(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号路とグランド間に接続された同調用の可変容量ダイオードと、インダクタンスコイルとから成り、インダクタンスコイルの切り換えによってローバンドとハイバンドの切り換えを実現し、出力信号を高周波増幅トランジスタに与えるＶＨＦチューナの入力同調回路であって、
ハイバンドの最も周波数の低いチャンネルにおいて前記トランジスタの入力電極とグランド間の容量成分と打ち消し合うインピーダンスをもつインダクタンスコイルを前記高周波増幅トランジスタの入力電極に通じる信号路に挿入したことを特徴とするＶＨＦチューナの入力同調回路。
【請求項２】
前記ハイバンドの最も周波数の低いチャンネルはテレビジョン放送チャンネルの第４チャンネルであることを特徴とする請求項１に記載のＶＨＦチューナの入力同調回路。
【請求項３】
前記高周波増幅トランジスタはＭＯＳ電界効果トランジスタである請求項１又は請求項２に記載のＶＨＦチューナの入力同調回路。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はテレビジョン受像機やＶＴＲ等において用いられるＶＨＦチューナに係り、特にその入力同調回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
図５に示すように、ＶＨＦチューナの入力同調回路１は、インダクタンスコイル部３と、可変容量ダイオードＤ２とから成っている。２は入力端子、Ｃ３は直流阻止用コンデンサ、Ｃ４は結合コンデンサ、Ｑ１は高周波増幅トランジスタである。
【０００３】
インダクタンスコイル部３は複数のコイルとスイッチングダイオード等から成り、コイルを切り換えることによってハイバンドとローバンドを実現している。可変容量ダイオードＤ２は端子４から同調電圧ＶＴが抵抗Ｒ１を通して与えられ、その同調電圧に応じた容量を呈する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
このような入力同調回路では、図４の特性（イ）に示す如く受信チャンネル変化に対して電力利得の変動が発生する。この原因は電力利得の低い第４チャンネルで同調電圧ＶＴが低いために可変容量ダイオードＤ２の容量が大きくなることによる。即ち、Ｄ２の容量Ｃが大きくなると、グランドに対するＡ点のインピーダンスは１／ｊωＣとなり、例えば第１２チャンネルに比較すると、かなり小さくなる。その結果、信号レベルが小さくなる。従って、電力利得は低い方向に変動する。
【０００５】
本発明は第４チャンネルでの電力利得を向上させたＶＨＦチューナの入力同調回路を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため本発明は、信号路とグランド間に接続された同調用の可変容量ダイオードと、インダクタンスコイルとから成り、インダクタンスコイルの切り換えによってローバンドとハイバンドの切り換えを実現し、出力信号を高周波増幅トランジスタに与えるＶＨＦチューナの入力同調回路におけるハイバンドの最も周波数の低いチャンネルにおいて高周波増幅トランジスタの入力電極とグランド間の容量成分と打ち消し合うインピーダンスをもつインダクタンスコイルを前記高周波増幅トランジスタの入力電極に通じる信号路に挿入している。
【０００７】
このようにすると、前記低いチャンネルの受信時に小さくなる可変容量ダイオードのインピーダンスに依る利得低下を前記インダクタンスコイルを含む共振回路で補正することができるので、受信チャンネルが変化しても一定な電力利得を得ることができる。
【０００８】
尚、一般に高周波増幅トランジスタの入力電極とグランド間には、前記同調用の可変容量ダイオードの容量だけでなく、他の容量（例えば配線パターン容量）も存在するが、前記インダクタンスコイルは前記他の容量をもキャンセルするのが望ましい。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を説明する。図１において、２はアンテナでキャッチされたＲＦ信号が供給される入力端子であり、Ｃ１は結合コンデンサである。Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４は同調用のインダクタンスコイル、Ｃ２、Ｃ６は直流カット用のコンデンサ、Ｄ１はバンド切り換え用のスイッチングダイオード、Ｒ１、Ｒ２はスイッチングダイオードＤ１のバイアス抵抗、Ｒ７はローバンドの選択度帯域幅補正用のダンピング抵抗である。
【００１０】
スイッチングダイオードＤ１はハイバンド時に端子５に与えられる＋Ｂ1電圧によってＯＮし、ローバンド時には端子６に印加される＋Ｂ2電圧によってＯＦＦになる。このように構成されたインダクタンス部３の後段に同調用の可変容量ダイオードＤ２が従来例（図５）と同様に設けられる。７はＭＯＳ電界効果型のＲＦ増幅トランジスタＱ１の第１ゲートＧ１にバイアス電圧Ｂを与える端子であり、Ｒ５、Ｒ６はバイアス抵抗である。
【００１１】
本実施形態では、結合コンデンサＣ４と、ＭＯＳ電界効果型のＲＦ増幅トランジスタＱ１の第１ゲートＧ１との間にインダクタンスコイルＬ５を挿入している。このインダクタンスコイルＬ５の値はハイバンド（第４チャンネル〜第１２チャンネル）のうちの周波数の最も低い第４チャンネル受信時における第１ゲートＧ１とグランド間の容量Ｃｓをキャンセルする値に選ばれる。
【００１２】
図６において、（ａ）は図１の要部を等価回路で示しており、ＣinはコイルＬ５の入力側回路の容量、ＣｓはトランジスタＱ１の第１ゲートＧ１とグランド間の容量である。この（ａ）の等価回路は更に（ｂ）のような等価回路で表わされる。（ｂ）の等価回路において、共振周波数をｆOとすると、
ｆO＝１／２π［Ｌ５＋（Ｃin×Ｃｓ）／（Ｃin＋Ｃｓ）］1/2
で表わされる。ここで、ｆOが第４チャンネルになるようにコイルＬ５の定数を選ぶ。この定数は一般に線径０.４Ф、巻径３.５Ф、巻数４ぐらいとなる。
【００１３】
このようにすると、第４チャンネル動作時、可変容量ダイオードＤ２のインピーダンス低下による電力利得低下を、インダクタンスコイルＬ５により前記容量Ｃｓとの共振を第４チャンネル付近にさせることにより抑えてゲート電極Ｇ１の信号レベルを大きくし、電力利得低下を補正することでチューナの受信チャンネル変化に対して電力利得を一定にすることができる。
【００１４】
図２はテレビのＶＨＦチャンネル（第１チャンネル〜第１２チャンネル）と周波数及び同調電圧の関係を示している。第１〜第３チャンネルはローバンドであり、第４〜第１２チャンネルはハイバンドである。ここで、第４チャンネルの同調電圧が一番低い。従って、可変容量ダイオードＤ２の容量は一番大きくなり、そのインピーダンスは一番小さくなることが分かる。
【００１５】
図３は第１〜第１２チャンネルについて従来例と本発明とのパワーゲイン（電力利得）について対比して示している。第４チャンネルの電力利得は従来例では２４.２ｄｂであったが、本実施形態では上記インダクタンスコイルＬ５の導入により２７.３ｄｂに改善されている。
【００１６】
図４は電力利得についてその特性を従来例と比較して示している。（イ）は従来例の電力利得特性であり、（ロ）は本発明でＬ５を最適値（第１ゲートＧ１とグランド間の容量Ｃｓを実質的にキャンセルする値）に選んだ場合、（ハ）はＬ５を前記最適値より小さくした場合、（ニ）は最適値より大きくした場合を示している。
【００１７】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、ハイバンドの最も周波数の低いチャンネルにおける同調用可変容量ダイオードのインピーダンスはインダクタンスコイルによって打ち消されるので、そのインピーダンスの影響が電力利得に影響せず、従来例より高い電力利得を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態の回路図。
【図２】ＶＨＦチャンネルと周波数、同調電圧の関係を示す図。
【図３】本発明の効果を従来例と対比して数値的に示す図。
【図４】本発明の効果を従来例と対比して特性グラフで示す図。
【図５】従来例の回路図。
【図６】本発明の回路を説明するための等価回路図。
【符号の説明】
１  入力同調回路
Ｄ２  可変容量ダイオード
Ｌ５  インダクタンスコイル
Ｑ１  高周波増幅トランジスタ
【図１】
0003539601.tif 000002
【図２】
0003539601.tif 000003
【図３】
0003539601.tif 000004
【図４】
0003539601.tif 000005
【図５】
0003539601.tif 000006
【図６】
0003539601.tif 000007