【手続補正書】
【提出日】平成29年8月18日(2017.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面を含む基板と、
前記基板に集積化されたキャパシタであり、前記表面に隣接する金属プレートを含む、キャパシタと、
前記表面から突出するように構成されている一連のワイヤループであり、各ワイヤループが前記表面の上方に延びるアーチを形成する、一連のワイヤループと、
前記表面の上であり、且つ、インダクタを形成するために前記ワイヤループに結合するように構成された平坦なインダクタ接続部分と、を備え、
前記インダクタが、前記一連のワイヤループのうちの第１のワイヤループの第１の端部から前記一連のワイヤループのうちの最後のワイヤループの第２の端部まで延び、前記第１のワイヤループの前記第１の端部が、前記インダクタの第１の端子を形成し、前記一連のワイヤループのうちの前記最後のワイヤループの前記第２の端部が、前記インダクタの第２の端子を形成し、さらに、前記インダクタの前記第１の端子が、前記キャパシタの前記金属プレートに直接接合される、装置。
【請求項２】
前記表面に隣接する前記平坦なインダクタ接続部分の第１のインダクタ接続部分をさらに含み、前記第１のワイヤループの第２の端部が、前記第１のインダクタ接続部分にワイヤボンディングされ、前記ワイヤループのうちの第２のワイヤループの第１の端部が、前記第１のインダクタ接続部分にワイヤボンディングされ、さらに、前記第１のインダクタ接続部分が、前記インダクタの一部を形成する、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記平坦なインダクタ接続部分の前記第１のインダクタ接続部分が、少なくとも２０ミクロンの第１の厚さを有し、
前記キャパシタの前記金属プレートが、２ミクロンと３ミクロンとの間の第２の厚さを有する、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記平坦なインダクタ接続部分の内の少なくとも１つが、前記インダクタの幅よりも大きい長さを有する、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記平坦なインダクタ接続部分の内の少なくとも１つの対向する端部が、前記インダクタの軸に沿って互いにオフセットされている、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記一連のワイヤループが、切頂らせん形状を形成する、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記基板の前記表面にパッドをさらに含み、前記最後のワイヤループの前記端部が前記パッドにボンディングされる、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記一連のワイヤループにおける少なくとも１つのループの端部が、前記平坦なインダクタ接続部分の対応する平坦なインダクタ部分によって前記一連のワイヤループにおける隣接するループの端部へと前記インダクタの軸を横切って接続される、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記金属プレートが誘電体層の上に露出した第２の金属層を含み、前記キャパシタが、
前記基板の前記表面上の第１の金属層と、
前記第１の金属層と前記第２の金属層との間に配設された前記誘電体層とをさらに含む、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記平坦なインダクタ接続部分のいずれも、前記インダクタの軸に対して垂直ではない、請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
前記一連のワイヤループにおける少なくとも１つのワイヤループの中心が、前記インダクタの軸に沿って整列される、請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
前記基板が、パッシベーション層である、請求項１に記載の装置。
【請求項１３】
各ワイヤループを通って流れる電流によって誘起される磁場が、前記一連のワイヤループの内の他のワイヤループによって生成される磁場を強化するように、前記ワイヤループが構成される、請求項１に記載の装置。
【請求項１４】
前記キャパシタの前記金属プレートが、前記平坦なインダクタ接続部分と比較して比較的薄い、請求項１に記載の装置。
【請求項１５】
基板上にキャパシタを形成するステップであり、金属プレートを形成するステップを含む、ステップと、
前記基板上にインダクタを形成するステップであり、前記インダクタを形成するステップは、各ワイヤループが前記基板の表面の上方へ伸びるアーチを形成する一連のワイヤボンディングされたループを形成するステップ、および、前記表面の上であり且つ前記インダクタを形成するために前記ワイヤループを結合するように構成された平坦なインダクタ接続部分を形成するステップを含み、前記インダクタが、第１のワイヤループの第１の端部における第１の端子から前記基板の上の最後のワイヤループの第２の端部における第２の端子まで延びる、ステップと、
前記第１のワイヤループの前記第１の端部を前記金属プレートに直接接合するステップと
を含む方法。
【請求項１６】
前記基板の表面に誘電体層を堆積させるステップと、その後、前記誘電体層の表面に前記平坦なインダクタ接続部分のインダクタ接続部分を電気めっきするステップをさらに含み、前記インダクタを形成するステップが、前記第１のワイヤループの第２の端部を前記インダクタ接続部分にワイヤボンディングするステップと、第２のワイヤループの第１の端部を前記インダクタ接続部分にワイヤボンディングするステップとを含み、さらに、前記インダクタ接続部分が、前記インダクタの一部を形成する、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記キャパシタの前記金属プレートが、前記平坦なインダクタ接続部分と比較して比較的薄いように形成される、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記平坦なインダクタ接続部分の内の少なくとも１つの対向する端部が、前記インダクタの軸に沿って互いにオフセットされるように形成される、請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
前記一連のワイヤループが、切頂らせん形状に形成される、請求項１５に記載の方法。
【請求項２０】
前記一連のワイヤループにおける少なくとも１つのループの端部が、前記平坦なインダクタ接続部分の対応する平坦なインダクタ部分によって前記一連のワイヤループにおける隣接するループの端部へと前記インダクタの軸を横切って接続するように形成される、請求項１５に記載の方法。
【請求項２１】
前記平坦なインダクタ接続部分のいずれも、前記インダクタの軸に対して垂直に形成されない、請求項１５に記載の方法。
【請求項２２】
前記一連のワイヤループにおける少なくとも１つのワイヤループの中心が、前記インダクタの軸に沿って整列されるように形成される、請求項１５に記載の方法。
【請求項２３】
前記基板が、パッシベーション層として形成される、請求項１５に記載の方法。
【請求項２４】
各ワイヤループを通って流れる電流によって誘起される磁場が、前記一連のワイヤループの内の他のワイヤループによって生成される磁場を強化するように、前記ワイヤループは形成される、請求項１５に記載の方法。
【請求項２５】
前記キャパシタを形成するステップが、
前記基板の表面に第１の金属層を堆積させるステップと、
前記第１の金属層の上に誘電体層を堆積させるステップと、
前記誘電体層の上に第２の金属層を堆積させるステップであり、前記金属プレートが前記第２の金属層を含む、ステップと、
前記誘電体層の前記第２の金属層を露出させるステップと、
を含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項２６】
前記第１の金属層および第２の金属層を堆積させるステップが、スパッタリングするステップを含み、前記第１のワイヤループの前記第１の端部を接合するステップが、前記インダクタの前記第１の端子を前記金属プレートにワイヤボンディングするステップ、および、前記インダクタの前記第２の端子をパッドにワイヤボンディングするステップを含む、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
前記平坦なインダクタ接続部分の内の少なくとも１つが、前記インダクタの幅よりも大きい長さを有するように形成される、請求項１５に記載の方法。
【請求項２８】
基板と、
キャパシタと、
各ワイヤループが前記基板の表面の上方へ伸びるアーチを形成する、第１のワイヤループから最後のワイヤループまで配列された複数のワイヤループ、および、前記基板の前記表面の上であり且つインダクタを形成するために前記ワイヤループを結合するように構成された平坦なインダクタ接続部分を含む、インダクタと
を備え、
前記第１のワイヤループの端子が、前記キャパシタへ直接ワイヤボンディングされ、
前記キャパシタ、および、前記インダクタの少なくとも一部が、前記基板上に集積化される、共振タンク回路。
【請求項２９】
前記基板上に集積化された前記平坦なインダクタ接続部分の少なくとも１つのインダクタ接続部分をさらに含み、前記ワイヤループが、前記少なくとも１つのインダクタ接続部分にワイヤボンディングされ、前記少なくとも１つのインダクタ接続部分が、前記インダクタの一部を形成する、請求項２８に記載の共振タンク回路。
【請求項３０】
表面を有する基板と、
前記基板に集積化されたキャパシタと、
各ワイヤループが前記基板の前記表面の上方へ伸びるアーチを形成する、第１の端子を有する第１のワイヤループを含む複数のワイヤループと、
インダクタを形成するために前記表面の上の対応する平坦なインダクタ接続部分を用いて前記ワイヤループを一緒に結合させるための手段であって、前記第１のワイヤループの第１の端部が、前記インダクタの第１の端子を形成し、さらに、前記インダクタの前記第１の端子が、前記キャパシタに直接接合される、手段と
を備える装置。