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【手続補正書】
【提出日】平成29年9月5日(2017.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モバイルデバイス内のモバイルアプリケーションとゲートウェイの間を通過する取引メッセージを安全化する方法であって、取引が開始されるとき、
モバイルアプリケーションの取引カウンタを増加させるステップと、
セッション暗号化鍵ＥＮＣを取引カウンタ値およびゲートウェイ暗号化鍵ＫＥＮＣから導出するステップであって、前記ゲートウェイ暗号化鍵が第１のマスタゲートウェイ鍵から導出される、導出するステップと、
機密データをセッション暗号化鍵ＥＮＣで暗号化するステップと、
暗号化された機密データ、取引カウンタ値、およびモバイルアプリケーションのアプリケーション識別子を含む取引要求メッセージを作り出すステップと、
取引要求メッセージをモバイルアプリケーションからモバイルデバイスを介してゲートウェイに送るステップであって、ゲートウェイが、受け取った取引要求メッセージからセッション暗号化鍵を計算するように構成されている、送るステップと、
受け取った暗号化されたデータを計算されたセッション暗号化鍵ＥＮＣで復号するステップと
を含む、方法。
【請求項２】
セッション完全性鍵ＭＡＣを取引カウンタ値およびゲートウェイ完全性鍵ＫＭＡＣから導出するステップであって、前記ゲートウェイ完全性鍵が第２のマスタゲートウェイ鍵から導出される、導出するステップと、
ＭＡＣ署名値を、セッション完全性鍵ＭＡＣおよび取引要求メッセージの内容の少なくとも一部から計算するステップと、
前記ＭＡＣ値を、その作成中、取引要求メッセージに追加するステップと
を含み、
ゲートウェイが、受け取った取引要求メッセージからセッション完全性鍵を計算し、受け取った取引要求メッセージのＭＡＣ署名値を確認するように構成されている、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ゲートウェイ暗号化鍵ＫＥＮＣおよびゲートウェイ完全性鍵ＫＭＡＣの導出が、
第１および第２のマスタゲートウェイ鍵を生成するステップと、
モバイルアプリケーション用のアプリケーション識別子を生成するステップと、
ゲートウェイ暗号化鍵ＫＥＮＣを、前記アプリケーション識別子、第１のマスタ鍵および第１の導出アルゴリズムから導出するステップと、
ゲートウェイ完全性鍵ＫＭＡＣを、前記アプリケーション識別子、第２のマスタ鍵および第２の導出アルゴリズムから導出するステップと、
モバイルアプリケーションに、生成されたアプリケーション識別子、導出されたゲートウェイ暗号化鍵ＫＥＮＣおよび導出されたゲートウェイ完全性鍵ＫＭＡＣをロードするステップと
を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
ゲートウェイが、
ゲートウェイ暗号化鍵ＫＥＮＣとゲートウェイ完全性鍵ＫＭＡＣを、受け取ったアプリケーション識別子から、およびそれぞれ、格納された第１と第２のマスタゲートウェイ鍵および第１と第２の導出アルゴリズムから導出するステップと、
セッション暗号化鍵ＥＮＣとセッション完全性鍵ＭＡＣを、受け取った取引カウンタ値から、およびそれぞれ、導出されたゲートウェイ暗号化鍵ＫＥＮＣと導出されたゲートウェイ完全性鍵ＫＭＡＣから導出するステップと
に従ってセッション鍵を計算する、請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
第１と第２の導出アルゴリズムが同一である、請求項３または４に記載の方法。
【請求項６】
第１と第２のマスタゲートウェイ鍵が同一である、請求項２から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
生成されたアプリケーション識別子、ゲートウェイ暗号化鍵ＫＥＮＣおよびゲートウェイ完全性鍵ＫＭＡＣを含むモバイルアプリケーションが、モバイルデバイスのセキュア要素に格納される、請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
ゲートウェイが、復号された機密データを含む取引要求メッセージを、処理のためにモバイルアプリケーションのイシュアに転送する、請求項１から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
取引が、モバイルデバイスのユーザによって、モバイルデバイス自体によって、またはプッシュメッセージがモバイルアプリケーションによって受け取られたときに開始される、請求項１から８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
モバイルアプリケーションがモバイル決済アプリケーションであり、取引カウンタがアプリケーション取引カウンタ（ＡＴＣ）であり、取引要求メッセージが、
アプリケーション識別子と、
その時点のアプリケーション取引カウンタＡＴＣと、
磁気ストライプデータトラックの内容を全体的または部分的（トラック１、トラック２、トラック３）に含む機密データと、
イシュアがモバイル決済アプリケーションを認証できるようにする動的取引データおよび静的アプリケーションデータと
を含む、請求項１から９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
開始される取引が、
モバイル決済アプリケーションのパラメータを更新すること、
モバイルデバイスの決済アプリケーションをブロックすること、
モバイル決済アプリケーションのブロックを解除すること、
モバイル決済アプリケーションのＰＩＮのブロックを解除すること、および／または
モバイル決済アプリケーションのＰＩＮを変更すること
を含む無線イシュア更新である、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
開始される取引が、イシュアによるモバイル通信デバイスの認証である、請求項１から１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
開始される取引が、モバイル通信デバイスを介した決済取引である、請求項１から１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
ゲートウェイが、安全化された処理ネットワークを介してイシュアと通信する、請求項１から１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
モバイルデバイスに格納されたモバイルアプリケーションを含む取引処理システムであって、前記モバイルアプリケーションが、モバイル通信デバイスを経由し、ゲートウェイを介してイシュアと通信するように構成されており、この通信の間、モバイルアプリケーションとゲートウェイの間を通過する取引メッセージが、請求項１から１４のいずれか一項に従って安全化される、取引処理システム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月21日(2017.7.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダウンリンクチャネルを介した通信のための方法であって、
ビットの伝送のために使用可能なフォーマット内の複数のシンボル持続時間のうちの1つに対する割当てを決定するステップと、
前記割当てが上位レイヤ制御チャネルに関連付けられる場合、前記上位レイヤ制御チャネルからの少なくとも1つのビットが利用可能であるかどうかを決定するステップと、
利用可能である場合、前記複数のシンボル持続時間のうちの前記1つを前記上位レイヤ制御チャネルからの前記少なくとも1つのビットで占有するステップと、
前記上位レイヤ制御チャネルからの前記少なくとも1つのビットが利用可能でない場合、前記複数のシンボル持続時間のうちの前記1つを1つもしくは複数の上位レイヤトラフィックチャネルまたは別の上位レイヤ制御チャネルからの少なくとも1つのビットで占有するステップと、
前記フォーマットに関連付けられたフォーマット情報の送信を無効化するステップと
を含む方法。
【請求項２】
前記上位レイヤ制御チャネルが専用制御チャネル(DCCH)チャネルを含み、
前記1つもしくは複数の上位レイヤトラフィックチャネルが1つまたは複数の専用トラフィックチャネル(DTCH)チャネルを含む、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記1つまたは複数のDTCHチャネルが異なるクラスの音声ビットを搬送するか、または、
単一のDTCHチャネルが、音声ビット、1つまたは複数のジョイント誤り検出符号化ビット、および1つまたは複数のジョイント誤り補正符号化ビットのクラスのセットを搬送する、請求項2に記載の方法。
【請求項４】
前記DCCHチャネルに関するDCCHインジケータの送信を無効化するステップをさらに含む、請求項2に記載の方法。
【請求項５】
何のビットも前記上位レイヤ制御チャネルから利用可能でない場合、前記上位レイヤ制御チャネルに関するレートマッチング(RM)属性がゼロ値として処理される、請求項1に記載の方法。
【請求項６】
物理チャネル上で前記複数のシンボル持続時間のうちの前記1つを送信するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項７】
前記物理チャネルの前記フォーマットがパイロットフリースロットフォーマットであり、前記物理チャネルが、複数のユーザ機器(UE)用の複数の別個の直交可変拡散率(OVSF)コードを含む、請求項6に記載の方法。
【請求項８】
前記上位レイヤ制御チャネルのうちの1つが専用制御チャネル(DCCH)であり、
前記上位レイヤトラフィックチャネルのうちの1つが専用トラフィックチャネル(DTCH)であり、
前記物理チャネルが専用物理データチャネル(DPDCH)であり、
少なくとも1つのDCCHビットが前記フォーマット内の少なくとも1つの割り当てられたDCCHシンボル持続時間を占有するとき、前記物理チャネルの送信電力を上昇させるステップをさらに含む、請求項6に記載の方法。
【請求項９】
ダウンリンクチャネルを介した通信のための方法であって、
専用制御チャネル(DCCH)チャネルが利用可能でないとき、専用トラフィックチャネル(DTCH)チャネルビットによる、割り当てられたDCCHビット位置の再使用を決定するために、ブラインドトランスポートフォーマット検出(BTFD)仮説検定モードを有効化するステップと、
物理チャネル上で複数のシンボル持続時間のうちの1つを受信するステップと、
前記DCCHチャネルが送信されないという第1の仮説を用いて、前記複数のシンボル持続時間のうちの前記1つを復号することを試みるステップと
を含む方法。
【請求項１０】
前記試みるステップが成功しない場合、前記DCCHチャネルが送信されるという第2の仮説を用いて、前記複数のシンボル持続時間のうちの前記1つを復号するステップをさらに含む、請求項9に記載の方法。
【請求項１１】
前記DCCHチャネルまたはDTCHチャネルからのジョイント誤り検出符号化ビットを検出するステップをさらに含む、請求項9に記載の方法。
【請求項１２】
前記物理チャネルの前記フォーマットがパイロットフリースロットフォーマットであり、前記物理チャネルが、複数のユーザ機器(UE)用の複数の別個の直交可変拡散率(OVSF)コードを含む、請求項9に記載の方法。
【請求項１３】
ダウンリンクチャネルを介した通信のための装置であって、
上位レイヤ制御チャネルからの少なくとも1つのビット、または1つもしくは複数の上位レイヤトラフィックチャネルからの少なくとも1つのビットを記憶するためのメモリと、
ビットの伝送のために使用可能なフォーマット内の複数のシンボル持続時間のうちの1つに対する割当てを決定するための手段と、
前記割当てが前記上位レイヤ制御チャネルに関連付けられる場合、前記上位レイヤ制御チャネルからの少なくとも1つのビットが利用可能であるかどうかを決定するための手段と、
利用可能である場合、前記複数のシンボル持続時間のうちの前記1つを前記上位レイヤ制御チャネルからの前記少なくとも1つのビットで占有するための手段と、
前記上位レイヤ制御チャネルからの前記少なくとも1つのビットが利用可能でない場合、前記複数のシンボル持続時間のうちの前記1つを、前記1つもしくは複数の上位レイヤトラフィックチャネルまたは別の上位レイヤ制御チャネルからの少なくとも1つのビットで占有するための手段と、
前記フォーマットに関連付けられたフォーマット情報の送信を無効化するための手段と
を含む装置。
【請求項１４】
ダウンリンクチャネルを介した通信のための装置であって、
少なくとも1つのブラインドトランスポートフォーマット検出(BTFD)仮説アルゴリズムを記憶するためのメモリと、
専用制御チャネル(DCCH)チャネルが利用可能でないとき、専用トラフィックチャネル(DTCH)チャネルビットによる、割り当てられたDCCHビット位置の再使用を決定するために、BTFD仮説検定モードを有効化するための手段と、
物理チャネル上で複数のシンボル持続時間のうちの1つを受信するための手段と、
前記DCCHチャネルが送信されないという第1の仮説を用いて、前記複数のシンボル持続時間のうちの前記1つを復号することを試みるための手段と
を含む装置。
【請求項１５】
メモリと、前記メモリに結合されたプロセッサとを含むデバイス上で実行可能な、コンピュータ実行可能コードを記憶したコンピュータ可読記録媒体であって、前記コンピュータ実行可能コードが、請求項1乃至8および9乃至12のいずれか1項に記載の方法を前記プロセッサに実行させる命令を含む、コンピュータ可読記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月19日(2017.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同期および非同期デバイスの異種ネットワーク内でのモバイルデバイスによるワイヤレス通信のための方法であって、
基地局から、前記基地局についてのタイミング情報を受信することと、
前記タイミング情報を備えるタイミング信号を送信することと、前記タイミング信号は、デバイス間発見のために予約された少なくとも１つのサブフレーム中に送信される、
を備え、
前記タイミング信号が、サブフレームの第１の部分中に１つまたは複数のシンボルを使って送信される、
ことを特徴とする、
方法。
【請求項２】
前記基地局から、前記タイミング信号を送信するための命令を受信することと、
前記命令が受信された後、前記タイミング信号を送信することと
をさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
サブフレームの第１の部分中に第１の周波数で１つまたは複数のシンボルを使って前記タイミング信号を送信すること、ここにおいて、追加タイミング信号は、前記サブフレームの第２の部分中に第２の周波数で１つまたは複数のシンボルを使って送信され、前記追加タイミング信号は、追加基地局についてのタイミング情報を備える、をさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第１の周波数は前記第２の周波数とは異なり、前記サブフレームの前記第１の部分は前記サブフレームの前記第２の部分とは異なる、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記基地局と前記追加基地局は非近隣基地局である、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
デバイス間発見のために予約された前記少なくとも１つのサブフレーム中に前記タイミング信号の１つまたは複数の追加コピーを送信することをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記タイミング情報および前記タイミング信号は、前記基地局によって送信される１次同期信号（ＰＳＳ）および／または２次同期信号（ＳＳＳ）を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
デバイス間発見のために予約された前記少なくとも１つのサブフレーム中にデバイス間発見信号を送信することをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記デバイス間発見信号は、前記タイミング信号が送信されるサブフレームとは異なるサブフレーム中に送信される、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記タイミング情報は、前記基地局についてのシンボルレベルタイミング情報を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
同期および非同期デバイスの異種ネットワーク内でのワイヤレス通信のためのモバイルデバイスであって、
基地局から、前記基地局についてのタイミング情報を受信するための手段と、
前記タイミング情報を備えるタイミング信号を送信するための手段と、前記タイミング信号は、デバイス間発見のために予約された少なくとも１つのサブフレーム中に送信される、
を備え、
前記タイミング信号が、前記送信するための手段によって、サブフレームの第１の部分中に１つまたは複数のシンボルを使って送信される、
ことを特徴とする、
モバイルデバイス。
【請求項１２】
前記基地局から、前記タイミング信号を送信するための命令を受信するための手段と、
前記命令が受信された後、前記タイミング信号を送信するための手段と
をさらに備える、請求項１０に記載のモバイルデバイス。
【請求項１３】
サブフレームの第１の部分中に第１の周波数で１つまたは複数のシンボルを使って前記タイミング信号を送信するための手段、ここにおいて、追加タイミング信号は、前記サブフレームの第２の部分中に第２の周波数で１つまたは複数のシンボルを使って送信され、前記追加タイミング信号は、追加基地局についてのタイミング情報を備える、をさらに備える、請求項１１に記載のモバイルデバイス。
【請求項１４】
基地局によるワイヤレス通信のための方法であって、
モバイルデバイスに、前記基地局についてのタイミング情報を送信することと、
デバイス間発見のために予約された少なくとも１つのサブフレーム中に、前記タイミング情報を備えるタイミング信号を送信するための命令を前記モバイルデバイスに送信することと
を備え、
サブフレームの一部分中に１つまたは複数のシンボルを識別すること
を特徴とし、ここにおいて、前記タイミング信号は、前記１つまたは複数の識別されたシンボルを使って送信される、
方法。
【請求項１５】
ワイヤレス通信のための基地局であって、
プロセッサと、
前記プロセッサと電子通信しているメモリと
を備え、前記メモリは、前記プロセッサによって、
モバイルデバイスに、前記装置についてのタイミング情報を送信し、
デバイス間発見のために予約された少なくとも１つのサブフレーム中に、前記タイミング情報を備えるタイミング信号を送信するための命令を前記モバイルデバイスに送信する
ように実行可能な命令を記憶し、
サブフレームの一部分中に１つまたは複数のシンボルを識別すること
を特徴とし、
ここにおいて、前記タイミング信号は、前記１つまたは複数の識別されたシンボルを使って送信される、
基地局。
【手続補正書】
【提出日】平成29年9月11日(2017.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
場合によっては（またはオプションとしては）、内側シールドと外側編組とが協働してケーブルの全体的な長さ（またはケーブル全長）に沿って連続的なシールド(または連続遮蔽、continuous shield)を供するものであってよい。内側シールドは複数のシールド・セグメントにセグメント化されていてよい（または分けられていてよい）。外側編組はケーブルの長さに沿って（またはケーブルに沿うように）シールド・セグメントを電気的に接続していてよい。外側編組が複数の導電性ストランドを有して成っていてよく、その導電性ストランドの各々が内側シールドの少なくとも２つのシールド・セグメントに電気的に接続していてよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
図１は、ケーブル・バンドル１０の例示態様の一部の断面図である。図２は、ケーブル・バンドル１０の斜視図である。以下では、高速ケーブル（限定されるわけではないが、例えば、高解像度ビデオ画像において使用されるデータ通信ケーブルなど）の点で説明および図示する。ケーブル・バンドル１０は、低侵襲外科的処置において患者の体内イメージ化のためのカメラベース医療内視鏡など、医療用途で用いられ得る。ケーブル・バンドル１０が外科用途で用いられる際、ケーブル・バンドル１０は繰り返される高温および／または低温化学殺菌に特に適したものとなり得る。本開示で説明および／または図示される利益は他のタイプのケーブル（限定されるわけではないが、例えば、ワイヤー、コード、ケーブルおよび／またはそれらと同種のいれずれのものなど）にも適用される。それゆえ、以下の説明および図示などは、あくまでも例示目的であり、説明および図示の主題の１つの潜在的な用途に関している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
ケーブル・バンドル１０は、絶縁性のバンドル・ジャケット１２、および、かかるジャケット１２内に位置付けられた複数のケーブル１４を含んでいる。バンドル・ジャケット１２はケーブル１４を包囲している。具体的には、バンドル・ジャケット１２は、通路および中央コア１６を含んでおり、かかる通路および中央コア１６内にて延在している。ケーブル１４は、ケーブル・バンドル１０の長さに沿うように中央コア１６内を延在している。ケーブル・ジャケット１２は、絶縁性の非導電性材料（限定されるわけではないが、例えば、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリプロピレン、フルオロポリマー、ポリエチレンおよび／またはそれらと同種のものといったポリマーなど）から形成されている。場合によっては、バンドル・ジャケット１２は疎水性材料から形成されていてよく、バンドル・ジャケット１２が耐水性または防水性を有するものであってよい。例示態様では、バンドル・ジャケット１２は、おおよそ滑らかな内面１８及びおおよそ滑らかな外面２０を含んでいる。ケーブル・バンドル１０およびバンドル・ジャケット１２は、ケーブル・バンドル１０の長さに沿って延びる中央長手軸２２に沿って延在している。
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月30日(2017.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
成長基板上にＬＥＤを、前記成長基板上に発光半導体構造を成長させることによって、部分的に形成することであり、前記発光半導体構造は、ｎ型領域とｐ型領域との間に配置された発光層を有し、前記成長基板は、正面側と、該正面側とは反対の裏面側とを有し、前記発光半導体構造は前記正面側に成長される、部分的に形成することと、
前記成長基板上に前記ＬＥＤを部分的に形成することの後に、前記成長基板にノッチを形成することであり、該ノッチは、前記成長基板の前記正面側から前記成長基板の中まで延在する、形成することと、
前記成長基板にノッチを形成することの後に、前記成長基板上で前記発光半導体構造を処理することによって、前記成長基板上で前記ＬＥＤを完成させることと、
前記成長基板上で前記ＬＥＤを完成させることの後に、前記成長基板の前記裏面側を薄化することで、前記ノッチを露出させて、前記完成されたＬＥＤを分離することと、
を有する方法。
【請求項２】
前記成長基板にノッチを形成することは、
開口を有するマスクを前記成長基板上に形成することと、
前記開口内で前記ノッチをエッチングすることと
を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記成長基板にノッチを形成することは、前記成長基板内にノッチをソーイングする又はレーザスクライビングすることを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記成長基板はサファイアである、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記成長基板の前記裏面側を薄化することの後に、前記完成されたＬＥＤの各々に前記成長基板の一部が取り付けられたままである、
請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記成長基板上で前記発光半導体構造を処理することによって、前記成長基板上で前記ＬＥＤを完成させることは、エッチング及び金属層の形成を行ってコンタクト及びインターコネクトを形成することを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
サファイア基板の第１の表面上に、ｎ型領域とｐ型領域との間に配置された発光層を有する半導体構造を成長させることと、
前記半導体構造をＬＥＤに形成することと、
第１の薄化プロセスにて、前記第１の表面とは反対側の前記サファイア基板の第２の表面から前記サファイア基板を薄化することと、
前記第１の薄化プロセスにて前記第２の表面から前記サファイア基板を薄化することの後に、前記サファイア基板にクラックを形成することであり、該クラックは、前記サファイア基板の前記第１の表面から、前記サファイア基板の厚さ全体を貫くことなく、前記サファイア基板の中まで延在する、形成することと、
前記サファイア基板にクラックを形成することの後に、第２の薄化プロセスにて前記サファイア基板の前記第２の表面から前記サファイア基板を薄化することと、
を有する方法。
【請求項８】
クラックを形成することは、レーザスクライビングすることを有する、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
クラックを形成することは、機械的にスクライビングすることを有する、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
クラックを形成することは、前記第２の表面から前記クラックをレーザスクライビングすることを有する、請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
前記第２の薄化プロセスにて前記サファイア基板の前記第２の表面から前記サファイア基板を薄化することは、前記サファイア基板を薄化して前記クラックを露出させることを有する、請求項７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月29日(2017.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デバイスであって、前記デバイスは下記を備える、
入力クロック信号を受け取り、補正されたクロック信号を伝達するように構成されたデューティ・サイクル補正回路であって、
前記入力クロック信号の第１のサイクルの間、出力電圧を伝達し、前記入力クロック信号の第２のサイクルの間、第１の回路の電流ミスマッチを補正する、第１の回路と、
前記第２のサイクルの間、前記出力電圧を伝達し、前記第１のサイクルの間、第２の回路の電流ミスマッチを補正する、第２の回路と、
を含むデューティ・サイクル補正回路と、
前記補正されたクロック信号を受け取り、出力クロックを生成するためのクロック生成器。
【請求項２】
前記第１のサイクルおよび前記第２のサイクルの各々の間、前記出力電圧を受け取るように構成された出力コンデンサをさらに備える、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記出力クロックは、実質的に５０％であるデューティ・サイクルと、前記補正されたクロック信号の周波数に対して増加された周波数とを有する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項４】
前記第１の回路は、前記第２のサイクルの間、第１および第２の電流を受け取るように構成されたコンデンサの両端の電圧と、基準電圧とを比較するためのトランジスタの差動ペアを含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項５】
前記コンデンサの両端の前記電圧が前記基準電圧と異なる場合に、電流ミスマッチを補正するためのフィードバック・ループをさらに備える、請求項４に記載のデバイス。
【請求項６】
前記第２の回路は、前記第１のサイクルの間、第１および第２の電流を受け取るように構成されたコンデンサの両端の電圧と、基準電圧とを比較するためのトランジスタの差動ペアを含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項７】
前記コンデンサの両端の前記電圧が、前記基準電圧と異なる場合に、電流ミスマッチを補正するためのフィードバック・ループをさらに備える、請求項６に記載のデバイス。
【請求項８】
デバイスであって、前記デバイスは下記を備える、
入力クロック信号のフェーズの間、出力電圧を生成するように構成された第１のチャージ・ポンプと、
前記入力クロック信号のもう１つの、異なるフェーズの間、前記出力電圧を生成するための第２のチャージ・ポンプ、ここで、前記第１および前記第２のチャージ・ポンプの各々は、前記入力クロック信号に基づいて、補正されたクロック信号を生成するように構成される、と、
前記第１および前記第２のチャージ・ポンプの各々に接続され、前記補正されたクロック信号を受け取り、前記補正されたクロック信号の周波数に対して２倍された周波数を有する出力クロック信号を生成するように構成されたクロック生成器、
ここで、前記第１のチャージ・ポンプはさらに、前記入力クロック信号の前記もう１つの、異なるフェーズの間、前記第１のチャージ・ポンプの第１の電流と第２の電流との間のミスマッチを検出し補正するように構成され、
前記第２のチャージ・ポンプはさらに、前記入力クロック信号の前記フェーズの間、前記第２のチャージ・ポンプの第１の電流と第２の電流との間のミスマッチを検出し補正するように構成される。
【請求項９】
前記出力クロック信号は、実質的に５０％であるデューティ・サイクルを有する、請求項８に記載のデバイス。
【請求項１０】
前記第１のチャージ・ポンプはさらに、前記入力クロック信号の前記もう１つの、異なるフェーズの間、前記第１のチャージ・ポンプのアップ電流およびダウン電流を受け取るように構成されたコンデンサを備える、請求項８に記載のデバイス。
【請求項１１】
前記第１のチャージ・ポンプはさらに、前記コンデンサの両端の電圧と基準電圧との差分を測定するように構成されたトランジスタの差動ペアを備える、請求項１０に記載のデバイス。
【請求項１２】
前記コンデンサの両端の前記電圧が、前記基準電圧と異なる場合に、電流ミスマッチを補正するためのフィードバック・ループをさらに備える、請求項１１に記載のデバイス。
【請求項１３】
前記第２のチャージ・ポンプはさらに、前記入力クロック信号の前記フェーズの間、前記第２のチャージ・ポンプのアップ電流およびダウン電流を受け取るように構成されたコンデンサを備える、請求項８に記載のデバイス。
【請求項１４】
方法であって、前記方法は下記を備える、
複数のチャージ・ポンプを用いて、補正されたクロック信号を生成すること、ここで、前記複数のチャージ・ポンプの各々は、入力クロック信号のサイクルの一部の間に、電流ミスマッチを補正するように構成される、と、
前記補正されたクロック信号の周波数よりも大きな周波数を有する出力クロックを生成すること、
ここで、補正されたクロック信号を生成することは、
前記入力クロック信号の第１のサイクルの間、前記複数のチャージ・ポンプのうちの第１のチャージ・ポンプを用いて出力電圧を生成することと、
前記入力クロック信号の第２のサイクルの間、前記複数のチャージ・ポンプのうちの第２のチャージ・ポンプの第１の電流と第２の電流との間のミスマッチを補正することと、
前記第２のサイクルの間、前記第２のチャージ・ポンプを用いて、前記出力電圧を生成することと、
前記第１のサイクルの間、前記第１のチャージ・ポンプの第１の電流と第２の電流との間のミスマッチを補正することと、
を備える。
【請求項１５】
方法であって、前記方法は下記を備える、
入力クロック信号を受け取り、補正されたクロック信号を生成することと、
前記入力クロック信号の第１のサイクルの間、第１のチャージ・ポンプを用いて出力電圧を生成することと、
前記入力クロック信号の第２のサイクルの間、第２のチャージ・ポンプの第１の電流と第２の電流との間のミスマッチを補正することと、
前記第２のサイクルの間、前記第２のチャージ・ポンプを用いて、前記出力電圧を生成することと、
前記第１のサイクルの間、前記第１のチャージ・ポンプの第１の電流と第２の電流との間のミスマッチを補正することと、
前記補正されたクロック信号に基づいて、２倍されたクロック信号を生成すること。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月25日(2017.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
[090]様々な実施態様において、ＥＨＲＳ５００は、低圧ゾーン１９０中の第三の流体１９２の圧力をモニタリングするように設計することができる。低圧ゾーン１９０中の第三の流体１９２の圧力をモニタリングすることによって、第二のシール１８１が外れて第二の流体が低圧ゾーン１９０に漏出したことを示す可能性がある圧力増加が検出されたときのみ、連動するかまたはエネルギーが与えられるように、水素再生装置５１０を設計することができる。水素再生装置の使用を制限することによって、全体的なシステム効率を増加させることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
[095]いくつかの実施態様において、第一のシール１７１は、高圧ゾーン１７０中の第一の流体１７２の圧力により、プレート１５０、１６０を分離させることなく外すことができることが予期される。同様に、第一のシール１７１および第二のシール１８１の両方は、高圧ゾーン１７０中の第一の流体１７２の圧力および中圧ゾーン１８０中の第二の流体１８２により、プレート１５０、１６０を分離させることなく外すことができることも予期される。これらの実施態様において、少なくとも第一の流体１７２の圧力、ある特定の実施態様において、第一の流体１７２および第二の流体１８２の両方をモニタリングすることができる。モニタリングされる圧力に基づき、閉鎖力を調節することができる。閉鎖力２１０は、それぞれ第一のショルダー１７３、第二の溝１８３、および第三の溝１９３に対する、第一のシール１７１、第二のシール１８１、および第三のシール１９１の外形および／または厚さに基づきさらに調整することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２２】
[0143]他の実施態様において、中圧ボリューム８８３は、複数の中圧ボリューム８８３に、例えば、２、３、４個またはそれより多くの中圧ボリューム８８３に分けることができる。複数の中圧ボリューム８８３は、複数のシールで隔てられていてもよい。図１４で示されるように、中圧ボリューム８８３は、２つの中圧ボリューム８８３に分けることができる。例えば、図１４で示されているように、第一のシール８７１は、中圧ボリューム８８３を通過して第二のシール８８１に伸長することができる。共通の通路８０４の周りに伸長する第一のシール８７１の一部が、中圧ボリューム８８３を２つの中圧ボリューム８８３に分けている第二のシール８８１と連結していてもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２８】
[0149]低圧ポート８９４を介して放出された第三の流体８９２は、電気化学セル１００に再供給することができる。例えば、第三の流体８９２は、低圧ゾーン１９０に戻すことができる。他の実施態様において、中圧ポート８８４を介して放出された第三の流体８９２を収集して再利用することができる。低圧ゾーン８９０中の第三の流体８９２は、一般的に、高圧ゾーン８７０中の第一の流体８７２および中圧ゾーン８８０中の第二の流体８８２より低圧であり得る。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月10日(2017.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非導電性である気体透過性材料と、
前記気体透過性材料に結合している多孔質導電材料と、を備え、三相の固体−液体−気体境界が、前記多孔質導電材料に対向している前記気体透過性材料の表面の位置に、又は表面付近に形成することができる、気体透過性３Ｄ電極。
【請求項２】
前記電極が柔軟性のある、請求項１に記載の気体透過性３Ｄ電極。
【請求項３】
前記電極がスパイラル巻き型又はロール状である、請求項２に記載の気体透過性３Ｄ電極。
【請求項４】
前記電極の正常作動での使用中、前記気体透過性材料が液体電解質に不透過性であり、前記多孔質導電材料が前記液体電解質に透過性である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の気体透過性３Ｄ電極。
【請求項５】
前記多孔質導電材料が、前記気体透過性材料に隣接して設けられる、請求項１〜４のいずれか一項に記載の気体透過性３Ｄ電極。
【請求項６】
前記多孔質導電材料が前記気体透過性材料に当接している、請求項１〜４のいずれか一項に記載の気体透過性３Ｄ電極。
【請求項７】
前記多孔質導電材料が、金属メッシュ、金属グリッド、金属格子、金属布、孔開き金属シート、金属層をコーティングしたポリマー性メッシュ、グリッド、格子又は布、カーボン繊維又はカーボン布、及び多孔質又は間隔のあいた金属の構成要素の群から選択される、請求項１〜６のいずれか一項に記載の気体透過性３Ｄ電極。
【請求項８】
前記多孔質導電材料を前記気体透過性材料に結合させるバインダー材料をさらに備える、請求項１〜７のいずれか一項に記載の気体透過性３Ｄ電極。
【請求項９】
前記バインダー材料が触媒の材料を備える、請求項８に記載の気体透過性３Ｄ電極。
【請求項１０】
前記バインダー材料が導電材料を備える、請求項８又は９に記載の気体透過性３Ｄ電極。
【請求項１１】
前記バインダー材料が、カーボンブラック粒子、グラフェン、カーボンナノチューブ、又はバッキーボールを含む、請求項８〜１０のいずれか一項に記載の気体透過性３Ｄ電極。
【請求項１２】
前記バインダー材料が、ニッケル粒子又はナノ粒子を含む、請求項８〜１０のいずれか一項に記載の気体透過性３Ｄ電極。
【請求項１３】
前記バインダー材料がイオノマーを含む、請求項８〜１２のいずれか一項に記載の気体透過性３Ｄ電極。
【請求項１４】
前記バインダー材料が、前記多孔質導電材料と前記気体透過性材料との間に存在する、請求項８〜１３のいずれか一項に記載の気体透過性３Ｄ電極。
【請求項１５】
前記バインダー材料が、前記気体透過性材料の厚さ未満の深さまで、前記気体透過性材料へと浸透する、請求項８〜１４のいずれか一項に記載の気体透過性３Ｄ電極。
【請求項１６】
前記バインダー材料が、前記多孔質導電材料の中へ、又はこの周囲に浸透する、請求項８〜１５のいずれか一項に記載の気体透過性３Ｄ電極。
【請求項１７】
バリア層を備える、請求項１〜１６のいずれか一項に記載の気体透過性３Ｄ電極。
【請求項１８】
前記バリア層が、前記電極を透過する望まない気体の量を制限する、請求項１７に記載の気体透過性３Ｄ電極。
【請求項１９】
前記多孔質導電材料に対して前記気体透過性材料の反対側に配置された第２の多孔質導電材料をさらに備える、請求項１〜１８のいずれか一項に記載の気体透過性３Ｄ電極。
【請求項２０】
前記気体透過性材料が５００ｎｍ未満の特徴的細孔サイズを有する、請求項１〜１９のいずれか一項に記載の気体透過性３Ｄ電極。
【請求項２１】
前記電極が０．２バールを超える湿潤圧を有する、請求項１〜２０のいずれか一項に記載の気体透過性３Ｄ電極。
【請求項２２】
前記電極が、約０．０５ｍ以上、約０．１ｍ以上、約０．２ｍ以上、約０．３ｍ以上、約０．４ｍ以上、約０．５ｍ以上、約１ｍ以上、又は約２ｍ以上の幅を有する、請求項１〜２１のいずれか一項に記載の気体透過性３Ｄ電極。
【請求項２３】
前記電極が、約０．５ｍ以上、約１ｍ以上、約２ｍ以上、約３ｍ以上、約４ｍ以上、約５ｍ以上、又は約１０ｍ以上の長さを有する、請求項１〜２２のいずれか一項に記載の気体透過性３Ｄ電極。
【請求項２４】
使用中、前記三相の固体−液体−気体境界が、前記３Ｄ電極の幅に対して巨視的に、実質的に２次元である、請求項１〜２３のいずれか一項に記載の気体透過性３Ｄ電極。
【請求項２５】
前記多孔質導電材料が、ニッケルを使用して少なくとも部分的に形成されている、請求項１〜２４のいずれか一項に記載の気体透過性３Ｄ電極。
【請求項２６】
前記多孔質導電材料が、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ａｕ及び／又はＡｇを使用して少なくとも部分的に形成されている、請求項１〜２４のいずれか一項に記載の気体透過性３Ｄ電極。
【請求項２７】
請求項１〜２６のいずれか一項に記載の気体透過性３Ｄ電極を備える、電気化学セル。
【請求項２８】
柔軟性のある複数の３Ｄ電極を含む、請求項２７に記載の電気化学セル。
【請求項２９】
非導電性である気体透過性材料を選択するステップと、
バインダー材料を使用して、多孔質導電材料を、前記気体透過性材料の面に結合するステップと、を備え、
前記バインダー材料が前記多孔質導電材料に浸透する、気体透過性３Ｄ電極を製作する方法。
【請求項３０】
前記多孔質導電材料及び前記気体透過性材料が一緒に積層される、請求項２９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年4月3日(2017.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パワー半導体モジュールを製造するために超音波溶接によって２つの部品を接続する方法であって、前記方法は、
ａ）溶接される前記部品を位置合わせして溶接界面（１６）を形成するステップと、
ｂ）位置合わせされた前記部品に溶接工具（１８）を位置合わせするステップと、
ｃ）前記溶接界面（１６）を少なくとも部分的に取囲む捕捉材料（２０）を除去可能なように配置するステップとを備え、それによって前記捕捉材料（２０）は発泡体であり、
前記方法はさらに、
ｄ）前記溶接工具（１８）を作動させることによって前記部品を接続するステップを備える、方法。
【請求項２】
前記発泡体のポケットは不活性ガスまたは界面活性剤で充填される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ステップｃ）はステップｂ）の前に実行される、請求項１から２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項４】
ステップｃ）はステップｂ）の後に実行される、請求項１から２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記方法は、
ｅ）前記溶接ステップの後に洗浄手順を実行するさらなるステップを備える、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記洗浄手順は、特に捕捉された粒子とともに前記捕捉材料を特に除去するために、溶剤の塗布、消泡剤の塗布、湿式洗浄、空気吸込、空気吹込、蒸発および／または燃焼を備える、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記方法は、
ｆ）表面張力低下材料によって少なくとも１つの表面を前処理するさらなるステップを備える、請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記少なくとも１つの表面は高分子材料でコーティングされる、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
ステップｄ）は、≧１０℃から≦８０℃の範囲内の温度で実行される、請求項１から８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
ステップｄ）は、≧１ｍバールから≦６バールの範囲内の圧力で実行される、請求項１から９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
ステップｄ）は、不活性ガスを含む雰囲気下で実行される、請求項１から１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
溶接される前記部品は、金属またはポリマーから形成される、請求項１から１１のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
発明の詳細な説明
図１は、発明に係る方法を示す概略図である。詳細には、図１は、パワー半導体モジュール製造の分野において超音波溶接によって２つの部品を接続する方法を示す。特に、基板１０が示されており、基板１０の上にメタライゼーション１２が設けられている。さらに、メタライゼーション１２に溶接される端子１４が示されている。端子１４と、メタライゼーション１２を含む基板１０とが位置合わせされて溶接界面１６を形成する。さらに、ソノトロードなどの溶接工具１８が位置合わせされ、端子１４と接触し得る。溶接プロセスを実行するために、ソノトロードが作動され得る。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月20日(2017.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光通信ケーブルであって、
第１の材料で作られたケーブル本体を有し、
前記ケーブル本体内に配置された複数のコア要素を有し、前記コア要素のうちの少なくとも１つは、細長い光伝送要素を含み、
前記ケーブル本体内の前記複数のコア要素を包囲した補強材層を有し、
第２の材料で作られていて前記複数のコア要素を包囲したフィルムを有し、前記フィルムの一表面は、前記補強材層に結合されており、
前記フィルムは、前記複数のコア要素と前記補強材層との間に配置され、前記ケーブル本体の内面は、前記補強材層の外面に結合され、前記フィルムの外面は、前記補強材層の内面に結合され、前記補強材層は、前記コア要素に接近するために前記ケーブル本体を開くと、前記フィルムと前記ケーブル本体の両方に取り付けられたままであるようになっている、光通信ケーブル。
【請求項２】
前記フィルムは、前記複数のコア要素に接近するために前記補強材層を開くと、前記フィルムが前記補強材層に取り付けられたままであるように前記補強材層に結合されている、請求項１記載の光通信ケーブル。
【請求項３】
前記ケーブル本体の前記第１の材料内に埋め込まれた細長い部材を更に有し、前記細長い部材は、前記ケーブル本体を開くことを容易にし、前記補強材層は、第１の側縁及び第２の側縁を有し、前記第１の側縁は、前記第２の側縁とオーバーラップし、それによりオーバーラップ部分が作られ、前記細長い部材は、前記オーバーラップ部分と半径方向に整列している、請求項１記載の光通信ケーブル。
【請求項４】
前記フィルムは、前記フィルムの前記材料の溶融により前記補強材層に結合されている、請求項３記載の光通信ケーブル。
【請求項５】
前記ケーブル本体内に配置された中心抗張力体を更に有し、前記複数のコア要素は、螺旋パターンをなして前記中心抗張力体に巻き付けられ、前記フィルムにより提供される内方に差し向けられた力が前記コア要素を前記螺旋パターンの状態に保持する、請求項１記載の光通信ケーブル。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月25日(2017.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピューティングデバイスにより実行される方法であって、
前記コンピューティングデバイスが、意図される１以上の受領者のための音声入力信号を受信するステップと、
前記コンピューティングデバイスが、一連のキャプチャブロックにわたって前記音声入力信号を解析して、前記音声入力信号に関連付けられた１以上の特性を判別するステップと、
前記コンピューティングデバイスが、前記音声入力信号に関連付けられた前記１以上の特性に少なくとも部分的に基づいて、カウンタ信号を生成するステップと、
前記コンピューティングデバイスが、前記コンピューティングデバイスから外側に前記カウンタ信号を送って、前記音声入力信号に関連付けられた、前記コンピューティングデバイスに近接の可聴音響効果を変更するステップであって、各キャプチャブロックのサイズは、前記カウンタ信号の遅延に基づき、前記カウンタ信号の前記遅延は、各キャプチャブロックに対応する、前記音声入力信号の少なくとも一部分をキャプチャし、前記音声入力信号のキャプチャされた前記一部分を解析して１以上の特性を判別し、各キャプチャブロックについて前記カウンタ信号を生成する時間量を含む、ステップと、
を含む方法。
【請求項２】
前記カウンタ信号は、前記音声入力信号に関連付けられた前記可聴音響効果を弱める又は相殺するよう構成されている反転信号を含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記カウンタ信号を送ることは、スピーカを用いて前記カウンタ信号を放射することを含む、請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】
前記コンピューティングデバイスが、前記音声入力信号を前記意図される１以上の受領者に送るステップ
をさらに含む、請求項１乃至３いずれか一項記載の方法。
【請求項５】
前記意図される１以上の受領者は、通信リンクにおける参加者である、請求項４記載の方法。
【請求項６】
システムであって、
少なくとも１つのプロセッサと、
前記少なくとも１つのプロセッサに動作可能に接続された複数のスピーカと、
前記少なくとも１つのプロセッサに動作可能に接続された少なくとも１つのマイクロフォンと、
前記少なくとも１つのプロセッサに動作可能に接続された１以上のコンピュータ読み取り可能な記憶メモリと、
前記１以上のコンピュータ読み取り可能な記憶メモリに記憶されているプロセッサ実行可能な命令であって、前記プロセッサ実行可能な命令は、前記少なくとも１つのプロセッサによる実行に応じて、
前記少なくとも１つのマイクロフォンを介して、意図される１以上の受領者のための音声入力信号を受信する動作と、
一連のキャプチャブロックにわたって前記音声入力信号を解析して、前記音声入力信号に関連付けられた１以上の特性を判別する動作と、
前記音声入力信号に関連付けられた前記１以上の特性に少なくとも部分的に基づいて、カウンタ信号を生成する動作と、
前記複数のスピーカのうちの少なくとも第１のスピーカを用いて前記システムから外側に前記カウンタ信号を放射して、前記音声入力信号に関連付けられた、前記システムに近接の可聴音響効果を変更する動作であって、各キャプチャブロックのサイズは、前記カウンタ信号の遅延に基づき、前記カウンタ信号の前記遅延は、各キャプチャブロックに対応する、前記音声入力信号の少なくとも一部分をキャプチャし、前記音声入力信号のキャプチャされた前記一部分を解析して１以上の特性を判別し、各キャプチャブロックについて前記カウンタ信号を生成する時間量を含む、動作と、
を実行するよう構成されている、プロセッサ実行可能な命令と、
を有するシステム。
【請求項７】
さらに、前記音声入力信号を前記意図される１以上の受領者に送るよう構成されている、請求項６記載のシステム。
【請求項８】
前記意図される１以上の受領者は、前記システムに関連付けられた通信リンクにおける参加者である、請求項７記載のシステム。
【請求項９】
さらに、
前記意図される１以上の受領者から、前記通信リンクを介して、第２の音声入力信号を受信し、
前記複数のスピーカのうちの少なくとも第２のスピーカを用いて前記第２の音声入力信号を放射する
よう構成されている、請求項８記載のシステム。
【請求項１０】
請求項１乃至５いずれか一項記載の方法をコンピューティングデバイスに実行させるプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月9日(2017.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学的に透明で電気絶縁性の基板（１）、該基板上に配列された少なくとも１つの光学的に透明で導電性のセンサ要素（２ｘ、２ｙ）、及び前記光学的に透明なセンサ要素に電気的に接触させるための少なくとも１つの接触構造（４、４’）を有するタッチセンサ装置（１０）であって、前記接触構造が組成ＭｏａＸｂＯｃＮｄ（ここで、ｂ≧０であり、Ｘは、ニオブ、タンタル、バナジウム、タングステン、クロム、レニウム、ハフニウム、チタン及びジルコニウムの群から選ばれる元素又はこれらのニオブ、タンタル、バナジウム、タングステン、クロム、レニウム、ハフニウム、チタン及びジルコニウムの群から選ばれる複数の元素の組合せである。）を有する金属オキシニトリドから作られた少なくとも１つの層を有することを特徴とするタッチセンサ装置。
【請求項２】
前記金属オキシニトリドからなる層が２０％未満の反射率を有することを特徴とする請求項１に記載のタッチセンサ装置。
【請求項３】
前記金属オキシニトリド層ＭｏａＸｂＯｃＮｄが窒素原子の３倍以上、９倍以下の酸素原子を有することを特徴とする請求項１又は２に記載のタッチセンサ装置。
【請求項４】
前記金属オキシニトリド層ＭｏａＸｂＯｃＮｄについて、下記の関係が成り立つことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のタッチセンサ装置。
０≦ｂ≦０．２５ａ、０．５≦ｃ≦０．７５、０．０１≦ｄ≦０．２、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１及びｃ＋ｄ≦０．８。
【請求項５】
前記接触構造が複数層状に構成されており、更に、Ａｌ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ａｇ若しくはＡｕ又はこれらの金属の１つに基づく合金からなる金属層を有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のタッチセンサ装置。
【請求項６】
センサ電極として形成された前記センサ要素が格子状に配列されており、複数の第一のセンサ要素が第一の方向において異なる位置に配列されており、複数の第二のセンサ要素が第二の方向において異なる位置に配列されており、前記センサ電極が、各場合において、交点において少なくとも１つの電気絶縁層により互いに分離されており、前記複数の第一のセンサ電極が前記交点において金属オキシニトリドを有する前記接触構造（４）により接触していることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のタッチセンサ装置。
【請求項７】
前記接触構造（４’）が前記タッチセンサ要素を活性化エレクトロニクス又は解析エレクトロニクスに電気的に接続するための接触端子として形成されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のタッチセンサ装置。
【請求項８】
投影型容量式タッチセンサとして形成されていることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載のタッチセンサ装置。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載のタッチセンサ装置を有するタッチセンサディスプレイユニット（タッチパネル）であって、該タッチセンサ装置がディスプレイユニットの上流に搭載され（アウトセル）又はディスプレイユニット中に組み込まれている（オンセル、インセル）タッチセンサディスプレイユニット。
【請求項１０】
前記接触構造が少なくとも１つの金属層及び少なくとも１つのオキシニトリド層を有し、層の順序において、前記金属オキシニトリド層が、前記金属層からの間隔よりも更に大きい間隔をおいて前記ディスプレイユニット層から離れて配置されている請求項９に記載のタッチセンサディスプレイ。
【請求項１１】
請求項１〜８のいずれかに記載のタッチセンサ装置の接触構造を製造するためのスパッタリングターゲットＭｏ１−ｚＸｚ（ここで、Ｘは、ニオブ、タンタル、バナジウム、タングステン、クロム、レニウム、ハフニウム、チタン及びジルコニウムからなる元素群から選ばれる複数の元素の組合せであり、０≦ｚ≦０．２である。）の使用。
【請求項１２】
請求項１〜８のいずれかに記載のタッチセンサ装置を製造するための方法であって、前記金属オキシニトリド層が、酸素及び窒素の供給下に、スパッタリングターゲットＭｏ１−ｚＸｚ（ここで、Ｘは、ニオブ、タンタル、バナジウム、タングステン、クロム、レニウム、ハフニウム、チタン及びジルコニウムからなる元素群から選ばれる元素又はこのニオブ、タンタル、バナジウム、タングステン、クロム、レニウム、ハフニウム、チタン及びジルコニウムからなる元素群から選ばれる複数の元素の組合せであり、０≦ｚ≦０．２である。）を用いて、気相蒸着法により製造される方法。