(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板上にゲート電極となるパターン化されたポリシリコン膜を形成した後、前記シリコン基板の表面部における前記ポリシリコン膜の両側にソース領域又はドレイン領域となる不純物拡散層を形成すると共に前記シリコン基板上における前記ポリシリコン膜の側面に第１の絶縁膜からなるサイドウォールを形成する工程と、
前記ポリシリコン膜の表面部を除去することにより、前記サイドウォールに挟まれた前記ポリシリコン膜の上面を前記サイドウォールより低く形成する工程と、
前記ポリシリコン膜及び前記不純物拡散層の各表面部にコバルトシリサイド層を形成する工程と、
前記ポリシリコン膜の前記コバルトシリサイド層の上面、前記サイドウォールの露出した表面、並びに前記不純物拡散層の前記コバルトシリサイド層の上面に沿って第２の絶縁膜からなるライナー膜を形成する工程と、
前記ライナー膜の上に層間絶縁膜を堆積する工程と、
前記層間絶縁膜及び前記ライナー膜に対して選択的にエッチングを行なって、前記不純物拡散層の前記コバルトシリサイド層を露出させるコンタクトホールを形成する工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記不純物拡散層は、前記ポリシリコン膜をマスクとして低濃度の不純物をイオン注入した後、前記ポリシリコン膜及び前記サイドウォールをマスクとして高濃度の不純物をイオン注入することにより形成されたＬＤＤ構造を有していることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記コバルトシリサイド層を形成する工程は、
前記ポリシリコン膜及び前記不純物拡散層の上にコバルト膜を堆積する工程と、
前記シリコン基板に対して相対的に低い温度の第１の熱処理を施して、前記コバルト膜と前記ポリシリコン膜及び前記不純物拡散層とを反応させることにより、前記ポリシリコン膜及び前記不純物拡散層の各表面部にＣｏ2Ｓｉ層又はＣｏＳｉ層を形成する工程と、
前記Ｃｏ2Ｓｉ層又はＣｏＳｉ層の上にシリコン膜を堆積する工程と、
前記シリコン基板に対して相対的に高い温度の第２の熱処理を施して、前記シリコン膜と前記Ｃｏ2Ｓｉ層又はＣｏＳｉ層とを反応させて、前記ポリシリコン膜及び前記不純物拡散層の各表面部にＣｏＳｉ2層を形成する工程とを含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板上に形成されているシリコン層の表面部、例えば、ポリシリコン膜からなるゲート電極の表面部又はシリコン基板上に形成されている不純物拡散層の表面部にコバルトシリサイド層を形成する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年の半導体素子の微細化に伴って半導体集積回路装置においては、種々の問題が発生し、例えば、コンタクト抵抗又は不純物拡散層抵抗の増加に伴って、信号の遅延時間が増大するという問題、及び、アライメントずれにより、不純物拡散層と接続するコンタクトとゲート電極とが導通してしまうという問題などが挙げられる。
【０００３】
前者の問題を解決する方法として、例えば特開平７−８６５５９号公報に示されるように、ＭＯＳ型トランジスタにおけるゲート電極、又はソース領域又はドレイン領域となる不純物拡散層の表面部にコバルトシリサイド層を形成するサリサイドプロセスが提案されている。
【０００４】
以下、第１の従来例として、特開平７−８６５５９号公報に示されているサリサイドプロセスについて説明する。すなわち、シリコン基板上に、ポリシリコン膜からなるゲート電極、及びソース領域又はドレイン領域となる不純物拡散層を形成した後、シリコン基板上に全面に亘ってコバルト膜及びチタン膜を順次堆積し、その後、熱処理を施して、コバルト膜及びチタン膜と、ポリシリコン膜又は不純物拡散層とを反応させることにより、ゲート電極及び不純物拡散層の表面部にコバルトシリサイド層を形成する。尚、コバルト膜の上にチタン膜を堆積する理由は、コバルトシリサイド層の表面エネルギーを下げることにより、コバルトシリサイド層の表面部における凝集を防止するためである。
【０００５】
このように、ゲート電極及び不純物拡散層の表面部にコバルトシリサイド層を形成すると、コンタクト抵抗及び不純物拡散層抵抗の増加を抑制できるので、半導体集積回路装置の高速化を図ることができる。
【０００６】
また、後者の問題を解決するためには、自己整合コンタクト（ＳＡＣ）が提案されている。すなわち、半導体素子の微細化に対応するため、ゲート電極の上面及び側面にシリコン酸化膜からなる絶縁膜を形成しておいてから該絶縁膜の上に全面に亘ってライナー膜を堆積した後、ライナー膜の上にシリコン酸化膜からなる層間絶縁膜を堆積し、その後、層間絶縁膜にソース領域又はドレイン領域となる不純物拡散層と接続するコンタクトホールを形成する。この方法によると、コンタクトホールが部分的にゲート電極の上に形成されても、ゲート電極の上に絶縁膜が存在しているので、コンタクトホールに埋め込まれる金属膜とゲート電極とが導通することはない。
【０００７】
ところが、自己整合コンタクトを実現するためには、ゲート電極の上に絶縁膜及びライナー膜を堆積しなければならないため、自己整合コンタクトを形成するときには、ゲート電極の表面部をシリサイド化できないという問題がある。
【０００８】
そこで、特開平９−２８９２４９号公報においては、自己整合コンタクトとサリサイドプロセスとの調整を図る方法が提案されている。
【０００９】
以下、第２の従来例として、特開平９−２８９２４９号公報に示されているサリサイドプロセスについて説明する。すなわち、ゲート電極の上面に第１のオフセット酸化膜を形成した後、ゲート電極及び第１のオフセット酸化膜の側面にサイドウォールを形成し、その後、第１のオフセット酸化膜を除去してゲート電極を露出させると共にサイドウォールの内側に凹部を形成する。次に、全面に亘ってコバルト膜を堆積した後、熱処理を施して、ゲート電極及び不純物拡散層の表面部にコバルトシリサイド層を形成する。次に、ゲート電極上のコバルトシリサイド層の上に凹部が埋め込まれるように第２のオフセット酸化膜を形成した後、全面に亘ってライナー膜及び層間絶縁膜を順次堆積し、その後、層間絶縁膜にソース領域又はドレイン領域となる不純物拡散層と接続するコンタクトホールを形成する。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、第１の従来例に係るサリサイドプロセスによると、コバルト膜を構成するＣｏ原子と、ゲート電極となるポリシリコン膜又はソース領域若しくはドレイン領域となるシリコン基板の不純物拡散層（以下、ポリシリコン膜と不純物拡散層とをまとめてシリコン層と称する。）を構成するＳｉ原子とが反応してコバルトシリサイド層が形成される過程において、シリコン層の表面位置（上面位置）が基板深さ方向に大きく下がるという第１の問題が発生する。これは、コバルト膜を構成するＣｏ原子と、シリコン層とを構成するＳｉ原子とが反応してコバルトシリサイド層が形成される際に、シリコン層のＳｉ原子が多量に消費されるので、シリコン層の表面位置が基板深さ方向に大きく移動してしまうからである。
【００１１】
このため、コバルトシリサイド層が形成された後のシリコン層の厚さを確保しようとすると、コバルトシリサイド層を形成する前のシリコン層の厚さを大きくしなければならないので、浅いｐｎ接合が得られなくなって微細化を実現できなくなってしまうという問題がある。一方、浅いｐｎ接合を得ようとすると、シリコン層の表面位置が基板深さ方向に下がり、シリコン層の厚さが低減してしまう結果、接合リークが発生してしまうという問題がある。
【００１２】
また、第２の従来例に係るサリサイドプロセスによると、ゲート電極の表面部にシリサイド層を形成することと、ソース領域及びドレイン領域に自己整合コンタクトを形成することとの両立を図ることはできる。しかしながら、第１のオフセット酸化膜及びサイドウォールを形成した後、第１のオフセット酸化膜を除去してサイドウォールの内側に凹部を形成し、次に、コバルトシリサイド層を形成した後、第２のオフセット酸化膜を形成し、その後、ライナー膜及び層間絶縁膜を堆積するため、工程数が極めて多くなるという問題がある。
【００１３】
前記に鑑み、本発明は、コバルトシリサイドを形成しても、シリコン層の表面位置が基板深さ方向に大きく移動しないようにすることを第１の目的とし、工程数の増加を招くことなくシリサイド層の形成と自己整合コンタクトの形成との両立を図ることを第２の目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
（第１の解決原理）
前記の第１の目的を達成するため、本件発明者らは、コバルト膜を構成するＣｏ原子と、シリコン層とを構成するＳｉ原子とが反応してコバルトシリサイド層が形成されるメカニズムについて検討を行なった結果、以下に説明する第１の解決原理を見出した。
【００１５】
Ｃｏ原子とＳｉ原子とが反応してコバルトシリサイド（正確には、モノコバルトダイシリサイドであるが、以下の説明においては便宜上、コバルトシリサイドと称する。）が形成されるメカニズムは、熱力学的に考えると、Ｃｏ２Ｓｉ（ダイコバルトモノシリサイド）→ＣｏＳｉ（モノコバルトモノシリサイド）→ＣｏＳｉ２  （モノコバルトダイシリサイド）の反応が進むことである。
【００１６】
また、コバルト膜、シリコン層、Ｃｏ２Ｓｉ層、ＣｏＳｉ層及びＣｏＳｉ２層のモル体積（ｃｍ３  ／ｍｏｌ）は、それぞれ、６．６２、１２．０４、１３．１、１９．７及び２３．３である。
【００１７】
シリコン層の上にコバルト膜を堆積した後、温度を順次上げている急速熱処理（ＲＴＡ）を施すと、例えば４００℃の温度下においては、２Ｃｏ＋Ｓｉ→Ｃｏ２Ｓｉ  に示す第１の反応が起きる。第１の反応が起きる過程においては、第１の反応に寄与するコバルト膜の体積を１とすると、第１の反応に寄与するシリコン層の体積は０．９１であり、得られるＣｏ２Ｓｉ  層の体積は１．４９である。
【００１８】
次に、例えば５００℃の温度下においては、Ｃｏ２Ｓｉ＋Ｓｉ→２ＣｏＳｉ  に示す第２の反応が起きる。第２の反応が起きる過程においては、前述した第１の反応に寄与するコバルト膜の体積を１としたときには、第２の反応に寄与するＣｏ２Ｓｉ  層の体積は１．４９であり、第２の反応に寄与するシリコン層の体積は０．９１であり、得られるＣｏＳｉ層の体積は１．９８である。
【００１９】
次に、例えば８００℃の温度下においては、ＣｏＳｉ＋Ｓｉ→ＣｏＳｉ２  に示す第３の反応が起きる。第３の反応が起きる過程においては、前述した第１の反応に寄与するコバルト膜の体積を１としたときには、第３の反応に寄与するＣｏＳｉ層の体積は１．９８であり、第３の反応に寄与するシリコン膜の体積は１．８２であり、得られるＣｏＳｉ２  層の体積は３．５４である。
【００２０】
以上の説明から分かるように、第１の反応に寄与するコバルト膜の体積を１とすると、第１の反応では０．９１の体積のシリコン層が消費され、第２の反応では０．９１の体積のシリコン層が消費され、第３の反応では１．８２の体積のシリコン層が消費される。
【００２１】
図９（ａ）〜（ｄ）は、Ｃｏ原子とＳｉ原子とが反応してＣｏＳｉ２  が生成される過程におけるコバルト膜とシリコン層との界面の位置（シリコン層の表面の高さ位置）を示しており、図９（ａ）は第１の反応が起きる前の状態を示し、図９（ｂ）は第１の反応が起きた後の状態を示し、図９（ｃ）は第２の反応が起きた後の状態を示し、図９（ｄ）は第３の反応が起きた後の状態を示しており、図９（ａ）〜（ｄ）においては、Ｃｏ原子とＳｉ原子とが反応する前のシリコン層の界面位置を０に設定している。
【００２２】
図９（ａ）〜（ｄ）から分かるように、第１の反応が起きた後には、シリコン層の界面位置は０．９１下がり、第２の反応が起きた後には、シリコン層の界面位置は１．８２下がり、第３の反応が起きた後には、シリコン層の界面位置は３．５４下がっている。
【００２３】
本件発明者らは、以上の反応メカニズムを検討した結果、Ｃｏ原子とＳｉ原子とが反応してＣｏＳｉ２  が形成される途中の段階、つまりＣｏ２Ｓｉ又はＣｏＳｉが形成された段階で、Ｃｏ２Ｓｉ層又はＣｏＳｉ層の表面にシリコン膜を堆積しておいてから熱処理を行なってＣｏＳｉ２  層を形成すれば、Ｃｏ２Ｓｉ  層又はＣｏＳｉ層のＣｏ原子がシリコン膜のＳｉ原子と反応するので、基板側のシリコン層のＳｉ原子の消費を抑制することができるという知見を得たものである。以下、このようにすると、シリコン層の界面位置が基板深さ方向に移動する事態を抑制できる理由について説明する。尚、Ｃｏ２Ｓｉ  →ＣｏＳｉ→ＣｏＳｉ２  の反応は熱処理時の温度の上昇に基づいて進行するので、熱処理時の温度を制御することにより、Ｃｏ２Ｓｉ又はＣｏＳｉが形成された段階で反応を停止することは可能である。
（１）以下、Ｃｏ２Ｓｉ層が形成された段階で、Ｃｏ２Ｓｉ層の表面にＳｉ膜を堆積し、しかる後、高温の熱処理を行なってＣｏＳｉ２  を形成するときの反応メカニズムについて説明する。
【００２４】
図１（ａ）〜（ｄ）は、Ｃｏ原子とＳｉ原子とが反応してＣｏＳｉ２  が生成される過程におけるシリコン層の界面位置を示しており、図１（ａ）はコバルト膜を堆積したときの状態を示し、図１（ｂ）はＣｏ２Ｓｉ  層が形成されたときの状態を示し、図１（ｃ）はＣｏ２Ｓｉ  層の上にシリコン膜を堆積したときの状態を示し、図１（ｄ）はＣｏＳｉ２  層が形成されたときの状態を示している。図１（ａ）〜（ｄ）においては、Ｃｏ原子とＳｉ原子とが反応する前のシリコン層の界面位置を０に設定していると共に、コバルト膜の表面高さを１．００に設定している。尚、コバルト膜、シリコン膜（シリコン層）、Ｃｏ２Ｓｉ層及びＣｏＳｉ２層のモル体積（ｃｍ３  ／ｍｏｌ）は前述のとおりである。
【００２５】
まず、図１（ａ）に示すように、シリコン層の上にコバルト膜を堆積した後、例えば４００℃の第１の熱処理を施すと、Ｓｉ原子とＣｏ原子とが反応して、図１（ｂ）に示すようにＣｏ２Ｓｉ  層が形成される。この場合、コバルト膜の体積を１とすると、従来と同様、得られるＣｏ２Ｓｉ  層の体積は１．４９である（前述の第１の反応を参照）。従って、図１（ａ）と図１（ｂ）との対比から分かるように、Ｃｏ２Ｓｉ  層が形成されたときには、シリコン層の界面位置は０．９１下がっていると共に、Ｃｏ２Ｓｉ  層の表面高さは０．５８である。
【００２６】
次に、例えばＣＶＤ法により、図１（ｃ）に示すように、Ｃｏ２Ｓｉ  層の上に２．７３の高さを有するシリコン膜を堆積した後、例えば８００℃の第２の熱処理を施すと、図１（ｄ）に示すようにＣｏＳｉ２  層が形成される。このときの反応式はＣｏ２Ｓｉ  ＋３Ｓｉ→２ＣｏＳｉ２  であるから、体積が１．４９のＣｏ２  Ｓｉ層と、体積が２．７３のシリコン膜とが反応して、３．５４の体積のＣｏＳｉ２  層が得られる。つまり、シリコン層の界面位置は−０．９１のままであると共に、ＣｏＳｉ２  層の表面高さは３．２１である。尚、シリコン膜の体積（膜厚）は必ずしも２．７３でなくてもよいが、シリコン膜の膜厚が２．７３以上であると、Ｃｏ２Ｓｉ  ＋３Ｓｉ→２ＣｏＳｉ２  の反応が過不足なく起きるので好ましい。
【００２７】
図１（ｄ）と図９（ｄ）との対比から分かるように、シリコン層の界面位置は従来に比べて２．６３上がっていると共に、ＣｏＳｉ２  層の表面高さも従来に比べて大きく上がっている。
（２）以下、ＣｏＳｉ層が形成された段階で、ＣｏＳｉ層の表面にＳｉ膜を堆積し、しかる後、高温の熱処理を行なってＣｏＳｉ２  を形成するときの反応メカニズムについて説明する。
【００２８】
図２（ａ）〜（ｄ）は、Ｃｏ原子とＳｉ原子とが反応してＣｏＳｉ２  が生成される過程におけるシリコン層の界面位置を示しており、図２（ａ）はコバルト膜を堆積したときの状態を示し、図２（ｂ）はＣｏＳｉ層が形成されたときの状態を示し、図２（ｃ）はＣｏＳｉ層の上にシリコン膜を堆積したときの状態を示し、図２（ｄ）はＣｏＳｉ２  層が形成されたときの状態を示している。図２（ａ）〜（ｄ）においては、Ｃｏ原子とＳｉ原子とが反応する前のシリコン層の界面位置を０に設定していると共に、コバルト膜の表面高さを１．００に設定している。尚、コバルト膜、シリコン膜（シリコン層）、ＣｏＳｉ層及びＣｏＳｉ２  層のモル体積（ｃｍ３  ／ｍｏｌ）は前述のとおりである。
【００２９】
まず、図２（ａ）に示すように、シリコン層の上にコバルト膜を堆積した後、例えば５００℃の第１の熱処理を施すと、Ｓｉ原子とＣｏ原子とが反応して、図２（ｂ）に示すようにＣｏＳｉ層が形成される。この場合、コバルト膜の体積を１とすると、従来と同様、得られるＣｏＳｉ層の体積は１．９８である（前述の第２の反応を参照）。従って、図２（ａ）と図２（ｂ）との対比から分かるように、ＣｏＳｉ層が形成されたときには、シリコン層の界面位置は１．８２下がっていると共に、ＣｏＳｉ層の表面高さは０．１６である。
【００３０】
次に、例えばＣＶＤ法により、図２（ｃ）に示すように、ＣｏＳｉ層の上に１．８２の高さを有するシリコン膜を堆積した後、例えば８００℃の第２の熱処理を施すと、図２（ｄ）に示すようにＣｏＳｉ２  層が形成される。このときの反応式は、ＣｏＳｉ＋Ｓｉ→ＣｏＳｉ２  であるから、体積が１．９８のＣｏＳｉ層と、体積が１．８２のシリコン膜とが反応して、３．５４の体積のＣｏＳｉ２  層が得られる。つまり、シリコン層の界面位置は−１．８２のままであると共に、ＣｏＳｉ２  層の表面高さは１．７２である。尚、シリコン膜の膜厚は必ずしも１．８２でなくてもよいが、シリコン膜の膜厚が１．８２以上であると、ＣｏＳｉ＋Ｓｉ→ＣｏＳｉ２  の反応が過不足なく起きるので好ましい。
【００３１】
図２（ｄ）と図９（ｄ）との対比から分かるように、シリコン層の界面位置は従来に比べて１．７２上がっていると共に、ＣｏＳｉ２  層の表面高さも従来に比べて大きく上がっている。
（３）ここで、図１（ｃ）又は図２（ｃ）に示すように、ＣＶＤ法によりシリコン膜を堆積した後に、第２の熱処理を施してＣｏＳｉ２  層を形成する際には、基板側のシリコン層のＳｉ原子が殆ど消費されずに、堆積されたシリコン膜のＳｉ原子がもっぱら消費される理由について説明する。
【００３２】
基板側のシリコン層は単結晶であるのに対して、ＣＶＤ法に堆積されたシリコン膜は多結晶又はアモルファスである。つまり、基板側のシリコン層にはダングリングボンド（未結合手）が殆どないのに対して、ＣＶＤ法に堆積されたシリコン膜は、デフェクトリッチ（欠陥リッチ）であって、ダングリングボンドが多い。このため、Ｃｏ原子が堆積されたシリコン膜のＳｉ原子と結合する反応速度は、Ｃｏ原子が基板側のシリコン層のＳｉ原子と結合する反応速度に比べて比較できないぐらいに速いので、Ｃｏ２Ｓｉ  層又はＣｏＳｉ層を構成するＣｏ原子の大部分は、堆積されたシリコン膜のＳｉ原子と結合する。従って、基板側のシリコン層のＳｉ原子は殆ど消費されないので、シリコン層の界面位置は殆ど変化しないのである。
（４）ところで、第１の従来例に係るサリサイドプロセスによると、コバルト膜を構成するＣｏ原子とシリコン層を構成するＳｉ原子とが反応してコバルトシリサイド層が形成される過程においては、熱処理の温度が順次上昇していく。このため、Ｃｏ２Ｓｉ  層、ＣｏＳｉ層及びＣｏＳｉ２  層の表面エネルギーが、シリサイド層とシリコン層との界面での界面エネルギーよりも高くなっていき、これに伴って、反応過程においてＣｏ２Ｓｉ層、ＣｏＳｉ層及びＣｏＳｉ２  層の表面が凝集するので、最終的に形成されるＣｏＳｉ２  層の表面に亀裂又は凹凸が形成されてしまう。ＣｏＳｉ２  層の表面に亀裂又は凹凸が形成されると、コバルトシリサイド層に断線が発生し易くなるという問題がある。
【００３３】
ところが、前述のように、Ｃｏ２Ｓｉ  層又はＣｏＳｉ層の上にシリコン膜を堆積してから第２の熱処理を行なってＣｏＳｉ２  層を形成すると、ＣｏＳｉ２  層の表面に亀裂及び凹凸が形成され難くなる。すなわち、Ｃｏ２Ｓｉ  層又はＣｏＳｉ層の上にシリコン膜を堆積してから第２の熱処理つまり例えば８００℃の高温の熱処理を行なうと、Ｃｏ２Ｓｉ  層又はＣｏＳｉ層の表面が高温反応時に露出せず、Ｃｏ２Ｓｉ  層又はＣｏＳｉ層の表面部はシリコンリッチであるので、Ｃｏ２Ｓｉ  層又はＣｏＳｉ層の表面エネルギーは従来よりも低くなる。このため、Ｃｏ２Ｓｉ  層又はＣｏＳｉ層の表面において凝集が起こり難くなるので、亀裂及び凹凸の少ないＣｏＳｉ２  層を得ることができる。
【００３４】
第１の半導体装置の製造方法は、前述の第１の解決原理を具体化する発明であって、半導体基板上に形成されているシリコン層の上にコバルト膜を堆積する工程と、半導体基板に対して相対的に低い温度の第１の熱処理を施して、コバルト膜とシリコン層とを反応させることにより、シリコン層の少なくとも表面部にＣｏ２Ｓｉ  層又はＣｏＳｉ層を形成する工程と、Ｃｏ２Ｓｉ  層又はＣｏＳｉ層の上にシリコン膜を堆積する工程と、半導体基板に対して相対的に高い温度の第２の熱処理を施して、シリコン膜とＣｏ２Ｓｉ  層又はＣｏＳｉ層とを反応させて、シリコン層の少なくとも表面部にＣｏＳｉ２  層を形成する工程とを備えている。
【００３５】
第１の半導体装置の製造方法によると、Ｃｏ２Ｓｉ  層又はＣｏＳｉ層の上にシリコン膜を堆積した後、相対的に高い温度の第２の熱処理を施すため、Ｃｏ２Ｓｉ  層又はＣｏＳｉ層のＣｏ原子の大部分はシリコン膜のＳｉ原子と反応するので、シリコン層の界面位置が下方に殆ど移動することなくＣｏＳｉ２  層を形成することができる。
【００３６】
また、相対的に高い温度の第２の熱処理を施す際には、Ｃｏ２Ｓｉ  層又はＣｏＳｉ層の上にはシリコン膜が堆積されているため、Ｃｏ２Ｓｉ  層又はＣｏＳｉ層の表面部は高温反応時に露出しておらずシリコンリッチであるから、Ｃｏ２Ｓｉ  層又はＣｏＳｉ層の表面エネルギーは従来よりも低くなる。このため、Ｃｏ２Ｓｉ  層又はＣｏＳｉ層の表面において凝集が起こり難いので、亀裂及び凹凸の少ないＣｏＳｉ２  層を得ることができる。
【００３７】
第１の半導体装置の製造方法において、シリコン膜は、該シリコン膜のＳｉ原子とＣｏ２Ｓｉ  層又はＣｏＳｉ層のＣｏ原子とが過不足なく反応するような膜厚を有していることが好ましい。
【００３８】
このようにすると、シリコン層の界面位置が下方に移動する事態を確実に防止することができる。
【００３９】
シリコン膜が、該シリコン膜のＳｉ原子とＣｏ２Ｓｉ  層又はＣｏＳｉ層のＣｏ原子とが過不足なく反応するような膜厚を有している場合には、シリコン層は、電界効果型トランジスタのソース領域又はドレイン領域となる不純物拡散層であり、ＣｏＳｉ２  層は不純物拡散層の表面部に形成された電極であることが好ましい。
【００４０】
このようにすると、電界効果型トランジスタのソース領域又はドレイン領域となる不純物拡散層のＳｉ原子がコバルト膜のＣｏ原子と殆ど反応しないため、不純物拡散層の深さが基板側に殆ど移動しないので、エレベーテッド・ソース・ドレイン構造（Ｅｌｅｖａｔｅｄ  Ｓｏｕｒｃｅ−Ｄｒａｉｎ  、いわゆる積み上げ型ソース・ドレイン構造）を有するＭＯＳトランジスタ型を形成することができる。このため、寄生抵抗の増加を回避するべくソース領域又はドレイン領域となる不純物拡散層の表面部にコバルトシリサイド層を形成することと、短チャネル効果を防止するべく不純物拡散層の浅いｐｎ接合を得ることとの両立を、接合リーク電流の増加を招くことなく且つ新たな工程を追加することなく、実現することができる。
【００４１】
また、シリコン膜が、該シリコン膜のＳｉ原子とＣｏ２Ｓｉ  層又はＣｏＳｉ層のＣｏ原子とが過不足なく反応するような膜厚を有している場合には、シリコン層は、パターン化されたポリシリコン膜であり、ＣｏＳｉ２  層とポリシリコン膜とは、一体となって電界効果型トランジスタのゲート電極を構成していることが好ましい。
【００４２】
このようにすると、亀裂及び凹凸の少ないＣｏＳｉ２  層を形成することができるため、ＣｏＳｉ２  層とポリシリコン膜との積層体からなるゲート電極の低抵抗化を図ることができる。
【００４３】
また、シリコン膜が、該シリコン膜のＳｉ原子とＣｏ２Ｓｉ  層又はＣｏＳｉ層のＣｏ原子とが過不足なく反応するような膜厚を有している場合には、シリコン層は、電界効果型トランジスタのソース領域又はドレイン領域となる不純物拡散層と、パターン化されたポリシリコン膜とであり、ＣｏＳｉ２  層は、不純物拡散層の表面部に形成された電極であると共に、単独で前記電界効果型トランジスタのゲート電極を構成していることが好ましい。
【００４４】
このようにすると、ソース領域又はドレイン領域となる不純物拡散層の表面高さが基板側に殆ど移動しないため、エレベーテッド・ソース・ドレイン構造（Ｅｌを有すると共に、コバルトシリサイドからなるゲート電極を有するＭＯＳトランジスタ型を形成することができる。
【００４５】
（第２の解決原理）
前記の第２の目的を達成するため、本件発明者らは、第２の従来例に係るサリサイドプロセスについて検討を加えた結果、以下に説明する第２の解決原理を見出した。すなわち、第２の解決原理は、ゲート電極の上面に第１のオフセット酸化膜を形成した後、ゲート電極及び第１のオフセット酸化膜の側面にサイドウォールを形成し、その後、第１のオフセット酸化膜を除去することにより、ゲート電極の上面及びサイドウォールの内側に凹部を形成する代わりに、ゲート電極の側面にサイドウォールを形成した後、ゲート電極の表面部を除去することにより、ゲート電極の上面及びサイドウォールの内側に凹部を形成すると、第１のオフセット膜を堆積する工程が不要になること、及び、ゲート電極上のコバルトシリサイド層の上に第２のオフセット酸化膜を形成することなくライナー膜を堆積すると、凹部の内壁面に沿ってエッチングストッパーを堆積できるので、第２のオフセット酸化膜を堆積することなく自己整合コンタクトを実現できるというものである。
【００４６】
第２の半導体装置の製造方法は、前述の第２の解決原理を具体化する発明であって、シリコン基板上にゲート電極となるパターン化されたポリシリコン膜を形成した後、シリコン基板の表面部におけるポリシリコン膜の両側にソース領域又はドレイン領域となる不純物拡散層を形成すると共にシリコン基板上におけるポリシリコン膜の側面に絶縁膜からなるサイドウォールを形成する工程と、ポリシリコン膜の表面部を除去することにより、ポリシリコン膜の上で且つサイドウォールの内側に凹部を形成する工程と、ポリシリコン膜及び不純物拡散層の各表面部にコバルトシリサイド層を形成する工程と、ポリシリコン膜のコバルトシリサイド層の上面、サイドウォールの内壁面及び外壁面、並びに不純物拡散層のコバルトシリサイド層の上面に沿ってライナー膜を形成する工程と、ライナー膜の上に層間絶縁膜を堆積する工程と、層間絶縁膜及びライナー膜に対して選択的にエッチングを行なって、不純物拡散層のコバルトシリサイド層を露出させるコンタクトホールを形成する工程とを備えている。
【００４７】
第２の半導体装置の製造方法によると、ポリシリコン膜のコバルトシリサイド層の上面、サイドウォールの内壁面及び外壁面、並びに不純物拡散層のコバルトシリサイド層の上面に沿ってライナー膜を形成した後、該ライナー膜の上に層間絶縁膜を堆積するため、層間絶縁膜に形成されるコンタクトホールとゲート電極との間にエッチングストッパーが介在している。このため、コンタクトホールが位置ずれを起こしても、ゲート電極とコンタクトホールに埋め込まれる導電膜とが接続する事態を回避できるので、自己整合コンタクトを実現することができる。
【００４８】
また、ゲート電極となるポリシリコン膜の表面部を除去することにより、ポリシリコン膜の上で且つサイドウォールの内側に凹部を形成するため、第２の従来例では必要であった第１のオフセット酸化膜が不要になると共に、ポリシリコン膜のコバルトシリサイド層の上面、サイドウォールの内壁面及び外壁面、並びに不純物拡散層上のコバルトシリサイド層の上面に沿ってライナー膜を形成するため、第２の従来例では必要であった第２のオフセット酸化膜が不要になるので、自己整合コンタクトを工程数を削減しつつ実現することができる。
【００４９】
第２の半導体装置の製造方法において、不純物拡散層は、ポリシリコン膜をマスクとして低濃度の不純物をイオン注入した後、ポリシリコン膜及びサイドウォールをマスクとして高濃度の不純物をイオン注入することにより形成されたＬＤＤ構造を有していることが好ましい。
【００５０】
このようにすると、ＬＤＤ構造を形成するためのサイドウォールを、ポリシリコン膜のコバルトシリサイド層の上面、サイドウォールの内壁面及び外壁面、並びに不純物拡散層のコバルトシリサイド層の上面に沿って延びるライナー膜の形成に利用できるので、工程数の増加を伴うことなく、自己整合コンタクトを実現できる。
【００５１】
第２の半導体装置の製造方法において、コバルトシリサイド層を形成する工程は、ポリシリコン膜及び不純物拡散層の上にコバルト膜を堆積する工程と、シリコン基板に対して相対的に低い温度の第１の熱処理を施して、コバルト膜とポリシリコン膜及び不純物拡散層とを反応させることにより、ポリシリコン膜及び不純物拡散層の各表面部にＣｏ２Ｓｉ  層又はＣｏＳｉ層を形成する工程と、Ｃｏ２Ｓｉ  層又はＣｏＳｉ層の上にシリコン膜を堆積する工程と、シリコン基板に対して相対的に高い温度の第２の熱処理を施して、前記シリコン膜と前記Ｃｏ２Ｓｉ  層又はＣｏＳｉ層とを反応させて、ポリシリコン膜及び不純物拡散層の各表面部にＣｏＳｉ２  層を形成する工程とを含むことが好ましい。
【００５２】
このようにすると、第１の半導体装置の製造方法と同様、シリコン層の界面位置が下方に殆ど移動することなくＣｏＳｉ２  層を形成することができると共に、亀裂及び凹凸の少ないＣｏＳｉ２  層を得ることができる。
【００５３】
本発明に係る半導体装置は、シリコン基板上に形成されており、ソース領域又はドレイン領域となる不純物拡散層と、不純物拡散層の表面部に形成されたコバルトシリサイド層とを備え、コバルトシリサイド層は、その上面がシリコン基板の上面よりも高い位置になるように形成されていると共に、その上面の投影面積がその下面の面積よりも大きくなるような形状を有している。
【００５４】
本発明の半導体装置によると、ソース領域又はドレイン領域となる不純物拡散層の表面部に形成されているコバルトシリサイド層の上面の位置は、シリコン基板の上面よりも高いため、エレベーテッド・ソース・ドレイン構造を有している。このため、寄生抵抗の増加を回避するべくソース領域又はドレイン領域となる不純物拡散層の表面部にコバルトシリサイド層を形成することと、短チャネル効果を防止するべく不純物拡散層の浅いｐｎ接合を得ることとの両立を図ることができる。
【００５５】
また、コバルトシリサイド層の上面の面積は、その下面の面積よりも大きいため、コバルトシリサイド層と接続されるコンタクトホールが若干位置ずれしても、コバルトシリサイド層とコンタクトホールに埋め込まれる導電膜との接触面積が低減する事態を防止することができる。
【００５６】
【発明の実施の形態】
（第１の実施形態）
以下、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法について、図３（ａ）〜（ｃ）、図４（ａ）〜（ｃ）、図５（ａ）〜（ｃ）、図６（ａ）〜（ｃ）及び図７（ａ）、（ｂ）を参照しながら説明する。尚、第１の実施形態は、［課題を解決するための手段］の項で説明した第１の解決原理及び第２の解決原理の両方を具体化するものである。
【００５７】
まず、図３（ａ）に示すように、シリコン基板１００の表面部に素子分離領域１０１を形成した後、シリコン基板１００の上における素子分離領域１０１で囲まれた領域にゲート絶縁膜１０２を介して、ゲート電極となるパターン化されたポリシリコン膜１０３を形成する。尚、素子分離領域１０１の上には、抵抗体となるポリシリコン膜が形成されている。次に、ポリシリコン膜１０３をマスクにしてシリコン基板１００に低濃度の不純物をイオン注入した後、ポリシリコン膜１０３の側面にサイドウォール１０４を形成し、その後、ポリシリコン膜１０３及びサイドウォール１０４をマスクにしてシリコン基板１００に高濃度の不純物をイオン注入して、ソース領域又はドレイン領域となるＬＤＤ構造を有する不純物拡散層１０５を形成する。
【００５８】
次に、図３（ｂ）に示すように、シリコン基板１００の上に全面に亘ってレジスト膜１０６を塗布した後、図３（ｃ）に示すように、レジスト膜１０６に対してエッチバックを行なって、ポリシリコン膜１０３の表面を露出させる。
【００５９】
次に、図４（ａ）に示すように、ポリシリコン膜を選択的にエッチングできるエッチングガスを用いてドライエッチングすることにより、ポリシリコン膜１０３の表面を選択的にエッチバックして、サイドウォール１０４の内側でポリシリコン膜１０３の上に凹部１０７を形成した後、図４（ｂ）に示すように、レジスト膜１０６を除去する。
【００６０】
次に、図４（ｃ）に示すように、シリコン基板１００の上に全面に亘ってコバルト膜１０８を堆積した後、シリコン基板１００に対して第１の熱処理（ＲＴＡ）を低温例えば５００℃の温度で行なって、図５（ａ）に示すように、ポリシリコン膜１０３の表面部及び不純物拡散層１０５の表面部にＣｏＳｉ層１１０を形成する。尚、第１の熱処理を例えば４００℃の温度下で行なうと、ＣｏＳｉ層１１０に代えてＣｏ２Ｓｉ  層が形成される。その後、Ｓｉ原子と反応しなかった未反応のコバルト膜１０８をウェットエッチングにより除去する。
【００６１】
次に、図５（ｂ）に示すように、ＰＶＤ法又はＣＶＤ法により、シリコン基板１００の上に全面に亘ってシリコン膜１１１を堆積する。ここで堆積するシリコン膜１１１の膜厚については後述する。シリコン膜１１１を堆積する際の温度は、第１の熱処理の温度以下の温度下で行なう。このようにすると、ＣｏＳｉ層１１０はＣｏＳｉ２  層に変化しない。尚、第１の熱処理の温度が例えば４００℃であるときには、ＣｏＳｉ層１１０の代わりに形成されているＣｏ２Ｓｉ層はＣｏＳｉ２層に変化しない。
【００６２】
次に、シリコン基板１００に対して第２の熱処理（ＲＴＡ）を高温例えば８００℃の温度で行なって、ＣｏＳｉ層１１０のＣｏ原子とシリコン膜１１１のＳｉ原子とを反応させることにより、図５（ｃ）に示すように、ポリシリコン膜１０３の表面部及び不純物拡散層１０５の表面部にＣｏＳｉ２  層１１２を形成する。これにより、ポリシリコン膜１０３とＣｏＳｉ２  層１１２とからなるゲート電極が形成されると共に、不純物拡散層１０５の表面部にソース電極又はドレイン電極となるＣｏＳｉ２  層１１２が形成される。
【００６３】
この場合、ＣｏＳｉ層１１０のＣｏ原子と反応するＳｉ原子は、シリコン膜１１１と、ポリシリコン膜１０３（ポリシリコン膜）又は不純物拡散層１０５（シリコン基板）とから供給されるが、［課題を解決するための手段］の（３）において説明したように、ＣｏＳｉ層１１０のＣｏ原子は、ポリシリコン膜１０３又は不純物拡散層１０５のＳｉ原子とは殆ど反応することなく、シリコン膜１１１のＳｉ原子ともっぱら反応する。従って、ポリシリコン膜１０３の界面位置及び不純物拡散層１０５の高さ位置は下方へ殆ど移動することなく、ＣｏＳｉ２  層１１２が形成される。
【００６４】
また、ＣｏＳｉ層１１０のＣｏ原子は、もっぱらシリコン膜１１１のＳｉ原子と反応するので、シリコン膜１１１の膜厚は、［課題を解決するための手段］の（２）において、図２（ｃ）を参照しながら説明したように、コバルト膜１０８の膜厚：シリコン膜１１１の膜厚＝１：１．８２の関係を満たすことが好ましい。尚、ポリシリコン膜１０３の表面部にＣｏ２Ｓｉ  層が形成されている場合には、シリコン膜１１１の膜厚は、［課題を解決するための手段］の（１）において、図１（ｃ）を参照しながら説明したように、コバルト膜１０８の膜厚：シリコン膜１１１の膜厚＝１：２．７３の関係を満たすことが好ましい。
【００６５】
このようにすると、シリコン膜１１１のＳｉ原子と、Ｃｏ２Ｓｉ  層又はＣｏＳｉ層のＣｏ原子とが反応してＣｏＳｉ２  層１１２が形成される際に、シリコン膜１１１のＳｉ原子の数が過不足にならないため、ポリシリコン膜１０３の界面位置及び不純物拡散層１０５の高さ位置が下方に移動する事態を確実に防止することができる。
【００６６】
また、ＣｏＳｉ層１１０のＣｏ原子とシリコン膜１１１のＳｉ原子とを反応させる工程においては、［課題を解決するための手段］の（４）において説明したように、ＣｏＳｉ層１１０の表面部は高温反応時に露出しないでシリコンリッチであるから、ＣｏＳｉ層１１０の表面エネルギーは従来よりも低くなる。このため、ＣｏＳｉ層１１０の表面において凝集が起こり難いので、亀裂及び凹凸の少ないＣｏＳｉ２  層１１２を得ることができる。
【００６７】
次に、図６（ａ）に示すように、コバルト膜１０８と反応しなかった未反応のシリコン膜１１１をウェット又はドライのエッチングにより選択的に除去した後、図６（ｂ）に示すように、シリコン基板１００の上に全面に亘って例えばＳｉＮ膜からなるライナー膜１１３を堆積する。このようにすると、サイドウォール１０４の内側でポリシリコン膜１０３の上に凹部１０７が形成されているため、ライナー膜１１３には凹部１１３ａが形成される。すなわち、ライナー膜１１３は、ポリシリコン膜１０３のＣｏＳｉ２  層１１２の上面、サイドウォール１０４の内壁面、上面及び外壁面、並びに不純物拡散層１０５のＣｏＳｉ２  層１１２の上面に沿うように形成される。
【００６８】
次に、図６（ｃ）に示すように、シリコン基板１００の上に全面に亘って層間絶縁膜１１５を堆積した後、該層間絶縁膜１１５に対してフォトレジストをマスクとしてドライエッチングを行なって、図７（ａ）に示すように、層間絶縁膜１１５にコンタクトホール１１６を形成する。この場合、ライナー膜１１３が、サイドウォール１０４の内壁面、上面及び外壁面に沿うように形成されているため、図７（ａ）に示すように、コンタクトホール１１６が例えば左側に位置ずれしたとしても、ポリシリコン膜１０３のＣｏＳｉ２  層１１２がコンタクトホール１１６に露出しない。
【００６９】
次に、図７（ｂ）に示すように、ライナー膜１１３におけるコンタクトホール１１６に露出している部分を選択的にエッチングして、不純物拡散層１０５の表面部のＣｏＳｉ２  層１１２をコンタクトホール１１６に露出させる。この場合、ライナー膜１１３におけるサイドウォール１０４の内壁面に沿っている部分は層間絶縁膜１１５に覆われているため、ポリシリコン膜１０３のＣｏＳｉ２  層１１２はコンタクトホール１１６に露出しないので、後工程においてコンタクトホール１１６に埋め込まれる導電膜とポリシリコン膜１０３のＣｏＳｉ２  層１１２とは電気的に接続しない。このため、工程数の増加を招くことなく、自己整合コンタクトを形成することができる。
【００７０】
また、ＣｏＳｉ層１１０の上にシリコン膜１１１を堆積した後、第２の熱処理を行なうため、ＣｏＳｉ層１１０のＣｏ原子の大部分は、シリコン膜１１１のＳｉ原子と反応するので、ポリシリコン膜１０３の界面位置及び不純物拡散層１０５の深さ位置が下方へ殆ど移動することなく、ＣｏＳｉ２  層１１２が形成される。
【００７１】
このため、エレベーテッド・ソース・ドレイン構造を有するＭＯＳトランジスタ型を形成することができる。従って、寄生抵抗の増加を回避するべくソース領域又はドレイン領域となる不純物拡散層１０５の表面部にコバルトシリサイド層を形成することと、短チャネル効果を防止するべく不純物拡散層１０５の浅いｐｎ接合を得ることとの両立を、接合リーク電流の増加を招くことなく且つ新たな工程を追加することなく、実現することができる。
【００７２】
また、ＣｏＳｉ層１１０を構成するＣｏＳｉがシリコン膜１１１中のＳｉを取り込むように反応してＣｏＳｉ２  が形成されるため、ＣｏＳｉ２  層１１２の体積はＣｏＳｉ層１１０の体積よりも大きい。言い換えると、ＣｏＳｉ層１１０はシリコン膜１１１中のＳｉを取り込むことにより膨張しながらＣｏＳｉ２  層１１２となる。この場合、シリコン膜１１１はＣｏＳｉ層１１０及び素子分離領域１０１の上に堆積されているため、ＣｏＳｉ層１１０は上側及び素子分離領域１０１側に膨張するので、ＣｏＳｉ２  層１１２の上面の面積はＣｏＳｉ２  層１１２の下面の面積よりも大きくなる。
【００７３】
ところで、従来のエレベーテッド・ソース・ドレイン構造におけるシリサイド層は、エピタキシャル成長法により形成されていると共に、エピタキシャル成長した結晶は下地の結晶性を引き継いで成長するためｆａｃｅｔｉｎｇするので、上面の面積は下面の面積よりも小さくなり、一般的に台形状の断面を有する構造になる。このため、コンタクトホールが位置ずれすると、シリサイド層とコンタクトホールに埋め込まれる導電膜との接触面積が小さくなって接触抵抗が低減するという問題がある。
【００７４】
ところが、第１の実施形態によると、ＣｏＳｉ２  層１１２の上面の面積はＣｏＳｉ２  層１１２の下面の面積よりも大きいため、ＣｏＳｉ２  層１１２と接続されるコンタクトホールが若干位置ずれしても、ＣｏＳｉ２  層１１２とコンタクトホールに埋め込まれる導電膜との接触面積が低減する事態を防止できるので、接触抵抗の低減を回避することができる。
【００７５】
また、第２の熱処理時におけるＣｏＳｉ層１１０の表面エネルギーは従来よりも低いため、ＣｏＳｉ層１１０の表面において凝集が起こり難いので、亀裂及び凹凸の少ないＣｏＳｉ２  層１１２を得ることができる。
【００７６】
尚、第１の実施形態においては、コバルト膜１０８を堆積してから第１の熱処理を行なってＣｏＳｉ層１１０を形成したが、この際、ＣｏＳｉ層１１０を、ＣｏＳｉ２  を成長することのできる表面処理条件により形成してもよい。このようにすると、ＣｏＳｉ層１１０の上に堆積されているシリコン膜１１１がＣｏＳｉ層１１０の表面における凝集を抑制するため、より良好な結晶構造を有するＣｏＳｉ２  層１１２を得ることができるので、ポリシリコン膜１０３及び不純物拡散層１０５の表面部に形成されているＣｏＳｉ２  層１１２の一層の低抵抗化を実現できる。すなわち、本発明に、ソース領域及びドレイン領域におけるシリサイド層に対して、エピタキシャルＣｏＳｉ２  を形成可能な表面条件を適用すれば、シリコン膜１１１を十分に厚く設定することにより、最終的に形成されるエピタキシャルＣｏＳｉ２  層とシリコン基板との界面位置を基板表面位置よりも上方に移動させることも可能である。その結果、一層の高速動作化及び低消費電力化を図ることができる。
【００７７】
また、第１の実施形態においては、ゲート電極となるポリシリコン膜１０３の側面に直接にサイドウォール１０４を形成したが、これに代えて、ポリシリコン膜１０３とサイドウォール１０４との間に例えばＳｉＮ膜からなるエッチングストッパー膜を設けてもよい。この場合には、凹部１０７は、エッチングストッパー膜の内側で且つポリシリコン膜１０３の上に形成されると共に、ライナー膜１１３は、ポリシリコン膜１０３のＣｏＳｉ２  層１１２の上面、エッチングストッパー膜の内壁面、サイドウォール１０４の外壁面、及び不純物拡散層１０５のＣｏＳｉ２  層１１２の上面に沿うように形成される。
【００７８】
（第２の実施形態）
以下、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法について、図８を参照しながら説明する。
【００７９】
まず、第１の実施形態と同様にして、シリコン基板１００の表面部に素子分離領域１０１を形成した後、シリコン基板１００の上における素子分離領域１０１で囲まれた領域に、シリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜１０２を介して、ゲート電極となるポリシリコン膜を形成した後、該ポリシリコン膜の側面にサイドウォール１０４を形成すると共に、ソース領域又はドレイン領域となるＬＤＤ構造を有する不純物拡散層１０５を形成する。
【００８０】
次に、ゲート電極となるポリシリコン膜の表面部を選択的にエッチバックした後、シリコン基板１００の上に全面に亘ってコバルト膜を堆積し、その後、例えば８００℃の高温の熱処理を行なって、図８に示すように、ＣｏＳｉ２  層からなるゲート電極１２０を形成すると共に不純物拡散層１０５の表面部にＣｏＳｉ２  層１２１を形成する。
【００８１】
第２の実施形態の特徴は、コバルト膜のＣｏ原子とポリシリコン膜のＳｉ原子とを過不足なく反応させて、ＣｏＳｉ２  層からなるゲート電極１２０を形成することにある。このようにすると、ゲート電極１２０の配線抵抗を極めて小さくすることができる。
【００８２】
ゲート電極１２０は、ポリシリコン膜と該ポリシリコン膜の上に堆積されたコバルト膜とが過不足なく反応することにより形成されたコバルトシリサイドからなるため、ゲート電極１２０におけるゲート絶縁膜１０２との界面での原子配列は安定なＳｉ／ＳｉＯ２  界面に近い構造となっているので、安定なメタルゲート構造を形成するのに寄与する。また、ＣｏＳｉ２  のフェルミレベルはＳｉのバンドギャップ中央付近に位置するため、しきい値電圧の高いＭＯＳＦＥＴを同じ基板上に作り込むことができる。
【００８３】
尚、第２の実施形態においては、シリコン基板１００の上に全面に亘ってコバルト膜を堆積した後、高温の熱処理を行なって、ＣｏＳｉ２  層からなるゲート電極１２０を形成したが、これに代えて、２段階の熱処理を行なってもよい。すなわち、シリコン基板１００の上に全面に亘ってコバルト膜を堆積した後、低温の第１の熱処理を行なって、コバルト膜のＣｏ原子とポリシリコン膜のＳｉ原子とを反応させることにより、Ｃｏ２Ｓｉ 層又はＣｏＳｉ層を形成する。次に、Ｃｏ２Ｓｉ 層又はＣｏＳｉ層の上にシリコン膜を堆積した後、高温の第２の熱処理を行なって、Ｃｏ２Ｓｉ 層又はＣｏＳｉ層のＣｏ原子とシリコン膜のＳｉ原子とを過不足なく反応させることにより、ＣｏＳｉ２  層からなるゲート電極１２０を形成してもよい。
【００８４】
このようにすると、Ｃｏ２Ｓｉ 層又はＣｏＳｉ層の表面部が高温反応時に露出せず、シリコンリッチであるから、Ｃｏ２Ｓｉ 層又はＣｏＳｉ層の表面エネルギーは従来よりも低くなる。このため、Ｃｏ２Ｓｉ 層又はＣｏＳｉ層の表面において凝集が起こり難いので、亀裂及び凹凸の少ないＣｏＳｉ２  層からなるゲート電極を形成することができる。
【００８５】
【発明の効果】
本発明に係る第１の半導体装置の製造方法によると、半導体基板に形成されているシリコン層の界面位置が下方に殆ど移動することなくＣｏＳｉ２  層を形成することができると共に、亀裂及び凹凸の少ないＣｏＳｉ２  層を得ることができる。
【００８６】
本発明に係る第２の半導体装置の製造方法によると、コンタクトホールが位置ずれを起こしても、ゲート電極とコンタクトホールに埋め込まれる導電膜とが接続する事態を回避できるので、自己整合コンタクトを確実に実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の解決原理を示す模式図である。
【図２】本発明の第２の解決原理を示す模式図である。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は、第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法の各工程を示す断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法の各工程を示す断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は、第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法の各工程を示す断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は、第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法の各工程を示す断面図である。
【図７】（ａ）及び（ｃ）は、第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法の各工程を示す断面図である。
【図８】第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図９】従来の半導体装置の問題点を説明する模式図である。
【符号の説明】
１００  シリコン基板
１０１  素子分離領域
１０２  ゲート絶縁膜
１０３  ポリシリコン膜
１０４  サイドウォール
１０５  不純物拡散層
１０６  レジスト膜
１０７  凹部
１０８  コバルト膜
１１０  ＣｏＳｉ層
１１１  シリコン膜
１１２  ＣｏＳｉ２層
１１３  ライナー膜
１１５  層間絶縁膜
１１６  コンタクトホール
１２０  ゲート電極
１２１  ＣｏＳｉ２層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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