(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
機械的に強い周辺部（２）とそこから熱的に絶縁した中心部分（３）とからなる基板（１）を備え、両者の部分がジャンパー（４）によって相互に接続しており、基板（１）の周辺部（２）が、フィルムボンディングパッド（５）を備え、中心部分（３）が、フイルムヒーター（６）と、ガスに敏感なフィルム（７）と、ガス敏感なフィルム（７）の抵抗を測定するための回路のフィルム電極（８）とを支え、これらの全ての構成要素は、ジャンパー（４）上に位置決めしたフィルムコンダクター（９）によってボンディングパッド（５）と電気的に接続するガスセンサのハイブリッド集積回路において、
基板（１）の周辺部（２）が、リング形であり、その中心部分（３）が、３つのジャンパー（４）と120度離した、周辺部（２）と電気的に接続したディスク形であり、ジャンパー（４）が周辺部（２）と接続する場所で120度で配置した分岐（10）を有し、中心部分（３）の直径と周辺部（２）の内径との比が0.2〜0.4であり、回路の中心から分岐へのジャンパー（４）の長さと周辺部（２）の内径との比が0.6〜0.8であり、ジャンパー（４）の幅が0.05mm〜0.15mmであり、ジャンパー（４）の厚さと基板（１）の中心部分（３）の厚さが、0.15mm〜0.25mmであることを特徴とするガスセンサのハイブリッド集積回路。
【請求項２】
フィルムヒーター（６）は、基板（１）の中心部分（３）のおもて面に設けたくぼみ（11）の中に配置することを特徴とする請求項１記載のガスセンサのハイブリッド集積回路。
【請求項３】
基板（１）の周辺部（２）は、スルーホール（12）を有し、パッケージ（14）の内部導線（13）が基板（１）の周辺部（２）の穴（12）の中に配置してボンディングパッド（17）と電気的に接続するように、パッケージ（14）の金属ベース（15）と固定しており、パッケージ（14）のカバー（18）は、分析時にメディアが入るための穴（19）を有することを特徴とする請求項１又は請求項２記載のガスセンサのハイブリッド集積回路。
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、一般に、電子工学に関し、特に、ガスセンサのハイブリッド集積回路に関する。
背景技術
空気中の種々のガスの存在と濃度とを感知する熱化学式センシング変換器が、知られている。既知のセンシング変換器は、検知素子の外表面に加えた触媒層（プラチナ、パラジウム、又はその酸化物）によって、高い測定精度を備え、検知素子が異なった材料から作られ、異なった寸法であり、異なった触媒を用いることによって、広範囲のガスをモニターする。２つのシリコンステージは、２つの構造的に類似した検知素子のために同じ基板上に独立して設けている（前記の基礎的な違いをセーブしている）。厚さ400mmの窒化物絶縁層はステージのシリコン膜に形成する。二重の曲折模様ヒーターは検知素子の中央に設置しており、前記ヒーターは、シリコン又はニッケルからなり、検知素子周囲にアルミニウム電気導線を有する。対向するように接続し、異なった材料からなる２つの曲折模様の熱電対は、その軸の垂直方向にヒーターに形成する。触媒層が、上から形成する。それはガス浸透可能な保護層で覆われている。前記のセンシング変換器は、温度で濃度変化を測定することができる（DE,A,4008150）。
しかしながら、前記の構造が複雑であり、製造技術が十分確立していない。
ガス分析キャリア用の構造が知られており、前記構造によって、大規模な生産に適した、SO2,H2S,ベンゼンのようなガス用の分析装置の機械的に強い構造を得ることができる。前記構造は、内寸が6mm×6mmの正方形である。2mm×2mmの別の正方形を配置しており、両者の正方形は、両者の正方形に共通な４つの対角線に沿ってジャンパーで相互に接続している。中心の正方形と部分的に２つの対向したジャンパーは、ヒーターの役目を果たすプラチナ層で覆われている。中心の正方形型のプラチナコーティングは、螺旋形である。その結果として生じる抵抗は、絶縁層で覆われている。プラチナ又は金から作成した２つの電極は、中心の正方形の反対側に形成する。自由な基板ジャンパーに沿って案内された２つの金属ストリップ電極は、前記プラチナ電極又は金電極と接続している。ガスに敏感なフィルムが、電極間の中心の正方形に形成している（FR,A,2625561）。
しかしながら、上で検討した構造は、複雑であり、中心の基板部分の熱絶縁が不充分であることによって、選択性が適切でなく、製造しにくい。
発明の概要
本発明の主たる目的は、ガスセンサの選択性と製造性を高めることができる構造上の配置を有するガスセンサのハイブリッド集積回路を提供することである。
前述の目的が、以下のことによって達成される。すなわち、ガスセンサのハイブリッド集積回路において、回路は、機械的に強い周辺部とそこから熱的に絶縁した中央部分とからなる基板を備える。両者の部分はジャンパーによって相互に接続している。周囲の基板部分は、フィルムボンディングパッドを備える。中心部分は、ガスに敏感なフィルムの抵抗を測定するために、フィルムヒーターと、ガスに敏感なフィルムと、回路のフィルム電極とを支える。これらの全ては、ジャンパー上に位置したフィルム導体によってボンディングパッドと電気的に接続している。周囲の基板部分はリング形であり、その中心部分は、３つのジャンパーを120度離すことによって、周辺部と電気的に接続したディスク形であり、ジャンパーは、周辺部と接続する場所で120度の分岐を有する。中心部分の直径と周辺部の内径との比とが0.2〜0.4であり、回路の中心から分岐までのジャンパー長さと周辺部の内径との比が0.6〜0.8である。ジャンパーの幅が0.05mm〜0.15mmであり、ジャンパーと中心の基板部分の厚さが0.15mm〜0.25mmである。
フィルムヒーターは、中心の基板部分のおもて面に設けたくぼみの中に配置する。
周囲の基板部分は、スルーホールを有しており、内部のパッケージ導線は、周囲の基板部分の穴の中に配置してボンディングパッドと電気的に接続し、分析時にメディアを入れるためにパッケージのカバーは穴を有するようにパッケージの金属ベース上に固定することが望ましい。
リング形の周囲の基板部分とディスク形の中心の基板部分とを備えることは、本願の回路にさらに剛性を与え、ストレスレベルを低減する。
３つのジャンパーを120度離して、周囲の基板部分を中心の基板部分に相互接続することは、中心の基板部分の熱絶縁体を与えるためと、中心の基板部分を加熱することによって生じる機械的ストレスを最適に補正するために選ばれている。
ジャンパー幅が0.05mm〜0.15mmであり、ジャンパーの厚さと中心の基板部分の内径との比が0.15〜0.25であるように選んでいることと同様に、中心の基板部分の直径と周辺部の内径との間の比は、0.2〜0.4に選んでおり、回路のセンターから分岐へのジャンパー長さと周辺部の内径との比は、0.6〜0.8であるということは、本発明によって、中心の基板部分の優れた熱絶縁と回路構造の強度の観点から、最適の回路形状によって説明されている。
前記の比の上限（それぞれ、0.4と0.8）は、中心の基板部分の温度が、必要な範囲内にあるジャンパーの熱抵抗の許容値によって決まる。すなわち、熱絶縁体の必要なレベルを備えている。前記の比の下限（それぞれ0.2と0.6）は、回路構造の強度が影響を受けない状態にあるジャンパーの許容長さによって決まる。
【図面の簡単な説明】
本発明は、いくつかの代表的な実施形態について添付の部面を参照して説明する。
図１は、本願のガスセンサのハイブリッド集積回路の平面図である。
図２は、図１のII−II線の断面図である。
図３は、回路エレメントのそれぞれの寸法を示す図１の寸法図である。
図４は、図３のＶ−Ｖ線の断面図である。
図５は、本願のガスセンサのハイブリッド集積回路の変形例の断面図である。
詳細な説明
本発明による、CH4、COとその他のガスを感知するためのガスセンサのハイブリッド集積回路は、例えば、厚さが0.5mmのポリコールであり、機械的に強いリング形（例えば,1.3mm幅）の周辺部２（図１と図２）と、周辺部２から熱的に絶縁した直径1.2mmのディスク形の中心部分３との形である基板１（図１）を備える。周辺部２と中心部分３とは、ポリコールからなるジャンパー４（図１）によって取り付ける。
基板１の周辺部２は、Ti（100オーム／平方mm）−Au（５μｍ）の構造を有するフィルムボンディングパッド５を備える。
基板１の中心部分３は、例えば、タンタルフィルムから作成した200オーム,400mWのフィルムヒーター６と、例えば、MgO,CaO,Pd,Auの触媒作用の添加物を有するSnO2から作成してモニターする雰囲気の構成に依存するガスに敏感なフィルム７と、ボンディングパッド５の製造と類似する構造を有するフィルム電極８とを支える。ガスに敏感なフィルム７の抵抗を測定するための回路は、120度離したジャンパー４上に設けたフィルムコンダクター９によって、ボンディングパッド５と電気的に接続しており、周辺部２と接続する場所で120度で配置した分岐を有する。中心部分３の直径と周辺部２の内径との比は0.2〜0.4である。図３と図４から明らかなように、回路の中心から分岐10へのジャンパー４の長さと周辺部２の内径の比は0.6〜0.8である。ジャンパー４の幅は0.1mmであり、ジャンパー４の厚さと基板１の中心部分３の厚さは0.2mmである。そのままの回路強度を維持している中心部分３の優れた熱絶縁によって決まる。
ヒーター６（図２）は、抵抗ペーストを満たしたあと800℃でアニールすることによって、深さ10μｍのくぼみ11の中に設ける。基板１の周辺部２（図５）は、パッケージ14の内部導線13と位置決めした、例えば、直径0.7mmの穴12を有する。本発明によるハイブリッド集積回路の基板１は、パッケージ14の金属ベースに固定する。パッケージ14の内部導線13は、周辺部２の穴12を通り、ハイブリッド集積回路のボンディングパッド17への金ワイヤー16によって接続する。パッケージ14のカバー18は、例えば、CH4を含む空気を分析する時にメディアを入れるために、直径2mmの穴19を有し、柔らかいネットによって閉じている。
本発明による、回路は次のように作用する。
フィルムヒーター６（図１）は、例えば、9Vの供給電圧を供給して、基板１の中心部分３を300℃〜500℃まで加熱して、予め設定された温度を±５℃の精度内に維持することができる。温度感知するために空気の不純物の依存性は、前記の精度で予め設定したレベルで維持することができる。例えば、センサは、350℃で十分な選択性と、水素への感度等を持っている。ガスに敏感なフィルム７の抵抗は、空気の不純物の有無の中で測定する。そのことで、センサの選択性について判断することができる。このように、本願の回路は、基板１の中心部分３の優れた熱絶縁による予め設定した温度を正確に維持することによって選択性を増やすことができる。このことは、熱絶縁と強度パラメータが関係する限りまで最適化した回路構造によって達成される。さらに、本願の回路は、構造的に単純であるので、それを製造することは容易である。
本発明の開示した実施形態の記載において、明確にするために、具体的な狭い意味の用語を用いている。しかしながら、本発明は、選択した具体的な用語に制限されない。そのような各用語が、類似した方法で作用し、類似した問題を解決するために用いる、全ての等価なエレメントをカバーすることは、理解されるであろう。
本発明は、本明細書において好ましい実施形態に関して記載しているけれども、当業者によって容易に理解されるように、本発明の精神と範囲から逸脱することなく構造の詳細にいろいろな変形を加えることは、理解される。
これらの変形した実施形態の全てが、本発明と請求項の精神及び請求の範囲内にあることを考慮するべきである。
【図１】
0003553613.tif 000002
【図２】
0003553613.tif 000003
【図３】
0003553613.tif 000004
【図４】
0003553613.tif 000005
【図５】
0003553613.tif 000006