【手続補正書】
【提出日】平成29年8月9日(2017.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１壁、前記第１壁に対向する導電性の第２壁、及び複数個の導電性側壁を持ち、抽出開孔を前記導電性の第２壁に配置するイオン源チャンバを有するイオン源と、
前記抽出開孔近傍で前記イオン源チャンバの外側に配置し、１個又は複数個の導電性電極を有する抽出電極アセンブリと、
を備え、
少なくとも１個の導電性コンポーネントを低抵抗率炭化ケイ素で被覆する、イオン注入装置。
【請求項２】
前記炭化ケイ素は１Ωｃｍ未満の抵抗率を有する、請求項１記載のイオン注入装置。
【請求項３】
前記導電性の側壁の各々は、前記イオン源チャンバの内部に対面する内部表面を有し、前記内部表面を前記低抵抗率炭化ケイ素で被覆する、請求項１記載のイオン注入装置。
【請求項４】
前記導電性の第２壁の内部表面を前記低抵抗率炭化ケイ素で被覆する、請求項１記載のイオン注入装置。
【請求項５】
前記導電性電極の表面を前記低抵抗率炭化ケイ素で被覆する、請求項１記載のイオン注入装置。
【請求項６】
前記導電性電極の各々はそれぞれに対応する開孔を有し、前記導電性電極の各々における前記対応する開孔の包囲部分を前記低抵抗率炭化ケイ素で被覆する、請求項５記載のイオン注入装置。
【請求項７】
第１壁、前記第１壁に対向する導電性の第２壁、及び複数個の導電性側壁を持ち、抽出開孔を前記導電性の第２壁に配置するイオン源チャンバを有するイオン源と、
各々が前記導電性側壁のそれぞれに対応する内部表面に当接配置して電気的に導通する複数の導電性の内張りと、
前記抽出開孔近傍で前記イオン源チャンバの外側に配置し、１個又は複数個の導電性電極を有する抽出電極アセンブリと、
を備え、
少なくとも１個の前記導電性の内張り、前記導電性の第２壁の内部表面、及び前記抽出電極アセンブリを、低抵抗率炭化ケイ素で被覆する、イオン注入装置。
【請求項８】
前記炭化ケイ素は１Ωｃｍ未満の抵抗率を有する、請求項７記載のイオン注入装置。
【請求項９】
前記導電性の内張りの各々は、前記イオン源チャンバの内部に対面する第１表面、及び前記第１表面とは反対側でそれぞれに対応する導電性側壁に対面する第２表面を有し、前記第１表面を低抵抗率炭化ケイ素で被覆する、請求項７記載のイオン注入装置。
【請求項１０】
前記内張りの前記第２表面を前記低抵抗率炭化ケイ素で被覆する、請求項７記載のイオン注入装置。
【請求項１１】
前記導電性電極の表面を前記低抵抗率炭化ケイ素で被覆する、請求項７記載のイオン注入装置。
【請求項１２】
前記導電性電極の各々はそれぞれに対応する開孔を有し、前記導電性電極の各々における前記対応する開孔の包囲部分を前記低抵抗率炭化ケイ素で被覆する、請求項１１記載のイオン注入装置。
【請求項１３】
第１壁、前記第１壁に対向する導電性の第２壁、及び複数個の導電性側壁を持ち、抽出開孔を前記導電性の第２壁に配置するイオン源チャンバを有するイオン源と、
各々が前記導電性側壁のそれぞれに対応する内部表面に当接配置して電気的に導通する複数の導電性グラファイトの内張りであり、前記導電性グラファイトの内張りの各々は、前記イオン源チャンバの内部に対面する第１表面、及び前記第１表面とは反対側でそれぞれに対応する導電性側壁に対面する第２表面を有し、前記第１表面を低抵抗率炭化ケイ素で被覆する、複数の導電性グラファイトの内張りと、
前記抽出開孔近傍で前記イオン源チャンバの外側に配置する抽出電極アセンブリであり、１個又は複数個の導電性電極を有し、前記導電性電極の各々はそれぞれに対応する開孔を有し、前記導電性電極の各々における前記対応する開孔の包囲部分を低抵抗率炭化ケイ素で被覆する、抽出電極アセンブリと、
を備え、
前記低抵抗率炭化ケイ素は１Ωｃｍ未満の抵抗率を有する、イオン注入装置。
【請求項１４】
前記導電性の第２壁の内部表面を前記低抵抗率炭化ケイ素で被覆する、請求項１３記載のイオン注入装置。
【請求項１５】
前記導電性の第２壁と前記導電性側壁とを取り付ける領域は、前記低抵抗率炭化ケイ素で被覆しない、請求項１４記載のイオン注入装置。
【請求項１６】
第１壁、前記第１壁に対向する導電性の第２壁、及び複数個の導電性側壁を持ち、抽出開孔を前記導電性の第２壁に配置するイオン源チャンバを有するイオン源と、
各々が前記導電性側壁のそれぞれに対応する内部表面に当接配置して電気的に連通する複数の導電性内張りと、
を備え、
前記導電性の第２壁、及び前記複数個の導電性側壁は、第１のバイアス電圧で連通し、
少なくとも１個の前記導電性内張りを低抵抗率炭化ケイ素で被覆する、イオン注入装置。
【請求項１７】
前記低抵抗率炭化ケイ素は１Ωｃｍ未満の抵抗率を有する、請求項１６記載のイオン注入装置。
【請求項１８】
前記導電性の第２壁の内部表面を前記低抵抗率炭化ケイ素で被覆する、請求項１６記載のイオン注入装置。
【請求項１９】
前記抽出開孔近傍で前記イオン源チャンバの外側に配置し、１個又は複数個の導電性電極を有し、前記導電性電極は、１つ又は複数の第２のバイアス電圧で連通し、前記イオン源チャンバからのイオンを前記抽出開孔を通って引き付ける抽出電極アセンブリを更に備え、
前記１個又は複数個の導電性電極の表面を前記低抵抗率炭化ケイ素で被覆する、請求項１６記載のイオン注入装置。
【請求項２０】
前記１個又は複数個の導電性電極の各々はそれぞれに対応する開孔を有し、前記１個又は複数個の導電性電極の内の少なくとも１個における前記対応する開孔の包囲部分を前記低抵抗率炭化ケイ素で被覆する、請求項１９記載のイオン注入装置。
【請求項２１】
第１壁、前記第１壁に対向する導電性の第２壁、及び複数個の導電性側壁を持ち、抽出開孔を前記導電性の第２壁に配置するイオン源チャンバを有するイオン源と、
前記抽出開孔近傍で前記イオン源チャンバの外側に配置し、１個又は複数個の導電性電極を有する抽出電極アセンブリと、
を備え、
前記導電性の第２壁、及び前記複数個の導電性側壁は、第１のバイアス電圧で連通し、前記１個又は複数個の導電性電極は、１つ又は複数の第２のバイアス電圧で連通し、前記イオン源チャンバからのイオンを前記抽出開孔を通って引き付け、
前記導電性の第２壁の内部表面、前記複数個の導電性側壁の内の１個の内部表面、及び前記抽出電極アセンブリの内の少なくとも１個を、低抵抗率炭化ケイ素で被覆する、イオン注入装置。
【請求項２２】
前記低抵抗率炭化ケイ素は１Ωｃｍ未満の抵抗率を有する、請求項２１記載のイオン注入装置。
【請求項２３】
各々が前記複数個の導電性側壁のそれぞれに対応する内部表面に当接配置して電気的に連通する複数の導電性内張りを、さらに備える、請求項２１記載のイオン注入装置。
【請求項２４】
前記複数の導電性内張りの各々は、前記イオン源チャンバの内部に対面する第１表面、及び前記第１表面とは反対側でそれぞれに対応する導電性側壁に対面する第２表面を有し、前記第１表面を低抵抗率炭化ケイ素で被覆する、請求項２３記載のイオン注入装置。
【請求項２５】
前記導電性の第２壁の前記内部表面を前記低抵抗率炭化ケイ素で被覆する、請求項２１記載のイオン注入装置。
【請求項２６】
前記１個又は複数個の導電性電極の表面を前記低抵抗率炭化ケイ素で被覆する、請求項２２記載のイオン注入装置。
【請求項２７】
前記１個又は複数個の導電性電極の各々はそれぞれに対応する開孔を有し、前記１個又は複数個の導電性電極の内の少なくとも１個における前記対応する開孔の包囲部分を前記低抵抗率炭化ケイ素で被覆する、請求項２６記載のイオン注入装置。
【請求項２８】
第１壁、前記第１壁に対向する導電性の第２壁、及び複数個の導電性側壁を持ち、抽出開孔を前記導電性の第２壁に配置するイオン源チャンバを有するイオン源と、
各々が前記導電性側壁のそれぞれに対応する内部表面に当接配置して電気的に導通する複数の導電性グラファイトの内張りであり、前記複数の導電性グラファイトの内張りの各々は、前記イオン源チャンバの内部に対面する第１表面、及び前記第１表面とは反対側でそれぞれに対応する導電性側壁に対面する第２表面を有し、前記第１表面を低抵抗率炭化ケイ素で被覆する、複数の導電性グラファイトの内張りと、
前記抽出開孔近傍で前記イオン源チャンバの外側に配置する抽出電極アセンブリであり、１個又は複数個の導電性電極を有し、前記導電性電極の各々はそれぞれに対応する開孔を有し、前記１個又は複数個の導電性電極の内の少なくとも１個における前記対応する開孔の包囲部分を低抵抗率炭化ケイ素で被覆する、抽出電極アセンブリと、
を備え、
前記低抵抗率炭化ケイ素は１Ωｃｍ未満の抵抗率を有し、
前記導電性側壁は、第１のバイアス電圧で連通し、前記１個又は複数個の導電性電極は、１つ又は複数の第２のバイアス電圧で連通し、前記イオン源チャンバからのイオンを前記抽出開孔を通って引き付ける、イオン注入装置。
【請求項２９】
前記導電性の第２壁の内部表面を前記低抵抗率炭化ケイ素で被覆する、請求項２８記載のイオン注入装置。
【請求項３０】
前記導電性の第２壁と前記導電性側壁とを取り付ける領域は、前記低抵抗率炭化ケイ素で被覆しない、請求項２９記載のイオン注入装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
図１は、ドーパントイオンを太陽電池のようなワークピース１５０に導入するのに使用し得る代表的なイオン注入装置の断面を示す。これらドーパントイオンを使用して太陽電池に必要なエミッタ領域及びｐｎ接合を形成する。イオン注入装置１００はイオン源１１０を有する。イオン源１１０は、第１壁１１１及び反対側の第２壁１１２を有する。第１壁１１１及び第２壁１１２は複数個の側壁１１３，１１４によって共に接合することができる。イオン注入装置は断面で示すので、単に２個の側壁１１３，１１４のみを示す。しかし、任意な数の側壁、例えば、４個又はそれ以上の側壁を用いることもできる。これら側壁１１３，１１４は第２壁１１２に対して機械的及び電気的に結合する。これら側壁１１３，１１４は、さらに、第１壁１１１に対して機械的に結合する。これら壁１１１〜１１４はイオン源チャンバ１１５を画定する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
例えば、一実施形態において、グラファイト内張り１２０を低抵抗率炭化ケイ素で被覆することができる。一実施形態において、低抵抗率炭化ケイ素は化学蒸着（ＣＶＤ）プロセスを用いてグラファイト内張り１２０に塗布する。この内張り１２０は、イオン源チャンバ１１５の内部に対面する第１表面と、側壁１１３，１１４に対面する反対側の第２表面とを有する。幾つかの実施形態において、低抵抗率炭化ケイ素は内張り１２０の両側の表面に塗布することができる。他の実施形態において、低抵抗率炭化ケイ素は、イオン源チャンバ１１５の内部に対面する内張り１２０の第１表面にのみ塗布する。低抵抗率炭化ケイ素をグラファイト製の内張り１２０に被覆した後、内張り１２０をイオン源チャンバ１１５の側壁１１３，１１４の内部表面に当接設置する。低抵抗率炭化ケイ素は比較的良好な導電率を有するので、依然としてバイアス電圧をこれらの内張り１２０に印加することができる。