(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
54重量パーセントの含有量のビスマス（Ｂｉ）と、
5重量パーセントの含有量のインジュウム（Ｉｎ）と、
1重量パーセントの含有量の銀（Ａｇ）と、
40重量パーセントの含有量の錫（Ｓｎ）と
からなる組成を有することを特徴とするはんだ合金。
【請求項２】
54重量パーセントの含有量のビスマス（Ｂｉ）と、
5重量パーセントの含有量のインジュウム（Ｉｎ）と、
1重量パーセントの含有量の亜鉛（Ｚｎ）と、
40重量パーセントの含有量の錫（Ｓｎ）と
からなる組成を有することを特徴とするはんだ合金。
【請求項３】
請求項１または２記載のはんだ合金を、
直径２０〜６０μｍの球体形成としたことを特徴とするはんだ粉末。
【請求項４】
請求項３記載のはんだ粉末において、
粉末表面に錫（Ｓｎ）もしくはゲルマニウム（Ｇｅ）を 0.1〜 5重量パーセント有する合金をメッキしたことを特徴とするはんだ粉末。
【請求項５】
80〜95重量パーセントの含有量を有する請求項３または４記載のはんだ粉末と、
全体として20〜 5重量パーセントの含有量を有するアミンハロゲン塩と多価アルコールと高分子材料との混合物とを混合した構成としたことを特徴とするはんだペースト。
【請求項６】
80〜95重量パーセントの含有量を有する請求項３または４記載のはんだ粉末と、
全体として20〜 5重量パーセントの含有量を有する有機酸と多価アルコールと高分子材料と混合物とを混合した構成としたことを特徴とするはんだペースト。
【請求項７】
ベース材と、該ベース材上に形成された電子部品端子接続パターンとを具備するプリント配線板において、
上記電子部品端子接続パターンに、請求項１または２記載のはんだ合金をメッキしたことを特徴とするプリント配線板。
【請求項８】
電子部品本体より接続端子が延出した構成の電子部品において、
上記接続端子に、請求項１または２記載のはんだ合金をメッキしたことを特徴とする電子部品。
【請求項９】
電子部品本体に接続端子として突起電極が形成された構成の電子部品において、
上記突起電極を請求項１または２記載のはんだ合金により形成したことを特徴とする電子部品。
【請求項１０】
請求項１または２記載のはんだ合金を用いて被接合部材に対してはんだ付け処理を行うはんだ付け工程と、
上記はんだ付け工程終了後にはんだ付けした部位を冷却する冷却工程と、
を有することを特徴とするはんだ付け方法。
【請求項１１】
請求項１または２記載のはんだ合金を用いて被接合部材に対してはんだ付け処理を行うはんだ付け処理装置と、
上記はんだ付け工程終了後にはんだ付けした部位を冷却する冷却装置とを具備することを特徴とするはんだ付け装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明ははんだ合金及びはんだ粉末及びはんだペースト及びプリント配線板及び電子部品及びはんだ付け方法及びはんだ付け装置に係り、特に鉛（Ｐｂ）を含まないはんだ合金及びはんだ粉末及びはんだペースト及びプリント配線板及び電子部品及びはんだ付け方法及びはんだ付け装置に関する。
【０００２】
電子部品をプリント配線板に実装する際、一般にはんだ付けによる実装が行われている。はんだは、低温で溶融しかつ電気的接続特性が良好であるため、電子部品のプリント配線板への実装に用いて好適である。
【０００３】
しかるに、近年はんだに含有される鉛（Ｐｂ）の人体に与える影響が問題となってきている。
【０００４】
従って、鉛（Ｐｂ）を含有しないはんだの提供が望まれている。
【０００５】
【従来の技術】
一般に、自動化された電子部品のはんだ付け作業においては、数種の半田が用いられている。例えばＳｎ６３−Ｐｂ３７は、６３重量パーセントの錫（Ｓｎ）と３７重量パーセントの鉛（Ｐｂ）を含有したはんだであり、１８３℃で溶融する共晶合金である。また、Ｓｎ６２−Ｐｂ３６−Ａｇ２は、６２重量パーセントの錫（Ｓｎ）と３６重量パーセントの鉛（Ｐｂ）と２重量パーセントの銀（Ａｇ）を含有したはんだであり、１７９℃で溶融する共晶合金である。
【０００６】
これらのはんだは、溶融温度が低くまた機械的特性（例えば、引張強度や伸び率）及び電気的特性（電気抵抗）が良好であるため、自動化されたはんだ付け作業に優れた特性を有する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかるに、上記のように従来用いられているはんだは、鉛（Ｐｂ）を含有した構成とされている。鉛は毒性を有することが知られており、近年この鉛及び鉛を含有する組成物の使用には厳しい制限が課されるようになってきている。
【０００８】
また、鉛を含有する半田を用いた電気製品等が廃棄されることにより鉛が暴露された状態となることを未然に防止する必要がある。
【０００９】
よって、鉛を含有しない代替はんだを提供することにより、鉛を含有するはんだの依存を減じることが重要である。
【００１０】
一方、はんだの特性としては、はんだ付け作業時における電子部品に対する熱の影響を低減する点より、はんだの溶融温度を低減させることが重要である。
【００１１】
更に、上記のように鉛を含有しない代替はんだとしても、またはんだの溶融温度を低減させても、従来と同程度或いはそれ以上の機械的強度等を有する構成とすることが必要である。
【００１２】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、鉛を含有しない代替はんだを提供することを目的とする。また、他の目的は、はんだの溶融温度を低減することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明では下記の手段を講じたことを特徴とするものである。
【００１４】
請求項１記載の発明に係るはんだ合金は、
54重量パーセントの含有量のビスマス（Ｂｉ）と、
5重量パーセントの含有量のインジュウム（Ｉｎ）と、
1重量パーセントの含有量の銀（Ａｇ）と、
40重量パーセントの含有量の錫（Ｓｎ）と
からなる組成を有することを特徴とするものである。
【００１５】
また、請求項２記載の発明に係るはんだ合金は、
54重量パーセントの含有量のビスマス（Ｂｉ）と、
5重量パーセントの含有量のインジュウム（Ｉｎ）と、
1重量パーセントの含有量の亜鉛（Ｚｎ）と、
40重量パーセントの含有量の錫（Ｓｎ）と
からなる組成を有することを特徴とするものである。
【００１７】
また、請求項３記載の発明に係るはんだ粉末は、
請求項１または２記載のはんだ合金を、
直径２０〜６０μｍの球体形成としたことを特徴とするものである。
【００１８】
また、請求項４記載の発明は、
請求項３記載のはんだ粉末において、
粉末表面に錫（Ｓｎ）もしくはゲルマニウム（Ｇｅ）を 0.1〜 5重量パーセント有する合金をメッキしたことを特徴とするものである。
【００１９】
また、請求項５記載の発明に係るはんだペーストは、
80〜95重量パーセントの含有量を有する請求項３または４記載のはんだ粉末と、
全体として20〜 5重量パーセントの含有量を有するアミンハロゲン塩と多価アルコールと高分子材料との混合物とを混合した構成としたことを特徴とするものである。
【００２０】
また、請求項６記載の発明に係るはんだペーストは、
80〜95重量パーセントの含有量を有する請求項３または４記載のはんだ粉末と、
全体として20〜 5重量パーセントの含有量を有する有機酸と多価アルコールと高分子材料と混合物とを混合した構成としたことを特徴とするものである。
【００２１】
また、請求項７記載の発明は、
ベース材と、該ベース材上に形成された電子部品端子接続パターンとを具備するプリント配線板において、
上記電子部品端子接続パターンに、請求項１または２記載のはんだ合金をメッキしたことを特徴とするものである。
【００２２】
また、請求項８記載の発明は、
電子部品本体より接続端子が延出した構成の電子部品において、
上記接続端子に、請求項１または２記載のはんだ合金をメッキしたことを特徴とするものである。
【００２３】
また、請求項９記載の発明は、
電子部品本体に接続端子として突起電極が形成された構成の電子部品において、
上記突起電極を請求項１または２記載のはんだ合金により形成したことを特徴とするものである。
【００２４】
また、請求項１０記載の発明に係るはんだ付け方法は、
請求項１または２記載のはんだ合金を用いて被接合部材に対してはんだ付け処理を行うはんだ付け工程と、
上記はんだ付け工程終了後にはんだ付けした部位を冷却する冷却工程と、
を有することを特徴とするものである。
【００２５】
また、請求項１１記載の発明に係るはんだ付け装置は、
請求項１または２記載のはんだ合金を用いて被接合部材に対してはんだ付け処理を行うはんだ付け処理装置と、
上記はんだ付け工程終了後にはんだ付けした部位を冷却する冷却装置とを具備することを特徴とするものである。
【００２６】
上記構成とされたはんだ合金，はんだ粉末，はんだペースト，プリント配線板及び電子部品は、錫（Ｓｎ）とビスマス（Ｂｉ）とインジュウム（Ｉｎ）、或いはこれに第３元素を含有した組成とされており、鉛を含有しない構成であるため、鉛の毒性に係わる各種悪影響を排除することができ安全性が向上すると共に、環境規制対策に対応することができる。
【００２７】
また、上記構成とされたはんだ合金は、機械的強度を維持しつつ、従来よりも低温ではんだ付けを行うことが可能となるため、はんだ付けを行う被接合材に対するダメージを低減でき、被接合材に対する前処理の簡単化及び被接合材を構成する材料の低コスト化を図ることができる。
【００２８】
また、上記のはんだ付け方法及びはんだ付け装置を用いることにより、機械的特性の良好なはんだ付け処理を行うことが可能となる。
【００２９】
【発明の実施の形態】
次に本発明の実施例について以下説明する。
【００３０】
本発明者は、鉛（Ｐｂ）を含有しないはんだ合金として、各種金属を含有した合金を作成しその特性を調べたところ、錫（Ｓｎ），ビスマス（Ｂｉ），インジュウム（Ｉｎ）を含有させたはんだ合金、及び錫（Ｓｎ），銀（Ａｇ），ビスマス（Ｂｉ）を含有させたはんだ合金が、鉛を含有している従来のはんだ（以下、有鉛はんだという）と近似した機械特性及び電気的特性を示すことが判った。
【００３１】
そこで本発明者は、Ｓｎ，Ｂｉ，Ｉｎを含有させたはんだ合金、及びＳｎ，Ａｇ，Ｂｉを含有させたはんだ合金に注目し、各組成材料の含有率を変化させることにより、はんだ材料として良好な性質を示すＳｎ，Ｂｉ，Ｉｎの組成比及びＳｎ，Ａｇ，Ｂｉの組成比を求める試験を行った。また、これに合わせてＳｎ，Ｂｉ，Ｉｎに加えて、これ以外の金属元素もしくは非金属元素を添加したはんだ合金を作成し、その特性についても調べる試験を行った。
【００３２】
先ず、Ｓｎ，Ｂｉ，Ｉｎより構成されるはんだ合金について説明する。
【００３３】
図１及び図２はＳｎ，Ｂｉ，及びＩｎを含有させたはんだ合金に対し、引張強度，伸び率，破断時間，破断面形状，融点を夫々試験して求めた試験結果を示している。また図３は、Ｓｎ，Ｂｉ，Ｉｎにこれ以外の金属元素もしくは非金属元素を添加したはんだ合金に対し、引張強度，伸び率，破断時間，破断面形状，融点を夫々試験して求めた試験結果を示している。
【００３４】
ここで、本発明者が行った試験方法及び試験装置について説明する。
【００３５】
試験に際しては、各種組成比を有するはんだ合金よりなる試験片を作成し、この試験片に対して引張試験を行うことにより、図１乃至図３における引張強度，伸び率，破断時間，破断面形状の各項目を試験し、融点については熱電対を用いて測定した。
【００３６】
試験片の形状としては、ＪＩＳ７号試験片（断面積４０ｍｍ２，標点距離３０ｍｍ）  を適用し、また試験片を作成する方法としては、Ｓｎ，Ｂｉ，Ｉｎの各種金属及びこれ以外の金属元素もしくは非金属元素を重量比で配合し、これを電気炉（４００℃）  で加熱溶融し、鋳型にて鋳造した。
【００３７】
また、引張試験装置としては、インストロン製  ｍｏｄｅｌ  ４２０６（引張速度  ０．５ｍｍ／ｍｉｎ）を用い、これに上記のように鋳造された試験片を装着し、引張強度，伸び率，破断時間を測定し、また破断後の試験片の破断面形状を観察した。
【００３８】
また、溶融点の測定に際しては、各種組成比のはんだ合金を電気炉（４００℃）  で加熱溶融して熱電対を挿入し、自然放置により冷却中の温度プロファイル測定により融点（液相線）を判定した。
【００３９】
更に、図１乃至図３に示す各試験結果において、最右欄にある判定欄は、引張強度，伸び率，破断時間，破断面形状，融点の夫々の特性を総合的に判断した結果を示しており、はんだ材料として適用できる場合（基準合格の場合）には○印が、また基準不合格の場合には×印が付されている。
【００４０】
本試験においては、はんだ材料として適用できる基準として、（１）  引張強度が２ｋｇ／ｍｍ２  以上で、（２）  伸び率が３０％以上で、かつ（３）  融点が  １５５℃以下であることとした。この基準は、はんだ材料として従来の有鉛はんだと同等以上の特性である。
【００４１】
続いて、上記の試験方法及び試験装置により求められた試験結果について考察する。
【００４２】
図１は、Ｓｎ−Ｂｉ−Ｉｎ三元共晶はんだ合金に対して、Ｂｉの含有量をなるべく一定となるように設定した上で、Ｉｎの添加量を変化させたはんだ合金の各特性を示している。
【００４３】
同図より、引張強度に関してはＩｎの添加量が５０重量パーセント未満の場合には基準値を満たしているが、比較例３，４のように５０重量パーセントを越えた場合には基準値を満足しなくなる。
【００４４】
また、伸び率に関しては、比較例１，２のようにＩｎの添加量が  ０．５重量パーセント未満の場合には基準値を満足させないが、  ０．５重量パーセント以上の場合には基準値を満たす。
更に、融点においては、同図に示す全ての試験例において基準値を満足している。従来における有鉛はんだにおいては、はんだ付け処理を行う被接合材（例えば電子部品等）の耐熱温度の限界を約１８３℃として有鉛はんだの組成が行われていた。
【００４５】
しかるに、Ｓｎ，Ｂｉ，Ｉｎを含有するはんだ合金では、融点（即ち、液相化温度）が低くなるため、従来の有鉛はんだよりも低温ではんだ付けを行うことが可能となり、はんだ付けを行う被接合材に対するダメージを低減でき、被接合材に対する前処理の簡単化及び電子部品を構成する材料の低コスト化を図ることができる。
【００４６】
また、図１の試験結果より、融点はＩｎの添加量が増大するほど低下する傾向を示しており、よってＩｎの添加量を調整することによりはんだ合金の融点を制御することも可能である。よって、近年のように被接合材（例えば、半導体装置）の多様化により、はんだ付け温度に制約が生じるような場合においても、これに十分対応することができる。
【００４７】
尚、破断時間に注目すると、比較例１，２のようにＩｎの添加量が  ０．５重量パーセント未満の場合、及び比較例３のようにＩｎの添加量が５０重量パーセントを越えた場合には破断時間が短くなっており耐久性に劣ることが判る。
但し、比較例４に示されるように、Ｉｎの添加量が５０重量パーセントを越えた場合においても破断時間が適正値（約  ４０ｍｉｎ〜  ６０ｍｉｎ）  の範囲に入っているものもあるため、破断時間に関してはＢｉの添加量が０（零）であるため破断時間が延長されたものと考える。
【００４８】
また、破断面形状に注目すると、Ｉｎの添加量が  ５．０重量パーセント以下の場合には脆性破壊となっており、Ｉｎの添加量が  ５．０重量パーセントを越えると延性破壊となる。この破断面形状ははんだ合金の特性に特に影響を与えるものではないが、機械的強度の面からいえば破断面形状は脆性破壊よりも延性破壊の方が望ましい。
【００４９】
図１の試験結果より上記の考察をまとめると、Ｓｎ−Ｂｉ共晶はんだ合金に対してＩｎを  ０．５重量パーセント以上で、かつ５０．０重量パーセント未満の添加した場合（図１における実施例１−１〜１−５）に、はんだ材料として適した特性を有するはんだ合金を得ることができる。
【００５０】
また、実施例１−５においては、引張強度は基準値をやや上回る値で満足しているが、伸び率においては他の比較例及び実施例に比べて大きく向上している。よって、はんだ合金の組成比率をＳｎ：約３４．０重量パーセント，Ｂｉ：約４６．０重量パーセント，Ｉｎ：約２０．０重量パーセントとすることにより、伸び率の極めて良好なはんだ合金を得ることができ、特に可撓変位するフレキシブル基板におけるはんだ付け等の、はんだ接続位置に大きな撓みが印加される部位のはんだ付けに用いて大きな効果を期待することができる。
【００５１】
尚、上記のＳｎ，Ｂｉ，Ｉｎの組成比を約３４．０重量パーセント，約４６．０重量パーセント，約２０．０重量パーセントとしたのは、はんだ合金（試験片）の作成時に若干の測定誤差等を含むためであり、よって上記のＳｎ，Ｂｉ，Ｉｎの組成比には、Ｓｎ，Ｂｉにおいては±１重量パーセント、Ｉｎにおいては±０．１  重量パーセントの誤差が含まれると推定される。よって、この誤差分を“約”という語で示している。また、上記の事項は請求項４においても同様である。
【００５２】
続いて、図２を用いて本発明者が行った試験結果について説明する。図２は、Ｓｎ−Ｂｉ−Ｉｎ三元共晶はんだ合金に対して、Ｉｎの含有量をなるべく一定となるように設定した上で、Ｂｉの添加量を変化させたはんだ合金の各特性を示している。
【００５３】
同図より、引張強度に関してはＢｉの添加量が  ５．０重量パーセントを越えた場合には基準値を満たしているが、比較例１０，１１のようにＢｉの添加量が  ５．０重量パーセント以下の場合には基準値を満足しなくなる。
【００５４】
また、伸び率に関しては、比較例１２〜１５のようにＢｉの添加量が６０．０重量パーセント以上の場合には基準値を満足させないが、６０．０重量パーセント未満の場合には基準値を満たす。
更に、融点においては、実施例１５で示すＢｉ１００パーセントを除いて、同図に示す全ての試験例において基準値を満足している。よって、図２に示す試験結果からも、Ｓｎ，Ｂｉ，Ｉｎを含有するはんだ合金では融点（即ち、液相化温度）を低くすることができることが実証される。
【００５５】
また、図２の試験結果より、融点はＢｉの添加量が増大するほど上昇する傾向を示しており、よってＢｉの添加量を調整することによってもはんだ合金の融点を制御することが可能である。
【００５６】
尚、破断時間に注目すると、比較例１０，１１のようにＢｉの添加量が  ５．０重量パーセント以下の場合、及び比較例１２〜１５のようにＢｉの添加量が６０．０重量パーセント以上の場合には、破断時間が短くなっており耐久性に劣ることが判る。また、破断面形状に注目すると、Ｂｉの添加量が５５．０重量パーセント未満の場合には延性破壊となっており、Ｂｉの添加量が５５．０重量パーセント以上で脆性破壊となる。
図２の試験結果より上記の考察をまとめると、Ｓｎ−Ｉｎ共晶はんだ合金に対してＢｉを  ５．０重量パーセント越えた値で、かつ６０．０重量パーセント未満の添加した場合（図２における実施例２−１，２−２）に、はんだ材料として適した特性を有するはんだ合金を得ることができる。
【００５７】
更に、上記した図１の試験結果と、図２の試験結果とを総合的に判断すると、はんだ材料として適した特性を有するはんだ合金の組成比は、Ｂｉの含有量を６０．０重量パーセントを越えない含有量とし、Ｉｎの含有量を５０．０重量パーセントを越えない含有量とし、かつ残量をＳｎとした組成の場合であるということができる。
【００５８】
また、図１に示したようにＩｎの含有量を変化させた場合と図２に示したようにＢｉの含有量を変化させた場合において共に判定値が良好となるはんだ合金の組成比率は、Ｓｎ：約４０．０重量パーセント，Ｂｉ：約５５．０重量パーセント，Ｉｎ：約  ５．０重量パーセントである。よって、はんだ合金の組成比率を上記のように設定することにより最も良好なはんだ特性を得ることができる。
【００５９】
尚、上記のＳｎ，Ｂｉ，Ｉｎの組成比においても、各組成比の値に“約”という語を付したのは、はんだ合金（試験片）の作成時に、Ｓｎ，Ｂｉにおいては±１重量パーセント、Ｉｎにおいては±０．１  重量パーセントの誤差が含まれると推定される。また、上記の事項は請求項３においても同様である。
【００６０】
続いて、図３を用いて本発明者が行った試験結果について説明する。図３は、Ｓｎ−Ｂｉ−Ｉｎ三元共晶はんだ合金に対して、Ｓｎ，Ｂｉ，Ｉｎ以外の金属元素を添加したはんだ合金を作成し、その特性について試験した結果を示している。尚、図３では添加する金属として銀（Ａｇ）と亜鉛（Ｚｎ）を用いた例を示している。
【００６１】
Ｓｎ−Ｂｉ−Ｉｎ三元共晶はんだ合金に対してＡｇ，Ｚｎを添加した場合、比較例２１及び比較例２２に示されるように、Ａｇ，Ｚｎの添加量が  ５．０重量パーセント以上の時は伸び率が基準値を満たさなくなる。しかるに、Ａｇ，Ｚｎの添加量が  １．０重量パーセント以上の場合には伸び率は基準値を満足させる。
【００６２】
また、融点においては同図に示す全ての実験例において基準値を満足しており、よって図３に示す実験結果からＳｎ，Ｂｉ，Ｉｎ三元共晶はんだ合金に対してＡｇ，Ｚｎを添加した構成のはんだ合金においても融点（即ち、液相化温度）を低くすることができることが実証される。
【００６３】
よって、実施例３−１，３−２に示されるように、Ａｇ，Ｚｎの添加量が１．０  以上でかつ  ５．０未満の組成比を有するはんだ合金は、全ての試験項目において基準値を満足させる。
また図３より、Ｂｉ及びＩｎの含有量は、前記した図１の試験結果と図２の試験結果とを総合的に判断することにより求められた値を満足している。即ち、Ｂｉの含有量は６０．０重量パーセントを越えない含有量となっており、かつＩｎの含有量は５０．０重量パーセントを越えない含有量となっている。
図３の実験結果より上記の考察をまとめると、Ｂｉを６０．０重量パーセントを越えない含有量とし、Ｉｎを５０．０重量パーセントを越えない含有量とし、ＡｇまたはＺｎを  １．０重量パーセント以上で５．０  重量パーセント未満の含有量とし、更に残量をＳｎとした組成とすることにより、はんだ材料として適した特性を有するはんだ合金を得ることができる。
【００６４】
尚、図３に示す試験においては、Ｓｎ−Ｂｉ−Ｉｎ三元共晶はんだ合金に添加する金属材料としてＡｇ，Ｚｎを適用した例を示したが、Ａｇ，Ｚｎに代えてゲルマニウム（Ｇｅ），ガリウム（Ｇａ）等の金属元素を添加してもよく、また非金属元素であるりん（Ｐ）を添加しても図３に示す特性と近似した特性を得ることができる。
【００６５】
更に、図３に示す試験においてはＳｎ−Ｂｉ−Ｉｎ三元共晶はんだ合金に金属材料としてアンチモン（Ｓｂ）を添加してもよい。このＳｂを添加することで、Ｓｎ−Ｐｂメッキに対する拡散の防止を図れる作用・効果が発生する。ＰｂとＢｉが接触する場合、拡散の発生により金属結晶の膨れ，剥離が発生し部品との接続強度が著しく劣化する。Ｓｂを添加することでこのような拡散を防止できることは、部品接合の信頼性上非常に有利である。また、添加するＳｂの添加量は、１．０  〜５．０  重量パーセントの範囲にすることが望ましく、その範囲において引張強度と伸びを考慮して決定される。
【００６６】
続いて、Ｓｎ，Ａｇ，Ｂｉより構成されるはんだ合金について説明する。
【００６７】
図４はＳｎ，Ａｇ，及びＢｉを含有させたはんだ合金に対し、引張強度，伸び率，破断時間，破断面形状，融点を夫々試験して求めた試験結果を示している。尚、図４に示される実験結果を求めるに際し、本発明者が行った試験方法及び試験装置は、前記した図１乃至図３に示される実験結果を求める際に行った試験方法及び試験装置と同一（既述した通り）であるためその説明は省略する。
【００６８】
また、図１乃至図３に示した各試験結果と同様に、図４においても、最右欄にある判定欄は、引張強度，伸び率，破断時間，破断面形状，融点の夫々の特性を総合的に判断した結果を示しており、はんだ材料として適用できる場合（基準合格の場合）には○印が、また基準不合格の場合には×印が付されている。
【００６９】
更に、本試験においては、はんだ材料として適用できる基準として、（１）  引張強度が７ｋｇ／ｍｍ２  以上で、（２）  伸び率が７．０  ％以上で、かつ（３）  融点が  ２２０℃以下であることとした。この基準は、前記したＳｎ，Ｂｉ，Ｉｎにより構成されるはんだ材料の基準と異なる値となっている。
【００７０】
これは、近年の電子機器の多様化に伴い、はんだ材料として伸び率はさほど必要としないが、高い引張強度を有する特性が望まれるものがあり、以下説明するＳｎ，Ａｇ，Ｂｉより構成されるはんだ合金はこのような要求に対応することを目的として作成されたものであるからである。
【００７１】
図４の試験結果について考察する。
【００７２】
図４は、Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ三元共晶はんだ合金に対して、Ａｇの含有量をなるべく一定となるように設定した上で、Ｂｉの添加量を変化させたはんだ合金の各特性を示している。
【００７３】
同図より、引張強度に関してはＳｎ，Ａｇ，Ｂｉより構成されるはんだ合金は、実施例４−１〜４−６で示される各合金組成において基準値を満たしていることが判る。しかるに、有鉛はんだである比較例３０、ＳｎとＢｉとの二元共晶はんだ合金である比較例３１、及びＳｎとＡｇとの二元共晶はんだ合金である比較例３２の各引張強度特性は、Ｓｎ，Ａｇ，Ｂｉより構成されるはんだ合金に比べて低下しており基準値を満足していない。
【００７４】
また、伸び率に関しては、同図に示す全ての試験例において基準値を満足している。尚、伸び率と引張強度は相反する特性を示すことが知られており、引張強度の特性が良好となる程伸び率は低下する傾向を示す。上記したように、Ｓｎ，Ａｇ，Ｂｉより構成されるはんだ合金は特に高い引張強度特性を得ることを目的としており、よって実施例４−１〜４−６は高い引張強度特性を有している反面、伸び率に関しては比較例３０〜３２に対して低い値となっている。
更に、融点においても、同図に示す全ての試験例において基準値を満足している。特に、実施例４−１〜４−６は１３９℃〜２２０℃の範囲の融点を有している。従来における有鉛はんだにおいては、はんだ付け処理を行う被接合材（例えば電子部品等）の耐熱温度の限界を約１８３℃として有鉛はんだの組成が行われていた。しかるに、現状ではＳｎ−Ｐｂよりなる有鉛はんだに第３物質を添加することによりはんだの融点を調整することが行われており、融点が２２０℃以上のはんだも販売されている。従って、１３９℃〜２２０℃の範囲の融点を有する実施例４−１〜４−６を適宜選定することにより、引張強度の特性の良好なはんだ合金を目的に応じて選定して使用することが可能となる。
【００７５】
また、破断時間に注目すると、破断時間は伸び率に比例するため、実施例４−１〜４−６の破断時間特性は比較例３０〜３２に対して低い値となっている。しかるに、上記したように実施例４−１〜４−６は引張強度の特性の良好であり、また破断時間の領域も約２３０ｓｅｃ〜６７０ｓｅｃとはんだ合金を用いた実装において特に問題となる値ではない。
【００７６】
また、破断面形状に注目すると、機械的強度の面からいえば破断面形状は脆性破壊よりも延性破壊の方が望ましいが、上記のようにＳｎ，Ａｇ，Ｂｉより構成されるはんだ合金は高い引張強度特性を得ることを目的としているため、実施例４−１〜４−６に示されるように破断面形状が脆性破壊であっても特に問題となることはない。
【００７７】
図４の試験結果をまとめると、実施例４−１〜４−６に示されるＳｎ，Ａｇ，Ｂｉより構成されるはんだ合金は、実施例３０〜３２で示される他の組成を有する共晶はんだ合金に対して、極めて良好な引張強度特性を得ることができる。また融点に関しては、従来からはんだ処理に用いている温度範囲内で種々の値に設定することが可能である。従って、被はんだ付け部材の特性等に応じてはんだ付け温度の選定の自由度を向上することができ、かつ高い引張強度を有するはんだ付け処理が可能となる。
また、実施例４−１〜４−６に示されるＳｎ，Ａｇ，Ｂｉの組成比を定量的に解析すると、Ｓｎ，Ａｇ，Ｂｉの各成分の組成比は、定数  Ｘの値を  ０≦  Ｘ＜１００  とした場合、Ｓｎの含有量は９６．５×（１００−Ｘ）／１００重量パーセント、Ａｇの含有量は  ３．５×（１００−Ｘ）／１００重量パーセント、Ｂｉの含有量は  Ｘ重量パーセントとして示すことができる。よって、定数Ｘの値を適宜選定することにより、被はんだ付け部材の特性に適合した融点を有し、かつ高い引張強度のはんだ合金を得ることができる。
【００７８】
尚、実施例４−１は請求項１０に、実施例４−２は請求項１１に、実施例４−３は請求項１２に、実施例４−４は請求項１３に、実施例４−５は請求項１４に、実施例４−６は請求項１５に夫々対応している。
続いて、上記した各はんだ合金の応用例について説明する。
【００７９】
図５は、上記した各はんだ合金を用いてはんだ粉末を形成した実施例を示している。図５（Ａ）は、図１に示した実施例１−１〜１−５及び図２に示した実施例２−１，２−２のはんだ合金を直径２０〜６０μｍの球体形状とすることによりはんだ粉末を形成したものである。また、図５（Ｂ）は、図３に示した実施例３−１，３−２のはんだ合金を直径２０〜６０μｍの球体形状とすることによりはんだ粉末を形成したものである。更に、図５（ｃ）は、図４に示した実施例４−１〜４−６のはんだ合金を直径２０〜６０μｍの球体形状とすることによりはんだ粉末を形成したものである。
【００８０】
また、図５（Ｄ）は、図１に示した実施例１−１〜１−５及び図２に示した実施例２−１，２−２のはんだ合金粉末の表面に、ＳｎもしくはＧｅを  ０．１〜  ５．Ｏ重量パーセント有する合金をメッキして、全体の直径が２０〜６０μｍの球体形状とした構成のはんだ粉末を示している。
【００８１】
また、図５（Ｅ）は、図３に示した実施例３−１，３−２のはんだ合金粉末の表面に、ＳｎもしくはＧｅを  ０．１〜  ５．Ｏ重量パーセント有する合金をメッキして、全体の直径が２０〜６０μｍの球体形状とした構成のはんだ粉末を示している。
【００８２】
更に、図５（Ｆ）は、図４に示した実施例４−１〜４−６のはんだ合金粉末の表面に、ＳｎもしくはＧｅを  ０．１〜  ５．Ｏ重量パーセント有する合金をメッキして、全体の直径が２０〜６０μｍの球体形状とした構成のはんだ粉末を示している。
【００８３】
また、図５（Ｇ）は、図１に示した実施例１−１〜１−５及び図２に示した実施例２−１，２−２のはんだ合金粉末の表面に、２０．０重量パーセントを越えるＳｎと６０．０重量パーセントを越えないビスマス（Ｂｉ）を含有する合金をメッキして、全体の直径が２０〜６０μｍの球体形状とした構成のはんだ粉末を示している。
【００８４】
また、図５（Ｈ）は、図３に示した実施例３−１，３−２のはんだ合金粉末の表面に、２０．０重量パーセントを越えるＳｎと６０．０重量パーセントを越えないビスマスＢｉを含有する合金をメッキして、全体の直径が２０〜６０μｍの球体形状とした構成のはんだ粉末を示している。
【００８５】
更に、図５（Ｉ）は、図４に示した実施例４−１〜４−６のはんだ合金粉末の表面に、２０．０重量パーセントを越えるＳｎと６０．０重量パーセントを越えないビスマスＢｉを含有する合金をメッキして、全体の直径が２０〜６０μｍの球体形状とした構成のはんだ粉末を示している。
【００８６】
上記した各実施例のように、はんだ合金を直径が２０〜６０μｍの粉末体とすることにより、このはんだ粉末をはんだペーストとして用いることが可能となる。また、図４（Ｄ）〜（Ｉ）に示した実施例のように、はんだ合金をＳｎ、もしくはＧｅを  ０．１〜  ５．Ｏ重量パーセント有する合金、或いは２０．０重量パーセントを越えるＳｎと６０．０重量パーセントを越えないビスマスＢｉを含有する合金でメッキすることにより、はんだ合金の酸化を防止することができ、はんだペーストの信頼性を向上させることができる。
【００８７】
続いて、上記した各はんだ粉末を用いたはんだペーストについて説明する。
上記したはんだ粉末を用いてはんだペーストを作成する場合、本発明者の試作では（１）８０．０  〜９５．０重量パーセントの含有量を有するはんだ粉末と、全体として２０．０〜  ５．０重量パーセントの含有量を有するアミンハロゲン塩と多価アルコールと高分子材料との混合物とを混合した構成、或いは（２）８０．０  〜９５．０重量パーセントの含有量を有するはんだ粉末と、全体として２０．０〜  ５．０重量パーセントの含有量を有する有機酸と多価アルコールと高分子材料と混合物とを混合した構成とした場合にはんだペーストとして良好な特性を得られることが判った。
【００８８】
また、はんだ粉末に混合するアミンハロゲン塩としては、アクリルアミン塩酸塩，アニリン塩酸塩，ジエチルアミン塩酸塩，シクロヘキシルアミン塩酸塩，モノメチルアミン塩酸塩，ジメチルアミン塩酸塩，トリメチルアミン塩酸塩，フェニルヒドラジン塩酸塩，ｎ−ブチルアミン塩酸塩，０−メチルヒドラジン塩酸塩，エチルアミン臭酸塩，シクロヘキシル臭酸塩，２−アミノエチルブロミド臭酸塩，トリ−ｎ−ブチルアミン臭酸塩等が好適である。
【００８９】
また、はんだ粉末に混合する有機酸としては、シュウ酸，マロン酸，コハク酸，グルタル酸，アジピン酸，ピメリン酸，スベリン酸，アゼライン酸，セバシン酸，マレイン酸，洒石酸，安臭香酸，酢酸，ヒドロキシ酢酸，プロピオン酸，ブチリック酸，パレリック酸，カプロン酸，エナント酸，カプリン酸，ラウリル酸，ミリスチン酸，パルミチン酸，ステアリン酸等が好適である。
【００９０】
図６は上記した図１乃至図３に示されるはんだ合金を用いたはんだ粉末を用いたはんだペーストの混合例を示しており、また図７は上記した図４に示されるはんだ合金を用いたはんだ粉末を用いたはんだペーストの混合例を示している。
【００９１】
上記したアミンハロゲン塩或いは有機酸は活性剤として機能する。また、基材としてはアビエチン酸，デヒドロアビエチン酸，α−テルピネオール等を適用することができる。また、チクソ材は粘度の調整をするものであり、高分子材である硬化ヒマシ油等を適用することができる。また、溶剤としては多価アルコールである２−メチル２，４−ペンタジオール等を適用することができる。
【００９２】
上記したはんだペーストを用いることにより、Ｐｂを用いないはんだペーストによりはんだリフロー処理が可能となり、生産性の良いはんだ処理を行うことが可能となる。
【００９３】
図８は、プリント配線板に一般に行われるはんだメッキに上記したはんだ合金を適用した例を示している。
【００９４】
同図に示されるように、プリント配線板１はガラス−エポキシ製のベース材２の表面に銅（Ｃｕ）により形成された外部接続端子３が形成さたれ構成とされている。この外部接続端子３上に図１乃至図３を用いて説明した各はんだ合金をメッキ処理したところ、Ｃｕと各はんだ合金との接合性は良好であり、外部接続端子３上にはんだ合金膜４を形成することができた。
【００９５】
また、図９は電子部品の接続端子（リード）に一般に行われるはんだメッキに上記したはんだ合金を適用した例を示している。また、本実施例においては、電子部品として半導体装置５を例に挙げている。
【００９６】
同図に示されるように、半導体装置５は、樹脂パッケージ６の側部よりＣｕ，４２ａｌｌｏｙ，Ｃｏｖａｒ  等により形成されたリード７が延出した構成とされている。このリード７上に図１乃至図３を用いて説明した各はんだ合金をメッキ処理したところ、Ｃｕ及び上記した各合金と各はんだ合金との接合性は良好であり、リード７上にはんだ合金膜８を形成することができた。
【００９７】
上記のように、本発明に係るはんだ合金はプリント配線板１に形成される外部接続端子３及び半導体装置５のリード７に共にはんだメッキを行うとができるため、半導体装置５をプリント配線板１に実装する際に外部接続端子３とリード７とを確実にはんだ付けすることができ、実装時における信頼性を向上させることができる。
【００９８】
更に、図１０は電子部品の外部接続端子となる突起電極（バンプ）に上記したはんだ合金を適用した例を示している。また、本実施例においては、電子部品として半導体装置９を例に挙げている。
【００９９】
同図に示されるように、半導体装置９は、半導体素子（図に現れず）を搭載した基板１３と、この基板１３の上部に配設された樹脂パッケージ１４とにより構成される半導体装置本体１０の下面に複数のはんだバンプ１１を配設した構成とされている。このはんだバンプ１１はプリント基板１２上に形成された所定の電極にはんだ付けされる。このはんだバンプ１１として上記したはんだ合金を例えばボールに形成したものを用いることにより、有鉛はんだを用いることなく半導体装置９をプリント基板１２にフェイスダウンボンディングを行うことが可能となる。  続いて、上記したＰｂを含有しないはんだ合金を用いたはんだ付け方法及びはんだ付け装置について説明する。
【０１００】
本発明者は、図１乃至図４に夫々示した実験結果において、他の実施例に対して伸び率の値が異常に大きい実施例が発生することに注目し、このように伸び率の値が異常に大きいはんだ合金が発生する原因を究明する実験を行った。
【０１０１】
ここで伸び率の値が異常に大きい実施例とは、図１における実施例１−５，図３における実施例３−２，図４における実施例４−１等である。また、先に述べた図１乃至図４に夫々示した実験結果以外においても、本発明者が実施した各種実験においてＳｎ，Ｂｉを含むはんだ合金において頻繁に急激な伸び率の上昇が見られることが判った。
【０１０２】
先ず、本発明者が上記のように他の実施例に対して伸び率の値が異常に大きい実施例が発生する理由として考えたのは不純物の混入である。
【０１０３】
そこで、本発明者は、前記したと同様の作成方法によりＳｎ，Ｂｉよりなるはんだ合金で試験片を作成し、伸び率を測定した結果上記の異常が発生している試験片に対して成分分析を行った。分析方法としては、蛍光Ｘ線分析法（ＳＥＩＫＯ  ＩＮＳＴＲＵＭＥＮＴＳ製  ：ＳＦＴ７３５５  を使用）  と誘導プラズマ発光分光分析法（ＩＣＰ）を併用した。
【０１０４】
その結果、伸び率に異常が発生している試験片の成分は、ＳｎとＢｉのみであり、不純物（第３元素）は混入していないことが判った。
【０１０５】
次に、本発明者が伸び率が大きくなる理由として考えたのは、試験片の作成条件の差である。具体的には、Ｓｎ，Ｂｉを含むはんだ合金を鋳型にて鋳造する際の冷却状態に注目し、冷却の行い方（冷却速度）を種々変更し、作成された試験片の特性を調べる実験を行った。以下、実験結果について説明する。
【０１０６】
図１１は、試験片の冷却速度を種々変更した場合における、各試験片の機械的特性（引張強度，伸び率，破断時間，破断面形状）及び物質特性（表面状態，金属組織状態）を調べた実験結果を示している。また、本実験では試験片としてＳｎの含有率が４２．０重量パーセント，Ｂｉの含有率が５８．０重量パーセントのＳｎ−Ｂｉの二元共晶はんだ合金を用いた。
【０１０７】
更に、本実験においては、冷却条件として自然冷却，水冷（強制冷却），徐冷の３種類を設定した。ここで、自然冷却とは溶融した上記はんだ合金を鋳型に充填した後常温雰囲気中に放置することにより冷却する方法である（実施例５−１〜実施例５−３）  。また、水冷とははんだ合金を鋳型に充填した後、鋳型を水により強制的に冷却する方法である（実施例５−４）。更に、徐冷とははんだ合金を鋳型に充填した後、鋳型を保温材内に入れて徐々に冷却する方法である（実施例５−５）。
【０１０８】
上記の各冷却方法を採用することにより、溶融したはんだ合金の冷却速度を変更することができる。更に、自然冷却においては、鋳型の温度を２００℃（実施例５−１），１００℃（実施例５−２），２５℃（実施例５−３）の夫々に設定した上で溶融したはんだ合金を流し込むことにより、同一の冷却方法を採用しつつ冷却速度を変更する実験も試みた。
【０１０９】
また、図１１に示される実施例５−１〜実施例５−５の各機械的特性は、単一の試験片による実験結果ではなく、バラツキ及び外乱の影響を低減させる面より、３個のサンプル試験片を作成し、夫々に対して機械的特性を求める実験を行った結果の平均値を示している。
【０１１０】
図１２は実施例５−１の各サンプル試験片の実験結果であり、図１３は実施例５−２の各サンプル試験片の実験結果であり、図１４は実施例５−３の各サンプル試験片の実験結果であり、図１５は実施例５−４の各サンプル試験片の実験結果であり、図１６は実施例５−５の各サンプル試験片の実験結果である。
【０１１１】
また、図１７は実施例５−１の各サンプル試験片において平均値に最も近いサンプル試験片に対して引張試験を行った荷重−伸び線図を示しており、図１８は実施例５−２の各サンプル試験片において平均値に最も近いサンプル試験片に対して引張試験を行った荷重−伸び線図を示しており、図１９は実施例５−３の各サンプル試験片において平均値に最も近いサンプル試験片に対して引張試験を行った荷重−伸び線図を示しており、図２０は実施例５−４の各サンプル試験片において平均値に最も近いサンプル試験片に対して引張試験を行った荷重−伸び線図を示しており、図２１は実施例５−５の各サンプル試験片において平均値に最も近いサンプル試験片に対して引張試験を行った荷重−伸び線図を示している。
【０１１２】
更に、図２２は実施例５−１の代表的な破断面状態を示しており、図２３は実施例５−２の代表的な破断面状態を示しており、図２４は実施例５−３の代表的な破断面状態を示しており、図２５は実施例５−４の代表的な破断面状態を示しており、図２６は実施例５−５の代表的な破断面状態を示している。
【０１１３】
図１１に示す実験結果は、上記した図１２乃至図２５をまとめたものである。以下、図１１に示す実験結果に基づき、冷却条件とはんだ合金の機械的特性との関係について考察する。
【０１１４】
先ず、実施例５−１，  実施例５−４，  実施例５−５に基づき、鋳型温度が２００℃であった場合において、冷却条件（自然冷却，水冷，徐冷却）を変更することにより冷却速度を変更した時の機械的特性に注目する。
【０１１５】
図１１の実験結果より、冷却速度が最も遅い徐冷却の場合が最も伸び率が低く（２０．４４％）、続いて冷却速度が早くなるに従い、自然冷却（伸び率３３．６７  ％），水冷（伸び率８９．４８  ％）  の順で伸び率は向上している。従って、実施例５−１，  実施例５−４，  実施例５−５の実験結果を比較することにより、冷却速度が速いほど伸び率が向上することが判る。
【０１１６】
続いて、実施例５−１〜実施例５−３に基づき、冷却条件を同一（自然冷却）とした上で鋳型温度を変更することにより冷却速度を変更した時の機械的特性に注目する。
【０１１７】
図１１の実験結果より、冷却速度が最も遅い鋳型温度が２００℃の場合が最も伸び率が低く（３３．６７％）、続いて鋳型温度が低くなるに従い、鋳型温度が１００℃（伸び率１３７．５０％），鋳型温度が２５℃（伸び率２１８．３３％）  の順で伸び率は向上している。従って、実施例５−１〜実施例５−３の実験結果を比較することによっても、冷却速度が速いほど伸び率が向上することが判る。
【０１１８】
上記実験結果をまとめると、はんだ合金の機械的特性は、はんだ合金の組成が同一である場合には冷却速度に応じて変化し、冷却速度が速いほど伸び率が向上することが判明した。また、これに伴い、冷却速度が速いほど破断面形状も延性破断となっている。
【０１１９】
このように冷却速度が速いほど伸び率が向上する理由を考察すると、図１１の実験結果より、伸び率が良好な値を示す実施例５−２〜実施例５−４においては試験片の表面に鱗状の模様は観察されず（急冷しない一般のＳｎ４２−Ｂｉ５８のはんだ合金は表面に鱗状の模様が存在する）、また金属組織観察を行った結果実施例５−２〜実施例５−４においてはＳｎの組織が肥大化していることが判った。よって、上記の物質的特性から推定すると、伸び率が向上する原因は、Ｓｎの組織が肥大化に起因しているものと思われる。
【０１２０】
また、前述したように伸び率の急激な上昇は、Ｓｎ，Ｂｉよりなるはんだ合金ばかりでなく他の組成のはんだ合金においても発生しているため、これらの他の組成のはんだ合金における伸び率の急激な上昇も冷却速度を速くしたことに起因して発生しているものと思われる。
【０１２１】
上述してきた実験結果より、冷却速度が速いほど伸び率が向上することが判明した。一方、伸び率の良好なはんだ合金は、特に可撓変位するフレキシブル基板におけるはんだ付け等の、はんだ接続位置に大きな撓みが印加される部位のはんだ付けに用いて大きな効果を期待することができる。従って、はんだ付け処理においてはんだ合金を冷却することにより、伸び率の良好な、従ってはんだ付け部位に荷重が印加されてもこれに耐えうるはんだ付け処理を行うことが可能となる。
【０１２２】
以下、上記した理由に基づくはんだ付け方法及びはんだ付け装置について説明する。
【０１２３】
図２７は、本発明の一実施例であるはんだ付け方法をプリント配線板のはんだ付け処理に適用した場合の工程図を示している。尚、本発明に係るはんだ付け方法は、プリント配線板のはんだ付け処理に限定されるものではなく、種々のはんだ付け作業に適用できるものである。
【０１２４】
図２７に示されるプリント配線板のはんだ付け処理方法では、先ずステップ１０において、プリント配線板のはんだ付け位置にフラックスを塗布するフラックス塗布工程を実施する。このフラックス塗布工程は、いわゆるはんだ濡れ性を向上するために行われるものであり、上述したＰｂを含まない各種はんだ合金に対応して選定される。
【０１２５】
続くステップ１２では、プリント配線板に対して予備加熱を行う予備加熱工程が実施される。このように、プリント配線板に対して予備加熱を行うことにより、はんだ合金の部分的な冷却に起因したはんだの不均一化を防止することができる。
【０１２６】
続くステップ１４では、プリント配線板に溶融したはんだ合金を配設してはんだ付け処理を行うはんだ付け工程が行われる。このはんだ付け工程では、例えばはんだ合金を溶融したはんだ浴中にプリント配線板を浸漬させることにより行われる。尚、上記したステップ１０〜ステップ１４までの各工程は、有鉛はんだを用いる従来方法においても実施されている工程である。
【０１２７】
続くステップ１６では、はんだ付けした部位を冷却する冷却工が実施される。この冷却工程は本発明方法の特徴となる工程であり、ステップ１４のはんだ付け工程において溶融され高温となっているはんだ合金を急激に冷却することにより、前述したようにはんだ合金の伸び率を向上させることができる。
【０１２８】
この際、はんだ合金を急激に冷却する具体的な方法としては、上記のはんだ付けした部位に冷媒（例えば、冷却ガスまたは揮発性有機溶剤等）を吹き付けることが考えられる。このように、冷却手段として冷媒を用いることにより、局所的な（即ち、はんだ付け部位のみに対する）冷却を行うことができ、プリント配線板に配設される他の部品等に冷却により影響が及ぶのを防止することができる。
図２８は、本発明の一実施例であるはんだ付け装置を示している。
【０１２９】
同図に示すはんだ付け装置２０は、前記した図２７に示したはんだ付け処理方法に対応したものであり、被接合材として板状の部材（例えばプリント配線板）のはんだ付け処理に用いられるものである。しかるに、本実施例に係るはんだ付け装置２０は、プリント配線板のはんだ付け処理に限定されるものではなく、種々のはんだ付け作業に適用できるものである。
【０１３０】
はんだ付け装置２０は、大略するとフラックス塗布装置２１，予備加熱装置２２，はんだ付け処理装置２３，搬送コンベア２４，及び本発明の特徴となる冷却装置２５等により構成されている。
【０１３１】
プリント配線板２６は、搬送コンベア２４に載置されて図中矢印で示す方向に搬送される。また、プリント配線板２６の搬送方向に対する上流側より順にフラックス塗布装置２１，予備加熱装置２２，はんだ付け処理装置２３，冷却装置２５が配設されている。
【０１３２】
従って、プリント配線板２６は搬送コンベア２４により搬送される過程において、フラックス塗布装置２１によりプリント配線板２６のはんだ付け位置にフラックスが塗布され、続く予備加熱装置２２によりプリント配線板２６の予備加熱処理が行われ、続くはんだ付け処理装置２３により上記したＰｂを含まないはんだ合金を用いて所定のはんだ付け処理が行われる。
【０１３３】
上記のようにはんだ付け処理が行われたプリント配線板２６は、搬送コンベア２４により冷却装置２５に送られる。冷却装置２５は、はんだ付け処理装置２３により溶融され高温となっているはんだ合金を急激に冷却する。これにより、前述したようにはんだ合金の伸び率を向上させることができる。
【０１３４】
冷却装置２５の具体的構成を図２９乃至図３１に示す。
【０１３５】
図２９に示す冷却装置２５Ａは、冷媒として液体窒素を用いたものであり、液体窒素は液体窒素タンク２７に充填されている。この液体窒素タンク２７内の液体窒素は気化器２８に供給される構成されており、液体窒素はこの気化器２８において気化されて低温の冷却ガスとなる。
【０１３６】
気化器２８で生成さたれ冷却ガス（窒素ガス）は、冷却ガスノズル３０が接続されている冷却ガス供給パイプ２９に供給され、よって冷却ガスは冷却ガスノズル３０からプリント配線板２６のはんだ合金配設位置に向け噴射される。これにより、プリント配線板２６に配設されたはんだ合金は急冷却され、はんだ合金の伸び率を向上させることができる。
【０１３７】
一方、図３０に示す冷却装置２５Ｂは、冷媒として揮発性溶剤であるフレオンを用いたものである。フレオンはフレオンタンク３１に充填されている。このフレオンタンク３１には、フレオン噴射ノズル３０が接続されたフレオン供給パイプ３３が接続されている。
【０１３８】
フレオンタンク３１内のフレオンがフレオン供給パイプ３３に流出する、上記のようにフレオンは揮発性溶剤であるため気化して低温のフレオンガスが発生する。この低温のフレオンガスは、フレオン供給パイプ３３を通りフレオン噴射ノズル３０からプリント配線板２６のはんだ合金配設位置に向け噴射される。これにより、プリント配線板２６に配設されたはんだ合金は急冷却され、はんだ合金の伸び率を向上させることができる。
【０１３９】
更に、図３１に示す冷却装置２５Ｃは、前記した図２９に示した冷却装置２５Ａを利用して管状の被接合材（本実施例ではパイプ材３４）に対する冷却処理を行うよう構成されたものである。尚、図２９に示した構成と同一構成については同一符号を付してその説明を省略する。
【０１４０】
冷却装置２５Ｃは、冷却ガスノズル３５を環状形状とすると共に、内側に向け冷却ガス（窒素ガス）を噴射しうる複数の噴射口３６を設けた構成とされている。この冷却ガスノズル３５は、筒状形状の冷却管３７内に配設されている。
【０１４１】
図示されるように、はんだ鏝３８を用いてＳｎ−Ｂｉ共晶糸はんだ３９を溶融してパイプ材３４に対しはんだ付け処理を行うと、このパイプ材３４は冷却装置２５Ｃの冷却管３７内に挿入される。前記したように、冷却管３７内には冷却ガス（を内側に向け噴射する複数の噴射口３６を有した冷却ガスノズル３５が設けられているため、パイプ材３４のはんだ付けされた部位は一括的に冷却ガスノズル３５により冷却される。
【０１４２】
このように、冷却装置２５Ｃによれば被接合材が管状形状を有しているパイプ材３４であっても、はんだ合金の配設位置を均一に冷却することができ、均一の伸び率特性を有するはんだ付け処理を行うことが可能となる。
【０１４３】
尚、冷却装置２５の構成は図２９乃至図３１に示した構成に限定されるものではなく、種々の構成の冷却装置を適用することができる。
【０１４４】
【発明の効果】
上述の如く本発明によれば、はんだ合金，はんだ粉末，はんだペースト，プリント配線板及び電子部品を鉛を含有しない構成とすることができ、鉛の毒性に係わる各種悪影響を排除することができ安全性が向上すると共に、環境規制対策に対応することができる。
【０１４５】
また、機械的強度を維持しつつ、従来よりも低温ではんだ付けを行うことが可能となるため、はんだ付けを行う被接合材に対するダメージを低減でき、被接合材に対する前処理の簡単化及び被接合材を構成する材料の低コスト化を図ることができる。
【０１４６】
更に、上記のはんだ付け方法及びはんだ付け装置を用いることにより、機械的特性（伸び率）の良好なはんだ付け処理を行うことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】Ｓｎ，Ｂｉ，Ｉｎを含有したはんだ合金において、Ｉｎの含有量を変化させた場合における引張強度，伸び率，破断時間，破断面形状，融点等を求めた試験結果を示す図である。
【図２】Ｓｎ，Ｂｉ，Ｉｎを含有したはんだ合金において、Ｂｉの含有量を変化させた場合における引張強度，伸び率，破断時間，破断面形状，融点等を求めた試験結果を示す図である。
【図３】Ｓｎ，Ｂｉ，Ｉｎにこれ以外の金属元素もしくは非金属元素を添加したはんだ合金に対し、引張強度，伸び率，破断時間，破断面形状，融点を夫々試験して求めた試験結果を示す図である。
【図４】Ｓｎ，Ａｇ，Ｂｉを含有したはんだ合金において、主にＢｉの含有量を変化させた場合における引張強度，伸び率，破断時間，破断面形状，融点等を求めた試験結果を示す図である。
【図５】はんだ粉末を説明するための図である。
【図６】はんだペーストを説明するための図である（その１）。
【図７】はんだペーストを説明するための図である（その２）。
【図８】プリント配線板を説明するための図である。
【図９】電子部品（接続端子としてリードを用いたもの）を説明するための図である。
【図１０】電子部品（接続端子としてバンプを用いたもの）を説明するための図である。
【図１１】試験片作成条件とはんだ合金の機械的特性との関係を求めた実験結果を示す図である。
【図１２】図１１における実施例５−１の各サンプル試験片の実験結果を示す図である。
【図１３】図１１における実施例５−２の各サンプル試験片の実験結果を示す図である。
【図１４】図１１における実施例５−３の各サンプル試験片の実験結果を示す図である。
【図１５】図１１における実施例５−４の各サンプル試験片の実験結果を示す図である。
【図１６】図１１における実施例５−５の各サンプル試験片の実験結果を示す図である。
【図１７】実施例５−１の各サンプル試験片において平均値に最も近いサンプル試験片に対して引張試験を行った荷重−伸び線図を示す図である。
【図１８】実施例５−２の各サンプル試験片において平均値に最も近いサンプル試験片に対して引張試験を行った荷重−伸び線図を示す図である。
【図１９】実施例５−３の各サンプル試験片において平均値に最も近いサンプル試験片に対して引張試験を行った荷重−伸び線図を示す図である。
【図２０】実施例５−４の各サンプル試験片において平均値に最も近いサンプル試験片に対して引張試験を行った荷重−伸び線図を示す図である。
【図２１】実施例５−５の各サンプル試験片において平均値に最も近いサンプル試験片に対して引張試験を行った荷重−伸び線図を示す図である。
【図２２】実施例５−１の代表的な破断面状態を示す図である。
【図２３】実施例５−２の代表的な破断面状態を示す図である。
【図２４】実施例５−３の代表的な破断面状態を示す図である。
【図２５】実施例５−４の代表的な破断面状態を示す図である。
【図２６】実施例５−５の代表的な破断面状態を示す図である。
【図２７】はんだ付け方法を示す工程図である。
【図２８】はんだ付け装置の構成図である。
【図２９】冷却装置の一例を示す構成図である。
【図３０】冷却装置の一例を示す構成図である。
【図３１】冷却装置の一例を示す構成図である。
【符号の説明】
１，プリント配線板
２  ベース材
３  外部接続端子
４，８  はんだ合金膜
５，９  半導体装置
６  樹脂パッケージ
７  リード
１１  はんだバンプ
３０  はんだ付け装置
２１  フラックス塗布装置
２２  予備加熱装置
２３  はんだ付け処理装置
２４  搬送コンベア
２５，２５Ａ〜２５Ｃ  冷却装置
２６  プリント配線板
２７  液体窒素タンク
２８  気化器
２９  冷却供給パイプ
３０，３５  冷却ガスノズル
３１  フレオンタンク
３２  フレオン噴射ノズル
３３  フレオン供給パイプ
３４  パイプ材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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