【手続補正書】
【提出日】平成29年5月1日(2017.5.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板から多層物体を準備する方法であって、半導体基板は、２つの主な、ほぼ平行な面であって、１つは半導体基板の表面であり他は半導体基板の裏面である面と、半導体基板の表面と裏面をつなぐ周辺エッジとを含み、この方法は、
（ａ）半導体基板の表面上に金属膜を形成する工程であって、金属膜は、金属膜表面と、金属膜裏面と、金属膜表面と金属膜裏面との間のバルク金属領域とを含み、金属膜裏面は、半導体基板表面と接触する工程と、
（ｂ）半導体基板の表面と金属膜裏面との間に窒化ホウ素層を形成する工程と、
（ｃ）半導体基板の表面と金属膜裏面との間に、グラフェン層を形成する工程と、を含む方法。
【請求項２】
工程（ｂ）と工程（ｃ）は、この順番に行われる請求項１に記載の方法。
【請求項３】
工程（ｂ）と工程（ｃ）が、繰り返される請求項２に記載の方法。
【請求項４】
工程（ｃ）は工程（ｂ）の前に行われる請求項１に記載の方法。
【請求項５】
工程（ｂ）と工程（ｃ）が、繰り返される請求項４に記載の方法。
【請求項６】
工程（ｂ）は、
金属膜表面を、ホウ素含有ガスと窒素含有ガスとに、ホウ素原子と窒素原子が金属膜のバルク金属領域中に拡散するのに十分な温度で接触させる工程と、
ホウ素と窒素が金属膜のバルク金属領域から沈殿し、金属膜裏面と半導体基板の表面との間に窒化ホウ素層を形成するように、金属膜を含む半導体基板を冷却する工程と、を含む請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
工程（ｃ）は、
金属膜のバルク金属領域に炭素原子を拡散するのに十分な温度で、金属膜を炭素含有ガスに接触させる工程と、
バルク金属領域から拡散した炭素原子を沈殿させて、これにより半導体基板の表面と金属膜裏面との間にグラフェン層を形成する工程と、を含む請求項１〜６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
半導体基板は、半導体ウエハを含む請求項１〜７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
半導体ウエハは、シリコン、砒化ガリウム、炭化シリコン、シリコンゲルマニウム、窒化シリコン、二酸化シリコン、およびゲルマニウム、およびそれらの組み合わせからなるグループから選択される材料を含む請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
半導体ウエハは、チョクラルスキ法で成長した単結晶シリコンインゴッドから切り出されたシリコンウエハを含む請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
半導体基板の表面は、その表面の上の誘電体層を含む請求項１〜１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
半導体基板の表面は、その表面の上の酸化シリコン層を含む請求項１〜１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
酸化シリコン層は、約３０ｎｍから約１０００ｎｍまでの膜厚である請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
半導体基板の表面は、酸化シリコン層と窒化シリコン層とを含み、
酸化シリコン層は、半導体基板と窒化シリコン層との間にある請求項１〜１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
金属膜は、１０００℃で、少なくとも約０．０５原子％の炭素溶解度を有する金属を含む請求項１〜１４のいずれかに記載の方法。
【請求項１６】
金属膜は、１０００℃で、約３原子％より小さい炭素溶解度を有する金属を含む請求項１〜１４のいずれかに記載の方法。
【請求項１７】
金属膜は、ニッケル、銅、鉄、プラチナ、パラジウム、ルテニウム、コバルト、およびそれらの合金からなるグループから選択される金属を含む請求項１〜１４のいずれかに記載の方法。
【請求項１８】
金属膜は、ニッケルを含む請求項１〜１４のいずれかに記載の方法。
【請求項１９】
金属膜は、銅を含む請求項１〜１４のいずれかに記載の方法。
【請求項２０】
金属膜は、約５０ｎｍから約２０μｍまでの膜厚である請求項１〜１９のいずれかに記載の方法。
【請求項２１】
金属膜は、約１００ｎｍから約４００ｎｍまでの膜厚である請求項１〜１９のいずれかに記載の方法。
【請求項２２】
ホウ素含有ガスは、ジボラン、トリクロロボラン、およびトリフルオロボランからなるグループから選択される請求項６〜２１のいずれかに記載の方法。
【請求項２３】
窒素含有ガスは、窒素およびアンモニアからなるグループから選択される請求項６〜２２のいずれかに記載の方法。
【請求項２４】
ホウ素含有ガスと窒素含有ガスは同じで、このガスは、ボラジン、トリクロロボラジン、およびアンモニアボラジンからなるグループから選択される請求項６〜２１のいずれかに記載の方法。
【請求項２５】
炭素含有ガスは、メタン、エタン、エチレン、アセチレン、プロパン、プロピレン、プロピン、ブタン、ブチレン、ブチン、およびそれらの組み合わせからなるグループから選択される請求項７〜２４のいずれかに記載の方法。
【請求項２６】
金属膜は、還元性雰囲気で、炭素含有ガスと接触する請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
還元性雰囲気は、水素ガスを含む請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
半導体基板の冷却工程は、金属膜の表面上の窒化ホウ素層として、金属膜のバルク金属領域から、ホウ素と窒素を沈殿させる請求項６〜２７のいずれかに記載の方法。
【請求項２９】
更に、金属膜を炭素含有ガスに接触させる前に、金属膜表面から窒化ホウ素層を除去する工程を含む請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
金属膜表面の上の窒化ホウ素層は、酸素プラズマエッチングで除去される請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】
更に、金属膜を除去する工程を含む請求項１〜３０のいずれかに記載の方法。
【請求項３２】
金属膜は、水性の金属エッチャントに接触させて除去され、これにより、半導体基板、窒化ホウ素層、およびグラフェン層を含む多層構造を準備する請求項３１に記載の方法。
【請求項３３】
金属膜をその上に有する半導体基板を急冷することにより、炭素原子を沈殿させ、これにより、窒化ホウ素層と金属膜裏面との間にグラフェン層を形成する請求項７〜３２のいずれかに記載の方法。
【請求項３４】
多層物体であって、
２つの主な、ほぼ平行な面であって、１つはドナー基板の表面であり他はドナー基板の裏面である面と、表面と裏面をつなぐ周辺エッジと、表面と裏面との間の中央平面とを含む半導体基板、
半導体基板の表面に接触する窒化ホウ素層と、
窒化ホウ素層に接触するグラフェン層と、を含む多層物体。
【請求項３５】
更に、グラフェン層と接触する金属膜を含み、金属膜は、金属膜表面と、金属膜裏面と、金属膜表面と金属膜裏面との間のバルク金属領域とを含む請求項３４に記載の多層物体。
【請求項３６】
金属膜は、ニッケル、銅、鉄、プラチナ、パラジウム、ルテニウム、コバルト、およびそれらの合金からなるグループから選択される金属を含む請求項３５に記載の多層物体。
【請求項３７】
更に、グラフェン層に接触する第２の窒化ホウ素層を含む請求項３４〜３６のいずれかに記載の多層物体。
【請求項３８】
半導体基板は、半導体ウエハを含む請求項３４〜３７のいずれかに記載の多層物体。
【請求項３９】
半導体ウエハは、シリコン、砒化ガリウム、炭化シリコン、シリコンゲルマニウム、窒化シリコン、二酸化シリコン、およびゲルマニウム、およびそれらの組み合わせからなるグループから選択される材料を含む請求項３８に記載の多層物体。
【請求項４０】
半導体ウエハは、チョクラルスキ法で成長した単結晶シリコンインゴットから切り出されたシリコウエハを含む請求項３９に記載の多層物体。
【請求項４１】
半導体基板の表面は、誘電体層を含む請求項４０に記載の多層物体。
【請求項４２】
窒化ホウ素層は、２から約１００までの単原子膜厚のグラフェン層を含む請求項３４〜４１のいずれかに記載の多層物体。