(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）：［ＨＳｉＯ３／２］ｈ［Ｒ１ＳｉＯ３／２］ｂ［Ｒ２ＳｉＯ３／２］ｎ［Ｒ３ＳｉＯ３／２］ｖ［ＨＯＳｉＯ３／２］ｏ［ＳｉＯ４／２］ｑ（Ｉ）［式中、下付き文字ｈは０．３０〜０．９０のモル分率であり、各Ｒ１は独立して、式−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＯ２Ｃ（Ｒ１ａ）３、又は−ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２ＣＯ２Ｃ（Ｒ１ａ）３［式中、各Ｒ１ａは独立して、非置換（Ｃ１〜Ｃ２）アルキルである。］であり、下付き文字ｂは０〜０．４８のモル分率であり、各Ｒ２は独立して、ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５−カルボン酸−２−イル１，１−ジメチルエチルエステル、又はビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５−カルボン酸−３−イル１，１−ジメチルエチルエステルであり、下付き文字ｎは０〜０．３５のモル分率であり、（ｂ＋ｎ）の和は０より大きく、各Ｒ３は独立して、ポリエーテル基であり、下付き文字ｖは＞０〜０．１５のモル分率であり、下付き文字ｏは０〜０．３０のモル分率であり、下付き文字ｑは０〜０．１のモル分率であり、（ｈ＋ｏ＋ｑ）の和は０．５２〜０．９０であり、（ｂ＋ｎ＋ｖ＋ｏ＋ｑ）の和は０．１０〜０．４８である。］のシルセスキオキサン樹脂。
【請求項２】
下付き文字ｈが０．４０〜０．９０である、請求項１に記載のシルセスキオキサン樹脂。
【請求項３】
下付き文字ｏが０であるか、下付き文字ｑが０であるか、又は下付き文字ｏ及び下付き文字ｑの両方が０である、請求項１〜２のいずれか一項に記載のシルセスキオキサン樹脂。
【請求項４】
下付き文字ｏが０より大きく０．３０以下であるか、下付き文字ｑが０より大きく０．１０以下であるか、又は、下付き文字ｏが０より大きく０．３０以下であり、下付き文字ｑが０より大きく０．１０である、請求項１〜２のいずれか１つに記載のシルセスキオキサン樹脂。
【請求項５】
下付き文字ｎが０である、請求項１〜４のいずれか一項に記載のシルセスキオキサン樹脂。
【請求項６】
下付き文字ｂが０．１１〜０．４０であるか、又は、各Ｒ１が式−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＯ２Ｃ（ＣＨ３）３若しくは−ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２ＣＯ２Ｃ（ＣＨ３）３であるか、又は、下付き文字ｂが０．１１〜０．４０であり、各Ｒ１が式−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＯ２Ｃ（ＣＨ３）３若しくは−ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２ＣＯ２Ｃ（ＣＨ３）３である、請求項１〜５のいずれか一項に記載のシルセスキオキサン樹脂。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載のシルセスキオキサン樹脂の作製方法であって、前記式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂を得るために、ヒドロシリル化反応触媒の存在下で、式［ＨＳｉＯ３／２］のハイドロジェンシルセスキオキサン樹脂を、有効相対量の３−ブテン酸１，１−ジメチルエチルエステル、及び任意選択的に、ノルボルネン−５−カルボン酸１，１−ジメチルエチルエステル（下付き文字ｎが０より大きく０．３５以下である場合）、及び／又は４−ビニル−１，３−ジオキソラン−２−オンと接触させること、を含む、方法。
【請求項８】
前記ポリエーテル基は、
−（ＣＨ２）３−Ｏ（ＥＯ）６−ＯＨ、
−（ＣＨ２）３−Ｏ（ＥＯ）６−ＯＭｅ、
−（ＣＨ２）３−Ｏ（ＥＯ）６−ＯＡｃ、
−（ＣＨ２）３−Ｏ（ＰＯ）６−ＯＨ、
−（ＣＨ２）３−Ｏ（ＰＯ）６−ＯＭｅ、
−（ＣＨ２）３−Ｏ（ＰＯ）６−ＯＡｃ、
−（ＣＨ２）３−Ｏ［（ＥＯ）１２（ＰＯ）４］−ＯＨ、
−（ＣＨ２）３−Ｏ［（ＥＯ）１２（ＰＯ）４］−ＯＭｅ、
−（ＣＨ２）３−Ｏ［（ＥＯ）１２（ＰＯ）４］−ＯＡｃ、又は
【化１】
0006989532.tif 000012
［式中、ＥＯは−（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）−であり、ＰＯは−（ＣＨＭｅＣＨ２Ｏ）−であり、Ｍｅはメチルであり、Ａｃはアセチルである。］である、請求項１に記載のシルセスキオキサン樹脂。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
シルセスキオキサン樹脂、シルセスキオキサン樹脂及び光酸発生剤を含むフォトレジスト組成物、シルセスキオキサン樹脂を含むエッチングマスク組成物、これから調製した生成物、この作製方法及び使用方法、並びに、これを含有する製造品及び半導体デバイス。
【背景技術】
【０００２】
集積回路（ＩＣ）は、航空機、自動車、コンピュータ、カメラ、家庭用電気製品、産業機械、携帯電話、及びロボットを含む、ほとんど全ての新しい製造物において見られる。回路パターンがより微細になることで、高性能化、及びフォームファクタの小型化が可能となる。
【０００３】
ＩＣは、フォトリソグラフィ法を使用して、パターニング可能な基板上に配設されたフォトレジスト層を含むレジスト物品から作製することができる。フォトレジスト層は、ポリマーを含む感光性材料を含む、フォトレジスト組成物を含む。パターニング可能な基板は、半導体材料又は導電性金属を含む。レジスト物品のいくつかの構成において、フォトレジスト層はパターニング可能な基板上に直接配設される（パターニング可能な基板と物理的に接触している）。他の構成において、レジスト物品は、フォトレジスト層とパターニング可能な基板との間に挟まれ（配設され）、これらとは離れている、少なくとも１つの介在層を更に含む。
【０００４】
フォトリソグラフィ法は、フォトレジスト層内で紫外（ＵＶ）光を用いてパターンを形成することと、エッチングにより、パターンをフォトレジスト層からパターニング可能な基板内に転写することと、を含む。レジスト物品が少なくとも１つの介在層と共に構成される場合、方法は、パターンをフォトレジスト層内で逐次的に形成することと、第１のエッチング工程により、パターンをフォトレジスト層から少なくとも１つの介在層内に転写することと、その後、第２のエッチング工程により、パターンを少なくとも１つの介在層からパターニング可能な基板内に転写することと、を含む。第１及び／又は第２のエッチング工程は独立して、プラズマエッチング、又は反応性イオンエッチング（たとえば深掘り反応性イオンエッチング）を含んでよい。エッチングではエッチャントを使用して、プラズマ又は反応性イオンを形成する。エッチャントは、プラズマエッチングで使用するための酸素分子、又は、反応性イオンエッチング用のハロカーボン（例えば、テトラクロロメタン若しくはトリフルオロメタン）を含んでよい。しかし、エッチングマスク層の耐性が強すぎてエッチングできない場合、フォトレジストパターンが下に向かってパターニング可能な基板内に転写されない。エッチングマスク層の耐性が、エッチング工程中のエッチングに対して十分ではない場合、パターンを下に向かってパターニング可能な基板内に転写できる前に、エッチングマスク層は横方向にアンダーカットされるか、又は完全にエッチングにより除去される。最善の結果のために、最適なエッチングは異方性プロセスであり、パターンは、パターンが過酷なエッチング環境により横方向に劣化するか、又はアンダーカットされるアンダーカット速度よりも速いエッチング速度で、下に向かってパターニング可能な基板内に転写される。
【０００５】
異方性エッチングを可能にするために、レジスト物品は、フォトレジスト層とパターニング可能な基板との間に挟まれ（配設され）ている、エッチングマスク層である少なくとも１つの介在層を含んでよい。エッチングマスク層は、エッチング条件に曝されている際に、フォトレジストパターンが第１及び第２のエッチング工程によりパターニング可能な基板に異方的に転写可能とする、エッチング耐性組成物を含む。
【発明の概要】
【０００６】
本発明者らは、既存のフォトレジスト組成物の問題を発見した。それらは、典型的には、エッチングマスク組成物として使用するにはエッチングに十分な耐性を有しておらず、代わりに、エッチング工程（光パターニング後）において大幅にアンダーカットされるか、又はエッチングにより除去されてしまう。また、様々な既存のエッチングマスク組成物が知られているが、典型的には光パターニング可能ではないか、又は少なくとも、微細なパターン若しくは回路を形成することはできない。したがって、既存のレジスト物品には、フォトレジスト層及びエッチングマスク層に対して異なる組成物が必要であり、第１及び第２のエッチング工程で異なるエッチャント及び／又はエッチングプロセスを使用することが求められることにより、既存の光パターニング法が複雑となっている。
【０００７】
本発明者らの技術的解決策には、シルセスキオキサン樹脂、シルセスキオキサン樹脂及び光酸発生剤を含むフォトレジスト組成物、シルセスキオキサン樹脂を含むエッチングマスク組成物、これから調製した生成物、この作製方法及び使用方法、並びに、これを含有する製造品及び半導体デバイスを含む。シルセスキオキサン樹脂は、ケイ素結合水素原子Ｔ単位を含み、Ｔ単位は、式−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＯ２Ｃ（Ｒ１ａ）３又は−ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２ＣＯ２Ｃ（Ｒ１ａ）３［式中、各Ｒ１ａは独立して、非置換（Ｃ１−Ｃ２）アルキルである。］のケイ素結合基を有する。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
「発明の概要」及び「要約書」は、参照により本明細書に組み込まれる。本発明は、複数の代表的な非限定の実施形態、及び実施例を開示することにより、例示的な方法で本明細書にて説明されている。いくつかの実施形態では、本発明は、以下の番号付けされた態様のいずれか１つである。
【０００９】
態様１．式（Ｉ）：［ＨＳｉＯ３／２］ｈ［Ｒ１ＳｉＯ３／２］ｂ［Ｒ２ＳｉＯ３／２］ｎ［Ｒ３ＳｉＯ３／２］ｖ［ＨＯＳｉＯ３／２］ｏ［ＳｉＯ４／２］ｑ（Ｉ）［式中、下付き文字ｈは０．３０〜０．９０のモル分率であり、各Ｒ１は独立して、式−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＯ２Ｃ（Ｒ１ａ）３、又は−ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２ＣＯ２Ｃ（Ｒ１ａ）３［式中、各Ｒ１ａは独立して、非置換（Ｃ１〜Ｃ２）アルキルである。］であり、下付き文字ｂは０〜０．４８のモル分率であり、各Ｒ２は独立して、ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５−カルボン酸−２−イル１，１−ジメチルエチルエステル、又はビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５−カルボン酸−３−イル１，１−ジメチルエチルエステルであり、下付き文字ｎは０〜０．３５のモル分率であり、（ｂ＋ｎ）の和は０より大きく、各Ｒ３は独立して、ポリエーテル基又はエステル基であり、下付き文字ｖは０〜０．１５のモル分率であり、下付き文字ｏは０〜０．３０のモル分率であり、下付き文字ｑは０〜０．１のモル分率であり、（ｈ＋ｏ＋ｑ）の和は０．５２〜０．９０であり、（ｂ＋ｎ＋ｖ＋ｏ＋ｑ）の和は０．１０〜０．４８である。］のシルセスキオキサン樹脂。いくつかの実施形態では、１個のＲ１ａはメチルであり、他のＲ１ａの各々はエチルである。いくつかの実施形態では、２個のＲ１ａはメチルであり、他のＲ１ａはエチルである。いくつかの実施形態では、各Ｒ１ａはメチルである。各Ｒ１ａがメチルである場合、各Ｒ１は、式−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＯ２Ｃ（ＣＨ３）３、又は−ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２ＣＯ２Ｃ（ＣＨ３）３である。下付き文字ｈ、ｂ、ｎ、ｖ、ｏ、及びｑのモル分率値は、２９Ｓｉ−ＮＭＲを使用して測定することができる。下付き文字ｎ、ｖ、ｏ、又はｑは、いずれかの状況（ｉ）又は（ｉｉ）：（ｉ）式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂が対応する単位を含有しない場合（すなわち、単位が存在しない場合）、又は、（ｉｉ）単位は存在するが、式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂中でのその単位の濃度が、２９Ｓｉ−ＮＭＲにより得られる検出レベルを下回る場合の下で、０であると言うことができる。「検出レベルを下回る」とは、その単位に対するピーク共鳴を、後述する２９Ｓｉ−ＮＭＲを使用して検出できないことを意味する。本明細書において下付き文字の値が＞０であると言う場合、その単位に対するピーク共鳴を、２９Ｓｉ−ＮＭＲを使用して検出可能であることを意味する。
【００１０】
態様２．下付き文字ｈが０．４０〜０．９０であるか、あるいは０．６０〜０．９０である、態様１に記載のシルセスキオキサン樹脂。
【００１１】
態様３．下付き文字ｖが０であるか、あるいは下付き文字ｖ＞０〜０．１５以下である、態様１又は２に記載のシルセスキオキサン樹脂。
【００１２】
態様４．下付き文字ｏが０であるか、下付き文字ｑが０であるか、又は下付き文字ｏ及び下付き文字ｑの両方が０である、態様１〜３のいずれか１つに記載のシルセスキオキサン樹脂。このような態様では、下付き文字ｈは０．５２〜０．９０であってよい。
【００１３】
態様５．下付き文字ｏが＞０〜０．３０以下であるか、下付き文字ｑが＞０〜０．１以下であるか、又は、下付き文字ｏが＞０〜０．３０以下であり、下付き文字ｑが＞０〜０．１０である、態様１〜３のいずれか１つに記載のシルセスキオキサン樹脂。いくつかの態様では、下付き文字ｏは０．０１〜０．１０であり、下付き文字ｑは０．００５〜０．０２である。このような態様では、下付き文字ｈは０．３０〜＜０．９０であっても、あるいは０．４０〜＜０．９０であってよい。下付き文字ｏ＞０、かつ／又は下付き文字ｑが＞０式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂は、下付き文字ｏが０であり、かつ下付き文字ｑが０である式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂を水で処理して、式［ＨＳｉＯ３／２］の単位の全てではなくいくつかを、式［ＨＯＳｉＯ３／２］又は［ＨＯＳｉＯ３／２］及び［ＳｉＯ４／２］に転換することにより、下付き文字ｈに関するモル分率値を低下させ、それに伴い、下付き文字ｏ、又は下付き文字ｏ及びｑに関するモル分率値をそれぞれ増加させることにより、下付き文字ｏが０であり、かつ下付き文字ｑが０である式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂から合成することができる。
【００１４】
態様６．下付き文字ｎが０であり、下付き文字ｖが０である、態様１〜５のいずれか１つに記載のシルセスキオキサン樹脂。下付き文字ｎが０である場合、式［Ｒ２ＳｉＯ３／２］の単位は存在しないか、又は２９Ｓｉ−ＮＭＲを使用して検出されない。下付き文字ｖが０である場合、式［Ｒ３ＳｉＯ３／２］の単位は存在しないか、又は２９Ｓｉ−ＮＭＲを使用して検出されない。
【００１５】
態様７．下付き文字ｂが０．１１〜０．４０であるか、又は、各Ｒ１が式−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＯ２Ｃ（ＣＨ３）３、若しくは−ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２ＣＯ２Ｃ（ＣＨ３）３であるか、又は、下付き文字ｂが０．１１〜０．４０であり、各Ｒ１が−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＯ２Ｃ（ＣＨ３）３、若しくは−ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２ＣＯ２Ｃ（ＣＨ３）３である、態様１〜６のいずれか１つに記載のシルセスキオキサン樹脂。
【００１６】
態様８．各Ｒ１が独立して、式−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＯ２Ｃ（ＣＨ３）３である、態様１〜７のいずれか１つに記載のシルセスキオキサン樹脂。
【００１７】
態様９．各Ｒ３がポリエーテル基又はエステル基である、態様１〜８のいずれか１つに記載のシルセスキオキサン樹脂。ポリエーテル基は、酸素原子を介して結合した炭化水素単位を有する有機置換基であり、−（ＣＨ２）ａ［Ｏ（ＣＲ２）ｂ］ｃＯＲ’［式中、ａ＝２〜１２であり、ｂ＝２〜６であり、ｃ＝２〜２００であり、ＲはＨ、又は炭化水素基（例えばメチル基若しくはエチル基）であり、Ｒ’はＨ、メチル基、エチル基、Ｃ（Ｏ）Ｍｅ、又は他の有機基である。］により例示される。このようなポリエーテル基の例としては、
−（ＣＨ２）３−Ｏ（ＥＯ）６−ＯＨ、
−（ＣＨ２）３−Ｏ（ＥＯ）６−ＯＭｅ、
−（ＣＨ２）３−Ｏ（ＥＯ）６−ＯＡｃ、
−（ＣＨ２）３−Ｏ（ＰＯ）６−ＯＨ、
−（ＣＨ２）３−Ｏ（ＰＯ）６−ＯＭｅ、
−（ＣＨ２）３−Ｏ（ＰＯ）６−ＯＡｃ、
−（ＣＨ２）３−Ｏ［（ＥＯ）１２（ＰＯ）４］−ＯＨ、
−（ＣＨ２）３−Ｏ［（ＥＯ）１２（ＰＯ）４］−ＯＭｅ、
−（ＣＨ２）３−Ｏ［（ＥＯ）１２（ＰＯ）４］−ＯＡｃ、
【００１８】
【化１】
0006989532.tif 000002
【００１９】
［式中、ＥＯは−（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）−であり、ＰＯは−（ＣＨＭｅＣＨ２Ｏ）−であり、Ｍｅはメチルであり、Ａｃはアセチルである。］が挙げられるが、これらに限定されない。
【００２０】
エステル基は、少なくとも１つのエステル官能基を含有する任意の有機置換基（ｓｕｂｓｔｉｔｕｔｅ）である。エステル基の例としては、
−ＣＨ２ＣＨ２−Ｃ（Ｏ）−ＯＭｅ、
−ＣＨ２ＣＨ２−Ｏ−Ｃ（Ｏ）Ｍｅ、
【００２１】
【化２】
0006989532.tif 000003
【００２２】
（１，３−ジオキソラン−２−オン−４−イル）エチル、
【００２３】
【化３】
0006989532.tif 000004
【００２４】
（ジヒドロ−フラン−２−オン）エチル、及び
【００２５】
【化４】
0006989532.tif 000005
【００２６】
（ジヒドロ−フラン−２，５−ジオン）エチルが挙げられるが、これらに限定されない。
【００２７】
態様１０．シルセスキオキサン樹脂が、２３．０重量パーセント（ｗｔ％）〜４２ｗｔ％、あるいは＞３０〜４２ｗｔ％以下、あるいは２４〜３０ｗｔ％、あるいは２４．５〜２８．０ｗｔ％、あるいは２４．８〜２７．５ｗｔ％のケイ素原子含有量を有する、態様１〜９のいずれか１つに記載のシルセスキオキサン樹脂。
【００２８】
態様１１．態様１〜１０のいずれか１つに記載のシルセスキオキサン樹脂の作製方法であって、態様１に記載の式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂を得るために、ヒドロシリル化反応触媒の存在下で、式［ＨＳｉＯ３／２］のハイドロジェンシルセスキオキサン樹脂を、有効相対量の３−ブテン酸１，１−ジメチルエチルエステル、並びに任意選択的に、ノルボルネン−５−カルボン酸１，１−ジメチルエチルエステル（下付き文字ｎが＞０〜０．３５以下である場合）、及び／又は４−ビニル−１，３−ジオキソラン−２−オン（式（Ｉ）の下付き文字ｖが＞０〜０．１５以下である場合）と接触させること、を含む、方法。出発物質である、式［ＨＳｉＯ３／２］のハイドロジェンシルセスキオキサン樹脂は、式［ＨＳｉＯ３／２］のＴ単位から、本質的になっていてよい。すなわち、２９Ｓｉ−ＮＭＲに基づいて、検出可能な、式［ＨＯＳｉＯ３／２］のヒドロキシル置換Ｔ単位、及び／又は式［ＳｉＯ４／２］のＱ単位を非含有であってよい。
【００２９】
態様１２．接触させることは、炭化水素溶媒又はハロ炭化水素溶媒を更に含む、態様１１に記載の作製方法。
【００３０】
態様１３．炭化水素又はハロ炭化水素溶媒を１，２−プロピレングリコールモノメチルエーテルモノアセテート（ＰＧＭＥＡ）で交換して、ＰＧＭＥＡ中での式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂の混合物を得る、態様１２に記載の作製方法。いくつかの態様では、混合物は、若干の残留量の、炭化水素又はハロ炭化水素溶媒を含有する。いくつかのこのような態様では、混合物は、＞０〜＜１ｗｔ％の炭化水素又はハロ炭化水素溶媒、あるいは、＞０〜＜１０ｐｐｍの炭化水素又はハロ炭化水素溶媒、あるいは、＞０〜＜１ｐｐｍの炭化水素又はハロ炭化水素溶媒を含有する。他の態様では、混合物は炭化水素又はハロ炭化水素溶媒を非含有である。
【００３１】
態様１４．構成成分（Ａ）及び（Ｂ）［但し、（Ａ）態様１〜１０のいずれか１つに記載のシルセスキオキサン樹脂、及び（Ｂ）少なくとも１種の追加の構成成分］を含む、組成物。
【００３２】
いくつかの態様では、少なくとも１種の追加の構成成分は光酸発生剤（ＰＡＧ）であり、組成物は、化学増幅型フォトレジスト組成物を含む。化学増幅型フォトレジスト組成物は、パターニング可能な基板上に配設されたフォトレジスト層を含む第１のレジスト物品のうちの、フォトレジスト層を形成するのに有用である。集積回路（ＩＣ）を作製するのに好適なパターンは、フォトレジスト層を紫外（ＵＶ）光に、マスク露光させることなどにより、フォトレジスト層内に形成することができる。ＵＶ光は、１３〜３６５ナノメートル（ｎｍ）、例えば３６５ｎｍ、２４８ｎｍ（ＫｒＦ）、１９３ｎｍ（ＡｒＦ）、１５７ｎｍ（Ｆ２）、又は１３ｎｍ（極端紫外光（ＥＵＶ））の有効な波長を含有してよい。化学増幅型フォトレジスト組成物により、より微細なパターン及び回路を形成することができるようになる。化学増幅型フォトレジスト組成物は、（Ａ）酸感応性であるフォトレジストポリマーとして機能する式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂、及び、感光性である少量のＰＡＧを含む。（Ａ）式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂は、時には酸解離性基、酸開裂性基、又は酸不安定性基と呼ばれる、ペンダント型の酸感応性基を有する巨大分子鎖を含む。これらの酸感応性基としては、式（Ｉ）のＲ１基、並びに、存在する場合、式（Ｉ）のＲ２基及び／又はＲ３基が挙げられる。光酸発生剤（ＰＡＧ）それ自体は酸ではないが、ＰＡＧは、ある特定の波長の光を吸収して、生成物酸をｉｎ  ｓｉｔｕで生成する化合物である。生成物酸は、近くにある（Ａ）式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂の酸感応性基と反応する。したがって、ＰＡＧの存在下において、（Ａ）式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂（フォトレジストポリマー）は間接的に感光性である。化学増幅型フォトレジスト組成物を含む組成物に、組成物の望ましい特性を向上させるか、又は望ましくない特性を阻害する、後述する１種以上の任意選択的な添加剤を更に配合してよい。
【００３３】
いくつかの態様では、組成物はエッチングマスク組成物である。エッチングマスク組成物は、フォトレジスト層、パターニング可能な基板、及び、上記フォトレジスト層と上記パターニング可能な基板との間に挟まれたエッチングマスク層を含む、第２のレジスト物品のうちの、エッチングマスク層を形成するのに有用である。第２のレジスト物品のうちの、フォトレジスト層は、式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂を含む本発明のフォトレジスト層であっても、あるいは、その中にフォトレジストパターンを形成可能な、本発明のものではないフォトレジスト材料であってもよい。有機フォトレジスト材料、又は本発明のものではないポリオルガノシロキサンフォトレジスト材料を含む、本発明のものではない任意のフォトレジスト材料が好適である。第２のレジスト物品のうちの、フォトレジスト層、及びエッチングマスク層の両方が式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂を含む場合、フォトレジスト層の式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂は、エッチングマスク層の式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂と同一であっても、又は異なっていてもよい。
【００３４】
いくつかの態様では、組成物は化学増幅型フォトレジスト、及びエッチングマスク組成物である。
【００３５】
組成物は、（Ｂ）少なくとも１種の追加の構成成分の存在下で、又は（Ｂ）少なくとも１種の追加の構成成分からの副生成物として生成することにより、態様１〜１０のいずれか１つに記載の（Ａ）シルセスキオキサン樹脂を合成することにより調製することができる。
【００３６】
あるいは、組成物は、態様１〜１０のいずれか１つに記載の（Ａ）シルセスキオキサン樹脂と、（Ｂ）少なくとも１種の追加の構成成分とを共に混合することにより調製することができる。混合により調製する場合、組成物は、コーティング、封止、又はフォトリソグラフィ用途などの特定の用途で使用するための配合物として調製することができる。配合物は、一成分配合物、又は二成分配合物などの多成分配合物であることができる。配合物は一成分配合物として、又は二成分配合物などの多成分配合物として配合することができる。配合物の構成成分を、振盪若しくは撹拌などにより共に機械撹拌するといった、任意の好適な手段により共に混合してよい。配合物を、フォトリソグラフィなどの特定の用途に使用するための取扱説明書に従うなどしてパッケージ化してよい。多成分配合物は複数のパッケージにパッケージ化してよく、取扱説明書は、特定の用途での使用前に異なる成分を組み合わせるための指示を更に含んでよい。
【００３７】
組成物は、組成物を含む製造品として調製してよい。製造品は、組成物の形状化された形態からなってよい。形状化された形態は、規則的又は不規則的であってよい。例としては、自立型膜、ブロック、及び複数の粒子が上げられる。
【００３８】
態様１５．態様１〜１０のいずれか１つに記載のシルセスキオキサン樹脂又は態様１４に記載の組成物、及び基板を含む、製造品。いくつかの態様では、製造品は、前述した第１のレジスト物品又は第２のレジスト物品を含む。いくつかの態様では、製造品は光学／電子デバイス、あるいは半導体デバイスであり、基板は、半導体材料又は導電性金属などのパターニング可能な基板である。シルセスキオキサン樹脂及び組成物を、それぞれ、光学／電子構成要素、及びシルセスキオキサン樹脂又は組成物を含む光学／電子デバイスで使用してよい。光学／電子構成要素は、光学的構成要素、電子的構成要素、又は光学的構成要素と電子的構成要素との組み合わせであってもよい。シルセスキオキサン樹脂又は組成物を、光学／電子構成要素と直接接触又は間接接触させて配設してよい。いくつかの実施形態では、製造品は、態様１〜１０のいずれか１つに記載のシルセスキオキサン樹脂、又はパターニング可能な基板上に配設された態様１４に記載の組成物を含むフォトレジスト層を含む、レジスト物品である。いくつかの実施形態では、レジスト物品は、フォトレジスト層がパターニング可能な基板上に直接配設されるように構成される。他の実施形態では、レジスト物品は、フォトレジスト層とパターニング可能な基板との間に挟まれた少なくとも１つの介在層を更に含むように構成される。このような実施形態では、少なくとも１つの介在層、及びそれが含まれるレジスト物品はエッチングマスク層であってよく、エッチングマスク層はフォトレジスト層とは物理的に別個のものであり、式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂を含有しても、非含有であってもよい。他の実施形態では、少なくとも１つの介在層、及びそれが含まれるレジスト物品は、物理的に別個のものであるエッチングマスク層を非含有であるが、フォトレジスト層がエッチングマスク層としてもまた機能してよい。
【００３９】
下付き文字ｏが０である、下付き文字ｑが０である、又は下付き文字ｏが０でありかつ下付き文字ｑが０である両方である、前述の番号付けされた態様のいずれか１つ。下付き文字ｏが＞０〜０．１以下である、下付き文字ｑが＞０〜０．１以下である、又は下付き文字ｏが＞０〜０．１以下でありかつ下付き文字ｑが＞０〜０．１以下である両方である、態様１〜１３のいずれか１つ。
【００４０】
いくつかの態様では、組成物はポリスチレン、−ＳＨ基、及び／又は（二価の式−Ｃ（＝Ｏ）ＯＯ−の）ペルカルボキシ基を非含有である。全ての不確かさを取り除くために、いくつかの態様では、式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂は−ＳＨ基及び／又はパーカルボキシ基を非含有とする。
【００４１】
本発明者らは、いくつかの問題に対して技術的解決策を提示する。１つの技術的解決策は、新規の式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂を提供する。式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂は、フォトリソグラフィ用途、並びに接着剤、コーティング材、カプセル化用材料、及びシーラントなどの非フォトリソグラフィ用途で使用することができる。式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂は、光学／電子デバイス、及び建造材料などの非光学／非電子デバイスで使用することができる。
【００４２】
別の技術的解決策は、式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂、及び少なくとも１種の追加の構成成分を含む、新規の組成物を提供する。組成物は、フォトリソグラフィ用途、並びに接着剤、コーティング材、カプセル化用材料、及びシーラントなどの非フォトリソグラフィ用途で使用することができる。組成物は、光学／電子デバイス、及び建造材料などの非光学／非電子デバイスで使用することができる。
【００４３】
別の技術的解決策は、式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂、及び光酸発生剤（ＰＡＧ）を含む、化学増幅型フォトレジスト組成物を提供する。化学増幅型フォトレジスト組成物を使用して、第１及び第２のレジスト物品のうちのフォトレジスト層をはじめとする、フォトレジスト層を形成することができる。
【００４４】
別の技術的解決策は、式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂を含むエッチングマスク組成物を提供する。エッチングマスク組成物はＰＡＧを更に含むことができ、また、化学増幅型フォトレジスト組成物としても機能することができる。エッチングマスク組成物を使用して、第１及び第２のレジスト物品のうちのエッチングマスク層をはじめとする、エッチングマスク層を形成することができる。有益には、エッチングマスク層は、第１又は第２のエッチング工程（光パターニング後）において、エッチングにより完全には除去されない。エッチング条件に曝されている際、エッチングマスク層はフォトレジストパターンを、第１のエッチング工程でフォトレジスト層からエッチングマスク層内に、次いで第２のエッチング工程でエッチングマスク層からパターニング可能な基板内に異方的に転写することを可能にする。第１及び／又は第２のエッチング工程は同一でも異なっていてもよく、独立して、プラズマエッチング又は反応性イオンエッチング（例えば深掘り反応性イオンエッチング）を含むことができる。エッチングではエッチャントを使用して、プラズマ又は反応性イオンを形成する。エッチャントは、プラズマエッチングで使用するための酸素分子、又は、反応性イオンエッチング用のハロカーボン（例えば、テトラクロロメタン若しくはトリフルオロメタン）を含んでよい。フォトレジストパターンを下に向かってエッチングマスク層内に、その後、パターニング可能な基板内に転写し、その後、過酷なエッチング環境によりエッチングマスク層パターンが横方向にアンダーカットされるか、又はエッチングにより除去される。式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂は、エッチングマスク層をさほどエッチング耐性にせずに、フォトレジストパターンが下に向かってエッチングマスク層内に、又はパターニング可能な基板内に転写されないことを可能にする。式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂はまた、エッチング工程中に、パターンをフォトレジスト層からパターニング可能な基板内に、下に向かって転写することができる前に、エッチングマスク層が横方向にアンダーカットもされず、エッチングにより完全には除去もされないように、エッチングマスク層が横方向のエッチングに対して十分に耐性を有することを可能にする。
【００４５】
更に別の技術的解決策は、ペンダント酸感応性基、特にペンダント酸感応性有機基で官能化されたシルセスキオキサン樹脂を提供し、また更に２３ｗｔ％より多く、最大４２ｗｔ％ものケイ素原子含有量を有する、新規の式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂を含む。ケイ素原子含有量は、シルセスキオキサン樹脂の総重量の百分率としての、全てのケイ素原子の総重量に等しい。ケイ素原子含有量は、２９Ｓｉ−ＮＭＲなどの核磁気共鳴（ＮＭＲ）により、又はＸ線蛍光（ＸＲＦ）分光法により測定することができる。２９Ｓｉ−ＮＭＲの別個の共鳴を用いることで、単位［ＨＳｉＯ３／２］及び［Ｒ１ＳｉＯ３／２］、加えて、式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂中に存在し得る任意選択的な単位［Ｒ２ＳｉＯ３／２］、［Ｒ３ＳｉＯ３／２］、［ＨＯＳｉＯ３／２］、及び［ＳｉＯ４／２］のいずれかの各々に関するスペクトルを容易に区別することができる。それぞれの単位に対応する共鳴の積分値を測定して、下付き文字ｈ及びｂ、加えて任意の下付き文字ｎ、ｖ、ｏ、及びｑに対する、ひいては対応する単位［ＨＳｉＯ３／２］及び［Ｒ１ＳｉＯ３／２］、加えて任意選択的な単位［Ｒ２ＳｉＯ３／２］、［Ｒ３ＳｉＯ３／２］、［ＨＯＳｉＯ３／２］、及び［ＳｉＯ４／２］のいずれかに対する相対的なモル分率値をそれぞれ得ることができる。単位の各々に対する質量値（グラム）を単位式から計算することができ、次いで、下付き文字ｈ及びｂ、加えて任意の下付き文字ｎ、ｖ、ｏ、及びｑのモル分率値をそれぞれ使用して比例平均させ（ｐｒｏｐｏｒｔｉｏｎａｌｌｙ  ａｖｅｒａｇｅｄ）、平均の単位質量値を得ることができる。各単位は１個のＳｉ原子を有するため、パーセントとして表される、平均単位質量値により除したケイ素原子（２８．０８６ｇ）の原子量が、式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂中におけるＳｉのｗｔ％となる。
【００４６】
組成物は、構成成分（Ａ）及び（Ｂ）［但し、（Ａ）式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂、及び（Ｂ）少なくとも１種の追加の構成成分］を含む。
【００４７】
構成成分（Ａ）：式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂。（Ａ）式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂は、典型的には、組成物の総重量に基づいて、２０〜９９．９重量％パーセント（ｗｔ％）の濃度で、組成物中に存在する。
【００４８】
構成成分（Ｂ）：少なくとも１種の追加の構成成分。（Ｂ）少なくとも１種の追加の構成成分は、典型的には、組成物中に、全て（Ａ）シルセスキオキサン樹脂１００部に基づいて、０．０１部〜４００部、あるいは１００〜４００部、あるいは０．０１〜１００部、あるいは０．０１〜５０部の濃度で存在する。（Ｂ）少なくとも１種の追加の構成成分が（Ｂ１）光酸発生剤（ＰＡＧ）である場合、組成物は化学増幅型フォトレジスト組成物であり、（Ｂ１）ＰＡＧは、典型的には、組成物中に、全て（Ａ）シルセスキオキサン樹脂１００部当たり、０．０１部〜５部、あるいは０．０５部〜４部、あるいは０．０７部〜３部、あるいは０．０９部〜２部の濃度で存在する。
【００４９】
構成成分（Ｂ１）：光酸発生剤（ＰＡＧ）。
【００５０】
フォトレジスト組成物は、１種以上の（Ｂ１）光酸発生剤を含む。（Ｂ１）光酸発生剤（「ＰＡＧ」）は、酸ではない（ブレンステッド酸でもルイス酸でもない）が、電磁放射線に露光する際に酸を生成する任意の化合物を含む。したがって、ＰＡＧは、プロ酸として機能し、酸性効果を呈する前に光化学的に変換される化合物である。いくつかの態様では、ＰＡＧは、オニウム塩、ハロゲン含有化合物、ジアゾケトン化合物、スルホン化合物、スルホネート化合物、又はオニウム塩、ハロゲン含有化合物、ジアゾケトン化合物、グリオキシム誘導体、スルホン化合物、及びスルホネート化合物のうちのいずれか２つ以上の組み合わせである。他の有用な光酸発生剤としては、米国特許第７，２６１，９９２（Ｂ２）号の第１０欄第５７行〜第１１欄第９行に記載のものが挙げられる。これらとしては、ニトロベンジルエステル及び米国特許第４，１８９，３２３号に記載されたｓ−トリアジン誘導体などのｓ−トリアジン誘導体が挙げられる。
【００５１】
オニウム塩：（Ｂ１）ＰＡＧとして使用するのに好適なオニウム塩の例は、ヨードニウム塩、スルホニウム塩（テトラヒドロチオフェニウム塩を含む）、ホスホニウム塩、ジアゾニウム塩、及びピリジニウム塩である。（Ｂ１）ＰＡＧとして使用するのに好適なオニウム塩の具体例は、米国特許第８，７２９，１４８（Ｂ２）号の第１４欄第４０行〜第１５欄第４行に列記されており、及びトリ（４−（４’−アセチルフェニルチオ）−フェニル）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートがある。
【００５２】
ハロゲン含有化合物：（Ｂ１）ＰＡＧとして使用するのに好適なハロゲン含有化合物の例は、ハロアルキル基含有炭化水素化合物、及びハロアルキル基含有複素環式化合物である。（Ｂ１）ＰＡＧとして使用するのに好適なハロゲン含有化合物の具体例は、（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン誘導体、例えばフェニルビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、４−メトキシフェニルビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、及び１−ナフチルビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、並びに１，１−ビス（４’−クロロフェニル）−２，２，２−トリクロロエタンである。
【００５３】
ジアゾケトン化合物：（Ｂ１）ＰＡＧとして使用するのに好適なジアゾケトン化合物の例は、米国特許第８，７２９，１４８（Ｂ２）号の第１５欄第４行〜２３行に列記されているジアゾメタン誘導体；１，３−ジケト−２−ジアゾ化合物、ジアゾベンゾキノン化合物、及びジアゾナフトキノン化合物である。ＰＡＧとして使用するのに好適なジアゾケトン化合物の具体例は、１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニルクロライド、２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノンの、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニルクロライド、１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホネート若しくは１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホネート、及び１，１，１−トリス（４’−ヒドロキシフェニル）エタンの、１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホネート若しくは１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホネートである。
【００５４】
グリオキシム誘導体：（Ｂ１）ＰＡＧとして使用するのに好適なグリオキシム誘導体の例は、米国特許第８，７２９，１４８（Ｂ２）号の第１５欄第２３行〜４６行に列記されている。
【００５５】
スルホン化合物：（Ｂ１）ＰＡＧとして使用するのに好適なスルホン化合物の例は、β−ケトスルホン、β−スルホニルスルホン、及びこれらの化合物のα−ジアゾ化合物である。スルホン化合物の具体例は、４−トリスフェナシルスルホン、メシチルフェナシルスルホン、及びビス（フェニルスルホニル）メタンである。
【００５６】
スルホネート化合物：（Ｂ１）ＰＡＧとして使用するのに好適なスルホネート化合物の例は、アルキルスルホネート、アルキルイミドスルホネート、ハロアルキルスルホネート、アリールスルホネート、及びイミノスルホネートである。（Ｂ１）ＰＡＧとして使用するのに好適なスルホネート化合物の具体例は、ベンゾイントシレート、ピロガロールトリス（トリフルオロメタンスルホネート）、ニトロベンジル−９，１０−ジエトキシアントラセン−２−スルホネート、トリフルオロメタンスルホニルビシクロ［２．２．１］ヘプタ−５−エン−２，３−ジカルボジイミド、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドトリフルオロメタンスルホネート、及び１，８−ナフタレンジカルボン酸イミドトリフルオロメタンスルホネートである。
【００５７】
いくつかの実施形態では、（Ｂ１）光酸発生剤は、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、シクロヘキシル−２−オキソシクロヘキシルメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジシクロヘキシル−２−オキソシクロヘキシルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、２−オキソシクロヘキシルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−ヒドロキシ−１−ナフチルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−ヒドロキシ−１−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（１’−ナフチルアセトメチル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフルオロメタンスルホニルビシクロ［２．２．１］ヘプタ−５−エン−２，３−ジカルボジイミド、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドトリフルオロメタンスルホネート、又は１，８−ナフタレンジカルボン酸イミドトリフルオロメタンスルホネートである。
【００５８】
いくつかの実施形態では、シルセスキオキサン含有組成物及び／又はフォトレジスト組成物は、１つ以上の構成成分（「添加剤」とも呼ばれる）：（Ｃ）酸拡散制御剤（クエンチャ、又は塩基クエンチャとも呼ばれる）、（Ｄ）溶媒、（Ｅ）付着促進剤、（Ｆ）染料、（Ｇ）ハレーション阻害剤、（Ｈ）可塑剤、（Ｉ）増感剤、（Ｊ）安定剤（例えば、貯蔵安定剤）、及び（Ｋ）界面活性剤を独立して更に含む。添加剤（Ｄ）〜（Ｋ）は任意選択的である。いくつかの実施形態では、シルセスキオキサン含有組成物及び／又はフォトレジスト組成物は、添加剤（Ｄ）〜（Ｋ）を非含有である（欠いている）。他の実施形態では、シルセスキオキサン含有組成物及び／又はフォトレジスト組成物は、添加剤（Ｄ）〜（Ｋ）のうちの少なくとも１つ、あるいは少なくとも２つ、あるいは３つ以上を独立して更に含む。いくつかの実施形態では、シルセスキオキサン含有組成物は、（Ｄ）溶媒、（Ｅ）付着促進剤、又は（Ｄ）及び（Ｅ）の両方を更に含む。
【００５９】
（Ｃ）酸拡散制御剤：いくつかの実施形態では、組成物（例えば、化学増幅型フォトレジスト組成物）は、（Ｃ）酸拡散制御剤を非含有である（欠いているか、又は添加されていない）。いくつかの実施形態では、組成物（例えば、化学増幅型フォトレジスト組成物）は、１種以上の（Ｃ）酸拡散制御剤を更に含む。（Ｃ）酸拡散制御剤をフォトレジスト組成物中で使用し、露光領域外の化学増幅型フォトレジスト組成物の領域を露光した後で、（Ｃ）光酸発生剤から生成する酸の移動を阻害することができる。（Ｃ）酸拡散制御剤は、カルボン酸無水物と共有結合を形成しない、非プロトン性有機塩基であってよい。（Ｃ）酸拡散制御剤の例は、第三級アミン、米国特許公開第２００３／００１７４１５（Ａ１）号の段落［０３０６］〜［０３１５］に見出される塩基性化合物の例、及び、米国特許第８，１４８，０４３（Ｂ２）号（Ｓ．Ｈｕら）で言及されている有機塩基添加剤である。構成成分（Ｃ）の例は、第三級アリールアミン、例えば２−（２−アミノ−フェニル）−イソインドール−１，３−ジオン、１−（２−（（１Ｈ−１，２，３−ベンゾトリアゾール−１−イルメチル）アミノ）フェニル）エタノン、１−（（２，３−ジメチル−フェニルアミノ）−メチル）−ピロリジン−２，５−ジオン、１−（２−メチル−４−フェニルアミノ−３，４−ジヒドロ−２Ｈ−キノリン−１−イル）−ヘプタン−１−オン、２−（（３−フルオロ−４−メチル−フェニルアミノ）−メチル）−フェノール、及びＮ，Ｎ−ジエチルアニリンである。組成物（例えば、化学増幅型フォトレジスト組成物）中に存在する場合、（Ｃ）酸拡散制御剤は、組成物（例えば、化学増幅型フォトレジスト組成物）の総重量に基づいて、０．０１ｗｔ％〜１０ｗｔ％の濃度で存在してよい。例えば、構成成分（Ａ）式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂１００部当たり、０．１０部の（Ｃ）酸拡散制御剤を使用してよい。
【００６０】
（Ｄ）溶媒：いくつかの実施形態では、組成物（例えば、化学増幅型フォトレジスト組成物）は（Ｄ）溶媒を非含有である（欠いているか、又は添加されていない）。いくつかの実施形態では、組成物（例えば、化学増幅型フォトレジスト組成物）は、１種以上の（Ｄ）溶媒を更に含む。（Ｄ）溶媒を使用して、組成物の他の構成成分を溶出、分散、又は希釈して、コーティングが必要な基板上に更に容易にコーティング可能な混合物を得ることができる。化学増幅型フォトレジスト組成物用のこのような基板の例は、半導体ウエハ若しくは金属ウエハ、又は、下層であって、基板、該下層、及び組成物のコーティング（フォトレジスト層）を逐次的に含む多層フォトレジストの下層（例えば反射防止コーティング（ＡＲＣ）、エッチングマスク層、若しくはハードコート層）である。下層は、フォトレジスト層と基板との間に配設される（「挟まれる」）。（Ｄ）溶媒の例は、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、２−ヘプタノン、メチルペンチルケトン（ＭＡＫ）、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、エチルラクテートのようなラクテートアルキルエステル、１，２−プロピレングリコールモノメチルエーテルモノアセテート（ＰＧＭＥＡ）、アルキレングリコールモノアルキルエステル、ブチルアセテート、２−エトキシエタノール、及びエチル３−エトキシプロピオネートである。組成物中に存在する場合、（Ｄ）溶媒は、組成物の総重量に基づいて、５０ｗｔ％〜９０ｗｔ％の濃度で存在することができる。
【００６１】
（Ｅ）付着促進剤：いくつかの実施形態では、組成物（例えば、化学増幅型フォトレジスト組成物）は、（Ｆ）付着促進剤を非含有である（欠いているか、又は添加されていない）。いくつかの実施形態では、組成物（例えば、化学増幅型フォトレジスト組成物）は、１種以上の（Ｆ）付着促進剤を更に含む。（Ｆ）付着促進剤を使用して、パターニングが必要な基板、例えば半導体ウエハ（例えばシリコンウエハ）又は金属表面への、組成物の結合を強化することができる。（Ｆ）付着促進剤を使用して、多層レジストの下層、例えば下層としてＡＲＣ、エッチングマスク層、又はハードコート層などへの結合もまた強化することができる。（Ｆ）付着促進剤の例は、市販のシランカップリング剤などのシランカップリング剤である。シランカップリング剤は、典型的には、官能化アルキル基に加えて、３つのアルコキシ基又は２つのアルコキシ基、及び全てが同じケイ素原子に結合されたアルキル基を含有する。官能化アルキル基は、アミノアルキル基、エポキシ−アルキル基、アクリルオキシアルキル基、メタクリルオキシアルキル基、ウレイドアルキル基、イソシアヌラトアルキル基、メルカプトアルキル基、又はアルケニル基であってもよい。例としては、ビニルトリメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチル−トリメトキシシラン、及び３−グリシドキシプロピルトリメトキシシランが挙げられる。シルセスキオキサン含有組成物（例えば、フォトレジスト組成物）中に存在する場合、（Ｆ）付着促進剤は、組成物の総重量に基づいて、０．０１ｗｔ％〜５ｗｔ％の濃度で存在することができる。
【００６２】
（Ｆ）染料：組成物に添加される、又は組成物中に含まれる場合、（Ｆ）染料を使用して、組成物（例えば、化学増幅型フォトレジスト組成物）の光学濃度を調節することができる。
【００６３】
（Ｇ）ハレーション阻害剤：組成物に添加されるか、又は組成物中に含まれる場合、（Ｇ）ハレーション阻害剤を使用して、化学増幅型フォトレジスト組成物のフォトレジスト層の、直接露光領域の境界を越えるリソグラフィ放射線（光）の拡散を防止することができる。
【００６４】
（Ｈ）可塑剤：組成物に添加されるか、又は組成物中に含まれる場合、（Ｈ）可塑剤を使用して、組成物（例えば、化学増幅型フォトレジスト組成物）の粘度を調節し、組成物の取り扱い性又はコーティング性を高めることができる。
【００６５】
（Ｉ）増感剤：組成物に添加されるか、又は組成物中に含まれる場合、（Ｉ）増感剤を使用して、第１の波長における放射線を吸収し、第２の波長における放射線を発して、発した放射線を（Ｂ１）光酸発生剤に移動させる（ここで、第１及び第２の波長は同一であっても異なっていてもよい）ことにより、（Ｂ１）光酸発生剤の活性を高めることができる。
【００６６】
（Ｊ）安定剤：組成物に添加されるか、又は組成物中に含まれる場合、（Ｊ）安定剤を使用して、例えば、組成物中での酸化反応、酸塩基反応、又は他の分解反応を阻害することにより、組成物（例えば、化学増幅型フォトレジスト組成物）の貯蔵寿命を延ばすことができる。
【００６７】
（Ｋ）界面活性剤：組成物に添加されるか、又は組成物中に含まれる場合、（Ｋ）界面活性剤を使用して、基板、例えば多層フォトレジストの半導体ウエハ又は下層（例えばＡＲＣ、エッチングマスク層、又はハードコート層）上における、組成物（例えば、化学増幅型フォトレジスト組成物）のコーティングの均一性を改善することができる。
【００６８】
組成物、及びその化学増幅型フォトレジスト組成物の実施形態は、構成成分として、他の、又は追加の任意選択的な添加剤を含有してよい。化学増幅型フォトレジスト組成物をはじめとする、組成物中の全ての構成成分の濃度の合計は１００％となる。
【００６９】
いくつかの実施形態では、組成物は化学増幅型フォトレジスト組成物である。化学増幅型フォトレジスト組成物は、３６５ｎｍより短い波長を有する光から保護することができ、化学増幅型フォトレジスト組成物が基板上にコーティングされた後、容易にマスク照射される。例えば、化学増幅型フォトレジスト組成物を、黄色光又は赤色光から本質的になる環境下で調製及びコーティングすることができる。露光（マスク照射）した後、化学増幅型フォトレジスト組成物を、最初の段階で酸感応性フォトレジストポリマー及び生成物酸を含む、化学増幅されたフォトレジスト組成物に転換する。生成物酸は、酸感応性フォトレジストポリマーの酸感応性基の開裂を容易にして、ペンダント酸性基を有する巨大分子鎖を含む、生成物ポリマーを供与する。開裂の速度は、化学増幅されたフォトレジスト組成物を加熱することによって速めることができる。開裂後に、化学増幅されたフォトレジスト組成物は、生成物酸と生成物ポリマーとを含む。酸感応性フォトレジストポリマー、ＰＡＧ、生成物酸、及び生成物ポリマーは、異なりかつ別個の化合物である。
【００７０】
化学増幅型フォトレジスト組成物の一部分が露光され、化学増幅型フォトレジスト組成物の別の部分が露光されない場合、化学増幅型フォトレジスト組成物（未反応の）を含む非露光領域と、化学増幅されたフォトレジスト組成物（開裂生成物）を含む露光領域とを含む複合材料が形成される。化学増幅型フォトレジスト組成物が一次元で制限され、露光がパターン画定フォトマスクを通して行われる場合、非露光領域と、化学増幅されたフォトレジスト組成物の潜像パターンを画定するパターン付き露光領域と、を有する複合材料が、シート又は膜の形状で形成される。化学増幅型フォトレジスト組成物は、生成物ポリマーと反応性である架橋剤を非含有であり、複合材料のシート又は膜を、現像液（例えば、水性塩基などの塩基性溶液）で現像することによって、ポジ型レジスト像を潜像パターンから形成することができる。現像液は、非露光領域を溶出することなく、露光領域を選択的に溶出し、これによって、残存する非露光領域によって画定される、ポジ型レジスト像を生成する。
【００７１】
化学増幅されたフォトレジスト組成物（露光領域）を除去するのに有用な現像溶液としては、水及び塩基を含む水溶液が挙げられる。塩基は、脱イオン水中に可溶性であり、＞７の水素イオン指数（ｐＨ）を有する水溶液を供与する、化学化合物である。この塩基性化学化合物は、アンモニア又は１族又は２族の金属ヒドロキシド若しくはカーボネートなどの無機化学化合物であってよい。あるいは、塩基性化学化合物は、アミン又は塩基性窒素含有複素環などの有機化学化合物であってもよい。塩基の例は、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）、コリン、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア、エチルアミン、プロピルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン、エチルジメチルアミン、トリエタノールアミン、ピロール、ピペリジン、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン、及び１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］−５−ノネンである。化学増幅型フォトレジスト組成物をポジ型フォトレジストとして使用するために配合する場合、フォトレジスト層の露光領域は現像溶液中に可溶性となり、未露光領域は現像溶液中に不溶性となる（不溶性のままとなる）。一旦露光されたフォトレジスト層（ポジ型フォトレジスト）が現像溶液で現像されると、フォトレジスト層の溶出されていない残部（「パターン」）は、水で洗浄され、過剰な現像溶液をそれから除去することができる。
【００７２】
現像液は、（Ｂ）少なくとも１種の追加の構成成分と構造、配合、機能若しくは使用、及び／又は量が異なる。現像液の塩基性化学化合物がアミンである場合、典型的には非置換アルキル含有アミンである。更に、現像液は、典型的には、塩基性化学化合物の水溶液であるが、組成物は水を実質的に非含有である（例えば、０ｗｔ％〜１ｗｔ％未満の水を有する）。また、現像液は、膜の非露光領域を溶出することなく、フォトレジスト組成物のマスク露光膜のマスク露光領域を選択的に溶出するために、現像工程で使用される。生成物酸は、フォトレジスト組成物の膜のマスク露光領域にある（Ｂ１）光酸発生剤を、マスク露光工程で放射線に露光する際に、（Ｂ１）光酸発生剤からｉｎ  ｓｉｔｕで形成される。塩基性化学化合物は、典型的には、現像液中に、１〜５ｗｔ％の濃度で存在する。
【００７３】
次いでパターンが、下にある基板に転写され得る。二重層型フォトレジストにおいて、転写には、パターンを、下層（例えばＡＲＣ、エッチングマスク層、又はハードコート層）を通して基板（例えばケイ素又は金属）上に転写すること、を含む。単一層フォトレジストでは、下層がなく、パターンは基板上に直接転写される。典型的には、パターンは、酸素、プラズマ、又は酸素／二酸化硫黄プラズマなど、反応性イオンでのエッチングを介して転写される。エッチング法は、当該技術分野において公知である。
【００７４】
別の実施形態は、基板上、又は基板上に配設された下層上にレジスト像を生成するためのプロセスである。いくつかの実施形態では、プロセスは、（ａ）基板を、構成成分（Ａ）〜（Ｂ）、及び典型的にはまた構成成分（Ｄ）溶媒、及び任意選択的に構成成分（Ｃ）塩基クエンチャを含む、化学増幅型フォトレジスト組成物でコーティングし、化学増幅型フォトレジスト組成物を基板上に塗布した膜を含む、レジストコーティング基板を形成する工程と、（ｂ）塗布膜をマスク露光する（像様露光）するか、又は放射線（例えば、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、又は１５７ｎｍ）でマスク照射して、潜像パターンを含有する露光膜を含む、照射レジストを作製する工程と、（ｃ）マスク照射レジストの露光膜を現像し、潜像パターンからレジスト像を作製して現像レジストを供与する工程と、を含む。現像レジストは、基板上に配設されたレジスト像を含む製造品である。他の実施形態では、プロセスは、（ａ）基板上に予め配設した下層を、構成成分（Ａ）〜（Ｂ）、及び典型的にはまた構成成分（Ｄ）溶媒、及び任意選択的に構成成分（Ｃ）塩基クエンチャを含むレジスト組成物でコーティングし、下層上に配設された、化学増幅型レジスト組成物の塗布膜を含む、基板上に二重層を形成する工程と、（ｂ）塗布膜を放射線にマスク露光（像様露光）して、潜像パターンを含有する露光膜を作製する工程と、（ｃ）露光膜を現像し、潜像パターンからレジスト像を作製して、基板上に配設されたレジスト像を含む製造品を供与する工程と、を含む。
【００７５】
好適な基板は、セラミック、金属又は半導体基板であり、好ましい基板は、例えば、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、オキシ窒化ケイ素、炭化ケイ素、及びオキシ炭化ケイ素が含まれる、ケイ素含有基板である。
【００７６】
下層は、エッチングマスク層、ハードコート層（例えば有機ハードコート層）、又は反射防止コーティング（ＡＲＣ）であってよい。エッチングマスク層は、式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂を含んでよい。下層は、レジスト組成物の膜を形成するコーティング工程の前に基板上に形成される。下層は、マスク露光工程で使用するイメージング波長で非常に光を吸収し、化学増幅型レジスト組成物と化学的に適合性のある、材料で構成されてよい。式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂以外の典型的な下層材料は、架橋ポリ（４−ヒドロキシスチレン）、ポリエステル、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、フッ素化ポリマー、及び環式オレフィンポリマーである。例えば、ジアゾナフトキノン（ＤＮＱ）又はノボラックである。
【００７７】
工程（ａ）コーティングの前に、典型的には、下層又は基板の表面は、場合に応じて、化学増幅型レジスト組成物の塗布（例えばコーティング）の前に清浄化される。好適な清浄化手順は、当該技術分野において公知である。化学増幅型レジスト組成物は、場合に応じて、スピンコーティング、スプレーコーティング、又はドクターブレードなどの技術を使用して、下層上にコーティングしてよく、又は基板上に直接コーティングしてよい。典型的には、レジスト膜は、（Ｄ）溶媒を含み、乾燥（ソフトベーク）された後、塗布膜（乾燥後）がマスク露光工程で放射線に露光される。乾燥又はソフトベーク工程は、レジスト膜を、３０℃〜２００℃、典型的には８０℃〜１４０℃の範囲の温度に、短時間で（例えば、２０秒〜９０秒）、典型的にはおよそ１．０分のケタで加熱すること、を含んでもよい。得られた乾燥膜は、０．０１マイクロメートル（μｍ）〜５．０μｍ、あるいは０．０２〜２．５μｍ、あるいは０．０５μｍ〜１．０μｍ、あるいは０．１０μｍ〜０．２０μｍの厚さを有する。
【００７８】
（ｂ）マスク露光する工程において、塗布膜（例えば、乾燥塗布膜）は、潜像パターンをマスク露光膜に作成するように設計されたマスクを通して、放射線に露光される。潜像パターンは、最終的に所定のパターンを有するパターン付き半導体デバイスを供与するのに好適なものである。放射線は、ＵＶ、Ｘ線、ｅ−ビーム、又はＥＵＶであってもよい。ＥＵＶは、１３ｎｍの波長を有することができる。典型的には、放射線は、１５７ｎｍ〜３６５ｎｍ（例えば、１５７ｎｍ又は１９３ｎｍ）の波長を有する紫外線である。好適な放射線源としては、水銀、水銀／キセノン、及びキセノンランプが挙げられる。特定の放射線源は、ＫｒＦエキシマレーザ又はＦ２エキシマレーザである。より長い波長、例えば３６５ｎｍの放射線が使用される場合、放射線の吸収を強化するために、フォトレジスト組成物中に増感剤が含まれてもよい。フォトレジスト組成物の満足のいく露光は、典型的には、塗布膜の表面積の１平方センチメートル当たり１０〜＜１００ミリジュール（ｍＪ／ｃｍ２）、あるいは１０ｍＪ／ｃｍ２〜５０ｍＪ／ｃｍ２の放射線で照射することによって達成される。
【００７９】
（ｂ）マスク露光工程において、放射線は、フォトレジスト組成物の露光膜のマスク露光領域における（Ｂ１）光酸発生剤によって吸収され、その中に生成物酸をｉｎ  ｓｉｔｕで生成する。化学増幅型フォトレジスト組成物が放射線に露光された後に、得られた露光膜は、典型的には、３０℃〜２００℃の範囲の温度に、短時間で、およそ１分のケタで加熱される。化学増幅型フォトレジスト組成物がポジ型フォトレジストである場合、生成物酸は、フォトレジスト組成物中に存在する（Ａ）シルセスキオキサン樹脂の酸解離性基（例えば、式（Ｉ）のＲ１基）の開裂を引き起こし、これによって、露光膜中の現像液可溶性の領域を有する潜像パターンを形成する。
【００８０】
工程（ｃ）現像工程において、露光膜を好適な現像液と接触させて、露光膜の潜像パターンからレジスト像を作製する。現像液の組成は、前述している。ポジ型フォトレジスト膜では、フォトレジストの露光領域は、現像液中に可溶性（「現像液可溶性」）となり、（ｃ）現像工程は、露光領域を現像液中に溶出し、露光されたポジ型フォトレジスト膜の非露光領域を、生成像又はパターンの形態で残す。露光膜が現像され、生成像又はパターンが形成された後、典型的には、残存するレジスト膜（「パターン」）は水で洗浄されて、残留現像液を全て除去する。
【００８１】
工程（ｃ）及び任意選択的な洗浄工程から得られた生成像又はパターンは、次いで、基板内に直接転写されるか、又は場合によっては、下層を通して基板内に転写される。典型的には、パターンは、酸素分子プラズマ、及び／又は酸素分子／二酸化硫黄プラズマ等、反応性イオンでのエッチングによって転写される。プラズマを形成するための好適な技術及び機械装置としては、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）、ヘリコン、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）及び透過型結合プラズマ（ＴＣＰ）などのシステムが挙げられる。
【００８２】
したがって、化学増幅型フォトレジスト組成物は、前述のフォトリソグラフィパターン形成法、又はパターン付き構造体を製造するためのプロセスで使用されてもよい。作成され得るパターン付き構造体の例は、金属配線、電気接点用の導管としての孔又はビア、絶縁部（例えば、ダマシントレンチ又は浅いトレンチ分離）、キャパシタ構造体用のトレンチ、及び集積回路デバイスを製造するために使用され得る他の構造体である。
【００８３】
いくつかの実施形態は、半導体ウエハ上に配設された化学増幅型フォトレジスト組成物の層を含むレジストコーティングしたウエハを含む。化学増幅型フォトレジスト組成物は、半導体ウエハに直接接触していてもよく、又はレジストコーティングしたウエハは、フォトレジスト組成物の層と半導体ウエハとの間に配設された下層を更に含んでもよい。下層は、半導体ウエハを下層組成物でコーティングすることによって形成することができる。下層組成物は、式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂を含んでよい。場合に応じて、化学増幅型フォトレジスト組成物又は下層組成物でコーティングされる場合、半導体ウエハはベアウエハであってよい。あるいは、半導体ウエハは、ベア半導体ウエハを下塗り剤で前処理することによって作製された、下塗りウエハであってもよい。前処理は、下塗り剤の化学蒸着を含むことができる。下塗り剤は、フォトレジスト層又は下層の付着、場合によっては、半導体ウエハへの付着を増強するのに有効な任意の化合物を含んでよい。例えば、下塗り剤化合物は、ヘキサメチルジシラザンであってもよい。
【００８４】
いくつかの実施形態は、レジストコーティングウエハを、８０℃〜１４０℃（例えば、９０℃〜１２０℃、例えば、１００℃又は１１０℃）の温度で、わずかな時間（例えば、３０秒〜１２０秒、例えば４５秒〜９０秒、又は５０秒〜７０秒、例えば６０秒）加熱することによって調製された、ソフトベークウエハを含む。ソフトベークウエハは、半導体ウエハ上に、又は半導体ウエハの上に配設された下層上に、配設されたソフトベークレジスト層を含む。
【００８５】
いくつかの実施形態は、レジストコーティングしたウエハ又はソフトベークウエハを、例えば２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍを含む放射線に、レジスト塗布ウエハ又はソフトベークウエハの表面積の１平方センチメートル当たり１０〜７５ミリジュール（ｍＪ／ｃｍ２）の線量を用いて露光することによって調製された、マスク照射ウエハを含む。いくつかの実施形態では、放射線は、１５ｍＪ／ｃｍ２〜５５ｍＪ／ｃｍ２、あるいは２０ｍＪ／ｃｍ２〜５０ｍＪ／ｃｍ２、あるいは２３ｍＪ／ｃｍ２〜４５ｍＪ／ｃｍ２の線量とする。マスク照射ウエハは、半導体ウエハ上に、又は半導体ウエハの上に配設された下層上に、配設されたマスク照射レジスト層を含む。マスク照射レジスト層は、潜像パターンを含有する。
【００８６】
いくつかの実施形態は、マスク照射ウエハを、８０℃〜１４０℃（例えば、９０℃〜１２０℃、例えば、１００℃又は１１０℃）の温度で、わずかな時間（例えば、３０秒〜１２０秒、例えば４５秒〜９０秒、又は５０秒〜７０秒、例えば６０秒）加熱することによって調製された、露光後ベークウエハを含む。露光後ベークウエハは、半導体ウエハ上に、又は半導体ウエハの上に配設された下層上に、配設された露光後ベークレジスト層を含む。露光後ベークレジスト層は、潜像パターンを含有する。
【００８７】
いくつかの実施形態は、材料の他の部分を除去することなく、マスク照射レジスト材料の一部又は露光後ベークレジスト材料の一部を除去するように、マスク照射ウエハ又は露光後ベークウエハを現像液と接触させて、これにより、レジストパターン又は像を形成することによって調製された、現像レジストを含む。現像液は、フォトレジスト組成物のポジ型レジスト配合物に、水性塩基溶液を含むことができる。ポジ型レジスト配合物は、構成成分（Ａ）〜（Ｃ）を含む。現像レジストは、半導体ウエハ上に、又は半導体ウエハの上に配設された下層上に、配設された現像レジスト層を含む。現像レジスト層は、レジストパターン又はレジスト像を含有する。レジストパターン又は像は、電界放射型走査型電子顕微鏡（ＦＥ−ＳＥＭ）によって丸みを帯びた角頂部又は角張った角頂部を有するものとして特徴付けされる断面プロファイルを有する、垂直の特徴部を含有することができる。
【００８８】
いくつかの実施形態は、過剰の現像液を現像レジストから洗い流すことによって調製された、洗い流し済レジストを含む。過剰の現像液は、現像レジストに固着する場合があり、現像レジストを揮発性有機溶媒などの洗い流し剤で洗い流すことによって除去することができる。洗い流し済レジストは、半導体ウエハ上に、又は半導体ウエハの上に配設された下層上に配設された、洗い流し済レジスト層を含む。洗い流し済レジスト層は、レジストパターン又はレジスト像を含有する。レジストパターン又は像は、ＦＥ−ＳＥＭによって丸みを帯びた角頂部又は四角張った角頂部を有するものとして特性化される断面プロファイルを有する垂直の特徴部を含有することができる。
【００８９】
いくつかの実施形態は、現像レジスト又は洗い流し済レジストを、異方性エッチング技術を用いて、エッチング剤でエッチングすることによって調製された、エッチング済レジストを含む。エッチング剤は、酸素分子プラズマ、ハロゲンプラズマ、又は酸素分子プラズマ、続いてハロゲンプラズマの逐次的適用を含むことができる。いくつかの実施形態では、エッチング済レジストは、酸素分子プラズマエッチング済レジストである。他の実施形態では、エッチング済レジストは、ハロゲンプラズマエッチング済レジストである。他の実施形態では、エッチング済レジストは、逐次的な酸素分子プラズマエッチング、続いてハロゲンプラズマでエッチング済のレジストである。酸素分子プラズマエッチング済レジストは、半導体ウエハ上に、又は半導体ウエハの上に配設された下層上に、配設されたエッチング済レジスト層を含む。ハロゲンプラズマエッチング済レジスト層は、パターン付き半導体ウエハを含むパターン付き構造体上に配設された、ハロゲンプラズマエッチング済下層を含有する。酸素分子プラズマエッチング済下層、又はハロゲンプラズマエッチング済下層は、式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂を含んでよい。
【００９０】
いくつかの実施形態は、エッチング済レジスト層をパターン付き半導体ウエハから除去することによって調製された、パターン付き構造体を含む。
【００９１】
この記述は、ある例のいずれか１つの記載された特徴若しくは制限、いずれか１つの記載されたマーカッシュ形式の下位属若しくは種、又はいずれか１つの記載された数の範囲若しくはサブレンジが、特許請求の範囲の依存するものとなり得、特許請求の範囲を補正するための適切な根拠を提供し得るように、意図的に書き込まれている。
【００９２】
本明細書に別途記載がない限り、本明細書で使用される化学技術用語は、ＩＵＰＡＣ．Ｃｏｍｐｅｎｄｉｕｍ  ｏｆ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｔｅｒｍｉｎｏｌｏｇｙ，２ｎｄ  ｅｄ．（ｔｈｅ「Ｇｏｌｄ  Ｂｏｏｋ」）．Ｃｏｍｐｉｌｅｄ  ｂｙ  Ａ．Ｄ．ＭｃＮａｕｇｈｔ  ａｎｄ  Ａ．Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ．Ｂｌａｃｋｗｅｌｌ  Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ  Ｐｕｂｌｉｃａｔｉｏｎｓ，Ｏｘｆｏｒｄ（１９９７）．ＸＭＬ，ｏｎ−ｌｉｎｅ  ｃｏｒｒｅｃｔｅｄ  ｖｅｒｓｉｏｎ：ｈｔｔｐ：／／ｇｏｌｄｂｏｏｋ．ｉｕｐａｃ．ｏｒｇ（２００６−）ｃｒｅａｔｅｄ  ｂｙ  Ｍ．Ｎｉｃ，Ｊ．Ｊｉｒａｔ，Ｂ．Ｋｏｓａｔａ；ｕｐｄａｔｅｓ  ｃｏｍｐｉｌｅｄ  ｂｙ  Ａ．Ｊｅｎｋｉｎｓ．ＩＳＢＮ  ０−９６７８５５０−９−８．ｄｏｉ：１０．１３５１／ｇｏｌｄｂｏｏｋ、に見出すことができる。ＩＵＰＡＣで定義されていない用語は、Ｈａｗｌｅｙ’ｓ  ＣＯＮＤＥＮＳＥＤ  ＣＨＥＭＩＣＡＬ  ＤＩＣＴＩＯＮＡＲＹ，１１ｔｈ  ｅｄｉｔｉｏｎ，Ｎ．Ｉｒｖｉｎｇ  Ｓａｘ  ＆  Ｒｉｃｈａｒｄ  Ｊ．Ｌｅｗｉｓ，Ｓｒ．，１９８７（Ｖａｎ  Ｎｏｓｔｒａｎｄ  Ｒｅｉｎｈｏｌｄ）で定義されてもよい。
【００９３】
本明細書に別途記載がない限り、本明細書で使用される一般用語の意味は、本明細書で見出すことができる。あるいは、別個の実施形態に優先する。冠詞「ａ」、「ａｎ」、及び「ｔｈｅ」は各々、１つ以上を指す。重量平均分子量又は「Ｍｗ」などのポリマーの平均分子量は、ポリスチレン標準換算によるゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）を用いて決定される。化学元素又は原子、化学元素の族は、２０１３年５月１日付けの元素周期表においてＩＵＰＡＣによって公開されたものを意味するものとする。如何なる比較例も例示的な目的でのみ使用され、先行技術を意味しないものとする。合成シルセスキオキサン樹脂などの合成生成物は、作製のために使用する特定の反応物質及び合成条件に応じて変化することができる構造を有してよい。この変動性は無制限ではなく、反応物質の構造及び合成化学並びに条件に従って制限される。一成分配合物は、全ての構成成分を含有し、硬化生成物を作製するのに必要な割合におけるものである、混合物を意味する。一成分配合物は、硬化プロセスを開始し、加速させ、又は完了するために、水分（縮合硬化のための）、熱（付加硬化のための）、又は光（付加硬化のための）などの外部因子を使用してもよい。二成分配合物は、硬化の尚早な開始を防止するために、異なる反応性構成成分を２つの別々かつ相補的な分割部分に隔離する、系を意味する。例えば、触媒ではなくモノマー、プレポリマー、又は硬化性ポリマーを第１の部に含めることができ、モノマー、プレポリマー、又は硬化性ポリマーではなく硬化触媒を、第２の部に含めることができる。硬化の開始は、第１の部及び第２の部を一緒に合わせ、一成分配合物を形成することによって達成される。「〜を非含有」又は「〜を欠いている」とは、完全な不存在、あるいは、例えば、核磁気共鳴（ＮＭＲ）分光法（例えば１Ｈ−ＮＭＲ、１３Ｃ−ＮＭＲ、又は２９Ｓｉ−ＮＭＲ）若しくはフーリエ変換赤外（ＦＴ−ＩＲ）分光法を用いて検出不能であることを意味する。発明、及び発明的／発明のとは、代表的な実施形態又は態様を意味するものとし、全発明を構成するものとして解釈されないものとする。「ＩＵＰＡＣ」は、国際純正応用化学連合（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｕｎｉｏｎ  ｏｆ  Ｐｕｒｅ  ａｎｄ  Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ）（ＩＵＰＡＣ  Ｓｅｃｒｅｔａｒｉａｔ，Ｒｅｓｅａｒｃｈ  Ｔｒｉａｎｇｌｅ  Ｐａｒｋ，Ｎｏｒｔｈ  Ｃａｒｏｌｉｎａ，ＵＳＡ）である。マーカッシュ群は、２つ以上の要素の属を含む。要素Ａ及びＢのマーカッシュ群は、「Ａ及びＢから選択される要素」、「Ａ及びＢからなる群から選択される要素」、又は「要素Ａ又はＢ」として同等に表現することができる。各要素は独立して下位属又は属の種であってよい。「であって（も）よい、し得る、ことができる、ことがある（ｍａｙ）」は、選択の余地を供与するものであり、必須ではない。「動作可能な（ｏｐｅｒａｔｉｖｅ）」は、機能的に可能又は有効であることを意味する。「任意選択的な（任意選択的に）」とは、存在しない（又は除外される）か、あるいは存在する（又は含まれる）ことを意味する。特性は、測定のための標準的な試験方法及び条件（例えば、粘度については２３℃及び���０１．３ｋＰａ）を使用して測定される。数の範囲は、整数の範囲が小数値を含まないこと以外は、端点、部分範囲、及び整数値及び／又はその中に包含される小数値を含む。ある構成要素（構成成分）を、構成要素の混合物から除去することには、誘導体／生成物を混合物のその他の構成要素から物理的に分離しない限り、その構成要素を選択的に誘導体化して／反応させて誘導体／生成物を形成することは含まれない。置換されたとは、水素に代えて、例えば置換毎に、１つ以上の置換基を有することを意味する。各置換基は、独立して、ハロゲン原子、−ＮＨ２、−ＮＨＲ、−ＮＲ２、−ＮＯ２、−ＯＨ、−ＯＲ、オキソ（＝Ｏ）、−Ｃ≡Ｎ、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ、−Ｃ（＝Ｏ）ＯＨ、−Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ、−ＳＨ、−ＳＲ、−ＳＳＨ、−ＳＳＲ、−ＳＣ（＝Ｏ）Ｒ、−ＳＯ２Ｒ、−ＯＳＯ２Ｒ、−ＳｉＲ３、又は−Ｓｉ（ＯＲ）３であってもよく、式中、各Ｒは、独立して、非置換（Ｃ１〜Ｃ３０）ヒドロカルビル、あるいは（Ｃ１〜Ｃ６）ヒドロカルビルである。ハロゲン原子は、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、又はＩであり、あるいは、Ｆ、Ｃｌ、又はＢｒであり、あるいは、Ｆ又はＣｌであり、あるいは、Ｆであり、あるいは、Ｃｌである。各置換基は非プロトン性、あるいはプロトン性であってよい。「ビヒクル」とは、別の材料のための担体、分散剤、希釈剤、貯蔵媒体、上澄み、又は溶媒として機能する液体を意味し、可溶性であっても、なくてもよい。
【００９４】
本明細書の任意の化合物は、天然存在比の形態及び同位体濃縮した形態が含まれる全てのその「同位体形態」を含む。いくつかの態様では、同位体形態は、天然存在比の形態、あるいは同位体濃縮した形態である。同位体濃縮した形態は、同位体濃縮した化合物の検出が、治療又は検出で有用である、医学又は偽造防止用途などの追加の使用を有することができる。
【００９５】
いくつかの態様では、本明細書に記載する任意の組成物は、元素周期表の第１族〜第１８族の任意の１種以上の化学元素を含有してよい。いくつかの態様では、Ｓｉ、Ｏ、Ｈ、Ｃ、Ｎ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、及びＩ、あるいはＳｉ、Ｏ、Ｈ、Ｃ、Ｆ、及びＣｌが除外されないことを除いて、少なくとも１種のこのような化学元素は、組成物から特に除外される。いくつかの態様では、特に除外される化学元素は、（ｉ）ランタノイド及びアクチノイドを含む、第２〜第１３族、及び第１８族のいずれか１つの少なくとも１種の化学元素；（ｉｉ）ランタノイド及びアクチノイドを含む、元素周期表の第３周期〜第６周期のいずれか１つからの、少なくとも１つの化学元素；又は（ｉｉｉ）Ｓｉ、Ｏ、Ｈ、Ｃ、Ｎ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、若しくはＩを除外しないことを除いて、（ｉ）及び（ｉｉ）の両方であってもよい。
【００９６】
本発明は、以下の非限定的な実施例によって更に説明され、本発明の実施形態は、この非限定的な実施例の特徴及び限定の任意の組み合わせを含んでもよい。周囲温度は別段の表示がない限り、約２３℃である。
【実施例】
【００９７】
ＮＭＲ：核磁気共鳴（ＮＭＲ）スペクトルは、ＣＤＣｌ３を溶媒として使用するＶａｒｉａｎ  ＸＬ−４００ＭＨｚ  Ｍｅｒｃｕｒｙスペクトロメータで入手した。１Ｈ−ＮＭＲ、１３Ｃ−ＮＭＲ、及び２９Ｓｉ−ＮＭＲスペクトルの化学シフトを内部の溶媒共鳴に対して参照して、テトラメチルシランと比較して報告した。
【００９８】
ＧＰＣ：ゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）分析を、Ｗａｔｅｒｓ  ６００ポンプ、Ｗａｔｅｒｓ  ７１７オートサンプラー、及びＷａｔｅｒｓ  ４１０示差屈折計を含むシステムで実施した。ポリスチレン標準を使用した。
【００９９】
ＨＳＱ樹脂１：Ｃ．Ｌ．Ｆｒｙｅ；Ｗ．Ｔ．Ｃｏｌｌｉｎｓ，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１９７０；９２：５５８６に記載の手順に従い、トリクロロシラン（ＨＳｉＣｌ３）の制御した加水分解によりハイドロジェンシルセスキオキサン樹脂１（ＨＳＱ樹脂１）を合成した。
【０１００】
モノマーＭ１：Ｆ．Ｏｒｓｉｎｉ，Ｓｙｎｔｈｅｔｉｃ  Ｃｏｍｍｕｎ．，１９８２；ｖｏｌ．１２，ｎｏ．１４，ｐｐ．１１４７〜１１５４に記載の手順に従い、３−ブテン酸１，１−ジメチルエチルエステルを合成した。
【０１０１】
モノマーＭ２：商業的供給元から、ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−エン−５−カルボン酸１，１−ジメチルエチルエステルを入手した。
【０１０２】
モノマーＭ３：商業供給元からアクリル酸１，１−ジメチルエチルエステルを入手した。
【０１０３】
光酸発生剤（Ｂ１−１）：ミドリ化学のトリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート（Ｐｈ３Ｓ＋ＰＦ６−；ＣＡＳ登録番号［５７８４０−３８−７］）。
【０１０４】
酸拡散制御剤（Ｃ１）：Ｎ，Ｎ−ジエチルアニリン。
【０１０５】
比較例１（本発明のものではない）：式Ｔ（Ｈ）０．６３Ｔ（ｍ２）０．３７［式中、繰り返し単位Ｔ（Ｈ）はＨＳＱ樹脂１に由来し、繰り返し単位Ｔ（ｍ２）はＨＳＱ樹脂１及びモノマーＭ２に由来する。］の、本発明のものではないシルセスキオキサン樹脂の合成。１リットル（Ｌ）の三つ口フラスコに、５００グラム（ｇ）のＨＳＱ樹脂１（トルエン中に２０ｗｔ％、１．８９モル）、モノマーＭ２（１３５．６ｇ、０．６９８モル）、及びＰｔ触媒（０．０８１ｇ、２４ｗｔ％のＰｔを含有）を添加した。得られた混合物を加熱し、窒素ガス雰囲気下で３時間還流させて、比較例１のシルセスキオキサン樹脂の加熱混合物を得た。所望する場合、加熱混合物を冷却し、０．２マイクロメートル（μｍ）のポリ（テトラフルオロエチレン）フィルターで濾過して、比較例１のシルセスキオキサン樹脂の、２０ｗｔ％の濾過済みＰＧＭＥＡ溶液を得てよい。
【０１０６】
比較例１ａ：式Ｔ（Ｈ）０．５５Ｔ（ｍ２）０．３７Ｔ（ＯＨ）０．０７Ｑ０．０１のシルセスキオキサン樹脂の合成。四捨五入により、下付き文字の合計は１．００にはならない。比較例１の混合物を冷却し、トルエンをＰＧＭＥＡで交換し、２０ｗｔ％のＰＧＭＥＡ溶液を得た。次に、ＰＧＭＥＡ溶液を０．２μｍのフィルターで濾過して、濾過済みＰＧＭＥＡ溶液を得た。ＧＰＣ：Ｍｗ＝６，５１０、ＰＤＩ＝２．５３。２９Ｓｉ−ＮＭＲスペクトルは、Ｓｉのｗｔ％＝２２．５ｗｔ％に一致した。
【０１０７】
比較例２（本発明のものではない）：式Ｔ（Ｈ）０．６３Ｔ（ｍ３）０．３７［式中、繰り返し単位Ｔ（Ｈ）はＨＳＱ樹脂１に由来し、繰り返し単位（Ｔｍ３）は式−ＣＨ２ＣＨ２ＣＯ２Ｃ（ＣＨ３）３のものであり、ＨＳＱ樹脂１及びモノマーＭ３に由来する。］の、本発明のものではないシルセスキオキサン樹脂の合成の試み。モノマーＭ１の代わりにモノマーＭ３を使用したことを除いて、比較例１の手順を再現した。モノマーＭ３がヒドロシリル化条件下で不安定であり、比較例２のシルセスキオキサン樹脂が酸解離性基を含有しなかったことが判明したため、この手順では、式Ｔ（Ｈ）０．６３Ｔ（ｍ３）０．３７のシルセスキオキサン樹脂を得ることに失敗した。
【０１０８】
実施例１：式Ｔ（Ｈ）０．６５Ｔ（ｍ１）０．３５［式中、繰り返し単位Ｔ（Ｈ）はＨＳＱ樹脂１に由来し、繰り返し単位Ｔ（ｍ１）はＨＳＱ樹脂１及びモノマーＭ１に由来する。］のシルセスキオキサン樹脂（Ａ−１）の合成。１リットル（Ｌ）の三つ口フラスコに、５００ｇのＨＳＱ樹脂１（トルエン中に２０ｗｔ％、１．８９モル）、モノマーＭ１（９４．１ｇ、０．６６モル）、及びＰｔ触媒（０．０８１ｇ、２４ｗｔ％のＰｔを含有）を添加した。得られた混合物を加熱し、窒素ガス雰囲気下で１２時間還流させて、シルセスキオキサン樹脂（Ａ−１）の加熱混合物を得た。所望する場合、加熱混合物を冷却し、０．２μｍのフィルタで濾過して、２０ｗｔ％のシルセスキオキサン樹脂（Ａ−１）の、濾過済みＰＧＭＥＡ溶液を得てよい。
【０１０９】
実施例１ａ：式Ｔ（Ｈ）０．５９Ｔ（ｍ１）０．３５Ｔ（ＯＨ）０．０５Ｑ０．０１のシルセスキオキサン樹脂（Ａ−１ａ）の合成。実施例１の混合物を水で処理して冷却し、トルエンをＰＧＭＥＡで交換し、２０ｗｔ％のＰＧＭＥＡ溶液を得た。次に、ＰＧＭＥＡ溶液を０．２μｍのフィルターで濾過して、２０ｗｔ％のシルセスキオキサン樹脂（Ａ−１ａ）の、濾過済みＰＧＭＥＡ溶液を得た。ＧＰＣ：Ｍｗ＝１３，２００、ＰＤＩ＝３．８９。２９Ｓｉ−ＮＭＲスペクトルは、Ｓｉのｗｔ％＝２７．４ｗｔ％に一致した。
【０１１０】
実施例２：式Ｔ（Ｈ）０．６５Ｔ（ｍ１）０．２５Ｔ（ｍ２）０．１０［式中、繰り返し単位Ｔ（Ｈ）はＨＳＱ樹脂１に由来し、繰り返し単位Ｔ（ｍ１）はＨＳＱ樹脂１及びモノマーＭ１に由来し、繰り返し単位Ｔ（ｍ２）はＨＳＱ樹脂１及びモノマーＭ２に由来する。］のシルセスキオキサン樹脂（Ａ−２）の合成。異なる量のモノマーＭ１（６７．２ｇ、０．４７モル）を使用し、追加のモノマーであるモノマーＭ２（３６．７ｇ、０．１９モル）もまた使用して、シルセスキオキサン樹脂（Ａ−１）の加熱混合物を得たことを除いて、実施例１の手順を再現した。所望する場合、加熱混合物を冷却し、０．２μｍのフィルターで濾過して、２０ｗｔ％のシルセスキオキサン樹脂（Ａ−２）の、濾過済みＰＧＭＥＡ溶液を得てよい。
【０１１１】
実施例２ａ：式Ｔ（Ｈ）０．６０Ｔ（ｍ１）０．２５Ｔ（ｍ２）０．１０Ｔ（ＯＨ）０．０４Ｑ０．０１のシルセスキオキサン樹脂（Ａ−２ａ）の合成。実施例１ａの手順を再現し、２０ｗｔ％のシルセスキオキサン樹脂（Ａ−２ａ）の、濾過済みＰＧＭＥＡ溶液を得た。ＧＰＣ：Ｍｗ＝１４，４００、ＰＤＩ＝３．９９。２９Ｓｉ−ＮＭＲスペクトルは、Ｓｉのｗｔ％＝２６．１ｗｔ％に一致した。
【０１１２】
実施例３：式Ｔ（Ｈ）０．６５Ｔ（ｍ１）０．１５Ｔ（ｍ２）０．２０［式中、繰り返し単位Ｔ（Ｈ）はＨＳＱ樹脂１に由来し、繰り返し単位Ｔ（ｍ１）はＨＳＱ樹脂１及びモノマーＭ１に由来し、繰り返し単位Ｔ（ｍ２）はＨＳＱ樹脂１及びモノマーＭ２に由来する。］のシルセスキオキサン樹脂（Ａ−３）の合成。異なる量のモノマーＭ１（４０．３ｇ、０．２８モル）を使用し、追加のモノマーであるモノマーＭ２（７３．１ｇ、０．３７８モル）もまた使用して、シルセスキオキサン樹脂（Ａ−１）の加熱混合物を得たことを除いて、実施例１の手順を再現した。所望する場合、加熱混合物を冷却し、０．２μｍのフィルターで濾過して、２０ｗｔ％のシルセスキオキサン樹脂（Ａ−３）の、濾過済みＰＧＭＥＡ溶液を得てよい。
【０１１３】
実施例３ａ：式Ｔ（Ｈ）０．５６Ｔ（ｍ１）０．１５Ｔ（ｍ２）０．２０Ｔ（ＯＨ）０．０８Ｑ０．０１のシルセスキオキサン樹脂（Ａ−３ａ）の合成。実施例１ａの手順を再現し、２０ｗｔ％のシルセスキオキサン樹脂（Ａ−３ａ）の、濾過済みＰＧＭＥＡ溶液を得た。ＧＰＣ：Ｍｗ＝８，８３０、ＰＤＩ＝３．０６。２９Ｓｉ−ＮＭＲスペクトルは、Ｓｉのｗｔ％＝２４．９ｗｔ％に一致した。
【０１１４】
実施例Ａ：膜形成及びエッチング。別の実験において、実施例２ａ及び３ａにおける最終的な樹脂溶液を、０．２マイクロメートルのポリ（テトラフルオロエチレン）フィルターで濾過した後、得られた濾液を、Ｋａｒｌ  Ｓｕｓｓ  ＣＴ６２スピンコーター（全て、特に断りのない限り、スピン速度＝２０００毎分回転数（ｒｐｍ）、加速速度＝５０００、時間＝２０秒）を用いて、シリコンウエハ（直径が１５．２センチメートル（６インチ））上にスピンコーティングし、各々、シリコンウエハ上にスピンコーティングした膜を含む、コーティングされた物品を得た。窒素ガスをパージしながら、急速熱処理（ＲＴＰ）オーブンを使用して、コーティングされた物品（膜）を１２０℃で６０秒間プリペークした。得られたプリベーク膜の厚さを、Ｊ．Ａ．Ｗｏｏｌｌａｍ  Ｅｌｌｉｐｓｏｍｅｔｅｒを使用して測定し、９回の測定の平均として記録した。その後、コーティングされた物品をエッチングチャンバ（圧力＝１６ミリトール（ｍＴ、０．００２１キロパスカル（ｋＰａ）、電力＝５００〜３０ワット（Ｗ）、ガス：８０  Ｎ２／５  Ｏ２）に配置し、コーティングしたウエハを酸素プラズマエッチングに通した。エッチング後の膜の厚さを測定し、開始時の厚さに対する厚さの減少を測定した。オングストローム（Å）での厚さの減少を、下表１にまとめている。更に、有機ノボラック樹脂（０ｗｔ％のＳｉ；有機ハードマスク：ＯＨＭ）を、本発明のものではない比較のエッチング参照として使用した。
【０１１５】
【表１】
0006989532.tif 000006
【０１１６】
比較例１、並びに実施例２ａ及び３ａで調製した膜について、６００秒後の）、１秒当たりのオングストロームで示すエッチング速度（Å／ｓ）、及び有機ノボラック樹脂に対する対応する選択性を計算し、下表２に示す。
【０１１７】
【表２】
0006989532.tif 000007
【０１１８】
表１及び２のデータに示されるように、本発明の技術的解決策は、エッチングに耐性があり、エッチングマスク組成物で使用するのに好適な、又はエッチングマスク組成物として使用するのに好適なシルセスキオキサン樹脂を提供する。本発明のシルセスキオキサン樹脂を使用して、本発明の組成物を作製することができる。本発明のシルセスキオキサン樹脂又は組成物を使用して、エッチングマスク層を形成することができる。シルセスキオキサン樹脂の実施形態は、２３ｗｔ％より多いケイ素含有量を達成し、これは、２２．５ｗｔ％のケイ素含有量を有する本発明のものではない比較例より優れていた。比較例１（「比較例１」）を、モノマーＭ１ではなくモノマーＭ２を用いて作製する。
【０１１９】
実施例Ｂ１、Ｂ２、及びＢ３（予想実施例）：化学増幅型フォトレジスト組成物の調製。３つの別々の実験において、黄色光の下で、光酸発生剤（Ｂ１−１）を、異なる２０ｗｔ％の、実施例１、２、又は３の濾過済みＰＧＭＥＡ溶液のアリコートと混合し、３種類の混合物を得る。実施例１、２、又は３のシルセスキオキサン樹脂１００部当たり、１．００部の光酸発生剤（Ｂ１−１）を使用する。３種類の混合物を各々ＰＧＭＥＡで希釈して、それぞれ、化学増幅型フォトレジスト組成物Ｂ１、Ｂ２、又はＢ３を得る。各組成物は、１６ｗｔ％の、実施例１、２、又は３のシルセスキオキサン樹脂、及びＰＧＭＥＡ中の光酸発生剤（Ｂ１−１）を含有する。
【０１２０】
実施例Ｂ１ａ、Ｂ２ａ、及びＢ３ａ（予想実施例）：化学増幅型フォトレジスト組成物の調製。３つの別々の実験において、２０ｗｔ％の、実施例１、２、又は３の濾過済みＰＧＭＥＡ溶液の代わりに、２０ｗｔ％の、実施例１ａ、２ａ、又は３ａの濾過済みＰＧＭＥＡ溶液を使用することを除いて、実施例Ｂ１、Ｂ２、及びＢ３の手順を再現し、それぞれ化学増幅型フォトレジスト組成物Ｂ１ａ、Ｂ２ａ、又はＢ３ａを得る。各組成物は、１６ｗｔ％の、実施例１ａ、２ａ、又は３ａのシルセスキオキサン樹脂、及びＰＧＭＥＡ中の光酸発生剤（Ｂ１−１）を含有する。
【０１２１】
実施例Ｂ１−１、Ｂ２−１、及びＢ３−１（予想実施例）：測定量の酸拡散制御剤（Ｃ１）を、実施例Ｂ１、Ｂ２、及びＢ３の組成物の各々に添加し、それぞれ化学増幅型フォトレジスト組成物Ｂ１−１、Ｂ２−１、及びＢ３−１を得る。各組成物は、全てＰＧＭＥＡ中において、１６ｗｔ％の、実施例１、２、又は３のシルセスキオキサン樹脂、光酸発生剤（Ｂ１−１）、及び、シルセスキオキサン樹脂１００部当たり０．１０部の、酸拡散制御剤（Ｃ１）を含有する。
【０１２２】
実施例Ｂ１−１ａ、Ｂ２−１ａ、及びＢ３−１ａ（予想実施例）：化学増幅型フォトレジスト組成物の調製。３つの別々の実験において、２０ｗｔ％の実施例Ｂ１、Ｂ２、又はＢ３の濾過済みＰＧＭＥＡ溶液の代わりに、２０ｗｔ％の、実施例Ｂ１ａ、Ｂ２ａ、又はＢ３ａの濾過済みＰＧＭＥＡ溶液を使用することを除いて、実施例Ｂ１−１、Ｂ２−１、及びＢ３−１の手順を再現し、それぞれ化学増幅型フォトレジスト組成物Ｂ１−１ａ、Ｂ２−１ａ、又はＢ３−１ａを得る。各組成物は、全てＰＧＭＥＡ中において、１６ｗｔ％の、実施例１ａ、２ａ、又は３ａのシルセスキオキサン樹脂、光酸発生剤（Ｂ１−１）、及び、シルセスキオキサン樹脂１００部当たり０．１０部の、酸拡散制御剤（Ｃ１）を含有する。
【０１２３】
実施例Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ１−１、Ｃ２−１、及びＣ３−１（予想実施例）：レジストコーティングしたウエハの調製。６つの別々の実験において、実施例Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ１−１、Ｂ２−１、又はＢ３−１の化学増幅型フォトレジスト組成物を、０．１０μｍのポリテトラフルオロエチレンフィルターで濾過して対応する濾液を得、その濾液を、ベアシリコンウエハの異なる１つの上にスピンコーティングして、それぞれ、実施例Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ１−１、Ｃ２−１、又はＣ３−１の、レジストコーティングしたウエハを得る。（「ベア」とは、下層を含有せず、下塗り剤で前処理されなかったシリコンウエハを意味する。）各レジストコーティングしたウエハは、ウエハ上に直接配設されたレジスト層を含んだ。各レジスト層は、５，０００オングストローム（Å）の厚さを有した。
【０１２４】
実施例Ｃ１ａ、Ｃ２ａ、Ｃ３ａ、Ｃ１−１ａ、Ｃ２−１ａ、及びＣ３−１ａ（予想実施例）：レジストコーティングしたウエハの調製。６つの別々の実験において、実施例Ｂ１ａ、Ｂ２ａ、Ｂ３ａ、Ｂ１−１ａ、Ｂ２−１ａ、又はＢ３−１ａの化学増幅型フォトレジスト組成物を、０．１０μｍのポリテトラフルオロエチレンフィルターで濾過して対応する濾液を得、その濾液を、ベアシリコンウエハの異なる１つの上にスピンコーティングして、それぞれ、実施例Ｃ１ａ、Ｃ２ａ、Ｃ３ａ、Ｃ１−１ａ、Ｃ２−１ａ、又はＣ３−１ａのレジストコーティングしたウエハを得る。（「ベア」とは、下層を含有せず、下塗り剤で前処理されなかったシリコンウエハを意味する。）各レジストコーティングしたウエハは、ウエハ上に直接配設されたレジスト層を含んだ。各レジスト層は、５，０００オングストローム（Å）の厚さを有した。
【０１２５】
実施例Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ１−１、Ｄ２−１、及びＤ３−１（予想実施例）：ソフトベークしたレジストの調製。６つの別々の実験において、実施例Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ１−１、Ｃ２−１、又はＣ３−１のレジストコーティングしたウエハを、６０秒間１００℃の温度で加熱した後冷却し、それぞれ、実施例Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ１−１、Ｄ２−１、及びＤ３−１のソフトベークしたレジストを得る。
【０１２６】
実施例Ｄ１ａ、Ｄ２ａ、Ｄ３ａ、Ｄ１−１ａ、Ｄ２−１ａ、及びＤ３−１ａ（予想実施例）：ソフトベークしたレジストの調製。６つの別々の実験において、実施例Ｃ１ａ、Ｃ２ａ、Ｃ３ａ、Ｃ１−１ａ、Ｃ２−１ａ、又はＣ３−１ａのレジストコーティングしたウエハを、６０秒間１００℃の温度で加熱した後冷却し、それぞれ、実施例Ｄ１ａ、Ｄ２ａ、Ｄ３ａ、Ｄ１−１ａ、Ｄ２−１ａ、及びＤ３−１ａのソフトベークしたレジストを得る。
【０１２７】
実施例Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３、Ｅ１−１、Ｅ２−１、及びＥ３−１（予想実施例）：マスク照射レジストの調製。６つの別々の実験において、実施例Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ１−１、Ｄ２−１、又はＤ３−１のソフトベークしたレジストをマスクアライナー内に配置し、３０ミリジュール毎平方センチメートル（表面積）（ｍＪ／ｃｍ２）の最適化された照射線量（Ｅｏｐ）を使用して、バイナリーフォトマスク及びＫｒＦスキャナのＡＳＭＬ  ＰＡＳ５５００／８５０Ｄを通し、常套的な照明を使用して、ソフトベークしたレジストを２４８ｎｍの放射線で露光し、それぞれ、実施例Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３、Ｅ１−１、Ｅ２−１、及びＥ３−１のマスク照射レジストを得る。
【０１２８】
実施例Ｅ１ａ、Ｅ２ａ、Ｅ３ａ、Ｅ１−１ａ、Ｅ２−１ａ、及びＥ３−１ａ（予想実施例）：マスク照射レジストの調製。６つの別々の実験において、実施例Ｄ１ａ、Ｄ２ａ、Ｄ３ａ、Ｄ１−１ａ、Ｄ２−１ａ、又はＤ３−１ａのソフトベークしたレジストをマスクアライナー内に配置し、３０ミリジュール毎平方センチメートル（表面積）（ｍＪ／ｃｍ２）の最適化された照射線量（Ｅｏｐ）を使用して、バイナリーフォトマスク及びＫｒＦスキャナのＡＳＭＬ  ＰＡＳ５５００／８５０Ｄを通し、常套的な照明を使用して、ソフトベークしたレジストを２４８ｎｍの放射線に露光し、それぞれ、実施例Ｅ１ａ、Ｅ２ａ、Ｅ３ａ、Ｅ１−１ａ、Ｅ２−１ａ、及びＥ３−１ａのマスク照射レジストを得る。
【０１２９】
実施例Ｆ１、Ｆ２、Ｆ３、Ｆ１−１、Ｆ２−１、及びＦ３−１（予想実施例）：露光後ベークレジストの調製。６つの別々の実験において、実施例Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３、Ｅ１−１、Ｅ２−１、又はＥ３−１のマスク照射ウエハを、６０秒間１００℃の温度で加熱した後冷却し、それぞれ、実施例Ｆ１、Ｆ２、Ｆ３、Ｆ１−１、Ｆ２−１、及びＦ３−１の露光後ベークレジストを得る。
【０１３０】
実施例Ｆ１ａ、Ｆ２ａ、Ｆ３ａ、Ｆ１−１ａ、Ｆ２−１ａ、及びＦ３−１ａ（予想実施例）：露光後ベークレジストの調製。６つの別々の実験において、実施例Ｅ１ａ、Ｅ２ａ、Ｅ３ａ、Ｅ１−１ａ、Ｅ２−１ａ、又はＥ３−１ａのマスク照射ウエハを、６０秒間１００℃の温度で加熱した後冷却し、それぞれ、実施例Ｆ１ａ、Ｆ２ａ、Ｆ３ａ、Ｆ１−１ａ、Ｆ２−１ａ、及びＦ３−１ａの露光後ベークレジストを得る。
【０１３１】
実施例Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ１−１、Ｇ２−１、及びＧ３−１（予想実施例）：現像レジストの調製。６つの別々の実験において、プレウェットを行わずにシングルパドルプロセス（ｓｉｎｇｌｅ  ｐｕｄｄｌｅ  ｐｒｏｃｅｓｓ）を用いて行い、２．４ｗｔ％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（ＴＭＡＨ）中に６０秒間、２５℃の温度で浸漬することにより、実施例Ｆ１、Ｆ２、Ｆ３、Ｆ１−１、Ｆ２−１、又はＦ３−１の露光後ベークレジストを現像し、得られる現像レジストをＴＭＡＨ水溶液から取り出し、それぞれ実施例Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ１−１、Ｇ２−１、及びＧ３−１の現像レジストを得る。現像レジストは、５マイクロメートル（μｍ）の結果（ｒｅｓｕｌｔ）を含むレジストパターン又は像を含有すると予想される。脱イオン水で現像レジストを洗い流し、残留するＴＭＡＨを除去し、洗い流したレジストを乾燥させて、それぞれ実施例Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ１−１、Ｇ２−１、及びＧ３−１の、清浄な現像レジストを得る。
【０１３２】
実施例Ｇ１ａ、Ｇ２ａ、Ｇ３ａ、Ｇ１−１ａ、Ｇ２−１ａ、及びＧ３−１ａ（予想実施例）：現像レジストの調製。６つの別々の実験において、プレウェットを行わずにシングルパドルプロセスを用いて行い、２．４ｗｔ％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（ＴＭＡＨ）中に６０秒間、２５℃の温度で浸漬することにより、実施例Ｆ１ａ、Ｆ２ａ、Ｆ３ａ、Ｆ１−１ａ、Ｆ２−１ａ、又はＦ３−１ａの露光後ベークレジストを現像し、得られる現像レジストをＴＭＡＨ水溶液から取り出し、それぞれ実施例Ｇ１ａ、Ｇ２ａ、Ｇ３ａ、Ｇ１−１ａ、Ｇ２−１ａ、及びＧ３−１ａの現像レジストを得る。現像レジストは、５マイクロメートル（μｍ）の結果（ｒｅｓｕｌｔ）を含むレジストパターン又は像を含有すると予想される。脱イオン水で現像レジストを洗い流し、残留するＴＭＡＨを除去し、洗い流したレジストを乾燥させて、それぞれ実施例Ｇ１ａ、Ｇ２ａ、Ｇ３ａ、Ｇ１−１ａ、Ｇ２−１ａ、及びＧ３−１ａの、清浄な現像レジストを得る。
【０１３３】
実施例Ｈ１、Ｈ２、Ｈ３、Ｈ１−１、Ｈ２−１、及びＨ３−１（予想実施例）：イメージングしたレジスト。６つの別々の実験において、ＦＥ−ＳＥＭ（日立製作所モデル番号４７００）を使用して、実施例Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ１−１、Ｇ２−１、及びＧ３−１の清浄な現像レジストをイメージングして、レジストの断面プロファイルを得、クリティカルディメンション走査型電子顕微鏡（ＣＤ−ＳＥＭ：日立製作所モデル番号９３８０）でプロファイルを調べ、それぞれＨ１、Ｈ２、Ｈ３、Ｈ１−１、Ｈ２−１、及びＨ３−１のイメージングしたレジストを得る。所望する場合、異なるＥｏｐにおいてであることを除いて、実施例「Ｅ」を再現し、実施例「Ｆ」、「Ｇ」、及び「Ｈ」に記載のとおり再現したマスク照射レジストを加工し、最適エネルギー（Ｅｏｐ）における単位変化当たりのクリティカルディメンション（ＣＤ）の変化としての、マスク照射線量応答性を評価する。
【０１３４】
実施例Ｈ１ａ、Ｈ２ａ、Ｈ３ａ、Ｈ１−１ａ、Ｈ２−１ａ、及びＨ３−１ａ（予想実施例）：イメージングしたレジスト。６つの別々の実験において、ＦＥ−ＳＥＭ（日立製作所モデル番号４７００）を使用して、実施例Ｇ１ａ、Ｇ２ａ、Ｇ３ａ、Ｇ１−１ａ、Ｇ２−１ａ、及びＧ３−１ａの清浄な現像レジストをイメージングして、レジストの断面プロファイルを得、クリティカルディメンション走査型電子顕微鏡（ＣＤ−ＳＥＭ：日立製作所モデル番号９３８０）でプロファイルを調べ、それぞれＨ１ａ、Ｈ２ａ、Ｈ３ａ、Ｈ１−１ａ、Ｈ２−１ａ、及びＨ３−１ａのイメージングしたレジストを得る。所望する場合、異なるＥｏｐにおいてであることを除いて、実施例「Ｅ」ａを再現し、実施例「Ｆ」ａ、「Ｇ」ａ、及び「Ｈ」ａに記載のとおり再現したマスク照射レジストを加工し、最適エネルギー（Ｅｏｐ）における単位変化当たりのクリティカルディメンション（ＣＤ）の変化としての、マスク照射線量応答性を評価する。
【０１３５】
モノマーＭ１は、酸解離性基を有する単位（すなわち、Ｔ（ｍ１）単位）を作製するのに使用可能な、最小の分子量を有するモノマーであるという点で独自のものである。モノマーＭ３はモノマーＭ１より炭素原子１個分小さいが、モノマーＭ３はヒドロシリル化の際に異性化し、酸解離性基を有する単位をもたらさない（すなわち、Ｔ（ｍ３）単位をもたらさない）が、代わりにＴ（ｍ３異性体）単位をもたらす。更に、モノマーＭ２から作製したＴ（ｍ２）単位は、モノマーＭ１から作製したＴ（ｍ１）単位よりも多くのＣ原子を有し、それ故、Ｍ２から作製したＴ（Ｈ）Ｔ（ｍ２）含有樹脂は、モノマーＭ１から作製した単位を有するＴ（Ｈ）Ｔ（ｍ１）含有樹脂よりも、酸解離性基を有する単位の所与の濃度に関して、高いＣ％、ひいては低いＳｉ％を有する。有益にも、モノマーＭ１から作製した単位を有するＴ（Ｈ）Ｔ（ｍ１）含有樹脂が、酸解離性基単位の所与の濃度に関して、最も低いＣ含有量（炭素含有量）、ひいては望ましく、最も高いＳｉ％含有量を有する。
【０１３６】
実施例Ｉ１、及びＩ２、Ｉ３、及びＩ４において、ＮＢ＝ｔ−ブチルエステルノルボルネン（ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５−カルボン酸−２−イル１，１−ジメチルエチルエステル）である。
【０１３７】
実施例Ｉ１：式Ｔ（Ｈ）０．６５０Ｔ（ＮＢ）０．３００Ｔ（ＰＥＯ）０．０５０のシルセスキオキサン樹脂（Ａ−３）の合成。２５０ｍＬのフラスコに、１００ｇのＴ（Ｈ）０．７０Ｔ（ＮＢ）０．３０（Ｍｗ＝８７００）（トルエン中に３０％）、４．３ｇのアリルメチル末端官能性ポリエチレングリコール（ＭＷ＝３５０）、及び少量のＰｔ触媒を添加した。混合物を８０℃で６時間撹拌し、固体支持体を用いてＰｔ触媒を取り除いた。最終的な溶液をＰＧＭＥＡで溶媒交換した後、０．２ｍｍフィルターで濾過し、希釈してＰＧＭＥＡ中の２０％溶液にした。ＧＰＣ（ＰＳ基準）：Ｍｗ＝１０，６００、ＰＤＩ＝２．９５、Ｓｉ％＝２２．２％（２９Ｓｉ−ＮＭＲによる）。
【０１３８】
実施例Ｉ２：Ｔ（Ｈ）０．６５６Ｔ（Ｍ２）０．３００Ｔ（ＰＰＯ）０．０４４の合成。２５０ｍＬのフラスコに、１００ｇのＴ（Ｈ）０．７０Ｔ（ＮＢ）０．３０（Ｍｗ＝８７００）（トルエン中に３０％）、３．０ｇのアリルメチル末端官能性ポリプロピレングリコール（ＭＷ＝２５０）、及び少量のＰｔ触媒を添加した。混合物を８０℃で６時間撹拌し、固体支持体を用いてＰｔ触媒を取り除いた。最終的な溶液をＰＧＭＥＡで溶媒交換した後、０．２ｍｍフィルターで濾過し、希釈してＰＧＭＥＡ中の２０％溶液にした。ＧＰＣ（ＰＳ基準）：Ｍｗ＝９，６７０、ＰＤＩ＝２．８２、Ｓｉ％＝２３．８％（２９Ｓｉ−ＮＭＲによる）。
【０１３９】
実施例Ｉ３：Ｔ（Ｈ）０．６８５Ｔ（ＮＢ）０．３００Ｔ［（ＥＯ）１０（ＰＯ）４］０．０１５の合成。２５０ｍＬのフラスコに、１００ｇのＴ（Ｈ）０．７０Ｔ（ＮＢ）０．３０（Ｍｗ＝８７００）（トルエン中に３０％）、３．０ｇのアリルメチル末端官能性ポリ（プロピレン／エチレン）グリコール（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２Ｏ［（ＥＯ）１０（ＰＯ）４］−Ｍｅ、ＭＷ＝７４０）、及び少量のＰｔ触媒を添加した。混合物を８０Ｃで６時間撹拌し、固体支持体を用いてＰｔ触媒を取り除いた。最終的な溶液をＰＧＭＥＡで溶媒交換した後、０．２ｍｍフィルターで濾過し、希釈してＰＧＭＥＡ中の２０％溶液にした。ＧＰＣ（ＰＳ基準）：Ｍｗ＝１１，３００、ＰＤＩ＝３．０８、Ｓｉ％＝２２．９％（２９Ｓｉ−ＮＭＲによる）。
【０１４０】
実施例Ｉ４：Ｔ（Ｈ）０．６５Ｔ（ＮＢ）０．３０Ｔ（ＥＳ）０．０５の合成。１Ｌの三つ口フラスコに、ＨＳＱ樹脂（５００．０ｇ、トルエン中に２０％、１．８９モル）、ｔ−ブチルエステルノルボルネン（１１０．０ｇ、０．５７モル）、アリルメチルエステル（９．５ｇ、０．０９５モル）、及びＰｔ触媒（０．０８１ｇ、２４％のＰｔを含有）を添加した。混合物を窒素下にて１２時間、加熱還流させた。反応の完了後、溶液をＰＧＭＥＡに溶媒交換した。次に、最終的な溶液を０．２ｍｍフィルターで濾過し、ＰＧＭＥＡ中の２０％溶液とした。ＧＰＣ（ＰＳ基準）：Ｍｗ＝７，８８０、ＰＤＩ＝２．７７、Ｓｉ％＝２５．９％（２９Ｓｉ−ＮＭＲによる）。
【０１４１】
以下の特許請求の範囲は、参照により本明細書に組み込まれ、用語「請求項」（単数及び複数）はそれぞれ用語「態様」（単数及び複数）に置き換えられる。本発明の実施形態は、これらの得られた番号付けされた態様も包含する。
（態様）
（態様１）
式（Ｉ）：［ＨＳｉＯ３／２］ｈ［Ｒ１ＳｉＯ３／２］ｂ［Ｒ２ＳｉＯ３／２］ｎ［Ｒ３ＳｉＯ３／２］ｖ［ＨＯＳｉＯ３／２］ｏ［ＳｉＯ４／２］ｑ（Ｉ）［式中、下付き文字ｈは０．３０〜０．９０のモル分率であり、各Ｒ１は独立して、式−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＯ２Ｃ（Ｒ１ａ）３、又は−ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２ＣＯ２Ｃ（Ｒ１ａ）３［式中、各Ｒ１ａは独立して、非置換（Ｃ１〜Ｃ２）アルキルである。］であり、下付き文字ｂは０〜０．４８のモル分率であり、各Ｒ２は独立して、ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５−カルボン酸−２−イル１，１−ジメチルエチルエステル、又はビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５−カルボン酸−３−イル１，１−ジメチルエチルエステルであり、下付き文字ｎは０〜０．３５のモル分率であり、（ｂ＋ｎ）の和は０より大きく、各Ｒ３は独立して、ポリエーテル基又はエステル基であり、下付き文字ｖは０〜０．１５のモル分率であり、下付き文字ｏは０〜０．３０のモル分率であり、下付き文字ｑは０〜０．１のモル分率であり、（ｈ＋ｏ＋ｑ）の和は０．５２〜０．９０であり、（ｂ＋ｎ＋ｖ＋ｏ＋ｑ）の和は０．１０〜０．４８である。］のシルセスキオキサン樹脂。
（態様２）
下付き文字ｈが０．４０〜０．９０である、態様１に記載のシルセスキオキサン樹脂。
（態様３）
下付き文字ｖが０である、態様１又は２に記載のシルセスキオキサン樹脂。
（態様４）
下付き文字ｏが０であるか、下付き文字ｑが０であるか、又は下付き文字ｏ及び下付き文字ｑの両方が０である、態様１〜３のいずれか一項に記載のシルセスキオキサン樹脂。
（態様５）
下付き文字ｏが＞０〜０．３０以下であるか、下付き文字ｑが＞０〜０．１０以下であるか、又は、下付き文字ｏが＞０〜０．３０以下であり、下付き文字ｑが＞０〜０．１０である、態様１〜３のいずれか１つに記載のシルセスキオキサン樹脂。
（態様６）
下付き文字ｏが０．０１〜０．１０であり、下付き文字ｑが０．００５〜０．０２である、態様１〜３、又は態様５のいずれか１つに記載のシルセスキオキサン樹脂。
（態様７）
下付き文字ｎが０であり、下付き文字ｖが０である、態様１〜６のいずれか一項に記載のシルセスキオキサン樹脂。
（態様８）
下付き文字ｂが０．１１〜０．４０であるか、又は、各Ｒ１が式−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＯ２Ｃ（ＣＨ３）３若しくは−ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２ＣＯ２Ｃ（ＣＨ３）３であるか、又は、下付き文字ｂが０．１１〜０．４０であり、各Ｒ１が式−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＯ２Ｃ（ＣＨ３）３若しくは−ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２ＣＯ２Ｃ（ＣＨ３）３である、態様１〜７のいずれか一項に記載のシルセスキオキサン樹脂。
（態様９）
各Ｒ１が独立して、式−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＯ２Ｃ（ＣＨ３）３である、態様１〜８のいずれか一項に記載のシルセスキオキサン樹脂。
（態様１０）
２３．０重量パーセント（ｗｔ％）〜４２ｗｔ％のケイ素原子含有量を有する、態様１〜９のいずれか一項に記載のシルセスキオキサン樹脂。
（態様１１）
態様１〜１０のいずれか一項に記載のシルセスキオキサン樹脂の作製方法であって、前記式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂を得るために、ヒドロシリル化反応触媒の存在下で、式［ＨＳｉＯ３／２］のハイドロジェンシルセスキオキサン樹脂を、有効相対量の３
−ブテン酸１，１−ジメチルエチルエステル、及び任意選択的に、ノルボルネン−５−カルボン酸１，１−ジメチルエチルエステル（下付き文字ｎが＞０〜０．３５以下である場合）、及び／又は４−ビニル−１，３−ジオキソラン−２−オン（式（Ｉ）の下付き文字ｖが＞０〜０．１５以下である場合）と接触させること、を含む、方法。
（態様１２）
前記接触させることは、炭化水素溶媒又はハロ炭化水素溶媒を更に含む、態様１１に記載の作製方法。
（態様１３）
前記炭化水素溶媒又はハロ炭化水素溶媒を１，２−プロピレングリコールモノメチルエーテルモノアセテート（ＰＧＭＥＡ）で交換して、ＰＧＭＥＡ中で前記式（Ｉ）のシルセスキオキサン樹脂の混合物を得る、態様１２に記載の作製方法。
（態様１４）
構成成分（Ａ）及び（Ｂ）［但し、（Ａ）態様１〜１０のいずれか一項に記載のシルセスキオキサン樹脂、及び（Ｂ）少なくとも１種の追加の構成成分］を含む、組成物。
（態様１５）
態様１〜１０のいずれか一項に記載のシルセスキオキサン樹脂又は態様１４に記載の組成物、及び基板を含む、製造品。
（態様１６）
前記ポリエーテル基は、式
−（ＣＨ２）ａ［Ｏ（ＣＲ２）ｂ］ｃＯＲ’
［式中、ａ＝２〜１２であり、ｂ＝２〜６であり、ｃ＝２〜２００であり、ＲはＨ、又は炭化水素基（例えばメチル基若しくはエチル基）であり、Ｒ’はＨ、メチル基、エチル基、Ｃ（Ｏ）Ｍｅ、又は他の有機基である。］を有する有機置換基である、態様１に記載のシルセスキオキサン樹脂。
（態様１７）
前記ポリエーテル基は、
−（ＣＨ２）３−Ｏ（ＥＯ）６−ＯＨ、
−（ＣＨ２）３−Ｏ（ＥＯ）６−ＯＭｅ、
−（ＣＨ２）３−Ｏ（ＥＯ）６−ＯＡｃ、
−（ＣＨ２）３−Ｏ（ＰＯ）６−ＯＨ、
−（ＣＨ２）３−Ｏ（ＰＯ）６−ＯＭｅ、
−（ＣＨ２）３−Ｏ（ＰＯ）６−ＯＡｃ、
−（ＣＨ２）３−Ｏ［（ＥＯ）１２（ＰＯ）４］−ＯＨ、
−（ＣＨ２）３−Ｏ［（ＥＯ）１２（ＰＯ）４］−ＯＭｅ、
−（ＣＨ２）３−Ｏ［（ＥＯ）１２（ＰＯ）４］−ＯＡｃ、又は
【化１】
0006989532.tif 000008
［式中、ＥＯは−（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）−であり、ＰＯは−（ＣＨＭｅＣＨ２Ｏ）−であり、Ｍｅはメチルであり、Ａｃはアセチルである。］である、態様１に記載のシルセスキオキサン樹脂。
（態様１８）
前記エステル基は、
−ＣＨ２ＣＨ２−Ｃ（Ｏ）−ＯＭｅ、
−ＣＨ２ＣＨ２−Ｏ−Ｃ（Ｏ）Ｍｅ、
【化２】
0006989532.tif 000009
（１，３−ジオキソラン−２−オン−４−イル）エチル、
【化３】
0006989532.tif 000010
（ジヒドロ−フラン−２−オン）エチル、又は
【化４】
0006989532.tif 000011
（ジヒドロ−フラン−２，５−ジオン）エチルである、態様１に記載のシルセスキオキサン樹脂。