Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月21日(2017.7.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電力をワイヤレスに受け取るための受信機であって、
電力を送信機からワイヤレスに受け取るように構成されるアンテナと、
前記電力を負荷に供給するように構成され、かつ第1の周波数に従って動作するように構成されるワイヤレス電力回路と、
第2の周波数に従って動作するように構成される通信回路と、
前記アンテナと前記ワイヤレス電力回路との間に結合され、かつ前記アンテナと前記通信回路との間に結合される回路であって、前記回路が、第1の共振ネットワークと第2の共振ネットワークとを備え、前記回路が、前記第1の共振ネットワークを介した前記アンテナと前記ワイヤレス電力回路との間の第1の経路と、前記第2の共振ネットワークを介した前記アンテナと前記通信回路との間の第2の経路とを備え、前記第1の経路が、前記第2の周波数で前記第2の経路よりも高いインピーダンスを有し、かつ前記第1の周波数で前記第2の経路よりも低いインピーダンスを有する、回路と
を備え、
前記回路が、第1のスイッチセットと第2のスイッチセットとをさらに備え、前記第1のスイッチセットおよび前記第2のスイッチセットがアクティブ化されるとき、前記第1の経路が前記第2の経路よりも高いインピーダンスを有し、前記第1のスイッチセットおよび前記第2のスイッチセットが非アクティブ化されるとき、前記第1の経路が前記第2の経路よりも低いインピーダンスを有する、
受信機。
【請求項２】
前記第1のスイッチセットおよび前記第2のスイッチセットが、前記アンテナによって生成された信号が前記第1の経路を移動するか、または前記第2の経路を移動するかを前記第1の共振ネットワークおよび前記第2の共振ネットワークが決定できるようにするように構成される、請求項1に記載の受信機。
【請求項３】
前記第2の共振ネットワークが、バンドストップノッチの共振周波数が前記第1の周波数であるように同調された前記バンドストップノッチを備える、請求項1に記載の受信機。
【請求項４】
前記バンドストップノッチが、信号が前記第1の周波数で前記アンテナによって受信されるとき、前記信号が前記通信回路に進むことをブロックするように構成される、請求項3に記載の受信機。
【請求項５】
前記第1の共振ネットワークがキャパシタとインダクタとを備え、前記キャパシタおよびインダクタが、前記キャパシタおよび前記インダクタの共振周波数が前記第2の周波数であるように同調される、請求項1に記載の受信機。
【請求項６】
前記キャパシタおよび前記インダクタが、信号が前記第2の周波数で前記アンテナによって受信されるとき、前記信号が前記ワイヤレス電力回路に進むことをブロックするように構成される、請求項5に記載の受信機。
【請求項７】
前記通信回路が近接場通信(NFC)回路である、請求項1〜6のいずれか一項に記載に記載の受信機。
【請求項８】
電力をワイヤレスに受け取るための方法であって、
アンテナを介して電力を送信機からワイヤレスに受け取るステップであって、前記アンテナが、第1の経路に沿って第1の共振ネットワークを介してワイヤレス電力回路に結合され、前記ワイヤレス電力回路が、第1の周波数に従って動作するように構成され、前記アンテナが、第2の経路に沿って第2の共振ネットワークを介して通信回路にさらに結合され、前記通信回路が、第2の周波数に従って動作するように構成され、前記第1の経路が、前記第2の周波数で前記第2の経路よりも高いインピーダンスを有し、かつ前記第1の周波数で前記第2の経路よりも低いインピーダンスを有し、第1のスイッチセットおよび第2のスイッチセットがアクティブ化されるとき、前記第1の経路が前記第2の経路よりも高いインピーダンスを有し、前記第1のスイッチセットおよび前記第2のスイッチセットが非アクティブ化されるとき、前記第1の経路が前記第2の経路よりも低いインピーダンスを有する、ステップと、
どの経路がより低いインピーダンスを有するかに基づいて、前記第1の経路または前記第2の経路に沿って前記電力を伝達するステップと
を含む、方法。
【請求項９】
前記第1のスイッチセットおよび前記第2のスイッチセットが、前記アンテナによって生成された信号が前記第1の経路を移動するか、または前記第2の経路を移動するかを前記第1の共振ネットワークおよび前記第2の共振ネットワークが決定できるようにするように構成される、請求項8に記載の方法。
【請求項１０】
前記第2の共振ネットワークが、バンドストップノッチの共振周波数が前記第1の周波数であるように同調された前記バンドストップノッチを備える、請求項8に記載の方法。
【請求項１１】
前記電力が前記第1の周波数で前記アンテナによって受け取られるとき、前記バンドストップノッチによって、前記電力が前記通信回路に進むことをブロックするステップをさらに含む、請求項10に記載の方法。
【請求項１２】
前記第1の共振ネットワークがキャパシタとインダクタとを備え、前記キャパシタおよびインダクタが、前記キャパシタおよび前記インダクタの共振周波数が前記第2の周波数であるように同調される、請求項8に記載の方法。
【請求項１３】
前記電力が前記第2の周波数で前記アンテナによって受け取られるとき、前記キャパシタおよび前記インダクタによって、前記電力が前記ワイヤレス電力回路に進むことをブロックするステップをさらに含む、請求項12に記載の方法。
【請求項１４】
前記通信回路が近接場通信(NFC)回路である、請求項8に記載の方法。
【請求項１５】
実行されたときに、装置に、請求項8〜14のいずれか一項に記載の方法を実施させるコードを含む、非一時的コンピュータ可読記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月17日(2017.8.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
前記ホルダ（６５）は、前記シャフト接触面Ｗに対してオフセットされるホルダ面    Ｈ内に配置され、前記導体部（６２、６３）は、前記ホルダ面Ｈから前記シャフト接    触面Ｗへと傾いた態様で延びる移行部（６６、６７）を有することを特徴とする請求    項１から８のいずれか一項に記載の放電装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
他の実施形態にしたがって、ホルダから突出する自由導体部が長さを変えられ得るように部端がホルダ内に長手方向に移動できる態様で受け入れられれば、導体の自由屈曲長さを変え、それに伴ってシャフト接触部がシャフト外周に当接する際の接触力を変えることによって、接触力の大きさを調整することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
放電装置１０は、メンテナンスカバー１５に接続されるホルダ１６を有する。特に図１及び図２の組み合わされた図から明らかとなるように、手近な実施形態例の場合、ホルダ１６は、好ましくはプラスチックから形成されるとともにＵ形状ガイドチャネル構成部１８が形成されて成るホルダ本体１７と、手近な実施形態例では同様にプラスチックから形成されるホルダカバー１９とを備える。ガイドチャネル構成部１８は、導体２３の取り付け部分２０を受ける役目を果たし、前記導体の導体部２１、２２がガイドチャネル構成部１８から抜け出て案内される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2016536966.tif 000001
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2016536966.tif 000002
【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年7月14日(2016.7.14)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
強い吸収力は、Ｐtの印加された電圧Ｅに対してボルタモグラムｉのピークが存在しないこと、別の種による白金吸着部位のブロッキングを示すボルタモグラムのこれらのピークが存在しないことを特徴とする場合があり、一般に使用される用語「ボルタモグラム」は、用語「ボルトアンペログラム」に相当する。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月25日(2016.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
センサー・ノードによって第１センサー・データーを処理して処理済みセンサー・データーを生成するステップと、
前記処理済みセンサー・データーを前記センサー・ノードから処理サブシステムへ通信チャネルを介して送信するステップと、
前記センサー・ノードのエネルギー管理条件を検出するステップと、
前記検出されたエネルギー管理条件に基づいて、第２センサー・データーを処理するための前記センサー・ノードから前記処理サブシステムへの割り当てを調節するステップと、
前記検出されたエネルギー管理条件に基づく前記調節に応答して、前記第２センサー・データーを前記センサー・ノードから処理サブシステムへ前記通信チャネルを介して送信するステップと、
を含む方法。
【請求項２】
前記第１センサー・データーと前記第２センサー・データーは生のデーターを含み、前記処理済みセンサー・データーは圧縮データーを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記調節する動作は、
前記処理サブシステムのプリプロセッサー・ブロックを有効にするステップと、
前記センサー・ノードの対応するプリプロセッサー・ブロックを無効にするステップと、
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
コンピューター・システム上でコンピューター・プロセスを実行するためのコンピューター実行可能命令をエンコードした１または複数のコンピューター読み取り可能記憶媒体であって、前記コンピューター・プロセスは、
通信チャネルによって結合されたセンサー・ノードまたは処理サブシステムのうちの少なくとも一方のエネルギー管理条件を検出するステップであって、前記通信チャネルはセンサー・データー・ストリームを搬送する、ステップと、
前記センサー・ノードまたは前記処理サブシステムのうちの前記少なくとも一方のプリプロセッサー・ブロックを有効にし前記センサー・ノードまたは前記処理サブシステムのうちの他方の対応するプリプロセッサー・ブロックを無効にすることによって、前記検出されたエネルギー管理条件に基づいて前記センサー・ノードと前記処理サブシステムとの間において機能の割り当てを調節するステップであって、前記調節された機能の割り当ては、前記センサー・データー・ストリームにおいて伝達されるデーターの特性を変化させる、ステップと、
を含む、１または複数のコンピューター読み取り可能記憶媒体。
【請求項５】
通信チャネルによって結合されたセンサー・ノードまたは処理サブシステムのうちの少なくとも一方のエネルギー管理条件を検出するように構成されたモニターであって、前記通信チャネルはセンサー・データー・ストリームを搬送する、モニターと、
前記センサー・ノードまたは前記処理サブシステムのうちの前記少なくとも一方のプリプロセッサー・ブロックを有効にし前記センサー・ノードまたは前記処理サブシステムのうちの他方の対応するプリプロセッサー・ブロックを無効にすることによって、前記検出されたエネルギー管理条件に基づいて前記センサー・ノードと前記処理サブシステムとの間において機能の割り当てを調節するように構成された分割コントローラーであって、前記調節された機能の割り当ては、前記センサー・データー・ストリームにおいて伝達されるデーターの特性を変化させる、分割コントローラーと、
を備えるシステム。
【請求項６】
前記処理サブシステムおよび前記センサー・ノードは各々、重複プリプロセッサー機能を実施することが可能な１または複数のプリプロセッサー・ブロックを含む、請求項５に記載のシステム。
【請求項７】
前記プリプロセッサー・ブロックと前記対応するプリプロセッサー・ブロックは同じプリプロセッサー機能を実施する、請求項５に記載のシステム。
【請求項８】
前記処理サブシステムおよび前記センサー・ノードのうちの少なくとも一方は、更に、前記処理サブシステムおよび前記センサー・ノードのうちの前記少なくとも一方に一意のプリプロセッサー機能を提供する追加のプリプロセッサー・ブロックを含む、請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
前記センサー・ノードまたは前記処理サブシステムのうちの前記少なくとも一方の前記プリプロセッサー・ブロックの有効化は、前記センサー・ノードまたは前記処理サブシステムのうちの前記少なくとも一方のエネルギー管理条件における変化に対処する、請求項５に記載のシステム。
【請求項１０】
前記センサー・ノードまたは前記処理サブシステムのうちの他方の前記対応するプリプロセッサー・ブロックの無効化は、前記検出されたエネルギー管理条件における変化に対処する、請求項５に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月5日(2016.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
共通のメモリページサイズを有する各メモリページからなる複数のメモリページを含む不揮発性メモリアレイと、
コントローラであって、
前記不揮発性メモリアレイに対して前記共通のメモリページサイズを決定し、
低密度パリティチェック（ＬＤＰＣ）符号語長を、前記不揮発性メモリアレイに対して前記共通のメモリページサイズ以上のサイズを有する複数の定義済みＬＤＰＣ符号語長から選択し、
少なくとも部分的に前記ＬＤＰＣ符号語長に基づいて前記不揮発性メモリアレイの一つ以上のメモリページに書き込まれる、または前記不揮発性メモリアレイの一つ以上のメモリページから読み込まれる符号化データ用のＬＤＰＣ符号化パラメータを決定するように構成され、前記複数の定義済みＬＤＰＣ符号語長を使用している複数の不揮発性メモリページサイズをサポートし、前記共通のメモリページサイズが前記複数の定義済みＬＤＰＣ符号語長のいかなるＬＤＰＣ符号語長にも等しくないメモリページサイズをサポートするように構成される、
コントローラと、
を含むソリッドステートストレージシステム。
【請求項２】
前記ＬＤＰＣ符号化パラメータは、Ｐマトリクスサイズ、カラムのウェイトおよびロウのウェイトを含み、さらに、符号レート、ユーザデータの量、およびパリティデータの量の少なくとも一つを含む、請求項１に記載のソリッドステートストレージシステム。
【請求項３】
前記コントローラは、前記不揮発性メモリアレイに対して前記共通のメモリページサイズ以上の最小限のサイズを有するＬＤＰＣ符号語長を選択するように構成される、請求項１に記載のソリッドステートストレージシステム。
【請求項４】
前記メモリページは、誤り訂正符号ページ（Ｅページ）を含む、請求項１に記載のソリッドステートストレージシステム。
【請求項５】
前記コントローラは、前記ＬＤＰＣ符号化パラメータを使用している、ユーザデータおよびパディングデータを含むパディングされたユーザデータに対してパリティデータを決定し、かつ、
前記ユーザデータおよび前記パリティデータを前記不揮発性メモリアレイのメモリページに保存するように、さらに構成される、請求項１に記載のソリッドステートストレージシステム。
【請求項６】
前記パディングされたユーザデータのパディングデータの量は、前記ＬＤＰＣ符号語長と前記不揮発性メモリアレイのための前記共通のメモリページサイズとの差に少なくとも部分的に依存する、請求項５に記載のソリッドステートストレージシステム。
【請求項７】
コントローラを含むデータストレージシステムにおける、データの符号化の方法であって、
各メモリページが共通のメモリページサイズを有する複数のメモリページを含む不揮発性メモリアレイに対して共通のメモリページサイズを決定するステップと、
低密度パリティチェック（ＬＤＰＣ）符号語長を、前記不揮発性メモリアレイに対して前記共通のメモリページサイズ以上のサイズを有する複数の定義済みＬＤＰＣ符号語長から選択するステップと、
少なくとも部分的に前記ＬＤＰＣ符号語長に基づいて前記不揮発性メモリアレイの一つ以上のメモリページに書き込まれる、または前記不揮発性メモリアレイの一つ以上のメモリページから読み込まれる符号化データ用のＬＤＰＣ符号化パラメータを決定するステップと、を含み、
前記複数の定義済みＬＤＰＣ符号語長を使用している複数の不揮発性メモリページサイズに対しコーディングのサポートをすること及び前記共通のメモリページサイズが前記複数の定義済みＬＤＰＣ符号語長のいかなるＬＤＰＣ符号語長にも等しくないメモリページサイズに対しコーディングのサポートをすることを可能にする、方法。
【請求項８】
前記ＬＤＰＣ符号化パラメータは、Ｐマトリクスサイズ、カラムのウェイトおよびロウのウェイトを含み、さらに、符号レート、ユーザデータの量、およびパリティデータの量の少なくとも一つを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記ＬＤＰＣ符号語長を選択するステップは、前記不揮発性メモリアレイに対して前記共通のメモリページサイズ以上の最小限のサイズを有するＬＤＰＣ符号語長を選択することを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記メモリページは、誤り訂正符号ページ（Ｅページ）を含む請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
前記ＬＤＰＣ符号化パラメータを使用している、ユーザデータおよびパディングデータを含むパディングされたユーザデータに対してパリティデータを決定するステップと、
前記ユーザデータおよび前記パリティデータを前記不揮発性メモリアレイのメモリページに保存するステップと、
をさらに含む請求項７に記載の方法。
【請求項１２】
前記パディングされたユーザデータのパディングデータの量は、前記ＬＤＰＣ符号語長と前記不揮発性メモリアレイのための前記共通のメモリページサイズとの差に少なくとも部分的に依存する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
共通のメモリページサイズを有する各メモリページからなる複数のメモリページを含む不揮発性メモリアレイと、
コントローラであって、
前記不揮発性メモリアレイに対して前記共通のメモリページサイズを決定し、
符号語長を、前記不揮発性メモリアレイに対して前記共通のメモリページサイズ以上のサイズを有する複数の定義済み符号語長から選択し、
少なくとも部分的に前記符号語長に基づいて前記不揮発性メモリアレイの一つ以上のメモリページに書き込まれる、または前記不揮発性メモリアレイの一つ以上のメモリページから読み込まれる符号化データ用の符号化パラメータを決定するように構成され、前記複数の定義済み符号語長を使用している複数の不揮発性メモリページサイズをサポートするように構成されるとともに前記共通のメモリページサイズが前記複数の定義済み符号語長のいかなる符号語長にも等しくないメモリページサイズに対しコーディングのサポートをするように構成されるコントローラと、
を含むソリッドステートストレージシステム。
【請求項１４】
前記符号化パラメータは、Ｐマトリクスサイズ、カラムのウェイトおよびロウのウェイトを含み、さらに、符号レート、ユーザデータの量、およびパリティデータの量の少なくとも一つを含む、低密度パリティチェック（ＬＤＰＣ）符号化パラメータを含む、請求項１３に記載のソリッドステートストレージシステム。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成29年2月28日(2017.2.28)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
製鋼スラグを加工して、水硬性鉱物結合材を生成し、かつ鉄を回収するための方法であって、
鉄化合物を有する製鋼スラグとＭｎＯとを含む材料を提供するステップと、
前記材料を融解物にするステップと、
９０から１１０の間の鉱物融解部分の石灰飽和度を達成するために、前記融解物に還元剤を添加して鉄化合物を低減させるステップであり、前記還元剤の添加が、非酸化雰囲気中で実施されるステップと、
前記９０から１１０の間の石灰飽和度に到達したら続いて、ゆっくりと冷却を行うステップであり、前記融解物を最速１５分で凝固させるステップと、
元素状鉄を、前記凝固した融解物から機械的に分離するステップと、
水硬性鉱物結合材として使用するために、低い鉄含量を有し、少なくとも４０重量％のエーライト含有量を有する前記凝固した融解物を引き続き供給するステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、前記材料が、ＭｎＯを０．１から１０重量％有することを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の方法であって、前記材料に、Ａｌ２Ｏ３が最大５重量％および／またはＣａＯが３０〜５０重量％および／またはＳｉＯ２が１０から２０重量％含有されることを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項に記載の方法であって、前記融解物が、前記還元の前および／または前記還元の間に１６００℃から１８００℃の温度を有することを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項に記載の方法であって、前記非酸化雰囲気が還元雰囲気であることを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか１項に記載の方法であって、炭素、ケイ素、および／または金属、または半金属が還元剤として使用されることを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか１項に記載の方法であって、前記還元剤の少なくとも一部分が前記融解物中に吹き込まれることを特徴とする方法。
【請求項８】
請求項７に記載の方法であって、前記融解物中に吹き込まれた前記還元剤が、不活性ガス流を用いて吹き込まれることを特徴とする方法。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか１項に記載の方法であって、ホウ砂が前記融解物中に添加されることを特徴とする方法。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか１項に記載の方法であって、液体の元素状鉄が、前記還元の後で、前記融解物を凝固する前に、分離されることを特徴とする方法。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれか１項に記載の方法であって、前記融解物が、遅くとも４時間後に凝固していることを特徴とする方法。
【請求項１２】
請求項１から１１のいずれか１項に記載の方法であって、規定された前記冷却が、冷却容器で行われることを特徴とする方法。
【請求項１３】
請求項１から１２のいずれか１項に記載の方法であって、前記元素状鉄の前記機械的分離が、研削プロセスおよび分級プロセスを用いて行われることを特徴とする方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４０】
本発明による方法の好ましい実施形態によれば、元素状鉄の機械的分離は、研削プロセスおよび分級プロセスを用いて行われる。この方法ステップでは、特に国際特許出願の国際公開第２０１１／１０７１２４Ａ１号に開示される方法が適している。鉄は、研削プロセス中に解放され、次いで鉄と鉱物学的母材との間の密度差によって研削プレート上に分離される。その後、プレート縁部に放出され、任意選択でその後に行われる選別および分級プロセスを通してさらに高精度に分離される。凝固した融解物を低減させかつ解凝集させるために、好ましくはＬＯＥＳＣＨＥ型のローラミルを使用する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５１】
元素状鉄のこの機械的分離は、ＬＯＥＳＣＨＥローラミルを用いた研削プロセスにより、かつ後続の分級により、段階Ｖで行われる。この場合、鉄は、鉱物学的部分との密度の差によって分離することができる。国際公開第２０１１／１０７１２４Ａ１号に記述される方法は、この目的に特に適している。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成29年10月23日(2017.10.23)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式Ｉ：
2015534567.tif 000001
Ｉ
［上式中：
Ｗは、群
ａ）１〜３の重水素原子を含んでもよいＣ１−６−アルキル、
ｂ）ＳＯ２Ｒ５及びＯＲ５で置換されていてもよいＣ１−６−アルキル
から選択され；
Ｙは、Ｃ１−６−アルキルであり；
ＺはＣＨであり；
Ｒ１は、アリールであり；
Ｒ２はＣＯＮＨＲ６であり；
Ｒ３及びＲ４は、同じでも異なってもよく、各々が独立に、群
ａ）Ｈ、及び
ｂ）Ｃ１−６−アルキル
から選択され；
Ｒ５は、群
ａ）Ｃ１−６−アルキル、及び
ｂ）アリール
から選択され；
Ｒ６は、群
ａ）Ｈ、
ｂ）Ｃ１−６−アルキル、ＯＲ５、ハロゲン、アリール及びＣ（Ｏ）Ｒ７で置換されていてもよい、アリール、並びに
ｃ）Ｃ１−６−アルキル及びハロゲンで置換されていてもよいアリールで置換されていてもよい、Ｃ１−６−アルキルから選択され；
Ｒ７は、群
ａ）Ｃ１−６−アルキル、及び
ｂ）アリール
から選択される］
の化合物、又は薬学的に許容可能なその塩。
【請求項２】
Ｗ及びＹが共にＣ１−６−アルキルである請求項１に記載の化合物、又は薬学的に許容可能なその塩。
【請求項３】
Ｗ及びＹが共にメチルである請求項２に記載の化合物、又は薬学的に許容可能なその塩。
【請求項４】
Ｒ１がフェニルである請求項１から３のいずれか一項に記載の化合物、又は薬学的に許容可能なその塩。
【請求項５】
Ｒ３及びＲ４がＨである請求項１から４のいずれか一項に記載の化合物、又は薬学的に許容可能なその塩。
【請求項６】
Ｒ３及びＲ４の一方又は両方がＣ１−６−アルキルである請求項１から４のいずれか一項に記載の化合物、又は薬学的に許容可能なその塩。
【請求項７】
Ｒ５がＣ１−６−アルキルである請求項１から６のいずれか一項に記載の化合物、又は薬学的に許容可能なその塩。
【請求項８】
Ｒ５がメチルである請求項７に記載の化合物、又は薬学的に許容可能なその塩。
【請求項９】
Ｒ５がアリールである請求項１から６のいずれか一項に記載の化合物、又は薬学的に許容可能なその塩。
【請求項１０】
Ｒ５がフェニルである請求項９に記載の化合物、又は薬学的に許容可能なその塩。
【請求項１１】
Ｒ６が、ＯＲ５、ハロゲン及びアリールで置換されていてもよい、アリールである請求項１から１０のいずれか一項に記載の化合物、又は薬学的に許容可能なその塩。
【請求項１２】
Ｒ６がＣ１−６−アルキル及びハロゲンで置換されていてもよいＣ１−６−アルキルである請求項１から１０のいずれか一項に記載の化合物、又は薬学的に許容可能なその塩。
【請求項１３】
（Ｓ）−１−［（Ｓ）−２−（（Ｓ）−２−メチルアミノ−プロピオニルアミノ）−２−フェニル−アセチル］−２，３−ジヒドロ−１Ｈ−インドール−２−カルボン酸  ５−フルオロ−２−メチル−ベンジルアミド塩酸塩；
（Ｓ）−１−［（Ｓ）−２−（（Ｓ）−２−メチルアミノ−プロピオニルアミノ）−２−フェニル−アセチル］−２，３−ジヒドロ−１Ｈ−インドール−２−カルボン酸アミド塩酸塩；
（Ｓ）−１−［（Ｓ）−２−（（Ｓ）−２−メチルアミノ−プロピオニルアミノ）−２−フェニル−アセチル］−２，３−ジヒドロ−１Ｈ−インドール−２−カルボン酸フェニルアミド塩酸塩；
（Ｓ）−１−［（Ｓ）−２−（（Ｓ）−２−メチルアミノ−プロピオニルアミノ）−２−フェニル−アセチル］−２，３−ジヒドロ−１Ｈ−インドール−２−カルボン酸ビフェニル−２−イルアミン塩酸塩；
（Ｓ）−１−［（Ｓ）−２−（（Ｓ）−２−メチルアミノ−プロピオニルアミノ）−２−フェニル−アセチル］−２，３−ジヒドロ−１Ｈ−インドール−２−カルボン酸（２−メトキシ−フェニル）−アミド塩酸塩；並びに
（Ｓ）−１−［（Ｓ）−２−（（Ｓ）−２−メチルアミノ−プロピオニルアミノ）−２−フェニル−アセチル］−２，３−ジヒドロ−１Ｈ−インドール−２−カルボン酸  ５−フルオロ−２−メチル−ベンジルアミド塩酸塩； 
からなる群から選択される化合物、又は前述の化合物のいずれかの薬学的に許容可能な塩。
【請求項１４】
薬学的に許容可能な担体又は賦形剤と共に、活性成分として請求項１から１３のいずれか一項に記載の化合物、又は薬学的に許容可能なその塩を含む医薬組成物。
【請求項１５】
治療的に活性な物質としての使用のための、請求項１から１３のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項１６】
がんの治療的及び／又は予防的処置を目的とした使用のための、請求項１から１３のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項１７】
がんの治療的及び／又は予防的処置のための医薬の製造のための、請求項１から１３のいずれか一項に記載の化合物、又は薬学的に許容可能なその塩の使用。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年12月6日(2016.12.6)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）メチルエチルケトン、アセトン、Ｄｏｗａｎｏｌ（商標）ＰＭ、シクロヘキサノン、Ｄｏｗａｎｏｌ（商標）ＰＭＡ、ジメチルホルムアミド、メチルイソブチルケトン、キシレン、トルエン、メタノール、ブタノール、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される溶媒と、
ｂ）コアシェルゴムと
を含むマスターブレンドであって
前記マスターブレンドは熱硬化性樹脂を含まず、
前記コアシェルゴムは、スチレンブタジエンコアと、メタクリル酸メチルおよびアクリロニトリルからなる群から選択されるシェルとを有し、
前記スチレンブタジエンコアは、前記溶媒中で膨潤せず、
前記マスターブレンドは、前記マスターブレンドの総重量に基づき、約３０重量パーセントのコアシェルゴムを含む、前記マスターブレンド。
【請求項２】
ａ）分散領域における溶媒中にコアシェルゴムを分散させて、マスターブレンドを形成することと、
ｂ）前記マスターブレンドを熱硬化性樹脂と混合して、硬化性組成物を形成することと、を含むプロセスであって、
前記溶媒は、メチルエチルケトン、アセトン、Ｄｏｗａｎｏｌ（商標）ＰＭ、シクロヘキサノン、Ｄｏｗａｎｏｌ（商標）ＰＭＡ、ジメチルホルムアミド、メチルイソブチルケトン、キシレン、トルエン、メタノール、ブタノール、およびそれらの組み合わせからなる群から選択され、
前記コアシェルゴムは、スチレンブタジエンコアと、メタクリル酸メチルおよびアクリロニトリルからなる群から選択されるシェルとを有し、
前記スチレンブタジエンコアは、前記溶媒中で膨潤せず、
前記マスターブレンドは、前記マスターブレンドの総重量に基づき、約３０重量パーセントのコアシェルゴムを含む、前記プロセス。
【請求項３】
前記分散領域が少なくとも０．５Ｗ／Ｋｇの単位質量当たりのパワーを生成することができる高剪断ミキサーを含む、請求項２に記載のプロセス。
【請求項４】
請求項１に記載のマスターブレンドから調製されるワニス。
【請求項５】
請求項４に記載のワニスから調製されるプリプレグ。
【請求項６】
請求項４に記載のワニスから調製される電気積層板。
【請求項７】
請求項４に記載のワニスから調製されるプリント回路基板。
【請求項８】
請求項４に記載のワニスから調製されるコーティング。
【請求項９】
請求項４に記載のワニスから調製される複合材。
【請求項１０】
請求項４に記載のワニスから調製される鋳物。
【請求項１１】
請求項４に記載のワニスから調製される接着剤。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
混合装置およびプロセスの様々な部分は、分散体を作製するために利用可能である。これらは、高剪断ミキサー、静的ミキサー、ローターステータ、超音波、コロイドミル、液体ホイッスル、バルブ均質化装置、および撹拌槽を含むがこれらに限定されない。一実施形態では、選択された任意の混合装置は、少なくとも０．５Ｗ／Ｋｇ、別の実施形態で８Ｗ／Ｋｇ以上、さらに別の実施形態では１３Ｗ／Ｋｇの単位質量当たりのパワー（power）を生成しなければならない。約１３Ｗ／Ｋｇのパワー入力は約１０ミクロン以下の固体の凝集物を分解する。より高いパワー入力（＞１３Ｗ／Ｋｇ）は溶媒の損失およびエネルギーの浪費をもたらす高温ビルドアップを招くおそれがあるのに対し、低パワー入力（＜１３Ｗ／Ｋｇ）は固体の５０ミクロンの大きな凝集を招くおそれがある。一実施形態では、任意の冷却は溶媒の蒸気圧を軽減することができ、したがって、溶媒の損失を低減することができる。また、選択された混合技術のいずれかのために使用される単位操作は、連続式またはバッチ式プロセスであり得る。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６３】
全ての強化剤は、ガラス転移温度に否定的な影響を与えなかった。Ｔｇの下降は、コアシェルゴムＤを使用して観察された（過剰な界面活性剤が除去されたＣＳＲ）。Ｂｙｋ−Ａ（商標）５３０消泡助剤を添加されたコアシェルゴムＣはまた、表６に示すようにＴｇの下降を示した。しかし、Ｔｇの下降の大きさは顕著ではない。泡助剤をプリプレグの外観を改善するために添加した。しかし、コアシェルゴムＤにおいては、Ｔｇの差は消泡剤の有無にかかわらず観察されなかった。
なお、本発明には以下の態様が含まれることを付記する。
［１］
ａ）溶媒と、
ｂ）コアシェルゴムと、を含む、マスターブレンド。
［２］
前記コアシェルゴムがスチレンブタジエンコアを有し、前記スチレンブタジエンコアが前記溶媒中で膨潤しない、［１］に記載のマスターブレンド。
［３］
前記コアシェルゴムがメチルメタクリル酸シェルを有する、［１］または［２］に記載のマスターブレンド。
［４］
前記溶媒が、メチルエチルケトン、アセトン、Ｄｏｗａｎｏｌ（商標）ＰＭ、シクロヘキサノン、Ｄｏｗａｎｏｌ（商標）ＰＭＡ、ジメチルホルムアミド、メチルイソブチルケトン、キシレン、トルエン、メタノール、ブタノール、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される、［１］〜［３］のいずれかに記載のマスターブレンド。
［５］
前記マスターブレンドが、前記マスターブレンドの総重量に基づき、５重量％〜４０重量％のコアシェルゴムを含む、［１］〜［４］のいずれかに記載のマスターブレンド。
［６］
ａ）分散領域における溶媒中にコアシェルゴムを分散させて、マスターブレンドを形成することと、
ｂ）前記マスターブレンドを熱硬化性樹脂と混合して、硬化性組成物を形成することと、を含む、プロセス。
［７］
前記分散領域が少なくとも０．５Ｗ／Ｋｇの単位質量当たりのパワーを生成することができる高剪断ミキサーを含む、［６］に記載のプロセス。
［８］
［１］に記載のマスターブレンドから調製されるワニス。
［９］
［８］に記載のワニスから調製されるプリプレグ。
［１０］
［８］に記載のワニスから調製される電気積層板。
［１１］
［８］に記載のワニスから調製されるプリント回路基板。
［１２］
［８］に記載のワニスから調製されるコーティング。
［１３］
［８］に記載のワニスから調製される複合材。
［１４］
［８］に記載のワニスから調製される鋳物。
［１５］
［８］に記載のワニスから調製される接着剤。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成29年7月10日(2017.7.10)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
動的状態における高負荷の下で操作する自己潤滑性接合部要素であって、２０μｍから１５０μｍの間の範囲の小さな厚さのファブリックのワインディングから形成され、及びその全体の厚さにわたって均一な生産物を形成するように充填材を含む樹脂で混合され、前記ファブリックは５ｍｍから２００ｍｍの間の範囲の幅を有するストリップの形態を示しており、前記ストリップはフィラメントワインディング法によっていくつかの層で交差されており、前記交差の角度は、３０°から８６°の間の範囲であることを特徴とする要素。
【請求項２】
前記ファブリックの厚さは、２０μｍから１３０μｍの間の範囲であることを特徴とする、請求項１に記載の要素。
【請求項３】
前記ファブリックは、合成タイプであることを特徴とする、請求項１に記載の要素。
【請求項４】
前記樹脂は、エポキシ、ビニルエステル、ポリエステル、フェノール類、またはポリイミドの種類であることを特徴とする、請求項１に記載の要素。
【請求項５】
前記充填材は、ＰＴＦＥ、ＭｏＳ２、または黒鉛の種類であることを特徴とする、請求項１に記載の要素。
【請求項６】
前記充填材の量は、体積の５から７０％の間であることを特徴とする、請求項５に記載の要素。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
図３を参照すると、従来技術による３００μｍの３つのプライの形態にあるワインディングとは対照的に、１００μｍの９つのプライの形態にあるワインディングを示している。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】図面
【訂正対象項目名】図２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図２】
2015534912.tif 000001
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】図面
【訂正対象項目名】図３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図３】
2015534912.tif 000002
【誤訳訂正書】
【提出日】平成29年8月29日(2017.8.29)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板に印刷された強誘電性センサインクによって形成された第１のセンサ層と、
前記第１のセンサ層に形成された少なくとも１つの導電層とを備えると共に、
複数の接続された第１電極および複数の接続された第２電極を、前記第１のセンサ層を中間に配置してさらに備え、
前記強誘電性センサインクは、圧電および焦電ポリマーを有するか、または、圧電および焦電ポリマーに埋め込まれた無機の強誘電性ナノ粒子のナノ複合材料によって形成され、
前記第１電極および前記第２電極の重なり対は、前記第１のセンサ層に生成された電荷に応答して測定可能な電圧を生成するセンサスポットにそれぞれ対応するキャパシタを形成し、
双極子を含む複数のナノ結晶が、前記複数の接続された第２電極に垂直に配列されていることを特徴とする検知デバイス。
【請求項２】
前記少なくとも１つの導電層は、
前記第１のセンサ層の上に印刷された、ポリマー、カーボン、銀、銅、および／または、金属ナノワイヤーを有したインクによる導電インクによって形成された第１の導電層、
前記第１の導電層の上に印刷されたカーボンインクによって形成された第２の導電層、および
前記第２の導電層の上に印刷された銀インクによる導電インクによって形成された第３の導電層、
のうちの少なくとも１つ有することを特徴とする請求項１に記載の検知デバイス。
【請求項３】
前記少なくとも１つの導電層は、前記基板における前記第１のセンサ層の下に、ポリマー、カーボン、銀、銅、金属ナノワイヤー、および／または、カーボンナノチューブを有する導電インクを印刷して形成され、前記基板の上に第１の導電層を形成することを特徴とする請求項１に記載の検知デバイス。
【請求項４】
前記強誘電性センサインクは、共重合体Ｐ（ＶＤＦ−ＴｒＦＥ）によって、もしくはリラクサ強誘電性三元重合体（terpolymer）Ｐ（ＶＤＦ−ＴｒＦＥ−ＣＦＥ）によって形成された圧電および焦電ポリマーを有することを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の検知デバイス。
【請求項５】
さらに第２のセンサ層を備えており、前記第２のセンサ層は、印刷によって前記基板の後側に提供されるか、または、前記第１のセンサ層の上部に積層されて前記第１のセンサ層の上部に提供されることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の検知デバイス。
【請求項６】
前記第１のセンサ層は第１の複数の実質的に平行な導電ラインを備え、前記第２のセンサ層は第２の複数の実質的に平行な導電ラインを備え、前記第１の複数の実質的に平行なラインおよび前記第２の複数の実質的に平行なラインは、所定の角度だけ相互に傾いていることを特徴とする請求項５に記載の検知デバイス。
【請求項７】
前記強誘電性センサインクは、透明または赤外線吸収の電極の間に形成された、半結晶強誘電性ポリマーＰＶＤＦ―ＴｒＦＥを有する、印刷された強誘電性センサキャパシタのアレイを形成することを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の検知デバイス。
【請求項８】
前記電極は、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ、印刷可能な金属製ナノワイヤー、カーボンおよび／または銀を有することを特徴とする請求項７に記載の検知デバイス。
【請求項９】
前記基板は、穴の開いたフィルム、または、ホットエンボス加工もしくはインプリンティングによって製造されたキャビテイを有するポリマーフィルムからなる構造化基板を有することを特徴とする請求項７または８に記載の検知デバイス。
【請求項１０】
さらに、インプリントされたドーム状のセンサを備えることを特徴とする請求項７から９のいずれかに記載の検知デバイス。
【請求項１１】
前記ドーム状のセンサは、予め定められた周波数および／または音響レベルで音波を発生するように構成されていることを特徴とする請求項１０に記載の検知デバイス。
【請求項１２】
前記電極は、電極の第１および第２のアレイを備え、前記アレイはお互いに対して傾いていることを特徴とする請求項７から１１のいずれかに記載の検知デバイス。
【請求項１３】
タッチ位置を特定するために電極の前記第１および第２のアレイからのセンサ信号を減算する処理手段を備えることを特徴とする請求項１２に記載の検知デバイス。
【請求項１４】
三角形分割に基づいてタッチ位置を特定する処理手段を備えることを特徴とする請求項７から１１のいずれかに記載の検知デバイス。
【請求項１５】
前記検知デバイスの出力信号の処理手段に関連して、事件を暗示する出力信号に応答して、予め定められた応答のトリガとなる信号を生成することを特徴とする請求項１から１４のいずれかに記載の検知デバイス。
【請求項１６】
前記検知デバイスは、振動、音波および／または熱変動、の検出に応答して信号を発生するように用意されていることを特徴とする請求項１から１５のいずれかに記載の検知デバイス。
【請求項１７】
前記エネルギーは、無線ネットワーク内の無線センサノードにバイアスをかけるように用いられることを特徴とする請求項１６に記載の検知デバイス。
【請求項１８】
前記検知デバイスは、マイクロホン、固体伝播音センサ、または加速度センサとして実施されるように提供されることを特徴とする請求項１６または１７に記載の検知デバイス。
【請求項１９】
前記振動、音波および／または熱変動の、周波数、振幅、および／または他のパラメータを検出する処理手段に関連して、検出されたパラメータに関連するイベントを検出することを特徴とする請求項１６から１８のいずれかに記載の検知デバイス。
【請求項２０】
前記検知デバイスは建物の表面に取り付けられるか、床に組み込まれることを特徴とする請求項１６から１８のいずれかに記載の検知デバイス。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２８】
センサインクは、Ｐ（ＶＤＦ−ＴｒＦＥ）（ポリ（フッ化ビニリデン・三フッ化エチレン））によって形成されてもよい。ポリマーインクは、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ（ポリ（３、４−エチレンジオキシチオフェン（(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)）：ポリ（スチレンスルフォン酸）poly(styrene  sulfonic acid))インクによって形成されてもよい。
また、センサインクは、圧電および焦電ポリマーに埋め込まれた無機の強誘電性ナノ粒子のナノ複合材料によって形成されてもよい。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３０】
改善された巨視的な圧電および焦電応答を提供するために、アモルファス基質に埋め込まれた、ランダムに順序付けられかつ双極子を含む複数のナノ結晶が、センサ電極に対して垂直に整列している。これは、ソーヤタワー回路を用いたセンサのヒステリシスポーリング（hysteresis poling）によって実現することができる。十分な量で耐久性のある双極子配列に対して、電界は、保磁力の２倍である約１４０ＭＶ／ｍが印加されている。この手順は、１０Ｈｚのポーリング周波数で７０ｍＣ／ｍ2の非常に大きな残留分極を導く。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成29年9月6日(2017.9.6)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
再生エネルギを、それが存在する時、又は、それが作り出された後に貯蔵する方法であって、
前記再生エネルギが、貯蔵可能な中間生成物が原料から作られる処理に供給され、前記貯蔵可能な中間生成物が、それが最終製品の製造のために必要とされて取り出されるまで貯蔵され、
前記中間生成物が直接還元法によって得られる鉄材料であり、
前記原料が水素、および／又は、水素含有又は炭素含有ガス流、を使用して直接還元される鉄鉱であり、前記水素は再生的に作り出された電気エネルギによる水の電気分解によって得られ、
前記還元のための前記水素には、少なくとも前記中間生成物中の炭素含有率を０．０００５質量％〜６．３質量％にするのに十分な炭素含有又は水素含有ガスが種々の態様で添加されており、
ＣＯ２の発生を伴わないことを特徴とする方法。
【請求項２】
存在する再生エネルギ量が許す限りたくさんの中間生成物が作り出され、この中間生成物が、当該中間生成物に対する需要と無関係に貯蔵される請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記中間生成物は、電気エネルギを使用して製錬又は変換される製品、および／又は、電気エネルギを使用する機械的処理によって原材料から作られる製品、および／又は、電気エネルギを使用して作り出されたガスによって変換される製品である請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
鉄鉱が水素、および／又は、水素含有又は炭素含有ガス流、によって還元され、それによって得られる還元鉄鉱の中間生成物が更なる冶金処理されるものにおいて、前記水素が水の電気分解によって作り出され、この電気分解のために必要な前記電気エネルギが、水力発電、風力、太陽光源、又は、その他の再生形態のエネルギ、からの再生エネルギであり、
前記水素および／又は前記中間生成物が、十分な再生生成電気エネルギが利用可能である時にはいつでも、現在の需要とは無関係に作り出され、そして、
必要とされない中間生成物が需要が生じるまで、または、使用されるまで、貯蔵され、それによって、その中に貯蔵された前記再生エネルギも又貯蔵される請求項１〜３の何れか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記中間生成物を作り出すための前記鉄鉱の還元において、当該還元処理において前記中間生成物に対して炭素を組み込むために、元素として炭素又は水素の少なくとも一方を含有するガスが、種々の態様で前記水素に添加される請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記元素として炭素又は水素の少なくとも一方を含有するガスは、工業処理又はバイオマス製造又は再生可能資源の熱分解からのメタン又はその他の炭素含有ガスである請求項１〜５の何れか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記還元のための前記水素には、少なくとも前記中間生成物中の炭素含有率を１質量％〜３質量％にするのに十分な炭素含有又は水素含有ガスが種々の態様で添加されている請求項１〜６の何れか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記還元のための前記水素は、４５０℃〜１２００℃の温度で、前記還元処理に導入される請求項１〜７の何れか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記還元における過剰圧は、０ｂａｒ〜１５ｂａｒである請求項１〜８の何れか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記還元のための前記水素として、十分な再生エネルギがある場合には、再生エネルギで生成された水素が使用され、再生エネルギが不在の場合には、炭素含有又は水素含有ガス流に切り替える請求項１〜９の何れか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記ガス流全体における水素、および／又は、水素含有又は炭素含有ガス流、の含有率の調節が予測制御によって行われ、
前記予測制御は、
水素、および／又は、
再生エネルギ、および／又は、
バイオガス又は再生可能資源のガス化に由来する炭素含有又は水素含有ガス流、
を測定し、および／又は、
天気予報に基づいて再生エネルギの製造量を推定し、そして、
外部消費者の需要予想が前記予想制御に組み入れられ、
それによって、再生源からの電気エネルギの流通を最適化し最も経済的にする請求項１〜１０の何れか一項に記載の方法。
【請求項１２】
直接還元システムを出るガス流のほぼ全部が前記直接還元システムに供給される請求項４〜１１の何れか一項に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２６】
同様に風、水力発電、又は太陽エネルギから作り出されたエネルギのみを使用して対応のアーク炉を運転すれば、ＣＯ２の発生を伴わないスチール製造又は精練（たとえば溶融マグネシア）と、更に、再生エネルギの貯蔵が達成される。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月14日(2016.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
長尺要素と前記長尺要素の一端に配置可能なエンドエフェクタ（２００）とを備える医療機器であって、
前記エンドエフェクタ（２００）は油圧作動機構（１００）によって動作可能であり、
前記油圧作動機構（１００）は、少なくとも１つ、好ましくは２つ、３つ、４つ又は５つの作動液用オーバーフロー通路（１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ）を有するシリンダ本体（１１０）であって、前記少なくとも１つのオーバーフロー通路（１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ）が、少なくとも１つの孔を介して前記シリンダ本体（１１０）の内部に連絡される前記シリンダ本体（１１０）と、
前記シリンダ本体（１１０）内に、前記シリンダ本体（１１０）の長手方向軸（Ａ）に沿って移動可能なピストン（１４０）であって、前記シリンダ本体（１１０）の前記内部を第１のシリンダ室と第２のシリンダ室とに分割し、ピストンロッド（１４１）を介して前記エンドエフェクタ（２００）に連絡される前記ピストン（１４０）と、
作動液を前記第１のシリンダ室に導入する少なくとも１つの連絡部（１２３）と、
前記シリンダ本体（１１０）の前記少なくとも１つのオーバーフロー通路（１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ）に連絡する少なくとも１つの更なる連絡部（１２４ａ、１２４ｂ、１２４ｃ、１２４ｄ、１２４ｅ）とを備えており、
手術器具及び／又は光学機器及び／又は治療機器用の少なくとも１つの通路（１３０）が、前記シリンダ本体（１１０）の前記内部（１１３）に配置され、前記通路（１３０）は、前記ピストンロッド（１４１）内に配置される、医療機器。
【請求項２】
前記手術器具は、好ましくは螺旋状先端（３０２）を有する、組織介入要素（３００）である、請求項１に記載の医療機器。
【請求項３】
前記少なくとも１つのオーバーフロー通路（１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ）は、前記シリンダ本体（１１０）の外壁（１１１）の凹部として構成され、少なくとも１つの孔（１１４ｃ）を介して前記シリンダ本体（１１０）の前記内部（１１３）に連絡し、
前記少なくとも１つのオーバーフロー通路（１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ）は、前記作動液用の少なくとも１つの連絡部（１２４ａ、１２４ｂ、１２４ｃ、１２４ｄ、１２４ｅ）に連絡する、請求項１又は２に記載の医療機器。
【請求項４】
前記少なくとも１つのオーバーフロー通路（１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ）は、前記シリンダ本体（１１０）の外壁（１１１）上の凹部として、前記シリンダ本体（１１０）の前記長手方向軸（Ａ）に対して実質的に垂直に伸び、少なくとも１つの孔（１１４ｃ）を介して前記シリンダ本体（１１０）の前記内部（１１３）に連絡する第１の部分を有し、
前記少なくとも１つのオーバーフロー通路（１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ）は、前記シリンダ本体（１１０）の外面上の凹部として、前記シリンダ本体（１１０）の前記長手方向軸（Ａ）に実質的に平行に伸びる第２の部分を有し、
前記少なくとも１つのオーバーフロー通路（１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ）は、前記作動液用の連絡部（１２４ａ、１２４ｂ、１２４ｃ、１２４ｄ、１２４ｅ）に連絡する、前記シリンダ本体（１１０）の基体における第３の部分を有する、請求項１から３のいずれか１項に記載の医療機器。
【請求項５】
前記少なくとも１つのオーバーフロー通路（１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ）の前記第１の部分の前記少なくとも１つの孔は、前記シリンダ本体（１１０）内側の前記ピストン（１４０）が、上側ピストンストップと下側ピストンストップとの間に設けられる少なくとも１つの所定の中間位置に来るように、前記上側ピストンストップと前記下側ピストンストップとの間に配設されている、請求項４に記載の医療機器。
【請求項６】
前記エンドエフェクタ（２００）は、開放位置から少なくとも１つの閉鎖位置まで、好ましくは２つの閉鎖位置まで、互いに向かって移動可能な、２つの好ましくは爪状の、把持要素（２１１）を備える、請求項１から５のいずれか１項に記載の医療機器。