【手続補正書】
【提出日】平成29年6月1日(2017.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１種の酸化剤、少なくとも１種のエッチング剤、少なくとも１種の金属腐食防止剤、少なくとも１種のキレート化剤、及び少なくとも１種の溶媒を含む、組成物であって、
金属腐食防止剤が、２−アミノ−５−エチル−１，３，４−チアジアゾール、ベンゾトリアゾールカルボン酸、５−アミノ−１，２，４−トリアゾール（５−ＡＴＡ）、３−アミノ−５−メチルチオ−１Ｈ−１，２，４−トリアゾール、ＡＴＡ−ＳＤＳ、３，５−ジアミノ−１，２，４−トリアゾール、ペンチレンテトラゾール、５−フェニル−１Ｈ−テトラゾール、５−ベンジル−１Ｈ−テトラゾール、５−メチルテトラゾール、５−メルカプト−１−メチル−テトラゾール、１−フェニル−１Ｈ−テトラゾール−５−チオール、Ａｂｌｕｍｉｎｅ  Ｏ、２−ベンジルピリジン、スクシンイミド、４−アミノ−４Ｈ−１，２，４−トリアゾール、２−アミノベンゾイミダゾール、デシルトリメチルアンモニウムクロリド（ＤＴＡＣ）、アデノシン、カルバゾール、サッカリン、ベンゾインオキシム、ポリオキシエチレン（２０）ソルビタンモノオレエート、ポリオキシエチレン（２０）ソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレン（２０）ソルビタンモノラウレート、ポリオキシプロピレン／ポリオキシエチレンブロックコポリマー、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム（ＳＤＳ）、ベンジルホスホン酸、ジフェニルホスフィン酸、１，２−エチレンジホスホン酸、フェニルホスホン酸、桂皮酸、ミリスチルトリメチルアンモニウムブロミド、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される化学種を含み、窒化チタン及び／又はフォトレジストエッチ残渣を、それらを上に有するマイクロ電子デバイスの表面から除去し、コバルトに対して高い選択性である、組成物。
【請求項２】
前記エッチング剤が、Ｈ２ＺｒＦ６、Ｈ２ＴｉＦ６、ＨＰＦ６、ＨＦ、フッ化アンモニウム、テトラフルオロホウ酸、ヘキサフルオロケイ酸、テトラブチルアンモニウムテトラフルオロボレート（ＴＢＡ−ＢＦ４）、ヘキサフルオロケイ酸アンモニウム、ヘキサフルオロチタン酸アンモニウム、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＥＡＨ）、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド（ＴＰＡＨ）、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＢＡＨ）、ベンジルトリメチルアンモニウムヒドロキシド（ＢＴＭＡＨ）、水酸化カリウム、水酸化アンモニウム、ベンジルトリエチルアンモニウムヒドロキシド（ＢＴＥＡＨ）、テトラブチルホスホニウムヒドロキシド（ＴＢＰＨ）、（２−ヒドロキシエチル）トリメチルアンモニウムヒドロキシド、（２−ヒドロキシエチル）トリエチルアンモニウムヒドロキシド、（２−ヒドロキシエチル）トリプロピルアンモニウムヒドロキシド、（１−ヒドロキシプロピル）トリメチルアンモニウムヒドロキシド、エチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、ジエチルジメチルアンモニウムヒドロキシド（ＤＥＤＭＡＨ）、トリス（２−ヒドロキシエチル）メチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＨＥＭＡＨ）、１，１，３，３−テトラメチルグアニジン（ＴＭＧ）、炭酸グアニジン、アルギニン、水酸化アンモニウム、モノエタノールアミン（ＭＥＡ）、ジエタノールアミン（ＤＥＡ）、トリエタノールアミン（ＴＥＡ）、エチレンジアミン、システイン、フッ化テトラアルキルアンモニウム（ＮＲ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４Ｆ）（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は、互いに同じでも異なっていてもよく、直鎖又は分岐のＣ１〜Ｃ６アルキル基からなる群から選択される）、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される化学種を含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記エッチング剤が、ＴＭＡＨ、水酸化コリン、水酸化カリウム、ＴＨＥＭＡＨ、及びそれらの任意の組み合わせを含む、請求項１又は２の組成物。
【請求項４】
前記酸化剤が、過酸化水素、ＦｅＣｌ３、ＦｅＦ３、Ｆｅ（ＮＯ３）３、Ｓｒ（ＮＯ３）２、ＣｏＦ３、ＭｎＦ３、オキソン（２ＫＨＳＯ５・ＫＨＳＯ４・Ｋ２ＳＯ４）、過ヨウ素酸、ヨウ素酸、酸化バナジウム（Ｖ）、酸化バナジウム（ＩＶ，Ｖ）、バナジン酸アンモニウム、ペルオキソ一硫酸アンモニウム、亜塩素酸アンモニウム（ＮＨ４ＣｌＯ２）、塩素酸アンモニウム（ＮＨ４ＣｌＯ３）、ヨウ素酸アンモニウム（ＮＨ４ＩＯ３）、硝酸アンモニウム（ＮＨ４ＮＯ３）、過ホウ酸アンモニウム（ＮＨ４ＢＯ３）、過塩素酸アンモニウム（ＮＨ４ＣｌＯ４）、過ヨウ素酸アンモニウム（ＮＨ４ＩＯ３）、過硫酸アンモニウム（（ＮＨ４）２Ｓ２Ｏ８）、次亜塩素酸アンモニウム（ＮＨ４ＣｌＯ）、タングステン酸アンモニウム（（ＮＨ４）１０Ｈ２（Ｗ２Ｏ７））、過硫酸ナトリウム（Ｎａ２Ｓ２Ｏ８）、次亜塩素酸ナトリウム（ＮａＣｌＯ）、過ホウ酸ナトリウム、ヨウ素酸カリウム（ＫＩＯ３）、過マンガン酸カリウム（ＫＭｎＯ４）、過硫酸カリウム、硝酸（ＨＮＯ３）、過硫酸カリウム（Ｋ２Ｓ２Ｏ８）、次亜塩素酸カリウム（ＫＣｌＯ）、亜塩素酸テトラメチルアンモニウム（（Ｎ（ＣＨ３）４）ＣｌＯ２）、塩素酸テトラメチルアンモニウム（（Ｎ（ＣＨ３）４）ＣｌＯ３）、ヨウ素酸テトラメチルアンモニウム（（Ｎ（ＣＨ３）４）ＩＯ３）、過ホウ酸テトラメチルアンモニウム（（Ｎ（ＣＨ３）４）ＢＯ３）、過塩素酸テトラメチルアンモニウム（（Ｎ（ＣＨ３）４）ＣｌＯ４）、過ヨウ素酸テトラメチルアンモニウム（（Ｎ（ＣＨ３）４）ＩＯ４）、過硫酸テトラメチルアンモニウム（（Ｎ（ＣＨ３）４）Ｓ２Ｏ８）、ペルオキソ一硫酸テトラブチルアンモニウム、ペルオキソ一硫酸、硝酸第二鉄（Ｆｅ（ＮＯ３）３）、尿素過酸化水素（（ＣＯ（ＮＨ２）２）Ｈ２Ｏ２）、過酢酸（ＣＨ３（ＣＯ）ＯＯＨ）、１，４−ベンゾキノン、トルキノン、ジメチル−１，４−ベンゾキノン、クロラニル、アロキサン、Ｎ−メチルモルホリンＮ−オキシド、トリメチルアミンＮ−オキシド、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される化学種を含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項５】
前記酸化剤が、過酸化水素を含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項６】
前記少なくとも１種の溶媒が、水、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、２−エチル−１−ヘキサノール、ヘプタノール、オクタノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、ブチレングリコール、ヘキシレングリコール、炭酸ブチレン、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、重炭酸コリン、ジプロピレングリコール、ジメチルスルホキシド、スルホラン、テトラヒドロフルフリルアルコール（ＴＨＦＡ）、１，２−ブタンジオール、１，４−ブタンジオール、テトラメチル尿素、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールフェニルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテル（ＤＰＧＭＥ）、トリプロピレングリコールメチルエーテル（ＴＰＧＭＥ）、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールエチルエーテル、プロピレングリコールｎ−プロピルエーテル、ジプロピレングリコールｎ−プロピルエーテル（ＤＰＧＰＥ）、トリプロピレングリコールｎ−プロピルエーテル、プロピレングリコールｎ−ブチルエーテル、ジプロピレングリコールｎ−ブチルエーテル、トリプロピレングリコールｎ−ブチルエーテル、プロピレングリコールフェニルエーテル、２，３−ジヒドロデカフルオロペンタン、エチルペルフルオロブチルエーテル、メチルペルフルオロブチルエーテル、アルキルカーボネート、４−メチル−２−ペンタノール、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される化学種を含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項７】
前記少なくとも１種の溶媒が、水を含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項８】
前記金属腐食防止剤が、５−メチル−１Ｈ−ベンゾトリアゾール、５−ＡＴＡ、ＡＴＡ−ＳＤＳ、スクシンイミド、アデノシン、ベンゾチアゾール、ポリオキシエチレン（２０）ソルビタンモノオレエート、ポリオキシエチレン（２０）ソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレン（２０）ソルビタンモノラウレート、ポリオキシプロピレン／ポリオキシエチレンブロックコポリマー、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される一又は複数の化学種を含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項９】
前記少なくとも１種のキレート化剤が、アセチルアセトネート、１，１，１−トリフルオロ−２，４−ペンタンジオン、１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ−２，４−ペンタンジオン、グリシン、セリン、プロリン、ロイシン、アラニン、アスパラギン、アスパラギン酸、グルタミン、バリン及びリジン、イミノ二酢酸（ＩＤＡ）、マロン酸、シュウ酸、コハク酸、ホウ酸、ニトリロ三酢酸、リンゴ酸、クエン酸、酢酸、マレイン酸、エチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）、エチレンジアミン四酢酸二アンモニウム塩、（１，２−シクロヘキシレンジニトリロ）四酢酸（ＣＤＴＡ）、ジエチレントリアミン五酢酸（ＤＴＰＡ）、２−ホスホノブタン−１，２，４−トリカルボン酸（ＰＢＴＣＡ）、エチレンジアミンジコハク酸、プロピレンジアミン四酢酸、ホスホン酸、ヒドロキシエチリデンジホスホン酸（ＨＥＤＰ）、１−ヒドロキシエタン−１，１−ジホスホン酸、ニトリロ−トリス（メチレンホスホン酸）（ＮＴＭＰ）、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（ＥＤＴＭＰＡ）、エチレンジアミン、２，４−ペンタンジオン、塩化ベンザルコニウム、１−イミダゾール、テトラグリム、ペンタメチルジエチレントリアミン（ＰＭＤＥＴＡ）、１，３，５−トリアジン−２，４，６−チチオール三ナトリウム塩溶液、１，３，５−トリアジン−２，４，６−チチオール三アンモニウム塩溶液、ジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム、二置換ジチオカルバメート、スルファニルアミド、モノエタノールアミン（ＭＥＡ）、２−ヒドロキシピリジン１−オキシド、五塩基性三リン酸ナトリウム、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される化学種を含む、請求項１〜８のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１０】
前記少なくとも１種のキレート化剤が、ＣＤＴＡを含む、請求項１〜９のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１１】
前記少なくとも１種のキレート化剤が、酢酸塩、塩化物、臭化物、ヨウ化物、硫酸塩、安息香酸塩、プロピオン酸塩、クエン酸塩、ギ酸塩、シュウ酸塩、酒石酸塩、コハク酸塩、乳酸塩、マレイン酸塩、マロン酸塩、フマル酸塩、リンゴ酸塩、アスコルビン酸塩、マンデル酸塩、及びフタル酸塩のアンモニウムカチオン又はテトラアルキルアンモニウムカチオン、並びにそれらの組み合わせからなる群から選択される化学種を含む、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１２】
前記少なくとも１種のキレート化剤が、臭化アンモニウム及び／又は塩化アンモニウムを含む、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１３】
窒化チタン材料を、それを上に有するマイクロ電子デバイスの表面からエッチングする方法であって、前記方法は、前記表面を、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の組成物と接触させる工程を含み、前記組成物は、前記窒化チタン材料を、金属及び絶縁材料に比べて選択的に前記表面から除去するものである、方法。