【手続補正書】
【提出日】平成29年5月29日(2017.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
すなわちこの発明の好ましい実施態様によると，基板上に導電路を形成する方法であって，上記基板上に５から100ナノメートルの直径の金属粒子を含む，0.1から５マイクロメートルの厚さを持つ材料層を堆積し，パターニング・レーザ・ビーム（patterning laser beam）を用いて上記材料層の領域を選択的に焼結し，これによって焼結領域において上記金属粒子を導体とし（causing said metal particles to together define a conductor），上記焼結領域以外の上記材料層の部分をアブレートするために，上記焼結領域がアブレートされる閾値未満（below a threshold at which said sintered regions would be ablated）のアブレーティング・レーザ・ビーム（ablating laser beam）を用いる方法が提供される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
この発明の他の好ましい実施態様では，基板上に５から100ナノメートルの直径の金属粒子を含む0.1から５マイクロメートルの厚さを有する材料層を堆積し，パターニング・レーザ・ビームを用いて上記材料層の領域を選択的に焼結し，これによって焼結領域において上記金属粒子を導体とし，上記焼結領域以外の上記材料層の部分を除去する，基板上に導電路を形成する方法も提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
この発明のさらに他の好ましい実施態様では，基板上に導電路を形成するシステムがさらに提供され，このシステムは，パターニング・レーザ・ビームを生成するように動作するパターニング・レーザ，アブレーティング・レーザ・ビームを生成するように動作するアブレーティング・レーザ，および光学アセンブリに対して動作可能で，基板に対して上記光学アセンブリを位置決めするように動作する基板位置決めアセンブリを備える光学アセンブリを含み，上記パターニング・レーザ・ビームが，上記基板上に５から100ナノメートルの直径を有する金属粒子を含む，0.1から５マイクロメートルの厚さを持つ材料層の範囲を選択的に焼結して上記基板上に堆積させるように動作され，これによって焼結領域において上記金属粒子を導体とし，上記アブレーティング・レーザ・ビームが，上記焼結領域以外の上記材料層の部分をアブレートするために，上記焼結領域がアブレートされる閾値未満で動作されるものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
好ましくは，堆積層は0.1から５マイクロメートルの厚さを有しており，５から100ナノメートルの直径，またはこれに代えて10から100ナノメートルの直径を持つ導電粒子（conductive particles）を含む。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
好ましくは，堆積層は，0.1から５マイクロメートルの厚さを有しており，５から100ナノメートルの直径，またはこれに代えて10から100ナノメートルの直径を持つ導電粒子を含む。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
好ましくは，堆積層は，0.1から５マイクロメートルの厚さを有しており，５から100ナノメートルの直径，またはこれに代えて10から100ナノメートルの直径を持つ導電粒子を含む。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
好ましくは，堆積層は，0.1から５マイクロメートルの厚さを有しており，５から100ナノメートルの直径，またはこれに代えて10から100ナノメートルの直径を持つ導電粒子を含む。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
好ましくは，堆積層は，0.1から５マイクロメートルの厚さを有しており，５から100ナノメートルの直径，またはこれに代えて10から100ナノメートルの直径を持つ導電粒子を含む。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
好ましくは，連続波レーザ240は，40から100ｍＷの出力レベル，0.5から10mm／秒，より好ましくは１から３mm／秒のスキャン速度，２〜10マイクロメートルのスポット・サイズで動作する。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
基板上に導電路を形成する方法であって，
上記基板上に５から100ナノメートルの直径の金属粒子を含む，0.1から５マイクロメートルの厚さを持つ材料層を堆積し，
パターニング・レーザ・ビームを用いて上記材料層の領域を選択的に焼結し，これによって焼結領域において上記金属粒子を導体とし，
上記焼結領域以外の上記材料層の部分をアブレートするために，上記焼結領域がアブレートされる閾値未満のアブレーティング・レーザ・ビームを用いる，
方法。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
基板上に導電路を形成する方法であって，
上記基板上に５から100ナノメートルの直径の金属粒子を含む0.1から５マイクロメートルの厚さを有する材料層を堆積し，
パターニング・レーザ・ビームを用いて上記材料層の領域を選択的に焼結し，これによって焼結領域において上記金属粒子を導体とし，
上記焼結領域以外の上記材料層の部分を除去する，
方法。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１９】
パターニング・レーザ・ビームを生成するように動作するパターニング・レーザ，
アブレーティング・レーザ・ビームを生成するように動作するアブレーティング・レーザ，および
光学アセンブリに対して動作可能で，基板に対して上記光学アセンブリを位置決めするように動作する基板位置決めアセンブリ，
を備える光学アセンブリを含み，
上記パターニング・レーザ・ビームが，上記基板上に５から100ナノメートルの直径を有する金属粒子を含む，0.1から５マイクロメートルの厚さを持つ材料層の範囲を選択的に焼結して上記基板上に堆積させるように動作され，これによって焼結領域において上記金属粒子を導体とし，
上記アブレーティング・レーザ・ビームが，上記焼結領域以外の上記材料層の部分をアブレートするために，上記焼結領域がアブレートされる閾値未満で動作される，
基板上に導電路を形成するシステム。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２７】
上記パターニング・レーザ・ビームを使用するのに先立って上記導電ペーストを乾燥することを含む，請求項２６に記載の基板上に導電路を形成する方法。