(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
テープキャリアに形成されたリードに半導体チップを接合してなる樹脂封止形の半導体装置であって、
前記半導体チップの主面の外周部と重なって配置される対向面を備え、かつ樹脂封止時の樹脂の回り込みを制御する樹脂流れ制御部が設けられた前記テープキャリアと、
前記半導体チップの電極と前記テープキャリアの前記リードとの接合部およびその周辺部を樹脂封止して形成された樹脂封止部とを有し、
樹脂封止の際の前記テープキャリアの主面側からの前記対向面側への前記樹脂の回り込みを制御する前記樹脂流れ制御部が、前記テープキャリアの前記リードが配置された開口孔またはこの開口孔近傍もしくはその両者に設けられており、
前記樹脂流れ制御部が樹脂封止時の前記樹脂の回り込みを抑制する突出部であり、前記突出部が前記開口孔の内方に向かって突出して設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置であって、前記突出部が前記テープキャリアの前記開口孔において、隣接する前記リード間に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
封止用の樹脂の回り込みを制御する樹脂流れ制御部が開口孔または前記開口孔近傍もしくはその両者に設けられたテープキャリアを準備する工程と、
前記半導体チップの主面の外周部と前記テープキャリアの前記対向面とを重ねて配置するとともに、前記テープキャリアの前記開口孔において前記半導体チップの電極と前記テープキャリアのリードとの位置を合わせる工程と、
前記半導体チップの電極と前記テープキャリアのリードとを電気的に接続する工程と、
前記テープキャリアの前記開口孔付近に前記樹脂を供給することにより、前記テープキャリアの主面側からの前記対向面側への前記樹脂の回り込みを前記テープキャリアの前記樹脂流れ制御部によって制御しながら前記半導体チップの電極と前記テープキャリアのリードとの接合部およびその周辺部を樹脂封止する工程とを有し、
前記樹脂流れ制御部として、前記開口孔にその内方に向かって突出する突出部が設けられ、前記突出部によって樹脂封止時の前記樹脂の回り込みを抑制することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造技術に関し、特に、ＴＣＰ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ）において樹脂封止の際の樹脂のテープキャリア裏面への回り込みを制御できる半導体装置およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
以下に説明する技術は、本発明を研究、完成するに際し、本発明者によって検討されたものであり、その概要は次のとおりである。
【０００３】
薄形および小形化を図る半導体装置の一例として、テープキャリア（テープ状のフィルム）を用いたＴＣＰが知られている。
【０００４】
ここで、ＴＣＰは、携帯用電子機器などに用いられるＬＣＭ（Ｌｉｑｕｉｄ  ＣｒｙｓｔａｌＭｏｄｕｌｅ，液晶モジュール）に実装されることが多い。
【０００５】
なお、この液晶モジュールにおいては、その表示エリアの外周の額縁部にＴＣＰが実装される。
【０００６】
したがって、液晶モジュールの外形サイズを変えることなく、表示エリアを拡大しようとすると、前記額縁部を狭くしなければならず、その結果、ＴＣＰをスリム化する必要がある。
【０００７】
ただし、ＴＣＰのアウタリードは、出荷先で電気的接続を図る際に使用するため、その長さを短くすることはできない。
【０００８】
これにより、ＴＣＰをスリム化するためには、封止範囲に形成された樹脂封止部を狭くしなければならず、これを実現する１つの手段として、半導体チップの回路形成面（主面）の外周部とテープキャリアとをオーバーラップさせて（重ねて）配置することにより、樹脂封止部を狭く形成したＴＣＰ（以降、スリムＴＣＰという）が考案されている。
【０００９】
なお、ＴＣＰの構造や液晶モジュールへの実装については、例えば、日経ＢＰ社、１９９３年５月３１日発行、「実践講座ＶＬＳＩパッケージング技術（上）」香山晋、成瀬邦彦（監修）、２６７〜２７４頁に記載されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、前記した技術のスリムＴＣＰにおいては、半導体チップの主面の外周部とテープキャリアとが重なった構造であるため、テープキャリアのデバイスホール（開口孔）に樹脂を供給して樹脂封止を行う際に、樹脂をテープキャリアの裏面側に回り込ませることが困難である。
【００１１】
この際、デバイスホールを大きくすると、樹脂の回り込みが過剰となり、封止範囲が拡大してしまうため、ＴＣＰのスリム化を実現できないことが問題とされる。
【００１２】
本発明の目的は、樹脂封止の際のテープキャリア裏面への樹脂の回り込みの制御を可能にしてスリムＴＣＰを実現する半導体装置およびその製造方法を提供することにある。
【００１３】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００１５】
すなわち、本発明の半導体装置は、テープキャリアに形成されたリードに半導体チップを接合してなる樹脂封止形のものであり、前記半導体チップの主面の外周部と重なって配置される対向面を備えかつ樹脂封止時の樹脂の回り込みを制御する樹脂流れ制御部が設けられた前記テープキャリアと、前記半導体チップの電極と前記テープキャリアの前記リードとの接合部およびその周辺部を樹脂封止して形成された樹脂封止部とを有し、樹脂封止の際の前記テープキャリアの主面側からの前記対向面側への前記樹脂の回り込みを制御する前記樹脂流れ制御部が、前記テープキャリアの前記リードが配置された開口孔またはこの開口孔近傍もしくはその両者に設けられており、前記樹脂流れ制御部が樹脂封止時の前記樹脂の回り込みを抑制する突出部であり、前記突出部が前記開口孔の内方に向かって突出して設けられているものである。
【００１６】
これにより、スリムＴＣＰにおいて、樹脂封止の際のテープキャリアの主面側からの裏面（対向面）側への樹脂の回り込みを制御することができるため、テープキャリアの裏面側に配置された半導体チップの側面周囲に対してほぼ均一に樹脂を回り込ませることが可能になる。
【００１７】
その結果、スリムＴＣＰにおける樹脂封止部のうちチップ側面封止部を半導体チップの周囲全体に渡ってほぼ均一な樹脂量によって形成することができる。
【００１８】
これにより、スリムＴＣＰにおける温度サイクル試験性を向上できる。
【００２０】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、封止用の樹脂の回り込みを制御する樹脂流れ制御部が開口孔または前記開口孔近傍もしくはその両者に設けられたテープキャリアを準備する工程と、前記半導体チップの主面の外周部と前記テープキャリアの前記対向面とを重ねて配置するとともに、前記テープキャリアの前記開口孔において前記半導体チップの電極と前記テープキャリアのリードとの位置を合わせる工程と、前記半導体チップの電極と前記テープキャリアのリードとを電気的に接続する工程と、前記テープキャリアの前記開口孔付近に前記樹脂を供給することにより、前記テープキャリアの主面側からの前記対向面側への前記樹脂の回り込みを前記テープキャリアの前記樹脂流れ制御部によって制御しながら前記半導体チップの電極と前記テープキャリアのリードとの接合部およびその周辺部を樹脂封止する工程とを有し、前記樹脂流れ制御部として、前記開口孔にその内方に向かって突出する突出部が設けられ、前記突出部によって樹脂封止時の前記樹脂の回り込みを抑制するものである。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００２２】
図１は本発明の半導体装置（ＴＣＰ）の構造の実施の形態の一例を示す平面図、図２は本発明の半導体装置（ＴＣＰ）の構造の実施の形態の一例を示す断面図、図３は本発明の半導体装置（ＴＣＰ）における樹脂封止部の構造の実施の形態の一例を示す図であり、（ａ）  は内部を透過して示す平面図、（ｂ）  は（ａ）のＡＡ断面を示す断面図、図４は本発明の半導体装置（ＴＣＰ）を搭載した液晶モジュールの構造の実施の形態の一例を一部破断して示す平面図である。
【００２３】
図１〜図３に示す本実施の形態の半導体装置は、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）  方式のものであり、テープキャリア２に形成されたリード２ａの端部においてバンプ３を介して半導体チップ１を接合してなる樹脂封止形のＴＣＰ８である。
【００２４】
前記ＴＣＰ８の構造について説明すると、半導体チップ１の主面１ｂの外周部１ｄと重なって配置される対向面である裏面２ｃを備えかつ樹脂封止時の封止用の樹脂の回り込みを制御する樹脂流れ制御部が設けられたテープキャリア２と、半導体チップ１の電極１ａとテープキャリア２のリード２ａとの接合部４およびその周辺部５を樹脂封止して形成された樹脂封止部６とからなり、樹脂封止の際のテープキャリア２の主面２ｂ側からの裏面２ｃ（対向面）側への前記樹脂の回り込みを制御する前記樹脂流れ制御部が、テープキャリア２のリード２ａが配置された開口孔であるデバイスホール２ｄに設けられている。
【００２５】
すなわち、前記ＴＣＰ８は、図２に示すように、半導体チップ１の主面１ｂの外周部１ｄとテープキャリア２のデバイスホール２ｄの周囲の裏面２ｃとがオーバーラップして（重なって）配置されたスリムＴＣＰである。
【００２６】
また、本実施の形態においては、前記樹脂流れ制御部が、図３（ａ）に示すように、樹脂封止時の前記樹脂の回り込みを促進する２つの長方形のスリット状の補助開口部２ｅの場合について説明する。
【００２７】
さらに、前記２つのスリット状の補助開口部２ｅが、細長い長方形のデバイスホール２ｄと繋がって一体に設けられ、かつ補助開口部２ｅがデバイスホール２ｄの両端部のほぼ中央付近に１つずつ設けられている。
【００２８】
なお、スリット状の補助開口部２ｅの大きさは、その幅がデバイスホール２ｄの幅の１／３程度であり、かつその長さは、それぞれの補助開口部２ｅの先端がテープキャリア２の裏面２ｃ側に配置された半導体チップ１の側面１ｃに到達する程度である。
【００２９】
さらに、補助開口部２ｅは、封止用の樹脂の回り込みを促進させるものであるため、その設置箇所は、前記樹脂の回り込みの少ない箇所、すなわち、半導体チップ１とテープキャリア２とにおいて重なった箇所の面積（重複面積）が大きい箇所が好ましく、例えば、本実施の形態では、長方形のデバイスホール２ｄにおけるリード２ａが設けられていない側の両端部付近である。
【００３０】
ここで、テープキャリア２は、例えば、ポリイミド樹脂などによって形成されたテープ状の絶縁フィルムであり、半導体チップ１の電極１ａに対応した複数のリード２ａが主面２ｂに設けられるとともに、テープキャリア２に形成されたデバイスホール２ｄの内方に向かって各々のリード２ａが延在して配置されている。
【００３１】
また、テープキャリア２の主面２ｂにおけるデバイスホール２ｄの周囲には、樹脂封止時の封止用の樹脂の流れを阻止するソルダレジスト２ｆが設けられている。
【００３２】
さらに、リード２ａは導体であり、例えば、銅などによって形成されるとともに、その表面には錫あるいは金めっき処理などが施されている。
【００３３】
また、半導体チップ１は、例えば、シリコンによって形成され、その主面１ｂには、メモリやドライバあるいはＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）などの機能を有する半導体集積回路が形成されるとともに、複数の電極１ａが２列に配置されている（ただし、電極１ａの配列は２列に限定されるものではない）。
【００３４】
なお、本実施の形態のＴＣＰ８は、スリムＴＣＰであるため、図１に示す封止範囲７を狭くするように、２列配置された電極１ａが半導体チップ１の主面１ｂにおいてそのほぼ中央付近に集まって設けられている。
【００３５】
また、樹脂封止部６を形成する封止用の樹脂は、例えば、エポキシ系の熱硬化性樹脂であり、半導体チップ１の電極１ａとテープキャリア２のリード２ａとの接合部４およびその周辺部５を封止することにより、半導体チップ１、リード２ａおよび接合部４を外部環境から保護している。
【００３６】
さらに、バンプ３は、例えば、金などによって形成され、半導体チップ１の主面１ｂに形成された複数の電極１ａに取り付けられている。
【００３７】
次に、本実施の形態のＴＣＰ８を搭載した液晶モジュール９（図４参照）の構造について説明する。
【００３８】
この液晶モジュール９は、外見上、液晶による表示エリア１０とこの表示エリア１０の縁取りである額縁部１１とからなる。
【００３９】
ここで、額縁部１１の内部には、ドライバ機能を有する多数のＴＣＰ８（本実施の形態では、スリムＴＣＰ）が搭載されている。
【００４０】
なお、図１に示すＴＣＰ８において、ユーザエリア１２の領域を切断してテープキャリア２から分離させた半導体装置が、図４に示すＴＣＰ８である。
【００４１】
つまり、図４に示す液晶モジュール９において、その中央に配置された液晶付き基板１３の内部配線１３ａとＴＣＰ８の一方のリード２ａとが電気的に接続され、かつＴＣＰ８の他方のリード２ａと図示しない主プリント配線基板とが電気的に接続されている。
【００４２】
図１〜図４を用いて、本実施の形態によるＴＣＰ８の製造方法について説明する。
【００４３】
本実施の形態によるＴＣＰ８の製造方法は、図１および図２に示すＴＡＢ方式のＴＣＰ８すなわちスリムＴＣＰの製造方法である。
【００４４】
まず、封止用の樹脂の回り込みを制御する前記樹脂流れ制御部が、細長いデバイスホール２ｄ（開口孔）の両端に設けられたテープキャリア２を準備する。
【００４５】
なお、本実施の形態は、前記樹脂流れ制御部が２つの長方形のスリット状の補助開口部２ｅの場合であり、細長いデバイスホール２ｄと繋がって一体に形成されたスリット状の補助開口部２ｅがデバイスホール２ｄの両端部に１つずつ設けられている。
【００４６】
つまり、この補助開口部２ｅによって樹脂封止時の前記樹脂の回り込みを促進するものである。
【００４７】
続いて、半導体チップ１の主面１ｂの外周部１ｄとテープキャリア２の裏面２ｃ（対向面）とを重ねて配置する。
【００４８】
すなわち、本実施の形態のＴＣＰ８は、スリムＴＣＰであるため、半導体チップ１の主面１ｂの外周部１ｄとテープキャリア２のデバイスホール２ｄの周囲の裏面２ｃとがオーバーラップする（重なる）ように、半導体チップ１とテープキャリア２とを配置する。
【００４９】
その後、テープキャリア２のデバイスホール２ｄ内において半導体チップ１の複数の電極１ａとこれに対応するテープキャリア２の複数のリード２ａとの位置をそれぞれ合わせる。
【００５０】
さらに、半導体チップ１の電極１ａとテープキャリア２のリード２ａとをバンプ３を介してギャングボンディング法などを用いて電気的に接続する。
【００５１】
なお、半導体チップ１の電極１ａとリード２ａとの接続方法は、シングルボンディング法であってもよい。
【００５２】
その後、テープキャリア２のデバイスホール２ｄ付近に封止用の樹脂を供給することにより、テープキャリア２の主面１ｂ側からの裏面２ｃ（対向面）側への前記樹脂の回り込みをテープキャリア２の補助開口部２ｅ（樹脂流れ制御部）によって制御しながら半導体チップ１の電極１ａとテープキャリア２のリード２ａとの接合部４およびその周辺部５を樹脂封止する。
【００５３】
ここで、本実施の形態は、前記樹脂の回り込みを促進させる場合であるため、補助開口部２ｅによって前記樹脂のテープキャリア２の裏面２ｃ側への回り込みを促進させながら樹脂封止を行う。
【００５４】
その際、ポッティング方法によって前記樹脂をデバイスホール２ｄの周囲に沿って所定量滴下する。
【００５５】
その後、この樹脂を熱硬化して樹脂封止部６を形成し、これにより、図１および図２に示すＴＣＰ８の製造を終了する。
【００５６】
なお、テープキャリア２のデバイスホール２ｄ付近に滴下された樹脂は、テープキャリア２上に流出するが、封止範囲７の境界付近に設けられたソルダレジスト２ｆによってその流れが阻止され、これにより、封止範囲７内で樹脂封止部６が形成される。
【００５７】
本実施の形態のＴＣＰ８（半導体装置）およびその製造方法によれば、以下のような作用効果が得られる。
【００５８】
すなわち、テープキャリア２に樹脂流れ制御部が設けられたことにより、半導体チップ１の主面１ｂの外周部１ｄとテープキャリア２の裏面２ｃ（対向面）とを重ねて配置したＴＣＰ８、つまりスリムＴＣＰにおいて、樹脂封止の際のテープキャリア２の主面１ｂ側からの裏面２ｃ側への封止用の樹脂の回り込みを制御することが可能になる。
【００５９】
なお、本実施の形態では、スリムＴＣＰにおけるテープキャリア２の前記樹脂流れ制御部が樹脂の回り込みを促進する補助開口部２ｅであり、前記樹脂が回り込み難い樹脂不足箇所、例えば、半導体チップ１の主面１ｂの外周部１ｄとテープキャリア２の裏面２ｃとの重複面積が大きい箇所などの近傍にこの補助開口部２ｅを設けることにより、前記重複面積が大きい箇所に所望量の前記樹脂を回り込ませることができる。
【００６０】
これにより、スリムＴＣＰにおいて、前記重複面積が大きい箇所の封止強度を向上させることができる。
【００６１】
さらに、スリムＴＣＰにおいて、テープキャリア２の裏面２ｃ側に配置された半導体チップ１の側面１ｃ周囲に対してほぼ均一に前記樹脂を回り込ませることが可能になる。
【００６２】
その結果、樹脂封止部６のうちチップ側面封止部６ａを半導体チップ１の周囲全体に渡ってほぼ均一な樹脂量によって形成することが可能になる。
【００６３】
これにより、チップ側面封止部６ａの封止強度を向上でき、かつその封止強度をチップ側面封止部６ａ全体に渡って均一にすることができる。
【００６４】
したがって、スリムＴＣＰの品質を向上させることができ、その結果、スリムＴＣＰを図４に示す液晶モジュール９などの電子機器に搭載した際には、この液晶モジュール９の品質も向上することができる。
【００６５】
また、スリムＴＣＰの温度サイクル試験において故障が発生した場合の故障解析を行う際に、その故障発生の原因からチップ側面封止部６ａが半導体チップ１の周囲において不均一に形成された要因を取り除くことができるため、スリムＴＣＰにおける温度サイクル試験性を向上することが可能になる。
【００６６】
以上、本発明者によってなされた発明を発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【００６７】
例えば、前記実施の形態においては、ＴＣＰ８（半導体装置）のテープキャリア２に設けられた樹脂流れ制御部が、封止用の樹脂の回り込みを促進する補助開口部２ｅであり、この補助開口部２ｅがスリット状に形成されている場合について説明したが、補助開口部２ｅの形状は、スリット状に限定されるものではなく、樹脂の回り込みを促進する前記樹脂流れ制御部の形状としては、図５〜図８に示す他の実施の形態の半導体装置のように、種々の形状が考えられる。
【００６８】
ここで、図５に示す半導体装置は、テープキャリア２における補助開口部２ｅ（樹脂流れ制御部）の形状を、その先端部の形状が小半円の三角形としたものである。
【００６９】
さらに、図６に示す半導体装置は、テープキャリア２における補助開口部２ｅ（樹脂流れ制御部）の形状を半円形としたものである。
【００７０】
また、図７に示す半導体装置は、テープキャリア２における補助開口部２ｅの形状を極細のスリット状に形成したものであり、前記極細のスリット状の補助開口部２ｅをデバイスホール２ｄの両端部に３個ずつ設け、かつ、隣接するリード２ａ間にも前記極細のスリット状の補助開口部２ｅを設けたものである。
【００７１】
なお、前記極細のスリット状の補助開口部２ｅの設置数は、特に限定されるものではない。
【００７２】
さらに、前記実施の形態（図３参照）および前記他の実施の形態（図５〜図６参照）の半導体装置における補助開口部２ｅが、デバイスホール２ｄと繋がって一体に設けられていたのに対して、図８に示す他の実施の形態の半導体装置における補助開口部２ｅは、デバイスホール２ｄと繋がった一体のものではなく、デバイスホール２ｄ近傍に単体で設けられたものである。
【００７３】
ここで、図８に示す半導体装置のテープキャリア２は、デバイスホール２ｄの両端部の近傍にそれぞれ２つの小形の円形孔である補助開口部２ｅと、それぞれ１つの小形の長方形の補助開口部２ｅとが設けられたものである。
【００７４】
なお、図５〜図８に示す他の実施の形態の半導体装置（ＴＣＰ８）の製造方法は、図１〜図３に示す前記実施の形態の半導体装置（ＴＣＰ８）の製造方法と同様であるとともに、前記他の実施の形態の半導体装置によって得られる作用効果についても、前記実施の形態の半導体装置と同様のものである。
【００７５】
また、前記実施の形態および前記他の実施の形態においては、テープキャリア２に設けられた樹脂流れ制御部が、封止用の樹脂の回り込みを促進する補助開口部２ｅの場合について説明したが、前記樹脂流れ制御部は、図９および図１０に示す他の実施の形態の半導体装置のように、封止用の樹脂の回り込みを抑制する突出部２ｇであってもよい。
【００７６】
ここで、図９に示す半導体装置（ＴＣＰ８）のテープキャリア２においては、デバイスホール２ｄの内方に向かって突出した三角形の突出部２ｇがデバイスホール２ｄ（開口孔）の両端部に１つずつ設けられている。
【００７７】
なお、図９に示すＴＣＰ８すなわちスリムＴＣＰにおいては、封止用の樹脂の回り込みを抑制する突出部２ｇがデバイスホール２ｄに設けられていることにより、テープキャリア２の裏面２ｃ（対向面）側への前記樹脂の回り込みを抑えることができる。
【００７８】
これにより、前記スリムＴＣＰにおいて、封止範囲７（図２参照）をさらに縮小することが可能になる。
【００７９】
また、図１０に示す半導体装置（ＴＣＰ８）のテープキャリア２は、そのデバイスホール２ｄにおいて、隣接するリード２ａ間に小形の三角形の突出部２ｇがデバイスホール２ｄ（開口孔）の内方に向かって突出して設けられているものである。
【００８０】
これにより、テープキャリア２の裏面２ｃ側へのリード２ａと平行な方向の前記樹脂の回り込みを抑えることが可能になる。
【００８１】
したがって、スリムＴＣＰにおいて、リード２ａと平行な方向の前記封止範囲７をさらに縮小することが可能になり、スリムＴＣＰにおけるユーザエリア１２（図１参照）をさらに縮小することが可能になる。
【００８２】
その結果、このスリムＴＣＰを図４に示す液晶モジュール９に実装した際に、この液晶モジュール９の額縁部１１を縮小できるため、液晶モジュール９の表示エリア１０を拡大することができる。
【００８３】
これにより、液晶モジュール９を搭載した携帯用電子機器などの電子機器の性能を向上させることができる。
【００８４】
なお、図９および図１０に示す他の実施の形態の半導体装置の製造方法は、図１〜図３に示す前記実施の形態の半導体装置の製造方法と同様である。
【００８５】
また、前記実施の形態および図５〜図１０に示す前記他の実施の形態においては、前記樹脂流れ制御部がデバイスホール２ｄ（開口孔）と繋がった一体のものとして設けられているか、あるいは、デバイスホール２ｄの近傍に一体としない構造で設けられている場合の何れかを説明したが、前記樹脂流れ制御部は、その両者の場合を組み合わせたものであってもよい。
【００８６】
例えば、図３に示す一体型の長方形のスリット状の樹脂流れ制御部（補助開口部２ｅ）と、図８に示す小形の円形の樹脂流れ制御部（補助開口部２ｅ）との両者が設けられていてもよい。
【００８７】
さらに、樹脂の回り込みを促進する樹脂流れ制御部（例えば、図３に示す補助開口部２ｅ）と、樹脂の回り込みを抑制する樹脂流れ制御部（例えば、図１０に示す突出部２ｇ）とが、組み合わさって設けられていてもよい。
【００８８】
なお、前記実施の形態および図５〜図１０に示す前記他の実施の形態において、前記樹脂流れ制御部のテープキャリア２における設置箇所については、デバイスホール２ｄまたはデバイスホール２ｄ近傍の何れか、もしくは、その両者において、樹脂の回り込みの制御（促進あるいは抑制）を可能にする箇所であれば、半導体チップ１とテープキャリア２とが重なった箇所であってもよく、また、重なっていない箇所であってもよく、さらに、隣接するリード２ａ間であってもよい。
【００８９】
また、前記樹脂流れ制御部の形状についても、前記実施の形態および図５〜図１０に示す前記他の実施の形態において説明した形状以外のものであってもよい。
【００９０】
さらに、前記実施の形態および図５〜図１０に示す前記他の実施の形態においては、樹脂封止を行う際に、ポッティング方法によって封止用の樹脂を滴下する場合について説明したが、前記樹脂の供給方法としては、予め封止用の固形樹脂をデバイスホール２ｄ付近に配置しておき、封止時に加熱して前記固形樹脂を溶かして封止する方法や、または、モールド方法などを用いてもよい。
【００９１】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００９２】
（１）．テープキャリアに樹脂流れ制御部が設けられたことにより、スリムＴＣＰにおいて、樹脂封止の際のテープキャリアの裏面（対向面）側への樹脂の回り込みを制御することが可能になる。これにより、テープキャリアの裏面側に配置された半導体チップの側面周囲に対してほぼ均一に樹脂を回り込ませることが可能になる。
【００９３】
（２）．前記（１）により、樹脂封止部のうちチップ側面封止部を半導体チップの周囲全体に渡ってほぼ均一な樹脂量によって形成することが可能になる。これにより、スリムＴＣＰにおける温度サイクル試験性を向上することができる。
【００９４】
（３）．スリムＴＣＰにおけるテープキャリアの樹脂流れ制御部が樹脂の回り込みを促進する補助開口部であり、半導体チップの主面の外周部とテープキャリアの裏面との重複面積が大きい箇所の近傍にこの補助開口部を設けることにより、樹脂が回り込み難い箇所に所望量の樹脂を回り込ませることができる。これにより、スリムＴＣＰにおいて、チップ側面封止部の封止強度を向上でき、かつその封止強度をチップ側面封止部全体に渡って均一にすることができる。
【００９５】
（４）．スリムＴＣＰにおいて樹脂流れ制御部が樹脂の回り込みを抑制する突出部であり、かつこの突出部がテープキャリアの開口孔に設けられていることにより、テープキャリアの裏面側への樹脂の回り込みを抑えることができる。これにより、スリムＴＣＰにおいて封止範囲をさらに縮小することが可能になる。
【００９６】
（５）．前記突出部がテープキャリアの開口孔において隣接するリード間に設けられていることにより、テープキャリアの裏面側へのリードと平行な方向の樹脂の回り込みを抑えることが可能になる。これにより、スリムＴＣＰにおける封止範囲を縮小することができるため、スリムＴＣＰを液晶モジュールに実装した際に、この液晶モジュールの額縁部を縮小できる。その結果、液晶モジュールの表示エリアを拡大することができ、これにより、前記液晶モジュールを搭載した携帯用電子機器などの電子機器の性能を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による半導体装置（ＴＣＰ）の構造の実施の形態の一例を示す平面図である。
【図２】本発明による半導体装置（ＴＣＰ）の構造の実施の形態の一例を示す断面図である。
【図３】本発明の半導体装置（ＴＣＰ）における樹脂封止部の構造の実施の形態の一例を示す図であり、（ａ）  は内部を透過して示す平面図、（ｂ）  は（ａ）のＡ−Ａ断面を示す断面図である。
【図４】本発明の半導体装置（ＴＣＰ）を搭載した液晶モジュールの構造の実施の形態の一例を一部破断して示す平面図である。
【図５】本発明の他の実施の形態である半導体装置（ＴＣＰ）の樹脂封止部の構造を示す図であり、（ａ）  は内部を透過して示す平面図、（ｂ）  は（ａ）のＢ−Ｂ断面を示す断面図である。
【図６】本発明の他の実施の形態である半導体装置（ＴＣＰ）の樹脂封止部の構造を示す図であり、（ａ）  は内部を透過して示す平面図、（ｂ）  は（ａ）のＣ−Ｃ断面を示す断面図である。
【図７】本発明の他の実施の形態である半導体装置（ＴＣＰ）の樹脂封止部の構造を示す図であり、（ａ）  は内部を透過して示す平面図、（ｂ）  は（ａ）のＤ−Ｄ断面を示す断面図である。
【図８】本発明の他の実施の形態である半導体装置（ＴＣＰ）の樹脂封止部の構造を示す図であり、（ａ）  は内部を透過して示す平面図、（ｂ）  は（ａ）のＥ−Ｅ断面を示す断面図である。
【図９】本発明の他の実施の形態である半導体装置（ＴＣＰ）の樹脂封止部の構造を示す図であり、（ａ）  は内部を透過して示す平面図、（ｂ）  は（ａ）のＦ−Ｆ断面を示す断面図である。
【図１０】本発明の他の実施の形態である半導体装置（ＴＣＰ）の樹脂封止部の構造を示す図であり、（ａ）  は内部を透過して示す平面図、（ｂ）  は（ａ）のＧ−Ｇ断面を示す断面図である。
【符号の説明】
１  半導体チップ
１ａ  電極
１ｂ  主面
１ｃ  側面
１ｄ  外周部
２  テープキャリア
２ａ  リード
２ｂ  主面
２ｃ  裏面（対向面）
２ｄ  デバイスホール（開口孔）
２ｅ  補助開口部（樹脂流れ制御部）
２ｆ  ソルダレジスト
２ｇ  突出部（樹脂流れ制御部）
３  バンプ
４  接合部
５  周辺部
６  樹脂封止部
６ａ  チップ側面封止部
７  封止範囲
８  ＴＣＰ（半導体装置）
９  液晶モジュール
１０  表示エリア
１１  額縁部
１２  ユーザエリア
１３  液晶付き基板
１３ａ  内部配線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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