【誤訳訂正書】
【提出日】平成29年11月8日(2017.11.8)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルミニウムベースの合金のコア、並びに、前記コア及びＡｌ−Ｓｉベースのクラッドの間に位置するように構成される中間層を含む、耐食性ストリップであって、
前記中間層が、重量百分率で、
Ｓｉ≦０．９％；
Ｆｅ≦０．７％；
Ｃｕ≦０．５％；
Ｍｎ＝０．５〜１．８％；
Ｍｇ≦０．７％；
Ｚｎ≦４．０％；
Ｎｉ≦１．５％；
それぞれ０．３％以下及び合計で０．５％以下である周期律表のＩＶｂ、Ｖｂ及び／又はＶＩｂ族から選択される元素；
それぞれ０．０５％以下及び合計で０．１５％以下である不可避不純物元素；及び
残部であるＡｌ；
からなる組成を有し、
ろう付け後に前記コアが前記中間層より不活性であるように、前記コアの組成及び前記中間層の組成が選択され、
前記中間層が、集合組織成分の少なくとも３０％の体積分率を示す、耐食性ストリップ。
【請求項２】
アルミニウムベースの合金のコア、並びに、前記コア及びＡｌ−Ｓｉベースのクラッドの間に位置するように構成される中間層を含む、耐食性ストリップであって、
前記中間層が、重量百分率で、
Ｓｉ≦０．７％；
Ｆｅ≦０．７％；
Ｃｕ≦０．５％；
Ｍｎ＝０．５〜１．８％；
Ｍｇ≦０．７％；
Ｚｎ≦４．０％；
Ｎｉ≦１．５％；
それぞれ０．３％以下及び合計で０．５％以下である周期律表のＩＶｂ、Ｖｂ及び／又はＶＩｂ族から選択される元素；
それぞれ０．０５％以下及び合計で０．１５％以下である不可避不純物元素；及び
残部であるＡｌ；
からなる組成を有し、
ろう付け後に前記コアが前記中間層より不活性であるように、前記コアの組成及び前記中間層の組成が選択され、
前記中間層が、集合組織成分の少なくとも３０％の体積分率を示す、請求項１に記載の耐食性ストリップ。
【請求項３】
前記中間層が、集合組織成分の少なくとも５０％の体積分率を示す、請求項１又は２に記載の耐食性ストリップ。
【請求項４】
前記集合組織成分が、Ｐ−集合組織｛１１０｝＜１１１＞、立方｛００１｝＜１００＞、回転立方｛００１｝＜１１０＞又は｛００１｝＜３１０＞及びゴス集合組織｛０１１｝＜１００＞成分の１つである、請求項１から３の何れか一項に記載の耐食性ストリップ。
【請求項５】
前記集合組織成分が、Ｐ−集合組織｛１１０｝＜１１１＞成分である、請求項４に記載の耐食性ストリップ。
【請求項６】
前記中間層が、１％以下のＺｎを含む、請求項１から５の何れか一項に記載の耐食性ストリップ。
【請求項７】
前記中間層が、０．５％以下のＺｎを含む、請求項６に記載の耐食性ストリップ。
【請求項８】
前記中間層の周期律表のＩＶｂ、Ｖｂ及び／又はＶＩｂ族の含有量が、０．０５〜０．２％のＺｒ、Ｔｉ及び／又はＣｒである、請求項１から７の何れか一項に記載の耐食性ストリップ。
【請求項９】
前記コアが、重量百分率で、
Ｓｉ≦１．０％；
Ｆｅ≦０．７％；
Ｃｕ≦１．０％；
Ｍｎ＝０．５〜１．８％；
Ｍｇ≦０．７％；
Ｚｎ≦０．５％；
Ｎｉ≦１．５％；
それぞれ０．３％以下及び合計で０．５％以下である周期律表のＩＶｂ、Ｖｂ及び／又はＶＩｂ族から選択される元素；
それぞれ０．０５％以下及び合計で０．１５％以下である不可避不純物元素；及び
残部であるＡｌ；
からなる組成を有する、請求項１から８の何れか一項に記載の耐食性ストリップ。
【請求項１０】
前記コアのＳｉ含有量が、０．１５％以下である、請求項９に記載の耐食性ストリップ。
【請求項１１】
４〜１３％のＳｉを含むアルミニウムろう付け材料であるＡｌ−Ｓｉベースのクラッドを含む、請求項１から１０の何れか一項に記載の耐食性ストリップ。
【請求項１２】
１〜４％のＳｉを含むアルミニウム合金であるＡｌ−Ｓｉベースのクラッドを含む、請求項１から１０の何れか一項に記載の耐食性ストリップ。
【請求項１３】
取り付けられた各中間層の厚さが、前記ストリップの総厚の２〜２０％の間である、請求項１から１２の何れか一項に記載の耐食性ストリップ。
【請求項１４】
前記コアが、５２０℃以下の温度で非均質化され又は均質化される、請求項１から１３の何れか一項に記載の耐食性ストリップ。
【請求項１５】
前記コアが、５２０℃を超える温度で均質化される、請求項１から１２の何れか一項に記載の耐食性ストリップ。
【請求項１６】
前記中間層が、最終状態において、３０〜４００ｎｍの範囲の直径を有する粒子の、少なくとも１×１０６から２０×１０６粒子／ｍｍ２の範囲の分散質粒子密度でＭｎリッチの粒子を含む、請求項１から１５の何れか一項に記載の耐食性ストリップ。
【請求項１７】
前記ストリップが、２００〜５００℃で、少なくとも１０分間行われる前記中間層の再結晶化なしに焼き戻しすることによって熱処理され、前記材料を軟化させる、請求項１から１６の何れか一項に記載の耐食性ストリップ。
【請求項１８】
ろう付け後の前記中間層の平均粒径が、少なくとも１００μｍである、請求項１から１７の何れか一項に記載の耐食性ストリップ。
【請求項１９】
コア、並びに前記コア及びＡｌ−Ｓｉベースのクラッドの間に位置するように構成される中間層を含む耐食性ストリップの製造方法であって、
前記方法が、
アルミニウムベースの合金のコアインゴットを提供する段階；
前記コアインゴットに中間層を付ける段階であって、
前記中間層が、重量百分率で、
Ｓｉ≦０．９；
Ｆｅ≦０．７％；
Ｃｕ≦０．５％；
Ｍｎ＝０．５〜１．８％；
Ｍｇ≦０．７％；
Ｚｎ≦４．０％；
Ｎｉ≦１．５％；
それぞれ０．３％以下及び合計で０．５％以下である周期律表のＩＶｂ、Ｖｂ及び／又はＶＩｂ族から選択される元素；
それぞれ０．０５％以下及び合計で０．１５％以下である不可避不純物元素；及び
残部であるＡｌ；
からなる組成を有し、前記コアが、ろう付け後に前記中間層より不活性である段階；
コア及び中間層を有するストリップを得るために熱間圧延をする段階；
前記中間層の再結晶化を引き起こす最終的な熱処理の後に、前記中間層が、少なくとも９０％の高さまで減少するように、前記得られたストリップを冷間圧延する段階；
前記中間層の再結晶化なしに焼き戻しすることによって前記材料を軟化させる目的で最終焼き戻しまで前記冷間圧延されたストリップを熱処理する段階であって、少なくとも前記中間層が、前記中間層に分散質粒子を形成するように熱間圧延の前に３８０〜５２０℃の温度に予備加熱される段階；
を含む、耐食性ストリップの製造方法。
【請求項２０】
コア、並びに前記コア及びＡｌ−Ｓｉベースのクラッドの間に位置するように構成される中間層を含む耐食性ストリップの製造方法であって、
前記方法が、
アルミニウムベースの合金のコアインゴットを提供する段階；
前記コアインゴットに中間層を付ける段階であって、
前記中間層が、重量百分率で、
Ｓｉ≦０．７％；
Ｆｅ≦０．７％；
Ｃｕ≦０．５％；
Ｍｎ＝０．５〜１．８％；
Ｍｇ≦０．７％；
Ｚｎ≦４．０％；
Ｎｉ≦１．５％；
それぞれ０．３％以下及び合計で０．５％以下である周期律表のＩＶｂ、Ｖｂ及び／又はＶＩｂ族から選択される元素；
それぞれ０．０５％以下及び合計で０．１５％以下である不可避不純物元素；及び
残部であるＡｌ；
からなる組成を有し、前記コアが、ろう付け後に前記中間層より不活性である段階；
コア及び中間層を有するストリップを得るために熱間圧延をする段階；
前記中間層の再結晶化を引き起こす最終的な熱処理の後に、前記中間層が、少なくとも９０％の高さまで減少するように、前記得られたストリップを冷間圧延する段階；
前記中間層の再結晶化なしに焼き戻しすることによって前記材料を軟化させる目的で最終焼き戻しまで前記冷間圧延されたストリップを熱処理する段階；
を含む、請求項１９に記載の耐食性ストリップの製造方法。
【請求項２１】
前記得られたストリップの冷間圧延が、少なくとも９５％の高さまで低減された前記中間層をもたらす、請求項１９又は２０に記載の耐食性ストリップの製造方法。
【請求項２２】
前記得られたストリップの冷間圧延が、少なくとも９９％の高さまで低減された前記中間層をもたらす、請求項１９又は２０に記載の耐食性ストリップの製造方法。
【請求項２３】
前記最終焼き戻しまでの前記熱処理の後におけるストリップが、０．０５〜２０％、好ましくは０．０５〜１５％の範囲の低温作業である低温作業のレベルを与える成形作業に晒され、
前記コアが、ろう付け中に結晶化せず、前記中間層が再結晶化する、請求項１９から２２の何れか一項に記載の方法。
【請求項２４】
前記中間層の周期律表のＩＶｂ、Ｖｂ及び／又はＶＩｂ族の含有量が、０．０５〜０．２％のＺｒ、Ｔｉ及び／又はＣｒである、請求項１９から２２の何れか一項に記載の製造方法。
【請求項２５】
コア合金が、重量百分率で、
Ｓｉ≦１．０％；
Ｆｅ≦０．７％；
Ｃｕ≦１．０％；
Ｍｎ＝０．５〜１．８％；
Ｍｇ≦０．７％；
Ｚｎ≦０．５％；
Ｎｉ≦１．５％；
それぞれ０．３％以下及び合計で０．５％以下であるＩＶｂ、Ｖｂ及び／又はＶＩｂ族から選択される元素；
それぞれ０．０５％以下及び合計で０．１５％以下である不可避不純物元素；及び
残部であるＡｌ；
からなる組成を有する、請求項１９から２４の何れか一項に記載の方法。
【請求項２６】
前記コアのＳｉ含有量が０．１５％以下である、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
前記中間層が、中間層インゴットとして提供され、前記コアインゴットに取り付けられ、あるいは、前記コアインゴットに直接鋳造される、請求項１９から２６の何れか一項に記載の方法。
【請求項２８】
前記コアインゴット、あるいは前記中間層が取り付けられた前記コアインゴットが、前記熱間圧延の前に５２０℃以下の温度で均質化に晒される、請求項１９から２７の何れか一項に記載の方法。
【請求項２９】
前記コアインゴットが、前記熱間圧延の前に５２０℃を超える温度で均質化に晒される、請求項１９から２７の何れか一項に記載の方法。
【請求項３０】
前記中間層に分散質粒子を形成するように熱間圧延の前に、少なくとも前記中間層が、４００〜５２０℃の温度に予備加熱される、請求項１９から２８の何れか一項に記載の方法。
【請求項３１】
３０〜４００ｎｍの直径を有する粒子の、１×１０６〜２０×１０６粒子／ｍｍ２の範囲の分散質粒子密度が得られるように、前記予備加熱の温度及び時間が制御される、請求項３０に記載の方法。
【請求項３２】
ろう付け後における前記中間層の平均粒径が、少なくとも１００μｍであるように制御される、請求項１９から３１の何れか一項に記載の方法。
【請求項３３】
ろう付け製品の製造における、請求項１から１８の何れか一項に記載の耐食性ストリップの使用。
【請求項３４】
請求項１から１８の何れか一項に記載の耐食性ストリップを含むろう付けされた熱交換器。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
本発明によるストリップは、
アルミニウムベースの合金のコアインゴットを提供する段階；
コアインゴットに中間層を取り付ける段階；
任意に、中間層にＡｌ−Ｓｉクラッドを取り付ける段階であって、中間層が、重量百分率で、必須的に、
Ｓｉ≦０．９％、適切には≦０．７％、好ましくは０．１〜０．５５％、より好ましくは０．１５〜０，４０％；
Ｆｅ≦０．７％、好ましくは≦０．５％、より好ましくは≦０．３％；
Ｃｕ≦０．５％、好ましくは≦０．２％、より好ましくは≦０．１％；最も好ましくは≦０．０５％；
Ｍｎ＝０．５〜１．８％、好ましくは０．７〜１．７％、より好ましくは０．９〜１．６％；
Ｍｇ≦０．７％、好ましくは≦０．３％、より好ましくは≦０．１５％、最も好ましくは≦０．０５％；
Ｚｎ≦４．０％、好ましくは≦１．０％、より好ましくは≦０．５％、最も好ましくは≦０．１％；
Ｎｉ≦１．５％、好ましくは≦１．０％、より好ましくは≦０．５％；
それぞれ０．３％以下及び合計で０．５％以下、それぞれ０．０５％以下及び合計で０．１５％以下である、不可避不純物元素の周期律表のＩＶｂ、Ｖｂ及び／又はＶＩｂ族から選択される元素；
残部であるＡｌ；
からなる組成を有し、コアが、ろう付け後に中間層より不活性である段階；
任意に、中間層が取り付けられたインゴットを予備熱処理に晒す段階；
コア及び中間層を有するストリップを得るために熱間圧延をする段階；
中間層の再結晶化を引き起こす最終的な熱処理の後に、中間層が、少なくとも９０％、好ましくは少なくとも９５％、より好ましくは少なくとも９７．５％の高さまで減少するように、得られたストリップを冷間圧延する段階；
中間層の再結晶化なしに焼き戻しすることによって材料を軟化させる目的で最終焼き戻しまで冷間圧延されたストリップを熱処理する段階；
を含む方法によって生成され得る。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２８】
さらなる実施形態によれば、中間層は、最終状態において、３０〜４００ｎｍの範囲の直径を有する粒子の、少なくとも１×１０６から２０×１０６、好ましくは１．３×１０６から１０×１０６、最も好ましくは１．４×１０６から７×１０６粒子／ｍｍ２の範囲の分散質粒子密度でＭｎリッチの粒子を含む。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２９】
他の実施形態によれば、ストリップの特性は、追加的に、最終的な熱処理後に（焼き戻しによって材料を軟化させる目的で）、冷間圧延、テンションレベリング、及びあるレベルの低温作業を与える他の同様の方法によって改善され得、ここで、コアは、０．０５〜２０％、好ましくは０．０５〜１５％、より好ましくは０．０５〜１０％、最も好ましくは０．０５〜５％の範囲の低温作業で再結晶化しない。このように、中間層の粒径は、追加的に調整され得る。得られた材料は、良好なろう付け性能及び例外的にろう付け後における高い耐食性及びろう付け中における液体コア浸透に対する低い感受性を有する独特の組合せで、ろう付け後に高い強度を有し得る。同時に、最終焼き戻しの良好な成形性は、達成され得る。コアが犠牲的に保護されるように、介在層は、材料のコア層に対して調整され得る腐食電位を有する。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３４】
本発明によるストリップは、良好な穴あけ抵抗の形態のろう付け後における優れた耐食性、及び、ろう付け中における液体コア浸透に対する非常に低い感受性を有する。ストリップはまた、最終状態における良好な成形特性、及び／又は、使用されるコア材料の化学的性質／製造方法に依存した、ろう付け後における高い強度が備えられ得る。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４１】
このような再結晶化が起こる場合に中間層の再結晶化を引き起こす最後の加熱処理の後に、中間層は、鋳造されたままであるか、圧延によって少なくとも９０％、好ましくは少なくとも９５％、より好ましくは少なくとも９７．５％、最も好ましくは少なくとも９９％まで高さが低下した熱間圧延状態のままである。冷間圧延されたストリップは、その後、中間層合金の再結晶化なしに焼き戻すことによって材料を軟化させる目的で、最終焼き戻しまで熱処理される。生じた変形の程度が、中間層を再結晶化する熱処理による上述の制限以下まで低下されないことは重要である。しかしながら、コアは、最終状態において再結晶化され又は再結晶化され得ない。