【手続補正書】
【提出日】平成28年11月21日(2016.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
動作モードからスリープモードへの遷移を電子デバイスにおいて開始することと、ここにおいて、前記電子デバイスは、第１のサイズを有する揮発性メモリデバイスと、前記第１のサイズ以上である第２のサイズを有する不揮発性メモリデバイスとを備える、
前記開始することに応答して、前記揮発性メモリデバイスから前記不揮発性メモリデバイスに全データをコピーすることと、
前記スリープモード中に前記揮発性メモリデバイスの前記全データ未満である一部分を無効にすることと、
を備える方法。
【請求項２】
前記揮発性メモリデバイスから前記不揮発性メモリデバイスにコピーされる前記データは、データイメージを備え、および／または、
前記データは、前記揮発性メモリデバイスからのデータ転送のために予約された前記不揮発性メモリデバイスの一部分にコピーされ、および／または、
前記揮発性メモリデバイスの前記一部分を無効にすることは、前記揮発性メモリデバイスの前記一部分への電力をオフにすることを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記揮発性メモリデバイスは、ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記揮発性メモリデバイスを無効にすることは、前記スリープモード中に前記揮発性メモリデバイスのリフレッシュを無効にすることを備え、および／または、
前記ＤＲＡＭは、２倍データレート（ＤＤＲ）シンクロナスＤＲＡＭ（ＳＤＲＡＭ）を備え、および／または、
前記不揮発性メモリデバイスは、ＮＯＲフラッシュメモリ、ＮＡＮＤフラッシュメモリ、埋め込み型マルチメディアカード（ｅＭＭＣ）、またはこれらの任意の組み合わせを備える、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記スリープモードから前記動作モードへの遷移に応答して、
前記揮発性メモリデバイスの前記一部分を有効にすることと、
前記不揮発性メモリデバイスから前記揮発性メモリデバイスに前記データをコピーすることと、
をさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記不揮発性メモリデバイスに前記データをコピーする前の前記データに関連付けられるメモリマッピングは、前記データが前記不揮発性メモリデバイスから前記揮発性メモリデバイスにコピーされた後も有効のままであり、および／または、
前記揮発性メモリデバイスの特定の位置からコピーされたデータ要素は、前記揮発性メモリデバイスを有効にした後に、前記不揮発性メモリデバイスから前記揮発性メモリデバイスの前記特定の位置にコピーされ、および／または、
前記電子デバイスは、モバイル電話を備え、前記揮発性メモリデバイスは、マルチメディアデータに関連付けられ、前記モバイル電話は、モデムデータに関連付けられる第２の揮発性メモリデバイスを備え、前記第２の揮発性メモリデバイスは、前記スリープモード中に有効にされたままである、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
第１のサイズを有する揮発性メモリデバイスと、
第２のサイズを有する不揮発性メモリデバイスと、
動作モードからスリープモードへの遷移を開始し、前記スリープモード中に前記揮発性メモリデバイスの一部分を無効にするように構成されたプロセッサと、
前記開始することに応答して、および前記スリープモード中に前記揮発性メモリデバイスの全データ未満である前記一部分を前記無効にする前に、前記揮発性メモリデバイスから前記不揮発性メモリデバイスに前記全データをコピーするための手段と、
を備える装置。
【請求項８】
低パフォーマンスモード（ＬＰＭ）条件が満たされていることを電子デバイスにおいて決定することと、ここにおいて、前記電子デバイスは、読み取り専用データの第１のコピーを記憶する揮発性メモリデバイスと、前記読み取り専用データの第２のコピーを記憶する不揮発性メモリデバイスとを含む、
前記ＬＰＭ条件が満たされていることに応答して、
前記揮発性メモリデバイスから前記不揮発性メモリデバイスに前記読み取り専用データのメモリマッピングを更新することと、
前記読み取り専用データの前記第１のコピーを記憶する前記揮発性メモリデバイスの一部分を無効にすることと、
前記揮発性メモリデバイスへの代わりに、前記不揮発性メモリデバイスへ前記読み取り専用データに関するアクセス要求を向けることと、
を備える方法。
【請求項９】
前記ＬＰＭ条件が満たされていることを決定することは、前記電子デバイスのバッテリの残りのバッテリ寿命がしきい値未満であることを決定することを備え、および／または、
前記ＬＰＭ条件が満たされていることを決定することは、前記ＬＰＭへの遷移を要求する入力を受信することを備え、および／または、
前記読み取り専用データの前記第１のコピーは、前記揮発性メモリデバイスの第１の物理アドレスにおいて記憶され、前記読み取り専用データの前記第２のコピーは、前記不揮発性メモリデバイスの第２の物理アドレスにおいて記憶され、前記ＬＰＭ中に前記第２の物理アドレスを使用して前記読み取り専用データにアクセスすることをさらに備える、
請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記ＬＰＭ条件がもはや満たされていないという決定に応答して、
前記揮発性メモリデバイスの前記一部分を有効にすることと、
前記不揮発性メモリデバイスから前記揮発性メモリデバイスに前記読み取り専用データの前記メモリマッピングを更新することと、
をさらに備え、好ましくは、
前記メモリマッピングを更新する前に、前記不揮発性メモリデバイスから前記揮発性メモリデバイスに前記読み取り専用データをコピーすることをさらに備える、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記不揮発性メモリデバイスは、直接実行（ＸＩＰ）動作をサポートするＮＯＲフラッシュメモリを備え、
前記ＬＰＭ中に、前記ＮＯＲフラッシュメモリから前記読み取り専用データの１つまたは複数の命令を実行することをさらに備える、請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
前記メモリマッピングを更新する前に、割り込みを無効にすることと、前記メモリマッピングを更新した後に、割り込みを有効にすることとをさらに備え、および／または、
前記メモリマッピングを更新する前に、前記電子デバイスのプロセッサにおいてスレッドスケジューリングを中断することと、前記メモリマッピングを更新した後に、前記スレッドスケジューリングを再開することとをさらに備え、および／または、
前記メモリマッピングを更新する前に、前記電子デバイスのプロセッサにおいてマルチスレッドモードからシングルスレッドモードへ切り替えることと、前記メモリマッピングを更新した後に、前記シングルスレッドモードから前記マルチスレッドモードへ切り替えることとをさらに備え、および／または、
前記メモリマッピングを更新する前に、前記電子デバイスのプロセッサにおいて変換索引バッファ（ＴＬＢ）の１つまたは複数のエントリを無効化することをさらに備える、請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
前記読み取り専用データの前記第１のコピーを記憶する前記揮発性メモリデバイスの前記一部分を無効にすることは、前記ＬＰＭ中に前記一部分のリフレッシュを無効にすることを備え、および／または、
前記読み取り専用データの前記第１のコピーを記憶する前記揮発性メモリデバイスの前記一部分を無効にすることは、前記ＬＰＭ中に前記一部分をオフにすることを備える、請求項８に記載の方法。
【請求項１４】
命令を備えたコンピュータ可読記憶デバイスであって、前記命令は、プロセッサによって実行されるとき、前記プロセッサに、請求項１−６、または８−１３のうちのいずれかの方法を実行させる、コンピュータ可読記憶デバイス。
【請求項１５】
読み取り専用データの第１のコピーを記憶する揮発性メモリデバイスと、
前記読み取り専用データの第２のコピーを記憶する不揮発性メモリデバイスと、
低パフォーマンスモード（ＬＰＭ）条件が満たされていることに応答して、前記揮発性メモリデバイスから前記不揮発性メモリデバイスに前記読み取り専用データのメモリマッピングを更新するための手段と、
前記読み取り専用データの前記第１のコピーを記憶する前記揮発性メモリデバイスの一部分を無効にするための手段と、
前記揮発性メモリデバイスへの代わりに、前記不揮発性メモリデバイスへ前記読み取り専用データに関するアクセス要求を向けるための手段と、
を備え、好ましくは、前記ＬＰＭ条件が満たされていることを決定するための手段をさらに備える、装置。