【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年12月16日(2016.12.16)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
溶媒系に分散または溶解された金属酸化物前駆体化合物を含むハードマスク組成物であって、前記前駆体化合物は、ポリマー、オリゴマー、モノマー及びそれらの混合物からなる群から選択され、ここで
前記ポリマー及びオリゴマーは、
【化１】
2014532289.tif 000001
の繰り返しモノマー単位を含み、前記モノマーは、式：
【化２】
2014532289.tif 000002
｛式中、mは少なくとも１であり；
nはそれぞれ独立して１〜３であり；
aは、すべてのオキシド結合を形成する原子の数であり；
xはモノマーの繰り返し単位を表し；
Mはシリコン以外の金属または半金属であり；
R1及びR2はそれぞれ、水素、アルキル、アリール、アルコキシ、フェノキシ及びアセトキシからなる群から独立して選択され；及び
R3はそれぞれ、アルキル及びカルボニルからなる群から独立して選択される｝を有し、前記組成物は、実質的にシリコンを含まず、硬化ハードマスク層に硬化されると水溶性アルカリ現像液に不溶である、ハードマスク組成物。
【請求項２】
Mがそれぞれ、アルミニウム、チタン、ジルコニウム、バナジウム、ゲルマニウム、アルミニウム、ハフニウム、ガリウム、タリウム、アンチモン、鉛、ビスマス、インジウム、スズ、ホウ素、ゲルマニウム、ヒ素、テルル、及び希土類金属からなる群から独立して選択される、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記組成物が架橋剤を実質的に含まない、請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
前記組成物が、追加された発色団も光減衰性部分も実質的に含まない、請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
前記前駆体化合物がポリマーまたはオリゴマーであり、前記前駆体化合物は、組成物の総重量を100重量％として0.1重量％〜5重量％のレベルで組成物中に存在する、請求項１に記載の組成物。
【請求項６】
前記前駆体化合物がモノマーであり、前記前駆体化合物は、組成物の総重量を100重量％として0.3重量％〜5重量％のレベルで組成物中に存在する、請求項１に記載の組成物。
【請求項７】
溶媒系に分散または溶解された金属酸化物前駆体化合物を含むハードマスク組成物であって、前記前駆体化合物は、ポリマー、オリゴマー、モノマー及びそれらの混合物からなる群から選択され、ここで
前記ポリマー及びオリゴマーは、
【化３】
2014532289.tif 000003
の繰り返しモノマー単位を含み、前記モノマーは、式：
【化４】
2014532289.tif 000004
｛式中、mは少なくとも２であり；
nはそれぞれ独立して１〜３であり；
aは、すべてのオキシド結合を形成する原子の数であり；
xはモノマーの繰り返し単位を表し；
Mはシリコン以外の金属または半金属であり；
R1及びR2はそれぞれ、水素、アルキル、アリール、アルコキシ、フェノキシ及びアセトキシからなる群から独立して選択され；及び
R3はそれぞれ、アルキル及びカルボニルからなる群から独立して選択される｝を有し、
前記組成物は、さらにシリコンを含み、硬化後の硬化ハードマスク組成物は水性アルカリ現像液に不溶性である、前記ハードマスク組成物。
【請求項８】
Mがそれぞれ、アルミニウム、チタン、ジルコニウム、バナジウム、ゲルマニウム、アルミニウム、ハフニウム、ガリウム、タリウム、アンチモン、鉛、ビスマス、インジウム、スズ、ホウ素、ゲルマニウム、ヒ素、テルル、及び希土類金属からなる群から独立して選択される、請求項７に記載の組成物。
【請求項９】
前記前駆体化合物がポリマーまたはオリゴマーであり、前記前駆体化合物は、組成物の総重量を100重量％として0.3重量％〜5重量％のレベルで組成物中に存在する、請求項７に記載の組成物。
【請求項１０】
前記前駆体化合物がモノマーであり、前記前駆体化合物は、組成物の総重量を100重量％として0.3重量％〜5重量％のレベルで組成物中に存在する、請求項７に記載の組成物。
【請求項１１】
前記組成物が、組成物の総重量を100重量％として0.025重量％〜10重量％のレベルでシリコンを含む、請求項７に記載の組成物。
【請求項１２】
前記シリコンが、式：
【化５】
2014532289.tif 000005
｛式中、yはモノマー繰り返し単位を示し；
zは１〜２であり；及び
R4はそれぞれ、フェニル、アルキル、水素、アルケニル及びアルキニルからなる群から独立して選択される｝をもつシリコン含有モノマー繰り返し単位(silicon-containing monomeric repeat unit)として存在する、請求項７に記載の組成物。
【請求項１３】
前記前駆体化合物が、式(I)のポリマーまたはオリゴマーであり、前記シリコン含有モノマー繰り返し単位は、前記ポリマーまたはオリゴマー中でコモノマーとして存在する、請求項１２に記載の組成物。
【請求項１４】
前記前駆体化合物中のx：yの比は、10：1〜1：10である、請求項１３に記載の組成物。
【請求項１５】
前記前駆体化合物はモノマーであり、前記シリコン含有モノマー繰り返し単位は、前記前駆体化合物と共に前記溶媒系に分散または溶解されたシリコンポリマーとして存在する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
前記シリコンは、前記前駆体化合物と共に前記溶媒系に分散または溶解されたシリコン含有モノマーとして存在し、前記シリコン含有モノマーは、Si(OR3)n(R4)m、Si(Cl)n(R4)m｛式中、mは独立して０〜２であり；nは独立して２〜４であり；R3はそれぞれ、アルキル、フェニル、シロキシルからなる群から独立して選択され；並びにR4はそれぞれ、フェニル、アルキル、水素、アルケニル、アルキニル、ナフチル、シリル及びピリジルからなる群から選択される｝及びそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項７に記載の組成物。
【請求項１７】
前記化合物が、組成物の総重量を100重量％として0.025重量％〜10重量％のレベルでシリコンを含む、請求項１６に記載の組成物。
【請求項１８】
前記組成物は架橋剤を実質的に含まない、請求項７に記載の組成物。
【請求項１９】
前記組成物は、追加された発色団も光減衰性部分も実質的に含まない、請求項７に記載の組成物。
【請求項２０】
マイクロエレクトロニクス構造体を形成する方法であって、
表面を有する基板を準備する；
前記表面に一つ以上の中間層を場合により形成する；
存在する場合には隣接する前記中間層にハードマスク組成物を適用するか、または中間層が全くない場合には、隣接する前記基板表面にハードマスク組成物を適用して積層体を形成する、前記ハードマスク組成物は、溶媒系に溶解または分散された金属酸化物前駆体化合物を含み、前記前駆体化合物は、ポリマー、オリゴマー、モノマー、及びそれらの混合物からなる群から選択され、ここで前記組成物は実質的にシリコンを含まない；及び
前記ハードマスク組成物を少なくとも205℃に加熱して、金属酸化物フィルムを含む硬化ハードマスク層を与え、ここで前記硬化ハードマスク層は硬化されて水性アルカリ現像液に不溶性である、各段階を含む方法。
【請求項２１】
前記硬化ハードマスク層に隣接して画像形成層を適用することをさらに含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記画像形成層の少なくとも一部を活性化放射線に暴露して、前記画像形成層の暴露部分を与える；及び
前記暴露部分と現像液とを接触させて、前記暴露部分を除去して、パターン形成された画像形成層を与える、各段階をさらに含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記暴露部分に隣接する前記硬化ハードマスク層は、前記接触の間に除去されない、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記パターンをエッチングにより前記ハードマスク層に転写する段階をさらに含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２５】
前記中間層が、スピン-オンカーボン層、アモルファスカーボン層、底部反射防止コーティング、平坦化層、及び上記のものの組み合わせからなる群から選択される、請求項２０に記載の方法。
【請求項２６】
前記積層体はスピン-オンカーボン中間層を含み、前記積層体は反射防止層を全く含まない、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
前記金属酸化物前駆体化合物が、以下の繰り返しモノマー単位：
【化６】
2014532289.tif 000006
の繰り返しモノマー単位を含むポリマー及びオリゴマー；並びに
【化７】
2014532289.tif 000007
｛式中、mは少なくとも１である；
nはそれぞれ独立して１〜３である；
aは全てのオキシド結合を形成する原子の数である；
xはモノマー繰り返し単位を示す；
Mはシリコン以外の金属または半金属である；
R1及びR2はそれぞれ、水素、アルキル、アリール、アルコキシ、フェノキシ及びアセトキシからなる群から独立して選択され；及び
R3はそれぞれ、アルキル、フェニル及びカルボニルからなる群から独立して選択される｝金属及び半金属の繰り返しモノマー単位を含むポリマー及びオリゴマーからなる群から選択される、請求項２０に記載の方法。
【請求項２８】
前記金属酸化物前駆体化合物は、式(II)の金属または半金属モノマーであり、ここで前記加熱は、前記モノマーを重合させて、前記金属酸化物フィルムを与えることを含む、請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
マイクロエレクトロニクス構造体を形成する方法であって、
表面をもつ基板を準備する；
前記表面上に場合により一つ以上の中間層を形成する；
存在する場合には隣接する前記中間層にハードマスク組成物を適用するか、または中間層が全くない場合には、隣接する前記基板表面にハードマスク組成物を適用して積層体を形成する、前記ハードマスク組成物は、溶媒系に溶解または分散された金属酸化物前駆体化合物を含み、前記前駆体化合物は、ポリマー、オリゴマー、モノマー、及びそれらの混合物からなる群から選択される、
ここで前記ポリマー及びオリゴマーは、
【化８】
2014532289.tif 000008
の繰り返しモノマー単位を含み、前記モノマーは、式：
【化９】
2014532289.tif 000009
｛式中、mはそれぞれ少なくとも２である；
nはそれぞれ独立して１〜３である；
aは全てのオキシド結合を形成する原子の数である；
xはモノマー繰り返し単位を示す；
Mはシリコン以外の金属または半金属である；
R1及びR2はそれぞれ、水素、アルキル、アリール、アルコキシ、フェノキシ及びアセトキシからなる群から独立して選択され；及び
R3はそれぞれ、アルキル及びカルボニルからなる群から独立して選択される｝を有し、前記組成物はさらにシリコンを含む；
前記ハードマスク組成物を加熱して、金属酸化物フィルムを含む硬化ハードマスク層を与え、ここで前記硬化ハードマスク層は水性アルカリ現像液に不溶性である、各段階を含む方法。
【請求項３０】
前記シリコンが、式：
【化１０】
2014532289.tif 000010
｛式中、yはモノマー繰り返し単位を示す；
zは１〜２である；及び
R4はそれぞれ、フェニル、アルキル、水素、アルケニル及びアルキニルからなる群から独立して選択される｝をもつシリコン含有モノマー繰り返し単位として存在する、請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】
前記前駆体化合物が式(I)のポリマーまたはオリゴマーであり、前記シリコン含有モノマー繰り返し単位が前記ポリマーまたはオリゴマー中にコモノマーとして存在する、請求項３０に記載の方法。
【請求項３２】
前記前駆体化合物がモノマーであり、前記シリコン含有モノマー繰り返し単位が、前記前駆体化合物と共に前記溶媒系で分散または溶解されたシリコンポリマーとして存在する、請求項３０に記載の方法。
【請求項３３】
前記シリコンが、前記前駆体化合物と共に前記溶媒系に分散または溶解されたシリコン含有モノマーとして存在し、前記シリコン含有モノマーは、Si(OR3)n(R4)m、Si(Cl)n(R4)m｛式中、mはそれぞれ独立して０〜２であり、nはそれぞれ独立して２〜４であり、R3はそれぞれ、アルキル、フェニル、及びシロキシルからなる群から独立して選択され；並びにR4はそれぞれ、フェニル、アルキル、水素、ナフチル、シリル及びピリジルからなる群から選択される｝及びそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項２９に記載の方法。
【請求項３４】
表面をもつ基板；
前記基板表面に隣接する一つ以上の任意選択の中間層；及び
存在する場合には前記中間層に隣接する架橋した金属酸化物ハードマスク層、または中間層が全くない場合には、前記基板表面に隣接する架橋した金属酸化物ハードマスク層、ここで前記架橋した金属酸化物ハードマスク層は水性アルカリ現像液に不溶性であり、前記架橋した金属酸化物ハードマスク層は溶媒系に溶解または分散された金属酸化物前駆体化合物の架橋物を含む硬化したハードマスク組成物であり、前記架橋した金属酸化物ハードマスク層は、架橋したポリマー、架橋したオリゴマー、架橋したモノマー、及びそれらの混合物からなる群から選択され、ここで前記ポリマー及びオリゴマーは、以下の
【化１１】
2014532289.tif 000011
の繰り返しモノマー単位の架橋物を含み；及び
前記モノマーは、下記式の架橋した単位：
【化１２】
2014532289.tif 000012
｛式中、mは少なくとも１である；
nはそれぞれ独立して１〜３である；
aは全てのオキシド結合を形成する原子の数である；
xはモノマー繰り返し単位を示す；
Mはシリコン以外の金属または半金属である；
R1及びR2はそれぞれ、水素、アルキル、アリール、アルコキシ、フェノキシ及びアセトキシからなる群から独立して選択され；及び
R3はそれぞれ、アルキル、フェニル及びカルボニルからなる群から独立して選択される｝を有し、前記ハードマスク層は実質的にシリコンを含まない、マイクロエレクトロニクス構造体。
【請求項３５】
前記中間層は、スピン-オンカーボン層、アモルファスカーボン層、底部反射防止コーティング、平坦化層、及び上記のものの組み合わせからなる群から選択される、請求項３４に記載の構造体。
【請求項３６】
前記構造体が、スピン-オンカーボン中間層を含み、前記構造体は反射防止層を全く含まない、請求項３５に記載の構造体。
【請求項３７】
表面をもつ基板；
前記基板表面に隣接する一つ以上の任意選択の中間層；及び
存在する場合には前記中間層に隣接する架橋した金属酸化物ハードマスク層、または中間層が全くない場合には、前記基板表面に隣接する架橋した金属酸化物ハードマスク層、ここで前記架橋した金属酸化物ハードマスク層は水性アルカリ現像液に不溶性であり、前記架橋した金属酸化物ハードマスク層は溶媒系に溶解または分散された金属酸化物前駆体化合物の架橋物を含むハードマスク組成物の硬化物であり、前記架橋した金属酸化物ハードマスク層は、架橋したポリマー、架橋したオリゴマー、架橋したモノマー、及びそれらの混合物からなる群から選択され、ここで前記ポリマー及びオリゴマーは、以下の
【化１３】
2014532289.tif 000013
の繰り返しモノマー単位の架橋物を含み；及び
前記モノマーは、下記式の架橋した単位：
【化１４】
2014532289.tif 000014
｛式中、mはそれぞれ少なくとも２である；
nはそれぞれ独立して１〜３である；
aは全てのオキシド結合を形成する原子の数である；
xはモノマー繰り返し単位を示す；
Mはシリコン以外の金属または半金属である；
R1及びR2はそれぞれ、水素、アルキル、アリール、アルコキシ、フェノキシ及びアセトキシからなる群から独立して選択され；及び
R3はそれぞれ、アルキル及びカルボニルからなる群から独立して選択される｝を有し、前記ハードマスク層はさらにシリコンを含む、マイクロエレクトロニクス構造体。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８６】
【表５】
2014532289.tif 000015