【手続補正書】
【提出日】平成29年1月6日(2017.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気トンネル接合層を形成するための方法であって、
化学的に損傷した周辺領域によって取り囲まれた強磁性主領域を有するプロセス中の強磁性層を形成するステップであり、前記化学的に損傷した周辺領域が弱強磁性である、形成するステップと、
前記化学的に損傷した周辺領域の少なくとも一部分を化学的に修飾された周辺部分へと変換するステップであり、前記化学的に修飾された周辺部分が非強磁性である、変換するステップと、
前記化学的に修飾された周辺部分を取り囲むように保護層を形成するステップと
を含む方法。
【請求項２】
前記化学的に損傷した周辺領域の少なくとも一部分を前記化学的に修飾された周辺部分へと変換するステップが、酸化、窒化、もしくはフッ化、またはこれらの任意の組合せを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記磁気トンネル接合層についての目標有効面積を特定するまたは設けるステップをさらに含み、前記プロセス中の強磁性層が、前記目標有効面積よりも大きい面積寸法を有し、前記変換するステップが、強磁性主領域を有するように前記磁気トンネル接合層を形成するサブステップを含み、前記強磁性主領域が、前記目標有効面積にほぼ等しい面積を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記プロセス中の強磁性層が、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅＢ、ＣｏＦｅ、もしくはＢのうちのいずれか、またはそれらの任意の組合せもしくは部分組合せを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記化学的に修飾された周辺部分が、少なくとも１種の強磁性元素を含有する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記少なくとも１種の強磁性元素が、鉄、ニッケルまたはコバルトである、および／もしくは
前記化学的に修飾された周辺部分が、ＦｅＯｘ、ＣｏＯｘ、ＣｏＦｅＯｘ、ＢＯｘ、ＦｅＮｘ、ＣｏＮｘ、ＣｏＦｅＮｘ、ＢＮｘ、ＦｅＦｘ、ＣｏＦｘ、ＣｏＦｅＦｘ、および／もしくはＢＦｘ、もしくはこれらの任意の組合せのうちのいずれか、またはそれらの任意の組合せもしくは部分組合せを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記化学的に修飾された周辺部分の少なくとも一部分を除去するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記除去するステップが、イオンミリング、エッチング、またはイオンミリングとエッチングとの組合せを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記保護層が、酸化物層、窒化物層、または酸化物層と窒化物層との組合せである、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記保護層が、ＡｌＯｘを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記プロセス中の強磁性層が、プロセス中の強磁性自由層である、および／もしくは
前記プロセス中の強磁性層が、プロセス中の強磁性ピンド層である、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記プロセス中の強磁性層が、第１のプロセス中の面積寸法を有する第１のプロセス中の強磁性層であり、前記化学的に損傷した周辺領域が、第１の化学的に損傷した周辺領域であり、
プロセス中の強磁性層を形成する前記ステップが、
前記第１のプロセス中の強磁性層と、
第２のプロセス中の強磁性層と、
前記第１のプロセス中の強磁性層と前記第２のプロセス中の強磁性層との間のトンネルバリア層と
を有するピラーを形成するステップを含み、
前記第２のプロセス中の強磁性層が、前記第１のプロセス中の面積寸法よりも大きい第２のプロセス中の面積寸法を有し、
前記第２のプロセス中の強磁性層が、第２の化学的に損傷した周辺領域を有する、
請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１のプロセス中の強磁性層が、プロセス中の強磁性自由層である、および
前記第２のプロセス中の強磁性層が、プロセス中の強磁性ピンド層である、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
基板、前記基板の上方のピンド強磁性層、前記ピンド強磁性層の上方のトンネルバリア層、および前記トンネルバリア層の上方の強磁性自由層を含む多層構造を用意するステップと、
前記プロセス中の強磁性層を形成する前に、ピラーを形成するために前記多層構造をエッチングするステップであり、前記ピラーが前記強磁性自由層の一部分を有するプロセス中の強磁性層を含む、エッチングするステップと、
をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
別のプロセス中の強磁性層を含むように前記ピラーをさらに形成する別のエッチングを行うステップであり、前記別のプロセス中の強磁性層が前記ピンド強磁性層の一部分を有する、別のエッチングを行うステップと
をさらに含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記別のプロセス中の強磁性層が、別の強磁性主領域および前記別の強磁性主領域を取り囲む別の化学的に損傷した周辺領域を含む前記強磁性ピンド層であり、前記別の化学的に損傷した周辺領域が、弱強磁性であり、前記方法は、
前記別の化学的に損傷した周辺領域の少なくとも一部分を別の化学的に修飾された周辺部分へと変換するステップであり、前記別の化学的に修飾された周辺部分が非強磁性である、変換するステップ
をさらに含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記別の化学的に修飾された周辺部分を取り囲むように保護層を形成するステップ
をさらに含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記強磁性自由層が、前記多層構造内の第１の深さのところに設置され、前記ピンド強磁性層が、前記第１の深さよりも大きい第２の深さのところに設置され、前記エッチングが第１のエッチングであり、前記第１のエッチングが、前記第１の深さよりも大きくかつ前記第２の深さより小さい深さまでであり、前記方法は、
第２のプロセス中の強磁性層を含むように前記ピラーをさらに形成するために前記第２の深さよりも大きい深さまで第２のエッチングを行うステップであり、前記第２のプロセス中の強磁性層が前記ピンド強磁性層の一部分を有する、第２のエッチングを行うステップ
をさらに含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１９】
前記第２のプロセス中の強磁性層が、第２の強磁性主領域および前記第２の強磁性主領域を取り囲む第２の化学的に損傷した周辺領域を有するプロセス中のピンド強磁性層であり、前記第２の化学的に損傷した周辺領域が、弱強磁性であり、前記方法は、
前記第２の化学的に損傷した領域の少なくとも一部分を第２の化学的に修飾された周辺部分へと変換するステップであり、前記第２の化学的に修飾された周辺部分が強磁性を失う、変換するステップ
をさらに含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記第２の化学的に修飾された周辺部分を取り囲むように別の保護層を形成するステップ
をさらに含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
磁気トンネル接合、ＭＴＪ、層を形成するための装置であって、
化学的に損傷した周辺領域によって取り囲まれた強磁性主領域を有するプロセス中の強磁性層を形成するための手段であり、前記化学的に損傷した周辺領域が弱強磁性である、形成するための手段と、
前記化学的に損傷した領域の少なくとも一部分を化学的に修飾された周辺部分へと変換するための手段であり、前記化学的に修飾された周辺部分が非強磁性である、変換するための手段と、
前記化学的に修飾された周辺部分を取り囲むように保護層を形成するための手段と
を備える装置。
【請求項２２】
プロセッサ装置によって実行されたときに、前記プロセッサ装置に、請求項１から２０のいずれか一項に記載の方法による磁気トンネル接合層を形成するための方法を実行する操作を実行させる命令を含むコンピュータ可読媒体。