【手続補正書】
【提出日】平成28年11月14日(2016.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式(Ia)および式(IIa)
【化１】
2016507473.tif 000001
[式中、
nは1〜50の間の整数であり、
Arが、下記の環(α)、(β)、(γ)、(δ)、(ε)、(ζ)、(η)、(θ)、(ι)
【化２】
2016507473.tif 000002
(式中、Xは、S、SO、SO2、O、Si、Se、NR17からなる群において選択され、
Yは、CおよびNからなる群において選択され、
R17は、水素、C1〜C20直鎖状または分岐状アルキル基、C2〜C20直鎖状または分岐状アルケニル基、C2〜C20直鎖状または分岐状アルキニル基、C1〜C20直鎖状または分岐状ヘテロアルキル基、C2〜C20直鎖状または分岐状ヘテロアルケニル基、C2〜C20直鎖状または分岐状ヘテロアルキニル基、C2〜C20直鎖状または分岐状シクロアルキル基、C2〜C20直鎖状または分岐状ヘテロシクロアルキル基、C2〜C20直鎖状または分岐状アルキルカルボン酸基、C2〜C20直鎖状または分岐状アルキルカルボキサミド基、C2〜C20直鎖状または分岐状アルキルイミノ基、C1〜C20直鎖状または分岐状アルキルスルホン酸基、C1〜C20直鎖状または分岐状ニトリル基、C5〜C40アリール基、C1〜C40ヘテロアリール基、C6〜C40アルキルアリール基からなる群において選択される)
からなる群において選択され、
Ar’が、以下の単位(a)、(b)、(c)、(d)、(e)、(f)、(g)、(h)、(i)、(l)、(m)、(k)、(o)、(p)、(q)、(r)
【化３】
2016507473.tif 000003
(式中、Aは、S、O、Se原子、およびSO、SO2、R14-P=O、P-R14、N-R15、Si(R15)2基からなる群において選択され、
Dは、C、S、O、Se原子およびSO、SO2、R14-P=O、P-R14、BR14、N-R15、Si(R15)2基からなる群において選択され、
B、Cは互いに独立して、C、N原子からなる群において選択され、
Eは、C(R15)2、S、O、およびNR15基からなる群において選択され、
R8、R9、R10、R11、R12およびR13は互いに独立して、水素、ハロゲン、C1〜C20直鎖状または分岐状アルキル基、C2〜C20直鎖状または分岐状アルケニル基、C2〜C20直鎖状または分岐状アルキニル基、C1〜C20直鎖状または分岐状ヘテロアルキル基、C2〜C20直鎖状または分岐状ヘテロアルケニル基、C2〜C20直鎖状または分岐状ヘテロアルキニル基、C3〜C20直鎖状または分岐状シクロアルキル基、C2〜C20直鎖状または分岐状ヘテロシクロアルキル基、C2〜C20直鎖状または分岐状アルキルカルボン酸基、C2〜C20直鎖状または分岐状アルキルカルボキサミド基、C2〜C20直鎖状または分岐状アルキルイミノ基、C1〜C20直鎖状または分岐状アルキルスルホン酸基、C1〜C20直鎖状または分岐状ニトリル基、C5〜C40アリール基、C6〜C40アルキルアリール基からなる群において選択され、
R14、R15は互いに独立して、水素、C1〜C20直鎖状または分岐状アルキル基、C2〜C20直鎖状または分岐状アルケニル基、C2〜C20直鎖状または分岐状アルキニル基、C1〜C20直鎖状または分岐状ヘテロアルキル基、C2〜C20直鎖状または分岐状ヘテロアルケニル基、C2〜C20直鎖状または分岐状ヘテロアルキニル基、C3〜C20直鎖状または分岐状シクロアルキル基、C2〜C20直鎖状または分岐状ヘテロシクロアルキル基、C2〜C20直鎖状または分岐状アルキルカルボン酸基、C2〜C20直鎖状または分岐状アルキルカルボキサミド基、C2〜C20直鎖状または分岐状アルキルイミノ基、C1〜C20直鎖状または分岐状アルキルスルホン酸基、C2〜C20直鎖状または分岐状ニトリル基、C5〜C40アリール基、C1〜C40ヘテロアリール基、C6〜C40アルキルアリール基からなる群において選択される)
からなる群において選択され、
[Ar’]n単位が、以下の基(s)および(t)
【化４】
2016507473.tif 000004
(式中、Aは、以上に規定の通りであり、
Wは、以上に規定される単位(a)、(b)、(c)、(d)、(e)、(f)、(g)、(h)、(i)、(l)、(m)、(n)、(o)、(p)、(q)、(r)からなる群において選択される部分であり、
R16は、水素、ハロゲン、C1〜C20直鎖状または分岐状アルキル基、C2〜C20直鎖状または分岐状アルケニル基、C2〜C20直鎖状または分岐状アルキニル基、C1〜C20直鎖状または分岐状ヘテロアルキル基、C2〜C20直鎖状または分岐状ヘテロアルケニル基、C2〜C20直鎖状または分岐状ヘテロアルキニル基、C3〜C20直鎖状または分岐状シクロアルキル基、C2〜C20直鎖状または分岐状ヘテロシクロアルキル基、C2〜C20直鎖状または分岐状アルキルカルボン酸基、C2〜C20直鎖状または分岐状アルキルカルボキサミド基、C2〜C20直鎖状または分岐状アルキルイミノ基、C1〜C20直鎖状または分岐状アルキルスルホン酸基、C1〜C20直鎖状または分岐状ニトリル基、C5〜C40アリール基、C1〜C40ヘテロアリール基、C6〜C40アルキルアリール基からなる群において選択される)
からなる群において選択され、
[Ar’]n単位が、以下の式(u)、(v)、(w)、(x)および(y)
【化５】
2016507473.tif 000005
(式中、nは、2〜10の間に含まれ、R8、R9は、以上に規定の通りであり、
からなる群において選択され、
Tは、C1〜C20直鎖状または分岐状アルキル基、C2〜C20直鎖状または分岐状アルケニル基、C2〜C20直鎖状または分岐状アルキニル基、C1〜C20フルオロアルキル基、C1〜C20チオアルキル基、C1〜C20シリシオアルキル(silicioalkyl)基、C1〜C20アルキルアミノ基、C2〜C20アルキルイミノ基、フェニル基、少なくとも1つのC1〜C10アルキル基及び/または少なくとも1つのC1〜C10ヘテロアルキル基で置換されたフェニル基、チエニル基、少なくとも1つのC1〜C10アルキル基及び/または少なくとも1つのC1〜C10ヘテロアルキル基で置換されたチエニル基、ナフタレン、置換ナフタレン、アントラセン、置換アントラセン、C4〜C20三環式ヘテロアリール基からなる群において選択され、
R1は、水素、C1〜C40直鎖状または分岐状アルキル基、C2〜C40直鎖状または分岐状アルケニル基、C2〜C40直鎖状または分岐状アルキニル基、C1〜C40直鎖状または分岐状ヘテロアルキル基、C2〜C40直鎖状または分岐状ヘテロアルケニル基、C2〜C40直鎖状または分岐状ヘテロアルキニル基、C3〜C40直鎖状または分岐状シクロアルキル基、C2〜C40直鎖状または分岐状ヘテロシクロアルキル基、C2〜C40直鎖状または分岐状アルキルカルボン酸基、C2〜C40直鎖状または分岐状アルキルカルボキサミド基、C2〜C40直鎖状または分岐状アルキルイミノ基、C1〜C40直鎖状または分岐状アルキルスルホン酸基、C1〜C40直鎖状または分岐状アルキルニトリル基からなる群において選択される）
からなる群において選択される式を有する化合物。
【請求項２】
R1が、フェニル基、置換フェニル基、ベンジル基、及び置換ベンジル基からなる群において選択される、請求項1に記載の化合物。
【請求項３】
以下の化合物6、8、10、11、12、13、14、15、16、17、18
【化６】
2016507473.tif 000006
の中から選択されることを特徴とする、請求項1に記載の化合物。
【請求項４】
電子デバイスにおける、有機半導体材料としての、請求項1から3のいずれか一項に記載の化合物の使用。
【請求項５】
多数の電極に接している半導体層を備えた電子デバイスであって、半導体層が、請求項1から3に記載の少なくとも1つの化合物を含む、電子デバイス。