(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
１次同調回路および２次同調回路を備え、
前記２次同調回路は、第１のバラクタダイオードと、
前記第１のバラクタダイオードに並列に接続され、互いに直列接続されたハイバンド受信用第１のコイルとローバンド受信用第２のコイルと、
前記第１のコイルと前記第２のコイルの接続点とグランドとの間に接続されたスイッチダイオードと、
前記第１のコイルと前記第１のバラクタダイオードとの接続点に一端を接続された第２のバラクタダイオードと、
前記第２のバラクタダイオードの他端と前記第１のコイルおよび前記第２のコイルの接続点とに並列に接続されたコンデンサと、を有し、
前記第２のバラクタダイオードの他端を出力端とし、前記第１のコイルと前記第２のバラクタダイオードと前記コンデンサとでトラップ回路を構成したことを特徴とするチューナの複同調回路。
【請求項２】
前記コンデンサの容量を前記スイッチダイオードの非導通時の端子間容量とほぼ同じとしたことを特徴とする請求項１に記載のチューナの複同調回路。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、スイッチダイオードの導通または非導通によって複数の周波数帯に同調可能なように切替可能なチューナの複同調回路に関し、特にスイッチダイオードの非導通時に発生する静電容量によって構成される所望しない新たな同調回路による選択特性の悪化を防止するチューナの複同調回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のチューナーの複同調回路について図５〜図７および図４によって説明する。図５において、複同調回路は、１次同調回路５１と２次同調回路５２とで構成されている。１次同調回路５１は、直列に接続された直流阻止コンデンサ５３およびバラクタダイオード５４と、図示の順序で直列に接続されたハイバンド受信用の同調コイル５５、ローバンド受信用の同調コイル５６、抵抗５７、結合用のコイル５８、直流阻止コンデンサ５９とが、並列に接続されて構成されている。ここで、バラクタダイオード５４は、アノードが接地され、カソードが直流阻止コンデンサ５３と接続されている。また、直流阻止コンデンサ５９の他端も接地されている。そして、直流阻止コンデンサ５３と同調コイル５５の接続点が、この複同調回路５１の入力端となっていて、前段の高周波増幅器６０に接続されている。
【０００３】
次に、同調コイル５５と同調コイル５６との接続点と、グランドの間に、直列に接続された直流阻止コンデンサ６１とスイッチダイオード６２と直流阻止コンデンサ６３が設けられている。ここで、スイッチダイオード６２は、アノードが直流阻止コンデンサ６１と、カソードが直流阻止コンデンサ６３と接続されている。
【０００４】
次に、直流阻止コンデンサ６１とスイッチダイオード６２との接続点は、給電抵抗６４を介し、ハイバンド受信用の切替端子６５に接続されている。
また、スイッチダイオード６２と直流阻止コンデンサ６３との接続点は、給電抵抗６６を介し、ローバンド受信用の切替端子６７に接続されている。
また、スイッチダイオード６２と直流阻止コンデンサ６３との接続点と、グランドとの間に、バイアス抵抗６８が設けられている。
そして、直流阻止コンデンサ５３とバラクタダイオード５４との接続点は、給電抵抗６９を介して、同調電圧端子７０に接続されている。
【０００５】
また、２次同調回路５２は、バラクタダイオード７１と、図示の順序で直列に接続されたハイバンド受信用の同調コイル７２、ローバンド受信用の同調コイル７３、抵抗７４、直流阻止コンデンサ７５、結合用のコイル５８、直流阻止コンデンサ５９とが並列に接続されて構成されている。ここで、バラクタダイオード７１は、アノードが接地され、カソードが同調コイル７２と接続されている。そして、バラクタダイオード７１と同調コイル７２との接続点に、直列に接続したバラクタダイオード７６と直流阻止コンデンサ７７が接続されている。ここで、バラクタダイオード７６は、アノードが直流阻止コンデンサ７７と接続され、カソードが同調コイル７２と接続されている。そして、直流阻止コンデンサ７７の他端がこの複同調回路の出力端となっていて、後段の混合器７８に接続されている。そして、混合器７８において発振器（図示せず）からの発振信号と混合され、中間周波信号を出力するようになっている。
【０００６】
次に、同調コイル７２と同調コイル７３との接続点と、スイッチダイオード６２と直流阻止コンデンサ６３との接続点とに、直列に接続された直流阻止コンデンサ７９とスイッチダイオード８０とが設けられている。ここで、スイッチダイオード８０は、アノードが直流阻止コンデンサ７９と、カソードが直流阻止コンデンサ６３と接続されている。
【０００７】
次に、直流阻止コンデンサ７９とスイッチダイオード８０との接続点は、給電抵抗８１を介し、ハイバンド受信用の切替端子６５に接続されている。
また、スイッチダイオード８０と直流阻止コンデンサ６３との接続点は、給電抵抗６６を介し、ローバンド受信用の切替端子６７に接続されている。
そして、バラクタダイオード７１と同調コイル７２との接続点は、給電抵抗８２を介して、同調電圧端子７０に接続されている。
【０００８】
以上のような構成によって、ハイバンド受信用の切替端子６５または、ローバンド受信用の切替端子６７に電圧を印加することで、スイッチダイオード６２およびスイッチダイオード８０を共に導通または非導通にすることにより、この複同調回路をハイバンドの受信状態またはローバンドの受信状態に切替えている。
【０００９】
ところで、図５に示すチューナの複同調回路をハイバンドのテレビジョン信号（例えば１７０ＭＨｚ〜２２２ＭＨｚ）を受信する状態に切り替えるときは、ハイバンド受信用の切替端子６５に、例えば５Ｖの電圧を印加し、ローバンド受信用の切替端子６７には電圧を印加しない。すると、スイッチダイオード６２およびスイッチダイオード８０には順方向の電圧が印加され、両スイッチダイオード６２および８０は導通状態になり、ハイバンド受信用の同調コイル５５とローバンド受信用の同調コイル５６の接続点が接地され、また、ハイバンド受信用の同調コイル７２とローバンド受信用の同調コイル７３の接続点も接地される。この結果、１次同調回路５１は、バラクタダイオード５４とハイバンド受信用の同調コイル５５とが共に並列接続され、２次同調回路５２は、バラクタダイオード７１とハイバンド受信用の同調コイル７２とが共に並列接続される。この時の高周波的な等価回路図は、直流阻止コンデンサおよび抵抗を無視すると、図６に示す複同調回路となり、バラクタダイオード５４および７１に印加する電圧の調整により所望の同調周波数が得られる。
【００１０】
また、図５に示すチューナの複同調回路をローバンドのテレビジョン信号（例えば９０ＭＨｚ〜１０８ＭＨｚ）を受信する状態に切り替えるときは、ローバンド受信用の切替端子６７に、例えば５Ｖの電圧を印加し、ハイバンド受信用の切替端子６５には電圧を印加しない。すると、スイッチダイオード６２および８０には逆方向の電圧が印加され、両スイッチダイオード６２および８０は非導通状態になる。この結果、１次同調回路５１は、ハイバンド受信用の同調コイル５５、ローバンド受信用の同調コイル５６、結合用のコイル５８およびバラクタダイオード５４からなる並列同調回路（以下この回路を「主同調回路」という）となり、２次同調回路５２は、ハイバンド受信用の同調コイル７２、ローバンド受信用の同調コイル７３、結合用のコイル５８およびバラクタダイオード７１からなる並列同調回路となり、バラクタダイオード５４および７１に印加する電圧の調整により所望の同調周波数が得られる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、ローバンド受信状態に切替えた複同調回路においては、スイッチダイオード６２、８０には逆方向の電圧が印加されている。一般に、ダイオードに逆方向の電圧を印加すると、例えば０．２ｐＦ程度の端子間容量が発生する。ここで、スイッチダイオード６２、８０の逆方向電圧での端子間容量がコンデンサ８３の容量と等価すると、ローバンド受信状態での複同調回路における高周波的な等価回路は、直流阻止コンデンサおよび抵抗を無視すると、図７に示す複同調回路となる。
【００１２】
図７において、コンデンサ８３により、１次同調回路５１では、バラクタダイオード５４、同調コイル５５、コンデンサ８３により、また、２次同調回路５２では、バラクタダイオード７１、同調コイル７２、コンデンサ８３により、主同調回路とは別の新たな同調回路８４（以下この回路を「寄生同調回路」という）が構成される。そして、この寄生同調回路８４での同調周波数は、１次同調回路５１と２次同調回路５２ともほぼ同一の周波数であり、例えば、主同調回路での所望の同調周波数を１２７ＭＨｚとすると、寄生同調回路８４での同調周波数は、６００〜７００ＭＨｚ域のＵＨＦ帯に現れていた。
【００１３】
したがって、このローバンド受信状態での複同調回路は、例えば図４の実線で示されるような周波数選択特性となり、主同調回路による同調周波数（図４Ａ部）の他に、寄生同調回路８４による同調周波数（図４Ｂ部）によるピーク特性が発生していた。そして、この寄生同調回路８４による同調周波数域における信号が、この複同調回路の出力端に接続されている混合器７８に入力され、混合器７８で発振信号と混合されると、発振信号の周波数のＮ倍と寄生同調回路８４による同調周波数における信号の周波数との和または差によって作られる信号が、混合器７８からの出力である中間周波信号（５４ＭＨｚ〜６０ＭＨｚ）に妨害を及ぼしていた。
【００１４】
すなわち、一例をあげれば、主同調回路による同調周波数を１２７ＭＨｚとすると、発振信号の周波数は、主同調回路による同調周波数より５７ＭＨｚ高い１８４ＭＨｚであり、その３倍の周波数である５５２ＭＨｚと寄生同調回路による同調周波数の６０９ＭＨｚとの差が５７ＭＨｚとなって混合器７８から出力されていた。
【００１５】
本発明は、この問題を解決するもので、その目的は、ローバンド受信状態においてスイッチダイオード６２、８０の非導通時の静電容量８３によって新たに構成される寄生同調回路８４による影響をなくした良好な選択特性を持つチューナーの複同調回路を提供することである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するため、本発明の請求項１に記載のチューナの複同調回路は、１次同調回路および２次同調回路を備え、２次同調回路は、第１のバラクタダイオードと、前記第１のバラクタダイオードに並列に接続され、互いに直列接続されたハイバンド受信用第１のコイルとローバンド受信用第２のコイルと、第１のコイルと第２のコイルの接続点とグランドとの間に接続されたスイッチダイオードと、第１のコイルと第１のバラクタダイオードとの接続点に一端を接続された第２のバラクタダイオードと、第２のバラクタダイオードの他端と第１のコイルおよび第２のコイルの接続点とに並列に接続されたコンデンサとを有し、第２のバラクタダイオードの他端を出力端とし、第１のコイルと第２のバラクタダイオードとコンデンサでトラップ回路を構成した。
【００１７】
また、本発明の請求項２に記載のチューナの複同調回路は、コンデンサの容量をスイッチダイオードの非導通時の端子間容量とほぼ同じとした。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明のチューナの複同調回路の実施の形態を図１〜図４を参照して説明する。
【００１９】
図１は、本発明のチューナの複同調回路の回路図である。本発明のチューナの複同調回路は、１次同調回路１１と２次同調回路１２とで構成されている。１次同調回路１１は、直列に接続された直流阻止コンデンサ１３およびバラクタダイオード１４と、図示の順序で直列に接続されたハイバンド受信用の同調コイル１５、ローバンド受信用の同調コイル１６、抵抗１７、結合用のコイル１８、直流阻止コンデンサ１９とが並列に接続されて構成されている。ここで、バラクタダイオード１４は、アノードが接地され、カソードが直流阻止コンデンサ１３と接続されている。また、直流阻止コンデンサ１９の他端も接地されている。そして、直流阻止コンデンサ１３と同調コイル１５の接続点がこの複同調回路の入力端となっていて、前段の高周波増幅器２０に接続されている。
【００２０】
次に、同調コイル１５と同調コイル１６との接続点と、グランドの間に、直列に接続された直流阻止コンデンサ２１とスイッチダイオード２２と直流阻止コンデンサ２３が設けられている。ここで、スイッチダイオード２２は、アノードが直流阻止コンデンサ２１と、カソードが直流阻止コンデンサ２３と接続されている。
【００２１】
次に、直流阻止コンデンサ２１とスイッチダイオード２２との接続点は、給電抵抗２４を介し、ハイバンド受信用の切替端子２５に接続されている。
また、スイッチダイオード２２と直流阻止コンデンサ２３との接続点は、給電抵抗２６を介し、ローバンド受信用の切替端子２７に接続されている。
また、スイッチダイオード２２と直流阻止コンデンサ２３との接続点とグランドとの間に、バイアス抵抗２８が設けられている。
そして、直流阻止コンデンサ１３とバラクタダイオード１４との接続点は、給電抵抗２９を介して、同調電圧端子３０に接続されている。
【００２２】
また、２次同調回路１２は、第１のバラクタダイオード３１と、図示の順序で直列に接続されたハイバンド受信用の第１の同調コイル３２、直流阻止コンデンサ３３、ローバンド受信用の第２の同調コイル３４、抵抗３５、直流阻止コンデンサ３６、結合用のコイル１８、直流阻止コンデンサ１９とが並列に接続されて構成されている。ここで、バラクタダイオード３１は、アノードが接地され、カソードが同調コイル３２と接続されている。そして、バラクタダイオード３１と同調コイル３２との接続点に、直列に接続した第２のバラクタダイオード３７と直流阻止コンデンサ３８が接続されている。ここで、バラクタダイオード３７は、アノードが直流阻止コンデンサ３８と、カソードが同調コイル３２と接続されている。そして、直流阻止コンデンサ３８の他端がこの複同調回路の出力端となっていて、後段の混合器３９に接続されている。そして、混合器３９において発振器（図示せず）からの発振信号と混合され、中間周波信号を出力するようになっている。
【００２３】
また、直流阻止コンデンサ３３と同調コイル３４との接続点と、バラクタダイオード３７と直流阻止コンデンサ３８との接続点に、コンデンサ４０が設けられている。
【００２４】
次に、直流阻止コンデンサ３３と同調コイル３４との接続点と、スイッチダイオード２２と直流阻止コンデンサ２３との接続点に、スイッチダイオード４１が設けられている。ここで、スイッチダイオード４１は、アノードが直流阻止コンデンサ３３と同調コイル３４との接続点と接続され、カソードがスイッチダイオード２２と直流阻止コンデンサ２３との接続点と接続されている。
なお、コンデンサ４０の容量は、スイッチダイオード４１が非導通となった場合の端子間容量ほぼ同じになるように設けられている。
【００２５】
次に、スイッチダイオード４１のアノードは、給電抵抗４２を介し、ハイバンド受信用の切替端子２５に接続されている。
また、スイッチダイオード４１のカソードは、給電抵抗２６を介し、ローバンド受信用の切替端子２７に接続されている。
そして、バラクタダイオード３１と同調コイル３２との接続点は、給電抵抗４３を介して、同調電圧端子３０に接続されている。
【００２６】
以上のような構成によって、ハイバンド受信用の切替端子２５またはローバンド受信用の切替端子２７に電圧を印加することで、スイッチダイオード２２およびスイッチダイオード４１を共に導通または非導通にすることにより、この複同調回路をハイバンドの受信状態またはローバンドの受信状態に切り替えている。
【００２７】
ところで、図１に示すチューナの複同調回路をハイバンドのテレビジョン信号（例えば１７０ＭＨｚ〜２２２ＭＨｚ）を受信する状態に切り替えるときは、ハイバンド受信用の切替端子２５に、例えば５Ｖの電圧を印加し、ローバンド受信用の切替端子２７に電圧を印加しない。すると、スイッチダイオード２２およびスイッチダイオード４１には順方向の電圧が印加され、両スイッチダイオード２２および４１は導通状態になり、ハイバンド受信用の同調コイル１５とローバンド受信用の同調コイル１６の接続点が接地され、直流阻止コンデンサ３３とローバンド受信用の同調コイル３４の接続点も接地される。この結果、１次同調回路１１は、バラクタダイオード１４とハイバンド受信用の同調コイル１５とが共に並列接続され、２次同調回路１２は、バラクタダイオード３１とハイバンド受信用の同調コイル３２とが共に並列接続される。この時の高周波的な等価回路は、直流阻止コンデンサおよび抵抗を無視すると、図２に示す複同調回路となり、バラクタダイオード１４および３１に印加する電圧の調整により所望の同調周波数が得られ、また、バラクタダイオード３７とコンデンサ４０によるタップ回路が構成されている。
【００２８】
また、ローバンドのテレビジョン信号（例えば９０ＭＨｚ〜１０８ＭＨｚ）を受信する状態に切り替えるときは、ローバンド受信用の切替端子２７に、例えば５Ｖの電圧を印加し、ハイバンド受信用の切替端子２５には電圧を印加しない。すると、スイッチダイオード２２およびスイッチダイオード４１には逆方向の電圧が印加され、両スイッチダイオード２２および４１は非導通状態となる。この結果、１次同調回路１１は、ハイバンド受信用の同調コイル１５、ローバンド受信用の同調コイル１６、結合用のコイル１８およびバラクタダイオード１４からなる並列同調回路（以下この回路を「主同調回路」という）となり、２次同調回路１２は、ハイバンド受信用の同調コイル３２、ローバンド受信用の同調コイル３４、結合用のコイル１８およびバラクタダイオード３１からなる並列同調回路となり、バラクタダイオード１４および３１に印加する電圧の調整により所望の同調周波数が得られる。
【００２９】
ところで、ローバンド受信状態に切り替えた複同調回路においては、スイッチダイオード２２、４１には逆方向の電圧が印加されている。一般に、ダイオードに逆方向の電圧を印加すると、例えば０．２ｐＦ程度の端子間容量が発生する。ここで、スイッチダイオード２２、４１の逆方向電圧での端子間容量がコンデンサ４４と等価すると、ローバンド受信状態での複同調回路における高周波的な等価回路は、直流阻止コンデンサおよび抵抗を無視すると、図３に示す複同調回路となる。
【００３０】
図３において、コンデンサ４４により、１次同調回路１１では、バラクタダイオード１４、同調コイル１５、コンデンサ４４により、また、２次同調回路１２では、バラクタダイオード３１、同調コイル３２、コンデンサ４４により、主同調回路とは別の新たな同調回路４５（以下この回路を「寄生同調回路」という）が構成される。そして、この寄生同調回路４５での同調周波数は、１次同調回路１１と２次同調回路１２とも同一の周波数であり、例えば、主同調回路での所望の同調周波数を１２７ＭＨｚとすると、寄生同調回路４５での同調周波数は、６００〜７００ＭＨｚ域のＵＨＦ帯に現れる。
【００３１】
ここで、コンデンサ４０を設けたことにより、２次同調回路１２では、同調コイル３２、バラクタダイオード３７、コンデンサ４０により、主同調回路とは別の新たな同調回路４６（以下この回路を「トラップ回路」という）が構成される。ここで、コンデンサ４４とコンデンサ４０との容量が等しく、バラクタダイオード３１とバラクタダイオード３７との容量が等しく、さらに同調コイル３２を共有しているので、トラップ回路４６と寄生同調回路４５とは同一の同調周波数となる。
【００３２】
したがって、このローバンド受信状態での複同調回路は、例えば図４の点線で示されるような周波数選択特性となり、主同調回路での同調周波数を１２７ＭＨｚとすると、従来例での寄生同調回路による６００〜７００ＭＨｚ帯のピークがほぼなくなる。したがって、混合器３９から妨害となる信号が発生しない。
なお、ハイバンド受信状態での複同調回路は、図２に示すように、バラクタダイオード３７とコンデンサ４０によるタップ効果によって２次同調回路のＱが高くなって選択度特性が急峻となる。この結果、混変調特性が改良されている。
【００３３】
【発明の効果】
以上説明してきたように、本発明によれば、ローバンド受信状態においては、コンデンサを設けることにより、ハイバンド受信用同調コイル、バラクタダイオード、コンデンサによるトラップ回路が構成されるので、スイッチダイオードの非導通時の端子間容量によって新たに構成される寄生同調回路により発生する周波数特性ピークをなくすことができ、この結果中間周波信号への妨害をなくすことができる。
また、本発明によれば、ハイバンド受信状態においては、コンデンサを設けることにより、バラクタダイオードとコンデンサによるタップ効果によって２次同調回路のＱが高くなって選択度特性が急峻となる。この結果混変調特性が改良される。
【００３４】
また、本発明によれば、コンデンサの容量をスイッチダイオードの非導通時の端子間容量とほぼ同じとしたことにより、トラップ回路と寄生同調回路との同調周波数を等しくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のチューナの複同調回路の回路図である。
【図２】本発明のチューナの複同調回路のハイバンド受信時の等価回路図である。
【図３】本発明のチューナの複同調回路のローバンド受信時の等価回路図である。
【図４】本発明および従来のチューナの複同調回路のローバンド受信時の選択特性図である。
【図５】従来のチューナの複同調回路の回路図である。
【図６】従来のチューナの複同調回路のハイバンド受信時の等価回路図である。
【図７】従来のチューナの複同調回路のローバンド受信時の等価回路図である。
【符号の説明】
１１  １次同調回路
１２  ２次同調回路
１４  バラクタダイオード
１５、１６  同調コイル
２２、４１  スイッチダイオード
２５、２７  バンド切替端子
３１  （第１の）バラクタダイオード
３２  （第１の）同調コイル
３４  （第２の）同調コイル
３７  （第２の）バラクタダイオード
４０  コンデンサ
４４  スイッチダイオード２２および４１の静電容量と等価なコンデンサ
４５  寄生共振回路
４６  トラップ回路
【図１】
0003592160.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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