【手続補正書】
【提出日】平成29年10月2日(2017.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６９】
第２の実験において、ＩＴＯナノ粒子をＡＺＯナノ粒子（Ａｌｆａ  Ａｅｓａｒ  （ｅｘ．  Ｎａｎｏｐｈａｓｅ）、製品番号４４９２７）の代わりに使用し、以下の結果を観察した：
２５０回転／分スピンコーティング速度：３０％ヘイズ、８，８００ｎｍ膜厚、Ｒａ＝８ｎｍ、伝導度＝５Ω／□（２２６Ｓ／ｃｍ）
８０００回転／分スピンコーティング速度：１４％ヘイズ、１８００ｎｍ膜厚、Ｒａ＝１０ｎｍ、伝導度＝１４００Ω／□（３．９Ｓ／ｃｍ）。
（態様）
（態様１）
有機エレクトロニクスの群から選択された電子機器であって、
該機器は基材および多数の層を含み、
該層の少なくとも１つはバッファー層であり、
該バッファー層は、少なくとも１種の分散剤で被覆された金属酸化物ナノ粒子を含み、
該分散剤は、式（Ｉ）
ＲＯ−（Ｃ２Ｈ４Ｏ）ｍ（Ｃ３Ｈ６Ｏ）ｎ−Ｈ      （Ｉ）
（式中、ＲはＣ１〜Ｃ１０アルキルであり；そしてｍおよびｎは、それぞれ独立して、２〜６０である）のアルキルエーテルのホスフェートエステルであるか、
または、
該分散剤は、式（ＩＩＩ）
ＲＯ（Ｃ２Ｈ４Ｏ）ｏ（ＰＥＳ）ｐ−Ｈ      （ＩＩＩ）
（式中、Ｒは、Ｃ１〜１０アルキルであり；ＰＥＳは、環状ラクトンから誘導されたポリエステルであり；ｏは５〜６０であり；ｐは２〜３０であり；そしてＲＯ（Ｃ２Ｈ４Ｏ）ｏの分子量は（ＰＥＳ）ｐの分子量より大きい）のブロックコポリマーのホスフェートエステルである、電子機器。
（態様２）
ＯＰＶ、ＯＬＥＤ、光検出器および有機トランジスターからなる群から選択された、態様１に記載の機器。
（態様３）
該多数の層が、通常構造中にまたは逆構造中に並べられている、態様２に記載の機器。
（態様４）
該バッファー層が、正孔輸送（ＨＴＬ）、正孔注入（ＨＩＬ）、正孔抽出（ＨＥＬ）、電子輸送（ＥＴＬ）、電子注入（ＥＩＬ）および電子抽出（ＥＥＬ）層からなる群から選択される、態様１に記載の機器。
（態様５）
該金属酸化物ナノ粒子が、
純粋な金属酸化物、好ましくはＺｎＯ、ＴｉＯｘ、ＷＯｘ、ＮｉＯ、ＶｙＯｘ、ＭｏｙＯｘおよびＮｂｙＯｘ；
混合金属酸化物、好ましくはＩＧＺＯ、ＩＺＯ、ＺｎＳｎＯ３；
ドープ金属酸化物、好ましくは  ＩＴＯおよびＡＴＯ；
からなる群から選択され、該金属酸化物が、任意選択的に炭素質材料を含む、態様１〜４のいずれか一項に記載の機器。
（態様６）
該金属酸化物ナノ粒子が、ＺｎＯ、ＡｌドープＺｎＯ（「ＡＺＯ」）、炭素質材料含有ＺｎＯ、炭素質材料含有ＡＺＯ、ＴｉＯｘおよびドープＴｉＯｘからなる群から選択される、態様１〜５のいずれか一項に記載の機器。
（態様７）
該基材が、
（ａ）活性層；または
（ｂ）追加のバッファー層；または、
（ｃ）無機導電性電極材料、好ましくはＩＴＯ、Ａｇ、ＣｕまたはＮｉ；または、
（ｄ）有機導電性電極材料、好ましくはＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ；または、
（ｅ）（ｃ）および（ｄ）の組み合わせから選択される、態様１〜６のいずれか一項に記載の機器。
（態様８）
多数の層で被覆されたシート状基材を含む半製品であって、該層が、
（ａ）順に、電極／ＨＥＬ／活性層／ＥＥＬ／電極（「通常構造」）を有するか；または、
（ｂ）順に、電極／ＥＥＬ／活性層／ＨＥＬ／電極（「逆構造」）を有するか；または、
（ｃ）順に、電極／ＥＥＬ／活性層／ＨＥＬを含むか；または、
（ｄ）順に、電極／ＨＥＬ／活性層／ＥＥＬを含むか；または、
（ｅ）順に、電極／ＨＩＬ／ＨＴＬ／活性層／ＥＴＬ／ＥＩＬ／電極を含み、
（ａ）〜（ｅ）のぞれぞれの場合において、該バッファー層、ＨＥＬ、ＥＥＬ、ＨＩＬの１つまたは２つ以上は、場合によって、態様６に記載の材料を含む、半製品。
（態様９）
該バッファー層が、散乱粒子を含まず、そして３〜１０００ｎｍの厚さを有し、または該バッファー層が、散乱粒子を含み、そして１００〜２００００ｎｍの厚さを有し；そして／または、
該バッファー層が、３０ｎｍ未満の平均表面粗さを有し；そして／または、
該バッファー層が、追加の散乱粒子を含み；そして／または、
該基材が、ＩＴＯ、銀、銅、ニッケル、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳまたは活性層の群から選択され；そして／または、
追加の層が存在せず；そして／または、
リン含有量は、０．００５〜１３ｗｔ％の範囲内にある、態様８に記載の半製品。
（態様１０）
（ａ）金属酸化物ナノ粒子の群から選択されるが、ＺｎＯナノ粒子を含まない、ナノ粒子と、
（ｂ）式（Ｉ）のアルキルエーテルのホスフェートエステルおよび／または式（ＩＩＩ）のブロックコポリマーの群から選択された、分散剤と、
（ｃ）溶媒、好ましくは水、アルコール、グリコールエーテルおよびケトンからなる群から選択された溶媒と、
を含む、懸濁液の形態の組成物。
（態様１１）
態様９または８に記載の半製品を製造するための、またはＯＬＥＤ、ＯＰＶ、光検出器および有機トランジスターからなる群から選択される電子機器を製造するための、
（ａ）態様１中で規定された分散剤で被覆された金属酸化物ナノ粒子、特に態様５中で規定された金属酸化物ナノ粒子と、
（ｂ）水、アルコール、グリコールエーテルおよびケトンからなる群から選択された溶媒と、
を含む、懸濁液の形態の組成物の使用。
（態様１２）
態様９または８に記載の半製品を製造する方法であって、
（ａ）基材または被覆された基材上に懸濁液を適用する工程であって、該懸濁液は（ｉ）態様１中で規定された分散剤で被覆された金属酸化物ナノ粒子、特に態様５中で規定された金属酸化物ナノ粒子と、（ｉｉ）溶媒と、を含む工程と、
（ｂ）組成物から該溶媒を除く工程と、
（ｃ）任意選択的に高温で乾燥層を処理する工程と、
の各ステップを含み、該バッファー層が製造される、方法。
（態様１３）
（ａ）ステップ（ａ）の該懸濁液がコーティングまたは印刷によって適用され；そして／または、
（ｂ）ステップ（ｂ）の該溶媒が、空気下除去されるか、または低湿度含有量を有する保護ガス下で除去され；そして／または、
（ｃ）ステップ（ｃ）中の乾燥したナノ粒子膜が、空気中または保護ガス中で、８０℃〜１５０℃においてアニールされる、態様１２に記載の方法。
（態様１４）
すべての層がコーティングまたは印刷によって製造される、態様１３または１２に記載の方法。
（態様１５）
態様１〜８のいずれか一項に記載の電子機器を製造するための方法であって、
（ａ）態様８に記載の半製品を提供することと、
（ｂ）該製品の該層と電気回路と接触させることと、
（ｃ）得られた製品を仕上げることと、
の各ステップを含む、方法。
（態様１６）
（ａ）態様８に記載の半製品を提供することと、
（ｂ）該層と電気回路とを接触させることと、
（ｃ）得られた製品を仕上げることと、
の各ステップを含む方法によって得られた、電子機器。
（態様１７）
（ａ）基材または被覆された基材上に懸濁液を適用する工程であって、該懸濁液が（ｉ）態様１中で規定された分散剤で被覆された金属酸化物ナノ粒子、特に態様５中で規定された金属酸化物ナノ粒子、および（ｉｉ）溶媒を含む、工程と、
（ｂ）組成物から該溶媒を除く工程と、
（ｃ）任意選択的に高温で乾燥層を処理する工程と、
の各ステップを含む方法によって得られた、半製品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機エレクトロニクスの群から選択された電子機器であって、
該機器は追加のＳＡＭ層を有さず基材および多数の層を含み、
該層の少なくとも１つはバッファー層であり、
該バッファー層は、少なくとも１種の分散剤で被覆された金属酸化物ナノ粒子を含み、
該分散剤は、式（Ｉ）
ＲＯ−（Ｃ２Ｈ４Ｏ）ｍ（Ｃ３Ｈ６Ｏ）ｎ−Ｈ      （Ｉ）
（式中、ＲはＣ１〜Ｃ１０アルキルであり；そしてｍおよびｎは、それぞれ独立して、２〜６０である）のアルキルエーテルのホスフェートエステルであるか、
または、
該分散剤は、式（ＩＩＩ）
ＲＯ（Ｃ２Ｈ４Ｏ）ｏ（ＰＥＳ）ｐ−Ｈ      （ＩＩＩ）
（式中、Ｒは、Ｃ１〜１０アルキルであり；ＰＥＳは、環状ラクトンから誘導されたポリエステルであり；ｏは５〜６０であり；ｐは２〜３０であり；そしてＲＯ（Ｃ２Ｈ４Ｏ）ｏの分子量は（ＰＥＳ）ｐの分子量より大きい）のブロックコポリマーのホスフェートエステルである、電子機器。
【請求項２】
ＯＰＶ、ＯＬＥＤ、有機光検出器および有機トランジスターからなる群から選択された、請求項１に記載の機器。
【請求項３】
該機器が有機太陽電池（ＯＰＶ）の群から選択されており、該多数の層が、通常構造中にまたは逆構造中に並べられている、請求項２に記載の機器。
【請求項４】
該バッファー層が、正孔輸送（ＨＴＬ）、正孔注入（ＨＩＬ）、正孔抽出（ＨＥＬ）、電子輸送（ＥＴＬ）、電子注入（ＥＩＬ）および電子抽出（ＥＥＬ）層からなる群から選択される、請求項１に記載の機器。
【請求項５】
該金属酸化物ナノ粒子が、
純粋な金属酸化物；
混合金属酸化物；
ドープ金属酸化物；
からなる群から選択される、請求項１〜４のいずれか一項に記載の機器。
【請求項６】
該金属酸化物が炭素質材料を含む、請求項５に記載の機器。
【請求項７】
該金属酸化物ナノ粒子が、ＺｎＯ、ＡｌドープＺｎＯ（「ＡＺＯ」）、炭素質材料含有ＺｎＯ、炭素質材料含有ＡＺＯ、ＴｉＯｘおよびドープＴｉＯｘからなる群から選択される、請求項１〜６のいずれか一項に記載の機器。
【請求項８】
該基材が、
（ａ）活性層；または
（ｂ）追加のバッファー層；または、
（ｃ）無機導電性電極材料；または、
（ｄ）有機導電性電極材料；または、
（ｅ）（ｃ）および（ｄ）の組み合わせから選択される、請求項１〜７のいずれか一項に記載の機器。
【請求項９】
多数の層で被覆されたシート状基材を含む半製品であって、該層が、
（ａ）順に、電極／ＨＥＬ／活性層／ＥＥＬ／電極（「通常構造」）を有するか；または、
（ｂ）順に、電極／ＥＥＬ／活性層／ＨＥＬ／電極（「逆構造」）を有するか；または、
（ｃ）順に、電極／ＥＥＬ／活性層／ＨＥＬを含むか；または、
（ｄ）順に、電極／ＨＥＬ／活性層／ＥＥＬを含むか；または、
（ｅ）順に、電極／ＨＩＬ／ＨＴＬ／活性層／ＥＴＬ／ＥＩＬ／電極を含み、
（ａ）〜（ｅ）のぞれぞれの場合において、該バッファー層、ＨＥＬ、ＥＥＬ、ＨＩＬの１つまたは２つ以上は、場合によって、請求項７に記載の材料を含む、半製品。
【請求項１０】
該バッファー層が、散乱粒子を含まず、そして３〜１０００ｎｍの厚さを有し、または該バッファー層が、散乱粒子を含み、そして１００〜２００００ｎｍの厚さを有し；そして／または、
該バッファー層が、３０ｎｍ未満の平均表面粗さを有し；そして／または、
該バッファー層が、追加の散乱粒子を含み；そして／または、
該基材が、ＩＴＯ、銀、銅、ニッケル、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳまたは活性層の群から選択され；そして／または、
追加の層が存在せず；そして／または、
リン含有量は、０．００５〜１３ｗｔ％の範囲内にある、請求項９に記載の半製品。
【請求項１１】
（ａ）金属酸化物ナノ粒子の群から選択されるが、ＺｎＯナノ粒子を含まない、ナノ粒子と、
（ｂ）式（Ｉ）のアルキルエーテルのホスフェートエステルおよび／または式（ＩＩＩ）のブロックコポリマーの群から選択された、分散剤と、
（ｃ）溶媒と、
を含む、懸濁液の形態の組成物。
【請求項１２】
請求項９または１０に記載の半製品を製造するための、またはＯＬＥＤ、ＯＰＶ、有機光検出器および有機トランジスターからなる群から選択される電子機器を製造するための、
（ａ）請求項１中で規定された分散剤で被覆された金属酸化物ナノ粒子と、
（ｂ）水、アルコール、グリコールエーテルおよびケトンからなる群から選択された溶媒と、
を含む、懸濁液の形態の組成物の使用。
【請求項１３】
請求項９または１０に記載の半製品を製造する方法であって、
（ａ）基材または被覆された基材上に懸濁液を適用する工程であって、該懸濁液は（ｉ）請求項１中で規定された分散剤で被覆された金属酸化物ナノ粒子と、（ｉｉ）溶媒と、を含む工程と、
（ｂ）組成物から該溶媒を除く工程と、
の各ステップを含み、該バッファー層が製造される、方法。
【請求項１４】
（ｃ）高温で乾燥層を処理する工程をさらに含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
（ａ）ステップ（ａ）の該懸濁液がコーティングまたは印刷によって適用され；そして／または、
（ｂ）ステップ（ｂ）の該溶媒が、空気下除去されるか、または低湿度含有量を有する保護ガス下で除去され；そして／または、
（ｃ）ステップ（ｃ）中の乾燥したナノ粒子膜が、空気中または保護ガス中で、８０℃〜１５０℃においてアニールされる、請求項１３または１４に記載の方法。
【請求項１６】
すべての層がコーティングまたは印刷によって製造される、請求項１３〜１５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１７】
請求項１〜９のいずれか一項に記載の電子機器を製造するための方法であって、
（ａ）請求項９に記載の半製品を提供することと、
（ｂ）該製品の該層と電気回路と接触させることと、
（ｃ）得られた製品を仕上げることと、
の各ステップを含む、方法。