(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
計算機上で検証対象回路と等価なモデルを構築するとともに、前記検証対象回路に入力される入力テスト信号を計算機上で前記モデルに等価的に入力することによって、前記モデルを前記計算機上で動作させ、そのことによって前記検証対象回路の動作を模擬するシミュレーション実行手段と、
前記シミュレーション実行手段によって前記検証対象回路が模擬的に動作する過程の中で、当該検証対象回路の各部の消費電流に関連する信号を抽出する回路動作抽出手段と、
前記回路動作抽出手段で抽出された信号にもとづいて前記検証対象回路全体にわたる消費電流の総和である総消費電流を算出するとともに保存する総消費電流算出手段と、
前記総消費電流算出手段に保存される総消費電流の履歴にもとづいて、前記検証対象回路の温度を算出する温度算出手段と、
前記温度算出手段で算出された前記検証対象回路の温度を、前記検証対象回路の許容温度と比較し、前記検証対象回路の温度が前記許容温度以下であるか否かを判断する温度比較手段と、
前記温度比較手段による判断の結果を出力する出力手段と、
前記総消費電流算出手段に保存される総消費電流の現在時刻からチェック時間だけ遡った時刻までの期間にわたる平均値として平均電流を算出する平均電流算出手段と、
を備え、
前記チェック時間は前記検証対象回路の熱特性に基づいて決定され、
前記温度算出手段が、前記平均電流、前記検査対象回路に印加される電源電圧、および前記検査対象回路の熱抵抗の積と前記検査対象回路の周辺温度の和として、前記検査対象回路の温度を算出する回路検証用シミュレーション装置。
【請求項２】
計算機上で検証対象回路と等価なモデルを構築するとともに、前記検証対象回路に入力される入力テスト信号を計算機上で前記モデルに等価的に入力することによって、前記モデルを前記計算機上で動作させ、そのことによって前記検証対象回路の動作を模擬するシミュレーション実行手段と、
前記シミュレーション実行手段によって前記検証対象回路が模擬的に動作する過程の中で、当該検証対象回路の各部の消費電流に関連する信号を抽出する回路動作抽出手段と、
前記回路動作抽出手段で抽出された信号にもとづいて前記検証対象回路全体にわたる消費電流の総和である総消費電流を算出するとともに保存する総消費電流算出手段と、
前記総消費電流算出手段に保存される総消費電流の履歴にもとづいて、前記検証対象回路の温度を算出する温度算出手段と、
前記温度算出手段で算出された前記検証対象回路の温度を、前記検証対象回路の許容温度と比較し、前記検証対象回路の温度が前記許容温度以下であるか否かを判断する温度比較手段と、
前記温度比較手段による判断の結果を出力する出力手段と、を備え、
前記温度算出手段が、前記総消費電流の過去に遡る時間積分を、前記検証対象回路の熱特性に依存する重み関数を用いて実行することにより、前記温度を算出する回路検証用シミュレーション装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の回路検証用シミュレーション装置において、
前記モデルを機能ブロック単位で表現する機能記述データを格納する機能記述データ格納手段と、
前記入力テスト信号を格納する入力テスト信号格納手段と、
前記機能ブロックの動作モードを表現する前記検証対象回路内の信号の識別名と信号値とを格納する信号名格納手段と、
前記機能ブロックの消費電流を前記動作モード毎に表現する消費電流データを格納する消費電流格納手段と、をさらに備え、
前記シミュレーション実行手段は、前記機能記述データ格納手段に格納される前記機能記述データにもとづいて、前記モデルを前記機能ブロック単位で前記計算機上に構築するとともに、前記入力テスト信号格納手段に格納される前記入力テスト信号を前記モデルに等価的に入力することによって、前記検証対象回路の論理シミュレーションを機能ブロックレベルで実行し、
前記回路動作抽出手段は、前記シミュレーション実行手段による前記論理シミュレーションの過程の中で、前記信号名格納手段に格納される識別名と信号値に対応する信号を抽出することによって、前記機能ブロックの前記動作モードを抽出し、
前記総消費電流算出手段は、前記回路動作抽出手段で抽出された前記動作モードと前記消費電流格納手段に格納される前記消費電流データとにもとづいて、前記総消費電流を算出するとともに保存する回路検証用シミュレーション装置。
【請求項４】
請求項１または請求項２に記載の回路検証用シミュレーション装置において、
前記モデルを論理ゲート素子単位で表現する回路接続データを格納する回路接続データ格納手段と、
前記入力テスト信号を格納する入力テスト信号格納手段と、
前記論理ゲート素子の出力信号の識別名を格納する信号名格納手段と、
前記論理ゲート素子の消費電流を表現する消費電流データを格納する消費電流データ格納手段と、をさらに備え、
前記シミュレーション実行手段は、前記回路接続データ格納手段に格納される前記回路接続データにもとづいて、前記モデルを前記論理ゲート素子単位で前記計算機上に構築するとともに、前記入力テスト信号格納手段に格納される前記入力テスト信号を前記モデルに等価的に入力することによって、前記検証対象回路の論理シミュレーションを論理ゲート素子レベルで実行し、
前記回路動作抽出手段は、前記シミュレーション実行手段による前記論理シミュレーションの過程の中で、前記信号名格納手段に格納される識別名に対応する出力信号を抽出し、
前記総消費電流算出手段は、前記回路動作抽出手段で抽出された前記出力信号と前記消費電流格納手段に格納される前記消費電流データとにもとづいて、前記総消費電流を算出するとともに保存する回路検証用シミュレーション装置。
【請求項５】
請求項４に記載の回路検証用シミュレーション装置において、
前記論理ゲート素子の消費電流を算出することにより前記消費電流データを得るとともに、当該消費電流データを前記消費電流データ格納手段へ格納する消費電流算出手段、をさらに備える回路検証用シミュレーション装置。
【請求項６】
請求項１または請求項２に記載の回路検証用シミュレーション装置において、
前記モデルをトランジスタ素子単位で表現する回路接続データを格納する回路接続データ格納手段と、
前記入力テスト信号を格納する入力テスト信号格納手段と、
前記トランジスタ素子の一方主電極の識別名を格納する信号名格納手段と、をさらに備え、
前記シミュレーション実行手段は、前記回路接続データ格納手段に格納される前記回路接続データにもとづいて、前記モデルを前記トランジスタ素子単位で前記計算機上に構築するとともに、前記入力テスト信号格納手段に格納される前記入力テスト信号を前記モデルに等価的に入力することによって、前記検証対象回路の回路シミュレーションを実行し、
前記回路動作抽出手段は、前記シミュレーション実行手段による前記回路シミュレーションの過程の中で、前記信号名格納手段に格納される識別名に対応する主電極を流れる電流信号を抽出し、
前記総消費電流算出手段は、前記回路動作抽出手段で抽出された前記電流信号にもとづいて、前記総消費電流を算出するとともに保存する回路検証用シミュレーション装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
この発明は、検証対象回路の温度を評価可能な回路検証用シミュレーション装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＬＳＩ（大規模集積回路）などの回路設計において、シミュレーション、すなわち計算機上に検証対象回路のモデルを構築し、その動作を模擬（シミュレート）する技術が、実機組立前の設計検証の有力な手段として利用されている。この回路検証用シミュレーション技術の代表的なものとして、論理シミュレーションと回路シミュレーションとが従来知られている。
【０００３】
論理シミュレーションは、デジタル回路を構成する各回路素子の論理演算機能にもとづいてその動作を模擬し、そのことによって、デジタル回路の論理演算動作を検証するものである。一方、回路シミュレーションは、回路素子のサイズ（例えば、ＭＯＳトランジスタのチャネル幅、チャネル長さ）などの構造、特性を考慮して、各回路素子の動作を模擬し、そのことによって、過渡的動作などのアナログ的な動作をも含めた回路動作を検証するものである。それぞれに特徴があって、回路設計の現場では目的に応じて双方を適宜使い分けることによって、回路動作の検証が行われている。
【０００４】
図１２は従来の論理シミュレーション装置の構成を示すブロック図である。この装置は、デジタル回路を検証対象とし、その動作を論理ゲート素子レベルでシミュレートする。図１２において、回路接続データ格納部１２には、論理ゲート素子を構成単位とする検証対象回路の構成に関する情報、すなわち回路接続データがあらかじめ格納されている。この回路接続データは、検証対象回路を構成する論理ゲート素子の種類とそれらの接続状態を記述している。シミュレーション実行部１は、入力テストパターン格納部２に格納される入力テストパターン信号にもとづいて、回路接続データが表現する検査対象回路に対する論理シミュレーションを実行する。
【０００５】
さらに、信号名格納部４には、検証対象回路を構成する各論理ゲート素子の出力信号名が格納されている。回路動作抽出部３は、シミュレーション実行部１による論理シミュレーションの実行の過程で、信号名格納部４に格納される出力信号名に対応する出力信号の信号値を抽出する。
【０００６】
ゲート別消費電流データ格納部６には、検証対象回路を構成する各論理ゲート素子毎の消費電流に関する情報が格納されている。この情報は、ゲート別消費電流算出部７で算出された後、ゲート別消費電流データ格納部６へと格納される。ゲート別消費電流算出部７は、例えば回路シミュレーションを実行することによって、各論理ゲート素子が動作するときの消費電流を算出する。
【０００７】
総消費電流算出部５は、ゲート別消費電流データ格納部６に格納される各論理ゲート素子毎の消費電流に関する情報にもとづいて、回路動作抽出部３で抽出された信号値に対応する各論理ゲート素子の消費電流を算出するとともに、総消費電流すなわち検証対象回路全体にわたる消費電流の総和を算出する。算出された総消費電流の値は、それ以前に算出した総消費電流の値とともに保存される。すなわち、総消費電流算出部５では、総消費電流の履歴に関する情報が保存されている。
【０００８】
なお、回路接続データ格納部１２、入力テストパターン格納部２、信号名格納部４、およびゲート別消費電流データ格納部６は、いずれも磁気ディスクあるいは半導体メモリなどの記憶媒体であり、磁気的信号あるいは電気的信号等の形式で、回路接続データ、その他の情報が記憶される。
【０００９】
許容消費電流判断部８は、総消費電流算出部５で算出された総消費電流の値が、あらかじめ設定される許容消費電流の値以下に収まっているか否かを判断する。エラーメッセージ出力部９は、許容消費電流判断部８における判断結果にもとづいて、総消費電流が許容消費電流を超える場合には、ＣＲＴ（陰極線管表示装置）あるいはリスト等にエラーメッセージを出力する。エラーメッセージは、動作中の論理ゲート素子の識別名、その消費電流値、および総消費電流などの情報を含んでいる。
【００１０】
平均電流算出部１０は、平均電流すなわち論理シミュレーションの実行時間内にわたる総消費電流の平均値を算出する。リスト出力部１１は、総消費電流の時間的経過を示すグラフ、あるいは平均電流算出部１０で算出された平均電流などをリストに出力する。
【００１１】
シミュレーション実行部１は、入力テストパターン信号にもとづいて論理シミュレーションを一段階ずつ進める。シミュレーション実行部１は、現在のシミュレーション時刻が事前に指定されていたシミュレーション終了時刻である場合には、シミュレーションを終了する。一方、現在のシミュレーション時刻がシミュレーション終了時刻に到達していない場合には、つぎの信号値変化（イベント）が発生する時刻、すなわちつぎのシミュレーション時刻へと論理シミュレーションを進める。このようにして、論理シミュレーションおよびそれに伴う総消費電流の算出などの動作が、一段階ずつ進行する。
【００１２】
つぎに、この論理シミュレーション装置の動作を、図１３の回路図に示す検証対象回路を例として説明する。図１３の検証対象回路は、互いに縦続接続されたＮＡＮＤゲート素子１８とインバータゲート素子１９とで構成される。ＮＡＮＤゲート素子１８の出力線２０がインバータゲート素子１９の入力端子に接続されており、インバータゲート素子１９の出力端子には出力線２１が接続されている。
【００１３】
回路接続データ格納部１２には、この検証対象回路の構成に関する情報、すなわち、ＮＡＮＤゲート素子１８とインバータゲート素子１９と、それらの接続状態に関する情報が格納される。入力テストパターン格納部２には、ＮＡＮＤゲート素子１８の入力線に入力すべき入力信号のテストパターンが格納される。また、信号名格納部４には、出力線２０および２１に対応する信号名が格納される。さらに、ゲート別消費電流算出部７は、ＮＡＮＤゲート素子１８およびインバータゲート素子１９のそれぞれについて、動作にともなう消費電流を計算し、ゲート別消費電流データ格納部６へと格納する。このように各格納部１２、２、４、６に所定の情報が格納された後に、論理シミュレーションおよびそれに付随する各装置部の処理が、シミュレーション時刻毎に反復して実行される。
【００１４】
回路動作抽出部３は、各シミュレーション時刻において、出力線２０および出力線２１の信号値を抽出する。ＮＡＮＤゲート素子１８およびインバータゲート素子１９がＣＭＯＳトランジスタで構成されているという前提の下では、特に、出力線２０、および２１における信号値の変化が抽出される。なぜなら、ＣＭＯＳトランジスタで構成された論理ゲート素子では、電流を消費する動作期間は出力信号が変化する遷移期間に相当するからである。例えば、あるシミュレーション時刻において、出力線２０がロウレベルの信号値（以下、”Ｌ”と略記する）からハイレベルの信号値（以下、”Ｈ”と略記する）へと変化するときに、この変化が抽出され、さらに、それにともなう出力線２１の信号値”Ｈ”から信号値”Ｌ”への変化が抽出される。
【００１５】
つぎに、総消費電流算出部５は、出力線２０を駆動する素子であるＮＡＮＤゲート素子１８の消費電流、および出力線２１を駆動する素子であるインバータゲート素子１９の消費電流を、ゲート別消費電流データ格納部６に格納される情報からそれぞれ抽出する。総消費電流算出部５は、さらに、それらの総和である総消費電流を算出し、その履歴を保存する。
【００１６】
このシミュレーション時刻において、総消費電流が許容消費電流を超えておれば、許容消費電流判断部８およびエラーメッセージ出力部９の働きによって、エラーメッセージが出力される。エラーメッセージには、このシミュレーション時刻において動作中の論理ゲート素子、すなわちＮＡＮＤゲート素子１８およびインバータゲート素子１９の識別名、それらの消費電流値、検証対象回路全体の総消費電流が含まれる。
【００１７】
このシミュレーション時刻に対する各装置部の演算が終了すると、シミュレーション実行部１は、つぎのシミュレーション時刻へと論理シミュレーションを進める。このように、シミュレーション終了時刻に到達するまで、各シミュレーション時刻毎に論理シミュレーションおよび各装置部の演算が実行される。シミュレーション終了時刻に到達すると、平均電流算出部１０とリスト出力部１１の働きによって、全シミュレーション期間にわたる総消費電流の平均値である平均電流の値がリスト出力される。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】
以上のように、従来の論理シミュレーション装置では、瞬間的な総消費電流が所定の基準値である許容消費電流を超えるか否かに関する検証が可能である。しかしながら、論理ゲート素子を構成するトランジスタ素子は、総消費電流の一定期間にわたる蓄積量と関係づけられる温度に対しても限界をもっている。
【００１９】
すなわち、トランジスタ素子の温度が許容温度と称されるある限界を超えて上昇すると、トランジスタ素子はもはや正常な動作を行うことができなくなる。例えば、ＭＯＳトランジスタでは、閾電圧が過度に低下することによって所定のゲート電圧信号では、もはやターンオフしなくなる。このような動作異常は、瞬間的な消費電流の大きさのみでは評価することができない。なぜならば、温度は、検証対象回路の熱抵抗および熱容量等の熱的特性に関係づけられたある期間にわたって蓄積された損失熱量の大きさによって決定されるからである。
【００２０】
このため、従来の論理シミュレーション装置では、論理ゲート素子の動作不良につながる検証対象回路の許容温度を超える温度上昇が生じるか否かを検証することはできないという問題点があった。このことは、従来の回路シミュレーション装置においても同様である。
【００２１】
この発明は、上記した問題点を解消するためになされたもので、検証対象回路の温度の評価が可能な回路検証用シミュレーション装置を提供することを目的とする。
【００２２】
【課題を解決するための手段】
第１の発明にかかる回路検証用シミュレーション装置は、計算機上で検証対象回路と等価なモデルを構築するとともに、前記検証対象回路に入力される入力テスト信号を計算機上で前記モデルに等価的に入力することによって、前記モデルを前記計算機上で動作させ、そのことによって前記検証対象回路の動作を模擬するシミュレーション実行手段と、前記シミュレーション実行手段によって前記検証対象回路が模擬的に動作する過程の中で、当該検証対象回路の各部の消費電流に関連する信号を抽出する回路動作抽出手段と、前記回路動作抽出手段で抽出された信号にもとづいて前記検証対象回路全体にわたる消費電流の総和である総消費電流を算出するとともに保存する総消費電流算出手段と、前記総消費電流算出手段に保存される総消費電流の履歴にもとづいて、前記検証対象回路の温度を算出する温度算出手段と、前記温度算出手段で算出された前記検証対象回路の温度を、前記検証対象回路の許容温度と比較し、前記検証対象回路の温度が前記許容温度以下であるか否かを判断する温度比較手段と、前記温度比較手段による判断の結果を出力する出力手段と、前記総消費電流算出手段に保存される総消費電流の現在時刻からチェック時間だけ遡った時刻までの期間にわたる平均値として平均電流を算出する平均電流算出手段と、を備える。前記チェック時間は前記検証対象回路の熱特性に基づいて決定され、前記温度算出手段が、前記平均電流、前記検査対象回路に印加される電源電圧、および前記検査対象回路の熱抵抗の積と前記検査対象回路の周辺温度の和として、前記検査対象回路の温度を算出する。
【００２３】
第２の発明にかかる回路検証用シミュレーション装置は、計算機上で検証対象回路と等価なモデルを構築するとともに、前記検証対象回路に入力される入力テスト信号を計算機上で前記モデルに等価的に入力することによって、前記モデルを前記計算機上で動作させ、そのことによって前記検証対象回路の動作を模擬するシミュレーション実行手段と、前記シミュレーション実行手段によって前記検証対象回路が模擬的に動作する過程の中で、当該検証対象回路の各部の消費電流に関連する信号を抽出する回路動作抽出手段と、前記回路動作抽出手段で抽出された信号にもとづいて前記検証対象回路全体にわたる消費電流の総和である総消費電流を算出するとともに保存する総消費電流算出手段と、前記総消費電流算出手段に保存される総消費電流の履歴にもとづいて、前記検証対象回路の温度を算出する温度算出手段と、前記温度算出手段で算出された前記検証対象回路の温度を、前記検証対象回路の許容温度と比較し、前記検証対象回路の温度が前記許容温度以下であるか否かを判断する温度比較手段と、前記温度比較手段による判断の結果を出力する出力手段と、を備え、前記温度算出手段が、前記総消費電流の過去に遡る時間積分を、前記検証対象回路の熱特性に依存する重み関数を用いて実行することにより、前記温度を算出する。
【００２４】
【００２５】
第３の発明にかかる回路検証用シミュレーション装置は、第１または第２の発明の装置において、前記モデルを機能ブロック単位で表現する機能記述データを格納する機能記述データ格納手段と、前記入力テスト信号を格納する入力テスト信号格納手段と、前記機能ブロックの動作モードを表現する前記検証対象回路内の信号の識別名と信号値とを格納する信号名格納手段と、前記機能ブロックの消費電流を前記動作モード毎に表現する消費電流データを格納する消費電流格納手段と、をさらに備え、前記シミュレーション実行手段は、前記機能記述データ格納手段に格納される前記機能記述データにもとづいて、前記モデルを前記機能ブロック単位で前記計算機上に構築するとともに、前記入力テスト信号格納手段に格納される前記入力テスト信号を前記モデルに等価的に入力することによって、前記検証対象回路の論理シミュレーションを機能ブロックレベルで実行し、前記回路動作抽出手段は、前記シミュレーション実行手段による前記論理シミュレーションの過程の中で、前記信号名格納手段に格納される識別名と信号値に対応する信号を抽出することによって、前記機能ブロックの前記動作モードを抽出し、前記総消費電流算出手段は、前記回路動作抽出手段で抽出された前記動作モードと前記消費電流格納手段に格納される前記消費電流データとにもとづいて、前記総消費電流を算出するとともに保存する。
【００２６】
第４の発明にかかる回路検証用シミュレーション装置は、第１または第２の発明の装置において、前記モデルを論理ゲート素子単位で表現する回路接続データを格納する回路接続データ格納手段と、前記入力テスト信号を格納する入力テスト信号格納手段と、前記論理ゲート素子の出力信号の識別名を格納する信号名格納手段と、前記論理ゲート素子の消費電流を表現する消費電流データを格納する消費電流データ格納手段と、をさらに備え、前記シミュレーション実行手段は、前記回路接続データ格納手段に格納される前記回路接続データにもとづいて、前記モデルを前記論理ゲート素子単位で前記計算機上に構築するとともに、前記入力テスト信号格納手段に格納される前記入力テスト信号を前記モデルに等価的に入力することによって、前記検証対象回路の論理シミュレーションを論理ゲート素子レベルで実行し、前記回路動作抽出手段は、前記シミュレーション実行手段による前記論理シミュレーションの過程の中で、前記信号名格納手段に格納される識別名に対応する出力信号を抽出し、前記総消費電流算出手段は、前記回路動作抽出手段で抽出された前記出力信号と前記消費電流格納手段に格納される前記消費電流データとにもとづいて、前記総消費電流を算出するとともに保存する。
【００２７】
第５の発明にかかる回路検証用シミュレーション装置は、第４の発明の回路検証用シミュレーション装置において、前記論理ゲート素子の消費電流を算出することにより前記消費電流データを得るとともに、当該消費電流データを前記消費電流データ格納手段へ格納する消費電流算出手段、をさらに備える。
【００２８】
第６の発明にかかる回路検証用シミュレーション装置は、第１または第２の発明の装置において、前記モデルをトランジスタ素子単位で表現する回路接続データを格納する回路接続データ格納手段と、前記入力テスト信号を格納する入力テスト信号格納手段と、前記トランジスタ素子の一方主電極の識別名を格納する信号名格納手段と、をさらに備え、前記シミュレーション実行手段は、前記回路接続データ格納手段に格納される前記回路接続データにもとづいて、前記モデルを前記トランジスタ素子単位で前記計算機上に構築するとともに、前記入力テスト信号格納手段に格納される前記入力テスト信号を前記モデルに等価的に入力することによって、前記検証対象回路の回路シミュレーションを実行し、前記回路動作抽出手段は、前記シミュレーション実行手段による前記回路シミュレーションの過程の中で、前記信号名格納手段に格納される識別名に対応する主電極を流れる電流信号を抽出し、前記総消費電流算出手段は、前記回路動作抽出手段で抽出された前記電流信号にもとづいて、前記総消費電流を算出するとともに保存する。
【００２９】
【作用】
第１の発明の装置では、計算機上でのシミュレーションの過程の中で、検証対象回路における消費電流に関連する信号が抽出され、この信号にもとづいて総消費電流が算出され、さらに、総消費電流の履歴にもとづいて検証対象回路の温度が算出される。このように、シミュレーションを実行することによって、総消費電流の過去の履歴に依存する量である温度についての知見が得られる。しかも、算出された温度が許容温度以下であるかどうかが判断されるとともに、その結果が出力されるので、検証対象回路の動作中の温度が許容温度以下に収まっているかどうかを直接に認識することができる。さらに、総消費電流の一定期間にわたる平均値である平均電流を一旦算出し、この平均電流にもとづいて総消費電流の履歴に依存する温度を算出するので、温度の算出が容易かつ迅速に行われる。
【００３０】
第２の発明の装置では、計算機上でのシミュレーションの過程の中で、検証対象回路における消費電流に関連する信号が抽出され、この信号にもとづいて総消費電流が算出され、さらに、総消費電流の過去に遡る時間積分を、検証対象回路の熱特性に依存する重み関数を用いて実行することにより、総消費電流の履歴にもとづいた検証対象回路の温度が算出される。このように、シミュレーションを実行することによって、総消費電流の過去の履歴に依存する量である温度についての知見が得られる。しかも、算出された温度が許容温度以下であるかどうかが判断されるとともに、その結果が出力されるので、検証対象回路の動作中の温度が許容温度以下に収まっているかどうかを直接に認識することができる。
【００３１】
【００３２】
第３の発明の装置では、機能ブロックレベルでの論理シミュレーションを実行する中で温度の算出が行われる。しかも、機能ブロックの動作モード毎に与えられた消費電流データにもとづいて温度算出のもとになる総消費電流が算出される。
【００３３】
第４の発明の装置では、論理ゲート素子レベルでの論理シミュレーションを実行する中で温度の算出が行われる。しかも、論理ゲート素子単位で与えられた消費電流データにもとづいて温度算出のもとになる総消費電流が算出される。
【００３４】
第５の発明の装置では、消費電流算出手段によって、論理ゲート素子の消費電流に関するデータが作成される。
【００３５】
第６の発明の装置では、回路シミュレーションが実行され、その中で温度の評価が行われる。
【００３６】
【実施例】
＜第１実施例＞
はじめに第１実施例の装置とその動作について説明する。
【００３７】
＜１−１．装置の構成＞
図１は、第１実施例の回路検証用シミュレーション装置の構成を示すブロック図である。この装置はデジタル回路を検証対象とし、その動作を機能ブロックレベルでシミュレートし、その中で検証対象回路の温度が許容温度を超えるか否かに関する検証を行う。
【００３８】
図１において、機能記述データ格納部１００には、機能ブロックを構成単位とする検証対象回路の構成に関する情報、すなわち機能記述データがあらかじめ格納されている。この機能記述データは、検証対象回路を構成する各機能ブロックの機能とそれらの接続状態を記述している。シミュレーション実行部１０１は、機能記述データが表現する検査対象回路のモデルを計算機上に構築するとともに、入力テストパターン格納部１０２に格納される入力テストパターン信号にもとづいてこのモデルを計算機上で動作させることによって、検査対象回路に対する機能シミュレーションを実行する。
【００３９】
機能ブロックは、所定の論理演算機能を有する回路ブロックであり、例えば論理ゲート素子の集合体、ＡＬＵ（算術論理演算ユニット）、カウンタ、記憶素子、マイクロプロセッサなどが１つの機能ブロックとして定義される。この機能ブロックを単位とする検証対象回路の論理シミュレーションは、特に機能シミュレーションと称される。
【００４０】
機能ブロックでは、その動作は動作モードと称される種別に分類することができる。例えばＡＬＵでは、その演算動作の種類に対応して、乗算モード、加算モード、インクリメントモードなどが定義される。そして、消費電流の評価は、この動作モード単位で行うことが可能である。消費電流の評価を動作モード単位でおこなうことによって、後述する総電流の算出に要する時間、労力が低減される。
【００４１】
動作モード別信号名・信号値格納部１０４には、検証対象回路を構成する各機能ブロックの動作モードを表現する信号の識別名（信号名）、およびその値（信号値）が格納されている。回路動作抽出部１０３は、シミュレーション実行部１０１による機能シミュレーションの実行の過程で、動作モード別信号名・信号値格納部１０４に格納される信号名とその信号値にもとづいて、動作中の機能ブロックの動作モードを抽出する。
【００４２】
動作モード別消費電流データ格納部１０６には、検証対象回路を構成する各機能ブロック毎、およびその動作モード毎の消費電流に関する情報が格納されている。総消費電流算出部１０５は、動作モード別消費電流データ格納部１０６に格納される各機能ブロック毎の消費電流に関する情報にもとづいて、回路動作抽出部１０３で抽出された動作モードに対応する動作中の機能ブロックの消費電流を算出するとともに、総消費電流すなわち検証対象回路全体にわたる消費電流の総和を算出する。算出された総消費電流の値は、それ以前に算出した総消費電流の値とともに保存される。すなわち、総消費電流算出部１０５では、総消費電流の履歴に関する情報が保存されている。
【００４３】
チェック時間データ格納部１０８には、検証対象回路のチェック時間が格納されている。検証対象回路の温度上昇は、上述したように検証対象回路の熱抵抗および熱容量等の熱特性に関係づけられたある期間にわたって蓄積された損失熱量の大きさによって評価することができる。この期間がチェック時間である。すなわち、チェック時間は、検証対象回路の熱的な特性を反映したものであって、検証対象回路が展開される半導体チップおよびそのパッケージの構造にも依存する。チェック時間を決定するにはこれらの構造を考慮して、例えば熱的動作に関するシミュレーションを実行するとよい。あるいは、熱抵抗と熱容量とを概算した上で、それらの単純積に所定の定数を乗した値を近似値として付与してもよい。
【００４４】
なお、各格納部１００、１０２、１０４、１０６、および１０８は、いずれも例えば磁気ディスクあるいは半導体メモリなどの記憶媒体であり、磁気的信号あるいは電気的信号等の形式で各情報が記憶される。
【００４５】
平均電流算出部１０７は、総消費電流算出部１０５に保存される総消費電流の履歴とチェック時間データ格納部１０８に格納されるチェック時間とにもとづいて、平均電流を算出する。すなわち、現在時刻からチェック時間まで遡った時刻までの期間にわたる総消費電流の平均値が平均電流として算出される。
【００４６】
許容温度判断部１０９は、検証対象回路の熱抵抗、電源電圧、周辺温度、および平均電流算出部１０７で算出された平均電流にもとづいて、検証対象回路の温度を算出するとともに、この温度が許容温度以下に収まっているか否かを判断する。言い替えると、平均電流算出部１０９は温度を算出する温度算出部と、算出された温度を許容温度と比較する温度比較部とを備えている。許容温度の値は、あらかじめ許容温度判断部１０９に付与されている。許容温度は、検証対象回路を構成する回路素子の正常動作を保証し得る上限温度として定義され、例えば各機能ブロックがＭＯＳトランジスタで構成される場合には、所定の電圧信号で十分にターンオフし得る温度の上限値として与えられる。
【００４７】
エラーメッセージ出力部１１０は、許容温度判断部１０９における判断結果にもとづいて、検証対象回路の温度が許容温度を超える場合には、ＣＲＴあるいはリスト等にエラーメッセージを出力する。エラーメッセージは、動作中の機能ブロックの識別名、その動作モード、および総消費電流などの情報を含んでいる。
【００４８】
シミュレーション実行部１０１は、入力テストパターン信号にもとづいて機能シミュレーションを一段階ずつ進める。シミュレーション実行部１０１は、現在のシミュレーション時刻が事前に指定されていたシミュレーション終了時刻である場合には、シミュレーションを終了する。一方、現在のシミュレーション時刻がシミュレーション終了時刻に到達していない場合には、つぎの信号値変化（イベント）が発生する時刻、すなわちつぎのシミュレーション時刻へと機能シミュレーションを進める。このようにして、機能シミュレーションおよびそれに伴う許容温度の判断などの動作が、一段階ずつ進行する。
【００４９】
＜１−２．装置の動作＞
図２は、図１に示した装置の動作を示すフローチャートである。また、図３はこの装置が検証対象とする検証対象回路の一例を示す回路ブロック図である。
【００５０】
図３に示す検証対象回路は、３つの機能ブロックＢＫ１，ＢＫ２，ＢＫ３と、それぞれに付随するデコーダＤＣ１，ＤＣ２，ＤＣ３とを備えている。この検証対象回路には、外部からオペコードＯＰが入力される。オペコードＯＰは、各機能ブロックＢＫ１，ＢＫ２，ＢＫ３の動作モードを決定する信号である。このオペコードＯＰは、信号線ＳＬを通じてデコーダＤＣ１，ＤＣ２，ＤＣ３へと伝達される。これらのデコーダＤＣ１，ＤＣ２，ＤＣ３は、オペコードＯＰの信号をデコードした上で、それぞれ機能ブロックＢＫ１，ＢＫ２，ＢＫ３へと伝達する。
【００５１】
機能ブロックＢＫ１は２つの動作モードＡ，Ｂを有している。そして、機能ブロックＢＫ１の動作がモードＡにあるときの消費電流は１００ｍＡであり、モードＢにあるときは２２０ｍＡである。同様に、機能ブロックＢＫ２は２つの動作モードＣ，Ｄを有しており、その消費電流はモードＣでは９０ｍＡであり、モードＤでは３００ｍＡである。さらに、機能ブロックＢＫ３も２つの動作モードＥ，Ｆを有しており、その消費電流はモードＥでは２００ｍＡであり、モードＦでは５００ｍＡである。
【００５２】
以下、図２にもとづいて、図３を参照しつつ、図１の装置の動作を説明する。
【００５３】
まず、図２の処理を開始するのに先だって、各格納部１００、１０２、１０４、１０６、１０８へ所定の情報が格納される。すなわち、機能記述データ格納部１００には、図３の回路に関する機能記述データが格納される。また、入力テストパターン格納部１０２には、図３の検証対象回路に入力すべき入力信号のテストパターンが格納される。この入力テストパターン信号は、オペドードＯＰを含む各機能ブロックの動作を決定するのに必要なすべての入力信号の値を時系列的に表現している。すなわち、入力テストパターン信号は、入力信号の時間変化を規定している。
【００５４】
さらに、動作モード別信号名・信号値格納部１０４には、図３におけるオペコードＯＰの識別名、およびその信号値が格納される。そして、動作モード別消費電流データ格納部１０６には、各機能ブロックＢＫ１，ＢＫ２，ＢＫ３の各モード別の消費電流の値が格納される。例えば、機能ブロックＢＫ１については、モードＡおよびＢの消費電流として、それぞれ１００ｍＡおよび２２０ｍＡが格納される。また、チェック時間データ格納部１０８には、図３の回路に適したチェック時間として、例えば１０００ｎｓｅｃが格納される。
【００５５】
以上の準備を経た後に、図２のフローチャートに沿った処理の実行が開始される。図２の処理が開始されると、まず、ステップＳ１において、機能記述データがシミュレーション実行部１０１へ付与される。
【００５６】
つぎに、ステップＳ２において、入力テストパターン信号がシミュレーション実行部１０１へ印加される。
【００５７】
つぎに、ステップＳ３において、シミュレーション実行部１０１による機能シミュレーションが実行される。機能シミュレーションの結果、このシミュレーション時刻では機能ブロックＢＫ１のみが動作し、その動作モードはモードＡであったと仮定する。
【００５８】
つぎに、ステップＳ４において、回路動作抽出部１０３による抽出、すなわち動作中の機能ブロックの動作モードの抽出が行われる。つづくステップＳ５では、動作中の機能ブロックの抽出がすべて完了したかどうかが判定され、未完であればステップＳ４へ戻って抽出が継続して行われる。このようにして、動作中の機能ブロックのすべてが抽出され、その動作モードが特定される。したがって、前述の仮定の下では機能ブロックＢＫ１のみが抽出され、しかもその動作モードがモードＡであることが特定される。
【００５９】
つぎに、ステップＳ６へ処理が移行し、総消費電流算出部１０５による総消費電流Ｉｔの算出が実行される。その結果、動作モード別消費電流データ格納部１０６に格納される情報の中から、ただ一つ動作中である機能ブロックＢＫ１のモードＡにおける消費電流１００ｍＡが読み込まれ、総消費電流Ｉｔは１００ｍＡと算出され、かつ保存される。
【００６０】
つぎに、ステップＳ７において、平均電流算出部１０７による平均電流の算出が実行される。このとき、チェック時間データ格納部１０８に格納されるチェック時間が参照される。現在のシミュレーション時刻では、シミュレーション開始時刻後、チェック時間に相当する１０００ｎｓｅｃを経ていないので、平均電流はゼロと算出される。
【００６１】
つぎに、ステップＳ８において、許容温度判断部１０９による判断が行われる。許容温度判断部１０９は、数式（１）：｛Ｔａ＋θ×Ｉａｖ×ＶＣＣ≦Ｔｍａｘ｝に従って、判断を実行する。ここで、Ｔａは周辺温度、θは検査対象回路の熱抵抗、Ｉａｖは平均電流算出部１０７で算出された平均電流、ＶＣＣは検査対象回路の電源電圧、および、Ｔｍａｘは許容温度である。熱抵抗θには検査対象回路に付随するパッケージ等をも考慮されている。
【００６２】
数式（１）の左辺は、検査対象回路の温度に相当する。したがって、数式（１）が満たされておれば、検査対象回路の温度は許容温度以下であると判断され、逆に満たされていなければ許容温度を超えると判断される。検査対象回路の温度が許容温度を超えると判断されると、処理はステップＳ９へと移行し、エラーメッセージ出力部１１０によってエラーメッセージが出力される。現在のシミュレーション時刻では、平均電流Ｉａｖはゼロであるので、ステップＳ９を実行することなく、処理はステップＳ１０へと移行する。
【００６３】
つづくステップＳ１０では、現在のシミュレーション時刻が所定のシミュレーション終了時刻ないしそれ以後であるか否かが判断され、判断結果が前者であれば処理は完了する。判断結果が後者であれば、処理はステップＳ１１へと移行し、入力テストパターンがつぎに変化する時刻、すなわちつぎの信号変化（イベント）が発生する時刻へとシミュレーション時刻を一歩進める。その後、ステップＳ３以下の処理が反復される。
【００６４】
例えばシミュレーション終了時刻が２０００ｎｓｅｃに設定されているとすれば、現在のシミュレーション時刻はシミュレーション終了時刻前であるので、処理はステップＳ３へと回帰する。そして、つぎのシミュレーション時刻に対して、ステップＳ３以下の一連の処理が実行される。
【００６５】
このように、シミュレーション終了時刻に至るまで、シミュレーション時刻を逐一進めつつ一連の処理が反復的に実行される。この過程を図４に沿って説明する。図４は、図３の検証対象回路について図１の装置でシミュレーションを実行したときの、検証対象回路の各部の動作を示すタイミングチャートである。図４には、各機能ブロックＢＫ１，ＢＫ２，ＢＫ３の動作モード、総消費電流Ｉｔ、および、平均電流Ｉａｖの時間の流れに沿った変化が図示されている。
【００６６】
最初のシミュレーション時刻である１００ｎｓｅｃでは、上述したように動作中の機能ブロックは機能ブロックＢＫ１のみであり、その動作モードはモードＡであった。
【００６７】
これにつづく、つぎのシミュレーション時刻である２００ｎｓｅｃでは、機能ブロックＢＫ１とＢＫ３の２つが動作状態となり、動作モードはそれぞれモードＡおよびモードＥとなる。その結果、総消費電流Ｉｔは、１００ｍＡ＋２００ｍＡ＝３００ｍＡとなる。以下同要領で、各シミュレーション時刻毎に、総消費電流Ｉｔが算出される。
【００６８】
さらに、シミュレーション時刻が１０００ｎｓｅｃである例をあげると、動作中の機能ブロックは機能ブロックＢＫ１およびＢＫ２であり、その動作モードはそれぞれモードＢおよびモードＤである。したがって消費電流は、２２０ｍＡ＋３００ｍＡ＝５２０ｍＡとなる。このとき、シミュレーション時刻はチェック時間である１０００ｎｓｅｃ以上であるので、平均電流Ｉａｖが算出される。平均電流Ｉａｖは、０ｎｓｅｃの時点から１０００ｎｓｅｃまでの期間における総消費電流Ｉｔの平均値Ｉａｖが、１８６ｍＡと算出される。
【００６９】
つぎのシミュレーション時刻である１１００ｎｓｅｃの時点では、機能ブロックＢＫ１のみが動作中であり、その動作モードはモードＢである。したがって、総消費電流は、２２０ｍＡとなる。そして、平均電流Ｉａｖの計算は、１００ｎｓｅｃ〜１１００ｎｓｅｃの期間における総消費電流Ｉｔの平均値として算出され、その値は２３８ｍＡとなる。もしも、この平均電流Ｉａｖ（＝２３８ｍＡ）によって数式（１）の左辺、すなわち図３の回路の温度が許容温度Ｔｍａｘを超えるならば、このシミュレーション時刻において、エラーメッセージ出力部１１０はエラーメッセージを出力する。
【００７０】
なお、図４では、各シミュレーション時刻毎に何らかの動作モードの変化が発生する例を図示したが、一般には、全てのシミュレーション時刻で常に何らかの動作モードの変化が生じるとは限らない。あるシミュレーション時刻では、いずれの機能ブロックＢＫ１，ＢＫ２，ＢＫ３においても動作モードには変化がなく、それぞれ一定の動作モード内で演算動作が進行中であるというケースも有り得る。このようなシミュレーション時刻においても、平均電流の算出や許容温度の判断等の動作は同様に実行される。
【００７１】
この装置は以上のように動作するので、実機を組み立てる前に、計算機上で検証対象回路の動作中の温度を評価することができる。しかも、回路検証用シミュレーションの有用な手法の一つである機能シミュレーションを実行する中で、温度の評価を行うことが可能である。さらに、機能ブロックレベルでの論理シミュレーションが実行されるとともに、消費電流が動作モード単位で与えられるので、総消費電流の算出が効率よく行われるという利点がある。
【００７２】
また、総消費電流の履歴に依存する温度が、総消費電流のチェック時間にわたる平均値である平均電流を用いて算出されるので、温度の算出が容易にかつ迅速に行われる。さらに、許容温度判断部１０９およびエラーメッセージ出力部１１０を備えるので、動作中の温度が許容温度を超えるか否かを直接的に認識することが可能である。
【００７３】
＜第２実施例＞
つぎに第２実施例の装置の構成と動作について説明する。
【００７４】
＜２−１．装置の構成＞
図５は、第２実施例の回路検証用シミュレーション装置の構成を示すブロック図である。この装置はデジタル回路を検証対象とし、その動作を論理ゲート素子レベルでシミュレートし、その中で検証対象回路の温度が許容温度を超えるか否かに関する検証を行う。
【００７５】
図５において、回路接続データ格納部２００には、論理ゲート素子を構成単位とする検証対象回路の構成に関する情報、すなわち回路接続データがあらかじめ格納されている。この回路接続データは、検証対象回路を構成する各論理ゲート素子の種類とそれらの接続状態を記述している。シミュレーション実行部２０１は、回路接続データが表現する検査対象回路のモデルを計算機上に構築するとともに、入力テストパターン格納部２０２に格納される入力テストパターン信号にもとづいてこのモデルを計算機上で動作させることによって、検査対象回路に対する論理ゲート素子レベルでの論理シミュレーションを実行する。
【００７６】
さらに、信号名格納部２０４には、検証対象回路を構成する各論理ゲート素子の出力信号名が格納されている。回路動作抽出部２０３は、シミュレーション実行部２０１による論理シミュレーションの実行の過程で、信号名格納部２０４に格納される出力信号名に対応する出力信号の信号値を抽出する。
【００７７】
ゲート別消費電流データ格納部２０６には、検証対象回路を構成する各論理ゲート素子毎の消費電流に関する情報が格納されている。この情報は、ゲート別消費電流算出部２１２で算出された後、ゲート別消費電流データ格納部２０６へと格納される。ゲート別消費電流算出部２１２は、例えば回路シミュレーションを実行することによって、各論理ゲート素子が動作するときの消費電流を算出する。
【００７８】
総消費電流算出部２０５は、ゲート別消費電流データ格納部２０６に格納される各論理ゲート素子毎の消費電流に関する情報にもとづいて、回路動作抽出部２０３で抽出された信号値に対応する各論理ゲート素子の消費電流を算出するとともに、総消費電流すなわち検証対象回路全体にわたる消費電流の総和を算出する。算出された総消費電流の値は、それ以前に算出した総消費電流の値とともに保存される。すなわち、総消費電流算出部２０５では、総消費電流の履歴に関する情報が保存されている。
【００７９】
チェック時間データ格納部２０８には、検証対象回路のチェック時間が格納されている。チェック時間の値は、第１実施例と同様に、例えば熱的動作に関するシミュレーションを実行することによって決定するとよい。なお、各格納部２００、２０２、２０４、２０６、および２０８は、いずれも例えば磁気ディスクあるいは半導体メモリなどの記憶媒体であり、磁気的信号あるいは電気的信号等の形式で各情報が記憶される。
【００８０】
平均電流算出部２０７は、総消費電流算出部２０５に保存される総消費電流の履歴とチェック時間データ格納部２０８に格納されるチェック時間とにもとづいて、平均電流を算出する。すなわち、現在時刻からチェック時間まで遡った時刻までの期間にわたる総消費電流の平均値が平均電流として算出される。
【００８１】
許容温度判断部２０９は、検証対象回路の熱抵抗、電源電圧、周辺温度、および平均電流算出部２０７で算出された平均電流にもとづいて、検証対象回路の温度を算出するとともに、この温度が許容温度以下に収まっているか否かを判断する。すなわち、第１実施例の許容温度判断部１０９と同様に、平均電流算出部２０９は温度を算出する温度算出部と、算出された温度を許容温度と比較する温度比較部とを備えている。許容温度の値は、あらかじめ許容温度判断部２０９に付与されている。許容温度は、検証対象回路を構成する回路素子の正常動作を保証し得る上限温度として定義され、例えば各論理ゲート素子がＭＯＳトランジスタで構成される場合には、所定の電圧信号で十分にターンオフし得る温度の上限値として与えられる。
【００８２】
エラーメッセージ出力部２１０は、許容温度判断部２０９における判断結果にもとづいて、検証対象回路の温度が許容温度を超える場合には、ＣＲＴあるいはリスト等にエラーメッセージを出力する。エラーメッセージは、動作中の論理ゲート素子の識別名、その消費電流値、および総消費電流などの情報を含んでいる。
【００８３】
シミュレーション実行部２０１は、入力テストパターンにもとづいて論理シミュレーションを一段階ずつ進める。シミュレーション実行部２０１は、現在のシミュレーション時刻が事前に指定されていたシミュレーション終了時刻である場合には、シミュレーションを終了する。一方、現在のシミュレーション時刻がシミュレーション終了時刻に到達していない場合には、つぎの信号値変化（イベント）が発生する時刻、すなわちつぎのシミュレーション時刻へと論理シミュレーションを進める。このようにして、論理シミュレーションおよびそれに伴う許容温度の判断などの動作が、一段階ずつ進行する。
【００８４】
＜２−２．装置の動作＞
図６は、図５に示した装置の動作を示すフローチャートである。以下に、図１３の回路図に示した検証対象回路を例として、図６のフローチャートに沿って図５の装置の動作を説明する。
【００８５】
まず、図６の処理を開始するのに先だって、各格納部２００、２０２、２０４、２０６、２０８へ所定の情報が格納される。回路接続データ格納部２００には、図１３の回路に関する回路接続データ、すなわち、ＮＡＮＤゲート素子１８、インバータゲート素子１９、およびそれらの接続状態に関する情報が格納される。
【００８６】
また、入力テストパターン格納部２０２には、図１３の検証対象回路に入力すべき入力信号のテストパターンが格納される。この入力テストパターン信号は、各論理ゲート素子の動作を決定するのに必要なすべての入力信号の値、すなわちＮＡＮＤゲート素子１８の入力線に入力すべき入力信号の値を時系列的に表現している。
【００８７】
さらに、信号名格納部２０４には、出力線２０および２１に対応する信号名が格納される。さらに、ゲート別消費電流算出部２１２は、ＮＡＮＤゲート素子１８およびインバータゲート素子１９のそれぞれについて、動作にともなう消費電流を計算し、ゲート別消費電流データ格納部２０６へと格納する。また、チェック時間データ格納部２０８には、図１３の回路に適したチェック時間として、例えば１０００ｎｓｅｃが格納される。
【００８８】
以上の準備を経た後に、図６のフローチャートに沿った処理の実行が開始される。図６の処理が開始されると、まず、ステップＳ２１において、回路接続データがシミュレーション実行部２０１へ付与される。
【００８９】
つぎに、ステップＳ２２において、入力テストパターン信号がシミュレーション実行部２０１へ印加される。
【００９０】
つぎに、ステップＳ２３において、シミュレーション実行部２０１による論理シミュレーションが実行される。論理シミュレーションの結果、このシミュレーション時刻では出力線２０の信号値が”Ｌ”から”Ｈ”へと変化したと仮定する。それにともなって、インバータゲート素子１９における遅延時間を考慮した上で、出力線２１の信号値が”Ｈ”から”Ｌ”へと変化することがシミュレーションで示される。このように、シミュレーション実行部２０１では、遅延時間を考慮した論理シミュレーションを実行することが可能である。各論理ゲート素子の遅延時間として、例えば１００ｎｓｅｃが付与されているものと仮定する。
【００９１】
つぎに、ステップＳ２４において、回路動作抽出部２０３による抽出が行われる。すなわち、出力線２０および出力線２１の信号値が抽出される。ここでは、ＮＡＮＤゲート素子１８およびインバータゲート素子１９がＣＭＯＳトランジスタで構成されているものと仮定する。このときには、特に、出力線２０、および２１における信号値の変化を抽出すればよい。現在のシミュレーション時刻では、出力線２０が信号値”Ｌ”から信号値”Ｈ”へと変化するので、この変化が抽出され、さらに、それにともなう出力線２１の信号値”Ｈ”から信号値”Ｌ”への変化が抽出される。
【００９２】
つづくステップＳ２５では、出力信号値の抽出がすべて完了したかどうかが判定され、未完であればステップＳ２４へ戻って抽出が継続して行われる。このようにして、出力線２０と２１の双方の信号値変化が漏れなく抽出される。
【００９３】
つぎに、ステップＳ２６へ処理が移行し、総消費電流算出部２０５による総消費電流Ｉｔの算出が実行される。その結果、ゲート別消費電流データ格納部２０６に格納される情報の中から、動作中であるＮＡＮＤゲート素子１８とインバータゲート素子１９における消費電流２ｍＡおよび１ｍＡがそれぞれ読み込まれ、総消費電流Ｉｔが算出される。総消費電流Ｉｔの算出は、遅延時間を考慮して行われる。
【００９４】
つぎに、ステップＳ２７において、平均電流算出部２０７による平均電流の算出が実行される。このとき、チェック時間データ格納部２０８に格納されるチェック時間が参照される。
【００９５】
つぎに、ステップＳ２８において、許容温度判断部２０９による判断が行われる。許容温度判断部２０９は、第１実施例で述べた数式（１）に従って、判断を実行する。数式（１）が満たされておれば、検査対象回路の温度は許容温度以下であると判断され、逆に満たされていなければ許容温度を超えると判断される。検査対象回路の温度が許容温度を超えると判断されると、処理はステップＳ２９へと移行し、エラーメッセージ出力部２１０によってエラーメッセージが出力される。検査対象回路の温度が許容温度以内であると判断されると、処理はステップＳ２９を実行することなくステップＳ３０へと移行する。
【００９６】
ステップＳ３０では、現在のシミュレーション時刻が所定のシミュレーション終了時刻ないしそれ以後であるか否かが判断され、判断結果が前者であれば処理は完了する。判断結果が後者であれば、処理はステップＳ３１へと移行し、入力テストパターンがつぎに変化する時刻、すなわちつぎの信号変化（イベント）が発生する時刻へとシミュレーション時刻を一歩進める。その後、ステップＳ２３以下の処理が反復される。
【００９７】
このように、シミュレーション終了時刻に至るまで、シミュレーション時刻を逐一進めつつ一連の処理が反復的に実行される。この過程を図７に沿って説明する。
【００９８】
図７は、図１３の検証対象回路について図１の装置でシミュレーションを実行したときの、検証対象回路の各部の動作を示すタイミングチャートである。図７には、出力信号線２０の信号値Ｖ２０、出力信号線２１の信号値Ｖ２１、ＮＡＮＤゲート素子１８の消費電流Ｉ１８、インバータゲート素子１９の消費電流Ｉ１９、総消費電流Ｉｔ、および、平均電流Ｉａｖの時間の流れに沿った変化が図示されている。
【００９９】
あるシミュレーション時刻２０００ｎｓｅｃでは、出力線２０の信号値Ｖ２０が”Ｌ”から”Ｈ”へと変化する。この出力信号の変化にともなって、ＮＡＮＤゲート素子１８には大きさ２ｍＡの消費電流Ｉ１８が遅延時間１００ｎｓｅｃにわたって流れる。
【０１００】
また、遅延時間１００ｎｓｅｃ後には、出力線２１の信号値Ｖ２１が”Ｈ”から”Ｌ”へと変化する。それにともなって、インバータゲート素子１９には大きさ１ｍＡの消費電流Ｉ１９が遅延時間１００ｎｓｅｃにわたって流れる。したがって、総消費電流Ｉｔは、２０００ｎｓｅｃから２１００ｎｓｅｃの期間では２ｍＡと算出され、２１００ｎｓｅｃから２２００ｎｓｅｃの期間では１ｍＡと算出される。
【０１０１】
シミュレーション時刻２０００ｎｓｅｃでは、シミュレーション開始後チェック時間１０００ｎｓｅｃを既に経過しているので、平均電流Ｉａｖが算出される。平均電流Ｉａｖの算出においても、遅延時間が考慮される。このため平均電流Ｉａｖは、図７のグラフに示すように、２１００ｎｓｅｃから２２００ｎｓｅｃの期間では０．２ｍＡと算出され、２２００ｎｓｅｃから２５００ｎｓｅｃの期間では０．３ｍＡと算出される。
【０１０２】
シミュレーション時刻２５００ｎｓｅｃでは、出力線２０の信号値Ｖ２０が”Ｈ”から”Ｌ”へと変化する。この出力信号の変化にともなって、ＮＡＮＤゲート素子１８には大きさ２ｍＡの消費電流Ｉ１８が遅延時間１００ｎｓｅｃにわたって流れる。また、遅延時間１００ｎｓｅｃ後には、出力線２１の信号値Ｖ２１が”Ｌ”から”Ｈ”へと変化する。それにともなって、インバータゲート素子１９には大きさ１ｍＡの消費電流Ｉ１９が遅延時間１００ｎｓｅｃにわたって流れる。したがって、総消費電流Ｉｔは、２５００ｎｓｅｃから２６００ｎｓｅｃの期間では２ｍＡと算出され、２６００ｎｓｅｃから２７００ｎｓｅｃの期間では１ｍＡと算出される。
【０１０３】
総消費電流Ｉｔの履歴にもとづいて平均電流Ｉａｖが算出される。その結果、平均電流Ｉａｖは、図７のグラフに示すように、２５００ｎｓｅｃから２６００ｎｓｅｃの期間では０．５ｍＡと算出され、２６００ｎｓｅｃから３１００ｎｓｅｃの期間では０．６ｍＡと算出される。
【０１０４】
許容温度判断部２０９では、この平均電流Ｉａｖをもとに、数式（１）の左辺の値が計算される。数式（１）の左辺すなわち図１３の回路の温度が許容温度Ｔｍａｘに一致する平均電流Ｉａｖの値が、例えば０．５５ｍＡであったとすれば、平均電流Ｉａｖが０．５５ｍＡを超える２６００ｎｓｅｃの時刻において、図１３の回路の温度が許容温度Ｔｍａｘを超えると判断される。
【０１０５】
この装置は以上のように動作するので、実機を組み立てる前に、計算機上で検証対象回路の動作中の温度を評価することができる。しかも、回路検証用シミュレーションの有用なもう一つの手法である論理ゲート素子レベルの論理シミュレーションを実行する中で、温度の評価を行うことが可能である。さらに、論理ゲート素子レベルでの論理シミュレーションが実行されるとともに、消費電流の評価が論理ゲート素子単位で行なわれるので、総消費電流の算出が効率よく行われるという利点がある。
【０１０６】
また、総消費電流の履歴に依存する温度が、総消費電流のチェック時間にわたる平均値である平均電流を用いて算出されるので、温度の算出が容易にかつ迅速に行われる。さらに、許容温度判断部２０９およびエラーメッセージ出力部２１０を備えるので、動作中の温度が許容温度を超えるか否かを直接的に認識することが可能である。
【０１０７】
＜第３実施例＞
つぎに第３実施例の装置の構成と動作について説明する。
【０１０８】
＜３−１．装置の構成＞
図８は、第３実施例の回路検証用シミュレーション装置の構成を示すブロック図である。この装置は、デジタル回路だけでなくアナログ回路をも検証対象とすることができ、回路の動作をトランジスタ素子レベルでシミュレートし、その中で検証対象回路の温度が許容温度を超えるか否かに関する検証を行う。
【０１０９】
図８において、回路接続データ格納部３００には、回路接続データすなわちトランジスタ素子を構成単位とする検証対象回路の構成に関する情報があらかじめ格納されている。この回路接続データは、検証対象回路を構成する各トランジスタ素子の構造、特性、および各トランジスタ素子の接続状態を記述している。シミュレーション実行部３０１は、回路接続データが表現する検査対象回路のモデルを計算機上に構築するとともに、入力テストパターン格納部３０２に格納される入力テストパターン信号にもとづいてこのモデルを計算機上で動作させることによって、検査対象回路に対する回路シミュレーションを実行する。
【０１１０】
さらに、信号名格納部３０４には、検証対象回路を構成する各トランジスタ素子の電源に接続されない一方主電極、すなわちＭＯＳトランジスタであればドレイン電極の識別名（信号名）が格納されている。回路動作抽出部３０３は、シミュレーション実行部３０１による回路シミュレーションの実行の過程で、信号名格納部３０４に格納される信号名に対応する主電極を流れる電流値を抽出する。
【０１１１】
総消費電流算出部３０５は、回路動作抽出部３０３で抽出された電流値にもとづいて、総消費電流すなわち検証対象回路全体にわたる消費電流の総和を算出する。算出された総消費電流の値は、それ以前に算出した総消費電流の値とともに保存される。すなわち、総消費電流算出部３０５では、総消費電流の履歴に関する情報が保存されている。
【０１１２】
チェック時間データ格納部３０８には、検証対象回路のチェック時間が格納されている。チェック時間の値は、第１実施例と同様に、例えば熱的動作に関するシミュレーションを実行することによって決定するとよい。なお、各格納部３００、３０２、３０４、および３０８は、いずれも例えば磁気ディスクあるいは半導体メモリなどの記憶媒体であり、磁気的信号あるいは電気的信号等の形式で各情報が記憶される。
【０１１３】
平均電流算出部３０７は、総消費電流算出部３０５に保存される総消費電流の履歴とチェック時間データ格納部３０８に格納されるチェック時間とにもとづいて、平均電流を算出する。すなわち、現在時刻からチェック時間まで遡った時刻までの期間にわたる総消費電流の平均値が平均電流として算出される。
【０１１４】
許容温度判断部３０９は、検証対象回路の熱抵抗、電源電圧、周辺温度、および平均電流算出部３０７で算出された平均電流にもとづいて、検証対象回路の温度を算出するとともに、この温度が許容温度以下に収まっているか否かを判断する。すなわち、平均電流算出部３０９も第１実施例の許容温度判断部１０９と同様に、温度を算出する温度算出部と、算出された温度を許容温度と比較する温度比較部とを備えている。
【０１１５】
許容温度の値は、あらかじめ許容温度判断部３０９に付与されている。許容温度は、検証対象回路を構成する回路素子の正常動作を保証し得る上限温度として定義される。例えば、検証対象回路を構成するトランジスタ素子がＭＯＳトランジスタである場合には、許容温度は所定の電圧信号で十分にターンオフし得る温度の上限値として与えられる。
【０１１６】
エラーメッセージ出力部３１０は、許容温度判断部３０９における判断結果にもとづいて、検証対象回路の温度が許容温度を超える場合には、ＣＲＴあるいはリスト等にエラーメッセージを出力する。エラーメッセージは、動作中のトランジスタ素子の識別名、その主電流値、および総消費電流などの情報を含んでいる。
【０１１７】
シミュレーション実行部３０１は、入力テストパターンにもとづいて回路シミュレーションを一段階ずつ進める。シミュレーション実行部３０１は、現在のシミュレーション時刻が事前に指定されていたシミュレーション終了時刻である場合には、シミュレーションを終了する。一方、現在のシミュレーション時刻がシミュレーション終了時刻に到達していない場合には、つぎのシミュレーション時刻へと回路シミュレーションを進める。このようにして、回路シミュレーションおよびそれに伴う許容温度の判断などの動作が、一段階ずつ進行する。
【０１１８】
＜３−２．装置の動作＞
図９は、図８に示した装置の動作を示すフローチャートである。図１０はこの装置が検証対象とする検証対象回路の一例を示す回路ブロック図である。以下に、図１０に示した検証対象回路を例として、図９のフローチャートに沿って図８の装置の動作を説明する。
【０１１９】
まず、図９の処理を開始するのに先だって、各格納部３００、３０２、３０４、３０８へ所定の情報が格納される。回路接続データ格納部３００には、図１０の回路に関する回路接続データ、すなわち、ＰＭＯＳトランジスタ素子２４，２５、ＮＭＯＳトランジスタ素子２６、コンデンサ２７、高圧側電源２２、接地側電源２３、および、それらの接続状態に関する情報が格納される。
【０１２０】
また、入力テストパターン格納部３０２には、図１０の検証対象回路に入力すべき入力信号のテストパターンが格納される。この入力テストパターン信号は、各ＭＯＳトランジスタ素子の動作を決定するのに必要なすべての入力信号の値、すなわち、図１０のＭＯＳトランジスタ素子２４，２５，２６の各ゲート電極に入力されるゲート電圧の値を時系列的に表現している。
【０１２１】
さらに、信号名格納部３０４には、各ＭＯＳトランジスタ素子２４，２５，２６のドレイン電極を識別する信号名が格納される。また、チェック時間データ格納部３０８には、図１０の回路に適したチェック時間として、例えば１０００ｎｓｅｃが格納される。
【０１２２】
以上の準備を経た後に、図９のフローチャートに沿った処理の実行が開始される。図９の処理が開始されると、まず、ステップＳ４１において、回路接続データがシミュレーション実行部３０１へ付与される。
【０１２３】
つぎに、ステップＳ４２において、入力テストパターン信号がシミュレーション実行部３０１へ印加される。
【０１２４】
つぎに、ステップＳ４３において、シミュレーション実行部３０１による回路シミュレーションが実行される。その結果、図１０の回路の各部を流れる電流の値が算出される。
【０１２５】
つぎに、ステップＳ４４において、回路動作抽出部３０３による抽出が行われる。すなわち、各ＭＯＳトランジスタ素子２４，２５，２６のドレイン電極を流れる電流の値が抽出される。
【０１２６】
つづくステップＳ４５では、電流値の抽出がすべて完了したかどうかが判定され、未完であればステップＳ４４へ戻って抽出が継続して行われる。このようにして、各ＭＯＳトランジスタ素子２４，２５，２６のドレイン電極を流れる電流の値が漏れなく抽出される。
【０１２７】
つぎに、ステップＳ４６へ処理が移行し、総消費電流算出部３０５による総消費電流Ｉｔの算出が実行される。すなわち、消費電流に寄与するＭＯＳトランジスタ素子２４，２５のドレイン電極をそれぞれ流れる電流Ｉ１、Ｉ２の総和として総消費電流Ｉｔが算出される。
【０１２８】
つぎに、ステップＳ４７において、平均電流算出部３０７による平均電流の算出が実行される。このとき、チェック時間データ格納部３０８に格納されるチェック時間が参照される。
【０１２９】
つぎに、ステップＳ４８において、許容温度判断部３０９による判断が行われる。許容温度判断部３０９は、第１実施例で述べた数式（１）に従って、判断を実行する。数式（１）が満たされておれば、検査対象回路の温度は許容温度以下であると判断され、逆に満たされていなければ許容温度を超えると判断される。検査対象回路の温度が許容温度を超えると判断されると、処理はステップＳ４９へと移行し、エラーメッセージ出力部３１０によってエラーメッセージが出力される。検査対象回路の温度が許容温度以内であると判断されると、処理はステップＳ４９を実行することなくステップＳ５０へと移行する。
【０１３０】
ステップＳ５０では、現在のシミュレーション時刻が所定のシミュレーション終了時刻ないしそれ以後であるか否かが判断され、判断結果が前者であれば処理は完了する。判断結果が後者であれば、処理はステップＳ５１へと移行し、つぎの時刻へとシミュレーション時刻を一歩進める。その後、ステップＳ４３以下の処理が反復される。
【０１３１】
このように、シミュレーション終了時刻に至るまで、シミュレーション時刻を逐一進めつつ一連の処理が反復的に実行される。この過程を図１１に沿って説明する。
【０１３２】
図１１は、図１０の検証対象回路について図８の装置でシミュレーションを実行したときの、検証対象回路の各部の動作を示すタイミングチャートである。図１１には、電流Ｉ１，Ｉ２、総消費電流Ｉｔ、および、平均電流Ｉａｖの時間の流れに沿った変化が図示されている。
【０１３３】
シミュレーション時刻２０００ｎｓｅｃにおいて、ＭＯＳトランジスタ２４のゲート電極に入力されるゲート電圧と、ＭＯＳトランジスタ素子２５のゲート電極に入力されるゲート電圧が、同時に”Ｈ”から”Ｌ”へと変化するものとする。この変化にともなって、ＭＯＳトランジスタ素子２４，２５の各ドレイン電極には電流が過渡的に流れる。図１１において、２０００ｎｓｅｃから２１００ｎｓｅｃにわたる電流Ｉ１の山形の波形は、ＭＯＳトランジスタ素子２４を流れる過渡電流を表現している。回路シミュレーションは、ＭＯＳトランジスタ素子２４，２５，２６の構造、特性を考慮するとともに、過渡電流が流れる期間（図１１の例では約１００ｎｓｅｃ）よりもさらに短い時間間隔でシミュレーション時刻を進めることによって、このような過渡電流の波形をもコンピュータ上で再現することを可能にしている。
【０１３４】
また、別のシミュレーション時刻２５００ｎｓｅｃにおいて、ＭＯＳトランジスタ素子２５のゲート電極に入力されるゲート電圧が”Ｈ”から”Ｌ”へと変化するものとする。それにともなって、ＭＯＳトランジスタ素子２５のドレイン電極には、コンデンサ２７を充電する電流が過渡的に流れる。図１１において、２５００ｎｓｅｃから２６５０ｎｓｅｃにわたる電流Ｉ２の山形の波形は、ＭＯＳトランジスタ素子２５を流れる過渡電流を表現している。
【０１３５】
これらの電流Ｉ１、Ｉ２の総和として総消費電流Ｉｔが算出される。したがって、総消費電流Ｉｔは、図１１に示すように、２０００ｎｓｅｃ〜２１００ｎｓｅｃ、および２５００ｎｓｅｃ〜２６５０ｎｓｅｃの双方の期間において有限の値をもつ。平均電流Ｉａｖは、各シミュレーション時刻において、チェック時間（この例では１０００ｎｓｅｃ）遡った期間における総消費電流Ｉｔの平均値として算出される。したがって、平均電流Ｉａｖは、図１１に示すように、２０００ｎｓｅｃ〜２１００ｎｓｅｃの期間において増加した後、一定値を保持する。さらに、平均電流Ｉａｖは、２５００ｎｓｅｃ〜２６５０ｎｓｅｃの期間において再び増加した後、一定値を保持する。図１１では図示を略するが、平均電流Ｉａｖは３０００ｎｓｅｃ以後に減少へと転じる。
【０１３６】
平均電流Ｉａｖの上昇にともなって、数式（１）の左辺で評価される検証対象回路の温度が、２５００ｎｓｅｃ〜２６５０ｎｓｅｃの期間内のあるシミュレーション時刻で許容温度Ｔｍａｘを超えるものと仮定する。そうすると、このシミュレーション時刻において、エラーメッセージ出力部２１０よりエラーメッセージが出力される。
【０１３７】
この装置は以上のように動作するので、実機を組み立てる前に、計算機上で検証対象回路の動作中の温度を評価することができる。しかも、回路検証用シミュレーションのさらにもう一つの有用な手法である回路シミュレーションを実行する中で、温度の評価を行うことが可能である。さらに、回路シミュレーションを用いるので、検証対象回路の構造を選ばないという利点があるほか、温度の評価が精密であるという利点がある。
【０１３８】
また、総消費電流の履歴に依存する温度が、総消費電流のチェック時間にわたる平均値である平均電流を用いて算出されるので、温度の算出が容易にかつ迅速に行われる。さらに、許容温度判断部３０９およびエラーメッセージ出力部３１０を備えるので、動作中の温度が許容温度を超えるか否かを直接的に認識することが可能である。
【０１３９】
＜その他の実施例＞
（１）  以上の実施例の許容温度判断部１０９、２０９、および３０９はいずれも、温度を算出する温度算出部と算出された温度を許容温度と比較する温度比較部とを備えていた。しかしながら、許容温度判断部が温度算出部のみを備え、検証対象回路の温度を算出するのみであってもよい。回路検証用シミュレーション装置がこのように構成されていても、検証対象回路の温度について知見が得られるので、例えばこの温度を許容温度と比較することによって、検証対象回路の動作中に温度が許容温度を超えるか否かを判断することが可能である。
【０１４０】
（２）  以上の実施例の回路検証用シミュレーション装置では、総消費電流の履歴にもとづいて平均電流を算出し、算出された平均電流にもとづいて検証対象回路の温度を算出した。しかしながら、総消費電流の履歴に依存する検証対象回路の温度は、平均電流を用いることなく算出してもよい。例えば、総消費電流の履歴にもとづいて、総消費電流の過去に遡る時間積分を検証対象回路の熱特性に依存する適切な重み関数を用いて実行することによって温度を算出することも可能である。
【０１４１】
【発明の効果】
第１の発明の装置では、シミュレーションを実行することによって、総消費電流の過去の履歴に依存する量である温度についての知見が得られる。このため、例えば、得られた温度を許容温度と比較することによって、検証対象回路が動作中に許容温度を超えることがないかどうかを、実機組立て前に検証することができる。しかも、算出された温度が許容温度以下であるかどうかが判断されるとともに、その結果が出力されるので、検証対象回路の動作中の温度が許容温度以下に収まっているかどうかを直接に認識することができる。すなわち、検証対象回路が動作中に温度上昇によって動作不良となる危険があるかどうかに対する回答が直接に得られる。さらに、総消費電流の一定期間にわたる平均値である平均電流を一旦算出し、この平均電流にもとづいて総消費電流の履歴に依存する温度を算出するので、温度の算出が容易かつ迅速に行われる。
【０１４２】
第２の発明の装置では、シミュレーションを実行することによって、総消費電流の過去の履歴に依存する量である温度についての知見が得られる。このため、例えば、得られた温度を許容温度と比較することによって、検証対象回路が動作中に許容温度を超えることがないかどうかを、実機組立て前に検証することができる。しかも、算出された温度が許容温度以下であるかどうかが判断されるとともに、その結果が出力されるので、検証対象回路の動作中の温度が許容温度以下に収まっているかどうかを直接に認識することができる。すなわち、検証対象回路が動作中に温度上昇によって動作不良となる危険があるかどうかに対する回答が直接に得られる。
【０１４３】
【０１４４】
第３の発明の装置では、回路検証用シミュレーションの有力な手法の一つである機能ブロックレベルでの論理シミュレーションを実行することによって、温度の評価を行うことが可能である。しかも機能ブロックの動作モード毎に与えられた消費電流データにもとづいて総消費電流が算出されるので、温度算出のもとになる総消費電流の算出が容易にかつ迅速に行われる。
【０１４５】
第４の発明の装置では、回路検証用シミュレーションの有力なもう一つの手法である論理ゲート素子レベルでの論理シミュレーションを実行することによって、温度の評価を行うことが可能である。しかも、論理ゲート素子単位で与えられた消費電流データにもとづいて総消費電流が算出されるので、温度算出のもとになる総消費電流の算出が容易にかつ迅速に行われる。
【０１４６】
第５の発明の装置では、消費電流算出手段によって論理ゲート素子の消費電流データが作成されるので、この消費電流データを準備する手間が省かれる。
【０１４７】
第６の発明の装置では、回路検証用シミュレーションの有力なもう一つの手法である回路シミュレーションを実行することによって、温度の評価を行うことが可能である。回路シミュレーションを用いるので、温度の評価が精密に行われる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施例の装置の構成を示すブロック図である。
【図２】第１実施例の装置の動作を示すフローチャートである。
【図３】第１実施例の装置の検証対象回路の一例を示すブロック図である。
【図４】第１実施例の装置の動作を説明するタイミングチャートである。
【図５】第２実施例の装置の構成を示すブロック図である。
【図６】第２実施例の装置の動作を示すフローチャートである。
【図７】第２実施例の装置の動作を説明するタイミングチャートである。
【図８】第３実施例の装置の構成を示すブロック図である。
【図９】第３実施例の装置の動作を示すフローチャートである。
【図１０】第３実施例の装置の検証対象回路の一例を示す回路図である。
【図１１】第３実施例の装置の動作を説明するタイミングチャートである。
【図１２】従来の装置の構成を示すブロック図である。
【図１３】第２実施例および従来の装置の検証対象回路の一例を示す回路図である。
【符号の説明】
１００  機能記述データ格納部（機能記述データ格納手段）、２００，３００回路接続データ格納部（回路接続データ格納手段）、１０１，２０１，３０１シミュレーション実行部（シミュレーション実行手段）、１０２，２０２，３０２  入力テストパターン格納部（入力テスト信号格納手段）、１０３，２０３，３０３  回路動作抽出部（回路動作抽出手段）、１０４  動作モード別信号名・信号値格納部（信号名格納手段）、２０４，３０４  信号名格納部（信号名格納手段）、１０５，２０５，３０５  総消費電流算出部（総消費電流算出手段）、１０６  動作モード別消費電流データ格納部（消費電流格納手段）、２０６  ゲート別消費電流データ格納部（消費電流格納手段）、１０７，２０７，３０７平均電流算出部（平均電流算出手段）、  １０８，２０８，３０８  チェック時間データ格納部、１０９，２０９，３０９  許容温度判断部（温度算出手段，温度比較手段）、１１０，２１０，３１０  エラーメッセージ出力部（出力手段）、２１２  ゲート別消費電流算出部（消費電流算出手段）。
【図１】
0003604742.tif 000002
【図２】
0003604742.tif 000003
【図３】
0003604742.tif 000004
【図４】
0003604742.tif 000005
【図５】
0003604742.tif 000006
【図６】
0003604742.tif 000007
【図７】
0003604742.tif 000008
【図８】
0003604742.tif 000009
【図９】
0003604742.tif 000010
【図１０】
0003604742.tif 000011
【図１１】
0003604742.tif 000012
【図１２】
0003604742.tif 000013
【図１３】
0003604742.tif 000014