(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上に、磁界検出のための磁気抵抗効果を有する磁性膜と、該磁性膜に電流を流すための電気めっき法により形成された導電体電極膜と、該導電体電極膜をめっき法により形成するための下地導電膜とを有する磁気抵抗効果素子であって、
前記下地導電膜は、磁界検出のための磁気抵抗効果を有する磁性膜と連続した同一膜であり、
前記磁気抵抗効果を有する磁性膜の上に、さらに保護膜が形成されており、
前記保護膜は、前記導電体電極膜を電気めっき法により所定のパターンに成膜するために形成されたレジストであることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
【請求項２】
前記保護膜は、前記導電体電極膜を電気めっき法により所定のパターンに成膜するためにレジストとして形成されたポリイミドレジストまたはノボラック系フォトレジストを熱処理したものである請求項１に記載の磁気抵抗効果素子。
【請求項３】
基板の上に所定パターンに形成された磁気抵抗効果を有する磁性膜の一部を、導電体電極膜を電気めっき成膜させる際、通電のための下地導電膜として使用する磁気抵抗効果素子の製造方法であって、
前記基板の上に所定パターンに形成された磁気抵抗効果を有する磁性膜の一部は、さらに磁気抵抗効果素子の各１ユニットに接続する共通電極下地膜を構成しており、
導電体電極膜を電気めっき成膜させた後、磁気抵抗効果素子の各１ユニットが、当該各１ユニットを取り出すために共通電極下地膜から分離加工されてなることを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。
【請求項４】
導電体電極膜を電気めっき成膜させるために所定のパターンに形成されたポリイミドレジストまたはノボラック系フォトレジストを熱処理し、磁界検出用の磁性膜の保護膜を形成する請求項３に記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、簡単な製造プロセスによる製造することができる安価でかつ信頼性の高い磁気抵抗効果素子およびその製造方法を提供するものである。
【０００２】
【従来の技術】
磁気抵抗効果素子は、強磁性体金属の電気抵抗が外部の磁界の変化により変化する現象（磁気抵抗効果、ＭＲ効果）を利用して磁界強度を測定する素子である。単層磁性膜としては、古くから知られている磁気異方性磁気抵抗効果が利用されていたが、最近では、例えば特開平５−２５９５３０号公報や、特開平７−７７５３１号公報に開示されているように、多層構造からなる磁性膜による巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ効果）を用いた素子も開発されている。
【０００３】
また、ナショナルテクニカルレポート，４２巻，４号，４６５〜４７２ページには、（ＮｉＦｅＣｏ／Ｃｕ）多層膜を巨大磁気抵抗効果素子として用いたＶＴＲキャプスタンモータ回転検出センサが紹介されている。この磁界センサは、多極着磁された回転体からの磁界の変化を検出することで、結果として非接触で回転速度を検出している。
【０００４】
しかしながら、従来、一般に用いられている回転検出センサ（磁気抵抗効果素子）の構造では、それを製造するためのプロセスが非常に複雑であり、歩留への悪影響およびコスト高の原因となっていた。
【０００５】
例えば、代表的な２端子を有する磁気抵抗効果素子の従来の製造プロセスを図６（ａ）〜（ｌ）の平面図に基づいて簡単に説明すると、以下に示すようなステップ（１）〜（１２）となる。
（１）まず、最初に、基板８０の上の全面に磁気抵抗効果膜８３を成膜する（図６（ａ））。
（２）次いで、フォトリソグラフィ手法（第１回目フォトリソ）を用いて磁界検出用パターン形成のためカバーレジスト９０を磁気抵抗効果膜８３の上に形成する（図６（ｂ））。
（３）ミリングにより不要な磁気抵抗効果膜を除去し、磁界検出のための磁気抵抗効果膜８３ａのみを残すように検出膜パターン形成し、しかる後、カバーレジスト９０を剥離する（図６（ｃ））。
（４）次いで、フォトリソグラフィ手法（第２回目フォトリソ）を用いて磁気抵抗効果膜８３ａを保護するためのカバーレジスト９２を形成する（図６（ｄ））。
（５）図６（ｄ）で示される状態の全面に、電気めっき用下地膜７０を形成する（図６（ｅ））。
（６）フォトリソグラフィ手法（第３回目フォトリソ）を用いて、導電体電極膜形成のためのカバーレジスト９４を、電気めっき用下地膜７０の上に所定パターンに形成する（図６（ｆ））。
（７）電気めっきにより電気めっき用下地膜７０の上に導電体電極膜７２を成膜する（図６（ｇ））。
（８）カバーレジスト９４を、剥離する（図６（ｈ））。これにより電気めっき用下地膜７０が露出する。
（９）露出した電気めっき用下地膜７０をミリングする（図６（ｉ））。これにより磁気抵抗効果膜８３ａを保護するためのカバーレジスト９２が露出する。
（１０）露出したカバーレジスト９２を剥離する（図６（ｊ））。これにより磁気抵抗効果膜８３ａが露出する。
（１１）磁気抵抗効果膜８３ａを保護するための保護膜を形成するためのレジスト９６を形成（第４回目フォトリソ）し、しかる後、このレジスト保護膜９６を熱処理する（図６（ｋ））。
（１２）最終的に個々の各１ユニットの素子に、分離加工する（図６（ｌ））。すなわち、図に示される線Ａに添って切断加工する。
【０００６】
以上のように、従来の素子ができ上がるまでには、少なくとも１２工程（実際は、上記のＮｏ．３およびＮｏ．１１がそれぞれ２工程を含んでいるために、合計で１４工程）の操作が必要とされ、マスクによるフォトリソグラフィだけでも４回もある。
【０００７】
また、上記の電気めっき法に代えて、真空成膜法によりアルミニウム等を電極膜として使用することも考えられる。この場合には、めっき工程のための下地膜形成段階でアルミニウム等の導電体電極膜を成膜することができる。そのため、工程数を少し減らすことができるが、真空成膜法そのものによる成膜速度が遅いために、プロセス全体に要する時間は、上記図６の電気めっき法の場合よりも結局長くなり、製造価格も高いものになってしまう。
【０００８】
特開平８−１１６１０８号には、工程を簡略化する一手法として、無電解めっき法を用いることが開示されている。すなわち、特開平８−１１６１０８号は、強磁性体薄膜を用いた磁気センサにおいて、配線抵抗を減少させるために０．５〜１．０μｍの無電解めっき法によるＮｉＢ膜を形成するに際し、強磁性体薄膜を密着性向上のための下地膜として用いている。さらに当該公報では、「配線部以外をレジストで覆い、配線部にのみ無電解めっきをすれば、配線部の膜形成とパターニングを同時に形成できる」との記載もなされている。しかしながら、この記載に関する詳細な説明はこれ以上なされておらず、具体的な無電解めっきプロセスの開示はない。本来、無電解めっきは、化学反応のため、非導電性基体上にも成膜できることが大きな特徴であるが、めっきの初期析出のためには触媒となる層が必要であり、通常、パラジウム溶液を用いた触媒化プロセスが用いられている。このため、一般には、基体全体に無電解めっき膜が成膜される。従って、当該公報記載の「配線部の膜形成とパターニングを同時に形成できる」とは、全面に無電解めっき膜を成膜した後、レジストを溶解することでその上に成膜された無電解膜を除去することを意味するものと推定される。しかし、連続している無電解膜のため、きれいなパターニングは困難といえる。すなわち、通常の真空成膜により全面成膜された導電性の高い膜を用いた電極形成と同様に複雑なプロセスが要求される。なお、金、白金等の金属薄膜では触媒化プロセスなしでも析出反応が開始可能であるが、磁気式センサの強磁性体薄膜であるＮｉＦｅ系合金では実現が困難である。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
このような実状のもとに、本発明は創案されたものであって、その目的は、信頼性が高いことはもとより、簡単な製造プロセスにより安価に歩留良く製造できる磁気抵抗効果素子およびその製造方法を提供するものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
このような課題を解決するために、本発明は、基板の上に、磁界検出のための磁気抵抗効果を有する磁性膜と、該磁性膜に電流を流すための電気めっき法により形成された導電体電極膜と、該導電体電極膜をめっき法により形成するための下地導電膜とを有する磁気抵抗効果素子であって、前記下地導電膜は、磁界検出のための磁気抵抗効果を有する磁性膜と連続した同一膜であり、前記磁気抵抗効果を有する磁性膜の上に、さらに保護膜が形成されており、前記保護膜は、前記導電体電極膜を電気めっき法により所定のパターンに成膜するために形成されたレジストであるように構成される。
【００１１】
また、本発明における保護膜は、前記導電体電極膜を電気めっき法により所定のパターンに成膜するためにレジストとして形成されたポリイミドレジストまたはノボラック系フォトレジストを熱処理したものとして構成される。
【００１２】
基板の上に所定パターンに形成された磁気抵抗効果を有する磁性膜の一部を、導電体電極膜を電気めっき成膜させる際、通電のための下地導電膜として使用する磁気抵抗効果素子の製造方法であって、前記基板の上に所定パターンに形成された磁気抵抗効果を有する磁性膜の一部は、さらに磁気抵抗効果素子の各１ユニットに接続する共通電極下地膜を構成しており、導電体電極膜を電気めっき成膜させた後、磁気抵抗効果素子の各１ユニットが、当該各１ユニットを取り出すために共通電極下地膜から分離加工されてなるように構成される。
【００１３】
また、本発明の磁気抵抗効果素子の製造方法は、導電体電極膜を電気めっき成膜させるために所定のパターンに形成されたポリイミドレジストまたはノボラック系フォトレジストを熱処理し、磁界検出用の磁性膜の保護膜を形成するように構成される。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施の形態を図面を参照しつつ説明する。
【００１７】
図１（ａ），（ｂ）および（ｃ）には、本発明の磁気抵抗効果素子１の好適な実施の一形態としての平面図、Ｘ−Ｘ’断面矢視図、およびＹ−Ｙ’断面矢視図がそれぞれ示されている。
【００１８】
図１に示されるように、本発明の磁気抵抗効果素子１は、基板２の上に、磁界検出のための磁気抵抗効果を有する磁性膜１５ａと、該磁性膜１５ａに電流を流すための電気めっき法により形成された導電体電極膜２１，２５と、該導電体電極膜２１，２５の下層に位置する下地導電膜１５ｂ，１５ｃ（１５ｃは、導電体電極膜２５の下層に位置し、その部分での断面が示されていないので、図１には表示されていない）とを有している。
【００１９】
そして、本発明においては、前記下地導電膜１５ｂ，１５ｃが、磁界検出のための磁気抵抗効果を有する磁性膜１５ａと連続した同一膜として構成されている。また、さらに、磁界検出のための磁気抵抗効果を有する磁性膜１５の上には保護膜が３０形成されており、この保護膜３０は、前記導電体電極膜２１，２５を電気めっき法により所定のパターンに成膜するためにレジストとして形成されたポリイミドレジストまたはノボラック系フォトレジストを熱処理して構成することが好ましい。
【００２０】
導電体電極膜２１，２５は図示のごとく所定の電極パターン形状を備えており、通常、導電体電極膜２１，２５の幅広部分には、ハンダ付け、ワイヤーボンディング等により導電体電極膜２１，２５と外部回路との接合が行われる。
【００２１】
このような本発明の磁気抵抗効果素子１の具体的構成は、次いで説明する磁気抵抗効果素子１の製造方法を理解することにより、より明確に理解される。
【００２２】
本発明における代表的な２端子を有する磁気抵抗効果素子の製造プロセスが図２〜図４に示されており、これらの図面に基づいて本発明の製造方法を順次、説明する。
【００２３】
図２に示される状態に至るまでの工程
（１）まず、基板２の上、全面に磁気抵抗効果膜を成膜する。
【００２４】
（２）次いで、フォトリソグラフィ手法（第１回目フォトリソ）を用いて磁界検出用パターンおよび下地導電膜パターン形成のためカバーレジストを磁気抵抗効果膜の上に形成する。
【００２５】
（３）ミリングにより不要な磁気抵抗効果膜を除去する。すなわち、磁界検出のための磁性膜１５ａ（磁気抵抗効果膜１５ａ）のパターンおよび下地導電膜１５ｂ，１５ｃパターンを残すようにミリングする。この際、磁気抵抗効果素子の各１ユニットに接続する共通電極下地膜７を構成しておく。しかる後、カバーレジストを剥離し、図２（ａ）に示される磁気抵抗効果膜パターンを形成する。もちろん、磁性膜１５ａ（磁気抵抗効果膜１５ａ）、下地導電膜１５ｂ，１５ｃおよび共通電極下地膜７は、同一の組成からなり、かつ同時に一体的に形成される。図２（ａ）に示される磁気抵抗効果膜パターンのうち、磁性膜１５ａ（磁気抵抗効果膜１５ａ）のみが磁界検出用の磁性膜として使用され、下地導電膜１５ｂ，１５ｃおよび共通電極下地膜７は、電気めっき通電のための導電膜として使用される。
【００２６】
図３に示される状態に至るまでの工程
（４）フォトリソグラフィ手法（第２回目フォトリソ）を用いて、図３に示されるような電気めっき用パターン形成のためのレジスト３０を形成する。図３（ａ）の状態において、下地導電膜１５ｂ，１５ｃ（１５ｃは、導電体電極膜２５の下層に位置し、その部分での断面が示されていないので、図３には表示されていない）として機能する磁気抵抗効果膜パターンは孤立したパターンのように見える。しかしながら、図３（ｂ）に示されるように、電気めっき通電のための下地導電膜１５ｂ，１５ｃは、レジスト３０の下部を通って、共通電極下地膜７にまでつながっている。このため電気めっきが可能である。この共通電極下地膜７を備える構造は、量産化にも適する。
【００２７】
図４に示される状態に至るまでの工程
（５）共通電極下地膜７を利用して、下地導電膜１５ｂ，１５ｃの上に、電気めっきによる導電体電極膜２１，２５をそれぞれ形成する。この際、共通電極下地膜７の上にも導電体膜１７が形成される。
【００２８】
（６）レジスト３０全体を熱処理し、磁界検出用の磁気抵抗効果膜１５ａ（磁性膜１５ａ）の保護膜３０を形成する。電気めっき用パターン形成のためのレジストを熱処理することで熱硬化させ安定した保護膜とする。別途、保護膜を形成する工程が省略できる。
【００２９】
ここまでが図４に示される状態であるが、さらに最終工程として、
（７）磁気抵抗効果素子の１ユニットである、個々の素子に分離加工する工程を要する。
【００３０】
すなわち、図４（ａ）に示されるＡの線に沿って分離加工され、１ユニットの素子が形成される。この分離加工により共通電極下地膜７から下地導電膜１５ｂ，１５ｃが分離され、電極部分は各々電気的に絶縁された状態になる（図１に示される状態）。
【００３１】
上記の分離加工の工程を量産レベルでわかりやすく表現したものが図５に示される。図５には、本発明における磁気抵抗効果素子製造プロセスの途中段階におけるパターンが示される。この図においては、８個の磁気抵抗効果素子群が示されている。この素子群の数は、一般に、３インチから６インチのウエハーでは２０００〜５０００個程度、形成される。本発明における最終製品段階において、図５に示される複数のＡの線の位置で、分離加工することによって、磁気抵抗効果素子の各１ユニットが共通電極下地膜７（共通電極層）から取り出される。図５の太枠線で囲まれた部分が１ユニットの相当する。この部分は生産効率を考慮し図１（ａ）の状態とはやや異なり、隣接する共通電極下地膜７の一部を含んでいる。しかしながら、素子と共通電極下地膜７の一部とは電気的に絶縁されており、図１（ａ）の状態と実質的に同一である。なお、一つの共通電極下地膜７（共通電極層）にすべての磁気抵抗効果素子群が電気的に接続する必要はない。例えば、一枚のウエハー上に形成する素子群を内周部に位置する素子群と外周部に位置する素子群に分けて、それぞれの素子群を異なる共通電極層で接続することも可能である。そして、電気めっき成膜の際に、内部素子群と外部素子群を異なる電源に接続し、異なる電流密度で成膜することでウエハー内の膜厚分布を小さくすることも可能である。
【００３２】
以上詳述してきたように、本発明の製造工程は、７工程（実際は、上記のＮｏ．３が２工程を含んでいるために、合計で８工程）の操作が必要とされ、マスクによるフォトリソグラフィは２回だけである。従来の工程に比べてほば半分の工程数となり、製造工程の簡略化が実現される。
【００３３】
本発明に用いられる基板２としては、通常、ガラス、セラミックなどが好適に使用される。また、可撓性に優れ、薄くて軽いことから印刷配線板として広く使用されている、例えば１０〜２００μｍ厚程度のプラスチックフィルムも使用することができる。プラスチックフィルム中では特に耐熱性に優れるポリイミドフィルムが好適である。
【００３４】
本発明で用いられる磁界検出用の磁性膜１５ａは、磁気抵抗効果を有する膜であり、単層膜構造、多層膜構造のいずれであってもよい。磁気抵抗効果とは、磁場の変化によって電気抵抗が変化する現象をいう。磁性膜１５ａは、異方性磁気抵抗効果を示す強磁性体膜（異方性磁気抵抗効果膜）であっても問題は無いが、特に検出感度が高くて検出する磁界強度を大きく変化させることが可能な巨大磁気抵抗効果膜（ＧＭＲ膜）を用いることが好ましい。巨大磁気抵抗効果膜は、金属人工格子（藤森啓安、アグネ技術センター、１９９５年発行）３４７ページに紹介されているように、強磁性体膜と非磁性体膜との多層膜であり、その多層膜の界面散乱変化により抵抗が変化することが知られている。
【００３５】
巨大磁気抵抗効果膜としては、▲１▼（強磁性体／非磁性導電体）構造のアンチフェロ（結合）型、▲２▼（高保磁力強磁性体／非磁性導電体／低保磁力強磁性体）構造の誘導フェリ（非結合）型、▲３▼（半強磁性体／強磁性体／非磁性導電体／強磁性体）構造のスピンバルブ型、▲４▼Ｃｏ／Ａｇ系統の非固溶系グラニュラー型に大別される。
【００３６】
これらの各巨大磁気抵抗効果膜は、その構造や組成により、検出可能な磁界強度、すなわち、磁気抵抗効果の飽和磁界強度が大きく異なる。例えば、（Ｆｅ／Ｃｒ）系アンチフェロ型では１０ＫＯｅ以上、（ＣｏＮｉＦｅ／Ｃｕ）系アンチフェロ型では、０．１Ｏｅから１ＫＯｅ、（ＮｉＦｅ／Ｃｕ／Ｃｏ／Ｃｕ）系誘導フェリ型では、５Ｏｅから２０Ｏｅ程度、（ＦｅＭｎ／ＮｉＦｅ／Ｃｕ／ＮｉＦｅ）系スピンバルブ型では、数Ｏｅ、そして、グラニュラー型では１００Ｏｅから５ＫＯｅ程度までの磁界検出が可能である。磁界感度は、最大磁気抵抗変化率を飽和磁界強度で割り算したものであり、最大磁気抵抗変化率が大きくても、飽和磁界が大きい場合には磁界感度は悪い。反対に、最大磁気抵抗変化率が小さくても、飽和磁界が非常に小さい場合には磁界感度は良い。このため、検出すべき磁界強度により最高の磁界感度が得られるように、上記の各種の巨大磁気抵抗効果膜から、基本系を選択し、さらに組成系の変更や細かな構造を最適化して用いる。
【００３７】
このような磁性膜１５ａ（磁気抵抗効果膜１５ａ）は、真空成膜法、例えば、蒸着法、スパッタ法などにより成膜される。
【００３８】
すでに上述したように、本発明において重要なことは、磁性膜１５ａ（磁気抵抗効果膜１５ａ）のみを個別に成膜するのではなく、磁性膜１５ａ（磁気抵抗効果膜１５ａ）、下地導電膜１５ｂ，１５ｃおよび共通電極下地膜７を、同一の組成で、かつ同時に一体的に形成することである。そして、図２（ａ）に示される磁気抵抗効果膜パターンのうち、磁性膜１５ａ（磁気抵抗効果膜１５ａ）のみを磁界検出用の磁性膜として使用し、下地導電膜１５ｂ，１５ｃおよび共通電極下地膜７は、電気めっき通電のための導電層として使用することである。このような構造を実現するために、磁気抵抗効果膜は基板全体に一旦成膜された後、必要なパターン形状にパターニングされ、磁界検出用の磁性膜部分に加えて電流を流すための電極の下地膜が形成される。
【００３９】
本発明の特徴はこの磁気抵抗効果膜のパターニングと電極形成である。本発明の導電体電極膜２１，２５（電極）は、電気めっき法により形成される。電気めっき法は、高速成膜が可能であるがスパッタ等の真空成膜法とは異なり、成膜したい部分に電流が流れるための下地導電膜が必要である。すなわち、薄い下地導電膜に電流を流し陰極とすることでめっき溶液中の金属イオンが放電し、該下地導電膜上に成膜される。この下地導電膜（下地導電膜１５ｂ，１５ｃおよび共通電極下地膜７）は、電流が流れれば良いために１００〜１０００Åの薄膜で問題ない。このような薄膜上に電気めっきを行ない０．５から１０μｍの厚さに電極を成膜することにより、磁気抵抗効果素子の導電体電極膜２１，２５（電極）としての使用が可能となる。従来の方法では、新規にこの下地導電膜を成膜していた。このため工程が複雑であった。しかしながら、本発明では上述したように最初の工程で成膜された磁気抵抗効果膜の一部をこの電気めっき用の下地導電膜として利用するのである。
【００４０】
電気めっき法により成膜される導電体電極膜２１，２５（電極）としては導電性の高い金属である銅、ニッケル、金、白金、ロジウム等が使用され、一般に、０．５〜１０μｍの膜厚に成膜される。電気めっき浴としては、従来公知の各種のめっき浴組成、めっき条件を適用することが可能である。さらに銅、ニッケル等を最初にめっきした後に、最上層にのみ金、白金等のより貴な金属をめっきする多層めっき膜ももちろん利用可能である。
【００４１】
なお、上述してきた実施の態様では、磁性膜１５ａが１つの場合のみを例にとって説明したきたが、検出したい外部磁界の種類によっては磁界検出用の磁性膜１５ａ（強磁性体膜パターン部）を２個以上設け、それらの抵抗の差を検出するいわゆる差動動作型とすることも可能である。
【００４２】
さらに、磁性膜１５ａ（磁気抵抗効果膜１５ａ）は、一般に１０００Å以下の薄膜のために，使用環境における耐食性が問題となることが多い。このため少なくとも磁気抵抗効果膜の上層に保護膜を設けて周囲の雰囲気から保護することが好ましい。本発明においては、好ましい態様として、特に電気めっき用パターン形成のためのレジストをそのまま保護膜３０として用いる。保護膜３０ａは、好適な組成として、ポリイミド系フォトレジストまたはノボラック系フォトレジストを塗設後、熱硬化させることにより形成される。
【００４３】
【実施例】
以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明をさらに詳細に説明する。
【００４４】
３インチ径のガラス基板（コーニング社製、品番号７０５９）および３インチ径のポリイミドフィルム基板（宇部興産株式会社製、ユーピレックス７５Ｓ）をそれぞれ準備した。これらの各基板上に、イオンビームスパッタ装置にて、『５０Å−Ｃｒ／５０Å−ＮｉＦｅＣｏ（２２Å−Ｃｕ／１５Å−ＮｉＦｅＣｏ）×２０／５０Å−Ｃｕ』多層巨大磁気抵抗効果膜を成膜した。この多層膜の構造表記は、成膜の順に厚さ−組成を、それぞれ示している。すなわち、最初に５０ÅのＣｒを、次に５０ÅのＮｉＦｅＣｏ合金、その上に２２ÅのＣｕと１５ÅのＮｉＦｅＣｏを順に各々２０層づつ積層し、最上層に５０ÅのＣｕを成膜した磁性多層膜の構造からなっている。
【００４５】
巨大磁気抵抗効果膜の成膜に際して用いたターゲットは、いずれも純度９９．９％以上のターゲット組成とし、到達圧力として４×１０−７Ｔｏｒｒまで真空引きした後にアルゴンガスを導入し、成膜中の真空度は１．４×１０−４Ｔｏｒｒとした。膜の成膜時には基板の水冷を行った。基板全面に多層膜巨大磁気抵抗効果膜を成膜した後に、フォトレジストをマスクを通じて露光、現像して所望の磁性膜パターンを形成した後、さらにイオンミリング装置にて不要部分を除去した。その後、導電体電極膜を構成するところ以外の部分（磁界検出部となる磁性膜パターンを含む）をポリイミドレジストでカバーし、電気めっき法にて導電体電極膜としての銅膜を３μｍ厚さに形成した。さらにこの銅膜の上に金めっき膜を１μｍ厚さに成膜した。これらのめっき後に、真空中、３００℃で１時間の熱処理を行い、ポリイミドレジストを硬化処理した後、個々の磁気抵抗効果素子に分離し、完成品とした。
【００４６】
このようにして作製した磁気抵抗効果素子を、最大磁界５００Ｏｅの交流磁界中で、１０ｍＡの電流を流しながら、電圧の変化を測定した。
【００４７】
その結果、ガラス基板、ポリイミド基板のいずれの基板を用いた素子においても、１００ｍＶ以上の電圧変化が測定できた。この特性レベルは従来の複雑な工程を経て得られた素子に劣るものではなく、同等のレベルであった。また、８５℃、８５％ＲＨの高温高湿条件下で、１０００時間の耐食性試験を行った後も、特性レベルの変化はほとんど見られなかった。また、本発明の素子は、工程が簡略化されているために、従来の工程により製造される素子に比べて、同一生産設備において約２倍の量の製造が可能になることが確認できた。
【００４８】
なお、比較のために、上村工業社製の無電解ＮｉＢめっき液を用いて、上記の巨大磁気抵抗効果膜の上に直接、成膜を試みたが最上層の銅が薄膜のため十分な酸による表面酸化層の除去が不可能なために触媒としての活性度が低く、析出反応は起こらなかった。
【００４９】
【発明の効果】
上記の結果より本発明の効果は明らかである。すなわち、本発明は、基板の上に、磁界検出のための磁気抵抗効果を有する磁性膜と、該磁性膜に電流を流すための電気めっき法により形成された導電体電極膜と、該導電体電極膜をめっき法により形成するための下地導電膜とを有する磁気抵抗効果素子であって、前記下地導電膜が、磁界検出のための磁気抵抗効果を有する磁性膜と連続した同一膜であるように構成されているので、製造のための工程数が少なく、歩留りの高い、安価な磁気抵抗効果素子が得られる。また、さらに電気めっき成膜のために所定パターンに塗設されたフォトレジストパターンを熱処理して素子の保護膜とすることにより、上記の効果は一層顕著なものとなり、しかも、耐食性に優れた素子が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（ａ）は本発明の磁気抵抗効果素子の好適な実施の一形態としての平面図であり、図１（ｂ）および（ｃ）はそれぞれ図１（ａ）のＸ−Ｘ’およびＹ−Ｙ’断面矢視図である。
【図２】磁気抵抗効果素子の製造方法を説明するための図面であり、図２（ａ）は製造途中の素子の平面図であり、図２（ｂ）および（ｃ）はそれぞれ図２（ａ）のＸ−Ｘ’およびＹ−Ｙ’断面矢視図である。
【図３】磁気抵抗効果素子の製造方法を説明するための図面であり、図３（ａ）は製造途中の素子の平面図であり、図３（ｂ）および（ｃ）はそれぞれ図３（ａ）のＸ−Ｘ’およびＹ−Ｙ’断面矢視図である。
【図４】磁気抵抗効果素子の製造方法を説明するための図面であり、図４（ａ）は製造途中の素子の平面図であり、図４（ｂ）および（ｃ）はそれぞれ図４（ａ）のＸ−Ｘ’およびＹ−Ｙ’断面矢視図である。
【図５】製造途中の多数個取りの状態を示した平面図であり、分離加工の工程を量産レベルでわかりやすく説明するための図面である。
【図６】図６（ａ）〜（ｌ）は、それぞれ従来の磁気抵抗効果素子の製造方法を経時的に説明するための平面図である。
【符号の説明】
１０…基板
１５ａ…磁性膜
１５ｂ，１５ｃ…下地導電膜
２１，２５…導電体電極膜
【図１】
0003557450.tif 000002
【図２】
0003557450.tif 000003
【図３】
0003557450.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
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