(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式［Ｉ］
【化１】
0003602491.tif 000035
［式中、Ｒ1は水素原子又はメチル基を表し、Ｒ2及びＲ3は夫々独立して水素原子又は炭素数１〜６の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基を表し（但し、Ｒ2及びＲ3が共に水素原子の場合は除く。）、又、Ｒ2とＲ3で炭素数２〜５のメチレン鎖を形成していても良く、Ｒ4は炭素数１〜10の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基、炭素数１〜６の直鎖状、分枝状又は環状のハロアルキル基、又はアラルキル基を表し、Ｒ5は水素原子を表し、Ｒ6は水素原子又はメチル基を表し、Ｒ7は下記一般式［II］
【化２】
0003602491.tif 000036
（但し、Ｚは水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜６の直鎖状又は分枝状のアルキル基、炭素数１〜10の直鎖状、分枝状又は環状のアルコキシ基を表す。）を表し、ｋ、ｌ及びｍは夫々独立して自然数を表す｛但し、0.1≦ｋ／（ｋ＋ｌ）≦0.9、0.05≦ｍ／（ｋ＋ｌ＋ｍ）≦0.50である。｝。］で示される重合体。
【請求項２】
一般式［Ｉ］で示される重合体の下記一般式［III］
【化３】
0003602491.tif 000037
［式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は前記と同じ。］で示されるモノマー単位が、下記一般式［IＶ］
【化４】
0003602491.tif 000038
［式中、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は前記と同じ。］で示される官能基を有するp-及びm-ヒドロキシスチレン誘導体、p-及びm-ヒドロキシ−α−メチルスチレン誘導体から成る群より選ばれた一種以上のモノマーに起因するものである請求項１に記載の重合体。
【請求項３】
モノマーがp-及びm-1-メトキシ−1-メチルエトキシスチレン、p-及びm-1-ベンジルオキシ−1-メチルエトキシスチレン、p-及びm-1-エトキシエトキシスチレン、p-及びm-1-メトキシエトキシスチレン、p-及びm-1-n-ブトキシエトキシスチレン、p-及びm-1-イソブトキシエトキシスチレン、p-及びm-1-（1,1-ジメチルエトキシ）−1-メチルエトキシスチレン、p-及びm-1-（1,1-ジメチルエトキシ）エトキシスチレン、p-及びm-1-（2-クロルエトキシ）エトキシスチレン、p-及びm-1-シクロヘキシルオキシエトキシスチレン、p-及びm-1-（2-エチルヘキシルオキシ）エトキシスチレン、p-及びm-1-エトキシ−1-メチルエトキシスチレン、p-及びm-1-n-プロポキシエトキシスチレン、p-及びm-1-エトキシプロポキシスチレン、p-及びm-1-メトキシブトキシスチレン、p-及びm-1-メトキシシクロヘキシルオキシスチレンから成る群より選ばれた一種以上のモノマーである請求項２に記載の重合体。
【発明の詳細な説明】
【産業上の利用分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子や集積回路を電子ビームリソグラフィ技術を用いてパターン形成して製作する際に使用するレジスト材料並びに同材料を用いた微細パターン形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ＩＣ及びＬＳＩ等の製造においては、紫外線を用いたフォトリソグラィーによってパターン形成を行っているが、素子の微細化、ＡＳＩＣの製造等に伴い、電子ビームリソグラフィーが用いられるようになってきている。この電子ビームリソグラフィーによる微細パターン形成には電子線レジストは欠くことの出来ないものである。従来、ポジ型電子線レジストは、解像性が良いとされているポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）を骨格としたものが主流であった。しかし、ＰＭＭＡは感度が低い為、ポリ（メタクリル酸ヘキサフルオロブチル）又はポリ（メタクリル酸  ２，２，２−トリクロルエチル）等の様に側鎖に電子吸引基を導入すること等により、主鎖切断を容易にする方法で高感度化がなされてきた。しかし、これ等ＰＭＭＡを高感度化したレジストで、感度、解像度の両方を十分に満足するものはない。又、この様にして高感度化することは耐ドライエッチ性、耐熱性を犠牲にする事になり、ドライエッチング用のマスクとしては使用しにくく、その利用は限られている。又、この様なＰＭＭＡをベースとした一成分系ポリマーを使用したポジ型レジストを現像するには、有機溶剤を必要とし、現像時にレジスト膜が有機溶剤現像液中で膨潤する事がある為、パターンの分解能は低下し、場合によってはパターンがゆがみ、使用出来なくなる。更に、有機溶剤現像液は環境上、健康上有害であり、又、引火性の点でも望ましくない。
【０００３】
近年、化学増幅という概念を導入してポジ型電子線レジストの感度を高める開発が行われており、幾つかの報告がある（例えば、Ｈ．Ｉｔｏ等、ＳＰＩＥ  Ｖｏｌ．１０８６  Ａｄｖａｎｃｅｓ  ｉｎ  Ｒｅｓｉｓｔ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  ａｎｄ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  ＶＩ（１９８９）  ｐ．１１；Ｈ．Ｓｈｉｒａｉｓｈｉ等、Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ｂ９（６），ｐ．３３４３（１９９１）；特開平３ー１９２３６１号公報；特開平４ー１５５３４４号公報等）。これ等レジストは、電子ビームを照射した際に酸を発生する化合物（以下、酸発生剤と略記する。）と、この酸により酸触媒反応をおこす化合物を含む多成分系物質をポジ型電子線レジストとして用いるものである。電子ビームを照射した際に酸を発生する事が出来る酸発生剤としてはトリフェニルスルホニウム塩、ジフェニルヨードニウム塩、トリス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン／トリエタノールアミン、スルホン酸エステル等が挙げられる。これ等の酸は、電子ビームが照射される事によって強酸、且つ揮発性の高いルイス酸又はスルホン酸を発生する。この様な酸によって反応するポリマーとして、例えばポリ（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシスチレン）、ポリ（ｐ−テトラヒドロピラニルオキシスチレン）、ポリ（ｐ−トリメチルシリルオキシスチレン）等が挙げられる。これ等ポリマーは、例えば発生した酸によって下記［式１］の様な分解反応を起こす。
【０００４】
【式１】
0003602491.tif 000002
【０００５】
上記の反応が進行してポリマーの保護基の分解反応が進む。即ち、電子ビーム描画を行う事によって、酸発生剤から酸が発生し、この酸によってアルカリ不溶性のポリマーはアルカリ可溶性となり、ポジ型のパターンを形成する事が出来る。この様なマトリックスポリマーと酸発生剤を含む多成分系物質を半導体基板上、又は、有機平坦化膜、無機中間膜上にレジストとして塗布し、電子ビーム照射、熱処理、有機アルカリ水溶液による現像によりパターン形成を行う方法が開発されている。しかし、これ等ポリマーは保護基の脱離が容易に進行せず、今後必要とされる  ０．２μｍルール以下の解像性能を持つポジ型レジストで十分な感度を持つものは、この様な化学増幅系では開発されていない。又、これ等電子線レジストは共通して、発生した酸が強酸、且つ揮発性の高い酸である為、アミン等の雰囲気の影響を受け易くその結果、電子ビーム描画中又は描画から熱処理迄の間ににパターン寸法が変化する問題がある。更に、エッチングマスクとして使用し、寸法シフト無く基板をエッチングする為には垂直な形状のレジストパターンが必要であるが、上記したポリマーと酸発生剤からは、良好な形状のレジストパターンは得られない。又、ＰＭＭＡ系のレジストでは前述した様に、現像時の膨潤、耐ドライエッチ性の不足という問題があり、  ０．２μｍルール以下の微細加工には適さない。
【０００６】
【発明が解決しようとする問題点】
このように、レジストに化学増幅を取り入れる事は感度を高め、有機現像液による膨潤や、人体、環境に与える影響をなくす事が出来、有効であるが、未だ感度、解像度を同時に満足するポジ型レジストは開発されていない。電子ビームリソグラィーでは感度の向上は、スループットの向上につながる為、レジストの感度向上は大きな課題である。又、ドライエッチング用のマスクとして使用する為には十分な耐ドライエッチ性も同時に満たす必要がある。更に電子ビーム描画中にパターン寸法が変化する大きな問題を抱えている。従って、これ等問題点を改善した実用的なポジ型電子線レジストが渇望されている現状にある。
【０００７】
【発明の目的】
本発明は、上記した如き状況に鑑みなされたもので、高感度、高解像度、高耐ドライエッチ性を有し、又、安定したパターン寸法を維持可能な化学増幅型ポジ型レジスト用重合体、化学増幅型ポジ型電子線レジスト及びこれを用いた微細パターン形成方法を提供する事を目的とする。
【０００８】
【発明の構成】
上記目的を達成する為、本発明は下記の構成から成る。
『（１）下記一般式［Ｉ］
【０００９】
【化１１】
0003602491.tif 000003
【００１０】
［式中、Ｒ１は水素原子又はメチル基を表し、Ｒ２及びＲ３は夫々独立して水素原子又は炭素数１〜６の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基を表し（但し、Ｒ２及びＲ３が共に水素原子の場合は除く。）、又、Ｒ２とＲ３で炭素数２〜５のメチレン鎖を形成していても良く、Ｒ４は炭素数１〜１０の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基、炭素数１〜６の直鎖状、分枝状又は環状のハロアルキル基、又はアラルキル基を表し、Ｒ５は水素原子を表し、Ｒ６は水素原子又はメチル基を表し、Ｒ７は下記一般式［ＩＩ］
【００１１】
【化１２】
0003602491.tif 000004
【００１２】
（但し、Ｚは水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜６の直鎖状又は分枝状のアルキル基、炭素数１〜１０の直鎖状、分枝状又は環状のアルコキシ基を表す。）を表し、ｋ、ｌ及びｍは夫々独立して自然数を表す｛但し、０．１≦ｋ／（ｋ＋ｌ）≦０．９、０．０５≦ｍ／（ｋ＋ｌ＋ｍ）≦０．５０である。｝。］で示される重合体。
【００１３】
（２）一般式［Ｉ’］
【化１３】
0003602491.tif 000005
［式中、Ｒ１は水素原子又はメチル基を表し、Ｒ２及びＲ３は夫々独立して水素原子又は炭素数１〜６の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基を表し（但し、Ｒ２及びＲ３が共に水素原子の場合は除く。）、又、Ｒ２とＲ３で炭素数２〜５のメチレン鎖を形成していても良く、Ｒ４は炭素数１〜１０の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基、炭素数１〜６の直鎖状、分枝状又は環状のハロアルキル基、又はアラルキル基を表し、ｋ及びｌは夫々独立して自然数を表す｛但し、０．１≦ｋ／（ｋ＋ｌ）≦０．９である。｝。］で示される重合体と、下記一般式［ＶＩ］
【化１４】
0003602491.tif 000006
［式中、Ｒ１２は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基又はアルコキシ基を表し、Ｒ１３は炭素数１〜６の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基、フェニル基、アルキル置換フェニル基、ハロゲン置換フェニル基又はアルコキシ置換フェニル基を表す。］、一般式［Ｘ］
【化１５】
0003602491.tif 000007
［式中、Ｒ２２、Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５は夫々独立して水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基、炭素数１〜１０のハロアルキル基、炭素数２〜１０のアルコキシアルキル基、アラルキル基、フェニル基、置換フェニル基（置換基はハロゲン原子、炭素数１〜１０の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基、アルコキシ基、ニトロ基、又はシアノ基を表す。）を表し、又、Ｒ２２とＲ２３、Ｒ２３とＲ２４、Ｒ２４とＲ２５は夫々独立して、互いに結合して脂環、ヘテロ脂環、芳香環又はヘテロ芳香環を成していても良い。］又は一般式［ＸＩ］
【化１６】
0003602491.tif 000008
［式中、Ｒ２６は水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基、アルコキシ基を表し、Ｒ２７は水素原子又は炭素数１〜３のアルキル基を表し、Ｒ２８は炭素数１〜３のアルキル基を表し、Ｒ２９は炭素数１〜１０の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基、アラルキル基、フェニル基、置換フェニル基（置換基はハロゲン原子、炭素数１〜１０の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基、又はアルコキシ基を表す。）を表す。］から選ばれる、電子ビームの照射によって酸を発生する事ができる酸発生剤と、これ等を溶解可能な溶剤を含んで成る事を特徴とするレジスト材料。
（３）（ｉ）（２）に記載のレジスト材料を半導体基板上に塗布、加熱処理してレジスト膜を形成する工程と、（ｉｉ）電子ビームを照射する事によりパターンを描写した後、必要に応じて熱処理する工程と、（ｉｉｉ）アルカリ水溶液を用いて現像を行う事によりポジ型のパターンを形成する工程と、から成る事を特徴とする微細パターン形成方法。
【００１４】
（４）（ｉ）半導体基板上に有機高分子溶液を塗布、加熱処理して下層膜を形成する工程と、（ｉｉ）前記下層膜上に無機中間膜を形成する工程と、（ｉｉｉ）前記中間膜上に、（２）に記載のレジスト材料を塗布、加熱処理してレジスト膜を形成する工程と、（ｉｖ）電子ビームを照射する事によりパターンを描写した後、必要に応じて熱処理する工程と、（ｖ）アルカリ水溶液を用いて現像を行う事によりポジ型のパターンを形成する工程と、（ｖｉ）前記のレジストパターンをマスクとして、前記中間膜をエッチングする工程と、（ｖｉｉ）それにより得られたパターンをマスクとして、前記下層膜をエッチングする事によりパターンを形成する工程と、から成る事を特徴とする微細パターン形成方法。』
【００１５】
即ち、本発明者等は上記目的を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、一般式［Ｉ］
【００１６】
【化１７】
0003602491.tif 000009
【００１７】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、ｋ、ｌ及びｍは前記の通り。）で示される重合体を化学増幅型レジスト用重合体として用いれば上記目的を達成し得る事、並びに上記（２）のレジストを用いればやはり上記目的を達成し得ることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１８】
一般式［Ｉ］及び一般式［Ｉ’］に於いて、Ｒ２及びＲ３で示される炭素数１〜６のアルキル基、Ｒ４で示される炭素数１〜６のハロアルキル基のアルキル基、Ｒ７で示される−ＣＯＯＹのＹ及び下記一般式［ＩＩ］
【００１９】
【化１８】
0003602491.tif 000010
【００２０】
のＺで示される炭素数１〜６のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、アミル基、ヘキシル基が挙げられる（直鎖状、分枝状又は環状の何れにても可）。また、Ｒ４で示される炭素数１〜１０のアルキル基、Ｒ７の下記一般式［ＩＩ］
【００２１】
【化１９】
0003602491.tif 000011
【００２２】
のＺで示される炭素数１〜１０のアルコキシ基のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、アミル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基が挙げられる（直鎖状、分枝状又は環状の何れにても可）。Ｒ４で示される炭素数１〜６のハロアルキル基のハロゲンとしては、塩素、臭素、フッ素、ヨウ素が挙げられる。又、Ｒ４で示されるアラルキル基としては、ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、メチルベンジル基、メチルフェネチル基、エチルベンジル基等が挙げられる。
【００２３】
本発明に係る一般式［Ｉ］及び一般式［Ｉ’］で示される重合体は、酸で脱離し得る一般式［ＩＶ］
【００２４】
【化２０】
0003602491.tif 000012
【００２５】
（式中、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は前記と同じ。）で示される官能基、即ちアルコキシアルキル基、ハロアルコキシアルキル基又はアラルキルオキシアルキル基を有するモノマー単位、即ち、一般式［ＩＩＩ］
【００２６】
【化２１】
0003602491.tif 000013
【００２７】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は前記と同じ。）で示されるモノマー単位を含んで成る点に最大の特徴を有する。特に一般式［ＩＶ］で示される官能基は既存のｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、トリメチルシリル基や類似したテトラヒドロピラニル基等の官能基に比較して、アルコキシ基の電子供与性に起因して官能基部位の電子密度が高くなっている為、少量の酸により極めて容易に分解反応が進行する。従って、少ないドーズ量で化学増幅が進行するので従来のポジ型レジストに比して感度が高くなり、大幅な生産性向上が可能になる。又、解像度の向上及びパターン寸法維持の点で大幅に有利である。
【００２８】
一般式［ＩＩＩ］で示されるモノマー単位は、具体的には一般式［ＩＶ］で示される官能基を有するｐ−又はｍ−ヒドロキシスチレン誘導体、ｐ−又はｍ−ヒドロキシーαーメチルスチレン誘導体等のモノマーに起因するものであるが、それ等のモノマーの具体例としては、例えばｐ−又はｍ−１−メトキシ−１−メチルエトキシスチレン、ｐ−又はｍ−１−ベンジルオキシ−１−メチルエトキシスチレン、ｐ−又はｍ−１−エトキシエトキシスチレン、ｐ−又はｍ−１−メトキシエトキシスチレン、ｐ−又はｍ−１−ｎ−ブトキシエトキシスチレン、ｐ−又はｍ−１−イソブトキシエトキシスチレン、ｐ−又はｍ−１−（１，１−ジメチルエトキシ）−１−メチルエトキシスチレン、ｐ−又はｍ−１−（１，１−ジメチルエトキシ）エトキシスチレン、ｐ−又はｍ−１−（２−クロルエトキシ）エトキシスチレン、ｐ−又はｍ−１−シクロヘキシルオキシエトキシスチレン、ｐ−又はｍ−１−（２−エチルヘキシルオキシ）エトキシスチレン、ｐ−又はｍ−１−エトキシ−１−メチルエトキシスチレン、ｐ−又はｍ−１−ｎ−プロポキシエトキシスチレン、ｐ−又はｍ−１−エトキシプロポキシスチレン、ｐ−又はｍ−１−メトキシブトキシスチレン、ｐ−又はｍ−１−メトキシシクロヘキシルオキシスチレン及びこれ等ｐ−又はｍ−ヒドロキシスチレン誘導体と同様の保護基を有するｐ−又はｍ−ヒドロキシ−α−メチルスチレン誘導体が挙げられる。これらのモノマーは単独で用いても、二種以上適宜組合せて用いても良い。又、これ等のモノマー単位の中、特に一般式［ＩＩＩ］に於いてＲ２及びＲ３が何れもアルキル基である、ｐ−又はｍ−１−メトキシ−１−メチルエトキシスチレン、ｐ−又はｍ−１−ベンジルオキシ−１−メチルエトキシスチレン、ｐ−又はｍ−１−（１，１−ジメチルエトキシ）−１−メチルエトキシスチレン、ｐ−又はｍ−１−エトキシ−１−メチルエトキシスチレン、ｐ−又はｍ−１−メチル−１−ｎ−プロポキシエトキシスチレン等は酸の作用により保護基が極めて脱離し易く、本発明の目的の一つである解像性能の向上により好ましい。
【００２９】
本発明に係る一般式［Ｉ］で示される重合体は上記一般式［ＩＩＩ］で示されるモノマー単位以外に、一般式［ＸＩＩ］
【００３０】
【化２２】
0003602491.tif 000014
【００３１】
（式中、Ｒ１は前記と同じ。）で示されるモノマー単位と、要すれば一般式［ＸＩＩＩ］
【００３２】
【化２３】
0003602491.tif 000015
【００３３】
（式中、Ｒ５、Ｒ６及びＲ７は前記と同じ。）で示されるモノマー単位とを含んで成る共重合体である。一般式［ＸＩＩ］で示されるモノマー単位はフェノール性水酸基を有するモノマーに起因するものであるが、それ等のモノマーの具体例としてはｐ−又はｍ−ビニルフェノール、ｐ−又はｍ−ヒドロキシ−α−メチルスチレンが挙げられる。これらのモノマーは単独で用いても、二種以上適宜組合せて用いても良い。
また、一般式［Ｉ’］で示される重合体は、上記一般式［ＩＩＩ］で示されるモノマー単位以外に一般式［ＸＩＩ］で示されるモノマー単位を有する。
【００３４】
本発明に係る一般式［Ｉ］で示される重合体の第三の成分である一般式［ＸＩＩＩ］で示されるモノマー単位としては例えばアクリロニトリル、フマロニトリル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸  ｔｅｒｔ−ブチル、無水マレイン酸、ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレン、ｐ−メチルスチレン、ｐ−クロルスチレン、スチレン等のモノマー単位が挙げられる。これらのモノマーは単独で用いても、二種以上適宜組合せて用いても良い。
【００３５】
一般式［Ｉ］で示される本発明に係る重合体に於いて、上記一般式［ＩＩＩ］で示されるモノマー単位と、一般式［ＸＩＩ］で示されるモノマー単位の構成比は通常１：９乃至９：１であり、何れの場合も本発明のレジスト材料として使用可能であるが重合体の耐熱性及び半導体基板との密着性を極めて良好にする２：８乃至７：３がより好ましい。
【００３６】
本発明に係る重合体の具体例としては例えばポリ（ｐ−１−メトキシ−１−メチルエトキシスチレン−ｐ−ヒドロキシスチレン）、ポリ（ｐ−１−ベンジルオキシ−１−メチルエトキシスチレン−ｐ−ヒドロキシスチレン）、ポリ（ｐ−１−エトキシエトキシスチレン−ｐ−ヒドロキシスチレン）、ポリ（ｐ−１−メトキシエトキシスチレン−ｐ−ヒドロキシスチレン）、ポリ（ｐ−１−ｎ−ブトキシエトキシスチレン−ｐ−ヒドロキシスチレン）、ポリ（ｐ−１−イソブトキシエトキシスチレン−ｐ−ヒドロキシスチレン）、ポリ［ｐ−１−（１，１−ジメチルエトキシ）−１−メチルエトキシスチレン−ｐ−ヒドロキシスチレン］、ポリ［ｍ−１−（２−クロルエトキシ）エトキシスチレン−ｍ−ヒドロキシスチレン］、ポリ（ｐ−１−シクロヘキシルオキシエトキシスチレン−ｐ−ヒドロキシスチレン）、ポリ［ｍ−１−（２−エチルヘキシルオキシ）エトキシスチレン−ｍ−ヒドロキシスチレン］、ポリ（ｐ−１−メトキシ−１−メチルエトキシ−α−メチルスチレン−ｐ−ヒドロキシ−α−メチルスチレン）、ポリ（ｐ−１−エトキシエトキシスチレン−ｐ−ヒドロキシスチレン−アクリロニトリル）、ポリ（ｐ−１−エトキシエトキシスチレン−ｐ−ヒドロキシスチレン−フマロニトリル）、ポリ（ｐ−１−ｎ−ブトキシエトキシスチレン−ｐ−ヒドロキシスチレン−メタクリル酸メチル）、ポリ（ｐ−１−シクロヘキシル−１−エトキシエトキシスチレン−ｐ−ヒドロキシスチレン−メタクリル酸  ｔｅｒｔ−ブチル）、ポリ（ｐ−１−メトキシシクロヘキシルオキシスチレン−ｐ−ヒドロキシスチレン）、ポリ（ｐ−１−エトキシ−１−メチルエトキシスチレン−ｐ−ヒドロキシスチレン）、ポリ（ｐ−１−エトキシエトキシスチレン−ｐ−ヒドロキシスチレン−ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレン）、ポリ（ｐ−１−メトキシエトキシスチレン−ｐ−ヒドロキシスチレン−ｐ−メチルスチレン）、ポリ（ｐ−１−エトキシエトキシスチレン−ｐ−ヒドロキシスチレン−ｐ−クロルスチレン）、ポリ［ｐ−１−（２−クロルエトキシ）エトキシスチレン−ｐ−ヒドロキシスチレン−メタクリル酸  ｔｅｒｔ−ブチル］、ポリ（ｍ−１−シクロヘキシルオキシエトキシスチレン−ｍ−ヒドロキシスチレン−無水マレイン酸）等が挙げられるが、勿論これ等に限定されるものではない。本発明に係る重合体は、例えば下記ａ）〜ｄ）に示す４種の方法により容易に得る事が出来る。
【００３７】
ａ）方法−１上記一般式［ＩＶ］で示される官能基を有する下記一般式［ＸＩＶ］
【００３８】
【化２４】
0003602491.tif 000016
【００３９】
（Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は前記と同じ。）で示されるモノマー単位単独、又はこれと第３のモノマーとを、重合体製造法の常法に従い例えばベンゼン、トルエン、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン等の有機溶剤中、ラジカル重合開始剤［例えば、  ２，２’−アゾビスイソブチロニトリル、  ２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルワレロニトリル）、  ２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオン酸メチル）等のアゾ系重合開始剤や過酸化ベンゾイル、過酸化ラウロイル等の過酸化物系重合開始剤等］の存在下、窒素又はアルゴン気流中、５０〜  １１０℃で１〜１０時間重合反応させる。反応後は高分子取得法の常法に従って後処理を行って、上記一般式［ＩＩＩ］で示されるモノマー単位から成るホモ重合体又は上記一般式［ＩＩＩ］で示されるモノマー単位を含む共重合体を単離する。次いでこのホモ重合体又は共重合体をテトラヒドロフラン、アセトン、１，４−ジオキサン等の有機溶剤中、適当な酸［例えば、硫酸、リン酸、塩酸、臭化水素酸等のルイス酸やｐ−トルエンスルホン酸、マロン酸、シュウ酸等の有機酸等］と３０〜１００℃で１〜１０時間反応させて上記一般式［ＩＶ］で  示される官能基を任意の割合で脱離させる。反応後は高分子取得法の常法に従って後処理を行い、目的とする重合体を単離する。
【００４０】
ｂ）方法−２上記一般式［ＸＩＶ］で示されるモノマーとｐ−又はｍ−ヒドロキシスチレン、ｐ−又はｍ−ヒドロキシ−α−メチルスチレンと、要すれば第３のモノマーとを、方法−１と同様の操作法により共重合させた後、高分子取得法の常法に従って後処理を行い、目的とする重合体を単離する。
【００４１】
ｃ）方法−３市販のｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレン単独、又はこれと第３のモノマーとを、方法−１と同様の操作法により重合反応させて得たポリ（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレン）又はｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレン単位を含む共重合体をテトラヒドロフラン、アセトン、１，４−ジオキサン等の有機溶剤中、適当な酸［例えば、硫酸、リン酸、塩酸、臭化水素酸等のルイス酸やｐ−トルエンスルホン酸、マロン酸、シュウ酸等の有機酸等］と３０〜１１０℃で１〜２０時間反応させて官能基であるｔｅｒｔ−ブチル基を完全に、又は任意の割合で脱離させて得たポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）、ポリ（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレン−ｐ−ヒドロキシスチレン）又は一般式［ＸＩＩ］で示されるモノマー単位を含む共重合体と、任意の量の下記一般式［ＸＶ］
【００４２】
【化２５】
0003602491.tif 000017
【００４３】
（式中、Ｒ２及びＲ４は前記と同じ。）で示されるビニルエーテル化合物又はイソプロペニルエーテル化合物とを、テトラヒドロフラン、アセトン、１，４−ジオキサン、塩化メチレン、ジメトキシエタン等の有機溶剤中、適当な酸［例えば、硫酸、塩酸、ｐ−トルエンスルホン酸、クロルスルホン酸・ピリジン塩、硫酸・ピリジン塩、ｐ−トルエンスルホン酸・ピリジン塩等］の存在下、１０〜  １００℃で１〜２０時間反応させ、上記一般式［ＩＶ］で示される官能基を任意の割合で化学的に導入させ、次いで高分子取得法の常法に従って後処理を行い、目的とする重合体を単離する。
【００４４】
ｄ）方法−４市販のポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）又は一般式［ＸＩＩ］で示されるモノマー単位を含む共重合体と、任意の量の上記一般式［ＸＶ］で示されるビニルエーテル化合物又はイソプロペニルエーテル化合物とを用いて方法−３と同様な操作法で反応させた後、高分子取得法の常法に従って後処理を行い、目的とする重合体を単離する。
【００４５】
本発明に係る重合体の平均分子量としてはレジスト材料として利用可能なものであれば特に限定することなく挙げられるが、好ましい範囲としては、ポリスチレンを標準とするＧＰＣ測定法により求めた重量平均分子量が通常１０００〜５００００程度、より好ましくは３０００〜４００００程度である。
【００４６】
本発明で用いられる電子ビームの照射により酸を発生する酸発生剤としては、レジストパターン形成に悪影響を及ぼさないものであれば何れにても良いが、電子ビームの照射により、より効率良く酸を発生する事が出来る酸発生剤がより好ましいことは言うまでもない。本発明に於いて特に好ましい酸発生剤としては、例えば下記一般式［Ｖ］、一般式［ＶＩ］、一般式［ＶＩＩ］、一般式［ＶＩＩＩ］、一般式［Ｘ］又は一般式［ＸＩ］で表される化合物が挙げられる。
【００４７】
【化２６】
0003602491.tif 000018
【００４８】
［式中、Ｒ８はアルキル基、アラルキル基、トリフルオロメチル基、フェニル基、アルキル置換フェニル基、アルコキシ置換フェニル基、ハロゲン置換フェニル基を表し、Ｒ９及びＲ１０は夫々独立して水素原子又はアルキル基を表し、Ｒ１１はアルキル基、フェニル基、アルキル置換フェニル基、アルコキシ置換フェニル基、ハロゲン置換フェニル基又はアルキルチオ置換フェニル基を表す。］
【００４９】
【化２７】
0003602491.tif 000019
【００５０】
［式中、Ｒ１２は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基又はアルコキシ基を表し、Ｒ１３は炭素数１〜６の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基、フェニル基、アルキル置換フェニル基、ハロゲン置換フェニル基又はアルコキシ置換フェニル基を表す。］
【００５１】
【化２８】
0003602491.tif 000020
【００５２】
［式中、Ｒ１４はトリクロルアセチル基、ｐ−トルエンスルホニル基、ｐ−トリフルオロメチルベンゼンスルホニル基、メタンスルホニル基又はトリフルオロメタンスルホニル基を表し、Ｒ１５及びＲ１６は夫々独立して水素原子、ハロゲン原子又はニトロ基を表す。］
【００５３】
【化２９】
0003602491.tif 000021
【００５４】
［式中、Ｒ１７及びＲ１８は夫々独立して水素原子、ハロゲン原子、又は炭素数１〜６の直鎖状又は分枝状のアルキル基を表し、Ｒ１９は炭素数１〜１０の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基、又は一般式［ＩＸ］
【００５５】
【化３０】
0003602491.tif 000022
【００５６】
（但し、Ｒ２０及びＲ２１は夫々独立して水素原子、ハロゲン原子  又は炭素数１〜６の直鎖状又は分枝状のアルキル基を表す。）を表す。］
【００５７】
【化３１】
0003602491.tif 000023
【００５８】
［式中、Ｒ２２、Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５は夫々独立して水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基、炭素数１〜１０のハロアルキル基、炭素数２〜１０のアルコキシアルキル基、アラルキル基、フェニル基、置換フェニル基（置換基はハロゲン原子、炭素数１〜１０の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基、アルコキシ基、ニトロ基又はシアノ基を表す。）を表し、又、Ｒ２２とＲ２３、Ｒ２３とＲ２４、Ｒ２４とＲ２５は夫々独立して、互いに結合して脂環、ヘテロ脂環、芳香環又はヘテロ芳香環を成していても良い。］
【００５９】
【化３２】
0003602491.tif 000024
【００６０】
［式中、Ｒ２６は水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基、アルコキシ基を表し、Ｒ２７は水素原子又は炭素数１〜３のアルキル基を表し、Ｒ２８は炭素数１〜３のアルキル基を表し、Ｒ２９は炭素数１〜１０の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基、アラルキル基、フェニル基、置換フェニル基（置換基はハロゲン原子、炭素数１〜１０の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基、又はアルコキシ基を表す。）を表す。］
【００６１】
本発明に於いて用いられる好ましい酸発生剤の具体例としては、例えば２−メタンスルホニル−２−メチル−（４−メチルチオ）プロピオフェノン、２−メチル−２−（ｐ−トルエンスルホニル）プロピオフェノン、２，４−ジメチル−２−（ｐ−トルエンスルホニル）ペンタン−３−オン、２−（シクロヘキシルカルボニル）−２−（ｐ−トルエンスルホニル）プロパン、ジフェニルジスルホン、ジ（ｐ−トリル）ジスルホン、ｐ−トリル  フェニルジスルホン、ビス（ｐ−トルエンスルホニル）ジアゾメタン、メチルスルホニル  ｐ−トルエンスルホニルジアゾメタン、ビス（２，４−ジメチルベンゼンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｐ−クロルベンゼンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼンスルホニル）ジアゾメタン、ビスーベンゼンスルホニルジアゾメタン、ｐ−トルエンスルホン酸  ２−ニトロベンジル、ｐ−トルエンスルホン酸  ２，６−ジニトロベンジル、ｐ−トリフルオロメチルベンゼンスルホン酸  ２，４−ジニトロベンジル、４，６−ジメチル−１，２−オキサチイン−２，２−ジオキシド、４，６−ジフェニル−１，２−オキサチイン−２，２−ジオキシド、４−メチルー６−フェニル−１，２−オキサチイン−２，２−ジオキシド、３−ブロム−４，６−ジメチル−１，２−オキサチイン−２，２−ジオキシド、６−（４−ブロムフェニル）−１，２−オキサチイン−２，２−ジオキシド、６−フェニル−１，２−オキサチイン−２，２−ジオキシド、６−（４−トリル）−１，２−オキサチイン−２，２−ジオキシド、３−フェニル−５，６，７，８−テトラヒドロ−２，１−ベンズオキサチイン−１，１−ジオキシド、２，２−ビス−ベンゼンスルホニルプロパン、２，２−ビス（ｐ−トルエンスルホニル）プロパン、２−（ｐ−トルエンスルホニル）−２−メチルスルホニルプロパン、２−（ｐ−トルエンスルホニル）−２−シクロヘキシルスルホニルプロパン、２−ベンゼンスルホニル−２−（１，１−ジメチルエチルスルホニル）プロパン、２−［（１，１−ジメチルエチル）フェニルスルホニル］−２−（１−メチルエチルスルホニル）プロパン、２，２−ビス（ｐ−トルエンスルホニル）ブタン等が挙げられるがこれ等に限定されるものではない。
【００６２】
又、上記以外の酸発生剤として従来から種々のトリフェニルスルホニウム塩、ジフェニルヨードニウム塩、ピロガロール  トリス（メタンスルホネート）、又はトリス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン／トリエタノールアミン等が知られているがこれ等を化学増幅型レジスト材料の酸発生剤として使用した場合、電子ビームの照射により発生した酸（ルイス酸）が強酸であり、且つ揮発性に富んでいる事に起因して、電子ビーム描画中又は描画後にレジスト膜表層から揮発したり、アミン等の雰囲気の影響を極めて受け易く、その結果、描画中又は描画から現像迄の時間経過に伴い、パターン形成で膜張り（Ｔ−ｓｈａｐｅ  ）が発生したり、パターン形成寸法が大きく変化したり、又は全くパターンが形成出来ない等の問題があるので好ましくない。
【００６３】
本発明で用いられる溶剤としては、重合体と酸発生剤の両者を溶解可能なものであれば何れにても良いが、通常は成膜性が良いものがより好ましく用いられる。具体的にはメチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、酢酸２−エトキシエチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸エチル、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、１，４−ジオキサン、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル等が挙げられるが、勿論これ等に限定されるものではない。又、本発明のレジスト材料は、通常上記の三成分（重合体、酸発生剤、溶剤）を主たる構成成分とするが、必要に応じてフルオレノン誘導体，アントラセン誘導体，アクリジン化合物，ピレン誘導体等の染料や、ポリピロール，ＴＣＮＱ錯体等の導電性化合物、或は界面活性剤等を添加しても良い。
【００６４】
本発明に係るレジスト材料を用いてパターン形成を行うには、例えば以下の如く行えば良い。本発明に係る化合物を含むレジスト材料をシリコンウェハー等の基板の上に厚みが０．５〜２  μｍ程度となるように回転塗布し、これをオーブン中で７０〜１３０℃、１０〜３０分間、若しくはホットプレート上で７０〜１３０  ℃、１〜２分間プレベークする。次いで加速電圧２０〜５０ＫｅＶ、ドーズ量０．１〜１００μＣ／ｃｍ２の電子ビームで目的のパターンを描画した後、ホットプレート上で７０〜１５０  ℃、１〜２分間ベークする。これを更に、０．１〜５％テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）水溶液等の現像液を用い、０．５〜３分程度、浸漬（ｄｉｐ）  法、パドル（ｐｕｄｄｌｅ）法、スプレー法等の常法により現像すれば、基板上に目的のパターンが形  成される。
【００６５】
又、基板上に先ず有機下層膜を形成し、次いでその上に無機中間膜を形成し、該中間膜上にレジストパターンを形成した後にパターンを転写することにより、電子ビームによる後方散乱の影響を避けることが出来る。この時、有機下層膜は通常ｉ線、ｇ線用のレジスト材料に用いられている、例えばノボラック樹脂を主成分とするもの等を用いることで、半導体基板に対するエッチング耐性の強いパターンを得ることが出来る。更に無機中間膜を酸化珪素膜やスピン・オン・グラスとすることにより膜形成が容易で、下層エッチング時の寸法シフトが小さく、正確にパターンを転写出来る。本発明に係る重合体と酸発生剤との、ポジ型レジスト材料に於ける混合比としては、重合体１重量に対して酸発生剤０．０１〜０．３重量、好ましくは０．０１〜０．１重量付近が挙げられる。又、本発明のレジスト材料中の溶剤の量としては、本発明に係る重合体と酸発生剤とを溶解した結果得られるポジ型レジスト材料を基板上に塗布する際に支障をきたさない量であれば特に限定されることなく挙げられるが、通常、重合体１重量に対して１〜２０重量、好ましくは１．５〜６重量付近が挙げられる。
【００６６】
又、上記した如き各種パターン形成法に於いて用いられる現像液としては、レジスト材料に使用する重合体のアルカリ現像液に対する溶解性に応じて、未露光部は殆ど溶解させず、露光部は溶解させるような適当な濃度のアルカリ溶液を選択すれば良く、通常、０．０１〜２０％の範囲から選択される。又、使用されるアルカリ溶液としては、例えばＴＭＡＨ、コリン、トリエタノールアミン等の有機アミン類、例えばＮａＯＨ、ＫＯＨ  等の無機アルカリ類を含む溶液が挙げられる。
【００６７】
本発明に係る重合体は、上記した如く一般式［ＩＶ］で示される官能基を有する一般式［ＩＩＩ］で示されるモノマー単位を含んで成ることに起因して、従来の同種目的で使用される重合体に比して、酸の存在下、より容易に官能基を脱離してアルカリ可溶性になり易い性質を有しており、そのため電子ビーム照射中や照射から加熱処理（ベーク）迄の時間経過に対して安定したパターン寸法の維持が可能である。又、本発明に係る重合体は、一般式［ＸＩＩ］で示されるヒドロキシスチレン単位を含んで成ることに起因して、耐熱性を有し、ドライエッチ耐性を有し、且つ基板との密着性にも優れている。尚、一般式［Ｉ］に於いてＲ２及びＲ３が共に水素原子（例えば、ｐ−アルコキシメトキシスチレン）の場合には、当該レジスト材料がネガ型に作用するので本発明には適用不可である。
【００６８】
一般式［Ｖ］、［ＶＩ］、［ＶＩＩ］、［ＶＩＩＩ］、［Ｘ］又は［ＸＩ］で示される酸発生剤を含んで成る本発明のレジスト材料は電子線照射はもとより、ＫｒＦエキシマレーザ光（２４８．４ｎｍ）露光やＸ線照射でも酸が発生し、化学増幅作用することが確認されている。従って、本発明のレジスト材料は化学増幅法を利用して低ドーズ量の電子線照射やＫｒＦエキシマレーザ光等の遠紫外光露光或いはＸ線照射法によりパターン形成可能なレジスト材料である。
【００６９】
【作用】
本発明の作用について具体例で説明すると、先ず、電子線照射された部位は例えば下記式２、式３、式４、式５、式６又は式７で示される反応に従って酸が発生する。
【００７０】
【式２】
0003602491.tif 000025
【００７１】
【式３】
0003602491.tif 000026
【００７２】
【式４】
0003602491.tif 000027
【００７３】
【式５】
0003602491.tif 000028
【００７４】
【式６】
0003602491.tif 000029
【００７５】
【式７】
0003602491.tif 000030
【００７６】
照射工程に続いて加熱処理すると下記式８の反応式に従って本発明に係る重合体の特定の官能基（式８では、１−エトキシエトキシ基として例示。）が酸により化学変化を受けて水酸基となり、アルカリ可溶性となって、現像の際、現像液に溶出してくる。
【００７７】
【式８】
0003602491.tif 000031
【００７８】
他方、未照射部は酸が発生しない為、加熱処理しても化学変化は起こらず、かえって基板との密着性強化の目的で用いた重合体の親水性基部位を酸発生剤がアルカリ現像液の浸潤から保護するような作用が発現する。このように本発明のレジスト材料を用いてパターン形成を行った場合には照射部位と未照射部位との間でアルカリ現像液に対して大きな溶解度差を生じ、しかも未照射部位の重合体が基板に対して強い密着性を有している為、現像時に膜剥がれを引き起こさず、その結果、良好なコントラストを有したポジ型のパターンが形成される。又、前記式８で示されるように電子ビーム照射で発生した酸は触媒的に作用する為、電子ビーム照射は必要な酸を発生させるだけで良く、照射エネルギー量の低減が可能となる。又、現像液として有機アルカリ水溶液を使用することが出来るので現像液の膨潤もなく、環境、人体に対しても害を与えない。以下に実施例、製造例、参考例及び比較例を挙げて本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれ等により何等制約を受けるものではない。
【００７９】
製造例１．ポリ［ｐ−（１−エトキシエトキシ）スチレン−ｐ−ヒドロキシスチレン］の合成［方法−１］
（１）ｐ−ブロムー（１−エトキシエトキシ）ベンゼンの合成ｐ−ブロムフェノール５０ｇ（０．２９モル）、エチルビニルエーテル４１．７ｇ（０．５８モル）及びｐ−トルエンスルホン酸・ピリジン塩１．５  ｇを塩化メチレン３００ｍｌに溶解し、室温で６時間撹拌反応させた。次いで５％炭酸水素ナトリウム水溶液４００ｍｌを注入し、撹拌後、静置分液して有機層を分取、これを水洗（３００ｍｌ×３）、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。乾燥剤を濾別後、溶剤留去し、残渣８２ｇを減圧蒸留してｂｐ．  １１２  〜１１４  ℃／６  ｍｍＨｇ留分のｐ−ブロムー（１−エトキシエトキシ）ベンゼン７１．１ｇを微黄色油状物として得た。
１ＨＮＭＲ  δｐｐｍ  （ＣＤＣｌ３）：１．２０（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，−ＣＨ２  ＣＨ３）、１．４９（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝５．１Ｈｚ，−ＯＣＨＣＨ３）、３．４７〜３．８３（２Ｈ，ｍ，−ＣＨ２  ＣＨ３）、５．３１〜５．３７（１Ｈ，ｑ，Ｊ＝５．５Ｈｚ，−ＯＣＨＣＨ３）、６．９５（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，芳香環  ２−Ｈ，６−Ｈ）、７．３２（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，芳香環  ３−Ｈ，５−Ｈ）。
ＩＲ（Ｎｅａｔ）νｃｍ−１：２９７０，２９３０，２８９０，１５９５，１４９０。
【００８０】
（２）ｐ−（１−エトキシエトキシ）スチレンの合成窒素気流中、乾燥テトラヒドロフラン３０ｍｌに金属マグネシウム（削り状）３．７ｇ（０．１５原子）を懸濁させ、これに上記（１）で得たｐ−ブロムー（１−エトキシエトキシ）ベンゼン３５ｇ（０．１４モル）の乾燥テトラヒドロフラン（１５０ｍｌ）溶液を撹拌還流下、滴下し、更に１時間撹拌還流させた。次いで反応液を１０℃に冷却した後、ジクロル｛１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン｝ニッケル０．８ｇを添加し、窒素気流下で臭化ビニル１５．３ｇ（０．１４モル）の乾燥テトラヒドロフラン（５０ｍｌ）溶液を２０〜３０℃で滴下し、更に室温で１時間撹拌した。反応液に塩化アンモニウム水溶液２００ｍｌを注入後、塩化メチレン２００ｍｌを注入し、撹拌、静置した。有機層を分取し、水洗（２００ｍｌ×２）、無水硫酸マグネシウムで乾燥、乾燥剤を濾別後、溶剤留去して得られた残渣３０ｇをｔｅｒｔ−ブチルカテコール（重合禁止剤）を添加して減圧蒸留し、ｂｐ．９３〜９６℃／１  ｍｍＨｇ留分のｐ−（１−エトキシエトキシ）スチレン２１．５ｇを無色油状物として得た。
１ＨＮＭＲ  δｐｐｍ  （ＣＤＣｌ３）：１．２０（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，ＣＨ２  ＣＨ３）、１．５０（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝５．１Ｈｚ，−ＯＣＨＣＨ３）、３．４９〜３．８５（２Ｈ，ｍ，−ＣＨ２  ＣＨ３）、５．１３（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝１０．６Ｈｚ，ＣＨ２＝ＣＨ−）、５．３５〜５．４１（１Ｈ，ｑ，Ｊ＝５．５Ｈｚ，−ＯＣＨＣＨ３）、５．６２（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝１７．６Ｈｚ，ＣＨ２＝ＣＨ−）、６．６６（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１０．６Ｈｚ及び１７．６Ｈｚ，ＣＨ２＝ＣＨ−）、６．９５（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，芳香環  ３−Ｈ，５−Ｈ）、７．３３（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，芳香環  ２−Ｈ，６−Ｈ）。
ＩＲ（Ｎｅａｔ）νｃｍ−１：２９７０，２９３０，２８９０，１６３５（Ｃ＝Ｃ），１６０５，１５０５。
元素分析値（Ｃ１２Ｈ１６Ｏ２）
理  論  値：  Ｃ％  ７４．９７  ；  Ｈ％  ８．３９
実  測  値：  Ｃ％  ７５．０８  ：  Ｈ％  ８．３３
【００８１】
（３）ｐ−（１−エトキシエトキシ）スチレンの重合上記（２）で得られたｐ−（１−エトキシエトキシ）スチレン１９．２ｇに触媒量の２，２’−アゾビスイソブチロニトリルを添加してトルエン溶剤中、窒素気流下、８０℃で６時間重合反応させた。冷却後、反応液をメタノール１０００ｍｌ中に撹拌下注入し、静置、デカントして得た粘稠油状物を更にメタノール５００ｍｌで２回洗浄した後、減圧濃縮して残渣のポリ［ｐ−（１−エトキシエトキシ）スチレン］１６．３ｇを微黄色粘稠油状物として得た。本品はＧＰＣ測定（ポリスチレン標準）した結果、重量平均分子量（Ｍｗ）約１００００、数平均分子量（Ｍｎ）約５５００であった。
【００８２】
（４）ポリ［ｐ−（１−エトキシエトキシ）スチレン−ｐ−ヒドロキシスチレン］の合成上記（３）で得たポリ［ｐ−（１−エトキシエトキシ）スチレン］１５．５ｇを１，４−ジオキサン１５０ｍｌに溶解し、シュウ酸１．６ｇを加えて撹拌還流を３時間行い、冷却後、反応液を水１０００ｍｌ中に注入、撹拌晶析させ、析出晶を濾取、水洗、減圧乾燥してポリ［ｐ−（１−エトキシエトキシ）スチレン−ｐ−ヒドロキシスチレン］１２．０ｇを白色粉末晶として得た。得られた重合体のｐ−（１−エトキシエトキシ）スチレン単位とｐ−ヒドロキシスチレン単位の構成比は１ＨＮＭＲ測定（５．２〜５．４ｐｐｍのメチン水素と６．２〜６．８ｐｐｍの芳香環水素の積分比より算出）により約１：１であった。重量平均分子量約８５００、Ｍｗ／Ｍｎ≒１．８（ＧＰＣ法：ポリスチレン標準）。
【００８３】
製造例２．ポリ［ｐ−（１−エトキシエトキシ）スチレンーｐ−ヒドロキシスチレン］の合成［方法−２］製造例１の（２）で得たｐ−（１−エトキシエトキシ）スチレン９．６ｇ及びｐ−ヒドロキシスチレン６．０ｇを用いて製造例１の（３）と同様にして重合反応を行った後、反応液を石油エーテル１０００ｍｌ中に注入、晶析させ、析出晶を濾取、洗浄、減圧乾燥してポリ［ｐ−（１−エトキシエトキシ）スチレンーｐ−ヒドロキシスチレン］１２．８ｇを白色粉末晶として得た。得られた共重合体のｐ−（１−エトキシエトキシ）スチレン単位とｐ−ヒドロキシスチレン単位の構成比は１ＨＮＭＲ測定より約１：１で  あった。重量平均分子量約９０００、Ｍｗ／Ｍｎ≒２．０  （ＧＰＣ法：ポリスチレン標準）。
【００８４】
製造例３．ポリ［ｐ−（１−エトキシエトキシ）スチレンーｐ−ヒドロキシスチレン］の合成［方法−３］
（１）ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレンの重合ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレン１７．６ｇに触媒量の２，２’−アゾビスイソブチロニトリルを添加してトルエン溶剤中、窒素気流下、８０℃で６時間重合反応させた。反応液を冷却後、メタノール１０００ｍｌ中に注入、晶析させ、析出晶を濾取、メタノール洗浄、減圧乾燥してポリ（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレン）１５．５ｇを白色粉末晶として得た。重量平均分子量約１００００（ＧＰＣ法：ポリスチレン標準）。
【００８５】
（２）ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）の合成上記（１）で得たポリ（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレン）１５．０ｇを１，４−ジオキサンに溶解し、濃塩酸１０ｍｌを加えて４時間撹拌還流させた。冷却後、反応液を水１０００ｍｌ中に注入、晶析させ、析出晶を濾取、水洗、減圧乾燥してポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）  ９．７ｇを白色粉末晶として得た。
【００８６】
（３）ポリ［ｐ−（１−エトキシエトキシ）スチレンーｐ−ヒドロキシスチレン］の合成上記（２）で得たポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）  ４．０ｇ及びエチルビニルエーテル  １．５ｇを１，４−ジオキサンとピリジンの混合液３５ｍｌに溶解し、これに触媒量のｐ−トルエンスルホン酸を添加して、室温で２４時間撹拌反応させた。反応後、水１０００ｍｌ中に反応液を注入、晶析させ、析出晶を濾取、水洗、減圧乾燥してポリ［ｐ−（１−エトキシエトキシ）スチレンーｐ−ヒドロキシスチレン］  ５．０ｇを白色粉末晶として得た。得られた重合体のｐ−（１−エトキシエトキシ）スチレン単位とｐ−ヒドロキシスチレン単位の構成比は１ＨＮＭＲ測定により約１：１であった。重量平均  分子量約  １００００（ＧＰＣ法：ポリスチレン標準）。
【００８７】
製造例４．ポリ［ｐ−（１−エトキシエトキシ）スチレンーｐ−ヒドロキシスチレン］の合成［方法−４］ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）［丸善石油化学（株）、重量平均分子量約１００００、数平均分子量約５０００：商品名  マルカリンカーＭ］８．０  ｇ及びエチルビニルエーテル３．０  ｇを１，４−ジオキサン７０ｍｌに溶解し、ｐ−トルエンスルホン酸・ピリジン塩０．５ｇを添加して室温下、２４時間撹拌反応させた。反応後、水中に反応液を注入し、撹拌晶析させ、析出晶を濾取、水洗、減圧乾燥してポリ［ｐ−（１−エトキシエトキシ）スチレンーｐ−ヒドロキシスチレン］１０．０ｇを白色粉末晶として得た。得られた重合体のｐ−（１−エトキシエトキシ）スチレン単位とｐ−ヒドロキシスチレン単位の構成比は１ＨＮＭＲ測定より約１：１であった。重量平均分子量約１１０００（ＧＰＣ法：ポリスチレン標準）。
【００８８】
製造例５．ポリ［ｐ−（１−エトキシエトキシ）スチレンーｐ−ヒドロキシスチレン］の合成上記製造例３の（２）で得たポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）４．０ｇ及びエチルビニルエーテル１．５ｇをアセトンに溶解し、これに触媒量の硫酸・ピリジン塩を添加し、室温で１２時間撹拌反応させた。次いで反応液を水１０００ｍｌ中に注入、晶析させ、析出晶を濾取、水洗、減圧乾燥してポリ［ｐ−（１−エトキシエトキシ）スチレンーｐ−ヒドロキシスチレン］３．９ｇを白色粉末晶として得た。得られた重合体のｐ−（１−エトキシエトキシ）スチレン単位とｐ−ヒドロキシスチレン単位の構成比は１ＨＮＭＲ測定より約３５：６５であった。重量平均分子量約１００００（ＧＰＣ法：ポリ  スチレン標準）。
【００８９】
製造例６．ポリ［ｐ−（１−メトキシエトキシ）スチレンーｐ−ヒドロキシスチレン］の合成［方法−１］
（１）ｐ−ブロムー（１−メトキシエトキシ）ベンゼンの合成ｐ−ブロムフェノール１７．３ｇ（０．１  モル）及びメチルビニルエーテル１４．０ｇ（０．２  モル）を用いて製造例１の（１）と同様にして反応及び後処理を行い、得られた粗油状物２４ｇ減圧蒸留しｂｐ．８９  〜９０℃／２ｍｍＨｇ留分のｐ−ブロムー（１−メトキシエトキシ）ベンゼン２０．８ｇを微黄色油状物として得た。
１ＨＮＭＲ  δｐｐｍ  （ＣＤＣｌ３）：１．４６（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝５．４Ｈｚ，ＯＣＨＣＨ３  ）、３．３７（３Ｈ，ｓ，−ＯＣＨ３）、５．２９（１Ｈ，ｑ，Ｊ＝５．５Ｈｚ，ＯＣＨＣＨ３）、６．８６（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，芳香環  ２−Ｈ，６−Ｈ）、７．３６（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，芳香環  ３−Ｈ，５−Ｈ）。
ＩＲ（Ｎｅａｔ）νｃｍ−１：３０００，２９４０，２８５０，１５９０，１５８０，１４９０  。
【００９０】
（２）ｐ−（１−メトキシエトキシ）スチレンの合成上記（１）で得たｐ−ブロムー（１−メトキシエトキシ）ベンゼン１１．６ｇを用いて、製造例１の（２）と同様にして反応及び後処理を行い、得られた粗油状物１０．７ｇをｐ−ｔｅｒｔ−ブチルカテコール存在下で減圧蒸留し、ｂｐ．８６〜８７℃／３  ｍｍＨｇ留分のｐ−（１−メトキシエトキシ）スチレン８．８ｇを無色油状物として得た。
１ＨＮＭＲ  δｐｐｍ  （ＣＤＣｌ３）：１．４６（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝５．５Ｈｚ，ＯＣＨＣＨ３）、３．３７（３Ｈ，ｓ，−ＣＨ３）、５．１２（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝１１Ｈｚ，ＣＨ２＝ＣＨ−）、５．３０（１Ｈ，ｑ，Ｊ＝５．１Ｈｚ及び  ５．５Ｈｚ，ＯＣＨＣＨ３）、５．６０（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝１７．６Ｈｚ，ＣＨ２＝ＣＨ−）、６．６４（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１１Ｈｚ及びＪ＝１７．６Ｈｚ，ＣＨ２＝ＣＨ−）、６．９５（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，芳香環３−Ｈ，５−Ｈ）、７．３２（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，芳香環  ２−Ｈ，６−Ｈ）。
ＩＲ（Ｎｅａｔ）νｃｍ−１：２９８０，２９２０，２８２０，１６２０（Ｃ＝Ｃ），１６００，１５００。
元素分析値（Ｃ１１Ｈ１４Ｏ２）
理  論  値  ：  Ｃ％  ７４．１３  ；  Ｈ％  ７．９２
実  測  値  ：  Ｃ％  ７４．４１  ；  Ｈ％  ７．８８
【００９１】
（３）ｐ−（１−メトキシエトキシ）スチレンの重合上記（２）で得たｐ−（１−メトキシエトキシ）スチレン８．０ｇを用いて、製造例１の（３）と同様にして反応及び後処理を行い、ポリ［ｐ−（メトキシエトキシ）スチレン］７．２ｇを微黄色粘稠油状物として得た。重量平均分子量約  １００００、数平均分子量約５０００（ＧＰＣ法：ポリスチレン標準）。
【００９２】
（４）ポリ［ｐ−（１−メトキシエトキシ）スチレンーｐ−ヒドロキシスチレン］の合成上記（３）で得たポリ［ｐ−（１−メトキシエトキシ）スチレン］６．２ｇを用いて、製造例１の（４）と同様にして反応及び後処理を行い、ポリ［ｐ−（１−メトキシエトキシ）スチレンーｐ−ヒドロキシスチレン］３．０ｇを白色粉末晶として得た。得られた重合体のｐ−（１−メトキシエトキシ）スチレン単位とｐ−ヒドロキシスチレン単位の構成比は１ＨＮＭＲ測定より約４５：５５であった。重量平均分子量９０００、Ｍｗ／Ｍｎ≒１．８  （ＧＰＣ法：ポリスチレン標準）。
【００９３】
製造例７．ポリ［ｐ−（１−メトキシー１−メチルエトキシ）スチレンーｐ−ヒドロキシスチレン］の合成上記製造例３の（２）で得たポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）４．０ｇ及び２−メトキシー１−プロペン４．８ｇを１，４−ジオキサンとピリジンの混合液３５ｍｌに溶解し、これに触媒量のクロルスルホン酸を添加し、室温で２０時間撹拌反応させた。反応後、反応液を製造例２の（２）と同様にして処理し、ポリ［ｐ−（１−メトキシー１−メチルエトキシ）スチレンーｐ−ヒドロキシスチレン］４．１ｇを白色粉末晶として得た。得られた重合体のｐ−（１−メトキシー１−メチルエトキシ）スチレン単位とｐ−ヒドロキシスチレン単位の構成比は１ＨＮＭＲ測定より約１：１であった。重量平均分  子量約１００００（ＧＰＣ法：ポリスチレン標準）。
【００９４】
製造例８．ポリ［ｐ−（１−ｎ−ブトキシエトキシ）スチレンーｐ−ヒドロキシスチレン］の合成上記製造例３の（２）で得たポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）４．８ｇ及びｎ−ブチルビニルエーテル３．０ｇを１，４−ジオキサンとピリジンの混合液５０ｍｌに溶解させ、これに触媒量の硫酸を添加し、室温で１６時間撹拌反応させた。反応後、反応液を製造例２の（３）と同様にして処理し、ポリ［ｐ−（１−ｎ−ブトキシエトキシ）スチレンーｐ−ヒドロキシスチレン］４．２ｇを白色粉末晶として得た。得られた重合体のｐ−（１−ｎ−ブトキシエトキシ）スチレン単位とｐ−ヒドロキシスチレン単位の構成比は１ＨＮＭＲ測定より４：６であった。  重量平均分子量約  １００００（ＧＰＣ法：ポリスチレン標準）。
【００９５】
製造例９．ポリ［ｐ−（１−エトキシエトキシ）スチレンーｐ−ヒドロキシスチレンーフマロニトリル］の合成（１）ポリ（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレンーフマロニトリル）の合成ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレン２８．２ｇ（０．１６モル）及びフマロニトリル３．１ｇ（０．０４モル）を触媒量の２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオン酸メチル）の存在下、トルエン溶剤中、窒素気流下９０℃で２時間重合反応させた。反応後、反応液をメタノール中に注入、晶析させ、析出晶を濾取、洗浄、乾燥してポリ（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレンーフマロニトリル）２１．３ｇを白色粉末晶として得た。
【００９６】
（２）ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレンーフマロニトリル）の合成上記（１）で得たポリ（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレンーフマロニトリル）２０．０ｇを用いて、濃塩酸の代わりにｐ−トルエンスルホン酸を使用した以外は製造例３の（２）と同様にして反応及び後処理を行い、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレンーフマロニトリル）１０．６ｇを白色粉末晶として得た。重量平均分子量約  １００００（ＧＰＣ法：ポリスチレン標準）。
【００９７】
（３）ポリ［ｐ−（１−エトキシエトキシ）スチレンーｐ−ヒドロキシスチレンーフマロニトリル］の合成上記（２）で得たポリ（ｐ−ヒドロキシスチレンーフマロニトリル）９．０ｇ及びエチルビニルエーテル３．０ｇを用いて、製造例３の（３）と同様にして反応及び後処理を行い、ポリ［ｐ−（１−エトキシエトキシ）スチレンーｐ−ヒドロキシスチレンーフマロニトリル］８．８ｇを白色粉末晶として得た。得られた重合体のｐ−（１−エトキシエトキシ）スチレン単位とｐ−ヒドロキシスチレン単位の構成比は１ＨＮＭＲ測定より約４：６であった。重量平均分子量約  １１０００（ＧＰＣ法：ポリスチレン標準）。
【００９８】
製造例１０．ポリ［ｐ−（１−エトキシエトキシ）スチレン−ｐ−ヒドロキシスチレン−メタクリル酸  ｔｅｒｔ−ブチル］の合成（１）ポリ［ｐ−（１−エトキシエトキシ）スチレン−メタクリル酸  ｔｅｒｔ−ブチル］の合成製造例１の（２）で得たｐ−（１−エトキシエトキシ）スチレン１７．３ｇ（０．０９モル）及びメタクリル酸  ｔｅｒｔ−ブチル  １．４ｇ（０．０１モル）に触媒量の  ２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオン酸メチル）を添加してトルエン溶剤中、窒素気流下８０℃で８時間重合反応させた。反応液を冷却後、石油エーテル中に撹拌下注入し、静置、デカントして得た粗粘稠油状物をメタノール  ５００ｍｌで２回洗浄した後、減圧濃縮してポリ［ｐ−（１−エトキシエトキシ）スチレン−メタクリル酸  ｔｅｒｔ−ブチル］１５．５ｇを微黄色粘稠油状物として得た。重量平均分子量  約  １２０００（ＧＰＣ法：ポリスチレン標準）。
【００９９】
（２）ポリ［ｐ−（１−エトキシエトキシ）スチレン−ｐ−ヒドロキシスチレン−メタクリル酸  ｔｅｒｔ−ブチル］の合成上記（１）で得たポリ［ｐ−（１−エトキシエトキシ）スチレン−メタクリル酸  ｔｅｒｔ−ブチル］１２．０ｇを１，４−ジオキサンに溶解し、ｐ−トルエンスルホン酸  ０．５ｇを加えて８０℃で３０分間撹拌反応させた。冷却後、反応液を水１０００ｍｌ中に注入、撹拌晶析させ、析出晶を濾取、水洗、減圧乾燥してポリ［ｐ−（１−エトキシエトキシ）スチレン−ｐ−ヒドロキシスチレン−メタクリル酸  ｔｅｒｔ−ブチル］  ９．８ｇを白色粉末晶として得た。得られた重合体のｐ−（１−エトキシエトキシ）スチレン単位とｐ−ヒドロキシスチレン単位の構成比は１ＨＮＭＲ測定より約３５：６５であった。  重量  平均分子量  約  １１０００（ＧＰＣ法：ポリスチレン標準）。
【０１００】
製造例１１．ポリ［ｐ−（１−エトキシエトキシ）スチレン−ｐ−ヒドロキシスチレン］の合成（１）ポリ［ｐ−（１−エトキシエトキシ）スチレン］の合成製造例１の（２）で得たｐ−（１−エトキシエトキシ）スチレン１９．２ｇに触媒量の  ２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオン酸メチル）を添加して１，４−ジオキサン中、窒素気流下、８０℃で３時間次いで９０℃で４時間重合反応させた。冷却後、反応液をメタノール水溶液１０００ｍｌ中に注入し、静置、デカントして得た粘稠油状物を更にメタノール  ５００ｍｌで２回洗浄した後、減圧濃縮して残渣のポリ［ｐ−（１−エトキシエトキシ）スチレン］１８．５ｇを微黄色粘稠油状物として得た。  重量平均分子量約  ２５０００（ＧＰＣ法：ポリスチレン標準）。
【０１０１】
（２）ポリ［ｐ−（１−エトキシエトキシ）スチレン−ｐ−ヒドロキシスチレン］の合成上記（１）で得たポリ［ｐ−（１−エトキシエトキシ）スチレン］１６．５ｇを用いて製造例１の（４）と同様にして反応及び後処理を行い、ポリ［ｐ−（１−エトキシエトキシ）スチレン−ｐ−ヒドロキシスチレン］１３．５ｇを白色粉末晶として得た。得られた重合体のｐ−（１−エトキシエトキシ）スチレン単位とｐ−ヒドロキシスチレン単位の構成比は１ＨＮＭＲ測定より約３５：６５であった。重量平均分子量  約  ２２０００（  ＧＰＣ法：ポリスチレン標準）。
【０１０２】
製造例１２．ポリ［ｐ−（１−エトキシエトキシ）スチレン−ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレン−ｐ−ヒドロキシスチレン］の合成（１）ポリ（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレン−ｐ−ヒドロキシスチレン）の合成上記製造例３の（１）で得たポリ（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレン）２０ｇを１，４−ジオキサンに溶解し、濃塩酸４ｍｌを加えて２時間撹拌還流させた。冷却後、製造例３の（２）と同様にして処理してポリ（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレン−ｐ−ヒドロキシスチレン）１２．０ｇを白色粉末晶として得た。得られた重合体のｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレン単位とｐ−ヒドロキシスチレン単位の構成比は１ＨＮＭＲ測定より約１：９であった。
【０１０３】
（２）ポリ［ｐ−（１−エトキシエトキシ）スチレン−ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレン−ｐ−ヒドロキシスチレン］の合成上記（１）で得たポリ（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレン−ｐ−ヒドロキシスチレン）６．３ｇ及びエチルビニルエーテル１．０ｇを用いて製造例３の（３）と同様にして反応及び後処理を行い、ポリ［ｐ−（１−エトキシエトキシ）スチレン−ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレン−ｐ−ヒドロキシスチレン］  ４．６ｇを白色粉末晶として得た。得られた重合体のｐ−（１−エトキシエトキシ）スチレン単位とｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレン単位とｐ−ヒドロキシスチレン単位の構成比は１ＨＮＭＲ測定より約２５：１０：６５であった。重量平均分子量  約  １００００（ＧＰＣ法：ポリスチレン標準）。
【０１０４】
参考例１．ポリ（ｐ−テトラヒドロピラニルオキシスチレンーｐ−ヒドロキシスチレン）の合成ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）［丸善石油化学（株）、重量平均分子量約  １００００、数平均分子量約５０００：商品名  マルカリンカーＭ］９．０ｇをジメトキシエタン１００ｍｌに溶解し、次いで３，４−ジヒドロ−２Ｈ−ピラン１２．６ｇ及び硫酸０．５ｍｌを加え３０〜４０℃で１５時間撹拌した。反応後、反応液を減圧濃縮し、残渣を炭酸ナトリウムで中和し、水１０００ｍｌ中に注入、晶析させ、析出晶を濾取、水洗、減圧乾燥してポリ（ｐ−テトラヒドロピラニルオキシスチレンーｐ−ヒドロキシスチレン）１１．０ｇを白色粉末晶として得た。得られた重合体のｐ−テトラヒドロピラニルオキシスチレン単位とｐ−ヒドロキシスチレン単位の構成比は１ＨＮＭＲ測定より約３：７であった。重量平均分子量約  １００００（ＧＰＣ法：ポリスチレン標準）。
【０１０５】
参考例２．ポリ（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレン−ｐ−ヒドロキシスチレン）の合成耐圧容器にポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）［丸善石油化学（株）、重量平均分子量約  １００００、数平均分子量約５０００：商品名  マルカリンカーＭ］４．０ｇ及びジメトキシエタン７０ｍｌを入れ、これにイソブチレン６０ｇ及び硫酸  ０．３ｇを−６０℃以下で加えた後、４５℃で１時間、次いで室温で２２時間撹拌反応させた。反応後、反応液を濃縮し、残渣を炭酸ナトリウムで中和し、水１０００ｍｌ中に注入、晶析させ、析出晶を濾取、水洗、減圧乾燥して  ポリ（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレンーｐ−ヒドロキシスチレン）４．１ｇを白色粉末晶として得た。得られた重合体のｐ−ｔｅｒｔ−ブト  キシスチレン単位とｐ−ヒドロキシスチレン単位の構成比は１ＨＮＭＲ測定より約１：１であった。重量平均分子量約  １００００（ＧＰＣ法：ポリスチレン標準）。
【０１０６】
参考例３．ポリ（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシスチレンーｐ−ヒドロキシスチレン）の合成（１）米国特許第  ４，４９１，６２８号（１９８５年）に記載の方法に従って得られたｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシスチレン２２ｇ（０．１  モル）を用いて２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルワレロニトリル）触媒存在下、トルエン中窒素気流下、９０℃で４時間重合反応させた。反応液を冷却後、メタノール中に注入、晶析させ、析出晶を濾取、メタノール洗、減圧乾燥してポリ（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシスチレン）１５．２ｇを白色粉末晶として得た。重量平均分子量約  １２０００（ＧＰＣ法：ポリスチレン標準）。
【０１０７】
（２）上記（１）で得たポリ（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシスチレン）７．０ｇを１，４−ジオキサンに溶解し、濃塩酸５ｍｌを加えて１．５時間撹拌還流させた。冷却後、反応液を水１０００ｍｌ中に注入、晶析させ、析出晶を濾取、水洗、減圧乾燥してポリ（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシスチレンーｐ−ヒドロキシスチレン）４．８ｇを白色粉末晶として得た。得られた重合体のｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシスチレン単位とｐ−ヒドロキシスチレン単位の構成比は１ＨＮＭＲ測定より約１：１であった。重量平均分子量約９５００（ＧＰＣ法：ポリスチレン標準）。
【０１０８】
参考例４．２−（シクロヘキシルカルボニル）−２−（ｐ−トルエンスルホニル）プロパンの合成（１）金属マグネシウム（削り状）２３．９ｇ（０．９８原子）をエチルエーテルに懸濁させ、これに撹拌還流下ブロムシクロヘキサン１６０ｇ（０．９８モル）を滴下し、次いで１時間撹拌還流させた。冷却後、得られたグリニャール試薬をイソ酪酸クロライド９５ｇ（０．８９モル）のエチルエーテル溶液に−５〜０℃で滴下し、同温度で３時間撹拌反応させた後、室温で一夜放置した。反応液を水中に注入し、分離したエーテル層を分取し、水洗、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。乾燥剤を濾別後、溶剤を留去し、残渣を減圧蒸留してｂｐ．  ９５〜１００  ℃／２０ｍｍＨｇ留分の１−シクロヘキシルー２−メチルー１−プロパノン５０ｇを微黄色油状物として得た。
１ＨＮＭＲ  δｐｐｍ  （ＣＤＣｌ３）：１．０６（６Ｈ，ｄ，  ＣＨ３×２）、１．１２〜１．８７（１０Ｈ，ｍ，  シクロヘキサン環  ＣＨ２×５）、２．５１（１Ｈ，ｍ，  シクロヘキサン環ＣＨ）、２．７６（１Ｈ，ｍ，  ＣＨ）。
ＩＲ（Ｎｅａｔ）νｃｍ−１：１７１０（Ｃ＝Ｏ）。
【０１０９】
（２）上記（１）で得た１−シクロヘキシルー２−メチル−１−プロパノン４７．６ｇ（０．３１モル）に塩化スルフリル４２ｇ（０．３１モル）を２５〜３５℃で滴下した後、５０℃で３．５時間撹拌反応させた。反応液を濃縮後、減圧蒸留しｂｐ．  ９９〜１００  ℃／１８ｍｍＨｇ留分の２−クロルー１−シクロヘキシルー２−メチルー１−プロパノン３０．１ｇを黄色油状物として得た。
１ＨＮＭＲ  δｐｐｍ  （ＣＤＣｌ３）：１．１８〜１．８７（１６Ｈ，ｍ，ＣＨ３×２及びシクロヘキサン環ＣＨ２×５）、３．１３（１Ｈ，ｍ，シクロヘキサン環ＣＨ）。
【０１１０】
（３）上記（２）で得た２−クロル−１−シクロヘキシル−２−メチル−１−プロパノン３０．０ｇ（０．１６モル）のジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）溶液にｐ−トルエンスルフィン酸ナトリウム３０．０ｇ（０．１７モル）を加え、６０℃で２０時間撹拌反応させた。反応液を冷水中に注入し、０〜５℃で１時間撹拌した後、析出晶を濾取、水洗、乾燥して粗結晶１８ｇを得た。これをｎ−ヘキサンーベンゼン混液から再結晶して２−（シクロヘキシルカルボニル）−２−（ｐ−トルエンスルホニル）プロパン１３．５ｇを白色針状晶として得た。  ｍｐ．  １２３  〜１２３．５  ℃。
１ＨＮＭＲ  δｐｐｍ  （ＣＤＣｌ３）：１．１９〜１．９１（１６Ｈ，ｍ，ＣＨ３×２及びシクロヘキサン環ＣＨ２×５）、２．４５（３Ｈ，ｓ，Ｐｈ−ＣＨ３）、３．２５（１Ｈ，ｍ，  シクロヘキサン環ＣＨ）、７．３３（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ，芳香環  ３−Ｈ，５−Ｈ）、７．６５（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ，芳香環  ２−Ｈ，６−Ｈ）。ＩＲ（ＫＢｒ）  νｃｍ−１：  １７０５（Ｃ＝Ｏ），１３１０  。
【０１１１】
参考例５．２−メチルー２−（ｐ−トルエンスルホニル）プロピオフェノンの合成イソブチロフェノン２９．６ｇ（０．２  モル）を用いて、製造例４の（２）及び（３）と同様にして反応及び後処理を行い、粗結晶をメタノールから再結晶して２−メチルー２−（ｐ−トルエンスルホニル）プロピオフェノン２１．２ｇを白色針状晶として得た。ｍｐ．  ６４〜６４．５℃。
１ＨＮＭＲ  δｐｐｍ  （ＣＤＣｌ３）：１．７０（６Ｈ，ｓ，  ＣＨ３ラ２）、２．４５（３Ｈ，ｓ，Ｐｈ−ＣＨ３）、７．３２（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝７Ｈｚ，ｐ−メチルベンゼン環  ３−Ｈ，５−Ｈ）、７．４４（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，芳香環  ３−Ｈ，５−Ｈ）、７．５４（１Ｈ，ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，芳香環  ４−Ｈ）、７．６７（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝７Ｈｚ，ｐ−メチルベンゼン環  ２−Ｈ，６−Ｈ）、７．９５（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝７Ｈｚ，芳香環  ２−Ｈ，６−Ｈ）。
ＩＲ（ＫＢｒ）  νｃｍ−１：１６８０，１３０３，１２９０。
【０１１２】
参考例６．２，４−ジメチルー２−（ｐ−トルエンスルホニル）ペンタンー３−オンの合成ジイソプロピルケトン２２．８ｇ（０．２  モル）を用いて、製造例４の（２）及び（３）と同様にして反応及び後処理を行い、粗結晶をｎ−ヘキサンーベンゼン混液から再結晶して２，４−ジメチ２−（ｐ−トルエンスルホニル）ペンタンー３−オン１６．５ｇを白色鱗片状晶として得た。  ｍｐ．  ７６〜７９℃。
１ＨＮＭＲ  δｐｐｍ  （ＣＤＣｌ３）：１．１５（６Ｈ，ｄ，  ＣＨ３ラ２）、１．５５（６Ｈ，ｓ，ＣＨ３ラ２）、２．４５（３Ｈ，ｓ，Ｐｈ−ＣＨ３）、３．５４（１Ｈ，ｍ，Ｊ＝７Ｈｚ，ＣＨ）、７．３４（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ，芳香環  ３−Ｈ，５−Ｈ）、７．６５（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ，芳香環  ２−Ｈ，６−Ｈ）。
ＩＲ（ＫＢｒ）  νｃｍ−１：１７１５（Ｃ＝Ｏ），１３０５，１２９０  。
【０１１３】
参考例７．メチルスルホニル  ｐ−トルエンスルホニルジアゾメタンの合成（１）アジ化ナトリウム２２．５ｇ（０．３５モル）を少量の水に溶解させた後、９０％含水エタノール１３０ｍｌで希釈した。次いで１０〜２５℃でｐ−トルエンスルホニルクロライド６０ｇ（０．３２モル）を溶解させたエタノール溶液を滴下し、室温下２．５時間攪拌反応させた。次いで反応液を減圧濃縮し、残渣油状物を数回水洗した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。乾燥剤を濾別し、ｐ−トルエンスルホニルアジド５０．７ｇを無色油状物として得た。
１ＨＮＭＲ  δｐｐｍ  （ＣＤＣｌ３）：２．４３（３Ｈ，ｓ，ＣＨ３）、７．２４（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ，芳香環  ３−Ｈ，５−Ｈ）、７．６７（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ，芳香環  ２−Ｈ，６−Ｈ）。
ＩＲ（Ｎｅａｔ）νｃｍ−１：２１２０（Ｎ３）  。
【０１１４】
（２）メチルチオメチル  ｐ−トリルスルホン６．０  ｇ（０．０３モル）をメタノール４０ｍｌ及び水４０ｍｌ中に溶解し、タングステン酸ナトリウム６０ｍｇを添加した後、３０％過酸化水素水  ６．８ｇ（０．０６モル）を４５〜５０℃で滴下し、次いで撹拌還流下１０時間反応させた。室温下一夜放置後、水  ４００ｍｌ中に反応液を注入し、析出晶を濾取、水洗、乾燥し、得られた粗結晶７．２ｇをエタノールから再結晶してメチルスルホニルｐ−トルエンスルホニルメタン６．１ｇを白色針状晶として得た。  ｍｐ．  １６３．５  〜１６５℃。
１ＨＮＭＲ  δｐｐｍ  （ＣＤＣｌ３）：２．４８（３Ｈ，ｓ，Ｐｈ−ＣＨ３）、３．２８（３Ｈ，ｓ，ＣＨ３）、４．５６（２Ｈ，ｓ，ＣＨ２）、７．４０（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ，芳香環  ３−Ｈ，５−Ｈ）、７．８７（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ，芳香環  ２−Ｈ，６−Ｈ）。
【０１１５】
（３）水酸化ナトリウム０．８４ｇを６０％含水エタノール５０ｍｌに溶解し、これに上記（２）で得たメチルスルホニル  ｐ−トルエンスルホニルメタン  ５．０ｇ（０．０２モル）を添加した。次いで上記（１）で得たｐ−トルエンスルホニルアジド  ４．０ｇ（０．０２モル）のエタノール（５ｍｌ）溶液を０〜５℃で滴下、次いで同温度で４時間撹拌反応させた。反応後、析出晶を濾取、冷メタノール洗浄、乾燥して得た粗晶３ｇをエタノールから再結晶してメチルスルホニル  ｐ−トルエンスルホニルジアゾメタン２．２ｇを微黄色鱗片状晶として得た。  ｍｐ．  １０７．５〜１０９  ℃。
１ＨＮＭＲ  δｐｐｍ  （ＣＤＣｌ３）：２．４６（３Ｈ，ｓ，Ｐｈ−ＣＨ３）、３．４２（３Ｈ，ｓ，ＣＨ３）、７．３８（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ，芳香環  ３−Ｈ，５−Ｈ）、７．８７（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ，芳香環２−Ｈ，６−Ｈ）。
ＩＲ（ＫＢｒ）  νｃｍ−１：  ２１２０（ＣＮ２），１３５０，１３３０  。
【０１１６】
参考例８．ビス（ｐ−トルエンスルホニル）ジアゾメタンの合成（１）ｐ−チオクレゾール２０ｇ（０．１６モル）に水酸化カリウム１０．７ｇ（０．１６モル）をエタノール（６０ｍｌ）及び水（１５ｍｌ）に溶解させた溶液を室温下滴下し、室温で１５分間撹拌反応させた。次いで塩化メチレン１３．７ｇ（０．１６モル）を注入し、５０±５℃で４時間撹拌反応させた。室温で一夜放置後、反応液にエタノール３０ｍｌ及び水３０ｍｌを注入、希釈し、タングステン酸ナトリウム６００ｍｇを添加した後、３０％過酸化水素水７５ｇを４５〜６０℃で滴下、更に５０〜６０℃で９時間撹拌反応させた。反応後、冷水１２００ｍｌを注入し、析出晶を濾取、水洗、乾燥して得た粗結晶２６ｇをエタノールから再結晶してビス（ｐ−トルエンスルホニル）メタン１９．８ｇを白色結晶として得た。  ｍｐ．  １２６〜１２８℃。
１ＨＮＭＲ  δｐｐｍ  （ＣＤＣｌ３）：２．４７（６Ｈ，ｓ，ＣＨ３ラ２）、４．６９（２Ｈ，ｓ，ＣＨ２）、７．３７（４Ｈ，ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ，芳香環  ３−Ｈ，５−Ｈ）、７．８３（４Ｈ，ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ，  芳香環  ２−Ｈ，６−Ｈ）。
ＩＲ（ＫＢｒ）νｃｍ−１：１３１０  （ＳＯ２）  。
【０１１７】
（２）上記（１）で得たビス（ｐ−トルエンスルホニル）メタン１０．０ｇ（０．０３モル）と参考例７の（１）で得たｐ−トルエンスルホニルアジド  ７．３ｇ（０．０３７モル）を用いて参考例７の（３）と同様にして反応及び後処理を行い、得られた粗結晶５ｇをエタノールから再結晶してビス（ｐ−トルエンスルホニル）ジアゾメタン３．５ｇを淡黄色鱗片状晶として得た。ｍｐ．  １２１．５〜１２３  ℃。
１ＨＮＭＲ  δｐｐｍ  （ＣＤＣｌ３）：２．４６（６Ｈ，ｓ，ＣＨ３ラ２）、７．３６（４Ｈ，ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ，芳香環  ３−Ｈ，５−Ｈ）、７．８７（４Ｈ，ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ，  芳香環  ２−Ｈ，６−Ｈ）。
ＩＲ（ＫＢｒ）  νｃｍ−１：２１１０  （ＣＮ２），１３４５。
【０１１８】
参考例９．ビス（２，４−ジメチルベンゼンスルホニル）ジアゾメタンの合成（１）２，４−ジメチルチオフェノール１０ｇ（０．０７モル）を用いて参考例８の（１）と同様にして反応及び後処理を行い、得られた粗結晶１１ｇをエタノール／酢酸エチル混液から再結晶してビス（２，４−ジメチルベンゼンスルホニル）メタン６．１ｇを白色結晶として得た。
１ＨＮＭＲ  δｐｐｍ  （ＣＤＣｌ３）：２．３９（６Ｈ，ｓ，  ｐ−Ｐｈ−ＣＨ３×２）、２．６０（６Ｈ，ｓ，ｏ−Ｐｈ−ＣＨ３×２）、４．７３（２Ｈ，ｓ，ＣＨ２）、７．１１〜７．１７（４Ｈ，ｍ，（芳香環  ３−Ｈ，５−Ｈ）×２）、７．７７（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ，（芳香環  ６−Ｈ）×２）。
【０１１９】
（２）上記（１）で得たビス（２，４−ジメチルベンゼンスルホニル）メタン５ｇ（０．０１４モル）と参考例７の（１）で得たｐ−トルエンスルホニルアジド２．８ｇ（０．０１４モル）を用いて参考例７の（３）と同様にして反応及び後処理を行い、得られた粗結晶５．２ｇをエタノールから再結晶してビス（２，４−ジメチルベンゼンスルホニル）ジアゾメタン３．３ｇを淡黄色鱗片状晶として得た。  ｍｐ．  １３５〜１３６℃。
１ＨＮＭＲ  δｐｐｍ  （ＣＤＣｌ３）：２．３９（６Ｈ，ｓ，  ｐ−Ｐｈ−ＣＨ３ラ２）、２．５６（６Ｈ，ｓ，  ｏ−Ｐｈ−ＣＨ３ラ２）、７．０９〜７．１５（４Ｈ，ｍ，（芳香環  ３−Ｈ，５−Ｈ）ラ２）、７．７９（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ，（芳香環  ６−Ｈ）ラ２）。
ＩＲ（ＫＢｒ）νｃｍ−１：  ２１４０（ＣＮ２）  、１３４０（ＳＯ２）。
【０１２０】
参考例１０．ジフェニルジスルホンの合成５％希塩酸  ２６０ｍｌ中にベンゼンスルフィン酸ナトリウム・２水和物１００ｇ（０．５０モル）を室温で少量ずつ添加し、室温で３０分間撹拌した後、析出物を濾別した。濾液にトリエチルアミン４２．６ｇ（０．４２モル）と水８５ｍｌの混液を５℃以下で滴下し、次いでベンゼンスルホニルクロライド８８．３ｇ（０．４２モル）を０〜５℃で滴下、同温度で３０分間撹拌反応させた。反応後、析出晶を濾取し、水洗して粗結晶３８ｇ（Ｗｅｔ）  を得た。粗結晶（Ｗｅｔ）  をベンゼンから再結晶してジフェニルジスルホン７．２ｇを白色プリズム晶として得た。  ｍｐ．  １８８．５〜１９０．０  ℃。
１ＨＮＭＲ  δｐｐｍ  （ＣＤＣｌ３）：７．６５〜８．０５（１０Ｈ，ｍ，芳香環）。
ＩＲ（ＫＢｒ）νｃｍ−１：１５８０，１４４０，１３４０，１３３０，１３００。
【０１２１】
参考例１１．ｐ−トリル  フェニルジスルホンの合成ベンゼンスルフィン酸ナトリウム・２水和物の代わりにｐ−トルエンスルフィン酸ナトリウムを用いて参考例１０と同様にして反応及び後処理を行い、得られた粗結晶をベンゼンから再結晶してｐ−トリル  フェニルジスルホン９．５ｇを白色プリズム晶として得た。  ｍｐ．  １５３．５〜１５４．５℃。
１ＨＮＭＲ  δｐｐｍ  （ＣＤＣｌ３）：２．５１（３Ｈ，ｓ，ＣＨ３）、７．４３（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ，トリル環  ２−Ｈ，６−Ｈ）、７．５５〜７．９８（７Ｈ，ｍ，トリル環  ３−Ｈ，５−Ｈ及びフェニル環）。
ＩＲ（ＫＢｒ）νｃｍ−１：１５９５，１４５０，１３４８。
【０１２２】
参考例１２．  ３−フェニル−５，６，７，８−テトラヒドロ−２，１−ベンズオキサチイン−１，１−ジオキシドの合成（１）２ー（シクロヘキセンー１ーイル）−１−フェニルエテノンの合成ナトリウムエトキシド４１ｇをエタノール１０００ｍｌに溶解し、０〜５℃でアセトフェノン７２ｇ（０．６モル）とシクロヘキサノン５９ｇ（０．６モル）の混液に加え、同温度で８時間、次いで１５〜２０℃で９時間攪拌反応させた。反応液を減圧濃縮した後、残渣を濃塩酸６０ｍｌと冷水３５００ｍｌから成る溶液中に注入し、酢酸エチル１０００ｍｌで２回抽出した。有機層を水洗、無水ＭｇＳＯ４で乾燥、溶剤留去して得た残渣９８ｇを減圧蒸留して、ｂｐ．  １３０〜１４０℃／４ｍｍＨｇ留分の２ー（シクロヘキセンー１ーイル）−１−フェニルエテノン  １５．６ｇを黄色粘稠油状物として得た。
１ＨＮＭＲ  δｐｐｍ  （ＣＤＣｌ３）：１．３６〜２．５４（８Ｈ，ｍ，シクロヘキセン環ＣＨ２ラ４）、３．１３（２Ｈ，ｓ，−ＣＨ２−）、５．５７（１Ｈ，ｓ，シクロヘキセン環−ＣＨ＝）、７．３８〜７．６２（３Ｈ，ｍ，芳香環３−Ｈ，４−Ｈ，５−Ｈ）、７．９０〜８．０５（２Ｈ，ｍ，芳香環  ２−Ｈ，６−Ｈ）。
ＩＲ（Ｎｅａｔ）  νｃｍ−１：１６８５（Ｃ＝０）。
【０１２３】
（２）３−フェニル−５，６，７，８−テトラヒドロ−２，１−ベンズオキサチイン−１，１−ジオキシドの合成上記（１）で得た２−（シクロヘキセン−１−イル）−１−フェニルエテノン７．８ｇ（３９ミリモル）を無水酢酸９．３ｇ（９２ミリモル）に溶解し、次いで−１０℃で硫酸３．８ｇ（３９ミリモル）を滴下して、０〜５℃で７時間攪拌反応させた。反応液に冷水８ｍｌを注入し、析出晶を濾取、水洗、石油エ−テル次いで冷メタノ−ル洗浄して粗結晶３．９ｇを得た。粗晶をメタノ−ルから再結晶して３−フェニル−５，６，７，８−テトラヒドロ−２，１−ベンズオキサチイン−１，１−ジオキシド１．５ｇを淡黄色結晶として得た。ｍｐ．  １３２〜１３６℃℃１ＨＮＭＲ  δｐｐｍ  （ＣＤＣｌ３）：１．４１〜２．６７（８Ｈ，ｍ，２，１−ベンズオキサチイン環  ＣＨ２×４）、６．３０（１Ｈ，ｓ，２．１−ベンズオキサチイン環−ＣＨ＝）、７．３１〜７．４７（３Ｈ，ｍ，芳香環３−Ｈ，４−Ｈ，５−Ｈ）、７．５３〜７．７２（２Ｈ，ｍ，芳香環  ２−Ｈ，６−Ｈ）。
ＩＲ（ＫＢｒ）νｃｍ−１：１３６５（ＳＯ２）、１１８０（ＳＯ２）。
【０１２４】
参考例１３．  ４，６−ジメチル−１，２−オキサチイン−２，２−ジオキシドの合成４−メチル−３−ペンテン−２−オン２２．６ｇ（０．２３モル）無水酢酸５５．４ｇ（０．５４モル）に溶解し、これに−１０〜−５℃で硫酸２３．８ｇ（０．２４モル）を滴下し、０〜５℃で６時間攪拌反応させた。反応液に冷水２５０ｍｌを注入し、析出晶を濾取、水洗、乾燥して粗結晶１７．１ｇを得た。粗晶をベンゼン／ｎ−ヘキサン混液から再結晶して４，６−ジメチル−１，２−オキサチイン−２，２−ジオキシド１０．８ｇを赤紫色プリズム晶として得た。  ｍｐ．  ６８〜７０℃。
１ＨＮＭＲ  δｐｐｍ  （ＣＤＣｌ３）：２．０４（３Ｈ，ｓ，ＣＨ３）、２．１５（３Ｈ，ｓ，ＣＨ３）、５．６１（１Ｈ，ｓ，−ＣＨ＝）、６．２６（１Ｈ，ｓ，−ＣＨ＝）。
ＩＲ（ＫＢｒ）νｃｍ−１：１３４０（ＳＯ２）、１１６５（ＳＯ２）。
【０１２５】
参考例１４．ｐ−トルエンスルホン酸  ２，６−ジニトロベンジルの合成（１）２，６−ジニトロベンズアルデヒド１９．６ｇ（０．１  モル）をメタノール  ２００ｍｌ中に懸濁させ、１５〜２５℃で水素化ホウ素ナトリウム  ５．８ｇを徐々に添加した後、室温で１時間攪拌反応させた。反応後、溶剤留去し、残渣に水１００ｍｌ及びクロロホルム  １００ｍｌを加えて、１時間撹拌反応させた後、静置、分液してクロロホルム層を分取、水洗、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。乾燥剤を濾別後、溶剤留去し、残渣の２，６−ジニトロベンジルアルコール１５．０ｇを黄色結晶として得た。ｍｐ．  ９２．５〜９３．５℃。
１ＨＮＭＲ  δｐｐｍ  （ＣＤＣｌ３）：２．７７（１Ｈ，ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，ＯＨ）、４．９７（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝７Ｈｚ，ＣＨ２）、７．６６（１Ｈ，ｔ，Ｊ＝８Ｈｚ，芳香環  ４−Ｈ）、８．０８（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝８Ｈｚ，芳香環  ３−Ｈ，５−Ｈ）。
【０１２６】
（２）上記（１）で得た２，６−ジニトロベンジルアルコール１４．９ｇ（０．０７５モル）とｐ−トルエンスルホニルクロライド１５．７ｇ（０．０８３  モル）をアセトン１５０ｍｌに溶解し、これにジシクロヘキシルアミン１５ｇのアセトン溶液を０〜１０℃で滴下し、次いで室温下４時間撹拌反応させた。反応後、析出物を濾別し、濾液を濃縮して得た残渣（２９ｇ）を四塩化炭素から再結晶してｐ−トルエンスルホン酸  ２，６−ジニトロベンジル１９．８ｇを微黄色鱗片状晶として得た。  ｍｐ．  ９８〜９９℃。
１ＨＮＭＲ  δｐｐｍ  （ＣＤＣｌ３）：２．４５（３Ｈ，ｓ，ＣＨ３）、５．５７（２Ｈ，ｓ，ＣＨ２）、７．３４（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ，ｐ−メチルベンゼン環  ３−Ｈ，５−Ｈ）、７．６８（１Ｈ，ｔ，Ｊ＝８Ｈｚ，ジニトロベンゼン環  ４−Ｈ）、７．７２（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ，ｐ−メチルベンゼン環  ２−Ｈ，６−Ｈ）、７．７２（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ，ジニトロベンゼン環  ３−Ｈ，５−Ｈ）。
ＩＲ（ＫＢｒ）νｃｍ−１：１６８０，１３０３，１２９０。
【０１２７】
参考例１５．２，２−ビス（ｐ−トルエンスルホニル）プロパンの合成ｐ−チオクレゾール２０ｇ（０．１６モル）及びアセトン４．７ｇ（０．０８モル）をエチルエーテル５０ｍｌに溶解し、０  〜１０℃で塩化水素を１．５時間導入した。反応後、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で有機層を洗浄し、溶剤を留去して得られた残渣にアセトン  １２０ｍｌ及び水１０ｍｌを注入し、タングステン酸ナトリウム５００ｍｇを添加した後、３０％過酸化水素水８５ｇを４０〜５０℃で滴下、次いで３．５時間撹拌還流させた。反応後、反応液に冷水４０００ｍｌを注入し、析出晶を濾取、水洗、乾燥して得た粗結晶４．８ｇをエタノールから再結晶して２，２−ビス（ｐ−トルエンスルホニル）プロパン２．５ｇを白色結晶として得た。  ｍｐ．  １５６〜１５８．５  ℃。
１ＨＮＭＲ  δｐｐｍ  （ＣＤＣｌ３）：１．７０（６Ｈ，ｓ，ＣＨ３ラ２）、２．４７（６Ｈ，ｓ，Ｐｈ−ＣＨ３ラ２）、７．３８（４Ｈ，ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ，（芳香環３−Ｈ，５−Ｈ）ラ２）、７．８９（４Ｈ，ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ（芳香環  ２−Ｈ，６−Ｈ）ラ２）。
ＩＲ（ＫＢｒ）νｃｍ−１：  １３２５（ＳＯ２），  １３０５（ＳＯ２）  。
【０１２８】
参考例１６．  ジ  ｐ−トリルジスルホンの合成ｐ−トルエンスルフィン酸ナトリウム２２．３ｇ（０．１２５モル）とｐ−トルエンスルホニルクロライド２３．８ｇ（０．１２モル）を用いて参考例１０と同様にして反応及び後処理を行い、得られた粗結晶をトルエンから再結晶してジ  ｐ−トリルジスルホン９．３ｇを白色プリズム晶として得た。  ｍｐ．  ２０４．５〜２０５．０℃。
１ＨＮＭＲ  δｐｐｍ（ＣＤＣｌ３）：２．５１（６Ｈ，ｓ，ＣＨ３  ），７．４３（４Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，芳香環（２−Ｈ，６−Ｈ）ラ２），７．８４（４Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，  芳香環（３−Ｈ，５−Ｈ）ラ２）。
ＩＲ（ＫＢｒ）νｃｍ−１：１３４５（ＳＯ２）  。
【０１２９】
参考例１７．  ｐ−トリル  ｎ−ブチルジスルホンの合成（１）ｐ−トルエンスルホニルクロライド（４０ｇ）のテトラヒドロフラン（７０ｍｌ）溶液に８５％抱水ヒドラジン２７ｍｌを１０〜１５℃で滴下し、同温度で３０分撹拌した後、析出晶を濾取し、粗晶をメタノールから再結晶してｐ−トルエンスルホニルヒドラジド１５．８ｇを白色結晶として得た。  ｍｐ．  １０９〜１１２℃。
１ＨＮＭＲ  δｐｐｍ（ＣＤＣｌ３）：２．３５（３Ｈ，ｓ，ＣＨ３）、４．２６（２Ｈ，ｂｓ，ＮＨ２  ）、７．３８（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ，芳香環３−Ｈ，  ５−Ｈ）、７．６７（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ，芳香環２−Ｈ，６−Ｈ），８．２８（１Ｈ，ｂｓ，ＮＨ）  。
ＩＲ（ＫＢｒ）νｃｍ−１：３３８８，３２６２，１３１５  。
【０１３０】
（２）上記（１）で得たｐ−トルエンスルホニルヒドラジド４．６６ｇ（０．０２５モル）のピリジン（５ｍｌ）溶液にｎ−ブチルスルホニルクロライド３．９２ｇ（０．０２５モル）を３〜８℃で滴下し、次いで１０〜１５℃で３０分撹拌し、１５〜２０℃で一夜放置した。反応液を希塩酸（１０００ｍｌ）中に注入し、析出晶を濾取しトルエンから再結晶してＮ−ｐ−トルエンスルホニル−Ｎ’−ｎ−ブチルスルホニルヒドラジン４．８４ｇを白色結晶として得た。ｍｐ．  １２４〜１２６．５℃。
１ＨＮＭＲ  δｐｐｍ（ＣＤＣｌ３）：０．８６（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，ＣＨ３  ＣＨ２  −）、１．２８〜１．４４（２Ｈ，ｍ，ＣＨ３  ＣＨ２ＣＨ２）、１．５４〜１．６８（２Ｈ，ｍ，ＣＨ３  ＣＨ２  ＣＨ２  ＣＨ２  −）、２．３９（３Ｈ，ｓ，  ＣＨ３  ）、３．００（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，ＳＯ２  ＣＨ２  ＣＨ２  −）、７．４２（２ｈ，Ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ，  芳香環３−Ｈ，５−Ｈ）、７．６９（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ，  芳香環２−Ｈ，  ６−Ｈ）、９．２１（１Ｈ，ｂｓ，  ＮＨＳＯ２  ＣＨ２  −）、９．９２（１Ｈ，ｂｓ，ＮＨＮＨＳＯ２  ＣＨ２  −）。
ＩＲ（ＫＢｒ）νｃｍ−１：３２３６，３１９２，１３３０  。
【０１３１】
（３）上記（２）で得たＮ−ｐ−トルエンスルホニル−Ｎ’−ｎ−ブチルスルホニルヒドラジン１ｇ（３．２６モル）に６５％硝酸１．９ｇ（１９．５モル）を１０℃以下で滴下し、  ５〜１０℃で１時間撹拌した。次いで反応液を氷水中に注入し、析出晶を濾取、水洗、減圧乾燥し、得られた粗結晶（０．３ｇ）をｎ−ヘキサン／酢酸エチルから再結晶してｐ−トリル  ｎ−ブチルジスルホン０．２ｇを白色針状晶として得た。  ｍｐ．  ６７．５〜７０．０℃。  １ＨＮＭＲ  δｐｐｍ（ＤＭＳＯ−ｄ６  ）：０．８７（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，ＣＨ３  ＣＨ２  −）、１．３３〜１．４９（２Ｈ，ｍ，ＣＨ３  ＣＨ２  ＣＨ２）、１．６７〜１．８２（２Ｈ，ｍ，ＣＨ３  ＣＨ２  ＣＨ２  ＣＨ２  −）、２．４９（３Ｈ，ｓ，ＣＨ３  ）、３．６９（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，  −ＳＯ２  ＣＨ２  ＣＨ２  −）、７．６３（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ，  芳香環３−Ｈ，５−Ｈ）、７．９２（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ，芳香環  ２−Ｈ，６−Ｈ）  。
ＩＲ（ＫＢｒ）νｃｍ−１：１３４８（ＳＯ２）。
【０１３２】
参考例１８．  ｐ−トリル  ｐ−クロルフェニルジスルホンの合成（１）参考例１７の（１）で得たｐ−トルエンスルホニルヒドラジド５．０４ｇ（２７ミリモル）とｐ−クロルベンゼンスルホニルクロライド５．６８ｇ（２７ミリモル）を用いて、参考例１７の（２）と同様にして反応及び後処理を行い、得られた粗結晶をメタノールから再結晶してＮ−ｐ−トルエンスルホニル−Ｎ’−ｐ−クロルフェニルスルホニルヒドラジン４．５２ｇを白色結晶として得た。
１ＨＮＭＲ  δｐｐｍ（ＤＭＳＯ−Ｄ６）：２．４０（３Ｈ，ｓ，ＣＨ３）、７．３７〜７．７７（８Ｈ，ｍ，芳香環）、９．６６（１Ｈ，ｂｓ，ＮＨ）、９．７７（１Ｈ，ｂｓ，ＮＨ）  。
【０１３３】
（２）上記（１）で得たＮ−ｐ−トルエンスルホニル−Ｎ’−ｐ−クロルフェニルスルホニルヒドラジン２．００ｇ（５．５４ミリモル）を用いて参考例１７の（３）と同様にして反応及び後処理を行い、得られた粗結晶をトルエンから再結晶してｐ−トリル  ｐ−クロルフェニルジスルホン１．１５ｇを白色プリズム晶として得た。ｍｐ．１６１．０〜１６１．５℃（分解）。
１ＨＮＭＲ  δｐｐｍ（ＣＤＣｌ３）：２．５２（３Ｈ，ｓ，ＣＨ３）、７．４４〜７．９２（８Ｈ，ｍ，芳香環）。
ＩＲ（ＫＢｒ）νｃｍ−１：１３４９（ＳＯ２）  。
【０１３４】
参考例１９．  ｐ−トリル  イソプロピルジスルホンの合成（１）参考例１７の（１）で得たｐ−トルエンスルホニルヒドラジド４．６６ｇ（０．０２５モル）とイソプロピルスルホニルクロライド３．５７ｇ（０．０２５モル）を用いて、参考例１７の（２）と同様にして反応及び後処理を行い、得られた粗結晶  ５．７ｇをカラムクロマト分離［充填剤：ワコーゲル  Ｃ−２００（和光純薬工業（株）製）；溶離液：ｎ−ヘキサン／酢酸エチル（８／１  →５／１  →１／１  ）］してＮ−ｐ−トルエンスルホニル−Ｎ’−イソプロピルスルホニルヒドラジン１．３ｇを白色結晶として得た。  ｍｐ．１８７〜１９０℃。
１ＨＮＭＲ  δｐｐｍ（ＣＤＣｌ３／ＤＭＳＯ−ｄ６）：１．２６（６Ｈ，ｄ，Ｊ＝７Ｈｚ，  （ＣＨ３）２  ＣＨ−）、２．３６（３Ｈ，ｓ，ＣＨ３）、３．２８〜３．４７（１Ｈ，ｍ，ＣＨ）、７．２５（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ，芳香環  ３−Ｈ，５−Ｈ）、７．７０（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ，芳香環  ２−Ｈ，６−Ｈ）、８．４９（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝２Ｈｚ，ＮＨ）、９．４９（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝２Ｈｚ，ＮＨ）。
ＩＲ（ＫＢｒ）νｃｍ−１：３２０７（ＮＨ）、  １３３５（ＳＯ２）。
【０１３５】
（２）上記（１）で得たＮ−ｐ−トルエンスルホニル−Ｎ’−イソプロピルスルホニルヒドラジン１．２０ｇ（０．０４１モル）を用いて、参考例１７の（３）と同様にして反応及び後処理を行い、得られた粗結晶をｎ−ヘキサン／酢酸エチルから再結晶してｐ−トリルイソプロピルジスルホン０．３５ｇを白色結晶として得た。  ｍｐ．１５０〜１５２℃（分解）。
１ＨＮＭＲ  δｐｐｍ（ＤＭＳＯ−ｄ６）：１．３９（６Ｈ，ｄ，Ｊ＝７Ｈｚ，（ＣＨ３）２  ＣＨ−）、２．４５（３Ｈ，ｓ，ＣＨ３）、３．９２〜４．０７（１Ｈ，ｍ，ＣＨ）、７．５９（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ，芳香環  ３−Ｈ，５−Ｈ）、７．８７（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ，芳香環  ２−Ｈ，６−Ｈ）。
ＩＲ（ＫＢｒ）νｃｍ−１：１３４１（ＳＯ２）。
【０１３６】
参考例２０．  ｐ−トリル  ベンジルジスルホンの合成（１）参考例１７の（１）で得たｐ−トルエンスルホニルヒドラジド５．０３ｇ（０．０２７モル）とベンジルスルホニルクロライド５．１５ｇ（０．０２７モル）を用いて参考例１７の（２）と同様にして反応及び後処理を行い、得られた粗結晶をエタノールから再結晶してＮ−ｐ−トルエンスルホニル−Ｎ’−ベンジルスルホニルヒドラジン０．８１ｇを白色結晶として得た。  ｍｐ．  １８３〜１８５℃。
１ＨＮＭＲ  δｐｐｍ（ＤＭＳＯ−ｄ６）：２．４０（３Ｈ，ｓ，ＣＨ３）、４．３４（２Ｈ，ｓ，ＳＯ２  ＣＨ２−）、７．３５〜７．４４（７Ｈ，ｍ，ｐ−トリル環  ３−Ｈ，５−Ｈ及びフェニル環）、７．７３（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，  ｐ−トリル環  ２−Ｈ，６−Ｈ）、９．３８（１Ｈ，ｓ，  ＮＨ）、１０．０８（１Ｈ，ｓ，ＮＨ）。
ＩＲ（ＫＢｒ）νｃｍ−１：３４５６（ＮＨ）、３２５０（ＮＨ）、１３４２（ＳＯ２）、１３２９（ＳＯ２）。
【０１３７】
（２）上記（１）で得たＮ−ｐ−トルエンスルホニル−Ｎ’−ベンジルスルホニルヒドラジン２．０ｇ（５．８ミリモル）を用いて参考例１７の（３）と同様にして反応及び後処理を行い、得られた粗結晶をメタノールから再結晶してｐ−トリル  ベンジルジスルホン０．８１ｇを白色結晶として得た。  ｍｐ．１４９〜１５０．５℃。
１ＨＮＭＲ  δｐｐｍ（ＤＭＳＯ−ｄ６）：２．４７（３Ｈ，ｓ，ＣＨ３）、５．１３（２Ｈ，ｓ，ＳＯ２  ＣＨ２−）、７．３３〜７．４９（５Ｈ，ｍ，フェニル環）、７．５８（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，ｐ−トリル環  ３−Ｈ，５−Ｈ）、７．８５（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，ｐ−トリル環  ２−Ｈ，６−Ｈ）  。
ＩＲ（ＫＢｒ）νｃｍ−１：１３５０（ＳＯ２）。
【０１３８】
参考例２１．  ｐ−トリル  ｐ−メトキシフェニルジスルホンの合成（１）参考例１７の（１）で得たｐ−トルエンスルホニルヒドラジド４．６６ｇ（０．０２５モル）とｐ−メトキシフェニルスルホニルクロライド５．１７ｇ（０．０２５モル）を用いて参考例１７の（２）と同様にして反応及び後処理を行い、得られた粗結晶をアセトンから再結晶してＮ−ｐ−トルエンスルホニル−Ｎ’−ｐ−メトキシフェニルスルホニルヒドラジン２．７５ｇを白色針状晶として得た。  ｍｐ．２０９〜２１０．５℃。
１ＨＮＭＲ  δｐｐｍ（ＤＭＳＯ−ｄ６）：２．３９（３Ｈ，ｓ，ＣＨ３）、３．８４（３Ｈ，ｓ，ＣＨ３  Ｏ）、７．１０（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，ｐ−メトキシフェニル環  ３−Ｈ，５−Ｈ）、７．３８（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，ｐ−トリル環  ３−Ｈ，５−Ｈ）、７．６４（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，ｐ−トリル環  ２−Ｈ，６−Ｈ）、７．６８（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，ｐ−メトキシフェニル環２−Ｈ，６−Ｈ）、９．４８（１Ｈ，ｂｓ，ＮＨ）、９．５６（１Ｈ，ｂｓ，ＮＨ）。
ＩＲ（ＫＢｒ）νｃｍ−１：３２０６（ＮＨ）、１３４１（ＳＯ２）。
【０１３９】
（２）上記（１）で得たＮ−ｐ−トルエンスルホニル−Ｎ’−ｐ−メトキシフェニルスルホニルヒドラジン２．００（５．６１モル）を用いて参考例１７の（３）と同様にして反応及び後処理を行い、得られた粗結晶をアセトンから再結晶してｐ−トリル  ｐ−メトキシフェニルジスルホン１．１０ｇを白色結晶として得た。  ｍｐ．１７４〜１７６℃。
１ＨＮＭＲ  δｐｐｍ（ＤＭＳＯ−ｄ６）：２．４７（３Ｈ，ｓ，ＣＨ３）、３．９３（３Ｈ，ｓ，ＣＨ３  Ｏ）、７．２６（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，ｐ−メトキシフェニル環  ３−Ｈ，５−Ｈ）、７．５６（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，ｐ−トリル環  ３−Ｈ，５−Ｈ）、７．６９（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，  ｐ−トリル環  ２−Ｈ，６−Ｈ）、７．７３（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，ｐ−メトキシフェニル環  ２−Ｈ，６−Ｈ）  。
ＩＲ（ＫＢｒ）νｃｍ−１：１３４２（ＳＯ２）。
【０１４０】
参考例２２．  ｐ−トリル  オクチルジスルホンの合成（１）参考例１７の（１）で得たｐ−トルエンスルホニルヒドラジド４．６６ｇ（０．０２５モル）とオクタンスルホニルクロライド５．３２ｇ（０．０２５モル）を用いて参考例１７の（２）と同様にして反応及び後処理を行い、得られた粗結晶をｎ−ヘキサン／塩化メチレンから再結晶してＮ−ｐ−トルエンスルホニル−Ｎ’−オクタンスルホニルヒドラジン３．６５ｇを白色結晶として得た。  ｍｐ．９５〜９８℃。
１ＨＮＭＲ  δｐｐｍ（ＤＭＳＯ−ｄ６）：０．８９（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝６．７Ｈｚ，−（ＣＨ２）７  ＣＨ３）、１．１２〜１．４３（１０Ｈ，ｍ，−ＣＨ２  （ＣＨ２）５  ＣＨ３  ）、１．５３〜１．７２（２Ｈ，ｍ，ＳＯ２  ＣＨ２  ＣＨ２  ＣＨ２−）、２．４０（３Ｈ，ｓ，  ＣＨ３  −Ｐｈ）、３．０１（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，ＳＯ２  ＣＨ２  ＣＨ２  −）、７．４２（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，  芳香環  ３−Ｈ，５−Ｈ）、７．６４（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，芳香環  ２−Ｈ，６−Ｈ）、９．２０（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝２．４Ｈｚ，ＮＨ）、９．９１（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝２．４Ｈｚ，ＮＨ）。ＩＲ（ＫＢｒ）νｃｍ−１：３２３６（ＮＨ）、１３４６（ＳＯ２）、１３２５（ＳＯ２）。
【０１４１】
（２）上記（１）で得たＮ−ｐ−トルエンスルホニル−Ｎ’−オクタンスルホニルヒドラジン２．００ｇ（５．４ミリモル）を用いて参考例１７の（３）と同様にして反応及び後処理を行い、得られた粗結晶をｎ−ヘキサン／塩化メチレンから再結晶してｐ−トリルオクチルジスルホン１．０５ｇを白色針状晶として得た。  ｍｐ．  ５６．５〜５７．５℃。
１ＨＮＭＲ  δｐｐｍ（ＤＭＳＯ−ｄ６）：０．８６（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝６．６Ｈｚ，−（ＣＨ２）７  ＣＨ３  ）、１．１５〜１．４７（１０Ｈ，ｍ，−ＣＨ２  （ＣＨ２）５  ＣＨ３  ）、１．７４（２Ｈ，ｍ，Ｊ＝５．９Ｈｚ，ＳＯ２  ＣＨ２  ＣＨ２  ＣＨ２−）、２．５０（３Ｈ，ｓ，ＣＨ３  −Ｐｈ）、３．６９（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝５．１Ｈｚ，  ＳＯ２  ＣＨ２  ＣＨ２  −）、７．６３（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，  芳香環  ３−Ｈ，５−Ｈ）、７．９２（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，  芳香環  ２−Ｈ，６−Ｈ）。
ＩＲ（ＫＢｒ）νｃｍ−１：１３４６（ＳＯ２）。
【０１４２】
実施例１．以下、本発明に係るレジスト材料及び微細パターン形成方法について、図面を参照しながら説明する。下記の組成から成るレジスト材料を調製し、後述する如くしてパターン形成を行った。
ポリ［ｐ−（１−エトキシエトキシ）スチレンーｐ−ヒドロキシスチレン］
（製造例１の重合体）  ２０．０ｇ
ジフェニルジスルホン  （参考例１０の酸発生剤）  ０．１ｇ
ジエチレングリコールジメチルエーテル  ８０．０ｇ
図１は本発明に係る微細パターン形成方法に於ける工程断面図である。半導体基板等１１上に上記組成から成るレジスト材料を回転塗布（２０００ｒｐｍ，６０秒）し、９０℃、９０秒間ホットプレートでプリベーク後、１．０μｍの膜厚のレジスト膜１２を得た。次に加速電圧５０ＫｅＶ、ドーズ量  ０．１〜３００μＣ／ｃｍ２で電子ビーム描画を行い、１００℃、９０秒間ホットプレートでベーク後、アルカリ現像液（２．３８％ＴＭＡＨ水溶液）で６０秒間現像することにより、ポジ型パターンを得た。このパターン形成に於いて、レジストの残膜率と照射ドーズ量との関係を示した感度曲線を図２に示す。この感度曲線より、このレジスト膜の感度は０．５μＣ／ｃｍ２程度であることが判る。又、このレジスト膜に加速電圧５０ＫｅＶ、ドーズ量  １μＣ／ｃｍ２で電子ビーム描画を行い（図１ａ）、１００  ℃、９０秒間ベークを行った後、６０秒間現像することにより、正確で微細なポジ型レジストパターン１２ｐが得られた（図１ｂ）。この時得られた最小パターンは、垂直な形状の  ０．２μｍライン  アンド  スペースパターンであり、高解像度の微細レジストパターンが得られる事が判った。以上の様に、本発明に係るレジスト材料を用いる事によって高感度、高解像度で微細ポジ型レジストパターンを形成する事が出来る。
【０１４３】
実施例２．下記の組成から成るレジスト材料を調製した。
ポリ［ｐ−（１−メトキシ−１−メチルエトキシ）スチレン−ｐ−ヒドロキシスチレン］製造例７の重合体）  ２０．０ｇ
ｐ−トルエンスルホン酸  ２，６−ジニトロベンジル  （参考例１４の酸発生剤）  ０．４ｇ
ジエチレングリコールジメチルエーテル  ８０．０ｇ
上記レジスト材料を用いて実施例１と同様にして得た１．０μｍのレジスト膜に加速電圧５０ＫｅＶ、ドーズ量  ０．１〜３００μＣ／ｃｍ２で電子ビーム描画を行い、１００℃、９０秒間ベーク後、通常の有機アルカリ現像液で６０秒間現像する事により、ポジ型のレジストパターンが得られた。このパターン形成に於いて、レジスト残膜率と照射ドーズ量との関係を示した感度曲線を図３に示す。この感度曲線より、このレジスト膜の感度は  ０．８μＣ／ｃｍ２程度である事が判る。又、このレジスト膜に加速電圧５０ＫｅＶ、ドーズ量  １μＣ／ｃｍ２で電子ビーム描画を行い、１００℃、９０秒間ベーク後、６０秒間現像する事により、正確で微細なポジ型レジストパターンが得られた。この時得られた最小パターンは、垂直な形状の  ０．２μｍライン  アンド  スペースパターンであり、高解像度の微細レジストパターンが得られた。
【０１４４】
実施例３．下記実施例について、レジストパターン形成方法を図４を参照しながら説明する。半導体基板上４１に、ノボラック樹脂を主成分とする有機高分子膜形成材料を塗布し、２００℃、２０分間加熱処理して２μｍ膜厚の有機下層膜４２を形成した（図４ａ）。前記下層膜上にＳＯＧ（スピン  オン  グラス）を塗布し、２００℃で熱処理する事により、０．２μｍ膜厚の中間層４３を形成した。次に、実施例１に記載のレジスト材料を中間層上に回転塗布（４０００ｒｐｍ，６０秒）し、９０℃、９０秒間加熱処理して  ０．５μｍ膜厚の上層レジスト膜４４を形成した。このレジスト膜に、加速電圧２０ＫｅＶ、ドーズ量  １．５μＣ／ｃｍ２の電子ビームでパターンを描画した  （図４ｂ）。この基板を１００  ℃、９０秒間熱処理した後、通常の有機アルカリ現像液で６０秒間現像を行い、上層レジストパターン４４ｐを得た（図４ｃ）。次に、得られたレジストパターンをマスクとして、中間層のエッチングを行った。上層レジストの中間層に対する選択比は３程度であり、正確にパターン転写し、中間層パターンを得る事が出来た。更に得られた中間層パターンをマスクとして、有機下層膜のエッチングを行い、  ０．２μｍの垂直な、微細パターンを得る事が出来た（図４ｄ）。以上の様に、本発明に係るレジスト材料を三層レジストプロセスの上層レジストとして用いる事によって、安定して、高感度、高解像度で微細なパターンを形成する事が出来る。
【０１４５】
実施例４．実施例３と同様に、半導体基板上に有機下層膜、無機中間膜を形成した後、中間膜上に実施例２に記載のレジスト材料を回転塗布（４０００ｒｐｍ，６０秒）し、９０℃、９０秒間加熱処理して、０．５μｍ膜厚の上層レジスト膜を形成した。このレジスト膜に加速電圧２０ＫｅＶ、ドーズ量１．５μＣ／ｃｍ２の電子ビームでパターンを描画した。この基板を１００℃、９０秒間熱処理した後、通常の有機アルカリ現像液で６０秒間現像し、上層レジストパターンを得た。次に得られたレジストパターンをマスクとして、中間層のエッチングを行った。上層レジストの中間層に対する選択比は３程度であり、正確にパターンを転写し、中間層パターンを得た。更に、中間層パターンをマスクとして、有機下層膜のエッチングを行い、０．２μｍの垂直な、微細パターンを得る事が出来た。
【０１４６】
実施例５〜２０下記表１及び表２の各組成から成るレジスト材料を夫々調製した。
【０１４７】
【表１】
0003602491.tif 000032
【０１４８】
【表２】
0003602491.tif 000033
【０１４９】
上記組成で調製した各レジスト材料を用いて夫々、実施例１と同様にしてパターン形成を行った。結果を表３に示す。
【０１５０】
【表３】
0003602491.tif 000034
【０１５１】
表３から明らかな如く実施例５〜２０の何れの実施例に於いても実施例１と同様、良好な形状をした微細なポジ型パターンを得た。
【０１５２】
比較例１．下記の組成から成るレジスト材料を調製した。
ポリ（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシスチレン−ｐ−ヒドロキシスチレン）
（参考例３の重合体）  ２０．０ｇ  トリフェニルホスフォニウムヘキサフルオロホスフェート  ０．１ｇ  ジエチレングリコールジメチルエーテル  ８０．０ｇ上記レジスト材料を用いて実施例１と同様にして得た  １．０μｍのレジスト膜に加速電圧５０ＫｅＶ、ドーズ量１μＣ／ｃｍ２の電子ビームでパターン描画し、実施例１と同様に処理してポジ型のパターンを形成したが、図５に示されるように逆台形の形状で良好な結果は得られなかった。
【０１５３】
比較例２．下記の組成から成るレジスト材料を調製した。
ポリ（ｐ−テトラヒドロピラニルオキシスチレン−ｐ−ヒドロキシスチレン）
（参考例１の重合体）  ２０．０ｇ  ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスフェート  ０．１ｇ  ジエチレングリコールジメチルエーテル  ８０．０ｇ上記レジスト材料を用いて実施例１と同様にして得た  １．０μｍのレジスト膜に加速電圧３０ＫｅＶ、ドーズ量１μＣ／ｃｍ２の電子ビームでパターン描画し、実施例１と同様に処理してポジ型パターンを形成したが、比較例１と同様に逆台形の形状で良好な結果は得られなかった。
【０１５４】
【発明の効果】
以上述べた事から明らかな如く、本発明のレジスト材料を電子線レジストとして使用する事により、高感度で、高解像度、且つ安定したパターン寸法を維持したポジ型のレジストパターンを形成を出来る。特に本発明に係る重合体は酸の存在下、極めて容易に脱離可能な保護基を有しているのが特徴であり、これに適当な酸発生剤を組み合わせる事により極めて高感度化を可能にし、スループットが向上する。又、アルカリ水溶液を現像液として用いる事が出来るので、現像時の膨潤もなく、環境上、人体上にも問題はなく、容易に微細パターンを形成する事が出来、超高密度集積回路の製造に大きな価値を有するものである。尚、本発明の微細パターン形成材料は電子線を利用したパターン形成に最も効果を発揮するが、ＫｒＦエキシマレーザ光等の遠紫外光、Ｘ線等を利用したパターン形成に於いても十分使用が可能である。
【０１５５】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例１に於ける微細パターン形成方法の工程断面図である。
【図２】本発明の実施例１に於けるレジスト材料のドーズ量と残膜率との関係を表す感度曲線である。
【図３】本発明の実施例２に於けるレジスト材料のドーズ量と残膜率との関係を表す感度曲線である。
【図４】本発明の実施例３に於ける微細パターン形成方法の工程断面図である。
【図５】本発明の比較例１に於ける逆台形の形状不良のパターンである。
【０１５６】
【符号の説明】
１１・・・半導体シリコン基板、  １２・・・レジスト膜、  １２ｐ・・・レジストパターン、１３・・・電子ビーム、  ４１・・・半導体シリコン基板、  ４２・・・有機下層膜、４３・・・中間層膜、  ４４・・・上層レジスト膜、  ４４ｐ・・・上層レジストパターン、４５・・・電子ビーム、  ５１・・・半導体シリコン基板、  ５２・・・レジストパターン。
【図１】
0003602491.tif 000039
【図２】
0003602491.tif 000040
【図３】
0003602491.tif 000041
【図４】
0003602491.tif 000042
【図５】
0003602491.tif 000043