【手続補正書】
【提出日】平成28年12月9日(2016.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
静電チャックであって、
ヒータと、
前記ヒータ上に配置した電極と、
前記電極上に配置した絶縁体層と、
前記絶縁体層上に配置し、前記電極が発生する静電場を支持して基板を吸着するよう構成したコーティングと、
を備える、静電チャック。
【請求項２】
請求項１記載の静電チャックにおいて、前記コーティングは、前記静電チャックからの放射率を低下させるよう構成した複数の誘電体層を有する、静電チャック。
【請求項３】
請求項２記載の静電チャックにおいて、前記複数の誘電体層は、２.５μｍ〜５.０μｍの間における電磁放射波長に対して２０％より高い平均反射率を生ずるよう構成する、静電チャック。
【請求項４】
請求項２記載の静電チャックにおいて、前記複数の誘電体層は、１.５μｍ〜５.０μｍの間における電磁放射波長に対して２０％より高い平均反射率を生ずるよう構成する、静電チャック。
【請求項５】
請求項２記載の静電チャックにおいて、前記複数の誘電体層は、隣接する誘電体層間で屈折率が変化する２つ又はそれ以上の誘電体層を有する、静電チャック。
【請求項６】
請求項２記載の静電チャックにおいて、前記複数の誘電体層は、合計で０.５μｍ〜５μｍの厚さを有する、静電チャック。
【請求項７】
請求項１記載の静電チャックにおいて、前記絶縁体層はガラス層とする、静電チャック。
【請求項８】
請求項１記載の静電チャックにおいて、前記コーティングは第１厚さｔＣを有し、また前記絶縁体層は第２厚さｔＧを有し、ｔＣ／ｔＧが０.００５〜０.０５である、静電チャック。
【請求項９】
請求項１記載の静電チャックにおいて、前記コーティングの外面と基板との間にガスを供給するよう構成したガス源を備える、静電チャック。
【請求項１０】
請求項１記載の静電チャックにおいて、前記静電チャックは５００℃に加熱されるものであって、また、前記コーティングを前記静電チャックから除去したときには、前記コーティングが存在するときよりも、前記ヒータからのパワー損失が少なくとも２５％より多い、静電チャック。
【請求項１１】
請求項１記載の静電チャックにおいて、さらに、前記ヒータ上に配置した１つ又はそれ以上の追加電極を備える、静電チャック。
【請求項１２】
イオン注入システムにおいて、
イオンを発生して基板に注入するイオン源と、
イオンに対する曝露中に前記基板を保持するよう構成した静電チャックと、を有する基板ホルダシステムであって、前記静電チャックは、
電極と前記基板との間にガスを供給するガスフローシステムと、
前記電極と前記基板との間におけるガスを加熱するヒータと、
前記ヒータ上に配置した電極システムと、
前記ヒータ上に配置し、前記電極システムが発生する静電場を支持して前記基板を吸着するよう構成したコーティングと、
を有する、イオン注入システム。
【請求項１３】
請求項１２記載のイオン注入システムにおいて、前記コーティングは、前記静電チャックからの放射率を低下するよう構成した複数の誘電体層を有し、前記複数の誘電体層は、隣接する誘電体層間で屈折率が変化する２つ又はそれ以上の誘電体層を有する、イオン注入システム。
【請求項１４】
請求項１２記載のイオン注入システムにおいて、さらに、前記電極システムと前記コーティングとの間に配置したガラス層を備え、前記コーティングは第１厚さｔＣを有し、また前記ガラス層は第２厚さｔＧを有し、ｔＣ／ｔＧが０.００５〜０.０５である、イオン注入システム。
【請求項１５】
請求項１２記載のイオン注入システムにおいて、前記コーティングは、１〜６μｍで９０％より高い反射率を有する広帯域高反射コーティングとする、イオン注入システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】低放射率静電チャック、及び静電チャックを備えたイオン注入システム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は静電処理に関する。より具体的には、本発明は基板（サブストレート）処理のための改良した静電チャック、及び静電チャックを備えたイオン注入システムに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
一実施形態において、静電チャックは、ヒータ及びこのヒータ上に配置した電極を有する。静電チャックは、さらに、絶縁体層及びこの絶縁体層上に配置した低放射率コーティングを有し、この低放射率コーティングは、電極システムが発生する静電場を支持して基板を吸着するよう構成する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
他の実施形態において、イオン注入システムは、イオンを発生して基板にイオンを注入するイオン源と、イオンに対する曝露中に基板を保持するよう構成した静電チャックを有する基板ホルダシステムとを備える。静電チャックは、電極と基板との間にガスを供給するガスフローシステムと、電極と基板との間におけるガスを加熱するヒータと、ヒータ上に配置した電極システムと、ヒータ上に配置した低放射率コーティングであって、電極システムが発生する静電場を支持して基板を吸着するよう構成した、該低放射率コーティングと、を備える。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
図１は、本発明の実施形態により設計した加熱式静電チャックを採用するイオン注入システム１００のブロック図を示す。図示のように、イオン注入システム１００はイオン源１０２を有する。電源１０１は、必要とされるエネルギーをイオン源１０２に供給し、このイオン源１０２は特別な種のイオンを発生するよう構成する。発生したイオンは、イオン源から一連の電極１０４を経て抽出されてビーム９５として形成され、このビーム９５は種々のビームコンポーネント１０６，１０８，１１０，１１２によって導かれ、また操作されて基板に至る。とくに、抽出後、ビーム９５は質量分析器の磁石１０６を通過する。質量分析器は特定磁場により構成し、所望質量対電荷比を有するイオンのみが質量分析器を通過できるようにする。所望種のイオンは減速段１０８を経てコレクタ磁石１１０を通過する。コレクタ磁石１１０は付勢されて、印加磁場の強度及び方向に従ってイオンのビームレットを転向し、基板ホルダシステム（例えば、プラテン）１１４上に配置したワークピース又は基板に向けて標的付けされるリボンビームを生ずる。幾つかの事例において、第２減速段１１２をコレクタ磁石１１０と基板ホルダシステム１１４との間に配置することができる。イオンは、基板における電子及び原子核に衝突するときエネルギーを失い、加速エネルギーに基づいて基板内の所望深さで休止する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
種々の実施形態において、基板ホルダシステム１１４は、以下の図面につき説明する加熱式の静電チャックを有する。図２は、静電チャック２０２及び静電チャックを支持する載置台２２０を有する例示的な静電チャックシステム２００を示す。静電チャック２０２は、絶縁本体２０４、ヒータ２０６、及び電極又は電極システム２０８を有し、これらすべては普通のコンポーネントから構成し、また普通の加熱式の静電チャックに基づいて配列することができる。説明を分かり易くするため、慣例として載置台２２０に取り付ける静電チャック２０２の側面を後面（Ｂ）と見なし、また基板２２４に対面する静電チャック２０２の側面を前面（Ｆ）と見なすことができる。概して、ヒータ２０６は絶縁本体２０４内に配置する、及び／又は後面Ｂ寄りに配置することができる。電極システム２０８も一般的に静電チャック２０２の内部に配置し、図３に示すように、絶縁材料が電極システム２０８と外部との間に存在するようにする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
図６は、静電チャックシステム６００の他の実施形態を示し、この場合、静電チャック６０２は、複数の個別の電極６０４Ａ，６０４Ｂ，６０４Ｃ，６０４Ｄを含む電極システム６０４を備える。幾つかの事例において、電極は、クランプ電圧を電極対における２つの電極間に印加する普通の静電チャックのように電極対として配列する。複数の電極対を設ける実施例において、クランプ電圧は、電極対における２つの電極間に周期的に印加し、これにより、任意な所定時点で少なくとも１つの電極対が電極間にクランプ電圧を発生する。さらに図６に示すように、電圧源６０６は波形６０８のように電圧を供給し、この波形６０８は、異なる実施形態において、電極システム６０４のような電極システムにおける電極対の数に基づいて設計することができる。３電極対システムに対しては、例えば、矩形波の３位相波形を発生し、少なくとも４個の電極が所定時点で作動するのを確実にする。