Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月6日(2017.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビデオ情報を復号する方法であって、
参照レイヤ（ＲＬ）およびエンハンスメントレイヤ（ＥＬ）と関連したビデオ情報を受信することと、前記ＲＬは、ＲＬピクチャを含み、前記ＥＬは、前記ＲＬピクチャに対応する現在のピクチャを含み、
前記ＲＬピクチャ上に複数の対応するレイヤ間フィルタを適用することによって、前記ＲＬピクチャに基づいて複数のレイヤ間参照ピクチャを生成することと、前記複数の対応するレイヤ間フィルタは、異なる周波数応答を提供するように設計され、
前記現在のピクチャと関連した参照ピクチャリストに、前記ＲＬピクチャに基づいて生成された前記複数のレイヤ間参照ピクチャを追加することと、
前記現在のピクチャを復号することと
を備え、前記現在のピクチャを前記復号することは、
前記現在のピクチャのビデオブロックに対する動きベクトルを決定することと、前記動きベクトルは、前記参照ピクチャリスト内のレイヤ間参照ピクチャを示し、
前記参照ピクチャリスト内の前記示されたレイヤ間参照ピクチャおよび前記動きベクトルに基づいて前記現在のピクチャの復号されたビデオブロックを決定することと
を備える、方法。
【請求項２】
前記レイヤ間フィルタは、
（i）周波数の第２のセットより良い周波数の第１のセットを再生するように構成された第１のレイヤ間フィルタと、
（ｉｉ）周波数の前記第１のセットより良い周波数の前記第２のセットを再生するように構成された第２のレイヤ間フィルタと
を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記レイヤ間フィルタは、アップサンプリングフィルタを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記レイヤ間フィルタのうちの少なくとも１つは、事前定義される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記レイヤ間フィルタは、シーケンスパラメータセットまたはビデオパラメータセットの中でシグナリングされる、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記レイヤ間フィルタは、スライスヘッダの中でシグナリングされる、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記レイヤ間フィルタは、少なくとも１つのデフォルトのレイヤ間フィルタと、シーケンスパラメータセット、ビデオパラメータセット、またはスライスヘッダの中でシグナリングされる少なくとも１つの代替のレイヤ間フィルタとを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記複数のレイヤ間参照ピクチャのうちのせいぜい１つが、現在のピクチャをコーディングするために使用されるように利用できるという制限を適用することを、さらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記レイヤ間フィルタは、１つまたは複数のデフォルトのレイヤ間フィルタと、１つまたは複数の代替のレイヤ間フィルタとを備え、前記方法は、前記１つまたは複数の代替のレイヤ間フィルタを使用して生成されるレイヤ間参照ピクチャをレイヤ間参照ピクチャセットに加える前に、前記１つまたは複数のデフォルトのレイヤ間フィルタを使用して生成されるレイヤ間参照ピクチャを前記レイヤ間参照ピクチャセットに加えることを、さらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記レイヤ間フィルタは、１つまたは複数のデフォルトのレイヤ間フィルタと、１つまたは複数の代替のレイヤ間フィルタとを備え、前記方法は、前記１つまたは複数のデフォルトのレイヤ間フィルタか、それとも前記１つまたは複数の代替のレイヤ間フィルタが、前記複数のレイヤ間参照ピクチャを生成するために使用されるかどうかを示すフラグを受信することを、さらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記方法は、ビットストリーム内で前記レイヤ間フィルタと関連したシンタックス要素を処理することを、さらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
参照レイヤ（ＲＬ）およびエンハンスメントレイヤ（ＥＬ）と関連したビデオ情報を受信するための手段と、前記ＲＬは、ＲＬピクチャを含み、前記ＥＬは、前記ＲＬピクチャに対応する現在のピクチャを含み、
前記ＲＬピクチャ上に複数の対応するレイヤ間フィルタを適用することによって、前記ＲＬピクチャに基づいて複数のレイヤ間参照ピクチャを生成するための手段と、前記複数の対応するレイヤ間フィルタは、異なる周波数応答を提供するように設計され、
前記現在のピクチャと関連した参照ピクチャリストに、前記ＲＬピクチャに基づいて生成された前記複数のレイヤ間参照ピクチャを追加するための手段と、
前記現在のピクチャを復号するための手段と
を備え、前記現在のピクチャを前記復号するための手段は、
前記現在のピクチャのビデオブロックに対する動きベクトルを決定するための手段と、前記動きベクトルは、前記参照ピクチャリスト内のレイヤ間参照ピクチャを示し、
前記参照ピクチャリスト内の前記示されたレイヤ間参照ピクチャおよび前記動きベクトルに基づいて前記現在のピクチャの復号されたビデオブロックを決定するための手段と
を備える、ビデオ復号装置。
【請求項１３】
前記レイヤ間フィルタは、
（i）周波数の第２のセットより良い周波数の第１のセットを再生するように構成された第１のレイヤ間フィルタと、
（ｉｉ）周波数の前記第１のセットより良い周波数の前記第２のセットを再生するように構成された第２のレイヤ間フィルタと
を備える、請求項１２に記載のビデオ復号装置。
【請求項１４】
前記レイヤ間フィルタは、少なくとも１つのデフォルトのレイヤ間フィルタと、シーケンスパラメータセット、ビデオパラメータセット、またはスライスヘッダの中でシグナリングされる少なくとも１つの代替のレイヤ間フィルタとを備える、請求項１２に記載のビデオ復号装置。
【請求項１５】
実行されるとき、装置に、請求項１乃至１１のうちのいずれか一項に従った方法を実施させるコードをそこに記憶した、非一時的なコンピュータ可読媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成29年4月27日(2017.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デバイスであって、
基板と、
前記基板に結合される複数の金属層および誘電体層と、
前記複数の金属層のうちの１つに結合されるパッドと、
前記複数の金属層及び誘電体層上にあり、前記パッドに結合されるパッシベーション層と、
前記パッシベーション層の上方にあり、前記パッドに結合される第１の金属再分配層と、
前記パッシベーション層と前記第１の金属再分配層との間にあり、前記パッド上にキャビティを有する第１の絶縁層と、
前記第１の金属再分配層の上方にある第２の絶縁層であって、前記パッシベーション層、前記第１の絶縁層および前記第２の絶縁層の各々が、溝によって形成される側面を備える第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層の上方にあり、前記第２の絶縁層内のキャビティを介して前記第１の金属再分配層に結合されるアンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）層と、
前記ＵＢＭ層上にあるハンダボールと、
前記デバイスの第１の表面と、前記第２の絶縁層の前記側面を含む前記デバイスの少なくとも側部と、前記ＵＢＭ層の一部とを覆うモールド層とを備え、
前記第２の絶縁層が、前記第１の金属再分配層と前記モールド層との間にあり、
前記第２の絶縁層の側面が、前記デバイスの前記少なくとも側部上で前記モールド層を収容するように構成される前記溝の壁上に露出する、デバイス。
【請求項２】
前記モールド層がエポキシ層又は透明エポキシ層である、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記デバイスの前記第１の表面が前記デバイスの上面である、請求項１に記載のデバイス。
【請求項４】
前記モールド層が、前記複数の金属層および誘電体層のうちの少なくとも１つの側部、前記パッシベーション層の側部および／または前記第１の絶縁層の側部が前記モールド層で覆われるように、前記デバイスの前記少なくとも側部を覆う、請求項１に記載のデバイス。
【請求項５】
前記第１の絶縁層が、少なくともポリイミド層、ポリベンズオキサゾール（ＰｂＯ）層および／またはポリマー層のうちの１つである、請求項１に記載のデバイス。
【請求項６】
前記デバイスが、少なくともダイ、ダイパッケージ、集積回路（ＩＣ）、ウェハおよび／またはインターポーザのうちの１つである、請求項１に記載のデバイス。
【請求項７】
前記デバイスが、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンタテイメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルデバイス、モバイルフォン、スマートフォン、携帯情報端末、定置端末、タブレットコンピュータ、および／またはラップトップコンピュータのうちの少なくとも１つに組み込まれる、請求項１に記載のデバイス。
【請求項８】
前記モールド層が第１の材料から形成され、前記複数の誘電体層のうちの少なくとも１つが第２の材料から形成され、前記第１の材料が前記第２の材料より脆弱でない、請求項１に記載のデバイス。
【請求項９】
デバイスを設けるための方法であって、
基板を設けるステップと、
前記基板に結合される複数の金属層および誘電体層を設けるステップと、
前記複数の金属層のうちの１つに結合されるパッドを設けるステップと、
前記複数の金属層および絶縁体層上にあり、前記パッドに結合されるパッシベーション層を設けるステップと、
前記パッシベーション層の上方にあり、前記パッドに結合される第１の金属再分配層を設けるステップと、
前記パッシベーション層と前記第１の金属再分配層との間に位置し、前記パッド上にキャビティを有する第１の絶縁層を設けるステップと、
前記第１の金属再分配層の上方に位置する第２の絶縁層を設けるステップであって、前記パッシベーション層、前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層の各々が、溝によって形成される側面を備える、設けるステップと、
前記第２の絶縁層の上方にあり、前記第２の絶縁層内のキャビティを介して前記第１の金属再分配層に結合されるアンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）層を設けるステップと、
前記ＵＢＭ層上にハンダボールを設けるステップと、
前記デバイスの第１の表面と、前記第２の絶縁層の前記側面を含む前記デバイスの少なくとも側部と、前記ＵＢＭ層の一部とを覆うモールド層を設けるステップとを含み、
前記第２の絶縁層が、前記第１の金属再分配層と前記モールド層との間にあり、
前記第２の絶縁層の側面が、前記デバイスの前記少なくとも側部上で前記モールド層を収容するように構成される前記溝の壁上に露出する、方法。
【請求項１０】
前記モールド層がエポキシ層または透明エポキシ層である、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記デバイスの前記第１の表面が前記デバイスの上面である、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記モールド層が、前記複数の金属層および誘電体層のうちの少なくとも１つの側部、前記パッシベーション層の側部および／または前記第１の絶縁層の側部が前記モールド層で覆われるように、前記デバイスの前記少なくとも側部を覆う、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記モールド層が、前記第２の絶縁層の側部が前記モールド層で覆われるように、前記デバイスの前記少なくとも側部を覆う、請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１の絶縁層が、少なくともポリイミド層、ポリベンズオキサゾール（ＰｂＯ）層および／またはポリマー層のうちの１つである、請求項９に記載の方法。
【請求項１５】
前記モールド層が第１の材料から形成され、前記複数の誘電体層のうちの少なくとも１つが第２の材料から形成され、前記第１の材料が前記第２の材料より脆弱でない、請求項９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年4月24日(2017.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイスであって、
ＩＩＩ−Ｎ半導体材料を含む基板と、
前記基板上に配置されるＩＩＩ−Ｎ半導体材料の低欠陥層と、
前記低欠陥層上に配置されるＩＩＩ−Ｎ半導体材料の障壁層と、
ガリウム窒化物電界効果トランジスタ（ＧａＮ  ＦＥＴ）であって、
前記障壁層の上に配置されるゲートと、
前記低欠陥層の上に配置されるドレインコンタクトと、
前記低欠陥層の上に配置されるソースコンタクトと、
を含む、前記ＧａＮ  ＦＥＴと、
前記ゲートと同じ構造を有する、前記障壁層の上に配置されるゲート隔離構造であって、前記半導体デバイスの第１の領域を前記半導体デバイスの第２の領域から電気的に隔離するように動作し得る、前記ゲート隔離構造と、
を含む、半導体デバイス。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体デバイスであって、
前記ゲート隔離構造が前記ゲートと連続的である、半導体デバイス。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体デバイスであって、
前記ゲート隔離構造が前記ゲートから離れている、半導体デバイス。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体デバイスであって、
前記第１の領域が前記ドレインコンタクトと連続的であり、前記第２の領域が前記ソースコンタクトと連続的である、半導体デバイス。
【請求項５】
請求項１に記載の半導体デバイスであって、
第２のＧａＮ  ＦＥＴを更に含み、
前記ＧａＮ  ＦＥＴが第１のＧａＮ  ＦＥＴであり、前記第１の領域が前記第１のＧａＮ  ＦＥＴと連続的であり、前記第２の領域が前記第２のＧａＮ  ＦＥＴと連続的である、半導体デバイス。
【請求項６】
請求項１に記載の半導体デバイスであって、
隔離構造を更に含み、
前記ゲート隔離構造が、前記隔離構造まで延在して前記隔離構造に部分的に重なる、半導体デバイス。
【請求項７】
請求項１に記載の半導体デバイスであって、
前記ゲート隔離構造が入力／出力（Ｉ／Ｏ）構造を囲む、半導体デバイス。
【請求項８】
請求項１に記載の半導体デバイスであって、
前記ゲート隔離構造が前記ＧａＮ  ＦＥＴを囲む、半導体デバイス。
【請求項９】
請求項１に記載の半導体デバイスであって、
前記ゲート隔離構造が金属ゲート層を含む、半導体デバイス。
【請求項１０】
請求項１に記載の半導体デバイスであって、
前記ゲート隔離構造が、ＩＩＩ−Ｎ半導体材料の半導体ゲート層を含む、半導体デバイス。
【請求項１１】
半導体デバイスを形成する方法であって、
ＩＩＩ−Ｎ半導体材料を含む基板を提供する工程と、
前記基板上にＩＩＩ−Ｎ半導体材料の低欠陥層を形成する工程と、
前記低欠陥層上にＩＩＩ−Ｎ半導体材料の障壁層を形成する工程と、
ＧａＮ  ＦＥＴを形成する工程であって、
前記障壁層の上にゲートを形成する工程と、
前記低欠陥層の上にドレインコンタクトを形成する工程と、
前記低欠陥層の上にソースコンタクトを形成する工程と、
を含むプロセスにより、前記ＧａＮ  ＦＥＴを形成する工程と、
前記ゲートと同時に前記障壁層の上にゲート隔離構造を形成する工程であって、前記ゲート隔離構造が、前記半導体デバイスの第１の領域を前記半導体デバイスの第２の領域から電気的に隔離するように動作し得る工程と、
を含む、方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の方法であって、
前記ゲート隔離構造が前記ゲートと連続的である、方法。
【請求項１３】
請求項１１に記載の方法であって、
前記ゲート隔離構造が前記ゲートから離れている、方法。
【請求項１４】
請求項１１に記載の方法であって、
前記第１の領域が前記ドレインコンタクトと連続的であり、前記第２の領域が前記ソースコンタクトと連続的である、方法。
【請求項１５】
請求項１１に記載の方法であって、
第２のＧａＮ  ＦＥＴを形成する工程を更に含み、
前記ＧａＮ  ＦＥＴが第１のＧａＮ  ＦＥＴであり、
前記第１の領域が前記第１のＧａＮ  ＦＥＴと連続的であり、前記第２の領域が前記第２のＧａＮ  ＦＥＴと連続的である、方法。
【請求項１６】
請求項１１に記載の方法であって、
隔離構造を形成する工程を更に含み、
前記ゲート隔離構造が、前記隔離構造まで延在して前記隔離構造に重なるように形成される、方法。
【請求項１７】
請求項１１に記載の方法であって、
前記ゲート隔離構造が入力／出力（Ｉ／Ｏ）構造を囲む、方法。
【請求項１８】
請求項１１に記載の方法であって、
前記ゲート隔離構造が前記ＧａＮ  ＦＥＴを囲む、方法。
【請求項１９】
請求項１１に記載の方法であって、
前記ゲート隔離構造を形成する前記工程が、金属ゲート層を形成することを含む、方法。
【請求項２０】
請求項１１に記載の方法であって、
前記ゲート隔離構造を形成する前記工程が、ＩＩＩ−Ｎ半導体材料の半導体ゲート層を形成することを含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月9日(2017.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データパケットにＣＲＣを追加するための装置であって、
データワードを複数の経路に分割するためのスプリッタと、
複数の巡回冗長検査ユニットとを備え、前記巡回冗長検査ユニットの各々は前記経路のそれぞれ１つを処理するためのものであり、前記巡回冗長検査ユニットの各々は、
前記巡回冗長検査ユニット内で終了するパケットの巡回冗長検査値を出力するための第１の出力ポートと、
前記巡回冗長検査ユニット内で開始するまたは進行中のパケットの巡回冗長検査値を出力するための第２の出力ポートとを備える、装置。
【請求項２】
前記複数の巡回冗長検査ユニットの第１のもの内で開始するまたは進行中のパケットの第１の巡回冗長検査値を前記複数の巡回冗長検査ユニットの第２のもの内で終了するパケットの第２の巡回冗長検査値と組合せるための少なくとも１つの結合器をさらに備える、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記複数の巡回冗長検査ユニットの前記第１のもの内で開始するまたは進行中の前記パケットと、前記複数の巡回冗長検査ユニットの前記第２のもの内で終了する前記パケットとは同じパケットである、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記複数の巡回冗長検査ユニットのうち少なくとも２つによって処理される少なくとも１つのパケットが前記複数の巡回冗長検査ユニットのうち前記少なくとも２つの間で連続的か否かを検査するための少なくとも１つの検査回路をさらに備える、請求項２または３に記載の装置。
【請求項５】
前記検査回路は、パケット開始信号が前記２つの巡回冗長検査ユニットのうちの第１の巡回冗長検査ユニットに関連付けられる第１の経路中に見出されるかまたは前記パケットが第１の経路中で進行中である場合、かつパケット終了信号が前記２つの巡回冗長検査ユニットのうちの前記第２の巡回冗長検査ユニットに関連付けられる第２の経路中に見出される場合、前記２つの巡回冗長検査ユニットの間で前記パケットが連続していると判断する、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記巡回冗長検査ユニットの各々はさらに、
前記経路の１つを複数のレーンに分割するためのスプリッタと、
前記複数のレーンのうちそれぞれ１つのビットの部分的巡回冗長検査値を算出するための複数の巡回冗長検査モジュールとを備える、請求項１から５のいずれかに記載の装置。
【請求項７】
前記巡回冗長検査ユニットの各々はさらに、前記巡回冗長検査ユニット内で終了する前記パケットの前記巡回冗長検査値としての出力のための巡回冗長検査値を選択するための選択モジュールを備える、請求項１から６のいずれかに記載の装置。
【請求項８】
前記巡回冗長検査ユニットの各々はさらに、前記巡回冗長検査ユニット内で開始するまたは進行中の前記パケットの前記巡回冗長検査値としての出力のための巡回冗長検査値を選択するための選択モジュールを備え、前記選択モジュールは、前記レーンのいずれにもパケット開始信号が存在しなければ、前記レーンのうち１つの中のパケット開始信号に基づいてまたはデフォルト条件に基づいて、前記巡回冗長検査ユニット内で開始するまたは進行中の前記パケットの前記巡回冗長検査値としての出力のための前記巡回冗長検査値を選択するためのものである、請求項１から６のいずれかに記載の装置。
【請求項９】
前記巡回冗長検査ユニットの各々はさらに、少なくとも第１の巡回冗長検査モジュールからの部分的巡回冗長検査値と少なくとも第２の巡回冗長検査モジュールからの部分的巡回冗長検査値とを組合せて、前記第２の巡回冗長検査モジュールに関連付けられる前記レーンのうちそれぞれ１つの巡回冗長検査値を出力するための少なくとも１つの結合器を備える、請求項３から６のいずれかに記載の装置。
【請求項１０】
前記巡回冗長検査ユニットの各々はさらに、少なくとも１つのフォワーディングモジュールのレーンと宛先レーンとの間の多数のビットに基づいて少なくとも１つの部分的巡回冗長検査値をビットフォワーディングするための少なくとも１つのフォワーディングモジュールを備える、請求項１から９のいずれかに記載の装置。
【請求項１１】
以前のデータワードからの積算巡回冗長検査値を受信するための入力ポート、または
次のデータワードの積算巡回冗長検査値を出力するための出力ポートをさらに備える、請求項１から１０のいずれかに記載の装置。
【請求項１２】
積算巡回冗長検査値を、前記巡回冗長検査ユニットの少なくとも１つ内で終了するパケットの少なくとも１つの巡回冗長検査値と組合せるための少なくとも１つの結合器をさらに備え、
前記複数の巡回冗長検査ユニットによって処理されるパケットのサイズは前記経路の各々の少なくとも経路サイズである、請求項３から６のいずれかに記載の装置。
【請求項１３】
少なくとも１つのフォワーディングユニットのそれぞれの経路と宛先経路との間の多数のビットに基づいて少なくとも１つの巡回冗長検査値をビットフォワーディングするための少なくとも１つのフォワーディングユニットをさらに備える、請求項１から１２のいずれかに記載の装置。
【請求項１４】
パケットの終わりとレーンの終わりとの間または前記パケットの前記終わりと経路の終わりとの間の多数の空ビットに基づいて少なくとも１つの巡回冗長検査値の行列変換を行なうための少なくとも１つのアンロールユニットをさらに備える、請求項１から１３のいずれかに記載の装置。
【請求項１５】
データパケットにＣＲＣを追加するための方法であって、
データワードを複数の経路に分割することと、
前記経路の各々を並列に処理することとを備え、各経路毎に、前記処理することは、
前記経路内で終了するパケットの巡回冗長検査値を算出することと、
前記経路内で開始するまたは進行中のパケットの巡回冗長検査値を算出することとを備える、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月16日(2017.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つまたは複数の電力関係サブフィールドと、前記１つまたは複数の電力関係サブフィールドに少なくとも部分的に基づいて計算された完全性検査値とを備える制御フレームを生成するように構成された処理システムと、
アクセスポイント（ＡＰ）に前記制御フレームを送信するように構成された送信機と
を備える、ワイヤレス通信のための装置。
【請求項２】
前記１つまたは複数の電力関係サブフィールドが、電力管理（ＰＭ）サブフィールド、サービス期間終了（ＥＯＳＰ）サブフィールド、モアデータ（ＭＤ）サブフィールド、またはトラフィック識別子（ＴＩＤ）サブフィールドのうちの少なくとも１つを備える、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記処理システムが、前記１つまたは複数の電力関係サブフィールドを、追加認証データ（ＡＡＤ）のグループに追加するように構成され、前記完全性検査値が、ＡＡＤの前記グループに基づいて計算される、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記制御フレームが、前記１つまたは複数の電力関係サブフィールドを含むフレーム制御（ＦＣ）フィールドを備える、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
ワイヤレス通信のための装置であって、
アクセス端末（ＡＴ）から、１つまたは複数の電力関係サブフィールドを備える制御フレームを受信するように構成された受信機と、
前記制御フレーム中で受信された完全性検査値と、前記１つまたは複数の電力関係サブフィールドに少なくとも部分的に基づいて前記装置によって計算された完全性検査値との比較に基づいて前記制御フレームの完全性検査を実行することと、
前記完全性検査が失敗した場合、前記制御フレームを廃棄することと
を行うように構成された処理システムと
を備える、装置。
【請求項６】
送信機をさらに備え、ここにおいて、前記制御フレームがヌル要求フレームを備え、ここにおいて、前記送信機は、前記完全性検査が成功した場合、前記ヌル要求フレームに応答してヌル応答フレームを送信するように構成された、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記ヌル応答フレームが信号（ＳＩＧ）フィールドを備え、前記ＳＩＧフィールド中の肯定応答（ＡＣＫ）タイプサブフィールドが無ＡＣＫを示し、前記ＳＩＧフィールド中のアグリゲーションサブフィールドがメディアアクセス制御（ＭＡＣ）プロトコルデータユニット（ＭＰＤＵ）アグリゲーションを示す、請求項６に記載の装置。
【請求項８】
１つまたは複数の電力関係サブフィールドと、前記１つまたは複数の電力関係サブフィールドに少なくとも部分的に基づいて計算された完全性検査値とを備える制御フレームを生成することと、
アクセスポイント（ＡＰ）に前記制御フレームを送信することと
を備える、アクセス端末（ＡＴ）におけるワイヤレス通信のための方法。
【請求項９】
前記１つまたは複数の電力関係サブフィールドが、電力管理（ＰＭ）サブフィールド、サービス期間終了（ＥＯＳＰ）サブフィールド、モアデータ（ＭＤ）サブフィールド、またはトラフィック識別子（ＴＩＤ）サブフィールドのうちの少なくとも１つを備える、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記１つまたは複数の電力関係サブフィールドを、追加認証データ（ＡＡＤ）のグループに追加することをさらに備え、前記完全性検査値が、ＡＡＤの前記グループに基づいて計算される、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記制御フレームがヌル要求フレームを備え、前記ヌル要求フレームが信号（ＳＩＧ）フィールドを備え、前記ＳＩＧフィールド中の肯定応答（ＡＣＫ）タイプサブフィールドが通常ＡＣＫを示し、前記ＳＩＧフィールド中のアグリゲーションサブフィールドがメディアアクセス制御（ＭＡＣ）プロトコルデータユニット（ＭＰＤＵ）アグリゲーションまたは無ＭＰＤＵを示す、請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
アクセスポイント（ＡＰ）におけるワイヤレス通信のための方法であって、
１つまたは複数の電力関係サブフィールドを備える制御フレームを、アクセス端末（ＡＴ）から受信することと、
前記制御フレーム中で受信された完全性検査値と、前記１つまたは複数の電力関係サブフィールドに少なくとも部分的に基づいて前記装置によって計算された完全性検査値との比較に基づいて前記制御フレームの完全性検査を実行することと、
前記完全性検査が失敗した場合、前記制御フレームを廃棄することと
を備える、方法。
【請求項１３】
前記制御フレームがヌル要求フレームを備え、前記方法は、前記完全性検査が成功した場合、前記ヌル要求フレームに応答してヌル応答フレームを送信することをさらに備える、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記ヌル応答フレームが信号（ＳＩＧ）フィールドを備え、前記ＳＩＧフィールド中の肯定応答（ＡＣＫ）タイプサブフィールドが無ＡＣＫを示し、前記ＳＩＧフィールド中のアグリゲーションサブフィールドがメディアアクセス制御（ＭＡＣ）プロトコルデータユニット（ＭＰＤＵ）アグリゲーションを示す、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
コンピュータによって実行されると請求項８−１４のうちのいずれか一項に記載の方法を実行するための命令を備えるコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月16日(2017.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マルチSIMワイヤレスデバイス上で同時のアクティブな通話を維持する方法であって、
第1のSIMに関連付けられた第1の無線周波数(RF)リソース上で着信音声通話を受信するステップと、
前記ワイヤレスデバイスが、第2のSIMに関連付けられた第2のRFリソース上でアクティブな音声通話を有するかどうかを判定するステップと、
前記ワイヤレスデバイスが、前記第2のSIMに関連付けられた前記第2のRFリソース上でアクティブな音声通話を有すると判定したことに応答して、前記着信音声通話および前記アクティブな音声通話のうちの1つを処理するために音声/テキスト会話モードを開始するステップとを備え、
前記音声/テキスト会話モードは、
発呼者の音声をテキストデータに変換するステップと、
前記ワイヤレスデバイス上で前記テキストデータを表示するステップと、
ユーザからテキスト入力を受け取るステップと、
前記テキスト入力を機械生成された音声に変換するステップと、
前記機械生成された音声を前記発呼者に送信するステップとを備える方法。
【請求項２】
前記着信音声通話および前記アクティブな音声通話のうちの1つを処理するために前記音声/テキスト会話モードを開始するステップは、
前記着信音声通話の前記ユーザに通知するステップと、
前記音声/テキスト会話モードに入ることを選択するステップと、
前記着信音声通話と前記アクティブな音声通話のいずれが前記音声/テキスト会話モードを使用して処理されるかを識別するステップとを備える請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記音声/テキスト会話モードに入ることを選択するステップは、ユーザ入力の促しを出力して、前記促しに応答して受け取られたユーザ入力に従って選択を行うステップを備える請求項2に記載の方法。
【請求項４】
前記着信音声通話と前記アクティブな音声通話のいずれが前記音声/テキスト会話モードを使用して処理されるかを識別するステップは、ユーザ入力に基づく請求項2に記載の方法。
【請求項５】
前記着信音声通話を処理するために前記音声/テキスト会話モードを使用することを選択するユーザ入力を受け取ったことに応答して、前記着信音声通話が前記音声/テキスト会話モードで行われるという通知を前記着信音声通話の発呼者に送信するステップをさらに備える請求項2に記載の方法。
【請求項６】
前記アクティブな音声通話を処理するために前記音声/テキスト会話モードを使用することを選択するユーザ入力を受け取ったことに応答して、前記アクティブな音声通話が音声/テキスト会話モードに切り換えられるという通知を前記アクティブな音声通話の発呼者に送信するステップをさらに備える請求項2に記載の方法。
【請求項７】
前記着信音声通話および前記アクティブな音声通話のうちの1つを処理するために前記音声/テキスト会話モードを開始するステップは、
前記着信音声通話の前記ユーザに通知するステップと、
所定の規則のセットが満足させられると、前記音声/テキスト会話モードに自動的に入るステップとを備える請求項1に記載の方法。
【請求項８】
前記アクティブな音声通話が終了したかどうかを判定するステップと、
前記アクティブな音声通話が終了したと判定したことに応答して、前記着信音声通話を処理するための前記音声/テキスト会話モードの使用を終えるかどうかを選択するためのユーザ入力を要求するステップとをさらに備える請求項5に記載の方法。
【請求項９】
前記通話が前記音声/テキスト会話モードで行われるという通知を前記着信音声通話の発呼者に送信するステップは、事前記録されたオーディオメッセージを前記発呼者に送信するステップを備える方法であって、
前記事前記録されたオーディオメッセージは、前記発呼者の音声が、前記ユーザに表示されるようにテキストに変換され、ユーザ応答が、機械生成された音声を介して聞かれることを前記発呼者に知らせる請求項5に記載の方法。
【請求項１０】
発呼者の音声をテキストデータに変換するステップは、
前記発呼者の音声を、音声-テキスト変換ができるサーバに送信するステップと、
前記サーバから、前記発呼者の音声のテキスト転記を受信するステップとを備え、
前記テキスト入力を機械生成された音声に変換するステップは、
前記テキスト入力を、テキストを機械生成された音声データに変換するように構成されたサーバに送信するステップと、
前記サーバから、前記機械生成された音声データを含む音声データパケットを受信するステップとを備える請求項1に記載の方法。
【請求項１１】
請求項1から10のいずれか一項に記載の方法を実行するように構成された手段を備えるワイヤレスデバイス。
【請求項１２】
請求項1から10のいずれか一項に記載の方法を実行するように構成されたプロセッサ実行可能命令を記憶している非一時的なプロセッサ可読記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月1日(2017.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【図１】図１は、１つ以上の例示的実施形態に従ってＭＩＭＯ  ＤＵＴをテストするためのテスト環境を示す。
【図２】図２は、１つ以上の例示的実施形態に従って行われるＭＩＭＯ  ＤＵＴのテストにより生ずる信号タイミング図を示す。
【図３】図３は、図１のテスト環境において、図２に示したように適用された信号劣化のタイミング図である。
【図４】図４は、図１のテスト環境のための信号劣化回路の例示的実施形態を示す。
【図５】図５は、図１のテスト環境の一部の別案実施形態を示す。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2016518745.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2016518745.tif 000002
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】追加
【補正の内容】
【図５】
2016518745.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月9日(2017.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
映像コーディングデバイスであって、
基本層および拡張層に関連する映像情報を格納するための手段と、ここにおいて、前記基本層は、時間的副層の第１のセットを備え、前記拡張層は、時間的副層の第２のセットを備える、
前記基本層に関連する第１の存在情報を決定するための手段と、ここにおいて、前記第１の存在情報は、ビットストリーム内におけるコーディングされた映像シーケンスに関して、時間的副層の前記第１のセットの１つ以上の時間的副層が前記ビットストリーム内に存在するかどうかを示し、前記第１の存在情報は、いくつの数の時間的副層が前記基本層内に存在するかを示す構文要素を備える、
前記拡張層に関連する第２の存在情報を決定するための手段と、ここにおいて、前記第２の存在情報は、前記ビットストリーム内における前記コーディングされた映像シーケンスに関して、時間的副層の前記第２のセットの１つ以上の時間的副層が前記ビットストリーム内に存在するかどうかを示し、前記第２の存在情報は、いくつの数の時間的副層が前記拡張層内に存在するかを示す構文要素を備える、
を備える、映像コーディングデバイス。
【請求項２】
前記第１の存在情報および前記第２の存在情報は、映像パラメータセット（ＶＰＳ）内でシグナリングされ、または、
前記第１の存在情報および前記第２の存在情報は、補足的エンハンスメント情報（ＳＥＩ）メッセージとしてシグナリングされる請求項１に記載の映像コーディングデバイス。
【請求項３】
前記第１の存在情報は、時間的副層の前記第１のセット内の各時間的副層に関して、時間的副層の前記第１のセット内の前記時間的副層の各々が存在するかどうかを示すフラグまたは構文要素を備え、前記第２の存在情報は、時間的副層の前記第２のセット内の各時間的副層に関して、時間的副層の前記第２のセット内の前記時間的副層の各々が存在するかどうかを示すフラグまたは構文要素を備える請求項１に記載の映像コーディングデバイス。
【請求項４】
前記第１のセットの前記時間的副層のうちの１つは、基本層ピクチャを含み、前記映像コーディングデバイスは、拡張層ピクチャのスライスに関して、前記第１のセットの前記１つの時間的副層が前記ビットストリーム内に存在しないことを前記第１の存在情報が示す場合は前記拡張層ピクチャの層間予測に関して前記基本層ピクチャが使用されるかどうかを、スライスレベルで決定することを控えるようにさらに構成される請求項１に記載の映像コーディングデバイス。
【請求項５】
前記映像コーディングデバイスは、前記映像コーディングデバイスによって出力される映像信号を変化させずに前記基本層ピクチャが層間予測に関して使用されるかどうかを、スライスレベルで決定することを控えるように構成される請求項４に記載の映像コーディングデバイス。
【請求項６】
前記映像コーディングデバイスは、符号器を備え、前記ビットストリーム内の前記映像情報を符号化するように構成される請求項１に記載の映像コーディングデバイス。
【請求項７】
前記映像コーディングデバイスは、符号器から映像情報を受信して前記映像情報の修正されたバージョンを復号器に転送するように構成されたミドルボックスを備え、前記プロセッサは、前記１つ以上の時間的副層の部分組を前記ビットストリームから取り除くようにさらに構成される請求項１に記載の映像コーディングデバイス。
【請求項８】
前記映像コーディングデバイスは、復号器を備え、前記ビットストリーム内の前記映像情報を復号するように構成される請求項１に記載の映像コーディングデバイス。
【請求項９】
前記映像コーディングデバイスは、コンピュータ、ノートブック、ラップトップ、タブレットコンピュータ、セットトップボックス、電話ハンドセット、スマートフォン、スマートパッド、テレビ、カメラ、表示装置、デジタルメディアプレーヤー、ビデオゲームプレイコンソール、及び車載コンピュータから成るグループから選択される請求項１に記載の映像コーディングデバイス。
【請求項１０】
映像情報をコーディングする方法であって、
時間的副層の第１のセットを備える基本層および時間的副層の第２のセットを備える拡張層に関連する映像情報を格納することと、
前記基本層に関連する第１の存在情報を決定することと、ここにおいて、前記第１の存在情報は、ビットストリーム内におけるコーディングされた映像シーケンスに関して、時間的副層の前記第１のセットの１つ以上の時間的副層が前記ビットストリーム内に存在するかどうかを示し、前記第１の存在情報は、いくつの数の時間的副層が前記基本層内に存在するかを示す構文要素を備える、
前記拡張層に関連する第２の存在情報を決定することと、ここにおいて、前記第２の存在情報は、前記ビットストリーム内における前記コーディングされた映像シーケンスに関して、時間的副層の前記第２のセットの１つ以上の時間的副層が前記ビットストリーム内に存在するかどうかを示し、前記第２の存在情報は、いくつの数の時間的副層が前記拡張層内に存在するかを示す構文要素を備える、
を備える、方法。
【請求項１１】
前記第１の存在情報および前記第２の存在情報は、映像パラメータセット（ＶＰＳ）内でシグナリングされ、または、
前記第１の存在情報および前記第２の存在情報は、補足的エンハンスメント情報（ＳＥＩ）メッセージとしてシグナリングされる請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１の存在情報は、前記ビットストリーム内の各層に関して、いくつの数の時間的副層が前記層内に存在するかを示す構文要素を備える請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
拡張層ピクチャのスライスに関して、前記第１のセットの前記１つの時間的副層が前記ビットストリーム内に存在しないことを前記第１の存在情報が示す場合は前記拡張層ピクチャの層間予測に関して前記第１のセットの前記時間的副層のうちの１つ内の基本層ピクチャが使用されるかどうかを、スライスレベルで決定することを控えることをさらに備える請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
前記基本層ピクチャが層間予測に関して使用されるかどうかを、スライスレベルで決定することを前記控えることは、出力される映像信号を変化させずに行われる請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
非一時的なコンピュータによって読み取り可能な媒体であって、実行されたときに、装置に、請求項１０−１２のうちのいずれかに記載の方法を行わせるコードを備える、非一時的なコンピュータによって読み取り可能な媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月13日(2017.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス繊維のパックを形成するための連続的方法であって、
ガラスを溶融するステップと、
前記溶融ガラスを処理してガラス繊維を形成するステップと、
前記ガラス繊維を蓄積して該ガラス繊維を冷却させるステップと、
前記冷却されたガラス繊維からバインダレス・ウェブを形成するステップと、
前記ウェブの前記繊維を機械的に絡合して前記ガラス繊維のパックを形成するステップと、
を含み、
前記ガラス繊維が、９ＨＴから３５ＨＴまでの範囲の直径範囲を有し、前記ガラス繊維が、約０．２５インチから約１０．０インチまでの長さ範囲を有することを特徴とする連続的方法。
【請求項２】
前記繊維がニードリングによって絡合されることを特徴とする、請求項１に記載の連続的方法。
【請求項３】
前記ガラス繊維のバインダレス・ウェブが、０．１０乃至０．３８ポンド毎平方フィートの面積当り重量、及び０．４５乃至１．３７５インチの厚さを有することを特徴とする、請求項１に記載の連続的方法。
【請求項４】
前記ガラス繊維のパックが、９９％から１００％までのガラス、又は９９％から１００％までのガラス及び前記ガラス繊維を互いに結合しない不活性成分を含むことを特徴とする、請求項１に記載の連続的方法。
【請求項５】
ガラス繊維のバインダレス・ウェブであって、
機械的に絡合されて前記ウェブを形成するガラス繊維を含み、
前記ウェブが、０．１０乃至０．３８ポンド毎平方フィートの面積当り重量を有し、
前記ガラス繊維が、１５ＨＴから１９ＨＴまでの直径範囲を有し、
前記ガラス繊維が、約０．２５インチから約１０．０インチまでの長さ範囲を有する、ことを特徴とするガラス繊維のバインダレス・ウェブ。
【請求項６】
９９％から１００％までのガラス、又は９９％から１００％までのガラス及び前記ガラス繊維を互いに結合しない不活性成分を含むことを特徴とする、請求項５に記載のガラス繊維のバインダレス・ウェブ。
【請求項７】
形成するために使用される前記ガラス繊維が、包装又は出荷のために全く圧縮されていないことを特徴とする、請求項５に記載のガラス繊維のバインダレス・ウェブ。
【請求項８】
前記ガラス繊維が、ニードリングによって機械的に絡合されることを特徴とする、請求項５に記載のガラス繊維のバインダレス・ウェブ。
【請求項９】
ガラス繊維のパックを形成するための連続的方法であって、
ガラスを溶融するステップと、
前記溶融ガラスを処理してガラス繊維を形成するステップと、
前記ガラス繊維を蓄積して該ガラス繊維を冷却させるステップと、
前記ガラス繊維のバインダレス・ウェブを形成するステップと、
前記ガラス繊維のバインダレス・ウェブを積層して前記パックを形成するステップと、を含むことを特徴とする連続的方法。
【請求項１０】
前記繊維がニードリングによって絡合されることを特徴とする、請求項９に記載の連続的方法。
【請求項１１】
前記ガラス繊維のバインダレス・ウェブが０．１０乃至０．３８ポンド毎平方フィートの面積当り重量、及び０．４５乃至１．３７５インチの厚さを有することを特徴とする、請求項９に記載の連続的方法。
【請求項１２】
前記ガラス繊維が、１５ＨＴから１９ＨＴまでの範囲の直径範囲を有することを特徴とする、請求項９に記載の連続的方法。
【請求項１３】
前記ガラス繊維が、約０．２５インチから約１０．０インチまでの長さ範囲を有することを特徴とする、請求項１２に記載の連続的方法。
【請求項１４】
前記ガラス繊維のパックが、９９％から１００％までのガラス、又は９９％から１００％までのガラス及び前記ガラス繊維を互いに結合しない不活性成分を含むことを特徴とする、請求項９に記載の連続的方法。
【請求項１５】
ガラス繊維の積層バインダレス・ウェブであって、
ガラス繊維の第１のウェブと、
前記ガラス繊維の第１のウェブ上に堆積されたガラス繊維の少なくとも１つの付加的なウェブと、
を含み、
前記第１のウェブが、０．０５乃至０．２ポンド毎平方フィートの面積当り重量を有し、
前記ガラス繊維が、１５ＨＴから１９ＨＴまでの範囲の直径範囲を有し、
前記ガラス繊維が、約０．２５インチから約１０．０インチまでの長さ範囲を有する、ことを特徴とするガラス繊維の積層バインダレス・ウェブ。
【請求項１６】
前記ガラス繊維のパックが、９９％から１００％までのガラス、又は９９％から１００％までのガラス及び前記ガラス繊維を互いに結合しない不活性成分を含むことを特徴とする、請求項１５に記載のガラス繊維のバインダレス・ウェブ。
【請求項１７】
形成するために使用されるガラス繊維が、包装又は出荷のために全く圧縮されていないことを特徴とする、請求項１５に記載のガラス繊維のバインダレス・ウェブ。
【請求項１８】
前記ガラス繊維が、ニードリングによって機械的に絡合されることを特徴とする、請求項１５に記載のガラス繊維のバインダレス・ウェブ。
【手続補正書】
【提出日】平成29年4月5日(2017.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）式（Ｉ）
【化１】
2016518505.tif 000001
［式中、
各Ｒ１は、水素、ハロゲン、アルキル、アリール、アルカリール、又はアラルキルであり、少なくとも１つのＲ１は水素であり、
各Ｒ２は、独立して、水素、アルキル、アリール、アルカリール、もしくはアラルキルである、又は同じ炭素原子に結合しているＲ３と一緒に環状アルキルを形成している、又は同じ炭素原子に結合しているＲ３と一緒に、１つ以上の炭素環と縮合している環状アルキルを形成しており、
各Ｒ３は、独立して、水素、アルキル、アリール、アルカリール、もしくはアラルキルである、又は同じ炭素原子に結合しているＲ２と一緒に環状アルキルを形成している、又は同じ炭素原子に結合しているＲ２と一緒に１つ以上の炭素環と縮合している環状アルキルを形成している、又は隣接する炭素原子に結合しているＲ４と一緒に炭素−炭素結合を形成しており、
各Ｒ４は、独立して、水素である、又は隣接する炭素原子に結合しているＲ３と一緒に炭素−炭素結合を形成している。］で表されるモノマーを含む重合性組成物の重合生成物を含む前駆体ポリマー材料と、
ｂ）スルホニル含有化合物とを含む反応混合物の反応生成物を含むスルホニル含有ポリマー材料であって、
少なくとも１つの式−ＳＯ２Ｒ５の基を有し、前記スルホニル含有ポリマー材料中の各芳香環について、式−ＳＯ２Ｒ５の基は最大で１つまでであり、
Ｒ５は−ＯＨ、−ＮＨ２、又は−ＮＲ６−Ｑ−Ｎ（Ｒ６）２であり、
各Ｒ６は、独立して、水素又はアルキルであり、
Ｑは、一重結合、アルキレン、又は式−（Ｑ１−ＮＲ６）ｘ−Ｑ２−の基であり、
各Ｑ１はアルキレンであり、
Ｑ２はアルキレンであり、
ｘは、１〜４の範囲の整数である、スルホニル含有ポリマー材料。
【請求項２】
ａ）式（Ｉ）で表されるモノマーを含む重合性組成物を形成する工程と、
【化２】
2016518505.tif 000002
［式中、
各Ｒ１は、水素、ハロゲン、アルキル、アリール、アルカリール、又はアラルキルであり、少なくとも１つのＲ１は水素であり、
各Ｒ２は、独立して、水素、アルキル、アリール、アルカリール、もしくはアラルキルである、又は同じ炭素原子に結合しているＲ３と一緒に環状アルキルを形成している、又は同じ炭素原子に結合しているＲ３と一緒に１つ以上の炭素環と縮合している環状アルキルを形成しており、
各Ｒ３は、独立して、水素、アルキル、アリール、アルカリール、もしくはアラルキルである、又は同じ炭素原子に結合しているＲ２と一緒に環状アルキルを形成している、又は同じ炭素原子に結合しているＲ２と一緒に１つ以上の炭素環と縮合している環状アルキルを形成している、又は隣接する炭素原子に結合しているＲ４と一緒に炭素−炭素結合を形成しており、
各Ｒ４は、独立して、水素である、又は隣接する炭素原子に結合しているＲ３と一緒に
炭素−炭素結合を形成している。］
ｂ）前記重合性組成物を反応させることにより前駆体ポリマー材料を調製する工程と、
ｃ）前記前駆体ポリマー材料をスルホニル含有化合物で処理してスルホニル含有ポリマー材料を生成する工程と、を含み、
前記スルホニル含有ポリマー材料は少なくとも１つの式
−ＳＯ２Ｒ５の基を有し、前記スルホニル含有ポリマー材料中の各芳香環について、式−ＳＯ２Ｒ５の基は最大で１つまでであり、
Ｒ５は−ＯＨ、−ＮＨ２、又は−Ｎ（Ｒ６）−Ｑ−Ｎ（Ｒ６）２であり、
各Ｒ６は、独立して、水素又はアルキルであり、
Ｑは、一重結合、アルキレン、又は式−（Ｑ１−ＮＲ６）ｘ−Ｑ２−の基であり、
各Ｑ１はアルキレンであり、
Ｑ２はアルキレンであり、
ｘは、１〜４の範囲の整数である、スルホニル含有ポリマー材料の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月11日(2017.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フルオロポリマー分散液を濃度増大させる方法であって、フルオロポリマー及び下式
［Ｒｆ−Ｏ−Ｌ−Ａ］Ｍ
（式中、Ｌは、全フッ素化又は部分フッ素化アルキレン基であり、Ｒｆは、部分又は全フッ素化アルキル基であって、該アルキル鎖が少なくとも１つのエーテル酸素原子によって中断されている基であり、Ａは、酸残基を表し、Ｍは、プロトンを含む酸基Ａの対イオン又は対イオンの組み合わせを表す）を有するフッ素化ポリエーテル乳化剤を含有する水性フルオロポリマー分散液を提供する工程と、
前記分散液のフルオロポリマー含量に基づいて約１〜約１５重量％の糖系乳化剤の存在下で前記分散液を熱処理に供する工程、
を含み、前記熱処理が、水性フルオロポリマー富化分散液及び水性フルオロポリマー枯渇相への相分離を誘導する、方法。
【請求項２】
水性フルオロポリマー分散液であって、
ｉ）前記分散液に基づいて少なくとも４５重量％のフルオロポリマーと、
ｉｉ）前記フルオロポリマーの含量に基づいて約１〜約１５重量％の量の、少なくとも１つの糖系乳化剤と、
ｉｉｉ）エステル官能化合体剤、及びサルフェート、スルホネート、及びホスホネートから選択されるアニオン性界面活性剤からなる群より選択される添加剤と、
を含有し、さらに前記分散液が、前記分散液の総重量に基づいて０〜１０００ｐｐｍの、下式
［Ｒｆ−Ｏ−Ｌ−Ａ］Ｍ
（式中、Ｌは、全フッ素化又は部分フッ素化アルキレン基であり、Ｒｆは、部分又は全フッ素化アルキル基であって、該アルキル鎖が少なくとも１つのエーテル酸素原子によって中断されている基であり、Ａは、酸残基を表し、Ｍは、プロトンを含む酸基Ａの対イオン又は対イオンの組み合わせを表す）を有するフッ素化ポリエーテル乳化剤を含有する、分散液。
【請求項３】
請求項２に記載の分散液でコーティングされた基材。