(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
共振器内に波長選択性を有する反射鏡を内蔵する導波路型レーザにおいて、少なくとも１端の反射鏡に導波路型ループミラーを用い、該導波路型ループミラー内にアレイ導波路格子を設け、該アレイ導波路格子における個々のアレイ導波路にあたえる導波路長差が、一種類一定ではなく、２種類以上の複数の導波路長差を個々のアレイ導波路にあたえたことを特徴とする導波路型レーザ。
【請求項２】
共振器内に波長選択性を有する反射鏡を内蔵する導波路型レーザにおいて、少なくとも１端の反射鏡に導波路型ループミラーを用い、該導波路型ループミラー内に、アレイ導波路格子と、該アレイ導波路格子のＦＳＲとは異なるＦＳＲを有する導波路型フィルタを具備することを特徴とする導波路型レーザ。
【請求項３】
前記導波路型フィルタとして透過波長可変な導波路型フィルタを用いることを特徴とする請求項２に記載の導波路型レーザ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、導波路型レーザに関し、より詳細には、導波路型波長可変レーザであって、光通信で欠かすことのできないレーザ光源に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
光通信に用いるレーザ光源は、光信号の波形が長距離を伝搬して劣化しないように、シングルモード発振することが不可欠である。通信用に用いられる代表的なレーザとしては、半導体レーザにグレーティングを組み込んだＤＦＢ（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ  Ｆｅｅｄｂａｃｋ；分布帰還）またはＤＢＲ（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ  Ｂｒａｇｇ  Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ；分布ブラッグ反射器）レーザなどがある。しかし、半導体材料のみで作成したレーザは温度変化に対し、発振波長が大きくシフトしてしまうという問題がある。
【０００３】
そのため、近年盛んに研究開発が進められているＤＷＤＭシステム（Ｄｅｎｓｅ  Ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ  Ｄｉｖｉｓｉｏｎ  Ｍｕｌｔｉｐｌｅｘｉｎｇ  Ｓｙｓｔｅｍ）に用いるには、温度調整機構を内蔵するなどの工夫が必要で、コスト的にも問題があった。これらの問題を解決するために、半導体材料より温度依存性が小さい石英系導波路にグレーティングを書き込み、半導体増幅器とハイブリッド集積したレーザが提案されている。
【０００４】
図２は、半導体増幅器とハイブリッド集積したレーザの代表的な構成を示す図である。図中符号２１は石英系導波路、２２はファイバ接続部、２３はグレーティング、２４は半導体アンプである。このレーザは、温度変化に対する発振波長のシフト量が８分の１になるだけでなく、レンズ系を用いることなく、光通信には不可欠なファイバとの接続が可能になり、生産コストも低く押さえることが可能になった。しかし、環境温度の大きな変化に対しては、発振波長がホッピングしてしまうという新たな問題が生じた。
【０００５】
しかし、この問題を解決する方法として、石英系導波路上に微細な溝を作成し、屈折率の温度変化が半導体材料や石英系ガラス材料とは正負が逆向きのポリマー等の材料を導波路上の溝の中に流し込むことにより、レーザ共振器全体として共振器長の温度変化を石英導波路上のグレーティング波長の温度依存性とを一致させ、発振波長の温度依存性を低く抑えかつホッピングを抑制することが提案・報告されている（Ｔａｎａｋａ  ｅｔ．ａｌ．”Ｈｙｂｒｉｄ  ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ  ｅｘｔｅｒｎａｌ  ｃａｖｉｔｙ  ｌａｓｅｒ  ｗｉｔｈｏｕｔ  ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ  ｍｏｄｅ  ｈｏｐｐｉｎｇ”，Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｌｅｔｔ．１９９９，３５，ｐｐ１７９−１８０）。
【０００６】
しかし、上記導波路型レーザでも発振波長の温度依存性を完全に消すことは出来ず、温度調整機構をモジュール内に内蔵する必要性は残ったままであった。さらに、これらのグレーティングを用いたレーザは、グレーティング作成のために微細加工または紫外線照射などの特別なプロセスが必要であるというコスト上の問題がある。
【０００７】
さらに、石英導波路と半導体アンプを組み合わせたシングルモードレーザでは、グレーティングで決まる一定の波長でしか発振できず、発振波長を大きく変えて、かつ安定にシングルモード発振を実現したという報告はまだなされていない。
【０００８】
また、小型な波長可変なシングルモード・レーザとしては、Ｇｒａｔｉｎｇ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｓａｍｐｌｅｄ  Ｒｅｆｒｅｃｔｏｒ  Ｌａｓｅｒ（Ｂ．Ｂｒｏｂｅｒｇ  ｅｔ．ａｌ．，”Ｗｉｄｅｌｙ  ｔｕｎａｂｌｅ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  ｌａｓｅｒｓ”，ＬＥＯＳ’９８  ＴｈＱ１，１９９８）  やＳｕｐｅｒ  Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ  Ｇｒａｔｉｎｇ  ＤＢＲ  Ｌａｓｅｒ（Ｈ．Ｉｓｈｉｉ  ｅｔ．ａｌ．，”Ｑｕａｓｉｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ  Ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ  Ｔｕｎｉｎｇ  ｉｎ  Ｓｕｐｅｒ−Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ−Ｇｒａｒｔｉｎｇ（ＳＳＧ）ＤＢＲ  Ｌａｓｅｒｓ”，ＩＥＥＥ  Ｊ．Ｑｕａｎｔｕｍ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ，ｖｏｌ．３２，ｐｐ．４３３−４５５，１９９６）  がある。しかし、実際に発振波長を制御するには発振波長をモニタしながらの微調整が必要であるという問題があり、また、発振波長の温度無依存化機能を付与するのが難しいという大きな問題があった。
【０００９】
一方、異なる波長の光信号を扱うＤＷＤＭシステムでは、それぞれの信号を目的の場所まで、どのようにして届けるかというシステム上の課題があり、様々な研究が行われている。小規模なネットワークの場合では使用する波長とパスとを１対１対応させることが可能だが、電話のように不特定多数から不特定多数へ信号を伝えるネットワークを考えると、全ての発信者から全ての受信者まで個別の波長とパスを用意することは実質的に不可能で、何らかの区間毎にパスを切り替える必要がある。このパス切り替え方法としては、物理的に光信号のルートを変える方法（特開平５−７２５７５号公報参照）と、光信号の波長を切り替える方法がある。
【００１０】
後者を用いたシステムの提案例としては（Ｍ．Ｋｏｇａ  ｅｔ．ａｌ．”Ｄｅｓｉｇｎ  ａｎｄ  ｐｅｒｆｏｍａｎｃｅ  ｏｆ  ａｎ  ｏｐｔｉｃａｌ  ｐａｔｈ  ｃｒｏｓｓ−ｃｏｎｎｅｃｔ  ｓｙｓｔｅｍ  ｂａｓｅｄ  ｏｎ  ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ  ｐａｔｈ  ｃｏｎｃｅｐｔ”，ＩＥＥＥ  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｌｉｇｈｔｗａｖｅ  Ｔｅｃｈ．，ｖｏｌ．１４，Ｎｏ．６，ｐｐ．１１０６−１１１９，１９９６）  等があげられる。これらの方法では、各入力チャンネル毎に全ての出力チャンネル数だけ波長の異なるシングルモードレーザを用意する必要があるが、ある特定の一瞬時に動作しているレーザは各チャンネル毎に１台以下であり、高額なレーザを余分に持たなければならないという問題があった。
【００１１】
本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、温度調整機構と、グレーティング作成時に必要な微細加工又は紫外線照射プロセスを省いて導波路型レーザを提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明は、このような目的を達成するために、共振器内に波長選択性を有する反射鏡を内蔵する導波路型レーザにおいて、少なくとも１端の反射鏡に導波路型ループミラーを用い、該導波路型ループミラー内にアレイ導波路格子を設け、該アレイ導波路格子における個々のアレイ導波路にあたえる導波路長差が、一種類一定ではなく、２種類以上の複数の導波路長差を個々のアレイ導波路にあたえたことを特徴とするものである。
【００１５】
請求項２に記載の発明は、共振器内に波長選択性を有する反射鏡を内蔵する導波路型レーザにおいて、少なくとも１端の反射鏡に導波路型ループミラーを用い、該導波路型ループミラー内に、アレイ導波路格子と、該アレイ導波路格子のＦＳＲ（Free Spectral Range）とは異なるＦＳＲを有する導波路型フィルタを具備することを特徴とするものである。
【００１６】
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の発明において、前記導波路型フィルタとして透過波長可変な導波路型フィルタを用いることを特徴とするものである。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施例について説明する。
【００２０】
（実施例１）
図１は、本発明の導波路型レーザの一実施例を示す構成図で、図中、１１はＳｉ基板上に作成された比屈折率が１％の石英系導波路で、１２はアレイ導波路格子であり、アレイ導波路格子１２のポート１３とポート１４が３ｄＢカップラ１５に接続されて導波路型ループミラーを形成している。１６は半導体アンプで、端面１９には高反射コートがなされ、１８の石英系導波路チップ上に実装されている。さらにアレイ導波路格子には、ポリマー材料を挿入するための溝１７が掘られていて、アレイ導波路格子のもつ屈折率の温度依存性と半導体アンプの有する温度依存性とをキャンセルするように設計されている。
【００２１】
アレイ導波路格子１２は９本のアレイ導波路からなり、最も内側の導波路より４番目までのｍ番目のアレイ導波路の導波路長を隣接する内側の導波路よりΔＬ１だけ長くなるように設計され、５番目から９番目までアレイ導波路の導波路長を隣接する内側の導波路よりΔＬ２だけ長くなるように設計されている。なお、導波路の有効屈折率をｎとし、真空中の光速をＣとすると、Ｃ／ｎΔＬ１＝２００・１０９、Ｃ／ｎΔＬ２＝２１４・１０９となるように設計した。実施例に用いたΔ１％の導波路の１．５μｍ帯での有効屈折率はおよそ１．４５であるのでΔＬ１＝１０３４μｍ、ΔＬ２＝９６５μｍになった。
【００２２】
さらに、最も内側の導波路に対する各々のアレイ導波路の長さに比例した幅の溝を、９本のアレイ導波路型上に作成した。この溝は伝搬損失も考慮して溝幅が太くなりすぎないように複数の溝に分け、溝幅の総和が横切る導波路の導波路長差に比例するように設計した。また、使用する半導体アンプと石英導波路からなる共振器長全体の温度依存性をキャンセルするように９本の導波路すべてを横断する溝も作成した。溝を作成した後、石英系導波路や半導体アンプとは屈折率の温度依存性の正負が逆向きのポリマー材料を選択し溝に注入した。
【００２３】
このアレイ導波路格子のポート１３とポート１４をＭＭＩ（Ｍｕｌｔｉ  Ｍｏｄｅ  Ｉｎｔｅｒｆｅｒｏｍｅｔｅｒ）からなる３ｄＢカップラ１５に同じ向きから導き入れ、反対側の２つのポートのうち一方を半導体アンプ実装部に、もう一方をファイバ実装部に導いた。
【００２４】
半導体アンプにはＩｎＰよりなる導波路型半導体増幅器を用いた。半導体増幅器の全長はおよそ５００μｍであった。石英導波路端面と向き合わない反対面１９には１．５μｍ帯で高反射になるＨＲコートを施してあるものを用いた。
【００２５】
以上のアレイ導波路格子を含む導波路型ループミラーと半導体アンプとからなる共振器長は真空中換算でおよそ３０ｍｍになった。共振器１周の長さが真空中換算でおよそ３０ｍｍであるということは約１０ＧＨｚ間隔でレーザ発振しうることを示している。
【００２６】
図４は、できあがったアレイ導波路格子部分の特性を示す図である。アレイ導波路格子１２のポート１３からポート１４への透過波長依存性である。用いた半導体アンプの増幅帯域を鑑み１５４５ｎｍから１５６５ｎｍの波長域の特性を評価した。通常のアレイ導波路格子と同様に周期的に透過率が高いピークが繰り返し現れている。しかし、上述のような複数の導波路長差をアレイ導波路にあたえたので、すべてのピークの透過率が等しくはならず、ひとつの波長近傍のみで透過率が最大になる。その結果、半導体アンプの１０ｎｍ前後の利得帯域全体から、上述の透過率が最大になる１つのピーク内に、レーザ発振できる波長領域が限られることになる。
【００２７】
図５は、最も透過率の大きなピークの拡大図である。この図５には併せて１０ＧＨｚ間隔のガイドラインを示している。この１０ＧＨｚという値はレーザ発振しうる共振周期に相当する。１０ＧＨｚ隣の透過率は大きく異なることから、この透過率のピークの中から単一の波長の光のみレーザ発振することがわかる。
【００２８】
図６は、半導体アンプを駆動したときのＩ−Ｌ特性図である。発振閾値は４５ｍＡで、１００ｍＡ注入したとき１．２ｍＷの光出力を得た。その時のレーザ発振スペクトルを図７に示す。発振はシングルモード発振であり、アイソレーションは約４０ｄＢであった。次に、作成したレーザ全体を乾燥空気を満した恒温槽に入れて環境温度を５度から５０度まで変化させてレーザ発振特性を評価した。図８にレーザの発振強度を、図９に発振波長の温度依存性を示す。いずれも１００ｍＡ電流注入時のデータである。半導体アンプの利得の温度依存性のため、レーザ発振強度は１．２５ｍＷから０．６ｍＷまで変化したが、レーザ発振波長は、波長選択素子であるＡＷＧの温度依存性と、共振器長の温度依存性を同時に温度依存性に設計したため、ほとんど温度変化は見られず、５度から５０度の環境温度変化全域にわたって±２．５ＧＨｚ以下であった。
【００２９】
（実施例２）
図３は、本発明の導波路型レーザの第２の実施例を示す図である。図中３１はＳｉ基板上に作製された比屈折率が１％の石英系導波路で、３２は第１のアレイ導波路格子であり、第１のアレイ導波路格子のポート３３とポート３４が３ｄＢカップラ３５に接続され導波路型ループミラーを形成している。この導波路型ループミラーの片方の出口をファイバ接続部４０に導き導波路型レーザの出力ポートとした。さらに導波路型ループミラーのもう片方の出口は第２のアレイ導波路格子３７に導かれ、その第２のアレイ導波路格子の反対側は、半導体アンプ３６に接続されている。さらに端面３９には高反射コートがなされている。符号３８は石英系導波路チップである。
【００３０】
第１のアレイ導波路格子３２は９本のアレイ導波路からなり、最も内側の導波路型よりｍ番目のアレイ導波路の導波路長が隣接する内側の導波路長よりΔＬ３だけ長くなるように設計されている。なお、導波路の有効屈折率をｎとし、真空中の光速をＣとすると、Ｃ／ｎΔＬ３＝１００・１０９となるように設計した。実施例に用いたΔ１％の導波路型の１．５μｍ帯での有効屈折率はおよそ１．４５であるのでΔＬ３＝２０６９μｍになった。
【００３１】
第２のアレイ導波路格子３７は３本のアレイ導波路格子からなり、最も下側の導波路よりｍ番目のアレイ導波路の導波路長が隣接する下側の導波路長よりΔＬ４だけ長くなるように設計されている。なお、導波路の有効屈折率をｎとし、真空中の光速をＣとすると、Ｃ／ｎΔＬ４＝２１９９・１０９となるように設計し、ΔＬ４＝９４μｍになった。
【００３２】
図１０は、第２のアレイ導波路格子の詳細構造図である。この第２のアレイ導波路格子３７にはヒータ４１による波長シフト動作が出来るように、最も上側のアレイ導波路型上に４ｍｍ長×４０μｍ幅のヒータ４１ａを、中心のアレイ導波路に２ｍｍ長×４０μｍ幅のヒータ４１ｂを装荷して直列駆動できるように電極４２ａ，４２ｂを接続した。また、３本のアレイ導波路４５ａ，４５ｂ，４５ｃに分配される光強度が等しくなるように中央のアレイ導波路に比べ、両側のアレイ導波路にテーパー部４３，４４を設けた。さらに透過帯域波長可変な第２のアレイ導波路格子のフィルタ特性を補うため、第２のアレイ導波路格子３７は導波路型ループミラー外におき、共振器を一周する光が第２のアレイ導波路格子を２回通過するように工夫した。
【００３３】
図１１は、第２のアレイ導波路のヒーターを駆動したときの透過特性の変化を示す図である。電圧の増加と共に、第２のアレイ導波路の透過帯域は約１５５０ｎｍから１５６０ｎｍまで制御することができた。
【００３４】
以上の第１のアレイ導波路格子を含む導波路型ループミラーと、第２のアレイ導波路格子と、半導体アンプとから構成される共振器長が、真空中換算で６０ｍｍになるように、導波路型ループミラーと第２のアレイ導波路格子との間の長さを設計した。共振器一周の長さが６０ｍｍであるということは、共振器周波数は５．０ＧＨｚとなる。
【００３５】
図１２は、第１のアレイ導波路格子の透過特性と、第２のアレイ導波路格子の透過特性と、共振器のうち石英導波路部分を１周する時のトータルの透過特性とを、搭載した半導体アンプの利得帯域である１５４５ｎｍから１５６５ｎｍまでにわたり示したものである。
【００３６】
第１のアレイ導波路格子の透過域のピークは１００ＧＨｚ間隔に並び、かつ、ＩＴＵグリッドにのっている。また第２のアレイ導波路格子の透過特性により、１０ｎｍ前後にわたる半導体アンプの利得帯域のうち発振できる領域を選択している。
【００３７】
第１のアレイ導波路格子をふくむ導波路型ループミラーと第２のアレイ導波路格子からなる共振器の石英導波路部分を一周する時のトータルの透過特性のうち、最も透過率が大きくなった波長領域の拡大図を図１３と図１４に示す。図１３をみると、トータルの透過特性に１００ＧＨｚ毎に透過率のピークがあることが判るが、第２のアレイ導波路格子の特性のため、１つのピークのみ選択的に透過率が大きくなっていることがわかる。さらに図１４をみると、トータルの透過特性のひとつの透過ピークの幅は十分にせまく、５ＧＨｚの共振器周波数だけずれたレーザの縦モードは十分に抑圧できることがわかる。
【００３８】
図１５は、出来上がった導波路型レーザのＩ−Ｌ特性の一例を示す図である。第２のアレイ導波路格子のヒータに０．４Ｗ電力を印加したときの特性で、レーザ発振の閾値は１１０ｍＡで、１５０ｍＡ印加したときに０．４５ｍＷのレーザ出力を得た。このときのレーザからの出力光を図１６に示す。発振はシングルモード発振で、サイドモード等は十分に抑圧され、３０ｄＢ前後のアイソレーションを得た。つぎに半導体アンプに１５０ｍＡ印加して、第２のアレイ導波路格子のヒーターに徐々に電力を印加していったときのレーザ発振波長の変化を図１７に示す。ヒータの駆動電力の増加に伴いレーザ発振波長が離散的に変化していき、かつ発振波長はＩＴＵグリッド上（１００ＧＨｚ間隔  ±２．５ＧＨｚ）に制御されていた。発振波長切替時以外は全ての波長でシングルモード発振であった。
【００３９】
本実施例では、石英系導波路を用いてアレイ導波路格子を有する導波路型ループミラーを作製したが、ＩｎＰなどの半導体導波路やポリマーなどの有機物材料、ガーネットなどの無機材料を用いた導波路を使用しても構わない。
【００４０】
本実施例では、透過波長可変な導波路型フィルタとしてアレイ導波路本数の少ないアレイ導波路格子を用いたが、マッハツェンダー型フィルタやラティス型フィルタ、トランスバーサルフィルタ等を用いても同様の効果が得られる。
【００４１】
また本実施例では、導波路型フィルタの透過波長調整にヒーターによる熱光学効果を用いたが、紫外線や電子線、放射線の照射によっても調整可能であり、導波路型フィルタを半導体導波路等で作製した場合には電流注入等によっても調整可能である。
【００４２】
本実施例では、屈折率の温度変化の異なる複数の材料を用いて導波路型レーザの発振波長の温度依存性を消失させたが、線膨張係数の異なる複数の材料を用いて光導波路部分に加わる応力を制御する方法でも導波路型レーザの発振波長の温度依存性を消失させることが可能である。
【００４３】
本実施例の第１の実施例では、導波路型ループミラー中のアレイ導波路格子のアレイ導波路を内側と外側とで２群に分けたが、アレイ導波路１本毎に２群に分けても同様の効果が得られる。
【００４４】
また本実施例の第１の実施例では、アレイ導波路を２群にわけ２種類の導波路長差を与えたが、３群以上にわけ３種類以上の導波路長差を与えても同様の効果が得られる。
【００４５】
さらに本実施例では導波路型ループミラー中に１つの導波路格子を入れたが、複数のアレイ導波路格子を具備し、バーニア効果で発振波長を選択することも可能である。
【００４６】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、共振器内に波長選択性を有する反射鏡を内蔵する導波路型レーザにおいて、少なくとも１端の反射鏡に導波路型ループミラーを用い、該導波路型ループミラー内にアレイ導波路格子を設け、該アレイ導波路格子における個々のアレイ導波路にあたえる導波路長差が、一種類一定ではなく、２種類以上の複数の導波路長差を個々のアレイ導波路にあたえたので、導波路型ループミラー中に発振波長を選択することにより、光通信に有用なシングルモード発振をすることができる。また、微細加工や紫外線照射などの特殊な工程を必要とせずに、通常の導波路型フィルタとプロセス技術が供用できるので、安価なレーザが提供できる。
【００４７】
また、波長選択素子であるアレイ導波路格子の透過帯域波長と、半導体アンプを含む共振器全体の共振器長の温度依存性とを同時にアサーマル化できるので、できあがった導波路型レーザの発振波長の温度無依存化が可能である。そのため高価な温度制御機構を省くことが可能で、安価なレーザモジュールが作製可能である。
【００４８】
さらに、アレイ導波路格子の周期性を利用することにより、波長選択性が緩いが波長可変であるフィルタと組み合わせて、可変幅の大きな波長可変レーザを安価に作製することが可能になった。
また、アレイ導波路格子の周期性により決まった周期でレーザ発振波長を選択することが可能であるので、発振波長を変更時に波長をグリッドに乗せる等の微細調整の手間も必要なくなった。
【００４９】
このような、発振波長が温度無依存であるシングルモードレーザや、レーザ発振波長が広範囲に可変なシングルモードレーザは従来非常に高価であったが、本発明によれば、安価かつ小型な導波路型シングルモードレーザが提供可能であり、ＷＤＭ光システムの構築に価格面で大きく寄与し、交換器などの装置の小型化にも寄与するものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施例の導波路型レーザの構成図である。
【図２】比較例である従来の導波路型レーザの構成図である。
【図３】第２の実施例の導波路型レーザの構成図である。
【図４】第１の実施例の導波路型レーザのうち、アレイ導波路型部分の透過特性を示すグラフである。
【図５】第１の実施例の導波路型レーザのうち、アレイ導波路型部分の透過特性のうち透過率の高いところを詳細に示すグラフである。
【図６】第１の実施例の導波路型レーザのＩ−Ｌ特性を示すグラフである。
【図７】第１の実施例の導波路型レーザの発振波長特性を示すグラフである。
【図８】第１の実施例の導波路型レーザのレーザ発振強度の温度依存性を示すグラフである。
【図９】第１の実施例の導波路型レーザのレーザ発振波長の温度依存性を示すグラフである。
【図１０】第２の実施例の導波路型レーザのうち、第２のアレイ導波路型の構造を詳細に示した構成図である。
【図１１】第２の実施例の導波路型レーザのうち、第２のアレイの導波路型の波長シフト動作を示したグラフである。
【図１２】第２の実施例の導波路型レーザのうち、第１のアレイ導波路型を含む導波路型型ループミラーの透過スペクトルと、第２のアレイ導波路型の透過スペクトルと、共振器のうち石英導波路型部分の透過スペクトルを重ねて示したグラフである。
【図１３】図１２のスペクトル図の部分拡大図である。
【図１４】図１３のスペクトル図の部分拡大図である。
【図１５】第２の実施例の導波路型レーザのＩ−Ｌ特性を示すグラフである。
【図１６】第２の実施例の導波路型レーザの発振波長特性を示すグラフである。
【図１７】第２の実施例の導波路型レーザの発振波長可変動作を示すグラフである。
【符号の説明】
１１，３１  石英系導波路
１２  アレイ導波路格子
１３，１４  アレイ導波路格子の入出力ポート
１５，３５  ３ｄＢのカップラ
１６，３６  半導体アンプ
１７  ポリマーを流し込む溝
１８，３８  石英系導波路チップ
１９，３９  高反射コートが施された半導体アンプの端面
２０，４０  ファイバ接続部
２１  石英系導波路チップ
２２  ファイバ接続部
２３  グレーティング、
２４  半導体アンプ
３２  第１のアレイ導波路格子
３３，３４  第１のアレイ導波路格子の入出力ポート
３７  第２のアレイ導波路型
４１ａ，４１ｂ，４１ｃ  ヒータ
４１ａ，４２ｂ  電極
４３，４４  テーパー部
４５ａ，４５ｂ，４５ｃ  アレイ導波路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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