【手続補正書】
【提出日】平成29年7月31日(2017.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガンマ線またはＸ線の放射線量子を検出する放射線検出装置であって、
互いに対向する２つの面を有する半導体シンチレータ要素と、
前記シンチレータ要素と光連通した少なくとも１つの光検出器とを有し、
前記少なくとも１つの光検出器は光検出器電気出力を有し、検出されたガンマ線またはＸ線の放射線量子の受光時を示す第１の電気信号を生成して前記光検出器電気出力に出力するように構成されており、
２つのシンチレータ要素面の一方の少なくとも一部と電気的に連通している少なくとも１つのカソードと、
前記２つのシンチレータ要素面の他方の少なくとも一部と電気的に連通している少なくとも１つのアノードとを有し、
前記少なくとも１つのカソードまたは前記少なくとも１つのアノードのうち少なくとも一方は、検出されたガンマ線またはＸ線の放射線量子のエネルギーを示す第２の電気信号を生成するように構成されている、
放射線検出装置。
【請求項２】
前記第２の電気信号は前記第１の電気信号の後に生成される、
請求項１に記載の放射線検出装置。
【請求項３】
前記半導体シンチレータ要素はアモルファス構造または多結晶構造またはセラミック構造を有する、
請求項１に記載の放射線検出装置。
【請求項４】
シールディング電極をさらに有し、
前記シールディング電極は、前記アノードと前記カソードとの間のシンチレータ要素内に組み込まれた導電平面レイヤであり、前記シンチレータ要素から電気的に絶縁されており、
前記電気的に絶縁された導電レイヤは、前記導電レイヤと前記カソードとの間の領域から、前記導電レイヤと前記アノードとの間の領域までの経路に沿って電子の通過を許すように構成された複数の穿孔を有する、
請求項３に記載の放射線検出装置。
【請求項５】
ガンマ線またはＸ線の放射線量子を検出する放射線検出装置であって、 ２つの互いに対向する面、第１の側面、及び第２の側面を有する半導体シンチレータ要素であって、前記第１の側面と前記第２の側面は、前記２つの互いに対向する面の間に配置された、半導体シンチレータ要素と、
前記シンチレータ要素と光連通した少なくとも１つの光検出器とを有し、
前記少なくとも１つの光検出器は光検出器電気出力を有し、検出されたガンマ線またはＸ線の放射線量子の受光時を示す第１の電気信号を生成して前記光検出器電気出力に出力するように構成され、
２つのシンチレータ要素面の一方の少なくとも一部と電気的に連通している少なくとも１つのカソードと、
前記２つのシンチレータ要素面の他方の少なくとも一部と電気的に連通している少なくとも１つのアノードとを有し、
前記少なくとも１つのカソードまたは前記少なくとも１つのアノードのうち少なくとも一方は、検出されたガンマ線またはＸ線の放射線量子のエネルギーを示す第２の電気信号を生成するように構成され、
前記少なくとも１つのアノードと前記少なくとも１つのカソードとの間の領域のシンチレータ要素内に組み込まれた複数の誘導検知電極とを有し、
前記複数の誘導検知電極は、シンチレータ要素の第１の側面から第１の方向に延在し、各長い導体を取り囲む絶縁領域により、シンチレータ要素からそれぞれ電気的に絶縁された前記長い導体の第１のレイヤと、シンチレータ要素の第２の側面から第２の方向に延在し、各長い導体を囲む絶縁領域により、シンチレータ要素からそれぞれ電気的に絶縁された前記長い導体の第２のレイヤとを含み、
前記第１のレイヤ、前記第２のレイヤ、及び前記アノードを有するシンチレータ要素面は、それぞれ、互いに平行な平面内にあり、第１の方向と第２の方向は互いに横断している、
放射線検出装置。
【請求項６】
前記少なくとも１つのアノードは横方向に分離された複数のアノードである、
請求項１に記載の放射線検出装置。
【請求項７】
前記複数のアノードと同じシンチレータ要素面に配置された共通ステアリング電極をさらに有し、
前記共通ステアリング電極は、隣接するアノードが共通ステアリング電極の少なくとも一部により横方向に分離されるように、アノード間にまたはその周りに配置された電気的に相互接続された複数の導電領域を含む、
請求項６に記載の放射線検出装置。
【請求項８】
単一のアノードを有し、前記アノードと同じシンチレータ要素に配置された共通ステアリング電極をさらに有し、
前記共通ステアリング電極は、前記アノードと前記共通ステアリング電極との間にギャップがあるように、前記アノードを取り囲んでいる、
請求項１に記載の放射線検出装置。
【請求項９】
前記少なくとも１つのアノードは横方向に分離された複数のアノードであり、前記少なくとも１つのカソードは横方向に分離された複数のカソードであり、
前記アノードは第１の方向に伸びる複数の導電性ストライプにより形成され、前記カソードは第２の方向に伸びる複数の導電性ストライプにより形成され、
前記第１の方向と第２の方向は互いに横切る、
請求項１に記載の放射線検出装置。
【請求項１０】
前記半導体シンチレータ要素は、前記互いに対向する２つの面の間に配置された複数の側面を含み、
前記シンチレータ要素の複数の側面の周りに配置された導電リングを有し、前記半導体シンチレータ要素の複数の側面から誘電的に絶縁されているシールディング電極であって、前記導電リングは、電子がアノードを通過し、ホールが前記アノードを通過しないようにバイアスされている、シールディング電極をさらに含む、
請求項１に記載の放射線検出装置。
【請求項１１】
ガンマ線またはＸ線の放射線量子を検出する放射線検出装置であって、
互いに対向する２つの面を有する半導体シンチレータ要素と、
前記シンチレータ要素と光連通した少なくとも１つの光検出器とを有し、
前記少なくとも１つの光検出器は光検出器電気出力を有し、検出されたガンマ線またはＸ線の放射線量子の受光時を示す第１の電気信号を生成して前記光検出器電気出力に出力するように構成され、
２つのシンチレータ要素面の一方の少なくとも一部と電気的に連通している少なくとも１つのカソードと、
前記２つのシンチレータ要素面の他方の少なくとも一部と電気的に連通している少なくとも１つのアノードとを有し、
前記少なくとも１つのカソードまたは前記少なくとも１つのアノードのうち少なくとも一方は、検出されたガンマ線またはＸ線の放射線量子のエネルギーを示す第２の電気信号を生成するように構成され、
少なくとも１つのアノードまたは少なくとも１つのカソードが透明導電レイヤにより形成され、
前記少なくとも１つの光検出器は、前記透明導電レイヤの少なくとも一部を含む光インタフェースにより、前記シンチレータ要素と光連通している、
放射線検出装置。
【請求項１２】
前記少なくとも１つのアノードは横方向に分離された複数のアノードであり、前記装置は、
各アノードに対して、前記アノードにおいて集められた電荷を電流または電圧信号に変換するように構成された電気回路と、
前記電流または電圧信号を受け取り、前記電流または電圧信号の相対的な大きさに基づいて、前記シンチレータ要素により受光された放射光量子の相互作用の横方向位置を計算するように構成された電子回路またはプロセッサとをさらに有する、
請求項１に記載の放射線検出装置。
【請求項１３】
各アノードに対して、前記アノードにおいて集められた電荷を電流または電圧信号に変換するように構成された電気回路と、
一以上の電流または電圧信号を受け取り、前記一以上の電流または電圧信号の大きさを合計して、一以上のアノードにおいて集められた全電荷を示す合計信号を生成することにより、前記シンチレータ要素により受光されたガンマ線またはＸ線の放射線量子のエネルギーを計算するように構成された電子回路またはプロセッサとを有する、
請求項１に記載の放射線検出装置。
【請求項１４】
ガンマ線またはＸ線の放射線量子の受光に応じて、前記少なくとも１つの光検出器の各々により生成された電気信号を受け取り、前記少なくとも１つの光検出器のいずれかにより生成された電気信号が所定の第１の閾値を超えた最も早い時を示す第１のタイムスタンプを生成するように構成された第１のタイミング回路と、
各アノードに対して、前記アノードにおいて集められた電荷を電流または電圧信号に変換するように構成された電気回路と、
ガンマ線またはＸ線の放射線量子の受光に応じて、各アノードにより集められた電荷から生成された電流または電圧信号を受け取り、前記電流または電圧信号のうち少なくとも１つが所定の第２の閾値を超えた時を示す第２のタイムスタンプを生成するように構成された第２のタイミング回路と、
前記第１のタイムスタンプと第２のタイムスタンプとの間の時間差に基づき、前記シンチレータ要素における放射線量子の相互作用の深度を比較するように構成された電子回路またはプロセッサとをさらに有する、
請求項１に記載の放射線検出装置。
【請求項１５】
請求項１ないし１４いずれか一項に記載の放射線検出装置を含むＰＥＴまたはＸ線画像化システム。
【請求項１６】
前記アノードと前記カソードとの間の半導体シンチレータ要素に組み込まれた電極をさらに含み、前記電極は、
複数の穿孔を確成する一以上の電導体と、
前記一以上の電導体を前記半導体シンチレータ要素から電気的に絶縁するように構成された電気的絶縁コーティングとを含み、
前記電気的絶縁コーティングによりコーティングされた前記一以上の伝導体により確成される穿孔は、電子を通過させるように構成される、
請求項１に記載の放射線検出装置。
【請求項１７】
前記半導体シンチレータ要素は、高い温度で形成され、
前記シンチレータ要素内に組み込まれた電極であって、前記半導体シンチレータ要素の融解温度を越える融点を有する耐熱金属により構成され、前記半導体シンチレータ要素の融点より高い融点を有する酸化物絶縁体でコーティングされる、
請求項３に記載の放射線検出装置。