(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）
【化１】
0003604432.tif 000030
〔式（１）中、Ｍは２個の水素原子、２価の金属原子、３価１置換金属原子、４価２置換金属原子、オキシ金属原子を表し、Ｌは式（ａ）または式（ｂ）
【化２】
0003604432.tif 000031
（式（ａ）または式（ｂ）中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、各々独立に水素原子及び炭素数１〜１５のアルキル基を表し、Ｒ１とＲ２は結合して環を形成してもよい。）を表す。〕で示されるフタロシアニン化合物。
【請求項２】
一般式（１）において、Ｍで表される中心金属が、Ｐｄ，Ｃｕ，Ｒｕ，Ｐｔ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｒｈ，Ｚｎ，ＶＯ，ＴｉＯ，Ｓｉ（Ｙ）２，Ｓｎ（Ｙ）２，Ｇｅ（Ｙ）２（Ｙはハロゲン原子、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシルオキシ基、ヒドロキシ基、アルキル基、アリール基、アルキルチオ基、アリールチオ基、トリアルキルシリルオキシ基、トリアルキルスズオキシ基、またはトリアルキルゲルマニウムオキシ基を表す。）である請求項１記載のフタロシアニン化合物。
【請求項３】
請求項１または２に記載のフタロシアニン化合物を含有してなる光記録媒体。
【請求項４】
基板上に、請求項１または２に記載のフタロシアニン化合物を含有する記録層、その上に金またはアルミニウムからなる反射層、さらにその上に保護層を積層した構成である請求項３記載の光記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、新規な光ディスク用記録材料、情報記録、表示センサー、保護眼鏡等のオプトエレクトロニクス関連に重要な役割を果たす近赤外線吸収剤として有用な化合物と、それを記録層に含有して形成される光ディスク及び光カード等の光記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
光ディスク、光カ−ド装置等における書き込み及び読み取りのためにレーザー光が利用されている。特にこれらの装置で用いられる光記録媒体の記録方式は、実用レベルとしては通常、光・熱変換を経たヒートモード記録（熱記録）が採用されており、そのために記録層としては低融点金属、有機高分子、さらには融解、蒸発、分解、あるいは昇華等の物理変化または化学変化を起こす有機色素が種々提案されている。なかでも融解、分解等の温度が低い有機色素系は記録感度上好ましいことから、シアニン系色素、フタロシアニン系色素、ナフタロシアニン系色素、アゾ系色素などを中心に記録層として開発されてきている。
【０００３】
例えば、特開平２−１４７２８６号公報において、記録層にシアニン系色素を含む光記録媒体が提案されている。しかしながら、この媒体系は長期保存性および耐光性に劣り、さらには記録特性も不十分であった。
【０００４】
アントラキノン色素（例えば、特開昭５８−２２４４４８号公報）、ナフトキノン色素（例えば、特開昭５８−２２４７９３号公報）を記録層に含む光記録媒体も提案されているが、いずれもシアニン系色素と同様に長期保存性および耐光性に劣り、さらには記録特性も不十分であった。
【０００５】
特開昭６１−２５８８６号公報、特開平２−４３２６９号公報（ＵＳＰ  ４９６０５３８）、特開平２−２９６８８５号公報等においては、記録層にナフタロシアニン色素を含む光記録媒体が提案されている。この媒体系では、耐光性は優れるが、記録層の反射率が低く、記録特性も不十分であった。
【０００６】
また、光記録媒体の記録層に、フタロシアニン色素、特にアルコキシ置換フタロシアニンを利用する技術は、特開昭６１−１５４８８８号公報（ＥＰ  １８６４０４）、同６１−１９７２８０号公報、同６１−２４６０９１号公報、同６２−３９２８６号公報（ＵＳＰ  ４７６９３０７）、同６３−３７９９１号公報、同６３−３９３８８号公報、特表平２−５０２０９９号公報等により広く知られている。これらの特許に開示されているフタロシアニン色素を用いた光記録媒体においては、感度、記録特性において十分な性能を有しているとは言い難かった。それを改良したのが特開平３−６２８７８号公報（ＵＳＰ  ５１２４０６７）であるが、その改良化合物においても、レーザー光による高速記録及び高密度記録時の誤差が大きく未だ実用上十分ではなかった。
【０００７】
特開平２−４３２６９号公報（ＵＳＰ  ４９６０５３８）及び特開平２−２９６８８５号公報においてアルコキシ置換ナフタロシアニン、特開昭６３−３７９９１号公報において脂肪族炭化水素オキシ置換フタロシアニン、特開昭６３−３９３８８号公報においてはアルケニルチオ置換フタロシアニンの、光記録媒体への利用を提案しているが、感度、記録特性に効果があるということは記載されていない。
【０００８】
尚、その他の公知の色素を用いた光記録媒体の記録特性においても十分な性能を有しているものは見出されていない。
【０００９】
光記録媒体への書き込み及び読み出しは４００〜９００ｎｍのレーザー光を利用するので、記録材料の使用レーザー発振波長近傍における吸収係数、屈折率等の制御及び書き込み時における精度の良いピット形成が重要である。そのため、構造安定性が高く、レーザー発振波長近傍の光に対して屈折率が高く、分解特性が良好で、かつ感度の高い光記録媒体用色素の開発が必要となる。しかし、従来開発された光記録媒体用色素は、感度（Ｃ／Ｎ比、最適記録パワー）、記録特性（ジッター、デビエイション）について欠点を有するという問題があった。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、上記欠点を改善し、感度が高く、記録特性並びに耐久性の良好な光記録媒体を提供しうる新規フタロシアニン色素を供給することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、前項の課題を解決すべく鋭意検討した結果、本発明を完成するに至った。即ち、本発明は、
▲１▼  下記一般式（１）で表されるフタロシアニン化合物、
【００１２】
【化３】
0003604432.tif 000002
〔式（１）中、Ｍは２個の水素原子、２価の金属原子、３価１置換金属原子、４価２置換金属原子、オキシ金属原子を表し、Ｌは式（ａ）または式（ｂ）
【００１３】
【化４】
0003604432.tif 000003
（式（ａ）または式（ｂ）中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、各々独立に水素原子及び炭素数１〜１５のアルキル基を表し、Ｒ１とＲ２は結合して環を形成してもよい。）を表す。〕で示されるフタロシアニン化合物。
【００１４】
▲２▼  一般式（１）において、Ｍで表される中心金属が、Ｐｄ，Ｃｕ，Ｒｕ，Ｐｔ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｒｈ，Ｚｎ，ＶＯ，ＴｉＯ，Ｓｉ（Ｙ）２，Ｓｎ（Ｙ）２，Ｇｅ（Ｙ）２（Ｙはハロゲン原子、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシルオキシ基、ヒドロキシ基、アルキル基、アリール基、アルキルチオ基、アリールチオ基、トリアルキルシリルオキシ基、トリアルキルスズオキシ基、またはトリアルキルゲルマニウムオキシ基を表す。）であるフタロシアニン化合物。
【００１５】
▲３▼  一般式（１）のフタロシアニン化合物を含有してなる光記録媒体。
▲４▼  基板上に、一般式（１）のフタロシアニン化合物を含有する記録層、その上に金またはアルミニウムからなる反射層、さらにその上に保護層を積層した構成である光記録媒体に関するものである。
【００１６】
本発明のフタロシアニン化合物は、６５０〜９００ｎｍにシャープな吸収を有し、分子吸光係数も高く、長期安定性および耐久性にも優れるため、半導体レザー光を用いる光記録媒体（光ディスク、光カード等）の記録材料に適している。機構は未だ明らかでなく現在検討中であるが、特にフタロシアニン環に縮合したヘテロ環が記録時に感度の向上に寄与し、形成された信号の誤差の減少に効果を上げている。すなわち、光記録時に色素の溶融、分解を制御し、記録媒体の基板へのダメージの減少や、反射層を有する媒体の場合は反射層と記録層との密着性の改良である。
【００１７】
以下、本発明を詳細に説明する。
【００１８】
一般式（１）中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３で示される炭素数１〜１５のアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｉｓｏ−ペンチル基、ｎｅｏ−ペンチル基、２−メチルブチル基、ｎ−ヘキシル基、ｃｙｃｌｏ−ヘキシル基、２−エチルブチル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、４−メチルペンチル基、２，３−ジメチルブチル基、ｎ−ヘプチル基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシル基、４−メチルヘキシル基、５−メチルヘキシル基、２，４−ジメチルペンチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、２，５−ジメチルヘキシル基、２，５，５−トリメチルヘキシル基、２，４−ジメチルヘキシル基、２，２，４−トリメチルペンチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、４−エチルオクチル基、４−エチル−４，５−メチルヘキシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、１，３，５，７−テトラメチルオクチル基、４−ブチルオクチル基、６，６−ジエチルオクチル基、ｎ−トリデシル基、６−メチル−４−ブチルオクチル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、３，５−ジメチルヘプチル基、２，６−ジメチルヘプチル基、２，４−ジメチルヘプチル基、２，２，５，５−テトラメチルヘキシル基、１−ｃｙｃｌｏ−ペンチル−２，２−ジメチルプロピル基、１−ｃｙｃｌｏ−ヘキシル−２，２−ジメチルプロピル基等が挙げられる。
【００１９】
また、式（１）中、Ｍで示される２価金属の例としては、Ｃｕ，Ｚｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｍｎ，Ｓｎ，Ｍｇ，Ｐｂ，Ｈｇ，Ｃｄ，Ｂａ，Ｔｉ，Ｂｅ，Ｃａ等が挙げられ、１置換の３価金属の例としては、Ａｌ−Ｆ，Ａｌ−Ｃｌ，Ａｌ−Ｂｒ，Ａｌ−Ｉ，Ｇａ−Ｆ，Ｇａ−Ｃｌ，Ｇａ−Ｂｒ，Ｇａ−Ｉ，Ｉｎ−Ｆ，Ｉｎ−Ｃｌ，Ｉｎ−Ｂｒ，Ｉｎ−Ｉ，Ｔｌ−Ｆ，Ｔｌ−Ｃｌ，Ｔｌ−Ｂｒ，Ｔｌ−Ｉ，Ａｌ−Ｃ６Ｈ５，Ａｌ−Ｃ６Ｈ４（ＣＨ３），Ｉｎ−Ｃ６Ｈ５，Ｉｎ−Ｃ６Ｈ４（ＣＨ３），Ｍｎ（ＯＨ），Ｍｎ（ＯＣ６Ｈ５），Ｍｎ〔ＯＳｉ（ＣＨ３）３〕，Ｆｅ−Ｃｌ，Ｒｕ−Ｃｌ等が挙げられ、２置換の４価金属の例としては、ＣｒＣｌ２，ＳｉＦ２，ＳｉＣｌ２，ＳｉＢｒ２，ＳｉＩ２，ＳｎＦ２，ＳｎＣｌ２，ＳｎＢｒ２，ＺｒＣｌ２，ＧｅＦ２，ＧｅＣｌ２，ＧｅＢｒ２，ＧｅＩ２，ＴｉＦ２，ＴｉＣｌ２，ＴｉＢｒ２，Ｓｉ（ＯＨ）２，Ｓｎ（ＯＨ）２，Ｇｅ（ＯＨ）２，Ｚｒ（ＯＨ）２，Ｍｎ（ＯＨ）２，ＴｉＡ２，ＣｒＡ２，ＳｉＡ２，ＳｎＡ２，ＧｅＡ２〔Ａはアルキル基、フェニル基、ナフチル基およびその誘導体を表す〕，Ｓｉ（ＯＡ’）２，Ｓｎ（ＯＡ’）２，Ｇｅ（ＯＡ’）２，Ｔｉ（ＯＡ’）２，Ｃｒ（ＯＡ’）２〔Ａ’はアルキル基、フェニル基、ナフチル基、トリアルキルシリル基、ジアルキルアルコキシシリル基およびその誘導体を表す〕，Ｓｉ（ＳＡ”）２，Ｓｎ（ＳＡ”）２，Ｇｅ（ＳＡ”）２〔Ａ”はアルキル基、フェニル基、ナフチル基およびその誘導体を表す〕等が挙げられ、オキシ金属の例としては、ＶＯ，ＭｎＯ，ＴｉＯ等が挙げられる。好ましくは、Ｐｄ、Ｃｕ，Ｒｕ，Ｐｔ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｒｈ，Ｚｎ，ＶＯ，ＴｉＯ，Ｓｉ（Ｙ）２，Ｓｎ（Ｙ）２，Ｇｅ（Ｙ）２（Ｙはハロゲン原子、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシルオキシ基、ヒドロキシ基、アリキル基、アリール基、アルキルチオ基、アリールチオ基、トリアルキルシリルオキシ基、トリアルキルスズオキシ基またはトリアルキルゲルマニウムオキシ基を表す。）であり、特に好ましい例としては、Ｃｕ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｍｇ，Ｚｎ，Ｐｄ，Ｐｔ，ＶＯ等である。
【００２０】
一般式（１）で示されるフタロシアニン化合物の合成法としては、下式（２）または（３）、
【００２１】
【化５】
0003604432.tif 000004
〔式（２）または式（３）中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は一般式（１）と同じ意味を表す。〕で示される化合物を、例えば１，８−ジアザビシクロ［５，４，０］−７−ウンデセン（ＤＢＵ）存在下に、金属誘導体とアルコール中で加熱反応させる、あるいは、金属化合物とクロルナフタレン、ブロムナフタレン、トリクロルベンゼン等の高沸点溶媒中で加熱反応させる方法等が挙げられる。また、一般式（２）または（３）で示される化合物を、アルコール中、ナトリウムメチラートを触媒にアンモニアと反応させて得られる一般式（４）または（５）で示されるジイミノイソインドリンを中間体として同様に反応させる方法等が挙げられる。
【００２２】
【化６】
0003604432.tif 000005
〔式（４）または式（５）中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は一般式（１）と同じ意味を表す。〕
また、一般式（２）または（３）で示される化合物は、以下に示した経路で製造することができる。
【００２３】
【化７】
0003604432.tif 000006
【００２４】
市販されている３−ニトロフタロニトリル（Ａ）を、塩基の存在下、Ｒ４ＯＨ〔Ｒ４はアルキイル基を表す。〕で示されるアルコール誘導体と反応させてアルコキシフタロニトリル（Ｂ）を得る。更に（Ｂ）をジアルキルアニリン類やＤＭＩ等の高沸点溶剤中で反応することで目的とする一般式（２）または（３）で示される化合物の単品か或いはその混合物が製造され、混合物の場合は、カラムクロマト等の方法により分離し、目的とする一般式（２）または（３）で示される化合物の単品を得ることができる。
【００２５】
Ｒ４ＯＨで示されるアルコール誘導体の例としては、１−ブチン−３−オール、３−メチル−１−ブチン−３−オール、１−ペンチン−３−オール、１−ヘキシン−３−オール、３−メチル−１−ペンチン−３−オール、３，４−ジメチル−１−ペンチン−３−オール、１−ヘプチン−３−オール、３−エチル−１−ペンチン−３−オール、５−メチル−１−ヘキシン−３−オール、３−メチル−１−ヘキシン−３−オール、３−メチル−４−ヘキシン−３−オール、３，５−ジメチル−１−ヘキシン−３−オール、３，４，４−トリメチル−１−ペンテン−３−オール、４−エチル−１−ヘキシン−３−オール、１−エチニル−１−シクロヘキサノール、１−オクチン−３−オール、３，６−ジメチル−１−ヘプチン−３−オール、３−エチル−１−ヘプチン−３−オール、３−エチル−５−メチル−１−ヘプチン−３−オール、４−エチル−１−オクチン−３−オール、等が挙げられる。
【００２６】
本発明のフタロシアニン化合物を用いて光記録媒体を製造する方法には、透明基板上に本発明のフタロシアニン化合物を含む１〜３種の化合物を１層または２層に塗布、あるいは蒸着する方法があり、塗布法としては、バインダー樹脂２０重量％以下、好ましくは０％と、本発明のフタロシアニン化合物０．０５〜２０重量％、好ましくは０．５〜２０重量％となるように溶媒に溶解し、スピンコーターで塗布する方法等がある。また蒸着方法としては１０−５〜１０−７ｔｏｒｒ、１００〜３００℃にて基板上にフタロシアニン化合物を堆積させる方法等がある。
【００２７】
基板としては、光学的に透明な樹脂であればよい。例えば、アクリル樹脂、ポリエチレン樹脂、塩化ビニル樹脂、塩化ビニリデン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリオレフィン共重合樹脂、塩化ビニル共重合樹脂、塩化ビニリデン共重合樹脂、スチレン共重合樹脂等が挙げられる。また基板は熱硬化性樹脂または紫外線硬化性樹脂により表面処理がなされていてもよい。
【００２８】
光記録媒体（光ディスク、光カード等）を作製する場合、コストの面、ユーザーの取り扱いの面より、基板はポリアクリレート基板またはポリカーボネート基板を用い、かつスピンコート法により塗布されるのが好ましい。
【００２９】
基板の耐溶剤性より、スピンコートに用いる溶剤は、ハロゲン化炭化水素（例えば、ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、テトラクロロエチレン、ジクロロジフルオロエタン等）、エーテル類（例えば、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ジオキサン等）、アルコール類（例えば、メタノール、エタノール、プロパノール等）、セロソルブ類（例えば、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ等）、炭化水素類（例えば、ヘキサン、シクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、シクロオクタン、ジメチルシクロヘキサン、オクタン、ベンゼン、トルエン、キシレン等）、あるいはこれらの混合溶媒が好適に用いられる。
【００３０】
記録媒体として加工するには、上記の様に基板で覆う、あるいは２枚の記録層を設けた基板に、エアーギャップを設けて対向させて張り合わせる、または、記録層上に反射層（アルミニウムまたは金）を設け、熱硬化性または光硬化性樹脂の保護層を積層する方法などがある。保護層として、Ａｌ２Ｏ３，ＳｉＯ２，ＳｉＯ，ＳｎＯ２等の無機化合物を利用してもよい。
【００３１】
【実施例】
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明の実施の態様はこれにより限定されるものではない。
【００３２】
実施例１
下記構造式（３−１）
【００３３】
【化８】
0003604432.tif 000007
で示されるフタロニトリル誘導体２２．４ｇ（０．１モル）、ＤＢＵ１５．２ｇ（０．１モル）及びｎ−アミルアルコール１２５ｇよりなる混合物を窒素雰囲気下で、１２５℃まで昇温させた。次に、同温度で塩化第一銅３．０ｇ（０．０３モル）を添加し、１２５〜１３０℃で６時間反応させた。反応終了後、冷却し、不溶物を濾別した。濾液を減圧濃縮して溶媒を回収した後、カラム精製（シリカゲル５００ｇ、溶媒トルエン）し、下記構造式（１−１）で示されるフタロシアニン化合物１５．１ｇ（収率６３％）を得た。
可視吸光スペクトル及び元素分析の結果は以下の通りであった。
【００３４】
0003604432.tif 000008
【００３５】
【化９】
0003604432.tif 000009
【００３６】
上記フタロシアニン化合物のｎ−オクタン溶液（１０ｇ／ｌ）をスパイラルグルーブ（ピッチ１．６μｍ、溝幅０．６μｍ、溝深０．１８μｍ）付きの外形１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍのＣＤ−Ｒ用ポリカーボネート基板上に５００〜１０００ｒｐｍでスピンコート成膜した。その上に３０ｎｍの金をスパッタ蒸着して反射層を形成し、続いて光硬化型ポリアクリル樹脂によりオーバーコート後光硬化させ保護層を形成してＣＤ−Ｒ媒体を作製した。この媒体の反射率は７１％（７７５〜７９０ｎｍ）であり、７８０ｎｍの半導体レーザーを用いて線速１．３ｍ／ｓｅｃでＥＦＭ信号を５．５ｍＷのパワーで書き込むことができ、その時のエラーレートは１０未満であった。
【００３７】
実施例２
前記構造式（３−１）で示されるフタロニトリル誘導体２２．４ｇ（０．１モル）、ＤＢＵ１５．２ｇ（０．１モル）及びｎ−アミルアルコール１２５ｇよりなる混合物を窒素雰囲気下で、１００℃まで昇温させた。次に、同温度で塩化パラジウム５．３ｇ（０．０３モル）を添加し、９５〜１００℃で３０時間反応させた。反応終了後、冷却し、不溶物を濾別した。濾液を減圧濃縮して溶媒を回収した後、カラム精製（シリカゲル５００ｇ、溶媒トルエン）し、下記構造式（１−２）で示されるフタロシアニン化合物１２．０ｇ（収率４８％）を得た。
可視吸光スペクトル及び元素分析の結果は以下の通りであった。
【００３８】
0003604432.tif 000010
【００３９】
【化１０】
0003604432.tif 000011
【００４０】
上記フタロシアニン化合物のｎ−オクタン溶液（１０ｇ／ｌ）をスパイラルグルーブ（ピッチ１．６μｍ、溝幅０．６μｍ、溝深０．１８μｍ）付きの外形１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍのＣＤ−Ｒ用ポリカーボネート基板上に５００〜１０００ｒｐｍでスピンコート成膜した。その上に３０ｎｍの金をスパッタ蒸着して反射層を形成し、続いて光硬化型ポリアクリル樹脂によりオーバーコート後光硬化させ保護層を形成してＣＤ−Ｒ媒体を作製した。７８０ｎｍの半導体レーザーで記録したとき、７ｍＷのパワーで６０ｄＢのＣＮ比を得た。０．５ｍＷの再生光で１０５回再生しても変化は見られなかった。また、８０℃／８０％ＲＨの条件で１０００時間経過後も記録に変化はなかった。
【００４１】
実施例３
下記構造式（２−１）
【００４２】
【化１１】
0003604432.tif 000012
で示されるフタロニトリル誘導体２２．４ｇ（０．１モル）、ＤＢＵ１５．２ｇ（０．１モル）及びｎ−アミルアルコール１２５ｇよりなる混合物を窒素雰囲気下で、１２５℃まで昇温させた。次に、同温度で塩化第一銅３．０ｇ（０．０３モル）を添加し、１２５〜１３０℃で７時間反応させた。反応終了後、冷却し、不溶物を濾別した。濾液を減圧濃縮して溶媒を回収した後、カラム精製（シリカゲル５００ｇ、溶媒トルエン）し、下記構造式（１−３）で示されるフタロシアニン化合物１４．６ｇ（収率６１％）を得た。
可視吸光スペクトル及び元素分析の結果は以下の通りであった。
【００４３】
0003604432.tif 000013
【００４４】
【化１２】
0003604432.tif 000014
【００４５】
上記フタロシアニン化合物のｎ−オクタン溶液（１０ｇ／ｌ）をスパイラルグルーブ（ピッチ１．６μｍ、溝幅０．６μｍ、溝深０．１８μｍ）付きの外形１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍのＣＤ−Ｒ用ポリカーボネート基板上に５００〜１０００ｒｐｍでスピンコート成膜した。その上に３０ｎｍの金をスパッタ蒸着して反射層を形成し、続いて光硬化型ポリアクリル樹脂によりオーバーコート後光硬化させ保護層を形成してＣＤ−Ｒ媒体を作製した。この媒体の反射率は７３％（７７５〜７９０ｎｍ）であり、７８０ｎｍの半導体レーザーを用いて線速１．３ｍ／ｓｅｃでＥＦＭ信号を６．０ｍＷのパワーで書き込むことができ、その時のエラーレートは１０未満であった。
【００４６】
実施例４
前記構造式（２−１）で示されるフタロニトリル誘導体２２．４ｇ（０．１モル）、ＤＢＵ１５．２ｇ（０．１モル）及びｎ−アミルアルコール１２５ｇよりなる混合物を窒素雰囲気下で、１００℃まで昇温させた。次に、同温度で塩化パラジウム５．３ｇ（０．０３モル）を添加し、９５〜１００℃で３５時間反応させた。反応終了後、冷却し、不溶物を濾別した。濾液を減圧濃縮して溶媒を回収した後、カラム精製（シリカゲル５００ｇ、溶媒トルエン）し、下記構造式（１−４）で示されるフタロシアニン化合物１４．６ｇ（収率６１％）を得た。
可視吸光スペクトル及び元素分析の結果は以下の通りであった。
【００４７】
0003604432.tif 000015
【００４８】
【化１３】
0003604432.tif 000016
【００４９】
上記フタロシアニン化合物を用いて実施例１と同様にしてＣＤ−Ｒ型媒体を作製した。この媒体に、波長７８０ｎｍのレーザーを用いて、線速１．３ｍ／ｓでＥＦＭ信号を６．０ｍＷのパワーで書き込んだときのエラーレートは、１０未満であった。
【００５０】
実施例５
下記構造式（３−２）
【００５１】
【化１４】
0003604432.tif 000017
で示されるフタロニトリル誘導体２５．２ｇ（０．１モル）、ＤＢＵ１５．２ｇ（０．１モル）及びｎ−アミルアルコール１２５ｇよりなる混合物を窒素雰囲気下で、１２５℃まで昇温させた。次に、同温度で塩化第一銅３．０ｇ（０．０３モル）を添加し、１２５〜１３０℃で７時間反応させた。反応終了後、冷却し、不溶物を濾別した。濾液を減圧濃縮して溶媒を回収した後、カラム精製（シリカゲル５００ｇ、溶媒トルエン）し、下記構造式（１−５）で示されるフタロシアニン化合物１８．０ｇ（収率６７％）を得た。
可視吸光スペクトル及び元素分析の結果は以下の通りであった。
【００５２】
0003604432.tif 000018
【００５３】
【化１５】
0003604432.tif 000019
【００５４】
上記フタロシアニン化合物を用いて実施例１と同様にしてＣＤ−Ｒ型媒体を作製した。この媒体に、波長７８０ｎｍのレーザーを用いて、線速１．３ｍ／ｓでＥＦＭ信号を６．０ｍＷのパワーで書き込んだときのエラーレートは、１０未満であった。
【００５５】
実施例６
下記構造式（２−２）
【００５６】
【化１６】
0003604432.tif 000020
で示されるフタロニトリル誘導体２６．６ｇ（０．１モル）、ＤＢＵ１５．２ｇ（０．１モル）及びｎ−アミルアルコール１２５ｇよりなる混合物を窒素雰囲気下で、１２５℃まで昇温させた。次に、同温度で塩化第一銅３．０ｇ（０．０３モル）を添加し、１２５〜１３０℃で７時間反応させた。反応終了後、冷却し、不溶物を濾別した。濾液を減圧濃縮して溶媒を回収した後、カラム精製（シリカゲル５００ｇ、溶媒トルエン）し、下記構造式（１−６）で示されるフタロシアニン化合物１８．０ｇ（収率６７％）を得た。
可視吸光スペクトル及び元素分析の結果は以下の通りであった。
【００５７】
0003604432.tif 000021
【００５８】
【化１７】
0003604432.tif 000022
【００５９】
上記フタロシアニン化合物を用いて実施例１と同様にしてＣＤ−Ｒ型媒体を作製した。この媒体に、波長７８０ｎｍのレーザーを用いて、線速１．３ｍ／ｓでＥＦＭ信号を６．０ｍＷのパワーで書き込んだときのエラーレートは、１０未満であった。
【００６０】
実施例７
前記構造式（２−２）で示されるフタロニトリル誘導体２６．６ｇ（０．１モル）、ＤＢＵ１５．２ｇ（０．１モル）及びｎ−アミルアルコール１２５ｇよりなる混合物を窒素雰囲気下で、１００℃まで昇温させた。次に、同温度で塩化パラジウム５．３ｇ（０．０３モル）を添加し、９５〜１００℃で３３時間反応させた。反応終了後、冷却し、不溶物を濾別した。濾液を減圧濃縮して溶媒を回収した後、カラム精製（シリカゲル５００ｇ、溶媒トルエン）し、下記構造式（１−７）で示されるフタロシアニン化合物１４．１ｇ（収率４８％）を得た。
可視吸光スペクトル及び元素分析の結果は以下の通りであった。
【００６１】
0003604432.tif 000023
【００６２】
【化１８】
0003604432.tif 000024
【００６３】
上記フタロシアニン化合物を用いて実施例１と同様にしてＣＤ−Ｒ型媒体を作製した。この媒体に、波長７８０ｎｍのレーザーを用いて、線速１．３ｍ／ｓでＥＦＭ信号を６．０ｍＷのパワーで書き込んだときのエラーレートは、１０未満であった。
【００６４】
実施例８
下記構造式（２−３）
【００６５】
【化１９】
0003604432.tif 000025
で示されるフタロニトリル誘導体２５．０ｇ（０．１モル）、ＤＢＵ１５．２ｇ（０．１モル）及びｎ−アミルアルコール１２５ｇよりなる混合物を窒素雰囲気下で、１００℃まで昇温させた。次に、同温度で塩化パラジウム３．０ｇ（０．０３モル）を添加し、９５〜１００℃で３７時間反応させた。反応終了後、冷却し、不溶物を濾別した。濾液を減圧濃縮して溶媒を回収した後、カラム精製（シリカゲル５００ｇ、溶媒トルエン）し、下記構造式（１−８）で示されるフタロシアニン化合物１２．５ｇ（収率４５％）を得た。
可視吸光スペクトル及び元素分析の結果は以下の通りであった。
【００６６】
0003604432.tif 000026
【００６７】
【化２０】
0003604432.tif 000027
【００６８】
上記フタロシアニン化合物を用いて実施例１と同様にしてＣＤ−Ｒ型媒体を作製した。この媒体に、波長７８０ｎｍのレーザーを用いて、線速１．３ｍ／ｓでＥＦＭ信号を６．０ｍＷのパワーで書き込んだときのエラーレートは、１０未満であった。
【００６９】
比較例１
下記構造式（Ｃ）で示される特開平３−６２８７８号公報（ＵＳＰ５１２４０６７）の例示化合物を用いて実施例１と同様にして作製した媒体を評価した。
【００７０】
【化２１】
0003604432.tif 000028
【００７１】
この媒体に７８０ｎｍの半導体レーザーを用いて、線速１．３ｍ／ｓでＥＦＭ信号を書き込むために１０ｍＷのパワーが必要であった。また、その時のエラーレートは１２であった。
【００７２】
実施例９〜２０
実施例１と同様にして下記第１表に示すフタロシアニン化合物を合成し、実施例１と同様にしてＣＤ−Ｒ媒体を作製し、７８０ｎｍの半導体レーザーを用いて、線速１．３ｍ／ｓでＥＦＭ信号を書き込むために必要なレーザーパワー（ｍｗ）を測定し、またその時のエラーレートを評価した。エラーレートの評価としては、○はエラーレートが１０未満、×はエラーレートが１０以上であることを示す。結果を第１表に示す。
【００７３】
【表１】
0003604432.tif 000029
【００７４】
【発明の効果】
本発明のフタロシアニン化合物は、ヘテロ環がフタロシアニン環に縮合した新規なフタロシアニン化合物であり、また、このヘテロ環がフタロシアニン環と共役するために、吸収波長領域の制御がし易くなると共に、記録時に色素の分解・溶融が制御され精度の高いピット形成が行われたこと、分解発熱量の減少により記録媒体の樹脂基板へのダメージが減少したこと、反射層を有する記録媒体の場合は記録層と反射層である金属層との密着性が向上に寄与し、この化合物を用いた光記録媒体においては、光記録時の信号が正しく書き込めるようになり、感度、記録特性の向上に効果を上げた。