(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
シアノ系の液晶が封入された液晶表示素子において、
前記液晶表示素子に周波数６４Ｈｚの矩形波電圧（Ｖｓｃ）を印加し、
矩形波電圧（Ｖｓｃ）が不連続に変化した時以降の０．５ｍｓに流れたパルス状の消費電流（Ｉｐ）と、パルス状の消費電流（Ｉｐ）に引き続いて矩形波電圧（Ｖｓｃ）が次に不連続に変化する時までに流れた消費電流（Ｉｃ）と、を測定した場合に、
これらの消費電流の比（Ｉｃ／Ｉｐ）が０以上１．０以下の値を示すことを特徴とする液晶表示素子。
【請求項２】
フッ素系の液晶が封入された液晶表示素子において、
前記液晶表示素子に周波数６４Ｈｚの矩形波電圧（Ｖｓｃ）を印加し、
矩形波電圧（Ｖｓｃ）が不連続に変化した時以降の０．５ｍｓに流れたパルス状の消費電流（Ｉｐ）と、パルス状の消費電流（Ｉｐ）に引き続いて矩形波電圧（Ｖｓｃ）が次に不連続に変化する時までに流れた消費電流（Ｉｃ）と、を測定した場合に、
これらの消費電流の比（Ｉｃ／Ｉｐ）が０以上１．６以下の値を示すことを特徴とする液晶表示素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示素子に関し、特に、表示ムラ促進テストで表示不良が発生しない液晶表示素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
図９は、液晶表示素子の基本構成図である。コモン側透明電極３Ｃが配線されたコモン側ガラス基板２とセグメント側透明電極３Ｓが配線されたセグメント側ガラス基板１とを、液晶５を介してコモン側透明電極３Ｃとセグメント側透明電極３Ｓとが対向するように貼り合わせた構造が例示されている。符号４は、ポリイミド等の有機高分子樹脂からなる配向膜である。符号６は、液晶表示素子の厚みを制御するためのスペーサである。符号７は、液晶表示素子の容器を形成するためのシール接着剤である。符号８は、液晶表示素子と液晶表示素子の外部からの配線とを接続するための外部電極である。外部電極８は後述する外部電極５０，５１からなり、外部電極５１は導電ペースト９を介してコモン側透明電極３Ｃに接続されている。
【０００３】
図９の液晶表示素子４７の製造方法を述べると、以下のようになる。コモン側透明電極３Ｃが配線されたコモン側ガラス基板２とセグメント側透明電極３Ｓが配線されたセグメント側ガラス基板１に有機高分子樹脂を塗布し、この上を一定方向にラビングして配向膜４を形成する。洗浄を行い、液晶表示素子４７の容器を形成するためのシール接着剤７と液晶表示素子４７の厚みを制御するためのスペーサ６と導電ペースト９を配置し、コモン側ガラス基板２とセグメント側ガラス基板１とを重ね合わせる。但し、一般的には、コモン側透明電極３Ｃが配線されたコモン側ガラス基板２とセグメント側透明電極３Ｓが配線されたセグメント側ガラス基板１とが複数形成されて多面取りされた大型の基板を用い、２枚の大型の基板から複数個の液晶表示素子４７を作ることが多い。シール接着剤７を硬化し、大型の基板から製品サイズにカットする。カットされた液晶表示素子の容器（コモン側ガラス基板２とセグメント側ガラス基板１とシール接着剤７により形成された容器）に液晶５を封入し、偏光板１０を貼り付けて液晶表示素子４７が製造される。
【０００４】
なお、液晶表示素子の製造方法は、「液晶ディスプレイのすべて」（編著者：佐々木昭夫，苗村省平、発行所：株式会社工業調査会、１９９４年４月２２日  初版第３刷発行）において、第６章  液晶ディスプレイ・パネル作製技術とモジュール化（第１１３頁〜第１３３頁）に例示され詳述されている。
【０００５】
液晶表示素子を良否判別する検査方法には、液晶表示素子に矩形波電圧を印加してその消費電流（即ち全電流）を測定し、消費電流が所定値以上である液晶表示素子を不良品とする検査方法がある。
【０００６】
図１０は、液晶表示素子の消費電流を測定する測定装置の簡易回路図である。発振器４１からの信号電圧Ｖｆはスイッチ４５，４６に供給され、信号電圧Ｖｆの立上り，立下りに同期してスイッチ４５，４６の接点が切り替る。
【０００７】
直流電源４２からの一定電圧は、スイッチ４５，４６を介して外部電極５０，５１に印加され、外部電極５０，５１の一方が（＋）電圧（例えば１．４５Ｖ）にされると共に他方が接地される構成である。これにより、外部電極５０，５１には矩形波電圧Ｖｓｃが印加される。外部電極５０または外部電極５１からの出力電流は全電流Ｉｓｃとして電流計４０に供給され、流れた電流の（絶対値の）平均値もしくは実効値として液晶表示素子４７の消費電流を測定することができる。
【０００８】
図１１は、図１０の測定装置により液晶表示素子４７の消費電流を測定した際の各部の信号波形図である。信号電圧Ｖｆの信号波形を図１１（Ａ）に示す。外部電極５０，５１間の矩形波電圧Ｖｓｃの信号波形を図１１（Ｂ）に示す。全電流Ｉｓｃの信号波形を図１１（Ｃ）に示す。
【０００９】
液晶表示素子４７は、セグメント側透明電極とコモン側透明電極の間に液晶を挟んだコンデンサの構造を成し、矩形波電圧Ｖｓｃの立上り，立下り時には瞬時に充放電が行われ、静電容量に基づくパルス状の消費電流が流れる。そして、実際の液晶表示素子では、液晶中に混入した不純物イオンの移動による漸減状の消費電流がパルス状の消費電流に付加され、全電流Ｉｓｃとなる（図１１（Ｃ）参照）。
【００１０】
液晶表示素子には液晶成分や大きさや表示面積等が異なる種々の機種があり、一般的に機種ごとに消費電流が異なる。従来は、機種ごとの全電流Ｉｓｃに基づいて良否判別して良品の液晶表示素子としていた。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、全電流により良否判別して良品の液晶表示素子を得るためには、液晶表示素子の機種ごとに良否判別の上限値を決める必要があり、消費電流の種々の上限値により良否検査が煩雑になるという問題点があった。
【００１２】
本発明の目的は、上記問題を解決するため、煩雑でない良否検査を行うことによって得られる信頼性の高い液晶表示素子を提供するものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段および作用】
第１の液晶表示素子（請求項１に対応）は、シアノ系の液晶が封入された液晶表示素子において、その液晶表示素子に周波数６４Ｈｚの矩形波電圧Ｖｓｃを印加し、矩形波電圧Ｖｓｃが不連続に変化した時以降の０．５ｍｓに流れたパルス状の消費電流Ｉｐと、パルス状の消費電流Ｉｐに引き続いて矩形波電圧Ｖｓｃが次に不連続に変化する時までに流れた消費電流Ｉｃと、を測定した場合に、これらの消費電流の比Ｉｃ／Ｉｐが０以上１．０以下の値を示すことで特徴づけられる。
【００１４】
第１の液晶表示素子によれば、シアノ系の液晶が封入された液晶表示素子では、消費電流の比Ｉｃ／Ｉｐが０以上１．０以下の場合に所定の表示ムラ促進テストで表示不良が発生しないことが本発明者により判明したことに基づいて、消費電流の比Ｉｃ／Ｉｐが０以上１．０以下の液晶表示素子を提供することで、信頼性の高い高品質の液晶表示素子を提供することができる。
【００１５】
第２の液晶表示素子（請求項２に対応）は、フッ素系の液晶が封入された液晶表示素子において、その液晶表示素子に周波数６４Ｈｚの矩形波電圧Ｖｓｃを印加し、矩形波電圧Ｖｓｃが不連続に変化した時以降の０．５ｍｓに流れたパルス状の消費電流Ｉｐと、パルス状の消費電流Ｉｐに引き続いて矩形波電圧Ｖｓｃが次に不連続に変化する時までに流れた消費電流Ｉｃと、を測定した場合に、これらの消費電流の比Ｉｃ／Ｉｐが０以上１．６以下の値を示すことで特徴づけられる。
【００１６】
第２の液晶表示素子によれば、フッ素系の液晶が封入された液晶表示素子では、消費電流の比Ｉｃ／Ｉｐが０以上１．６以下の場合に所定の表示ムラ促進テストで表示不良が発生しないことが本発明者により判明したことに基づいて、消費電流の比Ｉｃ／Ｉｐが０以上１．６以下の液晶表示素子を提供することで、信頼性の高い高品質の液晶表示素子を提供することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施形態を添付図面に基づいて説明する。
【００１８】
図１は、液晶表示素子の消費電流を測定する測定装置の簡易回路図である。この測定装置を用いて液晶表示素子４７に矩形波電圧Ｖｓｃを印加し、その消費電流に基づいて図９に示す液晶表示素子４７の良否判別を行った。
【００１９】
発振器４１からの信号電圧Ｖｆはスイッチ４５，４６に供給され、信号電圧Ｖｆの立上り，立下りに同期してスイッチ４５，４６の接点が切り替る。また、信号電圧Ｖｆはパルス発生器４８にも供給され、信号電圧Ｖｆの立上り，立下りに同期してパルス発生器４８からパルス幅Ｔｐのパルス信号電圧Ｖｇが出力される。パルス信号電圧Ｖｇの立上り，立下りに同期してスイッチ４９の接点が切り替る。
【００２０】
直流電源４２からの一定電圧は、スイッチ４５，４６を介して外部電極５０，５１に印加され、外部電極５０，５１の一方が（＋）電圧（例えば１．４５Ｖ）にされると共に他方が接地される構成である。外部電極５０または外部電極５１からの出力電流（消費電流）は全電流Ｉｓｃとしてスイッチ４９に供給され、スイッチ４９を介してパルス状の消費電流（以下、正常電流という）Ｉｐと正常電流Ｉｐに引き続いて流れる漸減状の消費電流（以下、異常電流という）Ｉｃが各々電流計４３，４４に供給され、流れた電流（の絶対値）の平均値として各消費電流Ｉｃ，Ｉｐを測定することができる。
【００２１】
図２は、図１の測定装置の変形例である。発振器４１０からの発振信号電圧は分周回路４１１とパルス回路４８０に供給される。分周回路４１１は、発振信号電圧を分周して矩形波の信号電圧Ｖｆをスイッチ４５，４６に出力する。パルス回路４８０は、発振信号電圧を分周して矩形波の信号電圧Ｖｆの立上り，立下りに同期したパルス幅Ｔｐのパルス信号電圧Ｖｇをスイッチ４９に出力する。正常電流Ｉｐ，異常電流Ｉｃは各々の抵抗とコンデンサにより平滑化され、正常電流Ｉｐ，異常電流Ｉｃに対応した電圧が演算増幅器の出力端子Ｖｐ，Ｖｃに出力される。
【００２２】
図３は、図１または図２の測定装置により液晶表示素子４７を検査した際の各部の信号波形図である。信号電圧Ｖｆの信号波形を図３（Ａ）に示す。外部電極５０，５１間の矩形波電圧Ｖｓｃの信号波形を図３（Ｂ）に示す。全電流Ｉｓｃの信号波形を図３（Ｃ）に示す。パルス信号電圧Ｖｇの信号波形を図３（Ｄ）に示す。正常電流Ｉｐの信号波形を図３（Ｅ）に示す。異常電流Ｉｃの信号波形を図３（Ｆ）に示す。
【００２３】
液晶表示素子４７は、セグメント側透明電極とコモン側透明電極の間に液晶を挟んだコンデンサの構造を成し、矩形波電圧Ｖｓｃの立上り，立下り時には瞬時に充放電が行われ、静電容量に基づくパルス状の正常電流Ｉｐが流れる。そして、実際の液晶表示素子では、液晶中に混入した不純物イオンの移動による漸減状の異常電流Ｉｃが正常電流Ｉｐに付加され、全電流Ｉｓｃとなる（図３（Ｃ）参照）。
【００２４】
図１，図２の測定装置では、異常電流Ｉｃと正常電流Ｉｐとを分離して測定している。電流計４３は矩形波電圧Ｖｓｃが切り替ってから一定時間Ｔｐ（例えば０．５ｍｓ）の電流を測定し、これは正常電流Ｉｐに対応している。電流計４４はそれ以降の液晶中の不純物イオンの移動による異常電流Ｉｃを測定する。これにより、任意の消費電流値を持つ液晶表示素子から、不純物イオンが混入してない場合の液晶表示素子の消費電流に相当する正常電流Ｉｐのみを取り出して測定することが可能となる。
【００２５】
図４は、シアノ系の液晶を注入した場合の液晶表示素子の判別結果を表で例示した説明図である。ここでシアノ系の液晶とは、フェニルシクロヘキサン及びその誘導体を骨格とし、末端にシアノ基を有する液晶をいう。試料である液晶表示素子の大きさは約９．５ｃｍ×５．２ｃｍ、表示面積は約９ｃｍ２  、２枚のガラス基板のギャップ幅は約６．７μｍ、ツイスト角は２４０度のＳＴＮ（スーパーツイスト）型液晶表示素子について、図１の測定装置で発振器４１の発振周波数を６４Ｈｚとし、直流電源４２の一定出力電圧を１．４５Ｖとした場合の具体例である。なお、正常電流Ｉｐを測定する測定時間Ｔｐは０．５ｍｓとした。
【００２６】
（Ｉｐ＋Ｉｃ）／Ｉｐの値と良否判別結果を併記した。この良否判別結果は、測定装置から取り外した液晶表示素子４７を摂氏６０℃で約５００時間の点灯試験（表示ムラ促進テスト）を行い、表示が薄くなったり表示ムラが出たりしたものを不良として判別したものである。
【００２７】
全電流Ｉｓｃは８〜１７μＡの範囲をとるが、正常電流Ｉｐは約７．６μＡと一定であり、これに各値の異常電流Ｉｃが重なることで全電流Ｉｓｃのばらつきとなっていることが判る。本発明者は、このような測定を繰り返した結果、（Ｉｐ＋Ｉｃ）／Ｉｐの値が２．０よりも大きい場合に液晶表示素子の表示不良が出やすいことを発見した。  すなわち、シアノ系の液晶を注入して封止した液晶表示素子では、全電流Ｉｓｃ＝（Ｉｐ＋Ｉｃ）が正常電流Ｉｐの２倍となる点を、消費電流に対する上限値にすればよいことが示された。更には、Ｉｃ／Ｉｐの値が１となる点を、上限値にすればよいことが示された。なお、ここで設定した正常電流Ｉｐの２倍という全電流Ｉｓｃの上限値の設定法は、液晶表示素子の大きさや表示面積などが異なる他の仕様の液晶表示素子（但し、シアノ系の液晶を封入した液晶表示素子）にも適用することができる。
【００２８】
図５は、フッ素系の液晶を注入した場合の液晶表示素子の判別結果を表で例示した説明図である。ここでフッ素系の液晶とは、フェニルシクロヘキサン及びその誘導体を骨格とし、末端にフッ素基を有する液晶をいう。試料である液晶表示素子の大きさは約５．０ｃｍ×２．６ｃｍ、表示面積は約４．２ｃｍ２  、２枚のガラス基板のギャップ幅は約７．５μｍ、ツイスト角は１８０度のＳＴＮ（スーパーツイスト）型液晶表示素子について、図１の測定装置で発振器４１の発振周波数を６４Ｈｚとし、直流電源４２の一定出力電圧を１．４５Ｖとした場合の具体例である。なお、正常電流Ｉｐを測定する測定時間Ｔｐは０．５ｍｓとした。
【００２９】
（Ｉｐ＋Ｉｃ）／Ｉｐの値と良否判別結果を併記した。この良否判別結果は、測定装置から取り外した液晶表示素子４７を摂氏６０℃で約５００時間の点灯試験（表示ムラ促進テスト）を行い、表示が薄くなったり表示ムラが出たりしたものを不良として判別したものである。
【００３０】
全電流Ｉｓｃは３〜１０μＡの範囲をとるが、正常電流Ｉｐは約２．６μＡと一定であり、これに各値の異常電流Ｉｃが重なることで全電流Ｉｓｃのばらつきとなっていることが判る。本発明者は、このような測定を繰り返した結果、（Ｉｐ＋Ｉｃ）／Ｉｐの値が２．６よりも大きい場合に液晶表示素子の表示不良が出やすいことを発見した。すなわち、フッ素系の液晶を注入して封止した液晶表示素子では、全電流Ｉｓｃ＝（Ｉｐ＋Ｉｃ）が正常電流Ｉｐの２．６倍となる点を、消費電流に対する上限値にすればよいことが示された。また、Ｉｃ／Ｉｐの値が１．６となる点を上限値にすればよいことが示された。なお、ここで設定した正常電流Ｉｐの２．６倍という全電流Ｉｓｃの上限値の設定法は、液晶表示素子の大きさや表示面積などが異なる他の仕様の液晶表示素子（但し、フッ素系の液晶を封入した液晶表示素子）にも適用することができる。
【００３１】
このように、図１または図２の測定装置を用いることで、異常電流Ｉｃが０μＡの液晶表示素子が得られない場合にも、任意の液晶表示素子の正常電流Ｉｐを測定することで、適切な上限値を求めることができる。
【００３２】
図６は、シアノ系の液晶の比抵抗値と、液晶表示素子の消費電流（全電流）Ｉｓｃと、（Ｉｐ＋Ｉｃ）／Ｉｐの値と、を示した柱状グラフである。１２０個程度の液晶表示素子について測定した分布図である。液晶の比抵抗値は、液晶表示素子の容器への注入時における液晶注入装置の液晶皿の液晶の比抵抗値を比抵抗計で測定した。Ｔ１１特性はシアノ系の液晶の比抵抗値が１０１１Ω・ｃｍ台の場合である。Ｔ１０特性はシアノ系の液晶の比抵抗値が１０１０Ω・ｃｍ台の場合である。Ｔ９特性は、シアノ系の液晶の比抵抗値が１０９  Ω・ｃｍ台の場合である。
【００３３】
図６から、シアノ系の液晶の比抵抗値が１０９  Ω・ｃｍ台の場合に、（Ｉｐ＋Ｉｃ）／Ｉｐの値が２．０よりも大きくなっている。比抵抗値が１×１０１０Ω・ｃｍ以上の液晶を注入することにより、高品質の液晶表示素子を製造することが可能であることが判る。比抵抗値が１×１０１１Ω・ｃｍ以上の液晶を注入することにより、消費電流の少ない更に高品質の液晶表示素子を製造することが可能であることが判る。なお、本発明者は比抵抗値が１０１２Ω・ｃｍ台のシアノ系の液晶を注入して液晶表示素子を製造してみたが、この場合にも消費電流の少ない高品質の液晶表示素子を得ることができた。
【００３４】
図７は、フッ素系の液晶の比抵抗値と、液晶表示素子の消費電流（全電流）Ｉｓｃと、（Ｉｐ＋Ｉｃ）／Ｉｐの値と、を示した柱状グラフである。１２０個程度の液晶表示素子について測定した分布図である。液晶の比抵抗値は、液晶表示素子の容器への注入時における液晶注入装置の液晶皿の液晶の比抵抗値を比抵抗計で測定した。Ｔ１１特性はフッ素系の液晶の比抵抗値が１０１１Ω・ｃｍ台の場合である。Ｔ１０特性はフッ素系の液晶の比抵抗値が１０１０Ω・ｃｍ台の場合である。Ｔ９特性は、フッ素系の液晶の比抵抗値が１０９  Ω・ｃｍ台の場合である。
【００３５】
図７から、フッ素系の液晶の比抵抗値が１０９  Ω・ｃｍ台の場合に、（Ｉｐ＋Ｉｃ）／Ｉｐの値が２．６よりも大きくなっている。比抵抗値が１×１０１０Ω・ｃｍ以上の液晶を注入することにより、高品質の液晶表示素子を製造することが可能であることが判る。比抵抗値が１×１０１１Ω・ｃｍ以上の液晶を注入することにより、消費電流の少ない更に高品質の液晶表示素子を製造することが可能であることが判る。なお、本発明者は比抵抗値が１０１２Ω・ｃｍ台のフッ素系の液晶を注入して液晶表示素子を製造してみたが、この場合にも消費電流の少ない高品質の液晶表示素子を得ることができた。
【００３６】
液晶の比抵抗値から液晶表示素子の品質をある程度予測できるが、注入時の液晶の比抵抗値からは判らない不良発生原因があるので、図１，図２の消費電流の測定装置による液晶表示素子の良否判別検査は、液晶表示素子の信頼性や品質を確認する上で有益である。
【００３７】
図８は、液晶注入装置を説明するための基本構成図である。液晶を注入する液晶注入装置はクラス１０，０００以下のクリーンルームに設置されており、液晶表示素子の容器と液晶５を真空槽（不図示）中に配置して一定の真空度にした後、液晶表示素子の容器の注入口１４に液晶皿１５の液晶５を付け、真空槽内を大気圧に戻して液晶皿１５の液晶５を液晶表示素子の容器に注入する。液晶５を注入した後、紫外線硬化型の接着剤（不図示）により注入口１４はふさがれる。
【００３８】
符号１１，１２は、コモン側透明電極３Ｃが配線されたコモン側ガラス基板２とセグメント側透明電極３Ｓが配線されたセグメント側ガラス基板１とが複数形成されて多面取りされた基板であり、基板１１，１２はシール接着剤７により接着されており、このスティック１３を分割することで４個の液晶表示素子４７を作ることができる。
【００３９】
治具１６は、その溝により基板１１，１２を嵌め込んで保持するものであり、治具１６を液晶皿１５の液晶５に浸して、注入口１４に液晶皿１５の液晶５を付けるものである。液晶皿１５の液晶５は、比抵抗値が１×１０１０Ω・ｃｍ以上１×１０１６Ω・ｃｍ未満のシアノ系の液晶、または、比抵抗値が１×１０１０Ω・ｃｍ以上１×１０１５Ω・ｃｍ未満のフッ素系の液晶からなり、これを注入する。液晶５を溜める液晶皿１５や治具１６は無機物で構成することで、液晶皿１５や治具１６から有機物が液晶５に混入してこの有機物により液晶表示素子の品質が低下することを防止することができる。治具１６を用いずに、注入口１４を液晶皿１５の液晶５に付けて液晶５を注入してもよい。
【００４０】
液晶皿１５の液晶５の比抵抗値が１０９  Ω・ｃｍ台に低下した場合は、その液晶皿１５を洗浄済みの新品の液晶皿１５に取り替えると共に、新品の液晶皿１５には比抵抗値が１×１０１０Ω・ｃｍ以上の液晶５を新しく入れるとよい。液晶５への不純物の混入については、大気中からの埃、水分、また、注入作業を繰り返すことによる治具１６や液晶表示素子の表面付着物、製造場所の作業者からの塵等からの混入が考えられるが、２４時間程度で液晶皿１５及びその液晶５を新しく変える方が望ましい。
【００４１】
なお、図１，図２の測定装置において、正常電流Ｉｐを測定する測定時間Ｔｐは、静電容量に基づくパルス電流を測定することができる時間幅であればよい。測定時間Ｔｐは長いほど正常電流Ｉｐ以外の異常電流Ｉｃの成分を含むことになって測定誤差を含むこととなるが、狭すぎるとタイミングがずれて正常電流Ｉｐの全部を測定できないことが起こり得る。通常、パルス状の正常電流Ｉｐのパルス幅は数１０μｓであるが、液晶表示素子４７自身の静電容量、またはこれに等価的に接続される抵抗成分が大きくなると数ｍｓまで広がることもあり得る。そのため、測定タイミングの誤差等を考慮して、０．５ｍｓ程度が望ましいが、上記した点を考慮して０．０５ｍｓ〜２ｍｓ程度に変えてもよい。また、図１，図２の測定装置では、正常電流Ｉｐを測定するためのパルス信号電圧Ｖｇの立上りが矩形波電圧Ｖｓｃの切り替り（不連続に変化する時点）と一致しているので、パルス信号電圧Ｖｇの立上り時刻を少し先行させてもよい。
【００４２】
全電流Ｉｓｃの正常電流Ｉｐに対する倍率は、経験的に２倍程度が適正であることが本発明者により判明したが、液晶の不純物イオンに対する敏感さにより調整してもよい。すなわち、低電圧液晶の中でも厳しいものは１．５倍程度まで下げ、不純物イオンに対して鈍感なものは２．６倍程度に上げてもよい。図１〜図３で検査用の駆動電圧はデューティファクタが５０％の矩形波電圧を用いたが、実際の液晶駆動に対応した時分割駆動の場合にも駆動電圧が変化する瞬間に正常電流Ｉｐを測定することができる。また、測定装置では平均値整流式の値を得るものを示したが、２乗の値を得る演算回路を挿入することで実効値とすることも可能である。
【００４３】
図１または図２の測定装置において、全電流Ｉｓｃを測定する電流計４０をスイッチ４５，４６とスイッチ４９との間に挿入し、全電流Ｉｓｃを直接測定してもよい。矩形波電圧Ｖｓｃの周波数を３２〜１２８Ｈｚとする好例を述べたが、２０〜３００Ｈｚ程度もしくは１０〜５００Ｈｚ程度としてもよい。また、上記実施形態は本発明の一例であり、本発明は上記実施形態に限定されない。
【００４４】
【発明の効果】
以上の説明で明らかなように本発明によれば、次の効果を奏する。
【００４５】
請求項１に係る液晶表示素子によれば、シアノ系の液晶が封入された液晶表示素子において、消費電流の比Ｉｃ／Ｉｐが０以上１．０以下の液晶表示素子を提供することで、信頼性の高い高品質の液晶表示素子を提供することができる。
【００４６】
請求項２に係る液晶表示素子によれば、フッ素系の液晶が封入された液晶表示素子において、消費電流の比Ｉｃ／Ｉｐが０以上１．６以下の液晶表示素子を提供することで、信頼性の高い高品質の液晶表示素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】液晶表示素子の良否判別を行う際に用いた測定装置の簡易回路図
【図２】図１の測定装置の変形例
【図３】図１又は図２の測定装置により液晶表示素子を検査した際の各部の信号波形図
【図４】シアノ系の液晶を注入した場合の液晶表示素子の判別結果を例示した説明図
【図５】フッ素系の液晶を注入した場合の液晶表示素子の判別結果を例示した説明図
【図６】シアノ系の液晶の比抵抗値と液晶表示素子の消費電流Ｉｓｃと（Ｉｐ＋Ｉｃ）／Ｉｐの値とを示した柱状グラフ
【図７】フッ素系の液晶の比抵抗値と液晶表示素子の消費電流Ｉｓｃと（Ｉｐ＋Ｉｃ）／Ｉｐの値とを示した柱状グラフ
【図８】液晶注入装置の基本構成図
【図９】液晶表示素子の基本構成図
【図１０】従来の測定装置の簡易回路図
【図１１】図１０の測定装置により液晶表示素子を検査した際の各部の信号波形図
【符号の説明】
１…セグメント側ガラス基板、２…コモン側ガラス基板、３Ｃ…コモン側透明電極、３Ｓ…セグメント側透明電極、４…配向膜、５…液晶、６…スペーサ（ギャップ粒子）、７…シール（シール接着剤）、８，５０，５１…外部電極、９…導電ペースト（導電性のペースト）、１０…偏光板、１１，１２…基板、１３…液晶表示素子（の容器）がつながったスティック、１４…注入口、１５…液晶皿、１６…治具、４０，４３，４４…電流計、４１，４１０…発振器、４２…直流電源、４５，４６，４９…スイッチ、４７…液晶表示素子、４８…パルス発生器、４１１…分周回路、４８０…パルス回路、Ｉｃ…異常電流（正常電流Ｉｐに引き続いて矩形波電圧Ｖｓｃが次に不連続に変化する時までに流れた消費電流）、Ｉｐ…正常電流（パルス状の消費電流）、Ｉｓｃ…全電流（正常電流Ｉｐと異常電流Ｉｃの和に等しい）、Ｖｓｃ…矩形波電圧（駆動電圧）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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