Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月16日(2017.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
乳幼児のための光線療法システムであって、
コリメータのアレイであり、前記コリメータのアレイのコリメータのうち１つ又は複数の個々のコリメータが選択的に閉じることができるように構成されるコリメータのアレイと、
光源のセットであり、当該光線療法システムが乳幼児の近くに適した距離で配置されるのに応答して、前記光源のセットのサブセットによって放たれた電磁放射が、前記コリメータのアレイを通ってガイドされて前記乳幼児に衝突するように構成及び配置される光源のセットと、
前記乳幼児の位置に関連する情報を運ぶ１つ又は複数の出力信号を生成する１つ又は複数のセンサと、
コンピュータプログラムモジュールを実行するように構成される１つ又は複数のプロセッサと、
を含み、
前記コンピュータプログラムモジュールは、
前記乳幼児の位置を決定するように構成される位置モジュールであり、前記決定は前記１つ又は複数のセンサからの情報に基づく、位置モジュール、及び
決定された前記乳幼児の位置に基づき、前記コリメータのうち１つ又は複数の個々のコリメータを選択的に閉じることによって前記乳幼児への前記電磁放射の衝突を制御するように構成される光モジュール、
を含む、システム。
【請求項２】
前記コリメータのアレイは、個々のコリメータを通ってガイドされる電磁放射のコーンの断面の直径が、前記個々のコリメータからの解放のポイントから１ｍ未満の距離にて、３ｃｍ未満であるように構成される、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記１つ又は複数のセンサはカメラを含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記乳幼児は顔を有し、前記位置モジュールは、前記乳幼児の顔の上又はその付近への電磁放射の衝突に最も寄与するであろう光源の標的サブセットを決定するように構成され、さらに、前記光モジュールは、前記光源の標的サブセットの１つ又は複数の設定を調整することによって、前記乳幼児の顔の上又はその付近への前記電磁放射の衝突を制御するように構成される、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記コリメータのうち個々のコリメータは、前記電磁放射を狭めるための反射チューブを含む、及び／又は、該反射チューブを形成する、請求項１に記載のシステム。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成29年11月9日(2017.11.9)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８３】
本発明により産生されるバイオディーゼルは、長鎖の、エネルギーの密集した化合物であり、かつ、この合成は、ＡＴＰなどのヌクレオシド三リン酸の形態でエネルギーを費やすことを細胞に要求する。好気性工程および／または物質として糖を使用する際には、いくつかのＡＴＰ分子を得るために、解糖から十分なエネルギーが供給される必要がある。好気性工程および／または物質として糖を使用する際の脂肪酸生合成経路を介したバイオディーゼルの産生は、多くの反応が必要とされるが高いＡＴＰ供給力により推進されて、Ｃ５ペントースおよびＣ６ヘキソース分子がより長鎖の脂肪酸に変換されることにより、比較的直接的な方法で行われる。本発明は、糖系物質からバイオ燃料を生産することより利点を持ち得、工業用工程からの一酸化炭素を含む排ガスを利用するバイオディーゼルを生産する代替手段を提供する。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成29年5月15日(2017.5.15)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１２８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１２８】
Ｉ．２  本発明による配合物の製造
Ｉ．２．１  本発明による配合物２から１０及び比較配合物Ｃ１の製造
表２に示された通りの修飾ポリエチレンイミン（Ｂ）を用いた。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１３９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１３９】
清浄化のために、グラスは、食器洗い機の上部陶器バスケットに配列した。用いた食器洗い洗剤は、それぞれの場合に、表１及び表３に示された通りの、本発明による２５ｇの配合物、又は２５ｇの比較配合物であり、表1及び表３は、それぞれの場合に、本発明による配合物の活性成分（Ａ．１）、ベース混合物、ケイ酸塩（Ｃ．１又はＣ．２）並びに化合物（Ｄ）又は（Ｅ）及び（Ｂ）の明細を記載する。洗浄は、５５℃のクリア−リンス（ｃｌｅａｒ−ｒｉｎｓｅ）温度で行った。水の硬度は、それぞれの場合に、０から２°ドイツ硬度の範囲にあった。洗浄は、それぞれの場合に、１００回の洗浄サイクルで行った、すなわち、プログラムは、１００回実行されるようにした。評価は、１００回の洗浄サイクル後に、質量測定及び目視で行った。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１４５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１４５】
線状腐食
Ｌ５：目に見える線はない
Ｌ４：非常に少数の部分における僅かな線の生成、細い線状の腐食
Ｌ３：少数の部分における線状腐食
Ｌ２：いくつかの部分における線状腐食
Ｌ１：ひどい線状腐食
ガラスの曇り
Ｔ５：目に見える曇りはない
Ｔ４：非常に少数の部分における僅かな曇り
Ｔ３：少数の部分における曇り
Ｔ２：いくつかの部分における曇り
Ｔ１：実質的に全てのガラス表面に渡るひどい曇り
評価の間、中間の等級（例えば、Ｌ３〜４）もまた許容された。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月15日(2017.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真の同時発生イベントと散乱イベントを含んでいるイベントデータを生成する陽電子放出断層撮影（ＰＥＴ）スキャナであり、前記イベントデータは、応答系統（ＬＯＲ）のそれぞれのエンドポイントとそれぞれのエンドポイントのエネルギを含む、陽電子放出断層撮影スキャナと、
一つまたはそれ以上のプロセッサであり、
前記真の同時発生イベントに基づいて、複数の活動マップと減衰マップのペアを生成し、かつ、
前記散乱イベントに基づいて、前記複数の活動と減衰マップのペアから一つの活動マップと一つの減衰マップを選択する、
ようにプログラムされているプロセッサと、
を含む、画像システム。
【請求項２】
真の同時発生イベントと散乱イベントを含んでいるイベントデータを生成するように構成されている陽電子放出断層撮影（ＰＥＴ）スキャナであり、前記イベントデータは、応答系統（ＬＯＲ）のそれぞれのエンドポイントとそれぞれのエンドポイントのエネルギを含む、陽電子放出断層撮影スキャナと、
一つまたはそれ以上のプロセッサであり、
前記真の同時発生イベントに基づいて、複数の活動マップと減衰マップのペアを生成し、
前記活動と減衰マップのペアのそれぞれに基づいて、少なくとも前記散乱イベントの分布をシミュレーションし、かつ、
散乱イベントの前記シミュレーションされた分布と記録された散乱イベントから構成された散乱イベントの記録された分布との間の比較に基づいて、前記活動と減衰マップのペアを選択する、
ようにプログラムされているプロセッサと、
を含む、画像システム。
【請求項３】
前記一つまたはそれ以上のプロセッサは、さらに、
前記エンドポイントの位置に基づいて、散乱イベントの分布を減衰コンポーネントへと分割する、ようにプログラムされている、
請求項２に記載の画像システム。
【請求項４】
前記一つまたはそれ以上のプロセッサは、さらに、
前記真の同時発生イベントと前記選択された減衰マップに基づいて、画像を再構成する、ようにプログラムされている、
請求項２に記載の画像システム。
【請求項５】
前記一つまたはそれ以上のプロセッサは、さらに、
前記選択された活動マップに基づいて、画像を再構成する、ようにプログラムされている、
請求項１に記載の画像システム。
【請求項６】
前記複数の活動マップと減衰マップのペアは、類似の分布である、
請求項１に記載の画像システム。
【請求項７】
前記分割は、活動の点光源としてのボクセルを含んでいる、
請求項３に記載の画像システム。
【請求項８】
前記散乱イベントの分布は、計算された偏向角度を含んでいる、
請求項２に記載の画像システム。
【請求項９】
前記散乱イベントの分布は、偏向角度のオフセットの発生頻度を含んでいる、
請求項２に記載の画像システム。
【請求項１０】
散乱イベントは、１９０ｋｅＶと５０９ｋｅＶとの間のエネルギを含んでおり、応答系統（ＬＯＲ）の偏向は、４．２°以上である、
請求項１に記載の画像システム。
【請求項１１】
真の同時発生イベントと散乱イベントを含んでいるイベントデータを受け取るステップであり、前記イベントデータは、応答系統（ＬＯＲ）のそれぞれのエンドポイントとそれぞれのエンドポイントのエネルギを含む、ステップと、
前記真の同時発生イベントに基づいて、複数の活動マップと減衰マップのペアを生成するステップと、
前記散乱イベントに基づいて、前記複数の活動と減衰マップのペアから一つの活動マップと一つの減衰マップを選択するステップと、
を含む、画像表示の方法。
【請求項１２】
前記方法は、さらに、
前記活動と減衰マップのペアのそれぞれに基づいて、少なくとも前記散乱イベントの分布をシミュレーションするステップと、
散乱イベントの前記シミュレーションされた分布と記録された散乱イベントから構成された散乱イベントの記録された分布との間の比較に基づいて、前記活動と減衰マップのペアを選択するステップと、を含む、
請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記方法は、さらに、
前記エンドポイントの位置に基づいて、散乱イベントの分布を減衰コンポーネントへと分割するステップと、を含む、
請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記方法は、さらに、
前記真の同時発生イベントと前記選択された減衰マップに基づいて、画像を再構成するステップと、を含む、
請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
前記方法は、さらに、
前記選択された活動マップに基づいて、画像を再構成するステップと、含む、
請求項１１に記載の方法。
【請求項１６】
前記複数の活動マップと減衰マップのペアは、類似の分布を含んでいる、
請求項１１に記載の方法。
【請求項１７】
散乱イベントの分布は、計算された偏向角度を含んでいる、
請求項１１に記載の方法。
【請求項１８】
請求項１２に記載の方法を実行するように、一つまたはそれ以上の電子データ処理デバイスをコントロールするソフトウェア、を運搬している固定のコンピュータで読取り可能なストレージ媒体。
【請求項１９】
請求項１１に記載の方法を実行するように構成された、電子データ処理デバイス。
【請求項２０】
複数の真の同時発生イベントと散乱された同時発生イベントを含んでいる陽電子放出断層撮影（ＰＥＴ）イベントデータのリストであり、前記散乱された同時発生イベントは、４．２°以上の転向角であり、前記イベントデータは、それぞれのイベントのエンドポイントとエネルギを含む、リストと、
一つまたはそれ以上のプロセッサであり、
散乱されたイベントそれぞれについて転向角を計算し、
前記計算された転向角を使用して、前記散乱されたイベントの分布をシミュレーションし、
前記散乱されたイベントの分布を減衰マップへと分解し、かつ、
減衰を補正するための前記減衰マップの使用に基づいて、前記真の同時発生イベントを画像へと再構成する、
ようにプログラムされているプロセッサと、
を含む、画像処理システム。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成29年8月7日(2017.8.7)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
ある特定の実施形態において、リコンビナーゼ認識部位は、ｌｏｘＰ部位、ｒｏｘ部位、またはｆｒｔ部位である。ある特定の実施形態において、ドナー配列は、１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、または１２個の中立突然変異を含む。ある特定の実施形態において、ドナー配列と標的配列との間の相同性は、５１〜９９％である。ある特定の実施形態において、ドナー配列と標的配列との間の相同性は、７８％である。ある特定の実施形態において、ドナーコンストラクトは、図４Ａまたは図４Ｂに示される配列を含む。ある特定の実施形態において、５’相同領域は少なくとも１．１ｋｂを含み、３’相同領域は少なくとも１ｋｂを含む。ある特定の実施形態において、標的遺伝子は、Ｌｒｐ５である。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４８】
５’相同領域は、５’リコンビナーゼ認識部位の５’または「上流」に位置し、そのヌクレオチド構成において標的配列を挟む核酸に対して相同性である。同様に、３’相同領域は、３’リコンビナーゼ認識部位の３’または「下流」に位置し、標的配列を挟む核酸に対して相同性である。１つの実施形態において、相同領域は３０ｂｐを超え、好ましくは数ｋｂの長さである。例えば、相同領域は、５０ｂｐ、１００ｂｐ、２００ｂｐ、３００ｂｐ、５００ｂｐ、８００ｂｐ、１ｋｂ、１．１ｋｂ、１．５ｋｂ、２ｋｂ、および５ｋｂの長さであり得る。ある特定の実施形態において、５’相同領域は１．１ｋｂを含み、３’相同領域は１ｋｂを含む。相同領域は、標的遺伝子の領域に対して相同性であってもよく、また、あるいはその代わりに、標的遺伝子の上流または下流の領域に対して相同性であってもよい。１つの実施形態において、相同領域は、標的配列の真横に隣接する染色体領に対して相同性である。例えば、５’相同領域の場合、相同領域は、標的配列の第１の（５’最末端）ヌクレオチドの真横に隣接する、その最も３’側のヌクレオチドを有する配列に対して相同性である。１つの実施形態において、相同領域は、染色体上の標的配列の真横に隣接しない染色体領域に対して相同性である。いくつかの実施形態において、５’および３’相同領域はそれぞれ、標的配列を挟む同族の核酸配列に対して９５〜１００％相同性である。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年12月5日(2016.12.5)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面上の液体中に懸濁された細胞成分を均質に分布させる方法であって、
ａ．上面を有する液体キャリアをテーブル上に位置決めすること、
ｂ．液体キャリアの上面の上方３５０μｍ〜１０００μｍの距離に分配バーを位置決めすること、
ｃ．中に細胞成分が懸濁された液体を、液体キャリアの上面に適用すること、及び
ｄ．分配バー、テーブル、及び液体キャリアのうちの一又は複数を動かすことにより、液体キャリアの上面の上の液体中に懸濁された細胞成分を均一に分布させること
を含み、
液体が分配バーに十分に付着することにより、液体キャリアの上面において液体の均一な運動及び分布が可能となる、方法。
【請求項２】
液体中の細胞成分が分離されている、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
液体中の細胞成分は、細胞学細針吸引、パパニコロウ検査、又は循環腫瘍細胞成分を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
液体キャリアの上面が、コーティング又は他の細胞保持特性を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
テーブル上に位置決めされた液体キャリアの表面は、その上に、少なくとも部分的に静電的に帯電した表面を有するか、或いは一又は複数の抗体及び／又は脂溶性分子のコーティングを有する、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
ａ．液体キャリアの表面上において液体が均質に分布した後で液体を除去することであって、細胞成分の均一層がキャリア表面上に保持される、除去するステップと、
ｂ．キャリア表面上に均一に細胞成分が保持されるように液体キャリアを乾燥させるステップと、
ｃ．液体キャリアを乾燥させた後で、その上に保持された細胞成分を固定又は染色するために、液体キャリアの上面に一又は複数のさらなる流体を適用するステップと
のうちの少なくとも一つのステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
液体中に懸濁された細胞成分は、検出対象となる少なくとも一つの亜群を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
液体キャリアは顕微鏡スライドである、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
液体キャリアは円形である、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
液体キャリアの上面の面積は少なくとも１００ｃｍ２であるか、１００ｃｍ２〜１０００ｃｍ２であるか、或いはＣＤ又はレコードの大きさである、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
表面上の液体中に懸濁された細胞成分を均質に分布させるための装置であって、
ａ．その上に液体キャリアを位置決めすることのできるテーブル、
ｂ．テーブル上に位置決めされた液体キャリアに、中に細胞成分が懸濁された液体を適用するための液体適用装置、
ｃ．液体キャリアの上方に、液体キャリアから離間させて配置された分配バー、及び
ｄ．液体キャリア表面全体に均一に液体を移動させるために、テーブル、分配バー、又はそれらの両方を、個別に又は同時に動かすことのできる駆動装置
を備え、
分配バー、液体キャリア、又はそれら両方は、駆動装置の係合中に液体キャリア表面から固定の距離を維持するための位置決め要素を有しており、距離は３５０μｍ〜１０００μｍである、装置。
【請求項１２】
液体キャリア上の液体が分配バーに付着する分配バーの断面は凸状である、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
液体キャリアは一又は複数の顕微鏡スライドを含む、請求項１１に記載の装置。
【請求項１４】
液体キャリアの断面は円形である、請求項１１に記載の装置。
【請求項１５】
液体適用装置は、分配バー内に、中央チャネルと、一又は複数の入口又は出口とを含む、請求項１１に記載の装置。
【請求項１６】
液体適用装置はピペットである、請求項１１に記載の装置。
【請求項１７】
テーブル上に位置決めされた液体キャリアの表面は、少なくとも部分的に静電的に帯電した表面を有するか、或いは一又は複数の抗体及び／又は脂溶性分子のコーティングを有する、請求項１１に記載の装置。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２９】
パパニコロウ検査の試料は、典型的に、スパチュラ、綿スワップ、又はブラシを用いて取得される。標本は、次いで特殊な液体防腐剤中に入れられる。結果として得られる細胞懸濁液は、次いで濾過又は沈降されて、薄層を調製するための顕微鏡スライドに移される。これにより往々にして細胞が失われる、及び／又は損傷を受ける。さらに常套的なパパニコロウ塗抹試験では、標本は試料採集装置を用いて直接顕微鏡スライドに移され、それにより、細胞可視性を得にくくする血液及び粘液に由来するもののようなデブリにより多くの場合覆われた、不規則で厚い層が生成される。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３０】
細胞学的細針吸引からの細胞塗抹標本の作製、及び顕微鏡スライド上でのパパニコロウ検査試料の作製に本方法が使用される場合、中間の液体層中における細胞の懸濁は、本明細書に記載される方法により、反応表面上に分配される。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成29年7月7日(2017.7.7)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
化学機械研磨パッドコンディショナであって、
複数の突出部が一体化されている前面を含む基材であって、前記複数の突出部は、前記前面に対して略垂直である前方方向に延びており、前記複数の突出部のそれぞれは、基材の床のレベルから延びる高さを有しており、前記突出部の高さは１２マイクロメートルよりも大きい、基材、
前記複数の突出部上のダイヤモンドの分散物であって、ダイヤモンドが１２マイクロメートル未満の平均直径寸法を有しているダイヤモンドの分散物、並びに
少なくとも前記複数の突出部及び前記ダイヤモンドの分散物を覆う多結晶ダイヤモンドのコーティング
を備えている、化学機械研磨パッドコンディショナ。
【請求項２】
前記複数の突出部のそれぞれは、上面に形成されたメサを有しており、前記メサのそれぞれは、３マイクロメートルよりも大きい二乗平均平方根の表面粗さを有している、請求項１に記載の化学機械研磨パッドコンディショナ。
【請求項３】
前記ダイヤモンドは、前記複数の突出部のメサのそれぞれに分散されている、請求項２に記載の化学機械研磨パッドコンディショナ。
【請求項４】
前記複数の突出部のそれぞれは、前記基材の床のレベルから延びる側面を有している、請求項２に記載の化学機械研磨パッドコンディショナ。
【請求項５】
前記複数の突出部のそれぞれの側面は、前記ダイヤモンドの分散物を略有していない、請求項４に記載の化学機械研磨パッドコンディショナ。
【請求項６】
前記複数の突出部のそれぞれは、最も高い最上のピークを有しており、各最も高い最上のピークは、他の突出部に対して繰り返し式ではないようにそれぞれの突出部に位置決めされている、請求項１に記載の化学機械研磨パッドコンディショナ。
【請求項７】
前記複数の突出部はマトリクス状の配置を有している、請求項１に記載の化学機械研磨パッドコンディショナ。
【請求項８】
前記複数の突出部は、或る密度を提供する繰り返しの離間パターンを有しており、前記密度は１平方ｍｍあたり０．５〜５つの突出部である、請求項１に記載の化学機械研磨パッドコンディショナ。
【請求項９】
前記ダイヤモンドは、６マイクロメートル未満の平均直径寸法を有している、請求項１に記載の化学機械研磨パッドコンディショナ。
【請求項１０】
前記複数の突出部は、第１の高さを有する突出部の一群、および異なる高さを有する突出部の一群を含んでいる、請求項１に記載の化学機械研磨パッドコンディショナ。
【請求項１１】
前記多結晶ダイヤモンドのコーティングの粗さは、０．１マイクロメートル〜２マイクロメートルである、請求項１に記載の化学機械研磨パッドコンディショナ。
【請求項１２】
前記ダイヤモンドのそれぞれは、１マイクロメートル〜１５マイクロメートルの範囲の直径を有している、請求項１に記載の化学機械研磨パッドコンディショナ。
【請求項１３】
前記多結晶ダイヤモンドのコーティングは、前記ダイヤモンドの平均直径の５０％〜１００％の範囲の厚さを有している、請求項１に記載の化学機械研磨パッドコンディショナ。
【請求項１４】
前記多結晶ダイヤモンドのコーティングは、０．１マイクロメートル〜２マイクロメートルの二乗平均平方根粗さを有している、請求項１に記載の化学機械研磨パッドコンディショナ。
【請求項１５】
前記基材及び前記突出部は炭化ケイ素材料を含んでいる、請求項１に記載の化学機械研磨パッドコンディショナ。
【請求項１６】
前記複数の突出部は支柱形状をなしている、請求項１〜１５のいずれか一項に記載の化学機械研磨パッドコンディショナ。
【請求項１７】
前記複数の突出部のそれぞれの側面は、前記基材の床のレベルに対して略垂直に延びている、請求項１６に記載の化学機械研磨パッドコンディショナ。
【請求項１８】
前記複数の突出部のそれぞれの側面は、粗面化されていない、請求項１６に記載の化学機械研磨パッドコンディショナ。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成29年10月6日(2017.10.6)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９７】
【表７】
2014506874.tif 000001
化合物１は主として３ｍＬの６０％ａｑＥｔＯＨで溶出したが、幾らかの化合物１は３ｍＬの５０％ａｑＥｔＯＨ及び３ｍＬの７０％ａｑＥｔＯＨでも観察された。８５％のビニルが３ｍＬの７０％ａｑＥｔＯＨで、最後の１５％が３ｍＬの８０％ａｑＥｔＯＨで溶出した。溶出前かつ５ｍＬの水での洗浄の後の５０％ａｑＥｔＯＨによる洗浄がヒドロキシの除去に効果的であることが示された。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１００
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１００】
【表８】
2014506874.tif 000002
ヒドロキシの除去は実施例５に記載した方法と比較して減少するが、化合物１の損失は少ないのが観察された。化合物１は主として３ｍＬの６５％ａｑＥｔＯＨ洗浄で溶出した。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１１０】
図１は、実施した試験の詳細、例えば初期活性、非補正合成終了時（ＵＥＯＳ）収率、放射能濃度（ＲＡＣ）、放射化学的純度（ＲＣＰ）、並びにＳＰＥプロセスで分離された各々の化合物（全てＳ−エナンチオマー化合物）の量を提供する。９５％を超えるＲＣＰ値が常に達成された。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】図面
【訂正対象項目名】図１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図１】
2014506874.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月15日(2017.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
身体内の奥深いアクセス入口の中に埋め込まれた神経組織を含む筋繊維を外科的に開創するための外科的装置であって、
ハンドル部分を含む近位端、及び身体内の組織を、前記組織のかなりの分断なしに操作するように構成される尖っていない開創先端具を有する遠位端を有する細長い開創器シャフトと、
前記細長い開創器シャフト上に配置され、かつ組織を照明するように構成される照明源と、
前記ハンドルに連結され、かつ前記照明源に動作可能に連結されるコネクタと、
前記開創先端具の上に配置され、かつ前記開創先端具によって操作される組織の少なくとも１つの生理学的パラメータを感知するように構成されるセンサーと、
信号処理装置と、
電源であって、電力が、前記電源から供給され、かつ前記信号処理装置へと供給され、前記信号処理装置が、前記コネクタを通じて、前記センサー及び前記照明源のうちの少なくとも１つに電力を供給する、電源と、を備え、
前記センサーによって監視されているパラメータが、予め設定した範囲外であるとき、前記信号処理装置が、前記照明源を起動させてユーザに警報を発するように構成され、
前記照明源、前記コネクタ、前記センサー、前記信号処理装置、及び前記電源がすべて、前記細長い開創器シャフト内に配置されている、装置。
【請求項２】
前記電源が、前記ハンドル部分内に配置されている、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記尖っていない開創先端具が、骨表面に適合するように構成される凹面を有する、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記細長い開創器シャフトが、その中に形成される少なくとも１つの屈曲部を有して非直線的であり、これにより、前記尖っていない開創先端具が、前記ハンドル部分の中心長手方向軸を横断する中心長手方向軸に沿って延在する、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記細長い開創器シャフトが、少なくともその一部分を通って延在する管腔を有する、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記コネクタが、前記管腔を通って延在する、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記照明源が、少なくとも部分的に前記管腔内に配置される、請求項５に記載の装置。
【請求項８】
前記細長い開創器シャフトが、少なくともその一部分を通って延在する管腔を有し、かつ前記センサーが、少なくとも部分的に前記管腔内に配置される、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記照明源が、前記開創先端具に近接して近位に配置される、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記照明源が、光ファイバー照明システムを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
前記照明源が、発光ダイオードを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
前記尖っていない開創先端具が骨内に係止されるように構成される、請求項１に記載の装置。
【請求項１３】
前記センサーが、温度、圧力、血中酸素濃度、神経伝導度、又はこれらの組合せから成る群から選択される少なくとも１つの生理学的パラメータを感知するように構成される、請求項１に記載の装置。
【請求項１４】
前記細長い開創シャフトの少なくとも一部分が可鍛性である、請求項１に記載の装置。
【請求項１５】
前記センサーが、前記細長い開創器シャフトの外面に積層される、請求項１に記載の装置。
【請求項１６】
外科用キットであって、
近位端と、遠位端と、前記遠位端の周囲の区域を照明するための照明源と、を有する少なくとも１つの開創器であって、前記遠位端が、尖っていない切開先端具と、身体組織の少なくとも１つの生理学的パラメータを監視するための、前記尖っていない切開先端具の上に配置されるセンサーとを有し、
前記少なくとも１つの開創器が、信号処理装置及び電源を更に含み、電力が、前記電源から供給され、かつ前記信号処理装置へと供給され、前記信号処理装置が、コネクタを通じて、前記センサー及び前記照明源のうちの少なくとも１つに電力を供給し、
前記照明源、前記コネクタ、前記センサー、前記信号処理装置、及び前記電源がすべて、前記少なくとも１つの開創器内に配置されている、開創器と、
前記少なくとも１つの開創器の前記尖っていない切開先端具の上に配置されるように構成される少なくとも１つのモジュール式の先端具と、
前記開創器が身体内に配置されるときに、前記開創器の前記近位端において前記開創器を支持するように構成される少なくとも１つの支持リングと、を備え、
前記センサーによって監視されているパラメータが、予め設定した範囲外であるとき、前記信号処理装置が、前記照明源を起動させてユーザに警報を発するように構成されている、キット。
【請求項１７】
前記照明源が、色を閃光させる、点滅させる、消す、又は変化させることによって、ユーザに警報を発するように構成されている、請求項１に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月22日(2017.5.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上方に設けられ、１つ以上の電極を有するＭＥＭＳデバイスと、
１つ以上の電極のうち少なくとも１つと接続した第１ポリ抵抗器と、
第１ポリ抵抗器を包囲するｎ井戸と、
ｎ井戸と接続したＲＦグランドシールドとを備える、ＭＥＭＳ  ＤＶＣ。
【請求項２】
第１ポリ抵抗器は、波形コントローラと接続している請求項１記載のＭＥＭＳ  ＤＶＣ。
【請求項３】
第１ポリ抵抗器は、ＭＥＭＳデバイスの第１電極と接続している請求項２記載のＭＥＭＳ  ＤＶＣ。
【請求項４】
ＭＥＭＳデバイスの第２電極と接続している第２ポリ抵抗器をさらに備える請求項１記載のＭＥＭＳ  ＤＶＣ。
【請求項５】
ｎ井戸は、第１ポリ抵抗器および第２ポリ抵抗器の両方を包囲し、あるいは、
ｎ井戸は、第１ポリ抵抗器を包囲する第１ｎ井戸と、第２ポリ抵抗器を包囲する第２ｎ井戸とを含む、請求項４記載のＭＥＭＳ  ＤＶＣ。
【請求項６】
第２ポリ抵抗器は、波形コントローラと接続している請求項５記載のＭＥＭＳ  ＤＶＣ。
【請求項７】
ｎ井戸は、第１ポリ抵抗器および第２ポリ抵抗器の両方を包囲し、
ＭＥＭＳ  ＤＶＣはさらに、ｎ井戸とは区別されるが、これと接続している表面注入領域を備え、
表面注入領域は、第１ポリ抵抗器と第２ポリ抵抗器との間に延びている請求項６記載のＭＥＭＳ  ＤＶＣ。
【請求項８】
ＲＦグランドシールドは、第１ポリ抵抗器とＭＥＭＳデバイスとの間に設けられる請求項１記載のＭＥＭＳ  ＤＶＣ。
【請求項９】
ｎ井戸は、
ＲＦグランドシールドと接続したｎ井戸コンタクトと、
第１ポリ抵抗器の下方に、基板内に埋め込まれたｎ井戸と、
ｎ井戸と第１ポリ抵抗器との間で接続されたＮ＋接続部とを含む、請求項１記載のＭＥＭＳ  ＤＶＣ。
【請求項１０】
ＭＥＭＳデバイスの第２電極と接続された第２ポリ抵抗器をさらに備える請求項９記載のＭＥＭＳ  ＤＶＣ。
【請求項１１】
ｎ井戸は、第１ポリ抵抗器および第２ポリ抵抗器の両方を包囲し、あるいは、
ｎ井戸は、第１ポリ抵抗器を包囲する第１ｎ井戸と、第２ポリ抵抗器を包囲する第２ｎ井戸とを含む、請求項１０記載のＭＥＭＳ  ＤＶＣ。
【請求項１２】
ｎ井戸は、第１ポリ抵抗器および第２ポリ抵抗器の両方を包囲し、
ＭＥＭＳ  ＤＶＣはさらに、ｎ井戸とは区別されるが、これと接続している表面注入領域を備え、
表面注入領域は、第１ポリ抵抗器と第２ポリ抵抗器との間に延びている請求項１１記載のＭＥＭＳ  ＤＶＣ。
【請求項１３】
第１ポリ抵抗器は、第１端部および第２端部を有し、
第１端部は、ＭＥＭＳデバイスの電極と接続される請求項１２記載のＭＥＭＳ  ＤＶＣ。
【請求項１４】
第２ポリ抵抗器は、第１端部および第２端部を有し、
第１端部は、ＭＥＭＳデバイスの他の電極と接続される請求項１３記載のＭＥＭＳ  ＤＶＣ。
【請求項１５】
第１ポリ抵抗器は、波形コントローラと接続している請求項１４記載のＭＥＭＳ  ＤＶＣ。
【請求項１６】
第２ポリ抵抗器は、波形コントローラと接続している請求項１５記載のＭＥＭＳ  ＤＶＣ。
【請求項１７】
基板と、
基板の上方に設けられ、ＲＦ電極、および１つ以上の他の電極を有するＭＥＭＳデバイスと、
基板とＭＥＭＳデバイスとの間に設けられ、ＭＥＭＳデバイスと接続したポリ抵抗器と、
ＭＥＭＳデバイスとポリ抵抗器との間に設けられたＲＦグランドシールドと、
基板とポリ抵抗器との間に設けられ、ＲＦグランドシールドと接続したｐ井戸コンタクトと、
ｐ井戸コンタクトと接続し、基板とポリ抵抗器との間に設けられた、絶縁されたｐ井戸であって、ｐ井戸コンタクトおよび絶縁されたｐ井戸はポリ抵抗器を包囲する、絶縁されたｐ井戸と、
基板とポリ抵抗器との間に設けられ、ＲＦグランドシールドと接続したｎ井戸コンタクトと、
ｎ井戸コンタクトと接続し、基板と絶縁ｐ井戸との間に設けられたｎ井戸であって、ｎ井戸コンタクトおよびｎ井戸は、ｐ井戸コンタクトおよび絶縁ｐ井戸を包囲する、ｎ井戸とを備える、ＭＥＭＳ  ＤＶＣ。
【請求項１８】
ポリ抵抗器と接続された波形コントローラをさらに備える請求項１７記載のＭＥＭＳ  ＤＶＣ。
【請求項１９】
ｎ井戸と接続され、絶縁されたｐ井戸の下方に設けられた深いｎ井戸をさらに備え、
深いｎ井戸およびｎ井戸は、ｐ井戸を基板から絶縁している請求項１８記載のＭＥＭＳ  ＤＶＣ。
【請求項２０】
ポリ抵抗器は、ＭＥＭＳデバイスの１つ以上の他の電極のうちの電極と接続される請求項１８記載のＭＥＭＳ  ＤＶＣ。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月16日(2017.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
作動中に気体媒体が通過する開口部２７を有するフレーム２６を備え、
前記開口部２７は、収納領域２８を形成し、
前記収納領域２８は、交換可能な、異なる複数のインサート、特にフィルターインサート２４およびフラップ装置２１の収納に適するように構成され、
前記収納領域２８は、前記複数のインサートのうちの対応するインサートを固定するための少なくとも１つの保持手段を有する、ファン１６用のファンホルダー。
【請求項２】
前記開口部２７は、前記フレーム２６内に前記複数のインサートのそれぞれを保持する複数の保持面２９によって横方向に区切られている、請求項１に記載のファンホルダー。
【請求項３】
前記収納領域２８は、保持装置を有し、
前記保持装置は、特に、少なくとも１つの弾性要素３０、または少なくとも１つの係止突部であって、各前記複数のインサートのうちの対応するインサートに保持力を与えるものである、請求項１または２に記載のファンホルダー。
【請求項４】
弾性要素３０は、前記収納領域２８の各角部３１にそれぞれ１つずつ配置されており、
複数の前記弾性要素は、前記複数の保持面２９を繋げる、請求項３に記載のファンホルダー。
【請求項５】
前記ファンホルダー、特に前記ファンホルダーの前記収納領域２８を外側方向に閉めることができる、分離可能なカバー１１が設けられている、請求項１〜４のいずれか一項に記載のファンホルダー。
【請求項６】
前記カバー１１は、ディフューザーの形態で設計されている前面格子１３を有し、
前記前面格子１３は、複数の貫通スロット４０、特にそれぞれが長円形の断面を有する貫通スロット４０を有する、請求項５に記載のファンホルダー。
【請求項７】
前記フレーム２６は、前記カバー１１をその上に配置することができる段部１９、特に全周に亘る段部１９を形成する、請求項５または６に記載のファンホルダー。
【請求項８】
請求項１に記載のファンホルダーと、フラップ装置２１と、フィルターインサート２４と、を備え、
前記フラップ装置２１および前記フィルターインサート２４は、前記ファンホルダー１０の同一の収納領域２８内に収納することができる、装置。
【請求項９】
請求項１〜７のいずれか一項に記載のファンホルダー１０と、ファン１６と、を備える、換気装置、特にスイッチキャビネット用換気装置。
【請求項１０】
前記ファン１６は、ファン通風筒１５を介して前記ファンホルダー１０に接続されている、請求項９に記載の換気装置。
【請求項１１】
前記ファンホルダーの前記収納領域２８に挿入することができ、また、少なくとも１つのフラップ２３、特に複数のフラップ２３を保持する、フラップフレーム３２を有する、請求項１〜７のいずれか一項に記載のファンホルダー１０用のフラップ装置２１。
【請求項１２】
前記複数のフラップ２３は、ファン１６の電源がオフの状態のときに閉じている、請求項１１に記載のフラップ装置。
【請求項１３】
前記複数のフラップ２３は、脱着が可能なようにフラップフレーム３２に接続されている、請求項１１または１２に記載のフラップ装置２１。
【請求項１４】
請求項１〜７のいずれか一項に記載のファンホルダーと、請求項１１〜１３のいずれか一項に記載のフラップ装置と、を備え、
前記貫通スロット４０の縦軸Ｌは、開いた状態における前記フラップ２３と実質的に平行に配向される、換気装置。
【請求項１５】
請求項９または１０に記載の換気装置を備え、
前記ファンホルダー１０は、当該スイッチキャビネットの上部半分、特に上部３分の１の部分に配置されている、スイッチキャビネット。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、前述の目的は、請求項８に記載の特徴を有する装置によっても達成される。当該装置は、本発明に係るファンホルダーと、フリップ装置と、フィルターインサートと、を備え、当該フラップ装置およびフィルターインサートは、ファンホルダーの同じ収納領域に収納することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、前述の目的は、請求項９に記載の特徴を有する換気装置によっても達成される。換気装置は、特にスイッチキャビネット内または上での使用のために機能し、また、本発明に係るファンホルダーと、ファンと、を備える。ファン通風筒を介してファンがファンホルダーに接続されている場合に、換気装置は特に効果的である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
前述の目的は、請求項１１に記載の特徴を有するフラップ装置によっても達成される。フラップ装置は、本発明に係るファンホルダーと共に使用されるために設けられ、また、ファンホルダーの収納領域に挿入することが可能なフラップフレームを備え、空気の流れを偏向させるために、フラップフレームを覆うカバーの少なくとも一部において少なくとも１つのフラップ、特に複数のフラップを保持する。フラップは、脱着が可能なようにフラップフレームに好適に接続されている。また、ファンホルダーは、スイッチキャビネットの上部半分、特に上部３分の１の部分に配置されるのが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
特に、図４に示されている実施形態における前面格子１３は、例えば雨が降っているときに、換気装置の内部、特にファンの中に雨水が入らないようにするディフューザーの形態で設計されている。というのも、このことは、ファン１６が停止しているときに、例えば、すきま風によって誘発される負圧、または機械の遮断によってフラップ２３が開き、その結果、スイッチキャビネット内部が開き、ファン１６が停止しているときに、塵や水等が入る恐れが生じるというリスクが存在するからである。ディフューザーは、関連規格、特に安全要件に関する関連規格を遵守し、また、空気の出口に理想的なフロー形状を有するように構成されている。図４に示されているように、この目的のために、前面格子１３は、複数の貫通スロット４０、特に楕円形または長円形の断面を有する。貫通スロット４０の縦軸Ｌは、（完全に）開いた状態でフラップ２３と実質的に平行に配向されるように、フラップ２３に対して配向されている（図４における線Ｌ’を参照）。このことによって、貫通スロット４０のフロー抵抗が最小限に抑えられる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2016521916.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成29年4月11日(2017.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電センサ（１）の製造方法であって、以下の段階：
−支持体（１０）上にセンサ層（２、４、５、１２、１９）の重ね合わせを形成する段階と、前記センサ層は第一電極（６、７）と第二電極（８、９）との間に含まれる圧電材料の層（５）を有しており、第一電極は第二電極と接触していない、次いで
−前記センサ層（２、４、５、１２、１９）は支持体（１０）によって依然として支持されていながら、第一のポリマー層（１１）によって前記センサ層を被覆する段階と、
−前記センサ層の重ね合わせから支持体（１０）の少なくとも一部を除去する段階と
を含み、
前記センサ層の重ね合わせが第一導電層（２）及び第二導電層（４）を含んでおり、第一導電層（２）及び第二導電層（４）はそれぞれ２つの部分を含んでおり、第一導電層の第一の部分（６）は第二導電層の第一の部分（７）と接触しており、第一導電層の第二の部分（８）は第二導電層の第二の部分（９）と接触しており、第一電極（６、７）は第一導電層の第一の部分と第二導電層の第一の部分とによって形成され、第二電極（８、９）は第一導電層の第二の部分と第二導電層の第二の部分とによって形成され、圧電材料の層（５）が少なくとも部分的に第一導電層と第二導電層との間に含まれることを特徴とする、製造方法。
【請求項２】
支持体の少なくとも一部の除去後に、センサ層（２、４、５、１２、１９）が第一のポリマー層（１１）と第二のポリマー層（２４）との間に被包されるように第二のポリマー層（２４）が形成されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
センサ層の重ね合わせから、支持体（１０）の全部を除去することを特徴とする、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記支持体（１０）が、温度２５℃及び絶対圧力０．９８６ａｔｍの標準的周囲条件下で１００ＧＰａより大きいヤング率を有する剛性支持体であることを特徴とする、先行する請求項のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記第一電極を第二電極に接続するアンテナであって、１周又は２周以上して閉じられたループを作るアンテナの形成をさらに含んでいることを特徴とする、先行する請求項のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記圧電層（５）が長手方向に伸長するビームの形態であり、そして該ビームはループの周囲からループの内側へ長手方向に伸長することを特徴とする、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記センサ層が、アンテナが第一電極又は第二電極に重ね合わせられる領域で、アンテナと第一電極との間に形成され及びアンテナと第二電極の間に形成される絶縁層を含むことを特徴とする、請求項５又は６に記載の方法。
【請求項８】
前記絶縁層が、温度２５℃及び絶対圧力０．９８６ａｔｍの標準的周囲条件下で１０３ｏｈｍ．ｃｍより大きい電気抵抗率を有する電気絶縁材料から製造されることを特徴とする、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記センサ層が、圧電層に重ね合わせられた補剛層（１２）をさらに含むことを特徴とする、先行する請求項のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記補剛層及び絶縁層が、同じ層堆積段階の間に同じ材料から形成されることを特徴とする、請求項７又は８に従属していると考えられる請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
センサ層（２、４、５、１２、１９）の全体の厚さが３ミクロン未満であることを特徴とする、先行する請求項のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
先行する請求項のいずれか一項に記載の製造方法によって得られるセンサ（１）。
【請求項１３】
請求項１〜１１のいずれか一項によって得られるセンサの使用方法であって、以下の段階：
−センサ（１）がヒト又は動物の身体に適用される段階、次いで
−幾つかの拍動の中で前記身体の各心拍について、該心拍が圧電層（５）を変形させて、電極（６、７；８、９）において電荷の変化を生じさせる段階、
−各々の電荷変化について、この電荷変化が検出される段階、及び
−これらの検出から身体の心拍数が差し引かれる段階
を含むことを特徴とする、使用方法。
【請求項１４】
請求項１〜１１のいずれか一項によって得られるセンサの使用方法であって、以下の段階：
−センサがヒト又は動物の身体に適用される段階、次いで
−励起エレクトロニクスによって電磁場が放出される段階、次いで
−センサ（１）の第一電極（６、7）に及び第二電極（８、９）に電気的に接続されたアンテナによって前記電磁場がピックアップされ、静止状態のセンサの共振周波数ｆ０に又はこの共振周波数ｆ０の倍音に等しい周波数ｆ１の電流をアンテナ内に発生させる段階、
−幾つかの拍動の中で前記身体の各心拍について、該心拍が圧電層（５）を変形させて、共振周波数の変化Ｄｆを生じさせる段階、
−共振周波数の各変化Ｄｆについて、周波数ｆ１＋Ｄｆで振動する信号が測定エレクトロニクスによって受信される段階、
−これらの検出から身体の心拍数が差し引かれる段階
を含むことを特徴とする、使用方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月21日(2017.3.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
図５Ｆは、環状コア部５０８を示す断面図である。図５Ｆに示す切断図は、環状コア部５０８の長さに沿って、そして、内部流体冷却材開口５２６と平行に切断された場合の様子を示す。図から分かるように、環状コア部５０８は、外部流体冷却材開口５１６と内部流体冷却材開口５２６との間に形成されている内部流体冷却材流路５３２を持つ。図５Ｇは、環状コア部５０８を示す別の断面図である。図５Ｇに示す断面図は、図５Ｆに示した図に対して９０度回転させた様子を示す。
【手続補正書】
【提出日】平成29年4月21日(2017.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ファームウェアトラステッドプラットフォームモジュール(fTPM)のためのエンドースメント鍵(EK)証明書をプロビジョニングするための方法であって、前記方法は、
ハードウェアトラステッドプラットフォーム(HWTP)から導出鍵(DK)を受信するステップであって、前記fTPMは前記HWTPに実装され、前記DKは前記HWTPにセキュアに記憶されたハードウェア鍵(HWK)から導出され、前記HWKは前記HWTPに固有のものであり、前記HWKは前記fTPMが利用可能ではない、ステップと、
前記DKに基づいてエンドースメントプライマリシード(EPS)を生成するステップと、
前記EPSのハッシュに基づいてハッシュ化エンドースメントプライマリシード(HEPS)を生成するステップと、
前記HEPSをプロビジョニング局に転送するステップと、
前記HEPSに対応する前記EK証明書を前記プロビジョニング局から受信するステップと
を含む方法。
【請求項２】
EKを備える公開鍵および秘密鍵を生成するステップであって、前記EK証明書が前記公開鍵を有する、ステップ、および、
前記fTPMのみが利用可能である前記HWTPのセキュアな不揮発性メモリに前記EK証明書を記憶するステップ
のうちの1つ又は複数をさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記プロビジョニング局がHEPSおよび対応するEK証明書のデータベースを有し、各HEPSおよび対応するEK証明書が1つのみの特定のfTPMに関連付けられる、請求項1に記載の方法。
【請求項４】
セキュアな施設においてエンドースメント鍵(EK)証明書およびハッシュ化エンドースメントプライマリシード(HEPS)を生成するための方法であって、前記EK証明書が、ハードウェアトラステッドプラットフォーム(HWTP)に固有のものであるハードウェア鍵(HWK)を有する特定のHWTPに関連付けられたファームウェアトラステッドプラットフォームモジュール(fTPM)のためのものであり、前記方法は、
前記HWTPのための暗号化導出鍵E[DK]を受信するステップであって、前記導出鍵(DK)は前記HWTPに固有のものである前記HWKから導出される、ステップと、
前記DKを生成するために前記セキュアな施設のための秘密鍵を使用して前記E[DK]を解読するステップと、
前記DKに基づいてエンドースメントプライマリシード(EPS)を生成するステップと、
前記EPSのハッシュに基づいて前記ハッシュ化エンドースメントプライマリシード(HEPS)を生成するステップと、
前記EPSに基づいてEKを生成するステップと、
前記EK証明書を生成するために前記EKの公開部分に署名するステップと、
データベース内で前記HEPSおよび前記EK証明書を関連付けるステップと
を含む方法。
【請求項５】
前記EPSのサイズが固定であり、前記EPSに基づいて前記EKを生成するために使用されるアルゴリズムに依存する、請求項4に記載の方法。
【請求項６】
前記データベースを、前記fTPMに前記EK証明書をプロビジョニングするための少なくとも1つの相手先商標製造業者(OEM)に送信するステップ
をさらに含む、請求項4に記載の方法。
【請求項７】
前記EKが公開鍵と秘密鍵とを備え、
前記EK証明書が前記公開鍵を含む、
請求項4に記載の方法。
【請求項８】
ハードウェアトラステッドプラットフォーム(HWTP)から導出鍵(DK)を受信するための手段であって、前記DKを前記受信するための手段は前記HWTPに実装され、前記DKは前記HWTPにセキュアに記憶されたハードウェア鍵(HWK)から導出され、前記HWKは前記HWTPに固有のものであり、前記HWKは前記DKを前記受信するための手段が利用可能ではない、手段と、
前記DKに基づいてエンドースメントプライマリシード(EPS)を生成するための手段と、
前記EPSのハッシュに基づいてハッシュ化エンドースメントプライマリシード(HEPS)を生成するための手段と、
前記HEPSをプロビジョニング局に転送するための手段と、
前記HEPSに対応するエンドースメント鍵(EK)証明書を前記プロビジョニング局から受信するための手段と
を備える局。
【請求項９】
EKを備える公開鍵および秘密鍵を生成するための手段であって、前記EK証明書が前記公開鍵を有し、確定関数がハッシュ関数を含む、手段
をさらに備える、請求項8に記載の局。
【請求項１０】
前記HWTPのセキュアな不揮発性メモリに前記EK証明書を記憶するための手段
をさらに備える、請求項8に記載の局。
【請求項１１】
特定のハードウェアトラステッドプラットフォーム(HWTP)のための暗号化導出鍵E[DK]を受信するための手段であって、前記導出鍵(DK)は前記HWTPに固有のものであるハードウェア鍵HWKから導出される、手段と、
前記DKを生成するためにセキュアな施設のための秘密鍵を使用して前記E[DK]を解読するための手段と、
前記DKに基づいてエンドースメントプライマリシード(EPS)を生成するための手段と、
前記EPSのハッシュに基づいてハッシュ化エンドースメントプライマリシード(HEPS)を生成するための手段と、
前記EPSに基づいてエンドースメント鍵(EK)を生成するための手段と、
EK証明書を生成するために前記EKの公開部分に署名するための手段であって、前記EK証明書が、前記固有のHWKを有する前記HWTPに関連付けられたファームウェアトラステッドプラットフォームモジュール(fTPM)のためのものである、手段と、
データベース内で前記HEPSおよび前記EK証明書を関連付けるための手段と
を備える局。
【請求項１２】
前記EPSのサイズが固定であり、前記EPSに基づいて前記EKを生成するために使用されるアルゴリズムに依存する、請求項11に記載の局。
【請求項１３】
前記データベースを、前記fTPMに前記EK証明書をプロビジョニングするための少なくとも1つの相手先商標製造業者(OEM)に送信するための手段
をさらに備える、請求項11に記載の局。
【請求項１４】
前記EKが公開鍵と秘密鍵とを備え、
前記EK証明書が前記公開鍵を含む、
請求項11に記載の局。
【請求項１５】
コンピュータに請求項1乃至7のいずれか１項に記載の方法を実行させるためのコードを備える非一時的コンピュータ可読記録媒体。