【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年12月12日(2016.12.12)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３４】
少なくとも１つの実施形態によれば、接続層は、半導体積層体の主放射面と変換素子の半導体積層体に向かう側の面とに形状結合するように成形される。接続層は半導体積層体の主放射面を全面にわたって覆う。これに代えて、接続層が半導体積層体の主放射面を部分的に覆うようにしてもよい。接続層は流体状で半導体積層体に塗布され、この場合の塗布はスプレー、ディスペンシング及び／又はスピンコーティングによって実行可能である。ついで、こうした流体状の接続層上に変換素子が塗布されるか又は印刷される。変換素子の重力によって、及び／又は、製造プロセスにおいて変換素子を塗布する際に形成される圧力によって、流体状で部分的に分布している接続層から均質な接続層が形成される。続いて、当該流体状の接続層が硬化される。これに代えてもしくはこれに加えて、例えばきわめて薄く成形された接続層を毛管力によって形成してもよい。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６５】
図６には、オプトエレクトロニクス部品１００の別の実施形態の概略的な側面図が示されている。接続層３０は、図１に比べてさらに、半導体積層体２０の側面にまで延在している。したがって、接続層３０は、主放射面２１と半導体積層体２０の側面２２とに形状結合によって及び／又は素材結合によって接続されるように形成されている。これにより、短波長の１次電磁放射を垂直方向及び水平方向でフィルタリングすることができる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オプトエレクトロニクス部品であって、
支持体（１０）と、
ＵＶスペクトル領域又は青色スペクトル領域の波長を有する１次電磁放射を放出するように構成されて前記支持体（１０）上に配置され、かつ、前記支持体（１０）とは反対側に主放射面（２１）を有する、半導体積層体（２０）と、
少なくとも、前記半導体積層体（２０）の前記主放射面（２１）に直接に設けられている接続層（３０）と、
２次電磁放射を放出するように構成されて前記接続層（３０）上に直接に配置され、かつ、予成形体として成形された変換素子（４０）と
を含み、
前記接続層（３０）は、二酸化チタン（ＴｉＯ２）又は酸化亜鉛（ＺｎＯ）から形成される少なくとも１つの無機充填物質（３１）を、マトリクス材料（３２）に埋め込んだ状態で含んでおり、
前記接続層（３０）は、２μｍ以下の層厚さで形成されており、
前記予成形体は、前記接続層（３０）により前記半導体積層体（２０）に固定されており、
前記接続層（３０）は、前記１次電磁放射の、３１５ｎｍから３８０ｎｍの波長を有する短波長成分をフィルタリングによって除去するように構成されている、
ことを特徴とするオプトエレクトロニクス部品。
【請求項２】
前記二酸化チタン（ＴｉＯ２）又は前記酸化亜鉛（ＺｎＯ）はドープ物質を含む、
請求項１記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項３】
前記ドープ物質は、Ｎｂ、Ａｌ、及び、Ｉｎを含むグループから選択されている、
請求項２記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項４】
前記無機充填物質（３１）は、前記マトリクス材料（３２）における割合として、５重量％以上５０重量％以下の割合を有している、
請求項１から３までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項５】
前記無機充填物質（３１）は、ＴｉＯ２、ｎ型ドープされたＴｉＯ２、ＡｌドープされたＴｉＯ２、ＺｎＯ、ｎ型ドープされたＺｎＯ、ＩｎドープされたＺｎＯ、ＡｇＩ、ＧａＮ、ＩｎｘＧａ１−ｘＮ、ＳｒＴｉＯ３、及び、ＦｅＴｉＯ３を含むグループから選択されている材料をさらに含むことができる、
請求項１から４までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項６】
前記無機充填物質（３１）は、粒径５０ｎｍ以上８００ｎｍ以下の粒子として形成されている、
請求項１から５までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項７】
前記無機充填物質（３１）は、前記変換素子（４０）と前記半導体積層体（２０）の前記主放射面（２１）との双方に直接に接触する粒子として形成されている、
請求項１から６までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項８】
前記変換要素（４０）は、変換物質（４１）が埋め込まれた主材料（４２）を含み、
前記変換物質（４１）は、前記２次電磁放射を放出するように構成されており、
前記変換要素（４０）の前記主材料（４２）は、前記接続層（３０）のマトリクス材料（３２）と同一である、
請求項１から７までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項９】
前記無機充填物質（３１）を含む前記接続層（３０）は、電気的絶縁性を有しており、前記オプトエレクトロニクス部品での電流導通のために設けられているのではない、
請求項１から８までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項１０】
前記接続層（３０）は、前記半導体積層体（２０）の前記主放射面（２１）と、前記変換素子（４０）の前記半導体積層体（２０）に向かう側の面とに、形状結合するように、成形されている、
請求項１から９までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項１１】
前記接続層（３０）は、付加的に、前記半導体積層体（２０）の側面（２２）の少なくとも一部を覆っている、
請求項１から１０までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項１２】
前記接続層（３０）は、前記半導体積層体（２０）の前記側面（２２）及び前記変換素子（４０）のエッジを超えて突出している、
請求項１から１１までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項１３】
前記接続層（３０）は、前記無機充填物質（３１）の粒子の最大直径に対応する層厚さを有する、
請求項１から１２までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項１４】
前記支持体と前記接続層（３０）との間に第１の電気端子層及び第２の電気端子層が配置されている、
請求項１から１３までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項１５】
請求項１から１４までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス部品の製造方法であって、
１）支持体（１０）を用意するステップと、
２）１次電磁放射を放出するように構成された半導体積層体（２０）を前記支持体（１０）上に設けるステップと、
３）流体状の接続層（３０）を前記半導体積層体（２０）上に設けるステップと、
４）固体の予成形体として成形されかつ２次電磁放射を放出するように構成された変換素子（４０）を前記接続層（３０）上に設けるステップと、
５）前記接続層（３０）を硬化するステップと、
６）前記接続層（３０）を介して、前記予成形体を前記半導体積層体（２０）に固定するステップと
を含み、
前記ステップ３）を前記ステップ４）より前に行うか、又は、前記ステップ３）と前記ステップ４）とを同時に行い、
前記変換素子（４０）は、前記２次電磁放射を放出するように構成された変換物質（４１）を埋め込んだ主材料（４２）を含み、
前記変換素子（４０）の前記主材料（４２）は前記接続層（３０）のマトリクス材料（３２）と同一である、
ことを特徴とするオプトエレクトロニクス部品の製造方法。