【手続補正書】
【提出日】平成29年5月9日(2017.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１及び第２のＦｃポリペプチドを有するＩｇＧＦｃ構築物を含むヘテロ多量体であって、各Ｆｃポリペプチドは修飾された下ヒンジ領域を含み、
（ａ）第１のＦｃポリペプチドの修飾された下ヒンジ領域が少なくとも１つのアミノ酸修飾を含み、
（ｂ）第２のＦｃポリペプチドの修飾された下ヒンジ領域が、第１のＦｃポリペプチドの少なくとも１つのアミノ酸修飾とは異なる少なくとも１つのアミノ酸修飾を含み、且つ
（ｃ）該ＩｇＧＦｃ構築物が、対応する親ＩｇＧＦｃ構築物に比べてＦｃγＲＩａ、ＦｃγＲＩＩａ、ＦｃγＲＩＩｂ、及びＦｃγＲＩＩＩａ受容体に対して低下した結合を示す、
ヘテロ多量体。
【請求項２】
（ａ）第１のＦｃポリペプチドの修飾された下ヒンジ領域における少なくとも１つのアミノ酸修飾が、修飾された下ヒンジ領域における正味の正の電荷を増やし、且つ第２のＦｃポリペプチドにおける少なくとも１つのアミノ酸修飾が、親ヒンジ領域に比べて負の電荷の総数を増やす若しくは電荷中性であるか、又は
（ｂ）第１のＦｃポリペプチドの修飾された下ヒンジ領域における少なくとも１つのアミノ酸修飾が、修飾された下ヒンジ領域における正味の負の電荷を増やし、且つ第２のＦｃポリペプチドにおける少なくとも１つのアミノ酸修飾が、正の電荷の総数を増やす、
請求項１に記載のヘテロ多量体。
【請求項３】
第１及び第２のＦｃポリペプチドを有するＩｇＧＦｃ構築物を含むヘテロ多量体であって、各Ｆｃポリペプチドは修飾されたヒンジ領域を含み、
（ａ）第１のＦｃポリペプチドの修飾されたヒンジ領域が、ほぼ生理的なｐＨ条件にて第１のＦｃポリペプチドの修飾されたヒンジ領域における正味電荷を増やす少なくとも１つのアミノ酸修飾を含み、
（ｂ）第２のＦｃポリペプチドの修飾されたヒンジ領域が、第１のＦｃポリペプチドの少なくとも１つのアミノ酸修飾とは異なる少なくとも１つのアミノ酸修飾を含み、且つ
（ｃ）前記ＩｇＧＦｃ構築物が、対応する親ＩｇＧＦｃ構築物に比べてＦｃγＲＩａ、ＦｃγＲＩＩａ、ＦｃγＲＩＩｂ、及びＦｃγＲＩＩＩａ受容体に対して低下した結合を示す、
ヘテロ多量体。
【請求項４】
正味電荷の前記増加が、第１のＦｃポリペプチドにおける正に荷電したアミノ酸の総数の増加によるか、又は第１のＦｃポリペプチドにおける負に荷電したアミノ酸の総数の低下による、正味の正の電荷の増加である、請求項３に記載のヘテロ多量体。
【請求項５】
第１のＦｃポリペプチドの修飾されたヒンジ領域における少なくとも１つのアミノ酸修飾が第１のＦｃポリペプチドにおける正に荷電したアミノ酸の総数を増やし、且つ第２のＦｃポリペプチドの修飾されたヒンジ領域における少なくとも１つのアミノ酸修飾が第２のＦｃポリペプチドの負の電荷の総数を増やす又は電荷中性である、請求項３に記載のヘテロ多量体。
【請求項６】
正味電荷の前記増加が、第１のＦｃポリペプチドにおける負に荷電したアミノ酸の総数の増加によるか、又は正に荷電したアミノ酸の総数の低下による、正味の負の電荷の増加である、請求項３に記載のヘテロ多量体。
【請求項７】
正味電荷の前記増加が、第１のＦｃポリペプチドにおける負に荷電したアミノ酸の総数の増加による正味の負の電荷の増加であり、かつ、第２のＦｃポリペプチドにおける少なくとも１つのアミノ酸修飾が、第２のＦｃポリペプチドにおける正の電荷の総数を増やす、請求項３に記載のヘテロ多量体。
【請求項８】
第２のＦｃポリペプチドにおける少なくとも１つのアミノ酸修飾と組み合わせた第１のＦｃポリペプチドの修飾されたヒンジ領域における少なくとも１つのアミノ酸修飾が、親ＩｇＧＦｃ構築物に比べてＩｇＧＦｃ構築物の正の電荷全体を増やす、請求項３に記載のヘテロ多量体。
【請求項９】
第１及び第２のＦｃポリペプチドの少なくとも一方の修飾されたヒンジ領域が２以上のアミノ酸修飾を含む、請求項１〜８のいずれか１項に記載のヘテロ多量体。
【請求項１０】
第１及び第２のＦｃポリペプチドそれぞれの修飾されたヒンジ領域が２以上のアミノ酸修飾を含む、請求項１〜８のいずれか１項に記載のヘテロ多量体。
【請求項１１】
ＩｇＧＦｃ構築物が、対応する親ＩｇＧＦｃ構築物に比べてＣ１ｑタンパク質に対して低下した結合をさらに示す、請求項１〜１０のいずれか１項に記載のヘテロ多量体。
【請求項１２】
ＩｇＧＦｃ構築物が、ＦｃγＲＩＩａＨに対して１０μＭを超えるＫＤ、ＦｃγＲＩＩａＲに対して１０μＭを超えるＫＤ、ＦｃγＲＩＩｂに対して１０μＭを超えるＫＤ、ＦｃγＲＩＩＩａＦに対して６μＭを超えるＫＤ、ＦｃγＲＩＩＩａＶに対して６μＭを超えるＫＤ、及びＦｃγＲＩａに対して６．５ｎＭを超えるＫＤを有する、請求項１〜１１のいずれか１項に記載のヘテロ多量体。
【請求項１３】
ＩｇＧＦｃ構築物が、対応する親ＩｇＧＦｃ構築物に比べてエフェクター機能の低下を媒介する、請求項１〜１２のいずれか１項に記載のヘテロ多量体。
【請求項１４】
エフェクター機能が、ＡＤＣＣ、ＡＤＣＰ、ＣＤＣ、又はそれらの組み合わせである、請求項１３に記載のヘテロ多量体。
【請求項１５】
第１及び第２のＦｃポリペプチドの少なくとも一方の修飾されたヒンジ領域がＬ２３４及び／又はＬ２３５でのアミノ酸修飾を含み、ここでアミノ酸の番号付けはＫａｂａｔにおけるＥＵインデックスによるものである、請求項１〜１４のいずれか１項に記載のヘテロ多量体。
【請求項１６】
Ｌ２３４での前記修飾が、Ｌ２３４Ｋ、Ｌ２３４Ｒ、Ｌ２３４Ａ、Ｌ２３４Ｄ、又はＬ２３４Ｅである、請求項１５に記載のヘテロ多量体。
【請求項１７】
Ｌ２３５での前記修飾が、Ｌ２３５Ｋ、Ｌ２３５Ｒ、Ｌ２３５Ｅ、Ｌ２３５Ａ、又はＬ２３５Ｄである、請求項１５又は１６に記載のヘテロ多量体。
【請求項１８】
第１及び／又は第２のＦｃポリペプチドの修飾されたヒンジ領域がさらにＥ２３３でのアミノ酸修飾を含む、請求項１５〜１７のいずれか１項に記載のヘテロ多量体。
【請求項１９】
Ｅ２３３でのアミノ酸修飾のいずれか又は双方が独立してＥ２３３Ａ、Ｅ２３３Ｋ、Ｅ２３３Ｒ、又はＥ２３３Ｄである、請求項１８に記載のヘテロ多量体。
【請求項２０】
第１及び第２のＦｃポリペプチドの少なくとも一方の修飾されたヒンジ領域が、アミノ酸修飾Ｌ２３４Ｋ／Ｌ２３５Ｋ、Ｅ２３３Ａ／Ｌ２３４Ｒ／Ｌ２３５Ｒ、Ｅ２３３Ｋ／Ｌ２３４Ｒ／Ｌ２３５Ｒ、Ｅ２３３Ｋ／Ｌ２３４Ａ／Ｌ２３５Ｋ、Ｌ２３４Ａ／Ｌ２３５Ａ、Ｌ２３４Ｄ／Ｌ２３５Ｅ、Ｅ２３３Ａ／Ｌ２３４Ｄ／Ｌ２３５Ｅ、又はＥ２３３Ａ／Ｌ２３４Ｋ／Ｌ２３５Ａを含み、ここでアミノ酸の番号付けはＫａｂａｔにおけるＥＵインデックスによるものである、請求項１又は３に記載のヘテロ多量体。
【請求項２１】
第１及び／又は第２のＦｃポリペプチドが、アミノ酸修飾Ｄ２６５Ｓ、Ｅ２６９Ｋ、Ｋ３２２Ａ、Ｋ３２２Ｅ、Ｐ３２９Ｗ、及びＥ３３３Ｋから選択される１つ又は複数のアミノ酸修飾をさらに含む、請求項２０に記載のヘテロ多量体。
【請求項２２】
（ａ）第１のＦｃポリペプチドの修飾されたヒンジ領域がアミノ酸修飾Ｌ２３４Ｋ／Ｌ２３５Ｋを含み、且つ第２のＦｃポリペプチドの修飾されたヒンジ領域がアミノ酸修飾Ｌ２３４Ａ／Ｌ２３５Ａを含む；又は
（ｂ）第１のＦｃポリペプチドの修飾されたヒンジ領域がアミノ酸修飾Ｌ２３４Ｋ／Ｌ２３５Ｋを含み、且つ第２のＦｃポリペプチドの修飾されたヒンジ領域がアミノ酸修飾Ｌ２３４Ｄ／Ｌ２３５Ｅを含む；又は
（ｃ）第１のＦｃポリペプチドの修飾されたヒンジ領域がアミノ酸修飾Ｅ２３３Ａ／Ｌ２３４Ｒ／Ｌ２３５Ｒを含み、且つ第２のＦｃポリペプチドの修飾されたヒンジ領域がアミノ酸修飾Ｅ２３３Ａ／Ｌ２３４Ｄ／Ｌ２３５Ｅを含む；又は
（ｄ）第１のＦｃポリペプチドの修飾されたヒンジ領域がアミノ酸修飾Ｅ２３３Ｋ／Ｌ２３４Ｒ／Ｌ２３５Ｒを含み、且つ第２のＦｃポリペプチドの修飾されたヒンジ領域がアミノ酸修飾Ｌ２３４Ｄ／Ｌ２３５Ｅを含む；又は
（ｅ）第１のＦｃポリペプチドの修飾されたヒンジ領域がアミノ酸修飾Ｅ２３３Ｋ／Ｌ２３４Ａ／Ｌ２３５Ｋを含み、且つ第２のＦｃポリペプチドの修飾されたヒンジ領域がアミノ酸修飾Ｅ２３３Ａ／Ｌ２３４Ｋ／Ｌ２３５Ａを含む、又は
（ｆ）第１のＦｃポリペプチドがアミノ酸修飾Ｌ２３４Ｄ／Ｌ２３５Ｅを含み、且つ第２のＦｃポリペプチドがアミノ酸修飾Ｅ２３３Ｋ／Ｌ２３４Ｒ／Ｌ２３５Ｒを含む；又は
（ｇ）第１のＦｃポリペプチドがアミノ酸修飾Ｌ２３４Ｄ／Ｌ２３５Ｅ／Ｄ２６５Ｓを含み、且つ第２のＦｃポリペプチドがアミノ酸修飾Ｅ２３３Ｋ／Ｌ２３４Ｒ／Ｌ２３５Ｒ／Ｄ２６５Ｓを含む；又は
（ｈ）第１のＦｃポリペプチドがアミノ酸修飾Ｌ２３４Ｄ／Ｌ２３５Ｅ／Ｅ２６９Ｋを含み、且つ第２のＦｃポリペプチドがアミノ酸修飾Ｅ２３３Ｋ／Ｌ２３４Ｒ／Ｌ２３５Ｒ／Ｅ２６９Ｋを含む；又は
（ｉ）第１のＦｃポリペプチドがアミノ酸修飾Ｌ２３４Ｄ／Ｌ２３５Ｅ／Ｋ３２２Ａを含み、且つ第２のＦｃポリペプチドがアミノ酸修飾Ｅ２３３Ｋ／Ｌ２３４Ｒ／Ｌ２３５Ｒ／Ｋ３２２Ａを含む；又は
（ｊ）第１のＦｃポリペプチドがアミノ酸修飾Ｌ２３４Ｄ／Ｌ２３５Ｅ／Ｐ３２９Ｗを含み、且つ第２のＦｃポリペプチドがアミノ酸修飾Ｅ２３３Ｋ／Ｌ２３４Ｒ／Ｌ２３５Ｒ／Ｐ３２９Ｗを含む；又は
（ｋ）第１のＦｃポリペプチドがアミノ酸修飾Ｌ２３４Ｄ／Ｌ２３５Ｅ／Ｅ２６９Ｋ／Ｄ２６５Ｓ／Ｋ３２２Ａを含み、且つ第２のＦｃポリペプチドがアミノ酸修飾Ｅ２３３Ｋ／Ｌ２３４Ｒ／Ｌ２３５Ｒ／Ｅ２６９Ｋ／Ｄ２６５Ｓ／Ｋ３２２Ａを含む；又は
（ｌ）第１のＦｃポリペプチドがアミノ酸修飾Ｌ２３４Ｄ／Ｌ２３５Ｅ／Ｅ２６９Ｋ／Ｄ２６５Ｓ／Ｋ３２２Ｅ／Ｅ３３３Ｋを含み、且つ第２のＦｃポリペプチドがアミノ酸修飾Ｅ２３３Ｋ／Ｌ２３４Ｒ／Ｌ２３５Ｒ／Ｅ２６９Ｋ／Ｄ２６５Ｓ／Ｋ３２２Ｅ／Ｅ３３３Ｋを含み、
ここでアミノ酸の番号付けはＫａｂａｔにおけるＥＵインデックスによるものである、
請求項１又は３に記載のヘテロ多量体。
【請求項２３】
第１のＦｃポリペプチド及び第２のＦｃポリペプチドを有するＩｇＧＦｃ構築物を含むヘテロ多量体であって、
（ａ）第１のＦｃポリペプチドがアミノ酸修飾Ｅ２６９Ｑ／Ｄ２７０Ｎを含み、且つ第２のＦｃポリペプチドがアミノ酸修飾Ｅ２６９Ｋ／Ｄ２７０Ｒを含む；又は
（ｂ）第１のＦｃポリペプチドがアミノ酸修飾Ｌ２３５Ｋ／Ａ３２７Ｋを含み、且つ第２のＦｃポリペプチドがヒンジ領域にてアミノ酸修飾を含まず；
ここでアミノ酸の番号付けはＫａｂａｔにおけるＥＵインデックスによるものであり、且つ、前記ＩｇＧＦｃ構築物が、対応する親ＩｇＧＦｃ構築物に比べてＦｃγＲＩａ、ＦｃγＲＩＩａ、ＦｃγＲＩＩｂ、及びＦｃγＲＩＩＩａ受容体に対して低下した結合を示す、
ヘテロ多量体。
【請求項２４】
ＩｇＧＦｃ構築物が非グリコシル化又は脱グリコシル化されている、請求項１〜２３のいずれか１項に記載のヘテロ多量体。
【請求項２５】
ＩｇＧＦｃ構築物が、ホモ二量体Ｆｃ領域に比べてヘテロ二量体Ｆｃ領域の形成を促進するアミノ酸修飾を含む変異体ＣＨ３領域を含む、請求項１〜２４のいずれか１項に記載のヘテロ多量体。
【請求項２６】
（ａ）第１及び第２のＦｃポリペプチドの一方がＣＨ３のアミノ酸修飾Ｔ３６６Ｌ／Ｎ３９０Ｒ／Ｋ３９２Ｍ／Ｔ３９４Ｗを含み、且つ、他方のＦｃポリペプチドがＣＨ３アミノ酸修飾Ｌ３５１Ｙ／Ｓ４００Ｅ／Ｆ４０５Ａ／Ｙ４０７Ｖを含む；又は
（ｂ）第１及び第２のＦｃポリペプチドの一方がＣＨ３のアミノ酸修飾Ｌ３５１Ｙ／Ｆ４０５Ａ／Ｙ４０７Ｖを含み、且つ、他方のＦｃポリペプチドがＣＨ３アミノ酸修飾Ｔ３６６Ｌ／Ｋ３９２Ｍ／Ｔ３９４Ｗを含む；又は
（ｃ）第１及び第２のＦｃポリペプチドの一方がＣＨ３のアミノ酸修飾Ｌ３５１Ｙ／Ｆ４０５Ａ／Ｙ４０７Ｖを含み、且つ、他方のＦｃポリペプチドがＣＨ３アミノ酸修飾Ｔ３６６Ｌ／Ｋ３９２Ｌ／Ｔ３９４Ｗを含む；又は
（ｄ）第１及び第２のＦｃポリペプチドの一方がＣＨ３のアミノ酸修飾Ｔ３５０Ｖ／Ｌ３５１Ｙ／Ｆ４０５Ａ／Ｙ４０７Ｖを含み、且つ、他方のＦｃポリペプチドがＣＨ３アミノ酸修飾Ｔ３５０Ｖ／Ｔ３６６Ｌ／Ｋ３９２Ｌ／Ｔ３９４Ｗを含む；又は
（ｅ）第１及び第２のＦｃポリペプチドの一方がＣＨ３のアミノ酸修飾Ｔ３５０Ｖ／Ｌ３５１Ｙ／Ｆ４０５Ａ／Ｙ４０７Ｖを含み、且つ、他方のＦｃポリペプチドがＣＨ３アミノ酸修飾Ｔ３５０Ｖ／Ｔ３６６Ｌ／Ｋ３９２Ｍ／Ｔ３９４Ｗを含む；又は
（ｆ）第１及び第２のＦｃポリペプチドの一方がＣＨ３のアミノ酸修飾Ｔ３５０Ｖ／Ｌ３５１Ｙ／Ｓ４００Ｅ／Ｆ４０５Ａ／Ｙ４０７Ｖを含み、且つ、他方のＦｃポリペプチドがＣＨ３アミノ酸修飾Ｔ３５０Ｖ／Ｔ３６６Ｌ／Ｎ３９０Ｒ／Ｋ３９２Ｍ／Ｔ３９４Ｗを含み、
ここでアミノ酸の番号付けはＫａｂａｔにおけるＥＵインデックスによるものである、
請求項２５に記載のヘテロ多量体。
【請求項２７】
ＩｇＧＦｃ構築物に融合された少なくとも１つの抗原結合構築物をさらに含む、請求項１〜２６のいずれか１項に記載のヘテロ多量体。
【請求項２８】
少なくとも１つの抗原結合構築物が、Ｆａｂ断片、ｓｃＦｖ、ｓｄＡｂ、抗原結合ペプチド、Ｆｃ融合タンパク質、又は抗原を結合することが可能であるタンパク質若しくはその断片から選択される、請求項２７に記載のヘテロ多量体。
【請求項２９】
抗原結合構築物を１つ又は２つ含む、請求項２７又は２８に記載のヘテロ多量体。
【請求項３０】
ＩｇＧＦｃ構築物が１又は複数の毒性薬物分子に連結されているか、或いは、１又は複数の非相同性ポリペプチドに連結されている、請求項１〜２９のいずれか１項に記載のヘテロ多量体。
【請求項３１】
１又は複数の非相同性ポリペプチドが酵素及び毒素から選択される、請求項３０に記載のヘテロ多量体。
【請求項３２】
ＩｇＧがＩｇＧ１である、請求項１〜３１のいずれか１項に記載のヘテロ多量体。
【請求項３３】
請求項１〜３２のいずれか１項に記載のヘテロ多量体の第１のＦｃポリペプチド、第２のＦｃポリペプチド、又は第１及び第２のＦｃポリペプチドの両方をコードする核酸。
【請求項３４】
請求項３３に記載の核酸を含む宿主細胞。
【請求項３５】
請求項１〜３２のいずれか１項に記載のヘテロ多量体の調製方法であって、（ａ）請求項１〜３２のいずれか１項に記載のヘテロ多量体の第１及び第２のＦｃポリペプチドをコードする１又は複数の核酸を含む宿主細胞を培養する工程と、（ｂ）宿主細胞の培養物からヘテロ多量体を回収する工程とを含む、方法。
【請求項３６】
電荷に基づく精製法を用いてヘテロ多量体を単離する工程をさらに含む、請求項３５に記載の方法。
【請求項３７】
電荷に基づく精製法がイオン交換クロマトグラフィである、請求項３６に記載の方法。
【請求項３８】
請求項１〜３２のいずれか１項に記載のヘテロ多量体と、薬学的に許容可能なキャリアとを含む、薬学的組成物。
【請求項３９】
疾患の治療のための薬剤の調製における請求項１〜３２のいずれか１項に記載のヘテロ多量体の使用。
【請求項４０】
第１及び第２のＦｃポリペプチドの下ヒンジ領域を修飾する工程を含む、第１及び第２のＦｃポリペプチドを含むＩｇＧＦｃ構築物のエフェクター機能を低下させる方法であって、
第１のＦｃポリペプチドの修飾された下ヒンジ領域が、少なくとも１つのアミノ酸修飾を含み、
第２のＦｃポリペプチドの修飾された下ヒンジ領域が、第１のＦｃポリペプチドの少なくとも１つのアミノ酸修飾とは異なる少なくとも１つのアミノ酸修飾を含み、且つ、
前記ＩｇＧＦｃ構築物が、対応する親ＩｇＧＦｃ構築物に比べてＦｃγＲＩａ、ＦｃγＲＩＩａ、ＦｃγＲＩＩｂ、及びＦｃγＲＩＩＩａ受容体に対して低下した結合を示す、
方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
本明細書で提供されるのは、第１及び第２のＦｃポリペプチドの下ヒンジ領域を修飾することを含む、抗体構築物のエフェクター機能を低下させる方法であり、ここで、第１のＦｃポリペプチドの修飾された下ヒンジ領域は、少なくとも１つのアミノ酸修飾を含み、第２のＦｃポリペプチドの修飾された下ヒンジ領域は、第１のＦｃポリペプチドの少なくとも１つのアミノ酸修飾とは異なる少なくとも１つのアミノ酸修飾を含み、該ＩｇＧＦｃ構築物は、対応する親ＩｇＧＦｃ構築物に比べてＦｃγ受容体すべてとＣ１ｑタンパク質とに対する低下した結合を示す。一部の実施形態では、修飾はＦｃ受容体に対する無視できる結合を生じる。
[本発明1001]
第1及び第2のＦｃポリペプチドを有するＩｇＧＦｃ構築物を含むヘテロ多量体であって、各Ｆｃポリペプチドは修飾された下ヒンジ領域を含み、
（ａ）第1のＦｃポリペプチドの修飾された下ヒンジ領域が少なくとも1つのアミノ酸修飾を含み、
（ｂ）第2のＦｃポリペプチドの修飾された下ヒンジ領域が、第1のＦｃポリペプチドの少なくとも1つのアミノ酸修飾とは異なる少なくとも1つのアミノ酸修飾を含み、且つ
（ｃ）該ＩｇＧＦｃ構築物が、対応する親ＩｇＧＦｃ構築物に比べてＦｃγ受容体すべてとＣ1ｑタンパク質とに対して低下した結合を示す、
ヘテロ多量体。
[本発明1002]
（ａ）第1のＦｃポリペプチドの修飾された下ヒンジ領域における少なくとも1つのアミノ酸修飾が、修飾された下ヒンジ領域における正味の正の電荷を増やし、且つ第2のＦｃポリペプチドにおける少なくとも1つのアミノ酸修飾が、野生型のヒンジ領域に比べて負の電荷の総数を増やす若しくは電荷中性であるか、又は
（ｂ）第1のＦｃポリペプチドの修飾された下ヒンジ領域における少なくとも1つのアミノ酸修飾が、修飾された下ヒンジ領域における正味の負の電荷を増やし、且つ第2のＦｃポリペプチドにおける少なくとも1つのアミノ酸修飾が、正の電荷の総数を増やす、
本発明1001のヘテロ多量体。
[本発明1003]
第1及び第2のＦｃポリペプチドの少なくとも一方の修飾された下ヒンジ領域が2以上のアミノ酸修飾を含む、本発明1001又は1002のヘテロ多量体。
[本発明1004]
第1及び第2のＦｃポリペプチドを有するＩｇＧＦｃ構築物を含むヘテロ多量体であって、各Ｆｃポリペプチドは修飾されたヒンジ領域を含み、
（ａ）第1のＦｃポリペプチドの修飾されたヒンジ領域が、ほぼ生理的なｐＨ条件にて第1のＦｃポリペプチドの修飾されたヒンジ領域における正味電荷を増やす少なくとも1つのアミノ酸修飾を含み、
（ｂ）第2のＦｃポリペプチドの修飾されたヒンジ領域が、第1のＦｃポリペプチドの少なくとも1つのアミノ酸修飾とは異なる少なくとも1つのアミノ酸修飾を含み、且つ
（ｃ）前記ＩｇＧＦｃ構築物が、対応する親ＩｇＧＦｃ構築物に比べてＦｃγ受容体すべてとＣ1ｑタンパク質とに対して低下した結合を示す、
ヘテロ多量体。
[本発明1005]
正味電荷の前記増加が第1のＦｃポリペプチドにおける正味の正の電荷の増加である、本発明1004のヘテロ多量体。
[本発明1006]
正味の正の電荷の前記増加が、第1のＦｃポリペプチドにおける正に荷電したアミノ酸の総数の増加であるか、又は第1のＦｃポリペプチドにおける負に荷電したアミノ酸の総数の低下である、本発明1005のヘテロ多量体。
[本発明1007]
第1のＦｃポリペプチドの修飾されたヒンジ領域における少なくとも1つのアミノ酸修飾が第1のＦｃポリペプチドにおける正に荷電したアミノ酸の総数を増やし、且つ第2のＦｃポリペプチドの修飾されたヒンジ領域における少なくとも1つのアミノ酸修飾が第2のＦｃポリペプチドの負の電荷の総数を増やす又は電荷中性である、本発明1004のヘテロ多量体。
[本発明1008]
正味電荷の前記増加が第1のＦｃポリペプチドにおける正味の負の電荷の増加である、本発明1004のヘテロ多量体。
[本発明1009]
正味の負の電荷の前記増加が、第1のＦｃポリペプチドにおける負に荷電したアミノ酸の総数の増加又は正に荷電したアミノ酸の総数の低下である、本発明1008のヘテロ多量体。
[本発明1010]
正味の負の電荷が、負に荷電したアミノ酸の総数の増加である場合、第2のＦｃポリペプチドにおける少なくとも1つのアミノ酸修飾が正の電荷の総数を増やす、本発明1008又は1009のヘテロ多量体。
[本発明1011]
第2のＦｃポリペプチドにおける少なくとも1つのアミノ酸修飾と組み合わせた第1のＦｃポリペプチドの修飾されたヒンジ領域における少なくとも1つのアミノ酸修飾が、親ＩｇＧＦｃ構築物に比べてＩｇＧＦｃ構築物の正の電荷全体を増やす、本発明1004〜1010のいずれかのヘテロ多量体。
[本発明1012]
第1及び第2のＦｃポリペプチドの少なくとも一方の修飾されたヒンジ領域が2以上のアミノ酸修飾を含む、本発明1004〜1011のいずれかのヘテロ多量体。
[本発明1013]
第1及び第2のＦｃポリペプチドの修飾されたヒンジ領域が2以上のアミノ酸修飾を含む、本発明1004〜1012のいずれかのヘテロ多量体。
[本発明1014]
第1及び第2のＦｃポリペプチドの修飾されたヒンジ領域における少なくとも1つのアミノ酸修飾が下ヒンジ領域にある、本発明1004〜1013のいずれかのヘテロ多量体。
[本発明1015]
ＩｇＧＦｃ構築物が、ＦｃγＲＩＩａＨに対して10μＭを超えるＫＤ、ＦｃγＲＩＩａＲに対して10μＭを超えるＫＤ、ＦｃγＲＩＩｂに対して10μＭを超えるＫＤ、ＦｃγＲＩＩＩａＦに対して6μＭを超えるＫＤ、ＦｃγＲＩＩＩａＶに対して6μＭを超えるＫＤ、及びＦｃγＲＩａに対して6．5ｎＭを超えるＫＤを有する、本発明1001〜1014のいずれかのヘテロ多量体。
[本発明1016]
ＩｇＧＦｃ構築物が、前記アミノ酸修飾を含まない対応ＩｇＧＦｃ構築物に比べてエフェクター機能の低下を媒介する、本発明1001〜1015のいずれかのヘテロ多量体。
[本発明1017]
ＩｇＧＦｃ構築物が、ＥＣ50で測定して、エフェクター機能の70％未満、50％未満、30％未満、又は10％未満を媒介する、本発明1016のヘテロ多量体。
[本発明1018]
ＩｇＧＦｃ構築物が、細胞の最大溶解で測定して、エフェクター機能の10％未満、5％未満、2％未満、又は1％未満を媒介する、本発明1016のヘテロ多量体。
[本発明1019]
エフェクター機能が、ＡＤＣＣ、ＡＤＣＰ、ＣＤＣ、又はそれらの組み合わせから選択される、本発明1016〜1018のいずれかのヘテロ多量体。
[本発明1020]
第1及び第2のＦｃポリペプチドの少なくとも一方の修飾されたヒンジ領域がＬ234及び／又はＬ235でのアミノ酸修飾を含む、本発明1001〜1019のいずれかのヘテロ多量体。
[本発明1021]
第1及び第2のＦｃポリペプチドの少なくとも一方の修飾されたヒンジ領域が、Ｌ234Ｋ、Ｌ234Ｒ、Ｌ234Ａ、Ｌ235Ｋ、Ｌ235Ｒ、及びＬ235Ａから選択されるアミノ酸修飾を含む、本発明1020のヘテロ多量体。
[本発明1022]
第1及び第2のＦｃポリペプチドの一方がさらにＥ233でのアミノ酸修飾を含む、本発明1020又は1021のヘテロ多量体。
[本発明1023]
Ｅ233での前記修飾が、Ｅ233Ａ、Ｅ233Ｋ、及びＥ233Ｒから選択される、本発明1022のヘテロ多量体。
[本発明1024]
第1及び第2のＦｃポリペプチド双方の修飾されたヒンジ領域がＬ234及び／又はＬ235でのアミノ酸修飾を含む、本発明1001〜1023のいずれかのヘテロ多量体。
[本発明1025]
Ｌ234及び／又はＬ235での前記修飾が、Ｌ234Ａ、Ｌ234Ｋ、Ｌ234Ｒ、Ｌ234Ｄ、Ｌ234Ｅ、Ｌ235Ｋ、Ｌ235Ｒ、Ｌ235Ｅ、Ｌ235Ａ、及びＬ235Ｄから選択される、本発明1024のヘテロ多量体。
[本発明1026]
第1及び／又は第2のＦｃポリペプチドの修飾されたヒンジ領域がさらにＥ233でのアミノ酸修飾を含む、本発明1024又は1025の単離された抗体構築物。
[本発明1027]
アミノ酸修飾のいずれか又は双方が独立してＥ233Ａ又はＥ233Ｄである、本発明1026のヘテロ多量体。
[本発明1028]
第1及び第2のＦｃポリペプチドの少なくとも一方の修飾されたヒンジ領域が、アミノ酸修飾Ｌ234Ｋ／Ｌ235Ｋ、Ｅ233Ａ／Ｌ234Ｒ／Ｌ235Ｒ、Ｅ233Ｋ／Ｌ234Ｒ／Ｌ235Ｒ、又はＥ233Ｋ／Ｌ234Ａ／Ｌ235Ｋを含む、本発明1001〜1027のいずれかのヘテロ多量体。
[本発明1029]
第1及び第2のＦｃポリペプチドの修飾されたヒンジ領域が、アミノ酸修飾Ｌ234Ａ／Ｌ235Ａ、Ｌ234Ｄ／Ｌ235Ｅ、Ｅ233Ａ／Ｌ234Ｄ／Ｌ235Ｅ、又はＥ233Ａ／Ｌ234Ｋ／Ｌ235Ａを含む、本発明1001〜1028のいずれかのヘテロ多量体。
[本発明1030]
（ａ）第1のＦｃポリペプチドの修飾されたヒンジ領域がアミノ酸修飾Ｌ234Ｋ／Ｌ235Ｋを含み、且つ第2のＦｃポリペプチドの修飾されたヒンジ領域がアミノ酸修飾Ｌ234Ａ／Ｌ235Ａを含む；
（ｂ）第1のＦｃポリペプチドの修飾されたヒンジ領域がアミノ酸修飾Ｌ234Ｋ／Ｌ235Ｋを含み、且つ第2のＦｃポリペプチドの修飾されたヒンジ領域がアミノ酸修飾Ｌ234Ｄ／Ｌ235Ｅを含む；
（ｃ）第1のＦｃポリペプチドの修飾されたヒンジ領域がアミノ酸修飾Ｅ233Ａ／Ｌ234Ｒ／Ｌ235Ｒを含み、且つ第2のＦｃポリペプチドの修飾されたヒンジ領域がアミノ酸修飾Ｅ233Ａ／Ｌ234Ｄ／Ｌ235Ｅを含む；
（ｄ）第1のＦｃポリペプチドの修飾されたヒンジ領域がアミノ酸修飾Ｅ233Ｋ／Ｌ234Ｒ／Ｌ235Ｒを含み、且つ第2のＦｃポリペプチドの修飾されたヒンジ領域がアミノ酸修飾Ｌ234Ｄ／Ｌ235Ｅを含む；又は
（ｅ）第1のＦｃポリペプチドの修飾されたヒンジ領域がアミノ酸修飾Ｅ233Ｋ／Ｌ234Ａ／Ｌ235Ｋを含み、且つ第2のＦｃポリペプチドの修飾されたヒンジ領域がアミノ酸修飾Ｅ233Ａ／Ｌ234Ｋ／Ｌ235Ａを含む、
本発明1001〜1029のいずれかのヘテロ多量体。
[本発明1031]
（ａ）第1のＦｃポリペプチドがアミノ酸修飾Ｌ234Ｄ／Ｌ235Ｅを含み、且つ第2のＦｃポリペプチドがアミノ酸修飾Ｌ234Ｒ／Ｌ235Ｒ／Ｅ233Ｋを含む；
（ｂ）第1のＦｃポリペプチドがアミノ酸修飾Ｌ234Ｄ／Ｌ235Ｅ／Ｄ265Ｓを含み、且つ第2のＦｃポリペプチドがアミノ酸修飾Ｅ233Ｋ／Ｌ234Ｒ／Ｌ235Ｒ／Ｄ265Ｓを含む；
（ｃ）第1のＦｃポリペプチドがアミノ酸修飾Ｌ234Ｄ／Ｌ235Ｅ／Ｅ269Ｋを含み、且つ第2のＦｃポリペプチドがアミノ酸修飾Ｅ233Ｋ／Ｌ234Ｒ／Ｌ235Ｒ／Ｅ269Ｋを含む；
（ｄ）第1のＦｃポリペプチドがアミノ酸修飾Ｌ234Ｄ／Ｌ235Ｅ／Ｋ322Ａを含み、且つ第2のＦｃポリペプチドがアミノ酸修飾Ｅ233Ｋ／Ｌ234Ｒ／Ｌ235Ｒ／Ｋ322Ａを含む；
（ｅ）第1のＦｃポリペプチドがアミノ酸修飾Ｌ234Ｄ／Ｌ235Ｅ／Ｐ329Ｗを含み、且つ第2のＦｃポリペプチドがアミノ酸修飾Ｅ233Ｋ／Ｌ234Ｒ／Ｌ235Ｒ／Ｐ329Ｗを含む；
（ｆ）第1のＦｃポリペプチドがアミノ酸修飾Ｌ234Ｄ／Ｌ235Ｅ／Ｅ269Ｋ／Ｄ265Ｓ／Ｋ322Ａを含み、且つ第2のＦｃポリペプチドがアミノ酸修飾Ｅ233Ｋ／Ｌ234Ｒ／Ｌ235Ｒ／Ｅ269Ｋ／Ｄ265Ｓ／Ｋ322Ａを含む；又は
（ｇ）第1のＦｃポリペプチドがアミノ酸修飾Ｌ234Ｄ／Ｌ235Ｅ／Ｅ269Ｋ／Ｄ265Ｓ／Ｋ322Ｅ／Ｅ333Ｋを含み、且つ第2のＦｃポリペプチドがアミノ酸修飾Ｅ233Ｋ／Ｌ234Ｒ／Ｌ235Ｒ／Ｅ269Ｋ／Ｄ265Ｓ／Ｋ322Ｅ／Ｅ333Ｋを含む、
本発明1001〜1029のいずれかのヘテロ多量体。
[本発明1032]
第1及び第2のＦｃポリペプチドを有するＩｇＧＦｃ構築物を含むヘテロ多量体であって、
（ａ）第1のＦｃポリペプチドがアミノ酸修飾Ｅ269Ｑ／Ｄ270Ｎを含み、且つ第2のＦｃポリペプチドがアミノ酸修飾Ｅ269Ｋ／Ｄ270Ｒを含む；又は
（ｂ）第1のＦｃポリペプチドがアミノ酸修飾Ｌ235Ｋ／Ａ327Ｋを含み、且つ第2のＦｃポリペプチドがヒンジ領域又は下ヒンジ領域にてアミノ酸修飾を含まない；
且つ、前記ＩｇＧＦｃ構築物が、対応する親ＩｇＧＦｃ構築物に比べてＦｃγ受容体すべてとＣ1ｑタンパク質とに対して低下した結合を示す、
ヘテロ多量体。
[本発明1033]
ＩｇＧＦｃ構築物が非グリコシル化されている、本発明1001〜1032のいずれかのヘテロ多量体。
[本発明1034]
ＩｇＧＦｃ構築物が脱グリコシル化されている、本発明1001〜1033のいずれかのヘテロ多量体。
[本発明1035]
サーモグラムにおけるＩｇＧＦｃ構築物の融解の開始が68℃以上である、本発明1001〜1034のいずれかのヘテロ多量体。
[本発明1036]
ＩｇＧＦｃ構築物が、対応する親ＣＨ2領域の融解温度を超える又はそれに等しい融解温度を持つＣＨ2領域を有する、本発明1001〜1035のいずれかのヘテロ多量体。
[本発明1037]
ＩｇＧＦｃ構築物が、対応する親ＣＨ2領域の融解温度よりも約1〜2℃高い融解温度をもつＣＨ2領域を有する、本発明1001〜1035のいずれかのヘテロ多量体。
[本発明1038]
ＩｇＧＦｃ構築物が、対応する親ＣＨ2領域の融解温度よりも約2〜3℃高い融解温度をもつＣＨ2領域を有する、本発明1001〜1035のいずれかのヘテロ多量体。
[本発明1039]
ＩｇＧＦｃ構築物が、ヘテロ多量体が発現される際にホモ二量体Ｆｃ領域に比べてヘテロ二量体Ｆｃ領域の形成を促進するアミノ酸修飾を含む変異体ＣＨ3領域を含む、本発明1001〜1038のいずれかのヘテロ多量体。
[本発明1040]
第1及び第2のＦｃポリペプチドの一方がＣＨ3のアミノ酸修飾Ｔ366Ｌ／Ｎ390Ｒ／Ｋ392Ｍ／Ｔ394Ｗを含み、且つ、他方のＦｃポリペプチドがＣＨ3アミノ酸修飾Ｌ351Ｙ／Ｓ400Ｅ／Ｆ405Ａ／Ｙ407Ｖを含む、本発明1039のヘテロ多量体。
[本発明1041]
第1及び／又は第2のＦｃポリペプチドがアミノ酸修飾Ｔ350Ｖを含む、本発明1040のヘテロ多量体。
[本発明1042]
ヘテロ二量体Ｆｃ領域を含むヘテロ多量体が、電荷に基づく精製法を用いてホモ二量体Ｆｃ領域を含む発現産物から分離される、本発明1039〜1041のいずれかのヘテロ多量体。
[本発明1043]
ＩｇＧＦｃ構築物に融合された少なくとも1つの抗原結合構築物をさらに含む、本発明1001〜1042のいずれかのヘテロ多量体。
[本発明1044]
少なくとも1つの抗原結合構築物が、Ｆａｂ断片、ｓｃＦｖ、ｓｄＡｂ、抗原結合ペプチド、Ｆｃ融合タンパク質、又は抗原を結合することが可能であるタンパク質若しくはその断片から選択される、本発明1001〜1043のいずれかのヘテロ多量体。
[本発明1045]
抗原結合構築物を1つ含む、本発明1043又は1044のヘテロ多量体。
[本発明1046]
抗原結合構築物を2つ含む、本発明1043又は1044のヘテロ多量体。
[本発明1047]
ＩｇＧＦｃ構築物が1又は複数の毒性薬物分子に連結されている、本発明1001〜1046のいずれかのヘテロ多量体。
[本発明1048]
ＩｇＧＦｃ構築物が1又は複数の非相同性ポリペプチドに連結されている、本発明1001〜1046のいずれかのヘテロ多量体。
[本発明1049]
1又は複数の非相同性ポリペプチドが酵素及び毒素から選択される、本発明1048のヘテロ多量体。
[本発明1050]
ＩｇＧがＩｇＧ1である、本発明1001〜1049のいずれかのヘテロ多量体。
[本発明1051]
本発明1001〜1045のいずれかのヘテロ多量体の第1又は第2のＦｃポリペプチドをコードする核酸。
[本発明1052]
本発明1051の核酸を含む宿主細胞。
[本発明1053]
本発明1001〜1050のいずれかのヘテロ多量体の調製方法であって、（ａ）本発明1052の宿主細胞を培養する工程と、（ｂ）宿主細胞の培養物からヘテロ多量体を回収する工程とを含む、方法。
[本発明1054]
電荷に基づく精製法を用いてヘテロ多量体を単離する工程をさらに含む、本発明1053の方法。
[本発明1055]
電荷に基づく精製法がイオン交換クロマトグラフィである、本発明1054の方法。
[本発明1056]
本発明1001〜1050のいずれかのヘテロ多量体と、薬学的に許容可能なキャリアとを含む、薬学的組成物。
[本発明1057]
疾患の治療方法であって、それを必要とする患者に有効量の本発明1056の薬学的組成物を提供する工程を含む、方法。
[本発明1058]
疾患の治療のための薬剤の調製における本発明1001〜1050のいずれかのヘテロ多量体の使用。
[本発明1059]
疾患を治療するための、それを必要とする患者における治療的な量の本発明1001〜1050のいずれかのヘテロ多量体の使用。
[本発明1060]
第1及び第2のＦｃポリペプチドの下ヒンジ領域を修飾する工程を含む、抗体構築物のエフェクター機能を低下させる方法であって、
第1のＦｃポリペプチドの修飾された下ヒンジ領域が、少なくとも1つのアミノ酸修飾を含み、
第2のＦｃポリペプチドの修飾された下ヒンジ領域が、第1のＦｃポリペプチドの少なくとも1つのアミノ酸修飾とは異なる少なくとも1つのアミノ酸修飾を含み、且つ、
前記ＩｇＧＦｃ構築物が、対応する親ＩｇＧＦｃ構築物に比べてＦｃγ受容体すべて又はＣ1ｑタンパク質に対して低下した結合を示す、
方法。
[本発明1061]
前記修飾がＦｃ受容体への無視できる結合を生じる、本発明1060の方法。