(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
導体層上に、一般式（Ｉ）：
【化１】
0003582847.tif 000009
（ただし、式中の矢印の結合は異性化によって置換可能な結合を示し、Ｒ1 は４価の芳香族炭化水素含有基または脂肪族炭化水素残基を、Ｒ2 は２価の芳香族炭化水素含有残基または脂肪族炭化水素残基を示す。）にて示される構造単位を有するポリイミド前駆体と、一般式（II）：
【化２】
0003582847.tif 000010
（ただし、式中のＲ3 およびＲ4 は、それぞれ水素原子もしくは低級アルキル基を、Ａ1 およびＡ2 は、それぞれシアノ基または−ＣＯＲ5 あるいは−ＣＯＲ6で表される基を、Ｒ5 およびＲ6 は、それぞれ低級アルキル基、低級アルコキシル基、アニリノ基、トルイジノ基、ベンジルオキシ基またはアミノ基を、Ｘ1 〜Ｘ4 は、それぞれ水素原子、フッ素原子、ニトロ基、低級アルコキシ基、アミノ基またはシアノ基を示す。）にて示される化合物を含有する感光性ポリイミド前駆体組成物よりなる層を形成する工程、該層に露光および現像処理にて回路パターンを形成する工程、イミド化工程、回路パターンとして露出した導体層に導電性金属を電鋳して導体回路を形成する工程、上記導体層を除去する工程を含むプリント回路基板の製造方法。
【請求項２】
導体回路の形成が、導電性金属を感光性ポリイミド層の少なくとも一方の面よりも外方へ突出するように形成するものである請求項１記載のプリント回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明はプリント回路基板およびその製造方法に関し、詳しくは工業的に容易に製造することができ、薄型でかつ半導体素子の狭ピッチ化に対応でき、しかも高密度実装が可能なプリント回路基板およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年の半導体分野の技術進歩に伴い、半導体素子の狭ピッチ化が進んでいるが、これを実装するプリント回路基板の狭ピッチ化が遅れている。例えば半導体素子としては、従来のように素子周辺部分に電極パッドを形成したものではなく、素子内部領域まで電極パッドを形成した、いわゆるエリアチップが開発されており、パッドレイアウトはさらに細密化されている。このような半導体素子の電極パッドの狭ピッチ化に対処する方式として、エリアタイプのフィルムキャリアを用いる方法などが採用されているが、プリント回路基板自身の対応が未だ十分ではない。
【０００３】
上記半導体素子の狭ピッチ化に対応させるプリント回路基板の対応方法としては、例えば特開平５−１９８９０１号では、まず、図７（Ａ）に示すように、公知のフォトレジストを用いて導体層１上にフォトレジスト層２２を形成し、ついで、図７（Ｂ）に示すように、光照射、現像を行うことによって回路パターンＫを形成し、硬化フォトレジスト層２３にした。さらに、図７（Ｃ）に示すように、上記回路パターンに電鋳法を用いて導体回路３を形成した後、図７（Ｄ）に示すように、該フォトレジスト層２３を除去し、ついで図７（Ｅ）に示すように、該導体回路形成面上に絶縁体層２４を形成した。さらに、これを図７（Ｆ）に示すように、導体層１を除去することによって、絶縁体層２４中に導体回路３が埋設されてなる狭ピッチ化、薄膜化が可能なプリント回路基板を作製している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
かかる、従来のフォトレジスト法を用いて得られるプリント回路基板では、製造コストや生産効率の点、さらに品質の点で十分には満足できるものではなく、さらに改良が望まれる。
【０００５】
本発明の目的は、上記課題を解消し、工業的に容易に製造することができ、より薄型でかつ半導体素子の狭ピッチ化に対応でき、しかもより高密度実装が可能なプリント回路基板を提供することである。
また、本発明の他の目的は、上記の優れたプリント回路基板の、効率的且つ容易な製造方法を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、従来のフォトレジストに替えて、耐熱性、電気絶縁性に優れプリント回路基板の絶縁体層として用いられるポリイミドをベースとする感光性ポリイミドに着目し研究を重ねた結果、特定の感光性化合物とこの感光性化合物に相溶性のよい特定のポリイミド前駆体とよりなるネガ型フォトレジスト組成物を用いることによって、上記目的とするプリント回路基板が容易に得られることを見出し本発明を完成した。
【０００７】
すなわち、本発明は、
（１）導体層上に、一般式（Ｉ）：
【０００８】
【化９】
0003582847.tif 000002
【０００９】
（ただし、式中の矢印の結合は異性化によって置換可能な結合を示し、Ｒ１  は４価の芳香族炭化水素含有残基または脂肪族炭化水素残基を、Ｒ２  は２価の芳香族炭化水素含有残基または脂肪族炭化水素残基を示す。）にて示される構造単位を有するポリイミド前駆体のイミド化物と、一般式（ＩＩ）：
【００１０】
【化１０】
0003582847.tif 000003
【００１１】
（ただし、式中のＲ3 およびＲ4 は、それぞれ水素原子もしくは低級アルキル基を、Ａ1 およびＡ2 は、それぞれシアノ基または−ＣＯＲ5 あるいは−ＣＯＲ6で表される基を、Ｒ5 およびＲ6 は、それぞれ低級アルキル基、低級アルコキシル基、アニリノ基、トルイジノ基、ベンジルオキシ基またはアミノ基を、Ｘ1 〜Ｘ4 は、それぞれ水素原子、フッ素原子、ニトロ基、低級アルコキシ基、アミノ基またはシアノ基を示す。）
にて示される化合物を含有する感光性ポリイミド前駆体組成物よりなる層を形成する工程、該層に露光および現像処理にて回路パターンを形成する工程、イミド化工程、回路パターンとして露出した導体層に導電性金属を電鋳して導体回路を形成する工程、上記導体層を除去する工程を含むプリント回路基板の製造方法、及び
（２）導体回路の形成が、導電性金属を感光性ポリイミド層の少なくとも一方の面よりも外方へ突出するように形成するものである上記（１）記載のプリント回路基板の製造方法、に関する。
【００１２】
本発明では、絶縁体層が、さらに一般式（ＩＩＩ  ）：
【００１３】
【化１１】
0003582847.tif 000004
【００１４】
〔ただし、式中のＲ７  およびＲ８  は、それぞれ水素原子もしくは低級アルキル基を、Ｒ９  およびＲ１０は、それぞれ水素原子、シアノ基、アミド基、ＣＯＯＲ１１基（Ｒ１１は低級アルキル基、低級アルコキシル基、アニリノ基、トルイジノ基またはベンジルオキシ基を示す。）を、Ｘ５  は水素原子、フッ素原子、低級アルキル基またはフェニル基を示す。〕
にて示される化合物を含有してなるものである。
【００１６】
【作用】
感光性ポリイミド前駆体組成物において、化合物（ＩＩ）は、該ポリイミド前駆体と弱い水素結合を形成した状態で存在する。これが露光されると速やかに分解し、その水素結合が解離して、現像液に溶解し易くなる。従って、回路パターンとして露光された部分は現像液に溶解して容易に除去される一方、露光されない部分は水素結合が残存して現像液に溶解しにくいので残存する。かくして回路パターンとして露出した導体層に導電性金属を電鋳して導体回路を形成することによてっ容易に本発明のプリント回路基板が得られる。しかして、本発明のプリント回路基板によれば、薄膜化が達成され、かつ、狭ピッチ化に対し十分に対応できるので、半導体装置を軽量化、薄膜化、小型化できるようになり、半導体装置を高密度実装することが可能となる。また、フォトレジストの塗工、除去等の工程を不要にでき、プリント回路基板の製造工程数が減少して、プリント回路基板の製造コストを大幅に低下できる。
【００１７】
本明細書において、低級なる用語は、通常は炭素数１〜５のものをいう。
一般式（Ｉ）に関して、Ｒ１  は４価の芳香族炭化水素含有残基または脂肪族炭化水素残基を示す。芳香族炭化水素含有残基としては、例えばベンゼン、ジフェニル、ジフェニルエーテル、ジフェニルスルホン、ベンゾフェノン等が挙げられ、好ましくはベンゼン環を１個または２個有するベンゼン、ジフェニルおよびベンゾフェノンである。また、脂肪族炭化水素残基としては、例えばアルキレン基またはシクロアルキレン基が挙げられる。アルキレン基としては、ブチレン、ペンチレン、ヘキシレン等が挙げられ、好ましくはブチレンである。また、シクロアルキレン基としては、シクロブチレン、シクロペンチレン、シクロヘキシレン等が挙げられ、好ましくはシクロブチレンである。
【００１８】
また、Ｒ２  は２価の芳香族炭化水素含有残基または脂肪族炭化水素残基を示す。芳香族炭化水素含有残基としては、例えばベンゼン、ジフェニルエーテル、ジフェニルスルホン、ジフェニルチオエーテル、ベンゾフェノン、ジフェニルメタン等が挙げられ、好ましくはベンゼン環を１個または２個有するベンゼン、ジフェニルエーテル、ジフェニルスルホンである。また、脂肪族炭化水素残基としては、例えば炭素数が１〜８のアルキレン基あるいはシクロアルキレン基が挙げられる。炭素数が１〜８のアルキレン基としては、プロピレン、ブチレン、ペンチレン、ヘキシレン、ヘプチレン、オクチレン等が挙げられ、好ましくはブチレン、ペンチレン、ヘキシレンである。また、シクロアルキレン基としては、シクロプロピレン、シクロブチレン、シクロペンチレン、シクロヘキシレン、シクロヘプチレン、シクロオクチレン等が挙げられ、好ましくはシクロブチレン、シクロペンチレン、シクロヘキシレンである。
【００１９】
一般式（ＩＩ）における、Ｒ３  、Ｒ４  で示される低級アルキルとしては、炭素数１〜３のアルキル基が好ましく、例えばメチル、エチル、プロピル等が挙げられる。
Ｒ５  、Ｒ６  で示される低級アルキルとしては、炭素数１〜４のアルキル基が好ましく、例えばメチル、エチル、プロピル、ブチル、イソブチル等が挙げられる。低級アルコキシル基としては、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ等の炭素数１〜４のものが好ましい。
Ｘ１  〜Ｘ４  で示される低級アルコキシル基としては、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ等の炭素数１〜４のものが好ましい。
【００２０】
一般式  （ＩＩＩ）    において、Ｒ７  、Ｒ８  およびＸ５  で示される低級アルキルとしては、炭素数１〜３のものが好ましく、例えばメチル、エチル、プロピル等が挙げられる。
Ｒ１１で示される低級アルキル基の炭素数は１〜５であり、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、第３級ブチル、ペンチル等が挙げられる。また、Ｒ１１で表される低級アルコキシの炭素数は１〜５であり、例えば、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、イソプロポキシ、ペンチルオキシ等が挙げられる。
【００２１】
一般式（Ｉ）にて示される構造単位を有するポリイミド前駆体化合物としては、Ｒ１  が４価の芳香族炭化水素含有残基およびＲ２  が２価の芳香族炭化水素含有残基である下記式（Ｉ−１）にて示されるものが好ましい。
このとき、下記式（Ｉ−２）にて示される化合物が、混在されていてもよい。
また、一般式（ＩＩ）にて示される化合物としては、Ｒ３  およびＲ４  がメチル基で、Ａ１  およびＡ２  が−ＣＯＯＣＨ３  で、Ｘ１  ，Ｘ２  ，Ｘ３  およびＸ４  が水素原子である下記式（ＩＩ−１）にて示される化合物が好ましい。
【００２２】
一般式（ＩＩＩ）にて示される化合物としては、Ｘ５  が水素原子、Ｒ７  ，Ｒ８  ，Ｒ９  およびＲ１０が水素原子である下式（ＩＩＩ−１）にて示される化合物が好ましい。
【００２３】
【化１２】
0003582847.tif 000005
【００２４】
【化１３】
0003582847.tif 000006
【００２５】
【化１４】
0003582847.tif 000007
【００２６】
【化１５】
0003582847.tif 000008
【００２７】
また、本発明のプリント回路基板は、導体回路部に、感光性ポリイミド層の少なくとも一方の面から外方へ突出する金属突出物が形成されているものであってもよい。
【００２８】
また、本発明のプリント回路基板は、感光性ポリイミド層の一方の面に絶縁体層が形成されているものであってもよい。
【００２９】
本発明のプリント回路基板の製造方法は、導体層上に感光性ポリイミド前駆体層を形成し、該感光性ポリイミド前駆体層に露光および現像処理を施して回路パターンを形成した後、イミド化を行い、回路パターン内に露出した導体層に導体金属を電鋳して導体回路を形成し、ついで導体層を除去することを特徴とするものである。
【００３０】
また、上記プリント回路基板の製造方法においては、上記導体回路を、導体金属を感光性ポリイミド層の少なくとも一方の表面よりも外方へ突出するように形成する工程を含むものであってもよい。
【００３１】
また、上記プリント回路基板の製造方法においては、感光性ポリイミド層の少なくとも一方の面に、絶縁体層を形成する工程を含むものであってもよい。
【００３２】
本発明では、感光性ポリイミド前駆体層を形成するために、上記した特定の成分よりなる組成物を用いたことを特徴とする。以下、この感光性ポリイミド組成物（耐熱性ネガ型フォトレジスト組成物）について、詳しく説明する。
【００３３】
耐熱性ネガ型フォトレジスト組成物は、上記したように該ポリイミド前駆体と化合物（ＩＩ）との組成物からなる。本発明においては、この化合物（ＩＩ）を選択し、且つ化合物（ＩＩ）をより均一に配合できるように該ポリイミド前駆体を選択使用したものであり、相溶性に優れ化合物（ＩＩ）が該ポリイミド前駆体に均一に混合されて、良好なフォトレジスト機能を奏するとともに、均質な感光性ポリイミド前駆体層が導体上に形成される。
さらに、上記耐熱性ネガ型フォトレジスト組成物に、化合物（ＩＩＩ）  を含有させると、現像の際、樹脂の溶解性が向上する傾向がある。
【００３４】
上記ネガ型フォトレジスト組成物は、該ポリイミド前駆体１００重量部に対して化合物（ＩＩ）を、５〜５０重量％、好ましくは１０〜４０重量％配合してなるものである。
上記化合物（ＩＩ）の配合量が５重量％未満であると、露光部の溶解阻止能が悪くなり、溶解性コントラストが不鮮明であり、一方、５０重量％を越えると、溶解保存性やパターン形成性に悪影響を与える傾向がある。
【００３５】
上記ネガ型フォトレジスト組成物は、有機極性溶媒に溶解し、通常、樹脂濃度を５〜３０重量％、好ましくは１０〜２０重量％の溶液に調製される。
有機極性溶媒としては、例えばＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、キノリン、イソキノリン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル等が挙げられる。
【００３６】
以下、本発明を図面に基づきより詳細に説明する
図１は、本発明のプリント回路基板を示す断面図である。同図において、Ｐ１はプリント回路基板であって、絶縁性体層２である「ポリイミド前駆体のイミド化物と一般式（ＩＩ）で表される化合物の光化学反応生成物を含有する絶縁体層２」（以下、感光イミド化物層２ともいう）には、回路パターン内に導電性金属が充填され導体回路３が形成されており、イミド化物層２内に導体回路３が埋没されている。
【００３７】
感光イミド化物層２の厚さは特に限定されないが、通常十分な機械的強度や可撓性を付与させるため、５〜１５０μｍ程度、好ましくは１０〜５０μｍに形成される。
【００３８】
導体回路３の形成に用いられる導電性金属としては、金、銀、銅、鉄、ニッケル、コバルト等の各種金属やこれらの合金類等が使用され、なかでも導電性に優れる銅の使用が好ましい。
この導体回路３は、通常、ポリイミド物層２とほぼ同じ厚みに形成されるが、その厚みよりも厚くても薄くてもよい。
【００３９】
上記プリント回路基板Ｐ１の構成によれば、感光イミド化物層２を形成しているので、耐熱性、電気絶縁性に優れ、また、感光イミド化物層２内に導体回路３を埋没させているので、プリント回路基板の厚さは、感光イミド化物層２の厚さによって決まるようになり、従来のプリント回路基板と比べて、薄膜化することができる。
また、感光イミド化物層２内に導体回路３を埋没させているので、素子内部領域まで電極パッドが形成されたエリアチップや、パッドレイアウトがさらに細密化された半導体素子の電極パッドの狭ピッチ化に、対処できるようになる。
【００４０】
本発明のプリント回路基板は、図６（Ａ）〜（Ｄ）の断面図にて示す各工程を経ることによって製造される。
【００４１】
（絶縁体層の形成）
まず、感光性ポリイミド前駆体組成物の溶液を導体層上に形成させて、図６（Ａ）に示すように、導体層１上に感光性ポリイミド前駆体層２０を形成する。上記導体としては、銅、アルミニウム、鉄、ニッケル、クロム、モリブデン、タングステン、亜鉛またはこれらの合金などが使用できる。また、当該層２０の形成方法としては、ドクターブレード、ロールコーター、ダイコート、カーテンコーター等の公知の方法が使用できる。
なお、導体層１は最終工程にてエッチング除去されるので、使用する導体層は、その際に選択的に除去できるものであれば特に制限はない。
【００４２】
（回路パターンの形成）
ついで、感光性ポリイミド前駆体層２０に、露光、現像を施すことによって回路パターンＫを形成する。この状態で、例えばポリイミド前駆体層の厚みが２５μｍとすると、３００〜６００℃で１０〜３０分加熱乾燥すると、感光性ポリイミド前駆体層２０がイミド化されて感光イミド化物層２となる〔図６（Ｂ）参照〕。
なお、上記露光、現像の方法としては、従来公知のフォトリソグラフィー法が使用される。
【００４３】
（導体回路の形成）
次に、感光イミド化物層２１に形成された回路パターンＫに露出する導体層に、導電性金属を電鋳によって充填して、図６（Ｃ）に示すように、導体回路３を形成する。
上記導電性金属としては、前記したものが好適に使用できる。また、この充填される導電性金属は、一種類でも二種以上の異なる金属を積層してもよい。
なお、導体回路３の厚みは特に限定されないが、密着性や脱落防止性の点からは５ミクロン以上の厚みに形成しておくことが好ましい。
【００４４】
（導体層の除去）
上記のようにして導体回路３を形成した後、導体層１を除去すると、図６（Ｄ）に示すように、感光イミド化物層２１の層内に導体回路３が埋設されたプリント回路基板Ｐ１が得られる。
なお、上記導体層１の除去方法としては、導体層を溶解できる例えばアルカリエッチャント、化学研磨等の溶液を用いてエッチング除去すればよい。
【００４５】
図２は、プリント回路基板の他の実施例を示す断面図である。前記図１に示したプリント回路基板Ｐ１と相違するところは、プリント回路基板Ｐ１の導体回路３の一方の端部（接続端子）に、接続用の金属突出物Ｂを形成していることである。上記金属突出物Ｂは、前記図６（Ｃ）において、導電性金属の電鋳において、導電性金属を回路パターン内に充填し、さらに感光イミド化物層の表面から外方へ突出するように形成すればよい。この金属突出物Ｂの形状としては、特に限定されないが、三角形、正方形、長方形、台形、平行四辺形、その他の多角形、円形等の平面、あるいは角柱、円柱、球柱、錐体（円錐、角錐）等の立体であってもよい。なお、導電性金属の電鋳条件を適宜選択することによって、金属突出物Ｂの形状を、例えば鋭利な円錐状やリベット状などの所望の形状に設計することができる。
このプリント回路基板Ｐ２の構成によれば、該金属突出物Ｂを接続用端子とするので、半導体素子等との電気的接続を確実にできるようになる。
【００４６】
図３は、プリント回路基板の他の実施例を示す断面図である。前記図１に示したプリント回路基板Ｐ１と相違するところは、プリント回路基板Ｐ１の感光イミド化物層の一方面側に絶縁化のための絶縁体層２４を設けたことである。
この絶縁体層２４を形成する樹脂としては、電気絶縁性を有するものであれば特に限定されないが、プリント回路基板の基材がカールする問題を防ぐために、感光イミド化物層と同一の樹脂を用いるか、この感光イミド化物層２１と近似した線膨張係数を有する樹脂を用いることが好ましい。
上記絶縁体層２４は、前記図６（Ｄ）の工程後に、プリント回路基板Ｐ１の一方面に絶縁性基材を塗布するか、または絶縁性フィルムもしくはシートを接着剤を介して貼合わせるかによって形成される。
このプリント回路基板Ｐ３の構成によれば、機械的強度の向上、短絡の防止ができるようになる。
【００４７】
図４は、プリント回路基板の他の実施例を示す断面図である。前記図１に示したプリント回路基板Ｐ１と相違するところは、導体回路を２種の導電性金属３１，３２によって形成したことである。
上記２種の導電性金属による導体回路３は、前記図６の（Ｃ）工程において、電鋳によって充填する導電性金属の種類を電鋳途中で替えることによって形成される。
このプリント回路基板Ｐ４の構成によれば、コア（導体回路）として硬度の高い金属、表面に酸化を防ぐための金属を選ぶなどの選択が可能になる。
【００４８】
図５は、導体回路を３種の導電性金属によって形成するとともに、感光イミド化物層２の一方面側に絶縁化のための絶縁体層２５を設けたプリント回路基板Ｐ５の例を示すものである。
上記３種の導電性金属による導体回路は、前記図６の（Ｃ）工程において、電鋳によって充填する導電性金属の種類を電鋳途中で替えることによって二種の金属層よりなる導体回路を形成し、さらにその上に、前記図２で説明したように、その他の導電性金属を用いて電鋳を続けることによって、金属突出物を形成したものである。
また、絶縁体層は、前記図３の説明と同様にして、上記感光イミド化物層２の金属突出物を形成した面の反対面に形成したものである。
このプリント回路基板Ｐ５の構成によれば、機械的強度の向上、短絡の防止効果が得られるとともに、導体回路（コア）の金属種の選択ができるようになる。
【００４９】
なお、上記図４および図５に示す複数の導電性金属によって導体回路を形成する場合、導体層１は最終工程にてエッチング除去されるので、この導体層１と接触する界面部分の導体回路３の金属種は、そのときにエッチング除去されないように、導体層１とは異種のものを用いることが必要である。
【００５０】
【実施例】
以下、実施例を示し本発明をより具体的に説明する。なお、本発明はこれらの実施例によって何ら限定されるものではない。
実施例１
ビフェニルテトラカルボン酸２無水物とパラフェニレンジアミンの略等モル量を、ジメチルアセトアミド中にてモノマー濃度２０重量％で室温下、２４時間反応させて、前記式（Ｉ−１）で示されるポリイミド前駆体溶液を調製した。このポリイミド前駆体溶液の固形分１００重量部に対して、前記式（ＩＩ−１）で示される化合物を３０重量部添加し、十分に攪拌して均一に混合した感光性ポリイミド前駆体溶液を調製した。
【００５１】
上記感光性ポリイミド前駆体の溶液を用いて、図６に示す工程を順に実施することによって、プリント回路基板を製造した。
まず、図６（Ａ）に示すように、導体層とする厚さ１８ミクロンの圧延銅箔１上にキャスティングして、８ミクロン厚の感光性ポリイミド前駆体層２０を形成した。
ついで、公知のフォトリソグラフィー法にて、図６（Ｂ）に示されるフォトパターンＫを形成した。このフォトパターンは、回路パターン形成のための電鋳母型となるもので、幅およびピッチを１５ミクロンとし、露光量を６００ｍＪ／ｃｍ２  に設定して、上記感光性ポリイミド前駆体層を感光および現像させて得た。予備乾燥後、不活性ガス（Ｎ２  ）雰囲気下で５００℃×１０分加熱脱水することで、感光ポリイミド前駆体層をイミド化して感光イミド化物層２１とした。この時の感光イミド化物層の厚みは５ミクロンであった。
【００５２】
残存した感光イミド化物層２１を電気めっきのレジストとして利用して、回路パターン形成後に露出した銅箔面にニッケル（電解ニッケルの半光沢を使用）を電鋳して、図６（Ｃ）に示す導体回路３を形成した。電流密度は６Ａ／ｄｍ２  に設定し、ニッケル層の厚みをレジストの厚みと同じ５ミクロンとなるようにした。
【００５３】
次にアルカリエッチャント（銅選択溶解液）を用いて銅箔１を選択的に除去して、図６（Ｄ）に示すプリント回路基板Ｐ１を得た。
【００５４】
以上のようにして得られたプリント回路基板の厚みは、感光イミド化物層そのままの厚みにできるので、プリント回路基板の薄膜化がなされた。また、この方法では、従来のウエットエッチング法のように、アスペクト比の制限がなく、導体回路の細密化が容易であった。また、レジストをコートし、従来のフォトレジスト法のように、回路パターンを形成したレジストを除去する工程を不要にできたので、それに伴い高価なレジストの使用が不要になり、プリント回路基板の製造コストを大幅に引き下げることができた。
さらに、導体回路形成後にその導体回路を絶縁材で被覆する工程を不要にできたので、この絶縁体層形成時に発泡等の発生による品質の低下を無くすことができ、それに伴い、歩留りが向上した。
【００５５】
実施例２
実施例１で得た感光性ポリイミド前駆体溶液の固形分１００重量部に対して、前記一般式（ＩＩ−１）で示される化合物を２０重量部、前記一般式（ＩＩＩ  −１）で示される化合物を１０重量部添加して、十分に攪拌して均一に混合した感光性ポリイミド前駆体溶液を調製した以外は、すべて実施例１と同様にしてプリント回路基板を製造した。
【００５６】
実施例３
実施例１において、ニッケル層が感光イミド化物の表面より５ミクロン外方へ突出するように電鋳した以外は、全て実施例１と同様にして、図２に示すように、導体回路３の端部に、金属突出物Ｂが形成されたプリント回路基板Ｐ２を得た。
得られたプリント回路基板は、導体回路３に接続用金属突出物を有するので、外部回路や半導体素子の電極パッドとの接続操作が容易であった。
【００５７】
実施例４
実施例１で得られたプリント回路基板の片面に、実施例１で用いたポリイミド前駆体２溶液を５ミクロン厚になるようにキャスティング法により塗工した。予備乾燥後、不活性ガス（Ｎ２  ）雰囲気下で５００℃×１０分加熱することでイミド化して、図３に示すポリイミドよりなる絶縁体層２４を形成したプリント回路基板Ｐ３を得た。この時の絶縁体層の厚みは約３ミクロンであった。なお、ポリイミド前駆体溶液は、感光性イミド化物２のどちらの面側にも塗工することは可能であるが、本実施例では電鋳の成長面側に塗工した。
得られたプリント回路基板は、機械的強度が向上し、また、プリント回路基板の反りの無いものであった。
【００５８】
【発明の効果】
以上、説明したように、本発明のプリント回路基板によれば、工業的に容易に製造することができ、薄膜化が達成され、かつ、狭ピッチ化に対し十分に対応できるので、半導体装置を軽量化、薄膜化、小型化できるようになり、半導体装置を高密度実装することが可能となる。
本発明のプリント回路基板の製造方法によれば、特定のネガ型フォトレジスト組成物を用いて、回路パターンの形成と感光イミド化物層（絶縁体層）を形成するので、従来の方法におけるフォトレジストで回路パターンを形成した後に、その回路パターンを形成したフォトレジスト層を除去する工程を不要にできるようになる。したがって、高価なフォトレジストの使用を不要にでき、また、プリント回路基板の製造における工程数を減少できるようになって、プリント回路基板の製造コストを大幅に低下できる。
さらに、導体回路形成後にその導体回路を絶縁材で積層する工程も不要にできるようになり、該絶縁体層形成時の発泡の発生等を無くすことができ、歩留まりを向上できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のプリント回路基板を示す断面図である。
【図２】本発明のプリント回路基板の他の実施例を示す断面図である。
【図３】本発明のプリント回路基板のその他の実施例を示す断面図である。
【図４】本発明のプリント回路基板のその他の実施例を示す断面図である。
【図５】本発明のプリント回路基板のその他の実施例を示す断面図である。
【図６】（Ａ）〜（Ｄ）は本発明のプリント回路基板を得るための各工程を示す断面図である。
【図７】（Ａ）〜（Ｆ）は  従来のプリント回路基板を得るための各工程を示す断面図である。
【符号の説明】
１    導体層
３    導体回路
２０  感光性ポリイミド前駆体層
２１  絶縁体層（感光イミド化物層）
Ｋ    回路パターン
Ｐ１  プリント回路基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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