【手続補正書】
【提出日】平成29年10月30日(2017.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板(2)と、
前記基板(2)上に配置された第１電気絶縁層(14)と、
前記第１電気絶縁層(14)上に配置された下部電極(6)と、
前記下部電極(6)上に配置された金属層(12)であって、該金属層内に複数の細孔を設けることによって構造化された金属層と、
金属−絶縁体−金属型コンデンサ(4; 41)と、
前記金属−絶縁体−金属型コンデンサ(4)上に配置された上部電極(8)と、
前記上部電極(8)上に配置された第２電気絶縁層(16)とを備えた金属−絶縁体−金属型コンデンサ構造(1)であって、
前記細孔は、前記構造化された金属層の前記下部電極とは反対側の表面に開口し、前記細孔は、当該細孔の周囲に配置された電気絶縁層によって、前記構造化された金属層(12)における当該細孔を作製した部分以外の部分から電気絶縁され、前記電気絶縁層が絶縁された細孔のマトリクス(121)を構成し、該絶縁された細孔のマトリクス(121)は陽極エッチングまたは陽極酸化処理によって得られるマトリクスであり、
前記金属−絶縁体−金属型コンデンサは、前記構造化された金属層(12)上、及び当該構造化された金属層(12)の前記細孔の内側に配置された第１導電層(18)、該第１導電層(18)を覆う誘電体層(20)、該誘電体層(20)を覆う第２導電層(24)を備え、関連する前記細孔の各々が、前記誘電体層(20)によって分離された前記第１導電層(18)及び前記第２導電層(24)を備えている金属−絶縁体−金属型コンデンサ構造において、
前記構造化された金属層(12)の前記細孔の内側に位置する前記第１導電層(18)は、前記下部電極(6)に接触し、
前記構造化された金属層(12)の前記細孔の内側に位置する前記第２導電層(24)は、前記上部電極(8)に接触し、
前記下部電極(6)が金属層(28)及びエッチング障壁層(10)を備え、該エッチング障壁層(10)は陽極エッチングに対する耐性があることを特徴とする金属−絶縁体−金属型コンデンサ構造(1)。
【請求項２】
前記下部電極(6)内に配置されて前記下部電極(6)を電気的に分離された２つの領域に分割する少なくとも１つの横方向絶縁ストリップと、
前記上部電極(8)内に配置されて前記上部電極(8)を電気的に分離された２つの領域に分割する少なくとも１つの横方向絶縁ストリップとを備え、
追加的な電気接点が、前記構造化された金属層(12)によって前記下部電極(6)から前記上部電極(8)のレベルまで配置されている、請求項１に記載の金属−絶縁体−金属型コンデンサ構造(1)。
【請求項３】
前記横方向絶縁ストリップが、酸化シリコン及び窒化シリコンを含むグループから選択した絶縁材料で構成されることを特徴とする請求項２に記載の金属−絶縁体−金属型コンデンサ構造(1)。
【請求項４】
前記構造化された金属層(12)がマイクロ構造化またはナノ構造化され、０．４μmより大きい厚さを有する金属で構成されることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の金属−絶縁体−金属型コンデンサ構造(1)。
【請求項５】
前記構造化された金属層(12)がアルミニウムから作製され、前記絶縁された細孔のマトリクス(121)がアルミナから作製されることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の金属−絶縁体−金属型コンデンサ構造(1)。
【請求項６】
前記誘電体層(20)が、４より大きい（ｋ＞４）、好適には１０より大きい高誘電率ｋを有する絶縁材料で構成されることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の金属−絶縁体−金属型コンデンサ構造(1)。
【請求項７】
互いに重ねて積層された複数の前記金属−絶縁体−金属型コンデンサ(4)を備えていることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の金属−絶縁体−金属型コンデンサ構造(1)。
【請求項８】
前記積層の２つの前記金属−絶縁体−金属型コンデンサが電気的に並列に結合されていることを特徴とする請求項７に記載の金属−絶縁体−金属型コンデンサ構造(1)。
【請求項９】
前記積層の１つの前記金属−絶縁体−金属型コンデンサが、第１に、当該金属−絶縁体−金属型コンデンサの前記上部電極(8)によって他の前記金属−絶縁体−金属型コンデンサの前記上部電極(8)に電気接続され、第２に、当該金属−絶縁体−金属型コンデンサの前記下部電極(6)によって、当該金属−絶縁体−金属型コンデンサの上に位置する他の前記金属−絶縁体−金属型コンデンサの前記下部電極(6)に電気接続されていることを特徴とする請求項７または８に記載の金属−絶縁体−金属型コンデンサ構造(1)。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかに記載の金属−絶縁体−金属型コンデンサ構造(1)を少なくとも１つ備えている受動型または能動型半導体デバイス。
【請求項１１】
金属−絶縁体−金属型コンデンサ構造(1)を製造する方法であって、
ａ．基板(2)を用意するステップと、
ｂ．絶縁材料製の第１電気絶縁層(14)を前記基板(2)上に堆積させるステップと、
ｃ．前記第１電気絶縁層(14)上に配置された下部電極(6)を作製するステップであって、前記下部電極(6)が、前記第１電気絶縁層(14)上に金属層(28)を堆積させることによって作製され、その後に前記金属層(28)が、陽極エッチングに対する耐性のあるエッチング障壁層(10)によって覆われるステップと、
ｄ．前記下部電極(6)の局所的なエッチングにおいて、電気絶縁材料を堆積させるステップと、
ｅ．前記下部電極(6)上に金属層を堆積させるステップと、
ｆ．陽極エッチングプロセスを用いて前記金属層内に細孔を構造化するステップであって、前記細孔は、当該細孔の周囲に配置された電気絶縁層(121)によって、前記構造化された金属層における当該細孔を作製した部分以外の部分から電気絶縁され、前記電気絶縁層が絶縁された細孔のマトリクス(121)を形成するステップと、
ｇ．前記構造化された金属層(12)上及び当該構造化された金属層(12)の前記細孔内に、第１導電層(18)、誘電体層(20)、及び第２導電層(24)を順次堆積させるステップと、
ｈ．前記第２導電層(24)上に配置された上部電極(8)を作製するステップと、
ｉ．前記上部電極(8)の局所的なエッチングにおいて、電気絶縁材料を堆積させるステップと、
ｊ．絶縁材料製の第２電気絶縁層を上部電極(8)上に堆積させるステップと
を含む金属−絶縁体−金属型コンデンサ構造の製造方法。
【請求項１２】
前記構造化された金属層(12)がアルミニウムから作製され、陽極エッチングによって作製された前記絶縁された細孔のマトリクス(121)がアルミナから作製されることを特徴とする請求項１１に記載の金属−絶縁体−金属型コンデンサ構造の製造方法。
【請求項１３】
前記方法が、
ｃ１．前記下部電極の作製後に、電気的に絶縁された２つの領域を前記下部電極内に規定する下部横方向絶縁ストリップを、前記下部電極の局所的なエッチングによって作製するステップと、
ｈ１．前記上部電極の作製後に、電気的に絶縁された２つの領域を前記上部電極内に規定する上部横方向絶縁ストリップを、前記上部電極の局所的なエッチングによって作製するステップと
をさらに含むことを特徴とする請求項１１または１２に記載の金属−絶縁体−金属型コンデンサ構造の製造方法。
【請求項１４】
前記方法のステップｃ．、ステップｃ１．、ステップｄ．〜ステップｈ．及びステップｈ１．をＮ回反復することを特徴とする請求項１３に記載の金属−絶縁体−金属型コンデンサ構造の製造方法。
【請求項１５】
前記方法のステップｈ１．の少なくとも１回の実行後に、平坦化層の堆積を行うことを特徴とする請求項１４に記載の金属−絶縁体−金属型コンデンサ構造の製造方法。