【手続補正書】
【提出日】平成29年11月6日(2017.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コーティングされた基板であって、ナノ構造化金属ネットワークおよび架橋したポリマーバインダーを含み、約２７０Ω／□以下のシート抵抗、少なくとも約９０％の光透過率、および約１％以下のヘイズを有する、前記基板の少なくとも一部の上の導電性コーティングを有する基板を含む、コーティングされた基板。
【請求項２】
前記導電性コーティングが前記基板表面の一部を覆い、前記基板表面の別の部分が、電気絶縁性コーティングであって、ポリマーバインダーおよび金属ナノワイヤを含み、少なくとも約２０，０００Ω／□のシート抵抗、少なくとも約９０％の光透過率、および約１％以下のヘイズを有する電気絶縁性コーティングを含む、請求項１に記載のコーティングされた基板。
【請求項３】
前記基板がポリマーシートを含み、前記ナノ構造化金属ネットワークが銀を含み、通常の室内照明下ではパターンがほぼ見えない、請求項２に記載のコーティングされた基板。
【請求項４】
前記ポリマーバインダーが、ポリウレタン、アクリル樹脂、アクリルコポリマー、セルロース、またはそれらの混合物を含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載のコーティングされた基板。
【請求項５】
前記ナノ構造化金属ネットワークが、銀を含み、前記表面上で約０．５ｍｇ／ｍ２〜約２００ｍｇ／ｍ２の使用量を有する、請求項１〜４のいずれか一項に記載のコーティングされた基板。
【請求項６】
前記コーティングが約１５０Ω／□以下のシート抵抗を有する、請求項１〜５のいずれか一項に記載のコーティングされた基板。
【請求項７】
前記コーティングが約９５Ω／□以下のシート抵抗を有する、請求項１〜６のいずれか一項に記載のコーティングされた基板。
【請求項８】
前記コーティングが少なくとも約９４％の光透過率、および約０．９％以下のヘイズを有する、請求項１〜７のいずれか一項に記載のコーティングされた基板。
【請求項９】
溶媒と、約０．０１重量パーセント（重量％）〜約２重量％の金属ナノワイヤと、約０．０２重量％〜約５重量％の架橋性有機ポリマーと、約０．０５重量％〜約２重量％の増粘剤とを含む、金属ナノワイヤインク。
【請求項１０】
金属ナノワイヤインクと融着溶液とを含む導電性膜処理系であって、
前記金属ナノワイヤインクが、溶媒と、約０．０１重量パーセント（重量％）〜約２重量％の金属ナノワイヤと、約０．０２重量％〜約５重量％の架橋性有機ポリマーと、約０．０５重量％〜約２重量％の加工添加剤とを含み、
前記融着溶液が、溶媒と、融剤とを含む、導電性膜処理系。
【請求項１１】
前記加工添加剤が、湿潤剤、ポリマー分散剤、増粘剤、またはそれらの混合物を含む、請求項１０に記載の金属ナノワイヤインク。
【請求項１２】
前記加工添加剤が増粘剤を含む、請求項１０または１１に記載の金属ナノワイヤインク。
【請求項１３】
前記架橋性有機ポリマーが、ポリウレタン、アクリル樹脂、アクリルコポリマー、セルロース、またはそれらの混合物を含む、請求項１０〜１２のいずれか一項に記載の金属ナノワイヤインク。
【請求項１４】
約０．０００５重量％〜約１重量％の架橋剤をさらに含む、請求項１０〜１３のいずれか一項に記載の金属ナノワイヤインク。
【請求項１５】
前記溶媒が水性溶媒である、請求項１０〜１４のいずれか一項に記載の金属ナノワイヤインク。
【請求項１６】
前記融剤が、ハロゲン化物アニオン、還元剤、塩基、またはそれらの好適な組合せを含む、請求項１０〜１５のいずれか一項に記載の金属ナノワイヤインク。
【請求項１７】
約０．０５重量％〜約１重量％の金属ナノワイヤと、約０．０５重量％〜約２重量％の架橋性有機ポリマーと、約０．１重量％〜約１．５重量％の加工添加剤とを含む、請求項１０〜１６のいずれか一項に記載の金属ナノワイヤインク。
【請求項１８】
パターン化された導電性透明コーティングの形成方法であって：
基板上のパターン化された初期コーティング層に、金属ナノワイヤ融着溶液を塗布して、約２７０Ω／□以下のシート抵抗を有する領域と少なくとも約２０，０００Ω／□のシート抵抗を有する領域とを有する異なるようにパターン化された導電性コーティングを形成するステップを含み、前記融着溶液は融剤を含み、前記パターン化された初期コーティング層は、金属ナノワイヤおよび未架橋の放射線硬化性ポリマーの領域と、金属ナノワイヤおよび架橋ポリマーの別の領域とを含み、前記融着溶液によって、前記金属ナノワイヤおよび未架橋ポリマーの少なくとも一部が、約２７０Ω／□以下のシート抵抗を有する融着金属ナノ構造化層に変換される、方法。
【請求項１９】
金属ナノワイヤ焼結溶液を塗布するステップが、前記基板表面全体にわたって前記融着溶液をコーティングするステップを含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記基板がを含み、前記異なるようにパターン化された導電性コーティングが、前記コーティングにわたって少なくとも約９０％の光透過率と、前記コーティングにわたって約１％以下のヘイズと、通常の室内照明下でほぼ見えないパターンとを有する、請求項１８または１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記融着溶液を塗布するステップの後の所望の時間の後で前記コーティングを洗浄するステップをさらに含む、請求項１８〜２０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２２】
ポリマーオーバーコートを塗布するステップをさらに含む、請求項１８〜２１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２３】
前記融剤が、ハロゲン化物アニオン、金属イオン源と組み合わせた還元剤、および有効量のアルカリ化剤から選択される、請求項１８〜２２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２４】
融着金属ナノ構造化ネットワークの形成方法であって：
少なくとも約３×１０−５Ｍの水酸化物アニオン濃度または少なくとも約９．５ｐＨ単位のｐＨを有するアルカリ性組成物を有する融着溶液を金属ナノワイヤの層上に堆積して、前記金属ナノワイヤを融着させるステップを含む、方法。
【請求項２５】
前記融着溶液が金属塩をさらに含む、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
少なくとも約１×１０−４Ｍの水酸化物アニオン濃度、または少なくとも約１０ｐＨ単位のｐＨの、請求項２４または２５に記載の方法。
【請求項２７】
前記融着溶液が水性溶媒を含む、請求項２４〜２６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２８】
前記融着溶液がアルコール溶媒を含む、請求項２４〜２７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２９】
前記金属ナノワイヤの層が、基板表面上で約０．５ｍｇ／ｍ２〜約２００ｍｇ／ｍ２の使用量を有する、請求項２４〜２８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３０】
結果として得られる融着金属ナノ構造化ネットワークが、約３００Ω／□以下の導電率、少なくとも約９０％の透過率、および約１．１％以下のヘイズを有する、請求項２４〜２９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３１】
表面を有する基板、前記表面上にパターン化された導電性領域および電気絶縁性領域のパターン、ならびに導電性領域と前記パターン化された領域から離れた接続区域との間に電気伝導経路を形成する金属トレース、ならびに前記金属トレースの少なくとも一部を覆うポリマーオーバーコートを含む、パターン化された構造。
【請求項３２】
前記導電性領域および前記電気絶縁性領域のそれぞれが、前記基板表面上で約０．５ｍｇ／ｍ２〜約２００ｍｇ／ｍ２の金属使用量を有し、前記電気絶縁性領域のシート抵抗が、前記導電性領域のシート抵抗の少なくとも約１００倍である、請求項３１に記載のパターン化された構造。
【請求項３３】
前記電気絶縁性の領域が、前記導電性領域の少なくとも５分の１以下の金属使用量を有する、請求項３１または３２に記載のパターン化された構造。
【請求項３４】
前記金属トレースが銀および／または銅を含む、請求項３１〜３３のいずれか一項に記載のパターン化された構造。
【請求項３５】
前記ポリマーオーバーコートが約５００ｎｍ〜約１０ミクロンの厚さを有する、請求項３１〜３４のいずれか一項に記載のパターン化された構造。
【請求項３６】
前記接続区域が、前記基板の端部またはその付近に配置される、請求項３１〜３５のいずれか一項に記載のパターン化された基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
金属使用量に基づくパターン化は、基板表面の選択部分の上への金属ナノワイヤインクの選択的堆積、および／または堆積された金属ナノワイヤまたはナノ構造化膜の選択的除去を含むことができる。堆積中のパターン化は、金属ナノワイヤインクの堆積の場合に前述している。金属ナノワイヤインクが選択された場所の上にのみ堆積される場合、融着溶液／蒸気を表面全体に接触させることができ、その理由は、金属ナノワイヤを有さない場所は融着溶液／蒸気と接触しても導電性とはならないからである。金属ナノワイヤインクが基板表面上に堆積される場合、融着の前または後、およびポリマーバインダーの硬化の前または後に、選択された領域を現像してその領域から金属を除去することができる。金属は適切なエッチングまたは洗浄またはその他の好適なプロセスによって除去することができる。たとえば、金属ナノワイヤのレーザーアブレーションが、「導電性パターン被覆体の製造方法および導電性パターン被覆体」と題される日本写真印刷株式会社に付与された日本特許第５２８９８５９号公報（参照により本明細書に援用される）に記載されている。ナノワイヤを融着させない場合は、ナノワイヤを除去するために洗浄ステップが好適となりうる。ナノワイヤを融着させる場合は、酸エッチング剤または別の好適なウェットエッチャントを使用することができる。ドライエッチングを行うこともできる。レジスト組成物などを用いて、エッチング／現像のパターン化を行うことができる。フォトレジストなどの広範囲のレジストをパターン化に使用することができ、それらは市販されている。光、たとえばＵＶ光または電子ビームを用いるフォトリソグラフィを使用して、高解像度パターンを形成することができ、レジストを形成するウィンドウを通したエッチングによって金属ナノワイヤまたはナノ構造化膜のパターン化を行うことができる。ポジ型およびネガ型の両方のフォトレジストを使用することができる。放射線曝露および現像が行われてレジストがパターン化されるフォトリソグラフィを用いて、レジストを使用するパターン化を行うことができる。これとは別に、またはこれに加えて、レジストをパターン化するために、スクリーン印刷またはグラビア印刷などを用いてレジストを印刷して、本明細書に記載の処理されたパターン化を行うことができる。一般に、電気絶縁性領域の金属使用量が導電性領域よりも少ない実施形態の場合、電気絶縁性領域は、導電性領域に対して、少なくとも１．５分の１以下の金属使用量、ある実施形態においては少なくとも５分の１以下の金属使用量、さらなる実施形態においては少なくとも１０分の１以下の金属使用量、別の実施形態においては少なくとも２０分の１以下の金属使用量を有することができる。ある実施形態において、電気絶縁性領域は金属をほとんど有さなくてよい。前述の明示される範囲内の金属使用量の減少のさらなる範囲が考慮され本発明の範囲内となることを当業者は理解されよう。