(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁フィルムに接着剤層を介して銅箔を貼着し、該銅箔をエッチングして所望の配線パターンを形成した電子部品実装用フィルムキャリアテープであって、
該絶縁フィルムに、デバイスを搭載するためのデバイス搭載手段が形成されており、
該デバイス搭載手段に延出された配線パターンであるインナーリードのピッチ幅が３０μm以上６０μm未満であり、
そして、該インナーリードが、平均表面粗度が３.５μｍ未満である整面されていない
電解銅箔面のシャイニイ面が絶縁フィルムに対面して接着剤で該絶縁フィルムに接着された電解銅箔から形成されていると共に、該インナーリードの少なくともバンプ電極接合面にスズメッキ層が形成されており、該バンプ電極との接合面が、インナーリードを形成する電解銅箔のシャイニイ面であることを特徴とする電子部品実装用フィルムキャリアテープ。
【請求項２】
上記インナーリードのバンプ電極接合面の平均表面粗度が、１.０μｍを超え３.２５μm以下の範囲内にあることを特徴とする請求項第１項記載の電子部品実装用フィルムキャ
リアテープ。
【請求項３】
上記インナーリードのバンプ電極接合面の平均表面粗度が、１.０μｍを超え３.０μm
以下の範囲内にあることを特徴とする請求項第１項または第２項記載の電子部品実装用フィルムキャリアテープ。
【請求項４】
上記電解銅箔の厚さが、６〜２５μmの範囲内にあることを特徴とする請求項第１項記
載の電子部品実装用フィルムキャリアテープ。
【請求項５】
上記インナーリードに形成されているスズメッキ層の厚さが、０.０１〜１μｍの範囲
内にあることを特徴とする請求項第１項記載の電子部品実装用フィルムキャリアテープ。
【請求項６】
上記インナーリードに形成されているスズメッキ層が、厚さ０.０１〜１μｍの厚さに
スズメッキした後、厚さ０.０１〜１μｍのフラッシュスズメッキをすることにより形成
されていることを特徴とする請求項第１項記載の電子部品実装用フィルムキャリアテープ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の技術分野】
本発明はＩＣあるいはＬＳＩなどの電子部品を実装するフィルムキャリアテープ（ＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）テープ）に関する。特に本発明は、インナーリードのピッチ幅が３０μｍ以上６０μｍ未満である従来よりも狭ピッチのリードパターンを有するＴＡＢテープに関する。
【０００２】
【発明の技術的背景】
近年ノートパソコンなどの電子機器がますます小型化、軽量化している。また、半導体ＩＣの配線もさらに微細化している。ＩＣあるいはＬＳＩをプリント配線板に搭載するため、または、液晶ディスプレイ装置の駆動ＩＣを液晶基板に接続するため等に使用される電子部品実装用フィルムキャリアテープに形成される配線パターンについてもファインピッチ化の要請が高い。
【０００３】
従来、上記のようなデバイスは、基板である絶縁フィルムに、搭載されるデバイスよりも大きいデバイスホールを形成し、このデバイスホールの縁部からデバイスホールの内側に向かって導体箔を多数のインナーリードとして延出し、このインナーリードにスズメッキを施した後、配線パターンの形成されていない絶縁フィルム面側（裏面）から、このインナーリードにデバイスに形成されたバンプ電極を接合することにより装着される。すなわち、絶縁フィルム面側の裏面からデバイスを挿入し、デバイスに形成されたバンプ電極とインナーリードとを加熱圧着接合することにより、バンプ電極を形成する金とインナーリードの表面のスズメッキ層のスズとが共晶合金を形成してインナーリードとバンプ電極とがボンディングされる。
【０００４】
従来、ＴＡＢテープのインナーリードのピッチ（Ｐ0）は１００μｍ程度であったが、
近時このリードピッチ（Ｐ0）を６０〜８０μｍにすることが提案されており（例えば、
特開平５-１６０２０８号公報等参照）、さらに、最近では、このリードピッチを６０μ
ｍよりも狭くすることが検討されつつある。
【０００５】
また、一方で、上記のようにリードピッチ幅が狭くなるにつれて、インナーリードを形成する銅箔も薄くなってきており、１８〜３６μｍ前後の厚さの銅箔が使用されている。ＴＡＢテープで使用されている銅箔には、圧延銅箔および電解銅箔があるが、ファインピッチのＴＡＢテープを形成するには、より薄い銅箔を形成可能な電解銅箔を使用することが好ましい。
【０００６】
このような電解銅箔は、その製造工程において、ドラムに接した面（シャイニイ面）と、銅が析出終了する面（マット面）とがあり、通常は、絶縁フィルムからなる基板との接着性を考慮して、マット面が絶縁フィルムの表面と対面するように配置して接着されている。このマット面の表面粗度は、通常４〜６μｍ程度であり、シャイニイ面よりも表面が粗く、この粗い表面が接着剤に対してアンカー効果を奏するために絶縁フィルムと強固に接着することができる。
【０００７】
ところが、リードピッチ幅が６０μｍに満たないようなファインピッチのＴＡＢテープはインナーリードの強度不足による曲がりなどの変形や、インナーリード間の間隔がより小さくなることによりマット面にバンプ電極がボンディングされるようにデバイスを配置してボンディングすると、バンプ電極をボンディングするために形成される金−スズ共晶合金が過剰に生成し供給されると、この過剰の金−スズ共晶合金が、リードから横方向に漏出して隣接するリードとの間で短絡し易く、またスズメッキ部に発生するウィスカーで短絡し易いという問題がある。
【０００８】
ところで、特開平５−１６０２０８号公報には、電解析出により得られたマット面の全面が整面された電解銅箔を用いてリードパターンを形成したキャリアテープが開示されている。この公報には、ピッチが６０〜８０μｍのリードパターンを形成する際にマット面の表面を１〜２μｍに化学的に整面処理した電解銅箔を使用することが開示されており、ここで使用されている電解銅箔の整面処理後の銅箔厚さは１８〜３０μｍである。このようにマット面の全面が化学的に整面処理された銅箔を使用することにより、所要のリード強度を有すると共に、高い信頼性を有するキャリアテープが提供されることが示されている。
【０００９】
しかしながら、上記のようにマット面の整面処理によれば、電解銅箔の厚さが３５μｍ（１オンス）、あるいは１８μｍ（１／２オンス）程度まではインナーリードの強度を低下させることなくインナーリードを形成することができるが、インナーリードピッチ６０μｍが限度であり、リードピッチが６０μｍ未満であると、さらに薄い電解銅箔を使用する必要があり、こうした化学的整面処理（化学研磨）では、パターン有効断面積が減少し、インナーリードの強度不足による曲がりなどの変形が発生し易くなる。また、このような化学的整面処理を行う際には、シャイニイ面にレジストを塗布して保護した後、マット面を塩化第２鉄のような銅の腐食液で処理し、処理後は、シャイニイ面のレジストを除去することが必要になり、非常にその整面化工程が煩雑になる。また、こうした化学的整面処理では化学研磨反応がマット面を均一に処理するように制御することが難しく、均一に化学研磨反応が進行しない場合、インナーリードの強度が部分的に低下するとの問題がある。
【００１０】
なお、特開平３−２９６２３８号公報には、銅箔として無粗面化銅箔を用いたＴＡＢテープが開示されており、この無粗面化銅箔の表面平均粗度は０．０１〜１μｍの範囲内にあることが記載されている。
【００１１】
しかしながら、この公報に開示されている表面平均粗度が０．０１〜１μｍの範囲内にある無粗面化銅箔は、圧延銅箔であり、このような無粗面化圧延銅箔は、表面粗度が低すぎるために、充分なピール強度（接着強度）を確保することができない。このため銅箔を予備加熱したりあるいはローラーの大型化することによって、圧延銅箔表面に薄い亜酸化銅の被膜を形成することが必要となり、その調整工程が煩雑になるとの問題がある。また、このような圧延銅箔を用いたのでは、ピッチ幅が３０μｍ以上６０μｍ未満といった非常にファインピッチのＴＡＢテープを形成することは極めて困難である。
【００１２】
【発明の目的】
本発明は、電子部品を実装するキャリアテープを、ファインピッチ化、殊にインナーリードのピッチ幅を３０μｍ以上６０μｍ未満にすることができるＴＡＢテープを提供することを目的としている。
【００１３】
さらに詳しくは本発明は、ファインピッチ化しても、インナーリードの曲がりなどの変形が少なく、またデバイスをボンディングした際に短絡の生じにくい、３０μｍ以上６０μｍ未満のピッチ幅のＴＡＢテープを提供することを目的としている。
【００１４】
【発明の概要】
本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープは、
絶縁フィルムに接着剤層を介して銅箔を貼着し、該銅箔をエッチングして所望の配線パターンを形成した電子部品実装用フィルムキャリアテープであって、
該絶縁フィルムに、デバイスを搭載するためのデバイス搭載手段が形成されており、
該デバイス搭載手段に延出された配線パターンであるインナーリードのピッチ幅が３０μm以上６０μm未満であり、
そして、該インナーリードが、平均表面粗度が３.５μｍ未満である整面されていない
電解銅箔面のシャイニイ面が絶縁フィルムに対面して接着剤で該絶縁フィルムに接着された電解銅箔から形成されていると共に、該インナーリードの少なくともバンプ電極接合面にスズメッキ層が形成されており、該バンプ電極との接合面が、インナーリードを形成する電解銅箔のシャイニイ面であることを特徴としている。
【００１５】
本発明のキャリアテープはインナーリードのピッチ幅が３０μｍ以上６０μｍ未満と非常にファインピッチであるにも拘わらず、バンプ電極接合面に平均表面粗度が３．５μｍ未満である整面化していない電解銅箔面を配し、しかもこのインナーリードのバンプ電極接合面にスズメッキ層を形成したことにより、バンプ電極を形成する金とスズとの共晶合金によってインナーリードとバンプ電極とを良好にボンディングすることができると共に、この際、電解銅箔のバンプ電極接合面側の粗度が、従来の粗度よりも３．５μｍ未満と小さく、その結果、電解銅箔の表面積もその分小さくなり、電解銅箔表面に形成されるスズ量もその分少なくなり、金−スズ共晶合金が過剰に形成されることがなく、従って、金−スズ共晶合金が漏出することによる隣接するインナーリード間の短絡の発生を防止できる。
【００１６】
また、化学研磨をしていないので、リードパターンの有効断面積の減少もなくインナーリードの強度が部分的に低下することがなく、従って、薄い電解銅箔を使用することが可能となる。
【００１７】
さらに、本発明の整面していない電解銅箔をそのまま用いるので、工程が煩雑にならず、従来のＴＡＢテープの製造装置をそのまま利用することができる。
さらに、この整面化していない電解銅箔の平均表面粗度が１．０μｍ以上３．５μｍ未満であることから、絶縁フィルムとの接着強度も充分に高い。
【００１８】
また、電解銅箔のシャイニイ面（光沢面）を絶縁フィルムに接着し、粗面側から電解銅箔をエッチングしてパターンニングすることにより、エッチングファクターの大きい（すなわち有効断面積の大きい）強度の優れたインナーリードが得られる。
【００１９】
さらに、スズメッキをした後、フラッシュメッキを行うことにより、ウィスカーの成長を抑えウィスカによる短絡を防止できる。
【００２０】
【発明の具体的説明】
次に、本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープについて図面を参照しながら具体的に説明する。なお、以下に示す図面において共通の部材には共通の付番を付してある。
【００２１】
図１（Ａ）は、本発明のデバイスが搭載された電子部品実装用フィルムキャリアテープの例を模式的に示す平面図であり、図１（Ｂ）は、インナーリード部を拡大して示す図であり、図１（Ｃ）は、図１（Ａ）におけるＸ−Ｘ断面図である。
【００２２】
図１に示すように、本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープ１は、絶縁フィルム１０と、この表面に、接着剤層１２により貼着された電解銅箔からなる配線パターン１４がこの順序で積層されてなる。また配線パターン１４は、デバイス２３に設けられたバンプ電極２５との接続部分（ボンディング部分）であるインナーリード１５と、このインナーリード１５から外方向に延出されて、外部の電子部材と接続するためのアウターリード１６とからなる。
【００２３】
本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープ１を構成する絶縁フィルム１０は、可撓性樹脂フィルムからなる。また、この絶縁フィルム１０は、エッチングする際に酸などと接触することからこうした薬品に侵されない耐薬品性、および、ボンディングする際の加熱によっても変質しないような耐熱性を有している。このような可撓性樹脂フィルムを形成する樹脂の例としては、ガラスエポキシ、ＢＴレジン、ポリエステル、ポリアミドおよびポリイミドなどを挙げることができる。特に本発明ではポリイミドからなるフィルムを用いることが好ましい。
【００２４】
絶縁フィルム１０を構成するポリイミドフィルムの例としては、ピロメリット酸２無水物と芳香族ジアミンとから合成される全芳香族ポリアミド、ビフェニルテトラカルボン酸２無水物と芳香族ジアミンとから合成されるビフェニル骨格を有する全芳香族ポリアミドを挙げることができる。特に本発明ではビフェニル骨格を有する全芳香族ポリアミド（例；商品名：ユーピレックス、宇部興産（株）製）が好ましく使用される。このような絶縁フィルム１０の厚さは、通常は２５〜１２５μｍ、好ましくは５０〜７５μｍの範囲内にある。
【００２５】
このような絶縁フィルム１０には、デバイスホール２０、スプロケットホール２１、アウターリードの切断穴（図示なし）などがパンチングにより形成されている。
【００２６】
配線パターン１４は、上記のような所定の穴が形成された絶縁フィルム１０に、絶縁性の接着剤を塗布して接着剤層１２を形成し、この接着剤層１２と電解銅箔のシャイニイ面とが接触するように配置して接着し、この電解銅箔をエッチングすることにより形成される。
【００２７】
ここで使用される接着剤には、耐熱性、耐薬品性、接着力、可撓性等の特性が必要になる。このような特性を有する接着剤の例としては、エポキシ系接着剤およびフェノール系接着剤を挙げることができる。このような接着剤は、ウレタン樹脂、メラミン樹脂、ポリビニルアセタール樹脂などで変成されていてもよく、またエポキシ樹脂自体がゴム変成されていてもよい。このような接着剤は、加熱硬化性である。このような接着剤層の厚さは、通常は８〜２３μｍ、好ましくは１０〜２１μｍの範囲内にある。このような接着剤からなる接着剤層１２は、絶縁フィルム１０の表面に塗設して設けても良いし、また電解銅箔の表面に塗設して設けても良い。
【００２８】
上記のようにして絶縁フィルム１０上に貼着された電解銅箔のマット面にフォトレジストを塗布し、配線パターンを焼き付けた後、現像して余剰のフォトレジストを除去し、次いでエッチングすることにより配線パターン１４が形成される。
【００２９】
本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープ１において、上記のようにして配線パターンを形成する銅箔は、電解銅箔である。ここで使用される電解銅箔の厚さは、通常は６〜２５μｍの範囲内、好ましくは９〜１８μｍの範囲内にある。このような薄い電解銅箔を使用することにより、狭ピッチ幅のインナーリードを形成することができる。
【００３０】
すなわち、このような電解銅箔は、その製造の際にドラムと接触しているシャイニイ面（光沢面）３０と銅の析出終了面であるマット面（粗面）とを有しており、図２に示すように、本発明では、接着剤層１２を介して絶縁フィルム１０と接着される面はシャイニイ面３０である。本発明で使用される銅箔のシャイニイ面３０は、平均表面粗度（Ｒｚ）が３．５μｍ未満、好ましくは１．０μｍを超え３．２５μｍ以下である。本発明では、このような平均表面粗度（Ｒｚ）のシャイニイ面３０を整面せずにそのまま使用する。
【００３１】
上記のような電解銅箔を用いて本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープ１に形成されるインナーリード１５のピッチ幅（Ｐ０）は３０μｍ以上６０μｍ未満の範囲内にあり、好ましくは３５〜５５μｍの範囲内にあり、従来の電子部品実装用フィルムキャリアテープに形成されるインナーリードのピッチ幅よりも狭い。このようなピッチ幅で形成されているインナーリード１５の幅（Ｗ０）は、通常は１０〜５０μｍ、好ましくは１５〜４５μｍの範囲内であり、また、隣接するインナーリード１５，１５の間隙幅（Ｓ０）は通常１０〜５０μｍ、好ましくは１５〜４５μｍの範囲内にある。
【００３２】
このようなインナーリード１５の表面には、スズメッキ層３１が形成されている。このスズメッキ層２１は、無電解メッキ法により形成することが好ましい。こうして形成されるスズメッキ層３１の厚さは、通常は０．０１〜１μｍ、好ましくは０．０５〜０．７μｍの範囲内にある。このようにスズをメッキすると、インナーリード１５表面の銅の一部がスズで置換されてスズメッキ層を形成する。さらに、上記のようにして一旦スズメッキ層を形成し、ウィスカーの発生を防止するために加熱処理した後、フラッシュメッキ法で、非常に薄いスズメッキ層を形成することにより、インナーリード１５の表面に純度の高いスズメッキ層３１を形成することができる。こうしたフラッシュメッキ法により形成されたスズメッキ層は加熱処理を行わなくとも、ウィスカーが成長しにくい。このフラッシュメッキ法によるスズメッキ層の厚さは通常は０．０１〜１μｍ、好ましくは０．０５〜０．７μｍの範囲内にあり、こうして形成されたスズメッキ層３１の合計の厚さは、通常は０．０２〜２μｍ、好ましくは０．１〜１μｍの範囲内にある。
【００３３】
上記のようにして形成されるスズメッキ層３１は、上記のように平均表面粗度が低い場合には、電解銅箔の表面の形状にほぼ追随して均一に形成される。
図２に（Ｂ）示すように、インナーリード１５とデバイスのバンプ電極２５とは、インナーリード１５の表面から供給されるスズと、バンプ電極２５から供給される金とによって金−スズ共晶合金３３を形成してこの金−スズ共晶合金３３によりボンディングされる。インナーリード１５とバンプ電極２５とをボンディングする共晶合金３３は、バンプ電極２５の底部の全面がインナーリード１５と接合する量形成されれば充分であり、このためにはバンプ電極２５の底部が接触するインナーリード１５表面のスズの量が一定していることが必要になる。
【００３４】
図２（Ｂ）および（Ｃ）では、インナーリード１５のバンプ電極２５接合面の電解銅箔の平均表面粗度（Ｒｚ）が３．５μｍ未満、好ましくは１．０μｍを超え３．２５μｍ以下の範囲内にあることから、このインナーリード１５のバンプ電極１５接合面には、過不足のないスズメッキ層３１が形成されているため、バンプ電極をボンディングした際に、バンプ電極底面全体がインナーリード１５とボンディングされるのに必要かつ充分な金−スズ共晶合金３３が形成される。
【００３５】
これに対して図３には、平均表面粗度（Ｒｚ）が３．５μｍ以上の銅箔の表面にスズメッキ層３１を形成したインナーリード１５にバンプ電極２５をボンディングしたときの状態を模式的に示している。このように、平均表面粗度（Ｒｚ）が３．５μｍ以上のインナーリード１５の表面に、上記と同様にしてスズメッキ層３１を形成すると、インナーリード１５表面の凹凸が大きくなることにより、表面積が増え、形成されるスズメッキの量が多くなる。このようなスズメッキ層３１にバンプ電極２５をボンディングすると、金−スズ共晶合金３３が過剰に供給され、図３（Ｂ）に示すように、金−スズ共晶合金３３がデバイス２３に生成し形成されたバンプ電極２５のボンディング位置からはみ出すことがある。従来のＴＡＢテープのようにインナーリード１５のピッチ幅が広い場合には、それほど問題になることはないが、ピッチ幅が３０μｍ以上６０μｍ未満というようにピッチ幅の狭いＴＡＢテープにおいては、過剰に供給された金−スズ共晶合金が横方向に流れ出し、隣接するインナーリード１５のボンディング部との間に短絡３５を生ずることがある。
【００３６】
本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープ１では、バンプ電極２５のボンディング面として、平均表面粗度（Ｒｚ）が３．５μｍ未満、好ましくは１．０μｍを超え３．２５μｍ以下の整面されていない電解銅箔面を使用しているので、インナーリードの強度を大きく、またバンプ電極２５のボンディングの際に金−スズ共晶合金３３が過剰に生成し、供給されることがなく、また、バンプ電極２５の底部とインナーリード１５とが確実にボンディングされる。
【００３７】
このような平均表面粗度を有する整面されていない電解銅箔面としては、上記のような表面粗度になるように調整されたドラムを用いて製造された電解銅箔のシャイニイ面を挙げることができる。すなわち、本発明では、上記のように平均表面粗度を有するように調整されたドラムを用いて銅箔厚さが通常は６〜２５μｍの範囲内、好ましくは９〜１８μｍの範囲内なるように電解銅箔を製造し、こうして製造された電解銅箔のシャイニイ面を絶縁フィルム表面に塗設された接着剤層１２を介して絶縁フィルム１０表面に貼着して配線パターンを形成することにより、上記のようなバンプ電極２５とのボンディング性の良いインナーリード１５を形成することができる。なお、本発明においては、デバイス２３は、絶縁フィルム１０の配線パターン１４が形成されていない面側（裏面）から搭載される。
【００３８】
また、デバイス２３を絶縁フィルム１０の裏面に配置してボンディングする本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープ１では、整面されていない電解銅箔の表面の平均表面粗度（Ｒｚ）の下限値が通常は１μｍを超えていることから、接着剤に対して良好な密着性を有しており、この整面されていない電解銅箔のピール強度は通常１ｋｇ／ｃｍ以上であり、良好な接着強度で絶縁フィルム１０と接着している。
【００３９】
そして、本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープ１では、整面されていない電解銅箔を使用していることから、化学研磨した場合のように整面処理によってインナーリード１５の有効厚みが実質的に薄くならないので、電解銅箔が有している強度がほぼそのままインナーリード１５の強度として発現する。さらに、化学研磨のように、インナーリード１５が部分的に浸食されることもなく、使用する電解銅箔の強度に応じたインナーリード１５を形成することができる。
【００４０】
さらに、本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープ１では、整面処理することなく電解銅箔を使用するので、通常のＴＡＢテープ製造装置を、何ら改変することなくそのまま使用することが可能である。
【００４１】
なお、上記の説明は、絶縁フィルムにデバイスを搭載するためのデバイス搭載手段としてデバイスホールが形成された態様を示しているが、デバイス搭載手段としては、こうしたデバイスホールの他に、絶縁フィルムに実装されるデバイスのバンプ電極に略対応する位置の絶縁フィルムに、バンプ電極と接触する配線パターンに対して略直交するとともに複数の配線パターンに渡って開口する少なくとも１条のスリットがパンチングすることにより形成されており、このスリットの上にバンプ電極と接触する配線パターンが差し渡して形成されているようにしたスリットを形成してもよい。また、スリットの代わりに、バンプ電極に対応した位置にバンプ電極を挿入するための独立したパンチホールを形成することもできる、これらの場合、通常は、デバイスホールは形成されない。
【００４２】
【発明の効果】
本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープでは、バンプ電極のボンディング面に平均表面粗度（Ｒｚ）が３．５μｍ未満である整面されていない電解銅箔面を配してインナーリードを形成し、このインナーリードの表面にスズメッキ層を形成しているので、適量のスズメッキ層を形成することができる。従って、このインナーリードにバンプ電極をボンディングすると、適量の金−スズ共晶合金が形成され、バンプ電極とインナーリードとが良好にボンディングされ、過剰な金−スズ共晶合金が供給されることがない。従って、本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープにおけるインナーリードのピッチ幅は、３０μｍ以上６０μｍ未満であり、非常にファインピッチであるにも拘わらず、過剰な金−スズ共晶合金による隣接するインナーリード間の短絡が生じにくい。
【００４３】
また、本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープでは、インナーリードが整面処理されていないので、特に化学研磨されていないので、インナーリードの強度は、用いた電解銅箔の強度とほぼ同様であり、整面処理した場合のように、インナーリードの有効断面積が減少し強度が低下することがない。
【００４４】
さらに、本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープにおいては、平均表面粗度が１．０μｍ以上３．５μｍ未満の整面されていない電解銅箔面が接着剤層と接して絶縁フィルムに接着されることから、絶縁フィルムへの接着強度も高い。
【００４５】
また、電解銅箔のシャイニイ面（光沢面）を絶縁フィルムに接着し、粗面側から電解銅箔をエッチングしてパターンニングすることにより、エッチングファクターの大きい（すなわち有効断面積の大きい）強度の優れたインナーリードが得られる。
【００４６】
さらに、スズメッキをした後、フラッシュメッキを行うことにより、ウィスカーの成長を抑えウィスカによる短絡を防止できる。
このように本発明によれば、ファインピッチ化に対応した電子部品実装用フィルムキャリアテープが提供されるが、本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープは、従来のＴＡＢテープ製造装置を用いて製造することができる。
【００４７】
【実施例】
次に本発明の実施例を示して本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれによって限定されるものではない。
【００４８】
【実施例１】
デバイスホールおよびスプロケットホールが形成されたポリイミドフィルム上にエポキシ系接着剤を塗布し、シャイニイ面の平均表面粗度（Ｒｚ）が３．０μｍである厚さ１８μｍの電解銅箔を、シャイニイ面がポリイミドフィルムと対面するように配置してこのポリイミドフィルムに加熱圧着した。
【００４９】
この電解銅箔の上にフォトレジストを塗布し、焼き付けした後、感光されていないフォトレジストを除去した。次いで、エッチング処理することにより、ポリイミドフィルム上に配線パターンを形成した。こうして形成されたインナーリードに厚さ０．４μｍのスズメッキを施した後、加熱処理し、さらにスズをフラッシュメッキして合計０．５μｍのスズメッキ層を形成した。
【００５０】
こうして形成されたインナーリードのピッチ幅は、５０μｍであり、リード間隔は２５μｍであった。
こうして形成されたＴＡＢテープの裏面からデバイスをボンディングして短絡（ショート）不良発生率を調べたところ、ショート不良発生率は０％であった。
【００５１】
上記のようにして製造されたＴＡＢテープのインナーリード厚さはアウターリードの厚さと同じ１６μｍであり、実質的にインナーリードのやせ細りは見られなかった。
【００５２】
また、こうして形成されたインナーリードの引っ張り強度は、８ｇであり、電解銅箔の引っ張り強度と顕著な差は認められなかった。
結果を表１に示す。
【００５３】
【実施例２】
実施例１において、平均表面粗度が２．５μｍのシャイニイ面を有する電解銅箔を使用した以外は同様にしてＴＡＢテープを製造し、デバイスをボンディングした。
【００５４】
得られたデバイスがボンディングされたＴＡＢテープについて、ショート不良率を調べたところ、０％であった。
結果を表１に示す。
【００５５】
【比較例１】
実施例１において、平均表面粗度が４．０μｍのシャイニイ面を有する電解銅箔を使用した以外は同様にしてＴＡＢテープを製造し、デバイスをボンディングした。
【００５６】
得られたデバイスがボンディングされたＴＡＢテープについて、ショート不良率を調べたところ、５０％であった。
結果を表１に示す。
【００５７】
【比較例２】
実施例１において、平均表面粗度が３．５μｍのシャイニイ面を有する電解銅箔を使用した以外は同様にしてＴＡＢテープを製造し、デバイスをボンディングした。
【００５８】
得られたデバイスがボンディングされたＴＡＢテープについて、ショート不良率を調べたところ、１０％であった。
結果を表１に示す。
【００５９】
【比較例３】
実施例１において、平均表面粗度が４．０μｍのマット面を有する厚さ１８μｍの電解銅箔を使用し、これをマット面を化学研磨して平均表面粗度（Ｒｚ）が３．０μｍの化学研磨銅箔を製造し、この研磨面をポリイミドフィルムと対面するように配置した以外は同様にしてＴＡＢテープを製造した。
【００６０】
こうして得られたＴＡＢテープの厚さは１２μｍであり、インナーリードの引っ張り強度は５ｇであり、原反である電解銅箔の引っ張り強度よりも著しく低下することが確認された。
【００６１】
【表１】
0003549180.tif 000002
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明の電子部品実装用電子部品実装用フィルムキャリアテープの例を示す平面図である。
【図２】図２は、本発明の電子部品実装用電子部品実装用フィルムキャリアテープにおけるインナーリード部分を拡大して示す図である。
【図３】図３は、従来のＴＡＢテープにおけるインナーリード部分を拡大して示す図である。
【符号の説明】
１・・・電子部品実装用フィルムキャリアテープ
１０・・・絶縁フィルム
１２・・・接着剤層
１４・・・配線パターン（電解銅箔）
１５・・・インナーリード
１６・・・アウターリード
２０・・・デバイスホール
２１・・・スプロケットホール
２３・・・デバイス
２５・・・バンプ電極
３０・・・シャイニイ面
３１・・・スズメッキ層
３３・・・金−スズ共晶合金
３５・・・短絡
【図１】
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【図２】
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【図３】
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