【手続補正書】
【提出日】平成29年9月8日(2017.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
深紫外線（ＤＵＶ）連続波（ＣＷ）光を発生させるためのレーザーであって、
基本波波長を有する光を、第２高調波波長を有する光に変換するための第２高調波発生器と、
前記第２高調波波長を有する前記光を、第４高調波波長を有する光に変換するための第４高調波発生器と、を備え、前記第４高調波発生器が、
複数の鏡と、
前記第４高調波波長を有する前記光を発生させるための第１の非線形光学（ＮＬＯ）結晶であって、前記複数の鏡と動作関係にある、第１の非線形光学（ＮＬＯ）結晶と、
第２のＮＬＯ結晶であって、前記第２高調波波長を有する前記光が、前記第１のＮＬＯ結晶及び前記第２のＮＬＯ結晶の両方を通過するように、前記第１のＮＬＯ結晶と動作関係にあり、前記第２のＮＬＯ結晶の第２の光軸が、前記第２のＮＬＯ結晶内の前記第２高調波波長を有する前記光の伝播方向を中心に、前記第１のＮＬＯ結晶の第１の光軸に対して約９０度回転し、前記第２のＮＬＯ結晶が、波長変換を提供しない、第２のＮＬＯ結晶と、を含む、レーザー。
【請求項２】
前記第１のＮＬＯ結晶及び前記第２のＮＬＯ結晶の各々が、水素アニール処理される、請求項１に記載のレーザー。
【請求項３】
前記第１のＮＬＯ結晶及び前記第２のＮＬＯ結晶の各々が、水素アニール処理されたＣＬＢＯ（セシウムリチウムボレート）結晶を含む、請求項１に記載のレーザー。
【請求項４】
前記第２高調波を有する前記光が、前記第１のＮＬＯ結晶中またはその近傍の実質的に楕円形のビームウエストに集束され、楕円の長軸が第１のｅ軸に実質的に平行である、請求項１に記載のレーザー。
【請求項５】
前記第１のＮＬＯ結晶及び前記第２のＮＬＯ結晶が、中に集束されたビームによって前記第１のＮＬＯ結晶中に作り出される非点収差を低減するように温度制御される、請求項１に記載のレーザー。
【請求項６】
少なくとも前記第１のＮＬＯ結晶が、中に集束されたビームによって前記第１のＮＬＯ結晶中に作り出される非点収差を低減するように温度制御される、請求項１に記載のレーザー。
【請求項７】
制御温度が約５０℃以下である、請求項６に記載のレーザー。
【請求項８】
前記第４高調波発生器が、平行な表面を持つ一対の薄板を更に含み、前記一対の薄板が、非点収差を補償しながら、光ビームのあらゆる変位を最小限に抑えるように、実質的に等しい対角で傾けられる、請求項１に記載のレーザー。
【請求項９】
前記第４高調波発生器が、前記第１のＮＬＯ結晶によって導入された非点収差を実質的に取り消すように非点収差補償を自動的に調整するフィードバック制御ループを更に含む、請求項１に記載のレーザー。
【請求項１０】
ウエハ、レチクル、またはフォトマスクを検査するためのシステムであって、
深紫外線（ＤＵＶ）連続波（ＣＷ）レーザーであって、
基本波波長を有する光を、第２高調波波長を有する光に変換するための第２高調波発生器と、
前記第２高調波波長を有する前記光を、第４高調波波長を有する光に変換するための第４高調波発生器と、を含む、レーザーを備え、前記第４高調波発生器が、
複数の鏡と、
前記第４高調波波長を有する前記光を発生させるための第１の非線形光学（ＮＬＯ）結晶であって、前記複数の鏡と動作関係にある、第１の非線形光学（ＮＬＯ）結晶と、
第２のＮＬＯ結晶であって、前記第２高調波波長を有する前記光が、前記第１のＮＬＯ結晶及び前記第２のＮＬＯ結晶の両方を通過するように、前記第１のＮＬＯ結晶と動作関係にあり、前記第２のＮＬＯ結晶の第２の光軸が、前記第２のＮＬＯ結晶内の前記第２高調波波長を有する前記光の伝播方向を中心に、前記第１のＮＬＯ結晶の第１の光軸に対して約９０度回転し、前記第２のＮＬＯ結晶が、波長変換を提供しない、第２のＮＬＯ結晶と、を含む、システム。
【請求項１１】
前記第１のＮＬＯ結晶及び前記第２のＮＬＯ結晶の各々が、水素アニール処理される、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１２】
前記第１のＮＬＯ結晶及び前記第２のＮＬＯ結晶の各々が、水素アニール処理されたＣＬＢＯ（セシウムリチウムボレート）結晶を含む、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１３】
前記第２高調波を有する光が、前記第１のＮＬＯ結晶中またはその近傍の実質的に楕円形のビームウエストに集束され、楕円の長軸が第１のｅ軸と実質的に平行である、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１４】
前記第１のＮＬＯ結晶及び前記第２のＮＬＯ結晶が、中に集束されたビームによって前記第１のＮＬＯ結晶中に作り出される非点収差を低減するように温度制御される、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１５】
少なくとも前記第１のＮＬＯ結晶が、中に集束されたビームによって前記第１のＮＬＯ結晶中に作り出される非点収差を低減するように温度制御される、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１６】
制御温度が約５０℃以下である、請求項１５に記載のシステム。
【請求項１７】
前記第４高調波発生器が、平行な表面を持つ一対の薄板を更に含み、前記一対の薄板が、非点収差を補償しながら、光ビームのあらゆる変位を最小限に抑えるように、実質的に等しい対角で傾けられる、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１８】
前記第４高調波発生器が、前記第１のＮＬＯ結晶によって導入された非点収差を実質的に取り消すように非点収差補償を自動的に調整するフィードバック制御ループを更に含む、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１９】
レーザー内で深紫外線（ＤＵＶ）連続波（ＣＷ）光を発生させる方法であって、
基本波波長を有する光を、第２高調波波長を有する光に変換することと、
第１の非線形光学（ＮＬＯ）結晶及び第２のＮＬＯ結晶を使用して、前記第２高調波波長を有する前記光を、第４高調波波長を有する光に変換することと、を含み、前記第２高調波波長を有する前記光を、前記第４高調波波長を有する前記光に変換することが、
前記第２のＮＬＯ結晶を前記第１のＮＬＯ結晶と動作関係に置いて、第２高調波波長を有する前記光がこれら両方のＮＬＯ結晶を通過するようにすることと、
前記第２のＮＬＯ結晶の第２の光軸を、前記第２のＮＬＯ結晶内の前記第２高調波波長を有する前記光の伝播方向を中心に、前記第１のＮＬＯ結晶の第１の光軸に対して約９０度回転させることであって、前記第１のＮＬＯ結晶のみが、前記第４高調波波長を有する前記光の波長変換を提供する、回転させることと、を含む、方法。
【請求項２０】
深紫外線（ＤＵＶ）連続波（ＣＷ）光を発生させるためのレーザーであって、
基本波波長を有する光を、第２高調波波長を有する光に変換するための第２高調波発生器と、
前記第２高調波波長を有する前記光を、第４高調波波長を有する光に変換するための第４高調波発生器と、を備え、前記第４高調波発生器が、
前記第４高調波発生器内で光を循環させる複数の鏡と、
第１の光軸を有する第１の非線形光学（ＮＬＯ）結晶であって、前記第２高調波波長を有する前記光の一部を、前記第４高調波波長を有しかつ第１の非点収差を有する光に変換するように、前記第１の光軸が、前記第４高調波発生器内で循環された前記光に対して配向され、前記複数の鏡と動作関係にある、第１の非線形光学（ＮＬＯ）結晶と、
それぞれが平行な平坦表面を持つ一対の薄板であって、前記第４高調波発生器内で循環された前記光が前記一対の薄板の前記平行な平坦表面を通過するように、前記第１のＮＬＯ結晶と動作関係に配置される、一対の薄板と、
を含み、
前記一対の薄板が、前記第４高調波発生器内で循環された前記光の変位を最小限に抑えながら前記第１の非点収差を補正する第２の非点収差を前記循環された光に対して導入するように、前記一対の薄板がそれぞれの平行な軸に対して実質的に等しい対角で傾斜して配置される、レーザー。
【請求項２１】
前記第１のＮＬＯ結晶が水素アニール処理される、請求項２０に記載のレーザー。
【請求項２２】
前記第１のＮＬＯ結晶が、水素アニール処理されたＣＬＢＯ（セシウムリチウムボレート）結晶を含む、請求項２０に記載のレーザー。
【請求項２３】
前記第２高調波波長を有する前記光が、前記第１のＮＬＯ結晶中またはその近傍の実質的に楕円形のビームウエストに集束され、楕円の長軸が第１のｅ軸に実質的に平行である、請求項２０に記載のレーザー。
【請求項２４】
少なくとも前記第１のＮＬＯ結晶が、中に集束されたビームによって前記第１のＮＬＯ結晶中に作り出される前記第１の非点収差を低減するように温度制御される、請求項２０に記載のレーザー。
【請求項２５】
制御温度が約１００℃以下である、請求項２４に記載のレーザー。
【請求項２６】
前記第４高調波発生器が、前記第１のＮＬＯ結晶によって導入された前記第１の非点収差を実質的に取り消すように前記一対の薄板の角度を自動的に調整するフィードバック制御ループを更に含む、請求項２０に記載のレーザー。
【請求項２７】
ウエハ、レチクル、またはフォトマスクを検査するためのシステムであって、
深紫外線（ＤＵＶ）連続波（ＣＷ）レーザーであって、
基本波波長を有する光を、第２高調波波長を有する光に変換するための第２高調波発生器と、
前記第２高調波波長を有する前記光を、第４高調波波長を有する光に変換するための第４高調波発生器と、を含む、レーザーを備え、前記第４高調波発生器が、
前記第４高調波発生器内で光を循環させる複数の鏡と、
前記第２高調波波長を有する前記光の変換部分を変換することによって前記第４高調波波長を有する前記光を発生させるように構成された第１の非線形光学（ＮＬＯ）結晶であって、前記第４高調波発生器内を循環する前記光が単一の光伝播方向においてのみ前記第１のＮＬＯ結晶に向けられるように、前記複数の鏡と動作関係にある、第１のＮＬＯ結晶と、
それぞれが平行な平坦表面を持つ一対の薄板であって、前記第４高調波発生器内で循環された前記光が前記一対の薄板の前記平坦な平行表面を通過するように、前記第１のＮＬＯ結晶と動作関係に配置される、一対の薄板と、
を含み、
前記一対の薄板が、前記第４高調波発生器内で循環された前記光の変位を最小限に抑えながら第１の非点収差を補正する第２の非点収差を、前記循環された光に対して導入するように、前記一対の薄板がそれぞれの平行な軸に対して実質的に等しい対角で傾斜して配置される、システム。
【請求項２８】
前記第１のＮＬＯ結晶が水素アニール処理される、請求項２７に記載のシステム。
【請求項２９】
前記第１のＮＬＯ結晶が、水素アニール処理されたＣＬＢＯ（セシウムリチウムボレート）結晶を含む、請求項２７に記載のシステム。
【請求項３０】
前記第２高調波を有する光が、前記第１のＮＬＯ結晶中またはその近傍の実質的に楕円形のビームウエストに集束され、楕円の長軸が第１のｅ軸と実質的に平行である、請求項２７に記載のシステム。
【請求項３１】
少なくとも前記第１のＮＬＯ結晶が、中に集束されたビームによって前記第１のＮＬＯ結晶中に作り出される前記第１の非点収差を低減するように温度制御される、請求項２７に記載のシステム。
【請求項３２】
制御温度が約１００℃以下である、請求項３１に記載のシステム。
【請求項３３】
前記第４高調波発生器が、前記第１のＮＬＯ結晶によって導入された前記第１の非点収差を実質的に取り消すように前記一対の薄板の角度を自動的に調整するフィードバック制御ループを更に含む、請求項２７に記載のシステム。
【請求項３４】
レーザーにおける、深紫外線（ＤＵＶ）連続波（ＣＷ）光を発生させる方法であって、
基本波波長を有する光を、第２高調波波長を有する光に変換するステップと、
前記第２高調波波長を有する前記光を、この光が単一の光伝播方向においてのみ第１の非線形光学（ＮＬＯ）結晶を通過するように構成された空洞内で循環させることによって、前記第２高調波波長を有する前記光の一部を、第４高調波波長を有する光に変換することと、
前記第１のＮＬＯ結晶中に作り出される第１の非点収差を、それぞれが平行な平坦表面を有する一対の薄板によって取り消すことであって、第４高調波発生器内を循環される前記光が前記一対の薄板の前記平行な平坦表面を通過するように、前記一対の薄板が、前記第１のＮＬＯ結晶に対する動作関係で配置される、ことと、
を含み、  
前記一対の薄板が、第４高調波発生器内で循環された前記光の変位を最小限に抑えながら前記第１の非点収差を補正する第２の非点収差を前記循環された光に対して導入するように、前記一対の薄板がそれぞれの平行な軸に対して実質的に等しい対角で傾斜して配置される、方法。