【誤訳訂正書】
【提出日】平成29年3月2日(2017.3.2)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００５】
従来技術では、ＢＡＷ製造において圧電層は通常金属及び基板層上にヘテロエピタキシャル成長する。この方法の層成長では、カラム状の多結晶圧電層が生じる。この層成長方法の欠点は、基板層上のトポロジーエッジに沿って結晶構造に成長欠陥が生じる点である。この成長欠陥はＢＡＷ共鳴器の技術的性能や信頼性に影響を与える。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００６】
従来技術における既知の問題点は、図１に基づいて以下で例示的に説明される。図１は、走査型電子顕微鏡の画像により、製造中のＢＡＷ共鳴器を示した断面図である。二酸化ケイ素基板層（ＴＳ）上に、下部第一の被腐食性金属層（Ｍ１）及び上部第二の金属層（Ｍ２）から成る複層電極が配置されている。上部金属層から下部金属層への境界部は緩い角度のトポロジーエッジによって、下部金属層から基板層への境界部は急角度のトポロジーエッジによって特徴づけられる。金属層及び基板層の上部には圧電層（ＰＳ）が蒸着される。圧電層成長の際、上部金属層から下部金属層への境界部付近の緩い角度のトポロジーエッジでは結晶構造の軽度の欠陥が起こった（欠陥部位Ａ）。欠陥部位Ａは欠陥のある粒子成長によって特徴づけられる。欠陥部位の左右において両圧電層領域が良好な接触状態にあり、欠陥は軽度である。下部金属層から基板層への境界部付近の急角度のトポロジーエッジにおいては結晶構造の強度の欠陥が発達し（欠陥部位Ｂ）、圧電層全体にわたるひび割れ又は完全な空間部が形成された。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
金属層の化学エッチングにより急角度のトポロジーエッジを平滑化することも既知である。しかしながら特にアルミニウムについては、傾斜した側面が形成され再現性のあるエッチング方法は存在しない。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１１】
他の代替手段の一つは、板電極において被腐食性成分を回避する方法である。しかし通常、被腐食性ではない金属は伝導性が劣る。これには非常に厚い電極層が必要であり、このため特殊な設計のＢＡＷ共鳴器にしか適さない。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１４】
このため本発明の課題は、層成長に際して発生する問題を回避し、特に下部金属層すなわち電極の被腐食性を低減できる、例えばＢＡＷ電極に適した構造を、製造方法と共に提供することである。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
以下において基板層、金属層、金属層の縁側のトポロジーエッジ又はトポロジーエッジの構造化された被覆に言及する際、それらの構成要素がより多く存在することを排除しない。明確に特定された数値で取り上げられていない限り、その他の数値についても同様である。その他、本明細書において例えば、〜の上、上部の、最上部の、〜の下、下部の、上手に、及び下手に、のような相対的概念は、図に描かれているような様々な構成要素の間の関係を簡潔な方法で記述するために用いられている。その他の相対的配置、例えば描かれた構成要素の９０度又は１８０度回転によって得られる配置は、明細書より容易に導出でき、明確に包含される。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１７】
提供されるトポグラフィー構造は、薄層技術によって少なくとも１の形成金属層が上部に積層された基板層を備える。この種のトポグラフィー構造は例えば薄層技術により製造された電極又は複層電極である。金属層の側縁は、基板層への境界部でトポロジーエッジ（ｋａｎｔｅ：２つの平面が交わってできる線としての角）を形成する。この縁側のトポロジーエッジに沿って構造化された被覆が配置されている。構造化された被覆はエッジを平滑化する役割を果たす。構造化された被覆の基板に対する傾斜角はトポロジーエッジとの距離が増加するに従い連続的に変化し、通常金属層と基板層との角度よりも鈍角である。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
上下に配置された金属層を有する実施形態において、例えば上部金属層側縁が、その下部の下部金属層への境界部にさらなるトポロジーエッジを形成してよい。ある実施形態では、そのようなさらなるトポロジーエッジが、形成金属層の側縁の内、基板層との境界部にあるトポロジーエッジからオフセットして(versetzt)いてもよい。これは例えば、上部金属層が下部金属層よりも小さな面を成している場合である。このような実施形態は例えば下部又は上部エッチング効果、すなわち数回のリトグラフ工程で金属層を形成することにより可能である。本発明では、このさらなるトポロジーエッジに沿って構造化された被覆を配置することもまた可能である。さらにある実施形態において、構造化された被覆を有するさらなるトポロジーエッジをさらに配置することも可能であり、これは例えば基板層上に上下に配置された金属層が２つより多く積層されている場合である。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２１】
ある実施形態において、２以上の金属層が上下に配置され、そのうち下部金属層又は下部金属層の１つが被腐食性である。その上部に位置する金属層の内１以上は、被腐食性ではない又はその（それら）下部金属層に比べて被腐食性が低い。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
ある実施形態において、最上部の金属層は被腐食性ではない又はその下部にある金属層に比べて被腐食性が低い。ある実施形態において、トポグラフィー構造は正確に２つの金属層を有し、その内下部の第一金属層は被腐食性であり、上部の第二金属層は被腐食性ではない又は第一の層に比べて被腐食性が低い。この実施形態において、構造化されたエッジの被覆の機能には腐食保護が含まれる。このため、エッジの被覆は、不動態化しており特に腐食性物質に対して十分に気密性の素材から成る。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２４】
トポグラフィー構造の金属層は、例えばアルミニウム、チタン、窒化チタン、銀、銅、タングステン、タンタル、モリブデン、白金、ルビジウム又は金を含有する層であってよい。被腐食性金属層の場合、例えばアルミニウム、チタン、窒化チタン、銀又は銅を含有する層が重要である。好適には、金属層の一つがアルミニウムから成る。これにより、良好な電気伝導性と簡易な層形成が保障される。エッジの被覆を有することにより、下部層としてのＡｌ層は腐食に対して十分に安定である。上部の、被腐食性ではない又は被腐食性の低い金属層は、タングステン、タンタル、モリブデン、白金又は金を含有する層であってよい。好適にはタングステン及びモリブデンを含有する層である。
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２５】
本発明のさらなる実施形態においてトポグラフィー構造上に結晶層が堆積される又は成長する。結晶層は例えば非エピタキシャル成長した層であってよい。本発明のトポグラフィー構造上では、結晶層の成長に伴う際立った成長欠陥が、比較される構造に比べてより低減することが判明した。この好適な効果は、トポロジーエッジ周囲の構造化された被覆により、被腐食性ではない又は弱被腐食性上部金属層と基板層との間に、被腐食性金属の閉じたハウジングが存在することにより説明可能である。この方法により、腐食性物質は結晶構造の欠陥部位上で被腐食性金属層にまで到達することがない。
【誤訳訂正１３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２８】
本発明のトポグラフィー構造によれば、複数のＢＡＷ共鳴器を上下に配置できる。これらのいわゆるスタックＢＡＷ共鳴器は、電極間に配置された複数の圧電層を有する。これらの実施形態において、上部に圧電層が堆積されるそれぞれの金属層の縁側のトポロジーエッジは、金属層のトポロジーエッジ周辺の構造化された被覆を伴う。この方法により、電極が腐食から保護され、多くの圧電層を有するＢＡＷ共鳴器が実現できる。
【誤訳訂正１４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３０】
【図１】図１は、製造中の圧電層積層後の中間工程におけるＢＡＷ共鳴器の横断面の、走査型電子顕微鏡による一画像である。
【図２】図２は、製造中において金属層及び基板層の上に保護層を全面的かつエッジを被覆するように蒸着した後の、本発明のトポグラフィー構造の模式的な例の断面図である。
【図３】図３は、本発明のトポグラフィー構造の模式的例の、製造中における保護層の異方性バックエッチング後の断面図である。
【図４】図４は、本発明のトポグラフィー構造の模式的例の、製造中における圧電層成長後の断面図である。
【誤訳訂正１５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３１】
図２には、本発明のトポグラフィー構造の製造方法の中間状態が示されている。少なくとも１の酸化ケイ素から成る上層を有する基板層（ＴＳ）の上に、薄層技術を用いて第一の金属層（Ｍ１）が積層及び形成され、基板層との間にトポロジーエッジが形成される。これらの第一の下部金属層は、ＢＡＷ共鳴器の複層板電極の２つの金属層の内の１つである。金属層Ｍ１は好適にはアルミニウム、銀又は銅あるいはアルミニウム、銀又は銅を含有する合金から成る。第一の下部金属層上に第二の金属層（Ｍ２）が積層される。金属層Ｍ２は金属層Ｍ１を縁部閉鎖的に覆ってよく、金属層Ｍ１が金属層Ｍ２により完全には覆われないように形成されることもまた可能である。金属層Ｍ２は好適にはタングステン、タンタル、モリブデン、白金、ルビジウム又は金を含有する層である。特に好適であるのはタングステン層である。
【誤訳訂正１６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
この構造の上にさらに保護層（ＳＳ）が、基板層及び金属層上に全面的かつエッジを被覆して蒸着される。被腐食性ではなく、板電極の最上部金属層に対して十分に選択的に異方性エッチング可能なあらゆる素材が、保護層として使用できる。保護層は好適には酸化ケイ素、窒化ケイ素又はポリイミドの層である。酸化ケイ素の層は特に好適である。保護層は、化学蒸着、プラズマＣＶＤ、原子層蒸着又はそれらコーティング手段の変化形を用いて蒸着されてよい。原子層蒸着は特に好適である。
【誤訳訂正１７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３３】
保護層の強度は、蒸着の均一性と次工程のエッチング工程によってのみ限定される。しかしながら好適には層強度は少なくとも金属層の１〜２倍である。この積層手段によるエッジを被覆する保護層においては、金属層の縁側のトポロジーエッジ周辺で、トポグラフィー構造の平坦部分よりも基板層への法線上で層強度がより高い。
【誤訳訂正１８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３４】
図２に示されたトポグラフィー構造に対して、次に異方性エッチング工程が施される。ここで保護層には、基板層及び金属層の平坦部分から保護層が除去されるまで異方性バックエッチングが施され、金属層の縁側のトポロジーエッジ周囲では、上述のように保護層の層強度が高いため、保護層由来の構造化された被覆（ＡＢ）が取り残される。
【誤訳訂正１９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３６】
図３には、保護層のバックエッチング後の本発明のトポグラフィー構造が示されている。異方性バックエッチングによって、金属層Ｍ１及びＭ２の縁側のトポロジーエッジ周囲に保護層由来の構造化された被覆（ＡＢ）が生じる。トポグラフィー構造の平坦表面、例えば第二上部金属層Ｍ２や基板層ＴＳからは、保護層はほとんど又は完全に取り除かれる。第一の下部金属層のトポロジーエッジは、構造化された被覆ＡＢによって完全に覆われている。
【誤訳訂正２０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３７】
図３の実施例では、上記の保護層の異方性バックエッチングは、保護層ＳＳが上部金属面の平坦な表面から完全に取り除かれるまで行われる。他の実施形態において、取り残される保護層素材の量が、構造化されたエッジの被覆ＡＢよりも多く又は少なくなるように異方性バックエッチングを選択でき、構造化されたエッジの被覆は例えば上部金属層の平坦表面にまで伸長する。
【誤訳訂正２１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３９】
図４には、圧電層（ＰＳ）成長後の本発明のトポグラフィー構造が示されている。金属電極Ｍ１、Ｍ２の平坦部上方には圧電層ＰＳの均一な結晶構造が生じている。上部金属層から構造化されたエッジの被覆への境界部において、緩い角度のトポロジーエッジでは結晶構造の微小な欠陥が生じているが、欠陥部位ＳＴ１の両側の結晶層の接触は良好である。構造化された被覆から基板層への境界部を特徴づける急角度トポロジーエッジの領域では、描画されている通り、チャンネル及び空間形成を伴う強度の欠陥部位ＳＴ２が結晶構造に形成されうる。しかしながら構造化されたエッジの被覆のため、結晶構造の欠陥は金属層Ｍ１周辺までは到達しない。いずれの欠陥部位においても、被腐食性金属Ｍ１への腐食チャンネルが形成されないことは、驚くべき結果である。
【誤訳訂正２２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板層と、第一の金属層と前記第一の金属層上に積層された少なくとも１の第二の金属層とを有し、前記基板層上に配置された金属層と、前記基板層への境界部における前記第一の金属層の側部の縁側のトポロジーエッジと、前記第一の金属層への境界部における前記第二の金属層の側部の付加的なトポロジーエッジと、前記トポロジーエッジの側部と前記付加的なトポロジーエッジの側部との構造化された被覆と、を備え、
前記第一の金属層が、被腐食性を有し、
前記第二の金属層が、被腐食性ではない又は下部にある前記第一の金属層に比べて被腐食性が低く、
前記付加的なトポロジーエッジは、前記トポロジーエッジからオフセットしている、
ことを特徴とするトポグラフィー構造。
【請求項２】
前記金属層は、薄膜電極又は複層薄膜電極であること、
を特徴とする請求項１に記載のトポグラフィー構造。
【請求項３】
前記トポロジーエッジの側部の前記構造化された被覆が前記金属層に対する腐食保護機能を有すること、
を特徴とする請求項１又は２に記載のトポグラフィー構造。
【請求項４】
前記トポロジーエッジの側部の前記構造化された被覆がエッジを平滑化する機能を有すること、
を特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のトポグラフィー構造。
【請求項５】
被腐食性の前記第一の金属層が、アルミニウム、チタン、窒化チタン、銀又は銅を含有する層であること、
を特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載のトポグラフィー構造。
【請求項６】
被腐食性ではない又は下部にある前記第一の金属層に比べて被腐食性が低い前記第二の金属層が、タングステン、タンタル、モリブデン、白金又は金を含有する層であること、
を特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載のトポグラフィー構造。
【請求項７】
前記金属層上に結晶層が堆積されること、
を特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載のトポグラフィー構造。
【請求項８】
前記結晶層が圧電層であること、
を特徴とする請求項７に記載のトポグラフィー構造。
【請求項９】
前記トポグラフィー構造は、ＢＡＷ共鳴器の一部であること、
を特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載のトポグラフィー構造。
【請求項１０】
前記第二の金属層は、前記第一の金属層よりも小さい範囲を覆うこと、
を特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載のトポグラフィー構造。
【請求項１１】
前記第二の金属層は、前記第一の金属層が、完全に前記第二の金属層に覆われないように、構成されること、
を特徴とする請求項１乃至１０のいずれか一項に記載のトポグラフィー構造。
【請求項１２】
前記第二の金属層から前記第一の金属層への前記境界部は、緩い角度のトポロジーであり、前記第一の金属層から前記基板層への前記境界部は、急角度のトポロジーであることによって特徴付けられること、
を特徴とする請求項１乃至１１のいずれか一項に記載のトポグラフィー構造。
【請求項１３】
前記構造化された被覆は、前記第二の金属層の平坦表面にまで伸長すること、
を特徴とする請求項１乃至１２のいずれか一項に記載のトポグラフィー構造。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれか一項に記載のトポグラフィー構造を有するＢＡＷ共鳴器。
【請求項１５】
基板層上に薄層技術を用いて少なくとも２の金属層が積層され、
前記金属層は、第一の金属層と、前記第一の金属層上に積層された少なくとも１の第二の金属層とを備え、前記第一の金属層は被腐食性であり、前記第二の金属層は被腐食性ではない又は下部にある前記第一の金属層に比べて被腐食性が低く、前記基板層への境界部における前記第一の金属層の側部の縁側のトポロジーエッジと、前記第一の金属層への境界部における前記第二の金属層の側部の付加的なトポロジーエッジと、が存在し、前記付加的なトポロジーエッジは、前記トポロジーエッジからオフセットしている、ことを特徴とし、
次に、前記基板層及び前記金属層上にエッジを被覆する保護層が全面的に蒸着され、
前記基板層及び前記金属層の平坦部分からは前記保護層が除去されるに至り、前記基板層との境界の前記第一の金属層の前記トポロジーエッジと、前記第一の金属層と前記第二の金属層との境界の付加的なトポロジーエッジとの側部と、では前記保護層由来の構造化された被覆が取り残されるに至るまで、前記保護層に異方性バックエッチングが施されること、
を特徴とするトポグラフィー構造の製造方法。
【請求項１６】
前記保護層が、ＣＶＤ、ＰＥＣＶＤ、ＡＬＤ又はそれら積層手段の変化形を用いて蒸着されること、
を特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記保護層が二酸化ケイ素又は窒化ケイ素から成ること、
を特徴とする請求項１５又は１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記異方性バックエッチングにプラズマエッチングが用いられること、
を特徴とする請求項１５乃至１７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１９】
前記異方性バックエッチングの後にさらなる工程により前記トポグラフィー構造の周辺に結晶層が堆積されること、
を特徴とする請求項１５乃至１８のいずれか一項に記載の方法。