(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面ガラス基板と背面ガラス基板とを所定間隔をもってその電極が対向かつ直交するように重ね合わせる工程と、この重ね合わせたガラス基板を炉内に位置させて当該炉内を所定温度下で真空排気する工程と、当該炉内を封着温度まで昇温して両ガラス基板を封着する工程と、ガラス基板封着後に炉内を冷却して両ガラス基板を冷却する工程と、冷却完了後に前記いずれかのガラス基板に取り付けたチップ管から放電ガスを供給して封入する工程と、放電ガスを封入後チップ管を封じ切る工程とからなることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はプラズマディスプレイパネルの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
プラズマディスプレイパネルの製造方法として種々の方法が提案されているが、そのうち代表的なものとして下記のものがある。
すなわち、まず、表面ガラス基板と背面ガラス基板との各対向面に電極等を設けるとともに表面ガラス基板の外側部に貫通孔を設け、かつ、このガラス基板の表面に前記貫通孔と連通するように給排気用ガラス管であるチップ管を取り付ける。そして、前記両ガラス基板の少なくとも一方の対向面であって前記貫通孔より外側に低融点ガラス等の封着剤を塗布する。
その後、両ガラス基板の電極を対向かつ直交するように重ねてクリップ等拘束治具で両者を固定し、封着炉で封着剤を加熱溶融することにより前記両ガラス基板を封着一体化してパネルとする。
【０００３】
つぎに、前記封着一体化したパネルのチップ管に給排気管を接続するとともに、この給排気管を放電ガス用ボンベと真空ポンプとに切換可能に連通し、排気炉に装入して前記パネルを加熱するとともに各パネル内部を真空ポンプで所定真空度に真空排気して脱ガスを行なう。その後、パネル内部に放電ガス、たとえば、ネオン（Ｎｅ）、アルゴン（Ａｒ）あるいはキセノン（Ｘｅ）、またはこれらの混合ガスを４００〜６００Ｔｏｒｒ程度まで封入する。
前記封入作業が終われば、パネルを排気炉から抽出し、前記チップ管を封じ切って所定のプラズマディスプレイパネルとするものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記従来方法においては、両ガラス基板の封着処理後、パネル内部の真空排気に引続き、放電ガスの封入作業を行なうが、前記パネル内部は、実質的に両ガラス基板の合わせ面で形成される１００〜２００μｍの非常に狭い隙間であり、かつ、この隙間（空間）には１００〜２００μｍ未満の隔壁が存在するため、脱ガスのための排気に非常に時間を要して生産性が非常に悪いとともに、排気が不十分となってパネル内部の放電ガス純度が低くなるという課題を有していた。
したがって、本発明の目的は、パネル内部の排気（脱ガス）を短時間で行なえるプラズマディスプレイの製造方法を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明にかかるプラズマディスプレイパネルの製造方法は、前記目的を達成するために、請求項１の発明は、表面ガラス基板と背面ガラス基板とを所定間隔をもってその電極が対向かつ直交するように重ね合わせる工程と、この重ね合わせたガラス基板を炉内に位置させて当該炉内を所定温度下で真空排気する工程と、当該炉内を封着温度まで昇温して両ガラス基板を封着する工程と、ガラス基板封着後に炉内を冷却して両ガラス基板を冷却する工程と、冷却完了後に前記いずれかのガラス基板に取り付けたチップ管から放電ガスを供給して封入する工程と、放電ガスを封入後チップ管を封じ切る工程とからなるものである。
【０００６】
【発明の実施の形態】
つぎに、本発明の実施形態を図１，図２により説明する。
まず、従来同様、対向面に電極および隔壁を設けた表面ガラス基板Ａと背面ガラス基板Ｂとを排気炉Ｔ内に設置された載置機構１に取り付けて密閉炉Ｔ内に位置させる。前記載置機構１は、図２に示すように、４本（図では手前の２本のみが現われている）のスライドガイド２に所定間隔にて複数の背面ガラス基板用セッタ３が固定されており、また、各背面ガラス基板用セッタ３の上方には表面ガラス基板用セッタ４がスライドガイド２に摺動自在に装着され、かつ、各表面ガラス基板用セッタ４は駆動ロッド５に前記背面ガラス基板用セッタ３と同一間隔で固定され、駆動ロッド５とともに上下動可能となっている。一方、前記駆動ロッド５はベローズ真空シール装置６を介して炉本体１０の天井部を貫通し、モータ７で回転するボールネジ機構８により上下動するようになっている。
【０００７】
また、炉本体１０の下部は配管１１によって図示しない真空排気装置と切換弁Ｖ１を介して接続するとともに、炉内には配管１２が炉本体１０の下部を貫通して設けてあり、この配管１２は放電ガスボンベ、たとえば、ネオン（Ｎｅ）、アルゴン（Ａｒ）、あるいはキセノン（Ｘｅ）のボンベ１３に切換弁Ｖ２を介して接続されている。また、前記配管１２の炉内側には複数の分岐管１２ａが設けてある。
【０００８】
排気炉Ｔは前記構成からなるため、排気炉Ｔの装入扉（図示せず）を開き（図１の状態）、前記背面ガラス基板Ｂの前記対向面の外周部に結晶性低融点ガラス等の封着剤２０を塗布し、この背面ガラス基板Ｂを対向面を上方にして前記載置機構１の背面ガラス基板用セッタ３に取り付ける。一方、表面ガラス基板Ａはその対向面を下方にして表面ガラス基板用セッタ４に装着する。
【０００９】
なお、前記背面ガラス基板Ｂの封着剤２０の塗布部分より内方で装入扉側には、従来のものと同様貫通孔が設けられ、この貫通孔を介して前記対向面に連通するチップ管２１が前記封着剤２０より溶融温度の高い封着剤によりあらかじめ取り付けてあり、また、このチップ管２１は背面ガラス基板用セッタ３を貫通している。
【００１０】
つぎに、前述のようにして両ガラス基板Ａ，Ｂを載置機構１に取り付けると、チップ管２１を配管１２の各分岐管１２ａに接続し、前記モータ７を駆動して両ガラス基板Ａ，Ｂ間に所定の隙間ｘ（０．１〜０．２ｍｍ）が形成されるようにセットする。
その後、装入扉を閉じて、図示しないヒータにより炉内を３００〜４００℃に加熱するとともに、切換弁Ｖ１を開として真空排気装置により炉内を排気し、同時に両ガラス基板Ａ，Ｂの脱ガスを行なう。なお、前記切換弁Ｖ２は閉である。この場合、炉の昇温速度は５〜１５℃／ｍｉｎ、排気は１０−６〜１０−７Ｔｏｒｒ程度である。また、前記脱ガスをさらに確実に行なうために、両ガラス基板Ａ，Ｂを３００〜４００℃程度の封着剤軟化点付近まで昇温し、その後、一定時間均熱保持してもよい。
【００１１】
前記のようにして、炉内を所定真空度とし炉内排気と両ガラス基板Ａ，Ｂからの脱ガスが完了すると、炉内をさらに加熱して封着剤２０の溶融温度である４００〜５００℃に上昇させ、モータ７を駆動して駆動ロッド５を下降させて表面ガラス基板Ａを背面ガラス基板Ｂ上に圧着させ、この圧着工程において両ガラス基板Ａ，Ｂを封着してパネルとする。
前述のようにして、封着工程が完了すると、炉内にＮ２ガス等の不活性ガスを図示しない供給管から供給し、１〜１０℃／ｍｉｎの冷却速度でガラス基板Ａ，Ｂの冷却を行なう。
【００１２】
前記冷却工程完了後、切換弁Ｖ１を閉とするとともに切換弁Ｖ２を開として配管１２、チップ管２１から各パネル内に放電ガスを規定圧力（４００〜７６０Ｔｏｒｒ）封入する。この場合、パネル内は真空となっているため、放電ガスの封入も極めて短時間で行なわれる。
前記パネル内への放電ガスの封入が完了すると、排気炉Ｔの装入扉を開き、チップ管２１をバーナ等で溶融しつつ管径を絞り、封じ止って所定のプラズマディスプレイパネルとし、各パネルを炉外に取り出すものである。
【００１３】
なお、図１に示すように、前記配管１２に切換弁Ｖ３を介して真空排気装置（図示せず）に接続しておき、放電ガスの封入に先立ち、前記封着工程後の冷却期間中あるいは冷却完了後、パネル内をさらに真空排気し、その後、切換弁Ｖ２，Ｖ３を切換えて放電ガスを供給してもよい。このようにすると、パネル内の封入放電ガスをより純度の高いものとすることができる。
【００１４】
なお、前記実施の形態においては、チップ管２１を予め背面ガラス基板Ｂに取り付けて炉内に装入する場合について説明したが、チップ管２１は表面ガラス基板Ａに設けてもよく、また、チップ管２１とガラス基板Ａ，Ｂとの取り付けは、チップ管２１とガラス基板Ａ，Ｂとの取り付け部に封着剤２０を組込んでおき、ガラス基板Ａ，Ｂの封着工程の加熱時に同時に封着してもよい。
さらに、ガラス基板Ａ，Ｂ、封着剤２０等を予め封着温度より低い温度で加熱して乾燥、仮焼成してもよい。この場合、アウトガスが減少して炉内の汚染を軽減し、炉内雰囲気の純度を向上させることができるとともに封着の安定性が向上する。
【００１５】
前記実施の形態ではバッチ処理で説明したが、マッフル内にガラス基板を位置させ、このマッフルを炉内で連続的あるいは間欠的に搬送して処理するようにしてもよい。
【００１６】
【発明の効果】
以上の説明で明らかなように、請求項１の発明によれば、表面ガラス基板と背面ガラス基板とは、封着に先立って所定隙間をもって所定温度下で全体を加熱し、炉内を排気することにより脱ガスを図るため、脱ガス時間が短く、かつ、確実に行なうことができ、生産性をそれだけ向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に使用する排気炉の断面図。
【図２】図１の載置機構の説明図。
【符号の説明】
１…載置機構、１０…炉本体、１３…放電ガスボンベ、２０…封着剤、２１…チップ管、Ａ…表面ガラス基板、Ｂ…背面ガラス基板、Ｔ…密閉炉。
【図１】
0003554432.tif 000002
【図２】
0003554432.tif 000003