【誤訳訂正書】
【提出日】平成29年5月23日(2017.5.23)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの溶媒、第１の小分子有機半導体および小分子結晶化調整剤を含む組成物であって、
第１の小分子有機半導体および小分子結晶化調整剤は互いに構造的に異なり、小分子結晶化調整剤は第２の小分子有機半導体であり、第１の小分子有機半導体および小分子結晶化調整剤は、それぞれ以下の式（ＶＩ）〜（Ｘ）のいずれかの式を有し、
2014533433.tif 000001
（式中、Ｘ１〜Ｘ１１は、同一または異なっていてもよく、
１〜２０個の炭素原子を有する非置換または置換の直鎖、分岐または環状アルキル基、１〜１２個の炭素原子を有するアルコキシ基、非置換または１〜８個の炭素原子を有する１若しくは２つのアルキル基（そのそれぞれは、同一または異なっていてもよい）で置換されてもよいアミノ基、アミド基、非置換または１〜８個の炭素原子を有する１、２若しくは３つのアルキル基で置換されてもよいシリル基、非置換または１〜８個の炭素原子を有する１、２若しくは３つのアルキル基で置換されてもよいシリルエチニル基および２〜１２個の炭素原子を有するアルケニル基からなる群から選択され；
Ｚ１およびＺ２は、独立にＳ、Ｏ、ＳｅまたはＮＲ４であり；
Ｗ１およびＷ２は、独立に、Ｓ、Ｏ、Ｓｅ、ＮＲ４または−ＣＲ４＝ＣＲ４−であり；
Ｖ１およびＶ２は、独立に、Ｓ、Ｏ、ＳｅまたはＮＲ５であり；
ここで、Ｒ４及びＲ５は、独立にＨ、または１〜２０個の炭素原子を有する非置換または置換の直鎖、分岐または環状アルキル基、１〜１２個の炭素原子を有するアルコキシ基、非置換または１〜８個の炭素原子を有する１または２つのアルキル基で置換されたアミノ基（そのそれぞれは同一または異なっていてもよい）、アミド基、シリル基および２〜１２個の炭素原子を有するアルケニル基からなる群から選択される置換基である；
Ａは、フェニル基またはチオフェン基であり、このフェニル基またはチオフェン基は、フェニル基またはチオフェン基と縮合してもよく、これらはフェニル基、チオフェン基およびベンゾチオフェン基から選択される基と縮合でき、このフェニル，チオフェンおよびベンゾチオフェン基のいずれかは、非置換または式Ｘ１１の少なくとも１つの基で置換されている。）
前記小分子結晶化調整剤が、第１の小分子有機半導体と同じコアを有する化合物であり、ここで小分子結晶化調整剤の少なくとも１つの置換基、置換基位置および置換基の数の１つ又は複数は、第１の小分子有機半導体の少なくとも１つの置換基、置換基位置および置換基の数とは異なる、該組成物。
【請求項２】
前記組成物がさらにポリマーを含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記ポリマーが式（ＸＩ）の繰り返し単位を含む、請求項２に記載の組成物：
【化１】
2014533433.tif 000002
式中、Ａｒ１およびＡｒ２は、各出現において独立に、置換または非置換アリールまたはヘテロアリール基から選択され、ｎは１以上であり、Ｒは各出現において、Ｈまたは置換基であり、ｘおよびｙはそれぞれ独立に１、２または３である。
【請求項４】
前記ポリマーが式（ＸＩＩ）の繰り返し単位を含む、請求項２または３に記載の組成物：
【化２】
2014533433.tif 000003
式中、２つの基Ｒ７は、同一または異なっていてもよく、それぞれＨまたは置換基であり、式中２つのＲ７は、連結して環を形成してもよい。
【請求項５】
前記第１の小分子有機半導体が式（Ｘ）を有する、請求項１〜４のいずれか１項に記載の組成物：
【化４】
2014533433.tif 000004
式中、Ａは、フェニル基またはチオフェン基であり、このフェニル基またはチオフェン基は、フェニル基またはチオフェン基と縮合してもよく、これらはフェニル基、チオフェン基およびベンゾチオフェン基から選択される基と縮合でき、このフェニル，チオフェンおよびベンゾチオフェン基のいずれかは、非置換または式Ｘ１１の少なくとも１つの基で置換されてもよく；各基Ｘ１１は、同一または異なっていてもよく、１〜２０個の炭素原子を有する非置換または置換の直鎖、分岐または環状アルキル基、１〜１２個の炭素原子を有するアルコキシ基、非置換または１〜８個の炭素原子を有する１若しくは２つのアルキル基（そのそれぞれは、同一または異なっていてもよい）で置換されてもよいアミノ基、アミド基、非置換または１〜８個の炭素原子を有する１、２若しくは３つのアルキル基で置換されてもよいシリル基、非置換または１〜８個の炭素原子を有する１、２若しくは３つのアルキル基で置換されてもよいシリルエチニル基および２〜１２個の炭素原子を有するアルケニル基からなる群から選択され、好ましくは式ＣｎＨ２ｎ＋１の基から選択され、式中、ｎは１〜２０の整数である。
【請求項６】
前記第１の小分子有機半導体：小分子結晶化調整剤重量比は、少なくとも２：１である、請求項１から５のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項７】
前記小分子結晶化調整剤が式（Ｘ）を有する、請求項１〜６のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項８】
前記第１の小分子有機半導体が式（Ｘ）を有し、前記小分子結晶化調整剤が式（Ｘ）を有する、請求項１〜７のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項９】
前記第１の小分子有機半導体及び前記小分子結晶化調整剤が同じコアを有し、前記第１の小分子有機半導体及び前記小分子結晶化調整剤が同じ位置において異なる１〜２０個の炭素原子を有するアルキル基で置換されている、請求項１から８のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１０】
その間にチャネル領域を規定するソース電極およびドレイン電極；前記チャネル領域を横断して延び、前記ソース電極およびドレイン電極と電気的に接触した状態の有機半導体層；ゲート電極；ならびに前記ゲート電極と有機半導体層および前記ソース電極およびドレイン電極との間のゲート誘電体を含む有機薄膜トランジスタを形成する方法であって、この方法が、請求項１から９のいずれか一項に記載の組成物を堆積し、少なくとも１つの溶媒を蒸発させることによって、有機薄膜トランジスタの有機半導体層を形成する工程を含む、方法。
【請求項１１】
前記組成物の堆積の前に、前記ソース電極およびドレイン電極の表面の少なくとも一部を改質する工程を更に含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記改質工程が、有機材料を、ソース電極およびドレイン電極の表面の少なくとも一部に結合させることを含み、前記有機材料が、式（ＸＩＩＩ）を有する、請求項１１に記載の方法：
Ｂｉｎｄ−（Ｓｐ）ｚ−Ｏｒｇ（ＸＩＩＩ）
式中、Ｂｉｎｄは、結合性基を表し、Ｓｐはスペーサー基を表し；ｚは０または１であり；Ｏｒｇは有機基である。
【請求項１３】
前記組成物の堆積の前に、前記チャネル領域の表面にシランを結合させることを含む、請求項１０又は１１に記載の方法。
【請求項１４】
その間にチャネル領域を規定するソース電極およびドレイン電極；チャネル領域を横断して延び、ソース電極およびドレイン電極と電気的に接触した状態の有機半導体層；ゲート電極；ならびにゲート電極と有機半導体層および前記ソース電極およびドレイン電極との間のゲート誘電体を含む有機薄膜トランジスタであって、前記有機半導体層は、第１の小分子有機半導体および小分子結晶化調整剤を含み、
第１の小分子有機半導体および小分子結晶化調整剤は互いに構造的に異なり、小分子結晶化調整剤は第２の小分子有機半導体であり、第１の小分子有機半導体および小分子結晶化調整剤は、それぞれ以下の式（ＶＩ）〜（Ｘ）のいずれかの式を有し、
2014533433.tif 000005
（式中、Ｘ１〜Ｘ１１は、同一または異なっていてもよく、
１〜２０個の炭素原子を有する非置換または置換の直鎖、分岐または環状アルキル基、１〜１２個の炭素原子を有するアルコキシ基、非置換または１〜８個の炭素原子を有する１若しくは２つのアルキル基（そのそれぞれは、同一または異なっていてもよい）で置換されてもよいアミノ基、アミド基、非置換または１〜８個の炭素原子を有する１、２若しくは３つのアルキル基で置換されてもよいシリル基、非置換または１〜８個の炭素原子を有する１、２若しくは３つのアルキル基で置換されてもよいシリルエチニル基および２〜１２個の炭素原子を有するアルケニル基からなる群から選択され；
Ｚ１およびＺ２は、独立にＳ、Ｏ、ＳｅまたはＮＲ４であり；
Ｗ１およびＷ２は、独立に、Ｓ、Ｏ、Ｓｅ、ＮＲ４または−ＣＲ４＝ＣＲ４−であり；
Ｖ１およびＶ２は、独立に、Ｓ、Ｏ、ＳｅまたはＮＲ５であり；
ここで、Ｒ４及びＲ５は、独立にＨ、または１〜２０個の炭素原子を有する非置換または置換の直鎖、分岐または環状アルキル基、１〜１２個の炭素原子を有するアルコキシ基、非置換または１〜８個の炭素原子を有する１または２つのアルキル基で置換されたアミノ基（そのそれぞれは同一または異なっていてもよい）、アミド基、シリル基および２〜１２個の炭素原子を有するアルケニル基からなる群から選択される置換基である；
Ａは、フェニル基またはチオフェン基であり、このフェニル基またはチオフェン基は、フェニル基またはチオフェン基と縮合してもよく、これらはフェニル基、チオフェン基およびベンゾチオフェン基から選択される基と縮合でき、このフェニル，チオフェンおよびベンゾチオフェン基のいずれかは、非置換または式Ｘ１１の少なくとも１つの基で置換されている。）
前記小分子結晶化調整剤が、第１の小分子有機半導体と同じコアを有する化合物であり、ここで小分子結晶化調整剤の少なくとも１つの置換基、置換基位置および置換基の数の１つ又は複数は、第１の小分子有機半導体の少なくとも１つの置換基、置換基位置および置換基の数とは異なる、
有機薄膜トランジスタ。
【請求項１５】
前記有機半導体層がさらに、ポリマーを含む、請求項１４に記載の有機薄膜トランジスタ。
【請求項１６】
前記有機材料が、ソース電極およびドレイン電極の表面の少なくとも一部に結合し、前記有機材料が、式（ＸＩＩＩ）：
Ｂｉｎｄ−（Ｓｐ）ｚ−Ｏｒｇ（ＸＩＩＩ）
（式中、Ｂｉｎｄは、結合性基を表し、Ｓｐはスペーサー基を表し；ｚは０または１であり；Ｏｒｇは有機基である）を有する、請求項１４又は１５に記載の有機薄膜トランジスタ。
【請求項１７】
シランが、前記チャネル領域の表面に結合する、請求項１４から１６のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタ。
【請求項１８】
前記第１の小分子有機半導体及び前記小分子結晶化調整剤が同じコアを有し、前記第１の小分子有機半導体及び前記小分子結晶化調整剤が同じ位置において異なる１〜２０個の炭素原子を有するアルキル基で置換されている、請求項１４から１７のいずれか１項に記載の有機薄膜トランジスタ。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
【化３】
2014533433.tif 000006
式中、Ａｒ３、Ａｒ４、Ａｒ５、Ａｒ６、Ａｒ７、Ａｒ８およびＡｒ９は、それぞれ独立に、単環式芳香族環および単環式ヘテロ芳香族環からなる群から選択され、Ａｒ３、Ａｒ４、Ａｒ５、Ａｒ６、Ａｒ７、Ａｒ８およびＡｒ９の少なくとも１つは、少なくとも１つの置換基Ｘで置換され、この置換基は、各出現において、同一または異なっていてもよく、１〜２０個の炭素原子を有する非置換または置換の直鎖、分岐または環状アルキル基、１〜１２個の炭素原子を有するアルコキシ基、非置換または１〜８個の炭素原子を有する１若しくは２つのアルキル基（そのそれぞれは、同一または異なっていてもよい）で置換されてもよいアミノ基、アミド基、非置換または１〜８個の炭素原子を有する１、２若しくは３つのアルキル基で置換されてもよいシリル基、非置換または１〜８個の炭素原子を有する１、２若しくは３つのアルキル基で置換されてもよいシリルエチニル基および２〜１２個の炭素原子を有するアルケニル基からなる群から選択され、式中、Ａｒ３、Ａｒ４およびＡｒ５はそれぞれ、１つ以上のさらなる単環式芳香族またはヘテロ芳香族環に縮合していてもよい。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３１】
小分子結晶化調整剤は、第１の小分子有機半導体と同じコアを有する化合物であってもよく、ここで小分子結晶化調整剤の少なくとも１つの置換基、置換基位置および置換基の数の１つ又は複数は、第１の小分子有機半導体の少なくとも１つの置換基、置換基位置および置換基の数とは異なっていてもよい。