(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置の表面に形成された電極にバンプを接触させ、前記半導体装置の電気的検査をなす半導体検査装置の製造方法であって、前記半導体装置への押し付けをなすベース基板にスルーホールと、前記ベース基板の上層側に検査用信号の伝達をなす配線層を形成し、前記スルーホール内に導電部材からなる弾性体を形成した後、この弾性体に前記ベース基板の下層側より突出するよう導電性接着剤を介して金属片を搭載し前記バンプを形成したことを特徴とする半導体検査装置の製造方法。
【請求項２】
前記スルーホール内にスキージによって導電ゴム部材を充填させた後、前記導電ゴム部材を硬化させ、これを前記弾性体としたことを特徴とする請求項１に記載の半導体検査装置の製造方法。
【請求項３】
バネ部材の曲げ加工によって前記弾性体を形成することを特徴とする請求項１に記載の半導体検査装置の製造方法。
【請求項４】
半導体装置の表面に形成された電極に接触し、前記半導体装置の電気的検査をなす半導体検査装置であって、前記電極の位置に対応するようスルーホールが形成されたベース基板と、前記スルーホール内に充填され導電部材からなる弾性体と、当該弾性体に導電性接着剤を介して搭載され前記スルーホールの開口部より突出する金属片からなるバンプと、当該バンプが突出する反対側の前記ベース基板の表面に形成され前記弾性体に検査用信号の伝達をなす配線層を有したことを特徴とする半導体検査装置。
【請求項５】
前記弾性体は、導電ゴム部材からなることを特徴とする請求項４に記載の半導体検査装置。
【請求項６】
前記弾性体は、バネ部材からなることを特徴とする請求項４に記載の半導体検査装置。
【請求項７】
半導体装置の表面に形成された電極に接触し、前記半導体装置の電気的検査をなす半導体装置の検査方法であって、
前記電極の位置に対応するようスルーホールが形成されたベース基板と、前記スルーホール内に充填され導電部材からなる弾性体と、当該弾性体に導電性接着剤を介して搭載され前記スルーホールの開口部より突出する金属片からなるバンプと、当該バンプが突出する反対側の前記ベース基板の表面に形成され前記弾性体に検査用信号の伝達をなす配線層とを有する半導体検査装置の前記金属片からなるバンプを前記半導体装置の表面に形成された電極に接続したことを特徴とする半導体装置の検査方法。
【請求項８】
前記弾性体は、導電ゴム部材からなることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の検査方法。
【請求項９】
前記弾性体は、バネ部材からなることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の検査方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体検査装置の製造方法および半導体検査装置に係り、特にダイシング（ペレタイズ）前の半導体ウェハ上に複数形成された半導体装置について一括で検査を行うのに好適な半導体検査装置の製造方法および半導体検査装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、単結晶シリコンからなる半導体ウェハを複数の工程に投入し、その表面に複数の半導体装置を形成していく製造方法が知られている。
このような製造方法では、製造工程の後段に進めば進むほど半導体装置の付加価値は高くなるので、製造工程終了時に初めて半導体装置の不良が解ると、その損失額は非常に大きいものとなる。このためウェハ中に生じた半導体装置の不良品はできるだけ製造工程の初期の段階で発見しておき、これを積極的に除外していくことが望ましい。また製造途中で半導体装置の検査を行うことは、各工程における良品率の把握という点からみても好ましい。
【０００３】
図８は、従来における第１の半導体検査装置の構造を示す説明図である。同図に示すように従来の半導体検査装置１では、ホルダ２から針状のコンタクトピン３が複数引き出されている。そして当該コンタクトピン３は、その先端が検査対象となる半導体装置４の電極５に接触可能になっており、コンタクトピン３を介してホルダ２の外部に設けられた検査回路（図示せず）と半導体装置４との間で検査信号の送受信を行えるようにしている。なおコンタクトピン３の本数は、一つの半導体装置１に対し複数本であり（ピッチ等によって変動する）、電源とＧＮＤの他に幾本かのポートのＯＮ／ＯＦＦチェックが行われる。
【０００４】
図９は、従来における第２の半導体検査装置の構造を示す断面図である。同図に示すように、従来の半導体検査装置６は、外部の検査治具（図示せず）に取り付けるためのホルダ２に搭載されている。そして半導体検査装置６は、ベース基板７の上層に配線層８が形成され、当該配線層８の上部に鉛直方向に導通性を有した異方性導電性ゴム９または異方性導電部材（ペーストやフィルム）が設けられている。また当該異方性導電性ゴム９または異方性導電部材（ペーストやフィルム）の上層には、検査用バンプ１０が付いた絶縁フィルム１１が設けられており、異方性導電性ゴム９または異方性導電部材（ペーストやフィルム）は配線層８と検査用バンプ１０との間の導通を図るようにしている。このように構成された半導体検査装置６は、ホルダ７を降下させ検査用バンプ１０と半導体装置の電極とを突き合わせるようにすれば、検査信号は配線層８から異方性導電性ゴム９または異方性導電部材（ペーストやフィルム）と、検査用バンプ１０を介して半導体装置側へと伝わり、当該半導体装置の検査を行えるようになっている。なお半導体装置における電極の高さのばらつきや検査用バンプ１０の高さのばらつきが生じても、異方性導電性ゴム９または異方性導電部材（ペーストやフィルム）の弾性変形によりこれらばらつきを吸収し、電極と検査用バンプ１０との間の電気的導通を確保できるようになっている。
【０００５】
図１０は、従来における第３の半導体検査装置の接触子の外観を示す説明図である。同図に示すような半導体検査装置１２にはクランク状の曲げ部１３が形成された接触子１４が設けられている。そして曲げ部１３の弾性力を利用して、接触子１４の先端を半導体装置１５の電極１６に接触させ、電気的導通を図るようにしている。なお同図に示すような接触子１４は、半導体装置の製造などで用いられているワイヤボンディングによって形成するようにしている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかし上述したいずれの半導体検査装置においても、下記に示すような問題点があった。
すなわち第１の半導体検査装置に示すようなピンコンタクト方式では、コンタクトピンの配置や配置数に制限があり、半導体ウェハに多数形成された半導体装置に対し同時にコンタクトすることができないという問題点があった。またピンを用いての接触のため、制作費もピン数に比例して高騰するという問題点もあった。
【０００７】
また第２の半導体検査装置に示すような異方性導電性ゴムを用いた方式では、第１の半導体検査装置に比べ、半導体装置の複数の電極と接触が容易であるものの、配線層や弾性層を形成しなくてはならず、また導電性ゴムを介して配線層と検査用バンプとを貼り合わせなくてはならないため、検査装置自体の製作が複雑で高価であるという問題点があった。
【０００８】
そして第３の検査装置においては、接触子に曲げ部を設けるようにしているため、接触子のピッチを狭めていくと当該接触子同士が干渉するおそれがある。このため検査対象となる電極が増加すると接触子が当てられない電極が生じる問題点があった。
【０００９】
本発明は、上記従来の問題点に着目し、検査用の電極が増加しても容易に対応することができ、また製作も容易であり、さらに隣接する電極の高低が大きくても、この高低差を吸収することができる半導体検査装置の製造方法および半導体検査装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、半導体装置の表面に形成された電極と、配線層との間の電気的経路を、前記電極に接触する剛体と、その後部に位置する弾性体とで構成すれば、前記電極への接触に対する耐摩耗性は前記剛体で確保し、隣接する電極の高さ方向のばらつきは前記弾性体によって吸収することができるという知見に基づいてなされたものである。
【００１１】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体装置の表面に形成された電極にバンプを接触させ、前記半導体装置の電気的検査をなす半導体検査装置の製造方法であって、前記半導体装置への押し付けをなすベース基板にスルーホールと、前記ベース基板の上層側に検査用信号の伝達をなす配線層を形成し、前記スルーホール内に導電部材からなる弾性体を形成した後、この弾性体に前記ベース基板の下層側より突出するよう導電性接着剤を介して金属片を搭載し前記バンプを形成したことを特徴とする半導体検査装置の製造方法に関係する。
【００１２】
そして前記スルーホール内にスキージによって導電ゴム部材を充填させた後、前記導電ゴム部材を硬化させ、これを前記弾性体としたり、あるいはバネ部材の曲げ加工によって前記弾性体を形成するようにしてもよい。
【００１３】
さらにバンプにおいては、前記弾性体の表面にスキージによって導電ペーストを付着させた後、当該導電ペーストを硬化させ、これを前記バンプとしたり、前記弾性体の表面にディスペンサによって導電ペーストを付着させた後、当該導電ペーストを硬化させ、これを前記バンプとしたり、また前記弾性体の表面に導電性接着剤を介して金属片を搭載し、これを前記バンプとしたり、あるいは前記弾性体をメッキ液に浸漬させ、前記弾性体の表面に形成されるメッキ層を前記バンプとしてもよい。
【００１４】
また、本発明に係る半導体装置は、半導体装置の表面に形成された電極に接触し、前記半導体装置の電気的検査をなす半導体検査装置であって、前記電極の位置に対応するようスルーホールが形成されたベース基板と、前記スルーホール内に充填され導電部材からなる弾性体と、当該弾性体に導電性接着剤を介して接続され前記スルーホールの開口部より突出する金属片からなるバンプと、当該バンプが突出する反対側の前記ベース基板の表面に形成され前記弾性体に検査用信号の伝達をなす配線層を有したことを特徴とする半導体検査装置に関係する。
また、半導体検査装置の前記金属片からなるバンプを前記半導体装置の表面に形成された電極に接続して前記半導体装置を検査することに関係する。
【００１５】
このように半導体検査装置の製造方法および半導体検査装置を構成すれば、ベース基板を半導体装置に接触させようとする際、前記半導体装置の電極の間に高さのばらつきがあったり、あるいはバンプの間に高さのばらつきがあっても、スルーホール内にある弾性体が変形することでこれら寸法のばらつきを吸収し、全ての電極とバンプとを密着させることができ、電気的導通を図ることが可能になる。また高さ方向のばらつきを弾性体で吸収することができるので、バンプの硬度を向上させることができ、前記バンプの耐摩耗性を向上させることが可能になる。
【００１６】
なお弾性体を導電ゴム部材で形成すれば、スキージにてスルーホール内に導電ゴム部材を収めることができ、前記導電ゴム部材の量や硬度を変更することで弾性体の特性を変更することが可能になる。また弾性体をバネ部材の曲げ加工によって形成すれば、バネ定数の設定を容易に変更させることができ、半導体装置の電極の高さ方向のばらつき度合いなどに対応させることができる。
【００１７】
またこれら弾性体は、個々のバンプに対して変形するので、半導体装置における隣接する電極の高さが大きく異なっていても、この寸法差に何ら影響されることもなく、バンプを前記電極に接触させることが可能になる。
【００１８】
なおバンプの形成にスキージを用いれば、マスクの厚さによって導電ペーストの量を調整することができ、バンプの高さを容易に設定することができる。そしてバンプの形成にディスペンサを用いれば、バンプを形成する場所を容易に変更することができる。またバンプに例えば金属球に代表される金属片を用いれば、十分な硬度が得られるので、耐摩耗性に優れたバンプを構成することができる。さらにバンプをメッキ層で構成すれば、メッキ液への浸漬時間の管理によって当該バンプの高さを容易に設定することが可能になる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明に係る半導体検査装置の製造方法および半導体検査装置に好適な具体的実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本実施の形態に係る半導体計測装置の断面構造図である。同図に示すように、本実施の形態に係る半導体検査装置２０は、ベース基板２２を基材としており、当該ベース基板２２の両面に種々の部材が形成された形態となっている。
【００２０】
前記ベース基板２２は、半導体ウェハ２５の基材として使用されるシリコンやガラスあるいはセラミックといった熱膨張係数が比較的半導体ウェハに近い（あるいは同一）材料で構成されている。これは半導体装置２１と本検査装置２０の熱膨張係数の違いから接点が離反するのを防止する為であり、これにより半導体装置２１の電気的検査を高温環境下で行う際（ウェハバーイン）でも接点間の確実な電気的導通を可能にしている。なお本実施の形態で用いられるベース基板２２は、半導体装置２１の材質と同様の単結晶シリコンからなり、その大きさは、半導体ウェハ２５に形成された複数の半導体装置２１に相当するだけの大きさに設定される。そして半導体検査装置２０を半導体ウェハ２５に押し当てることで、複数の半導体装置について一斉に検査を行えるようにしている（図２を参照）。
【００２１】
また本実施の形態では、ベース基板２２の材料にシリコンやガラス、あるいはセラミックなどを用いたが、この形態に限定されることもなく、例えば、ベース基板２２の材料に汎用性の高いガラスエポキシ樹脂などを適用してもよい。当該ガラスエポキシ樹脂は、基板の材料として多く用いられているので汎用の製造工程が適用でき、容易にベース基板２２の表面に配線層２８を形成することができる。
【００２２】
ところでベース基板２２の表面には、半導体装置２１の電極２４の位置に対応するように複数のスルーホール２６が形成されており、さらに当該スルーホール２６の内壁面およびベース基板２２における上表面には、図示しない絶縁膜が形成されており、後述する配線層等とベース基板２２とが短絡するのを防止するようにしている。
【００２３】
ベース基板２２の上表面には、前記スルーホール２６を塞ぐように配線層２８が形成される。そして当該配線層２８は、その一端側が前記スルーホール２６へと差し掛かっており、他方端部側はベース基板２２の端部側へと延長され図示しないコネクタを介して外部機器へと接続されている。
【００２４】
さらにベース基板２２の上表面には、当該ベース基板２２の保持をなすためのガイド板３０が取り付けられており、ベース基板２２を半導体装置２１に接離させたり、あるいは前記接離の際に、前記ベース基板２２にたわみが生じるのを防止するようにしている。
【００２５】
スルーホール２６の内側には弾性体となる導電ゴム部材３２が設けられている。当該導電ゴム部材３２は、導電部材となる銀が混入されたゴム部材（例えばシリコンゴム等）からなり、配線層２８との間で導通性を保つとともに、外力によって変形が可能になっている。
【００２６】
また導電ゴム部材３２の表面には、バンプ３４が形成されている。当該バンプ３４は、導電部材となる銀が混入されたペーストを固形化したものであり、スルーホール２６の内部よりベース基板２２の下面側より突出するだけの高さに設定されている。
【００２７】
このような半導体検査装置２０を用いて半導体ウェハ２５に複数形成された半導体装置２１に検査を行う手順を説明する。
図２は、半導体検査装置が取り付けられた昇降可能なガイド板と、当該ガイド板の下方に設置される半導体ウェハとの位置関係を示す状態図であり、図３は、半導体検査装置のバンプを半導体装置の電極に接触させた際の要部拡大図である。これらの図に示すように、半導体装置２１の検査を行う際には、まず半導体ウェハ２５をガイド板３０の下方に設置されたＸＹテーブル（図示せず）に搭載する。そしてＸＹテーブル上に半導体ウェハ２５を搭載させた後は、前記ＸＹテーブルを動かし、検査対象となる半導体装置２１の電極２４と、半導体検査装置２０のバンプ３４との位置合わせを行う。このように電極２４とバンプ３４の水平方向の位置決めが終了した後は、ガイド板３０を稼働させ、半導体検査装置２０を下降させる。
【００２８】
ところで図３（１）に示すように、半導体装置２１の電極２４は、当該電極２４の間で高さ方向にばらつきが生じる場合がある（図中寸法Ａを参照）。このため半導体検査装置２０をそのまま下降させても、これら高さ方向のばらつきによって電極２４とバンプ３４とが接触しないおそれがあるが、同図（２）に示すように、本半導体検査装置２０にはスルーホール２６の内部に導電ゴム部材３２が設けられている。このため一定の負荷で半導体検査装置２０を半導体ウェハ２５に押し付けると、既に電極２４とバンプ３４とが密着している箇所の導電ゴム部材３２が変形し、この変形によって未接触の電極２４とバンプ３４とが接触する。このようにスルーホール２６の内部に導電ゴム部材３２を設け、当該導電ゴム部材３２の変形によって電極２４およびバンプ３４の高さ方向の段差を吸収するようにすれば、高さ方向の異なる複数の電極２４が存在しても確実に両者の電気的導通を図ることができる。そして高さ方向の吸収は全て導電ゴム部材３２によって行われるので、バンプ３４においては一定以上の硬度をもたせ、耐摩耗性を向上させることが可能になる。このため半導体検査装置２０の長寿命化を図ることが可能になる。
【００２９】
なお半導体検査装置２０の半導体ウェハ２５に対する押付力は、検査対象となる全ての電極２４に対しバンプ３４が、前記電極２４の酸化膜を破るよう接触し、半導体装置２１の電気的特性を検査するのに必要な接触抵抗値が少なくとも得られるように設定すればよい。また半導体チップに負荷をかけるだけの場合は、所望の負荷がかかる程度の接触抵抗であればあえて酸化膜を破る必要はない（バンプの材料や接触状態によって接触抵抗の値は変わるが、銀が配合された導電ペーストの場合は１Ω以下である）。
【００３０】
なお検査時における環境は、不良を検出し易くする目的から高温（１００℃）の環境下で行われる場合があるが、前述の通りベース基板２２は、半導体ウェハ２５と同材料で構成されているので、熱膨張率が同じになり電極２４間ピッチとバンプ３４間ピッチとが変動することがない。このため常温や高温下の環境においても電極２４とバンプ３４とは確実に接触することができ、電気的導通を図ることができる。
【００３１】
このように電極２４とバンプ３４との電気的導通を行った後は、前記バンプ３４に流れる電流の度合いをコネクタを介した外部機器で検知して、規定範囲外の電流値を示すようであれば、異常を示すバンプ３４を含む半導体装置２１を不良品とみなして、外部機器側にて記録させておけばよく、そして検査が終了した後は、ガイド板３０を上昇させて、半導体ウェハ２５から半導体検査装置２０を離反させるとともにＸＹステージを移動させ新たな半導体装置２１について検査を行うようにしていけばよい。
【００３２】
ここで上述した半導体検査装置２０の製造方法を以下に説明する。
図４は、本実施の形態に係る半導体検査装置の製造過程を示した製造工程図である。同図（１）に示すように、本実施の形態にかかる半導体検査装置２０は、半導体ウェハ２５と同材質となる単結晶シリコンからなるベース基板２２を基材としている。そしてベース基板２２の片側表面にスルーホール２６を覆うように配線層２８をＣＶＤやエッチング等を用いて形成する。
【００３３】
そしてベース基板２２の片側表面に配線層２８を形成した後は、同図（２）に示すように前記ベース基板２２における配線層２８の反対面側から、ペースト状の導電ゴム部材３２を非金属性からなるスキージ３６（ベース基板２２への損傷防止）によってスルーホール２６へと埋め込む。このようにスルーホール２６に導電ゴム部材３２を埋め込んだ後、この導電ゴム部材３２に加熱を行い、ペースト内から揮発成分を除去すれば、導電ゴム部材３２は弾性を有した形態でスルーホール２６内に保持される。なお導電ゴム部材３２と配線層２８とは電気的導通が図られているのはいうまでもない。
【００３４】
このようにスルーホール２６内に導電ゴム部材３２を形成した後は、同図（３）に示すように、スルーホール２６の位置に対応するマスク３８をベース基板２２に取り付けるとともに、前記ベース基板２２の表面から銀が混入された導電性ペースト４０をスキージ４１によってマスク３８へと埋め込む。
【００３５】
そしてマスク３８内に導電性ペースト４０を埋め込んだ後は、前記マスク３８をベース基板２２より離反させ、前記導電性ペースト４０を前記ベース基板２２側に残留させるとともに、その後前記導電性ペースト４０を加熱し、揮発成分を除去する。このように導電性ペースト４０への加熱を行うことで同図（４）に示すように当該導電性ペースト４０は硬化し、ベース基板２２の表面から突出するバンプ３４となる。
【００３６】
図５は、バンプを形成するための他の手段を示す説明図である。
図４では、バンプ３４の形成にスキージ３６とマスク３８を用いることとしたが、同図（１）においては、スキージ３６およびマスク３８の代わりにディスペンサ４２を用いて、導電性ペースト４０を導電ゴム部材３２の表面に盛るようにした。このようにディスペンサ４２による導電性ペースト４０の供給にてバンプ３４を形成すれば、スルーホール２６の位置が変更になってもディスペンサ４２の位置を変更するだけで容易に対処することができる。
【００３７】
また同図（２）においては、スキージ３６およびマスク３８の代わりに金属片となる金属球４４を用いた例である。このように金属球４４を用いれば、耐摩耗性に一層優れたバンプ３４を形成することが可能になる。
【００３８】
さらに同図（３）に示すようにスキージ３６およびマスク３８の代わりに、ベース基板２２をメッキ層４６の中に浸漬させ、電荷を加えることで、バンプ３４をメッキによるメタルバンプ４８によって形成するようにしてもよい。このようにメッキによるメタルバンプ４８によってバンプ３４を形成すれば、種々の金属をバンプ３４として形成することが可能になるとともに、浸漬時間の管理により、メッキによるメタルバンプ４８の厚み（すなわちバンプ３４の高さ）を正確に設定することができる。
【００３９】
ところで本実施の形態では、弾性体として導電ゴム部材３２を用いるようにしたが、この形態に限定されることもなく、他の部材を適用し、これを弾性体としてもよい。
【００４０】
図６は、弾性体にメタル線を用いた他の形態を示す説明図である。
同図に示すようにメタル線となるタングステンワイヤ５０をＶ字状に屈曲させ、これをスルーホール２６内に固定させる。そしてタングステンワイヤ５０の一端側を配線層２８に固定し、他方側をスルーホール２６の開口側に向ければ、タングステンワイヤ５０の端部と配線層２８との電気的導通を図ることが可能になるとともに、タングステンワイヤ５０の屈曲によって弾性を得ることができる。またタングステンワイヤ５０の形状はＶ字状に限定されることもなく、例えばＵ字やＳ字、あるいはスパイラル形状に代表されるように他の形態であってもよい。
【００４１】
図７は、弾性体にメタル線を用いた半導体検査装置の製造工程を示す説明図である。なお同半導体検査装置は、弾性体に導電ゴム部材を用いた検査装置と弾性体だけが異なっているので、同一の部材については同一の番号を付与し、その説明を行うものとする。
【００４２】
同図（１）に示すように、スルーホール２６内にタングステンワイヤ５０を設置した後は、ベース基板２２の表面にマスク３８をかぶせ、当該マスク３８の表面から銀が混入された導電性ペースト４０をスキージ４２によってマスク３８へと埋め込む。
【００４３】
そしてマスク３８内に導電性ペースト４０を埋め込んだ後は、前記マスク３８をベース基板２２より離反させ、前記導電性ペースト４０を前記ベース基板２２側に残留させるとともに、その後前記導電性ペースト４０を加熱し、揮発成分を除去する。このように導電性ペースト４０への加熱を行うことで同図（２）に示すように当該導電性ペースト４０は硬化し、タングステンワイヤ５０の先端にベース基板２２の表面から突出するバンプ３４を形成することができる。
【００４４】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、半導体装置の表面に形成された電極にバンプを接触させ、前記半導体装置の電気的検査をなす半導体検査装置の製造方法であって、前記半導体装置への押し付けをなすベース基板にスルーホールと、前記ベース基板の上層側に検査用信号の伝達をなす配線層を形成し、前記スルーホール内に導電部材からなる弾性体を形成した後、この弾性体に前記ベース基板の下層側より突出するよう前記バンプを形成したり、
半導体装置の表面に形成された電極に接触し、前記半導体装置の電気的検査をなす半導体検査装置であって、前記電極の位置に対応するようスルーホールが形成されたベース基板と、前記スルーホール内に充填され導電部材からなる弾性体と、当該弾性体に接続され前記スルーホールの開口部より突出するバンプと、当該バンプが突出する反対側の前記ベース基板の表面に形成され前記弾性体に検査用信号の伝達をなす配線層を有したことから、検査用の電極が増加しても容易に対応することができ、さらに製作も容易におこなうことができる。
【００４５】
またバンプと弾性体を一対の組み合わせとしたので、隣接する電極の高さ方向のばらつきが大きくなっても、このばらつきに左右されず個々の弾性体で高さ方向のばらつきを吸収することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施の形態に係る半導体計測装置の断面構造図である。
【図２】半導体検査装置が取り付けられた昇降可能なガイド板と、当該ガイド板の下方に設置される半導体ウェハとの位置関係を示す状態図である。
【図３】半導体検査装置のバンプを半導体装置の電極に接触させた際の要部拡大図である。
【図４】本実施の形態に係る半導体検査装置の製造過程を示した製造工程図である。
【図５】バンプを形成するための他の手段を示す説明図である。
【図６】弾性体にメタル線を用いた他の形態を示す説明図である。
【図７】弾性体にメタル線を用いた半導体検査装置の製造工程を示す説明図である。
【図８】従来における第１の半導体検査装置の構造を示す説明図である。
【図９】従来における第２の半導体検査装置の構造を示す断面図である。
【図１０】従来における第３の半導体検査装置の接触子の外観を示す説明図である。
【符号の説明】
１………半導体検査装置
２………ホルダ
３………コンタクトピン
４………半導体装置
５………電極
６………半導体検査装置
７………ベース基板
８………配線層
９………異方性導電性ゴム
１０………検査用バンプ
１１………絶縁フィルム
１２………半導体検査装置
１３………曲げ部
１４………接触子
１５………半導体装置
１６………電極
２０………半導体検査装置
２１………半導体装置
２２………ベース基板
２４………電極
２５………半導体ウェハ
２６………スルーホール
２８………配線層
３０………ガイド板
３２………導電ゴム部材
３４………バンプ
３６………スキージ
３８………マスク
４０………導電性ペースト
４１………スキージ
４２………ディスペンサ
４４………金属球
４６………メッキ層
４８………メッキによるメタルバンプ
５０………タングステンワイヤ
【図１】
0003596499.tif 000002
【図２】
0003596499.tif 000003
【図３】
0003596499.tif 000004
【図４】
0003596499.tif 000005
【図５】
0003596499.tif 000006
【図６】
0003596499.tif 000007
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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