Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【誤訳訂正書】
【提出日】平成29年6月12日(2017.6.12)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
したがって、第一の観点で、本発明は、小麦粉からグルテンおよびデンプンフラクションの連続または半‐連続分離方法において、次の工程：（ａ）小麦粉を希釈剤と接触させて第一のドウを得；（ｂ）第一のドウを第一の圧力下で単純せん断流、旋回流および伸展伸長流を含む変形に付して、デンプンおよび凝集されたグルテンストランドを含む第二のドウを得；ついで（ｃ）第二のドウを第一の圧力と異なる第二の圧力でせん断流を含む変形に付して、１種以上の凝集されたグルテン強化フランクションおよび１種以上のデンプン強化フラクションを含む組成物を得る工程を含む、上記分離方法に関する。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
用語「単純せん断」は当該技術分野で周知であり、そして材料面が一方向のみで互いに滑り合うという意味を含む（非特許文献１：ＣＷ．  Ｍａｃｏｓｋｏ，  “Ｒｈｅｏｌｏｇｙ，  Ｐｒｉｎｃｉｐｌｅｓ，  Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔｓ  ａｎｄ  Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ”，  ＶＣＨ  Ｐｕｂｌｉｓｈｅｒｓ，  Ｉｎｃ．，  Ｎｅｗ  Ｙｏｒｋ  （１９９４），特に第２７−２９頁，第４０頁および第７０−７５頁参照）。工程（ｂ）および／または（ｃ）のいずれかで、すべてのせん断構成要素が存在していてよく、使用される装置および得られる結果にしたがって当業者によって選ぶことができる。しかし、好ましくは、工程（ｃ）で、ドウに影響を及ぼすせん断流の最大の構成要素は単純せん断流構成要素によってもたらされる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
用語「グルテン」は小麦中に存在するタンパク質混合物を示す。グルテン内に、４つの主要なタンパク質、いわゆるアルブミン類、グルテリン類、たとえばグルテニン、グロブリン類、およびプロアミン類、たとえばグリアジンがある。グリアジンおよびグルテニンは、主として、小麦グルテン中に存在するタンパク質の大部分を形成し、そして同時にシステイン基の間のジスルフィド結合による架橋を介してグルテンコンプレックスを形成する。本明細書中でグルテンの濃度は、窒素含量の測定に基づいて、グルテン強化フラクション中で測定されたタンパク質の量を示し、換算係数５．７を掛けて、窒素含量から測定されたタンパク質含量を算出する。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２４】
別の実施態様において、本発明は、小麦粉からグルテンおよびデンプンフラクションの連続または半‐連続分離方法において、次の工程：（ａ）小麦粉を希釈剤と接触させて第一のドウを得；（ｂ）第一のドウを第一の圧力下で単純せん断流、旋回流および伸展伸長流を含む変形に付して、デンプンおよび凝集されたグルテンストランドを含む第二のドウを得；ついで（ｄ）第二のドウを分離処理に付して、第二のドウを１種以上の、分離されるグルテン強化フラクションと１種以上の、分離されるデンプン強化フラクションに分ける工程を含む上記分離方法にも関する。工程（ｄ）はあらゆる適する方法によって行うことができる。その方法は、本明細書の以下に示すように、遠心分離、濾過および／または洗滌工程を含むがこれに限定されるのでない。特に好ましい実施態様において、デンプンマトリックスからのグルテン凝集物の分離は、同一方向で異なる速度で作動する２つの平行な表面を含む装置中で行うことができる。表面の間に、好ましくは調整可能なすき間（ｇａｐ）がある。工程（ｂ）または（ｃ）のせん断材料は、好ましくは２つの面の間に供給される。ついで、面の間の速度の相異および方向角度によって、グルテン強化凝塊物をデンプン強化フラクションから除く。少なくとも１つの面上の圧力は、グルテン凝塊物上で適当な摩擦を維持するようにしなければならない。特に好ましい実施態様で、装置は下記に示すような二重平ベルトを含む。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８２】
例３：ジスルフィド基およびスルフヒドリル基の測定
工程（ｃ）から得られたグルテン−強化凝集物を凍結乾燥し、ついで水冷されたＩＫＡミルタイプＭ２０中で製粉する。ついで得られた製粉粒子を適当な篩を用いて２００μｍに篩分けする。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８３】
非特許文献１１：Ａｎｄｅｒｓｏｎ  ａｎｄ  Ｎｇ，Ｃｅｒｅａｌ  ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，２０００，Ｖ．７，３５４−３５９；非特許文献１２：Ｃｈａｎ  ａｎｄ  Ｗａｓｓｅｒｍａｎ，  Ｃｅｒｅａｌ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，１９９３，Ｖ．７０，２２−２６に
記載された方法を用いて、得られたサンプルを、それらのスルフヒドリル基と硫黄−硫黄二重結合の含量の分析に付す。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８４】
サンプルを８Ｍ尿素中に溶解し、ついで２０℃および５０℃で１６時間維持する。ついで１５分間、０．５ｍｌのサンプルに対して、トリス緩衝液ｐＨ８．２中の０．０１ＭＤＴＮＢ０．２ｍＬ、および４．５ｍＬの０．２Ｍトリス緩衝液ｐＨ８．２を用いて、ついでトリス緩衝液ｐＨ８．２中の０．０１ＭＤＴＮＢ０．２ｍＬ、および４．５ｍＬの０．２Ｍトリス緩衝液、ｐＨ８．２、（それぞれホウ酸塩を含有）を用いて処理し、ついでサンプルを濾過し、４１２ｎｍで吸光測定した後に、遊離ＳＨ基およびＳ−Ｓ基濃度を測定した。ついでＳＨ基の量を対照としてのシステインを用いて較正曲線に基づき算出する。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８６】
【表１】
2015525068.tif 000001
【誤訳訂正書】
【提出日】平成29年6月30日(2017.6.30)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００６】
本発明の一実施態様は、前記患者に、抗ＶＥＧＦ抗体の有効量、化学療法剤の有効量、及び放射線治療を含む治療法を施すことを含む、神経膠芽腫と診断された患者を治療する方法を提供し、ここで前記治療は、抗ＶＥＧＦ抗体を含まない前記化学療法剤を受けた神経膠芽腫患者と比較して、前記患者の無増悪生存期間の中央値を延長する。一実施態様において、患者のＷＨＯのパフォーマンスステータスは≦２である。幾つかの実施態様において、化学療法剤はテモゾロミドである。幾つかの実施態様において、経口投与されるテノゾロミドの有効量はｍｇ／ｍ２である。幾つかの実施態様において、経口投与されるテノゾロミドの有効量は２００ｍｇ／ｍ２である。幾つかの実施態様において、抗ＶＥＧＦ抗体はＡ４．６．１エピトープに結合する。幾つかの実施態様において、抗ＶＥＧＦ抗体はベバシズマブである。幾つかの実施態様において、抗ＶＥＧＦ抗体は、可変重鎖（ＶＨ）及び可変軽鎖（ＶＬ）を含み、ここで前記ＶＨは、配列番号２のアミノ酸配列を有し、前記ＶＬは、配列番号１のアミノ酸配列を有することを特徴とする。幾つかの実施態様において、前記抗ＶＥＧＦ抗体の有効量は、隔週で静脈内に１０ｍｇ／ｋｇ投与され、例えば、初回に静脈内に９０分間かけて、続いて６０分かけて次いで３０分かけて注入される。幾つかの実施態様において、前記抗ＶＥＧＦ抗体の有効量は、３週間毎に静脈内に１５ｍｇ／ｋｇ投与され、例えば、初回に静脈内に９０分間かけて、続いて６０分かけて次いで３０分かけて注入される。上述された方法において、抗ＶＥＧＦ抗体は第一サイクルで最初に前記患者に対して投与され、次いで前記抗ＶＥＧＦ抗体のその後の投与は、前記化学療法剤の前又は後のどちらかである。別の実施態様において、抗ＶＥＧＦ抗体は、前記化学療法剤と放射線治療と同時に投与される。幾つかの実施態様において、患者へのステロイドの投与は中止される。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１１９】
初回のベバシズマブの注入は９０分にわたり、忍容性があれば続く注入は６０分にわたり次いで３０分であった。ベバシズマブは、放射線治療及びＴＭＺの最終日の日に、すなわち、ＴＭＺ治療の中断の開始前日に投与した。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
抗ＶＥＧＦ抗体の有効量を含む、神経膠芽腫と診断された患者を治療するための方法において使用するための医薬であって、前記方法は、前記患者に、抗ＶＥＧＦ抗体の有効量と化学療法剤の有効量と放射線治療の有効量とを含む治療法を施すことを含み、抗ＶＥＧＦ抗体は初回は静脈内に９０分間かけて投与され、
前記治療法は、抗ＶＥＧＦ抗体なしの前記化学療法剤を受けた神経膠芽腫患者と比較して、前記患者の無増悪生存期間の中央値を延長する、医薬。
【請求項２】
前記患者のＷＨＯのパフォーマンスステータスは≦２である、請求項１に記載の医薬。
【請求項３】
化学療法剤はテモゾロミドである、請求項１又は２に記載の医薬。
【請求項４】
テモゾロミドは１５０ｍｇ／ｍ２で投与される、請求項３に記載の医薬。
【請求項５】
テモゾロミドは２００ｍｇ／ｍ２で投与される、請求項３に記載の医薬。
【請求項６】
前記抗ＶＥＧＦ抗体はＡ４．６．１エピトープに結合する、請求項１から５の何れか一項に記載の医薬。
【請求項７】
前記抗ＶＥＧＦ抗体はベバシズマブである、請求項１から６の何れか一項に記載の医薬。
【請求項８】
前記抗ＶＥＧＦ抗体は可変重鎖（ＶＨ）及び可変軽鎖（ＶＬ）を含み、前記ＶＨは配列番号２のアミノ酸配列を有し、前記ＶＬは配列番号１のアミノ酸配列を有する、請求項１から７の何れか一項に記載の医薬。
【請求項９】
前記抗ＶＥＧＦ抗体は、２週間毎に１０ｍｇ／ｋｇ又は３週間毎に１５ｍｇ／ｋｇで静脈内に投与される、請求項１から８の何れか一項に記載の医薬。
【請求項１０】
前記抗ＶＥＧＦ抗体は、初回は静脈内に９０分間かけて投与された後に、忍容性があれば後続の注入は６０分間次いで３０分間かけて投与される、請求項１から９の何れか一項に記載の医薬。
【請求項１１】
前記抗ＶＥＧＦ抗体は最初に第一サイクルで前記患者に対して投与される、請求項１から１０の何れか一項に記載の医薬。
【請求項１２】
前記抗ＶＥＧＦ抗体の後続の投与は、前記化学療法剤投与の前又は後のどちらかである、請求項１１に記載の医薬。
【請求項１３】
前記抗ＶＥＧＦ抗体は、前記化学療法剤と同時に投与される、請求項１から１２の何れか一項に記載の医薬。
【請求項１４】
抗ＶＥＧＦ抗体なしの前記化学療法剤を受けた神経膠芽腫患者と比較して、前記無増悪生存期間の中央値は約４．４ヶ月延長され、ハザード比（ＨＲ）は０．６４に等しい、請求項１から１３の何れか一項に記載の医薬。
【請求項１５】
抗ＶＥＧＦ抗体なしの前記化学療法剤を受けた神経膠芽腫患者と比較して、前記無増悪生存期間の中央値は少なくとも４ヶ月延長され、ハザード比（ＨＲ）は０．６４に等しい、請求項１から１３の何れか一項に記載の医薬。
【請求項１６】
抗ＶＥＧＦ抗体なしの前記化学療法剤を受けた神経膠芽腫患者と比較して、前記無増悪生存期間の中央値は約４．４ヶ月延長され、ハザード比（ＨＲ）は約０．５５から約０．７４である、請求項１から１３の何れか一項に記載の医薬。
【請求項１７】
抗ＶＥＧＦ抗体なしの前記化学療法剤を受けた神経膠芽腫患者と比較して、前記無増悪生存期間の中央値は少なくとも４ヶ月延長され、ハザード比（ＨＲ）は約０．５５から約０．７４である、請求項１から１３の何れか一項に記載の医薬。
【請求項１８】
ベバシズマブの有効量を含む、神経膠芽腫と診断された患者を治療するための方法において使用するための医薬であって、前記方法は、前記患者に、ベバシズマブの有効量及び化学療法剤の有効量を含む治療法を施すことを含み、
前記治療法は、ベバシズマブなしの前記化学療法剤を受けた神経膠芽腫患者と比較して、前記患者の無増悪生存期間の中央値を延長し、
前記患者はベバシズマブ治療の開始時にステロイドによる治療を受けており、患者へのステロイドの投与はベバシズマブ治療の経過中に中止される、医薬。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成29年11月13日(2017.11.13)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単一のナノポアを膜に作製するための方法であって、
０．１ボルト毎ナノメートルを上回る値を有する電界を前記膜に誘導するような電位を選択する工程と、
誘電材料からなり、イオンを含む溶液に浸漬した膜に前記電位を印加する工程と、
前記電位を前記膜に印加しながら、前記膜のリーク電流を監視する工程と、
前記電位を前記膜に印加しながら、前記膜での前記リーク電流の突然の増加を検出する工程と、
前記リーク電流の前記突然の増加が検出されたことに応答して、前記膜の前記電位を消失させ、前記ポアの作製を停止する工程と、を含む、方法。
【請求項２】
前記膜材料の誘電強度に近い電界を選択する工程をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記リーク電流の突然の増加を検出する工程が、監視されるリーク電流の変化率を決定する工程と、前記変化率を閾値と比較する工程と、をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記監視されるリーク電流の前記変化率が前記閾値を超えたら前記電位を消失させることで、前記作製を停止する工程をさらに含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記リーク電流の突然の増加を検出する工程が、前記リーク電流の値を閾値と比較する工程と、前記リーク電流の前記値が閾値を超えたら前記電位を消失させることで、前記作製を停止する工程と、をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記膜を、イオンを含む流体を満たした２つのリザーバー間に、前記膜が前記２つのリザーバーを隔て、前記流体が前記２つのリザーバー間を行き来するのを防ぐように配置する工程と、
前記２つのリザーバー各々に電極を入れる工程と、
前記電極を用いて前記電位を発生させる工程と、をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記２つの電極のうち一方を前記膜と直接接触させて配置する工程をさらに含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記電位を高めて作製時間を短縮する工程をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記膜の前記電界を高めて作製時間を短縮する工程をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記流体のイオンの濃度を高めて作製時間を短縮する工程をさらに含む、請求項６に記載の方法。
【請求項１１】
前記流体の酸性度を高めて作製時間を短縮する工程をさらに含む、請求項６に記載の方法。
【請求項１２】
前記流体のアルカリ度を高めて作製時間を短縮する工程をさらに含む、請求項６に記載の方法。
【請求項１３】
一方のリザーバーにおける前記流体の酸性度を、他方のリザーバーにおける前記流体の酸性度に対して変更して、作製時間を変更する工程をさらに含む、請求項６に記載の方法。
【請求項１４】
前記膜の両側で前記流体の酸性度を調節し、前記ポアの幾何学的形状および表面電荷特性を制御する工程をさらに含む、請求項６に記載の方法。
【請求項１５】
前記膜における前記電位の極性を調節し、前記ポアの幾何学的形状および表面電荷特性を制御する工程をさらに含む、請求項６に記載の方法。
【請求項１６】
単一のナノポアを作製するための方法であって、
誘電材料からなる膜を、イオンを含む流体を満たした２つのリザーバーの間に、前記膜が前記２つのリザーバーを隔て、前記流体が前記２つのリザーバー間を行き来するのを防ぐように配置する工程と、
前記膜に電位を印加する工程であって、前記電位の値が、前記膜にリーク電流を生じる電界を誘導するよう選択される工程と、
前記電位を印加しながら、前記２つのリザーバー間に誘導されるリーク電流を監視する工程と、
監視される電流の変化率を決定する工程と、
前記監視される電流の前記変化率を閾値と比較する工程と、
前記監視される電流の前記変化率が前記閾値を超えたら前記電位の印加をやめることで、作製を停止する工程と、を含む、方法。
【請求項１７】
０．１ボルト毎ナノメートルを超える値を有する電界を誘導するような電位を選択する工程をさらに含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
０．１ボルト毎ナノメートルから１．０ボルト毎ナノメートルの範囲の値を有する電界を誘導するような電位を選択する工程をさらに含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記流体は、前記イオンを溶解した有機溶媒として定義される、請求項１６に記載の方法。
【請求項２０】
前記電界の強度または前記膜の誘電強度を、前記ポアに対して、所望の位置の近くに局在化させることで、前記膜に形成されるポアの位置を制御する工程をさらに含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項２１】
前記ポアに対して、所望の位置の領域で前記膜の厚さを小さくすることで、前記膜に形成されるポアの位置を制御する工程をさらに含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項２２】
前記流体の酸性度および導電性に基づいて、前記膜に形成される前記ポアの整流性を制御する工程をさらに含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項２３】
１つ以上のナノポアを膜に作製するための装置であって、
通路を介して互いに流体的に連結された２つのリザーバーと、
電圧源に電気的に接続され、前記膜に電位を生じるよう動作可能な少なくとも２つの電極と、
前記電極のうちの１つに電気的に接続され、前記２つのリザーバー間を流れる電流を測定するよう動作可能な電流センサーと、
前記電流センサーとインターフェースされるコントローラーと、を備え、
前記２つのリザーバーはイオンを含む液体を含有し、前記通路は、前記液体が前記２つのリザーバー間を行き来するのを防ぐ膜を収容するよう構成され、
前記膜は誘電材料からなり、
前記２つのリザーバーそれぞれに、前記少なくとも２つの電極のうち１つが配置され、
前記コントローラーは、測定される電流の突然の増加を検出し、前記測定される電流の前記突然の増加が検出されたことに応答して、前記膜の前記電位を消失させる、装置。
【請求項２４】
前記リザーバーのうちの１つは、２本または３本以上のマイクロチャネルまたはナノチャネルで流体的に分離され、各々のマイクロチャネルまたはナノチャネルは、内部に電極が配置されている、請求項２３に記載の装置。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成29年4月19日(2017.4.19)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３５】
水侵入ユニットは、車両が、道路にある半解け雪や水たまりなどを通過する場合に、水が2つの金属プローブに到達するのを最小限とするように、意図的に3つの傾斜チャンバで設計されており、それにより、該半解け雪や水たまりの水などは、単純に、重力によってチャンバC、B、及びAを通って反対方向にスライドする。はね水が開口4から該ユニットに侵入した場合、水ガード（3）が、はね水が2つの開口金属プローブ（2）に到達するのを防止する。水収集部品と電子部品は、ケーブル（5）によって接続されている。ケーブル（5）の長さは、自動車メーカーが、2つの部品をエンジンコンパートメント領域内のどの部分に装着したいかによって異なり得る。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成29年2月14日(2017.2.14)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応炉の動作軸縦方向に沿って配置された燃料バーナーと、前述の燃料バーナーに対して直角方向に位置し、燃焼用空気を受ける吸気口と、前述の反応炉の動作軸縦方向に沿って、燃焼用空気の流路を変えるため流路内に位置するよう、前述の燃料バーナー付近で、かつ前述の吸気口から燃料バーナーに伸びている燃焼用空気の流路に配置された、１セットの円筒である流路ガイド機構とから構成された燃焼室、
及び、
前述の燃焼室より高温燃焼ガスと炭素原料を受け入れるよう調整されており、前述の反応炉及び前述の燃焼室の動作軸縦方向に沿って位置する反応室からなる、
ことを特徴とするファーネス法によるカーボンブラックの製造のための反応炉。
【請求項２】
流路ガイド機構が１セットの先細円筒である請求項１で請求されている反応炉。
【請求項３】
流路ガイド機構が、同径の円筒、または先細の円筒である請求項１で請求されている反応炉。
【請求項４】
カーボンブラック製造用反応炉の動作軸縦方向に位置する燃料バーナーでの燃料を燃焼する段階、
前述の燃料バーナーの直角方向に位置する吸気口より燃焼用空気を吸気する段階、
前述の反応炉の動作軸縦方向に沿って、燃焼用空気の流路を変えるため流路内に位置するよう、前述の燃料バーナー付近で、かつ前述の吸気口から燃料バーナーに伸びている燃焼用空気の流路に配置された、１セットの円筒である流路ガイド機構により、燃焼用空気の流路を変更する段階、
燃焼室にて燃焼用空気と燃料の混合を実現し、1000〜2200℃の温度範囲の高温燃焼ガスを生産する段階、
前述の反応炉及び前述の燃焼室の動作軸縦方向に沿って位置する反応室で、カーボンブラックを生産するため、高温燃焼ガスと炭素原料を供給する段階、
からなることを特徴とするカーボンブラック製造方法。
【請求項５】
ハードブラックとソフトブラックにより構成される一群より選ばれたグレードのカーボンブラックの製造段階を含む、請求項４で請求されている製造法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
発明の概要
本発明において、ファーネス法によるカーボンブラックの製造のための反応炉は、反応炉の動作軸縦方向に沿って配置された燃料バーナーと、前述の燃料バーナーに対して直角方向に位置し、燃焼用空気を受ける吸気口と、前述の反応炉の動作軸縦方向に沿って、燃焼用空気の流路を変えるため流路内に位置するよう、前述の燃料バーナー付近で、かつ前述の吸気口から燃料バーナーに伸びている燃焼用空気の流路に配置された、１セットの円筒である流路ガイド機構とから構成された燃焼室、及び、前述の燃焼室より高温燃焼ガスと炭素原料を受け入れるよう調整されており、前述の反応炉及び前述の燃焼室の動作軸縦方向に沿って位置する反応室からなる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１７
【訂正方法】削除
【訂正の内容】
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
本発明において流路ガイド機構は、１セットの先細円筒となっています。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
望ましくは、本発明において流路ガイド機構は、同径の円筒、または先細の円筒となっています。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２１】
本発明において、ファーネス法によるカーボンブラック製造のための製造法は、カーボンブラック製造用反応炉の動作軸縦方向に位置する燃料バーナーでの燃料を燃焼する段階、前述の燃料バーナーの直角方向に位置する吸気口より燃焼用空気を吸気する段階、前述の反応炉の動作軸縦方向に沿って、燃焼用空気の流路を変えるため流路内に位置するよう、前述の燃料バーナー付近で、かつ前述の吸気口から燃料バーナーに伸びている燃焼用空気の流路に配置された、１セットの円筒である流路ガイド機構により、燃焼用空気の流路を変更する段階、燃焼室にて燃焼用空気と燃料の混合を実現し、1000〜2200℃の温度範囲の高温燃焼ガスを生産する段階、前述の反応炉及び前述の燃焼室の動作軸縦方向に沿って位置する反応室で、カーボンブラックを生産するため、高温燃焼ガスと炭素原料を供給する段階、からなる。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】削除
【訂正の内容】
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２９】
流路ガイド機構１１０は、同径の円筒、または、先細の円筒となっています。流路ガイド機構１１０は、（図１に図説されているような）１セットの円筒か、あるいは１セットの先細円筒（図説されていない）である場合があります。さらに、図２に図解されているように、これらの円筒は、その長さ方向に沿って、内部壁に複数の羽根、調整板、あるいはフィンを備えている場合もあります。また、複数の先細か同型の円筒が、最深部の円筒にある複数の羽根やフィンと共に備えられている場合もあります。図２を参照すると、流路ガイド機構１１０の様々な代替的実施態様が、図２ａ、２ｂ、２ｃ、および２ｆに例示されており、ここではフィン２０４が、円筒２０２の中に取り付けられています。羽根またはフィン２０４は、図２ｄおよび２ｅで図説されています。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
【表１】
2013527278.tif 000001
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３３】
表１から、流路ガイド機構１１０を使用した場合、原料流量率が４１００ｋｇ／時で気流ガイド機構を使用しなかった場合と比較すると、カーボンブラック生産は６．０９％増加し、原料流量率が３７００ｋｇ／時で気流ガイド機構を使用しなかった場合と比較すると、カーボンブラック生産は１７．５７％増加しました。さらに、流路ガイド機構１１０を使用した場合、燃料消費量も低減されました。
［実施例２］
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月13日(2017.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つのプロセッサ、及び
コンピュータプログラムコードを含む少なくとも１つのメモリ、
を備えた装置において、前記少なくとも１つのメモリ及びコンピュータプログラムコードは、少なくとも１つのプロセッサとで、装置が、少なくとも、
リモート無線ヘッドのセットに作動的に接続され且つリモート無線ヘッドへの及びそこからのトラフィックを処理するように構成された所与のリソースを含む階層における情報を収集及び維持し；
異なる接続及びサービスに対する階層リソースの使用を制御し；
階層のリソースの使用に関して他の階層を制御する各装置と通信し；及び
別の階層の使用のために階層のリソースを割り当て、及び／又は別の階層を制御する装置からリソースを要求する；
ようにさせるよう構成された装置。
【請求項２】
前記少なくとも１つのメモリ及びコンピュータプログラムコードは、少なくとも１つのプロセッサとで、装置が、更に、階層のリソースを使用してバーチャルインスタンスとして通信ネットワークコンポーネントの動的な実現を制御する、ようにさせるよう構成された請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記少なくとも１つのメモリ及びコンピュータプログラムコードは、少なくとも１つのプロセッサとで、装置が、更に、処理能力及び階層のリソースの現在負荷に関する情報を維持する、ようにさせるよう構成された請求項１又は２に記載の装置。
【請求項４】
前記少なくとも１つのメモリ及びコンピュータプログラムコードは、少なくとも１つのプロセッサとで、装置が、更に、リソースの使用、リソースの動作及びプロパティ、及び階層のリソースを使用する接続のクオリティに関する統計情報を発生する、ようにさせるよう構成された請求項１から３のいずれかに記載の装置。
【請求項５】
前記少なくとも１つのメモリ及びコンピュータプログラムコードは、少なくとも１つのプロセッサとで、装置が、更に、インスタンスをアクティブ又は非アクティブとして表わし、そして異なる階層インスタンス間の相互接続をアクチベート又はデアクチベートする、ようにさせるよう構成された請求項２に記載の装置。
【請求項６】
前記少なくとも１つのメモリ及びコンピュータプログラムコードは、少なくとも１つのプロセッサとで、装置が、更に、階層のリソースの利用性を監視し、そしてその利用性に基づいてリソースの使用を制御する、ようにさせるよう構成された請求項１から５のいずれかに記載の装置。
【請求項７】
前記少なくとも１つのメモリ及びコンピュータプログラムコードは、少なくとも１つのプロセッサとで、装置が、更に、維持又はアップグレードを必要とするリソースを決定し、そして通信ネットワークにその必要性を通知する、ようにさせるよう構成された請求項１から６のいずれかに記載の装置。
【請求項８】
前記少なくとも１つのメモリ及びコンピュータプログラムコードは、少なくとも１つのプロセッサとで、装置が、更に、位置、接近性、レイテンシー特性、及び移動パターンに基づきリソースの情報を収集及び維持する、ようにさせるよう構成された請求項１から７のいずれかに記載の装置。
【請求項９】
前記少なくとも１つのメモリ及びコンピュータプログラムコードは、少なくとも１つのプロセッサとで、装置が、更に、無線アクセスネットワーク階層内の装置の機能又は位置に基づいて、親、兄弟及び子ノードより成るハイアラーキーを形成するように他の各装置間の関係を構築する、ようにさせるよう構成された請求項１から６のいずれかに記載の装置。
【請求項１０】
リモート無線ヘッドのセットに作動的に接続され且つリモート無線ヘッドへの及びそこからのトラフィックを処理するように構成された所与のリソースを含む階層における情報を収集及び維持し；
異なる接続及びサービスに対する階層リソースの使用を制御し；
階層のリソースの使用に関して他の階層を制御する各装置と通信し；及び
別の階層の使用のために階層のリソースを割り当て、及び／又は別の階層を制御する装置からリソースを要求する；
ことを含む方法。
【請求項１１】
階層のリソースを使用してバーチャルインスタンスとして通信ネットワークコンポーネントの動的な実現を制御することを更に含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
処理能力及び階層のリソースの現在負荷に関する情報を維持することを更に含む、請求項１０又は１１に記載の方法。
【請求項１３】
リソースの使用、リソースの動作及びプロパティ、及び階層のリソースを使用する接続のクオリティに関する統計情報を発生することを更に含む、請求項１０から１２のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
インスタンスをアクティブ又は非アクティブとして表わし、そして異なる階層インスタンス間の相互接続をアクチベート又はデアクチベートすることを更に含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
階層のリソースの利用性を監視し、そしてその利用性に基づいてリソースの使用を制御することを更に含む、請求項１０から１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１６】
維持又はアップグレードを必要とするリソースを決定し、そして通信ネットワークにその必要性を通知することを更に含む、請求項１０から１５のいずれかに記載の方法。
【請求項１７】
位置、接近性、レイテンシー特性、及び移動パターンに基づいてリソースの情報を収集及び維持することを更に含む、請求項１０から１６のいずれかに記載の方法。
【請求項１８】
無線アクセスネットワーク階層内の装置の機能又は位置に基づいて、親、兄弟及び子ノードより成るハイアラーキーを形成するように他の各装置間の関係を構築することを更に含む、請求項１０から１７のいずれかに記載の方法。
【請求項１９】
コンピュータにより読み取り可能な配布媒体上で実施されるコンピュータプログラム製品において、装置にロードされたときに、
リモート無線ヘッドのセットに作動的に接続され且つリモート無線ヘッドへの及びそこからのトラフィックを処理するように構成された所与のリソースを含む階層における情報を収集及び維持し；
異なる接続及びサービスに対する階層リソースの使用を制御し；
階層のリソースの使用に関して他の階層を制御する各装置と通信；及び
別の階層の使用のために階層のリソースを割り当て、及び／又は別の階層を制御する装置からリソースを要求する；
というステップを含むコンピュータプロセスを実行するプログラムインストラクションを含むコンピュータプログラム製品。
【手続補正書】
【提出日】平成29年4月28日(2017.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
輸送軸ラインを通じて互いに接続されたイオンガイド入口及びイオンガイド出口であって、前記輸送軸ラインに沿ってイオンが軸方向に輸送される、少なくとも１つのイオンガイド入口及びイオンガイド出口と、収束電圧が印加される少なくとも１つの平滑な非凹面の収束電極又は収束電極アレイを含む収束電極構造体であって、前記収束電極又は収束電極アレイが前記輸送軸ラインに沿って配置され、且つ、該収束電極構造体が収束型イオンガイド装置内で輸送されるイオンを該収束電極構造体により形成される収束電場の作用の下で放射方向に多数回収束させる、少なくとも１グループの収束電極構造体と、前記軸方向に輸送される中性ガス流であって、前記軸方向に対して少なくとも部分的に放射方向へ向かう該ガス流の拡散経路が前記収束電極又はその支持基板により遮断されることで、前記軸方向における該ガス流の輸送速度を増大させるとともに前記輸送されるイオンの停滞又は乱れを低減する中性ガス流と、を備えることを特徴とする収束型イオンガイド装置。
【請求項２】
前記平滑な非凹面の収束電極及びその支持基板の表面が平面であることを特徴とする請求項１に記載の収束型イオンガイド装置。
【請求項３】
前記イオン案内出口を後端として前記軸方向に沿って延在する所定長さにわたり、前記放射方向への前記中性ガス流の拡散経路が前記収束電極又はその支持基板により完全に遮断されていることを特徴とする請求項１に記載の収束型イオンガイド装置。
【請求項４】
前記所定長さが全軸長の５０％を超えていることを特徴とする請求項３に記載の収束型イオン案内装置。
【請求項５】
前記収束電極又はその支持基板により前記中性ガス流に適用される放射方向の遮断により該ガス流の軸方向の速度が加速され、前記イオン案内入口から延在する所定長さにおいて前記軸方向の速度が増大又は一定に維持され、該所定長さが全軸長の５０％を超えていることを特徴とする請求項１に記載の収束型イオンガイド装置。
【請求項６】
前記収束型イオン案内装置が第１の真空室内に配置され、該収束型イオンガイド装置の後端が第２の真空室に密に接続され、その結果、該収束型イオンガイド装置内の軸長の少なくとも一部分にわたって移動する前記中性ガス流の圧力が当該２つの真空室の平衡圧の間で変化することを特徴とする請求項１に記載の収束型イオンガイド装置。
【請求項７】
前記第２の真空室内の気圧が前記第１の真空室内の気圧よりも低く、前記軸長の前記少なくとも一部分が全軸長の５０％を超えており、前記軸長の前記部分における気圧が前記第１の真空室内の気圧よりも低いことを特徴とする請求項６に記載の収束型イオンガイド装置。
【請求項８】
前記収束電極構造体が複数グループの収束電極及びその支持基板を備え、少なくとも、ある１つの放射方向に略直交する他の複数の放射方向において、ガス流拡散経路が収束電極又はその支持基板のグループにより遮断されることを特徴とする請求項１に記載の収束型イオンガイド装置。
【請求項９】
前記イオン案内装置が第１の真空室内に配置され、前記第１の真空室内に少なくとも１つの内径減少部が前記軸方向に沿って形成され、該内径減少部の最小内径が、Ａ）２〜３ｍｍ、Ｂ）１〜２ｍｍ、及び、ｃ）＜１ｍｍのいずれかであることを特徴とする請求項１に記載の収束型イオンガイド装置。
【請求項１０】
イオン輸送時に、前記所定の連続した長さにわたって加速された前記中性ガス流の最終速度が、Ａ）５ｍ／s、Ｂ）１０ｍ／ｓ、Ｃ）２０ｍ／ｓ、Ｄ）５０ｍ／ｓ、Ｅ）１００ｍ／ｓ、及び、Ｆ）現在の気圧下での前記中性ガス流の音速、のいずれかよりも大きくなることを特徴とする請求項５に記載の収束型イオンガイド装置。
【請求項１１】
前記中性ガス流が前記少なくとも部分的に軸に沿った方向において管状の絶縁体又は高抵抗材料体を介して遮断されることを特徴とする請求項１に記載の収束型イオンガイド装置。
【請求項１２】
前記イオンガイド装置が１つ以上のガス流入口及びガス流出口を備え、前記収束電極構造体が、１つのガス流入口を複数のガス流出口と連通させる分流構造、複数のガス流入口を１つのガス流出口と連通させる合流構造、曲線を通じて前記ガス流入口を前記ガス流出口と連通させる曲線状ガス流路、並びに、直線を通じて前記ガス流入口を前記ガス流出口と１対１で連通させる多重経路並列ガス流構造のうち１つ以上の組み合わせを備えるように形成されていることを特徴とする請求項１に記載の収束型イオンガイド装置。
【請求項１３】
前記収束電極構造体にその前段となる前記イオンガイド入口の方を向いた開口が形成され、該開口の内径が前記所定長さにわたって前記イオンガイド装置の空間的な内径よりも大きい、又は、前記開口における収束電場の半径が前記所定長さにわたって前記イオンガイド装置の収束電場の半径よりも大きいことを特徴とする請求項３に記載の収束型イオンガイド装置。
【請求項１４】
前記閉じ込め電極間の間隔又は異なる閉じ込め電極を支持する前記支持基板間の間隔が軸方向に沿って変化しており、その結果、イオン輸送時に移動する前記中性ガス流が周期的に発散及び収束させられ、その結果、前記イオンが前記中性ガス流により形成される気流場に基づいて複数回の収束工程を経ることを特徴とする請求項１３に記載の収束型イオンガイド装置。
【請求項１５】
前記収束型イオンガイド装置が真空室内に配置され、前記所定長さの出発点から前記真空室の前記イオンガイド入口までの距離ＬＡが前記イオンガイド入口に流れ込むガス流により形成されるマッハ面の距離ＬＭの倍数であり、該倍数が、ａ）０．５から０．８まで、ｂ）０．８から１まで、ｃ）１から１．２まで、ｄ）１．２から１．５まで、又は、ｅ）１．５から２まで、のいずれかであることを特徴とする請求項３に記載の収束型イオンガイド装置。
【請求項１６】
前記収束電極構造体により形成される前記電場が、Ａ）四重極場、Ｂ）六重極場、Ｃ）八重極場、Ｄ）八より大きい偶数の多重極場、及び、Ｅ）奇数の多重極場、という複数の多重極場の１つ以上の組み合わせであることを特徴とする請求項１に記載の収束型イオンガイド装置。
【請求項１７】
前記収束電場が高周波収束場又は周期的収束場であることを特徴とする請求項１に記載の収束型イオンガイド装置。
【請求項１８】
請求項１〜１７のいずれかに記載の収束型イオンガイド装置を備えることを特徴とする質量分析装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月15日(2017.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
燃料を圧送する燃料ポンプであって、
ピストン（２）と、
環状の内側のシール座（４）及び環状の外側のシール座（５）において封止を行うダイヤフラムシール要素（３）と、
を備え、
次式：
（Ｒａ２−ｒａ２）／（ｒｉ＋Ｌ）２＝ｒａ／ｒｉ
が満たされており、ここで、
ｒｉは、前記内側のシール座（４）の内側の半径、
ｒａは、前記外側のシール座（５）の内側の半径、
Ｒａは、前記ピストン（２）の半径、
Ｌは、前記内側のシール座（４）の外側の半径（Ｒｉａ）と、前記内側のシール座（４）の前記内側の半径（ｒｉ）との間の差である、
ことを特徴とする燃料ポンプ。
【請求項２】
前記ダイヤフラムシール要素（３）は、円形の中央の圧送開口（３０）を有する、請求項１に記載のポンプ。
【請求項３】
前記ダイヤフラムシール要素（３）は、外側の保持領域（３１）と内側の封止領域（３２）とを有し、前記保持領域（３１）と前記封止領域（３２）とは、結合腕（３３）を介して互いに結合されている、請求項１又は２に記載のポンプ。
【請求項４】
前記結合腕（３３）は、ばね腕である、請求項３に記載のポンプ。
【請求項５】
前記ポンプによる圧送が行われる圧送通路（６）の直径は、前記中央の圧送開口（３０）の直径より大きい、請求項２に記載のポンプ。
【請求項６】
前記内側のシール座（４）の前記内側の半径（ｒｉ）は、前記圧送通路（６）の半径に等しい、請求項５に記載のポンプ。
【請求項７】
環状の横断面を有する流入領域（７）をさらに備える、請求項１から６までのいずれか１項に記載のポンプ。
【請求項８】
前記流入領域（７）の前記環状の横断面の面積は、前記内側のシール座（４）の面積（１０）と、前記外側のシール座（５）の面積（１１）との合計より大きい、請求項７に記載のポンプ。
【請求項９】
ピストン（２）と、
環状の内側のシール座（４）及び環状の外側のシール座（５）を有するダイヤフラムシール要素（３）と、
を備えるピストンポンプを運転する方法であって、
ダイヤフラムシール要素（３）の開放時、前記内側のシール座（４）における燃料の貫流速度は、前記外側のシール座（５）における貫流速度に等しい、
ことを特徴とする方法。
【請求項１０】
前記ダイヤフラムシール要素（３）を、開放プロセス時には前記ピストン（２）に付着して、前記ピストン（２）とともに動くようにする、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記ダイヤフラムシール要素（３）は、吸い込みプロセス時に前記内側のシール座（４）及び前記外側のシール座（５）から同時に持ち上がる、請求項９又は１０に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年10月23日(2017.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転結合装置であって、
軸の周りに配置されたハブと、
前記軸の周りを前記ハブに対して回転するように前記ハブ上に支持された出力部材と、
前記ハブの周りに配置され、第１の回転方向に第１の速度で前記ハブに対して回転するように構成された第１の入力部材と、
前記ハブの周りに配置され、第２の回転方向に第２の速度で前記ハブに対して回転するように構成された第２の入力部材であって、前記第２の回転方向と前記第２の速度の少なくとも一方が対応する前記第１の回転方向と前記第１の速度の一方と異なる、第２の入力部材と、
前記第１の入力部材と前記第２の入力部材との間に軸方向に配置され、前記出力部材に結合されたクラッチ部材と、
前記クラッチ部材に対する前記第２の入力部材の反対側に配置された電磁石とを備え、
前記電磁石を励磁していないときに、前記クラッチ部材は、前記出力部材が前記第１の入力部材と共に回転するように前記第１の入力部材に係合し、前記電磁石の励磁により、前記クラッチ部材は、前記出力部材が前記第２の入力部材と共に回転するように前記第２の入力部材に係合する、回転結合装置。
【請求項２】
前記クラッチ部材は、前記出力部材と共に回転するように前記出力部材に結合されるが、前記出力部材に対して軸方向に移動可能である、請求項１に記載の回転結合装置。
【請求項３】
前記出力部材と前記第１の入力部材との間に配置された第１のベアリングを更に備える、請求項１又は２に記載の回転結合装置。
【請求項４】
前記ハブと前記出力部材との間に配置された第２のベアリングを更に備える、請求項１から３のいずれか１項に記載の回転結合装置。
【請求項５】
前記第１のベアリングと前記第２のベアリングは径方向に整列している、請求項４に記載の回転結合装置。
【請求項６】
前記ハブと前記第２の入力部材との間に配置された第３のベアリングを更に備える、請求項１から５のいずれか１項に記載の回転結合装置。
【請求項７】
前記ハブは回転しないように固定される、請求項１から６のいずれか１項に記載の回転結合装置。
【請求項８】
前記第１の入力部材は前記出力部材上に支持される、請求項１から７のいずれか１項に記載の回転結合装置。
【請求項９】
前記第１の入力部材はプーリーを備える、請求項１から８のいずれか１項に記載の回転結合装置。
【請求項１０】
前記第２の入力部材はプーリーを備える、請求項１から９のいずれか１項に記載の回転結合装置。
【請求項１１】
前記クラッチ部材は、前記第１の入力部材のテーパー状係合面に係合するように構成されたテーパー状係合面を含む、請求項１から１０のいずれか１項に記載の回転結合装置。
【請求項１２】
前記電磁石は、
前記ハブ上に支持されたフィールドシェルと、
前記フィールドシェル内に配置された導体とを含む、請求項１から１１のいずれか１項に記載の回転結合装置。
【請求項１３】
前記クラッチ部材は、
前記第１の入力部材に隣接する第１の部分と、
前記第２の入力部材に隣接する第２の部分とを含み、
前記軸に沿った前記第１の部分の前記第２の部分に対する位置は調整可能であり、それにより、前記クラッチ部材と前記第２の入力部材との間の空隙が変更される、請求項１から１２のいずれか１項に記載の回転結合装置。
【請求項１４】
前記クラッチ部材を前記第１の入力部材に向けてバイアスするバネを更に備える、請求項１から１３のいずれか１項に記載の回転結合装置。
【請求項１５】
前記出力部材から延びるとともに前記クラッチ部材を支持するピンを更に備え、前記バネは前記ピンの頭部と前記クラッチ部材の表面との間に配置される、請求項１４に記載の回転結合装置。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年12月26日(2016.12.26)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原子炉心、および、
当該原子炉心に配置されている少なくとも１つの核分裂反応炉の核燃料アッセンブリを備えており、
当該核燃料アッセンブリは、燃焼前面を生成するように、かつ所定の燃焼度値以下の燃焼度値をもたらすように構成されており、
所定の燃焼度値以下の燃焼度値をもたらすために、上記燃焼前面の後方にある第１位置から上記燃焼前面の前方にある第２位置まで移動する中性子放出体をさらに備えており、
上記燃焼前面は、上記少なくとも１つの核分裂反応炉の核燃料アッセンブリに対して移動する、進行波核分裂反応炉。
【請求項２】
原子炉心、および、
当該原子炉心に配置されている少なくとも１つの核分裂反応炉の核燃料アッセンブリを備えており、
当該核燃料アッセンブリは、燃焼前面を生成するように、かつ所定の燃焼度値以下の燃焼度値をもたらすように構成されている進行波核分裂反応炉であって、
核分裂反応炉の上記核燃料アッセンブリは、上記進行波核分裂反応炉における上記燃焼度値の制御に応じた、複数の構造的な材料の１つ以上に対する放射線損傷の制御が可能であり、
核分裂反応炉の上記核燃料アッセンブリは、所定の放射線損傷値以下の放射線損傷値をもたらすことによって上記放射線損傷値の制御が可能であり、
所定の放射線損傷値以下の放射線損傷値をもたらすために、上記燃焼前面の後方にある第１位置から上記燃焼前面の前方にある第２位置まで移動する中性子放出体をさらに備えており、
上記燃焼前面は、上記少なくとも１つの核分裂反応炉の核燃料アッセンブリに対して移動する、進行波核分裂反応炉。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月14日(2017.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支柱と、
前記支柱に連結される１以上のトルク管部材またはねじれ梁部材と、
前記１以上のトルク管部材またはねじれ梁部材に取り付けられた取付機構と、
前記１以上のトルク管部材またはねじれ梁部材と連結されたドライブシステムと、
前記ドライブシステムの出力に連結されたトルクリミッタと、を備えた太陽追尾装置アセンブリであって
ヒンジモーメント力によって前記ドライブシステムのトルクのレベルが所定の制限を超えるときに、前記トルクリミッタは、トルクの方向に当該太陽追尾装置アセンブリの回転動作を受動的に促進し、これにより、前記ヒンジモーメント力によって、前記太陽追尾装置アセンブリがより低いヒンジモーメント位置まで旋回軸の廻りを回転することを可能にする、太陽追尾装置アセンブリ。
【請求項２】
前記トルクの方向の動作は、外部の力が解放され、前記太陽追尾装置アセンブリのねじれレベルが減少するように過剰トルクを分離する、請求項１記載の太陽追尾装置アセンブリ。
【請求項３】
前記トルクの方向の動作は、第１回転位置から少なくとも一つの第２回転位置までの太陽追尾装置アセンブリの動作を備える、請求項２記載の太陽追尾装置アセンブリ。
【請求項４】
前記太陽追尾装置アセンブリはさらに前記太陽追尾装置の最大回転位置に配置され、前記支柱に連結される一つ以上の機械的なストッパを備え、
少なくとも一つの第２回転位置で最大位置ストッパに突き当たる、請求項３記載の太陽追尾装置アセンブリ。
【請求項５】
前記太陽追尾装置アセンブリは、その最大回転位置で、前記太陽追尾装置アセンブリのねじれの抵抗構造物に沿った複数の分散した箇所で拘束される、請求項３記載の太陽追尾装置アセンブリ。
【請求項６】
前記太陽追尾装置アセンブリは、追尾装置列を支える複数の支柱を含み、さらに各支柱でストッパを備える、請求項１記載の太陽追尾装置アセンブリ。
【請求項７】
前記列の各追尾装置がその最大回転位置に達したときに、前記ストッパは、各支柱のトルクを制限する、請求項６記載の太陽追尾装置アセンブリ。
【請求項８】
前記ドライブシステムは、少なくとも一つのギアホイールを含むギアアセンブリを備える、請求項１記載の太陽追尾装置アセンブリ。
【請求項９】
前記ギアアセンブリは一方向のギアボックスを含み、前記トルクリミッタは前記ギアボックスに含まれるトルク制限クラッチである、請求項８記載の太陽追尾装置アセンブリ。
【請求項１０】
前記ギアセンブリは、前記ギアホイールに係合する摩擦継ぎ手を含み、前記トルクリミッタは前記摩擦継ぎ手に配置される、請求項８記載の太陽追尾装置アセンブリ。
【請求項１１】
前記トルクリミッタは前記ギアアセンブリの第１ギアステージの出力に配置される、請求項８記載の太陽追尾装置アセンブリ。
【請求項１２】
前記太陽追尾装置アセンブリは、プッシュ／プル連結された追尾装置であり、前記トルクリミッタは、リニアスリップ装置である、請求項１記載の太陽追尾装置アセンブリ。
【請求項１３】
前記太陽追尾装置アセンブリは、油圧システムを含み、前記トルクリミッタは、圧力逃し弁である、請求項１記載の太陽追尾装置アセンブリ。
【請求項１４】
トルクの力の解放を制御し、前記太陽追尾装置アセンブリの動作を遅くするように、ダンパをさらに備える、請求項１記載の太陽追尾装置アセンブリ。
【請求項１５】
前記１以上のトルク管部材またはねじれ梁部材は、重力のバランスの中心周りに回転するように、重力のバランスの中心を有して構成される、請求項１記載の太陽追尾装置アセンブリ。
【請求項１６】
単一のモーターで駆動される連結された太陽追尾装置の複数の列を含む太陽追尾装置の複数の列を設ける工程と、
それぞれの追尾装置列に連結されたトルクリミッタを設ける工程と、
少なくとも一つの追尾装置列のトルクのレベルが所定のトルク限界を超えるような、前記少なくとも一つの追尾装置列でヒンジモーメント力を受ける工程と、
前記少なくとも一つの追尾装置列がその最大制限位置に達したときに、前記少なくとも一つの追尾装置列が太陽追尾装置の複数の列から独立して回転動作を停止するように前記トルクリミッタを使用する工程と、
太陽追尾装置の全ての複数の列が位置決めされるまで、各追尾装置列がその最大制限位置に達するような、太陽追尾装置の前記他の複数の列を駆動する工程と、
を備える、太陽電池アレイの位置決め方法。
【請求項１７】
各追尾装置列は、複数の支柱を含み、さらに各支柱でストッパを提供する工程を備える、請求項１６記載の方法。
【請求項１８】
各追尾装置列がその最大回転制限位置に達したときに、太陽追尾装置の前記他の複数の列が回転し、それらの最大制限位置に達する一方、前記ストッパは各支柱のトルクを制限し、回転動作を停止する、請求項１７記載の方法。
【請求項１９】
支柱と、
前記支柱に連結される１以上のトルク管部材またはねじれ梁部材と、
前記１以上のトルク管部材またはねじれ梁部材に取り付けられた取付機構と、
入力及び出力を有する双方向のギアボックスを備え、前記１以上のトルク管部材またはねじれ梁部材に連結されるドライブシステムと、
前記双方向のギアボックスの入力に配置されたモータブレーキと、を備え、
ヒンジモーメント力によって前記ドライブシステムのトルクのレベルが所定の閾値を超えたときに、モータブレーキが前記ドライブシステムの逆駆動を促進するようにスリップし、これにより、前記ヒンジモーメント力によって、前記太陽追尾装置アセンブリがより低いヒンジモーメントの位置まで回転することを可能にする、
ことを特徴とする太陽追尾装置。
【請求項２０】
１以上の複数の太陽追尾装置の列がより低いヒンジモーメントの位置まで回転する、請求項１６記載の方法。
【請求項２１】
太陽追尾装置アセンブリは、太陽追尾装置の複数の列を支持する複数の支柱を含み、
１以上の太陽追尾装置の列を障害する障害物があったとき、障害されていない列が太陽を追尾するために回転し続けることが可能である一方、前記トルクリミッタは、障害された列の回転動作を止める、請求項１に記載の太陽追尾装置アセンブリ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】トルクリミッタ装置、システム並びに方法及びトルクリミッタを組み込んだ太陽追尾装置