Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月15日(2016.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
靴、特に、ソール（１）の外側（３）に配置された緩衝プロファイル（５）を有する、スポーツ用靴／ハイキング用靴またはスキーブーツ／スノーボードブーツ用のソール（１）において、前記緩衝プロファイル（５）は前記ソール（１）の内側（７）にも延びている、ことを特徴とするソール。
【請求項２】
前記緩衝プロファイル（５）は少なくとも１つの緩衝エレメント（１１）を有する、ことを特徴とする請求項１に記載のソール。
【請求項３】
前記少なくとも１つの緩衝エレメント（１１）は、ランド／素材部分を介して更なる緩衝エレメントに接合されることができる弾性的に変形可能な中空体（１３）を有する、ことを特徴とする請求項２に記載のソール。
【請求項４】
前記少なくとも１つの緩衝エレメント（１１）は前記ソールに弾力的に一体化され、面状のスプリングエレメントを形成している、ことを特徴とする請求項２又は請求項３に記載のソール。
【請求項５】
前記緩衝プロファイル（５）は、互いに独立した複数の緩衝エレメント（２１、２３）を有し、前記緩衝エレメントは２つの主要緩衝エレメント（２１）と多くの数の二次緩衝エレメント（２３）とから少なくとも構成される、ことを特徴とする請求項２から請求項４のいずれか１項に記載のソール。
【請求項６】
少なくとも１つの主要緩衝エレメント（２１）は前記ソールの踵領域（２５）に配置され、少なくとももう１つの主要緩衝エレメント（２１）は前記ソールの足前方領域（２７）に配置されている、ことを特徴とする請求項５に記載のソール。
【請求項７】
少なくともそれぞれの領域における前記主要緩衝エレメント（２１）は二次緩衝エレメント（２３）により囲まれている、ことを特徴とする請求項５又は請求項６に記載のソール。
【請求項８】
グリップ領域（２９）が更に前記踵領域（２５）および／または前記足前方領域（２７）に形成されている、ことを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載のソール。
【請求項９】
前記緩衝エレメント（１１）は三次元的に、特にピンプル突起状にエンボス加工され、多角形、特に六角形、または円形カップ形状または円錐台形状を有する、ことを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか１項に記載のソール。
【請求項１０】
緩衝エレメント（１１）はソール面（Ｅ）に垂直な両方向（１９、１９’）において、実質的に自由なスプリング動作をすることができる、ことを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか１項に記載のソール。
【請求項１１】
フレーム（９）が前記ソール（１）に接合され、前記緩衝プロファイル（５）を安定させるために前記ソール（１）を囲む、ことを特徴とする請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載のソール。
【請求項１２】
前記フレーム（９）は、ソール（１）の連続面（Ｌ）から距離（ａ）をおいて、特に、約２ｍｍの距離（ａ）をおいて配置されている、ことを特徴とする請求項１１に記載のソール。
【請求項１３】
前記ソール（１）は少なくとも約２ｍｍの厚さであり、連続した素材の厚さは好ましくは２ｍｍである、ことを特徴とする請求項１から請求項１２のいずれか１項に記載のソール。
【請求項１４】
請求項１から請求項１３のいずれか１項に記載のソールを有する、特にスポーツ用靴／ハイキング用靴またはスキーブーツ／スノーボードブーツ、である靴。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
特に好ましいのは、緩衝プロファイルが、２つの主要緩衝エレメントと多くの数の二次緩衝エレメントとから少なくとも構成される互いに独立した複数の緩衝エレメントを有する、ソールである。そのような場合、少なくとも１つの主要緩衝エレメントはソールの踵領域に配置され、少なくとももう１つの緩衝エレメントは足前方領域に配置されてもよい。更に、主要緩衝エレメントは、少なくとも領域において、二次緩衝エレメントにより囲まれてもよい。しかも、グリップ領域が踵領域と／または足前方領域とに更に形成されてもよい。このグリップ領域も同様に、少なくとも領域において、主要緩衝エレメントと／または二次緩衝エレメントとに隣接し、複数のピンプル突起から成る。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
図５に示される本発明によるソール１の実施形態では、該ソールは踵領域２５と足前方領域２７との夫々においてグリップ領域２９を有し、プロファイルピンプルとしての輪郭を描くグリップ領域は独占的にグリップに関与し、クッション作用を発生させない。グリップ領域２９は従って中空体として設計される必要はなく、中実体により有利に形成されている。グリップ領域２９はオプションであり、緩衝エレメントに置き換えられてもよく、その結果ソール全体は緩衝エレメントと、これらの間に配置された素材領域とにより構成される。
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月12日(2017.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
軸、挿入端部および柄を備え、
どの方向に挿入されるときも前記柄が皮膚から離間し、それによって使用中に針が患者の皮膚上で平坦に横たわることを防ぐように、前記柄の奥行きが前記軸の太さより大きい、
皮内針。
【請求項２】
前記柄が、平行六面体、立方体、ブロック、円筒状または樽状の形態である、請求項１に記載の皮内針。
【請求項３】
前記柄の少なくとも１つの面が弓形である、請求項１に記載の皮内針。
【請求項４】
前記柄が三角形の断面を有する、請求項１に記載の皮内針。
【請求項５】
前記柄が先細状の断面を有する、請求項１に記載の皮内針。
【請求項６】
前記柄が着色された、前述の請求項のいずれかに記載の皮内針。
【請求項７】
前記柄がサイズを示すよう着色された、請求項６に記載の皮内針。
【請求項８】
前記軸が１０ｍｍ以下である、前述の請求項のいずれかに記載の皮内針。
【請求項９】
前記針の太さが０．１８ｍｍ未満である、前述の請求項のいずれかに記載の皮内針。
【請求項１０】
前記軸、前記先端部および前記柄が金属または金属合金から形成された、前述の請求項のいずれかに記載の皮内針。
【請求項１１】
挿入の向上のため、前記皮内針の先端部が被覆された、前述の請求項のいずれかに記載の皮内針。
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月13日(2016.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２９】
同様に、第２部材２０３は一方の端部２１４において、第２球関節２０６を収容するため、第１部材２０２に形成されるものと類似の構成を有する台座２１５を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月16日(2016.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
円筒座標を使用して記述される検査空間の軸方向を規定する実質的に静止主磁場を持つ前記検査空間を持つ磁気共鳴ＭＲ撮像システムに対するＴＥＭ型ＲＦアンテナ装置において、
前記ＴＥＭ型ＲＦアンテナ装置が、導電性材料から作られる複数のラングを有し、
前記複数のラングの各ラングが、動作状態において実質的に前記軸方向に平行に配置される少なくとも１つの軸部材を持ち、
前記複数のラングの前記軸部材が、中心軸に関して実質的に等間隔の関係で方位角方向に沿って配置され、
前記ラングの各々の前記少なくとも１つの軸部材が、２つの端部領域を持ち、
前記方位角方向に関して隣接して配置された前記複数のラングの少なくとも２つのラングに対して、各ラングが、当該ラングのみの前記軸部材の前記端部領域の１つにガルバニックに接続される少なくとも１つの横部材を有し、
動作状態において、前記隣接したラングの前記少なくとも１つの横部材は、少なくとも実質的に同一の方位角座標を持つ前記２つのラングの前記横部材の各々における少なくとも１つの場所が存在するように実質的に配置される、
ＴＥＭ型ＲＦアンテナ装置。
【請求項２】
動作の第１の時間において原子核の共振励起に対して前記検査空間にＲＦ場を印加し、前記動作の第１の時間とは異なる動作の他の時間において前記原子核により発せられる磁気共鳴ＲＦエネルギを受信するように設けられる、請求項１に記載のＴＥＭ型ＲＦアンテナ装置。
【請求項３】
横電磁モードＴＥＭ共振器型ボディコイルとして動作されるように設けられる、請求項１又は２に記載のＴＥＭ型ＲＦアンテナ装置。
【請求項４】
前記隣接して配置されたラングの各々の前記横部材は、実質的に同一の方位角座標を持つ前記２つのラングの前記横部材の前記少なくとも１つの場所が、前記ＴＥＭ型ＲＦアンテナ装置の中心軸に関して実質的に同一の動径座標を持つように実質的に配置される、請求項１乃至３のいずれか一項に記載のＴＥＭ型ＲＦアンテナ装置。
【請求項５】
前記隣接して配置されたラングの各々の前記横部材は、実質的に同一の方位角座標を持つ前記２つのラングの前記横部材の前記少なくとも１つの場所が、実質的に同一の軸方向座標を持つように実質的に配置される、請求項１乃至３のいずれか一項に記載のＴＥＭ型ＲＦアンテナ装置。
【請求項６】
前記方位角方向に関して隣接して配置された前記複数のラングの１つのラングの少なくとも１つの横部材の中心線が、空間内の直線である、請求項１乃至５のいずれか一項に記載のＴＥＭ型ＲＦアンテナ装置。
【請求項７】
前記方位角方向に関して隣接して配置された前記複数のラングの少なくとも１つのラングの中心線が、少なくとも２つの実質的に直線の部分を有し、前記２つの直線部分が、鈍角を形成するように配置される、請求項１乃至６のいずれか一項に記載のＴＥＭ型ＲＦアンテナ装置。
【請求項８】
前記横部材の少なくとも１つの横部材の中心線が、端点以外の全ての場所において微分可能である曲線として成形される、請求項１乃至７のいずれか一項に記載のＴＥＭ型ＲＦアンテナ装置。
【請求項９】
前記曲線が、実質的に円弧の一部である、請求項８に記載のＴＥＭ型ＲＦアンテナ装置。
【請求項１０】
磁気共鳴ＭＲ撮像システムにおいて、
関心対象を中に配置するように設けられる検査空間と、
前記検査空間において実質的に静止磁場を生成する主磁石であって、前記実質的に静止磁場が、前記検査空間の中心軸に平行に向けられる、主磁石と、
請求項１乃至９のいずれか一項に記載の少なくとも１つのＴＥＭ型ＲＦアンテナ装置と、
を有するＭＲ撮像システム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月28日(2016.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
融着接合又は陽極接合による製品ウェハ（４）との一時的な接合のために、仮貼り合わせ層（２，２′，２″）を支持ウェハ（１）に被着する方法において、
以下のステップ、即ち
融着接合又は陽極接合に適した仮貼り合わせ層（２，２′，２″）を支持ウェハ（１）に被着する被着ステップと、
前記被着ステップ中及び／又は前記被着ステップ後、前記仮貼り合わせ層（２，２′，２″）の一時的な接合を解除できるように、該仮貼り合わせ層（２，２′，２″）を変形させる変形ステップと
を含むことを特徴とする、
仮貼り合わせ層（２，２′，２″）を支持ウェハ（１）に被着する方法。
【請求項２】
前記変形ステップを、前記仮貼り合わせ層（２，２′，２″）の表面処理により行う、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記変形ステップを、前記仮貼り合わせ層（２，２′，２″）の構造形成及び／又は微小構造の変形により行う、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記被着ステップを、ＣＶＤプロセス及び／又はＰＶＤプロセス又は電気化学堆積法により行う、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記仮貼り合わせ層（２，２′，２″）はＳｉＯ2から成る、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記変形ステップは、前記支持ウェハ（１）に対し平行に前記仮貼り合わせ層（２，２′，２″）を貫通するダクト（３）を形成するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記仮貼り合わせ層（２，２′，２″）を変形させるステップにおいて、該仮貼り合わせ層（２，２′，２″）をＣＶＤプロセスにより被着するときに、該仮貼り合わせ層（２，２′，２″）を多孔性にし、ＣＶＤプロセス中に気体を加えることにより、前記仮貼り合わせ層（２，２′，２″）の孔に気体を封入する、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記被着ステップ及び前記変形ステップの後、前記支持ウェハ（１）と前記製品ウェハ（４）との一時的な接合を、融着接合により接合力Ｆbで行う、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記一時的な接合の後、前記製品ウェハ（４）の裏面の処理を行い、該処理中及び／又は該処理後、前記製品ウェハ（４）を剥離するために前記仮貼り合わせ層（２，２′，２″）を弱める、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記製品ウェハ（４）の前記裏面の処理は、裏面薄化である、請求項９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月21日(2017.7.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
相手側電気コネクタ（１００、３００）に嵌合するための電気コネクタ（１０、２００）であって、
前記電気コネクタ（１０、２００）は、
第１の基準部材（１７）を有する面（１８）と、
第２の基準部材（２７）を有するラッチ（２２）とを備え、
前記第１の基準部材（１７）および前記第２の基準部材（２７）が、前記電気コネクタ（１０）が前記相手側電気コネクタ（１００）に完全に嵌合するときそれを示すように位置決めされ、
前記第１の基準部材（１７）および前記第２の基準部材（２７）が、前記電気コネクタの前記面に対して隆起し、
前記電気コネクタが前記相手側電気コネクタに完全に嵌合するときに、前記第１の基準部材（１７）と前記第２の基準部材（２７）とが位置合わせされ、
前記電気コネクタが前記相手側電気コネクタに部分的に嵌合するときに、前記第１の基準部材（１７）と前記第２の基準部材（２７）とが互いに対してずれる、
電気コネクタ。
【請求項２】
前記第１の基準部材（１７）および前記第２の基準部材（２７）が、前記電気コネクタの前記面に対してテクスチャ加工される、請求項１に記載の電気コネクタ。
【請求項３】
前記第１の基準部材（１７）および前記第２の基準部材（２７）に標示を加えて、前記電気コネクタの前記面と前記第１の基準部材および前記第２の基準部材とを視覚的に対比させる、請求項１に記載の電気コネクタ。
【請求項４】
前記電気コネクタが前記相手側電気コネクタに部分的に嵌合するときに、前記第２の基準部材（２７）が前記第１の基準部材（１７）から約２ｍｍより大きい距離だけずれる、請求項１に記載の電気コネクタ。
【請求項５】
前記第１の基準部材（１７）および前記第２の基準部材（２７）に線分が設けられ、前記電気コネクタが前記相手側電気コネクタに完全に嵌合するときに、前記線分が連続した線を形成する、請求項１に記載の電気コネクタ。
【請求項６】
前記第１の基準部材（１７）が、前記電気コネクタの頂面から略等距離だけ離間した基準線を持つ２つの面を有する、請求項１に記載の電気コネクタ。
【請求項７】
嵌合端部（１６）および後端部（１８）と、
第１の面（１９）および反対側を向いた第２の面（２１）とをさらに備え、
前記第１の面および前記第２の面が前記嵌合端部と前記後端部との間で延び、
前記第１の基準部材（１７）が前記後端部（１８）に設けられ、前記第１の基準部材が前記第１の面から第１の距離だけ離間し、
前記第２の基準部材（２７）が前記ラッチ（２２）の端部に設けられ、前記電気コネクタ（１０）が前記相手側電気コネクタ（１００）に嵌合するときに前記ラッチ（２２）が弾性変形可能であり、
前記電気コネクタが前記相手側電気コネクタに完全に嵌合するときに、前記第１の基準部材（１７）と前記第２の基準部材（２７）とが位置合わせされ、
前記電気コネクタが前記相手側電気コネクタに部分的に嵌合するときに、前記第１の基準部材（１７）と前記第２の基準部材（２７）とがずれる、請求項１に記載の電気コネクタ。
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月2日(2016.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の領域に形成された選択ゲートと、
第２の領域に形成された第１の論理ゲートと、
第３の領域に形成された第２の論理ゲートと、
前記選択ゲートの側壁上に形成され、前記第２の論理ゲートの厚さと実質的に同様の幅を有するメモリゲートと、
を備える半導体デバイス。
【請求項２】
前記選択ゲート及び前記第１の論理ゲートが実質的に同じ厚さである、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項３】
前記第１の領域に形成された選択ゲート誘電体及び前記第２の領域に形成された第１の論理ゲート誘電体を更に備える、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項４】
前記選択ゲート誘電体が前記第１の論理ゲート誘電体とは異なる厚さである、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項５】
前記第３の領域に形成された第２の論理ゲート誘電体を更に備え、前記第２の論理ゲート誘電体が、前記選択ゲート誘電体及び前記第１のゲート誘電体の一方とは異なる厚さを有する、請求項４に記載の半導体デバイス。
【請求項６】
前記メモリゲートの下及び前記メモリゲートと前記選択ゲートの前記側壁との間に配置された電荷トラップ誘電体を更に備える、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項７】
前記電荷トラップ誘電体が、２つの二酸化シリコン層の間に挟まれた窒化物層を含む、請求項６に記載の半導体デバイス。
【請求項８】
前記第２の論理ゲートが前記第１の論理ゲートよりも薄い、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項９】
前記選択ゲート及び前記第１の論理ゲートが第１のゲート導体層を含む、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項１０】
前記第１のゲート導体層が単一のポリ（多結晶）層を含む、請求項９に記載の半導体デバイス。
【請求項１１】
前記メモリゲート及び前記第２の論理ゲートが第２のゲート導体層を含む、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項１２】
前記第２のゲート導体層が単一のポリ（多結晶）層を含む、請求項１１に記載の半導体デバイス。
【請求項１３】
前記第１の領域は、メモリコア領域を備え、
前記第２の領域は、高電圧制御論理領域を備え、
前記第３の領域は、低電圧制御論理領域を備える、
請求項１に記載の半導体デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月27日(2016.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
線間電圧にシグナリング遷移を挿入するコントローラであって、
第１及び第２の端子を有する、並びに前記第１の端子と変圧器タップとの間に接続された第１の巻線部分及び前記変圧器タップと前記第２の端子との間に接続された第２の巻線部分を含む自動変圧器であって、前記第１及び第２の端子は、前記線間電圧に接続される、自動変圧器と、
前記自動変圧器の前記第１の端子に接続された第１のスイッチ端子及び前記コントローラの出力ノードに接続された第２のスイッチ端子を有する第１のスイッチと、
前記自動変圧器の前記変圧器タップに接続された第１のスイッチ端子及び前記出力ノードに接続された第２のスイッチ端子を有する第２のスイッチと、
前記第１の端子の公称線間電圧及び前記変圧器タップのシグナリング電圧を選択的に前記出力ノードに接続することによって前記シグナリング遷移を前記線間電圧に挿入する為に、前記第１及び第２のスイッチを制御する第１及び第２のスイッチ信号を制御信号に応答して出力するスイッチコントローラと、
を含み、
前記スイッチコントローラは、複数の第１のシグナリング遷移の後に第２のシグナリング遷移を挿入する為に前記第１及び第２のスイッチを制御する前記第１及び第２のスイッチ信号を出力し、前記第２のシグナリング遷移と前記第１のシグナリング遷移の最後のものとの間の時間間隔は、前記制御信号の値に応じて設定される、
コントローラ。
【請求項２】
無線信号を受信する及び前記無線信号に応答して前記制御信号を出力する受信器を更に含む、請求項１に記載のコントローラ。
【請求項３】
前記無線信号は、無線周波数（ＲＦ）信号、汎用パケット無線サービス（ＧＰＲＳ）信号、又は光信号である、請求項２に記載のコントローラ。
【請求項４】
前記出力ノードと前記自動変圧器の前記第２の端子との間に接続された電圧依存抵抗器（ＶＤＲ）を更に含む、請求項１に記載のコントローラ。
【請求項５】
前記第１及び第２のスイッチは、リレー、サイリスタ、又は絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）を含む、請求項１に記載のコントローラ。
【請求項６】
前記シグナリング電圧は、前記公称線間電圧の約９０％〜９５％の範囲内で一定である、請求項１に記載のコントローラ。
【請求項７】
複数の第１のシグナリング遷移はシグナリングモードの開始を表し、前記複数の第１のシグナリング遷移は、互いの間に所定の第１の時間間隔を有する、請求項１に記載のコントローラ。
【請求項８】
線間電圧に接続可能であり、外部の制御信号に応答して公称線間電圧とシグナリング電圧との間を遷移するシグナリング遷移を前記線間電圧に挿入するコントローラと、
挿入された前記シグナリング遷移を有する前記線間電圧に接続される及び前記シグナリング遷移に応答して発せられる光の調光レベルを制御する少なくとも１つの照明ユニットと、
を含み、
前記コントローラは、複数の第１のシグナリング遷移の後に第２のシグナリング遷移を挿入し、前記第２のシグナリング遷移と前記第１のシグナリング遷移の最後のものとの間の時間間隔は、前記制御信号の値に応じて設定される、
照明システム。
【請求項９】
複数の第１のシグナリング遷移はシグナリングモードの開始を表し、前記複数の第１のシグナリング遷移は、互いの間に所定の第１の時間間隔を有する、請求項８に記載の照明システム。
【請求項１０】
前記コントローラは、前記複数の第１のシグナリング遷移の最後のものの後に所定の第２の時間間隔で第２のシグナリング遷移を挿入して待機モードを設定する、及び前記少なくとも１つの照明ユニットは、前記待機モード中は光を発しない、請求項９に記載の照明システム。
【請求項１１】
前記シグナリング電圧は、前記公称線間電圧の約９０％〜９５％の範囲内で一定である、請求項８に記載の照明システム。
【請求項１２】
前記コントローラは、無線信号を受信する及び前記無線信号に応答して前記制御信号を出力する受信器を含む、請求項８に記載の照明システム。
【請求項１３】
シグナリング遷移を線間電圧に挿入するコントローラであって、
前記線間電圧に接続される、並びに第１の端子及び変圧器タップにおいて公称線間電圧及びシグナリング電圧をそれぞれ供給する自動変圧器と、
前記自動変圧器と前記コントローラの出力ノードとの間に接続されるスイッチと、
前記第１の端子の前記公称線間電圧及び前記変圧器タップの前記シグナリング電圧を選択的に前記出力ノードに接続することによって前記シグナリング遷移を前記線間電圧に挿入する為に前記スイッチを制御するスイッチコントローラと、
を含み、
前記シグナリング遷移は、シグナリングモードの開始を設定する、互いの間に所定の第１の時間間隔を有する複数の第１のシグナリング遷移、及び前記複数の第１のシグナリング遷移の後の第２のシグナリング遷移を含み、前記第２のシグナリング遷移と前記複数の第１のシグナリング遷移の最後のものとの間の時間間隔は、前記コントローラに接続された少なくとも１つの照明ユニットの調光レベルを制御する為に制御信号の値に応じて設定される、コントローラ。
【請求項１４】
前記シグナリング電圧は、前記公称線間電圧の約９０％〜９５％の範囲内で一定である、請求項１３に記載のコントローラ。
【請求項１５】
前記スイッチコントローラは、無線信号を受信する及び前記無線信号に応答して前記制御信号を出力する受信器を含む、請求項１３に記載のコントローラ。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月28日(2017.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
装置により、その間に前記装置が１つまたは複数のワイヤレスデバイスとデータを通信するべき時間期間を識別する、制限されたアクセスウィンドウ（ＲＡＷ）のメッセージを生成することと、前記メッセージは、前記時間期間中のワイヤレス通信の流れ方向を示すインジケータをさらに備える、
前記時間期間中に通信されたアップリンクデータとダウンリンクデータとの間の優先順位を示す優先順位インジケータを備えるように、前記制限されたアクセスウィンドウのメッセージを生成することと、
前記装置により、前記生成されたメッセージを送信することと
を備える、ワイヤレス通信用の方法。
【請求項２】
前記インジケータが、前記時間期間中に通信された前記データがアップリンクデータかダウンリンクデータかを示す、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記インジケータが、前記時間期間中に通信された前記データがアップリンクデータか、ダウンリンクデータか、または双方向データかを示す、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ワイヤレス通信の流れ方向のインジケータが、１ビットまたは２ビットのビット長を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
その間に装置が１つまたは複数のワイヤレスデバイスとデータを通信するべき時間期間を識別する、制限されたアクセスウィンドウ（ＲＡＷ）のメッセージを生成するための手段と、前記メッセージは、前記時間期間中のワイヤレス通信の流れ方向を示すインジケータを備えるようにさらに生成され、ここにおいて、生成するための前記手段は、前記時間期間中に通信されたアップリンクデータとダウンリンクデータとの優先順位を示す優先順位インジケータを備えるように、前記制限されたアクセスウィンドウのメッセージを生成するようにさらに構成される、
前記生成されたメッセージを送信するための手段と
を備える、ワイヤレス通信用の装置。
【請求項６】
前記インジケータが、前記時間期間中に通信された前記データがアップリンクデータかダウンリンクデータかを示す、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記インジケータが、前記時間期間中に通信された前記データがアップリンクデータか、ダウンリンクデータか、または双方向データかを示す、請求項５に記載の装置。
【請求項８】
装置により、その間に第１のデバイスが１つまたは複数の第２のデバイスとデータを通信する時間期間を識別する、制限されたアクセスウィンドウ（ＲＡＷ）のメッセージを受信することと、前記メッセージは、ワイヤレス通信の流れ方向を示すインジケータをさらに備える、
前記時間期間中に通信されたアップリンクデータとダウンリンクデータとの優先順位を決定するように、前記制限されたアクセスウィンドウ（ＲＡＷ）のメッセージを復号することと、
前記装置により、前記ワイヤレス通信の流れ方向のインジケータに基づいて、前記第１のデバイスとデータを通信することと
を備える、ワイヤレス通信の方法。
【請求項９】
前記制限されたアクセスウィンドウ（ＲＡＷ）のメッセージを復号して、通信された前記データがアップリンクデータかダウンリンクデータかを決定することをさらに備える、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記制限されたアクセスウィンドウ（ＲＡＷ）のメッセージを復号して、通信された前記データがアップリンクデータか、ダウンリンクデータか、または双方向データかを決定することをさらに備える、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記受信されたＲＡＷメッセージの１ビットまたは２ビットのいずれかに基づいて、前記ワイヤレス通信の流れ方向のインジケータを復号することをさらに備える、請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
その間に第１のデバイスが１つまたは複数の第２のデバイスとデータを通信する時間期間を識別する、制限されたアクセスウィンドウ（ＲＡＷ）のメッセージを受信するための手段と、前記メッセージが、前記時間期間中のワイヤレス通信の流れ方向を示すインジケータをさらに備え、
前記時間期間中に通信されたアップリンクデータとダウンリンクデータとの優先順位を決定するように、前記制限されたアクセスウィンドウのメッセージを復号するための手段と、
前記ワイヤレス通信の流れ方向のインジケータに基づいて、前記第１のデバイスとデータを通信するための手段と
を備える、ワイヤレス通信用の装置。
【請求項１３】
復号するための前記手段が、前記制限されたアクセスウィンドウのメッセージを復号して、通信された前記データがアップリンクデータかダウンリンクデータかを決定するようにさらに構成された、請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
復号するための前記手段が、前記制限されたアクセスウィンドウのメッセージを復号して、通信された前記データがアップリンクデータか、ダウンリンクデータか、または双方向データかを決定するようにさらに構成された、請求項１２に記載の装置。
【請求項１５】
請求項１から４のいずれか、または８から１１のいずれかに従って方法を実行するための命令を備える、コンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月22日(2016.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いから分離され、離間されている複数の音響アレイコンポーネントを有する音響プローブを含み、
前記複数の音響アレイコンポーネントはそれぞれ、
少なくとも第１の方向において第１のピッチで互いに隣接して配置される音響要素回路のアレイと、
前記音響要素回路の１つにそれぞれ対応し、対応する前記音響要素回路の回路領域に形成され、少なくとも前記第１の方向において第２のピッチで配置される複数のパッドと、
前記複数のパッドの１つにそれぞれ対応し、対応する前記パッドに直接且つ電気的に接続して配置され、少なくとも前記第１の方向において第３のピッチで配置される複数の相互接続バンプと、
少なくとも前記第１の方向において第４のピッチで配置される、前記複数の相互接続パンプ上に直接配置される複数の音響変換器要素と、
を含み、
前記第１のピッチ、前記第２のピッチ、前記第３のピッチ及び前記第４のピッチのうちの少なくとも２つは、互いに異なる、デバイス。
【請求項２】
前記第３のピッチは、前記第２のピッチよりも大きい、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記第４のピッチは、前記第３のピッチよりも大きい、請求項１に記載のデバイス。
【請求項４】
前記第２のピッチは、前記第１のピッチよりも大きい、請求項１に記載のデバイス。
【請求項５】
前記第２のピッチ、前記第３のピッチ及び前記第４のピッチは、互いにおおよそ同じである、請求項４に記載のデバイス。
【請求項６】
前記第４のピッチは、前記第２のピッチと実質的に同じであり、前記第３のピッチは、前記第４のピッチよりも大きい、請求項４に記載のデバイス。
【請求項７】
前記第２のピッチは、前記第１のピッチとおおよそ同じである、請求項１に記載のデバイス。
【請求項８】
前記第３のピッチは、前記第１のピッチとおおよそ同じであり、前記第４のピッチは、前記第１のピッチよりも大きい、請求項７に記載のデバイス。
【請求項９】
前記第３のピッチは、前記第１のピッチよりも大きく、前記第４のピッチは、前記第３のピッチとおおよそ同じである、請求項７に記載のデバイス。
【請求項１０】
前記複数の音響アレイコンポーネントのうちの少なくとも第１の音響アレイコンポーネント及び第２の音響アレイコンポーネントは、共に、共通の半導体基板上に設けられ、前記第１の音響アレイコンポーネント及び前記第２の音響アレイコンポーネントの前記パッドは共に、パッドのアレイを形成し、前記第１の音響アレイコンポーネント及び前記第２の音響アレイコンポーネントの前記パッドは、前記パッドのアレイ全体に亘って、実質的に均一なピッチを有する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１１】
前記第１の音響アレイコンポーネント及び前記第２の音響アレイコンポーネントの前記音響変換器要素は共に、音響変換器要素のアレイを形成し、前記第１の音響アレイコンポーネント及び前記第２の音響アレイコンポーネントの前記音響変換器要素は、前記音響変換器要素のアレイ全体に亘って、実質的に均一なピッチを有する、請求項１０に記載のデバイス。
【請求項１２】
前記複数の音響アレイコンポーネントのうちの少なくとも第１の音響アレイコンポーネント及び第２の音響アレイコンポーネントは、互いに異なる半導体基板上に設けられ、前記第１の音響アレイコンポーネント及び前記第２の音響アレイコンポーネントの前記パッドは共に、パッドのアレイを形成し、前記第１の音響アレイコンポーネント及び前記第２の音響アレイコンポーネントの前記パッドは、前記パッドのアレイ全体に亘って実質的に均一なピッチを有する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１３】
前記第１の音響アレイコンポーネント及び前記第２の音響アレイコンポーネントの前記音響変換器要素は共に、音響変換器要素のアレイを形成し、前記第１の音響アレイコンポーネント及び前記第２の音響アレイコンポーネントの前記音響変換器要素は、前記音響変換器要素のアレイ全体に亘って、音響変換器要素均一ピッチを有する、請求項１２に記載のデバイス。
【請求項１４】
基板からダイをスクライブするためのスクライブレーンによって互いから分離され、離間されている少なくとも第１の回路領域及び第２の回路領域を含む前記基板を含み、
前記第１の回路領域及び前記第２の回路領域はそれぞれ、
少なくとも第１の方向において第１のピッチで配置される音響要素回路のアレイと、
前記音響要素回路の１つにそれぞれ対応し、対応する前記音響要素回路の回路領域に形成される複数のパッドと、
を含み、
前記第１の回路領域及び前記第２の回路領域の前記パッドは共に、パッドのアレイ全体に亘って、少なくとも前記第１の方向において、実質的に均一なピッチを有する前記パッドのアレイを形成し、前記均一なピッチは、前記第１のピッチよりも大きい第２のピッチである、デバイス。
【請求項１５】
前記音響要素回路のアレイは、
前記音響要素回路のアレイの第１の端における、対応する第１のパッドを有する第１の音響要素回路と、
前記音響要素回路のアレイの前記第１の端とは反対側にある前記音響要素回路のアレイの第２の端における、対応する最後のパッドを有する最後の音響要素回路と、
を含み、
前記第１のパッド及び前記最後のパッドは、対応する前記音響要素回路の互いに反対の側部に沿って配置される、請求項１４に記載のデバイス。
【請求項１６】
前記基板は、少なくとも、第３の回路領域及び第４の回路領域を含み、前記第１の回路領域、前記第２の回路領域、前記第３の回路領域及び前記第４の回路領域は、２次元アレイを形成し、１つ以上のスクライブレーンによって、互いから分離され、離間されている、請求項１４に記載のデバイス。
【請求項１７】
前記複数のパッドの１つにそれぞれ対応し、対応する前記パッドに電気的に接続するように配置される複数の相互接続バンプを更に含む、請求項１４に記載のデバイス。
【請求項１８】
前記複数の相互接続バンプ上の複数の音響変換器要素を更に含む、請求項１７に記載のデバイス。
【請求項１９】
少なくとも第１の方向において第１のピッチで基板上に配置される音響要素回路のアレイと、
前記音響要素回路の１つにそれぞれ対応し、対応する前記音響要素回路の回路領域に形成され、少なくとも前記第１の方向において第２のピッチで配置される複数のパッドと、
を含み、
前記第２のピッチは、前記第１のピッチよりも大きい、デバイス。
【請求項２０】
前記音響要素回路のアレイは、
前記音響要素回路のアレイの第１の端における、対応する第１のパッドを有する第１の音響要素回路と、
前記音響要素回路のアレイの前記第１の端とは反対側の前記音響要素回路のアレイの第２の端における、対応する最後のパッドを有する最後の音響要素回路と、
を含み、
前記第１のパッド及び前記最後のパッドは、対応する前記音響要素回路の互いに反対の側部に沿って配置される、請求項１９に記載のデバイス。
【請求項２１】
前記複数のパッドの１つにそれぞれ対応し、対応する前記パッドに電気的に接続するように配置される複数の相互接続バンプと、
前記複数の相互接続バンプ上に配置される複数の音響変換器要素と、
を更に含む、請求項１９に記載のデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月14日(2016.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のネットワークノードを有するマルチチャネルメッシュ型ネットワークにおけるチャネル切り替えを制御するためのコントローラデバイスであって、前記コントローラデバイスは、前記ネットワークノードにメインチャネル切り替えコマンドを送信し、前記メインチャネル切り替えコマンドに対する受信された応答に基づき、前記メインチャネル切り替えコマンドに対する応答が受信されなかった１つ以上の前記ネットワークノードを孤児ノードとしてリストし、少なくとも１つの前記孤児ノードの近隣の１つ以上の代理ノードを選択し、前記１つ以上の代理ノードから、前記少なくとも１つの孤児ノードにローカルチャネル切り替えコマンドを送信するよう、前記１つ以上の代理ノードを制御する、コントローラデバイス。
【請求項２】
前記孤児ノードの近隣ノードを前記代理ノードとして選択する、請求項１に記載のコントローラデバイス。
【請求項３】
前記ネットワークノードがそれらの現在のチャネルに留まるべき期間を指定するタイミングパラメータを前記チャネル切り替えコマンドに加える、請求項１に記載のコントローラデバイス。
【請求項４】
前記メッシュ型ネットワークの認められたサイズ及びリンク品質のうちの一方又は両方に基づき前記タイミングパラメータを選択する、請求項３に記載のコントローラデバイス。
【請求項５】
孤児ノードのリストを保持し、前記ローカルチャネル切り替えコマンドに対する応答に基づき前記孤児ノードのリストを更新する、請求項１に記載のコントローラデバイス。
【請求項６】
前記孤児ノードへの過去のリンク品質又は地理的近さに基づき、前記選択された代理ノードに優先順位を付ける、請求項１に記載のコントローラデバイス。
【請求項７】
前記代理ノード及び／又は孤児ノードのコミッショニングフェーズ中に取得された位置情報に基づき、又は、前記ネットワークの動作中に前記代理ノード及び／又は孤児ノードから受信されたデータに基づき、前記選択された代理ノードに優先順位を付ける、請求項６に記載のコントローラデバイス。
【請求項８】
前記コントローラデバイスと前記孤児ノードとの間のルーティング経路若しくはリンク品質、又は両者の組み合わせに基づき前記孤児ノードに優先順位を付ける、請求項１に記載のコントローラデバイス。
【請求項９】
前記メインチャネル切り替えコマンド又は前記ローカルチャネル切り替えコマンドに対する応答が受信されたネットワークノードと、前記メイン及びローカルチャネル切り替えコマンドに対する応答が受信されなかった孤児ノードとの間の距離若しくはリンク品質、又は両者の組み合わせの順位表を作成し、前記コントローラデバイスが前記メッシュ型ネットワークの全ての孤児ノードの回復を試み終えるまで、前記順位表内の順位に基づき孤児ノード及び代理ノードを適切に選択する、請求項１に記載のコントローラデバイス。
【請求項１０】
マルチチャネルメッシュ型ネットワークのネットワークノードであって、コントローラデバイスからのチャネル切り替え委任コマンドの受信に応じて前のチャネル又はデフォルトのチャネルに切り替え、前記前のチャネル又は前記デフォルトのチャネル上でローカルチャネル切り替えコマンドを送信する、ネットワークノード。
【請求項１１】
前記ネットワークノードは、前記メッシュ型ネットワークの現在のチャネル上で更なるローカルチャネル切り替えコマンドを送信する、請求項１０に記載のネットワークノード。
【請求項１２】
複数のネットワークノードを有するマルチチャネルメッシュ型ネットワークにおけるチャネル切り替えを制御する方法であって、前記ネットワークノードにメインチャネル切り替えコマンドを送信するステップと、前記メインチャネル切り替えコマンドに対する受信された応答に基づき、前記メインチャネル切り替えコマンドに対する応答が受信されなかった１つ以上の前記ネットワークノードを孤児ノードとしてリストするステップと、少なくとも１つの前記孤児ノードの近隣の１つ以上の代理ノードを選択するステップと、前記１つ以上の代理ノードから、前記少なくとも１つの孤児ノードに１つ以上のローカルチャネル切り替えコマンドを送信するステップとを含む、方法。
【請求項１３】
コンピュータデバイス上で実行されたとき、請求項１２に記載の方法のステップを生じさせるためのコード手段を含むコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月14日(2016.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）：
【化１】
2016503414.tif 000001
（式中、
Ｒ1及びＲ2は、Ｈ、‐Ｃ（＝Ｏ）‐（ＣＨ2）2‐Ａｒ、及び‐Ｃ（＝Ｏ）‐（ＣＨ2）n‐Ｃ（＝Ｏ）‐ＮＨ‐Ａｒからなる群から独立して選択され、そしてＲ1及びＲ2の少なくとも１つが、Ｈ以外であり、そしてＡｒが、アリール又はヘテロアリールであり；
Ｒ3は、Ｈ及び‐Ｃ（＝Ｏ）‐Ｏ‐Ｒ4からなる群から選択され；
Ｒ4は、アルキル、置換されたアルキル、アルケニル、置換されたアルケニル、アルキニル、置換されたアルキニル、アリールアルキル、置換されたアリールアルキル、シクロヘテロアルキル、置換されたシクロヘテロアルキル、ヘテロアルキル及び置換されたヘテロアルキルからなる群から選択され；及び
下付き文字ｎは、２〜６の整数である）
の化合物、又は医薬的に許容されるそれらの塩。
【請求項２】
Ｒ1及びＲ2が、Ｈ、‐Ｃ（＝Ｏ）‐（ＣＨ2）2‐Ａｒ及び‐Ｃ（＝Ｏ）‐（ＣＨ2）n‐Ｃ（＝Ｏ）‐ＮＨ‐フェニルからなる群から独立して選択され、そしてＲ1及びＲ2の少なくとも１つが、Ｈ以外であり、そしてＡｒが、フェニル又は３‐ピリジルであり；及び
下付き文字ｎが、２、４又は６である、請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
Ｒ2及びＲ3が、Ｈである、請求項２に記載の化合物。
【請求項４】
Ｒ2がＨであり、そしてＲ1及びＲ3がＨ以外である、請求項２に記載の化合物。
【請求項５】
Ｒ1がＨであり、そしてＲ2及びＲ3がＨ以外である、請求項２に記載の化合物。
【請求項６】
Ｒ4がアルキル及び置換されたアルキルからなる群から選択され、ここで任意によりＲ4がＣ1〜Ｃ8アルキル、又はＣ3〜Ｃ8ヘテロアルキルである、請求項４又は５に記載の化合物。
【請求項７】
式（Ｉ）：
【化２】
2016503414.tif 000002
（式中、
Ｒ1及びＲ2は、Ｈ、‐Ｃ（＝Ｏ）‐（ＣＨ2）2‐Ａｒ、及び‐Ｃ（＝Ｏ）‐（ＣＨ2）n‐Ｃ（＝Ｏ）‐ＮＨ‐Ａｒからなる群から独立して選択され、そしてＲ1及びＲ2の少なくとも１つが、Ｈ以外であり、そしてＡｒが、アリール又はヘテロアリールであり；
Ｒ3は、Ｈ及び‐Ｃ（＝Ｏ）‐Ｏ‐Ｒ4からなる群から選択され；
Ｒ4は、アルキル、置換されたアルキル、アルケニル、置換されたアルケニル、アルキニル、置換されたアルキニル、アリールアルキル、置換されたアリールアルキル、シクロヘテロアルキル、置換されたシクロヘテロアルキル、ヘテロアルキル及び置換されたヘテロアルキルからなる群から選択され；及び
下付き文字ｎは、２〜６の整数である）
の化合物、又は医薬的に許容されるそれらの塩；及び
医薬的に許容される担体
を含む、医薬組成物。
【請求項８】
Ｒ1及びＲ2が、Ｈ、‐Ｃ（＝Ｏ）‐（ＣＨ2）2‐Ａｒ及び‐Ｃ（＝Ｏ）‐（ＣＨ2）n‐Ｃ（＝Ｏ）‐ＮＨ‐フェニルからなる群から独立して選択され、そしてＲ1及びＲ2の少なくとも１つが、Ｈ以外であり、そしてＡｒが、フェニル又は３‐ピリジルであり；及び
下付き文字ｎが、２、４又は６である、請求項７に記載の医薬組成物。
【請求項９】
Ｒ2及びＲ3が、Ｈである、請求項８に記載の医薬組成物。
【請求項１０】
Ｒ2がＨであり、そしてＲ1及びＲ3がＨ以外である、請求項８に記載の医薬組成物。
【請求項１１】
Ｒ1がＨであり、そしてＲ2及びＲ3がＨ以外である、請求項８に記載の医薬組成物。
【請求項１２】
Ｒ4が、アルキル及び置換されたアルキルからなる群から選択され、ここで任意によりＲ4がＣ1〜Ｃ8アルキル、又はＣ3〜Ｃ8ヘテロアルキルである、請求項１０又は１１に記載の医薬組成物。
【請求項１３】
対象における癌を治療するための方法で使用する、請求項７〜１２のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項１４】
前記方法が、さらに他の抗癌剤を投与することを含む、請求項１３に記載の医薬組成物。
【請求項１５】
前記抗癌剤が、従来の化学療法剤、標的化治療剤、放射線治療剤、及びそれらの混合物からなる群から選択される、請求項１４に記載の医薬組成物。
【請求項１６】
前記抗癌剤が、シスプラチン、オキサリプラチン、カルボプラチン、エルロチニブ、ゲフィチニブ、ラパチニブ、セツキシマブ、ザルツムマブ、ミノツズマブ、及びマツズマブからなる群から選択される、請求項１４に記載の医薬組成物。
【請求項１７】
前記癌が、膵癌、非小細胞肺癌、乳癌、卵巣癌、及び膀胱癌からなる群から選択される、請求項１３〜１６のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項１８】
前記医薬組成物の投与が経口で行われる、請求項１３〜１７のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項１９】
前記医薬組成物の投与が非経口で行われる、請求項１３〜１７のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成29年4月18日(2017.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ＩＬ−６アンタゴニストおよびその使用
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本出願は、２０１２年１１月８日出願の米国特許出願第６１／７２３，９７２号および２０１３年６月６日出願の米国特許出願第６１／８３１，６９９号に対する優先権を請求する。先の出願の各々の全内容はこれにより、参照により本明細書中に組み込まれる。
本発明の分野は、ＩＬ−６に関する。より詳細には、分野は、ＩＬ−６の修飾物質および眼に関するこのような疾患の疾患を治療する上での修飾物質の使用に関する。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月15日(2016.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの感圧接着剤層と、高分子発泡体層とを含む多層感圧接着剤（ＰＳＡ）アセンブリであって、
前記感圧接着剤層が、（ａ）５０〜９９．５重量％の第１モノマーとしての２−プロピルヘプチルアクリレート、（ｂ）１．０〜５０重量％の第２の非極性モノマー、ｃ）０．１〜１５重量％の極性アクリレートの第３モノマー、及び、場合により、ｄ）粘着付与樹脂を含有する重合性材料の反応生成物を含む感圧接着剤組成物を含み、前記重量％が前記重合性材料の総重量を基準とする、多層感圧接着剤（ＰＳＡ）アセンブリ。
【請求項２】
前記第２の非極性モノマーが、アルキル（メタ）アクリレートエステル、好ましくは１〜３０個の、更に好ましくは１〜２０個の、更により好ましくは１〜１５個の炭素原子を含むアルキル基を有する無極性アルキル（メタ）アクリレートエステルを含む、請求項１に記載の多層ＰＳＡアセンブリ。
【請求項３】
前記第２の非極性モノマーが、メチル（メタ）アクリレート、ｔｅｒｔ−ブチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ｎ−プロピル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）アクリレート、イソ−ブチル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、フェニル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、イソフォリル（メタ）アクリレート、Ｎ−ビニルカプロラクタム、これらのいずれかの組み合わせ、又は混合物からなる群から選択される、請求項１又は２に記載の多層ＰＳＡアセンブリ。
【請求項４】
前記重合性材料が、前記第２の非極性モノマーとは異なるアルキル（メタ）アクリレートエステル、極性モノマー、無極性ビニルモノマー、これらのいずれかの組み合わせ、又は混合物からなる群から一般的に選択されるコモノマーを更に含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の多層ＰＳＡアセンブリ。
【請求項５】
前記コモノマーが、極性モノマー、好ましくは極性アクリレート、更に好ましくは、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、ヒドロキシアルキルアクリレート、アクリルアミド及び置換アクリルアミド、アクリルアミン及び置換アクリルアミン、並びにこれらのいずれかの組み合わせ、又は混合物からなる群から選択される極性モノマーを含む、請求項４に記載の多層ＰＳＡアセンブリ。
【請求項６】
前記重合性材料が、前記重合性材料の総重量を基準として、５０〜９９．５重量％又は６０〜９０重量％の第１モノマーとしての２−プロピルヘプチルアクリレートと、０．５〜５０重量％、１．０〜５０重量％、３．０〜４０重量％、５．０〜３５重量％又は更に１０〜３０重量％の前記第２の非極性モノマーと、を含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の多層ＰＳＡアセンブリ。
【請求項７】
前記重合性材料が、前記重合性材料の総重量を基準として、
ａ）５０〜９９．５重量％又は６０〜９０重量％の第１モノマーとしての２−プロピルヘプチルアクリレート、
ｂ）１．０〜５０重量％、３．０〜４０重量％、５．０〜３５重量％又は１０〜３０重量％のエチレン性不飽和基を有する前記第２の非極性モノマー、好ましくはエチレン性不飽和基を有する第２の非極性モノマー、
ｃ）０．１〜１５重量％、０．５〜１５重量％、１．０〜１０重量％、２．０〜８．０重量％、２．５〜６．０重量％又は更に３．０〜６．０重量％の極性モノマー、好ましくは極性アクリレート、及び、場合によって、
ｄ）粘着付与樹脂を含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の多層ＰＳＡアセンブリ。
【請求項８】
前記感圧接着剤組成物が、重合性材料１００部に対して、好ましくは、３〜１００部、３〜８０部、３〜５０部、５〜３０部、又は更に５〜２５部の粘着付与樹脂を更に含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の多層ＰＳＡアセンブリ。
【請求項９】
前記粘着付与樹脂が、Ｃ５系炭化水素樹脂、Ｃ９系炭化水素樹脂、Ｃ５／Ｃ９系炭化水素樹脂、及びこれらのいずれかの組み合わせ、又は混合物からなる群から選択される、請求項１〜８のいずれか一項に記載の多層ＰＳＡアセンブリ。
【請求項１０】
前記高分子発泡体層が、ポリアクリレート、ポリウレタン、ポリオレフィン、ポリスチレン、ポリビニル、天然ゴム、合成ゴム、ポリビニルピロリドン、及びこれらのいずれかの組み合わせ、コポリマー、又は混合物からなる群から選択される高分子ベース材料を含む、請求項１〜９のいずれか一項に記載の多層ＰＳＡアセンブリ。
【請求項１１】
第１の感圧接着剤層、前記高分子発泡体層及び／又は中間層が、フィラー粒子、微小球、拡張可能な微小球、好ましくはペンタンで充填された拡張可能な微小球、若しくはガス空洞、ガラスビーズ、ガラス微小球、疎水性シリカ型フィラー、親水性シリカ型フィラー、繊維、電気的及び／若しくは熱的な導電性粒子、ナノ粒子、並びにそれらの任意の組み合わせからなる群から好ましくは選択される少なくとも１つのフィラー材料を含む、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の多層ＰＳＡアセンブリ。
【請求項１２】
前記感圧接着剤層及び前記高分子発泡体層が互いに重ね合わせられている、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の多層ＰＳＡアセンブリを製造する方法。
【請求項１３】
前記感圧接着剤層及び前記高分子発泡体層が別個に調製され、その後、互いに積層される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記感圧接着剤層の液状前駆体、及び前記高分子発泡体層の液状前駆体が重ね合わせられ、その後好ましくは化学線照射又は熱硬化法によって硬化される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記感圧接着剤層を介して、低表面エネルギー基材、中表面エネルギー基材及び／又は高表面エネルギー基材に接着するための、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の多層ＰＳＡアセンブリの使用。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成29年9月5日(2017.9.5)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
上述の熱処理の場合、通常、８００℃より上の温度で反応を行う。熱処理を、好ましくは多段階のプロセスで、とくに好ましくは２ステップのプロセスで行う、つまり、最初に温度＞８００℃で空気下で、その後好ましくは温度＞１０００℃、とくに好ましくは１２００〜１８００℃の温度で、還元条件下（例えば、一酸化炭素、フォーミングガス、または水素もしくは酸素欠乏雰囲気を用いて）で、か焼を行う。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９２】
６．  １．〜５．のいずれかに記載の化合物の製造方法であって、二酸化ケイ素および／または二酸化ゲルマニウムを、少なくとも１種のマグネシウム化合物、少なくとも１種のアルミニウム、インジウム、スカンジウムもしくはガリウム化合物、少なくとも１種のバリウム、ストロンチウムもしくはカルシウム化合物および少なくとも１種のユウロピウム化合物と混合し、混合物をその後、熱処理することを特徴とする、前記方法。
７．  混合物の熱処理を２つのステップで行うことを特徴とする６．に記載の方法であって、ここで第一のステップでは、該混合物を空気下で＞８００℃の温度でか焼し、その後、還元条件下で＞１０００℃の温度でか焼する、前記方法。
８．  １．〜５．のいずれか一項に記載の化合物を含む、蛍光物質混合物。
９．  少なくとも１種の赤色発光変換蛍光物質を追加的に含む、８．に記載の蛍光物質混合物。
１０．  少なくとも１種の青色発光変換蛍光物質を追加的に含む、８．または９．に記載の蛍光物質混合物。
１１．  一次光源および８．〜１０．のいずれかに記載の蛍光物質混合物を含む、光源。
１２．  １１．に記載の少なくとも１種の光源を含む、照明ユニット。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項７】
混合物の熱処理を２つのステップで行うことを特徴とする請求項６に記載の方法であって、ここで第一のステップでは、混合物を空気下で＞８００℃の温度でか焼し、その後、還元条件下で＞１０００℃の温度でか焼する、前記方法。