(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
１本の外部接続用光導波路と、該光導波路から分岐した複数の光導波路からなる分岐回路と、該分岐回路の各光導波路の端部のそれぞれに光結合する複数の光部品とを備え、前記分岐回路の各光導波路の端部に前記光部品との光結合による反射要素がそれぞれ存在する光モジュール本体の前記外部接続用光導波路に光ファイバが光接続されてなる光モジュールであって、
前記光ファイバと外部接続用光導波路との光結合部において前記光ファイバと前記外部接続用光導波路とが位置ずれして接続されており、この位置ずれによって前記光ファイバと光モジュール本体との光結合損失が所定の基準値より低くなり、同時に前記反射要素からの反射に対する反射減衰量が所定の基準値より高くなっていることを特徴とする光モジュール。
【請求項２】
前記光モジュール本体は、前記分岐回路の光導波路の端部に受動光モジュールと半導体光素子とを光結合させて構成されている請求項１に記載の光モジュール。
【請求項３】
１本の外部接続用光導波路と、該光導波路から分岐した複数の光導波路からなる分岐回路と、該分岐回路の各光導波路の端部のそれぞれに光結合する複数の光部品とを備え、前記分岐回路の各光導波路の端部に前記光部品との光結合による反射要素がそれぞれ存在する光モジュール本体の前記外部接続用光導波路に光ファイバが光接続されてなる光モジュールの製造方法であって、
前記光ファイバと光モジュール本体の光結合損失が所定の基準値より低くなり、同時に前記反射要素からの反射に対する反射減衰量が所定の基準値より高くなるように、前記光ファイバと光モジュール本体との光結合部において前記光ファイバと外部接続用光導波路とに所定の位置ずれを与えた上で、前記光ファイバと光モジュール本体とを固定することを特徴とする光モジュールの製造方法。
【請求項４】
前記光結合部における光ファイバと外部接続用光導波路との位置ずれの量を、前記光ファイバと光モジュール本体との光結合損失と、前記光モジュール本体からの反射減衰量をモニタし、モニタした反射減衰量が前記所定の基準値より高くなる最適値に設定する請求項３に記載の光モジュールの製造方法。
【請求項５】
前記光ファイバと光モジュール本体とを接続するに先立ち、予め前記光ファイバと外部接続用光導波路との間に位置ずれがない状態において前記光モジュール本体の特性を測定し、この測定値から前記光モジュール本体の反射減衰量の基準値からの不足分２ａ（ｄＢ）を求めておき、
前記光ファイバと光モジュール本体との接続にあたって、該光ファイバと該光モジュール本体との光結合損失をモニタしながら、モニタした光結合損失が最小となる位置において、前記光ファイバと光モジュール本体とを仮固定した後、この最小の光結合損失が前記基準値を超えない範囲で、前記不足分の半分量ａ（ｄＢ）以上の量が増加する位置ずれ量を前記光結合部に与えた後、前記光ファイバと光モジュール本体とを本固定する請求項３または４に記載の光モジュールの製造方法。
【請求項６】
前記光結合部における所定の損失である光ファイバと外部接続用光導波路との位置ずれの量は、前記光ファイバと光モジュール本体との接続に先立ち、前記位置ずれ量と前記反射減衰量との関係から事前に決定した所定の値であり、
さらに、前記光ファイバと光モジュール本体との接続にあたっては、該光ファイバと該光モジュール本体とを、光結合損失をモニタしながら該光結合損失が最小となる位置に合わせ、その後、前記事前に決定した位置ずれ量を与える請求項３または４に記載の光モジュールの製造方法。
【請求項７】
前記光モジュール本体は、前記分岐回路の光導波路の端部に受動光モジュールと半導体光素子とを結合させて構成されており、
前記光結合損失のモニタは、前記光モジュール本体に信号光を入射して、前記光モジュール本体内部に搭載された受信用の半導体光素子からの受光電流を測定することによって、行う請求項３ないし６のいずれかに記載の光モジュールの製造方法。
【請求項８】
前記光ファイバと光モジュール本体との接続において、該光ファイバの位置は該光モジュール本体の端部に設けたガイド構造により無調芯で決定し、該ガイド構造で決定される該光ファイバの位置が、前記外部接続用光導波路との所定の位置ずれを与える位置である請求項３に記載の光モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高度な光通信システムでは、反射減衰量が十分に大きい光モジュールが必要となるが、本発明は、このような光モジュールおよびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
現在、光通信の分野では、光通信システムの高度化に伴い、高速かつ高機能な光モジュールが必要とされている。このような光モジュールは、通常、複数の部品の組み合わせで構成される。
【０００３】
このような光モジュールには、例えば、１本の光ファイバに光信号を入力するとともに、その光ファイバからの出力光信号を受光する機能をもつ「双方向光送受信モジュール」があるが、この光モジュールを実現するためには、図１に示すように、ハーフミラー１００と、レーザダイオード３０、およびフォトダイオード３２とを組み合わせて、構成する必要がある。なお、図中、符号２０は光ファイバ、１０１はレンズである。
【０００４】
また、同様の機能は、図２に示すように、光導波路基板１上に形成されたＹ分岐光導波回路１ａと、その端部に光接続したレーザダイオード３０およびフォトダイオード３２とで、構成する方法（ハイブリッド光集積回路）もある。なお、図中、符号１０は光導波路基板端部、１５は光素子搭載部、３１はモニタ用フォトダイオードである。
【０００５】
図１および図２のいずれの構成の光モジュールにおいても、光モジュール内に異種部品、異種材料の界面が存在し、このような異種界面が、屈折率の不連続界面となっている。図１の構成においては、レーザダイオード３０およびフォトダイオード３２とパッケージ内部の空気層との界面が、さらに、ハーフミラー１００と空気層との界面が、屈折率不連続面となっている。また、図２においても、レーザダイオード３０およびフォトダイオード３１、３２の各端面が、屈折率不連続界面となっている。このために、これら光モジュールに光ファイバから光信号が入射すると、これらの不連続界面で反射が発生し、光モジュールの反射減衰量が大幅に低下するという問題があった。
【０００６】
この問題を解決するために、従来から、レーザダイオードやフォトダイオードを光軸から傾けて配置する方法が、一般的に用いられていた。図３は、図２のハイブリッド光集積回路において、光導波路コア部１ｃに対してレーザダイオード３０を斜め配置した構成を示している。しかし、この構成においては、斜め配置は、より一層深刻な問題を発生させた。すなわち、光素子であるレーザダイオードが斜めに配置されると、光導波路コア部１ｃの端面とレーザダイオード３０の活性層部３０ａとの間に、空隙Ｓを設けざるを得なくなるために、結合損失の一層の増大を招いている。
【０００７】
このように、従来の光モジュールにおいては、光モジュール内部の異種材料や異種部品との接続界面からの反射減衰量をコントロールし、十分に大きな値を得ることは困難であった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、ハイブリッド光集積回路においても適用可能な、反射減衰量を大幅に低減した光モジュールと、その製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、ハイブリッド型光モジュールにおいても十分な反射減衰量を確保するとともに、それに伴う深刻な結合損失増加を抑制するために、光モジュールと光ファイバとの接続時に、両者の光結合部に所定の損失を意図的に与えて、これにより反射減衰量を確保することを提案するものである。
【００１０】
すなわち、本発明の光モジュールは、１本の外部接続用光導波路と、該光導波路から分岐した複数の光導波路からなる分岐回路と、該分岐回路の各光導波路の端部のそれぞれに光結合する複数の光部品とを備え、前記分岐回路の各光導波路の端部に前記光部品との光結合による反射要素がそれぞれ存在する光モジュール本体の前記外部接続用光導波路に光ファイバが光接続されてなる光モジュールであって、前記光ファイバと外部接続用光導波路との光結合部において前記光ファイバと前記外部接続用光導波路とが位置ずれして接続されており、この位置ずれによって前記光ファイバと光モジュール本体との光結合損失が所定の基準値より低くなり、同時に前記反射要素からの反射に対する反射減衰量が所定の基準値より高くなっていることを特徴とする。
【００１１】
本発明の光モジュールにおいて、前記反射要素は、前記光モジュール本体を構成する各光導波路および各光部品の異種材料間あるいは異種部品間の境界面である。
【００１２】
本発明の光モジュールにおいて、前記光モジュール本体は、前記分岐回路の光導波路の端部に受動光モジュールと半導体光素子とを結合させて構成されている。
【００１３】
本発明の光モジュールの製造方法は、前記光モジュールの製造方法であって、前記光ファイバと光モジュール本体の光結合損失が所定の基準値より低くなり、同時に前記反射要素からの反射に対する反射減衰量が所定の基準値より高くなるように、前記光ファイバと光モジュール本体との光結合部において前記光ファイバと外部接続用光導波路とに所定の位置ずれを与えた上で、前記光ファイバと光モジュール本体とを固定することを特徴とする。
【００１５】
前記光ファイバと光モジュールの接続部に所定の損失を与える方法としては、光ファイバと接続する光モジュールの光導波路間において、両者の光軸に横方向の所定の変位、いわゆる「軸ずれ」を与える方法、光軸方向の変位いわゆる「ギャップ」を与える方法、両者の光軸間に角度ずれ、いわゆる「軸折れ」を与える方法を用いることができる。特に「軸ずれ」は接続部の端面間隔等の構造が変わらない点で好適である。
【００１６】
前記光モジュールの製造方法において、前記光結合部における光ファイバと外部接続用光導波路との位置ずれの量を、前記光ファイバと光モジュール本体との光結合損失と、前記光モジュール本体からの反射減衰量をモニタし、モニタした反射減衰量が前記所定の基準値より高くなる最適値に設定する。
【００１７】
前記光モジュールの製造方法において、前記光ファイバと光モジュール本体とを接続するに先立ち、予め前記光ファイバと外部接続用光導波路との間に位置ずれがない状態において前記光モジュール本体の特性を測定し、この測定値から前記光モジュール本体の反射減衰量の基準値からの不足分２ａ（ｄＢ）を求めておき、前記光ファイバと光モジュール本体との接続にあたって、該光ファイバと該光モジュール本体との光結合損失をモニタしながら、モニタした光結合損失が最小となる位置において、前記光ファイバと光モジュール本体とを仮固定した後、この最小の光結合損失が前記基準値を超えない範囲で、前記不足分の半分量ａ（ｄＢ）以上の量が増加する位置ずれ量を前記光結合部に与えた後、前記光ファイバと光モジュール本体とを本固定する。
【００１８】
前記光モジュールの製造方法において、前記光結合部における所定の損失である光ファイバと外部接続用光導波路との位置ずれの量は、前記光ファイバと光モジュール本体との接続に先立ち、前記位置ずれ量と前記反射減衰量との関係から事前に決定した所定の値であり、さらに、前記光ファイバと光モジュール本体との接続にあたっては、該光ファイバと該光モジュール本体とを、光結合損失をモニタしながら該光結合損失が最小となる位置に合わせ、その後、前記事前に決定した位置ずれ量を与える。
【００１９】
前記光モジュールの製造方法において、前記光モジュール本体は、前記分岐回路の光導波路の端部に受動光モジュールと半導体光素子とを結合させて構成されており、前記光結合損失のモニタは、前記光モジュール本体に信号光を入射して、前記光モジュール本体内部に搭載された受信用の半導体光素子からの受光電流を測定することによって、行う。
【００２０】
この場合、光ファイバと光モジュールの接続の結果光モジュール内に入力された光は自動的に光モジュール内部の受光素子に結合するので、受光電流をモジュール端子から取り出しこれをモニタすればよい。また、レーザダイオードや光アンプは通常は電気→光変換の素子として使用されるが、逆に光→電気変換も可能なので上記の受光素子のように光接続損失をモニタする素子として利用できる。
【００２１】
前記光モジュールの製造方法において、前記光ファイバと光モジュール本体との接続において、該光ファイバの位置は該光モジュール本体の端部に設けたガイド構造により無調芯で決定し、該ガイド構造で決定される該光ファイバの位置が、前記外部接続用光導波路との所定の位置ずれを与える位置である。
【００２２】
前記光モジュールの製造方法において、光モジュール本体を保持するとともに該光モジュール本体と光ファイバとの光結合部の接続損失をモニタする損失モニタ手段と、前記光ファイバを保持するとともに前記光モジュール本体に対する該光ファイバの位置を移動させる光ファイバ調芯装置と、前記光ファイバと光接続している３ｄＢカップラと、該３ｄＢカップラに接続している光信号源および反射光モニタと、前記損失モニタ手段と前記反射光モニタからの信号を受け、これらのデータに基づき前記光ファイバ調芯装置に駆動信号を発出する制御装置と、を有する光モジュール製造装置を使用することができる。
【００２３】
前記製造装置において、前記損失モニタ手段は、前記光モジュール本体からの受光電流を取り出す端子を有する試料台と、該試料台から取り出した受光電流をモニタするための受光電流モニタとから構成されている。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を説明する。
【００２５】
（実施の形態１）
図４は、本発明が最もその効果を発揮するハイブリッド集積型光モジュールの概略構成図である。図中、１は光導波路基板であり、ここにＹ分岐回路１ａが設けられている。Ｙ分岐回路１ａの端部には光素子搭載部１５が設けられており、この上に、Ｙ分岐回路１ａと光結合された半導体レーザ（レーザダイオード）３０、モニタ用フォトダイオード３１、および受信用フォトダイオード３２が搭載されている。
【００２６】
このような構成の光モジュール本体６０に、光ファイバ２０が接続されて、光モジュールが構成される。
【００２７】
上記構成において、受光部の面積が大きく、位置ずれ許容量の大きいモニタ用フォトダイオード３１および受信用フォトダイオード３２は、それぞれ、レーザダイオード３０および光導波路１ａに対して、斜め配置されている。この結果、モニタ用フォトダイオード３１の端面からレーザダイオード３０の後面への反射戻り光、および、受信用フォトダイオード３２の前端面から光導波路１ａへの反射戻り光は、十分低い値（反射減衰量として３０ｄＢ以下）にまで、抑制されている。しかしながら、レーザダイオードは位置ずれ許容量が小さいので、光導波路１ａとの光結合損失を低減するために、レーザダイオード３０の前端面と光導波路１ａの端面とが平行となるように配置されている。
【００２８】
なお、ここで用いたレーザダイオード３０は、レーザダイオード出射光のニアフィールド径を拡大したスポットサイズ拡大レーザダイオードである。
【００２９】
図４の光モジュールは、前述のような配置となっているので、レーザダイオード３０と光導波路１ａとの光結合損失は、３．５ｄＢと十分に低い値となっていた。また、受信用フォトダイオード３２と光導波路１ａとの光結合損失は、０．３ｄＢと非常に低い値を実現した。この結果、光導波路基板１の端面１０に、光ファイバ２０を、光導波路との光結合損失が最小になるように、調芯、位置合わせして、接続した時には、この光モジュールは、以下の特性を示した。
【００３０】
・光ファイバ端からの光出力光強度：３ｍＷ（レーザダイオード駆動電流６０ｍＡのとき）、
・光ファイバ端から入力した信号光に対する受光感度：    ０．４５Ａ／Ｗ。
【００３１】
しかし、このとき、光ファイバ端部からの光モジュール反射減衰量は、１７ｄＢであった。この反射減衰の主要発生箇所は、レーザダイオード３０の前端面である。
【００３２】
一方、この光モジュールに要求される基準特性は、光出力２．０ｍＷ、受光感度０．３Ａ／Ｗ、反射減衰量１８ｄＢであった。上記の特性と比較して、光出力および受光感度には十分な余裕があるが、反射減衰量は基準値に達していなかった。
【００３３】
そこで、本実施例では、図５の構成の光ファイバ接続装置を用いて、光導波路基板１と光ファイバ２０との間に所定の位置ずれ量を与えて接続することとした。図５の構成図において、５０は、試料台であり、光モジュールを保持するとともに、受信用フォトダイオードからの受光電流を、またはレーザダイオードを受光素子として用いた時の受光電流を、取り出すための電気接続端子が設けられている。そして、この電気端子からの受光電流を計測するための受光電流モニタ５１に電気的接続がなされている。
【００３４】
一方、光導波路基板１に接続すべき光ファイバ２０は、光ファイバ調芯装置２１上に設置されるとともに、その反対側の端部はコネクタ２５を介して、光信号入出力系７０に接続される。光信号入出力系７０には、３ｄＢカップラが設けられており、この３ｄＢカップラの一方の端部には光信号光源が光接続されており、他方の端部には反射光モニタ５２が設置されている。受光電流モニタ５１および反射光モニタ５２の信号は、制御装置５３に接続されており、制御装置５３では、これらの信号を比較して、光ファイバ調芯装置２１を駆動することにより、受光電流および反射光量がそれぞれ基準値に収まるように、光ファイバ２０と光導波路基板１に所定の位置ずれを与えるようになっている。
【００３５】
この構成の接続装置を用いて、反射減衰量１９ｄＢ以上、受信用フォトダイオード３２の受光感度が０．３６Ａ／Ｗ以上となる条件で、光ファイバ２０の調芯を行い、光ファイバ２０を光導波路基板１に固定した。この際の調芯アルゴリズムを以下に示す。
【００３６】
▲１▼  受光電流モニタ５１    →    受光電流最大位置へのファイバ移動
▲２▼  フォトダイオード受光電流、レーザダイオード受光電流、反射減衰量の算出
▲３▼  基準値との比較    →    光結合損失マージン、反射減衰量付属値の算出
▲４▼  反射減衰量不足分を補う位置ずれ量を付与    →    光ファイバ調芯装置２１を駆動
▲５▼  受光電流モニタ２１、反射光モニタ５２    →    基準値内であることの確認
▲６▼  光ファイバ２０を固定。
【００３７】
このような方法を採用した結果、この光モジュールは、以下の特性を実現した。
【００３８】
・光ファイバ端からの光出力光強度：２．４ｍＷ（レーザダイオード駆動電流６０ｍＡのとき）、
・光ファイバ端から入力した信号光に対する受光感度：    ０．３６Ａ／Ｗ。
【００３９】
・光ファイバ端部での光モジュール反射減衰量は１９ｄＢ。
【００４０】
これらの値は、いずれも基準値を満足するものであった。
【００４１】
このように本実施形態は、光ファイバと光モジュールの調芯を、該工程中に光結合損失（すなわち、受光電流から算出）および反射減衰量（すなわち、反射光量より算出）を同時にモニタしながら、実施する方法であった。この方法の特徴は、調芯を、該工程中に、光結合損失と反射減衰量とを、同時にモニタしつつ、行うので、事前に位置ずれの無いときの特性を測定しておくことが、不要となることである（上記の説明では、事前に測定したデータを述べているが、本実施形態では、本来はこれは不要である）。しかし、その一方で、調芯中の測定／算出項目が多いことから、制御装置の処理時間が長くなる傾向にあることは否めない。
【００４２】
（実施の形態２）
光ファイバに位置ずれを与えなかった時の特性を、上記のように事前に測定する場合には、以下で述べる第２の実施形態が適用できる。
【００４３】
図４の光モジュールにおいては、光ファイバ２０と光導波路１ａとの間にａ（ｄＢ）の位置ずれ損失を与えたとき、受光感度および出力光は、ａ（ｄＢ）の低減が発生するのに対して、レーザダイオード３０の端面からの反射減衰量は、２ａ（ｄＢ）増加させることができる。何故ならば、反射光は光ファイバと光モジュールの接続損失を２度受けるからである。
【００４４】
ところで、実施形態１で述べたとおり、この光モジュールが基準特性を満足するためには、反射減衰量を１ｄＢ以上増加する必要があった。このことから、この光モジュールで反射減衰量の基準値を満足するためには、光結合損失を０．５ｄＢ以上増加させればよいことがわかる。なお、光出力および受光感度は、基準値に対して２ｄＢ程度の余裕があるので、光結合損失を０．５ｄＢ増加させても、なんら問題のないこともわかる。
【００４５】
そこで、事前に位置ずれの無い時の特性が評価できた光モジュールに対しては、図６の装置を用いて、容易に位置ずれ接続が実現できる。すなわち、図６の装置構成は、図５の装置から３−ｄＢカップラ５５、反射光モニタ５２を取り去った通常の光ファイバ調芯装置構成である。この際のアルゴリズムは下記のようになる。
【００４６】
▲１▼  受光電流モニタ５１    →    受光電流最大位置へ光ファイバを移動
▲２▼  受光電流モニタ５１    →    受光電流が最大電流からａ（ｄＢ）低減する位置へ光ファイバを移動
▲３▼  光ファイバの固定。
【００４７】
この方法では、上記のように事前の光モジュール特性評価が必須である。しかし、同一の特性を有する光モジュールを多量に製造する場合には、事前評価は１度行っておけばよい。したがって、特性が安定した状態で光モジュールの量産を行うのに適した方法である。
【００４８】
（実施の形態３）
上記のように、事前に光モジュールの光結合特性および反射減衰量特性を掴んでおき、さらに、光モジュールと光ファイバ間の位置ずれ量と光結合損失の関係がわかる場合には、光ファイバ接続工程は、実施形態２よりさらに簡略化できる。
【００４９】
図４の光モジュールにおいて、光導波路１ａおよび光ファイバ２０のニアフィールド径が、それぞれ５μｍおよび４μｍであるとき、光ファイバ２０と光導波路１ａとの光結合損失と位置ずれ量の関係は、図７のように見積もることができる。実施形態２と同様の特性を有する光モジュールを用いた場合、反射減衰量の基準値を満たすためには、反射減衰量として１ｄＢ以上増加させなくてはならない。このためには、実施形態２と同様に、光結合損失を０．５ｄＢ以上増加させる必要がある。このために必要な光ファイバ位置ずれ量は、図７から０．８μｍ以上と知ることができる。一方、受光感度および光出力から規定される光結合損失増大の許容値は、実施形態２で述べたと同様に、２ｄＢであるので、図７から２μｍ以内の位置ずれ量であれば、基準値を満たすことがわかる。そこで、本実施の形態では、マージンを見て、反射減衰量を２ｄＢ増大、すなわち、光結合損失として１ｄＢ増大させるために、１．１μｍの位置ずれを与えることとする。
【００５０】
以上の設計条件に基づき、以下のアルゴリズムにより光ファイバの接続を行うことができた。
【００５１】
１．受光電流モニタ５１    →    受光電流最大位置へ光ファイバを移動
２．光ファイバを１．１μｍ移動。
【００５２】
３．光ファイバを固定。
【００５３】
（実施の形態４）
これまでに述べた実施の形態では、光ファイバと光モジュールの接続工程を、光結合損失等をモニタしつつ行う、いわゆる「アクティブアライメント法」を用いた。しかしながら、本発明の適用は、これに限定されないのは当然であり、光導波路端部に光ファイバの位置決めガイド構造を設置し、これを利用する「パッシブアライメント法」にも、適用できる。
【００５４】
図８は、このようなファイバガイド付き光モジュールの一例を示すものである。図中、８０は、光ファイバガイド部である。この本実施形態における光モジュール本体の特性は、実施形態１から３までに示したものと同様である。したがって、反射減衰量が基準値を満たすために、上記と同様に光ファイバ２０を光結合損失最大となる位置から１μｍ程度の位置ずれ発生するようにガイド構造を設計した。この設計例を、図９および図１０に示す。図９は、ファイバガイド溝８０ａの幅を広く設定することにより、光ファイバ２０と光導波路１ａ間に高さ方向の位置ずれを与えた場合を示している。また、図１０は、ファイバガイド溝８０ａの中心位置を所定寸法ずらすことにより、水平方向に位置ずれを与えた場合を示している。これらの場合に必要な位置ずれ量は、実施形態３と同様の考え方で決定できる。
【００５５】
（その他の実施の形態）
これまでの実施の形態としては、Ｙ分岐光導波路と、レーザダイオード，フォトダイオードとを組み合わせて構成した双方向光モジュールを例に取り上げてきたが、本発明の適用範囲がこれらに限定されないことは言うまでもない。
【００５６】
例えば、光導波路との組み合わせでは、光ファイバをアレイとして接続する場合にも適用できる。例えば、８本の光導波路端部に、それぞれレーザダイオードを光結合したレーザダイオードアレイモジュールのような場合にも、光導波路に接続する光ファイバに所定の位置ずれを与えることにより反射減衰量を抑制することができる。この際の位置ずれは、８アレイ光ファイバを用意して、一括して一定の位置ずれを与えても良いし、また、個別に位置ずれを与えて接続しても良い。さらに、ファイバガイド構造を用いて、各ガイド寸法を、実施形態４で述べたように、最適に設定しても良い。
【００５７】
さらに、従来技術である図１に示したような、マイクロオプティクス型の光モジュールに対しても、実施形態１から３で述べたような考え方により、本発明を適用しても優れた効果が発揮できる。
【００５８】
また、上記の光モジュールは、何れも内部に半導体素子を有していたが、内部に光半導体素子を含まない光モジュールの場合にも、本願発明が適用できる。このような光モジュールの例として、導波路の途中に光フィルタが装荷された光モジュールがある。このような光モジュールの場合、光フィルタにおいて比較的大きな反射が生じる。この光モジュールの場合、接続部の損失測定によって、内部の光半導体素子による電流モニタはできないが、図１１に示すように、光フィルタ４０を有する光モジュール本体６０の光出力を、光ファイバ２０ｂで取り出し、これを受光素子９０で受けて、さらに電流に換えてモニタすることができる。この構成においては、光ファイバ２０ｂも光ファイバ調芯装置２１により位置合わせする。この調芯装置２１と、前記受光素子９０とは、前記制御装置に電気的に接続される。
【００５９】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明では、光モジュール内部の異種材料／異種部品の接続界面を主要発生要因とする光モジュールの反射減衰量低下を防ぐために、光ファイバと光モジュールとの接続に当たり、光結合損失のみではなく、反射減衰量も所定基準値内に収まるように、所定の位置ずれ量を与えて光ファイバを接続する方法を提示した。
【００６０】
この方法によれば、光モジュール内部構造に手を加えることなく、反射減衰量として必要な値を確保することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来技術の問題点を説明するための双方向光送受信モジュールの一例の構成図である。
【図２】従来技術の問題点を説明するための双方向光送受信モジュールの他の一例の構成図である。
【図３】従来技術において、レーザダイオードを導波路に対して斜めに配置した場合の問題点を説明する装置の要部の構成図である。
【図４】本発明を適用するハイブリッド型双方向光送受信モジュールの構成図である。
【図５】本発明の光モジュールの製造に使用される製造装置の構成図である。
【図６】本発明において使用される、簡便な構成の、光モジュール製造装置の構成図である。
【図７】光モジュール本体に対する光ファイバ位置ずれ量と光結合損失との関係を示すグラフである。
【図８】本発明にかかる、光ファイバガイド部付きの、光送受信モジュールの構成図である。
【図９】本発明において、光モジュール本体に対して光ファイバの所定の位置ずれを与える光ファイバガイド溝の一例を示す構成図である。
【図１０】本発明において、光モジュール本体に対して光ファイバの所定の位置ずれを与える光ファイバガイド溝の他の一例を示す構成図である。
【図１１】内部に光半導体素子を含まず、導波路の途中に光りフィルタが装荷された構成の光モジュール本体に本発明を適用した場合の光モジュールの製造装置の構成図である。
【符号の説明】
１  光導波路基板
１ａ  Ｙ分岐回路
１ｃ  光導波路コア部
１０  光導波路基板端部
１５  光素子搭載部
２０、２０ｂ  光ファイバ
３０  レーザダイオード
３１  モニタ用フォトダイオード
３２  受信用フォトダイオード
４０  光フィルタ
５０  試料台
５１  受光電流モニタ
５２  反射光モニタ
５３  制御装置
５４  光信号源
５５  ３ｄＢカップラ
６０  光モジュール本体
７０  光信号入出力系
８０  光ファイバガイド溝
８０ａ  光ファイバガイド溝の溝幅
９０  受光素子
１００  ハーフミラー
１０１  レンズ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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