(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
純水による洗浄処理が終了した基板に有機溶剤の蒸気を供給して前記基板に付着した前記純水を前記有機溶剤に置換した後、減圧状態とすることによって前記基板の乾燥処理を行う基板処理装置であって、
前記洗浄処理を行う処理槽と、
前記処理槽を収容し、前記乾燥処理を行う処理室と、
前記有機溶剤の蒸気を加熱する有機溶剤蒸気加熱手段と、
前記有機溶剤蒸気加熱手段によって加熱された前記有機溶剤の蒸気を前記処理室内に供給することによって、前記乾燥処理時における前記減圧状態によって低下する前記基板の温度をその時点の前記処理室内の水の露点および前記有機溶剤の露点のうちいずれか高い温度よりも高くする有機溶剤蒸気供給手段と、
加熱された前記有機溶剤の蒸気が供給された後に前記処理室内を減圧する減圧手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１記載の基板処理装置において、
不活性ガスを加熱する不活性ガス加熱手段と、
加熱された前記有機溶剤の蒸気が供給された後であって前記処理室内を減圧する前に、前記不活性ガス加熱手段によって加熱された不活性ガスを前記処理室内に供給する不活性ガス供給手段と、
をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
純水による洗浄処理が終了した基板に処理室にて乾燥処理を行う基板処理方法であって、
有機溶剤の蒸気を加熱する有機溶剤蒸気加熱工程と、
純水による前記洗浄処理が終了した後に加熱された前記有機溶剤の蒸気を前記処理室内に供給して前記基板に付着した純水を有機溶剤に置換するとともに、前記基板を昇温する有機溶剤蒸気供給工程と、
加熱された前記有機溶剤の蒸気が供給された後に前記処理室内を減圧する減圧工程と、
を備え、
前記減圧工程において低下する前記基板の温度がその時点の前記処理室内の水の露点および前記有機溶剤の露点のうちいずれか高い温度よりも高くなるように、前記有機溶剤蒸気加熱工程にて前記有機溶剤の蒸気を加熱することを特徴とする基板処理方法。
【請求項４】
請求項３記載の基板処理方法において、
不活性ガスを加熱する不活性ガス加熱工程と、
加熱された前記有機溶剤の蒸気が供給された後であって前記処理室内を減圧する前に、加熱された不活性ガスを前記処理室内に供給する不活性ガス供給工程と、
をさらに備えることを特徴とする基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、純水による洗浄処理が終了した半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、光ディスク用基板等の薄板状基板（以下、単に「基板」とする）に有機溶剤を供給した後、減圧状態とすることによって乾燥処理を行う基板処理装置および方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、上記基板の製造工程においては、密閉処理室に収容された処理槽内のフッ酸等のエッチング液に基板を浸漬してエッチング処理ないし洗浄処理を施した後、処理槽内のエッチング液を純水に置換して当該基板の洗浄処理を行い、さらにその後純水から引き上げた基板に処理室内にて減圧乾燥処理を行う基板処理装置が用いられている。
【０００３】
かかる装置においては、通常、純水による洗浄処理が終了した後、処理槽の純水から基板を引き上げる前、または基板を引き上げつつ有機溶剤であるイソプロピルアルコール（以下、「ＩＰＡ」と称する）の蒸気を処理室内に供給し、基板表面にＩＰＡを凝縮させることによって当該基板に付着した水をＩＰＡに置換している。そして、処理室内雰囲気を不活性ガスである窒素ガスに置換するとともに処理槽の純水を排液した後、密閉した処理室を減圧状態とすることによって基板の乾燥処理を行っている（減圧乾燥処理）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、この乾燥処理の工程においては、減圧乾燥処理後に基板表面にパーティクルが付着している現象がしばしば認められた。そして、乾燥処理において付着したパーティクルは、最終製品たる半導体デバイス等の品質を劣化させ、その歩留まりを低下させるという問題を生じることとなる。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、減圧乾燥を行うときに、パーティクルの基板への付着を防止することができる基板処理装置および方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、請求項１の発明は、純水による洗浄処理が終了した基板に有機溶剤の蒸気を供給して前記基板に付着した前記純水を前記有機溶剤に置換した後、減圧状態とすることによって前記基板の乾燥処理を行う基板処理装置であって、前記洗浄処理を行う処理槽と、前記処理槽を収容し、前記乾燥処理を行う処理室と、前記有機溶剤の蒸気を加熱する有機溶剤蒸気加熱手段と、前記有機溶剤蒸気加熱手段によって加熱された前記有機溶剤の蒸気を前記処理室内に供給することによって、前記乾燥処理時における前記減圧状態によって低下する前記基板の温度をその時点の前記処理室内の水の露点および前記有機溶剤の露点のうちいずれか高い温度よりも高くする有機溶剤蒸気供給手段と、加熱された前記有機溶剤の蒸気が供給された後に前記処理室内を減圧する減圧手段と、を備えている。
【０００７】
また、請求項２の発明は、請求項１の発明に係る基板処理装置において、不活性ガスを加熱する不活性ガス加熱手段と、加熱された前記有機溶剤の蒸気が供給された後であって前記処理室内を減圧する前に、前記不活性ガス加熱手段によって加熱された不活性ガスを前記処理室内に供給する不活性ガス供給手段と、をさらに備える。
【０００８】
また、請求項３の発明は、純水による洗浄処理が終了した基板に処理室にて乾燥処理を行う基板処理方法であって、有機溶剤の蒸気を加熱する有機溶剤蒸気加熱工程と、純水による前記洗浄処理が終了した後に加熱された前記有機溶剤の蒸気を前記処理室内に供給して前記基板に付着した純水を有機溶剤に置換するとともに、前記基板を昇温する有機溶剤蒸気供給工程と、加熱された前記有機溶剤の蒸気が供給された後に前記処理室内を減圧する減圧工程と、を備えるとともに、前記減圧工程において低下する前記基板の温度がその時点の前記処理室内の水の露点および前記有機溶剤の露点のうちいずれか高い温度よりも高くなるように、前記有機溶剤蒸気加熱工程にて前記有機溶剤の蒸気を加熱している。
【０００９】
また、請求項４の発明は、請求項３の発明に係る基板処理方法において、不活性ガスを加熱する不活性ガス加熱工程と、加熱された前記有機溶剤の蒸気が供給された後であって前記処理室内を減圧する前に、加熱された不活性ガスを前記処理室内に供給する不活性ガス供給工程と、をさらに備える。
【００１２】
【発明の実施の形態】
＜Ａ．課題解決のための基礎となる知見および本発明の原理＞
上述した課題、すなわち減圧乾燥処理におけるパーティクル付着の問題を解決すべく、本発明者は鋭意検討を重ねた結果、以下のような知見を見いだしたので、まずそれについて説明する。
【００１３】
上述した従来の技術においては、減圧乾燥を行う前に処理室内雰囲気を窒素ガスに置換しているものの、処理室内には依然としてＩＰＡの蒸気が残留しているものと考えられる。また、排液後の処理槽には水滴が付着しているため、減圧前の処理室内には水蒸気も存在することになる。
【００１４】
一方、処理室内を減圧状態にすると、室内の気体の内部エネルギーが減少するとともに、処理槽に付着した水滴の気化が促進されることに伴って気化熱が奪われることにより、温度低下が生じる。そして、基板の温度が低下して、水蒸気またはＩＰＡ蒸気の露点よりも低くなると、基板表面に水またはＩＰＡが結露することになる。このことを図６を用いつつさらに説明する。
【００１５】
図６は、飽和蒸気圧曲線を示す図である。上述の如く、減圧前においては、水蒸気およびＩＰＡ蒸気が処理室内に存在しており、減圧中においてもそれらの一部は残存している。そして、減圧中における水またはＩＰＡの蒸気圧をＰ１とすると、図６に示す如く、温度Ｔ１が水またはＩＰＡの露点となる。
【００１６】
ここで、従来においては、減圧前の基板の温度がＴ２であり、減圧による温度低下によって基板温度が徐々に低下し、やがて温度Ｔ１以下となると水またはＩＰＡの基板面への結露が生じるのである。もっとも、処理室内は減圧されているため水またはＩＰＡの蒸気圧が減少して露点自体も低下しているものと考えられるが、露点の低下よりも基板の温度低下の方が大きい場合は、基板温度が露点以下となり、結露が生じるものと推察される。また、水に関しては、減圧によって処理槽に付着した水滴の気化が促進され、処理室内における水蒸気圧低下が抑制されることとなり、その結果露点の低下も小さくなるものと推考される。
【００１７】
処理室内の水またはＩＰＡの蒸気は処理室内に浮遊する微粒子を吸着していることもあり、基板面に結露した水またはＩＰＡの液滴が乾燥されると、その微粒子が基板面に残留し、パーティクルになるものと考えられる。
【００１８】
本発明者は、減圧乾燥に伴うパーティクル発生の原因について以上のような現象を究明し、この知見に基づいて本発明を完成させたのである。
【００１９】
すなわち、図６において、減圧乾燥前の基板温度をＴ３程度としておけば、減圧によって基板温度が低下しても、露点Ｔ１以下となることはなくなり、基板面に結露が生じることもなくなる。その結果、結露した液滴が乾燥することによるパーティクル発生が防止できるのである。逆に言えば、減圧乾燥処理時における基板の温度がその時点の処理室内の水の露点およびＩＰＡの露点のうちいずれか高い温度Ｔ１よりも高くなるように減圧乾燥前の基板温度をＴ３まで上昇させておけば、パーティクルの発生が防止できるのである。
【００２０】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００２１】
＜Ｂ．基板処理装置の構成＞
図１は、本発明の実施の形態の基板処理装置１の全体構成を示す斜視図である。図示のように、この装置は、未処理基板を収納しているカセットＣが投入されるカセット搬入部２と、このカセット搬入部２からのカセットＣが載置され内部から複数の基板が同時に取り出される基板取出部３と、カセットＣから取り出された未処理基板が順次洗浄処理に供される基板処理部５と、洗浄処理後の複数の処理済み基板が同時にカセットＣ中に収納される基板収納部７と、処理済み基板を収納しているカセットＣが払い出されるカセット搬出部８とを備える。さらに、装置の前側（−Ｙ側）には、基板取出部３から基板収納部７に亙って基板移載搬送機構９が配置されており、洗浄処理前、洗浄処理中及び洗浄処理後の基板を一箇所から別の箇所に搬送したり移載したりする。
【００２２】
カセット搬入部２は、水平移動、昇降移動及び垂直軸回りの回転が可能なカセット移載ロボットＣＲ１を備え、カセットステージ２ａ上の所定位置に載置された一対のカセットＣを基板取出部３に移載する。
【００２３】
基板取出部３は、昇降移動する一対のホルダ３ａ、３ｂを備える。そして、各ホルダ３ａ、３ｂの上面にはガイド溝が刻設されており、カセットＣ中の未処理基板を垂直かつ互いに平行に支持することを可能にする。したがって、ホルダ３ａ、３ｂが上昇すると、カセットＣ中から基板が取り出される。カセットＣ中から取り出された基板は、基板移載搬送機構９に設けた搬送ロボットＴＲに受け渡され、水平移動後に基板処理部５に投入される。
【００２４】
基板処理部５は、薬液を収容する薬液槽を備える薬液処理部５２と、純水を収容する水洗槽を備える水洗処理部５４と、単一槽内で各種の薬液処理や水洗処理を行う処理槽５６２を備える多機能処理部５６とから構成される。
【００２５】
基板処理部５において、薬液処理部５２及び水洗処理部５４の後方側（＋Ｙ側）には、第１基板浸漬機構５５が配置されており、これに設けた上下動及び横行可能なリフタヘッドＬＨ１によって、搬送ロボットＴＲから受け取った基板を薬液処理部５２の薬液槽に浸漬したり、水洗処理部５４の水洗槽に浸漬したりする。また、多機能処理部５６の後方側には、第２基板浸漬機構５７が配置されており、これに設けた上下動可能なリフタヘッド５６３ａによって、搬送ロボットＴＲから受け取った基板を多機能処理部５６の処理槽５６２内に支持する。
【００２６】
基板収納部７は、基板取出部３と同様の構造を有し、昇降可能な一対のホルダ７ａ、７ｂによって、搬送ロボットＴＲに把持された処理済み基板を受け取ってカセットＣ中に収納する。
【００２７】
また、カセット搬出部８は、カセット搬入部２と同様の構造を有し、移動自在のカセット移載ロボットＣＲ２を備え、基板収納部７上に載置された一対のカセットＣをカセットステージ８ａ上の所定位置に移載する。
【００２８】
基板移載搬送機構９は、水平移動及び昇降移動が可能な搬送ロボットＴＲを備える。そして、この搬送ロボットＴＲに設けた一対の回転可能なハンド９１、９２よって基板を把持することにより、基板取出部３のホルダ３ａ、３ｂに支持された基板を基板処理部５の第１基板浸漬機構５５に設けたリフタヘッドＬＨ１側に移載したり、このリフタヘッドＬＨ１側から隣の第２基板浸漬機構５７に設けたリフタヘッド５６３ａ側に移載したり、このリフタヘッド５６３ａ側から基板収納部７のホルダ７ａ、７ｂに移載したりする。
【００２９】
次に、多機能処理部５６の正面断面図および側面断面図である図２および図３を用いて、その構成および概略動作を説明する。
【００３０】
多機能処理部５６は主にケーシング（処理室）５６０、シャッタ５６１、処理槽５６２、リフタ５６３、リフタ駆動部５６４、ＩＰＡ・Ｎ２供給部５６５およびＮ２供給部５６６を備えている。
【００３１】
ケーシング５６０は上面に基板搬出入口ＴＯを備え、その周囲にシール部材５６０ａを固着し、また、底面には排気用の配管５６０ｂを備えている。
【００３２】
シャッタ５６１は遮蔽板５６１ａとそれを前後から挟むようにしてケーシング５６０の側面上端に設けられたガイド５６１ｂを備えており、当該ガイド５６１ｂのガイドレールに沿って遮蔽板５６１ａが若干上下動するとともに水平方向にスライドすることによって開閉する。なお、ケーシング５６０上面に設けられたシール部材５６０ａにより、シャッタ５６１が閉じた状態ではケーシング５６０の気密性が保たれている。
【００３３】
処理槽５６２はエッチング液であるフッ酸（ＨＦ）および洗浄液である純水（以下、併せて「処理液」という。）を貯留することが可能で、それらに基板Ｗが浸漬されて、それぞれエッチング処理や洗浄処理が行われる。また、処理槽５６２の底面には処理液の帰還用の配管５６２ｃ、廃液用の配管５６２ｄ、処理液供給用の配管５６２ｅが連結されている。さらに、処理槽５６２の四方の外側面の上端には処理液回収溝５６２ａが設けられており、それには処理液回収用の配管５６２ｂが連結されている。
【００３４】
リフタ５６３はリフタヘッド５６３ａと保持板５６３ｂとの間に、基板Ｗが保持される保持溝を所定間隔で多数備えた基板ガイド５６３ｃを３本備えている。
【００３５】
リフタ駆動部５６４はサーボモータ５６４ａに取り付けられたタイミングベルト５６４ｂに、その長手方向が鉛直方向となっているシャフト５６４ｃが連結されるとともに、シャフト５６４ｃの上端はリフタ５６３のリフタヘッド５６３ａに連結されており、サーボモータ５６４ａの駆動によりリフタ５６３およびそれに保持された複数の基板Ｗを昇降させ、図２および図３に示した基板Ｗの搬送ロボットＴＲとの受け渡し位置ＴＰ、基板Ｗの乾燥位置ＤＲ、基板Ｗの上記処理液への浸漬位置ＤＰに位置させることが可能となっている。
【００３６】
ＩＰＡ・Ｎ２供給部５６５は、ケーシング５６０の内部側面に一対のＩＰＡ・Ｎ２供給管５６５ａがそれぞれブラケット５６５ｂによって保持されることにより、処理槽５６２に貯留されている処理液の液面（処理槽５６２の上端）より下の位置に取り付けられている。ＩＰＡ・Ｎ２供給管５６５ａには有機溶剤であるＩＰＡをキャリアガスＮ２とともに供給するための複数の供給口ＩＯが上向きに開孔して設けられている。また、図２および図３には図示しないがＩＰＡ・Ｎ２供給管５６５ａには配管５６５ｃ（図４参照）が連結されている。
【００３７】
Ｎ２供給部５６６もケーシング５６０の内部側面に一対のＮ２供給管５６６ａがそれぞれブラケット５６６ｂによって保持されることにより取り付けられている。Ｎ２供給管５６６ａにはＮ２を供給するための複数の供給口ＮＯ（図３には一部にのみ参照符号を付した）が設けられている。また、図２および図３には図示しないがＮ２供給管５６６ａには配管５６６ｃ（図４参照）が連結されている。
【００３８】
図４は多機能処理部５６へのガス給排機構を示す模式図である。多機能処理部５６のガス給排機構は、大別してＮ２をキャリアガスとしてＩＰＡ蒸気をケーシング５６０に供給する機能と、Ｎ２のみを供給する機能と、ケーシング５６０から排気することによってケーシング５６０内を減圧する機能とを有している。
【００３９】
Ｎ２をキャリアガスとしてＩＰＡ蒸気をケーシング５６０に供給する機能は、Ｎ２供給源６０から配管６０ｂを通してＩＰＡ供給源６１にキャリアガスＮ２を送るとともに、三方弁Ｖ２に配管６１ａと配管５６５ｃとを連通させることによって実現される。Ｎ２をキャリアガスとしたＩＰＡ蒸気はＩＰＡ供給源６１にて発生し、配管６１ａ、フィルタＦおよび配管５６５ｃを経由してＩＰＡ・Ｎ２供給部５６５からケーシング５６０内に供給される。ここで、配管５６５ｃには、ヒータＨ２が設けられており、ケーシング５６０内に供給されるＩＰＡ蒸気を加熱することが可能である。
【００４０】
ケーシング５６０にＮ２のみを供給する機能は、バルブＶ１を開いて配管６０ｃと配管５６６ｃとを連通させることによって実現される。Ｎ２は、配管６０ｃおよび配管５６６ｃを介してＮ２供給部５６６からケーシング５６０内に供給される。配管５６６ｃにもヒータＨ１が設けられており、ケーシング５６０内に供給されるＮ２を加熱することが可能である。Ｎ２のみの供給経路としては、三方弁Ｖ２に配管６０ａと配管５６５ｃとを連通させ、ＩＰＡ・Ｎ２供給部５６５からケーシング５６０内に供給する経路でもよい。この場合、配管５６５ｃに設けられたヒータＨ２によってＮ２を加熱することが可能である。なお、ヒータＨ１、Ｈ２が「ガス加熱手段」に相当する。
【００４１】
ケーシング５６０から排気する機能は、バルブＶ３を開くとともに、排気ポンプＡＰを作動させることによって実現される。配管５６０ｂは、施設内の排気ラインに接続されており、密閉状態のケーシング５６０内の気体が排気ラインへと排出されることによりケーシング５６０内が減圧される。
【００４２】
＜Ｃ．処理手順＞
以上のような構成を有する基板処理装置１の多機能処理部５６における処理手順について説明する。本実施形態の多機能処理部５６では、
▲１▼ＨＦによる基板Ｗのエッチング処理、
▲２▼純水による洗浄処理、
▲３▼ＩＰＡ蒸気の供給および基板Ｗの引き上げ、
▲４▼Ｎ２の供給および純水排液、
▲５▼減圧乾燥、
という手順に従って一連の処理が実行される。
【００４３】
まず、ＨＦによる基板Ｗのエッチング処理が終了すると配管５６２ｄを介してＨＦが排出され、配管５６２ｅから処理槽５６２に純水が供給される。そして、基板Ｗが純水に浸漬されることにより、基板Ｗに付着しているＨＦが洗浄される。
【００４４】
次に、純水による基板Ｗの洗浄が終了すると、リフタ５６３が基板Ｗを純水から引き上げる。すなわち、リフタ５６３が基板Ｗを浸漬位置ＤＰから乾燥位置ＤＲまで上昇させる。このときの引き上げ速度は５ｍｍ／ｓｅｃ．程度である。基板Ｗを純水から引き上げるときには、三方弁Ｖ２に配管５６５ｃと配管６１ａとを繋がせ、ＩＰＡ・Ｎ２供給部５６５からケーシング５６０内にＩＰＡ蒸気を供給させる。
【００４５】
ここで、ケーシング５６０内に供給されるＩＰＡ蒸気はヒータＨ２によって１２５℃（ヒータＨ２の出口温度）にまで加熱・昇温されている。高温のＩＰＡ蒸気がケーシング５６０内の基板Ｗ周辺に供給されることによって、ＩＰＡ蒸気が基板Ｗ表面に凝縮して水と置換しやすくなるとともに、基板Ｗ自体の温度も高められることになる。
【００４６】
ＩＰＡ蒸気の供給によって基板Ｗ表面の水がＩＰＡに置換されると、三方弁Ｖ２を閉じてＩＰＡ・Ｎ２供給部５６５からのＩＰＡ蒸気の供給を停止するとともに、バルブＶ１を開いてＮ２供給部５６６より乾燥位置ＤＲに位置するリフタ５６３の基板ガイド５６３ｃ付近に向けてＮ２を供給し、その保持溝内に残った純水を吹き飛ばす。このときに、Ｎ２はヒータＨ１によって１２５℃にまで加熱・昇温されている。また、同時に、処理槽５６２内の純水は配管５６２ｄから排出される。
【００４７】
次に、三方弁Ｖ２を作動させて、配管６０ａを配管５６５ｃにつなぎ、ＩＰＡ・Ｎ２供給部５６５からもＮ２のみを供給し、ケーシング５６０内を窒素雰囲気で満たす。このときにも、供給されるＮ２はヒータＨ２によって１２５℃にまで加熱・昇温されている。ヒータＨ１およびヒータＨ２によってケーシング５６０内に供給されるＮ２が加熱されることにより、基板Ｗの温度が高められた状態が維持されることとなる。
【００４８】
そして、その後、バルブＶ３を開き、配管５６０ｂによりケーシング５６０内の雰囲気を配管５６０ｂを通じて排気し、シャッタ５６１によって密閉されたケーシング５６０内の気圧を減圧する。これにより、基板Ｗに凝縮したＩＰＡは完全に乾燥される。
【００４９】
このときには、既述したように、減圧に伴う気体内部エネルギーの低下によって、温度低下が生じるのであるが、減圧前に基板Ｗの温度が高められているため、減圧中にケーシング５６０内に存在する水蒸気またはＩＰＡ蒸気の露点以下にまで基板Ｗの温度が低下することはない。従って、基板Ｗの表面に水またはＩＰＡが結露することはなくなり、結露したそれらの液滴が乾燥することによるパーティクル発生が防止できる。
【００５０】
最後に、シャッタ５６１を開いて大気解放し、リフタ５６３を受け渡し位置ＴＰまで上昇させることにより基板Ｗをケーシング５６０外に取り出して、一連の基板処理を終了する。
【００５１】
＜Ｄ．変形例＞
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明は上記の例に限定されるものではない。例えば、上記実施形態における多機能処理部５６では有機溶剤としてＩＰＡを用い、不活性ガスとしてＮ２を用いたが、これに限られず、有機溶剤としてエタノールやメタノール等のその他の有機溶剤、不活性ガスとしてヘリウムガスやアルゴンガス等のその他の不活性ガスを用いてもよい。
【００５２】
また、上記実施形態においては、ケーシング５６０内に供給されるＩＰＡ蒸気およびＮ２を加熱・昇温することによって減圧前の基板Ｗの温度を高め、減圧中の結露を防止していたが、本発明はこの手法に限定されるものではない。すなわち、減圧乾燥処理時の基板Ｗの温度をその時点のケーシング５６０内に存在する水蒸気の露点およびＩＰＡ蒸気の露点の双方よりも高くできるような形態であればよい。具体的には、例えば、図５に示すような多機能処理部５６であってもよい。
【００５３】
図５は、多機能処理部５６の他の例を示す正面断面図である。この多機能処理部５６が上記実施形態である図２の多機能処理部５６と異なる点は、ケーシング５６０の内壁に赤外線ヒータＩＲを設けている点である。赤外線ヒータＩＲは、乾燥位置ＤＲに位置する基板Ｗに対して赤外線を照射し、その基板Ｗを加熱・昇温することが可能である。そして、減圧乾燥中に赤外線ヒータＩＲが基板Ｗを加熱し、基板Ｗの温度を減圧中のケーシング５６０内に存在する水蒸気の露点およびＩＰＡ蒸気の露点の双方よりも高くすれば、基板Ｗの表面に水またはＩＰＡが結露することはなくなり、上記実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００５４】
また、上記実施形態における多機能処理部５６ではＩＰＡ・Ｎ２供給部５６５を処理槽５６２の上端より下方位置の側方に供給口ＩＯを上方に向けた状態で設け、それによりＩＰＡ蒸気を上向きに供給するものとしたが、これに限定されるものではなく、ケーシング５６０内にＩＰＡ蒸気を供給できる供給部であれば、その設置位置、蒸気供給方向は任意に定めることができる。例えば、ＩＰＡ・Ｎ２供給部５６５を処理槽５６２の上端より上に設け、さらに、供給口ＩＯを斜め上方向に向けて設けてもよい。また、Ｎ２供給部５６６からＩＰＡ蒸気を供給するようにしてもよい。
【００５５】
さらに、上記実施形態においては、処理槽５６２に貯留されている純水からリフタ５６３によって基板Ｗを引き上げることにより基板Ｗを露出させるようにしていたが、これを配管５６２ｄを介して純水を排出することにより実現するようにしてもよい。
【００５６】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項１および請求項３の発明によれば、減圧状態として乾燥処理を行うときに低下する基板の温度がその時点の処理室内の水の露点および有機溶剤の露点のうちいずれか高い温度よりも高くなるように、加熱した有機溶剤の蒸気を基板に供給しているため、乾燥処理時に基板の表面に水または有機溶剤が結露することはなくなり、その結果結露した液滴が乾燥することによるパーティクル付着が防止できる。
【００５７】
また、請求項２および請求項４の発明によれば、有機溶剤の蒸気が供給された後であって処理室内を減圧する前に、加熱した不活性ガスをさらに処理室内に供給しているため、乾燥処理時の基板表面への結露をより効果的に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る基板処理装置の全体構成を示す斜視図である。
【図２】図１の基板処理装置の多機能処理部の正面断面図である。
【図３】図１の基板処理装置の多機能処理部の側面断面図である。
【図４】多機能処理部へのガス給排機構を示す模式図である。
【図５】多機能処理部の他の例を示す正面断面図である。
【図６】飽和蒸気圧曲線を示す図である。
【符号の説明】
１  基板処理装置
５６  多機能処理部
５６０  ケーシング
５６２  処理槽
５６５  ＩＰＡ・Ｎ２供給部
５６６  Ｎ２供給部
ＩＲ  赤外線ヒータ
Ｈ１、Ｈ２  ヒータ
Ｗ  基板
【図１】
0003604906.tif 000002
【図２】
0003604906.tif 000003
【図３】
0003604906.tif 000004
【図４】
0003604906.tif 000005
【図５】
0003604906.tif 000006
【図６】
0003604906.tif 000007