【手続補正書】
【提出日】平成28年12月2日(2016.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶形塩酸ラミブジンであって、
前記結晶形塩酸ラミブジンが、１４．７±０．３、２２．７±０．３、２３．１±０．３、および２４．９±０．３の角度２θの値でピークを含む前記結晶形塩酸ラミブジンのＸ線粉末回折パターンを示すか、または
前記結晶形塩酸ラミブジンが、１３．８±０．３、１４．０±０．３および３１．１±０．３の角度２θの値でピークを含む前記結晶形塩酸ラミブジンのＸ線粉末回折パターンを示し；
前記結晶形は任意で、
ｉ）水和されても溶媒和されてもおらず；かつ／または
ｉｉ）モノヒドロクロリドである、
結晶形塩酸ラミブジン。
【請求項２】
請求項１に記載の結晶形塩酸ラミブジンであって、以下の特性：
ａ）前記結晶形塩酸ラミブジンのＸ線粉末回折パターンが、１４．７±０．３、２２．７±０．３、２３．１±０．３、および２４．９±０．３、２８．０±０．３および３１．１±０．３の角度２θの値でピークを含む、または
ｂ）Ｘ線粉末回折パターンが、１４．７±０．３、２２．７±０．３、２３．１±０．３、および２４．９±０．３、３１．８±０．３および３２．２±０．３の角度２θの値でピークを含む、または
ｃ）ラマンスペクトルが、約７８１±５および１６７１±５の波数値でピークを含む、または
ｄ）ラマンスペクトルが、約２８５±５、３７６±５、５０１±５、５５０±５、６０４±５、６６０±５、７０８±５、７８１±５、９９５±５、１１３３±５、１１７４±５、１３６０±５、１４２５±５、１５３５±５、１６１１±５および１６７１±５の波数値でピークを含む、または
ｅ）示差走査熱量サーモグラムが、約１０℃／分の走査速度で約１９７．８±０．５度〜約２００．６±０．５℃にて始まる吸熱を含む、または
ｆ）約１．０％以下の重量増加が、相対湿度０％から相対湿度９０％で２５℃にて行った重量蒸気吸着によって示される、または
ｇ）前記結晶形塩酸ラミブジンのＸ線粉末回折パターンが、１３．８±０．３、１４．０±０．３、２２．６±０．３、２８．１±０．３および３１．１±０．３の角度２θの値でピークを含む、または
ｈ）前記結晶形塩酸ラミブジンのＸ線粉末回折パターンが、１３．８±０．３、１４．０±０．３、２２．６±０．３、２８．１±０．３、３１．１±０．３、３３．９±０．３および３６．５±０．３の角度２θの値でピークを含む、または
ｉ）Ｘ線粉末回折パターンが、図１２に示すものと実質的に同一である、または
ｊ）示差走査熱量サーモグラムが、約１０℃／分の走査速度で約２０３．３±０．５℃にて始まる吸熱を含む
のうちの少なくとも１つを含む、結晶形塩酸ラミブジン。
【請求項３】
請求項１または２に記載の結晶形塩酸ラミブジンの作成方法であって、
非溶媒にラミブジンを懸濁させて懸濁液を形成することまたは溶媒にラミブジンを溶解させて溶液を形成することと；
前記懸濁液または前記溶液に塩酸を添加することと；
前記懸濁液または前記溶液を高温に任意に加熱することと；
前記任意の加熱後、前記懸濁液または前記溶液を冷却温度に任意に冷却することと；
を含む方法。
【請求項４】
結晶形硫酸ラミブジン。
【請求項５】
請求項４に記載の結晶形硫酸ラミブジンであって、
前記結晶形硫酸ラミブジンのＸ線粉末回折パターンが、２０．２±０．３、２１．７±０．３、および２４．１±０．３の角度２θの値でピークを含み、かつ任意で、
ａ）前記結晶形は、水和されても溶媒和されてもおらず；かつ／または
ｂ）前記硫酸ラミブジンは、ヘミ硫酸塩、モノ硫酸塩または二硫酸塩である；あるいは
前記結晶形硫酸ラミブジンのＸ線粉末回折パターンが、１５．９±０．３、２０．１±０．３、および２４．８±０．３の角度２θの値でピークを含み、かつ任意で、
前記結晶形は、水和物でも溶媒和物でもない、
結晶形硫酸ラミブジン。
【請求項６】
請求項４または５に記載の結晶形硫酸ラミブジンであって、以下の特性：
ａ）前記結晶形硫酸ラミブジンのＸ線粉末回折パターンが、１６．０±０．３、１９．０±０．３、２０．２±０．３、２１．７±０．３および２４．１±０．３の角度２θの値でピークをさらに含む、および／または
ｂ）前記結晶形硫酸ラミブジンのＸ線粉末回折パターンが、１６．０±０．３、１９．０±０．３、２０．２±０．３、２１．７±０．３、２４．１±０．３、２７．０±０．３および３０．８±０．３の角度２θの値でピークをさらに含む、または
ｃ）Ｘ線粉末回折パターンが、図１５に示すものと実質的に同一である、または
ｄ）ラマンスペクトルが、約７００±５および９７７±５の波数値でピークを含む、または
ｅ）ラマンスペクトルが、約２７３±５、４１０±５、５７１±５、６０１±５、６６２±５、７００±５、９７７±５、１０４８±５、１１３６±５、１３１９±５、１３６９±５、１４３６±５、１５３５±５、１６５５±５、および１７１５±５の波数値でピークを含む、または
ｆ）示差走査熱量サーモグラムが、約１０℃／分の走査速度で約２０７．２±０．５℃にて始まる吸熱を含む、または
ｇ）前記結晶形硫酸ラミブジンのＸ線粉末回折パターンが、１５．９±０．３、２０．１±０．３、２４．１±０．３、２４．８±０．３および２６．４±０．３の角度２θの値でピークを含む、または
ｈ）前記結晶形硫酸ラミブジンのＸ線粉末回折パターンが、１５．９±０．３、２０．１±０．３、２１．６±０．３、２４．１±０．３、２４．８±０．３および２６．４±０．３の角度２θの値でピークを含む、または
ｉ）Ｘ線粉末回折パターンが、図１９に示すものと実質的に同一である、または
ｊ）ラマンスペクトルが、約９７７±５および１６５６±５の波数でピークを含む、または
ｋ）ラマンスペクトルが、約２７３±５、４１０±５、５７１±５、６０１±５、６２２±５、９７７±５、１０４８±５、１１３６±５、１３１９±５、１３６９±５、１４３６±５、１５３５±５、１６５６±５および１７１５±５の波数でピークを含む、または
ｌ）示差走査熱量サーモグラムが、１０℃／分の走査速度で約１６６．３±０．５℃にて始まる吸熱を含む、
のうちの少なくとも１つを含む、結晶形硫酸ラミブジン。
【請求項７】
請求項４〜６のいずれか１項に記載の結晶形硫酸ラミブジンの作成方法であって、
溶媒にラミブジンを溶解させて溶液を形成することまたは非溶媒にラミブジンを懸濁させて懸濁液を形成することと；
前記溶液または前記懸濁液に硫酸を添加することと；
前記溶液または前記懸濁液を高温に任意に加熱することと；
前記任意の加熱後、前記溶液または前記懸濁液を冷却温度に任意に冷却することと；
を含む方法。
【請求項８】
結晶形リン酸ラミブジン。
【請求項９】
前記結晶形リン酸ラミブジンのＸ線粉末回折パターンが、１５．３±０．３、２５．０±０．３、および２６．１±０．３の角度２θの値でピークを含み、任意で、前記結晶形は、水和されても溶媒和されてもいない、請求項８に記載の結晶形リン酸ラミブジン。
【請求項１０】
請求項８または９に記載の結晶形リン酸ラミブジンであって、以下の特性：
ａ）前記結晶形リン酸ラミブジンのＸ線粉末回折パターンが、１５．３±０．３、２５．０±０．３、２６．１±０．３、２９．１±０．３および３７．５±０．３の角度２θの値でピークを含む、または
ｂ）Ｘ線粉末回折パターンが、図２３に示すものと実質的に同一である、または
ｃ）ラマンスペクトルが、約７８０±５および１６５２±５の波数でピークを含む、または
ｄ）ラマンスペクトルが、約３５３±５、５３３±５、５６２±５、６００±５、７０９±５、７８０±５、９０７±５、９７１±５、１０５４±５、１３６７±５、１４４４±５、１５３５±５、１６５２±５および１７０８±５の波数でピークを含む、または
ｅ）示差走査熱量サーモグラムが、１０℃／分の走査速度で約１６７±０．５℃にて始まる吸熱を含む、
のうちの少なくとも１つを含む、結晶形リン酸ラミブジン。
【請求項１１】
請求項８〜１０のいずれか１項に記載の結晶形リン酸ラミブジンの作成方法であって、
溶媒にラミブジンを溶解させて溶液を形成することと；
前記溶液にリン酸を添加することと；
前記溶液を高温に任意に加熱することと；
前記任意の加熱後、前記溶液を冷却温度に任意に冷却することと；
を含む方法。
【請求項１２】
請求項１、２、４〜６および８〜１０のいずれか１項に記載の結晶形ラミブジン塩と、１つまたは複数の薬学的に許容される成分とを含む医薬組成物。
【請求項１３】
ＨＩＶ感染の治療をそれを必要とする対象において行う方法において使用するための、請求項１、２、４〜６および８〜１０のいずれか１項に記載の結晶形ラミブジン塩を含む組成物または請求項１２に記載の医薬組成物であって、前記方法は、治療上有効な量の前記結晶形ラミブジン塩または医薬組成物を前記対象に投与することを含む、組成物。
【請求項１４】
Ｂ型肝炎感染の治療をそれを必要とする対象において行う方法において使用するための、請求項１、２、４〜６および８〜１０のいずれか１項に記載の結晶形ラミブジン塩を含む組成物または請求項１２に記載の医薬組成物であって、前記方法は、治療上有効な量の前記結晶形ラミブジン塩または医薬組成物を前記対象に投与することを含む、組成物。
【請求項１５】
レトロウイルス感染の治療をそれを必要とする対象において行う方法において使用するための、請求項１、２、４〜６および８〜１０のいずれか１項に記載の結晶形ラミブジン塩を含む組成物または請求項１２に記載の医薬組成物であって、前記方法は、治療上有効な量の前記結晶形ラミブジン塩または医薬組成物を前記対象に投与することを含む、組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
本発明のさらなる実施形態は、以下の説明および実施例から当業者に明らかとなるであろう。
本発明の実施形態において、例えば以下の項目が提供される。
（項目１）
結晶形塩酸ラミブジン。
（項目２）
前記結晶形塩酸ラミブジンが、塩酸ラミブジン多形Ｉ型である項目１に記載の結晶形塩酸ラミブジン。
（項目３）
前記結晶形塩酸ラミブジンのＸ線粉末回折パターンが、１４．７±０．３、２２．７±０．３、２３．１±０．３、および２４．９±０．３の角度２θの値でピークを含む項目１〜２のいずれか１項に記載の結晶形塩酸ラミブジン。
（項目４）
前記結晶形塩酸ラミブジンのＸ線粉末回折パターンが、２８．０±０．３および３１．１±０．３の角度２θの値でピークをさらに含む項目３に記載の結晶形塩酸ラミブジン。
（項目５）
前記結晶形塩酸ラミブジンのＸ線粉末回折パターンが、３１．８±０．３および３２．２±０．３の角度２θの値でピークをさらに含む項目４に記載の結晶形塩酸ラミブジン。
（項目６）
前記結晶形塩酸ラミブジンのＸ線粉末回折パターンが、１３．２±０．３、１４．７±０．３、１４．８±０．３、１７．６±０．３、１８．３±０．３、１８．５±０．３、２１．７±０．３、２２．７±０．３、２３．１±０．３、２３．７±０．３、２４．９±０．３、２７．４±０．３、２８．０±０．３、３０．３±０．３、３１．１±０．３、３１．３±０．３、３１．４±０．３、３１．８±０．３、３２．２±０．３、３２．８±０．３、３３．１±０．３、３３．９±０．３、３４．８±０．３、３６．３±０．３、および３９．１±０．３からなる群から選択される角度２θの値で少なくとも５本のピークを含む項目２〜５のいずれか１項に記載の結晶形塩酸ラミブジン。
（項目７）
前記結晶形塩酸ラミブジンのＸ線粉末回折パターンが、１３．２±０．３、１４．７±０．３、１４．８±０．３、１７．６±０．３、１８．３±０．３、１８．５±０．３、２１．７±０．３、２２．７±０．３、２３．１±０．３、２３．７±０．３、２４．９±０．３、２７．４±０．３、２８．０±０．３、３０．３±０．３、３１．１±０．３、３１．３±０．３、３１．４±０．３、３１．８±０．３、３２．２±０．３、３２．８±０．３、３３．１±０．３、３３．９±０．３、３４．８±０．３、３６．３±０．３、および３９．１±０．３からなる群から選択される角度２θの値で少なくとも１０本のピークを含む項目２〜６のいずれか１項に記載の結晶形塩酸ラミブジン。
（項目８）
前記結晶形塩酸ラミブジンのＸ線粉末回折パターンが、１３．２±０．３、１４．７±０．３、１４．８±０．３、１７．６±０．３、１８．３±０．３、１８．５±０．３、２１．７±０．３、２２．７±０．３、２３．１±０．３、２３．７±０．３、２４．９±０．３、２７．４±０．３、２８．０±０．３、３０．３±０．３、３１．１±０．３、３１．３±０．３、３１．４±０．３、３１．８±０．３、３２．２±０．３、３２．８±０．３、３３．１±０．３、３３．９±０．３、３４．８±０．３、３６．３±０．３、および３９．１±０．３からなる群から選択される角度２θの値で少なくとも２０本のピークを含む項目２〜７のいずれか１項に記載の結晶形塩酸ラミブジン。
（項目９）
前記結晶形塩酸ラミブジンのＸ線粉末回折パターンが、１３．２±０．３、１４．７±０．３、１４．８±０．３、１７．６±０．３、１８．３±０．３、１８．５±０．３、２１．７±０．３、２２．７±０．３、２３．１±０．３、２３．７±０．３、２４．９±０．３、２７．４±０．３、２８．０±０．３、３０．３±０．３、３１．１±０．３、３１．３±０．３、３１．４±０．３、３１．８±０．３、３２．２±０．３、３２．８±０．３、３３．１±０．３、３３．９±０．３、３４．８±０．３、３６．３±０．３、および３９．１±０．３の角度２θの値でピークを含む項目２〜８のいずれか１項に記載の結晶形塩酸ラミブジン。
（項目１０）
図６に示すものと実質的に同一のＸ線粉末回折パターンを有する項目２〜９のいずれか１項に記載の結晶形塩酸ラミブジン。
（項目１１）
約７８１±５および１６７１±５の波数値でピークを含むラマンスペクトルを示す項目２〜１０のいずれか１項に記載の結晶形塩酸ラミブジン。
（項目１２）
約２８５±５、３７６±５、５０１±５、５５０±５、６０４±５、６６０±５、７０８±５、９９５±５、１１３３±５、１１７４±５、１３６０±５、１４２５±５、１５３５±５、および１６１１±５の波数値でピークをさらに含むラマンスペクトルを示す項目１１に記載の結晶形塩酸ラミブジン。
（項目１３）
約１０℃／分の走査速度で約１９７．８±０．５度〜約２００．６±０．５℃にて始まる吸熱を含む示差走査熱量サーモグラムを示す項目２〜１２のいずれか１項に記載の結晶形塩酸ラミブジン。
（項目１４）
約１０℃／分の走査速度で約１９７．８±０．５度〜約２００．６±０．５℃にて始まる単一吸熱を有する示差走査熱量サーモグラムを示す項目２〜１３のいずれか１項に記載の結晶形塩酸ラミブジン。
（項目１５）
相対湿度０％から相対湿度９０％で２５℃にて行った重量蒸気吸着によって約１．０％以下の重量増加を示す項目２〜１４のいずれか１項に記載の結晶形塩酸ラミブジン。
（項目１６）
水和されても溶媒和されてもいない項目２〜１５のいずれか１項に記載の結晶形塩酸ラミブジン。
（項目１７）
前記塩酸ラミブジンが、モノヒドロクロリドである項目１〜１６のいずれか１項に記載の結晶形塩酸ラミブジン。
（項目１８）
前記結晶形塩酸ラミブジンが、塩酸ラミブジン多形ＩＩ型である項目１に記載の結晶形塩酸ラミブジン。
（項目１９）
前記結晶形塩酸ラミブジンのＸ線粉末回折パターンが、１３．８±０．３、１４．０±０．３、および３１．１±０．３の角度２θの値でピークを含む項目１または１８のいずれか１項に記載の結晶形塩酸ラミブジン。
（項目２０）
前記結晶形塩酸ラミブジンのＸ線粉末回折パターンが、２２．６±０．３および２８．１±０．３の角度２θの値でピークをさらに含む項目１９に記載の結晶形塩酸ラミブジン。
（項目２１）
前記結晶形塩酸ラミブジンのＸ線粉末回折パターンが、３３．９±０．３および３６．５±０．３の角度２θの値でピークをさらに含む項目２０に記載の結晶形塩酸ラミブジン。
（項目２２）
前記結晶形塩酸ラミブジンのＸ線粉末回折パターンが、１２．８±０．３、１３．８±０．３、１４．０±０．３、１４．５±０．３、１４．７±０．３、１６．５±０．３、１７．５±０．３、１８．３±０．３、２１．８±０．３、２２．６±０．３、２３．０±０．３、２３．１±０．３、２４．３±０．３、２４．８±０．３、２６．１±０．３、２６．６±０．３、２８．１±０．３、３０．３±０．３、３１．１±０．３、３２．３±０．３、３３．９±０．３、３６．３±０．３、３６．５±０．３、３８．４±０．３、および３９．１±０．３からなる群から選択される角度２θの値で少なくとも５本のピークを含む項目１または項目１８〜２１のいずれか１項に記載の結晶形塩酸ラミブジン。
（項目２３）
前記結晶形塩酸ラミブジンのＸ線粉末回折パターンが、１２．８±０．３、１３．８±０．３、１４．０±０．３、１４．５±０．３、１４．７±０．３、１６．５±０．３、１７．５±０．３、１８．３±０．３、２１．８±０．３、２２．６±０．３、２３．０±０．３、２３．１±０．３、２４．３±０．３、２４．８±０．３、２６．１±０．３、２６．６±０．３、２８．１±０．３、３０．３±０．３、３１．１±０．３、３２．３±０．３、３３．９±０．３、３６．３±０．３、３６．５±０．３、３８．４±０．３、および３９．１±０．３からなる群から選択される角度２θの値で少なくとも１０本のピークを含む項目１または項目１８〜２２のいずれか１項に記載の結晶形塩酸ラミブジン。
（項目２４）
前記結晶形塩酸ラミブジンのＸ線粉末回折パターンが、１２．８±０．３、１３．８±０．３、１４．０±０．３、１４．５±０．３、１４．７±０．３、１６．５±０．３、１７．５±０．３、１８．３±０．３、２１．８±０．３、２２．６±０．３、２３．０±０．３、２３．１±０．３、２４．３±０．３、２４．８±０．３、２６．１±０．３、２６．６±０．３、２８．１±０．３、３０．３±０．３、３１．１±０．３、３２．３±０．３、３３．９±０．３、３６．３±０．３、３６．５±０．３、３８．４±０．３、および３９．１±０．３からなる群から選択される角度２θの値で少なくとも２０本のピークを含む項目１または項目１８〜２３のいずれか１項に記載の結晶形塩酸ラミブジン。
（項目２５）
前記結晶形塩酸ラミブジンのＸ線粉末回折パターンが、１２．８±０．３、１３．８±０．３、１４．０±０．３、１４．５±０．３、１４．７±０．３、１６．５±０．３、１７．５±０．３、１８．３±０．３、２１．８±０．３、２２．６±０．３、２３．０±０．３、２３．１±０．３、２４．３±０．３、２４．８±０．３、２６．１±０．３、２６．６±０．３、２８．１±０．３、３０．３±０．３、３１．１±０．３、３２．３±０．３、３３．９±０．３、３６．３±０．３、３６．５±０．３、３８．４±０．３、および３９．１±０．３からなる群から選択される角度２θの値でピークを含む項目１または項目１８〜２４のいずれか１項に記載の結晶形塩酸ラミブジン。
（項目２６）
図１２に示すものと実質的に同一のＸ線粉末回折パターンを有する項目１または項目１８〜２５のいずれか１項に記載の結晶形塩酸ラミブジン。
（項目２７）
約１０℃／分の走査速度で約２０３．３±０．５℃にて始まる吸熱を含む示差走査熱量サーモグラムを示す項目１または項目１８〜２６のいずれか１項に記載の結晶形塩酸ラミブジン。
（項目２８）
約１０℃／分の走査速度で約２０３．３±０．５℃にて始まる単一吸熱を有する示差走査熱量サーモグラムを示す項目１または項目１８〜２７のいずれか１項に記載の結晶形塩酸ラミブジン。
（項目２９）
水和されても溶媒和されてもいない項目１または項目１８〜２８のいずれか１項に記載の結晶形塩酸ラミブジン。
（項目３０）
前記結晶形塩酸ラミブジンが、モノヒドロクロリドである項目１または項目１８〜２９のいずれか１項に記載の結晶形塩酸ラミブジン。
（項目３１）
項目１〜３０のいずれか１項に記載の結晶形塩酸ラミブジンの作成方法であって、
非溶媒にラミブジンを懸濁させて懸濁液を形成することと；
前記懸濁液に塩酸を添加することと；
前記懸濁液を高温に任意に加熱することとを含む方法。
（項目３２）
前記懸濁液を加熱後、前記懸濁液を冷却温度に冷却することをさらに含む項目３１に記載の方法。
（項目３３）
前記懸濁液を加熱し、前記懸濁液を冷却する前記工程が、加熱冷却工程を約６時間〜約２４時間繰り返すことを含む項目３２に記載の方法。
（項目３４）
項目１〜３０のいずれか１項に記載の結晶形塩酸ラミブジンの作成方法であって、
溶媒にラミブジンを溶解させて溶液を形成することと；
前記溶液に塩酸を添加することと；
前記溶液を高温に任意に加熱することとを含む方法。
（項目３５）
前記懸濁液を加熱後、前記溶液を冷却温度に冷却することをさらに含む項目３４に記載の方法。
（項目３６）
前記懸濁液を加熱し、前記懸濁液を冷却する前記工程が、加熱冷却工程を約６時間〜約２４時間繰り返すことを含む項目３５に記載の方法。
（項目３７）
塩酸ラミブジン多形Ｉ型の作成方法であって、
非溶媒に塩酸ラミブジンを溶解させることと；
溶媒に塩酸ラミブジンを溶解させることの少なくとも１つを含み、
前記塩酸ラミブジンを塩酸ラミブジン多形Ｉ型に変換する方法。
（項目３８）
前記塩酸ラミブジンが、非晶質塩酸ラミブジンまたは結晶性塩酸ラミブジンである項目３７に記載の方法。
（項目３９）
前記塩酸ラミブジンが、無水結晶性塩酸ラミブジン、水和結晶性塩酸ラミブジン、または溶媒和結晶性塩酸ラミブジンである項目３７〜３８のいずれか１項に記載の方法。
（項目４０）
前記塩酸ラミブジンが、塩酸ラミブジン多形ＩＩ型である項目３７〜３９いずれか１項に記載の方法。
（項目４１）
結晶形硫酸ラミブジン。
（項目４２）
前記結晶形硫酸ラミブジンが、硫酸ラミブジン多形Ｉ型である項目４１に記載の結晶形硫酸ラミブジン。
（項目４３）
前記結晶形硫酸ラミブジンのＸ線粉末回折パターンが、２０．２±０．３、２１．７±０．３、および２４．１±０．３の角度２θの値でピークを含む項目４１〜４２のいずれか１項に記載の結晶形硫酸ラミブジン。
（項目４４）
前記結晶形硫酸ラミブジンのＸ線粉末回折パターンが、１６．０±０．３および１９．０±０．３の角度２θの値でピークをさらに含む項目４３に記載の結晶形硫酸ラミブジン。
（項目４５）
前記結晶形硫酸ラミブジンのＸ線粉末回折パターンが、２７．０±０．３および３０．８±０．３の角度２θの値でピークをさらに含む項目４４に記載の結晶形硫酸ラミブジン。
（項目４６）
前記結晶形硫酸ラミブジンのＸ線粉末回折パターンが、９．８±０．３、１０．３±０．３、１４．０±０．３、１４．５±０．３、１４．７±０．３、１５．４±０．３、１６．０±０．３、１６．４±０．３、１７．０±０．３、１９．０±０．３、１９．６±０．３、２０．２±０．３、２０．７±０．３、２１．４±０．３、２１．７±０．３、２２．５±０．３、２３．１±０．３、２４．１±０．３、２４．６±０．３、２４．９±０．３、２６．４±０．３、２７．０±０．３、２７．４±０．３、２７．９±０．３、２８．２±０．３、２９．５±０．３、３０．０±０．３、３０．３±０．３、３０．８±０．３、３１．８±０．３、３２．１±０．３、３２．６±０．３、３３．８±０．３、３５．０±０．３、３５．６±０．３、３６．４±０．３、３７．６±０．３、および３８．０±０．３からなる群から選択される角度２θの値で少なくとも５本のピークを含む項目４１〜４５のいずれか１項に記載の結晶形硫酸ラミブジン。
（項目４７）
前記結晶形硫酸ラミブジンのＸ線粉末回折パターンが、９．８±０．３、１０．３±０．３、１４．０±０．３、１４．５±０．３、１４．７±０．３、１５．４±０．３、１６．０±０．３、１６．４±０．３、１７．０±０．３、１９．０±０．３、１９．６±０．３、２０．２±０．３、２０．７±０．３、２１．４±０．３、２１．７±０．３、２２．５±０．３、２３．１±０．３、２４．１±０．３、２４．６±０．３、２４．９±０．３、２６．４±０．３、２７．０±０．３、２７．４±０．３、２７．９±０．３、２８．２±０．３、２９．５±０．３、３０．０±０．３、３０．３±０．３、３０．８±０．３、３１．８±０．３、３２．１±０．３、３２．６±０．３、３３．８±０．３、３５．０±０．３、３５．６±０．３、３６．４±０．３、３７．６±０．３、および３８．０±０．３からなる群から選択される角度２θの値で少なくとも１０本のピークを含む項目４１〜４６のいずれか１項に記載の結晶形硫酸ラミブジン。
（項目４８）
前記結晶形硫酸ラミブジンのＸ線粉末回折パターンが、９．８±０．３、１０．３±０．３、１４．０±０．３、１４．５±０．３、１４．７±０．３、１５．４±０．３、１６．０±０．３、１６．４±０．３、１７．０±０．３、１９．０±０．３、１９．６±０．３、２０．２±０．３、２０．７±０．３、２１．４±０．３、２１．７±０．３、２２．５±０．３、２３．１±０．３、２４．１±０．３、２４．６±０．３、２４．９±０．３、２６．４±０．３、２７．０±０．３、２７．４±０．３、２７．９±０．３、２８．２±０．３、２９．５±０．３、３０．０±０．３、３０．３±０．３、３０．８±０．３、３１．８±０．３、３２．１±０．３、３２．６±０．３、３３．８±０．３、３５．０±０．３、３５．６±０．３、３６．４±０．３、３７．６±０．３、および３８．０±０．３からなる群から選択される角度２θの値で少なくとも２０本のピークを含む項目４１〜４７のいずれか１項に記載の結晶形硫酸ラミブジン。
（項目４９）
前記結晶形硫酸ラミブジンのＸ線粉末回折パターンが、９．８±０．３、１０．３±０．３、１４．０±０．３、１４．５±０．３、１４．７±０．３、１５．４±０．３、１６．０±０．３、１６．４±０．３、１７．０±０．３、１９．０±０．３、１９．６±０．３、２０．２±０．３、２０．７±０．３、２１．４±０．３、２１．７±０．３、２２．５±０．３、２３．１±０．３、２４．１±０．３、２４．６±０．３、２４．９±０．３、２６．４±０．３、２７．０±０．３、２７．４±０．３、２７．９±０．３、２８．２±０．３、２９．５±０．３、３０．０±０．３、３０．３±０．３、３０．８±０．３、３１．８±０．３、３２．１±０．３、３２．６±０．３、３３．８±０．３、３５．０±０．３、３５．６±０．３、３６．４±０．３、３７．６±０．３、および３８．０±０．３の角度２θの値でピークを含む項目４１〜４８のいずれか１項に記載の結晶形硫酸ラミブジン。
（項目５０）
図１５に示すものと実質的に同一のＸ線粉末回折パターンを有する項目４１〜４９のいずれか１項に記載の結晶形硫酸ラミブジン。
（項目５１）
約７００±５および９７７±５の波数値でピークを含むラマンスペクトルを示す項目４１〜５０のいずれか１項に記載の結晶形硫酸ラミブジン。
（項目５２）
約２７３±５、４１０±５、５７１±５、６０１±５、６６２±５、１０４８±５、１１３６±５、１３１９±５、１３６９±５、１４３６±５、１５３５±５、１６５５±５、および１７１５±５の波数値でピークをさらに含むラマンスペクトルを示す項目５１に記載の結晶形硫酸ラミブジン。
（項目５３）
約１０℃／分の走査速度で約２０７．２±０．５℃にて始まる吸熱を含む示差走査熱量サーモグラムを示す項目４１〜５２のいずれか１項に記載の結晶形硫酸ラミブジン。
（項目５４）
約１０℃／分の走査速度で約２０７．２±０．５℃にて始まる単一吸熱を有する示差走査熱量サーモグラムを示す項目４１〜５３のいずれか１項に記載の結晶形硫酸ラミブジン。
（項目５５）
水和されても溶媒和されてもいない項目４１〜５４のいずれか１項に記載の結晶形硫酸ラミブジン。
（項目５６）
ヘミ硫酸塩、モノ硫酸塩、または二硫酸塩である項目４１〜５５のいずれか１項に記載の結晶形硫酸ラミブジン。
（項目５７）
モノ硫酸塩である項目４１〜５６のいずれか１項に記載の結晶形硫酸ラミブジン。
（項目５８）
項目４１〜５７のいずれか１項に記載の結晶形硫酸ラミブジンの作成方法であって、
溶媒にラミブジンを溶解させて溶液を形成することと；
前記溶液に硫酸を添加することと；
前記溶液を高温に任意に加熱することとを含む方法。
（項目５９）
前記懸濁液を加熱後、前記溶液を冷却温度に冷却することをさらに含む項目５８に記載の方法。
（項目６０）
前記懸濁液を加熱し、前記懸濁液を冷却する前記工程が、加熱冷却工程を約６時間〜約２４時間繰り返すことを含む項目５９に記載の方法。
（項目６１）
前記結晶形硫酸ラミブジンが、硫酸ラミブジン多形ＩＩ型である項目４１に記載の結晶形硫酸ラミブジン。
（項目６２）
前記結晶形硫酸ラミブジンのＸ線粉末回折パターンが、１５．９±０．３、２０．１±０．３、および２４．８±０．３の角度２θの値でピークを含む項目４１または６１のいずれか１項に記載の結晶形硫酸ラミブジン。
（項目６３）
前記結晶形硫酸ラミブジンのＸ線粉末回折パターンが、２４．１±０．３および２６．４±０．３の角度２θの値でピークをさらに含む項目６２に記載の結晶形硫酸ラミブジン。
（項目６４）
前記結晶形硫酸ラミブジンのＸ線粉末回折パターンが、２０．６±０．３および２１．６±０．３の角度２θの値でピークをさらに含む項目６３に記載の結晶形硫酸ラミブジン。
（項目６５）
前記結晶形硫酸ラミブジンのＸ線粉末回折パターンが、１０．３±０．３、１２．１±０．３、１３．３±０．３、１４．０±０．３、１４．７±０．３、１５．４±０．３、１５．９±０．３、１７．０±０．３、１７．４±０．３、１８．７±０．３、１８．９±０．３、１９．６±０．３、２０．１±０．３、２０．５±０．３、２０．６±０．３、２１．３±０．３、２１．６±０．３、２２．５±０．３、２３．０±０．３、２３．６±０．３、２４．１±０．３、２４．８±０．３、２６．４±０．３、２６．９±０．３、２７．４±０．３、２８．２±０．３、２９．５±０．３、３０．０±０．３、３０．３±０．３、３０．８±０．３、３１．３±０．３、３２．６±０．３、３３．１±０．３、３４．０±０．３、３５．１±０．３、３５．５±０．３、３７．２±０．３、３７．６±０．３、および３８．４±０．３からなる群から選択される角度２θ度の値で少なくとも５本のピークを含む項目４１または項目６１〜６４のいずれか１項に記載の結晶形硫酸ラミブジン。
（項目６６）
前記結晶形硫酸ラミブジンのＸ線粉末回折パターンが、１０．３±０．３、１２．１±０．３、１３．３±０．３、１４．０±０．３、１４．７±０．３、１５．４±０．３、１５．９±０．３、１７．０±０．３、１７．４±０．３、１８．７±０．３、１８．９±０．３、１９．６±０．３、２０．１±０．３、２０．５±０．３、２０．６±０．３、２１．３±０．３、２１．６±０．３、２２．５±０．３、２３．０±０．３、２３．６±０．３、２４．１±０．３、２４．８±０．３、２６．４±０．３、２６．９±０．３、２７．４±０．３、２８．２±０．３、２９．５±０．３、３０．０±０．３、３０．３±０．３、３０．８±０．３、３１．３±０．３、３２．６±０．３、３３．１±０．３、３４．０±０．３、３５．１±０．３、３５．５±０．３、３７．２±０．３、３７．６±０．３、および３８．４±０．３からなる群から選択される角度２θ度の値で少なくとも１０本のピークを含む項目４１または項目６１〜６５のいずれか１項に記載の結晶形硫酸ラミブジン。
（項目６７）
前記結晶形硫酸ラミブジンのＸ線粉末回折パターンが、１０．３±０．３、１２．１±０．３、１３．３±０．３、１４．０±０．３、１４．７±０．３、１５．４±０．３、１５．９±０．３、１７．０±０．３、１７．４±０．３、１８．７±０．３、１８．９±０．３、１９．６±０．３、２０．１±０．３、２０．５±０．３、２０．６±０．３、２１．３±０．３、２１．６±０．３、２２．５±０．３、２３．０±０．３、２３．６±０．３、２４．１±０．３、２４．８±０．３、２６．４±０．３、２６．９±０．３、２７．４±０．３、２８．２±０．３、２９．５±０．３、３０．０±０．３、３０．３±０．３、３０．８±０．３、３１．３±０．３、３２．６±０．３、３３．１±０．３、３４．０±０．３、３５．１±０．３、３５．５±０．３、３７．２±０．３、３７．６±０．３、および３８．４±０．３からなる群から選択される角度２θ度の値で少なくとも２０本のピークを含む項目４１または項目６１〜６６のいずれか１項に記載の結晶形硫酸ラミブジン。
（項目６８）
前記結晶形硫酸ラミブジンのＸ線粉末回折パターンが、１０．３±０．３、１２．１±０．３、１３．３±０．３、１４．０±０．３、１４．７±０．３、１５．４±０．３、１５．９±０．３、１７．０±０．３、１７．４±０．３、１８．７±０．３、１８．９±０．３、１９．６±０．３、２０．１±０．３、２０．５±０．３、２０．６±０．３、２１．３±０．３、２１．６±０．３、２２．５±０．３、２３．０±０．３、２３．６±０．３、２４．１±０．３、２４．８±０．３、２６．４±０．３、２６．９±０．３、２７．４±０．３、２８．２±０．３、２９．５±０．３、３０．０±０．３、３０．３±０．３、３０．８±０．３、３１．３±０．３、３２．６±０．３、３３．１±０．３、３４．０±０．３、３５．１±０．３、３５．５±０．３、３７．２±０．３、３７．６±０．３、および３８．４±０．３の角度２θの値でピークを含む項目４１または項目６１〜６７のいずれか１項に記載の結晶形硫酸ラミブジン。
（項目６９）
図１９に示すものと実質的に同一のＸ線粉末回折パターンを有する項目４１または項目６１〜６８のいずれか１項に記載の結晶形硫酸ラミブジン。
（項目７０）
約９７７±５および１６５６±５の波数でピークを含むラマンスペクトルを示す項目４１または項目６１〜６９のいずれか１項に記載の結晶形硫酸ラミブジン。
（項目７１）
約２７３±５、４１０±５、５７１±５、６０１±５、６２２±５、１０４８±５、１１３６±５、１３１９±５、１３６９±５、１４３６±５、１５３５±５、および１７１５±５の波数でピークをさらに含むラマンスペクトルを示す項目７０に記載の結晶形硫酸ラミブジン。
（項目７２）
１０℃／分の走査速度で約１６６．３±０．５℃にて始まる吸熱を含む示差走査熱量サーモグラムを示す項目４１または項目６１〜７１のいずれか１項に記載の結晶形硫酸ラミブジン。
（項目７３）
１０℃／分の走査速度で約１６６．３±０．５℃にて始まる単一吸熱を有する示差走査熱量サーモグラムを示す項目４１または項目６１〜７２のいずれか１項に記載の結晶形硫酸ラミブジン。
（項目７４）
水和されても溶媒和されてもいない項目４１または項目６１〜７３のいずれか１項に記載の結晶形硫酸ラミブジン。
（項目７５）
項目４１または項目６１〜７４のいずれか１項に記載の結晶形硫酸ラミブジンの作成方法であって、
非溶媒にラミブジンを懸濁させて懸濁液を形成することと；
前記懸濁液に硫酸を添加することと；
前記懸濁液を高温に任意に加熱することとを含む方法。
（項目７６）
前記懸濁液を加熱後、前記懸濁液を冷却温度に冷却することをさらに含む項目７５に記載の方法。
（項目７７）
前記懸濁液を加熱し、前記懸濁液を冷却する前記工程が、加熱冷却工程を約６時間〜約２４時間繰り返すことを含む項目７６に記載の方法。
（項目７８）
結晶形リン酸ラミブジン。
（項目７９）
前記結晶形リン酸ラミブジンが、リン酸ラミブジン多形Ｉ型である項目７８に記載の結晶形リン酸ラミブジン。
（項目８０）
前記結晶形リン酸ラミブジンのＸ線粉末回折パターンが、１５．３±０．３、２５．０±０．３、および２６．１±０．３の角度２θの値でピークを含む項目７８〜７９のいずれか１項に記載の結晶形リン酸ラミブジン。
（項目８１）
前記結晶形リン酸ラミブジンのＸ線粉末回折パターンが、２９．１±０．３および３７．５±０．３の角度２θの値でピークをさらに含む項目８０に記載の結晶形リン酸ラミブジン。
（項目８２）
前記結晶形リン酸ラミブジンのＸ線粉末回折パターンが、７．１±０．３、９．８±０．３、１３．３±０．３、１４．７±０．３、１５．３±０．３、１６．７±０．３、１７．２±０．３、１７．７±０．３、１８．８±０．３、２０．４±０．３、２１．９±０．３、２２．５±０．３、２３．１±０．３、２４．２±０．３、２５．０±０．３、２６．１±０．３、２７．７±０．３、２８．２±０．３、２９．１±０．３、２９．７±０．３、３０．８±０．３、３１．５±０．３、３３．２±０．３、３４．１±０．３、３６．０±０．３、３７．５±０．３、および３９．０±０．３からなる群から選択される角度２θの値で少なくとも５本のピークを含む項目７８〜８１のいずれか１項に記載の結晶形リン酸ラミブジン。
（項目８３）
前記結晶形リン酸ラミブジンのＸ線粉末回折パターンが、７．１±０．３、９．８±０．３、１３．３±０．３、１４．７±０．３、１５．３±０．３、１６．７±０．３、１７．２±０．３、１７．７±０．３、１８．８±０．３、２０．４±０．３、２１．９±０．３、２２．５±０．３、２３．１±０．３、２４．２±０．３、２５．０±０．３、２６．１±０．３、２７．７±０．３、２８．２±０．３、２９．１±０．３、２９．７±０．３、３０．８±０．３、３１．５±０．３、３３．２±０．３、３４．１±０．３、３６．０±０．３、３７．５±０．３、および３９．０±０．３からなる群から選択される角度２θの値で少なくとも１０本のピークを含む項目７８〜８２のいずれか１項に記載の結晶形リン酸ラミブジン。
（項目８４）
前記結晶形リン酸ラミブジンのＸ線粉末回折パターンが、７．１±０．３、９．８±０．３、１３．３±０．３、１４．７±０．３、１５．３±０．３、１６．７±０．３、１７．２±０．３、１７．７±０．３、１８．８±０．３、２０．４±０．３、２１．９±０．３、２２．５±０．３、２３．１±０．３、２４．２±０．３、２５．０±０．３、２６．１±０．３、２７．７±０．３、２８．２±０．３、２９．１±０．３、２９．７±０．３、３０．８±０．３、３１．５±０．３、３３．２±０．３、３４．１±０．３、３６．０±０．３、３７．５±０．３、および３９．０±０．３からなる群から選択される角度２θの値で少なくとも２０本のピークを含む項目７８〜８３のいずれか１項に記載の結晶形リン酸ラミブジン。
（項目８５）
前記結晶形リン酸ラミブジンのＸ線粉末回折パターンが、７．１±０．３、９．８±０．３、１３．３±０．３、１４．７±０．３、１５．３±０．３、１６．７±０．３、１７．２±０．３、１７．７±０．３、１８．８±０．３、２０．４±０．３、２１．９±０．３、２２．５±０．３、２３．１±０．３、２４．２±０．３、２５．０±０．３、２６．１±０．３、２７．７±０．３、２８．２±０．３、２９．１±０．３、２９．７±０．３、３０．８±０．３、３１．５±０．３、３３．２±０．３、３４．１±０．３、３６．０±０．３、３７．５±０．３、および３９．０±０．３の角度２θの値でピークを含む項目７８〜８４のいずれか１項に記載の結晶形リン酸ラミブジン。
（項目８６）
図２３に示すものと実質的に同一のＸ線粉末回折パターンを有する項目７８〜８５のいずれか１項に記載の結晶形リン酸ラミブジン。
（項目８７）
約７８０±５および１６５２±５の波数でピークを含むラマンスペクトルを示す項目７８〜８６のいずれか１項に記載の結晶形リン酸ラミブジン。
（項目８８）
約３５３±５、５３３±５、５６２±５、６００±５、７０９±５、９０７±５、９７１±５、１０５４±５、１３６７±５、１４４４±５、１５３５±５、および１７０８±５の波数でピークをさらに含むラマンスペクトルを示す項目８７に記載の結晶形リン酸ラミブジン。
（項目８９）
１０℃／分の走査速度で約１６７±０．５℃にて始まる吸熱を含む示差走査熱量サーモグラムを示す項目７８〜８８のいずれか１項に記載の結晶形リン酸ラミブジン。
（項目９０）
１０℃／分の走査速度で約１６７±０．５℃にて始まる単一吸熱を有する示差走査熱量サーモグラムを示す項目７８〜８９のいずれか１項に記載の結晶形リン酸ラミブジン。
（項目９１）
水和されても溶媒和されてもいない項目７８〜９０のいずれか１項に記載の結晶形リン酸ラミブジン。
（項目９２）
項目７８〜９１のいずれか１項に記載の結晶形リン酸ラミブジンの作成方法であって、
溶媒にラミブジンを溶解させて溶液を形成することと；
前記溶液にリン酸を添加することと；
前記溶液を高温に任意に加熱することとを含む方法。
（項目９３）
前記リン酸が、オルトリン酸を含む項目９２に記載の方法。
（項目９４）
前記溶液を加熱後、前記溶液を冷却温度に冷却することをさらに含む項目９２〜９３のいずれか１項に記載の方法。
（項目９５）
前記懸濁液を加熱し、前記懸濁液を冷却する前記工程が、加熱冷却工程を約６時間〜約２４時間繰り返すことを含む項目９４に記載の方法。
（項目９６）
項目１〜３０、４１〜５７、６１〜７４、７８〜９１のいずれか１項に記載の結晶形ラミブジン塩と、１つまたは複数の薬学的に許容される成分とを含む医薬組成物。
（項目９７）
ＨＩＶ感染の治療方法であって、
項目１〜３０、４１〜５７、６１〜７４、７８〜９１のいずれか１項に記載の結晶形ラミブジン塩または項目９６に記載の医薬組成物を治療上有効な量でそれを必要とする対象に投与することを含む方法。
（項目９８）
Ｂ型肝炎感染の治療方法であって、
項目１〜３０、４１〜５７、６１〜７４、７８〜９１のいずれか１項に記載の結晶形ラミブジン塩または項目９６に記載の医薬組成物を治療上有効な量でそれを必要とする対象に投与することを含む方法。
（項目９９）
レトロウイルス感染の治療方法であって、
項目１〜３０、４１〜５７、６１〜７４、７８〜９１のいずれか１項に記載の結晶形ラミブジン塩または項目９６に記載の医薬組成物を治療上有効な量でそれを必要とする対象に投与することを含む方法。