【手続補正書】
【提出日】平成29年3月30日(2017.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
底部、第１の側壁及び第２の側壁を有するトレンチと、
該トレンチ内に配置された層であって、このトレンチの前記底部上に配置された底部区分と前記第１の側壁及び前記第２の側壁上に配置された側壁区分とを有する前記層と
を具えるリプレースメントメタルゲートトランジスタにおいて、
前記層の前記側壁区分が前記層の前記底部区分よりも少なくとも５０％だけ薄肉となっているリプレースメントメタルゲートトランジスタ。
【請求項２】
請求項１に記載のリプレースメントメタルゲートトランジスタにおいて、前記層は第１の層であり、前記リプレースメントメタルゲートトランジスタが更に、前記トレンチ内に配置された第２の層を具えており、該第２の層は、前記第１の層の前記底部区分上に配置された底部区分と前記第１の層の前記側壁区分上に配置された側壁区分とを有しているリプレースメントメタルゲートトランジスタ。
【請求項３】
請求項２に記載のリプレースメントメタルゲートトランジスタにおいて、前記第２の層は前記第１の層を覆うように配置されているリプレースメントメタルゲートトランジスタ。
【請求項４】
請求項３に記載のリプレースメントメタルゲートトランジスタにおいて、前記第２の層は、ケイ酸ハフニウム、ケイ酸ジルコニウム、二酸化ハフニウム及び二酸化ジルコニウムの群から選択した材料から形成されているリプレースメントメタルゲートトランジスタ。
【請求項５】
請求項３に記載のリプレースメントメタルゲートトランジスタにおいて、前記リプレースメントメタルゲートトランジスタが更に、前記トレンチ内に配置された接点層を具えているリプレースメントメタルゲートトランジスタ。
【請求項６】
請求項１に記載のリプレースメントメタルゲートトランジスタにおいて、前記層の前記底部区分の厚さが少なくとも２ナノメートルであり、前記層の前記側壁区分の厚さが１ナノメートル以下であるリプレースメントメタルゲートトランジスタ。
【請求項７】
請求項１に記載のリプレースメントメタルゲートトランジスタにおいて、前記層が窒化チタンを含む材料から形成されているリプレースメントメタルゲートトランジスタ。
【請求項８】
底部、第１の側壁及び第２の側壁を有するトレンチと、
該トレンチ内に配置された誘電体層であって、前記トレンチの前記底部上に配置された底部区分と前記第１の側壁及び前記第２の側壁上に配置された側壁区分とを有する前記誘電体層と、
前記トレンチ内に配置された金属層であって、前記誘電体層の前記底部区分上に配置された底部区分及び前記誘電体層の前記側壁区分上に配置された側壁区分を有する前記金属層と
を具えるリプレースメントメタルゲートトランジスタにおいて、
前記金属層の前記側壁区分が部分的に前記第１の側壁及び前記第２の側壁の上方に延在し、前記誘電体層の前記側壁区分の少なくとも一部分が前記金属層により被覆されないようになっているリプレースメントメタルゲートトランジスタ。
【請求項９】
請求項８に記載のリプレースメントメタルゲートトランジスタにおいて、前記金属層が第１の金属層であり、前記リプレースメントメタルゲートトランジスタが更に、前記トレンチ内に配置された第２の金属層を具えており、該第２の金属層は前記第１の金属層の前記底部区分上に配置された底部区分と前記第１の金属層の前記側壁区分上に配置された側壁区分とを有しており、前記第２の金属層の前記側壁区分が部分的に前記第１の側壁及び前記第２の側壁の上方に延在し、前記誘電体層の前記側壁区分の少なくとも一部分が前記第１の金属層又は前記第２の金属層により被覆されないようになっているリプレースメントメタルゲートトランジスタ。
【請求項１０】
請求項９に記載のリプレースメントメタルゲートトランジスタにおいて、該リプレースメントメタルゲートトランジスタが更に、前記トレンチ内に配置された接点層を具えているリプレースメントメタルゲートトランジスタ。
【請求項１１】
請求項１０に記載のリプレースメントメタルゲートトランジスタにおいて、前記接点層が前記第２の金属層の前記底部区分と、部分的に前記第１の側壁及び前記第２の側壁の上方に延在する前記第２の金属層の前記側壁区分と、前記第２の金属層により被覆されていない前記誘電体層の前記側壁区分との上に配置されているリプレースメントメタルゲートトランジスタ。
【請求項１２】
請求項８に記載のリプレースメントメタルゲートトランジスタにおいて、前記金属層の前記側壁区分は前記金属層の前記底部区分よりも少なくとも５０％だけ薄肉となっているリプレースメントメタルゲートトランジスタ。
【請求項１３】
請求項１２に記載のリプレースメントメタルゲートトランジスタにおいて、前記金属層の前記底部区分の厚さは少なくとも２ナノメートルであり、前記金属層の前記側壁区分の厚さは１ナノメートル以下であるリプレースメントメタルゲートトランジスタ。
【請求項１４】
請求項９に記載のリプレースメントメタルゲートトランジスタにおいて、前記第２の金属層の前記側壁区分は前記第２の金属層の前記底部区分よりも少なくとも５０％だけ薄肉となっているリプレースメントメタルゲートトランジスタ。
【請求項１５】
請求項１４に記載のリプレースメントメタルゲートトランジスタにおいて、前記第２の金属層の前記底部区分の厚さは少なくとも２ナノメートルであり、前記第２の金属層の前記側壁区分の厚さは１ナノメートル以下であるリプレースメントメタルゲートトランジスタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【図１Ａ】図１Ａは、ＲＭＧトランジスタの一製造工程を示す線図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは、前記ＲＭＧトランジスタの他の製造工程を示す線図である。
【図１Ｃ】図１Ｃは、前記ＲＭＧトランジスタの更に他の製造工程を示す線図である。
【図１Ｄ】図１Ｄは、前記ＲＭＧトランジスタの更に他の製造工程を示す線図である。
【図１Ｅ】図１Ｅは、前記ＲＭＧトランジスタの更に他の製造工程を示す線図である。
【図２Ａ】図２Ａは、本発明の少なくとも幾つかの実施例により製造されるＲＭＧトランジスタの一製造工程を示す線図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは、本発明の前記ＲＭＧトランジスタの他の製造工程を示す線図である。
【図２Ｃ】図２Ｃは、本発明の前記ＲＭＧトランジスタの更に他の製造工程を示す線図である。
【図３Ａ】図３Ａは、本発明の少なくとも幾つかの実施例により製造される他のＲＭＧトランジスタの一製造工程を示す線図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、本発明の前記他のＲＭＧトランジスタの他の製造工程を示す線図である。
【図４Ａ】図４Ａは、本発明の少なくとも幾つかの実施例により製造される更に他のＲＭＧトランジスタの一製造工程を示す線図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、本発明の前記更に他のＲＭＧトランジスタの他の製造工程を示す線図である。
【図５Ａ】図５Ａは、本発明の少なくとも幾つかの実施例により製造される別のＲＭＧトランジスタの一製造工程を示す線図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、本発明の前記別のＲＭＧトランジスタの他の製造工程を示す線図である。
【図５Ｃ】図５Ｃは、本発明の前記別のＲＭＧトランジスタの更に他の製造工程を示す線図である。
【図５Ｄ】図５Ｄは、本発明の前記別のＲＭＧトランジスタの更に他の製造工程を示す線図である。
【図６】図６は、本発明の少なくとも幾つかの実施例により製造される更なる他のＲＭＧトランジスタの構成を示す線図である。
【図７】図７は、本発明の少なくとも幾つかの実施例に応じて全てを構成配置するＲＭＧトランジスタを形成する方法を示すフローチャートである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
図１Ｅは、トレンチ１１０内に“接点層”１４８を充填したＲＭＧトランジスタ１００を示す線図である。接点層１４８は一般に、トレンチの長手方向に沿う導電体の主通路として作用する。従って、接点層１４８に対する材料は電気抵抗率が比較的低い材料（例えば、タングステン又はアルミニウム）から選択する。図１Ｅに示すように、接点層１４８は第３の層１４６を覆うようにトレンチ１１０の空いた部分内に堆積され、ＲＭＧ１４０を形成している。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
図１Ｅに示すトランジスタのような複数のトランジスタが形成された集積回路（ＩＣ）の動作速度は、トレンチ１１０に沿う電気抵抗により、且つこのような２つのトレンチ間の静電容量によっても制限される。従って、このようなＩＣの性能は、ＲＭＧ層の少なくとも幾つか（例えば、第１の層１４２、第２の層１４４又は第３の層１４６）をトレンチの内側側壁面１１４及び１１６から除去することにより改善しうる。一般的に電気抵抗が比較的高いこれらのＲＭＧ層を除去することにより、電気抵抗率が比較的低い接点層１４８に対するスペースが多くなり、その結果、全体の電気抵抗率がより低いＲＭＧトランジスタ１００が得られる。更に、一般的に誘電率が高い第１の層１４２を除去することにより２つのこのようなＲＭＧトランジスタ間の静電容量を低減させる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
ＲＭＧ１４０の各層は、適切に機能するようにするために、それぞれ対応する最小の厚さ（例えば、２ナノメートル等）を有するようにしうることは明らかである。従って、装置の寸法が継続的に縮小するにつれ、ゲート幅はＲＭＧ１４０の種々の層を適切に堆積させるのに充分でなくなるおそれがある。例えば、ゲート幅は約２×Ｎlayers×Ｔickmin の理論的な最小限界を有しうる。ここで、ＮlayersはＲＭＧ１４０の層数に等しく、Ｔickmin は各層当りの最小厚さに等しい。更に、図１Ａ〜１Ｅに示すように、トレンチ１１０の頂部付近の幅はトレンチ１１０の底部１１２付近の幅よりも迅速に減少するおそれがある。従って、トレンチ１１０の底部１１２上の接点層１４８の堆積は、通常の技術を用いることによっては困難となるおそれがある。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
図１Ａ〜１Ｅを参照して説明したＲＭＧトランジスタ１００は例示の目的でのみ提供したものであり、本発明はこれに限定されるものではないこと明らかである。本発明の種々の実施例は、図１Ａ〜１Ｅにつき説明したのと類似する構成要素を有するＲＭＧトランジスタを処理するのに適用しうるものである。或いはまた、本発明の種々の実施例は、図１Ａ〜１Ｅにつき説明したのとは異なる構成要素を有する（例えば、異なる層数、異なる製造材料、等を有する）ＲＭＧトランジスタを処理するのに適用しうる。例えば、ＲＭＧトランジスタは上述したよりも多い又は少ない層を有するようにしうる。特に、ＲＭＧトランジスタは、図１Ｅに示す第１の層１４２、第２の層１４４及び第３の層１４６のような全部で３つのみの層を有するようにしうるか、又は図１Ｅに示していない追加の層を有するようにしうる。以下に例示する実施例は３つの層を有するＲＭＧトランジスタを参照しているが、これらは本発明を明瞭にするために開示するものであり、本発明はこれらに限定されるものではないことは明らかである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
上述したように、本発明の種々の実施例はＲＭＧトランジスタの製造に際してのトレンチのアスペクト比を減少させるのに適用しうる。例えば、本発明の種々の実施例は図１Ａ〜１Ｅに示すトレンチ１１０のアスペクト比を減少させるのに適用しうる。トレンチ１１０のアスペクト比は例えば、層（例えば、第１の層１４２、第２の層１４４及び第３の層１４６の何れか又はこれらの任意の組合せ）の一部を内側側壁面１１４及び１１６から除去することにより減少させることができる。本発明の少なくとも幾つかの実施例では、エッチング、スパッタリング又はその他により層の一部を内側側壁面から除去するように構成した斜めのイオンビームを用いて層の一部を除去するようにしうる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
図２Ａは、本発明の少なくとも幾つかの実施例により配置したＲＭＧトランジスタ２００を示す線図である。図示するように、代表的にゲートラインの電気抵抗を減少させる目的で電気抵抗率を比較的低くした接点層を堆積する以前のＲＭＧトランジスタ２００が示されている。このＲＭＧトランジスタ２００は、側壁２２２及び２２４と基板２１０との間に形成されたトレンチ２０２内に堆積された第１の層２４２を有している。ある例では、この第１の層２４２を誘電体層と称することができる。この図２Ａには、第２の層２４４及び第３の層２４６をも示してある。ある例では、これらの第２の層２４４及び第３の層２４６をそれぞれ第１の金属層及び第２の金属層と称することができる。この図２Ａには、斜めのイオンビーム２５２を発生するイオン源２５０をも示してある。この斜めのイオンビーム２５２は側壁２２２上に形成された第１の層２４２、第２の層２４４及び第３の層２４６に入射されている。一般に、この斜めのイオンビーム２５２は、側壁２２２上に形成された第１の層２４２、第２の層２４４及び第３の層２４６の何れか又はこれらの任意の組合せから（例えば、スパッタリング、エッチング、等を介して）材料を少なくとも部分的に除去するのに用いることができる。ある例では、（底部２１２に対し垂直なライン２５６に対して測定した）斜めのイオンビーム２５２の角度２５４ａは、イオンビームが側壁２２２に入射されるが底部２１２には入射されないように選択することができる。より明瞭に言えば、イオンビーム２５２が側壁２２４により遮断される為に（例えば、破線領域２１４により示す）底部２１２上の材料が斜めのイオンビーム２５２により殆ど除去されないように角度２５４ａを選択することができる。ある実施例では、イオンビーム２５２が材料をスパッタリングして、このスパッタリングされた材料のかなりの量を物理的にトレンチ内に再堆積させるおそれがある場合と相違して、このイオンビーム２５２により反応性イオンエッチングを促進させてエッチングされた材料の殆ど全てを化学的に揮発させるようにする。除去された材料がトレンチ内に再堆積されることは望ましくならない場合がある。その理由は、ＲＭＧトランジスタの性能は、種々の層の構成要素やこれらの表面及び界面の状態に感応する為である。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
図２Ｂは、本発明の少なくとも幾つかの実施例に応じて配置したＲＭＧトランジスタ２００を示す線図である。図示するように、側壁２２２上に形成された第１の層２４２、第２の層２４４及び第３の層２４６から材料を除去した後のＲＭＧトランジスタが示されている。斜めのイオンビーム２５２は側壁２２４上に形成された第１の層２４２、第２の層２４４及び第３の層２４６上に入射されている。斜めのイオンビーム２５２は一般に、側壁２２２上に形成された第１の層２４２、第２の層２４４及び第３の層２４６の何れか又はこれらの任意の組合せから（例えば、スパッタリング、エッチング、等を介して）材料を少なくとも部分的に除去するのに用いることができる。ある例では、（底部２１２に対し垂直なライン２５６に対して測定した）斜めのイオンビーム２５２の角度２５４ｂは、イオンビームが側壁２２２に入射されるが底部２１２には入射されないように選択することができる。より明瞭に言えば、イオンビーム２５２が側壁２２２により遮断される為に（例えば、破線領域２１４により示す）底部２１２上の材料がイオンビーム２５２により殆ど除去されないように角度２５４ｂを選択することができる。ある実施例では、イオン源２５０を図２Ａに示す配置から移動、調整又は回転させて、斜めのイオンビーム２５２が図２Ｂに示すように側壁２２４上に入射されるようにすることができる。イオンビームの軌道を言及する際の上述した用語“殆ど”は、１０％よりも少ないことを意味するものである。例えば、図２Ａ及び図２Ｂは、イオンビーム２５２が側壁２２２及び２２４に入射するが底部２１２には入射しないことを示している。実際には、イオンビーム２５２から僅かなイオンが底部２１２に入射するおそれがある。従って、用語“殆ど”は、イオンビーム２５２からイオンの僅かな部分（例えば、１０％以下）が底部２１２に入射されることを表すのに用いることができる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
図２Ｃは、本発明の少なくとも幾つかの実施例に応じて配置したＲＭＧトランジスタ２００を示す線図である。図示するように、斜めのイオンビーム２５２により、ＲＭＧトランジスタ２００の側壁２２２及び２２４上に形成された第１の層２４２、第２の層２４４及び第３の層２４６から材料を除去してある。更に、トレンチ内に且つ第１の層２４２、第２の層２４４及び第３の層２４６の残存材料上に堆積された接点層２４８が示されている。底部の区分（例えば、２１４）の厚さ又は第１の層２４２、第２の層２４４及び第３の層２４６の何れか又はこれらの任意の組合せの側壁の区分の厚さを参照する際にここで用いる用語“殆ど”は少なくとも５０％を意味するものである。例えば、図２Ｃは、トレンチ２０２の底部２１２上の材料が元の材料の少なくとも５０％を有していることを示している。これとは逆に、側壁２２２及び２２４上の材料は５０％よりも多く除去されているものとして示してある。従って、ここで用いる、殆ど除去されないとは、元の材料の少なくとも５０％が残っていることを意味し、殆ど除去されたとは、元の材料の少なくとも５０％が除去されたことを意味する。
（実施例２）
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
図３Ｂは、本発明の少なくとも幾つかの実施例に応じて配置したＲＭＧトランジスタ３００を示す線図である。図示するように、斜めのイオンビーム３５２により、ＲＭＧトランジスタ３００の側壁３２２及び３２４上に形成された第１の層３４２、第２の層３４４及び第３の層３４６から材料を除去してある。更に、トレンチ内に且つ第１の層３４２、第２の層３４４及び第３の層３４６の残存材料上に接点層３４８が堆積されている。
（実施例３）
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
図４Ｂは、本発明の少なくとも幾つかの実施例によるＲＭＧトランジスタ４００を示す線図である。図示するように、図４Ａに示す領域４０４から材料が除去されたＲＭＧトランジスタ４００が示されている。第１の層４４２においては側壁４２２及び４２４からの材料の除去が停止されている。従って、第１の層４４２は図４Ａに示すこの層から殆ど変化しないものとして示されている。更に、トレンチ内に且つ第１の層４４２、第２の層４４４及び第３の層４４６の残存材料上に堆積された接点層４４８が示されている。
（実施例４）
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
図５Ｂは、本発明の少なくとも幾つかの実施例に応じて配置したＲＭＧトランジスタ５００を示す線図である。図示するように、側壁５２２及び５２４上に形成した第１の層５４２から材料を除去した後のＲＭＧトランジスタ５００が示されている。更に、第２の層５４４がトレンチ５０２内に堆積されている。図示するように、この第２の層５４４はトレンチ５０２の底部５１２上の第１の層５４２を覆うように堆積されている。しかし、図５Ａにつき説明したように、第１の層５４２は側壁５２２及び５２４から除去されている為、第２の層５４４は側壁５２２及び５２４上に直接堆積されたものとして示してある。上述したように、ある例では、少量の第１の層５４２を側壁５２２及び５２４上に残存させることができる。しかし、これらの少量の第１の層は図面を明瞭にする目的で図５Ｂには図示していない。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
斜めのイオンビーム５５２を発生するイオン源５５０も図示してある。ある実施例では、斜めのイオンビーム５５２が側壁５２２及び５２４に入射されるが底部５１２には入射されないように、この斜めのイオンビーム５５２を発生させるようにイオン源５５０を構成することができる。より明瞭に言えば、側壁５２２及び５２４上の材料が斜めのイオンビーム５５２により殆ど除去されるが、イオンビーム５５２が側壁５２２及び５２４により遮断される為に（例えば、破線領域５１４により示す）底部５１２上の材料が斜めのイオンビーム５５２により殆ど除去されないように角度５５４を選択することができる。実際には、第２の層５４４の一部分が側壁５２２及び５２４上に残るようにすることができることは明らかである。例えば、第２の層５４４の殆ど全てを側壁５２２及び５２４から除去するようにしうる。しかし、斜めのイオンビーム５５２が材料を除去するのに用いられた後に少量の（例えば、１ナノメートル等よりも少ない）材料が側壁５２２及び５２４上に残存するようにしうる。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
図５Ｃは、本発明の少なくとも幾つかの実施例に応じて配置したＲＭＧトランジスタ５００を示す線図である。図示するように、側壁５２２及び５２４上に形成した第２の層５４４から材料を除去した後のＲＭＧトランジスタ５００が示されている。更に、第３の層５４６がトレンチ５０２内に堆積されている。図示するように、この第３の層５４６はトレンチ５０２の底部５１２上の第２の層５４４を覆うように堆積されている。しかし、図５Ｂにつき説明したように、第２の層５４４は側壁５２２及び５２４から除去されている為、第３の層５４６は側壁５２２及び５２４上に直接堆積されたものとして示してある。上述したように、ある例では、少量の第２の層５４４を側壁５２２及び５２４上に残存させることができる。しかし、これらの少量の第２の層は図面を明瞭にする目的で図５Ｃには図示していない。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
斜めのイオンビーム５５２を発生するイオン源５５０も図示してある。ある実施例では、斜めのイオンビーム５５２が側壁５２２及び５２４に入射されるが底部５１２には入射されないように、この斜めのイオンビーム５５２を発生させるようにイオン源５５０を構成することができる。より明瞭に言えば、側壁５２２及び５２４上の材料が斜めのイオンビーム５５２により殆ど除去されるが、イオンビーム５５２が側壁５２２及び５２４により遮断される為に（例えば、破線領域５１４により示す）底部５１２上の材料が斜めのイオンビーム５５２により殆ど除去されないように角度５５４を選択することができる。実際には、第３の層５４６の一部分が側壁５２２及び５２４上に残るようにすることができることは明らかである。例えば、第３の層５４６の殆ど全てを側壁５２２及び５２４から除去するようにしうる。しかし、斜めのイオンビーム５５２が材料を除去するのに用いられた後に少量の（例えば、１ナノメートル等よりも少ない）材料が側壁５２２及び５２４上に残存するようにしうる。又、第１の層５４２の厚さ全体の一部分が側壁５２２及び５２４の底部付近に残存するようにしうることも明らかである。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
図７は、本発明の少なくとも幾つかの実施例に応じて配置したＲＭＧトランジスタを形成する方法を示すフローチャートである。この方法は一般に、図３Ａ及び３ＢのＲＭＧトランジスタ３００、イオン源３５０及び斜めのイオンビーム３５２につき説明したものである。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
この方法はステップ７１０で開始される。このステップ７１０では、材料の層（例えば、第１の層３４２、第２の層３４４及び第３の層３４６の何れか又はこれらの任意の組合せ）をトレンチ内に堆積する。ステップ７１０からステップ７２０に移り、トレンチ内に堆積された材料の少なくとも一部分をトレンチの側壁３２２及び３２４から除去する。特に、トレンチの底部３１２上に堆積された材料を殆ど除去することなしに、側壁３２２及び３２４上に形成された堆積層から材料を（例えば、エッチング、スパッタリング、等を介して）除去するのにイオン源３５０及び斜めのイオンビーム３５２を用いる。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
ステップ７２０からステップ７３０に移り、所望の層の全てがトレンチ内に堆積されたか否かに関する決定を行う。これらの全ての層が堆積された場合、処理がステップ７４０に移り（Yes で示す）、トレンチ内に接点層を堆積でき、次いで処理をステップ７５０で終了させることができる（End で示す）。しかし、追加の層を堆積する必要がある場合には、処理をステップ７１０に戻すことができ（Noで示す）、ここで他の層をトレンチ内に堆積させることができる。
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
ある例では、複数の層を堆積し、次いで側壁３２２及び３２４上に形成されたこれらの堆積層の１つ以上の材料を除去するようにしうる。他の例では、単一の層を堆積し、次いで側壁３２２及び３２４上に形成されたこの層の材料を他の層の堆積以前に除去するようにしうる。
【手続補正２１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１Ｃ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１Ｃ】
2016526788.tif 000001
【手続補正２２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１Ｄ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１Ｄ】
2016526788.tif 000002