【手続補正書】
【提出日】平成29年2月6日(2017.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所望の最終エッチングプロファイルを有する基板を生産する複数のステーションを含む枚葉式ウェットエッチング処理システムを使用して、基板をウェットエッチングするための方法であって、前記所望の最終エッチングプロファイルは、エッチング後に前記基板の表面上で１つ又は複数の半径方向の位置での前記基板の所望の厚さを画定することを特徴とし、前記方法は、
測定ステーションで、特定の基板の初期厚さ情報を測定するステップと、
前記特定の基板のためのエッチングプロファイルを計算するステップであって、前記ステップは、複数の前記半径方向の各々の位置において、エッチング後の前記半径方向の各々の位置に対して測定された前記初期厚さ情報に従って、且つエッチング後の前記半径方向の位置に対する前記所望の厚さに従って、各々のエッチング深度を計算することを含むステップであって、
前記半径方向の各々の位置において、計算された前記エッチング深度は前記半径方向の各々の位置での半径の関数であり、且つ複数の前記半径方向の位置における第１の半径方向の位置に対する第１のエッチング深度は、複数の前記半径方向の位置における第２の半径方向の位置に対する第２のエッチング深度とは異なる、ステップと、
各々の前記エッチング深度での複数の前記半径方向の各々の位置において、前記特定の基板を選択的にエッチングするためのエッチングレシピを生産するステップと、
枚葉式ウェットエッチング装置を用いて前記特定の基板を回転させるステップと、及び
前記所望の最終エッチングプロファイルを達成するため、回転させながら前記特定の基板をエッチングするステップと、
を含む方法であって、
前記エッチングのステップは、前記第１の半径方向の位置の全体から、前記第１のエッチング深度によって画定される前記基板材料の量を選択的にエッチングすることを含み、且つ前記第２の半径方向の位置の全体から、前記第２のエッチング深度によって画定される前記基板材料の量を選択的にエッチングすることを含み、
前記複数のステーションが筐体内に配置され、また前記基板をステーション間で制御可能に移動させるように構成された自動基板移動デバイスによってアクセスされ、それによって、前記基板がエッチング処理を受けている間に、リアルタイムで前記基板の測定を可能にする、方法。
【請求項２】
前記測定ステーションで、前記特定の基板の最終厚さ情報を測定するステップをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記初期厚さ情報を測定することが、前記特定の基板の表面上の１つまたは複数の位置を光学的にスキャンすることと、前記１つまたは複数の位置について検出した厚さを前記初期厚さ情報として記録することとを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記初期厚さ情報が、前記基板の前記表面上の複数の半径方向の各々の位置での前記基板の厚さ値を含み、前記所望の最終エッチングプロファイルは、前記複数の半径方向の各々の位置での前記基板の所望の厚さ値を特定する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記各々のエッチング深度を計算するステップが、前記半径方向の各々の位置で測定される前記厚さ値から、前記半径方向の各々の位置での前記特定の基板の前記所望の厚さ値を減算することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記エッチング深度が、また、前記特定の基板内に配置された導電性材料で充填される１つまたは複数のビアの基準高さの関数としても計算される方法であって、前記１つまたは複数のビアの基準高さとは、測定されるサンプルの基板の１つまたは複数のビアの高さである、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記特定の基板の前記エッチングプロファイルが、前の基板の最終厚さ情報に基づいて計算される、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記エッチングレシピを生成する前記ステップが、前記エッチングプロファイルの関数であるアルゴリズムに従って、エッチングパラメータを調整することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記エッチングパラメータが、前記エッチングステーション内に配置されたウェットエッチング装置による前記エッチングステップ中に、前記特定の基板のエッチングを制御し、前記エッチングパラメータが、化学腐食液を投入するアームとノズルとの位置と、チャック上の前記特定の基板の回転速度と、アームスキャン速度と、アーム加速度と、前記化学腐食液の濃度と、前記化学腐食液の温度と、滞留時間と、前記化学腐食液のフローレートと、エッチング継続時間とを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記特定の基板をエッチングする前記ステップが、前記エッチングレシピに従って、前記エッチングステーションに配置された枚葉式ウェットエッチングデバイスによって、化学腐食液を前記基板の前記表面上に投入することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記基板をエッチングした後に、前記測定ステーションで、前記特定の基板の最終厚さ情報をリアルタイムで測定するステップをさらに備え、前記測定した最終厚さ情報に基づいて、前記所望の最終エッチングプロファイルが達成されなかった場合に、前記基板が、前記自動基板移動デバイスによって前記エッチングステーションに戻される、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
洗浄溶液を前記特定の基板上に投入することと、前記特定の基板を擦り洗いすることとを含む、前記特定の基板を洗浄するステップをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記洗浄するステップが、洗浄溶液の高速スプレーを前記特定の基板上に投入することを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記洗浄するステップが、前記特定の基板をメガソニック洗浄することを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記特定の基板をエッチングする前記ステップが、終点検出デバイスを使用して、１つまたは複数のＴＳＶが露出している終点を検出することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記エッチングプロファイルの計算が、前の基板に由来するエッチレートに基づいてエッチレートを計算するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記エッチングレシピを生産するステップが、前記エッチングステーションに位置付される枚葉式ウェットエッチング装置を制御し、且つ前記エッチングステップの間の前記特定の基板のエッチングを制御する、エッチングパラメータを調製することを含み、
前記エッチングパラメータが、化学腐食液を投入するノズルの複数の半径方向の位置と、前記複数の半径方向の位置の間にある前記ノズルの速度及び加速度とを含み、且つ
少なくとも前記複数の半径方向の位置を画定して、前記第１の半径方向の位置の全体から前記第１のエッチング深度によって画定される基板の量を選択的にエッチングするために、前記第１の半径方向の位置の上方に前記ノズルを位置決めし、その後に、前記第２の半径方向の位置の全体から前記第２のエッチング深度によって画定される基板の量を選択的にエッチングするために、前記第２の半径方向の位置の上方に前記ノズルを位置決めする、
請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
前記エッチングパラメータが、複数のノズルの高さを含み、且つ
前記特定の基板をエッチングする前記ステップの間、前記複数のノズルの高さのうちの１つを前記ノズルが想定するように前記ノズルの高さが調整され、
前記ノズルの高さは、前記ノズルと前記基板の間の距離になる、
ことを特徴とする、請求項１７に記載の方法。