【手続補正書】
【提出日】平成29年2月14日(2017.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板とその基板上にグラフトされた高分子膜とを含む、伝熱向上のため、相転移および望ましくない材料の核形成を軽減するため、またはその物品に対する液体および固体の付着を低減させるための物品。
【請求項２】
前記基板が、金属、ポリマー、半導体、セラミック、希土類元素、または希土類元素を含む化合物を含む、請求項１記載の物品。
【請求項３】
前記高分子膜が、フルオロポリマーを含む、請求項１または２記載の物品。
【請求項４】
前記フルオロポリマーが、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリ（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８−トリデカフルオロオクチルメタクリレート）、ポリ（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ペルフルオロオクチルアクリレート）、ポリ（［Ｎ−メチル−ペルフルオロヘキサン−１−スルホンアミド］エチルアクリレート）、ポリ（［Ｎ−メチル−ペルフルオロヘキサン−１−スルホンアミド］エチル（メタ）アクリレート）、ポリ（２−（ペルフルオロ−３−メチルブチル）エチルメタクリレート））、ポリ（２−［［［［２−（ペルフルオロヘキシル）エチル］スルホニル］メチル］−アミノ］エチル］アクリレート）、ポリ（２−［［［［２−（ペルフルオロヘプチル）エチル］スルホニル］メチル］−アミノ］エチル］アクリレート）、ポリ（２−［［［［２−（ペルフルオロオクチル）エチル］スルホニル］メチル］−アミノ］エチル］アクリレート）、およびそれらの任意のコポリマーから成る群より選択されるものを含む、請求項３記載の物品。
【請求項５】
前記高分子膜が、ポリ（ペルフルオロデシルアクリレート）（ＰＦＤＡ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリグリシジルメタクリレート（ＰＧＭＡ）、ポリ−２−ヒドロキシエチルメタクリレート、ポリ（ペルフルオロノニルアクリレート）、ポリ（ペルフルオロオクチルアクリレート）、およびそれらの任意のコポリマーから成る群より選択される少なくとも１つのものを含む、請求項１から４いずれか一項記載の物品。
【請求項６】
前記高分子膜が、２つ以上のモノマー種のコポリマーを含む、請求項１から５いずれか一項記載の物品。
【請求項７】
前記高分子膜が、架橋ポリマーおよび／または架橋コポリマーを含む、請求項１から６いずれか一項記載の物品。
【請求項８】
前記高分子膜が、少なくとも２つのビニル部分を有する有機分子を含む架橋剤で架橋されている、請求項７記載の物品。
【請求項９】
前記高分子膜が、エチレンジメチルアクリレート（ＥＤＭＡ）、ジ（エチレングリコール）ジ（メタクリレート）、ジ（エチレングリコール）ジ（アクリレート）、エチレングリコールジメチルアクリレート（ＥＧＤＭＡ）、ジ（エチレングリコール）ジ（ビニルエーテル）（ＥＤＧＤＶＥ）、１Ｈ，１Ｈ，６Ｈ，６Ｈ−ペルフルオロヘキシルジアクリレート、およびジビニルベンゼン（ＤＶＢ）から成る群より選択されるもので架橋されている、請求項７記載の物品。
【請求項１０】
前記高分子膜が、前記膜の厚さに沿って不均一な架橋剤濃度を有する、請求項７から９いずれか一項記載の物品。
【請求項１１】
前記高分子膜が、前記基板にビニル前駆体を付けることによって前記基板に共有結合され、それによって複数のペンダントビニル部分を含む表面を形成する、請求項１から１０いずれか一項記載の物品。
【請求項１２】
前記ビニル前駆体が、トリクロロビニルシラン、ビス（トリエトキシシリルエチル）ビニルメチル−シラン、ビス（トリエトキシシリル）エチレン、ビス（トリメトキシシリルメチル）エチレン、１，３−［ビス（３−トリエトキシシリルプロピル）ポリ−エチレンオキシ］−２−メチレンプロパン、ビス［（３−トリメトキシシリル）プロピル］−エチレンジアミン、ビス［３−（トリエトキシシリル）プロピル］−ジスルフィド、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、およびビニルホスホン酸から成る群より選択される少なくとも１つのものを含む、請求項１１記載の物品。
【請求項１３】
前記高分子膜が、厚さ１５００ｎｍ以下である、請求項１から１３いずれか一項記載の物品。
【請求項１４】
前記高分子膜が、グラフト層およびバルク膜層を含む、請求項１記載の物品。
【請求項１５】
前記高分子膜が、水について５０°以下でかつ炭化水素、冷媒、極低温液体および他の低表面張力液体について２０°以下の小さい接触角ヒステリシスを有する表面を有し、ここでの接触角ヒステリシスは前進接触角と後退接触角間の差である、請求項１から１４いずれか一項記載の物品。
【請求項１６】
前記高分子膜が、水について７０°以上でかつ炭化水素、冷媒、極低温液体および他の低表面張力液体について３０°以上の大きい前進接触角、および／または、水について６０°以上でかつ炭化水素、冷媒、極低温液体および他の低表面張力液体について２０°以上の大きい後退接触角を有する表面を有する、請求項１から１５いずれか一項記載の物品。
【請求項１７】
凝縮器、凝縮器の構成要素、電子またはフォトニック部品用の冷却デバイス、またはサーマルインターフェースマテリアル（ＴＩＭ）である、請求項１から１６いずれか一項記載の物品。
【請求項１８】
前記高分子膜が、１８ｍＮ／ｍ以下の臨界表面エネルギーを有する曝露面を有する、請求項１から１７いずれか一項記載の物品。
【請求項１９】
前記高分子膜が、１００ｎｍ以下のＲＭＳ粗さを有する、請求項１から１８いずれか一項記載の物品。
【請求項２０】
油および／またはガス処理装置の構成要素である、請求項１から１９いずれか一項記載の物品。
【請求項２１】
電力線、タービン、航空機、パイプライン、ボイラー、フロントガラス、ソーラーパネル、産業機械、調理器具、家電デバイス、プリント基板、電子部品または医療デバイス、あるいはそれらの構成要素である、請求項１から１９いずれか一項記載の物品。
【請求項２２】
液体の滴状凝縮および／または撥液を促進するための表面を製造するための方法であって、
基板を供給する工程；および
高分子膜を前記基板上に開始剤支援化学蒸着（ｉＣＶＤ）によって制御可能に堆積させる工程
を含む方法。
【請求項２３】
前記高分子膜の堆積前または堆積と同時に、前記基板上にビニル前駆体を堆積させる工程を含む、請求項２２記載の方法。
【請求項２４】
前記堆積される高分子膜が、１ｎｍから１００ｎｍの平均厚さを有する、請求項２２記載の方法。
【請求項２５】
前記高分子膜が、１８ｍＮ／ｍ以下の臨界表面エネルギーを有する曝露面を有する、請求項２２から２４いずれか一項記載の方法。
【請求項２６】
前記高分子膜が、２５°以下の接触角ヒステリシスを有する曝露面を有する、請求項２２から２５いずれか一項記載の方法。
【請求項２７】
前記曝露面が、水、炭化水素、冷媒、極低温液体および他の伝熱流体、またはそれらの任意の組み合わせについて５°以下の接触角ヒステリシスを有する、請求項２６記載の方法。
【請求項２８】
前記高分子膜が、炭化水素、冷媒、極低温液体、水、他の低表面張力液体、またはそれらの任意の組合せを、滴状凝縮させおよび撥く、請求項２２から２７いずれか一項記載の方法。
【請求項２９】
前記炭化水素が、アルカン、アルケン、アルキンおよび燃料混合物から成る群より選択されるものであり；前記冷媒が、クロロフルオロカーボン、ヒドロフルオロカーボンおよびヒドロクロロフルオロカーボンから成る群より選択されるものであり；ならびに、前記極低温液体が、Ｎ２、Ｏ２、ＣＯ２、ＬＮＧ、メタン、プロパン、イソブテンおよびそれらの任意の組み合わせから成る群より選択される、請求項２８記載の方法。