(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
片面又は両面に銅箔が接合された樹脂基板を用いて、該樹脂基板の片面又は両面に配線パターン、外部端子接続用パッド、及び半導体素子接続用パッドを形成するチップパッケージの製造方法において、
前記樹脂基板の表面に形成された前記銅箔をエッチング処理して除去する工程と、
前記樹脂基板の表面に無電解銅めっき被膜を形成する工程と、
前記無電解銅めっき被膜の表面に配線パターンと逆のめっきレジストパターンを形成する工程と、
前記無電解銅めっき被膜に通電して前記配線パターンと逆のめっきレジストパターンで被覆されていない前記無電解銅めっき被膜の表面に電解銅めっき被膜を形成する工程と、
前記配線パターンとなる前記無電解銅めっき被膜に通電して前記配線パターンと逆のめっきレジストパターンで被覆されていない前記電解銅めっき被膜の表面に、電解めっき法によるＮｉ及びＡｕめっき被膜を形成して前記外部端子接続用パッド及び前記半導体素子接続用パッドを形成する工程と、
前記配線パターンと逆のめっきレジストパターンを除去し、前記Ｎｉ及びＡｕめっき被膜と前記電解銅めっき被膜で被覆されていない前記無電解銅めっき被膜をエッチング処理して除去する工程とを
含んでいることを特徴とするチップパッケージの製造方法。
【請求項２】
前記樹脂基板にスルーホールを形成した後、該スルーホールの側壁面に銅の無電解めっき処理及び電解めっき処理を施す工程を含んでいることを特徴とする請求項１記載のチップパッケージの製造方法。
【請求項３】
前記配線パターンと逆のめっきレジストパターンを形成する前に、前記無電解銅めっき被膜表面に整面処理を施しておくことを特徴とする請求項１又は請求項２記載のチップパッケージの製造方法。
【請求項４】
前記樹脂基板表面に形成された前記銅箔をエッチング処理して除去した後の前記樹脂基板の表面に、粗化処理を施しておくことを特徴とする請求項１〜３のいずれかの項に記載のチップパッケージの製造方法。
【請求項５】
前記無電解銅めっき被膜のエッチャントとして銅アンミン錯体、あるいは塩化テトラアンミン銅（II）を主成分とするアルカリ液を用いることを特徴とする請求項１〜４のいずれかの項に記載のチップパッケージの製造方法。
【請求項６】
前記無電解銅めっき被膜のエッチャントとして過硫酸ソーダ、あるいは過酸化水素と硫酸との混合液を主成分とするソフトエッチング液を用いることを特徴とする請求項１〜４のいずれかの項に記載のチップパッケージの製造方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかの項に記載の製造方法を使用して得られた電気めっき用の引出し線が形成されていないことを特徴とするチップパッケージ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はチップパッケージ及びその製造方法に関し、より詳細にはＢＧＡパッケージ、あるいはフリップチップパッケージ等と呼称されるパッケージを含み、主にＬＳＩチップ等のチップ搭載用パッケージとして用いられ、樹脂基板の片面あるいは両面に金属層をエッチング処理して形成された配線パターン及びボールパッドを有するタイプのチップパッケージ及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置における高密度化、高速化の要請を受けて多端子化が可能なＢＧＡ（Ball Grid Array)やフリップチップパッケージ等が最近では注目を集めている。ＢＧＡはマイクロプロセッサーやＡＳＩＣ等のように多端子化が要求されているＩＣの実装に最適であり、下記のような特徴を備えている。
【０００３】
（ａ）ボールが面的に配置されるため、ＱＦＰ（Quad Flat Package)など、リードフレームを用いた実装技術よりはるかに多端子化が可能であり、ＰＧＡ（Pin Grid Array) に比べてもさらなる多端子化が可能。
【０００４】
（ｂ）リードピッチがＱＦＰより大きく、このためマウンタなどの精度が甘くてもよく、実装歩留りが向上する。
【０００５】
（ｃ）コストが比較的安い。
【０００６】
（ｄ）熱放散性に優れ、低インピーダンス化が可能。
【０００７】
最近まではＢＧＡのなかでも信頼性の点からセラミック製ＢＧＡが注目を浴びていたが、低コスト化の点からプラスチックアレイパッケージにその重点が移行してきている。この種プラスチックアレイパッケージを広く解釈するとＰＢＧＡ（Plastic ＢＧＡ），ＴＢＧＡ（Tape  ＢＧＡ），μ−ＢＧＡ，ＣＳＰ（Chip Size Package,Chip Scale Package) 等が存在する。
【０００８】
ＰＢＧＡの一例を図６に示す。樹脂基板１２のＩＣチップ１１搭載面には配線パターン１３が形成され、他面にはボールパッド１４が多数形成され、これらボールパッド１４と配線パターン１３とは配線用のスルーホール１６を介して接続され、またＩＣチップ１１の下面は放熱用のスルーホール１７を介してボールパッド１４に接続され、これらボールパッド１４上にはハンダボール１５が溶着されている。配線パターン１３はボンディング用パッド１３ａ、ワイヤボンダ１８を介してＩＣチップ１１上に形成されたパッド（図示せず）に接続されている。そしてＩＣチップ１１、ワイヤボンダ１８、配線パターン１３の大部分を含む部分はモールド樹脂１９により被覆されている。
【０００９】
また、ボンディング用パッド１３ａ及びボールパッド１４にはボンディング性及びハンダボール１５の溶着性を高めるために通常Ｎｉ／Ａｕめっき（図示せず）が施されており、そのための電解めっき用の配線が例えば図７に示したように形成されている。各ボンディング用パッド１３ａ及びボールパッド１４（図６）はめっき用引き出し線２０を介してタイバー２１に接続され、めっき終了後、カット線２２においてカットされ、各デバイスを構成するようになっており、めっきが不必要な部分はソルダマスク２３によりめっき処理の前にあらかじめ被覆されている。
【００１０】
図８及び図９に放熱板付ＢＧＡの一例を示す。テープ状の薄い樹脂基板３２の形成にはＢＴ(Bismaleimide Triazine) が使用されている。ＢＴ樹脂はポリイミド樹脂とほぼ同等の熱変形温度（３００℃）と、ポリイミド樹脂よりも優れた銅箔との接着力及び加工性を持つためＬＳＩパッケージに広く使用されている。樹脂基板３２の下面には銅箔をエッチング処理することにより形成された配線パターン（図示せず）とボールパッド３４とが形成され、ボールパッド３４にはハンダボール１５が溶着されている。樹脂基板３２の上面にはＩＣチップ１１の収容空間となるキャビティ３５を有する銅リング３３が貼着され、銅リング３３のさらに上面には銅製のヒートスプレッダ３８が接着シート３８ａを介して貼着されている。また樹脂基板３２の中央部にはキャビティ３５を囲むようにダム３６が形成され、ワイヤボンダ１８の接続の後、キャビティ３５に注形樹脂３９が注入固化されるようになっている。ボールパッド３４やボンディングパッド（図示せず）は図９に示したように銅層３４ａ、Ｎｉ／Ａｕ層３４ｂからなっており、Ｎｉ／Ａｕ層３４ｂの周囲にはソルダマスク４３が形成されている。
【００１１】
図８に示したタイプの放熱板付ＢＧＡの場合、スペ−ス的に図７に示したようなめっき用引き出し線２０の配置が困難であるため、Ｎｉ／Ａｕ層３４ｂの形成は無電解めっき法により行われており、図７に示したようなめっき用引き出し線２０やタイバー２１は製造過程中にも形成されていない。
【００１２】
また、フリップチップボンディングにより半導体素子が搭載された従来のフリップチップパッケージの一例を図１０及び図１１に示す。樹脂基板１２のチップ１１の搭載面には配線パターン１３とボ−ルパッド１４ａとが形成され、他面にはボ−ルパッド１４ｂが多数形成され、これらボ−ルパッド１４ｂと配線パターン１３とは配線用のスルーホール１６を介して接続され、またチップ１１の下面のボ−ルパッド１４ａは放熱用のスルーホール１７を介してボ−ルパッド１４ｂに接続され、これらボ−ルパッド１４ｂ上にはハンダボール１５が溶着されている。配線パターン１３はボ−ルパッド１４ａ上に溶着されたハンダボール１５を介してチップ１１に接続されている。チップ１１と樹脂基板１２との間のスペ−スには、モ−ルド樹脂１９が充填されている。またボ−ルパッド１４ａ、１４ｂを除いた配線パターン１３の部分にはソルダマスク２３が形成され、ボ−ルパッド１４ａ、１４ｂは、図１１に示したように銅層３４ａ、Ｎｉ／Ａｕ層３４ｂからなっており、Ｎｉ／Ａｕ層３４ｂの周囲にソルダマスク２３が形成されている。
【００１３】
図１０及び図１１に示したようなフリップチップパッケージのＮｉ／Ａｕ層３４ｂの形成は電解めっき法ではなく、無電解めっき法により行なわれている。これはフリップチップパッケージでは、高密度配線となることが多く、該高密度配線間に電解めっき用の引き出し線を形成することは困難なためである。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
図６及び図７に示したタイプのＰＢＧＡの場合、電解めっきを施すために各ボンディング用パッド１３ａやボールパッド１４に接続された多くのめっき用引き出し線２０やタイバー２１を形成しなければならず、配線パターン１３及びボールパッド１４の高密度化の妨げとなっていた。まためっき後もカット線２２内側のめっき用引き出し線２０は残り、これらが反射ノイズの発生源となり電気特性に悪影響を及ぼす虞があった。
【００１５】
他方、図８及び図９に示したタイプの放熱板付ＢＧＡの場合、無電解めっき法によるため、めっき用引き出し線２０やタイバー２１の形成は不要であり、上記した配線の高密度化等に関する問題はなくなったが、ボールパッド３４へのハンダボール１５の接着強度が低く、不安定となり易いといった課題があった。
【００１６】
また図１０及び図１１に示したタイプのフリップチップパッケージの場合も、図８及び図９に示したタイプの放熱板付ＢＧＡの場合と同様、無電解めっき法によるため、めっき用引き出し線２０やタイバー２１の形成は不要であり、上記した配線の高密度化等に関する問題はなくなったが、ボールパッド１４ａ、１４ｂへのハンダボール１５の接着強度が低く、不安定となり易いといった課題があった。
【００１７】
本発明は上記課題に鑑みなされたものであって、電解めっき法によりめっきを施し、ハンダボールのパッドへの接着強度を確保しながら、しかもめっき用引き出し線の形成を不要として高密度化の実現及び電気特性の改善を可能とするチップパッケージ及びその製造方法を提供することを目的としている。
【００１８】
【課題を解決するための手段及びその効果】
上記目的を達成するために、本発明に係るチップパッケージの製造方法（１）は、片面又は両面に銅箔が接合された樹脂基板を用いて、該樹脂基板の片面又は両面に配線パターン、外部端子接続用パッド、及び半導体素子接続用パッドを形成するチップパッケージの製造方法において、
前記樹脂基板の表面に形成された前記銅箔をエッチング処理して除去する工程と、
前記樹脂基板の表面に無電解銅めっき被膜を形成する工程と、
前記無電解銅めっき被膜の表面に配線パターンと逆のめっきレジストパターンを形成する工程と、
前記無電解銅めっき被膜に通電して前記配線パターンと逆のめっきレジストパターンで被覆されていない前記無電解銅めっき被膜の表面に電解銅めっき被膜を形成する工程と、
前記配線パターンとなる前記無電解銅めっき被膜に通電して前記配線パターンと逆のめっきレジストパターンで被覆されていない前記電解銅めっき被膜の表面に、電解めっき法によるＮｉ及びＡｕめっき被膜を形成して前記外部端子接続用パッド及び前記半導体素子接続用パッドを形成する工程と、
前記配線パターンと逆のめっきレジストパターンを除去し、前記Ｎｉ及びＡｕめっき被膜と前記電解銅めっき被膜で被覆されていない前記無電解銅めっき被膜をエッチング処理して除去する工程とを
含んでいることを特徴としている。
【００１９】
上記チップパッケージの製造方法（１）によれば、前記無電解銅めっき層を形成することにより、配線パターン及びボールパッドのための金属層と前記スル−ホ−ル部分のための金属層とを同時に形成することができ、チップパッケージの製造工程を簡略化することができる。また前記無電解銅めっき層はその厚さを１ミクロン程度にまで薄く形成することが可能であり、その後の金属層としての前記無電解銅めっき層のエッチングは容易であり、前記無電解銅めっき層のエッチングの際のオ−バ−ハング量を極力抑えて配線パタ−ンの高密度化を容易に達成することができる。
【００２０】
また本発明に係るチップパッケージの製造方法（２）は、上記チップパッケージの製造方法（１）において、前記樹脂基板にスルーホールを形成した後、該スルーホールの側壁面に銅の無電解めっき処理及び電解めっき処理を施す工程を含んでいることを特徴としている。
【００２１】
上記チップパッケージの製造方法（２）によれば、電解めっき法によるＮｉ／Ａｕめっき処理の前にスルーホールの側壁面に良導体である銅のめっき膜が形成されているので、前記スルーホールの側壁面にも電解めっき法によるＮｉ／Ａｕめっき被膜を形成することができる。従ってチップパッケージの信頼性を高めることができる。
【００２２】
また本発明に係るチップパッケージの製造方法（３）は、上記チップパッケージの製造方法（１）において、前記配線パターンと逆のめっきレジストパターンを形成する前に、前記無電解銅めっき被膜表面に整面処理を施しておくことを特徴としている。
【００２３】
前記整面処理を施しておくことにより、前記めっきレジストパターンの前記金属層表面への密着性が良くなり、電解めっき中にもめっき液が前記めっきレジストパターンの下面に浸透することを防止して、配線パタ−ンのショートの発生を抑制することができる。
【００２４】
また本発明に係るチップパッケージの製造方法（４）は、上記チップパッケージの製造方法（１）〜（３）のいずれかにおいて、前記樹脂基板表面に形成された前記銅箔をエッチング処理して除去した後の前記樹脂基板の表面に、粗化処理を施しておくことを特徴としている。
【００２５】
上記チップパッケージの製造方法（４）によれば、無電解銅めっき処理の際の無電解銅の付着を良くすることができる。
【００２６】
また、本発明に係るチップパッケージの製造方法（５）は、上記チップパッケージの製造方法（１）〜（４）のいずれかにおいて、前記無電解銅めっき被膜のエッチャントとして銅アンミン錯体、あるいは塩化テトラアンミン銅（II）を主成分とするアルカリ液を用いることを特徴としている。
【００２７】
上記銅アンミン錯体あるいは、塩化テトラアンミン銅（II）を主成分とするアルカリ液はＮｉ及びＡｕ被膜を溶解することなく、銅層のみを効率的にエッチングすることができる。従ってＮｉ／Ａｕの電解めっき被膜をエッチングマスクとして効率的に前記銅層をエッチングすることができる。
【００２８】
また、本発明に係るチップパッケージの製造方法（６）は、上記チップパッケージの製造方法（１）〜（５）のいずれかにおいて、前記無電解銅めっき被膜のエッチャントとして過硫酸ソーダ、あるいは過酸化水素と硫酸との混合液を主成分とするソフトエッチング液を用いることを特徴としている。
【００２９】
上記過硫酸ソ−ダ、あるいは過酸化水素と硫酸との混合液を主成分とするソフトエッチング液はＡｕ被膜を溶解することなく、銅層を効率的に、前記銅アンミン錯体、あるいは塩化テトラアンミン銅（II）を主成分とするアルカリ液よりもよりマイルドにエッチングすることができる。従ってＮｉ／Ａｕの電解めっき被膜をエッチングマスクとして前記無電解銅めっき層にほとんどオ−バ−ハングを生じることなく効率的に前記無電解銅めっき層を正確にエッチングすることができる。
【００３０】
また、本発明に係るチップパッケージは、上記チップパッケージの製造方法（１）〜（６）のいずれかの製造方法を使用して得られた電気めっき用の引出し線が形成されていないことを特徴としている。
【００３１】
上記チップパッケージによれば、電解めっき時の通電が前記無電解銅めっき被膜に行われるため、通常必要とされる電解めっき用の引き出し線が不要となり、これら引き出し線の存在による高密度化阻害、電気特性の劣化を防止することができる。また、Ｎｉ被膜及びＡｕ被膜形成のためのめっきは電解めっき法によるため、ハンダボールの接着強度も十分な値を得ることができる。
【００３２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係るチップパッケージ及びその製造方法を図面に基づいて説明する。
図１〜図４は実施の形態（１）に係るフリップチップパッケージの製造工程の一部を示す模式的断面図であり、図中１は銅張積層板を示している。銅張積層板１は樹脂基板２の両主面に銅箔３が貼着されて構成されており（図１（ａ）、図３（ａ））、この銅張積層板１にスルーホール４の孔あけ加工を施す（図３（ａ））。次に銅箔３を剥離除去するためにＦｅＣｌ３溶液を用いたエッチング処理を施す。さらに後の無電解銅めっき処理の際の無電解銅の付着を良くするために、銅箔３が除去された樹脂基板２の表面に表面粗化のための過マンガン酸溶液を用いた粗化処理を施しておく（図１（ｂ）、図３（ｂ））。
【００３３】
次にスルーホール４の側壁面を含む樹脂基板２の両主面全面に無電解銅めっきによるパネルめっき処理を施して銅箔３の厚さの１０分の１程度の厚さの無電解銅めっき層６ａを形成し、樹脂基板２の上面と下面とに形成される無電解銅めっき層６ａをスルーホール４を介して電気的に接続しておく（（図１（ｃ）、図３（ｃ））。
【００３４】
次に無電解銅めっき層６ａの表面に整面処理を施す。該整面処理は後に貼着するＤＦＲ８の密着性を高めるために施しておく処理で、より具体的にはジェットスクラブ（バフ研磨による機械研磨）、硫酸による酸洗、ジェットスクラブ処理等を行う。前記整面処理を施した無電解銅めっき層６ａ上にアクリル樹脂を主成分とするＤＦＲ（ドライフィルムレジスト）８を貼り付ける。次いでこのＤＦＲ８に配線パターンと逆パターンが現像される露光処理を施し、次に露光による光硬化反応を促進させて密着力を向上させるために現像前にＰＥＢ（Post Exposure Bake）処理を行う。次いでＤＦＲ８の現像を行い、前記逆パターンのＤＦＲ８を残し、次いで熱硬化反応を促進させて密着力を向上させておくことを目的としてポストベーク処理を施しておく（図１（ｄ）、図３（ｄ））。
【００３５】
次にＤＦＲ８で覆われていない無電解銅めっき層６ａの表面部分に電解銅めっき層６ｂを形成するために樹脂基板２をめっき液中に浸漬して通電を行い、電解めっき処理を施す（図２（ａ）、図４（ａ））。続いてＤＦＲ８で覆われていない電解銅めっき層６ｂの表面部分にＮｉ／Ａｕ層９を形成するために樹脂基板２をめっき液中に浸漬して通電を行い、電解めっき処理を施す（図２（ｂ）、図４（ｂ））。めっき液をよく水洗した後、ＤＦＲ８を剥離除去するために５０℃、３％程度のＮａＯＨ水溶液中に浸漬する。ＤＦＲ８の除去完了後（図２（ｃ）、図４（ｃ））、形成されたＮｉ／Ａｕ層９をマスクとして無電解銅めっき層６ａのエッチングを行う。エッチング液としてはＮｉ／Ａｕ層９をエッチングせずに、無電解銅めっき層６ａのみをエッチングするものが好ましいが、無電解銅めっき層６ａは銅箔３に比べて一桁程度薄くできるため、銅アンミン錯体あるいは塩化テトラアンミン銅（II）を主成分とするアルカリ液を用いなくてもエッチングすることができ、例えば、過硫酸ソ−ダや、過酸化水素と硫酸との混合液等のソフトエッチング液をエッチング液として用いることができる。このエッチング処理により、無電解銅めっき層６ａ及び電解銅めっき層６ｂからなるＣｕ配線上にＮｉ／Ａｕ層９の電解めっき被膜が形成されたパッド部を含む配線パターン３０が形成される（図２（ｄ）、図４（ｄ））。
【００３６】
本実施の形態（１）に係るフリップチップパッケージの製造方法によれば、無電解銅めっき層６ａ自体が従来のめっき用引き出し線２０（図６）の役目を果たしており、めっき用引き出し線２０を形成することなく、配線パターン３０に電解めっき法によるＮｉ／Ａｕ層９を形成することができる。しかも無電解銅めっき層６ａは銅箔３に比べて一桁程度薄くできるため、パタ−ン形成のための無電解銅めっき層６ａのエッチング処理は非常に容易なものとなり、オ−バ−ハング量をほとんどなくすことができ（銅箔３を使用した場合のおよそ１０分の１程度）、配線パターン３０の高密度化を図ることが容易となる。また、部分的に残存するめっき用引き出し線２０による反射もなくなり、電気特性を向上させることができる。しかもＮｉ／Ａｕ層９は電解めっき法により形成されるため、ワイヤボンディングやハンダボール１５（図７）の接着強度も十分大きな値を確保することができる。
【００３７】
また、スルーホール４の側壁面にも電解めっき法によるＮｉ／Ａｕ層９が形成されるため、信頼性を向上させることができる。
【００３８】
また、アクリル樹脂を主成分とするＤＦＲ８は電解めっき法によるＮｉ／Ａｕ層９の形成の際に使用されるめっき液に対する耐性が高く、しかもＮａＯＨ水溶液等の剥離液による剥離性も良好であり、剥離残りも生じにくい。従って正確に配線パターン３０を形成することが容易であり、配線間ショートも生じにくくなる。また、前記整面処理やベーク処理により、ＤＦＲ８の無電解銅めっき層６ａへの密着性を高めておくことができ、めっき液のＤＦＲ８下面への侵入をより確実に阻止することができる。
【００３９】
また、無電解銅めっき層６ａのエッチャントとして過硫酸ソ−ダや、過酸化水素と硫酸との混合液を主成分とするソフトエッチング液を用いているので、電解めっき法によるＡｕ層９を溶解することなく、無電解銅めっき層６ａのオ−バ−ハング量を抑えて、無電解銅めっき層６ａを効率的にエッチングすることができながら、しかも取扱いが容易で、廃液処理も容易となる。
【００４０】
上記実施の形態（１）ではフリップチップパッケージの製造方法を例に挙げて説明したが、本発明に係る製造方法はフリップチップパッケージの製造方法に限定されるものではなく、本発明に係る製造方法では電解めっき法によりＮｉ／Ａｕ層９を形成するため、無電解めっき法による場合と相違してＮｉ／Ａｕ層９の厚さを容易に調整することができ、Ｎｉ／Ａｕ層９の厚さを厚くすることによりワイヤボンディングタイプのＢＧＡパッケージの製造方法にも同様に適用することができる。また上記実施の形態（１）では、銅張積層板１から銅箔３を剥離除去した樹脂基板２を用いたが、別の実施の形態では何ら銅張積層板１を使用する必要はなく、樹脂基板２を出発材料としてスルーホール４の孔あけ加工等を施していっても差し支えない。また、上記実施の形態（１）では、めっきマスクとしてＤＦＲ８を用いたが、めっきマスクは何らＤＦＲ８に限定されるものではなく、別の実施の形態では液状のレジストを用いてレジストパタ−ンを形成しても差し支えない。
【００４１】
【実施例】
以下、本発明に係るチップパッケージ、及びチップパッケージの製造方法の実施例を説明する。
実施例１
図１〜図４に示した方法によりフリップチップパッケージを作製した。具体的製造条件を下記に示す。
0003554763.tif 000002
ボールパッド及びスルーホール部分には図５に示した  Ｎｉ／Ａｕ層９が形成されていた。
【００４２】
Ｎｉ／Ａｕ層９の剥離試験：市販セロテープ（Ｒ）によるピールテストにて剥れなきと良好な値を得ることができた。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）〜（ｄ）は本発明の実施の形態（３）に係るフリップチップパッケージ
の製造工程の一部を示す断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は本発明の実施の形態（３）に係るフリップチップパッケージ
の製造工程の一部を示す断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は本発明の実施の形態（３）に係るフリップチップパッケージ
の製造工程の一部を示す断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｄ）は本発明の実施の形態（３）に係るフリップチップパッケージ
の製造工程の一部を示す断面図である。
【図５】実施例に係る接合パッドに形成されたＮｉ／Ａｕ層を示す拡大断面図である。
【図６】従来のＰＢＧＡの一例を示す断面図である。
【図７】（ａ）は従来のめっき用引き出し線が形成されたＢＴ基板を示す平面図、（ｂ
）は断面図である。
【図８】従来の２層形放熱板付ＢＧＡの一例を示す断面図である。
【図９】ボールパッド近傍を拡大して示した断面図である。
【図１０】従来のフリップチップパッケージの一例を示す断面図である。
【図１１】ボールパッド近傍を拡大して示した断面図である。
【符号の説明】
１、１ａ  銅張積層板
２        樹脂基板
３、３ａ  銅箔
４        スルーホール
６        Ｃｕ層
７        Ｃｕ板
７ａ      接着シート
８        ＤＦＲ
９        Ｎｉ／Ａｕ層
１０      配線パターン（パッド含む）
４３      ソルダマスク
【図０１】
0003554763.tif 000003
【図０２】
0003554763.tif 000004
【図０３】
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【図０４】
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【図０５】
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【図０６】
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【図０７】
0003554763.tif 000009
【図０８】
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【図０９】
0003554763.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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