(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
再生用の磁気抵抗効果素子と、この磁気抵抗効果素子に電流を供給するためのリード導体層と、このリード導体層上に積層形成された導電性保護層と、この導電性保護層上に形成された導電性バンプと、前記導電性保護層及び導電性バンプの周囲に形成された絶縁性保護層とを有する薄膜磁気ヘッドにおいて、
前記絶縁性保護層が、前記導電性保護層の周囲に該保護層表面と同一高さの平坦表面を有するように形成された第一絶縁性保護層と；前記導電性バンプを形成した後この第一絶縁性保護層とは別工程で形成された第二絶縁性保護層と；から構成されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
下部コア層と上部コア層の間に記録磁界を誘導するコイル層と、このコイル層に電流を供給するためのリード導体層と、このリード導体層上に積層形成された導電性保護層と、この導電性保護層上に形成された導電性バンプと、前記導電性保護層及び導電性バンプの周囲に形成された絶縁性保護層とを有する薄膜磁気ヘッドにおいて、
前記絶縁性保護層が、前記導電性保護層の周囲に該保護層表面と同一高さの平坦表面を有するように形成された第一絶縁性保護層と；前記導電性バンプを形成した後この第一絶縁性保護層とは別工程で形成された第二絶縁性保護層と；から構成されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
請求項１または２記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、第二絶縁性保護層は、前記導電性バンプの周囲に該バンプ表面と同一高さの平坦表面を有するように形成されている薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか一項に記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、絶縁性保護層は、Ａｌ２Ｏ３、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＯ２のうち１種または２種以上を含む無機絶縁材料から形成されている薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか一項に記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、導電性保護層は、Ｎｉ，Ｃｒ，Ｐ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｂ又はＷのうち１種又は２種以上の元素を含む単層構造又は多層構造からなる薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】
請求項２ないし５のいずれか一項に記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記コイル層は、第一のコイル層と、第一コイル層上に前記第一絶縁性保護層を介して形成された第二のコイル層と、前記導電性保護層を形成する工程において同時に形成され、前記第一絶縁性保護層内を貫通して前記第一のコイル層と前記第二のコイル層を導通接続するコンタクト部と；を備えている薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれか一項に記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、第一絶縁性保護層と第二絶縁性保護層との間には、メッキ下地膜が形成されている薄膜磁気ヘッド。
【請求項８】
再生用の磁気抵抗効果素子と、この磁気抵抗効果素子に電流を供給するためのリード導体層と、このリード導体層上に積層形成された導電性保護層と、この導電性保護層上に形成された導電性バンプと、前記導電性保護層及び導電性バンプの周囲に形成された絶縁性保護層とを有する薄膜磁気ヘッドにおいて、
（ａ）前記導電性保護層の周囲に該保護層表面と同一高さの平坦表面を有する第一絶縁性保護層を形成する工程と；
（ｂ）前記導電性保護層上に前記導電性バンプを形成する工程と；
（ｃ）前記導電性保護層と第一絶縁性保護層からなる平坦面上及び導電性バンプ上に、第二絶縁性保護層を形成する工程と；によって、
前記絶縁性保護層を形成することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項９】
下部コア層と上部コア層の間に記録磁界を誘導するコイル層と、このコイル層に電流を供給するためのリード導体層と、このリード導体層上に積層形成された導電性保護層と、この導電性保護層上に形成された導電性バンプと、前記導電性保護層及び導電性バンプの周囲に形成された絶縁性保護層とを有する薄膜磁気ヘッドにおいて、
（ａ）前記導電性保護層の周囲に該保護層表面と同一高さの平坦表面を有する第一絶縁性保護層を形成する工程と；
（ｂ）前記導電性保護層上に前記導電性バンプを形成する工程と；
（ｃ）前記導電性保護層と第一絶縁性保護層からなる平坦面上及び導電性バンプ上に、第二絶縁性保護層を形成する工程と；によって、
前記絶縁性保護層を形成することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１０】
請求項８または９記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法において、前記（ａ）工程と前記（ｂ）工程の間に、（ｄ）導電性保護層と第一絶縁性保護層上にメッキ下地膜を形成する工程が含まれる薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１１】
請求項８ないし１０のいずれか一項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法において、絶縁性保護層を、Ａｌ２Ｏ３、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＯ２のうち１種または２種以上を含む無機絶縁材料から形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１２】
請求項８ないし１０のいずれか一項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法において、導電性保護層を、Ｎｉ，Ｃｒ，Ｐ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｂ又はＷのうち１種又は２種以上の元素を含む単層構造または多層構造でメッキ形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１３】
請求項９記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法において、前記（ａ）工程前に、（ｅ）下部コア層上にコイル絶縁下地層を形成する工程と；（ｆ）このコイル絶縁下地層上に第一のコイル層を形成する工程と；（ｇ）前記導電性保護層を形成すると共に、前記第一のコイル層の巻き中心部上にコンタクト部をメッキ形成する工程と；を有し、
前記（ｂ）工程と前記（ｃ）工程の間に、（ｈ）前記第一絶縁性保護層上に第二のコイル層を形成し、該第二のコイル層の巻き中心部を前記コンタクト部に導通接続させる工程を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１４】
請求項８ないし１３のいずれか一項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法において、前記（ａ）工程と前記（ｂ）工程の間に、（ｉ）前記導電性保護層と前記第一絶縁性保護層上にメッキ下地膜を形成する工程を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の技術分野】
本発明は、バンプを備えた薄膜磁気ヘッド及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来技術およびその問題点】
薄膜磁気ヘッドには、上部コア層と下部コア層の間に記録磁界を誘導するコイル層や記録媒体からの漏れ磁界を検出する磁気抵抗効果素子に、電流を供給するための電極部が備えられている。この電極部は、コイル層及び磁気抵抗効果素子に導通接続したリード導体層と、外部接続用の電極パッド層と、これらリード導体層と電極パッド層とをそれぞれ導通接続させるバンプなどから構成され、従来では例えば下記工程によって形成されている。
【０００３】
先ず、コイル層及び磁気抵抗効果素子に導通接続させたリード導体層を形成し、該リード導体層上のバンプを形成する範囲に、導電性保護層を形成する。次に、導電性保護層上に断面傘状のバンプをメッキ形成し、このバンプを含む全面にアルミナや二酸化珪素からなる絶縁性保護層をスパッタ成膜する。そして、絶縁性保護層を研磨してバンプの上面を露出させ、該バンプ上にＡｕ等の導電材料からなる電極パッド層を形成する。これにより電極部を得る。
【０００４】
しかしながら、上記従来の製造方法では、図１６に示すように導電性保護層１５’の両端部に絶縁性保護層２０’の成膜されない部分（隙間γ）が生じてしまうことが問題になっている。このような隙間γがあると、バンプ上面を露出させるための研磨作業時に研磨液が隙間γに溜まり、バンプ１６’が腐食してしまう。このため、バンプ１６’が導通せず、リード導体層１０’を介してコイル層や磁気抵抗効果素子に電流を供給できない場合があった。
【０００５】
【発明の目的】
本発明は、上記事情に鑑み、導電性を良好に確保できるバンプを備えた薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を得ることを目的とする。
【０００６】
【発明の概要】
本発明は、リード導体層と導電性保護層との間に生じた段差を無くすことで絶縁性保護層の形成されない範囲を狭くできることに着目したものである。すなわち本発明の再生用薄膜磁気ヘッドに適用する態様では、再生用の磁気抵抗効果素子と、この磁気抵抗効果素子に電流を供給するためのリード導体層と、このリード導体層上に積層形成された導電性保護層と、この導電性保護層上に形成された導電性バンプと、これら導電性保護層及び導電性バンプの周囲に形成された絶縁性保護層とを有する薄膜磁気ヘッドにおいて、上記絶縁性保護層が、上記導電性保護層の周囲に該保護層表面と同一高さの平坦表面を有するように形成された第一絶縁性保護層と；上記導電性バンプを形成した後この第一絶縁性保護層とは別工程で形成された第二絶縁性保護層と；から構成されていることを特徴としている。
【０００７】
本発明は、コイル層へ電流を供給するための導電性バンプにも適用可能である。この記録用薄膜磁気ヘッドに適用する態様では、下部コア層と上部コア層の間に記録磁界を誘導するコイル層と、このコイル層に電流を供給するためのリード導体層と、このリード導体層上に積層形成された導電性保護層と、この導電性保護層上に形成された導電性バンプと、これら導電性保護層及び導電性バンプの周囲に形成された絶縁性保護層とを有する薄膜磁気ヘッドにおいて、上記絶縁性保護層が、上記導電性保護層の周囲に該保護層表面と同一高さの平坦表面を有するように形成された第一絶縁性保護層と；上記導電性バンプを形成した後この第一絶縁性保護層とは別工程で形成された第二絶縁性保護層と；から構成されていることを特徴としている。
【０００８】
上記構成によれば、導電性バンプが形成される導電性保護層と同一高さを有するように第一絶縁性保護層が成膜され、導電性保護層と第一絶縁性保護層との間の段差が解消される。これにより、導電性バンプ形成後の別工程において第二絶縁性保護層が形成されるときに、第二絶縁性保護層の形成されない範囲が狭くなり、研磨作業により導電性バンプの上面を露出させても隙間が生じなくなる。したがって、研磨液による導電性バンプの腐食を防止することができ、導電性の良好なバンプを得ることができる。
【０００９】
絶縁性保護層は、その上面がＣＭＰ技術等によって研磨されるため、Ａｌ２Ｏ３、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＯ２のうち１種または２種以上を含む無機絶縁材料から形成されていることが好ましい。また導電性保護層は、リード導体層に比べて硬い金属で構成されることが好ましく、具体的にはＮｉ，Ｃｒ，Ｐ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｂ又はＷのうち１種又は２種以上の元素を含む単層構造又は多層構造とすることができる。
【００１０】
上記コイル層は、単層構造であっても多層構造であってもよい。例えばコイル層を２層構造とする場合には、第一のコイル層と、第一コイル層上に第一絶縁性保護層を介して形成された第二のコイル層と、導電性保護層を形成する工程において同時に形成され、第一絶縁性保護層内を貫通して第一のコイル層と第二のコイル層を導通接続するコンタクト部とを備える。
【００１１】
第一絶縁性保護層と第二絶縁性保護層との間には、導電性バンプの密着性を良くするため、メッキ下地膜が形成されていてもよい。
【００１２】
本発明の再生用薄膜磁気ヘッドの製造方法は、再生用の磁気抵抗効果素子と、この磁気抵抗効果素子に電流を供給するためのリード導体層と、このリード導体層上に積層形成された導電性保護層と、この導電性保護層上に形成された導電性バンプと、これら導電性保護層及び導電性バンプの周囲に形成された絶縁性保護層とを有する薄膜磁気ヘッドにおいて、（ａ）導電性保護層の周囲に該保護層表面と同一高さの平坦表面を有する第一絶縁性保護層を形成する工程と；（ｂ）導電性保護層上に導電性バンプを形成する工程と；（ｃ）導電性保護層と第一絶縁性保護層からなる平坦面上及び導電性バンプ上に、第二絶縁性保護層を形成する工程と；によって、上記絶縁性保護層を形成することを特徴としている。
【００１３】
また、本発明の記録用薄膜磁気ヘッドの製造方法は、下部コア層と上部コア層の間に記録磁界を誘導するコイル層と、このコイル層に電流を供給するためのリード導体層と、このリード導体層上に積層形成された導電性保護層と、この導電性保護層上に形成された導電性バンプと、これら導電性保護層及び導電性バンプの周囲に形成された絶縁性保護層とを有する薄膜磁気ヘッドにおいて、（ａ）導電性保護層の周囲に該保護層表面と同一高さの平坦表面を有する第一絶縁性保護層を形成する工程と；（ｂ）導電性保護層上に導電性バンプを形成する工程と；（ｃ）導電性保護層と第一絶縁性保護層からなる平坦面上及び導電性バンプ上に、第二絶縁性保護層を形成する工程と；によって、上記絶縁性保護層を形成することを特徴としている。
【００１４】
コイル層を２層構造で形成する場合には、上記（ａ）工程前に、（ｅ）下部コア層上にコイル絶縁下地層を形成する工程と；（ｆ）このコイル絶縁下地層上に第一のコイル層を形成する工程と；（ｇ）前記導電性保護層を形成すると共に、前記第一のコイル層の巻き中心部上にコンタクト部をメッキ形成する工程と；を有し、上記（ｂ）工程と上記（ｃ）工程の間に、（ｈ）前記第一絶縁性保護層上に第二のコイル層を形成し、該第二のコイル層の巻き中心部を前記コンタクト部に導通接続させる工程を有する。
【００１５】
上記（ａ）工程と上記（ｂ）工程の間には、（ｉ）導電保護層と第一絶縁性保護層上にメッキ下地膜を形成する工程が含まれていてもよい。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、図面に基づいて本発明を説明する。図２、図３及び図６〜図１６において、Ｘ方向はトラック幅方向、Ｙ方向はデプス方向、Ｚ方向は記録媒体の移動方向及び薄膜電極層の積層方向である。
【００１７】
図１は、本発明による薄膜磁気ヘッドＨを搭載したスライダ１のトレーリング端面１ａを示す部分平面図である。図１では、スライダ１の図示上面が、記録媒体との対向面（ＡＢＳ面）となっている。スライダ１は、アルミナチタンカーバイド（Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ）等のセラミック材料で形成されていて、そのトレーリング端面１ａのＡＢＳ面側に薄膜磁気ヘッドＨを搭載している。
【００１８】
薄膜磁気ヘッドＨは、再生用のＭＲヘッドと記録用のインダクティブヘッドとが積層形成された、いわゆる複合型薄膜磁気ヘッドである。この薄膜磁気ヘッドＨは、ＭＲヘッドを構成する磁気抵抗効果素子やインダクティブヘッドを構成するコイル層に電流を供給するためのリード導体層１０を備えている。リード導体層１０は、磁気抵抗効果素子に導通接続された第一及び第二電極リード層１１、１２と、コイル層に導通接続された第一及び第二コイルリード層１３、１４とからなる。このリード導体層１０は、例えばＣｕなどの導電材料によって形成される。
【００１９】
第一、第二電極リード層１１、１２及び第一、第二コイルリード層１３、１４上には、外部接続端部（終端部）に位置させて、所定厚さの導電性保護層１５がそれぞれ形成されている（図２〜図４）。導電性保護層１５は、リード導体層１０の表面が酸化されないように、及び形成された酸化層を除去するためのイオンミリング工程時にリード導体層１０が削られないように設けられたもので、リード導体層１０よりも硬質の金属材料によって形成される。具体的には、Ｎｉ，Ｃｒ，Ｐ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｂ又はＷのうち１種又は２種以上の元素を含む単層構造又は多層構造から導電性保護層１５を形成することが好ましい。
【００２０】
各導電性保護層１５の上には、導電性を有する断面傘状のバンプ（導電性バンプ）１６がメッキ形成され、このバンプ１６上には、外部接続端子として機能する電極パッド層１７がそれぞれ形成されている。これら電極パッド層１７は、導電性保護層１５及びバンプ１６を介して、各リード導体層１０（第一、第二電極リード層１１、１２及び第一、第二コイルリード層１３、１４）が導通接続している。
【００２１】
以上の薄膜磁気ヘッドＨでは、導電性保護層１５及びバンプ１６の周囲に、絶縁性保護層２０が形成されている。図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図であって、第一コイルリード層１３の外部接続端部における構造を示している。なお、第一、第二電極リード層１１、１２及び第二コイルリード層１４の外部接続端部におけるバンプ構造は、図示していないが、図２に示す第一コイルリード層１３のバンプ構造と同一構造をとるので、以下では図２を参照して説明する。
【００２２】
絶縁性保護層２０は、導電性保護層１５の周囲に形成された、導電性保護層１５と同一高さの平坦面αを有する第一絶縁性保護層２１と、第一絶縁性保護層２１とは別工程によって、バンプ１６の周囲に形成された第二絶縁性保護層２２とからなる。第二絶縁性保護層２２は、バンプ１６を覆う膜厚で形成された後、バンプ１６の上面が露出するまで研磨されている。これら第一及び第二絶縁性保護層２１、２２は、例えばＡｌ２Ｏ３等の無機絶縁材料からなる。
【００２３】
このように絶縁性保護層２０を第一絶縁性保護層２１と第二絶縁性保護層２２から形成すると、バンプ１６の形成される面が導電性保護層１５及び第一絶縁性保護層２１によって全面的に平坦化される。これにより、バンプ形成後の別工程において第二絶縁性保護層２２を形成するときに、第二絶縁性保護層２２の形成されない範囲βが狭くなる。すなわち、研磨作業によりバンプ１６の上面を露出させたときに隙間が生じず、研磨液によるバンプ１６の腐食を防止することができる。よって、導電性の良好なバンプ１６を得ることができる。
【００２４】
以下では、図２ないし図５を参照し、薄膜磁気ヘッドＨを構成する各層について説明する。図３は図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図であって、図５は図１のＶ−Ｖ線に沿う断面図である。図４は、インダクティブヘッドを構成するコイル層とリード導体層１０との導通接続を説明する分解斜視図である。
【００２５】
図５に示すようにスライダ１上には、積層方向に沿って順に、アルミナアンダーコート膜３１、パーマロイ（ＮｉＦｅ合金）等の軟磁性材料からなる下部シールド層３２、アルミナ等の非磁性材料からなる下部ギャップ層３３及び磁気抵抗効果素子Ｍが形成されている。磁気抵抗効果素子Ｍは、ＡＢＳ面に露出していて、電流が与えられた状態では記録媒体からの漏れ磁界に応じて抵抗値が変化する。薄膜磁気ヘッドＨは、この磁気抵抗効果素子Ｍの抵抗値変化に基づき、記録媒体に記録された磁気信号を再生する。磁気抵抗効果素子Ｍには、ＧＭＲ（ｇｉａｎｔ  ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）素子やＡＭＲ（ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）素子を用いることができる。
【００２６】
磁気抵抗効果素子Ｍには、トラック幅方向の両側からデプス方向に向けて広がる電極層３４が接続されている。この磁気抵抗効果素子Ｍ及び電極層３４上には、アルミナ等からなる上部ギャップ層３５を介して、パーマロイ（ＮｉＦｅ合金）等の軟磁性材料による上部シールド層３６が形成されている。上部シールド層３６の周囲には、絶縁層４５が形成されている。電極層３４は、上部ギャップ層３５及び絶縁層４５を貫通して該電極層３４上に形成された第一コンタクト部４９ａ及び第二コンタクト部（不図示）を介し、上述の第一及び第二電極リード層１１、１２に導通接続されている（図３）。以上の下部シールド層３１から上部シールド層３６までが再生用のＭＲヘッドである。
【００２７】
本薄膜磁気ヘッドＨでは、上部シールド層３６がインダクティブヘッドの下部コア層として機能している。下部コア層３６上には、ＡＢＳ面からデプス方向に向けて所定の長さ寸法で磁極部４０が形成されていて、該磁極部４０のトラック幅方向の寸法によりトラック幅が規定される。磁極部４０は、下部コア層３６と磁気的に接続する下部磁極層３７、非磁性金属材料からなるギャップ層３８、及び上部コア層５０と磁気的に接続する上部磁極層３９の三層構造をなしている。また下部コア層３６上には、ＡＢＳ面からデプス方向に向かって所定長さ離れた位置に、Ｇｄ決め絶縁層４１が例えばレジスト材料等により形成されている。薄膜磁気ヘッドＨのギャップデプス（Ｇｄ）は、ＡＢＳ面からＧｄ決め絶縁層４１の先端部までの距離によって規制される。
【００２８】
下部コア層３６上であって磁極部４０よりもデプス方向に進んだ位置には、コイル絶縁下地層４２を介して、Ｃｕ等の電気抵抗の低い導電材料からなる第一のコイル層４３が形成されている。第一のコイル層４３は、バックギャップ層４４からデプス方向に向かって所定長さ離れた位置に巻き中心部４３ａを有し、この巻き中心部４３ａを中心として螺旋状をなしている。第一のコイル層４３の各導体部のピッチ間は、第一のコイル絶縁層４６によって塞がれている。第一のコイル絶縁層４６には、ピッチ間が確実に埋まるように、レジスト材料等の有機絶縁材料を用いる。これら第一のコイル層４３及び第一のコイル絶縁層４６の上面は上記第一絶縁性保護層２１によって覆われており、該第一絶縁性保護層２１の上面が磁極層４０と上部コア層５０の接合面Ｄと同一面を構成している。第一絶縁性保護層２１上には、巻き中心部４７ａを中心に螺旋状をなす第二のコイル層４７と、該第二のコイル層４７の上面を覆うと共に第二のコイル層４７の各導体部のピッチ間を埋める第二のコイル絶縁層４８とが形成されている。第二のコイル絶縁層４８には、第一のコイル絶縁層４６と同様、レジスト材料等の有機絶縁材料を用いる。なお、第二のコイル層４７の巻き方向は、第一のコイル層４３の巻き方向と逆向きである。
【００２９】
第一のコイル層４３と第二のコイル層４７は、巻き中心部４３ａ、４７ａにおいて、第三コンタクト部４９ｂを介し導通接続されている。すなわち、第三コンタクト部４９ｂは、第一のコイル層４３の巻き中心部４３ａ上に、第一絶縁性保護層２１内を貫通してメッキ形成されていて、第三コンタクト部４９ｂの上面と第一絶縁性保護層２１の上面が同一面を構成している。そして、第三コンタクト部４９ｂ上に、第二のコイル層４７の巻き中心部４７ａが形成されている。以上の第一のコイル層４３、第二のコイル層４７及び第三コンタクト部４９ｂによって、本実施形態のコイル層が構成される。
【００３０】
第一のコイル層４３の巻き終端部４３ｂには、上記第一コイルリード層１３が、該巻き終端部４３ｂから引き延ばされて第一のコイル層４３と一体に形成されている。一方、第二のコイル層４７の巻き終端部４７ｂには、第四コンタクト部４９ｃを介して上記第二コイルリード層１４が形成されている。これにより、第一のコイル層４３と第一コイルリード層１３が導通し、第二のコイル層４７と第二コイルリード層１４が導通する。なお、第一及び第二コイルリード層１３、１４は、第一のコイル層４３と同じ形成面にしかも同じ工程時にメッキ形成される。同様に上記第一、第二電極リード層１１、１２も、第一のコイル層４３と同じ形成面にしかも同じ工程でメッキ形成される。
【００３１】
第二のコイル絶縁層４８上には、上部コア層５０が例えばフレームメッキ法等により形成されている。上部コア層５０の先端部５０ａは上部磁極層３９に磁気的に接続され、上部コア層５０の基端部５０ｂはバックギャップ層４４に磁気的に接続されている。この上部コア層５０の上面は、上記第二絶縁性保護層２２によって覆われている。
【００３２】
図６〜図１５は、薄膜磁気ヘッドＨの製造工程を示す部分縦断面図である。各図において、（ａ）は図１のＶ−Ｖ線に沿う断面を、（ｂ）は図１のＩＩ−ＩＩに沿う断面をそれぞれ示している。なお、第一、第二電極リード層１１、１２及び第二コイルリード層１４の外部接続端における構造の製造工程は、図６〜図１５の（ｂ）に示す製造工程と同一工程であるため、図示省略してある。
【００３３】
以下では説明簡略化のため、下部コア層３６上に磁極部４０及びバックギャップ層４４が形成された状態（図６）以降の製造工程について説明する。
【００３４】
先ず、磁極部４０上から下部コア層３６及びバックギャップ層４４上にかけてコイル絶縁下地層４２を形成し、このコイル絶縁下地層４２上に、第一のコイル層４３をパターン形成する。このとき、第一のコイル層４３の巻き中心部４３ａをバックギャップ層４４よりもデプス方向後方に位置させる。そして、巻き中心部４３ａから螺旋状に第一のコイル層４３をメッキ形成する（図７（ａ））。この第一のコイル層４３の形成時には、下部コア層３６の周囲に形成された絶縁層４５上に、リード導体層１０を同時形成する。すなわち、第一のコイル層４３の巻き終端部４３ｂに連続させて第一コイルリード層１３を形成し（図７（ｂ）、図４）、第一のコイル層４３と離れた位置に第二のコイルリード層１４を形成し（図４）、さらに、第一コンタクト部４９ａ上及び第二コンタクト部（不図示）上に第一及び第二電極リード層１１、１２を形成する（図３、図４）。なお、第一及び第二電極リード層１１、１２と電極層３４を導通接続する第一コンタクト部４９ａ及び第二コンタクト部は、下部コア層３６の形成時よりも前の工程で形成されている。
【００３５】
第一のコイル層４３及びリード導体層１０を形成したら、第三、第四コンタクト部４９ｂ、４９ｃ及び導電性保護層１５を、以下の工程によりメッキ形成する。先ず、第一のコイル層４３及びリード導体層１０上に、レジスト層６０を形成する（図８）。レジスト層６０の膜厚ｄは、第三コンタクト部４９ｂ等の上面と磁極部４０の上面を同一面にしやすくするため、磁極部４０の高さ寸法と同程度あるいは該高さ寸法よりも大きくする。次に、第一のコイル層４３の巻き中心部４３ａ上に位置するレジスト層６０部分に露光現像によって抜きパターン６１を形成し（図８（ａ））、第一コイルリード層１３の外部接続端部上の位置に抜きパターン６２を形成する（図８（ｂ））。同様にして、図示外の、形成すべき第二のコイル層４７の巻き中心部４７ａの直下位置、及び第一、第二電極リード層１１、１２及び第二コイルリード層１４の外部接続端部上の位置に、それぞれ抜きパターンを形成する。続いて、図９（ａ）（ｂ）に示すように、抜きパターン６１、６２内に第三コンタクト部４９ｂ、導電性保護層１５をメッキ形成する。これと共に、同様にして第四コンタクト部４９ｃ及び導電性保護層１５をメッキ形成する。そして、レジスト層６０を除去し、図１０に示す状態を得る。第三、第四コンタクト部４９ｂ、４９ｃ及び導電性保護層１５の上面は、磁極部４０の上面（磁極部４０と上部コア層５０の接合面Ｄ）と同一面を形成している。
【００３６】
上記工程において、導電性保護層１５は、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｐ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｂ又はＷのうち１種または２種以上の元素を含む単層構造又は多層構造によって形成することが好ましい。この組成構造によれば、製造工程中に導電性保護層１５に酸化層が形成されたとしても、酸化層が導電性保護層１５の厚さ以上になることがないので、イオンミリング等によって酸化層を確実に除去できる。また、上記イオンミリングの際にリード導体層１０を傷つけるおそれもない。
【００３７】
続いて、第一のコイル層４３の各導体部のピッチ間に、レジスト等の有機絶縁材料からなる第一のコイル絶縁層４６を埋める。その後、第一のコイル層４３上及びリード導体層１０上に、第一絶縁性保護層２１をスパッタ形成する（図１１）。第一絶縁性保護層２１は、その上面がＣＭＰ技術等によって研磨されるため、無機絶縁材料で形成されることが好ましい。この無機絶縁材料には、Ａｌ２Ｏ３、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＯ２から１種または２種以上を選択することが好ましい。なお、第一絶縁性保護層２１は、磁極部４０及びバックギャップ層４４上にもスパッタ形成される。
【００３８】
続いて、第一絶縁性保護層２１の上面を図１１（ａ）に示すＦ−Ｆ線まで、例えばＣＭＰ技術等を用いて研磨する。この研磨加工によって、磁極部４０、バックギャップ層４４、第三、第四コンタクト部４９ｂ、４９ｃ及び導電性保護層１５の上面が、第一絶縁性保護層２１の上面と同一平面となって露出する。これにより、導電性保護層１５の周囲に、該導電性保護層１５と同一高さを有する平坦面αが得られる（図１２）。
【００３９】
この研磨加工によれば、平坦面αが得られるだけでなく、第三、第四コンタクト部４９ｂ、４９ｃ及び導電性保護層１５上に形成された酸化層を除去することができる。これにより、第三及び第四コンタクト部４９ｂ、４９ｃと第二のコイル層４７との密着性、及び導電性保護層１５とバンプ１６との密着性を向上させることができる。なお、上記研磨工程と次に説明する第二のコイル層４７の形成工程との間に薄膜磁気ヘッドが空気に曝される場合があるときは、第二のコイル層４７の形成前にエッチングを施して、新たに導電性保護層１５に形成された酸化層を除去することが好ましい。
【００４０】
上記平坦面αを得たら、第一絶縁性保護層２１上に、第二のコイル層４７をメッキ形成する。このとき、第二のコイル層４７の巻き中心部４７ａを第三コンタクト部４９ｂ上に形成し、第一のコイル層４３と第二のコイル層４７とを導通接続させる。そして、第二のコイル層４７の各導体部のピッチ間及び第二のコイル層４７上を、レジスト材料等の有機絶縁材料からなる第二のコイル絶縁層４８で覆い（図１３）、第二のコイル絶縁層４８上に上部コア層５０をフレームメッキ法等により形成する（図１４）。
【００４１】
上部コア層５０を形成したら、平坦面αをなす導電性保護層１５上に、例えばＣｕなどの導電材料を用いて、図１５に示す断面傘状のバンプ１６をメッキ形成する。そして上部コア層５０上及びバンプ１６の周囲を覆うように、第二絶縁性保護層２２をスパッタ形成する（図１５）。このとき第二絶縁性保護層２２がスパッタ形成される面（バンプ１６が形成された面（平坦面α））は全面的に平坦化されていて段差がないから、ほぼ均一に第二絶縁性保護層２２を形成することができる。すなわち、第二絶縁性保護層２２の形成されない範囲βを狭くすることができる。よって、後工程の研磨作業でバンプ１６の上面を露出させたときに隙間が生じず、該隙間に研磨液が溜まる事態も起こらない。これにより、研磨液によるバンプ１６の腐食を防止でき、バンプ１６の導電性を良好に確保することができる。
【００４２】
続いて、第二絶縁性保護層２２の上面を図１５（ｂ）に示すＥ−Ｅ線まで、例えばＣＭＰ技術等を用いて研磨する。この研磨加工によって、バンプ１６の上面を露出させる。そして、露出させたバンプ１６の表面に、外部接続端子となる電極パッド層１７を形成する。以上により、図２及び図５に示す薄膜磁気ヘッドＨが得られる。
【００４３】
以上の本薄膜磁気ヘッドＨによれば、導電性保護層１５と同一高さを有するように第一絶縁性保護層２１を形成することで、バンプ１６の形成される面上を全面的に平坦化している。このように導電性保護層１５と第一絶縁性保護層２１との間に段差が生じていなければ、バンプ１６形成後の工程によって第二絶縁性保護層２２を形成したとき第二絶縁性保護層２２の形成されない範囲βが狭くなるから、研磨作業によりバンプ１６の上面を露出させても隙間が生じなくなる。したがって、研磨液によってバンプ１６が腐食されることがなく、導電性の良好なバンプを得ることができる。
【００４４】
本実施形態では、バンプ１６の周囲部分において、第一絶縁性保護層２１上に第二絶縁性保護層２２が直接形成されているが、第一絶縁性保護層２１と第二絶縁性保護層２２の間にはメッキ下地膜が形成されていてもよい。メッキ下地膜が形成されている場合には、バンプ１６の密着性をより向上させることができる。
【００４５】
また、本実施形態では２層構造のコイル層を用いているが、本発明は、単層構造及び２層以上の多層構造をなすコイル層にも適用可能である。
【００４６】
以上では、再生用ＭＲヘッドと記録用インダクティブヘッドとが積層された複合型薄膜磁気ヘッドに本発明を適用した実施形態について説明したが、本発明は、再生専用の薄膜磁気ヘッドや記録専用の薄膜磁気ヘッドにも適用可能である。
【００４７】
【発明の効果】
本発明によれば、導電性を良好に確保できるバンプを備えた薄膜磁気ヘッド及びその製造方法が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による薄膜磁気ヘッドを搭載したスライダのトレーリング端面を示す部分平面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。
【図３】図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図である。
【図４】インダクティブヘッドを構成するコイル層と、リード導体層との導通接続を説明する分解斜視図である。
【図５】図１のＶ−Ｖ線に沿う断面図である。
【図６】薄膜磁気ヘッドＨの製造方法の一工程を示す部分縦断面図であって、（ａ）は図１のＶ−Ｖ線に沿う断面、（ｂ）は図１のＩＩ−ＩＩに沿う断面を示している。
【図７】図６の次工程を示す部分断面図であって、（ａ）は図１のＶ−Ｖ線に沿う断面、（ｂ）は図１のＩＩ−ＩＩに沿う断面を示している。
【図８】図７の次工程を示す部分断面図であって、（ａ）は図１のＶ−Ｖ線に沿う断面、（ｂ）は図１のＩＩ−ＩＩに沿う断面を示している。
【図９】図８の次工程を示す部分断面図であって、（ａ）は図１のＶ−Ｖ線に沿う断面、（ｂ）は図１のＩＩ−ＩＩに沿う断面を示している。
【図１０】図９の次工程を拡大して示す部分断面図であって、（ａ）は図１のＶ−Ｖ線に沿う断面、（ｂ）は図１のＩＩ−ＩＩに沿う断面を示している。
【図１１】図１０の次工程を拡大して示す部分断面図であって、（ａ）は図１のＶ−Ｖ線に沿う断面、（ｂ）は図１のＩＩ−ＩＩに沿う断面を示している。
【図１２】図１１の次工程を拡大して示す部分断面図であって、（ａ）は図１のＶ−Ｖ線に沿う断面、（ｂ）は図１のＩＩ−ＩＩに沿う断面を示している。
【図１３】図１２の次工程を拡大して示す部分断面図であって、（ａ）は図１のＶ−Ｖ線に沿う断面、（ｂ）は図１のＩＩ−ＩＩに沿う断面を示している。
【図１４】図１３の次工程を拡大して示す部分断面図であって、（ａ）は図１のＶ−Ｖ線に沿う断面、（ｂ）は図１のＩＩ−ＩＩに沿う断面を示している。
【図１５】図１４の次工程を拡大して示す部分断面図であって、（ａ）は図１のＶ−Ｖ線に沿う断面、（ｂ）は図１のＩＩ−ＩＩに沿う断面を示している。
【図１６】従来のバンプ構造を示す部分断面図である。
【符号の説明】
Ｈ  薄膜磁気ヘッド
Ｍ  磁気抵抗効果素子
α  平坦面
１  スライダ
１ａ  トレーリング端面
１０  リード導体層
１１  第一電極リード層
１２  第二電極リード層
１３  第一コイルリード層
１４  第二コイルリード層
１５  導電性保護層
１６  バンプ
１７  電極パッド層
２０  絶縁性保護層
２１  第一絶縁性保護層
２２  第二絶縁性保護層
３１  アルミナアンダーコート膜
３２  下部シールド層
３３  下部ギャップ層
３４  電極層
３５  上部ギャップ層
３６  上部シールド層（下部コア層）
３７  下部磁極層
３８  ギャップ層
３９  上部磁極層
４０  磁極部
４１  Ｇｄ決め絶縁層
４２  コイル絶縁下地層
４３  第一のコイル層
４３ａ  巻き中心部
４４  バックギャップ層
４５  絶縁層
４６  第一のコイル絶縁層
４７  第二のコイル層
４７ａ  巻き中心部
４８  第二のコイル絶縁層
４９ａ  第一コンタクト部
４９ｂ  第三コンタクト部
４９ｃ  第四コンタクト部
５０  上部コア層
５０ａ  先端部
５０ｂ  基端部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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