(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属元素としてＭｇ、Ａｌ、Ｓｉを含有し、密度が２．２５〜２．５ｇ／ｃｍ３、測定周波数１０ＧＨｚでのＱ値が３０００以上であることを特徴とするコージェライト質誘電体磁器。
【請求項２】
Ｍｇの無機塩または有機塩と、Ａｌの無機塩または有機塩と、ＳｉのアルコキシドまたはＳｉＯ２の微粉末が分散したコロイドとを原料とし、水を溶媒とするゾルを作製し、このゾルを用いて微粉末を作製した後、該微粉末を用いて成形体を作製し、焼成して、密度が２．２５〜２．５ｇ／ｃｍ３、測定周波数１０ＧＨｚでのＱ値が３０００以上のコージェライト質誘電体磁器を作製することを特徴とするコージェライト質誘電体磁器の製造方法。
【請求項３】
Ｍｇの無機塩または有機塩と、Ａｌの無機塩または有機塩と、ＳｉのアルコキシドまたはＳｉＯ２の微粉末が分散したコロイドとを原料とし、水を溶媒とするゾルを作製し、このゾルをゲル化した後、焼成して、密度が２．２５〜２．５ｇ／ｃｍ３、測定周波数１０ＧＨｚでのＱ値が３０００以上のコージェライト質誘電体磁器を作製することを特徴とするコージェライト質誘電体磁器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、コージェライト質誘電体磁器およびその製造方法に係わり、例えば、マイクロ波、ミリ波集積回路等のマイクロ波、ミリ波帯域で用いられる回路素子用基板、誘電体共振器用支持部材、誘電体共振器、誘電体導波路、誘電体アンテナ等の材料として有用なコージェライト質誘電体磁器およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来技術】
マイクロ波、ミリ波集積回路をはじめとする高周波回路素子では、誘電体磁器を支持部材を介して基板に固定する構造が採用される場合がある。例えば、誘電体共振器制御型マイクロ波発信器は、図１に示すように、誘電体磁器１を支持部材２を介して磁器基板３に取り付け、誘電体磁器１の外部に漏れ出る電磁界Ｈを利用して磁器基板３に設けたストリップライン４に結合させ、これらを金属ケース５に収容させた構造を有している。
【０００３】
この種の高周波回路においては、誘電体磁器１の電界が支持部材２を介して漏れるのを制御することによって、無負荷Ｑの高い共振系が構成されることになるため、支持部材２には比誘電率が低く誘電損失（ｔａｎδ）が小さい（Ｑ値が大きい）材料を使用する必要がある。
【０００４】
このため、従来、支持部材２の材料としては比誘電率が約７、測定周波数１０ＧＨｚでのＱ値が約１５０００のフォルステライトが採用され、また、磁器基板３の材料としては主として比誘電率が約１０、測定周波数１０ＧＨｚでのＱ値が２００００以上のアルミナ磁器が採用されていた（例えば、特開昭６２−１０３９０４号公報等参照）。
【０００５】
一方、比誘電率が低い材料としては、従来、コージェライトが知られているが、焼成温度範囲がきわめて狭いことから緻密な焼結体が得がたく、ガラス材を添加することによって、比誘電率が４〜６、測定周波数１０ＧＨｚでのＱ値が１０００程度のガラスセラミックとして用いられている（例えば、特開昭６１−２３４１２８号公報等参照）。
【０００６】
しかしながら、従来用いられていたアルミナ、及びフォルステライトの比誘電率はそれぞれ約１０及び約７程度であり、近年における高周波数帯の誘電体共振器の普及にともない、より低誘電率材料が求められていた。
【０００７】
一方、低誘電率材料として用いられているガラスセラミック等の磁器は比誘電率が約４〜６と小さいが、Ｑ値が１０ＧＨｚで１０００程度であり、近年における高周波数帯の誘電体共振器の普及に伴い、より高Ｑ値の低誘電率材料が求められていた。
【０００８】
また、共振器の磁器基板３に主として使用されているアルミナ磁器は比誘電率が約１０と比較的高く、高インピーダンスのストリップラインを形成しようとすると、ライン幅が小さくなりすぎて（通常１μｍ以下）、断線が生じたり、相対的なライン幅のばらつきが大きくなり、マイクロ波集積回路の不良率が増大するという問題があった。
【０００９】
他方、この種の磁器基板におけるストリップラインのインピーダンスは、基板の厚さが一定であれば、その比誘電率及びストリップラインの幅にそれぞれ反比例するため、ライン幅を小さくする代わりに、比誘電率の低い基板材料を使用することによってもインピーダンスを高めることができ、このため、より低誘電率材料が求められていた。
【００１０】
本出願人は上記問題を解決する一手段として、金属元素としてＭｇ、Ａｌ、Ｓｉからなる複合酸化物であって、各金属元素の酸化物によるモル比組成式をｘＭｇＯ・ｙＡｌ２  Ｏ３  ・ｚＳｉＯ２  と表した時、前記ｘ、ｙ、ｚが１０≦ｘ≦４０、１０≦ｙ≦４０、２０≦ｚ≦８０、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００を満足し、比誘電率が６以下、かつ、測定周波数１０ＧＨｚでのＱ値が２０００以上である高周波用誘電体磁器組成物、および誘電体共振器をすでに提案した（特願平７−１９５２１１号）。この高周波誘電体磁器組成物はアルミナ、フォルステライトよりも低い比誘電率を有し、かつ、ガラスセラミックよりも高いＱ値を有する優れたものであったが、この組成においても、焼成温度範囲が狭いという問題があった。
【００１１】
一方、低温焼成や焼成温度幅の拡大等、焼成条件改善のために、コージェライト質焼結体をゾルゲル法を利用して作製することが試みられている。
【００１２】
一般に、コージェライト質焼結体にゾルゲル法を利用する場合には、出発原料として、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉの金属アルコキシドを用い、これを有機溶媒に溶解させゾル化し、このゾルをゲル化して焼成することによりコージェライト質焼結体を作製する。この際、出発原料として用いられる各々の金属アルコキシドの加水分解速度が異なるため、部分加水分解法を用いたり、多座配位能を持つ有機溶媒を加えたりして、加水分解速度の違いを緩和して原子あるいは分子オーダーで均質性を向上させていた。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のような従来のゾルゲル法を用いたコージェライト質焼結体の製造方法では、合成方法が非常に煩雑であるとともに、金属アルコキシドが非常に高価であり、さらに、反応性が高いため取り扱い難いなど多くの問題があった。
【００１４】
このような問題を解決した製造方法として、特開平６−２７９１０１号公報には、特定の原料を用い、アルコール系溶媒を用いたゾルを作成し、コージェライト質焼結体を作製する方法が開示されているが、この方法では、アルコール系溶媒を用いていたため、ゾルを乾燥させる温度が高いとＳｉ原料が分解し、また乾燥温度が低い場合には乾燥時間が長時間となるため、多量のゲルを作製することが困難であり、量産性に欠けるという問題があった。
【００１５】
さらに、上記方法ではコージェライト磁器の相対密度が２．５５以上となり、比誘電率を下げるという点で問題があった。この点については、固相焼結法により緻密なコージェライト磁器を得る場合でも同様の問題があった。
【００１６】
尚、従来、コージェライト質磁器は一般に耐火材として用いられているが、この場合には、コージェライト磁器の相対密度が小さく、低誘電率となるものの、Ｑ値が低く、高周波用誘電体磁器としては用いられていなかった。
【００１７】
本発明は、低誘電率で、高Ｑ値のコージェライト質誘電体磁器を提供するとともに、このような低誘電率で、高Ｑ値のコージェライト質誘電体磁器をゾルゲル法により安価にかつ容易に得ることができるコージェライト質誘電体磁器の製造方法を提供することを目的とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
本発明のコージェライト質誘電体磁器は、金属元素としてＭｇ、Ａｌ、Ｓｉを含有し、密度が２．２５〜２．５ｇ／ｃｍ３、測定周波数１０ＧＨｚでのＱ値が３０００以上であることを特徴とする。
【００１９】
また、本発明のコージェライト質誘電体磁器の製造方法は、Ｍｇの無機塩または有機塩と、Ａｌの無機塩または有機塩と、ＳｉのアルコキシドまたはＳｉＯ２の微粉末が分散したコロイドとを原料とし、水を溶媒とするゾルを作製し、このゾルを用いて微粉末を作製した後、該微粉末を用いて成形体を作製し、焼成して、密度が２．２５〜２．５ｇ／ｃｍ３、測定周波数１０ＧＨｚでのＱ値が３０００以上のコージェライト質誘電体磁器を作製する方法である。
【００２０】
本発明のコージェライト質誘電体磁器の製造方法は、Ｍｇの無機塩または有機塩と、Ａｌの無機塩または有機塩と、ＳｉのアルコキシドまたはＳｉＯ２の微粉末が分散したコロイドとを原料とし、水を溶媒とするゾルを作製し、このゾルをゲル化した後、焼成して、密度が２．２５〜２．５ｇ／ｃｍ３、測定周波数１０ＧＨｚでのＱ値が３０００以上のコージェライト質誘電体磁器を作製する方法である。
【００２１】
【作用】
本発明のコージェライト質誘電体磁器では、固相焼結法やアルコールを溶媒として用いたゾルゲル法に比較して、密度が２．２５〜２．５ｇ／ｃｍ３と小さいため、上記した固相焼結法等よりも磁器の密度が低く、比誘電率が小さくなり、低誘電率および高Ｑ値を達成できる。
【００２２】
本発明のコージェライト質誘電体磁器の製造方法では、Ｍｇの無機塩または有機塩と、Ａｌの無機塩または有機塩と、ＳｉのアルコキシドまたはＳｉＯ２  の微粉末が分散したコロイドとを原料とし、水を溶媒とするゾルを作製したため、各原料の加水分解速度の考慮など一切必要なく、合成方法も非常に簡単に行うことができるとともに、焼成温度範囲を緩和できる。
【００２３】
即ち、例えば、マグネシウム化合物として硝酸マグネシウム、酢酸マグネシウムのいずれかを用い、アルミニウム化合物として塩化アルミニウム、硝酸アルミニウムのいずれかを用い、Ｓｉのアルコキシド、または平均粒径５〜５００ｎｍであるＳｉＯ２  の微粉末が分散したコロイドやテトラエトキシシランを原料とし、有機溶媒やアルコール系溶媒を用いることなく、溶媒としての水に溶解させてゾルを作製した後、これを乾燥させてゲル化し、焼成したり、前記ゾルを用いて微粉末を作製した後、該微粉末を用いて成形体を作製し、焼成することによりコージェライト質焼結体が製造されるため、加水分解速度の考慮など一切必要なく、合成方法も非常に簡単となる。
【００２４】
そして、特開平６−２７９１０１号公報に開示されるようなアルコール系溶媒を用いることなく、溶媒として水を用いるため、ゲルを乾燥させる場合も温度を上げても熱分解することがなく、短時間で容易に乾燥することができるとともに、焼結体での密度を２．２５〜２．５ｇ／ｃｍ３と小さくすることができるのである。
【００２５】
また、ゾルゲル法においては、一般的に固相焼結法よりも低温焼成が可能で、焼成温度幅が広いので、焼成温度がより低温になり、かつ、焼成条件が緩やかになる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
本発明のコージェライト質誘電体磁器は、金属元素としてＭｇ、Ａｌ、Ｓｉを含有し、密度が２．２５〜２．５ｇ／ｃｍ３、測定周波数１０ＧＨｚでのＱ値が３０００以上のものである。
【００２７】
ここで、コージェライト質誘電体磁器の密度を２．２５〜２．５ｇ／ｃｍ３としたのは、密度が２．２５ｇ／ｃｍ３よりも小さい場合には未焼結の状態であり、２．５ｇ／ｃｍ３よりも大きい場合には、比誘電率が大きくなるからである。密度を２．２５〜２．５ｇ／ｃｍ３とするためには、以下に説明するように、ゾルゲル法において水を溶媒とすることにより達成できる。
【００２８】
また、測定周波数１０ＧＨｚでのＱ値を３０００以上としたのは、近年における高周波機器に対応できるからである。Ｑ値は高ければ高いほど良い。
【００２９】
本発明のコージェライト質誘電体磁器は、金属元素の酸化物によるモル比組成式をｘＭｇＯ・ｙＡｌ２  Ｏ３  ・ｚＳｉＯ２  と表した時、ｘ、ｙおよびｚが、１０≦ｘ≦４０、１０≦ｙ≦４０、４５≦ｚ≦８０、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００を満足することが望ましい。
【００３０】
ここで、上記のように限定したのは、ＭｇＯのモル百分率を示すｘを１０〜４０モル％としたのは１０モル％未満では良好な焼結体が得られずＱ値が低く、また４０モル％を越えると比誘電率が高くなるからである。特にＭｇＯ量を示すｘは１５〜３５モル％が望ましい。
【００３１】
また、Ａｌ２  Ｏ３  のモル百分率を示すｙを１０〜４０モル％としたのはＡｌ２  Ｏ３  量ｙが１０モル％よりも小さい場合には、良好な焼結体が得られず、またＱ値が低くなり、４０モル％を越えると比誘電率が高くなるからである。Ａｌ２  Ｏ３  量を示すｙは１５〜３５モル％が望ましい。
【００３２】
ＳｉＯ２  のモル百分率ｚを４５≦ｚ≦８０モル％としたのは、ｚが４５モル％よりも小さい場合には比誘電率が大きくなり、８０モル％を越えると良好な焼結体が得られずＱ値が低くなる。ＳｉＯ２  量を示すｚは４５〜６０モル％が望ましい。
【００３３】
そして、１５≦ｘ≦３５、１５≦ｙ≦３５、４５≦ｚ≦６０を満足する場合には高Ｑ値を達成できる。本発明では、特に、コージェライトの組成、即ちｘ＝２２．２、ｙ＝２２．２、ｚ＝５５．６が望ましい。
【００３４】
このような組成のコージェライト質焼結体は、主結晶相がコージェライトであり、他に結晶相として、ムライト、スピネル、プロトエンスタタイト、クリノエンスタタイト、クリストバライト、フォルステライト、トリジマイト、サファリン等が析出する場合があるが、組成によってその析出相が異なる。
【００３５】
尚、本発明のコージェライト質誘電体磁器は、金属元素として、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉからなるものであるが、例えば、Ｃａ、Ｂａ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｐ、Ｎａ、Ｔｉ、Ｓｒ等が混入する場合があるが、この場合も、上記組成を満足する限り低誘電率で、高Ｑ値の磁器を得ることができる。
【００３６】
このような低誘電率で、高Ｑ値のコージェライト質誘電体磁器は、例えば、図１に示すような誘電体共振器に用いられる。図１の誘電体共振器では、基板３上に支持部材２を介して誘電体磁器１を固定してなり、支持部材２または基板３、或いは支持部材２及び基板３が、上記コージェライト質誘電体磁器からなるものである。この場合、誘電体磁器１としては、周知の材料が用いられる。誘電体磁器１として、上記したコージェライト質誘電体磁器を用いても良い。
【００３７】
また、上記したコージェライト質誘電体磁器は、低誘電率および高Ｑ値が求められるものであれば、例えば、回路素子用基板，誘電体共振器の誘電体磁器，誘電体導波路，誘電体アンテナ等、どのようなものでも適用できるが、上記したように、誘電体共振器の支持部材または基板に最適である。
【００３８】
本発明のコージェライト質誘電体磁器の製造方法は、Ｍｇの無機塩または有機塩と、Ａｌの無機塩または有機塩と、ＳｉのアルコキシドまたはＳｉＯ２  の微粉末が分散したコロイドとを原料とし、水を溶媒とするゾルを作製し、このゾルをゲル化した後、焼成する方法である。
【００３９】
Ｍｇ化合物原料としては、Ｍｇの無機塩または有機塩があるが、これらのうちでも硝酸マグネシウム、酢酸マグネシウムが望ましく、Ａｌ化合物原料としては、Ａｌの無機塩または有機塩があるが、これらのうちでも塩化アルミニウム、硝酸アルミニウムが望ましい。
【００４０】
また、Ｓｉ原料としては、Ｓｉのアルコキシド、ＳｉＯ２  の微粉末が分散したコロイドがあるが、特に、Ｓｉのアルコキシドのうち、テトラエトキシシラン、トリメトキシシランが望ましい。
【００４１】
ＳｉＯ２  の微粉末が分散したコロイドについては、ＳｉＯ２  の微粉末の平均結晶粒径は、５〜５００ｎｍであることが望ましい。これは、ＳｉＯ２  の微粉末の平均結晶粒径が５ｎｍよりも小さい微粉末は作製が困難であり、５００ｎｍよりも大きい微粉末は焼成温度を低下できないからである。ＳｉＯ２  の微粉末が分散する溶媒としては、水、アルコールがある。
【００４２】
そして、上記原料と、水を溶媒とするゾルを作製する。このゾルからコージェライト質誘電体磁器を製造するには、以下のような方法がある。
【００４３】
▲１▼ゾルをゆっくり乾燥してゲル化させ、得られたゲルを乾燥させ後、焼成する方法。
【００４４】
▲２▼ゾルをゆっくり乾燥してゲル化させ、得られたゲルを乾燥させた後、粉砕して微粉末を作り、これを成形、例えばプレス成形し、焼成する方法。
【００４５】
▲３▼高温状態の炉内にスプレー法などによる熱分解法によってゾルを噴霧して微粉末を作り、これを成形、例えばプレス成形し、焼成する方法。
【００４６】
▲４▼ゾルを用いてディップコーティング法、スピンコーティング法などの方法で基板上に膜を形成し、成膜した後ゲル化し、焼成する方法。
【００４７】
ゾルを塗布する工程において用いられる基板は、石英ガラス、アルミナ、安定化ジルコニア、あるいはこれらに白金等を成膜したものなどが用いられる。
【００４８】
尚、本発明のコージェライト質誘電体磁器の製造方法においては、焼成温度幅を広げるために、原料として、Ｙ、希土類元素、アルカリ土類金属、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｏ等のアルコキシドや無機塩または有機塩をさらに添加しても良い。
【００４９】
【実施例】
実施例１
Ｍｇ原料としての硝酸Ｍｇ４水和物を所定量、Ａｌ化合物の原料としての硝酸Ａｌ９水和物を所定量添加し、これに溶媒として水を所定量添加し、攪拌した後、Ｓｉの原料として、平均粒径５〜５００ｎｍであるＳｉＯ２  の微粉末が分散したコロイド（溶媒として水）を所定量添加し、攪拌し、焼結体が表１に示すようなゾルを作製した。
【００５０】
このゾルを１００℃でゆっくり乾燥してゲル化させ、得られたゲルを大気中５００℃で２時間仮焼した後、粉砕した。得られた粉末にバインダを加えて造粒し、これを１０００ｋｇ／ｃｍ２  の圧力の下で成形して直径１２ｍｍ厚さ８ｍｍの成形体を得た。この成形体を大気中表１に示す温度で２時間焼成してコージェライト質誘電体磁器を得た。
【００５１】
この試料を用いて誘電体円柱共振器法にて周波数１０ＧＨｚにおける比誘電率とＱ値を測定し、その結果を表１に示す。
【００５２】
【表１】
0003554131.tif 000002
【００５３】
表１によれば、試料はすべて比誘電率が５以下と低く、しかも測定周波数１０ＧＨｚでのＱ値が３０００以上と高い値を示すことがわかる。また、焼成温度の幅も２００℃以上あり、焼成温度範囲が広いことがわかる。
【００５４】
実施例２
Ｍｇ原料としての硝酸Ｍｇ４水和物を所定量、Ａｌ化合物の原料としての硝酸Ａｌ９水和物を所定量、Ｓｉの原料としてのテトラエトキシシランを所定量からなる混合物に、溶媒としての水を添加して攪拌し、焼結体が表２に示すようなゾルを作製した。
【００５５】
このゾルを１２０℃でゆっくり乾燥してゲル化させ、得られたゲルを大気中５００℃で２時間仮焼した後、粉砕した。得られた粉末にバインダを加えて造粒し、これを１０００ｋｇ／ｃｍ２  の圧力の下で成形して直径１２ｍｍ厚さ８ｍｍの成形体を得た。この成形体を大気中表１に示す温度で２時間焼成してコージェライト質焼結体を作製した。
【００５６】
この試料を用いて誘電体円柱共振器法にて周波数１０ＧＨｚにおける比誘電率とＱ値を測定し、その結果を表２に示す。
【００５７】
【表２】
0003554131.tif 000003
【００５８】
表２によれば、試料は比誘電率が５以下と低く、しかも測定周波数１０ＧＨｚでのＱ値が３０００以上と高い値を示すことがわかる。また、焼成温度の幅も２００℃以上あり、焼成温度範囲が広いことがわかる。
【００５９】
実施例３
Ｍｇ原料としての硝酸Ｍｇ４水和物を所定量、Ａｌ化合物の原料としての硝酸Ａｌ９水和物を所定量、Ｓｉの原料としてのテトラエトキシシランを所定量からなる混合物に、溶媒としての水を添加して攪拌し、焼結体が表２の試料Ｎｏ．１２に示すような組成のゾルを作製した。
【００６０】
このゾルを１２０℃でゆっくり乾燥してゲル化させ、これを大気中において１２５０℃で２時間焼成してコージェライト質焼結体を作製したところ、比誘電率が４．３、周波数１０ＧＨｚにおけるＱ値が８５００、密度が２．３ｇ／ｃｍ３であった。
【００６１】
比較例１
比較例として、溶媒をエタノールからなるアルコールを用い、ゾルの乾燥温度を８０℃とする以外は、実施例２と同様にして、表２における試料Ｎo.１２の組成のコージェライト質磁器を作製した。この磁器の密度、比誘電率、測定周波数１０ＧＨｚでのＱ値を測定したところ、密度が２．５５ｇ／ｃｍ３、比誘電率が４．９、１０ＧＨｚでのＱ値が８０００であった。従って、本発明の試料Ｎo.１２と比較して比誘電率が小さいことが判る。
【００６２】
比較例２
また、比較例として、ＭｇＣＯ３粉末、Ａｌ２Ｏ３粉末、ＳｉＯ２粉末を、表２における試料Ｎo.１２の組成となるように混合し、乾燥した後、１２００℃で２時間仮焼し、これを粉砕し、実施例２と同様にして成形し、１４４０℃で２時間焼成した。このコージェライト質磁器の密度、比誘電率、測定周波数１０ＧＨｚでのＱ値を測定したところ、密度が２．５５ｇ／ｃｍ３、比誘電率が４．９、１０ＧＨｚでのＱ値が８０００であった。尚、焼成温度範囲は１４３０〜１４５０℃であった。従って、本発明の試料Ｎo.１２は、比誘電率が小さく、焼成温度範囲が広いことが判る。
【００６３】
【発明の効果】
本発明のコージェライト質誘電体磁器では、固相焼結法やアルコールを溶媒として用いたゾルゲル法に比較して、密度が２．２５〜２．５ｇ／ｃｍ３と小さいため、上記した固相焼結法等よりも比誘電率を小さくすることができる。従って、本発明の磁器では、比誘電率が５以下、１０ＧＨｚでのＱ値が３０００以上の特性が得られるため、例えば、誘電体共振器の支持部材または基板に用いることにより、高インピーダンスのマイクロ波用集積回路などの高周波用回路素子を信頼性を損なうことなく製造することができる。また、低誘電率および高Ｑ値であるため、例えば、マイクロ波，ミリ波集積回路等のマイクロ波，ミリ波帯域で用いられる回路素子用基板，誘電体共振器用支持部材、誘電体共振器，誘電体導波路，誘電体アンテナ等の材料として最適である。
【００６４】
また、本発明のコージェライト質誘電体磁器の製造方法によれば、特性が劣化する焼結助剤などを用いることなくコージェライトを主たる結晶相とするコージェライト質焼結体を、ゾルゲル法により安価にかつ容易に得ることができ、量産性を向上できる。そして、本発明では、溶媒として水を用いているため、得られた磁器の密度を小さくすることができ、比誘電率を低下させることができる。さらにゲルを乾燥させる場合も温度を上げても熱分解することなく容易に短時間で乾燥でき、コージェライト質誘電体磁器の量産性を向上できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】高周波用回路素子の一例を示す誘電体共振器制御型マイクロ波発信器の概略断面図である。
【符号の説明】
１・・・誘電体磁器
２・・・支持部材
３・・・磁器基板
４・・・ストリップライン
５・・・金属ケース
【図１】
0003554131.tif 000004