(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱間仕上圧延機の入側に配設された高圧水ジェットによる脱スケール装置によって鋼片のスケールを除去する方法において、
粗圧延後の前記鋼片の表層を前記脱スケール装置の上流側で加熱した後、予め把握された該鋼片が均熱化されるまでの時間内に該脱スケール装置によるスケール除去を行うに際し、
前記鋼片の表層の加熱を、該鋼片の表層との間に所定の間隔をあけた状態で前記鋼片の幅及び厚み方向に沿って圧延方向に巻回された高周波誘導加熱コイルを備えた高周波誘導加熱装置を用いて行うとともに、
前記鋼片の電気浸透深さをδ［ｍ］、電気抵抗率をρS［μΩｃｍ］、比透磁率をμS［−］、熱伝導率をλ［ｗ／ｍＫ］、比熱をＣ［Ｊ／ｋｇＫ］、密度をρ［ｋｇ／ｍ3］、高周波誘導加熱の周波数をｆ［Ｈｚ］、鋼片の厚さをＤ［ｍ］とした場合に、前記鋼片が均熱化されるまでの時間ｔ［ｓｅｃ］を、下記の式（１）及び（２）から求めることを特徴とする鋼片のスケール除去方法。
0003539271.tif 000002
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、熱間仕上圧延機の入側に配設された脱スケール装置によって鋼片のスケールを除去する方法に関し、特にＳｉ含有鋼片に有効なスケール除去方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
熱間圧延による熱延鋼板の製造にあたっては、素材スラブを酸化性雰囲気の加熱炉内で１１００〜１４００°Ｃの温度で数時間にわたり加熱し、その後、粗圧延、仕上圧延されて熱延鋼板とされる。ここで、加熱炉内での加熱時に鋼板に生成した一次スケールが十分剥離されないままの状態で圧延されると、仕上圧延後の製品の表面にスケールが食い込んでスケール疵となって残る。この様なスケール疵が発生すると製品の表面性状が著しく損なわれるとともに曲げ加工の際等にクラックの起点となるため、製品の品質に重大な弊害をおよぼす。
【０００３】
従って、この様なスケール疵の発生を防止する目的で、通常、仕上圧延機の入側に、約１００〜１５０ｋｇ／ｃｍ2の水圧で鋼板表面上のスケ一ルを剥離・除去する脱スケール装置を設置している。
しかしながら、スケール剥離性の良否は、脱スケール装置の操業条件の他にスケールの性状、即ち組成や構造等によって大きく影響されているのが実情であり、特にＳｉ（シリコン）含有量の多い鋼の一次スケールの場合は、甚だしく剥離し難くなることが知られている。これは、加熱炉内での加熱時の高温酸化に際して、鋼中に含まれるＳｉが選択酸化を受けて熱可塑性の大きい２ＦｅＯ・ＳｉＯ2（フェヤライト）の組成を作り、メタルとの界面が複雑に入り組んだ特有構造のサブスケール層が形成されることによるものである。
【０００４】
例えば、Ｓｉを０．１ｗｔ％以上含有する鋼を熱処理する場合には、上述したサブスケール層の生成が著しく、これが剥離しないままに圧延されるため、圧延後の製品表面に無数のスケール疵が残り、製品の商品価値を著しく低下させることがある。
また、一次スケール除去後に生じる二次スケ一ルについても、通常の脱スケール装置では十分に剥離・除去することができず、その結果、製品表面にスケール疵が残ることが多い。
【０００５】
そこで、この様な問題を回避する技術として、特公昭６０−１０８５号公報に示すように、Ｓｉを０．１〜４．００ｗｔ％含有する鋼からなるスラブを熱間圧延して熱延鋼板を製造するに際し、圧延間始時点から起算した累積圧下率が６５％以上となり、且つ、鋼片温度が１０００°Ｃ以上にある圧延期間内において、８０〜２５０ｋｇ／ｃｍ2の高圧水ジェツトによる脱スケールを累積時間にして０．０４秒以上施すことにより、Ｓｉ含有鋼片のスケールを除去する方法が提案されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、かかる従来の鋼片のスケール除去方法においては、仕上圧延機の入側での鋼片温度を１０００°Ｃ以上に保つ必要があるため、加熱炉からの鋼片の高温抽出が必要となって、加熱炉の原単位の悪化やスケールロスの増加を招き、また、圧下率や脱スケール時間に種々の制約が生じて圧延作業も繁雑になるという不都合がある。
【０００７】
本発明はかかる不都合を解消するためになされたものであり、通常の脱スケール装置を用いて容易、かつ確実にＳｉ含有鋼に発生するスケールを除去することができると共に、加熱炉の原単位の悪化やスケールロスの増加を招くことがない鋼片のスケール除去方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
かかる目的を達成するために、請求項１に係る鋼片のスケール除去方法は、熱間仕上圧延機の入側に配設された高圧水ジェットによる脱スケール装置によって鋼片のスケールを除去する方法において、
粗圧延後の前記鋼片の表層を前記脱スケール装置の上流側で加熱した後、予め把握された該鋼片が均熱化されるまでの時間内に該脱スケール装置によるスケール除去を行うに際し、
前記鋼片の表層の加熱を、該鋼片の表層との間に所定の間隔をあけた状態で前記鋼片の幅及び厚み方向に沿って圧延方向に巻回された高周波誘導加熱コイルを備えた高周波誘導加熱装置を用いて行うとともに、
前記鋼片の電気浸透深さをδ［ｍ］、電気抵抗率をρS［μΩｃｍ］、比透磁率をμS［−］、熱伝導率をλ［ｗ／ｍＫ］、比熱をＣ［Ｊ／ｋｇＫ］、密度をρ［ｋｇ／ｍ3］、高周波誘導加熱の周波数をｆ［Ｈｚ］、鋼片の厚さをＤ［ｍ］とした場合に、前記鋼片が均熱化されるまでの時間ｔ［ｓｅｃ］を、下記の式（１）及び（２）から求めることを特徴とする。
【００１０】
δ＝０．０５０３（ρS／ｆμS）1/2                      …（１）
ｔ＝（Ｄ／２−δ／２）2／（３ａ）    ａ＝λ／（Ｃρ）  …（２）
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態の一例を図を参照して説明する。図１は本発明の実施の形態の一例であるＳｉ含有鋼片のスケール除去方法を説明するための説明図、図２は高周波誘導加熱装置の概略斜視図、図３は高周波誘導加熱装置によって鋼片内部に交番磁界が印加された状態を示す説明図、図４は高周波誘導加熱コイルの電流の流れと鋼片内部に生起する誘導電流の流れを示す説明図、図５は鋼片の厚さ方向の電流分布を示す説明図、図６は高周波誘導加熱装置による鋼片の加熱前後における該鋼片の表面温度と内部温度と平均温度の推移を示すグラフ図である。
【００１２】
図１において符号１はＳｉを０．５ｗｔ％以上含有する鋼片、２は加熱炉（図示せず。）を出た鋼片１を粗圧延する粗圧延機、３は粗圧延機２で圧延した鋼片１を所定長さ切断する切断装置、４は仕上圧延機列の第１スタンド、５は仕上圧延機４の入側に配設されて約１００〜１５０ｋｇ／ｃｍ2の水圧で鋼片１の表面上のスケ一ルを剥離・除去する脱スケール装置、６は高圧水ジェットによる脱スケール装置５の上流側に配設されて粗圧延後の鋼片１の表層を加熱する高周波誘導加熱装置である。
【００１３】
図２及び図４を参照して、高周波誘導加熱装置６は、高周波誘導加熱コイル７及び電源８から構成されており、高周波誘導加熱コイル７は、鋼片１の表層との間に略均一の間隔をあけた状態で該鋼片１の幅及び厚み方向に沿って圧延方向に連続して巻回されている。
そして、電源８により高周波誘導加熱コイル７に電流を流して発生した交番磁束は、図３に示すように、鋼片１の内部を圧延方向へ貫き、コイル端を経てコイル背面に廻る流れとなる。この交番磁束により、鋼片１の内部に該鋼片１の幅及び厚み方向に周回する誘導電流が流れ、この誘導電流は、図５に示すように、鋼片１の表面からδの深さを有する層を指数関数的に集中して該鋼片１の表面を選択的に加熱する。このように、脱スケール装置５の入側に高周波誘導加熱コイルを設置することにより、鋼板表面の温度を１０００°Ｃ以上として脱スケールを実施することが可能となり、しかも、加熱炉において高温加熱を行う必要もなくなり、原単位の悪化やスケールロスの増加を招くことがない。
【００１４】
ここで、本発明者等は高周波誘導加熱装置６によって鋼片１の表層を加熱した後、鋼片１の内部の熱伝導により鋼片１の温度が均熱化されることを見い出し、鋼片１が均熱化される前に脱スケール装置５でスケールの除去を行うことにより、脱スケール性向上に関して、鋼片１の表層を高周波誘導加熱することによる効果を最も効率的に生じさせ得ることを知見した。
【００１５】
そこで、この実施の形態では、高周波誘導加熱装置６による鋼片１の表層の加熱が完了した後、鋼片１の温度が均熱化されるまでの時間ｔを予め求めておき、この時間ｔが経過するまでに脱スケール装置５による鋼片１のスケール除去が行われるように、鋼片１の搬送速度等から脱スケール装置５と高周波誘導加熱装置６との間隔Ｌを設定している。図５に示した誘導電流が生ずる層の深さδ（一般に「電気浸透深さ」という。）は下記の（１）式により求められ、該電気浸透深さδを用いて前記時間ｔを下記の（２）式から求めることができる。
【００１６】
δ＝０．０５０３（ρS／ｆμS）1/2                      …（１）
ｔ＝（Ｄ／２−δ／２）2／（３ａ）    ａ＝λ／（Ｃρ）  …（２）
但し、電気抵抗率をρS［μΩｃｍ］、比透磁率をμS［−］、熱伝導率をλ［ｗ／ｍＫ］、比熱をＣ［Ｊ／ｋｇＫ］、密度をρ［ｋｇ／ｍ3］、高周波誘導加熱の周波数をｆ［Ｈｚ］、鋼片の厚さをＤ［ｍ］とする。
【００１７】
更に詳述すると、鋼片１を幅１３００ｍｍ、厚み３０ｍｍのシートバ一（０．５ｗｔ％Ｓｉ含有鋼）とし、内巾２０００ｍｍ、内高さ２４０ｍｍ及びコイル長６００ｍｍの高周波誘導加熱コイル７を備えた高周波誘導加熱装置６を圧延方向に間隔をあけて二台配置して２．４ｍの加熱長を確保し、投入電力を各々５０００ｋＷ、周波数２０００Ｈｚとした。鋼片１の搬送速度は１ｍ／秒であり、加熱長が２．４ｍであることから加熱時間は２．４秒である。
【００１８】
また、電気抵抗率ρS＝１２０μΩｃｍ、周波数ｆ＝２０００Ｈｚ、比透磁率μS＝１．０とし、従って、（１）式より電気浸透深さδは０．０１２ｍとなる。更に、熱伝導率λ＝２５ｗ／ｍＫ、比熱Ｃ＝６６７Ｊ／ｋｇＫ、密度ρ＝７６５０ｋｇ／ｍ3とし、板厚が０．０３０ｍであることから、（２）式よりｔ＝５．５１秒となる。
【００１９】
従って、この実施の形態では、鋼片１の搬送速度が１ｍ／秒であることから、脱スケール装置５と高周波誘導加熱装置６との間隔Ｌを５ｍに設定して、脱スケール装置５により１５０ｋｇｆ／ｍｍ2 の水圧で鋼片１の表面のスケール除去を行った。
この時の鋼片１の表面温度、内部温度及び平均温度の推移を計算により求めた結果を図６に示す。図から脱スケール装置５によりスケール除去を開始した際の鋼片１の表面温度は１０１０°Ｃであることが判る。
【００２０】
脱スケール装置５によるスケール除去が完了した後、７スタンドミルにより板厚２ｍｍまで圧延を施したが、鋼片１の表面にＳｉ含有鋼特有のスケール疵の発生は見られなかった。
このようにこの実施の形態では、通常の脱スケール装置５を用いて容易、且つ、確実にＳｉ含有鋼に発生する難剥離性のサブスケール層を除去することができ、しかも、加熱炉から鋼片１を高温で抽出する必要もないため、該加熱炉の原単位の悪化やスケールロスの増加を防止することができる。
【００２１】
なお、上記実施の形態では、鋼片１の表層の加熱を高周波誘導加熱装置を用いて行った場合を例に採ったが、必ずしもこれに限定する必要はなく、場合によってはレーザ加熱装置や、プラズマ加熱装置を用いて鋼片１の表層を加熱するようにしてもよい。
【００２２】
【発明の効果】
上記の説明から明らかなように、本発明によれば、通常の脱スケール装置を用いて容易、かつ確実にＳｉ含有鋼に発生するスケールを除去することができると共に、加熱炉の原単位の悪化やスケールロスの増加を招くことがない鋼片のスケール除去方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態の一例であるＳｉ含有鋼片のスケール除去方法を説明するための説明図である。
【図２】高周波誘導加熱装置の概略斜視図である。
【図３】高周波誘導加熱装置によって鋼片内部に交番磁界が印加された状態を示す説明図である。
【図４】高周波誘導加熱コイルの電流の流れと鋼片内に生起する誘導電流の流れを示す説明図である。
【図５】鋼片の厚さ方向の電流分布を示す説明図である。
【図６】高周波誘導加熱装置による鋼片の加熱前後における該鋼片の表面温度と内部温度と平均温度の推移を示すグラフ図である。
【符号の説明】
１…鋼片
２…粗圧延機
４…熱間仕上圧延機
５…脱スケール装置
６…高周波誘導加熱装置
７…高周波誘導加熱コイル
８…高周波電源
【図１】
0003539271.tif 000003
【図２】
0003539271.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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