(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップが樹脂で封止される半導体装置において、
導電性を有するヒートシンクと、
前記ヒートシンクの上面に配置され、前記ヒートシンクの上面に電気的に接続される半導体チップと、
導電性を有し、前記半導体チップの上面の電極及び前記ヒートシンクに電気的にそれぞれ接続されるリードフレームと、
前記ヒートシンク、前記半導体チップ及びリードフレームを封止する封止樹脂と、
前記封止樹脂の上面を所定量研磨して形成された研磨面に構成され、前記リードフレームの露出端と電気的に接続される導体パターンと、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
アルミナまたは窒化アルミを含有するエポキシ樹脂からなる絶縁層が、前記ヒートシンクの下面に構成されることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記絶縁層の厚さは、０．２ｍｍ〜０．５ｍｍであることを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記半導体チップは、前記ヒートシンクの上面に複数配置され、
複数配置された前記半導体チップの上面の電極は、前記リードフレームによって電気的に連結されることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項５】
前記導体パターンは、回路の一部を形成する配線パターンであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項６】
前記配線パターンの上面に配置され、前記配線パターンと電気的に接続される電子部品とを有することを特徴とする請求項５記載の半導体装置。
【請求項７】
前記半導体チップはパワートランジスタであり、前記電子部品は前記パワートランジスタの制御用ＩＣであることを特徴とする請求項６記載の半導体装置。
【請求項８】
前記配線パターンの上面に配置され、前記配線パターンと電気的に接続される外部端子と、
前記外部端子の一部、前記封止樹脂、前記配線パターン及び前記電子部品を封止する外側封止樹脂とを有することを特徴とする請求項６記載の半導体装置。
【請求項９】
全体としてインバータを構成することを特徴とする請求項８記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記配線パターンと電気的に接続される外部端子の一部と、前記封止樹脂と、前記配線パターンとを封止する外側封止樹脂とを有することを特徴とする請求項５記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記封止樹脂内に筒体が立設されていることを特徴とする請求項１０記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記外側封止樹脂内に金属端子が立設されていることを特徴とする請求項１０記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記配線パターンは、絶縁層を介して多層に形成されることを特徴とする請求項９記載の半導体装置。
【請求項１４】
多層の前記配線パターンは、基準電位点の前記配線パターンを間に挟んだ主回路の前記配線パターン及び制御回路の前記配線パターンであることを特徴とする請求項１３記載の半導体装置。
【請求項１５】
半導体チップが樹脂で封止された半導体装置を製造する半導体装置の製造方法において、
ヒートシンクにリードフレームを電気的に接続させて取り付けるリードフレーム取り付け工程と、
前記ヒートシンク及び前記リードフレームに半導体チップを電気的に接続させて取り付ける半導体チップ取り付け工程と、
前記リードフレーム及び前記半導体チップが取り付けられた前記ヒートシンクをベースフィルムの上面に配置するヒートシンク配置工程と、
前記リードフレーム、前記半導体チップ及び前記ヒートシンクを封止樹脂で封止する樹脂封止工程と、
前記封止樹脂の上面を研磨し、前記リードフレームを分割し、前記リードフレームの一部を前記封止樹脂の表面に露出させる研磨工程と、
前記封止樹脂の表面に露出した前記リードフレームと電気的に接続する導体パターンを前記封止樹脂の上面に形成する導体パターン形成工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記導体パターンは回路の一部を形成する配線パターンであり、前記配線パターンの上面に電子部品を実装する電子部品実装工程をさらに有することを特徴とする請求項１５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
前記配線パターンの上面に外部端子を電気的に接続する外部端子接続工程と、
前記外部端子の一部、前記封止樹脂、前記配線パターン及び前記電子部品を封止する外側樹脂封止工程と、
をさらに有することを特徴とする請求項１６記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
リードフレーム取り付け工程において取り付けられる前記リードフレームは、前記ヒートシンク及び前記半導体チップのリードフレーム取り付け部に対応させて折り返された折り返し部を有する一体物であることを特徴とする請求項１５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
前記ベースフィルムは、前記樹脂封止工程以降の工程で除去され、前記ベースフィルムの除去後、前記ヒートシンクは、外部に露出させることを特徴とする請求項１５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
前記ベースフィルムの除去で露出されたヒートシンクの露出面には、絶縁層が形成されることを特徴とする請求項１９記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体チップが樹脂で封止される半導体装置及び半導体装置の製造方法に関し、特に複数の電子部品によってモジュール構成された半導体装置及び半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、例えば、パワートランジスタアレイや駆動用ＩＣ等を内蔵した電力用半導体装置のように、複数の半導体チップ及びその他の電子部品を組み合わせて１パッケージ化し、その中に一定の機能を取り込んだ半導体装置の普及が進んでいる。このような半導体装置には、一定の機能を実現するために必要な半導体チップ、受動部品、ＩＣ、接続配線等が予め取り込まれており、これを利用するインバータ等のセットメーカは、半導体チップ周辺の回路設計に時間を費やすことなく、半導体装置が有する機能をそのまま利用することが可能となる。
【０００３】
このような半導体装置の構成形態としては、半導体チップごとに分割された金属フレームに半導体チップを搭載し、金線或いはアルミ線によるボンディングによって各接続を行い、それをトランスファ成形によって樹脂封止したものがあげられる。また、別の形態としては、受動部品、ＩＣ等を搭載したセラミック配線基板を金属フレームに配置し、アルミ線等によるボンディングによって、そのセラミック配線基板の部分と金属フレーム上の半導体チップとを接続し、それをトランスファ成形によって樹脂封止したものがあげられる。さらに、別の形態としては、ＭＯＳＦＥＴ、ＩＧＢＴ等のパワートランジスタを複数搭載したセラミック基板或いは金属絶縁基板からなる回路基板、駆動ＩＣ、及び受動部品等を搭載したプリント基板からなる制御回路基板をケースに収納したものがあげられる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来の半導体装置は、半導体チップ及びその他の部品が平面的に配置されて構成されるため、半導体チップ等や配線パターンの占有面積が大きくなり、半導体装置の小型化が図れないという問題点がある。
【０００５】
また、誘電率の高いセラミック基板を用いて電気長を短縮し、配線パターンの占有面積を縮小することによって、半導体装置を小型化する場合、セラミック基板のコストが高くついてしまうという問題点がある。
【０００６】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、コストを低く抑えつつ、回路配置や構造配置の自由度を高めるとともに、半導体チップ、その他の部品及び配線パターンの集積度を向上させて小型化を実現する半導体装置を提供することを目的とする。
【０００７】
また、本発明の他の目的は、コストを低く抑えつつ、回路配置や構造配置の自由度を高めるとともに、半導体チップ、その他の部品及び配線パターンの集積度を向上させて小型化を実現する半導体装置の製造方法を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明では上記課題を解決するために、半導体チップが樹脂で封止される半導体装置において、導電性を有するヒートシンクと、前記ヒートシンクの上面に配置され、前記ヒートシンクの上面に電気的に接続される半導体チップと、導電性を有し、前記半導体チップの上面の電極及び前記ヒートシンクに電気的にそれぞれ接続されるリードフレームと、前記ヒートシンク、前記半導体チップ及びリードフレームを封止する封止樹脂と、前記封止樹脂の上面を所定量研磨して形成された研磨面に構成され、前記リードフレームの露出端と電気的に接続される導体パターンとを有することを特徴とする半導体装置が提供される。
【０００９】
ここで、ヒートシンクは、半導体チップの放熱を行うとともに、半導体チップの底面側との電気的な接続を行い、半導体チップはヒートシンクの上面に配置され、リードフレームは、半導体チップの上面側及びヒートシンクとの電気的な接続を行い、封止樹脂は、ヒートシンク、半導体チップ及びリードフレームを封止して耐圧を保ち、導体パターンは、リードフレームに電気的に接続される。
【００１０】
また、半導体チップが樹脂で封止された半導体装置を製造する半導体装置の製造方法において、ヒートシンクにリードフレームを電気的に接続させて取り付けるリードフレーム取り付け工程と、前記ヒートシンク及び前記リードフレームに半導体チップを電気的に接続させて取り付ける半導体チップ取り付け工程と、前記リードフレーム及び前記半導体チップが取り付けられた前記ヒートシンクをベースフィルムの上面に配置するヒートシンク配置工程と、前記リードフレーム、前記半導体チップ及び前記ヒートシンクを封止樹脂で封止する樹脂封止工程と、前記封止樹脂の上面を研磨し、前記リードフレームを分割し、前記リードフレームの一部を前記封止樹脂の表面に露出させる研磨工程と、前記封止樹脂の表面に露出した前記リードフレームと電気的に接続する導体パターンを前記封止樹脂の上面に形成する導体パターン形成工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【００１１】
ここで、リードフレーム取り付け工程は、ヒートシンクにリードフレームを電気的に接続させて取り付け、半導体チップ取り付け工程は、ヒートシンク及びリードフレームに半導体チップを電気的に接続させて取り付け、ヒートシンク配置工程は、リードフレーム及び半導体チップが取り付けられたヒートシンクをベースフィルムの上面に配置し、樹脂封止工程は、リードフレーム、半導体チップ及びヒートシンクを封止樹脂で封止し、研磨工程は、封止樹脂の上面を研磨し、リードフレームの一部を封止樹脂の表面に露出させ、導体パターン形成工程は、封止樹脂の表面に露出したリードフレームと電気的に接続する導体パターンを封止樹脂の上面に形成する。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
まず、本発明における第１の実施の形態について説明する。
【００１３】
図１は、本形態における半導体装置１の構成を示した断面図である。
半導体装置１は、底面に形成される絶縁層２、導電性を有し、絶縁層２の上面に配置されるヒートシンク３ａ、３ｂ、ヒートシンク３ａ、３ｂの上面に配置され、ヒートシンク３ａ、３ｂの上面に電気的に接続される半導体チップ４ａ、４ｂ、導電性を有し、半導体チップ４ａ、４ｂの上面或いはヒートシンク３ａ、３ｂに電気的に接続されるリードフレーム５ａａ、５ａｂ、５ａｃ、５ｂａ、５ｂｂ、５ｂｃ、ヒートシンク３ａ、３ｂ、半導体チップ４ａ、４ｂ、リードフレーム５ａａ、５ａｂ、５ａｃ、５ｂａ、５ｂｂ、５ｂｃを封止する封止樹脂６、封止樹脂６の上面に設けられ、リードフレーム５ａａ、５ａｂ、５ａｃ、５ｂａ、５ｂｂ、５ｂｃと電気的に接続される導体パターン７、導体パターン７の上面に配置され、導体パターン７と電気的に接続される電子部品８ａ、８ｂ、外部端子９、及び外部端子９の一部、封止樹脂６、導体パターン７及び電子部品８ａ、８ｂを封止する外側封止樹脂１０によって構成されている。
【００１４】
絶縁層２としては、熱伝導性が良好で絶縁性が高く、かつ気泡の混入してない樹脂を用い、その材質としては、Ａｌ２Ｏ３またはＡｌＮを含有したエポキシ樹脂が特に好ましい。ヒートシンク３ａ、３ｂの材質としては、熱伝導率が高く、電気抵抗が低ければ銅等特に制限なく使用できる。半導体チップ４ａ、４ｂは、ＭＯＳＦＥＴ、ＩＧＢＴ等の半導体素子を用いたデバイスであり、その表裏面に入出力のための端子と制御のための端子とを有している。リードフレーム５ａａ、５ａｂ、５ａｃ、５ｂａ、５ｂｂ、５ｂｃの材質としては、電気抵抗が低く、半導体チップ４ａ、４ｂとの接続部分、及びヒートシンク３ａ、３ｂとの接続部分での接触抵抗が小さいものであれば、銅、アルミニウム等特に制限なく使用できる。封止樹脂６及び外側封止樹脂１０の材質としては、絶縁性を有し、半導体装置１の内部を隙間なく充填封止でき、封止後はある程度の硬度を有するものであれば、熱硬化樹脂等特に制限なく使用できる。導体パターン７の材質としては、電気抵抗が低く、パターン成形に適し、リードフレーム５ａａ、５ａｂ、５ａｃ、５ｂａ、５ｂｂ、５ｂｃ、外部端子９及び電子部品８ａ、８ｂの端子との接触抵抗が小さいものであれば、銅、金等特に制限なく使用できる。電子部品８ａ、８ｂは、半導体装置１の機能を確保するための電子部品であり、チップ抵抗等の受動部品及びＩＣ等の集積回路等が含まれる。外部端子９の材質としては、電気抵抗が低く、導体パターン７との接触抵抗が小さいものであれば、銅等特に制限なく使用できる。
【００１５】
絶縁層２は、半導体装置１の底面部に配置され、その上部にヒートシンク３ａ、３ｂが配置される。ヒートシンク３ａの上面には半導体チップ４ａが、側面にはリードフレーム５ａａが、それぞれ電気的に接続され、同様に、ヒートシンク３ｂの上面には半導体チップ４ｂが、側面にはリードフレーム５ｂａが電気的に接続される。また、半導体チップ４ａの上面にはリードフレーム５ａｂ、５ａｃが、半導体チップ４ｂの上面にはリードフレーム５ｂｂ、５ｂｃがそれぞれ電気的に接続される。このように配置されたヒートシンク３ａ、３ｂ、半導体チップ４ａ、４ｂ、及びリードフレーム５ａａ、５ａｂ、５ａｃ、５ｂａ、５ｂｂ、５ｂｃは、封止樹脂６によって封止され、封止樹脂６の上面には、リードフレーム５ａａ、５ａｂ、５ａｃ、５ｂａ、５ｂｂ、５ｂｃとそれぞれ電気的に接続された導体パターン７が設けられる。導体パターン７の上面には、電子部品８ａ、８ｂ、外部端子９が電気的に接続され、このように接続された、外部端子９の一部、電子部品８ａ、８ｂ、導体パターン７、及び半導体チップ４ａ、４ｂ等を封止した封止樹脂６は、外側封止樹脂１０によって封止される。
【００１６】
なお、図１、及び以下に示す図７、図９〜１２では、リードフレーム５ａｂ、５ａｃ、５ｂｂ及び５ｂｃがそれぞれ断面方向から観察できるように記載しているが、これは説明の便宜上の表記であり、実際の断面図では、リードフレーム５ａｂとリードフレーム５ａｃ、及びリードフレーム５ｂｂとリードフレーム５ｂｃがそれぞれ重複して観察される。
【００１７】
次に、半導体装置１の製造工程について説明する。
半導体装置１の製造工程は、ヒートシンク３ａ、３ｂにリードフレームを電気的に接続させて取り付けるリードフレーム取り付け工程、ヒートシンク３ａ、３ｂ及びリードフレームに半導体チップ４ａ、４ｂを電気的に接続させて取り付ける半導体チップ取り付け工程、リードフレーム及び半導体チップ４ａ、４ｂが取り付けられたヒートシンク３ａ、３ｂを後述するベースフィルムの上面に配置するヒートシンク配置工程、リードフレーム、半導体チップ４ａ、４ｂ及びヒートシンクを封止樹脂６で封止する樹脂封止工程、封止樹脂６の上面を研磨し、リードフレームの一部を封止樹脂６の表面に露出させる研磨工程、封止樹脂６の表面に露出したリードフレームと電気的に接続する導体パターン７を封止樹脂６の上面に形成する導体パターン形成工程、導体パターン７の上面に電子部品８ａを実装する電子部品実装工程、導体パターン７の上面に外部端子９を電気的に接続する外部端子接続工程、及び外部端子９の一部、封止樹脂６、導体パターン７及び電子部品８ａ、８ｂを封止する外側樹脂封止工程によって構成されている。
【００１８】
まず、リードフレーム取り付け工程について説明する。
図２は、リードフレーム取り付け工程によってリードフレーム５ａが取り付けられたヒートシンク３ａの様子を示した斜視図である。
【００１９】
リードフレーム５ａは、銅等の金属板によって構成された一体物であり、後の工程である研磨工程によって複数に分離され、リードフレーム５ａａ、５ａｂ、５ａｃ、５ｂａ、５ｂｂ、５ｂｃとなる。リードフレーム５ａは、枝状に分岐した分岐構造を有する平面板を複数箇所で同一方向に屈曲させることにより構成され、ここでの屈曲部は、リードフレーム５ａのヒートシンク３ａへの取り付け部であるリードフレーム取り付け部３ａａ、及びリードフレーム５ａの半導体チップ４ａ上面への取り付け部に対応した位置に設けられる。
【００２０】
リードフレーム５ａのヒートシンク３ａへの取り付けは、ヒートシンク３ａの側面に配置されたリードフレーム取り付け部３ａａへ、そこに対応して設けられたリードフレーム５ａの屈曲部を電気的に接続させることにより行う。接続方法としては、接続部の電気抵抗が低く、十分な機械的な接続強度を保ち、後工程となる半導体チップ取り付け工程及び樹脂封止工程時の熱によって接続部が溶解しないようなものであれば、溶接等特に制限なく使用できる。
【００２１】
ここで、リードフレーム５ａのヒートシンク３ａへの取り付けは、リードフレーム５ａとヒートシンク３ａとの間に介在して配置されることとなる半導体チップ４ａ及び半田板の間隔を確保しつつ行うものとする。また、リードフレーム５ａの形状及び折り曲げ位置は、半導体チップの電極位置に併せて適宜決定するものとする。
【００２２】
次に、リードフレーム５ａの変形例について説明する。図３から図５は、リードフレーム５ａの変形例であるリードフレーム５ｃ〜５ｈの構成を示した斜視図である。
【００２３】
図３の（ａ）に示したリードフレーム５ｃは、半導体チップ４ａとの接点となる先端部５ｃａ、５ｃｂをさらに９０度折り曲げた例である。このように先端部５ｃａ、５ｃｂを折り曲げることにより、半導体チップ４ａとの接合を面によって行うことが可能になり、リードフレーム５ｃと半導体チップ４ａとの接合力を向上させることが可能になる。
【００２４】
図３（ｂ）に示したリードフレーム５ｄは、リードフレーム５ｄのヒートシンク３ａへの取り付け端５ｄａをヒートシンク３ａの下面と同じ位置まで延ばした例である。また、図４の（ａ）に示したリードフレーム５ｅは、リードフレーム５ｅのヒートシンク３ａへの取り付け端５ｅａをヒートシンク３ａの上面に載せた例である。これらの例では、リードフレーム５ｄ、５ｅの取り付け端５ｄａ、５ｅａがヒートシンク３ａの一方の面と同じ位置であるため、リードフレーム５ｄ、５ｅの上下方向への位置合わせが容易となり、リードフレーム５ｄ、５ｅの取り付け作業が容易になる。
【００２５】
図４の（ｂ）に示したリードフレーム５ｆは、後の研磨工程後に封止樹脂６内に残存する位置にＵ字状の屈曲部５ｆａ、５ｆｂ、５ｆｃを設けた例である。このようにＵ字状の屈曲部５ｆａ、５ｆｂ、５ｆｃを設けることにより、温度変化に伴うリードフレーム５ｆの膨張、収縮によって生じる応力、或いは外部から半導体チップに直接加わる力を緩衝することができる。
【００２６】
図５の（ａ）に示したリードフレーム５ｇは、Ｕ字状の屈曲部５ｇａをその下部がヒートシンク３ａの上面に当接するように設け、さらに、半導体チップ４ａ上面に取り付けられることとなる先端部をＵ字状の屈曲部５ｇｂ、５ｇｃとした例である。このように構成することにより、屈曲部５ｇａが、リードフレーム５ｇのヒートシンク３ａへの取り付け時の位置決めの役割を果たし、また、屈曲部５ｇｂ、５ｇｃが面で半導体チップ４ａに接続されることとなるため、リードフレーム５ｇの半導体チップ４ａへの接合強度を向上させることができる。
【００２７】
図５の（ｂ）に示したリードフレーム５ｈは、複数の半導体チップを連結して接続する場合の構成例である。この図に示す点線はヒートシンク３ａに搭載されるトランジスタ、ダイオード等の半導体チップの位置を示している。この例では、後の研磨工程で研磨を行った際に樹脂内に残存する位置に連結部５ｈｅ、５ｈｆ及び先端部５ｈａ、５ｈｂ、５ｈｃ、５ｈｄを設け、連結部５ｈｅによって先端部５ｈａ、５ｈｂを、連結部５ｈｆによって先端部５ｈｃ、５ｈｄをそれぞれ連結した構成となっている。このようにすることにより、複数の半導体チップ、例えば、主スイッチング用のトランジスタと並列接続するフリーホイリングダイオードとの接続を連結部５ｈｅ、５ｈｆによって行えるので、後の導体パターン形成の自由度を向上させることができる。
【００２８】
ヒートシンク３ａへのリードフレーム５ａの取り付けが終了すると、次に半導体チップ取り付け工程に移る。
図６は、半導体チップ取り付け工程によって半導体チップ４ａが取り付けられたヒートシンク３ａの様子を示した斜視図である。
【００２９】
半導体チップ４ａは、その上面に、リードフレーム５ａが取り付けられる端子部であるリードフレーム取り付け部４ａａ、４ａｂを、その下面に、ヒートシンク３ａと電気的に接続される図示していない端子部を有している。半導体チップ４ａの取り付けは、半導体チップ４ａの下面の端子をヒートシンク３ａの上面に電気的に接続し、リードフレーム取り付け部４ａａ、４ａｂを、それらに対応するリードフレーム５ａの折り返し部を電気的に接続することにより行われる。接続方法としては、接続部の電気抵抗が低く、十分な機械的な接続強度を保ち、接続時の加熱等によって半導体チップ４ａを破壊せず、残留物によって半導体チップ４ａの信頼性を低下させず、後工程となる樹脂封止工程時における封止樹脂６の熱によって接続部が溶解しないようなものであれば、半田付け等特に制限なく使用できる。図６では、半田付けによる接続を例にとって示しており、ヒートシンク３ａと半導体チップ４ａとの接続部分は半田１１によって、リードフレーム５ａとリードフレーム取り付け部４ａａ、４ａｂとの接続部分は半田１２ａ、１２ｂによって、それぞれ半田付けされている。半田付けの方法としては、例えば、ヒートシンク３ａと半導体チップ４ａとの接続部分、及びリードフレーム５ａとリードフレーム取り付け部４ａａ、４ａｂとの接続部分に半田板或いは半田ペースト等を挟み込み、それを水素還元炉等のリフロー炉でリフローすることによって行う。ここで、リフロー時にリードフレーム５ａに荷重をかけておくことにより、リードフレーム５ａと半導体チップ４ａとの接続をより確実なものとすることができる。
【００３０】
以上のような手順により半導体チップ４ａの取り付けを行うこととしたため、半導体チップ４ａの取り付けの際に、リードフレーム等を位置決めする治具を用いる必要がなくなり、半導体チップ４ａの取り付け作業の簡略化、及び治具から発生する粉塵等の不純物の混入の防止を図ることが可能になる。
【００３１】
なお、以上のリードフレーム取り付け工程及び半導体チップ取り付け工程の説明では、ヒートシンク３ａへのリードフレーム５ａ及び半導体チップ４ａの取り付けのみについて述べたが、ヒートシンク３ｂへのリードフレーム及び半導体チップ４ｂの取り付けも、上記と同様な手順によって行われる。
【００３２】
半導体チップの取り付けが終了すると、次に、ヒートシンク配置工程に移る。
図７は、ヒートシンク配置工程によってヒートシンク３ａ、３ｂが配置された様子を示した断面図である。
【００３３】
ヒートシンク配置工程では、ヒートシンク３ａ、３ｂをベースフィルム１３の所定の位置に配置する。ここで、ベースフィルム１３とは、ヒートシンク３ａ、３ｂを位置決めして配置するために使用するフィルムであり、その材質としては、ある程度の平坦性を有し、後述する樹脂封止時の熱によって変形しないものであれば特に制限なく使用できる。
【００３４】
図８は、ベースフィルム１３の構成例を示した平面図である。
図８に示すように、ベースフィルム１３には、ヒートシンク３ａ、３ｂの配置位置を示すマーキング１３ａ、１３ｂが印刷されており、ヒートシンク３ａ、３ｂは、このマーキング１３ａ、１３ｂに沿って位置決めされてベースフィルム１３の上面に配置される。ここで、図８の（ａ）は、ヒートシンク３ａ、３ｂの配置位置の各コーナをマーキング１３ａによって指定した例であり、図８の（ｂ）は、ヒートシンク３ａ、３ｂの配置位置の各１箇所をマーキング１３ｂによって指定した例である。
【００３５】
ベースフィルム１３へのヒートシンク３ａ、３ｂの配置が終了すると、次に、樹脂封止工程に移る。
図９は、樹脂封止工程によって樹脂封止された様子を示した断面図である。
【００３６】
図９に示すように、本工程では、リードフレーム５ａ、５ｂよりも高い位置まで封止樹脂６が充填され、この封止樹脂６は、ヒートシンク３ａ、３ｂ、半導体チップ４ａ、４ｂ、リードフレーム５ａ、５ｂを隙間なく封止する。ここでの封止は、例えば封止樹脂６として熱硬化樹脂を用いる場合、熱硬化樹脂を高温、高圧化で軟化させ、それを封止部に送り込んだ後硬化させるトランスファ成形等によって行う。または、ベースフィルム１３上に筒状の枠体を載せ、液状のエポキシ樹脂等を封止樹脂６として充填し、硬化させることとしてもよい。このようにすることにより、大きな体積を樹脂封止しなければならない場合であっても、容易に樹脂封止を行うことが可能となる。
【００３７】
樹脂封止工程が終了すると、次に研磨工程に移る。
図１０は、研磨工程によって封止樹脂６の上面が研磨された様子を示した断面図である。
【００３８】
研磨工程では、ラッピング等によって封止樹脂６の上面の研磨が行われる。ここでの研磨は、研磨面６ａがリードフレームにまで達し、この研磨によってリードフレームが複数に分離される位置まで行われる。これにより、ヒートシンク３ａ、３ｂにそれぞれ接続されていた一体物のリードフレームは、ヒートシンク３ａに接続されたリードフレーム５ａａ、半導体チップ４ａの上面に接続されたリードフレーム５ａｂ、５ａｃ、ヒートシンク３ｂに接続されたリードフレーム５ｂａ、半導体チップ４ｂの上面に接続されたリードフレーム５ｂｂ、５ｂｃに分離され、各リードフレーム５ａａ、５ａｂ、５ａｃ、５ｂａ、５ｂｂ、５ｂｃの分離断面は、研磨面６ａの表面に露出することとなる。また、ここでの研磨は、研磨面６ａが半導体チップ４ａ、４ｂの上面から十分な距離をとり、半導体チップ４ａ、４ｂの上面の絶縁耐圧が確保できる程度にまでとどめておく。
【００３９】
封止樹脂６の上面の研磨が終了すると、次に、導体パターン形成工程に移る。
図１１は、導体パターン形成工程によって、封止樹脂６の上面に導体パターン７が形成された様子を示した断面図である。
【００４０】
導体パターン７は、封止樹脂６の上面、すなわち、研磨工程によって研磨された封止樹脂６の研磨面６ａに形成され、研磨面６ａの表面に露出した各リードフレーム５ａａ、５ａｂ、５ａｃ、５ｂａ、５ｂｂ、５ｂｃの分離断面と電気的に接続される。
【００４１】
導体パターン７の形成方法としては、導体パターン７のパターン精度を達成できる方法であれば、パターン印刷、蒸着、メッキ等どのようなものでもよい。メッキによってパターン形成を行う場合、まず、メッキ工程によって、研磨面６ａ前面に電極膜を形成し、その後、エッチング工程によって、形成された電極膜を選択的にエッチングし、導体パターン７を形成する。
【００４２】
なお、本形態では、導体パターン７を単層配線としたが、配線の引き回しの自由度を向上させるため、導体パターン７を多層配線とすることとしてもよい。多層配線とするには、まず第１層目の電極膜を形成し、その後エッチング工程によって電極膜を選択的にエッチングして第１層目の導体パターンを形成する。続いてこの導体パターン上を樹脂によって前面コーティングする等して絶縁層を形成する。次に、その絶縁層のさらに上面に第２層目の電極膜を形成し、その後エッチング工程によってその電極を選択的にエッチングし、第２層目の導体パターンを形成する。そして、その後もこのような工程を順次繰り返していくことにより、多層配線が形成されることとなる。なお、各層の導体パターンの接続は所望の位置に形成したコンタクトホールによって行う。
【００４３】
導体パターン７の形成が終了すると、次に、電子部品実装工程及び外部端子接続工程に移る。
図１２は、電子部品実装工程及び外部端子接続工程によって、電子部品８ａ、８ｂ及び外部端子９が接続された様子を示した断面図である。
【００４４】
電子部品８ａ、８ｂは、底面に電極を有しており、この電極が導体パターン７の上面と電気的に接続される。また、外部端子９は、その側面が導体パターン７の上面と電気的に接続される。これらの接続方法としては、接続部の電気抵抗が低く、十分な機械的な接続強度を保ち、接続時の加熱等によって電子部品８ａ、８ｂ等を破壊せず、残留物によって電子部品８ａ、８ｂの信頼性を低下させず、後工程となる外側樹脂封止工程時における外側封止樹脂１０の熱によって接続部が溶解しないようなものであれば、半田付け等特に制限なく使用できる。
【００４５】
電子部品８ａ、８ｂ及び外部端子９の接続が終了すると、外側樹脂封止工程に移る。
外側樹脂封止工程では、外部端子９の一部、導体パターン７、電子部品８ａ、８ｂ及び封止樹脂６を外側封止樹脂１０によって封止する。封止の方法は、前述した樹脂封止工程で行った樹脂封止と同様に、トランスファ成形、液状のエポキシ樹脂の充填等によって行う。
【００４６】
外側樹脂封止工程が終了すると、次に、ベースフィルム１３を剥離させるか、或いは溶液を用いて溶解させることにより、半導体装置１の下面にヒートシンク３ａ、３ｂを露出させる。その後、そのヒートシンク３ａ、３ｂ露出部分に絶縁層１３を構成し、図１に示した半導体装置１が完成する。なお、ここで絶縁層１３は、０．２ｍｍから０．５ｍｍ程度の厚さに形成することが好ましく、０．３ｍｍ程度の厚さに形成することが、より好ましい。
また、前述した樹脂封止工程後から導体パターン形成工程後の間において、ベースフィルム１３を剥がしておき、後の外側樹脂封止工程において、ベースフィルム１３が配置されていた面も含めて樹脂封止することとしてもよい。
さらに、外側樹脂封止工程終了後にベースフィルム１３を剥がし、露出したヒートシンク３ａ、３ｂの面に放熱体を取り付ける構成としてもよい。これにより、半導体チップ４ａ、４ｂの放熱性を向上させることができる。
【００４７】
このように、本形態では、ヒートシンク３ａ、３ｂにリードフレームを電気的に接続し、ヒートシンク３ａ、３ｂの上面に半導体チップ４ａ、４ｂを電気的に接続して配置し、半導体チップ４ａ、４ｂの上面にリードフレームを電気的に接続し、それらをベースフィルム１３の上面に配置して封止樹脂６で封止し、封止樹脂６の上面を研磨することによって、リードフレームを分離させつつ、その断面を研磨面に露出させ、研磨面に露出したリードフレーム５ａａ、５ａｂ、５ａｃ、５ｂａ、５ｂｂ、５ｂｃに電気的に接続した導体パターン７を研磨面に形成し、形成した導体パターン７の上面に電子部品８ａ、８ｂを実装し、その外部を外側封止樹脂１０で封止することとしたため、半導体チップ４ａ、４ｂ及び電子部品８ａ、８ｂを立体的に配置することが可能となり、構成部品の集積度を向上させ、安いコストで半導体装置の小型化を実現することができる。
【００４８】
なお、本形態では、半導体装置１に２組のヒートシンク及び半導体チップを配置する構成としたが、１組のみ、或いは３組以上のヒートシンク及び半導体チップを配置する構成としてもよい。この場合、リードフレーム等の数もそれに対応して変化することとなる。
【００４９】
また、本形態では、半導体チップの底面をリードフレームに電気的に接続する構成としたが、半導体チップの上面側の電極をワイヤボンディング等によってヒートシンクに接続する構成としてもよい。
【００５０】
さらに、本形態では、ヒートシンクを、リードフレームを介して導体パターンに電気的に接続することとしたが、少なくとも一部のヒートシンクを導体パターンに電気的に接続しない構成としてもよい。
【００５１】
また、１つながりのベースフィルムを用い、その上面に上述した手順に従って複数の半導体装置を形成し、その後ダイシングによって、半導体装置ごとに分離することとしてもよい。
【００５２】
次に、本発明における第２の実施の形態について説明する。
本形態は、第１の実施の形態の応用例であり、封止樹脂６内部に筒体を立設する点が第１の実施の形態と異なる。以下の説明では、第１の実施の形態との相違点を中心に説明し、第１の実施の形態と共通する点については、説明を省略する。
【００５３】
図１３は、本形態における半導体装置２０が樹脂封止工程によって樹脂封止された様子を示した断面図である。
図１３に示すように、本形態では、樹脂封止工程時にベースフィルム１３上に筒体２１が立設された状態で封止樹脂６が充填される。この筒体は、完成した半導体装置２０を放熱体等に取り付けるための取り付け穴として機能する。この筒体の材質としては、金属、樹脂等、樹脂封止工程時における熱により変形しないものであれば特に制限なく使用できるが、研磨工程時の研磨の容易性を考慮し、樹脂を用いることが、なお好ましい
このように、本形態では、筒体２１を封止樹脂６の内部に立設することとしたため、半導体装置２０内の空きスペースに取り付け穴を設けることが可能となり、装置の小型化を図ることが可能となる。
次に、本発明における第３の実施の形態について説明する。
本形態も第１の実施の形態の応用例であり、封止樹脂６内部に金属端子を立設する点が第１の実施の形態と異なる。以下の説明では、第１の実施の形態との相違点を中心に説明し、第１の実施の形態と共通する点については、説明を省略する。
図１４から図１６は、各製造工程における半導体装置３０の様子を示した断面図である。ここで、図１４の（ａ）は樹脂封止工程を、図１４の（ｂ）は研磨工程を、図１５の（ａ）は導体パターン形成工程を、図１５（ｂ）は絶縁層を形成する絶縁層形成工程を、図１６はコンタクトホールを形成するコンタクトホール形成工程をそれぞれ示している。
【００５４】
まず、樹脂封止工程において、図１４の（ａ）に示すように、ベースフィルム１３上に搭載されたＩＣ３１、抵抗、チップコンデンサ等の受動部品３２、及び同じくベースフィルム１３上に立設された金属端子３３、３４を、ヒートシンク３ａ等とともに封止樹脂６によって樹脂封止する。
次に、図１４の（ｂ）に示すように、研磨工程において封止樹脂６の上面が研磨される。ここでの研磨は、研磨面がリードフレーム５ａにまで達し、この研磨によってリードフレーム５ａが複数に分離されるところまで行う。この研磨工程によって、リードフレーム５ａは、リードフレーム５ａａ、５ａｂに分離され、分離されたリードフレーム５ａａ、５ａｂ、及び金属端子１９ａ、１９ｂの一部が研磨面の表面に露出することとなる。
封止樹脂６の上面の研磨が終了すると、次に、図１５の（ａ）に示す導体パターン形成工程に移る。導体パターン７は、封止樹脂６の研磨工程によって研磨された封止樹脂６の研磨面表面に形成され、リードフレーム５ａａ、５ａｂ及び金属端子１９ａ、１９ｂの研磨面表面への露出部は、形成された導体パターン７と電気的に接続される。
導体パターン７の形成が終了すると、次に絶縁層形成工程に移る。絶縁層形成工程では、まず、ベースフィルム１３の剥離が行われ、その剥離部分に図１５の（ｂ）に示すような絶縁層２が形成される。
【００５５】
絶縁層２の形成が終了すると、次に、コンタクトホール形成工程に移る。この工程では、図１６に示すように、絶縁層２の金属端子３３、３４、ＩＣ３１及び受動部品３２が配置される位置に孔開けを行い、コンタクトホール３５ａ〜３５ｆを形成する。コンタクトホール３５ａ〜３５ｆの内壁には、メッキ等により銅等の導体膜が形成され、絶縁層２の金属端子３３、３４、ＩＣ３１及び受動部品３２は、このコンタクトホール３５ａ〜３５ｆの内壁に形成された導体膜を介し、外部と導体接続されることとなる。
このように、本形態では、封止樹脂６の内部に金属端子３３、３４を設け、コンタクトホール３５ａ〜３５ｆによって、金属端子３３、３４、ＩＣ３１及び受動部品３２を外部と導体接続することとしたため、絶縁層２ａ側での回路接続が可能となる。また、封止樹脂６内部に設けられた金属端子１９ａ、１９ｂは、封止樹脂の研磨面側及び絶縁層２側の両面に露出することになるので、該両面の回路接続が可能となる。これらにより、回路配置及び回路構成の設計の自由度が向上する。
【００５６】
なお、本形態では導体パターン７を単層に構成することとしたが、多層の導体パターン７を構成することとしてもよい。この場合、図１５（ａ）に示した導体パターン形成工程の後に、導体パターン７の上面を絶縁層（封止樹脂６と同材料、封止樹脂６と同系のエポキシ樹脂が好ましいがポリイミド樹脂でもよい）で覆い、その絶縁層上にメッキ等により金属膜を形成し、この金属膜をパターニングして第２の導体パターンを形成する。形成された第２の導体パターンは、第１の導体パターン７にコンタクトホールによって接続することとしてもよく、また、さらに絶縁層及び導体パターンを積層していくこととしてもよい。このように多層の導体パターンを形成することにより、回路パターンの引き回しの自由度が向上する。
【００５７】
また、図１６のコンタクトホール形成工程の後に、コンタクトホール側に多層の導体パターンを形成することとしてもよい。このようにすることにより、例えば、基準電位点の配線パターンを封止樹脂６の内部に形成し、封止樹脂６の下面側に制御回路の多層パターンを形成し、上面側に半導体チップの主回路の多層パターンを形成し、制御回路と主回路を分離することも可能である。
【００５８】
次に、本発明における第４の実施の形態について説明する。
本形態は、本発明を用いた実際の回路構成例である。
図１７は、本発明の構成を用いて形成したインバータ装置の回路構成図である。
【００５９】
図１７の回路構成では、ＩＧＢＴ４１ａ〜４１ｆが、それぞれフリーホイリングダイオード４２ａ〜４２ｆと逆向き（コレクタとカソードとを接続）に並列接続され、ＩＧＢＴ４１ａとＩＧＢＴ４１ｂ、ＩＧＢＴ４１ｃとＩＧＢＴ４１ｄ、ＩＧＢＴ４１ｅとＩＧＢＴ４１ｆが、それぞれ直列接続されている。また、ＩＧＢＴ４１ａ、４１ｃ、４１ｅのコレクタ端子は一方の入力端子Ｐに、ＩＧＢＴ２１ｂ、２１ｄ、２１ｆのエミッタ端子は他方の入力端子Ｎに、それぞれ接続されており、ＩＧＢＴ４１ａとＩＧＢＴ４１ｂの接続点が出力端子Ｕとなり、ＩＧＢＴ２１ｃとＩＧＢＴ２１ｄの接続点が出力端子Ｖとなり、ＩＧＢＴ２１ｅとＩＧＢＴ２１ｆの接続点が出力端子Ｗとなっている。
【００６０】
図１８は、図１７に示したＩＧＢＴ４１ａとフリーホイリングダイオード４２ａとを、本発明の構成によって配置した単体ユニット４３ａを示した平面図である。
【００６１】
単体ユニット４３ａは、図示していないヒートシンクの上に、ＩＧＢＴ４１ａとフリーホイリングダイオード４２ａが点線で示すように搭載されている。ＩＧＢＴ４１ａのコレクタ及びフリーホイリングダイオード４２ａのカソードは共通となるため、これらは図示していないヒートシンク上で電気的に接続されており、リードフレームによって導出されたコレクタ端子、ゲート端子、エミッタ端子及びアノード端子は、研磨工程での研磨によって単体ユニット４３ａの表面に露出している。
【００６２】
図１９は、単体ユニット４３ａ、及びＩＧＢＴ４１ｂ〜４１ｆとフリーホイリングダイオード４２ｂ〜４２ｆの組み合わせによってそれぞれ同様に構成される単体ユニット４３ｂ〜４３ｆを用い、図１７に示した回路構成を実現した半導体装置４０を示した平面図である。
【００６３】
なお、図１９では各単体ユニット４３ａ〜４３ｆをつなぐ配線パターン４４を簡略的に示しており、また、制御端子であるゲート端子と入出力端子であるコレクタ、エミッタ端子とを振り分けて配置しているが、特にこの構成にとらわれることなく、任意にパターン設計してもよい。
【００６４】
図２０は、単体ユニット４３ａ〜４３ｆを半導体装置４０とは異なる位置に配置し、図１７に示した回路構成を実現した半導体装置５０を示した平面図である。
【００６５】
半導体装置５０の構成では、制御端子と入出力端子とを振り分けてないので、配線パターン５４の配置が容易である。
図２１は、センス端子付きの単体ユニットとその制御ＩＣとを搭載した半導体装置６０の構成を示した平面図である。
【００６６】
半導体装置６０を構成する単体ユニット６３ａ〜６３ｆには、制御用ＩＣ６１ａ〜６１ｄを回路的に接続するための配線パターン６４がパターニングされている。また、半導体装置６０の両端には、半導体装置６０を取り付けるための取り付け孔６２ａ、６２ｂが設けられている。
【００６７】
図２２に半導体装置６０の回路構成を示す。
図２２に示すように、単体ユニット６３ａ〜６３ｆは、それぞれ電流センス用のエミッタ端子を備えたＩＧＢＴ及びフリーホイリングダイオードによって構成されており、制御ＩＣ６１ａ〜６１ｄにそれぞれ接続されている。なお、この例では、下アーム側の単体ユニット６３ｂ、６３ｄ、６３ｆが有する各ＩＧＢＴのエミッタ側の接地電位は共通となっているため、下アーム側の制御用ＩＣ６１ｄは１つとなっているが、上アーム側と同じく個々に分割したものでもよい。
【００６８】
電流センス用のエミッタ端子には各センス用の抵抗Ｒａ〜Ｒｆが接続されており、ＩＧＢＴの主エミッタ端子と電流センス用エミッタ端子とゲート端子とが各制御ＩＣ６１ａ〜６１ｄに接続されている。制御ＩＣ６１ａ〜６１ｄには、さらに２本の電源端子（高電位と低電位）と信号端子が接続されている。なお、インバータの回路動作については省略するが、かかるインバータ回路においては、それぞれの配線パターン間に形成される寄生容量を考慮しなければならない。
【００６９】
図２３は、単体ユニットを用いてインバータ回路を構成した様子を示した平面図である。
図２３では、６個の単体ユニットによって構成される３相インバータの構成のうち、１相分の単体ユニットの表示を省略し、２相分の単体ユニット７３ａ〜７３ｄのみを示している。ここで、Ｐは直流入力の高電位側端子であり、Ｎは直流入力の接地側端子であり、Ｕ、Ｖ、Ｗはインバータの出力端子である。
【００７０】
制御端子７１には、各ＩＧＢＴのゲート端子（Ｇ）、センス端子（Ｓｅ）の他、図示してない制御用ＩＣの電源端子（Ｖｃｃ、０Ｖ）、入力端子が接続される。この図に示すように、一方側に主端子（Ｐ、Ｕ、Ｖ、Ｗ、Ｎ）を設け、他方側に制御端子７１を設ける構成とした場合、回路配置において配線が交差する部分が必ず生じる。この交差した配線部分の寄生容量が信号に影響を与え、誤動作を生じる場合がある。つまり、３相インバータでは、上側のＩＧＢＴのエミッタ電位は、上側のＩＧＢＴ及び下側のＩＧＢＴのスイッチング動作に応じて異なるタイミングで変化し、上側のＩＧＢＴのエミッタに接続されている配線パターンの電位は常時変動することとなる。そのため、例えば、端子Ｖに接続された配線と単体ユニット２６ｃのゲート端子（Ｇ）、センス端子（Ｓｅ）に接続された配線の交差する部分では、端子Ｖの電位の変動に起因する寄生容量によってノイズがゲート端子（Ｇ）、センス端子（Ｓｅ）に接続された配線に加わる可能性がある。
【００７１】
そこで、図２４に示す概念図のように多層配線とした時には、接地電位の配線パターンをシールドパターンとし、このシールドパターンを挟んで主回路（コレクタ・エミッタ）のパターンと制御回路のパターン（ゲート・センス）とを設けるようにする。図２４では下側のＩＧＢＴ８１ａに接続される配線パターン８２をシールドパターンとしている。ここでＩＧＢＴ８１ｂは上側のＩＧＢＴである。また、各ＩＧＢＴ８１ａ、８１ｂの下にはヒートシンク８２ａ、８２ｂが配置されている。
【００７２】
図２２に示した回路には、このシールドパターンが設けられている。すなわち、上側の単体ユニット６１ａ、６１ｂ、６１ｃに対して、個々にシールドパターン６５ａ，６５ｂ，６５ｃが設けられている。シールドパターン６５ａ、６５ｂ、６５ｃの電位は、制御用ＩＣ６１ａ、６１ｂ、６１ｃの基準電位である０Ｖの端子と同電位とされている。これにより、ＩＧＢＴのゲートに加えられる信号がノイズの影響を受けることが防止される。同じく下側の単体ユニット６３ｂ、６３ｄ、６３ｆに対してはシールドパターン６５ｄが設けられる。このシールドパターン６５ｄの電位は、制御用ＩＣ６１ｄの基準電位（接地電位）である０Ｖの端子と同電位とされている。これらのシールドパターンを間に挟んで電源関係の配線パターンと入力信号の配線パターンを分けることにより、配線パターン間の寄生容量を通って異なる配線パターンに通流するノイズ電流の値を低減できる。この結果、個別駆動回路の誤動作の発生を防止することができ、アーム短絡等の事故につながる危険を排除することができ、信頼性が向上する。
【００７３】
図２５は、封止樹脂６の上面側に多層配線を構成した半導体装置９０を示した断面図である。
半導体装置９０は、封止樹脂６の上面に形成した導体パターン７ａ上に、絶縁層２ｂ、及び第２の導体パターン７ｂが形成され、さらにその上部に、絶縁層２ｃ、第３の導体パターン７ｃが形成されている。そして、導体パターン７ｃにはＩＣ９１ａと受動部品９１ｂ及び外部端子９が接続されている。この導体パターン７ａと７ｂ、及び導体パターン７ｂと７ｃは、それぞれ各絶縁層２ｂ、２ｃを挟んで互いに対向する部分を持っており、この互いに対向する部分がコンデンサと同等の構成を備えることになる。
【００７４】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の半導体装置では、ヒートシンクを配置し、ヒートシンクの上面に半導体チップを電気的に接続して配置し、ヒートシンク及び半導体チップにリードフレームを電気的に接続し、それらを封止樹脂で封止し、リードフレームに電気的に接続した導体パターンを封止樹脂の上面に形成することとしたため、半導体チップ及び電子部品を立体的に配置することが可能となり、構成部品の集積度を向上させ、安いコストで半導体装置の小型化を実現することが可能となる。
【００７５】
また、本発明の半導体装置の製造方法では、ヒートシンクにリードフレームを電気的に接続し、ヒートシンクの上面に半導体チップを電気的に接続して配置し、半導体チップにリードフレームを電気的に接続し、それらをベースフィルムの上面に配置して封止樹脂で封止し、封止樹脂の上面を研磨することによって、その一部を研磨面に露出させ、研磨面に露出したリードフレームに電気的に接続した導体パターンを封止樹脂の上面に形成することとしたため、半導体チップ及び電子部品を立体的に配置することが可能となり、構成部品の集積度を向上させ、安いコストで小型化を実現した半導体装置を製造することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】半導体装置の構成を示した断面図である。
【図２】リードフレーム取り付け工程によってリードフレームが取り付けられたヒートシンクの様子を示した斜視図である。
【図３】リードフレームの構成を示した斜視図である。
【図４】リードフレームの構成を示した斜視図である。
【図５】リードフレームの構成を示した斜視図である。
【図６】半導体チップ取り付け工程によって半導体チップが取り付けられたヒートシンクの様子を示した斜視図である。
【図７】ヒートシンク配置工程によってヒートシンクが配置された様子を示した断面図である。
【図８】ベースフィルムの構成例を示した平面図である。
【図９】樹脂封止工程によって樹脂封止された様子を示した断面図である。
【図１０】研磨工程によって封止樹脂の上面が研磨された様子を示した断面図である。
【図１１】導体パターン形成工程によって、封止樹脂の上面に導体パターンが形成された様子を示した断面図である。
【図１２】電子部品実装工程及び外部端子接続工程によって、電子部品及び外部端子が接続された様子を示した断面図である。
【図１３】半導体装置が樹脂封止工程によって樹脂封止された様子を示した断面図である。
【図１４】各製造工程における半導体装置の様子を示した断面図である。
【図１５】各製造工程における半導体装置の様子を示した断面図である。
【図１６】各製造工程における半導体装置の様子を示した断面図である。
【図１７】本発明の構成を用いて形成したインバータ装置の回路構成図である。
【図１８】本発明の構成を用いて形成した単体ユニットを示した平面図である。
【図１９】単体ユニットを用い、図１７に示した回路構成を実現した半導体装置を示した平面図である。
【図２０】単体ユニットを用い、図１７に示した回路構成を実現した半導体装置を示した平面図である。
【図２１】センス端子付きの単体ユニットとその制御ＩＣとを搭載した半導体装置の構成を示した平面図である。
【図２２】半導体装置の回路構成図である。
【図２３】単体ユニットを用いてインバータ回路を構成した様子を示した平面図である。
【図２４】インバータ回路における多層配線の様子を示した概念図である。
【図２５】封止樹脂の上面側に多層配線を構成した半導体装置を示した断面図である。
【符号の説明】
１、２０、３０、４０、５０、６０、９０  半導体装置
２、２ａ〜２ｃ  絶縁層
３ａ、３ｂ  ヒートシンク
４ａ、４ｂ  半導体チップ
５ａ、５ａａ〜５ａｃ、５ｂａ〜５ｂｃ  リードフレーム
６  封止樹脂
７、７ａ〜７ｃ  導体パターン
８ａ、８ｂ  電子部品
９  外部端子
１０  外側封止樹脂
１３  ベースフィルム
２１  筒体
３３、３４  金属端子
【図１】
0003553849.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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