(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光用の照明光のもとでマスクパターンを感光性の基板上に転写する露光装置において、
複数の露光用の照明光を互いに異なるタイミングでそれぞれパルス発光させる複数個のパルス光源と、
該複数個のパルス光源からの照明光を合成する合成光学系と、
該合成光学系により合成される照明光を受けて、前記マスクパターンを前記感光性の基板上に転写する露光部と、
を有することを特徴とする露光装置。
【請求項２】
請求項１記載の露光装置であって、
前記複数個のパルス光源から発光される各々のパルス光の発光タイミングを制御するパルス発光制御系をさらに備えたことを特徴とする露光装置。
【請求項３】
請求項２記載の露光装置であって、
前記パルス発光制御系は、前記複数個のパルス光源から発光される各々のパルス光のパルス発光のタイミングが重ならないように前記発光タイミングを制御することを特徴とする露光装置。
【請求項４】
請求項２又は３記載の露光装置であって、
前記パルス発光制御系は、前記複数個のパルス光源から発光される各々のパルス光の強度がほぼ同じになるように制御することを特徴とする露光装置。
【請求項５】
請求項２〜４の何れか一項に記載の露光装置であって、
前記パルス発光制御系は、前記複数個のパルス光源から発光される各々のパルス光の間隔を等間隔とするように前記発光タイミングを制御することを特徴とする露光装置。
【請求項６】
請求項１〜５の何れか一項に記載の露光装置であって、
前記露光部を第１の露光部として、第２のマスクパターンを第２の感光性の基板上に転写する第２の露光部をさらに配置し、
前記合成光学系は、前記複数個のパルス光源中の第１のパルス光源からの第１照明光と第２のパルス光源からの第２照明光とを受けて、第１及び第２の合成光をそれぞれ生成するビームスプリッターを有し、
前記第１の合成光を前記第１の露光部へ導き、前記第２の合成光を前記第２の露光部へ導くことを特徴とする露光装置。
【請求項７】
露光用の照明光のもとでパターンを感光性の基板上に転写する露光方法において、
複数個のパルス光源から互いに異なるタイミングで複数の露光用の照明光をパルス発光させる工程と；
前記複数の露光用の照明光を合成する工程と；
前記合成された照明光に基づいて、前記パターンを前記感光性の基板上に転写する工程と；
を備えることを特徴とする露光方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば半導体素子、液晶表示素子、撮像素子（ＣＣＤ等）、又は薄膜磁気ヘッド等を製造するためのフォトリソグラフィ工程で使用される露光装置に関し、特に露光用の照明光としてＫｒＦエキシマレーザー光又はＡｒＦエキシマレーザー光等のパルス光を用いる場合に好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、例えば半導体素子等を製造するためのフォトリソグラフィ工程では、レチクル（又はフォトマスク等）のパターンをウエハ（又はガラスプレート等）上に転写するための例えばステッパー等の投影露光装置が使用されている。これらの投影露光装置では、ウエハ上にできるだけ高集積度のパターンを焼き付けるため、露光の解像力を上げる必要があり、露光用の照明光として次々と短波長の光の使用が試みられてきている。現在、露光用の照明光としては超高圧水銀ランプを光源とする波長３６５ｎｍのｉ線が主に使用されているが、最近ではそのｉ線より短い遠紫外域の波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザー光が使用されつつあり、更に波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザー光等の使用も検討されている。
【０００３】
また、紫外域等の短波長の照明光としては、金属蒸気レーザー（銅蒸気レーザー光）やＹＡＧレーザー光の高調波等も使用できる可能性があるが、これらのレーザー光及びエキシマレーザー光はパルス光である。
このような短波長の照明光を使用する投影露光装置用の投影光学系等のレンズとしては短波長域の光を使用した場合でも高い透過率であることが要求され、このような条件で使用されるレンズの硝材は、現在の処石英及び蛍石に限られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、露光用の照明光としてエキシマレーザー光、特にＡｒＦエキシマレーザー光を使用する際には、エキシマレーザー光がパルス光であるために従来の投影露光方式と同様のシステムでは、極めて不都合な問題が発生する。即ち、エキシマレーザー光源はその構造上、６００〜１０００Ｈｚの周波数で数ｎｓｅｃ  の超短時間に急激に立上るパルスレーザー光を断続的に発生する。従って、連続光と同程度の単位時間当たりの露光エネルギーを得るためには、パルスレーザー光の１パルス当たりのエネルギー量は極めて大きなものとなる。このようなエネルギー量が大きく急激に変化するパルスレーザー光を、投影露光装置の特に投影光学系のレンズに断続的に照射し続けると、硝材として石英を用いたレンズでも、照射されている部分のみ透過率が低下するソラリゼーション（Ｓｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ）という現象が起こる。この透過率の低下の程度は、フルエンス（Ｆｌｕｅｎｃｅ  ）、即ち１パルス光当たりの照射エネルギー密度〔ｍＪ／（ｃｍ２  ・ｐｕｌｓｅ）〕の２乗に比例する。
【０００５】
また、石英は照射されている部分のみ、フルエンスの２乗に比例して屈折率が上昇するラジエーション・コンパクション（Ｒａｄｉａｔｉｏｎ  Ｃｏｍｐａｃｔｉｏｎ）という現象が起こる。石英に関するラジエーション・コンパクションを計算した例によれば、ＫｒＦエキシマレーザー光を使用し、フルエンスが１ｍＪ／（ｃｍ２  ・ｐｕｌｓｅ）の場合、１０１０ショット後の屈折率の上昇幅は５×１０−７程度である。一方、ＡｒＦエキシマレーザー光を使用した場合は、ＫｒＦエキシマレーザー光を使用した場合に比較してラジエーション・コンパクションにより石英の屈折率は２桁程度大きくなると考えられている。
【０００６】
このようなラジエーション・コンパクションによる石英の屈折率の部分的な上昇は、特に投影光学系のレンズの収差に極めて悪い影響を及ぼす。また、ソラリゼーションによりレンズの透過率が部分的に低下すると、レーザー照射により吸収されたエネルギーは熱となり、レンズの温度分布が局所的に上昇することによりレンズが熱変形し、収差に悪影響を及ぼすことになる。また、温度上昇はレンズの屈折率の上昇をもたらし、それもレンズの収差に悪影響を及ぼすことになる。
【０００７】
そこで、ソラリゼーションやラジエーション・コンパクションの影響を抑えるための対策としてパルスレーザー光のパルス周波数を多くして、１パルス当たりのエネルギー量を抑える方法が考えられる。例えば、現在エキシマレーザーのパルス周波数は１ｋＨｚ程度が限度であるといわれているが、仮にパルス周波数が２倍になれば、同じスループット（単位時間当たりのウエハの処理枚数）にするための１パルス当たりのレーザーエネルギー量を１／２にすることができる。これにより、フルエンスの値も１／２になる。ここで、フルエンスの値をＦとし、単位時間当たりのパルス数（パルス周波数）をＰとすると、ソラリゼーション及びラジエーション・コンパクションは共にフルエンスＦの２乗とパルス数Ｐとの積に比例する。そこで、フルエンスＦの初期値をＦ０  、パルス数Ｐの初期値をＰ０  とすると、次式のように、ソラリゼーション及びラジエーション・コンパクションによるレンズの透過率及び屈折率の変化は共に１／２となる。
【０００８】
Ｆ２  ・Ｐ＝（Ｆ０  ／２）２・（２Ｐ０  ）＝Ｆ０２・Ｐ０  ／２
即ち、同じスループットで考えると、パルス周波数に反比例して、ソラリゼーション及びラジエーション・コンパクションの影響が少なくなる。
ところで、パルス発光型のエキシマレーザーのレーザーガスとして使用されるフッ素ガス（Ｆ２  ）中には、空気中の酸素ガス（Ｏ２  ）や窒素ガス（Ｎ２  ）、四フッ化炭素（ＣＦ４  ）、フッ化水素（ＨＦ）、及び四フッ化珪素（ＳｉＦ４  ）等の不純物が含まれており、放電によって更に、カーボン（Ｃ）、二酸化窒素（ＮＯ２  ）、及び各種のフッ素化合物が生成する。これらの不純化合物はレーザーガスを劣化させてレーザー出力を低下させると共に、レーザー光を吸収し、更には透過窓の汚れの原因となる。そのため、汚れたレーザーガスを高速で排気する機構が設けられている。
【０００９】
従って、エキシマレーザー光源からのパルス光の周波数を２倍に上げるためには、２倍の高速性を有するレーザーガスの排気機構が必要となり、パルス光の周波数を更に上げたい場合には、それに対応して排気機構を更に高速のものに切り換える必要がある。しかし、現行の技術では排気機構の速度には一定の限界があり、パルス光の発振周波数を一定の限度までしか上げられないという不都合がある。
【００１０】
本発明は斯かる点に鑑み、露光用の照明光としてＫｒＦエキシマレーザー光やＡｒＦエキシマレーザー光等のように、単独の光源ではパルス周波数を所定の限度以上に上げるのが困難なパルス光を使用した場合でも、装置内で使用されるレンズの透過率及び屈折率の変化を抑えることができるようにすることを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明による露光装置は、露光用の照明光のもとでマスクパターン（３）を感光性の基板（６）上に転写する露光装置において、露光用の照明光（Ｂ１，Ｂ２）を互いに異なるタイミングでそれぞれパルス発光させる複数個のパルス光源（Ｅ１  ，Ｅ２  ）と、この複数個のパルス光源からの照明光（Ｂ１，Ｂ２）を合成する合成光学系（１Ａ）と、この合成光学系により合成される照明光（ＬＢ１）を受けて、そのマスクパターンをその感光性の基板（６）上に転写する露光部（Ｌ１  ）と、を有するものである。
【００１２】
斯かる本発明の露光装置によれば、基板（６）上には、異なるタイミングでパルス発光させた照明光（Ｂ１，Ｂ２）が合成された照明光（ＬＢ１）が照射される。従って、合成された照明光（ＬＢ１）のパルス周波数はパルス光源の数に比例して増加し、露光部（Ｌ１  ）における必要な照射エネルギー量を一定とすれば、１パルス光当たりの照射エネルギー量はパルス光源の数に反比例して減少する。例えば、パルス光源として、ＫｒＦエキシマレーザー光やＡｒＦエキシマレーザー光等の短波長のパルス光を発生する光源が使用される。そして、パルス光のエネルギーが大きくなると、ソラリゼーションやラジエーション・コンパクションにより露光部（Ｌ１  ）で使用されるレンズの透過率及び屈折率が変化する。これらのソラリゼーション及びラジエーション・コンパクションによるレンズの透過率及び屈折率の変化は、レンズを透過する照明光の照射エネルギー密度、即ちフルエンスＦの２乗に比例し、パルス数（パルス周波数）Ｐに比例する。従って、本発明によれば、パルス数Ｐはパルス光源の数に比例して増加するが、フルエンスＦはパルス光源の数に反比例して減少するため、パルス光源の数を例えばｎとした場合、フルエンスＦの初期値をＦ０  、パルス数Ｐの初期値をＰ０  とすると、レンズの透過率及び屈折率の変化は次式に示すように１／ｎに減少する。
【００１３】
Ｆ２  ・Ｐ＝（Ｆ０  ／ｎ）２・（ｎＰ０  ）＝（１／ｎ）Ｆ０２・Ｐ０  
従って、本発明によれば、ＫｒＦエキシマレーザー光やＡｒＦエキシマレーザー光等のパルス光を使用した場合でも、露光部（Ｌ１  ）内で使用されるレンズの透過率及び屈折率の変化を抑えることができる。
この場合、その複数個のパルス光源（Ｅ１  ，Ｅ２  ）から発光される各々のパルス光（Ｂ１，Ｂ２）の発光タイミングを制御するパルス発光制御系（１０）をさらに備えることが好ましい。これにより、各々のパルス光（Ｂ１，Ｂ２）の発光のタイミングを制御して、最終的に得られる照明光（ＬＢ１）の各パルス光間の周期を均一化することができる。
【００１４】
また、その露光部を第１の露光部（Ｌ１  ）として、第２のマスクパターンを第２の感光性の基板上に転写する第２の露光部（Ｌ２  ）をさらに配置し、その合成光学系は、その複数個のパルス光源中の第１のパルス光源（Ｅ１  ）からの第１照明光（Ｂ１）と第２のパルス光源（Ｅ２  ）からの第２照明光（Ｂ２）とを受けて、第１及び第２の合成光（ＬＢ１，ＬＢ２）をそれぞれ生成するビームスプリッター（１Ａ）を有し、その第１の合成光（ＬＢ１）をその第１の露光部（Ｌ１  ）へ導き、その第２の合成光（ＬＢ２）をその第２の露光部（Ｌ２  ）へ導くことが好ましい。これにより、ビームスプリッター（１Ａ）で分割される２倍の周波数を有する２つの合成光（ＬＢ１，ＬＢ２）を２つの露光部（Ｌ１  ，Ｌ２  ）に無駄なく供給することができる。
次に、本発明による露光方法は、露光用の照明光のもとでパターン（３）を感光性の基板（６）上に転写する露光方法において、複数個のパルス光源（Ｅ１ ，Ｅ２ ）から互いに異なるタイミングで複数の露光用の照明光をパルス発光させる工程と、その複数の露光用の照明光を合成する工程と、その合成された照明光に基づいて、そのパターンをその感光性の基板上に転写する工程と、を備えるものである。この露光方法によれば、パルス数Ｐはパルス光源の数に比例して増加するが、フルエンスＦはパルス光源の数に反比例して減少するため、レンズの透過率及び屈折率の変化量は減少する。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明による露光装置の実施の形態の一例につき図１及び図５を参照して説明する。本例は、レチクルのパターンを投影光学系を介してウエハ上の各ショット領域に一括露光するステッパー型の投影露光装置に本発明を適用したものである。
【００１６】
図１は、本例の投影露光装置の概略構成を示し、この図１に示すように、本例では露光用の光源としてそれぞれパルス発振型の第１のパルス光源Ｅ１  及び第２のパルス光源Ｅ２  よりなる２個の異なる光源を用いている。パルス光源Ｅ１  ，Ｅ２  は同じ種類の光源であり、パルス光源Ｅ１  ，Ｅ２  からは同じ波長でパルスの発振周期が等しいレーザービームが射出される。パルス光源Ｅ１  ，Ｅ２  としては、本例ではＡｒＦエキシマレーザー光源を使用する。それ以外にパルス光源としては、ＫｒＦエキシマレーザー光源等のエキシマレーザー光源、銅蒸気レーザー光源、又はＹＡＧレーザーの高調波発生装置等が使用できる。パルス光源Ｅ１  ，Ｅ２  は共にパルス発振制御回路１０により発光のタイミングが制御されている。また、パルス発振制御回路１０は装置全体を統括制御する中央制御系１１により制御されており、中央制御系１１の指令に基づき２個のパルス光源Ｅ１  ，Ｅ２  のパルス発光のタイミングが重ならないように発光され、２個のパルス光の強度もほぼ同じになるようにウエハ側での照度測定結果に基づいて制御される。
【００１７】
第１のパルス光源Ｅ１  及び第２のパルス光源Ｅ２  からそれぞれパルス発光されたレーザービームＢ１及びＢ２は、互いに直交する方向からビームスプリッター１Ａに入射する。ビームスプリッター１Ａは、入射するレーザービームのほぼ１／２を透過し、残りの１／２を反射するハーフミラー面によりレーザービームＢ１及びＢ２をそれぞれ２分割する。この結果、ビームスプリッター１Ａからは、それぞれ１／２のレーザービームＢ１及び１／２のレーザービームＢ２から合成された２つのレーザービームＬＢ１，ＬＢ２が互いに直交する方向に射出される。
【００１８】
合成されて射出された一方のレーザービームＬＢ１は、次にビームの断面形状を整形するためのビーム整形光学系、レーザービームの透過率を複数段階で切り換える減光部、レチクル上での照度分布を均一化するフライアイレンズ、視野絞り、リレーレンズ、及びコンデンサーレンズ等を含む照明光学系２を介してレチクル３を照明する。露光用の照明光としてのパルス発光されるレーザービームＬＢ１のもとで、レチクル３上のパターンの投影光学系５を介した像がウエハ６上に投影露光される。以下、投影光学系５の光軸ＡＸに平行にＺ軸を取り、Ｚ軸に垂直な平面上で図１の紙面に平行にＸ軸、図１の紙面に垂直にＹ軸を取り説明する。
【００１９】
レチクル３はレチクルステージ４上に保持され、レチクルステージ４は投影光学系５の光軸ＡＸに垂直な平面内でＸ方向、Ｙ方向、及び回転方向（θ方向）にレチクル３の位置決めを行う。
一方、ウエハ６は不図示のウエハホルダを介してウエハステージ７上に載置されている。ウエハステージ７は投影光学系５の光軸ＡＸに垂直な平面内でＸ方向、Ｙ方向、及び回転方向（θ方向）にウエハ６の位置決めを行うと共にウエハ６の焦点方向（Ｚ方向）の位置決めも行う。その他、本例の投影露光装置には不図示であるがウエハ６の焦点位置を検出する焦点位置検出系、レチクル３とウエハ６との位置合わせを行うための各種のアライメント系等が設置されている。以下、それらの焦点位置検出系、アライメント系等を含み、照明光学系２からウエハステージ７までの露光部をまとめて第１の露光装置本体部Ｌ１  として説明する。
【００２０】
本例には第１の露光装置本体部Ｌ１  と同様の第２の露光装置本体部Ｌ２  が設置されており、ビームスプリッター１Ａで合成された他方のレーザービームＬＢ２が第２の露光装置本体部Ｌ２  に入射し、露光用の照明光として使用される。
次に、本例の投影露光装置の動作について説明する。なお、以下の説明においてビームスプリッター及びミラーは、特に説明する場合を除き、すべて入射するレーザービームの光路に対してほぼ傾斜角度４５°の反射面を有するように配置されているものとする。
【００２１】
本例は、２個のパルス光源Ｅ１  ，Ｅ２  を用いて、パルス発振制御回路１０により、パルス光源Ｅ１  とパルス光源Ｅ２  とのパルス光の発振時期をずらし、ビームスプリッター１Ａによりパルス光源Ｅ１  ，Ｅ２  からそれぞれ射出されるレーザービームＢ１，Ｂ２をそれぞれ２分割した後、分割された１／２ずつのレーザービームＢ１，Ｂ２を合成して２つのレーザービームＬＢ１及びＬＢ２を生成して、それぞれ第１の露光装置本体部Ｌ１  及び第２の露光装置本体部Ｌ２  に供給するものである。即ち、２個のパルス光源からのレーザービームを合成し、単位時間当たりのパルス数Ｐを２倍にすることによりフルエンスＦの値を１／２にして、２台の露光装置本体部Ｌ１  ，Ｌ２  に使用されているレンズ群、特に投影光学系に使用されているレンズ群に対するソラリゼーション及びラジエーション・コンパクションの影響を軽減するものである。以下、図５を参照して詳しく説明する。
【００２２】
図５は、本例のパルス発振のタイミングを説明するためのタイミングチャートを示し、図５（ａ）は第１のパルス光源Ｅ１  だけの場合のパルス発振のタイミングを示し、図５（ｂ）は２個のパルス光源Ｅ１  ，Ｅ２  のパルス発振のタイミングを合成したものである。図５（ｃ）については後述するが、図５（ａ）〜図５（ｃ）の横軸は時間ｔを表し、時間軸から垂直方向に伸びる直線がパルスレーザービームの発振のタイミングを示す。また、各パルス発振がどの光源で生ずるのかを示すため、その垂直方向に伸びる直線の下部に発光するパルス光源の符号（Ｅ１  又はＥ２  等）を表示している。
【００２３】
図５（ｂ）に示すように、第１のパルス光源Ｅ１  からは一定の周期Ｔでパルス光が発振されている。同時に、第２のパルス光源Ｅ２  からも一定の周期Ｔでパルス光が発振されている。この場合、パルス光源Ｅ１  のパルス発振のタイミングと、パルス光源Ｅ２  のパルス発振のタイミングとはＴ／２だけずれている。そのため、２個のパルス光源Ｅ１  ，Ｅ２  からのパルス光を合成した合成パルス光の発振周期はＴ／２となる。即ち、パルス光源Ｅ１  及びパルス光源Ｅ２  のパルス光の発振周波数が例えば共に、１ｋＨｚの場合、合成パルス光、即ち露光装置本体部Ｌ１  及びＬ２  にそれぞれ供給されるレーザービームＬＢ１及びＬＢ２のパルス周波数は共に２ｋＨｚとなる。
【００２４】
なお、本例ではタイミングの説明を簡明にするため、第１のパルス光源Ｅ１  からのパルス光の丁度中間に第２のパルス光源Ｅ２  からのパルス光を配置して２ｋＨｚとしたが、第２のパルス光の時間的な広がりが、第１のパルス光の時間的な広がりと重ならないように充分間隔をとるならば、丁度中間でなくとも、第２のパルス光は第１のパルス光の間のどこに置いてもよい。なお、以下の全ての実施の形態においても、同様に必ずしもパルス光の間隔を等間隔とする必要はない。
【００２５】
本例によれば、以上のように１個のパルス光源のパルス光の発振周波数が１ｋＨｚであっても、２台の露光装置本体部Ｌ１  ，Ｌ２  にはパルス光の周波数が２ｋＨｚのパルスレーザービームを供給することが可能である。露光装置本体部Ｌ１  ，Ｌ２  に単位時間当たりでそれぞれ１個のパルス光源を使用する場合と同じ照射エネルギー量を供給するものとすると、単位時間当たりに露光装置本体部Ｌ１  ，Ｌ２  に供給されるレーザービームのパルス数は２倍になるので、１つのパルスレーザービームにおける照射エネルギー量は１／２でよいことになる。本例では、ビームスプリッター１によりパルス光源Ｅ１  及びＥ２  からのレーザービームＢ１及びＢ２はそれぞれ１／２に分割されており、露光装置本体部Ｌ１  及びＬ２  にはパルス光源Ｅ１  の照射エネルギー量の１／２及びパルス光源Ｅ２  からの照射エネルギー量の１／２のエネルギー量がそれぞれ供給される。従って、パルス光源Ｅ１  及びＥ２  の出力は、１個のパルス光源から１台の露光装置本体部にレーザービームを照射する場合と同じ出力でよい。
【００２６】
前述のように、ソラリゼーション及びラジエーション・コンパクションは共にフルエンスＦの２乗と単位時間当たりのパルス数Ｐとの積に比例する。本例によれば、単位時間当たりのパルス数Ｐは２倍となるが、１パルス光当たりの照射エネルギー密度が１／２、即ちフルエンスＦが１／２となるため、フルエンスの初期値をＦ０  、パルス数の初期値をＰ０  とすると、次式のように、ソラリゼーション及びラジエーション・コンパクションによるレンズの透過率及び屈折率の変化は共に１／２となる。
【００２７】
Ｆ２  ・Ｐ＝（Ｆ０  ／２）２・（２Ｐ０  ）＝Ｆ０２・Ｐ０  ／２
しかも本例では、第１の露光装置本体部Ｌ１  に供給されたレーザービームＬＢ１と同様のもう１つのレーザービームＬＢ２を別の第２の露光装置本体部Ｌ２  に供給するため、１台の露光装置本体部当たりのパルス光源の設備費は、従来のように１台の露光装置本体部につき１個のパルス光源を使用する場合と同額で済む利点がある。
【００２８】
同様な考え方で、ｎ個（ｎは２以上の整数）の同一周波数のパルス光源を用意して、それらのパルス光源からのレーザービームのパルス発振のタイミングをそれぞれずらした合成レーザービームを用いれば、１パルス光当たりの照射エネルギー密度、即ちフルエンスＦが１／ｎになり、単位時間当たりのパルス数Ｐはｎ倍になる。この場合、各パルス光源のパルス発振の周期をＴとすれば、各パルス光源のパルス発振のタイミングのずれがほぼＴ／ｎになるように、各パルス光源のパルス発振のタイミングが調整される。このようにｎ個のパルス光源を組み合わせることにより、ソラリゼーション及びラジエーション・コンパクションによるレンズの透過率及び屈折率の変化は共に、フルエンスＦの初期値をＦ０  、パルス数Ｐの初期値をＰ０  とすると、次式のように１／ｎに軽減することができる。
【００２９】
Ｆ２  ・Ｐ＝（Ｆ０  ／ｎ）２・（ｎＰ０  ）＝Ｆ０２・Ｐ０  ／ｎ      （１）
即ち、投影露光装置で使用されるレンズの寿命はｎ倍になると考えることもできる。以下、ｎの値を限定して具体的に説明する。
先ず、パルス光源の数ｎが４の場合の例を図２を参照して説明する。これは、図１の機構を２つ組み合わせることにより、即ち図１の露光装置本体部Ｌ１  及びＬ２  の位置に新たなビームスプリッターを配置することにより達成される。即ち、ビームスプリッターは４個配置される。
【００３０】
図２は、本例の投影露光装置システムの概略構成を示し、この図２において、４個のビームスプリッター１Ａ〜１Ｄが点対称に放射状に設置されている。これらのビームスプリッター１Ａ〜１Ｄはすべて、入射するレーザービームのほぼ１／２を透過し、残りのレーザービームを反射する、所謂５０％透過、５０％反射型のビームスプリッターである。第１及び第２のパルス光源Ｅ１  ，Ｅ２  から射出されたレーザービームＢ１，Ｂ２は、互いに直交する方向からビームスプリッター１Ａに入射してそれぞれ１／２に分割され、１／２ずつのレーザービームＢ１，Ｂ２より合成された２つのレーザービームＬＢ１及びＬＢ２がそれぞれビームスプリッター１Ｃ及び１Ｄに入射する。一方、第３及び第４のパルス光源Ｅ３，Ｅ４  から射出されたレーザービームＢ３，Ｂ４は、互いに直交する方向からビームスプリッター１Ｂに入射してそれぞれ１／２に分割され、１／２ずつのレーザービームＢ３，Ｂ４より合成された２つのレーザービームＬＢ３及びＬＢ４がそれぞれビームスプリッター１Ｄ及び１Ｃに入射する。
【００３１】
ビームスプリッター１Ｃには、レーザービームＬＢ１及びＬＢ４が互いに直交する方向から入射し、ビームスプリッター１Ｄには、レーザービームＬＢ２及びＬＢ３が互いに直交する方向から入射する。ビームスプリッター１Ｃに入射したレーザービームＬＢ１，ＬＢ４は再び２分割され、１／２ずつのレーザービームＬＢ１，ＬＢ４より合成されたレーザービームＬＢ５及びＬＢ６がそれぞれ第１及び第２の露光装置本体部Ｌ１  及びＬ２  に供給される。レーザービームＬＢ１はレーザービームＢ１及びＢ２を１／２ずつ含み、レーザービームＬＢ４はレーザービームＢ３及びＢ４を１／２ずつ含んでいる。従って、露光装置本体部Ｌ１  及びＬ２  には４個のパルス光源Ｅ１  〜Ｅ４  から射出されるレーザービームＢ１〜Ｂ４を各１／４ずつ含んだレーザービームＬＢ５及びＬＢ６がそれぞれ供給される。
【００３２】
同様に、ビームスプリッター１Ｄに入射したレーザービームＬＢ２，ＬＢ３は再び２分割され、１／２ずつのレーザービームＬＢ２，ＬＢ３より合成されたレーザービームＬＢ７及びＬＢ８がそれぞれ第３及び第４の露光装置本体部Ｌ３  及びＬ４  に供給される。レーザービームＬＢ２はレーザービームＢ１及びＢ２を１／２ずつ含み、レーザービームＬＢ３はレーザービームＢ３及びＢ４を１／２ずつ含んでいる。従って、露光装置本体部Ｌ３  及びＬ４  には４個のパルス光源Ｅ１  〜Ｅ４  から射出されるレーザービームＢ１〜Ｂ４を各１／４ずつ含んだレーザービームＬＢ７及びＬＢ８がそれぞれ供給される。即ち、４台の露光装置本体部Ｌ１  〜Ｌ４  には、４個のパルス光源Ｅ１  〜Ｅ４  からのレーザービームをそれぞれ１／４ずつ含んだ合成パルスレーザービームが供給される。
【００３３】
４個のパルス光源Ｅ１  〜Ｅ４  からのパルス光は、図５（ｃ）に示すように、パルス発振の周期をＴとすれば、パルス発振制御回路１０により発振のタイミングがＴ／４ずつずれるように制御されるので、１個のパルス光源からのパルス光の４倍の周波数のパルスレーザービームがそれぞれ４台の露光装置本体部Ｌ１  〜Ｌ４  に供給される。従って、（１）式よりフルエンスＦの２乗とパルス数Ｐとの積Ｆ２  ・Ｐは初期値の１／４となって、ソラリゼーション及びラジエーション・コンパクションの影響は１個のパルス光源を使用する場合と比べて１／４となる。
【００３４】
次に、パルス光源の数ｎが８の場合の例について図３を参照して説明する。
図３は、本例の投影露光装置システムの概略構成の斜視図を示し、この図３に示すように、本例の場合は、図２の４台の露光装置本体部Ｌ１  〜Ｌ４  の代わりに全反射型のミラー８Ａ〜８Ｄを置き換えたものを下層に配置し、図２の露光装置本体部Ｌ１  〜Ｌ４  の代わりに５０％透過、５０％反射型のビームスプリッター１Ｋ〜１Ｎを置き換えたものを上層に立体的に配置したような構成となっている。下層でのパルス光源Ｅ１  〜Ｅ４  からのレーザービームの光路及びビームスプリッター１Ａ〜１Ｄにおけるレーザービームの分割及び合成の過程は図２の例と同様につきその説明を省略し、下層に新たに配置されたミラー８Ａ〜８Ｄ以降のレーザービームの流れについて説明する。
【００３５】
図３に示すように、上層には、新たに第５のパルス光源Ｅ５  〜第８のパルス光源Ｅ８  が設置されている。第５及び第６のパルス光源Ｅ５  ，Ｅ６  から射出されたレーザービームＢ５，Ｂ６は、互いに直交する方向からビームスプリッター１Ｅに入射する。レーザービームＢ５及びＢ６は、ビームスプリッター１Ｅによりそれぞれ２分割され、１／２のレーザービームＢ５，Ｂ６から合成された２つのレーザービームＬＢ９及びＬＢ１０はそれぞれビームスプリッター１Ｇ及び１Ｊに入射する。同様に、第７及び第８のパルス光源Ｅ７  ，Ｅ８  から射出されたレーザービームＢ７，Ｂ８は、互いに直交する方向からビームスプリッター１Ｆに入射する。レーザービームＢ７，Ｂ８は、ビームスプリッター１Ｆによりそれぞれ２分割され、１／２のレーザービームＢ７，Ｂ８から合成された２つのレーザービームＬＢ１１及びＬＢ１２はそれぞれビームスプリッター１Ｊ及び１Ｇに入射する。
【００３６】
ビームスプリッター１Ｇには、レーザービームＬＢ９及びＬＢ１２が互いに直交する方向から入射し、ビームスプリッター１Ｊには、レーザービームＬＢ１０及びＬＢ１１が互いに直交する方向から入射する。ビームスプリッター１Ｇに入射したレーザービームＬＢ９，ＬＢ１２は再び２分割され、１／２ずつのレーザービームＬＢ９，ＬＢ１２から合成されたレーザービームＬＢ１３及びＬＢ１４はそれぞれビームスプリッター１Ｍ及び１Ｎに入射する。一方、ビームスプリッター１Ｊに互いに直交する方向から入射したレーザービームＬＢ１０，ＬＢ１１は再び２分割され、１／２ずつのレーザービームＬＢ１０，ＬＢ１１から合成されたレーザービームＬＢ１５及びＬＢ１６はそれぞれビームスプリッター１Ｋ及び１Ｌに入射する。
【００３７】
下層に移り、ビームスプリッター１Ｃにより合成されたレーザービームＬＢ５はミラー８Ｃで真上に反射され、ビームスプリッター１Ｍに入射する。ビームスプリッター１Ｍには上層に配置されたビームスプリッター１Ｇにより合成されたレーザービームＬＢ１３がＸＹ平面に平行に入射しており、ビームスプリッター１Ｍに互いに直交する方向から入射したレーザービームＬＢ５及びＬＢ１３は再び２分割され、それぞれ１／２のレーザービームＬＢ５，ＬＢ１３から合成されたレーザービームＬＢ１７及びＬＢ１８はそれぞれ露光装置本体部Ｌ１  及びＬ２  に供給されている。
【００３８】
他のミラー８Ａ，８Ｂ，８Ｄについてもミラー８Ｃの場合と同様である。ミラー８Ａ，８Ｂ，８ＤにはそれぞれレーザービームＬＢ７，ＬＢ８，ＬＢ６が入射し、それぞれ真上に反射されて、ビームスプリッター１Ｋ，１Ｌ，１Ｎに入射する。ビームスプリッター１Ｋには、レーザービームＬＢ７及びＬＢ１５が入射し、ビームスプリッター１Ｌには、レーザービームＬＢ８及びＬＢ１６が入射する。また、ビームスプリッター１Ｎには、レーザービームＬＢ６及びＬＢ１４が入射する。ビームスプリッター１Ｋ，１Ｌ，１Ｎに入射したそれぞれのレーザービームは、同様にそれぞれ２分割された後、１／２ずつの入射レーザービームから合成された１対ずつの新たなレーザービームＬＢ２３，ＬＢ２４，ＬＢ１９，ＬＢ２０，ＬＢ２１，ＬＢ２２がそれぞれ対応する露光装置本体部Ｌ７  ，Ｌ８  ，Ｌ３  ，Ｌ４  ，Ｌ５  ，Ｌ６  に供給される。
【００３９】
図３に示すように、ビームスプリッター１Ｍに入射するレーザービームＬＢ５は図２の例で説明したように、第１のパルス光源Ｅ１  〜第４のパルス光源Ｅ４  から射出されるレーザービームＢ１〜Ｂ４をそれぞれ１／４ずつ含み、同様にビームスプリッター１Ｍに入射するレーザービームＬＢ１３は第５のパルス光源Ｅ５  〜第８のパルス光源Ｅ８  から射出されるレーザービームＢ５〜Ｂ８をそれぞれ１／４ずつ含んでいる。従って、露光装置本体部Ｌ１  及びＬ２  には、それぞれ第１のパルス光源Ｅ１  〜第８のパルス光源Ｅ８  から射出されるレーザービームＢ１〜Ｂ８をそれぞれ１／８ずつ含んだレーザービームＬＢ１７及び１８が供給される。他の６台の露光装置本体部Ｌ３  〜Ｌ８  についても同様である。
【００４０】
８個のパルス光源Ｅ１  〜Ｅ８  からのパルス光は、パルス発振の周期をＴとすれば、パルス発振制御回路により発振のタイミングがＴ／８ずつずれるように制御される。これによって、１個のパルス光源からのパルス光の８倍の周波数のパルスレーザービームをそれぞれ８台の露光装置本体部Ｌ１  〜Ｌ８  に供給することができる。従って、（１）式よりフルエンスＦの２乗とパルス数Ｐとの積Ｆ２  ・Ｐは初期値の１／８となって、ソラリゼーション及びラジエーション・コンパクションの影響は１／８となる。
【００４１】
更に、１６個のパルス光源を用いて、１６台の露光装置本体部に１個のパルス光源から射出されるパルス光の１６倍の周波数のパルスレーザービームを供給する例について図４を参照して簡単に説明する。
図４は、本例の概略構成を表す平面図を示し、１６個のパルス光源を用いる場合は、例えば図３に示すような光学系（上層部分の光学系）を、鉛直方向（Ｚ方向）に４層重ねたような構成となる。図４では、それぞれの層の光学系を光学系Ｓ１  〜光学系Ｓ４  で示す。本例のレーザービームの光路は少し複雑になるが、全反射型の６個のミラー８Ｅ〜８Ｊ、及び５０％透過、５０％反射型の４個のビームスプリッター１Ｐ〜１Ｓを配置することによって、先ず４台の露光装置本体部Ｌ１  〜Ｌ４  に１６倍の周波数のレーザービームを供給することができる。図４では１層の構成のみ示しているが、同様の構成が４ヶ所あるので、合計１６台の露光装置本体部に１６個のパルス光源からのレーザービームを均等に含む合成レーザービームを供給することができる。以下、レーザービームの光路について説明する。
【００４２】
図４において、レーザービームＬＢ４１〜４４を供給する光学系Ｓ１  〜Ｓ４  にはそれぞれ４個ずつのパルス光源が設置されており、レーザービームＬＢ４１〜ＬＢ４４は、それぞれ４つの光源からのレーザービームをそれぞれ１／４ずつ含有するレーザービームである。光学系Ｓ１  からのレーザービームＬＢ４１はビームスプリッター１Ｐにより２分割される。ビームスプリッター１Ｐには光学系Ｓ２  から射出され、ミラー８Ｆで反射されたレーザービームＬＢ４２が、レーザービームＬＢ４１と直交する方向から入射しており、同様にビームスプリッター１Ｐにより２分割される。それぞれ２分割されたレーザービームＬＢ４１，４２から合成された２つのレーザービームＬＢ２５及びＬＢ２６はビームスプリッター１Ｐから互いに直交する方向に射出される。一方のレーザービームＬＢ２５は、次にビームスプリッター１Ｒに入射する。もう一方のレーザービームＬＢ２６は、ミラー８Ｅで反射された後、ビームスプリッター１Ｓに入射する。
【００４３】
同様に、光学系Ｓ３  からのレーザービームＬＢ４３は、ミラー８Ｇで反射され、ビームスプリッター１Ｑに入射し、２分割される。ビームスプリッター１Ｑには光学系Ｓ４  から射出されたレーザービームＬＢ４４が、レーザービームＬＢ４３と直交する方向から入射しており、同様にビームスプリッター１Ｑにより２分割される。それぞれ２分割されたレーザービームＬＢ４３，４４から合成された２つのレーザービームＬＢ２７及びＬＢ２８はビームスプリッター１Ｑから互いに直交する方向に射出される。一方のレーザービームＬＢ２７は、次にミラー８Ｉで反射され、ビームスプリッター１Ｒに入射する。もう一方のレーザービームＬＢ２８は、ミラー８Ｈ及びミラー８Ｊで反射された後、ビームスプリッター１Ｓに入射する。
【００４４】
ビームスプリッター１Ｒに互いに直交する方向から入射したレーザービームＬＢ２５，ＬＢ２７は、それぞれ２分割された後、ビームスプリッター１Ｒを出たところでレーザービームＬＢ２５，ＬＢ２７をそれぞれ１／２ずつ含有する２つのレーザービームＬＢ２９及びＬＢ３２として合成され、互いに直交する方向に向かって射出されて、それぞれ第４及び第２の露光装置本体部Ｌ４  ，Ｌ２  に供給される。一方、ビームスプリッター１Ｓに互いに直交する方向から入射したレーザービームＬＢ２６，ＬＢ２８は、それぞれ２分割された後、ビームスプリッター１Ｓを出たところでレーザービームＬＢ２６，ＬＢ２８をそれぞれ１／２ずつ含有する２つのレーザービームＬＢ３０及びＬＢ３１として合成され、互いに直交する方向に向かって射出されてそれぞれ第１及び第３の露光装置本体部Ｌ１  ，Ｌ３  に供給される。４台の露光装置本体部Ｌ１  〜Ｌ４  には、光学系Ｓ１  〜Ｓ４  からのレーザービームＬＢ４１〜ＬＢ４４をそれぞれ１／４ずつ含むレーザービームが供給される。レーザービームＬＢ４１〜ＬＢ４４は、それぞれ４個ずつのパルス光源から射出されるレーザービームをそれぞれ１／４ずつ含有しており、４台の露光装置本体部Ｌ１  〜Ｌ４  には１６個のパルス光源から射出されるレーザービームをそれぞれ１／１６ずつ含んだレーザービームが供給される。これら１６個のパルス光源のパルスの発振時期は、パルス光の発振周期をＴとした場合、Ｔ／１６ずつずれるように設定されるため、各露光装置本体部Ｌ１  〜Ｌ４  には各パルス光源のパルス光の１６倍の周波数のレーザービームが供給されることになる。不図示の残りの１２台の露光装置本体部についても同様である。
【００４５】
この図４の例によれば、（１）式よりソラリゼーション及びラジエーション・コンパクションの影響は１／１６となる。
なお、図４において、ＸＺ座標系の代わりにＸＹ座標系を取り、４つの光学系Ｓ１  〜Ｓ４  の代わりに４個のパルス光源Ｅ１  〜Ｅ４  を配置したものを、本例の光学系Ｓ１  とみなしてもよく、このような配置で光学系を構成した場合にはパルス光源をまとめて配置することができ、装置全体のコンパクト化を計ることができる。
【００４６】
次に、本発明による露光装置の実施の形態の他の例について図６を参照して説明する。本例は、２個のパルス光源からのレーザービームを合成して、１台の露光装置本体部に供給する例を示し、パルス光源及び露光装置本体部等の構成は、図１の例と同様であり、図６において図１と対応する部分には同一符号を付してその詳細説明を省略する。
【００４７】
図６は、本例の概略構成を示し、第１及び第２のパルス光源Ｅ１  ，Ｅ２  から射出されたそれぞれのレーザービームＢ１，Ｂ２は、レーザービームＢ１，Ｂ２の光路に対してほぼ４５°傾斜して配置され、ｓ偏光の光を反射してｐ偏光の光を透過する偏向ビームスプリッター２１に互いに直交する方向から入射する。レーザービームＢ１，Ｂ２は共にｐ偏光に設定されており、共に偏向ビームスプリッター２１を透過する。レーザービームＢ２は、偏向ビームスプリッター２１を透過した後、１／４波長板２２で円偏光に変換されてミラー２３に垂直に入射する。そして、ミラー２３で垂直に反射されて逆の円偏光となり、同じ光路を戻って再び１／４波長板２２を通過してｓ偏光に変換されたレーザービームＢ２は偏向ビームスプリッター２１に再び入射し、そこで反射されて、偏向ビームスプリッター２１を透過したレーザービームＢ１と合成され、レーザービームＢ３として露光装置本体部Ｌ１  に供給される。
【００４８】
この場合、２個のパルス光源Ｅ１  ，Ｅ２  のパルス光は、図１の例と同様に、不図示のパルス発振制御回路により制御されており、露光装置本体部Ｌ１  には、パルス光源Ｅ１  ，Ｅ２  の発振パルス光の２倍の周波数のパルスレーザービームＢ３が供給される。従って、露光装置本体部Ｌ１  に供給されるレーザービームＢ３の１パルス光当たりの照射エネルギー量を１／２にすることができ、図１の例と同様に露光装置本体部Ｌ１  のレンズに対するソラリゼーション及びラジエーション・コンパクションの影響も１／２にすることができる。従って、レンズの寿命がその分延びることになる。また、本例の場合は、２個のパルス光源Ｅ１  ，Ｅ２  から射出されるレーザーエネルギーがすべて１台の露光装置本体部Ｌ１  だけに供給されるので、１個のパルス光源を使用する場合と同じスループットでよければ、２個のパルス光源Ｅ１  ，Ｅ２  の出力を１／２にすることができる。
【００４９】
なお、パルス光源の数は２個に限定されるものではなく、３個以上のパルス光源を同様に組み合わせて１台の露光装置本体に供給するようにしてもよい。例えば、図６において、偏光ビームスプリッター２１から露光装置本体部Ｌ１  迄のレーザービームＢ３の光路中に別の偏光ビームスプリッターを設け、レーザービームＢ３の光路に垂直方向に図６のパルス光源Ｅ２  、１／４波長板２２、及びミラー２３と同様な構成を有する光学系を配置すれば、３個のパルス光源から１台の露光装置本体に３倍の周波数のパルスのレーザービームを供給することができる。パルス光源が４個以上の場合も同様に構成することができる。
【００５０】
次に、本発明による露光装置の実施の形態の更に別の例について、図７を参照して説明する。本例は、照明光学系の瞳面内における照明光束の光量分布を、照明光学系の光軸から所定量だけ偏心した複数の位置で極大としてレチクルパターンに対して照明光束を所定角度だけ傾斜させて照射する変形光源法を使用する場合に本発明を適用したものである。この変形光源法は、例えば周期性パターンに対して焦点深度を高めるために有効な方法である。光源及び照明光学系を除く他の構成は図１の例と同様であり、図７において図１と対応する部分には同一符号を付し、その詳細説明を省略する。
【００５１】
図７（ａ）は、本例の露光装置の概略構成を示し、図７（ｂ）は、図７（ａ）の照明光学系２Ａの瞳面Ｐにおける照明光の分布状態を示す。なお、図７（ａ）及び図７（ｂ）において、光源Ｅ２  ，Ｅ４  及び照明光Ｂ２，Ｂ４は共にＹ方向に重なった状態で示されている。図７（ａ）に示すように、パルス光源Ｅ１  〜Ｅ４  から射出されたレーザービームＢ１〜Ｂ４は照明光学系２Ａによりレチクル３上に傾斜して照射される。そして、レーザービームＢ１〜Ｂ４による傾斜照明のもとでレチクルパターンの像が投影光学系５を介してウエハ６上に転写される。
【００５２】
図７（ｂ）に示すように、レーザービームＢ１〜Ｂ４は照明光学系２Ａの瞳面Ｐ上の周辺部で照明光学系２Ａの光軸ＡＸから等距離の位置に等角度間隔で偏心した４個の光源像を形成し、所謂変形光源が形成されている。この場合、レーザービームＢ１〜Ｂ４のパルス発振のタイミングはパルス発振制御回路１０により互いに異なるように制御され、照明光学系２Ａが実質的に合成光学系として作用する。従って、パルス数は各パルス光源Ｅ１  〜Ｅ４  の周波数の４倍となり、同じスループットでよければ各レーザービームＢ１〜Ｂ４のレーザーエネルギー量は１／４にできる。即ち、ソラリゼーション及びラジエーション・コンパクションの影響は１／４に減少すると共に、変形照明により焦点深度を高めることができる。なお、図７（ａ）において、光源Ｅ１  〜Ｅ４  からのレーザービームＢ１〜Ｂ４の代わりに、それぞれ図２の例と同様に合成されたパルス光を用いてもよい。
【００５３】
なお、本発明はステッパー型の投影露光装置に限らず、レチクル上のパターンの一部をウエハ上に投射した状態でレチクルとウエハとを同期して走査することによりレチクルのパターンをウエハ上の各ショット領域に逐次転写露光するステップ・アンド・スキャン方式等の走査露光型の露光装置にも同様に適用できる。このように、本発明は上述の実施の形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得る。
【００５４】
【発明の効果】
本発明によれば、複数個のパルス光源からの合成光が露光部に供給される。その合成光の周波数は、それら複数個のパルス光源の数に比例して増加するため、１個のパルス光源を使用する場合と同じスループットを達成する場合には露光部に供給される合成光の１パルス光当たりの照射エネルギーの密度はそれら複数個のパルス光源の数に反比例して減少する。露光部で使用されるレンズに対するソラリゼーション及びラジエーション・コンパクションの影響は１パルス光当たりの照射エネルギーの密度に比例するため、照明光としてＫｒＦエキシマレーザー光やＡｒＦエキシマレーザー光等のパルス光を使用した場合でも、露光部内で使用されるレンズの透過率及び屈折率の変化を抑えることができ、レンズの寿命を長くできる利点がある。
【００５５】
また、複数個のパルス光源から発光される各々のパルス光の発光タイミングを制御するパルス発光制御系をさらに備える場合には、各々のパルス光の発光のタイミングを制御することができる。従って、露光部に供給される照明光の照射エネルギー量を時間に対して均一化できる利点がある。
また、その露光部を第１の露光部として、第２のマスクパターンを第２の感光性の基板上に転写する第２の露光部をさらに配置し、合成光学系が、複数個のパルス光源中の第１のパルス光源からの第１照明光と第２のパルス光源からの第２照明光とを受けて、第１及び第２の合成光をそれぞれ生成するビームスプリッターを有し、第１の合成光を第１の露光部へ導き、第２の合成光を第２の露光部へ導く場合には、第２の露光部にも第１の露光部に供給される第１の合成光と同様に周波数が増加した第２の合成光が供給される。また、第１のパルス光源からの第１照明光及び第２のパルス光源からの第２照明光を２つの露光部に無駄なく供給することができ、１つの露光部当たりのパルス光源の設備費を、１つの露光部（露光装置）に１個のパルス光源を用いる従来の方法と同額にできる利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による露光装置の実施の形態の一例を示す概略構成図である。
【図２】図１の変形例で、４個のパルス光源からの合成光を４台の露光装置本体部に供給する例の説明に供する構成図である。
【図３】図１の変形例で、８個のパルス光源からの合成光を８台の露光装置本体部に供給する例の説明に供する斜視図である。
【図４】図１の変形例で、１６個のパルス光源からの合成光を１６台の露光装置本体部に供給する例の要部の説明に供する構成図である。
【図５】本発明の実施の形態における各光源のパルス発振のタイミングを示すタイミングチャートである。
【図６】本発明による露光装置の実施の形態の他の例を示す概略構成図である。
【図７】本発明による露光装置の実施の形態の更に別の例を示す概略構成図である。
【符号の説明】
Ｅ１  〜Ｅ８    パルス光源
１Ａ〜１Ｇ，１Ｊ〜１Ｓ  ビームスプリッター
Ｂ１〜Ｂ８，ＬＢ１〜ＬＢ３２  レーザービーム
２  照明光学系
３  レチクル
５  投影光学系
６  ウエハ
７  ウエハステージ
８Ａ〜８Ｊ  ミラー
Ｌ１  〜Ｌ４    露光装置本体部
Ｓ１  〜Ｓ４    光学系
ＬＢ４１〜ＬＢ４４  レーザービーム
【図１】
0003590822.tif 000002
【図２】
0003590822.tif 000003
【図３】
0003590822.tif 000004
【図４】
0003590822.tif 000005
【図５】
0003590822.tif 000006
【図６】
0003590822.tif 000007
【図７】
0003590822.tif 000008