(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
密閉チャンバ内に収容された処理槽に基板を浸漬して当該基板に対して水洗処理を施し、前記密閉チャンバ内に有機溶媒の蒸気を供給して水洗処理後の基板をこの蒸気中にさらすようにした基板処理方法において、前記密閉チャンバ内を減圧手段により減圧し、この減圧状態で有機溶媒蒸気の供給系に設けられる開閉バルブを開いて有機溶媒の蒸気を前記減圧手段で吸引させることにより前記密閉チャンバ内に有機溶媒の蒸気を供給することを特徴とする基板処理方法。
【請求項２】
前記密閉チャンバ内に有機溶媒の蒸気を供給しながら、前記処理槽から基板を取り出すことを特徴とする請求項１記載の基板処理方法。
【請求項３】
前記処理槽から基板を取り出した後に、前記密閉チャンバ内に有機溶媒の蒸気あるいは不活性ガスを供給することを特徴とする請求項１または２記載の基板処理方法。
【請求項４】
処理槽内に基板を浸漬して水洗処理を施すようにした基板処理装置において、前記処理槽を密閉収容する密閉チャンバと、基板を前記処理槽から取り出すハンドリング手段と、有機溶媒の蒸気を発生させる蒸気発生手段と、この蒸気発生手段と前記密閉チャンバとを連通接続し、かつ開閉バルブを有する有機溶媒蒸気の供給系と、前記蒸気発生手段により発生した有機溶媒の蒸気を前記密閉チャンバ内へ供給させるべく前記密閉チャンバ内を減圧する減圧手段と、この減圧手段により前記密閉チャンバ内を減圧した状態で、前記供給系の開閉バルブを開いて前記蒸気発生手段により発生した有機溶媒の蒸気を前記減圧手段により前記密閉チャンバ内へ吸引させ、前記ハンドリング手段により水洗処理後の基板を処理槽内から取り出して前記密閉チャンバ内の有機溶媒の蒸気中にさらさせる制御手段とを備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
前記制御手段は、前記ハンドリング手段により水洗処理後の基板を処理槽内から取り出す際に、前記蒸気発生手段により発生した有機溶媒の蒸気を前記減圧手段により前記密閉チャンバ内へ供給させて前記密閉チャンバ内を減圧させることを特徴とする請求項４記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記制御手段は、前記ハンドリング手段により水洗処理後の基板を処理槽内から取り出した後に、前記蒸気発生手段により発生した有機溶媒の蒸気を前記減圧手段により前記密閉チャンバ内へ供給させて前記密閉チャンバ内を減圧させることを特徴とする請求項４または５記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記密閉チャンバ内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段をさらに備え、前記制御手段は、前記ハンドリング手段により水洗処理後の基板を処理槽内から取り出した後に、前記不活性ガス供給手段により前記密閉チャンバ内に不活性ガスを供給させることを特徴とする請求項４または５記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板や液晶用ガラス基板等の基板に表面処理を施す方法及び同装置、特に、基板を処理槽内に浸漬して水洗処理を施すようにした基板処理方法及び同装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、半導体基板や液晶ガラス基板等の基板の製造において、基板を処理槽に貯留された薬液や純水（双方をまとめて「処理液」という）に浸漬し、処理槽内の処理液を順次異なる処理液と入れ替えることにより基板に薬液処理や水洗処理を施す方法や装置は一般に知られている。
【０００３】
この種の基板処理装置の一つとして、例えば、特開平７−１３０６９９号公報に記載された装置がある。この基板処理装置は、処理槽を密閉チャンバ内に収納し、水洗処理が完了した後、基板を処理槽から引き上げながら、２−プロパノール（イソプロピルアルコール：「ＩＰＡ」という）蒸気をチャンバ内に吹き込むことによって処理残渣や水洗処理の際に付着した水を除去するものである。この装置によれば、処理槽から基板が取り出される際に、ＩＰＡ蒸気が基板表面で凝縮し、この凝縮熱によって水が蒸発するとともに、ＩＰＡ膜により基板表面のぬれ性が高められて処理残渣が剥離、除去される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上記従来の装置では、チャンバ内に窒素ガスを吹き込みながら、この窒素ガスをキャリアガスとしてＩＰＡ蒸気をチャンバ内に供給するようにしているため、基板を効率よく処理する上で問題がある。
【０００５】
すなわち、基板表面に付着した水や処理残渣を除去するには、基板の表面全体に多くのＩＰＡ蒸気をむらなく凝縮させることが重要であり、このようにＩＰＡ蒸気を凝縮させるにはチャンバ内のＩＰＡ蒸気の濃度を高くする必要がある。ところが、窒素ガスをキャリアガスとしてＩＰＡ蒸気を密閉チャンバ内に供給する従来装置では、ＩＰＡ蒸気が窒素ガスで希釈されるため、チャンバ内のＩＰＡ濃度を高めるのに長時間を要する。そのため、水や処理残渣を確実に除去しようとすると、例えば、有機溶媒を長い時間密閉チャンバ内に供給した後に処理槽から基板を取り出したり、あるいは、取り出した基板を長い時間蒸気中にさらす必要があり、基板処理に長時間を要するという問題がある。また、窒素ガスによる希釈が行われるので、処理に要するＩＰＡ総量も増大するという問題がある。
【０００６】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、水洗処理後の水や処理残渣をより少ない有機溶媒量で、しかも短時間で除去することができる基板処理方法及び同装置を提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の基板処理方法は、密閉チャンバ内に収容された処理槽に基板を浸漬して当該基板に対して水洗処理を施し、前記密閉チャンバ内に有機溶媒の蒸気を供給して水洗処理後の基板をこの蒸気中にさらすようにした基板処理方法において、前記密閉チャンバ内を減圧手段により減圧し、この減圧状態で有機溶媒蒸気の供給系に設けられる開閉バルブを開いて有機溶媒の蒸気を前記減圧手段で吸引させることにより前記密閉チャンバ内に有機溶媒の蒸気を供給するようにしたものである（請求項１）。
【０００８】
このようにすれば、従来のこの種の装置のように有機溶媒の濃度が希釈されることがなく、密閉チャンバ内の有機溶媒の濃度を短時間で充分に高めることが可能となる。
【０００９】
このような方法において、前記密閉チャンバ内に有機溶媒の蒸気を供給しながら、前記処理槽から基板を取り出すようにすれば（請求項２）、有機溶媒の蒸気の供給により密閉チャンバ内に気流が生じ、処理槽から取り出される基板に付着した水や基板表面の有機溶媒の蒸発が促進される。
【００１０】
さらに、請求項１または２記載の方法において、前記処理槽から基板を取り出した後に、前記密閉チャンバ内に有機溶媒の蒸気あるいは不活性ガスを供給するようにすれば（請求項３）、取り出された基板に付着している水や基板表面に残った有機溶媒の蒸発が促進される。
【００１１】
また、上記課題を解決するために、本発明の基板処理装置は、処理槽内に基板を浸漬して水洗処理を施すようにした基板処理装置において、前記処理槽を密閉収容する密閉チャンバと、基板を前記処理槽から取り出すハンドリング手段と、有機溶媒の蒸気を発生させる蒸気発生手段と、この蒸気発生手段と前記密閉チャンバとを連通接続し、かつ開閉バルブを有する有機溶媒蒸気の供給系と、前記蒸気発生手段により発生した有機溶媒の蒸気を前記密閉チャンバ内へ供給させるべく前記密閉チャンバ内を減圧する減圧手段と、この減圧手段により前記密閉チャンバ内を減圧した状態で、前記供給系の開閉バルブを開いて前記蒸気発生手段により発生した有機溶媒の蒸気を前記減圧手段により前記密閉チャンバ内へ吸引させ、前記ハンドリング手段により水洗処理後の基板を処理槽内から取り出して前記密閉チャンバ内の有機溶媒の蒸気中にさらさせる制御手段とを備えたものである（請求項４）。
【００１２】
この装置によれば、請求項１記載の基板処理方法を制御手段の制御に基づいて自動的に行うことが可能となる。
【００１３】
また、このような装置において、前記ハンドリング手段により水洗処理後の基板を処理槽内から取り出す際に、前記制御手段が、前記蒸気発生手段により発生した有機溶媒の蒸気を前記減圧手段により前記密閉チャンバ内へ供給させて前記密閉チャンバ内を減圧させているので（請求項５）、請求項２記載の基板処理方法を制御手段の制御に基づいて自動的に行うことが可能となる。
【００１４】
さらに、前記ハンドリング手段により水洗処理後の基板を処理槽内から取り出した後に、前記制御手段が、前記蒸気発生手段により発生した有機溶媒の蒸気を前記減圧手段により前記密閉チャンバ内へ供給させて前記密閉チャンバ内を減圧させたり（請求項６）、前記密閉チャンバ内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段をさらに備え、前記ハンドリング手段により水洗処理後の基板を処理槽内から取り出した後に、前記制御手段が、前記不活性ガス供給手段により前記密閉チャンバ内に不活性ガスを供給させれば（請求項７）、請求項３記載の基板処理方法を制御手段の制御に基づいて自動的に行うことが可能となる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態について図面を用いて説明する。
【００１６】
図１は、本発明に係る基板処理装置の一例を概略的に示している。この図に示す基板処理装置１０は、単一の処理槽に各種薬液や純水を順次貯留しながら、半導体ウエハ等の基板をこの処理液に浸漬して表面処理を行う、いわゆるワンバス方式の基板処理装置である。
【００１７】
同図に示すように、基板処理装置１０は、密閉チャンバ１２を有し、この密閉チャンバ１２内に処理液を貯留するための処理槽１４を備えるとともに、有機溶媒蒸気の供給系、チャンバ内を真空にするための減圧系及び処理液の給排系を備えた構成となっている。
【００１８】
密閉チャンバ１２には、その上部に、開口部１６が形成されるとともに、この開口部１６を開閉する扉１８がスライド自在に設けられており、基板Ｗがこの開口部１６を介して密閉チャンバ１２に出し入れされるようになっている。
【００１９】
処理槽１４は、上部開口を有するとともに、その周囲に液受け部１４ａを備えた断面矩形の箱型に形成されており、その全体は例えばＰＴＦＥ（ポリテトラフロロエチレン）、ＰＶＤＦ（フッ化ビニリデン）等の耐侵食性に優れた樹脂材料から構成されている。
【００２０】
処理槽１４には、処理液の給排系を構成する給水管２０及び排水管２１がそれぞれ接続されている。給水管２０は、その上流端側が図外の純水供給源に接続される一方、下流端側が処理槽１４の底部に接続されて処理槽１４内に連通しており、その途中には、開閉バルブ２２、ミキシングバルブ２４及び三方弁２６がその上流側から順に介設されている。
【００２１】
ミキシングバルブ２４には、薬液供給管２８ａ〜２８ｄが接続されており、これら薬液供給管２８ａ〜２８ｄの上流端側がそれぞれ異なる種類の薬液の供給源（図示せず）に接続されるとともに、その途中に、それぞれ開閉バルブ３０ａ〜３０ｄが介設されている。すなわち、給水管２０の開閉弁２２が開かれた状態で開閉バルブ３０ａ〜３０ｄのうちのいずれかの開閉バルブが開かれることにより、給水管２０を通じて供給される純水に一種類の薬液が混合されて処理槽１４に供給される一方、全ての開閉バルブ３０ａ〜３０ｄが閉じられることにより、純水のみが処理槽１４に供給されるようになっている。これにより給水管２０が純水及び各薬液の供給通路として共通化されている。
【００２２】
排水管２１は、上流端側が処理槽１４の液受け部１４ａに接続される一方、下流端側が図外の廃液タンクに接続されている。また、排水管２１には、その途中に分岐管２１ａが設けられ、この分岐管２１ａが給水管２０の三方弁２６に接続されている。すなわち、処理槽１４から液受け部１４ａにオーバーフローした液を排水管２１を介して廃液タンクに導入しつつ、例えば、処理槽１４内の処理液を全て排出する必要がある場合には、三方弁２６を切替えることにより、給水管２０、三方弁２６、分岐管２１ａ及び排水管２１を介して処理槽１４内の処理液を廃液タンクに導入するようになっている。
【００２３】
有機溶媒蒸気の供給系としては蒸気供給管３２が設けられている。この蒸気供給管３２は、上流端側が蒸気発生器３４に接続される一方、下流端側が密閉チャンバ１２に接続されてその内部に連通しており、その途中には、開閉バルブ３６が介設されている。蒸気発生器３４は、アルコール系有機溶媒の蒸気、例えばＩＰＡ蒸気を生成するように構成されている。
【００２４】
密閉チャンバ１２内を真空するための減圧系としては減圧管４０が設けられている。この減圧管４０は、上流端側が密閉チャンバ１２に接続されてその内部に連通している一方、下流端側が例えば水封式の真空ポンプ４４に接続されており、その途中には、三方弁４６が介設されてこの三方弁４６に図外のフィルターを備えた排気管４７が接続されている。そして、三方弁４６の切替えに応じて、密閉チャンバ１２内を排気管４７を介して大気に開放する状態と、密閉チャンバ１２を真空ポンプ４４に接続する状態とに切替え、密閉チャンバ１２を真空ポンプ４４に接続した状態で蒸気真空ポンプ４４を駆動させることにより密閉チャンバ１２内を減圧するように減圧系が構成されている。
【００２５】
そして、後述する処理動作時には、例えば真空ポンプ４４の駆動時間等が制御されることにより、密閉チャンバ１２内を低真空状態及び高真空状態の真空度の異なる２種類の減圧状態とするようになっているとともに、このように密閉チャンバ１２内を減圧した状態（低真空度）で、有機溶媒蒸気の供給系における開閉バルブ３６を開くことにより、ＩＰＡ蒸気を密閉チャンバ１２内に吸引、供給するようになっている。
【００２６】
なお、密閉チャンバ１２内には、複数枚の基板Ｗを保持するハンドリング手段４９（図２に示す）が上下動可能に設けられており、このハンドリング手段４９が下降端位置に移動させられることにより同図中実線で示すように基板Ｗが処理槽１４内の処理液に浸漬させられる一方、ハンドリング手段４９がこの位置から上昇させられることにより基板Ｗが処理液から取り出されるようになっている。
【００２７】
また、密閉チャンバ１２の上部外側には、ハンドリング手段４９との間で基板Ｗを授受する移載機構が移動可能に設けられており、開口部１６を介してこの移載機構とハンドリング手段４９との間で基板Ｗが授受されることにより、基板Ｗが基板処理装置１０に対して出し入れされるようになっている。
【００２８】
ところで、基板処理装置１０には、図２に示すようなコントローラ５０が設けられており、有機溶媒蒸気の供給系、減圧系及び処理液の給排系の各バルブ、蒸気発生器３４、真空ポンプ４４、ハンドリング手段４９及び移載機構等がこのコントローラ５０に電気的に接続されている。コントローラ５０には、主制御手段５２が設けられるとともに、駆動制御手段５４及びバルブ制御手段５６が設けられ、駆動制御手段５４に対してハンドリング手段４９、蒸気発生器３４及び真空ポンプ４４等が、バルブ制御手段５６に対して有機溶媒蒸気の供給系等の各バルブがそれぞれ接続されている。
【００２９】
そして、基板処理装置１０の作動時には、駆動制御手段５４を介してハンドリング手段４９等が、また、バルブ制御手段５６を介して有機溶媒蒸気の供給系等の各バルブがそれぞれ主制御手段５２によって統括的に制御されることにより、以下のような基板Ｗの処理動作が行われるようになっている。
【００３０】
次に、基板処理装置１０による基板Ｗの処理動作について作用と共に図３のフローチャートを用いて説明する。
【００３１】
先ず、ハンドリング手段４９が上昇端位置にセットされた状態で密閉チャンバ１２の開口部１６が開放され、密閉チャンバ１２の上方に搬送されてきた複数枚の基板Ｗが移載機構により一括してハンドリング手段４９に引き渡されて開口部１６が閉じられる。このとき、密閉チャンバ１２内は大気圧とされ、ＩＰＡ蒸気の供給は行われていない。また、処理槽１４には純水が供給されつつ液受け部１４ａにオーバーフローさせられており、これによって処理槽１４内に純水の上昇流が形成されている。
【００３２】
密閉チャンバ１２の開口部１６が閉じられると、ハンドリング手段４９が下降端位置まで移動させられ、基板Ｗが一括して処理槽１４内の純水に浸漬させられる。そして、基板Ｗがこのような純水による上昇流のなかに配置されることにより、基板Ｗに対して水洗処理が施される（ステップＳ１，２）。
【００３３】
一定時間水洗処理が施されると、次に、薬液供給管２８ａ〜２８ｄのいずれかの開閉バルブ３０ａ〜３０ｄａが開かれることにより薬液が処理槽１４に供給されて基板Ｗに対して薬液処理が施される。このときも、薬液が処理槽１４に連続的に供給されて液受け部１４ａにオーバーフローさせられており、これにより処理残渣が処理槽１４外へと導出される。そして、以後、開閉バルブ３０ａ〜３０ｄが順次択一的に開かれることにより、異なる薬液が処理槽１４内に供給され、これによって基板Ｗに対して複数種類の薬液処理が順次施される（ステップＳ３，４）。
【００３４】
すべての薬液処理が終了すると、再び純水が処理槽１４に供給されて基板Ｗに対して水洗処理が施され、一定時間、水洗処理が行われると処理槽１４への純水の供給が停止される（ステップＳ５，６）。
【００３５】
そして、減圧系において各三方弁４６が切替えられ、一定時間だけ真空ポンプ４４が駆動させられることにより密閉チャンバ１２内が低真空状態にされるとともに、有機溶媒蒸気の供給系において開閉バルブ３６が一定時間開かれ、これによって蒸気発生器３４で生成されたＩＰＡ蒸気が密閉チャンバ１２内に吸引、供給される（ステップＳ７，８）。このように密閉チャンバ１２内を減圧してＩＰＡ蒸気を吸引、供給することで、短時間で多くのＩＰＡ蒸気が密閉チャンバ１２内に供給され、密閉チャンバ１２内の有機溶媒の濃度が短時間で高められる。なお、ＩＰＡ蒸気の供給時間、つまり開閉バルブ３６を開いている時間は、ＩＰＡ蒸気の供給が終了した時点で密閉チャンバ１２内が未だ真空状態に保たれ得る時間に設定されており、本実施形態においては、例えば１０分程度に設定されている。
【００３６】
ＩＰＡ蒸気の供給が停止させられると（ステップＳ９）、次いで、ハンドリング手段４９が上昇端位置に移動させられることにより基板Ｗが処理槽１４から取り出される（ステップＳ１０）。そして、このように基板Ｗが取り出されると、密閉チャンバ１２内に充満しているＩＰＡ蒸気が基板Ｗの表面で凝縮し、この凝縮熱によって基板Ｗに付着した水が蒸発する。また、凝縮したＩＰＡ蒸気により、水洗処理で除去されなかった例えば疎水性の処理残渣等、基板表面に強固に付着した処理残渣等が効果的に剥離されてＩＰＡと共に処理槽１４内に流下することとなる。
【００３７】
処理槽１４から基板Ｗが取り出されると、処理液の給排系において三方弁２６が切替えられて処理槽１４内の純水が急速排水されるとともに、再度、開閉バルブ３６が開かれて密閉チャンバ１２内にＩＰＡ蒸気が吸引、供給される（ステップＳ１１）。このようにＩＰＡ蒸気が密閉チャンバ１２内に供給されることにより、さらに基板表面に付着している水が蒸発させられる。また、このＩＰＡ蒸気の供給に伴い、密閉チャンバ１２内に気流が生じ、この気流により、基板Ｗに凝縮したＩＰＡ蒸気の蒸発が促進される。なお、このときのＩＰＡ蒸気の供給時間は、本実施形態においては５分程度に設定されている。
【００３８】
次いで、ＩＰＡ蒸気の供給が停止させられると（ステップＳ１２）、減圧系の真空ポンプ４４が一定時間だけ駆動させられることにより密閉チャンバ１２内が高真空状態とされる（ステップＳ１３）。これにより基板表面のＩＰＡが蒸発させられて基板Ｗが乾燥させられる。
【００３９】
そして、所定時間後、三方弁４６が切替えられることにより密閉チャンバ１２内が排気管４７を介して大気に開放されるとともに（ステップＳ１４）、開口部１６が開放されて、基板Ｗが一括して移載装置により密閉チャンバ１２外へと搬出される。こうして基板処理装置１０による基板Ｗの処理動作が終了する。
【００４０】
以上説明した基板処理装置１０によれば、ＩＰＡ蒸気を密閉チャンバ１２内に供給する際に、真空ポンプ４４を作動させて密閉チャンバ１２内を減圧した後、開閉バルブ３６を開くことにより蒸気発生器３４で生成したＩＰＡ蒸気を吸引して密閉チャンバ１２内に供給するようにしているので、窒素ガスをキャリアガスとして用いてＩＰＡ蒸気を密閉チャンバ内に供給する手法と比較すると、短い時間で密閉チャンバ１２内のＩＰＡ蒸気の濃度を所望の濃度まで高めることができる。そのため、ＩＰＡ蒸気によって水洗処理後の基板に付着した水や処理残渣等を除去する処理を、より少ないＩＰＡで、しかも短時間で行うことができる。
【００４１】
また、この基板処理装置１０では、ＩＰＡ蒸気を供給した後も密閉チャンバ１２内を減圧状態に保ち、この状態で基板Ｗを処理槽１４から取り出すようにしているので、基板Ｗの取り出しが開始された時点から基板Ｗに付着した水やＩＰＡの蒸発が始まる。そのため、密閉チャンバ１２内が高真空状態に切替えられるまでにある程度の水やＩＰＡを蒸発させておき、高真空状態への切替えに伴い基板Ｗに残っている水やＩＰＡを速やかに蒸発させることができる。そのため、基板Ｗの乾燥処理（上記ステップＳ１３の処理）を迅速、かつ確実に行うことができるという特徴もある。
【００４２】
なお、上記実施形態の基板処理装置１０は、本発明に係る基板処理装置の一例であって、その具体的な構成や制御（動作）は本発明の要旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
【００４３】
例えば、上記基板処理装置１０では、ＩＰＡの蒸気を密閉チャンバ１２内に供給した後に、基板Ｗを処理槽１４から取り出すようにしているが、ＩＰＡ蒸気を密閉チャンバ１２内に供給しながら基板Ｗを取り出すようにしてもよい。このようにすれば、ＩＰＡ蒸気の供給により密閉チャンバ１２内に気流が生じるため、この気流により基板Ｗに付着した水や基板表面に残ったＩＰＡの蒸発を促進させて、基板Ｗの乾燥を促すことができるという特徴がある。この場合、密閉チャンバ１２内に気流が生じていると、この気流の影響でＩＰＡ蒸気の凝縮箇所が基板表面で偏ったり、あるいは凝縮する量が不均一になる等して、基板表面に水や処理残渣が部分的に残ってしまうことが懸念されるが、この装置では、上述のようにＩＰＡ蒸気を吸引することで高濃度のＩＰＡ蒸気を密閉チャンバ１２内に供給するため、上記のような気流の影響は少なく、基板に対してＩＰＡ蒸気を良好に凝縮させて水や処理残渣を除去することができる。
【００４４】
また、基板Ｗを処理槽１４から取り出した後、あるいは取り出し中に密閉チャンバ１２にＩＰＡ蒸気を供給して基板Ｗに付着した水やＩＰＡの蒸発を促進させる代わりに、窒素ガス等の不活性ガスを密閉チャンバ内に供給して気流を生じさせて水やＩＰＡの蒸発を促進させるようにしてもよい。特に、基板Ｗの種類等によっては、水洗処理後、処理槽から取り出された基板に水がほとんど付着しないものもあり、このような基板Ｗの処理においては、上記実施形態のようにＩＰＡ蒸気を凝縮させて水を蒸発させる必要がない。そのため、この種の基板Ｗの処理に際しては、窒素ガス等の不活性ガスを供給するようにすればよい。
【００４５】
さらに、上記実施形態では、真空ポンプ４４を一定時間だけ駆動させ、停止させた後に開閉バルブ３６を開いてＩＰＡ蒸気を密閉チャンバ１２内に吸引、供給するようにしているが（上記ステップＳ７，８）、勿論、真空ポンプ４４を駆動させながら開閉バルブ３６を開いてＩＰＡ蒸気を密閉チャンバ１２内に供給するようにしてもよい。また、基板Ｗを乾燥させるために密閉チャンバ１２内を高真空状態とする場合（上記ステップＳ１３）も、同様に、真空ポンプ４４を継続的に駆動させるようにしてもい。
【００４６】
また、上記実施形態では、有機溶媒としてＩＰＡを用いているが、使用する有機溶媒の種類は、勿論生産する基板の種類等に応じて適宜選定するようにすればよく、基板Ｗを処理槽１４から取り出した際に、基板表面の水や処理残渣の除去に寄与する機能を有する限り任意の有機溶媒を用いてもよい。
【００４７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明は、密閉チャンバ内に有機溶媒の蒸気を供給して水洗処理後の基板を処理槽から取り出してこの蒸気中にさらすようにした基板処理方法及び装置において、密閉チャンバ内を減圧手段により減圧し、この減圧状態で有機溶媒蒸気の供給系に設けられる開閉バルブを開いて有機溶媒の蒸気を前記減圧手段で吸引させることにより密閉チャンバ内に有機溶媒の蒸気を供給するようにしたので、短い時間で密閉チャンバ内の有機溶媒の蒸気濃度を所望の濃度まで高めることができる。そのため、窒素ガスを用いて有機溶媒の蒸気を密閉チャンバ内に供給する従来の手法に比べると、水洗処理後の基板に付着した水や処理残渣等を有機溶媒の蒸気によって除去する処理を効率良く行うことができる。
【００４８】
特に、このような方法及び装置において、密閉チャンバ内に有機溶媒の蒸気を供給しながら処理槽から基板を取り出すようにしたり、また、処理槽から基板を取り出した後に、密閉チャンバ内に有機溶媒の蒸気あるいは不活性ガスを供給するようにすれば、基板に付着した水や基板表面に残った有機溶媒の蒸発を促進させて、基板の乾燥を促すことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る基板処理装置の一例を示す概略構成図である。
【図２】基板処理装置の制御系を示すブロック図である。
【図３】基板処理装置における基板処理動作の一例を示すフローチャートである。
【符号の説明】
１０  基板処理装置
１２  密閉チャンバ
１４  処理槽
２０  給水管
２１  排水管
２１ａ  分岐管
２８ａ〜２８ｄ  薬液供給管
３０ａ〜３０ｄ  開閉バルブ
３２  蒸気供給管
３４  蒸気発生器
３６  開閉バルブ
４０  減圧管
４４  真空ポンプ
４６  三方弁
４７  排気管
４９  ハンドリング手段
５０  コントローラ
５２  主制御手段
５４  駆動制御手段
５６  バルブ制御手段
Ｗ  基板
【図１】
0003571487.tif 000002
【図２】
0003571487.tif 000003
【図３】
0003571487.tif 000004