【手続補正書】
【提出日】平成28年12月29日(2016.12.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理条件測定デバイス内の構成部品モジュールであって、
構成部品を支持するように構成された支持体と、
前記支持体を基板に対して離間された関係に吊すように構成された１本以上の脚と、
前記構成部品と、前記支持体と、前記１本以上の脚とを囲むように構成された導電性または低抵抗性の半導体筐体と、
を備え、
前記１本以上の脚が、一端において前記筐体の上部に取り付けられ、別の端において前記支持体を吊すように構成されるか、または一端において前記筐体の側面に取り付けられ、別の端において前記支持体を吊るすように構成された、
構成部品モジュール。
【請求項２】
３ミリメートル未満の総厚を有する、請求項１に記載の構成部品モジュール。
【請求項３】
前記構成部品が１つ以上の電源を含む、請求項１に記載の構成部品モジュール。
【請求項４】
前記構成部品が中央処理装置を含む、請求項１に記載の構成部品モジュール。
【請求項５】
処理条件測定デバイス内の構成部品モジュールであって、
構成部品を支持するように構成された支持体と、
前記支持体を基板に対して離間された関係に吊すように構成された１本以上の脚と、
前記構成部品と、前記支持体と、前記１本以上の脚とを囲むように構成された導電性または低抵抗性の半導体筐体と、
を備え、
前記支持体が、サファイアまたはアルミナで製造される、
構成部品モジュール。
【請求項６】
前記１本以上の脚が、一端において前記支持体の底面に取り付けられ、別の端において基板の上面に取り付けられるように構成された、請求項５に記載の構成部品。
【請求項７】
３ミリメートル未満の総厚を有する、請求項５に記載の構成部品モジュール。
【請求項８】
前記構成部品が１つ以上の電源を含む、請求項５に記載の構成部品モジュール。
【請求項９】
前記構成部品が中央処理装置を含む、請求項５に記載の構成部品モジュール。
【請求項１０】
処理条件測定デバイス内の構成部品モジュールであって、
構成部品を支持するように構成された支持体と、
前記支持体を基板に対して離間された関係に吊すように構成された１本以上の脚と、
前記構成部品と、前記支持体と、前記１本以上の脚とを囲むように構成された導電性または低抵抗性の半導体筐体と、
を備え、
前記脚が、ステンレス鋼、水晶、またはガラスで製造されるか、エアロゲルまたは発泡体で製造される、構成部品モジュール。
【請求項１１】
前記１本以上の脚が、一端において前記支持体の底面に取り付けられ、別の端において基板の上面に取り付けられるように構成された、請求項１０に記載の構成部品。
【請求項１２】
３ミリメートル未満の総厚を有する、請求項１０に記載の構成部品モジュール。
【請求項１３】
前記構成部品が１つ以上の電源を含む、請求項１０に記載の構成部品モジュール。
【請求項１４】
前記構成部品が中央処理装置を含む、請求項１０に記載の構成部品モジュール。
【請求項１５】
処理条件測定デバイス内の構成部品モジュールであって、
構成部品を支持するように構成された支持体と、
前記支持体を基板に対して離間された関係に吊すように構成された１本以上の脚と、
前記構成部品と、前記支持体と、前記１本以上の脚とを囲むように構成された導電性または低抵抗性の半導体筐体と、
を備え、
前記筐体が高導電型シリコンで製造される、構成部品モジュール。
【請求項１６】
前記１本以上の脚が、一端において前記支持体の底面に取り付けられ、別の端において基板の上面に取り付けられるように構成された、請求項１５に記載の構成部品。
【請求項１７】
３ミリメートル未満の総厚を有する、請求項１５に記載の構成部品モジュール。
【請求項１８】
前記構成部品が１つ以上の電源を含む、請求項１５に記載の構成部品モジュール。
【請求項１９】
前記構成部品が中央処理装置を含む、請求項１５に記載の構成部品モジュール。
【請求項２０】
処理条件測定デバイス内の構成部品モジュールであって、
構成部品を支持するように構成された支持体と、
前記支持体を基板に対して離間された関係に吊すように構成された１本以上の脚と、
前記構成部品と、前記支持体と、前記１本以上の脚とを囲むように構成された導電性または低抵抗性の半導体筐体と、
を備え
前記筐体の内面が研磨されて低放射率表面を形成するか低放射率材料で被覆され、または、前記筐体の内面が、研磨されるか、または金、プラチナ、アルミニウム、もしくは任意の高反射性膜で被覆される、
構成部品モジュール。
【請求項２１】
前記１本以上の脚が、一端において前記支持体の底面に取り付けられ、別の端において基板の上面に取り付けられるように構成された、請求項２０に記載の構成部品モジュール。
【請求項２２】
３ミリメートル未満の総厚を有する、請求項２０に記載の構成部品モジュール。
【請求項２３】
前記構成部品が１つ以上の電源を含む、請求項２０に記載の構成部品モジュール。
【請求項２４】
前記構成部品が中央処理装置を含む、請求項２０に記載の構成部品モジュール。
【請求項２５】
処理条件測定デバイスであって、
基板と、
前記基板上に据え付けられた１つ以上の構成部品モジュールと、
前記基板を覆うカバーであって、前記１つ以上の構成部品モジュールを収容するように構成された１つ以上の貫通穴を有するカバーと、
を備え、
前記１つ以上の構成部品モジュールが、構成部品を支持するための支持体と、前記支持体を基板に対して離間された関係に吊すように構成された１本以上の脚と、前記構成部品と前記支持体と前記１本以上の脚とを囲むように構成された導電性または低抵抗性の半導体筐体と、を含む、デバイス。
【請求項２６】
前記カバーと前記筐体とが同一の材料で製造される、請求項２５に記載のデバイス。
【請求項２７】
前記カバーと前記筐体とが高導電型シリコンで製造される、請求項２５に記載のデバイス。
【請求項２８】
前記筐体が前記カバーに対して封止され、２０ｍＴｏｒｒ未満の圧力を有する、請求項２５に記載のデバイス。
【請求項２９】
前記構成要素モジュールが３ミリメートル未満の総厚を有する、請求項２５に記載のデバイス。
【請求項３０】
前記構成部品が中央処理装置を含む、請求項２５に記載のデバイス。
【請求項３１】
前記１本以上の脚が、前記支持体の底面に一端で取り付けられ、基板の上面に別の端で取り付けられるように構成された、請求項２５に記載のデバイス。
【請求項３２】
処理条件測定デバイスであって、
基板と、
前記基板上に据え付けられた１つ以上の構成部品モジュールと、
を備え、
前記１つ以上の構成部品モジュールが、構成部品を支持するための支持体と、前記支持体を基板に対して離間された関係に吊すように構成された１本以上の脚と、前記構成部品と前記支持体と前記１本以上の脚とを囲むように構成された導電性または低抵抗性の半導体筐体と、を含み、
前記基板と前記筐体とが同一の材料で製造される、デバイス。
【請求項３３】
前記基板と前記筐体とが高導電型シリコンで製造される、請求項３２に記載のデバイス。
【請求項３４】
前記構成要素モジュールが３ミリメートル未満の総厚を有する、請求項３２に記載のデバイス。
【請求項３５】
前記構成部品が中央処理装置を含む、請求項３２に記載のデバイス。
【請求項３６】
前記１本以上の脚が、前記支持体の底面に一端で取り付けられ、基板の上面に別の端で取り付けられるように構成された、請求項３２に記載のデバイス。
【請求項３７】
処理条件測定デバイスであって、
基板と、
前記基板上に据え付けられた１つ以上の構成部品モジュールと、
を備え、
前記１つ以上の構成部品モジュールが、構成部品を支持するための支持体と、前記支持体を基板に対して離間された関係に吊すように構成された１本以上の脚と、前記構成部品と前記支持体と前記１本以上の脚とを囲むように構成された導電性または低抵抗性の半導体筐体と、を含み、
前記筐体の内面が、研磨されて低放射率表面を形成するか、低放射率材料で被覆される、デバイス。
【請求項３８】
前記構成要素モジュールが３ミリメートル未満の総厚を有する、請求項３７に記載のデバイス。
【請求項３９】
前記構成部品が中央処理装置を含む、請求項３７に記載のデバイス。
【請求項４０】
前記１本以上の脚が、前記支持体の底面に一端で取り付けられ、基板の上面に別の端で取り付けられるように構成された、請求項３７に記載のデバイス。
【請求項４１】
処理条件測定デバイスであって、
基板と、
前記基板上に据え付けられた１つ以上の構成部品モジュールと、
を備え、
前記１つ以上の構成部品モジュールが、構成部品を支持するための支持体と、前記支持体を基板に対して離間された関係に吊すように構成された１本以上の脚と、前記構成部品と前記支持体と前記１本以上の脚とを囲むように構成された導電性または低抵抗性の半導体筐体と、を含み、
前記筐体が前記基板に対して封止され、２０ｍＴｏｒｒ未満の圧力を有する、デバイス。
【請求項４２】
前記構成要素モジュールが３ミリメートル未満の総厚を有する、請求項４１に記載のデバイス。
【請求項４３】
前記構成部品が中央処理装置を含む、請求項４１に記載のデバイス。
【請求項４４】
前記１本以上の脚が、前記支持体の底面に一端で取り付けられ、基板の上面に別の端で取り付けられるように構成された、請求項４１に記載のデバイス。
【請求項４５】
処理条件測定デバイスであって、
基板と、
前記基板上に据え付けられた１つ以上の構成部品モジュールと、
を備え、
前記１つ以上の構成部品モジュールが、構成部品を支持するための支持体と、前記支持体を基板に対して離間された関係に吊すように構成された１本以上の脚と、前記構成部品と前記支持体と前記１本以上の脚とを囲むように構成された導電性または低抵抗性の半導体筐体と、を含み、
前記構成部品が１つ以上のバッテリを含む、デバイス。
【請求項４６】
前記構成要素モジュールが３ミリメートル未満の総厚を有する、請求項４５に記載のデバイス。
【請求項４７】
前記構成部品が中央処理装置を含む、請求項４５に記載のデバイス。
【請求項４８】
前記１本以上の脚が、前記支持体の底面に一端で取り付けられ、基板の上面に別の端で取り付けられるように構成された、請求項４５に記載のデバイス。
【請求項４９】
処理条件測定デバイスであって、
基板と、
前記基板上に据え付けられた１つ以上の構成部品モジュールと、
を備え、
前記１つ以上の構成部品モジュールが、構成部品を支持するための支持体と、前記支持体を基板に対して離間された関係に吊すように構成された１本以上の脚と、前記構成部品と前記支持体と前記１本以上の脚とを囲むように構成された導電性または低抵抗性の半導体筐体と、を含み、
前記１本以上の脚が、前記筐体の上部に一端で取り付けられ、前記支持体を別の端で吊すように構成されるか、または前記筐体の側面に一端で取り付けられ、前記支持体を別の端で吊すように構成された、デバイス。
【請求項５０】
前記構成要素モジュールが３ミリメートル未満の総厚を有する、請求項４９に記載のデバイス。
【請求項５１】
前記構成部品が中央処理装置を含む、請求項４９に記載のデバイス。
【請求項５２】
処理条件測定デバイスであって、
基板であって、前記基板を覆う遮蔽層を有する基板と、
前記基板上に据え付けられた１つ以上の構成部品モジュールと、を備え、前記１つ以上の構成部品モジュールが、前記１つ以上の構成部品モジュールの電気的および熱的保護を提供するように構成された導電性モジュール遮蔽により覆われ、前記１つ以上の構成部品モジュールが１つ以上のバッテリを含む、デバイス。
【請求項５３】
前記構成部品モジュールが１本以上の脚により前記基板上に据え付けられる、請求項５２に記載のデバイス。
【請求項５４】
前記遮蔽層が、高導電型シリコン、銅、アルミニウムまたはステンレス鋼で製造される、請求項５２に記載のデバイス。
【請求項５５】
前記モジュール遮蔽がアルミニウムまたはステンレス鋼で製造される、請求項５２に記載のデバイス。
【請求項５６】
前記モジュール遮蔽が中実または網目である、請求項５２に記載のデバイス。
【請求項５７】
前記モジュール遮蔽の頂部から前記基板の上面まで３ミリメートル未満の厚さを有する、請求項５２に記載のデバイス。