動側電極２６が形成されてなる。
ブリッジ部材２５と、その上に設けられた反射膜兼駆動側電極２６とからなるビーム２４は、リボンと通称されている部位である。
【００１３】
ビーム２４の反射膜兼駆動電極２６として使用したアルミニウム膜（Ａｌ膜）は、（１）  比較的容易に成膜できる金属であること、（２）  可視光領域での反射率の波長分散が小さいこと、（３）  Ａｌ膜表面に生成したアルミナ自然酸化膜が保護膜となって反射面を保護すること等の理由から、光学部品材料として好ましい金属である。
また、ブリッジ部材２５を構成するＳｉＮ膜（窒化シリコン膜）は、減圧ＣＶＤ法によって成膜されたＳｉＮ膜であって、その強度、弾性定数等の物理値が、ブリッジ部材２５の機械的駆動に対して適切であるとして選定されている。
【００１４】
基板側電極２３と反射膜兼駆動側電極２６との間に微小電圧を印加すると、前述した静電現象によってビーム２４が基板側電極２３に向かって近接し、また、電圧の印加を停止すると離間してもとの状態に戻る。
ＧＬＶデバイス２１は、基板側電極２３に対する複数のビーム２４の近接、離間の動作（即ち、１つ置きのビームの近接、離間の動作）により、光反射膜兼駆動側電極２６の高さを交互に変化させ、光の回折によって（６つのビーム２４全体に対して１つの光スポットが照射される）、駆動側電極２６で反射する光の強度を変調する。
静電引力及び静電反発力を利用して駆動するビームの力学的特性は、ＣＶＤ法等で成膜されるＳｉＮ膜の物性によってほぼ決定され、Ａｌ膜はミラーとしての役割が主である。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、光の反射や回折を利用した光学ＭＥＭＳ素子において、光反射膜兼駆動側電極の膜表面の粗度（ＲＭＳ）を制御することは極めて重要である。なぜなら、膜表面の凹凸により光の反射効率、回折効率が低下し、素子特性を劣化させるからである。
【００１６】
ＭＥＭＳ素子における基板側電極は、上述したようにシリコンやガリウム砒素などの半導体基板上に絶縁膜を形成した基板、石英基板やガラス基板のような絶縁性基板などの所要基板上に形成される。その電極材料としては、通常、不純物をドーピングした多結晶シリコン膜や金属膜が使用される。しかしながら、これらの膜を形成する際、結晶粒が発生し、表面に膜厚と結晶粒を反映した凹凸が発生する。
【００１７】
例えば多結晶シリコン膜は、通常、化学気相成長法（ＣＶＤ法）で作成されるが、その雰囲気温度により結晶粒が数１０ｎｍ〜数μｍ程度と大きく異なることが知られている。例えば減圧ＣＶＤ法により６５０℃程度で膜厚３００ｎｍ作成すると、５００ｎｍ〜１μｍ程度の結晶粒が発生し、そのときの基板側電極の表面粗度ＲＭＳ値は１０ｎｍ以上になる。この基板側電極の表面粗度は、その後の膜作成工程において順次上層の膜に反映され、光学的に重要な駆動側電極の膜表面に拡大転写される。最終的に大きな表面凹凸を有する光反射膜兼駆動側電極が作成されることになる。
【００１８】
６００℃以下の低温条件で形成すると、結晶性を持たない非晶質シリコンが得られる。この場合、単膜による表面粗度はほとんどないが、その後の工程で高温条件を必要とするとき、例えば熱酸化膜の形成、不純物ドーピング後の活性化処理、シリコン窒化（ＳｉＮ）膜形成等のとき、非晶質シリコンが結晶化し、結晶粒を有する多結晶シリコンとなる。これら高温工程が複数の場合、結晶成長が促進され、最終的に表面には下地結晶層を反映した凹凸を有する膜が形成されてしまう。
前述したように基板側電極を多結晶シリコンで形成した場合、図１８に示すように、その多結晶シリコン膜表面の凹凸が拡大してビーム（Ａｌ／ＳｉＮ積層膜）を構成する駆動側電極（Ａｌ膜）４の表面に転写され、駆動側電極４をミラーとする光反射率が劣化する。
【００１９】
例えば、アルミニウム（Ａｌ）を光反射膜とする光学ＭＥＭＳ素子において、Ａｌ膜の反射率は理想的なバルクＡｌ膜では９２％程度が得られるはずである。しかし、基板側電極として多結晶シリコン膜を形成し、その後に熱酸化膜、ＳｉＮ膜などの高温工程を経て、最表面に光反射膜兼駆動側電極となるＡｌ膜を形成した場合、そのビーム表面の反射率は数％以上の劣化を示し８５％程度しか得られないこともある。このため、光学ＭＥＭＳ素子の特性の改善策の１つとして表面粗度の平滑化、特に下地の基板側電極を平滑化する技術が強く求められていた。
【００２０】
本発明は、上述の点に鑑み、ビーム表面の平滑化を図り、性能の向上を図ったＭＥＭＳ素子とその製造方法、光変調素子、ＧＬＶデバイスとその製造方法、及びレーザディスプレイを提供するものである。
【００２１】
【課題を解決するための手段】
本発明に係るＭＥＭＳ素子は、基板の絶縁表面上に形成された単結晶半導体層からなる基板側電極と、基板側電極に対向して配置され、基板側電極との間に働く静電引力又は静電反発力により駆動するビームとを備え、ビームが、単結晶半導体層上に堆積され後で除去される犠牲層上に堆積された絶縁膜とその上の駆動側電極とから形成された構成とする。
本発明に係るＭＥＭＳ素子の製造方法は、基板の絶縁表面上に単結晶半導体層による基板側電極を形成する工程と、基板側電極上を含んで絶縁膜を介して、又は介さないで選択的に犠牲層を堆積する工程と、犠牲層上に絶縁膜及び駆動側電極を順次堆積してビームを形成する工程と、犠牲層を除去する工程を有する。
【００２２】
本発明のＭＥＭＳ素子では、基板側電極が単結晶半導体層で形成されるので、その基板側電極の表面が、単結晶半導体層表面のまま維持され鏡面の極めて平滑な表面に維持される。従って、基板側電極上に犠牲層、絶縁膜と駆動側電極とからなるビーム等を順次堆積して最終的に得られるビームの表面及び裏面は平滑化される。ビームの駆動側電極を光反射膜に適用した場合、駆動側電極表面での光反射率が向上する。
本発明のＭＥＭＳ素子の製造方法によれば、基板側電極を単結晶半導体層で形成するので、その後に堆積される犠牲層、絶縁膜と駆動側電極とからなるビーム膜の表面も平滑性が維持され、最終的に表面が平滑化されたビームを有するＭＥＭＳ素子を精度良く且つ容易に製造できる。
【００２３】
本発明に係る光変調素子は、基板の絶縁表面上に形成された単結晶半導体層からなる基板側電極と、基板側電極に対向して配置され、基板側電極との間に働く静電引力又は静電反発力により駆動するビームとを備え、ビームが、単結晶半導体層上に堆積され後で除去される犠牲層上に堆積された絶縁膜とその上の駆動側電極とから形成された構成とする。
【００２４】
本発明の光変調素子では、基板側電極が単結晶半導体層で形成されるので、その基板側電極の表面が、単結晶半導体層表面のまま維持され鏡面の極めて平滑な表面に維持される。従って、上述と同様に、最終的に得られるビームの光反射膜兼駆動側電極の反射面は、平滑化され、これによって光反射率が向上し、光の利用率が向上する。
【００２５】
本発明に係るＧＬＶデバイスは、基板上の絶縁表面上に形成された単結晶半導体層からなる共通の基板側電極と、共通の基板側電極に対向して相互に独立に並列配置され、基板側電極との間に働く静電引力又は静電反発力により駆動する複数のビームとを備え、各ビームが、単結晶半導体層上に堆積され後で除去される犠牲層上に堆積された絶縁膜とその上の光反射膜兼駆動側電極とから形成された構成とする。
本発明に係るＧＬＶデバイスの製造方法は、基板の絶縁表面上に単結晶半導体層による共通の基板側電極を形成する工程と、基板側電極上を含んで絶縁膜を介して、又は介さないで選択的に犠牲層を堆積する工程と、犠牲層上に相互に独立に並列配置するように絶縁膜及び光反射膜兼駆動側電極を順次堆積して複数のビームを形成する工程と、犠牲層を除去する工程を有する。
【００２６】
本発明のＧＬＶデバイスでは、基板側電極が単結晶半導体層で形成されるので、その基板側電極の表面が、単結晶半導体層表面のまま維持され鏡面の極めて平滑な表面に維持される。従って、上述と同様に、最終的に得られるビームの光反射膜兼駆動側電極の光反射面は、平滑され、これによって光反射率が向上し、光の利用率が向上する。
本発明のＧＬＶデバイスの製造方法によれば、共通の基板側電極を単結晶半導体層で形成するので、その後に堆積される犠牲層、ビーム膜の表面も平滑性が維持され、最終的に平滑化されたビームを有するＧＬＶデバイスを精度良く且つ容易に製造できる。
【００２７】
本発明に係るレーザディスプレイは、レーザ光源と、このレーザ光源から出射されたレーザ光の光軸上に配置され、レーザ光の光強度を変調するＧＬＶデバイスとを有するレーザディスプレイであって、ＧＬＶデバイスが、基板上の絶縁表面上に形成された単結晶半導体層からなる共通の基板側電極と、共通の基板側電極に対向して相互に独立に並列配置され、前記基板側電極との間に働く静電引力又は静電反発力により駆動する複数のビームとを備え、各ビームが、前記単結晶半導体層上に堆積され後で除去される犠牲層上に堆積された絶縁膜とその上の光反射膜兼駆動側電極とから形成された構成とする。
【００２８】
本発明のレーザディスプレイでは、レーザ法の光強度を変調するＧＬＶデバイスにおいて、その基板側電極を単結晶半導体層で形成するので、上述と同様に、複数のビームの光反射膜兼駆動側電極の表面が平滑化される。従って、光反射率があがり、レーザディスプレイにおける光利用効率が向上する。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
【００３０】
図１は、本発明に係る静電駆動型のＭＥＭＳ素子の代表的な一実施の形態を示す。
本実施の形態に係るＭＥＭＳ素子４１は、半導体基体上に絶縁膜を形成してなる基板、或いはガラス、石英などによる絶縁性基板、本例では半導体基板４２上に絶縁膜４３を形成した基体４４を設け、この絶縁膜４３上に単結晶半導体層からなる基板側電極４５を形成し、この基板側電極４５と空隙４９を挟んで対向し基板側電極４５をブリッジ状に跨ぐ静電駆動型のビーム（梁）４６を配置して構成される。基板側電極４５とビーム４６は、その間に形成された空隙４９によって電気的に絶縁される。
ビーム４６は、基板側電極４５をブリッジ状に跨いで基体４４上に立脚する絶縁膜からなるブリッジ部材４７と、基板側電極４５に対向して相互平行にブリッジ部材４７上に設けられた駆動側電極４８とから構成される。ビーム４６は、いわゆるブリッジ式に構成される。なお、ＭＥＭＳ素子４１には、この駆動を制御する半導体集積回路等が一部に組み込まれている。
【００３１】
半導体基板４２は、単結晶半導体基板、例えばシリコン（Ｓｉ）、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）などの基板を用いることができる。絶縁膜４３は、例えばシリコン酸化（ＳｉＯ２  ）膜で形成することができる。基板側電極４５となる単結晶半導体層は、例えばシリコン単結晶層で形成することができる。
ＳＯＩ〔ｓｉｌｉｃｏｎ（ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）  ｏｎ  ｉｎｓｕｌａｔｏｒ〕基板を使用し、その単結晶半導体層で基板側電極４５を形成することもできる。また、基板側電極４５は、エピタキシャル成長層で形成することもできる。
【００３２】
ブリッジ部材４７は、シリコン窒化（ＳｉＮ）膜、シリコン酸化（ＳｉＯ２  ）膜等の絶縁体、本例ではシリコン窒化膜で形成することができる。ビーム４６は、例えばシリコン窒化膜、シリコン酸化膜等の絶縁膜、本例では強度、弾性定数などの物性値がビームの機械的駆動に対して適切な、シリコン窒化膜４７とその上の駆動側電極４８との積層膜で形成される。駆動側電極４８としては、Ａｇ膜、アルミニウム（Ａｌ）を主成分とするＡｌ膜、或いはチタンＴｉ，タングステンＷ，モリブデンＭｏ，タンタルＴａ，などのいずれかの高融点金属膜、等を用いることができる。
【００３３】
本実施の形態に係るＭＥＭＳ素子４１によれば、基板側電極４５を単結晶シリコン層で形成するので、基板側電極４５の表面は、単結晶シリコン層の鏡面レベルの粗度に維持され、極めて平滑な表面に維持される。従って、製造工程において、この基板側電極４５上に犠牲層、ビーム４６を構成するＳｉＮ膜のブリッジ部材４７及び駆動側電極４８を順次形成しても、ビーム４６の表面４６ａ、或いはビーム４６の基板側電極４５と対向する裏面４６ｂを平滑化することができる。特に、駆動側電極４８側の表面４６ａは、駆動側電極４８を構成する膜の結晶グレインによる凹凸だけが反映された平滑表面が達成される。例えば駆動側電極４８をＡｌ膜で形成するときは、ビーム表面はＡｌ膜の結晶グレインによる凹凸だけが反映することになる。その結果、図３に示すように、平滑性の良好な駆動側電極４８を形成することができる。
【００３４】
ＳＯＩ基板を用いてその単結晶半導体層、例えば単結晶シリコン層で基板側電極４５を形成するときは、基板側電極４５の表面が鏡面レベルに維持されるので、ビーム４６の駆動側電極４８の表面を平滑化することができる。
エピタキシャル成長層で基板側電極４５を形成するときも、基板側電極４５の表面が鏡面レベルに維持されるので、ビーム４６の駆動側電極４８の表面を平滑化することができる。
【００３５】
このＭＥＭＳ素子４１を光学ＭＥＭＳ素子に適用した場合には、この駆動側電極４８の表面が光反射面（いわゆるミラー面）となり、反射効率、回折効率が向上して反射光の光利用率が増え、オン・オフ制御できる光スイッチ、光強度を変調する光変調素子などの光素子としての特性、性能の向上を図ることができる。
【００３６】
図４〜図５は、上述のＭＥＭＳ素子４１の製造方法の一実施の形態を示す。
先ず、図４Ａに示すように、単結晶シリコン基板５２上に絶縁層の例えばシリコン酸化（ＳｉＯ２  ）層５３を介して単結晶シリコン層５４を有した、いわゆるＳＯＩ（ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板５１を用意する。この時点で既に下地基板５２と後に基板側電極となる表面の単結晶シリコン層５４とは、シリコン酸化層５３で絶縁されているため、下地基板と単結晶シリコン層とを絶縁するための酸化膜形成は不要である。
【００３７】
次に、図４Ｂに示すように、ＳＯＩ基板５１の表面の鏡面とされた単結晶シリコン層５４に、第１導電型の不純物５５を導入し、活性化処理して導電性の単結晶シリコン層５４を形成する。本例では単結晶シリコン層５４に、リン（Ｐ）５５をイオン注入、または熱拡散により導入し、活性化処理を行う。活性化処理は８００℃〜１０００℃程度の高温条件で熱処理する。シリコン層５４は単結晶層でるため、その表面は鏡面Ｓｉレベルの平滑性が維持される。
【００３８】
次に、図４Ｃに示すように、導電性の単結晶シリコン層５４をパターニングして単結晶シリコン層による基板側電極４５を形成する。
【００３９】
次に、この基板側電極４５上に絶縁膜を介して、或いは介さないで全面に空隙形成用の犠牲層を形成する。本例では犠牲層として非晶質シリコン層を用いるので基板側電極４５の保護膜となる絶縁膜を形成する。
【００４０】
即ち、図４Ｄに示すように、単結晶シリコンからなる基板側電極４５の表面を含む全面に熱酸化膜、例えば９５０℃で酸素雰囲気により熱酸化膜（ＳＩＯ２  膜）５６を形成する。この際も下地が単結晶シリコンの基板側電極４５であるので熱酸化膜５６に凹凸は発生せず、鏡面Ｓｉレベルの平滑性が維持される。
次いで、図４Ｅに示すように、全面に空隙形成用の犠牲層、本例では非晶質シリコン膜からなる犠牲層５７を形成する。なお、犠牲層５７としては、非晶質シリコン膜の他、多結晶シリコン膜、フォトレジスト膜、あるいは後述のビームを構成する部材とエッチングレートの異なる絶縁膜（例えばシリコン酸化膜、シリコン窒化膜など）等を用いることができる。
【００４１】
基板側電極４５を単結晶シリコンで形成し、犠牲層５７をフォトレジスト膜、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜等で形成するときは、保護膜としての上記絶縁膜５６を省略できる。
【００４２】
次に、図５Ｆに示すように、犠牲層５７を、少なくとも基板側電極４５上を残し他部を除去するようにパターニングする。本例では犠牲層５７を、基板側電極４５よりも多少大きめに残るようにパターニングする。
次に、図５Ｇに示すように、犠牲層５７上を覆うように基板５１の絶縁層５３上に絶縁膜、本例ではシリコン窒化膜５８を形成し、その後にパターニングしてブリッジ部材４７を形成する。さらにブリッジ部材４７の基板側電極４５と平行する部分上に選択的に駆動側電極４８を形成してビーム４６を形成する。
【００４３】
次に、図５Ｈに示すように、犠牲層である非晶質シリコン層５７をＸｅＦ２  ガスによるガスエッチングにより除去し、基板側電極４５とビーム４６との間に空隙４９を形成して、目的の静電駆動型のＭＥＭＳ素子４１を得る。
【００４４】
本実施の形態に係るＭＥＭＳ素子４１の製造方法によれば、ＳＯＩ基板５１を利用して、その単結晶シリコン層５４に不純物５５を導入して導電性を有する単結晶シリコン層５４とし、この単結晶シリコン層５４で基板側電極４５を形成するので、基板側電極４５の表面は単結晶シリコン層５４の鏡面レベルに維持され、凹凸のない平滑な表面となる。その後、犠牲層５７、ビームを構成するブリッジ部材４７及び駆動側電極材料層を順次堆積し、犠牲層５７を除去することにより、駆動側電極４８が平滑化されたビーム４６を有するＭＥＭＳ素子４１を精度良く且つ容易に製造することができる。
基板側電極４５の表面に凹凸が形成されないので、その後の高温工程によっても膜の凹凸が発生することがなく、平滑なビーム４６の形成を可能にする。因みに、基板側電極が非晶質シリコン膜や多結晶シリコン膜で形成した場合、後の高温工程で結晶粒がさらに成長し、凹凸が発生する可能性があるが、本実施の形態では、そのような心配はない。
図１５〜図１６に示す従来の製法に比べて、基板と絶縁するための酸化膜工程、及び基板側電極となる導電性層を形成するための工程が削減される上、工程全体で必要とするマスク枚数は変わらないので、ＭＥＭＳ素子の作製コストを低減することができる。
【００４５】
図６〜図７は、上述のＭＥＭＳ素子４１の製造方法の他の実施の形態を示す。本実施の形態は、図６Ａに示すように、単結晶シリコン基板５２上に絶縁膜の例えばシリコン酸化（ＳｉＯ２  ）層５３を介して、既に第１導電型不純物が導入され抵抗率が０．０１〜数１０Ωｃｍ程度である単結晶シリコン層（即ち、導電性の単結晶シリコン層）６２を有した、いわゆるＳＯＩ（ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板６１を用意する。単結晶シリコン層６２の導電型はｐ型、ｎ型のどちらを限定するのではない。下地基板５２と後に基板側電極となる表面の単結晶シリコン層６２とは、シリコン酸化層５３で絶縁されているため、下地基板と単結晶シリコン層とを絶縁するための酸化膜形成は不要である。
また、ＳＯＩ基板６１の上部鏡面の単結晶シリコン層６２は、すでに電極用としてのレベルまで低抵抗化されているので、新たに不純物を導入する必要がない。
【００４６】
これ以後は前述の図４Ｃ〜図５Ｈの工程と同じである。
即ち、図６Ｂに示すように、単結晶シリコン層６２をパターニングして単結晶シリコン層による基板側電極４５を形成する。
【００４７】
次に、この基板側電極４５上に絶縁膜を介して、或いは介さないで全面に空隙形成用の犠牲層を形成する。本例では犠牲層として非晶質シリコン層を用いるので、図６Ｃに示すように、単結晶シリコンからなる基板側電極４５の表面を含む全面に熱酸化膜、例えば９５０℃で酸素雰囲気により熱酸化膜（ＳｉＯ２  膜）５６を形成する。この際も下地が単結晶シリコンの基板側電極４５であるので熱酸化膜５６に凹凸は発生せず、鏡面Ｓｉレベルの平滑性が維持される。
【００４８】
次いで、図６Ｄに示すように、前述と同様に全面に空隙形成用の犠牲層、本例では非晶質シリコン層からなる犠牲層５７を形成する。
【００４９】
次に、図７Ｅに示すように、犠牲層５７を、少なくとも基板側電極４５上を残し他部を除去するようにパターニングする。本例では犠牲層５７を、基板側電極４５よりも多少大きめに残るようにパターニングする。
次に、図７Ｆに示すように、犠牲層５７上を覆うように基板６１の絶縁膜５３上に絶縁膜、本例ではシリコン窒化膜５８を形成し、その後にパターニングしてブリッジ部材４７を形成する。さらにブリッジ部材４７の基板側電極４５と平行する部分上に選択的に駆動側電極４８を形成してビーム４６を形成する。
【００５０】
次に、図７Ｇに示すように、犠牲層である非晶質シリコン層５７をＸｅＦ２  ガスによるガスエッチングにより除去し、基板側電極４５とビーム４６との間に空隙４９を形成して、目的の静電駆動型のＭＥＭＳ素子４１を得る。
【００５１】
本実施の形態に係るＭＥＭＳ素子の製造方法によれば、既に不純物導入された単結晶シリコン層６２を有したＳＯＩ基板６１を利用して、その単結晶シリコン層６２で基板側電極４５を形成するので、基板側電極４５の表面は単結晶シリコン層６２の鏡面レベルに維持され、凹凸のない平滑な表面となる。その後、犠牲層５７、ビームを構成するブリッジ部材４７及び駆動側電極材料層を順次堆積し、犠牲層５７を除去することにより、駆動側電極４８が平滑化されたビーム４６を有するＭＥＭＳ素子４１を精度良く且つ容易に製造することができる。基板側電極４５の表面に凹凸が形成されないので、その後の高温工程によっても膜の凹凸が発生することがなく、表面平滑なビーム４６の形成を可能にする。
図４〜図５の製法に比べて、不純物５５の導入工程がない分さらに工程が削減され、ＭＥＭＳ素子の作製コストを低減することができる。
【００５２】
図８〜図１０は、上述のＭＥＭＳ素子４１の製造方法の他の実施の形態を示す。
先ず、図８Ａに示すように、単結晶シリコン基板６６を用意する。なお、基板６６としては、他にガラス、石英、アルムナ等の絶縁基板を用いても良い。
次に、図８Ｂに示すように、この単結晶シリコン基板６６の表面にその後の基板側電極との絶縁のための絶縁膜６７を形成する。本例では９５０℃で酸素雰囲気により熱酸化膜（ＳｉＯ２  膜）６７を形成する。絶縁基板を用いるときは、この絶縁膜６７の形成は不要である。
【００５３】
次に、図８Ｃに示すように、絶縁膜６７（絶縁基板使用のときは、絶縁基板）上にエピタキシャル成長のための種となる、いわゆるシード層６８を形成する。シリコン（Ｓｉ）膜に対するシード層６７の材料としては、例えばカーボン、ニッケル、ガリウムなどが有効である。シード層６７はＣＶＤ法、スパッタ法などにより数１０ｎｍ程度に膜厚で形成する。
【００５４】
次に、図８Ｄに示すように、エピタキシャルＣＶＤ装置により、シード層６８上にシリコンエピタキシャル成長層６９を形成する。その後、エピタキシャル成長層６９に第１導電型不純物、例えばリン（Ｐ）７０をイオン注入、または熱拡散などで導入し、導電性Ｓｉエピタキシャル成長層とする。この際、成膜材料ガスであるＳｉＨ４  、Ｈ２  ガスに加え、ＰＨ３  を同時に添加することにより導電性Ｓｉエピタキシャル成長層６９を形成しても構わない。表面の平滑性を得るために、必要に応じてエピタキシャル成長層６９を研磨することが好ましい。
【００５５】
次に、図９Ｅに示すように、エピタキシャル成長層６９及びシード層６８をパターニングしてエピタキシャル成長層６９による基板側電極４５を形成する。
【００５６】
これ以後は、前述の図４Ｄ〜図５Ｈの工程と同様である。
即ち、この基板側電極４５上に絶縁膜を介して、或いは介さないで全面に空隙形成用の犠牲層を形成する。本例では犠牲層として非晶質シリコン層を用いるので、図９Ｆに示すように、エピタキシャル成長層からなる基板側電極４５の表面を含む全面に熱酸化膜、例えば９５０℃で酸素雰囲気により熱酸化膜（ＳｉＯ２  膜）５６を形成する。この際も下地が単結晶シリコンの基板側電極４５であるので熱酸化膜５６に凹凸は発生せず、鏡面Ｓｉレベルの平滑性が維持される。
次いで、図９Ｇに示すように、全面に空隙形成用の犠牲層、本例では非晶質シリコン層からなる犠牲層５７を形成する。
【００５７】
次に、図９Ｈに示すように、犠牲層５７を、少なくとも基板側電極４５上を残し他部を除去するようにパターニングする。本例では犠牲層５７を、基板側電極４５よりも多少大きめに残るようにパターニングする。
次に、図１０Ｉに示すように、犠牲層５７上を覆うように基板６６の絶縁膜（６４，５６）上に絶縁膜、本例ではシリコン窒化膜５８を形成し、その後にパターニングしてブリッジ部材４７を形成する。さらにブリッジ部材４７の基板側電極４５と平行する部分上に選択的に例えばＡｌによる駆動側電極４８を形成してビーム４６を形成する。
【００５８】
次に、図１０Ｊに示すように、犠牲層である非晶質シリコン層５７をＸｅＦ２  ガスによるガスエッチングにより除去し、基板側電極４５とビーム４６との間に空隙４９を形成して、目的の静電駆動型のＭＥＭＳ素子４１を得る。
【００５９】
本実施の形態に係るＭＥＭＳ素子の製造方法によれば、エピタキシャル成長層６９で基板側電極４５形成するので、基板側電極４５の表面はエピタキシャル成長層６９の鏡面レベルに維持され、凹凸のない平滑な表面となる。その後、犠牲層５７、ビームを構成するブリッジ部材４７及び駆動側電極材料層を順次堆積し、犠牲層５７を除去することにより、駆動側電極４８が平滑化されたビーム４６を有するＭＥＭＳ素子４１を精度良く且つ容易に製造することができる。基板側電極４５の表面に凹凸が形成されないので、その後の高温工程によっても膜の凹凸が発生することがなく、表面平滑なビーム４６の形成を可能にする。
図１５〜図１６に示す従来の製法に比べて、基板と絶縁するための酸化膜工程、及び基板側電極となる導電性層を形成するための工程が削減される上、工程全体で必要とするマスク枚数は変わらないので、ＭＥＭＳ素子の作製コストを低減することができる。
【００６０】
図２は、本発明に係る静電駆動型のＭＥＭＳ素子の代表的な他の実施の形態を示す。本例はビームを片持ち梁式に形成した場合である。
本実施の形態に係るＭＥＭＳ素子７１は、前述と同様に、半導体基板上に絶縁膜を形成した基板、或いは絶縁性基板、本例では半導体基板４２上に絶縁膜４３を形成した基板４４を用い、この基板４４上に単結晶半導体層からなる基板側電極４５を形成し、この基板側電極４５に対向するように一端を絶縁性支持部７２に支持された静電駆動型のビーム７３を配置して構成される。基板側電極４５とビーム７３は、この間に形成された空隙７４によって電気的に絶縁される。
ビーム７３は、絶縁膜７５と、その上の駆動側電極７３とから構成される。絶縁支持部７２は、シリコン窒化（ＳｉＮ）膜、シリコン酸化（ＳｉＯ２  ）膜等の絶縁体、本例ではシリコン窒化膜で形成することができる。
半導体基板４２、絶縁膜４３、基板側電極４５、ビーム７３を構成する絶縁膜７５及び駆動側電極７６等は、前述の図１で説明したと同様の構成、材料を採りので、詳細説明を省略する。
【００６１】
このＭＥＭＳ素子７１は前述の図４〜図５、或いは図６〜図７、或いは図８〜図１０で説明したと同様の工程で製造することができる。
即ち、ＳＯＩ基板５１又は６１を用いてその単結晶半導体層の例えば単結晶シリコン層で基板側電極４５を形成した後、或いはエピタキシャル成長層６９で基板側電極４５を形成した後、絶縁膜５６を介して、又は介さないで絶縁性支持部７２を形成し、空隙形成用の犠牲層５７を形成し、次いで、絶縁性支持部７２に一端が支持されるように絶縁膜７５及び駆動側電極７６からなるビーム７３を形成し、その後に犠牲層５７を除去することにより、ＭＥＭＳ素子７１を製造することができる。
【００６２】
本実施の形態に係るＭＥＭＳ素子７１においても、前述と同様に、基板側電極４５を単結晶シリコン層で形成されるので、ビーム７３の駆動側電極７６の表面７６ａは平滑化される。従って、光学ＭＥＭＳ素子適用した場合、この駆動側電極７６の表面７６ａが平滑なビームとなり、反射効率、回折効率が向上して反射光の光利用率が増え、オン・オフ制御できる光スイッチ、光強度を変調する光変調素子などの光素子としての特性、性能の向上を図ることができる。
【００６３】
上述のＭＥＭＳ素子４１、７１は、光の反射を利用する光学ＭＥＭＳ素子と、光の回折を利用する光学ＭＥＭＳ素子に適用できる。光の反射を利用する場合は、基板側電極４５に対して１つのビーム４６又は７３を配置した構成、或いは共通の基板側電極４５に対して夫々が独立に駆動する複数のビーム５６又は７３を配置した構成とすることができる。光の回折を利用する場合は、共通の基板側電極４５に対して複数のビーム４６又は７３を並列配置して構成することができる。
【００６４】
上記の光学ＭＥＭＳ素子を用いて光変調素子を構成することができる。
本実施の形態の光変調素子によれば、反射効率、回折効率が向上して反射光の光利用率が増え、光変調素子としての特性、性能の向上を図ることができる。
【００６５】
図１１は、本発明に係るＧＬＶデバイスの実施の形態を示す。
本実施の形態に係るＧＬＶデバイス８１は、前述の図１で説明したと同様ように、半導体基板上に絶縁膜を形成した基板、或いは絶縁性基板、本例ではシリコン単結晶基板上に絶縁膜を形成した基板８２上に単結晶半導体層、例えば単結晶シリコン層からなる共通の基板側電極８３を形成し、共通の基板側電極８３に対して、ブリッジ部材８４と金属膜による駆動側電極８５の積層膜からなる複数本例では６つのビーム８６〔８６１  、８６２  、８６３  、８６４  、８６５  、８６６  〕を並列配置して構成される。
このＧＬＶデバイス８６は、前述と同様に基板側電極８３に対する１つ置きのビーム８６の近接、離間の動作により、光反射膜を兼ねる駆動側電極８５の高さを交互に変化させ、光の回折によって駆動側電極８５で反射する光の強度を変調する。
【００６６】
このＧＬＶデバイス８１は、前述の図４〜図５、図６〜図７又は図８〜図１０の製法を用いて製造することができる。
【００６７】
本実施の形態に係るＧＬＶデバイス８１は、基板側電極８３を単結晶半導体層、例えば単結晶シリコン層により形成するので、結果としてビーム８６の反射膜を兼ねる駆動側電極８６のミラー面の光反射率を向上させることができ、光利用効率の高い、高性能のＧＬＶデバイスを提供することができる。
【００６８】
図１２は、上述のＭＥＭＳ素子を適用した光変調素子としてのＧＬＶデバイスを用いた光学装置の一実施の形態を示す。本例ではレーザディスプレイに適用した場合である。
本実施の形態に係るレーザディスプレイ７１は、例えば、大型スクリーン用プロジェクタ、特にデジタル画像のプロジェクタとして、或いはコンピュータ画像投影装置として用いられる。
【００６９】
レーザディスプレイ９１は、図１２に示すように、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色のレーザ光源９２Ｒ、９２Ｇ、９２Ｂと、各レーザ光源に対して、それぞれ光軸上に順次、設けられたミラー９４Ｒ、９４Ｇ、９４Ｂ、各色照明光学系（レンズ群）９６Ｒ、９６Ｇ、９６Ｂ、及び光変調素子として機能するＧＬＶデバイス９８Ｒ，９８Ｇ，９８Ｂとを備えている。
レーザ光源９２Ｒ、９２Ｇ、９２Ｂは、それぞれ例えば、Ｒ（波長６４２ｎｍ、光出力約３Ｗ）、Ｇ（波長５３２ｎｍ、光出力約２Ｗ）、Ｂ（波長４５７ｎｍ、光出力約１．５Ｗ）のレーザを射出する。
【００７０】
更に、レーザディスプレイ９１は、ＧＬＶデバイス９８Ｒ、９８Ｇ、９８Ｂによりそれぞれ光強度が変調された赤色（Ｒ）レーザ光、緑色（Ｇ）レーザ光、及び青色（Ｂ）レーザ光を合成する色合成フィルタ１００、空間フィルタ１０２、ディフューザ１０４、ミラー１０６、ガルバノスキャナ１０８、投影光学系（レンズ群）１１０、およびスクリーン１１２を備えている。色合成フィルタ１００は、例えばダイクロイックミラーで構成さる。
【００７１】
本実施の形態のレーザディスプレイ９１は、レーザ光源９２Ｒ、９２Ｇ、９２Ｂから射出されたＲＧＢ各レーザ光は、それぞれミラー９４Ｒ、９４Ｇ、９４Ｂを経て各色照明光学系９６Ｒ、９６Ｇ、９６Ｂから各ＧＬＶデバイス９８Ｒ、９８Ｇ、９８Ｂに入射する。各レーザ光は、色分類された画像信号であり、ＧＬＶデバイス９８Ｒ、９８Ｇ、９８Ｂに同期入力されるようになっている。
更に、各レーザ光は、ＧＬＶデバイス９８Ｒ、９８Ｇ、９８Ｂによって回折されることにより空間変調され、これら３色の回折光が色合成フィルタ１００によって合成され、続いて空間フィルタ１０２によって信号成分のみが取り出される。
次いで、このＲＧＢの画像信号は、ディフューザ１０４によてレーザスペックルが低減され、ミラー１０６を経て、画像信号と動機するガルバノスキャナ１０８により空間に展開され、投影光学系１１０によってスクリーン１１２上にフルカラー画像として投影される。
【００７２】
本実施の形態のレーザディスプレイ９１では、光変調素子として図１１に示す構成のＧＬＶデバイス９８Ｒ、９８Ｇ、９８Ｂを備えるので、射出される画像信号の光束は、従来の光変調素子を用いたレーザディスプレイに比べて向上する。信号の光束が向上することから、レーザ光源９２Ｒ、９２Ｇ、９２Ｂからのレーザ光の利用効率が向上する。
【００７３】
本実施の形態のレーザディスプレイ９１では、各色のレーザ光源９２に対応して、ＧＬＶデバイス９８Ｒ、９８Ｇ、９８Ｂを備えているが、本発明に係るＧＬＶデバイスは、これ以外の構成を有する各種のディスプレイについても適用可能である。
例えば、光源を白色とする一方で、ＲＧＢそれぞれの波長の光のみを反射して（それ以外の光は回折する）各色を表示するようにビームの幅が異なる光変調素子９８Ｒ、９８Ｇ、９８Ｂが１画素を構成するようにしてもよい。
また、ＲＧＢの画素データからなる画像情報に同期したカラーホイールを通してＧＬＶデバイス９８に、単一の光源からの白色光を入射させるようにすることもできる。
更に、例えば、単一のＧＬＶデバイス９８を用いて、ＲＧＢのＬＥＤ（発光ダイオード）からの光を回折し、画素毎の色の情報を再生するように構成すれば、簡単なハンディタイプのカラーディスプレイとなる。
【００７４】
また、本発明に係るＧＬＶデバイスは、本実施の形態のレーザディスプレイのようなプロジェクタ類だけでなく、光通信におけるＷＤＭ（Ｗａｖｅｌｅｎｇｔｔｈ  Ｄｉｖｉｓｉｏｎ  Ｍｕｌｔｐｌｅｘｉｎｇ：波長多重）伝送用の各種デバイス、ＭＵＸ（Ｍｕｌｔｉｐｌｅｘｅｒ：パラレルーシリアル変換器／分配化装置）、あるいはＯＡＤＭ（Ｏｐｔｉｃａｌ  Ａｄｄ／Ｄｒｏｐ  Ｍｕｌｔｉｐｌｅｘｅｒ）、ＯＸＣ（Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｃｒｏｓｓ  Ｃｏｎｎｅｃｔ）等の光スイッチとして用いることもできる。
更に、例えばディジタル画像等を直画できる微細描画装置、半導体露光装置や、プリンタエンジンなど、その他の光学装置にも適用することができる。
【００７５】
また、本実施の形態のレーザディスプレイ９１では、ＧＬＶデバイス９８Ｒ、９８Ｇ、９８Ｂを用いて空間変調を行うレーザディスプレイについて説明したが、本発明に係るＧＬＶデバイスは、位相、光強度などの干渉・回折により変調可能な情報のスイッチングを行うことができ、これらを利用した光学装置に応用することが可能である。
【００７６】
【発明の効果】
本発明に係るＭＥＭＳ素子によれば、基板側電極を単結晶半導体層で形成し、基板側電極の表面を単結晶半導体層の鏡面レベルの粗度に維持するので、ＭＥＭＳ素子に顕在化していたビームの駆動側電極の表面を飛躍的に平滑化することができる。よって、ＭＥＭＳ素子の特性、性能の向上を図ることができる。
また、基板の絶縁表面に単結晶半導体層による基板側電極を形成しているので、基板上に形成する複数の駆動側電極と基板側電極との絶縁が確実になり、且つそれぞれのビームを安定して駆動させることができる。
ＳＯＩ基板を用いてその単結晶半導体層で基板側電極を形成するときは、基板側電極の表面が鏡面レベルに維持されるので、ビームの駆動側電極の表面を平滑化することができる。
また、本発明では、ＳＯＩ基板を利用してその単結晶半導体層で基板側電極を形成するときは、さらに製造工程数の削減を可能にし、且つ基板と駆動側電極の絶縁性を確実にし、安定した駆動が図れる。
エピタキシャル成長層で基板側電極を形成するときも、基板側電極の表面が鏡面レベルに維持されるので、ビームの駆動側電極の表面を平滑化することができる。
本発明に係るＭＥＭＳ素子の製造方法によれば、上述のＭＥＭＳ素子を精度良く且つ容易に製造することができる。
【００７７】
本発明のＭＥＭＳ素子を光の反射、或いは回折を利用した光変調素子に適用したときは、その光反射兼駆動側電極の表面が平滑化するので、反射効率、回折効率が向上して光利用効率が増え、光変調素子としての特性、性能の向上を図ることができる。
【００７８】
本発明の光変調素子でＧＬＶデバイスを構成するときは、光利用効率が高く、特性、性能の向上したＧＬＶデバイスを提供することができる。
本発明によるＧＬＶデバイスの製造方法によれば、上記ＧＬＶデバイスを精度良く且つ容易に製造することができる。
【００７９】
本発明のＧＬＶデバイスをレーザディスプレイに組み込むときは、光利用効率が高く特性、性能の向上したレーザディスプレイを提供することできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るＭＥＭＳ素子の代表的な一実施の形態を示す構成図である。
【図２】本発明に係るＭＥＭＳ素子の代表的な他の実施の形態を示す構成図である。
【図３】本発明に係るＭＥＭＳ素子の駆動側電極の平坦性を示す要部の断面図である。
【図４】Ａ〜Ｅ  図１のＭＥＭＳ素子の製造方法の一実施の形態を示す製造工程図（その１）である。
【図５】Ｆ〜Ｈ  図１のＭＥＭＳ素子の製造方法の一実施の形態を示す製造工程図（その２）である。
【図６】Ａ〜Ｄ  図１のＭＥＭＳ素子の製造方法の他の実施の形態を示す製造工程図（その１）である。
【図７】Ｅ〜Ｇ  図１のＭＥＭＳ素子の製造方法の他の実施の形態を示す製造工程図（その１）である。
【図８】Ａ〜Ｄ  図１のＭＥＭＳ素子の製造方法の他の実施の形態を示す製造工程図（その１）である。
【図９】Ｅ〜Ｈ  図１のＭＥＭＳ素子の製造方法の他の実施の形態を示す製造工程図（その２）である。
【図１０】Ｉ〜Ｊ  図１のＭＥＭＳ素子の製造方法の他の実施の形態を示す製造工程図（その３）である。
【図１１】Ａ  本発明に係るＧＬＶデバイスの実施の形態を示す構成図である。
Ｂ  図１１Ａの断面図である。
【図１２】本発明に係るレーザディスプレイの実施の形態を示す構成図である。
【図１３】従来の説明に供する光学ＭＥＭＳ素子の代表的な一例である。
【図１４】従来の説明に供する光学ＭＥＭＳ素子の代表的な他の例である。
【図１５】Ａ〜Ｄ  従来の図１４のＭＥＭＳ素子の製造方法の例を示す製造工程図（その１）である。
【図１６】Ｅ〜Ｉ  従来の図１４のＭＥＭＳ素子の製造方法の例を示す製造工程図（その２）である。
【図１７】Ａ  従来のＧＬＶデバイスを示す構成図である。
Ｂ  図１７ＡのＧＬＶデバイスの断面図である。
【図１８】従来の光学ＭＥＭＳ素子の駆動側電極の凹凸を示す要部の断面図である。
【符号の説明】
４１、７１、・・・ＭＥＭＳ素子、４２・・・半導体基板、４３・・・絶縁膜、４４・・・基体、４５・・・基板側電極、４６・・・ビーム、４７・・・ブリッジ部材、４８・・・駆動側電極、４９・・・空隙、５１、６１・・・ＳＯＩ基板、５２・・・シリコン基板、５３・・・絶縁層、５４、６２、・・・単結晶シリコン層、５５・・・不純物、５６・・・絶縁膜、５７・・・犠牲層、５８・・・シリコン窒化膜、６６・・・シリコン基板、６７・・・絶縁膜、６８・・・シード層、６９・・・エピタキシャル成長層、７０・・・不純物、８１・・・ＧＬＶデバイス、８２・・・基板、８３・・・共通の基板側電極、８４・・・ブリッジ部材、８５・・・駆動側電極、８６〔８６１  〜８６６  〕、９１・・・レーザディスプレイ、９２〔９２Ａ，９２Ｇ，９２Ｂ〕・・・レーザ光源、９４〔９４Ｒ，９４Ｇ，９４Ｂ〕、９６〔９６Ｒ，９６Ｇ，９６Ｂ〕・・・照明光学系、９８〔９８Ｒ，９８Ｇ，９８Ｂ〕・・・ＧＬＶデバイス、１００・・・色合成フィルタ（ダイクロイックミラー）・・・空間フィルタ、１０４・・・ディフューザ、１０６・・・ミラー、１０８・・・ガルバノスキャナ、１１０・・・投影光学系、１１２・・・スクリーン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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