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【手続補正書】
【提出日】平成29年2月14日(2017.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
追加のモニタリングあるいは誘導システムの必要のない、血管へのアクセスを位置決め及び提供するのに適した血管アクセスシステムであって、
ベース部材及びスタンド部材を備えた本体部材と、
本体部材に移動可能に連結されたシャトル部材と、
シャトル部材に固定して連結された、複数の互いに並列で中空の血管アクセスニードルと、
を備え、
追加のモニタリングあるいは誘導システムの必要のない、血管へのアクセスを位置決め及び提供するために、血管へのアクセスを示す、少なくとも一つのニードルを通してアクセスした血管から十分な血液の吸引があるまで血管アクセスシステムが使用されるとともに、互いに並列で中空の血管アクセスニードルが同時かつ均等に患者の皮膚を貫通するように、シャトル部材は、コントロールされた方法で本体部材に沿って進めることができる、
血管アクセスシステム。
【請求項２】
複数の並列で中空のアクセスニードルは、互いに一定間隔で配置されている、請求項１に記載の血管アクセスシステム。
【請求項３】
複数の並列で中空の血管アクセスニードルは、約３ｍｍ、約４ｍｍ、あるいは約５ｍｍの距離にて互いに間をあけている、請求項２に記載の血管アクセスシステム。
【請求項４】
複数の並列で中空の血管アクセスニードルの少なくとも一つは、ニードルハブ部材をさらに備える、請求項１に記載の血管アクセスシステム。
【請求項５】
ベース部材及びスタンド部材は、互いに一体に形成されている、請求項１に記載の血管アクセスシステム。
【請求項６】
スタンド部材は、角度をなしてベース部材に連結されている、請求項１に記載の血管アクセスシステム。
【請求項７】
上記角度は、約４５度である、請求項６に記載の血管アクセスシステム。
【請求項８】
スタンド部材とベース部材とを頂角で結合するピボット部材をさらに備え、スタンド部材は、上記角度を変更するためピボット部材でベース部材に移動可能に連結されている、請求項６に記載の血管アクセスシステム。
【請求項９】
ベース部材は、血管のおおよその位置に、中心に位置するアクセスニードルを整列するのに適した少なくとも一つのアラインメント・エレメントをさらに備える、請求項１に記載の血管アクセスシステム。
【請求項１０】
ベース部材は、患者の皮膚に当該血管アクセスシステムを配置した状態において患者の皮膚が見えるように、ベース部材の上面から下面へ延在して位置する少なくとも一つのウィンドウ部分をさらに備える、請求項８に記載の血管アクセスシステム。
【請求項１１】
シャトル部材は、スタンド部材に滑動可能に連結されている、請求項１に記載の血管アクセスシステム。
【請求項１２】
本体部材は、少なくとも一つのレール部材をさらに備え、シャトル部材はレール部材に滑動可能に連結されている、請求項１に記載の血管アクセスシステム。
【請求項１３】
本体部材に対するシャトル部材の制御された前進速度を提供するのに適した制御アセンブリをさらに備える、請求項１に記載の血管アクセスシステム。
【請求項１４】
制御アセンブリはネジ部材をさらに備え、ネジ部材はシャトル部材及び本体部材に操作可能に連結される、請求項１３に記載の血管アクセスシステム。
【請求項１５】
制御アセンブリは、シャトル部材及び本体部材に操作可能に連結されたラチェット機構をさらに備える、請求項１３に記載の血管アクセスシステム。
【請求項１６】
ラチェット機構は、
シャトル部材及び本体部材に操作可能に連結された引張部材と、
シャトル部材の制御された増分の前進を可能にするアクチベーター機構と、
を備える、請求項１５に記載の血管アクセスシステム。
【請求項１７】
本体部材を通り配置された複数の穴をさらに備え、この穴は、各穴内に複数の並列アクセスニードルの一つの少なくとも一部を受け入れるように構成される、請求項１に記載の血管アクセスシステム。
【請求項１８】
追加のモニタリングあるいは誘導システムの必要のない、血管へのアクセスを位置決め及び提供するのに適した血管アクセスシステムであって、
本体部材と、
本体部材に移動可能に連結したシャトル部材と、
シャトル部材に固定して連結する、複数の互いに並列で中空の血管アクセスニードルと、
本体部材及びシャトル部材に操作可能に連結された制御アセンブリであり、追加のモニタリングあるいは誘導システムの必要のない、血管へのアクセスを位置決め及び提供するために、血管へのアクセスを示す、少なくとも一つのニードルを通してアクセスした血管から十分な血液の吸引があるまで血管アクセスシステムが使用されるとともに、互いに並列で中空の血管アクセスニードルが同時かつ均等に患者の皮膚を貫通するように本体部材に沿ってシャトル部材の制御された前進速度を提供するのに適した制御アセンブリと、
を備えた血管アクセスシステム。  
【請求項１９】
ａ．患者の所望の血管のおおよその位置の上方に血管アクセスシステムを置くこと、ここで血管アクセスシステムは次のものを備える：
本体部材；本体部材に移動可能に連結するシャトル部材；及び、シャトル部材に固定して連結される複数のアクセスニードル；
ｂ．複数のアクセスニードルが所望の血管のおおよその位置における患者の組織を貫通するようにシャトル部材及び複数のアクセスニードルを進めること、
ｃ．複数のアクセスニードルの少なくとも一つから、特定のアクセスニードルが所望の血管にアクセスしたことを示す血液の吸引を観察すること、
ｄ．吸引しているアクセスニードルを通して所望の血管へガイドワイヤーを挿入すること、
ｅ．所望の血管内にガイドワイヤーの位置決めを維持しながら血管アクセスシステムを除去すること、
を備えた血管アクセス方法。
【請求項２０】
ガイドワイヤー上で患者の所望の血管の中へ医療装置を進めることをさらに備えた、請求項１９に記載の血管アクセス方法。
【請求項２１】
医療装置は、シース、カテーテル、圧力モニタリング装置、閉塞装置、あるいは第２ワイヤーを備える、請求項１９に記載の血管アクセス方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月12日(2016.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱消費プロセスを実行する方法であって、
前記熱消費プロセスに１年間にわたって平均化された要求される総エネルギーが、少なくとも２種の異なるエネルギー源に由来し、
前記エネルギー源の１種は、その電力が、要求される総電力の０〜１００％の範囲で変化する電気エネルギー源であり、
電力市場に、発電コストをはるかに下回って、又はエネルギー含量に基づいて、同一のジュール値を有する化石燃料よりも低い価格、又は価格なしで、又はマイナス価格でさえある価格で提供される電力として定義される、余剰電力が、前記熱消費プロセスにおける発電所において、中間貯蔵、又は事前の平滑化／補償なしで使用され、
且つ３種の異なるエネルギーモードが、前記熱消費プロセスに要求される総電力を個別に供給し得：（ｉ）もっぱら電気エネルギー、（ｉｉ）電気エネルギー及び少なくとも１種のさらなる非電気エネルギー源の混合、又は（ｉｉｉ）もっぱら非電気エネルギーで、エネルギー源／エネルギーモードの変更が、前記熱消費プロセスを実行する間に実施され、
１種のエネルギーモードから別のエネルギーモードへの変更が完了する切替時間が３０分以下であり、前記非電気エネルギー源が、酸化プロセスによって供給され、
電気エネルギー源から経時的に変動する電力で取得され、前記熱消費プロセスのためである、熱エネルギーが、誘導的又は抵抗的方法、プラズマプロセス、要素／接触エリアを電気的に伝導加熱することによる、又はマイクロ波による加熱によって供給され、２種以上のエネルギー源が、直列又は並列に接続されている方法。
【請求項２】
エネルギーモード（ｉｉ）において、電気エネルギー源からの熱エネルギーが、第一の加熱工程において、プロセス流へ供給され、且つ電気エネルギー源の瞬時の電力が十分でない場合、さらに下流の少なくとも１種の第二の加熱工程において、少なくとも１種の非電気エネルギー源からの熱エネルギーの導入によって、プロセス流の温度が、所望の値に増加される請求項１に記載の方法。
【請求項３】
エネルギーモード（ｉｉ）において、プロセス流が、まず、少なくとも１種の非電気エネルギー源からの熱エネルギーによって予熱され、その後、電気的に発生した熱によって所望の温度へ到達される請求項１に記載の方法。
【請求項４】
その電力が、要求される総電力の０〜１００％の範囲で変化する前記電気エネルギー源の効率が、９０％より大きい請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記使用される電気エネルギーの少なくとも７５％が、余剰電力及び／又は夜間電力によって供給される請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
１年間にわたって平均化された、前記熱消費プロセスに要求される総エネルギーの少なくとも１０％が、変動する出力を有する電気エネルギー源から引き出される請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
その熱が、その後前記熱消費プロセスに利用される、１種以上のプロセス流が、電力によって加熱される請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記熱消費プロセスへ供給される熱流量が、前記切替時間の間に１０％以下で変動する請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記切替時間が、７．５分以下である請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記高温プロセスのエネルギー消費が、反応ゾーンにおいて０．５ＭＷ／ｍ３より大きい請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記高温プロセスの副生成物選択性が、エネルギー源の変更の間に最大１％増加される請求項１〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
熱エネルギーが、少なくとも１種の非電気エネルギー源において酸化的に発生する請求項１〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
電気的に加熱された放熱管、及び酸化的に加熱された放熱管が、前記高温プロセスの反応ゾーンにおいて交互に配置される請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記切替時間が、６０秒以下である請求項１〜１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
前記熱消費プロセスが、水蒸気改質及びドライ改質、水の加熱分解、エチルベンゼンのスチレンへの脱水素化、プロパンのプロペンへの脱水素化、ブタンのブテンへの脱水素化、及び／又はシクロヘキサンのベンゼンへの脱水素化、炭化水素の熱分解及びクラッキング、熱分解アセチレン生成、メタンからのベンゼンの調製、二酸化炭素の一酸化炭素への還元、メタン及びアンモニアからのシアン化水素酸の調製、並びに／又は窒素及び酸素からの一酸化窒素の調製である請求項１〜１３のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月1日(2016.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材に取り付けられる部品（２）と、
前記部品を前記基材に付着させるための接着テープ（３）であって、実質的に平坦な形状を有し、第１の主表面（６）は前記部品に面しており、前記第１の主表面は、前記第１の主表面に対して垂直な横断面において、第１の縁部（８）から第２の縁部（９）へと延びている、接着テープ（３）と、
前記第１の主表面上の貼合領域（１１）であって、前記接着テープが前記部品に貼合される領域である、貼合領域（１１）と、を備え、
前記貼合領域は、前記第１の主表面よりも小さい、複合物品。
【請求項２】
請求項１に記載の複合物品を製作する方法であって、
基材に取り付けられる部品を用意する工程と、
前記部品を基材に付着させるための接着テープであり、実質的に平坦な形状を有し、第１の主表面が前記部品に面する、接着テープを用意する工程と、
前記接着テープが前記部品に貼合される、前記部品と前記接着テープとの間の貼合領域が、前記第１の主表面よりも小さくなるように、前記接着テープを前記部品に貼合する工程と、を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月23日(2017.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
血栓除去装置であって、
遠位端を持つ配送ワイヤ；
前記配送ワイヤの遠位端で実行される処理部（１１３）であり、前記処理部は遠位端または近位端を持つ躯体を持ち、
前記躯体の近位端にあって、そして躯体の近位端の一部を覆う近位フロー制限部（１２１）を持ち、前記近位フロー制限部は、前記処理部の前記近位端の外部の構成に適合する構造を持ち、そして前記躯体とは別個の材料片からなり、そして前記近位フロー制限部の一端は自由に作動する、前記血栓除去装置。
【請求項２】
前記躯体が単一の材料片からなる、請求項１の血栓除去装置。
【請求項３】
前記近位フロー制限部の一端が、前記近位フロー制限部の配送及び拡張時に、その長さ又は形態の変化を可能にすることが出来るように自由に作動する、請求項１の血栓除去装置。
【請求項４】
前記近位フロー制限部が、第一のより小さいコンパクト化された形状、及び前記装置がマイクロカテーテルから開放されるときに、第二のより大きい拡張された形状を有する、請求項１又は２の血栓除去装置。
【請求項５】
前記躯体の遠位端がテーパー状である、請求項１、２又は４のいずれか１項の血栓除去装置。
【請求項６】
前記躯体の近位端がテーパー状である、請求項１、２又は４のいずれか１項の血栓除去装置。
【請求項７】
遠位マーカーが前記躯体の遠位端に位置する、請求項１の血栓除去装置。
【請求項８】
近位マーカーが前記躯体の近位端に位置する、請求項１の血栓除去装置。
【請求項９】
前記近位フロー制限部が編まれた構造である、請求項１−８のいずれか１項の血栓除去装置。
【請求項１０】
前記近位フロー制限部が躯体の外表面を覆う、請求項１−９のいずれか１項の血栓除去装置。
【請求項１１】
前記近位フロー制限部及び前記拡張可能な部材は超弾性または形状記憶材料からなる、請求項１−１０のいずれか１項の血栓除去装置。
【請求項１２】
前記近位フロー制限部は、躯体の長さの約２−５０％の長さに沿って伸長する、請求項１−１１のいずれか１項の血栓除去装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月7日(2017.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の電極にそれぞれ結合されるように構成された複数の電気端子と、
複数の個々の電気パルス列を複数のタイミングチャネル内で前記複数の電気端子にそれぞれ出力するように構成された変調出力回路であって、前記タイミングチャネルの各々がそれぞれの電気パルスが特定の特性を有することを妨げている、前記変調出力回路と、
複数の前記パルス列を前記電気端子の共通セットに出力し、それによって該電気端子の共通セットで前記特定の特性を有する組合せ電気パルス列を生成する方式で前記変調出力回路を制御するように構成された制御回路と、
を含むことを特徴とする神経変調システム。
【請求項２】
前記特定の特性は、最大値を超えるパルス振幅であり、前記組合せ電気パルス列は、該最大値を超える該パルス振幅を有することを特徴とする請求項１に記載の神経変調システム。
【請求項３】
前記特定の特性は、最大値を超えるパルス繰返し数であり、前記組合せ電気パルス列は、該最大値を超える該パルス繰返し数を有することを特徴とする請求項１に記載の神経変調システム。
【請求項４】
前記特定の特性は、変化するパルス繰返し数であり、前記組合せ電気パルス列は、変化するパルス繰返し数を有することを特徴とする請求項１に記載の神経変調システム。
【請求項５】
複数の前記パルス列のパルスが、前記変化するパルス繰返し数を有する前記組合せ電気パルス列を生成するために交互配置されることを特徴とする請求項４に記載の神経変調システム。
【請求項６】
複数の前記パルス列は、異なるパルス繰返し数を有する複数のバーストパターンを備えた前記組合せ電気パルス列を生成するために連続的にバーストされることを特徴とする請求項４に記載の神経変調システム。
【請求項７】
前記電気端子の共通セットは、１つのみの電気端子を含むことを特徴とする請求項１に記載の神経変調システム。
【請求項８】
前記電気端子の共通セットは、１つよりも多い電気端子を含むことを特徴とする請求項１に記載の神経変調システム。
【請求項９】
前記特定の特性を定める入力をユーザから受け入れるように構成されたユーザインタフェースを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の神経変調システム。
【請求項１０】
複数の刺激プログラムを格納するように構成されたメモリを更に含み、
前記制御回路は、前記刺激プログラムの各々に対して前記複数のタイミングチャネルをプログラムするように構成されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の神経変調システム。
【請求項１１】
前記複数の電気端子と、前記変調出力回路と、前記制御回路とを収容するケーシングを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の神経変調システム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月12日(2016.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気神経変調システムであって、
ユーザから入力を受入れるように構成された外部制御デバイスと、
前記外部制御デバイスと通信し、変調パラメータ値に従う電気エネルギを少なくとも１つの電極に送出するように構成された神経変調デバイスと、
制御／処理回路と、を有し、
前記制御／処理回路は、自動的に、（ａ）前記変調パラメータ値を調節して、前記神経変調デバイスのエネルギ消費を低減する現在の調節済み変調パラメータ値を生成し、（ｂ）前記現在の調節済み変調パラメータ値に従って、電気エネルギを前記少なくとも１つの電極に送出するように前記神経変調デバイスに命令し、（ｃ）前記（ｂ）に応答して、ユーザによって手動パラメータ調節が行われたか否かを決定し、（ｄ）手動パラメータ調節が行われていなければ、前記現在の調節済み変調パラメータ値を、以前の調節済み変調パラメータ値と見なし、前記（ａ）〜前記（ｄ）を繰返すように構成される、電気神経変調システム。
【請求項２】
更に、前記変調パラメータ値を格納するように構成されたメモリを有する、請求項１に記載の電気神経変調システム。
【請求項３】
ユーザによって行われる手動パラメータ調節は、パルス速度、パルス幅、負荷サイクル、振幅、及び電極組合せのうちの少なくとも１つの手動調節を含む、請求項１に記載の電気神経変調システム。
【請求項４】
前記制御／処理回路は、前記（ｂ）が開始された後に手動パラメータ調節が予め決められた期間内に行われなかった場合のみ、前記（ａ）〜前記（ｄ）を繰返すように構成される、請求項１に記載の電気神経変調システム。
【請求項５】
前記制御／処理回路は、手動パラメータ調節が行われた場合、前記以前の調節済み変調パラメータ値が前記神経変調デバイスのエネルギ消費を最小にする最適化された変調パラメータ値であると決定するように更に構成される、請求項１に記載の電気神経変調システム。
【請求項６】
前記制御／処理回路は、手動パラメータ調節が行われた場合、前記以前の調節済み変調パラメータ値に従う電気エネルギを前記少なくとも１つの電極に再度送出するように前記神経変調デバイスに自動的に命令するように更に構成される、請求項５に記載の電気神経変調システム。
【請求項７】
前記変調パラメータ値は、第１の変調パラメータ値であり、
前記制御／処理回路は、（ｅ）第２の変調パラメータ値を調節して、前記神経変調デバイスのエネルギ消費を低減する第２の現在の調節済み変調パラメータ値を生成し、（ｆ）前記第２の現在の調節済み変調パラメータ値に従って、電気エネルギを前記少なくとも１つの電極に送出するように前記神経変調デバイスに命令し、（ｇ）前記（ｆ）に応答してユーザによって手動パラメータ調節が行われたか否かを決定し、（ｈ）手動パラメータ調節が行われていなければ、前記第２の現在の調節済み変調パラメータ値を、第２の以前の調節済み変調パラメータ値と見なし、前記（ｅ）〜前記（ｈ）を繰返すように更に構成される、請求項１に記載の電気神経変調システム。
【請求項８】
前記電気エネルギは、パルス電気エネルギである、請求項１に記載の電気神経変調システム。
【請求項９】
前記変調パラメータ値は、パルス速度値である、請求項８に記載の電気神経変調システム。
【請求項１０】
前記変調パラメータ値は、パルス幅値である、請求項８に記載の電気神経変調システム。
【請求項１１】
前記変調パラメータ値は、負荷サイクル値である、請求項１に記載の電気神経変調システム。
【請求項１２】
前記変調パラメータ値は、振幅値である、請求項１に記載の電気神経変調システム。
【請求項１３】
前記変調パラメータ値は、電極組合せ値である、請求項１に記載の電気神経変調システム。
【請求項１４】
前記神経変調デバイスは、前記電気エネルギを１ＫＨｚ〜５０ＫＨｚの範囲の周波数で搬送するように構成される、請求項１に記載の電気神経変調システム。
【請求項１５】
前記制御／処理回路は、前記神経変調デバイスに収容される、請求項１に記載の電気神経変調システム。
【請求項１６】
前記制御／処理回路は、前記外部制御デバイスに収容される、請求項１に記載の電気神経変調システム。
【請求項１７】
前記電気エネルギを発生させるのに使用される電力を蓄えるように構成されたバッテリを更に含む、請求項１に記載の電気神経変調システム。
【請求項１８】
前記制御／処理回路は、前記変調パラメータ値をステップサイズだけ自動的に調節するように構成される、請求項１に記載の電気神経変調システム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月7日(2016.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
流体の通過を許容し、且つ、前記流体中の選択された成分の通過を許容しないような所望の寸法を有する複数の開口を有する、少なくとも１枚のグラフェンシートと、
前記少なくとも１枚のグラフェンシートに対して実質的に平行な流路に沿って前記流体を方向付ける流体源と、
を備え、
前記少なくとも１枚のグラフェンシートは、第１側と当該第１側とは反対の第２側とを有し、
前記流体は、前記流体の一部が前記複数の開口を通じて前記少なくとも１枚のグラフェンシートの前記第２側へと流れる一方で前記流体中の通過が許容されない前記選択された成分が前記開口を通じて流れることが禁止されるように、前記少なくとも１枚のグラフェンシートの前記第１側の第１面へと流れる
ことを特徴とする分離装置。
【請求項２】
前記複数の開口は、０．６乃至１．２ナノメートルの範囲内に寸法決めされている
ことを特徴とする請求項１に記載の分離装置。
【請求項３】
前記少なくとも１枚のグラフェンシートの、前記流路とは反対の一方の側上に、支持膜が設けられ、
前記支持膜は、ポリ四フッ化エチレン、有孔ポリカーボネートフィルム、及び、焼結多孔質金属、からなる群から選択されており、
前記支持膜には、複数の開口が穿孔されている
ことを特徴とする請求項１に記載の分離装置。
【請求項４】
前記開口は、名目上１５ナノメートルだけ間隔が空けられている
ことを特徴とする請求項１に記載の分離装置。
【請求項５】
前記少なくとも１枚のグラフェンシートは、複数のグラフェンシートを含む
ことを特徴とする請求項１に記載の分離装置。
【請求項６】
前記複数のグラフェンシートのある１枚における開口は、前記複数のグラフェンシートの他の１枚における開口とは異なる寸法を有している
ことを特徴とする請求項５に記載の分離装置。
【請求項７】
前記複数のグラフェンシートの前記１枚と前記複数のグラフェンシートの前記他の１枚とは、互いに分離されている
ことを特徴とする請求項６に記載の分離装置。
【請求項８】
前記少なくとも１枚のグラフェンシートのある１枚の開口を通る流路の長さは、前記少なくとも１枚のグラフェンシートの当該１枚の厚さに等しい
ことを特徴とする請求項１に記載の分離装置。
【請求項９】
前記選択された成分は、気体、微粒子、溶質、分子、または炭化水素、のうち少なくとも１つを含む
ことを特徴とする請求項１に記載の分離装置。
【請求項１０】
前記流体源は、前記流体の加圧された流れを提供するように構成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の分離装置。
【請求項１１】
流体から選択された成分を分離するための方法であって、
前記流体を少なくとも１枚のグラフェンシートに方向付ける工程と、
前記少なくとも１枚のグラフェンシートに対して実質的に平行な流路に沿って前記流体を方向付ける工程と、
を備え、
前記少なくとも１枚のグラフェンシートは、前記流体の通過を許容し、且つ、前記流体中の選択された成分の通過を許容しないような所望の寸法を有する複数の開口を有し、
前記少なくとも１枚のグラフェンシートは、第１側と当該第１側とは反対の第２側とを有し、
前記流体は、前記流体の一部が前記複数の開口を通じて前記少なくとも１枚のグラフェンシートの前記第２側へと流れる一方で前記流体中の通過が許容されない前記選択された成分が前記開口を通じて流れることが禁止されるように、前記少なくとも１枚のグラフェンシートの前記第１側の第１面へと流れる
ことを特徴とする方法。
【請求項１２】
前記複数の開口は、０．６乃至１．２ナノメートルの範囲内に寸法決めされている
ことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記少なくとも１枚のグラフェンシートの、前記流路とは反対の一方の側上に、支持膜が設けられ、
前記支持膜は、ポリ四フッ化エチレン、有孔ポリカーボネートフィルム、及び、焼結多孔質金属、からなる群から選択されており、
前記支持膜には、複数の開口が穿孔されている
ことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記開口は、名目上１５ナノメートルだけ間隔が空けられている
ことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
前記少なくとも１枚のグラフェンシートは、複数のグラフェンシートを含む
ことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１６】
前記複数のグラフェンシートのある１枚における開口は、前記複数のグラフェンシートの他の１枚における開口とは異なる寸法を有している
ことを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記複数のグラフェンシートの前記１枚と前記複数のグラフェンシートの前記他の１枚とは、互いに分離されている
ことを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記少なくとも１枚のグラフェンシートのある１枚の開口を通る流路の長さは、前記少なくとも１枚のグラフェンシートの当該１枚の厚さに等しい
ことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１９】
前記選択された成分は、気体、微粒子、溶質、分子、または炭化水素、のうち少なくとも１つを含む
ことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項２０】
前記流体を流路に沿って方向付ける工程は、加圧された流体を方向付ける工程を含む
ことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項２１】
流体の通過を許容し、且つ、前記流体中の選択された成分の通過を許容しないような所望の寸法を有する複数の開口を有する、少なくとも１枚のグラフェンシートと、
流路に沿って前記流体を方向付ける流体源と、
を備え、
前記少なくとも１枚のグラフェンシートは、第１側と当該第１側とは反対の第２側とを有し、
前記流体は、前記流体の一部が前記複数の開口を通じて前記少なくとも１枚のグラフェンシートの前記第２側へと流れる一方で前記流体中の通過が許容されない前記選択された成分が前記開口を通じて流れることが禁止されるように、前記少なくとも１枚のグラフェンシートの前記第１側の第１面へと流れる
ことを特徴とする分離装置。
【請求項２２】
流体から選択された成分を分離するための方法であって、
前記流体を少なくとも１枚のグラフェンシートに方向付ける工程と、
流路に沿って前記流体を方向付ける工程と、
を備え、
前記少なくとも１枚のグラフェンシートは、前記流体の通過を許容し、且つ、前記流体中の選択された成分の通過を許容しないような所望の寸法を有する複数の開口を有し、
前記少なくとも１枚のグラフェンシートは、第１側と当該第１側とは反対の第２側とを有し、
前記流体は、前記流体の一部が前記複数の開口を通じて前記少なくとも１枚のグラフェンシートの前記第２側へと流れる一方で前記流体中の通過が許容されない前記選択された成分が前記開口を通じて流れることが禁止されるように、前記少なくとも１枚のグラフェンシートの前記第１側の第１面へと流れる
ことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月14日(2016.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複合原材料に含まれる材料を分離するリアクタ（１）であって、少なくとも１つの反応室（２）及び少なくとも１つのロータ（３）を備え、前記反応室（２）は、周囲に対して密閉されるとともに少なくとも１つの入口開口（８ａ、８ｂ、８ｃ）及び少なくとも１つの出口開口（９ａ、９ｂ）を含む少なくとも１つのハウジング（６、６ａ、６ｂ）を含み、前記ロータ（３）は少なくとも１つの軸（５）を含み、前記ロータ（３）の少なくとも第１の部分は前記ハウジング（６、６ａ、６ｂ）内に位置付けられ、前記軸（５）は前記第１の部分から前記ハウジング（６、６ａ、６ｂ）を通って該ハウジング（６、６ａ、６ｂ）の外に延び、前記ロータ（３）の前記第１の部分は少なくとも１つのハンマ（４）を備えるリアクタ（１）において、
前記軸（５）上に直接的または間接的に位置付けられ、且つ前記反応室（２）における前記少なくとも１つの出口開口（９ａ、９ｂ）においてガス用の出口開口（９ａ）の近傍に配置される少なくとも１つのファンブレード（２９）を備え、ガス用の前記出口開口（９ａ）は、前記反応室（２）と周囲物との間において前記軸（５）上に直接的または間接的に配置された少なくとも１つの軸シール（２４）の近傍に位置付けられ、前記ファンブレード（２９）は、前記軸シール（２４）と前記リアクタ（１）の中心部との間に位置付けられ、前記ファンブレード（２９）は、ガス用の前記出口開口（９ａ）に向かう特別の目的のために作られた入口（３０）であって、前記反応室（２）内に位置する該入口（３０）内に位置付けられ、前記軸（５）は、前記第１の部分から前記ハウジング（６、６ａ、６ｂ）を通って該ハウジング（６、６ａ、６ｂ）の外に１つの方向に沿って延び、前記ファンブレード（２９）は、前記ロータ（３）の前記第１の部分上において前記ハンマ（４）から離間して位置付けられていることを特徴とするリアクタ（１）。
【請求項２】
前記ファンブレード（２９）が前記反応室（２）内に位置付けられている請求項１に記載のリアクタ（１）。
【請求項３】
前記ファンブレード（２９）が、前記反応室（２）における前記少なくとも１つの出口開口（９ａ、９ｂ）の近傍に位置付けられている請求項１に記載のリアクタ（１）。
【請求項４】
前記ファンブレード（２９）は、前記軸（５）が回転したときに、ガス流に付随する固体材料の粒子がリアクタ（１）の中心部に向かって内側に戻されるように、リアクタ（１）から発生するガス流の移動方向を妨害するように方向付けられている請求項１に記載のリアクタ（１）。
【請求項５】
前記ファンブレード（２９）が、該ファンブレード（２９）を通過する前記軸（５）の中央部に位置すると想定される仮想の右ねじであって、前記軸（５）と平行に延びて前記リアクタ（１）の中心部に向かって内側にねじ留めされることを意図される該仮想の右ねじの仮想のねじ山が存在し得る方向と同様の方向に方向付けられている請求項１に記載のリアクタ（１）。
【請求項６】
前記軸（５）は、前記リアクタ（１）の動作時において、前記ファンブレード（２９）から前記リアクタ（１）の中心部に向かって内側に見て反時計回りに回転する請求項１に記載のリアクタ（１）。
【請求項７】
３つのファンブレード（２９）が直接的または間接的に前記軸（５）上に位置付けられて存在する請求項１に記載のリアクタ（１）。
【請求項８】
前記軸（５）は、該軸（５）が延びる方向に対して垂直に延びる少なくとも２つの平面において軸受に取り付けられ、前記平面は前記ハウジング（６、６ａ、６ｂ）の外側に位置付けられている請求項１〜７のいずれか一項に記載のリアクタ（１）。
【請求項９】
前記ハウジング（６、６ａ、６ｂ）が円筒形状を有する請求項１〜８のいずれか一項に記載のリアクタ（１）。
【請求項１０】
前記ハウジング（６、６ａ、６ｂ）が少なくとも１つの取り外し可能な部分（６ａ）を有する請求項１〜９のいずれか一項に記載のリアクタ（１）。
【請求項１１】
前記取り外し可能な部分（６ａ）が、ねじ継手及びボルト継手の少なくともいずれか一方によって前記ハウジングの残りの部分（６ｂ）に取り付けられる請求項１０に記載のリアクタ（１）。
【請求項１２】
前記ハンマ（４）のうちの少なくとも１つは、少なくとも１つの固定部分（４ａ）及び少なくとも１つの関節部分（４ｂ）を含む請求項１に記載のリアクタ（１）。
【請求項１３】
前記固定部分（４ａ）は、前記ロータ（３）の前記第１の部分に固定して取り付けられ、前記関節部分（４ｂ）は前記固定部分（４ａ）に関節接合によって取り付けられる請求項１２に記載のリアクタ（１）。
【請求項１４】
前記関節部分（４ｂ）は、前記ロータ（３）の第１の半径（ｒ１）上に存在する重心（１５）を有し、同時に、前記関節部分（４ｂ）と前記固定部分（４ａ）との間の回転のための回転軸（１４）は、前記ロータ（３）の第２の半径（ｒ２）上にあり、前記第１の半径（ｒ１）は、前記リアクタ（１）の動作に関連して前記ロータ（３）の回転時に前記第２の半径（ｒ２）に追従する請求項１３に記載のリアクタ（１）。
【請求項１５】
複合原材料に含まれる材料を分離するために、リアクタ（１）からのガス流に付随する固体粒子の量を減少させる方法であって、
リアクタ（１）は、少なくとも１つの反応室（２）及び少なくとも１つのロータ（３）を備え、前記反応室（２）は、周囲に対して密閉されるとともに少なくとも１つの入口開口（８ａ、８ｂ、８ｃ）及び少なくとも１つの出口開口（９ａ、９ｂ）を含む少なくとも１つのハウジング（６、６ａ、６ｂ）を含み、前記ロータ（３）は、少なくとも１つの軸（５）を含み、前記ロータ（３）の少なくとも第１の部分は前記ハウジング（６、６ａ、６ｂ）内に位置付けられ、前記軸（５）は前記第１の部分から前記ハウジング（６、６ａ、６ｂ）を通って該ハウジング（６、６ａ、６ｂ）の外に延び、前記ロータ（３）の前記第１の部分は少なくとも１つのハンマ（４）を備え、前記方法は、
ファンブレード（２９）が直接的又は間接的に位置付けられた前記軸（５）を提供するステップと、
前記ファンブレード（２９）を、前記反応室（２）内に位置し、かつ、前記少なくとも１つの出口開口（９ａ、９ｂ）におけるガス用の出口開口（９ａ）に向かうとともに、特別にその目的のために設計された入口（３０）に配置するステップと、
前記ファンブレード（２９）を、前記ハンマ（４）から軸方向に離間して、前記ロータ（３）の前記第１の部分に配置するステップと、
前記ファンブレード（２９）を、前記軸（５）が回転したときに、ガス流に付随する固体材料の粒子がリアクタ（１）の中心部に向かって内側に戻される一方、ガス流の残りがガス用の前記出口開口（９ａ）を通ってリアクタ（１）から流出するように、リアクタ（１）から発生するガス流の移動方向を妨害するように方向付けるステップとを備える方法。
【請求項１６】
複合原材料に含まれる材料を分離する請求項１〜１４のいずれか一項に記載のリアクタ（１）の使用方法。
【請求項１７】
前記原材料が、車及び他の車両の少なくともいずれか一方のタイヤ、プラスチック、油、ナイロン、ポリエステル、消化スラッジ、木材、屠殺場廃棄物、又は油科植物からなる請求項１６に記載の使用方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月28日(2016.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の部分的空間から第２の部分的空間内に電線（２２，２３，３６，４６，５６）を送り込むためのビデオ内視鏡用の密閉フィードスルー（１０）であり、前記２つの部分的空間を密閉封止するための仕切り壁（１２）を備える密閉フィードスルー（１０）であって、
薄膜技法によって製造され、前記電線（２２，２３，３６，４６，５６）がプラスチック（３３）に埋め込まれるプリント回路基板（２０，３０，３１，４０，５０）が、型内でプラスチック化合物（２４）と共に成型されて、後硬化され、前記プラスチック化合物（２４）が前記仕切り壁（１２）を形成している
ことを特徴とする密閉フィードスルー（１０）。
【請求項２】
請求項１に記載の密閉フィードスルー（１０）であって、
前記プラスチック化合物（２４）及び前記プリント回路基板（２０，３０，３１，４０，５０）の前記プラスチック（３３）は、同じ硬化性材料、又は、異なる内部硬化性材料で作られている
ことを特徴とする密閉フィードスルー（１０）。
【請求項３】
請求項２に記載の密閉フィードスルー（１０）であって、
前記プラスチック化合物（２４）及び前記プリント回路基板（２０，３０，３１，４０，５０）の前記プラスチック（３３）は、ポリイミドで作られている
ことを特徴とする密閉フィードスルー（１０）。
【請求項４】
請求項１〜３のうちの１項に記載の密閉フィードスルー（１０）であって、
前記プリント回路基板（２０，３０，３１，４０，５０）及び前記プラスチック化合物（２４）は、リング（１４）に成型されている
ことを特徴とする密閉フィードスルー（１０）。
【請求項５】
請求項１〜４のうちの１項に記載の密閉フィードスルー（１０）であって、
前記リング（１４）は、前記プラスチック化合物（２４）によって充填されるアンダーカット（１６）を有している
ことを特徴とする密閉フィードスルー（１０）。
【請求項６】
請求項４または５に記載の密閉フィードスルー（１０）であって、
前記リング（１４）は、金属リングである
ことを特徴とする密閉フィードスルー（１０）。
【請求項７】
請求項１〜６のうちの１項に記載の密閉フィードスルー（１０）であって、
前記第１の部分的空間は、遠位に配置された密閉封止されたハウジングであり、
前記第２の部分的空間は、内視鏡シャフトである
ことを特徴とする密閉フィードスルー（１０）。
【請求項８】
請求項１〜７のうちの１項に記載の密閉フィードスルー（１０）であって、
前記プリント回路基板（２０，３０，３１，４０，５０）は、フレキシブルプリント回路基板である
ことを特徴とする密閉フィードスルー（１０）。
【請求項９】
電線（２２，２３，３６，４６，５６）が第１の部分的空間から第２の部分的空間内に仕切り壁（１２）を介して送り込まれるビデオ内視鏡用の密閉フィードスルー（１０）を製造する方法であって、
薄膜技法によって製造され、前記電線（２２，２３，３６，４６，５６）が非導電性の硬化性又は硬化されたプラスチック（３３）に埋め込まれているプリント回路基板（２０，３０，３１，４０，５０）が、型内に非導電性硬化性プラスチック化合物（２４）と共に成型され、その後、硬化のために後処理される
ことを特徴とする方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の方法であって、
前記プラスチック化合物（２４）及び前記プリント回路基板（２０，３０，３１，４０，５０）の前記プラスチック（３３）は、同じ硬化性材料、又は、異なる内部硬化性材料で作られる
ことを特徴とする方法。
【請求項１１】
請求項９又は１０に記載の方法であって、
前記型は、リング（１４）として設計され、
前記リング内の前記固化された及び／又は硬化されたプラスチック化合物（２４）は、前記仕切り壁（１２）を形成する
ことを特徴とする方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の方法であって、
前記リング（１４）は、成型処理中に前記プラスチック化合物（２４）によって充填されるアンダーカット（１６）を有する
ことを特徴とする方法。
【請求項１３】
請求項９〜１２のうちの１項に記載の方法であって、
前記プリント回路基板（２０，３０，３１，４０，５０）は、フレキシブルプリント回路基板である
ことを特徴とする方法。
【請求項１４】
請求項９〜１３のうちの１項に記載の方法であって、
前記プリント回路基板（２０，３０，３１，４０，５０）は、硬化のために、熱的に後処理される
ことを特徴とする方法。
【請求項１５】
請求項１〜８のうちの１項に記載の密閉フィードスルー（１０）のプリント回路基板（２０，３０，３１，４０，５０）であって、
前記プリント回路基板（２０，３０，３１，４０，５０）を通る断面における金属構造は、同軸構造をもたらし、
前記同軸構造の中央に配置される１つ又は複数の導体（３６，４６，５６）は、ワンピース又はマルチピースジャケット導体構造（３５，４５，５５）によって全周にわたって囲まれている
ことを特徴とするプリント回路基板（２０，３０，３１，４０，５０）。
【請求項１６】
請求項１５に記載のプリント回路基板（２０，３０，３１，４０，５０）であって、
前記プリント回路基板（２０，３０，３１，４０，５０）の３つ以上の層（４２ＩＶ−ＶＩ，５２ＩＶ−ＶＩ）は、２つの導体（４６，５６）のツイストされた導体構造（４７）又は部分的にツイストされた導体構造（５７）を形成するために構築されている
ことを特徴とするプリント回路基板（２０，３０，３１，４０，５０）。
【請求項１７】
請求項１５又は１６に記載のプリント回路基板（２０，３０，３１，４０，５０）であって、
前記プリント回路基板（２０，３０，３１，４０，５０）は、金属で作られ、また、プラスチックで作られる構造化層のシーケンス（３２Ｉ−ＶＩＩ，４２Ｉ−ＩＸ，５２Ｉ−ＩＸ）を有する、薄膜技法によって製造される
ことを特徴とするプリント回路基板（２０，３０，３１，４０，５０）。
【請求項１８】
請求項１５〜１７のうちの１項に記載のプリント回路基板（２０，３０，３１，４０，５０）であって、
前記１つ又は複数の導体（３６，４６，５６）は、１つ、２つ、又は４つの導体（３６，４６，５６）を備える
ことを特徴とするプリント回路基板（２０，３０，３１，４０，５０）。
【請求項１９】
請求項１〜８のうちの１項に記載の密閉フィードスルー（１０）を有する、外科器具。
【請求項２０】
請求項１９に記載の外科器具であって、
前記外科器具は、ビデオ内視鏡である
ことを特徴とする外科器具。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月6日(2017.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スペクトルスキャンからの投影データ又は前記投影データから生成された画像データの少なくとも一方を得るステップと、
前記投影データ又は前記画像データの前記少なくとも一方から、局所基準データセットを選択するステップと、
前記選択された局所基準データセットのノイズパターンを決定するステップと、
前記ノイズパターンに基づいて、前記局所基準データセットから基礎をなす局所構造を算出するステップと、
前記算出された基礎をなす局所構造に基づいて、前記投影データ又は前記画像データの前記少なくとも一方を復元するステップと、
を含む方法。
【請求項２】
復元に対する制約として、前記算出された基礎をなす局所構造を利用するステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記復元された投影データ又は前記画像データに、少なくとも１つの除去されたテクスチャ又はノイズのサブ部分を加えて戻すステップを更に含む、請求項１又は２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項４】
前記局所基準データセットが、前記投影データのみから選択される、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記局所基準データセットが、前記画像データのみから選択される、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記局所基準データセットが、前記投影データから選択され、前記投影データが復元され、前記方法が更に、
前記復元された投影データから第２の局所基準データセットを選択するステップと、
前記選択された第２の局所基準データセットについて第２のノイズパターンを決定するステップと、
前記第２のノイズパターンに基づいて、前記第２の局所基準データセットから第２の基礎をなす局所構造を算出するステップと、
前記算出された第２に基礎をなす局所構造に基づいて前記画像データを復元するステップと、
を含む、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記局所基準データセットは、特定の単色画像、非スペクトル画像、組み合わされたスペクトル／非スペクトル画像、低エネルギー画像又は高エネルギー画像のうち１つを含む、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記局所基準データセットは、特定の単色サイノグラム、非スペクトルサイノグラム、組み合わされたサイノグラム／非スペクトルサイノグラム、低エネルギーサイノグラム又は高エネルギーサイノグラムのうち１つを含む、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
単一の基準データセットが前記投影データ又は前記画像データの少なくとも一方の全体に関して選択される包括的なアプローチに基づいて、前記局所基準データセットを選択するステップを更に含む、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記選択が、最小総変動、最小エントロピー、局所標準偏差における最小メジアン、局所ノイズ推定の平均最小、及び２つの関心領域の入力に基づくコントラスト対ノイズ比画像の１又は複数に基づく、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
各ピクセルごとに最適基準データセットパッチが選択される局所アプローチに基づいて、前記局所基準データセットを選択するステップを更に含む、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記ノイズパターンは、モンテカルロ推定、解析又は直接抽出の１又は複数に基づいて形成される、請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
或るボクセル周辺の複数ボクセルのサブボリュームを抽出し、局所カーネルを計算し、空間カーネルを前記局所カーネルに乗じ、合計を１に等しくさせるように積を正規化し、スパイクノイズ抑制を適用し、前記局所構造を算出することによって、前記ノイズパターンに基づいて前記局所所基準データセットから前記基礎をなす局所構造を算出するステップを更に含む、請求項１乃至１２のいずれか１に記載の方法。
【請求項１４】
構造伝播アルゴリズムを記憶するように構成されたメモリと、
基礎をなす対象構造及びスペクトル情報を維持しながら、投影データ又は画像データの少なくとも一方からのノイズ又はアーチファクトを除去するために、スペクトルスキャンからの投影データ又は画像データの少なくとも一方に関連して構造伝播アルゴリズムを実行するマイクロプロセッサと、
を有する、投影データ及び／又は画像データプロセッサ。
【請求項１５】
スペクトルスキャンからの投影データ又は前記投影データに基づいて生成された画像データの少なくとも一方を得るステップと、
前記投影データ又は前記画像データの少なくとも一方から、局所基準データセットを選択するステップと、
前記選択された局所基準データセットのノイズパターンを決定するステップと、
前記ノイズパターンに基づいて、前記局所基準データセットから基礎をなす局所構造を算出するステップと、
前記算出された基礎をなす局所構造に基づいて、前記投影データ又は画像データの少なくとも一方を復元するステップと、
をプロセッサに実行させるためのコンピュータ可読命令によって符号化されたコンピュータ可読記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月4日(2017.1.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板、基板上に配置された表面層、および基板と表面層との間の界面を含むヘテロ構造であって、基板は中心軸、中心軸とほぼ直交する裏面、および中心軸を通って基板を横切って延びる直径を含むヘテロ構造中の歪を緩和するプロセスであって、
基板中に転位源層を形成する工程と、
基板を半径方向に圧縮し、転位を形成して、転位源層から表面層に向かって転位を滑らす工程と、を含むプロセス。
【請求項２】
転位は、基板と表面層との界面に滑り、界面でミスフィット界面転位を形成する請求項１に記載のプロセス。
【請求項３】
基板は、シリコン、炭化シリコン、サファイア、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム、窒化ゲルマニウム、窒化アルミニウム、砒化ガリウム、インジウムガリウム砒素、またはそれらの組み合わせからなるグループから選択された材料からなり、
表面層は、シリコン、炭化シリコン、サファイア、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム、窒化ゲルマニウム、窒化アルミニウム、砒化ガリウム、インジウムガリウム砒素、またはそれらの組み合わせからなるグループから選択された材料からなる請求項１または２に記載のプロセス。
【請求項４】
基板は、シリコンからなり、表面層は、砒化ガリウムからなる請求項１または２に記載のプロセス。
【請求項５】
転位源層は、
半導体材料を含むインゴットから基板をスライスして形成し、
基板の裏面をラッピングして形成し、
基板の裏面をサンドブラストして形成し、または、
基板の裏面を通って基板中にイオンを注入して形成した請求項１〜４のいずれかに記載のプロセス。
【請求項６】
基板は、ヘテロ構造を半径方向に圧縮するとともに、少なくとも約５５０℃に加熱する請求項１〜５のいずれかに記載のプロセス。
【請求項７】
半径方向の圧縮中に、応力がヘテロ構造に適用され、応力は、少なくとも約５ＭＰａである請求項１〜６のいずれかに記載のプロセス。
【請求項８】
基板は、少なくとも約１０秒間、半径方向に圧縮される請求項１〜７のいずれかに記載のプロセス。
【請求項９】
基板を半径方向に圧縮する工程は、ヘテロ構造を半径方向に圧縮する工程を含む請求項１〜８のいずれかに記載のプロセス。
【請求項１０】
半径方向に圧縮する間に、応力Ｓ１がヘテロ構造に適用され、このプロセスは更に、応力Ｓ１から応力Ｓ２に低減する工程を含み、Ｓ２はＳ１より小さく、Ｓ２は転位が転位源層から形成される閾値より小さな応力であり、かつ転位を活性化して基板と表面層との界面に向かって滑らせる閾値より上であり、実質的に転位の無い基板を形成する請求項１〜９のいずれかに記載のプロセス。
【請求項１１】
表面層は、基板の直径を横切って連続して延びる請求項１〜１０のいずれかに記載のプロセス。
【請求項１２】
表面層は、不連続なセグメントを含む請求項１〜１０のいずれかに記載のプロセス。
【請求項１３】
緩和されたヘテロ構造を準備するプロセスであって、
半導体基板の表面の上に表面層を堆積し、これにより表面層と基板との間に歪を形成する工程と、
請求項１〜１２のいずれかのプロセスにより、表面層と基板の中の歪を緩和する工程と、を含むプロセス。
【請求項１４】
半導体基板は格子定数ａＳを有し、表面層は格子定数ａＳＬを有し、ａＳＬ／ａＳの比は、約１より小さい請求項１３に記載のプロセス。
【請求項１５】
表面層は不連続なセグメントを含み、プロセスは更に、基板を半径方向に圧縮した後に、半導体基板の表面上に半導体材料を堆積する工程を含み、堆積工程は基板の表面上に連続した表面層を形成する工程である請求項１３または１４に記載のプロセス。
【請求項１６】
装置中で半導体構造を半径方向に圧縮するための方法であって、構造は、表面、裏面、および周縁エッジを有し、装置は、構造と隣り合う構造の周縁エッジに接触させるための上部プレートと底部プレートを含み、上部プレートは構造の上面に接触するように設けられ、底部プレートは構造の裏面に接触するように設けられ、この方法は、
上部プレート、底部プレート、および構造の周縁エッジの間に周辺チャンバを形成する工程と、
周辺チャンバ中の圧力を変えて、構造を半径方向の圧縮する工程と、を含む方法。
【請求項１７】
周辺チャンバは、底部プレートの上に半導体構造を配置する工程と、上部プレートを構造上に下げる工程により形成される請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
圧力は、周辺チャンバ中の圧力を増加することにより変えられる請求項１６または１７に記載の方法。
【請求項１９】
装置は、構造ホルダーがその中に設けられるメインチャンバを含み、この方法は、メインチャンバと周辺チャンバとの間に差圧を形成する工程を含む請求項１６〜１８のいずれかに記載の方法。
【請求項２０】
メインチャンバ中の圧力は、周辺チャンバ中の圧力より少なくとも約１０ＭＰａ小さい請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
メインチャンバ中の圧力を減少することにより、メインチャンバ中の圧力を変化させる請求項１９または２０に記載の方法。
【請求項２２】
さらに、構造の半径方向の圧縮中に、構造を加熱する工程を含む請求項１６〜２１のいずれかに記載の方法。
【請求項２３】
上部プレートは、環状の壁で規定されたリセスを含み、この方法は、
上部プレートと構造の表面との間に中央チャンバを形成する工程と、
中央チャンバ中の圧力を低減することより、中央チャンバ中の圧力を変える工程と、を含む請求項１６〜２２のいずれかに記載の方法。
【請求項２４】
構造を環状の壁に向かって半径方向に圧縮する工程を含み、中央チャンバと周辺チャンバとの間に流体接続を形成し、構造の半径方向の圧縮を停止する請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
複数の半導体構造が、同時に半径方向に圧縮される請求項１６〜２４のいずれかに記載の方法。
【請求項２６】
半導体構造は、基板とエピタキシャル層とを含み、基板とエピタキシャル層は、基板とエピタキシャル層との界面を形成する請求項１６〜２５のいずれかに記載の方法。