(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型のＡｌＧａＩｎＰクラッド層と、
上記第１導電型のＡｌＧａＩｎＰクラッド層上の活性層と、
上記活性層上の第２導電型のＡｌＧａＩｎＰクラッド層とを有し、
電流の通路となるストライプ部の両側の部分にＡｌＧａＩｎＰ電流狭窄層が埋め込まれた電流狭窄構造を有する実屈折率導波型の半導体レーザーにおいて、
上記ストライプ部が、その延在方向に幅が周期的に増減している平面形状を有する
ことを特徴とする半導体レーザー。
【請求項２】
上記ストライプ部が、［０−１１］方向に延びかつこの方向に幅が一定周期で増減している平面形状を有することを特徴とする請求項１記載の半導体レーザー。
【請求項３】
上記第２導電型のＡｌＧａＩｎＰクラッド層上の第２導電型のＧａＩｎＰ中間層とこの第２導電型のＧａＩｎＰ中間層上の第２導電型のＧａＡｓキャップ層とをさらに有し、上記第２導電型のＡｌＧａＩｎＰクラッド層の上層部、上記第２導電型のＧａＩｎＰ中間層および上記第２導電型のＧａＡｓキャップ層に上記ストライプ部が形成されていることを特徴とする請求項１または２記載の半導体レーザー。
【請求項４】
第１導電型のＡｌＧａＩｎＰクラッド層と、
上記第１導電型のＡｌＧａＩｎＰクラッド層上の活性層と、
上記活性層上の第２導電型のＡｌＧａＩｎＰクラッド層とを有し、
電流の通路となるストライプ部の両側の部分にＡｌＧａＩｎＰ電流狭窄層が埋め込まれた電流狭窄構造を有する実屈折率導波型の半導体レーザーの製造方法において、
少なくとも上記第２導電型のＡｌＧａＩｎＰクラッド層まで成長させた後、その上にその延在方向に幅が周期的に増減している平面形状を有するストライプ形状のマスクを形成する工程と、
上記マスクをエッチングマスクとして用いて上記第２導電型のＡｌＧａＩｎＰクラッド層をその厚さ方向の途中の深さまでエッチングすることにより上記ストライプ部を形成する工程と、
上記エッチングを行った後、上記マスクを成長マスクとして用いて上記ＡｌＧａＩｎＰ電流狭窄層を成長させて上記ストライプ部の両側の部分を埋める工程とを有する
ことを特徴とする半導体レーザーの製造方法。
【請求項５】
上記マスクが、［０−１１］方向に延びかつこの方向に幅が一定周期で増減している平面形状を有することを特徴とする請求項４記載の半導体レーザーの製造方法。
【請求項６】
上記第２導電型のＡｌＧａＩｎＰクラッド層上に第２導電型のＧａＩｎＰ中間層および第２導電型のＧａＡｓキャップ層を順次成長させた後、上記第２導電型のＧａＡｓキャップ層上に上記マスクを形成することを特徴とする請求項４または５記載の半導体レーザーの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体レーザーに関し、特に、実屈折率導波型のＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーは赤色発光の半導体レーザーとして注目されており、すでに実用化されている。
【０００３】
このＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーとしては、実屈折率導波型のものが主流である。図９に、従来の実屈折率導波型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーの一例を示す。
【０００４】
図９に示すように、この従来の実屈折率導波型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーにおいては、（１００）面方位のｎ型ＧａＡｓ基板１０１上に、ｎ型（Ａｌｙ  Ｇａ１−ｙ  ）０．５  Ｉｎ０．５  Ｐクラッド層１０２、アンドープＧａ０．５  Ｉｎ０．５  Ｐ活性層１０３、ｐ型（Ａｌｙ  Ｇａ１−ｙ  ）０．５  Ｉｎ０．５  Ｐクラッド層１０４、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層１０５およびｐ型ＧａＡｓキャップ層１０６が順次積層されている。ここで、ｎ型（Ａｌｙ  Ｇａ１−ｙ  ）０．５  Ｉｎ０．５  Ｐクラッド層１０２およびｐ型（Ａｌｙ  Ｇａ１−ｙ  ）０．５  Ｉｎ０．５  Ｐクラッド層１０４におけるｙは０．５≦ｙ≦１．０を満たすものである。
【０００５】
ｐ型（Ａｌｙ  Ｇａ１−ｙ  ）０．５  Ｉｎ０．５  Ｐクラッド層１０４の上層部、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層１０５およびｐ型ＧａＡｓキャップ層１０６は、［０−１１］方向に延びる所定幅のストライプ形状を有する。このストライプ部の平面形状を図１０に示す。このストライプ部の側面は｛１１１｝Ａ面からなる。また、このストライプ部の両側の部分にはｎ型（Ａｌｘ  Ｇａ１−ｘ  ）０．５  Ｉｎ０．５  Ｐ電流狭窄層１０７が埋め込まれ、これによって電流狭窄構造が形成されている。ここで、このｎ型（Ａｌｘ  Ｇａ１−ｘ  ）０．５  Ｉｎ０．５  Ｐ電流狭窄層１０７におけるｘは０．５≦ｘ≦１．０を満たすものである。
【０００６】
ｐ型ＧａＡｓキャップ層１０６およびｎ型（Ａｌｘ  Ｇａ１−ｘ  ）０．５  Ｉｎ０．５  Ｐ電流狭窄層１０７の上には、例えばＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ電極のようなｐ側電極１０８が設けられている。一方、ｎ型ＧａＡｓ基板１０１の裏面には、例えばＩｎ電極のようなｎ側電極１０９が設けられている。
【０００７】
次に、上述のように構成された従来の実屈折率導波型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーの製造方法について説明する。
【０００８】
まず、図１１に示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板１０１上に、ｎ型（Ａｌｙ  Ｇａ１−ｙ  ）０．５  Ｉｎ０．５  Ｐクラッド層１０２、アンドープＧａ０．５  Ｉｎ０．５  Ｐ活性層１０３、ｐ型（Ａｌｙ  Ｇａ１−ｙ  ）０．５  Ｉｎ０．５  Ｐクラッド層１０４、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層１０５およびｐ型ＧａＡｓキャップ層１０６を順次成長させる。
【０００９】
次に、図１２に示すように、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１０６の全面にＳｉＯ２  膜やＳｉＮｘ  膜を形成した後、これをエッチングによりパターニングして［０−１１］方向に延びる所定幅のストライプ形状のマスク１１０を形成する。このマスク１１０の平面形状を図１３に示す。
【００１０】
次に、図１４に示すように、マスク１１０をエッチングマスクとして用いて、ウエットエッチング法により、ｐ型（Ａｌｙ  Ｇａ１−ｙ  ）０．５  Ｉｎ０．５  Ｐクラッド層１０４の厚さ方向の途中の深さまでエッチングする。これによって、ｐ型（Ａｌｙ  Ｇａ１−ｙ  ）０．５  Ｉｎ０．５  Ｐクラッド層１０４の上層部、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層１０５およびｐ型ＧａＡｓキャップ層１０６が［０−１１］方向に延びる所定幅のストライプ形状にパターニングされる。このとき、このストライプ部の側面は｛１１１｝Ａ面となる。
【００１１】
次に、図１５に示すように、マスク１１０を成長マスクとして用いてｎ型（Ａｌｘ  Ｇａ１−ｘ  ）０．５  Ｉｎ０．５  Ｐ電流狭窄層１０７を成長させ、ストライプ部の両側の部分を埋める。
【００１２】
次に、図１６に示すように、マスク１１０をエッチング除去した後、ｎ型（Ａｌｘ  Ｇａ１−ｘ  ）０．５  Ｉｎ０．５  Ｐ電流狭窄層１０７の表面を平坦化する。
【００１３】
この後、図９に示すように、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１０６およびｎ型（Ａｌｘ  Ｇａ１−ｘ  ）０．５  Ｉｎ０．５  Ｐ電流狭窄層１０７の全面にｐ側電極１０８を形成するとともに、ｎ型ＧａＡｓ基板１０１の裏面にｎ側電極１０９を形成する。
【００１４】
以上により、目的とする実屈折率導波型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーが製造される。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述の従来の実屈折率導波型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーにおいては、次のような問題がある。すなわち、ｐ型（Ａｌｙ  Ｇａ１−ｙ  ）０．５  Ｉｎ０．５  Ｐクラッド層１０４の上層部、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層１０５およびｐ型ＧａＡｓキャップ層１０６をパターニングすることにより形成されるストライプ部の側面は、ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体の成長が起きにくい｛１１１｝Ａ面であることから、実際には、この側面上において、ｎ型（Ａｌｘ  Ｇａ１−ｘ  ）０．５  Ｉｎ０．５  Ｐ電流狭窄層１０７の成長は容易には進まない。このため、このｎ型（Ａｌｘ  Ｇａ１−ｘ  ）０．５  Ｉｎ０．５  Ｐ電流狭窄層１０７に欠陥が発生し、ストライプ部の両側の部分をこのｎ型（Ａｌｘ  Ｇａ１−ｘ  ）０．５  Ｉｎ０．５  Ｐ電流狭窄層１０７により完全に埋め込むことは困難である。この結果、発振時にアンドープＧａ０．５  Ｉｎ０．５  Ｐ活性層１０３から発生する光がこのｎ型（Ａｌｘ  Ｇａ１−ｘ  ）０．５  Ｉｎ０．５  Ｐ電流狭窄層１０７により吸収され、これがこの実屈折率導波型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーの高出力化を阻む一つの原因となっていた。また、この実屈折率導波型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーは信頼性も低かった。
【００１６】
したがって、この発明の目的は、ストライプ部の両側の部分にＡｌＧａＩｎＰ電流狭窄層がほぼ完全に埋め込まれた良好な電流狭窄構造を得ることができることにより、高出力かつ高信頼性の赤色発光の実屈折率導波型の半導体レーザーを提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、この発明は、
第１導電型のＡｌＧａＩｎＰクラッド層と、
第１導電型のＡｌＧａＩｎＰクラッド層上の活性層と、
活性層上の第２導電型のＡｌＧａＩｎＰクラッド層とを有し、
電流の通路となるストライプ部の両側の部分にＡｌＧａＩｎＰ電流狭窄層が埋め込まれた電流狭窄構造を有する実屈折率導波型の半導体レーザーにおいて、
ストライプ部が、その延在方向に幅が周期的に増減している平面形状を有する
ことを特徴とするものである。
この発明はまた、
第１導電型のＡｌＧａＩｎＰクラッド層と、
第１導電型のＡｌＧａＩｎＰクラッド層上の活性層と、
活性層上の第２導電型のＡｌＧａＩｎＰクラッド層とを有し、
電流の通路となるストライプ部の両側の部分にＡｌＧａＩｎＰ電流狭窄層が埋め込まれた電流狭窄構造を有する実屈折率導波型の半導体レーザーの製造方法において、
少なくとも第２導電型のＡｌＧａＩｎＰクラッド層まで成長させた後、その上にその延在方向に幅が周期的に増減している平面形状を有するストライプ形状のマスクを形成する工程と、
マスクをエッチングマスクとして用いて第２導電型のＡｌＧａＩｎＰクラッド層をその厚さ方向の途中の深さまでエッチングすることによりストライプ部を形成する工程と、
エッチングを行った後、マスクを成長マスクとして用いてＡｌＧａＩｎＰ電流狭窄層を成長させてストライプ部の両側の部分を埋める工程とを有する
ことを特徴とするものである。
【００１８】
この発明においては、典型的には、ストライプ部の側面のほぼ全部が｛１１１｝Ａ面から０〜２０°傾斜している。
【００１９】
この発明においては、好適には、ストライプ部の側面のほぼ全部が｛１１１｝Ａ面から０〜１０°傾斜している。
【００２０】
この発明においては、より好適には、ストライプ部の側面のほぼ全部が｛１１１｝Ａ面から０〜５°傾斜している。
【００２２】
上述のように構成されたこの発明による半導体レーザーにおいては、ストライプ部の側面のほぼ全部が、この側面にＡｌＧａＩｎＰ電流狭窄層を良好に成長させることができる程度の角度だけ｛１１１｝Ａ面から傾斜していることにより、このＡｌＧａＩｎＰ電流狭窄層に欠陥が発生することがなく、このためこのストライプ部の両側の部分をこのＡｌＧａＩｎＰ電流狭窄層によりほぼ完全に埋め込むことができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の一実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００２４】
図１は、この発明の一実施形態による実屈折率導波型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーを示す断面図である。
【００２５】
図１に示すように、この一実施形態による実屈折率導波型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーにおいては、例えば（１００）面方位のｎ型ＧａＡｓ基板１上に、ｎ型（Ａｌｙ  Ｇａ１−ｙ  ）０．５  Ｉｎ０．５  Ｐクラッド層２、アンドープＧａ０．５  Ｉｎ０．５  Ｐ活性層３、ｐ型（Ａｌｙ  Ｇａ１−ｙ  ）０．５  Ｉｎ０．５  Ｐクラッド層４、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層５およびｐ型ＧａＡｓキャップ層６が順次積層されている。ここで、ｎ型（Ａｌｙ  Ｇａ１−ｙ  ）０．５  Ｉｎ０．５  Ｐクラッド層２およびｐ型（Ａｌｙ  Ｇａ１−ｙ  ）０．５  Ｉｎ０．５  Ｐクラッド層４におけるｙは０．５≦ｙ≦１．０を満たすものである。
【００２６】
ｐ型（Ａｌｙ  Ｇａ１−ｙ  ）０．５  Ｉｎ０．５  Ｐクラッド層４の上層部、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層５およびｐ型ＧａＡｓキャップ層６は、［０−１１］方向に延びかつこの方向に幅が一定周期で増減するストライプ形状を有する。このストライプ部の平面形状を図２に示す。この場合、このストライプ部の側面の大部分は、｛１１１｝Ａ面から０〜２０°、好適には例えば０〜５°だけ傾斜しており、その延在方向に平行なごく一部の側面のみが｛１１１｝Ａ面になっている。また、このストライプ部の両側の部分にはｎ型（Ａｌｘ  Ｇａ１−ｘ  ）０．５  Ｉｎ０．５  Ｐ電流狭窄層７が埋め込まれ、これによって電流狭窄構造が形成されている。ここで、このｎ型（Ａｌｘ  Ｇａ１−ｘ  ）０．５  Ｉｎ０．５  Ｐ電流狭窄層７におけるｘは０．５≦ｘ≦１．０を満たすものである。
【００２７】
ｐ型ＧａＡｓキャップ層６およびｎ型（Ａｌｘ  Ｇａ１−ｘ  ）０．５  Ｉｎ０．５  Ｐ電流狭窄層７の上には、例えばＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ電極のようなｐ側電極８が設けられている。一方、ｎ型ＧａＡｓ基板１の裏面には、例えばＩｎ電極のようなｎ側電極９が設けられている。
【００２８】
次に、上述のように構成されたこの一実施形態による実屈折率導波型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーの製造方法について説明する。
【００２９】
まず、図３に示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に、例えば有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）法や分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法により、ｎ型（Ａｌｙ  Ｇａ１−ｙ  ）０．５  Ｉｎ０．５  Ｐクラッド層２、アンドープＧａ０．５  Ｉｎ０．５  Ｐ活性層３、ｐ型（Ａｌｙ  Ｇａ１−ｙ  ）０．５  Ｉｎ０．５  Ｐクラッド層４、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層５およびｐ型ＧａＡｓキャップ層６を順次成長させる。
【００３０】
次に、図４に示すように、ｐ型ＧａＡｓキャップ層６の全面に例えばＣＶＤ法により例えばＳｉＯ２  膜やＳｉＮｘ  膜を形成した後、これをエッチングによりパターニングして［０−１１］方向に延びかつこの方向に幅が一定周期で増減するストライプ形状のマスク１０を形成する。このマスク１０の平面形状を図５に示す。
【００３１】
次に、図６に示すように、マスク１０をエッチングマスクとして用いて、ウエットエッチング法により、ｐ型（Ａｌｙ  Ｇａ１−ｙ  ）０．５  Ｉｎ０．５  Ｐクラッド層４の厚さ方向の途中の深さまでエッチングする。これによって、ｐ型（Ａｌｙ  Ｇａ１−ｙ  ）０．５  Ｉｎ０．５  Ｐクラッド層４の上層部、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層５およびｐ型ＧａＡｓキャップ層６が［０−１１］方向に延びかつこの方向に幅が一定周期で増減するストライプ形状にパターニングされる。このとき、このストライプ部の側面の大部分は｛１１１｝Ａ面から０〜２０°、好適には０〜５°傾斜した面となり、その延在方向に平行なごく一部の側面のみが｛１１１｝Ａ面となる。
【００３２】
次に、図７に示すように、マスク１０を成長マスクとして用いて、例えばＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ法によりｎ型（Ａｌｘ  Ｇａ１−ｘ  ）０．５  Ｉｎ０．５  Ｐ電流狭窄層７を成長させ、ストライプ部の両側の部分を埋める。上述のように、この場合、ストライプ部の側面の大部分は｛１１１｝Ａ面から０〜２０°、好適には０〜５°傾斜した面であり、その延在方向に平行なごく一部の側面のみが｛１１１｝Ａ面であるので、この側面において、このｎ型（Ａｌｘ  Ｇａ１−ｘ  ）０．５  Ｉｎ０．５  Ｐ電流狭窄層７は良好かつ容易に成長する。このため、このｎ型（Ａｌｘ  Ｇａ１−ｘ  ）０．５  Ｉｎ０．５  Ｐ電流狭窄層７に欠陥が発生することがなく、このストライプ部の両側の部分はこのｎ型（Ａｌｘ  Ｇａ１−ｘ  ）０．５  Ｉｎ０．５  Ｐ電流狭窄層７によりほぼ完全に埋め込まれる。
【００３３】
次に、図８に示すように、マスク１０をエッチング除去した後、ｎ型（Ａｌｘ  Ｇａ１−ｘ  ）０．５  Ｉｎ０．５  Ｐ電流狭窄層７の表面を平坦化する。
【００３４】
この後、図１に示すように、例えば真空蒸着法やスパッタリング法により、ｐ型ＧａＡｓキャップ層６およびｎ型（Ａｌｘ  Ｇａ１−ｘ  ）０．５  Ｉｎ０．５  Ｐ電流狭窄層７の全面にｐ側電極８を形成するとともに、ｎ型ＧａＡｓ基板１の裏面にｎ側電極９を形成する。
【００３５】
以上により、目的とする実屈折率導波型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーが製造される。
【００３６】
以上のように、この一実施形態によれば、ｐ型（Ａｌｙ  Ｇａ１−ｙ  ）０．５  Ｉｎ０．５  Ｐクラッド層４の上層部、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層５およびｐ型ＧａＡｓキャップ層６をパターニングすることにより形成されるストライプ部の側面の大部分が｛１１１｝Ａ面から０〜２０°、好適には０〜５°だけ傾斜した面であることにより、このストライプ部の両側の部分を欠陥のないｎ型（Ａｌｘ  Ｇａ１−ｘ  ）０．５  Ｉｎ０．５  Ｐ電流狭窄層８によりほぼ完全に埋め込むことができる。このため、発振時にアンドープＧａ０．５  Ｉｎ０．５  Ｐ活性層３から発生する光がｎ型（Ａｌｘ  Ｇａ１−ｘ  ）０．５  Ｉｎ０．５  Ｐ電流狭窄層７により吸収されることがない。これによって、例えば発振波長が６３０ｎｍ帯で、出力が例えば３０ｍＷ以上と高出力でかつ高信頼性の実屈折率導波型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーを実現することができる。
【００３７】
以上、この発明の一実施形態について具体的に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
【００３８】
例えば、上述の一実施形態において挙げた数値や材料などは例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる数値や材料を用いることも可能である。
【００３９】
また、上述の一実施形態において用いた電流狭窄構造は一例に過ぎず、これと異なる電流狭窄構造を用いてもよい。
【００４０】
また、上述の一実施形態においては、ＤＨ構造（Ｄｏｕｂｌｅ  Ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）を有するＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーにこの発明を適用した場合について説明したが、この発明は、ＳＣＨ（Ｓｅｐａｒａｔｅ  Ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ  Ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）構造を有するＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーに適用することも可能である。
【００４１】
さらに、上述の一実施形態におけるアンドープＧａ０．５  Ｉｎ０．５  Ｐ活性層３の代わりに、例えばアンドープＧａ０．５  Ｉｎ０．５  Ｐ層を量子井戸層とする多重量子井戸（ＭＱＷ）構造の活性層を用いてもよい。
【００４２】
さらにまた、上述の一実施形態においては、（１００）面方位のｎ型ＧａＡｓ基板１を用いているが、例えば、（１００）面から〈０１１〉方向に０〜１５°オフした主面を有するｎ型ＧａＡｓ基板を用いてもよい。
【００４３】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明によれば、ストライプ部の側面のほぼ全部が、この側面にＡｌＧａＩｎＰ電流狭窄層を良好に成長させることができる程度の角度だけ｛１１１｝Ａ面から傾斜していることにより、このストライプ部の両側の部分にＡｌＧａＩｎＰ電流狭窄層がほぼ完全に埋め込まれた良好な電流狭窄構造を得ることができ、これによって高出力かつ高信頼性の赤色発光の実屈折率導波型のＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施形態による実屈折率導波型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーを示す断面図である。
【図２】この発明の一実施形態による実屈折率導波型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーのストライプ部の平面図である。
【図３】この発明の一実施形態による実屈折率導波型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーの製造方法を説明するための断面図である。
【図４】この発明の一実施形態による実屈折率導波型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーの製造方法を説明するための断面図である。
【図５】この発明の一実施形態による実屈折率導波型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーの製造方法においてストライプ部の形成に用いるマスクの平面図である。
【図６】この発明の一実施形態による実屈折率導波型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーの製造方法を説明するための断面図である。
【図７】この発明の一実施形態による実屈折率導波型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーの製造方法を説明するための断面図である。
【図８】この発明の一実施形態による実屈折率導波型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーの製造方法を説明するための断面図である。
【図９】従来の実屈折率導波型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーの一例を示す断面図である。
【図１０】従来の実屈折率導波型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーのストライプ部の平面図である。
【図１１】従来の実屈折率導波型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーの製造方法を説明するための断面図である。
【図１２】従来の実屈折率導波型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーの製造方法を説明するための断面図である。
【図１３】従来の実屈折率導波型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーの製造方法においてストライプ部の形成に用いるマスクの平面図である。
【図１４】従来の実屈折率導波型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーの製造方法を説明するための断面図である。
【図１５】従来の実屈折率導波型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーの製造方法を説明するための断面図である。
【図１６】従来の実屈折率導波型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーの製造方法を説明するための断面図である。
【符号の説明】
１  ｎ型ＧａＡｓ基板
２  ｎ型（Ａｌｙ  Ｇａ１−ｙ  ）０．５  Ｉｎ０．５  Ｐクラッド層
３  アンドープＧａ０．５  Ｉｎ０．５  Ｐ活性層
４  ｐ型（Ａｌｙ  Ｇａ１−ｙ  ）０．５  Ｉｎ０．５  Ｐクラッド層
５  ｐ型ＧａＩｎＰ中間層
６  ｐ型ＧａＡｓキャップ層
７  ｎ型（Ａｌｘ  Ｇａ１−ｘ  ）０．５  Ｉｎ０．５  Ｐ電流狭窄層
８  ｐ側電極
９  ｎ側電極
１０  マスク
【図１】
0003601151.tif 000002
【図２】
0003601151.tif 000003
【図３】
0003601151.tif 000004
【図４】
0003601151.tif 000005
【図５】
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【図６】
0003601151.tif 000007
【図７】
0003601151.tif 000008
【図８】
0003601151.tif 000009
【図９】
0003601151.tif 000010
【図１０】
0003601151.tif 000011
【図１１】
0003601151.tif 000012
【図１２】
0003601151.tif 000013
【図１３】
0003601151.tif 000014
【図１４】
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【図１５】
0003601151.tif 000016
【図１６】
0003601151.tif 000017