(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板を処理室内に搬入して抵抗発熱体を備えた載置台の載置面に載置し、前記抵抗発熱体により加熱する工程と、
その後前記被処理基板を前記載置台から僅かに浮上させて載置台からの輻射熱により加熱しながら、処理ガスを処理室内に供給して当該被処理基板に対して熱処理を行なう工程と、
を備えたことを特徴とする熱処理方法。
【請求項２】
処理ガスを処理室内に供給して被処理基板に対して熱処理を行なう工程は、成膜ガスを処理室内に供給して当該被処理基板の表面及び裏面に薄膜を形成する工程であることを特徴とする請求項１記載の熱処理方法。
【請求項３】
薄膜はポリシリコンであることを特徴とする請求項２記載の熱処理方法。
【請求項４】
処理室内に設けられ、抵抗発熱体を備えた載置台と、この載置台の載置面から埋没した位置に待機し、被処理基板の裏面を保持して当該被処理基板を載置台上と載置台から浮上させた位置との間で昇降させる昇降部と、被処理基板を保持して処理室と外部との間を搬送し、前記昇降部との間で被処理基板の受け渡しを行う搬送手段とを備え、被処理基板を前記抵抗発熱体により加熱しながら、処理ガスにより処理する熱処理装置において、
前記昇降部は、前記搬送手段との間で被処理基板の受け渡しを行う第１の位置及び、この第１の位置と前記載置台の載置面との間の第２の位置にて停止できるように構成され、前記搬送手段から受け取った被処理基板を、載置台の載置面に載置して前記抵抗発熱体により加熱し、次いで当該被処理基板を載置台から第２の位置に浮上させて載置台からの輻射熱により加熱しながら熱処理を行うことを特徴とする熱処理装置。
【請求項５】
前記昇降部に、前記被処理基板の温度を測定するための温度測定端子を設けたことを特徴とする請求項４記載の熱処理装置。
【請求項６】
前記昇降部は複数の昇降ピンであり、これら昇降ピンのうちの少なくとも１つに前記被処理基板の温度を測定するための温度測定端子を設けたことを特徴とする請求項４記載の熱処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、熱処理方法及びその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体ウエハ（以下「ウエハ」という）の製造プロセス中にＣＶＤ処理や酸化処理等の熱処理があり、この処理に用いられる従来の枚葉式ＣＶＤ装置は例えば図９に示すように構成されている。この装置は、処理室１１内に、抵抗発熱線１２を例えば図１０に示すようなパタ−ンで配線してなるセラミックヒ−タにより構成された載置台１３と、これに対向するようにガス供給部１４とを配置し、ゲ−トバルブ１５を介して図示しない搬送ア−ムにより搬入したウエハＷを、予め載置台１３から突出させておいた図示しないプッシュピンに受け渡し、このプッシュピンを降下させることにより、ウエハＷを載置台１３上に載置するように構成されている。
【０００３】
このような装置では、ウエハＷを載置台１３上に載置した状態でセラミックヒ−タからの熱伝導により所定温度に加熱し、処理室１１内を排気管１６により真空排気して所定の圧力に維持しながら、処理ガスをガス供給部１４から供給してＣＶＤ処理を行ない、ウエハＷの表面に所定の薄膜を形成していた。
【０００４】
【発明が解決しようとしている課題】
しかしながら上述の装置では、載置台１３はセラミックヒ−タにより構成され、抵抗発熱線１２の配線パタ−ンに応じた温度分布がセラミック体により緩和されるとはいっても載置面上には多少の温度分布が生じる。そしてウエハＷは載置台１３上に載置されて載置面と面接触していることから載置面上の温度分布パタ−ンがウエハＷに転写されてしまい、このためウエハ面内の温度のばらつきが大きくなる。この結果膜厚の面内均一性が悪下してしまい、今後パタ−ンの微細化に伴って膜厚についてもより一層の面内均一性が要求されることから、歩留まりの低下を招くおそれがある。
【０００５】
またウエハＷを載置台１３に載置した状態でＣＶＤ処理を行なうと、ウエハＷの外周縁部と載置面との接触部分にも薄膜が形成されてしまうため、ＣＶＤ処理後ウエハＷを載置台１３からプッシュピンにて押し上げる際、ウエハＷと載置台１３とに亘って連続して形成された薄膜が剥がれて、パ−ティクルの原因になるという問題もあった。
【０００６】
一方載置面の温度分布のウエハへの影響を緩和すると共に、パ−ティクルの発生を抑えるために、プッシュピンによりウエハＷを搬送ア−ムから受け取った後、そのままウエハＷを載置面から浮上させて載置台１３からの輻射熱により処理温度まで加熱して、ＣＶＤ処理を行なうことも考えられるが、このようにするとウエハＷが搬送ア−ムによる受け渡しに必要な間隔だけ載置面から浮いているので、ヒ−タの消費電力が大きくなる上、昇温スピ−ドが遅くなり、処理効率が悪くなってしまう。
【０００７】
またポリシリコン膜の上に他の膜を付ける場合、一般的に成膜前にフッ酸（ＨＦ）溶液により洗浄を行えば、自然酸化膜の除去を行なうことができるなどの利点があるが、枚葉処理装置によりＳｉＯ２  膜の上にポリシリコン膜を形成した場合にはＨＦ洗浄が困難であった。即ちウエハＷの裏面側においては、載置台とウエハＷとの隙間から入り込んだ成膜ガスにより成膜されることになるが、前記隙間から入り込める成膜ガスの量は非常に少ないため、ウエハＷの裏面側全体にポリシリコン膜が形成されにくく、また形成されたとしてもウエハＷの裏面側の中央部でのポリシリコン膜の膜厚は極めて薄いものとなる。
【０００８】
このため裏面側のポリシリコン膜がフッ酸により破れてしまいＳｉＯ２  膜に接してしまう。ＳｉＯ２  膜はフッ酸溶液に耐えられないため、ＳｉＯ２  膜が破れて、その破れた隙間からフッ酸溶液が入り込む。そしてフッ酸がＳｉＯ２  膜とＳｉとの間に沿って表面側まで回り込み、これによりＳｉＯ２  膜がＳｉから引き剥がされ、この結果ＳｉＯ２  膜がポリシリコン膜と共に裏面側から表面側に亘って剥がれてしまうことがある。
【０００９】
本発明は、このような事情の下になされたものであり、その目的は、膜厚の面内均一性を向上させることのできる熱処理方法及びその装置を提供することにある。また本発明の他の目的は、被処理基板の裏面側にも薄膜を形成することができる熱処理方法及び装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、被処理基板を処理室内に搬入して抵抗発熱体を備えた載置台の載置面に載置し、前記抵抗発熱体により加熱する工程と、次いで前記被処理基板を前記抵抗発熱体により加熱する工程と、その後前記被処理基板を前記載置台から僅かに浮上させて載置台からの輻射熱により加熱しながら、処理ガスを処理室内に供給して当該被処理基板に対して熱処理を行なう工程とを備えたことを特徴とする。
【００１１】
処理ガスを処理室内に供給して被処理基板に対して熱処理を行なう工程は例えば成膜ガスを処理室内に供給して当該被処理基板の表面及び裏面に例えばポリシリコンからなる薄膜を形成する工程である。
【００１２】
このような熱処理は、処理室内に設けられ、抵抗発熱体を備えた載置台と、この載置台の載置面から埋没した位置に待機し、被処理基板の裏面を保持して当該被処理基板を載置台上と載置台から浮上させた位置との間で昇降させる昇降部と、被処理基板を保持して処理室と外部との間を搬送し、前記昇降部との間で被処理基板の受け渡しを行う搬送手段とを備え、被処理基板を前記抵抗発熱体により加熱しながら、処理ガスにより処理する熱処理装置において実施される。
【００１３】
前記昇降部は、前記搬送手段との間で被処理基板の受け渡しを行う第１の位置及び、この第１の位置と前記載置台の載置面との間の第２の位置にて停止できるように構成され、前記搬送手段から受け取った被処理基板を、載置台の載置面に載置して前記抵抗発熱体により加熱し、次いで当該被処理基板を載置台から第２の位置に浮上させて載置台からの輻射熱により加熱しながら熱処理が行われる。ここで昇降部を例えば複数の昇降ピンにより構成し、昇降ピンのうちの少なくとも１つに温度測定端子を設けた場合には、被処理基板を載置台から浮上させて熱処理を行なう場合であっても、被処理基板の温度を制御することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下本発明の実施の形態について説明する。図１は本発明の熱処理方法を実施する熱処理装置の一形態を示す断面図である。図中２は気密構造の処理室であり、この処理室２の一側壁面には後述するロ−ドロック室との間を気密にシ−ルするゲ−トバルブ２１、２２が設けられると共に、処理室の底面には真空ポンプ２４が介設された排気管２３が接続されている。
【００１５】
処理室２内の底面中央部には、例えば円柱状の載置台３が設けられており、この載置台３は、セラミック体の中に加熱部例えば抵抗発熱体３１が内蔵されたセラミックヒ−タとして構成されている。またこの載置台３には、例えば夫々３本の昇降ピンからなる第１の昇降ピン４（４１、４２、４３）と第２の昇降ピン５（５１、５２、５３）の２組の昇降ピンが、例えば図２に示すように、載置台３の載置面を周方向に６等分する位置に、１つ置きに同じ組のピンが配置されるように設けられている。
【００１６】
これら第１の昇降ピン４と第２の昇降ピン５とは昇降部をなすものであり、夫々制御部Ｃの制御信号に基づいて、昇降機構例えばエアシリンダ４ａ、５ａにより独立に昇降するように構成される。即ち各組をなす３本の昇降ピン４１、４２、４３（５１、５２、５３）は同時にかつこれらの組の間では異なるタイミングで昇降する。そしてこれら第１及び第２の昇降ピン４、５は、通常は載置台３の載置面から埋没した位置に待機しているが、昇降ピンが上昇したときには、載置面から突出してウエハＷの裏面を保持するように構成されている。
【００１７】
また第１の昇降ピン４と第２の昇降ピン５とは、突出したときの先端部の位置が異なるように構成されており、第１の昇降ピン４は、後述する搬送ア−ムとの間でウエハＷの受け渡しを行う位置である第１の位置まで突出し、第２の昇降ピン５はウエハＷの熱処理を行う位置である第２の位置まで突出するように構成されている。ここで第２の位置は第１の位置と載置面との間に位置しており、例えば第１の位置は載置面から４〜５ｍｍ浮上した位置であり、第２の位置は載置面から１〜２ｍｍ浮上した位置である。
【００１８】
処理室２の上部には、載置台３と対向するようにガス供給部６が設けられている。このガス供給部６は、多数のガス噴射孔６１が形成されたガス拡散部６０を備えており、例えばガス供給管６２、６３から夫々送られる処理ガスをガス噴射孔６１から別々に処理室２内に供給するように構成されている。また処理室２の一側壁面には、ゲ−トバルブ２１を介してロ−ドロック室７が接続されており、この内部にはウエハＷの搬送手段をなす搬送ア−ム７１が設けられている。図中７２はロ−ドロック室７と大気中との間に介在するゲ−トバルブである。なお図１では便宜上省略したが、ゲ−トバルブ２２側にも同様にロ−ドロック室が設けられている。
【００１９】
次に上述の実施の形態の作用について、例えばＳｉＯ２  膜を形成したウエハに対して、例えばモノシランガス（ＳｉＨ４  ）及びフォスフィンガス（ＰＨ３  ）を処理ガス（成膜ガス）として用いて、リンがド−プされたポリシリコン膜を成膜する場合を例にして述べる。先ず図３（ａ）に示すように、搬送ア−ム７１によりロ−ドロック室７から処理室２内へウエハＷを搬入した後、第１の昇降ピン４をエアシリンダ４ａにより載置台３から突出させて、前記第１の位置にて第１の昇降ピン４にウエハＷを受け渡す。
【００２０】
次いで図３（ｂ）に示すように、第１の昇降ピン４を下降させて、ウエハＷを載置台３上に載置する（図３（ｃ）参照）。こうしてウエハＷは載置台３上の載置面に面接触し、載置台３（セラミックヒ−タ）からの熱伝導により例えば６４０℃程度に加熱される。この後図３（ｄ）に示すように第２の昇降ピン５をエアシリンダ５ａにより載置台３から突出させて、ウエハＷを載置面から前記第２の位置まで浮上させ、この第２の位置で熱処理（成膜処理）を行う。
【００２１】
即ち真空ポンプ２４により処理室２内を真空排気して例えば１０Ｔｏｒｒの圧力に維持しながらガス供給管６２、６３よりガス供給部６を介して、夫々ＳｉＨ４  ガス及びＰＨ３  ガスを例えば流量２００ｃｃ／分及び１０ｃｃ／分で処理室２内に導入すると共に、載置台３からの輻射熱によりウエハＷを処理温度この例では６４０℃に加熱しながら、ウエハＷ表面にリンがド−プされたポリシリコン膜を形成する。
【００２２】
続いて図３（ｅ）に示すように、第１の昇降ピン４を上昇させてウエハＷを第２の昇降ピン５から第１の昇降ピン４へ受け渡し、ウエハＷを前記第１の位置まで押し上げると共に第２の昇降ピン５を降下させ、第１の位置でウエハＷを搬出側の搬送ア−ム７３に受け渡す。そしてこの搬送ア−ム７３によりウエハＷを処理室２から図示しない搬出側のロ−ドロック室に搬出する。
【００２３】
このような実施の形態によれば、ウエハＷを処理室２内に搬入した後処理温度まで加熱する工程は、ウエハＷを載置台３に載置して、つまり面接触して行なうので、ウエハＷは載置台３からの熱伝導により加熱され、従ってウエハＷは処理温度まで早いスピ−ドで昇温する。仮に既述したようにウエハＷを載置台３に接触させないで加熱すると昇温スピ−ドが遅くなり、例えばウエハＷを６４０℃程度に加熱する場合には、ウエハＷを載置台３上で加熱する方が、第２の位置で加熱する場合に比べて約３０秒速くなる。
【００２４】
そしてウエハＷの熱処理は、第１の昇降ピン４と搬送ア−ム７１との間のウエハＷの受け渡しの位置よりも低い、載置台３より僅かに浮上した位置にて載置台３とは接触させないで行うので、熱処理時はウエハＷは載置台３からの輻射熱のみで加熱される。従ってウエハＷ側では、抵抗発熱体３１の形状に対応して載置台３の載置面に形成される温度分布パタ−ンがなまされるため、載置台３に接触させて熱処理を行なった場合に比べて、前記温度分布の影響が緩和されるので、ウエハの面内温度均一性が高くなって、これにより膜厚について高い面内均一性が得られ、歩留まりが向上する。
【００２５】
さらにウエハＷを載置台３から浮上させて熱処理を行なうと、ウエハＷの外周縁部と載置部３上面とに亘って連続した薄膜が形成されることがほとんど起らないため、ウエハＷを載置台３から第１の昇降ピン４にて押し上げる際に、上述の連続した薄膜が剥がれることにより発生するパ−ティクルを極めて少なくすることができる。
【００２６】
さらにまたウエハＷを載置台３から浮上させて熱処理を行なうと、処理ガスがウエハＷの外周縁部から裏面側に回り込み、ウエハＷの表面側、外周縁部のみならず裏面側にもポリシリコンが成膜され、ウエハＷの裏面側では周縁部よりは膜厚が薄いながら中央部にもある程度の厚さのポリシリコン膜が形成される。この様子を図４に示すと、熱処理によりウエハＷのＳｉＯ２  膜の上にポリシリコン膜が形成され、ウエハＷの表面全体がポリシリコン膜で覆われた状態となる。
【００２７】
このようにウエハＷの裏面側に所定の厚さでポリシリコン膜が形成されると、ゲッタリング効果を得ることができる。また次工程でフッ酸溶液による洗浄処理を行なう場合にも、ポリシリコン膜はある程度の厚さであればフッ酸溶液に耐えられるため、ウエハＷの裏面側のポリシリコン膜がフッ酸溶液より侵されて破れてしまうことはなく、ポリシリコン膜で保護された状態でフッ酸溶液により自然酸化膜を除去することができる。
【００２８】
ここで図５は上述の洗浄処理が実施される洗浄装置の一例を示す図であり、ウエハＷは保持具９４に搭載されて、例えば０．５％フッ酸溶液（ＨＦ）で満たされた洗浄槽９１内に所定時間浸漬され、その後純水でリンスされる。なお図５中９２は越流部、Ｐはポンプ、９３は整流板である。
【００２９】
上述の熱処理装置において、熱処理を行う位置はウエハＷを載置台３の載置面から１〜２ｍｍ浮上させた位置であることが望ましい。あまり載置台３に近くなるとウエハＷの外周縁部から載置台３の載置面に亘って薄膜が形成され、逆に載置台３から遠くなると熱処理時の昇温スピ−ドが遅くなり、また載置台３のヒ−タの消費電力を大きくしなければならなくなるからである。
【００３０】
以上において、本実施の形態では、第１の昇降ピン４と第２の昇降ピン５との２組の昇降ピンにより、ウエハＷが載置台３上の載置面と、前記第１の位置及び第２の位置をとり得るようにしたが、例えば３本からなる１組の昇降ピンをボ−ルネジ機構からなる昇降機構により昇降させ、前記第１の位置と第２の位置とで夫々停止させるように構成して昇降部としてもよい。
【００３１】
次に図６に本発明の他の実施の形態の要部を示す。この実施の形態では昇降部は、昇降機構８２により昇降され、その一部に搬送ア−ム７１が進入するための切欠が形成された載置台３よりも一回り大きい昇降リング８に、その内方側に伸び出すように例えば４本の保持ア−ム８１を設けて構成されている。そして載置台３上面には、前記保持ア−ム８１に対応する位置に溝部３２が形成されており、昇降リング８が降下したときには、保持ア−ム８１が載置台３の溝部３２に埋没するように構成されている。
【００３２】
このような実施の形態では、通常は保持ア−ム８１が載置台３の溝部３２に埋没するように昇降リング８を配置しておき、搬送ア−ム７１からウエハＷを受け取る際には昇降リング８を前記第１の位置まで上昇させて、保持ア−ム８１にてウエハＷを保持する。そして昇降リング８１を降下させてウエハＷを載置台３上の載置面に載置して、所定温度まで加熱した後、再び昇降リング８を前記第２の位置まで上昇させてウエハＷの熱処理を行う。また本実施の形態においては、昇降リング８に切欠を形成せず、載置台３の上面から図示しない昇降ピンを突出させる構成として、一旦搬送ア−ム７１から昇降ピンにウエハＷを受け渡した後に、ここから保持ア−ム８１にウエハＷを受け渡すようにしてもよい。
【００３３】
ここで実際に、成膜処理を載置台からウエハＷを浮上させて行った場合とウエハＷを載置台に載置して行った場合とについて、ウエハＷの裏面側のポリシリコン膜の膜厚を比較した。成膜処理は、処理室内を１０００Ｐａの圧力に維持しながら、ＳｉＨ４  ，ＰＨ３  ，Ｎ２  ，ＢＮ２  ガスを例えば夫々４００，３２，５６８，５００ｃｃ／分の流量で導入すると共に、ウエハＷを例えば６４０℃に加熱して、ウエハＷ表面にリンがド−プされた厚さ１１１０オングストロームのポリシリコン膜を形成する処理とした。
【００３４】
上述の成膜処理後、図７に示すように、ウエハＷの裏面側の周縁部側の位置Ａと中央部の位置Ｂとについてポリシリコン膜の膜厚を測定したところ、浮上させて行った場合には（図７（ａ）参照）、位置Ａでは７８０オングストロ−ム、位置Ｂでは１７０オングストロ−ムであり、載置して行った場合（図７（ｂ）参照）には、位置Ａでは７００オングストロ−ム、位置Ｂでは６８オングストロ−ムであった。また浮上して成膜処理を行ったウエハＷに対して０．５％フッ酸溶液で洗浄処理を行ったところ、ポリシリコン膜が剥がれることなく処理を行うことができた。
【００３５】
続いて図８に本発明のさらに他の実施の形態の要部を示す。この実施の形態では、第２の昇降ピン５（５１、５２、５３）の少なくとも１つに温度測定端子５４が設けられている。温度測定端子５４としては例えば熱電対が用いられ、この温度測定端子５４は例えば第２の昇降ピン５の先端部に内蔵されている。
【００３６】
このような実施の形態では、ウエハＷを載置台３の載置面から浮上させて熱処理を行う際にもウエハＷの温度を制御することができる。つまり熱処理を行う際にはウエハＷは第２の昇降ピン５により第２の位置で支持されているが、この際この第２の昇降ピン５の先端部はウエハＷの裏面側に接触しているので、ウエハＷの温度が第２の昇降ピン５に内蔵された温度測定端子５４により測定され、この値に基づいてウエハＷの温度を制御することができる。
【００３７】
またウエハＷを載置台３の載置面に面接触させて所定温度に加熱する際にも、第２の昇降ピン５を載置台３の載置面から埋没した位置において、ウエハＷの裏面側にその先端部が接触するように配置しておくことにより、ウエハＷの温度を測定することができるので、この値に基づいてウエハＷの温度を制御することができる。
【００３８】
以上において本実施の形態では温度測定端子５４を複数の昇降ピンに設けるようにしてもよい。また本実施の形態を上述の昇降リング８に適用し、保持ア−ム８１に温度測定端子５４を設けるようにしてもよい。そして前記温度測定端子５４としては、光ファイバの先端部に温度に応じて発光強度が変化する蛍光物質を塗布した構成のものでもよく、この場合光ファイバから送られてきた光により蛍光物質が発光するが、その発光強度が温度に応じて変化するため、発光した光を光ファイバの基端側で受光して強度を検出することができる。
【００３９】
なお本発明は、ウエハの裏面に成膜するにあたっては、抵抗発熱体自体を加熱体として直接この上にウエハを載せてもよいし、他の発熱体の上に直接または載置板を介してウエハを載せてもよい。載置板を用いた場合には発熱体と載置板とで加熱体が構成される。またウエハＷを載置台３上に載置して処理温度まで昇温させる場合に限らず、処理温度に至る前に第２の位置に浮上させて、この第２の位置で処理温度まで加熱する場合も含むものである。
【００４０】
以上において本発明では、上述の成膜プロセスに限らず例えばジクロルシラン（ＳｉＨ２  Ｃｌ２  ）とアンモニア（ＮＨ３  ）とを用いてシリコンナイトライド膜（Ｓｉ３  Ｎ４  ）を生成するプロセスにも適用できる。また本発明における熱処理には上述のＣＶＤ処理の他、酸化処理やエッチング（裏面エッチングは除かれる）、アッシング等も含まれ、窒素ガスや水素ガスを流しながらアニ−ルを行う場合も含まれる。なお本発明を酸化処理に適用した場合には、酸化処理はウエハの表面温度に律速するので、ウエハの面内温度均一性を高めることにより、酸化膜の面内均一性を向上させることができるという利点が得られる。
【００４１】
【発明の効果】
本発明によれば、被処理基板に対する載置台側の温度分布の影響を緩和して、膜厚について面内均一性の高い熱処理を行なうことができる。また例えばポリシリコン等の成膜処理を行う場合に、被処理基板の裏面側にも薄膜を形成することができる。さらに昇降部に温度測定端子を設けることにより、例えば被処理基板を載置台から浮上させて熱処理を行なう場合にも、被処理基板の温度を制御することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明方法を実施する熱処理装置の一形態を示す断面図である。
【図２】図１の実施の形態における要部を示す斜視図である。
【図３】本発明方法の作用を説明するための説明図である。
【図４】本発明方法によりポリシリコン膜を成膜した場合のウエハＷを示す断面図である。
【図５】洗浄装置の一形態を示す断面図である。
【図６】本発明の他の実施の形態の要部を示す断面図である。
【図７】ウエハＷの裏面側のポリシリコン膜の膜厚を示す説明図である。
【図８】本発明のさらに他の実施の形態の要部を示す断面図である。
【図９】従来の熱処理装置を示す断面図である。
【図１０】載置台に設けられた抵抗発熱線の配線パタ−ンを示す平面図である。
【符号の説明】
２          処理室
３          載置台
３１        抵抗発熱体
３２        溝部
４          第１の昇降ピン
４ａ、５ａ  エアシリンダ
５          第２の昇降ピン
５４        温度測定端子
６          ガス供給部
７          ロ−ドロック室
７１        搬送ア−ム
８          昇降リング
８１        保持ア−ム
９１        洗浄槽
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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