(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体上に配置された複数の電子放出素子を備える電子源基板と、該電子放出素子と対向して配置される透明基板上に配置された蛍光体層、該蛍光体層を覆うメタルバック層および該メタルバック層を電源に接続するための配線を備えるフェースプレートとを有し、該配線と該メタルバック層が導電膜を介して接続されており、前記導電膜と前記配線との接続長Ｗ１〔ｍｍ〕、および前記導電膜と前記メタルバックとの接続長Ｗ２〔ｍｍ〕の何れも、前記導電膜のシート抵抗ｒ〔Ω／□〕に対して
【数１】
0003554216.tif 000003
を満たすことを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記導電膜の厚さが、５μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記導電膜の厚さは２μｍ以下であることを特徴とする請求項２に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記導電膜の表面粗さＲｚが０．１μｍ以上であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記導電膜の表面粗さＲｚが１μｍ以上であることを特徴とする請求項４に記載の画像形成装置。
【請求項６】
前記メタルバック層は、前記導電膜の少なくとも一部を被覆してなることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の画像形成装置。
【請求項７】
前記導電膜のシート抵抗は１０〔Ω／□〕以下であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の画像形成装置。
【請求項８】
前記導電膜のシート抵抗は４〔Ω／□〕以下であることを特徴とする請求項７に記載の画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、画像形成装置のフェースプレートの構成、詳しくはフェースプレートの高圧接続用配線とメタルバック層の接続構成に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＣＲＴを始めとする陰極線管による画像表示装置は、より大画面化が盛んに検討されている。それに伴い陰極線管の奥行きの増大および重量化が重要な課題となっている。
【０００３】
これら課題に対して、発明者らはさまざまな材料、製法、構造の表面伝導型放出素子を多数配列したマルチ電子ビ−ム源、ならびにこのマルチ電子ビ−ム源を応用した画像表示装置について研究を行ってきた。
【０００４】
発明者らは、たとえば図９に示す電気的な配線方法によるマルチ電子ビ−ム源の応用を試みてきた。すなわち、表面伝導型放出素子を２次元的に多数個配列し、これらの素子を図示のように単純マトリクス状に配線したマルチ電子ビ−ム源である。
【０００５】
図中、４００１は表面伝導型放出素子を模式的に示したもの、４００２は行方向配線、４００３は列方向配線である。なお、図示の便宜上、６ｘ６のマトリクスで示しているが、マトリクスの規模はむろんこれに限ったわけではなく、所望の画像表示を行うのに足りるだけの素子を配列し配線するものである。
【０００６】
図１０はこのマルチ電子ビ−ム源を用いた陰極線管の構造であり、マルチ電子ビ−ム源４００４を備えた外容器底４００５と外容器枠４００７と、蛍光体層４００８およびメタルバック４００９を備えたフェースプレート４００６からなる構造である。また、フェースプレートを構成する透明基板４００６上のメタルバック４００９には高圧導入端子４０１１を通じて高圧電源４０１０により高圧電位が印加されている。
【０００７】
表面伝導型放出素子を単純マトリクス配線したマルチ電子ビ−ム源においては、所望の電子ビ−ムを出力させるため、行方向配線４００２および列方向配線４００３に適宜の電気信号を印加する。たとえば、マトリクスの中の任意の１行の表面伝導型放出素子を駆動するには、選択する行の行方向配線４００２には選択電圧Ｖｓを印加し、同時に非選択の行の行方向配線４００２には非選択電圧Ｖｎｓを印加する。これと同期して列方向配線４００３に電子ビ−ムを出力するための駆動電圧Ｖｅを印加する。この方法によれば、選択する行の表面伝導型放出素子には、Ｖｅ−Ｖｓの電圧が印加され、また非選択行の表面伝導型放出素子にはＶｅ−Ｖｎｓの電圧が印加される。Ｖｅ，Ｖｓ，Ｖｎｓを適宜の大きさの電圧にすれば選択する行の表面伝導型放出素子だけから所望の強度の電子ビ−ムが出力され、また列方向配線の各々に異なる駆動電圧Ｖｅを印加すれば、選択する行の素子の各々から異なる強度の電子ビ−ムが出力される。また、表面伝導型放出素子の応答速度は高速であるため、駆動電圧Ｖｅを印加する時間の長さを変えれば、電子ビ−ムが出力される時間の長さも変えることができる。
【０００８】
上記のような電圧印加によりマルチ電子ビーム源４００４から出力された電子ビームは、高圧印加されているメタルバック４００９に照射され、ターゲットである蛍光体４００８を励起して発光させる。したがって、たとえば画像情報に応じた電圧信号を適宜印加すれば、画像表示装置となる。
【０００９】
この画像表示装置はマルチ電子ビーム源基板とフェースプレートを近接対向させているので、薄型で軽量な画像表示装置が実現できる。さらに大気圧を支持する構造、すなわちスペーサ４０２０をフェースプレートと電子源基板間に挿入することにより、薄型のまま大面積化することも可能となり、この画像表示装置は大画面で薄型／軽量な陰極線管として大いに期待されるものである。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
透明基板４００６上のメタルバック４００９はフィルミング樹脂上に厚さ５００〜３０００Åと非常に薄い膜を成膜し、後にフィルミング樹脂を焼成除去してメタルバック層４００９と下地層（蛍光体あるいはフェースプレート）とを接触させるという工程で成膜される。このような工程で作成されるため、メタルバック層はその下地層から浮いている部分が多く、下地との密着度は非常に弱い構成で、膜厚も薄いために脆い構成となっている。よって高圧導入端子を直接メタルバック層に接続させると、電気的な接続の信頼性が下がるため、高圧引き出し配線としてＡｇなどの金属粒子を含む導電性ペーストによる厚膜（例えば５〜２０μｍ厚）の配線４０２１を介して接続していた。すなわち図１１（Ａ）に示すように厚膜配線４０２１と高圧導入端子４０１１とを銀ペースト４０１５などで確実に接続し、メタルバック４００９は前記厚膜配線４０２１と接触するように成膜していた。
【００１１】
ところが、図１１（Ｂ）に図１１（Ａ）のＣ部を拡大して示す様に、前記フィルミング樹脂は、前記した厚膜の配線４０２１よりも薄く形成されるためにフィルミング樹脂が厚膜配線４０２１の端部を連続的に被覆しきれず、その結果、上記フィルミング樹脂上に成膜したメタルバック４００９が連続膜にならなかった。そのため、厚膜配線４０２１の端部で断線４０２３が発生し、厚膜配線４０２１とメタルバック４００９の接続不良が発生する事があった。
【００１２】
また、図１１に示すように、表面が平滑なガラス基板４００６上に、メタルバックが形成される場合には、フィルミング樹脂の焼成除去を終えた後、ガラス基板上のメタルバックの部分に大きな皺がより、火脹れ４０２４の発生が見られた。この様なメタルバックの皺や火脹れ４０２４は、ガラス基板のような、特に下地が平面性の高い場合、ミリメートルオーダーの領域で、１０〜１００μｍ以上大きく浮いた状態になる。
【００１３】
このようなメタルバックの火脹れ４０２４は、電子源基板４００４との間に高電圧を印加した際に放電発生の要因となってしまう場合があった。
【００１４】
さらには、なんらかのきっかけで、電子源基板とフェースプレートを近接対向させ、その間に高電圧を印加する平板型の画像表示装置では、フェースプレート上の電極（メタルバックあるいはそれに変わるアノード電極）と、電子源基板（電子放出素子あるいは各電子放出素子を駆動するための配線などの部材）との間で放電が発生する場合があった。またこの様な放電には、大気圧支持部材（スペーサ部）の沿面で放電が発生する場合もあった。
【００１５】
このような、放電によりフェースプレート上へ流れる電流は、通常の画像表示において電子放出素子から放出される電流よりも数桁大きい。
【００１６】
このように、電子源基板とフェースプレート上の電極との間で放電が起こると、大きな電流が高圧引き出し配線に集中することになる。
【００１７】
この時に、前述した高圧引き出し配線とメタルバックとの接続部分が高抵抗であると放電時にその部分で瞬間的に発熱し、表面に吸着していたガスが離脱して接続部分近傍の真空度が悪くなる場合があった。
【００１８】
上記のようなガスが放出された場合には、高圧引き出し配線とメタルバックとの接続部分近傍で２次的な放電が発生する場合があった。このような場合には、高圧引き出し配線とメタルバックとの電気的接続が不十分になり、その結果メタルバックに高電圧を印加できなくなったりすることで画像表示ができなくなる場合があった。
【００１９】
そこで、本発明は、画像形成装置のフェースプレート上のメタルバックと高圧引き出し配線との接続をより確実なものにし、信頼性の高い画像形成装置を提供することを目的とする。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
以上に示した課題を解決するために本発明者らが鋭意研究を行なった結果、以下の発明を得た。
【００２１】
先ず、本発明の第一は、高圧引き出し配線の端部でフィルミング膜が連続的に成膜できないために、この部分でメタルバック層が断線して接触不良を起こす問題を解決するものである。すなわち、本発明の第一の発明は、図１に模式的に示すように、引き出し配線とメタルバックとを、導電膜４０２５を介して接続することにある。尚、図１（Ｂ）は図１（Ａ）の引き出し配線４０２１とメタルバック４００９との接続部を拡大した模式図である。
【００２２】
本発明第一の引き出し配線４０２１とメタルバック４００９とを導電膜４０２５を介して接続する具体例を、図２（１）〜（３）に示す。
【００２３】
まず、図２（１）は最も簡略な構成であり、導電膜４０２５上に高圧引き出し配線４０２１および蛍光体層４００８を成膜した例である。本来なら、導電膜の端部と蛍光膜との端部を合わせることで、段差を最小限にすることができるが、蛍光体層４００８は直径が数μｍの蛍光体の粒子の集団からなるため、端部同士を合わせること自体が難しく、製造プロセスも煩雑になる。
【００２４】
そのため、ここでは、蛍光体層と導電膜層とを一部重なるように配置している。この構成によれば、蛍光体層４００８に導電膜４０２５による段差ができるが、導電膜の厚さを５μｍ以下、更に望ましくは２μｍ以下の膜厚とすることにより、メタルバック成膜用のフィルミング樹脂を厚く形成せずに、この段差を十分被覆できるようになる。尚、導電膜の厚みは、蛍光体層よりも厚みが薄いことが好ましく、さらには、蛍光体層を構成する蛍光体粒子の平均粒径よりも小さいことが好ましい。
【００２５】
このようにすることで、前述したフィルミング膜が形成されないために起こるメタルバックの断線は生じない。一方、導電膜４０２５と引き出し配線４０２１とは、電気的接続を確実にするため、一部を重ねている。
【００２６】
また、図２（２）あるいは（３）に示すように、各色の蛍光体間に黒色部材（ブラックストライプ、ブラックマトリクス）４０２２がある場合でも、導電膜と黒色部材とが重なる部分にできる段差は、フィルミング樹脂で十分被覆できる。
【００２７】
図２（２）は、導電膜４０２５を引き出し配線４０２１が一部被覆することで導通をとっている。尚、図２（２）の場合、黒色部材４０２２を導電膜が一部被覆しているが、逆に、図２（３）に示すように、黒色部材が導電膜を一部被覆しても良い。図２（３）に示した様な構成の場合は、メタルバック４００９は黒色部材４０２２を越えて、導電膜４０２５を覆って電気的接続をとる必要がある。
【００２８】
また、図２（３）の構成においては、導電膜が引き出し配線を一部被覆することで、引き出し配線と導電膜との電気的接続をとっているが、逆に、図２（２）の様に、導電膜を引き出し配線が被覆することにより電気的接続を確保しても良い。また、黒色部材が導電膜により一部被覆された形態でも良い。
【００２９】
導電膜４０２５はメタルバックとは異なり、印刷あるいは他の成膜方法により下地（ガラス基板）上に直接成膜するので、図２（３）のように高圧引き出し配線が厚膜であっても、その上に断線することなく成膜することができるので、上記した様に、特にこの上下関係および高圧引き出し配線の厚さは制限されるものではない。
【００３０】
次に、前述したように、上記本発明第一の構成をとる際には、導電膜４０２５上にメタルバックが被覆される。この時、導電膜４０２５の表面が平滑な面であると、前述したガラス基板上にメタルバックが形成される場合と同様に、導電膜４０２５上のメタルバックに火脹れや、皺が生じてしまう。このような火脹れや、皺が生じると、メタルバックと導電膜との電気的接続の信頼性が低下してしまう。
【００３１】
そこで、本発明の第二は、メタルバックの下地となる導電膜４０２５を、その表面粗さＲｚが０．１μｍ以上でフィルミング樹脂厚の３〜４倍程度以下の粗さとするものである。
【００３２】
図３は、上記した範囲の表面粗さを求めるために行った測定の様子を示す模式図である。具体的には、図３の測定では、導電膜４１００の表面粗さを変えて、その上にメタルバック４１０１の成膜を行なった。抵抗計４１０２で導電膜の表面粗さを変えた時に、導電膜とメタルバック間の接触抵抗がどれほど変化するのかを測定することによりメタルバックの導電膜に対する浮き具合を評価した。尚、表面粗さＲｚに関する定義は、ＪＩＳ−Ｂ６０１に基づいている。
【００３３】
メタルバック４１０１の下地に相当する導電膜４１００の表面粗さが０．１μｍ以下の場合では、成膜したメタルバックの浮きが激しく接触抵抗が高い、あるいは非常に不安定な状態であった。
【００３４】
一方、メタルバック４１０１の下地に相当する導電膜４１００の表面粗さＲｚが０．１μｍ以上、更に望ましくは１μｍ以上で、かつフィルミング樹脂厚の３から４倍程度以下の粗さである時に安定した接触が得られた。
【００３５】
一方、メタルバック４１０１の下地に相当する導電膜４１００の表面粗さが更に大きい場合は、その凹凸による段差のため、メタルバックに不連続部分が発生した。しかし、前述の高圧引き出し配線に直接メタルバックを被覆する場合と異なり、段差が直線的に連続してある訳ではないので断線には至らないが接触抵抗は若干高くなった。
【００３６】
これらの結果から、上述した、メタルバックの下地である導電膜は、表面粗さが０．１μｍ以上でフィルミング樹脂厚の３〜４倍程度以下の粗さとなるようにすることが望ましいという結果を得た。尚、通常用いている蛍光体層、黒色部材（ブラックストライプ）の表面粗さＲｚはこの範囲にある。
【００３７】
次に、本発明の第三は、電子源基板とフェースプレート上の電極（アノード）との間で放電が発生した場合に、高圧引き出し配線とメタルバックとの接続部分での発熱で、高圧引き出し配線近傍から脱ガスして２次的な放電が起ること現象に対し、引き出し配線と導電膜および、あるいは導電膜とメタルバックとの接続部分の抵抗を低くする構成をとることである。
【００３８】
この様な構成をとることにより、高圧引き出し配線部での発熱が抑えられ、その結果、前述した２次的な放電を抑制することができる。
【００３９】
本発明の第３は、具体的には、高圧引き出し配線と導電膜との接続長、またはメタルバックと導電膜との接続長を長く取る、あるいは導電膜のシート抵抗をさげることにより接続部分の抵抗を下げることである。尚、接続長とは、導電膜と引き出し配線との接続部で説明すると、導電膜と引き出し配線との接続部における、導電膜または引き出し配線の端面の長さを指す。
【００４０】
接続長を変えて２次的な放電の起る頻度を評価したところ、導電膜４０２５と高圧引き出し配線との接続長：Ｗ１〔ｍｍ〕、および導電膜４０２５とメタルバックとの接続長：Ｗ２〔ｍｍ〕の何れも、導電膜４０２５のシート抵抗ｒ〔Ω／□〕に対して
【００４１】
【外４】
0003554216.tif 000002
を満たす接続長を採ることにより、上記した２次的な放電を抑えられることがわかった。
【００４２】
また接続長を一定にして導電膜４０２５のシート抵抗を変えて評価したところ、同様に上記式（１）を満たすシート抵抗の導電膜とすることにより２次放電が抑えられる。上記シート抵抗としては、好ましくは、１０Ω／□以下であり、さらには４Ω／□以下が好ましい。
【００５０】
さらに、導電膜４０２５は、画像領域の直ぐ近傍に位置する。このため、導電膜４０２５が、画像表示をした時に観察者側（大気側）から見える場合、コントラストが低下する場合があるので、導電膜４０２５を黒色に近づけるのが好ましい。具体的には、導電膜４０２５に黒色顔料を混合させる、あるいは導電膜層導電膜４０２５とガラス基板との間に黒色部材を配置することが挙げられる。この黒色部材としては、蛍光体間に配置する黒色部材（ブラックマトリクス、ブラックストライプ）を延長することにより対応できる。
【００５１】
【発明の実施の形態】
以下、実施例を挙げて本発明を説明する。
【００５２】
（実施例１）
本実施例の画像形成装置は、走査ライン数２４０本（ラインピッチ０．６５ｍｍ）、変調信号ライン数７２０本（２４０×ＲＧＢ、画素ピッチ０．２９×３ｍｍ）の画像形成装置である。図１０に外観を示した。画像表示領域（蛍光膜形成領域）は１５６×２０９ｍｍである。
【００５３】
次に、本実施例で形成した画像形成装置のフェースプレートの構成について説明する。図５に外観を示した。まず、蛍光面の作製工程について説明する。
【００５４】
図６（１）〜（７）に作製工程を示す。
【００５５】
（１）まず引き出し配線４０２１を透明基板上に印刷法により作製する。配線は銀ペーストによる配線でシート抵抗が０．１Ω／□以下となるように作製した。
【００５６】
（２）次に導電膜４０２５を同じく印刷法により作製した。導電膜４０２５はガラスペーストにカーボンを混合したものを用い、厚さ２μｍとなるように作製した。また、その表面の粗さを０．２μｍとした。また、導電膜４０２５のシート抵抗は５０Ω／□であった。導電膜４０２５の接続長Ｗは、前述した式（１）を充分満たすようにＷ＝１５０ｍｍとした。
【００５７】
（３）次に絶縁性のブラックストライプ４０２２を同じく印刷法により作製した。この厚さは３μｍとした。
【００５８】
（４）次にＲＧＢの蛍光体層４００８を同じく印刷法により作製した。用いた蛍光体はＰ２２系の蛍光体で、ＲＧＢ共に平均粒径５μｍのものを用いて、厚さ１５μｍの蛍光体層４００８とした。
【００５９】
（５）次にコロイダルシリカ、界面活性剤などを含んだ水溶液を蛍光面上に塗布し、まず蛍光体層４００８の凹凸部を湿潤させ、ついでポリメタクリレートを主成分とした樹脂を可塑剤とともにトルエン、キシレン等の非極性溶媒中に溶解させ、これを蛍光面上にスプレーし、蛍光体凹凸上にオイルオーバーウオーター型の小滴を載せ，スピンコートにより延伸させたのち、水分と溶剤成分を乾燥除去し厚さ３μｍのフィルミング膜４０２８を作製した。
【００６０】
（６）次に画像領域（蛍光膜形成領域）および導電膜の一部を覆う領域に開口を持ったアルミ蒸着用マスク４０２９を被せて、１０００Å厚のアルミをフィルミング膜４０２８上に蒸着した。
【００６１】
（７）最後に、この基板を焼成炉内で４５０℃まで１℃／ｍｉｎの昇温速度にて昇温させ、３０分この温度を維持したのち、−２．５℃／ｍｉｎの降温速度で冷却させ、樹脂中間層を熱分解除去した。フィルミング樹脂４０２８除去後にメタルバック層４００９は蛍光体層４００８、ブラックストライプ層４０２２、導電膜４０２５に覆い被さるようにして接触する。
【００６２】
このようにして作製したフェースプレートを用いて、電子源基板と３ｍｍ間隔となるようにスペーサ４０２０および支持枠４００７を配置して、図１０に示した画像形成装置を組み立てた。
【００６３】
ここで画像形成装置パネル内には、メタルバックに７ｋＶを印可した際に、メタルバックと電子源基板間で放電を開始するように、電子源基板側に電極を設けた（放電ギャップ形成）。尚この電極は高圧引き出し配線部から離れた画像領域内に作り込んだ。
【００６４】
比較例１として、用いた材料、作製法、接続長以外の寸法は本実施例と同一で、接続長Ｗを５ｍｍとした画像形成装置も作製した。やはりこの画像形成装置にも７ｋＶの放電ギャップを作り込んである。
【００６５】
これら２種の画像形成装置の高圧端子に７．５ｋＶの電位を印加して１分間放置する試験を行なった。比較例１のフェースプレートでは初期に放電ギャップの個所（放電ギャップを形成する電極とメタルバック間）で数回放電した後、その放電により導電膜４０２５に流れ込んだ大電流で、導電膜部分と電子源基板との間で激しく２次的な放電が起り、最後には導電膜４０２５が切断しメタルバックに高圧が印加されなくなってしまった。これに対し本実施例による画像形成装置は、放電ギャップの個所で１分間激しく放電が続くが、その放電電流を原因とする、比較例のような２次的な放電は見られなかった。
【００６６】
（実施例２）
次に別の実施例について説明する。本実施例では走査ライン数４８０本（ラインピッチ０．８５ｍｍ）、変調信号ライン数２４００本（８００×ＲＧＢ、画素ピッチ０．２９×３ｍｍ）の画像形成装置を作成した。
【００６７】
図７（１）にフェースプレートの外観を示した。画像表示領域は４０８×６９６ｍｍである。フェースプレートの製造プロセスは図６に示したものとは、導電膜４０２５と引き出し配線４０２１の作成順序が逆であること意外は、実施例１と同様に形成した。
【００６８】
図７（２）に、図７（１）のＦ−Ｆ‘断面に相当する部位での、本実施例の画像形成装置の部分断面図を示す。本実施例においては、導電膜４０２５は膜厚３μｍの黒色銀系配線でシート抵抗は０．５Ω／□である。導電膜４０２５とメタルバック４００９との接続長Ｗ２は式（１）を十分満たすように５ｍｍの長さを採っている。
【００６９】
高圧導入端子４０１１は直径２ｍｍのタングステンワイヤで、電子源基板４００４を貫通して、取り出し配線４０２１に押し当てて電気的接続をとっている。高圧引き出し線４０２１と導電膜４０２５との接続長Ｗ１は５．７ｍｍとし、式（１）を十分満たす。画像領域およびスペーサ４０２０から導電膜４０２５までの距離Ｌを１２ｍｍとした。
【００７０】
このフェースプレートを用いて、電子源基板とフェースプレートの間隔が２．５ｍｍの画像形成装置を組み立てた。フェースプレートには１０ｋＶの電位を印加したところ、充分な輝度を長時間に渡り安定に表示できた。本実施例の画像形成装置を前記式（４）を満たさないＶａを印可したところ放電と見られる現象が確認されたが、導電膜４０２５が蒸発したと思われる現象は生じなかった。
【００７１】
（実施例３）
次に別の実施例について説明する。本実施例で作成したフェースプレートの模式的平面図を図８（１）に示す。尚、図８（２）は、図８（１）のＧ−Ｇ‘での断面模式図である。本実施例では導電膜４０２５を白色銀配線で作製した。本実施例では導電膜４０２５とガラス基板との間に絶縁性ブラックストライプ４０２２を導電膜まで延長した（図８（２））。その他の構成は実施例１と同様にして画像形成装置を作成した。本実施例で作成した画像形成装置も放電などの現象も見られず、非常に明るく高輝度な画像が長時間安定に得られた。また、白色銀配線を用いても、画像表示面側からは黒色帯の縁取りしか見えず、画像への妨害感は感じられなかった。
【００７２】
導電膜材料として以上実施例で使用したもの以外に、酸化ルテニウムを含む導電膜も使用することができる。
【００７３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば画像形成装置内で放電が発生しても、高圧取り出し配線とメタルバックの接続部分が焼失断線して高圧を印加できなくなることが無くなった。また画像領域端部やスペーサ部分で放電が発生しても、大量の導電性材料が電子源や配線、スペーサなどに蒸着されてダメージを受ける事が無くなった。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のフェースプレートの模式図である。
【図２】本発明にかかわる高圧引き出し線とメタルバックを中継導電膜で接続する構造の代表例を示す図である。
【図３】メタルバックの密着度を抵抗値で評価するための評価系である。
【図４】放電が発生した際のダメージを受ける領域を示した模式図である。
【図５】本発明の第一の実施例で作成したフェースプレートを示す模式図である。
【図６】本発明の第一の実施例でのフェースプレートの作成工程を示す模式図である。
【図７】本発明の第二の実施例で作成したフェースプレートを示す模式図である。
【図８】本発明の第三の実施例で作成したフェースプレートを示す模式図である。
【図９】電子放出素子をマトリクス配置した電子源の構成を示す模式図である。
【図１０】図９の電子源を用いた画像形成装置の構造を示す模式図である。
【図１１】課題を示す模式図である。
【符号の説明】
４００１  電子放出素子
４００２  行方向配線
４００３  列方向配線
４００４  電子源基板
４００５  支持部材
４００６  透明（ガラス）基板
４００７  支持枠
４００８  蛍光膜
４００９  メタルバック
４０１０  高圧電源
４０１１  高圧導入線
４０１５  銀ペースト
４０２０  大気圧支持構造（スペーサ）
４０２１  高圧引き出し配線
４０２２  黒色部材
４０２３  メタルバックの断線部
４０２４  メタルバックが大きく火脹れしている個所
４０２５  導電膜
４１００  導電膜
４１０１  アルミ膜
４１０２  抵抗計
４０２８  フィルミング膜
４０２９  パターンマスク
【図１】
0003554216.tif 000004
【図２】
0003554216.tif 000005
【図３】
0003554216.tif 000006
【図４】
0003554216.tif 000007
【図５】
0003554216.tif 000008
【図６】
0003554216.tif 000009
【図７】
0003554216.tif 000010
【図８】
0003554216.tif 000011
【図９】
0003554216.tif 000012
【図１０】
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【図１１】
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