【手続補正書】
【提出日】平成29年11月14日(2017.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイス基板であって、その上にＴｉＮ、ＴａＮ、ＴｉＮxＯy、ＴｉＷ、Ｗ、或いはＴｉ又はＷの合金のエッチングマスクを有する低ｋ誘電材料を含む半導体デバイス基板から、前記低ｋ誘電材料に対してＴｉＮ、ＴａＮ、ＴｉＮxＯy、ＴｉＷ、Ｗ、並びにＴｉ及びＷの合金から基本的になるエッチングマスクを選択的に除去するための、２〜１４の範囲のｐＨを有する除去組成物であって、
（ａ）０．１重量％〜９０重量％の酸化剤と、
（ｂ）０．０００１重量％〜５０重量％のカルボン酸アンモニウムと、
（ｃ）脱イオン水を含む前記除去組成物の１００重量％までの残部と
を含む、除去組成物。
【請求項２】
半導体基板であって、その上にＴｉＮ、ＴａＮ、ＴｉＮxＯy、ＴｉＷ、Ｗ、或いはＴｉ又はＷの合金から基本的になるエッチングマスクを有する低ｋ材料を含む半導体基板から、前記低ｋ材料に対してＴｉＮ、ＴａＮ、ＴｉＮxＯy、ＴｉＷ、Ｗ、或いはＴｉ又はＷの合金から基本的になるエッチングマスクを選択的に除去する方法であって、ある期間、室温から８０℃までの範囲の温度及び３〜１３の範囲のｐＨで、前記半導体基板に除去組成物を接触させることを含み、前記除去組成物は、
（ａ）０．１重量％〜９０重量％の少なくとも１つの酸化剤と、
（ｂ）０．０００１重量％〜５０重量％のカルボン酸アンモニウムと、
（ｃ）脱イオン水を含む前記除去組成物の１００重量％までの残部と
を含み、前記除去組成物は、前記低ｋ材料に対して前記ＴｉＮ、ＴａＮ、ＴｉＮxＯy、ＴｉＷ、Ｗ、或いはＴｉ又はＷの合金のエッチングマスクを選択的に除去し、および、前記除去組成物の達成可能なエッチング速度は、長期間にわたり実質的に一定に留まる、方法。
【請求項３】
半導体基板であって、その上にＴｉＮ、ＴａＮ、ＴｉＮxＯy、ＴｉＷ、Ｗ、或いはＴｉ又はＷの合金から基本的になるエッチングマスクを有する低ｋ材料を含む半導体基板から、前記低ｋ材料に対してＴｉＮ、ＴａＮ、ＴｉＮxＯy、ＴｉＷ、Ｗ、或いはＴｉ又はＷの合金から基本的になるエッチングマスクを選択的に除去する方法であって、ある期間、室温から８０℃までの範囲の温度及び３〜１３の範囲のｐＨで、前記半導体基板に除去組成物を接触させることを含み、前記除去組成物は、
（ａ）０．１重量％〜９０重量％の過酸化水素と、
（ｂ）シュウ酸アンモニウム、乳酸アンモニウム、酒石酸アンモニウム、クエン酸アンモニウム三塩基酸、酢酸アンモニウム、カルバミン酸アンモニウム、炭酸アンモニウム、安息香酸アンモニウム、四アンモニウムＥＤＴＡ、エチレンジアミン四酢酸二アンモニウム塩、コハク酸アンモニウム、ギ酸アンモニウム、１−Ｈ−ピラゾール−３−カルボン酸アンモニウム、及びそれらの混合物を含む群から選択される、０．０００１重量％〜５０重量％のカルボン酸アンモニウムと、
（ｃ）１，２−シクロヘキサンジアミン−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−四酢酸、エチレンジアミン四酢酸、ニトリロ三酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸、１，４，７，１０−テトラアザシクロドデカン−１，４，７，１０−四酢酸、エチレングリコール四酢酸（ＥＧＴＡ）、及び１，２−ビス（ｏ−アミノフェノキシ）エタン−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−四酢酸から基本的になる群から選択される、０．００１重量％〜２０重量％のアミノ酸、アミノポリカルボン酸、カルボン酸、ポリカルボン酸、又はそれらの混合物と、
（ｄ）脱イオン水を含む前記除去組成物の１００重量％までの残部と、
を含み、前記除去組成物は、前記低ｋ材料に対して前記ＴｉＮ、ＴａＮ、ＴｉＮxＯy、ＴｉＷ、Ｗ、或いはＴｉ又はＷの合金のエッチングマスクを選択的に除去し、これにより、前記エッチングマスクは選択的に除去され、および、前記エッチングマスクにおける達成可能なエッチング速度は、長期間にわたり実質的に一定に留まる、方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９９】
本発明の概念のいくつかの実施形態が記載されている。しかしながら、当業者は、本発明が、記載される実施形態に限定されないことを認識するであろう。本発明の概念は、添付の特許請求の範囲の趣旨及び範囲内で修正及び変更を伴い実践されることができる。
以下に、本発明の好ましい態様を示す。
［１］  半導体デバイス基板であって、その上にＴｉＮ、ＴａＮ、ＴｉＮxＯy、ＴｉＷ、Ｗ、或いはＴｉ又はＷの合金のエッチングマスクを有する低ｋ誘電材料を含む半導体デバイス基板から、前記低ｋ誘電材料に対してＴｉＮ、ＴａＮ、ＴｉＮxＯy、ＴｉＷ、Ｗ、並びにＴｉ及びＷの合金から基本的になるエッチングマスクを選択的に除去するための、２〜１４の範囲のｐＨを有する除去組成物であって、
（ａ）０．１重量％〜９０重量％の酸化剤と、
（ｂ）０．０００１重量％〜５０重量％のカルボン酸アンモニウムと、
（ｃ）脱イオン水を含む前記除去組成物の１００重量％までの残部と
を含む、除去組成物。
［２］  水と混和性である有機助溶剤を更に含む、［１］に記載の除去組成物。
［３］  （ａ）前記酸化剤は、過酸化水素（Ｈ2Ｏ2）、ｎ−メチルモルホリン酸化物（ＮＭＭＯ又はＮＭＯ）、ベンゾイルペルオキシド、テトラブチルアンモニウム過酸化モノ硫酸、オゾン、塩化第二鉄、過マンガン酸ペルオキソホウ酸、過塩素酸、ペルオキソ硫酸、ペルオキシ二硫酸アンモニウム、過酢酸、尿素ヒドロペルオキシド、硝酸（ＨＮＯ3）、亜塩素酸アンモニウム（ＮＨ4ＣｌＯ2）、塩素酸アンモニウム（ＮＨ4ＣｌＯ3）、ヨウ素酸アンモニウム（ＮＨ4ＩＯ3）、過ホウ酸アンモニウム（ＮＨ4ＢＯ3）、過塩素酸アンモニウム（ＮＨ4ＣｌＯ4）、過ヨウ素酸アンモニウム（ＮＨ4ＩＯ3）、過硫酸アンモニウム（（ＮＨ4）2Ｓ2Ｏ8）、亜塩素酸テトラメチルアンモニウム（（Ｎ（ＣＨ3）4）ＣｌＯ2）、塩素酸テトラメチルアンミオニウム（（Ｎ（ＣＨ3）4）ＣｌＯ3）、ヨウ素酸テトラメチルアンモニウム（（Ｎ（ＣＨ3）4）ＩＯ3）、過ホウ酸テトラメチルアンモニウム（（Ｎ（ＣＨ3）4）ＢＯ3）、過塩素酸テトラメチルアンモニウム（（Ｎ（ＣＨ3）4）ＣｌＯ4）、過ヨウ素酸テトラメチルアンモニウム（（Ｎ（ＣＨ3）4）ＩＯ4）、過硫酸テトラメチルアンモニウム（（Ｎ（ＣＨ3）4）Ｓ2Ｏ8）、（（ＣＯ（ＮＨ2）2）Ｈ2Ｏ2）、過酢酸（ＣＨ3（ＣＯ）ＯＯＨ）、及びそれらの混合物から基本的になる群から選択され、ならびに、
（ｂ）前記カルボン酸アンモニウムは、シュウ酸アンモニウム、乳酸アンモニウム、酒石酸アンモニウム、クエン酸アンモニウム三塩基酸、酢酸アンモニウム、カルバミン酸アンモニウム、炭酸アンモニウム、安息香酸アンモニウム、四アンモニウムＥＤＴＡ、エチレンジアミン四酢酸二アンモニウム塩、コハク酸アンモニウム、ギ酸アンモニウム、１−Ｈ−ピラゾール−３−カルボン酸アンモニウム、及びそれらの混合物を含む群から選択される、［１］又は［２］に記載の除去組成物。
［４］  前記酸化剤は過酸化水素である、［３］に記載の除去組成物。
［５］  １，２−シクロヘキサンジアミン−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−四酢酸、エチレンジアミン四酢酸、ニトリロ三酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸、１，４，７，１０−テトラアザシクロドデカン−１，４，７，１０−四酢酸、エチレングリコール四酢酸（ＥＧＴＡ）、１，２−ビス（ｏ−アミノフェノキシ）エタン−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−四酢酸、Ｎ−｛２−［ビス（カルボキシメチル）アミノ］エチル｝−Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）グリシン（ＨＥＤＴＡ）、及びエチレンジアミン−Ｎ，Ｎ’−ビス（２−ヒドロキシフェニル酢酸）（ＥＤＤＨＡ）から基本的になる群から選択される、０．００１重量％〜２０重量％のアミノ酸、アミノポリカルボン酸、カルボン酸、ポリカルボン酸、又はそれらの混合物を更に含む、［１］に記載の除去組成物。
［６］  ０．０００１重量％〜５０重量％までの金属腐食抑制剤を更に含む、［１］に記載の除去組成物。
［７］  前記ｐＨは３〜１３の範囲であり、および、前記酸化剤は過酸化水素である、［１］に記載の除去組成物。
［８］  前記ｐＨは７〜１２の範囲である、［７］に記載の除去組成物。
［９］  半導体基板であって、その上にＴｉＮ、ＴａＮ、ＴｉＮxＯy、ＴｉＷ、Ｗ、或いはＴｉ又はＷの合金から基本的になるエッチングマスクを有する低ｋ材料を含む半導体基板から、前記低ｋ材料に対してＴｉＮ、ＴａＮ、ＴｉＮxＯy、ＴｉＷ、Ｗ、或いはＴｉ又はＷの合金から基本的になるエッチングマスクを選択的に除去する方法であって、ある期間、室温から８０℃までの範囲の温度及び３〜１３の範囲のｐＨで、除去組成物であって、
（ａ）０．１重量％〜９０重量％の少なくとも１つの酸化剤と、
（ｂ）０．０００１重量％〜５０重量％のカルボン酸アンモニウムと、
（ｃ）脱イオン水を含む前記除去組成物の１００重量％までの残部と
を含む除去組成物と前記基板を接触させることを含み、前記除去組成物は、前記低ｋ材料に対して前記ＴｉＮ、ＴａＮ、ＴｉＮxＯy、ＴｉＷ、Ｗ、或いはＴｉ又はＷの合金のエッチングマスクを選択的に除去し、および、前記組成物の達成可能なエッチング速度は、長期間にわたり実質的に一定に留まる、方法。
［１０］  （ａ）前記酸化剤は、過酸化水素（Ｈ2Ｏ2）、ｎ−メチルモルホリン酸化物（ＮＭＭＯ又はＮＭＯ）、ベンゾイルペルオキシド、テトラブチルアンモニウム過酸化モノ硫酸、オゾン、塩化第二鉄、過マンガン酸ペルオキソホウ酸、過塩素酸、ペルオキソ硫酸、ペルオキシ二硫酸アンモニウム、過酢酸、尿素ヒドロペルオキシド、硝酸（ＨＮＯ3）、亜塩素酸アンモニウム（ＮＨ4ＣｌＯ2）、塩素酸アンモニウム（ＮＨ4ＣｌＯ3）、ヨウ素酸アンモニウム（ＮＨ4ＩＯ3）、過ホウ酸アンモニウム（ＮＨ4ＢＯ3）、過塩素酸アンモニウム（ＮＨ4ＣｌＯ4）、過ヨウ素酸アンモニウム（ＮＨ4ＩＯ3）、過硫酸アンモニウム（（ＮＨ4）2Ｓ2Ｏ8）、亜塩素酸テトラメチルアンモニウム（（Ｎ（ＣＨ3）4）ＣｌＯ2）、塩素酸テトラメチルアンミオニウム（（Ｎ（ＣＨ3）4）ＣｌＯ3）、ヨウ素酸テトラメチルアンモニウム（（Ｎ（ＣＨ3）4）ＩＯ3）、過ホウ酸テトラメチルアンモニウム（（Ｎ（ＣＨ3）4）ＢＯ3）、過塩素酸テトラメチルアンモニウム（（Ｎ（ＣＨ3）4）ＣｌＯ4）、過ヨウ素酸テトラメチルアンモニウム（（Ｎ（ＣＨ3）4）ＩＯ4）、過硫酸テトラメチルアンモニウム（（Ｎ（ＣＨ3）4）Ｓ2Ｏ8）、（（ＣＯ（ＮＨ2）2）Ｈ2Ｏ2）、過酢酸（ＣＨ3（ＣＯ）ＯＯＨ）、及びそれらの混合物から基本的になる群から選択され、ならびに、
（ｂ）前記カルボン酸アンモニウムは、シュウ酸アンモニウム、乳酸アンモニウム、酒石酸アンモニウム、クエン酸アンモニウム三塩基酸、酢酸アンモニウム、カルバミン酸アンモニウム、炭酸アンモニウム、安息香酸アンモニウム、四アンモニウムＥＤＴＡ、エチレンジアミン四酢酸二アンモニウム塩、コハク酸アンモニウム、ギ酸アンモニウム、１−Ｈ−ピラゾール−３−カルボン酸アンモニウム、及びそれらの混合物を含む群から選択される、［９］に記載の方法。
［１１］  前記除去組成物は、０．０００１重量％〜２０重量％までの銅腐食抑制剤を更に含む、［１０］に記載の方法。
［１２］  前記除去組成物は、１，２−シクロヘキサンジアミン−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−四酢酸、エチレンジアミン四酢酸、ニトリロ三酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸、１，４，７，１０−テトラアザシクロドデカン−１，４，７，１０−四酢酸、エチレングリコール四酢酸（ＥＧＴＡ）、１，２−ビス（ｏ−アミノフェノキシ）エタン−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−四酢酸、Ｎ−｛２−［ビス（カルボキシメチル）アミノ］エチル｝−Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）グリシン（ＨＥＤＴＡ）、及びエチレンジアミン−Ｎ，Ｎ’−ビス（２−ヒドロキシフェニル酢酸）（ＥＤＤＨＡ）から基本的になる群から選択される、０．００１重量％〜２０重量％のアミノ酸、アミノポリカルボン酸、カルボン酸、ポリカルボン酸、又はそれらの混合物を更に含み、これにより、前記エッチングマスクにおける達成可能な除去速度が、少なくとも３５時間までの長期間にわたり実質的に一定に留まる、［１０］に記載の方法。
［１３］  半導体基板であって、その上にＴｉＮ、ＴａＮ、ＴｉＮxＯy、ＴｉＷ、Ｗ、或いはＴｉ又はＷの合金から基本的になるエッチングマスクを有する低ｋ材料を含む半導体基板から、前記低ｋ材料に対してＴｉＮ、ＴａＮ、ＴｉＮxＯy、ＴｉＷ、Ｗ、或いはＴｉ又はＷの合金から基本的になるエッチングマスクを選択的に除去する方法であって、ある期間、室温から８０℃までの範囲の温度及び３〜１３の範囲のｐＨで、除去組成物であって、
（ａ）０．１重量％〜９０重量％の過酸化水素と、
（ｂ）シュウ酸アンモニウム、乳酸アンモニウム、酒石酸アンモニウム、クエン酸アンモニウム三塩基酸、酢酸アンモニウム、カルバミン酸アンモニウム、炭酸アンモニウム、安息香酸アンモニウム、四アンモニウムＥＤＴＡ、エチレンジアミン四酢酸二アンモニウム塩、コハク酸アンモニウム、ギ酸アンモニウム、１−Ｈ−ピラゾール−３−カルボン酸アンモニウム、及びそれらの混合物を含む群から選択される、０．０００１重量％〜５０重量％のカルボン酸アンモニウムと、
（ｃ）１，２−シクロヘキサンジアミン−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−四酢酸、エチレンジアミン四酢酸、ニトリロ三酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸、１，４，７，１０−テトラアザシクロドデカン−１，４，７，１０−四酢酸、エチレングリコール四酢酸（ＥＧＴＡ）、及び１，２−ビス（ｏ−アミノフェノキシ）エタン−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−四酢酸から基本的になる群から選択される、０．００１重量％〜２０重量％のアミノ酸、アミノポリカルボン酸、カルボン酸、ポリカルボン酸、又はそれらの混合物と、
（ｄ）脱イオン水を含む前記除去組成物の１００重量％までの残部と、
を含む除去組成物と前記基板を接触させることを含み、前記除去組成物は、前記低ｋ材料に対して前記ＴｉＮ、ＴａＮ、ＴｉＮxＯy、ＴｉＷ、Ｗ、或いはＴｉ又はＷの合金のエッチングマスクを選択的に除去し、これにより、前記エッチングマスクは選択的に除去され、および、前記エッチングマスクにおける達成可能なエッチング速度は、長期間にわたり実質的に一定に留まる、方法。