(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＳｉＨ基含有オルガノポリシロキサン化合物に触媒の存在下に下記（ａ）、（ｂ）および（ｃ）の三種の化合物を付加させることにより次式（１）：
【化１】
0003602619.tif 000027
［式中、Ｒは同一または相異なり、水素原子または１価の炭化水素基を表し、
Ｒ１はエポキシ基含有基を表し、
Ｒ２は次式：
【化２】
0003602619.tif 000028
（式中、Ｒ５は炭素原子数２以上の２価の炭化水素基を表し、Ｒ６は水素原子基、１価の炭化水素基またはアシル基を表し、ａおよびｂは０または正数で、かつａ＋ｂ≧１である）で表される有機置換基を表し、
Ｒ３は次式：
【化３】
0003602619.tif 000029
（式中、Ｒ７は炭素原子数２以上の２価の炭化水素基を表し、Ｒ８はエポキシ基含有基を表し、ｃおよびｄは０または正数で、かつｃ＋ｄ≧１である）で表される有機置換基を表し、
Ｒ４はＲ、Ｒ１またはＲ２のいずれかに定義された意味を表し、
ｌ、ｍ、ｎおよびｏはそれぞれ平均数でｌ、ｍおよびｎは０〜１０００でありｏは１〜１０００であり、それらは１≦ｌ＋ｍ＋ｎ＋ｏ≦１０００を満足する値であり、更にＲ４がＲ２の場合は１≧ｏ／（ｎ＋ｏ＋２）≧０．０２を、それ以外の場合は１≧ｏ／（ｎ＋ｏ）≧０．０２を満足する値であるが、ただし、ｍが０の場合は、Ｒ４の少なくとも一つはＲ１に定義された意味を表し、ｎが０の場合は、Ｒ４の少なくとも一つはＲ２に定義された意味を表す］
で表される変性オルガノポリシロキサン化合物を製造するにあたり、（ｂ）の化合物の付加工程の後に（ｃ）の化合物の付加工程を行うことを特徴とする式（１）の変性オルガノポリシロキサン化合物の製造方法：
（ａ）エポキシ基とアルケニル基を同時に持つ化合物、
（ｂ）次式（２）：
【化４】
0003602619.tif 000030
（式中、Ｒ６、ａおよびｂは前記式（１）で定義したのと同じ意味を表し、Ｒ１０はアルケニル基を含有する一価の炭化水素基を表す）
で表される化合物、
（ｃ）次式（３）：
【化５】
0003602619.tif 000031
（式中、Ｒ８、ｃおよびｄは前記式（１）で定義したのと同じ意味を表し、Ｒ１１はアルケニル基を含有する一価の炭化水素基を表す）
で表される化合物。
【請求項２】
請求項１記載の方法により製造された請求項１における式（１）で表される変性オルガノポリシロキサン化合物。
【請求項３】
エポキシ樹脂および請求項２記載の変性オルガノポリシロキサン化合物を主剤とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、新規な変性オルガノポリシロキサン化合物の製造方法、その方法により製造された新規な変性オルガノポリシロキサン化合物およびそれを配合した半導体封止用エポキシ樹脂組成物に関する。
更に詳しくは、成形時に優れた離型性を示し、成形後には耐水性、ＩＣ基盤との密着性および耐熱性が良く、信頼性の優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物を与える変性オルガノポリシロキサン化合物およびそれを配合した半導体封止用エポキシ樹脂組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術とその問題点】
従来より、半導体封止用にエポキシ樹脂組成物が用いられ、応力緩和や離型性の向上の目的で各種シリコーンオイル類が配合されてきた。特公平２−３６１４８号では、エポキシ基とポリオキシアルキレン基を有する変性オルガノポリシロキサンを配合することによりトランスファーモールディング時の離型性、捺印性および密着性が優れた成形用エポキシ樹脂組成物が得られることが開示されている。しかし、この成形用エポキシ樹脂組成物は、耐水性、ＩＣ基盤との密着性、耐熱性が不十分であり、これを封止剤として用いて製造した半導体は信頼性が不十分であった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、半導体封止用に有用な耐水性、ＩＣ基盤との密着性、耐熱性、トランスファーモールディング時の離型性、捺印性が良く、信頼性の優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供することを課題とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは上記課題について鋭意検討した結果、前記特公平２−３６１４８号記載の変性オルガノポリシロキサンは、遊離した未反応原料のポリオキシアルキレン化合物を多く含むために、半導体封止用エポキシ樹脂組成物の耐水性、ＩＣ基盤との密着性、耐熱性に悪影響を与え信頼性を悪くしていることを見出だした。そこで各種シリコーンオイル類とその製造方法について検討したところ、特定の方法により製造した新規な変性オルガノポリシロキサン化合物は、エポキシ基との反応性基とポリオキシアルキレン基を有しているが、未反応のポリオキシアルキレン化合物の殆どはエポキシ樹脂組成物の硬化時に反応するので、耐水性、ＩＣ基盤との密着性、耐熱性、トランスファーモールディング時の離型性、捺印性等に悪影響を与えず、信頼性に優れた半導体を製造できることを見出だし、更に検討した結果本発明を完成させた。
【０００５】
【発明の実施の形態】
従って、本発明は次式（１）：
【化６】
0003602619.tif 000002
［式中、Ｒは同一または相異なり、水素原子または１価の炭化水素基を表し、
Ｒ１はエポキシ基含有基を表し、
Ｒ２は次式：
【化７】
0003602619.tif 000003
（式中、Ｒ５は炭素原子数２以上の２価の炭化水素基を表し、Ｒ６は水素原子基、１価の炭化水素基またはアシル基を表し、ａおよびｂは０または正数で、かつａ＋ｂ≧１である）で表される有機置換基を表し、
Ｒ３は次式：
【化８】
0003602619.tif 000004
（式中、Ｒ７は炭素原子数２以上の２価の炭化水素基を表し、Ｒ８はエポキシ基含有基を表し、ｃおよびｄは０または正数で、かつｃ＋ｄ≧１である）で表される有機置換基を表し、
Ｒ４はＲ、Ｒ１またはＲ２のいずれかに定義された意味を表し、
ｌ、ｍ、ｎおよびｏはそれぞれ平均数でｌ、ｍおよびｎは０〜１０００でありｏは１〜１０００であり、それらは１≦ｌ＋ｍ＋ｎ＋ｏ≦１０００を満足する値であり、更にＲ４がＲ２の場合は１≧ｏ／（ｎ＋ｏ＋２）≧０．０２を、それ以外の場合は１≧ｏ／（ｎ＋ｏ）≧０．０２を満足する値であるが、ただし、ｍが０の場合は、Ｒ４の少なくとも一つはＲ１に定義された意味を表し、ｎが０の場合は、Ｒ４の少なくとも一つはＲ２に定義された意味を表す］
で表される変性オルガノポリシロキサン化合物の製造方法、その方法により製造された前記式（１）で表される変性オルガノポリシロキサン化合物およびそれを用いた半導体封止用エポキシ樹脂組成物に関する。
【０００６】
本発明の変性オルガノポリシロキサン化合物は上記式（１）で表される。式（１）中、Ｒは同一または相異なり、水素原子または１価の炭化水素基（例えばアルキル基、フェニル基、アルキルフェニル基、ナフチル基等）を表すが、好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基等の直鎖または分岐した炭素数１〜１８のアルキル基またはフェニル基であり特に好ましくはメチル基である。
上記Ｒ１  基はエポキシ基含有基であり、具体的な例としては、
【化９】
0003602619.tif 000005
【化１０】
0003602619.tif 000006
を挙げることができる。上記Ｒ２  基中のＲ５  基とＲ３  基中のＲ７  基はそれぞれ炭素原子数２以上の２価の炭化水素基を表し、例えば直鎖または分岐したアルキレン基が挙げられ、具体的な例としては、
【化１１】
0003602619.tif 000007
【化１２】
0003602619.tif 000008
【化１３】
0003602619.tif 000009
等を挙げることができる。上記Ｒ２  基中のＲ６  基は上記Ｒで例示したのと同じ基またはアシル基から選択されるが好ましくは水素原子、メチル基、エチル基、ブチル基である。上記Ｒ３  基中のＲ８  基は上記Ｒ１  基で例示したのと同様の基から選択される。
【０００７】
上記の（１）式中のｎとｏの比は、Ｒ４  がＲ２  の場合は１≧ｏ／（ｎ＋ｏ＋２）≧０．０２を、それ以外の場合は１≧ｏ／（ｎ＋ｏ）≧０．０２を満足する値であることが必須で、好ましくはＲ４  がＲ２  の場合は０．５≧ｏ／（ｎ＋ｏ＋２）≧０．０５でそれ以外の場合は０．５≧ｏ／（ｎ＋ｏ）≧０．０５である。この比が大き過ぎるとエポキシ樹脂組成物の流動性が悪くなり、この比が小さ過ぎるとエポキシ樹脂組成物の硬化後の遊離ポリオキシアルキレン成分が多くなり、いずれも半導体封止剤として不適となる。また、これと１≦ｌ＋ｍ＋ｎ＋ｏ≦１０００およびａ＋ｂ≧１である以外にｌ、ｍ、ｎ、ｏ、ａおよびｂの値は限定されないが、それらの好ましい値は、５≦ｌ≦３００、１≦ｍ≦５０、１≦ｎ≦３０、１≦ｏ≦２０、０≦ａ≦３０、１≦ｂ≦３０である。
【０００８】
上記の変性オルガノポリシロキサン化合物は、ＳｉＨ基含有オルガノポリシロキサン化合物に触媒の存在下に（ａ）１分子中にエポキシ基とアルケニル基を同時に持つ化合物、（ｂ）次式（２）：
【化１４】
0003602619.tif 000010
（式中、Ｒ６、ａおよびｂは前記式（１）で定義したのと同じ意味を表し、Ｒ１０はアルケニル基を表す）
で表される化合物および（ｃ）次式（３）：
【化１５】
0003602619.tif 000011
（式中、Ｒ８、ｃおよびｄは前記式（１）で定義したのと同じ意味を表し、Ｒ１１はアルケニル基を表す）
で表される化合物を付加させる工程により製造される。
【０００９】
前記のＳｉＨ基含有オルガノポリシロキサン化合物は、ＳｉＨ基を３つ以上持ち、重合度が１０００以下であること以外は特に限定されず、例えば次式：
【化１６】
0003602619.tif 000012
（式中、Ｒ、ｌ、ｍ、ｎおよびｏは前記式（１）で定義したのと同じ意味を表し、Ｒ９  は水素原子基またはＲと同じ意味を表す）で示される。また、エポキシ基とアルケニル基を同時に持つ化合物として、例えば次式：
【化１７】
0003602619.tif 000013
【化１８】
0003602619.tif 000014
等の化合物が挙げられる。
【００１０】
本発明においては、前記の式（１）で表される変性オルガノポリシロキサン化合物の製造時にＳｉＨ基含有オルガノポリシロキサン化合物に（ｂ）を付加させた後に（ｃ）を付加させることが必須である。逆の順番で製造した変性オルガノポリシロキサン化合物では、それとエポキシ樹脂組成物中の遊離ポリオキシアルキレン化合物量が多くなり、半導体封止用としては不適となるからである。尚、（ａ）の付加時期は特に限定されない。例えば（ｂ）および（ｃ）の付加前後に付加させたり、（ｂ）または（ｃ）と同時に付加させたりすれば良い。
【００１１】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物はエポキシ樹脂と前記方法で製造された前記式（１）で示される変性オルガノポリシロキサン化合物を主成分とする。エポキシ樹脂は１分子中に２個以上のエポキシ基を有するものであれば特に限定されない。具体的にはビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂およびこれらの変性樹脂等の１種または２種以上を用いることができる。
【００１２】
前記方法で製造された前記式（１）で示される変性オルガノポリシロキサン化合物は、必要に応じて１種または２種以上を用いることができる。その配合割合は限定されないが、エポキシ樹脂組成物１００重量部に対して０．１重量部〜２０重量部、特には０．５〜１５重量部の範囲が好ましい。その理由は、配合割合が上記範囲以下であると、変性オルガノポリシロキサン化合物を配合しない場合と比較してトランスファーモールディング時の離型性、ＩＣ基盤との密着性、耐熱性、耐水性、捺印性等の向上が見られないし、上記範囲以上であると機械強度、電気特性、耐水性等がかえって低下することがあるからである。
【００１３】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物には、通常用いられる硬化剤を用いることができる。例えば無水フタル酸、無水ヘキサヒドロフタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、無水ピロメリット酸等の酸無水物、エチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、ジエチルアミノプロピルアミン、Ｎ−アミノエチルピペラジン、ビス（４−アミノ−３−メチルシクロヘキシル）メタン、メタンジアミン等のアミン化合物、あるいはフェノール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、テトラブロモビスフェノールＡ、クレゾール等のフェノール化合物、キシレン樹脂等を挙げることができる。これらの硬化剤以外に通常使用される硬化促進剤、例えばＢＤＭＡ等の第３アミン類、イミダゾール類、有機リン化合物類等を使用することができる。更に本組成物には通常用いられる無機充填剤やシランカップリング剤、難燃剤、着色剤、離型剤、シリコーンオイル類（ジメチルポリシロキサン及びメチル基の一部をエポキシ基、カルボキシル基、アミノ基等で変性したジメチルポリシロキサン等）、ゴム等の低応力剤等の添加剤を配合することができる。
【００１４】
【実施例】
以下、本発明を実施例により説明するが、本発明はこれに限定されるものではなく、本発明の技術思想を利用する実施態様は全て本発明の範囲に含まれるものである。実施例に先立ち半導体封止用エポキシ樹脂組成物の評価方法を示す。
【００１５】
耐水性
Ｔｏ−２０２トランジスター２０個取り金型を利用し、１７５℃で２分間の成形条件でトランスファー成形して半導体を封止した。この成形物をレッドチェック液に各１００個浸漬し、２４時間煮沸させた後取りだし、成形物とリードフレームとの境界面へのレッドチェック液の浸透具合を顕微鏡で観察し、僅かでも浸透が認められたものの個数を判定した。
耐熱性
１７５℃で８時間の成形条件でトランスファー成形した６×６×２．０５ｍｍの成形品を温度サイクルテスト（１５０℃〜−１９６℃）にかけ、５００サイクルのテストをおこない、クラックの発生した成形品の個数を判定した。
金型離型性
断面積１ｃｍ２  の円筒形キャビティを有する金型で、１．５ｇの各組成物を１７５℃で２分間圧縮成形し、成形直後の金型からの離型押し出し力（ｋｇ）をプッシュプルゲージで測定した。これを１０回繰り返し、その最低と最高の値をとった。
捺印性
Ｔｏ−２０２トランジスタ２０個取り金型を使用し、１７５℃で２分間トランスファー成形した成形表面に、マーケム社７２６１インクを捺印し、１５０℃で１時間インクを硬化させた後、インク表面にセロファンテープを密着させ、それを急激にはがしたときのテープ側へのインクの転写性を肉眼で判定した。これを１０回繰り返し、１０共テープ側に全く転写しないものを○印、テープ側に一部でも転写したものが１回以上あるものを×印とした。
【００１６】
変性オルガノポリシロキサン化合物の製造例
実施例１
機械的撹拌機、凝縮器、温度計および窒素挿入口を備えた３つ口フラスコに次式（４）：
【化１９】
0003602619.tif 000015
で示されるジメチルハイドロジェンポリシロキサン１．００モル、次式（５）：
【化２０】
0003602619.tif 000016
で表される化合物２．１０モル、上記ジメチルハイドロジェンポリシロキサンと同重量のトルエンおよび白金濃度が上記ジメチルハイドロジェンポリシロキサンに対して２０ｐｐｍとなる量の塩化白金酸の１０％メタノール溶液を入れ窒素雰囲気下で撹拌した。さらに窒素雰囲気下、８０〜１００℃で反応させた。前記化合物が２．００モル付加したことを確認してから５０℃／１ｍｍＨｇで溶媒と未反応原料を除去した。更に温度を４０℃以下にして、次式（６）：
【化２１】
0003602619.tif 000017
で表される化合物４．５１モルと前回と同量のトルエンを加えた後、窒素雰囲気下、８０〜１００℃で反応させ、前記化合物が４．３モル付加したことを確認した。更に温度を４０℃以下にして次式（７）：
【化２２】
0003602619.tif 000018
で表される化合物１．１９モルを加えた後、窒素雰囲気下、ＳｉＨ基が確認されなくなるまで８０〜１００℃で反応させた。その後ＮａＨＣＯ３  で中和し、濾過後に５０℃／１ｍｍＨｇで溶媒と未反応原料を除去し、次式（８）：
【化２３】
0003602619.tif 000019
で表される本発明の変性オルガノポリシロキサン化合物を得た。以下、これを化合物１とする。尚、上記の製造において、付加反応の進行は、残存ＳｉＨ基量をＫＯＨのアルコール溶液との水素ガス発生量により測定することにより確認した。
【００１７】
実施例２
実施例１と同様の反応装置に前記式（４）で示されるジメチルハイドロジェンポリシロキサン１．００モル、前記式（６）で表される化合物４．５１モルおよび実施例１と同量のトルエンと塩化白金酸の１０％メタノール溶液を入れ窒素雰囲気下で撹拌した。さらに窒素雰囲気下、８０〜１００℃で反応させた。前記化合物が４．３モル付加したことを確認してから温度を４０℃以下にして、前記式（７）で表される化合物１．１９モルを加えた後、窒素雰囲気下、８０〜１００℃で反応させ、前記化合物が０．７モル付加したことを確認した。更に温度を４０℃以下にして前記式（５）で表される化合物２．１０モルを加えた後、窒素雰囲気下、ＳｉＨ基が確認されなくなるまで８０〜１００℃で反応させた。その後ＮａＨＣＯ３  で中和し、濾過後に回転式蒸発装置により５０℃／１ｍｍＨｇで溶媒と未反応原料を除去し、実施例１と同様に前記式（８）で表される本発明の変性オルガノポリシロキサン化合物を得た。以下、これを化合物２とする。
【００１８】
比較例１
実施例１と同様の反応装置に前記式（４）で示されるジメチルハイドロジェンポリシロキサン１．００モル、前記式（５）で表される化合物２．１０モルおよび実施例１と同量のトルエンと塩化白金酸の１０％メタノール溶液を入れ窒素雰囲気下で撹拌した。さらに窒素雰囲気下、８０〜１００℃で反応させた。前記化合物が２．００モル付加したことを確認してから温度を４０℃以下にして前記式（７）で表される化合物０．７４モルを加え、窒素雰囲気下、８０〜１００℃で反応させ、前記化合物が０．７モル付加したことを確認した。更に温度を４０℃以下にして前記式（６）で表される化合物４．９６モルを加えた後、窒素雰囲気下、ＳｉＨ基が確認されなくなるまで８０〜１００℃で反応させた。その後ＮａＨＣＯ３  で中和し、濾過後に回転式蒸発装置により５０℃／１ｍｍＨｇで溶媒と未反応原料を除去し、実施例１と同様に前記式（８）で表されるが本発明とは異なる変性オルガノポリシロキサン化合物を得た。以下、これを化合物３とする。
【００１９】
比較例２
実施例１と同様の反応装置に前記式（４）で示されるジメチルハイドロジェンポリシロキサン１．００モル、前記式（７）で表される化合物０．７４モルおよび実施例１と同量のトルエンと塩化白金酸の１０％メタノール溶液を入れ窒素雰囲気下で撹拌した。さらに窒素雰囲気下、８０〜１００℃で反応させた。前記化合物が０．７モル付加したことを確認してから温度を４０℃以下にして前記式（６）で表される化合物４．９６モルを加え、窒素雰囲気下、８０〜１００℃で反応させ、前記化合物が４．３モル付加したことを確認した。更に温度を４０℃以下にして前記式（５）で表される化合物２．２０モルを加えた後、窒素雰囲気下、ＳｉＨ基が確認されなくなるまで８０〜１００℃で反応させた。その後ＮａＨＣＯ３  で中和し、濾過後に回転式蒸発装置により５０℃／１ｍｍＨｇで溶媒と未反応原料を除去し、実施例１と同様に前記式（８）で表されるが本発明とは異なる変性オルガノポリシロキサン化合物を得た。以下、これを化合物４とする。
【００２０】
比較例３
前記式（６）で表される化合物の使用量を４．７０モルとした以外は比較例１と同様の方法で合成試験をおこなったが、式（６）で表される化合物の反応工程を１０時間続けてもＳｉＨ基が検出され、その後は、更に１０時間反応を続けてもＳｉＨ基の検出量に変化がなかったので、合成試験を中断した。
【００２１】
実施例３
実施例１と同様の反応装置に次式：
【化２４】
0003602619.tif 000020
で示されるジメチルハイドロジェンポリシロキサン１．００モル、次式：
【化２５】
0003602619.tif 000021
で表される化合物１．６０モルおよび上記ジメチルハイドロジェンポリシロキサンと同重量のトルエンおよび白金濃度が上記ジメチルハイドロジェンポリシロキサンに対して２０ｐｐｍとなる量の塩化白金酸の１０％メタノール溶液を入れ窒素雰囲気下で撹拌した。さらに窒素雰囲気下、８０〜１００℃で反応させた。前記化合物が１．５モル付加したことを確認してから５０℃／１ｍｍＨｇで溶媒と未反応原料を除去した。更に温度を４０℃以下にして、次式：
【化２６】
0003602619.tif 000022
で表される化合物１０．００モルと前回と同量のトルエンを加えた後、窒素雰囲気下、８０〜１００℃で反応させ、前記化合物が９．３モル付加したことを確認した。更に温度を４０℃以下にして次式：
【化２７】
0003602619.tif 000023
で表される化合物１．００モルを加えた後、窒素雰囲気下、ＳｉＨ基が確認されなくなるまで８０〜１００℃で反応させた。その後ＮａＨＣＯ３  で中和し、濾過後に５０℃／１ｍｍＨｇで溶媒と未反応原料を除去し、次式：
【化２８】
0003602619.tif 000024
で表される本発明の変性オルガノポリシロキサン化合物を得た。以下、これを化合物６とする。尚、上記製造において、付加反応の進行は、残存ＳｉＨ基量をＫＯＨのアルコール溶液との水素ガス発生量により測定することにより確認した。
【００２２】
半導体封止用エポキシ樹脂組成物の調製
エポキシ当量２２０、軟化点８０℃のクレゾールノボラックエポキシ樹脂７５重量部、エポキシ当量４００、軟化点７０℃、臭素含有量４５重量％の臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂２５部、硬化剤として軟化点９０℃のフェノールノボラック樹脂５０部、無機質充填剤として溶融シリカ粉末４２０部、硬化促進剤として２−メチル−４−イミダゾール１部、顔料としてカーボンブラック２部、三酸化アンチモン２０部および表１に示す種類のオルガノポリシロキサン化合物２部を加え、８０〜９０℃の熱ロールで混練し、冷却後粉砕して実施例１〜３および比較例１〜５の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を得た。
【００２３】
半導体封止用エポキシ樹脂組成物の評価
上記実施例１〜３および比較例１の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて耐水性、耐熱性および金型離型性を試験し、結果を表１に示した。表１より本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は比較例よりも、優れた耐水性と耐熱性を持ち、更に従来の物と同程度の離型性を持つことが示され、半導体封止用に有用であることがわかった。
【００２４】
【表１】
0003602619.tif 000025
表１において、化合物５は次式を有する化合物である。
【化２９】
0003602619.tif 000026
【００２５】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明の方法により製造された新規な変性オルガノポリシロキサン化合物は、それを配合することにより耐水性、ＩＣ基盤との密着性、耐熱性、離型性、捺印性および信頼性の優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供することができるので産業上非常に有用である。また、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は耐水性、ＩＣ基盤との密着性、耐熱性、トランスファーモールディング時の離型性、捺印性が良く、信頼性が優れているので産業上非常に有用である。