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【手続補正書】
【提出日】平成29年11月15日(2017.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワイヤレス通信の方法であって、
非ライセンス周波数帯域上でデータパケットのフローを送信することを備え、
データパケットの前記送信されたフローに応答して肯定応答（ＡＣＫ）メッセージが受信されていないと決定することと、
前記決定に少なくとも部分的に基づいて、ライセンス周波数帯域上でデータパケットの前記フローのサブセットを選択的に再送信することと
によって特徴付けられる、方法。
【請求項２】
少なくともデータパケットの前記フローの前記サブセットが成功裏に受信されたかどうかを決定することをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
少なくともデータパケットの前記フローの前記サブセットが成功裏に受信されたかどうかを決定することは、
別のＡＣＫメッセージが受信されたかどうかを決定することを備え、前記別のＡＣＫメッセージは、データパケットの前記フローの前記サブセットの１つ以上のデータパケットに応答する、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記ライセンス周波数帯域上でデータパケットの前記フローの前記サブセットを選択的に送信することは、
前記非ライセンス周波数帯域上での不成功な送信の数がしきい値を超える場合、前記ライセンス周波数帯域上で少なくともデータパケットの前記フローの前記サブセットを再送信することを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記ライセンス周波数帯域上でデータパケットの前記フローの前記サブセットを選択的に送信することは、
前記ＡＣＫメッセージを受信することなく時間遅延が終了する場合、前記ライセンス周波数帯域上で少なくともデータパケットの前記フローの前記サブセットを再送信することを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記非ライセンス周波数帯域のチャネル条件をモニタすることと、
前記ライセンス周波数帯域のチャネル条件をモニタすることと
をさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記非ライセンス周波数帯域をモニタすることと、前記ライセンス周波数帯域をモニタすることは、同時に実行される、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記非ライセンス周波数帯域の前記モニタされたチャネル条件または前記ライセンス周波数帯域の前記モニタされたチャネル条件に少なくとも部分的に基づいて、前記ライセンス周波数帯域上または前記非ライセンス周波数帯域上で送信するかどうかを決定することをさらに備える、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記ＡＣＫメッセージは、前記ライセンス周波数帯域上で受信される、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
データパケットの前記フローは、送信制御プロトコル（ＴＣＰ）パケットを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
ワイヤレス通信のためのシステムであって、
非ライセンス周波数帯域上でデータパケットのフローを送信するための手段を備え、
データパケットの前記送信されたフローに応答して肯定応答（ＡＣＫ）メッセージが受信されていないと決定するための手段と、
前記決定に少なくとも部分的に基づいて、ライセンス周波数帯域上でデータパケットの前記フローのサブセットを選択的に再送信するための手段と
を備える、システム。
【請求項１２】
データパケットの前記フローの前記サブセットを選択的に送信するための前記手段は、
前記ライセンス周波数帯域上でデータパケットの前記フローの前記サブセットを選択的に再送信するための手段を備える、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１３】
少なくともデータパケットの前記フローの前記サブセットが成功裏に受信されたかどうかを決定するための手段さらに備える、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１４】
ワイヤレス通信のための装置であって、
プロセッサと、
前記プロセッサと電子通信状態にあるメモリと、
前記メモリに記憶された命令とを備え、前記命令は、
非ライセンス周波数帯域上でデータパケットのフローを送信するために前記プロセッサによって実行可能であり、
データパケットの前記送信されたフローに応答して肯定応答（ＡＣＫ）メッセージが受信されていないと決定する、および
前記決定に少なくとも部分的に基づいて、ライセンス周波数帯域上でデータパケットの前記フローのサブセットを選択的に送信することによって特徴付けられる、装置。
【請求項１５】
ワイヤレス通信のための命令を記憶する非一時的なコンピュータ可読媒体であって、前記命令は、
非ライセンス周波数帯域上でデータパケットのフローを送信するように実行可能であり、
データパケットの前記送信されたフローに応答して肯定応答（ＡＣＫ）メッセージが受信されていないと決定する、および
前記決定に少なくとも部分的に基づいて、ライセンス周波数帯域上でデータパケットの前記フローのサブセットを選択的に再送信することによって特徴付けられる、非一時的なコンピュータ可読媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月1日(2017.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板に対向し、その間にギャップが存在する、セル膜と、
前記セル膜に結合された第１の電極と、
前記第１の電極に対向するようにセルフロア内に埋め込まれ、気体又は真空キャビティにより前記第１の電極から分離され、前記セルフロアが前記基板の上面を有する、第２の電極と、
第３の電極と、
を有する容量性マイクロマシン超音波トランスデューサセルにおいて、
前記第３の電極が、キャビティ側から前記第２の電極に対向する前記セルフロア内に配置され、前記第３の電極が、前記第１又は第２の電極と容量的に結合され、容量結合が、前記容量的に結合された電極と直接的に接触し、前記容量的に結合された電極の間に挟まれた誘電層により実現される、
容量性マイクロマシン超音波トランスデューサセル。
【請求項２】
前記第２の電極と前記第３の電極との間の容量関係が、前記第３の電極と前記第１の電極との間の容量関係より大きいか又は等しい、請求項１に記載の容量性マイクロマシン超音波トランスデューサセル。
【請求項３】
前記誘電層が、高誘電率を持つ材料の層を有する、請求項１乃至２のいずれか一項に記載の容量性マイクロマシン超音波トランスデューサセル。
【請求項４】
前記第３の電極と前記第１の電極との間の容量関係が、前記基板に対する前記ＣＭＵＴセルの寄生容量より大きい、請求項２に記載の容量性マイクロマシン超音波トランスデューサセル。
【請求項５】
接地電位に関して前記第３の電極に対するＤＣバイアス電圧を生じるＤＣ電源と、
前記第１の電極及び前記第２の電極に結合され、前記膜の振動を引き起こす／感知する信号送信器／受信器と、
を有する、請求項１に記載の容量性マイクロマシン超音波トランスデューサセル。
【請求項６】
前記ＤＣバイアス電源が、抵抗器を介して前記第３の電極に結合される、請求項５に記載の容量性マイクロマシン超音波トランスデューサセル。
【請求項７】
前記抵抗器が、オンチップ抵抗器である、請求項６に記載の容量性マイクロマシン超音波トランスデューサセル。
【請求項８】
前記ＤＣバイアス電源が、前記ＣＭＵＴ装置の動作中に前記セルフロアに対してつぶされるように前記ＣＭＵＴ膜をセットするように構成される、請求項７に記載の容量性マイクロマシン超音波トランスデューサセル。
【請求項９】
請求項１に記載のＣＭＵＴセルを少なくとも１つ有する超音波プローブ。
【請求項１０】
前記プローブが、前記ＣＭＵＴセルのアレイを有し、前記アレイが、前記ＣＭＵＴセルの第１及び第２のサブグループを有し、前記ＣＭＵＴセルの第１のサブグループが、２つの方向の一方に沿って相互接続された前記第１の電極を持ち、前記ＣＭＵＴセルの第２のサブグループが、他方の方向に沿って相互接続された前記第２の電極を持つ、請求項９に記載の超音波プローブ。
【請求項１１】
前記アレイ内の前記ＣＭＵＴセルの前記第３の電極が、直列抵抗器を介してＤＣバイアス電圧源に結合される、請求項１０に記載の超音波プローブ。
【請求項１２】
前記バイアス電極が前記ＤＣバイアス電源に相互接続する方法が、前記第２のサブグループの相互接続の方向である、請求項１１に記載の超音波プローブ。
【請求項１３】
前記２つの方向の一方に沿って相互接続された前記アレイ内の前記ＣＭＵＴセルの前記サブグループのいずれかの前記第３の電極が、各相互接続に対して１つの直列抵抗器を介して前記ＤＣバイアス電圧源に結合される、請求項１２に記載の超音波プローブ。
【請求項１４】
請求項１０乃至１３のいずれか一項に記載の超音波プローブを有する超音波撮像システム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年4月14日(2017.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バイポーラ電池アセンブリであって、
第１の積み重ね可能ケーシングフレームと、
少なくとも１つの表面であって、その上に配置された第１の活物質導電型を有する少なくとも１つの表面を含む、第１の剛性集電体と、
少なくとも１つの表面であって、その上に配置された第２の活物質導電型を有する少なくとも１つの表面を含む、第２の剛性集電体であって、前記第２の活物質導電型が前記第１の活物質導電型と反対の電池電極の極性に対応する、第２の剛性集電体と、
前記積み重ね可能ケーシングフレーム、ならびに前記第１および第２の剛性集電体によって少なくとも部分的に画定される第１の電解液領域と、
前記第１の電解液領域のための液密包囲体を提供するように構成される圧縮性プラスチックシール、接着シール、金属化シール、溶融シール、ナイフエッジ状シール、または溶接シールのうちの少なくとも１つと、
を含む、バイポーラ電池アセンブリ。
【請求項２】
前記剛性集電体がシリコンウェハ基板を含む、請求項１に記載のバイポーラ電池アセンブリ。
【請求項３】
第２の積み重ね可能ケーシングフレームおよび第３の剛性集電体を含み、
前記バイポーラ電池アセンブリが前記第１、第２、および第３の剛性集電体によって画定されるセルの直列配置を含み、前記積み重ね可能ケーシングフレームを物理的に積み重ねることにより、前記直列配置が少なくとも部分的に確立され、
前記第２の積み重ね可能ケーシングフレームとともに前記第２および第３の剛性集電体が第２の電解液領域を画定し、少なくとも部分的に、前記第１の電解液領域のための液密包囲体を提供するように構成される前記圧縮性プラスチックシール、前記接着シール、前記金属化シール、前記溶融シール、前記ナイフエッジ状シール、または前記溶接シールのうちの少なくとも１つによって、前記第２の電解液領域が前記第１の電解液領域から流体的に分離される、請求項１に記載のバイポーラ電池アセンブリ。
【請求項４】
前記積み重ね可能ケーシングフレーム同士が、前記積み重ね可能ケーシングフレームの外側の外周部に沿って互いに融合されている、請求項１に記載のバイポーラ電池アセンブリ。
【請求項５】
前記第１の電解液領域に位置する電解液に対する防壁を設けるため、前記集電体の外周部に追従するように形状付けられ、かつ前記集電体の縁に沿って塗布された接着剤を使用して前記集電体に固定された圧縮性プラスチックシールを含む、請求項１乃至４のいずれか一項に記載のバイポーラ電池アセンブリ。
【請求項６】
前記第１の電解液領域のための前記液密包囲体を提供するように構成された圧縮性プラスチックシールおよび接着シールを含み、
前記圧縮性プラスチックシールおよび関連する接着シールが前記密閉されたバイポーラ電池アセンブリの電池化学的性質との融和性のために指定された材料を含む、請求項１乃至４のいずれか一項に記載のバイポーラ電池アセンブリ。
【請求項７】
前記第１の電解液領域のための前記液密包囲体を提供するように構成された金属化シールを含み、
前記金属化シールが前記集電体および活物質の外周部によって境界を付けられる、請求項１乃至４のいずれか一項に記載のバイポーラ電池アセンブリ。
【請求項８】
前記第１の電解液領域のための前記液密包囲体を提供するように構成された溶融シールを含み、前記溶融シールが前記集電体の一部および前記積み重ね可能ケーシングフレームの一部を含む溶融領域を含み、前記溶融領域が、前記密閉された電池アセンブリ内の隣接するセルを互いに分離しかつ前記密閉された電池アセンブリの周囲の環境から分離する、請求項１乃至４のいずれか一項に記載のバイポーラ電池アセンブリ。
【請求項９】
前記第１の電解液領域のための前記液密包囲体を提供するように構成されたナイフエッジシールを含み、前記ナイフエッジシールが前記集電体の一部および圧縮性プラスチックシールを含む、請求項１乃至４のいずれか一項に記載のバイポーラ電池アセンブリ。
【請求項１０】
前記第１および第２の集電体が、超音波溶接を使用して前記積み重ね可能ケーシングフレームと融合されている、請求項１乃至４のいずれか一項に記載のバイポーラ電池アセンブリ。
【請求項１１】
前記ケーシングフレームが、非対称のカップ構成を画定するために、少なくとも１つの軸の周りで断面が非対称となるように構成されている、請求項１乃至４のいずれか一項に記載のバイポーラ電池アセンブリ。
【請求項１２】
前記ケーシングフレームが、前記集電体のうちの１つの外側の外周部に追従するように構成されており、かつ少なくとも１つの表面から延在するフランジを含む、請求項１乃至４のいずれか一項に記載のバイポーラ電池アセンブリ。
【請求項１３】
バイポーラ電池プレートと、少なくとも１つの表面であって、その上に配置された第１の活物質導電型を有する少なくとも１つの表面を含む、第１の剛性集電体に結合された第１の積み重ね可能ケーシングフレームを含むケーシングアセンブリとを形成するステップであって、
前記第１の積み重ね可能ケーシングフレームおよび前記第１の剛性集電体が第２の積み重ね可能ケーシングフレームおよび第２の剛性集電体に積み重ねられるときに、第１の電解液領域のための液密包囲体を提供するように構成される圧縮性プラスチックシール、接着シール、金属化シール、溶融シール、ナイフエッジ状シール、または溶接シールのうちの少なくとも１つを形成するステップであって、前記電解液領域が前記第１の剛性集電体、前記第２の剛性集電体、および前記第１の積み重ね可能ケーシングフレームによって少なくとも部分的に画定される、ステップ
を含む、ステップを含む、方法。
【請求項１４】
第２の積み重ね可能ケーシングフレームおよび第３の剛性集電体を含む電池アセンブリを形成するステップを含み、前記形成するステップが、前記第１、第２、および第３の剛性集電体によって画定されるセルの直列配置を提供するために、前記第１および第２の積み重ね可能ケーシングフレームを物理的に積み重ねるステップを含み、
前記第２の積み重ね可能ケーシングフレームとともに前記第２および第３の剛性集電体が第２の電解液領域を画定し、少なくとも部分的に、前記第１の電解液領域のための液密包囲体を提供するように構成される前記圧縮性プラスチックシール、前記接着シール、前記金属化シール、前記溶融シール、前記ナイフエッジ状シール、または前記溶接シールのうちの少なくとも１つによって前記第２の電解液領域が前記第１の電解液領域から流体的に分離される、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記第１および第２の積み重ね可能ケーシングフレームを外側の外周部に沿って一緒に融合するステップを含む、請求項１４に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】密閉型バイポーラ電池アセンブリ及びその製造方法
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月14日(2017.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】加熱エレメントのための支持システムおよび加熱システム
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
加熱エレメント（４５０）を支持するための支持システム（１００，２０１，３０１，４００，４０１）であって、
高さ方向が主延長方向であり、加熱エレメント（１０）に適合される近位端部（１１３、２１３、３１３）と遠位端部（１１２、２１２、３１２）を有する支持部材（１１１、２１１、３１１）と、
前記遠位部分は前記近位端部（１１３、２１３、３１３）から離れた箇所に形成された、前記支持部材（１１１，２１１，３１１）の遠位部分に係合されたスプリングエレメントを有する耐力システムを備え、
前記耐力システムは、耐力方向において前記支持部材に弾性力を提供し、剛性方向において支持システムの動きを制限し、
前記耐力システムは、高さ方向に前記遠位端部から前記近位端部（１１３、２１３、３１３）に向かって、少なくとも一部が伸びることを特徴とする支持システム。
【請求項２】
前記スプリングエレメント（１２２、２２２、３２２）が、前記耐力方向に沿った主弾性方向を有することを特徴とする請求項１記載の支持システム。
【請求項３】
前記スプリングエレメント（１２２、２２２、３２２）が、平行方向に配置された２又は３以上のリーフ（１２２ａ、１２２ｂ）を有することを特徴とする請求項１または２記載の支持システム。
【請求項４】
さらに、前記耐力システムは、前記耐力方向を向いており、かつ、前記支持部材の前記遠位端部が、直接的にまたは他の部材を介して間接的に噛み合わされたレールガイド配列（２２５、３２５）を有することを特徴とする請求項１または２記載の支持システム。
【請求項５】
前記スプリングエレメントが、Ｕ字状スプリングによって形成されていることを特徴とする請求項４記載の支持システム。
【請求項６】
前記支持部材および前記スプリングエレメントが、前記耐力方向に配置されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の支持システム。
【請求項７】
前記支持部材および前記スプリングエレメントが、前記耐力方向
に配置されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の支持システム。
【請求項８】
前記支持部材および前記スプリングエレメントの少なくとも一方の材料が、高融点金属を少なくとも９０重量％含むことを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の支持システム。
【請求項９】
前記高融点金属が、タングステン、モリブデン、タンタル、レニウム、ニオブおよびそれらの合金から選ばれることを特徴とする請求項８記載の支持システム。
【請求項１０】
少なくとも１つの加熱エレメントと、少なくとも２つの請求項１〜９のいずれかに記載された支持システム（１００、２０１、３０１、４００、４０１）を有することを特徴とする加熱システム。
【請求項１１】
前記支持システム（１００、２０１、３０１、４００、４０１）は、共通の中心点から各支持システムの耐力方向が方向付けられていることを特徴とする請求項１０記載の加熱システム。
【請求項１２】
少なくとも１つの支持システムの前記スプリングエレメント（１２２、２２２、３２２）が、安定状態においてプリテンションがかけられていることを特徴とする請求項１０または１１記載の加熱システム。
【請求項１３】
前記加熱エレメント（４５０）の下方であって、前記スプリングエレメント（１２２、２２２、３２２）の上方に配置され、前記支持部材が膨張して通過できる開口を備えた熱シールドシステム（４６０）を有することを特徴とする請求項１０〜１２のいずれかに記載の加熱システム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月22日(2017.5.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロセッサ、
前記プロセッサに結合されるディスプレイ、
前記プロセッサに結合される検知装置、及び、
前記プロセッサに結合されるメモリ、
を有するシステムであって、
前記メモリは内部に記憶された命令を有し、
前記命令は、当該システムによって実行される場合に、当該システムに、
前記メモリ内に記憶されたコンテンツを含むデータを有するファイルにアクセスする操作、
第１属性についての設定及び第２属性についての設定に従って前記ディスプレイ上に前記コンテンツを表示する操作、
前記検知装置に対するユーザーによって生成された動きの検知に応じて、前記第２属性についての設定を変更することなく前記第１属性についての設定を変更する操作、
前記検知装置と接触又は近接する動きの継続の検知に応じて、前記第１属性についての設定の変更を継続し、かつ、前記第１属性についての設定が閾値を超えるときに前記第２属性についての設定を異なる値へ変更する操作、並びに、
前記第２属性についての設定を異なる値へ変更する操作後、前記検知装置と接触又は近接する動きのさらなる継続の検知に応じて、前記第１属性についての設定を異なる値へ変更する操作、
を有する操作を実行させる、
システム。
【請求項２】
請求項１に記載のシステムであって、
前記コンテンツが電子書籍（ｅブック）の少なくとも一部を含み、かつ、
計算システムはｅブックリーダーを含む、
システム。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のシステムであって、前記第１属性が複数の属性から選択可能である、システム。
【請求項４】
請求項１乃至３のうちいずれか一項に記載のシステムであって、前記第１属性が輝度である、システム。
【請求項５】
請求項１乃至４のうちいずれか一項に記載のシステムであって、前記第２属性が、フォント色、背景色、日中モード、及び夜間モードからなる群から選択される、システム。
【請求項６】
請求項１乃至５のうちいずれか一項に記載のシステムであって、前記動きが、１本の指で前記検知装置を触るジェスチャー、２本の指で前記検知装置を触るジェスチャー、１本の指を前記検知装置に近接させて動かすジェスチャー、及び、２本の指を前記検知装置に近接させて動かすジェスチャーからなる群から選択されるユーザージェスチャーを含む、システム。
【請求項７】
請求項１乃至６のうちいずれか一項に記載のシステムであって、前記操作が、前記第１属性についての設定値を示すグラフィカル構成要素を表示する操作をさらに含む、システム。
【請求項８】
請求項１に記載のシステムであって、
前記操作が、
テキストと背景を含む電子ページをある輝度のレベルで表示する操作、
タッチスクリーンに接触又は近接した動きの検知に応じて、前記輝度のレベルを変更する操作、
前記輝度のレベルに閾値を超えさせる前記タッチスクリーンに接触又は近接した動きの検知に応じて、前記テキストの色と前記背景の色を変更する操作、
を含む、
システム。
【請求項９】
請求項８に記載のシステムであって、前記操作は、前記輝度のレベルが前記閾値未満に減少するときに、前記テキストの色を明るい色に変更し、かつ、前記背景色を暗い色に変更する操作をさらに含む、システム。
【請求項１０】
請求項８又は９に記載のシステムであって、前記操作は、前記輝度のレベルが前記閾値を超えて増大するときに、前記テキストの色を暗い色に変更し、かつ、前記背景色を明るい色に変更する操作をさらに含む、システム。
【請求項１１】
第１属性についての設定と第２属性についての設定に従って、検知装置を含む、計算システムのディスプレイスクリーン上にコンテンツを表示する段階、
前記検知装置の接触又は近接する動きの検知に応じて、前記第１属性についての設定を異なる値に変更する段階、
閾値に到達する前記第１属性についての設定値に応じて、前記第２属性についての設定を変更する段階、及び、
前記第２属性についての設定を異なる値へ変更する段階後、前記検知装置と接触又は近接する動きのさらなる継続の検知に応じて、前記第１属性についての設定を異なる値へ変更する段階、
を有する方法。
【請求項１２】
実行されるときに計算システムに、
第１属性についての設定と第２属性についての設定に従って、検知装置を含む、計算システムのディスプレイスクリーン上にコンテンツを表示する段階、
前記検知装置の接触又は近接する動きの検知に応じて、前記第１属性についての設定を異なる値に変更する段階、
閾値に到達する前記第１属性についての設定値に応じて、前記第２属性についての設定を変更する段階、及び、
前記第２属性についての設定を異なる値へ変更した後、前記検知装置と接触又は近接する動きのさらなる継続の検知に応じて、前記第１属性についての設定を異なる値へ変更する段階、
を有する方法を実行させるコンピュータプログラム。
【請求項１３】
第１属性についての設定と第２属性についての設定に従ってコンテンツを出力する手段、
検知装置に接触又は近接する動きの検知に応じて、前記第１属性についての設定を異なる値に変更する手段、
閾値に到達する前記第１属性についての設定値に応じて、前記第２属性についての設定を変更する手段、及び、
前記第２属性についての設定を異なる値へ変更する段階後、前記検知装置と接触又は近接する動きのさらなる継続の検知に応じて、前記第１属性についての設定を異なる値へ変更する手段、
を有するシステム。
【請求項１４】
第１属性についての設定と第２属性についての設定に従ってコンテンツを出力する段階、
検知装置に接触又は近接する動きの検知に応じて、前記第１属性についての設定を異なる値に変更する段階、
閾値に到達する前記第１属性についての設定値に応じて、前記第２属性についての設定を変更する段階、及び、
前記第２属性についての設定を異なる値へ変更する段階後、前記検知装置と接触又は近接する動きのさらなる継続の検知に応じて、前記第１属性についての設定を異なる値へ変更する段階、
を有する方法。
【請求項１５】
実行されるときに計算システムに、
第１属性についての設定と第２属性についての設定に従ってコンテンツを出力する段階、
検知装置に接触又は近接する動きの検知に応じて、前記第１属性についての設定を異なる値に変更する段階、
閾値に到達する前記第１属性についての設定値に応じて、前記第２属性についての設定を変更する段階、及び、
前記第２属性についての設定を異なる値へ変更する段階後、前記検知装置と接触又は近接する動きのさらなる継続の検知に応じて、前記第１属性についての設定を異なる値へ変更する段階、
を有する方法を実行させるコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年9月11日(2017.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
乗物用の操縦機構であって、
対向する長手方向の端部の間に延び、それぞれの前記長手方向の端部は中心リンク非ねじ切り部によって前記長手方向の端部から離間された雌ねじを有する中心リンクボアを有する中心リンクと、
タイロッド端部およびタイロッド非ねじ切り部によって前記タイロッド端部と離間した雌ねじを有するタイロッドボアを有する少なくとも１つのタイロッドと、
雄ねじを有する第１および第２のねじ切りセクションおよび非ねじ切り中間セクションを含む少なくとも１つの長さ調節器とを備え、
前記長さ調節器の前記第１のねじ切りセクションは前記中心リンクの前記中心リンクボアと、前記中心リンク非ねじ切り部が前記長さ調節器の前記非ねじ切り中間セクションと重なり合ってねじ切り可能に係合し、前記長さ調節器の前記第２のねじ切りセクションは前記タイロッドの前記タイロッドボアと、前記タイロッド非ねじ切り部が前記長さ調節器の前記非ねじ切り中間セクションと重なり合ってねじ切り式に係合し、
前記重なり合う中心リンク非ねじ切り部と前記長さ調節器の前記非ねじ切り中間セクション周辺で少なくとも部分的に固定される第１のクランプが、前記重なり合うタイロッド非ねじ切り部と前記長さ調節器の前記非ねじ切り中間セクション周辺で少なくとも部分的に固定される第２のクランプをさらに備える、乗物用の操縦機構。
【請求項２】
少なくとも１つの前記タイロッドはさらに一対のタイロッドとして規定され、少なくとも１つの前記長さ調節器はさらに一対の長さ調節器として規定される、請求項１に記載の操縦機構。
【請求項３】
前記第１のクランプが前記中心リンクと一体的に形成される、請求項１に記載の操縦機構。
【請求項４】
前記第２のクランプが前記タイロッドと一体的に形成される、請求項１に記載の操縦機構。
【請求項５】
前記中心リンクの前記非ねじ切り部は前記中心リンクおよび前記タイロッドを選択的に分離したり一体に引き寄せるために前記長さ調節器を前記中心リンクおよび前記タイロッドに対して回転させるためのツール係合機構を含む、請求項１に記載の操縦機構。
【請求項６】
前記長さ調節器の前記第１および第２のねじ切り部の前記雄ねじは反対回転方向に延びる、請求項１に記載の操縦機構。
【請求項７】
前記中心リンクボアの前記雌ねじおよび前記タイロッドボアの前記雌ねじは反対回転方向に延びる、請求項６に記載の操縦機構。
【請求項８】
前記第１および第２のクランプは貝殻状の構造を有して形成される、請求項１に記載の操縦機構。
【請求項９】
操縦機構であって、
対向する長手方向の端部の間に延び、それぞれの前記長手方向の端部は中心リンク非ねじ切り部によってそれぞれの端部から離間されたねじを有する中心リンクボアを有する中心リンクと、
タイロッド非ねじ切りセクションによってタイロッド端部と離間したねじを有するタイロッドボアを有する前記タイロッド端部を有する少なくとも１つのタイロッドと、
少なくとも１つの前記中心リンクボアと前記タイロッドボアをねじ切り式に接合し、ねじ切りセクションおよび非ねじ切り中間セクションを含む長さ調節器とを備え、
前記長さ調節器の前記非ねじ切り中間セクションは前記中心リンクボアおよび前記タイロッドボアの前記非ねじ切り部と重なり合い、
前記中心リンク非ねじ切り部と前記長さ調節器の前記非ねじ切り中間セクションで周辺で固定される第１のクランプと、前記タイロッド非ねじ切りセクションと前記長さ調節器の前記非ねじ切り中間セクション周辺で固定される第２のクランプとをさらに備える、操縦機構。
【請求項１０】
前記少なくとも１つのタイロッドはさらに一対のタイロッドとして規定され、前記少なくとも１つの長さ調節器はさらに一対の長さ調節器として規定される、請求項９に記載の操縦機構。
【請求項１１】
前記第１のクランプが前記中心リンクと一体的に形成される、請求項９に記載の操縦機構。
【請求項１２】
前記第２のクランプが前記タイロッドと一体的に形成される、請求項９に記載の操縦機構。
【請求項１３】
前記中心リンクの前記非ねじ切り中間セクションは前記中心リンクおよび前記タイロッドを選択的に分離したり一体に引き寄せるために前記長さ調節器を前記中心リンクおよび前記タイロッドに対して回転させるためのツール係合機構を有する、請求項９に記載の操縦機構。
【請求項１４】
前記長さ調節器の前記ねじ切り部は反対回転方向に延びる雄ねじを有する、請求項９に記載の操縦機構。
【請求項１５】
前記中心リンクボアおよび前記タイロッドボアのねじは反対回転方向に延びる、請求項１４に記載の操縦機構。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成29年10月20日(2017.10.20)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
加えて、ＥＢＣ製造／塗工システム２２によって対象２４に塗工されるＥＢＣは、あらゆるタイプのＲＥ含有ＥＢＣであってよい。一実施形態では、分離すべきＥＢＣ及び夾雑物は、以下の化学式によって定義される以下の化合物又は組成物（１以上の例示的な実施形態の成分を示す）を含む：（Ｙ，Ｙｂ）2Ｓｉ2Ｏ7（ＹｂＹＤＳ）、Ｙ2ＳｉＯ5（ＹＭＳ）、（Ｂａ，Ｓｒ）Ｓｉ2Ａｌ2Ｏ8（ＢＳＡＳ）、Ｓｉ。しかし、他の化合物又は組成物が、ＥＢＣの一部、又はリサイクル用のインプット原材料を形成し得る。例えば、夾雑物は、限定されないが、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｆｅ2Ｏ3、Ｆｅ3Ｏ4、Ｙ2Ｏ3安定化ＺｒＯ2、（Ｎｉ，Ｃｏ）ＣｒＡｌＹ、及び有機化合物などの化合物を挙げることができる。例えば、ＥＢＣは、米国特許第７８６７５７５号明細書に記載される耐焼結性、低伝導率、高安定性のＥＢＣ／ＴＢＣであってよい。別の例として、米国特許第７９１０１７２号明細書に記載されるようなＥＢＣを有する構成要素が形成されてよい。他の例が、米国特許第８３４３５８９号明細書、米国特許第８２７３４７０号明細書、米国特許第８０３９１１３号明細書に記載されている。ある実施形態では、原材料は、イットリウム（Ｙ）又はイッテルビウム（Ｙｂ）の１以上を、ＲＥ2Ｓｉ2Ｏ7（ＲＥＤＳ）又はＲＥ2ＳｉＯ5（ＲＥＭＳ）の１以上の形態で含んでよい。本明細書中で「Ａ」又は「Ｂ」の１以上が言及される場合、これは、Ａの１以上、Ｂの１以上、又はＡの１以上及びＢの１以上を意味することに留意すべきである。例えば、Ｙ又はＹｂの１以上は、Ｙ、Ｙｂ、又はＹ及びＹｂを含む。ある実施形態では、原材料は、ＲＥＤＳ又はＲＥＭＳの１以上、及び（Ｂａ，Ｓｒ）Ｓｉ2Ａｌ2Ｏ8（ＢＳＡＳ）又はＳｉの１以上を含む非堆積原材料粉末であって、少なくともＳｉ、Ｂａ、Ｓｒ及びＡｌが除去される非堆積原材料粉末である。ある実施形態では、原材料は、イットリウム（Ｙ）及びイッテルビウム（Ｙｂ）をＹｂＹＤＳの形態で含み、原材料から抽出されたＲＥ元素は、混合（Ｙｂ，Ｙ）2Ｏ3を含む。ある実施形態では、原材料は、イットリウム（Ｙ）及びイッテルビウム（Ｙｂ）の１以上をＹｂＹＤＳの形態で含み、その原材料からＹ及びＹｂは、約９０％を超える収率で抽出回収され、複数の夾雑物は各々１００ｐｐｍ未満に低減する。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３０】
種々の実施形態では、Ｎａ2ＳＯ4、（ＮＨ4）2ＳＯ4、又はＨ2ＳＯ4などの硫酸塩沈殿試薬が、５０で濾過済み酸溶液に添加される。例示的な実施形態では、Ｎａ2ＳＯ4が水中に溶解して、室温で濾過済み酸溶液中に撹拌される。Ｂａ及びＳｒ陽イオンを含有する濾過済み酸溶液への硫酸塩の付加により、白色の沈殿（Ｂａ，Ｓｒ）ＳＯ4が形成される。ゆえに、Ｂａ及びＳｒが、溶解ＥＢＣ又はＥＢＣ原材料粉末から除去し得る。例えば、硫酸塩沈殿は、例えば当該技術において知られている濾過５２によって、分離されてよい。或いはその代わりに、硫酸塩沈殿工程５０は、濾過４６に先立って実施されてよく、硫酸塩沈殿は、濾過工程４６でシリカリッチな沈殿と同時に除去されてよい。種々の実施形態における沈殿は、１以上のアルカリ土類又はアルカリ金属を含むことに留意すべきである。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３７】
特に、１０ｇのＥＢＣ過剰溶射粉末を、７５℃で２４時間、３５重量％の濃ＨＣｌ（２５ｍｌ）で処理した。酸処理により、酸溶液中へのＹ、Ｙｂ、Ｂａ、Ｓｒ、及びＡｌの浸出が生じる。種々の実施形態では、例えば、ＨＣｌの、（ＲＥ＋アルカリ土類元素＋遷移金属元素＋Ａｌ）に対するモル比が例えば３から１０、ある実施形態では３から６又は３から４．５であるようなモル比によって、処理を定義することができることに留意すべきである。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３８】
酸処理の後、溶液を濾過し、１００ｍＬの蒸留水で洗浄した。残留物は主にＳｉＯ２であり、少量が未反応のＹｂＹＤＳであった。次の工程において、０．５ｇのＮａ２ＳＯ４を１０ｍｌの水中に溶解させ、この溶液を、陽イオンを含有する酸溶液に添加した。混合物を室温で６０分間撹拌した。他の実施形態では、例えば、０．４ｇの（ＮＨ４）２ＳＯ４を１０ｍｌの水中に溶解させ、この溶液を、全陽イオンを含有する酸溶液に添加して、室温で撹拌した。硫酸塩処理により白色の沈殿が形成され（その後（Ｂａ，Ｓｒ）ＳＯ４と同定された）、この沈殿を、濾過によって除去した。この硫酸塩沈殿工程が終わると、濾液溶液は、Ｙ、Ｙｂ及びＡｌがリッチであり、少量のＳｒを有した。この酸性溶液から、シュウ酸溶液を加えることによって、Ｙ及びＹｂをシュウ酸塩としてさらに分離した。シュウ酸溶液は、８０ｍｌの水中に固体のシュウ酸８ｇを溶解させることによって製造した。他の実施形態では、シュウ酸粉末を酸溶液に直接加えてもよい。先の濾液溶液に室温でシュウ酸溶液を加えると、白色の沈殿が形成された。混合物を室温で１時間さらに撹拌した後、濾過し、３００ｍＬの蒸留水で洗浄した。硫酸塩の、アルカリ土類元素に対するモル比は、種々の実施形態では１から４、例えばある実施形態では１．５から２、他の実施形態では１から１．２であるべきであることに留意すべきである。シュウ酸の、ＲＥ元素に対するモル比は、種々の実施形態では１．５から３、ある実施形態では１．５から２．２５、他の実施形態では１．５から１．８であるべきである。
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月10日(2017.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽電子放出断層撮影（ＰＥＴ）イメージングにおける非機能的ピクセルを識別するシステムであって、
ピクセル識別プロセッサを有し、前記ピクセル識別プロセッサは、
ＰＥＴスキャナーの複数のピクセルに局限されたシンチレーションイベントを示すデータを受け取り、
受け取った前記データからカウントマップヒストグラムを生成し、前記カウントマップヒストグラムは前記複数のピクセルの各々を前記ピクセルに局限されたシンチレーションイベントのカウントにマッピングし、
前記カウントマップヒストグラムから一以上の非機能的ピクセルを識別し、
ピクセル補償に用いるため、識別された前記非機能的ピクセルの一意的識別情報をピクセルメモリに格納し、
識別された前記非機能的ピクセルを、前記ピクセルメモリ中の、前に識別された非機能的ピクセルと比較し、
新しく識別された非機能的ピクセルは、所定回数のスキャンで非機能的であると識別されないと、ピクセル補償に用いられない、
システム。
【請求項２】
各ピクセルはシリコン光電子増倍器（ＳｉＰＭ）とシンチレータとを含み、前記シンチレーションイベントは前記ＰＥＴスキャナーの検査ボリューム中の線源から受け取られる放射、または前記シンチレータの背景放射に応じるものである、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記ピクセルは被験者の診断ＰＥＴスキャン中に放射を受け取り、前記被験者のターゲットボリュームから放射されるガンマ線光子から前記データを生成するように構成される、請求項１及び２いずれか一項に記載のシステム。
【請求項４】
ピクセル補償プロセッサをさらに含み、前記ピクセル補償プロセッサは、
被験者から放射された放射を示すＰＥＴデータを受け取り、前記ＰＥＴデータは前記非機能的ピクセルからの有効なＰＥＴデータを欠いており、
受け取った前記ＰＥＴデータから前記非機能的ピクセルのＰＥＴデータを推定するように構成される、
請求項１ないし３いずれか一項に記載のシステム。
【請求項５】
前記ピクセル補償プロセッサは、識別された前記非機能的ピクセルのうちの１つの失われたＰＥＴデータを推定し、前記推定は、
隣接する機能的ピクセルのＰＥＴデータを複製し、
前記失われたＰＥＴデータを前記複製されたＰＥＴデータで置き換えることにより行う、ように構成される、
請求項４に記載のシステム。
【請求項６】
前記ピクセル補償プロセッサは、識別された前記非機能的ピクセルのうちの１つの失われたＰＥＴデータを推定し、前記推定は、
シノグラムドメインの隣接ピクセルのＰＥＴデータを補間することにより行われる、ように構成される、
請求項４及び５いずれか一項に記載のシステム。
【請求項７】
前記非機能的ピクセルは、デッドピクセルと低カウントピクセルとのうち少なくとも１つを含み、カウントがゼロである前記カウントマップヒストグラム中のピクセルはデッドピクセルであり、カウントが他のピクセルの所定パーセンテージ未満である前記カウントマップヒストグラム中のピクセルは低カウントピクセルである、請求項１ないし６いずれか一項に記載のシステム。
【請求項８】
陽電子放出断層撮影（ＰＥＴ）イメージングにおける非機能的ピクセルを識別する方法であって、
ＰＥＴスキャナーの複数のピクセルに局限されたシンチレーションイベントを示すＰＥＴデータを受け取るステップと、
受け取った前記ＰＥＴデータからカウントマップヒストグラムを生成するステップであって、前記カウントマップヒストグラムは前記複数のピクセルの各々を前記ピクセルに局限されたシンチレーションイベントのカウントにマッピングする、ステップと、
前記カウントマップヒストグラムから一以上の非機能的ピクセルを識別するステップと、
ピクセル補償に用いるため、識別された前記非機能的ピクセルの一意的識別情報をピクセルメモリに格納するステップと、
識別された前記非機能的ピクセルを、前記ピクセルメモリ中の、前に識別された非機能的ピクセルと比較するステップとを含み、
新しく識別された非機能的ピクセルは所定回数のスキャンで非機能的であると識別されないと、ピクセル補償に用いられない、ステップと
を含む、
方法。
【請求項９】
各ピクセルはシリコン光電子増倍器（ＳｉＰＭ）とシンチレータとを含み、前記シンチレーションイベントは前記ＰＥＴスキャナーの検査ボリューム中の線源から受け取られる放射、または前記シンチレータの背景放射に応じるものである、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
患者の診断スキャンを行う前に、その日に前記ＰＥＴデータを受け取るステップであって、前記ＰＥＴデータはファントムから放射されたガンマ線光子を示す、ステップをさらに含む、請求項８及び９いずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
被験者の診断スキャンから前記ＰＥＴデータを受け取るステップであって、前記ＰＥＴデータは前記被験者のターゲットボリュームから放射されるガンマ線光子を示す、ステップをさらに含む、請求項８ないし１０いずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
背景スキャンからＰＥＴデータを受け取るステップであって、前記ＰＥＴデータはシンチレータの背景放射を示す、ステップをさらに含む、請求項８ないし１１いずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
被験者のターゲットボリュームを示すＰＥＴデータを受け取るステップであって、前記ＰＥＴデータは識別された前記非機能的ピクセルの有効なＰＥＴデータを欠いている、ステップと、
受け取った前記ＰＥＴデータから識別された前記非機能的ピクセルのＰＥＴデータを推定するステップとをさらに含む、
請求項８ないし１２いずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記識別するステップは、
カウントがゼロである前記カウントマップヒストグラムのピクセルを前記非機能的ピクセルのデッドピクセルとして識別するステップと、
カウントが他のピクセルの所定パーセンテージ未満である前記カウントマップヒストグラムのピクセルを前記非機能的ピクセルの低カウントピクセルとして識別するステップとのうち少なくとも１つを含む、
請求項８ないし１３いずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
請求項８ないし１４いずれか一項に記載の方法を実行するようにプログラムされた少なくとも１つのプロセッサ。
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月23日(2017.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
蒸気発生器システム用の管支持アセンブリであって、
厚さを有するシートと、
前記蒸気発生器システムの複数の管と、
前記蒸気発生器システムの複数の管の列を支持するために、前記シートの表面から突出するタブであって、前記タブが、前記シート上のタブのオフセットした３つ以上の列として構成され、３つ以上のタブが前記複数の管のうちの単一の管に直接接触するように構成され、前記３つ以上のタブが、前記シートの厚さ以上の距離だけ互いから離間される前記管の列の隣接する管と直接接触する、タブと
を備える、管支持アセンブリ。
【請求項２】
前記タブが前記シートから打ち抜かれ、前記タブの厚さが前記シートの厚さと等しい、請求項１に記載の管アセンブリ。
【請求項３】
前記シートのタブの第１の列に関連する第１のタブは、前記単一の管の上側表面に接触するように構成され、前記シートのタブの第２の列に関連する第２のタブは、前記単一の管の下側表面に接触するように構成され、前記シートのタブの第３の列に関連する第３のタブは、前記単一の管の上側表面に接触するように構成される、請求項１に記載の管支持アセンブリ。
【請求項４】
前記タブの第１の列に関連する第４のタブは、隣接する管の下側表面に接触するように構成され、前記第２のタブは更に、前記隣接する管の上側表面に接触するように構成され、前記タブの第３の列に関連する第５のタブは、前記隣接する管の下側表面に接触するように構成される、請求項３に記載の管支持アセンブリ。
【請求項５】
前記第２のタブは、前記単一の管を前記隣接する管から前記第２のタブの厚さによって離間させるように構成される、請求項４に記載の管支持アセンブリ。
【請求項６】
前記複数の管の列は、第１のシートによって支持される管の第１の列を備え、前記管支持アセンブリは、管の第２の列を支持するように構成される第２のシートを更に備え、前記管支持アセンブリは、前記第１のシートの厚さ以上である距離だけ前記管の第２の列から離間される前記管の第１の列を保持するように構成される、請求項１に記載の管支持アセンブリ。
【請求項７】
前記第１のシートは、バッキングプレートに取り付けられた打抜きプレートを備え、前記第１のシートの厚さは、前記打抜きプレートと前記バッキングプレートを組み合わせた厚さに等しい、請求項６に記載の管支持アセンブリ。
【請求項８】
前記シートに取り付けられたバッキングプレートを更に備え、前記バッキングプレートは、前記タブの１つ又は複数に隣接して配置される貫通穴を備える、請求項１に記載の管支持アセンブリ。
【請求項９】
前記タブは、複数の打抜き穴を残しながら前記シートから打ち抜かれ、前記打抜き穴は、前記貫通穴と位置が整合しており、前記シートと前記バッキングプレートの両方を通る通路を提供する、請求項８に記載する管支持アセンブリ。
【請求項１０】
前記シートのタブの第２の列は、前記シートのタブの第１の列に関連するタブより遠くまで前記シートから突出する１つ以上のタブを備え、前記１つ以上のタブが、前記シートのタブの第３の列に関連するタブよりも前記シートからより遠くまで突出している、請求項１に記載の管支持アセンブリ。
【請求項１１】
蒸気発生器システム用の管支持アセンブリであって、
厚さを有するシートと、
前記蒸気発生器システムの複数の管と、
前記蒸気発生器システムの管の列を支持するために、前記シートの表面から突出するタブであって、前記タブが、前記シート上のタブのオフセットした複数列として構成され、前記シートのタブの第１の列は、前記シートのタブの第２の列に関連するタブより遠くまで前記シートから突出するタブを備え、前記タブの２つ以上が単一の管に直接接触するように構成され、前記タブが、前記シートの厚さ以上の距離だけ互いから離間される、管の列の隣接する管を保持するように構成される、タブと
を備える、管支持アセンブリ。
【請求項１２】
隣接するシートを更に備え、前記タブの第１の列は、前記シートから、前記隣接するシートに関連するトラック内へと突出する、請求項１１に記載の管支持アセンブリ。
【請求項１３】
前記隣接するシートに取り付けられたバッキングプレートを更に備え、前記トラックは、前記バッキングプレートに形成される、請求項１２に記載の管支持アセンブリ。
【請求項１４】
前記タブの第２の列は、前記隣接するシートの前記バッキングプレートに当接する、請求項１３に記載の管支持アセンブリ。
【請求項１５】
前記タブにより支持される前記管の列は管の第１の列を備え、前記隣接するシートは、前記蒸気発生器システムの管の第２の列を支持するように構成され、前記管支持アセンブリは、前記隣接するシートと前記バッキングプレートを組み合わせた厚さ以上の距離だけ前記管の第２の列から離間される前記管の第１の列を保持するように構成される、請求項１３に記載の管支持アセンブリ。
【請求項１６】
蒸気発生器システム用の管支持アセンブリであって、
厚さを有するシートと、
複数の管と、
前記蒸気発生器システムの管の列を支持するために、前記シートの表面から突出するタブの第１の列及びタブの第２の列を含むタブの２つ以上の列と、
を備え、前記タブの第２の列は、前記タブの第１の列に関連する第１のタブより遠くまで前記シートから突出する第２のタブを備え、前記タブの第１の列及び前記タブの第２の列のそれぞれの少なくとも１つのタブが、単一の管に直接接触するように構成され、前記管支持アセンブリが、前記シートの厚さ以上の距離だけ互いから離間される、管の列の隣接する管を保持するように構成される、管支持アセンブリ。
【請求項１７】
前記管の列を支持するために前記シートの表面から突出するタブの第３の列を更に備え、前記タブの第１の列、前記タブの第２の列、及び前記タブの第３の列のそれぞれの少なくとも１つのタブが、前記単一の管に接触するように構成される、請求項１６に記載の管支持アセンブリ。
【請求項１８】
前記タブの第１の列の前記第１のタブが前記単一の管の下側表面に接触し、前記タブの第２の列の前記第２のタブが前記単一の管の上側表面に接触し、前記タブの第３の列の第３のタブが前記単一の管の下側表面に接触する、請求項１７に記載の管支持アセンブリ。
【請求項１９】
前記第２のタブが、前記第１のタブ及び前記第３のタブの両方よりも前記シートからより遠くに突出している、請求項１８に記載の管支持アセンブリ。
【請求項２０】
第２のシートを更に備え、前記第２のタブが、前記シートから前記第２のシート内へ突出している、請求項１９に記載の管支持アセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月16日(2017.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
着色ベースの与えられた範囲に基づいて、もはや用いられない色処方に基づいて、目標色と一致するサンプル色のための処方を決定する方法であって、少なくとも以下の工程、
ａ）目標色の少なくとも一つの物理的特性に基づいて、もはや用いられない色処方の少なくとも一つの固有の特徴を決定する工程、
ｂ）数学的モデルを経てもはや用いられない色処方の少なくとも一つの決定された固有の特徴を、色予測モデルの定義された色パラメータにリンクする工程、このようにして目標色の色パラメータを得て、色パラメータ及び処方の固有の特徴と数学的モデルとの間の与えられたデータベースに基づき色予測モデルが設定される。
ｃ）候補色処方のそれぞれの色パラメータと目標色の色パラメータとの間の隔たりを計算するために色予測モデルを使用する工程、
ｄ）工程ｃ）を繰り返すことにより、候補色処方の集団からのサンプルの色のための処方を得るために、遺伝的アルゴリズムを使用する工程であって、目標色の色パラメータに対する候補色処方の集団の候補色処方のそれぞれの色パラメータの隔たりは、予め与えられた停止基準が満たされ、サンプル色処方として保持される候補色処方に自動的に導くまで、適性基準に最良にフィットする候補色処方の突然変異／交叉及び選択の反復工程による遺伝的アルゴリズムによって最小化される、工程
を有する、方法。
【請求項２】
候補色処方の集団は、ランダムに生成される請求項1に記載の方法。
【請求項３】
候補色処方の集団は、提供された専門知識に関して生成される請求項１の方法。
【請求項４】
停止基準が隔たり閾値により与えられ、ここで、もし候補色処方のそれぞれの色パラメータが、隔たり閾値よりも目標色の色パラメータに近い場合には、対応する候補色処方はサンプル色処方として保持される請求項１から３の何れか１項に記載の方法。
【請求項５】
停止基準は、設定した反復の最大数により、もしこの反復の最大数の後、候補色処方の何れもが予め定義された隔たり閾値より低い隔たりを持っていない場合、最も小さな隔たりを持つ候補色処方がサンプル色処方として保持されるように与えられる請求項１から４の何れか１項に記載の方法。
【請求項６】
数学的モデルは、クベルカ-ムンク２フラックスモデルに基づく請求項１から５の何れか１項に記載の方法。
【請求項７】
統計的手法は、色パラメータと色処方をリンクするデータベースに適用され、色予測モデルとして役立つ請求項１から６の何れか１項に記載の方法。
【請求項８】
統計的方法は、少なくとも線形回帰、ＰＬＳ回帰、教師付き学習方法、及びｋ-近傍法を有するリストから選ばれる請求項７に記載の方法。
【請求項９】
散乱係数及び／又は吸収係数が、目標色の少なくとも一つの本質的な特徴として選択される請求項１から８の何れか１項に記載の方法。
【請求項１０】
散乱係数及び／又は吸収係数に基づく任意の組合せ又は計算は、目標色の少なくとも一つの固有の特徴として考慮され得る請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
分光測色計により測定された反射率曲線の値は、色パラメータとして使用される請求項１から１０の何れか１項に記載の方法。
【請求項１２】
遺伝的アルゴリズムによって導出された候補色処方の集団の各候補色処方は、色予測モデルを通してもはや用いられない色処方の色パラメータに対するその色パラメータの隔たりにより評価される請求項１から１１の何れか１項に記載の方法。
【請求項１３】
評価は、ｎ回反復される請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
請求項１から１３の何れか１項に記載の方法を実行するコンピュータプログラムであって、コンピュータ可読媒体上に格納されるコンピュータプログラム。
【請求項１５】
サンプル色処方を決定するカラーマッチングシステムであって、システムは、請求項１から１３の何れか１項に記載の方法により使用される色予測モデルと遺伝的アルゴリズムとを提供する計算手段を少なくとも有するシステム。