(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィック投影装置であって、
投影放射ビームを供給する放射システムと、
パターンニング手段を支持する支持構造であって、パターンニング手段が所望のパターンに応じて投影ビームをパターン化する働きをする支持構造と、
基板を保持するための基板テーブルと、
パターン化されたビームを基板の目標部分に投影するための投影システムを備え、前記投影システムが焦面を持ち、また焦面の形状を変化させることができる少なくとも１つの調整可能な要素を備え、
照射された部分をイメージ処理するため露光時に動作する制御手段を使用し、前記調整可能要素を制御し、前記焦面の形状を変化させ、前記露光領域の非平坦な表面輪郭により正確に合うようにすることを特徴とするリソグラフィック投影装置。
【請求項２】
前記制御手段が前記表面輪郭を表すデータを記憶するためのメモリを備えた、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記装置がさらに前記メモリに記憶するため少なくとも１つの露光領域の基板表面輪郭を測定するため露光の前に動作する基板高さマッピング手段を持つ測定ステーションを備えた、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記制御手段がさらに外部デバイスから前記表面輪郭を表すデータを受信するためのインタフェースを備えた、請求項２に記載の装置。
【請求項５】
前記制御手段が所定の露光に対する前記調整可能要素への所望の調整をその露光の前に計算するため動作する、請求項２、請求項３、または請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記装置がさらに露光時に前記露光領域内の複数の点で基板表面の位置を測定するためのセンサを備えた、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
さらに、前記第２の対物テーブルを移動して基板を望む位置および／または向きに配置する位置決め手段を備え、前記制御手段がさらに、基板の位置を決める前記位置決め手段を制御するようにも動作する、請求項１から請求項６までのいずれか一項に記載の装置。
【請求項８】
前記制御手段が前記位置決め手段を制御することで低次補正を行い前記露光領域の前記基板の表面を前記焦面に近接させ、前記調整可能要素を制御することで高次補正を行うように構成されている、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記低次補正に位置および向きの補正が含まれる、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記制御手段が前記位置決めシステムを制御して低次補正を行い前記調整可能な要素の調整で生じる低次効果を補正するように構成されている、請求項８または請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記調整可能な要素がフィールド曲率補正レンズである、請求項１から請求項１０までのいずれか一項に記載の装置。
【請求項１２】
前記調整可能な要素が反射板の形状を変化させる圧電アクチュエータである、請求項１から請求項１１までのいずれか一項に記載の装置。
【請求項１３】
デバイス製造方法であって、
放射感光材料の層で少なくとも一部覆われた基板を備えるステップと、
放射システムを使用して投影放射ビームを供給するステップと、
断面において投影ビームにパターンを与えるためパターンニング手段を使用するステップと、
パターン化された放射ビームを投影システムを使用して放射感光材料の層の目標部分に投影するステップであって、前記投影システムは焦面を持ち、また焦面の形状を変化させることができる少なくとも１つの調整可能な要素を備えるステップを含み、
イメージ処理時に前記調整可能要素を制御して、前記焦面の形状を変化させ、前記露光領域の非平坦な表面輪郭により正確に合うようにするステップを特徴とする方法。
【請求項１４】
さらにイメージ処理するステップの前に前記露光領域の表面輪郭を測定するステップを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記測定するステップがリソグラフィック装置内の測定ステーションまたは別の適格性ツールを使用して実行される、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
さらにその露光領域をイメージ処理するステップの前に所定の露光領域をイメージ処理するため調整可能な要素に対する調整を計算するステップを含む、請求項１４または請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
複数の類似の露光領域をイメージ処理し、前記調整を計算するステップで計算した調整を複数の露光領域のイメージ処理に使用する、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
請求項１３から請求項１７のいずれか一項に記載の方法により製造したデバイス。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、リソグラフィック投影装置であって、
投影放射ビームを供給する放射システムと、
パターンニング手段を支持する支持構造であって、パターンニング手段が所望のパターンに応じて投影ビームをパターン化する働きをする支持構造と、
基板を保持するための基板テーブルと、
パターン化されたビームを基板の目標部分に投影するための投影システムを備え、前記投影システムが焦面を持ち、また焦面の形状を変更できる少なくとも１つの調整可能な要素を備えることを特徴とするリソグラフィック投影装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ここで使用している「パターンニング手段」という用語は、広く解釈すべき用語であって、基板のターゲット部分に生成されるべきパターンに対応する、パターン化された断面を入射放射ビームに与えるのに使用できる手段を指し、「光学的弁」という用語はこの文脈でも使用できる。一般に、前記パターンは、集積回路やその他のデバイスなど、目標部分に作成されるデバイス内の特定の機能層に対応する（以下参照）。このようなパターンニング手段には次のような例がある。
マスク。マスクという概念は、リソグラフィではよく知られており、２値、交互移相、および減衰移相、さらに各種のハイブリッド・マスク・タイプなどのマスク・タイプがある。このようなマスクを放射ビーム内に置くと、マスク上のパターンに応じて、マスクに衝突した放射の透過（透過マスクの場合）または反射（反射マスクの場合）が選択的に行われる。マスクの場合、支持構造は一般に、マスク・テーブルであり、これにより、マスクを入射放射ビーム内の所望の位置に保持し、ビームに対し相対的に移動したければ移動することもできる。
プログラム可能ミラーアレイ。このようなデバイスの一例として、粘弾性制御層と反射面を備えるマトリックス・アドレス指定可能面がある。このような装置の背後にある基本原理は、（たとえば）反射面のアドレス指定領域は入射光を回折光として反射するが、非アドレス指定領域は入射光を非回折光として反射するというものである。適切なフィルタを使って、前記非回折光を反射ビームから除去し回折光のみを後に残すことができ、この方法では、ビームはマトリックス・アドレス指定可能面のアドレス指定パターンに応じてパターン化される。プログラム可能ミラーアレイの他の実施形態では、小さなミラーからなるマトリックス配置を採用し、それぞれ、適当な局部的電界を作用させるか、または圧電作動手段を採用することにより軸を中心に個別に傾けることができる。前と同じように、ミラーはマトリックス・アドレス指定可能であり、アドレス指定されたミラーは非アドレス指定ミラーとは異なる方向に入射放射ビームを反射し、この方法により、反射されたビームはマトリックス・アドレス指定可能ミラーのアドレス指定パターンに応じてパターン化される。必要なマトリックス・アドレス指定を実行するには、適当な電子的手段を使用する。上述の両方の状況において、パターンニング手段は１つまたは複数のプログラム可能ミラーアレイを備えることができる。ここで参照しているようなミラーアレイに関する情報をさらに詳しく調べることができるが、たとえば、米国特許第５２９６８９１号および米国特許５５２３１９３号、およびＰＣＴ特許出願ＷＯ９８／３８５９７およびＷＯ９８／３３０９６に記載されており、引用により本発明に取り込む。プログラム可能ミラーアレイの場合、前記支持構造はフレームまたはテーブルとして具現化することができ、たとえば、必要に応じて固定または移動可能にできる。
プログラム可能ＬＣＤアレイ。このような構造の一例は、米国特許第５２２９８７２にあり、これを引用により本発明に取り込む。上記のように、この場合の支持構造はフレームまたはテーブルとして具現化することができ、たとえば、必要に応じて固定または移動可能にできる。
【０００３】
簡単のため、これ以降いくつかの段落で、特に、マスクおよびマスク・テーブルが関連する実例を取り上げる場合があるが、このような場合に説明している一般原理は上で述べたようにパターンニング手段の広い文脈において見られるであろう。
【０００４】
リソグラフィック投影装置は、たとえば、集積回路（ＩＣ）の製造で使用できる。このような場合、パターンニング手段により、ＩＣの個々の層に対応する回路パターンを生成し、このパターンを放射感光材料（レジスト）の層で被覆されている基板（シリコン・ウエハ）の目標部分（たとえば、１つまたは複数のダイを含む）にイメージ処理することができる。一般に、単一のウエハには、投影システムを介して一度に１つずつ連続して照射される隣接目標部分のネットワーク全体が含まれる。現装置では、マスク・テーブルへのマスクによるパターンニングを採用しており、２種類の機械を区別できる。ある種類のリソグラフィック投影装置では、それぞれの目標部分への照射は、マスク・パターン全体を目標部分に１回で感光させる方法で行い、このような装置は通常、ウエハ・ステッパと呼ばれている。通常ステップアンドスキャン装置と呼ばれる他の装置では、各目標部分への照射は、所定の基準方向（「スキャン」方向）に投影ビームの下でマスク・パターンを漸次スキャンすることで行うが、それと同時にこの方向に平行または逆平行な基板テーブルの同期スキャンを実行する。一般に、投影システムは拡大率Ｍ（一般に＜１＞を有するので、基板テーブルがスキャンされる速度Ｖは、マスク・テーブルがスキャンされる速度のＭ倍となる。ここで説明しているようなリソグラフィック・デバイスに関する詳細は、たとえば、引用により本発明に取り込まれている米国特許第６０４６７９２号で詳しく取り扱われている。
【０００５】
リソグラフィック投影装置を使用する製造プロセスでは、放射感光材料（レジスト）の層で少なくとも一部は覆われている基板上にパターン（たとえば、マスク内の）をイメージ処理する。このイメージ処理ステップの前に、基板に対しプライミング、レジスト・コーティング、およびソフト・ベークなどのさまざまな処理手順を実行できる。露光した後、基板に対し、後露光ベーク（ＰＥＢ）、現像、ハード・ベーク、およびイメージ処理された特徴の測定／点検など他の処理手順を実行することができる。この一連の処理手順は、デバイス、たとえばＩＣの個々の層をパターン化するための基盤として使用される。このようなパターン化された層に対し、エッチング、イオン打ち込み（ドーピング）、メタライゼーション、酸化、化学機械研磨などのさまざまな工程を実行することができ、すべて、個々の層を仕上げることを意図している。複数の層が必要な場合、処理手順全体またはそのバリエーションを新しい層ごとに繰り返す必要がある。結局、デバイスのアレイが基板（ウエハ）上に存在することになる。そこで、これらのデバイスを、ダイシング、のこ引きなどの手法で互いに分割して、個々のデバイスをピンに接続されているキャリアなどに載せるなどすることができる。このような工程に関する詳細は、たとえば、Ｐｅｔｅｒ  ｖａｎ  Ｚａｎｔ著「Ｍｉｃｒｏｃｈｉｐ  Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ：Ａ  Ｐｒａｃｔｉｃａｌ  Ｇｕｉｄｅ  ｔｏ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ」（第三版、ＭｃＧｒａｗ  Ｈｉｌｌ  Ｐｕｂｌｉｓｈｉｎｇ  Ｃｏ．，１９９７，ＩＳＢＮ  ０−０７−０６７２５０−４）に記載があり、本発明に引用として取り込む。
【０００６】
簡単のため、投影システムはこれ以降、「レンズ」と呼ぶが、この用語は、たとえば、屈折光学系、反射光学系、および反射屈折光学系を含む、さまざまな種類の投影システムを包含すると広く解釈すべきである。放射システムはさらに、投影放射ビームの方向を定め、形状を決定し、あるいは制御するためこれらの設計タイプに応じて動作するコンポーネントを含むことができ、またこのようなコンポーネントはさらに以下では、総称して、あるいは単一のものとして、「レンズ」と呼ぶ場合がある。さらに、リソグラフィック装置は、２つまたはそれ以上の基板テーブル（および／または２つまたはそれ以上のマスク・テーブル）を持つタイプのものとすることもできる。このような「多段」デバイスでは、追加テーブルを並列に使用したり、１つまたは複数の他のテーブルを露光に使用しながら準備ステップを１つまたは複数のテーブル上で実行することができる。二段リソグラフィック装置については、たとえば、引用により本発明に取り込まれている、米国特許第５９６９４４１号およびＷＯ９８／４０７９１で説明されている。
【０００７】
マスク・パターンを基板上に正しくイメージ処理するためには、投影レンズの焦面内にウエハを正確に配置する必要がある。焦面の位置は、１回露光するときや何回か連続して露光するときのマスク照明の位置と照明および投影システムのイメージ処理設定、さらにたとえば、装置内の温度および／または圧力変化によって異なる。焦面の位置のこうした変動に対処するため、透過イメージ・センサ（ＴＩＳ）や反射イメージ・センサ（ＲＩＳ）などのセンサを使用して焦面の縦方向の位置を測定し、ウエハ面を焦面内に配置するようにする方法が知られている。これは、いわゆる「オンザフライ」方式のレベリングを使用して行うことができ、レベル・センサにより露光時のウエハ面の縦方向の位置を測定し、ウエハ・テーブルの高さおよび／または傾斜を調整して、イメージ処理性能を最適なものにする。それとは別に、いわゆる「軸はずれ」レベリングを使用することもできる。この方法では、ウエハ面（の一部）の高さマップを、たとえば、多段装置内で露光の前にとり、定義されている基準に従って焦点を最適化するため露光または一連の露光に対する高さおよび傾斜設定点をあらかじめ計算する。このような軸はずれレベリングの方法とシステムについては、欧州特許ＥＰ−Ａ−１０３７１１７で述べられている。軸はずれ法では、ウエハ面の正確な形状と位置を測定し、露光のための高さと傾斜位置を最適なものにして、その測定されるウエハ面に関して予測されるピンぼけを最小限に抑えることが提案されている。投影システムの焦面は一般に、平坦であり、ウエハ面は一般に、平坦ではないため、レベリング処理手順では補正できないピンぼけがある程度必ず残る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、露光領域全体にわたる焦点合わせをさらに改善するリソグラフィック投影装置を制御するシステムおよび方法を提示することである。
【０００９】
この目的および他の目的は、冒頭の段落で指定したようなリソグラフィック装置で本発明により実施でき、
その際に、照射された部分をイメージ処理するため露光時に動作する制御手段を使用し、前記調整可能要素を制御し、前記焦面の形状を変化させ、前記露光領域の表面輪郭により正確に合うようにする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上述のように、焦面を一般にできる限り平坦に配置し、ピンぼけを最小限に抑えるように基板の高さおよび／または傾斜を制御する従来技術の方法だと、ウエハ面は一般に正確に平坦ではないのである程度ピンぼけが残る。本発明によれば、焦面を正確に平坦にするのではなく、わざと形を変えて、露出する露光領域内の基板の測定面輪郭に正確に合うようにする。ウエハの高さおよび傾斜の制御を焦面の形状の制御と統合することが好ましい。それから、基板の位置決めにより低次（高さおよび傾斜）の補正を行い、焦面の形状に合わせて調整することで高次の補正を行うことができる。また、焦平面の形状に対する高次調整の低次効果は、基板の位置決めの際に補正できる。
【００１１】
したがって、本発明では、露光領域全体にわたってピンぼけを低減することによりイメージ処理を改善することができる。これにより、すべての露光領域に対するイメージ処理品質が向上し、さらに、以前であればピンぼけ限界を超えていた表面が湾曲している露光領域にも焦点を合わせることができる。
【００１２】
米国特許第５２０２７４８号では、リソグラフィック投影装置で適用可能なプロセス制御システムを開示しており、これは、ウエハの反りによってウエハによって引き起こされる収差を測定できる。このような収差測定に基づき、またそれに従い、光学縦列の要素を調整することによる補正またはそのキャンセレーションまたはウエハの意図的な変形について説明する。これは、本発明により教示されているように、収差、より詳しくは焦面逸脱を導くことを教示していないため本発明から外れる。
【００１３】
本発明では、投影システムで使用可能なすべてのマニピュレータを使用して、焦面の形状に影響を及ぼす要素を調整できる。このようなマニピュレータには、適当なアクチュエータ、たとえばモータ、圧電アクチュエータ、ソレノイドなどが備えられており、制御手段でマニピュレータの接続先の要素を調整することが可能である。調整可能な要素としては、本発明用に特に用意された要素や、倍率の変化によって引き起こされるフィールド曲率の補正やレンズの非点収差の補正など他の目的に用意された要素がある。調整可能な要素は、マニピュレータによって変更される６つの自由度のうちいずれかにおける位置および／または向きを持つことができる。さらに、たとえば要素が表面形状を調整するため圧電素子を備える反射板である場合の要素の形状を調整できる。
【００１４】
本発明の他の態様により提示されるデバイス製造方法は、
放射感光材料の層で少なくとも一部覆われた基板を備えるステップと、
放射システムを使用して投影放射ビームを供給するステップと、
断面において投影ビームにパターンを与えるためパターンニング手段を使用するステップと、
パターン化された放射ビームを投影システムを使用して放射感光材料の層の目標部分に投影するステップであって、前記投影システムは焦面を持ち、また焦面の形状を変更できる少なくとも１つの調整可能な要素を備えるステップを含み、イメージ処理時に前記調整可能要素を制御して、前記焦面の形状を変化させ、前記露光領域の表面輪郭により正確に合うようにするステップを特徴とする。
【００１５】
この文章でＩＣの製造で本発明による装置を使用することについて具体的に言及している場合があっても、そのような装置には他に数多くの可能な用途がありうることを明確に理解しておくべきである。たとえば、集積光学系、磁気ドメイン・メモリの誘導および検出パターン、液晶表示パネル、薄膜磁気ヘッドなどの製造で使用することができる。当業者であれば、このような他の用途の文脈において、「網線」、「ウエハ」、または「ダイス」という用語がこの文章で使用されている場合、それぞれ、「マスク」、「基板」、および「目標部分」というより一般的な用語で置き換えられと考えるべきである。
【００１６】
本文書では、「放射」および「ビーム」という用語は、紫外線（たとえば、波長３６５、２４８、１９３、１５７、または１２６ｎｍのもの）およびＥＵＶ（遠紫外線、たとえば波長範囲が５〜２０ｎｍのもの）、さらにイオン・ビームや電子ビームなどの粒子ビームを含む、電磁放射でのあらゆるタイプを包含する。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下では、実施例と添付の概略図を参照しながら本発明とその付随する利点についてさらに詳しく説明する。
【００１８】
図１は、本発明の特定の実施形態によるリソグラフィック投影装置の概略を示す。前記装置は、
放射（たとえば、ＵＶまたはＥＵＶ放射）の投影ビームＰＢを供給する放射システムＬＡ、ＩＬ（ＥＸ、ＩＮ、ＣＯ）であって、この特定の場合には、放射源ＬＡも備える放射システムと、
マスクＭＡ（たとえば、網線）を保持するためのマスク・ホルダを備え、項目ＰＬに関してマスクの位置を正確に決めるための第１の位置決め手段に接続されている第１の対物テーブル（マスク・テーブル）ＭＴと、
基板Ｗ（たとえば、レジスト被覆シリコン・ウエハ）を保持するための基板ホルダを備え、項目ＰＬに関して基板の位置を正確に決めるための第２の位置決め手段に接続されている第２の対物テーブル（基板テーブル）ＷＴａと、
基板Ｗ（たとえば、レジスト被覆シリコン・ウエハ）を保持するための基板ホルダを備え、項目ＰＬに関して基板の位置を正確に決めるための第３の位置決め手段に接続されている第３の対物テーブル（基板すなわち、ウエハ・テーブル）ＷＴｂと、
測定ステーションで基板テーブルＷＴａまたはＷＴｂ上に保持されている基板上で測定（特徴付け）プロセスを実行するための測定システムＭＳと、
マスクＭＡの照射部分を露光ステーションの基板テーブルＷＴａまたはＷＴｂに保持されている基板Ｗの目標部分Ｃ（たとえば、１つまたは複数のダイスを備える）上にイメージ処理するための投影システム（「レンズ」）ＰＬ（たとえば、屈折または反射屈折光学系、ミラーグループ、またはフィールド偏向器のアレイ）を備える。
ここで述べたように、装置は透過型である（つまり、透過マスクを持つ）。しかし、一般には、たとえば、反射型でもよい（反射マスクを使用する）。それとは別に、この装置では、他の種類のパターンニング手段、たとえば上記のようなタイプのプログラム可能なミラーアレイを採用することもできる。
【００１９】
発生源ＬＡ（たとえば、Ｈｇランプ、エキシマ・レーザー、レーザー出力プラズマ発生源、放出プラズマ発生源、蓄積リングまたはシンクロトロン内の電子ビームの経路回りに用意された現波器、または電子またはイオンビーム発生源）が放射ビームを出力する。このビームは、直接またはたとえばビーム拡大器ＥＸなどの調整手段を横切った後、照明システム（照明器）ＩＬに送られる。照明器ＩＬは、ビーム内の強度分布の半径方向の外側および／または内側範囲（通常、それぞれσ外側およびσ内側と呼ぶ）を設定する調整手段ＡＭを備えることができる。さらに、積分器ＩＮおよび集光装置ＣＯなどの他のさまざまなコンポーネントを一般には備える。このようにして、マスクＭＡに当たったビームＰＢは断面内で所望の一様性と強度の分布を持つ。
【００２０】
図１に関して、発生源ＬＡがリソグラフィック投影装置のハウジング内に置くことができる（たとえば、発生源ＬＡが水銀灯である場合が多い）が、リソグラフィック投影装置から離れた場所にあってもよく、出力される放射ビームはこの装置に供給され（たとえば、適当な配向ミラーの助けを借りて）、この後者のシナリオでは多くの場合、発生源ＬＡはエキシマ・レーザである。本発明および請求項では、これらのシナリオの両方を含む。
【００２１】
その後ビームＰＢはマスク・テーブルＭＴ上に保持されているマスクＭＡを横取りする。マスクＭＡを横切ったビームＰＢはレンズＰＬを通り、このレンズはビームＰＢを基板Ｗの目標部分Ｃに焦点を合わせる。干渉測定手段ＩＦの助けを借りて、第２と第３の位置決め手段により基板テーブルＷＴａ、ＷＴｂを正確に移動し、たとえば、ビームＰＢの経路内の異なる目標位置Ｃを定めることができる。同様に、第１の位置決め手段を使用すると、たとえば、マスク・ライブラリからマスクＭＡを取り出した後、あるいはスキャン時に、ビームＰＢの経路に関してマスクＭＡの位置を正確に決めることができる。一般に、対物テーブルＭＴ、ＷＴａ、ＷＴｂの移動は、長ストローク・モジュール（粗位置決め）と短ストローク・モジュール（精密位置決め）の助けを借りて行うが、図１には明示されていない。しかし、ウエハ・ステッパの場合（ステップアンドスキャン装置とは反対に）、マスク・テーブルＭＴは短ストローク・アクチュエータに接続するだけか、または固定することができる。
【００２２】
第２および第３の位置決め手段は、投影システムＰＬの下の露光ステーションと測定システムＭＳの下の測定ステーションの両方を含む範囲にわたってそれぞれの基板テーブルＷＴａ、ＷＴｂの位置を決められるように構成できる。それとは別に、第２と第３の位置決め手段は、独立の露光ステーションおよびそれぞれの露光ステーション内の基板テーブルを位置決めする測定ステーションおよび２つの位置決めシステムの間で基板テーブルを交換するためのテーブル交換手段で置き換えることができる。適当な位置決めシステムについては、特に、上記のＷＯ  ９８／２８６６５およびＷＯ  ９８／４０７９１で説明されている。リソグラフィ装置は複数の露光ステーションおよび／または複数の測定ステーションを備え、測定および露光ステーションの個数は互いに異なる場合があり、ステーションの総数は基板テーブルの個数に等しくなくてよいことに注意する必要がある。実際、別の露光および測定ステーションの原理は単一基板テーブルであっても採用できる。
【００２３】
示されている装置は、以下の２つのモードで使用できる。
１．ステップ・モードでは、マスク・テーブルＭＴは本質的に静止状態に保たれ、マスク・イメージ全体が１回で（つまり、単一の「フラッシュ」で）目標部分Ｃに投影される。その後、基板テーブルＷＴａまたはＷＴｂをｘおよび／またはｙ方向にずらし、異なる目標部分ＣにビームＰＢを照射する。
２．スキャン・モードでは、所定の目標部分Ｃが１回の「フラッシュ」で露光しないことを除き本質的に同じシナリオが適用される。その代わりに、マスク・テーブルＭＴは、速度ｖで所定の方向（いわゆる「スキャン方向」、たとえばｙ方向）に移動可能であり、投影ビームＰＢがマスク・イメージ上をスキャンするが、それとともに、ＭをレンズＰＬの倍率（通常、Ｍ＝１／４または１／５）とすると基板テーブルＷＴａまたはＷＴｂが速度Ｖ＝Ｍｖで同じ方向または反対方向に同時に移動する。このようにして、分解能を損なうことなく比較的大きな目標部分Ｃを露光できる。
【００２４】
リソグラフィック装置のイメージ処理品質に影響を与える重要な要因に、マスク・イメージの焦点を基板上に合わせる際の精度がある。ウエハは一般に、平坦度が非常に高くなるまで研磨されるが、しかしながら、ウエハ表面が焦点精度に十分顕著な影響を及ぼす大きさの完全な平坦度から逸脱（「非平坦」と呼ぶ）が生じることがある。非平坦性は、例えば、ウエハの厚さの変動、ウエハの形状の歪み、または基板テーブル上の汚染が原因で生じることがある。前のプロセス・ステップによる構造が存在しても、ウエハの高さ（平坦度）が著しく影響を受ける。本発明では、非平坦の原因はおおむね関係なく、ウエハの上面の高さのみ考慮する。別に文脈上必要でない限り、以下で「ウエハ表面」と参照している場合、マスク・イメージを投影されるウエハの上面のことである。
【００２５】
ウエハを基板テーブルＷＴａ、ＷＴｂのいずれかに装填した後、基板テーブルの物理的基準表面に関するウエハ表面ＺＷａｆｅｒの高さがマッピングされる。このプロセスは、物理的基準面の縦（Ｚ）位置と複数の点でのウエハ表面ＺＬＳの縦位置を測定するレベル・センサと呼ばれる第１のセンサと、同じ点で基板テーブルＺＩＦの縦位置を同時に属している、第２のセンサ、たとえばＺ干渉計を使用して、測定ステーションで実行される。図２に示されているように、ウエハ表面の高さは、ＺＷａｆｅｒ＝ＺＬＳ−ＺＩＦで求められる。その後、ウエハが載っている基板テーブルを露光ステーションに移動し、物理的基準面の縦位置を再び求める。そこで高さマップが、露光プロセスで正しい縦位置にウエハを配置する際に参照される。この処理手順について、図３〜６を参照しながら以下で詳しく説明する。
【００２６】
図３に示されているように、第１に基板テーブルを移動し、基板テーブルに固定されている物理的基準面がレベル・センサＬＳの下にくるようにする。物理的基準面は、リソグラフィック装置内のウエハの処理時、そして最も重要なことであるが、測定ステーションと露光ステーションの間の基板テーブルの移動時に基板テーブル上のＸ、Ｙ、およびＺの位置で変化しない都合のよい表面であればどのようなものでもよい。物理的基準面は、他の位置合わせマーカを含む基準の一部でよいが、表面は、ウエハ面の縦位置を測定する場合と同じセンサで縦位置を測定できるような特性を持つものでなければならない。物理的基準面は、いわゆる透過イメージ・センサ（ＴＩＳ）が差し込まれる基準内の反射面でよい。以下ではＴＩＳについて詳しく説明する。
【００２７】
たとえば、レベル・センサは光センサでよいが、他に、空気圧センサや容量センサ（例）が考えられる。ウエハ表面によって反射される投影回折格子のイメージと固定された検出回折格子との間に形成されるモアレ・パターンを使用する現在好ましいセンサ形態については、欧州特許出願ＥＰ−Ａ−１０３７１１７で説明されている。レベル・センサは、同時にウエハ表面上の複数の位置からなる縦位置を測定し、位置ごとに、センサで特定の領域の平均の高さを測定し、高い空間周波数の非平坦度の平均を求めるのが好ましい。
【００２８】
同時に、レベル・センサＬＳによる物理的基準面の縦位置の測定では、Ｚ干渉計ＺＩＦを使用して基板テーブルの縦位置を測定する。たとえば、Ｚ干渉計は、引用により本発明に取り込まれている、ＷＯ  ９９／２８７９０またはＷＯ  ９９／３２９４０で説明しているような３軸、５軸、または６軸の干渉測定システムの一部とすることもできる。Ｚ干渉計システムは、レベル・センサＬＳの較正された測定位置と同じ、ＸＹ平面の位置を持つ点で基板テーブルの縦位置を測定するのが好ましい。これは、レベル・センサおよびその間の補間／モデリングの測定位置にそった点で基板テーブルＷＴの２つの向かい合う辺（ＷＴａまたはＷＴｂ）の縦位置を測定することで行える。これにより、基板テーブルがＸＹ平面から外れて傾斜した場合でも、Ｚ干渉測定は、レベル・センサの下の基板テーブルの縦位置を正しく示す。
【００２９】
少なくとも第２の物理的基準面を間隔をあけて並べる、たとえば、第１の物理的基準面から対角線に、このプロセスを繰り返すのが好ましい。２つ以上の位置から高さ測定を行って、基準平面を定義することができる。
【００３０】
１つまたは複数の物理的基準面の縦位置と基板テーブルの縦位置を同時に測定することにより、ウエハの高さのマッピングに関する基準面を決定する点が確定する。上述のタイプのＺ干渉計は、実際には、絶対センサではなく変位センサであり、したがって、ゼロ調整が必要であるが、広範囲にわたって非常に直線的な位置測定結果が得られる。他方、適当なレベル・センサ、たとえば上述のセンサを使用すると、外部で定義した基準平面に関して絶対位置測定結果（つまり、公称０）が得られるが、範囲は小さい。このようなセンサを使用する場合、基板テーブルをレベル・センサの下に縦に移動して、物理的基準面がレベル・センサの測定範囲の真ん中の公称０に位置するようにし、現在の干渉計のＺ値を読み出すと都合がよい。物理的基準面のこれらの測定結果の１つまたは複数により、高さマッピングについて基準平面が確定する。Ｚ干渉計を基準平面に関してゼロ調整する。このようにして、基準平面は基板テーブルの物理的表面に関係しており、ＺＷａｆｅｒ高さマップが測定ステーションでのＺ干渉計の初期ゼロ位置および基板テーブルが移動される底板の非平坦度などの他の局所的要因とは無関係に作成される。さらに、高さマップは、レベル・センサのゼロ位置のドリフトと無関係に作成される。
【００３１】
図４に示されているように、基準平面が確定されたら、基板テーブルを移動し、レベル・センサの下でウエハ表面をスキャンし、高さマップを作成する。ウエハ表面の縦位置と基板テーブル縦位置を既知のＸＹ位置の複数の点で測定し、互いから引いて、既知のＸＹ位置のウエハの高さを求める。これらのウエハの高さの値は、任意の適当な形式で記録できるウエハ高さマップを形成する。たとえば、ウエハ高さ値とＸＹ座標は、いわゆる分割できないペアでいっしょに記憶できる。それとは別に、ウエハ高さ値を取る点は、たとえば、所定の速度で所定の経路に沿ってウエハをスキャンし、所定の間隔で測定を行うことによりあらかじめ設定することができるため、高さ値の単純なリストまたはアレイ（オプションで、測定パターンおよび／または開始点を定義する少数のパラメータとともに）があれば高さマップを定義するのに十分である。
【００３２】
高さマッピングのスキャン中の基板テーブルの移動は大体は、ＸＹ平面内に限られる。しかし、レベル・センサＬＳが信頼度の高いゼロ読み取り値が得られるだけのタイプの場合、基板テーブルをさらに縦に移動し、ウエハ表面をレベル・センサのゼロ位置に保持する。ウエハ高さは、本質的に、レベル・センサからゼロ読み出しを維持するのに必要なＺ干渉計で測定された基板テーブルのＺ移動から求められる。しかし、出力とウエハ高さがの関係が直線的である、あるいは直線化できる明らかな測定範囲を持つレベル・センサを使用するのが好ましい。このような測定範囲は、ウエハ高さの予想または許容可能最大変動を包含する。このようなセンサを使用すると、スキャン時に基板テーブルを縦方向に移動する必要性が減じか、あるいはその必要がなくなり、スキャンを高速に実行できるが、それは、スキャン速度がウエハの輪郭を三次元で追跡するための基板テーブルの短ストローク位置決め機能ではなくセンサ応答時間によって制限されているからである。また、明らかに直線範囲を持つセンサを使用すると、複数の位置（たとえば、スポットのアレイ）での高さを同時に測定できる。
【００３３】
次に、ウエハ・テーブルを露光ステーションに移動し、図５に示されているように、（物理的）基準面を投影レンズの下に配置し、投影レンズの焦面内の基準点に関して縦位置を測定できる。好ましい実施形態では、これは、以前の測定で使用した基準面に検出器が物理的に接続されている１つまたは複数の透過イメージ・センサ（以下で説明）を使用して達成される。透過イメージ・センサは、投影レンズの下のマスクから投影されたイメージの縦の焦点位置を決定することができる。この測定をもとに、基準平面を投影レンズの焦面に関連付け、ウエハ表面を最適な焦点に維持する露光方式を決定することができる。従来技術では、これは、たとえばスキャン経路に沿った点列に対しＺ、Ｒｘ、およびＲｙ設定点で定められる三次元内の基板テーブルの経路を計算することで行う。これは、図６に示されている。本発明によれば、投影レンズにおいて利用可能なマニピュレータを使用して焦点合わせが改善されるように焦面の形状を調整する。これは、図８に示されている。
【００３４】
図８からわかるように、ウエハ面ＷＳが有意な非平坦性を持つ場合、投影ビームＰＢの露光スリットの領域全体にわたって平坦な焦面１１内に正しく焦点を合わせることは不可能である。その代わりに、ウエハ面ＷＳと平坦な焦面１１の間のピンぼけの全体的な度合いまたは平均の度合いを最小にする位置にウエハを置く必要がある。本発明によれば、残留するピンぼけは、投影システムＰＬ内の利用可能なマニピュレータ２２、２４、２６を使用して焦面を歪ませることにより最小限に抑えるか、またはなくすることができる。このようなマニピュレータ２２、２４、２６により、投影システム内の要素２１、２３、２５の縦方向の位置、横方向の位置、および／または回転位置を調整できる。本発明で使用するマニピュレータは、投影レンズの現場調整のため用意することができ、投影ビームで生じるレンズの発熱などの一時的効果、あるいは特に本発明の対する補正となる。システムの倍率の調整により生じるフィールド曲率を補正するのに使用されるレンズ要素は、特に本発明で使用する。本発明によれば、フィールド曲率補正を変更したり、あるいはフィールド曲率を故意に持ち込み、非平坦な基板の焦点合わせを改善することができる。もちろん、１つまたは複数のレンズ要素の（相対的）位置および／または向きを変える他の利用可能なマニピュレータも使用できる。本発明ではさらに、投影システム内の要素の形状および／または光学的特性を変えるマニピュレータを使用することもできる。
【００３５】
本発明で可能な改善の度合いは、ウエハ表面と利用可能なマニピュレータの数および効果によって異なる。図８からわかるように、二次の補正を取り入れると、焦面１２は図のウエハ表面に近くなり、そのためピンぼけが減る。四次の補正を取り入れると、焦面１３はなおいっそうウエハ表面ＷＳに近づき、そのためさらにピンぼけが減る。投影システムに非対称要素と適当なマニピュレータが含まれる場合、奇数次の高次補正も行える。
【００３６】
本発明によれば、ｐ１、ｐ２などの設定点は、ｐ１、ｐ２などを投影システムＰＬの調節可能パラメータとして、Ｚ、Ｒｘ、およびＲｙの設定点に加えて決定される。これらの設定点は、最小自乗法を使ってスキャン動作中にウエハ・マップ・データと露光スリット・イメージの焦面との差が最小になるように決定できる。計算が簡単になるように、露光スリット・イメージおよびウエハの相対的動作を静的ウエハに関するスリットの動作として表すことができる。最小自乗法の基準は、各時刻ｔについて、以下の式の最小値を与える値Ｚ（ｔ）、Ｒｘ（ｔ）、Ｒｙ（ｔ）、ｐ１（ｔ）、ｐ２（ｔ）、．．．などを見つけるステップとして表すことができる。
【数１】
0003567152.tif 000002
ただし、ｗ（ｘ，ｙなど）は、ウエハ表面の縦部分を定義し、ＦＰ（ｐ１（ｔ），ｐ２（ｔ），など）は、焦面の縦位置をｐ１（ｔ）、ｐ２（ｔ）などの関数として定義し、ｓはスキャン方向の露光スリットの幅であり、Ｗはスキャン方向に垂直な長さである。設定点とウエハ軌道は、Ｙ（スキャン方向内の位置）またはｔ（時刻）のいずれかの関数として表すことができるが、これらがＹ＝ｙ０＋ｖｔによって関連付けられているからであり、ｙ０は開始点、ｖはスキャン速度である。
【００３７】
上述のように、物理的基準面は透過イメージセンサ（ＴＩＳ）が差し込まれる表面であるのが好ましい。図７からわかるように、２つのセンサＴＩＳ１とＴＩＳ２は、ウエハＷで覆われた領域の外の対角線上で向かい合う位置で、基板テーブル（ＷＴ、ＷＴａ、またはＷＴｂ）の上面に取り付けられている。基準板は、熱膨張係数の非常に低い非常に安定した材料、たとえば、インバールなどでできており、位置合わせプロセスで使用されるマーカを付けられる平坦な反射上面を備える。ＴＳ１およびＴＳ２は、投影レンズの空中イメージの縦方向（および横方向）位置を直接決定するために使用されるセンサである。これらは、それぞれの表面内に開口部を持ち、その背後近くに、露光プロセスに使用される放射に感光する光検出器が配置されている。焦面の位置を決定するために、投影レンズはマスクＭＡ上に用意され、対照的な明暗領域を持つＴＩＳパターンＴＩＳ−Ｍのイメージを空間内に投影する。その後、基板テーブルを水平方向に（１方向または好ましくは２方向に）、また垂直方向にスキャンし、空中イメージが期待される場所をＴＩＳの開口が通過するようにする。ＴＩＳ開口がＴＩＳパターンのイメージの明暗部分を通過するときに、光検出器の出力が変動する。この処理手順を異なる縦レベルで繰り返す。光検出器出力の振幅の変化率が最高となる位置は、ＴＩＳパターンが最大のコントラストを持つ位置を示し、したがって最適な焦点位置を示す。それにより、焦面の三次元マップが得られる。このタイプのＴＩＳの例については、米国特許第４５４０２７７号で詳述しており、引用で本発明に取り込まれている。ＴＩＳの代わりに、米国特許第５１４４３６３号で説明されているような反射イメージ・センサ（ＲＩＳ）も使用でき、引用により本発明に取り込まれている。
【００３８】
ＴＩＳの表面を物理的基準面として使用すると、ＴＩＳの測定結果により高さマップに使用される基準面が投影レンズの焦面に直接関連付けられ、したがって露光プロセスで高さマップを使用して基板テーブルの高さ補正を行えるという利点が生じる。これは図６に示されており、基板テーブルＷＴはウエハ表面が投影レンズＰＬの下の正しい位置に来るように高さマップで決定された高さでＺ干渉計の制御に従って配置されているものとして示されている。
【００３９】
ＴＩＳ表面はさらに、基準マーカを備えることができ、その位置はレンズを通して（ＴＴＬ）位置合わせシステムを使用して検出され、これにより基板テーブルをマスクに合わせる。このような位置合わせシステムについては、たとえば、ＥＰ−０４６７４４５Ａに説明されており、引用により本発明に取り込まれている。個々の露光領域は位置合わせを行うこともできるし、また露光領域を基板テーブル状の基準マーカに合わせるため測定段階で実行される位置合わせ手順により避けることができる。このような処理手順については、たとえば、ＥＰ−０９０６５９０Ａに説明されており、引用により本発明に取り込まれている。
【００４０】
意図している露光領域の場所と範囲について判明していれば、本発明により生成された高さマップを使用して、露光ごとに基板テーブルまたは投影システムの最適なＺ、Ｒｘ、Ｒｙ、ｐ１、ｐ２などの位置をあらかじめ計算することができる。これにより、ウエハが投影レンズの下に来たときにのみウエハの高さを測定する既知の装置のレベリングに要する時間を短縮することができ、したがってスループットが高まる。最適なＺ、Ｒｘ、Ｒｙ、ｐ１、ｐ２などの設定点を計算するには、既知のさまざまな数学的技法、たとえば、反復プロセスを使って露光領域にわたって積分されるピンぼけ（ウエハ表面と理想焦面との距離として定義される）ＬＳＱ（ｔ）を最小化するなどの方法を使用できる。
【００４１】
ステップアンドスキャン・モードには他の利点も考えられる。このモードでは、投影レンズはマスク・パターンの一部のみのイメージを露光領域の対応する部分に投影する。その後、投影システムＰＬの対物およびイメージ焦面と同期してマスクおよび基板をスキャンし、マスク・パターン全体を露光領域全体にイメージ処理する。実際には、投影レンズは静止位置に保持され、マスクおよび基板が動かされるが、多くの場合、ウエハ表面でのイメージ・スリットの移動に関してこのプロセスを考慮すると都合がよい。本発明では高さマップをあらかじめ決定しているため、ＸＹスキャン経路に一致する一連のＺ、Ｒｘ、Ｒｙ、ｐ１、ｐ２などの設定点を計算することができる（通常、スキャンは１方向のみ、たとえばＹ方向で実行される）。設定点の列は、追加基準に従って最適化でき、たとえば、スループットを下げたり望ましくない振動を発生するおそれのある縦方向の加速や傾斜の動きを最小限に抑えることができる。間隔をあけて並べられている設定点の列を指定すると、露光のスキャン軌道は、多項式またはスプライン当てはめ手順を使用して計算できる。
【００４２】
本発明は、ウエハの位置をＺ、Ｒｘ、およびＲｙの最適な位置に定め、所定の露光について焦面の形状を調整することを目指しているが、露光領域上のウエハ表面の高さのバリエーションはウエハを配置できないようなものもあるが、領域全体にわたって焦点が正しく合うように焦面の形状を定めることができる。このようないわゆる焦点スポットがあると、露光が失敗することがある。しかし、本発明では、このような障害はあらかじめ予測することができ、対策を講じることができる。たとえば、露光不良のウエハをさらに処理するというマイナス効果なしでウエハの表面を剥ぎ取って再コーディングすることができる。それとは別に、予測される障害がウエハ上の１つまたは少数のデバイスにのみ影響するが他は許容可能である場合、欠陥デバイスが生じるとあらかじめ予測できる露光をスキップすることによりスループットを高めることができる。
【００４３】
本発明の実装で使用している制御システム３０を図９に示す。図９では、ウエハ表面を記述するデータは、以前に得られたウエハ高さマップを記憶しているメモリを備えることができるウエハ高さマップ３１、またはウエハ表面をリアルタイムで直接測定するレベル・センサ、および焦面マップ３２から焦面を記述するデータで与えられる。一般に焦面の形状を連続的に測定することは実際的ではないため、焦面マップ３２は一般に、必要に応じてイメージ処理パラメータの変化とともに焦面が変化するモデルで補足される、焦面形状の定期的測定の結果を記憶するメモリである。焦面の連続測定または疑似連続測定が可能な場合は、それも使用できる。ウエハ表面および焦面形状を記述するデータをコントローラ３３で使用して、基板テーブル位置の設定点（Ｚ、Ｒｘ、およびＲｙ）および投影レンズ・パラメータ（ｐ１、ｐ２など）を計算し、これをサーボ・コントローラ３４に供給してテーブル位置決めを行い、サーボ・コントローラ３５に供給して投影システムＰＬのマニピュレータ２２、２４、２６を制御する。テーブル位置決めサーボ・コントローラ３４では、干渉変位測定システムＩＦで測定したテーブル位置を使用するフィードバック制御を採用することができる。またテーブル位置を使用して、あらかじめ計算で求めた設定点のメモリ３３ａからの読み出しを制御することもできる。投影システム・パラメータｐ１、ｐ２などの調整は、サーボ・コントローラ３５から焦面マップ３２にフィードバックできる。投影システムは、上述のように、レンズ加熱などの他の特定の一時的効果に対する補正のため調整される場合がある。このような効果に対する必要な補正を行うための投影システムの補正は、関連する制御システム３６が行い、これは、本発明によりレベリングと焦点合わせの調整と組み合わせることができる。
【００４４】
制御システム３０はさらに、ウエハ高さマップ３１からサーボ・コントローラ３４へのフィードバックを備え、基板テーブルの位置をリアル・タイム（オンザフライ）で制御できる。このフィードバックは、スキャン時の基板テーブルの位置があらかじめ記憶される軸はずれレベリングを実行する場合には省略できる。
【００４５】
必要な調整を行って最適な焦点を得るステップを異なる調整可能なパラメータに分ける方法は、本発明を特定の装置で実装する際に決定される。多くの装置では、基板テーブルとその応答速度の調整範囲は、投影システム内の調整可能な要素の調整範囲よりも大きくなる。このような場合、０次と１次の補正を高次の補正から分け、これらに合わせて基板テーブルの位置を決めると都合がよく、０次と１次の補正は実際には高さと傾斜の補正であるが、高次の補正はそれゆえウエハ表面の高さまたは傾斜を変えることにより補正できない露光スリット内のウエハ表面におけるバリエーションを表す。基板テーブルを使用して０次と１次の補正を実行するのが好ましいが、投影システム内の調整可能な要素を調整することによりこれらの補正を実行することも考えられる。０次と１次の補正を高次の補正から分離するという方法を利用する場合、この分離は入力データ内で行うこともできる。たとえば、ウエハ表面および焦面を差し引いて、露光経路内の各露光または点について、平坦だが傾斜している平面を補正表面に合わせることも可能である。露光スリットの中心にあるその平坦な平面の高さにより、必要な高さ補正（０次）が決まり、その傾斜により必要な傾斜補正（１次）が決まる。その後、平坦な傾斜平面を補正表面から差し引くと投影レンズ・パラメータの調整により補正に対する高次の項が残る。
【００４６】
装置によっては、望む高次補正を得るために投影レンズ・パラメータの調整を行うと、焦面の縦位置および傾斜（０次および１次）の不可避な変化が生じることがある。高次補正と低次補正の間でこのようなクロストークが発生する場合、高次と低次の分離ではなく、統合制御アルゴリズムを使用するのが好ましいと考えられる。それとは別に、高次補正を計算し、第１の効果とそれ以降の効果を必要な低次補正の計算に取り込むことができる。
【００４７】
横切る方向（スキャン方向に垂直）で幅に比べてスキャン方向に比較的狭い露光スリットを持ち、投影レンズ内に主に回転対称要素を持つスキャン装置では、特に高次の補正は主に、横切る方向でウエハ表面形状を補正するために実行できる。これは、投影システム内の対称要素では、スキャン方向と横切る方向で焦面の形状を別々に変更することが不可能だからである。そこで、横切る方向で焦面の曲率を変化させると、スキャン方向が変化するが、横切る方向の露光スリットの寸法が大きいため、横切る方向での逸脱を補正するのに必要な曲率ではスキャン方向で両極端の縦方向の逸脱が小さくなるだけである。さらに、スキャン方向の焦点ずれはスキャン動作で平均されるため、多くの場合、無視できる。
【００４８】
ウエハの形状が主に前のプロセス層で決まり、多数の類似または同一のダイスが１つまたは複数のウエハにプリントされる場合、１つのウエハまたはウエハのバッチ内のダイス・タイプごとに１回だけ補正を予測または計算することが可能な場合がある。場合によっては、高次のウエハ形状が前のプロセス層で決まることもがあるが、ウエハおよび／または露光領域にまたがって、またその間での高さおよび傾斜のバリエーションに重ね合わされる。このような場合、各ダイス・タイプの高次の補正をあらかじめ計算しておき、露光領域ごとに計算で求めた低次補正と組み合わせることができる。
【００４９】
上で本発明の特定の実施形態について説明してきたが、本発明はここで述べた以外の方法でも実施できることは明白であろう。説明は本発明を制限することを意図していない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態によるリソグラフィック投影装置の図である。
【図２】ウエハの高さをレベル・センサとＺ干渉計による測定結果から求める方法を示す図である。
【図３】本発明による焦点制御およびレベリング手順のさまざまなステップを示す図である。
【図４】本発明による焦点制御およびレベリング手順のさまざまなステップを示す図である。
【図５】本発明による焦点制御およびレベリング手順のさまざまなステップを示す図である。
【図６】本発明による焦点制御およびレベリング手順のさまざまなステップを示す図である。
【図７】本発明による焦点制御およびレベリング手順で使用するセンサおよび基準を示す基板テーブルの平面図である。
【図８】本発明で使用する投影レンズ内の調節可能な要素を示す図である。
【図９】本発明を実施するための制御システムの図である。
図面中、類似の参照は類似の部品を示す。
【符号の説明】
１１  平坦な焦面
１２  焦面
１３  焦面
２２、２４、２６  マニピュレータ
２１、２３、２５  投影システム内の要素
３０  制御システム
３１  ウエハ高さマップ
３２  焦面マップ
３３  コントローラ
３３  メモリ
３４  サーボ・コントローラ
３５  サーボ・コントローラ
ＡＭ  調整手段
ＣＯ  集光装置
ＩＦ  干渉測定手段
ＩＬ  照明システム（照明器）
ＩＮ  積分器
ＬＡ  放射源
ＬＳ  レベル・センサ
ＭＡ  マスク
ＭＳ  測定システム
ＭＴ  対物テーブル（マスク・テーブル）
ＰＢ  ビーム
ＰＬ  投影システム（「レンズ」）
ＲＩＳ  反射イメージ・センサ
ＴＩＳ  透過イメージ・センサ
ＴＩＳ１  センサ
ＴＩＳ２  センサ
Ｗ  基板
ＷＳ  ウエハ面
ＷＴａ  第２の対物テーブル（基板テーブル）
ＷＴｂ  第３の対物テーブル（基板テーブル）
Ｚ、Ｒｘ、Ｒｙ  設定点
ＺＩＦ  Ｚ干渉計
ＺＬＳ  ウエハ表面
ＺＷａｆｅｒ  ウエハ表面
【図１】
0003567152.tif 000003
【図２】
0003567152.tif 000004
【図３】
0003567152.tif 000005
【図４】
0003567152.tif 000006
【図５】
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【図６】
0003567152.tif 000008
【図７】
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【図８】
0003567152.tif 000010
【図９】
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