【手続補正書】
【提出日】平成29年9月15日(2017.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイスであって、
第１の導電型を有する半導体を含む基板と、
垂直のドレイン拡張された金属酸化物半導体（ＭＯＳ）トランジスタと、
を含み、
前記垂直のドレイン拡張されたＭＯＳトランジスタが、
前記基板に配置される少なくとも１ミクロンの深さのディープトレンチ構造であって、前記基板に隣接する誘電体ライナーを有する、前記ディープトレンチ構造と、
前記基板に配置される前記第１の導電型とは反対の第２の導電型を有する垂直ドレインコンタクト領域であって、前記ディープトレンチ構造に隣接し、前記ディープトレンチ構造により少なくとも２つの対向する側部で区分され、前記ディープトレンチ構造の底部より下に延在する、前記垂直ドレインコンタクト領域と、
前記基板に配置され、前記第２の導電型を有する垂直に向けられるドリフト領域であって、前記ディープトレンチ構造の一部により前記垂直ドレインコンタクト領域から横方向に分離され、前記ディープトレンチ構造の底部に近接する前記垂直ドレインコンタクト領域への電気的コンタクトを成す、前記垂直に向けられるドリフト領域と、
前記垂直に向けられるドリフト領域の上に配置される前記第１の導電型を有するボディ領域と、
を含む、半導体デバイス。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体デバイスであって、
前記垂直ドレインコンタクト領域が、前記垂直ドレインコンタクト領域に隣接する前記ディープトレンチ構造を横方向に過ぎて延在しない、半導体デバイス。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体デバイスであって、
前記垂直ドレインコンタクト領域が、前記垂直ドレインコンタクト領域に隣接する前記ディープトレンチ構造を過ぎて横方向に延在する、半導体デバイス。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体デバイスであって、
前記垂直ドレインコンタクト領域が、前記垂直に向けられるドリフト領域の下で横方向に延在し、前記垂直ドレインコンタクト領域の近傍の部分に隣接する、半導体デバイス。
【請求項５】
請求項１に記載の半導体デバイスであって、
前記垂直ドレインコンタクト領域が、前記ディープトレンチ構造により横方向に囲まれ、前記ディープトレンチ構造が閉ループ構成を有する、半導体デバイス。
【請求項６】
請求項１に記載の半導体デバイスであって、
前記垂直に向けられるドリフト領域が、前記ディープトレンチ構造により横方向に囲まれ、前記ディープトレンチ構造が閉ループ構成を有する、半導体デバイス。
【請求項７】
請求項１に記載の半導体デバイスであって、
前記ボディ領域が、前記ボディ領域とは反対の前記垂直ドレインコンタクト領域に隣接する前記ディープトレンチ構造の前記一部に隣接する、半導体デバイス。
【請求項８】
請求項１に記載の半導体デバイスであって、
前記ボディ領域が、前記ボディ領域とは反対の前記垂直ドレインコンタクト領域に隣接する前記ディープトレンチ構造の前記一部から誘電体材料により横方向に分離される、半導体デバイス。
【請求項９】
請求項１に記載の半導体デバイスであって、
前記ディープトレンチ構造が２．５ミクロン〜５ミクロンの深さである、半導体デバイス。
【請求項１０】
請求項１に記載の半導体デバイスであって、
前記第１の導電型がｐ型であり、前記第２の導電型がｎ型である、半導体デバイス。
【請求項１１】
第１の導電型を有する半導体を含む基板と、
垂直ドレイン拡張金属酸化物半導体（ＭＯＳ）トランジスタと、
を含む半導体装置であって、
前記垂直ドレイン拡張ＭＯＳトランジスタが、
前記基板内に配置される少なくとも１ミクロンの深さのディープ隔離トレンチ構造であって、前記基板に隣接する誘電体ライナーを有する、前記ディープ隔離トレンチ構造と、
前記第１の導電型と反対の第２の導電型を有して前記基板内に配置される垂直ドレインコンタクト領域であって、前記ディープ隔離トレンチ構造に隣接し、前記ディープ隔離トレンチ構造により少なくとも２つの対向する側部で区分され、前記基板の表面から前記ディープ隔離トレンチ構造の端部に沿って前記ディープ隔離トレンチ構造の底部の下に延在する、前記垂直ドレインコンタクト領域と、
前記第２の導電型と前記垂直ドレインコンタクト領域よりも少ないドーパント濃度とを有し、前記基板内に配置され、前記誘電体ライナーを含む前記ディープ隔離トレンチ構造の一部により前記垂直ドレインコンタクト領域から横方向に分離される垂直に向けられるドリフト領域であって、前記ディープ隔離トレンチ構造の前記底部に近接する前記垂直ドレインコンタクト領域と電気的コンタクトを形成する、前記垂直に向けられるドリフト領域と、
前記第１の導電型を有して前記垂直に向けられるドリフト領域上に配置されるボディ領域と、
を含む、半導体装置。
【請求項１２】
半導体デバイスを形成する方法であって、
第１の導電型を有する半導体を含む基板を提供することと、
垂直のドレイン拡張されたＭＯＳトランジスタを形成することであって、
前記垂直のドレイン拡張されたＭＯＳトランジスタが、
垂直に向けられるドリフト領域のために画定されるエリアにおいて前記第１の導電型と反対の第２の導電型のドーパントを前記基板に注入することと、
前記基板に少なくとも１ミクロンの深さのディープ隔離トレンチを形成することであって、前記ディープ隔離トレンチが前記垂直に向けられるドリフト領域のために画定される前記エリアに隣接する、前記ディープ隔離トレンチを形成することと、
少なくとも１つのディープトレンチ構造を形成するために、前記ディープ隔離トレンチに前記基板に接する誘電体ライナーを形成することと、
前記ディープトレンチ構造により少なくとも２つの対向する側部で区分される垂直ドレインコンタクト領域のために画定されるエリアにおいて前記基板に前記第２の導電型のドーパントを注入することであって、前記垂直ドレインコンタクト領域における前記ドーパントのドーズ量が、前記垂直に向けられるドリフト領域における前記ドーパントのドーズ量より少なくとも１０倍高くなるようにし、前記垂直に向けられるドリフト領域が、前記ディープトレンチ構造の一部により前記垂直ドレインコンタクト領域から横方向に分離される、前記ドーパントを注入することと、
前記垂直に向けられるドリフト領域と前記垂直ドレインコンタクト領域とをそれぞれ形成するために、前記垂直に向けられるドリフト領域のために画定された前記エリアと前記ドレインコンタクト領域のために画定された前記エリアとにおける前記注入されたドーパントを活性化及び拡散するように前記基板を加熱する熱駆動オペレーションを実施することであって、そのため、前記垂直ドレインコンタクト領域が前記ディープトレンチ構造の底部より下に延在し、前記垂直に向けられるドリフト領域が、前記ディープトレンチ構造の前記底部に近接する前記垂直ドレインコンタクト領域との電気的コンタクトを成す、前記熱駆動オペレーションを実施することと、
前記垂直に向けられるドリフト領域の上に配置される前記第１の導電型を有するボディ領域を形成することと、
を含むプロセスにより形成される、前記垂直のドレイン拡張されたＭＯＳトランジスタを形成することと、
を含む、方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の方法であって、
前記ディープ隔離トレンチにおける前記誘電体ライナー上に導電性中央部材を形成することを更に含む、方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の方法であって、
前記導電性中央部材がポリシリコンを含み、前記垂直ドレインコンタクト領域にドーパントを注入することがドーパントを前記導電性中央部材に提供する、方法。
【請求項１５】
請求項１２に記載の方法であって、
前記垂直ドレインコンタクト領域が、前記垂直に向けられるドリフト領域の下で横方向に延在し、前記垂直ドレインコンタクト領域の近隣の部分に隣接する、方法。
【請求項１６】
請求項１２に記載の方法であって、
前記垂直ドレインコンタクト領域が前記ディープトレンチ構造により横方向に囲まれ、前記ディープトレンチ構造が閉ループ構成を有する、方法。
【請求項１７】
請求項１２に記載の方法であって、
前記垂直に向けられるドリフト領域が前記ディープトレンチ構造により横方向に囲まれ、前記ディープトレンチ構造が閉ループ構成を有する、方法。
【請求項１８】
請求項１２に記載の方法であって、
前記ボディ領域が、前記ボディ領域とは反対の前記垂直ドレインコンタクト領域に隣接する前記ディープトレンチ構造の前記一部に隣接する、方法。
【請求項１９】
請求項１２に記載の方法であって、
前記ボディ領域が、前記ボディ領域とは反対の前記垂直ドレインコンタクト領域に隣接する前記ディープトレンチ構造の前記一部から誘電性材料により横方向に分離される、方法。
【請求項２０】
請求項１２に記載の方法であって、
前記ディープトレンチ構造が２．５ミクロン〜５ミクロンの深さである、方法。
【請求項２１】
請求項１２に記載の方法であって、
前記第１の導電型がｐ型であり、前記第２の導電型がｎ型である、方法。