Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成29年9月29日(2017.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
大気プラズマ装置であって、
その第１の側にオリフィスを備えた真空筐体と、
前記真空筐体内に配置され、電子抽出開口部を備えた電子源と、
前記抽出開口部の近傍に配置され、且つ前記電子源から電子を抽出して電子ビームを形成し、該電子ビームを前記オリフィスを介して方向づけるように構成された抽出器と、
前記電子ビームが前記真空筐体を出ることが可能であるように構成されたカバーと、
収集電極と、
プラズマプローブに電圧電位を印加して、試料から前記収集電極への電子電流を駆動させるための手段と、を含み、
前記電子ビームは、前記オリフィスの直径よりも小さい直径を有するように構成され、且つ前記真空筐体を出ると大気を電離して空間的に限定されたプラズマカラム又はプラズマプローブを維持するように構成された、装置。
【請求項２】
前記電子ビームが前記真空筐体を出た後に進行する空間にガス混合物を制御可能に注入するために、少なくとも１つのガス注入器をさらに含む、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記真空筐体内に配置された静電レンズをさらに含む、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記真空筐体の外部に面する前記カバーの表面は、導電性であり、前記真空筐体から電気的に絶縁され、導電性ラインが取り付けられている、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記電子ビームが前記真空筐体を出ることが可能であるように構成された前記カバーは膜であり、該膜は、前記真空筐体における真空を保持し、且つ前記電子ビームを実質的に透過させるように適応される、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記電子ビームが前記真空筐体を出ることが可能であるように構成された前記カバーは開口プレートであり、該開口プレートは、前記真空筐体における真空を保持するように、且つ前記電子ビームがその開口を通過するときに前記電子ビームの直径を減縮するように適応されたオリフィスを備える、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記収集電極と前記試料との間を流れる電子電流量を測定するための手段をさらに含む、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
選択領域の各位置で測定された前記電子電流量を用いてイメージを生成し、前記イメージをモニタに表示するための手段をさらに含む、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記プラズマプローブを、前記試料の選択領域で走査させるための手段をさらに含む、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記試料から散乱した後方散乱電子を測定する手段と、
前記後方散乱電子の前記測定を使用して前記プラズマプローブの横方向の位置合わせを決定する手段と、
前記電子電流の測定を使用して前記プラズマプローブの垂直方向の位置合わせを決定する手段と、をさらに含む、請求項１に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年9月5日(2017.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャパシタ構造を作製するための方法であって、
半導体基板上に複数のポリシリコン構造を作製するステップと、
前記半導体基板上に複数のＭ１−拡散（ＭＤ）配線を作製するステップであって、前記複数のポリシリコン構造が前記複数のＭＤ配線を備えたインターリーブ構成で配設される、作製するステップと、
前記キャパシタ構造として、前記複数のＭＤ配線および／または前記複数のポリシリコン構造の前記インターリーブ構成を選択的に接続するステップと
を含み、
前記半導体基板のシャロートレンチ分離（ＳＴＩ）領域上に前記複数のポリシリコン構造および前記複数のＭＤ配線を組み立てることを特徴とする、方法。
【請求項２】
前記複数のポリシリコン構造がフローティング電位にある、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記複数のＭＤ配線内の１つおきの配線が、前記キャパシタ構造の第１の端子として電気的に結合される、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記複数のＭＤ配線が、前記キャパシタ構造の第１の端子として電気的に結合され、前記複数のポリシリコン構造が、前記キャパシタ構造の第２の端子として電気的に結合される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記複数のポリシリコン構造および前記複数のＭＤ配線が、前記半導体基板のＳＴＩ領域上に直接存在する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記キャパシタ構造を作製するのと並行してＦｉｎＦＥＴデバイスを作製するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記複数のポリシリコン構造のサブセットがゲートコンタクトを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
半導体基板上の複数のポリシリコン構造と、
前記半導体基板上の酸化物拡散領域に導電層を配線するための手段であって、前記複数のポリシリコン構造が、前記配線手段を備えたインターリーブ構成で配設され、前記複数のポリシリコン構造および／または前記配線手段が、キャパシタ構造として前記インターリーブ構成で選択的に接続される、配線するための手段と
を含み、
前記複数のポリシリコン構造および前記配線手段が、前記半導体基板のシャロートレンチ分離（ＳＴＩ）領域上にあることを特徴とする、キャパシタ構造。
【請求項９】
前記複数のポリシリコン構造がフローティング電位にあり、及び／又は、前記配線手段が、フローティング電位にある複数のＭ１−拡散（ＭＤ）配線を含む、請求項８に記載のキャパシタ構造。
【請求項１０】
前記複数のポリシリコン構造が前記キャパシタ構造のプレートである、請求項８に記載のキャパシタ構造。
【請求項１１】
１つおきの配線手段が、前記キャパシタ構造の第１の端子として電気的に結合される、請求項８に記載のキャパシタ構造。
【請求項１２】
前記配線手段が、前記キャパシタ構造の第１の端子として電気的に結合され、前記複数のポリシリコン構造が、前記キャパシタ構造の第２の端子として電気的に結合される、請求項８に記載のキャパシタ構造。
【請求項１３】
前記複数のポリシリコン構造および前記配線手段が、前記半導体基板のＳＴＩ領域上に直接存在する、請求項８に記載のキャパシタ構造。
【請求項１４】
ＦｉｎＦＥＴデバイスをさらに含む、請求項８に記載のキャパシタ構造。
【請求項１５】
前記複数のポリシリコン構造のサブセットがゲートコンタクトを含む、請求項１４に記載のキャパシタ構造。
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月14日(2017.8.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
三次元メモリシステムであって、
論理回路に結合された複数の標準的なピンと、
制御ブロックを含む論理回路と、
メモリアレイと、
複数の機能の中から選択された機能を実行するように前記制御ブロックによって構成可能な複数のピンと、を含み、前記複数の機能のうちの１つがアレイにアクセスする、システム。
【請求項２】
前記機能の１つが標準的なシリアルメモリインターフェイスをアレイに提供している、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記機能の１つが非標準的なシリアルメモリインターフェイスを前記アレイに提供している、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記機能の１つが標準的なパラレルインターフェイスを前記アレイに提供している、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記機能の１つが非標準的なパラレルインターフェイスを前記アレイに提供している、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記機能の１つがシリアルとパラレルが組み合わされたインターフェイスを前記アレイに提供している、請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記機能の１つがテスト機能を提供している、請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
前記機能の１つが前記メモリシステムの内部信号へのアクセスを提供している、請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
前記制御ブロックが制御ピンによって制御される、請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
前記制御ブロックがコントローラによって制御される、請求項１に記載のシステム。
【請求項１１】
少なくとも１つのピンがＴＳＶを介して前記論理回路に結合される、請求項１に記載のシステム。
【請求項１２】
少なくとも１つのピンがマイクロバンプを介して前記論理回路に結合される、請求項１に記載のシステム。
【請求項１３】
少なくとも１つのピンがボンドワイヤを介して前記論理回路に結合される、請求項１に記載のシステム。
【請求項１４】
前記アレイがＳｕｐｅｒＦｌａｓｈアレイである、請求項１に記載のシステム。
【請求項１５】
前記標準的なピンがシリアルＳＰＩ又はＳＱＩピンである、請求項１に記載のシステム。
【請求項１６】
前記標準的なピンがパラレルＭＰＦピンである、請求項１に記載のシステム。
【請求項１７】
前記インターフェイスピンがＥＳＤなし又はより小型のＥＳＤ構造で構成解除される、請求項１に記載のシステム。
【請求項１８】
３Ｄのより小さい負荷性能向けに最適化して前記出力ピンが構成される、請求項１に記載のシステム。
【請求項１９】
３Ｄ性能向けに最適化して前記入力ピンが構成される、請求項１に記載のシステム。
【請求項２０】
前記標準的なＮＯＲメモリＩ／Ｏ帯域幅を超えるデータ帯域幅を更に含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項２１】
マイクロコントローラを更に含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項２２】
三次元メモリシステムであって、
論理回路に結合された複数のピンと、
制御ブロックを含む論理回路と、
メモリアレイと、
第１の機能又は第２の機能を実行するように前記制御ブロックによって構成可能な複数のピンと、を含み、前記第１の機能は前記メモリアレイにアドレスを提供し、前記第２の機能は前記メモリシステムの内部信号にアクセスする、システム。
【請求項２３】
前記内部信号が内部アドレス信号を含む、請求項２２に記載のシステム。
【請求項２４】
前記内部信号が内部入出力信号を含む、請求項２２に記載のシステム。
【請求項２５】
前記内部信号が内部制御信号を含む、請求項２２に記載のシステム。
【請求項２６】
メモリシステムであって、
論理回路に結合された複数のピンと、
制御ブロックを含む論理回路と、
メモリアレイと、を含み、
第１の機能又は第２の機能を実行するように前記複数のピンが前記制御ブロックによって構成可能であり、前記第１の機能は前記メモリアレイにシリアルインターフェイスを提供し、前記第２の機能は前記メモリアレイにパラレルインターフェイスを提供する、システム。
【請求項２７】
前記メモリアレイが二次元メモリアレイである、請求項２６に記載のシステム。
【請求項２８】
前記メモリアレイが三次元メモリアレイである、請求項２６に記載のシステム。
【請求項２９】
前記シリアルインターフェイスが標準的なインターフェイスである、請求項２６に記載のシステム。
【請求項３０】
前記シリアルインターフェイスが非標準的なインターフェイスである、請求項２６に記載のシステム。
【請求項３１】
前記パラレルインターフェイスが標準的なインターフェイスである、請求項２６に記載のシステム。
【請求項３２】
前記パラレルインターフェイスが非標準的なインターフェイスである、請求項２６に記載のシステム。
【請求項３３】
三次元メモリシステムであって、
論理回路に結合された複数の標準的なメモリピンと、
メモリアレイと、
複数の機能の中から選択された機能を実行するように構成可能な複数のピンと、を含み、前記複数の機能のうちの１つが前記アレイにアクセスする、システム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年9月21日(2017.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｘ線管（９）用のターゲット（１）であって、ターゲット基体（１０）と、該ターゲット基体（１０）に取り付けられたターゲット素子（１１）とを備えており、前記ターゲット基体（１０）上には、識別素子（８，１４，１５）が取り付けられており、該識別素子（８，１４，１５）は、Ｘ線管（９）上の捕捉素子（１３，１６，１８）と連携して識別されることができ、該識別素子（８，１４，１５）は、前記ターゲット（１）の特性に対する一義的な関連付けを有している、ターゲット（１）。
【請求項２】
前記識別素子（８，１４，１５）が電気的識別素子（８）、光学的識別素子（１４）又は機械的識別素子（１５）である、請求項１に記載のターゲット（１）。
【請求項３】
前記電気的識別素子（８）が、電子部品（８）、特にＲＦＩＤチップであり、及び／又は、前記光学的識別素子（１４）が、バーコード（１４）若しくはＱＲコードであり、及び／又は、前記機械的識別素子（１５）が、複数の穿孔（１５）、複数の鋸歯若しくは複数の陥凹である、請求項２に記載のターゲット（１）。
【請求項４】
Ｘ線管（９）用のフィラメント（５）であって、フィラメント保持具と、該フィラメント保持具に取り付けられたフィラメント素子とを備えており、前記フィラメント保持具上には、識別素子が取り付けられており、該識別素子は、Ｘ線管（９）上の捕捉素子と連携して識別されることができ、該識別素子は、前記フィラメント（５）の特性に対する一義的な関連付けを有している、フィラメント（５）。
【請求項５】
前記識別素子（８，１４，１５）が電気的識別素子（８）、光学的識別素子（１４）又は機械的識別素子（１５）である、請求項４に記載のフィラメント（５）。
【請求項６】
前記電気的識別素子（８）が、電子部品（８）、特にＲＦＩＤチップであり、及び／又は、前記光学的識別素子（１４）が、バーコード（１４）若しくはＱＲコードであり、及び／又は、前記機械的識別素子（１５）が、複数の穿孔（１５）、複数の鋸歯若しくは複数の陥凹である、請求項５に記載のフィラメント（５）。
【請求項７】
請求項１〜３のいずれか１項に記載のターゲット（１）及び／又は請求項４〜６のいずれか１項に記載のフィラメント（５）と、前記ターゲット（１）及び／又はフィラメント（５）の前記識別素子（８，１４，１５）と連携する捕捉素子（１３，１６，１８）とを備えたＸ線管（９）。
【請求項８】
前記捕捉素子（１３，１６，１８）が、電子走査デバイス、光学カメラ、機械的システム又はセンサシステムである、請求項７に記載のＸ線管（９）。
【請求項９】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の特定のターゲット（１）及び／又は請求項４〜６のいずれか１項に記載の特定のフィラメント（５）を識別する方法であって、前記Ｘ線管（９）に取り付けられた前記捕捉素子（１３，１６，１８）が、前記ターゲット基体（１０）及び／又は前記フィラメント保持具に取り付けられた前記識別素子（８，１４，１５）を識別し、前記ターゲット（１）及び／又は前記フィラメント（５）が、データベースを用いて、前記識別素子（８，１４，１５）に対して一義的に関連付けられる、方法。
【請求項１０】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の特定のターゲット（１）及び／又は請求項４〜６のいずれか１項に記載の特定のフィラメント（５）を識別する方法であって、前記特定のターゲット（１）及び／又は前記特定のフィラメント（５）が、前記Ｘ線管（９）に取り付けられたホールプローブを用いて、前記ターゲット（１）及び／又は前記フィラメント（５）の検出された磁界値に基づいて、データベースに格納された前記ターゲット（１）及び／又は前記フィラメント（５）のデータを用いて、一義的に識別される、方法。
【請求項１１】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の特定のターゲット（１）を識別する方法であって、前記ターゲット（１）の電気的挙動、特に前記ターゲット（１）の導電率が、抵抗の測定によって測定される、方法。
【請求項１２】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の特定のターゲット（１）を識別する方法であって、前記ターゲット素子（１１）の前記電子ビーム領域を前記ターゲット素子（１１）の外表面に至るまで拡大することにより、前記ターゲットの一義的な関連付けを前記ターゲットに特有の焦点変化に基づいて行う、方法。
【請求項１３】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の特定のターゲット（１）を識別する方法であって、前記Ｘ線管（９）が始動させられる際に、まずは常に同じ既定の操作モードが起動させられ、このとき同じ制御パラメータによってそれぞれのターゲット（１）が異なるＸ線を放射し、その結果として生じた前記Ｘ線が評価される、方法。
【請求項１４】
Ｘ線管（９）に設置された請求項１〜３のいずれか１項に記載のターゲット（１）及び／又は請求項４〜６のいずれか１項に記載のフィラメント（５）の前記特性を自動的に設定する方法であって、請求項９〜１３のいずれか１項に記載の方法を実施した後に、各前記識別素子（８，１４，１５）又は前記ターゲット（１）及び／若しくは前記フィラメント（５）用の前記データベースに格納された前記特性が、それぞれの特性のための複数の前記設定デバイスに移送され、これら複数の前記特性が、これら複数の前記設定デバイスを介して設定される、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年10月18日(2017.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダーティビットを処理することを含む、コンピュータシステムのページテーブルを管理する方法であって、
少なくとも１つの仮想メモリアドレスの対応する物理アドレスへのマッピングを提供するページテーブル内の１つ以上のテーブルエントリにアクセスすることであって、アクセスすることは、アクセスフラグに従い、１つのアトミックアップデートにおいて実行されるためにハードウェアを介して生じる、ことと、
アクセスされた前記１つ以上のページテーブルにおいて特定されたメモリアドレスを、前記メモリアドレスと、前記メモリアドレス上で実行された１つ以上のメモリオペレーションとに基づいて変更することと、
ページがクリーン又はダーティであるか否かを示す前記ページテーブル内のダーティビットを、前記アトミックアップデートにおいて変更されたメモリアドレスに応じて変更することと、を含む、
方法。
【請求項２】
前記変更することは、単一のテーブルエントリで実行される、請求項１の方法。
【請求項３】
前記変更することは、ハードウェアで管理される、請求項１の方法。
【請求項４】
０にセットされたアクセスフラグを有するトランスレーションテーブルエントリが、トランスレーション索引バッファ（ＴＬＢ）に読み込まれている場合、メモリ内の前記トランスレーションテーブルエントリの前記アクセスフラグのビットに１が設定される、請求項１の方法。
【請求項５】
前記アクセスフラグは、セキュア及び非セキュアなトランスレーションを示すために用いられる、請求項１の方法。
【請求項６】
前記アクセスフラグのハードウェアマネージメントが、アドレストランスレーションのステージのために有効になっている場合には、アクセスフラグフォールトは、トランスレーションに応じるために生成されない、請求項１の方法。
【請求項７】
ダーティビットを処理することを含む、コンピュータシステムのページテーブルを管理するシステムであって、
メモリと、
メモリコントローラと、を備え、
前記メモリコントローラは、
少なくとも１つの仮想メモリアドレスの対応する物理アドレスへのマッピングを提供するページテーブル内の１つ以上のテーブルエントリにアクセスすることであって、アクセスすることは、アクセスフラグに従い、１つのアトミックアップデートにおいて実行されるためにハードウェアを介して生じる、ことと、
アクセスされた前記１つ以上のページテーブルにおいて特定されたメモリアドレスを、前記メモリアドレスと、前記メモリアドレス上で実行された１つ以上のメモリオペレーションとに基づいて変更することと、
ページがクリーン又はダーティであるか否かを示す前記ページテーブル内のダーティビットを、前記アトミックアップデートにおいて変更されたメモリアドレスに応じて変更することと、を行うように構成されている、
システム。
【請求項８】
前記アクセスすることに基づいてアクセスビットを更新することを含む、請求項１の方法。
【請求項９】
前記アクセスビット及び前記ダーティビットは、単一のアトミックオペレーションの間にブロック又はページトランスレーションテーブルエントリから更新される、請求項８の方法。
【請求項１０】
前記ダーティビットがダーティを示す場合に、ラストページテーブル記述子をチェックして、前記ダーティビットを、クリーンを示すように変更する、請求項１の方法。
【請求項１１】
前記メモリコントローラは、単一のテーブルエントリを変更するように構成されている、請求項７のシステム。
【請求項１２】
前記メモリコントローラは、ハードウェア管理に基づいて変更するように構成されている、請求項７のシステム。
【請求項１３】
０にセットされたアクセスフラグを有するトランスレーションテーブルエントリが、トランスレーション索引バッファ（ＴＬＢ）に読み込まれている場合、メモリ内の前記トランスレーションテーブルエントリの前記アクセスフラグのビットに１が設定される、請求項７のシステム。
【請求項１４】
前記アクセスフラグは、セキュア及び非セキュアなトランスレーションを示すために用いられる、請求項７のシステム。
【請求項１５】
前記アクセスフラグのハードウェアマネージメントが、アドレストランスレーションのステージのために有効になっている場合には、アクセスフラグフォールトは、トランスレーションに応じるために生成されない、請求項７のシステム。
【請求項１６】
前記メモリコントローラは、前記アクセスすることに基づいてアクセスビットを更新するように構成されている、請求項７のシステム。
【請求項１７】
前記アクセスビット及び前記ダーティビットは、単一のアトミックオペレーションの間にブロック又はページトランスレーションテーブルエントリから更新される、請求項１６のシステム。
【請求項１８】
前記ダーティビットがダーティを示す場合に、前記メモリコントローラは、ラストページテーブル記述子をチェックして、前記ダーティビットを、クリーンを示すように変更する、ように構成されている、請求項７のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年10月6日(2017.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
設定変更可能なネットワークオンチップ（ＮｏＣ）であって、
仕様に基づいて前記ネットワークオンチップのハードウェア要素群から構成された、前記仕様に基づく数の１つ又は複数のシステムエージェントインタフェースと、
システムエージェント群の前記仕様に基づいて前記ネットワークオンチップの前記ハードウェア要素群から構成された、前記仕様に基づく他の数の１つ又は複数のキャッシュコヒーレンシーコントローラと、
を具備する、ネットワークオンチップ。
【請求項２】
請求項１記載のネットワークオンチップにおいて、
前記システムエージェント群のキャッシュコヒーレンスを管理するように構成されたディレクトリをさらに具備し、
前記１つ又は複数のキャッシュコヒーレンシーコントローラは、それぞれ、前記ディレクトリの一部分と関連付けられている、
ネットワークオンチップ。
【請求項３】
請求項２記載のネットワークオンチップにおいて、
前記ディレクトリは、複数のアドレスを具備し、
各アドレスは、各システムエージェントがプライベートキャッシュを有している前記システムエージェント群の１つ又は複数のキャッシュにおけるアドレスと関連付けられており、
前記ディレクトリは、前記システムエージェントの各プライベートキャッシュにおける前記アドレスの有効性を示す、複数のビットベクトルをさらに具備する、
ネットワークオンチップ。
【請求項４】
請求項３記載のネットワークオンチップにおいて、
カッコウハッシュによって前記ディレクトリを管理するように構成された、ハッシュテーブルをさらに具備する、
ネットワークオンチップ。
【請求項５】
請求項１記載のネットワークオンチップにおいて、
前記１つ又は複数のシステムエージェントインタフェースは、複数のプロトコルをサポートするように構成されており、
各システムエージェントインタフェースは、前記仕様に基づいて、前記複数のプロトコルのうちの少なくとも１つをサポートするように構成されている、
ネットワークオンチップ。
【請求項６】
請求項１記載のネットワークオンチップにおいて、
前記１つ又は複数のキャッシュコヒーレンシーコントローラは、フレキシブルプロトコルを利用するように構成されており、
各キャッシュコヒーレンシーコントローラは、前記フレキシブルプロトコルのサブセット群を利用するように構成され、各システムエージェントインタフェースと関連付けられた少なくとも１つのプロトコルに対する伝達を容易にする、
ネットワークオンチップ。
【請求項７】
請求項１記載のネットワークオンチップにおいて、
前記１つ又は複数のシステムエージェントインタフェースは、異なる複数のバス幅をサポートするように構成されており、
前記１つ又は複数のシステムエージェントインタフェースの各バスのバス幅は、前記仕様に基づいて設定されている、
ネットワークオンチップ。
【請求項８】
設定変更可能なネットワークオンチップ（ＮｏＣ）のための方法において、
仕様に基づいて、１つ又は複数のＮｏＣエージェントインタフェースを構成し、
ＮｏＣエージェント群の前記仕様に基づいて、１つ又は複数のキャッシュコヒーレンシーコントローラを構成し、
前記１つ又は複数のＮｏＣエージェントインタフェースを構成することは、前記仕様に基づく数の、前記ネットワークオンチップのハードウェア要素群を、前記１つ又は複数のＮｏＣエージェントインタフェースに構成することを含み、
前記１つ又は複数のキャッシュコヒーレンシーコントローラを構成することは、前記仕様に基づく他の数の、前記ネットワークオンチップのハードウェア要素群を、前記１つ又は複数のキャッシュコヒーレンシーコントローラに構成することを含む、
方法。
【請求項９】
請求項８記載の方法において、
ディレクトリを用いて、前記ＮｏＣエージェント群のキャッシュコヒーレンスを管理し、
前記１つ又は複数のキャッシュコヒーレンシーコントローラは、それぞれ、前記ディレクトリの一部分と関連付けられている、
方法。
【請求項１０】
請求項９記載の方法において、
前記ディレクトリは、複数のアドレスを具備し、
各アドレスは、各ＮｏＣエージェントがキャッシュを有している前記ＮｏＣエージェント群の１つ又は複数のキャッシュにおけるエントリに対応しており、
前記ディレクトリは、前記１つ又は複数のキャッシュのそれぞれにおけるキャッシュの有効性を示す、複数のビットベクトルをさらに具備する、
方法。
【請求項１１】
請求項１０記載の方法において、
ハッシュテーブルを用いたカッコウハッシュによって前記ディレクトリを管理する、
方法。
【請求項１２】
請求項８記載の方法において、
前記１つ又は複数のＮｏＣエージェントインタフェースを、複数のプロトコルをサポートするように構成し、
各ＮｏＣエージェントインタフェースを、前記仕様に基づいて、前記複数のプロトコルのうちの少なくとも１つをサポートするように構成する、
方法。
【請求項１３】
請求項８記載の方法において、
前記１つ又は複数のキャッシュコヒーレンシーコントローラを、フレキシブルプロトコルを利用するように構成し、
各キャッシュコヒーレンシーコントローラを、前記フレキシブルプロトコルのサブセット群を利用するように構成して、各ＮｏＣエージェントインタフェースと関連付けられた少なくとも１つのプロトコルに対する伝達を容易にする、
方法。
【請求項１４】
請求項８記載の方法において、
前記１つ又は複数のＮｏＣエージェントインタフェースを、異なる複数のバス幅をサポートするように構成し、
前記１つ又は複数のＮｏＣエージェントインタフェースの各バスのバス幅は、前記仕様に基づいて設定されている、
方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月30日(2017.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デバイスであって、前記デバイスは下記を備える、
出力に結合された第１のエネルギー保存素子と、
前記出力に結合された負荷のアクティブな負荷期間に基づいて、前記出力と前記第１のエネルギー保存素子に選択的および周期的に結合するように構成された第２のエネルギー保存素子と、
入力と前記第２のエネルギー保存素子との間に結合された電圧レギュレータ、ここで、前記電圧レギュレータは、前記第１のエネルギー保存素子の電圧である、フィードバック電圧を受け取り、前記フィードバック電圧に基づいて前記第２のエネルギー保存を電圧へ充電するように構成される、と、
前記第１のエネルギー保存素子を充電するように構成された前記第１のエネルギー保存素子と前記入力とのあいだに結合された第２の電圧レギュレータ。
【請求項２】
請求項１に記載のデバイスであって、前記第１のエネルギー保存素子と前記第２のエネルギー保存素子との各々がキャパシタを備える、前記デバイス。
【請求項３】
請求項１に記載のデバイスであって、前記デバイスは、前記出力に前記第２のエネルギー保存素子を選択的に結合するように構成されたスイッチをさらに備える。
【請求項４】
請求項１に記載のデバイスであって、前記電圧レギュレータは、前記出力での電圧リップルに基づいて出力電圧を伝えるようにさらに構成された、前記デバイス。
【請求項５】
方法であって、前記方法は下記を備える、
第１の電圧へ電圧レギュレータの出力に結合された第１のエネルギー保存素子を充電することと、
第２の電圧へ第２の電圧レギュレータの出力に結合された第２のエネルギー保存素子を充電することと、
前記第２のエネルギー保存素子での負荷電流を補うためにアクティブな負荷期間のあいだに前記第２のエネルギー保存素子に前記第１のエネルギー保存素子を周期的に結合することと、
前記電圧レギュレータに前記第２のエネルギー保存素子からフィードバック電圧を伝えること、ここにおいて、前記フィードバック電圧は、前記第２のエネルギー保存素子の前記第２の電圧であり、前記第１の電圧は、前記フィードバック電圧に基づく。
【請求項６】
デバイスであって、前記デバイスは下記を備える、
入力電圧を受け取り、第１のノードに出力電圧を伝えるように構成された電圧レギュレータと、
前記第１のノードに結合された第１のエネルギー保存素子と、
出力ノードに結合された第２のエネルギー保存素子と、
前記出力ノードでのアクティブな負荷期間のあいだに前記出力ノードに前記第１のエネルギー保存素子を周期的に結合するように構成されたスイッチ、ここにおいて、前記電圧レギュレータは、前記出力ノードからフィードバック電圧を受け取るように構成され、前記フィードバック電圧は、前記第２のエネルギー保存素子の電圧であり、前記出力電圧は、前記フィードバック電圧に基づく、と、
前記入力電圧を受け取り、前記出力ノードに出力電圧を伝えるように構成され第２の電圧レギュレータ。
【請求項７】
請求項６に記載されたデバイスであって、前記出力ノードでの電圧は、前記第１のノードでの電圧より低い、前記デバイス。
【請求項８】
請求項６に記載されたデバイスであって、前記第２のエネルギー保存素子は、目標ＤＣ電圧へ充電されるように構成された、前記デバイス。
【請求項９】
請求項６に記載されたデバイスであって、前記出力ノードは、ターゲットブロックに結合するように構成された、前記デバイス。
【請求項１０】
請求項５に記載された方法であって、前記方法は、前記第２の電圧レギュレータと前記電圧レギュレータとにおける入力電圧を受け取ることをさらに備える。
【請求項１１】
請求項５に記載された方法であって、第２の電圧へ前記第２のエネルギー保存素子を充電することは、前記第１の電圧より低い前記第２の電圧へ前記第２のエネルギー保存素子を充電することを備える、前記方法。
【請求項１２】
方法であって、前記方法は下記を備える、
出力に結合された第１のキャパシタに第１の電圧レギュレータから第１の出力電圧を伝えることと、
第２のキャパシタに第２の電圧レギュレータから第２の出力電圧を伝えることと、
前記出力での負荷電流を補うためにアクティブな負荷期間のあいだに前記出力に前記第２のキャパシタを選択的および周期的に結合することと、
前記第２の電圧レギュレータに前記出力からフィードバック電圧を伝えること、ここにおいて、前記フィードバック電圧は、前記第１のキャパシタの電圧であり、前記第２の出力電圧は、前記フィードバック電圧に基づく。
【請求項１３】
請求項１２に記載された方法であって、第１の出力電圧を伝えることは、目標ＤＣ電圧へ前記第１のキャパシタを充電することを備える、前記方法。
【請求項１４】
請求項１２に記載された方法であって、第２の出力電圧を伝えることは、前記出力での電圧リップルに基づいて前記第２のキャパシタを充電することを備える、前記方法。
【請求項１５】
請求項１２に記載された方法であって、前記方法は、前記第２の電圧レギュレータと前記第１の電圧レギュレータとの各々での入力電圧を受け取ることをさらに備える。
【請求項１６】
デバイスであって、前記デバイスは下記を備える、
第１の電圧へ電圧レギュレータの出力に結合された第１のエネルギー保存素子を充電するための手段と、
第２の電圧へ第２の電圧レギュレータの出力に結合された第２のエネルギー保存素子を充電するための手段と、
前記出力での負荷電流を補うためにアクティブな負荷期間のあいだに前記第２のエネルギー保存素子に前記第１のエネルギー保存素子を周期的に結合するための手段、ここにおいて、前記第２のエネルギー保存素子を充電するための前記手段は、前記出力からフィードバック電圧を受け取り、前記フィードバック電圧は、前記第２のエネルギー保存素子の前記第２の電圧であり、前記第２の電圧は、前記フィードバック電圧に基づく。
【請求項１７】
デバイスであって、前記デバイスは下記を備える、
出力に結合された第１のキャパシタに第１の電圧レギュレータから第１の出力電圧を伝えるための手段と、
第２のキャパシタに第２の電圧レギュレータから第２の出力電圧を伝えるための手段と、
前記出力での負荷電流を補うためにアクティブな負荷期間のあいだに前記出力に前記第２のキャパシタを選択的および周期的に結合するための手段、ここにおいて、前記第２の電圧レギュレータは、前記出力からフィードバック電圧を受け取り、前記フィードバック電圧は、前記第１のキャパシタの電圧であり、前記第２の出力電圧は、前記フィードバック電圧に基づく。
【手続補正書】
【提出日】平成29年10月23日(2017.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリオキシメチレン組成物であって、
（ａ）ポリオキシメチレンポリマー９５．８５〜９９．８９重量パーセントと、
（ｂ）ポリアクリルアミド、ポリアリルアミン、ポリアクリル酸ヒドラジド、ポリメタクリル酸ヒドラジド、ポリアミノアルキルアクリラート、ポリアミノアルキルメタクリラート、ポリビニルアルキルアミン、およびこれらの混合物からなる群から選択されるアミンポリマーを０．１〜１．０重量パーセントと、
（ｃ）（ａ）の融点より４０℃低い融点から（ａ）の融点より４０℃高い範囲の融点を有するポリアミド０．０１〜０．０８重量パーセントと
から本質的になり、
前記ポリオキシメチレン組成物が、成形した場合に、
ＡＳＴＭ  Ｄ２９９０に従って決定される、９０℃、２５ＭＰａの圧力で、少なくとも０．３２分の１０％の歪みまでの引張クリープと、
少なくとも１２時間のモールドデポジットまでの時間と
を示す
ポリオキシメチレン組成物。
【請求項２】
ポリオキシメチレン組成物であって、
（ａ）ポリオキシメチレンポリマー９５．８５〜９９．９０重量パーセントと、
（ｂ）ポリアクリルアミド、ポリアリルアミン、ポリアクリル酸ヒドラジド、ポリメタクリル酸ヒドラジド、ポリアミノアルキルアクリラート、ポリアミノアルキルメタクリラート、ポリビニルアルキルアミン、およびこれらの混合物からなる群から選択されるアミンポリマーを０．１〜１．０重量パーセントと
から本質的になり、
前記ポリオキシメチレン組成物が、成形した場合、
ＡＳＴＭ  Ｄ２９９０に従って決定される、９０℃、２５ＭＰａの圧力で、少なくとも０．３２分の１０％の歪みまでの引張クリープと、
少なくとも１２時間のモールドデポジットまでの時間と、
２５０℃において０．５時間で測定される、０．５５パーセント未満の熱で放出されるホルムアルデヒドと
を示すポリオキシメチレン組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
Ｅ６は、成分（ｃ）を含有せず、０．５パーセント超えるホルムアルデヒドの放出の増大を実証した。
以下、本明細書に記載の主な発明について列記する。
（１）  ポリオキシメチレン組成物であって、
（ａ）ポリオキシメチレンポリマー９５．８５〜９９．９４重量パーセントと、
（ｂ）ポリアクリルアミド、ポリアリルアミン、ポリアクリル酸ヒドラジド、ポリメタクリル酸ヒドラジド、ポリアミノアルキルアクリラート、ポリアミノアルキルメタクリラート、ポリビニルアルキルアミン、およびこれらの混合物からなる群から選択されるアミンポリマーを０．４〜０．６重量パーセントと、
（ｃ）（ａ）の融点より４０℃低い融点から（ａ）の融点より４０℃高い範囲の融点を有するポリアミド０．００８〜０．０．０８重量パーセントと
から本質的になり、
前記ポリオキシメチレン組成物が、成形した場合に、
ＡＳＴＭ  Ｄ２９９０に従って決定される、９０℃、２５ＭＰａの圧力で、少なくとも０．３２分の１０％の歪みまでの引張クリープと、
少なくとも１２時間のモールドデポジットまでの時間と
を示す
ポリオキシメチレン組成物。
（２）  前記ポリオキシメチレン組成物が、成形した場合、２５０℃において０．５時間で測定される、０．５０パーセント未満のＴＥＦ−Ｔをさらに示す（１）に記載のポリオキシメチレン組成物。
（３）  ポリオキシメチレン組成物であって、
（ａ）ポリオキシメチレンポリマー９５．８５〜９９．９４重量パーセントと、
（ｂ）ポリアクリルアミド、ポリアリルアミン、ポリアクリル酸ヒドラジド、ポリメタクリル酸ヒドラジド、ポリアミノアルキルアクリラート、ポリアミノアルキルメタクリラート、ポリビニルアルキルアミン、およびこれらの混合物からなる群から選択されるアミンポリマーを０．４〜０．６重量パーセントと
から本質的になり、
前記ポリオキシメチレン組成物が、成形した場合、
ＡＳＴＭ  Ｄ２９９０に従って決定される、９０℃、２５ＭＰａの圧力で、少なくとも０．３２分の１０％の歪みまでの引張クリープと、
少なくとも１２時間のモールドデポジットまでの時間と、
２５０℃において０．５時間で測定される、０．５５パーセント未満の熱で放出されるホルムアルデヒドと
を示すポリオキシメチレン組成物。
（４）  さらに０．０１〜４．０重量パーセントの酸化防止剤から本質的になる（１）、（２）または（３）に記載のポリオキシメチレン組成物。
（５）  （ｃ）が、脂肪族ポリアミドである（１）、（２）、または（４）のいずれか１項に記載のポリオキシメチレン組成物。
（６）  （ｃ）が、ポリアミド６６／６１０／６ターポリマーである（５）に記載のポリオキシメチレン組成物。
（７）  （ｂ）が、ポリアクリルアミド、ポリアリルアミン、ポリビニルアルキルアミン、およびこれらの混合物からなる群から選択される（１）〜（６）のいずれか１項に記載のポリオキシメチレン組成物。
（８）  前記酸化防止剤が、ヒンダードフェノール系酸化防止剤である（４）〜（７）のいずれか１項に記載のポリオキシメチレン組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成29年10月10日(2017.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２つの前面（１４、１５）および外周面（１６）を提示するロータディスク（１２）であって、ソケット（１８）が外周面（１６）に設けられ、前面（１４、１５）のうちの少なくとも１つに開く、ロータディスク（１２）と、
ブレード（３０）であって、各々がそれによってブレードがソケット（１８）に固着される根元（３２）を有し、根元の端面（３１）は、ブレードがソケットに固着される場合にディスクの前面（１４）と実質的に水平である、ブレード（３０）と、
を備えるブレード付きロータであって、
コーティング層（４０）が、ディスクの前面（１４）の少なくとも一部と根元（３２）の端面（３１）の少なくとも一部の両方を覆うようにディスク（１２）に堆積されることを特徴とする、ブレード付きロータ。
【請求項２】
コーティング層（４０）が、溶射によって堆積される、請求項１に記載のブレード付きロータ。
【請求項３】
コーティング層（４０）が、超音速フレーム溶射によって堆積される、請求項１に記載のブレード付きロータ。
【請求項４】
コーティング（４０）が、ニッケル基合金である、請求項１に記載のブレード付きロータ。
【請求項５】
コーティング（４０）が、ＭＣｒＡｌＹ型の合金である、請求項１に記載のブレード付きロータ。
【請求項６】
コーティング層（４０）の厚さが、０．５ｍｍから１ｍｍの範囲にある、請求項１に記載のブレード付きロータ。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか一項に記載のブレード付きロータ（１０）を含む、タービンエンジン。
【手続補正書】
【提出日】平成29年10月26日(2017.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
実施例２３
ＤＡＰＢＩ−Ｉ／ＴコポリマーおよびＭＰＤ−Ｉホモポリマーの５０／５０ポリマー混合物からのフロックおよびフィブリドを使用した紙の調製
実施例１８を繰り返す；しかし、フィブリドを実施例１４のフィブリドと取り替える。
紙は、酸性染料からの着色を受け入れる。
本発明のまた別の態様は、以下のとおりであってもよい。
〔１〕繊維およびフィブリドを含むシートであって、前記フィブリドは前記シートに湿潤および／または乾燥強度を提供するために個々の繊維を１つに接着し、前記繊維および／または前記フィブリドのいずれかは少なくとも１種の第１ポリマーおよび１種の第２ポリマーの混合物を含み；
前記第１ポリマーは１種以上のアミンモノマーと複数の酸性モノマーとの反応に由来する構造を有し、
ｉ）前記１種以上のアミンモノマーは、前記アミンモノマーの総量に基づいて、少なくとも６０モル％の５（６）−アミノ−２−（ｐ−アミノフェニル）ベンズイミダゾールを含み；および
ｉｉ）前記複数の酸性モノマーは：
Ｃｌ−ＣＯ−Ａｒ1−ＣＯ−Ｃｌ  ＆  Ｃｌ−ＣＯ−Ａｒ2−ＣＯ−Ｃｌ
（式中、Ａｒ1はパラ配向結合を有する芳香族基であり、Ａｒ2はメタ配向結合を有する芳香族基であり、前記複数の酸性モノマーは芳香族基Ａｒ2を含有する少なくとも５０モル％のモノマーを有する）の構造を有する酸性モノマーを含み；および
前記第２ポリマーはメタフェニレンジアミンと塩化イソフタロイルとの反応に由来する構造を有するシート。
〔２〕前記１種以上のアミンモノマーは、１００モル％の５（６）−アミノ−２−（ｐ−アミノフェニル）ベンズイミダゾールである、前記〔１〕に記載のシート。
〔３〕前記１種以上のアミンモノマーは、メタフェニレンジアミンを含む、前記〔１〕に記載のシート。
〔４〕全体として芳香族合成ポリマーに由来するフィブリドを含む、前記〔１〕に記載のシート。
〔５〕前記全体として芳香族合成ポリマーは、ポリ（メタフェニレンイソフタルアミド）である、前記〔４〕に記載のシート。
〔６〕第１ポリマーおよび第２ポリマーの前記混合物は、第１ポリマーおよび第２ポリマーの総量に基づいて、２５〜８０重量％の前記第１ポリマーを含有する、前記〔１〕〜〔５〕のいずれか一項に記載のシート。
〔７〕第１ポリマーおよび第２ポリマーの前記混合物は、第１ポリマーおよび第２ポリマーの総量に基づいて、２５〜５０重量％の前記第１ポリマーを含有する、前記〔６〕に記載のシート。
〔８〕少なくとも第１ポリマーおよび第２ポリマーの混合物を含む、１００〜１，０００μｍの長さおよび幅ならびにおよそ０．１〜１μｍに過ぎない厚さを有するフィブリドであって；
前記第１ポリマーは１種以上のアミンモノマーと複数の酸性モノマーとの反応に由来する構造を有し、
ｉ）前記１種以上のアミンモノマーは前記アミンモノマーの総量に基づいて、少なくとも６０モル％の５（６）−アミノ−２−（ｐ−アミノフェニル）ベンズイミダゾールを含み；および
ｉｉ）前記複数の酸性モノマーは：
Ｃｌ−ＣＯ−Ａｒ1−ＣＯ−Ｃｌ  ＆  Ｃｌ−ＣＯ−Ａｒ2−ＣＯ−Ｃｌ
（式中、Ａｒ1はパラ配向結合を有する芳香族基であり、Ａｒ2はメタ配向結合を有する芳香族基であり、前記複数の酸性モノマーは芳香族基Ａｒ2を含有する少なくとも５０モル％のモノマーを有する）の構造を有する酸性モノマーを含み；および
前記第２ポリマーはメタフェニレンジアミンと塩化イソフタロイルとの反応に由来する構造を有するフィブリド。
〔９〕前記１種以上のアミンモノマーは、１００モル％の５（６）−アミノ−２−（ｐ−アミノフェニル）ベンズイミダゾールである、前記〔８〕に記載のフィブリド。
〔１０〕前記１種以上のアミンモノマーは、メタフェニレンジアミンを含む、前記〔９〕に記載のフィブリド。
〔１１〕第１ポリマーおよび第２ポリマーの前記混合物は、第１ポリマーおよび第２ポリマーの総量に基づいて、２５〜８０重量％の前記第１ポリマーを含有する、前記〔８〕〜〔１０〕のいずれか一項に記載のフィブリド。
〔１２〕第１ポリマーおよび第２ポリマーの前記混合物は、第１ポリマーおよび第２ポリマーの総量に基づいて、２５〜５０重量％の前記第１ポリマーを含有する、前記〔１１〕に記載のフィブリド。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
繊維およびフィブリドを含むシートであって、前記フィブリドは前記シートに湿潤および／または乾燥強度を提供するために個々の繊維を１つに接着し、前記繊維および／または前記フィブリドのいずれかは少なくとも第１ポリマーおよび第２ポリマーの混合物を含み；
前記第１ポリマーは１種以上のアミンモノマーと複数の酸性モノマーとの反応に由来する構造を有し、
ｉ）前記１種以上のアミンモノマーは、前記アミンモノマーの総量に基づいて、少なくとも６０モル％の５（６）−アミノ−２−（ｐ−アミノフェニル）ベンズイミダゾールを含み；および
ｉｉ）前記複数の酸性モノマーは：
Ｃｌ−ＣＯ−Ａｒ1−ＣＯ−Ｃｌ  ＆  Ｃｌ−ＣＯ−Ａｒ2−ＣＯ−Ｃｌ
（式中、Ａｒ1はパラ配向結合を有する芳香族基であり、Ａｒ2はメタ配向結合を有する芳香族基であり、前記複数の酸性モノマーは芳香族基Ａｒ2を含有する少なくとも５０モル％のモノマーを有する）の構造を有する酸性モノマーを含み；および
前記第２ポリマーはメタフェニレンジアミンと塩化イソフタロイルとの反応に由来する構造を有するシート。
【請求項２】
少なくとも第１ポリマーおよび第２ポリマーの混合物を含む、１００〜１，０００μｍの長さおよび幅ならびにおよそ０．１〜１μｍに過ぎない厚さを有するフィブリドであって；
前記第１ポリマーは１種以上のアミンモノマーと複数の酸性モノマーとの反応に由来する構造を有し、
ｉ）前記１種以上のアミンモノマーは前記アミンモノマーの総量に基づいて、少なくとも６０モル％の５（６）−アミノ−２−（ｐ−アミノフェニル）ベンズイミダゾールを含み；および
ｉｉ）前記複数の酸性モノマーは：
Ｃｌ−ＣＯ−Ａｒ1−ＣＯ−Ｃｌ  ＆  Ｃｌ−ＣＯ−Ａｒ2−ＣＯ−Ｃｌ
（式中、Ａｒ1はパラ配向結合を有する芳香族基であり、Ａｒ2はメタ配向結合を有する芳香族基であり、前記複数の酸性モノマーは芳香族基Ａｒ2を含有する少なくとも５０モル％のモノマーを有する）の構造を有する酸性モノマーを含み；および
前記第２ポリマーはメタフェニレンジアミンと塩化イソフタロイルとの反応に由来する構造を有するフィブリド。
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月7日(2017.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気共鳴コイルアセンブリを有する医療機器であって、前記磁気共鳴コイルアセンブリが、
医療デバイスのシャフトを有し、又は前記シャフトを受けるように動作可能である、基準マーカと、
前記基準マーカから磁気共鳴場所データを受信するための第一のアンテナ部と第二のアンテナ部を有する磁気共鳴アンテナと、
クランプとを有し、
前記クランプが第一のクランプ部と第二のクランプ部を有し、前記第一のクランプ部と前記第二のクランプ部が開構成と閉構成の間で動かされるように動作可能であり、前記第一のクランプ部が前記第一のアンテナ部を有し、前記第二のクランプ部が前記第二のアンテナ部を有し、前記閉構成のとき、前記第一のクランプ部と前記第二のクランプ部が前記基準マーカを前記第一のアンテナ部と前記第二のアンテナ部の間の信号受信ボリューム内に固定し、前記開構成のとき、前記第一のクランプ部と前記第二のクランプ部が前記基準マーカを前記信号受信ボリュームを出入りして動けるようにする、
医療機器。
【請求項２】
前記磁気共鳴コイルアセンブリが、前記磁気共鳴アンテナから磁気共鳴信号を受信し、それを磁気共鳴イメージングシステムへ送信するように動作可能な送信器をさらに有する、請求項１に記載の医療機器。
【請求項３】
前記第一のアンテナ部が第一のサドルコイルであり、前記第二のアンテナ部が第二のサドルコイルである、請求項１又は２に記載の医療機器。
【請求項４】
前記第一のクランプ部が前記第一のアンテナ部に接続される第一の電気接点を有し、前記第二のクランプ部が前記第二のアンテナ部に接続される第二の電気接点を有し、前記クランプが前記第一の電気接点を前記第二の電気接点に接続して電気接続を形成するように動作可能であり、前記第一のアンテナ部と前記第二のアンテナ部が単一表面コイルを形成するように動作可能である、請求項１又は２に記載の医療機器。
【請求項５】
前記磁気共鳴コイルアセンブリが前記基準マーカを検知するための基準マーカセンサシステムをさらに有する、請求項１から４のいずれか一項に記載の医療機器。
【請求項６】
前記基準マーカセンサシステムが、前記クランプが前記閉構成にあるかどうかを検知するためのスイッチ、前記基準マーカが前記信号受信ボリューム内にあるかどうかを決定する、及び／又は前記基準マーカのタイプを決定するために前記磁気共鳴アンテナのインピーダンスを測定するためのインピーダンス測定システム、並びにそれらの組み合わせ、のうちのいずれか一つを有する、請求項５に記載の医療機器。
【請求項７】
前記医療機器が、前記基準マーカセンサシステムが前記基準マーカを検知する場合に信号を表示するように動作可能なインジケータをさらに有する、請求項５又は６に記載の医療機器。
【請求項８】
前記基準マーカが医療デバイスのシャフトを有する、又はシャフトを受けるように動作可能である、請求項１に記載の医療機器。
【請求項９】
前記クランプが、前記閉構成のときに前記磁気共鳴コイルアセンブリへ前記シャフトを固定するように動作可能である、請求項８に記載の医療機器。
【請求項１０】
前記基準マーカが前記シャフト用の孔を有し、前記基準マーカがトロイダルであり、前記基準マーカが前記シャフトを囲む磁気共鳴検出可能物質で満たされる管を有し、前記管がギャップを持ち、前記シャフトが前記ギャップを通して前記孔に対して直角に取り外されるように動作可能である、請求項８又は９に記載の医療機器。
【請求項１１】
前記基準マーカがオブジェクトに付着するための接着剤を有する、請求項１又は８から１０のいずれか一項に記載の医療機器。
【請求項１２】
前記医療機器が、
被検者から磁気共鳴データを収集するための磁気共鳴イメージングシステムと、
前記被検者に挿入されるために適したシャフトを有する医療デバイスであって、前記基準マーカが前記シャフトに取り付けられるように動作可能である、医療デバイスと、
前記医療機器を制御するためのプロセッサと、
前記プロセッサによる実行のためのマシン実行可能命令を記憶するメモリと
をさらに有し、
前記命令の実行が前記プロセッサに、前記磁気共鳴データを収集させ、前記命令の実行がさらに前記プロセッサに、前記磁気共鳴データを磁気共鳴画像へ再構成させ、前記命令の実行がさらに前記プロセッサに、前記磁気共鳴画像内のターゲットボリュームの選択を受信させ、前記命令の実行がさらに前記プロセッサに、繰り返し、
前記磁気共鳴アンテナから前記磁気共鳴場所データを収集させ、前記磁気共鳴場所データが第一の磁気共鳴基準マーカの場所を記述し、
ディスプレイデバイス上にターゲットゾーンに対する前記シャフトの位置を示す前記磁気共鳴データのビューをレンダリングさせ、前記ビューが少なくとも前記場所データと前記ターゲットボリュームの場所を用いて決定される、
請求項１から１１のいずれか一項に記載の医療機器。