(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上にコイルパターンとして形成される所定巻数の導体部からなり、所定の磁場を発生する磁気共鳴映像装置の勾配コイルにおいて、
前記コイルパターンを形成する導体部が疎に分布している領域では、密に分布している領域よりも導体部の線幅を太くし、かつ、前記疎に分布している領域及び密に分布している領域共に導体間の溝幅を同一幅としたことを特徴とする磁気共鳴映像装置の勾配コイル。
【請求項２】
前記コイルパターンを、コイルターンを多層に分離して直列接続することにより形成することを特徴とする請求項１記載の磁気共鳴映像装置の勾配コイル。
【請求項３】
基材上にコイルパターンとして形成される所定巻数の導体部からなり、所定の磁場を発生する磁気共鳴映像装置の勾配コイルにおいて、
前記コイルパターンを、コイルターンを単位として多層に分離して直列接続するとことにより形成することを特徴とする磁気共鳴映像装置の勾配コイル。
【請求項４】
前記多層は、２層であり、コイルの偶数ターン、奇数ターンを各層に分離して直列接続することを特徴とする請求項３記載の磁気共鳴映像装置の勾配コイル。
【請求項５】
前記勾配コイルの任意の縦断面における前記導体部の各々の幅は、前記勾配コイルの任意の縦断面における連続電流密度分布関数の累積電流密度の積分値が等しくなるように離散化した各区間の幅と前記導体部の各々の幅とを対応づけたことを特徴とする請求項１又は３記載の磁気共鳴映像装置の勾配コイル。
【請求項６】
前記導体部の幅が所要幅以上となる部分に切り溝を有することを特徴とする請求項１又は３記載の磁気共鳴映像装置の勾配コイル。
【請求項７】
基材上にコイルパターンとして形成される所定巻数の導体部からなり、所定の磁場を発生する磁気共鳴映像装置のシムコイルにおいて、
前記コイルパターンを形成する導体部が疎に分布している領域では、密に分布している領域よりも導体部の線幅を太くし、かつ、前記疎に分布している領域及び密に分布している領域共に導体間の溝幅を同一幅としたことを特徴とする磁気共鳴映像装置のシムコイル。
【請求項８】
基材上にコイルパターンとして形成される所定巻数の導体部からなり、所定の磁場を発生する磁気共鳴映像装置のシムコイルにおいて、
前記コイルパターンを、コイルターンを単位として多層に分離して直列接続するとことにより形成することを特徴とする磁気共鳴映像装置のシムコイル。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
この発明は、磁気共鳴映像装置（以下「ＭＲＩ」という）の磁場発生コイル、特に、アクティブシールド勾配コイル（以下「ＡＳＧＣ」という）に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、医療用画像診断装置の進歩にともなって、ＭＲＩの開発が盛んに進められている。
【０００３】
このＭＲＩを用いた磁気共鳴映像法は、固有の磁気モーメントを持つ核の集団が一様な静磁場中におかれたときに、特定の周波数（ラーモア周波数）で回転する高周波磁場エネルギーを共鳴的に吸収する現像を利用して、物質の化学的及び物理的な微視的情報を映像化する手法である。この磁気共鳴映像法では、画像化用パルスシーケンスにおいて、多種多様な勾配磁場のスイッチングを行う必要がある。上記パルスシーケンスとしては、スピンエコー法やフィールドエコー法等の従来法や、エコープラナー法を始めとする超高速イメージング法、さらに血流の分布や速度等が求める血管・血流イメージング法等があげられる。
【０００４】
これらの方法は、それぞれ固有のパルスシーケンス、即ち、固有の勾配磁場スイッチング方式を有し、スイッチングにともなって超伝導マグネットの熱シールド群や高周波シールド上には渦電流が発生し、シムコイル上にはカップリング電流が誘起される。これらの過渡的電流は、勾配磁場の時間的及び空間的性質を変調し、画像ボケ等の重大な画像劣化の原因となる。一般に、過渡的磁場成分による画像ボケは位置ごとに異なるため、画像復元の手段として通常用いられているｋスペース（空間周波数領域）における逆フィルター法等の方法では復元は不可能である。
従来、これらの問題に対処する方法として、以下に示す方法が知られている。
【０００５】
即ち、超伝導マグネットの熱シールド群や高周波シールドに発生する渦電流に対しては、渦電流時間応答の逆応答に相当する成分で勾配コイル電流を変調し、渦電流の時間応答を補償する方法が提案されている。しかし、この方法により渦電流の時間応答補償が完全に実現された場合でも、渦電流磁場が勾配磁場とは異なる空間非線形性や磁場中心を有するために、画像ボケ等の画像劣化（特に磁場中心から離れた位置において）は敢然には解消されない。つまり、残留渦で磁場は渦補償を実施したポイントで完全にゼロになるだけで、その他の領域では有意に残ってしまう。
【０００６】
上記渦及びカップリング時間応答補償の問題点を解決するために、さらに進んだ方法として、ＡＳＧＣの採用がある。図１８は、レーマーによって提案された軸に垂直方向の勾配コイルに対して構成されるＡＳＧＣの導線配置図である。これらの導線の位置は、ＡＳＧＣの径の位置にシールド円筒導体が存在するとした場合の完全遮蔽渦電流の連続的分布を反映したものとなっている。
【０００７】
一般に、渦電流分布は変形ベッセル関数等の特殊関数系によって表され、この分布を忠実に離散的な導線で置き換えるためには従来の勾配コイルの導線巻線技術では困難であり、数値制御（ＮＣ）等の高度な製造技術が要求される。漏洩磁場シールド率を高めるためには、より精密な巻線技術が要求されるため、製造コストや工程が膨大となる。
【０００８】
そこで、製造コストや工程を大幅に低減する方法として、エーデルシュタインらによりＡＳＧＣ等の導線配置パターンをエッチングにより構成する方法が提案されている。しかしながら、上記エッチングパターンの構成方法に関しては実施例が全く示されておらず、具体化されていなかった。
【０００９】
例えば、エッチング工法では、金属（例えば銅）板の厚みに対してエッチング可能な厚みの上限があり、通常の線材と比べてコイルの抵抗が増加してしまい発熱量が増えるという問題がある。ところが、この問題を解決する手段は何ら示されていなかった。
【００１０】
また、エッチング工法においては、導体部分の１ターン当たりの幅（以下「導体幅」という）をできるだけ広くすることも可能であるが、広くした部分には勾配磁場スイッチングにより渦電流（自己渦電流）が発生し、ＭＲイメージングに悪影響を及ぼすという問題がある。しかしながら、上記提案には、この自己渦電流の問題についても何ら示されておらず、具体化されていなかった。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
このように、従来のＡＳＧＣにおいては、巻線技術に数値制御（ＮＣ）等の高度な製造技術が要求されるため、製造コストや製造工程が膨大になるという問題があった。また、この問題の解決方法として期待されるエッチング工法においても、エッチング厚みの限界に伴う抵抗や発熱の増大といった問題等が解決されていなかった。
さらに、エッチング工法における導体幅の広がりによる自己渦電流の問題についても解決されていなかった。
【００１２】
本発明は、このような従来の課題を解決するためになされたもので、その目的とするところは、発熱や自己渦等の問題がクリアーされ、しかも製造コストや製造工程が大幅に低減されたＡＳＧＣを有する磁気共鳴映像装置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明は、基材上にコイルパターンとして形成される所定巻数の導体部からなり、所定の磁場を発生する磁気共鳴映像装置の勾配コイル又はシムコイルにおいて、前記コイルパターンを形成する導体部が疎に分布している領域では、密に分布している領域よりも導体部の線幅を太くし、かつ、前記疎に分布している領域及び密に分布している領域共に導体間の溝幅を同一幅としたことを特徴とするものである。また、基材上にコイルパターンとして形成される所定巻数の導体部からなり、所定の磁場を発生する磁気共鳴映像装置の勾配コイル又はシムコイルにおいて、前記コイルパターンを、コイルターンを単位として多層に分離して直列接続するとことにより形成することを特徴とするものである。そして、本発明において当該コイルは、エッチング工法等の腐食又は切断法にて形成されるものである。
【００１４】
【作用】
上述の如く構成すれば、ＡＳＧＣ等の磁気共鳴映像装置に用いられるコイルがエッチング工法等による腐食及び切断法にて形成されるので、製造が容易となり、また、コイルの導線部を可能な限り拡大することができるので、発熱等の問題が解消される。さらに、エッチング工法等における導体幅の広がりによる自己渦の問題も、導体部分にスリットを形成することで大幅に低減できる。
【００１５】
【実施例】
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。図１は、本発明の一実施例に係る磁気共鳴映像装置の構成を示すブロック図である。同図において、静磁場磁石１は励磁用電源２にて駆動され、また主勾配コイル群３およびアクティブシールドコイル群１４は勾配コイル用電源４にて駆動される。これらにより、被検体５には一様な静磁場とそれと同一方向で互いに直交する３方向に線形傾斜磁場分布を持つ勾配磁場が印加される。主勾配コイル群３とアクティブシールドコイル群１４は直列接続された共通の勾配コイル用電源４にて駆動されても良く、それぞれ独立に異なった勾配コイル用電源４によって駆動されても良い。
【００１６】
シムコイル群１５は、シムコイル用電源１６により駆動され、静磁場の均一性が調整される。送信部７は高周波信号を出力するものであり、この高周波信号はプロープ６に送られ、被検体５に高周波磁場が印加される。このとき、プロープ６は送受両用でも送受信別々に設けてもよい。また、プロープ６と主勾配コイル群３の間には、高周波シールド１７が設定されている。
【００１７】
プロープ６で受信された磁気共鳴信号は、受信部８で検波された後データ収集部１０に転送されＡ／Ｄ変換後、データ処理部１１に送られる。そして、上述した励磁用電源２、勾配コイル用電源４、シムコイル用電源１６、送信部７、受信部８、データ収集部１０はすべてシステムコントローラ９の制御下で動作するようになっている。システムコントローラ９およびデータ処理部１１はコンソール１２により制御されており、データ処理部１１ではデータ収集部１０から送られた磁気共鳴信号のフーリエ変換等が行われ、被検体内の所望原子核の密度分布などが計算される。そして、得られた画像は画像ディスプレイ１３に表示される。
【００１８】
次に、本発明に係る具体的な実施例を、従来例と比較しながら説明する。図２〜図４、及び図５〜図７は従来のコイル巻線方法を示す第１、及び第２の例であり、図８〜図１０は本発明の第１実施例、図１１〜図１３は第２実施例、図１４〜図１５は第３実施例を示す図である。
【００１９】
図２、図５、図８、図１１、図１４は、ＡＳＧＣ設計上得られる連続電流分布を実際のコイルの離散的電流へ対応づける方法を説明するための図である。各図で１〜６の領域は離散的電流（コイル導線）が密に分布している領域に対応し、７〜１２の領域はコイル導線の分布が疎の領域に対応している。各ブロックの中心間隔は一般に不等問題であるが、面積は互いに等しくなるように設定する。
又、図３、図６、図９、図１２、図１５は、ＡＳＧＣパターン全体の略図を示している。各図では、理解を助けるために４ターンの例が示されている。
【００２０】
図４、図７、図１０、図１３、図１６は、ＡＳＧＣパターンの拡大図を示している。各図の領域１〜１２は、前記した図２、図５、図８、図１１、図１４の各領域１〜１２に対応している。そして、簡単のため導線間隔は等間隔とし、領域７〜１２（領域ａ）の導線間隔は領域１〜６（領域ｂ）の導線間隔の２倍の場合が示されている。
【００２１】
次に、説明に用いる主な変数およびその意味を以下に列挙する。なお、添字のａ，ｂはそれぞれ、領域ａ（７〜１２）及び領域ｂ（１〜６）に関する変数であることを示している。
0003549904.tif 000002
【００２２】
そして、図２〜４の例を「方式０」、図５〜７の例を「方式１」、図８〜１０の例を「方式２」、図１１〜１３の例を「方式３」、図１４〜１６の例を「方式４」とする。
【００２３】
図２〜４は、従来の線材を用いてＡＳＧＣを構成する方式（方式０）である。図２からわかるように、連続電流分布の各離散ブロックの重心を線材中心に対応させる方法である。この時、領域ａと領域ｂの導体中心間隔Ｗｃｄｉ，ａ  ，Ｗｃｄｉ，ｂ  及び導体部の幅Ｗｃｄ，ａ，Ｗｃｄ，ｂは、それぞれ以下の（２）〜（５）式のように書ける。
Ｗｃｄｉ，ａ    ＝  ２・Ｗｗｉｒｅ                                  …（２）
Ｗｃｄｉ，ｂ    ＝  Ｗｗｉｒｅ                                      …（３）
Ｗｃｄ，ａ    ＝  λ・Ｗｗｉｒｅ                                  …（４）
Ｗｃｄ，ｂ    ＝  λ・Ｗｗｉｒｅ                                  …（５）
【００２４】
したがって、方式０における領域ａおよび領域ｂの局所抵抗をそれぞれＲ０．ａ  ，Ｒ０．ｂ  とすると、各抵抗は導体部の幅に逆比例（導体厚み、線材の長さは一定と仮定）するので、次の（６），（７）式で示される。
Ｒ０．ａ        １／（λ・Ｗｗｉｒｅ）                            …（６）
Ｒ０．ｂ    ＝  Ｒ０．ａ                                          …（７）
【００２５】
図５〜７は、エッチング方式でＡＳＧＣを構成する例（方式１）を示す。図５からわかるように、連続電流分布の各離散ブロックの重心を線材中心に対応させる点は、方式０（図２）と同様である。この時方式１では、領域ａ、領域ｂの導体中心間隔Ｗｃｄｉ，ａ  ，Ｗｃｄｉ，ｂ  及び導体部の幅Ｗｃｄ，ａ，Ｗｃｄ，ｂは、それぞれ以下の（８）〜（１１）式のように書ける。ただし、これ以後、導体部の中心間隔の単位をＷｗｉｒｅとすることにする。
Ｗｃｄｉ，ａ    ＝  ２・Ｗｗｉｒｅ                                  …（８）
Ｗｃｄｉ，ｂ    ＝  Ｗｗｉｒｅ                                      …（９）
Ｗｃｄ，ａ    ＝  Ｗｗｉｒｅ                                      …（１０）
Ｗｃｄ，ｂ    ＝  Ｗｗｉｒｅ−Ｗｅ，ｍｉｎ                              …（１１）
【００２６】
（１１）式からわかるように、領域ｂの導体部線幅は、Ｗｗｉｒｅよりもエッチング溝幅だけ狭くなる。したがって、方式１における領域ａおよび領域ｂの局所抵抗をそれぞれＲ１，ａ  ，Ｒ１，ｂ  とすると、次の（１２），（１３）式が得られる。
Ｒ１，ａ        １／Ｗｗｉｒｅ                                    …（１２）
Ｒ１，ｂ        １／（Ｗｗｉｒｅ−Ｗｅ，ｍｉｎ  ）                      …（１３）
これと方式０の抵抗の比を求めると、次の（１４），（１５）式となる。
0003549904.tif 000003
【００２７】
（１４）式からわかるように、領域ａではエッチングにより抵抗が線材のパッキングファクター分だけ小さくなる。これに対して、領域ｂではＷｅ，ｍｉｎ  がＷｗｉｒｅよりも十分小さい場合は領域ａと同様であるが、Ｗｅ，ｍｉｎ  がＷｗｉｒｅと同程度もしくはそれ以上になるとエッチングにより抵抗が方式０のそれよりも有意に増加する。実際のＡＳＧＣにおいては、コイルパターンの密な領域では、Ｗｅ，ｍｉｎ  がＷｗｉｒｅと同程度になるケースが出てくるので、局所的発熱が問題となる。
【００２８】
以下、このようなエッチング方式固有の問題を解決する方式（２，３，４）について詳細に説明する。図８〜１０は、エッチング溝幅をどの領域においても最小値Ｗｅ，ｍｉｎ  とし、コイル面全体を導体部分で埋め尽す方式（方式２）を示している（図９参照）。つまりこの方法は、図８より、連続的電流分布を離散的面に対応させる方法である。この時、領域ａ、領域ｂの導体中心間隔Ｗｃｄｉ，ａ  ，Ｗｃｄｉ，ｂ  及び導体部の幅Ｗｃｄ，ａ，Ｗｃｄ，ｂは、それぞれ以下の（１６）〜（１９）式のように書ける。
Ｗｃｄｉ，ａ    ＝  ２・Ｗｗｉｒｅ                                  …（１６）
Ｗｃｄｉ，ｂ    ＝  Ｗｗｉｒｅ                                      …（１７）
Ｗｃｄ，ａ    ＝  ２・Ｗｗｉｒｅ−Ｗｅ，ｍｉｎ                          …（１８）
Ｗｃｄ，ｂ    ＝  Ｗｗｉｒｅ−Ｗｅ，ｍｉｎ                              …（１９）
したがって、方式２における領域ａおよび領域ｂの局所抵抗をそれぞれＲ２，ａ  ，Ｒ２，ｂ  とすると、次の（２０），（２１）式となる。
Ｒ２，ａ        １／（２・Ｗｗｉｒｅ−Ｗｅ，ｍｉｎ  ）                  …（２０）
Ｒ２，ｂ        １／（Ｗｗｉｒｅ−Ｗｅ，ｍｉｎ  ）                      …（２１）
これと方式１の抵抗の比を求めると、（２２），（２３）式が得られる。
0003549904.tif 000004
【００２９】
（２２）式からわかるように、領域ａでは、Ｗｅ，ｍｉｎ  がＷｗｉｒｅよりも十分小さい場合は抵抗が方式１のほぼ２分の１になる。一般に、導体中心間隔がｎ・Ｗｗｉｒｅの時、Ｗｅ，ｍｉｎ  がＷｗｉｒｅよりも十分小さい場合は抵抗が方式１のほぼｎ分の１となり、全体の抵抗値はさらに低減される。一方で、領域ｂでは方式１と抵抗が変わらないことがわかる。つまり、方式２では、コイル全体の抵抗値は有意に低減されるが、コイルパターンが密な領域での局所的発熱は低減されないことになる。
【００３０】
図１１〜１３は、コイルパターンが密な領域での局所発熱を低減するため、コイルの偶数・奇数ターンを一層目・二層目に分離して構成する方式（方式３）を示している（図１１、図１２参照）。図１２からわかるように、一層目はコイル奇数ターンのみ、二層目はコイル偶数ターンのみ（一層目と逆まわり）で構成し、それぞれは直列接続されている。この時、領域ａ、領域ｂの導体中心間隔Ｗｃｄｉ，ａ  ，Ｗｃｄｉ，ｂ  及び導体部の幅Ｗｃｄ，ａ，Ｗｃｄ，ｂは、それぞれ以下の（２４）〜（２７）式のように書ける。
Ｗｃｄｉ，ａ    ＝  ４・Ｗｗｉｒｅ                                  …（２４）
Ｗｃｄｉ，ｂ    ＝  ２・Ｗｗｉｒｅ                                  …（２５）
Ｗｃｄ，ａ    ＝  ２・Ｗｗｉｒｅ                                  …（２６）
Ｗｃｄ，ｂ    ＝  ２・Ｗｗｉｒｅ−Ｗｅ，ｍｉｎ                          …（２７）
【００３１】
ただし、各導体部の幅は、最大２・Ｗｗｉｒｅまで広げるものとした。したがって、方式３における領域ａおよび領域ｂの局所抵抗をそれぞれＲ３，ａ  ，Ｒ３，ｂ  とすると、次の（２８），（２９）式が得られる。
Ｒ３，ａ        １／（２・Ｗｗｉｒｅ）                            …（２８）
Ｒ３，ｂ        １／（２・Ｗｗｉｒｅ−Ｗｅ，ｍｉｎ  ）                  …（２９）
これと方式１の二層並列抵抗値との比を求めると、次の（３０），（３１）式が得られる。
0003549904.tif 000005
【００３２】
（３０）式より、領域ａでは、方式１の二層並列と抵抗差はない。一方（３１）式から、領域ｂでは、Ｗｅ，ｍｉｎ  がＷｗｉｒｅと同程度の場合は、方式１二層並列と比べて有意に抵抗が低減することがわかる。つまり、方式３では、コイル全体の抵抗値はある程度の低下にとどまるものの、コイルパターンが密な領域での局所的発熱は大幅に低減されることがわかる。
一般に、ｎｌ  層にコイルターンを分離する場合に拡張すると、次の（３２）〜（３５）式となる。
Ｗｃｄｉ，ａ    ＝  ２・ｎｌ  ・Ｗｗｉｒｅ                            …（３２）
Ｗｃｄｉ，ｂ    ＝  ｎｌ  ・Ｗｗｉｒｅ                                …（３３）
Ｗｃｄ，ａ    ＝  ｎｌ  ・Ｗｗｉｒｅ                                …（３４）
Ｗｃｄ，ｂ    ＝  ｎｌ  ・Ｗｗｉｒｅ−Ｗｅ，ｍｉｎ                        …（３５）
【００３３】
ただし、各導体部の幅は、最大ｎｌ  ・Ｗｗｉｒｅまで広げるものとした。したがって、領域ａおよび領域ｂの局所抵抗をそれぞれＲ３，ａ  ，Ｒ３，ｂ  とすると、次の（３６），（３７）式となる。
Ｒ３，ａ        １／（ｎｌ  ・Ｗｗｉｒｅ）                          …（３６）
Ｒ３，ｂ        １／（ｎｌ  ・Ｗｗｉｒｅ−Ｗｅ，ｍｉｎ  ）                …（３７）
これと方式１のｎｌ  層並列抵抗値との比を求めると、次の（３８），（３９）式が得られる。
0003549904.tif 000006
【００３４】
（３８）式より、領域ａでは、方式１のｎｌ  層並列と抵抗差はない。一方（３９）式から、領域ｂでは、Ｗｅ，ｍｉｎ  がＷｗｉｒｅと同程度の場合は、方式１ｎｌ  層並列と比べて大幅に（ｎｌ  の分だけ）抵抗が低減することがわかる。
【００３５】
図１４〜１６（方式４）は、方式２（導体部の埋め尽し）と方式３（コイルターン多層分離）のハイブリッド方式を示している。この時、領域ａ，ｂの導体中心間隔Ｗｃｄｉ，ａ  ，Ｗｃｄｉ，ｂ  及び導体部の幅Ｗｃｄ，ａ，Ｗｃｄ，ｂは、それぞれ以下の（４０）〜（４３）式のように書ける。
Ｗｃｄｉａ，ａ  ＝  ４・Ｗｗｉｒｅ                                  …（４０）
Ｗｃｄｉ，ｂ    ＝  ２・Ｗｗｉｒｅ                                  …（４１）
Ｗｃｄ，ａ    ＝  ４・Ｗｗｉｒｅ−Ｗｅ，ｍｉｎ                          …（４２）
Ｗｃｄ，ｂ    ＝  ２・Ｗｗｉｒｅ−Ｗｅ，ｍｉｎ                          …（４３）
したがって、領域ａおよび領域ｂの局所抵抗をそれぞれＲ４，ａ  ，Ｒ４，ｂ  とすると、（４４），（４５）式が得られる。
Ｒ４，ａ        １／（４・Ｗｗｉｒｅ−Ｗｅ，ｍｉｎ  ）                  …（４４）
Ｒ４，ｂ        １／（２・Ｗｗｉｒｅ−Ｗｅ，ｍｉｎ  ）                  …（４５）
これと方式１の二層並列抵抗値との比を求めると、次の（４６），（４７）式となる。
0003549904.tif 000007
【００３６】
（４６）式より、領域ａでは、Ｗｅ，ｍｉｎ  がＷｗｉｒｅと同程度の場合でも、方式１の二層並列と比べて抵抗が半分近く低減することがわかる。一方（４７）式から、領域ｂでは。Ｗｅ，ｍｉｎ  がＷｗｉｒｅと同程度の場合は、方式１の二層並列よりも有意に抵抗が低減する。ただし、Ｗｅ，ｍｉｎ  がＷｗｉｒｅよりも十分小さい場合は、方式１と同程度の低減にとどまる。つまり、方式４では、コイルの全体発熱およびコイルパターンが密な領域での局所的発熱ともに、大幅に低減できることがわかる。
一般に、ｎｌ  層にコイルターンを分離する場合に拡張すると、次の（４８）〜（５１）式が得られる。
Ｗｃｄｉ，ａ    ＝  ２・ｎｌ  ・Ｗｗｉｒｅ                            …（４８）
Ｗｃｄｉ，ｂ    ＝  ｎｌ  ・Ｗｗｉｒｅ                                …（４９）
Ｗｃｄ，ａ    ＝  ２・ｎｌ  ・Ｗｗｉｒｅ−Ｗｅ，ｍｉｎ                    …（５０）
Ｗｃｄ，ｂ    ＝  ｎｌ  ・Ｗｗｉｒｅ−Ｗｅ，ｍｉｎ                        …（５１）
したがって、領域ａおよび領域ｂの局所抵抗をそれぞれＲ４，ａ  ，Ｒ４，ｂ  とすると、次の（５２），（５３）式が得られる。
Ｒ４，ａ        １／（２・ｎｌ  ・Ｗｗｉｒｅ−Ｗｅ，ｍｉｎ  ）            …（５２）
Ｒ４，ｂ        １／（ｎｌ  ・Ｗｗｉｒｅ−Ｗｅ，ｍｉｎ  ）                …（５３）
これと方式１とｎｌ  層並列抵抗値との比を求めると、次の（５４），（５５）式となる。
0003549904.tif 000008
【００３７】
（５４）式より、領域ａでは一般に、Ｗｅ，ｍｉｎ  がＷｗｉｒｅと同程度の場合でも、方式１のｎｌ  層並列と比べて抵抗が半分近く低減することがわかる。一方（５５）式から、領域ｂでは、Ｗｅ，ｍｉｎ  がＷｗｉｒｅと同程度の場合は、方式１のｎｌ  層並列よりも有意に（ｎｌ  の分だけ）抵抗が低減する。ただし、Ｗｅ，ｍｉｎ  がＷｗｉｒｅよりも十分小さい場合は、方式１と同程度の低減にとどまる。
【００３８】
以上、本発明に係る３方式（方式２，３，４）について詳細に説明した。引き続き、その他の実施例について説明する。図１７は、導体部のトータルの厚みｔｃｄを一定として、偶数・奇数ターンを二層分離して構成する場合を示している。図７（ａ）に示す一層構造方式の抵抗をＲ、図７（ｂ）の２層構造の抵抗をＲ’とすると、それぞれ以下の（５６），（５７）式のように書ける。
0003549904.tif 000009
上記の抵抗の比を求めると、（５８）式となる。
Ｒ’／Ｒ  ＝  ２・（Ｗｃｄｉ  −Ｗｅ  ）／（２・Ｗｃｄｉ  −Ｗｅ  ’）…（５８）
今、近似的にＷｅ  は導体部の厚みｔｃｄに比例すると仮定すると、
Ｗｅ  ’  ＝  Ｗｅ  ／２                                      …（５９）
（５９）を（５８）に代入して整理すると、（６０）式となる。
Ｒ’／Ｒ  ＝  （１−Ｗｅ  ／Ｗｃｄｉ  ）／（１−（Ｗｅ  ／Ｗｃｄｉ  ）／４）…（６０）
【００３９】
上式より、エッチング幅Ｗｅ  が導体中心間隔Ｗｃｄｉ  よりも十分小さい時、たとえばコイルパターンが疎でＷｅ  ＝Ｗｅ，ｍｉｎ  の場合は、２層化による抵抗低減のメリットは生まれない。しかし一方、Ｗｅ  がＷｃｄｉ  と同程度の大きさの時、たとえばコイルパターンが密でＷｅ  ＝Ｗｅ，ｍｉｎ  の場合は、２層化により抵抗は有意に低減されることがわかる。
【００４０】
一般に、導体部のトータルの厚みｔｃｄを一定として、コイルターンｎｌ  層に分離して構成する場合を考えると、ｎｌ  層構造の抵抗Ｒ’は以下の（６１）式のように書ける。
0003549904.tif 000010
上記の抵抗Ｒ’とＲ（式（５６））の比を求めると、（６２）式となる。
Ｒ’／Ｒ  ＝  ｎｌ  ・（Ｗｃｄｉ  −Ｗｅ  ）／（ｎｌ  ・Ｗｃｄｉ  −Ｗｅ  ’）…（６２）
今、上述のように近似的にＷｅ  は導体部の厚みｔｃｄに比例すると仮定すると、（６３）式となる。
Ｗｅ  ’  ＝  Ｗｅ  ／ｎｌ                                      …（６３）
（６３）式を（６２）式に代入して整理すると、（６４）式となる。
Ｒ’／Ｒ  ＝  （１−Ｗｅ  ／Ｗｃｄｉ  ）／（１−（Ｗｅ  ／Ｗｃｄｉ  ）／ｎｌ  ２ ）…（６４）
【００４１】
上式より、エッチング幅Ｗｅ  が導体中心間隔Ｗｃｄｉ  よりも十分小さい時、たとえばコイルパターンが疎でＷｅ  ＝Ｗｅ，ｍｉｎ  の場合は、ｎｌ  層化による抵抗低減のメリットは生まれない。しかし一方で、Ｗｅ  がＷｃｄｉ  と同程度の大きさの時、たとえばコイルパターンが密である場合には大幅な抵抗の低減が可能となる。
さらに、エッチング工法等における導体幅の広がりによる自己渦の影響を大幅に低減する具体的な方式（スリット方式）について説明する。
【００４２】
そもそも、上述した埋めつくし方式では、局所および全体の抵抗（発熱）は有意に低下するものの、導体部分の幅（１ターンあたり）が、場所によってはかなり広くなってしまう。このような導体領域においては、勾配磁場スイッチングによる渦電流の発生が無視できなくなる。すなわち、Ｇコイル自体が渦磁場（自己渦磁場）を発生してしまい、ＡＳＧＣの本来の意義が失われてしまう。
【００４３】
一般に、導体部分の幅が広いほど、自己渦磁場の強度は大きく、時定数は長くなり、また、導体部分の厚みが厚いほど、自己渦磁場の時定数は長くなることが知られている。通常のＧコイルの導線の場合は、導体部分の幅がエッチング工法等のそれと比べて充分小さいために自己渦の時定数は非常に短く問題とならない。一方、エッチング工法等の場合には、自己渦の時定数がＭＲイメージングに対して悪影響を及ぼす範囲に入ってくる可能性が高い。
【００４４】
図１９は、上記自己渦磁場の強度および時定数を大幅に小さくするためのスリットを挿入した実施例を示している。図に示すように広い導体部分にスリットを挿入することにより、導体部分に発生する自己渦電流のループサイズが、スリットなしのそれと比べて相対的に小さくなるため渦電流の時定数は大幅に短くなる。この理由としては、狭い領域（空間周波数が高い領域）ほど、渦電流を形成する電子のクーロン反発力が強くなるため、その結果として渦の時定数が短くなるための考えられる。また、スリットを挿入したことにより導体部分に隙間が増えることから、自己渦磁場の強度も、スリットなしの場合のそれと比べて有意に小さくなる。スリットの挿入方法としては、（１）導体部分を流れるＧコイル電流の重心（またはパターン中心）に挿入、（２）スリット挿入による抵抗の増大が最小限となるように挿入位置を制限する、（３）ＭＲＩの所望撮影領域に寄与するＧコイル導体パターン部分（例えば、コイル円筒の中心部で静磁場と垂直）にのみスリットを挿入する、などといった方法が考えられる。なお、スリットの形成方法に関しては、エッチング工法等ではマスクパターン等にあらかじめ組み込んでおくことにより、容易に実現可能である。
【００４５】
以上、エッチング工法によりＡＳＧＣのコイルパターンを形成する際に、全体および局所の抵抗や発熱を大幅に低減する方法及び導体部分にスリットを挿入し自己渦磁場の撮影を大幅に低減する方法について具体的に説明した。説明は、Ｇｘ  ／Ｇｙ  の典型的なコイルパターンを用いて行ったが、Ｇｚ  コイルにも全く同様に適用できるのはもちろんである。なお、本発明はエッチング工法に限る必要はなく、その他の腐食及び切断法一般（メッキ法、打ち抜き法、プレス法、削り出し法、レーザーカッテイング法、熱によるカッティング法など）においても適用可能なことはいうまでもない。また当然のことながら本発明はＡＳＧＣに限らず、コイル一般（従来の各勾配コイル、シムコイル、マグネット、ＲＦプロープなど）の作成にも適用可能である。
【００４６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明では、エッチング工法に代表される腐食及び切断法において、金属パターン埋め尽しや多層構造化により、ＡＳＧＣ等のコイルの全体及び局所の抵抗や発熱が大幅に低減される。さらに、エッチング工法等における導体幅の広がりによる自己渦磁場の問題も、導体部分にスリットを挿入（形成）することにより大幅に低減できる。またこれにより、製造コストや製造工程が大幅に縮小することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例に係る磁気共鳴映像装置の構成を示すブロック図。
【図２】従来の線材を用いたコイル巻線方法を示す説明図。
【図３】従来の線材を用いたコイル巻線方法を示す説明図。
【図４】従来の線材を用いたコイル巻線方法を示す説明図。
【図５】エッチング工法を用いた従来のコイル巻線形成方法を示す説明図。
【図６】エッチング工法を用いた従来のコイル巻線形成方法を示す説明図。
【図７】エッチング工法を用いた従来のコイル巻線形成方法を示す説明図。
【図８】本発明に係るエッチング工法を用いた第１のコイル巻線方法を示す説明図。
【図９】本発明に係るエッチング工法を用いた第１のコイル巻線方法を示す説明図。
【図１０】本発明に係るエッチング工法を用いた第１のコイル巻線方法を示す説明図。
【図１１】本発明に係るエッチング工法を用いた第２のコイル巻線方法を示す説明図。
【図１２】本発明に係るエッチング工法を用いた第２のコイル巻線方法を示す説明図。
【図１３】本発明に係るエッチング工法を用いた第２のコイル巻線方法を示す説明図。
【図１４】本発明に係るエッチング工法を用いた第３のコイル巻線方法を示す説明図。
【図１５】本発明に係るエッチング工法を用いた第３のコイル巻線方法を示す説明図。
【図１６】本発明に係るエッチング工法を用いた第３のコイル巻線方法を示す説明図。
【図１７】本発明に係るエッチング工法を用いた第４のコイル巻線方法を示す説明図。
【図１８】従来のアクティブシールドｘ勾配コイルの導線パターンを示す図。
【図１９】エッチング工法における自己渦磁場防止用のスリットを説明するための図。
【符号の説明】
１  静磁場磁石
２  励磁用電源
３  主勾配コイル群
４  勾配コイル用電源
５  被検体
６  プロープ
７  送信部
８  受信部
９  システムコントローラ
１０  データ収集部
１１  データ処理部
１２  コンソール
１３  画像ディスプレイ
１４  アクティブシールド勾配コイル群
１５  シムコイル群
１６  シムコイル用電源
１７  高周波シールド
【図１】
0003549904.tif 000011
【図２】
0003549904.tif 000012
【図３】
0003549904.tif 000013
【図４】
0003549904.tif 000014
【図５】
0003549904.tif 000015
【図６】
0003549904.tif 000016
【図７】
0003549904.tif 000017
【図８】
0003549904.tif 000018
【図９】
0003549904.tif 000019
【図１０】
0003549904.tif 000020
【図１１】
0003549904.tif 000021
【図１２】
0003549904.tif 000022
【図１３】
0003549904.tif 000023
【図１４】
0003549904.tif 000024
【図１５】
0003549904.tif 000025
【図１６】
0003549904.tif 000026
【図１７】
0003549904.tif 000027
【図１８】
0003549904.tif 000028
【図１９】
0003549904.tif 000029