(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（Ａ１）で表される有機金属錯体及びマグネシウムの存在下においてハロシラン化合物を反応させることを含む質量平均分子量３００以上２５００以下のポリシラン化合物の製造方法であって、前記ポリシラン化合物が半導体プロセスにおけるギャップフィル材料用のポリシラン化合物である、方法。
ＭｐＬｐ／ｑ    （Ａ１）
（上記一般式（Ａ）中、Ｍｐは、ｐ価の金属カチオンを表し、Ｌはｑ価の有機配位子を表し、ｐ及びｑは各々独立に１以上の整数を表す。）
【請求項２】
前記ギャップフィル材料が半導体基板表面上の溝を埋めるためのギャップフィル材料である、請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
溶媒中、アルカリ金属塩の存在下でマグネシウムを作用させることを特徴とするポリシラン類の製造方法を除く、請求項１又は２に記載の製造方法。
【請求項４】
下記一般式（Ａ１）で表される有機金属錯体及びマグネシウムの存在下においてハロシラン化合物を反応させること、並びに、
前記反応後に得られたポリシラン化合物を金属ハロゲン化物又は塩基に接触させて精製させることを含む質量平均分子量５０００以下のポリシラン化合物の製造方法であって、前記金属ハロゲン化物が、Ｃｒ、Ｇａ、Ｆｅ（Ｆｅ（ＩＩ）若しくはＦｅ（ＩＩＩ））、Ｃｄ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｃｕ（Ｃｕ（ＩＩ）若しくはＣｕ（Ｉ））、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ及びＡｕよりなる群から選択される少なくとも１つの金属若しくは金属イオンを含む金属ハロゲン化物であり、
前記塩基が、メチルリチウム、ｎ−ブチルリチウム、塩化メチルマグネシウム、及び臭化エチルマグネシウムよりなる群から選択される少なくとも１つのアルキル金属類、
ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、及びカリウムｔ−ブトキシドよりなる群から選択される少なくとも１つのアルコキシド類、又は
トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、ピリジン、４−ジメチルアミノピリジン、及びジアザビシクロウンデセン（ＤＢＵ）よりなる群から選択される少なくとも１つの有機塩基類である、方法。
ＭｐＬｐ／ｑ    （Ａ１）
（上記一般式（Ａ）中、Ｍｐは、ｐ価の金属カチオンを表し、Ｌはｑ価の有機配位子を表し、ｐ及びｑは各々独立に１以上の整数を表す。）
【請求項５】
前記金属ハロゲン化物又は塩基が、Ｃｒ、Ｇａ、Ｆｅ（Ｆｅ（ＩＩ）若しくはＦｅ（ＩＩＩ））、Ｃｄ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｃｕ（Ｃｕ（ＩＩ）若しくはＣｕ（Ｉ））、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ及びＡｕよりなる群から選択される少なくとも１つの金属若しくは金属イオンを含む金属ハロゲン化物である、請求項４に記載の製造方法。
【請求項６】
下記一般式（Ａ１）で表される有機金属錯体及びマグネシウムの存在下においてハロシラン化合物を反応させることを含む質量平均分子量５０００以下のポリシラン化合物の製造方法であって、製造される前記ポリシラン化合物が環状ポリシランである、製造方法。
ＭｐＬｐ／ｑ    （Ａ１）
（上記一般式（Ａ）中、Ｍｐは、ｐ価の金属カチオンを表し、Ｌはｑ価の有機配位子を表し、ｐ及びｑは各々独立に１以上の整数を表す。）
【請求項７】
前記有機金属錯体が、下記一般式（Ａ２）で表される有機金属錯体である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の製造方法。
【化１】
0006989525.tif 000010
（上記一般式（Ａ２）中、Ｍは、鉄、銀、アルミニウム、ビスマス、セリウム、コバルト、銅、ジスプロシウム、エルビウム、ユーロピウム、ガリウム、ガドリニウム、ハフニウム、ホルミウム、インジウム、イリジウム、ランタン、ルテチウム、マンガン、モリブデン、ネオジム、ニッケル、オスミウム、パラジウム、プロメチウム、プラセオジム、白金、レニウム、ロジウム、ルテニウム、サマリウム、スカンジウム、スズ、テルビウム、チタン、ツリウム、バナジウム、クロム、タンタル、イッテルビウム、金、水銀、タングステン、イットリウム、亜鉛及びジルコニウムよりなる群から選択される金属を表し、Ｒａ１は、各々独立して、飽和炭化水素基、不飽和炭化水素基、芳香族炭化水素基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基又はアリールオキシアルキル基を表し、Ｒａ２は、水素原子、飽和炭化水素基、不飽和炭化水素基、芳香族炭化水素基又はアラルキル基を表わす。ｐは１以上の整数を表す。）
【請求項８】
前記一般式（Ａ２）において、Ｒａ１がメチル基を表し、Ｒａ２が水素原子を表す、請求項７に記載の製造方法。
【請求項９】
製造される前記ポリシラン化合物が、直鎖状ポリシラン、分岐状ポリシラン及び環状ポリシランよりなる群から選択される少なくとも１種のポリシランである、請求項１〜５のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１０】
前記ポリシラン化合物が環状ポリシランである、請求項９に記載の製造方法。
【請求項１１】
前記ポリシラン化合物中のＸ線光電子分光法により測定される９９ｅＶ以上１０４ｅＶ以下の結合エネルギー範囲に最大検出ピーク高さを有するスペクトルをピーク分離して求められる下記（１Ｘ）及び（２Ｘ）のピークの面積の和に対する下記（２Ｘ）の比である、下記式（３Ｘ）で表される割合が０．４以下である、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の製造方法。
（１Ｘ）・・・結合エネルギーが９９．０ｅＶ以上９９．５ｅＶ以下の範囲に最大ピーク高さを有するピークの面積
（２Ｘ）・・・結合エネルギーが１００ｅＶ以上１０４ｅＶ以下の範囲に最大ピーク高さを有するピークの面積
（３Ｘ）・・・（２Ｘ）／［（１Ｘ）＋（２Ｘ）］
【請求項１２】
前記ポリシラン化合物中の、Ｚｎ、Ｃｕ又はＦｅである金属それぞれの含有量が５００ｐｐｂ以下である、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１３】
金属ハロゲン化物及び塩基よりなる群から選択される少なくとも１種を含む水溶液に、前記反応後の液を接触させて精製することにより前記ポリシラン化合物を得ることを更に含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１４】
前記ハロシラン化合物が下記式（１）で表される化合物である、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の製造方法。
ＸｎＳｉＲ４−ｎ    （１）
（式中、ｎは２〜４の整数であり、ｎ個のＸは、各々独立に、ハロゲン原子であり、（４−ｎ）個のＲは、各々独立に、水素原子、有機基又はシリル基である。）
【請求項１５】
ポリシラン化合物中のＸ線光電子分光法により測定される９９ｅＶ以上１０４ｅＶ以下の結合エネルギー範囲に最大検出ピーク高さを有するスペクトルをピーク分離して求められる下記（１Ｘ）及び（２Ｘ）のピークの面積の和に対する下記（２Ｘ）の比である、下記式（３Ｘ）で表される割合が０．４以下であり、前記ポリシラン化合物中の、Ｚｎ、Ｃｕ又はＦｅである金属それぞれの含有量が５００ｐｐｂ以下である質量平均分子量３００以上２５００以下のポリシラン化合物であって、半導体プロセスにおけるギャップフィル材料用のポリシラン化合物。
（１Ｘ）・・・結合エネルギーが９９．０ｅＶ以上９９．５ｅＶ以下の範囲に最大ピーク高さを有するピークの面積
（２Ｘ）・・・結合エネルギーが１００ｅＶ以上１０４ｅＶ以下の範囲に最大ピーク高さを有するピークの面積
（３Ｘ）・・・（２Ｘ）／［（１Ｘ）＋（２Ｘ）］
【請求項１６】
前記ギャップフィル材料が半導体基板表面上の溝を埋めるためのギャップフィル材料である、請求項１５に記載のポリシラン化合物。
【請求項１７】
前記ポリシラン化合物が環状ポリシランである、請求項１５又は１６に記載のポリシラン化合物。
【請求項１８】
ポリシラン化合物中のＸ線光電子分光法により測定される９９ｅＶ以上１０４ｅＶ以下の結合エネルギー範囲に最大検出ピーク高さを有するスペクトルをピーク分離して求められる下記（１Ｘ）及び（２Ｘ）のピークの面積の和に対する下記（２Ｘ）の比である、下記式（３Ｘ）で表される割合が０．４以下であり、前記ポリシラン化合物中の、Ｚｎ、Ｃｕ又はＦｅである金属それぞれの含有量が５００ｐｐｂ以下である質量平均分子量５０００以下の環状ポリシラン化合物。
【請求項１９】
請求項１５〜１８のいずれか１項に記載のポリシラン化合物を含む組成物。
【請求項２０】
請求項１５〜１８のいずれか１項に記載のポリシラン化合物を含む膜。
【請求項２１】
請求項１５〜１８のいずれか１項に記載のポリシラン化合物を含む膜を備える基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ポリシラン化合物の製造方法、該ポリシラン化合物を含む組成物、膜及び基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
ポリシラン化合物は、セラミックス前駆体、光電子材料（例えば、フォトレジスト、有機感光体などの光電子写真材料、光導波路などの光伝送材料、光メモリなどの光記録材料、エレクトロルミネッセンス素子用材料）、種々の素子における層間絶縁膜、ＬＥＤ素子や有機ＥＬ素子のような発光素子の封止材料、半導体基板への不純物拡散用の塗布膜、及び半導体プロセス用のギャップフィル材料等の用途で使用され、これらの先端材料分野においては原料のメタル成分除去に対し高い要求がされる。また、微細加工や多層プロセスを含む製造工程では、基板上の凹凸を埋めるギャップフィル特性が要求されたり、薬品耐性や加工性の容易さが要求される。【０００３】
このようなポリシラン化合物の製造方法として、例えば、特許文献１には、塩化亜鉛等の金属ハロゲン化物の存在下、ハロシラン化合物に金属マグネシウムを反応させてポリシランを製造する方法が開示されている。
塩化亜鉛等の金属ハロゲン化物を用いる製造方法では、製造後のポリシラン中に、ケイ素−金属結合により、亜鉛等の金属が残存し残存金属の低減が困難であった。上記残存する金属は、上記ポリシランを含む膜等の光電子材料としての性能を損ない得ることが問題であった。
また、残存金属の低減を目的として製造されるポリシランの高分子量化を図るとギャップフィル特性が劣化するというジレンマがあった。【０００４】
また、特許文献２には、ポリシラン製造後に、塩化銅等の金属化合物を用いて残存金属を除去する精製方法が記載されている。
しかしながら、塩化銅等の金属化合物を用いた精製では、ポリシラン中における末端が加水分解により、シラノール（Ｓｉ−ＯＨ）化してしまい、ポリシランがシロキサン化してしまう問題があった。また、ポリシラン中のシラノール化は、上記ポリシランを含む膜の性能低下（例えば、クラック発生）の原因にもなり得ることが知られていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第５５７１９９２号公報
【特許文献２】特許第５６５８６０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み、残存金属（例えば、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｆｅ）が少ないポリシラン化合物の製造方法、該ポリシラン化合物を含む組成物、膜及び基板の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、ポリシラン化合物の製造方法において、特定の有機金属錯体を用いることにより、製造されるポリシラン化合物のシロキサン化の抑制と質量平均分子量として５０００以下を達成し、残存金属を低減し得ることを見出し、本発明を完成するに至った。【０００８】
本発明の第１の態様は、
下記一般式（Ａ１）で表される有機金属錯体及びマグネシウムの存在下においてハロシラン化合物を反応させることを含む質量平均分子量５０００以下のポリシラン化合物の製造方法である。
ＭｐＬｐ／ｑ    （Ａ１）
（上記一般式（Ａ１）中、Ｍｐは、ｐ価の金属カチオンを表し、Ｌはｑ価の有機配位子を表し、ｐ及びｑは各々独立に１以上の整数を表す。）【０００９】
本発明の第２の態様は、
ポリシラン化合物中のＸ線光電子分光法により測定される９９ｅＶ以上１０４ｅＶ以下の結合エネルギー範囲に最大検出ピーク高さを有するスペクトルをピーク分離して求められる下記（１Ｘ）及び（２Ｘ）のピークの面積の和に対する下記（２Ｘ）の比である、下記式（３Ｘ）で表される割合が０．４以下であり、上記ポリシラン化合物中の金属の含有量が５００ｐｐｂ以下である質量平均分子量５０００以下のポリシラン化合物である。
（１Ｘ）・・・結合エネルギーが９９．０ｅＶ以上９９．５ｅＶ以下の範囲に最大検出ピーク高さを有するピークの面積
（２Ｘ）・・・結合エネルギーが１００ｅＶ以上１０４ｅＶ以下の範囲に最大検出ピーク高さを有するピークの面積
（３Ｘ）・・・（２Ｘ）／［（１Ｘ）＋（２Ｘ）］
本発明の第３の態様は、第２の態様のポリシラン化合物を含む組成物である。
本発明の第４の態様は、第２の態様のポリシラン化合物を含む膜である。
本発明の第５の態様は、第２の態様のポリシラン化合物を含む膜を備える基板である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、残存金属（例えば、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｆｅ）が少ないポリシラン化合物の製造方法、該ポリシラン化合物を含む組成物、膜及び基板を提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施態様について詳細に説明するが、本発明は、以下の実施態様に何ら限定されるものではなく、本発明の目的の範囲内において、適宜変更を加えて実施することができる。
また、本明細書において、「〜」は特に断りがなければ以上から以下を表す。
【００１２】
＜ポリシラン化合物の製造方法＞
第１の態様に係るポリシラン化合物の製造方法は、上記一般式（Ａ１）で表される有機金属錯体及びマグネシウムの存在下においてハロシラン化合物を反応させることを含むポリシラン化合物の製造方法である。
第１の態様に係るポリシラン化合物の製造方法によれば、上記一般式（Ａ１）で表される有機金属錯体を用いることにより、残存金属を少なくし得る。
また、製造されるポリシラン化合物の質量平均分子量として５０００以下を達成し、ギャップフィル特性も改善し得る。
【００１３】
（有機金属錯体）
第１の態様に係るポリシラン化合物の製造方法は、ハロシラン化合物の反応は下記一般式（Ａ１）で表される有機金属錯体の存在下において行う。
ＭｐＬｐ／ｑ    （Ａ１）
（上記一般式（Ａ１）中、Ｍｐは、ｐ価の金属カチオンを表し、Ｌはｑ価の有機配位子を表し、ｐ及びｑは各々独立に１以上の整数を表す。）
【００１４】
ｐ価の金属カチオンＭｐを構成する金属原子としては、鉄、銀、アルミニウム、ビスマス、セリウム、コバルト、銅、ジスプロシウム、エルビウム、ユーロピウム、ガリウム、ガドリニウム、ハフニウム、ホルミウム、インジウム、イリジウム、ランタン、ルテチウム、マンガン、モリブデン、ネオジム、ニッケル、オスミウム、パラジウム、プロメチウム、プラセオジム、白金、レニウム、ロジウム、ルテニウム、サマリウム、スカンジウム、スズ、テルビウム、チタン、ツリウム、バナジウム、クロム、タンタル、イッテルビウム、金、水銀タングステン、イットリウム、亜鉛及びジルコニウムよりなる群から選択される金属が挙げられる。
ｐとしては、１〜４の整数であることが好ましく、１〜３の整数であることがより好ましく、２又は３であることが更に好ましい。
ｑとしては、１〜４の整数であることが好ましく、１〜３の整数であることがより好ましく、１又は２であることが更に好ましい。
ｑ価の有機配位子Ｌとしては、アセチルアセトナト等のβ-ジケトナト配位子、オレフィン、共役ケトン、ニトリル、アミン、カルボキシラト配位子、一酸化炭素、ホスフィン、ホスフィナイト、ホスホナイト、ホスファイト等の有機配位子が挙げられる。ｑ価の有機配位子Ｌはキレート配位子であってもよい。
【００１５】
上記有機金属錯体としては、下記一般式（Ａ２）で表される有機金属錯体であることが好ましい。
【化１】
0006989525.tif 000002
（上記一般式（Ａ２）中、Ｍは、鉄、銀、アルミニウム、ビスマス、セリウム、コバルト、銅、ジスプロシウム、エルビウム、ユーロピウム、ガリウム、ガドリニウム、ハフニウム、ホルミウム、インジウム、イリジウム、ランタン、ルテチウム、マンガン、モリブデン、ネオジム、ニッケル、オスミウム、パラジウム、プロメチウム、プラセオジム、白金、レニウム、ロジウム、ルテニウム、サマリウム、スカンジウム、スズ、テルビウム、チタン、ツリウム、バナジウム、クロム、タンタル、イッテルビウム、金、水銀タングステン、イットリウム、亜鉛及びジルコニウムよりなる群から選択される金属を表し、Ｒａ１は、各々独立して、飽和炭化水素基、不飽和炭化水素基、芳香族炭化水素基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基又はアリールオキシアルキル基を表し、Ｒａ２は、水素原子、飽和炭化水素基、不飽和炭化水素基、芳香族炭化水素基又はアラルキル基を表わす。ｐは１以上の整数を表す。）
【００１６】
Ｒａ１及びＲａ２で表わされる飽和炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、テトラデシル基、ヘキサデシル基、オクタデシル基、イコシル基、ドコシル基、２−ドデシルヘキサデシル基、トリアコンチル基、ドトリアコンチル基、テトラコンチル基などの炭素数１〜４０の直鎖状または分岐状アルキル基、さらに、これらがハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、アルコキシ基（下記に記載するものなど）、シリル基（下記に記載するものなど）などの置換基の１種または２種以上で置換されたアルキル基、たとえばクロロプロピル基、３，３，３−トリフルオロプロピル基、３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキシル基、トリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロオクチル基、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロデシル基、３−（ヘプタフルオロイソプロポキシ）プロピル基、トリメチルシリルメチル基など；シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ビシクロヘプチル基、シクロオクチル基、アダマンチル基などの炭素数３〜１８の単環または２環以上の多環の環状飽和炭化水素基、さらにこれら環状飽和炭化水素基がアルキル基（上記したものなど）、アリール基（上記したものなど）などの置換基の１種または２種以上で置換されたもの、例えば、４−ｔ−ブチルシクロヘキシル基、４−フェニルシクロへキシル基など；または上記環状飽和炭化水素基を有するアルキル基（上記したものなど）、たとえばシクロヘキシルメチル基、アダマンチルエチル基などが挙げられる。
【００１７】
Ｒａ１及びＲａ２で表わされる不飽和炭化水素基としては、ビニル基、エチニル基、アリル基、１−プロペニル基、プロパルギル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、オクテニル基、デカニル基、ドデカニル基、オクタデカニル基などの炭素数２〜１８の直鎖状または分岐状アルケニル基、アルキニル基、さらに、これらの不飽和炭化水素基が、ハロゲン原子（上記したものなど）、アルコキシ基（下記に記載するものなど）、シリル基（下記に記載するものなど）、アリール基（下記に記載するものなど）の置換基の１種または２種以上で置換されたもの、たとえば、２−トリフルオロメチルエテニル基、２−トリフルオロメチルエチニル基、３−メトキシ−１−プロペニル基、３−メトキシ−１−プロピニル基、２−トリメチルシリルエテニル基、２−トリメチルシリルエチニル基、２−フェニルエテニル基、２−フェニルエチニル基など；シクロプロペニル基、シクロヘキセニル基、シクロオクテニル基などの炭素数３〜１８の環状不飽和炭化水素基；上記環状不飽和炭化水素基を有するアルキル基（上記したものなど）、たとえばシクロヘキセニルエチル基などが挙げられる。
【００１８】
Ｒａ１及びＲａ２で表わされる芳香族炭化水素基としては、フェニル基、および、トリル基、ブチルフェニル基、ブトキシフェニル基などのアルキル基、アルコキシ基、アミノ基などの１種または２種以上で置換された置換フェニル基などが挙げられる。
【００１９】
Ｒａ１及びＲａ２で表わされるアラルキル基としては、ベンジル基、フェネチル基、メチルフェネチル基、ブチルフェネチル基、フェニルプロピル基、メトキシフェニルプロピル基などが挙げられ、ヘテロアラルキル基としては、ピリジルメチル基、ピリジルエチル基などが挙げられる。
【００２０】
Ｒａ１で表わされるアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基などの炭素数１〜１８のアルコキシ基が挙げられ、アリールオキシ基としては、フェノキシ基、およびトリルオキシ基、ブチルフェノキシ基などアルキル基などの置換基で置換された置換フェノキシ基などが挙げられる。
【００２１】
Ｒａ１で表わされるアラルキルオキシ基としては、ベンジロキシ基、フェネチロキシ基などが挙げられ、アリールオキシアルキル基としては、フェノキシプロピル基、フェノキシブチル基などが挙げられる。
【００２２】
Ｒａ１として好ましいものは、炭素数が１〜３０の飽和炭化水素基、芳香族炭化水素基などであり、さらに好ましいものは、炭素数が１〜１５のアルキル基、フェニル基などであり、特に好ましいものは、メチル基である。
【００２３】
Ｒａ２として好ましいものは、水素原子、炭素数が１〜１８の飽和炭化水素基、芳香族炭化水素基などであり、さらに好ましいものは、水素原子、炭素数が１〜１０のアルキル基、フェニル基、フェニルエチル基などであり、特に好ましいものは、水素原子である。
Ｒａ１はメチル基を表し、Ｒａ２は水素原子を表すことが好ましい。
ｐの好ましい例としては上述の通りである。
【００２４】
金属錯体としては、上記の金属ＭとＲａ１及びＲａ２の組み合わせにより種々の金属錯体が挙げられる。具体例を例示すると、アセチルアセトナト銀（Ｉ）、トリス（アセチルアセトナト）アルミニウム（ＩＩＩ）、トリス（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）アルミニウム（ＩＩＩ）、トリス（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ビスマス（ＩＩＩ）、トリス（アセチルアセトナト）セリウム（ＩＩＩ）、ビス（アセチルアセトナト）コバルト（ＩＩ）、トリス（アセチルアセトナト）コバルト（ＩＩＩ）、トリス（１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオナト）コバルト（ＩＩＩ）、トリス（３−メチル−２，４−ペンタンジオナト）コバルト（ＩＩＩ）、トリス（３−フェニル−２，４−ペンタンジオナト）コバルト（ＩＩＩ）、トリス（３−（１−フェニルエチル）−２，４−ペンタンジオナト）コバルト（ＩＩＩ）、ビス（ベンゾイルアセトン）コバルト（ＩＩ）ビス（ヘキサフルオロアセチルアセトナト）コバルト（ＩＩ）、トリス（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）コバルト（ＩＩＩ）、ビス（アセチルアセトナト）銅（ＩＩ）、ビス（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタジオナト）銅（ＩＩ）、トリス（２，２，４，６，６−ペンタメチル−３，５−ヘプタンジオナト）コバルト（ＩＩＩ）、トリス（２，２，６，６−テトラメチル−４−（１−フェニルエチル）−３，５−ヘプタンジオナト）コバルト（ＩＩＩ）、トリス（２，２，６，６−テトラメチル−４−フェニル−３，５−ヘプタンジオナト）コバルト（ＩＩＩ）、ビス（ヘキサフルオロアセチルアセトナト）銅（ＩＩ）、ビス（トリフルオロアセチルアセトナト）銅（ＩＩ）、トリス（アセチルアセトナト）ジスプロシウム（ＩＩＩ）、トリス（アセチルアセトナト）エルビウム（ＩＩＩ）、トリス（２，２，６，６，−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）エルビウム（ＩＩＩ）、トリス（アセチルアセトナト）ユーロピウム（ＩＩＩ）、ビス（アセチルアセトナト）鉄（ＩＩ）、トリス（アセチルアセトナト）鉄（ＩＩＩ）、トリス（１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオナト）鉄（ＩＩＩ）、トリス（３−メチル−２，４−ペンタンジオナト）鉄（ＩＩＩ）、トリス（３−フェニル−２，４−ペンタンジオナト）鉄（ＩＩＩ）、トリス（３−（１−フェニルエチル）−２，４−ペンタンジオナト）鉄（ＩＩＩ）、トリス（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）鉄（ＩＩＩ）、トリス（２，２，４，６，６−ペンタメチル−３，５−ヘプタンジオナト）鉄（ＩＩＩ）、トリス（２，２，６，６−テトラメチル−４−（１−フェニルエチル）−３，５−ヘプタンジオナト）鉄（ＩＩＩ）、トリス（２，２，６，６−テトラメチル−４−フェニル−３，５−ヘプタンジオナト）鉄（ＩＩＩ）、テトラキス（アセチルアセトナト）ハフニウム（ＩＶ）、トリス（アセチルアセトナト）ガリウム（ＩＩＩ）、トリス（アセチルアセトナト）ガドリニウム（ＩＩＩ）、トリス（アセチルアセトナト）ホルミウム（ＩＩＩ）、トリス（アセチルアセトナト）インジウム（ＩＩＩ）、トリス（アセチルアセトナト）イリジウム（ＩＩＩ）、トリス（アセチルアセトナト）ランタン（ＩＩＩ）、トリス（アセチルアセトナト）ルテチウム（ＩＩＩ）、ビス（アセチルアセトナト）マンガン（ＩＩ）、トリス（アセチルアセトナト）マンガン（ＩＩＩ）、ビス（ヘキサフルオロアセチルアセトナト）マンガン（ＩＩ）、ビス（アセチルアセトナト）ジオキソモリブデン（ＩＶ）、トリス（アセチルアセトナト）ネオジム（ＩＩＩ）、トリス（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタジオナト）ネオジム（ＩＩＩ）、ビス（アセチルアセトナト）ニッケル（ＩＩ）、ビス（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタジオナト）ニッケル（ＩＩ）、ビス（ヘキサフルオロアセチルアセトナト）ニッケル（ＩＩ）、ビス（１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオナト）ニッケル（ＩＩ）、ビス（３−メチル−２，４−ペンタンジオナト）ニッケル（ＩＩ）、ビス（３−フェニル−２，４−ペンタンジオナト）ニッケル（ＩＩ）、ビス（３−（１−フェニルエチル）−２，４−ペンタンジオナト）ニッケル（ＩＩ）、ビス（２，２，４，６，６−ペンタメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ニッケル（ＩＩ）、ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−（１−フェニルエチル）−３，５−ヘプタンジオナト）ニッケル（ＩＩ）、ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−フェニル−３，５−ヘプタンジオナト）ニッケル（ＩＩ）、ビス（アセチルアセトナト）パラジウム（ＩＩ）、ビス（ヘキサフルオロアセチルアセトナト）パラジウム（ＩＩ）、ビス（１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオナト）パラジウム（ＩＩ）、ビス（３−メチル−２，４−ペンタンジオナト）パラジウム（ＩＩ）、ビス（３−フェニル−２，４−ペンタンジオナト）パラジウム（ＩＩ）、ビス（３−（１−フェニルエチル）−２，４−ペンタンジオナト）パラジウム（ＩＩ）、ビス（２，２，４，６，６−ペンタメチル−３，５−ヘプタンジオナト）パラジウム（ＩＩ）、ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−（１−フェニルエチル）−３，５−ヘプタンジオナト）パラジウム（ＩＩ）、ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−フェニル−３，５−ヘプタンジオナト）パラジウム（ＩＩ）、トリス（アセチルアセトナト）プロメチウム（ＩＩＩ）、トリス（アセチルアセトナト）プラセオジム（ＩＩＩ）、トリス（ヘキサフルオロアセチルアセトナト）プラセオジム（ＩＩＩ）、ビス（アセチルアセトナト）白金（ＩＩ）、トリス（アセチルアセトナト）ロジウム（ＩＩＩ）、トリス（アセチルアセトナト）ルテニウム（ＩＩＩ）、トリス（アセチルアセトナト）スカンジウム（ＩＩＩ）、トリス（ヘキサフルオロアセチルアセトナト）スカンジウム（ＩＩＩ）、トリス（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタジオナト）スカンジウム（ＩＩＩ）、トリス（アセチルアセトナト）サマリウム（ＩＩＩ）、トリス（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）サマリウム（ＩＩＩ）、ビス（アセチルアセトナト）スズ（ＩＩ）、トリス（アセチルアセトナト）テルビウム（ＩＩＩ）、トリス（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）テルビウム（ＩＩＩ）、トリス（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ツリウム（ＩＩＩ）、トリス（アセチルアセトナト）バナジウム（ＩＩＩ）、トリス（アセチルアセトナト）イットリウム（ＩＩＩ）、トリス（ヘキサフルオロアセチルアセトナト）イットリウム（ＩＩＩ）、トリス（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）イットリウム（ＩＩＩ）、ビス（アセチルアセトナト）亜鉛（ＩＩ）、ビス（ヘキサフルオロアセチルアセトナト）亜鉛（ＩＩ）、ビス（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）亜鉛（ＩＩ）、テトラキス（アセチルアセトナト）ジルコニウム（ＩＶ）、テトラキス（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ジルコニウム（ＩＶ）、テトラキス（トリフルオロアセチルアセトナト）ジルコニウム（ＩＶ）などが挙げられる。
これら有機金属錯体は、単独または２種以上を組み合わせて使用できる。有機金属錯体として、あらかじめ合成した金属錯体を使用してもよく、系中で製造したものを使用してもよい。
【００２５】
上記有機金属錯体の使用量は、ハロシラン化合物に対して、０．０００１〜１０モル倍の範囲が好ましく、より好ましくは０．０００５〜１モル倍の範囲、特に好ましくは０．００１〜０．１モル倍の範囲である。
【００２６】
（マグネシウム）
第１の態様に係るポリシラン化合物の製造方法において、ハロシラン化合物の反応はマグネシウムの存在下において行う。
マグネシウムはハロシラン化合物を脱ハロゲン縮重合させる還元剤として機能し得る（「マグネシウム還元法」、ＷＯ９８／２９４７６号公報、特開２００３−２７７５０７号公報に記載の方法など）。
マグネシウムとしては、金属マグネシウム（マグネシウム単体）の形態、マグネシウム合金の形態であってもよく、これらの混合物などであってもよい（以下、単に「マグネシウム成分」ともいう。）。
マグネシウム合金の種類は特に制限されず、慣用のマグネシウム合金、例えば、アルミニウム、亜鉛、希土類元素（スカンジウム、イットリウムなど）などの成分を含むマグネシウム合金が例示できる。
マグネシウム成分の形状としては、ハロシラン化合物の反応を損なわない限り特に限定されないが、粉粒状（粉体、粒状体など）、リボン状体、切削片状体、塊状体、棒状体、板状体（平板状など）などが例示され、特に、粉体、粒状体、リボン状体、切削片状体などであることが好ましい。マグネシウム（例えば、粉粒状のマグネシウム）の平均粒径は、例えば、１〜１００００μｍ、好ましくは１０〜７０００μｍ、さらに好ましくは１５〜５０００μｍ（例えば、２０〜３０００μｍ）であってもよい。
上記マグネシウム成分は、単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００２７】
マグネシウム成分の使用量は、ハロシラン化合物のハロゲン原子に対して、マグネシウム換算で、１〜２０当量であることが好ましく、１．１〜１４当量であることがより好ましく、１．２〜１０当量であることが更に好ましく、１．２〜５当量であることが特に好ましい。
また、マグネシウムの使用量は、ハロシラン化合物に対してモル数でマグネシウムとして１〜２０倍であることが好ましく、１．１〜１４倍であることがより好ましく、１．２〜１０倍であることが更に好ましく、１．２〜５倍であることが特に好ましい。
【００２８】
（ハロシラン化合物）
第１の態様に係るポリシラン化合物の製造方法において、ハロシラン化合物としては下記式（１）で表される化合物であることが好ましい。
ＸｎＳｉＲ４−ｎ    （１）
（式中、ｎは２〜４の整数であり、ｎ個のＸは、各々独立に、ハロゲン原子であり、（４−ｎ）個のＲは、各々独立に、水素原子、有機基又はシリル基である。）
【００２９】
Ｘで表されるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子が挙げられ、塩素原子又は臭素原子が好ましく、塩素原子がより好ましい。
【００３０】
Ｒで表される有機基としては、アルキル基［メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル及びｔ−ブチル基などの炭素原子数１〜１０のアルキル基（好ましくは炭素原子数１〜６のアルキル基、特に炭素数１〜４のアルキル基など）］、シクロアルキル基（シクロヘキシル基などの炭素原子数５〜８のシクロアルキル基、特に炭素原子数５〜６のシクロアルキル基）、アルケニル基［エテニル基、プロペニル基、ブテニル基などの炭素原子数２〜１０のアルケニル基（好ましくは炭素原子数２〜６のアルケニル基、特に炭素数２〜４のアルケニル基など）］、シクロアルケニル基［１−シクロペンテニル基、１−シクロヘキセニル基等の炭素原子数５〜１０のシクロアルケニル基（好ましくは炭素原子数５〜８のシクロアルケニル基、特に炭素数５〜７のシクロアルケニル基など）］、アリール基（フェニル、ナフチル基などの炭素原子数６〜１０のアリール基、）、アラルキル基［ベンジル、フェネチル基などのＣ６−１０アリール−Ｃ１−６アルキル基（Ｃ６−１０アリール−Ｃ１−４アルキル基など）］、アミノ基、Ｎ−置換アミノ基（上記アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アシル基などで置換されたＮ−モノ又はジ置換アミノ基など）などが挙げられる。上記アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を構成するアリール基などは、１又は複数の置換基を有していてもよい。このような置換基としては、上記例示のアルキル基（特に炭素原子数１〜６のアルキル基など）などが挙げられる。このような置換基を有する有機基としては、例えば、トリル基（メチルフェニル基）、キシレニル基（２，６−ジメチルフェニル基）、エチルフェニル基、メチルナフチル基などのＣ１−６アルキル−Ｃ６−１０アリール基（好ましくはモノ、ジ又はトリＣ１−４アルキル−Ｃ６−１０アリール基、特にモノ又はジＣ１−４アルキルフェニル基など）などが挙げられる。
【００３１】
シリル基は、上記アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アリール基、アラルキル基及びアルコキシ基などで置換された置換シリル基が挙げられる。
【００３２】
ｎが２の場合（ジハロシラン化合物）において、Ｒとしては、アルキル基、アリール基などの炭化水素基が好ましい。
【００３３】
代表的なジハロシラン化合物としては、例えば、ジアルキルジハロシラン（ジメチルジクロロシランなどのジＣ１−１０アルキルジハロシラン、好ましくはジＣ１−６アルキルジハロシラン、さらに好ましくはジＣ１−４アルキルジハロシランなど）、モノアルキルモノアリールジハロシラン（メチルフェニルジクロロシランなどのモノＣ１−１０アルキルモノＣ６−１２アリールジハロシラン、好ましくはモノＣ１−６アルキルモノＣ６−１０アリールジハロシラン、さらに好ましくはモノＣ１−４アルキルモノＣ６−８アリールジハロシランなど）、ジアリールジハロシラン（ジフェニルジクロロシランなどのジＣ６−１２アリールジハロシラン、好ましくはジＣ６−１０アリールジハロシラン、さらに好ましくはジＣ６−８アリールジハロシランなど）などが挙げられる。ジハロシラン化合物としてはジアルキルジハロシラン又はモノアルキルモノアリールジハロシランが好ましい。ジハロシラン化合物は、単独で又は二種以上組み合わせて使用できる。
【００３４】
ｎが３の場合（トリハロシラン化合物）において、Ｒとしては、アルキル基、シクロアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、アラルキル基などの炭化水素基が好ましく、特にアルキル基又はアリール基が好ましい。
【００３５】
代表的なトリハロシラン化合物としては、アルキルトリハロシラン（メチルトリクロロシラン、ブチルトリクロロシラン、ｔ−ブチルトリクロロシラン、ヘキシルトリクロロシランなどのＣ１−１０アルキルトリハロシラン、好ましくはＣ１−６アルキルトリハロシラン、さらに好ましくはＣ１−４アルキルトリハロシランなど）、シクロアルキルトリハロシラン（シクロヘキシルトリハロシランなどのモノＣ６−１０シクロアルキルトリハロシランなど）、アリールトリハロシラン（フェニルトリクロロシラン、トリルトリクロロシラン、キシリルトリクロロシランなどのＣ６−１２アリールトリハロシラン、好ましくはＣ６−１０アリールトリハロシラン、さらに好ましくはＣ６−８アリールトリハロシランなど）などが挙げられる。トリハロシラン化合物には、アルキルトリハロシラン又はアリールトリハロシランが好ましい。
トリハロシラン化合物は、単独で又は二種以上組み合わせて使用できる。
【００３６】
ｎが４の場合（テトラハロシラン化合物）の具体例としては、例えば、テトラクロロシラン、ジブロモジクロロシラン、テトラブロモシランなどが挙げられる。テトラハロシラン化合物は単独で又は２種以上組み合わせてもよい。
なお、テトラハロシラン化合物は、モノ、ジ又はトリハロシラン化合物と組み合わせて使用することが好ましい。
【００３７】
また、ハロシラン化合物としてはモノハロシラン化合物であってもよい。代表的なモノハロシランとしては、例えば、トリアルキルモノハロシラン（トリメチルクロロシランなどのトリＣ１−１０アルキルモノハロシラン、好ましくはトリＣ１−６アルキルモノハロシラン、さらに好ましくはトリＣ１−４アルキルモノハロシランなど）、ジアルキルモノアリールモノハロシラン（ジメチルフェニルクロロシランなどのジＣ１−１０アルキルモノＣ６−１２アリールモノハロシラン、好ましくはジＣ１−６アルキルモノＣ６−１０アリールモノハロシラン、さらに好ましくはジＣ１−４アルキルモノＣ６−８アリールモノハロシランなど）、モノアルキルジアリールモノハロシラン（メチルジフェニルクロロシランなどのモノＣ１−１０アルキルジＣ６−１２アリールモノハロシラン、好ましくはモノＣ１−６アルキルジＣ６−１０アリールモノハロシラン、さらに好ましくはモノＣ１−４アルキルジＣ６−８アリールモノハロシランなど）、トリアリールモノハロシラン（トリフェニルクロロシランなどのトリＣ６−１２アリールモノハロシラン、好ましくはトリＣ６−１０アリールモノハロシラン、さらに好ましくはトリＣ６−８アリールモノハロシランなど）などが挙げられる。モノハロシラン化合物は、単独で又は二種以上組合せて使用できる。
【００３８】
これらのハロシラン化合物は、単独で又は２種以上組み合わせて使用できる。
【００３９】
ハロシラン化合物は、ジハロシラン化合物及びトリハロシラン化合物から選択された少なくとも１種を含んでいることが好ましい。
【００４０】
なお、ハロシラン化合物が、トリハロシラン化合物及び／又はテトラハロシラン化合物を含む場合、ネットワーク状（網目状又は分岐鎖状）のポリシラン化合物を生成し得る。ネットワーク状のポリシラン化合物を得る場合、代表的なハロシラン（又はその組み合わせ）としては、（ａ）アルキルトリハロシラン（例えば、アルキルトリハロシラン単独、メチルトリハロシランとＣ２−１０アルキルトリハロシランとの組み合わせ、Ｃ２−１０アルキルトリハロシランなど）、（ｂ）アリールトリハロシラン（例えば、アリールトリハロシラン単独）、（ｃ）アリールトリハロシランとジハロシラン（例えば、モノアルキルモノアリールジハロシランなど）との組み合わせなどが挙げられる。
【００４１】
ハロシラン化合物において、ジハロシラン化合物及びトリハロシラン化合物から選択された少なくとも１種の割合（使用割合）は、ハロシラン全体に対して、５０モル％以上（例えば、６０モル％以上）、好ましくは７０モル％以上（例えば、８０モル％以上）、さらに好ましくは９０モル％以上（例えば、９５モル％以上）であってもよい。
【００４２】
なお、ネットワーク状のポリシランを得る場合などにおいて、トリハロシラン化合物の割合（使用割合）は、ハロシラン化合物全体の３０モル％以上（例えば、４０モル％以上）、好ましくは５０モル％以上（例えば、６０モル％以上）、さらに好ましくは７０モル％以上（例えば、７５モル％以上）、特に８０モル％以上であってもよい。
【００４３】
また、ジハロシラン化合物とトリハロシラン化合物とを組み合わせる場合、これらの割合は、前者／後者（モル比）＝９９／１〜１／９９、好ましくは９０／１０〜２／９８（例えば、８５／１５〜２／９８）、さらに好ましくは８０／２０〜３／９７（例えば、７０／３０〜４／９６）、特に６０／４０〜５／９５（例えば、５０／５０〜７／９３）であってもよく、通常５０／５０〜５／９５（例えば、４５／５５〜７／９３、好ましくは４０／６０〜１０／９０、さらに好ましくは３０／７０〜８８／１２）であってもよい。
【００４４】
ハロシラン化合物は、できるだけ高純度であることが好ましい。例えば、液体のハロシラン化合物については、水素化カルシウムなどの乾燥剤を用いて乾燥し、蒸留して使用することが好ましく、固体のハロシラン化合物については、再結晶法などにより、精製して使用することが好ましい。
【００４５】
なお、原料混合物（反応液）中のハロシラン化合物の濃度（基質濃度）は、例えば、０．０５〜２０ｍｏｌ／ｌ程度、好ましくは０．１〜１５ｍｏｌ／ｌ程度、さらに好ましくは０．２〜５ｍｏｌ／ｌ程度であってもよい。
【００４６】
（金属ハロゲン化物）
第１の態様に係るポリシラン化合物の製造方法は、上記有機金属錯体及びマグネシウムとともに、更に金属ハロゲン化物の存在下において上記ハロシラン化合物を反応させてもよい。
金属ハロゲン化物としては、多価金属ハロゲン化物、例えば、遷移金属（例えば、サマリウムなどの周期表３Ａ族元素、チタンなどの周期表４Ａ族元素、バナジウムなどの周期表５Ａ族元素、鉄、ニッケル、コバルト、パラジウムなどの周期表８族元素、銅などの周期表１Ｂ族元素、亜鉛などの周期表２Ｂ族元素など）、周期表３Ｂ族金属（アルミニウムなど）、周期表４Ｂ族金属（スズなど）などの金属のハロゲン化物（塩化物、臭化物又はヨウ化物など）が挙げられる。金属ハロゲン化物を構成する上記金属の価数は、特に制限されないが、好ましくは２〜４価、特に２又は３価である。これらの金属ハロゲン化物は、単独で又は二種以上組み合わせて使用できる。
【００４７】
金属ハロゲン化物としては、鉄、アルミニウム、亜鉛、銅、スズ、ニッケル、コバルト、バナジウム、チタン、パラジウム、サマリウムなどから選択された少なくとも一種の金属の塩化物又は臭化物が好ましい。
【００４８】
このような金属ハロゲン化物としては、例えば、塩化物（ＦｅＣｌ２、ＦｅＣｌ３などの塩化鉄；ＡｌＣｌ３、ＺｎＣｌ２、ＳｎＣｌ２、ＣｏＣｌ２、ＶＣｌ２、ＴｉＣｌ４、ＰｄＣｌ２、ＳｍＣｌ２など）、臭化物（ＦｅＢｒ２、ＦｅＢｒ３などの臭化鉄など）、ヨウ化物（ＳｍＩ２など）などが例示できる。これらの金属ハロゲン化物のうち、塩化物（例えば、塩化鉄（ＩＩ）、塩化鉄（ＩＩＩ）などの塩化鉄、塩化亜鉛など）及び臭化物が好ましい。通常、塩化鉄及び／又は塩化亜鉛、特に塩化亜鉛などが使用される。
【００４９】
金属ハロゲン化物の使用量としては、ハロシラン化合物に対して、０．００１〜１０モル倍の範囲が好ましく、より好ましくは０．００１〜１モル倍の範囲、特に好ましくは０．００１〜０．１モル倍の範囲である。
【００５０】
また、反応液中の金属ハロゲン化物の濃度は、通常、０．００１〜６モル／Ｌ程度であり、好ましくは０．００５〜４モル／Ｌ、さらに好ましくは０．０１〜３モル／Ｌ程度であってもよい。
【００５１】
（非プロトン性溶媒）
第１の態様に係るポリシラン化合物の製造方法におけるハロシラン化合物の反応は、溶媒（反応溶媒）中で行うことが好ましく、非プロトン性溶媒中で行うことがより好ましい。
溶媒（反応溶媒）としての非プロトン性溶媒には、例えば、エーテル類（１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテルなどの環状又は鎖状Ｃ４−６エーテル）、カーボネート類（プロピレンカーボネートなど）、ニトリル類（アセトニトリル、ベンゾニトリルなど）、アミド類（ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドなど）、スルホキシド類（ジメチルスルホキシドなど）、芳香族炭化水素類（ベンゼン、トルエン、キシレンなど）、脂肪族炭化水素類（例えば、ヘキサン、シクロヘキサン、オクタン、シクロオクタンなどの鎖状又は環状炭化水素類）などが含まれる。
【００５２】
これらの非プロトン性溶媒は、単独で又は二種以上組み合わせて混合溶媒として使用できる。これらの溶媒のうち、少なくとも極性溶媒［例えば、エーテル類［例えば、テトラヒドロフラン、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、１，４−ジオキサンなど（特に、テトラヒドロフラン、１，２−ジメトキシエタン）］］を使用することが好ましい。極性溶媒は、単独で又は二種以上組み合わせて用いてもよく、極性溶媒と非極性溶媒とを組み合わせてもよい。
【００５３】
第１の態様に係るポリシラン化合物の製造方法において、塩基、及び酸よりなる群から選択される少なくとも１種を含む水溶液に、上記反応後の液（反応液）を接触させて精製することにより上記ポリシラン化合物を得ることを更に含むことが好ましい。
上記ポリシラン化合物を塩基又は酸に接触させて精製処理することにより、ハロゲン原子（例えば、ハロゲンイオン（塩化物イオン等）、ポリシラン化合物中に残存するＳｉ−Ｃｌ）等の夾雑物を除去することができ、また、ポリシラン化合物の低分子量化を促進することができ、上記ポリシラン化合物の溶剤溶解性を向上することができる。
また、酸は、上記ハロシラン化合物の反応のクエンチャーとしても機能し得る。
また、上記ポリシラン化合物を下記金属ハロゲン化物に接触させて精製処理することにより、ポリシラン化合物中に残存する金属原子（例えば、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｆｅ等）を除去することができる。
処理温度は−５０℃〜溶媒の沸点程度が好ましく、室温〜１００℃がさらに好ましい。
【００５４】
また、使用する塩基としては塩基性を呈する化合物であれば種々用いることができるが、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化バリウム、アンモニア、水酸化テトラメチルアンモニウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸カリウム、水素化リチウム、水素化ナトリウム、水素化カリウム、水素化カルシウム等の無機塩基類、メチルリチウム、ｎ−ブチルリチウム、塩化メチルマグネシウム、臭化エチルマグネシウム等のアルキル金属類、Ｃｒ、Ｇａ、Ｆｅ（Ｆｅ（ＩＩ）、Ｆｅ（ＩＩＩ））、Ｃｄ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｃｕ（Ｃｕ（ＩＩ）、Ｃｕ（Ｉ））、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕなどの金属（又は金属イオン）で構成される金属ハロゲン化物、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、カリウムｔ−ブトキシド等のアルコキシド類、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、ピリジン、４−ジメチルアミノピリジン、ジアザビシクロウンデセン（ＤＢＵ）等の有機塩基類を用いることができる。反応温度は−５０℃〜溶媒の沸点程度が好ましく、室温〜１００℃がさらに好ましい。
使用する酸としては種々用いることができるが、塩化水素等の無機酸を用いることができる。
【００５５】
ここで、上記塩基又は酸処理に用いる溶剤としては種々用いることができるが、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素系溶剤、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル等のグリコール系溶剤、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン等のエーテル系溶剤、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルアミルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン等のケトン系溶剤、エタノール、イソプロピルアルコール、ブタノール等のアルコール系溶剤から選ばれる１種以上を用いることができる。
【００５６】
また、環状骨格含アセテート化合物も上記塩基又は酸処理に用いる溶剤として好ましく用いることができる。
環状骨格含アセテート化合物としては、本発明の効果を損なわない環状骨格を有するアセテート系溶剤である限り特に制限はないが、下記式（Ｓ１）で表されるシクロアルキルアセテートであることが好ましい。
【化２】
0006989525.tif 000003
（式（Ｓ１）中、Ｒｓ１は、それぞれ独立に、アルキル基であり、ｐは１〜６の整数であり、ｑは０〜（ｐ＋１）の整数である。）
Ｒｓ１で表されるアルキル基としては炭素原子数１〜３のアルキル基が挙げられ、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基が挙げられる。
【００５７】
式（Ｓ１）で表されるシクロアルキルアセテートの具体例としては、シクロプロピルアセテート、シクロブチルアセテート、シクロペンチルアセテート、シクロヘキシルアセテート、シクロヘプチルアセテート、及びシクロオクチルアセテートが挙げられる。
これらの中では、入手容易性等の観点から、シクロヘキシルアセテートが好ましい。
【００５８】
第１の態様に係るポリシラン化合物の製造方法によれば、ポリシラン化合物を収率５０％以上で得ることができ、収率７０％以上であることが好ましい。
【００５９】
＜ポリシラン化合物＞
第１の態様に係るポリシラン化合物の製造方法によれば、質量平均分子量（Ｍｗ）５０００以下のポリシラン化合物が製造することができる。
本明細書において質量平均分子量（Ｍｗ）はゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）のポリスチレン換算による測定値である。
上記ポリシラン化合物のＭｗとしては、ギャップフィル性の観点から、４０００以下であることが好ましく、３０００以下であることがより好ましく、２５００以下であることが更に好ましい。
上記ポリシラン化合物のＭｗの下限値としては本発明の効果を損なわない限り特に制限はないが、３００以上であることが好ましく、４００以上であることがより好ましく、５００以上であることが更に好ましく、６００以上であることが特に好ましく、７００以上であることが最も好ましい。
【００６０】
第１の態様に係るポリシラン化合物の製造方法によれば、直鎖状ポリシラン、分岐状ポリシラン及び環状ポリシランよりなる群から選択される少なくとも１種のポリシラン化合物を製造することができる。特に、環状ポリシラン化合物を選択的に製造することもできる。
環状ポリシラン化合物は、化学構造及び化学性質上、好ましくはＭｗ５０００以下のポリシラン化合物となり得る。
上記ポリシラン化合物としては、例えば、Ｓｉ原子数３〜４０のポリシラン化合物が挙げられ、Ｓｉ原子数５〜３０のポリシラン化合物であることが好ましい。
上記ポリシラン化合物は、下記一般式（Ｔ−１）及び（Ｔ−２）で表されるポリシラン化合物よりなる群から選択される少なくとも１種であることが好ましい。
（Ｒｔ１０Ｒｔ１１Ｒｔ１２Ｓｉ）ｔ１（Ｒｔ１３Ｒｔ１４Ｓｉ）ｔ２（Ｒｔ１５Ｓｉ）ｔ３（Ｓｉ）ｔ４    （Ｔ−１）
（上記一般式中、Ｒｔ１０、Ｒｔ１１、Ｒｔ１２、Ｒｔ１３、Ｒｔ１４及びＲｔ１５は、それぞれ独立に、水素原子、水酸基又は有機基である。ｔ１、ｔ２、ｔ３及びｔ４は、それぞれ独立に、モル分率であり、ｔ１＋ｔ２＋ｔ３＋ｔ４＝１、０≦ｔ１≦１、０≦ｔ２≦１、０≦ｔ３≦１及び０≦ｔ４≦１である。）
【化３】
0006989525.tif 000004
（上記一般式（Ｔ−２）中、Ｒｔ１６及びＲｔ１７は、それぞれ独立に、水素原子、水酸基又は有機基を表す。Ｕは３〜２０の整数を表す。）、
Ｒｔ１０〜Ｒｔ１７で表される有機基としては、Ｒで表される有機基として前述した具体例及び好ましい例と同様のものが挙げられる。
Ｒｔ１０〜Ｒｔ１７で表される有機基としては、例えば、特開２００３−２６１６８１号公報段落００３１に記載の方法により任意の有機基を導入することもできる。
【００６１】
第２の態様に係るポリシラン化合物は、ポリシラン化合物中のＸ線光電子分光法により測定したシロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ）の下記式で表される割合が０．５以下であることが好ましい。
【００６２】
第１の態様に係るポリシラン化合物の製造方法によれば、上記ポリシラン化合物中のＸ線光電子分光法により測定される９９ｅＶ以上１０４ｅＶ以下の結合エネルギー範囲に最大検出ピーク高さを有するスペクトルをピーク分離して求められる下記（１Ｘ）及び（２Ｘ）のピークの面積の和に対する下記（２Ｘ）の比である、下記式（３Ｘ）で表される割合を０．４以下とすることができ、０．３５以下であることが好ましく、０．３以下がより好ましく、０．２以下がさらに好ましく、０．１以下であることが特に好ましく、０．０５以下であることが最も好ましい。
（１Ｘ）・・・結合エネルギーが９９．０ｅＶ以上９９．５ｅＶ以下の範囲に最大ピーク高さを有するピークの面積
（２Ｘ）・・・結合エネルギーが１００ｅＶ以上１０４ｅＶ以下の範囲に最大ピーク高さを有するピークの面積
（３Ｘ）・・・（２Ｘ）／［（１Ｘ）＋（２Ｘ）］
【００６３】
ピークの強度（Ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ）を測定し、上記（１Ｘ）及び（２Ｘ）の各結合エネルギー範囲でピーク分離して求められるピークの面積について、（２Ｘ）の結合エネルギーが１００ｅＶ以上１０４ｅＶ以下の範囲に最大ピーク高さを有するピークの面積から、Ｓｉ−Ｏ及びＳｉ−Ｃの含有割合がわかる。また、（１Ｘ）の結合エネルギーが９９．０ｅＶ以上９９．５ｅＶ以下の範囲に最大ピーク高さを有するピークの面積から、Ｓｉ−Ｓｉの含有割合がわかる。
【００６４】
ポリシラン化合物がＳｉ−Ｃだけでなく、Ｓｉ−Ｏを含む場合、１００ｅＶ以上１０４ｅＶ以下の範囲にはピーク分離後、２つの最大ピーク高さを有するピークが重なって表れるが、第２の態様に係るポリシラン化合物は、１００ｅＶ以上１０４ｅＶ以下の範囲にはピーク分離後、１つの最大ピーク高さを有するピークしか現れないことが好ましく、理想的には１つのピークしか現れないことから、実質的にＳｉ−Ｏ結合は含まれないと考えられる。
また、従来のポリシラン化合物がＳｉ−Ｃだけでなく、Ｓｉ−Ｏを含む場合、１００ｅＶ以上１０４ｅＶ以下の範囲にはピーク分離後、最大ピーク高さを有するピークが２つ重なって表れるため面積比が大きくなるため、上記式で表される割合が０．４を超える。
【００６５】
第１の態様に係るポリシラン化合物の製造方法によれば、上記有機金属錯体がハロゲン原子を含むものではないことから、シロキサン結合、シラノール基等の副反応物の生成を抑制することができ、ポリシラン化合物中のシロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ）の存在量を低減することができ、マイクロクラック発生抑制等の膜の性能を向上することができる。
【００６６】
第１の態様に係るポリシラン化合物の製造方法によれば、ポリシラン化合物中の残存金属の含有量を低減することができ、ポリシラン化合物中の金属の含有量を５００ｐｐｂ以下とすることができ、４００ｐｐｂ以下であることが好ましく、１００ｐｐｂ以下であることがより好ましく、５０ｐｐｂ以下であることが更に好ましく、１０ｐｐｂ以下であることが特に好ましい。
上記範囲内とすることにより、上記ポリシラン化合物を含む膜等の光電子材料としての性能低下を防ぐことができる。
【００６７】
＜組成物＞
第３の態様に係る組成物は、第２の態様のポリシラン化合物を含む組成物である。
また、第３の態様に係る組成物は熱硬化性組成物であってもよいし、熱硬化性組成物ではなくてもよい。
また、第３の態様に係る組成物は感放射線性組成物であってもよいし感放射線性組成物ではなくてもよく、露光により現像液に対して可溶化するポジ型の感放射線性組成物であってもよいし、露光により現像液に対して不溶化するネガ型の感放射線性組成物であってもよい。
上記放射線の光源としては、紫外線、エキシマレーザー光等の活性エネルギー線、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、キセノンランプ、カーボンアーク灯等の紫外線を発する光源等が挙げられる。
【００６８】
（溶剤）
第３の態様に係る組成物は、溶剤を含有することが好ましい。溶剤としては、上記環状骨格含アセテート化合物、
メタノール、エタノール、プロパノール、ｎ−ブタノール等のアルコール類；
エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール等の多価アルコール類；
アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチル−ｎ−アミルケトン、メチルイソアミルケトン、２−ヘプタノン等のケトン類；
γ−ブチロラクトン等のラクトン環含有有機溶媒；
エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、又はジプロピレングリコールモノアセテート等のエステル結合を有する化合物、上記多価アルコール類又は上記エステル結合を有する化合物のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル等のモノアルキルエーテル又はモノフェニルエーテル等のエーテル結合を有する化合物等の多価アルコール類の誘導体；
ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル等のエステル類；
アニソール、エチルベンジルエーテル、クレジルメチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、フェネトール、ブチルフェニルエーテル、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、アミルベンゼン、イソプロピルベンゼン、トルエン、キシレン、シメン、メシチレン等の芳香族系有機溶剤；
Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルウレア、Ｎ，Ｎ，２−トリメチルプロピオンアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ−エチルピロリドン等の窒素含有有機溶媒；
が挙げられる。
【００６９】
中でも、上記環状骨格含アセテート化合物、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルウレア（ＴＭＵ）、及びブタノールが好ましい。
これらの溶剤は、２種以上組み合わせて使用してもよい。
【００７０】
第３の態様に係る組成物が、マイクロクラックを抑制する点又は誘電率の低いシリカ系被膜を形成しやすい点で、第３の態様に係る組成物の水分量は０．５質量％以下が好ましく、０．３質量％以下がより好ましく、０．３質量％未満が特に好ましい。
第３の態様に係る組成物の水分は、溶剤に由来する場合が多い。このため、第３の態様に係る組成物の水分量が上記の量となるように、溶剤が脱水されていることが好ましい。
【００７１】
溶剤の使用量は、本発明の目的を阻害しない範囲で特に限定されない。製膜性の点から、溶剤は、第３の態様に係る組成物の固形分濃度が、好ましくは１〜５０質量％、より好ましくは１０〜４０質量％となるように用いられる。
【００７２】
（その他の成分）
第３の態様に係る組成物は、第１の態様に係るポリシラン化合物以外のポリシランを含んでもよい。例えば、薬品耐性向上等の点で、Ｍｗの高いポリシラン化合物（以下、単に「高分子量ポリシラン」ともいう。）が挙げられ、高分子量ポリシランのＭｗとしては、例えば５０００超１０００００以下であり、好ましくは６０００〜６００００程度である。
【００７３】
第３の態様に係る組成物は、加工性向上の点で、ポリシラン化合物以外のケイ素含有樹脂を含んでいてもよい。ポリシラン化合物以外のケイ素含有樹脂としては、ポリシロキサン樹脂又はポリシラン構造（Ｉ−１）とポリシロキサン構造（Ｉ−２）とを有するポリシラン−ポリシロキサン樹脂が挙げられる。ポリシラン化合物以外のケイ素含有樹脂のＭｗとしては、５００〜２００００が好ましく、１０００〜１００００がより好ましく、２０００〜８０００が更に好ましい。
なお、上記ポリシラン−ポリシロキサン樹脂は、例えば、第１の態様に係るポリシラン化合物を、溶剤中、上述した塩基性条件下で処理した後に、下記一般式（Ａ−１−１）〜（Ａ−１−４）で表されるケイ素化合物よりなる群から選択される少なくとも１種のケイ素化合物並びに上記ケイ素化合物の加水分解物、縮合物及び加水分解縮合物よりなる群から選択される少なくとも１種とを加水分解縮合反応させることにより製造することができる。
Ｒ１Ｒ２Ｒ３ＳｉＸ１        （Ａ−１−１）
Ｒ４Ｒ５ＳｉＸ２２          （Ａ−１−２）
Ｒ６ＳｉＸ３３            （Ａ−１−３）
ＳｉＸ４４                （Ａ−１−４）
（上記一般式中、Ｘ１〜Ｘ４は、それぞれ独立に、加水分解性基であり、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は、それぞれ独立に、水素原子又は有機基であり、該有機基中の水素原子はハロゲン原子で置換されていてもよい。）
【００７４】
Ｘ１〜Ｘ４で表される加水分解性基としては、アルコキシ基、ハロゲン原子又はイソシアネート基（ＮＣＯ）等が挙げられ、アルコキシ基であることが好ましい。
上記アルコキシ基としては、炭素原子数１〜６のアルコキシ基が挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ペントキシ基等が挙げられる。
上記ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子が挙げられ、塩素原子が好ましい。
【００７５】
Ｒ１〜Ｒ６で表される有機基としては、炭素数１〜３０の有機基が挙げられ、アルキル基［メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、ｎ−ブチル基及びｔ−ブチル基などの炭素原子数１〜１０のアルキル基（好ましくは炭素原子数１〜６のアルキル基、特に炭素数１〜４のアルキル基など）］、シクロアルキル基（シクロヘキシル基などの炭素原子数５〜８のシクロアルキル基、特に炭素原子数５〜６のシクロアルキル基）、アルケニル基［エテニル基、プロペニル基、ブテニル基などの炭素原子数２〜１０のアルケニル基（好ましくは炭素原子数２〜６のアルケニル基、特に炭素数２〜４のアルケニル基など）］、シクロアルケニル基［１−シクロペンテニル基、１−シクロヘキセニル基等の炭素原子数５〜１０のシクロアルケニル基（好ましくは炭素原子数５〜８のシクロアルケニル基、特に炭素数５〜７のシクロアルケニル基など）］、アリール基（フェニル、ナフチル基などの炭素原子数６〜１０のアリール基、）、アラルキル基［ベンジル、フェネチル基などのＣ６−１０アリール−Ｃ１−６アルキル基（Ｃ６−１０アリール−Ｃ１−４アルキル基など）］、アミノ基、Ｎ−置換アミノ基（上記アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アシル基などで置換されたＮ−モノ又はジ置換アミノ基など）などが挙げられる。上記アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を構成するアリール基などは、１又は複数の置換基を有していてもよい。このような置換基としては、上記例示のアルキル基（特に炭素原子数１〜６のアルキル基など）、上記例示のアルコキシ基などが挙げられる。このような置換基を有する有機基としては、例えば、トリル、キシレニル、エチルフェニル、メチルナフチル基などのＣ１−６アルキル−Ｃ６−１０アリール基（好ましくはモノ、ジ又はトリＣ１−４アルキル−Ｃ６−１０アリール基、特にモノ又はジＣ１−４アルキルフェニル基など）；メトキシフェニル、エトキシフェニル、メトキシナフチル基などのＣ１−１０アルコキシＣ６−１０アリール基（好ましくはＣ１−６アルコキシＣ６−１０アリール基、特にＣ１−４アルコキシフェニル基など）などが挙げられる。
【００７６】
また、上記一般式（Ａ−１−３）で表されるケイ素化合物は、下記式（Ａ−３）で表されるケイ素化合物であってもよい。
ＨＯＯＣ−Ｕ−Ｚ−Ｙ−Ｓｉ（ＯＲａ）３        （Ａ−３）
（上記一般式（Ａ−３）中、Ｕは、芳香族環基又は脂環基から２個の環炭素原子のそれぞれ１個の水素原子を除去することにより生成する２価の基又は分岐鎖及び／若しくは二重結合を有していても良いアルキレン基を表し、Ｚは−ＮＨＣＯ−又は−ＣＯＮＨ−を表し、Ｙは、単結合、アルキレン基、アリーレン基又は−ＲＹ１−ＮＨ−ＲＹ２−（式中、ＲＹ１及びＲＹ２はそれぞれ独立にアルキレン基を表す。）を表し、Ｒａはそれぞれ独立に炭化水素基を表す。ただし、Ｕ及び／又はＹは、（メタ）アクリル基、ビニル基及びエポキシ基からなる群より選ばれる少なくとも１種の基を置換基として有していてもよい。）
【００７７】
上記Ｕにおける芳香族環としては、炭素数１〜２の置換基を有していてもよい炭素数６〜１０の芳香環（例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、トリル基、キシリル基等）を挙げることができる。
上記Ｕにおける脂環としては、炭素数５〜１０の脂環（例えば、単環シクロアルキル基、単環シクロアルケニル基、２環式アルキル基、篭型アルキル基等が挙げられ、具体的には、例えば、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、シクロヘプタン環、シクロオクタン環、シクロノナン環、シクロデカン環、ジシクロペンタジエン環、ノルボルナン環、ノルボルネン環、キュバン環、バスケタン環等）を挙げることができる。
上記Ｕにおける分岐鎖及び／若しくは二重結合を有していても良いアルキレン基としては、炭素数１〜４のアルキレン基が挙げられ、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ビニレン基、（２−オクテニル）エチレン基、（２，４，６−トリメチル−２−ノネニル）エチレン基等のアルキレン基、二重結合を有するアルキレン基又は炭素数１〜９の分岐鎖を有するアルキレン基を挙げることができる。
【００７８】
上記Ｙにおけるアルキレン基としては、炭素数１〜６のアルキレン基が挙げられ、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基等を挙げることができる。上記Ｙにおけるアリーレン基としては、炭素数６〜１０のものが好ましい。このようなものとしては、例えば、フェニレン基（オルト、メタ又はパラ等）、ナフチレン基（１，４−、１，５−、２，６−等）等を挙げることができる。上記Ｙにおける−ＲＹ１−ＮＨ−ＲＹ２−としては、具体的には、例えば、−ＣＨ２−ＮＨ−ＣＨ２−、−（ＣＨ２）２−ＮＨ−（ＣＨ２）２−、−（ＣＨ２）３−ＮＨ−（ＣＨ２）３−、−ＣＨ２−ＮＨ−（ＣＨ２）２−、−（ＣＨ２）２−ＮＨ−ＣＨ２−、−（ＣＨ２）２−ＮＨ−（ＣＨ２）３−、−（ＣＨ２）３−ＮＨ−（ＣＨ２）２−、−ＣＨ２−ＮＨ−（ＣＨ２）３−、−（ＣＨ２）３−ＮＨ−ＣＨ２−等を挙げることができる。
【００７９】
ポリシロキサン樹脂としては、上記一般式（Ａ−１−１）〜（Ａ−１−４）で表されるケイ素化合物よりなる群から選択される少なくとも１種のケイ素化合物の加水分解物、縮合物及び加水分解縮合物よりなる群から選択される少なくとも１種が挙げられる。
【００８０】
上記の第１の態様に係るポリシラン化合物以外の樹脂（以下、他のＳｉ樹脂）は、単独でも複数種を組み合わせて用いてもよい。
上記他のＳｉ樹脂を含む場合、第３の態様に係る組成物における第１の態様に係るポリシラン化合物と他のＳｉ樹脂の配合比（質量比）は、用途に応じて適宜変更すればよく、例えば、１：９９〜９９：１であり、好ましくは１０：９０〜９０：１０である。
【００８１】
第３の態様に係る組成物は、アルカリ性の水溶液又は溶液への溶解促進剤として、１分子中に２個以上の水酸基又はカルボキシル基を有する有機化合物を含んでいてもよい。このような有機化合物として、下記に示す化合物を挙げることができる。
【化４】
0006989525.tif 000005
【化５】
0006989525.tif 000006
【化６】
0006989525.tif 000007
【００８２】
なお、上記構造式中のＥは水素原子、メチル基、又はヒドロキシメチル基であり、Ｒ１５はメチレン基、カルボニル基、又はフェニレン基であり、ｎは３以上１００未満の整数である。ｎａは１〜３の自然数を示し、ｎｂは１以上の自然数を示し、ｎｃは２〜４の自然数を示し、ｎｄは２以上の自然数を示す。
上記構造式にはエナンチオ異性体（ｅｎａｎｔｉｏｍｅｒ）やジアステレオ異性体（ｄｉａｓｔｅｒｅｏｍｅｒ）が存在し得るが、各構造式はこれらの立体異性体のすべてを代表して表す。これらの立体異性体は単独で用いてもよいし、混合物として用いてもよい。
【００８３】
上記有機化合物は１種類を単独で又は２種類以上を組み合わせて用いることができる。この使用量は、第３の態様に係る組成物の溶剤を除いた固形分全量に対して、好ましくは０．００１〜５０質量％、より好ましくは０．０１〜３０質量％である。
このような有機化合物を添加することで、上記組成物を用いて形成された膜の崩壊が加速され剥離が容易になる。
【００８４】
第３の態様に係る組成物には、安定性を向上させるため、炭素数が１〜３０の１価又は２価以上の有機酸を含んでいてもよい。このとき添加する酸としては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、ブタン酸、ペンタン酸、ヘキサン酸、ヘプタン酸、オクタン酸、ノナン酸、デカン酸、オレイン酸、ステアリン酸、リノール酸、リノレン酸、安息香酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、サリチル酸、トリフルオロ酢酸、モノクロロ酢酸、ジクロロ酢酸、トリクロロ酢酸、シュウ酸、マロン酸、メチルマロン酸、エチルマロン酸、プロピルマロン酸、ブチルマロン酸、ジメチルマロン酸、ジエチルマロン酸、コハク酸、メチルコハク酸、グルタル酸、アジピン酸、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、シトラコン酸、クエン酸等が挙げられる。これらの中でも特に、シュウ酸、マレイン酸、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、クエン酸等が好ましい。また、安定性を保つため、２種類以上の酸を混合して使用してもよい。上記有機酸を組成物のｐＨに換算して、好ましくは０≦ｐＨ≦７、より好ましくは０．３≦ｐＨ≦６．５、さらに好ましくは０．５≦ｐＨ≦６となるように配合することがよい。
【００８５】
また、第３の態様に係る組成物は、安定剤として環状エーテルを置換基として有する１価又は２価以上のアルコール、又はエーテル化合物を含んでいてもよい。用いることができる安定剤として、具体的には、特開２００９−１２６９４０号公報（０１８０）〜（０１８４）段落に記載されている安定剤が挙げられる。
【００８６】
第３の態様に係る組成物は、水を含んでいてもよい。水を添加することで、リソグラフィー性能が向上する。第３の態様に係る組成物の溶剤成分における水の含有率は０質量％を超え５０質量％未満が好ましく、より好ましくは０．３〜３０質量％、さらに好ましくは０．５〜２０質量％である。
【００８７】
第３の態様に係る組成物は、光酸発生剤を含んでいてもよい。用いることができる光酸発生剤として、具体的には、特開２００９−１２６９４０号公報（０１６０）〜（０１７９）段落に記載されている光酸発生剤が挙げられる。
【００８８】
第３の態様に係る組成物は、必要に応じて界面活性剤を含んでいてもよい。用いることができる界面活性剤として、具体的には、特開２００９−１２６９４０号公報（０１８５）段落に記載されている界面活性剤が挙げられる。
【００８９】
第３の態様に係る組成物は、熱架橋促進剤を含んでいてもよい。用いることができる熱架橋促進剤として、具体的には、特開２００７−３０２８７３号公報に記載されている熱架橋促進剤が挙げられる。熱架橋促進剤として、例えば、リン酸塩化合物やホウ酸塩化合物が挙げられる。このようなリン酸塩化合物としては、例えばリン酸アンモニウム、リン酸テトラメチルアンモニウム、リン酸テトラブチルアンモニウム等のアンモニウム塩、リン酸トリフェニルスルホニウム等のスルホニウム塩が挙げられる。また、このようなホウ酸塩化合物としては、例えばホウ酸アンモニウム、ホウ酸テトラメチルアンモニウム、ホウ酸テトラブチルアンモニウム等のアンモニウム塩、ホウ酸トリフェニルスルホニウム等のスルホニウム塩が挙げられる。
なお、上記熱架橋促進剤は１種類を単独で又は２種類以上を組み合わせて用いることができる。また、熱架橋促進剤の添加量は、上記組成物の溶剤を除いた固形分全量に対して、好ましくは０．０１〜５０質量％、より好ましくは０．１〜４０質量％である。
【００９０】
第３の態様に係る組成物は、その他の種々の硬化剤を含んでいてもよい。
硬化剤としては、例えば、ブレンステッド酸；イミダゾール類；有機アミン類；有機リン化合物及びその複合体；ルイス酸の有機アミン錯体；アミジン類；光又は熱により塩基成分を発生する硬化剤等が挙げられる。
【００９１】
（用途）
第３の態様に係る組成物は、残存金属が少なく、シロキサン化の抑制（制御）されたポリシラン化合物を含むので、半導体、ディスプレイ又は太陽電池等の製造プロセス用の材料に好適に用いることができる。例えば、各種基板（金属酸化物含有膜、各種金属含有膜を含む。）を保護する保護膜又は層間膜を形成する用途として使用し得る。
上記各種基板としては、半導体基板、液晶ディスプレイ、有機発光ディスプレイ（ＯＬＥＤ）、電気泳動ディスプレイ（電子ペーパー）、タッチパネル、カラーフィルター、バックライトなどのディスプレイ材料の基板（金属酸化物含有膜、各種金属含有膜を含む。）、太陽電池の基板（金属酸化物含有膜、各種金属含有膜を含む。）、光センサ等の光電変換素子の基板（金属酸化物含有膜、各種金属含有膜を含む。）、光電素子の基板（金属酸化物含有膜、各種金属含有膜を含む。）が挙げられる。
また、第３の態様に係る組成物における基材成分（樹脂成分）が実質的に第１の態様に係るポリシラン化合物のみで構成される場合は、特に、ギャップフィル特性に優れるため、半導体基板の表面に微細な溝を形成させ、その溝の内部に第３の態様に係る組成物を充填して、溝の両側に形成される素子の間を電気的に分離するトレンチ・アイソレーション構造を含め、絶縁膜、パッシベーション膜、平坦化膜、保護膜などを形成する用途として使用し得る。
【００９２】
＜膜及び上記膜を備える基板＞
第４の態様に係る膜は、第２の態様のポリシラン化合物を含む膜である。
第５の態様に係る基板は、第２の態様のポリシラン化合物を含む膜を備える基板である。
第４の態様に係る膜は、上述のように、トレンチ・アイソレーション構造を含めた、絶縁膜、パッシベーション膜、平坦化膜又は保護膜であることが好ましい。
第４の態様に係る膜を形成する方法としては本発明の効果を損なわない限り特に制限はないが、必要に応じ任意の基板上に、ロールコータ、リバースコータ、バーコータ等の接触転写型塗布装置やスピンナー（回転式塗布装置）、カーテンフローコータ等の非接触型塗布装置を用いて塗布する方法が挙げられる。
基板としては特に制限はないが、例えば、半導体基板、液晶ディスプレイ、有機発光ディスプレイ（ＯＬＥＤ）、電気泳動ディスプレイ（電子ペーパー）、タッチパネル、カラーフィルター、バックライトなどのディスプレイ材料の基板（金属酸化物含有膜、各種金属含有膜を含む。）、太陽電池の基板（金属酸化物含有膜、各種金属含有膜を含む。）、光センサ等の光電変換素子の基板（金属酸化物含有膜、各種金属含有膜を含む。）、光電素子の基板（金属酸化物含有膜、各種金属含有膜を含む。）の他、ガラス基板、石英基板、透明又は半透明の樹脂基板（例えば、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルスルフォン、ポリイミド、ポリアミドイミド等の耐熱性の材料等）、金属、シリコン基板等が挙げられる。
基板の厚さは、特に限定されるものではなく、パターン形成体の使用態様に応じて適宜選択することができる。
【００９３】
上記塗布後の塗膜は乾燥（プリベーク）することが好ましい。乾燥方法は、特に限定されず、例えば、（１）ホットプレートにて８０〜１２０℃、好ましくは９０〜１００℃の温度にて６０〜１２０秒間乾燥させる方法、（２）室温にて数時間〜数日間放置する方法、（３）温風ヒータや赤外線ヒータ中に数十分間〜数時間入れて溶剤を除去する方法等が挙げられる。
【００９４】
上記乾燥後の塗膜は、紫外線、エキシマレーザー光等の活性エネルギー線を照射して露光してもしなくてもよい。照射するエネルギー線量は特に制限はないが、例えば３０〜２０００ｍＪ／ｃｍ２程度が挙げられる。露光する工程は、後述の焼成する工程の代わり又は焼成する工程とともに行ってもよい。また、露光する工程では、例えば、形成された塗布膜を選択的に露光してもよく、選択的露光工程を含む場合は、現像する工程を含んでいてもよい。また、例えば、形成された塗布膜に対し、インプリントリソグラフィーを行ってもよい。インプリントリソグラフィーを行う場合は、例えば；
第３の態様の組成物を基板上に塗布して、塗布膜を形成する工程と、
所定のパターンの凹凸構造が形成されたモールドを塗布膜に対し押圧する工程と、
露光する工程とを含む方法が挙げられる。
露光する工程は、モールドが塗布膜に押圧された状態で、第３の態様の組成物からなる塗布膜に対して行われる。露光による硬化後、前記モールドを剥離することで、モールドの形状に応じてパターニングされた第４の態様に係る膜を得ることができる。
【００９５】
上記乾燥後、露光後又は現像後の塗膜は、膜物性を高める点で焼成（ポストベーク）することが好ましい。焼成温度は下層基板や使用用途にもよるが、例えば、２００〜１０００℃の範囲であり、２００℃〜５００℃が好ましく、２００〜２５０℃であることがより好ましい。焼成雰囲気は特に限定されず、窒素雰囲気又はアルゴン雰囲気等の不活性ガス雰囲下、真空下、又は減圧下であってもよい。大気下であってもよいし、酸素濃度を適宜コントロールしてもよい。焼成時間は、適宜変更すればよく、例えば、１０分〜１２０分程度である。
【００９６】
第４及び第５の態様における膜の膜厚としては、１０〜３０００ｎｍであることが好ましく、５０〜１５００ｎｍであることがより好ましく、１００〜１０００ｎｍであることが更に好ましい。
【実施例】
【００９７】
以下に、実施例に基づいて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるものではない。【００９８】
〔実施例１〕
三方コックを装着した内容積１０００ｍｌの丸型フラスコに、粒状（粒径２０〜１０００μｍ）のマグネシウム２５ｇと、触媒としてトリス（アセチルアセトナト）鉄（ＩＩＩ）２．１ｇを仕込み、５０℃で１ｍｍＨｇ（＝１３３ｋＰａ）に加熱減圧して、反応器（フラスコ）内部を乾燥した後、乾燥アルゴンガスを反応器内に導入し、予めナトリウム―ベンゾフェノンケチルで乾燥したテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）５００ｍｌを加え、２５℃で約６０分間撹拌した。この反応混合物に、予め蒸留により精製したメチルフェニルジクロロシラン６３．５ｇ（０．３ｍｏｌ）をシリンジで加え、２５℃で約２４時間撹拌した。反応終了後、反応混合物に１Ｎ（＝１モル／Ｌ）の塩酸１０００ｍｌを投入し、さらにトルエン５００ｍｌで抽出した。トルエン相を純水２００ｍｌで１０回洗浄し、トルエン相を無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、トルエンを留去することにより、直鎖状のメチルフェニルシラン重合体（質量平均分子量２０００）を２８．４ｇ得た（収率６３％）。【００９９】
〔実施例２〕
三方コックを装着した内容積１０００ｍｌの丸型フラスコに、粒状（粒径２０〜１０００μｍ）のマグネシウム２５ｇと、触媒としてトリス（アセチルアセトナト）鉄（ＩＩＩ）２．１gを仕込み、５０℃で１ｍｍＨｇに加熱減圧して、反応器内部を乾燥した後、乾燥アルゴンガスを反応器内に導入し、予めナトリウム−ベンゾフェノンケチルで乾燥したＴＨＦ５００ｍｌを加え、２５℃で約６０分間撹拌した。この反応混合物に、予め蒸留により精製したメチルフェニルジクロロシラン６３．５ｇ（０．３ｍｏｌ）をシリンジで加え、２５℃で約２４時間撹拌した。
得られた直鎖状のメチルフェニルシラン重合体をトルエン１５０ｇとテトラヒドロフラン１５０ｇとの混合溶液に溶解し、さらに塩化銅（ＩＩ）（ＣｕＣｌ２）を１０質量％の割合で含む塩化銅水溶液２００ｇを混合して６０分間攪拌したのち、直鎖状のメチルフェニルシラン重合体を含む有機相と塩化銅を含む水相とを分離した。そして、直鎖状のメチルフェニルシラン重合体を含む有機相を、純水２００ｍｌで３回洗浄した後、溶媒成分を留去し、直鎖状のメチルフェニルシラン重合体（質量平均分子量２０００）を３２．４ｇ得た（収率７２．６％）。【０１００】
〔実施例３〕
三方コックを装着した内容積１０００ｍｌの丸型フラスコに、粒状（粒径２０〜１０００μｍ）のマグネシウム２５ｇと、触媒としてトリス（アセチルアセトナト）鉄（ＩＩＩ）２．１gを仕込み、５０℃で１ｍｍＨｇに加熱減圧して、反応器内部を乾燥した後、乾燥アルゴンガスを反応器内に導入し、予めナトリウム−ベンゾフェノンケチルで乾燥したテトラヒドロフラン５００ｍｌを加え、室温（２５℃）で約３０分間撹拌した。この反応混合物に、予め蒸留により精製したフェニルトリクロロシラン１０５．８ｇ(０．５０ｍｏｌ)を加え、２０℃で約１８時間撹拌した。反応終了後、トルエン３００ｍｌを加えた後、反応によって生成した塩化マグネシウム、余剰のマグネシウムを減圧濾過により除去した。ろ液を純水２００ｍｌで１０回洗浄し、トルエン相を無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、トルエン及びテトラヒドロフランを留去することにより、分岐状のポリフェニルシラン５０ｇを得た。
反応終了後、反応混合物に１Ｎ（＝１モル／Ｌ）の塩酸１０００ｍｌを投入し、さらにトルエン５００ｍｌで抽出した。トルエン相を純水２００ｍｌで１０回洗浄し、トルエン相を無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、トルエンを留去することにより、分岐状のポリフェニルシラン（質量平均分子量２０００）を３８．２ｇ得た（収率７２％）。【０１０１】
〔実施例４〕
三方コックを装着した内容積１０００ｍｌの丸型フラスコに、粒状（粒径２０〜１０００μｍ）のマグネシウム２５ｇと、触媒としてトリス（アセチルアセトナト）鉄（ＩＩＩ）２．１gを仕込み、５０℃で１ｍｍＨｇに加熱減圧して、反応器（フラスコ）内部を乾燥した後、乾燥アルゴンガスを反応器内に導入し、予めナトリウム−ベンゾフェノンケチルで乾燥したテトラヒドロフラン５００ｍｌを加え、室温で約３０分間撹拌した。この反応混合物に、予め蒸留により精製したフェニルトリクロロシラン１０５．８ｇ(０．５０ｍｏｌ)を加え、２０℃で約１８時間撹拌した。反応終了後、トルエン３００ｍｌを加えた後、減圧濾過により反応によって生成した塩化マグネシウム、余剰のマグネシウムを除去した。ろ液を純水２００ｍｌで１０回洗浄し、トルエン相を無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、トルエン及びテトラヒドロフランを留去することにより、分岐状のポリフェニルシラン５０ｇを得た。
得られた分岐状のポリフェニルシランをトルエン１５０ｇとテトラヒドロフラン１５０ｇとの混合溶液に溶解し、さらに塩化銅（ＩＩ）（ＣｕＣｌ２）を１０質量％の割合で含む塩化銅水溶液２００ｇを混合して６０分間攪拌したのち、分岐状のポリフェニルシランを含む有機相と塩化銅を含む水相とを分離した。そして、分岐状のポリフェニルシランを含む有機相を、純水２００ｍｌで３回洗浄した後、溶媒成分を留去し、分岐状のポリフェニルシラン（質量平均分子量２０００）を４１．９ｇ得た（収率７９％）。【０１０２】
〔実施例５〕
三方コックを装着した内容積１０００ｍｌの丸型フラスコに、粒状（粒径２０〜１０００μｍ）のマグネシウム２５ｇと、触媒としてトリス（アセチルアセトナト）鉄（ＩＩＩ）２．１gを仕込み、５０℃で１ｍｍＨｇに加熱減圧して、反応器内部を乾燥した後、乾燥アルゴンガスを反応器内に導入し、予めナトリウム−ベンゾフェノンケチルで乾燥したＴＨＦ５００ｍｌを加え、２５℃で約６０分間撹拌した。この反応混合物に、予め蒸留により精製したフェニルトリクロロシラン６３．５ｇ（０．３ｍｏｌ）とジメチルジクロロシラン３４．５ｇ（０．３ｍｏｌ）とをシリンジで加え、２５℃で約２４時間撹拌した。反応終了後、反応混合物に１Ｎ（＝１モル／Ｌ）の塩酸１０００ｍｌを投入し、さらにトルエン５００ｍｌで抽出した。トルエン相を純水２００ｍｌで１０回洗浄し、トルエン相を無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、トルエンを留去することにより、分岐状のフェニルシラン−メチルシラン共重合体（前者／後者（モル比）＝１／１）を得た（質量平均分子量３０００）。
得られた分岐状のフェニルシラン−ジメチルシラン共重合体をトルエン１５０ｇとテトラヒドロフラン１５０ｇとの混合溶液に溶解し、さらに塩化銅（ＩＩ）（ＣｕＣｌ２）を１０質量％の割合で含む塩化銅水溶液２００ｇを混合して６０分間攪拌したのち、分岐状のフェニルシラン−ジメチルシラン共重合体を含む有機相と塩化銅を含む水相とを分離した。そして、分岐状のフェニルシラン−ジメチルシラン共重合体を含む有機相を、純水２００ｍｌで３回洗浄した後、溶媒成分を留去し、フェニルシラン−メチルシラン共重合体（質量平均分子量２０００）を３６．６ｇ得た（収率７４％）。【０１０３】
〔実施例６〕
三方コックを装着した内容積１０００ｍｌの丸型フラスコに、粒状（粒径２０〜１０００μｍ）のマグネシウム２５ｇと、触媒としてトリス（アセチルアセトナト）鉄（ＩＩＩ）２．１ｇを仕込み、５０℃で１ｍｍＨｇに加熱減圧して、反応器内部を乾燥した後、乾燥アルゴンガスを反応器内に導入し、予めナトリウム−ベンゾフェノンケチルで乾燥したテトラヒドロフラン５００ｍｌを加え、室温で約３０分間撹拌した。この反応混合物に、予め蒸留により精製したメチルフェニルジクロロシラン６３．５ｇ（０．３ｍｏｌ）を加え、２０℃で約６時間撹拌した。反応終了後、トルエン３００ｍｌを加えた後、減圧濾過により反応によって生成した塩化マグネシウム、余剰のマグネシウムを除去した。ろ液を純水２００ｍｌで１０回洗浄し、トルエン相を無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、トルエン及びテトラヒドロフランを留去することにより、環状のメチルフェニルシラン重合体５０ｇを得た。
反応終了後、反応混合物に１Ｎ（＝１モル／Ｌ）の塩酸１０００ｍｌを投入し、さらにトルエン５００ｍｌで抽出した。トルエン相を純水２００ｍｌで１０回洗浄し、トルエン相を無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、トルエンを留去することにより、環状のメチルフェニルシラン重合体（質量平均分子量７００）を３１ｇ得た（収率８６％）。【０１０４】
〔比較例１〕
三方コックを装着した内容積１０００ｍｌの丸型フラスコに、粒状（粒径２０〜１０００μｍ）のマグネシウム２５．０ｇ、無水塩化亜鉛（ＺｎＣｌ２）１６．２ｇを仕込み、５０℃で１ｍｍＨｇに加熱減圧して、反応器内部を乾燥した後、乾燥アルゴンガスを反応器内に導入し、予めナトリウム−ベンゾフェノンケチルで乾燥したＴＨＦ５００ｍｌを加え、２５℃で約６０分間撹拌した。この反応混合物に、予め蒸留により精製したメチルフェニルジクロロシラン６３．５ｇ（０．３ｍｏｌ）をシリンジで加え、２５℃で約２４時間撹拌した。反応終了後、反応混合物に１Ｎ（＝１モル／Ｌ）の塩酸１０００ｍｌを投入し、さらにトルエン５００ｍｌで抽出した。トルエン相を純水２００ｍｌで１０回洗浄し、トルエン相を無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、トルエンを留去することにより、メチルフェニルシラン重合体（質量平均分子量６０００）を２１．６ｇ得た（収率６０％）。【０１０５】
〔比較例２〕
三方コックを装着した内容積１０００ｍｌの丸型フラスコに、粒状（粒径２０〜１０００μｍ）のマグネシウム２５．０ｇ、無水塩化亜鉛（ＺｎＣｌ２）１６．２ｇを仕込み、５０℃で１ｍｍＨｇに加熱減圧して、反応器内部を乾燥した後、乾燥アルゴンガスを反応器内に導入し、予めナトリウム−ベンゾフェノンケチルで乾燥したテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）５００ｍｌを加え、２５℃で約６０分間撹拌した。この反応混合物に、予め蒸留により精製したメチルフェニルジクロロシラン６３．５ｇ（０．３ｍｏｌ）をシリンジで加え、２５℃で約２４時間撹拌した。
得られた直鎖状のフェニルシラン−ジメチルシラン共重合体をトルエン１５０ｇとテトラヒドロフラン１５０ｇとの混合溶液に溶解し、さらに塩化銅（ＩＩ）（ＣｕＣｌ２）を１０質量％の割合で含む塩化銅水溶液２００ｇを混合して６０分間攪拌したのち、直鎖状のフェニルシラン−ジメチルシラン共重合体を含む有機相と塩化銅を含む水相とを分離した。そして、直鎖状のフェニルシラン−ジメチルシラン共重合体を含む有機相を、純水２００ｍｌで３回洗浄した後、溶媒成分を留去し、直鎖状のフェニルシラン−ジメチルシラン共重合体（質量平均分子量３０００）２１．６ｇを得た（収率６０％）。【０１０６】
〔比較例３〕
三方コックを装着した内容積１０００ｍｌの丸型フラスコに、粒状(粒径２０〜１０００μm)のマグネシウム２５．０ｇ、無水塩化リチウム２１．４g、第２塩化鉄４．１gを仕込み、５０℃で１ｍｍＨｇに加熱減圧して、反応混合物を乾燥した後、乾燥アルゴンガスを反応器内に導入し、予めナトリウム−ベンゾフェノンケチルで乾燥したテトラヒドロフラン５００ｍｌを加え、室温で約３０分間撹拌した。この反応混合物に、予め蒸留により精製したメチルフェニルジクロロシラン１０５．８ｇ(０．５０ｍｏｌ)を加え、２０℃で約１８時間撹拌した。反応終了後、トルエン３００ｍｌを加えた後、減圧濾過により反応によって生成した塩化マグネシウム、余剰のマグネシウムを除去した。ろ液を純水２００ｍｌで１０回洗浄し、トルエン相を無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、トルエン、テトラヒドロフランを留去することにより、直鎖状のメチルフェニルシラン重合体５０ｇを得た。
得られた直鎖状のメチルフェニルシラン重合体をトルエン１５０ｇとテトラヒドロフラン１５０ｇとの混合溶液に溶解し、さらに塩化銅（ＩＩ）（ＣｕＣｌ２）を１０質量％の割合で含む塩化銅水溶液２００ｇを混合して６０分間攪拌したのち、直鎖状のメチルフェニルシラン重合体を含む有機相と塩化銅を含む水相とを分離した。そして、直鎖状のメチルフェニルシラン重合体を含む有機相を、純水２００ｍｌで３回洗浄した後、溶媒成分を留去し、直鎖状のメチルフェニルシラン重合体（質量平均分子量２０００）３６ｇを得た（収率６０％）。【０１０７】
〔比較例４〕
三方コックを装着した内容積１０００ｍｌの丸型フラスコに、粒状（粒径２０〜１０００μｍ）のマグネシウム２５．０ｇ、無水塩化亜鉛（ＺｎＣｌ２）１６．２ｇを仕込み、５０℃で１ｍｍＨｇに加熱減圧して、反応混合物を乾燥した後、乾燥アルゴンガスを反応器内に導入し、予めナトリウム−ベンゾフェノンケチルで乾燥したテトラヒドロフラン５００ｍｌを加え、室温で約３０分間撹拌した。この反応混合物に、予め蒸留により精製したフェニルトリクロロシラン１０５．８ｇ(０．５０ｍｏｌ)を加え、２０℃で約１８時間撹拌した。反応終了後、トルエン３００ｍｌを加えた後、減圧濾過により反応によって生成した塩化マグネシウム、余剰のマグネシウムを除去した。ろ液を純水２００ｍｌで１０回洗浄し、トルエン相を無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、トルエン及びテトラヒドロフランを留去することにより、分岐状のポリフェニルシラン５０ｇを得た。
反応終了後、反応混合物に１Ｎ（＝１モル／Ｌ）の塩酸１０００ｍｌを投入し、さらにトルエン５００ｍｌで抽出した。トルエン相を純水２００ｍｌで１０回洗浄し、トルエン相を無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、トルエンを留去することにより、分岐状のポリフェニルシラン重合体（質量平均分子量２０００）を３８．２ｇ得た（収率６０％）。【０１０８】
〔比較例５〕
三方コックを装着した内容積１０００ｍｌの丸型フラスコに、粒状（粒径２０〜１０００μｍ）のマグネシウム２５．０ｇ、無水塩化亜鉛（ＺｎＣｌ２）１６．２ｇを仕込み、５０℃で１ｍｍＨｇに加熱減圧して、反応混合物を乾燥した後、乾燥アルゴンガスを反応器内に導入し、予めナトリウム−ベンゾフェノンケチルで乾燥したテトラヒドロフラン５００ｍｌを加え、室温で約３０分間撹拌した。この反応混合物に、予め蒸留により精製したフェニルトリクロロシラン１０５．８ｇ(０．５０ｍｏｌ)を加え、２０℃で約１８時間撹拌した。反応終了後、トルエン３００ｍｌを加えた後、減圧濾過により反応によって生成した塩化マグネシウム、余剰のマグネシウムを除去した。ろ液を純水２００ｍｌで１０回洗浄し、トルエン層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、トルエン及びテトラヒドロフランを留去することにより、分岐状のポリフェニルシラン５０ｇを得た。
得られた分岐状のポリフェニルシランをトルエン１５０ｇとテトラヒドロフラン１５０ｇとの混合溶液に溶解し、さらに塩化銅（ＩＩ）（ＣｕＣｌ２）を１０質量％の割合で含む塩化銅水溶液２００ｇを混合して６０分間攪拌したのち、分岐状のポリフェニルシランを含む有機相と塩化銅を含む水相とを分離した。そして、分岐状のポリフェニルシランを含む有機相を、純水２００ｍｌで３回洗浄した後、溶媒成分を留去し、分岐状のポリフェニルシラン重合体（質量平均分子量２０００）を３１．８ｇ得た（収率６０％）。【０１０９】
実施例１〜６及び比較例１〜５を下記表１にまとめる。
【表１】
0006989525.tif 000008
【０１１０】
実施例１〜６及び比較例１〜５で得られたポリシラン化合物について、下記方法に従って、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｆｅ各々の含有量、ギャップフィル特性及びシロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ）割合について評価した。【０１１１】
＜Ｚｎ、Ｃｕ、Ｆｅ各々の含有量評価＞
実施例１〜６及び比較例１〜５で得られたポリシラン化合物におけるＺｎ、Ｃｕ、Ｆｅ各々の含有量は、ＩＣＰ−ＭＳ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ  ｃｏｕｐｌｅｄ  ｐｌａｓｍａ  ｍａｓｓ  ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を用いて測定した。結果を表２に示す。
（評価基準）
〇：Ｚｎ、Ｃｕ、Ｆｅ各々について含有量が５００ｐｐｂ以下
×：Ｚｎ、Ｃｕ、Ｆｅ各々について含有量が５００ｐｐｂ超【０１１２】
＜ギャップフィル特性評価＞
実施例１〜６及び比較例１〜５で得られたポリシラン化合物を、ポリシラン化合物の濃度が５質量％となるようにシクロヘキシルアセテート中に溶解し、得られた各ポリシラン化合物溶液（ポリシラン化合物を含む組成物）を用いて以下の評価方法に従ってギャップフィル特性を評価した。
（評価基準）
ライン幅４０ｎｍスペース幅１５ｎｍであって高さ（スペースの深さ）が８５ｎｍの繰り返しのトレンチパターンが形成されているシリコンウエハに、各ポリシラン化合物溶液を、ポストベーク後の膜厚が約１００ｎｍ（トレンチパターンの底面からの高さは約１８５ｎｍ）になるように塗布し、１００℃１００秒でプリベークした後、３５０℃３０分で焼成（ポストベーク）を行い、ポリシラン化合物膜を得た。断面部分を、０．４％のフッ酸水溶液に１分間浸漬した後、断面形状をＳＥＭで観測した。下記基準に従って評価した。
〇：ポリシラン化合物膜が、トレンチパターン部に均質に埋め込まれている。
×：トレンチパターン部にポリシラン化合物膜の埋め込み不良が観測される。【０１１３】
＜シロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ）及びＳｉ−Ｃ結合の割合評価＞
実施例１〜６及び比較例１〜５で得られたポリシラン化合物についてＸＰＳ分析を行い、９９ｅＶ以上１０４ｅＶ以下の結合エネルギー範囲に最大検出ピーク高さを有するスペクトルをピーク分離し、結合エネルギーが１００ｅＶ以上１０４ｅＶ以下の範囲に最大ピーク高さを有するピークの面積（２Ｘ）（シロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ）とＳｉ−Ｃ結合に由来するピーク面積）と、結合エネルギーが９９．０ｅＶ以上９９．５ｅＶ以下の範囲であるピーク面積（１Ｘ）（Ｓｉ−Ｓｉに由来するピーク面積）とを算出し、下記式（３Ｘ）で表される割合を算出し、以下の基準で評価した。
（１Ｘ）・・・結合エネルギーが９９．０ｅＶ以上９９．５ｅＶ以下の範囲に最大ピーク高さを有するピークの面積
（２Ｘ）・・・結合エネルギーが１００ｅＶ以上１０４ｅＶ以下の範囲に最大ピーク高さを有するピークの面積
（３Ｘ）・・・（２Ｘ）／［（１Ｘ）＋（２Ｘ）］【０１１４】
（評価基準）
◎：１５％以下
〇：１５％超４０％以下
×：４０％超
結果を表２に示す。
なお、表２中、「Ｓｉ−Ｏピーク」が無しとは、１００ｅＶ以上１０４ｅＶ以下の範囲において帰属されたピークが１つであることを意味する。「Ｓｉ−Ｏピーク」が有りとは、１００ｅＶ以上１０２ｅＶ以下の範囲において帰属されたピークが２つであることを意味する。【０１１５】
【表２】
0006989525.tif 000009
【０１１６】
表２に示した結果から明らかなように、ポリシラン化合物の製造に有機金属錯体を使用せずに塩化亜鉛を使用した比較例１、２、４及び５はポリシラン化合物中にＺｎが残存していた。
また、ポリシラン化合物の製造に有機金属錯体を使用せずに塩化銅により精製処理を行った比較例２、３及び５はポリシラン化合物中にＣｕが残存しており、また、ポリシラン化合物中のシロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ）及びＳｉ−Ｃ結合の割合が４０％を超えていた。
また、ポリシラン化合物の製造に有機金属錯体を使用せずに塩化鉄を使用した比較例２及び３はポリシラン化合物中にＦｅが残存していた。
一方、有機金属錯体を用いてポリシラン化合物を製造した実施例１〜６はいずれも、ポリシラン化合物のＭｗが５０００以下であり、ポリシラン化合物中のＺｎ、Ｃｕ及びＦｅの残存量が低く、シロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ）及びＳｉ−Ｃ結合の含有割合も１５％以下であった。また、実施例１〜６はいずれもギャップフィル特性に優れていた。