【手続補正書】
【提出日】平成29年9月15日(2017.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
化学式Ｉの金属複合体：
【化１】
2016540038.tif 000001
式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ２’およびＲ３は、アルキル、またはアリールを含む群から独立に選択される：
Ｍは、マンガン、コバルト、ニッケル、または銅を含む群から選択され；また、Ｌは、配位子を少なくとも一つ含む。
【請求項２】
式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ２’およびＲ３は、Ｃ１〜Ｃ４のアルキル、またはＣ６〜Ｃ１０のアリールを含む群から独立に選択される、請求項１に記載の金属複合体。
【請求項３】
式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ２’およびＲ３は、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、sec−ブチル、tert−ブチル、またはフェニルを含む群から独立に選択される、請求項１または２に記載の金属複合体。
【請求項４】
式中、Ｒ２およびＲ２’は、各々、メチルである、上記請求項の何れか１項に記載の金属複合体。
【請求項５】
式中、Ｌは、単座、または二座の配位子を少なくとも一つ含む、上記請求項の何れか１項に記載の金属複合体。
【請求項６】
式中、Ｌは、アミドイミン配位子、ジアザブタジエン配位子、アミジネート配位子、またはアリル配位子を含む、上記請求項の何れか１項に記載の金属複合体。
【請求項７】
式中、Ｌは、η３−アリル配位子を含む、上記請求項の何れか１項に記載の金属複合体。
【請求項８】
化学式ＩＡの金属複合体：
【化２】
2016540038.tif 000002
式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ２’、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６およびＲ６’は、アルキルまたはアリールを含む群から独立に選択され；また、
Ｍは、周期表７〜１０族から選択される金属、または銅である。
【請求項９】
式中、Ｍは、マンガン、コバルト、ニッケル、または銅を含む群から選択される、請求項８に記載の金属複合体。
【請求項１０】
式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ２’、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６およびＲ６’は、Ｃ１〜Ｃ４のアルキル、またはＣ６〜Ｃ１０のアリールを含む群から独立に選択される、請求項８または９に記載の金属複合体。
【請求項１１】
式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ２’、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６およびＲ６’は、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、sec−ブチル、tert−ブチル、またはフェニルを含む群から独立に選択される、請求項８〜１０の何れか１項に記載の金属複合体。
【請求項１２】
式中、Ｒ２、Ｒ２’、Ｒ６およびＲ６’は、各々、メチルである、請求項８〜１１の何れか１項に記載の金属複合体。
【請求項１３】
式中、金属複合体は、ホモレプティック金属複合体である、請求項８〜１２の何れか１項に記載の金属複合体。
【請求項１４】
化学式ＩＢの金属複合体：
【化３】
2016540038.tif 000003
式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ２’およびＲ３は、アルキル、またはアリールを含む群から独立に選択され；
Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９およびＲ１０は、水素、アルキル、またはアリールを含む群から独立に選択され；また、
Ｍは、周期表７〜１０族から選択される金属、または銅である。
【請求項１５】
式中、Ｍは、マンガン、コバルト、ニッケル、または銅を含む群から選択される、請求項１４に記載の金属複合体。
【請求項１６】
式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ２’およびＲ３は、Ｃ１〜Ｃ４のアルキル、またはＣ６〜Ｃ１０のアリールを含む群から独立に選択され；また、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９およびＲ１０は、水素、Ｃ１〜Ｃ４アルキル、またはＣ６〜Ｃ１０アリールを含む群から独立に選択される、請求項１４または１５に記載の金属複合体。
【請求項１７】
式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ２’およびＲ３は、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、sec−ブチル、tert−ブチル、またはフェニルを含む群から独立に選択され；また、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９およびＲ１０は、水素、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、sec−ブチル、tert−ブチル、またはフェニルを含む群から独立に選択される、請求項１４〜１６の何れか１項に記載の金属複合体。
【請求項１８】
式中、Ｒ２およびＲ２’は、各々、メチルである、請求項１４〜１６の何れか１項に記載の金属複合体。
【請求項１９】
式中、Ｒ８およびＲ９は、各々、水素である、請求項１４〜１８の何れか１項に記載の金属複合体。
【請求項２０】
化学式ＩＣの金属複合体：
【化４】
2016540038.tif 000004
式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ２’、Ｒ３、Ｒ１１、Ｒ１２およびＲ１３は、水素、アルキル、またはアリールを含む群から独立に選択され；また、
Ｍは、周期表７〜１０族から選択される金属、または銅である。
【請求項２１】
式中、Ｍは、マンガン、コバルト、ニッケル、または銅を含む群から選択される、請求項２０に記載の金属複合体。
【請求項２２】
式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ２’、Ｒ３、Ｒ１１、Ｒ１２およびＲ１３は、水素、Ｃ１〜Ｃ４アルキル、またはＣ６〜Ｃ１０アリールを含む群から独立に選択される、請求項２０または２１に記載の金属複合体。
【請求項２３】
式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ２’、Ｒ３、Ｒ１１、Ｒ１２およびＲ１３は、水素、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、sec−ブチル、tert−ブチル、またはフェニルを含む群から独立に選択される、請求項２０〜２２の何れか１項に記載の金属複合体。
【請求項２４】
式中、Ｒ２およびＲ２’は、各々、メチルである、請求項２０〜２３の何れか１項に記載の金属複合体。
【請求項２５】
化学式ＩＤの金属複合体：
【化５】
2016540038.tif 000005
式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ２’およびＲ３は、アルキル、またはアリールを含む群から独立に選択され；
Ｒ１４、Ｒ１４’、Ｒ１５、Ｒ１６およびＲ１６’は、水素、アルキル、アリール、またはシリルを含む群から独立に選択され；また、
Ｍは、周期表７〜１０族から選択される金属、または銅である。
【請求項２６】
式中、Ｍは、マンガン、コバルト、ニッケル、または銅を含む群から選択される、請求項２５に記載の金属複合体。
【請求項２７】
式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ２’およびＲ３は、Ｃ１〜Ｃ４アルキル、またはＣ６〜Ｃ１０アリールを含む群から独立に選択され；また、
Ｒ１４、Ｒ１４’、Ｒ１５、Ｒ１６およびＲ１６’は、水素、Ｃ１〜Ｃ４アルキル、Ｃ６〜Ｃ１０アリール、またはトリ（Ｃ１〜Ｃ４アルキル）シリルを含む群から独立に選択される、請求項２５または２６の何れか１項に記載の金属複合体。
【請求項２８】
式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ２’およびＲ３は、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、sec−ブチル、tert−ブチル、またはフェニルを含む群から独立に選択され；また、
Ｒ１４、Ｒ１４’、Ｒ１５、Ｒ１６およびＲ１６’は、水素、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、sec−ブチル、tert−ブチル、フェニル、またはトリメチルシリルから独立に選択される、請求項２５〜２７の何れか１項に記載の金属複合体。
【請求項２９】
式中、Ｒ２およびＲ２’は、各々、メチルである、請求項２５〜２８の何れか１項に記載の金属複合体。
【請求項３０】
上記請求項の何れか１項に記載の溶媒和物。
【請求項３１】
溶媒和物は、エーテル溶媒和物、アミン溶媒和物、または芳香族炭化水素溶媒和物である、請求項３０に記載の溶媒和物。
【請求項３２】
気相蒸着プロセスによって金属含有被膜を形成する方法であり、化学式Ｉの構造を示す少なくとも一つの金属複合体を気化することを含む方法：
【化６】
2016540038.tif 000006
式中、Ｒ１およびＲ３は、水素、アルキル、またはアリールを含む群から独立に選択され；
Ｒ２およびＲ２’は、アルキル、またはアリールを含む群から独立に選択され；
Ｍは、周期表７〜１０族から選択される金属、または銅であり；また、
Ｌは、配位子を少なくとも一つ含む。
【請求項３３】
請求項３２に記載の方法であり、Ｍは、マンガン、コバルト、ニッケル、または銅を含む群から選択される方法。
【請求項３４】
請求項３２または３３に記載の方法であり、Ｒ１およびＲ３は、水素、Ｃ１〜Ｃ４アルキル、またはＣ６〜Ｃ１０アリールを含む群から独立に選択され；
Ｒ２およびＲ２’は、Ｃ１〜Ｃ４アルキル、またはＣ６〜Ｃ１０アリールを含む群から独立に選択される方法。
【請求項３５】
請求項３２〜３４の何れか１項に記載の方法であり、Ｒ１およびＲ３は、水素、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、sec−ブチル、tert−ブチル、またはフェニルを含む群から独立に選択され；
Ｒ２およびＲ２’は、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、sec−ブチル、tert−ブチル、またはフェニルを含む群から独立に選択される方法。
【請求項３６】
請求項３２〜３５の何れか１項に記載の方法であり、Ｒ２およびＲ２’は、各々、メチルである方法。
【請求項３７】
請求項３２〜３６の何れか１項に記載の方法であり、Ｌは、単座、または二座の配位子を少なくとも一つ含む方法。
【請求項３８】
請求項３２〜３７の何れか１項に記載の方法であり、Ｌは、アミドイミン配位子、ジアザブタジエン配位子、アミジネート配位子、またはアリル配位子を含む方法。
【請求項３９】
請求項３２〜３８の何れか１項に記載の方法であり、Ｌは、η３−アリル配位子を含む方法。
【請求項４０】
気相蒸着プロセスによって金属含有被膜を形成する方法であり、化学式ＩＡの構造を示す少なくとも一つの金属複合体を気化することを含む方法：
【化７】
2016540038.tif 000007
式中、Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６およびＲ６’は、水素、アルキル、またはアリールを含む群から独立に選択され；
Ｒ２およびＲ２’は、アルキル、またはアリールを含む群から独立に選択され；また、
Ｍは、周期表７〜１０族から選択される金属、または銅である。
【請求項４１】
請求項４０に記載の方法であり、Ｍは、マンガン、コバルト、ニッケル、または銅を含む群から選択される方法。
【請求項４２】
請求項４０または４１に記載の方法であり、Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６およびＲ６’は、水素、Ｃ１〜Ｃ４アルキル、またはＣ６〜Ｃ１０アリールを含む群から独立に選択され、Ｒ２およびＲ２’は、Ｃ１〜Ｃ４アルキル、またはＣ６〜Ｃ１０アリールを含む群から独立に選択される方法。
【請求項４３】
請求項４０〜４２の何れか１項に記載の方法であり、Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６およびＲ６’は、水素、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、sec−ブチル、tert−ブチル、またはフェニルを含む群から独立に選択され、Ｒ２およびＲ２’は、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、sec−ブチル、tert−ブチル、またはフェニルを含む群から独立に選択される方法。
【請求項４４】
請求項４０〜４３の何れか１項に記載の方法であり、Ｒ２、Ｒ２’、Ｒ６およびＲ６’は、各々、メチルである方法。
【請求項４５】
請求項４０〜４４の何れか１項に記載の方法であり、金属複合体は、ホモレプティック金属複合体である方法。
【請求項４６】
気相蒸着プロセスによって金属含有被膜を形成する方法であり、化学式ＩＢの構造を示す少なくとも一つの金属複合体を気化することを含む方法：
【化８】
2016540038.tif 000008
式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ２’、Ｒ３、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９およびＲ１０は、水素、アルキル、またはアリールを含む群から独立に選択され；また、
Ｍは、周期表７〜１０族から選択される金属、または銅である。
【請求項４７】
請求項４６に記載の方法であり、Ｍは、マンガン、コバルト、ニッケル、または銅を含む群から選択される方法。
【請求項４８】
請求項４６または４７に記載の方法であり、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ２’、Ｒ３、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９およびＲ１０は、水素、Ｃ１〜Ｃ４アルキル、またはＣ６〜Ｃ１０アリールを含む群から独立に選択される方法。
【請求項４９】
請求項４６〜４８の何れか１項に記載の方法であり、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ２’、Ｒ３、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９およびＲ１０は、水素、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、sec−ブチル、tert−ブチル、またはフェニルを含む群から独立に選択される方法。
【請求項５０】
請求項４６〜４９の何れか１項に記載の方法であり、Ｒ２およびＲ２’は、各々、メチルである方法。
【請求項５１】
請求項４６〜５０の何れか１項に記載の方法であり、Ｒ８およびＲ９は、各々、水素である方法。
【請求項５２】
気相蒸着プロセスによって金属含有被膜を形成する方法であり、請求項２０〜２４の何れか１項に記載の構造を示す少なくとも一つの金属複合体を気化することを含む方法。
【請求項５３】
気相蒸着プロセスによって金属含有被膜を形成する方法であり、化学式ＩＤの構造を示す少なくとも一つの金属複合体を気化することを含む方法：
【化９】
2016540038.tif 000009
式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ２’およびＲ３は、水素、アルキル、またはアリールを含む群から独立に選択され；
Ｒ１４、Ｒ１４’、Ｒ１５、Ｒ１６およびＲ１６’は、水素、アルキル、アリール、またはシリルを含む群から独立に選択され；また、
Ｍは、周期表７〜１０族から選択される金属、または銅である。
【請求項５４】
請求項５３に記載の方法であり、Ｍは、マンガン、コバルト、ニッケル、または銅を含む群から選択される方法。
【請求項５５】
請求項５３または５４に記載の方法であり、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ２’およびＲ３は、水素、Ｃ１〜Ｃ４アルキル、またはＣ６〜Ｃ１０アリールを含む群から独立に選択され；また、
Ｒ１４、Ｒ１４’、Ｒ１５、Ｒ１６およびＲ１６’は、水素、Ｃ１〜Ｃ４アルキル、Ｃ６〜Ｃ１０アリール、またはトリ（Ｃ１〜Ｃ４アルキル）シリルを含む群から独立に選択される方法。
【請求項５６】
請求項５３〜５５の何れか１項に記載の方法であり、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ２’およびＲ３は、水素、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、sec−ブチル、tert−ブチル、またはフェニルを含む群から独立に選択され；また、
Ｒ１４、Ｒ１４’、Ｒ１５、Ｒ１６およびＲ１６’は、水素、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、sec−ブチル、tert−ブチル、フェニル、またはトリメチルシリルを含む群から独立に選択される方法。
【請求項５７】
請求項５３〜５６の何れか１項に記載の方法であり、Ｒ２およびＲ２’は、各々、メチルである方法。
【請求項５８】
請求項３２〜５７の何れか１項に記載の方法であり、気相蒸着プロセスは化学気相蒸着である方法。
【請求項５９】
請求項５８に記載の方法であり、化学気相蒸着はパルス化学気相蒸着、または連続フロー化学気相蒸着である方法。
【請求項６０】
請求項５８に記載の方法であり、化学気相蒸着は液体注入化学気相蒸着である方法。
【請求項６１】
請求項３２〜５７の何れか１項に記載の方法であり、気相蒸着プロセスは原子層蒸着である方法。
【請求項６２】
請求項６１に記載の方法であり、原子層蒸着は液体注入原子層蒸着、またはプラズマ強化原子層蒸着である方法。
【請求項６３】
請求項３２〜６２の何れか１項に記載の方法であり、少なくとも一つの金属複合体は、酸化金属被膜の形成のため、酸素供給源のパルスに代わるパルスにおける基板へと供給される方法。
【請求項６４】
請求項６３に記載の方法であり、酸素供給源がＨ２Ｏ、空気、Ｏ２、またはオゾンを含む群から選択される方法。
【請求項６５】
請求項３２〜６４の何れか１項に記載の方法であり、水素、水素プラズマ、酸素、空気、水、アンモニア、ヒドラジン、ボラン、シラン、オゾン、またはこれらの組み合わせを含む群から選択される少なくとも一つの共反応剤の気化をさらに含む方法。
【請求項６６】
請求項３２〜６４の何れか１項に記載の方法であり、共反応剤であるヒドラジンの気化をさらに含む方法。
【請求項６７】
請求項６６の方法であり、ヒドラジンが、ヒドラジン（Ｎ２Ｈ４）、またはＮ，Ｎ−ジメチルヒドラジンである方法。
【請求項６８】
請求項３２〜６７の何れか１項に記載の方法であり、ＤＲＡＭ応用、またはＣＭＯＳ応用に用いられる方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
化学式Ｉの金属複合体の特定の実施形態において、Ｌは、単座、または二座の配位子を少なくとも一つ含む。当該実施形態において、Ｌは、例えば、アミドイミン配位子、ジアザブタジエン（ＤＡＤ）配位子、アミジネート（ＡＭＤ）配位子、またはアリル配位子であってもよい。一つまたは複数の実施形態において、Ｌは、η３−アリル配位子である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
化学式Ｉの金属複合体においては、Ｌは、配位子を少なくとも一つ含み、配位子は、単座、二座、または多座の配位子であってよい。よって、Ｌは、一つ、二つ、三つ、または複数の配位子を表し、化学式Ｉの金属複合体において明示するアミドイミン配位子に加えて、状況に応じて各々、等しくても、異なっていてもよい。アミドイミン配位子に加え、任意の金属複合体中に存在する配位子の数は、例えば、特定の配位子が同じかどうか、および特定の金属中心が同じかどうか、を含む多くの要素に依存して、異なっていてもよいし、異なっていることが多いであろう。特定の実施形態において、Ｌは、例えば、アミドイミン配位子（例えば、第二アミドイミン配位子）、ジアザブタジエン（ＤＡＤ）配位子、アミジネート（ＡＭＤ）配位子、アリル配位子、または前述の何れの置換誘導体であってもよい。特定の実施形態において、Ｌは、η３−アリル配位子である。他の実施形態において、Ｌは、一つまたは複数の窒素原子と結合する配位子である。しかし、他の実施形態において、化学式Ｉの金属複合体の金属中心は、窒素原子のみと結合する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８１】
他の側面では、化学式ＩＤの金属複合体に示される、アミドイミン配位子およびη３−アリル配位子を含む金属複合体を提供する：
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
化学式ＩＤの金属複合体の特定の実施形態において、Ｒ１４、Ｒ１４’、Ｒ１５、Ｒ１６およびＲ１６’は、各々、水素であり、η３−アリル配位子は非置換である。他の実施形態において、η３−アリル配位子は、Ｃ１〜Ｃ４のアルキル基のようなアルキル基と一つ置換されている（すなわち、Ｒ１４、Ｒ１４’、Ｒ１５、Ｒ１６およびＲ１６’の一つのみがアルキル基であり、残りの置換基は、各々、水素である）。しかし、他の実施形態では、Ｒ１４およびＲ１６は、独立してシリルであり、Ｒ１４’およびＲ１６’は、各々、水素である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
配位子、または配位子前駆物質（例えば、アミドイミン配位子、アミノイミン配位子、ジアザブタジエン配位子、アミジン配位子、アミジネート配位子、およびアリル配位子、またはスキーム１に示したような関連する配位子前駆物質）は、市販されており、公知の方法（例えば、Inorg. Chem. 2009, 48, 7639-7644）、または当業者に公知の方法による単純な改良によって合成できる。