【手続補正書】
【提出日】平成29年5月1日(2017.5.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバを画成するケーシングと，
前記チャンバ内に配置される第１の電極と，
前記第１の電極との間に空間が画成されるよう前記チャンバ内に配置され，前記第１の電極から離間する第２の電極と，
前記空間内の塩類の水溶液に電流が流れるように前記第１の電極又は前記第２の電極の少なくとも１つにバイアスを加えた際，前記チャンバ内で前記塩類の水溶液から電解水が生成されるように前記チャンバ内に配置された前記塩類の水溶液と，
前記拭き取り材用の容器アセンブリから拭き取り材用の開口を介して取り出された前記拭き取り材が前記電解水を含浸しており，前記拭き取り材が前記チャンバ内で前記電解水と接触することによって前記電解水を含浸するように前記ケーシングに設けられた，前記拭き取り材用の開口を画成する取り出し口と，
前記第１の電極と前記第２の電極との間に配置され，電流路開口を画成する絶縁層と，
前記電流が前記空間内の前記塩類の水溶液，前記電流路開口及び第２の電流路開口を流れるように，前記第２の電流路開口を画成する，前記絶縁層と前記第２の電極との間に配置された前記第２の絶縁層と，
を備える拭き取り材用の容器アセンブリ。
【請求項２】
前記拭き取り材は，前記拭き取り材用の容器アセンブリから取り出される前に，前記チャンバ内に配置される請求項１記載の拭き取り材用の容器アセンブリ。
【請求項３】
前記ケーシングはカソード開口又はアノード開口の少なくとも１つを画成し，前記カソード開口又は前記アノード開口を介して前記バイアスが加えられる請求項１記載の拭き取り材用の容器アセンブリ。
【請求項４】
前記ケーシングは第１のケーシング層と，第２のケーシング層とを備え，前記第１のケーシング層は前記第２のケーシング層に前記絶縁層の第１の部分によって取り付けられる請求項１記載の拭き取り材用の容器アセンブリ。
【請求項５】
前記絶縁層の前記第１の部分は前記第２の絶縁層の第１の部分に取り付けられ，それによって，前記第１のケーシング層の第１の部分は，前記第２のケーシング層の第１の部分に，前記絶縁層の前記第１の部分及び前記第２の絶縁層の前記第１の部分によって取り付けられる請求項４記載の拭き取り材用の容器アセンブリ。
【請求項６】
前記絶縁層の第２の部分は前記第２の絶縁層の第２の部分に取り付けられ，それによって，前記第１のケーシング層の第２の部分は，前記第２のケーシング層の第２の部分に前記絶縁層の前記第２の部分及び前記第２の絶縁層の前記第２の部分によって取り付けられる請求項５記載の拭き取り材用の容器アセンブリ。
【請求項７】
前記絶縁層の中央部分が前記第２の絶縁層の第２の中央部分から離間し，接触しない請求項１記載の拭き取り材用の容器アセンブリ。
【請求項８】
前記拭き取り材が前記第１の電極と前記第２の電極との間の空間に配置される請求項１記載の拭き取り材用の容器アセンブリ。
【請求項９】
チャンバを画成するケーシングであって，第１のケーシング層と，第２のケーシング層とを備えるケーシングと，
前記チャンバ内に配置される第１の電極と，
前記第１の電極との間に空間が画成されるよう前記チャンバ内に配置され，前記第１の電極から離間する第２の電極と，
前記第１のケーシング層が前記第２のケーシング層に絶縁層の第１の部分によって取り付けられ，電流路開口を画成し，前記第１の電極と前記第２の電極との間に配置される絶縁層と，
前記空間内の塩類の水溶液に電流が流れるように前記第１の電極又は前記第２の電極の少なくとも１つにバイアスを加えた際，前記チャンバ内で前記塩類の水溶液から電解水が生成されるように前記チャンバ内に配置された前記塩類の水溶液と，
第２の絶縁層とを備え
前記絶縁層の前記第１の部分は前記第２の絶縁層の第１の部分に取り付けられ，それによって，前記第１のケーシング層の第１の部分は，前記第２のケーシング層の第１の部分に，前記絶縁層の前記第１の部分及び前記第２の絶縁層の前記第１の部分によって取り付けられ，
前記絶縁層の第２の部分は前記第２の絶縁層の第２の部分に取り付けられ，それによって，前記第１のケーシング層の第２の部分は，前記第２のケーシング層の第２の部分に前記絶縁層の前記第２の部分及び前記第２の絶縁層の前記第２の部分によって取り付けられ，
前記第２の絶縁層は第２の電流路開口を画成し，それによって，前記電流は前記空間内の前記塩類の水溶液，前記電流路開口及び前記第２の電流路開口を流れる拭き取り材用の容器アセンブリ。
【請求項１０】
前記拭き取り材用の容器アセンブリから拭き取り材用の開口を介して取り出される拭き取り材が前記電解水を含浸しており，前記拭き取り材が前記チャンバ内で前記電解水と接触することによって前記電解水を含浸するように，前記ケーシングに設けられた，前記拭き取り材用の開口を画成する取り出し口を備える，請求項９記載の拭き取り材用の容器アセンブリ。
【請求項１１】
前記チャンバは前記電流路開口と前記第２の電流路開口との間に配置されない供給領域を備える請求項１又は９記載の拭き取り材用の容器アセンブリ。
【請求項１２】
前記供給領域は前記絶縁層と前記第２の絶縁層との間に配置される請求項９記載の拭き取り材用の容器アセンブリ。
【請求項１３】
前記ケーシングはカソード開口又はアノード開口の少なくとも１つを画成し，前記カソード開口又はアノード開口を介してバイアスが加えられる請求項１又は９記載の拭き取り材用の容器アセンブリ。
【請求項１４】
拭き取り材を収容するように構成される拭き取り材貯蔵部を画成するハウジングと，
チャンバを画成するケーシングと，
前記チャンバ内に配置される第１の電極と，
前記第１の電極との間に空間が画成されるよう前記チャンバ内に配置され，前記第１の電極から離間する第２の電極と，
前記空間内の塩類の水溶液に電流が流れるように前記第１の電極又は前記第２の電極の少なくとも１つにバイアスを加えた際，前記チャンバ内で前記塩類の水溶液から電解水が生成されるように前記チャンバ内に配置された前記塩類の水溶液と，
前記拭き取り材用の容器アセンブリから前記拭き取り材を取り出すための，前記ケーシングに設けられた，前記拭き取り材用の開口を画成する取り出し口と，
前記チャンバの前記塩類の水溶液内に配置される案内構造であって，前記第１の電極又は前記第２の電極の少なくとも１つの上方に配置され，前記少なくとも１つの第１の電極又は第２の電極が前記案内構造と前記ハウジングとの間に配置される案内構造と；及び
前記ハウジングを前記ケーシングに接続する，通路を画成する誘導部材とを備え，
前記拭き取り材貯留部を前記チャンバに前記通路を介して連通し，前記チャンバを前記拭き取り材用の開口に前記通路を介して連通し，それによって，前記取り出し口から取り出された前記拭き取り材が，前記拭き取り材貯留部から前記チャンバを通過して，前記案内構造の下を移動し，前記拭き取り材用の容器アセンブリから前記拭き取り材用の開口を介して排出され，前記拭き取り材が，前記チャンバを通る際に，前記拭き取り材が前記電解水を含浸するよう構成した，
拭き取り材用の容器アセンブリ。
【請求項１５】
前記ハウジングは，前記拭き取り材を前記拭き取り材貯蔵部内に装填するための装填開口を画成する請求項１４記載の拭き取り材用の容器アセンブリ。
【請求項１６】
前記ハウジングは，前記装填開口を開放するために前記ケーシングから取り外し可能である，請求項１５記載の拭き取り材用の容器アセンブリ。
【請求項１７】
前記ケーシングがカソード開口又はアノード開口の少なくとも１つを画成し，前記カソード開口又は前記アノ
ード開口を介して前記バイアスが加えられる請求項１４記載の拭き取り材用の容器アセンブリ。
【請求項１８】
前記拭き取り材貯蔵部に収容される前記拭き取り材は前記電解水で含浸されていない請求項１４記載の拭き取り材用の容器アセンブリ。