Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月16日(2017.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
成長基板と、該成長基板の上に形成されたデバイスとを含むウェハーを分離するための方法であって、
前記ウェハーの前側から、第１のスクライブラインをアブレーションスクライビングするステップであり、前記ウェハー内の２列のデバイスを分離するストリートに前記第１のスクライブラインが整合する、ステップ、
前記ウェハーの後側から、前記ストリートに整合する第２のスクライブラインをステルススクライビングするステップ、
前記後側から、前記第２のスクライブラインよりも浅い深さの場所に、前記ストリートに整合する第３のスクライブラインをアブレーションスクライビング又はステルススクライビングするステップ、
を含む方法。
【請求項２】
前記第１のスクライブラインは、前記成長基板の上にエピタキシャル成長した材料の厚さを貫通して前記成長基板内に延びる深さであり、
前記成長基板内に延びる前記深さは、少なくとも、前記成長基板の上にエピタキシャル成長した前記材料の厚さである、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１のスクライブラインは、前記成長基板の上にエピタキシャル成長した材料の厚さを貫通して前記成長基板内に延びる深さであり、
前記成長基板内に延びる前記深さは、前記成長基板の上にエピタキシャル成長した前記材料の厚さの３倍以下である、
請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記成長基板は２００ミクロンよりも大きな厚さを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記ストリートは、５０ミクロン未満の幅を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記後側で、前記ストリートに整合した第４のスクライブラインをスクライビングするステップであり、前記第４のスクライブラインは、前記成長基板内において前記第２及び第３のスクライブラインとは異なる深さにある、
請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記成長基板が１００ミクロンを超える厚さを有する、
請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月15日(2017.8.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイスを製作するための方法であって、
第１の基板上の絶縁層によって囲まれたｐ型デバイスを製作するために第１の材料の前記第１の基板を第１の熱履歴において加工するステップと、
後で加工されるデバイスから前記ｐ型デバイスを電気的に絶縁するために前記第１の基板の前記絶縁層上にインターフェース層を製作するステップと、
第２の材料の第２の基板を前記第１の基板上の前記インターフェース層に直接結合するステップと、
前記第１の熱履歴よりも低い第２の熱履歴においてｎ型デバイスを製作するために前記第２の基板を加工するステップとを備え、前記ｐ型デバイスおよび前記ｎ型デバイスが協働して相補型デバイスを形成する、方法。
【請求項２】
前記第１の基板がシリコン基板である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１の熱履歴が摂氏１０００度より高い、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第２の熱履歴において前記第２の基板を加工するステップが、前記ｐ型デバイスの性能を実質的に保持する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第２の基板がＩＩＩ−Ｖ族基板である、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第２の熱履歴が摂氏７００度より低い、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記絶縁層を貫通する配線を使用して前記第１の基板の前記ｐ型デバイスと前記第２の基板の前記ｎ型デバイスを電気的に結合するステップをさらに備え、前記第２の基板が前記第１の基板上にある、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記半導体デバイスが、携帯電話、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、コンピュータ、ハンドヘルドパーソナル通信システム（ＰＣＳ）ユニット、ポータブルデータユニット、および／または固定位置のデータユニットに組み込まれる、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
第１の熱履歴を有し第１の基板上の絶縁層によって囲まれる第１の材料の前記第１の基板において第１のタイプの電荷キャリアを伝導させるための第１の手段と、
前記第１の手段の前記第１の基板の前記絶縁層上の後で加工されるデバイスからｐ型デバイスを電気的に絶縁するための手段と、
前記第１の基板上のインターフェース層に直接結合された第２の熱履歴を有する第２の材料の第２の基板において第２のタイプの電荷キャリアを伝導させるための第２の手段とを備え、前記第１の手段および前記第２の手段が協働して相補型デバイスを形成する、半導体デバイス。
【請求項１０】
前記第２の基板が前記第１の基板上にあり、前記第１の基板の前記第１の手段が前記絶縁層を貫通する配線を使用して前記第２の基板の前記第２の手段に電気的に結合される、請求項９に記載の半導体デバイス。
【請求項１１】
前記第１の基板がシリコン基板であり、前記第２の基板がＩＩＩ−Ｖ族基板である、請求項９に記載の半導体デバイス。
【請求項１２】
前記第１の熱履歴が摂氏１０００度より高く、前記第２の熱履歴が摂氏７００度より低い、請求項９に記載の半導体デバイス。
【請求項１３】
携帯電話、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、コンピュータ、ハンドヘルドパーソナル通信システム（ＰＣＳ）ユニット、ポータブルデータユニット、および／または固定位置のデータユニットの中に統合される、請求項９に記載の半導体デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成29年10月5日(2017.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワイヤレスノードのリレー動作を変更するための装置であって、前記装置が、
リレー動作の変更が望まれる前記ワイヤレスノードに、それが非リレーワイヤレスノードとして現在動作している場合、前記ワイヤレスノードのアクセスポイント動作を有効にするように要求するか、または前記ワイヤレスノードに、それのアクセスポイント動作が現在有効にされている場合、前記ワイヤレスノードの前記アクセスポイント動作を無効にするように命令するメッセージを生成するように構成された処理システムと、
前記ワイヤレスノードへの送信のために前記メッセージを与えるための手段と、
を備える装置。
【請求項２】
ワイヤレスノードのリレー動作を変更するための方法であって、前記方法が、
リレー動作の変更が望まれる前記ワイヤレスノードに、それが非リレーワイヤレスノードとして現在動作している場合、前記ワイヤレスノードのアクセスポイント動作を有効にするように要求するか、または前記ワイヤレスノードに、それのアクセスポイント動作が現在有効にされている場合、前記ワイヤレスノードの前記アクセスポイント動作を無効にするように命令するメッセージを生成することと、
前記ワイヤレスノードへの送信のために前記メッセージを与えることとを備える方法。
【請求項３】
前記ワイヤレスノードに前記アクセスポイント動作を有効にするように要求する前記メッセージの順守または非順守を示す応答メッセージを受信することをさらに備える、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記メッセージが、前記要求または前記命令を示すための少なくとも１ビットを備えるリレーアクティブ化情報要素を備える、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
プローブ要求フレーム、プローブ応答フレーム、関連付け要求フレーム、関連付け応答フレーム、およびアクション肯定応答フレームのうちの１つ中に前記メッセージを埋め込むことをさらに備える、請求項２に記載の方法。
【請求項６】
前記メッセージは、前記ワイヤレスノードが前記アクセスポイント動作を有効にするかまたは前記アクセスポイント動作を無効にする時間を示すフィールドを備えるか、または前記ワイヤレスノードが前記アクセスポイント動作を提供する他のワイヤレスノードの数を示すフィールドを備える、請求項２に記載の方法。
【請求項７】
前記ワイヤレスノードの前記アクセスポイント動作を無効にすることを告知するか、または前記ワイヤレスノードの前記アクセスポイント動作を有効にするためのパーミッションを要求する、前記ワイヤレスノードからのメッセージを処理することをさらに備える、請求項２に記載の方法。
【請求項８】
リレー動作を変更するための装置であって、前記装置が、
リレー動作の変更を望む前記装置のために、それが非リレーワイヤレスノードとして現在動作している場合、前記装置のアクセスポイント動作を有効にするためのパーミッションを要求するか、またはそれのアクセスポイント動作が現在有効にされている場合、前記装置の前記アクセスポイント動作を無効にすることを告知するメッセージを生成するように構成された処理システムと、
送信のために前記メッセージを与えるための手段と、
を備える装置。
【請求項９】
ワイヤレスノードのリレー動作を変更するための方法であって、前記方法が、
リレー動作の変更を望む前記ワイヤレスノードのために、それが非リレーワイヤレスノードとして現在動作している場合、前記ワイヤレスノードのアクセスポイント動作を有効にするためのパーミッションを要求するか、またはそれのアクセスポイント動作が現在有効にされている場合、前記ワイヤレスノードの前記アクセスポイント動作を無効にすることを告知するメッセージを生成することと、
送信のために前記メッセージを与えることとを備える方法。
【請求項１０】
前記アクセスポイント動作を有効にするための前記パーミッションを許可または拒否する応答メッセージを受信することをさらに備える、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記メッセージが、前記要求または前記告知を示すための少なくとも１ビットを備えるリレーアクティブ化情報要素を備える、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
プローブ要求フレーム、プローブ応答フレーム、関連付け要求フレーム、関連付け応答フレーム、およびアクション肯定応答フレームのうちの１つ中に前記メッセージを埋め込むことをさらに備える、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記メッセージが、前記アクセスポイント動作を無効にするかまたは前記アクセスポイント動作を有効にする時間を示すフィールドを備える、請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
前記メッセージが、前記アクセスポイント動作に現在関連付けられているワイヤレスノードの数を示すフィールドを備える、請求項９に記載の方法。
【請求項１５】
前記アクセスポイント動作が無効にされる場合、前記アクセスポイント動作に関連付けられた少なくとも１つのワイヤレスノードとの関連付けを解除するための少なくとも１つの関連付け解除メッセージを生成することをさらに備える、請求項９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月9日(2017.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体を照光する照明器具であって、前記照明器具は、
複数のＬＥＤベースの光源を含み且つ中央領域を画定する第１の部材であって、前記複数のＬＥＤベースの光源はそれぞれ個別にアドレス可能であり、前記複数のＬＥＤベースの光源は、複数の照明効果のうちの１つ又は複数を生み出す、第１の部材と、
前記中央領域内に少なくとも部分的に配置された物体のパラメータを求めるセンサと、
前記センサと、個別にアドレス可能な前記複数のＬＥＤベースの光源との間に動作可能に接続された制御装置とを含み、
第１の部材は円形の部材を含み、前記複数のＬＥＤベースの光源は前記円形の部材に沿って配設され、
前記制御装置は、前記複数の照明効果のうちの１つをもたらすために、個別にアドレス可能な前記複数のＬＥＤベースの光源のうちの１つ又は複数を制御し、得られる照明効果は、前記物体の求められたパラメータに少なくとも部分的に基づく、照明器具。
【請求項２】
更に、個別にアドレス可能な第２の複数のＬＥＤベースの光源を有する第２の部材を含む、請求項１に記載の照明器具。
【請求項３】
第２の部材は、第１の部材を少なくとも部分的に取り囲み、第２の円形の部材を含む、請求項２に記載の照明器具。
【請求項４】
前記センサは光学センサ及び光センサのうちの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の照明器具。
【請求項５】
前記複数のＬＥＤベースの光源及びもたらされた前記複数の照明効果で、前記中央領域内の前記物体が照光される、請求項１に記載の照明器具。
【請求項６】
個別にアドレス可能な前記複数のＬＥＤベースの光源の少なくとも一つは光学素子を含む、請求項１に記載の照明器具。
【請求項７】
第１の部材は、可撓性である、請求項１に記載の照明器具。
【請求項８】
第１の部材は、少なくとも部分的に表面に埋め込まれる、請求項１に記載の照明器具。
【請求項９】
前記パラメータは前記物体の高さ、前記物体のサイズ、前記物体の形状、及び前記物体の位置のうちの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の照明器具。
【請求項１０】
請求項１乃至９の何れか一項に記載の照明器具を用いて物体を照光するための方法であって、当該方法は、
前記制御装置によって、前記パラメータに関する情報を前記センサから受信するステップと、
受信された前記情報に少なくとも部分的に基づいて、前記複数の照明効果のうちの１つ又は複数を生み出すステップとを含む、方法。
【請求項１１】
前記制御装置により、前記パラメータに関する更新情報を前記センサから受信するステップと、
受信した前記更新情報に少なくとも部分的に基づいて、生み出された照明効果を変更するステップとを更に含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記照明器具の近位にいる観察者のパラメータを求めるセンサと、個別にアドレス可能な前記複数のＬＥＤベースの光源との間に動作可能に接続された制御装置は、前記複数の照明効果のうちの１つをもたらすために、個別にアドレス可能な前記複数のＬＥＤベースの光源のうちの１つ又は複数を制御し、
前記制御装置によって、前記パラメータに関する情報を前記センサから受信するステップと、
受信された前記情報に少なくとも部分的に基づいて、前記複数の照明効果のうちの１つ又は複数を生み出すステップとを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記制御装置によって、前記パラメータに関する更新情報を前記センサから受信するステップと、受信された前記更新情報に少なくとも部分的に基づいて、生み出された照明効果を変更するステップとを更に含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記パラメータは前記観察者の位置である、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記センサは距離センサである、請求項１２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月8日(2017.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複合材を含む導電性物品であって、
該複合材が、
（ａ）樹脂と、
（ｂ）前記樹脂中に分散される導電性成形粒子と、
を含み、
前記粒子が単一粒径分布を有し、各粒子が少なくとも第１の表面と、約５度〜約１５０度の角度αで前記第１の表面と交差する第２の表面とを含む形状を備え、前記複合材が、ある厚さを備える、導電性物品。
【請求項２】
前記樹脂中に分散される前記導電性成形粒子の各々が、前記粒子が前記複合材の前記厚さを超えて延在しないように、前記樹脂内に配向される、請求項１に記載の導電性物品。
【請求項３】
前記導電性成形粒子の各々が、アルミナ、ジルコニア、イットリア、イットリア安定化ジルコニア、シリカ、炭化チタン、炭化ホウ素、窒化ホウ素、又は炭化ケイ素を含むコアを含む、請求項１又は２に記載の導電性物品。
【請求項４】
前記導電性成形粒子の各々が、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、金、又はそれらの合金を含む金属コーティングを含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の導電性物品。
【請求項５】
前記導電性成形粒子の各々が、１点で接する少なくとも３つの表面を含む形状を備える、請求項１〜４のいずれか一項に記載の導電性物品。
【請求項６】
前記複合材が、２：１を超える長さ対高さのアスペクト比を備える複数の伝導性充填剤を更に含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の導電性物品。
【請求項７】
導電性物品を作製するための方法であって、
（ａ）単一粒径分布を有する導電性成形粒子であって、各粒子が、少なくとも第１の表面と、約５度〜約１５０度の角度αで前記第１の表面と交差する第２の表面とを含む形状を備える、導電性成形粒子を準備するステップと、
（ｂ）前記導電性成形粒子を樹脂中に分散させて、複合材を形成するステップと、を含み、前記複合材が、ある厚さを備える、方法。
【請求項８】
前記樹脂中に分散される前記導電性成形粒子の各々が、前記粒子が前記複合材の前記厚さを超えて延在しないように、前記樹脂内に配向される、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記複合材が、Ｚ軸抵抗試験による測定時に０．０５〜０．６０オームのｚ軸の接触抵抗を呈する、請求項７又は８に記載の方法。
【請求項１０】
前記単一粒径分布中の前記粒子の少なくとも９０％が、前記分布中の前記粒子の全ての平均表面積の５％を超えて変化しない表面積を備える、請求項７〜９のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月27日(2017.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオン注入装置におけるデュアルモード動作用のシステムであって、
イオンビームのビーム幅を、当該イオンビームの第１の局所的伝搬方向に直交する第１方向に調整するための可動のビームブロッカーと、
第１状態時に前記イオンビームを当該イオンビームの第２の局所的伝搬方向に直交する第２方向に走査し、第２状態において前記イオンビームを乱さずに透過させるスキャナと、
前記イオンビームの幅を前記スキャナの前記状態に合わせて調整するための一組の信号を、前記可動のビームブロッカー及び前記スキャナに送信するモード選択器と
を備えているシステム。
【請求項２】
前記可動のビームブロッカーが第１位置と第２位置との間を移動するように構成され、前記第１位置において、前記イオンビームが、当該イオンビームの第１ビーム幅に対する第１ビーム高の比率によって定義される第１アスペクト比を有するリボンビームを形成し、前記第２位置において、前記イオンビームが、当該イオンビームの第２ビーム幅に対する第２ビーム高の比率によって定義される第２アスペクト比を有するスポットビームを形成し、前記第１アスペクト比が第２アスペクト比よりも小さい、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
質量分析磁石をさらに備え、前記可動のビームブロッカーが前記質量分析磁石内に配置されている、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記イオンビームを発生するためのイオン源をさらに備え、前記可動のビームブロッカーが前記イオン源のアークチャンバ内に配置されている、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記イオンビームを発生するためのイオン源をさらに備え、前記可動のビームブロッカーが前記イオン源のアークチャンバの外側に配置されている、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記モード選択器が、
リボンビームを遮断することなしに透過させるように設定された第１開口幅を有するための第１信号を、前記可動のビームブロッカーに送信し、
前記可動のビームブロッカーが前記第１開口幅を有する際に、前記スキャナを前記第２状態に維持するための第２信号を前記スキャナに送信する
ように構成されている、請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記モード選択器が、
前記可動のビームブロッカー上に入射するリボンビームの部分を遮断して、前記リボンビームの一部分がスポットビームとして透過するように設定された第２開口幅を有するための第３信号を、前記可動のビームブロッカーに送信し、
前記可動のビームブロッカーが前記第２開口幅を有する際に、前記スポットビームを走査するための第４信号を前記スキャナに送信する
ように構成されている、請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
イオン注入装置であって、
イオンビームを発生するためのイオン源と、
前記イオン注入装置内の第１の場所に配置され、第１位置から第２位置へ移動するように構成された可動のビームブロッカーとを備え、前記第１位置において、前記イオンビームが第１ビーム幅を有するリボンビームを形成し、前記第２位置において、前記イオンビームが第２ビーム幅を有するスポットビームを形成し、前記第１ビーム幅は前記第２ビーム幅よりも大きいイオン注入装置。
【請求項９】
質量分析磁石をさらに備え、前記可動のビームブロッカーが前記質量分析磁石内に配置されている、請求項８に記載のイオン注入装置。
【請求項１０】
前記可動のビームブロッカーが、前記イオン源のアークチャンバ内に配置されている、請求項８に記載のイオン注入装置。
【請求項１１】
前記可動のビームブロッカーが、前記イオン源のアークチャンバの外側に配置されている、請求項８に記載のイオン注入装置。
【請求項１２】
前記可動のビームブロッカーの下流に配置されたスキャナをさらに備え、該スキャナは、第１状態時に前記イオンビームを当該イオンビームの伝搬方向に直交する方向に走査するように構成され、第２状態時に前記イオンビームを乱さずに透過させるように構成されている、請求項８に記載のイオン注入装置。
【請求項１３】
イオン注入装置を動作させる方法であって、
前記イオン注入装置の動作のモードを変更するための入力を受信するステップと、
第１信号を可動のビームブロッカーに送信して、イオンビームを透過させる開口幅を調整するステップと、
前記第１信号に合わせた第２信号をスキャナに送信して、第１状態と第２状態との間で状態を変更するステップとを含み、前記第１状態において、前記スキャナは前記イオンビームを走査するように構成され、前記第２状態において、前記スキャナは前記イオンビームを乱さずに透過させるように構成されている方法。
【請求項１４】
前記第１信号は、前記開口幅を、リボンビームを遮断することなしに透過させるように設定された第１開口幅まで増加させるための、前記可動のビームブロッカーに対する信号であり、前記第２信号は、前記可動のビームブロッカーが前記第１開口幅を有する際に、前記スキャナを第２状態に維持するための信号である、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記第１信号は、前記開口幅を、前記可動のビームブロッカー上に入射するリボンビームの部分を遮断するように設定された第２開口幅まで減少させるための、前記可動のビームブロッカーに対する信号であり、前記リボンビームの一部分がスポットビームとして透過し、前記第２信号は、前記可動のビームブロッカーが前記第２開口幅を有する際に、前記スキャナを前記第１状態に維持するための信号である、請求項１３に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】イオン注入装置及びその動作方法、イオン注入装置におけるデュアルモード動作用のシステム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
図２には具体的に示さないが、種々の実施形態では、イオン源１０２を、質量分析磁石１０４に入るリボンビームを発生するように構成することができる。種々の実施形態では、リボンビームが、スポットビームと比べて相対的に大きい、Ｘ軸に平行な方向に沿ったビーム幅を有することができる。このリボンビームは、スポットビームに比べて相対的に小さいアスペクト比を有することができ、このアスペクト比は、Ｘ軸に平行なイオンビーム幅に対するＹ軸に平行なイオンビーム高の比率によって定義される。リボンビームについては、このアスペクト比を三分の一（１／３）未満にすることができ、一部の実施形態では十分の一未満にすることができる。例えば、イオンがＺs軸に沿った軌跡を有して基板１１４に供給されるリボンビームは、基板１１４において、Ｘs軸に沿った約３００〜４００mmの幅及びＹ軸に沿った約２０mmの高さを有することができる。実施形態はこの関係に限定されない。
【手続補正書】
【提出日】平成29年9月26日(2017.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】イオン源及びイオン源を洗浄し動作させる方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【図１】第１実施形態によるイオン源を示す図である。
【図２】洗浄モードで動作中の図１のイオン源を示す図である。
【図３】図３Ａは、イオン源の動作を説明するフローチャートである。図３Ｂは、イオン源の動作を説明するフローチャートである。
【図４】第２実施形態によるイオン源を示す図である。
【図５】第３実施形態によるイオン源を示す図である。
【図６】第４実施形態によるイオン源を示す図である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
接地電極１１４ｂは、接地電極電源１５５によってバイアスをかけることができる。一部の実施形態では、接地電極１１４ｂを接地し、これにより接地電極電源１５５の必要性をなくす。抑制電極１１４ａは、抑制電源１５３によって給電することができる。抽出電源１５４を用いて、イオン源チャンバ１０２の壁面にバイアスをかける。一部の実施形態では、抑制電源１５３及び／または抽出電源１５４が接地電極１１４ｂを基準とすることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
接地電極１１４ｂに、接地電極電源１５５によってバイアスをかけて、イオン１０をイオン源チャンバ１０２から抽出することができる。一部の実施形態では、接地電極１１４ｂを接地することができ、接地電極１１４ｂは電源と導通しない。こうしたイオン１０を基板に向けて指向させることができる。一実施形態では、抑制電源１５３が、＋／−のバイアス電圧、及び連続した／パルス化されたＡＣ／ＤＣを抑制電極１１４ａに供給することができる。１つの特定実施形態では、抑制電源１５３が、約−２kV〜−３０kVを約１００mAで抑制電極１１４ａに供給することができる。抽出電源１５４は、約１０kV〜７０kVをイオン源チャンバ１０２の壁面に供給することができる。抽出電源１５４は、２５mAから約２００mAまでの間の電流を供給することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
これに加えて、洗浄モードでは、イオンビーム２１０をデフォーカスさせる。このデフォーカスは多数の方法で実現することができる。一実施形態では、引き出し電極アセンブリ１１４と抽出開口１０４との間の距離を変化させる。一実施形態では、これらの構成要素間の距離を増加させる。他の実施形態では、イオン源チャンバ１０２の壁面、抑制電極１１４ａ、及び／または接地電極１１４ｂに印加するバイアス電圧を変更することによってデフォーカスを実現する。例えば、一例では、イオン源チャンバ１０２の壁面に約５kVのバイアスをかけ、抑制電極１１４ａに−７kVのバイアスをかけ、接地電極１１４ｂを接地する。他の実施形態では、これらの技法の組合せによってデフォーカスを実現し、この組合せによれば、抽出開口１０４と引き出し電極アセンブリ１１４との間の距離を変更し、イオン源チャンバ１０２の壁面、抑制電極１１４ａ、及び接地電極１１４ｂのうち少なくとも１つに印加するバイアス電圧も変更する。
【手続補正書】
【提出日】平成29年4月25日(2017.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロセッサ（１２５）、および
前記プロセッサ（１２５）に結合されるコンピュータ可読媒体（１１０）
を備え、
前記コンピュータ可読媒体（１１０）は、前記プロセッサ（１２５）により実行されると、前記プロセッサ（１２５）に、
染色アッセイの画像上にマスクを投影するステップであって、前記マスクが１つまたは複数の解剖学的アッセイの画像から生成される、ステップと、
前記マスクに基づいて、前記染色アッセイの前記画像中の対象の特徴を検出するステップであって、前記マスクは、その他の方法では前記染色アッセイの前記画像中で検出できないそれぞれの前記対象の特徴の分析のための解剖学的状況を提供する、ステップと
を含む動作を実施させる命令を記憶し、
前記染色アッセイおよび前記１つまたは複数の解剖学的アッセイの画像が、同じ組織標本（２３０）からの組織片の画像に対応する、システム（１００）。
【請求項２】
前記動作が、前記１つまたは複数の解剖学的アッセイおよび前記染色アッセイの画像間の共通の特徴を決定するステップと、前記染色アッセイおよび前記１つまたは複数の解剖学的アッセイについて共通の位置合わせを達成するステップとをさらに含む、請求項１に記載のシステム（１００）。
【請求項３】
前記マスクが前記画像の領域を含む、請求項１または２に記載のシステム（１００）。
【請求項４】
前記対象の特徴の位置を前記領域と関連付けるステップをさらに含む、請求項３に記載のシステム（１００）。
【請求項５】
前記染色アッセイが、前記組織標本（２３０）の複数の隣接スライド（２３１−２３４）に対応する複数の染色アッセイのうちの１つである、請求項１から４のいずれかに記載のシステム（１００）。
【請求項６】
前記複数の染色アッセイおよび前記１つまたは複数の解剖学的アッセイの前記画像が共通の位置合わせを共用する、請求項５に記載のシステム（１００）。
【請求項７】
前記複数の染色アッセイの前記画像が、前記１つまたは複数の解剖学的アッセイの前記画像と、前記複数の染色アッセイの前記画像の中心に配置される、請求項６に記載のシステム（１００）。
【請求項８】
前記マスクが前記１つまたは複数の解剖学的アッセイの画像の領域を含む、請求項１に記載のシステム（１００）。
【請求項９】
前記領域が巨視的解剖学的特徴を含み、および／または、前記巨視的解剖学的特徴を識別することにより生成され、前記巨視的解剖学的特徴が、腫瘍、腫瘍の領域、腫瘍腺の輪郭、腫瘍の侵襲性マージン、原発腫瘍、および転移部位のうちの１つまたは複数である、請求項８に記載のシステム（１００）。
【請求項１０】
前記領域が微視的解剖学的特徴を含み、前記微視的解剖学的特徴が、腫瘍内の特定の構造の存在および腫瘍の特性のうちの少なくとも１つであり、および／または、前記領域がインターフェイスを介してユーザ選択可能である、請求項８に記載のシステム（１００）。
【請求項１１】
プロセッサ（１２５）により実行されて、
組織標本（２３０）に対応する染色アッセイの画像に関する、１つまたは複数の対象の特徴についての問い合わせを受け取るステップと、
前記問い合わせに基づいて、同じ組織標本（２３０）からの組織の試料に対応する解剖学的アッセイの画像から生成された解剖学的マスクを取り出すステップと、
前記解剖学的マスクを前記染色アッセイの前記画像上に投影するステップであって、前記マスクは、その他の方法では前記染色アッセイの前記画像中で検出できないそれぞれの前記対象の特徴の分析のための解剖学的状況を提供する、ステップと
を含む動作を実施するコンピュータ可読コードを記憶する有形非一時的コンピュータ可読媒体（１１０）であって、
前記解剖学的マスクと一致する前記染色アッセイ中の任意の対象の特徴が、分析のために選択される、有形非一時的コンピュータ可読媒体（１１０）。
【請求項１２】
前記解剖学的マスクが、腫瘍、腫瘍中心、侵襲の最前線、選択された特徴を有する腫瘍領域、細胞核、および組織タイプのうちの１つまたは複数を識別する、請求項１１に記載のコンピュータ可読媒体（１１０）。
【請求項１３】
前記１つまたは複数の対象の特徴が、遺伝子発現、タンパク質発現、および免疫細胞の母集団の任意の組合せを含む、請求項１２に記載のコンピュータ可読媒体（１１０）。
【請求項１４】
前記染色アッセイが、アッセイの胸のパネルの部分である、請求項１１から１３のいずれかに記載のコンピュータ可読媒体（１１０）。
【請求項１５】
前記１つまたは複数の対象の特徴が、エストロゲン受容体、プロゲステロン受容体、および増殖マーカの任意の組合せを含む、請求項１４に記載のコンピュータ可読媒体（１１０）。
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月1日(2017.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のノードを有する装置内のノードによって実施される通信のための方法であって、
データ信号を第1の電圧レベルに駆動することによって、通信リンクの制御を求めて競合するステップであって、前記通信リンクが、データ信号とクロック信号の両方を搬送するステップと、
データ信号を第1の電圧レベルに駆動するステップが実行される時から開始して、第1の時間期間の間に前記データ信号を監視するステップと、
前記データ信号の電圧が、前記第1の時間期間の満了時に、前記通信リンクの制御を求めて競合する異なるノードによって第2の電圧レベルに駆動されている場合、前記通信リンクの制御を譲るステップと、
前記データ信号の電圧が、前記第1の時間期間の満了時に前記第1の電圧レベルのままである場合、前記データ信号を第2の電圧レベルに駆動することによって、前記通信リンクに対する制御をアサートするステップと、
前記通信リンクの制御をアサートした後、前記通信リンク上でメッセージを送信するステップと
を含み、
前記第1の時間期間が、前記メッセージの優先度に対応する持続時間を有する、方法。
【請求項２】
前記通信リンクの制御を求めて競合するステップが、
前記データ信号を前記第1の電圧レベルに駆動する前に、前記通信リンクの前記データ信号およびクロック信号が第2の時間期間の間にアイドルであったと決定するステップ
を含む、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記第2の時間期間が、前記メッセージの優先度、または、前記通信リンク上で前記メッセージを送信するように構成されたノードに関連付けられた優先度に基づいて計算され、前記第2の時間期間が、より高い優先度に対してより短い、請求項2に記載の方法。
【請求項４】
前記第1の時間期間が、前記通信リンクの制御を求めて競合する2つ以上のノードに対して異なって定義される、請求項1に記載の方法。
【請求項５】
前記第1の時間期間が、前記通信リンクに関連付けられた送信タイミング単位の倍数として計算され、前記データ信号が、1送信タイミング単位未満の間に、前記第1の電圧レベルに駆動される、請求項1に記載の方法。
【請求項６】
前記通信リンクが、異なる集積回路デバイス上に配置されたノードを接続する、請求項5に記載の方法。
【請求項７】
前記異なる集積回路デバイス上に配置された前記ノードが、異なる内部クロックレートにおいて動作し、前記送信タイミング単位が、前記内部クロックの最も遅いもののクロック周期以上である、請求項6に記載の方法。
【請求項８】
前記第1の時間期間が、前記メッセージの前記優先度と、前記通信リンク上で前記メッセージを送信するように構成されたノードのアドレスとの加重和として計算され、前記第1の時間期間が、より優先度の高いメッセージまたはより優先度の高いノードに対してより短い、請求項1に記載の方法。
【請求項９】
前記第1の時間期間の間に前記データ信号を監視するステップが、前記通信リンク上で前記メッセージを送信するように構成されたノードが高インピーダンス状態に入ることを引き起こすステップを含む、請求項1に記載の方法。
【請求項１０】
前記通信リンクの制御が、前記データ信号およびクロック信号の制御を含む、請求項1に記載の方法。
【請求項１１】
データ信号を第1の電圧レベルに駆動することによって、通信リンクの制御を求めて競合するための手段であって、前記通信リンクが、データ信号とクロック信号の両方を搬送する手段と、
データ信号を第1の電圧レベルに駆動するステップが実行される時から開始して、第1の時間期間の間に前記データ信号を監視するための手段と、
前記データ信号の電圧が、前記第1の時間期間の満了時に、前記通信リンクの制御を求めて競合する異なるノードによって第2の電圧レベルに駆動されている場合、前記通信リンクの制御を譲るための手段と、
前記データ信号の電圧が、前記第1の時間期間の満了時に前記第1の電圧レベルのままである場合、前記データ信号を第2の電圧レベルに駆動することによって、前記通信リンクに対する制御をアサートするための手段と、
前記通信リンクの制御をアサートした後、前記通信リンク上でメッセージを送信するための手段と
を備え、
前記第1の時間期間が、前記メッセージの優先度に対応する持続時間を有する、ノード装置。
【請求項１２】
前記通信リンクの制御を求めて競合するための前記手段が、前記データ信号を前記第1の電圧レベルに駆動する前に、前記通信リンクの前記データ信号およびクロック信号が第2の時間期間の間にアイドルであったと決定するように構成される、請求項11に記載の装置。
【請求項１３】
前記第2の時間期間が、前記メッセージの優先度、または、前記通信リンク上で前記メッセージを送信するように構成されたノードに関連付けられた優先度に基づいて計算され、前記第2の時間期間が、より高い優先度に対してより短い、請求項12に記載の装置。
【請求項１４】
前記第1の時間期間が、前記通信リンクの制御を求めて競合する2つ以上のノードに対して異なって定義される、請求項11に記載の装置。
【請求項１５】
その上に記憶された命令を有する機械可読記憶媒体であって、前記命令は、少なくとも1つの処理回路によって実行されたときに、前記少なくとも1つの処理回路に、複数のノードを有する装置内のノードによって実行される通信のための方法を実施させ、前記命令は、請求項１から１０のいずれか一項に記載の方法を実行するための命令を含む、機械可読記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成29年10月17日(2017.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
タッチスクリーンパネルのための透明体（１０）を製作するプロセスであって、
フレキシブル透明基板（１４）の上に第１の透明層スタック（１２）を堆積することであって、前記第１の透明層スタック（１２）が、第１の屈折率を有する第１の誘電体膜（１６）と、前記第１の屈折率と異なる第２の屈折率を有する第２の誘電体膜（１８）とを少なくとも含む、堆積すること、
前記第１の透明層スタック（１２）の上に透明導電性膜（２２）を設けること、
前記透明導電性膜の上に導電性材料の層を堆積すること、
前記導電性材料の層の上にポリマー層を設けること、
前記ポリマー層上にパターンをインプリントすること、
前記パターンに基づいて前記導電性材料の層をエッチングし、前記タッチスクリーンパネルのための導電経路を形成すること、及び
前記パターンに基づいて前記透明導電性膜をエッチングし、タッチ検出のための構造化された透明導電パターンを形成すること
を含むプロセス。
【請求項２】
前記構造化された透明導電パターンの上に第２の透明層スタックを堆積することであって、前記第２の透明層スタックが、
第３の屈折率から前記第３の屈折率と異なる第４の屈折率までの傾斜した屈折率を有する第３の誘電体膜を含む層スタックと、
第３の屈折率を有する第３の誘電体膜、並びに、前記第３の屈折率と異なる第４の屈折率をそれぞれ有する第４の誘電体膜又は透明接着剤を少なくとも含む層スタックと
からなるグループから選択される、堆積すること、
前記第２の透明層スタックの上に更なるフォトレジストを設けること、
前記更なるフォトレジストの上に更なるパターンをインプリントすること、及び
前記更なるパターンに基づいて前記第２の透明層スタックをエッチングし、前記導電経路を露出すること、
を更に含む、請求項１に記載のプロセス。
【請求項３】
前記第１の誘電体膜（１６）、前記第２の誘電体膜（１８）、又は前記透明導電性膜（２２）のうちの少なくとも１つが、ターゲットのスパッタリングによって堆積される、請求項１又は２に記載のプロセス。
【請求項４】
前記第１の誘電体膜が少なくとも１．８の屈折率を有し、前記第２の誘電体膜が１．５以下の屈折率を有し、且つ／又は、第３の誘電体膜が少なくとも１．８の屈折率を有し、第４の誘電体膜が１．５以下の屈折率を有する、請求項１から３のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項５】
前記第１の透明層スタック及び第２の透明層スタックが、屈折率整合層スタックであり、且つ／又は、ＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ、ＳｉＯｘＮｙ、ＡｌＯｘ、ＡｌＯｘＮｙ、ＴｉＯｘ、ＴａＯｘ、ＭｇＦｘ、ＮｂＯ、及びそれらの組み合わせからなるグループから選択される、請求項１から４のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項６】
前記誘電体膜が、ＭＦスパッタリングによってスパッタリングされ、前記透明導電性膜が、ＤＣスパッタリングによってスパッタリングされる、請求項１から５のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項７】
前記透明導電性膜が、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）を含む、請求項１から６のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項８】
前記導電性材料の層が、少なくとも５０重量％のＣｕ、Ａｇ、Ａｌ、ＡｌＮｄ、Ｍｏ、又はＭｏＮｂを含む、請求項１から７のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項９】
前記フレキシブル透明基板が、プラスチック膜である、請求項１から８のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項１０】
前記プラスチック膜がハードコートされる、請求項９に記載のプロセス。
【請求項１１】
前記透明体を覆うために第２のフレキシブル膜を設けることを更に含む、請求項１から１０のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項１２】
タッチスクリーンパネルのための透明体であって、
フレキシブル透明基板、
前記透明基板の上に堆積される第１の透明層スタックであって、前記透明層スタック（１２）が、第１の屈折率を有する第１の誘電体膜（１６）と、前記第１の屈折率と異なる第２の屈折率を有する第２の誘電体膜（１８）とを少なくとも含む、第１の透明層スタック、
インプリントパターンに基づいてエッチングされる、タッチ検出のための構造化された透明導電パターン、及び
前記インプリントパターンに基づいてエッチングされる、前記タッチスクリーンパネルのための導電経路
を含む透明体。
【請求項１３】
前記構造化された透明導電パターンの上の第２の透明層スタックであって、
第３の屈折率から前記第３の屈折率と異なる第４の屈折率までの傾斜した屈折率を有する第３の誘電体膜を含む層スタックと、
第３の屈折率を有する第３の誘電体膜、並びに、前記第３の屈折率と異なる第４の屈折率をそれぞれ有する第４の誘電体膜又は透明接着剤を少なくとも含む層スタックと
からなるグループから選択される、第２の透明層スタックを更に備え、
前記第２の透明層スタックがエッチングされて、前記導電経路を露出する、請求項１２に記載の透明体。
【請求項１４】
前記構造化された透明導電パターンが、１００オーム／スクエア以下のシート抵抗に対応する、請求項１２又は１３に記載の透明体。
【請求項１５】
タッチスクリーンパネルのための透明体（１０）を製作するシステムであって、
基板（１４）の上に第１の透明層スタック（１２）を堆積するように構成される第１の堆積アセンブリであって、前記第１の透明層スタック（１２）が、第１の屈折率を有する第１の誘電体膜（１６）と、前記第１の屈折率と異なる第２の屈折率を有する第２の誘電体膜（１８）とを少なくとも含む、第１の堆積アセンブリ、
透明導電性膜（２２）を堆積するように構成される第２の堆積アセンブリ、
導電性材料の層を堆積するように構成される第３の堆積アセンブリ、
フォトレジスト堆積ステーション、
インプリントステーション、
硬化ステーション、
エッチングステーション、及び
第２の透明層スタック（１２）を堆積するように構成される第３の堆積アセンブリであって、前記第２の透明層スタック（１２）が、第３の屈折率を有する第３の誘電体膜（１６）を少なくとも含む、第３の堆積アセンブリ
を備え、
前記第１の堆積アセンブリ、前記第２の堆積アセンブリ、及び前記第３の堆積アセンブリは、前記第１の透明層スタック（１２）、前記透明導電性膜（２２）、及び前記第２の透明層スタックがこの順番で前記基板（１４）の上に配置されるように構成され、且つ、前記第１の堆積アセンブリ、前記第２の堆積アセンブリ、又は前記第３の堆積アセンブリのうちの少なくとも１つが、ターゲットに動作可能に連結されるスパッタリングシステムを備え、前記スパッタリングシステムが、前記ターゲットのスパッタリングによって、前記第１の誘電体膜（１６）、前記第２の誘電体膜（１８）、前記第３の誘電体膜、第４の誘電体膜、又は前記透明導電性膜（２２）のうちの少なくとも１つを堆積するように構成される、システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
［０００８］上述に照らして、独立請求項に記載のプロセス、デバイス、及び装置が提供される。本発明の更なる態様、利点、及び特徴は、従属請求項、明細書、及び添付の図面から明らかとなる。
【手続補正書】
【提出日】平成29年9月13日(2017.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単一視点カメラをステレオカメラに変換するための方法であって、
第１の単一視点カメラの有効位置および有効方位を一時的に変更するために少なくとも１つの光学要素を使用することと、前記変更された有効位置は、第２の単一視点カメラの有効位置から所定の距離にわたって変位され、前記変更された有効方位は、前記第２の単一視点カメラの視野と重複する視野を前記第１の単一視点カメラに与える、
前記少なくとも１つの光学要素を使用し、前記第１の単一視点カメラで第１の画像をキャプチャすることと、
前記第２の単一視点カメラで第２の画像をキャプチャすることと、前記第２の画像は、前記第１の画像の基準のフレームから前記所定の距離にわたって変位された基準のフレームを有する、
前記第１の画像と前記第２の画像の両方のキャプチャを開始するために単一のボタンを押下することと、
前記第１の画像と前記第２の画像にある少なくとも１つの共通の対象物のサイズを算出することと、前記算出されたサイズは、前記第１の画像の前記基準のフレームと前記第２の画像の前記基準のフレームとの間の前記所定の距離に少なくとも部分的に基づく
を備える方法。
【請求項２】
前記少なくとも１つの光学要素は、前記第１の単一視点カメラの前記有効位置と前記第２の単一視点カメラの有効位置との間の前記所定の距離にわたる変位を一時的に固定する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記少なくとも１つの光学要素は、前記第１の画像を前記第１の単一視点カメラに向かって反射させるミラーを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記少なくとも１つの光学要素は、前記第１の画像を前記第１の単一視点カメラに集束させるレンズを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記少なくとも１つの光学要素は、前記第１の画像を前記第１の単一視点カメラに向かって伝播させるライトパイプを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第１の単一視点カメラと前記第２の単一視点カメラとを含むモバイルデバイスに前記少なくとも１つの光学要素を取り付けること
をさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第１の単一視点カメラと前記第２の単一視点カメラとを含むモバイルデバイスに前記少なくとも１つの光学要素をスナップ嵌合すること
をさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第１の単一視点カメラはモバイルデバイスの前向きのカメラを備え、前記第２の単一視点カメラは前記モバイルデバイスの後ろ向きのカメラを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記第１の画像と前記第２の画像は同時にキャプチャされる、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１の画像と前記第２の画像にある前記少なくとも１つの共通の対象物の前記算出されたサイズに少なくとも部分的に基づいて、シーンの数学的再構成を実施すること
をさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１の単一視点カメラの前記視野を、重複する第１の視野と第２の視野とに一時的に分割するために、前記少なくとも１つの光学要素を使用すること
をさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記第２の単一視点カメラの前記視野を、重複する第１の視野と第２の視野とに一時的に分割するために、前記少なくとも１つの光学要素を使用すること
をさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
装置であって、
第１の画像をキャプチャするための手段と、
第２の画像をキャプチャするための手段と、前記第２の画像は、前記第１の画像の基準のフレームから所定の距離にわたって変位された基準のフレームを有する、
前記第１の画像をキャプチャする間に、前記第１の画像をキャプチャするための前記手段の有効位置および有効方位を一時的に変更するための光学的手段と、前記変更された有効位置は、前記第２の画像をキャプチャするための前記手段の有効位置から前記所定の距離にわたって変位され、前記変更された有効方位は、前記第１の画像をキャプチャするための前記手段に、前記第２の画像をキャプチャするための前記手段の視野と重複する視野を与える、
前記第１の画像と前記第２の画像の両方のキャプチャを開始するために単一のボタンを押下するための手段と、
前記第１の画像と前記第２の画像にある少なくとも１つの共通の対象物のサイズを算出するための手段と、前記算出されたサイズは、前記第１の画像の前記基準のフレームと前記第２の画像の前記基準のフレームとの間の前記所定の距離に少なくとも部分的に基づく
を備える装置。
【請求項１４】
前記光学的手段は、前記第１の画像をキャプチャするための前記手段の前記有効位置と前記第２の画像をキャプチャするための前記手段の有効位置との間の前記所定の距離にわたる変位を一時的に固定する、請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記光学的手段は、
前記第１の画像を、前記第１の画像をキャプチャするための前記手段に向かって反射させるための手段
を備える、請求項１３に記載の装置。