(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体または膜を処理するための処理室と該処理室を排気するための排気手段とを有する処理装置であって、
前記処理室と前記処理室の圧力をコントロールするためのコンダクタンス調整バルブとを連絡する排気経路中に、上記処理室から排気される未反応ガス及び副生成物の少なくとも一方に化学反応を起こさせるための化学反応生起手段として高融点金属フィラメントを有するトラップを設け、該トラップにおいて、気体の平均流速が上記処理室より大きくなることを特徴とする処理装置。
【請求項２】
前記トラップの壁は、二重構造であって、該トラップ及びトラップの壁が取り外し可能である請求項１記載の処理装置。
【請求項３】
前記高融点金属フィラメントが、タングステン、モリブデン、レニウムのうちの少なくとも一つを含有する請求項１または２に記載の処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体デバイス、画像入力用インラインセンサー、撮像デバイス、電子写真感光体などの用途に有用な機能性堆積膜を基体上に形成する堆積膜形成装置等基体処理装置や、エッチング装置等の膜処理装置といった処理装置に関し、特に、その排気処理手段に特徴を有する処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
プラズマＣＶＤ法は、非晶質（アモルファス）半導体薄膜や微結晶（マイクロクリスタル）半導体薄膜の作製方法として一般的な方法である。このプラズマＣＶＤ法は、チャンバー内に原料ガスを導入すると同時に排気ポンプにより減圧して、直流電力または高周波（ＲＦ）、マイクロ波電力を印加して原料ガスをプラズマ状に電離、解離、励起させて、基板上に堆積膜を形成させるものである。
【０００３】
従来のプラズマＣＶＤ装置は、平行平板電極を用い、グロー放電や高周波を用いたＲＦ放電を使用してきた。これら平行平板電極を用いた放電法の他に、熱エネルギーにより化合物ガスを分解し堆積させる方法が利用されてきた。熱エネルギーを利用する方法では、原料としてＳｉ２Ｈ６等の比較的分解温度の低いガスを使用し、堆積膜形成チャンバー自体を加熱してガス分解を行うＨｏｔ  Ｗａｌｌ法や、基板を加熱して同様の効果を得る熱ＣＶＤ法がある。さらに、シリコン結晶の融点以上に加熱したタングステンフィラメントのような金属フィラメントを用いることで薄膜の堆積を行うホットワイヤＣＶＤ法がある。
【０００４】
しかしながら、上記のようなＣＶＤ法においては、ＳｉＨ４系のガスを使用する場合、放電条件（圧力、ガス流量、電力値）によってプラズマ中で、電極上や、基板ホルダー、チャンバー壁、排気配管壁、バルブ表面に、壁面温度によって、ＣＶＤ副生成物（ポリシラン等）が付着または堆積することが大きな問題となっている。
【０００５】
ここで、一般的なプラズマＣＶＤ法による非晶質半導体薄膜の作製例を図２に模式的に示した代表的なプラズマＣＶＤ装置を用いて説明する。先ず、各部位の名称を示す。図２中、１０３は処理容器、１０４は基板（基体）、１０５は排気ポンプ（ロータリー、及びメカニカルブースターポンプ）、１０６は排気配管、１０７は原料ガス供給管、１０８は真空計、１０９はコンダクタンス調整バルブ、１１０は高周波電源、１１１は電極、１１２は基板ホルダー、１１３は高周波導入部、１１４は処理室である。
【０００６】
次に、非晶質シリコン半導体膜を例にして作製手順（動作）を説明する。
【０００７】
基板ホルダー１１２に基板１０４を固定したら、処理容器１０３の基板出し入れ口（不図示）を閉じて、排気ポンプ１０５により減圧に排気する。処理容器１０３内の放電領域には、不図示のガスボンベから不図示のガス流量コントローラーを介して流量を制御された複数の堆積膜形成用原料ガス（ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、Ｈ２、ドーピングガス）が混合されたものが、原料ガス供給管１０７を通して供給される。電極１１１に高周波電源１１０から高周波（１３．５６ＭＨｚ）を印加し、電極１１１に対向する基板１０４及び基板ホルダー１１２を電極として両電極の間の処理室１１４に放電を生起させる。放電は不図示の整合器によって調整される。処理容器１０３内の原料ガスは排気ポンプ１０５により、排気配管１０６を通して排気され、常に新たに供給される原料ガスと入れ替わっている。処理室１１４の圧力は真空計１０８によりモニターされる。その圧力信号は、排気配管１０６に設けられたコンダクタンス調整バルブ１０９のコントローラーに送られ、コンダクタンス調整バルブ１０９の開度を調整して処理室１１４内の圧力を一定に制御する。堆積膜形成用の原料ガスは処理室１１４内のプラズマ中で解離、電離、励起され、基板１０４上に堆積膜を形成する。
【０００８】
コンダクタンス調整バルブ１０９は、原料ガスの流量によらず、所望の圧力に調整するのに有用である。コンダクタンス調整バルブ１０９は排気配管１０６の断面積を変化させることで排気コンダクタンスを増減するものである。
【０００９】
堆積膜形成終了後は、原料ガスの供給を停止し、新たにパージガス（Ｈｅ、Ａｒ等）を導入して、処理容器１０３内や排気ポンプ１０５に残留した原料ガスを十分に置換する。パージ終了後、処理容器１０３が冷えるのを待って、大気圧に戻して基板１０４を取り出す。
【００１０】
従来、前記ＣＶＤ副生成物の除去には、トラップでの温度の低下による凝集作用によってＣＶＤ副生成物を析出させて凝着させる方法が採られている。また、特開平８−２１８１７４号公報には、排気配管上にトラップを設け、堆積膜形成チャンバーとトラップ間を加熱することでＣＶＤ副生成物の排気配管壁への付着を防止し、トラップにＣＶＤ副生成物を析出して凝着させる方法が開示されている。また、特開平７−１３０６７４号公報には、排気配管上のトラップに対向電極を設け、放電により未反応ガスとＣＶＤ副生成物を硬質な膜としてトラップ壁面に堆積させる方法が開示されている。さらに、特開平８−２９９７８４号公報には排気配管上のトラップに加熱手段として電極コイルを用いて未反応ガスを分解してトラップ壁面に堆積させる方法が開示されている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
プラズマＣＶＤ法においては、プラズマ中で発生し、基板以外に付着、堆積する前記ＣＶＤ副生成物の、堆積膜への混入による膜質への影響、排気配管やバルブに付着することによる装置メンテナンス上の取り扱いが問題となっている。
【００１２】
チャンバー内に付着したＣＶＤ副生成物は、ガスを吸着したり、チャンバー内に舞い上がり、ダスト、コンタミネーションとして、基板上の堆積膜に取り込まれ、堆積膜の諸特性に悪影響を与える場合がある。
【００１３】
また、ＣＶＤ副生成物は、排気ポンプにまで運ばれて、ロータリーポンプオイルの粘度を著しく大きくしたり、メカニカルブースターポンプのローターに付着してローター同士が接触して動作不良の原因となる場合がある。また、前述の通りに、排気配管壁やバルブに付着したＣＶＤ副生成物が成長し、排気配管やバルブの有効断面積が次第に小さくなると、排気コンダクタンスが次第に小さくなり、チャンバーにおける所望の放電圧力（堆積膜形成条件）が得られなくなる場合がある。さらには、コンダクタンスバルブの動作不良を起こす場合がある。
【００１４】
ＣＶＤ副生成物の除去方法としては、ドライエッチングが知られている。ドライエッチングは、堆積膜形成チャンバー内で放電し、寿命の長いエッチングガスのラジカルによって排気配管中のＣＶＤ副生成物をエッチングする方法や、排気配管内で放電を生起させてエッチングを行う方法がある。しかしながら、エッチングを行うには、チャンバー部材、排気配管材、ポンプの耐食性を考慮しなければならず、また、エッチング残渣物や副生成物が堆積膜形成時に与えるコンタミネーションとしての影響を心配しなければならない。
【００１５】
またトラップ内部に平行平板電極を設置し、グロー放電や高周波を用いたＲＦ放電を使用して未反応の化合物ガスを分解し、トラップ中に堆積させる方法が利用されてきた。しかしながら、未反応の化合物ガスを分解してトラップの壁面に堆積させる速度が遅いために、ＣＶＤ副生成物が排気ポンプにまで運ばれてしまうことが問題となっていた。また、トラップ内部に平行平板電極を設置するため、ある程度の空間を必要とし、トラップの設置に自由度がなかった。また、トラップ内部に電熱コイルを設置し、熱により未反応ガスを分解し、トラップの壁面に堆積させる方法も利用されてきた。しかしながら、未反応の化合物ガスを分解し、トラップの壁面に堆積させる速度が遅いために、ＣＶＤ副生成物は排気ポンプにまで運ばれてしまったり、トラップの入り口付近でＣＶＤ副生成物が堆積してしまい、排気不可能になってしまうことが問題となっていた。
【００１６】
本発明の課題とするところは、未反応の化合物ガス及びＣＶＤ副生成物を十分に分解し、トラップ中に堆積させる速度を速くすることである。
【００１７】
現在、プラズマＣＶＤ法により半導体薄膜を作製する工業的な利用が進められているが、さらなる大面積化、長時間成膜が要求されており、それに伴う排気系でのＣＶＤ副生成物の堆積の増大が懸念される。しかしながら、上記した従来の技術では、ＣＶＤ副生成物の除去が不十分となる場合がある。
【００１８】
本発明の目的は、大面積に長時間の成膜を高速で行う際の未反応ガスや副生成物が増大しても十分に効率良く除去できる、小型でメンテナンスが容易な排気処理手段を設けて、堆積膜への影響のない処理装置を提供することにある。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
上記課題を達成するために本発明の処理装置は、下記のように構成したものである。
【００２０】
即ち本発明の処理装置は、基体または膜を処理するための処理室と該処理室を排気するための排気手段とを有する処理装置であって、
前記処理室と前記処理室の圧力をコントロールするためのコンダクタンス調整バルブとを連絡する排気経路中に、上記処理室から排気される未反応ガス及び副生成物の少なくとも一方に化学反応を起こさせるための化学反応生起手段として高融点金属フィラメントを有するトラップを設け、該トラップにおいて、気体の平均流速が上記処理室より大きくなることを特徴とする。
【００２１】
本発明において、上記高融点金属フィラメントは、タングステン、モリブデン、レニウムのうちの少なくとも一つを含有することが好ましい。
【００２２】
【発明の実施の形態】
本発明においては、化学反応生起手段を排気経路に設け、該排気経路中に気体の平均流速が処理室とは異なる領域を形成することにより、該化学反応生起手段による未反応ガスや副生成物の微粉体の分解を効率良く行い、化学反応生起手段を構成する部材やその周辺部材に堆積させることができる。
【００２３】
本発明において、上記化学反応生起手段としては加熱された高融点金属フィラメントが好ましく用いられるが、その加熱温度は、該フィラメントの材質や未反応ガスの種類と流量にもよるが、フィラメントを長期的に安定して使用するためには、好ましくはフィラメントの材質の融点より１００℃以上低い温度で制御することが好ましい。また、フィラメントの加熱温度をさらに高温にすると、処理装置の真空シールに影響が出てしまうため、好ましくない。
【００２４】
本発明で用いられる高融点金属フィラメントとしては、タングステン、モリブデン、レニウムのうちの少なくとも一つを含有することが好ましい。例えばこれらの金属単体または合金、添加物を含有する改質金属または改質合金のいずれかで形成されるものを用いることができる。
【００２５】
上記高融点金属フィラメントの形状は、単一または複数の線形状、或いは、螺旋状に巻いた線形状が用いられる。用いる形状や装置の場所により、化学反応生起手段を有する領域の気体の平均流速を容易に変化させることができる。例えば、複数の線形状または螺旋状に巻いた線形状を排気の流れの方向に並べるといった方法を用いる。また、化学反応生起手段を設置した領域に、処理室側から希釈ガス（Ｈｅ、Ａｒ、Ｈ２など）を導入することにより、該化学反応生起手段を有する領域の気体の平均流速が処理室での平均流速より大きくすることができる。上記のような方法により、化学反応生起手段を有する領域の気体の平均流速が処理室での平均流速より大きくなり、気体の流れの澱みが緩和されると共に、化学反応生起手段を有する領域での化学反応が促進されることによって、ＣＶＤ副生成物が処理室及びその前後に堆積することを防ぐことができる。また、排気配管やコンダクタンス調整バルブに付着しているＣＶＤ副生成物の総量が減少するために、チャンバーの大気圧力から減圧への排気操作時に排気配管内からポンプに飛散して到達するＣＶＤ副生成物の総量を減少させることが可能となり、ポンプのオイル交換及びオーバーホールが必要になるまでの期間を大幅に延ばす（オイル交換やオーバーホールの頻度を減らす）ことができる。
【００２６】
前記化学反応生起手段を構成する部材やその周辺部材に堆積させた膜の除去は、処理室での処理（機能性堆積膜の成膜、膜の処理等）終了後、Ｎ２やＨｅ等の不活性ガスを流して原料ガスをパージしてから大気圧までリークした後に行う。化学反応生起手段を含めて該手段周辺をトラップとして構成した場合には、該トラップの壁を取り外して、堆積した膜を物理的（ホーニング等）、化学的（エッチング等）方法により除去する。その際、トラップの壁を二重構造等で簡単に取り外しができる構造とすることもできる。この場合、取り外す壁を金属板で形成することにより、トラップ内壁面の膜の除去を容易にし、メンテナンスに要する時間を短縮することができる。取り外しのできる金属板の材質としては、ステンレス、アルミニウム等の金属やこれらの合金が用いられる。
【００２７】
本発明の処理装置において成膜を行う際の原料ガスとしては、例えば、シラン（ＳｉＨ４）、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）等の非晶質シリコン形成用原料ガス、ゲルマン（ＧｅＨ４）等の他の機能性堆積膜形成用原料ガス、または、それらの混合ガスが挙げられる。希釈ガスとしては、水素（Ｈ２）、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）等が挙げられる。
【００２８】
また、ドーピングを目的としてジボラン（Ｂ２Ｈ６）、フッ化ホウ素（ＢＦ３）、ホスフィン（ＰＨ３）等のドーパントガスを同時に処理室（成膜室）に導入しても効率良く処理することが可能である。
【００２９】
基板材質としては、例えば、ステンレス、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｎｂ、Ｔｅ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｆｅ等の金属、これらの合金または表面を導電処理したポリカーボネート等の合成樹脂、ガラス、セラミック、紙等が通常使用される。
【００３０】
本発明の処理装置において堆積膜を形成するときの基板温度はいずれの温度でも有効であるが、特に２０℃以上、５００℃以下が好ましく、５０℃以上４５０℃以下がより良好な効果を得る上で好ましい。
【００３１】
図１に、本発明の一実施形態である、高周波プラズマＣＶＤ法による堆積膜形成装置を模式的に示す。図中、図２の装置と同じ部材には同じ符号を付した。また、１０１はトラップであり、１０２はタングステンフィラメントである。この装置において、堆積膜形成時に生成されるＣＶＤ副生成物と未反応ガスの除去は以下のようにして行われる。
【００３２】
前記した図２の装置における非晶質シリコン半導体膜の作製手順に従って、処理容器１０３でプラズマＣＶＤにより機能性堆積膜を基板１０４上に形成する。この時、排気ポンプ１０５により処理容器１０３内を減圧に排気する。
【００３３】
先ず、処理容器１０３でプラズマを生起させる前に、不図示のフィラメント電源から不図示のコントローラーを通じて円弧状の線形状のタングステンフィラメント１０２に電力を供給して所望の温度まで加熱しておく。処理容器１０３は排気配管１０６、排気ポンプ１０５により所望の圧力まで排気されるので、処理容器１０３での未反応ガスとＣＶＤ副生成物は排気経路中に設置してあるトラップ１０１に到達し、タングステンフィラメント１０２により分解され、トラップ１０１の内壁に硬質の膜として堆積する。
【００３４】
図３は、図１の装置において、螺旋状の線形状のタングステンフィラメント１０２が取り付けてあるトラップ１０１の拡大模式図である。図３に示したトラップ１０１を用いることにより、化学反応生起手段を有する領域の気体の平均流速を処理室１１４の平均流速より大きくすることができる。
【００３５】
次に、図８に本発明の他の実施形態である、高周波プラズマＣＶＤ法による機能性堆積膜の形成装置の模式的断面図を示す。本装置は、図１の装置の処理容器１０３がガスゲート８１４を介して連なったロール・ツー・ロール方式のプラズマＣＶＤ法による機能性堆積膜形成装置であり、各堆積膜形成用の処理容器の堆積膜形成室と排気配管を結ぶ排気経路中に、トラップを設置したものである。図８中、８０１は堆積膜形成用処理容器、８０２は堆積膜形成室（処理室）、８０３は帯状基板、８０４は放電電極、８０５は高周波電源、８０６は原料ガス導入管、８０７は排気ポンプ、８０８は排気配管、８０９はシースヒーター、８１０は堆積膜形成室外部排気口、８１１はプラズマ漏れガード、８１２はランプヒーター、８１１３は支持ローラー、８１４はガスゲート、８１５は真空計、８１６はコンダクタンス調整バルブである。
【００３６】
図８の装置における各部材の機能を説明する。
【００３７】
堆積膜形成用処理容器８０１の内部には堆積膜形成室８０２が設けられ、電気的に接地された帯状基板８０３と放電電極８０４との間に高周波電源８０５から高周波電力を投入することにより、堆積膜形成室８０２内にプラズマを形成し、帯状基板８０３の下面（表面）にシリコン系非晶質半導体を形成する。堆積膜形成室８０２には不図示の原料ガス供給系に接続された原料ガス導入管８０６及び排気ポンプ８０７に接続された排気配管８０８が設けられ、帯状基板８０３の移動方向と平行なガスの流れを形成する。また、堆積膜形成室８０２の圧力は真空計８１５により測定し、コンダクタンス調整バルブ８１６の開度を調整して、堆積膜形成容器８０１内の圧力を一定に制御する。
【００３８】
堆積膜形成室８０２には、シースヒーター８０９が設けられ、堆積膜形成室８０２の加熱を行い、堆積膜形成室８０２の内壁へのＣＶＤ副生成物の付着量の低減を図る。排気ガスの排出経路には堆積膜形成室外部排気口８１０が設けられ、堆積膜形成室８０２の外部のガス（ガスゲート８１４から流入したゲートガス、堆積膜形成用容器８０１内壁からの放出ガス等）が堆積膜形成室８０２を通ることなく排気配管８０８へ排出されるようにし、堆積膜への不純物の混入を防止している。
【００３９】
また、堆積膜形成室８０２の上部の、帯状基板８０３の入口、出口及び幅方向両端部にはプラズマ漏れガード８１１が配設され、堆積膜形成室８０２内部のプラズマの外部への漏洩を阻止している。
【００４０】
堆積膜形成用処理容器８０１内の入口と出口近傍には帯状基板８０３の裏面を回転支持する支持ローラー８１３が設けられ、堆積膜形成用処理容器８０１内で帯状基板８０３が直線的に張られ、放電電極８０４との距離が一定に保たれるよう裏面から支持している。尚、支持ローラー８１３の内部にはキュリー点が高く、プラズマに影響を及ぼさない程度の磁力を発生する不図示の永久磁石が配設され、フェライト系ステンレス等の磁性体からなる帯状基板を用いた場合に、支持ローラー８１３と帯状基板８０３を密着させるようにしている。
【００４１】
堆積膜形成室８０２と排気配管８０８とを結ぶ排気経路中にはトラップ１０１を設けてあり、内部にはタングステンフィラメント１０２が直線状に設置されている。タングステンフィラメント１０２は、不図示のコントローラーを介して不図示の電源に接続され、電力が供給される。
【００４２】
【実施例】
（実施例１）
図１に示した装置を用いて、非晶質シリコン半導体膜を３０ｃｍ角のガラス基板上に１μｍの厚さで形成した。堆積膜形成用原料ガスはＳｉＨ２とＨ２を使用した。
【００４３】
先ず、ガス導入管１０７から原料ガスを導入し、真空計１０８とコンダクタンス調整バルブ１０９により、圧力を１Ｔｏｒｒに調整した後、高周波電源１１０から高周波電力を導入し、電源１１１間で高周波プラズマを生起した。タングステンフィラメント１０２の加熱温度は８００℃とした。この１回の成膜時間が１時間であった。図４に示すように、このサイクルを１００回繰り返したが、堆積膜形成時の圧力調整に問題はなく、コンダクタンス調整バルブ１０９の動作不良は発生しなかった。また、排気ポンプ１０５の動作不良は発生しなかった。
【００４４】
（比較例１）
図１に示した装置を用い、トラップ１０１部分を図５に示すような、排気配管１０６の外周囲にテープヒーター５０１が巻き付けられているトラップ５０２を用いて、実施例１と同様に堆積膜を形成した。図５に示したトラップ５０２は、トラップ部分の気体の平均流速が処理室の平均流速と同等になるように構成されたものである。
【００４５】
その結果、図４に示すように、２５サイクル目でトラップ５０２には大量のＣＶＤ副生成物が微粉体として堆積し、コンダクタンス調整バルブ１０９を１００％開けても所定の圧力を維持することができなくなり、堆積膜の形成を続行することが不可能となった。
【００４６】
（実施例２）
トラップ部分を図６に示すトラップ６０１のように、その断面積を排気配管１０６の断面積よりも小さくすることにより、トラップ６０１部分での気体の平均流速が処理室１１４での平均流速よりも大きくなるようにした装置を用い、実施例１と同様に堆積膜を形成した。その結果、実施例１と同様に、堆積膜形成時の圧力調整に問題はなく、コンダクタンス調整バルブ１０９の動作不良は発生しなかった。また、排気ポンプ１０５の動作不良も発生しなかった。
【００４７】
（実施例３）
トラップ部分を図７に示すトラップ７０１のように、処理室１１４側から希釈ガス（Ｈｅ、Ａｒ、Ｈ２）を希釈ガス導入管７０２より導入することにより、トラップ７０１部分での気体の平均流速が処理室１１４での平均流速よりも大きくなるようにした装置を用い、実施例１と同様に堆積膜を形成した。その結果、実施例１と同様に、堆積膜形成時の圧力調整に問題はなく、コンダクタンス調整バルブ１０９の動作不良は発生しなかった。また、排気ポンプ１０５の動作不良も発生しなかった。
【００４８】
（実施例４）
図８の装置を用い、１ロール５００ｍの帯状基板８０３上に、実施例１と同じ条件で１０時間かけて堆積膜を形成した。この工程を１サイクルとし、１００サイクルにわたり繰り返し堆積膜を形成した。その結果、各堆積膜形成容器８０１の堆積膜形成条件（放電条件）は毎回再現性良く、得られた堆積膜を用いて作製した光起電力素子の諸特性（光電変換効率、フィルファクター等）も高性能で、再現性も従来以上であった。これは、堆積膜形成室８０２から排気ポンプ８０７に至る排気経路（トラップ１０１を除く）にＣＶＤ副生成物の堆積がほとんど見られなかったので、基板８０３上の堆積膜に上記副生成物が取り込まれることがなく、堆積膜の膜質が向上したためであると考えられる。
【００４９】
また、排気配管８０８やコンダクタンス調整バルブ８１６に付着しているＣＶＤ副生成物の送料が従来より少ないために、堆積膜形成容器８０１の大気圧力から減圧への排気操作時に排気配管８０８内から排気ポンプ８０７に飛散して到達するＣＶＤ副生成物の総量が減少し、排気ポンプ８０７のオイル交換及びオーバーホールが必要になるまでの期間を大幅に延ばす（オイル交換やオーバーホールの頻度を減らす）ことができた。
【００５０】
【発明の効果】
本発明の処理装置においては、排気経路中に処理室とは気体の平均流速が異なる領域を有し、該領域に化学反応生起手段を備えたことによって、処理室より排気される未反応ガスや副生成物が効率良く分解し、硬質な膜として該化学反応生起手段及びその周辺部材に堆積させることができる。よって、排気配管やコンダクタンス調整バルブ等排気手段への副生成物の微粉体の付着が防止され、成膜中の排気コンダクタンスの低下やコンダクタンス調整バルブの動作不良を解消、或いは改善することができる。また、排気ポンプのメンテナンスサイクルを大幅に引き延ばすことができる。
【００５１】
また、処理室への副生成物の微粉体の逆流も防止されるため、処理中或いは堆積中の膜への取り込みが防止され、堆積膜や被処理膜の膜質が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の処理装置の一実施形態である、高周波プラズマＣＶＤ法による堆積膜形成装置を模式的に示す断面図である。
【図２】従来の高周波プラズマＣＶＤ法による堆積膜形成装置の一例を模式的に示す断面図である。
【図３】図１に示した処理装置のトラップの拡大模式図である。
【図４】本発明の実施例１及び比較例１におけるコンダクタンス調整バルブの開口率の変化を示すグラフである。
【図５】本発明の比較例１で用いたトラップの拡大模式図である。
【図６】本発明の実施例２で用いた堆積膜形成装置の模式的断面図である。
【図７】本発明の実施例３で用いた堆積膜形成装置の模式的断面図である。
【図８】本発明の処理装置の他の実施形態である、ロール・ツー・ロール方式の、高周波プラズマＣＶＤ法による堆積膜形成装置を模式的に示す断面図である。
【符号の説明】
１０１  トラップ
１０２  タングステンフィラメント
１０３  処理容器
１０４  基板
１０５  排気ポンプ
１０６  排気配管
１０７  原料ガス供給管
１０８  真空計
１０９  コンダクタンス調整バルブ
１１０  高周波電源
１１１  電極
１１２  基板ホルダー
１１３  高周波導入部
１１４  処理室
５０１  テープヒーター
５０２  トラップ
６０１  トラップ
７０１  トラップ
７０２  希釈ガス導入管
８０１  堆積膜形成用処理容器
８０２  堆積膜形成室
８０３  帯状基板
８０４  放電電極
８０５  高周波電源
８０６  原料ガス導入管
８０７  排気ポンプ
８０８  排気配管
８０９  シースヒーター
８１０  堆積膜形成室外部排気口
８１１  プラズマ漏れガード
８１２  ランプヒーター
８１３  支持ローラー
８１４  ガスゲート
８１５  真空計
８１６  コンダクタンス調整バルブ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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