Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月7日(2017.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
ユーザーの秘密鍵を用いて電子ファイルに署名でき、該ユーザーの汎用コンピュータ装置上に特定のハードウェアおよびソフトウェアをインストールする必要のない解決法が求められている。
この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、以下のものがある（国際出願日以降国際段階で引用された文献及び他国に国内移行した際に引用された文献を含む）。
（先行技術文献）
（特許文献）
（特許文献１）  米国特許出願公開第２０１１／０３１４３０４号明細書
（特許文献２）  米国特許出願公開第２００８／０２６３３６３号明細書
（特許文献３）  米国特許出願公開第２００２／０１８４２５９号明細書
（特許文献４）  米国特許出願公開第２００２／０１８８８５５号明細書
（特許文献５）  米国特許出願公開第２００３／０１７７３９２号明細書
（特許文献６）  米国特許出願公開第２００３／０１７７３５３号明細書
（特許文献７）  米国特許出願公開第２００５／００６５９３２号明細書
（特許文献８）  米国特許出願公開第２００６／００２０７０６号明細書
（特許文献９）  米国特許出願公開第２００６／００７２１４４号明細書
（特許文献１０）  米国特許出願公開第２００６／０１０６８３６号明細書
（特許文献１１）  米国特許出願公開第２００６／０２０９３３３号明細書
（特許文献１２）  米国特許出願公開第２００９／０００６８４５号明細書
（特許文献１３）  米国特許出願公開第２００９／０２７６４７４号明細書
（特許文献１４）  米国特許出願公開第２００９／０２７６８２９号明細書
（特許文献１５）  米国特許出願公開第２０１３／０１１９１３０号明細書
（特許文献１６）  米国特許出願公開第２０１４／０１６５１３４号明細書
（特許文献１７）  米国特許第８，７８２，４０７号明細書
（特許文献１８）  米国特許出願公開第２０１５／０１０３３８３号明細書
（非特許文献）
（非特許文献１）  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｓｅａｒｃｈ  Ｒｅｐｏｒｔ  ａｎｄ  Ｗｒｉｔｔｅｎ  Ｏｐｉｎｉｏｎ  ｆｏｒ  ＰＣＴ／ＵＳ２０１４／０７１０８８  ｍａｉｌｅｄ  Ｍａｒｃｈ  １１，２０１５．
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月6日(2017.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（i）対象から得られたサンプルにおいて、P2Y14のレベルを測定する工程；
（ii）該P2Y14のレベルを参照レベルと比較する工程；および
（iii）対象を、（a）P2Y14のレベルが参照レベルを上回る場合に腎臓の炎症を有するとして特定し、（b）P2Y14のレベルが参照レベルであるかまたは参照レベルを下回る場合に腎臓の炎症を有さないとして特定する工程
を含むアッセイ。
【請求項２】
（i）対象から得られたサンプルにおいて、P2Y14のレベルをアッセイする工程；
（ii）該P2Y14のレベルを参照レベルと比較する工程；および
（iii）対象を、（a）P2Y14のレベルが参照レベルを上回る場合に腎臓の炎症を有するとして特定し、（b）P2Y14のレベルが参照レベルであるかまたは参照レベルを下回る場合に腎臓の炎症を有さないとして特定する工程
を含む、対象の腎臓の炎症を検出する方法。
【請求項３】
（i）対象から得られたサンプルにおいて、UDP-グルコースのレベルを測定する工程；
（ii）該UDP-グルコースのレベルを参照レベルと比較する工程；および
（iii）対象を、（a）UDP-グルコースのレベルが参照レベルを上回る場合に腎臓の炎症を有するとして特定し、（b）UDP-グルコースのレベルが参照レベルであるかまたは参照レベルを下回る場合に腎臓の炎症を有さないとして特定する工程
を含むアッセイ。
【請求項４】
（i）対象から得られたサンプルにおいて、UDP-グルコースのレベルをアッセイする工程；
（ii）該UDP-グルコースのレベルを参照レベルと比較する工程；および
（iii）対象を、（a）UDP-グルコースのレベルが参照レベルを上回る場合に腎臓の炎症を有するとして特定し、（b）UDP-グルコースのレベルが参照レベルであるかまたは参照レベルを下回る場合に腎臓の炎症を有さないとして特定する工程
を含む、対象の腎臓の炎症を検出する方法。
【請求項５】
P2Y14のレベルが、
（ａ）タンパク質レベルである、
（ｂ）タンパク質レベルであり、免疫アッセイによって測定される、または
（ｃ）P2Y14をコードする核酸を測定することによって測定される、
請求項1または2記載のアッセイまたは方法。
【請求項６】
サンプルが、
（ａ）抗P2Y14抗体、
（ｂ）検出可能なように標識されているかもしくは検出可能なシグナルを生成することができる抗P2Y14抗体、
（ｃ）蛍光標識されている抗P2Y14抗体、または
（ｄ）検出可能なように蛍光標識されている抗P2Y14抗体
と接触させられる、請求項5記載のアッセイまたは方法。
【請求項７】
対象から得られたサンプルにおけるUDP-グルコースのレベルを測定する工程および該UDP-グルコースのレベルを参照レベルと比較する工程をさらに含む、請求項1、2、5または6記載のアッセイまたは方法。
【請求項８】
P2Y14またはUDP-グルコースのレベルが参照レベルを上回る場合に提供される処置が、P2Y14阻害剤を含む、請求項1〜7のいずれか一項記載のアッセイまたは方法。
【請求項９】
参照レベルが、健常対象の集団における平均P2Y14レベルもしくは平均UDP-グルコースレベルであるか、または、健常対象の集団における平均P2Y14レベルもしくは平均UDP-グルコースレベルを2標準偏差上回る、請求項1〜8のいずれか一項記載のアッセイまたは方法。
【請求項１０】
初期の炎症を検出する、請求項1〜9のいずれか一項記載のアッセイまたは方法。
【請求項１１】
サンプルが尿サンプルである、請求項1〜10のいずれか一項記載のアッセイまたは方法。
【請求項１２】
対象が哺乳動物またはヒトである、請求項1〜11のいずれか一項記載のアッセイまたは方法。
【請求項１３】
腎臓の炎症に罹患した対象における処置経過をモニタリングする方法であって、
（i）第1の時点において、該対象から得られた第1のサンプルにおけるP2Y14の第1のレベルを測定する工程；
（ii）腎臓の炎症を処置するための治療剤を該対象に投与する工程；および
（iii）第2の時点において、該対象から得られた第2のサンプルにおけるP2Y14の第2のレベルを測定する工程であって、ここで第2の時点が第1の時点よりも後でありかつ前記投与の後であり、第2のレベルが第1のレベルよりも有意に低い場合、処置が有効とみなされる、工程
を含む、前記方法。
【請求項１４】
腎臓の炎症に罹患した対象における処置経過をモニタリングする方法であって、
（i）第1の時点において、該対象から得られた第1のサンプルにおけるUDP-グルコースの第1のレベルを測定する工程；
（ii）腎臓の炎症を処置するための治療剤を該対象に投与する工程；および
（iii）第2の時点において、該対象から得られた第2のサンプルにおけるUDP-グルコースの第2のレベルを測定する工程であって、ここで第2の時点が第1の時点よりも後でありかつ前記投与の後であり、第2のレベルが第1のレベルよりも有意に低い場合、処置が有効とみなされる、工程
を含む、前記方法。
【請求項１５】
（ａ）第1のサンプルおよび第2のサンプルが尿サンプルである、
（ｂ）治療剤がP2Y14阻害剤である、かつ／または
（ｃ）対象がヒトである、
請求項14記載の方法。
【請求項１６】
P2Y14阻害剤を含む、腎臓の炎症を有する対象または参照レベルを上回るP2Y14もしくはUDP-グルコースのレベルを有すると判定された対象を処置するための薬学的組成物。
【請求項１７】
（ａ）P2Y14阻害剤がPPTNもしくは抗P2Y14抗体である、かつ／または
（ｂ）対象がヒトである、
請求項16記載の薬学的組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月1日(2017.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バッテリに結合されるように構成された第1の端子、および電子システムに結合されるように構成された第2の端子を有するバッテリ電界効果トランジスタ(FET)であって、前記バッテリからの電流が前記バッテリFETを通って前記電子システムへ流れ、前記バッテリFETが、複数のFETを備え、前記複数のFETは、前記複数のFETの各々のソースおよび前記複数のFETの各々のドレインを結合することにより並列に結合され、前記複数のFETの各々は、個別の制御端子を有する、電界効果トランジスタ(FET)と、
システム状態入力を受け取る入力を有し、かつ、前記システム状態入力に基づいて複数のスイッチ制御信号を提供する出力を有する論理ブロックと、
前記複数のスイッチ制御信号に結合された第1の端子を有し、かつ、前記複数のFETの前記個別の制御端子を第1の基準電圧端子または第2の基準電圧端子のうちの1つに選択的に結合し、それにより各FETを独立してターンオンまたはターンオフするために、前記複数のFETの前記個別の制御端子に独立して結合された第2の端子を有する切換え回路と、
前記バッテリFETの前記第1の端子に結合された第1の入力端子を有し、前記バッテリFETの前記第2の端子に結合された第2の入力端子を有し、前記第1の入力端子および前記第2の入力端子に印加される信号に応答してデジタル値を提供する出力を有するアナログ-デジタル変換器と
を備える回路。
【請求項２】
前記切換え回路が複数のスイッチを備え、各スイッチが、前記複数のスイッチ制御信号のうちの1つに結合された制御端子、および前記FETのうちの対応する1つの個別の制御端子に結合された第1の端子を有し、各スイッチが、前記複数のFETのうちの1つの前記個別の制御端子のうちの1つを前記第1の基準電圧端子または前記第2の基準電圧端子のうちの1つに選択的に結合し、それにより前記FETを独立してターンオンまたはターンオフする、請求項1に記載の回路。
【請求項３】
第1のシステムモードが第2のシステムモードにおけるバッテリ電流よりも対応するより小さいバッテリ電流を有している場合、前記第1のシステムモードにおいてターンオンされるように構成されるFETの第1の数は、第2のシステムモードにおいてターンオンされるFETの第2の数よりも少ない、請求項1に記載の回路。
【請求項４】
前記システム状態入力が、前記電子システムのクロック動作の状態、電圧調整器の状態、ソフトウェアアプリケーションの状態、電流引出しの状態およびシステムモードのうちの少なくとも1つを含む、請求項1に記載の回路。
【請求項５】
前記アナログ-デジタル変換器が、前記スイッチ制御信号を受け取り、前記スイッチ制御信号に基づいて前記デジタル値をスケーリングするための第3の端子を有する、請求項1に記載の回路。
【請求項６】
バッテリ電界効果トランジスタ(FET)を介してバッテリ電流を電子システムとバッテリとの間で結合するステップであって、前記バッテリFETが複数のFETを備え、前記複数のFETは、前記複数のFETの各々のソースおよび前記複数のFETの各々のドレインを結合することにより並列に結合され、前記複数のFETの各々は、個別の制御端子を有する、ステップと、
システム状態入力を論理ブロック内で受け取り、かつ、前記システム状態入力に基づいて複数のスイッチ制御信号を生成するステップと、
前記スイッチ制御信号を使用して複数のスイッチを選択的にアクティブ化するステップであって、前記複数のスイッチが前記複数のFETの前記個別の制御端子を第1の基準電圧または第2の基準電圧のうちの1つに選択的に結合し、それにより各FETを独立してターンオンまたはターンオフするステップと、
前記FETのうちの1つまたは複数にわたる電圧をデジタル値に変換するステップと
を含む方法。
【請求項７】
第1のシステムモードにおいて第1の数のFETをターンオンするステップと、
第2のシステムモードにおいて第2の数のFETをターンオンするステップと
をさらに含み、前記第1のシステムモードが前記第2のシステムモードにおけるバッテリ電流よりも、対応するより小さいバッテリ電流を有している場合、前記第1の数のFETが前記第2の数のFETよりも少ない、請求項6に記載の方法。
【請求項８】
前記システム状態入力が、クロック動作の状態、電圧調整器の状態、ソフトウェアアプリケーションの状態、電流引出しの状態およびシステムモードのうちの少なくとも1つを含む、請求項6に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月25日(2017.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サイズ剤と、キシラン若しくはアラビノガラクタン又はこれらの混合物を含む変性非食物多糖とを含有し、該変性非食物多糖が非食物多糖をカチオン性荷電アミノ試薬で変性することによって得られ、前記サイズ剤に対する前記変性非食物多糖の割合が０．０５〜１であることを特徴とする安定化サイズ製剤。
【請求項２】
前記サイズ剤が、ＡＫＤ若しくはＡＳＡ又はこれらの組み合わせであることを特徴とする、請求項１に記載の安定化サイズ製剤。
【請求項３】
前記非食物多糖が、キシラン若しくはアラビノガラクタン又はこれらの混合物であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の安定化サイズ製剤。
【請求項４】
前記カチオン性荷電アミノ試薬がグリシジルトリメチルアンモニウムクロリドであることを特徴とする、請求項１に記載の安定化サイズ製剤。
【請求項５】
前記変性非食物多糖の置換度が０．０３〜１．５であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の安定化サイズ製剤。
【請求項６】
前記サイズ製剤が、分散液の形態にあることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の安定化サイズ製剤。
【請求項７】
前記サイズ剤と、キシラン若しくはアラビノガラクタン又はこれらの混合物を含む前記変性非食物多糖であって、該変性非食物多糖が非食物多糖をカチオン性荷電アミノ試薬で変性することによって得られる変性非食物多糖とを水溶液中で接触させ、次いで、１４０〜１６０ｂａｒの圧力で均質化させることによって分散液を形成することを特徴とする、請求項１に記載の安定化サイズ製剤の製造方法。
【請求項８】
紙又は紙製品をサイズ処理するために使用される、請求項１〜６のいずれか一項に記載の安定化サイズ製剤。
【請求項９】
前記安定化サイズ製剤のパルプへの投与量が０．５〜３ｋｇ／ｔであることを特徴とする、請求項８に記載の安定化サイズ製剤。
【請求項１０】
カチオン性荷電アミノ試薬と反応させることによって多糖を官能基化することを含む請求項１に記載の前記変性非食物多糖を製造する方法であって、
ｉ．帯電剤、水、及び触媒量の塩基の混合物を作り、該混合物を室温よりも高い温度で十分に攪拌し、
ｉｉ．段階ｉで得られた混合物に、キシラン若しくはアラビノガラクタン又はこれらの混合物を含む前記非食物多糖と少量の水とを入れ、得られた混合物を一定温度で数時間攪拌し、次いで
ｉｉｉ．結果として得られたカチオン性帯電非食物多糖を、回収の前に洗浄及び濾過する
段階を有することを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月17日(2017.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
事実、すなわち本発明の範囲内で、当該の膜８は、最終的に排ガス流２中に存在するガスのそれぞれの排ガスに対して、それらのガスが供給空気流１中に進入できないよう、非透過性である。それに対して、該膜８を介して、排ガス流２に含まれる湿気を拡散させて、供給空気流１を加湿することができる。さらに、フィラー中で合成樹脂バインダー又は例えば、アクリレートのような接着剤を利用することによって、膜８を構造化することが可能であり、また、図２に拡大して示したような三次元に構成することができる。それによって、膜８の表面が全体として増大し、そして、それ故、湿気の移動を最適化することができる。事実、この例において膜８は、断面においてジグザグのプロフィルを有している。さらに、均圧化することなく、該膜８が、二つの気流１、２の間で２，０００Ｐａ超の圧力差を可能にすることが測定によって示されている。それによって、排ガス流２から、供給空気流１中へ排ガスが移動して移行する危険性がない。むしろ、当該膜８は、記載した湿気の移動にだけ透過性である。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成29年7月18日(2017.7.18)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
表面処理層を形成する段階は、銅箔を金属、アンモニウム化合物及び錯化剤を含む表面処理液に浸漬して電解して遂行されることができる。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
表面処理液に含まれるアンモニウム化合物は、硫酸アンモニウムであることができるし、錯化剤はクエン酸、グリシン及びピロリン酸のうちで少なくともいずれか一つであることができる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
金属は１乃至５０g/lの含量で含まれて、アンモニウム化合物は１乃至１００g/lの含量で含まれて、錯化剤は１乃至１００g/lの含量で含まれることができる。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４８】
本発明のもう一つの側面によれば、銅箔を準備する段階と、及び銅箔の少なくとも一面に金属酸化物を含む表面処理層を形成する段階と、を含む銅箔の表面処理方法が提供される。すなわち、本実施例では表面が未処理された未処理銅箔の少なくとも一面に金属酸化物を含む表面処理層を形成して表面処理された銅箔を製造する。表面処理層を形成する段階は、銅箔を金属、アンモニウム化合物及び錯化剤を含む表面処理液に浸漬して電解して遂行されることができる。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４９】
本発明による銅箔の表面処理方法では、銅箔を金属と、アンモニウム化合物と、及び錯化剤を含む表面処理液に浸漬して電解して金属酸化物を含む表面処理層を形成する。金属酸化物に形成される金属はＣｕ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｉｎ及びＷのうちで少なくともいずれか一つが使用される。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５０】
表面処理液にはアンモニウム化合物及び錯化剤が含まれるが、アンモニウム化合物は硫酸アンモニウムであることができるし、錯化剤はクエン酸、グリシン、ピロリン酸、及び硼酸でなされた群から選択された一つ以上であることがあるが、必ずこれらに限定されないし、当該技術分野で錯化剤で使用することができるものならすべて可能である。クエン酸は金属塩形態であることができる。例えば、クエン酸の金属塩はクエン酸カリウム、クエン酸ナトリウム、クエン酸鉄、クエン酸カルシウム、クエン酸三ナトリウム、クエン酸鉄アンモニウムまたはこれらの混合物であることができる。クエン酸の金属塩はめっき浴に添加されればシトレート(citrate)イオンになる。シトレートイオンはめっき液に含まれた金属が金属酸化物形態でメッキされることを手伝ってくれる役割をして、めっき浴の電圧を低めてくれる役割をする。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５２】
アンモニウム化合物は１乃至１００g/lの含量で含まれて、錯化剤は１乃至１００g/lの含量で含まれることができる。アンモニウム化合物はアンモニア水、硫酸アンモニウム、塩化アンモニウム及び酢酸アンモニウムのうちで少なくともいずれか一つであることができるが、これらに限定されないし、当該技術分野で使用することができるものならすべて可能である。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５６】
耐熱及び耐化学性処理は、例えば、ニッケル、スズ、亜鉛、クロム、モリブデン及びコバルトなどの金属のうちでいずれか一つまたはこれらの合金をスパッタリングまたは電気メッキ、無電解メッキによって金属箔上に薄膜形成することで実施することができる。コスト面では電気メッキが望ましい。金属イオンの析出を易しくするためにシトラ酸塩、酒石酸塩、スルファミン酸などの錯化剤を必要量添加することができる。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１０】
前記表面処理層を形成する段階は、
前記銅箔を金属、アンモニウム化合物及び錯化剤を含む表面処理液に浸漬して電解する段階である請求項９に記載の銅箔の表面処理方法。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１３】
前記錯化剤はクエン酸、グリシン及びピロリン酸のうちの少なくともいずれか一つの請求項１０に記載の銅箔の表面処理方法。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１６】
前記錯化剤は１乃至１００g/lの含量で含まれるものである請求項１０に記載の銅箔の表面処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年10月30日(2017.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
【図１ａ】底部基材１２０、スペーサ層１３０、および構造化されたまたは構造化されていない横断する細孔を含む上部基材１１０、ならびに側方開口部２１０からなるナノ流体バイオセンサシステムの斜視図である。蛍光標識された生体分子を含む溶液３００が、ピペットシステム４００によって、側方開口部２１０からバイオセンサの内部に入るように配置される。測定には通常、レーザビーム５１０に基づく光学システム５００が用いられる。
【図１ｂ】底部基材１２０、スペーサ層１３０、および構造化されたまたは構造化されていない横断する細孔を規定の位置１５０に含む上部基材１１１、ならびに側方開口部２１０からなるナノ流体バイオセンサシステムの斜視図である。蛍光標識された生体分子を含む溶液３００が、ピペットシステム４００によって、側方開口部２１０からバイオセンサの内部に入るように配置される。測定には通常、レーザビーム５１０に基づく光学システム５００が用いられる。
【図２ａ】ナノ流体バイオセンサを構成する基材１１１の上面視断面図（ｔｏｐ  ｖｉｅｗ  ｃｒｏｓｓ  ｓｅｃｔｉｏｎ）である。入力用の側方開口部２１０、ナノスリット２３０および出力用の開口部２２０が、流体システムを構成する。ナノスリットの内部に測定領域が画成される。システムがその平衡に達すると、溶液が、入力用の側方開口部３０１、ナノスリット３０２および出力用の側方開口部３０３に見られるようになる。液体駆動用の構成要素によって動かされた溶液の流れの前部（ｆｌｏｗ  ｆｒｏｎｔ）が完全に均一ではない場合、気泡３５０が形成される可能性がある。
【図２ｂ】ナノ流体バイオセンサを構成する基材１１１の上面視断面図である。入力用の側方開口部２１０、ナノスリット２３０および出力用の開口部２２０が、流体システムを構成する。測定領域がナノスリット２３０の内部に画成され、基材を横断貫通する細孔１５０が、出力用の側方開口部２２０の内部に直接画成される。出力用の側方開口部２２０の内部には、液体駆動用の構成要素も存在する。システムがその平衡に達すると、溶液が、入力用の側方開口部３０１、バイオセンサの入口（ナノスリット）３０２および出力用の側方開口部３０３に見られるようになる。細孔システム１５０を通して気体が排出されるため、気泡は存在しない。
【図３ａ】２つの基材１１０および１２０によって画成され、ナノスリット２３０によって互いに連結された入力用の側方開口部２１０および出力用の側方開口部２２０により構成されるナノ流体バイオセンサの横断面図である。出力用の側方開口部２２０は、液体駆動システム１４０を含むことができる。基材１１０は、全体的に横断貫通する細孔を伴う多孔性である。
【図３ｂ】２つの基材１１１および１２０によって画成され、ナノスリット２３０によって互いに連結された入力用の側方開口部２１０および出力用の側方開口部２２０により構成されるナノ流体バイオセンサの横断面図である。出力用の側方開口部２２０は、液体駆動システム１４０を含むことができる。基材１１１は、局所的に横断貫通する細孔１５０を伴う多孔性であるように構造化することができる。
【図３ｃ】２つの基材１１１および１２０によって画成され、ナノスリット２３０によって互いに連結された入力用の側方開口部２１０および内部リザーバ２２１により構成されるナノ流体バイオセンサの横断面図である。内部リザーバ２２１は、液体駆動システム１４０を含むことができる。基材１１１は、局所的に横断貫通する細孔１５０伴う多孔性であるように構造化することができる。
【図３ｄ】２つの基材１１１および１２０によって画成され、ナノスリット２３０によって互いに連結された入力用の側方開口部２１０および出力用の側方開口部２２０により構成されるナノ流体バイオセンサの横断面図である。出力用の側方開口部２２０は、液体駆動システム１４０を含むことができる。基材１１１は、局所的に横断貫通する孔またはスリット１５１を伴って構造化することができる。
【図３ｅ】２つの基材１１２および１２１によって画成され、ナノスリット２３０によって互いに連結された入力用の側方開口部２１０および出力用の側方開口部２２０により構成されるナノ流体バイオセンサの横断面図である。出力用の側方開口部２２０は、液体駆動システム１４０を含むことができる。基材１２１は、局所的に横断貫通する細孔１５０を伴う多孔性であるように構造化することができる。
【図４】２つの基材１１１および１２０によって画成され、ナノスリット２３０によって互いに連結された入力用の側方開口部２１０および出力用の側方開口部２２０により構成されるナノ流体バイオセンサの横断面図である。基材の一方のみが、バイオマーカ３１０によって機能化された領域２３１、およびそうした機能化を妨げる他の領域２０３によって局所的に構造化される。生体分子を含む試薬の溶液３００が、入力用の側方開口部２１０からナノスリット２３０に入り、出力用の側方開口部２２０へ向かい、内部駆動用の構成要素１４０によって動かされる。出力用の側方開口部２２０に達すると、検出予定の分子３２０および他の分子３３０を含む溶液３００が、構造化された横断貫通する細孔１５２を充填する。図は、完全に充填された細孔１５３、充填されつつある細孔１５４、および充填予定の細孔１５５を示している。レーザビームが、検出ボリューム５２０内の固定された生体分子３４０の濃度をモニターする。
【手続補正書】
【提出日】平成29年10月27日(2017.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光拡散光ファイバにおいて、
コアガラス組成物から構成された、前記ファイバ内のコア領域、および
前記コア領域を取り囲み、前記コアガラス組成物とは実質的に異なるクラッドガラス組成物から構成された、前記ファイバ内の内側クラッド、
を備え、
前記コアガラス組成物は、９０質量％未満のＳｉＯ2を有する低融点ドープシリカガラスを含み、前記ファイバの開口数は０．４以上である、光拡散光ファイバ。
【請求項２】
前記内側クラッドを取り囲み、高分子組成物から構成された、前記ファイバ内の外側クラッドをさらに備えた、請求項１記載の光拡散光ファイバ。
【請求項３】
前記外側クラッドが、（ｉ）内側層および散乱粒子がドープされた外側散乱層、もしくは（ｉｉ）散乱粒子がドープされた散乱層、をさらに含む、請求項２記載の光拡散光ファイバ。
【請求項４】
光拡散光ファイババンドルにおいて、
散乱要素を含むジャケット、および
前記ジャケット内に配列された複数の光ファイバ、
を備え、
前記光ファイバの各々は、
（ａ）コアガラス組成物から構成されたコア領域、および
（ｂ）前記コア領域を取り囲み、前記コアガラス組成物とは実質的に異なるクラッドガラス組成物から構成された内側クラッド、
を備え、
前記光ファイバの各々の前記コアガラス組成物は、９０質量％未満のＳｉＯ2を有する低融点ドープシリカガラスを含み、前記ファイバの開口数は０．４以上である、光拡散光ファイババンドル。
【請求項５】
前記散乱要素が、前記ジャケット内の前記複数の光ファイバの間に配置された散乱充填剤である、請求項４記載の光拡散光ファイババンドル。
【請求項６】
前記散乱充填剤に散乱粒子がドープされている、請求項５記載の光拡散光ファイババンドル。
【請求項７】
光拡散光ファイババンドルにおいて、
透明ジャケット、および
前記ジャケット内に配列された複数の光ファイバ、
を備え、
前記光ファイバの各々は、
（ａ）コアガラス組成物から構成されたコア領域と、
（ｂ）前記コア領域を取り囲み、前記コアガラス組成物とは実質的に異なるクラッドガラス組成物から構成された内側クラッドと、
（ｃ）前記内側クラッドを取り囲み、高分子組成物および複数の散乱要素から構成された、前記ファイバ内の外側クラッドと、
を備え、
前記光ファイバの各々の前記コアガラス組成物は、９０質量％未満のＳｉＯ2を有する低融点ドープシリカガラスを含み、前記ファイバの開口数は０．４以上である、光拡散光ファイババンドル。
【請求項８】
前記コアガラス組成物が、ソーダ石灰ケイ酸塩ガラス、アルカリホウケイ酸ガラスおよびアルミノケイ酸塩ガラスからなる群より選択される、請求項１または２記載の光拡散光ファイバ。
【請求項９】
前記コアガラス組成物が、ソーダ石灰ケイ酸塩ガラス、アルカリホウケイ酸ガラスおよびアルミノケイ酸塩ガラスからなる群より選択される、請求項４から７いずれか１項記載の光拡散光ファイババンドル。
【請求項１０】
前記ファイバが、０．５から５ｄＢ／ｍの光散乱を示す、請求項１または２記載の光拡散光ファイバ。
【請求項１１】
前記ファイババンドルが、０．５から５ｄＢ／ｍの光散乱を示す、請求項４から７および９いずれか１項記載の光拡散光ファイババンドル。
【請求項１２】
前記光ファイバの各々が、ある線引き温度でのダウンドロー法を使用して製造され、
前記コアガラス組成物および前記クラッドガラス組成物が、前記線引き温度で、該コアガラス組成物および該クラッドガラス組成物の間に１から１０ポアズの絶対粘度不一致が存在するように選択される、請求項１または２記載の光拡散光ファイバ。
【請求項１３】
前記光ファイバの各々が、ある線引き温度でのダウンドロー法を使用して製造され、
前記コアガラス組成物および前記クラッドガラス組成物が、前記線引き温度で、該コアガラス組成物および該クラッドガラス組成物の間に１から１０ポアズの絶対粘度不一致が存在するように選択される、請求項４から７いずれか１項記載の光拡散光ファイババンドル。
【請求項１４】
前記光ファイバの各々が、ダウンドロー法を使用して製造され、前記低融点ドープシリカガラスに、ガス状または溶融物形態にあるドーパントが前記ダウンドロー法中にドープされる、請求項４または７記載の光拡散光ファイババンドル。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
コア領域１０のガラス組成物は、ソーダ石灰ケイ酸塩ガラス、アルカリホウケイ酸ガラスまたはアルミノケイ酸塩ガラスとして特徴付けられることが好ましい。ソーダ石灰ケイ酸塩ガラスは、様々なレベルのＮａ2Ｏ、ＣａＯおよびＳｉＯ2を含み得る。例えば、適切なソーダ石灰ケイ酸塩ガラス組成物は、質量パーセントで与えられた７２ＳｉＯ2−１７Ｎａ2Ｏ−４ＣａＯ−５Ｌｉ2Ｏ−２ＭｇＯである。アルカリホウケイ酸ガラスは、様々なレベルのＳｉＯ2、Ｂ2Ｏ3およびアルカリ、例えば、Ｎａ2Ｏを含み得る。例えば、適切なアルカリホウケイ酸ガラス組成物は、質量パーセントで与えられた７５ＳｉＯ2−０．０〜１０．０Ｂ2Ｏ3−０．０〜２５．０Ｎａ2Ｏである。アルミノケイ酸塩ガラスは、様々なレベルのＳｉＯ2およびＡｌ2Ｏ3を含み得る。このアルミノケイ酸塩ガラス組成物に、アルカリ、例えば、Ｎａ2Ｏも含まれることがある。例えば、適切なアルミノケイ酸塩ガラス組成物は、質量パーセントで与えられた５０．０〜７５．０ＳｉＯ2−０．０〜２０．０Ｂ2Ｏ3−０．０〜１５．０Ａｌ2Ｏ3−０．０〜１．５Ｌｉ2Ｏ−３．０〜１１．０Ｎａ2Ｏを含む。
【手続補正書】
【提出日】平成29年10月19日(2017.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
哺乳類細胞培養により産生される組換えタンパク質の高マンノース型グリコフォーム含量を低減させる方法であって、
Ｎ−グリコシル化経路に関与するタンパク質を過剰発現するように哺乳類宿主細胞をトランスフェクトすることと、ここで、前記Ｎ−グリコシル化経路に関与する前記タンパク質は、Ｎ−アセチル−グルコサミン転移酵素−１（Ｍｇａｔ１によりコードされる）；Ｎ−アセチル−グルコサミン転移酵素−２（Ｍｇａｔ２によりコードされる）；Ｓｌｃ３５ａ２によりコードされるＵＤＰ−ガラクトース輸送体；及びそれらの組み合わせからなる群より選択され、
前記哺乳類宿主細胞を培養して、哺乳類細胞培養を確立することと
を含み、
前記哺乳類宿主細胞は、少なくとも１つの組換えタンパク質を発現し、
前記組換えタンパク質の前記高マンノース型グリコフォーム含量は、Ｎ−グリコシル化経路に関与するタンパク質を過剰発現するようにトランスフェクトされる前の前記哺乳類宿主細胞により産生される前記組換えタンパク質と比較して、低減されており、
前記組換えタンパク質の前記高マンノース型グリコフォーム含量は、１０％以下である、方法。
【請求項２】
前記Ｎ−グリコシル化経路に関与する２つ以上のタンパク質を発現するように前記哺乳類宿主細胞をトランスフェクトし、前記タンパク質が、Ｍｇａｔ１及びＭｇａｔ２；Ｍｇａｔ１及びＳｌｃ３５ａ２；Ｍｇａｔ２及びＳｌｃ３５ａ２；及びＭｇａｔ１、Ｍｇａｔ２及びＳｌｃ３５ａ２からなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記哺乳類宿主細胞が、Ｍｇａｔ１及びＭｇａｔ２を発現するようトランスフェクトされている、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記哺乳類宿主細胞が組換えタンパク質を発現するように予めトランスフェクトされており、Ｎ−グリコシル化経路に関与するタンパク質を発現するようにその後トランスフェクトされる、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記哺乳類宿主細胞が最初にＮ−グリコシル化経路に関与するタンパク質でトランスフェクトされ、その後組換えタンパク質を発現するようにトランスフェクトされる、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記組換えタンパク質が、抗体Ｆｃ領域を含むタンパク質である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記組換えタンパク質が、Ｆｃ融合タンパク質、抗体、免疫グロブリン、及びペプチボディー（ｐｅｐｔｉｂｏｄｙ）からなる群より選択される、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
Ｎ結合型グリコシル化に関与するタンパク質を過剰発現するようにトランスフェクトされている前記細胞内で発現される前記組換えタンパク質の高マンノース型グリコフォーム含量が、Ｎ結合型グリコシル化に関与するタンパク質を過剰発現するようにトランスフェクトされる前の前記哺乳類宿主細胞により産生される組換えタンパク質の高マンノース型グリコフォーム含量と比較して低減されている、請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記高マンノース型グリカン種が、マンノース５（Ｍａｎ５）；マンノース６（Ｍａｎ６）；マンノース７（Ｍａｎ７）；マンノース８（マンノース８ａ及び８ｂ（Ｍａｎ８ａ及び８ｂ）を含む）；Ｍａｎ８ａ及び８ｂ、及びマンノース９（Ｍａｎ９）；又はそれらの組み合わせからなる群より選択される、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記組換えタンパク質の前記高マンノース型グリコフォーム含量が、５％以下である、請求項８又は９に記載の方法。
【請求項１１】
前記哺乳類細胞培養が、流加培養、灌流培養、又はそれらの組み合わせである、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記培養が、交互接線流（ＡＴＦ）を用いて灌流される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
灌流が前記細胞培養の１日目又はその前後から９日目又はその前後に開始される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
灌流が前記細胞培養の３日目又はその前後から７日目又はその前後に開始される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記細胞が産生期に達したときに灌流が開始される、請求項１２〜１４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】
灌流が限外濾過膜又は精密濾過膜を用いる交互接線流により達成される、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記細胞培養が流加により維持される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１８】
前記培養が産生中に３回供給を受ける、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記培養が、２日目と４日目の間の日、５日目と７日目の間の日、及び８日目と１０日目の間の日に供給を受ける、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記培養が産生中に４回供給を受ける、請求項１７に記載の方法。
【請求項２１】
前記培養が、２日目と４日目の間の日、５日目と６日目の間の日、７日目と８日目の間の日、及び８日目と１０日目の間又はそれ以降に供給を受ける、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記哺乳類細胞培養が、無血清培養培地中、少なくとも０．５×１０６から３．０×１０６細胞／ｍＬで前記バイオリアクターに播種することにより確立される、請求項１２〜２１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２３】
前記哺乳類細胞がチャイニーズハムスター卵巣（ＣＨＯ）細胞である、請求項１〜２２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２４】
前記方法が、前記組換えタンパク質を回収することをさらに含む、請求項１２〜２３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２５】
前記回収された組換えタンパク質が精製され、医薬的に許容され得る製剤に製剤化される、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
請求項２５に記載の方法により作成された組成物。
【請求項２７】
請求項１〜２４のいずれか１項に記載の方法により作成された組換えタンパク質。
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月6日(2017.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリ（３０）と、
ディスプレイ（３２）と、
ユーザ入力デバイス（３４）と、
試料ホルダー（２６）の互いに対向する側面上に配設された第１の電極および第２の電極（１６、１８）を備える試料ホルダー（２６）であって、試料容器を受けるように構成される、試料ホルダー（２６）と、
前記第１の電極および前記第２の電極（１６、１８）にパルスを供給するように構成されたパルス発生回路（１２）と、
前記パルス発生回路（１２）と前記第１の電極との間に直列に配設された容量素子（３６）と、
前記パルス発生回路（１２）を制御するために前記メモリ（３０）上に記憶された命令を実行するように構成されたプロセッサ（２８）であって、前記パルス発生回路（１２）が、前記試料容器に容量結合するように構成される、プロセッサ（２８）とを備える、電気パルス発生システム（１０）。
【請求項２】
前記容量素子（３６）が、前記パルス発生回路（１２）と前記第１の電極との間に配設されたコンデンサ（３６）を含む、請求項１記載の電気パルス発生システム（１０）。
【請求項３】
前記容量素子（３６）が、前記第１の電極と前記試料ホルダー（２６）との間に配設されたコンデンサ（３６）を含む、請求項１または２に記載の電気パルス発生システム（１０）。
【請求項４】
前記コンデンサ（３６）が取り外し可能である、請求項３記載の電気パルス発生システム（１０）。
【請求項５】
前記容量素子（３６）が、前記試料容器を存在するとき含み、前記容器が非導電材料製である、請求項１乃至４のいずれかに記載の電気パルス発生システム（１０）。
【請求項６】
メモリ（３０）と、
ディスプレイ（３２）と、
ユーザ入力デバイス（３４）と、
試料ホルダー（２６）の互いに対向する側面上に配設された第１の電極および第２の電極（１６、１８）を備える試料ホルダー（２６）であって、試料容器を受けるように構成される、試料ホルダー（２６）と、
前記第１および第２の電極（１６、１８）にパルスを供給するように構成されたパルス発生回路（１２）と、
前記パルス発生回路（１２）と前記第１の電極との間に直列に配設された容量素子（３６）であって、動作の間、取り外し可能であり得る、または迂回され得る容量素子（３６）と、
前記パルス発生回路（１２）を制御するために前記メモリ（３０）上に記憶された命令を実行するように構成されたプロセッサ（２８）であって、前記パルス発生回路（１２）が、試料（２４）に直接結合または容量結合することができる、プロセッサ（２８）とを備える、電気パルス発生システム（１０）。
【請求項７】
前記容量素子が、前記第１の電極と前記容器との間に配設された取り外し可能コンデンサ（３６）を含む、請求項６記載の電気パルス発生システム（１０）。
【請求項８】
前記容量素子（３６）が、前記試料容器を存在するとき含み、前記試料容器が非導電材料製である、請求項６または７に記載の電気パルス発生システム（１０）。
【請求項９】
前記パルス発生回路（１２）が、前記パルスが前記容量素子（３６）を迂回することが可能になる、前記第１および第２の電極（１６、１８）に結合された前記容量素子（３６）と回路とを備え、
前記プロセッサ（２８）が、前記パルスが前記容量素子（３６）を迂回するかまたは前記パルスが前記容量素子（３６）中を流れるように経路指定するかのいずれかが可能となるように前記パルス発生回路（１２）を制御するために前記ユーザ入力デバイス（３４）から入力を受け取るように構成される、請求項６乃至８のいずれかに記載の電気パルス発生システム（１０）。
【請求項１０】
前記メモリ（３０）が、前記パルスの１つまたは複数の特性を指定する命令を含む、請求項１乃至９のいずれかに記載の電気パルス発生システム（１０）。
【請求項１１】
前記プロセッサ（２８）が、前記パルスの１つまたは複数の特性を指定する入力を前記ユーザ入力デバイス（３４）から受け取るように構成される、請求項１乃至１０のいずれかに記載の電気パルス発生システム（１０）。
【請求項１２】
前記パルスが、約１ナノ秒から約１００マイクロ秒の間のパルス持続時間を有する、請求項１乃至１１のいずれかに記載の電気パルス発生システム（１０）。
【請求項１３】
前記パルスが、０．１ｋＶ／ｃｍから３５０ｋＶ／ｃｍの間の電界強度を有する、請求項１乃至１２のいずれかに記載の電気パルス発生システム（１０）。
【請求項１４】
メモリ（３０）と、
ディスプレイ（３２）と、
ユーザ入力デバイス（３４）と、
試料ホルダー（２６）の互いに対向する側面上に配設された第１の電極および第２の電極（１６、１８）を備える試料ホルダー（２６）であって、試料容器を受けるように構成される試料ホルダー（２６）と、
容量素子（３６）に接続され、前記容量素子（３６）を使用してバイポーラパルスを前記第１および第２の電極（１６、１８）に供給するように構成されたパルス発生回路（１２）であって、前記バイポーラパルスが第１及び第２のパルスを含み、前記第１のパルスが、パルス持続時間および第１の電界強度を有し、前記第２のパルスが、前記パルス持続時間および第２の電界強度を有し、前記第１の電界強度および前記第２の電界強度が加法逆元である、パルス発生回路（１２）と、
前記パルス発生回路（１２）を制御するために前記メモリ（３０）上に記憶された命令を実行するように構成されたプロセッサ（２８）とを備える、電気パルス発生システム（１０）。
【請求項１５】
前記メモリ（３０）が、前記第１および第２のパルスの１つまたは複数の特性を指定する命令を記憶する、請求項１４記載の電気パルス発生システム（１０）。
【請求項１６】
前記プロセッサ（２８）が、前記第１および第２のパルスの１つまたは複数の特性を指定する入力を前記ユーザ入力デバイス（３４）から受け取るように構成される、請求項１４または１５に記載の電気パルス発生システム（１０）。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月12日(2017.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気トンネル接合（ＭＴＪ）であって、
固定層と、
前記固定層上の障壁層と、
アモルファスの第１の層およびアモルファスの第２の層を含む自由層であって、前記アモルファスの第２の層が前記障壁層と相互作用し、前記アモルファスの第２の層の部分が結晶化され、導電性の挿入層が前記アモルファスの第１の層と前記アモルファスの第２の層との間に配され、前記挿入層が、前記アモルファスの第１および第２の層内に存在しない元素から構成される、自由層と、
前記障壁層と反対側の前記アモルファスの第１の層の表面と相互作用する酸化物キャッピング層であって、前記アモルファスの第１の層が前記酸化物キャッピング層と前記障壁層との間にあり、前記導電性の挿入層が、前記酸化物キャッピング層に近接する前記自由層の部分の結晶化を防ぎ、前記導電性の挿入層が前記アモルファスの第１の層の部分の結晶化を防ぐ、酸化物キャッピング層と、
を含む、磁気トンネル接合。
【請求項２】
前記障壁層が酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を含む、請求項１に記載のＭＴＪ。
【請求項３】
前記酸化物キャッピング層が酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）を含む、請求項２に記載のＭＴＪ。
【請求項４】
前記酸化物キャッピング層が酸化ハフニウム（ＨｆＯｘ）を含む、請求項２に記載のＭＴＪ。
【請求項５】
前記アモルファスの第１の層が前記アモルファスの第２の層よりも低い磁気モーメントを有する、請求項１に記載のＭＴＪ。
【請求項６】
前記アモルファスの第１の層および前記アモルファスの第２の層がコバルト鉄ボロン（ＣｏＦｅＢ）を含む、請求項５に記載のＭＴＪ。
【請求項７】
モバイル電話、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、コンピュータ、ハンドヘルドパーソナル通信システム（ＰＣＳ）ユニット、ポータブルデータユニット、および／または定位置データユニットに統合される、請求項１に記載のＭＴＪ。
【請求項８】
磁気トンネル接合（ＭＴＪ）であって、
固定層と、
前記固定層上の障壁層と、
アモルファスの第１の層と、前記障壁層と相互作用するための手段とを含む自由層であって、前記相互作用する手段の部分が結晶化され、導電性の挿入層が前記アモルファスの第１の層と前記相互作用する手段との間に配され、前記挿入層が、前記アモルファスの第１の層および前記相互作用する手段内に存在しない元素から構成される、自由層と、
前記障壁層と反対側の前記アモルファスの第１の層の表面と相互作用する酸化物キャッピング層であって、前記アモルファスの第１の層が前記酸化物キャッピング層と前記障壁層との間にあり、前記導電性の挿入層が、前記酸化物キャッピング層に近接する前記自由層の部分の結晶化を防ぎ、前記導電性の挿入層が前記アモルファスの第１の層の部分の結晶化を防ぐ、酸化物キャッピング層と、
を含む、磁気トンネル接合。
【請求項９】
モバイル電話、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、コンピュータ、ハンドヘルドパーソナル通信システム（ＰＣＳ）ユニット、ポータブルデータユニット、および／または定位置データユニットに統合される、請求項８に記載のＭＴＪ。
【手続補正書】
【提出日】平成29年10月16日(2017.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロセッサ、及び
前記プロセッサによって実行されて、動作性能を向上する実行可能な命令を記憶するメモリを備えるシステムにおいて、
前記動作は、通信媒体と同軸に整合されていない結合装置を介して前記通信媒体によって誘導される電磁波を受信することを含み、前記結合装置の一部は長い円筒構造を有し、前記長い円筒構造の軸は前記通信媒体の長手方向表面に平行であり、前記電磁波は少なくとも部分的に前記通信媒体を包囲し、
前記動作は、前記電磁波をダウンコンバートして、ダウンコンバート信号を発生することを含むシステム。
【請求項２】
前記電磁波が一またはそれ以上の伝搬波モードを含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記電磁波が非基本波モードを含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記電磁波が基本波モードを含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記電磁波の波長が前記通信媒体の周囲長よりも短い、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記通信媒体が絶縁されていない導電体を含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記通信媒体が絶縁されている導電体を含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
前記システムが前記通信媒体からエネルギーを受信する、請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
前記電磁波が横電磁モードを含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
前記電磁波が非対称電磁モードを含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項１１】
前記電磁波が、前記通信媒体の交差部において、前記通信媒体によって２次元的に誘導される、請求項１に記載のシステム。
【請求項１２】
前記通信媒体は前記結合装置の交差領域の外側に位置する、請求項１に記載のシステム。
【請求項１３】
前記通信媒体は単一配線通信線を含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項１４】
通信媒体と同軸に整合されていない結合装置を介して前記通信媒体によって誘導される電磁波を受信し、前記結合装置の一部は長い円筒構造を有し、前記長い円筒構造の軸は前記通信媒体の長手方向表面に平行であり、前記電磁波は少なくとも部分的に前記通信媒体を包囲し、
前記電磁波をダウンコンバートして、ダウンコンバート信号を発生することを含む方法。
【請求項１５】
前記電磁波が一またはそれ以上の伝搬波モードを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記電磁波が非基本波モードを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記電磁波が基本波モードを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
前記電磁波の波長が前記通信媒体の周囲長よりも短い、請求項１４に記載の方法。
【請求項１９】
前記通信媒体が絶縁されていない導電体を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項２０】
前記通信媒体が絶縁されている導電体を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項２１】
前記電磁波が横電磁モードを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項２２】
前記電磁波が非対称電磁モードを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項２３】
前記電磁波が、前記通信媒体の交差部において、前記通信媒体によって２次元的に誘導される、請求項１４に記載の方法。
【請求項２４】
前記通信媒体は前記結合装置の交差領域の外側に位置する、請求項１４に記載の方法。
【請求項２５】
前記通信媒体は単一配線通信線を含む、請求項１４に記載の方法。