(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
亜鉛が０．５〜１０重量％、ビスマスが０．５〜８重量％、残部が実質的に錫からなるＳｎ−Ｚｎ−Ｂｉ合金に、ゲルマニウムが０．００５〜０．０５重量％、銅が０．３〜３重量％添加されてなることを特徴とするはんだ材料。
【請求項２】
亜鉛が３〜１５重量％、インジウムが３〜１０重量％、残部が実質的に錫からなるＳｎ−Ｚｎ−Ｉｎ合金に、ゲルマニウムが０．０１〜０．３重量％、銀が０．３〜３重量％添加されてなることを特徴とするはんだ材料。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線基板に実装される各種電子部品を接続するためのはんだ材料に関する。
【０００２】
【従来の技術】
配線基板に実装される各種電子部品を接合するためのはんだ材料としては、錫−鉛系の共晶系はんだが主流である。
【０００３】
近年、ヨーロッパ及びアメリカを中心に、この鉛による環境汚染の問題が指摘され、規制の法案化が活発に議論されている。そして、これに対応すべく、はんだ材料に対しては、鉛の使用量を減らすための検討や鉛を含まない無鉛はんだ材料の開発が求められている。
【０００４】
ところで、現状で多く用いられている錫−鉛はんだは、錫６３重量％と鉛３７重量％の共晶組成となされており、共晶温度が１８３℃である。この錫−鉛はんだは、鉛の組成比によって濡れ性が適正化され、低温で優れた濡れ性が得られ、良好なはんだ付け性を得ることができる。
【０００５】
一方、現在、検討されている無鉛はんだ材料は、錫をベース元素にしており、錫−鉛はんだに匹敵する特性を得るために、複数の元素が添加された多元系の組成となっている。具体的には、Ｓｎ−Ａｇ系、Ｓｎ−Ｚｎ系、Ｓｎ−Ｉｎ系、並びにＳｎ−Ｂｉ系等の２元共晶合金に、各種添加元素を添加することで特性の制御がなされている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
これらの無鉛はんだ材料は、溶融温度等の温度特性や濡れ性が、未だ錫−鉛はんだに比べて劣っており、さらなる開発が求められる。
【０００７】
特に、はんだ付けの良，不良は、はんだ材料の濡れ性に左右される。すなわち、はんだ材料が濡れ難い場合には被接合材に対して接触不良となり、逆に濡れ過ぎる場合には接続すべきでない被接合材同士の間ではんだのブリッジが形成され、ショートが発生する。このような濡れ性による問題は配線基板の実装密度が高くなる程深刻化し、表面実装技術における電子部品の品質は、はんだの濡れ性によって決まると言っても過言ではない。
【０００８】
このような点から見たときに、これまで提案されている無鉛はんだ材料は、鉛を使用していないために濡れ性の制御が難しく、良好なはんだ付け性が得られないのが実情である。
【０００９】
そこで、本発明はこのような従来の実情に鑑みて提案されたものであり、濡れ性に優れ、良好なはんだ付け性が得られる無鉛はんだ材料を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上述の目的を達成するために、本発明のはんだ材料は、亜鉛が０．５〜１０重量％、ビスマスが０．５〜８重量％、残部が実質的に錫からなるＳｎ−Ｚｎ−Ｂｉ合金に、ゲルマニウムが０．００５〜０．０５重量％、銅が０．３〜３重量％添加されてなることを特徴とするものである。
【００１１】
さらに、亜鉛が３〜１５重量％、インジウムが３〜１０重量％、残部が実質的に錫からなるＳｎ−Ｚｎ−Ｉｎ合金に、ゲルマニウムが０．０１〜０．３重量％、銀が０．３〜３重量％添加されてなることを特徴とするものである。
【００１２】
このようなＳｎ−Ｚｎ−Ｂｉ合金にゲルマニウムと銅が添加されたはんだ材料、は、錫−鉛はんだと同程度の溶融温度を有するとともに機械的特性に優れる。そして、特に、添加元素としてゲルマニウム、銅あるいは銀が添加されていることによって濡れ性が改善され、良好なはんだ付け性が得られる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態について説明する。
【００１４】
本発明のはんだ材料は、Ｓｎを基本元素とする無鉛はんだ材料であり、（１）錫、亜鉛、ビスマスからなるＳｎ−Ｚｎ−Ｂｉ合金に、ゲルマニウムと銅を添加したはんだ材料、（２）錫、亜鉛、インジウムよりなるＳｎ−Ｚｎ−Ｉｎ合金に、ゲルマニウムと銀を添加したはんだ材料である。
【００１５】
これらはんだ材料において添加元素として添加されるＧｅ，Ｃｕ、Ａｇは、いずれもはんだ材料の濡れ性を改善するために用いられるものである。
【００１６】
但し、はんだ材料の濡れ性を改善し、良好なはんだ付け性を得るには、これら添加元素を用いながら、さらにはんだ材料の各構成元素が適正な組成範囲とされていることが必要である。以下、各はんだ材料について、その適正な組成範囲について説明する。なお、はんだ材料の組成比［重量％（ｗｔ％）］は、はんだの溶融試料をＩＣＰ−ＡＥＳ分析（誘導結合高周波プラズマ発光分析：Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ Ａｔｏｍｉｃ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｓｐｅｃｔｏｍｅｔｅｒ）によって測定したものである。
【００１７】
（１）まず、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｂｉ合金に、ＧｅとＣｕを添加したはんだ材料において、各構成元素の組成比は次のようになされていることが必要である。
【００１８】
Ｚｎ：０．５〜１０重量％Ｂｉ：０．５〜８重量％Ｇｅ：０．００５〜０．０５重量％Ｃｕ：０．３〜３重量％Ｓｎ：残部このうちＺｎ，Ｂｉは、はんだ材料の溶融温度を下げるように作用する。このＺｎ，Ｂｉの組成比が上記範囲を下回る場合には、例えば錫−鉛はんだに比べて溶融温度が高くなり、現行のはんだプロセスが使えないといった不都合が生じる。また、Ｚｎ，Ｂｉの組成比が上記範囲を越えると、はんだ材料が脆くなり、断線等を生じる可能性がある。また、Ｚｎ，Ｂｉの組成比が大きくなると、流動性が小さくなる傾向がある。なお、Ｚｎのより好ましい組成比は０．５〜５重量％であり、Ｂｉのより好ましい組成比は０．５〜３重量％である。
【００１９】
Ｇｅ，Ｃｕは、はんだ材料の濡れ性を改善するために添加される。Ｇｅ，Ｃｕの組成比が上記範囲から外れる場合には、濡れ性が低くなり、良好なはんだ付け性が得られない。特に、Ｃｕは、Ｇｅのはんだ合金への取り込みを助けるように作用し、Ｃｕが共存していないと十分量のＧｅをはんだに含有させるのが困難になる。したがって、Ｇｅの効果を得るためにもＣｕが添加されていることが必要である。
【００２０】
但し、Ｃｕの組成比が上記範囲を越える場合には、ＣｕとＳｎの金属間化合物が形成され、これによってクラック等が発生する。さらに、Ｃｕの量が多過ぎると、錫−鉛はんだに比べて溶融温度が高くなり、接合に際する加熱温度を高目に設定しなければならないといった不都合が生じる。
【００２１】
（２）さらに、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｉｎ合金に、ゲルマニウムと銀を添加したはんだ材料において、各構成元素の組成比は次のようになされていることが必要である。
【００２２】
Ｚｎ：３〜１５重量％Ｉｎ：３〜１０重量％Ｇｅ：０．０１〜０．３重量％Ａｇ：０．３〜３重量％Ｓｎ：残部このうちＺｎは、はんだ材料の溶融温度を下げるように作用する。このＺｎの組成比が上記範囲を下回る場合には、錫−鉛はんだに比べて溶融温度が高くなり、接合に際する加熱温度を高めに設定しなければならないといった不都合が生じる。
なお、Ｚｎのより好ましい組成比は６〜１０重量％である。
【００２３】
Ｉｎは、はんだ材料の濡れ性を改善するとともに溶融温度を下げるように作用する。Ｉｎの組成比が上記範囲よりも小さい場合には濡れ性が損なわれたり、溶融温度が高くなり過ぎ、良好なはんだ付け性が得られない。また、Ｉｎの組成比が上記範囲よりも大きいと、機械的強度が弱くなる傾向がある。
【００２４】
ＧｅとＡｇも、はんだ材料の濡れ性を改善するように働く。Ｇｅ，Ａｇの組成比が上記範囲を下回る場合には、十分な濡れ性が得られず、良好なはんだ付け性が得られない。また、Ａｇの組成比が上記範囲を上回る場合も濡れ性が損なわれ、またはんだ材料の溶融温度が高くなり過ぎてしまう。なお、この場合にも、Ｇｅの組成比の上限は、Ｇｅが合金中に溶け込める最大量に相当し、これによって自ずと決まる値である。
【００２５】
本発明では、はんだ材料の組成比を以上のように規制する。なお、ここでは組成の残部について「実質的に錫からなる」としているが、これは、この組成の残部が、Ｓｎを主体としているが、この他に不可避的不純物を含むことを排除するものではないという意味である。
【００２６】
以上のようなはんだ材料を得るには、地金となる錫の粒体あるいはインゴットと、その他の元素の粒体あるいはインゴットを、るつぼ中に充填し、溶融後、冷却することで凝固（合金化）させる。
【００２７】
このとき、各元素の仕込量は、Ｓｎ，Ｚｎ，Ｂｉ，Ａｇ，Ｉｎについては仕込時の配合比が合金の組成比に略反映されるので、所望の合金組成比に対応した量を仕込み量として差し支えない。
【００２８】
一方、Ｃｕ、Ｇｅは、それぞれの単独元素の地金を用いた場合、仕込んだ量の一部が合金化されずにルツボ中に単体で残存する。例えばＣｕでは、合金中に取り込まれる量が仕込み量の７０％程度であり、Ｇｅでは、さらに合金中への取り込まれる割合が小さく、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｂｉ合金で１％程度、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｉｎ合金で１０％程度である。したがって、Ｃｕ，Ｇｅについては、この損失分を加味して仕込み量を設定する必要がある。なお、Ｇｅの合金中への溶け込みはＣｕによって促進され、ＧｅとＣｕを併用した場合には、Ｇｅの合金中への溶け込み量がＧｅのみを添加する場合の数倍程度になる。
【００２９】
【実施例】
以下、本発明の具体的な実施例について実験結果に基づいて説明する。
【００３０】
なお、実施例１−１〜比較例１−５ではＳｎ−Ｚｎ−Ｂｉ合金に添加する添加元素について、実施例２−１〜比較例２−６ではＳｎ−Ｚｎ−Ｉｎ合金に添加する添加元素についてそれぞれ検討した。
【００３１】
実施例１−１
錫、亜鉛、ビスマス、ゲルマニウム、銅の粒状の地金を表１に示す仕込み量で秤量し、容量５ｃｃの磁性るつぼに混合充填した。なお、各粒状の地金はいずれも９９．９９％以上の純度である。そして、これら地金を約４００℃の温度で溶融させ、２〜３時間溶融状態を保持した後、冷却することによってはんだインゴット（Ｇｅ，Ｃｕ添加Ｓｎ−Ｚｎ−Ｂｉはんだ試料）を作製した。なお、このはんだ試料のＩＣＰ−ＡＥＳ分析による組成は表２に示す通りである。
【００３２】
比較例１−１
錫、亜鉛、ビスマスの粒状の地金を表１に示す仕込み量でるつぼに充填し、実施例１−１と同様にして溶融、冷却することではんだインゴット（無添加Ｓｎ−Ｚｎ−Ｂｉはんだ試料）を作製した。なお、このはんだ試料のＩＣＰ−ＡＥＳ分析による組成を表２に示す。
【００３３】
比較例１−２
錫、亜鉛、ビスマス、ゲルマニウムの粒状の地金を表１に示す仕込み量でるつぼに充填し、実施例１−１と同様にして溶融、冷却することではんだインゴット（Ｇｅ添加Ｓｎ−Ｚｎ−Ｂｉはんだ試料）を作製した。なお、このはんだ試料のＩＣＰ−ＡＥＳ分析による組成を表２に示す。
【００３４】
比較例１−３
錫、亜鉛、ビスマス、銀の粒状の地金を表１に示す仕込量でるつぼに充填し、実施例１−１と同様にして溶融、冷却することではんだインゴット（Ａｇ添加Ｓｎ−Ｚｎ−Ｂｉはんだ試料）を作製した。なお、このはんだ試料のＩＣＰ−ＡＥＳ分析による組成は表２に示す通りである。
【００３５】
比較例１−４
錫、亜鉛、ビスマス、ゲルマニウム、銀の粒状の地金を表１に示す仕込量でるつぼに充填し、実施例１−１と同様にして溶融、冷却することではんだインゴット（Ｇｅ，Ａｇ添加Ｓｎ−Ｚｎ−Ｂｉはんだ試料）を作製した。なお、このはんだ試料のＩＣＰ−ＡＥＳ分析による組成は表２に示す通りである。
【００３６】
比較例１−５
錫、亜鉛、ビスマス、ゲルマニウム、銀、銅の粒状の地金を表１に示す仕込量でるつぼに充填し、実施例１−１と同様にして溶融、冷却することではんだインゴット（Ｇｅ，Ｃｕ，Ａｇ添加Ｓｎ−Ｚｎ−Ｂｉはんだ試料）を作製した。なお、このはんだ試料のＩＣＰ−ＡＥＳ分析による組成は表２に示す通りである。
【００３７】
【表１】
0003601278.tif 000002
【００３８】
【表２】
0003601278.tif 000003
【００３９】
以上のようにして作製された各はんだ試料について、ウェッテイング・バランス法によって濡れ性を評価した。
【００４０】
ウェッテイング・バランス法では、母材（被接合材）をはんだ融液中に浸漬させ、その際の濡れ力Ｆの経時変化（過度現象）を観測することではんだの濡れ性を評価する方法である。
【００４１】
なお、濡れ力Ｆは次式によって求められる値である。
【００４２】
Ｆ＝γ・Ｌ・ｃｏｓθ−ｇ・ρ・Ｖ
Ｆ：濡れ力
γ：表面張力
Ｌ：母材のはんだ融液中に占める周辺廻りの長さ
θ：母材とはんだ融液との接触角
ρ：はんだ融液の密度
Ｖ：母材がはんだ融液中に占める体積
ｇ：重力加速度
母材を所定の速度ではんだ融液に浸漬させ、母材がはんだ融液に接してからの濡れ力Ｆの経時変化を観測すると、図１に示すような曲線が得られる。
【００４３】
はんだの濡れ性はこの曲線から評価することができる。すなわち、母材がはんだ融液に接してから濡れ力が０になるまでの時間（ゼロクロスタイム）Ｔｂと、濡れ力が正の値になった後の立ち上がり、及びはんだが染み上がって濡れ力が定常になったときの濡れ力の値Ｆ2が濡れ性の指標となり、ゼロクロスタイムＴｂが短い程、また、濡れ力の立ち上が急峻であり、さらに定常となった濡れ力Ｆ２が大きい値である程、はんだの濡れ広がり速さが速く、濡れ性が良いことを意味する。
【００４４】
このような濡れ力の経時変化を、実施例１−１及び比較例１−１〜比較例１−５で作製したはんだ試料について観測した。その結果を図２、図３に示す。なお、図２は実施例１−１，比較例１−１の濡れ特性であり、図３は比較例１−１〜比較例１−５の濡れ特性である。また、測定条件は以下のように設定した。
【００４５】
母材（被接合材）：外径０．６ｍｍの銅線（純粋ロジン系のフラックスによる表面処理が施されている。）
はんだ融液の表面の温度：約２４０℃（２３８±３℃）
銅線のはんだ槽への送り速度：１０ｍｍ／秒
銅線の浸漬深さ：２ｍｍ
はんだ槽中での銅線の保持時間：１０秒
図２からわかるように、ＧｅとＣｕが添加されているはんだ試料は、Ｇｅ，Ｃｕが添加されていないはんだ試料に比べて濡れ力Ｆ２が幾分劣るものの、ゼロクロスタイムＴｂが短く、また濡れ力の立ち上がりも急峻であり、総合的に見て良好な濡れ性を示す。
【００４６】
このことから、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｂｉ系のはんだ試料においてＧｅとＣｕを添加することは濡れ性を改善する上で有効であることがわかる。
【００４７】
なお、図３は、無添加のはんだ試料とともに、Ｇｅを単独添加したはんだ試料、Ａｇを単独添加したはんだ試料、ＡｇとＧｅを添加したはんだ試料及びＡｇ，Ｇｅ，Ｃｕを添加したはんだ試料の濡れ特性を示すものである。
【００４８】
このうち、Ａｇを単独添加したはんだ試料とＡｇ，Ｇｅ，Ｃｕを添加したはんだ試料は、濡れ性が著しく劣っている。また、ＡｇとＧｅを添加したはんだ試料は、ゼロクロスタイムＴｂと濡れ力の立ち上がりが無添加のはんだ試料と同じ程度であり、濡れ力Ｆ2は無添加のはんだ試料に比べて低い値である。Ｇｅを単独添加したはんだ試料は、ゼロクロスタイムＴｂ、濡れ力の立ち上がり、濡れ力Ｆ２のいずれについても無添加のはんだ試料に比べて劣っている。
【００４９】
このように、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｂｉ系はんだ試料の濡れ性は、ＧｅやＣｕの単独添加や他の元素の添加ではむしろ損なわれ、この濡れ性の改善効果はＧｅとＣｕの２元素添加に特有の効果であることがわかる。
【００５０】
なお、表１，表２には、実施例１−１及び比較例１−１〜比較例１−５について、各元素の仕込み時の配合比と合金化後の組成比をそれぞれ示している。このうちＧｅの場合を見ると、仕込み時の配合比と合金化後の組成比で差が大きく、Ｇｅは比較的合金に取り込まれ難いことがわかる。但し、Ｇｅを単独添加した比較例１−２とＧｅとＣｕの２元素を添加した実施例１−１を比べると、両者とも仕込み時のＧｅ配合比は同じであるものの、合金化後のＧｅ組成比は実施例１−１の場合の方が大きい。このことから、ＣｕはＧｅの合金への取り込みを助けるように作用することが示唆される。
【００５１】
実施例２−１
錫、亜鉛、インジウム、ゲルマニウム、銀の粒状の地金を表３に示す仕込量でるつぼに充填し、実施例１−１と同様にして溶融、冷却することではんだインゴット（Ｇｅ，Ａｇ添加Ｓｎ−Ｚｎ−Ｉｎはんだ試料）を作製した。なお、このはんだ試料のＩＣＰ−ＡＥＳ分析による組成は表４に示す通りである。
【００５２】
比較例２−１
錫、亜鉛、インジウムの粒状の地金を表３に示す仕込量でるつぼに充填し、実施例１−１と同様にして溶融、冷却することではんだインゴット（無添加Ｓｎ−Ｚｎ−Ｉｎはんだ試料）を作製した。なお、このはんだ試料のＩＣＰ−ＡＥＳ分析による組成は表４に示す通りである。
【００５３】
比較例２−２
錫、亜鉛、インジウム、ゲルマニウムの粒状の地金を表３に示す仕込量でるつぼに充填し、実施例１−１と同様にして溶融、冷却することではんだインゴット（ゲルマニウム添加Ｓｎ−Ｚｎ−Ｉｎはんだ試料）を作製した。なお、このはんだ試料のＩＣＰ−ＡＥＳ分析による組成は表４に示す通りである。
【００５４】
比較例２−３
錫、亜鉛、インジウム、銀の粒状の地金を表３に示す仕込量でるつぼに充填し、実施例１−１と同様にして溶融、冷却することではんだインゴット（銀添加Ｓｎ−Ｚｎ−Ｉｎはんだ試料）を作製した。なお、このはんだ試料のＩＣＰ−ＡＥＳ分析による組成は表４に示す通りである。
【００５５】
比較例２−４
錫、亜鉛、インジウム、銅を表３に示す仕込量でるつぼに充填し、実施例１−１と同様にして溶融、冷却することではんだインゴット（銅添加Ｓｎ−Ｚｎ−Ｉｎはんだ試料）を作製した。なお、このはんだ試料のＩＣＰ−ＡＥＳ分析による組成は表４に示す通りである。
【００５６】
比較例２−５
錫、亜鉛、インジウム、ゲルマニウム、銅を表３に示す仕込量でるつぼに充填し、実施例１−１と同様にして溶融、冷却することではんだインゴット（ゲルマニウム，銅添加Ｓｎ−Ｚｎ−Ｉｎはんだ試料）を作製した。なお、このはんだ試料のＩＣＰ−ＡＥＳ分析による組成は表４に示す通りである。
【００５７】
比較例２−６
錫、亜鉛、インジウム、ゲルマニウム、銀、銅を表３に示す仕込量でるつぼに充填し、実施例１−１と同様にして溶融、冷却することではんだインゴット（ゲルマニウム，銀，銅添加Ｓｎ−Ｚｎ−Ｉｎはんだ試料）を作製した。なお、このはんだ試料のＩＣＰ−ＡＥＳ分析による組成は表４に示す通りである。
【００５８】
【表３】
0003601278.tif 000004
【００５９】
【表４】
0003601278.tif 000005
【００６０】
以上のようにして作製した各はんだ試料について、上述と同様にしてウェッティング・バランス法によって濡れ性を評価した。その結果を図４、図５に示す。
【００６１】
図４からわかるように、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｉｎ合金にＡｇとＧｅが添加されているはんだ試料は、Ａｇ，Ｇｅが添加されていないはんだ試料に比べて、ゼロクロスタイムＴｂが短く、また濡れ力の立ち上がりも急峻であり、さらに濡れ力Ｆ２も大きい値である。
【００６２】
このことから、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｉｎ系のはんだ試料に、ＡｇとＧｅを添加することは、濡れ性を改善する上で有効であることがわかる。
【００６３】
なお、図５は、無添加のはんだ試料とともに、Ｇｅを単独添加したはんだ試料、Ａｇを単独添加したはんだ試料、Ｃｕを単独添加したはんだ試料、ＧｅとＣｕを添加したはんだ試料及びＡｇ，Ｇｅ，Ｃｕを添加はんだ試料の濡れ特性を示すものである。
【００６４】
このうち、Ａｇを単独添加したはんだ試料は、無添加のはんだ試料と差のない特性である。また、Ｇｅを単独添加したはんだ試料と、ＧｅとＣｕを添加したはんだ試料は、無添加のはんだ試料に比べてゼロクロスタイムが長く、濡れ力の立ち上がりが緩やかである。さらに、Ｃｕを単独添加したはんだ試料とＧｅ，Ａｇに加えてＣｕを添加したはんだ試料は、ゼロクロスタイムが長く、濡れ力の立ち上がりも緩やかであり、しかも濡れ力Ｆ２の値も小さい。
【００６５】
このように、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｉｎ系はんだ試料の濡れ性は、ＧｅやＡｇの単独添加や他の元素の添加ではむしろ損なわれ、この濡れ性の改善効果はＡｇとＧｅの２元素添加に特有の効果であることがわかる。
【００６６】
【発明の効果】
以上の説明からも明らかなように、本発明のはんだ材料は、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｂｉ合金に、ゲルマニウムと銅が添加されたはんだ材料、さらにＳｎ−Ｚｎ−Ｉｎ合金に、ゲルマニウムと銀が添加されたはんだ材料であるので、はんだとして適正な溶融温度が得られ、また機械的特性に優れるとともに、良好な濡れ性を示す。したがって、無鉛はんだ材料でありながら、錫−鉛はんだに匹敵する優れたはんだ付け性を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ウェッティング・バランス法で測定される時間と濡れ力の関係の典型例を示す特性図である。
【図２】Ｓｎ−Ｚｎ−Ｂｉ合金にゲルマニウムと銅が添加されたはんだ材料と、無添加のはんだ材料の濡れ特性を示す特性図である。
【図３】Ｓｎ−Ｚｎ−Ｂｉ合金にゲルマニウムが単独で添加されたはんだ材料、銀が単独で添加されたはんだ材料、ゲルマニウムと銀が添加されたはんだ材料、ゲルマニウム，銅，銀が添加されたはんだ材料の、無添加のはんだ材料の濡れ特性を示す特性図である。
【図４】Ｓｎ−Ｚｎ−Ｉｎ合金にゲルマニウムと銀が添加されたはんだ材料、無添加のはんだ材料の濡れ特性を示す特性図である。
【図５】Ｓｎ−Ｚｎ−Ｉｎ合金にゲルマニウムが単独添加されたはんだ材料、銀が単独添加されたはんだ材料、銅が単独添加されたはんだ材料、ゲルマニウムと銅が添加されたはんだ材料、ゲルマニウム，銀，銅が添加されたはんだ材料、無添加のはんだ材料の濡れ特性を示す特性図である。
【図１】
0003601278.tif 000006
【図２】
0003601278.tif 000007
【図３】
0003601278.tif 000008
【図４】
0003601278.tif 000009
【図５】
0003601278.tif 000010