【手続補正書】
【提出日】平成29年3月21日(2017.3.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
堆積エリアに提供された基板上に有機材料を堆積するための蒸発源であって、
少なくとも一つの有機材料を蒸発させるように構成されている蒸発るつぼと、
分配管の長さに沿って提供された一又は複数の排出口を有する分配管と
を備え、前記分配管が、前記蒸発るつぼと流体連通しており、前記一又は複数の排出口が提供される排出口側を含む、前記分配管の前記長さに直角な非円形の断面を有しており、前記断面の前記排出口側の幅が、前記断面の最大寸法の３０％又はそれを下回り、前記分配管の側壁が、前記堆積エリアに対して傾斜している、蒸発源。
【請求項２】
前記分配管の前記側壁が、１５度以上の角度で傾斜している、請求項１に記載の蒸発源。
【請求項３】
堆積エリアに提供された基板上に有機材料を堆積するための蒸発源であって、
少なくとも一つの有機材料を蒸発させるように構成されている蒸発るつぼと、
分配管の長さに直角な非円形の断面と、分配管の長さに沿って提供された一又は複数の排出口とを有する分配管と
を備え、前記分配管が、前記蒸発るつぼと流体連通しており、前記一又は複数の排出口が提供される排出口側壁を含み、前記排出口側壁の幅が、前記排出口側壁に平行な前記断面の他の幅に比べて、前記排出口側壁に平行な前記断面の最大幅の３０％以下である、蒸発源。
【請求項４】
前記分配管の前記長さに直角な前記断面が、三角形の一部に対応する主要部分を有する、請求項１から３の何れか一項に記載の蒸発源。
【請求項５】
前記分配管の前記長さに直角な前記断面が、少なくとも１つの丸みを帯びた角及び／又は切断された角を有する三角形である、請求項１から４の何れか一項に記載の蒸発源。
【請求項６】
前記蒸発るつぼの加熱のために構成された第１の加熱デバイスと、
前記分配管を加熱するように構成された第２の加熱デバイスと
を更に備える、請求項１から５の何れか一項に記載の蒸発源。
【請求項７】
前記第２の加熱デバイスが、前記第１の加熱デバイスに対して独立に加熱される、請求項６に記載の蒸発源。
【請求項８】
前記第１の加熱デバイスが、電気ヒータであること、及び
前記第２の加熱デバイスが、電気ヒータであること
の少なくとも一方が当てはまる、請求項６又は７に記載の蒸発源。
【請求項９】
前記第１の加熱デバイスが前記蒸発るつぼのるつぼ壁と接触して配置され、及び／又は第２の加熱デバイスが前記分配管の壁と接触している、請求項８に記載の蒸発源。
【請求項１０】
前記分配管の周囲に、互いに間隔を空けて配置されている、二又はそれを上回る熱シールド
を更に含む、請求項１から９の何れか一項に記載の蒸発源。
【請求項１１】
前記二又はそれを上回る熱シールドが、前記二又はそれを上回る熱シールドの少なくとも１つに又は少なくとも１つの上に提供された突出部又はスポットによって、互いに間隔が空いている、請求項１０に記載の蒸発源。
【請求項１２】
前記一又は複数の排出口が、蒸発方向に蒸発材料を導くように構成されたノズルである、請求項１から１１の何れか一項に記載の蒸発源。
【請求項１３】
前記蒸発方向が水平である、請求項１２に記載の蒸発源。
【請求項１４】
前記一又は複数の排出口が、前記二又はそれを上回る熱シールドを通って蒸発方向に沿って延びるノズルである、請求項１０又は１１に記載の蒸発源。
【請求項１５】
前記排出口側の前記幅が、前記蒸発方向に直角である、請求項１２から１４の何れか一項に記載の蒸発源。
【請求項１６】
内部で大気圧を維持するように構成された蒸発器制御ハウジングであって、支持体によって支持され、スイッチ、バルブ、コントローラ、冷却ユニット、冷却制御ユニット、加熱制御ユニット、電源、及び測定デバイスから成る群から選択された少なくとも１つの要素を収納するように構成されるハウジング
を更に備える、請求項１から１５の何れか一項に記載の蒸発源。
【請求項１７】
前記分配管が、チタン又は石英、特にチタンを含む、請求項１から１６の何れか一項に記載の蒸発源。
【請求項１８】
前記分配管が、蒸気分配シャワーヘッドである、請求項１から１７の何れか一項に記載の蒸発源。
【請求項１９】
前記蒸気分配シャワーヘッドが、前記有機材料用の線形源を提供する線形蒸気分配シャワーヘッドである、請求項１８に記載の蒸発源。
【請求項２０】
有機材料用の蒸発源アレイであって、
請求項１から１９のいずれか一項に記載の第１の蒸発源と、
請求項１から１９のいずれか一項に記載の少なくとも第２の蒸発源と
を備え、
前記第１の蒸発源の一又は複数の排出口と、前記第２の蒸発源の一又は複数の排出口とが、異なる前記分配管からの前記有機材料の混合が改善されるように互いに接近している、蒸発源アレイ。
【請求項２１】
前記分配管が、蒸発中に軸周囲で回転可能であり、
前記分配管用の一又は複数の支持体を更に備え、前記支持体が、第１のドライバと連結可能であり又は前記第１のドライバを含み、前記第１のドライバが、前記一又は複数の支持体及び前記分配管の並進運動のために構成されている、請求項２０に記載の蒸発源アレイ。
【請求項２２】
中心分配管を有する第３の蒸発源を更に備え、外側ノズルが、前記中心分配管のノズルに向かって延びる短い管を含む、管延長を含む、請求項２０又は２１に記載の蒸発源アレイ。
【請求項２３】
前記管延長が屈曲を有する、請求項２２に記載の蒸発源アレイ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
［００４０］本明細書に記載されるように、分配管は、中空円筒とすることができる。これにより、円筒という用語は、円形の底部形状と、円形の上部形状と、上部の円及び小さな下部の円とを連結する湾曲した表面積又は外郭とを有するものとして一般に認められると理解することができる。これにより、本明細書に記載の実施形態は、熱シールド及び冷却シールド装置によってマスクに低減された熱伝達を提供する。例えば、蒸発源からマスクまでの熱伝達は、熱シールド及び冷却シールド装置を貫通するノズルを有することによって、低減することができる。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる更なる追加的又は代替的実施形態によれば、円筒という用語は、数学的意味において、任意の底部形状と、一致する上部形状と、上部形状と下部形状とを連結する湾曲した表面積又は外郭とを有すると更に理解することができる。したがって、円筒は、必ずしも円形断面を有している必要はない。その代わりに、ベース面及び上部面は、円と異なる形状を有することができる。特に、断面は、図３Ａから図４及び図６から図８Ｂを参照してより詳しく記載される形状を有することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
［００４２］分配管の排出口側の幅、例えば、図３Ａに示された断面の壁３２２の寸法は、矢印３５２によって示される。更に、分配管１０６の断面の他の寸法は、矢印３５４及び矢印３５５によって示される。本明細書に記載の実施形態によれば、分配管の排出口側の幅は、断面の最大寸法の３０％又はそれを下回り、例えば、矢印３５４及び３５５によって示された寸法のより大きな寸法の３０％である。これを考慮すると、隣接する分配管１０６の排出口７１２は、距離をより小さくして提供することができる。距離が小さければ、互いに隣り合って蒸発する有機材料の混合が改善される。このことは、図３Ｃ、図７Ａ、図７Ｂ、図８Ａ及び図８Ｂを参照すると、より良く理解することができる。更に、追加的に又は代替的には、有機材料の混合が改善されることとは別に、本質的に平行に、堆積エリア又は基板にそれぞれ面した壁の幅を低減することができる。したがって、例えば、壁３２２などの、本質的に平行に、堆積エリア又は基板にそれぞれ面した壁の表面積は、低減できる。これにより、堆積エリアの中で又は堆積エリア以前にわずかに支持されるマスク又は基板に提供される熱負荷が低減される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
［００４９］図３Ｃは、本明細書に記載の実施形態による低減された熱負荷を更に示す。堆積エリア３１１が、図３Ｃに示される。典型的には、基板は、基板上での有機材料の堆積用の堆積エリアの中に提供することができる。側壁３２６と堆積エリア３１１との間の角度３９５が、図３Ｃに示される。理解できるように、側壁３２６は、熱シールド及び冷却要素に関わらず発生しうる熱放射が、堆積エリアに向かって直接放射されないように、比較的大きな角度で傾斜している。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる、いくつかの実施形態によれば、角度３９５は、１５度又はそれを上回るとすることができる。したがって、矢印３９２によって示される寸法又は面積は、矢印３９４によって示される寸法又は面積と比較するとかなり小さい。これによって、矢印３９２により示される寸法は、分配管１０６に対して、堆積エリアに面した表面が、本質的に平行であり、又は３０度若しくはそれを下回る、又は１５度若しくはそれを下回る角度を有するような、分配管１０６の断面の寸法に対応する。対応するエリア、即ち、直接的な熱負荷を基板に提供するエリアは、分配管の長さと乗算された、図３Ｃに示される寸法である。矢印３９４によって示された寸法は、それぞれの断面で蒸発源全体の堆積エリア３１１上の投射影（ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ）である。対応するエリア、即ち、堆積エリアの表面上への投射影のエリアは、分配管の長さと乗算された、図３Ｃに示される寸法（矢印３９４）である。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる、本明細書に記載の実施形態によれば、矢印３９２によって示されたエリアは、矢印３９４によって示されたエリアと比較すると３０％又はそれを下回る可能性がある。上記を考慮すると、分配管１０６の形状は、堆積エリアに向かって放出される直接的な熱負荷を低減する。したがって、基板及び基板前方に提供されたマスクの温度安定性を改善することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
［００５２］図４は、いくつかの実施形態により提供することができる更なる態様を示す。シェーパシールド４０５が、図４に示される。シェーパシールドは、典型的には、蒸発源の一部から基板又は堆積エリアに向かって延びる。したがって、排出口を通り、分配管（単数又は複数）を出る蒸気の方向を制御することができる、即ち、蒸気放出の角度を低減することができる。いくつかの実施形態によれば、排出口又はノズルを通って蒸発する有機材料の少なくとも一部は、シェーパシールドによって遮断される。これによって、放出角度の幅を制御することができる。いくつかの実施形態によれば、シェーパシールド４０５は、堆積エリアに向かって放出される熱放射を更に低下させるために、冷却シールド４０２及び４０４と同じくらいまで冷却することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
［００５３］図５Ａは、蒸発源の一部を示す。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる、いくつかの実施形態によれば、蒸発源又は蒸発源アレイは、垂直線形源（ｖｅｒｔｉｃａｌ  ｌｉｎｅａｒ  ｓｏｕｒｃｅ）である。したがって、３つの排出口７１２は、垂直排出口アレイの一部である。図５Ａは、例えば、スクリュー又は同類のものなどの、固定要素５７３によって分配管に取り付けることができる熱シールド５７２のスタックを示す。更に、外側シールド４０４は、その内部に提供された更なる開口を有する冷却シールドである。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる、いくつかの実施形態によれば、外側シールドの設計は、蒸発源の構成要素の熱膨張を可能にするように構成することができ、この場合、動作温度に達すると、開口が分配管のノズルとの位置合わせを維持し、又は分配管のノズルとの位置合わせに至る。図５Ｂは、冷却外側シールド４０４の側面図を示す。冷却外側シールドは、本質的に、分配管の長さに沿って延びることができる。代替的には、２つ又は３つの冷却外側シールドが、分配管の長さに沿って延びるように、互いに隣り合わせに提供することができる。冷却外側シールドは、例えば、スクリューなどの固定要素５０２によって、蒸発源に取り付けられ、この場合、固定要素は、本質的に、長さの延長に沿って分配管の中心（＋１０％又は＋２０％）に提供される。分配管が熱膨張すると、熱膨張にさらされる外側シールド４０４の部分の長さが短縮される。外側シールド４０４の開口５３１は、固定要素５０２に近接する円形とすることができ、また固定要素まで大きく距離がある楕円形状を有することができる。いくつかの実施形態によれば、蒸発管の縦軸に平行な方向の開口５３１の長さは、固定要素からの距離が大きくなればなるほど、増加する可能性がある。典型的には、蒸発管の縦軸に直角な方法の開口５３１の幅は、一定にすることができる。上記を考慮すると、外側シールド４０４は、特に蒸発管の縦軸に沿って熱膨張すると延びる可能性があり、蒸発管の縦軸に平行に寸法が増加すると、熱膨張を補償する又は少なくとも部分的に補償する可能性がある。したがって、蒸発源は、ノズルを遮断する外側シールド４０４に開口がなくても、広い温度範囲で操作することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
［００５６］図６は、蒸発源１００の更なる図を示す。蒸発るつぼ１０４は、有機材料を蒸発させるために提供される。加熱要素（図６には示されず）は、蒸発るつぼ１０４を加熱するために提供される。分配管１０６は、蒸発るつぼと流体連通しており、これにより蒸発るつぼの中で蒸発した有機材料を、分配管１０６の中に分配することができる。蒸発した有機材料は、開口（図６に示されず）を通って分配管１０６を出る。分配管１０６は、側壁３２６、排出口側の壁に対向する壁３２４、及び上壁３２５を有している。壁は、壁に装着される又は取り付けられる加熱要素３８０によって加熱される。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる、いくつかの実施形態によれば、蒸発源及び／又は壁の一又は複数はそれぞれ、石英又はチタンで作ることができる。特に、蒸発源及び／又は壁の一又は複数は、チタンで作ることができる。両セクション、蒸発るつぼ１０４及び分配管１０６は、互いから独立して加熱することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
［００５８］図７Ａ／図７Ｂは、分配管１０６の断面を含む更なる上面図を示す。図７Ａは、蒸発器制御ハウジング７０２上に提供される３つの分配管１０６を有する実施形態を示す。蒸発器制御ハウジングは、内部で大気圧を維持するように構成され、かつスイッチ、バルブ、コントローラ、冷却ユニット、冷却制御ユニット、加熱制御ユニット、電源、及び測定デバイスから成る群から選択された少なくとも１つの要素を収納するように構成される。したがって、蒸発源アレイの蒸発源を操作するための構成要素を、大気圧下で蒸発るつぼ及び分配管に接近して提供することができ、蒸発源と共に堆積装置を通って移動することができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
［００６２］図８Ｂは、本明細書に記載の実施形態による、更に別の蒸発源の断面図を示す。３つの分配管が示されており、各分配管は、加熱要素（図８Ｂに示されず）によって加熱される。蒸発るつぼ（図示されず）で生成される蒸気は、ノズル３１２及び５１２それぞれを通って、分配管を出る。ノズルの排出口７１２を一緒に近くに位置させるために、外側ノズル５１２は、中心分配管のノズルチューブに向かって延びる短い管を含む、管延長を含む。これによって、いくつかの実施形態によれば、管延長５１２は、６０度から１２０度、例えば、９０度などの屈曲を有することができる。複数のシールド５７２は、蒸発源の排出口側壁に提供される。例えば、少なくとも５つ、又は更に少なくとも７つのシールド５７２が、蒸発管の外側に提供される。シールド４０２には、一又は複数の管が提供され、冷却要素８２２が提供される。分配管とシールド４０２との間に、複数のシールド３７２が提供される。例えば、少なくとも２つ、又は更に少なくとも５つのシールド３７２が、蒸発管とシールド４０２との間に提供される。複数のシールド５７２及び複数のシールド３７２は、シールドのスタックとして提供され、例えば、シールドは、０．１ｍｍから３ｍｍほど互いから距離がある。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８６】
［００８５］図１０に示される製造システム１０００は、水平基板ハンドリングチャンバ１１００に連結されているロードロックチャンバ１１２０を含む。基板は、基板ハンドリングチャンバ（ガラス操作チャンバ）１１００から真空スイングモジュール１１６０まで移送させることができ、基板が、キャリア上の水平位置に装着される。水平位置でのキャリア上への基板の装着後、真空スイングモジュール１１６０は、垂直又は本質的に垂直な配向でその上に提供された基板を有するキャリアを回転させる。その上に提供された基板を有するキャリアは、次いで、垂直配向を有する、第１の移送チャンバ６１０及び少なくとも１つの更なる移送チャンバ（６１１−６１５）を通って移送される。一又は複数の堆積装置２００は、移送チャンバに連結させることができる。更に、他の基板処理チャンバ又は他の真空チャンバは、移送チャンバの一又は複数に連結することができる。基板の処理後に、その上に基板を有するキャリアは、移送チャンバ６１５から更なる真空スイングモジュール１１６１内に垂直配向で移送される。更なる真空スイングモジュール１１６１は、その上に基板を有するキャリアを垂直配向から水平配向に回転させる。その後、基板は、更なる水平ガラス操作チャンバ１１０１内に取り出すことができる。処理された基板は、例えば、製造されたデバイスが、薄膜カプセル化チャンバ１１４０又は１１４１の１つの中にカプセル化された後に、処理システム１０００からロードロックチャンバ１１２１を通って、取り出されうる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
［００８６］図１０には、第１の移送チャンバ６１０、第２の移送チャンバ６１１、第３の移送チャンバ６１２、第４の移送チャンバ６１３、第５の移送チャンバ６１４、及び第６の移送チャンバ６１５が提供される。本明細書に記載の実施形態によれば、少なくとも２つの移送チャンバが、製造システムの中に含まれ、典型的には、２つから８つの移送チャンバを製造システムの中に含むことができる。いくつかの堆積装置、例えば、各々が真空チャンバ１１０を有しており、各々が移送チャンバの１つに例示的に連結されている、図１０の９つの堆積装置２００が提供される。いくつかの実施形態によれば、堆積装置の真空チャンバの一又は複数は、ゲートバルブ２０５を介して移送チャンバに連結される。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８８】
［００８７］位置合わせユニット１１２は、真空チャンバ１１０に提供することができる。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる更なる実施形態によれば、保守真空チャンバ２１０は、例えば、ゲートバルブ２０７を介して、真空チャンバ１１０に連結させることができる。保守真空チャンバ２１０は、製造システム１０００の堆積源の保守を可能にする。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
［００９３］図１０に示された製造システム１０００だけではなく、本明細書に記載の他の製造システムもまた、少なくとも１つの薄膜カプセル化チャンバを含む。図１０は、第１の薄膜カプセル化チャンバ１１４０、及び第２の薄膜カプセル化チャンバ１１４１を示す。一又は複数の薄膜カプセル化チャンバは、カプセル化装置を含み、堆積した層及び／又は処理された層、特にＯＬＥＤ材料は、堆積した材料及び／又は処理された材料を周囲空気及び／又は大気条件への露出から保護するために、処理された基板と更なる基板との間でカプセル化される、即ち、それらの間に挟まれる。典型的には、薄膜カプセル化は、２つの基板、例えば、ガラス基板の間に材料を挟むことによって、提供することができる。しかしながら、ガラス板、ポリマー板又は金属板での積層、又はカバーガラスのレーザー溶融など、他のカプセル化方法が、代替的には、薄膜カプセル化チャンバの１つに提供されたカプセル化装置によって適用されうる。特に、ＯＬＥＤ材料層は、周囲空気並びに／又は酸素及び湿気への露出を被ることがある。したがって、製造システム１０００は、例えば、図１０に示されるように、ロードロックチャンバ１１２１を介して処理された基板を取り出す前に、薄膜をカプセル化することができる。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９９】
［００９８］ＯＬＥＤディスプレイなどのデバイスを図１０に示される製造システム１０００の中で以下のように製造することができる。これは、単なる例示的製造方法であり、多くの他のデバイスが他の方法によって製造されうる。基板は、ロードロックチャンバ１１２０を介して、基板操作チャンバ１１００内に載置することができる。基板が真空スイングモジュール１１６０に載置される前に、基板事前処理を事前処理チャンバ１１３０及び／又は１１３１内部に提供することができる。基板が、真空スイングモジュール１１６０の中のキャリア上に載置され、水平配向から垂直配向に回転する。その後、基板が、移送チャンバ６１０から６１５を通って移送される。移送チャンバ６１５に提供された真空回転モジュールは、基板を含むキャリアが、図１０の移送チャンバ６１５の下面に提供された堆積装置に移動できるように、回転する。移送チャンバの１つにおける真空回転モジュールの１つの更なる回転ステップ、及び移送チャンバの一又は複数を通る移送ステップは、本段落によるディスプレイ製造の説明を参照しやすくするために、以下では省略される。堆積装置において、装置のアノードを基板上に堆積させるために、電極堆積が行われる。キャリアが、電極堆積チャンバから除去され、移送チャンバ６１０に連結され、第１の孔注入層を堆積させるように構成されている、堆積装置２００の１つまで移動する。移送チャンバ６１０に連結された２つの堆積装置は、例えば、代替的には、異なる基板上での孔注入層の堆積に利用することができる。キャリアは次いで、移送チャンバ６１２（図１０）に連結された下位チャンバに移送され、これにより第１の孔搬送層を図１０の移送チャンバ６１２下に提供された堆積装置２００によって堆積させることができる。その後、キャリアは、図１０の移送チャンバ６１３の下面に提供された堆積装置２００に搬送され、したがって、青色発光層を第１の孔搬送層上に堆積させることができる。次いでキャリアは、第１の電子搬送層を堆積させるために、移送チャンバ６１４の下端で連結した堆積装置に搬送される。後続のステップでは、赤色発光層を移送チャンバ６１２の上面の堆積装置の中に提供することができ、緑色発光層を図１０の移送チャンバ６１４の上面に提供された堆積装置の中に堆積させることができるよりも前に、更なる孔注入層を、例えば、図１０の移送チャンバ６１１の下面に提供された堆積装置の中に提供することができる。更に、電子搬送層が、発光層の間及び／又は発行層上方に提供されうる。製造の終わりに、カソードを図１０の移送チャンバ６１５下に提供された堆積装置の中に堆積させることができる。更なる実施形態によれば、更に一又は複数の励起子遮断層（又は孔遮断層）又は一又は複数の電子注入層が、アノードとカソードとの間に堆積しうる。カソードの堆積後に、キャリアが更なる真空スイングモジュール１１６１に移送され、基板を含むキャリアが、垂直配向から水平配向に回転される。その後、基板が、更なる基板操作チャンバ１１０１のキャリアから取り出され、堆積した層スタックをカプセル化するための薄膜カプセル化チャンバ１１４０／１１４１の１つに移送される。その後、製造されたデバイスは、ロードロックチャンバ１１２１を通して、取り出すことができる。