(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
エッチング処理部およびこれとは別に設けられる水洗処理部を含む複数種の処理部を備え、搬入された基板を順次搬送しながら各処理部で所定の処理を施すようにした基板処理装置において、
上記エッチング処理部が複数の単位処理部から構成され、
これら単位処理部にそれぞれ基板にエッチング液を供給可能なエッチング液供給手段と基板に不活性液体を供給可能な不活性液供給手段とが設けられ、さらに、
搬入された基板に対するエッチング処理の必要性を判別する判別手段と、
上記判別手段による判別結果に基づいて上記エッチング液供給手段および不活性液供給手段を制御する制御手段とが設けられ、
この制御手段は、上記判別手段による基板の判別結果に応じ、エッチング処理を行う場合には、上記エッチング処理部の各単位処理部のうち少なくとも一つの単位処理部においてエッチング液を供給するとともに残りの単位処理部においては基板を保護すべく不活性液体を供給する一方、エッチング処理を行わない場合には、全ての単位処理部において基板を保護すべく不活性液体を供給するように前記エッチング液供給手段および不活性液供給手段を制御することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
各単位処理部は、それぞれ異なる種類のエッチング液を供給することを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
エッチング処理部を含む複数種の処理部を備え、搬入された基板を搬送手段により順次搬送しながら各処理部で所定の処理を施すようにした基板処理装置において、搬入された基板に対するエッチング処理の必要性を判別する判別手段と、上記エッチング処理部に設けられるエッチング液の貯留槽と、この貯留槽における液面高さを搬送中の基板に対して相対的に変更可能とする液面高さ調整手段と、上記判別手段による基板の判別結果に基づいて上記液面高さ調整手段を制御する制御手段とを備え、この制御手段は、エッチング処理が必要な基板に対しては基板がエッチング液に浸漬するようにエッチング液の液面高さを基板に対して調整する一方、エッチング処理が不要な基板に対しては基板がエッチング液に非浸漬となるようにエッチング液の液面高さを基板に対して調整することを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
処理部として、エッチング処理された基板に剥離液を与えてエッチング処理の際に利用したレジスト膜を剥離する剥離処理部を備えていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示器用基板等のＦＰＤ（Ｆｌａｔ  Ｐａｎｅｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）用基板、フォトマスク用ガラス基板、半導体基板等の基板を処理する基板処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、液晶表示器用のガラス基板等の製造プロセスにおいて、表面にレジスト膜が形成された基板にエッチング液を供給してエッチング処理を施し、その後、剥離液を基板に供給して上記レジスト膜を剥離することが行われている。
【０００３】
このような処理を行う装置として、例えば、インデクサ部、エッチング処理部、剥離処理部、水洗処理部および乾燥部等を備え、インデクサ部に対して各処理部をＵ字型に接続された装置が一般に知られている。この装置によれば、基板は、インデクサ部にセットされたカセットから取り出され、所定の順序でエッチング処理、剥離処理等が施された後、再びインデクサ部に戻されてもとのカセットに収納される。
【０００４】
ところで、基板にエッチング処理を施す方法としては、基板に対してノズルから薬液を吹き付けたり、あるいはエッチング液を貯留した処理槽に基板を浸漬する、いわゆるウエットエッチングの方法と、エッチングガスを充填したチャンバー内に基板を配置するドライエッチングの方法とがあり、上記のような装置においては、通常、エッチング処理部としてウエットエッチング処理部およびドライエッチング処理部のいずれか一方の処理部が装置に組み込まれるようになっている。
【０００５】
そのため、基板の種類に応じてウエットエッチング処理とドライエッチング処理とを使い分ける場合には、ウエットエッチング処理部を備えた基板処理装置とドライエッチング処理部を備えた基板処理装置の双方を用いて基板を処理するようにしていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上記各装置は、エッチング処理部を除けばその他の構成は基本的に同一あり、エッチング方法が異なるだけで２種類の基板処理装置をそのまま設置するのでは工場内で過大なスペースが占有されるばかりでなく、コストも嵩むこととなり望ましくない。
【０００７】
そのため、例えば、ノズルから薬液を吹き付けるウエットエッチング処理部を備えた基板処理装置と、ドライエッチングのみを行うドライエッチング装置とを設け、ドライエッチング装置によるエッチング処理後の基板を上記基板処理装置のインデクサ部に搬入して順次搬送しつつ、エッチング処理部での処理を施すことなく通過させて剥離処理部等で処理を施すことが考えられている。つまり、基板処理装置のエッチング処理部以外の剥離処理部や水洗処理部等を共用することにより、占有スペースの縮小化とコストの節約を図ることが考えられている。しかし、この場合には、基板がウエットエッチング処理部を通過する際に悪影響を受ける、すなわち、処理槽内に存在しているミスト状のエッチング液や、ノズル、あるは処理槽内に付着したエッチング液の液滴が落下して基板に付着して基板が侵食される虞れがあり、基板の品質を確保する上で好ましくない。
【０００８】
そこで、基板の搬送方向において、エッチング処理部の下流側に基板の搬入部を設け、ドライエッチング処理後の基板をこの搬入部から装置に搬入し、エッチング処理以外の処理を施してインデクサ部に搬出することも考えられる。しかし、この場合には、インデクサ部以外に基板（ドライエッチング処理後の基板）の搬入部を設けるため、例えば、無人搬送装置を用いて基板（カセット）を搬送する場合には、別途、搬送装置の走行経路を設けて制御する必要があり、装置自体の構成はもとより搬送システムの構成をも複雑化することになる。しかも、ユーザ側での装置の設置スペースとの関係で、上記搬入部を設けることができない場合には全く役に立たず、必ずしも得策とはいえない。
【０００９】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、エッチング処理部を含む複数種の処理部を備えた基板処理装置において、基板に悪影響を与えることなく、エッチング処理部以外の処理部を有効に活用することができる基板処理装置を提供することを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明は、エッチング処理部およびこれとは別に設けられる水洗処理部を含む複数種の処理部を備え、搬入された基板を順次搬送しながら各処理部で所定の処理を施すようにした基板処理装置において、上記エッチング処理部が複数の単位処理部から構成され、これら単位処理部にそれぞれ基板にエッチング液を供給可能なエッチング液供給手段と基板に不活性液体を供給可能な不活性液供給手段とが設けられ、さらに、搬入された基板に対するエッチング処理の必要性を判別する判別手段と、上記判別手段による判別結果に基づいて上記エッチング液供給手段および不活性液供給手段を制御する制御手段とが設けられ、この制御手段が、上記判別手段による基板の判別結果に応じ、エッチング処理を行う場合には、上記エッチング処理部の各単位処理部のうち少なくとも一つの単位処理部においてエッチング液を供給するとともに残りの単位処理部においては基板を保護すべく不活性液体を供給する一方、エッチング処理を行わない場合には、全ての単位処理部において基板を保護すべく不活性液体を供給するように前記エッチング液供給手段および不活性液供給手段を制御するように構成されているものである（請求項１）。
【００１１】
この装置によれば、エッチング処理が必要な基板についてはエッチング処理部の少なくとも一つの単位処理部においてエッチング液が供給され、これによって基板にエッチング処理が施される。そして、それ以外の単位処理部（エッチング液が供給される単位処理部）では基板に不活性液体が供給されることにより基板が不活性液体により保護され、その結果、エッチング液の供給時にエッチング部において発生したミスト状のエッチング液が基板に付着することが阻止される。一方、エッチング処理が不要な基板に対してはエッチング部の各単位処理部において不活性液体が基板に供給される。すなわち、エッチング処理を行わない単位処理部では基板が不活性液体により保護されることにより、エッチング液の供給時に各単位処理部において発生したミスト状のエッチング液が基板に付着することが阻止される。また、液滴化したエッチング液が基板上に落下した場合でも不活性液体によってエッチング液が希釈される。そのため、エッチング処理を行わない単位処理部を通じて基板を搬送しつつ他の処理部で処理するようにしても、基板に悪影響を与えることがない。なお、請求項１の記載において「不活性液体」とは、基板との反応性に乏しく基板の品質に影響を与えない液体を意味するものである。
【００１４】
なお、上記の構成においてそれぞれ異なる種類のエッチング液を各単位処理部において供給するようにすれば（請求項３）、複数の単位処理部を順次通過させながら選択的に複数種のエッチング処理を施し得るようにしながらも、必要なエッチング処理だけを適切に基板に施すことができる。
【００１５】
また、上記課題を解決するために、本発明は、エッチング処理部を含む複数の処理部を備え、搬入された基板を搬送手段により順次搬送しながら各処理部で所定の処理を施すようにした基板処理装置において、搬入された基板に対するエッチング処理の必要性を判別する判別手段と、エッチング処理部に設けられるエッチング液の貯留槽と、この貯留槽における液面高さを搬送中の基板に対して相対的に変更可能とする液面高さ調整手段と、判別手段による基板の判別結果に基づいて液面高さ調整手段を制御する制御手段とを備え、エッチング処理が必要な基板に対しては基板がエッチング液に浸漬するようにエッチング液の液面高さを基板に対して調整する一方、エッチング処理が不要な基板に対しては基板がエッチング液に非浸漬となるようにエッチング液の液面高さを基板に対して調整するように上記制御手段を構成したものである（請求項４）。
【００１６】
この装置によれば、エッチング処理が必要な基板については、基板がエッチング液に浸漬され、エッチング処理が不要な基板については、エッチング液に基板が浸漬されること無く搬送される。浸漬タイプの装置では、ノズル等からエッチング液を吹き付ける装置のようにエッチング処理部にミスト状のエッチング液が多量に存在することは殆どない。そのため、エッチング処理を必要としない基板を搬送しつつエッチング処理部を通じてその他の処理部で処理するようにしても、エッチング処理部において基板に悪影響を与えることがない。
【００１７】
なお、基板の処理過程において、エッチング処理後には通常エッチング処理で利用したレジスト膜を剥離する工程があり、剥離工程でのレジスト膜の剥離方法は、エッチング方法に拘らず通常は共通しているため、処理部として、エッチング処理された基板に剥離液を与えてエッチング処理の際に利用したレジスト膜を剥離する剥離処理部を備えている装置に上記構成を採用するのが有効である（請求項５）。
【００１８】
【発明の実施の形態】
本発明の第１の実施の形態について図面を用いて説明する。
図１は、本発明に係る基板処理装置の第１の実施の形態を示している。この図に示す基板処理装置は、例えば、液晶表示器用のガラス基板の処理において、基板表面に所定パターンのレジスト膜が形成された基板に対してエッチング処理及び剥離処理を施す装置である。
【００１９】
この装置は、同図に示すように、インデクサー１０、エッチングユニット１２、方向転換ユニット１４および剥離ユニット１６によって構成されており、インデクサー１０から供給される基板を順次搬送しながら各ユニットで処理を施した後、再度、インデクサー１０に基板を戻すように、他のユニット１２，１４，１６がインデクサー１０に対してＵ字型に接続されたレイアウト構成となっている。
【００２０】
上記インデクサー１０には、基板を収納したカセット２を載置するカセット載置部と、基板搬送用のロボット４が設けられ、上記カセット載置部にセットされたカセット２からロボット４により基板を取り出し、この基板を受渡し部１１にセットするとともに、処理済の基板を受入れ部１７から受け取ってもとのカセット２に収納するように構成されている。なお、上記受渡し部１１および受入れ部１７は後述のローラコンベア１８ａ，１８ｂにより構成されている。
【００２１】
また、各カセット載置部には図示を省略するが、カセット２に付された基板識別用のバーコードを読み取るバーコードリーダーが設置されており、このバーコードの読み取りに基づいて後述のコントローラにより、当該カセット２に収納された基板の処理内容、例えば、エッチング処理の必要性等が判別されるようになっている。つまり、バーコードリーダおよびコントローラ等により本発明の判別手段が構成されている。
【００２２】
上記エッチングユニット１２は、ウエットエッチング処理部２０（以下、単にエッチング処理部２０という）、水洗処理部２２および乾燥処理部２４を有するとともに、基板の搬送手段としてローラコンベア１８ａを備えており、インデクサー１０から供給される基板を例えば水平姿勢で搬送しながらエッチング処理、水洗処理および乾燥処理を順次施すように構成されている。
【００２３】
各エッチング処理部２０および水洗処理部２２は、それぞれ処理槽を有しているとともにその内部にエッチング液や純水を供給するための多数のノズルを備えており、稼働中は、各ノズルから基板に向けてエッチング液や純水を吹き付けることにより基板にエッチング処理や水洗処理を施すように構成されている。特に、エッチング処理部２０は、後に詳述するように、第１および第２の２つのエッチング部２０ａ，２０ｂからなり、これらエッチング部２０ａ，２０ｂを選択的に用いて基板にエッチング処理を施すように構成されている。なお、乾燥処理部２４も同様に処理槽を有しており、例えば、その内部に備えられたスリット状のノズルから基板に向けて気体を吹き付けることにより基板に付着した液体を除去して乾燥させるように構成されている。
【００２４】
上記剥離ユニット１６は、剥離処理部３０、水洗処理部３２および乾燥処理部３４を有しているとともに、ローラコンベア１８ｂを備えており、エッチングユニット１２での処理を終えた基板を搬送しながら剥離処理、水洗処理および乾燥処理を順次施すように構成されている。なお、ローラコンベア１８ｂは、エッチングユニット１２同様に基板を水平姿勢で搬送するように構成されている。
【００２５】
図示を省略するが、剥離ユニット１６の各処理部も基本的にはエッチングユニット１２の各処理部同様に処理槽を有しており、剥離処理部３０および水洗処理部３２においては各処理槽内で基板に向けて剥離液や純水を吹き付けることにより剥離処理や水洗処理を施し、また、乾燥処理部３４では、スリット状のノズルから基板に向けて気体を吹き付けることにより基板に付着した液体を除去して乾燥させるように各処理部が構成されている。
【００２６】
上記方向転換ユニット１４は、詳しく図示していないが、エッチングユニット１２での処理を終えた基板を水平姿勢に保持したまま、ローラコンベア１８ａによる搬送方向と水平面上で直交する方向（図示の例では上方向）に移動させて剥離ユニット１６に基板を搬入するように構成されている。
【００２７】
図２は、上記エッチングユニット１２の構成、特に、エッチング処理部２０の構成を模式的に示している。
【００２８】
エッチングユニット１２には、同図に示すように、区画形成された複数の処理槽４０が備えられている。具体的には、第１エッチング部２０ａ（単位処理部）、第２エッチング部２０ｂ（単位処理部）、水洗処理部２２および乾燥処理部２４の各処理槽４０が直列に備えられており、第１エッチング部２０ａに形成された導入口４２を通じてエッチングユニット１２内に基板Ｗを導入し、各槽間壁に形成された連絡口４４を通じて基板Ｗを順次搬送しながら、乾燥処理部２４の処理槽４０に形成された導出口（図示せず）を介して上記方向転換ユニット１４に基板Ｗを送り出すように構成されている。
【００２９】
各エッチング部２０ａ，２０ｂは、それぞれ異なるエッチング液を基板Ｗに吹き付けて異なる種類の金属薄膜をエッチングするように構成されており、例えば当実施の形態においては、第１エッチング部２０ａにおいてアルミ（Ａｌ）膜をエッチングし、第２エッチング部２０ｂではクロム（Ｃｒ）膜をエッチングするように構成されている。
【００３０】
第１エッチング部２０ａの処理槽４０には、同図に示すように、基板Ｗの搬送経路上方にエッチング液供給用の複数のノズル５０が該搬送方向に並設されており、これらノズル５０がエッチング液供給管５４を介してタンク５２に接続されている。これらノズル５０は例えばコーン型のノズルで、エッチング液を基板Ｗに向かって円錐状に噴出するように構成されている。
【００３１】
また、第１エッチング部２０ａの処理槽４０には、エッチング液回収管５８が接続され、このエッチング液回収管５８がタンク５２に至っているとともに、図外の廃液タンクに至る廃液管６２がエッチング液回収管５８から分岐され、これらエッチング液回収管５８及び廃液管６２にそれぞれ開閉バルブ６０，６４が介設されている。そして、当該第１エッチング部２０ａでの処理の際には、バルブ６０が全開、バルブ６４が全閉されることにより上記エッチング液供給管５４に介設されたポンプ５６の作動によりタンク５２のエッチング液がノズル５０に供給されるとともに、処理に供されたエッチング液がエッチング液回収管５８を通じて第１液タンク５２に戻され、これによってエッチング液が循環使用されるようになっている。すなわち、上記ノズル５０やエッチング液供給管５４等により本発明のエッチング液供給手段が構成されている。
【００３２】
そして、エッチング液の入替えを行う場合等には、バルブ６０が全閉、バルブ６４が全開とされることによりエッチング液がエッチング液回収管５８および廃液管６２を通じて廃液タンクに導出されるようになっている。
【００３３】
第１エッチング部２０ａの処理槽４０には、さらに、上記ノズル５０の上方に、不活性液体として純水を供給するための複数のノズル７０が基板Ｗの搬送方向に並設されており、これらノズル７０が純水供給管７２を介して図外の純水供給源に接続されているとともに、この純水供給管７２に開閉バルブ７４が介設されている。これらノズル７０もエッチング液供給用の上記ノズル５０と同様コーン型のノズルで、上記開閉バルブ７４の開操作に応じて円錐状に純水を噴出するように構成されており、これらノズル７０や純水供給管７２等により本発明の不活性液供給手段が構成されている。なお、ノズル７０は、水平面上でノズル５０に対してオフセットされ、これにより純水が各ノズル５０の間を介して基板Ｗに吹き付けられるようになっている。
【００３４】
以上は、第１エッチング部２０ａの構成であるが、第２エッチング部２０ｂも同図に示すように第１エッチング部２０ａと同一の構成となっている。但し、ノズル７０に接続される純水供給管７６は上記純水供給管７２から分岐しており、第２エッチング部２０ｂでは、この純水供給管７６に介設された開閉バルブ７８の開操作によりノズル７０から純水を噴出させるようになっている。
【００３５】
ところで、上記のような基板処理装置は、図示を省略しているがコンピュータを構成要素とするコントローラを備えており、ローラコンベア１８ａ、１８ｂや方向転換ユニット１４による基板Ｗの搬送、あるいはエッチングユニット１２および剥離ユニット１６の各処理部の処理動作がこのコントローラにより統括的に制御されるようになっている。
【００３６】
以下、上記基板処理装置による基板Ｗの処理動作について説明する。
上記の基板処理装置において、図外の移載機構等によりインデクサー１０のカセット載置部に基板Ｗを収納したカセット２が載置されると、まず、カセット２のバーコード表示が読み取られて処理内容の判別が行われる。
【００３７】
つまり、エッチング処理が必要な基板Ｗか否かが判別され、必要な場合にはさらに、アルミ（Ａｌ）膜のエッチング処理またはクロム（Ｃｒ）膜のエッチング処理のいずれのエッチング処理が必要かが判別される。そして、各判別結果に応じて次のようにして基板Ｗの処理が行われる。
【００３８】
▲１▼  アルミ（Ａｌ）膜のエッチング処理を行う場合
インデクサー１０から受渡し部１１に基板Ｗがセットされると、まず、ローラコンベア１８ａの駆動により基板Ｗが第１エッチング部２０ａの処理槽４０内に搬送される。処理槽４０内では、ポンプ５６の駆動によりノズル５０からエッチング液が供給され、これにより基板Ｗにエッチング処理（アルミ（Ａｌ）膜のエッチング処理）が施される。この際、例えば、ローラコンベア１８ａの駆動により基板Ｗが搬送方向に一定の範囲内で進退移動させられ、これによりエッチング処理が促進される。
【００３９】
なお、エッチング液の供給中は、エッチング液回収管５８のバルブ６０が全開、廃液管６２のバルブ６４が全閉され、これによりエッチング液が循環されながら基板Ｗに吹き付けられる。また、純水供給管７２のバルブ７４は全閉され、これによりノズル７０からの純水の供給は停止されている。
【００４０】
こうして第１エッチング部２０ａにおいてエッチング処理が終了すると、ローラコンベア１８ａの駆動により、例えば、基板Ｗが第２エッチング部２０ｂの処理槽４０内を速やかに通過させられる。この際、第２エッチング部２０ｂにおいては、ポンプ５６が停止され、純水供給管７６のバルブ７８が全開とされる。また、エッチング液回収管５８のバルブ６０が全閉、廃液管６２のバルブ６４が全開とされ、これにより通過中の基板Ｗに対して純水のみが吹き付けられつつ、吹き付けられた純水がエッチング液回収管５８および廃液管６２を介して廃液タンクに導出されることとなる。つまり、液供給時に発生したミスト状のエッチング液が処理槽４０内に存在していても、上述のように純水が基板Ｗに吹き付けられることにより基板Ｗが純水で保護されてエッチング液（第２エッチング部２０ｂにおいて供給されるエッチング液）の基板Ｗへの付着が防止され、また、ノズル５０や処理槽４０の天井部分からエッチング液の液滴が基板Ｗ上に落下するような場合でも、純水によってエッチング液が希釈される。そのため、第２エッチング部２０ｂにおいてエッチング液が基板Ｗに付着して悪影響を与えるという事態の発生が防止される。
【００４１】
第２エッチング部２０ｂの処理槽４０を通過した基板Ｗは、さらに水洗処理部２２の処理槽４０に搬入される。処理槽４０内では、例えば、基板Ｗの表裏両面に純水が吹き付けられ、これによりエッチング処理残渣等が除去される。そして、水洗処理部２２での処理が終了すると、乾燥処理部２４の処理槽４０へと基板Ｗが搬送され、ここで乾燥処理が施される。
【００４２】
エッチングユニット１２での全ての処理が終了すると、方向転換ユニット１４を介して剥離ユニット１６に基板Ｗが送られる。そして、詳しい説明を省略するが、剥離処理部３０、水洗処理部３２及び乾燥処理部３４を経ることにより基板Ｗに所定の剥離処理等が施されて受入れ部１７にセットされる。
【００４３】
こうして基受入れ部１７にセットされた基板Ｗは、ロボット４によりピックアップされ、もとのカセットへと収納される。
【００４４】
▲２▼  クロム（Ｃｒ）膜のエッチング処理を行う場合
受渡し部１１に基板Ｗがセットされると、まず、ローラコンベア１８ａの駆動により、基板Ｗが第１エッチング部２０ａの処理槽４０内を速やかに通過させられる。この際、第１エッチング部２０ａではポンプ５６が停止され、純水供給管７２のバルブ７４が全開とされるとともに、エッチング液回収管５８のバルブ６０が全閉、廃液管６２のバルブ６４が全開とされる。これにより第１エッチング部２０ａの処理槽４０を通過する基板Ｗに対して純水のみが吹き付けられるとともに、基板Ｗに吹き付けられた純水がエッチング液回収管５８および廃液管６２を介して廃液タンクに導出される。つまり、純水が基板Ｗに吹き付けられることにより基板Ｗが純水で保護され、処理槽４０内に存在するミスト状のエッチング液（第１エッチング部２０ａにおいて供給されるエッチング液）の付着等が防止される。これにより第１エッチング部２０ａにおいてエッチング液が基板Ｗに付着して悪影響を与えるという事態の発生が防止される。
【００４５】
第１エッチング部２０ａの処理槽４０を通過した基板Ｗは、第２エッチング部２０ｂの処理槽４０に搬入される。この処理槽４０内では、ポンプ５６の駆動によりノズル５０からエッチング液が供給され、これにより基板Ｗにエッチング処理（クロム（Ｃｒ）膜のエッチング処理）が施される。この際、例えば、ローラコンベア１８ａの駆動により基板Ｗが搬送方向に一定の範囲内で進退移動させられ、これによりエッチング処理が促進される。
【００４６】
なお、エッチング液の供給中は、エッチング液回収管５８のバルブ６０が全開、廃液管６２のバルブ６４が全閉され、これによりエッチング液が循環されながら基板Ｗに吹き付けられる。また、純水供給管７６のバルブ７８は全閉され、これによりノズル７０からの純水の供給は停止される。
【００４７】
こうして第２エッチング部２０ｂでのエッチング処理が終了すると、次いで、水洗処理部２２、乾燥処理部２４へと順次基板Ｗが搬送され、エッチングユニット１２での処理が終了すると、アルミ（Ａｌ）膜のエッチング処理の場合同様に剥離ユニット１６へと基板Ｗが搬送され、ここで剥離処置等が施され後、ロボット４により基受入れ部１７からカセットへと基板Ｗが収納される。
【００４８】
▲３▼  エッチング処理が不要な場合
このような場合としては、例えば、他の装置でエッチング処理を施した基板、具体的にはドライエッチング処理を施した基板の剥離処理をこの装置で行うような場合がある。
【００４９】
この場合、受渡し部１１に基板Ｗがセットされると、まず、ローラコンベア１８ａの駆動により、基板Ｗが第１エッチング部２０ａおよび第２エッチング部２０ｂの各処理槽４０内を速やかに通過させられる。この際、上記第１エッチング部２０ａおよび第２エッチング部２０ｂの各ポンプ５６は停止され、純水供給管７２，７６のバルブ７４，７８は全開とされる。また、各エッチング液回収管５８のバルブ６０が全閉、各廃液管６２のバルブ６４が全開とされ、これにより各エッチング部２０ａ，２０ｂにおいては、処理槽４０を通過する基板Ｗに対して純水のみが吹き付けられるとともに、基板Ｗに吹き付けられた純水がエッチング液回収管５８および廃液管６２を介して廃液タンクに導出される。つまり、純水が基板Ｗに吹き付けられることによって基板Ｗが純水で保護され、各エッチング部２０ａ，２０ｂの処理槽４０内に存在するミスト状のエッチング液等の付着が防止される。これにより各エッチング部２０ａ，２０ｂにおいて、エッチング液が基板Ｗに付着して悪影響を与えるという事態の発生が防止される。
【００５０】
そして、水洗処理部２２、乾燥処理部２４へと順次基板Ｗが搬送され、さらに剥離ユニット１６へと基板Ｗが搬送されると、ここで剥離処置等が施された後、受入れ部１７にセットされてカセットへと基板Ｗが収納される。
【００５１】
以上のように、上記装置では、基板Ｗの処理内容を判別し、エッチング処理を施す場合にはエッチング処理部２０のいずれかのエッチング部２０ａ，２０ｂにおいてエッチング液を吹き付ける一方（上記▲１▼、▲２▼の場合）、エッチング処理が不要な場合には、エッチング処理部２０において基板Ｗに純水を吹き付け、これによりエッチング液の付着等に起因して基板Ｗに悪影響が生じるのを防止するようにしているため（上記▲３▼の場合）、上述のように、別の装置でドライエッチング処理を施した基板Ｗをこの装置のインデクサー１０に搬入し、ここから順次基板Ｗを搬送しながら剥離ユニット１６でのみ処理を施した後、再度インデクサー１０から搬出するという処理形態を採用した場合でも、基板Ｗにエッチング液による影響を与えることなく適切に剥離処理等を施すことができる。従って、エッチング処理部２０以外の処理部を共通化することができ当該処理部を有効に活用することができる。
【００５２】
なお、インデクサに対してエッチング処理部および剥離処理部をＵ字型に接続した従来のこの種の装置において、エッチング処理部と剥離処理部との間に基板の搬入部を設け、エッチング処理部を通過させることなく剥離処理部へ基板を搬入できるようにする構成も考えられる。しかし、この場合には、無人搬送装置を用いて基板（カセット）を搬送する場合には、別途、搬送装置の走行経路を設けて制御する必要があり、装置自体の構成や搬送システムの構成を複雑化したり、また、ユーザ側での装置設置スペースとの関係で搬入部を設けることができない場合も考えられ、必ずしも有効でない。これに対し、上記実施の形態の装置によれば、当該装置でのエッチング処理の必要性の有無に拘らず基板Ｗ（カセット２）の搬入出をインデクサー１０に対して行うことができるので、装置自体の構成や搬送システムの構成を複雑化したり、あるいは装置の設置スペース等が問題となることがなく極めて有効である。
【００５３】
また、上記実施の形態の装置では、エッチング処理部２０として第１及び第２２つのエッチング部２０ａ，２０ｂを直列的に備え、それぞれ異なる内容のエッチング処理を選択的に行い得るようにするとともに、一方のエッチング部２０ａ（又はエッチング部２０ｂ）においてエッチング処理を施す場合には、他方のエッチング部２０ｂ（又はエッチング部２０ａ）において基板Ｗに純水を吹き付けるようにし（上記▲１▼，▲２▼の場合）、これによりエッチング処理を行わないエッチング部を通過する際に不要なエッチング液が基板Ｗに付着等するのを防止するようにしているので、上記のようにエッチング部２０ａ，２０ｂを直列的に備えて、選択的にエッチング処理を行うようにしながらも、必要な処理だけを適切に基板Ｗに施すことができ、合理的な装置構成が達成されるという特徴がある。
【００５４】
次に、本発明の第２の実施の形態について図面を用いて説明する。
図３は、第２の実施の形態に係る基板処理装置を示している。なお、第２の実施の形態に係る基板処理装置は、エッチングユニット１２におけるエッチング処理部を除けば基本的には第１の実施の形態の装置と同一の構成を有しており、そのため、第１の実施の形態の装置と同一の部分については同一符号を付して説明を省略し、以下に相違点について詳述することにする。
【００５５】
第２の実施の形態に係る基板処理装置は、上記エッチングユニット１２のエッチング処理部２０に代えて同図に示すようなエッチング処理部２０′を備えた構成となっている。
【００５６】
具体的に説明すると、第２の実施の形態のエッチング処理部２０′は、アルミ（Ａｌ）膜のエッチング処理のみを行う単一の処理部であって、その処理槽４０内には、図４（ａ）に示すように、ローラコンベア１８ａによる基板搬送路の一部を囲むように上部開口を有した薬液の浸漬槽８０が設けられている。浸漬槽８０の前後側壁、すなわち基板Ｗの搬送方向における前後側壁には、開口部８２ａ，８２ｂが形成されており、この開口部８２ａ，８２ｂを介して基板Ｗが浸漬槽８０内を通過できるように構成されているとともに、これら開口部８２ａ，８２ｂがシャッター８４により開閉可能となっている。開口部８２ａ，８２ｂは、ローラコンベア１８ａによる基板Ｗの搬入、搬出を可能とする必要最小限度の大きさとされており、通常は、同図に示すように開口部８２ａ，８２ｂの下側縁部までエッチング液が貯留されている。
【００５７】
浸漬槽８０には、タンク８８から導出されたエッチング液供給管９０が接続されており、このエッチング液供給管９０に介設されたポンプ９２の作動によりタンク８８から浸漬槽８０にエッチング液が供給されるようになっている。
【００５８】
そして、基板Ｗの処理時には、シャッター８４やポンプ９２等が上記コントローラにより統括的に制御され、以下のようにして基板Ｗの処理が行われる。
【００５９】
この装置の場合にもインデクサー１０にカセット２が載置されると、まず、カセット２に付されたバーコードが読み取られて処理内容の判別が行われる。つまり、エッチング処理が必要な基板Ｗか否かが判別される。そして、各判別結果に応じて次のようにして基板Ｗの処理が行われる。
【００６０】
▲４▼  エッチング処理が必要な場合
インデクサー１０から受渡し部１１に基板Ｗがセットされると、まず、ローラコンベア１８ａの駆動により基板Ｗがエッチング処理部２０′の処理槽４０内に搬送され、開口部８２ａを通じてエッチング処理部２０′の浸漬槽８０内に配置される（図４（ａ）参照）。その後、開口部８２ａ，８２ｂが閉じられ、エッチング液供給管９０を介して浸漬槽８０内にエッチング液が供給され、これにより、図４（ｂ）に示すように、基板Ｗがエッチング液に浸漬される。この際、ローラコンベア１８ａの各ローラが正逆回転駆動されることにより基板Ｗが一定の範囲で搬送方向に進退させられ、これによりエッチング処理が促進される。
【００６１】
そして、エッチング処理が終了すると開口部８２ａ，８２ｂが開かれて、基板Ｗが開口部８２ｂを通じて搬出される。なお、図３中、符号９４は、エッチング処理部２０′の処理槽４０内のエッチング液をタンク８８に回収するためのエッチング液回収管で、浸漬槽８０からオーバーフローしたエッチング液をこのエッチング液回収管９４を介してタンク８８に回収し、再度、エッチング液供給管９０を介して浸漬槽８０に供給するようになっている。これによりエッチング液が循環使用される。
【００６２】
そして、エッチング処理部２０′での処理が終了すると、第１の実施の形態の装置同様に、エッチングユニット１２において水洗処理部２２、乾燥処理部２４へと順次基板Ｗが搬送され、さらに剥離ユニット１６へと基板Ｗが搬送されてここで剥離処置等が施される。そして、受入れ部１７に基板Ｗがセットされた後、ロボット４により基板Ｗがピックアップされてもとのカセットへと収納される。
【００６３】
▲５▼  エッチング処理が不要な場合
この場合には、受渡し部１１に基板Ｗがセットされると、ローラコンベア１８ａの駆動により、基板Ｗがエッチング処理部２０の処理槽４０内を速やかに通過させられる。この際、上記浸漬槽８０の開口部８２ａ，８２ｂはいずれも開放されており、従って、基板Ｗはエッチング液に浸漬されることなく浸漬槽８０を通過して水洗処理部２２の処理槽４０へと搬入される。これにより、基板Ｗは、エッチング処理されることなく水洗処理部２２へと搬送されることとなる。なお、この装置の場合には、エッチング液をノズルから噴出させる装置と異なり、処理槽４０内にミスト状のエッチング液が存在していることは殆どなく、そのため、第１の実施の形態の装置のように基板Ｗに積極的に純水を吹き付けながらエッチング処理部２０′を通過させるようにしなくても基板Ｗがエッチング液の影響を受けることは殆どない。なお、ローラコンベア１８ａの各ローラを介して基板Ｗにエッチング液が付着することも考えられるが、この場合、エッチング液は基板Ｗの裏面にのみ付着し処理対象である基板表面に付着することはなく、そのため基板Ｗの品質に影響を与えることはない。
【００６４】
そして、エッチング処理部２０′を通過した基板Ｗは、以後、エッチング処理を行う場合と同様に、水洗処理部２２、乾燥処理部２４および剥離ユニット１６へと順次搬送されつつ処理が施されて受入れ部１７からもとのカセットへと収納される。
【００６５】
以上のように、上記第２の実施の形態の装置では、エッチング処理を施す場合にはエッチング処理部２０′において基板Ｗを浸漬槽８０内に貯留したエッチング液に浸漬させる一方（上記▲４▼の場合）、エッチング処理が不要な場合には、浸漬槽８０内のエッチング液の液面高さをローラコンベア１８ａによる基板の搬送経路よりも低くし、これにより基板Ｗをエッチング液に浸漬させることなく通過させるようにしているため（上記▲５▼の場合）、例えば、別の装置でドライエッチング処理を施した基板Ｗをこの装置のインデクサー１０に搬入し、順次基板Ｗを搬送しながら剥離ユニット１６でのみ処理を施した後、再度インデクサー１０から搬出するという処理形態を採用しても基板Ｗに影響を与えることなく剥離ユニット１６での処理のみを基板Ｗに適切に施すことができる。従って、第１の実施の形態の装置同様に、エッチングユニット１２のエッチング処理部２０′以外の処理部、あるいは剥離ユニット１６を共通化することができ、これらエッチング処理部２０′以外の各処理部を有効に活用することができる。
【００６６】
ところで、第２の実施の形態では、開口部８２ａ，８２ｂを開閉することにより浸漬槽８０に貯留されるエッチング液の液面高さを変更するように本発明の液面高さ調整手段を構成し、これによりローラコンベア１８ａ上の基板Ｗをエッチング液に浸漬させ得るようにしているが、例えば、浸漬槽８０に貯留されるエッチング液の液面高さをローラコンベア１８ａの下方の位置に保っておき、ローラコンベア１８ａの一部を昇降可能に構成し、基板Ｗを該部分で支持して下降させることにより基板Ｗに対するエッチング液の液面を相対的に変化させて基板Ｗをエッチング液に浸漬させるようにしてもよい。また、ローラコンベア１８ａに対して浸漬槽８０自体を昇降可能に構成し、ローラコンベア１８ａの特定位置に基板Ｗを支持した状態で浸漬槽８０を上昇させることにより基板Ｗをエッチング液に浸漬させるようにしてもよい。
【００６７】
なお、第２の実施の形態の装置においてエッチング液として揮発性の高いものを用いると、浸漬槽８０内のエッチング液に基板Ｗを浸漬させなくても、揮発したエッチング液により基板Ｗが影響を受けることが考えられる。そのため、第２の実施の形態の装置は無揮発性、あるいは低揮発性のエッチング液を用いる場合に有効であり、揮発性の高いエッチング液を用いる場合には第１の実施の形態の装置構成を採用するのが望ましい。
【００６８】
ところで、上記第１および第２の実施の形態では、いずれもカセット２に表示されたバーコードを読み取ることにより、当該カセット２に収納された基板Ｗについてのエッチング処理の必要性を判別するようにしているが、例えば、受渡し部１１等に投光部と受光部を有した反射型、あるいは透過型の光学センサを設置し、受光部での光の受光状態に基づいてエッチング処理の必要性を判別するようにしてもよい。勿論、バーコードリーダや光学センサを用いることなく、例えば、エッチング処理の必要な基板Ｗと不要な基板Ｗをオペレータがマニュアルで装置入力するようにしても構わない。
【００６９】
また、各実施の形態では、インデクサー１０に対してエッチングユニット１２、方向転換ユニット１４および剥離ユニット１６をＵ字型に連結した装置構成となっているが、装置構成はこれに限られるものではなく、エッチングユニット１２等を直線的に接続し、その前後両端にロード部およびアンロード部を設けるような装置構成を採用するようにしてもよい。
【００７０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明は、エッチング処理部の各単位処理部にそれぞれエッチング液供給手段と不活性液供給手段とを設け、判別手段による判別結果に応じて、エッチング処理が必要な基板についてはエッチング処理部の何れかの単位処理部においてエッチング液を供給するとともにそれ以外の単位処理部（エッチング液を供給しない単位処理部）では不活性液体を供給するようにする一方、エッチング処理が不要な基板に対してはエッチング処理部の各単位処理部において不活性液体を供給するようにしたので、エッチング処理を行わない単位処理部を通じて基板を搬送しつつ他の処理部で処理を施すようにしても、基板に悪影響を与えることがなく、基板の品質を適切に保つことができる。従って、エッチング処理部以外の処理部を共通化することができ、当該処理部をより有効に活用することができる。
【００７１】
このような装置において、特に、異なる種類のエッチング液を各単位処理部において供給するようにすれば、必要なエッチング処理だけを適切に基板に施すことができ、合理的な装置構成を達成することができる。
【００７２】
また、本発明は、エッチング処理部を含む複数の処理部を備え、搬入された基板を搬送手段により順次搬送しながら各処理部で所定の処理を施すようにした基板処理装置において、エッチング処理部にエッチング液の貯留槽を設け、エッチング処理が必要な基板に対しては基板がエッチング液に浸漬するようにエッチング液の液面高さを基板に対して調整する一方、エッチング処理が不要な基板に対しては基板がエッチング液に非浸漬となるようにエッチング液の液面高さを基板に対して調整するようにしたので、エッチング処理を必要としない基板をエッチング処理部を通じてその他の処理部で処理するようにしても、エッチング処理部において基板に悪影響を与えることなく、基板の品質を適切に保つことができる。従って、上記各装置同様に、エッチング処理部以外の処理部を共通化することができ当該処理部をより有効に活用することができる。
【００７３】
なお、基板の処理過程において、エッチング処理後には通常エッチング処理で利用したレジスト膜を剥離する工程があり、剥離方法はエッチング方法に拘らず通常は共通しているため、処理部として、エッチング処理された基板に剥離液を与えてエッチング処理の際に利用したレジスト膜を剥離する剥離処理部を備えている装置に上記構成を採用するのが有効である。このようにすれば剥離処理部を共通化することがで、剥離処理部の有効利用は果たすことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る基板処理装置（第１の実施の形態）を示す平面模式図である。
【図２】基板処理装置の主にエッチング処理部の構成を示す側面模式図である。
【図３】本発明に係る基板処理装置（第２の実施の形態）を示す図２に対応する図である。
【図４】エッチング処理部における基板の処理動作を説明する図である。
【符号の説明】
２  カセット
４  ロボット
１０  インデクサー
１１  受渡し部
１２  エッチングユニット
１４  方向転換ユニット
１６  剥離ユニット
１７  受入れ部
１８ａ，１８ｂ  ローラコンベア
２０，２０′  エッチング処理部
２０ａ  第１エッチング部
２０ｂ  第２エッチング部
２２  水洗処理部
２４  乾燥処理部
５０  ノズル（エッチング液供給用）
７０  ノズル（純水供給用）
Ｗ  基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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