【誤訳訂正書】
【提出日】平成29年11月7日(2017.11.7)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
一態様によると、本開示のシステムは、柔軟で均一な寸法の入力ファイバーと、入力ファイバーから離れる方向に広がる真っ直ぐな円錐台形のファイバーロッドという二つの異なる形状の部分を備えて構成されたブースター増幅器を含む。増幅器は、コアの全断面にわたって略１０００ｐｐｍから略５０００ｐｐｍまでの高濃度の希土類元素のイオンでドープされたリン酸塩コアを含む。入力ファイバー部分に沿って延伸するコアの入力部分は、基本モード（ＦＭ，ｆｕｎｄａｍｅｎｔａｌ  ｍｏｄｅ）又は少数の高次モード（ＨＯＭ，ｈｉｇｈ  ｏｒｄｅｒ  ｍｏｄｅ）のみを誘導するように構成される。ファイバーロッドに沿って広がるコアの出力部分は、後述のように増幅が実質的に抑制される多重モードをサポートすることができる出力端部を有する。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
しかしながら、本開示のポンプ源は、コアの縁領域における発光体の吸収をブリーチするのに必要な密度よりもはるかに高い出力密度を有するポンプ光を放出するように構成される。言い換えると、ポンプ光は、対向する伝播方向においてコアの出力領域内に結合され、ポンプ光の出力密度が、信号の基本モードと重なるコア領域の希土類イオンを反転ささせることができる。同時に、このようなポンプ光は、重ならない領域内の発光体を反転させるには不十分であり、ＨＯＭ及び／又は自然放出の増幅と比較してはるかに大きいＦＭの増幅をもたらす。
ポンプ源は、
波長λｐの低ノイズポンプ光信号を発生させる少なくとも一つのポンプシード源と、
サブポンプ波長λｓｐのサブポンプ放射を放出するように互いに組み合わせられた複数の高出力半導体レーザーダイオードと、
サブポンプ波長λｓｐのサブポンプ放射を波長λｐのポンプ信号に変換するＹｂドープ多重モードファイバー波長変換器とを備えて構成されていて、
波長変換器によって放出されるポンプ信号が、
低ノイズポンプ光信号のノイズレベルと実質的に同じノイズレベルと、
ｎを高出力半導体レーザーダイオードの数、Ｂを各高出力半導体レーザーダイオードの輝度として、ｎ×Ｂに実質的に等しい輝度と、
Ｐｄを各高出力半導体レーザーダイオードの出力、ｎを高出力半導体レーザーダイオードの数として、ｎＰｄに実質的に等しい出力とを有する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３８】
ポンプ光の高出力レベルＰｐｌは、シード光と比較してポンプ光の輝度（Ｂ，ｂｒｉｇｈｔｎｅｓｓ）の改善に大きく寄与する。輝度Ｂは、Ｐｏ／ＢＰＰに略等しくなり得て、ここでＢＰＰは、１／２Ｄｃ×ＮＡとして決定可能なビームパラメータの積であり、Ｄｃはコア直径、ＮＡは開口数である。このＮＡは、実際的には信号光のＮＡ以下であるので、出力が実質的に均一であるとすると、ポンプ出力の輝度は、従来技術の最も強力なＭＭコンバイナの輝度の１０倍以上となり得る。
ポンプ源は、
波長λｐの低ノイズポンプ光信号を発生させる少なくとも一つのポンプシード源と、
サブポンプ波長λｓｐのサブポンプ放射を放出するように互いに組み合わせられた複数の高出力半導体レーザーダイオードと、
サブポンプ波長λｓｐのサブポンプ放射を波長λｐのポンプ信号に変換するＹｂドープ多重モードファイバー波長変換器とを備えて構成されていて、
波長変換器によって放出されるポンプ信号が、
低ノイズポンプ光信号のノイズレベルと実質的に同じノイズレベルと、
ｎを高出力半導体レーザーダイオードの数、Ｂを各高出力半導体レーザーダイオードの輝度として、ｎ×Ｂに実質的に等しい輝度と、
Ｐｄを各高出力半導体レーザーダイオードの出力、ｎを高出力半導体レーザーダイオードの数として、ｎＰｄに実質的に等しい出力とを有する。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
細長の入力ファイバー部分及び出力ファイバーロッド部分を含む一体のファイバーからファイバーロッドまでのブースター増幅器と、
多重モードポンプ源と、を備える超高出力単一モードファイバーレーザーシステムであって、
前記増幅器が、コアと、増幅器の両端の間において前記コアを取り囲むクラッドとを備えて構成されていて、前記コアが、
前記入力ファイバー部分の長さ方向に沿って延伸していて、伝播方向に単一モードを導波するように構成された柔軟で均一な寸法の入力コア領域と、
前記入力コア領域から前記ファイバーロッド部分の長さ方向に沿って前記コアの出力コア端部に向けて延伸していて、前記コアの断面の中心領域と重なる基本モードの領域で基本モード及び高次モードをサポートする真っ直ぐな出力コア領域と、を含み、
前記ファイバーロッド部分が、略１０ｃｍから略３０ｃｍまでの間の長さと、少なくとも略０．１の開口数とを有して構成されていて、
前記多重モードポンプ源が、前記コアの開口数よりも低い開口数を有し且つ対向する伝播方向で前記出力コア端部に結合されるポンプ光を放出するように動作し、前記ポンプ光の出力密度が、基本モードと重ならない前記コアの領域をブリーチするのに必要とされる密度よりも高く、
前記増幅器が、略５ｋＷを超える平均出力、又はＭＷレベルに達するピーク出力で単一モードの出力を放出する、超高出力単一モードファイバーレーザーシステム。
【請求項２】
前記増幅器の出力端部に接合されていて、円筒断面又は略円錐断面を有するコアレスシリカガラスロッドを更に備える請求項１に記載の超高出力単一モードファイバーレーザーシステム。
【請求項３】
前記出力コア領域が、円錐台形状のモード変換部分を備えて構成されている、請求項１に記載の超高出力単一モードファイバーレーザーシステム。
【請求項４】
前記出力コア領域が、前記円錐台形状のモード変換部分から延伸していて且つ前記出力コア端部を含む均一に構成された部分を更に有する、請求項３に記載の超高出力単一モードファイバーレーザーシステム。
【請求項５】
前記ポンプ源が、
波長λｐの低ノイズポンプ光信号を発生させる少なくとも一つのポンプシード源と、
サブポンプ波長λｓｐのサブポンプ放射を放出するように互いに組み合わせられた複数の高出力半導体レーザーダイオードと、
前記サブポンプ波長λｓｐのサブポンプ放射を前記波長λｐのポンプ信号に変換するＹｂドープ多重モードファイバー波長変換器とを備えて構成されていて、
前記波長変換器によって放出されるポンプ信号が、
前記低ノイズポンプ光信号のノイズレベルと実質的に同じノイズレベルと、
ｎを高出力半導体レーザーダイオードの数、Ｂを各高出力半導体レーザーダイオードの輝度として、ｎ×Ｂに実質的に等しい輝度と、
Ｐｄを各高出力半導体レーザーダイオードの出力、ｎを高出力半導体レーザーダイオードの数として、ｎＰｄに実質的に等しい出力とを有する、請求項１に記載の超高出力単一モードファイバーレーザーシステム。
【請求項６】
前記入力コア領域内に結合される単一モードの信号光を放出するシードと、
前記シードと入力コア端部との間に配置された波長分割マルチプレクサと、
前記信号光と前記入力コア端部内に結合される追加のポンプ光とを組み合わせるように構成された前記波長分割マルチプレクサに結合される多重モードポンプ光を放出する追加のポンプ源とを更に備える請求項１に記載の超高出力単一モードファイバーレーザーシステム。
【請求項７】
前記入力コア領域を双方向サイドポンピングするように動作する追加のポンプ源を更に備える請求項６に記載の超高出力単一モードファイバーレーザーシステム。
【請求項８】
前記シードが、略９６０ｎｍから約２μｍまでの波長において前記信号光を放出する、請求項６に記載の超高出力単一モードファイバーレーザーシステム。
【請求項９】
前記基本モードが、前記コアの全長にわたって前記コアの断面に少なくとも０．６５２の割合で重なる、請求項１に記載の超高出力単一モードファイバーレーザーシステム。
【請求項１０】
前記ブースター増幅器が、発光体でドープされた偏波保持リン酸塩アクティブファイバーを含み、ドープされた発光体の濃度が略１０００ｐｐｍから略５０００ｐｐｍまでの間である、請求項１に記載の超高出力単一モードファイバーレーザーシステム。
【請求項１１】
コアと前記コアを取り囲む少なくとも一つのクラッドとを有する細長の均一な構造のファイバー部分及びファイバーロッド部分を備えて構成されたブースター増幅器と、
多重モードポンプ源と、を備えるファイバーモジュールであって、
前記コアが、
前記ファイバー部分に沿った伝播方向で誘導される単一モード又は少数の高次モードをサポートする均一な構造の入力コア領域と
前記ファイバーロッド部分に沿って延伸していて、基本モード及び高次モードをサポートする寸法の出力コア端部に向けて広がる出力コア領域と、を有し、
前記コアが、前記基本モードが前記コアの全長にわたって前記コアの断面の中心領域と重なるように構成されていて、
前記多重モードポンプ源が、前記コアの全長にわたって前記基本モードを閉じ込めるように前記コアの開口数よりも低い開口数を有し且つ対向する伝播方向において前記出力コア端部内に結合されるポンプ光を放出するように動作し、
前記増幅器が略５ｋＷを超える平均出力又はＭＷレベルに達するピーク出力で実質的に基本モードの出力を放出する、ファイバーモジュール。
【請求項１２】
前記ファイバーロッド部分が、略１０ｃｍから略３０ｃｍまでの長さと、少なくとも０．１の開口数とを備えて構成されていて、基本モードと重なる前記コアの中心領域が、前記コアの断面の少なくとも０．６５２に等しく、前記ポンプ光の出力密度が、基本モードと重ならない前記コアの領域をブリーチするのに必要な密度よりも高い、請求項１１に記載のファイバーモジュール。
【請求項１３】
前記増幅器の出力端部に接合されていて、円筒断面又は略円錐断面を有するコアレスシリカガラスロッドを更に備える請求項１１に記載のファイバーモジュール。
【請求項１４】
前記コアがリン酸塩及び希土類発光体でドープされていて、前記希土類発光体が最大５００ｐｐｍの濃度でドープされている、請求項１１に記載のファイバーモジュール。
【請求項１５】
前記出力コア領域が、前記均一な構造の入力コア領域から延伸する円錐台形状のモード移行領域と、前記入力コア領域の直径よりも大きな直径を有する均一に構成された下流領域とを含む、請求項１１に記載のファイバーモジュール。
【請求項１６】
前記ポンプ源が、
波長λｐの低ノイズポンプ光信号を発生させる少なくとも一つのポンプシード源と、
サブポンプ波長λｓｐのサブポンプ放射を放出するように互いに組み合わせられた複数の高出力半導体レーザーダイオードと、
前記サブポンプ波長λｓｐのサブポンプ放射を前記波長λｐのポンプ信号に変換するＹｂドープ多重モードファイバー波長変換器と、を備えて構成されていて、
前記波長変換器によって放出されるポンプ信号が、
前記低ノイズポンプ光信号のノイズレベルと実質的に同じノイズレベルと、
ｎを高出力半導体レーザーダイオードの数、Ｂを各高出力半導体レーザーダイオードの輝度として、ｎ×Ｂに実質的に等しい輝度と、
Ｐｄを各高出力半導体レーザーダイオードの出力、ｎを高出力半導体レーザーダイオードの数として、ｎＰｄに実質的に等しい出力とを有する、請求項１１に記載のファイバーモジュール。
【請求項１７】
前記入力コア領域の上流端部に結合される多重モードポンプ光を放出する追加のポンプ源を更に備える請求項１１に記載のファイバーモジュール。
【請求項１８】
前記増幅器の出力が、略９６０ｎｍから略２０００ｎｍまでの間の波長で放出される、請求項１１に記載のファイバーモジュール。
【請求項１９】
前記ブースター増幅器が、一体構造、又は前記ファイバー部分及び前記ファイバーロッド部分が互いに接合されている二体構造を有する、請求項１１に記載のファイバーモジュール。
【請求項２０】
光を増幅するためのシステムであって、
コアと前記コアを取り囲む少なくとも一つのクラッドとを有する細長の均一な構造のファイバー部分及びファイバーロッド部分を有する光ファイバー増幅器と、
多重モードポンプ源とを備え、
前記コアが、
前記ファイバー部分に沿って伝播方向に誘導される単一モード又は少数の高次モードをサポートする均一な構造の入力コア領域と、
前記ファイバーロッド部分に沿って延伸していて、前記コアの断面の中心サブ領域と重なる基本モードの領域で基本モード及び高次モードをサポートする寸法にされた出力コア端部に受けて広がる出力コア領域と、を含み、
前記多重モードポンプ源が、前記コアの開口数よりも低い開口数を有し且つ対向する伝播方向で前記出力コア端部に結合されるポンプ光を放出するように動作し、前記基本モードが前記コアの全長にわたって前記基本モードと少なくとも同じ大きさのサイズを有するポンプ光の内部に閉じ込められ、
前記増幅器が、略５ｋＷを超える平均出力又はＭＷレベルに達するピーク出力で実質的に基本モードの出力を放出する、システム。
【請求項２１】
前記コアが、少なくとも０．１の開口数を有して構成されていて、前記ファイバーロッド部分が略１０ｃｍから略３０ｃｍまでの長さで延伸していて、前記ポンプ光が前記コアの開口数よりも低い開口数を有する、請求項２０に記載のシステム。