【手続補正書】
【提出日】平成29年2月8日(2017.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にパターン形成される材料を含むマトリックスを基板にコーティングし，
パターンの位置に衝突するようにエネルギー・ビームを向け，パターン配線に沿って，上記配線中の上記材料を完全に焼結することなく，上記基板への上記材料の接着を引き起こすのに十分にマトリックスを加熱することによって，上記マトリックスにパターンを固定し，これにより完全焼結後に達成されるべき最終抵抗の少なくとも１０倍の上記配線の抵抗を残し，
固定されたパターンの外側の上記基板上に残っているマトリックスを取り除き，
上記マトリックスを除去した後，上記パターン中の上記材料を焼結して上記配線の上記最終抵抗を達成する，
製造方法。
【請求項２】
基板上にパターン形成される材料を含むマトリックスを基板にコーティングし，
上記コーティングされた基板にエネルギー・ビームを照射して，上記マトリックス中にパターン形成される材料のバルクを固定することなくまたは上記材料を焼結することなく，上記マトリックスの外層にパターンを固定し，これにより完全焼結後に達成されるべき最終抵抗の少なくとも１０倍の上記配線の抵抗を残し，
固定されたパターンの外側の上記基板上に残っている上記マトリックスを取り除き，
上記マトリックスを除去した後，上記パターン中の上記材料を焼結して上記配線の上記最終抵抗を達成する，
製造方法。
【請求項３】
上記マトリックスは感光性界面活性添加剤を含み，上記コーティングされた基板への照射が上記添加剤を活性化し，上記添加剤によって上記マトリックスの外層中に上記固定パターンが形成される，
請求項２に記載の方法。
【請求項４】
上記基板へのコーティングが上記マトリックス上に感光層を適用することを含み，上記コーティングされた基板への照射が上記感光層を活性化する，請求項２に記載の方法。
【請求項５】
上記コーティングされた基板への照射によって上記マトリックスの外層に重合化または架橋が生じる，請求項２に記載の方法。
【請求項６】
上記基板へのコーティングが上記マトリックスに光開始剤を適用することを含み，上記コーティングされた基板を照射することによって上記光開始剤に上記外層中においてフリーラジカルを放出させ，これが上記重合化または架橋を誘導する，請求項５に記載の方法。
【請求項７】
上記コーティングされた基板を照射することによって上記外層中を加熱させ，これが上記重合化または架橋を熱的に誘導する，請求項５に記載の方法。
【請求項８】
基板上にパターン形成されるナノ粒子を含むマトリックスを基板にコーティングし，
上記コーティングされた基板にエネルギー・ビームを照射して，上記ナノ粒子を完全に焼結することなく，上記マトリックスにパターンを固定し，これにより完全焼結後に達成されるべき最終抵抗の少なくとも１０倍の上記配線の抵抗を残し，
固定されたパターンの外側の上記基板上に残っているマトリックスを取り除き，
上記マトリックスを除去した後，上記パターン中の上記ナノ粒子を焼結して上記配線の上記最終抵抗を達成する，
製造方法。
【請求項９】
上記マトリックスが感光性添加剤を含み，上記コーティングされた基板への照射が上記パターン中の上記添加剤を活性化することを含む，請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
上記マトリックスの表面およびバルクの両方が，上記コーティングされた基板の照射によって活性化される，請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
上記添加剤の活性化によって，上記パターン中の分子成分の二重化，重合化または架橋の少なくとも一つが生じる，請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
上記コーティングされた基板への照射によって上記マトリックス中に熱エネルギーを放出し，これによって上記パターン中の分子成分の重合化または架橋の少なくとも一つが生じる，請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
上記マトリックスは無水物成分および溶剤を含み，上記コーティングされた基板への照射が上記パターン中の上記溶剤を選択的に取り除くことによって上記無水物成分を硬化する，請求項８に記載の方法。
【請求項１４】
上記マトリックスはアルキドを含み，上記コーティングされた基板への照射によって上記アルキドの乾燥空気誘導重合化が生じる，請求項８に記載の方法。
【請求項１５】
上記ナノ粒子が金属を含み，上記コーティングされた基板への照射によって上記金属をリガンドに結合する配位ポリマーが形成される，請求項８に記載の方法。
【請求項１６】
上記マトリックスが犠牲樹脂を含み，上記コーティングされた基板への照射によってナノ粒子間の凝集が生じるように上記樹脂の状態を変性する，請求項８に記載の方法。
【請求項１７】
上記ナノ粒子の焼結が，上記基板上に固定されたパターンにバルク焼結工程を適用することを含む，請求項８から１６のいずれかに記載の方法。
【請求項１８】
上記基板へのコーティングが，コーティングされた基板を照射する前に上記基板上のマトリックスを乾かすことを含む，請求項１から１６のいずれかに記載の方法。
【請求項１９】
上記コーティングされた基板への照射が，上記パターンの位置に衝突するようにエネルギー・ビームを向けることを含む，請求項１から１６のいずれかに記載の方法。
【請求項２０】
上記コーティングされた基板への照射が，上記コーティングされた基板エリアの上記パターンの位置を除くエリアに衝突するように上記エネルギー・ビームを向けることを含む，請求項１から１６のいずれかに記載の方法。
【請求項２１】
上記マトリックスの除去が，上記固定パターンの外側の上記基板上に残っているマトリックスを除去するために溶剤を適用することを含む，請求項１から１６のいずれかに記載の方法。
【請求項２２】
上記マトリックスの除去が，上記固定パターンの外側の上記基板上に残っているマトリックスをアブレーションすることを含む，請求項１から１６のいずれかに記載の方法。
【請求項２３】
基板上にパターン形成される材料を含むマトリックスを基板にコーティングし，
上記コーティングされた基板に第１のエネルギー・ビームを照射して，上記パターンの位置に衝突するようにエネルギー・ビームを向けることによって，上記マトリックス中の材料を完全に焼結することなく，上記パターンの位置内のマトリックスの反射率を増加させつつ，上記マトリックスにパターンを固定し，
上記パターンの位置内のマトリックスのアブレーション閾値未満のフルエンスの第２のエネルギー・ビームを上記マトリックスに照射することによって，上記パターンの位置をアブレーションすることなく，上記固定されたパターンの外側の上記基板上に残っているマトリックスをアブレーションし，
上記マトリックスをアブレーションした後，上記パターン中の上記材料を焼結する，
製造方法。
【請求項２４】
パターン形成される材料はナノ粒子を含む，請求項１から７および２３のいずれかに記載の方法。
【請求項２５】
上記材料の焼結は，上記基板上に固定されたパターンにバルク焼結工程を適用することを含む，請求項１から７および２３のいずれかに記載の方法。
【請求項２６】
基板上にパターン形成される金属錯体を含むマトリックスを基板にコーティングし，
上記コーティングされた基板にエネルギー・ビームを照射して，上記金属錯体によって上記マトリックス中に金属粒子を形成しかつ上記金属粒子を完全に焼結しないようにしつつ，上記マトリックスにパターンを固定し，これにより完全焼結後に達成されるべき最終抵抗の少なくとも１０倍の上記配線の抵抗を残し，
上記固定されたパターンの外側の上記基板上に残っているマトリックスを取り除き，
上記マトリックスを除去した後，上記パターン中の金属粒子を焼結して上記配線の上記最終抵抗を達成する，
製造方法。
【請求項２７】
基板上にパターン形成される材料を含むマトリックスを基板にコーティングするように構成されるコーティング装置，
パターンの位置に衝突するようにエネルギー・ビームを向け，パターン配線に沿って，
上記配線中の上記材料を完全に焼結することなく，上記基板への上記材料の接着を引き起こすのに十分にマトリックスを加熱することによって，上記マトリックスにパターンを固定して，完全焼結後に達成されるべき最終抵抗の少なくとも１０倍の上記配線の抵抗を残すように構成される描画装置，
固定されたパターンの外側の上記基板上に残っているマトリックスを取り除くように構成されるマトリックス除去装置，および
上記マトリックスの除去の後，上記パターン中の上記材料を焼結して上記配線の上記最終抵抗を達成するように構成される焼結装置，
を備えている，製造システム。
【請求項２８】
基板上にパターン形成される材料を含むマトリックスを基板にコーティングするように構成されるコーティング装置，
上記コーティングされた基板にエネルギー・ビームを照射して，上記マトリックス中にパターン形成される材料のバルクを固定することなくまたは上記材料を焼結することなく，上記マトリックスの外層にパターンを固定して，完全焼結後に達成されるべき最終抵抗の少なくとも１０倍の上記配線の抵抗を残すように構成される描画装置，
固定されたパターンの外側の上記基板上に残っている上記マトリックスを取り除くように構成されるマトリックス除去装置，および
上記マトリックスの除去の後，上記パターン中の上記材料を焼結して上記配線の上記最終抵抗を達成するように構成される焼結装置，
を備えている，
製造システム。
【請求項２９】
上記マトリックスは感光性界面活性添加剤を含み，上記描画装置による上記コーティングされた基板への照射が上記添加剤を活性化し，上記添加剤によって上記マトリックスの外層内に上記固定パターンが形成される，請求項２８に記載のシステム。
【請求項３０】
上記コーティング装置は上記マトリックス上に感光層を適用するように構成され，上記コーティングされた基板への照射が上記感光層を活性化する，請求項２８に記載のシステム。
【請求項３１】
上記描画装置による上記コーティングされた基板への照射によって，上記マトリックスの外層の重合化または架橋が生じる，請求項２８に記載のシステム。
【請求項３２】
上記コーティング装置が上記マトリックスに光開始剤を適用するように構成され，上記コーティングされた基板を照射することによって上記光開始剤に上記外層中においてフリーラジカルを放出させ，これが上記重合化または架橋を誘導する，請求項３１に記載のシステム。
【請求項３３】
上記描画装置によって上記コーティングされた基板を照射することによって上記外層中を加熱させ，これが上記重合化または架橋を熱的に誘導する，請求項３１に記載のシステム。
【請求項３４】
上記マトリックス除去装置は，上記固定パターンの外側の上記基板上に残っているマトリックスをアブレーションするように構成されている，請求項２７から３３のいずれかに記載のシステム。
【請求項３５】
基板上にパターン形成されるナノ粒子を含むマトリックスを基板にコーティングするように構成されるコーティング装置，
上記コーティングされた基板にエネルギー・ビームを照射して，上記ナノ粒子を完全に焼結することなく，上記マトリックスにパターンを固定して，完全焼結後に達成されるべき最終抵抗の少なくとも１０倍の上記配線の抵抗を残すように構成される描画装置，
固定されたパターンの外側の上記基板上に残っているマトリックスを取り除くように構成されるマトリックス除去装置，および
上記マトリックスの除去の後，上記パターン中の材料を焼結して上記配線の上記最終抵抗を達成するように構成される焼結装置，
を備えている，
製造システム。
【請求項３６】
上記マトリックスが感光性添加剤を含み，上記描画装置による上記コーティングされた基板への照射が上記パターン中の上記添加物を活性化する，請求項３５に記載のシステム。
【請求項３７】
上記マトリックスの表面およびバルクの両方が，上記コーティングされた基板の照射によって活性化される，請求項３６に記載のシステム。
【請求項３８】
上記添加物の活性化によって，上記パターン中の分子成分の二重化，重合化または架橋の少なくとも一つが生じる，請求項３６に記載のシステム。
【請求項３９】
上記描画装置による上記コーティングされた基板への照射によって上記マトリックス中に熱エネルギーが放出され，これが上記パターン中の分子成分の重合化または架橋の少なくとも一つを引き起こす，請求項３５に記載のシステム。
【請求項４０】
上記マトリックスは無水物成分および溶剤を含み，上記描画装置による上記コーティングされた基板への照射が上記パターン中の上記溶剤を選択的に取り除くことによって上記無水物成分を硬化する，請求項３５に記載のシステム。
【請求項４１】
上記マトリックスはアルキドを含み，上記描画装置による上記コーティングされた基板への照射によって上記アルキドの乾燥空気誘導重合化が生じる，請求項３５に記載のシステム。
【請求項４２】
上記ナノ粒子が金属を含み，上記描画装置による上記コーティングされた基板への照射によって上記金属をリガンドに結合する配位ポリマーが形成される，請求項３５に記載のシステム。
【請求項４３】
上記マトリックスが犠牲樹脂を含み，上記描画装置による上記コーティングされた基板への照射によってナノ粒子間に凝集が生じるように上記樹脂の状態を変性する，請求項３５に記載のシステム。
【請求項４４】
上記焼結装置が，上記基板上に固定されたパターンにバルク焼結工程を適用するように構成されている，請求項２７から４３のいずれかに記載のシステム。
【請求項４５】
上記コーティングされた基板への照射の前に上記基板上のマトリックスを乾かすように構成される乾燥装置を備えている，請求項２７から４３のいずれかに記載のシステム。
【請求項４６】
上記描画装置が，上記パターンの位置に衝突するようにエネルギー・ビームを向けるように構成されている，請求項２７から４３のいずれかに記載のシステム。
【請求項４７】
上記描画装置が，上記コーティングされた基板エリアの上記パターンの位置を除くエリアに衝突するようにエネルギー・ビームを向けるように構成されている，請求項２７から４３のいずれかに記載のシステム。
【請求項４８】
上記マトリックス除去装置が，溶剤を適用して上記固定パターンの外側の上記基板上に残っているマトリックスを除去するように構成されている，請求項２７から４３のいずれかに記載のシステム。
【請求項４９】
上記マトリックス除去装置が，上記固定パターンの外側の上記基板上に残っているマトリックスをアブレーションするように構成されている，請求項２７から４３のいずれかに記載のシステム。
【請求項５０】
基板上にパターン形成される材料を含むマトリックスを基板にコーティングするように構成されるコーティング装置，
上記コーティングされた基板に第１のエネルギー・ビームを照射して，上記パターンの位置に衝突するようにエネルギー・ビームを向けることによって，上記マトリックス中の材料を完全に焼結することなく，上記パターンの位置内のマトリックスの反射率を増加しつつ，上記マトリックスにパターンを固定するように構成される描画装置，
上記パターンの位置内の上記マトリックスのアブレーション閾値未満のフルエンスの第２のエネルギー・ビームを上記マトリックスに照射することによって，上記パターンの位置をアブレーションすることなく，上記固定されたパターンの外側の上記基板上に残っているマトリックスをアブレーションするように構成されるマトリックス除去装置を備え，
ここで上記マトリックスがアブレーションされたときに上記パターン中の材料が焼結される，
製造システム。
【請求項５１】
パターン形成される材料がナノ粒子を含む，請求項２７から３４および５０のいずれかに記載のシステム。
【請求項５２】
上記基板上に固定されたパターンにバルク焼結工程を適用するように構成される焼結装置を備えている，請求項５０または５１に記載のシステム。
【請求項５３】
基板上にパターン形成される金属錯体を含むマトリックスを基板にコーティングするように構成されるコーティング装置，
上記コーティングされた基板にエネルギー・ビームを照射して，上記金属錯体によって上記マトリックス中に金属粒子を形成しかつ上記金属粒子を完全に焼結しないようにしつつ，上記マトリックスにパターンを固定して，完全焼結後に達成されるべき最終抵抗の少なくとも１０倍の上記配線の抵抗を残すように構成される描画装置，
固定されたパターンの外側の上記基板上に残っているマトリックスを取り除くように構成されるマトリックス除去装置，および
上記マトリックスの除去の後，上記パターン中の材料を焼結して上記配線の上記最終抵抗を達成するように構成される焼結装置，
を備えている，
製造システム。