(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩｎとＺｎを主成分とし、一般式Ｉｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＝２〜２０）で表される六方晶層状化合物を含む粉末、またはその粉末を所定形状に成形して焼結した焼結体からなり、前記粉末の体積固体抵抗が４０Ω・ｃｍ以下であることを特徴とする導電性材料。
【請求項２】
六方晶層状化合物に、正三価以上の原子価を有する元素の少なくとも１種を、六方晶層状化合物を形成する全カチオン元素の合量に対して２０原子％以下で含有させたものである、請求項１に記載の導電性材料。
【請求項３】
請求項１または２に記載の粉末または焼結体を還元処理してなる導電性材料。
【請求項４】
インジウム化合物および亜鉛化合物を用い、これらの少なくとも１種を含む１種以上の溶液から、沈澱形成剤により形成される沈澱を、固液分離し、必要により焼成、還元処理して導電性の粉末を得ることを特徴とする請求項１に記載の導電性材料の製造方法。
【請求項５】
請求項４で得られた粉末を所定形状に成形後、焼結して導電性の焼結体を得ることを特徴とする請求項１に記載の導電性材料の製造方法。
【請求項６】
インジウム化合物、亜鉛化合物および正三価以上の原子価を有する元素の少なくとも１種の化合物を用い、これらの少なくとも１種を含む１種以上の溶液から、沈澱形成剤により形成される沈澱を、固液分離し、必要により、焼成、還元処理して導電性の粉末を得ることを特徴とする請求項２に記載の導電性材料の製造方法。
【請求項７】
請求項６で得られた粉末を所定形状に成形後、焼結して導電性の焼結体を得ることを特徴とする請求項２に記載の導電性材料の製造方法。
【請求項８】
前記粉末または焼結体を更に還元処理する、請求項４〜７のいずれか一項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、樹脂などの帯電防止剤または静電制御剤、表面導電性付与剤、導電性塗料、スパッタリング用のターゲット又は表示装置の透明電極などに用いられる導電性材料およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
透明、白色または淡色の導電性材料としては、酸化錫にアンチモンを添加したもの（ＡＴＯ）、酸化インジウムに錫を添加したもの（ＩＴＯ）、酸化亜鉛にアルミニウムを添加したもの等が知られている。これらは、粉末の状態で帯電防止または静電制御のために合成樹脂などに添加され、樹脂の電気抵抗値を調製するために用いられている。また、表面導電性を付与するために用いられる導電性塗料等にも添加されている（例えば静電塗装用のプライマーとして）。
【０００３】
また粉末を所定形状に成形し焼結することにより焼結体を作製し、ターゲット材を得ている。そしてこの焼結体からなるターゲットを用いて、スパッタ法、蒸着法、イオンプレーティング法等で表示装置用の透明電極がガラスや樹脂基板の上に形成されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ＩＴＯ、ＡＴＯは粉末の状態では耐湿性が比較的低く、湿気により電気抵抗値が増大するという難点を有している。またＩＴＯ、ＡＴＯ粉末は還元状態では黒化するため、樹脂に添加すると樹脂製品の自由な着色が困難になるという欠点を有している。またＩＴＯ、ＡＴＯ焼結体からなるターゲットも還元により黒化し易いため、その特性の経時変化が問題となっている。
【０００５】
本発明の目的は、ＩＴＯ、ＡＴＯよりも耐湿性に優れ、黒化しにくいとともに、ＩＴＯ、ＡＴＯと同等の導電性を有する導電性材料およびその製造方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成する本発明の導電性材料は、ＩｎとＺｎを主成分とし、一般式Ｉｎ２  Ｏ３  （ＺｎＯ）ｍ  （ｍ＝２〜２０）で表される六方晶層状化合物を含む粉末、またはその粉末を所定形状に成形して焼結した焼結体からなることを特徴とする導電性材料（以下、この導電性材料を導電性材料Ｉという）である。また、前記六方晶層状化合物が、正三価以上の原子価を有する元素の少なくとも１種を、六方晶層状化合物を形成する全カチオン元素の合量に対して２０原子％以下で含有させたものであることを特徴とする導電性材料もまた、上記目的を達成する（以下、この導電性材料を導電性材料ＩＩという）。
【０００７】
一方、上記目的を達成する本発明の導電性材料の製造方法は、インジウム化合物および亜鉛化合物を用い、これらの少なくとも１種を含む１種以上の溶液から、沈澱形成剤により形成される沈澱を、固液分離し、必要により焼成、還元処理して導電性の粉末を得、焼結体を得る場合には、前記粉末を所定形状に成形後、焼結して導電性の焼結体を得ることを特徴とする導電性材料の製造方法（以下、この方法を方法Ｉという）である。さらに、インジウム化合物、亜鉛化合物および正三価以上の原子価を有する元素の少なくとも１種の化合物を用い、これらの少なくとも１種を含む１種以上の溶液から、沈澱形成剤により形成される沈澱を、固液分離し、必要により焼成、還元処理して導電性の粉末を得、焼結体を得る場合には、前記粉末を所定形状に形成して焼結して導電性の焼結体を得ることを特徴とする導電性材料の製造方法もまた、上記目的を達成する（以下、この方法を方法ＩＩという）。
【０００８】
以下、本発明を詳細に説明する。
【０００９】
まず、本発明の導電性材料Ｉは、上述したようにＩｎとＺｎを主成分とし、一般式Ｉｎ２  Ｏ３  （ＺｎＯ）ｍ  （ｍ＝２〜２０）で表される六方晶層状化合物を含む粉末、またはその粉末を所定形状に成形して焼結した焼結体からなることを特徴とする導電性材料からなるものである。
【００１０】
ここに、「六方晶層状化合物を含む粉末または焼結体」とは、Ｘ線回折測定で、六方晶層状化合物に帰属されるＸ線回折パターンを示す物質からなる焼結体または六方晶層状化合物に帰属されるＸ線回折パターンを示す物質とともに、他の構造に帰属されるＸ線回折パターンを示す物質、非晶質物質を含む粉末または焼結体を意味する。
【００１１】
より具体的には、この粉末または焼結体は、六方晶層状化合物を２０重量％以上、より好ましくは３０重量％以上、特に好ましくは５０重量％以上含み、その好ましい例として以下のものが挙げられる。
【００１２】
（ａ）．Ｉｎ２  Ｏ３  （ＺｎＯ）ｍ  （ｍ＝２〜２０）の六方晶層状化合物、
（ｂ）．Ｉｎ２  Ｏ３  （ＺｎＯ）ｍ  （ｍ＝２〜２０）の六方晶層状化合物とＩｎ２  Ｏ３  との混合物、
（ｃ）．Ｉｎ２  Ｏ３  （ＺｎＯ）ｍ  （ｍ＝２〜２０）の六方晶層状化合物とＺｎＯとの混合物、
（ｂ）  ，（ｃ）  においてＩｎ２  Ｏ３  とＺｎＯは結晶であっても非晶質であってもよい。
【００１３】
本発明の導電性材料Ｉにおいて、ＩｎとＺｎの原子比（Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ））は０．１〜０．９であるのが好ましい。その理由は、０．１未満では導電性材料の導電性が低くなり、０．９を超えると導電性材料の耐湿、耐熱性が低下するからである。原子比（Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ））は０．５〜０．９がより好ましく、０．６〜０．８が特に好ましい。
【００１４】
上記のＩｎとＺｎの原子比は沈澱形成時のインジウム化合物と亜鉛化合物の混合比を調整することにより得られ、化学的量論比率に見合うインジウム酸化物と亜鉛酸化物からなる六方晶層状化合物が生成し、残りのインジウム酸化物と亜鉛酸化物が結晶質又は非晶質物質として存在するものと推定される。
【００１５】
本発明の導電性材料Ｉは、上述したように上記インジウム・亜鉛酸化物の粉末または焼結体からなり、この導電性材料Ｉは、ＩＴＯ、ＡＴＯよりも耐湿性に優れ、還元によっても黒化しにくいとともにＩＴＯ、ＡＴＯと同等の導電性を有し、前記した各種の用途（帯電防止剤、表面導電性付与剤、導電性塗料、スパッタリング用のターゲット、表示装置の透明電極など）に用いられる。
【００１６】
導電性材料Ｉは気相法（ＣＶＤ法）、固相法（物理混合法）などの種々の方法により製造することが可能であるが、後述する本発明の方法Ｉに従って液相法（共沈法）により製造することが好ましい。
【００１７】
次に、本発明の導電性材料ＩＩについて説明する。
【００１８】
この導電性材料ＩＩは、ＩｎとＺｎを主成分とし、一般式Ｉｎ２  Ｏ３  （ＺｎＯ）ｍ  （ｍ＝２〜２０）で表される六方晶層状化合物に、正三価以上の原子価を有する元素の少なくとも１種を、六方晶層状化合物を形成する全カチオン元素の合量に対して２０原子％以下で含有させたものを含む粉末、またはその粉末を所定形状に成形し焼結した焼結体からなるものである。ここで、正三価以上の原子価を有する元素としては、Ａｌ，Ｇａ（正三価）、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ（正四価）、Ｓｂ（正五価）の元素が挙げられるが、導電性改良の効果が大きいＳｎが望ましい。
【００１９】
この正三価以上の原子価を有する元素は、六方晶層状化合物のＩｎ２  Ｏ３  ，ＺｎＯのいずれか一方又は両方に含有されていてもよい。
【００２０】
また本発明ではこの正三価以上の原子価を有する元素の一部が、六方晶層状化合物を形成しない酸化物あるいは他の酸化物（例えばＩｎ２  Ｏ３  ，ＺｎＯ）に含有されたものとして存在するものをも含む。
【００２１】
「六方晶層状化合物を含む粉末又は焼結体」については導電性材料Ｉと同様に理解される。
【００２２】
また、本発明の導電性材料ＩＩにおいて、正三価以上の原子価を有する元素、例えばＳｎ，Ａｌ，Ｇａ，Ｓｂ，Ｓｉ，Ｇｅ元素を２０原子％を超えて添加すると、六方晶層状化合物の生成を阻害し、導電性が低下することがある。
【００２３】
本発明の導電性材料ＩＩは、ＩＴＯ、ＡＴＯよりも耐湿性に優れ、黒化しにくいとともにＩＴＯ、ＡＴＯと同等の導電性を有するので、前記した各種の用途（帯電防止剤、表面導電性付与剤、導電性塗料、スパッタリング用のターゲット、表示装置の透明電極など）に用いられる。
【００２４】
導電性材料ＩＩも気相法（ＣＶＤ法）、固相法（物理混合法）などの種々の方法により製造することが可能であるが、後述する本発明の方法ＩＩに従って溶液法（共沈法）により製造することが好ましい。
【００２５】
次に、本発明の方法Ｉおよび方法ＩＩについて説明する。
【００２６】
まず本発明の方法Ｉは、前述したようにインジウム化合物および亜鉛化合物を用い、これらの少なくとも１種を含む１種以上の溶液から、沈澱形成剤により形成される沈澱を、固液分離し、必要により焼成、還元処理して導電性の粉末を得、焼結体を得る場合には、粉末を所定形状に成形後、焼結して導電性の焼結体を得ることを特徴とする。
【００２７】
方法Ｉで原料として用いるインジウム化合物および亜鉛化合物は、酸化物または焼成後に酸化物になるもの（酸化物前駆体）であれば良い。インジウム酸化物前駆体、亜鉛酸化物前駆体としては、インジウム、亜鉛の硫化物、硫酸塩、硝酸塩、ハロゲン化物（塩化物、臭化物等）、炭酸塩、有機酸塩（酢酸塩、プロピオン酸塩、ナフテン酸塩等）、アルコキシド（メトキシド、エトキシド等）、有機金属錯体（アセチルアセトナート等）等が挙げられる。
【００２８】
特に、低温で完全に熱分解し、不純物が残存しないようにするためには、この中でも、硝酸塩、有機酸塩、アルコキシド、有機金属錯体を用いるのが好ましい。
【００２９】
方法Ｉでは、先ず沈澱を形成するが、沈澱の形成は、具体的には、以下に示す方法で行なうことができる。
【００３０】
まず、インジウム化合物と亜鉛化合物を溶解した溶液、もしくは少なくともインジウム化合物を溶解した溶液と少なくとも亜鉛化合物を溶解した溶液、および沈澱形成剤を溶解した溶液をそれぞれ調製し、別個に用意した容器（必要により溶媒を入れておいてもよい）に必要により撹拌しながら前述の溶液を同時にあるいは順次添加混合して沈澱を形成することができる。
【００３１】
また、インジウム化合物と亜鉛化合物を溶解した溶液に沈澱形成剤を溶解した溶液を添加してもよいし、またその逆であってもよい。
【００３２】
例えば、インジウム化合物と亜鉛化合物を溶解した溶液と沈澱形成剤を溶解した溶液をそれぞれ調製し、別個に溶媒を入れた容器に撹拌しながら両者の溶液を同時に添加混合して沈澱を形成する場合について以下詳細に説明する。
【００３３】
先ず、上記インジウム化合物および亜鉛化合物を、適当な溶媒に溶解させた溶液（以下、溶液Ａという）を準備する。溶媒は、用いるインジウム化合物または亜鉛化合物の溶解性に応じて適宜選択すればよく、例えば、水、アルコール、非プロトン性極性溶媒（ＤＭＳＯ、ＮＭＰ、スルホラン、ＴＨＦなど）を用いることができ、生成する沈澱の溶解度が低いことから、特に炭素数１〜５のアルコール（メタノール、エタノール、イソプロパノール、メトキシエタノール、エチレングリコールなど）が好ましい。溶液Ａ中の各金属の濃度は０．０１〜１０ｍｏｌ／リットルが好ましい。その理由は０．０１ｍｏｌ／リットル未満では生産性が劣り、１０ｍｏｌ／リットルを超えると不均一な沈澱が生成するからである。さらに、原料の溶解を促進するため、各種溶媒により適宜、酸（硝酸、塩酸等）やアセチルアセトン類、多価アルコール（エチレングリコール等）、エタノールアミン類（モノエタノールアミン、ジエタノールアミン類）を溶液中の金属量の０．０１〜１０倍程度添加してもよい。
【００３４】
方法Ｉにおいて、上記溶液Ａとともに、沈澱形成剤を溶解させた溶液（以下、溶液Ｂという）をも準備する。溶液Ｂに溶解させる沈澱形成剤としては、アルカリ（水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、重炭酸ナトリウム、重炭酸カリウム、水酸化アンモニウム、炭酸アンモニウム、重炭酸アンモニウム等）、有機酸（ギ酸、しゅう酸、クエン酸等）等が用いられるが、不純物の混入を避けるため、有機酸（特にしゅう酸）を用いることが好ましい。  沈澱は沈澱形成剤により水酸化物、無機酸塩、有機酸塩となる。
【００３５】
また沈澱形成剤を溶解するための溶媒及び沈澱を形成させる容器に入れる溶媒としては、原料を溶解するために用いる上記した溶媒を用いることができる。
【００３６】
また、各種溶液に用いる溶媒は、操作上同じものを用いた方がよいが、異なる溶媒を用いてもよい。
【００３７】
方法Ｉにおいては、上述のいずれかの手段で沈澱物を形成させるが、沈澱形成時の温度は、溶媒の融点以上沸点以下であればよい。また、形成後に熟成を１〜５０時間行ってもよい。
【００３８】
方法Ｉによれば、上記のようにして得られた沈澱物を次に固液分離、乾燥する。沈澱物の固液分離は、遠心分離、濾過等の常法により行なわれる。固液分離後、沈澱物から陰イオンやアルカリ金属イオン等を除去する目的で、溶液Ａ、Ｂに用いた溶媒またはその他の溶媒で濾別物を十分に洗浄することが望ましい。濾別後の乾燥は、４０〜２００℃で０．１〜１００時間行うのが好ましい。低温では、乾燥に時間がかかり過ぎ、高温では粒子の凝集が起きやすくなる。
【００３９】
方法Ｉによれば、上記固液分離、乾燥後に焼成、粉砕、還元処理を行なう。
【００４０】
焼成は、用いるインジウム化合物および亜鉛化合物にもよるが３００〜１２００℃で０．１〜１００時間行なうのが好ましい。低温、短時間では、インジウム又は亜鉛の酸化物前駆体の酸化物への分解が不十分となり、また高温、長時間では粒子の凝集や成分の飛散が起きやすくなる。
【００４１】
焼成後の粉砕はボールミル、ロールミル、ジェットミル、パールミル等によって、粒子径が０．０１〜１０μｍになるまで行なうのが好ましい。粉砕時間は、通常１分〜５００時間である。
【００４２】
還元処理は、還元性ガス（水素、ＣＯ等）、真空、不活性ガス（窒素、アルゴン）等の雰囲気で、温度１００〜８００℃で１分〜１００時間行なうのが好ましい。低温、短時間では、還元が不十分であり、高温、長時間では粒子の凝集や成分の飛散が起きやすい。この還元処理は、焼成工程又は粉砕工程の後に行うことが好ましい。
【００４３】
方法Ｉによれば、上記の諸工程を行なうことにより、ＩｎとＺｎを主成分とし、一般式Ｉｎ２  Ｏ３  （ＺｎＯ）ｍ  （ｍ＝２〜２０）で表される六方晶層状化合物を含む導電性を有する粉末が得られる。この導電性粉末は本発明の導電性材料Ｉの一態様であり、ＩＴＯ、ＡＴＯよりも耐湿性が優れ、黒化しにくいとともにＩＴＯ、ＡＴＯと同等の導電性を有している。この粉末の体積固体抵抗（一般に「粉体抵抗」と表現されることもある）は例えば４０Ω・ｃｍ以下である。
【００４４】
方法Ｉにおいて、導電性焼結体を得る場合には、上記導電性粉末を成形した後、焼結処理する。
【００４５】
成形は、導電性粉末に、必要であれば、ポリビニルアルコール、メチルセルロース、ワックス、ポリブチルアルコール等の成形助剤等を添加し、加圧成形法、鋳込み成形法、射出成形法等により行なうのが好ましい。
【００４６】
一般に成形助剤は減圧下又は常圧下で１００〜８００℃で脱脂、除去される。
【００４７】
成形後の焼結は、８００〜１７００℃で０．１〜１００時間加熱することにより行なうのが好ましい。
【００４８】
低温、短時間では、焼結密度が不十分であり、高温、長時間では異常粒成長や成分の飛散が起きやすい。特に、８００〜１４００℃で１〜２０時間とするのが好ましい。なお、焼結の際、加圧焼結やガス圧焼結を行ってもよい。
【００４９】
このようにして得られた、ＩｎとＺｎを主成分とし、一般式Ｉｎ２  Ｏ３  （ＺｎＯ）ｍ  （ｍ＝２〜２０）で表される六方晶層状化合物を含む導電性を有する焼結体は本発明の導電性材料Ｉの一態様であり、ＩＴＯ、ＡＴＯよりも耐湿性に優れ、還元によっても黒化しにくいとともにＩＴＯ、ＡＴＯと同等の導電性を有している。
【００５０】
次に、本発明の方法ＩＩについて説明する。
【００５１】
この方法ＩＩは前述したように、インジウム化合物および亜鉛化合物に正三価以上の原子価を有する元素（例えば錫化合物，アルミニウム化合物，ガリウム化合物、アンチモン化合物、ケイ素化合物およびゲルマニウム化合物）から選択される少なくとも１種を加えたものを原料として用いる点でのみ上記方法Ｉと異なり、他は上記方法Ｉと同様に行うものである。
【００５２】
方法ＩＩで用いる正三価以上の原子価を有する元素（例えば錫化合物、アルミニウム化合物、ガリウム化合物、アンチモン化合物、ケイ素化合物およびゲルマニウム化合物）は、酸化物または焼成後に酸化物になるもの（酸化物前駆体）であれば良い。これらの酸化物前駆体としては、それぞれの元素（例えばＳｎ，Ａｌ，Ｇａ，Ａｂ，ＳｉおよびＧｅ）の硫化物、硫酸塩、硝酸塩、ハロゲン化物（塩化物、臭化物等）、炭酸塩、有機酸塩（酢酸塩、プロピオン酸塩、ナフテン酸塩等）、アルコキシド（メトキシド、エトキシド等）、有機金属錯体（アセチルアセトナート等）が挙げられる。
【００５３】
低温で完全に熱分解し、不純物が残存しないようにするためには、この中でも、硝酸塩、有機酸塩、アルコキシド、有機金属錯体を用いるのが好ましい。
【００５４】
方法ＩＩにより、六方晶層状化合物に、正三価以上の原子価を有する元素の少なくとも１種が六方晶層状化合物を形成する全カチオン元素の合量に対して２０原子％以下で含有されている、目的とする導電性材料ＩＩ（粉末または焼結体）を得ることができる。得られた導電性材料ＩＩはＩＴＯ、ＡＴＯよりも耐湿性に優れ、還元によっても黒化しにくく、かつＩＴＯ、ＡＴＯと同等の導電性を有する。
【００５５】
なお、方法ＩおよびＩＩで得られた粉末または焼結体を更に還元処理してもよい。
【００５６】
本発明の導電性粉末は各種の樹脂と混合することにより帯電防止樹脂組成物として利用することができる。
【００５７】
使用できる樹脂としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、塩化ビニール、酢酸ビニール、ポリビニルアルコール、塩化ビニリデン、ＡＢＳ樹脂、ポリエステル、メタクリル酸メチル、ポリウレタン、ポリアミド、ポリアセタール、ポリカーボネート、ケイ素樹脂、フッ素樹脂などの熱可塑性樹脂；フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、キシレン樹脂、フラン樹脂、アルキッド樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂が挙げられる。
【００５８】
また導電性粉末は樹脂１００重量部に対して１〜６００重量部添加するのが好ましい。添加量が少ないと導電性が不十分となり、多いと樹脂の物性を損なうことがある。導電性粉末の分散性を改良するため、導電性粉末の表面を表面処理剤（シラン系カップリング剤、チタン系カップリング剤、アルミネート系カップリング剤など）で処理してもよい。
【００５９】
またその他各種の添加剤（可塑剤、安定剤、滑剤、無機フィラー（炭酸カルシウム、マイカ、ガラス、タルクなど）、無機繊維（ガラス繊維、炭素繊維など）、ウィスカー（チタン酸カリウム、酸化亜鉛ウィスカーなど）、界面活性剤などを添加してもよい。
【００６０】
導電性粉末と樹脂の混合方法としては、２本ロール、３本ロール又は射出成形機を用いて加熱状態または常温下で練り込む方法、または、樹脂を溶かした溶液と粉末を混合する方法などの通常の手段を用いることができる。
【００６１】
【実施例】
以下、本発明の実施例を参考例とともに説明するが、先ず、実施例および参考例で得られた物質の物性の測定方法について説明しておく。
【００６２】
［測定方法］
（１）粒子径と組成の測定
粒子径はＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）で、組成はＸＭＡ（Ｘ線マイクロアナライザー）で測定した。
【００６３】
（２）六方晶層状化合物の定量
粉末Ｘ線回折装置を用いて、「セラミックスのキャラクタリゼーション技術」，社団法人窯業協会発行、１９８７年、４４〜４５頁に記載の方法により、六方晶層状化合物の含有量を定量した。
【００６４】
（３）体積固体抵抗の測定
体積固体抵抗（一般に「粉体抵抗」と表現されることもある）は試料１ｇを内径１０ｍｍの樹脂の円筒に入れ、１００ｋｇ／ｃｍ２  の加圧を行い、テスターで抵抗を測定し、下記の式により求めた。
【００６５】
体積固体抵抗（Ω・ｃｍ）
＝［（全抵抗（Ω）×シリンダーの内面積（ｃｍ２  ）］／試料の厚さ（ｃｍ）
【００６６】
参考例１
（１）Ｉｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）３六方晶層状化合物を含む粉末の製造
まず、硝酸インジウム７０．９７ｇと硝酸亜鉛８９．２５ｇとを１リットルのイオン交換水に溶解させて、インジウム塩と亜鉛塩とが溶解した水溶液を調製した。また、アンモニア水（濃度２８％）７８ｇを７５０ｃｃのイオン交換水に溶解させて、アルカリ性水溶液を調製した。
【００６７】
次いで、イオン交換水１００ｃｃが入った容積５リットルの容器に、上で得られた水溶液とアルカリ性水溶液とを室温下で激しく攪拌しながら同時に滴下して、両液を反応させた。このとき、反応系のｐＨが９．０に保たれるように滴下速度を調節した。そして、滴下終了後も更に１時間攪拌した。このようにして上記水溶液とアルカリ性水溶液とを反応させることにより沈殿物が生じ、スラリーが得られた。なお、この反応系における金属（ＩｎおよびＺｎ）濃度は０．３  ｍｏｌ／リットルであった。
【００６８】
次に、得られたスラリーを十分に水洗した後、沈殿物を濾取した。そして、濾取した沈殿物を１２０℃で一晩乾燥した後、９００℃で５時間焼成した。
【００６９】
この後、得られた焼成物を直径２ｍｍのアルミナボールとともに容積８０ｃｃのポリイミド製ポットに入れ、エタノールを加えて、遊星ボールミルで２時間粉砕した。
【００７０】
このようにして得られた粉末についてＸ線回折測定を行ったところ、６０ｗｔ％のＩｎ２  Ｏ３  （ＺｎＯ）３  の六方晶層状化合物の生成が確認され、その組成は実質的に均一であった。また、ＳＥＭ観察の結果、得られた粉末は平均粒子径が０．１２μｍで、実質的に均一粒径であることが確認された。
【００７１】
また、得られた粉末の体積固体抵抗は９５０Ω・ｃｍであった。そして、この体積固体抵抗は、４０℃、９０％ＲＨ（相対湿度）の条件での耐湿性試験１０００時間後でも１０００Ω・ｃｍと低く、得られた粉末は耐湿性に優れていることが確認された。
【００７２】
（２）Ｉｎ２  Ｏ３  （ＺｎＯ）３  六方晶層状化合物を含む焼結体の製造
まず、上記（１）で得られた粉末を１０ｍｍφの金型に装入し、金型プレス成型機により１００ｋｇ／ｃｍ２  の圧力で予備成型を行った。次に、冷間静水圧プレス成型機により４ｔ／ｃｍ２  の圧力で圧密化した後、１３００℃で５時間焼結して、焼結体を得た。
【００７３】
このようにして得られた焼結体は８０ｗｔ％のＩｎ２  Ｏ３  （ＺｎＯ）３  の六方晶層状化合物を含む導電性材料Ｉであることが確認され、その組成および粒径は実質的に均一であった。また、この焼結体の密度は９５％であった。
【００７４】
（３）透明導電膜の製造
上記（２）で得られた焼結体をスパッタリングターゲットとして用いて、以下の要領で透明導電膜を製造した。
【００７５】
まず、基板（厚さ１２５μｍのガラス板）をマグネトロン高速スパッタ装置に装着し、真空槽内を１×１０−６ｔｏｒｒ以下まで減圧した。この後、アルゴンガスと酸素ガスとの混合ガスを真空圧２×１０−３ｔｏｒｒまで導入し、ターゲット印加電圧４３０Ｖ、基板温度２８０℃の条件でスパッタリングを行い、膜厚２００ｎｍの透明導電膜を成膜した。
【００７６】
このようにして得られた透明導電膜の表面抵抗は１５０Ω／□であり、可視光透過率は８２％であった。また、４０℃、９０％ＲＨの条件での耐湿性試験１０００時間後でも表面抵抗は１５９Ω／□と低く、得られた透明導電膜は耐湿性に優れていることが確認された。
【００７７】
参考例２
（１）Ｉｎ２Ｏ３ （ＺｎＯ）５六方晶層状化合物を含む粉末の製造
まず、硝酸インジウム５０．６９ｇと硝酸亜鉛１０６．２４ｇとを１リットルのイオン交換水に溶解させて、インジウム塩と亜鉛塩とが溶解した水溶液を調製し、この水溶液と参考例１（１）と同様にして調製したアルカリ性水溶液とを参考例１（１）と同様にして反応させて、スラリーを得た。なお、この反応系における金属（ＩｎおよびＺｎ）濃度は０．３ mol／リットルであった。
【００７８】
次に、得られたスラリーを十分に水洗した後、沈殿物を濾取した。そして、濾取した沈殿物を１２０℃で一晩乾燥した後、９００℃で５時間焼成した。
【００７９】
この後、得られた焼成物を参考例１（１）と同様にして粉砕して、粉末を得た。
【００８０】
このようにして得られた粉末についてＸ線回折測定を行ったところ、６０ｗｔ％のＩｎ２  Ｏ３  （ＺｎＯ）５  の六方晶層状化合物の生成が確認され、その組成は実質的に均一であった。また、ＳＥＭ観察の結果、得られた粉末は平均粒子径が０．２０μｍで、実質的に均一粒径であることが確認された。
【００８１】
また、得られた粉末の体積固体抵抗は７００Ω・ｃｍであった。そして、この体積固体抵抗は、４０℃、９０％ＲＨの条件での耐湿性試験１０００時間後でも７３０Ωｃｍと低く、得られた粉末は耐湿性に優れていることが確認された。
【００８２】
（２）Ｉｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）５六方晶層状化合物を含む焼結体の製造
上記（１）で得られた粉末を参考例１（２）と同様にして予備成型および圧密化した後、１３５０℃で５時間焼結して、焼結体を得た。
【００８３】
このようにして得られた焼結体は８０ｗｔ％のＩｎ２  Ｏ３  （ＺｎＯ）５  の六方晶層状化合物を含む導電性材料Ｉであることが確認され、その組成および粒径は実質的に均一であった。また、この焼結体の密度は９６％であった。
【００８４】
（３）透明導電膜の製造
上記（２）で得られた焼結体をスパッタリングターゲットとして用いた以外は参考例１（３）と同様にして、膜厚２００ｎｍの透明導電膜を成膜した。
【００８５】
このようにして得られた透明導電膜の表面抵抗は１１０Ω／□であり、可視光透過率は８４．１％であった。また、４０℃、９０％ＲＨの条件での耐湿性試験１０００時間後でも表面抵抗は１１８Ω／□と低く、得られた透明導電膜は耐湿性に優れていることが確認された。
【００８６】
参考例３
（１）錫を含有したＩｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）５六方晶層状化合物を含む粉末の製造
参考例２（１）と同様にして、インジウムと亜鉛の金属塩を溶解した水溶液を調製した後、これに更に塩化第二錫７．２ｇ（５原子％）を添加した。次にこの水溶液と、参考例１（１）と同様にして調製したアルカリ性水溶液とを参考例１（１）と同様にして反応させて、スラリーを得た。
【００８７】
次に、得られたスラリーを十分に水洗した後、沈殿物を瀘取した。そして、瀘取した沈殿物を１２０℃で乾燥した後、９００℃で５時間焼成した。ボールとともに容積８０ｃｃのポリイミド製のポットに入れ、エタノールを加えて遊星ボールミルで２時間粉砕した。
【００８８】
この後、得られた焼成物を参考例１（１）と同様にして粉砕して、粉末を得た。
【００８９】
このようにして得られた粉末のＸ線回折測定の結果、６０ｗｔ％のＩｎ２  Ｏ３  （ＺｎＯ）５  の六方晶層状化合物が生成していることが確認された。粉末の体積固体抵抗は、３３０Ω・ｃｍであった。そして、この体積固体抵抗は、４０℃、９０％ＲＨの条件での耐湿性試験１０００時間後でも３５０Ω・ｃｍと低く、得られた粉末は耐湿性に優れていることが確認された。
【００９０】
（２）錫を含有したＩｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）５六方晶層状化合物を含む焼結体の製造
上記（１）で得られた粉末を参考例１（２）と同様にして予備成型及び圧密化した後、１３５０℃で５時間焼結して、焼結体を得た。
【００９１】
このようにして得られた焼結体は８０ｗｔ％のＩｎ２  Ｏ３  （ＺｎＯ）５  の六方晶層状化合物からなる導電性材料Ｉであることが確認され、その組成及び粒径は実質的に均一であった。また、この焼結体の密度は９５％であった。
【００９２】
（３）透明導電膜の製造
上記（２）で得られた焼結体をスパッタリングターゲットとして用いた以外は、参考例１（３）と同様にして、膜厚２００ｎｍの透明導電膜を成膜した。
【００９３】
このようにして得られた透明導電膜の表面抵抗は７０Ω／□であり、可視光透過率は８５．０％であった。また、４０℃、９０％ＲＨの条件での耐湿性試験１０００時間後でも表面抵抗は７５Ω／□と低く、得られた透明導電膜は耐湿性に優れていることが確認された。
【００９４】
実施例１
（１）Ｉｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）５六方晶層状化合物を含む粉末の製造
硝酸インジウム６水和物３５０．５ｇと硝酸亜鉛６水和物６３７．５ｇをエタノール５．００リットルに溶解して溶液Ａを得た。
【００９５】
一方、しゅう酸２水和物４７５．４ｇをエタノール５．００リットルに溶解して溶液Ｂを得た。
【００９６】
室温下、容器にエタノール１．００リットルを入れて撹拌しておき、そこへ同じ流量に制御した溶液ＡとＢを同時に滴下した。滴下終了後、温度を４０℃に上げて沈澱物を４時間熟成した。その後、沈澱物を濾過し、エタノールで洗浄し、１１０℃で１２時間乾燥した。さらに、７００℃で４時間焼成した。ボールミルでの粉砕（２０時間）の後、粉末を真空中で３００℃、４時間還元処理したところ、淡黄色の粉末を得た。
【００９７】
このようにして得られた粉末のＸ線回折測定を行なったところ、７０ｗｔ％のＩｎ２  Ｏ３  （ＺｎＯ）５  の生成が確認された。さらに、粉末の体積固体抵抗を測定したところ、２５Ω・ｃｍであった。そしてこの体積固体抵抗は、４０℃、９０％ＲＨの条件での耐湿性試験１０００時間後にも３２Ω・ｃｍであり、耐湿性に優れていることがわかった。また、ＳＥＭとＸＭＡの分析によりこの粉末は平均粒径０．２２μｍで均一な組成を持つことがわかった。
【００９８】
（２）Ｉｎ２  Ｏ３  （ＺｎＯ）５  六方晶層状化合物を含む焼結体の製造
（１）で得られた粉末にポリビニルアルコールを２ｗｔ％添加し、直径１５０ｍｍの金型にて１００ｋｇ／ｃｍ２  でプレス成形した。さらに、４ｔ／ｃｍ２  で冷間静水圧プレスにより圧密化した。
【００９９】
この成形体を、５００℃で１０分間脱脂した後、１２００℃で４時間焼結した。このようにして得られた焼結体において、Ｘ線回折測定により９０ｗｔ％のＩｎ２  Ｏ３  （ＺｎＯ）５  の生成が確認された。また、この焼結体の密度は９２％であり、体積抵抗は５×１０−３Ω・ｃｍであった。
【０１００】
実施例２
（１）Ｉｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）３六方晶層状化合物を含む粉末の製造
塩化インジウム４水和物２９３．２ｇと酢酸亜鉛２水和物３５１．２ｇをエタノール５．００リットルに溶解して溶液Ａを得た。
【０１０１】
一方、しゅう酸２水和物４１５．９ｇをエタノール５．００リットルに溶解して溶液Ｂを得た。
【０１０２】
溶液Ａおよび溶液Ｂを用いて、実施例１（１）と同様にして淡黄色の粉末を得た。粉末のＸ線回折測定を行なったところ、６０ｗｔ％のＩｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）３の生成が確認された。さらに、粉末の体積固体抵抗を測定したところ、１８Ω・ｃｍであった。そしてこの体積固体抵抗は、４０℃、９０％ＲＨの条件での耐湿性試験１０００時間後にも２５Ω・ｃｍであり、耐湿性に優れていることがわかった。また、ＳＥＭとＸＭＡの分析によりこの粉末は平均粒径０．１５μｍで均一な組成を持つことがわかった。
【０１０３】
（２）Ｉｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）３六方晶層状化合物とＩｎ２Ｏ３ を含む焼結体の製造
上記（１）で得られた粉末を用い、実施例１（２）と同様にして焼結体を得た。このようにして得られた焼結体において、Ｘ線回折測定により、８０ｗｔ％のＩｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）３の生成が確認された。この焼結体の密度は９３％であり、体積抵抗は２×１０−３Ω・ｃｍであった。
【０１０４】
実施例３
（１）錫を含有したＩｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）５六方晶層状化合物を含む粉末の製造
硝酸インジウム６水和物３５０．５ｇ、硝酸亜鉛６水和物６３７．５ｇおよびナーセム錫（（Ｓｎ（Ｃ４Ｈ９）２（Ｃ５Ｈ７Ｏ２）２）１０８ｇをメトキシエタノール５．００リットルに溶解して溶液Ａを得た。
【０１０５】
一方、しゅう酸２水和物４７２．５ｇをエタノール５．００リットルに溶解して溶液Ｂを得た。
【０１０６】
これらの溶液Ａ，Ｂを用いて、実施例１（１）と同様に粉末を調製した。この粉末も淡黄色であった。
【０１０７】
粉末のＸ線回折測定を行なったところ、６０ｗｔ％のＩｎ２  Ｏ３  （ＺｎＯ）５  の生成が確認された。さらに、粉末の体積固体抵抗を測定したところ、１５Ω・ｃｍであった。そしてこの体積固体抵抗は、４０℃、９０％ＲＨの条件での耐湿性試験１０００時間後にも１９Ω・ｃｍであり、耐湿性に優れていることがわかった。また、ＳＥＭとＸＭＡの分析によりこの粉末は平均粒径０．２１μｍで均一な組成を持つことがわかった。
【０１０８】
（２）錫を含有したＩｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）５六方晶層状化合物を含む焼結体の製造
上記（１）で得られた粉末を用い、実施例１（２）と同様にして焼結体を得た。このようにして得られた焼結体において、Ｘ線回折測定により、８０ｗｔ％のＩｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）５の生成が確認された。この焼結体の密度は９１％であり、体積抵抗は１×１０−３Ω・ｃｍであった。
【０１０９】
【発明の効果】
本発明によれば、ＩＴＯ、ＡＴＯよりも耐湿性に優れ、黒化しにくく、かつＩＴＯ、ＡＴＯと同等の導電性を有する導電性材料およびその製造方法が提供された。