【手続補正書】
【提出日】平成29年10月19日(2017.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイヤモンド粒子と炭化ケイ素粒子とを含む複合層と、化学気相成長（ＣＶＤ）で成長した前記複合層上のダイヤモンド層と、を備え、前記ダイヤモンド層のダイヤモンドは、前記複合層を構成する前記ダイヤモンド粒子および／または前記炭化ケイ素粒子の結晶表面上でＣＶＤ成長したものであり、
前記ダイヤモンド層は多結晶ダイヤモンドを含み、
前記複合層は、ケイ素粒子を含む、多層基材。
【請求項２】
前記ダイヤモンド層は、ドープされていない、ｎ型の元素または化合物でドープされている、ｐ型の元素または化合物でドープされている、または、ホウ素でドープされている、のうちのいずれか一つである、
請求項１に記載の多層基材。
【請求項３】
前記ダイヤモンド層は、パターニングされるか、または選択的にエッチングされている、
請求項１に記載の多層基材。
【請求項４】
前記複合層中の前記ダイヤモンド粒子は、前記複合層内において０％〜１００％の間の濃度勾配を有する、
請求項１に記載の多層基材。
【請求項５】
前記複合層内におけるダイヤモンド粒子の担持レベル（体積基準）は、≧５％、≧２０％、≧４０％、または、≧６０％、のうちのいずれか一つである、
請求項１に記載の多層基材。
【請求項６】
前記ダイヤモンド層の厚さは、１０−９メータ〜１０−６メータ、５×１０−６メータ〜２０×１０−３メータ、５００×１０−６メータ〜１０×１０−３メータ、１×１０−６メータ〜５×１０−３メータ、３×１０−６メータ〜３×１０−３メータ、５０×１０−６メータ〜５０×１０−２メータ、１００×１０−６メータ〜１０×１０−２メータ、２００×１０−６メータ〜５×１０−２メータ、５００×１０−６メータ〜２×１０−２メータ、のうちのいずれか一つである、
請求項１に記載の多層基材。
【請求項７】
前記多層基材の厚さは、≧２００×１０−６メータ、≧２０×１０−３メータ、≧４０×１０−３メータ、または≧７５×１０−３メータ、≧５０×１０−６メータ、≧５００×１０−６メータ、または、≧１×１０−３メータ、のうちのいずれか一つである、
請求項１に記載の多層基材。
【請求項８】
前記多層基材は、円、正方形、長方形、多角形、楕円、湾曲状、球体、非球体、円筒、円錐、凹状、または、凸状、の形状のうちの一つ、またはこれらの形状の２以上の組み合わせを有する、
請求項１に記載の多層基材。
【請求項９】
前記ダイヤモンド層の表面は、所望の粗さの値および所望の平坦さの値となるように成長している、または研磨されている、
請求項１に記載の多層基材。
【請求項１０】
光学デバイス、高エネルギー放射粒子を検出するための検出器、電磁波を検出するための検出器、切断、穿孔、機械加工、粉砕、ラッピング、研磨、コーティング、接合、またはブレイジングのためのデバイス、ブレーキデバイス、シール、熱導体、電磁波伝達デバイス、高腐食条件下、強酸化条件下、強還元条件下、高温下、または極低温条件下での使用のために構成される化学的に不活性なデバイス、または、半導体デバイス、半導体ウェハまたは半導体フィルム、光学デバイス、光学ウェハまたは光学フィルム、および／または電子デバイス、電子ウェハまたは電子フィルムの研磨または平坦化のためのデバイス、のうちの一つとしての使用のために構成される、
請求項１に記載の多層基材。
【請求項１１】
前記光学デバイスは、平面状の光学部品または非平面状の光学部品のいずれかである、
請求項１０に記載の多層基材。
【請求項１２】
前記平面状の光学部品は、ミラーまたはレンズである、
請求項１１に記載の多層基材。
【請求項１３】
前記非平面状の光学部品は、球体、または非球体、または円錐、または円筒である、
請求項１１に記載の多層基材。
【請求項１４】
前記光学デバイスは、電磁波の取り扱いのための光学コーティングを含む、
請求項１０に記載の多層基材。
【請求項１５】
請求項１に記載の多層基材の形成方法であって、
（ａ）ダイヤモンド粒子と、炭化ケイ素粒子と、ケイ素粒子とを含む複合層を形成すること、
（ｂ）反応器の基材保持部上に前記複合層を位置させること、および、
（ｃ）前記反応器の前記基材保持部上に位置する前記複合層上に、ダイヤモンド層を成長させることであって、前記ダイヤモンド層のダイヤモンドが、前記複合層を構成する前記ダイヤモンド粒子の結晶表面上で直に成長し、前記ダイヤモンド層は、多結晶ダイヤモンドを含んでいること、を備える、
多層基材の形成方法。
【請求項１６】
ステップ（ｃ）は、化学気相成長によって、前記複合層上に前記ダイヤモンド層を成長させることを含む、
請求項１５に記載の多層基材の形成方法。
【請求項１７】
ステップ（ａ）は、前記複合層を機械加工すること、ラッピングすること、研磨すること、切断すること、または穿孔することをさらに含む、
請求項１５に記載の多層基材の形成方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
（第１節）
ダイヤモンド粒子と炭化ケイ素粒子とを含む複合層と、化学気相成長（ＣＶＤ）で成長した前記複合層上のダイヤモンド層と、を備え、前記ダイヤモンド層のダイヤモンドは、前記複合層を構成する前記ダイヤモンド粒子および／または前記炭化ケイ素粒子の結晶表面上でＣＶＤ成長したものであり、前記ダイヤモンド層は多結晶ダイヤモンドを含み、前記複合層は、ケイ素粒子を含む、多層基材。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
（第４節）
前記ダイヤモンド層は、ドープされていない、ｎ型の元素または化合物でドープされている、ｐ型の元素または化合物でドープされている、または、ホウ素でドープされている、のうちのいずれかで一つである、節１に記載の多層基材。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
（第５節）
前記ダイヤモンド層は、パターニングされるか、または選択的にエッチングされている、節１に記載の多層基材。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
（第６節）
前記複合層中の前記ダイヤモンド粒子は、前記複合層内において０％〜１００％の間の濃度勾配を有する、節１に記載の多層基材。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
（第７節）
前記複合層内におけるダイヤモンド粒子の担持レベル（体積基準）は、≧５％、≧２０％、≧４０％、または、≧６０％、のうちのいずれか一つである、節１に記載の多層基材。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
（第８節）
前記ダイヤモンド層の厚さは、１０−９メータ〜１０−６メータ、５×１０−６メータ〜２０×１０−３メータ、５００×１０−６メータ〜１０×１０−３メータ、１×１０−６メータ〜５×１０−３メータ、３×１０−６メータ〜３×１０−３メータ、５０×１０−６メータ〜５０×１０−２メータ、１００×１０−６メータ〜１０×１０−２メータ、２００×１０−６メータ〜５×１０−２メータ、５００×１０−６メータ〜２×１０−２メータ、のうちのいずれか一つである、節１に記載の多層基材。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
（第９節）
前記多層基材の厚さは、≧２００×１０−６メータ、≧２０×１０−３メータ、≧４０×１０−３メータ、または≧７５×１０−３メータ、≧５０×１０−６メータ、≧５００×１０−６メータ、または、≧１×１０−３メータ、のうちのいずれか一つである、節１に記載の多層基材。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
（第１０節）
前記多層基材は、円、正方形、長方形、多角形、楕円、湾曲状、球体、非球体、円筒、円錐、凹状、または、凸状、の形状のうちの一つまたはこれらの形状の２以上の組み合わせを有する、節１に記載の多層基材。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
（第１１節）
前記ダイヤモンド層の表面は、所望の粗さの値および平坦さの値となるように成長している、または研磨されている、節１に記載の多層基材。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
（第１２節）
光学デバイス、高エネルギー放射粒子を検出するための検出器、電磁波を検出するための検出器、切断、穿孔、機械加工、粉砕、ラッピング、接合、またはブレイジングのためのデバイス、ブレーキデバイス、シール、熱伝導体、電磁波伝達デバイス、高腐食環境下、強酸化条件下、または強環境条件下、高温下、または極低温条件下での使用のために構成される化学的に不活性なデバイス、または半導体デバイス、半導体ウェハまたは半導体フィルム、パッド、光学デバイス、光学ウェハまたは光学フィルム、および／または電子デバイス、電子ウェハまたは電子フィルムの研磨または平坦化のためのデバイス、のうちの一つとしての使用のために構成される、節１に記載の多層基材。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
（第１３節）
前記光学デバイスは、平面状の光学部品または非平面状の光学部品のいずれかである、節１２に記載の多層基材。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
（第１４節）
前記平面状の光学部品は、ミラーまたはレンズである、節１３に記載の多層基材。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
（第１５節）
前記非平面状の光学部品は、球体、または非球体、または円錐、または円筒である、節１３に記載の多層基材。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
（第１７節）
節１に記載の多層基材の形成方法であって、
（ａ）ダイヤモンド粒子と、炭化ケイ素粒子と、ケイ素粒子とを含む複合層を形成すること、（ｂ）反応器の基材保持部上に前記複合層を位置させること、および、（ｃ）前記反応器の前記基材保持部上に位置する前記複合層上に、ダイヤモンド層を成長させることであって、前記ダイヤモンド層のダイヤモンドが、前記複合層を構成する前記ダイヤモンド粒子の結晶表面上で直に成長し、前記ダイヤモンド層は、多結晶ダイヤモンドを含んでいること、を備える、多層基材の形成方法。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
（第１９節）
ステップ（ｃ）は、化学気相成長によって、前記複合層上に前記ダイヤモンド層を成長させることを含む、節１７に記載の多層基材の形成方法。
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
（第２０節）
ステップ（ａ）は、前記複合層を機械加工すること、ラッピングすること、研磨すること、切断すること、または穿孔することをさらに含む、節１７に記載の多層基材の形成方法。