【手続補正書】
【提出日】平成29年9月22日(2017.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）素子であって、前記ＩＧＢＴ素子が、
・インジェクタ領域と、
・前記インジェクタ領域上のドリフト領域と、
・前記ドリフト領域上にあると共に、前記ドリフト領域と反対側のＩＧＢＴスタックの第１の面を提供する、拡散領域と、
・前記拡散領域における一対の接合インプラントと、を含む
・ＩＧＢＴスタックと、
・前記ＩＧＢＴスタックの前記第１の面上のゲートコンタクトおよびエミッタコンタクトと、
・前記ＩＧＢＴスタックの第２の面上にあると共に、前記ドリフト領域の反対側の前記インジェクタ領域により提供される、コレクタコンタクトと、を含み、
・前記一対の接合インプラントが、チャネルによって分離され、前記ＩＧＢＴスタックの前記第１の面から前記ＩＧＢＴスタックの側縁に沿って前記ドリフト領域に向かって第１の深さに延在し、
・前記拡散領域の厚さが、前記第１の深さの２倍を超える、ＩＧＢＴ素子。
【請求項２】
前記拡散領域の厚さが、前記第１の深さの４倍未満である、請求項１記載のＩＧＢＴ素子。
【請求項３】
前記ＩＧＢＴスタックがワイドバンドギャップ半導体材料である、請求項１に記載のＩＧＢＴ素子。
【請求項４】
前記ＩＧＢＴスタックがシリコンカーバイド（ＳｉＣ）である、請求項１に記載のＩＧＢＴ素子。
【請求項５】
前記一対の接合インプラントそれぞれが、
・ベースウェルと、
・ソースウェルと、
・オーミックウェルと、を備え、前記ベースウェル、前記ソースウェル、前記オーミックウェルのドーピング濃度が互いに異なっている、請求項１に記載のＩＧＢＴ素子。
【請求項６】
・前記ゲートコンタクトが前記一対の接合インプラントの各ソースウェルに部分的に重なると共にその間に延在し、
・前記エミッタコンタクトが、前記ゲートコンタクトに接触することなく、前記一対の接合インプラントそれぞれのソースウェルとオーミックウェル両方にそれぞれ部分的に重なる、請求項５に記載のＩＧＢＴ素子。
【請求項７】
前記ゲートコンタクトと前記ＩＧＢＴスタックの第１の面との間にゲート酸化物層をさらに含む、請求項６に記載のＩＧＢＴ素子。
【請求項８】
・前記ドリフト領域が、ドーピング濃度が１×１０１３ｃｍ−３〜１×１０１５ｃｍ−３の間のＮ領域であり、
・前記インジェクタ領域が、ドーピング濃度が１×１０１６ｃｍ−３〜１×１０２１ｃｍ−３の間のＰ領域であり、
・前記拡散領域が、ドーピング濃度が５×１０１５ｃｍ−３〜５×１０１６ｃｍ−３の間のＮ領域である、請求項１に記載のＩＧＢＴ素子。
【請求項９】
・前記ドリフト領域が、ドーピング濃度が１×１０１３ｃｍ−３〜１×１０１５ｃｍ−３の間のＰ型領域であり、
・前記インジェクタ領域が、ドーピング濃度が１×１０１６ｃｍ−３〜１×１０２１ｃｍ−３の間のＮ領域であり、
・前記拡散領域が、ドーピング濃度が５×１０１５ｃｍ−３〜５×１０１６ｃｍ−３の間のＰ領域である、請求項１に記載のＩＧＢＴ素子。
【請求項１０】
・前記第１の深さが約０.３μｍ〜約１.０μｍの範囲であり、
・前記拡散領域の厚さが約１.５μｍ〜約１０μｍの範囲である、請求項１に記載のＩＧＢＴ素子。
【請求項１１】
前記ＩＧＢＴスタックの幅が約１μｍ〜４μｍの間である、請求項１に記載のＩＧＢＴ素子。
【請求項１２】
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）素子であって、前記ＩＧＢＴ素子が、
・インジェクタ領域と、
・前記インジェクタ領域上のドリフト領域と、
・前記ドリフト領域上にあると共に、前記ドリフト領域と反対側の前記ＩＧＢＴスタックの第１の面を提供する、拡散領域と、
・前記拡散領域における一対の接合インプラントと、を含む
・ＩＧＢＴスタックと、
・前記ＩＧＢＴスタックの前記第１の面上のゲートコンタクトおよびエミッタコンタクトと、
・前記ＩＧＢＴスタックの第２の面上にあると共に、前記ドリフト領域の反対側のインジェクタ領域により提供される、コレクタコンタクトと、を含み、
・前記一対の接合インプラントが、接合型電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ）領域によって分離され、前記ＩＧＢＴスタックの前記第１の面から前記ＩＧＢＴスタックの側縁に沿って前記ドリフト領域に向かって第１の深さに延在し、
・前記拡散領域が、少なくとも１.５μｍだけ前記第１の深さを越えて延在する、ＩＧＢＴ素子。
【請求項１３】
前記拡散領域が、約１０.０μｍ未満だけ前記第１の深さを越えて延在する、請求項１２に記載のＩＧＢＴ素子。
【請求項１４】
前記拡散領域が、少なくとも２.０μｍだけ前記第１の深さを越えて延在する、請求項１２に記載のＩＧＢＴ素子。
【請求項１５】
前記ＩＧＢＴスタックが、ワイドバンドギャップ半導体材料からなる、請求項１２に記載のＩＧＢＴ素子。
【請求項１６】
前記ＩＧＢＴスタックが、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）からなる、請求項１２に記載のＩＧＢＴ素子。
【請求項１７】
前記一対の接合インプラントそれぞれが、
・ベースウェルと、
・ソースウェルと、
・オーミックウェルと、を備え、前記ベースウェル、ソースウェル、オーミックウェルのドーピング濃度が互いに異なっている、請求項１２に記載のＩＧＢＴ素子。
【請求項１８】
・前記ゲートコンタクトが前記一対の接合インプラントの各ソースと部分的に重なると共にその間に延在し、 
・前記エミッタコンタクトが、前記ゲートコンタクトに接触することなく、前記一対の接合インプラントそれぞれの前記ソースウェルおよび前記オーミックウェル両方にそれぞれ部分的に重なる、請求項１７に記載のＩＧＢＴ素子。
【請求項１９】
前記ゲートコンタクトおよび前記ＩＧＢＴスタックの前記第１の面との間にゲート酸化物層をさらに含む、請求項１８に記載のＩＧＢＴ素子。
【請求項２０】
・前記ドリフト領域が、ドーピング濃度が１×１０１３ｃｍ−３〜１×１０１５ｃｍ−３の間のＮ領域であり、
・前記インジェクタ領域が、ドーピング濃度が１×１０１６ｃｍ−３〜１×１０２１ｃｍ−３の間のＰ領域であり、
・前記拡散領域が、ドーピング濃度が５×１０１５ｃｍ−３〜５×１０１６ｃｍ−３の間のＮ領域である、請求項１２に記載のＩＧＢＴ素子。
【請求項２１】
・前記ドリフト領域が、ドーピング濃度が１×１０１３ｃｍ−３〜１×１０１５ｃｍ−３の間のＰ型領域であり、
・前記インジェクタ領域が、ドーピング濃度が１×１０１６ｃｍ−３〜１×１０２１ｃｍ−３の間のＮ領域であり、
・前記拡散領域が、ドーピング濃度が５×１０１５ｃｍ−３〜５×１０１６ｃｍ−３の間のＰ領域である、請求項１２に記載のＩＧＢＴ素子。
【請求項２２】
前記第１の深さが、約０.３μｍ〜約１.５μｍの範囲である、請求項１２に記載のＩＧＢＴ素子。
【請求項２３】
前記ＩＧＢＴスタックの幅が、約１μｍ〜４μｍの間である、請求項１２に記載のＩＧＢＴ素子。
【請求項２４】
インジェクタ領域と、前記インジェクタ領域上のドリフト領域と、前記ドリフト領域上の拡散領域とを含むＩＧＢＴスタックを提供する工程であって、前記拡散領域が、前記ドリフト層の反対側の前記ＩＧＢＴスタックの第１の面を提供する工程と、
前記ＩＧＢＴスタックの前記第１の面に一対の接合インプラントを提供する工程であって、前記一対の接合インプラントがチャネルによって分離され、前記ＩＧＢＴスタックの前記第１の面から前記ドリフト領域に向かって第１の深さに延在し、前記拡散領域の厚さが少なくとも前記第１の深さの２倍を超える工程と、
前記ＩＧＢＴスタックの前記第１の面上にゲートコンタクトおよびエミッタコンタクトを提供する工程と、
前記ＩＧＢＴスタックの第２の面上にあると共に、前記ドリフト領域の反対側の前記インジェクタ領域により提供される、コレクタコンタクトを提供する工程と、を含む方法。
【請求項２５】
前記拡散領域の厚みが、前記第１の深さの４倍未満である、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記ＩＧＢＴスタックがシリコンカーバイド（ＳｉＣ）である、請求項２４に記載の方法。
【請求項２７】
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）素子であって、前記ＩＧＢＴ素子が、
・インジェクタ領域と、
・前記インジェクタ領域の上のドリフト領域と、
・前記ドリフト領域上の拡散領域と、
・各々がチャネルによって分離された、前記拡散領域における一対の接合インプラントと、を備えたＩＧＢＴスタックを備え、 
前記ＩＧＢＴスタックの幅が約４μｍ未満である、ＩＧＢＴ素子。