(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の波長を有するコヒーレントな光を入射し，前記光をコリメートし，該コリメートされた光を微小スポットとして光記録媒体上に集光させ，該集光された光を用いて前記光記録媒体に対する情報の記録／再生を行うための光ピックアップ用光学素子において，
１枚の基板上に，
前記コリメートされた光を集光する対物レンズと，
前記対物レンズの光軸と同軸上に前記基板より高い屈折率を有するソリッドイマージョンレンズと，からなり，
前記対物レンズと前記ソリッドイマージョンレンズがそれぞれ光軸に合わせて一体的に形成され，前記基板が積層可能であること，
を特徴とする光ピックアップ用光学素子。
【請求項２】
所定の波長を有するコヒーレントな光を入射し，前記光をコリメートし，該コリメートされた光を微小スポットとして光記録媒体上に集光させ，該集光された光を用いて前記光記録媒体に対する情報の記録／再生を行うための光ピックアップ用光学素子を製造する光ピックアップ用光学素子の製造方法において，
基板の片側の面に凸曲面を形成して前記コリメートされた光を集光する対物レンズを製造する工程と，
前記基板に形成された対物レンズとは反対面に凹曲面を形成し，該凹曲面に対して前記基板より高い屈折率を有する材料を堆積させてソリッドイマージョンレンズを製造する工程と，
を含むことを特徴とする光ピックアップ用光学素子の製造方法。
【請求項３】
前記基板に対し，前記対物レンズおよび前記ソリッドイマージョンレンズの屈折率が高いことを特徴とする請求項１に記載の光ピックアップ用光学素子。
【請求項４】
所定の波長を有するコヒーレントな光を入射し，前記光をコリメートし，該コリメートされた光を微小スポットとして光記録媒体上に集光させ，該集光された光を用いて前記光記録媒体に対する情報の記録／再生を行うための光ピックアップ用光学素子を半導体製造プロセスを用いて製造する光ピックアップ用光学素子の製造方法において，
基板の片側の面に凹曲面を形成して前記コリメートされた光を集光する対物レンズを製造する工程と，
前記基板に形成された対物レンズとは反対面に凹曲面を形成し，該凹曲面に対して前記基板より高い屈折率を有する材料を堆積させてソリッドイマージョンレンズを製造する工程と，
前記２つの凹曲面に対し，前記基板より高い屈折率を有する材料を堆積する工程と，
を含むことを特徴とする光ピックアップ用光学素子の製造方法。
【請求項５】
所定の波長を有するコヒーレントな光を入射し，前記光をコリメートし，該コリメートされた光を微小スポットとして光記録媒体上に集光させ，該集光された光を用いて前記光記録媒体に対する情報の記録／再生を行うための光ピックアップ用光学素子において，
前記コリメートされた光を集光する対物レンズが形成された第１の基板と，
前記光記録媒体側に近接し，前記第１の基板よりも屈折率の高いソリッドイマージョンレンズが形成された第２の基板と，
によりなり，前記第１の基板と前記第２の基板とを所定位置ではり合わせ，一体構成することを特徴とする光ピックアップ用光学素子。
【請求項６】
前記第１の基板と前記第２の基板の屈折率がそれぞれ異なることを特徴とする請求項５に記載の光ピックアップ用光学素子。
【請求項７】
所定の波長を有するコヒーレントな光を入射し，前記光をコリメートし，該コリメートされた光を微小スポットとして光記録媒体上に集光させ，該集光された光を用いて前記光記録媒体に対する情報の記録／再生を行うための光ピックアップ用光学素子を半導体製造プロセスを用いて製造する光ピックアップ用光学素子の製造方法において，
第１の基板に凸曲面を形成して前記コリメートされた光を集光する対物レンズを製造する工程と，
第２の基板に凸曲面を形成してソリッドイマージョンレンズを製造する工程と，
前記２つの基板に形成された対物レンズおよびソリッドイマージョンレンズの両光軸を一致させ，はり合わせする工程と，
を含むことを特徴とする光ピックアップ用光学素子の製造方法。
【請求項８】
所定の波長を有するコヒーレントな光を入射し，前記光をコリメートし，該コリメートされた光を微小スポットとして光記録媒体上に集光させ，該集光された光を用いて前記光記録媒体に対する情報の記録／再生を行うための光ピックアップ用光学素子を半導体製造プロセスを用いて製造する光ピックアップ用光学素子の製造方法において，
第１の基板に凹曲面を形成して前記コリメートされた光を集光する対物レンズを製造する工程と，
第２の基板に凹曲面を形成してソリッドイマージョンレンズを製造する工程と，
前記２つの基板に該基板とは異なる屈折率の材料を堆積する工程と，
前記堆積後の２つの基板に形成された対物レンズおよびソリッドイマージョンレンズの両光軸を一致させ，はり合わせする工程と，
を含むことを特徴とする光ピックアップ用光学素子の製造方法。
【請求項９】
所定の波長を有するコヒーレントな光を入射し，前記光をコリメートし，該コリメートされた光を微小スポットとして光記録媒体上に集光させ，該集光された光を用いて前記光記録媒体に対する情報の記録／再生を行うための光ピックアップ用光学素子を半導体製造プロセスを用いて製造する光ピックアップ用光学素子の製造方法において，
第１の基板に凸曲面を形成して前記コリメートされた光を集光する対物レンズを製造する工程と，
第２の基板に凹曲面を形成してソリッドイマージョンレンズを製造する工程と，
前記２つの基板に形成された対物レンズおよびソリッドイマージョンレンズの両光軸を一致させ，はり合わせする工程と，
を含むことを特徴とする光ピックアップ用光学素子の製造方法。
【請求項１０】
前記対物レンズと前記ソリッドイマージョンレンズとを対となす組あるいは前記対物レンズを，複数個以上設けて前記基板にアレイ状に配列することを特徴とする請求項１，３，５または６いずれかに記載の光ピックアップ用光学素子。
【請求項１１】
所定の波長を有するコヒーレントな光を入射し，前記光をコリメートし，該コリメートされた光を微小スポットとして光記録媒体上に集光させ，該集光された光を用いて前記光記録媒体に対する情報の記録／再生を行うための光ピックアップ用光学素子において，
１枚の基板上に，
前記コリメートされた光を集光する対物レンズと，
前記対物レンズの光軸と同軸上に前記基板より高い屈折率を有するソリッドイマージョンレンズと，
前記対物レンズ上に前記光の光路を切り替える光路切り替え手段と，
前記対物レンズと前記光路切り替え手段との間に，前記光の偏光状態を変える偏光手段と，
を設けたことを特徴とする光ピックアップ用光学素子。
【請求項１２】
コリメートされた光ビームを微小スポットとして光記録媒体上に集光させ，該集光された光ビームを用いて前記光記録媒体に対する情報の記録／再生を行う光ピックアップにおいて，
前記請求項１１に記載の光ピックアップ用光学素子を用いる光ピックアップであって，
一つの基板上に，
前記光ビームを出射する発光手段と，
前記光記録媒体からの反射光を受光する受光手段と，
を備えたことを特徴とする光ピックアップ。
【請求項１３】
コリメートされた光ビームを微小スポットとして光記録媒体上に集光させ，該集光された光ビームを用いて前記光記録媒体に対する情報の記録／再生を行う光ピックアップにおいて，
前記請求項１１に記載の光ピックアップ用光学素子を用いる光ピックアップであって，
少なくとも一つ以上の基板上に，
前記光ビームを出射する発光手段と，
前記光記録媒体からの反射光を受光する受光手段と，
を備えたことを特徴とする光ピックアップ。
【請求項１４】
前記請求項１２または１３に記載の光ピックアップを，所定のパターンに基づいてアレイ状に配置・構成すること特徴とする光ピックアップ。
【請求項１５】
フォトリソグラフィに基づいてレンズなどの光学素子を製造する光ピックアップ用光学素子の製造方法において，
レンズを形成するための基板上に所定の厚さで感光性樹脂を塗布する第１の工程と，
前記第１の工程で塗布された前記感光性樹脂の上にパターンマスクを配置し，該パターンマスク上に光源から出射した光を拡散する光拡散手段を配置し，前記光を照射する第２の工程と，
前記第２の工程の後に現像処理を行い，前記感光性樹脂に光強度分布の形状に近い状態の凹曲面の形成する第３の工程と，
前記第３の工程の後，前記の感光性樹脂に対して等方性および（あるいは）異方性のドライエッチングを行って微小凹曲面を形成する第４の工程と，
前記第４の工程の後，前記基板上に残った感光性樹脂を剥離し，前記基板に対し屈折率の高い材料を埋め込む第５の工程と，
を含むことを特徴とする光ピックアップ用光学素子の製造方法。
【請求項１６】
前記第２の工程において，前記パターンマスクと前記光拡散手段とを１つにしたマスクを用いることを特徴とする請求項１５に記載の光ピックアップ用光学素子の製造方法。
【請求項１７】
前記第２の工程に用いる前記光拡散手段は，半透明な光学ガラスで構成することを特徴とする請求項１５に記載の光ピックアップ用光学素子の製造方法。
【請求項１８】
前記第２の工程に用いる前記光拡散手段は，所望の拡散状態が得られる回析格子で構成することを特徴とする請求項１５に記載の光ピックアップ用光学素子の製造方法。
【請求項１９】
一枚の基板上に，前記請求項１５に記載の光ピックアップ用光学素子の製造方法に基づいて，対物レンズとなる第１の凹曲面を形成し，さらにソリッドイマージョンレンズとなる第２の凹曲面を形成し，前記第１および第２の凹曲面に基板に対して屈折率の異なる材料を堆積させることを特徴とする光ピックアップ用光学素子の製造方法。
【請求項２０】
前記請求項１５に記載の光ピックアップ用光学素子の製造方法に基づいて，第１の基板に凹曲面を形成してコリメートされた光を集光する対物レンズを製造する工程と，
前記対物レンズと同一の製造方法に基づいて，第２の基板に凹曲面を形成してソリッドイマージョンレンズを製造する工程と，
前記第１の基板および第２の基板に該基板とは異なる屈折率の材料を堆積する工程と，
前記堆積後の２つの基板に形成された前記対物レンズおよび前記ソリッドイマージョンレンズの両光軸を一致させ，はり合わせする工程と，
を含むことを特徴とする光ピックアップ用光学素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明が属する技術分野】
本発明は光メモリに情報を記録，あるいは情報が記録された光メモリから情報を再生するために用いられ，特に，対物レンズとソリッドイマージョンレンズ（半球形レンズ）を半導体製造プロセスを用いて基板上に一体的に形成，あるいは別々に形成したものをはり合わせて一体構成する光ピックアップ用光学素子および光ピックアップ用光学素子の製造方法および光ピックアップに関する。
【０００２】
【従来の技術】
図４５は，従来における光メモリ用光ピックアップ装置の構成を示す説明図である。図において，１は所定の波長および光束のレーザ光を出射する半導体レーザ（以下，ＬＤという），２は上記レーザ光を平行光に光学補正するコリメータレンズ，３は偏光ビームスプリッタ，４は１／４波長板，５はレーザ光を光ディスクの記録面に集光させる対物レンズ，６は対物レンズ側に記録面が形成されている光ディスク，７はフォトダイオード（以下，ＰＤという），８は集光レンズである。なお，この他に，実際にはフォーカス検出やトラック検出のための光学部品があるが，ここでは省略している。
【０００３】
以上の構成において，ＬＤ１から出射された紙面に対し平行な偏光の光は，コリメータレンズ２で平行光に光学補正される。次いで，この光は，偏光ビームスプリッタ３と１／４波長板４で構成された光アイソレータを通過することにより直線偏光から円偏光に変わる。光ディスク６の記録面で反射する際に円偏光の旋回方向が変化し，１／４波長板４を通過すると，紙面に対して垂直な光となる。さらに，上記光は，偏光ビームスプリッタ３で反射されてＰＤ７の方向に進行し，集光レンズ８で集光され，ＰＤ７に入射される。
【０００４】
また，上記構成において，光の回析限界によりスポットサイズは光の波長程度までしか得られない。このスポットサイズは下記式（１）により表される。
【０００５】
Ｗ∝λ／ｓｉｎθ’……（１）
ここでθ’は対物レンズの出射角であり，レンズのＮＡ（開口数）とはＮＡ＝ｓｉｎθ’という関係がある。なお，λは光源の波長である。
【０００６】
そこで，顕微鏡の液浸法のように対物レンズと記録媒体との間にもう１つ半球形レンズ（ソリッドイマージョンレンズ）を配置し，実効的なＮＡをあげるという方法がスタンフォード大学のＫｉｎｏ氏らによって紹介されている。これは，図４６（ａ）のようにソリッドイマージョンレンズ１０ａを記録媒体に対して波長以下に近接させることにより，レンズの端面に集光したスポットサイズがレンズの屈折率の逆数に比例することを利用したものである。
【０００７】
ここで，レンズの屈折率をｎとすると，スポットサイズは下記式（２）により表される。
Ｗ’∝λ／ｎｓｉｎθ’  ……（２）
【０００８】
さらに，ソリッドイマージョンレンズが図４６（ｂ）の１０ｂに示すような，超半球状のレンズ（レンズ厚ｒ（１＋１／ｎ）のときに収差が少ない：ただし，ｒは半径，ｎは屈折率）の場合は，ソリッドイマージョンレンズ１０ｂ表面でスネルの法則が適用されるので，スポットサイズをさらに次式（３）のように小さくすることができる。
Ｗ’∝λ／ｎ２  ｓｉｎθ’  ……（３）
【０００９】
ところで，上記の構成では記録面とソリッドイマージョンレンズとの間隔を１００ｎｍ前後というように光の波長以下に近接させなくてはならない。そこで，図４７に示すような空気力学に基づく浮上型のヘッドが提案されている（Ｂ．Ｄ．Ｔｅｒｒｉｓ，Ｈ．Ｊ．Ｍａｍｉｎ，ａｎｄ  Ｄ．Ｒｕｇａｒ，“Ｎｅａｒ  ｆｉｅｌｄ  ｏｐｔｉｃａｌ  ｄａｔａ  ｓｔｒａｇｅ”，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，６８，Ｎｏ．２，１４１，１９９６  およびＵＳＰ５，４９７，３５９号参照）。
【００１０】
上記ヘッドは，スライダの上部に接着によりソリッドイマージョンレンズ１０ｃ（屈折率＝１．８３）を設け，さらに，ソリッドイマージョンレンズ１０ｃに対し，間隔をおいて対物レンズ５（ＮＡ＝０．５）が配置されている。そして，この構成により，８３０ｎｍの光源を用いた場合に３６０ｎｍのスポットサイズが得られる。
【００１１】
また，この他にソリッドイマージョンレンズを使用した参考技術文献として以下のものが開示されている。たとえば，記録媒体の厚みやレンズの厚みのばらつきで生じる球面収差を補正するものが特開平８−２１２５７９号公報に，球面収差を低減するものが特開平８−２２１７７２号公報に，コマ収差を低減するものが特開平８−２２１７９０号公報に，それぞれ開示されている。なお，これらの技術は前述とは異なり，浮上させずにソリッドイマージョンレンズと対物レンズは，独立したアクチュエータで制御する構成となっている。
【００１２】
さらに，マイクロレンズ製造に関連する参考技術文献として以下のものが開示されている。たとえば，凸マイクロレンズおよびその製造方法の特開平６−１９４５０２号公報，長焦点凸マクロアレイレンズの特開平６−２０８００６号公報，両凸マイクロレンズアレイの製造方法の特開平７−１８１３０３号公報，両凸状の様々なマイクロレンズ形状の材料・デバイス・製造方法の特開平７−１９８９０６号公報，凹マイクロレンズおよびその製造方法の特開平７−２４４２０６号公報である。
【００１３】
また，エッチングにより曲面を形成する参考技術文献として，たとえば特開平５−１７３００３号公報では，散乱光やディフューザーを用いてフォトレジストに凸曲面あるいは凹曲面を直接形成した後，ドライエッチングする技術が開示されている。なお，ここでは平板化することは行っていない。さらに，基板にウェットエッチングを施して凹曲面を形成した後，屈折率の高い材料を充填し，平板のマイクロレンズを形成して液晶表示に用いるものが，特開平６−３００９０号公報，特開平７−２８１００７号公報，特開平８−１７１００３号公報，特開平８−１７９２９９号公報に開示されている。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら，上記に示されるような従来の技術にあっては，図４７に示すような構成では，対物レンズとソリッドイマージョンレンズとの組み合わせによりレンズの開口数（ＮＡ）が大きくなるため，上記２つのレンズの位置関係がずれた場合に所定のスポットサイズが得られないという不具合があった。
【００１５】
換言すれば，対物レンズとソリッドイマージョンレンズとの位置を所定の精度で確保することが困難であるため，スポットサイズを小さく保持することができず，高密度の記録／再生が得られないという問題点があった。
【００１６】
また，マイクロレンズには凸レンズ形状のものがあるが，これでは光学素子を積層するような用途において基板が平坦でないため，別のレンズや他の受発光素子などの光学素子を重ねる構造にすることができなかった。
【００１７】
一方，ウェットエッチングにより凹曲面を形成した平板型のマイクロレンズの製造方法，および基板内で屈折率分布するようなレンズの製造方法がある。しかしながら，基板の両面に位置精度よく自由な形状のレンズを作製することが困難であったり，製造プロセスが複雑であるため，１つの基板に様々な種類の構造を設けることが難しいものであった。
【００１８】
本発明は，上記に鑑みてなされたものであって，対物レンズとソリッドイマージョンレンズとの一体構成，あるいははり合わせによる一体構成により，対物レンズとソリッドイマージョンレンズとの位置精度を容易に確保してスポットサイズの小径化を図り，高密度の記録／再生を実現することを第１の目的とする。
【００１９】
また，比較的簡単な方法で平板の基板にレンズを形成し，他の光学素子などの他の光学部品などを積層可能にすることを第２の目的とする。
【００２４】
【課題を解決するための手段】
請求項１に係る光ピックアップ用光学素子にあっては，所定の波長を有するコヒーレントな光を入射し，前記光をコリメートし，該コリメートされた光を微小スポットとして光記録媒体上に集光させ，該集光された光を用いて前記光記録媒体に対する情報の記録／再生を行うための光ピックアップ用光学素子において，１枚の基板上に，前記コリメートされた光を集光する対物レンズと，前記対物レンズの光軸と同軸上に前記基板より高い屈折率を有するソリッドイマージョンレンズと一体的に積層可能に，を設けたものである。
【００２５】
すなわち，１枚の基板上に対物レンズとソリッドイマージョンレンズとをそれぞれの光軸を合わせて一体的に製造し，構成することにより，レンズ間の光軸調整や位置ずれが排除され，基板内で集光するためのスポットサイズを小さくすることができるので，高密度の記録／再生が可能となる。
【００２６】
また，請求項２に係る光ピックアップ用光学素子の製造方法にあっては，所定の波長を有するコヒーレントな光を入射し，前記光をコリメートし，該コリメートされた光を微小スポットとして光記録媒体上に集光させ，該集光された光を用いて前記光記録媒体に対する情報の記録／再生を行うための光ピックアップ用光学素子を製造する光ピックアップ用光学素子の製造方法において，基板の片側の面に凸曲面を形成して前記コリメートされた光を集光する対物レンズを製造する工程と，前記基板に形成された対物レンズとは反対面に凹曲面を形成し，該凹曲面に対して前記基板より高い屈折率を有する材料を堆積させてソリッドイマージョンレンズを製造する工程と，を含むものである。
【００２７】
すなわち，半導体製造プロセスを用い，基板の片側の面に凸曲面を形成して対物レンズを製造し，さらに上記形成された対物レンズとは反対面に凹曲面を形成し，該凹曲面に対して上記基板より高い屈折率を有する材料を堆積させてソリッドイマージョンレンズを製造することにより，比較的容易に，かつ経済的に，精度の高い光ピックアップ用光学素子を製造することが可能となる。
【００２８】
また，請求項３に係る光ピックアップ用光学素子にあっては，前記基板に対し，前記対物レンズおよび前記ソリッドイマージョンレンズの屈折率が高いものである。
【００２９】
すなわち，基板に対し，対物レンズおよびソリッドイマージョンレンズの屈折率を高くすることにより，屈折率の高いレンズ中にスポットを形成できるので，小さいサイズのスポットが得られる。
【００３０】
また，請求項４に係る光ピックアップ用光学素子の製造方法にあっては，所定の波長を有するコヒーレントな光を入射し，前記光をコリメートし，該コリメートされた光を微小スポットとして光記録媒体上に集光させ，該集光された光を用いて前記光記録媒体に対する情報の記録／再生を行うための光ピックアップ用光学素子を半導体製造プロセスを用いて製造する光ピックアップ用光学素子の製造方法において，基板の片側の面に凹曲面を形成して前記コリメートされた光を集光する対物レンズを製造する工程と，前記基板に形成された対物レンズとは反対面に凹曲面を形成し，該凹曲面に対して前記基板より高い屈折率を有する材料を堆積させてソリッドイマージョンレンズを製造する工程と，前記２つの凹曲面に対し，前記基板より高い屈折率を有する材料を堆積する工程と，を含むものである。
【００３１】
すなわち，半導体製造プロセスを用い，基板の片側の面に凹曲面を形成して対物レンズを製造し，さらに上記形成された対物レンズとは反対面に凹曲面を形成し，上記２つの凹曲面に対して上記基板より高い屈折率を有する材料を堆積させてソリッドイマージョンレンズを製造することにより，比較的容易に，かつ経済的に，精度の高い光ピックアップ用光学素子を製造することが可能となる。
【００３２】
また，請求項５に係る光ピックアップ用光学素子にあっては，所定の波長を有するコヒーレントな光を入射し，前記光をコリメートし，該コリメートされた光を微小スポットとして光記録媒体上に集光させ，該集光された光を用いて前記光記録媒体に対する情報の記録／再生を行うための光ピックアップ用光学素子において，前記コリメートされた光を集光する対物レンズが形成された第１の基板と，前記光記録媒体側に近接し，前記第１の基板よりも屈折率の高いソリッドイマージョンレンズが形成された第２の基板と，からなり，前記第１の基板と前記第２の基板とを所定位置ではり合わせて一体構成するものである。
【００３３】
すなわち，半導体製造プロセスを用い，第１の基板に対物レンズを形成し，さらに第２の基板に第１の基板よりも屈折率の高いソリッドイマージョンレンズを形成し，この２つの基板をはり合わせて，光ピックアップ用光学素子を構成することにより，屈折率の高いレンズ中にスポットを形成し，小さいサイズのスポットが得られるので，高密度な記録／再生が可能になると共に，対物レンズとソリッドイマージョンレンズがはり合わせにより一体化された構造なので，レンズ間の光軸調整が不要となり，小型軽量化も実現する。
【００３４】
また，請求項６に係る光ピックアップ用光学素子にあっては，前記第１の基板と前記第２の基板の屈折率がそれぞれ異なるものである。
【００３５】
すなわち，第１の基板と第２の基板の屈折率とをそれぞれ異ならせることにより，屈折率の高いレンズ中にスポットを形成できるので，小さいサイズのスポットが得られる。
【００３６】
また，請求項７に係る光ピックアップ用光学素子の製造方法にあっては，所定の波長を有するコヒーレントな光を入射し，前記光をコリメートし，該コリメートされた光を微小スポットとして光記録媒体上に集光させ，該集光された光を用いて前記光記録媒体に対する情報の記録／再生を行うための光ピックアップ用光学素子を半導体製造プロセスを用いて製造する光ピックアップ用光学素子の製造方法において，第１の基板に凸曲面を形成して前記コリメートされた光を集光する対物レンズを製造する工程と，第２の基板に凸曲面を形成してソリッドイマージョンレンズを製造する工程と，前記２つの基板に形成された対物レンズおよびソリッドイマージョンレンズの両光軸を一致させ，はり合わせする工程と，を含むものである。
【００３７】
すなわち，半導体製造プロセスを用い，第１の基板に凸曲面を形成して対物レンズを製造し，第２の基板に凸曲面を形成してソリッドイマージョンレンズを製造し，この２つの基板に形成された対物レンズおよびソリッドイマージョンレンズの両光軸を一致させ，はり合わせすることにより，比較的容易に，かつ経済的に，精度の高い光ピックアップ用光学素子を製造することが可能となる。
【００３８】
また，請求項８に係る光ピックアップ用光学素子の製造方法にあっては，所定の波長を有するコヒーレントな光を入射し，前記光をコリメートし，該コリメートされた光を微小スポットとして光記録媒体上に集光させ，該集光された光を用いて前記光記録媒体に対する情報の記録／再生を行うための光ピックアップ用光学素子を半導体製造プロセスを用いて製造する光ピックアップ用光学素子の製造方法において，第１の基板に凹曲面を形成して前記コリメートされた光を集光する対物レンズを製造する工程と，第２の基板に凹曲面を形成してソリッドイマージョンレンズを製造する工程と，前記２つの基板に該基板とは異なる屈折率の材料を堆積する工程と，前記堆積後の２つの基板に形成された対物レンズおよびソリッドイマージョンレンズの両光軸を一致させ，はり合わせする工程と，を含むものである。
【００３９】
すなわち，半導体製造プロセスを用い，第１の基板に凹曲面を形成して対物レンズを製造し，第２の基板に凹曲面を形成してソリッドイマージョンレンズを製造し，この２つの基板に該基板とは異なる屈折率の材料を堆積させ，該堆積後の２つの基板に形成された対物レンズおよびソリッドイマージョンレンズの両光軸を一致させ，はり合わせすることにより，比較的容易に，かつ経済的に，精度の高い光ピックアップ用光学素子を製造することが可能となる。
【００４０】
また，請求項９に係る光ピックアップ用光学素子の製造方法にあっては，所定の波長を有するコヒーレントな光を入射し，前記光をコリメートし，該コリメートされた光を微小スポットとして光記録媒体上に集光させ，該集光された光を用いて前記光記録媒体に対する情報の記録／再生を行うための光ピックアップ用光学素子を半導体製造プロセスを用いて製造する光ピックアップ用光学素子の製造方法において，第１の基板に凸曲面を形成して前記コリメートされた光を集光する対物レンズを製造する工程と，第２の基板に凹曲面を形成してソリッドイマージョンレンズを製造する工程と，前記２つの基板に形成された対物レンズおよびソリッドイマージョンレンズの両光軸を一致させ，はり合わせする工程と，を含むものである。
【００４１】
すなわち，半導体製造プロセスを用い，第１の基板に凸曲面を形成して対物レンズを製造し，第２の基板に凹曲面を形成してソリッドイマージョンレンズを製造し，この２つの基板に形成された対物レンズおよびソリッドイマージョンレンズの両光軸を一致させ，はり合わせすることにより，比較的容易に，かつ経済的に，精度の高い光ピックアップ用光学素子を製造することが可能となる。
【００４２】
また，請求項１０に係る光ピックアップ用光学素子にあっては，前記対物レンズと前記ソリッドイマージョンレンズとを対となす組あるいは前記対物レンズを，複数個以上設けて前記基板にアレイ状に配列するものである。
【００４３】
すなわち，対物レンズとソリッドイマージョンレンズからなる組，あるいは対物レンズを少なくとも２つ以上を基板にアレイ状に配列することにより，同時に複数の光学素子を構成することが可能となるので，比較的容易に，かつ経済的に，精度の高い光ピックアップ用光学素子を製造することが可能となる。
【００４４】
また，請求項１１に係る光ピックアップ用光学素子にあっては，所定の波長を有するコヒーレントな光を入射し，前記光をコリメートし，該コリメートされた光を微小スポットとして光記録媒体上に集光させ，該集光された光を用いて前記光記録媒体に対する情報の記録／再生を行うための光ピックアップ用光学素子において，１枚の基板上に，前記コリメートされた光を集光する対物レンズと，前記対物レンズの光軸と同軸上に前記基板より高い屈折率を有するソリッドイマージョンレンズと，前記対物レンズ上に前記光の光路を切り替える光路切り替え手段と，前記対物レンズと前記光路切り替え手段との間に，前記光の偏光状態を変える偏光手段と，を設けたものである。
【００４５】
すなわち，１つの基板上に，対物レンズとソリッドイマージョンレンズとを同軸状に形成すると共に，対物レンズ上に偏光手段（たとえば，１／４波長板）を設け，さらに偏光手段上に光路を切り替える光路切り替え手段を設けることで，光学部品を一体構成させ，光ピックアップの小型軽量化を実現し，さらに外部の受発光部分との光の入出力が精度よく，かつ簡単に行える。
【００４６】
また，請求項１２に係る光ピックアップにあっては，コリメートされた光ビームを微小スポットとして光記録媒体上に集光させ，該集光された光ビームを用いて前記光記録媒体に対する情報の記録／再生を行う光ピックアップにおいて，前記請求項１１に記載の光ピックアップ用光学素子を用いる光ピックアップであって，一つの基板上に，前記光ビームを出射する発光手段と，前記光記録媒体からの反射光を受光する受光手段と，を備えたものである。
【００４７】
すなわち，請求項１１に記載の光ピックアップ用光学素子を用い，さらに，その一つの基板上に，光ビームを出射する発光手段と光記録媒体からの反射光を受光する受光手段とを一体構成させることにより，受発光部分を含めた光学部品の一体構成による小型軽量化が実現し，さらに，すべての素子が基板上に構成されるので，組み立て時における光軸調整などのアライメントが不要になる。
【００４８】
また，請求項１３に係る光ピックアップにあっては，コリメートされた光ビームを微小スポットとして光記録媒体上に集光させ，該集光された光ビームを用いて前記光記録媒体に対する情報の記録／再生を行う光ピックアップにおいて，前記請求項１１に記載の光ピックアップ用光学素子を用いる光ピックアップであって，少なくとも一つ以上の基板上に，前記光ビームを出射する発光手段と，前記光記録媒体からの反射光を受光する受光手段と，を備えたものである。
【００４９】
すなわち，請求項１１に記載の光ピックアップ用光学素子を用い，さらに，光ビームを出射す発光手段と光記録媒体からの反射光を受光する受光手段とを少なくとも１つ以上の基板に一体構成させることにより，受発光部分を含めた光学部品の一体構成による小型軽量化が実現し，さらに，すべての素子が基板上に構成されるので，組み立て時における光軸調整などのアライメントが不要になる。
【００５０】
また，請求項１４に係る光ピックアップにあっては，前記請求項１２または１３に記載の光ピックアップを，所定のパターンに基づいてアレイ状に配置・構成するものである。
【００５１】
すなわち，請求項１２または１３に記載の光ピックアップをアレイ状に配置・構成することにより，同時に多くのデータを読み書きすることが可能となると共に，光ピックアップ全体における読み書きに要する時間が短縮される。
【００５２】
また，請求項１５に係る光ピックアップ用光学素子の製造方法にあっては，フォトリソグラフィに基づいてレンズなどの光学素子を製造する光ピックアップ用光学素子の製造方法において，レンズを形成するための基板上に所定の厚さで感光性樹脂を塗布する第１の工程と，前記第１の工程で塗布された前記感光性樹脂の上にパターンマスクを配置し，該パターンマスク上に光源から出射した光を拡散する光拡散手段を配置し，前記光を照射する第２の工程と，前記第２の工程の後に現像処理を行い，前記感光性樹脂に光強度分布の形状に近い状態の凹曲面の形成する第３の工程と，前記第３の工程の後，前記の感光性樹脂に対して等方性および（あるいは）異方性のドライエッチングを行って微小凹曲面を形成する第４の工程と，前記第４の工程の後，前記基板上に残った感光性樹脂を剥離し，前記基板に対し屈折率の高い材料を埋め込む第５の工程と，を含むものである。
【００５３】
すなわち，少なくとも，基板の片面にフォトリソグラフィ用の感光性樹脂の層を平坦な光学材料上に形成し，上記フォト感光性樹脂にフォトリソグラフィ用の光を拡散して照射して微小な凹曲面を形成する。さらに，この感光性樹脂と光学材料に対して等方性および（あるいは）異方性のドライエッチングを行って微小凹曲面を形成し，該微小凹曲面に屈折率の異なる材料を埋め込んで，所定の光学デバイスを作製することにより平板型のレンズの製造を比較的簡単に実現したので，他の光学素子などの他の光学部品などの積層が可能になる。
【００５４】
また，請求項１６に係る光ピックアップ用光学素子の製造方法にあっては，前記第２の工程において，前記パターンマスクと前記光拡散手段とを１つにしたマスクを用いるものである。
【００５５】
すなわち，フォトリソグラフィで使用するマスクに光拡散の作用をもたせて露光することにより，通常の半導体製造用の露光機に設置して使うことが可能となる。
【００５６】
また，請求項１７に係る光ピックアップ用光学素子の製造方法にあっては，前記第２の工程に用いる前記光拡散手段は，半透明な光学ガラスで構成するものである。
【００５７】
すなわち，１つのマスクで拡散する部分とそうでない部分を選択的に設けることにより，１枚の基板上に断面が矩形状のパターンと凹曲面の平面レンズを同時に作製することが可能になる。
【００５８】
また，請求項１８に係る光ピックアップ用光学素子の製造方法にあっては，前記第２の工程に用いる前記光拡散手段は，所望の拡散状態が得られる回析格子で構成するものである。
【００５９】
すなわち，マスク上に回析格子を設けることにより，通常の半導体製造用の露光機に設置して使うことが可能となり，しかも，回析格子の格子パターンによって任意の光強度を得ることが可能となり，所望の形状の凹曲面を有する平面レンズが得られる。
【００６０】
また，請求項１９に係る光ピックアップ用光学素子の製造方法にあっては，一枚の基板上に，前記請求項１５に記載の光ピックアップ用光学素子の製造方法に基づいて，対物レンズとなる第１の凹曲面を形成し，さらにソリッドイマージョンレンズとなる第２の凹曲面を形成し，前記第１および第２の凹曲面に基板に対して屈折率の異なる材料を堆積させるものである。
【００６１】
すなわち，屈折率の高いレンズ中にスポットを形成することができる光学デバイスを製造することが可能なため，高密度な記録再生が実現し，かつ，対物レンズとソリッドイマージョンレンズが一体化されるので，レンズ同士の光軸調整が不要となり，その結果，小型軽量化が可能となる。
【００６２】
また，請求項２０に係る光ピックアップ用光学素子の製造方法にあっては，前記請求項１５に記載の光ピックアップ用光学素子の製造方法に基づいて，第１の基板に凹曲面を形成してコリメートされた光を集光する対物レンズを製造する工程と，前記対物レンズと同一の製造方法に基づいて，第２の基板に凹曲面を形成してソリッドイマージョンレンズを製造する工程と，前記第１の基板および第２の基板に該基板とは異なる屈折率の材料を堆積する工程と，前記堆積後の２つの基板に形成された前記対物レンズおよび前記ソリッドイマージョンレンズの両光軸を一致させ，はり合わせする工程と，を含むものである。
【００６３】
すなわち，屈折率の高いレンズ中にスポットを形成することができる光学デバイスを製造することが可能なため，高密度な記録再生が実現し，かつ，対物レンズとソリッドイマージョンレンズが一体化されるので，レンズ同士の光軸調整が不要となり，その結果，小型軽量化が可能となる。
【００６４】
【発明の実施の形態】
以下，本発明の光ピックアップ用光学素子および光ピックアップ用光学素子の製造方法および光ピックアップについて添付図面を参照し，詳細に説明する。
【００６５】
〔実施の形態１〕
図１は，実施の形態１に係る光ピックアップ用光学素子の構成を示す説明図である。この光ピックアップ用光学素子は，基板１０１の上部にコリメート光を集光するための対物レンズ１０２が一体化されている。また，基板１０１の対物レンズ１０２部分における厚さは対物レンズ１０２の集光する厚さに設定されている。
【００６６】
上記のように構成された光ピックアップ用光学素子において，コリメート光は対物レンズ１０２により収れんする光となり，基板１０１の底面で集光する。また，この実施の形態ではソリッドイマージョンレンズは設けられていないが，基板１０１内で最小のスポットが形成されるので，基板１０１内での光の波長は基板１０１の屈折率の逆数がかけられ，前述した式（２）で表されるようなスポットサイズとなる。
【００６７】
そして，上記対物レンズ１０２が形成された基板１０１を光学素子として光メモリの記録再生部に使用する。その際，光学素子は図示していないが目的のピットに動作するようなアクチェータや光源，受光部が具備される。なお，図１における下部分は，上記光学素子自身が所望の浮上量で浮上できるようなパターニングがなされているが，アクチェータを使って浮上量を制御できるように構成してもよい。また，上記光学素子を浮上以外の方法で記録面との間隔を保持してもよい。
【００６８】
〔実施の形態２〕
図２は，実施の形態２に係る光ピックアップ用光学素子の構成を示す説明図である。この光ピックアップ用光学素子は，前述した図１の構成に対し，基板１０１の底面に屈折率の高い膜２０１が設けられている。
【００６９】
すなわち，対物レンズ１０２の最小スポットサイズの位置に屈折率の高い膜２０１を設けることにより，屈折率の高い膜２０１内では，光の波長に基板１０１の屈折率の逆数がかけられ，前述した式（２）で表されるようなスポットサイズとなる。
【００７０】
〔実施の形態３〕
図３は，実施の形態３に係る光ピックアップ用光学素子の構成を示す説明図である。図において，この光ピックアップ用光学素子は，コリメートされた光を集光させる働きを有する対物レンズ１０２と，記録媒体に近接する位置にある対物レンズ１０２と光軸が一致し，基板１０１より屈折率の高いソリッドイマージョンレンズ３０１を一枚の基板１０１上に形成した構成とする。
【００７１】
すなわち，１つの基板１０１に対物レンズ１０２（図３における上面側）とソリッドイマージョンレンズ３０１（図３における下面側）とを設ける。
【００７２】
なお，対物レンズ１０２の形状は球面，あるいは収差を考慮した非球面でもよい。さらに，ソリッドイマージョンレンズ３０１の形状も屈折作用が得られれば，半球あるいは超半球であってもよい。ただし，ソリッドイマージョンレンズ３０１の屈折率だけが基板１０１と異なる。さらに，基板１０１の厚さは，この光学系で最小スポットサイズが基板１０１の底面で得られる長さとする。
【００７３】
上記構成において，スポットサイズを小さくしたい場合には，前述の式（２）および式（３）より屈折率が大きいほどスポットサイズを小さくすることができるので，ソリッドイマージョンレンズ３０１は基板１０１の屈折率よりも大きな屈折率を有する材料を選択すればよい。
【００７４】
たとえば，基板１０１の材料として，ＢＫ７（波長７６８．２ｎｍでの屈折率１．５１１５）を選択し，ソリッドイマージョンレンズ３０１の材料として，ＬａＦ２（波長７６８．２ｎｍでの屈折率１．７３３５）あるいはＳＦＳ１（波長７６８．２ｎｍでの屈折率１．８９２７）を選択する。
【００７５】
図４は，実施の形態３に係る光ピックアップ用光学素子の他の構成を示す説明図である。図において，図３と同様の条件で，対物レンズ１０２を，基板１０１の表面から下の位置に対し，凸形状をなして構成する。
【００７６】
〔実施の形態４〕
ここでは，基板の１つの面に対して凸曲面を形成して対物レンズとし，もう一方の面に対して凹曲面を形成後，該凹曲面に，基板より屈折率の高い材料を堆積してソリッドイマージョンレンズを製造する方法について述べる。
【００７７】
対物レンズ１０２を形成する材料は光ピックアップ用光学素子を用いるコリメートされた光の波長により任意に選択できる。たとえば，前述したように基板１０１の材料としてＢＫ７（波長７６８．２ｎｍでの屈折率１．５１１５）を選択し，ソリッドイマージョンレンズ３０１の材料として，ＬａＦ２（波長７６８．２ｎｍでの屈折率１．７３３５）あるいはＳＦＳ１（波長７６８．２ｎｍでの屈折率１．８９２７）を用いる。上記基板材料の片側面に対物レンズ１０２を以下の手順で形成する。
【００７８】
図５〜図１４は，実施の形態４に係る光ピックアップ用光学素子の製造工程を示す説明図である。上記基板材料の片側面に対物レンズ１０２を以下の手順で形成する。
【００７９】
（工程１）
まず，図５に示すように基板１０１上に感光性材料５０１を塗布する。塗布する感光性材料５０１の厚さは，基板１０１上に形成する対物レンズの高さと，後に感光性材料５０１をレジストしてエッチングを行う基板材料のエッチング速度とレジストのエッチング速度との比（選択比）により設定する。たとえば，両者のエッチング速度が等しい場合（選択比１）には，レジストの高さは形成する対物レンズの高さと等しくする。また，基板材料のエッチング速度がレジストのエッチング速度より２倍大きい場合（選択比２）には，レジストの高さは対物レンズの高さの１／２でよい。
【００８０】
また，基板１０１上に塗布する感光性材料５０１としては，通常の半導体製造に用いられるフォトレジストあるいは感光性ドライフィルムを使用する。具体的には，ＯＦＰＲ−８００（ポジ型レジスト），ＯＭＲ−８５（ネガ型レジスト）などを用いればよい。ポジ型あるいはネガ型の選択によりレジストに形状を転写する工程（フォトリソ工程）に用いる写真マスクの形状が変化するが，基本的な形成手順は変わらない。なお，この実施の形態ではポジ型レジストを用いる場合について説明する。
【００８１】
（工程２）
次に，図６に示すように，基板１０１上に形成したレジスト上に対物レンズ径と同等のパターンを形成したマスク（フォトマスク）を介して光を照射し，感光性材料５０１を感光させる。これにより，光照射後に現像すると基板１０１上に対物レンズ径と同等のパターン樹脂６０１が残る。
【００８２】
（工程３）
続いて，図７に示すように，上記残存したパターン樹脂６０１に対し，熱および（あるいは）圧力を加え，重力および表面張力の効果によりレジスト表面を凸レンズ形状７０１に形成する。なお，作用させる温度と圧力はレジスト形状により異なるが，温度においては２００〜４００度，圧力は１〜１０気圧の範囲で選べばよい。
【００８３】
（工程４）
さらに，このようにして形成した凸レンズ形状７０１の樹脂をマスクとして基板ガラスを基板に垂直な方向にエッチング（異方性エッチング）を行う。このエッチングの手段としては，半導体製造プロセスで通常用いられるドライエッチングが可能である。具体的には反応性イオンエッチング法（ＲＩＥ）や電子サイクロトロン共鳴エッチング法（ＥＣＲ）などである。ドライエッチングに用いるガスは基板材料により選択する。
【００８４】
たとえば基板材料がガラスの場合は，ＣＦ４  ，ＣＨＦ３  などを用いる。また，エッチング速度や選択性の調整のために上記のエッチッグガスに，Ｎ２  ，Ｏ２  ，Ａｒなどのガスを混入してもよい。すなわち，上記工程により，基板１０１上に図８に示すような対物レンズ１０２が形成される。
【００８５】
（工程５）
次に，基板１０１の対物レンズ１０２を形成した反対側に，基板１０１より屈折率の高い凹レンズを形成する。なお，凹レンズの形成も上記凸レンズの形成と基本的に同様に行う。なお，この実施の形態ではネガ型レジストを使用する場合を例にとって説明する。
【００８６】
図９に示すように，ネガ型レジストを基板上ソリッドイマージョンレンズを形成する面に塗布し，前述のフォトリソ工程を用い，基板１０１上にソリッドイマージョンレンズが形成される部分９０１を除いた周囲に樹脂９０２が残存するようにする。
【００８７】
（工程６）
次いで，図１０に示すように，ソリッドイマージョンレンズを形成する部分９０１も含んだ全面にレジスト１００１を塗布する。これは樹脂の熱変形を促進させるための塗布であり，塗布厚さは少なくてよい。具体的には５ミクロン以下の必要に応じた厚さでよい。
【００８８】
（工程７）
続いて，図１１に示すように，前述と同様に熱および（あるいは）圧力の作用で樹脂９０１を変形させ，凹レンズ形状１１０１を形成する。
【００８９】
（工程８）
さらに，同様のエッチング方法を用い，図１２に示すように，基板１０１上に凹レンズ形状部１２０１を形成する。
【００９０】
（工程９）
次いで，図１３に示すように，凹レンズ形状部１２０１に，基板１０１より屈折率の高い材料を形成する。この実施の形態では所望の屈折率を有した材料をターゲットとし，これをスパッタ法を用いて凹レンズ形状を含んだ基板１０１面にスパッタ膜１３０１を形成する。
【００９１】
（工程１０）
さらに，図１４に示すように，基板１０１面のエッチバックおよび平坦化により凹レンズ形状部１２０１に選択的にスパッタ膜１４０１を残存させる。
【００９２】
このように，上記図５〜図１４の工程により光ピックアップ用光学素子が製造される。なお，実際には基板１０１上に多数のヘッドがアレイ状にあるので，これを切断して個別のヘッドを製造する。
【００９３】
〔実施の形態５〕
図１５は，実施の形態５に係る光ピックアップ用光学素子の構成を示す説明図である。この光ピックアップ用光学素子は，前述の対物レンズが基板１０１面に対して凸形状であるのに対し，基板１０１面に対して凹形状となっている。このとき，対物レンズ１０２およびソリッドイマージョンレンズ３０１の屈折率は，基板１０１の屈折率よりも高くなるように設定する。また，基板厚さは，この光学系で最小スポットサイズが基板１０１の底面で得られる長さとする。
【００９４】
〔実施の形態６〕
ここでは，基板１０１の両面に対して凹曲面を形成し，この２つの凹曲面に基板１０１より屈折率の高い材料を堆積することにより，２つのレンズを製造する例について説明する。
【００９５】
基板１０１上で対物レンズ１０２およびソリッドイマージョンレンズ３０１を凹レンズで形成する方法は，前述した実施の形態４と同様の方法を用いることができる。
【００９６】
すなわち，ネガ型レジストを基板１０１上の対物レンズ１０２を形成する面に塗布し，前述のフォトリソ工程を用いて基板１０１上に対物レンズ１０２が形成される部分を除いた周囲に樹脂が残存するように形成する（図５参照）。
【００９７】
次に，対物レンズ１０２を形成する場所も含んだ全面にレジストを塗布する。これは樹脂の変形を促進するための塗布であり，塗布厚さは少なくてよい。具体的には５ミクロン以下の必要に応じた厚さでよい（図６参照）。
【００９８】
次いで，熱および（あるいは）圧力の作用で樹脂を変形させて凹レンズ形状とし（図７参照），通常の異方性エッチングにより，基板１０１上に凹レンズ形状を形成する（図８参照）。こうして，基板１０１上に形成した凹レンズ形状の対物レンズと全く同様に基板１０１の反対側に凹レンズ形状のソリッドイマージョンレンズ３０１を形成することができる（図９参照）。
【００９９】
さらに，実施の形態４と同様に，上記基板１０１の両面に形成した凹レンズ形状部に基板材料より高い屈折率を有する材料を堆積させる。
【０１００】
すなわち，所望の屈折率を有した材料をターゲットとしたスパッタ法を用い，凹レンズ形状を含んだ基板１０１面にスパッタ膜を形成し（図１０参照），基板１０１面のエッチバックおよび平坦化により，凹レンズ形状部に選択的にスパッタ膜を残存させ，基板材料より高い屈折率を有する凹レンズ形状の対物レンズを得る（図１１参照）。
【０１０１】
また，上記対物レンズの反対側に形成するソリッドイマージョンレンズについても全く同様の方法を用いて製造することができる（図１２参照）。なお，実際には基板１０１上に多数のヘッドがアレイ状にあるので，これを切断して個別のヘッドを製造する。
【０１０２】
〔実施の形態７〕
ここでは，コリメートされた光を集光させる働きをもつ対物レンズ１０２を形成した基板１０１と，記録媒体に近接する位置にある基板よりも屈折率の高いソリッドイマージョンレンズ３０１を形成した基板とをはり合わせ，一体化する例について説明する。
【０１０３】
図１６は，実施の形態７に係る光ピックアップ用光学素子の構成を示す説明図である。この光ピックアップ用光学素子は，対物レンズ１０２を具備した基板１０１とソリッドイマージョンレンズ３０１を具備した基板１６０１とから構成されている。
【０１０４】
対物レンズ１０２を基板１０１には下面の左側に突起１６０２が設けられ，さらにソリッドイマージョンレンズ３０１を具備した基板１６０１の上部右側には突起１６０３が設けられ，この突起１６０２と突起１６０３とが両基板に設けられたくぼみ状穴に嵌合し，両基板の位置が決められる。なお，上記位置決めのための突起およびそのくぼみ状穴の形状は，はめ込みやすい形状であれば，その形状は問うものでなく，また，その数も幾つであってもよい。
【０１０５】
また，上記２つの基板の接合を強固にするための手段として，接着剤あるいは電気化学的な方法などを用いる。ただし，この場合，上記突起やくぼみ状穴のある位置は，対物レンズ１０２とソリッドイマージョンレンズ３０１の光路を遮るような位置には配置しないように考慮する。
【０１０６】
図１７は，実施の形態７に係る光ピックアップ用光学素子の他の構成例（１）を示す説明図であり，図１６の構成に加え，ソリッドイマージョンレンズ３０１側の基板１６０１側のレンズ上側に中空部１７０１を設けた構成とする。
【０１０７】
図１８は，実施の形態７に係る光ピックアップ用光学素子の他の構成例（２）を示す説明図であり，ソリッドイマージョンレンズ３０１を基板１６０１の上部に設け，対物レンズ１０２側の基板１０１にはソリッドイマージョンレンズ３０１が配置されるように下側の面にくぼみ状穴を設けた構成とする。
【０１０８】
図１９は，実施の形態７に係る光ピックアップ用光学素子の他の構成例（３）を示す説明図である。この光ピックアップ用光学素子は，上記と同様に２つの基板が設けられ，対物レンズ１０２は下に凸の形状をなしている。この２つの基板には前述の実施の形態と同様に相互の基板を所定の位置関係ではり合わせできるような突起とくぼみ状穴が設けられ，これにより嵌合し，図示のようなヘッドを構成する。
【０１０９】
なお，上記位置決めのための突起およびそのくぼみ状穴の形状は，はめ込みやすい形状であれば，その形状は問うものでなく，また，その数も幾つであってもよい。また，上記２つの基板の接合を強固にするための手段として，接着剤あるいは電気化学的な方法などを用いる。
【０１１０】
ただし，上記のおいて，突起やくぼみ状穴のある位置は，対物レンズ１０２とソリッドイマージョンレンズ３０１の光路を遮るような位置には配置しないように考慮する。
【０１１１】
また，上記実施の形態では２つの基板をはり合わせるために，嵌合型の構造となっているが，この他にたとえば図２０に示すように，幾つかのマーカーを付し，そのマーカーを用いて位置合わせし，接合してもよい。
【０１１２】
〔実施の形態８〕
図２１は，実施の形態８に係る光ピックアップ用光学素子の製造工程における光軸合わせを示す説明図である。図において，対物レンズ１０２とソリッドイマージョンレンズ３０１を形成した２つの基板を，双方のレンズの光軸を一致させてはり合わせるための手段として，対物レンズの光軸を中心とした円周上に，位置合わせ手段２１０１ａ〜２１０１ｄを対物レンズ１０２を挟んで対向するように複数個形成し，ソリッドイマージョンレンズ３０１を形成した基板でも同様にソリッドイマージョンレンズ３０１の光軸を中心として円周上に位置合わせ手段２１０２ａ〜２１０２ｄを形成しておき，両者の位置合わせ手段２１０１ａ〜２１０１ｄ，２１０２ａ〜２１０２ｄを一致させるように接合する。
【０１１３】
なお，位置合わせの手段としては，前述した図１６〜図１８のように一方が凸形状で，他方が凹形状であるような立体的なものが可能である。また，基板上に凸形状あるいは凹形状を形成する手段としては，前述した実施の形態４，６の凸レンズ形状あるいは凹レンズ形状を形成する方法を用いればよい。
【０１１４】
また，上記において，位置合わせ手段をマーカーとする場合は，たとえば図２２に示すような平面的なマーカーを用いる。これは半導体製造プロセスで通常用いられる手法と同様であり，位置合わせを行う双方の基板に位置合わせのための精度を考慮したマーカーを形成し，この２つのマーカーの重ね合わすことによって位置合わせを行う。
【０１１５】
上記位置合わせのためのマーカーの形成は，実施の形態４，６で説明した基板上に凸レンズ形状あるいは凹レンズ形状を形成する工程において，たとえばクロムなどの金属膜を形成し，エッチングする工程を導入し，通常の半導体製造プロセスで用いられている手法と同様に形成できる。
【０１１６】
このようにして，双方の基板を，両レンズの光軸を一致させて位置合わせを行った後にはり合わせる手段としては，接着剤を用いてもよく，また，双方の基板を電気化学的（アノーティック・ボンディングや高温ボンディング）な方法を用いてもよい。
【０１１７】
〔実施の形態９〕
ここでは，対物レンズとソリッドイマージョンレンズとで対をなす組あるいは対物レンズを２つ以上設け，アレイ状に配列する例について説明する。
【０１１８】
図２３は，実施の形態９に係る光ピックアップ用光学素子の構成を示す説明図である。この光ピックアップ用光学素子は，図示の如く，対物レンズ１０２ａ〜１０２ｃとソリッドイマージョンレンズ３０１ａ〜３０１ｃとの組が３つのアレイ状となっている。この光ピックアップ用光学素子は，前述した製造方法により容易に製造できる。
【０１１９】
上記により３つのスポットが形成される。また，図示していないが，基板１０１上面からコリメートされた光が入射される。この場合の光源は，レンズアレイに対応するようなアレイ状の光源やレンズアレイ全体を照射するような単独の光源などを用いる。アレイ状の光源を用いると独立した駆動が可能であるので，記録／再生／消去の各動作を別々に行うことができる。また，単独の光源を用いる場合には，再生を３ヵ所から同時に読み出すことが可能である。
【０１２０】
〔実施の形態１０〕
（実施の形態１０の構成）
図２４は，実施の形態１０に係る光ピックアップ用光学素子の構成を示す説明図である。この光ピックアップ用光学素子は，図示の如く，光源からのコリメートされた光を集光させる対物レンズ１０２と，記録面に近接する位置にある対物レンズと光軸が一致し，基板１０１より屈折率の高いソリッドイマージョンレンズ３０１を一枚の基板１０１に形成すると共に，対物レンズ１０２上に偏光手段としての１／４波長板２４０１と，１／４波長板２４０１上に配置され，斜面に誘電体多層膜２４０２ａが形成され，光路を切り替えるための光路切り替え手段としてのプリズム２４０２とが設けられている。
【０１２１】
さらに，上記構成を詳細に説明する。対物レンズ１０２とソリッドイマージョンレンズ３０１の両方のレンズは，基板１０１に対して深さ方向にレンズ面を形成しており，屈折率の効果を上げるために基板１０１よりも屈折率の高い材料で形成されている。また，対物レンズ１０２とソリッドイマージョンレンズ３０１とは光軸が一致するように配置されている。
【０１２２】
ソリッドイマージョンレンズ３０１の形状が半球である場合，対物レンズ１０２の焦点位置に半球の端面が配置されるように構成させる。また，ソリッドイマージョンレンズ３０１の形状が超半球（レンズ厚ｒ（１＋１／ｎ）のときに収差が少ない；ただし，ｒは半径，ｎは屈折率）の場合は，超半球レンズの中心からｎｒだけ下の位置に対物レンズ１０２の焦点位置がくるように配置すると，ちょうど超半球レンズの端面に集光する。また，対物レンズ１０２の形状は，球面あるいは非球面である。
【０１２３】
基板１０１の材料は，たとえばＢＫ７や石英などのガラスを用いる。また，ソリッドイマージョンレンズ３０１の材料としては，ＬａＳＦＮ１８（屈折率＝１．９０５２２，波長６５６．３ｎｍ，ＳＣＨＯＴＴ社カタログ参照）やＳＦ５９（屈折率＝１．９４３２５，波長６５６．３ｎｍ，ＳＣＨＯＴＴ社カタログ参照）などがある。なお，対物レンズ１０２を構成する基板とソリッドイマージョンレンズ３０１を構成する基板とを別々に作製しておき，これを上記関係となるように貼り合わせてもよい。
【０１２４】
１／４波長板２４０１の材料としては複屈折作用のある材料の特性を用い，光の偏光状態を常光線と異常光線とで波長の１／４だけ変える。常光線の屈折率をｎｏ，異常光線の屈折率をｎｅとすると，１／４波長板２４０１の厚さは，λ／｛４（ｎｅ−ｎｏ）｝で表される。たとえば，水晶では，常光線の屈折率が１．５３８，異常光線の屈折率が１．５４７なので，波長３６２．８ｎｍの場合の厚さは１７．５８μｍとなる。
【０１２５】
プリズム２４０２にはその斜面に誘電体多層膜２４０２ａが成膜されている。この誘電体多層膜２４０２ａで各偏光（ｐ偏光とｓ偏光）に対する反射率と透過率が異なることを利用し，光路を分離している。また，プリズム２４０２の基板１０１に対して垂直な面は，ＡＲコーティングが施されている。このように構成された１／４波長板２４０１とプリズム２４０２に対して接着されている。また，プリズム２４０２の斜面の誘電体多層膜２４０２ａは蒸着処理により形成される。
【０１２６】
（実施の形態１０の動作）
次に，以上のように構成された光ピックアップ用光学素子の動作について説明する。図２４において，上部からのコリメートされた光はプリズム２４０２に入射する。このときコリメート光はｐ偏光に直線偏光されている。入射した光は図の下向きに進む。この光が１／４波長板２４０１を透過すると，常光線と異常光線との間でπ／２の位相差が生じ，光は円偏光となる。ただし，１／４波長板２４０１は，結晶の光軸を入射光の偏光方向に対して４５度だけ傾けて配置されてる。このため，この円偏光の光は対物レンズ１０２で収れんされ，ソリッドイマージョンレンズ３０１の端面で集光される。
【０１２７】
また，データを読み出す場合には，上記光が光記録面で反射し，対物レンズ１０２でコリメートされ，再び１／４波長板２４０１を通過するとｓ偏光となり，対物レンズ１０２でコリメート光となってプリズム２４０２の斜面（誘電体多層膜２４０２ａ）で反射され，図２４において右側に進む。
【０１２８】
〔実施の形態１１−１〕
（実施の形態１１−１の構成）
図２５は，実施の形態１１−１に係る光ピックアップの構成を示す説明図である。この光ピックアップは，同一の基板１０１上に，上記実施の形態１０で説明した光ピックアップ用光学素子と，発光部２５０１と，受光部２５０２と，偏光ビームスプリッタとして機能するプリズム２５０３と，が配置されている。発光部２５０１は発光手段としてのＬＤ（レーザダイオード）２５０４とコリメートレンズ２５０５とを備え，受光部２５０２は受光手段としてのＰＤ（フォトデティクタ）２５０６と集光レンズ２５０７とを備えている。
【０１２９】
コリメートレンズ２５０５と集光レンズ２５０７は共に平板上にレンズを形成したもので，基板１０１に垂直に配置されている。ＬＤ２５０４は，基板１０１に対して垂直に配置された銅などのブロックで配置されている。また，このブロックはＬＤ２５０４の放熱を兼ねている。なお，カンに封入されたＬＤを使用してもよい。
【０１３０】
ＰＤ２５０６はＳｉ基板そのものを垂直に配置している。また，ＰＤ２５０６はＬＤ２５０４と同様にカンに封入されたものを使用してもよい。さらに，これらデバイスを駆動するための電気回路などを基板１０１に配置してもよい。プリズム２４０２は斜面で全反射するようなコーティングが施されている。また，プリズム２４０２およびプリズム２５０３のいずれも光が入射する側の面はＡＲコーティングが施されている。
【０１３１】
プリズム２４０２の基板１０１側には，実施の形態１０で述べた１／４波長板２４０１を配置し，該１／４波長板２４０１の下には対物レンズ１０２が形成されている。また，この対物レンズ１０２とソリッドイマージョンレンズ３０１との位置関係は，実施の形態１０と同様である。また，コリメートレンズ２５０５や集光レンズ２５０７，ＬＤ２５０４，ＰＤ２５０６は，たとえば基板１０１にエッチングされた溝により位置決めされた後，接着剤などで固定する。
【０１３２】
（実施の形態１１−１の動作）
次に，以上のように構成された光ピックアップの動作について説明する。図２５において，ＬＤ２５０４から出射されたレーザ光は，コリメートレンズ２５０５でコリメートされ，プリズム２５０３に入射する。なお，このときのレーザ光は，ｐ偏光に直線偏光されている。次いで，入射された光はプリズム２５０３の斜面で屈折されてプリズム２４０２に進む。この光がプリズム２４０２で反射され，１／４波長板２４０１を透過すると，常光線と異常光線との間でπ／２の位相差が生じ，その光は円偏光となる。
【０１３３】
ただし，１／４波長板２４０１は，結晶の光軸を入射光の偏光方向に対して４５度だけ傾けて配置されている。この円偏光の光が対物レンズ１０２で収れん光にされ，ソリッドイマージョンレンズ３０１の端面で集光する。データを読み出す際は，この光が光記録面で反射して対物レンズ１０２でコリメートされ，再び１／４波長板２４０１を通過するとｓ偏光になり，プリズム２４０２に進む。このプリズム２５０３ではｓ偏光の光は反射するので，集光レンズ２５０７側で反射され，集光レンズ２５０７で収れん光となり，ＰＤ２５０６上に集光される。
【０１３４】
また，図示していないが，フォーカシング・エラー信号の検出は，ナイフエッジ法あるいは非点収差法のいずれを用いてもよい。さらにトラッキング・エラーの検出も必要に応じて適切な方法を用いて行う。
【０１３５】
〔実施の形態１１−２〕
（実施の形態１１−２の構成）
図２６は，実施の形態１１−２に係る光ピックアップの構成を示す説明図であり，有限系の光学系を示している。この光ピックアップは，上記実施の形態１１−１に対して，コリメートレンズと集光レンズを排除し，１つの基板１０２に，対物レンズ１０２と，ソリッドイメージョンレンズ３０１と，１／４波長板２４０１と，プリズム２６０１と，ＬＤ２５０４と，ＰＤ２５０６とが一体的に支持・構成されている。
【０１３６】
プリズム２６０１は，その斜面部分に誘電体多層膜がコーティングされている。また，ＬＤ２５０４およびＰＤ２５０６と接する面はＡＲコーティングを施してある。ＬＤ２５０４とＰＤ２５０６はプリズム２６０１面に接するように配置されている。この例では，プリズム２６０１面にエッチングで溝を形成し，そこにＬＤ２５０４およびＰＤ２５０６を接着してある。なお，この配置方法はこれに限定されるものではない。また，ＬＤ２５０４およびＰＤ２５０６の駆動回路が配置されている。
【０１３７】
（実施の形態１１−２の動作）
次に，以上のように構成された光ピックアップの動作について説明する。図２６において，ＬＤ２５０４から出射されたレーザ光は，プリズム２６０１に入射する。このときのレーザ光は発散光で，かつｐ偏光に直線偏光されている。入射した光はプリズム２６０１を透過し，１／４波長板２４０１を透過する。１／４波長板２４０１を透過すると，常光線と異常光線との間でπ／２の位相差が生じ，その光は円偏光となる。
【０１３８】
ただし，１／４波長板２４０１は，結晶の光軸を入射光の偏光方向に対して４５度だけ傾けて配置されている。この円偏光の光が対物レンズ１０２で収れん光にされ，ソリッドイマージョンレンズ３０１の端面で集光する。データを読み出す際は，この光が光記録面で反射して対物レンズ１０２でコリメートされ，再び１／４波長板２４０１を通過するとｓ偏光になり，プリズム２４０２に進む。このプリズム２５０３ではｓ偏光の光は反射するので，集光レンズ２５０７側で反射され，集光レンズ２５０７で収れん光となり，ＰＤ２５０６上に集光される。
【０１３９】
上記のように，この実施の形態１１−２では，実施の形態１１−１に対してコリメートレンズと集光レンズを排除した構成であるので，光ピックアップを簡単な構成にすることができる。
【０１４０】
また，図示していないが，フォーカシング・エラー信号の検出は，ナイフエッジ法あるいは非点収差法のいずれを用いてもよい。さらにトラッキング・エラーの検出も必要に応じて適切な方法を用いて行う。
【０１４１】
〔実施の形態１２〕
（実施の形態１２の構成）
図２７は，実施の形態１２に係る光ピックアップの構成を示す説明図である。この実施の形態１２では，対物レンズ１０２とソリッドイマージョンレンズ３０１と１／４波長板２４０１とが１つの基板１０２に構成され，２つのプリズム２７０１〜２７０２を構成する別の基板と，コリメートレンズ２５０５と集光レンズ２５０７とが構成される別の基板と，さらにＬＤ２５０４とＰＤ２５０７とが搭載されたＰＣＢ基板など，４種類の基板を積層して光ピックアップを構成している。なお，プリズム２７０１は，その斜面に誘電体多層膜がコーティングされている。また，プリズム２７０２は，斜面で全反射するように構成されている。
【０１４２】
（実施の形態１２の動作）
次に，以上のように構成された光ピックアップの動作について説明する。図２７において，ＬＤ２５０４から出射されたレーザ光は，コリメートレンズ２５０５でコリメートされ，プリズム２７０１に入射する。このときのレーザ光はｐ偏光に直線偏光されている。入射した光はプリズム２７０１の斜面で反射され，プリズム２７０２に進む。プリズム２７０２ではｐ偏光の光を透過し，１／４波長板２４０１を透過する。１／４波長板２４０１を透過すると，常光線と異常光線との間でπ／２の位相差が生じ，その光は円偏光となる。
【０１４３】
ただし，１／４波長板２４０１は，結晶の光軸を入射光の偏光方向に対して４５度だけ傾けて配置されている。この円偏光の光が対物レンズ１０２で収れん光にされ，ソリッドイマージョンレンズ３０１の端面で集光する。データを読み出す際は，この光が光記録面で反射して対物レンズ１０２でコリメートされ，再び１／４波長板２４０１を通過するとｓ偏光になり，対物レンズ１０２でコリメート光になってプリズム２７０１に進む。このプリズム２７０１でｐ偏光の光は反射され，プリズム２７０２に進む。さらにプリズム２７０２で反射され，集光レンズ２５０７で収れん光となり，ＰＤ２５０６上に集光される。
【０１４４】
〔実施の形態１３−１〕
（実施の形態１３−１の構成）
図２８は，実施の形態１３−１に係る光ピックアップの構成を示す説明図である。この光ピックアップは，前述した図２６の光ピックアップ（これら全体を２８０１とする）をアレイ状に配置して構成されている。すなわち，この実施の形態１３−１では，図示の如く２×３のアレイ状となっている。
【０１４５】
また，上記ピックアップアレイへのデータの入出力は，各光ピックアップ２８０１に対して独立して行われるように構成されている。すなわち，ＬＤ２５０４とＰＤ２５０６の駆動回路は，各光ピックアップ２８０１ごとにに設けられている。また，図２８では，アレイの配置は縦横とも等間隔であるが，これ以外に，たとえば図２９に示すような配置であってもよい。なお，図２９ではアレイ配置を平面図で示してある。
【０１４６】
（実施の形態１３−１の動作）
次に，以上のように構成された光ピックアップの動作は，基本的には前述した実施の形態１１−１（図２６）と同様である。ＬＤ２５０４とＰＤ２５０６の駆動方法は，アレイに対応させて制御する必要がある。つまり，書き込み時にはＬＤ２５０４は書き込みデータに合わせて変調され，読み込み時にはＬＤ２５０４は直流的にＯＮされ，光記録面から反射してきた光信号を各ＰＤ２５０６が読み込む。
【０１４７】
〔実施の形態１３−２〕
（実施の形態１３−２の構成）
図３０は，実施の形態１３−２に係る光ピックアップの構成を示す説明図である。この光ピックアップは，前述した図２７の光ピックアップ（これら全体を３００１とする）をアレイ状に配置して構成されている。
【０１４８】
すなわち，対物レンズ１０２と，ソリッドイマージョンレンズ３０１と１／４波長板２４０１とのアレイ基板と，プリズム２７０１とプリズム２７０２とのアレイ基板と，集光レンズ２５０７とコリメートレンズ２５０５とのアレイ基板と，ＬＤ２５０４とＰＤ２５０７とを搭載した基板とを積み重ねた構成となっている。
【０１４９】
（実施の形態１３−２の動作）
次に，以上のように構成された光ピックアップの動作は，前述した実施の形態１３−１と同様に，データの入出力は各光ピックアップ３００１に対して独立して行う。また，基本的な動作は実施の形態１２（図２７）と同様であるので，ここでの説明は省略する。
【０１５０】
〔実施の形態１４〕
この実施の形態１４では，少なくとも，基板の片面にフォト感光性樹脂の層を平坦な光学材料上に形成し，上記フォト感光性樹脂にフォトリソグラフィ用の光を光拡散手段で拡散して照射し，微小な凹曲面を形成する。さらに，このフォト感光性樹脂と光学材料に対して等方性および（あるいは）異方性のドライエッチングを行って微小凹曲面を形成し，該微小凹曲面に屈折率の異なる材料を埋め込んで，所定の光学デバイスを作製する。以下，順に説明する。
【０１５１】
（工程１）
図３１は，実施の形態１４に係る光ピックアップ用光学素子の製造工程（１）を示す説明図である。図３１に示す工程では，基板１０１の片面に後述する選択比に基づく厚さの感光性樹脂３１０１をスピナーなどでコーティングする。
【０１５２】
さらに，この工程に用いる材料などについて詳述する。レンズを形成する基板材料は用途に応じて任意に選択することができる。たとえば材料としては基板としてＢＫ７（波長７６８．２ｎｍでの屈折率１．５１１５）を用る。
【０１５３】
上記の基板材料の片面に感光性樹脂３１０１を所定の厚さで塗布する。塗布する感光性樹脂３１０１の厚さは，基板１０１上に形成するレンズの高さと，後に感光性樹脂３１０１を現像してエッチングを行う際の基板材料のエッチング速度と感光性樹脂３１０１のエッチング速度の比（選択比）により設定する。たとえば両者のエッチング速度が等しい場合（選択比１）には感光性樹脂３１０１の高さは形成するレンズの高さと等しく設定する。また，感光性材料のエッチング速度に対して基板材料のエッチング速度が２倍大きい場合（選択比２）には感光性樹脂３１０１の高さはレンズの高さの１／２でよい。
【０１５４】
また，基板１０１上に塗布する感光性樹脂３１０１の材料としては，通常の半導体製造で用いられるフォトレジストあるいは感光性ドライフィルムを使用することができる。具体的には，東京応化社製ＯＦＰＲ−８００（ポジ型レジスト），ＯＭＲ−８５（ネガ型レジスト）などを用いる。ポジ型あるいはネガ型の選択によりレジストの形状を転写する工程（フォトリソ工程）に用いるマスクの形状が変化するが，基本的な形成手順は変わらない。この実施の形態では，ポジ型レジストを用い場合について説明する。
【０１５５】
（工程２）
図３２は，実施の形態１４に係る光ピックアップ用光学素子の製造工程（２）を示す説明図である。上記工程１の後，基板１０１上に形成したレジスト上に，所望とするレンズ径と同等あるいは小さい径のパターンを形成した拡散板マスク３２０１を介して光を照射し，レジストを感光させる。このとき，拡散板マスク３２０１自体に光を散乱させる性質があるので，露光機から出た光は拡散板マスク３２０１内で散乱し，レジストを照射する。
【０１５６】
（工程３）
図３３は，実施の形態１４に係る光ピックアップ用光学素子の製造工程（３）を示す説明図である。上記工程２の後，現像を行うと図３３に示すように，基板１０１上に断面が凹曲面のレジストが残る。この残存したレジストに必要に応じて熱および（または）圧力を作用させて重力および表面張力の効果を用い，凹曲面を成形して所望の凹レンズ形状に形成する。作用させる温度はレンズ形状により異なるが，温度においては１３０度から４００度，また，圧力は１から１０気圧の範囲を選ぶことができる。
【０１５７】
（工程４）
図３４および図３５は，実施の形態１４に係る光ピックアップ用光学素子の製造工程（４）を示す説明図である。上記工程３で形成した凹レンズ形状のレジストをマスクとして基板ガラスを基板１０１に垂直に方向にエッチング（異方性エッチング）する。このエッチング手段としては半導体製造プロセスで通常用いられるドライエッチングを採用する。具体的には，反応性イオンエッチング法（ＲＩＥ：平行平板型リアクティブ・イオン・ドライ・エッチング），あるいは導入ガスをイオン化し，その生じたイオンを基板１０１に向かって電気的に加速し，基板に直交な方向からエッチング面により衝突させることでエッチングを行う物理化学的な電子サイクロトロン共鳴エッチング法（ＥＣＲ）などのドライエッチングを用いる。
【０１５８】
ドライエッチングに用いるガスは基板材料により選択することができる。たとえば基板材料がガラスの場合にはＣＦ４  ，ＣＨＦ３  などを用いることができる。また，エッチング速度，選択性の調整のために上記のガスにＮ２  ，Ｏ２  ，Ａｒなどのガスを混入することもできる。エッチングは所望の形状（径，深さ）が得られるようにレジストがなくなるまで，あるいは所定の量だけレジストをエッチングする。レジストが残っている場合はアッシングなどによりレジストのみを除去する。このようにして基板１０１に凹レンズ形状３５０１を形成する。
【０１５９】
（工程５）
図３６および図３７は，実施の形態１４に係る光ピックアップ用光学素子の製造工程（５）を示す説明図である。ここでは上記工程４で形成した凹レンズ形状３５０１の部分に基板１０１より屈折率の高い材料を形成する。この実施の形態では所望の屈折率を有した材料をターゲットとしたスパッタ法により凹レンズ形状３５０１を含んだスパッタ膜３６０１を形成する。さらに基板面のエッチバックおよび平坦化により凹レンズ形状３５０１の部分に選択的にスパッタ膜３６０１を残存させる。このようにして平板レンズを作製する。基板１０１上に数多くのレンズを形成し，必要に応じて切断して個別のレンズとする。また，凹曲面に埋め込む材料としてＬａＦ２（波長７６８．２ｎｍでの屈折率１．７３３５）またはＳＦＳ１（波長７６８．２ｎｍでの１．８９２７）を用いることができる。なお，スパッタ法以外にも光硬化性樹脂材料をコーティングする方法を用いてもよい。
【０１６０】
（具体例）
ここで前述した工程１〜５における具体的な材料や処理などについて説明する。基板１０１には合成石英を，ポジレジストとして東京応化工業社製ＯＦＰＲ−８００を使用する。また，拡散板マスクとしてオパールガラスを用いる。合成石英上にレジストをスピンコートにより膜厚５μｍのコーティングを行う。これをプリベークした後，拡散板マスクを使った露光を行って現像する。引き続いて，２００°Ｃでポストベークする。次にＥＣＲエッチングを行う。この際のガスはＡｒ，Ｏ２  ，ＣＦ４  を使用する。エッチングが終了すると，残っているレジストを除去する。次いでスパッタでＳＦＳ１の膜を成膜する。最後に表面を表面研磨により平坦化すると共に，所望の膜厚となるように研磨する。
【０１６１】
さらに，この実施の形態１４の工程をまとめて説明する。まず，基板１０１に感光性樹脂３１０１をスピナーなどでコーティングする。半導体製造装置など通常の露光装置の光源から出射した光を拡散光としてマスク上にあるパターンを照射する。すると，光はフォトマスクを透過あるいは吸収反射し，感光性樹脂３１０１には透過した散乱光が照射される。たとえば散乱光が完全拡散状態とすると，光の拡散する位置での角度に対する光強度は，角度のコサインのｎ乗に比例する。マスクに対して基板１０１の感光性樹脂３１０１面の位置を密着させずに，ある距離を隔てておくことにより，感光性樹脂３１０１上にはコサインのｎ乗に比例したような形の強度分布が生じ，この状態の光で感光性樹脂３１０１を露光する。この後，現像処理を行うと感光性樹脂３１０１には光強度分布の形状に近い状態の凹曲面が形成される。この状態でドライエッチングを行って凹曲面を基板に形成する。残った感光性樹脂３１０１を剥離した後に，基板１０１よりも屈折率の高い材料を埋め込み，平板レンズを作製する。
【０１６２】
〔実施の形態１５〕
この実施の形態１５では，実施の形態１４で述べた拡散光の実現例について説明する。図３８は，実施の形態１５に係る拡散光の第１の実現例を示す説明図である。この例では，拡散光の実現方法として，パターンマスク３８０１の上に拡散板３８０２を配置し，そこで拡散光を生成する。なお，ここで用いるパターンマスク３８０１は透明なガラス基板のＣｒでパターンニングした通常のものである。
【０１６３】
すなわち，図３８に示すように，露光時にはパターンマスク３８０１の上に拡散板３８０２を置いて露光する。その後は，実施の形態１４で説明したと同様に，エッチングおよび高屈折率の材料の埋め込み処理を行う。また，断面が矩形上の凹形状を凹曲面作製の際に同時に作製することも可能である。このときには，１つのマスクで凹曲面の部分には拡散するガラスを置き，溝の部分には透明なガラスのままの状態で露光すればよい。
【０１６４】
〔実施の形態１６〕
図３９は，実施の形態１６に係る拡散光の第２の実現例を示す説明図である。この例では，拡散光の実現方法として，パターンマスク３８０１の上に回析格子３９０１を配置し，そこで拡散光を生成する。回析格子３９０１は，所望とする拡散状態が得られるような完全拡散ではない光強度分布となるような格子パターンを形成する。このときには非球面形状など所望の形状が得られるように１次回析光や高次回析光を含めた光強度分布が得られる回析格子パターンを設計することができる。
【０１６５】
また，回析格子の代わりに微小な開口による回析現象を利用する方法もある。円形開口の回析の光強度はエアリーディスクとして知られており，強度を表す関数はベッセル関数になる。この０次光を使って感光性樹脂３１０１に凹曲面を形成することもできる。
【０１６６】
〔実施の形態１７〕
この実施の形態１７では，前述した実施の形態１４で説明した製造方法に基づいて，基板上の対物レンズおよびソリッドイマージョンレンズを作製する。まず，一方のレンズを作製し，続いて基板の反対側にもう一方のレンズを作製する。以下，工程順に説明する。
【０１６７】
（工程１）
図４０は，実施の形態１７に係る光ピックアップ用光学素子の製造工程（１）を示す説明図である。図４０に示す工程では，すでに一方の面には対物レンズ１０２が形成されており，もう一方の面には感光性樹脂３１０１をコーティングし，拡散板マスク３２０１を用いて露光する状態を示している。
【０１６８】
塗布する感光性材料３１０１の厚さは，基板１０１上に形成するレンズの高さと，後に感光性材料３１０１を現像してエッチングを行う際の基板材料のエッチング速度と感光性樹脂のエッチング速度の比（選択比）により設定する。たとえば両者のエッチング速度が等しい場合（選択比１）には感光性樹脂の高さは形成するレンズの高さと等しく設定する。また，感光性材料のエッチング速度に対して基板材料のエッチング速度が２倍大きい場合（選択比２）には感光性樹脂の高さはレンズの高さの１／２でよい。
【０１６９】
この実施の形態１７では，これまでの実施の形態と同様に感光性材料としてポジ型レジストを用いる場合を例にとって説明する。すでに一方の面に形成されているレンズと正確な位置合わせを行うために，対物レンズ１０２側に位置合わせ用にアライメントマークとマスクのアライメントマークを予め設けておき，露光する際にはそのマークで位置合わせを行う。
【０１７０】
（工程２）
図４１は，実施の形態１７に係る光ピックアップ用光学素子の製造工程（２）を示す説明図である。この工程２では，工程１の露光後の処理として実施の形態１４と同様に現像処理を行う。この現像により図４１に示す如く，基板１０１上に断面が凹曲面の樹脂が残る。この残存したレジストに必要に応じて熱および（または）圧力を作用させて重力および表面張力の効果を用い，凹曲面を成形して所望の凹レンズ形状に形成する。作用させる温度はレンズ形状により異なるが，温度においては１３０度から４００度，また，圧力は１から１０気圧の範囲を選ぶことができる。
【０１７１】
（工程３）
図４２および図４３は，実施の形態１７に係る光ピックアップ用光学素子の製造工程（３）を示す説明図である。上記工程２で形成した凹レンズ形状のレジストをマスクとして基板ガラスを基板に垂直に方向にエッチング（異方性エッチング）する。このエッチング手段としては半導体製造プロセスで通常用いられるドライエッチングを採用する。具体的には，反応性イオンエッチング法（ＲＩＥ），電子サイクロトロン共鳴エッチング法（ＥＣＲ）などのドライエッチングを用いる。
【０１７２】
ドライエッチングに用いるガスは基板材料により選択することができる。たとえば基板材料がガラスの場合にはＣＦ４  ，ＣＨＦ３  などを用いることができる。また，エッチング速度，選択性の調整のために上記のガスにＮ２  ，Ｏ２  ，Ａｒなどのガスを混入することもできる。エッチングは所望の形状（径，深さ）が得られるようにレジストがなくなるまで，あるいは所定の量だけレジストをエッチングする。レジストが残っている場合はアッシングなどによりレジストのみを除去する。このようにして基板１０１に凹レンズ形状４３０１を形成する。
【０１７３】
（工程４）
図４４は，実施の形態１７に係る光ピックアップ用光学素子の製造工程（４）を示す説明図である。ここでは上記工程３で形成した凹レンズ形状４３０１の部分に基板１０１より屈折率の高い材料を形成する。この実施の形態では所望の屈折率を有した材料をターゲットとしたスパッタ法により凹レンズ形状４３０１を含んだスパッタ膜４４０１を形成する。さらに基板面のエッチバックおよび平坦化により凹レンズ形状３５０１の部分に選択的にスパッタ膜４４０１を残存させる。このようにして平板レンズを作製する。基板１０１上に数多くのレンズを形成し，必要に応じて切断して個別のレンズとする。なお，スパッタ法以外にも光硬化性樹脂材料をコーティングする方法を用いてもよい。
【０１７４】
さて，このようにして作製したヘッドを浮上させる場合，前述した図１５と同様に，空気力学的構造を考慮し，その下部部分に凹形状をエッチングにより作製する。この凹形状をマイクロレンズの部分には拡散するガラスを用い，溝の部分には透明なガラスを用いる。
【０１７５】
〔実施の形態１８〕
この実施の形態１８では，以上説明した実施の形態１４〜１７の製造方法に基づいて，コリメートされた光を集光させる働きを有する対物レンズ１０２と，ソリッドイマージョンレンズ３０１と，をそれぞれ別々の基板上に形成する。そして，この対物レンズ１０２とソリッドイマージョンレンズ３０１との光軸を合わせた状態ではり合わせ，接合する。
【０１７６】
この接合例を前述の図１６を用いて説明する。対物レンズ１０２を具備した基板１０１とソリッドイマージョンレンズ３０１を具備した基板１６０１の２つを，実施の形態１４〜１７の製造方法に基づいて作製する。なお，この２つの基板は同一材料で作製する。対物レンズ１０２を具備した基板１０１には，その下面に位置決め用の突起（左側）とくぼみ（右側）とを設ける。さらに，ソリッドイマージョンレンズ３０１を具備した基板１６０１には，対物レンズ１０２に対応する位置にくぼみ（左側）と突起（右側）とを設ける。この２つの基板を突起とくぼみとを位置合わせて接合し，図１６に示す如くヘッドを形成する。
【０１７７】
なお，上記において，突起やくぼみの形状ははめ込みやすい構造であれば，どのような構造であってもよく，また，数もいくつあってもよい。さらに，２つの基板の固定を強固にするため，接着剤を用いても，あるいは電気化学的なはり合わせでもよい。ただし，この突起やくぼみは，対物レンズ１０２とソリッドイマージョンレンズ３０１の光路を遮るような部分を除いた位置に設ける。また，接着剤は基板１０１とほぼ同等の屈折率を有する紫外線硬化性樹脂を用いる。
【０１７８】
次に，上記とは異なる接合例を前述の図２０を用いてについて説明する。ここでは，実施の形態１４〜１７の製造方法に基づいて作製した，対物レンズ１０２を具備した基板１０１とソリッドイマージョンレンズ３０１を具備した基板１６０１とをそれぞれ所定の位置に設けたマーカーを用いて接合する。なお，図２０ではマーカーを３つで示したが，もちろん数は必要に応じて設ければよい。
【０１７９】
また，上記の他に前述した図２１と同様の接合を行ってもよい。まず，図２１（ａ）に示すように，位置合わせ手段を対物レンズ１０２の光軸を中心とした円周上に対物レンズ１０２を挟んで対向するように複数個形成する。他方，図２１（ｂ）に示すように，ソリッドイマージョンレンズ３０１を形成した基板にも位置合わせ手段を図２１（ａ）の位置合わせ手段と対応する位置に設ける。そして，この２つの基板の位置合わせ手段同士を合わせて接合する。なお，この場合における位置合わせ手段として，たとえば一方が凸形状であり，他方が凹形状であるような立体的なものを用いる。基板上に凸形状あるいは凹形状を形成する方法としては，レジスト成形とエッチングによって凸形状あるは凹形状を形成する方法を用いる。
【０１８０】
また，位置合わせ手段をマーカーとする場合は，図２２に示したように平面的なマーカーを用いることも可能である。これは半導体製造プロセスで通常用いられている方法と同様であり，位置合わせを行う双方の基板に位置合わせのための精度を考慮したマーカーを形成し，マーカー同士の重なりによって位置合わせを行う。この位置合わせ用のマーカーは，実施の形態１４〜１７で説明した工程を導入し，通常の半導体製造プロセスで用いられる方法と同様に形成することができる。
【０１８１】
このようにして，双方の基板に設けた両レンズの光軸を一致させて位置合わせした後，固定方法として接着剤を用いてもよく，あるいは双方の基板をアノーティック・ボンディングや高温ボンディングなどの電気化学的な方法で接着してもよい。
【０１８４】
【発明の効果】
以上説明したように，本発明に係る光ピックアップ用光学素子（請求項１）によれば，１枚の基板上に対物レンズとソリッドイマージョンレンズとをそれぞれの光軸を合わせて一体的に製造し，積層可能に構成することにより，レンズ間の光軸調整や位置ずれが排除され，基板内で集光するためのスポットサイズを小さくすることができるので，高密度の記録／再生が可能となる。他の光学素子などの他の光学部品などの積層が可能となる。
【０１８５】
また，本発明に係る光ピックアップ用光学素子の製造方法（請求項２）によれば，半導体製造プロセスを用い，基板の片側の面に凸曲面を形成して対物レンズを製造し，さらに上記形成された対物レンズとは反対面に凹曲面を形成し，該凹曲面に対して上記基板より高い屈折率を有する材料を堆積させてソリッドイマージョンレンズを製造するため，比較的容易に，かつ経済的に，精度の高い光ピックアップ用光学素子を製造することができる。
【０１８６】
また，本発明に係る光ピックアップ用光学素子（請求項３）によれば，基板に対し，対物レンズおよびソリッドイマージョンレンズの屈折率を高くすることにより，屈折率の高いレンズ中にスポットを形成できるため，小さいサイズのスポットが得られる。
【０１８７】
また，本発明に係る光ピックアップ用光学素子の製造方法（請求項４）によれば，半導体製造プロセスを用い，基板の片側の面に凹曲面を形成して対物レンズを製造し，さらに上記形成された対物レンズとは反対面に凹曲面を形成し，上記２つの凹曲面に対して上記基板より高い屈折率を有する材料を堆積させてソリッドイマージョンレンズを製造するため，比較的容易に，かつ経済的に，精度の高い光ピックアップ用光学素子を製造することができる。
【０１８８】
また，本発明に係る光ピックアップ用光学素子（請求項５）によれば，半導体製造プロセスを用い，第１の基板に対物レンズを形成し，さらに第２の基板に第１の基板よりも屈折率の高いソリッドイマージョンレンズを形成し，この２つの基板をはり合わせて，光ピックアップ用光学素子を構成することにより，屈折率の高いレンズ中にスポットを形成し，小さいサイズのスポットが得られるため，高密度な記録／再生が可能になると共に，対物レンズとソリッドイマージョンレンズがはり合わせにより一体化された構造なので，レンズ間の光軸調整が不要となり，小型軽量化も実現する。
【０１８９】
また，本発明に係る光ピックアップ用光学素子（請求項６）によれば，第１の基板と第２の基板の屈折率とをそれぞれ異ならせることにより，屈折率の高いレンズ中にスポットを形成できるため，小さいサイズのスポットが得られる。
【０１９０】
また，本発明に係る光ピックアップ用光学素子の製造方法（請求項７）によれば，半導体製造プロセスを用い，第１の基板に凸曲面を形成して対物レンズを製造し，第２の基板に凸曲面を形成してソリッドイマージョンレンズを製造し，この２つの基板に形成された対物レンズおよびソリッドイマージョンレンズの両光軸を一致させ，はり合わせするため，比較的容易に，かつ経済的に，精度の高い光ピックアップ用光学素子を製造することができる。
【０１９１】
また，本発明に係る光ピックアップ用光学素子の製造方法（請求項８）によれば，半導体製造プロセスを用い，第１の基板に凹曲面を形成して対物レンズを製造し，第２の基板に凹曲面を形成してソリッドイマージョンレンズを製造し，この２つの基板に該基板とは異なる屈折率の材料を堆積させ，該堆積後の２つの基板に形成された対物レンズおよびソリッドイマージョンレンズの両光軸を一致させ，はり合わせするため，比較的容易に，かつ経済的に，精度の高い光ピックアップ用光学素子を製造することができる。
【０１９２】
また，本発明に係る光ピックアップ用光学素子の製造方法（請求項９）によれば，半導体製造プロセスを用い，第１の基板に凸曲面を形成して対物レンズを製造し，第２の基板に凹曲面を形成してソリッドイマージョンレンズを製造し，この２つの基板に形成された対物レンズおよびソリッドイマージョンレンズの両光軸を一致させ，はり合わせするため，比較的容易に，かつ経済的に，精度の高い光ピックアップ用光学素子を製造することができる。
【０１９３】
また，本発明に係る光ピックアップ用光学素子（請求項１０）によれば，対物レンズとソリッドイマージョンレンズからなる組，あるいは対物レンズを少なくとも２つ以上を基板にアレイ状に配置することにより，同時に複数の光学素子を構成することが可能となるため，比較的容易に，かつ経済的に，精度の高い光ピックアップ用光学素子を製造することができる。
【０１９４】
また，本発明に係る光ピックアップ用光学素子（請求項１１）によれば，１つの基板上に，対物レンズとソリッドイマージョンレンズとを同軸状に形成すると共に，対物レンズ上に偏光手段（たとえば，１／４波長板）を設け，さらに偏光手段上に光路を切り替える光路切り替え手段を設けることにより，光学部品を一体構成することができるので，光ピックアップの小型軽量化を実現し，さらに外部の受発光部分との光の入出力が精度よく，かつ簡単に行うことができる。
【０１９５】
また，本発明に係る光ピックアップ（請求項１２）によれば，請求項１１に記載の光ピックアップ用光学素子を用い，さらに，その一つの基板上に，光ビームを出射する発光手段と光記録媒体からの反射光を受光する受光手段とを一体構成させることにより，受発光部分を含めた光学部品の一体構成による小型軽量化が実現し，さらに，すべての素子が基板上に構成されるので，組み立て時における光軸調整などのアライメントが不要なため，組立性やサービス性が向上する。
【０１９６】
また，本発明に係る光ピックアップ（請求項１３）によれば，請求項１１に記載の光ピックアップ用光学素子を用い，さらに，光ビームを出射す発光手段と光記録媒体からの反射光を受光する受光手段とを少なくとも１つ以上の基板に一体構成させることにより，受発光部分を含めた光学部品の一体構成による小型軽量化が実現し，さらに，すべての素子が基板上に構成されるので，組み立て時における光軸調整などのアライメントが不要なため，組立性やサービス性が向上する。
【０１９７】
また，本発明に係る光ピックアップ（請求項１４）によれば，請求項１２または１３に記載の光ピックアップをアレイ状に配置・構成したため，同時に多くのデータを読み書きすることができると共に，光ピックアップ全体における読み書きに要する時間を短縮することができる。
【０１９８】
また，本発明に係る光ピックアップ用光学素子の製造方法（請求項１５）によれば，少なくとも，基板の片面にフォトリソグラフィ用の感光性樹脂の層を平坦な光学材料上に形成し，上記フォト感光性樹脂にフォトリソグラフィ用の光を拡散して照射して微小な凹曲面を形成し，この感光性樹脂と光学材料に対して等方性および（あるいは）異方性のドライエッチングを行って微小凹曲面を形成し，該微小凹曲面に屈折率の異なる材料を埋め込んで，所定の光学デバイスを作製することにより平板型のレンズの製造を比較的簡単に実現したため，他の光学素子などの他の光学部品などを積層することができる。
【０１９９】
また，本発明に係る光ピックアップ用光学素子の製造方法（請求項１６）によれば，フォトリソグラフィで使用するマスクに光拡散の作用をもたせて露光するため，通常の半導体製造用の露光機に設置して使うことができる。
【０２００】
また，本発明に係る光ピックアップ用光学素子の製造方法（請求項１７）によれば，１つのマスクで拡散する部分とそうでない部分を選択的に設けることが可能なため，１枚の基板上に断面が矩形状のパターンと凹曲面の平面レンズを同時に作製することができる。
【０２０１】
また，本発明に係る光ピックアップ用光学素子の製造方法（請求項１８）によれば，マスク上に回析格子を設けたため，通常の半導体製造用の露光機に設置して使うことができ，しかも，回析格子の格子パターンによって任意の光強度を設定することが可能であるので，所望の形状の凹曲面を有する平面レンズを得ることができる。
【０２０２】
また，本発明に係る光ピックアップ用光学素子の製造方法（請求項１９，２０）によれば，屈折率の高いレンズ中にスポットを形成する光学デバイスを製造することが可能なため，高密度な記録再生が実現し，かつ，対物レンズとソリッドイマージョンレンズが一体化されるため，レンズ同士の光軸調整が不要となり，その結果，小型軽量化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施の形態１に係る光ピックアップ用光学素子の構成を示す説明図である。
【図２】実施の形態２に係る光ピックアップ用光学素子の構成を示す説明図である。
【図３】実施の形態３に係る光ピックアップ用光学素子の構成を示す説明図である。
【図４】実施の形態３に係る光ピックアップ用光学素子の他の構成を示す説明図である。
【図５】実施の形態４に係る光ピックアップ用光学素子の製造工程（１）を示す説明図である。
【図６】実施の形態４に係る光ピックアップ用光学素子の製造工程（２）を示す説明図である。
【図７】実施の形態４に係る光ピックアップ用光学素子の製造工程（３）を示す説明図である。
【図８】実施の形態４に係る光ピックアップ用光学素子の製造工程（４）を示す説明図である。
【図９】実施の形態４に係る光ピックアップ用光学素子の製造工程（５）を示す説明図である。
【図１０】実施の形態４に係る光ピックアップ用光学素子の製造工程（６）を示す説明図である。
【図１１】実施の形態４に係る光ピックアップ用光学素子の製造工程（７）を示す説明図である。
【図１２】実施の形態４に係る光ピックアップ用光学素子の製造工程（８）を示す説明図である。
【図１３】実施の形態４に係る光ピックアップ用光学素子の製造工程（９）を示す説明図である。
【図１４】実施の形態４に係る光ピックアップ用光学素子の製造工程（１０）を示す説明図である。
【図１５】実施の形態５に係る光ピックアップ用光学素子の構成を示す説明図である。
【図１６】実施の形態７に係る光ピックアップ用光学素子の構成を示す説明図である。
【図１７】実施の形態７に係る光ピックアップ用光学素子の他の構成例（１）を示す説明図である。
【図１８】実施の形態７に係る光ピックアップ用光学素子の他の構成例（２）を示す説明図である。
【図１９】実施の形態７に係る光ピックアップ用光学素子の他の構成例（３）を示す説明図である。
【図２０】実施の形態７に係る光ピックアップ用光学素子のはり合わせをマーカーで位置合わせする例を示す説明図である。
【図２１】実施の形態８に係る光ピックアップ用光学素子の製造工程における光軸合わせをマーカーを用いて行う例を示す説明図である。
【図２２】実施の形態８に係る位置合わせ手段のマーカー例を示す説明図である。
【図２３】実施の形態９に係る光ピックアップ用光学素子の構成を示す説明図である。
【図２４】実施の形態１０に係る光ピックアップ用光学素子の構成を示す説明図である。
【図２５】実施の形態１１−１に係る光ピックアップの構成を示す説明図である。
【図２６】実施の形態１１−２に係る光ピックアップの構成を示す説明図である。
【図２７】実施の形態１２に係る光ピックアップの構成を示す説明図である。
【図２８】実施の形態１３−１に係る光ピックアップの構成を示す説明図である。
【図２９】実施の形態１３−１に係る他のアレイ配置例を示す平面図である。
【図３０】実施の形態１３−２に係る光ピックアップの構成を示す説明図である。
【図３１】実施の形態１４に係る光ピックアップ用光学素子の製造工程（１）を示す説明図である。
【図３２】実施の形態１４に係る光ピックアップ用光学素子の製造工程（２）を示す説明図である。
【図３３】実施の形態１４に係る光ピックアップ用光学素子の製造工程（３）を示す説明図である。
【図３４】実施の形態１４に係る光ピックアップ用光学素子の製造工程（４−１）を示す説明図である。
【図３５】実施の形態１４に係る光ピックアップ用光学素子の製造工程（４−２）を示す説明図である。
【図３６】実施の形態１４に係る光ピックアップ用光学素子の製造工程（５−１）を示す説明図である。
【図３７】実施の形態１４に係る光ピックアップ用光学素子の製造工程（５−２）を示す説明図である。
【図３８】実施の形態１５に係る拡散光の第１の実現例を示す説明図である。
【図３９】実施の形態１６に係る拡散光の第２の実現例を示す説明図である。
【図４０】実施の形態１７に係る光ピックアップ用光学素子の製造工程（１）を示す説明図である。
【図４１】実施の形態１７に係る光ピックアップ用光学素子の製造工程（２）を示す説明図である。
【図４２】実施の形態１７に係る光ピックアップ用光学素子の製造工程（３−１）を示す説明図である。
【図４３】実施の形態１７に係る光ピックアップ用光学素子の製造工程（３−２）を示す説明図である。
【図４４】実施の形態１７に係る光ピックアップ用光学素子の製造工程（４）を示す説明図である。
【図４５】従来における光メモリピックアップ装置の構成を示す説明図である。
【図４６】従来におけるソリッドイマージョンレンズを用いた光学系の集光例を示す説明図である。
【図４７】従来における対物レンズとソリッドイマージョンレンズとを組み合わせた浮上ヘッド例を示す説明図である。
【符号の説明】
１０１  基板
１０２  対物レンズ
２０１  屈折率の高い膜
３０１  ソリッドイマージョンレンズ
５０１  感光性材料
６０１  パターン樹脂
７０１  凸レンズ形状
１１０１  凹レンズ形状
１２０１  凹レンズ形状部
１３０１，１４０１  スパッタ膜
１６０１  基板
１６０２，１６０３  突起
２１０１ａ〜２１０１ｄ，２１０２ａ〜２１０２ｄ  位置合わせ手段
２４０１  １／４波長板
２４０２，２５０３，２６０１，２７０１，２７０２  プリズム
２５０１  発光部
２５０２  受光部
２５０４  ＬＤ
２５０５  コリメートレンズ
２５０６  ＰＤ
２５０７  集光レンズ
２８０１，３００１  光ピックアップ
３１０１  感光性樹脂
３２０１  拡散板マスク
３５０１  凹曲面形状
３６０１，４４０１  スパッタ膜
３８０２  拡散板
３９０１  回析格子
４３０１  凹レンズ形状
【図１】
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【図２】
0003544461.tif 000003
【図３】
0003544461.tif 000004
【図４】
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【図５】
0003544461.tif 000006
【図６】
0003544461.tif 000007
【図７】
0003544461.tif 000008
【図８】
0003544461.tif 000009
【図９】
0003544461.tif 000010
【図１０】
0003544461.tif 000011
【図１１】
0003544461.tif 000012
【図１２】
0003544461.tif 000013
【図１３】
0003544461.tif 000014
【図１４】
0003544461.tif 000015
【図１５】
0003544461.tif 000016
【図１６】
0003544461.tif 000017
【図１７】
0003544461.tif 000018
【図１８】
0003544461.tif 000019
【図１９】
0003544461.tif 000020
【図２０】
0003544461.tif 000021
【図２１】
0003544461.tif 000022
【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
0003544461.tif 000031
【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
0003544461.tif 000035
【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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