【手続補正書】
【提出日】平成28年11月18日(2016.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ショットキーダイオードであって、
第１の導電型のドーピング材料によって主にドープされ、かつ、活性領域と関連付けられる第１の表面を有する、ドリフト層と、
ショットキー接合を形成するための前記第１の表面の前記活性領域上方のショットキー層と、
前記ショットキー接合の下方で前記ドリフト層に形成される複数の接合バリア要素と、
前記複数の接合バリア要素の深さよりも浅い深さにて、前記ショットキー接合の下方で前記ドリフト層に形成される複数の中央インプラントと、
前記ドリフト層の上部分にあるバッファ領域であって、該バッファ領域は、前記ドリフト層の残りの下側部分より高い濃度にて前記第１の導電型のドーピング材料でドープされ、前記複数の中央インプラントが前記バッファ領域内に存在する、バッファ領域と
を備える、ショットキーダイオード。
【請求項２】
前記複数の中央インプラントのうち少なくとも１つは、前記複数の接合バリア要素の隣接する対の間に、かつ、該隣接する対から離間して設けられる、請求項１に記載のショットキーダイオード。
【請求項３】
前記複数の中央インプラントのそれぞれは、前記複数の接合バリア要素のそれぞれの深さの１／２以下である深さを有する、請求項１又は２に記載のショットキーダイオード。
【請求項４】
前記複数の接合バリア要素のそれぞれは、前記複数の中央インプラントのそれぞれより少なくとも４倍深い、請求項１〜３のいずれか一項に記載のショットキーダイオード。
【請求項５】
前記複数の接合バリア要素のそれぞれ及び前記複数の中央インプラントのそれぞれは、第２の導電型のドーピング材料によって同じドーピング濃度でドープされる、請求項１〜４のいずれか一項に記載のショットキーダイオード。
【請求項６】
前記複数の接合バリア要素のそれぞれ及び前記複数の中央インプラントのそれぞれは、少なくとも１×１０１８ｃｍ−３の濃度でドープされる、請求項１〜５のいずれか一項に記載のショットキーダイオード。
【請求項７】
前記ドリフト層の前記第１の表面は、前記活性領域に複数の接合バリア要素凹部を備え、それにより、前記複数の接合バリア要素のうち少なくとも特定の接合バリア要素は、前記複数の接合バリア要素凹部のうち対応する接合バリア要素凹部の周りで前記ドリフト層内へと延在するドープ領域であり、前記ドープ領域は、前記第１の導電型と逆である第２の導電型のドーピング材料でドープされる、請求項１〜６のいずれか一項に記載のショットキーダイオード。
【請求項８】
前記複数の接合バリア要素が前記バッファ層内に存在する、請求項１〜７のいずれか一項に記載のショットキーダイオード。
【請求項９】
前記ショットキー層は、低いバリア高さを有する金属から形成される、請求項１〜８のいずれか一項に記載のショットキーダイオード。
【請求項１０】
前記ショットキー接合は、０．９電子ボルト未満のバリア高さを有する、請求項１〜９のいずれか一項に記載のショットキーダイオード。
【請求項１１】
前記ショットキー層の前記低いバリア高さを有する金属はタンタルを含む、請求項９に記載のショットキーダイオード。
【請求項１２】
前記ドリフト層は炭化ケイ素を含む、請求項１〜１１のいずれか一項に記載のショットキーダイオード。
【請求項１３】
前記ショットキー層の前記低いバリア高さを有する金属は実質的にタンタルからなる、請求項９に記載のショットキーダイオード。
【請求項１４】
前記ショットキー層の前記低いバリア高さを有する金属は、チタン、クロム、ポリシリコン、及びアルミニウムからなる群のうちの少なくとも１つを含む、請求項９に記載のショットキーダイオード。
【請求項１５】
前記ドリフト層は、薄化された薄化基板上方に形成され、カソードコンタクトは、前記薄化基板の底表面上方に形成される、請求項１〜１４のいずれか一項に記載のショットキーダイオード。
【請求項１６】
前記活性領域は、エッジターミネーション領域によって実質的に包囲され、前記エッジターミネーション領域は、前記ドリフト層内に形成されたエッジターミネーション構造を備える、請求項１〜１５のいずれか一項に記載のショットキーダイオード。
【請求項１７】
前記エッジターミネーション領域用の前記ドリフト層の部分は、前記活性領域の前記第１の表面に対して凹状をなす、請求項１６に記載のショットキーダイオード。
【請求項１８】
前記ドリフト層の前記第１の表面は、前記活性領域に複数の接合バリア要素凹部を備え、それにより、前記複数の接合バリア要素のうち少なくとも特定の接合バリア要素は、前記複数の接合バリア要素凹部のうち対応する接合バリア要素凹部の周りで前記ドリフト層内へ延在するドープ領域であり、前記ドープ領域は、前記第１の導電型と逆である第２の導電型のドーピング材料でドープされる、請求項１〜１７のいずれか一項に記載のショットキーダイオード。
【請求項１９】
ショットキーダイオードであって、
第１の導電型のドーピング材料によって主にドープされ、かつ、活性領域と関連付けられる第１の表面を有する、ドリフト層と、
ショットキー接合を形成するための前記第１の表面の前記活性領域の上方に設けられた、低いバリア高さを有する金属のショットキー層と、
前記ショットキー接合の下方で前記ドリフト層に形成される複数の接合バリア要素と、
前記複数の接合バリア要素の深さよりも浅い深さにて、前記ショットキー接合の下方で前記ドリフト層に形成される複数の中央インプラントと
を備え、
前記複数の中央インプラントのうち少なくとも１つは、前記複数の接合バリア要素の隣接する対の間に、かつ、該隣接する対から離間して設けられ、
前記複数の中央インプラントのそれぞれは、前記複数の接合バリア要素のそれぞれの深さの１／２以下の深さを有し、
前記ドリフト層の前記第１の表面は、前記活性領域内に複数の接合バリア要素凹部を備え、それにより、前記複数の接合バリア要素のうち少なくとも特定の接合バリア要素は、前記複数の接合バリア要素凹部のうち対応する接合バリア要素凹部の周りで前記ドリフト層内へと延在するドープ領域であり、前記ドープ領域は、前記第１の導電型と逆である第２の導電型のドーピング材料でドープされる、ショットキーダイオード。
【請求項２０】
前記ドリフト層の上部分にバッファ領域を更に備え、前記バッファ領域は、前記ドリフト層の残りの下側部分より高い濃度にて前記第１の導電型のドーピング材料でドープされ、前記複数の中央インプラント及び前記複数の接合バリア要素は共に、前記バッファ層内に存在する、請求項１９に記載のショットキーダイオード。
【請求項２１】
前記ショットキー接合は、０．９電子ボルト未満のバリア高さを有する、請求項１９又は２０に記載のショットキーダイオード。
【請求項２２】
前記ショットキー層の前記低いバリア高さを有する金属はタンタルを含む、請求項１９〜２１のいずれか一項に記載のショットキーダイオード。
【請求項２３】
前記ドリフト層は炭化ケイ素を含む、請求項１９〜２２のいずれか一項に記載のショットキーダイオード。
【請求項２４】
前記ショットキー層の前記低いバリア高さを有する金属は実質的にタンタルからなる、請求項１９〜２３のいずれか一項に記載のショットキーダイオード。
【請求項２５】
前記ショットキー層の前記低いバリア高さを有する金属は、チタン、クロム、ポリシリコン、及びアルミニウムからなる群のうちの少なくとも１つを含む、請求項１９に記載のショットキーダイオード。
【請求項２６】
漏洩電流密度は、約１２５℃を超える温度では約５ミリアンペア未満である、請求項１９〜２５のいずれか一項に記載のショットキーダイオード。
【請求項２７】
漏洩電流密度は、約１５０℃を超える温度では約５ミリアンペア未満である、請求項１９〜２６のいずれか一項に記載のショットキーダイオード。