(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
サブミクロン構造内に金属をメッキする方法において、
サブミクロン構造の表面上に、シード層を付着する工程と、
付着されたシード層を、８０〜１３０℃の温度でアニールする工程と、
アニールされたシード層上に、金属をメッキする工程とを含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記アニールは、１２０℃より低い温度で行うことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記付着中、前記アニール中、及び／又は前記アニール工程の後に、前記シード層を、Ｈ2 ガスおよびフォーミング・ガスのうちの少なくとも１つに晒すことを特徴とする、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記シード層を、スパッタリングによって付着することを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記アニールを行う温度は、１．９μΩ／ｃｍの抵抗率を有するシード層を形成するのに十分な温度であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記シード層を晒すガスは、１．９μΩ／ｃｍの抵抗率を有するシード層を形成するのに十分な量であることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記シード層を、前記シード層内に水素残留量を生じるのに十分な条件でＨ2 ガスに晒すことを特徴とする、請求項３に記載の方法。
【請求項８】
前記シード層を、前記シード層の下層のバリア層内に水素残留量を生じるのに十分な条件でＨ2 ガスに晒すことを特徴とする、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記金属をメッキする工程は、前記シード層を、１３０〜１５５グラム／リットルの硫酸を含むメッキ浴に晒す工程を含むことを特徴とする、請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記金属をメッキする工程は、前記シード層を、各々１〜１０グラム／リットルの光沢剤および抑制剤のうちの少なくとも１つを含むメッキ浴に晒す工程を含むことを特徴とする、請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記金属をメッキする工程は、前記シード層を、０．１〜２．０グラム／リットルのアルカノールを含むメッキ浴に晒す工程を含むことを特徴とする、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記シード層が付着される基板は、前記シード層を付着する工程の前に、８０〜１３０℃の温度とされていることを特徴とする、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
前記シード層とシード層が付着される基板は、前記シード層上に金属をメッキする工程の前に、８０〜１３０℃の温度とされていることを特徴とする、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
絶縁材料よりなる層を設ける工程と、
前記絶縁材料よりなる層内に、サブミクロン構造を形成する工程と、
前記サブミクロン構造内に金属をメッキする工程とを含む、半導体デバイス構造を形成する方法において、
前記サブミクロン構造内に金属をメッキする工程が、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の方法に従い行われることを特徴とする方法。
【請求項１５】
絶縁材料と、
前記絶縁材料内のサブミクロン構造と、
前記サブミクロン構造の表面上の、５〜２０ｎｍの酸化銅を有し、１．９μΩ／ｃｍの抵抗率を有するアニールされ及び水素が残留している銅含有シード層と、
前記サブミクロン構造内の金属とを備えたことを特徴とする半導体デバイス構造。
【請求項１６】
前記サブミクロン構造は、バイアおよびラインのうちの少なくとも１つを有することを特徴とする、請求項１５に記載の半導体デバイス構造。
【請求項１７】
深いサブミクロン構造内に金属をメッキするためのシード層において、
５〜２０ｎｍの酸化銅を含み、１．９μΩ／ｃｍの抵抗率を有するアニールされ及び水素が残留している銅含有シード層を備えたことを特徴とするシード層。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体デバイスに関する。特に、本発明は、基板の中または上の導電性フィーチャに、導電材料をメッキする方法に関する。また特に、本発明は、基板内に形成されたサブミクロン構造を充填するための電界メッキ金属に関する。さらに、本発明は、金属充填サブミクロン構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
マイクロ電子デバイスの製造においては、様々な目的のために、半導体構造の中または上に金属をメッキすることができる。金属は、配線構造のような、バイアおよび／またはラインを形成するために付着することができる。典型的には、基板上にメッキされる少なくとも１つの金属および／または合金を含むメッキ溶液を保持する容器またはタンク内で金属がメッキされる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、サブミクロン構造内に金属をメッキする方法を提供することにある。
【０００４】
本発明の他の目的は、サブミクロン構造内に金属をメッキする方法を提供することにある。
【０００５】
本発明のさらに他の目的は、半導体デバイス構造を形成する方法を提供することにある。
【０００６】
本発明のさらに他の目的は、サブミクロン構造内に金属をメッキするメッキ浴を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、サブミクロン構造内に金属をメッキする方法を提供する。この方法は、サブミクロン構造の表面上にシード層を付着する工程を含む。シード層を、約８０〜約１３０℃の温度でアニールする。シード層上に金属をメッキする。
【０００８】
また、本発明は、サブミクロン構造内に金属をメッキする方法を提供する。この方法は、サブミクロン構造の表面上にシード層を付着する工程を含む。約１３０〜約１５５グラム／リットルの硫酸を含むメッキ浴内で、シード層上に金属をメッキする。
【０００９】
さらに、本発明は、半導体デバイス構造を形成する方法を提供する。この方法は、絶縁材料よりなる層を設ける工程を含む。サブミクロン構造を、絶縁材料よりなる層内に形成する。シード層を、サブミクロン構造に付着する。シード層を、約８０〜約１３０℃の温度でアニールする。シード層上に金属をメッキする。
【００１０】
またさらに、本発明は、半導体デバイス構造を形成する方法を提供する。この方法は、絶縁材料よりなる層を設ける工程を含む。サブミクロン構造を、絶縁材料よりなる層内に形成する。少なくともサブミクロン構造内に付着する。約１３０〜１５５グラム／リットルの硫酸を含むメッキ浴内で、シード層上に金属をメッキする。
【００１１】
またさらに、本発明は、絶縁材料と、絶縁材料内のサブミクロン構造とを備える半導体デバイス構造を提供する。アニールされパッシベートされた銅含有シード層は、サブミクロン構造内の表面に設けられる。シード層は、約５〜約２０ｎｍの酸化銅を有し、約１．９μΩ／ｃｍの抵抗率を有する。サブミクロン構造内のシード層上に金属が設けられる。
【００１２】
また、本発明は、上述した方法によって形成された半導体デバイス構造を提供する。他の形態によれば、本発明は、深いサブミクロン構造内に金属をメッキするためのシード層を提供する。シード層は、約５〜約２０ｎｍの酸化銅を有し、約１．９μΩ／ｃｍの抵抗率を有するアニールされパッシベートされた銅含有シード層を有する。
【００１３】
さらに、本発明は、サブミクロン構造内に金属をメッキするメッキ浴を提供する。このメッキ浴は、約１３０〜約１５５グラム／リットルの硫酸を含む。また、メッキ浴は、少なくとも、約１〜約１０グラム／リットルの抑制剤と、約１〜約１０グラム／リットルの光沢剤と、約０．１〜約２．０グラム／リットルのアルカノールとからなる群から選択された少なくとも１つの添加剤を含む。
【００１４】
さらに、本発明の他の目的および利点は、当業者によれば、以下の詳細な説明により容易に明らかになるであろう。詳細な説明では、本発明を実施することを意図する最良の形態を例示することによって簡略化した本発明の好適な実施例のみを示し説明する。分かるように、本発明は、他のおよび異なる実施例を可能とし、その幾つかの詳細は、本発明から逸脱することなく、種々の明らかな点で変更が可能である。従って、図面および詳細な説明は、実際の例示として、かつ、限定するものではないと見なすべきである。
【００１５】
【発明の実施の形態】
サブミクロン構造の側壁上に金属シード層を付着する際、困難を生じる。例えば、このような構造に付着されたシード層が、度々、不連続となる。この問題は、特に、深いサブミクロン・バイアおよびトレンチに対して存在する。
【００１６】
度々、サブミクロン構造内に付着されたシード層とバリア膜とが、例えばバイアの底部に隣接するバイア側壁の部分で不連続となる傾向がある。このシード層が連続していても、これらの領域内では、シード層は、約１０〜約４０Åのオーダーのように特に薄くなる。不連続および薄い連続シード層は、特に、銅のメッキの際に問題である。薄いまたは不連続シード層は、容易に部分的および／または全体的に酸化される。このことは、シード層上へのメッキに影響を与える。
【００１７】
薄いおよび／または不連続シード層に関連する他の問題は、硫酸をベースにした電気メッキ溶液に浸漬したときに、バイア，ライン，または他のサブミクロン構造の底部近傍の薄いシード層が、メッキの開始の前に、メッキ浴内でかなり容易に溶解するということである。この問題は、次のような場合に、最悪である。すなわち、メッキされる基板を、メッキの前の期間中に、メッキ浴に浸漬して、メッキ溶液がメッキされる全ての構造にマイグレートできるようにする場合である。シード層の溶解は、メッキされるライン，バイア，または他の構造の底部にボイドを生じ得る。これらのボイドは、極めて望ましくなく、ウエハの悪い歩留まりを生じさせる。
【００１８】
図１は、上述した問題が現れるメッキされる典型的な構造の一例を示す。図１は、バリア膜３上のシード層１を示し、これらは共に、メッキされる開口５に付着されている。領域７で示すように、シード層は、メッキされる構造の底部近傍で、薄いおよび／または不連続である。
【００１９】
上述したように、薄いシード層は、空気によって酸化される。また、薄いシード層は、メッキ浴、特にＨ２  ＳＯ４  をベースとするメッキ浴内で消失しやすい。図２は、開口５内の金属９のメッキ後の、図１に示す構造を示す。図から分かるように、開口５の底部の近傍で、シード層が薄いおよび／または不連続であった部分にボイド１１が形成されている。
【００２０】
本発明は、メッキ浴による酸化および劣化に耐える強靱なシード層を与えるようにすることによって、上述した問題および他の問題に対する解決方法を与える。本発明は、シード層を形成する工程および／またはシード層上にメッキする工程において、上述した問題を解決する複数の方法を与えることにある。その結果、本発明は、上述した問題を克服する。
【００２１】
一態様によれば、本発明は、サブミクロン構造内に金属をメッキする方法を与える。この方法は、サブミクロン構造の表面上にシード層を付着する工程を含む。シード層は、約８０〜約１３０℃の温度でアニールする。シード層上に金属をメッキする。
【００２２】
アニールは、シード層を付着しているとき、あるいは、シード層の付着後に行うことができる。シード層を付着中にアニールするまたは付着後にアニールするに拘わらず、シード層をスパッタリングによって付着することができる。
【００２３】
シード層のアニールは、既知の方法からの逸脱を示している。さらに、約８０〜約１３０℃の温度でアニールを行うことは、典型的なアニールの方法からの逸脱を示している。これらの方針に沿って、アニールは、典型的には、より高い温度で行う。
【００２４】
本発明によるアニールは、典型的には、約８０〜約１３０℃の温度で行うが、アニールは、約１２０℃より低い温度でも行うことができる。用いるアニール温度に拘わらず、アニール温度を制御して、形成されたシード層の抵抗率を制御することができる。例えば、アニール温度を、約１．９μΩ／ｃｍの抵抗率を有するシード層を形成するのに十分な温度とすることができる。
【００２５】
シード層のアニールは、シード層が付着される基板を、シード層の付着前の上述した温度のような上昇した温度に保持することを保証することによって行うことができる。
【００２６】
他の態様によれば、シード層と、シード層が付着される基板とは、シード層上に金属をメッキする前に、上昇した温度とすることができる。典型的には、温度は、約８０〜約１３０℃である。しかし、室温以上のいかなる温度をも用いることができる。これらの方針に沿って、温度は、約８０℃まで、または約１３０℃までとすることができる。
【００２７】
さらに他の態様によれば、シード層の付着中または付着後は、シード層またはシード層を形成する材料を、Ｈ２  ガスおよび／またはフォーミング・ガスの少なくとも１つに晒すことができる。これらの方針に沿って、Ｈ２  ガスおよび／またはフォーミング・ガスへの露出は、アニールする工程の前，中，および／または後に行うことができる。プロセス時間，圧力，温度，流量，分圧のような適切なプロセス・パラメータは、Ｈ２  ガスおよび／またはフォーミング・ガスへの露出に用いることができる。特定の一例によれば、約１０標準リットル／分（ＳＬＭ）のＨ２  ガスおよび／またはフォーミング・ガスが、約８０〜約１３０℃の温度で約３０〜約６０分間用いられる。
【００２８】
シード層は、シード層のパッシベーションを形成するために、Ｈ２  ガスを晒した後に、シード層内の水素の残留量を生じるのに十分な量および条件の下で、Ｈ２  および／またはフォーミング・ガスに晒すことができる。さらに、および／または、あるいはガス量およびガスに晒す条件は、約１．９μΩ／ｃｍの抵抗率を有するシード層を形成するのに十分なものとすることができる。あるいは、アニールが行われる温度、およびシード層を晒すガス（露出の量および条件を含む）は、約１．９μΩ／ｃｍの抵抗率を有するシード層を形成するのに十分である。
【００２９】
典型的には、シード層は、約２．４μΩ／ｃｍの抵抗率を有する。従って、上述したように、本発明は、膜の抵抗率を低減することができる。膜の抵抗率の低減は、ホール充填（ｈｏｌｅ  ｆｉｌｌ）を増進させる。
【００３０】
さらに、上述したように、本発明で用いられるアニール温度は、典型的なアニール温度よりも低い。この低アニール温度は、スパッタされた膜内の酸化銅を減少させる働きをする。低アニール温度は、シード層のいかなる重大なアグロメレーション（ａｇｇｌｏｍｅｒａｔｉｏｎ）も生じない。
【００３１】
また、冷却して水素雰囲気から基板を取り出した後に残留している水素の残留量によるシード層のパッシベーションは、シード層の酸化速度を減少させることができる。
【００３２】
上述した本発明のアニール，ガス露出，および他の形態に加えて、あるいは、これらに代えて、上述したように形成されるか否かに拘わらず、シード層を、本発明による新規なメッキ浴に晒すことができる。本発明によるメッキ浴は、メッキする金属と、可能な他の成分との他に、約１３０〜約１５５グラム／リットルの硫酸を含む。他方、典型的な既知のメッキ浴は、約１６０〜約２００グラム／リットルの硫酸を含む。
【００３３】
従って、本発明によるメッキ浴は、メッキ浴内の典型的な硫酸濃度より低い硫酸濃度を含む。本発明によるメッキ浴の組成は、基板に電力を供給して金属のメッキを行う前の浸漬中の、銅のエッチング速度を低減する働きをする。
【００３４】
また、本発明によるメッキ浴は、一般に用いるメッキ浴よりも低い酸素濃度を有することができる。典型的には、メッキ浴中の酸素濃度は、約１０−３〜約１０−５モル／リットルである。また、低酸素濃度は、特に、シード層が薄いまたは不連続なサブミクロン構造におけるシード層のエッチング速度を低減する働きをする。酸素濃度は、銅の溶解速度を検出することによって、および既知の値に基づいて、測定および制御することができる。当業者が本発明の開示を知ると、余分な実験をすることなく適切な酸素値を決定して、所定の特性を有するメッキ浴を作ることができるであろう。
【００３５】
本発明による改良された浴内での銅シード層のエッチングは、硫酸の存在下で、大きな銅粒子のエッチング速度を抑制する働きをする１種以上の添加剤を加えることによってさらに低減することができる。添加剤は、１種以上の界面活性剤を含むことができる。
【００３６】
添加剤は、あらゆる種類の抑制剤および／または光沢剤よりなる添加物を含むことができる。当業者ならば、本発明の開示を知ると、抑制剤および光沢剤の意味を理解し、余分な実験をすることなく、メッキ浴内に含ませる適切な添加剤を決定することができる。両種類の添加物は、界面活性剤を含むことができる。
【００３７】
抑制剤および／または光沢剤の量は、実施例によって変えることができる。典型的には、メッキ浴は、約１〜約１０グラム／リットルの抑制剤および／または約１〜約１０グラム／リットルの光沢剤を含む。典型的には、１種類の添加剤のみをメッキ浴中に加える。
【００３８】
本発明によるメッキ浴は、あるいは、および／または、さらに、アルカノールを含むことができる。アルカノールの量は、実施例によって変えることができる。典型的な実施例によれば、本発明によるメッキ浴は、約０．１〜約２．０グラム／リットルのアルカノールを含む。典型的には、アルカノールは、用いられる他の添加剤の量とは無関係に、他の添加物に加えて用いることができる。
【００３９】
上述したように、本発明は、上述したシード層のアニールおよび他の形態の付着に加えて、あるいは代えて、新規なメッキ浴を含むことができる。本発明のアニール・プロセスおよび／またはメッキ浴は、半導体デバイス構造を形成する全体的な方法の要素を与えることができる。これらの方針に沿って、本発明は、半導体デバイス製造に含まれるいかなる数の工程をも含むことができる。
【００４０】
本発明による半導体デバイス構造を形成する方法は、基板上に絶縁材料よりなる層を設けるステップを少なくとも含む。サブミクロン構造は、絶縁材料よりなる層に形成される。シード層は、サブミクロン構造内に付着され、シード層上に金属がメッキされる。シード層は、上述したように付着することができる。さらに、金属をメッキする工程は、上述したようにメッキ浴内で行うことができる。この方法は、シード層の付着および処理と、メッキ浴とのうちの一方または両方を含む。
【００４１】
また、本発明は、半導体デバイス構造を含む。半導体デバイス構造は、基板上の絶縁材料と、絶縁材料内のサブミクロン構造とを備える。アニールされパッシベートされた銅含有シード層は、サブミクロン構造内の表面に付着できる。シード層は、約５ｎｍ〜約２０ｎｍの酸化銅を有し、約１．９μΩ／ｃｍの抵抗率を有する。シード層上のサブミクロン構造内に、金属をメッキする。サブミクロン構造は、少なくとも１つのバイア・ラインを有することができる。
【００４２】
また、本発明は、深いサブミクロン構造内に金属をメッキするためのシード層を有する。シード層は、約５〜約２０ｎｍの銅酸化物とを含み、約１．９μΩ／ｃｍの抵抗率を有するアニールされパッシベートされた銅含有シード層を有する。また、本発明は、上述したようなメッキ浴を有する。
【００４３】
本発明の前述した説明は、本発明を例示し、説明するものである。さらに、この開示は、本発明の好適な実施例のみを示し説明するが、前述したように、本発明は、他の種々の組合せ，変更，および環境で用いることが可能であり、上記教示、および／または関連する技術または知識に応じて、ここに示されたような本発明の概念の範囲内の変形および変更が可能であることは明らかである。さらに、ここで上述した実施例は、本発明を実施する既知の最良の形態を説明することを意図し、当業者が、このようなまたは他の実施例の中で本発明を用いることを可能にする。本発明の特定の応用および使用によっては、種々の変更が要求される。従って、この説明は、本発明をここで開示した形態に限定することを意図するものではない。また、特許請求の範囲は、他の実施例を含むと解釈されることを意図する。
【００４４】
まとめとして、本発明の構成に関して以下の事項を開示する。
（１）サブミクロン構造内に金属をメッキする方法において、
サブミクロン構造の表面上に、シード層を付着する工程と、
前記シード層を、約８０〜約１３０℃の温度でアニールする工程と、
前記シード層上に、金属をメッキする工程とを含むことを特徴とする方法。
（２）前記アニールは、約１２０℃より低い温度で行うことを特徴とする、上記（１）に記載の方法。
（３）前記アニール中に、前記シード層を、Ｈ２  ガスおよびフォーミング・ガスのうちの少なくとも１つに晒す工程をさらに含むことを特徴とする、上記（１）に記載の方法。
（４）前記シード層を、前記アニールと同時に付着することを特徴とする、上記（１）に記載の方法。
（５）前記シード層を、スパッタリングによって付着することを特徴とする、上記（４）に記載の方法。
（６）前記付着および前記アニール中に、前記シード層を、Ｈ２  ガスおよびフォーミング・ガスのうちの少なくとも１つに晒すことを特徴とする、上記（４）に記載の方法。
（７）前記シード層を、スパッタリングによって付着することを特徴とする、上記（１）に記載の方法。
（８）前記アニールを行う温度は、約１．９μΩ／ｃｍの抵抗率を有するシード層を形成するのに十分な温度であることを特徴とする、上記（１）に記載の方法。
（９）前記シード層を晒すガスは、約１．９μΩ／ｃｍの抵抗率を有するシード層を形成するのに十分な量であることを特徴とする、上記（３）に記載の方法。
（１０）前記アニールを行う温度、および前記シード層を晒すガスは、約１．９μΩ／ｃｍの抵抗率を有するシード層を形成するのに十分な温度および量であることを特徴とする、上記（３）に記載の方法。
（１１）前記シード層を、前記シード層内に水素残留量を生じるのに十分な条件でＨ２  ガスに晒し、前記Ｈ２  ガスに晒した後、前記シード層のパッシベーションを形成することを特徴とする、上記（３）に記載の方法。
（１２）前記シード層を、前記シード層の下層のバリア層内に水素残留量を生じるのに十分な条件でＨ２  ガスに晒し、前記Ｈ２  ガスに晒した後、前記シード層のパッシベーションを形成することを特徴とする、上記（１１）に記載の方法。
（１３）前記金属をメッキする工程は、前記シード層を、約１３０〜約１５５グラム／リットルの硫酸を含むメッキ浴に晒す工程を含むことを特徴とする、上記（１）に記載の方法。
（１４）前記金属をメッキする工程は、前記シード層を、各々約１〜約１０グラム／リットルの光沢剤および抑制剤のうちの少なくとも１種を含むメッキ浴に晒す工程を含むことを特徴とする、上記（１）に記載の方法。
（１５）前記金属をメッキする工程は、前記シード層を、各々約１〜約１０グラム／リットルの光沢剤および抑制剤のうちの少なくとも１種を含むメッキ浴に晒す工程を含むことを特徴とする、上記（１３）に記載の方法。
（１６）前記金属をメッキする工程は、前記シード層を、約０．１〜約２．０グラム／リットルのアルカノールを含むメッキ浴に晒す工程を含むことを特徴とする、上記（１）に記載の方法。
（１７）前記シード層が形成される材料は、前記シード層を付着する工程の前は、上昇した温度にあることを特徴とする、上記（１）に記載の方法。
（１８）前記シード層が形成される材料と前記シード層とは、前記シード層上に金属をメッキする工程の前は、上昇した温度にあることを特徴とする、上記（１）に記載の方法。
（１９）サブミクロン構造内に金属をメッキする方法において、
サブミクロン構造の表面上に、シード層を付着する工程と、
前記シード層上に、約１３０〜約１５５グラム／リットルの硫酸を含むメッキ浴内で金属をメッキする工程とを含むことを特徴とする方法。
（２０）前記金属をメッキする工程は、前記シード層を、各々約１〜約１０グラム／リットルの光沢剤および抑制剤のうちの少なくとも１種を含むメッキ浴に晒す工程を含むことを特徴とする、上記（１９）に記載の方法。
（２１）前記メッキ浴は、約０．１〜約２グラム／リットルのアルカノールを含むことを特徴とする、上記（１９）に記載の方法。
（２２）半導体デバイス構造を形成する方法において、
絶縁材料よりなる層を設ける工程と、
前記絶縁材料よりなる層内に、サブミクロン構造を形成する工程と、
前記サブミクロン構造内に、シード層を付着する工程と、
前記シード層を、約８０〜約１３０℃の温度でアニールする工程と、
前記シード層上に、金属をメッキする工程とを含むことを特徴とする方法。
（２３）前記シード層を、スパッタリングによって付着し、前記アニールを、前記スパッタリングと同時に行うことを特徴とする、上記（２２）に記載の方法。
（２４）前記付着およびアニール中に、前記シード層を、Ｈ２  ガスおよびフォーミング・ガスのうちの少なくとも１つに晒す工程を、さらに含むことを特徴とする、上記（２２）に記載の方法。
（２５）半導体デバイス構造を形成する方法において、
絶縁材料よりなる層を設ける工程と、
前記絶縁材料よりなる層内に、サブミクロン構造を形成する工程と、
前記サブミクロン構造内に、シード層を付着する工程と、
約１３０〜約１５５グラム／リットルの硫酸を含むメッキ浴内で、前記シード層上に金属をメッキする工程とを含むことを特徴とする方法。
（２６）前記金属をメッキする工程は、前記シード層を、各々約１〜約１０グラム／リットルの光沢剤および抑制剤の少なくとも１種を含むメッキ浴に晒す工程を含むことを特徴とする、上記（２５）に記載の方法。
（２７）前記メッキ浴は、約０．１〜約２．０グラム／リットルのアルカノールを含むことを特徴とする、上記（２５）に記載の方法。
（２８）絶縁材料と、
前記絶縁材料内のサブミクロン構造と、
前記サブミクロン構造の表面上の、約５〜約２０ｎｍの酸化銅を有し、約１．９μΩ／ｃｍの抵抗率を有するアニールされパッシベートされた銅含有シード層と、
前記サブミクロン構造内の金属とを備えたことを特徴とする半導体デバイス構造。
（２９）前記サブミクロン構造は、バイアおよびラインのうちの少なくとも１つを有することを特徴とする、上記（２８）に記載の半導体デバイス構造。
（３０）絶縁材料よりなる層を設ける工程と、
前記絶縁材料よりなる層内に、サブミクロン構造を形成する工程と、
前記サブミクロン構造内に、シード層を付着する工程と、
前記シード層を約８０〜約１３０℃の温度でアニールする工程と、
前記シード層をメッキする工程とを含む方法によって形成された半導体デバイス構造。
（３１）絶縁材料よりなる層を設ける工程と、
前記絶縁材料よりなる層内に、サブミクロン構造を形成する工程と、
前記サブミクロン構造内に、シード層を付着する工程と、
前記シード層を、約１３０〜約１５５グラム／リットルの硫酸を含むメッキ浴内で、前記シード層上に金属をメッキする工程とを含む方法によって形成された半導体デバイス構造。
（３２）深いサブミクロン構造内に金属をメッキするためのシード層において、
約５〜約２０ｎｍの酸化銅を含み、約１．９μΩ／ｃｍの抵抗率を有するアニールされパッシベートされた銅含有シード層を備えたことを特徴とするシード層。
（３３）サブミクロン構造内に金属をメッキするためのメッキ浴において、
約１３０〜約１５５グラム／リットルの硫酸と、
約１〜約１０グラム／リットルの抑制剤と、約１〜約１０グラム／リットルの光沢剤と、約０．１〜約２．０グラム／リットルのアルカノールとからなる群から選択された少なくとも１種の添加剤とを含むことを特徴とするメッキ浴。
【図面の簡単な説明】
【図１】ラインおよびバイアを形成する方法における既知の半導体デバイス構造の一部を示す断面図である。
【図２】図１に示す構造において、開口内に金属をメッキした後の、図１に示す構造の断面図である。
【符号の説明】
１  シード層
３  バリア膜
５  開口
７  領域
９  金属
１１  ボイド
【図１】
0003554968.tif 000002
【図２】
0003554968.tif 000003