【誤訳訂正書】
【提出日】平成29年2月8日(2017.2.8)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板（１２）上の材料を結晶化させるために所定の温度プロファイルに従って前記基板を加熱する基板加熱装置（１）であって、
ハウジング（２）と、
前記ハウジング（２）の内側にある少なくとも１つの処理チャンバ（３、４、５）とを備え、
前記処理チャンバには、
基板（１２）を通過させるための、第１の封止可能な開口部（６、８、１０）及び第２の封止可能な開口部（７、９、１１）と、
処理ガスを前記処理チャンバ（３、４、５）内に導入する入口（１７）と、
前記基板（１２）を前記処理チャンバ（３）内に搬送し、かつ、回転可能であるように前記ハウジング（２）に取り付けられている、少なくとも２つの搬送ローラ（１５）と、
前記処理チャンバから前記処理チャンバ（３）と前記ハウジングとの間の空間への前記処理ガスの漏出を防止する封止手段（２０、２５、２６、３１、３２）とが設けられており、
前記封止手段は、
前記処理チャンバ（３、４、５）内で前記搬送ローラ（１５）のそれぞれの端部付近にある通路空間を備えており、それぞれの前記通路空間（２０）に、前記処理チャンバ（３）の内壁（２３）上の第１の通路開口部（２１）、前記処理チャンバ（３、４、５）の外壁（２４）上の第２の通路開口部（２２）、前記搬送ローラ（１５）の周囲に配置されている第１のフランジ（２５）、及び前記第１のフランジ（２５）に隣り合って前記搬送ローラ（１５）の周囲に配置されている第２のフランジ（２６）が設けられており、前記第１のフランジ（２５）が前記第１の通路開口部（２１）付近にあり、前記第２のフランジ（２６）が前記第２の通路開口部（２２）付近にあり、
当該基板加熱装置には、
前記第１のフランジ（２５）又は前記第２のフランジ（２６）と前記通路空間（２０）の壁との間に径方向に延在しているばね空間（３１）と、
前記第１のフランジと前記第２のフランジとの間に取り付けられているリングを備え、前記通路空間内に配置されているばね要素（３０）であり、通路を効果的に封止するために、前記第１のフランジ（２５）のうち軸方向に向いた側面により前記通路空間のうち前記第１の通路開口部（２１）の周辺の部分に第１の力を掛けるため、及び／又は前記第２のフランジ（２６）のうち軸方向に向いた側面により前記通路空間のうち前記第２の通路開口部（２２）の周辺の部分に第２の力を掛けるためのばね要素（３０）とが設けられており、
前記第１及び第２のフランジ（２５、２６）は、前記搬送ローラが軸方向に移動でき、かつ前記搬送ローラが前記第１及び第２のフランジ（２５、２６）の内側で回転できるように配置されており、さらに前記第１及び第２のフランジは、前記通路空間のうち前記通路開口部（２１、２２）の周囲の部分において径方向に移動できる、基板加熱装置。
【請求項２】
前記ばね空間からガスを排出するために前記ばね空間（３１）に接続されている排出ダクト（５０）が設けられている、請求項１に記載の基板加熱装置。
【請求項３】
前記第１のフランジ（２５）の厚さａが前記第２のフランジ（２６）の厚さｂとは異なる、請求項１又は２に記載の基板加熱装置。
【請求項４】
パージガスを導入するために前記処理チャンバ（３）と前記ハウジング（２）との間の前記空間に接続されている供給部（１８）が更に設けられている、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板加熱装置。
【請求項５】
処理ガス流を調節するための、前記処理チャンバ（３）の前記入口（１７）にある第１の調節可能なガス流制御ユニット（５１）と、前記ばね空間（３１）からのオフガス流を調節するための、前記ばね空間（３１）の排出ダクト（５０）内にある第２のガス流制御ユニット（５２）とが設けられており、封止された状態にある封止可能な前記処理チャンバ（３）内の前記処理ガスの圧力と、前記処理チャンバ（３）と前記ハウジング（２）との間の前記空間内のパージガスの圧力との間で、調節可能な処理ガス流及び調節可能なオフガス流により所望の圧力差を設定することができる、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板加熱装置。
【請求項６】
前記処理チャンバ（３）と前記ハウジング（２）との間の前記空間内のパージガスの前記圧力を記録する第１の圧力センサ（５３）と、処理ガスの前記圧力を記録する、前記処理チャンバ（３）内の第２の圧力センサ（５４）と、前記圧力センサ（５３、５４）及び前記調節可能なガス流制御ユニット（５１、５２）に接続されている制御ユニット（５５）であり、前記所望の圧力差を維持するように構成されている制御ユニット（５５）とが更に設けられている、請求項５に記載の基板加熱装置。
【請求項７】
前記第１のフランジ（２５）及び前記第２のフランジ（２６）の対向面に、径方向に向いたリブ（２７、２８、２９、２７’、２８’、２９’）が設けられており、前記第１のフランジ（２５）及び前記第２のフランジ（２６）それぞれの隣り合う２つのリブにより形成されている挟角αが互いに等しい、請求項６に記載の基板加熱装置。
【請求項８】
前記第１のフランジの前記リブ（２７、２８、２９）が、前記搬送ローラ（１５）の長手方向軸の周囲で、前記第２のフランジ（２６）のリブ（２７’、２８’、２９’）に対して前記挟角αの半分に等しい固定角βだけ回転されるように、前記第１のフランジ（２５）が前記第２のフランジ（２６）に対して位置決めされている、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記ばね要素（３０）が炭素含有材料を備えている、請求項７又は８に記載の基板加熱装置。
【請求項１０】
前記炭素含有材料が炭素繊維強化炭素を含む、請求項９に記載の基板加熱装置。
【請求項１１】
前記第１のフランジ（２５）のそれぞれ及び前記第２のフランジ（２６）のそれぞれがグラファイト、溶融石英、又はホウケイ酸塩を含む、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の基板加熱装置。
【請求項１２】
前記通路空間（２０）の外壁に、前記搬送ローラの周囲の取外し可能な部分（３２）が設けられている、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の基板加熱装置。
【請求項１３】
前記基板（１２）の搬送方向において少なくとも第１の処理チャンバ（３）の前に位置決めされている気相輸送堆積装置（４２）が更に設けられている、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の基板加熱装置。
【請求項１４】
前記搬送ローラを回転させるために前記搬送ローラ（１５）に連結されている駆動装置（３４）が更に設けられている、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の基板加熱装置。
【請求項１５】
前記駆動装置（３４）が、前記処理チャンバ内で前記基板の振動運動を生み出すために前記搬送ローラ（１５）を回転させるように構成されている、請求項１４に記載の基板加熱装置。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
本装置の別の実施形態に、基板の搬送方向において少なくとも第１の処理チャンバの前に位置決めされている気相輸送堆積装置が設けられている。基板加熱装置に気相輸送堆積装置を組み込むことの利点は、セレン層が塗布された直後に装置の内部で基板を処理チャンバに搬送することができることであり、その結果として、より効率的な方法で大量生産を実現することができる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３４】
装置１に、基板１２を所望の第１の温度、例えば１００℃、にする予熱器４０が更に設けられていてもよい。予熱器は石英管４１を備えていてもよい。装置１に、既知の気相輸送堆積装置４２が更に設けられていてもよい。気相輸送堆積装置４２は、基板１２の搬送方向において少なくとも第１の処理チャンバ３の前に、例えば入口ポート１３と第１の処理チャンバ３との間に、位置決めされている。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３５】
気相輸送堆積装置４２は、塗布される材料、例えばセレン、を蒸発させる蒸発器と、窒素ガスの供給のための接続部とを備えている。気相輸送堆積装置に、流出開口部４４を備えた出口ダクト４２が更に設けられており、気相輸送堆積装置は、基板１２の上面に約５００℃の温度を有する窒素セレン蒸気４８を供給するように構成されている。流出開口部４４の幅は基板の幅に対応しており、例えば６０ｃｍである。流出開口部の長さは例えば２０ｍｍである。更に、気相輸送堆積装置に、基板上に蒸着されなかった窒素セレン蒸気４８を回収するための、基板に面している回収開口部を備えた２つの回収ダクト４６が設けられている。装置内に気相輸送堆積装置を組み込むことの利点は、セレン層が塗布された直後に、装置内で基板を処理チャンバに搬送することができることであり、その結果として、より効率的な方法で大量生産を実現することができる。