【手続補正書】
【提出日】平成29年4月7日(2017.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フッ素、フッ化物イオン、及びフッ化物含有化合物のうちの少なくとも１つの存在下で非線形光学結晶を成長させることと、
前記非線形光学結晶を機械的に調製することと、
前記非線形光学結晶にアニーリングプロセスを実施することと、
前記非線形光学結晶を不動態化ガスに曝露することと、を含む、
非線形光学結晶の欠陥を不動態化するための方法。
【請求項２】
フッ素、フッ化物イオン、及びフッ化物含有分子のうちの少なくとも１つの存在下で非線形光学結晶を前記成長させることが、
フッ素、フッ化物イオン、及びフッ化物含有分子のうちの少なくとも１つの存在下で１つ以上のホウ酸系化合物を含む非線形光学結晶を成長させることを含む、請求項１に記載の前記方法。
【請求項３】
フッ素、フッ化物イオン、及びフッ化物含有分子のうちの少なくとも１つの存在下で１つ以上のホウ酸系化合物を含む非線形光学結晶を前記成長させることが、
フッ素、フッ化物イオン、及びフッ化物含有分子のうちの少なくとも１つの存在下でベータホウ酸バリウム（ＢＢＯ）、三ホウ酸リチウム（ＬＢＯ）、四ホウ酸リチウム（ＬＴＢ）、ホウ酸セシウムリチウム（ＣＬＢＯ）、及びホウ酸セシウム（ＣＢＯ）の少なくとも１つを含む非線形光学結晶を成長させることを含む、請求項２に記載の前記方法。
【請求項４】
フッ素、フッ化物イオン、及びフッ化物含有分子のうちの少なくとも１つの存在下で非線形光学結晶を前記成長させることが、
フッ素、フッ化物イオン、及びフッ化物含有化合物のうちの少なくとも１つを含む液体中で非線形光学結晶を成長させることを含む、請求項１に記載の前記方法。
【請求項５】
フッ素、フッ化物イオン、及びフッ化物含有分子のうちの少なくとも１つの存在下で非線形光学結晶を前記成長させることが、
フッ素、フッ化物イオン、及びフッ化物含有化合物のうちの少なくとも１つを含む融液及び溶液の少なくとも１つから非線形光学結晶を成長させることを含む、請求項４に記載の前記方法。
【請求項６】
フッ素、フッ化物イオン、及びフッ化物含有化合物のうちの少なくとも１つを含む液体中で非線形光学結晶を前記成長させることが、
フッ素、フッ化物イオン、及びフッ化物含有化合物のうちの少なくとも１つを含む液体中で非線形光学結晶を成長させることであって、前記液体中の前記フッ素、フッ素イオン、及びフッ素含有化合物のうちの前記少なくとも１つの濃度が、前記液体の５〜２０％のホウ素濃度である、成長させることを含む、請求項４に記載の前記方法。
【請求項７】
フッ素、フッ化物イオン、及びフッ化物含有化合物のうちの少なくとも１つを含む液体中で非線形光学結晶を前記成長させることが、
フッ化リチウムを含む液体中で非線形光学結晶を成長させること、又はフッ素、フッ化物イオン、及びフッ化物含有化合物のうちの少なくとも１つを含む液体中で非線形光学結晶を成長させるために前記液体を撹拌することを含む、請求項４に記載の前記方法。
【請求項８】
前記非線形光学結晶を前記機械的に調製することが、
前記非線形結晶を切断して、選択された形状、選択された寸法、及び選択された結晶方位のうちの少なくとも１つを達成すること、又は前記非線形結晶を研磨することを含む、請求項１に記載の前記方法。
【請求項９】
前記ＮＬＯ結晶にアニーリングプロセスを前記実施することが、
前記非線形光学結晶の選択された温度を前記非線形光学結晶の融解温度未満に到達させることと、
前記非線形光学結晶を前記選択された温度で維持することと、を含む、
請求項１に記載の前記方法。
【請求項１０】
前記非線形光学結晶の選択された温度を前記非線形光学結晶の融解温度未満に前記到達させることが、
前記非線形光学結晶の温度を前記選択された温度に増加させること、又は
前記非線形光学結晶の温度を１つ以上の中間温度に増加させることと、
１つ以上の選択された期間にわたり前記非線形光学結晶を前記１つ以上の中間温度で維持することと、
前記非線形光学結晶の温度を前記選択された温度に増加させることと、を含む、
請求項９に記載の前記方法。
【請求項１１】
前記選択された温度が、約２００〜４００℃の範囲である、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記ＮＬＯ結晶にアニーリングプロセスを前記実施することが、
１つ以上の不活性ガスの存在下で前記非線形光学結晶にアニーリングプロセスを実施することを含む、請求項１に記載の前記方法。
【請求項１３】
前記ＮＬＯ結晶を不動態化ガスに前記露曝することが、
前記ＮＬＯ結晶を、選択された濃度の水素、重水素、水素含有化合物、及び重水素含有化合物のうちの少なくとも１つを含む不動態化ガスに曝露することを含む、請求項１に記載の前記方法。
【請求項１４】
前記ＮＬＯ結晶を、選択された濃度の水素、重水素、水素含有化合物、及び重水素含有化合物のうちの少なくとも１つを含む不動態化ガスに前記露曝することが、
前記ＮＬＯ結晶を、選択された濃度で１つ以上の不活性ガスと混合された水素、重水素、水素含有化合物、及び重水素含有化合物のうちの少なくとも１つを含む不動態化ガスに曝露することを含む、請求項１３に記載の前記方法。
【請求項１５】
前記非線形光学結晶を選択された速度でアニーリング温度から周囲温度に低下させることをさらに含む、請求項１に記載の前記方法。
【請求項１６】
１つ以上の選択された吸収帯を用いて前記ＮＬＯ結晶の不動態化の程度を監視することをさらに含む、請求項１に記載の前記方法。
【請求項１７】
１つ以上の選択された吸収帯を用いて前記ＮＬＯ結晶の不動態化の程度を前記監視することが、
赤外線スペクトル範囲、可視スペクトル範囲、及び紫外線スペクトル範囲のうちの少なくとも１つの範囲内の１つ以上の選択された吸収帯を用いて前記ＮＬＯ結晶の不動態化の程度を監視することを含む、請求項１６に記載の前記方法。
【請求項１８】
１つ以上の選択された吸収帯を用いて前記ＮＬＯ結晶の不動態化の程度を前記監視することが、
前記ＮＬＯ結晶中の豊富なＯＨ結合を表す前記１つ以上の選択された吸収帯の１つ以上の特性を測定することにより前記ＮＬＯ結晶の不動態化の程度を監視することを含む、請求項１６に記載の前記方法。
【請求項１９】
１つ以上の選択された吸収帯を用いて前記ＮＬＯ結晶の水含有量を監視することをさらに含む、請求項１に記載の前記方法。
【請求項２０】
１つ以上の選択された吸収帯を用いて前記ＮＬＯ結晶の水含有量を前記監視することが、
赤外線スペクトル範囲、可視スペクトル範囲、及び紫外線スペクトル範囲のうちの少なくとも１つの範囲内の１つ以上の選択された吸収帯を用いて前記ＮＬＯ結晶の水含有量を監視すること、又は前記ＮＬＯ結晶中の豊富なＯＨ結合を表す前記１つ以上の選択された吸収帯の１つ以上の特性を測定することにより前記ＮＬＯ結晶の水含有量を監視することを含む、請求項１９に記載の前記方法。
【請求項２１】
フッ素、フッ化物イオン、及びフッ化物含有化合物のうちの少なくとも１つの存在下でホウ酸系非線形光学結晶を成長させるように構成された結晶成長装置と、
前記結晶成長装置から受容された前記非線形光学結晶を機械的に調製するように構成された機械的調製台と、
不動態化システムであって、
不動態化ガスを含有するように構成された露曝チャンバであって、前記チャンバ内で前記不動態化ガスに露曝するために前記非線形光学結晶を含有するようにさらに構成される、露曝チャンバと、
前記露曝チャンバに流体的に連結され、かつ前記露曝チャンバの内部に前記不動態化ガスを供給するように構成された不動態化ガス源と、
前記露曝チャンバ内に配置され、かつ前記露曝チャンバ内に前記非線形光学結晶を固定するように構成されたアニーリング台であって、前記非線形光学結晶の温度を制御するように構成された１つ以上の熱制御要素を含む、アニーリング台と、を含む、不動態化システムと、を備える、
非線形光学結晶の結晶欠陥を不動態化するためのシステム。
【請求項２２】
前記結晶成長装置で成長した前記ホウ酸系非線形光学結晶が、
ベータホウ酸バリウム（ＢＢＯ）、三ホウ酸リチウム（ＬＢＯ）、四ホウ酸リチウム（ＬＴＢ）、ホウ酸セシウムリチウム（ＣＬＢＯ）、及びホウ酸セシウム（ＣＢＯ）のうちの少なくとも１つを含む、請求項２１に記載の前記システム。
【請求項２３】
前記結晶成長装置が、フッ素、フッ化物イオン、及びフッ化物含有化合物のうちの少なくとも１つを含有する液体から前記ホウ酸系非線形光学結晶を成長させて、ホウ酸系非線形光学結晶を形成するように構成される、請求項２１に記載の前記システム。
【請求項２４】
前記結晶成長装置が、
フッ素、フッ化物イオン、及びフッ化物含有化合物のうちの少なくとも１つを含有する液体を撹拌して、ホウ酸系非線形光学結晶を形成するための撹拌ユニットを含む、請求項２３に記載の前記システム。
【請求項２５】
前記機械的調製台が、
結晶切断ユニット、又は結晶研磨機を含む、請求項２１に記載の前記システム。
【請求項２６】
前記アニーリング台の前記１つ以上の熱制御要素が、前記ホウ酸系ＮＬＯ結晶を３００〜３５０℃の範囲の温度に加熱するように構成される、請求項２１に記載の前記システム。
【請求項２７】
前記不動態化ガスが、
水素、重水素、水素含有化合物、及び重水素含有化合物のうちの少なくとも１つを含む、請求項２１に記載の前記システム。
【請求項２８】
前記不動態化ガスが、
低分子量の水素化合物を含む、請求項２７に記載の前記システム。
【請求項２９】
前記不動態化ガスが、
Ｈ２、Ｄ２、ＮＨ３、及びＣＨ４のうちの少なくとも１つを含む、請求項２８に記載の前記システム。
【請求項３０】
前記不動態化ガスが、
選択された濃度で不活性ガスと混合された水素、重水素、水素含有化合物、及び重水素系化合物のうちの少なくとも１つを含む、請求項２７に記載の前記システム。
【請求項３１】
前記不動態化ガスの水素、重水素、前記水素含有化合物、及び前記重水素含有化合物のうちの前記少なくとも１つの前記選択された濃度が５〜１０％の範囲である、請求項３０に記載の前記システム。
【請求項３２】
前記不動態化システムが、
前記不動態化ガス源と前記露曝チャンバとの間に流体的に接続された流量コントローラであって、前記露曝チャンバへの前記水素含有不動態化ガスの流量を制御するように構成される、流量コントローラを含む、請求項２１に記載の前記システム。
【請求項３３】
前記不動態化システムが、
前記流量コントローラに通信可能に連結され、かつ制御命令を前記流量コントローラに伝送するように構成されたコンピュータコントローラを含む、請求項３２に記載の前記システム。
【請求項３４】
試料台と、
前記試料台上に配置された１つ以上の試料の表面の一部を照射するように構成されたレーザシステムであって、
フッ素またはフッ化物イオンの存在下で成長した少なくとも１つの不動態化及びアニーリングされた非線形光学結晶であって、水含有量を選択されたレベル未満に確立するのに十分な程度にアニーリングされ、選択された不動態化レベルを確立するのに十分な程度に不動態化される、非線形光学結晶と、
選択された波長の光を生成するように構成された少なくとも１つの光源であって、前記非線形光学結晶を通して光を伝送するように構成される、少なくとも１つの光源と、
前記非線形光学結晶を収容するように構成された結晶収容ユニットと、を備える、レーザシステムと、
前記試料の表面から反射、散乱、または発光された照射の少なくとも一部を受光するように構成された検出器と、
前記検出器に通信可能に連結されたコンピュータコントローラであって、前記検出器により受光される照射の少なくとも一部に関する情報を取得するように構成され、前記検出器により受光された照射の少なくとも一部に関する情報を用いて前記試料の少なくとも１つの欠陥の存在または不在を決定するようにさらに構成される、コンピュータコントローラとを備える、１つ以上の試料を光学的に検査するためのシステム。
【請求項３５】
前記レーザの前記非線形光学結晶が、赤外線スペクトル範囲、可視スペクトル範囲、及び紫外線スペクトル範囲のうちの少なくとも１つの範囲内に１つ以上の吸収帯を示し、前記１つ以上の吸収帯の１つ以上の特性が、前記非線形光学結晶内のＯＨ結合の数の関数である、請求項３４に記載の前記システム。
【請求項３６】
前記レーザが、約１９３〜２６６ｎｍの範囲内の１つ以上の波長で動作する、請求項３４に記載の前記システム。
【請求項３７】
前記レーザシステムが、少なくとも１つのダイオード励起固体（ＤＰＳＳ）源を有する少なくとも１つのレーザ、又は少なくとも１つのファイバＩＲ源を有する少なくとも１つのレーザを含む、請求項３４に記載の前記システム。
【請求項３８】
前記システムが、暗視野検査又は明視野検査を実施するように構成される、請求項３４に記載の前記システム。
【請求項３９】
前記試料が、パターン化されていないウェーハ、パターン化されたウェーハ、或いはレチクルまたはフォトマスクのうちの少なくとも１つを含む、請求項３４に記載の前記システム。
【請求項４０】
前記レーザシステムからの照射を照射経路に沿って前記試料の表面に指向するように構成された１つ以上の照射光学部品、又は前記試料の表面から反射された照射を検出経路に沿って前記検出器に指向するように構成された１つ以上の収集光学部品をさらに備える、請求項３４に記載の前記システム。