【手続補正書】
【提出日】平成29年2月1日(2017.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁界を受け取り、磁気誘導により電気エネルギーを生成する受け取り装置（１）であって、
−  前記受け取り装置（１）は、少なくとも１本の電線のコイル（３３、３５、３７）を備え、前記磁界は動作中に前記コイル（３３、３５、３７）に電圧を誘起し、
−  前記受け取り装置（１）及び前記コイル（３３、３５、３７）は、前記受け取り装置（１）の受け取り側から前記磁界を受け取るように適合され、
−  前記受け取り装置（１）は、前記磁界の磁力線を形成するように適合される磁化可能な材料を備える磁界形成構成（６１）を備え、
−  前記磁界形成構成（６１）は、前記受け取り装置（１）の前記受け取り側から見た場合、前記コイル（３３、３５、３７）の後ろに置かれ、
−  前記受け取り装置（１）の前記受け取り側から前記受け取り側に対して反対の前記受け取り装置（１）の側への方向で測定される前記磁界形成構成（６１）の深さが、変わり、
−  前記磁化可能な材料の前記深さが、前記コイル（３３、３５、３７）を通る電流によって生成される前記電磁界がより小さい前記コイルの領域の、前記受け取り側から見た場合、後ろの位置に比べて、前記コイル（３３、３５、３７）を通る電流によって生成される前記電磁界がそれぞれの領域で、様々なコイルの電線の重なりに起因して、より大きい前記コイルの領域の後ろの位置においてより大きい、
ことを特徴とする受け取り装置（１）。
【請求項２】
磁界を受け取り、磁気誘導により電気エネルギーを生成する受け取り装置（１）であって、
−  前記受け取り装置（１）は、少なくとも１本の電線のコイル（３３、３５、３７）を少なくとも１つ備え、前記磁界は動作中に前記少なくとも１つのコイル（３３、３５、３７）に電圧を誘起し、
−  前記受け取り装置（１）及び前記少なくとも１つのコイル（３３、３５、３７）は、前記受け取り装置（１）の受け取り側から前記磁界を受け取るように適合され、
−  前記受け取り装置（１）は、前記磁界の磁力線を形成するように適合される磁化可能な材料を備える磁界形成構成（６１）を備え、
−  前記磁界形成構成（６１）は、前記受け取り装置（１）の前記受け取り側から見た場合、前記少なくとも１つのコイル（３３、３５、３７）の後ろに置かれ、
−  前記受け取り装置（１）の前記受け取り側から前記受け取り側に対して反対の前記受け取り装置（１）の側への方向で測定される前記磁界形成構成（６１）の深さが、変わり、
−  前記磁化可能な材料の前記深さが、前記少なくとも１つのコイル（３３、３５、３７）を通る電流によって生成される前記電磁界がより小さい前記少なくとも１つのコイルの領域の、前記受け取り側から見た場合、後ろの位置に比べて、前記少なくとも１つのコイル（３３、３５、３７）を通る電流によって生成される前記電磁界がそれぞれの領域で、より多くの並列の電線に起因して、より大きい前記少なくとも１つのコイルの領域の後ろの位置においてより大きい、
ことを特徴とする受け取り装置（１）。
【請求項３】
前記磁界形成構成（６１）は、前記磁化可能な材料から作られる複数の磁界形成素子（６２）によって形成されることを特徴とする請求項１または２に記載の受け取り装置。
【請求項４】
前記磁界形成素子（６２）は同じ大きさの深さを有し、前記磁界形成構成（６１）の前記深さは、様々な数の前記磁界形成素子（６２）が前記受け取り側から前記受け取り側の反対の前記側の方向に互いの上に積層されるために、変わることを特徴とする請求項３に記載の受け取り装置。
【請求項５】
前記磁界形成構成（６１）の前記深さの変動は、非磁化可能な材料から作られる少なくとも１つの補償素子（７２）によって補償されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の受け取り装置。
【請求項６】
前記深さの前記変動は、前記磁界形成構成（６１）と前記少なくとも１つの補償素子（７２）とから成る複合構成の前記深さが一定であるように補償されることを特徴とする請求項５に記載の受け取り装置。
【請求項７】
磁界を受け取り、磁気誘導により電気エネルギーを生成する受け取り装置（１）を製造する方法であって、
−  少なくとも１本の電線のコイル（３３、３５、３７）が設けられ、前記コイル（３３、３５、３７）のそれぞれは、前記磁界が前記受け取り装置（１）の動作中に前記コイル（３３、３５、３７）に電圧を誘起するようにインダクタンスを備え、
−  前記コイル（３３、３５、３７）は、前記受け取り装置の受け取り側から前記磁界を受け取るように配置され、
−  前記磁界の磁力線を形成するように適合される磁化可能な材料を備える磁界形成構成（６１）が、前記受け取り装置（１）の前記受け取り側から見た場合、前記コイル（３３、３５、３７）の後ろに置かれる、
ことにより、前記受け取り装置（１）の前記受け取り側から前記受け取り側に対して反対の前記受け取り装置（１）の前記側への前記方向で測定される前記磁界形成構成（６１）の深さが変わり、
前記磁化可能な材料の前記深さが、前記コイル（３３、３５、３７）を通る電流によって生成される前記電磁界がより小さい前記コイルの領域の、前記受け取り側から見た場合、後ろの位置に比べて、前記コイル（３３、３５、３７）を通る電流によって生成される前記電磁界がそれぞれの領域で、様々なコイルの電線の重なりに起因して、より大きい前記コイルの領域の後ろの位置においてより大きいように設計されることを特徴とする方法。
【請求項８】
磁界を受け取り、磁気誘導により電気エネルギーを生成する受け取り装置（１）を製造する方法であって、
−  少なくとも１本の電線のコイル（３３、３５、３７）が少なくとも１つ設けられ、前記少なくとも１つのコイル（３３、３５、３７）は、前記磁界が前記受け取り装置（１）の動作中に前記少なくとも１つのコイル（３３、３５、３７）に電圧を誘起するようにインダクタンスを備え、
−  前記少なくとも１つのコイル（３３、３５、３７）は、前記受け取り装置の受け取り側から前記磁界を受け取るように配置され、
−  前記磁界の磁力線を形成するように適合される磁化可能な材料を備える磁界形成構成（６１）が、前記受け取り装置（１）の前記受け取り側から見た場合、前記少なくとも１つのコイル（３３、３５、３７）の後ろに置かれる、
ことにより、前記受け取り装置（１）の前記受け取り側から前記受け取り側に対して反対の前記受け取り装置（１）の前記側への前記方向で測定される前記磁界形成構成（６１）の深さが変わり、
前記磁化可能な材料の前記深さが、前記少なくとも１つのコイル（３３、３５、３７）を通る電流によって生成される前記電磁界がより小さい前記少なくとも１つのコイルの領域の、前記受け取り側から見た場合、後ろの位置に比べて、前記少なくとも１つのコイル（３３、３５、３７）を通る電流によって生成される前記電磁界がそれぞれの領域で、より多くの並列の電線に起因して、より大きい前記少なくとも１つのコイルの領域の後ろの位置においてより大きいように設計されることを特徴とする方法。
【請求項９】
前記磁界形成構成（６１）は、前記磁化可能な材料から作られる複数の磁界形成素子（６２）によって形成されることを特徴とする請求項７または８に記載の方法。
【請求項１０】
同じ大きさの深さを有する前記磁界形成素子（６２）が使用され、前記磁界形成構成（６１）の前記深さが、前記受け取り側から前記受け取り側の反対の前記側に延在する方向に、様々な数の前記磁界形成素子（６２）を互いの上に積層することによって、変えられていることを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記磁界形成構成（６１）の前記深さの変動は、非磁化可能な材料から作られる少なくとも１つの補償素子（７２）によって補償されることを特徴とする請求項７〜１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記深さの前記変動は、前記磁界形成構成（６１）と前記少なくとも１つの補償素子（７２）とから成る複合構成の前記深さが一定であるように補償されることを特徴とする請求項１１に記載の方法。