(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
加熱コイルから発生する磁界により加熱容器を電磁誘導加熱する誘導加熱装置において、前記加熱コイルを、前記加熱容器を加熱する第１のコイルと、前記第１のコイルの外周側で同心となるよう配設すると共に、前記第１のコイルと逆向きに電流を流す第２のコイルとから構成し、前記加熱容器を載置するためのトッププレートに凸形状部を設け、前記凸形状部内に前記第２のコイルを収納することを特徴とする誘導加熱装置。
【請求項２】
加熱コイルから発生する磁界により加熱容器を電磁誘導加熱する誘導加熱装置において、前記加熱コイルを、前記加熱容器を加熱する第１のコイルと、前記第１のコイルの外周側で同心となるよう配設すると共に、前記第１のコイルと逆向きに電流を流す第２のコイルとから構成し、前記第２のコイルを前記第１のコイルに対して直列に接続し、導電材料でドーナツ状に構成されたシールドリングを前記第２のコイルの外周側で同心上に配設すると共に、前記第２のコイルの磁束を前記シールドリングで打ち消すことがないように、前記第１のコイルと前記第２のコイルとの間の距離より、前記第２のコイルと前記シールドリングとの間の距離を大きくすることを特徴とする誘導加熱装置。
【請求項３】
加熱コイルから発生する磁界により加熱容器を電磁誘導加熱する誘導加熱装置において、前記加熱コイルを、前記加熱容器を加熱する第１のコイルと、前記第１のコイルの外周側で同心となるよう配設すると共に、前記第１のコイルと逆向きに電流を流す第２のコイルとから構成し、前記第２のコイルを前記第１のコイルに対して直列に接続し、導電材料でドーナツ状に構成されたシールドリングを前記第１のコイルの外周側で第１のコイルと前記第２のコイルとの間に同心上に配設すると共に、前記第２のコイルの磁束を前記シールドリングで打ち消すことがないように、前記第１のコイルと前記シールドリングとの間の距離より、前記第２のコイルと前記シールドリングとの間の距離を大きくすることを特徴とする誘導加熱装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、加熱コイルから発生する漏洩磁界を打消す消磁界手段を備えた誘導加熱装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来から加熱コイルに高周波電流を流し、高周波磁界を発生させることにより加熱を行う誘導加熱装置は、加熱容器以外の周囲へ漏洩磁界が発生している。この発生する磁界により、至近距離で使用する映像・音声電気製品などのＡＶ製品にノイズを与える危険性があった。また最近では、磁界、特に交番磁界が人体には好ましくない影響があることを懸念する報告がなされており、社会的にその関心が高まってきている。
【０００３】
この電磁界を抑制する一つの方法として、アルミ等の導電材料でドーナツ状に構成されたシールドリングを設けることが、特公昭５８−３７６７６号公報，特公昭６３−３４２８号公報に開示されている。
【０００４】
この方法は、加熱コイルで発生する磁界によりシールドリングに誘導電流が発生する。そして、レンツの法則によりシールドリングを通過する鎖交磁束が変化すると、磁束変化を妨げる方向に起電力が生じ誘導電流が流れるため、このシールドリングに発生する誘導電流による磁界は、加熱コイルから発生する磁界の逆向きの磁界となり、お互いに打ち消しあい漏洩磁界を低減するものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のような鎖交磁界の変化を用いた漏洩磁界低減手法では、シールドリングを通過する鎖交磁束の変化が少ない低周波領域の漏洩磁界には低減効果が少なくなる。即ち、鎖交磁束の変化が無い直流磁界についてはシールドリングの効果は無くなる。
【０００６】
シールドリングによる磁界キャンセルする原理について述べる。加熱コイルからの磁束Φがシールドリングを貫通すると、電磁誘導の法則により磁束の変化を妨げる方向に起電力ｅがシールドリング内で生じる。
【０００７】
ｅ＝−△Φ／△ｔ〔Ｖ〕‥‥‥（１）
この誘導起電力ｅにより、シールドリングに電流が流れ磁束が発生する。この磁束の向きは、電気機器の内部から発生する磁束とは逆向きなので、お互い打ち消しあって磁界を低減する。この式（１）からわかるように、磁束の変化時間△ｔが短いほど、誘導起電力ｅが大きくなり磁界低減効果が大きいが、△ｔが長くなると誘導起電力ｅが小さくなり、磁界低減効果が少なくなる。なお、磁束Φの変化の無い静磁界では△ｔが∞になり、誘導起電力ｅは０となり、まったく磁界低減効果は無くなる。
【０００８】
そこで、本発明は上記従来の課題を解決するもので、鎖交磁束が変化が少ない低周波領域の漏洩磁界においても誘導加熱装置から漏洩する磁界を効果的に低減し、安価に誘導加熱装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、加熱コイルを渦巻状に巻かれた第１のコイル（加熱用）と、前記第１のコイルと直列に接続され、かつ前記第１のコイルと逆向きに巻かれた第２のコイル（漏洩磁界キャンセル用）を設けるものである。これにより、誘導加熱装置から外部へ漏洩する磁界を低減することができる。
【００１０】
また、前記第１のコイルの外径を加熱容器の最大外形寸法より小さくし、前記第２のコイルの内径を加熱容器の最大外形寸法より大きくする構成とするものである。これにより、前記第１のコイルから発生する磁束Φ１の大部分は加熱容器を通り、主に加熱容器の加熱作用に使われる。そして、前記第２のコイルの内径を加熱容器の最大外形寸法より大きくすることにより、前記第２のコイルから発生する磁束Φ２を、前記第１のコイルから発生した磁束のうち、外部漏洩する磁束に対して主に作用させることができ、漏洩磁界の低減効果が大きくなる。
【００１１】
また、加熱コイルに高周波電流を供給する高周波電源部の低圧側に前記第２のコイルを接続する構成とするものである。これにより、前記第２のコイルと周辺部に配置される他の電子部品等との絶縁距離を考慮する必要が低くなるため、誘導加熱装置を小型化することができる。
【００１２】
また、加熱容器を載置するためのトッププレートに凸形状を設け、凸形状内部に前記第２のコイルが収納する構成とするものである。これにより、同一平面に前記第１のコイルと前記第２のコイルを形成する場合に比べ、前記第２のコイルの巻数を増や（コイル厚みが大きくなる）しても前記第２のコイル外径を大きくする必要がないため、誘導加熱装置を小型化することができる。
【００１３】
また、導電材料でドーナツ状に構成されたシールドリングを配設するものである。これにより、前記第２のコイルによる漏洩磁界低減効果に加えて、シールドリングによる漏洩磁界の低減効果を得ることができ、より漏洩磁界の低減効果が大きくなる。
【００１４】
また、前記シールドリングを前記第２のコイルの外周側に配置し、前記第１のコイルと前記第２のコイルとの間隔より、前記第２のコイルと前記シールドリングとの間隔を大きくするものである。これにより、前記シールドリングを前記第２のコイルの外周側に配置する場合、前記第１のコイルと前記第２のコイルの間隔より、前記第２のコイルと前記シールドリングの間隔を大きくすることにより、前記第２のコイルによる漏洩磁界低減効果を有効に活用し、前記第２のコイルを越えて外部へ漏洩する磁束を前記シールドリングで低減することができるため、二重シールド効果を十分に得ることができ、より漏洩磁界低減効果が大きくなる。
【００１５】
また、前記第１のコイルと前記第２のコイルの間に前記シールドリングを配設し、前記第１のコイルと前記シールドリングの間隔より、前記第２のコイルと前記シールドリングの間隔を大きくするものである。これにより、前記第１のコイルと前記第２のコイルの間に前記シールドリングを配設する場合、前記第１のコイルと前記シールドリングとの間隔より、前記第２のコイルと前記シールドリングとの間隔を大きくしてシールドリングで、前記第１のコイルから発生する磁界をシールドし、前記シールドリングを越えて外部へ漏洩する磁束を前記第２のコイルで低減することができるため、二重シールド効果を十分に得ることができ、より漏洩磁界の低減効果が大きくなる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
本発明の誘導加熱装置に係る各実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００１７】
（実施の形態１）
図１、図２は本発明の実施の形態１の誘導加熱装置を示すもので、図１が誘導加熱装置の平面構造図で、図２が断面構造図である。装置本体１１の上面に非磁性体によって形成されたトッププレート１２が装着されるとともに、このトッププレート１２の下方に、加熱コイル１３が加熱コイル支持台１４により配設される。
【００１８】
そして、この加熱コイル１３に高周波電源部１５から高周波電流を流すことにより、トッププレート１２上に載置された鉄、ステンレス等から構成する鍋等の加熱容器１６が誘導加熱される構成となっている。加熱コイル１３は、渦巻状に巻かれている第１のコイル１７と、この第１のコイル１７の磁界を打ち消す方向（第１のコイル１７に対して逆向き）に設けられた第２のコイル１８を直列に接続する構成となっている。また、第２のコイル１８は第１のコイル１７と所定の間隔をおいて同心となるように装置本体１１の内部に設けられている。
【００１９】
次に、本発明の実施の形態の漏洩磁界低減原理について詳細に説明する。一般に、コイルに電流を流すことにより発生する磁界は、電流の流れる方向の右ねじ方向に発生する。発生する磁界の強さはコイルのターン数及び流れる電流に比例する。また、コイルによって発生する任意の観測点での磁界の大きさは、その観測点からコイルまでの距離の２乗に反比例して変化する。
【００２０】
以上の原理により、第１のコイル１７と第２のコイル１８とを同心で逆向き電流が流れるように直列接続する構成とすることにより、第１のコイル１７と第２のコイル１８とに流れる電流によってお互いに発生する磁界を打ち消しあって、装置外部へ漏洩する磁界を低減する。このように、同一電流を逆向きに流すことで、シールドリングでは低減することができなかった直流電流による静磁界や、効果の少ない低周波交流電流による交番磁界を低減することができる。
【００２１】
従って、通常の誘導加熱装置が加熱コイル１３に流している電源周波数（６０／５０Ｈｚ）の低周波成分を含んだ高周波電流であっても、磁界低減効果が得られる。尚、通常の誘導加熱装置は高周波電源部１５内部で、ＡＣ電源（６０／５０Ｈｚ）を全波整流後スイッチングにより高周波電流を発生させているが、完全平滑（全波整流時）を行っておらず、電源周波数（６０／５０Ｈｚ）成分を含んだ高周波電流である。
【００２２】
又、第２のコイル１８は第１のコイル１７の外周側に配設されており、外部の観測点までの距離が第１のコイル１７より近いため、第２のコイル１８のターン数が第１のコイル１７のターン数より少なくても有効な低減効果を得ることができる。
【００２３】
実験では第１のコイル１７を２３ターン、第２のコイル１８を１ターンを直列逆方向に接続して、高周波電流（６０Ｈｚを２１ｋＨｚで変調）のピーク−ピーク８０Ａを流した時の装置から約１０ｃｍでの漏洩磁界低減効果は、第２のコイル１８の無い時に比べ、約２０％向上している。又、第２のコイル１８を３ターンにすると約８０％向上している。
【００２４】
尚、図２では第１のコイル１７、第２のコイル１８は共に加熱コイル支持台１４に配置されている一例を示しているが、本発明はこれに限るものでなく、第２のコイル１８を装置本体１１の内部周辺等別に配設（図示せず）してもよい。ただし、第１のコイル１７、第２のコイル１８を共に加熱コイル支持台１４に配置することで、加熱コイル１３を加工する時の作業性が良くなり、装置全体を低コストで提供できる。又、図１では第２のコイル１８は略正方形配設しているが、第２のコイル１８は略正方形配設する必要はなく、円形に配設してもよい。
【００２５】
また、加熱コイル１３を製作する同一工程（加熱コイル支持台に一体）で第１のコイル１７と磁界低減を行う第２のコイル１８とを作ることができるため、機器の小型化、薄型化を容易にでき、機器を安価に提供できる。
【００２６】
（実施の形態２）
図３は本発明の実施の形態２の誘導加熱装置の断面構造図である。第１のコイル１７の外径ａ、加熱容器１６の内径ｂ、第２のコイル１８の内径ｃを、それぞれの値がｃ＞ｂ＞ａとなるように配設している。
【００２７】
このようにｂ＞ａとなるように配置することで、第１のコイル１７から発生する磁束の大部分は、加熱容器１６の底部通り第１のコイル１７に戻り、内部で収束する。尚、磁束の無始無終性により、発生した磁束は、元の場所に戻り発散する事が無い。さらに、空気の比透磁率１に対して、鉄の比透磁率は約５０００で、鉄は空気などに比べて５０００倍磁束を通しやすいため、第１のコイル１７から発生する磁束は鉄等でできている加熱容器１６の底部を通り、最短距離で第１のコイル１７に戻る。
【００２８】
さらにｃ＞ｂとなるように配置することで、加熱容器１６を越えて外部へ漏洩する磁束に対して、第２のコイル１８による逆方向の磁束がお互いに打ち消し合い、磁界を低減することができる。
【００２９】
尚、第１のコイル１７と第２のコイル１８は、逆向きの磁界を発生してお互いに打ち消し合っているため、第１のコイル１７と第２のコイル１８を接近して配設すると、加熱容器１６の加熱効率を下げることになる。従って、第２のコイル１８の内径ｃは配置の制限が許す限り大きくするほうが良い。
【００３０】
又、こうすることで観測点から第１のコイル１７と第２のコイル１８の距離の差を大きくとることにもなり、磁界はコイルまでの距離の２乗に反比例して変化するため、第２のコイル１８の巻数を少なくして発生する磁界を小さくしても、第１のコイル１７から発生する磁界を十分打ち消すことができる。
【００３１】
（実施の形態３）
図４、図５は本発明の実施の形態３の誘導加熱装置を示すもので、図４が誘導加熱装置の平面構造図で、図５が図４のＡ−Ｂ断面での断面構造図である。
【００３２】
加熱コイル１３には高周波電流が流れており、加熱コイル１３の両端には数ｋＶの電圧が印可されている。加熱コイル１３の第２のコイル１８を低圧側に接続し、第１のコイル１７を高圧側に接続している。上記の接続構成とすることで、第２のコイル１８と他の電子部品１９との絶縁距離を考慮する必要が無くなり、装置をより小型化できる。
【００３３】
（実施の形態４）
図６は本発明の実施の形態４の誘導加熱装置の断面構造図である。加熱容器１６を載置するためのトッププレート１２に凸形状部１２ａを設け、凸形状部１２ａ内に第２のコイル１８が収納されるように配設したものである。
【００３４】
上記の構成とすることで、加熱コイル支持台１４に第１のコイル１７と第２のコイル１８を配設して、且つ、第２のコイル１８の巻数を多くして厚みが大きくなっても、加熱容器１６と第１のコイル１７を接近して配設することができる。
【００３５】
尚、誘導加熱は第１のコイル１７と加熱容器１６の距離が大きくなると加熱効率が下がる。従って、加熱効率を低下させずに第２のコイル１８を加熱コイル支持台１４配置すると、第２のコイル１８の厚みに制限が発生する。また、厚みを増やさないで外周方向へ巻数を多くする方法もあるが、装置全体が大きくなる欠点がある。
【００３６】
しかし、上記の構成とすることで、第２のコイル１８の厚み大きくすることができ、巻数を多くとることができるため、加熱効率を下げずに、漏洩磁界を低減することができる。さらに、トッププレート１２の凸形状部１２ａにより加熱容器１６がトッププレート１２からずり落ちたりするのを防止する効果がある。
【００３７】
（実施の形態５）
図７は本発明の実施の形態５を示す誘導加熱装置のシールドリングの配置を示す断面構造図である。第２のコイル１８の外周側に導電材料からなるシールドリング２０を配設している。上記の構成により第２のコイル１８による磁界低減効果とシールドリング２０による磁界低減効果が２重に働き、より漏洩磁界低減効果がある。又、第１のコイル１７と第２のコイル１８と間の距離ｄ、第２のコイル１８とシールドリング２０との間の距離ｅを、ｅ＞ｄとなるように配設している。
【００３８】
このようにｅ＞ｄとなるように配置することで、第１のコイル１７から発生し、加熱容器１６を越えて漏洩する磁束を第２のコイル１８の磁束で打ち消す。さらに外部へ漏洩する磁束はシールドリング２０を通ることになるため、逆起電力が発生しシールドリング２０の発生する磁束により打ち消され、より漏洩磁界低減効果が向上する。なお、ｅ＜ｄの位置関係であれば、第１のコイル１７の発生する磁束を打ち消すために発生させている第２のコイル１８の磁束を、シールドリング２０で打ち消すことになり低減効果が減少してしまうことになる。
【００３９】
実験では第１のコイル１７を２３ターン、第２のコイル１８を１ターンを直列逆方向に接続した場合と、さらに内径約１９０ｍｍ、外径約２２５ｍｍ、厚み８ｍｍ、材質銅のシールドリングを追加した場合の漏洩磁界の低減効果を比較すると、高周波電流（６０Ｈｚを２１ｋＨｚで変調）のピーク−ピーク８０Ａを流した時の装置から約１０ｃｍでの測定で、漏洩磁界の低減効果は約１００％（２倍）向上している。
【００４０】
（実施の形態６）
図８は本発明の実施の形態６を示す誘導加熱装置のシールドリングの配置を示す断面構造図である。第１のコイル１７と第２のコイル１８の間にシールドリング２０を配設し、第１のコイル１７とシールドリング２０の距離ｆ、シールドリング２０と第２のコイル１８との間の距離ｇを、ｇ＞ｆとなるように配設している。
【００４１】
このようにｇ＞ｆとなるように配置することで、第１のコイル１７から発生し、加熱容器１６を越えて漏洩する磁束はシールドリング２０を通ることになるため、逆起電力が発生しシールドリング２０の発生する磁束により打ち消される。さらに外部へ漏洩する磁束に対して第２のコイル１８の発生する磁束により、より漏洩磁界の低減効果が向上する。
【００４２】
なお、ｇ＜ｆという関係であれば、第２のコイル１８とシールドリング２０が近いため、第２のコイル１８の磁束がシールドリング２０を通りやすくなるため、シールドリング２０で外部漏洩磁界キャンセルのための第２のコイル１８の磁束を打ち消すことになりトータルの低減効果が減少してしまうことになる。
【００４３】
【実施例】
本発明の実施例では、具体的に漏洩磁界の低減効果を確認すると共に、電磁調理器からの不要電磁界輻射を低減しエネルギーの有効利用を図るため、コイル本体へのシールドリング（ショートリング）やキャンセルコイルの取り付けを想定した電磁界シミュレーションを実施し、コイルから発生する不要電磁界の低減効果を確認した。また、それらの改造を加えた試作品を実際に作製し、その実測結果からシミュレーション結果の検証を行った。
【００４４】
不要電磁界を低減する方法としては、上記実施の形態にて説明したように、（ａ）シールドリングを用いる方法、（ｂ）外側のコイルを逆向きに巻く方法〔キャンセルコイル（第２のコイル）〕の２つの対策手法を採用し、下記のようなシミュレーションによる解析および実測を実施した。なお、今回用いたシミュレータは、有限要素法を採用した市販シミュレータ、Ａｎｓｏｆｔ社のＭａｘｗｅｌｌ−ＥＮを用いた［参考文献としては、山下栄吉他、電磁波問題の基礎解析法、通信情報学会（１９８７）］。
【００４５】
また、形状モデルとしては、図９に示すように電磁調理器のコイル（銅）、鍋（鉄）、シールドリング（銅、もしくはアルミニウム）に関して軸対称のモデル化を実施した。なお、低減効果を明確にするため、観測点を通常の測定（シールドリング端より３０ｃｍ）より近傍（シールドリング端より１０ｃｍ）に設定した。
【００４６】
また、コイルを流れる電流のモデル化に関しては、実測波形をフーリエ変換し、各周波数での電流値を算出し、下記のシミュレーションでは磁界の発生主要因と考えられる直流、６０Ｈｚ、２１ＫＨｚの各成分に関して解析を実施した。
【００４７】
（ａ）シールドリングによる低減効果
表１に示す内容でシミュレーションおよび実測を実施した結果を図１１に示す。
【００４８】
【表１】
0003602709.tif 000002
【００４９】
対策１−１と対策１−２の比較から、板厚を厚くするほど不要磁界が減少する傾向をシミュレーションで確認可能なことが判明した。また、対策１−１と対策１−３および対策１−２と対策１−３の比較から材質の違い、即ち導電率の影響を考慮した効果もシミュレーションで確認できることが判明した。
【００５０】
また、シールドリングによる低減効果では、直流成分を低減できないことが明らかとなった。
【００５１】
（ｂ）キャンセルコイルによる低減効果
キャンセルコイルによる漏洩磁界の低減効果を解析するための形状モデルとしては、図９に示すシールドリングを削除し、通常の外側のコイルから５ｍｍ離した位置に表２に示す内容でキャンセルコイル（外側のコイルと逆巻きコイル、即ち、第２のコイル）を配置し、シミュレーションおよび実測を実施した結果を図１２に示す。
【００５２】
【表２】
0003602709.tif 000003
【００５３】
対策２−１と対策２−２の結果比較から、キャンセルコイルの巻数の不要磁界に及ぼす影響をシミュレーションで確認可能なことが判明した。また、直流成分に関しての低減効果は得られるが、交流成分に関しては、図１１に示すシールドリングほどの低減効果が得られないことが判明した。
【００５４】
（ｃ）２つの低減化手段を組み合わせた低減効果
（ａ）および（ｂ）で示した低減化手法を組み合わせることで直流及び交流により発生する磁界を低減効果をシミュレーションで実施した。上記対策１−３、２−２の各対策単独の場合、両対策を併用した場合の解析結果を図１３に示す。
【００５５】
図１３に示す比較結果から、直流，６０Ｈｚ，２１ＫＨｚの全てにおいて、両対策を組み合わせることで低減効果を高めることが可能なことを確認した。
【００５６】
以上の結果をまとめると、電磁調理器を例に、シールドリングの設置、コイルの巻方変更により、不要電磁界低減効果を電磁界シミュレータを用いて予測可能であることを確認できた。
【００５７】
また、シミュレーションによる磁束密度のオーダーと実測結果のオーダーは一致した。直流成分に関しては、ショートリングによる磁束密度の削減効果はほとんど無いことが解った。
【００５８】
なお、材質がアルミニウムのショートリングの枚厚を変更した結果、アルミニウムの場合は板厚を２０ｍｍ以上に増やしても低減効果が得られないという実測結果とシミュレーション結果の一致が得られた。同様に、材質が銅のショートリングの枚厚を変更し、銅の場合は板厚を５ｍｍ以上に増やしても低減効果が得られないという実測結果とシミュレーション結果の一致が得られた。
【００５９】
【発明の効果】
本発明の誘導加熱装置は上記のように構成するため、低周波磁界の装置外部へ磁界漏洩を阻止することができ、映像・音声電気製品に対してノイズ防止、人体への磁界の影響を防止することができる。
【００６０】
また、第２のコイルを高周波電源部の低圧側に接続することで他の電子部品等との絶縁距離が少なくできる。さらに、請求項４によれば、トッププレートの凸形状部内に第２のコイルが収納することで第２のコイルの外径を小さくできるため、より機器の小型化、薄型化できる。
【００６１】
磁界を低減する第２のコイルとシールドリングを２重に用いることで、より磁界低減効果を大きくこることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１を示す誘導加熱装置の平面構造図である。
【図２】図１の誘導加熱装置の断面構造図である。
【図３】本発明の実施の形態２を示す誘導加熱装置の断面構造図である。
【図４】本発明の実施の形態３を示す誘導加熱装置の平面構造図である。
【図５】図４のＡ−Ｂ断面における断面構造図である。
【図６】本発明の実施の形態４を示す誘導加熱装置の断面構造図である。
【図７】本発明の実施の形態５を示す誘導加熱装置のシールドリングの配置を示す断面構造図である。
【図８】本発明の実施の形態６を示す誘導加熱装置のシールドリングの配置を示す断面構造図である。
【図９】本実施例の解析形状モデルを示す断面図である。
【図１０】フーリエ変換後の電流波形図である。
【図１１】シールドリングによる磁界低減効果を示す図である。
【図１２】キャンセルコイルによる磁界低減効果を示す図である。
【図１３】シールドリングとキャンセルコイルとを組み合わせた場合の磁界低減効果を示す図である。
【符号の説明】
１２  トッププレート
１３  加熱コイル
１４  加熱コイル支持台
１５  高周波電源部
１６  加熱容器
１７  第１のコイル
１８  第２のコイル
２０  シールドリング
【図１】
0003602709.tif 000004
【図２】
0003602709.tif 000005
【図３】
0003602709.tif 000006
【図４】
0003602709.tif 000007
【図５】
0003602709.tif 000008
【図６】
0003602709.tif 000009
【図７】
0003602709.tif 000010
【図８】
0003602709.tif 000011
【図９】
0003602709.tif 000012
【図１０】
0003602709.tif 000013
【図１１】
0003602709.tif 000014
【図１２】
0003602709.tif 000015
【図１３】
0003602709.tif 000016