(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
上板、枠体、下板を一体化して形成したケースと、このケースの空間内に設けられた素子とを備え、前記素子の入出力電極に対応する前記ケースの上板部分に貫通孔を設け、この上板側を下方にして前記ケース外からこの貫通孔内に蒸着あるいはスパッタリングにより薄膜を形成する際に、ケースを水平方向に振動させ、この振動によって、前記素子の貫通孔の下面開口部より広い面積の薄膜を前記素子の入出力電極上に形成し、その後貫通孔内に導電性金属を流入させる電子部品の製造方法。
【請求項２】
貫通孔内に薄膜を形成後、ケースを反転させ、その状態で貫通孔内に導電性金属を流入させる請求項１記載の電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は電子部品の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ケース内に素子を封入した電子部品においては、素子の入出力電極をケース外に引き出すために、ケースに貫通孔を設け、この貫通孔内にリード線を設けた後に、樹脂を流入させて密封構造をとっていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
上記構成とした場合に問題となるのは、貫通孔部分の密封性が不充分であるということであった。すなわち、樹脂は吸水性があり、しかも貫通孔内壁との間にどうしても微細な隙間が形成されてしまい、これらの結果として、密封性が不充分になるのであった。
【０００４】
そこで本発明は、貫通孔部分における密封性を高めると共に、素子の入出力電極に対する電気的な接続状態の信頼性を高めることを目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
そしてこの目的を達成するために本発明は、上板、枠体、下板を一体化して形成したケースと、このケースの空間内に設けられた素子とを備え、前記素子の入出力電極に対応する前記ケースの上板部分に貫通孔を設け、この上板側を下方にして前記ケース外からこの貫通孔内に蒸着あるいはスパッタリングにより薄膜を形成する際に、ケースを水平方向に振動させ、この振動によって、前記素子の貫通孔の下面開口部より広い面積の薄膜を前記素子の入出力電極上に形成し、その後貫通孔内に導電性金属を流入させるものである。
【０００６】
【作用】
上記製造方法によれば、ケースを水平方向に振動させながら貫通孔内及び、素子の入出力電極上に、薄膜を形成するので、貫通孔内には充分な量の薄膜が形成され、また、この水平方向の振動によりケース内において、素子が水平方向に振動するので、貫通孔を介して、形成される入出力電極上の薄膜の面積は広くなる。このため、次の工程で、貫通孔内に導電性金属を流入させた場合、この導電性金属は、素子の入出力電極上に広く形成された薄膜部分と、確実に当接し、融着され、強固に一体化されることになる。
【０００７】
この点について今少し説明すると、ケースは絶縁物よりなるので、これに直接導電性金属を密着させることはできず、したがって貫通孔内壁面に薄膜を形成し、その上に導電性金属を密着させるのである。また素子の入出力電極も導電性金属が直接密着しにくい金属で形成される場合も多く、その際にはその上に薄膜を形成後導電性金属を密着させる必要がある。
【０００８】
したがって、貫通孔部分における密封性が高まるとともに、素子の入出力電極に対する電気的な接続状態の信頼性を高めることができる。
【０００９】
【実施例】
図１において、１はケースで、ガラス製の枠体２とガラス製の上、下板３，４をガラスどうしの直接接合により一体化して構成している。５は素子として用いたＳＡＷフィルタで、その上面側には信号用電極６と入出力電極７が設けられている。この入出力電極７に対応する上板３には、逆円すい型の貫通孔８が形成されている。この貫通孔８内と入出力電極７上には、Ｔｉ，Ｃｕ，Ａｕの三層構造よりなる薄膜９が設けられている。その状態で貫通孔８内には、導電性金属として半田１０が流入させられており、これにより、この半田１０のケース１外部分とＳＡＷフィルタ５の入出力電極７が半田１０、薄膜９を介して電気的に接続されている。次に、半田１０による貫通孔８の密封について説明する。まず、図２のごとく、ケース１内にＳＡＷフィルタ５を収納し、次に、加熱しながら圧力をかけて上、下板３，４及び枠体２を一体化する。次に、図３のごとく、ケース１を反転し、この状態で、蒸着あるいはスパッタリングにより、薄膜９を貫通孔８内及び入出力電極７上に形成する。この場合、図示していないが、ケース１を水平方向に振動させながら、薄膜９の形成を行う。そうすると、ＳＡＷフィルタ５はケース１内において、水平方向に振動し、これにより、入出力電極７のより広い部分が、貫通孔８内に表出することになる。この結果として、図１に示すごとく、入出力電極７上に形成される薄膜９の面積は、貫通孔８の下面開口部よりも広いものとなる。したがって、図４のようにして薄膜９を形成したのちに、ケース１を再び反転させた後に、図１にごとく、貫通孔８内に半田１０を流入させれば、半田１０は貫通孔８の下面開口を介して、入出力電極７上の薄膜９に確実に、当接し、融着され、強固に一体化されることになる。すなわち、ＳＡＷフィルタ５は、その振動特性を劣化させないため、下板４上には固定しておらず、図５の状態から水平方向に移動してしまうことになるが、上述したように、薄膜９を充分に広い面積となるように形成しておれば、たとえ、この移動があったとしても確実に半田１０と当接し、一体化されるのである。そしてこの結果として、半田１０による電気的導通は確実に図れることとなるのである。なお、貫通孔８上に設けた薄膜９は、半田１０と密着し、融着され、それにより、密封性を高めるために設けたものである。
【００１０】
【発明の効果】
以上のように本発明は、ケースと、このケース内に設けられた素子とを備え、前記素子の入出力電極に対応するケース部分に、貫通孔を設け、この貫通孔側を下方にしてケース外からこの貫通孔内に蒸着あるいはスパッタリングにより薄膜を形成する際に、ケースを水平方向に振動させて薄膜を素子の入出力電極上にも設け、その後貫通孔内に導電性金属を流入させるものである。
【００１１】
そして上記製造方法によれば、ケースを水平方向に振動させながら貫通孔内及び、素子の入出力電極上に、薄膜を形成するので、貫通孔内には充分な量の薄膜が形成され、また、この水平方向の振動によりケース内において、素子が水平方向に振動するので、貫通孔を介して、形成される入出力電極上の薄膜の面積は広くなる。このため、次の工程で、貫通孔内に導電性金属を流入させた場合、この導電性金属は、素子の入出力電極上に広く形成された薄膜部分と、確実に当接し、融着され、強固に一体化されることになる。
【００１２】
この点について今少し説明すると、ケースは絶縁物よりなるので、これに直接導電性金属を密着させることはできず、したがって貫通孔内壁面に薄膜を形成し、その上に導電性金属を密着させるのである。また素子の入出力電極も導電性金属が直接密着しにくい金属で形成される場合も多く、その際にはその上に薄膜を形成後導電性金属を密着させる必要がある。
【００１３】
したがって、貫通孔部分における密封性が高まるとともに、素子の入出力電極に対する電気的な接続状態の信頼性を高めることができるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例により製造された電子部品の断面図
【図２】その製造方法を示す断面図
【図３】その製造方法を示す断面図
【図４】その製造方法を示す断面図
【図５】その製造方法を示す断面図
【符号の説明】
１  ケース
５  ＳＡＷフィルタ
７  入出力電極
８  貫通孔
９  薄膜
１０  半田
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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