(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
周波数制御値の設定により媒体のデータ読出しに必要な周数の基準クロックを発生する周波数シンセサイザと、
半径方向で複数ゾーンに分割され一定角度で回転されるディスク媒体の任意の位置からデータを読み出す際に、媒体上の読出位置に応じて予め定めた周波数制御値を前記周波数シンセサイザに設定して前記基準クロックの周波数を制御させると共に、前記周波数シンセサイザ以外の１又は複数の処理部に、媒体の読出位置に応じて予め定めた所定の制御値を設定する設定制御部と、
前記周波数制御値を周波数シンセサイザに設定してから対応する周波数に安定するまでの整定時間から前記周渡数シンセサイザ以外の処理部の設定制御に必要な設定処理時間を差し引いた待ち時間に亘り、次の処理への移行を待ち状態とする整定待ち処理部とを備え、
前記整定待ち処理部は、前記設定制御部により前記周波数シンセサイザに設定される前回の周波数制御値と今回の周波数制御値との差に基づいて前記整定時間を算出することを特徴とする記憶装置。
【請求項２】
請求項１の記憶装置に於いて、
前記周波数シンセサイザは、前記設定制御部による分周比（ｍ／ｎ）の設定を受けて入力クロック周波数ｆｉに前記分周比（ｍ／ｎ）を乗じた出力周波数ｆｏの基準クロックを発生し、
前記設定制御部は、前記周波数シンセサイザに媒体のゾーン位置に応じた第１分周値ｍを媒体の種別に応じた第２分周値ｎで除した分周比（ｍ／ｎ）を設定し、
前記整定待ち処理部は、前回と今回の第１分周値ｍの差に基づいて前記整定時間を算出することを特徴とする記憶装置。
【請求項３】
周波数制御値の設定により媒体のデータ読出しに必要な周波数の基準クロックを発生する周波数シンセサイザと、
半径方向で複数ゾーンに分割され一定角速度で回転されるディスク媒体の任意の位置からデータを読み出す際に、媒体上の読出立置に応じて予め定めた周波数制御値を前記周波数シンセサイザに設定して前記基準クロックの周波数を制御させると共に、前記周波数シンセサイザ以外の１又は複数の処理部に、媒体の読出位置に応じて予め定めた所定の制御値を設定する設定制御部と、
前記周波数制御値を周波数シンセサイザに設定してから対応する周波数に安定するまでの整定時間から前記周数シンセサイザ以外の処理部の設定制御に必要な設定処理時問を差し引いた待ち時間に亘り、次の処理への移行を待ち状態とする整定待ち処理部とを備え、
前記整定待ち処理部は、前回の媒体上の読出位置と今回の媒体上の読出位置の差に基づいて前記整定時間を算出することを特徴とする記憶装置。
【請求項４】
請求項３の記憶装置に於いて、前記整定待ち制御部は、前回の媒体上の読出ゾーン位置と今回の媒体上の読出ゾーン位置との差に基づいて前記整定時問を算出することを特徴とする記憶装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の記憶装置に於いて、前記記憶装置は、媒体に対し光学的に情報を記録再生する光学的記憶装置であることを特徴とする記憶装置。
【請求項６】
請求項５の記憶装置に於いて、前記設定制御部は、前記周波数シンセサイザの周波数制御値の設定以外に、
前記周波数シンセサイザに設けたＰＬＬループのダンピングファクタを選択する抵抗値の設定、
前記周波数シンセサイザに設けた電圧制御発振器の発振周波数を媒体の周波数レンジ内の所定周波数に制御する制御電圧の設定、
媒体のトラックセクタにおけるデータ領域の戻り光を受光したディテクタが出力するデータ信号を等化する等化器のカットオフ周波数の設定、及び
媒体のＩＤ領域から戻り光を受光したディテクタが出力するＩＤ信号からセクタマークを検出するセクタマーク検出回路のカットオフ周波数の設定の各々を実行することを特徴とする記憶装置。
【請求項７】
請求項５の記憶装置に於いて、前記設定制御部及び整定待ち処理部は、上位装置のリードコマンドに基づくシーク命令の実行と並行して、前記周波数シンセサイザ及び他の処理部に対する設定制御と整定待ちを実行することを特徴とする記憶装置。
【請求項８】
請求項７の記憶装置に於いて、前記設定制御部は、上位装置のリードコマンドに基づくシーク命令の実行がシークエラーとなった際に、エラーゾーンに対応した前記周波数シンセサイザ及び他の処理部に対する設定制御を行い、前記整定待ち処理部による待ち時間経過時にリトライシークを実行させることを特徴とする記憶装置。
【請求項９】
請求項７又は８の記憶装置に於いて、前記設定制御部及び整定待ち処理部の各処理をＭＰＵで実行し、前記シーク命令をＤＳＰで実行させることを特徴とする記憶装置。
【請求項１０】
請求項５の記憶装置に於いて、前記設定制御部及び整定待ち処理部は、上位装置のリードコマンドに基づくシーク命令の実行に先立って、前記周波数シンセサイザ及び他の処理部に対する設定制御と整定待ち処理を実行することを特徴とする記憶装置。
【請求項１１】
周波数制御値の設定により媒体のデータ読出しに必要な周波数の基準クロックを発生する周波数シンセサイザと、
半径方向で複数ゾーンに分割され一定角度で回転されるディスク媒体の任意の位置からデータを読み出す際に、前記読出位置に応じて予め定めた周波数制御値を前記周波数シンセサイザに設定して前記基準クロックの周波数を制御させる設定制御部と、
前記周波数制御値を周波数シンセサイザに設定してから対応する周波数に安定するまでの整定時間を求め、該整定時間が経過するまで次の処理への移行を待ち状態とする整定待ち処理部とを備え、
前記整定待ち処理部は、前記設定制御部により前記周波数シンセサイザに設定される前回の周波数制御値と今回の周波数制御値との差に基づいて前記整定時間を算出することを特徴とする記憶装置。
【請求項１２】
請求項１１の記憶装置に於いて、
記周波数シンセサイザは、前記設定制御部による分周比（ｍ／ｎ）の設定を受けて入力クロック周波数ｆｉに前記分周比（ｍ／ｎ）を乗じた出力周波数ｆｏの基準クロックを発生し、
前記設定制御部は、前記周波数シンセサイザに媒体のゾーン位置に応じた第１分周値ｍを媒体の種別に応じた第２分周値ｎで除した分周比（ｍ／ｎ）を設定し、
前記整定待ち処理部は、前回と今回の第１分周値ｍの差に基づいて前記整定時間を算出することを特徴とする記憶装置。
【請求項１３】
周波数制御値の設定により媒体のデータ読出しに必要な周数の基準クロックを発生する周波数シンセサイザと、
半径方向で数ゾーンに分割され一定角速度で回転されるディスク媒体の任意の位置からデータを読み出す際に、前記読出位置に応じて予め定めた周波数制御値を前記周波数シンセサイザに設定して前記基準クロックの周波数を制御させる設定制御部と、
前記周波数制御値を周波数シンセサイザに設定してから対応する周波数に安定するまでの整定時問を求め、該整定時間が経過するまで次の処理への移行を待ち状態とする整定待ち処理部とを備え、
前記整定待ち処理部は、前回の媒体上の読出し位置と今回の媒体上の読出し位置の差に基づいて前記整定時間を算出することを特徴とする記憶装置。
【請求項１４】
周波数制御値の設定により媒体のデータ読出しに必要な周波数の基準クロックを発生する周波数シンセサイザと、
半径方向で複数ゾーンに分割され一定角速度で回転されるディスク媒体の任意の位置からデータを読み出す際に、前記読出位置に応じて予め定めた周波数制御値を前記周波数シンセサイザに設定して前記基準クロックの周波数を制御させる設定制御部と、
前記周波数制御値を周波数シンセサイザに設定してから対応する周波数に安定するまでの整定時間を求め、該整定時間が経過するまで次の処理への移行を待ち状態とする整定待ち処理部とを備え、
前記整定待ち制御部は、前回の媒体上の読出ゾーン位置と今回の媒体上の読出ゾーン位置との差に基づいて前記整定時間を算出することを特徴とする記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、ゾーンＣＡＶ方式（ゾーン角速度一定方式）の媒体をリードする際に、媒体のゾーンに応じてリードクロックの周波数を可変制御させる記憶装置に関し、特に、周波数シンセイザに媒体ゾーンに応じた分周比を設定して変化させた周波数が安定するまでの整定時間の待ち制御を最適化した記憶装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
現在、市場に出回っているＭＯカートリッジとして知られた光磁気ディスク媒体には、１２８ＭＢ，２３０ＭＢ，５４０ＭＢ，６４０ＭＢ、ダイレクト・オーバライト対応の２３０ＭＢ，５４０ＭＢ，６４０ＭＢがあり、このうち２３０ＭＢ，５４０ＭＢ，６４０ＭＢの媒体は、ゾーンＣＡＶ方式を採用している。尚、１２８ＭＢ媒体は１ゾーンのため単なるＣＡＶ方式となる。
【０００３】
ゾーン−ＣＡＶ方式は、媒体のデータエリアが半径方向に複数のゾーンに分けられており、外側にいくほどゾーンの記録周波数が高くなっている。したがって、光ディスクドライブによりゾーンＣＡＶ方式の媒体からデータを読み出す場合、目的ゾーンによって基準クロックの周波数を変更する必要がある。
この基準クロックの設定は普通、リードＬＳＩと呼ばれるデータ再生専用のＬＳＩの中にあるＰＬＬを用いた周波数シンセサイザによって行われ、外部で発振している周波数ｆｉのクロックを入力して、ＭＰＵから指示される２つのディジタル値ｍ，ｎによって分周比（ｍ／ｎ）が設定され、出力する基準クロックの周波数ｆｏが
ｆｏ＝（ｍ／ｎ）ｆｉ
で与えられる。
【０００４】
また、ゾーン毎のデータを読み出す際には、周波数シンセサイザの設定のほかにもフィルタカットオフ周波数等の他のパラメータの設定も必要であり、同様にリードＬＳＩにディジタル値を書き込むことによって設定する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような従来の光ディクスドライブにあっては、リードＬＳＩの周波数シンセサイザにＭＰＵにより分周比を設定して周波数を変化させる場合、分周値をリードＬＳＩに書き込んでから実際に基準クロックが目的とする周波数に安定するまでには時間がかかる。この時間は通常、整定時間という。この整定時間は、設定する分周比の変化量に比例する。
【０００６】
周波数シンセサイザの出力する基準クロックの周波数が安定しない状態でリード処理を行うとエラーとなるため、基準クロックが整定するまでの時間に亘り処理を待つ必要がある。従来、この整定待ち時間については、周波数シンセサイザの分周比を媒体に必要な周波数レンジで最大に変化させ、このときの整定時間を実際に測定し、測定した最大整定時間を周波数シンセサイザに分周比を設定した後の待ち時間として一律に設定している。
【０００７】
このため、ゾーンの移動量が少ない場合においても、媒体の周波数レンジに対応した最大整定時間が待ち時間となり、実際には整定していても余分に待つこととなり、上位装置へのデータ転送が見掛上遅くなるという問題があった。
本発明は、このような従来の問題点に鑑みてなされたもので、ゾーンＣＡＶ媒体のリード時で周波数シンセサイザの周波数を変化させた際の整定待ち時間の無駄をなくして上位装置に対するデータ転送速度を高めた記憶装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
図１は本発明の原理説明図である。本発明の記憶装置は、周波数シンセサイザ２６、設定制御部９０、及び整定待ち状態処理部９２を備える。周波数シンセサイザ２６は、周波数制御値の設定により媒体のデータ読出しに必要な周波数の基準クロックを発生する。
【０００９】
設定制御部９０は、半径方向で複数ゾーンに分割され一定角速度で回転されるディスク媒体、即ちゾーンＣＡＶ方式の媒体の任意の位置からデータを読出す際に、媒体上の読出位置に応じて予め定めた周波数制御値を周波数シンセサイザ２６に設定して基準クロックの周波数を制御させると共に、周波数シンセサイザ２６以外の１又は複数の処理部に、媒体の読出位置に応じて予め定めた所定の制御値を設定する。
【００１０】
整定待ち処理部９２は、周波数制御値を周波数シンセサイザ２６に設定してから対応する周波数に安定するまでの整定時間Ｔ１から周波数シンセサイザ２６以外の処理部の設定制御に必要な設定処理時間Ｔ２を差し引いた待ち時間Ｔｗ＝（Ｔ１−ｔ２）に亘り次の処理への移行を待ち状態とする。
このように本発明にあっては、周波数シンセサイザ２６が整定するまでの待ち時間を、周波数シンセサイザ２６に対する設定値の変化量に比例した時間とすることにより、実際の周波数シンセサイザ２６で周波数が安定するまでの整定時間に近づけ、待ち時間の無駄を最小限に抑えることができる。
また、周波数シンセサイザ２６以外にも目的トラックの属するゾーンに対応した他の処理部に対するパラメータの設定も同時に行われていることから、この他の処理部の処理時間Ｔ２を整定時間Ｔ１から引いた値（Ｔ１−Ｔ２）を実際の待ち時間Ｔｗとすることで、更に待ち時間が短縮できる。
【００１１】
このように周波数シンセサイザ２６が整定するまでの待ち時間を、実際の周波数シンセサイザ２６の周波数が安定するまでの時間と近づけることによって余分な待ち時間を無くし、上位装置へのデータ転送を速くできる。
整定待ち処理部９２は、整定時間Ｔ１が設定処理時間Ｔ２より長い場合（Ｔ１＞Ｔ２）に、整定時間Ｔ１から設定処理時間Ｔ２を差し引いた待ち時間Ｔｗ＝（Ｔ１−Ｔ２）に亘り次の処理への移行を待ち状態とし、整定時間Ｔ１が設定処理時間以下の場合（Ｔ１≦Ｔ２）は、待ち時間Ｔｗを零として設定処理時間Ｔ２の経過時点で次の処理に移行させる。
【００１２】
整定待ち処理部９２は、設定制御部９０により周波数シンセサイザ２６に設定される前回の周波数制御値と今回の周波数制御値との差に基づいて整定時間を算出する。具体的には、周波数シンセサイザ２６は、設定制御部９０による分周比（ｍ／ｎ）の設定を受けて入力クロック周波数ｆｉに分周比（ｍ／ｎ）を乗じた出力周波数ｆｏ＝（ｍ／ｎ）・ｆｉの基準クロックを発生する。
【００１３】
設定制御部９０は、周波数シンセサイザ２６に媒体のゾーン位置に応じた第１分周値ｍを媒体の種別に応じた第２分周値ｎで除した分周比（ｍ／ｎ）を設定する。更に、整定待ち処理部９２は、前回と今回の第１分周値ｍの差に基づいて整定時間を算出する。
また整定待ち処理部９２は、前回の媒体上の読出位置と今回の媒体上の読出位置の差に基づいて整定時間を算出することもできる。即ち、整定待ち制御部は、前回の媒体上の読出ゾーン位置と今回の媒体上の読出ゾーン位置との差に基づいて整定時間を算出する。この場合、周波数シンセサイザ２６が整定するまでの整定時間Ｔ１は、媒体のゾーン位置の変化量に比例した時間となる。
【００１４】
設定制御部９０は、周波数シンセサイザ２６の周波数制御値の設定以外に、周波数シンサイザに設けたＰＬＬループのダンピングファクタζを選択する抵抗値の設定、周波数シンサイザに設けた電圧制御発振器（ＶＣＯ）の発振周波数を媒体の周波数レンジ内の所定周波数に制御する制御電圧の設定、媒体のトラックセクタにおけるデータ領域の戻り光を受光したディテクタが出力するデータ信号を等化する等化器のカットオフ周波数の設定、及び媒体のＩＤ領域からの戻り光を受光したディテクタが出力するＩＤ信号からセクタマークを検出するセクタマーク検出回路のカットオフ周波数の設定の各々を実行する。
【００１５】
本発明の記憶装置はＭＰＵとＤＳＰの２つのプロセッサを持ち、設定制御部９０及び整定待ち処理部９２は、上位装置のリードコマンドに基づくシーク命令の実行と平行して、周波数シンセサイザ２６及び他の処理部に対する設定制御と整定待ち処理を実行する。
また設定制御部９０、整定待ち処理部９２は、上位装置のリードコマンドに基づくシーク命令の実行がシークエラーとなった際に、エラーゾーンに対応した周波数シンセサイザ２６及び他の処理部に対する設定制御を行い、整定待ち処理部９２による待ち時間経過時にリトライシークを実行させる。この場合、設定制御部９０及び整定待ち処理部９２の各処理をＭＰＵで実行し、シーク命令をＤＳＰで実行させる。
【００１６】
また本発明の記憶装置は、ＤＳＰをもたずＭＰＵのみで処理する場合（シングルプロセッサ構成）に、設定制御部９０及び整定待ち処理部９２は、上位装置のリードコマンドに基づくシーク命令の実行に先立って、周波数シンセサイザ２６及び他の処理部に対する設定制御と整定待ち処理を実行する。
本発明の別の形態にあっては、データ読出しの際に周波数シンセサイザ２６の周波数設定制御のみを行う。即ち、周波数制御値の設定により媒体のデータ読出しに必要な周波数の基準クロックを発生する周波数シンセサイザ２６を有し、設定制御部９０は、半径方向で複数ゾーンに分割され一定角速度で回転されるディスク媒体の任意の位置からデータを読み出す際に、読出位置に応じて予め定めた周波数制御値を周波数シンセサイザ２６に設定して基準クロックの周波数を制御させる。
【００１７】
また整定待ち処理部９２は、周波数制御値を周波数シンセサイザ２６に設定してから対応する周波数に安定するまでの整定時間Ｔ１を求め、この整定時間Ｔ１が経過するまで次の処理への移行を待ち状態とする。
この場合にも、周波数シンセサイザ２６が整定するまでの待ち時間を、実際の周波数シンセサイザ２６の周波数が安定するまでの時間と近づけることによって、余分な待ち時間を無くし、上位装置へのデータ転送を速くできる。
【００１８】
整定待ち処理部９２は、設定制御部９０により周波数シンセサイザ２６に設定される前回の周波数制御値と今回の周波数制御値との差に基づいて整定時間を算出する。即ち、周波数シンセサイザ２６は、設定制御部９０による分周比（ｍ／ｎ）の設定を受けて入力クロック周波数ｆｉに分周比（ｍ／ｎ）を乗じた出力周波数ｆｏの基準クロックを発生し、設定制御部９０は、周波数シンセサイザ２６に媒体のゾーン位置に応じた第１分周値ｍを媒体の種別に応じた第２分周値ｎで除した分周比（ｍ／ｎ）を設定し、更に、整定待ち処理部９２は、前回と今回の第１分周値ｍの差に基づいて前記整定時間を算出する。
【００１９】
整定待ち処理部９２は、前回の媒体位置と今回の媒体位置の差に基づいて整定時間を算出する。即ち、整定待ち制御部は、前回の媒体ゾーン位置と今回の媒体ゾーン位置との差に基づいて整定時間を算出する。
【００２０】
【発明の実施の形態】
＜目  次＞
１．装置構成
２．複数パラメータの設定制御と整定待ち
３．単一パラメータの設定制御と整定待ち
４．シングルプロセッサによるパラメータ設定制御と整定待ち
１．装置構成
図２は本発明の記憶装置であり、光学的記憶装置である光ディスクドライブを例にとっている。本発明の光ディスクドライブは、コントロールユニット１０とエンクロージャ１１で構成される。コントロールユニット１０には光ディスクドライブの全体的な制御を行うＭＰＵ１２、上位装置との間でコマンド及びデータのやり取りを行うインタフェース１７、光ディスク媒体に対するデータのリード・ライトに必要な処理を行う光ディスクコントローラ（ＯＤＣ）１４、ＤＳＰ１６、及びバッファメモリ１８が設けられる。バッファメモリ１８は、ＭＰＵ１２、光ディスクコントローラ１４、及び上位インタフェース１７で共用される。
【００２１】
光ディスクコントローラ１４には、フォーマッタ１４−１とＥＣＣ処理部１４−２が設けられる。ライトアクセス時には、フォーマッタ１４−１がＮＲＺライトデータを媒体のセクタ単位のに分割して記録フォーマットを生成し、ＥＣＣ処理部１４−２がセクタライトデータ単位にＥＣＣコードを生成して付加し、必要ならばＣＲＣコードを生成して付加する。更に、ＥＣＣエンコードの済んだセクタデータを例えば１−７ＲＬＬ符号に変換する。
【００２２】
リードアクセス時には、セクタリードデータを１−７ＲＬＬ逆変換し、次にＥＣＣ処理部１４−２でＣＲＣチェックした後にエラー検出訂正し、更にフォーマッタ１４−１でセクタ単位のＮＲＺデータを連結してＮＲＺリードデータのストリームとして上位装置に転送させる。
光ディスクコントローラ１４に対してはライトＬＳＩ回路２０が設けられ、ライトＬＳＩ回路２０にはライト変調部２１とレーザダイオード制御回路２２が設けられる。レーザダイオード制御回路２２の制御出力は、エンクロージャ１１側の光学ユニットに設けたレーザダイオードユニット３０に与えられている。レーザダイオードユニット３０はレーザダイオード３０−１とモニタ用ディテクタ３０−２を一体に備える。ライト変調部２１は、ライトデータをＰＰＭ記録またはＰＷＭ記録（マーク記録またはエッジ記録ともいう）でのデータ形式に変換する。
【００２３】
レーザダイオードユニット３０を使用して記録再生を行う光ディスク、即ち書替え可能なＭＯカートリッジ媒体として、この実施形態にあっては１２８ＭＢ、２３０ＭＢ、５４０ＭＢ及び６４０ＭＢのいずれかを使用することができる。このうち１２８ＭＢ及び２３０ＭＢのＭＯカートリッジ媒体については、媒体上のマークの有無に対応してデータを記録するピットポジション記録（ＰＰＭ記録）を採用している。また媒体の記録フォーマットはゾーンＣＡＶであり、ユーザ領域のゾーン数は、１２８ＭＢ媒体が１ゾーン、２３０ＭＢ媒体が１０ゾーンである。
【００２４】
また、高密度記録となる５４０ＭＢ及び６４０ＭＢのＭＯカートリッジ媒体については、マークのエッジ即ち前縁と後縁をデータに対応させるパルス幅記録（ＰＷＭ記録）を採用している。ここで、６４０ＭＢ媒体と５４０ＭＢ媒体の記憶容量の差はセクタ容量の違いによるもので、セクタ容量が２０４８バイトのとき６４０ＭＢとなり、一方、５１２バイトのときは５４０ＭＢとなる。また媒体の記録フォーマットはゾーンＣＡＶであり、ユーザ領域のゾーン数は、６４０ＭＢ媒体が１１ゾーン、５４０ＭＢ媒体が１８ゾーンである。
【００２５】
このように本発明の光ディスクドライブは、１２８ＭＢ、２３０ＭＢ、５４０ＭＢ、６４０ＭＢ、更にダイレクト・オーバライト対応の２３０ＭＢ，５４０ＭＢ，６４０ＭＢの各記憶容量のＭＯカートリッジに対応可能である。したがって光ディスクドライブにＭＯカートリッジをローディングした際には、まず媒体のＩＤ部をリードし、そのピット間隔からＭＰＵ１２において媒体の種別を認識し、種別結果を光ディスクコントローラ１４に通知する。
【００２６】
光ディスクコントローラ１４に対するリード系統としては、リードＬＳＩ回路２４が設けられ、リードＬＳＩ回路２４にはリード復調部２５と周波数シンセサイザ２６が内蔵される。リードＬＳＩ回路２４に対しては、エンクロージャ１１に設けたＩＤ／ＭＯ用ディテクタ３２によるレーザダイオード３０−１からのビームの戻り光の受光信号が、ヘッドアンプ３４を介してＩＤ信号及びＭＯ信号として入力されている。
【００２７】
リードＬＳＩ回路２４のリード復調部２５には、ＡＧＣ回路、フィルタ、セクタマーク検出回路等の回路機能が設けられ、入力したＩＤ信号及びＭＯ信号よりリードクロックとリードデータを作成し、ＰＰＭデータまたはＰＷＭデータを元のＮＲＺデータに復調している。またゾーンＣＡＶを採用していることから、ＭＰＵ１２からリードＬＳＩ回路２４に内蔵した周波数シンセサイザ２６に対しゾーン対応のクロック周波数を発生させるための分周比の設定制御が行われている。
【００２８】
周波数シンセサイザ２６はプログラマブル分周器を備えたＰＬＬ回路であり、媒体のゾーン位置に応じて予め定めた固有の周波数をもつ基準クロックをリードクロックとして発生する。即ち、プログラマブル分周器２６はプログラマブル分周器を備えたＰＬＬ回路で構成され、ＭＰＵ１２がゾーン番号に応じてセットした分周比（ｍ／ｎ）に従った周波数ｆｏの基準クロックを、
ｆｏ＝（ｍ／ｎ）・ｆｉ                        （１）
に従って発生する。
【００２９】
ここで、分周比（ｍ／ｎ）の分母の分周値ｎは１２８ＭＢ、２３０ＭＢ、５４０ＭＢまたは６４０ＭＢ媒体の種別に応じた固有の値である。また分子の分周値ｍは媒体のゾーン位置に応じて変化する値であり、各媒体につきゾーン番号に対応した値のテーブル情報として予め準備されている。
リードＬＳＩ回路２４で復調されたリードデータは、光ディクスコントローラ１４のリード系に与えられ、１−７ＲＬＬの逆変換後にＥＣＣ処理部１４−２のエンコード機能によってＣＲＣチェックとＥＣＣ処理を受けてＮＲＺセクタデータが復元される。続いてフォーマッタ１４−１でＮＲＺセクタデータを繋げたＮＲＺリードデータのストリームに変換し、バッファメモリ１８を経由して上位インタフェース１７により上位装置に転送される。
【００３０】
ＭＰＵ１２に対しては、ＤＳＰ１６を経由してエンクロージャ１１側に設けた温度センサ３６の検出信号が与えられている。ＭＰＵ１２は、温度センサ３６で検出した装置内部の環境温度に基づき、レーザダイオード制御回路２２におけるリード、ライト、イレーズの各発光パワーを最適値に制御する。
ＭＰＵ１２は、ＤＳＰ１６を経由してドライバ３８によりエンクロージャ１１側に設けたスピンドルモータ４０を制御する。ＭＯカートリッジの記録フォーマットはゾーンＣＡＶであることから、スピンドルモータ４０を例えば３０００ｒｐｍの一定速度で回転させる。
【００３１】
またＭＰＵ１２は、ＤＳＰ１６を経由してドライバ４２を介してエンクロージャ１１側に設けた電磁石４４を制御する。電磁石４４は装置内にローディングされたＭＯカートリッジのビーム照射側と反対側に配置されており、記録時及び消去時に媒体に外部磁界を供給する。
ＤＳＰ１６は、媒体に対しレーザダイオード３０からのビームの位置決めを行うためのサーボ機能を備え、目的トラックにシークしてオントラックするためのシーク制御部及びオントラック制御部として機能する。このシーク制御及びオントラック制御は、ＭＰＵ１２よる上位コマンドに対するライトアクセス又はリードアクセスに並行して同時に実行することができる。
【００３２】
ＤＳＰ１６のサーボ機能を実現するため、エンクロージャ１２側の光学ユニットに媒体からのビーム戻り光を受光するＦＥＳ用ディテクタ４５を設け、ＦＥＳ検出回路（フォーカスエラー信号検出回路）４６が、ＦＥＳ用ディテクタ４５の受光出力からフォーカスエラー信号Ｅ１を作成してＤＳＰ１６に入力している。またエンクロージャ１１側の光学ユニットに媒体からのビーム戻り光を受光するＴＥＳ用ディテクタ４７を設け、ＴＥＳ検出回路（トラッキングエラー信号検出回路）４８がＴＥＳ用ディテクタ４７の受光出力からトラッキングエラー信号Ｅ２を作成し、ＤＳＰ１６に入力している。トラッキングエラー信号Ｅ２はＴＺＣ検出回路（トラックゼロクロス検出回路）５０に入力され、トラックゼロクロスパルスＥ３を作成してＤＳＰ１５に入力している。
【００３３】
エンクロージャ１１側には、媒体に対しレーザビームを照射する対物レンズのレンズ位置を検出するレンズ位置センサ５２が設けられ、そのレンズ位置検出信号（ＬＰＯＳ）Ｅ４をＤＳＰ１６に入力している。更にＤＳＰ１６は、媒体上のビームスポットの位置を制御するため、ドライバ５８，６２，６６を介してフォーカスアクチュエータ６０、レンズアクチュエータ６４及びＶＣＭ６８を制御駆動している。
【００３４】
ここで光ディスクドライブにおけるエンクロージャ１１の概略は図３のようになる。図３において、ハウジング６７内にはスピンドルモータ４０が設けられ、スピンドルモータ４０の回転軸のハブに対しインレットドア６９側よりＭＯカートリッジ７０を挿入することで、内部のＭＯ媒体７２がスピンドルモータ４０の回転軸のハブに装着されるローディングが行われる。
【００３５】
ローディングされたＭＯカートリッジ７０のＭＯ媒体７２の下側には、ＶＣＭ６４により媒体のトラックを横切る方向に移動自在なキャリッジ７６が設けられている。
キャリッジ７６上には対物レンズ８０が搭載され、固定光学系７８に設けているレーザダイオードからのビームを立上げミラー８２を介して入射し、ＭＯ媒体７２の媒体面にビームスポットを結像している。
【００３６】
対物レンズ８０は図２のエンクロージャ１１に示したフォーカスアクチュエータ６０により光軸方向に移動制御され、またレンズアクチュエータ６４により媒体のトラックを横切る半径方向に例えば数十トラックの範囲内で移動することができる。このキャリッジ７６に搭載している対物レンズ８０の位置が、図２のレンズ位置センサ５４により検出される。
【００３７】
レンズ位置センサ５４は対物レンズ８０の光軸が直上に向かう中立位置でレンズ位置検出信号を零とし、アウタ側への移動とインナ側への移動に対しそれぞれ異なった極性の移動量に応じたレンズ位置検出信号Ｅ４を出力する。
２．リードＬＳＩの複数のパラメータの設定制御と整定待ち
図４は図２の光ディスクドライブにおけるＭＰＵ１２のリードＬＳＩ回路２４、光ディスクコントローラ１４及びＤＳＰ１６に対する本発明によるパラメータ設定制御と整定待ちの機能ブロック図である。
【００３８】
まずＭＰＵ１２には、上位装置からのリードコマンドに基づいて動作するパラメータの設定制御部９０とパラメータ設定後の整定待ち処理部９２が設けられる。設定制御部９０は、ＲＡＭ等に展開されたパラメータテーブル９４を使用して各種の利用アクセスに必要なパラメータの設定制御を行う。
リードＬＳＩ回路２４にはＭＰＵ１２に設けた設定制御部９０によるパラメータ設定の対象として、周波数シンセサイザ２６と光ディテクタから得られたＭＯ信号の等化回路９５を備える。周波数シンセサイザ２６に対しては、この実施形態にあっては３つの制御レジスタ９６，９８及び１００を設けている。
【００３９】
制御レジスタ９６，９８，１００のそれぞれには、ＭＰＵ１２の設定制御部９０により分周比（ｍ／ｎ）、ＶＣＯ周波数設定及びＰＬＬダンピング抵抗選択の各パラメータが設定される。また等化回路９５に対しては制御レジスタ１０２が設けられ、ＭＰＵ１２の設定制御部９０によりイコライザカットオフ周波数が設定される。
【００４０】
更に、光ディスクコントローラ１４に設けているセクタマーク検出回路１０４に対し制御レジスタ１０６が設けられ、ＭＰＵ１２の設定制御部９０によりセクタマーク検出カットオフ周波数が設定制御される。更にＤＳＰ１６にあっては、ＭＰＵ１２で上位装置からのリードコマンドを実行する際にシークコマンドが転送され、このシークコマンドに基づいてシーク制御部１０８がＭＰＵ１２の処理に並行して同時にビームスポットを目標トラックに位置付けるためのシーク制御を実行する。
【００４１】
図５は図４のリードＬＳＩ回路２４に設けている周波数シンセサイザ２６のブロック図である。図５において周波数シンセサイザ２６は、位相比較器１３４、低域フィルタ１３６、電圧制御発振器１３８及びプログラマブル分周器１４０で構成される。位相比較器１３４には外部回路で発生した周波数ｆｉの基準クロックがマルチプレクサ１４４を介して入力され、プログラマブル分周器１４０の分周クロックの周波数ｆｏ・（ｍ／ｎ）との位相比較を行っている。
【００４２】
マルチプレクサ１４４は、リード命令に基づくパラメータ設定命令の際に周波数ｆｉの基準クロックを入力し、シーク完了で目的トラックへの位置付けが終了してオントラックするとリードデータの入力に切替える。
位相比較器１３４の出力は低域フィルタ１３６で高域成分を除去した後、電圧制御発振器１３８に与えられ、周波数ｆｏの基準クロックを発振する。この基準クロックの発振周波数ｆｏは前記（１）式で与えられる。プログラマブル分周器１４０に対しては、ＭＰＵによって分周比データ（ｍ／ｎ）を設定することで基準クロックの発振周波数ｆｏを任意に調整することができる。
【００４３】
プログラマブル分周器１４０に対する分周比データ（ｍ／ｎ）は、分子の分周値ｎが１２３ＭＢ、２３０ＭＢ、５４０ＭＢ及び６４０ＭＢの各媒体ごとに異なる固有の値であり、分母の分周値ｍがそれぞれの媒体においてゾーン番号により変化する値である。
ここで５４０ＭＢ媒体と６４０ＭＢ媒体を例にとると、媒体ゾーンに対するクロック周波数は図６のようになる。
【００４４】
図６において、５４０ＭＢ媒体と６４０ＭＢ媒体は非ユーザゾーンとなる内周側のリードインゾーンとアウタ側のリードアウトゾーンの間にユーザゾーンとしてのデータゾーンを備えており、データゾーンはゾーン番号０〜１７の１８ゾーンに分かれている。リードインゾーンは、初期ゾーン、学習ゾーン、テストゾーン、コントロールゾーン、バッファゾーンで構成されている。またリードアウトゾーンはテストゾーンとバッファゾーンで構成されている。このような１セクタが５１２媒体となる５４０ＭＢ媒体に対し、１セクタが２０４８媒体となる６４０ＭＢ媒体にあっては、リードインゾーン及びリードアウトゾーンについては５４０ＭＢ媒体と同じであるが、データゾーンはゾーン番号０〜１０の１１ゾーンで構成されている。
【００４５】
５４０ＭＢ媒体のデータゾーンのゾーン番号０〜１７のクロック周波数は次式で定義される。
0003602696.tif 000002
尚、１バイト当りのチャネルビット数は、１−７ＲＬＬ記録方式の場合、１．５［チャネル／ビット］となることから、
１バイト＝８ビット×１．５［チャネル／ビット］
の関係にある。
【００４６】
ここで媒体の回転数を例えば３０００ｒｐｍとすると、ゾーン番号＝０となるゾーン０のクロック周波数ｆは、
ｆ＝５０×７７８×１２×３０００ｒｐｍ／６０＝２３．３４ＭＨｚ
として求めることができる。同様にしてゾーン番号１〜１７を（２）式に代入することで、ゾーン１〜１７に示すクロック周波数２４．２７ＭＨｚ〜３９．２１ＭＨｚを求めることができる。
【００４７】
なお、最内周のリードインゾーンはゾーン０より１ゾーン少なくした場合のクロック周波数２２．４１ＭＨｚであり、最アウタのリードアウトゾーンについては、データゾーン１７と同じクロック周波数３９．２１ＭＨｚを使用している。
６４０ＭＢ媒体のクロック周波数は次式で定義される。
0003602696.tif 000003
例えば媒体の回転数を３０００ｒｐｍとしたときのデータゾーンのゾーン番号０のクロック周波数ｆは、
ｆ＝１５×２５８４×１２×３０００ｒｐｍ／６０＝２３．２６ＭＨｚ
で求めることができる。この６４０ＭＢ媒体についても、最インナのリードインゾーンについてはゾーン０より１ゾーン少なくしたゾーンのクロック周波数２１．７１ＭＨｚを使用し、最アウタのリードアウトゾーンについてはゾーン１０と同じクロック周波数３８．７６ＭＨｚを使用している。
【００４８】
この図６に示す５４０ＭＢ媒体及び６４０ＭＢ媒体の各ゾーンのクロック周波数は、ＩＳＯ／ＩＥＣ  ＤＩＳ１５０４１で規定されている。
図７は図６の５４０ＭＢ媒体のデータゾーンでのゾーン位置に対応したクロック周波数を設定制御するための図４のＭＰＵ１２に設けたパラメータテーブル９４の一部を構成する５４０ＭＢ用パラメータテーブル９４−１である。この５４０ＭＢ用パラメータテーブル９４−１にあっては、ゾーン番号００〜１７の１８ゾーンに対応して、図５の周波数シンセサイザ２６に設けているプログラマブル分周器１４０に分周比（ｍ／ｎ）を設定するための分周値（分子）ｍ００〜ｍ１７と、分周値（分母）ｎの固定値が格納されている。
【００４９】
図８は図６の６４０ＭＢ媒体に使用される６４０ＭＢパラメータテーブル９４−２であり、ゾーン番号００〜１０の１１ゾーンに分けて、周波数シンセサイザ２６のプログラマブル分周器１４０に設定する分周比（ｍ／ｎ）につき、ゾーンごとに異なる分周値（分子）としてｍ００〜ｍ１０と、媒体に共通な固定値となる分周値（分母）ｎを格納している。
【００５０】
図４のリードＬＳＩ回路２４に向けた周波数シンセサイザ２６に対する制御レジスタ９６の分周比（ｍ／ｎ）以外のパラメータとして、この実施形態にあっては、制御レジスタ９８にＶＣＯ周波数設定と制御レジスタ１００にＰＬＬダンピング抵抗選択を行っている。
まず制御レジスタ９８のＶＣＯ周波数設定は、媒体から読み出したデータ信号の周波数と基準クロックの周波数を一致させるため電圧制御発振器１３８にデータ部の発振周波数を設定してゾーンの基準クロックに近い周波数にセットし、周波数の誤差分をＰＬＬループによって引き込むように動作させる。
【００５１】
次に制御レジスタ１００のＰＬＬダンピング抵抗選択を説明する。図５の周波数シンセサイザ２６に設けているＰＬＬループの電圧制御発振器１３８に対しては、アナログスイッチ１４２−１〜１４２−３で選択接続可能なダンピング抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３が外部接続されている。このダンピング抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３は、プログラマブル分周は１４０に対する分周比を設定変更した際のＰＬＬループの目標周波数に対する引き込みを安定に整定させるためのダンピングファクタζを選択する。
【００５２】
図９は図５の周波数シンセサイザ２６のＰＬＬループで分周比を設定変更した際の目標周波数に発振周波数が落ち着く際のダンピング特性の説明図であり、実線の特性１４６がダンピングファクタζが大きい場合であり、破線の特性１４８がダンピングファクタζが小さい場合である。
即ち、特性１４６のダンピングファクタζが大きい場合には、整定は早くなるがハンチングが生じて安定性がなくなる。これに対し特性１４８のダンピングファクタζが小さい場合には、目標周波数に対し安定して引き込むことができるが整定に時間が掛かることが分かる。
【００５３】
このようなＰＬＬループにおける目標周波数に引き込む際のダンピング特性を、制御レジスタ１００に対するＰＬＬダンピング抵抗選択情報の設定でアナログスイッチ１４２−１〜１４２−３のいずれかをオンしてダンピング抵抗Ｒ１〜Ｒ３のいずれか１つを接続し、ダンピングファクタζの最適値を設定できるようにしている。
【００５４】
次に図４のＭＰＵ１２に設けた設定制御部９０は、リードＬＳＩ回路２４に設けているＭＯ信号の等化回路９５のカットオフ周波数を制御レジスタ１０２の設定制御で最適化できる。更に光ディスクコントローラ１４に設けているセクタマーク検出回路１０４のカットオフ周波数についても、制御レジスタ１０６により最適化できる。
【００５５】
図１０は図４のリードＬＳＩ回路２４と光ディスクコントローラ１４におけるリード系統のブロック図である。リードＬＳＩ回路２４は、媒体の戻り光を受光した光ディテクタからのＭＯ信号（データ信号）とＩＤ信号を入力し、ＭＯ信号については等化回路９４で波形等化を施した後に、ＡＧＣ回路１１０で増幅し、ＩＤ信号についてはＡＧＣ回路１１２で増幅している。
【００５６】
このＭＯ信号の等化回路９４について、図４のＭＰＵ１２の設定制御部９０はゾーン位置に応じて制御レジスタ１０２にイコライザカットオフ周波数を設定して最適化している。ＭＯ信号及びＩＤ信号についての各々のＡＧＣ回路１１０，１１２の出力はマルチプレクサ１１４に入力され、ＭＰＵからのＩＤ／ＭＯ切替信号により選択され、順次微分回路１１６に出力され、ピークレベルがゼロクロスにより検出される。
【００５７】
微分回路１１６の出力はデータ復調回路１１７に与えられ、リードクロックとリードデータを生成している。周波数シンセサイザ２６は、ＩＤ信号またはＭＯ信号が得られないシーク中等において、目標トラックのゾーン比に対応した分周比の設定を受けて、目標とする基準クロックの周波数を発生し、シーク完了でオントラックすると、微分回路１１６からのＩＤ信号またはＭＯ信号のピーク検出パルスに追従した基準クロックの発生を行う。
データ復調回路１７は、シーク完了後のオントラック状態で得られるＩＤ信号及びＭＯ信号を周波数シンセサイザ２６で発生するリードクロックに同期させたリードデータを生成する。このときデータ復調回路１７は、リードデータとして得られたＰＰＭ変調データ又はＰＷＭ変調データを変調前のリードデータに戻す復調を行う。
【００５８】
微分回路１１６の出力は更に微分回路１１８で微分され、比較回路１２０において予め定めた閾値レベルと比較することで、ＩＤ領域に記録されているセクタマークを示すセクタマークパルス信号を出力する。
光ディスクコントローラ１４のリード系は、ＲＬＬデータ復調回路１２２、シンクバイト検出回路１２４、アドレスマーク検出回路１２６、ＥＣＣ回路１２８、ＣＲＣチェック回路１３０、ＩＤ検出回路１３２、更にセクタマーク検出回路１０４で構成される。
【００５９】
リードＬＳＩ回路２４で復調されたリードデータとリードクロックは、ＲＬＬデータ復調回路１２２、シンクバイト検出回路１２４及びアドレスマーク検出回路１２６に入力される。
最初に得られるセクタ先頭のＩＤ信号のリードデータについて、シンクバイト検出回路１２４でシンクバイト検出が行われ、続いてアドレスマーク検出回路１２６でアドレスマーク検出が行われ、それぞれＲＬＬデータ復調回路１２２に与えられることで、ＩＤ部に続くデータ部（ＭＯ部）のリードデータを認識し、１−７ＲＬＬ逆変換によりリードデータを復調する。
【００６０】
ＲＬＬデータ復調回路１２２で復調されたリードデータは、続いてＥＣＣ回路１２８、ＣＲＣチェック回路１３０及びＩＤ検出回路１３２に与えられる。ＣＲＣチェック回路１３０は（データ＋ＥＣＣ）のデータストリームのエラー検出を行い、その結果をＥＣＣ回路１２８に出力する。ＥＣＣ回路１２８は、ＥＣＣコードに基づきリードデータのエラー検出訂正を行ってＭＲＺデータとして出力する。
【００６１】
またＩＤ検出回路１３２は、リードデータのＩＤ情報を検出してＩＤ検出更新通知信号を出力する。またアドレスマーク検出回路１２６もＭＰＵ１２に対しアドレスマーク検出信号を出力しており、更にセクタマーク検出回路１０４がセクタマーク検出信号をＭＰＵ１２に出力している。
このような光ディスクコントローラ１４側のリード系に設けられているセクタマーク検出回路１０４に対し、図４のように制御レジスタ１０６が設けられ、そのカットオフ周波数がＭＰＵ１２に設けている設定制御部９０によりゾーン位置に応じて設定制御され、セクタマーク検出回路１０４のカットオフ周波数特性の最適化が図られている。
【００６２】
図４のＭＰＵ１４による設定制御部９０の周波数シンセサイザ２６に対する分周値の設定以外の他の処理部に対する設定制御を可能とするため、ＭＰＵ１２に設けているパラメータテーブル９４にあっては、例えば図７の５４０ＭＢパラメータテーブル９４−１のように、ゾーン番号００〜１７に対応してＶＣＯ周波数、ダンピング抵抗、ＥＱカットオフ周波数及びＳＭカットオフ周波数のそれぞれの設定情報が予め登録されている。
【００６３】
同様に、図８の６４０ＭＢパラメータテーブル９４−２についても、周波数シンセサイザ２６に対する分周値に加え、ＶＣＯ周波数、ダンピング抵抗、ＥＱカットオフ周波数及びＳＭカットオフ周波数のそれぞれがゾーン番号００〜１７に対応して予め格納されている。
次に図４のＭＰＵ１２に設けている整定待ち処理部９２の機能を説明する。ＭＰＵ１２の設定制御部９０によりリードＬＳＩ回路２４に設けている制御レジスタ９６に、上位装置からリード命令を受けた際の目標トラックの属するゾーン番号に対応した分周比（ｍ／ｎ）を設定して、周波数シンセサイザ２６の発振周波数の設定変更を行った場合、周波数シンセサイザ２６が分周比に基づく目標周波数に安定するまでには例えば図１１のような整定時間を要する。
【００６４】
図１１は横軸に分周値ｍの変化量Δｍをとり、縦軸に周波数シンセサイザ２６が目標周波数に安定するまでの整定時間Ｔ１をとっている。例えば５４０ＭＢ媒体は、図７のようにゾーン番号００からゾーン番号１７に変化したときの分周値変化量Δｍ＝ｎ１７−ｍ００が最大であり、この分周値変化量の最大値（Δｍ）ｍａｘは、例えば４００μｓとなる。この関係から、ゾーン位置に応じた分周値変化量Δｍに対する整定時間Ｔ１の関係は直線近似できる。このため、この直線近似の傾きをαとすると、分周値変化量Δｍに対する整定時間Ｔ１は
Ｔ１＝α×Δｍ
として一義的に求めることができる。具体的には、現在設定している旧分周値をｍｉ  、新たに設定した目標トラックのゾーンに対応した新分周値をｍｉ＋１  とすると、シンセサイザ整定時間Ｔ１は
Ｔ１＝（新分周値ｍｉ＋１  −旧分周値ｍｉ  ）×α
で定義することができる。
【００６５】
更に図４の実施形態にあっては、ＭＰＵ１２の設定制御部９０は制御用レジスタ９６に対する周波数シンセサイザ２６の分周比の設定制御に加え、制御レジスタ９８，１００，１０２，１０６に対しても順次、パラメータテーブル９４から読み出したゾーン位置に対応した値の設定制御を行っており、制御レジスタ９８，１００，１０２，１０６の設定制御に要する時間をＴ２１，Ｔ２２，Ｔ２３，Ｔ２４とすると、他の制御レジスタに対する設定処理時間Ｔ２は
Ｔ２＝Ｔ２１＋Ｔ２２＋Ｔ２３＋Ｔ２４
となる。この他の制御レジスタに対する設定処理時間Ｔ２は、例えばＴ２＝７０μｓ程度の時間となる。
【００６６】
図１２は図４のＭＰＵ１２の設定制御部９０によるパラメータの設定制御と整定待ち処理部９２による整定待ち処理のタイムチャートである。
いま図１２（Ａ）のように、周波数シンセサイザ２６に対する分周比の設定が時刻ｔ１で制御レジスタ９６に対し完了したとすると、図１２（Ｂ）の整定時間タイマのように、そのときの分周値変化量Δｍに基づき、図１１の特性に従って整定時間Ｔ１が算出される。
【００６７】
続いて図１２（Ｃ）（Ｄ）（Ｅ）（Ｆ）のようにＶＣＯ周波数設定、ダンピング抵抗選択、イコライザカットオフ周波数設定、セクタマークカットオフ周波数設定が、制御レジスタ９８，１００，１０２，１０６に対し順次行われ、このための設定処理時間はＴ２のようになる。
ここで、レジスタ数によって固定的に決まる設定処理時間Ｔ２に対し、分周比変化量に応じて変化する整定時間Ｔ１が長かったとすると、図１２（Ｇ）のように待ち時間タイマで設定する待ち時間Ｔｗが
Ｔｗ＝Ｔ１−Ｔ２
として求められる。この待ち時間タイマによる待ち時間Ｔｗの間、ＭＰＵはアイドリング処理となる待ち状態に入る。時刻ｔ２で待ち時間Ｔｗが経過すると、ＭＰＵのアイドル状態が解除され、メインの処理にリターンする。
【００６８】
図１３は、図１３（Ａ）のシンセサイザ周波数設定によって求められた図１３（Ｂ）の整定時間タイマによる整定時間Ｔ２が図１３（Ｃ）〜（Ｆ）の４つのレジスタ設定処理時間Ｔ２以下の場合である。この場合にはレジスタの設定処理時間Ｔ２が経過する時刻ｔ２以前に整定時間Ｔ１が終了していることから、時刻ｔ２で設定処理時間Ｔ２が終了すると、図１３（Ｈ）のようにＭＰＵ処理モードは待ち状態となるアイドル処理に入ることなくメイン処理を継続することになる。
【００６９】
図１４は、ＭＰＵ１２が上位装置からリード命令を受領した際のリードアクセスにおける上位装置、ＭＰＵ１２及びＤＳＰ１６の処理のタイムチャートである。まず上位装置がステップＳ１でリード命令を発行すると、このリード命令をＭＰＵ１２がステップＳ１０１で受領して解読し、続いてステップＳ１０２でリード命令の解読結果から得られたシーク命令をＤＳＰ１６に通知する。
【００７０】
このＭＰＵ１２からのシーク命令の通知を受けて、ＤＳＰ１６に設けている図４のシーク制御部１０８は、ステップＳ２０１でシーク命令を解読し、ステップＳ２０２でビームスポットを目標トラックに位置付ける旨のシーク命令を実行する。
一方、ステップＳ１０２でＤＳＰ１６にシーク命令を通知したＭＰＵ１２は、ステップＳ１０３でリード命令の解読結果に基づくパラメータ設定命令を解読し、ステップＳ１０４でＭＰＵ１２に設けている設定制御部９０による周波数シンセサイザ２６及び他の処理部に対するパラメータテーブル９６からゾーン番号に対応して読み出した値の設定制御を実行し、続いてステップＳ１０５で整定待ち処理部９２による整定待ち処理を行う。
【００７１】
ステップＳ２０２でシーク命令を実行したＤＳＰ１６側にあっては、ステップＳ２０３でシーク完了の有無をチェックしており、ビームスポットを目標トラックに引き込んでオントラック状態になると、ステップＳ２０４でシーク完了通知がＭＰＵ１２に対し行われる。
ここでＭＰＵ１２におけるステップＳ１０４，Ｓ１０５のパラメータ設定命令の実行と整定待ち処理に要する時間は、最大でも図１１に示したように数百μｓを超えることがなく、これに対しＤＳＰ１６のステップＳ２０２のシーク命令の実行はシーク完了までに数ミリ秒を要する。したがってＤＳＰ１６からシーク完了通知を受けた際には、ＭＰＵ１２にあってはパラメータ設定命令の実行に基づく整定待ち処理を完了しており、シーク完了に伴ってステップＳ１０６でデータリード処理を行い、上位装置側にリードデータを転送する。
【００７２】
このように上位装置からのリード命令に対し正常にＤＳＰ１６側でシーク動作が完了した場合には、シーク完了が得られない限りＭＰＵ１２はメイン処理によるリードデータの転送ができないことから、その間、アイドル処理による待ち状態にあり、ステップＳ１０４のパラメータ設定命令実行に伴うステップＳ１０５の整定待ち処理を行っていても、この場合には特にリードデータの転送を高速化できるということはない。
【００７３】
図１５は、上位装置からのリード命令に対しＤＳＰ１６側のシーク命令の実行でシークエラーとなった場合のタイムチャートである。図１５において、上位装置のステップＳ１からのリード命令の発行に対するＭＰＵ１２のステップＳ１０１〜Ｓ１０５、及びＤＳＰ１６のステップＳ２０１〜Ｓ２０３までの処理は、図１４のタイムチャートと同じである。
【００７４】
しかしながら図１５にあっては、ＤＳＰ１６において、シーク命令の実行で引き込んだトラックが目的トラックでなく、例えば１つ先の別のゾーンのトラックであり、その結果、ステップＳ２０４でシークエラーが判別され、ステップＳ２０５でシークエラー通知がＭＰＵ１２に対し行われる。
ＭＰＵ１２はＤＳＰ１６からシークエラー通知を受けると、現在設定している目標トラックのゾーン番号に対応した周波数シンセサイザ２６のクロック周波数ではデータを読むことができない。そこでステップＳ１０６でエラーゾーンを推定し、ゾーン番号に対応したパラメータ設定命令を実行し、ステップＳ１０７で整定待ち処理を行った後、ステップＳ１０８でトラックＩＤ部を読んで認識し、ステップＳ１０９でＤＳＰ１６に対しシーク命令のリトライ指示を行う。
【００７５】
このＭＰＵからのリトライ指示を受けてＤＳＰ１６は、ステップＳ２０６でリトライシークを実行し、ステップＳ２０７で正しい目的トラックに引き込んでシーク完了となると、ステップＳ２０８でシーク完了通知をＭＰＵ１２に行う。これによって、ステップＳ１１０でＭＵ１２は目的ゾーンのパラメータ設定命令を実行し、ステップＳ１１１で整定待ち処理を行った後に、ステップＳ１１２でデータをリードして上位装置に転送する。
【００７６】
このようなＤＳＰ１６側でシークエラーとなった際のＭＰＵ１２の処理において、ステップＳ１０６で再度エラーゾーンのパラメータ設定命令を実行し、ステップＳ１０７で整定待ち処理を行った後、ステップＳ１０９でＤＳＰ１６に対するリトライ指示を行う場合、ステップＳ１０７の整定待ち処理がステップＳ１０６における周波数シンセサイザ２６の分周値変化量に応じた整定時間に基づく待ち時間の算出で実行される。
【００７７】
この整定待ち時間には無駄がないことから、余計な整定待ち時間を必要とすることなく、ステップＳ１０８でＤＳＰ１６に対し速やかにリトライ指示を行うことができ、その分、上位装置に対するリードデータの転送を見掛上、早めることができる。
図１６は図１４，図１５に示したＭＰＵ１２におけるパラメータ設定命令実行と整定待ち処理のフローチャートであり、図４のＭＰＵ１２に設けている設定制御部９０及び整定待ち処理部９２により行われる。
【００７８】
図１６において、まずステップＳ１でパラメータ設定命令の指定ゾーンを目的トラック番号から認識し、ステップＳ２で現在の周波数シンセサイザ２６の分周値の設定値ｍｉ  を確認するため、図４の制御用レジスタ９６から読み出してＭＰＵ１２側のＲＡＭに格納する。
続いてステップＳ３で、例えば５４０ＭＢ媒体であった場合には、図７のような５４０ＭＢパラメータテーブル９４−１を参照し、ゾーン番号に対応する分周値ｍｉ＋１  、ＶＣＯ周波数、ダンピング抵抗、ＥＱカットオフ周波数及びＳＭカットオフ周波数の各パラメータを読み出し、ステップＳ４で図４のリードＬＳＩ回路２４に設けている制御レジスタ９６，９８，１００，１０２及び光ディスクコントローラ１４の制御レジスタ１０６に各パラメータを書き込む。
【００７９】
続いてステップＳ５で周波数シンセサイザ２６の整定時間Ｔ１を
Ｔ１＝（新分周値ｍｉ＋１  −旧分周値ｍｉ  ）×α
として演算する。続いてＳ６で周波数シンセサイザ２６以外のパラメータ設定時間Ｔ２を算出する。そしてステップＳ７で整定時間Ｔ１と設定処理時間Ｔ２の大小関係を比較し、整定時間が設定処理時間Ｔ２より大きければ、ステップＳ８で待ち時間ＴｗをＴｗ＝Ｔ１−Ｔ２として計算する。
【００８０】
ステップＳ９で待ち時間Ｔ２に亘る整定待ちのためのアイドリング処理を行う待ち状態とし、ステップＳ１０で待ち時間Ｔｗの経過を認識すると、ＭＰＵはメインルーチンにリターンする。一方、ステップＳ７で整定時間Ｔ１が設定処理時間Ｔ２以下であった場合には、ステップＳ１１で待ち時間Ｔｗを０とし、ＭＰＵ１２をアイドリング処理とすることなくメイン処理を継続させる。
【００８１】
図１７は本発明によるパラメータ設定制御及び整定待ち処理の他の実施形態のフローチャートであり、図１６にあっては周波数シンセサイザの制定時間Ｔ１を図１１のように分周値変化量Δｍに基づいて算出しているが、図１７の実施形態にあってはシンセサイザ整定時間Ｔ１をゾーン番号の変化量に基づいて計算するようにしたことを特徴とする。
【００８２】
即ち図１７のステップＳ１５にあっては、シンセサイザ整定時間Ｔ１として、現在のゾーンを旧ゾーンＺｉ  、目標トラックの属するゾーンを新ゾーンＺｉ＋１  とし、ゾーン番号の変化に対する比例係数をβとすると、シンセサイザ整定時間Ｔ１は
Ｔ１＝（新ゾーンＺｉ＋１  −旧ゾーンＺｉ  ）×β
として算出される。それ以外のステップＳ１〜Ｓ４及びステップＳ６〜Ｓ１１の処理は、図１６のフローチャートと同じである。
３．リードＬＳＩの単一パラメータの設定制御と整定待ち
図１８は本発明の他の実施形態であり、この実施形態にあっては、リードＬＳＩ回路２４に設けている周波数シンセサイザ２６の分周比のみをＭＰＵ１２の設定制御部９０で設定制御し、且つ待ち時間処理部９２で整定待ちを行うようにしたことを特徴とする。
【００８３】
したがって図１８にあっては、図４におけるリードＬＳＩ回路２４の周波数シンセサイザ２６とその分周比（ｍ／ｎ）を設定する制御レジスタ９６のみが示されている。
図１９は図１８の実施形態で使用するＭＰＵ１２に設けたパラメータテーブル９４の中の５４０ＭＢパラメータテーブル９４−１であり、ゾーン番号０〜１７に対応してクロック周波数ｆ００〜ｆ１７に対応した分周値ｍ００〜ｍ１７と固定分周値ｎのみが格納されている。また図２０は６４０ＭＢパラメータテーブル９４−２であり、同様にゾーン番号０〜７に対応して分周値ｍ００〜ｍ０７と固定分周値ｎのみが格納されている。
【００８４】
図２１（Ａ）〜（Ｃ）は、図１８の実施形態のタイミングチャートであり、図２１（Ａ）のシンセサイザ分周比設定の分周値変化量が大きい場合であり、このときにも図２１（Ｂ）の整定時間タイマによる整定時間Ｔ１がそのまま待ち時間Ｔｗとなり、待ち時間Ｔｗの間、図２１（Ｃ）のように、ＭＰＵ処理モードがアイドリング処理の待ち状態となる。
【００８５】
図２２（Ａ）〜（Ｃ）は、シンセサイザの分周値変化量が少なく整定時間Ｔ１が図２１に比べて短い場合であり、この場合にも短い整定時間Ｔ１がそのまま待ち時間Ｔｗとなり、ＭＰＵは待ち時間Ｔｗの間、アイドリング処理の待ち状態となる。
図２３は図１８の実施形態によるパラメータ設定制御と整定待ちのフローチャートである。まずステップＳ１でパラメータ設定命令の指定ゾーンを認識し、ステップＳ２で現在の周波数シンセサイザ２６の設定分周比ｍｉ  を確認するため制御レジスタ９６から読み出してＲＡＭに格納する。
【００８６】
続いてステップＳ３で目標トラックが位置する規定ゾーンの周波数シンセサイザ２６の分周値ｍｉ＋１  をパラメータテーブル２４から読み出し、ステップＳ４でリードＬＳＩ回路２４の制御レジスタ９６に分周値ｍｉ＋１  を書き込み、周波数シンセサイザ２６の指定ゾーンのクロック周波数への設定変更を開始する。
続いてステップＳ５で新分周値ｍｉ＋１  と旧分周値ｍｉ  との差に所定の係数αを乗じた整定時間Ｔ１を計算し、ステップＳ６で整定待ちのためＭＰＵをアイドリング処理とし、ステップＳ７で整定時間Ｔ１をそのまま待ち時間Ｔｗとして待ち時間Ｔｗの経過をチェックし、待ち時間Ｔｗを経過した時点でＭＰＵのアイドリング処理を解除してメイン処理に戻る。
【００８７】
図２４は図１８のパラメータ設定制御及び整定待ちの他の実施形態のフローチャートであり、この実施形態にあっては、ステップＳ５でシンセサイザ整定時間Ｔ１を現在位置する旧ゾーンＺｉ  と目標トラックが位置する指定ゾーンである新ゾーンＺｉ＋１  の差に所定の係数βを乗じて算出するようにしたことを特徴とし、他の処理は図２３のフローチャートと同じである。
４．シングルプロセッサによるパラメータ設定制御と整定待ち
図２５は上位装置からのリード命令に対し、ＭＰＵ１２のみで一連のリードアクセス処理を実行するようにした場合の機能ブロック図であり、図４ではＤＳＰ１６により実行されていたシーク処理部１０８が、この実施形態にあってはＭＰＵ１２の機能として設けられている。このため上位装置からのリード命令に対し、ＭＰＵ１２はパラメータ設定命令とシーク命令を順番に実行することになる。それ以外のＬＳＩ回路２４側及び光ディスクコントローラ１４の構成は図４と同じである。
【００８８】
図２６は図２５の実施形態による上位装置からリード命令を受けた場合のタイムチャートである。
図２６において、上位装置がステップＳ１でＭＰＵ１２に対しリード命令を発行すると、ＭＰＵ１２はステップＳ１０２でリード命令を解読し、まずステップＳ１０２でパラメータ設定命令を解読して実行し、ステップＳ１０３で整定待ち処理を行う。この整定待ち処理が済むと、ステップＳ１０４でシーク命令を解読して実行し、ステップＳ１０５でシーク完了を判別すると、シークＳ１０６でデータリード処理を行ってリードデータを上位装置に転送する。
【００８９】
このように光ディスクドライブ側のＭＰＵ１２が単独でパラメータ設定命令とシーク命令を順番に実行する場合には、本発明のパラメータ設定制御に伴う整定待ち処理において、例えば周波数シンセサイザ２６の分周比変化量Δｍに比例した整定時間Ｔ１を計算し、この整定時間の間、ＭＰＵをアイドリング状態となる待ち状態とした後に、ステップＳ１０４のシーク命令の解読実行に入ることで、周波数シンセサイザの制定待ちに無駄な時間がなく、その分、上位装置に対するリードデータの転送を見掛上、速くすることができる。
【００９０】
尚、上記の実施例は光学的記憶装置を例にとるものであったが、ゾーンＣＡＶにより周波数シンセサイザを備えた磁気ディスク装置にも適用できる。また本発明は、上記の実施形態に示された数値による限定は受けない。特に媒体の相ごとに決まるクロック周波数は、媒体の回転数、ゾーン数、１セクタ当りのバイト数、１バイト当りのチャネルビット数等に応じて適宜に変わるパラメータとなる。
【００９１】
また上記の実施形態は、１２８ＭＢ媒体、２３０ＭＢ媒体、５４０ＭＢ媒体及び６４０ＭＢ媒体を例にとっているが、この媒体容量による制限も受けないことはもちろんである。
更にまた、上記の実施形態にあっては、周波数シンセサイザの分周比設定制御以外に、他の処理部として５つの処理部の設定処理を例にとっているが、この他の処理部の数もリードＬＳＩ回路や光ディスクコントローラにより適宜に定められる。
【００９２】
【発明の効果】
以上説明してきたように本発明によれば、リードＬＳＩ回路に設けている周波数シンセサイザの周波数を設定変更した際の目標周波数に整定するまでの待ち時間を周波数シンセサイザに対する設定値の変化量に比例した時間とすることによって、実際に周波数シンセサイザが安定するまでの整定時間に近付けることができ、制定待ちのための待ち時間の無駄を最小限に抑えることができ、余分な待ち時間がなくなることで上位装置へのデータ転送を速くすることができる。
【００９３】
また周波数シンセサイザの整定待ち時間について、周波数シンセサイザの設定変更と同時に他の処理部の設定変更を行っている場合には、他の処理部の設定処理時間を設定時間から除いた時間を待ち時間とすることで、同様にして周波数シンセサイザが安定するまでの余分な待ち時間をなくし、上位装置へのデータ転送を速めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の原理説明図
【図２】本発明による光ディスクドライブのブロック図
【図３】ＭＯカートリッジをローディングした装置内部構造の説明図
【図４】本発明のパラメータ設定制御と整定待ちの機能ブロック図
【図５】図４の周波数シンセサイザのブロック図
【図６】本発明で用いる５４０ＭＢ媒体と６４０ＭＢ媒体のゾーンとクロック周波数の説明図
【図７】図４のＭＰＵに設けた５４０ＭＢ媒体のパラメータテーブルの説明図
【図８】図４のＭＰＵに設けた６４０ＭＢ媒体のパラメータテーブルの説明図
【図９】図５の抵抗選択による発振周波数制御のダンピング特性の説明図
【図１０】図２のリードＬＳＩと光ディスクコントローラのリード系のブロック図
【図１１】図４の整定時間待ち処理部で算出する分周値変化量と整定時間の特性図
【図１２】整定時間がパラメータ設定処理時間より長い場合の図４の処理のタイムチャート
【図１３】整定時間がパラメータ設定処理時間以下の場合の図４の処理のタイムチャート
【図１４】上位装置からのリード命令に対するＭＰＵとＤＳＰの処理のタイムチャート
【図１５】上位装置からのリード命令に対しシークエラーを起した時のＭＰＵとＤＳＰの処理のタイムチャート
【図１６】分周値の変化から整定時間を計算する本発明によるリードパラメータ設定処理のフローチャート
【図１７】ゾーンの変化から整定時間を計算する本発明によるリードパラメータ設定処理のフローチャート
【図１８】周波数シンセサイザの設定制御のみを行う本発明の他の実施形態の機能ブロック図
【図１９】図１８の実施形態で使用する５４０ＭＢ媒体のパラメータテーブルの説明図
【図２０】図１８の実施形態で使用する６４０ＭＢ媒体のパラメータテーブルの説明図
【図２１】整定時間がパラメータ設定処理時間より長い場合の図１８の実施形態のタイムチャート
【図２２】整定時間がパラメータ設定処理時間以下の場合の図１８の実施形態のタイムチャート
【図２３】分周値の変化から整定時間を計算する図１８の実施形態によるリードパラメータ設定処理のフローチャート
【図２４】ゾーンの変化から整定時間を計算する図１８の実施形態によるリードパラメータ設定処理のフローチャート
【図２５】ＭＰＵのみでリードＬＳＩのパラメータ設定制御、整定待ち処理及びシーク処理を行う本発明の他の実施形態の機能ブロック図
【図２６】図２４のリード命令に対する処理のタイムチャート
【符号の説明】
１０：コントロールユニット
１１：エンクロージャ
１２：ＭＰＵ
１４：光ディスクコントローラ（ＯＤＣ）
１４−１：フォーマッタ
１４−２：ＥＣＣ処理部
１６：ＤＳＰ
１７：上位インタフェース
１８：バッファメモリ
２０：ライトＬＳＩ回路
２１：エンコーダ
２２：レーザダイオード制御回路（ＬＤ制御回路）
２３：リードＬＳＩ回路
２５：リード復調回路
２６：周波数シンセサイザ
３０：レーザダイオードユニット
３２：ＩＤ／ＭＯ用ディテクタ
３４：ヘッドアンプ
３６：温度センサ
３８，４２，５８，６２，６６：ドライバ
４０：スピンドルモータ
４４：電磁石
４５：ＦＥＳ用ディテクタ（４分割ディテクタ）
４６：ＦＥＳ検出回路
４７：ＴＥＳ用ディテクタ（２分割ディテクタ）
４８：ＴＥＳ検出回路
５０：ＴＺＣ検出回路
５４：レンズ位置センサ
５６：キャリッジ位置センサ（ＰＳＤ）
６０：フォーカスアクチュエータ
６４：レンズアクチュエータ
６５：ＶＣＭ（キャリッジアクチュエータ）
６６：ハウジング
６８：インレットドア
７０：ＭＯカートリッジ
７２：ＭＯ媒体
７６：キャリッジ
７８：固定光学系
８０：対物レンズ
９０：設定制御部
９２：整定待ち処理部
９４：パラメータテーブル
９４−１：５４０ＭＢパラメータテーブル
９４−２：６４０ＭＢパラメータテーブル
９５：等化回路
９６，９８，１００，１０２，１０６：制御レジスタ
１０４：セクタマーク検出回路
１０８：シーク処理部
１１０，１１２：ＡＧＣ回路
１１４，１４４：マルチプレクサ（ＭＵＸ）
１１６，１１８：微分回路
１２０：比較回路
１２２：ＲＬＬデータ復調回路
１２４：シンクバイト検出回路
１２６：アドレスマーク検出回路
１２８：ＥＣＣ回路（ＥＣＣデコーダ）
１３０：ＣＲＣチェック回路
１３２：ＩＤ検出回路
１３４：位相比較器（ＰＣ）
１３６：低域フィルタ（ＬＰＦ）
１３８：電圧制御発振器（ＶＣＯ）
１４０：プログラマブル分周器
１４２−１〜１４２−３：アナログスイッチ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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