(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子の電極または金属配線パターンが形成された下部薄膜の上部に絶縁膜を蒸着して平坦化する段階と、
前記絶縁膜の上部に塗布温度を順次的または連続的に変化させながら感光膜を塗布し、露光現像して内部側壁が階段形態に形成された感光膜パターンを形成する段階と、
前記内部側壁が階段形態に形成された感光膜パターンをハードベークすることによって前記内部側壁の階段形態を緩やかな曲線形態に形成する段階と、
前記感光膜パターンをマスクにして前記絶縁膜を乾式エッチングして接触ホールを形成する段階と、
前記感光膜パターンを除去し、バリアメタルとタングステンを蒸着して前記接触ホールを埋め立てる段階と、
前記タングステンとバリアメタルを化学機械的に研磨して前記絶縁膜の上部面が露出されるように平坦化する段階と、
を含むことを特徴とする半導体素子の接触部形成方法。
【請求項２】
前記感光膜の塗布時に塗布温度を変化させる方法は、ウエハーを支持しているサブプレート（sub-plate）自体の温度を変化させることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の接触部形成方法。
【請求項３】
前記感光膜の塗布時に塗布温度を変化させる方法は、感光膜塗布用ノズルの外面にヒーター（heater）を設置し、ヒーターの温度を調節して塗布温度を変化させることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の接触部形成方法。
【請求項４】
半導体素子の電極または金属配線パターンが形成された下部薄膜の上部に絶縁膜を蒸着して平坦化する段階と、
前記絶縁膜の上部に露光エネルギーに対する感度が異なる感光膜を積層構造に塗布し、露光現像して内部側壁が階段形態に形成された感光膜パターンを形成する段階と、
前記内部側壁が階段形態に形成された感光膜パターンをハードベークすることによって前記内部側壁の階段形態を緩やかな曲線形態に形成する段階と、
前記感光膜パターンをマスクにして前記絶縁膜を乾式エッチングして接触ホールを形成する段階と、
前記感光膜パターンを除去し、バリアメタルとタングステンを蒸着して前記接触ホールを埋め立てる段階と、
前記タングステンとバリアメタルを化学機械的に研磨して前記絶縁膜の上部面が露出されるように平坦化する段階と、
を含むことを特徴とする半導体素子の接触部形成方法。
【請求項５】
半導体素子の電極または金属配線パターンが形成された下部薄膜の上部に絶縁膜を蒸着して平坦化する段階と、
前記絶縁膜の上部に感光膜を塗布し、露光エネルギーを順次的または連続的に変化させながら露光現像して内部側壁が階段形態に形成された感光膜パターンを形成する段階と、
前記内部側壁が階段形態に形成された感光膜パターンをハードベークすることによって前記内部側壁の階段形態を緩やかな曲線形態に形成する段階と、
前記感光膜パターンをマスクにして前記絶縁膜を乾式エッチングして接触ホールを形成する段階と、
前記感光膜パターンを除去し、バリアメタルとタングステンを蒸着して前記接触ホールを埋め立てる段階と、
前記タングステンとバリアメタルを化学機械的に研磨して前記絶縁膜の上部面が露出されるように平坦化する段階と、
を含むことを特徴とする半導体素子の接触部形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体素子を製造する工程に係わり、より詳しくは、半導体素子の製造工程のうち絶縁膜を通じて電気的に隔離された上下部導電膜を電気的に接続するための接触部を形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体集積回路が高集積化されるにしたがい、制限された面積内で半導体基板に形成されたゲート、ソース／ドレーンと金属配線層を連結するコンタクトと金属配線層間を連結するバイア（ｖｉａ）などを効果的に形成する方法が提示されている。
【０００３】
特に、集積回路で配線層を多層化する多層配線技術が使用されており、この多層配線技術とは集積回路内の配線を多層化することによって制限された面積の単一基板内で半導体素子を高集積化する方法であって、半導体素子間の配線が通過する空間を考慮する必要がないため半導体チップの大きさを小さく形成することができるという長所がある。しかし、多層配線技術は成膜工程を反復して実施するので表面での配線断線などの不良が発生することがある。特に、配線間の交差部で段差によって生じるステップカバレージ（ｓｔｅｐ  ｃｏｖｅｒａｇｅ）不良または接触不良などが大きな問題になっている。
【０００４】
また、コンタクトホール（ｃｏｎｔａｃｔ  ｈｏｌｅ）またはバイアホール（ｖｉａ  ｈｏｌｅ）を形成し、バリアメタル（ｂａｒｒｉｅｒ  ｍｅｔａｌ）を蒸着した後、コンタクトホールまたはバイアホールを埋め立てるためにタングステンを蒸着する時、ホール内部にボイド（ｖｏｉｄ）が発生するなどの工程欠陥問題がある。
【０００５】
従って、最近はコンタクト、バイアなどのような半導体素子の接触口形成工程でのステップカバレージ改善及びボイド防止などのためにコンタクトホールまたはバイアホールにバリアメタルを蒸着する場合、アルゴン（Ａｒ）ガスなどを利用したスパッタエッチング（ｓｐｕｔｔｅｒ  ｅｔｃｈｉｎｇ）によってコンタクトホールまたはバイアホールの上部が傾斜を有するようにした後、ホールを埋め立てるためにタングステンを蒸着する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、このような方法はコンタクトホールまたはバイアホールなどのような接触ホールの上部のアルゴンスパッタエッチングが接触ホールの下部まで緩やかな傾斜を有するようにすることができないので完全にステップカバレージ問題を解決することができず、半導体基板上での均一度の面でよくない。
【０００７】
また、アルゴンスパッタエッチング工程の追加によって生産費用が増加する問題点がある。
【０００８】
本発明はこのような問題点を解決するためのものであって、その目的は、半導体素子の多層配線構造を要求する技術においてゲート、ソース／ドレーンを金属配線層と連結するコンタクトホールまたは金属配線層間を連結するバイアホールなどの接触ホールを形成する時、生産費用を増大させずに効果的にステップカバレージを改善することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
前記のような目的を達成するために、本発明は、接触部を形成するための絶縁膜の上部に内部側壁が緩やかな曲線形に形成された感光膜パターンを形成した後、これをマスクにして絶縁膜を乾式エッチングして接触ホールを形成することを特徴とする。
すなわち、請求項１に記載の発明は、
半導体素子の電極または金属配線パターンが形成された下部薄膜の上部に絶縁膜を蒸着して平坦化する段階と、
前記絶縁膜の上部に内部側壁が緩やかな曲線形に形成された感光膜パターンを形成する段階と、
前記感光膜パターンをマスクにして前記絶縁膜を乾式エッチングして接触ホールを形成する段階と、
前記感光膜パターンを除去し、バリアメタルとタングステンを蒸着して前記接触ホールを埋め立てる段階と、
前記タングステンとバリアメタルを化学機械的に研磨して前記絶縁膜の上部面が露出されるように平坦化する段階と、
を含むことを特徴とする半導体素子の接触部形成方法である。
【００１０】
前記感光膜パターンの内部側壁を緩やかな曲線形態で形成するために、絶縁膜の上部に感光膜を塗布し、露光現像して内部側壁が階段形態で形成された感光膜パターンを形成した後、この感光膜パターンをハードベークして内部側壁の階段形態を緩やかな曲線形態で形成することを特徴とする。
【００１１】
また、前記感光膜パターンの内部側壁を階段形態で形成するために、感光膜を塗布する時に塗布温度を順次的または連続的に変化させたり、感光膜を塗布する時に露光エネルギーに対する感度が異なる感光膜を積層構造で塗布することを特徴とする。
【００１２】
また、前記感光膜パターンの内部側壁を階段形態で形成するために、感光膜を露光する時に露光エネルギーを順次的または連続的に変化させることを特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、添付した図面に基づいて本発明による好ましい一実施例を説明する。
【００１４】
図１及び図２は本発明の一実施例によって半導体素子の接触部を形成する方法を概略的に示した工程図である。
【００１５】
まず、ゲート、ソース／ドレーンを含む半導体素子の半導体素子電極が形成された半導体基板または半導体素子の回路連結のための金属薄膜パターンが形成された金属配線層などである下部薄膜１の上部に上部金属配線層との電気的隔離のための絶縁膜２を蒸着し、平坦化する。その後、絶縁膜２の上部に感光膜を塗布し、コンタクトホールまたはバイアホールのような接触ホールパターンが形成されたマスクで露光現像することによって内部側壁が階段形態で形成された感光膜パターン３を形成する（図１（ａ））。この時、階段形態の感光膜パターン３を形成するための方法は次の通りである。
【００１６】
まず、感光膜を塗布する時、塗布温度を順次的または連続的に増加または減少させる方法がある。塗布温度を変化させる方法には、ウエハーを支持しているサブプレート（ｓｕｂ−ｐｌａｔｅ）それ自体の温度を変化させたり、感光膜塗布用ノズルの外面にヒーター（ｈｅａｔｅｒ）を設置してヒーターの温度を調節することによって塗布温度を変化させる方法がある。このように塗布時に塗布温度を変化させると、塗布された感光膜の下部から上部への露光エネルギーに対する感度が順次的または連続的に変化するので、露光現像によって内部側面が階段形態である感光膜パターンが形成される。
【００１７】
また、他の方法として、感光膜を露光する時に露光エネルギーを順次的または連続的に変化させる方法がある。露光エネルギーは、露光ランプのエネルギーをポジティブ感光膜の場合には最初は強いエネルギーに調整し次第に弱くなるように調整し、ネガティブ感光膜の場合にはこれと逆の順序で調節する。このように露光エネルギーを変化させると、露光される感光膜の感度が下部から上部に順次的または連続的に変化するので、露光現像時に内部側面が階段形態である感光膜パターンが形成される。
【００１８】
また、他の方法として、感光膜を塗布する時に露光エネルギーに対する感度が異なる感光膜を積層構造で塗布する方法がある。感度が異なる感光膜は感光膜溶液の主要構成成分であるＰＡＣ（photo active compound）の比率を調整することによって選択する。ポジティブ感光膜の場合には感度の低い感光膜を先に積層した後、順次に感度の高い感光膜を積層する。また、ネガティブ感光膜の場合には感度の高い感光膜を先に積層した後、順次に感度の低い感光膜を積層する。このように感度の異なる感光膜が積層されると、露光現像によって内部側面が階段形態である感光膜パターンが形成される。つまり、目的とする厚さの感光膜を多層の積層構造で形成すると考えると、各層を形成する時に温度及び感度条件を変化させたり、または各層を露光する時に露光エネルギーを変化させることにより階段形態の感光膜パターンを形成することができる。
【００１９】
その後、図１（ｂ）に示されているように、階段形状で形成された感光膜パターン３をハードベーク（ｈａｒｄ  ｂａｋｅ）することによって階段形状が緩やかな曲線形態になった感光膜パターン３を形成する。
【００２０】
その後、図２（ａ）に示されているように、緩やかな曲線形態に形成された感光膜パターンをマスクにして露出された絶縁膜２を乾式エッチングすることでコンタクトホールまたはバイアホールのような接触ホールを形成する。この時、乾式エッチングによって絶縁膜２が緩やかな曲線形態を有する感光膜パターンと同一の形態にエッチングされるので、接触ホールの上部から下部まで緩やかな傾斜を有するようになり、完全にステップカバレージ問題を解決することができる。その後、感光膜パターンを除去し、緩やかな傾斜の接触ホールを有する絶縁膜２の全面にバリアメタル４を蒸着する（図２（ａ））。
【００２１】
その後、図２（ｂ）に示されているように、バリアメタル４が蒸着された絶縁膜２の全面にタングステン５を厚く蒸着して接触ホールを埋め立て、化学機械的研磨（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ：ＣＭＰ）などで絶縁膜２の上部面が露出されるように平坦化することによってコンタクトホールまたはバイアホールなどのような半導体素子の接触部を完成する。
【００２２】
【発明の効果】
このように、本発明は緩やかな曲線形態を有する感光膜パターンをマスクにして絶縁膜を乾式エッチングすることによって上部から下部まで緩やかな傾斜を有する接触ホールを形成してコンタクトホールまたはバイアホールなどのような半導体素子の接触部を形成することによりステップカバレージ問題を完全に解決することができるだけでなく、半導体基板上で良好な均一性を得ることができ、従来のアルゴンスパッタエッチングなどのような追加工程がないので生産費用を減少させることができ、緩やかな傾斜を有する接触ホールにタングステンを蒸着するのでボイドなどの発生を防止することができて半導体素子製造工程の収率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例によって半導体素子の接触部を形成する方法を概略的に示した工程図である。
【図２】本発明の一実施例によって半導体素子の接触部を形成する方法を概略的に示した工程図で、図１の続きである。
【符号の説明】
１    下部薄膜
２    絶縁膜
３    感光膜パターン
４    バリアメタル
５    タングステン
【図１】
0003557166.tif 000002
【図２】
0003557166.tif 000003