(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
設定された周期でクロックパルス発生手段で発生するクロックパルスに基づいて円形加速器における荷電粒子ビームの入射，加速及び出射のタイミングを制御する円形加速器の制御方法において、
前記クロックパルス発生手段から出力されたクロックパルスを入力するタイミング制御手段が、前記クロックパルスに基づいて、前段加速器制御手段，入射器制御手段，高周波加速空胴制御手段及び出射器制御手段にＯＮ信号またはＯＦＦ信号を出力し、
前記荷電粒子ビームを加速して前記円形加速器が前記荷電粒子ビームの出射可能な状態になったときに入力する前記クロックパルスに基づいて、前記タイミング制御手段が前記クロックパルス発生手段にＯＦＦ信号を出力して前記クロックパルスの発生を停止させ、
そのクロックパルス発生停止状態において照射対象の状態に基づいてビーム照射要求が前記クロックパルス発生手段に入力されたとき、前記荷電粒子ビームの出射可能な状態において前記クロックパルス発生手段が前記クロックパルスの発生を再開することを特徴とする円形加速器の制御方法。
【請求項２】
設定された周期で発生するクロックパルスに基づいて円形加速器における荷電粒子ビームの入射，加速及び出射のタイミングを制御する円形加速器の制御方法において、
前記クロックパルス発生手段から出力されたクロックパルスを入力するタイミング制御手段が、前記クロックパルスに基づいて、前段加速器制御手段，入射器制御手段，高周波加速空胴制御手段及び出射器制御手段にＯＮ信号またはＯＦＦ信号を出力し、
前記荷電粒子ビームを加速して前記円形加速器が前記荷電粒子ビームの出射可能な状態になったときに入力する前記クロックパルスに基づいて、前記タイミング制御手段が前記クロックパルス発生手段にＯＦＦ信号を出力して前記クロックパルスの発生を停止させ、
その第１クロックパルス発生停止状態において照射対象の状態に基づいて第１ビーム照射要求が前記クロックパルス発生手段に入力されたとき、前記荷電粒子ビームの出射可能状態において前記クロックパルス発生手段が前記クロックパルスの発生を再開し、
前記加速器が減速した後でかつ前記荷電粒子ビームの前記円形加速器への入射を行う前に入力された前記クロックパルスに基づいて、前記タイミング制御手段が前記クロックパルス発生手段にＯＦＦ信号を出力して前記クロックパルスの発生を停止させ、
前記加速器の減速後でかつ前記荷電粒子ビームの前記円形加速器への入射前におけるその第２クロックパルス発生停止状態において、照射対象の状態に基づいて第２ビーム入射要求が前記クロックパルス発生手段に入力されたときに前記クロックパルス発生手段が前記クロックパルスの発生を再開することを特徴とする円形加速器の制御方法。
【請求項３】
前記照射対象はがん患者の患部で、前記ビーム照射要求は前記患部が予め設定された位置にあるときに出されることを特徴とする請求項１及び２のいずれかに記載の円形加速器の制御方法。
【請求項４】
設定された周期でクロックパルスを出力するクロックパルス発生手段と、前記クロックパルス発生手段から出力されたクロックパルスに基づいて円形加速器における荷電粒子ビームの入射，加速及び出射のタイミングを制御するタイミング制御手段とを備えた円形加速器の制御装置において、
前記タイミング制御手段は、前記クロックパルスに基づいて、前段加速器制御手段，入射器制御手段，高周波加速空胴制御手段及び出射器制御手段にＯＮ信号またはＯＦＦ信号を出力し、前記荷電粒子ビームを加速して前記円形加速器が前記荷電粒子ビームの出射可能な状態になったときに前記クロックパルス発生手段からのクロックパルスの出力を停止させ、前記クロックパルス発生手段は、クロックパルス出力停止状態においてビーム照射要求が入力されたときに、前記荷電粒子ビームの出射可能な状態において前記クロックパルスの出力を再開することを特徴とする円形加速器の制御装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、入射した荷電粒子ビームを加速した後に出射する円形加速器の制御方法及び制御装置に係り、特に、クロックパルスに基づいて入射，加速及び出射を行う円形加速器の制御方法及び制御装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
荷電粒子ビームを入射し、その荷電粒子ビームを加速した後に出射する円形加速器の制御方法としては、パルス発生器から一定周期で出力されるクロックパルスに基づいて円形加速器における荷電粒子ビームの入射，加速，出射及び減速を制御する方法がある。
【０００３】
具体的には、円形加速器における荷電粒子ビームの入射，加速，出射及び減速を行うときに円形加速器を構成する電磁石や高周波加速空胴等の各装置に与えるべき指令値（例えば電流値）のパターンを、クロックパルスのパルス数に対応づけて予め記憶しておき、パルス発生器から発せられるクロックパルスのパルス数に基づいて各装置に対して予め記憶された指令値を与える。記憶された指令値は円形加速器の各装置に対して繰返し与えられ、円形加速器では入射，加速，出射及び減速が一定周期で繰返し行われる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
円形加速器から出射される荷電粒子ビームの用途は、がん患者の治療や食物の殺菌等様々であるが、どの場合でも照射対象の状態に応じた荷電粒子ビームの出射が望まれている。特に、荷電粒子ビームをがん治療に用いる場合には、患者の呼吸や心拍等によって患部の位置が変化することがあるため、患部が設定位置にあるときに荷電粒子ビームを出射するように円形加速器を制御しなければ、患部を正確に照射できない。すなわち、円形加速器における荷電粒子ビームの出射のタイミングを患部の位置変化に応じて調節できることが望ましい。
【０００５】
しかしながら上述の従来技術では、予め設定された指令値を一定周期で出力されるクロックパルスに応じて各装置に与えているため、荷電粒子ビームの入射，加速，出射及び減速が一定周期で行われ、円形加速器における出射のタイミングを調節することができない。
【０００６】
本発明の目的は、円形加速器における荷電粒子ビームの出射のタイミングを調節できる円形加速器の制御方法及び制御装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成する本発明の特徴は、設定された周期で発生するクロックパルスに基づいて円形加速器における荷電粒子ビームの入射，加速及び出射のタイミングを制御する円形加速器の制御方法において、前記荷電粒子ビームを加速して前記円形加速器が前記荷電粒子ビームの出射可能な状態になったときに前記クロックパルスの発生を停止し、そのクロックパルス発生停止状態において照射対象の状態に基づいてビーム照射要求が出されたとき、前記荷電粒子ビームの出射可能な状態において前記クロックパルスの発生を再開することにある。
【０００８】
荷電粒子ビームの加速を加速して前記円形加速器が前記荷電粒子ビームの出射可能な状態になったときにクロックパルスの発生を停止し、そのクロックパルス発生停止状態においてビーム照射要求が出されたとき、荷電粒子ビームの出射可能な状態においてクロックパルスの発生を再開するので、ビーム照射要求を出すタイミングによってクロックパルスの発生再開のタイミングを調節でき、よって、クロックパルスに基づいて制御される荷電粒子ビームの出射のタイミングを制御することができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
【００１０】
図２は、本発明の好適な一実施例である円形加速器システムの構成を示す。なお、本実施例の円形加速器システムは、イオンビーム（以下、ビームという）を加速する円形加速器としてシンクロトロンを用い、シンクロトロンにおいて加速されたビームをがん患者の患部（照射対象）に照射してがん治療を行う円形加速器システムである。
【００１１】
以下、ビームを患者の患部に照射するまでの円形加速器システムの動作について説明する。図２において、まず制御装置１が、ビーム利用室１１からのビーム入射要求信号に応じて、前段加速器２に対しビーム出射指令を出力する。ビーム出射指令が入力された前段加速器２はイオンを発生し、ビームを出射する。また、制御装置１は、前段加速器２に対してビーム出射指令を与えるのと同時に、シンクロトロン３の入射器４に対してビーム入射指令を与え、更に、前段加速器２から出射されるビームを偏向電磁石５で偏向するために必要とされる電流の値を、偏向電磁石５の電源（電磁石電源１２）に対して電流指令値として出力する。前段加速器２から出射されたビームは、ビーム入射指令が与えられた入射器４によりシンクロトロン３に入射される。シンクロトロン３において、偏向電磁石５には制御装置１から電磁石電源１２に指示された値の電流が電磁石電源１２より供給され、シンクロトロン３に入射したビームは、偏向電磁石５が発生する磁場により偏向されて真空容器６内を周回する。なお、真空容器６内は、真空排気装置７により真空に保たれる。
【００１２】
次に、制御装置１から高周波加速空胴８に対してビームに印加する電圧の指令値が出力される。高周波加速空胴８は、制御装置１から与えられた指令値に基づいて周回するビームに電圧を印加し、電圧が印加されたビームはバンチ化されて加速可能な状態となる。これを捕獲と呼ぶ。続いて、制御装置１によって、高周波加速空胴８からビームに印加する電圧の振幅，周波数及び位相を制御して、ビームのエネルギーを増大させる。これを加速と呼ぶ。なお、ビームを加速するときには、ビームの軌道が真空容器６から外れないように、ビームのエネルギーの増大に合わせて偏向電磁石５の磁場強度を増大させていく。この偏向電磁石５における磁場強度の増大は、制御装置１から電磁石電源１２に与える電流指令値を増加することにより行われる。
【００１３】
ビームのエネルギーが患者の患部に照射するのに必要とされる目標エネルギーに達したら、高周波加速空胴８からビームに印加する電圧の振幅，周波数及び位相を制御装置１により制御して、ビームのエネルギーを目標エネルギーに保つ。すなわちビームの加速を終了する。加速が終了してビーム利用室１１からビーム出射要求信号が出力されたら、制御装置１は出射器９に対してビーム出射指令を与え、ビーム出射指令が入力された出射器９はシンクロトロン３からビームを出射する。また、制御装置１は、出射器９にビーム出射指令を与えるのと同時に、シンクロトロン３から出射されるビームを輸送するのに輸送系電磁石１０で必要とされる電流の指令値を輸送系電磁石１０の電源（電磁石電源１３）に対して出力する。電流指令値が入力された電磁石電源１３は、電流指令値に応じた電流を輸送系電磁石１０に出力し、電流が与えられた輸送系電磁石１０は、その電流に応じた磁場を発生する。シンクロトロン３から出射されたビームは、輸送系電磁石１０が発生する磁場によりビーム利用室１１に輸送され、ビーム利用室１１において患者の患部に照射される。
【００１４】
以上説明したように、制御装置１により前段加速器２やシンクロトロン３等を制御して、ビームを患者の患部に対して照射する。
【００１５】
次に、制御装置１による各装置の制御について、より詳細に説明する。
【００１６】
図３は、本実施例の制御装置１の構成を示す。図３において、クロックパルス発生部１０１は予め設定された周期（一定）でクロックパルスを出力する。クロックパルス発生部１０１から出力されたクロックパルスは、電磁石電源制御部１０２及びタイミング制御部１０３に入力される。
【００１７】
電磁石電源制御部１０２は、クロックパルス発生部１０１からクロックパルスが入力されると、制御パターン記憶部１０４に記憶されている情報に基づいて電磁石電源１２，１３に対し電流指令値を出力する。制御パターン記憶部１０４に記憶されている情報の例を図４に示す。図４に示すように、制御パターン記憶部１０４には、クロックパルスのＮｏ．に対応して電磁石電源１２，１３に対する電流指令値が記憶されている。なお、クロックパルスには、クロックパルス発生部１０１から出力される際にＮｏ．情報が付される。
【００１８】
一方、タイミング制御部１０３は、クロックパルス発生部１０１からクロックパルスが入力されると、制御パターン記憶部１０５に記憶されている情報に基づいて、前段加速器制御部１０６，入射器制御部１０７，高周波加速空胴制御部１０８及び出射器制御部１０９に対してＯＮ・ＯＦＦ信号を出力する。制御パターン記憶部１０５に記憶されている情報の例を図５に示す。図５に示すように、制御パターン記憶部１０５には、クロックパルスのＮｏ．に対応して各制御部に出力するＯＮ・ＯＦＦ信号が記憶されている。タイミング制御部１０３からＯＮ・ＯＦＦ信号が与えられる前段加速器制御部１０６，入射器制御部１０７，高周波加速空胴制御部１０８及び出射器制御部１０９は、それぞれ前段加速器２，入射器４，高周波加速空胴８及び出射器９を制御する。
【００１９】
図１は、本実施例の制御装置１における各信号を示す。クロックパルス発生部１０１から図１（ａ）に示すクロックパルスが出力されて、タイミング制御部１０３にクロックパルスＮｏ．１が入力されると、タイミング制御部１０３は制御パターン記憶部１０５に記憶された情報に基づいて、クロックパルス発生部１０１に対し図１（ｂ）に示されるようにＯＦＦ信号を出力する。ＯＦＦ信号が入力されたクロックパルス発生部１０１は、図１（ａ）に示すように、クロックパルスの発生を停止する。
【００２０】
クロックパルスの発生停止状態において、ビーム利用室１１から図１（ｃ）に示すビーム入射要求信号がクロックパルス発生部１０１に入力されると、クロックパルス発生部１０１は図１（ａ）に示すようにクロックパルスの出力を再開する。本実施例の場合、患部の位置が予め設定された第１設定位置になったときに、ビーム利用室１１からビーム入射要求信号が出力される。なお、ビーム利用室１１には患部の位置を検出するための位置検出装置（図示せず）が設けられ、その検出結果に応じてビーム入射要求信号が出力される。
【００２１】
タイミング制御部１０３は、クロック発生部１０１からクロックパルスが再び出力され始めて１つ目のクロックパルス、すなわちクロックパルスＮｏ．２が入力されると、前段加速器制御部１０６及び入射器制御部１０７に対して図１（ｄ）に示すようにＯＮ信号を出力する。ＯＮ信号が入力された前段加速器制御部１０６は、前段加速器２にビーム出射指令を出力する。一方、入射器制御部１０７は、ＯＮ信号が入力されると、入射器４に対してビーム入射指令を出力する。また、電磁石電源制御部１０２は、クロックパルスＮｏ．２が入力されると、電磁石電源１２に対して電流指令値を出力する。電磁石電源１２は、与えられた電流指令値に応じた電流を偏向電磁石５に出力する。図２において説明したように、制御装置１から前段加速器２にビーム出射指令を与えると前段加速器２からビームが出射され、出射されたビームはビーム入射指令が入力された入射器４によりシンクロトロン３に入射される。更に、シンクロトロン３に入射されたビームは、電磁石電源１２から電流が供給される偏向電磁石５により偏向されて真空容器６内を周回させられる。
【００２２】
クロックパルス発生部１０１からは一定周期でクロックパルスが出力され、タイミング制御部１０３は、クロックパルスＮｏ．４が入力された時点で、前段加速器制御部１０６及び入射器制御部１０７に対して図１（ｄ）に示すようにＯＦＦ信号を出力する。つまり、シンクロトロン３へのビームの入射を終了する。なお、本実施例では、シンクロトロン３におけるビームの入射を開始してから３つ目のクロックパルスが発生した時点でビームの入射を終了しているが、このクロックパルスの数は３つに限られるものではなく、ビームの入射が終了するのに十分な時間が与えられれば良い。ビームの入射を行うのに要するクロックパルスの数は、クロックパルスが発生する時間間隔やビームの入射に要する時間に応じて変化する。
【００２３】
タイミング制御部１０３は、制御パターン記憶部１０５に記憶された情報に基づいて、クロックパルスＮｏ．５が入力されたときに高周波加速空胴制御部１０８に対して図１（ｅ）に示すようなＯＮ信号を出力する。ＯＮ信号が入力された高周波加速空胴制御部１０８は、ビームに印加する電圧の指令値を高周波加速空胴８に対して出力する。更に、パルス発生部１０１からクロックパルスＮｏ．６〜８が出力される度に、タイミング制御部１０３は高周波加速空胴制御部１０８に対して図１（ｅ）に示すようにＯＮ信号を出力する。高周波加速空胴制御部１０８は、ＯＮ信号が入力される度に、高周波加速空胴８に出力する電圧の指令値を変化させることにより、高周波加速空胴８からビームに印加する電圧の振幅，周波数及び位相をビームが加速されるように変化させる。なお、本実施例ではＮｏ．５〜８の４つのクロックパルスが発生するのに要する時間をビームの加速に用いているが、このクロックパルスの数は、予め求められた加速に要する時間を満足するように設定される。
【００２４】
電磁石電源制御部１０２は、クロックパルスＮｏ．５が入力されたら電磁石電源１２に与える電流指令値を図１（ｆ）に示すように増加する。電磁石電源１２は、増加した電流指令値に応じて偏向電磁石５に供給する電流を増加させる。また、パルス発生部１０１からクロックパルスＮｏ．６〜８が出力される度に、電磁石電源制御部１０２は電磁石電源１２に与える電流指令値を図１（ｆ）に示すように増加していくので、電磁石電源１２から出力される電流も増加する。よって、ビームの加速に応じて偏向電磁石５において発生する磁場が増加し、シンクロトロン３において真空容器６内をビームが安定に周回する。
【００２５】
タイミング制御部１０３は、クロックパルスＮｏ．８が入力されると、クロックパルス発生部１０１に対して図１（ｂ）に示すようにＯＦＦ信号を出力する。
【００２６】
ＯＦＦ信号が入力されたクロックパルス発生部１０１は、クロックパルスの出力を停止する。
【００２７】
クロックパルス停止状態において、ビーム利用室１１から図１（ｇ）に示すようなビーム出射要求信号（すなわち、ビーム照射要求信号）が出力されると、クロックパルス発生部１０１はクロックパルスの出力を再開する。本実施例の場合、患部の位置が予め設定された第２設定位置になったときに、ビーム利用室１１からビーム出射要求信号が出力される。タイミング制御部１０３は、クロックパルスの出力が再開されて最初のクロックパルス（Ｎｏ．９）が入力されると、出射器制御部１０９に対して図１（ｈ）に示すようにＯＮ信号を出力する。ＯＮ信号が入力された出射器制御部１０９は、出射器９に対してビーム出射指令を出力する。ビーム出射指令が入力された出射器９は、周回するビームをシンクロトロン３から出射する。
【００２８】
一方、電磁石電源制御部１０２は、クロックパルスの出力が再開されて最初のクロックパルス（Ｎｏ．９）が入力されると、電磁石電源１３に対して電流指令値を出力する。電磁石電源１３は、入力された電流指令値に応じた電流を輸送系電磁石１０に供給し、電流が供給された輸送系電磁石１０はシンクロトロン３から出射されるビームをビーム利用室１１に輸送する。
【００２９】
クロックパルス発生部１０１からクロックパルスＮｏ．１３が出力されると、タイミング制御部１０３は出射器制御部１０９にＯＦＦ信号を出力し、ＯＦＦ信号が入力された出射器制御部１０９は出射器９に対するビーム出射指令の出力を停止する。つまり、シンクロトロン３におけるビームの出射を停止する。なお、本実施例では、クロックパルスＮｏ．９〜１３の５つのクロックパルスが発生する間にビームの出射を行っているが、このクロックパルスの数は５つに限られるものではなく、ビームの出射を行うのに十分な時間が与えられれば良い。
【００３０】
電磁石電源制御部１０２は、クロックパルスＮｏ．１３が入力されると、電磁石電源１３への電流指令値の出力を停止すると共に、電磁石電源１２に与える電流指令値を図１（ｆ）に示すように減少させ始める。電磁石電源１２に与える電流指令値の減少は、Ｎｏ．１６のクロックパルスが入力されるまで行われる。
【００３１】
このようにして、シンクロトロン３におけるビームの入射，加速，出射及び減速を行った後、クロックパルスＮｏ．１９が出力されたら、再びクロックパルスＮｏ．１に戻って、シンクロトロン３におけるビームの入射，加速，出射及び減速を繰り返す。
【００３２】
以上説明したように、本実施例では、クロックパルスＮｏ．１が出力された時点でクロックパルス発生部１０１におけるクロックパルスの発生を停止し、クロックパルスの発生停止状態においてビーム入射要求信号がビーム利用室１１から出力されたときにビームの入射を行う。すなわち、シンクロトロン３を待機状態に保ち、ビーム利用室１１から要求があったときにビームの入射を行う。また、本実施例では、クロックパルスＮｏ．８が出力された時点でクロックパルス発生部１０１におけるクロックパルスの発生を停止し、クロックパルスの発生停止状態においてビーム出射要求信号がビーム利用室１１から出力されたときにビームの出射を行う。すなわち、シンクロトロン３を待機状態に保ち、ビーム利用室１１から要求があったときにビームの出射を行う。
【００３３】
このように、ビーム利用室１１からの要求に応じて任意のタイミングでシンクロトロン３からビームを出射するため、患部が予め定めた設定位置にあるときにビームの出射を行うことができる。よって、患部に対して正確にビームを照射することができる。例えば、患者が息を吐き終えたときには患部の位置が安定するので、その時の患部の位置を本実施例における第２設定位置とし、患部が第２設定位置にあるときにビームをシンクロトロン３から出射することで、患部に対して正確にビームを照射できる。また、ビーム利用室１１からの要求に応じて任意のタイミングでシンクロトロン３へのビームの入射を行うため、シンクロトロン３がビームを出射可能な状態となるタイミングを調節できる。つまり、ビームの加速に要する時間は予め知ることができるので、その加速に要する時間を考慮して第１設定位置（入射のタイミング）を設定することにより、患部が第２設定位置にあるときにビームを出射可能な状態となるようシンクロトロン３を確実に制御できる。例えば、患者が息を吸ったときの患部の位置を本実施例における第１設定位置に設定することにより、患者が息を吐いたとき、つまり患部が第２設定位置にあるときにシンクロトロン３がビームを出射可能な状態になるよう制御できる。
【００３４】
また、本実施例では、シンクロトロン３におけるビームの出射をクロックパルスＮｏ．９〜１３が発生している間に行ってるが、ビーム利用室１１からの要求により出射を停止することもできる。例えば、必要とされる線量を照射し終えたときや患部の位置が設定位置からずれたとき等に、シンクロトロン３にビームが残っている場合でもビーム利用室１１からの要求によりビームの出射を停止する。具体的には、ビーム利用室１１からビーム出射停止要求が出力されたら、クロックパルス発生部１０１からクロックパルスＮｏ．１３を出力すればよい。これにより、より正確に患部にビームを照射できる。また、ビームの無駄な照射をなくすことにより、機器の放射化を抑制でき、更に電力を節約することができる。
【００３５】
更に、本実施例では、各装置を動作させるタイミングをクロックパルスのＮｏ．に基づいて制御しているが、クロックパルスを計数する計数装置を設け、クロックパルスの計数値に応じて各装置の動作タイミングを制御してもよい。計数装置を用いる場合は、シンクロトロン３を待機状態にするときにクロックパルス発生部からのクロックパルスの発生を停止させる代りに、計数装置における計数を停止させても同様の制御を行える。また、各装置を動作させるタイミングをクロックパルスのＮｏ．に基づいて制御する代りに、ビーム入射要求信号のようにシンクロトロン３の運転周期に同期した信号からの遅延時間で各装置の動作タイミングを設定しても良い。
【００３６】
なお、本実施例において、シンクロトロン３からのビームの出射には、周回中のビームに高周波電磁場を印加することによりビームのベータトロン振動振幅を増加させた後、振動振幅が増加したビームに共鳴を発生させて出射する方法を適用するのが望ましい。この出射方法によれば、ビーム出射のＯＮ・ＯＦＦが短時間で確実に行えるため、患部をより正確に照射できる。
【００３７】
また、本実施例では、ビームをがん治療に用いる場合について説明したが、本発明はがん治療に限られるものではなく、照射対象の状況に応じた照射要求によりビーム出射のタイミングを制御する必要がある用途であれば適用できる。
【００３８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、荷電粒子ビームの出射のタイミングを制御することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図２の制御装置１における各信号を示す図である。
【図２】本発明の好適な一実施例である円形加速器システムの構成図である。
【図３】図２の制御装置１の構成図である。
【図４】図３の制御パターン記憶部１０４に記憶された情報の例を示す図である。
【図５】図３の制御パターン記憶部１０５に記憶された情報の例を示す図である。
【符号の説明】
１…制御装置、２…前段加速器、３…シンクロトロン、４…入射器、５…偏向電磁石、６…真空容器、７…真空排気装置、８…高周波加速空胴、９…出射器、１０…輸送系電磁石、１１…ビーム利用室、１２，１３…電磁石電源。
【図１】
0003602985.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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