(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース基材（２）の一面に形成された第１回路パターン（３）と、第１回路パターン（３）が形成されたベース基材面に形成された層間絶縁層（４）と、第１回路パターン（３）と対向する位置にて第１回路パターン（３）が露出するように層間絶縁層（４）に形成されたビアホール（Ｐ）と、ビアホール（Ｐ）を含めて層間絶縁層（４）上に形成された第２回路パターン（５１，５２）とを有し、第１回路パターン（３）と第２回路パターン（５１）とはビアホール（Ｐ）を介して相互に接続された多層プリント配線板において、
前記第２回路パターン（５１）上でビアホール（Ｐ）に充填された第１半田層（８１）及び層間絶縁層（４）上の第２回路パターン（５２）上に形成された第１半田層（８２）と、
前記第１半田層（８１，８２）上に形成された第２半田層（９）と、
下面にバンプ（１１）を形成したＩＣチップ（１０）とを備え、
前記ビアホール（Ｐ）に充填された第１半田層（８１）の上面と層間絶縁層（４）上の第２回路パターン（５２）上に形成された第１半田層（８２）の上面とは同等の高さに形成され、前記第１半田層（８１，８２）と前記バンプ（１１）とが前記第２半田層（９）により相互に接続されたことを特徴とするＩＣチップを搭載した多層プリント配線板。
【請求項２】
前記第１半田層（８１，８２）の溶融温度は前記第２半田層（９）の溶融温度よりも高いことを特徴とする請求項１記載のＩＣチップを搭載した多層プリント配線板。
【請求項３】
ベース基材（２）の一面に第１回路パターン（３）を形成する第１工程と、
第１回路パターン（３）が形成されたベース基材面で第１回路パターン（３）と対向する位置にビアホール（Ｐ）が形成された層間絶縁層（４）を形成する第２工程と、
ビアホール（Ｐ）を含めて層間絶縁層（４）上に第２回路パターン（５１，５２）を形成する第３工程と、
ビアホール（Ｐ）内に半田を充填して第１半田層（８１）を形成し、その第１半田層（８１）の上面と同等の高さとなるように層間絶縁層（４）上の第２回路パターン（５２）上に第１半田層（８２）を形成する第４工程と、
前記第１半田層（８１，８２）上に第２半田層（９）を形成する第５工程とからなるバンプ（１１）を介してＩＣチップ（１０）を搭載した多層プリント配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、層間絶縁層を介して多層に渡って複数の回路パターンが形成されるとともに、最上の回路パターン上にメモリチップ等のＩＣチップを搭載した多層プリント配線板に関し、特に、複数の回路パターンを相互に接続する際に層間絶縁層に形成される有底孔状のビアホールを利用してＩＣチップを搭載することにより、回路パターンの高密度化を可能とする多層プリント配線板及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、各種のＩＣチップを備えたプリント配線板が搭載される各種電子機器の複雑化、高度化等に伴ってプリント配線板の高密度化が推進されている。かかるプリント配線板の高密度化を指向しつつＩＣチップを効率良く搭載することを考えた場合、ベース基材上において層間絶縁層に形成された有底孔状のビアホールを介して複数の回路パターンを相互に接続した多層プリント配線板においては、ビアホール部分を利用してＩＣチップを搭載することが望ましいものではある。
【０００３】
しかし、ビアホール部分を利用してＩＣチップを搭載するについて、従来においては、ＩＣチップの下面に形成された複数のバンプが接続される回路パターンのビアホール部分と他の回路パターンとの上面に、電解法や無電解法を介して半田のメッキ層を形成して、その半田メッキ層とＩＣチップのバンプとを相互に接続することとなる。
【０００４】
このとき、ＩＣチップを水平に、且つ、確実に多層プリント配線板上に搭載するためには、ビアホール部分は凹状に形成されていることから、ビアホール部分に形成されるメッキ層の厚さと他の回路パターン上に形成されるメッキ層の厚さとを相互に変えてメッキ層を形成する必要がある。具体的には、ビアホール部分に形成されるメッキ層の厚さは、他の回路パターン上に形成されるメッキ層の厚さよりも大きくなるようにメッキ層を形成する必要があることとなる。
【０００５】
しかしながら、電解法や無電解法により半田メッキ層を形成する場合、半田メッキ層は、回路パターンのビアホール部分と他の回路パターンとにおいて一律に形成されていき、前記のようにメッキ層が形成される部分に応じてメッキ層の厚さをコントロールすることは殆ど不可能なものである。
そこで、従来における多層プリント配線板では、多層プリント配線板における最上の回路パターンからＩＣチップのバンプを接続するための回路パターン（接続パッド）を別個に形成し、その形成した接続パッドとＩＣチップのバンプとを相互に接続するようにしている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記のように多層プリント配線板上にＩＣチップを搭載するために回路パターンからＩＣチップ接続用の接続パッドを別個に形成する場合には、近年指向されているプリント配線板の高密度化に逆行することとなり、従って、多層プリント配線板の高密度化を更に推進することが極めて困難になるという問題がある。
【０００７】
本発明は前記従来の問題点を解消するためになされたものであり、複数の回路パターンを相互に接続する際に層間絶縁層に形成されるビヤホールを利用してＩＣチップを搭載可能とすることにより、回路パターンの高密度化を行なうことができるＩＣチップを搭載した多層プリント配線板及びその多層プリント配線板の製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するため本発明に係る多層プリント配線板は、ベース基材の一面に形成された第１回路パターンと、第１回路パターンが形成されたベース基材面に形成された層間絶縁層と、第１回路パターンと対向する位置にて第１回路パターンが露出するように層間絶縁層に形成されたビアホールと、ビアホールを含めて層間絶縁層上に形成された第２回路パターンとを有し、第１回路パターンと第２回路パターンとはビアホールを介して相互に接続された多層プリント配線板において、前記第２回路パターン上でビアホールに充填された第１半田層及び層間絶縁層上の第２回路パターン上に形成された第１半田層と、前記第１半田層上に形成された第２半田層と、下面にバンプを形成したＩＣチップとを備え、前記ビアホールに充填された第１半田層の上面と層間絶縁層上の第２回路パターン上に形成された第１半田層の上面とは同等の高さに形成され、前記第１半田層と前記バンプとが前記第２半田層により相互に接続された構成を有する。尚、前記第１半田層の溶融温度は前記第２半田層の溶融温度よりも高い温度とされている。
【０００９】
また、本発明に係る多層プリント配線板の製造方法は、ベース基材の一面に第１回路パターンを形成する第１工程と、第１回路パターンが形成されたベース基材面で第１回路パターンと対向する位置にビアホールが形成された層間絶縁層を形成する第２工程と、ビアホールを含めて層間絶縁層上に第２回路パターンを形成する第３工程と、ビアホール内に半田を充填して第１半田層を形成し、その第１半田層の上面と同等の高さとなるように層間絶縁層上の第２回路パターン上に第１半田層を形成する第４工程と、前記第１半田層上に第２半田層を形成する第５工程とからなるバンプを介してＩＣチップを搭載した構成とされる。
【００１０】
【作用】
前記構成を有する本発明に係る製造方法において製造された多層プリント配線板では、ビアホール内に第１半田層が充填されているので、その第１半田層の上面と層間絶縁層上の第２回路パターン上に形成された第１半田層の上面とを同等の高さとすることができる。すなわち、ＩＣチップのバンプとの接続部分となる第１半田層表面の高さは、ビアホール部や非ビアホール部の区別無く同等の高さとなるのであり、その結果、ＩＣチップの実装が極めて良好に行なうことができるのである。さらに、第１半田層上に形成された第２半田層の溶融によって、第１半田層とＩＣチップのバンプとを、相互に接続することによりＩＣチップが多層プリント配線板上に接続されることとなり、これによりビアホール部分を利用してＩＣチップを確実に搭載することが可能となるものである。従って、従来のプリント配線板におけるようにＩＣチップを接続搭載するための回路パターン（接続パッド）を別個に形成することなく、回路パターンの高密度化が図られ得るものである。
【００１１】
このとき、第１半田層の溶融温度は前記第２半田層の溶融温度よりも高い温度とされているので、第２半田層の半田溶融処理を行なってＩＣチップのバンプと第１半田層とを接続するに際しては、第１半田層と第２半田層との間に温度階層が設けられることとなり、従って、第２半田層の溶融時に第１半田層が溶融されることを防止してＩＣチップのバンプが第１半田層内（特に、ビアホール部分）に沈み込んで傾いた状態で多層プリント配線板上に搭載されることはない。
【００１２】
【実施例】
以下、本発明を具体化した一実施例に基づいて図面を参照しつつ詳細に説明する。先ず、本発明に係る多層プリント配線板の構成について図１に基づき説明する。図１は多層プリント配線板の模式断面図である。
図１において、多層プリント配線板１は、紙−フェノール、各種セラミックス、ガラス−エポキシ樹脂等からなるベース基材２を有し、かかるベース基材２の上下両面には銅箔やメッキにより第１回路パターン３が形成されている。また、各第１回路パターン３を被覆絶縁すべく、ベース基材１の両面には感光性樹脂組成物を塗布・乾燥・露光・現像してなる層間絶縁層４が形成され、また、かかる各層間絶縁層４上には、回路パターンを形成する必要のない部分にメッキレジスト膜６を形成した後、無電解銅メッキを行なうことにより第２回路パターン５が形成されている。
【００１３】
このとき、多層プリント配線板１の上下面において、図１に示すように、所謂フォトビアホールＰが、前記第１回路パターン３と対向する位置にてその第１回路パターン３が露出するように形成されており、かかるフォトビアホールＰ内で前記のように形成された第２回路パターン５１と下方に位置する第１回路パターン３とは相互に接続されている。尚、層間絶縁層４にフォトビアホールＰを形成する方法、及び、フォトビアホールＰに第２回路パターン５１を形成して第１回路パターン３と接続する方法については後述する。
【００１４】
また、第２回路パターン５の内半田が付着してはならない部分、具体的には、図１に示すように、フォトビアホールＰに形成された第２回路パターン５１部分、及び、第２回路パターン５１の一部（図１中フォトビアホールＰの右方側に存在する一部）を除いた第２回路パターン５２、メッキレジスト膜６上に、ソルダーレジスト膜７が形成され、ソルダーレジスト膜７により被覆されていないフォトビアホールＰに形成された第２回路パターン５１、及び、その右方側に位置する第２回路パターン５２の一部に半田ペーストＳＰ（後述する）が塗布形成された後、リフロー処理を行なうことにより半田ペーストＳＰを固化して第１半田層８が形成されている。
【００１５】
ここに、半田ペーストＳＰとしては、錫（Ｓn）と鉛（Ｐb）との混合比が９：１である、所謂、９・１半田（溶融温度は２２０℃）が使用される。また、半田ペーストＳＰを塗布形成する場合、半田ペーストＳＰ中に含有される半田粒子の粒径がフォトビアホールＰの凹部よりも小さい大きさのものを使用することにより、半田ペーストＳＰをフォトビアホールＰ内に充填しつつ、フォトビアホールＰの第２回路パターン５１上に塗布される半田ペーストＳＰ（第１半田層８１）の上面とその右方側の第２回路パターン５２上に塗布される半田ペーストＳＰ（第１半田層８２）の上面とをほぼ同一面とすることが可能である。
【００１６】
更に、各第１半田層８１，８２上には半田メッキを行なうことにより第２半田層９が設けられており、かかる各第２半田層９に対してＩＣチップ１０の下面に形成されたバンプ１１を位置決めした後、各第２半田層９の半田溶融処理が行なわれてＩＣチップ１０が多層プリント配線板１の第２回路パターン５における所定位置に搭載されている。
【００１７】
ここに、前記半田メッキを介して各第１半田層８１，８２上に第２半田層９を設けるに際しては、錫（Ｓn）と鉛（Ｐb）との混合比が６：４である、所謂、６・４半田（溶融温度は１８３℃）が使用される。従って、半田溶融処理を介して第２半田層９を溶融することにより、ＩＣチップ１０のバンプ１１を第１半田層８１，８２に接続する場合、第１半田層８１，８２の形成に使用される半田は、前記のように溶融温度の高い９：１半田が使用され、また、第２半田層９の形成に使用される半田は、前記のように溶融温度の低い６：４半田が使用されていることから、第１半田層８１，８２と第２半田層９との間に温度階層を設けることができ、これにより第２半田層９の半田溶融処理時に第１半田層８１，８２が溶融軟化されることを防止してＩＣチップ１０の半田バンプ１１が第１半田層８１，８２内に沈み込んで傾いてしまうことを確実に防止することができるものである。
【００１８】
また、多層プリント配線板１には、前記のように形成された第１回路パターン３及び第２回路パターン５の内、所定位置（図１中左側位置）に存在する上下の各第１回路パターン３、第２回路パターン５を貫通してスルーホール１２が穿設されており、このスルーホール１２の内壁には、無電解銅メッキにより第２回路パターン５３を形成する際に形成されたスルーホールメッキ層１３が存在している。かかるスルーホールメッキ層１３を介して、各第１回路パターン３と第２回路パターン５３の相互が接続されるものである。
【００１９】
以上詳細に説明した通り本実施例に係る多層プリント配線板１では、フォトビアホールＰ内に、ベース基材２上に形成された第１回路パターン３と接続された第２回路パターン５１を形成するとともに、フォトビアホールＰ内で第２回路パターン５１上に半田ペーストＳＰを塗布形成した後固化してなる第１半田層８１とＩＣチップ１０のバンプ１１とを、第２半田層９の半田溶融処理を介して相互に接続することによりＩＣチップ１０を多層プリント配線板１上に搭載するように構成したので、フォトビアホールＰ部分を利用してＩＣチップ１０を搭載することができる。
【００２０】
これにより、従来のプリント配線板におけるようにＩＣチップ１０を接続搭載するための回路パターン（接続パッド）を別個に形成することなく、回路パターンの高密度化を図ることができるものである。
【００２１】
また、第１半田層８を形成する半田として錫（Ｓｎ  ）と鉛（Ｐｂ  ）との混合比が９：１である、所謂、９・１半田（溶融温度は２２０℃）を使用するとともに、第１半田層８上に第２半田層９を形成する半田として錫（Ｓｎ  ）と鉛（Ｐｂ  ）との混合比が６：４である、所謂、６・４半田（溶融温度は１８３℃）を使用したので、半田溶融処理を介して第２半田層９を溶融することにより、ＩＣチップ１０のバンプ１１を第１半田層８に接続する場合、第１半田層８と第２半田層９との間に温度階層を設けることができ、これにより第２半田層９の半田溶融処理時に第１半田層８が溶融されることを確実に防止してＩＣチップ１０のバンプ１１が第１半田層８内に沈み込んで傾いてしまうことを確実に防止することができるものである。
【００２２】
続いて、前記のように構成される多層プリント配線板１の製造方法について図２乃至図１３に基づき説明する。ここに、図２はベース基材２を示す説明図、図３は第１回路パターン３を形成するためのメッキレジスト膜をベース基材２上に塗布形成した状態を示す説明図、図４は第１回路パターン３を形成した状態を示す説明図、図５は第１回路パターン３が形成された基材２上に層間絶縁層４を形成した状態を示す説明図、図６は層間絶縁層４にフォトビアホールＰを形成した状態を示す説明図、図７はスルーホール１２を形成した状態を示す説明図、図８は第２回路パターン５を形成するためのメッキレジスト膜６を形成した状態を示す説明図、図９は第２回路パターン５を形成した状態を示す説明図、図１０はソルダーレジスト膜７を形成した状態を示す説明図、図１１は半田ペーストＳＰを塗布形成した状態を示す説明図、図１２は半田ペーストＳＰを固化して第１半田層８を形成した後半田メッキにより第２半田層９を形成した状態を示す説明図、図１３は半田溶融処理を行なって第２半田層９を溶融してＩＣチップ１０のバンプ１１と第１半田層８とを接続した状態を示す説明図である。
【００２３】
多層プリント配線板１を製造するには、先ず、図２に示すように、ベース基材２の材料となる積層板を所定寸法に裁断してベース基材２を用意した後、ベース基材２の両面の粗化処理、触媒活性化処理を行なう。この後、第１回路パターン３を形成すべき部分を除いてベース基材２の両面にメッキレジスト膜２０を形成する。この状態が図３に示されている。そして、無電解銅メッキを行なうことにより、メッキレジスト膜２０に被覆されていない部分に第１回路パターン３を形成する。この状態が図４に示されている。
【００２４】
また、前記のように第１回路パターン３を形成した後、メッキレジスト膜２０を除去し、ベース基材２の両面に感光性樹脂組成物を塗布・乾燥して層間絶縁層４を形成する。この状態が図５に示されている。更に、所定の露光マスクを介して露光し、次いで現像し、その第１回路パターン３が露出するようにフォトビアホールＰを形成する。この状態が図６に示されている。
【００２５】
続いて、前記のように各処理が行なわれたベース基材２の粗化処理を行なうとともに、所定の第１回路パターン３を貫通してスルーホール１２が穿設される。この状態が図７に示されている。この後、無電解銅メッキを介して第２回路パターン５を形成するため、ベース基材２の触媒活性化処理を行い、更に、第２回路パターン５を形成する必要のない部分にメッキレジスト膜６を形成する。この状態が図８に示されている。そして、無電解銅メッキを行なうことにより、メッキレジスト膜６に被覆されていない部分に第２回路パターン５の形成を行なう。この状態が図９に示されている。これにより、フォトビアホールＰの内部に第２回路パターン５形成されるとともに、かかる第２回路パターン５と第１回路パターン３とはフォトビアホールＰ部分において相互に接続される。また、スルーホール１２内にもスルーホールメッキ層１３が形成され、かかるスルーホールメッキ層１３を介して各第１回路パターン３、第２回路パターン５は相互に接続されることとなる。
【００２６】
前記に続いて、フォトビアホールＰの第２回路パターン５部分を除いてソルダーレジスト膜７が形成される。この状態が図１０に示されている。この後、ソルダーレジスト膜７に被覆されていない第２回路パターン５上に半田ペーストＳＰが塗布される。このとき、半田ペーストＳＰとしては、前記したように、錫（Ｓｎ  ）と鉛（Ｐｂ  ）との混合比が９：１である、所謂、９・１半田（溶融温度は２２０℃）が使用される。また、各フォトビアホールＰの第２回路パターン５上に塗布形成された半田ペーストＳＰの上面はほぼ同一面となる。この後、各半田ペーストＳＰについてリフロー処理が行なわれ、各半田ペーストＳＰが固化される。これにより、各半田ペーストＳＰは第１半田層８となる。この状態が図１１に示されている。
【００２７】
そして、前記のように各フォトビアホールＰ内の第２回路パターン５上に第１半田層８が形成された後、半田メッキを行なうことにより各第１半田層８上に第２半田層９が形成される。この状態が図１２に示されている。このとき、半田メッキにより第２半田層９を形成するについては、錫（Ｓｎ  ）と鉛（Ｐｂ  ）との混合比が６：４である、所謂、６・４半田（溶融温度は１８３℃）が使用される。かかる６・４半田は前記第１半田層８を形成する際に使用した９・１半田よりも溶融温度が低い。これは、次の半田溶融処理を行なう場合に、第１半田層８と第２半田層９との間に温度階層を設けることにより、ＩＣチップ１０の半田バンプ１１が傾斜して接続されるのを防止するためである。
【００２８】
この後、ＩＣチップ１０の下面に形成された各バンプ１１と第２半田層９とを位置決めし、半田溶融処理が行なわれる。かかる半田溶融処理を介して各第２半田層９が溶融され、ＩＣチップ１０の各バンプ１１と各第１半田層８との接続が行なわれる。この状態が図１３に示されている。このとき、前記のように、第１半田層８を構成する半田（９・１半田）と第２半田層９を構成する半田（６・４半田）との間には温度階層が設けられており、第１半田層８は第２半田層９よりも溶融し難くいことから、第２半田層９が溶融された時点では第１半田層８は固化された状態を保持することとなる。従って、ＩＣチップ１０の各バンプ１１が第１半田層８の内方に沈み込むことは確実に防止され得、この結果、ＩＣチップ１０が傾斜したまま接続されることは全くないものである。
【００２９】
前記した各処理を行なうことによりＩＣチップ１０を搭載した多層プリント配線板１が製造されるものである。かかるプリント配線板１においては、ＩＣチップ１１はフォトビアホールＰ内に形成された第２回路パターン５を利用してプリント配線板１上に搭載され得、これにより従来のプリント配線板におけるのとは異なり、ＩＣチップ１０を搭載するための回路パターン（接続パッド）を別個に形成することなく、多層プリント配線板１上にＩＣチップ１０を搭載することができる。
【００３０】
以上詳細に説明した通り本実施例に係る多層プリント配線板１の製造方法においては、フォトビアホールＰを介して第１回路パターン３と接続する第２回路パターン５を形成し、更に、フォトビアホールＰ内で第２回路パターン５上に半田ペーストＳＰを塗布形成した後固化してなる第１半田層８とＩＣチップ１０の半田バンプ１１とを、第２半田層９の半田溶融処理を介して相互に接続することによりＩＣチップ１０を多層プリント配線板１上に搭載するように構成したので、フォトビアホールＰ部分を利用してＩＣチップ１０を搭載可能な多層プリント配線板１を実現することができる。
【００３１】
これにより、本実施例の製造方法によれば、従来のプリント配線板におけるようにＩＣチップ１０を接続搭載するための回路パターン（接続パッド）を別個に形成することなく、回路パターンの高密度化を図ることが可能な多層プリント配線板１を提供することができる。
【００３２】
また、第１半田層８を形成する半田として錫（Ｓｎ  ）と鉛（Ｐｂ  ）との混合比が９：１である、所謂、９・１半田（溶融温度は２２０℃）を使用するとともに、第１半田層８上に第２半田層９を形成する半田として錫（Ｓｎ  ）と鉛（Ｐｂ  ）との混合比が６：４である、所謂、６・４半田（溶融温度は１８３℃）を使用し、第１半田層８と第２半田層９との間に温度階層を設けつつ、半田溶融処理を介して第２半田層９を溶融することによりＩＣチップ１０のバンプ１１を第１半田層８に接続するようにしたので、第２半田層９の半田溶融処理時に第１半田層８が溶融されることを確実に防止してＩＣチップ１０のバンプ１１が第半田層８内に沈み込んで傾いてしまうことのない多層プリント配線板１を実現することができる。
【００３３】
尚、第２半田層の形成はメッキ法に限らず、第１半田層と同様に半田ペーストを印刷して形成してもよい。このように本発明は前記実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の改良、変形が可能であることは勿論である。
【００３４】
【発明の効果】
以上説明した通り本発明は、第１及び第２回路パターンを相互に接続する際に、層間絶縁層に形成されるフォトビアホールに充填形成される第１半田層と第２回路パターン又は第２回路パターン上に形成される第１半田層とを同等の高さに形成することにより、フォトビアホールを効率的に利用してＩＣチップを搭載可能とし、回路パターンの高密度化を行なうことができるＩＣチップを搭載した多層プリント配線板及びその多層プリント配線板の製造方法を提供することができ、その産業上奏する効果は大である。
【図面の簡単な説明】
【図１】多層プリント配線板の模式断面図である。
【図２】ベース基材を示す説明図である。
【図３】第１回路パターンを形成するためのメッキレジスト膜をベース基材上に塗布形成した状態を示す説明図である。
【図４】第１回路パターンを形成した状態を示す説明図である。
【図５】第１回路パターンが形成された基材上に層間絶縁層を形成した状態を示す説明図である。
【図６】層間絶縁層にフォトビアホールを形成した状態を示す説明図である。
【図７】スルーホールを形成した状態を示す説明図である。
【図８】第２回路パターンを形成するためのメッキレジスト膜を形成した状態を示す説明図である。
【図９】第２回路パターンを形成した状態を示す説明図である。
【図１０】ソルダーレジスト膜を形成した状態を示す説明図である。
【図１１】半田ペーストを塗布形成した状態を示す説明図である。
【図１２】半田ペーストを固化して第１半田層を形成した後半田メッキにより第２半田層を形成した状態を示す説明図である。
【図１３】半田溶融処理を行ない第２半田層を溶融してＩＣチップの半田バンプと第１半田層とを接続した状態を示す説明図である。
【符号の説明】
１      多層プリント配線板
２      ベース基材
３      第１回路パターン
４      層間絶縁層
５，５１，５２，５３      第２回路パターン
８，８１，８２      第１半田層
９      第２半田層
１０    ＩＣチップ
１１    半田バンプ
Ｐ      フォトビアホール
ＳＰ    半田ペースト
【図１】
0003602565.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
0003602565.tif 000011
【図１１】
0003602565.tif 000012
【図１２】
0003602565.tif 000013
【図１３】
0003602565.tif 000014