Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【誤訳訂正書】
【提出日】平成29年2月24日(2017.2.24)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
核酸を等温で増幅する際に使用される混合物を形成するために組み合わせ可能な試薬のキットであって、
試薬のキットは、マグネシウム塩、ＮａＯＨ、ＫＯＨ又はＬｉＯＨから選択されるアルカリ塩基、および第４級アンモニウム塩、塩化アンモニウム、または塩酸グアニジンの少なくとも１つを含み、
ここで該混合物は、１０ｍＭ未満の緩衝能を有する、ことを特徴とするキット。
【請求項２】
混合物の緩衝能は、当該混合物に当てられたセンサーによって検出されるｐＨ変化の閾値によって割られた増幅中に放出されたプロトンの濃度の予測値未満に設定される、ことを特徴とする請求項１に記載のキット。
【請求項３】
混合物の緩衝能は、当該混合物に当てられたセンサーによって検出されるｐＨ変化の閾値によって割られた増幅中に放出されたプロトンの濃度の予測値の２分の１未満に設定される、ことを特徴とする請求項１に記載のキット。
【請求項４】
検知されるｐＨ変化の閾値は前記センサーの検出限界である、ことを特徴とする請求項２または３に記載のキット。
【請求項５】
増幅の動作条件での混合物の緩衝能は、５ｍＭ未満である、ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のキット。
【請求項６】
混合物は、緩衝剤をさらに含み、緩衝剤は、トリス、Ｈｅｐｅｓ、ＢｉｃｉｎｅおよびＭＯＰＳから成る群から選択される、ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載のキット。
【請求項７】
混合物中の緩衝剤の濃度は、５ｍＭ未満である、ことを特徴とする請求項６に記載のキット。
【請求項８】
混合物は、硫酸化合物をさらに含み、混合物中の硫酸化合物の濃度は、１５ｍＭ未満である、ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載のキット。
【請求項９】
混合物中の第４級アンモニウム塩、塩化アンモニウム、または塩酸グアニジンの濃度は、２ｍＭから１５ｍＭの間にある、ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載のキット。
【請求項１０】
アルカリ塩基の濃度を、混合物のｐＨが、６から９の間になるように設定する、ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれかに記載のキット。
【請求項１１】
核酸の増幅で使用される１つ以上のプライマーをさらに含み、プライマーは、増幅が標的核酸の存在を示すように、対立遺伝子に特異的である、ことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれかに記載のキット。
【請求項１２】
核酸の増幅をモニタリングする方法であって、
該方法は、
ｐＨセンサーまたはｐＨ指示薬に対して、請求項１乃至１１のいずれかの試薬のキットを用いて、核酸と混合物を提供する工程、
等温の増幅を用いて核酸を増幅する工程、および、
ｐＨセンサーまたはｐＨ指示薬を用いて、増幅によるｐＨの変化を検知する工程を含む、方法。
【請求項１３】
あらかじめ決められた量の変化以上に混合物のｐＨを変化させるために必要な反応時間を決定する工程と、
前記反応時間に基づいて核酸の出発濃度を定量化する工程をさらに含む、ことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
混合物は、核酸の標的の一塩基多型（ＳＮＰ）に相補的な少なくとも１つの塩基を有する１つ以上の対立遺伝子に特異的なプライマーを含み、前記方法は、ｐＨセンサーまたはｐＨ指示薬によって検知されるように、増幅が進行するかどうかに依存して、核酸の前記少なくとも１つの塩基を特定する工程をさらに含む、ことを特徴とする請求項１２または１３に記載の方法。
【請求項１５】
増幅は、混合物の緩衝能の１０％以上混合物のプロトン濃度を変化させる、ことを特徴とする請求項１２乃至１４のいずれか１つに記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
本発明の第１の態様によれば、核酸を等温で増幅する際に使用される混合物を形成するために組み合わせ可能な試薬のキットが提供され、試薬のキットは、マグネシウム塩、第４級アンモニウム塩、アルカリ塩基を含む。混合物の緩衝能は当該混合物に当てられたセンサーによって検出されるｐＨ変化の閾値によって割られた増幅中に放出されたプロトンの濃度の予測値未満に設定されてもよい。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１１】
混合物の緩衝能は、当該混合物に当てられたセンサーによって検出されるｐＨ変化の閾値によって割られた増幅中に放出されたプロトンの濃度の予測値の２分の１未満に設定されてもよい。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成29年2月6日(2017.2.6)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５３】
例示的な酸素保護基として、限定されないが、メチル、メトキシルメチル（MOM）、メチルチオメチル（MTM）、ｔ−ブチルチオメチル、（フェニルジメチルシリル）メトキシメチル（SMOM）、ベンジルオキシメチル（BOM）、ｐ−メトキシベンジルオキシメチル（PMBM）、（４−メトキシフェノキシ）メチル（p-AOM）、グアヤコールメチル（GUM）、ｔ−ブトキシメチル、４−ペンテニルオキシメチル（POM）、シロキシメチル、２−メトキシエトキシメチル（MEM）、２，２，２−トリクロロエトキシメチル、ビス（２−クロロエトキシ）メチル、２−（トリメチルシリル）エトキシメチル（SEMOR）、テトラヒドロピラニル（THP）、３−ブロモテトラヒドロピラニル、テトラヒドロチオピラニル、１−メトキシシクロヘキシル、４−メトキシテトラヒドロピラニル（MTHP）、４−メトキシテトラヒドロチオピラニル、４−メトキシテトラヒドロチオピラニルＳ，Ｓ−ジオキシド、１−［（２−クロロ−４−メチル）フェニル］−４−メトキシピペリジン−４−イル（CTMP）、１，４−ジオキサン−２−イル、テトラヒドロフラニル、テトラヒドロチオフラニル、２，３，３ａ，４，５，６，７，７ａ−オクタヒドロ−７，８，８−トリメチル−４，７−メタノベンゾフラン−２−イル、１−エトキシエチル、１−（２−クロロエトキシ）エチル、１−メチル−１−メトキシエチル、１−メチル−１−ベンジルオキシエチル、１−メチル−１−ベンジルオキシ−２−フルオロエチル、２，２，２−トリクロロエチル、２−トリメチルシリルエチル、２−（フェニルセレニル）エチル、ｔ−ブチル、アリル、ｐ−クロロフェニル、ｐ−メトキシフェニル、２，４−ジニトロフェニル、ベンジル（Ｂｎ）、ｐ−メトキシベンジル、３，４−ジメトキシベンジル、ｏ−ニトロベンジル、ｐ−ニトロベンジル、ｐ−ハロベンジル、２，６−ジクロロベンジル、ｐ−シアノベンジル、ｐ−フェニルベンジル、２−ピコリル、４−ピコリル、３−メチル−２−ピコリルＮ−オキシド、ジフェニルメチル、ｐ，ｐ’−ジニトロベンズヒドリル、５−ジベンゾスベリル、トリフェニルメチル、α−ナフチルジフェニルメチル、ｐ−メトキシフェニルジフェニルメチル、ジ（ｐ−メトキシフェニル）フェニルメチル、トリ（ｐ−メトキシフェニル）メチル、４−（４’−ブロモフェナシルオキシフェニル）ジフェニルメチル、４，４’，４’’−トリス（４，５−ジクロロフタルイミドフェニル）メチル、４，４’，４’’−トリス（レブリノイルオキシフェニル）メチル、４，４’，４’’−トリス（ベンゾイルオキシフェニル）メチル、３−（イミダゾール−１−イル）ビス（４’，４’’−ジメトキシフェニル）メチル、１，１−ビス（４−メトキシフェニル）−１’−ピレニルメチル、９−アントリル、９−（９−フェニル）キサンテニル、９−（９−フェニル−１０−オキソ）アントリル、１，３−ベンゾジスルフラン−２−イル、ベンズイソチアゾリルＳ，Ｓ−ジオキシド、トリメチルシリル（TMS）、トリエチルシリル（TES）、トリイソプロピルシリル（TIPS）、ジメチルイソプロピルシリル（IPDMS）、ジエチルイソプロピルシリル（DEIPS）、ジメチルテキシルシリル、ｔ−ブチルジメチルシリル（TBDMS）、ｔ−ブチルジフェニルシリル（TBDPS）、トリベンジルシ��ル、トリ−ｐ−キシリルシリル、トリフェニルシリル、ジフェニルメチルシリル（DPMS）、ｔ−ブチルメトキシフェニルシリル（TBMPS）、ホルマート、ベンゾイルホルマート、アセタート（−Ａｃ）、クロロアセタート、ジクロロアセタート、トリクロロアセタート、トリフルオロアセタート、メトキシアセタート、トリフェニルメトキシアセタート、フェノキシアセタート、ｐ−クロロフェノキシアセタート、３−フェニルプロピオナート、４−オキソペンタノアート（レブリナート）、４，４−（エチレンジチオ）ペンタノアート（レブリノイルジチオアセタール）、ピバロアート、アダマントアート、クロトナート、４−メトキシクロトナート、ベンゾアート、ｐ−フェニルベンゾアート、２，４，６−トリメチルベンゾアート（メシトアート）、アルキルメチルカーボナート、９−フルオレニルメチルカーボナート（Fmoc）、アルキルエチルカーボナート、アルキル２，２，２−トリクロロエチルカーボナート（Troc）、２−（トリメチルシリル）エチルカーボナート（TMSEC）、２−（フェニルスルホニル）エチルカーボナート（Psec）、２−（トリフェニルホスホニオ）エチルカーボナート（Peoc）、アルキルイソブチルカーボナート、アルキルビニルカーボナートアルキルアリルカーボナート、アルキルｐ−ニトロフェニルカーボナート、アルキルベンジルカーボナート、アルキルｐ−メトキシベンジルカーボナート、アルキル３，４−ジメトキシベンジルカーボナート、アルキルｏ−ニトロベンジルカーボナート、アルキルｐ−ニトロベンジルカーボナート、アルキルＳ−ベンジルチオカーボナート、４−エトキシ−１−ナフチルカーボナート、メチルジチオカーボナート、２−ヨードベンゾアート、４−アジドブチラート、４−ニトロ−４−メチルペンタノアート、ｏ−（ジブロモメチル）ベンゾアート、２−ホルミルベンゼンスルホナート、２−（メチルチオメトキシ）エチル、４−（メチルチオメトキシ）ブチラート、２−（メチルチオメトキシメチル）ベンゾアート、２，６−ジクロロ−４−メチルフェノキシアセタート、２，６−ジクロロ−４−（１，１，３，３−テトラメチルブチル）フェノキシアセタート、２，４−ビス（１，１−ジメチルプロピル）フェノキシアセタート、クロロジフェニルアセタート、イソブチラート、モノスクシノアート、（Ｅ）−２−メチル−２−ブテノアート、ｏ−（メトキシアシル）ベンゾアート、α−ナフトアート、ニトラート、アルキルＮ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルホスホロジアミダート、アルキルＮ−フェニルカルバマート、ボラート、ジメチルホスフィノチオイル、アルキル２，４−ジニトロフェニルスルフェナート、サルファート、メタンスルホナート（メシラート）、ベンジルスルホナート、およびトシラート（Ｔｓ）が挙げられる。ある態様において、２個の近位の酸素原子は、環状アセタールとして保護され、例えば１，２−または１，３−ジオールは、イソプロピリジニル、シクロアルキリデンケタール（例えばシクロペンチリデンまたはシクロヘキシリデン）、ベンジリデンアセタール（例えばｐ−メトキシベンジリデン）、カーボナート、シリレン（例えばジ−ｔ−ブチルシリレン、１，３−（１，１，１，３，３）−テトライソプロピルジシロキサリニド）、１，３−ジオキソラニルまたは１，３−ジオキサニル基として保護され得る。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成29年4月28日(2017.4.28)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記部分式（Ｉ−Ｂ）：
【化１】
2014520886.tif 000001
［式中、Ｒ1は、−(ＣＹ2)n−Ｈｅｔ3、−(ＣＹ2) n−ＮＨＣＯ−Ｈｅｔ3、−(ＣＹ2) n−Ｃ(Ｙ)(ＯＨ)−(ＣＹ2) n−Ｈｅｔ3、−(ＣＹ2) n−Ｈｅｔ1、−(ＣＹ2) n−Ａｒ、−(ＣＹ2) n−Ｃ(Ｙ)(ＯＨ)−Ａｒ、Ｃｙｃ、−(ＣＹ2) n−ＣＯ−ＮＹ2、−(ＣＹ2) n−ＮＹＣＯＹ、−(ＣＹ2) n−ＮＹＣＯＮＹ2又は−(ＣＹ2)n−ＮＨＣＯ−ＮＨ−(ＣＹ2) n＝ＣＨ2を示し；
Ｙは、Ｈ又はＡを示し；
Ａは、１〜６個のＣ原子を有する枝なし又は分枝アルキルを示し、ここで１〜４個のＨ原子は互いに独立して、Ｈａｌ及び／又はＯＨにより置換され得；
Ｃｙｃは、３〜６個のＣ原子を有するシクロアルキルを示し、ここで１〜４個のＨ原子はＯＨにより置換され得；
Ａｒは、Ａ、Ｈａｌ、ＯＹ、ＣＯＮＨ2、−（ＣＨ2）n−ＮＡ2，ＳＯ2ＮＨ2及びＨｅｔ2の群から選択される少なくとも１つの置換基により一又は二置換され得る、６〜８個のＣ原子を有する芳香族単環式炭素環を示し；
Ｈｅｔ1は、Ｈａｌ、Ａ、 Ｃｙｃ及び−(ＣＨ2)n−ＮＡ2の群から選択される少なくとも１つの置換基により一又は二置換され得る、１〜６個のＣ原子及び１〜３個のＮ、Ｏ及び／又はＳ原子を有する、不飽和又は芳香族単環式複素環を示し；
Ｈｅｔ2は、テトラジルを示し；
Ｈｅｔ3は、＝Ｏ、Ａ及びＯＹの群から選択される少なくとも１つの置換基により一、二又は三置換され得る、３〜６個のＣ原子及び１〜３個のＮ、Ｏ及び／又はＳ原子を有する、飽和単環式複素環を示し；
Ｈａｌは、Ｆ、Ｃｌ又はＢｒを示し；そして
ｎは、０、１、２、又は３を示す］を有する化合物、及び／又は生理学的に許容できるその塩。
【請求項２】
下記式：
【化２】
2014520886.tif 000002
【化３】
2014520886.tif 000003
【化４】
2014520886.tif 000004
【化５】
2014520886.tif 000005
【化６】
2014520886.tif 000006
【化７】
2014520886.tif 000007
【化８】
2014520886.tif 000008
【化９】
2014520886.tif 000009
【化１０】
2014520886.tif 000010
の群から選択される、請求項１に記載の化合物、及び／又は生理学的に許容できるその塩。
【請求項３】
少なくとも１つの請求項１又は２に記載の化合物及び／又は生理学的に許容できるその塩を含んで成る薬剤。
【請求項４】
活性成分として、少なくとも１つの請求項１又は２に記載の化合物及び／又は生理学的に許容できるその塩、及び経口投与のための医薬的耐容性のアジュバント、並びに任意には、少なくとも別の活性医薬剤を含んでなる医薬組成物。
【請求項５】
不妊障害の予防又は治療処置及び／又はモニターリングにおける使用のための請求項３に記載の薬剤。
【請求項６】
不妊障害の治療方法であって、少なくとも１つの請求項１又は２に記載の化合物及び／又は生理学的に許容できるその塩を、そのような治療の必要なヒト以外の哺乳類に投与する方法。
【請求項７】
下記段階：
（ａ）請求項６に記載の方法に従ってヒト以外の哺乳類を処理する段階、
（ｂ）前記哺乳類から卵子を採取する段階、
（ｃ）前記卵子を受精する段階、及び
（ｄ）前記受精された卵子を、ヒト以外の宿主哺乳類中に移植する段階、
を含んで成るインビトロ受精方法。
【請求項８】
ＦＳＨ受容体の調節方法であって、ＦＳＨ受容体を発現する系と、少なくとも１つの請求項１又は２に記載の化合物及び／又は生理学的に許容できるその塩とを、ＦＳＨの存在下で、前記ＦＳＨ受容体が調節されるような条件下で接触せしめるインビトロ方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成29年3月3日(2017.3.3)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
ポリスチレンは、スチレンモノマーから得られる。スチレンモノマーは、本説明において、置換されていない又は置換されたスチレンを含む任意のモノマーを意味すると理解されなければならない; 置換されたスチレンの中で、例えば、メチルスチレン(例えば、o-メチルスチレン、m-メチルスチレン又はp-メチルスチレン、α-メチルスチレン、α,2-ジメチルスチレン、α,4-ジメチルスチレン又はジフェニルエチレン)、パラ(tert-ブチル)スチレン、クロロスチレン(例えば、o-クロロスチレン、m-クロロスチレン、p-クロロスチレン、2,4-ジクロロスチレン、2,6-ジクロロスチレン又は2,4,6-トリクロロスチレン)、ブロモスチレン(例えば、o-ブロモスチレン、m-ブロモスチレン、p-ブロモスチレン、2,4-ジブロモスチレン、2,6-ジブロモスチレン又は2,4,6-トリブロモスチレン)、フルオロスチレン(例えば、o-フルオロスチレン、m-フルオロスチレン、p-フルオロスチレン、2,4-ジフルオロスチレン、2,6-ジフルオロスチレン又は2,4,6-トリフルオロスチレン)又はパラヒドロキシスチレンが挙げられ得る。
本発明の好ましい実施態様によれば、TPEエラストマーにおけるスチレンの質量による含量は、5%と50%の間にある。指示された最低値よりも低いと、エラストマーの熱可塑性の性質が実質的に低下するリスクがあり、推奨された最高値より高いと、トレッドの弾性が影響され得る。これらの理由により、スチレン含量は、より好ましくは10%と40%の間にある。
本発明の変形によれば、Tg(又は適切である場合には、M.p.)が上で定義した通りの熱可塑性ブロックを形成するように、上で定義した通りの重合されたモノマーは、少なくとも1つの他のモノマーと共重合され得る。
説明として、重合されたモノマーと共重合することのできるこの他のモノマーは、ジエンモノマー、より詳しくは炭素原子4から14個までを有する共役ジエンモノマー、及び炭素原子8から20個までを有するビニル芳香族タイプのモノマー、例えばエラストマーブロックに関する部分において定義されたものより選ばれ得る。
本発明によれば、TPEについて、タイヤトレッドとしての使用に関して充分であり且つ適合する良好なエラストマー特性及び機械的強度を与えるように、TPEの熱可塑性ブロックは、全体で、数平均分子量(Mn)が5 000 g/モルから150 000 g/モルまでの範囲にある。
熱可塑性ブロックは、また、上で定義したようにいくつかの熱可塑性ブロックから構成され得る。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成29年10月23日(2017.10.23)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
本発明の開示の別の態様によれば、注入器の組立方法は、滅菌条件下で医薬品を容器の滅菌レザバーに充填すること（レザバーは、容器の壁の内表面および密封アセンブリーの内表面により限定される）を包含し得る。当該方法は、前記滅菌レザバーを充填した後に、清浄な、非被覆剛性容器針の先端を、清浄室条件下で密封アセンブリーに部分的に通して挿入し、貯蔵状態を限定すること、そして清浄室条件下で作動装置に容器針を付着すること（作動装置は、容器針を貯蔵状態から送達状態（送達状態では、容器針は密封アセンブリーの内表面を通して滅菌レザバー中に配置される）に動かすよう適合される）も包含し得る。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
注入器であって、
内腔と前記内腔の第一末端と流体交通する開口部を限定する壁を含む容器；、
容器の開口部を横断して配置された密封アセンブリーであって、当該密封アセンブリーが、密封アセンブリーの内表面を限定する内表面を有する柔軟性壁、および前記柔軟性壁および清浄バリア間の封入清浄スペースを限定する前記柔軟性壁の外側に配置された清浄バリアを含み、前記容器と密封アセンブリーは、医薬品が充填された閉鎖滅菌レザバーを限定する、密封アセンブリー；
前記内腔の第二末端内に配置されたおよび前記内腔に沿って移動可能なストッパー；
貯蔵状態では、前記清浄バリアを通して前記清浄スペースの中に配置され、および、送達状態では前記密封アセンブリーの柔軟性壁の内表面を通して前記滅菌レザバー中に配置される先端を有する清浄な非被覆剛性容器針を含む、流体送達系；ならびに
前記容器針を貯蔵状態から送達状態に動かすよう構成された、作動装置
を含む、注入器。
【請求項２】
前記容器の壁が剛性壁を含む、請求項１記載の注入器。
【請求項３】
前記容器の壁が柔軟性壁を含む、請求項１記載の注入器。
【請求項４】
前記柔軟性壁が、開口部を横断して配置されたおよび前記容器の壁に固定的に付着した隔壁を限定する、請求項１記載の注入器。
【請求項５】
前記容器の壁が、ストッパーの反対側にある閉端および前記ストッパーが配置される開端を限定する、請求項１記載の注入器。
【請求項６】
前記柔軟性壁および前記清浄バリアが各々、前記内腔に沿って移動可能なストッパーを限定する、請求項１記載の注入器。
【請求項７】
前記清浄バリアと前記柔軟性壁との間のスペースと流体交通する通気孔を含む、請求項１記載の注入器。
【請求項８】
前記通気孔が前記清浄バリア中に形成される、請求項７記載の注入器。
【請求項９】
前記通気孔が前記容器の壁の内表面内に形成される、請求項７記載の注入器。
【請求項１０】
前記柔軟性壁および前記清浄バリアが各々、開口部を横断して配置されたおよび前記容器の壁に固定的に付着した隔壁を限定する、請求項１記載の注入器。
【請求項１１】
前記流体送達系が、第一末端で前記剛性容器針に接続され、第二末端で清浄剛性注入針を遮断する清浄カバー内に受容されている前記清浄剛性注入針に接続される清浄柔軟性管を含む、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の注入器。
【請求項１２】
前記作動装置が、貯蔵状態と送達状態との間で反復的に前記容器針を動かすよう構成される、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の注入器。
【請求項１３】
前記作動装置が、入力が受容された後の貯蔵状態から送達状態への前記容器針の動きを遅延するよう構成される、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の注入器。
【請求項１４】
前記作動装置と連結される機械的、電気機械的または電子的入力装置をさらに含む、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の注入器。
【請求項１５】
前記医薬品がある容積の赤血球生成刺激剤を含む、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の注入器。
【請求項１６】
前記医薬品がある容積の顆粒球コロニー刺激因子を含む、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の注入器。
【請求項１７】
前記医薬品がある容積のＴＮＦ遮断薬を含む、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の注入器。
【請求項１８】
前記医薬品がある容積のペグ化顆粒球コロニー刺激因子を含む、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の注入器。
【請求項１９】
前記医薬品がある容積のインターロイキン−受容体特異的抗体を含む、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の注入器。
【請求項２０】
前記医薬品がある容積のＩＧＦ−受容体（インスリン成長因子受容体）特異的抗体を含む、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の注入器。
【請求項２１】
前記医薬品がある容積のＴＧＦ−特異的抗体を含む、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の注入器。
【請求項２２】
前記医薬品がある容積のＰＣＳＫ９（プロタンパク質転換酵素サブチリシン／ケキシン９型）特異的抗体を含む、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の注入器。
【請求項２３】
注入器の組立方法であって、
滅菌条件下で医薬品を容器の滅菌レザバーに充填し、ここで前記滅菌レザバーは、前記容器の壁、前記容器の内腔の第一末端に配置された密封アセンブリー、および前記内腔の第二末端に移動可能に配置されたなストッパーにより限定され、当該密封アセンブリーが、密封アセンブリーの内表面を限定する内表面を有する柔軟性壁、および前記柔軟性壁および清浄バリア間の封入清浄スペースを限定する前記柔軟性壁の外側に配置される清浄バリアを含むこと；
前記滅菌レザバーを充填した後に、清浄な、非被覆剛性容器針の先端を、清浄室条件下で、前記清浄バリアを通して前記密封アセンブリーの前記清浄スペースに挿入し、貯蔵状態を限定すること；
清浄室条件下で前記容器針を作動装置に付け、ここで前記作動装置は、前記容器針を貯蔵状態から送達状態に動かすよう構成され、ここで送達状態では、前記容器針は前記密封アセンブリーの柔軟性密封の内表面を通して前記滅菌レザバー中に配置されること
を含む、方法。
【請求項２４】
前記容器の壁が剛性壁である、請求項２３記載の方法。
【請求項２５】
前記容器の壁が柔軟性壁である、請求項２３記載の方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成29年1月17日(2017.1.17)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３４】
典型的には、ポリウレタンゲル（Ｃ）は、単層軟質フォーム中に均質に分散されていないが、そうであってもよい。換言すれば、ポリウレタンゲル（Ｃ）は、典型的には単層軟質フォーム中で不均一に粒分散されている。１つの実施態様において、ポリウレタンゲル（Ｃ）は、単層軟質フォームから区別される。前記単層軟質フォームは、典型的にはポリウレタンゲル（Ｃ）から形成され且つ単層軟質フォーム中に分散された複数の凝集ゲル基材を含有する。「ゲル基材」との用語は、典型的には一連のゲル粒子および／またはゲル分子の集合を記載する。「凝集された」との用語は、典型的には、ゲル基材が集合された群で配置され、且つ単層軟質フォーム中のいたるところでランダムに分散していないことを記載する。ポリウレタンゲル（Ｃ）および／またはゲル基材は、共に凝集されていてよく、且つ、ゲル、ゲル基材および／または凝集物が、単層軟質フォーム中に渦巻き型のパターンで分散していてよいと考えられる。選択的に、ポリウレタンゲル（Ｃ）、ゲル基材および／または凝集物は、さらに、不均質なパターン、うず型パターン、リボン型パターン、マーブル型パターン、スパイラル型パターン、コイル型パターン、カール型パターン、ツイストパターン、ループパターン、ヘリックスパターン、サーペンタインパターン、シヌソイドパターン、巻きパターン、および／またはランダムパターン、およびその種のものとして記載され得るパターンで、単層軟質フォーム中に分散していてよい。選択的に、ポリウレタンゲル（Ｃ）、ゲル基材、および／または凝集物は、幾何学的および／または左右対称のパターンで、勾配のあるパターンで、および／またはブロックのパターンで、およびその種のもので、単層軟質フォーム中に分散されていてよいと考えられる。１つの実施態様において、ポリウレタンゲル（Ｃ）、ゲル、ゲル基材および／または凝集物は、単層軟質フォームの特定の領域内に配置され、単層軟質フォームの他の領域には存在しない。適したパターンの１つの限定されない選択肢を図１に示す。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成29年2月14日(2017.2.14)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）４０〜６５重量パーセントのエチレン系コポリマー組成物；
（ｂ）１５〜４０重量パーセントの塩素化オレフィンポリマー組成物；
（ｃ）０．１〜２５重量パーセントのフィラー；
（ｄ）１０〜３０重量パーセントの接着促進剤であって、酸または酸誘導体官能化ポリオレフィンである接着促進剤；および
（ｅ）場合によって、１〜４重量パーセントの鉱油
から実質的に成るポリマーブレンド配合物。
【請求項２】
前記ポリマーブレンド配合物が、安定剤であって、有機スズメルカプチド、チオグリコール酸のオクチルエステルおよびカルボン酸バリウムまたはカルボン酸カドミウム、ヒンダードアミンとして用いられる紫外線安定剤、ｏ−ヒドロキシ−フェニルベンゾトリアゾール、２−ヒドロキシ、４−アルコキシエンゾフェノン、サリチレート、シノアクリレート、ニッケルキレートおよびベンジリデンマロネートおよびオキサルアニリドからなる群から選択される熱安定剤；加工助剤；顔料；一価アルコールとの二塩基酸（またはそれらの無水物）のエステルである可塑剤をさらに含む、請求項１記載のポリマーブレンド配合物。
【請求項３】
前記フィラーが炭酸カルシウムである、または前記接着促進剤が無水マレイン酸グラフト化ポリオレフィンコポリマーである、請求項１記載のポリマーブレンド配合物。
【請求項４】
ポリマーブレンド配合物を製造するプロセスであって：
ポリマーブレンド配合物の重量基準で４０〜６０重量パーセントを構成するエチレン系コポリマー組成物を提供するステップ；
ポリマーブレンド配合物の重量基準で２５〜４０重量パーセントを構成する塩素化オレフィンポリマー組成物を提供するステップ；
ポリマーブレンド配合物の重量基準で０．１〜２５重量パーセントを構成するフィラーを提供するステップ；
ポリマーブレンド配合物の重量基準で１０〜３０重量パーセントを構成する接着促進剤を提供するステップであって、当該接着促進剤は酸または酸誘導体官能化ポリオレフィンである、ステップ；
場合によって、ポリマーブレンド配合物の重量基準で１〜４パーセントを構成する鉱油を提供するステップ；
前記エチレン系コポリマー組成物、前記塩素化オレフィンポリマー組成物、前記フィラー、前記接着促進剤および前記任意の鉱油を溶融ブレンドするステップ；ならびに
それによって前記ポリマーブレンド配合物を製造するステップ
から実質的に成る、プロセス。
【請求項５】
（ａ）４０〜６５重量パーセントのエチレン系コポリマー組成物；（ｂ）１５〜４０重量パーセントの塩素化オレフィンポリマー組成物；（ｃ）０．１〜２５重量パーセントのフィラー；（ｄ）１０〜３０重量パーセントの接着促進剤であって、酸または酸誘導体官能化ポリオレフィンである接着促進剤；および（ｅ）場合によって、１〜４重量パーセントの鉱油から実質的に成るポリマーブレンド配合物由来のシートを含む表面薄層、
場合によって、水性分散液由来の内層；ならびに
基体層を含む多層構造であって、前記内層が前記表面薄層と前記基体層との間に配置されている、多層構造。
【請求項６】
多層構造を作製するための方法であって、
（ａ）４０〜６５重量パーセントのエチレン系コポリマー組成物；（ｂ）１５〜４０重量パーセントの塩素化オレフィンポリマー組成物；（ｃ）０．１〜２５重量パーセントのフィラー；（ｄ）１０〜３０重量パーセントの接着促進剤であって、酸または酸誘導体官能化ポリオレフィンである接着促進剤；および（ｅ）場合によって、１〜４重量パーセントの鉱油から実質的に成るポリマーブレンド配合物由来のシートを基体に、場合によって、前記基体の少なくとも１つの表面上の水性分散液の存在下で積層するステップ；ならびに
それによって、前記表面薄層、場合によって、前記水性分散液由来の内層；および前記基体層を含む前記多層構造を形成するステップ
を含む、方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３１】
ポリマーブレンド配合物は、ポリマーまたはポリマー組成物に通常添加される種類の１以上の添加剤をさらに含み得る。これらの添加剤としては、たとえば、プロセス油、抗酸化剤、表面張力修飾剤、粘着防止剤（ａｎｔｉ−ｂｌｏｃｋ  ａｇｅｎｔ）、分散剤、発泡剤、直線状もしくは実質的に直線状のＥＡＯ、ＬＤＰＥ、ＬＬＤＰＥ、潤滑剤、架橋剤、たとえば過酸化物、抗菌剤、たとえば有機金属、イソチアゾロン、有機硫黄およびメルカプタン；抗酸化剤、たとえばフェノール樹脂、第２アミン、ｐｈｏｐｈｉｔｅｓおよびチオエステル；帯電防止剤、たとえば第４アンモニウム化合物、アミン、およびエトキシル化、プロポキシル化またはグリセロール化合物；加水分解安定剤；潤滑剤、たとえば脂肪酸、脂肪族アルコール、エステル、脂肪族アミド、ステアリン酸金属塩、パラフィン系および微結晶ワックス、シリコーンおよびオルトリン酸エステル；離型剤、たとえば微細粒子または粉末固体、石鹸、ワックス、シリコーン、ポリグリコールおよび複合エステル、例えばトリメチロールプロパントリステアレートまたはペンタエリスリトールテトラステアレート；顔料、色素および着色剤；可塑剤、たとえば一価アルコールとの二塩基酸（またはそれらの無水物）のエステル、例えばｏ−フタレート、アジペートおよびベンゾエート；熱安定剤、例えば有機スズメルカプチド、チオグリコール酸のオクチルエステルおよびカルボン酸バリウムまたはカドミウム；ヒンダードアミンとして用いられる紫外線安定剤、ｏ−ヒドロキシ−フェニルベンゾトリアゾール、２−ヒドロキシ、４−アルコキシエンゾフェノン、サリチレート、シノアクリレート、ニッケルキレートおよびベンジリデンマロネートおよびオキサルアニリド；ならびにゼオライト、モレキュラシーブおよび他の公知の脱臭剤が挙げられる。当業者は、添加剤および添加剤量の任意の好適な組み合わせならびに添加剤（複数可）を組成物中に組み入れる方法を必要以上の実験なしに容易に選択することができる。典型的には、前記添加剤のそれぞれは、使用される場合、全ポリマーブレンド配合物重量基準で４０重量パーセントを超えず、有利には約０．００１〜約２０重量パーセントであり；あるいは、約０．０１〜約１５重量パーセントであり；あるいは、約０．１〜約１０重量パーセントである。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年11月15日(2016.11.15)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２８】
好ましい実施形態に従って本発明を上述してきたが、本発明は本開示の精神及び範囲内において変更することが可能である。したがって、本出願は、本出願に開示された一般的原理を使用した発明の任意の変形、使用、又は適合を包含することを意図している。さらに、本願は、本発明が属し下記特許請求の範囲内にある技術分野における公知技術又は慣用技術の範囲となるような、本開示からの逸脱を包含することを意図している。本発明の実施態様の一部を以下の項目［１］−［１５］に記載する。
[１]
第一反応物を第二反応物と触媒上で反応させて反応生成物を生成するための反応器と、
該触媒が濾過装置内に蓄積するように該反応生成物から該触媒を濾過するための該濾過装置と、
蓄積した該触媒を該濾過装置から該反応器に戻すためのバックパルス機構とを含む、装置。
[２]
前記第一反応物及び前記第二反応物が前記濾過装置に導入される、項目１に記載の装置。
[３]
前記バックパルス機構が第一の容器及び第二の容器を含む、項目１又は２のいずれかに記載の装置。
[４]
前記第一の容器が前記濾過装置の排出口に取り付けられる、項目３に記載の装置。
[５]
前記第一の容器の圧力が前記反応器の圧力よりも高い、項目３又は４のいずれかに記載の装置。
[６]
前記反応器が、撹拌槽スラリー反応器である、項目１〜５のいずれか一項に記載の装置。
[７]
前記反応器が、熱移動を促進する複数のコイルと、物質及び熱の移動を促進する撹拌器とを含む、項目１〜６のいずれか一項に記載の装置。
[８]
熱交換器をさらに含む、項目１〜７のいずれか一項に記載の装置。
[９]
第一反応物を第二反応物と反応器内の触媒上で反応させて反応生成物を生成すること、
該触媒が濾過装置内に蓄積するように、該濾過装置を通して該反応生成物及び該触媒を濾過すること、
バックパルス機構からの少なくとも一つのバックパルスを使用して、蓄積した触媒を該濾過装置から該反応器に戻すことを含む、方法。
[１０]
前記バックパルス機構が、第一の容器及び第二の容器を含む、項目９に記載の方法。
[１１]
前記第一の容器の圧力が前記反応器内の圧力よりも高くなるように、前記第二の容器からのバックパルスガスが前記第一の容器の圧力を増加させる、項目１０に記載の方法。
[１２]
約５分〜２０分毎の周期でバックパルスが周期的に生じる、項目９〜１１のいずれか一項に記載の方法。
[１３]
前記バックパルスの継続時間が約０．２〜２秒である、項目９〜１１のいずれか一項に記載の方法。
[１４]
前記第一反応物が２−ニトロ−２−メチル−１−プロパノールであり、前記第二反応物が水素である、項目９〜１３のいずれか一項に記載の方法。
[１５]
撹拌槽スラリー反応器である反応器中でニトロアルコールを水素と活性スポンジ金属触媒上で反応させること、
該触媒が濾過装置内に蓄積するように該濾過装置を通してアミノアルコール及び該触媒を濾過すること、及び
バックパルス機構からの少なくとも一つのバックパルスを使用して、蓄積した触媒を該濾過装置から該反応器に戻すことを含む方法であって、
前記バックパルス機構が少なくとも第一の容器及び第二の容器を含み、
前記第一の容器の圧力が前記反応器の圧力よりも高くなるように前記第二の容器からのバックパルスガスが前記第一の容器の圧力を増加させる、方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２．０７×１０６Ｐａから６．９８×１０６Ｐａの反応圧力及び２６．７℃〜１４８．９℃の反応温度でニトロアルコールを水素と触媒上で反応させて反応生成物を生成するように適合された反応器と、
前記触媒が濾過装置内に蓄積するように前記反応生成物から前記触媒を濾過するための前記濾過装置と、
蓄積した前記触媒を前記濾過装置から前記反応器に戻すためのバックパルス機構とを含み、
前記反応生成物がアミノアルコールであり、
前記反応器が、物質及び熱の移動を促進する撹拌器を含み、
前記濾過装置が前記反応器の外部に位置し、
前記バックパルス機構は、液圧ピストン又はポンプにより提供され、かつ、前記バックパルス機構は、液体を前記濾過装置に押し込んで前記濾過装置内に蓄積した前記触媒を前記反応器に戻すように構成されている、装置。
【請求項２】
前記ニトロアルコール及び水素が前記濾過装置に導入される、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記反応器が、撹拌槽スラリー反応器である、請求項１又は２に記載の装置。
【請求項４】
前記反応器が、熱移動を促進する複数のコイルを含む、請求項１又は２に記載の装置。
【請求項５】
熱交換器をさらに含む、請求項１または２に記載の装置。
【請求項６】
２．０７×１０６Ｐａから６．９８×１０６Ｐａの反応圧力及び２６．７℃〜１４８．９℃の反応温度で第一反応物を第二反応物と反応器内の触媒上で反応させて反応生成物を生成すること、
前記触媒が濾過装置内に蓄積するように、前記濾過装置を通して前記反応生成物及び前記触媒を濾過すること、
バックパルス機構からの少なくとも一つのバックパルスを使用して、蓄積した触媒を前記濾過装置から前記反応器に戻すことを含み、
前記反応生成物がアミノアルコールであり、
前記反応器が、物質及び熱の移動を促進する撹拌器を含み、
前記濾過装置が前記反応器の外部に位置し、
前記バックパルス機構は、液圧ピストン又はポンプにより提供され、かつ、前記バックパルス機構は、液体を前記濾過装置に押し込んで前記濾過装置内に蓄積した前記触媒を前記反応器に戻す、方法。
【請求項７】
５分〜２０分毎の周期でバックパルスが周期的に生じる、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記バックパルスの継続時間が０．２〜２秒である、請求項６又は７に記載の方法。
【請求項９】
前記第一反応物が２−ニトロ−２−メチル−１−プロパノールであり、前記第二反応物が水素である、請求項６又は７に記載の方法。
【請求項１０】
撹拌槽スラリー反応器である反応器中で２．０７×１０６Ｐａから６．９８×１０６Ｐａの反応圧力でニトロアルコールを水素と活性スポンジ金属触媒上で反応させてアミノアルコールを生成させること、
前記触媒が濾過装置内に蓄積するように前記濾過装置を通してアミノアルコール及び前記触媒を濾過すること、及び
バックパルス機構からの少なくとも一つのバックパルスを使用して、蓄積した触媒を前記濾過装置から前記反応器に戻すことを含む方法であって、
前記濾過装置が前記反応器の外部に位置し、
前記バックパルス機構が少なくとも第一の容器及び第二の容器を含み、
前記第一の容器の圧力が前記反応器の圧力よりも高くなるように前記第二の容器からのバックパルスガスが前記第一の容器の圧力を増加させ、
前記バックパルス機構は、液圧ピストン又はポンプにより提供され、かつ、前記バックパルス機構は、液体を前記濾過装置に押し込んで前記濾過装置内に蓄積した前記触媒を前記反応器に戻す、方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年12月7日(2016.12.7)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つのステータ（１、１’）及び少なくとも１つのトランスレータ（２）を含む磁気装置であって、前記トランスレータ（２）は前記ステータ（１、１’）に対してトランスレータ移動方向（６）に移動可能であり、前記トランスレータ移動方向（６）は前記ステータ（１、１’）に向かう向きであり、前記少なくとも１つのステータ（１、１’）及び前記トランスレータ（２）は一つの軸に沿って配置され、
前記磁気装置は制御装置を含み、前記制御装置は、前記磁気装置の動作時に、前記ステータと前記トランスレータとの間に発生する力に対応して、前記トランスレータと前記ステータとの間の距離ｒ＞０（ｒは０より大きい）を制御する装置を含み、
前記トランスレータ（２）は、直線的なトランスレータ移動軸に沿って前記ステータ（１、１’）に対して前記トランスレータ移動方向（６）に移動可能であり、前記少なくとも１つのステータ（１、１’）及び前記トランスレータ（２）は前記トランスレータ移動軸に沿う向きであること、および
前記距離ｒの最小値は、前記制御ユニットによって、前記ステータ（１）と前記トランスレータ（２）の間に働く力に基づいて決定され、前記距離ｒが最小値のときに、下記数式１で決定される、前記トランスレータ（２）に作用する反発力が最大となることを特徴とし、
【数１】
2014528230.tif 000001
式中、
2014528230.tif 000002
及び  
2014528230.tif 000003
は前記ステータ（１）の磁極強度であり、
2014528230.tif 000004
及び  
2014528230.tif 000005
は前記トランスレータ（２）の磁極強度であり、
前記トランスレータの中心位置Ｘｔのとりうる範囲は下記数式２であり、
【数２】
2014528230.tif 000006
2014528230.tif 000007
はｄを２つのステータ（１，１’）の中心の間の距離としたときのトランスレータ（２）の移動可能距離であり、
Ｌｓは前記ステータ（１，１’）の長さ、Ｌｔは前記トランスレータ（２）の長さである、磁気装置。
【請求項２】
前記ステータの個々のステータ磁石（４）及び／又は前記トランスレータ（２）の個々のトランスレータ磁石（５）が、前記トランスレータの移動方向（６）に平行な向きである多角形の軸を中心とした多角形（１０）を描く線に沿って配置されることを特徴とする、請求項１に記載の磁気装置。
【請求項３】
前記トランスレータ（２）は、少なくとも１つのガイドユニット（７）によって前記ステータ（１）に対して移動可能に取り付けられ、前記ガイドユニット（７）のガイド軸（８）が、２つの隣接する個々のステータ磁石（４）間のエリアにおいて前記ステータ（１）に、及び２つの隣接する個々のトランスレータ磁石（５）間のエリアにおいて前記トランスレータ（２）に交差することを特徴とする、請求項１〜２のいずれか一項に記載の磁気装置。
【請求項４】
前記ステータ（１、１’）に対する前記トランスレータ（２）の移動は揺動運動であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の磁気装置。
【請求項５】
前記ステータ（１、１’）は永久磁石であり、一方で前記トランスレータ（２）は電磁石であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の磁気装置。
【請求項６】
前記ステータ（１、１’）は電磁石であり、一方で前記トランスレータ（２）は永久磁石であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の磁気装置。
【請求項７】
前記ステータ（１、１’）及び前記トランスレータ（２）は永久磁石又は電磁石であることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一項に記載の磁気装置。
【請求項８】
前記制御装置は、前記ステータ（１、１’）と前記トランスレータ（２）との間に位置決めすることができるスペーサ要素を含むことを特徴とする、請求項１〜７のいずれか一項に記載の磁気装置。
【請求項９】
前記制御装置は、前記トランスレータ（２）の移動に対して機械的な拘束を働かせるシステムを含むことを特徴とする、請求項１〜８のいずれか一項に記載の磁気装置。
【請求項１０】
前記制御装置は、距離測定装置及び／又は時間測定装置を含み、前記距離測定装置及び／又は前記時間測定装置によって、前記ステータ（１、１’）及び／又は前記トランスレータ（２）の分極、および／又は、前記ステータ（１、１’）及び／又は前記トランスレータ（２）の磁場強度を、前記ステータ（１、１’）に対する前記トランスレータ（２）の位置及び／又は時間に応じて変化させることができることを特徴とする、請求項１〜９のいずれか一項に記載の磁気装置。
【請求項１１】
前記トランスレータ（２）が前記ステータ（１）から最も離れた距離ｄに位置する場合、前記ステータ（１）と前記トランスレータ（２）との間に延びる容積部が真空であることを特徴とする、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の磁気装置。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０４５８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０４５８】
図９は、図９〜図１１に示されている磁気駆動装置の一実施形態の上面図を示している。磁気駆動装置は、軸９に沿って配置される２つのステータ１、１’を含む。さらに、２つのガイドユニット７が配置されており、当該ガイドユニット７はステータ１、１’間でトランスレータを支持するため、トランスレータは上記ステータ１、１’に対して移動することができる。トランスレータ２は、ステータ１、１’を通って駆動要素（図示せず）まで延びる駆動軸３に更に連結されている。ステータ支持体１４も駆動軸の支持体として働く。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】図面
【訂正対象項目名】図１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図１９】
2014528230.tif 000008
【誤訳訂正書】
【提出日】平成29年5月1日(2017.5.1)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁界を生成する磁界源と磁界センサの互いに関する相対位置の非接触測定のための方法であって、
前記磁界源と前記磁界センサが互いに対して移動可能であり、
前記磁界センサが前記磁界の少なくとも二つの磁界成分を測定し、前記測定された成分から位置信号が生成され、
前記方法が、
前記二つの磁界成分の割合に基づいて前記位置信号を計算する工程と、
前記割合が計算される前に、前記磁界源と前記磁界センサとの間に相対移動方向へ延在する前記磁気成分を修正する工程と
を備え、
前記修正工程における必要な修正の値は、
位置の値に従って前記移動方向における磁界成分の線を設定する工程と、
前記位置の値に従って前記線の二次導関数を計算し且つ前記二次導関数のゼロ位置を設定する工程と、
前記修正のためのオフセット値を計算するために前記ゼロ位置の前記線の関数値を最小間隔の位置の関数値にから減算する工程と
によって設定されることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記磁界源と前記磁界センサとの間に相対線形移動が行われ、
前記方法は、
前記相対移動方向へ延在する磁気成分に対する少なくとも第１の測定値を設定する工程と、
前記相対移動方向に対して横方向に延在する磁界成分に対する少なくとも第２の測定値を設定する工程と、
修正項によって修正された前記第１の測定値と前記第２の測定値の割合から前記位置信号を計算する工程と
を備えることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記磁界センサは、二次元又は三次元ホールセンサであることを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記磁界源は、少なくとも一つの永久磁石を備えることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記修正された磁界成分は、一定のオフセット値を前記測定された磁界成分へ追加することによって計算されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記修正された磁界成分は、補助磁石によって生成された補助磁界を前記永久磁石によって生成された磁界に重ねることによって形成されることを特徴とする請求項４に記載の方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年12月7日(2016.12.7)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ブレーキディスク（３）を取り囲む、スライドキャリパとして形成されたブレーキキャリパ（１）を具備し、このブレーキキャリパ内に締付け力を加える側のブレーキパッド（５）と反作用側のブレーキパッド（４）が配置され、ブレーキング時にこのブレーキパッドが締付け装置（８）によって前記ブレーキディスク（３）に対して両側から押し付け可能であり、反作用側の前記ブレーキパッド（４）が摩擦パッド（７）を支持するパッド支持板（６）によって前記ブレーキキャリパ（１）の後側の壁部（２）に支持され、非機能位置で前記ブレーキキャリパ（１）の組み立て開口（１１）寄りの範囲において、前記ブレーキキャリパ（１）の後側の壁部（２）と反作用側の前記ブレーキパッド（４）との間に、隣接する範囲よりも幅広の隙間が形成され、この隙間の長さが少なくとも、押圧位置での前記パッド支持板（６）に対する前記壁部（２）の接触部の長さ（Ｌ）に一致している、商用車用のディスクブレーキにおいて、
前記隙間が前記摩擦パッド（７）を支持する側面（１３）に対して平行な平面状背面（１２）に穿設された前記パッド支持板（６）の少なくとも１つの凹部（９）によって形成され、該凹部（９）が長手方向側面を画成する前記パッド支持板（６）のエッジに対して間隔をおいて延在し、前記凹部（９）の断面形状が、前記ブレーキの締付け時の制動力により前記ブレーキキャリパ（１）が変形することによって変化する前記壁部（２）の接触角度に適合させられていることを特徴とするディスクブレーキ。
【請求項２】
前記隙間が前記組み立て開口（１１）の方へ広がっていることを特徴とする請求項１に記載のディスクブレーキ。
【請求項３】
パッド支持板（６）とそれに固定された摩擦パッド（７）を有し、前記パッド支持板（６）によってブレーキキャリパ（１）の後側の壁部（２）に支持されるディスクブレーキ用ブレーキパッドにおいて、
前記パッド支持板（６）が前記摩擦パッド（７）を支持する側面（１３）に対して平行な、前記摩擦パッド（７）とは反対側の平面状背面（１２）に、前記パッド支持板（６）の長手方向に延在する少なくとも１つの凹部（９）を有し、該凹部が長手方向側面を画成する前記パッド支持板（６）のエッジに対して間隔をおいて延在し、前記凹部（９）の断面形状が、ブレーキの締付け時の制動力により前記ブレーキキャリパ（１）が変形することによって変化する前記壁部（２）の接触角度に適合させられていることを特徴とするブレーキパッド。
【請求項４】
前記凹部（９）が湾曲してあるいは少なくとも１回折り曲げられて延在していることを特徴とする請求項３に記載のブレーキパッド。
【請求項５】
前記凹部（９）が凸形外面寄りの前記パッド支持板（６）の半部に配置されていることを特徴とする請求項３または４に記載のブレーキパッド。
【請求項６】
前記凹部（９）が尖ったエッジを有するように形成されているかまたは少なくとも凸形の側とは反対側に断面が緩やかに傾斜して延在するように形成されていることを特徴とする請求項３〜５のいずれか一項に記載のブレーキパッド。
【請求項７】
前記凹部（９）が前記パッド支持板（６）に埋め込まれたインサート（１０）に設けられていることを特徴とする請求項３〜６のいずれか一項に記載のブレーキパッド。
【請求項８】
複数の前記凹部（９）が半径方向軸線（１１）に関して対称にまたは非対称に配置されていることを特徴とする請求項３〜７のいずれか一項に記載のブレーキパッド。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
幅の広い隙間は本発明では凹部によって得られる。この凹部の寸法はブレーキキャリパの変形によって決定され、凹部はパッド支持板の長手方向側面画成エッジに対して間隔をおいて延在している。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
少なくとも、パッド支持板の長手方向側面に付設されたパッド支持板の背面の両端縁範囲は、平面状であり、従って十分な支持部を形成する。