【手続補正書】
【提出日】平成29年7月26日(2017.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトリソグラフィレチクルを検査する方法であって、
仕様の範囲内であると特定されているレチクルの第１の検査を実行して、複数のベースライン候補欠陥と、それらの場所及びサイズ値とを生成することと、
前記第１の検査の後、１つ以上のフォトリソグラフィプロセスにおいて前記レチクルを使用した後、レチクル検査治具を介して前記レチクルの第２の検査を実行して、複数の現在の候補欠陥と、それらの場所及びサイズ値とを生成することと、
複数の選別された候補欠陥及びそれらの画像の検査報告を生成することであって、前記選別された候補欠陥が前記現在の候補欠陥の第１のサブセット及びそれらの対応する複数の候補欠陥画像を含み、前記現在の候補欠陥の第２のサブセット及びそれらの対応する複数の除外された画像を除外し、前記検査報告に含まれる現在の候補欠陥の前記第１のサブセットの候補欠陥のうちのそれぞれが、事前に定義された量だけ、任意のベースライン候補欠陥の場所及びサイズ値と照合しない場所及びサイズ値を有し、前記検査報告から除外された前記第２のサブセットの現在の候補欠陥のうちのそれぞれが、前記事前に定義された量だけ、任意のベースライン候補欠陥の場所及びサイズ値と照合する場所及びサイズ値を有する、生成することと、を含む、方法。
【請求項２】
前記ベースライン候補欠陥のうちの少なくともいくつかが、同一であるように設計されたレチクル特徴がもはや同一ではなくなるように光学的近接補正（ＯＰＣ）装飾を付加するために、そのようなレチクル特徴上に実装されるＯＰＣプロセス前に、同一であるように設計された複数のレチクル特徴に対応する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ベースライン候補欠陥のうちの少なくともいくつかが、そのようなレチクルの元の設計の一部ではなく、そのようなレチクルを使用するウェハ収率を制限しないと決定されたレチクル特徴に対応する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ベースライン候補欠陥のうちの少なくともいくつかが、前記レチクルを使用するフォトリソグラフィプロセス中に、ウェハ上に印刷されないと決定されているレチクル特徴に対応する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記ベースライン候補欠陥のうちの少なくともいくつかが、前記レチクル上の欠陥を補正するための修復特徴に対応する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第１及び第２の検査が、そのような特徴の状況に基づいて、前記レチクルのどの特徴が非典型的であるかを決定し、どの特徴がベースライン候補欠陥及び現在の候補欠陥のそれぞれに対応するかを決定し、
前記第１及び第２の検査がテンプレート照合を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記ベースライン候補欠陥の複数のベースライン画像を破棄することと、前記第２のサブセットの現在の候補事象の対応する画像を破棄することと、を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
各ベースライン候補欠陥がチャネルを更に示し、前記検査報告から除外された前記第２のサブセットの現在の候補欠陥のうちのそれぞれが、事前に定義された量だけ、任意のベースライン候補欠陥のチャネルならびに場所及びサイズ値と照合するチャネルならびに場所及びサイズ値を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記選別された候補欠陥及びそれらの画像の前記検査報告を生成することが、
事前に定義された量だけ、任意のベースライン候補欠陥の場所及びサイズ値と照合しない場所及びサイズ値を有する各現在の候補欠陥について、前記第２の検査よりも厳密でない閾値またはアルゴリズムを有する第３の検査を実行することによって、そのような現在の得候補欠陥が現在の候補欠陥として残存するかどうかを決定することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記選別された候補欠陥が、事前に定義された量だけ、任意のベースライン候補欠陥の場所及びサイズと照合する場所及びサイズ値をそれぞれが有し、修復場所として特定される、現在の候補欠陥の第３のサブセットを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１の検査がレチクル検査治具を使用して実行される、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１の検査が、設計データベースから生成されたレチクル画像上に実行される、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記レチクルがＥＵＶレチクルである、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記現在の候補欠陥が前記レチクル上の粒子を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
フォトリソグラフィレチクルを検査するための検査システムであって、以下の動作、
レチクルについて、仕様の範囲内であると特定されている第１の検査から生成される複数のベースライン候補欠陥と、それらの場所及びサイズ値とを得ることと、
前記第１の検査の後、１つ以上のフォトリソグラフィプロセスにおいて前記レチクルを使用した後、レチクル検査治具を介して前記レチクルの第２の検査を実行して、複数の現在の候補欠陥と、それらの場所及びサイズ値とを生成することと、
複数の選別された候補欠陥及びそれらの画像の検査報告を生成することであって、前記選別された候補欠陥が前記現在の候補欠陥の第１のサブセット及びそれらの対応する複数の候補欠陥画像を含み、前記現在の候補欠陥の第２のサブセット及びそれらの対応する複数の除外された画像を除外し、前記検査報告に含まれる前記第１のサブセットの現在の候補欠陥のうちのそれぞれが、事前に定義された量だけ、任意のベースライン候補欠陥の場所及びサイズ値と照合しない場所及びサイズ値を有し、前記検査報告から除外された前記第２のサブセットの現在の候補欠陥のうちのそれぞれが、前記事前に定義された量だけ、任意のベースライン候補欠陥の場所及びサイズ値と照合する場所及びサイズ値を有する、生成することと、を実行するように構成される、少なくとも１つのメモリ及び少なくとも１つのプロセッサを備える、システム。
【請求項１６】
前記ベースライン候補欠陥のうちの少なくともいくつかが、同一であるように設計されたレチクル特徴がもはや同一ではなくなるように光学的近接補正（ＯＰＣ）装飾を付加するために、そのようなレチクル特徴上に実装されるＯＰＣプロセス前に、同一であるように設計された複数のレチクル特徴に対応する、請求項１５に記載のシステム。
【請求項１７】
前記ベースライン候補欠陥のうちの少なくともいくつかが、そのようなレチクルの元の設計の一部ではなく、そのようなレチクルを使用するウェハ収率を制限しないと決定されたレチクル特徴に対応する、請求項１５に記載のシステム。
【請求項１８】
前記ベースライン候補欠陥のうちの少なくともいくつかが、前記レチクルを使用するフォトリソグラフィプロセス中に、ウェハ上に印刷されないと決定されているレチクル特徴に対応する、請求項１５に記載のシステム。
【請求項１９】
前記ベースライン候補欠陥のうちの少なくともいくつかが、前記レチクル上の欠陥を補正するための修復特徴に対応する、請求項１５に記載のシステム。
【請求項２０】
前記第１及び第２の検査が、そのような特徴の状況に基づいて、前記レチクルのどの特徴が非典型的であるかを決定し、どの特徴がベースライン候補欠陥及び現在の候補欠陥のそれぞれに対応するかを決定し、
前記第１及び第２の検査がテンプレート照合を含む、請求項１５に記載のシステム。
【請求項２１】
前記少なくとも１つのメモリ及び少なくとも１つのプロセッサが、前記ベースライン候補欠陥の複数のベースライン画像を破棄し、前記第２のサブセットの現在の候補欠陥の対応する画像を破棄するように更に構成される、請求項１５に記載のシステム。
【請求項２２】
各ベースライン候補欠陥がチャネルを更に示し、前記検査報告から除外された前記第２のサブセットの現在の候補欠陥のうちのそれぞれが、事前に定義された量だけ、任意のベースライン候補欠陥のチャネルならびに場所及びサイズ値と照合するチャネルならびに場所及びサイズ値を有する、請求項１５に記載のシステム。
【請求項２３】
前記選別された候補欠陥及びそれらの画像の前記検査報告を生成することが、
事前に定義された量だけ、任意のベースライン候補欠陥の場所及びサイズ値と照合しない場所及びサイズ値を有する各現在の候補欠陥について、前記第２の検査よりも厳密でない閾値またはアルゴリズムを有する第３の検査を実行することによって、そのような現在の候補欠陥が現在の候補欠陥として残存するかどうかを決定することを含む、請求項１５に記載のシステム。
【請求項２４】
前記選別された候補欠陥が、事前に定義された量だけ、任意のベースライン候補欠陥の場所及びサイズと照合する場所及びサイズ値をそれぞれが有し、修復場所として特定される、現在の候補欠陥の第３のサブセットを更に含む、請求項１５に記載のシステム。
【請求項２５】
前記第１の検査が前記検査システムを使用して実行される、請求項１５に記載のシステム。
【請求項２６】
前記第１の検査が、設計データベースから生成されたレチクル画像上に実行される、請求項１５に記載のシステム。
【請求項２７】
前記レチクルがＥＵＶレチクルである、請求項１５に記載のシステム。
【請求項２８】
前記現在の候補欠陥が前記レチクル上の粒子を含む、請求項１５に記載のシステム。