(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にレジストを塗布すると共に、露光後の基板上のレジストを現像処理する塗布・現像処理部と、
前記塗布・現像処理部でレジストの塗布された基板を露光装置側に受け渡すと共に、前記露光装置側で露光された基板を前記塗布・現像処理部に受け渡すインターフェース部とを備え、
前記インターフェース部が、
前記塗布・現像処理部及び前記露光装置との間で基板の受け渡しを行うための搬送装置と、
前記搬送装置の両側に配置され、それぞれが前記搬送装置を介して前記塗布・現像処理部側から受け渡された基板と前記搬送装置を介して前記露光装置側から受け渡された基板の両方を一旦収容可能な収容部と
を具備することを特徴とする処理システム。
【請求項２】
請求項１に記載の処理システムにおいて、
前記塗布・現像処理部と前記搬送装置との間で基板の受け渡しを行うために基板が一旦載置される上下２段の受け渡し台を更に具備することを特徴とする処理システム。
【請求項３】
請求項１に記載の処理システムにおいて、
前記収容部に第１の基板を収容している状態で、前記塗布・現像処理部又は前記露光装置から前記インターフェース部へ新たに第２の基板が搬入された場合に、前記搬送装置を介して前記第２の基板を前記収容部に収容すると共に前記第１の基板を前記露光装置又は前記塗布・現像処理部に搬出する制御を行う制御手段を更に具備することを特徴とする処理システム。
【請求項４】
請求項１に記載の処理システムにおいて、
前記収容部に第１の基板を収容している状態で、さらに第２の基板を前記収容部に収容する場合に、前記第２の基板を前記収容部内の前記第１の基板に最も近い位置に収容するように制御を行う制御手段を更に具備することを特徴とする処理システム。
【請求項５】
請求項１に記載の処理システムにおいて、
前記収容部に複数の第１の基板を収容している状態で、さらに第２の基板を前記収容部に収容する場合に、前記第２の基板を前記収容部内の次に取り出すべき前記第１の基板に最も近い位置に収容するように制御を行う制御手段を更に具備することを特徴とする処理システム。
【請求項６】
請求項１に記載の処理システムにおいて、
前記収容部に第１の基板を収容している状態で、さらに第２の基板を前記収容部に収容する場合に、前記第２の基板を前記収容部内の前記第１の基板より下の位置に収容するように制御を行う制御手段を更に具備することを特徴とする処理システム。
【請求項７】
基板上にレジストを塗布すると共に、露光後の基板上のレジストを現像処理する塗布・現像処理部と、露光装置との間に配置され、前記塗布・現像処理部でレジストの塗布された基板を前記露光装置側に受け渡すと共に、前記露光装置側で露光された基板を前記塗布・現像処理部に受け渡すインターフェース装置であって、
前記塗布・現像処理部及び前記露光装置との間で基板の受け渡しを行うための搬送装置と、
前記搬送装置の両側に配置され、それぞれが前記搬送装置を介して前記塗布・現像処理部側から受け渡された基板と前記搬送装置を介して前記露光装置側から受け渡された基板の両方を一旦収容可能な収容部と
を具備することを特徴とするインターフェース装置。
【請求項８】
請求項７に記載のインターフェース装置において、
前記収容部に第１の基板を収容している状態で、前記塗布・現像処理部又は前記露光装置から新たに第２の基板が搬入された場合に、前記搬送装置を介して前記第２の基板を前記収容部に収容すると共に前記第１の基板を前記露光装置又は前記塗布・現像処理部に搬出する制御を行う制御手段を更に具備することを特徴とするインターフェース装置。
【請求項９】
請求項７に記載のインターフェース装置において、
前記収容部に第１の基板を収容している状態で、さらに第２の基板を前記収容部に収容する場合に、前記第２の基板を前記収容部内の前記第１の基板に最も近い位置に収容するように制御を行う制御手段を更に具備することを特徴とするインターフェース装置。
【請求項１０】
請求項７に記載のインターフェース装置において、
前記収容部に複数の第１の基板を収容している状態で、さらに第２の基板を前記収容部に収容する場合に、前記第２の基板を前記収容部内の次に取り出すべき前記第１の基板に最も近い位置に収容するように制御を行う制御手段を更に具備することを特徴とするインターフェース装置。
【請求項１１】
請求項７に記載のインターフェース装置において、
前記収容部に第１の基板を収容している状態で、さらに第２の基板を前記収容部に収容する場合に、前記第２の基板を前記収容部内の前記第１の基板より下の位置に収容するように制御を行う制御手段を更に具備することを特徴とするインターフェース装置。
【請求項１２】
基板上にレジストを塗布すると共に、露光後の基板上のレジストを現像処理する塗布・現像処理部と、
前記塗布・現像処理部でレジストの塗布された基板を露光装置側に受け渡すと共に、前記露光装置側で露光された基板を前記塗布・現像処理部に受け渡すインターフェース部とを備え、
前記インターフェース部が、
前記塗布・現像処理部及び前記露光装置との間で基板の受け渡しを行うための搬送装置と、
前記搬送装置の両側に配置された２つの収容部と、
前記各収容部に対して前記搬送装置を介して前記塗布・現像処理部側から受け渡された基板と前記搬送装置を介して前記露光装置側から受け渡された基板の両方を一旦収容可能となるような制御を行う制御部と
を具備することを特徴とする処理システム。
【請求項１３】
基板上にレジストを塗布すると共に、露光後の基板上のレジストを現像処理する塗布・現像処理部と、露光装置との間に配置され、前記塗布・現像処理部でレジストの塗布された基板を前記露光装置側に受け渡すと共に、前記露光装置側で露光された基板を前記塗布・現像処理部に受け渡すインターフェース装置であって、
前記塗布・現像処理部及び前記露光装置との間で基板の受け渡しを行うための搬送装置と、
前記搬送装置の両側に配置された２つの収容部と、
前記各収容部に対して前記搬送装置を介して前記塗布・現像処理部側から受け渡された基板と前記搬送装置を介して前記露光装置側から受け渡された基板の両方を一旦収容可能となるような制御を行う制御部と
を具備することを特徴とするインターフェース装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば液晶表示装置に使われるガラス基板等の基板上にレジストを塗布し、露光後の基板上のレジストを現像処理する処理システム及びこのような処理システムに好適なインターフェース装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、液晶表示装置の製造工程においては、ガラス基板の表面に例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）の薄膜や回路パターンを形成するために、半導体製造工程の場合と同様のフォトリソグラフィ技術が利用される。この場合、例えば、レジスト塗布処理によってガラス基板の表面にレジストが塗布され、露光処理によってガラス基板上のレジストに回路パターンが露光され、現像処理によってレジストに露光された回路パターンが現像される。
【０００３】
このようなレジスト塗布、露光処理及び現像処理は、例えばレジスト塗布及び現像処理を行う塗布・現像処理装置と露光処理を行う露光装置とを連接したシステムによって行われる。この場合、例えば、塗布・現像処理装置側に露光装置との間で基板の受け渡しを行うためのインターフェース部が設けられる。
【０００４】
かかるインターフェース部においては、塗布・現像処理装置本体（塗布・現像処理部）及び露光装置との間で基板を受け渡しを行うための搬送装置が配置され、その搬送装置の両側にバッファーカセットが配置される。この搬送装置は旋回、進退、上下駆動されるアームをベース上に配置して構成され、各バッファーカセットは上下方向に基板を多数、例えば２０枚程度収容可能に構成される。
【０００５】
従来から、このようなバッファーカセットは、例えば搬送装置の一側に配置されたものについては露光前の基板を一旦収容するインバッファ用として用いられ、搬送装置の他側に配置されたものについては露光後の基板を一旦収容するアウトバッファ用として用いられる。そして、例えば露光装置が処理を停止したような場合には塗布・現像処理部内で処理中の露光前の基板についてはインバッファ用のバッファーカセットに一旦収容され、また塗布・現像処理部が処理を停止したような場合には露光装置で露光処理された基板ついてはアウトバッファ用のバッファーカセットに一旦収容されるようになっている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このようにバッファーカセットを構成すると、塗布・現像処理部内を流せる基板の枚数が非常に制限され、装置の処理能力に影響を与える、という課題がある。即ち、露光装置が処理を停止した場合に露光前の全ての基板をインバッファ用のバッファーカセットに収容することとすると、バッファーカセットの収容枚数である２０枚が塗布・現像処理部内を流せる基板の枚数となるからである。
【０００７】
本発明の目的は、システム内を流せる基板の枚数をより多くすることができる処理システム及びインターフェース装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の処理システムは、基板上にレジストを塗布すると共に、露光後の基板上のレジストを現像処理する塗布・現像処理部と、前記塗布・現像処理部でレジストの塗布された基板を露光装置側に受け渡すと共に、前記露光装置側で露光された基板を前記塗布・現像処理部に受け渡すインターフェース部とを備え、前記インターフェース部が、前記塗布・現像処理部及び前記露光装置との間で基板の受け渡しを行うための搬送装置と、前記搬送装置の両側に配置され、それぞれが前記搬送装置を介して前記塗布・現像処理部側から受け渡された基板と前記搬送装置を介して前記露光装置側から受け渡された基板の両方を一旦収容可能な収容部とを具備する。
【０００９】
本発明のインターフェース装置は、基板上にレジストを塗布すると共に、露光後の基板上のレジストを現像処理する塗布・現像処理部と、露光装置との間に配置され、前記塗布・現像処理部でレジストの塗布された基板を前記露光装置側に受け渡すと共に、前記露光装置側で露光された基板を前記塗布・現像処理部に受け渡すインターフェース装置であって、前記塗布・現像処理部及び前記露光装置との間で基板の受け渡しを行うための搬送装置と、前記搬送装置の両側に配置され、それぞれが前記搬送装置を介して前記塗布・現像処理部側から受け渡された基板と前記搬送装置を介して前記露光装置側から受け渡された基板の両方を一旦収容可能な収容部とを具備する。
【００１０】
本発明の処理システムは、基板上にレジストを塗布すると共に、露光後の基板上のレジストを現像処理する塗布・現像処理部と、前記塗布・現像処理部でレジストの塗布された基板を露光装置側に受け渡すと共に、前記露光装置側で露光された基板を前記塗布・現像処理部に受け渡すインターフェース部とを備え、前記インターフェース部が、前記塗布・現像処理部及び前記露光装置との間で基板の受け渡しを行うための搬送装置と、前記搬送装置の両側に配置された２つの収容部と、前記各収容部に対して前記搬送装置を介して前記塗布・現像処理部側から受け渡された基板と前記搬送装置を介して前記露光装置側から受け渡された基板の両方を一旦収容可能となるような制御を行う制御部とを具備する。
【００１１】
本発明のインターフェース装置は、基板上にレジストを塗布すると共に、露光後の基板上のレジストを現像処理する塗布・現像処理部と、露光装置との間に配置され、前記塗布・現像処理部でレジストの塗布された基板を前記露光装置側に受け渡すと共に、前記露光装置側で露光された基板を前記塗布・現像処理部に受け渡すインターフェース装置であって、前記塗布・現像処理部及び前記露光装置との間で基板の受け渡しを行うための搬送装置と、前記搬送装置の両側に配置された２つの収容部と、前記各収容部に対して前記搬送装置を介して前記塗布・現像処理部側から受け渡された基板と前記搬送装置を介して前記露光装置側から受け渡された基板の両方を一旦収容可能となるような制御を行う制御部とを具備する。
【００１２】
本発明では、インターフェース部（装置）における各収容部が塗布・現像処理部側からの基板と露光装置側からの基板の両方を一旦収容可能であるので、システム内を流せる基板の枚数をより多くすることができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を添付図面を参照して詳細に説明する。
【００１４】
本発明の一実施形態を、図１に示すＬＣＤに用いられるガラス基板（以下、基板と呼ぶ。）の塗布現像処理システム１に適用した場合を例にとって説明する。
【００１５】
この塗布現像処理システム１は、基板Ｇに対してレジスト液を塗布した後、露光装置（ＥＸＰ）２に一旦受け渡し、この露光装置２によって露光処理された後の基板を再度受け取って現像処理を行うものである。
【００１６】
このような一連の処理を行うため、この塗布現像処理システム１は、基板Ｇのローディング及びアンローディングを行うためのローダ／アンローダ部（Ｌ／ＵＬ）３と、基板洗浄処理を行うための第１プロセス部４と、レジスト液の塗布（コーティング）及び周縁レジスト除去処理を行うための第２プロセス部５と、現像処理を行うための第３プロセス部６と、露光装置２との間で基板の受け渡しを行うためのインターフェース部（Ｉ／Ｆ）７とを備えている。
【００１７】
ローダ／アンローダ部３は、カセット載置台１０及び搬送部（Ｃ／Ｓ）１１を備えている。カセット載置台１０上には２種類のカセットＣ１，Ｃ２が載置されている。例えば、第１のカセットＣ１には処理前の基板Ｇが収納され、第２のカセットＣ２には処理後の基板Ｇが収納される。
【００１８】
また、搬送部１１には、第１のサブアーム機構１３が設けられている。この第１のサブアーム機構１３は、基板を保持できる例えばアーム１４を有し、このアームを旋回させ進退させ上下させることで、第１のカセットＣ１に収納された基板を取り出し、第１のプロセス部４側に受け渡せるようになっている。なお、全ての処理が終了した基板は、この第１のサブアーム機構１３によって例えば第１のプロセス部４側から第２のカセットＣ２へと収納される。
【００１９】
前記第１のプロセス部４は、前記第１のサブアーム機構１３から基板を受け取る第１のメインアーム機構１５を有する。このメインアーム機構１５は、Ｙ方向に沿って延設された第１の中央搬送路１６上を走行するベース１７と、このベース１７上で旋回、進退、上下駆動される例えばアーム１８とを具備する。
【００２０】
この第１のメインアーム機構１５の側方には、中央搬送路１６に沿って、例えばブラシスクラバからなる２つの洗浄部（ＳＣＲ）１９、例えばホットプレートを備える加熱／加熱部（ＨＰ／ＨＰ）２０、紫外線洗浄装置からなる乾式洗浄部（ＵＶ）２１、および例えばクーリングプレートを備える冷却部（ＣＯＬ）２２がそれぞれ設けられている。
【００２１】
ここで、「加熱／加熱部（ＨＰ／ＨＰ）」の表記は、ホットプレートを有する加熱部が例えば上下２段に積み上げて設置されていることを示している（以下同じ）。また、図中、加熱部を表すＨＰ及び冷却部を表すＣＯＬの後に付された数字（「ＨＰ１」や「ＣＯＬ１」等）は、加熱処理若しくは冷却処理の種類若しくは順序を示している。
【００２２】
前記第１のメインアーム機構１５は、前記ローダ／アンローダ部３から受け取った基板を各処理部１９〜２０に挿入し、必要な処理を行わせた後、この基板を取り出して順次別の処理部１９〜２０若しくは第２のプロセス部５に搬送するようになっている。
【００２３】
一方、第２のプロセス部５は、Ｙ方向に沿って延設された第２の中央搬送路２３上を走行する第２のメインアーム機構２４を具備する。この第２のメインアーム機構２４は、前記第１のメインアーム機構１５と同様に構成されたベース２５及びアーム２６を有する。
【００２４】
また、この第２のメインアーム機構２４の側方には、基板に対してレジストの塗布を行うと共に周縁部の不要レジストを除去するレジスト塗布・周辺レジスト除去部（ＣＴ／ＥＲ）２８と、基板表面の疎水化処理を行うためのアドヒージョン／冷却部（ＡＤ／ＣＯＬ）２９と、加熱／加熱部（ＨＰ／ＨＰ）３０、加熱／冷却部（ＨＰ／ＣＯＬ）３１が配置されている。
【００２５】
前記第２のメインアーム機構２４は、前記第１のプロセス部４から受け取った基板を各処理部２８〜３１に挿入し、必要な処理を行わせた後、この基板を取り出して順次別の処理部２８〜３１若しくは第３のプロセス部６側に搬送するようになっている。
【００２６】
第３のプロセス部６は、Ｙ方向に沿って延設された第３の中央搬送路３３上を走行する第３のメインアーム機構３４を具備する。この第３のメインアーム機構３４は、前記第１、第２のメインアーム機構１５、２４と同様に構成されたベース３５及びアーム３６を有する。
【００２７】
この第３のメインアーム機構３４の側方には、露光処理後の基板Ｇを現像処理するための３つの現像処理部（ＤＥＶ）３８と、タイトリングを行うタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）３９と、加熱／加熱部（ＨＰ／ＨＰ）４０と、加熱／冷却部（ＨＰ／ＣＯＬ）４１とが配設されている。
【００２８】
前記第３のメインアーム機構３４は、前記第２のプロセス部５から受け取ったレジスト液塗布済みの基板をインターフェース部７を介して露光装置２側に移送すると共に、前記露光済みの基板をインターフェース部７を介して露光装置２側から受け取る。そして、この露光済み基板を各処理部３８〜４１に挿入し、必要な処理を行わせた後、この基板を取り出して順次別の処理部３８〜４１若しくは第２のプロセス部５側に搬送するようになっている。
【００２９】
なお、この図に示されるように、第１、第２、第３のプロセス部４、５、６間には冷却部（ＣＯＬ）４２、４３が設けられている。これらの冷却部４２、４３は処理中の基板を一時的に待機させておくために用いられる。
【００３０】
また、図２、図３にも示すように、第３のプロセス部６とインターフェース部７との間には、基板の受け渡しを行うために基板が一旦載置される上下２段の受け渡し台５１、５２が設けられている。各受け渡し台５１、５２は基台５３上に複数の基板支持用の支持ピン５４を植設して構成される。下段の受け渡し台５２では例えば基台５３内にペルチェ素子（図示を省略）が埋め込まれ、この下段の受け渡し台５２が冷却部を兼ねている。従って、本実施形態では、特に、下段の受け渡し台５２がインターフェース部７から第３のプロセス部６へ基板を受け渡すために用いられ、上段の受け渡し台５１が第３のプロセス部６からインターフェース部７へ基板を受け渡すために用いられる。
【００３１】
前記インターフェース部７の中央には搬送装置としての第２のサブアーム機構４６が設けられ、第２のサブアーム機構４６の両側には収容部としてのバッファーカセット（ＢＣ１、ＢＣ２）が設けられ、露光装置２との間には露光装置２との間での基板の受け渡しを行うためのＩＮ用、ＯＵＴ用の受け渡し台５５、５６を有する受け渡し部４９とが設けられている。
【００３２】
第２のサブアーム機構４６は、旋回、進退、上下駆動されるアーム５７をベース５８上に配置して構成され、受け渡し台５１、５２、バッファーカセット（ＢＣ１、ＢＣ２）、ＩＮ用、ＯＵＴ用の受け渡し台５５、５６との間で基板の受け渡しが可能とされている。本実施形態では、特に、第３のプロセス部６との間の受け渡し台５１、５２が２段構成であり、露光装置２との間の受け渡し台５５、５６についてもＩＮ用、ＯＵＴ用を有するので、第２のサブアーム機構４６のアーム５７を１本で構成できる。これにより、第２のサブアーム機構４６を小型化、低コスト化することができる。
【００３３】
各バッファーカセット（ＢＣ１、ＢＣ２）は上下方向に基板を多数、例えば２０枚程度収容可能に構成され、それぞれは第２のサブアーム機構４６を介して第３のプロセス部６側から受け渡された基板と第２のサブアーム機構４６を介して露光装置２側から受け渡された基板の両方を一旦収容可能とされている。具体的には、例えば露光装置２が停止した場合には、第３のプロセス部６側から流れてくる基板をこれらバッファーカセット（ＢＣ１、ＢＣ２）によって最大で４０枚収容可能である。
【００３４】
また制御部５９はシステム全体の情報に基づいて第２のサブアーム機構４６の駆動を制御する。例えば、制御部５９はバッファーカセット（ＢＣ１、ＢＣ２）のどの位置に基板が収容されているかを記憶しており、次の基板を収容する位置や収容された基板のうちどの位置の基板を取り出すかを決定する。
【００３５】
次に、上記のように構成される塗布現像処理システムにおける処理手順を図４のフローチャートを参照して説明する。
【００３６】
まず、前記載置台１０上の第１のカセットＣ１内に収納された未処理の基板は前記ローダ／アンローダ部３から前記搬送部（Ｃ／Ｓ）１１を介して第１のプロセス部４の第１のメインアーム機構１５に受け渡される（ステップＳ１，Ｓ２）。ついで、この基板は、乾式洗浄装置（ＵＶ）２１によって紫外線洗浄され（ステップＳ３）、その後前記冷却部２２によって第１の冷却（ＣＯＬ１）が行われる（ステップＳ４）。
【００３７】
次いで前記湿式洗浄装置１９によってブラシ洗浄（ＳＲＣ）が行われたならば、前記加熱部２０による第１の加熱処理（ＨＰ１）によって加熱乾燥された後（ステップＳ６）、前記冷却部２２による第２の冷却処理によって冷却される（ステップＳ７）。ついで、この基板は第１のメインアーム機構１５から第２のプロセス部５の第２のメインアーム機構２４に受け渡される。
【００３８】
第２のプロセス部に受け渡された基板は、アドヒージョン処理部２９によって表面の疎水化処理（ＡＤ）が行われた後（ステップＳ８）、第３の冷却処理（ＣＯＬ３）が施される（ステップＳ９）。ついで、疎水化処理後の基板は、レジスト液塗布・周縁レジスト除去部２８に導入されレジスト塗布（ＣＴ）及び基板周縁の不要なレジスト液の除去（ＥＲ）が行われる。
【００３９】
このように処理された基板は、前記加熱部３０、３１に挿入され、ベーキング処理（ＨＰ２）が施される（ステップＳ１１）。このことによって、基板に塗布されたレジスト液に含まれる溶剤を揮発させる。ついで、この基板を冷却部に挿入し、略室温にまで冷却（ＣＯＬ４）する（ステップＳ１２）。ついで、この基板は、前記第２のメインアーム機構２４から第３のメインアーム機構３４を介してインターフェース部７に搬送され、露光装置２に受け渡される（ステップＳ１３）。そして、この露光装置２において露光処理（ＥＸＰ）が施される（ステップＳ１４）。
【００４０】
露光処理が行われた基板は、前記インターフェース部７、第３のメインアーム機構３４を介してタイトラー３９に挿入されタイトリング処理が行われる（ステップＳ１５）。
【００４１】
その後、基板は現像処理装置３８に導入され、現像処理（ＤＥＶ）が行われる（ステップＳ１６）。この現像処理部３８は、例えば基板上に現像液を供給しながら基板を回転させることで現像を行い、リンス液で現像液を洗い流した後、振り切り乾燥を行う。
【００４２】
最後に、この基板は、この基板に対向する加熱／加熱部４０もしくは加熱／冷却部４１に挿入され、第３の加熱処理（ＨＰ３）によって加熱乾燥された後（ステップＳ１７）、第５の冷却処理（ＣＯＬ５）により冷却される（ステップＳ１８）。
【００４３】
以上の処理全てが終了した基板は、前記第３のメインアーム機構３４から、前記第２、第１のメインアーム機構２４、１５を介して前記搬送部１１（Ｃ／Ｓ）に設けられた第１のサブアーム機構１３に受け渡される（ステップＳ１９）。そして、この第１のサブアーム機構１３によって前記ローダ／アンローダ部３に載置された第２のカセットＣ２内に収容される（ステップＳ２０）。
【００４４】
次に、本発明の要部であるインターフェース部７における動作について説明する。
【００４５】
図５に示すように、第３のプロセス部６側から上段の受け渡し台５１に基板Ｇが載置されると、基板Ｇは第２のサブアーム機構４６によってＩＮ用の受け渡し台５５に受け渡され、露光装置２側に搬入される。
【００４６】
例えば露光装置２側で既に処理中であって基板Ｇを受け入れることができないような場合には、図６に示すように、第２のサブアーム機構４６は第３のプロセス部６側から上段の受け渡し台５１に載置された基板Ｇをバッファーカセット（ＢＣ１、ＢＣ２）のうちいずれか一方に収容する。
【００４７】
同様に、図７に示すように、露光装置２側からＯＵＴ用の受け渡し台５６に基板Ｇが載置されると、基板Ｇは第２のサブアーム機構４６によって下段の受け渡し台５１に受け渡され、第３のプロセス部６側に搬入される。
【００４８】
例えば第３のプロセス部６側で既に処理中であって基板Ｇを受け入れることができないような場合には、図８に示すように、第２のサブアーム機構４６は露光装置２側からＯＵＴ用の受け渡し台５６に載置された基板Ｇをバッファーカセット（ＢＣ１、ＢＣ２）のうちいずれか一方に収容する。
【００４９】
ここで、例えばバッファーカセット（ＢＣ１、ＢＣ２）に露光前の基板が既に収容されている場合には、制御部５９による制御の基で以下の動作がなされる。
【００５０】
図９に示すように、バッファーカセット（ＢＣ１、ＢＣ２）に一枚の基板Ｇ１が先行して収容されている状態で、第３のプロセス部６側からインターフェース部７に基板Ｇ２が搬入されると、この基板Ｇ２を露光装置２側に搬出するのではなく、基板Ｇ２をバッファーカセット（ＢＣ１、ＢＣ２）に収容すると共に既にバッファーカセット（ＢＣ１、ＢＣ２）に収容されている基板Ｇ１を露光装置２側に搬出する。これにより、バッファーカセット（ＢＣ１、ＢＣ２）内に長期間に亘って基板が保持されることによる不良を回避できる。また、その際、基板Ｇ２は基板Ｇ１の最も近い位置に収容されるようになっている（ルール１）。これにより、第２のサブアーム機構４６が基板Ｇ２を収容して基板Ｇ１を取り出す際の動作、具体的には第２のサブアーム機構４６における上下動を最小限にすることができ、搬送時間の短縮化を図ることができる。更に、基板Ｇ２は既に収容されている基板Ｇ１の下側に位置するように収容されるようになっている（ルール２）。これにより、パーティクルによる基板の汚染を最小限にすることができる。
【００５１】
上記のルール１とルール２の優先度は目的に応じて決定すれば良い。
【００５２】
例えば、ルール１を優先させた場合、図１０に示すように、バッファーカセット（ＢＣ１、ＢＣ２）に二枚の基板Ｇ１、Ｇ２が既に収容されている状態で更に収容すべき基板Ｇ３が搬入されてきた場合、基板Ｇ３は基板Ｇ１の上に収容される。
【００５３】
なお、本発明は上述した実施形態には限定されない。
【００５４】
例えば、上述した実施形態では、ＬＣＤに用いられるガラス基板に対してレジストの塗布及び現像処理を行うシステムに本発明を適用した例であったが、例えば半導体ウエハ等の他の基板に対して同様の処理を行うシステムについても当然本発明を適用できる。
【００５５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、システム内を流せる基板の枚数をより多くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る塗布現像処理システムを示す平面図である。
【図２】図１に示した塗布現像処理システムにおけるインターフェース部の斜視図である。
【図３】図１に示した塗布現像処理システムにおけるインターフェース部の側面図である。
【図４】図１に示した塗布現像処理システムにおける処理手順を示すフローチャートである。
【図５】図１に示した塗布現像処理システムにおけるインターフェース部の動作を説明するための平面図（その１）である。
【図６】図１に示した塗布現像処理システムにおけるインターフェース部の動作を説明するための平面図（その２）である。
【図７】図１に示した塗布現像処理システムにおけるインターフェース部の動作を説明するための平面図（その３）である。
【図８】図１に示した塗布現像処理システムにおけるインターフェース部の動作を説明するための平面図（その４）である。
【図９】図１に示した塗布現像処理システムにおけるインターフェース部の動作を説明するための側面図（その１）である。
【図１０】図１に示した塗布現像処理システムにおけるインターフェース部の動作を説明するための側面図（その２）である。
【符号の説明】
１  塗布現像処理システム
２  露光装置
４  第１のプロセス部
５  第２のプロセス部
６  第３のプロセス部
７  インターフェース部
４６  第２のサブアーム機構
Ｇ、Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３  ガラス基板
ＢＣ１、ＢＣ２  バッファーカセット
５１  上段の受け渡し台
５２  下段の受け渡し台
５９  制御部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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