【手続補正書】
【提出日】平成29年1月20日(2017.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と、リチウムニッケル酸化物組成物を前記第１の基板の上に含むアノードエレクトロクロミック層とを含み、前記アノードエレクトロクロミック層が、リチウムと、ニッケルと、チタン、ジルコニウムおよびハフニウムからなる群から選択される少なくとも１つの第４族金属と、を含有する多層エレクトロクロミック構造物であって、
（ｉ）前記アノードエレクトロクロミック層におけるリチウムの、ニッケルおよびそのような少なくとも１つの第４族金属の合計量に対する原子比がそれぞれ、少なくとも０．４：１であり、
（ｉｉ）前記アノードエレクトロクロミック層におけるそのような少なくとも１つの第４族金属の量の、ニッケルおよびそのような少なくとも１つの第４族金属の合計量に対する原子比がそれぞれ、少なくとも約０．０２５：１であり、かつ
（ｉｉｉ）前記アノードエレクトロクロミック層が、Ｘ線回折（ＸＲＤ）によって測定される少なくとも２．５Åの面間距離（ｄ間隔）を示す、多層エレクトロクロミック構造物。
【請求項２】
前記アノードエレクトロクロミック層がチタンを含む、請求項１に記載の多層エレクトロクロミック構造物。
【請求項３】
（ｉ）前記アノードエレクトロクロミック層におけるリチウムの、ニッケルおよびチタンの合計量に対する原子比がそれぞれ、少なくとも０．４：１であり、かつ、（ｉｉ）前記アノードエレクトロクロミック層におけるチタンの量の、ニッケルおよびチタンの合計量に対する原子比がそれぞれ、約０．０２５：１から約０．８：１までである、請求項２に記載の多層エレクトロクロミック構造物。
【請求項４】
前記アノードエレクトロクロミック層におけるリチウムの、ニッケルおよびチタンの合計量に対する原子比がそれぞれ、約１：１から約２．５：１の範囲である、請求項３に記載の多層エレクトロクロミック構造物。
【請求項５】
前記アノードエレクトロクロミック層におけるチタンの、ニッケルおよびチタンの合計量に対する原子比がそれぞれ、約０．１：１から約０．６：１の範囲である、請求項３に記載の多層エレクトロクロミック構造物。
【請求項６】
前記アノードエレクトロクロミック層がジルコニウムを含む、請求項１に記載の多層エレクトロクロミック構造物。
【請求項７】
（ｉ）前記アノードエレクトロクロミック層におけるリチウムの、ニッケルおよびジルコニウムの合計量に対する原子比がそれぞれ、少なくとも０．４：１であり、かつ、（ｉｉ）前記アノードエレクトロクロミック層におけるジルコニウムの量の、ニッケルおよびジルコニウムの合計量に対する原子比がそれぞれ、約０．０２５：１から約０．８：１までである、請求項６に記載の多層エレクトロクロミック構造物。
【請求項８】
前記アノードエレクトロクロミック層におけるリチウムの、ニッケルおよびジルコニウムの合計量に対する原子比がそれぞれ、約１：１から約２．５：１の範囲である、請求項７に記載の多層エレクトロクロミック構造物。
【請求項９】
前記アノードエレクトロクロミック層におけるジルコニウムの、ニッケルおよびシルコニウムの合計量に対する原子比がそれぞれ、約０．１：１から約０．６：１の範囲である、請求項７に記載の多層エレクトロクロミック構造物。
【請求項１０】
前記アノードエレクトロクロミック層がハフニウムを含む、請求項１に記載の多層エレクトロクロミック構造物。
【請求項１１】
（ｉ）前記アノードエレクトロクロミック層におけるリチウムの、ニッケルおよびハフニウムの合計量に対する原子比がそれぞれ、少なくとも０．４：１であり、かつ、（ｉｉ）前記アノードエレクトロクロミック層におけるハフニウムの量の、ニッケルおよびハフニウムの合計量に対する原子比がそれぞれ、約０．０２５：１から約０．８：１までである、請求項１０に記載の多層エレクトロクロミック構造物。
【請求項１２】
前記アノードエレクトロクロミック層におけるリチウムの、ニッケルおよびハフニウムの合計量に対する原子比がそれぞれ、約１：１から約２．５：１の範囲である、請求項１１に記載の多層エレクトロクロミック構造物。
【請求項１３】
前記アノードエレクトロクロミック層におけるハフニウムの、ニッケルおよびハフニウムの合計量に対する原子比がそれぞれ、約０．１：１から約０．６：１の範囲である、請求項１１に記載の多層エレクトロクロミック構造物。
【請求項１４】
（ｉ）前記アノードエレクトロクロミック層におけるリチウムの、ニッケル、チタン、ジルコニウムおよびハフニウムの合計量に対する原子比がそれぞれ、少なくとも０．４：１であり、かつ、（ｉｉ）前記アノードエレクトロクロミック層におけるチタン、ジルコニウムおよびハフニウムの合計量の、ニッケル、チタン、ジルコニウムおよびハフニウムの合計量に対する原子比がそれぞれ、約０．０２５：１から約０．８：１までである、請求項１に記載の多層エレクトロクロミック構造物。
【請求項１５】
（ｉ）前記アノードエレクトロクロミック層が、Ｙ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、ＰおよびＳｂからなる群から選択される少なくとも１つの消色状態安定化元素を含み、（ｉｉ）前記アノードエレクトロクロミック層におけるリチウムの、ニッケル、チタン、ジルコニウム、ハフニウムおよび前記少なくとも１つの消色状態安定化元素の合計量に対する原子比がそれぞれ、少なくとも０．４：１であり、かつ、（ｉｉｉ）前記アノードエレクトロクロミック層におけるチタン、ジルコニウム、ハフニウムおよび前記少なくとも１つの消色状態安定化元素の合計量の、ニッケル、チタン、ジルコニウム、ハフニウムおよび前記消色状態安定化元素の合計量に対する原子比がそれぞれ、約０．０２５：１から約０．８：１までである、請求項１に記載の多層エレクトロクロミック構造物。
【請求項１６】
前記アノードエレクトロクロミック層が約２５ｎｍ〜約２，０００ｎｍの間の平均厚さを有する、請求項１５に記載の多層エレクトロクロミック構造物。
【請求項１７】
前記第１の基板が、ガラス、プラスチック、金属、または、金属被覆されたガラス若しくはプラスチックを含む、請求項１５に記載の多層エレクトロクロミック構造物。
【請求項１８】
前記アノードエレクトロクロミック層が少なくとも０．０５ｗｔ．％の炭素を含む、請求項１５に記載の多層エレクトロクロミック構造物。
【請求項１９】
前記アノードエレクトロクロミック層が少なくとも約１９ｃｍ２／Ｃの着色効率絶対値を有する、請求項１５に記載の多層エレクトロクロミック構造物。
【請求項２０】
前記アノードエレクトロクロミック層が少なくとも２Ｖの消色状態電圧を有する、請求項１５に記載の多層エレクトロクロミック構造物。
【請求項２１】
前記多層エレクトロクロミック構造物が第１の電気伝導性酸化物層をさらに含み、前記第１の電気伝導性酸化物層は前記アノードエレクトロクロミック層と前記第１の基板との間にある、請求項１に記載の多層エレクトロクロミック構造物。
【請求項２２】
前記多層エレクトロクロミック構造物が、第２の基板、第２の電気伝導性層、カソード層およびイオン伝導層をさらに含み、前記アノードエレクトロクロミック層は前記第１の電気伝導性層と前記イオン伝導層との間にあり、前記第２の電気伝導性層は前記カソード層と前記第２の基板との間にあり、前記カソード層は前記第２の電気伝導性層と前記イオン伝導層との間にあり、かつ、前記イオン伝導層は前記カソード層と前記アノードエレクトロクロミック層との間にある、請求項２１に記載の多層エレクトロクロミック構造物。
【請求項２３】
前記アノードエレクトロクロミック層が、銅のＫα線により測定されるとき、２６度（２θ）未満でのＸＲＤパターンにおける少なくとも１つの反射ピークの存在によって測定される長距離秩序を示す、請求項１に記載の多層エレクトロクロミック構造物。
【請求項２４】
前記アノードエレクトロクロミック層が少なくとも０．０５ｗｔ．％の炭素を含む、請求項１に記載の多層エレクトロクロミック構造物。
【請求項２５】
前記アノードエレクトロクロミック層が少なくとも約１９ｃｍ２／Ｃの着色効率絶対値を有する、請求項１に記載の多層エレクトロクロミック構造物。
【請求項２６】
前記アノードエレクトロクロミック層が少なくとも２Ｖの消色状態電圧を有する、請求項１に記載の多層エレクトロクロミック構造物。
【請求項２７】
第１の基板と、リチウムニッケル酸化物組成物を前記第１の基板の上に含むアノードエレクトロクロミック層とを含み、前記アノードエレクトロクロミック層が、リチウムと、ニッケルと、チタン、ジルコニウムおよびハフニウムからなる群から選択される少なくとも１つの第４族金属と、を含有する多層エレクトロクロミック構造物であって、
（ｉ）前記アノードエレクトロクロミック層におけるリチウムの、ニッケルおよびそのような少なくとも１つの第４族金属の合計量に対する原子比がそれぞれ、少なくとも０．４：１であり、
（ｉｉ）前記アノードエレクトロクロミック層におけるそのような少なくとも１つの第４族金属の量の、ニッケルおよびそのような少なくとも１つの第４族金属の合計量に対する原子比がそれぞれ、少なくとも約０．０２５：１であり、かつ、
（ｉｉｉ）前記アノードエレクトロクロミック層が少なくとも０．０５ｗｔ．％の炭素を含む、多層エレクトロクロミック構造物。