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【手続補正書】
【提出日】平成29年8月16日(2017.8.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
湿潤混合物を形成するステップであって、該湿潤混合物が、
水、
特定の粒径、約０．２５μｍ〜約５μｍの範囲内のｄ１０、約５μｍ〜約２０μｍの範囲内のｄ５０、および約２５μｍ〜約１００μｍの範囲内のｄ９０を有する、合成ウォラストナイト、擬ウォラストナイト、ランキナイト、ゲーレナイト、ベライト、およびアライトの１つ以上を含む、ケイ酸カルシウム粉末、
約０．２５μｍ〜約２００μｍの範囲内の粒径（ｄ５０）を有する酸化カルシウムまたはシリカを含む充填剤粒子、ならびに
気泡剤を含む、前記湿潤混合物を形成するステップと、
前記湿潤混合物を型に流し入れるステップと、
前記気泡剤によりガス状生成物を生成させ、これにより前記湿潤混合物の体積膨張をもたらすステップと、
前記膨張混合物を約２０℃〜約１００℃の範囲内の温度で、水およびＣＯ２の雰囲気下、十分な時間予備硬化させ、脱型および／または切断に必要な十分な初期強度を達成するのに適した予備硬化物をもたらすステップと、
前記予備硬化物を脱型および／または所望の寸法に切断するステップと、
前記脱型および／または切断予備硬化物を約２０℃〜約１００℃の範囲内の温度で、約６時間〜約６０時間、水蒸気およびＣＯ２の雰囲気下でさらに硬化させ、製品をもたらすステップとを含む、気泡複合材料の製品の製造プロセス。
【請求項２】
前記湿潤混合物が、
凝結制御混和剤、
気泡安定剤、および
分散／粘度調整剤
をさらに含む、請求項１に記載のプロセス。
【請求項３】
前記予備硬化物の硬化後、
残留水を除去するため、前記硬化物を約２０℃〜約１１０℃の範囲内の温度で、約１２時間〜約９６時間乾燥させるステップ
をさらに含む、請求項１または２に記載のプロセス。
【請求項４】
前記膨張混合物の硬化が周囲雰囲気圧〜周囲雰囲気圧の約３０ｐｓｉ超の範囲内の圧力下および約２５％〜約９９．５％の範囲内のＣＯ２濃度下で行われ、気泡複合材料が製造される、請求項１〜３のいずれかに記載のプロセス。
【請求項５】
前記予備硬化およびさらなる硬化が動的ＣＯ２循環流動条件下で行われる、請求項１〜４のいずれかに記載のプロセス。
【請求項６】
湿潤混合物の形成が、次の成分の特定の添加順での混合：
所定分量の水の添加；
前記凝結制御混和剤の添加および混合；
前記分散／粘度調整剤の添加および混合；
ケイ酸カルシウム粉末の添加および混合；
均質なスラリーを形成するための前記充填剤粒子の添加および混合；ならびに
前記気泡剤の添加および混合
を含み、ならびに／または
前記湿潤混合物が特定のパーセントでの次の成分：
前記湿潤混合物の約４０〜約９５重量％での前記ケイ酸カルシウム粉末、
前記湿潤混合物の約０〜約３０重量％での前記充填剤粒子、
前記湿潤混合物の約０〜約０．０５重量％での前記凝結制御混和剤、
前記湿潤混合物の約０．０５〜約０．２５重量％での前記分散／粘度調整剤、および
前記湿潤混合物の約０．０５〜約０．３０重量％での前記気泡剤
の混合を含む、請求項２〜５のいずれかに記載のプロセス。
【請求項７】
前記予備硬化のステップが約２０℃〜約８０℃の範囲内の温度で約１時間〜約１０時間、水およびＣＯ２を含む蒸気下で行われ、ならびに／または
前記予備硬化物のさらなる硬化が約２０℃〜約８０℃の範囲内の温度で約５時間〜約４０時間、水およびＣＯ２を含み、約周囲雰囲気圧〜周囲雰囲気圧の約３０ｐｓｉ超の範囲内の圧力を有する蒸気下で行われる、請求項１〜６のいずれかに記載のプロセス。
【請求項８】
前記ケイ酸カルシウム粉末がウォラストナイト、擬ウォラストナイト、ランキナイト、ベライト、およびアライトから選択される、請求項１〜７のいずれかに記載のプロセス。
【請求項９】
前記気泡剤が粉末および／もしくはペースト形態の、アルミニウム、鉄、亜鉛、または液体形態の過酸化水素から選択される、請求項１〜８のいずれかに記載のプロセス。
【請求項１０】
前記凝結制御混和剤がグルコン酸塩およびスクロースから選択され、ならびに／または前記分散／粘度調整剤がポリカルボン酸塩系材料であり、ならびに／または前記硬化のステップの終わりに強度をもたらす成分が主に炭酸カルシウムおよび非晶質ケイ酸カルシウム相、ならびにケイ酸カルシウム水和物ゲルおよび水酸化カルシウムからなる、請求項２〜９のいずれかに記載のプロセス。
【請求項１１】
特定の粒径、約０．２５μｍ〜約５μｍの範囲内のｄ１０、約５μｍ〜約２０μｍの範囲内のｄ５０、および約２５μｍ〜約１００μｍの範囲内のｄ９０により特徴づけられる複数の結合要素であって、
主にケイ酸カルシウムを含むコアと、
シリカに富む第１層、すなわち内層と、
炭酸カルシウムに富む第２層、すなわち外層を含む、各前記結合要素；
約０．５μｍ〜約５００μｍの範囲内の粒径を有する複数の充填剤粒子；ならびに
複数の空隙を含む気泡複合材料において、
前記複数の結合要素および前記複数の充填剤粒子がともに１つ以上の結合マトリックスを形成し、前記複数の結合要素および前記複数の充填剤粒子がその中で実質的に均一に分散されて互いに結合し、
前記複数の空隙が前記気泡複合材料の約５０体積％〜約８０体積％を占める気泡形状および／または相互接続チャネルであり、これにより
約３００ｋｇ／ｍ３〜１５００ｋｇ／ｍ３の密度、約２．０ＭＰａ〜約８．５ＭＰａの圧縮強度、および約０．４ＭＰａ〜約１．７ＭＰａの曲げ強度を示す、気泡複合材料。
【請求項１２】
前記充填剤粒子が約０．５μｍ〜約５００μｍの範囲内の粒径を有するフライアッシュ、ボトムアッシュ、スラグ、石灰石、マイクロシリカ、および石英、並びに約２０μｍ〜約５００μｍの範囲内の粒径を有する軽量骨材から選択される、請求項１１に記載の気泡複合材料。
【請求項１３】
前記複数の結合要素が、アルミニウム、マグネシウムおよび鉄の１つ以上を含む前駆体ケイ酸カルシウムから化学的に変換される、請求項１１または１２に記載の気泡複合材料。
【請求項１４】
前記複数の空隙が前記気泡複合材料の約５０体積％〜約８０体積％を占め、
約４００ｋｇ／ｍ３〜１２００ｋｇ／ｍ３の密度、約３．０ＭＰａ〜約６．０ＭＰａの圧縮強度、および約０．６６ＭＰａ〜約１．３２ＭＰａの曲げ強度を示す、請求項１１〜１３のいずれかに記載の気泡複合材料。
【請求項１５】
分散またはレオロジー調整混和剤、顔料、凝結遅延剤、および凝結促進剤から選択される添加剤をさらに含む、請求項１１〜１４のいずれかに記載の気泡複合材料。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月6日(2017.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
超吸収性材料がその構造内にハチミツを保持する能力は、使用する吸収性材料の質量、密度、およびタイプ、ならびに用いられる含浸方法に依存する。飽和をまねかないハチミツの典型的な用量は、０．２ｇ／ｃｍ２であり、そのため、５ｃｍ×５ｃｍのシートでは、用量はハチミツ５ｇであり、１０ｃｍ×１０ｃｍのシートでは、用量はハチミツ２０ｇである。したがって、シートは、０．１ｇ／ｃｍ２〜０．３ｇ／ｃｍ２の間、例えば、０．１５ｇ／ｃｍ２〜０．３ｇ／ｃｍ２の間などを含有し得る。しかし、使用する超吸収性材料およびシートの厚さに応じて、この範囲以外の他の用量も使用することができ、それによって、要求される吸収能力の利用がもたらされることが理解されよう。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
膜オーバーレイ層が、硬化カルボキシメチルセルロース層、シリコーンを含む層、ポリテトラフルオロエチレンを含む層、シリコーンおよびポリテトラフルオロエチレンを含む層、ならびに架橋ポリウレタン層、またはこれらの組合せから選択される、請求項１に記載の創傷被覆材。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
創傷治癒剤が、レストスペルマム属由来のハチミツを含む、請求項６に記載の創傷被覆材。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月4日(2017.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１８】
Ｒ１２が−ＯＨである請求項１４〜１７のいずれか１項に記載のアクリジニウムエステル。
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月29日(2017.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビットストリームからビデオを復号する復号方法であって、
（ａ）レイヤが現ピクチャの直接参照レイヤであるか否かを示す第一の情報を含むビデオパラメータセットの拡張シンタックスを受信するステップと、
（ｂ）前記第一の情報に基づいて前記現ピクチャの前記直接参照レイヤの数を計算するステップと、
（ｃ）前記現ピクチャの復号においてインターレイヤ予測のために使用可能なピクチャの数に関する第二の情報を含むスライスセグメントヘッダシンタックスを受信するステップと、
（ｄ）前記直接参照レイヤの数又は前記第二の情報に基づいて前記現ピクチャのアクティブ参照レイヤピクチャの数を計算するステップと、
（ｅ）前記現ピクチャの前記アクティブ参照レイヤピクチャの数が前記現ピクチャの前記直接参照レイヤの数と異なるとき、インターレイヤ予測レイヤインジケータを復号するステップと、
（ｆ）前記インターレイヤ予測レイヤインジケータを用いたインターレイヤ予測によって前記現ピクチャを復号するステップと、を含むことを特徴とする復号方法。
【請求項２】
ビットストリームからビデオを復号する復号装置であって、
レイヤが現ピクチャの直接参照レイヤであるか否かを示す第一の情報を含むビデオパラメータセットの拡張シンタックスと、前記現ピクチャの復号においてインターレイヤ予測のために使用可能なピクチャの数に関する第二の情報を含むスライスセグメントヘッダシンタックスと、を受信する受信部と、
前記第一の情報に基づいて前記現ピクチャの前記直接参照レイヤの数を計算し、前記直接参照レイヤの数又は前記第二の情報に基づいて前記現ピクチャのアクティブ参照レイヤピクチャの数を計算する計算部と、
前記現ピクチャの前記アクティブ参照レイヤピクチャの数が前記現ピクチャの前記直接参照レイヤの数と異なるとき、インターレイヤ予測レイヤインジケータを復号し、前記インターレイヤ予測レイヤインジケータを用いたインターレイヤ予測によって前記現ピクチャを復号する復号部と、を備えることを特徴とする復号装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】復号方法及び復号装置
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月28日(2017.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
免許不要周波数帯において動作するユーザ機器(UE)の性能を改善するための方法であって、
前記UEにおいて、スモールセルから無線リソース制御(RRC)再構成メッセージを介して二次的コンポーネントキャリア(SCC)の更新を受信するステップであって、前記SCCの更新が、第1の無線アクセス技術(RAT)上で動作する前記スモールセルの第1のSCCと関連付けられるチャンネルが第2のRAT上で動作する別のエンティティによってもある期間において使用されていることを示す、ステップと、
前記SCCの更新を受信したことに応じて前記UEを前記期間において第2のSCCにチューニングするステップと、
前記期間において前記第2のSCC上で前記UEにおいてデータを受信するステップとを備え、
前記第1のSCCおよび前記第2のSCCが前記スモールセルにおいて構成される、方法。
【請求項２】
前記チューニングが、周波数またはチャンネルのホッピングを介して実行される、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記チューニングが、媒体アクセス制御(MAC)層コマンドを使用した、前記第1のSCCの非アクティブ化と前記第2のSCCのアクティブ化とを含む、請求項2に記載の方法。
【請求項４】
セルグローバル識別情報(CGI)と公衆移動通信網の識別子(PLMN ID)の組合せが、前記第1のRATの基地局の間で前記周波数または前記チャンネルのホッピングを直交させるために使用される、請求項2に記載の方法。
【請求項５】
前記第2のSCCが複数の第2のSCCを含み、前記スモールセルからの前記データの前記受信がさらに、前記複数の第2のSCC上で前記データを受信するステップを備え、前記UEにおいて受信される前記データが、前記複数の第2のSCCの間で均一または不均一な方式で拡散される、請求項1に記載の方法。
【請求項６】
前記第1のRATがlong term evolution(LTE) RATであり、前記第2のRATがwireless fidelity(Wi-Fi) RATである、請求項1に記載の方法。
【請求項７】
免許不要周波数帯において動作するユーザ機器(UE)の性能を改善するための装置であって、
前記UEにおいて、スモールセルから無線リソース制御(RRC)再構成メッセージを介して二次的コンポーネントキャリア(SCC)の更新を受信するための手段であって、前記SCCの更新が、第1の無線アクセス技術(RAT)上で動作する前記スモールセルの第1のSCCと関連付けられるチャンネルが第2のRAT上で動作する別のエンティティによってもある期間において使用されていることを示す、手段と、
前記SCCの更新を受信したことに応じて前記UEを前記期間において第2のSCCにチューニングするための手段と、
前記期間において前記第2のSCC上で前記UEにおいてデータを受信するための手段とを備え、
前記第1のSCCおよび前記第2のSCCが前記スモールセルにおいて構成される、装置。
【請求項８】
前記UEを前記第2のSCCにチューニングするための手段が、周波数またはチャンネルのホッピングを介してチューニングするための手段を含む、請求項7に記載の装置。
【請求項９】
チューニングするための前記手段が、媒体アクセス制御(MAC)層コマンドを使用した、前記第1のSCCの非アクティブ化および前記第2のSCCのアクティブ化のための手段を含む、請求項8に記載の装置。
【請求項１０】
セルグローバル識別情報(CGI)と公衆移動通信網の識別子(PLMN ID)の組合せが、前記第1のRATの基地局の間で前記周波数または前記チャンネルのホッピングを直交させるために使用される、請求項8に記載の装置。
【請求項１１】
前記第2のSCCが複数の第2のSCCを含み、前記スモールセルから前記データを受信するための前記手段がさらに、前記複数の第2のSCC上で前記データを受信するための手段を備え、前記UEにおいて受信される前記データが、前記複数の第2のSCCの間で均一または不均一な方式で拡散される、請求項7に記載の装置。
【請求項１２】
前記第1のRATがlong term evolution(LTE) RATであり、前記第2のRATがwireless fidelity(Wi-Fi) RATである、請求項7に記載の装置。
【請求項１３】
免許不要周波数帯において動作するユーザ機器(UE)の性能を改善するためのコンピュータ実行可能コードを記憶したコンピュータ可読媒体であって、
二次的コンポーネントキャリア(SCC)の更新を介して、無線リソース制御(RRC)再構成メッセージ受信コンポーネントを介して、スモールセルからSCCの更新を受信するためのコードであって、前記SCCの更新が、第1の無線アクセス技術(RAT)上で動作する前記スモールセルの第1のSCCと関連付けられるチャンネルが第2のRAT上で動作する別のエンティティによってもある期間において使用されていることを示す、コードと、
前記SCCの更新を受信したことに応じて、SCCチューニングコンポーネントを介して、前記期間において前記UEを第2のSCCにチューニングするためのコードと、
前記期間において前記第2のSCC上で前記UEにおいてデータを受信するためのコードとを備え、
前記第1のSCCおよび前記第2のSCCが前記スモールセルにおいて構成される、コンピュータ可読媒体。
【請求項１４】
前記UEを前記第2のSCCにチューニングするための前記コードが、周波数またはチャンネルのホッピングを介して前記チューニングを実行するためのコードを含む、請求項13に記載のコンピュータ可読媒体。
【請求項１５】
チューニングするための前記コードが、媒体アクセス制御(MAC)層コマンドを使用した、前記第1のSCCの非アクティブ化および前記第2のSCCのアクティブ化のためのコードを含む、請求項14に記載のコンピュータ可読媒体。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成29年2月9日(2017.2.9)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９９】
一実施形態によれば、そのような情報を決定するために、第２のデバイスは、シンボルの持続時間中の複数の時点で、第１のデバイスから光バンドパスフィルタを介して第２のデバイスによって受信された光信号の信号強度の測定値を得る。これは、第２のデバイスが、シンボルに関して、異なる時点で信号強度を測定することを意味する。次いで、第２のデバイスは、前記測定値を表す情報を監視デバイスに送信する。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１００
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１００】
別の実施形態によれば、そのような情報を決定するために、第２のデバイスは、シンボルの持続時間中の複数の時点で、第１のデバイスから光バンドパスフィルタを介して第２のデバイスによって受信された光信号の信号強度の測定値を得る。次いで、第２のデバイスは、信号強度の測定中に局所的極値または変曲点を決定し、前記局所的極値または変曲点を表す情報を監視デバイスに送信する。そのような局所極値に関する詳細については図３を参照されたい。信号時間形状におけるそのような局所的極値または変曲点は、例えば信号時間形状の導関数または信号時間形状の二次導関数に基づいて決定することができる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項６】
前記離調レベルを表す前記情報を決定するために、監視デバイスが、
前記第１のデバイスから前記光バンドパスフィルタを介して前記第２のデバイスによって受信された光信号のシンボルに対応する信号時間形状を表す情報を、得るステップと、
前記信号時間形状を表す前記得られた情報を、１組の所定の信号時間形状を表す情報と比較するステップであって、各所定の信号時間形状が、前記光信号の前記搬送波波長と前記光バンドパスフィルタの前記公称波長との間のそれぞれの離調レベルを表すステップと
を行うことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項７】
前記離調レベルを表す前記情報を決定するために、前記監視デバイスが、前記第１のデバイスから前記光バンドパスフィルタを介して前記第２のデバイスによって受信された光信号の連続するシンボル間の時間ドリフトを表す情報を、得ることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月28日(2017.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線通信ネットワークにおいてＣｏＭＰ送信を実行する方法であって、
第１ネットワークノードが、少なくとも１つのＣｏＭＰ仮設セットと少なくとも１つの利益メトリック情報を含むＣｏＭＰ情報を第２ネットワークノードから受信するステップと、
前記第１ネットワークノードが、前記ＣｏＭＰ情報に基づくＣｏＭＰ送信を実行するステップと、
を有し、
前記少なくとも１つのＣｏＭＰ仮設セットと前記少なくとも１つの利益メトリック情報は、前記ＣｏＭＰ情報に含まれる情報要素フォーマット内で定義され、
前記少なくとも１つの利益メトリック情報により示される情報は、前記少なくとも１つの利益メトリック情報が特別な値として設定される特定情報を含み、
前記ＣｏＭＰ情報は、前記ＣｏＭＰ送信の開始フレーム番号に関する情報を含む、ＣｏＭＰ送信実行方法。
【請求項２】
前記少なくとも１つの利益メトリック情報により示される前記情報は、利益メトリックを含む、請求項１に記載のＣｏＭＰ送信実行方法。
【請求項３】
前記利益メトリックは定量化した値を有する、請求項２に記載のＣｏＭＰ送信実行方法。
【請求項４】
前記少なくとも１つのＣｏＭＰ仮設セットが適用されるとの仮定において、前記定量化した値が期待値に基づいて決定される、請求項３に記載のＣｏＭＰ送信実行方法。
【請求項５】
前記少なくとも１つのＣｏＭＰ仮設セットのそれぞれは、前記利益メトリックと関連する、請求項２に記載のＣｏＭＰ送信実行方法。
【請求項６】
前記少なくとも１つのＣｏＭＰ仮設セットは、ＣｏＭＰネットワークノードのＩＤ、及び前記ＣｏＭＰネットワークノードの仮定動作に関する情報を含む、請求項１に記載のＣｏＭＰ送信実行方法。
【請求項７】
ＣｏＭＰネットワークノード間のリンクは、非−理想的なバックホールリンク（ＮＩＢ）に相当する、請求項１に記載のＣｏＭＰ送信実行方法。
【請求項８】
ＣｏＭＰネットワークノード間のインターフェースは、Ｘ２インターフェースに相当する、請求項１に記載のＣｏＭＰ送信実行方法。
【請求項９】
前記第２ネットワークノードは、中心型調整構造の中心制御ノードに相当する、請求項１に記載のＣｏＭＰ送信実行方法。
【請求項１０】
無線通信ネットワークにおいてＣｏＭＰ送信を実行するネットワークノード装置であって、
送受信器と、
プロセッサと、
を備え、
前記プロセッサは、少なくとも１つのＣｏＭＰ仮設セットと少なくとも１つの利益メトリック情報を含むＣｏＭＰ情報を第１ネットワークノードから受信し、前記ＣｏＭＰ情報に基づくＣｏＭＰ送信を実行するよう構成され、
前記少なくとも１つのＣｏＭＰ仮設セットと前記少なくとも１つの利益メトリック情報は、シグナリングに含まれる情報要素フォーマット内で定義され、
前記少なくとも１つの利益メトリック情報により示される情報は、前記少なくとも１つの利益メトリック情報が特別な値として設定される特定情報を含み、
前記ＣｏＭＰ情報は、前記ＣｏＭＰ送信の開始フレーム番号に関する情報を含む、ネットワークノード装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年9月15日(2017.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）一般式（Ｉ）の少なくとも１つの化合物
Ｌｉ（１＋ｘ）［ＮｉａＣｏｂＭｎｃＭ１ｄ］（１−ｘ）Ｏ２              （Ｉ）
［式中、
ｘは０．０１〜０．０７の範囲であり、
ａは０．３〜０．６の範囲であり、
ｂは０〜０．３５の範囲であり、
ｃは０．２〜０．６の範囲であり、
ｄは０〜０．０５の範囲であり、
ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１
Ｍ１はＣａ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｂａ、Ａｌから選択される少なくとも１つの金属である］、
（ｂ）一般式（ＩＩ）の少なくとも１つの化合物
ＬｉＦｅ（１−ｙ）Ｍ２ｙＰＯ４                        （ＩＩ）
［式中、
ｙは０〜０．８の範囲であり、
Ｍ２はＴｉ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｖ、Ｍｇ、Ｎｄ、ＺｎおよびＹから選択される少なくとも１つの元素である］であって、
当該成分（ｂ）中またはドメイン内に少なくとも１つのさらなる鉄−リン化合物を固溶体の形態で含有する化合物、
（ｃ）導電性形態の炭素
を含む電極材料。
【請求項２】
成分（ａ）対成分（ｂ）の質量比が３０：７０〜９７．５：２．５の範囲である、請求項１に記載の電極材料。
【請求項３】
炭素（ｃ）の量が成分（ｂ）に対して１〜８質量％の範囲である、請求項１または２に記載の電極材料。
【請求項４】
成分（ｂ）の表面（ＢＥＴ）が５〜３５ｍ２／ｇの範囲である、請求項１から３のいずれか一項に記載の電極材料。
【請求項５】
ａが０．３２〜０．５０の範囲であり、
ｂが０．２０〜０．３３の範囲であり、
ｃが０．３０〜０．４０の範囲であり、
ｄが０である、請求項１から４のいずれか一項に記載の電極材料。
【請求項６】
一般式（Ｉ）の化合物が傾斜材料である、請求項１から５のいずれか一項に記載の電極材料。
【請求項７】
前記さらなる鉄−リン化合物がＦｅ３（ＰＯ４）２およびＦｅ２Ｐ２Ｏ７から選択される、請求項１から６のいずれか一項に記載の電極材料。
【請求項８】
前記さらなる鉄−リン化合物がリン化鉄から選択される、請求項１から６のいずれか一項に記載の電極材料。
【請求項９】
ｘが０．０１〜０．０５の範囲である、請求項１から８のいずれか一項に記載の電極材料。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか一項に記載の少なくとも１つの電極材料および少なくとも１つのバインダー（ｄ）を含むカソード。
【請求項１１】
（Ａ）成分（ａ）、成分（ｂ）、炭素（ｃ）、およびバインダー（ｄ）を含む少なくとも１つのカソードであって、
成分（ａ）は、一般式（Ｉ）の少なくとも１つの化合物
Ｌｉ（１＋ｘ）［ＮｉａＣｏｂＭｎｃＭ１ｄ］（１−ｘ）Ｏ２              （Ｉ）
［式中、：
ｘは０．０１〜０．０７の範囲であり、
ａは０．３〜０．６の範囲であり、
ｂは０〜０．３５の範囲であり、
ｃは０．２〜０．６の範囲であり、
ｄは０〜０．０５の範囲であり、
ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１
Ｍ１はＣａ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｂａ、Ａｌから選択される少なくとも１つの金属である］
であり、
成分（ｂ）は、一般式（ＩＩ）の少なくとも１つの化合物
ＬｉＦｅ（１−ｙ）Ｍ２ｙＰＯ４                        （ＩＩ）
［式中、
ｙは０〜０．８の範囲であり、
Ｍ２はＴｉ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｖ、Ｍｇ、Ｎｄ、ＺｎおよびＹから選択される少なくとも１つの元素である］
であって、
当該成分（ｂ）中またはドメイン内に少なくとも１つのさらなる鉄−リン化合物を固溶体の形態で含有する、化合物であり、
炭素（ｃ）は、導電性形態の炭素である、
カソード、
（Ｂ）少なくとも１つのアノード、ならびに
（Ｃ）少なくとも１つの電解質
を含有するバッテリー。
【請求項１２】
請求項１１に記載のバッテリーを自動車用途に使用する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月13日(2017.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも２つのトランジスタデバイスを有する集積回路を形成する方法であって、当該方法は、
基板の上に緩衝層を形成するステップと、
前記緩衝層の上にＧａＮ層を形成するステップと、
前記ＧａＮ層の上にバリア層を形成するステップと、
前記バリア層の上に誘電層を形成するステップと、
前記誘電層に前記少なくとも２つのトランジスタデバイスのそれぞれのための少なくとも１つのデバイスコンタクト開口を、前記誘電層の、前記少なくとも２つのトランジスタデバイスの間に分離コンタクト開口を形成するステップと、
前記誘電層、前記デバイスコンタクト開口及び前記分離コンタクト開口の上に金属層を形成するステップと、
金属マスクの窓を定義するフォトレジスト膜を各前記デバイスコンタクト開口の上に形成するステップと、
前記金属層をエッチングするステップと、
前記金属層をエッチングするステップの一部として、前記バリア層及び前記ＧａＮ層の一部をエッチングして、前記金属マスクの窓と分離コンタクト開口とが重なる分離領域を形成するステップと、
を含む方法。
【請求項２】
前記金属層をエッチングするステップは、Ｃｌ２プラズマ、ＢＣｌ３プラズマ及びＡｒプラズマのうちの少なくとも１つを含むプラズマを用いる金属エッチングを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記少なくとも２つのトランジスタデバイスのそれぞれのための前記デバイスコンタクト開口はそれぞれのゲートコンタクトを定義する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記デバイスコンタクト開口は、前記少なくとも２つのトランジスタデバイスのそれぞれのための一対のデバイスコンタクト開口を含み、該一対のデバイスコンタクト開口はそれぞれのドレインオーミックコンタクト及びソースオーミックコンタクトを定義する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記ＧａＮ層はドープされておらず、０．５μｍ〜１０μｍの厚さを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記バリア層はドープされておらず、５０オングストローム〜３００オングストロームの厚さを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記バリア層はＡｌＧａＮを含み、該ＡｌＧａＮのＡｌ組成比が１０％〜３５％である、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
トランジスタデバイスを形成する方法であって、当該方法は、
基板の上に緩衝層を形成するステップと、
前記緩衝層の上にＧａＮ層を形成するステップと、
前記ＧａＮ層の上にバリア層を形成するステップと、
前記バリア層の上に誘電層を形成するステップと、
前記誘電層に少なくとも１つのデバイスコンタクト開口と、分離コンタクト開口とを形成するステップと、
前記誘電層、前記少なくとも１つのデバイスコンタクト開口及び前記分離コンタクト開口の上に金属層を形成するステップと、
金属マスクの窓を定義するフォトレジスト膜を前記少なくとも１つのデバイスコンタクト開口の上に形成するステップと、
前記金属層をエッチングするステップと、
前記金属層をエッチングするステップの一部として、前記バリア層及び前記ＧａＮ層の一部をエッチングして、前記金属マスクの窓と分離コンタクト開口とが重なる分離領域を形成するステップと、
を含む方法。
【請求項９】
前記分離コンタクト開口は前記金属マスクの窓よりも幅広である、請求項１又は８に記載の方法。
【請求項１０】
前記金属マスクの窓は前記分離コンタクト開口よりも幅広である、請求項１又は８に記載の方法。
【請求項１１】
前記誘電層に少なくとも１つのデバイスコンタクト開口と分離コンタクト開口とを形成するステップは、前記誘電層をエッチングして前記バリア層を露出することを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
前記フォトレジスト膜を剥離するステップをさらに含む、請求項１又は８に記載の方法。
【請求項１３】
前記少なくとも１つのデバイスコンタクト開口は、前記トランジスタデバイスのためのゲートコンタクトを定義する、請求項８に記載の方法。
【請求項１４】
前記少なくとも１つのデバイスコンタクト開口は、前記トランジスタデバイスのためのドレインオーミックコンタクト及びソースオーミックコンタクトをそれぞれ定義する一対のデバイスコンタクト開口を含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１５】
前記フォトレジスト層は、前記金属層のエッチングのためのエッチストップとして機能する、請求項４又は１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記金属層をエッチングするステップは、各トランジスタデバイスのドレインオーミックコンタクトとソースオーミックコンタクトとの間にそれぞれの金属空間を定義することを含む、請求項１５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月1日(2016.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子デバイスを製作するための方法であって、
少なくとも一つのキャビティと前記少なくとも一つのキャビティを取り囲む表面を有する第１のサブストレートを提供するステップと、
前記第１のサブストレートの前記表面上にチタン材料の半田バリアレイヤをデポジットするステップと、
前記少なくとも一つのキャビティの境界線の周りにリングを形成するために、前記第１のサブストレートの前記表面の一部分の上に第１のシール構造体を形成するステップであり、チタン材料の前記半田バリアレイヤは、チタン材料の前記半田バリアレイヤが前記第１のシール構造体の中へ延びないように、前記第１のシール構造体の周りに境界線を形成しており、前記境界線は、前記第１のシール構造体がその上に配置される前記第１のサブストレートの部分を定めている、ステップと、
ゲッタとして機能するように、真空環境において、約１０分から約１２０分の範囲の時間期間に約２００°Ｃから約５００°Ｃの範囲における温度まで、前記チタン材料の半田バリアレイヤを加熱することによって、前記チタン材料の半田バリアレイヤを活性化するステップと、
取り付けられた少なくとも一つのデバイスと第２のシール構造体を含む、第２のサブストレートを提供するステップであり、前記第２のシール構造体は、前記少なくとも一つのデバイスの境界線の周りにリングを形成している、ステップと、
前記第１のサブストレートの前記少なくとも一つのキャビティが前記少なくとも一つのデバイスの上に位置決めされるように、前記第１のシール構造体を前記第２のシール構造体に対して位置合わせするステップと、
半田を用いて前記第１のサブストレートを前記第２のサブストレートに対して接合するステップであり、前記半田バリアレイヤは、前記接合の最中に前記半田が前記第１のサブストレートに接触することを防ぐ、ステップと、
を含む、方法。
【請求項２】
前記チタン材料の半田バリアレイヤをデポジットするステップは、
約１０００オングストロームから約１００００オングストロームの範囲であるチタン材料の厚みで半田バリアレイヤをデポジットするステップ、
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記チタン材料の半田バリアレイヤを活性化するステップは、
前記第１のシール構造体を前記第２のシール構造体に対して位置合わせするステップの以後に実行される、
請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記チタン材料の半田バリアレイヤを活性化するステップは、
前記第１のサブストレートを前記第２のサブストレートに対して接合するステップと同時に実行される、
請求項１に記載の方法。
【請求項５】
パッケージされた電子デバイスであって、
第１のサブストレートであり、その上に形成された少なくとも一つのキャビティ、および、前記少なくとも一つのキャビティを取り囲む第１の表面を有する、第１のサブストレートと、
第２のサブストレートであり、取り付けられた少なくとも一つのデバイスを含む、第２のサブストレートと、
前記第１のサブストレートの一部分の上に配置された第１のシール構造体と、
前記第２のサブストレートの上に配置され、かつ、半田を用いて前記第１のシール構造体に対して接合された第２のシール構造体であり、前記第１の表面が前記第２のサブストレートに面しており、かつ、前記少なくとも一つのキャビティが前記少なくとも一つのデバイスの上に位置決めされている、第２のシール構造体と、
前記第１のサブストレートの前記第１の表面の上で、かつ、前記第１のシール構造体の境界線の周りに配置されたチタン材料の少なくとも一つのレイヤを含む半田バリアであり、チタン材料の前記少なくとも一つのレイヤは前記第１のシール構造体の中へ延びず、前記境界線は前記第１のシール構造体がその上に配置される前記第１のサブストレートの部分を定めており、前記チタン材料の少なくとも一つのレイヤはゲッタとして機能するように活性化されている、半田バリアと、
を含む、パッケージされた電子デバイス。
【請求項６】
前記半田バリアは、さらに、
前記キャビティの境界線の周りに配置された、バリア材料の少なくとも一つのレイヤを含む、
請求項５に記載のパッケージされた電子デバイス。
【請求項７】
前記チタン材料の少なくとも一つのレイヤは、前記バリア材料の少なくとも一つのレイヤ上で、かつ、前記第１のシール構造体の境界線の周りに配置される、
請求項６に記載のパッケージされた電子デバイス。
【請求項８】
前記バリア材料の少なくとも一つのレイヤは、チタン−タングステンを含む、
請求項７に記載のパッケージされた電子デバイス。
【請求項９】
前記チタン材料の少なくとも一つのレイヤの厚みは、約１０００オングストロームから約１００００オングストロームの範囲である、
請求項５に記載のパッケージされた電子デバイス。
【請求項１０】
前記第２のサブストレートは、さらに、取り付けられた少なくとも一つの参照デバイスを含み、かつ、
前記チタン材料の少なくとも一つのレイヤは、前記少なくとも一つの参照デバイスの上に位置決めされている、
請求項５に記載のパッケージされた電子デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月16日(2017.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機電子デバイスのための改質電極を調製するための方法であって、ここで前記改質電極は：
（ｉ）Ｍ（ｔｆｄ）３（式中、ＭはＭｏ、ＣｒまたはＷである）および少なくとも１つの溶媒を含む溶液を、前記電極の少なくとも１つの表面の少なくとも一部に堆積させる工程；および
（ｉｉ）前記溶媒の少なくとも一部を除去して、前記電極上に前記表面改質層を形成する工程
を含む、方法。
【請求項２】
前記表面改質層が有機半導体を含まない、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記表面改質層が、ＭがＭｏであるＭ（ｔｆｄ）３からなる、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記電極が、Ａｕ、ＡｇまたはＣｕを含む、請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
（ｉ）請求項１から４のいずれか一項に記載の方法によって少なくとも１つの改質電極を調製する工程；および
（ｉｉ）前記改質電極の表面に少なくとも１つの有機半導体を含む有機半導体性層を堆積させる工程
を含む有機電子デバイスを調製するための方法。
【請求項６】
前記デバイスが薄膜トランジスタである、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記有機半導体性層が、ポリマー性半導体および少なくとも１つの非ポリマー性半導体を含む、請求項５または６に記載の方法。
【請求項８】
前記非ポリマー性半導体が、式（Ｉ）を有する、請求項７に記載の方法：
【化１】
2016531423.tif 000001
式中、Ａは、フェニル基またはチオフェン基であり、前記フェニル基またはチオフェン基は、非置換または式Ｘ１の少なくとも１つの基で置換できるフェニル基またはチオフェン基と縮合してもよく、および／またはフェニル基、チオフェン基およびベンゾチオフェン基から選択される基で縮合してもよく、前記フェニル、チオフェンおよびベンゾチオフェン基のいずれかは、非置換または式Ｘ１の少なくとも１つの基で置換され；
各基Ｘ１は、同一または異なっていてもよく、（ｉ）１〜２０個の炭素原子を有する非置換または置換の直鎖、分岐または環状アルキル基、１〜１２個の炭素原子を有するアルコキシ基、非置換であってもよくまたは１〜８個の炭素原子を有する１もしくは２つのアルキル基で置換されてもよいアミノ基（そのそれぞれは同一または異なっていてもよい）、アミド基、シリル基、および２〜１２個の炭素原子を有するアルケニル基、または（ｉｉ）ハロゲン、ボロン酸、ジボロン酸ならびにボロン酸およびジボロン酸のエステル、２〜１２個の炭素原子を有するアルケニル基およびスタンニル基からなる群から選択される重合性または反応性基からなる群から選択される、
方法。
【請求項９】
前記ポリマー性半導体が式（ＩＩ）の繰り返しユニット：
【化２】
2016531423.tif 000002
式中、Ｒ１およびＲ２は、同一または異なって、それぞれは水素、１〜１６個の炭素原子を有するアルキル基、５〜１４個の炭素原子を有するアリール基、および１〜３個の硫黄原子、酸素原子、窒素原子および／またはセレニウム原子を含有する５〜７員のヘテロアリール基からなる群から選択され、前記アリール基またはヘテロアリール基は、非置換であるか、または１〜１６個の炭素原子を有するアルキル基および１〜１６個の炭素原子を有するアルコキシ基から選択される１つ以上の置換基で置換される；
および式（ＩＩＩ）の繰り返しユニット：
【化３】
2016531423.tif 000003
式中、Ａｒ１およびＡｒ２は、同一または異なって、それぞれは５〜１４個の炭素原子を有するアリール基、および１〜３個の硫黄原子、酸素原子および／または窒素原子を含有する５〜７員のヘテロアリール基から選択され、前記アリール基またはヘテロアリール基は、非置換であるか、または１〜１６個の炭素原子を有するアルキル基および１〜１６個の炭素原子を有するアルコキシ基から選択される１つ以上の置換基で置換され；
Ｒ３は、１〜８個の炭素原子を有するアルキル基、または非置換であってもよくもしくは１〜８個の炭素原子を有するアルキル基で置換されてもよいフェニル基であり、ｎは１以上の整数である
を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記ポリマー性半導体が、Ｆ８−ＴＦＢ［９，９’−ジオクチルフルオレン−ｃｏ−Ｎ−（４−ブチルフェニル）−ジフェニルアミン］ｎであり、ここでｎは１００を超える、請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
請求項５から１０のいずれか一項に記載の方法によって得ることができる有機電子デバイス。
【請求項１２】
それらの間にチャンネル領域を規定するソースおよびドレイン電極；前記ソースおよびドレイン電極の少なくとも１つの表面の少なくとも一部と接触したＭ（ｔｆｄ）３（式中、ＭはＭｏ、ＣｒまたはＷである）を含む表面改質層；前記表面改質層と接触し、前記チャンネル領域にわたって延びる半導体性層；ゲート電極；および前記有機半導体性層と前記ゲート電極との間のゲート誘電体を含む有機薄膜トランジスタ。
【請求項１３】
請求項１２に記載の有機薄膜トランジスタであって；
ｉ）基板；
ｉｉ）前記基板上に堆積され、それらの間に位置するチャンネル領域を有するソースおよびドレイン電極であって、前記電極のそれぞれの少なくとも１つの表面の少なくとも一部がＭ（ｔｆｄ）３（式中、ＭはＭｏ、ＷまたはＣｒである）を含む表面改質層で改質されている電極；
ｉｉｉ）前記ソースおよびドレイン電極の少なくとも一部にわたって、前記チャンネル領域中に堆積される半導体性層；
ｉｖ）前記半導体性層にわたって堆積されるゲート誘電体；および
ｖ）前記ゲート誘電体上に堆積されるゲート電極
を含む、有機薄膜トランジスタ。
【請求項１４】
請求項１２に記載の有機薄膜トランジスタであって：
ｉ）基板、
ｉｉ）前記基板上に堆積されるゲート電極；
ｉｉｉ）前記ゲート電極にわたって堆積されたゲート誘電体；
ｉｖ）前記ゲート誘電体上に堆積され、それらの間にチャンネル領域を有するソースおよびドレイン電極であって、前記電極のそれぞれの少なくとも１つの表面の少なくとも一部がＭ（ｔｆｄ）３（式中、ＭはＭｏ、ＣｒまたはＷである）を含む表面改質層で改質されている電極；
ｖ）前記ソースおよびドレイン電極の少なくとも一部にわたって、前記チャンネル領域中に堆積される半導体性層
を含む、有機薄膜トランジスタ。
【請求項１５】
請求項１から４のいずれか一項に記載の方法によって得ることができる改質電極。
【請求項１６】
少なくとも１つの表面の少なくとも一部と接触した表面改質層を含む改質電極であって、ここで前記表面改質層は、Ｍ（ｔｆｄ）３（式中、ＭはＭｏ、ＣｒまたはＷである）を含む、電極。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月6日(2017.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
出力光を生成するよう構成される発光装置であって、
４４０ｎｍ乃至４６０ｎｍの第１の波長範囲内に発光ピークを持つ光を発するよう構成される少なくとも１つの青色発光素子、
４００ｎｍ乃至４４０ｎｍの第２の波長範囲内に発光ピークを持つ光を発するよう構成される少なくとも１つの深青色発光素子、
前記深青色発光素子により発せられる光を受けるよう構成される少なくとも１つの狭帯域波長変換材料であって、５０ｎｍ未満の半値全幅を持つ光を発するよう構成される狭帯域波長変換材料、及び
前記青色発光素子及び前記深青色発光素子のうちの少なくとも１つにより発せられる光を受けるよう構成される少なくとも１つの広帯域波長変換材料であって、５０ｎｍ以上の半値全幅を持つ光を発するよう構成される広帯域波長変換材料、
を有する、発光装置。
【請求項２】
前記少なくとも１つの狭帯域波長変換材料は、赤色波長範囲内に発光ピークを持つ光を発するよう構成される狭帯域赤色蛍光体である、請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記少なくとも１つの狭帯域波長変換材料は、緑色波長範囲内に発光ピークを持つ光を発するよう構成される狭帯域緑色蛍光体である、請求項１に記載の発光装置。
【請求項４】
前記少なくとも１つの広帯域波長変換材料は、緑色又は黄色波長範囲内に発光ピークを持つ光を発するよう構成される広帯域緑色又は黄色蛍光体である、請求項２に記載の発光装置。
【請求項５】
前記少なくとも１つの広帯域波長変換材料は、赤色波長範囲内に発光ピークを持つ光を発するよう構成される広帯域赤色蛍光体である、請求項３に記載の発光装置。
【請求項６】
前記狭帯域赤色蛍光体は、ドーパントとして元素Ｍｇ、Ｏ、Ｇｅ及び任意にＭｎを有する、請求項２に記載の発光装置。
【請求項７】
前記狭帯域緑色蛍光体は、元素Ｓｉ、Ａｌ、Ｏ及びＮを有する、請求項３に記載の発光装置。
【請求項８】
前記少なくとも１つの深青色発光素子により発せられる光の少なくとも一部は、全出力光の一部を形成する、請求項１に記載の発光装置。
【請求項９】
前記少なくとも１つの狭帯域波長変換材料の少なくとも一部は、前記少なくとも１つの深青色発光素子上に設けられる、請求項１に記載の発光装置。
【請求項１０】
前記広帯域波長変換材料の少なくとも一部は、前記少なくとも１つの青色発光素子及び／又は前記少なくとも１つの深青色発光素子上に設けられる、請求項１に記載の発光装置。
【請求項１１】
前記狭帯域波長変換材料及び前記広帯域波長変換材料のうちの少なくとも１つは、前記少なくとも１つの深青色発光素子から離れて配置される、請求項１に記載の発光装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１の何れか一項に記載の発光装置を複数有する照明装置であって、前記複数の発光装置は、当該照明装置の長手方向に沿って連続的に配置され、各発光装置は、前記深青色発光素子、前記青色発光素子、前記狭帯域波長変換材料及び前記広帯域波長変換材料を有する、照明装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１１の何れか一項に記載の発光装置を少なくとも１つ有するスポットライト。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月20日(2017.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
静電チャックであって、
前記静電チャックの底部を画定する底面および頂面を有する実質的に堅い支持層と、
第１の電極と、
前記第１の電極と少なくとも部分的に交互に配置された第２の電極と、
前記静電チャックの頂部を画定する頂面を有する誘電体層と
を備え、前記第１および第２の電極が、前記誘電体層の前記頂面と前記支持層の前記頂面との間に配置されており、前記支持層、前記電極および前記誘電体層が単一体を形成し、前記静電チャックがさらに、
前記第１の電極に結合された第１のコネクタであり、前記静電チャックの前記底部に対して露出した第１のコネクタと、
前記第２の電極に結合された第２のコネクタであり、前記静電チャックの前記底部に対して露出した第２のコネクタと
を備え、
前記第１および第２のコネクタが、ばね式の導体と接触することによって電源に電気的に接続するように構成された
静電チャック。
【請求項２】
前記第１のコネクタが導電性パッドを含む、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項３】
前記支持層を貫いて前記パッドを前記第１の電極に電気的に接続する１つまたは複数の導電性ビア
をさらに備える、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項４】
前記支持層が、ガラスまたはセラミック材料を含む、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項５】
前記誘電体層が、ガラスまたはセラミック材料を含む、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項６】
前記誘電体層が、前記支持層の熱膨張率にほぼ等しい熱膨張率を備える、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項７】
前記第１の電極が、前記第２の電極の複数のフィンガと交互に配置された複数のフィンガを備える、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項８】
前記支持層および前記誘電体層が、前記支持層および前記誘電体層内に形成されたガス導管と、前記支持層および前記誘電体層を貫いて形成された３つ以上のリフトピン孔とを有する、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項９】
前記誘電体層の前記頂面が、前記誘電体層の前記頂面内に形成された１つまたは複数のガスチャネルを有し、前記ガスチャネルが前記ガス導管に結合された、請求項７に記載の静電チャック。
【請求項１０】
基板をチャックする装置であって、
（ａ）
頂面と、
前記頂面を貫いて形成された孔の中に配置された第１の複数のリフトピンと、
前記頂面を貫いて形成された孔の中に配置された第２の複数のリフトピンと
を備える支持部材と、
（ｂ）前記支持部材の前記頂面上に配置された静電チャックと
を備え、前記静電チャックが、
前記静電チャックの底部を画定する底面および頂面を有する実質的に堅い支持層と、
第２の電極と少なくとも部分的に交互に配置された第１の電極と、
前記静電チャックの頂部を画定する頂面を有する誘電体層と
を備え、前記第１および第２の電極が、前記誘電体層の前記頂面と前記支持層の前記頂面との間に配置されており、前記装置がさらに、
（ｃ）前記誘電体層の前記頂面から突出する持ち上げられた位置と、前記誘電体層の前記頂面の高さと同じかまたはそれよりも低い引っ込められた位置との間で、前記第１の複数のリフトピンを変位させるように構成された第１のアクチュエータと、
（ｄ）前記支持部材の前記頂面から間隔を置いて前記静電チャックを配置する持ち上げられた位置と、前記支持部材の前記頂面上に前記静電チャックを着座させる引っ込められた位置との間で、前記第２の複数のリフトピンを変位させるように構成された第２のアクチュエータと
を備える装置。
【請求項１１】
前記支持部材の前記頂面が、
前記静電チャックを受け取る凹み
を備える、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記静電チャックが、
前記静電チャックの外側端面内に形成された１つまたは複数のガス送達溝であり、前記静電チャックの前記頂面内に形成されたもう１つのガス送達溝に結合された１つまたは複数のガス送達溝を備え、前記支持部材の前記頂面内に形成された前記凹みの側壁が、前記静電チャックの前記外側端面内に形成された前記ガス送達溝の境界をなす、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記静電チャックを貫いてガス導管が形成されていない、請求項１１に記載の装置。
【請求項１４】
前記静電チャックおよび前記支持部材が、前記支持部材に対する前記静電チャックの位置に応じて自動的に係合し、自動的に係合を解くように構成された電気接続を有する、請求項１１に記載の装置。
【請求項１５】
前記支持層が、ガラスまたはセラミック材料を含む、請求項１１に記載の装置。
【請求項１６】
前記誘電体層が、ガラスまたはセラミック材料を含む、請求項１１に記載の装置。
【請求項１７】
前記誘電体層が、前記支持層の熱膨張率にほぼ等しい熱膨張率を備える、請求項１１に記載の装置。
【請求項１８】
前記第１の電極が、前記第２の電極の複数のフィンガと交互に配置された複数のフィンガを備える、請求項１１に記載の装置。
【請求項１９】
処理チャンバ内の静電チャックを取り替える方法であって、
第１の一組のリフトピンを作動させて、前記処理チャンバ内に配置された支持部材から第１の静電チャックを離隔させること、
ロボットによって、前記第１の一組のリフトピンから前記第１の静電チャックを取り外すこと、
ロボットによって、前記第１の一組のリフトピン上に第２の静電チャックを置くこと、および
前記第１の一組のリフトピンを作動させて、前記支持部材上に前記第２の静電チャックをセットすること
を含む方法。
【請求項２０】
ロボットによって、前記第１の一組のリフトピン上に前記第２の静電チャックを置くことが、
前記第２の静電チャックを貫いて形成された孔を第２の一組のリフトピンと整列させることを含み、前記第２の一組のリフトピンが、前記第２の静電チャックの上方に、加工物を、前記第２の静電チャックから間隔を置いて配置する位置まで作動するように構成された、
請求項１９に記載の方法。