【手続補正書】
【提出日】平成29年10月3日(2017.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体照明モジュールを組み立てるためのキャリア構造であって、少なくとも２つのサブキャリアと、当該サブキャリアを機械的に結合するアライメント構造とを有し、当該アライメント構造は、前記サブキャリアの少なくとも一部への機械的結合が、キャリア上への前記キャリア構造の熱接合中に消失するように構成され、前記アライメント構造は、前記キャリア構造の材料の熱膨張係数よりも高い前記キャリアの材料の熱膨張係数を補正するように構成され、
前記サブキャリアが半導体光源を実装するためのサブマウントであり、
前記アライメント構造は少なくとも１つの第１のフレーム構造を有し、
前記少なくとも１つの第１のフレーム構造がサブマウントあたり少なくとも１つの第１のブリッジを有し、
前記アライメント構造は、前記サブマウントが前記第１のフレーム構造と平行に配置されるように前記第１のフレーム構造へ前記サブマウントを機械的に結合し、
前記少なくとも１つの第１のブリッジは、前記少なくとも１つの第１のブリッジにかかる熱応力が閾値を超える場合に前記キャリアへの前記キャリア構造の熱接合中に壊れるように構成され、
少なくとも１つの第２のフレーム構造がサブマウントあたり少なくとも１つの第２のブリッジを有し、
前記アライメント構造は、前記サブマウントが前記第２のフレーム構造と平行に配置されるように前記第２のフレーム構造へ前記サブマウントを機械的に結合し、
前記少なくとも１つの第２のブリッジは、前記少なくとも１つの第２のブリッジにかかる熱応力が閾値を超える場合に前記キャリアへの前記キャリア構造の熱接合中に壊れるように構成される、
キャリア構造。
【請求項２】
請求項１に記載のキャリア構造を有する半導体チップであって、当該半導体チップは前記サブキャリア上に設けられる半導体光源を有し、前記キャリア構造は当該半導体チップの基板の少なくとも一部を有し、前記アライメント構造は少なくとも第１のサブキャリアと第２のサブキャリアの間に破壊ラインを有する、半導体チップ。
【請求項３】
前記アライメント構造が前記基板においてホールを有する、請求項２に記載の半導体チップ。
【請求項４】
前記アライメント構造が前記基板においてトレンチを有する、請求項２に記載の半導体チップ。
【請求項５】
第１のトレンチが前記半導体チップの発光側に設けられ、第２のトレンチが前記第１のトレンチと平行に前記半導体チップの発光側と反対側に設けられ、前記基板内で両トレンチが重なるように前記第１及び第２のトレンチの深さが構成される、請求項４に記載の半導体チップ。
【請求項６】
半導体照明モジュールを製造する方法であって、
少なくとも２つのサブキャリアを有するキャリア構造を設けるステップであって、アライメント構造が前記サブキャリアに機械的に結合され、前記アライメント構造は、キャリア上への前記キャリア構造の熱接合中に前記サブキャリアの少なくとも一部への機械的結合が消失するように構成され、前記アライメント構造は、前記キャリア構造の材料の熱膨張係数よりも高い前記キャリアの材料の熱膨張係数を補正するように構成され、
前記サブキャリアが半導体光源を実装するためのサブマウントであり、
前記アライメント構造は少なくとも１つの第１のフレーム構造を有し、
前記少なくとも１つの第１のフレーム構造がサブマウントあたり少なくとも１つの第１のブリッジを有し、
前記アライメント構造は、前記サブマウントが前記第１のフレーム構造と平行に配置されるように前記第１のフレーム構造へ前記サブマウントを機械的に結合し、
前記少なくとも１つの第１のブリッジは、前記少なくとも１つの第１のブリッジにかかる熱応力が閾値を超える場合に前記キャリアへの前記キャリア構造の熱接合中に壊れるように構成され、
少なくとも１つの第２のフレーム構造がサブマウントあたり少なくとも１つの第２のブリッジを有し、
前記アライメント構造は、前記サブマウントが前記第２のフレーム構造と平行に配置されるように前記第２のフレーム構造へ前記サブマウントを機械的に結合し、
前記少なくとも１つの第２のブリッジは、前記少なくとも１つの第２のブリッジにかかる熱応力が閾値を超える場合に前記キャリアへの前記キャリア構造の熱接合中に壊れるように構成される、
ステップと、
前記サブキャリア上に少なくとも２つの半導体光源を設けるステップと、
前記キャリアへ前記キャリア構造を熱接合するステップと
を有する方法。
【請求項７】
半導体チップであって、
少なくとも２つのサブキャリアと、当該サブキャリアを機械的に結合するアライメント構造とを有する、キャリア構造と、
前記サブキャリア上に設けられる半導体光源と
を有し、
前記キャリア構造は前記半導体チップの基板の少なくとも一部を有し、前記アライメント構造は少なくとも第１のサブキャリアと第２のサブキャリアの間に破壊ラインを有し、
前記アライメント構造は、前記サブキャリアの少なくとも一部への機械的結合が、キャリア上への前記キャリア構造の熱接合中に消失するように構成され、
前記アライメント構造は、前記キャリア構造の材料の熱膨張係数よりも高い前記キャリアの材料の熱膨張係数を補正するように構成され、
前記アライメント構造が前記基板においてホールを有し、
前記ホールが少なくとも２つの平行ラインに沿って設けられ、第１のラインのホールは第２のラインのホールと互い違いに配置され、前記キャリアへの前記キャリア構造の熱接合中に、前記第１のラインのジョイントが前記第２のラインの対応するホールにおいてスライドすることができ、前記第２のラインのジョイントが前記第１のラインの対応するホールにおいてスライドすることができるように、前記ラインに平行な前記ホールの伸びは、前記ラインにおける２つのホール間のジョイントよりも大きい、半導体チップ。
【請求項８】
前記アライメント構造が前記基板においてトレンチを有する、請求項７に記載の半導体チップ。
【請求項９】
第１のトレンチが前記半導体チップの発光側に設けられ、第２のトレンチが前記第１のトレンチと平行に前記半導体チップの発光側と反対側に設けられ、前記基板内で両トレンチが重なるように前記第１及び第２のトレンチの深さが構成される、請求項８に記載の半導体チップ。
【請求項１０】
前記半導体光源が異なるサブキャリア上に設けられる少なくとも２つのレーザアレイを有する、請求項７に記載の半導体チップ。
【請求項１１】
ヒートシンクに熱接合される請求項７に記載のキャリア構造の少なくとも２つのサブキャリアと、異なるサブキャリア上に設けられる少なくとも２つの半導体光源とを有する、半導体照明モジュール。
【請求項１２】
前記半導体光源の発光側の上に設けられる光学デバイスを有する、請求項１１に記載の半導体照明モジュール。
【請求項１３】
前記光学デバイスがマイクロレンズアレイである、請求項１２に記載の半導体照明モジュール。
【請求項１４】
半導体照明モジュールを組み立てるためのキャリア構造であって、
少なくとも２つのサブキャリアと、当該サブキャリアを機械的に結合するアライメント構造と、
少なくとも１つの第３のアライメントホールを持つ少なくとも１つの第１のアライメントフレームと、少なくとも１つのサブマウント若しくは少なくとも１つのフレーム構造を当該第１のアライメントフレームへ機械的に結合する少なくとも１つの第３のブリッジと
を有し、
前記アライメント構造は、前記サブキャリアの少なくとも一部への機械的結合が、キャリア上への前記キャリア構造の熱接合中に消失するように構成され、
前記アライメント構造は、前記キャリア構造の材料の熱膨張係数よりも高い前記キャリアの材料の熱膨張係数を補正するように構成され、
前記サブキャリアが半導体光源を実装するためのサブマウントであり、
前記アライメント構造は少なくとも１つの第１のフレーム構造を有し、
前記少なくとも１つの第１のフレーム構造がサブマウントあたり少なくとも１つの第１のブリッジを有し、
前記アライメント構造は、前記サブマウントが前記第１のフレーム構造と平行に配置されるように前記第１のフレーム構造へ前記サブマウントを機械的に結合し、
前記少なくとも１つの第１のブリッジは、前記少なくとも１つの第１のブリッジにかかる熱応力が閾値を超える場合に前記キャリアへの前記キャリア構造の熱接合中に壊れるように構成される、
キャリア構造。
【請求項１５】
請求項１４に記載のキャリア構造を有する半導体チップであって、当該半導体チップは前記サブキャリア上に設けられる半導体光源を有し、前記キャリア構造は当該半導体チップの基板の少なくとも一部を有し、前記アライメント構造は少なくとも第１のサブキャリアと第２のサブキャリアの間に破壊ラインを有する、半導体チップ。
【請求項１６】
前記アライメント構造が前記基板においてホールを有する、請求項１５に記載の半導体チップ。
【請求項１７】
前記アライメント構造が前記基板においてトレンチを有する、請求項１５に記載の半導体チップ。
【請求項１８】
第１のトレンチが前記半導体チップの発光側に設けられ、第２のトレンチが前記第１のトレンチと平行に前記半導体チップの発光側と反対側に設けられ、前記基板内で両トレンチが重なるように前記第１及び第２のトレンチの深さが構成される、請求項１７に記載の半導体チップ。
【請求項１９】
半導体照明モジュールを組み立てるためのキャリア構造であって、
少なくとも２つのサブキャリアと、当該サブキャリアを機械的に結合するアライメント構造と、
少なくとも１つの第３のアライメントホールを持つ少なくとも１つの第１のアライメントフレームと、少なくとも１つのサブマウント若しくは少なくとも１つのフレーム構造を当該第１のアライメントフレームへ機械的に結合する少なくとも１つの第３のブリッジと、
少なくとも１つの第４のアライメントホールを持つ少なくとも１つの第２のアライメントフレームと、少なくとも１つのサブマウント若しくは少なくとも１つのフレーム構造を当該第２のアライメントフレームへ機械的に結合する少なくとも１つの第４のブリッジと、
を有し、
前記アライメント構造は、前記サブキャリアの少なくとも一部への機械的結合が、キャリア上への前記キャリア構造の熱接合中に消失するように構成され、
前記アライメント構造は、前記キャリア構造の材料の熱膨張係数よりも高い前記キャリアの材料の熱膨張係数を補正するように構成され、
前記サブキャリアが半導体光源を実装するためのサブマウントであり、
前記アライメント構造は少なくとも１つの第１のフレーム構造を有し、
前記少なくとも１つの第１のフレーム構造がサブマウントあたり少なくとも１つの第１のブリッジを有し、
前記アライメント構造は、前記サブマウントが前記第１のフレーム構造と平行に配置されるように前記第１のフレーム構造へ前記サブマウントを機械的に結合し、
前記少なくとも１つの第１のブリッジは、前記少なくとも１つの第１のブリッジにかかる熱応力が閾値を超える場合に前記キャリアへの前記キャリア構造の熱接合中に壊れるように構成される、
キャリア構造。
【請求項２０】
請求項１９に記載のキャリア構造を有する半導体チップであって、当該半導体チップは前記サブキャリア上に設けられる半導体光源を有し、前記キャリア構造は当該半導体チップの基板の少なくとも一部を有し、前記アライメント構造は少なくとも第１のサブキャリアと第２のサブキャリアの間に破壊ラインを有する、半導体チップ。
【請求項２１】
前記アライメント構造が前記基板においてホールを有する、請求項２０に記載の半導体チップ。
【請求項２２】
前記アライメント構造が前記基板においてトレンチを有する、請求項２０に記載の半導体チップ。
【請求項２３】
第１のトレンチが前記半導体チップの発光側に設けられ、第２のトレンチが前記第１のトレンチと平行に前記半導体チップの発光側と反対側に設けられ、前記基板内で両トレンチが重なるように前記第１及び第２のトレンチの深さが構成される、請求項２２に記載の半導体チップ。