(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面装着可能集積回路パッケージにおいて、
パッケージ本体にマウントした集積回路、
前記パッケージ本体の第一表面における複数個の電気的接続部、
前記パッケージ本体の第二表面から延在しており且つ前記集積回路へ電気的に接続されている下側バッテリリード、
前記パッケージ本体の前記第二表面から延在しており且つ前記集積回路へ電気的に接続されている上側バッテリリード、
前記パッケージ本体との間にギャップが存在するように前記下側バッテリリードと上側バッテリリードとの間に配設されたバッテリ、
前記バッテリとの間にギャップをもって前記バッテリを被覆しており且つ前記パッケージ本体に取付けられたハウジング、
を有することを特徴とする表面装着可能集積回路パッケージ。
【請求項２】
請求項１において、更に、前記バッテリの一部と前記ハウジングの内側表面との間にギャップが存在するように前記パッケージ本体の前記第二表面から延在しており且つ前記バッテリと接触している下側スタンドオフを有することを特徴とする表面装着可能集積回路パッケージ。
【請求項３】
請求項２において、更に、前記バッテリの一部と前記ハウジングの内側表面との間にギャップが存在するように前記ハウジングの内側表面から延在しており且つ前記バッテリと接触する上側スタンドオフを有することを特徴とする表面装着可能集積回路パッケージ。
【請求項４】
請求項３において、前記上側スタンドオフが前記ハウジングと一体的にモールド成形されていることを特徴とする表面装着可能集積回路パッケージ。
【請求項５】
請求項１において、前記パッケージ本体が、前記集積回路がマウントされているヘッダーと、前記ヘッダーにマウントされた場合に前記集積回路を被覆するような態様で前記ヘッダーへ取付けられている蓋とを有することを特徴とする表面装着可能集積回路パッケージ。
【請求項６】
請求項５において、更に、前記ヘッダーへ取付けられており、熱抵抗性物質から構成されており、且つ前記バッテリの一部と前記ヘッダーとの間にギャップが存在するように前記バッテリと接触している下側スタンドオフを有することを特徴とする表面装着可能集積回路パッケージ。
【請求項７】
請求項１において、前記パッケージ本体が、リードを具備すると共に前記集積回路がマウントされているダイ取付部を具備するリードフレームと、前記リードフレームとそれにマウントされている集積回路とを取囲むプラスチック封止体とを有することを特徴とする表面装着可能集積回路パッケージ。
【請求項８】
請求項７において、更に、前記プラスチック封止体と一体的にモールド成形されており且つその第二表面から延在しており且つ前記バッテリの一部と前記プラスチック封止体との間にギャップが存在するように前記バッテリと接触している下側スタンドオフを有することを特徴とする表面装着可能集積回路パッケージ。
【請求項９】
請求項１において、前記複数個の電気的接続部が表面装着可能型のものであることを特徴とする表面装着可能集積回路パッケージ。
【請求項１０】
請求項１において、更に、前記ギャップ内に配設されている熱抵抗性物質を有することを特徴とする表面装着可能集積回路パッケージ。
【請求項１１】
表面装着可能集積回路パッケージと一体的にバッテリをパッケージングする方法において、
パッケージ本体内に集積回路チップをパッケージングし、前記パッケージ本体は一表面上に表面装着可能型の電気的接続部を有すると共に、前記電気的接続部から反対側へ延在する第一及び第二バッテリリードを有しており、
前記パッケージ本体と前記バッテリとの間にギャップが存在するように前記第一及び第二バッテリリード間にバッテリを配置し、
前記バッテリとハウジングとの間にギャップが存在した状態で前記ハウジングが前記バッテリを被覆するような態様で前記パッケージ本体へハウジングを取付ける、
ことを特徴とする方法。
【請求項１２】
請求項１１において、前記パッケージ本体が前記反対側の表面に取付けたスタンドオフを有しており、且つ前記配置するステップが前記バッテリを前記スンタンドオフと接触した状態に配置させることを特徴とする方法。
【請求項１３】
請求項１１において、前記ハウジングが前記配置ステップの後に前記バッテリと接触するようにその内側表面に沿ってマウントされたスタンドオフを有することを特徴とする方法。
【請求項１４】
請求項１１において、更に、前記取付けステップの後に、前記電気的接続部を回路基板へ接続することを特徴とする方法。
【請求項１５】
請求項１４において、前記接続ステップが半田リフロープロセスを有することを特徴とする方法。
【請求項１６】
請求項１１において、前記パッケージングステップが、リードフレームへ集積回路チップをマウントし、且つ前記集積回路チップ及びリードフレームをプラスチック封止体で封止する、ことを特徴とする方法。
【請求項１７】
請求項１６において、前記封止ステッップが、前記パッケージ本体の前記反対側側部上に前記スタンドオフを形成することを特徴とする方法。
【請求項１８】
請求項１１において、前記パッケージングステップが、集積回路チップをヘッダーへマウントし、且つ前記集積回路チップの上方の前記ヘッダーへ蓋を取付けることを特徴とする方法。
【請求項１９】
請求項１８において、更に、前記パッケージ本体の前記反対側側部へスタンドオフを取付けることを特徴とする方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は集積回路の技術分野に関するものであって、更に詳細には、集積回路のパッケージング技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
電子システムの分野において小型化が一般的となっている。例えば、ラップトップ又はノートブックの大きさのコンピュータは現在一般的に使用されており、且つ例えば携帯電話及び携帯ファクシミリ等の小型の通信システムも一般的に使用されている。当該技術分野において明らかな如く、電子システムの小型化は、回路基板が可及的に小さく且つ可及的に高い密度で回路が設けられる場合に最大とされる。小型化は、更に、通常、主要な又はバックアップ用の電源として使用するために回路基板上へのバッテリ即ち電池の据付けを必要とする。
【０００３】
バッテリバックアップ電源を使用することも小型でない電子システムにおいて一般的となっている。例えば、多くのパソコン及びワークステーションは、一体的なクロック又はカレンダ機能を維持するためにバッテリで駆動されるメモリを有している。このような小型でない電子システムも、小さな形状係数及び高い密度で取付けた回路基板から利点が得られる。
【０００４】
最近の電子組立技術は、高い密度での回路基板の取付けのために表面装着可能型の集積回路パッケージを使用している。表面装着可能パッケージのリードは、反対側で半田接続するために回路基板内の孔を貫通して延在するデュアルインラインパッケージ（ＤＩＰ）のリードと対照的に、半田リフロープロセスによって回路基板の表面へリードを半田付することが可能であるような形状及び寸法のものである。表面装着は、回路基板の取付密度を増加させる。何故ならば、集積回路へ接続するために基板の表面上のトレースを必要とするに過ぎないからである（即ち、基板を貫通するものではない）。更に、パッケージの寸法は、同一の回路に対しＤＩＰパッケージに対して必要とされるものよりも著しく減少させることが可能であり、特に、回路から延在するリード数が大きい場合にはそのことが言える。従って、表面装着技術は、回路基板の形状係数を、ＤＩＰ回路パッケージを使用する同一の電子的機能に対して得られるものから著しく減少することを可能とする。
【０００５】
従来の表面装着可能集積回路パッケージは種々の形態のものが存在している。セラミックのハーメチックシール型の表面装着可能パッケージは、通常、リードレス即ちリードのないチップキャリア型のものか、又は半田バンプ又は半田ボールリードを有するものである。プラスチック封止型又はモールド成形した表面装着可能パッケージは、Ｊリードを有するか又はパッケージ本体から延在するフラットリードを有するリード付チップキャリア型のものである。
【０００６】
従来の表面装着技術は、半田リフロープロセスによって集積回路パッケージを回路基板へ取付け、その場合に半田が回路パッケージから回路基板の反対側ではなく、回路パッケージ自身に隣接して半田が流れるものである。従って、表面装着可能回路パッケージが半田リフローにおいて露呈される温度は、回路基板へＤＩＰパッケージをマウントする場合に露呈される温度よりも著しく大きなものである。このような高温（１８０℃から高々２３０℃）へ短期間露呈されることは回路の信頼性を著しく劣化するものではないと思われるが、このような高温への露呈は例えば従来のリチウム電池又は銀−亜鉛型の電池等のバッテリを著しく劣化させることが観察されている。
【０００７】
この従来のバッテリの温度による劣化のために、従来、不可能ではないにしても、表面装着可能集積回路パッケージ内にバッテリを信頼性をもって組込むことは実際的なものではなかった。そうであるから、従来のパッケージング技術によれば、集積回路パッケージを回路基板へ半田リフローマウントした後に表面マウント適用例においてバッテリをバッテリ駆動型回路内に挿入せねばならず、電子システムの製造を複雑化させ且つコストを増加させる原因となっている。
【０００８】
更に別の従来技術として、内部にバッテリを集積化したＤＩＰパッケージが生産されており、半田付期間中にＤＩＰ回路パッケージが露呈される温度は減少される（中間の回路基板が熱絶縁体である）。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的とするところは、内部にバッテリを集積化することが可能であり且つ半田リフロープロセスの温度に絶えることの可能な表面装着可能集積回路パッケージを提供することである。
【００１０】
本発明の別の目的とするところは、モールド成形した封止型のそのようなパッケージを提供することである。
【００１１】
本発明の更に別の目的とするところは、ハーメチックシール型のそのようなパッケージを提供することである。
【００１２】
本発明の更に別の目的とするところは、そのようなパッケージを製造する方法を提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明は、プラスチック封止型又はセラミック型のいずれかの表面装着可能集積回路パッケージに組込むことが可能である。バッテリ接続リードがそのリードからパッケージ本体の反対側へ配設されており、且つそれらの間に配設されている従来のバッテリ乃至はセルへの電気的接続及びパッケージ内にマウントされているチップへの電気的接続を与えている。パッケージ本体から離隔した態様でセルをサポートするために熱伝導性が劣った物質から形成したスタンドオフを設けることが可能である。これらのリード及びスタンドオフを設けた結果、セルの殆どと回路パッケージとの間に空隙が与えられ、又は熱絶縁性（又は抵抗性）物質でセルを取囲むことが可能である。包囲体がセルを被覆しており、該セルはそれを包囲体から離隔させるために熱抵抗性のスタンドオフを有することが可能である。セルと回路パッケージとの間のギャップは、回路パッケージが半田リフローマウント処理期間中に露呈される過剰な温度からセルを保護する。
【００１４】
【実施例】
図１及び２を参照すると、本発明の第一実施例に基づいて構成された集積回路パッケージ１０が示されている。パッケージ１０はセラミックのハーメチックシール型のものであり、従って、セラミック物質から構成されるヘッダー１２を有しており、その上に従来の導電性のエポキシ又は共晶マウントによってチップ１４が取付けられている。ボンドワイヤ１６が従来の態様でヘッダー１２のリード（不図示）をチップ１４へ接続している。蓋１７がチップ１４がマウントされているヘッダー１２のキャビティ即ち凹所を被覆しており、尚図１の実施例においては、蓋１７は金属性のものであり且つヘッダー１２へ半田付されている。一方、蓋１７はセラミック型のものとすることが可能であり、その場合にはパッケージのシール即ち密封は従来のガラスリフロー技術によって行なわれる。半田バンプ１８が集積回路のリードへ接続されると共にそれらのリードに対応しており、且つパッケージ１０を回路基板へ表面装着することを可能とするタイプのものである。一方、パッケージ１０はリードレスチップキャリアタイプのものとすることが可能であり、その場合にはこのような半田バンプ１８が設けられることはない。
【００１５】
チップ１４によって与えられる機能は、バッテリパワー又はバックアップが有用な任意のタイプのものとすることが可能である。例えば、チップ１４は例えばＣＭＯＳスタチックＲＡＭ等のメモリ回路とすることが可能であり、その場合には、バッテリバックアップパワーは格納されたデータを保持するのに有用である。一方、チップ１４は例えばタイマー又はデータ処理回路等の機能的回路とすることが可能であり、その場合には、バッテリバックアップパワーはある種の動作をイネーブル即ち動作可能状態とさせる上で有用である。
【００１６】
本発明のこの実施例によれば、セル２０はヘッダー１２の半田バンプ１８とは反対側においてパッケージ１０内に一体的にマウント即ち装着されている。セル１０は例えばリチウム又は銀亜鉛型等の従来のタイプのものとすることが可能である。本発明のこの実施例においては、下側バッテリリード２２がヘッダー１２から延在しており、且つセル２０の負側と接触している。図２を参照すると、下側バッテリリード２２はヘッダー１２の表面において接続タブ２１と接触しており、タブ２１はリードレスチップキャリアの外部ランドに類似した金メッキしたランドである。下側バッテリリード２２は溶接又はその他の従来の方法によってタブ２１へ取付けることが可能である。タブ２１はボンドワイヤ１６を介してチップ１４と電気的に接続しており、セル２０の負側がチップ１４をバイアスすることを可能としている。
【００１７】
下側及び上側バッテリリード２２，２４は、通常、パッケージ１０内に装着する前に、セル２０へ溶接される。そうであるから、リード２２，２４をタブ２１，２３へ夫々取付けることによって、セル２０はパッケージ１０内に据付け乃至は装着される。
【００１８】
ヘッダー１２からセル２０へのバッテリリード２２を介しての熱伝導を最小とするために（このような熱伝導はある程度必要である。何故ならば、下側バッテリリード２２は電気的に導電性のものでなければならないからである）、下側バッテリリード２２の幅（図２の平面図において）及びその厚さ（図１の断面図において）を最小とすることが望ましい。更に、下側バッテリリード２２の物質は最小の熱伝導状態で必要な電気的導通を与えるべく選択されるべきである。例えば、下側バッテリリード２２は５ミルの厚さ及び１０ミルの幅を有するステンレススチールから形成することが可能である。
【００１９】
下側スタンドオフ２６は、セル２０に対して構造的支持を与えるためにヘッダー１２の上表面から延在している。ヘッダー１２からセル２０をサポートするために少なくとも３箇所の接触点を設けることが望ましい。従って、図２において陰線で示した如く、２つの下側スタンドオフ２６を設け、従って下側バッテリリード２２と下側スタンドオフ２６との結合が、ヘッダー１２の表面からセル２０に対して安定な支持を与えている。下側スタンドオフ２６は、好適には、例えばガラス又はその他のセラミック物質等の低い熱伝導性物質から構成し、非導電性エポキシによってヘッダー１２の表面へ取付けることが望ましい。
【００２０】
同様に、上側バッテリリード２４はヘッダー１２とセル２０の正側との間に電気的接続を与えている。上側バッテリリード２４は、同様に、溶接又はその他の手段によってタブ２３へ接続されてセル２０をパッケージ１０内に据付ける。上側バッテリリード２４は下側バッテリリード２２と同一の物質及び実質的に同一の寸法であって、セル２０とチップ１４との間に電気的接続を維持しながらそれを介しての熱伝導を最小としている。
【００２１】
ハウンジング３０は本発明のこの実施例に基づいてパッケージ１０に設けられており、セル２０及びバッテリリード２２，２４に対して機械的及び環境的な保護を与えている。ハウジング３０は、例えばプラスチック樹脂又はポリエステルガラス等の熱絶縁性物質から形成することが可能であり、且つ例えばインジェクション成形等の従来のプロセスによって適宜の寸法形状に形成されている。ハウジング３０は従来のエポキシによってヘッダー１２の端部へ取付けられている。上側スタンドオフ２８はハウジング３０の内側表面から延在しており、且つハウンジング３０の内側表面からセル２０に対して安定した支持を与えている。ハウジング３０はモールド成形により成形するが、上側スタンドオフ２８は同一の熱抵抗性乃至は絶縁性物質からハウジング３０の一部として一体的にモールド成形することが可能である。
【００２２】
下側バッテリリード２２と下側スタンドオフ２６との組合わせの結果として、セル２０は図１に示した如く距離ｄ１  だけヘッダー１２の表面から離隔されている。同様に、上側バッテリリード２４と上側スタンドオフ２６との組合わせの結果として、セル２０は距離ｄｕ  だけハウジング３０から離隔されている。距離ｄ１  ，ｄｕ  は例えば５乃至１５ミルの程度のものとすることが可能であるが、勿論、パッケージの高さと熱絶縁性との間の利益衡量にしたがって適宜異なった値を取り得るものである。このような離隔を与える結果、ヘッダー１２とセル２０との間及びハウジング３０とセル２０との間には空隙が設けられ、セル２０を取囲んで高い熱絶縁性を与えている。この熱絶縁性は、半田リフロー処理期間中にセル２０が比較的低温にとどまることを可能とし、その特性が劣化することを最小とし又は取除いている。
【００２３】
セル２０を取囲むキャビティ即ち凹所内に例えばエポキシ等の熱抵抗性乃至は絶縁性物質を挿入することが可能である。この場合には、セル２０は空隙というよりも挿入された物質によって熱絶縁状態とされ、半田リフロー処理期間中に比較的低い温度に維持される。
【００２４】
バッテリリード２２，２４は下側のスタンドオフ２６及び上側のスタンドオフ２８を必要とすることなしにヘッダー１２の上方にセル２０を支持するために、タブ２１，２３に取付けられた場合に、充分な強度を有するものとすることが可能である。この場合には、例えば２５ミルの程度の幅広のバッテリリード２２，２４を設けることが望ましい。
【００２５】
従って、本発明によれば、パッケージ１０は回路基板へ表面マウント即ち表面装着する前に、部品の形態でセル２０をパッケージ１０へ一体化することを可能としており、後になってセル２０を据付けることの必要性及びそのコストを取除いている。従って、本発明によれば、品質及び信頼性が高く且つ低コストの電子システムが提供される。
【００２６】
製造する場合に、パッケージ１０は、最初に従来の態様でチップ１４をヘッダー１２へマウントし、次いでヘッダー１２とチップ１４とを接続するためにボンドワイヤ１６を配設するボンディング操作を行なって形成する。次いで、チップ１４の上方において蓋１７を設けてシールする。チップ１４をマウントする前又はその後のいずれかにおいて、下側スタンドオフ２６をヘッダー１２へ取付ける。
【００２７】
上述した如く、バッテリリード２２，２４を溶接又はその他の方法によって、セル２０をパッケージ１０へ据付ける前にセル２０へ接続させる。次いで、必要に応じてセル２０を下側スタンドオフ２６によって支持した状態で、下側バッテリリード２２及び上側バッテリリード２４をタブ２１及び２３へ取付けることによってセル２０の据付を行なう。半田バンプ１８を設ける場合には、次いで、従来の態様でバンプ１８を形成する。次いで、ハウジング３０をエポキシによってヘッダー１２へ接着させ、セル２０に対して環境保護を与えると共に、スタンドオフ２８を介してそれに対しての構造的支持を与える。
【００２８】
次に図３を参照して、Ｊリードプラスチック封止型チップキャリアと呼称されるタイプの表面装着可能集積回路パッケージ４０に関して本発明の第二実施例を説明する。尚、説明の便宜上、図１及び２における構成要素と同一の構成要素には図３において同一の参照番号を使用する。
【００２９】
図３に示した実施例においては、チップ１４がリードフレーム４４の一部であるダイ取付部４６へマウントされている。リードフレーム４４はプラスチックＪリードチップキャリア用の従来のタイプのものであり、従って通常、その内部リードの面からダイ取付部４６をオフセットさせており、ボンドワイヤ１６の角度の厳しさを減少させている。パッケージ本体４２は、本発明のこの実施例においては、チップ１４をマウントし且つリードフレーム４４へワイヤボンディングした後に、チップ１４の周りにインジェクション成形したプラスチックモールド化合物によって与えらえている。このようなインジェクションモールディングはプラスチック封止型集積回路にとって従来のタイプのものである。モールディングの後に、この実施例においては、リードフレーム４４のリードを従来の態様で、図３に示した如く、Ｊ形状へ屈曲させる。図３に示した実施例においては、下側スタンドオフ２６がパッケージ本体４２から延在しており、且つパッケージ本体４２を形成するために使用されるインジェクションモールディングプロセスにおいて形成される。上述したセラミックの場合における如く、下側スタンドオフ２６は、好適には、セル２０に対して少なくとも３つの支持点（下側バッテリリード２２を１つの支持点と考える）を与えるべく設けることが望ましい。
【００３０】
セル２０は図１に関して前述したのと同様の態様で下側及び上側バッテリリード２２，２４の間に配設されている。上述した場合における如く、下側及び上側バッテリリード２２，２４は、例えば溶接等によって、セル２０をパッケージ４０に据付ける前に、セル２０へ取付けられる。下側及び上側バッテリリード２２，２４用の寸法及び物質は、好適には、上述した図１及び２の実施例におけるものと同一であり、最小の熱伝導性でもって所望の電気的接続を与える。製造する場合に、セル２０が下側スタンドオフ２６によって支持されるような態様で、パッケージ本体をモールド成形した後にパッケージ本体４２から延在するタブ乃至はランドへバッテリリード２２，２４を取付けることによってセル２０が取付けられる。ハウジング３０も、上側スタンドオフ２８を包含すべくインジェクションモールディングによって形成することが望ましく、次いで、そのハウジングをセル２０上方に配置させ、且つ従来のエポキシ接着によってパッケージ本体４２へ取付ける。従って、上側バッテリリード２４と結合して、上側スタンドオフ２８は、パッケージ４０におけるセル２０に対して安定な構造的支持を与えている。
【００３１】
図１及び２の実施例における如く、図３の実施例に基づくパッケージ４０の構成は、セル２０とパッケージ本体４２との間及びセル２０とハウジング３０との間に空隙を与えている。この空隙は、同様に、充分な熱絶縁性を与えており、従ってセル２０は表面装着可能なパッケージ４０を回路基板へ半田リフローマウント処理によってマウントする場合の温度に露呈されることはない。一方、従来の場合における如く、このギャップを熱伝導性の低い物質で充填することが可能である。そうであるから、回路基板組立の前にセル２０をパッケージ４０へ集積化させ、パッケージを回路基板へマウントした後に、バッテリをパッケージへ挿入する付加的な製造操作に対する必要性を取除いている。
【００３２】
以上、本発明の具体的実施の態様について詳細に説明したが、本発明は、これら具体例にのみ限定されるべきものではなく、本発明の技術的範囲を逸脱することなしに種々の変形が可能であることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第一実施例に基づいて構成された集積回路パッケージを示した概略断面図。
【図２】図１の集積回路パッケージの概略断面平面図。
【図３】本発明の第二実施例に基づいて構成された集積回路パッケージの概略断面図。
【符号の説明】
１０  集積回路パッケージ
１２  ヘッダー
１４  チップ
１６  ボンドワイヤ
１７  蓋
１８  半田バンプ
２０  セル
２１，２３  タブ
２２，２４  リード
２６  スタンドオフ
３０  ハウジング
【図１】
0003554350.tif 000002
【図２】
0003554350.tif 000003
【図３】
0003554350.tif 000004