(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板に設けられた抵抗体膜と、該抵抗体膜の上に、該抵抗体膜を斜め方向に横切る所定幅の帯状領域を除いて設けられた一対の表電極膜と、前記抵抗体膜の帯状領域に抵抗値調整のため前記斜め方向に形成したトリミング溝と、該表電極膜上および前記抵抗体膜上に設けられた保護膜とを備えたことを特徴とするチップ形抵抗器。
【請求項２】
絶縁基板裏側の左右両端部に設けられた一対の裏電極膜と、これらの裏電極膜に対峙するように前記絶縁基板の表面に設けられた各一の第１表電極膜と、該第１表電極膜どうしをこれらの一部を覆うように接続する抵抗体膜と、該抵抗体膜および前記第１表電極膜の上に、前記抵抗体膜を斜め方向に横切る所定幅の帯状領域を除いて設けられた一対の第２表電極膜と、該第２表電極膜上に設けられた銅めっき膜と、該銅めっき膜間の前記帯状領域の抵抗体膜に抵抗値調整のため前記斜め方向に形成されたトリミング溝と、前記銅めっき膜の左右端部を除く領域および前記抵抗体膜上に設けられた保護膜と、前記絶縁基板の左右端面に、前記裏電極膜と前記第１表電極膜、第２表電極膜および銅めっき膜とを接続するように形成された端面電極膜と、該端面電極膜と該端面電極膜付近の前記銅めっき膜および裏電極膜とを覆うように設けられた電極めっき膜とを備えたことを特徴とするチップ形抵抗器。
【請求項３】
絶縁基板裏側の左右両端部に設けられた一対の裏電極膜と、前記絶縁基板表側の左端から右端までの領域に設けられた抵抗体膜と、該抵抗体膜の上に、該抵抗体膜を斜め方向に横切る所定幅の帯状領域を除いて設けられた一対の表電極膜と、これらの各表電極膜上に設けられた銅めっき膜と、これらの各銅めっき膜間の前記帯状領域の抵抗体膜に抵抗値調整のため前記斜め方向に形成されたトリミング溝と、前記銅めっき膜の左右端部を除く領域と前記抵抗体膜上に設けられた保護膜と、前記絶縁基板の左右端面に、前記裏電極膜と前記表電極膜および銅めっき膜とを接続するように形成された端面電極膜と、該端面電極膜と該端面電極膜付近の前記銅めっき膜および裏電極膜とを覆うように設けられた電極めっき膜とを備えたことを特徴とするチップ形抵抗器。
【請求項４】
絶縁基板裏側の左右両端部に設けられた一対の裏電極膜と、前記絶縁基板表側の左端から右端までの領域に設けられた抵抗体膜と、該抵抗体膜の上に、該抵抗体膜を斜め方向に横切る所定幅の帯状領域を除いて設けられた一対の銅めっき膜と、これらの各銅めっき膜間の前記帯状領域の前記抵抗体膜に抵抗値調整のため前記斜め方向に形成されたトリミング溝と、前記銅めっき膜の左右端部を除く領域および前記抵抗体膜上に設けられた保護膜と、前記絶縁基板の左右端面に、前記裏電極膜と銅めっき膜とを接続するように形成された端面電極膜と、該端面電極膜と該端面電極膜付近の前記銅めっき膜および裏電極膜とを覆うように設けられた電極めっき膜とを備えたことを特徴とするチップ形抵抗器。
【請求項５】
絶縁基板上に抵抗体膜を形成する抵抗体膜形成工程と、前記抵抗体膜上に、該抵抗体膜を斜め方向に横切る所定幅を除いて一対の表電極膜を形成する表電極膜形成工程と、前記抵抗体の帯状領域に抵抗値調整のため前記斜め方向に形成するトリミング溝形成工程と、前記表電極膜および抵抗体膜を覆うように保護膜を形成する保護膜形成工程とを実施することを特徴とするチップ形抵抗器の製造方法。
【請求項６】
複数の分割スリットにより区画された絶縁基板の一区画を単位として、各単位の絶縁基板裏側の左右両端部に一対の裏電極膜を形成する裏電極膜形成工程と、前記裏電極膜に対峙する前記絶縁基板表側の各領域に第１表電極膜を形成する第１表電極膜形成工程と、前記各第１表電極膜の一部に重なってこれらを橋絡するように前記絶縁基板上に抵抗体膜を形成する抵抗体膜形成工程と、前記抵抗体膜および第１表電極膜の上に、前記抵抗体膜を斜め方向に横切る所定幅の帯状領域を除いて第２表電極膜を形成する第２表電極膜形成工程と、前記帯状領域に臨む抵抗体膜上にレジスト膜を施し、前記第２表電極膜上に銅めっき膜を形成する銅めっき膜形成工程と、前記レジスト膜を剥離処理して、前記抵抗体膜の帯状領域に抵抗値調整のため前記斜め方向にトリミング溝を形成するトリミング溝形成工程と、トリミング溝を形成した前記抵抗体膜および銅めっき膜を覆うように保護膜を形成する保護膜形成工程と、前記絶縁基板の左右端面に、前記裏電極膜と、前記第１表電極膜、第２表電極膜および銅めっき膜とを接続するように端面電極膜を形成する端面電極膜形成工程と、前記端面電極膜上に電極めっき膜を形成する電極めっき膜形成工程と、前記絶縁基板を前記分割スリットにより一区画ごとに分割する分割工程とを実施することを特徴とするチップ形抵抗器の製造方法。
【請求項７】
複数の分割スリットにより区画された絶縁基板の一区画を単位として、各単位の絶縁基板裏側の左右両端部に一対の裏電極膜を形成する裏電極膜形成工程と、前記絶縁基板表側の左端部から右端部までの領域に抵抗体膜を形成する抵抗体膜形成工程と、前記抵抗体膜上に該抵抗体膜を斜め方向に横切る所定幅の帯状領域を除いて表電極膜を形成する表電極膜形成工程と、前記帯状領域に臨む抵抗体膜上にレジスト膜を施して、前記表電極膜上に銅めっき膜を形成する銅めっき膜形成工程と、前記レジスト膜を剥離処理して、前記抵抗体膜上の帯状領域に抵抗値調整のため前記斜め方向にトリミング溝を形成するトリミング溝形成工程と、トリミング溝を形成した前記抵抗体膜および銅めっき膜を覆うように保護膜を形成する保護膜形成工程と、前記絶縁基板の左右端面に、前記裏電極膜と前記表電極膜および銅めっき膜とを接続するように端面電極膜を形成する端面電極膜形成工程と、前記端面電極膜上に電極めっき膜を形成する電極めっき膜形成工程と、前記絶縁基板を前記分割スリットにより一区画ごとに分割する分割工程とを実施することを特徴とするチップ形抵抗器の製造方法。
【請求項８】
複数の分割スリットにより区画された絶縁基板の一区画を単位として、各単位の絶縁基板裏側の左右両端部に一対の裏電極膜を形成する裏電極膜形成工程と、前記絶縁基板表側の左端部から右端部までの領域に抵抗体膜を形成する抵抗体膜形成工程と、前記抵抗体膜上に該抵抗体膜を斜め方向に横切る所定幅の帯状領域を除いて銅めっき膜を形成する銅めっき膜形成工程と、前記銅めっき膜間に露出する前記抵抗体膜上の帯状領域に抵抗値調整のため前記斜め方向にトリミング溝を形成するトリミング溝形成工程と、トリミング溝を形成した前記抵抗体膜および銅めっき膜を覆うように保護膜を形成する保護膜形成工程と、前記絶縁基板の左右端面に、前記裏電極膜と前記銅めっき膜とを接続するように端面電極膜を形成する端面電極膜形成工程と、前記端面電極膜上に電極めっき膜を形成する電極めっき膜形成工程と、前記絶縁基板を前記分割スリットにより一区画ごとに分割する分割工程とを実施することを特徴とするチップ形抵抗器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、抵抗体膜を配置した絶縁基板を分割して形成されるチップ形抵抗器およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
昨今、携帯端末等の小形化と普及に伴って極小寸法を有するチップ形抵抗器の供給が要請されるようになった。さらに、その携帯端末内の電源回路に保護機能を付加することが重要視されるようになり、その保護回路内にヒューズのような保護部品とともに電流検出回路用低抵抗器も多用されている。
【０００３】
一方、部品メーカ等でのチップ形抵抗器の製造方法は、例えば図６の製造工程図および図７のチップ形抵抗器の縦断面図に示すような手順にて実現される。なお、ここでは複数の分割スリットにより複数領域に区画された矩形状の絶縁基板に対し、同時に以下の工程が実行されるが、説明を簡単にするため、以下一区画を一単位とするチップ形抵抗器を製造する手順について説明する。まず、図６（ａ）に示すような一単位の絶縁基板１において、これの裏側の左右両端部に一対の裏電極膜２を、図７に示すように形成する。なお、絶縁基板１はアルミナ９６％以上含有する磁器からなる。また、裏電極膜２はＡｇ系メタルグレーズペーストのスクリーン印刷を行って８５０℃で焼成することにより得られる。
【０００４】
次に、その裏電極膜２に対峙する絶縁基板１の表側の各領域に、図６（ｂ）に示すような第１表電極膜３を形成し、これらの各一の第１表電極膜３の一部に、図６（ｃ）に示すように重なってこれらを橋絡する矩形の抵抗体膜４を、絶縁基板１上に形成する。第１表電極膜３は、Ａｇ・Ｐｄ系メタルグレーズペーストのスクリーン印刷を行って８５０℃で焼成して得られる。また、抵抗体膜４は、Ｐｄ・Ａｇ系メタルグレーズペーストのスクリーン印刷を行って８５０℃で焼成して得られる。
【０００５】
続いて、第１表電極膜３および抵抗体膜４の左右端部に重なるように、これらの上に第２表電極膜５を図６（ｄ）に示すように形成する。この第２表電極膜５は、Ａｇ・Ｐｄ系メタルグレーズペーストのスクリーン印刷を行って、６００℃で焼成することにより得られる。
【０００６】
また、これらの各第２表電極膜５間にレジスト膜（図示しない）を形成し、抵抗体膜４を覆ったうえで、図６（ｅ）に示すように、第２表電極膜５のそれぞれの上に銅めっき膜６を形成する。この後、レジスト膜を除去する。
【０００７】
次に、このレジスト膜の除去により露出した抵抗体膜４に対し、抵抗値調整のためにトリミング溝を形成した後、その抵抗体膜４上に第１保護膜７を形成し、さらにこの第１保護膜７および銅めっき膜６上に第２保護膜８を形成し、さらにこの上に第３保護膜９を形成して、図６（ｆ）および図７のようにする。第１〜第３保護膜７、８、９はそれぞれ塗布したエポキシ系樹脂を１００℃で仮硬化させて形成される。
【０００８】
また、前記絶縁基板１の左右端面に、図７に示すように、裏電極膜２と、第１表電極膜３、第２表電極膜５および銅めっき膜６とに接続されるように端面電極膜１０を形成し、この端面電極膜１０、裏電極膜２および銅めっき膜６の一部を覆うように銅めっき膜１１を形成する。そして、これの上にさらにニッケルめっき膜１２および錫めっき膜１３を重ねるように形成する。
【０００９】
このようなチップ形抵抗器の形成処理は、分割スリットによって多数個に区画された絶縁基板の各区画ごとに同時に実施されるため、最終段でこれらを分割スリットで複数単位に分割することにより、図７に示すようなチップ形抵抗器が得られることとなる。
【００１０】
なお、前記においては、エポキシ系樹脂の保護膜７、８、９の３層とした場合について述べたが、第３保護膜９がないと、第２保護膜８の印刷かすれによって銅めっき膜６が露出してしまう場合を考慮して、３層構造としてある。しかし、第２保護膜８を、例えば図８に示すように十分な厚さとすることにより銅めっき膜６を保護できる場合には、第３保護膜９を省くことは可能である。
【００１１】
また、前記においては、銅めっき膜１１と錫めっき膜１３との間にニッケルめっき膜１２を設けた場合を示したが、これはニッケルめっき膜１２がないと、複数回の半田付けを行った場合に、銅めっき膜１１の半田くわれを生じてしまうことを避けるためである。しかし、このような銅めっき膜１１の半田くわれを生じるおそれがない場合には、図８に示すように、銅めっき膜１１上に直接錫めっき膜１３を形成することも可能である。なお、抵抗値に影響のない抵抗値領域においては銅めっき膜１１を省略してもよい。
【００１２】
なお、Ｐｄ・Ａｇ系の厚膜抵抗材料としては、抵抗温度係数（以下、ＴＣＲという）の小さいものが開発されており、シート抵抗値として８５ｍΩ〜３０ΩにおいてＴＣＲが±５０×１０−６／℃が実現されている。この厚膜抵抗材料を使用した従来例におけるチップ形抵抗器の抵抗値は例えば５０ｍΩ〜２００ｍΩで、このときのＴＣＲは±１５０×１０−６／℃となる。
【００１３】
しかし、前記厚膜抵抗材料よりさらにシート抵抗値の低いＰｄ・Ａｇ系の厚膜抵抗材料ではＴＣＲが＋３００〜５００×１０−６／℃と増加する。従って、さらにシート抵抗値が低く、ＴＣＲが小さい抵抗値を得るのは困難であり、このために抵抗体膜の縦横比を大きくする必要がある。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のチップ形抵抗器では前記のように第２表電極膜５を形成することによる抵抗体膜４の有効部分形状が矩形状であり、絶縁基板１のサイズに限界があることによって、抵抗体膜４の縦横比を大きくとることができず、結果として低抵抗化を十分に実現できないという問題があった。
【００１５】
本発明は前記のような問題を解決するものであり、抵抗体膜の縦横比を大きくとることにより、小さなＴＣＲのＰｄ・Ａｇ系の厚膜抵抗材料を使用して更なる低抵抗化を実現することができるチップ形抵抗器およびその製造方法を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
前記目的達成のために、請求項１の発明にかかるチップ形抵抗器は、絶縁基板に設けられた抵抗体膜と、該抵抗体膜の上に、該抵抗体膜を斜め方向に横切る所定幅の帯状領域を除いて設けられた一対の表電極膜と、前記抵抗体膜の帯状領域に抵抗値調整のため前記斜め方向に形成したトリミング溝と、該表電極膜上および前記抵抗体膜上に設けられた保護膜とを備えたことを特徴とする。
【００１７】
また、請求項２の発明にかかるチップ形抵抗器は、絶縁基板裏側の左右両端部に設けられた一対の裏電極膜と、これらの裏電極膜に対峙するように前記絶縁基板の表面に設けられた各一の第１表電極膜と、該第１表電極膜どうしをこれらの一部を覆うように接続する抵抗体膜と、該抵抗体膜および前記第１表電極膜の上に、前記抵抗体膜を斜め方向に横切る所定幅の帯状領域を除いて設けられた一対の第２表電極膜と、該第２表電極膜上に設けられた銅めっき膜と、該銅めっき膜間の前記帯状領域の抵抗体膜に抵抗値調整のため前記斜め方向に形成されたトリミング溝と、前記銅めっき膜の左右端部を除く領域および前記抵抗体膜上に設けられた保護膜と、前記絶縁基板の左右端面に、前記裏電極膜と前記第１表電極膜、第２表電極膜および銅めっき膜とを接続するように形成された端面電極膜と、該端面電極膜と該端面電極膜付近の前記銅めっき膜および裏電極膜とを覆うように設けられた電極めっき膜とを備えたことを特徴とする。
【００１８】
また、請求項３の発明にかかるチップ形抵抗器は、絶縁基板裏側の左右両端部に設けられた一対の裏電極膜と、前記絶縁基板表側の左端から右端までの領域に設けられた抵抗体膜と、該抵抗体膜の上に、該抵抗体膜を斜め方向に横切る所定幅の帯状領域を除いて設けられた一対の表電極膜と、これらの各表電極膜上に設けられた銅めっき膜と、これらの各銅めっき膜間の前記帯状領域の抵抗体膜に抵抗値調整のため前記斜め方向に形成されたトリミング溝と、前記銅めっき膜の左右端部を除く領域と前記抵抗体膜上に設けられた保護膜と、前記絶縁基板の左右端面に、前記裏電極膜と前記表電極膜および銅めっき膜とを接続するように形成された端面電極膜と、該端面電極膜と該端面電極膜付近の前記銅めっき膜および裏電極膜とを覆うように設けられた電極めっき膜とを備えたことを特徴とする。
【００１９】
また、請求項４の発明にかかるチップ形抵抗器は、絶縁基板裏側の左右両端部に設けられた一対の裏電極膜と、前記絶縁基板表側の左端から右端までの領域に設けられた抵抗体膜と、該抵抗体膜の上に、該抵抗体膜を斜め方向に横切る所定幅の帯状領域を除いて設けられた一対の銅めっき膜と、これらの各銅めっき膜間の前記帯状領域の前記抵抗体膜に抵抗値調整のため前記斜め方向に形成されたトリミング溝と、前記銅めっき膜の左右端部を除く領域および前記抵抗体膜上に設けられた保護膜と、前記絶縁基板の左右端面に、前記裏電極膜と銅めっき膜とを接続するように形成された端面電極膜と、該端面電極膜と該端面電極膜付近の前記銅めっき膜および裏電極膜とを覆うように設けられた電極めっき膜とを備えたことを特徴とする。
【００２０】
また、請求項５の発明にかかるチップ形抵抗器の製造方法は、絶縁基板上に抵抗体膜を形成する抵抗体膜形成工程と、前記抵抗体膜上に、該抵抗体膜を斜め方向に横切る所定幅を除いて一対の表電極膜を形成する表電極膜形成工程と、前記抵抗体の帯状領域に抵抗値調整のため前記斜め方向に形成するトリミング溝形成工程と、前記表電極膜および抵抗体膜を覆うように保護膜を形成する保護膜形成工程とを実施することを特徴とする。
【００２１】
また、請求項６の発明にかかるチップ形抵抗器の製造方法は、複数の分割スリットにより区画された絶縁基板の一区画を単位として、各単位の絶縁基板裏側の左右両端部に一対の裏電極膜を形成する裏電極膜形成工程と、前記裏電極膜に対峙する前記絶縁基板表側の各領域に第１表電極膜を形成する第１表電極膜形成工程と、前記各第１表電極膜の一部に重なってこれらを橋絡するように前記絶縁基板上に抵抗体膜を形成する抵抗体膜形成工程と、前記抵抗体膜および第１表電極膜の上に、前記抵抗体膜を斜め方向に横切る所定幅の帯状領域を除いて第２表電極膜を形成する第２表電極膜形成工程と、前記帯状領域に臨む抵抗体膜上にレジスト膜を施し、前記第２表電極膜上に銅めっき膜を形成する銅めっき膜形成工程と、前記レジスト膜を剥離処理して、前記抵抗体膜の帯状領域に抵抗値調整のため前記斜め方向にトリミング溝を形成するトリミング溝形成工程と、トリミング溝を形成した前記抵抗体膜および銅めっき膜を覆うように保護膜を形成する保護膜形成工程と、前記絶縁基板の左右端面に、前記裏電極膜と、前記第１表電極膜、第２表電極膜および銅めっき膜とを接続するように端面電極膜を形成する端面電極膜形成工程と、前記端面電極膜上に電極めっき膜を形成する電極めっき膜形成工程と、前記絶縁基板を前記分割スリットにより一区画ごとに分割する分割工程とを実施することを特徴とする。
【００２２】
また、請求項７の発明にかかるチップ形抵抗器の製造方法は、複数の分割スリットにより区画された絶縁基板の一区画を単位として、各単位の絶縁基板裏側の左右両端部に一対の裏電極膜を形成する裏電極膜形成工程と、前記絶縁基板表側の左端部から右端部までの領域に抵抗体膜を形成する抵抗体膜形成工程と、前記抵抗体膜上に該抵抗体膜を斜め方向に横切る所定幅の帯状領域を除いて表電極膜を形成する表電極膜形成工程と、前記帯状領域に臨む抵抗体膜上にレジスト膜を施して、前記表電極膜上に銅めっき膜を形成する銅めっき膜形成工程と、前記レジスト膜を剥離処理して、前記抵抗体膜上の帯状領域に抵抗値調整のため前記斜め方向にトリミング溝を形成するトリミング溝形成工程と、トリミング溝を形成した前記抵抗体膜および銅めっき膜を覆うように保護膜を形成する保護膜形成工程と、前記絶縁基板の左右端面に、前記裏電極膜と前記表電極膜および銅めっき膜とを接続するように端面電極膜を形成する端面電極膜形成工程と、前記端面電極膜上に電極めっき膜を形成する電極めっき膜形成工程と、前記絶縁基板を前記分割スリットにより一区画ごとに分割する分割工程とを実施することを特徴とする。
【００２３】
また、請求項８の発明にかかるチップ形抵抗器の製造方法は、複数の分割スリットにより区画された絶縁基板の一区画を単位として、各単位の絶縁基板裏側の左右両端部に一対の裏電極膜を形成する裏電極膜形成工程と、前記絶縁基板表側の左端部から右端部までの領域に抵抗体膜を形成する抵抗体膜形成工程と、前記抵抗体膜上に該抵抗体膜を斜め方向に横切る所定幅の帯状領域を除いて銅めっき膜を形成する銅めっき膜形成工程と、前記銅めっき膜間に露出する前記抵抗体膜上の帯状領域に抵抗値調整のため前記斜め方向にトリミング溝を形成するトリミング溝形成工程と、トリミング溝を形成した前記抵抗体膜および銅めっき膜を覆うように保護膜を形成する保護膜形成工程と、前記絶縁基板の左右端面に、前記裏電極膜と前記銅めっき膜とを接続するように端面電極膜を形成する端面電極膜形成工程と、前記端面電極膜上に電極めっき膜を形成する電極めっき膜形成工程と、前記絶縁基板を前記分割スリットにより一区画ごとに分割する分割工程とを実施するものである。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の一形態を図について説明する。図１は本発明のチップ形抵抗器の製造工程を示す説明図であり、図２はそのチップ形抵抗器を示す断面図である。ここでは複数の分割スリットにより区画された矩形状の絶縁基板の各区画に対し、同時に以下の工程が実行されるが、説明を簡単にするため、矩形絶縁基板を分割した一区画を一単位として、チップ形抵抗器を製造する手順を説明する。まず、図１（ａ）に示すような一単位の絶縁基板１において、これの裏側の左右両端部に、図２に示すような一対の裏電極膜２を形成する。なお、前記絶縁基板１はアルミナ９６％以上含有する磁器からなる。また、裏電極膜２はＡｇ系メタルグレーズペーストのスクリーン印刷を行って、８５０℃で焼成することにより得られる。
【００２５】
次に、その裏電極膜２に対峙する絶縁基板１の表側の各領域に、図１（ｂ）に示すような表電極膜としての第１表電極膜３を形成し、これらの各一の第１表電極膜３の一部に、図１（ｃ）に示すように重なってこれらを橋絡する矩形の抵抗体膜４を絶縁基板１上に形成する。前記第１表電極膜３は、Ａｇ・Ｐｄ系メタルグレーズペーストのスクリーン印刷を行って８５０℃で焼成して得られる。前記抵抗体膜４は、Ｐｄ・Ａｇ系メタルグレーズペーストのスクリーン印刷を行っている。
【００２６】
続いて、第１表電極膜３および抵抗体膜４の上に、抵抗体膜４を斜め方向に横切る所定幅の帯状領域（平行四辺形）を残して、これらの上にもう一方の表電極膜としての第２表電極膜５を図１（ｄ）に示すように形成する。この第２表電極膜５は、Ａｇ・Ｐｄ系メタルグレーズペーストのスクリーン印刷を行って、６００℃で焼成することにより得られる。
【００２７】
また、これらの各第２表電極膜５間にレジスト膜（図示しない）を形成し、抵抗体膜４を覆ったうえで、図１（ｅ）に示すように、第２表電極膜５のそれぞれの上に銅めっき膜６を形成する。これにより、電極部の抵抗値の低減とＴＣＲの低減とを図ることができる。この後、レジスト膜を除去する。
【００２８】
次に、このレジスト膜の除去により露出した抵抗体膜４に対して、抵抗値調整のためにトリミング溝を形成した後、その抵抗体膜４上に第１保護膜７を形成する。なお、トリミング溝は前記のような帯状領域の前記斜め方向に形成される。従って、絶縁基板に直角に形成される場合より、精度の高いトリミングが可能となる。さらにこの第１保護膜７および銅めっき膜６上に第２保護膜８を形成し、さらにこの上に、図１（ｆ）に示すような第３保護膜９を形成して、図２に示すような構造とする。第１〜第３保護膜７、８、９はそれぞれ塗布したエポキシ系樹脂を１００℃で仮硬化させて形成される。特に、第１保護膜７は抵抗体膜４と銅めっき膜６との段差解消に寄与する。１００℃による前記仮硬化により、銅めっき膜６の酸化防止を図ることができる。
【００２９】
また、前記絶縁基板１の左右端面に、図２に示すように、裏電極膜２と、第１表電極膜３、第２表電極膜５および銅めっき膜６に接続されるように端面電極膜１０を形成し、この端面電極膜１０、裏電極膜２および銅めっき膜６の各一部を覆うように電極めっき膜としての銅めっき膜１１を形成する。そして、これの上にさらに電極めっき膜としてのニッケルめっき膜１２と錫めっき膜１３を形成する。前記仮硬化した保護層は、端面電極膜形成のための硬化時に硬化する。
【００３０】
そして、このようなチップ形抵抗器の形成処理は、分割スリットによって多数個に区画された絶縁基板の各区画ごとに実施されるため、最終段でこれらを分割スリットで分割することにより、図２に示すような各一単位のチップ形抵抗器が得られることとなる。そして、このようにして得られたチップ形抵抗器の抵抗値は２０ｍΩ〜５０ｍΩで、このときＴＣＲは０〜３５０×１０−６／℃となる。つまり、抵抗体膜４の縦横比を大きくすることで、低ＴＣＲのＰｄ・Ａｇ系の厚膜抵抗材料を使用して、低抵抗のチップ形抵抗器を実現できたことになる。
【００３１】
図３は他のチップ形抵抗器の製造工程を示す説明図である。ここでは、複数の分割スリットにより複数個に区画された矩形の絶縁基板１の各区画において、図３（ａ）に示すように、絶縁基板１裏側の左右両端部に、図２に示したものと同じ一対の裏電極膜２を形成する。
【００３２】
また、前記絶縁基板１表側の左端部から右端部までの領域には、抵抗体膜４を図３（ｂ）に示すように形成し、この抵抗体膜４上に、抵抗体膜４を斜め方向に横切る所定幅の帯状領域（平行四辺形）を除いて、図３（ｃ）に示すような表電極膜５を形成する。
【００３３】
次に、前記帯状領域に臨む抵抗体膜４上にレジスト膜（図示しない）を施し、前記表電極膜５上に銅めっき膜６を形成し、さらに前記レジスト膜を剥離処理して、帯状領域の前記抵抗体膜４上に、前記斜め方向に抵抗値調整のためのトリミング溝（図示省略）を形成する。
【００３４】
続いて、このようなトリミング溝を形成した前記抵抗体膜４および銅めっき膜６を覆うように、図２に示したものと同じ第１、第２、第３の保護膜７、８、９を形成する。図３（ｅ）では第３の保護膜９のみを示した。そして、図２に示した場合と同様にして、前記絶縁基板１の左右端面に、前記裏電極膜２と、表電極膜３および銅めっき膜６とを接続するように端面電極膜１０を形成する。
【００３５】
また、この端面電極膜１０上には前記同様に銅めっき膜１１、ニッケルめっき膜１２および錫めっき膜１３を形成し、この前記絶縁基板１を前記分割スリットに沿って一区画ごとに分割して、多数のチップ形抵抗器を得る。この工程で用いられる絶縁基板１、抵抗体膜４、表電極膜５、銅めっき膜６、保護膜７、８、９および端面電極膜１０の各使用材料と処理条件は、図１および図２について述べたものとすべて同一である。
【００３６】
この実施の形態のチップ抵抗器の製造方法にあっては、図１に示すような第１表電極膜３が省かれ、さらに、抵抗体膜４が絶縁基板１表面にベタ印刷されるため、工程の簡素化およびこれによる製品コストの低減が可能になる。
【００３７】
図４はさらに他のチップ抵抗器の製造工程を示す説明図である。この製造工程にあっても、まず、複数の分割スリットにより複数個に区画された矩形状の絶縁基板１の各区画において、図４（ａ）に示すように絶縁基板１裏側の左右両端部に、図２に示したものと同じ一対の裏電極膜２を形成する。
【００３８】
また、前記絶縁基板１表側の左端部から右端部までの領域には、抵抗体膜４を図４（ｂ）に示すように形成して、この抵抗体膜４上の中央部に、この抵抗体膜４を斜め方向に横切る所定幅の帯状領域（平行四辺形）にレジスト膜（図示しない）を形成した後、このレジスト膜上および抵抗体膜４上に銅めっき膜６を形成する。
【００３９】
次に、前記レジスト膜を剥離処理して、前記帯状領域の抵抗体膜４上に前記斜め方向にトリミング溝を形成する。
【００４０】
続いて、このようなトリミングを行った前記抵抗体膜４および銅めっき膜６を覆うように、前記同様の手順にて、図２に示すような第１、第２、第３の保護膜７、８、９を形成する。図４（ｄ）では第３の保護膜９のみを示した。そして、図２に示した場合と同様にして、前記絶縁基板１の左右端面に、前記裏電極膜２と銅めっき膜６とを接続するように端面電極膜１０を形成する。
【００４１】
そして、最終的に、前記端面電極膜１０上に銅めっき膜１１、ニッケルめっき膜１２および錫めっき膜１３を形成した後、前記絶縁基板１を前記分割スリットに沿って一区画ごとに分割して、多数のチップ形抵抗器を同時に得る。なお、この工程で用いられる絶縁基板１、抵抗体膜４、表電極膜５、銅めっき膜６、保護膜７、８、９および端面電極膜１０の各使用材料と処理条件も、図１および図２について述べたものとすべて同一である。
【００４２】
この実施の形態のチップ抵抗器の製造方法では、図１に示すような第１表電極膜３および第２表電極膜５が省かれ、さらに抵抗体膜４が絶縁基板１表面にベタ印刷されるため、更なる工程の簡単化と、製品コストの低減が可能になる。
【００４３】
なお、前記においては、エポキシ系樹脂の保護膜７、８、９の３層とした場合について述べたが、第３保護膜９がないと、第２保護膜８の印刷かすれによって銅めっき膜６が露出してしまう場合を考慮して、３層構造としてある。なお、第２保護膜８を、例えば図５に示すように十分な厚さとすることにより銅めっき膜６を保護できる場合には、第３保護膜９を省くことは可能である。
【００４４】
また、前記においては、銅めっき膜１１と錫めっき膜１３との間にニッケルめっき膜１２を設けた場合を示したが、これはニッケルめっき膜１２がないと、複数回の半田付けを行った場合に、銅めっき膜１１の半田くわれを生じてしまうことを避けるためである。なお、このような銅めっき膜１１の半田くわれを生じるおそれがない場合には、図５に示すように、銅めっき膜１１上に直接錫めっき膜１３を形成することも可能である。なお、抵抗値に影響のない抵抗値領域においては銅めっき膜１１に代えてニッケルめっき膜を用いてもよい。
【００４５】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、絶縁基板上に形成された抵抗体膜を斜め方向に横切る所定幅の帯状領域を残して、この抵抗体膜上に第２表電極膜や銅めっき膜を重ねるように設けることで、抵抗体膜の縦横比を大きくとることができ、これにより、小さいＴＣＲのＰｄ・Ａｇ系の厚膜抵抗材料を使用し、更なる低抵抗化されたチップ形抵抗器を簡単かつローコストに得ることができる。
【００４６】
また、必要に応じて第１表電極膜や第２表電極膜、あるいはこれらの両方を省くことにより、製造工程の簡素化およびローコスト化をともに実現できるという利点が得られるものである。
特に、本発明では、斜め方向に横切る所定幅の帯状領域に抵抗値調整のためのトリミング溝を備えたことにより、絶縁基板に直角に形成される場合よりも精度の高いトリミングができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の一形態によるチップ形抵抗器の製造工程を示す説明図である。
【図２】本発明の実施の一形態によるチップ形抵抗器を示す縦断面図である。
【図３】本発明の実施の他の形態によるチップ形抵抗器の製造工程を概念的に示す説明図である。
【図４】本発明の実施の他の形態によるチップ形抵抗器の製造工程を概念的に示す説明図である。
【図５】本発明の実施の他の形態によるチップ形抵抗器を示す縦断面図である。
【図６】従来のチップ形抵抗器の製造工程を概念的に示す説明図である。
【図７】従来のチップ形抵抗器を示す断面図である。
【図８】従来の他のチップ形抵抗器を示す断面図である。
【符号の説明】
１  絶縁基板
２  裏電極膜
３  第１表電極膜（表電極膜）
４  抵抗体膜
５  第２表電極膜（表電極膜）
６  銅めっき膜
７  第１保護膜（保護膜）
８  第２保護膜（保護膜）
９  第３保護膜（保護膜）
１０  端面電極膜
１１  銅めっき膜（電極めっき膜）
１２  ニッケルめっき膜（電極めっき膜）
１３  錫めっき膜（電極めっき膜）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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