(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
−２０〜＋７０℃における熱膨張係数が９５×１０−７／℃〜１４０×１０−７／℃で、ヤング率が８５ＧＰａ以上であり、主結晶相として（ａ）２珪酸リチウムおよび（ｂ）α−クオーツ、α−クオーツ固溶体、α−クリストバライト、α−クリストバライト固溶体の中から選ばれる少なくとも１種以上を含有することを特徴とする光フイルター用ガラスセラミックス。
【請求項２】
ガラスセラミックスの組成において、ＳｉＯ２を７０〜７７質量％含有することを特徴とする請求項１記載の光フイルター用ガラスセラミックス。
【請求項３】
ガラスセラミックスの組成において、Ｌｉ２Ｏを８〜１２質量％含有することを特徴とする請求項１または２記載の光フイルター用ガラスセラミックス。
【請求項４】
ガラスセラミックスの組成において、Ｌｉ２Ｏを８．５〜９．９質量％含有することを特徴とする請求項１または２記載の光フイルター用ガラスセラミックス。
【請求項５】
ガラスセラミックスの組成において、Ａｌ２Ｏ３を３〜９質量％含有することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の光フイルター用ガラスセラミックス。
【請求項６】
ガラスセラミックスの組成において、Ａｌ２Ｏ３を４．０〜７．０質量％含有することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の光フイルター用ガラスセラミックス。
【請求項７】
ガラスセラミックスの組成において、ＺｒＯ２を２〜９質量％含有することを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の光フイルター用ガラスセラミックス。
【請求項８】
ガラスセラミックスの組成において、Ｐ２Ｏ５を１．５〜３質量％含有することを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の光フイルター用ガラスセラミックス。
【請求項９】
ガラスセラミックスの組成において、ＭｇＯ、ＺｎＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ成分の合計量を１〜５質量％含有することを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の光フイルター用ガラスセラミックス。
【請求項１０】
ガラスセラミックスの組成において、Ｋ２Ｏを０．５〜３質量％含有することを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の光フイルター用ガラスセラミックス。
【請求項１１】
ガラスセラミックスの組成において、Ｋ２Ｏを０．６〜２．０質量％含有することを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の光フイルター用ガラスセラミックス。
【請求項１２】
ガラスセラミックスの組成において、Ｎ２Ｏおよび／またはＰｂＯを実質的に含まないことを特徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載の光フイルター用ガラスセラミックス。
【請求項１３】
曲げ強度が１０ｋｇ／ｍｍ２以上であることを特徴とする請求項１〜１２のいずれかに記載の光フイルター用ガラスセラミックス。
【請求項１４】
請求項２記載のガラスセラミックス上に誘電体を成膜してなる光フイルター。
【請求項１５】
請求項３記載のガラスセラミックス上に誘電体を成膜してなる光フイルター。
【請求項１６】
請求項５記載のガラスセラミックス上に誘電体を成膜してなる光フイルター。
【請求項１７】
請求項７記載のガラスセラミックス上に誘電体を成膜してなる光フイルター。
【請求項１８】
請求項８記載のガラスセラミックス上に誘電体を成膜してなる光フイルター。
【請求項１９】
請求項９記載のガラスセラミックス上に誘電体を成膜してなる光フイルター。
【請求項２０】
請求項１０記載のガラスセラミックス上に誘電体を成膜してなる光フイルター。
【請求項２１】
請求項１２記載のガラスセラミックス上に誘電体を成膜してなる光フイルター。
【請求項２２】
請求項１３記載のガラスセラミックス上に誘電体を成膜してなる光フイルター。
【請求項２３】
請求項１〜１３のいずれかに記載のガラスセラミックス上に誘電体を成膜してなるバンドパスフイルター。
【請求項２４】
請求項１４〜２２のいずれかに記載の光フイルターを用いることを特徴とするバンドパスフイルター。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光フイルター用ガラスセラミックスおよび該ガラスセラミックスを用いた光フィルターに関する。
【０００２】
【従来の技術】
光フィルターには、特定の波長をカットしたり透過するもの、波長によらず光強度を落とすものなどがある。前者の光フィルターには、特定の波長のみを透過するバンドパスフィルター、特定の波長のみをカットするノッチパスフィルター、特定の波長より短波長や長波長のみを透過するハイパスフィルター、ローパスフィルターなどがあり、後者の光フィルターには、ＮＤフィルターがある。
【０００３】
また、光フィルターには吸収型と干渉型等がある。吸収型光フィルターには代表的なものとしてＮＤフィルター等があり、干渉型光フィルターには、代表的なものとしてバンドパスフィルターが挙げられる。写真用等の吸収型光フィルターには基体としてプラスチックが用いられているが、強いレーザーが用いられる光フィルターの基板には、耐久性・耐熱性が要求されるので、もっぱらアモルファスガラスが用いられている。
【０００４】
バンドパスフィルターは、ガラスなどの基板材上に例えば、高い屈折率を持つ誘電体薄膜（Ｈ層）と低い屈折率を持つ誘電体薄膜（Ｌ層）を交互に積層した構造の誘電体多層膜を形成したものが用いられる。
【０００５】
ＷＤＭ（Ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ  Ｄｉｖｉｓｉｏｎ  Ｍｕｌｔｉｐｌｅｘｉｎｇ：波長分割多重方式）光通信システムに用いられるバンドパスフィルターにおいては、通過波長のバンド幅を狭く設定し、より高密度波長に適用しようとする場合、バンドの中心波長の温度安定性が問題となっている。すなわち、わずかな温度変化に対してもバンドの中心波長が変動してしまう敏感な素子であるため、その使用においては温度コントローラーで温度補償を行うべきであるが、用いる際のスペース的な問題により事実上温度コントローラーをつけることができない。この中心波長の温度安定性は、光情報量が増加するに従いバンド幅を狭くする必要があるため、その重要さを増すものである。
【０００６】
従来、バンドパスフィルターの基板材には、アモルファスガラスが使用されているが、熱膨張特性が十分高くなく、機械的強度も低いため、膜に与える圧縮応力および耐久性の面でも充分なものでなかった。更に、アモルファスガラスは表面硬度が低く、しかも高膨張特性を得るにはアルカリ成分を多量に含有させる必要があり、成膜時のアルカリ溶出や経時的なアルカリ溶出等の問題を有し、将来の光フィルター用基板材、特にバンドパスフィルター用基板材としての要求に十分対応できない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、上記従来技術に見られる諸欠点を解消しつつ、バンドパスフィルターの高精度化に合わせ、単層もしくは多層膜形成したフィルター部材の使用温度における屈折率変動を回避する（基板材料を高熱膨張係数として、これにより膜に圧縮応力を与え、膜の屈折率温度安定性を向上させる。）ための熱膨張特性と、耐久性を考慮した機械的特性を兼ね備えた光フイルター用ガラスセラミックスおよび光フィルターを提供することにある。
【０００８】
【課題を解消するための手段】
本発明者は、鋭意試験研究を重ねた結果、上記課題を解決するには、特定の熱膨張係数範囲や機械的強度、光線透過率を有するガラスセラミックスが好適であることを見い出し、本発明に至った。
【０００９】
すなわち、請求項１に記載の発明は、−２０〜＋７０℃における熱膨張係数が９５×１０−７／℃〜１４０×１０−７／℃で、ヤング率が８５ＧＰａ以上であり、主結晶相として（ａ）２珪酸リチウムおよび（ｂ）α−クオーツ、α−クオーツ固溶体、α−クリストバライト、α−クリストバライト固溶体の中から選ばれる少なくとも１種以上を含有することを特徴とする光フイルター用ガラスセラミックスであり、請求項２記載の発明は、ガラスセラミックスの組成において、ＳｉＯ２を７０〜７７質量％含有することを特徴とする請求項１記載の光フイルター用ガラスセラミックスであり、請求項３記載の発明は、ガラスセラミックスの組成において、Ｌｉ２Ｏを８〜１２質量％含有することを特徴とする請求項１または２記載の光フイルター用ガラスセラミックスであり、請求項４記載の発明は、ガラスセラミックスの組成において、Ｌｉ２Ｏを８．５〜９．９質量％含有することを特徴とする請求項１または２記載の光フイルター用ガラスセラミックスである。
また、請求項５記載の発明は、ガラスセラミックスの組成において、Ａｌ２Ｏ３を３〜９質量％含有することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の光フイルター用ガラスセラミックスであり、請求項６記載の発明は、ガラスセラミックスの組成において、Ａｌ２Ｏ３を４．０〜７．０質量％含有することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の光フイルター用ガラスセラミックスであり、請求項７記載の発明は、ガラスセラミックスの組成において、ＺｒＯ２を２〜９質量％含有することを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の光フイルター用ガラスセラミックスであり、請求項８記載の発明は、ガラスセラミックスの組成において、Ｐ２Ｏ５を１．５〜３質量％含有することを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の光フイルター用ガラスセラミックスである。
また、請求項９記載の発明は、ガラスセラミックスの組成において、ＭｇＯ、ＺｎＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ成分の合計量を１〜５質量％含有することを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の光フイルター用ガラスセラミックスであり、請求項１０記載の発明は、ガラスセラミックスの組成において、Ｋ２Ｏを０．５〜３質量％含有することを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の光フイルター用ガラスセラミックスであり、請求項１１記載の発明は、ガラスセラミックスの組成において、Ｋ２Ｏを０．６〜２．０質量％含有することを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の光フイルター用ガラスセラミックスであり、請求項１２記載の発明は、ガラスセラミックスの組成において、Ｎ２Ｏおよび／またはＰｂＯを実質的に含まないことを特徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載の光フイルター用ガラスセラミックスであり、請求項１３記載の発明は、曲げ強度が１０ｋｇ／ｍｍ２以上であることを特徴とする請求項１〜１２のいずれかに記載の光フイルター用ガラスセラミックスである。
また、請求項１４記載の発明は、請求項２記載のガラスセラミックス上に誘電体を成膜してなる光フイルターであり、請求項１５記載の発明は、請求項３記載のガラスセラミックス上に誘電体を成膜してなる光フイルターであり、請求項１６記載の発明は、請求項５記載のガラスセラミックス上に誘電体を成膜してなる光フイルターであり、請求項１７記載の発明は、請求項７記載のガラスセラミックス上に誘電体を成膜してなる光フイルターであり、請求項１８記載の発明は、請求項８記載のガラスセラミックス上に誘電体を成膜してなる光フイルターであり、請求項１９記載の発明は、請求項９記載のガラスセラミックス上に誘電体を成膜してなる光フイルターであり、請求項２０記載の発明は、請求項１０記載のガラスセラミックス上に誘電体を成膜してなる光フイルターであり、請求項２１記載の発明は、請求項１２記載のガラスセラミックス上に誘電体を成膜してなる光フイルターであり、請求項２２記載の発明は、請求項１３記載のガラスセラミックス上に誘電体を成膜してなる光フイルターである。
また、請求項２３記載の発明は、請求項１〜１３のいずれかに記載のガラスセラミックス上に誘電体を成膜してなるバンドパスフイルターであり、請求項２４記載の発明は、請求項１４〜２２のいずれかに記載の光フイルターを用いることを特徴とするバンドパスフイルターである。
【００１０】
本発明の光フィルターに用いられるガラスセラミックスの熱膨張特性、ヤング率、曲げ強度、光線透過率、組成および主結晶相について以下に述べる。尚、組成は原ガラスと同様、酸化物基準の質量％で表示する。
【００１１】
まず、熱膨張特性であるが、前述のようにバンドの中心波長の温度安定性は非常に重要であり、膜構成物質の熱膨張係数より大きいものが必要である。本発明者が試験研究を行った結果、−２０℃〜＋７０℃における熱膨張係数が９５×１０−７／℃以上とすると、バンドパスフィルターとして使用する温度範囲において、膜に十分な圧縮応力を与えることができることが判明した。しかしその一方で１４０×１０−７／℃を越えると、膜との熱膨張係数差が大きくなりすぎて、膜の剥離等の問題を生じやすくなる。より好ましい範囲は１１０×１０−７〜１３０×１０−７／℃、更に好ましい範囲は１２０±５×１０−７／℃の範囲である。
【００１２】
バンドパスフィルターにおいて中心波長の温度安定性は当然、薄膜を構成する誘電体の屈折率温度係数に依存するが、それ以上に基板材の熱膨張係数に大きく影響を受ける。これは屈折率が薄膜の充填率によっても決定されることに起因する。すなわち、薄膜の充填率が高いほど中心波長の温度による変化は小さくなる。そして薄膜の充填率はこれを成膜している光フィルター基板材の熱膨張係数に大きく影響を受けるものである。つまり、成膜時の基板材は約２００℃となるが、その熱によって基板材自体は大きく膨張しており、薄膜はその膨張した基板材につけられ、次いで基板材が冷却されるにしたがって、それらの熱膨張係数の差により薄膜は圧縮応力を受ける。その結果、薄膜の充填率が高くなり屈折率が高くなる。基板材の熱膨張係数が大きければ大きいほど成膜された誘電体薄膜にかかる圧縮応力は大きくなり、その使用温度における屈折率の温度による変化率が少なくなる。この理由により、誘電体薄膜の熱膨張係数よりもガラスセラミックスの熱膨張係数を大きく設定することが望ましい。
【００１３】
その他、過酷な使用条件を考慮すると、前記以外の特性の他にも、機械的な変形等に対する強度、すなわち、曲げ強度やヤング率も無視できない。
【００１４】
次いでヤング率についてであるが、これら基板材は、成膜後に微小なチップ状（２ｍｍ以下×２ｍｍ以下×２ｍｍ以下）に加工するため、高ヤング率、高強度が求められる。以上のように後の加工工程を考慮すると、ヤング率は８５ＧＰａ以上、曲げ強度は１０ｋｇ／ｍｍ２以上であることが好ましい。
【００１５】
次いで光線透過率についてであるが、光線透過率が低ければ当然信号の取り出しに不都合（Ｓ／Ｎ比の低下）を生じるので、その値は大きい方が好ましく、最低でも光線透過率は６０％以上である必要がある。更にバンドパスフィルターの使用波長は９５０ｎｍ〜１６００ｎｍであり、板厚１０ｍｍ材におけるこの波長の光線透過率は６０％以上であることが必要となる。尚、前記波長における光線透過率については、好ましくは７５％以上、更に好ましくは８０％以上である。
【００１６】
次いで析出結晶相についてであるが、本発明の光フィルターに用いられるガラスセラミックスは、「（ａ）二珪酸リチウム」および、「（ｂ）α−クォーツ、α−クォーツ固溶体、α−クリストバライト、α−クリストバライト固溶体の中から選ばれる少なくとも一種以上」を含むことが好ましい。前記これらの結晶相を析出させることによって、曲げ強度、ヤング率を格段に高くすることができ、かつ、温度範囲−２０℃〜＋７０℃における熱膨張係数が９５×１０−７〜１４０×１０−７／℃とすることができる。さらに、バンドフィルターの使用波長である９５０ｎｍ〜１６００ｎｍに対して、板厚１０ｍｍ材における光線透過率（％）を６０％以上とする事ができる。
【００１７】
次に原ガラスの組成範囲を限定する理由について以下に述べる。ＳｉＯ２成分は、原ガラスの熱処理により、主結晶相として析出する二珪酸リチウム、α−クォーツ、α−クォーツ固溶体、α−クリストバライト、α−クリストバライト固溶体を生成するきわめて重要な成分であるが、その量が７０％未満では、得られたガラスセラミックスの析出結晶が不安定で組織が粗大化しやすく、また７７％を超えると原ガラスの溶融・成形性が困難になる。
【００１８】
Ｌｉ２Ｏ成分は、原ガラスの熱処理により、主結晶相として析出する二珪酸リチウムを生成するきわめて重要な成分であるが、その量が８％未満では、上記結晶の析出が困難となると同時に、原ガラスの溶融が困難となる。また１２％を超えると、得られる結晶が不安定で組織が粗大化しやすいうえ、化学的耐久性が悪化する。
【００１９】
Ｋ２Ｏ成分は、ガラスの溶融性を向上させると同時に析出結晶の粗大化を防止する。そしてその量は０．５％以上が好ましい。但し、過剰に含まれると析出結晶の粗大化、結晶相変化および化学的耐久性が悪化する為、その量は３％以下が好ましい。
【００２０】
ＭｇＯ、ＺｎＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ成分は、ガラスの溶融性を向上させると同時に析出結晶の粗大化を防止し、且つマトリックスであるガラス相の屈折率を調整することで、光線透過率を調整する事を可能とする成分であるが、それぞれの合計量が１％未満ではこれらの効果が得られず、５％を超えると得られる結晶が不安定で組織が粗大化しやすくなる。
【００２１】
Ｐ２Ｏ５成分は本発明において、析出結晶の核形成剤として不可欠であるが、その効果を得るには１．５％以上が好ましい。また、原ガラスの失透を防ぎ、量産安定性を保つために３％以下が好ましい。
【００２２】
ＺｒＯ２成分はＰ２Ｏ５成分と同様に、析出結晶の核形成剤として機能する上に、析出結晶の微細化と材料の機械的強度向上および化学的耐久性の向上に顕著な効果を有することが見出された極めて重要な成分である。これらの効果を得るためにはＺｒＯ２は２％以上が好ましい。但し、過剰に加えると原ガラスの溶融が困難となると同時にＺｒＳｉＯ４等の溶け残りが発生してしまうため、９％以下が好ましい。
【００２３】
Ａｌ２Ｏ３成分は、ガラスセラミックスの化学的耐久性および機械的強度、特に曲げ強度を向上させる成分であり、本発明の目的を達成するために、その量は３％以上であることが必要であり、４％以上であることがより好ましい。またＡｌ２Ｏ３成分が過剰であると、溶融性、耐失透性が悪化し、更に析出結晶相としてβ−スポジューメン、β−クリストバライトを析出するようになってしまう。β−スポジューメン、β−クリストバライトは熱膨張係数が著しく小さい結晶相であり、これら結晶の析出は得られるガラスセラミックスの熱膨張係数を著しく低下させる。したがって、Ａｌ２Ｏ３成分は９％以下であることが好ましく、８％以下であることがより好ましい。
【００２４】
Ｓｂ２Ｏ３およびＡｓ２Ｏ３成分はガラス溶融の際の清澄剤として添加しうるが、それらの成分の和は２％以下で十分であり、より好ましくは１％以下である。
【００２５】
次にＮａ２Ｏ、ＰｂＯを実質的に含まないことが好ましい多層膜の形成において、材料中のＮａ２Ｏは問題となる成分である。これはＮａイオンが多層膜に溶出し膜特性の悪化をもたらすためであり、ＰｂＯについては、環境上好ましくない成分であるので、使用は極力避けるべきである。
【００２６】
つぎに本発明にかかる光フィルターに用いられるガラスセラミックスを製造するについては、上記の組成を有するガラスを溶解し、熱間成形および／または冷間加工を行った後、５００〜６００℃の範囲の温度で１〜７時間熱処理して結晶核を形成し、続いて７００〜７８０℃の範囲の温度で１〜７時間熱処理して結晶化を行う。
【００２７】
こうして熱処理により結晶化されたガラスセラミックスの主結晶相は、「（ａ）二珪酸リチウム」および、「（ｂ）α−クォーツ、α−クォーツ固溶体、α−クリストバライト、α−クリストバライト固溶体の中から選ばれる少なくとも１種以上」を含有するものであった。
【００２８】
この熱処理結晶化したガラスセラミックスを常法によりラッピングした後、ポリシングすることにより、表面粗度Ｒａ（算術平均粗さ）が１．０Å以上、５．０Å以下の範囲内の光フィルター用ガラスセラミックス基板が得られる。これらのガラスセラミックスは、該基板表面に誘電体多層膜を成膜した干渉型光フィルター用に好適であり、特に、誘電体多層膜として、高い屈折率を持つ誘電体薄膜（Ｈ層）と低い屈折率を持つ誘電体薄膜（Ｌ層）を交互に積層した構造の、バンドパスフィルター用に好適である。
【００２９】
上記誘電体としては、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ２、Ｎｂ２Ｏ５、ＳｉＯ２等の無機酸化物が好ましい。更に、波長範囲９５０ｎｍ〜１６００ｎｍに用いるバンドパスフィルターにおいては、誘電体層としてＨ層／Ｌ層の組合せとして、ＴｉＯ２／ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ２／ＳｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５／ＳｉＯ２が好ましい。
本発明の光フィルターは、ガラスセラミックス基板の表面に誘電体薄膜を成膜して得ることができる。成膜方法としては、蒸着法、ＲＦイオンプレーティング法、マグネトロンスパッタリング法、プラズマイオンプレーティング法等がある。中でも蒸着法が好適である。
【００３０】
次に本発明の好適な実施例について説明する。表１、２、３は本発明の光フィルターに用いられるガラスセラミックスの実施例（Ｎｏ．１〜８）および従来から用いられている光フィルター用ガラス基板（比較例）について、組成の他に、析出結晶相、熱膨張係数、ヤング率、曲げ強度、光線透過率を示したものである。
【発明の実施の形態】
【００３１】
【表１】
0003600548.tif 000002
【００３２】
【表２】
0003600548.tif 000003
【００３３】
【表３】
0003600548.tif 000004
【００３４】
上記実施例のガラスセラミックスの製造方法を説明する。酸化物、炭酸塩、硝酸塩等の原料を混合し、これを通常の溶解装置を用いて約１３５０〜１４５０℃の温度で溶解し攪拌均質化した後、成形・冷却工程を経てガラス成形体を得た。その後これを５００〜６００℃で１〜７時間熱処理して結晶核形成後、７００〜７８０℃で１〜７時間熱処理結晶化して、所望のガラスセラミックスを得た。ついで上記ガラスセラミックスを８００＃〜２０００＃のダイヤモンドペレットにて５〜３０分ラッピングし、次いで粒子径（平均）０．０２〜３μｍの研磨剤酸化セリュームにて３０〜６０分間研磨し仕上げた。これらのガラスセラミックスの表面粗度Ｒａ（中心線粗さ）は５Å以下であった。
【００３５】
析出結晶相はＸ線回折（ＸＲＤ）装置およびＥＤＳ（エネルギー分散型分析装置）で同定した。
【００３６】
本発明の実施例１〜８と比較例１を比較すると、従来から用いられている光フィルター用ガラス基板は熱膨張係数が９３×１０−７／℃と、成膜された膜に圧縮応力を与えるには十分な数値ではなく、更にヤング率＝７５ＧＰａ、曲げ強度＝５ｋｇ／ｍｍ２と低強度材であった。これに対し、本発明の光フィルターに用いられるガラスセラミックスは成膜された膜に圧縮応力を与えるに十分な熱膨張係数を有しており、ヤング率や曲げ強度においても十分な数値を有しているため、光フィルター用の基板材料として好適であった。
【００３７】
また上記の実施例により得られたガラスセラミックス基板に、ＴｉＯ２／ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ２／ＳｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５／ＳｉＯ２の多層膜をそれぞれ成膜してなる干渉型光フィルターは、その中心波長の温度安定性が非常に良好なものであり、光通信用のバンドパスフィルターとして非常に良好なものであった。
【００３８】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、上記従来技術に見られる諸欠点を解消しつつ、中心波長の温度安定性の優れた光フィルターを提供することができる。この特徴（高い光線透過率、高い熱膨張特性、高いヤング率、高い曲げ強度）は干渉型光フィルター、特にバンドパスフィルター用として好適であり、特に光通信システムにおけるＷＤＭ、ＤＷＤＭ（高密度波長分割多重方式）の用途に最適である。更にこの光フィルター用ガラスセラミックス基板にＴｉＯ２／ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ２／ＳｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５／ＳｉＯ２の誘電体膜を複数層成膜してなるバンドパスフィルター部材は、従来のバンドパスフィルター部材にない、中心波長の温度安定性を有するものであり、地上の光通信システムだけでなくｓｐａｃｅ−ｂａｓｅｄ−ｓａｔｅｌｌｉｔｅ等でも使用される可能性がある。