(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被測定物理量の空間分布を求めるセンシング用光ファイバ中で発生するブリルアン散乱現象の変化を捉えて被測定物理量の空間分布を求める光ファイバ分布型測定方法において、
光源からの光をポンプ光とプローブ光とに分配する工程と、
前記ポンプ光を前記センシング用光ファイバの一端から入射する工程と、
前記プローブ光をブリルアン周波数近傍まで変調して前記センシング用光ファイバの他端から入射する工程と、
前記ポンプ光と前記ブリルアン周波数近傍まで変調された前記プローブ光とが前記センシング用光ファイバ中を互いに対向する方向から伝搬したときに生じる誘導ブリルアンによって、前記ブリルアン周波数近傍まで変調された前記プローブ光は前記被測定物理量の情報を受けて被測定光として伝搬し、この被測定光と前記ブリルアン周波数近傍まで変調された前記プローブ光とを合波する工程と、
この合波光におけるビート信号の周波数値から前記被測定物理量の発生個所を特定し、かつ前記プローブ光の離調幅を変化させたときの前記ビート信号の強度変化に基づいて前記被測定物理量を求める工程と、
を有することを特徴とする光ファイバ分布型測定方法。
【請求項２】
被測定物理量の空間分布を求めるセンシング用光ファイバ中で発生するブリルアン散乱現象の変化を捉えて被測定物理量の空間分布を求める光ファイバ分布型測定方法において、
光源からの光をポンプ光とプローブ光とに分配する工程と、
前記ポンプ光を前記センシング用光ファイバに入射する工程と、
前記プローブ光をブリルアン周波数近傍まで変調する工程と、
前記ポンプ光が前記センシング用光ファイバ中に伝搬したときに自然ブリルアン散乱光が発生し、この自然ブリルアン散乱光に前記被測定物理量が反映して後方に被測定光として伝搬し、この被測定光と前記ブリルアン周波数近傍まで変調された前記プローブ光とを合波する工程と、
この合波光におけるビート信号の周波数値から前記被測定物理量の発生個所を特定し、かつ前記プローブ光の離調幅を変化させたときの前記ビート信号の強度変化に基づいて前記被測定物理量を求める工程と、
を有することを特徴とする光ファイバ分布型測定方法。
【請求項３】
前記プローブ光の周波数は、位相変調によって前記ポンプ光の周波数に対して周波数シフトし、この位相変調によって生じる基本変調周波数のｎ次高調波周波数成分（ｎは整数）を被測定物理量の測定に用いることを特徴とする請求項１又は２記載の光ファイバ分布型測定方法。
【請求項４】
前記プローブ光の中心周波数は、前記光源からの光の周波数変調に同期させて補正変調し、ブリルアン周波数の波長依存性の影響を低減することを特徴とする請求項１又は２記載の光ファイバ分布型測定方法。
【請求項５】
前記ポンプ光を光増幅して前記センシング用光ファイバに送ることを特徴とする請求項１又は２記載の光ファイバ分布型測定方法。
【請求項６】
センシング用光ファイバ中で発生するブリルアン散乱現象の変化を捉えて被測定物理量の空間分布を求める光ファイバ分布型測定装置において、
光源からの光を出力する光源部と、
この光源部から出力された前記光をポンプ光とプローブ光とに分配する光分配手段と、
前記ポンプ光を前記センシング用光ファイバの一端から入射する第１の光学手段と、
前記プローブ光をブリルアン周波数近傍まで変調する光変調手段と、
この光変調手段により変調された前記プローブ光を前記センシング用光ファイバの他端から入射する第２の光学手段と、
前記ポンプ光と前記ブリルアン周波数近傍まで変調された前記プローブ光とが前記センシング用光ファイバ中を互いに対向する方向から伝搬したときに生じる誘導ブリルアンによって前記被測定物理量の情報を受けた前記ブリルアン周波数近傍まで変調された前記プローブ光を被測定光とし、この被測定光と前記第２の光学手段からの前記ブリルアン周波数近傍まで変調された前記プローブ光とを合波する合波光学手段と、
この合波光学手段からの合波光におけるビート信号の周波数値から前記被測定物理量の発生個所を特定し、かつ前記プローブ光の離調幅を変化させたときの前記ビート信号の強度変化に基づいて前記被測定物理量を求める検出手段と、
を具備したことを特徴とする光ファイバ分布型測定装置。
【請求項７】
センシング用光ファイバ中で発生するブリルアン散乱現象の変化を捉えて被測定物理量の空間分布を求める光ファイバ分布型測定装置において、
光源からの光を出力する光源部と、
この光源部から出力された前記光をポンプ光とプローブ光とに分配する光分配手段と、
前記ポンプ光を前記センシング用光ファイバの一端から入射する光学手段と、
前記プローブ光をブリルアン周波数近傍まで変調する光変調手段と、
前記ポンプ光が前記センシング用光ファイバ中に伝搬したときに発生し、前記被測定物理量が反映して後方に伝搬する自然ブリルアン散乱光を被測定光とし、この被測定光と前記光変調手段により前記ブリルアン周波数近傍まで変調された前記プローブ光とを合波する合波光学手段と、
この合波光学手段からの合波光におけるビート信号の周波数値から前記被測定物理量の発生個所を特定し、かつ前記プローブ光の離調幅を変化させたときの前記ビート信号の強度変化に基づいて前記被測定物理量を求める検出手段と、
を具備したことを特徴とする光ファイバ分布型測定装置。
【請求項８】
前記光源部は、出力する光の周波数変調が可能な光源と、
この光源を所定の時間周期で周波数変調する変調制御部と、
からなることを特徴とする請求項６又は７記載の光ファイバ分布型測定装置。
【請求項９】
前記光変調手段は、前記プローブ光の周波数を、前記ポンプ光の周波数に対して周波数変調する位相変調器であることを特徴とする請求項６又は７記載の光ファイバ分布型測定装置。
【請求項１０】
前記光変調手段は、前記プローブ光の中心周波数を、前記光源からの光の周波数変調に同期させて補正変調する機能を有することを特徴とする請求項６又は７記載の光ファイバ分布型測定装置。
【請求項１１】
前記光変調手段は、前記プロープ光の周波数を変調する光変調器と、
この光変調器を駆動する変調信号源と、
この変調信号源をコントロールする制御信号源と、
からなることを特徴とする請求項６又は７記載の光ファイバ分布型測定装置。
【請求項１２】
前記変調信号源は、前記光源部の周波数変調に同期して前記光変調器による変調を補正させるコントロール信号を、前記変調信号源に対して送出する機能を有することを特徴とする請求項１１記載の光ファイバ分布型測定装置。
【請求項１３】
前記合波光学手段は、前記被測定光と前記プローブ光とを合波する光合波器と、
この光合波器により合波された光の中からブリルアン散乱固有の周波数成分だけの光を選択して透過する光周波数フィルターと、
からなることを特徴とする請求項６又は７記載の光ファイバ分布型測定装置。
【請求項１４】
前記光分配手段と前記第１の光学手段との間に設けられ、前記光分配手段からの前記ポンプ光を光増幅して前記第１の光学手段に送る光増幅手段を備えたことを特徴とする請求項６又は７記載の光ファイバ分布型測定装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光ファイバを媒体とし、光ファイバ中で発生するブリルアン散乱現象の変化を捉えることで被測定物理量及びその位置を測定する光ファイバ分布型測定方法及びその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
かかる光ファイバ分布型測定方法は、光ファイバを敷設した周囲の歪みや温度等の外乱因子に関する物理量を測定するための光ファイバセンサー等に応用できる。
【０００３】
この応用例は、例えば、（ａ）光通信網の保守管理、（ｂ）トンネルや鉄橋等の大型構造物の保守管理、（ｃ）航空機等に利用されている複合材料の故障、疲労などの不具合の自己診断である。
【０００４】
具体的には、これら（ａ）〜（ｃ）の対象にそれぞれ光ファイバを埋設することで、例えば複合材料などの材料自体に発生する故障、疲労などの不具合を自己診断する機能を付加するスマートマテリアル・ストラクチャーなどに利用することができる。
【０００５】
このような光ファイバセンサー等の技術の基本性能が向上した場合、その適用範囲は、主に上記（ｂ）及び（ｃ）の分野を中心に広く普及する。
【０００６】
光ファイバをセンシング媒体として歪み又は温度を分布測定する技術は幾つかある。これら技術の中には、光ファイバ中のブリルアン散乱現象を利用した方法がある。
【０００７】
この方法は、これまでの定点型センサーを事前に並べ置く方法に比べ、単純な構成でしかも任意の測定個所での各物理量の分布計測が可能である。
【０００８】
ブリルアン散乱現象は、光ファイバ中で周波数の異なる２つの光波が双方向からすれ違うとき、高周波数の光から低周波数の光へと、光ファイバ中の音響波を介してパワーが移動する現象である。
【０００９】
すれ違う光波間の周波数差がνであるとき、移動するパワーは、近似的に次式（１）で定義されるブリルアンゲインスペクトラムｇＢ（ν）に比例する。
【００１０】
【数１】
0003553534.tif 000002
【００１１】
ここでνＢ、ΔνＢは、それぞれブリルアンシフト周波数、ブリルアン線幅（ゲイン幅）と称するパラメータである。これらパラメータからなるブリルアンゲインスペクトラムは、上記式（１）により示されるようにローレンツ関数曲線に従うプロファイルになる。
【００１２】
つまり、光ファイバ中でブリルアン散乱現象を効率よく発生させるためには、ブリルアン周波数シフトνＢを中心としてブリルアンゲイン線幅ΔνＢの周波数範囲にある周波数差νを付加する必要がある。ブリルアン周波数シフトνＢは、光ファイバ中の音速ｖａとしたとき、次式（２）で与えられる。
【００１３】
【数２】
0003553534.tif 000003
【００１４】
ここで、ｎはファイバの屈折率、λは光ファイバ中の光の波長である。
【００１５】
音速ｖａが光ファイバ周辺の温度、歪みに依存して変化すると、ブリルアン周波数シフトνＢは、上記式（２）により温度、歪みの検知手段を与える結果となる。
【００１６】
例えば波長１．５５μｍにおけるＵＶ（紫外線）被膜シングルモード石英ファイバのブリルアンシフト周波数νＢの温度、歪み量に対する変化感度は、それぞれ次式（３）及び（４）であることが知られている。
【００１７】
【数３】
0003553534.tif 000004
【００１８】
従って、ブリルアンゲインスペクトラムｇＢ（ν）を光ファイバに沿った位置の関数として測定することで温度又は歪みの分布を測定することができる。
【００１９】
前述のブリルアンゲインスペクトラムを測定する技術としては、ＢＯＴＤＡ（Ｂｒｉｌｌｏｕｉｎ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｔｉｍｅ  Ｄｏｍａｉｎ  Ａｎａｌｙｓｉｓ）法が用いられてい。このＢＯＴＤＡ法は、周波数νが可変のパルスポンプ光と連続波プローブ光とを、それぞれファイバ両端から入射し、ブリルアン散乱現象によるプローブ光のブリルアンゲインに比例したパワーの変化を時間の関数として測定し、その変化量から温度、歪み分布を求めるものである。
【００２０】
又、ＢＯＴＤＡ法と等価な技術としてＢＯＴＤＲ（Ｂｒｉｌｌｏｕｉｎ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｔｉｍｅ  Ｄｏｍａｉｎ  Ｒｅｆｌｅｃｔｏｍｅｔｒｙ）法が用いられている。このＢＯＴＤＲ法は、ポンプパルス光のみを被測定ファイバから入射し、自然ブリルアン散乱現象による後方散乱光成分パワーのブリルアンゲインスペクトラムｇＢ（ν）の時間関数（ファイバ上の位置関数）として測定し、その変化量から温度、歪みの分布を求めるものである。
【００２１】
これらＢＯＴＤＡ法及びＢＯＴＤＲ法は、次の文献『Ｔ．Ｈｏｒｉｇｕｃｈｉ  ｅｔ  ａｌ．  ，  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｌｉｇｈｔｗａｖｅ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ．  Ｖｏｌ．  １３  ，  ｐｐ．  １２９６−１３０２．  （１９９５）』において発案者らによって解説されている。
【００２２】
これらＢＯＴＤＡ法及びＢＯＴＤＲ法による温度、歪み発生個所の空間分解能δｚは、ポンプ光のパルス時間幅をＷ、光ファイバ中の光速をｖとすると次式（５）で与えられる。
【００２３】
【数４】
0003553534.tif 000005
【００２４】
従って、空間分解能δｚを高くするには、光パルス時間幅Ｗを短くする必要がある。しかし、ブリルアンゲインスペクトラムｇＢ（ν）、特にその最大周波数であるブリルアンシフト周波数νＢを精度高く測定するためには、光パルス時間幅Ｗを次式（６）の範囲に制約される。
【００２５】
一般的な数値例として、ブリルアンゲイン幅ΔνＢ＝３０ＭＨｚと、光ファイバ中の光速ｖ＝２×１０８ｍ／ｓを用いると、式（５）で与えられる空間分解能δｚは３ｍとなる。
【００２６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ＢＯＴＤＡ法及びＢＯＴＤＲ法では、空間分解能が前述した理由により実質１〜３ｍ程度に制限され、（ｂ）トンネルや鉄橋等の大型構造物の保守管理、（ｃ）航空機等に利用されている複合材料の故障、疲労などの不具合の自己診断に挙げた応用例に関しては、空間分解能が足りないといった課題がある。
【００２７】
ブリルアン散乱現象を利用した測定方法では、ポンプ光と上記式（ｂ）で示されるブリルアンシフト周波数帯相当に離調（周波数シフト）したプローブ光の二つの光波が必要である。その離調周波数は、通常１０ＧＨｚ以上の高周波数領域において１ＭＨｚ以下の離調精度が必要であり、その部分が装置全体のコストの大半を占めている。
【００２８】
このため、光ファイバの非線形現象を取り扱った通常の光ファイバセンサー装置に比べ非常にコストがかかる。このことは応用例である上記（ａ）光通信網の保守管理、（ｂ）トンネルや鉄橋等の大型構造物の保守管理、（ｃ）航空機等に利用されている複合材料の故障、疲労などの不具合の自己診断の全てにおいて共通の課題である。
【００２９】
そこで本発明は、ブリルアン散乱現象の位置の空間分解能の向上及び被測定物理量の測定精度を高めることができる光ファイバ分布型測定方法及びその装置を提供することを目的とする。
【００３０】
【課題を解決するための手段】
第１の発明は、被測定物理量の空間分布を求めるセンシング用光ファイバ中で発生するブリルアン散乱現象の変化を捉えて被測定物理量の空間分布を求める光ファイバ分布型測定方法において、光源からの光をポンプ光とプローブ光とに分配する工程と、ポンプ光をセンシング用光ファイバの一端から入射する工程と、プローブ光をブリルアン周波数近傍まで変調してセンシング用光ファイバの他端から入射する工程と、ポンプ光とブリルアン周波数近傍まで変調されたプローブ光とがセンシング用光ファイバ中を互いに対向する方向から伝搬したときに生じる誘導ブリルアンによって、ブリルアン周波数近傍まで変調されたプローブ光は被測定物理量の情報を受けて被測定光として伝搬し、この被測定光とブリルアン周波数近傍まで変調されたプローブ光とを合波する工程と、この合波光におけるビート信号の周波数値から被測定物理量の発生個所を特定し、かつプローブ光の離調幅を変化させたときのビート信号の強度変化に基づいて被測定物理量を求める工程とを有することを特徴とする光ファイバ分布型測定方法である。
【００３１】
第２の発明は、被測定物理量の空間分布を求めるセンシング用光ファイバ中で発生するブリルアン散乱現象の変化を捉えて被測定物理量の空間分布を求める光ファイバ分布型測定方法において、光源からの光をポンプ光とプローブ光とに分配する工程と、ポンプ光をセンシング用光ファイバに入射する工程と、プローブ光をブリルアン周波数近傍まで変調する工程と、ポンプ光がセンシング用光ファイバ中に伝搬したときに自然ブリルアン散乱光が発生し、この自然ブリルアン散乱光に被測定物理量が反映して後方に被測定光として伝搬し、この被測定光とブリルアン周波数近傍まで変調されたプローブ光とを合波する工程と、この合波光におけるビート信号の周波数値から被測定物理量の発生個所を特定し、かつプローブ光の離調幅を変化させたときのビート信号の強度変化に基づいて被測定物理量を求める工程とを有することを特徴とする光ファイバ分布型測定方法である。
【００３２】
第３の本発明は、上記第１又は第２の本発明の光ファイバ分布型測定方法において、プローブ光の周波数は、位相変調によってポンプ光の周波数に対して周波数シフトし、この位相変調によって生じる基本変調周波数のｎ次高調波周波数成分（ｎは整数）を被測定物理量の測定に用いることを特徴とする。
【００３３】
第４の本発明は、上記第１又は第２の本発明の光ファイバ分布型測定方法において、プローブ光の中心周波数は、光源からの光の周波数変調に同期させて補正変調し、ブリルアン周波数の波長依存性の影響を低減することを特徴とする。
【００３４】
第５の本発明は、上記第１又は第２の本発明の光ファイバ分布型測定方法において、ポンプ光を光増幅してセンシング用光ファイバに送ることを特徴とする。
【００３５】
第６の発明は、センシング用光ファイバ中で発生するブリルアン散乱現象の変化を捉えて被測定物理量の空間分布を求める光ファイバ分布型測定装置において、光源からの光を出力する光源部と、この光源部から出力された光をポンプ光とプローブ光とに分配する光分配手段と、ポンプ光をセンシング用光ファイバの一端から入射する第１の光学手段と、プローブ光をブリルアン周波数近傍まで変調する光変調手段と、この光変調手段により変調されたプローブ光をセンシング用光ファイバの他端から入射する第２の光学手段と、ポンプ光とブリルアン周波数近傍まで変調されたプローブ光とがセンシング用光ファイバ中を互いに対向する方向から伝搬したときに生じる誘導ブリルアンによって被測定物理量の情報を受けたブリルアン周波数近傍まで変調されたプローブ光を被測定光とし、この被測定光と第２の光学手段からのブリルアン周波数近傍まで変調されたプローブ光とを合波する合波光学手段と、この合波光学手段からの合波光におけるビート信号の周波数値から被測定物理量の発生個所を特定し、かつプローブ光の離調幅を変化させたときのビート信号の強度変化に基づいて被測定物理量を求める検出手段とを具備したことを特徴とする光ファイバ分布型測定装置である。
【００３６】
第７の発明は、センシング用光ファイバ中で発生するブリルアン散乱現象の変化を捉えて被測定物理量の空間分布を求める光ファイバ分布型測定装置において、光源からの光を出力する光源部と、この光源部から出力された光をポンプ光とプローブ光とに分配する光分配手段と、ポンプ光をセンシング用光ファイバの一端から入射する光学手段と、プローブ光をブリルアン周波数近傍まで変調する光変調手段と、ポンプ光がセンシング用光ファイバ中に伝搬したときに発生し、被測定物理量が反映して後方に伝搬する自然ブリルアン散乱光を被測定光とし、この被測定光と光変調手段によりブリルアン周波数近傍まで変調されたプローブ光とを合波する合波光学手段と、この合波光学手段からの合波光におけるビート信号の周波数値から被測定物理量の発生個所を特定し、かつプローブ光の離調幅を変化させたときのビート信号の強度変化に基づいて被測定物理量を求める検出手段とを具備したことを特徴とする光ファイバ分布型測定装置である。
【００３７】
第８の本発明は、上記第６又は第７の本発明の光ファイバ分布型測定装置において、光源部は、出力する光の周波数変調が可能な光源と、この光源を所定の時間周期で周波数変調する変調制御部とからなることを特徴とする。
【００３８】
第９の本発明は、上記第６又は第７の本発明の光ファイバ分布型測定装置において、光変調手段は、プローブ光の周波数を、ポンプ光の周波数に対して周波数変調する位相変調器であることを特徴とする。
【００３９】
第１０の本発明は、上記第６又は第７の本発明の光ファイバ分布型測定装置において、光変調手段は、プローブ光の中心周波数を、光源からの光の周波数変調に同期させて補正変調する機能を有することを特徴とする。
【００４０】
第１１の本発明は、上記第６又は第７の本発明の光ファイバ分布型測定装置において、光変調手段は、プロープ光の周波数を変調する光変調器と、この光変調器を駆動する変調信号源と、この変調信号源をコントロールする制御信号源とからなることを特徴とする。
【００４１】
第１２の本発明は、上記第１１の本発明の光ファイバ分布型測定装置において、変調信号源は、光源部の周波数変調に同期して光変調器による変調を補正させるコントロール信号を、変調信号源に対して送出する機能を有することを特徴とする。
【００４２】
第１３の本発明は、上記第６又は第７の本発明の光ファイバ分布型測定装置において、合波光学手段は、被測定光とプローブ光とを合波する光合波器と、この光合波器により合波された光の中からブリルアン散乱固有の周波数成分だけの光を選択して透過する光周波数フィルターとからなることを特徴とする。
【００４３】
第１４の本発明は、上記第６又は第７の本発明の光ファイバ分布型測定装置において、光分配手段と第１の光学手段との間に設けられ、光分配手段からのポンプ光を光増幅して第１の光学手段に送る光増幅手段を備えたことを特徴とする。
【００４４】
【発明の実施の形態】
（１）以下、本発明の第１の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００４５】
図１は光ファイバ分布型測定装置の構成図である。光源部１は、光源２を有し、この光源２からの光を周波数変調（ＦＭ）してそのＦＭ光Ｌを出力するもので、光源２と変調制御装置３とから構成されている。
【００４６】
光源２は、周波数変調可能なもので、例えば半導体レーザ（以降ＬＤと称する）が用いられる。以下、光源２をＬＤ２と称する。このＬＤ２は、光ファイバ分布型測定装置に好適である。このＬＤ２から出力されるＦＭ光Ｌは、光ファイバ４の一端側から入射するものとなっている。
【００４７】
変調制御装置３は、ＬＤ２をＦＭ変調するもので、駆動電源と第１変調信号源とからなる。
【００４８】
光ファイバ４の他端側には、光分配器５が接続されている。この光分配器５は、ＦＭ光Ｌを、ポンプ光Ｐ１とプローブ光Ｐ２とにそれぞれ分岐するものである。光分配器５は、例えば光カプラー、ビームスプリッター、ハーフミラー等が好適である。なお、光分配器５の分岐出力側には、ポンプ光Ｐ１用とプローブ光Ｐ２用との２本の光ファイバ４が接続されている。
【００４９】
光サーキュレータである第１の光学手段６がポンプ光Ｐ１用の光ファイバ４の他端に接続されている。この第１の光学手段６は、ポンプ光Ｐ１をセンシング用光ファイバ７の一端から入射させるものである。以下、第１の光学手段６を光サーキュレータ６と称する。この光サーキュレータ６は、例えば光カプラー、ビームスプリッター、ハーフミラー等が好適である。
【００５０】
この光サーキュレータ６は、入力ポート６−１と２つの出力ポート６−２、６−３とを有し、このうち入力ポート６−１にポンプ光Ｐ１用の光ファイバ４が接続され、出力ポート６−２にセンシング用光ファイバ７が接続されている。
【００５１】
センシング用光ファイバ７は、実際の歪みや温度（本発明の被測定物理量の好適な例）を検知するためのものである。
【００５２】
一方、光分配器５からのプローブ光Ｐ２用の光ファイバ４の他端には、光変調器部８が接続されている。この光変調器部８は、プローブ光Ｐ２をブリルアン周波数近傍まで変調するもので、プロープ光Ｐ２の周波数を変調する光変調器９と、この光変調器９を駆動する変調信号源１０と、この変調信号源１０を外部からコントロールする制御信号源１１とから構成されている。
【００５３】
このうち光変調器９は、例えば波長１．５５μｍにおける石英光ファイバのブリルアンシフト周波数νＢ（＝１０〜１１ＧＨｚ相当）の変調可能な電界効果を利用した導波路型変調器が挙げられる。この光変調器９は、他に音響効果を用いた変調素子や、両効果に基づくバルク型の変調素子等でもよい。
【００５４】
この光変調器９により変調されたプロープ光Ｐ２は、光変調器部９の変調周波数νｓによってν（ｔ）±νｓの周波数成分を有するプローブ光Ｐ３になる。
【００５５】
このプローブ光Ｐ３は、プローブ光Ｐ３用の光ファイバ４を伝搬して第２の光学手段１２に入射する。この第２の光学手段１２は、光分配器１３によってプローブ光Ｐ３をプローブ光Ｐ４とプローブ光Ｐ５とにそれぞれ分岐するものである。
【００５６】
光分配器１３の分岐出力側には、プローブ光Ｐ４用の光ファイバ４とプローブ光Ｐ５用の光ファイバ４とが接続されている。このうちプローブ光Ｐ４用の光ファイバ４は、センシング用光ファイバ７の他端側に接続されている。
【００５７】
従って、センシング用光ファイバ７には、一端からポンプ光Ｐ１が入射して同センシング用光ファイバ７内を伝搬し、かつ他端からプローブ光Ｐ４が入射してポンプ光Ｐ１の伝搬方向とは逆向きに伝搬（対向励起）する。
【００５８】
これにより、センシング用光ファイバ７中では、ポンプ光Ｐ１によって発生するＳＢＳ現象を介してそのパワーの一部がプローブ光Ｐ４に移行する。このプローブ光Ｐ４からみれば、それはブリルアン増幅による伝搬光として振舞う。
【００５９】
光サーキュレータ６の出力ポート６−３と光分配器１３からのプローブ光Ｐ５用の光ファイバ４との間には、合波光学手段１４が接続されている。
【００６０】
この合波光学手段１４は、ポンプ光Ｐ１とプローブ光Ｐ４とがセンシング用光ファイバ７中を互いに対向する方向から伝搬したときに生じる誘導ブリルアンによって被測定物理量の情報を受けたプローブ光Ｐ６を被測定光とし、この被測定光Ｐ６と光分配器１３からのプローブ光Ｐ５とを合波するものである。
【００６１】
この合波光学手段１４は、光合波器１５と波長フィルター１６とからなっている。光合波器１５は、被測定光Ｐ６とプローブ光Ｐ５とを合波するものである。この光合波器１５は、例えば光カプラー、ハーフミラー、ビームスプリッター等がの好適である。
【００６２】
波長フィルター１６は、光合波器１５からの合波光Ｐ７のうちν（ｔ）−νｓの周波数成分の光波だけを透過するものである。
【００６３】
検出部１７は、光合波器１５の合波光Ｐ７におけるビート信号の周波数値から被測定物理量の発生個所を特定し、かつプローブ光Ｐ２の離調幅を変化させたときのビート信号の強度変化に基づいて被測定物理量を求めるもので、光検出器１８と周波数解析装置１９とからなる。
【００６４】
光検出器１８は、合波光Ｐ７のうち波長フィルターを透過したν（ｔ）−νｓの周波数成分の光波を受光・干渉してその電気信号（ビート信号）に変換するものである。
【００６５】
周波数解析装置１９は、光検出器１８からの電気信号（ビート信号）を入力し、この電気信号（ビート信号）を周波数解析して周波数成分を求め、それらの周波数値からセンシング用光ファイバ７上の歪み又は温度の物理量の測定個所を求め、更に、光変調器部８によってプローブ光Ｐ２のνｓを離調操作することで変化するビート信号の強度変化からその被測定物理量の変化を測定する機能を有している。
【００６６】
この周波数解析装置１９は、ＲＦスペクトラムアナライザー等であり、その他に好適な例としてＦＦＴ（高速フーリエ変換）、ＤＦＴ（離散フーリエ変換）、ウエーブレット変換といった周波数解析手法による演算装置でもよい。
【００６７】
次に、上記の如く構成された装置の作用について説明する。
【００６８】
ＬＤ２は、変調制御装置３によりＦＭ変調される。このＬＤ２から出力されるＦＭ光Ｌは、光ファイバ４の中を伝搬して光分配器５に入射する。
【００６９】
この光分配器５は、ＦＭ光Ｌをポンプ光Ｐ１とプローブ光Ｐ２とにそれぞれ分岐する。
【００７０】
このうちポンプ光Ｐ１は、光ファイバ４の中を伝搬して光サーキュレータ６に入射する。この光サーキュレータ６では、ポンプ光Ｐ１は入力ポート６−１から入射して出力ポート６−１から出射する。
【００７１】
ポンプ光Ｐ１は、センシング用光ファイバ７の一端から入射し、このセンシング用光ファイバ７の中を伝搬する。
【００７２】
一方のプローブ光Ｐ２は、光ファイバ４の中を伝搬して光変調器部８に入射する。この光変調器部８は、制御信号源１１により変調信号源１０を外部からコントロールし、この変調信号源１０により光変調器９を駆動する。
【００７３】
しかるに、光変調器９は、プローブ光Ｐ２を入射し、このプローブ光Ｐ２をブリルアン周波数近傍まで変調し、プローブ光Ｐ３として出射する。このプローブ光Ｐ３は、光変調器９の変調周波数νｓによってν（ｔ）±νｓの周波数成分を有する。
【００７４】
このプローブ光Ｐ３は、光分配器１３に入射し、この光分配器１３によってプローブ光Ｐ４とプローブ光Ｐ５とにそれぞれ分岐される。
【００７５】
このうちプローブ光Ｐ４は、センシング用光ファイバ７の他端（ポンプ光入力端とは逆の端）から入射し、ポンプ光Ｐ１の伝搬方向とは逆向きに伝搬（対向励起）する。その関係によってセンシング用光ファイバ７中ではポンプ光Ｐ１によって発生するＳＢＳ現象を介してそのパワーの一部がプローブ光Ｐ４に移行する。
【００７６】
プローブ光Ｐ４からみれば、それはブリルアン増幅による伝搬光として振舞う。このようにＳＢＳの情報を有するプローブ光Ｐ６は、再び光サーキュレータ６の出力ポート６−２に入射し、この出力ポート６−２から出力ポート６−３を介して合波光学手段１４に入射する。
【００７７】
このとき、合波光学手段１４には、プローブ光Ｐ６と共に、光分配器１３からのプローブ光Ｐ５も入射する。
【００７８】
この合波光学手段１４の光合波器１５は、被測定光Ｐ６とプローブ光Ｐ５とを合波する。
【００７９】
この光合波器１５からの合波光Ｐ７は、波長フィルター１６に入射し、この波長フィルター１６によってν（ｔ）−νｓの周波数成分の光波だけが透過する。この波長フィルター１６を透過した光波は、検出部１７に入射する。
【００８０】
この検出部１７の光検出器１８は、合波光Ｐ７のうち波長フィルターを透過したν（ｔ）−νｓの周波数成分の光波を受光・干渉してその電気信号（ビート信号）に変換する。
【００８１】
周波数解析装置１９は、光検出器１８からの電気信号（ビート信号）を入力し、この電気信号（ビート信号）を周波数解析して周波数成分を求め、それらの周波数値からセンシング用光ファイバ７上の歪み又は温度の物理量の測定個所を求め、更に、光変調器部８によってプローブ光Ｐ２のνｓを離調操作することで変化するビート信号の強度変化からその被測定物理量の変化を測定する。
【００８２】
次に、上記第１の実施の形態の測定方法の原理を図２及び図３を参照して説明する。図２は誘導ブリルアン散乱（以降ＳＢＳと呼ぶ）現象からみた場合の図、図３は測定結果からみた場合の図である。なお、図２（ａ）は光周波数領域からみたポンプ光スペクトラムとブリルアンゲインスペクトラムとの関係であり、同図（ｂ）はプローブ光スペクトラムとの関係を示す図である。
【００８３】
この測定方法の原理の説明にあたり、ブリルアン散乱の発生及び被測定物理量の関係についての詳細な説明は、前項で述べているので、重複を避けるために、ここでは省略する。
【００８４】
又、本発明の測定法の特徴は、上記の項目でその概要を前述している。よって、図２及び図３を用いた第１の実施の形態の説明は、図１で構成されている各装置の測定パラメータが本発明の測定原理にどのように関係しているのかを説明する。
【００８５】
センシング用光ファイバ７中を伝搬するポンプ光Ｐ１は、光ＦＭを伴うポンプ光スペクトラム１００として、周期Ｔでｔ＝０〜Ｔ（１０１〜１０２）の間で繰り返し変化（変調）している。そのポンプ光の周波数成分νｐ（ｔ）は、次式（７）で与えられる。
【００８６】
【数５】
0003553534.tif 000006
【００８７】
ここで、ν０はポンプ光の初期光周波数、Δνｍは光周波数変調幅（光ＦＭ幅）である。
【００８８】
上記式（７）のポンプ光１００によって発生するブリルアンゲインスペクトラム１０３の中心周波数νＢ（ｔ）は、次式（８）により与えられる。
【００８９】
【数６】
0003553534.tif 000007
【００９０】
ここで、ブリルアンゲインスペクトラム１０３の中心周波数νＢは、センシング用光ファイバ７に固有のブリルアンシフト周波数（通常は石英ファイバで波長１．５５μｍの時１０〜１１ＧＨｚ付近）である。このブリルアンゲインスペクトラム１０３は、周期Ｔでｔ＝０〜Ｔ（１０４〜１０５）の間で繰り返し変化（変調）している。
【００９１】
一方、プローブ光Ｐ３も同様に光ＦＭを伴うプローブ光スペクトラム１０６として、周期Ｔでｔ＝０〜Ｔ（１０７〜１０８）の間で繰り返し変化（変調）している。
【００９２】
それに付け加えて光変調器部８による変調の効果から最終的なプローブ光Ｐ３の周波数νＳ（ｔ）は、次式（９）により与えられる。（以降νＳをプローブ光のオフセット周波数と称する）
【００９３】
【数７】
0003553534.tif 000008
【００９４】
もし、プローブ光のオフセット周波数νＳがブリルアンシフト周波数νＢと等しいならば、上記式（８）は式（９）と等しくなり、その差は変調時間に依存しなくなる。
【００９５】
つまり、ブリルアンゲインスペクトラムが光ＦＭによって変化しても、それに同期してそのプローブ光も追随することを意味する。これより、相対的にみればブリルアンゲインスペクトラム１０３とプローブ光１０６との関係は常に周波数差は一定である。
【００９６】
次に図２（ｂ）を用いてプローブ光Ｐ４のオフセット周波数νＳの離調（周波数可変操作）によってブリルアンゲインスペクトラム周波数分布を測定する原理を説明する。
【００９７】
前記説明のオフセット周波数成分νＳ＝νＢのとき、ブリルアンスペクトラムの中心周波数とプローブ光の中心周波数成分は一致し、その周波数条件の時にプローブ光Ｐ４がＳＢＳを介して得られるブリルアン増幅率Ｇは最大値Ｇｍａｘである。
【００９８】
そして、プローブ光のオフセット周波数値を離調することで、プローブ光スペクトラム１０９は、ブリルアンゲインプロファイル１１０に沿って、個々の周波数におけるブリルアン増幅率Ｇ１〜Ｇｎの情報を受け取る。
【００９９】
この時のオフセット周波数の離調幅をΔνＳとすれば、通常、ΔνＳ＞ΔνＢでそのブリルアンゲインプロファイルの分布を明らかにすることができる。（通常の石英ファイバで波長１．５５μｍ時のΔνＢは１０〜３０ＭＨｚ付近）
従って、図２では、本発明の特徴である光ＦＭの連続光による測定手法において、光変調器部８の変調周波数（オフセット周波数）νＳを、ある任意の周波数幅ΔνＳの範囲で離調し、その都度プローブ光の強度変化（Ｇ１〜Ｇｎに関係して）を測定すれば、ブリルアンゲインプロファイルを求めることができることを説明した。
【０１００】
次に、図３を用いてファイバ上の各位置におけるブリルアンゲインプロファイルのピーク値分布からその歪み（図３ではその被測定物理量を便宜上歪みとしたが温度でも同じである）分布を求める原理を説明する。
【０１０１】
同図に示す光ファイバ１２０は、図１に示すセンシング用光ファイバ７に対応する。又、ポンプ光１２１はポンプ光Ｐ１に対応し、プローブ光１２２はプローブ光Ｐ６に対応する。
【０１０２】
そして、図３に示す測定結果は、光ファイバ１２０の任意個所（Ｚ１−Ｚ２区間）１２３に歪みが発生した時を想定した場合である。
【０１０３】
歪み発生個所１２３でのプローブ光Ｐ６の光電界Ｅｒ（ｔ，νＳ）は、次式（１０）のようになり、そのプローブ光の合波・干渉相手であるプローブ光Ｐ５の光電界Ｅｒ’（ｔ，νＳ）は、次式（１１）となる。
【０１０４】
そして、これら両光を合波光学手段１４で合波、検出部１７によって受光・干渉して得られる測定信号のＡＣ（ビート）成分Ｉｂ（ｔ）は、次式（１２）となる。
【０１０５】
【数８】
0003553534.tif 000009
【０１０６】
ここで、Ｅｒｏ、Ｅ’ｒｏはプローブ光Ｐ４、プローブ光Ｐ５の初期電界振幅、ｎはファイバ屈折率、ｃは光速、Ｇ（νＳ）はプローブ光のオフセット周波数νＳにおけるブリルアン増幅率、Ｅ＊はＥの複素共役項である。
【０１０７】
上記式（１２）より、その測定信号のビート周波数成分ｆｂは、その歪み発生個所までの距離ｚ固有の値であり、振幅値はその歪み物理量に関係するＧ（νＳ）を含んでいる。
【０１０８】
そして、その歪み発生個所１２３におけるブリルアンゲインスペクトラムの強度最大値の周波数からその歪み量を特定することができる。
【０１０９】
しかるに、その操作は、図２で説明したように、光変調器部８のオフセット周波数νＳをブリルアンシフト周波数νＢ近傍でΔνＳの範囲で離調し、その都度のＩｂ（ｔ）の振幅値変化を測定する。
【０１１０】
これら操作を踏まえた最終的な測定結果は、図３に示すようにオフセット周波数νＳごとの測定ビート周波数信号１２４で構成される。そして、距離ごとにビート信号強度の最大値をつなぐと、光ファイバ１２０上の歪み分布１２５が求められる。
【０１１１】
これらの測定の原理に基づく本発明における空間分解能Δｚは、フーリエ変換時におけるサンプリング定理に従い次式（１３）のようになる。
【０１１２】
【数９】
0003553534.tif 000010
【０１１３】
具体的には、上記式（１３）から光周波数変調（光ＦＭ）幅Δνｍ＝１ＧＨｚの時の空間分解能は１０ｃｍとなり、従来技術より空間分解能の性能が３０倍向上する。
【０１１４】
ところで、その光ＦＭ幅１ＧＨｚの実現のためにはＬＤ２の注入電流によるＦＭ発生法では、約１ｍＡの変調幅に相当し、また、外部変調法による発生では、市販レベルにおける高速光変調器で十分である。
【０１１５】
このように上記第１の実施の形態においては、ＬＤ２からの光を周波数変調してポンプ光Ｐ１とプローブ光Ｐ２とに分配し、このうちポンプ光Ｐ１をセンシング用光ファイバ７の一端から入射し、プローブ光Ｐ２をブリルアン周波数近傍まで変調してプローブ光Ｐ４としてセンシング用光ファイバ７の他端から入射し、これらポンプ光Ｐ１とプローブ光Ｐ４とがセンシング用光ファイバ７中を互いに対向する方向から伝搬したときに生じる誘導ブリルアンによって、プローブ光Ｐ４は被測定物理量の情報を受けて被測定光Ｐ６として伝搬し、この被測定光Ｐ６とプローブ光Ｐ５との合波光Ｐ７におけるビート信号の周波数値から被測定物理量の発生個所を特定し、かつプローブ光Ｐ２の離調幅を変化させたときのビート信号の強度変化に基づいて被測定物理量を求める。
【０１１６】
本発明の周波数変調光利用と従来技術のパルス光の違いを説明すれば、様々な測定時間領域における光スペクトラム幅の違いである。
【０１１７】
確かに周波数変調光は時間的に周波数が変化しているので、その測定時間全体（時間の積分領域）で見れば、周波数変調している掃引幅（帯域）のスペクトラム広がりがあり、従来技術のパルス幅とそれに伴う周波数スペクトラム幅の拡大と等価である。
【０１１８】
しかしながら、瞬時時間領域（時間の微分領域）においては、本来の単一周波数における線幅である。しかし、パルス光はいずれの時間領域においても常に光スペクトラムが拡散した状態にある。
【０１１９】
ブリルアンスペクトラム測定とは瞬時時間におけるそれぞれの光スペクトラムの周波数積分なので、本発明は、前記理由により瞬時時間領域ではスペクトラム広がりがないためブリルアンスペクトラムの測定精度は劣化しない。
【０１２０】
そして、本発明において空間分解能向上をする時には、周波数変調幅を大きくする必要があるが、それは積分時間領域の話であり、微分（瞬時）時間領域でみれば、従来技術で心配しているような光スペクトラム広がりへの影響はない。
【０１２１】
ゆえに、本発明は、従来技術のパルス方式（ＢＯＴＤＡ、ＢＯＴＤＲ）で課題となっていた空間分解能の向上と被測定物理量（歪みや温度）の測定精度の向上の両立が可能になり、これら基本性能が同時に向上するという効果がある。
【０１２２】
従って、上記第１の実施の形態によれば、ブリルアン散乱現象の位置の空間分解能の向上及び被測定物理量の測定精度を高めることができる。
【０１２３】
光ファイバセンサー等の応用として、（ａ）光通信網の保守管理、（ｂ）トンネルや鉄橋等の大型構造物の保守管理、（ｃ）航空機等に利用されている複合材料の故障、疲労などの不具合の自己診断の全てにおいて、ブリルアン散乱現象の位置の空間分解能の向上及び被測定物理量の測定精度を高めることができる。
【０１２４】
（２）次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。なお、図１と同一部分には同一符号を付してその詳しい説明は省略する。
【０１２５】
図４は光ファイバ分布型測定装置の構成図である。
【０１２６】
この光ファイバ分布型測定装置の上記第１の実施の形態との装置構成の違いは、センシング用光ファイバ７の他端が第２光学手段１２に接続されておらず、センシング用光ファイバ７中では上記第１の実施の形態におけるプローブ光Ｐ４を必要としない点である。
【０１２７】
この第２の実施の形態では、センシング用光ファイバ７の一端だけで測定できるので、そのファイバ敷設方法は、より容易となり、かつその測定対象の適用範囲も広がるという利点をもつ。
【０１２８】
光サーキュレータ６の出力ポート６−２には、センシング用光ファイバ７の一端が接続されている。
【０１２９】
ポンプ光Ｐ１は、センシング用光ファイバ７の中を伝搬する。この結果、ポンプ光Ｐ１によって自然ブリルアン散乱光とレーリー散乱光を含む後方散乱光Ｐ１０が発生する。この後方散乱光Ｐ１０は、再び光サーキュレータ６の出力ポート６−２に帰還し、出力ポート６−３から光ファイバ４を伝搬して合波光学手段１４に導かれるものとなっている。
【０１３０】
この合波光学手段１４は、後方散乱光Ｐ１０と光変調器部８からのプローブ光Ｐ３とを合波するもので、光合波器１５と波長フィルター１６とからなっている。光合波器１５は、被測定光Ｐ６とプローブ光Ｐ５とを合波するものである。この光合波器１５は、例えば光カプラー、ハーフミラー、ビームスプリッター等がの好適である。波長フィルター１６は、光合波器１５からの合波光Ｐ７のうちν（ｔ）−νｓの周波数成分の光波だけを透過するものである。
【０１３１】
次に、上記の如く構成された装置の作用について説明する。
【０１３２】
ＬＤ２は、変調制御装置３によりＦＭ変調される。このＬＤ２から出力されるＦＭ光Ｌは、光ファイバ４の中を伝搬して光分配器５に入射する。
【０１３３】
この光分配器５は、ＦＭ光Ｌをポンプ光Ｐ１とプローブ光Ｐ２とにそれぞれ分岐する。
【０１３４】
このうちポンプ光Ｐ１は、光ファイバ４の中を伝搬して光サーキュレータ６に入射する。この光サーキュレータ６では、ポンプ光Ｐ１は入力ポート６−１から入射して出力ポート６−１から出射する。
【０１３５】
このポンプ光Ｐ１は、センシング用光ファイバ７の一端から入射し、このセンシング用光ファイバ７の中を伝搬する。
【０１３６】
ポンプ光Ｐ１がセンシング用光ファイバ７の中を伝搬すると、このポンプ光Ｐ１によって自然ブリルアン散乱光とレーリー散乱光を含む後方散乱光Ｐ１０が発生する。この後方散乱光Ｐ１０は、再び光サーキュレータ６の出力ポート６−２に帰還し、出力ポート６−３から光ファイバ４を伝搬して合波光学手段１４に導かれる。
【０１３７】
一方のプローブ光Ｐ２は、光ファイバ４の中を伝搬して光変調器部８に入射する。この光変調器部８は、制御信号源１１により変調信号源１０を外部からコントロールし、この変調信号源１０により光変調器９を駆動する。
【０１３８】
しかるに、光変調器９は、プローブ光Ｐ２を入射し、このプローブ光Ｐ２をブリルアン周波数近傍まで変調し、プローブ光Ｐ３として出射する。このプローブ光Ｐ３は、光変調器９の変調周波数νｓによってν（ｔ）±νｓの周波数成分を有する。このプローブ光Ｐ３は、合波光学手段１４に入射する。
【０１３９】
この合波光学手段１４は、光合波器１５により後方散乱光Ｐ１０と光変調器部８からのプローブ光Ｐ３とを合波する。
【０１４０】
この光合波器１５からの合波光は、波長フィルター１６に入射し、この波長フィルター１６によってν（ｔ）−νｓの周波数成分の光波だけが透過する。この波長フィルター１６を透過した合波光Ｐ１２は、検出部１７に入射する。
【０１４１】
この検出部１７の光検出器１８は、波長フィルターを透過したν（ｔ）−νｓの周波数成分の合波光Ｐ１２を受光・干渉してその電気信号（ビート信号）に変換する。
【０１４２】
周波数解析装置１９は、光検出器１８からの電気信号（ビート信号）を入力し、この電気信号（ビート信号）を周波数解析して周波数成分を求め、それらの周波数値からセンシング用光ファイバ７上の歪み又は温度の物理量の測定個所を求め、更に、光変調器部８によってプローブ光Ｐ２のνｓを離調操作することで変化するビート信号の強度変化からその被測定物理量の変化を測定する。
【０１４３】
次に、上記図２及び図３を用いて上記第２の実施の形態の測定の原理を説明する。なお、上記第１の実施の形態と測定の原理が同じ点については重複を避ける上でここでの説明は省略する。ここでは、上記第１の実施の形態との測定の原理の上で異なる点について説明する。
【０１４４】
その際、図４で構成されている各装置の測定パラメータが本発明の測定原理にどのように関係しているのかに着目して以下に説明する。
【０１４５】
後方散乱光Ｐ１０のブリルアン散乱光スペクトラムは、図２（ａ）に示す１０３に相当し、プローブ光Ｐ３のスペクトラムは、同図（ａ）に示す１０６に相当する。
【０１４６】
そして、これらブリルアン散乱光スペクトラム１０３とプローブ光Ｐ３のスペクトラム１０６との干渉によって生じる干渉ビートＩｂ（ｔ）のＡＣ成分は、上記式（１２）と若干異なり次式（１４）のようになる。
【０１４７】
【数１０】
0003553534.tif 000011
【０１４８】
つまり式（１４）は、上記第１の実施の形態における式（１２）で説明した歪み発生位置ｚ固有のビート周波数成分ｆｂの他に、プローブ光のオフセット周波数成分νＳとブリルアンシフト周波数成分νＢとの差周波数成分Δｆｒを含む信号となるのが特徴である。
【０１４９】
これは本発明において障害とはならない。何故なら第１及び第２の実施の形態においてこれらの関係は、全体の原理を説明しやすいように、プローブ光のオフセット周波数の初期周波数νＳ０＝νＢと前提条件としているが、一般的には、νＳ０の条件は≒νＢ近傍であればよく、それは任意に設定できるパラメータである。
【０１５０】
故にΔｆｒは＝｜νＳ−νＳ０｜と書き換えることができ、これは測定前の既知パラメータとして演算上で後に補正することが容易である。また、第２の実施の形態における空間分解能は、上記第１の実施の形態と同じく上記式（１３）のように定義できる。
【０１５１】
このように上記第２の実施の形態においては、ＬＤ２からのＦＭ光Ｌをポンプ光Ｐ１とプローブ光Ｐ２とに分配し、このうちポンプ光Ｐ１をセンシング用光ファイバ７に入射し、プローブ光Ｐ２をブリルアン周波数近傍まで変調し、ポンプ光Ｐ１がセンシング用光ファイバ７中に伝搬したときに自然ブリルアン散乱光が発生し、この自然ブリルアン散乱光に被測定物理量が反映して後方に被測定光Ｐ１０として伝搬し、この被測定光Ｐ１０とプローブ光Ｐ３とを合波し、この合波光Ｐ１２におけるビート信号の周波数値から被測定物理量の発生個所を特定し、かつプローブ光Ｐ３の離調幅を変化させたときのビート信号の強度変化に基づいて被測定物理量を求める。
【０１５２】
従って、上記第１の実施の形態と同様の効果を奏することは言うまでもなく、ポンプ光Ｐ１をセンシング用光ファイバ７の一端のみから入射するので、センシング用光ファイバ７の敷設の自由度が広がり、かつ容易となる。これよりセンシング用光ファイバ７の敷設の制限が多い所、及び他の使用目的で敷設した既存の光ファイバにおいても、本発明の適用範囲が広がるという固有の効果を奏することができる。
【０１５３】
（３）次に、本発明の第３の実施の形態について説明する。なお、図１及び図４と同一部分には同一符号を付してその詳しい説明は省略する。
【０１５４】
この第３の実施の形態における変調器部８は、上記第１及び第２の実施の形態と同様に、光変調器９と変調信号源１０と制御信号源１１とから構成されているが、このうちの光変調器９が位相変調器であることに特徴を有している。
【０１５５】
上記第１及び第２の実施の形態における光変調器は、位相変調器の他に強度変調器や周波数シフター等の種類の光変調器を用いることができる。位相変調器以外の変調方法では、プローブ光のオフセット周波数νｓがブリルアンシフト周波数νＢ付近（前記した条件では１０〜１１ＧＨｚ）の変調信号が必要であった。
【０１５６】
これに対して第３の実施の形態における位相変調器を光変調器９に置き換えた装置および変調方法では、その変調信号の周波数νＳは、νＢの整数分の１まで低周波数化することができる。
【０１５７】
これにより、低周波数に基づく光変調器部８の装置構成は容易となり、しいては本発明の装置全体のコスト低減に役立つ。
【０１５８】
図５は第３の実施の形態に基づく装置構成及び変調方法によって得られるブリルアンゲインプロファイル分布の実際の測定結果を示す。
【０１５９】
第３の実施の形態の原理について説明すると、第３の実施の形態に基づく位相変調によるプローブ光の電界を次式（１５）に示す。
【０１６０】
【数１１】
0003553534.tif 000012
【０１６１】
上記式（１５）からプローブ光の周波数成分は、νＳを基本周波数とするｎ次（ｎ：整数）の高調波成分で構成される周波数コムであり、その各ｎ次の周波数スペクトラムの強度は、第１種のｎ次のベッセル関数で決まる係数に比例する。
【０１６２】
つまり、位相変調によりνＳの基本周波数を印加するだけで、自動的に２νＳ、３νＳ、４νＳ、…、ｎνＳの周波数成分が１度に生成されることを意味している。
【０１６３】
そしてνＢに近いｎνＳだけがビート信号の中間周波数帯に現れ測定することができる。ｎの値が大きいほど、その基本周波数νＳは小さくて済む（低周波数化）。
【０１６４】
図５は第３の実施の形態に基づいて実際に測定した結果であり、プローブ光の各基本周波数νＳの１／ｎのオフセット周波数値におけるブリルアンゲインスペクトラムの比較である。
【０１６５】
１〜４次の高調波成分いずれにおいても、同じ中間周波数帯５００ＭＨｚの値でピークを示すスペクトラムとなっている。そして、その強度値は上記式（１５）で示したそれぞれのベッセル関数の値に比例して変化している。
【０１６６】
これより図５は、プローブ光のオフセット周波数変調に位相変調を用いることで、そのオフセット周波数νＳの値を小さくできることを実際に示している。
【０１６７】
このように上記第３の実施の形態においては、光変調器９に位相変調器を用いることにより、プローブ光のオフセット周波数変調を位相変調方式にし、その高次高調波の周波数成分を利用することで、オフセット周波数変調を低周波数にすることができ、そのことで装置構成が容易になる。
【０１６８】
これにより、本発明における測定装置全体、又は同技術分野における（ＢＯＴＤＡ、ＢＯＴＤＲ）の測定装置全体においても、低コスト化に貢献できるこという特有の効果がある。
【０１６９】
すなわち、プローブ光に関する離調部分をより低周波数域にすることで、その離調装置構成を容易にして低コスト化を実現できる。
【０１７０】
プローブ光が変調器部８の位相変調器によってブリルアン周波数νＢ近傍に変調されるが、その時に位相変調器に印加される変調周波数は、そのνＢの１／ｎ（ｎ：整数）であり、その変調周波数可変幅も１／ｎである。
【０１７１】
この結果、その離調周波数帯は、従来の１／ｎの低周波数帯で済むことになる。つまり、本手段の検出部１７で検出される信号の周波数成分は、プローブ光のｎ次高調波成分との相互作用によって発生する信号を用いるものとなる。
【０１７２】
（４）次に、本発明の第４の実施の形態について説明する。なお、図１及び図４と同一部分には同一符号を付してその詳しい説明は省略する。
【０１７３】
図６は光変調器部８の構成図であり、図７はその原理図である。この第４の実施の形態は、ポンプ光の光ＦＭ化（波長変化）による影響で、ブリルアンシフト周波数νＢがそのポンプ光の波長変化に伴い変動し、それによって歪みや温度（被測定物理量）の測定精度が劣化する課題に対し、プローブ光側の光変調器部８で補正することで、その測定精度の向上を図ったものである。
【０１７４】
光変調器９に印加する変調波形は、電圧制御型信号源ＶＣＯ（Ｖｏｌｔａｇｅ  Ｃｏｎｔｒｏｌ  Ｏｓｃｉｌｌａｔｉｏｎ）１０と、そのＶＣＯ１０の発振周波数を外部から電圧制御する外部コントローラ１１と、その外部コントローラ１１と光源部１との同期を取るための同期接続線２０との装置構成によって生成される。
【０１７５】
通常、ＶＣＯ１０は、プローブ光Ｐ２のオフセット周波数を、外部コントローラ１０のあるＤＣ電圧値により、ブリルアンシフト周波数近傍１０〜１１ＧＨｚ程度まで変化させることができる。
【０１７６】
プローブ光Ｐ２をＦＭ周期時間Ｔの領域でアクティブな補正変調を行うためには、その外部コントローラ１１にその補正周波数幅に相当する電圧幅δＶｍのＡＣ波形をＤＣ成分に加えることで補正可能である。
【０１７７】
その結果、補正変調信号波形が光変調器９に印加され、プローブ光Ｐ２は、ＦＭ補正されたプローブ光Ｐ３として出力される。
【０１７８】
次に、図７を用いてプローブ光Ｐ２の補正変調によって歪み・温度の測定精度が向上する原理を説明する。
【０１７９】
同図４はＦＭポンプ光２００によって発生するブリルアンシフト周波数変化（点線）２０１と補正される前のＦＭプローブ光の周波数変化（実線）２０２との関係である。
【０１８０】
上記第１及び第２の実施の形態では、そのブリルアンシフト周波数２０１とＦＭプローブ光２０１との関係は時間に依存せず、その周波数差はνＢ一定であると述べているが、厳密に言えば、上記式（２）で示しているブリルアンシフト周波数νＢの波長依存性（ここでは、ポンプ光の波長λが時間的に変動しているため）によって、プローブ光の周波数ν０−νＳに対してδνＢ（ｔ）の変動幅を有する。
【０１８１】
この変動幅が大きいと、ブリルアンゲインスペクトラムの測定精度が悪くなり、最終的には歪み・温度の測定精度が劣化する。この測定精度を向上するためには、その変動幅δνＢ（ｔ）をその変調時間Ｔの領域全てにわたり小さくしなければならず、このことは、ＦＭプローブ光の周波数変化波形２０１とブリルアン周波数変化（点線）２０１とを同じ波形にするのと等価である。
【０１８２】
それに必要な補正変調波形は、上記式（２）の関係から予測し事前に用意することができる。補正変調波形は、図６に示すＶＣＯ１０における変調信号波形である。
【０１８３】
このように上記第４の実施の形態においては、光変調器部８において、プローブ光Ｐ２の中心周波数を、光源部１からの光の周波数変調に同期させて補正変調する、すなわち変調器信号源１０の周波数値を外部から制御し、その制御方法は光源部１の変調制御装置３と同期して行われ、その制御波形は上記式（２）の波長依存性の影響がでないように、その影響と相殺される周波数変化を変調周期時間内でリアルタイムに補正するので、より一層の被測定物理量の精度向上ができ、これまでその物理量の変動が小さすぎてその分布が測定できなかった測定対象に適用可能という特有の効果を奏することができる。
【０１８４】
すなわち、周波数変調ポンプ光の全ての変調周期時間領域に渡って発生するブリルアンゲインの中心周波数とプローブ光の中心周波数が、相対的に全ての変調周期時間に渡り、同じ周波数差を得ることで、ブリルアンゲインの波長依存性による影響を排除でき、純粋にその被測定物理量の変動分だけに反応した測定結果を得ることができる。この結果、被測定物理量の測定精度の向上が図られる。
【０１８５】
（５）次に、本発明の第５の実施の形態について説明する。なお、図１及び図４と同一部分には同一符号を付してその詳しい説明は省略する。
【０１８６】
図８は光増幅器２１を接続した構成図である。この第５の実施の形態は、上記第１及び第２の実施の形態における光分配器５と光サーキュレータ６との間に光増幅器としてエルビウムドープなどの光ファイバアンプ２１を接続したこと特徴としている。
【０１８７】
なお、光ファイバアンプの種類は、そのポンプ光Ｐ１の波長帯によってその種類が異なり、例えば波長１．５５μｍ帯の例としてエルビウムドープを挙げたが、それは好適な一例に過ぎず他の波長帯のポンプ光Ｐ１に最適なファイバアンプならばどれでもよい。また、半導体素子による光増幅器でもよい。
【０１８８】
光分配器５からのポンプ光Ｐ１は、光ファイバアンプ２１によって光増幅され、その増幅されたポンプ光Ｐ１１は、光サーキュレータ６の入力ポート６−１に入力し、そして出力ポート６−２からセンシング用光ファイバ７へ出力される。
【０１８９】
これにより、増幅される前のポンプ光Ｐ１に比べ、センシング用光ファイバ７上でより遠方でブリルアン発生に必要な出力が得られ、結果として測定範囲が拡大できる。
【０１９０】
このように第５の実施の形態によれば、ポンプ光Ｐ１を光ファイバアンプ２１によって光増幅するので、より遠方までその被測定物理量の分布を測定することができるという特有の効果を奏することができる。
【０１９１】
なお、本発明は、上記第１乃至第５の実施の形態に限定されるものでなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。
【０１９２】
さらに、上記実施形態には、種々の段階の発明が含まれており、開示されている複数の構成要件における適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出できる。例えば、実施形態に示されている全構成要件から幾つかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題が解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果が得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出できる。
【０１９３】
【発明の効果】
以上詳記したように本発明によれば、ブリルアン散乱現象の位置の空間分解能の向上及び被測定物理量の測定精度を高めることができる光ファイバ分布型測定方法及びその装置を提供できる。
【０１９４】
又、本発明によれば、センシング用光ファイバの片端のみにポンプ光を入射するので、センシング用光ファイバの敷設の自由度が広がり、かつその敷設が容易となり、ファイバ敷設の制限が多い所及び他の使用目的で敷設した既存の光ファイバにおいても適用範囲を広げることができる光ファイバ分布型測定方法及びその装置を提供できる。
【０１９５】
又、本発明によれば、プローブ光のオフセット周波数変調を位相変調方式にしたので、高次高調波の周波数成分を利用することで、オフセット周波数変調を低周波数にすることができ、これによって装置構成が容易になり、測定装置全体、又は同技術分野における従来技術のパルス方式（ＢＯＴＤＡ、ＢＯＴＤＲ）の測定装置全体においても低コスト化に貢献できる光ファイバ分布型測定方法及びその装置を提供できる。
【０１９６】
又、本発明によれば、光変調器部において、プローブ光の中心周波数を光源部からの光の周波数変調に同期させて補正変調する、すなわちプローブ光のＦＭをブリルアンシフト周波数変動に合わせて補正するので、ブリルアンゲインの波長依存性による影響を排除でき、純粋にその被測定物理量の変動分だけに反応した測定結果を得ることができ、より一層の被測定物理量の精度向上ができ、これまでその物理量の変動が小さすぎてその分布が測定できなかった測定対象に適用可能とすることができる光ファイバ分布型測定方法及びその装置を提供できる。
【０１９７】
又、本発明によれば、ポンプ光を光増幅するので、より遠方までその被測定物理量の分布を測定することができる光ファイバ分布型測定方法及びその装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係わる光ファイバ分布型測定装置の第１の実施の形態を示す構成図。
【図２】本発明に係わる光ファイバ分布型測定装置の第１の実施の形態の測定方法の原理を誘導ブリルアン散乱現象からみた場合の図。
【図３】本発明に係わる光ファイバ分布型測定装置の第１の実施の形態の測定方法の原理を測定結果からみた場合の図。
【図４】本発明に係わる光ファイバ分布型測定装置の第２の実施の形態を示す構成図。
【図５】本発明に係わる光ファイバ分布型測定装置の第３の実施の形態に基づく装置構成及び変調方法によって得られるブリルアンゲインプロファイル分布の実際の測定結果を示す図。
【図６】本発明に係わる光ファイバ分布型測定装置の第４の実施の形態における光変調器部の構成図。
【図７】本発明に係わる光ファイバ分布型測定装置の第４の実施の形態における光変調器部の原理図。
【図８】本発明に係わる光ファイバ分布型測定装置の第５の実施の形態における光増幅器を接続した構成図。
【符号の説明】
１：光源部
２：光源（ＬＤ）
３：変調制御装置
４：光ファイバ
５：光分配器
６：第１の光学手段（光サーキュレータ）
７：センシング用光ファイバ
８：光変調器部
９：光変調器
１０：変調信号源
１１：制御信号源
１２：第２の光学手段
１３：光分配器
１４：合波光学手段
１５：光合波器
１６：波長フィルター
１７：検出部
１８：光検出器
１９：周波数解析装置
２０：同期接続線
２１：光増幅器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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