(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応容器と、前記反応容器内に配置され、成膜対象である基板を配置する基板保持手段と、前記反応容器の内部を排気する排気手段と、前記反応容器内に反応ガスを供給する反応ガス供給手段と、前記基板保持手段を加熱する加熱手段と、前記基板保持手段の上に配置された前記基板を当該基板の成膜面に押力を加えることなく固定する固定手段と、パージガスを供給するパージガス供給手段とを備え、前記基板保持手段で、その基板配置面に前記基板の直径よりも小さい直径の外壁面を有する円形のパージガス吹出し溝を形成し、その内部に前記パージガス供給手段で導入された前記パージガスを前記パージガス吹出し溝に供給する複数のパージガス通路を形成し、前記パージガスを、前記パージガス吹出し溝を通して前記基板の外周縁と前記基板保持手段との隙間から前記反応容器内に吹出すようにしたＣＶＤ装置において、
前記パージガス通路は、前記基板保持手段の径方向に向く径方向部を含み、前記パージガス吹出し溝の前記外壁面に設けられるパージガス吐出口を有するように形成されることを特徴とするＣＶＤ装置。
【請求項２】
反応容器と、前記反応容器内に配置され、成膜対象である基板を配置する基板保持手段と、前記反応容器の内部を排気する排気手段と、前記反応容器内に反応ガスを供給する反応ガス供給手段と、前記基板保持手段を加熱する加熱手段と、前記基板保持手段の上に配置した前記基板を当該基板の成膜面に押力を加えることなく固定する固定手段と、パージガスを供給するパージガス供給手段とを備え、前記基板保持手段で、その基板配置面に前記基板の直径よりも小さい直径の外壁面を有する円形のパージガス吹出し溝を形成し、その内部に前記パージガス供給手段で導入された前記パージガスを前記パージガス吹出し溝に供給する複数のパージガス通路を形成し、前記パージガスを、前記パージガス吹出し溝を通して前記基板の外周縁と前記基板保持手段との隙間から前記反応容器内に吹出すようにしたＣＶＤ装置において、
前記パージガス通路は、前記基板保持手段の径方向に向く径方向部を含み、前記パージガス吹出し溝の前記外壁面に設けられるパージガス吐出口を有するように形成され、
さらに、前記基板保持手段の前記基板配置面の周囲を被うリング板部と前記基板保持手段の側部周囲を被う筒部からなり、前記基板保持手段の周囲に他のパージガス供給路を形成し、前記リング板部と前記基板保持手段の間の隙間からパージガスを吹出させるシールド部材を備え、
２つのパージガス供給路を設けたことを特徴とするＣＶＤ装置。
【請求項３】
前記パージガス吹出し溝は前記基板配置面に垂直に形成され、前記パージガス通路は前記基板保持手段の径方向を向く径方向部と軸方向を向く軸方向部からなり、前記パージガス通路の前記径方向部は中心方向に折り返されて前記パージガス吹出し溝に接続されることを特徴とする請求項１または２記載のＣＶＤ装置。
【請求項４】
前記パージガス吹出し溝に接続される前記パージガス通路の前記径方向部は、前記パージガス吹出し溝の前記外壁面に対して垂直であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のＣＶＤ装置。
【請求項５】
前記パージガス通路のパージガス吐出口は、前記パージガス吹出し溝の底部近傍に形成されることを特徴とする請求項１または２記載のＣＶＤ装置。
【請求項６】
前記基板保持手段における前記パージガス吹出し溝よりも内側部分の表面と前記パージガス吹出し溝よりも外側部分の表面との間に段差を設けたことを特徴とする請求項１または２記載のＣＶＤ装置。
【請求項７】
前記段差の高さは、前記基板と前記基板保持手段との間に前記段差に基づいて形成される隙間から吹出されるパージガスの速度が５０〜７００ｃｍ／ｍｉｎの範囲に設定されることを特徴とする請求項６記載のＣＶＤ装置。
【請求項８】
前記基板保持手段における前記パージガス吹出し溝よりも内側部分の表面と前記パージガス吹出し溝よりも外側部分の表面の高さを同じとし、前記外側部分の表面における少なくとも前記基板の外周縁よりも内側の範囲に微細な凹凸を形成したことを特徴とする請求項１または２記載のＣＶＤ装置。
【請求項９】
前記パージガス吹出し溝に、その内壁面側に位置するリング部材を配置したことを特徴とする請求項１または２記載のＣＶＤ装置。
【請求項１０】
前記シールド部材の前記リング板部の内周縁は、前記基板に非接触の状態にあり、前記基板および前記基板保持手段との間に所定間隔が形成されることを特徴とする請求項２記載のＣＶＤ装置。
【請求項１１】
前記リング板部の内周縁の径は前記基板の径よりも大きいことを特徴とする請求項１０記載のＣＶＤ装置。
【請求項１２】
前記リング板部と前記基板保持手段の間の隙間の距離は、当該隙間から吹出すパージガスの速度が５０〜７００ｃｍ／ｍｉｎ  の範囲に含まれるように設定されることを特徴とする請求項１０記載のＣＶＤ装置。
【請求項１３】
反応容器と、前記反応容器内に配置され、成膜対象である基板を配置する基板保持手段と、前記反応容器の内部を排気する排気手段と、前記反応容器内に反応ガスを供給する反応ガス供給手段と、前記基板保持手段を加熱する加熱手段と、前記基板保持手段の上に配置した前記基板を当該基板の成膜面に押力を加えることなく固定する固定手段と、パージガスを供給するパージガス供給手段とを備え、前記基板保持手段で、その基板配置面に前記基板の直径よりも小さい直径の外壁面を有する円形のパージガス吹出し溝を形成し、その内部に前記パージガス供給手段で導入された前記パージガスを前記パージガス吹出し溝に供給する複数のパージガス通路を形成し、前記パージガスを、前記パージガス吹出し溝を通して前記基板の外周縁と前記基板保持手段との隙間から前記反応容器内に吹出すようにしたＣＶＤ装置において、
前記複数のパージガス通路の各々の出口から吹出される前記パージガスの吹出し方向と、前記隙間における前記の各出口に対応する部分からのパージガス吹出し方向とが反対になるように、前記パージガス通路が形成されることを特徴とするＣＶＤ装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明はＣＶＤ装置に関し、特に、半導体装置製造工程において化学反応に基づく気相成長を利用して薄膜を形成するＣＶＤ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
最近の半導体装置製造の分野において素子の集積化と微細化はますます進んでいる。素子の微細化は、製造工程において新しい技術を要求する。例えば、微細ホール内への充分な膜の埋込、素子内の段差を軽減する工夫、および高電流密度を原因とした発熱やエレクトロマイグレーションによる断線の予防などの技術を要求する。これらの要求に応える新しい製造工程の１つとして、スパッタリング法によるＡｌ膜の形成に代わって、ＷＦ６  （六沸化タングステン）ガスとＨ２  ガスを用いた熱ＣＶＤ法（化学的気相成長法）によるブランケットタングステン膜（以下「Ｂ−Ｗ膜」という）の形成が注目されている。このＢ−Ｗ膜を使用すれば、ホール径０．５μｍ以下、アスペクト比２以上のホールにおいても充分な段差被覆性を得ることができ、素子内の平坦化やエレクトロマイグレーション防止の要求に応えることができる。
【０００３】
また一方、近年では、次のような理由で、半導体装置製造工程において基板全面にＢ−Ｗ膜を成膜する全面成膜が要求されている。
【０００４】
今までのＣＶＤ装置では、基板の周縁付近でスパッタリングによって作られた下地膜であるＴｉＮ膜の成膜範囲が限定され、さらにその上に行われるＢ−Ｗ膜の成膜時には、基板固定具で基板の外周縁全周を覆い、かつ外周縁の複数箇所を直接に接触させて基板を固定し、ＴｉＮ膜上のみに成膜を行うようにしていた。しかしながら、かかる固定構造は様々な弊害を起こした。すなわち、基板固定具の近傍における温度の低下、反応ガスの濃度や流れの不均一に起因する膜剥がれ、基板との機械的な直接接触によるゴミの発生、可動部が機構的に複雑になり、信頼性を低下させる等の弊害が起きた。そこで、これらの問題を解決するため真空チャックや静電チャック等の固定手段が提案され、これらの固定手段によって機械的な直接接触を避け、全面成膜を行うことによって上記の問題を解決しようとしている。
【０００５】
また基板に全面成膜を行うようにすれば、基板の有効領域が拡大し、チップ収量を増加することが可能となる。
【０００６】
次に、図面を参照して従来のＢ−Ｗ膜ＣＶＤ装置の具体例を説明する。まず図７を参照して従来のＢ−Ｗ膜ＣＶＤ装置の第１の例を説明する。このＢ−Ｗ膜ＣＶＤ装置は、全面成膜の方式の装置である。この従来装置は、米国特許第５，３７４，５９４  号公報に示されるものである。
【０００７】
当該ＣＶＤ装置では、反応容器７１内の上方位置に反応ガス供給板７１が設けられ、下方位置に基板保持体７３が設けられる。基板保持体７３の上面に基板７４が配置される。基板保持体７３の平面形状は円形である。
【０００８】
反応ガス供給板７２の下面には複数のガス吹出し孔が形成され、ガス供給管７２ａで供給された反応ガスがガス吹出し孔から吹出し、反応容器７１内に導入される。反応ガス供給板７２の下面は、基板保持体７３の上に配置された基板７４に対向している。反応ガス供給板７２で供給された反応ガスによって、基板７４の表面に所望の薄膜が形成される。反応容器７１内で生じた未反応ガスおよび副生成ガスは排気部７５によって排気される。
【０００９】
基板保持体７３の中心部には上下方向に貫通状態で形成された孔７６が設けられ、この孔７６は差圧チャック排気部７７と連結される。差圧チャック排気部７７は、反応容器７１の上記排気部７５とは別のものである。基板保持体７３の表面には、基板７４と接する部分に上記貫通孔７６と連結された差圧溝７８が設けられている。差圧溝７８は、径方向に向かう放射状の複数本の直線溝と、同心円状に配置された複数本の円周溝とからなる。基板７４が基板保持体７３上に載置された後に差圧溝７８を真空に排気すると、基板７４の表面と差圧溝７８との間に圧力差が生じる。この圧力差によって、基板７４は基板保持体７３の上に固定される。通常、この固定方法は差圧チャックまたは真空チャックと呼ばれる。
【００１０】
反応容器７１の下壁部７１ａには、中央部に筒状部７９ａが形成された石英窓７９が取り付けられる。筒状部７９ａの下側開口部には端壁８０が設けられ、この端壁８０には内外二重の筒体８１が取り付けられる。筒体８１の下部は閉じられ、上部には連結体８２が取り付けられる。筒体８１の内側筒部は上記孔７６に通じる孔を形成し、筒体８１の下壁から外部に延設される。筒体８１の外側筒部と内側筒部の間の空間にはパージガス導入部８３を介してパージガスが供給される。上記連結体８２には、その中央部に上記孔７６に通じる孔が形成され、周囲部に複数のパージガス供給路８４が形成される。
【００１１】
上記基板保持体７３は連結体８２を介して上記筒体８１の上に固定される。これによって基板保持体７３は反応容器７１の下部の中央部に配置される。基板保持体７３と連結体８２と支持用筒体８１は溶接等で接合され、一体化される。この構造によって、差圧チャックを形成する孔７６等、バージガス供給路、反応容器７１の内部空間が互いに隔離される。
【００１２】
基板保持体７３には、その表面に円形溝であるパージガス吹出し溝８５が形成され、かつその内部の径方向に上記連結体８２のパージガス供給路８４とパージガス吹出し溝８５とを接続する複数のパージガス通路８６が形成される。連結体８２の複数のパージガス供給路８４と、基板保持体７３の複数のパージガス通路８６は、それぞれ、例えば８本の供給路または通路であり、円周方向に等角度で配置される。上記パージガス吹出し溝８５は、基板保持体７３の上面に対して垂直になるように形成され、かつ基板保持体７３上に配置された基板７４に対してその外壁面が基板７４の外周縁よりも内側の位置になるように形成される。パージガス通路８６は、かかるパージガス吹出し溝８５に対し、パージガス吹出し溝８５の内壁面に開口するように接続される。
【００１３】
基板保持体７３の周囲には、反応容器７１の下壁に固定された筒型のシールド部材８７が配置される。シールド部材８７の高さは基板保持体７３の高さとほぼ同じである。シールド部材８７を設けることによって、基板保持体７３の下部および周囲にスペースが形成され、このスペースは、他のパージガス導入部８８によって導入されるパージガスを流す通路として使用される。
【００１４】
反応容器７３の下側に、反射部を備えた環状のランプ支持部材８９が配置される。ランプ支持部材８９には、ほぼ等間隔で複数の加熱ランプ９０が配置される。加熱ランプ９０から生じた輻射熱は石英窓７９を通して基板保持体７３に与えられ、基板保持体７３を加熱する。基板７４は、基板保持体７３から伝導される熱によって加熱される。基板保持体７３の温度は内部に埋め込まれた熱電対９１によって測定され、その測定データは、その後、基板保持体７３の温度制御に使用される。
【００１５】
上記構成によれば、基板７４に対向した反応ガス供給板７２から反応容器７１内に反応ガスが導入され、基板７４の上に所望の薄膜が形成される。反応容器７１内で生じた未反応ガスや副生成ガスは排気部７５から排気される。成膜の間、パージガス導入部８３、パージガス供給路８４、パージガス通路８６、パージガス吹出し溝８５を通してパージガスが供給され、基板７４の外周囲からパージガスを吹き出すことによって基板７４の裏面に成膜が行われることを防いでいる。パージガス吹出し溝８５に導入されたパージガスは、基板７４と基板保持体７３との間に設けられた隙間９２を介して反応容器７１内へ吹出し、基板７４の裏面に反応ガスが回り込むのを防止する。またパージガス導入部８８、基板保持体７３と石英窓７９とシールド部材８７とで形成されるパージガスの通路によって他のパージガスが供給され、基板保持体７３の周囲からパージガスを吹き出すことによって石英窓７９や基板保持体７３に成膜が行われるのを防いでいる。
【００１６】
一方、基板保持体７３等に付着した膜は、各成膜ごと、またはロット枚数ごとにＲＩＥクリーニングを行って除去される。
【００１７】
上記のＣＶＤ装置における通常の成膜条件は、Ｂ−Ｗ膜の成膜に関し、成膜初期の核生成段階として、反応ガスＷＦ６  は２〜１０ｓｃｃｍ、ＳｉＨ４  は２〜１０ｓｃｃｍ、パージガス（Ａｒ）は１００〜５００ｓｃｃｍ、成膜温度は４００〜５００℃、成膜圧力は０．５〜１０Ｔｏｒｒで成膜が行われ、続いて、Ｈ２  の還元により厚膜が形成される成膜条件は、反応ガスＷＦ６  は５０〜２００ｓｃｃｍ、Ｈ２  は５００〜２０００ｓｃｃｍ、パージガスＡｒは３００〜１０００ｓｃｃｍ、成膜温度は４００〜５００℃、成膜圧力は３０〜７０Ｔｏｒｒである。
【００１８】
次に図８を参照して従来のＢ−Ｗ膜ＣＶＤ装置の第２の例を説明する。図８において、図７で説明した従来装置における構成要素と実質的に同一の要素には同一の符号を付し、詳細な説明を省略する。
【００１９】
図８に示した従来装置においても、反応容器７１の内部の上方に反応ガス供給板７２が設けられ、下方に基板保持体９３が設けられる。反応容器７１に排気部７５が付設される。基板保持体７３は、上面に差圧溝７８が形成され、中央部に貫通孔７６が形成される。差圧溝７８は貫通孔７６に通じている。反応容器７１の下壁には石英窓７９が取り付けられ、石英窓７９の中央部に筒状支持体９４が固定される。筒状支持体９４の上部に上記基板保持体９３が複数本のネジ９５で固定される。基板保持体９３の貫通孔７６は、支持体９４の中央孔に接続され、さらに差圧チャック排気部７７に連結される。石英窓７９の下側には、加熱ランプ９０と反射部を備えたランプ支持部材８９が配置される。また端壁８０にパージガス導入部８８が設けられる。
【００２０】
上記の基板保持体９３の上面に載置された基板７４は、前述した差圧チャックの方式で固定される。
【００２１】
基板保持体９３の上面周囲には、さらにリング板９６が配置される。このリング板９６は、複数本の上下軸部９７に支持され、この上下軸部９７によって上下に移動可能となっている。リング板９６は、基板保持体９３上に固定された基板７４の外周縁の近くに配置される。リング板９６の内周縁と基板７４の外周縁とは重なる状態にある。またリング板９６の外側の位置には筒状のシールド部材９８が配置される。シールド部材９８の上縁にはシールリング９９が設けられる。リング板９６が下限位置に移動すると、リング板９６の外周縁の下側はシールド部材９８のシールリング９９に接触する。この下限位置状態において、反応容器７１の下壁、シールド部材９８、リング板９６、基板保持体９３によって、パージガス導入部８８で導入されたパージガスの流れる通路が形成される。反応容器７１内に導入されたパージガスは、リング板９６と基板７４との間に形成された一定の隙間１００から吹き出される。かかる構成によって、反応ガス供給板７２によって供給された反応ガスが、基板７４の裏面に回り込み、裏面成膜が生じるのを防止する。
【００２２】
リング板９６を上下動するようにしたのは、リング板９６が基板７４の外周縁をわずかに基板上方から覆い、基板との間で所望の隙間１００を形成し、堆積膜の分布に影響しない程度の範囲内で基板７４とリング板９６の隙間１００におけるパージガス吹出し速度を所望のものにするためである。
【００２３】
今までの実験結果によれば、下記の通常の成膜条件において、吹出し速度が５０〜７００ｃｍ／ｍｉｎ  であれば、裏面成膜が生じない。そのことは、基板７４とリング板９６との隙間１００が０．２ｍｍのとき、６インチ基板への成膜では、パージガス流量が約５０〜７００ｓｃｃｍの場合に相当し、得られた基板上の成膜分布は６インチ基板において外周から１０ｍｍ以内の範囲において２〜３％であった。
【００２４】
第２例の従来装置における通常の成膜条件は、Ｂ−Ｗ膜の成膜に関し、成膜初期の核生成段階として、反応ガスＷＦ６  は２〜１０ｓｃｃｍ、ＳｉＨ４  は２〜１０ｓｃｃｍ、パージガス（Ａｒ）は１００〜３００ｓｃｃｍ、成膜温度は４００〜５００℃、成膜圧力は０．５〜１０Ｔｏｒｒで成膜が行われ、続いて、Ｈ２  の還元により厚膜が形成される成膜条件は、反応ガスＷＦ６  は５０〜２００ｓｃｃｍ、Ｈ２  は５００〜２０００ｓｃｃｍ、パージガスＡｒは３００〜７０００ｓｃｃｍ、基板保持体の温度は４００〜５００℃、成膜圧力は３０〜７０Ｔｏｒｒである。
【００２５】
【発明が解決しようとする課題】
第１の例として説明された従来のＣＶＤ装置は次の問題を有する。基板７４の裏面成膜を防止するためにパージガスを基板７４の外周縁に流すにあたって、基板保持体７３のパージガス吹出し溝８５に沿った方向において、当該溝８５にパージガスを供給するパージガス通路８６の出口付近に偏った状態でパージガスが吹出すという傾向が生じる。その結果、基板７４と基板保持体７３の隙間から均一にパージガスが出ず、パージガスの吹出しの弱い部分が生じ、その弱い部分で裏面成膜が起こる。図９は、裏面成膜による基板７４の裏面の薄膜付着状況を示す。パージガス通路８６としては８本の通路が設けられているが、各通路の出口に対応する箇所１０１間の領域にＷ膜１０２が付着が生じている。
【００２６】
またパージガスの流量を多くして吹出しの相対的に弱い部分に十分なパージガスを供給しようとしても、吹出しの強弱の関係は変化せず、吹出しの強い部分での温度の低下や反応ガスの濃度低下を引き起こし、分布劣化を生じる。
【００２７】
さらに、パージガスを多くすると、パージガスにより基板垂直方向に力が働くために、基板７４が基板保持体７３から外れやすくなる。特に、成膜圧力が１０Ｔｏｒｒ以下の成膜では、基板の表面と差圧溝との差圧が小さくなって不安定であり、ガス導入時や成膜終了後の排気時にいっそう不安定になる。
【００２８】
加えて従来装置のように、パージガス供給部や差圧チャックの排気系と基板保持体とを結合する支持部分と、基板保持体とが一体になっていると、メインテナンス性が問題になる。すなわち、基板保持体のクリーニングや交換時の取り外しが面倒となる。
【００２９】
また第２の例として説明された従来のＣＶＤ装置は次の問題を有する。このＣＶＤ装置は、リング板９６を上下動させる構造を備えているため、第１に機構が複雑になり、第２にパーティクル発生の原因を作り、第３に上下動の時間によってスループットを低下させるという問題を提起する。
【００３０】
機構の複雑性の問題は、上下機構と駆動機構を必要とすることに起因する。またパージガスの通路を形成するための構造、当該パージガス通路と反応容器の内部空間との機密性を保持するための構造が要求されることが機構の複雑性の問題を大きくする。機構の複雑性は、メインテナンス作業性を低下し、装置稼働率を低下させる。
【００３１】
パーティクル発生の問題は、機械的な動作部分に起因する。当該機械的な動作は、反応容器内にパーティクルを発生させ、半導体製造において歩留まりを劣化させる。特にリング板９６の先部に膜が付着した場合にパーティクルは発生しやすい。
【００３２】
またスループットを低下する問題が起きる理由は、リング板９６の上下動時においてその間基板が静止状態に保たれなければならず、Ｂ−Ｗ膜の処理時間は通常４〜５分程度で、この成膜時間および反応容器内の基板搬送時間で全体のスループットが決まるからである。
【００３３】
本発明の第１の目的は、パージガスを基板の外周縁に吹出すときに、吹出しの不均一をなくして裏面成膜の発生を防止し、基板の外周縁に至るまで基板全面に良好な分布の成膜を行うことができ、高い生産性と高い歩留まりを得ることができるＣＶＤ装置を提供することにある。
【００３４】
本発明の第２の目的は、装置の構造を簡素化し、生産性を高め、低圧条件の成膜にも最適に対処できるＣＶＤ装置を提供することにある。
【００３５】
【課題を解決するための手段】
第１の本発明（請求項１）に係るＣＶＤ装置は、上記目的を達成するために、反応容器と、反応容器内に配置され、成膜対象である基板を配置する基板保持体と、反応容器の内部を排気する排気部と、反応容器内に反応ガスを供給する反応ガス供給装置と、基板保持体を加熱する加熱装置と、基板保持体の上に配置された基板を当該基板の成膜面に押力を加えることなく例えば圧力差で固定する差圧チャック固定部と、パージガスを供給するパージガス供給部とを備え、基板保持体で、その基板配置面に基板の直径よりも小さい直径の外壁面を有する円形のパージガス吹出し溝を形成し、その内部にパージガス供給部で導入されたパージガスをパージガス吹出し溝に供給する複数のパージガス通路を形成し、パージガスを、パージガス吹出し溝を通して基板の外周縁と基板保持体との隙間から反応容器内に吹出すように構成された基本構成を有し、さらに、パージガス通路が、基板保持体の径方向に向く径方向部を含み、パージガス吹出し溝の外壁面に設けられたパージガス吐出口を有するように形成される。
【００３６】
第２の本発明（請求項２）に係るＣＶＤ装置は、前述の基本構成を有し、さらに、パージガス通路が、基板保持体の径方向に向く径方向部を含み、パージガス吹出し溝の外壁面に設けられたガス吐出口を有するように形成されると共に、基板保持体の基板配置面の周囲を被うリング板部と基板保持体の側部周囲を被う筒部からなり、基板保持体の周囲に他のパージガス供給路を形成し、リング板部と基板保持体の間の隙間から他のパージガスを吹出させるシールド部材を備え、これによって第１および第２のパージガスを供給するための２つのパージガス供給路を設けるように構成される。
【００３７】
第３の本発明（請求項３）に係るＣＶＤ装置は、第１または第２の発明において、パージガス吹出し溝が基板配置面に好ましくは垂直に形成され、パージガス通路が基板保持体の径方向を向く径方向部と軸方向を向く軸方向部からなり、パージガス通路の径方向部は中心方向に折り返されてパージガス吹出し溝に接続されるように構成される。
【００３８】
第４の本発明（請求項４）に係るＣＶＤ装置は、第１〜第３の発明において、パージガス吹出し溝に接続されるパージガス通路の径方向部が、パージガス吹出し溝の前記外壁面に対して好ましくは垂直であるように形成される。
【００３９】
第５の本発明（請求項５）に係るＣＶＤ装置は、第１または第２の発明において、パージガス通路のパージガス吐出口が、パージガス吹出し溝の底部近傍に設けられる。
【００４０】
第６の本発明（請求項６）に係るＣＶＤ装置は、第１または第２の発明において、基板保持体におけるパージガス吹出し溝よりも内側部分の表面とパージガス吹出し溝よりも外側部分の表面との間に段差を設けるようにした。
【００４１】
第７の本発明（請求項７）に係るＣＶＤ装置は、第６の発明において、段差の高さは、基板と前記基板保持体との間に当該段差に基づいて形成される隙間から吹出されるパージガスの速度が５０〜７００ｃｍ／ｍｉｎの範囲に設定される。
【００４２】
第８の本発明（請求項８）に係るＣＶＤ装置は、第１または第２の発明において、基板保持体におけるパージガス吹出し溝よりも内側部分の表面とパージガス吹出し溝よりも外側部分の表面の高さを同じとし、外側部分の表面における少なくとも基板の外周縁よりも内側の範囲に微細な凹凸を形成した。
【００４３】
第９の本発明（請求項９）に係るＣＶＤ装置は、第１または第２の発明において、パージガス吹出し溝に、その内壁面側に位置するリング部材が配置されるようにした。
【００４４】
第１０の本発明（請求項１０）に係るＣＶＤ装置は、第２の発明において、シールド部材のリング板部の内周縁は、基板に対して非接触の状態にあり、基板および基板保持体との間に所定の間隔が形成されるようにした。
【００４５】
第１１の本発明（請求項１１）に係るＣＶＤ装置は、第１０の発明において、リング板部の内周縁の径が基板の径よりも大きいようにされる。
【００４６】
第１２の本発明（請求項１２）に係るＣＶＤ装置は、第１０の発明において、リング板部と基板保持体の間の隙間の距離が、当該隙間から吹出すパージガスの速度が５０〜７００ｃｍ／ｍｉｎ  の範囲に含まれるように設定される。
【００４７】
第１３の本発明（請求項１３）に係るＣＶＤ装置は、前述の基本構成を有するものにおいて、複数のパージガス通路の各々の出口から吹出されるパージガスの吹出し方向と、基板と基板保持体の間の隙における各出口に対応する部分からのパージガス吹出し方向とが反対になるように、複数のパージガス通路の各々が形成される。
【００４８】
【作用】
本発明では、基板保持体の基板配置面に形成された円形のパージガス吹出し溝に接続されるように基板保持体内に形成され、導入されたパージガスをパージガス吹出し溝に供給するパージガス通路が、パージガス吐出口がパージガス吹出し溝の外壁面に設けられるので、パージガス吐出口からのパージガス吹出し方向と、基板と基板保持体の間の隙間からのパージガス吹出し方向とが逆方向となり、パージガス吹出し溝に供給されたパージガスにおける当該溝の円周方向の流れが複雑となって、当該溝の方向のパージガスの流れが分散され、基板の外周縁全周のパージガス吹出し圧力が均一化される。
【００４９】
また基板保持体内に形成されるパージガス通路、基板保持体の基板配置面に形成されるパージガス吹出し溝で形成される第１のパージガス供給路で供給される第１のパージガスと、基板保持体の周囲にシールド部材を利用して形成される第２のパージガス供給路で供給される第２のパージガスとを適宜に組合せることによって、低圧条件での基板固定を安定なものとし、かつ基板の裏面成膜の防止作用を高める。
【００５０】
【実施例】
以下に、本発明の実施例を添付図面に基づいて説明する。
【００５１】
図１〜図３を参照して本発明に係るＣＶＤ装置の第１実施例を説明する。この例ではＢ−Ｗ膜ＣＶＤ装置を示す。図１はＣＶＤ装置の要部の縦断面図、図２は基板保持体の要部平面図、図３は基板保持体の一部拡大縦断面図である。
【００５２】
図１に示したＣＶＤ装置では、反応容器１１内の上方位置に反応ガス供給板１２が設けられ、下方位置に基板保持体１３が設けられる。基板保持体１３は例えばアルミニウムで形成され、基板保持体１３の上面に基板１５が配置される。基板保持体１３の平面形状は円形である。
【００５３】
反応ガス供給板１２の下面には複数のガス吹出し孔１２ａが形成され、ガス供給管１４で供給された反応ガスがガス吹出し孔１２ａから吹出し、反応容器１１内に導入される。反応ガス供給板１２の下面は、基板保持体１３の上に配置された基板１５に対向している。反応ガス供給板１２で供給された反応ガスによって、基板１５の表面に所望の薄膜が形成される。反応容器１１内で生じた未反応ガスおよび副生成ガスは排気部１６によって排気される。
【００５４】
基板保持体１３の中心部には上下方向に貫通状態で形成された孔１７が設けられ、この孔１７は下方の差圧チャック排気部１８と連結される。差圧チャック排気部１８は、反応容器１１に付設された上記排気部１６とは別のものである。基板保持体１３の上面には、基板１５と接する部分に上記貫通孔１７と連結された差圧溝１９が設けられている。差圧溝１９は、図２に示すように、径方向に向かう放射状の例えば８本の直線溝１９ａと、同心円状に配置された例えば２本の円周溝１９ｂとからなる。差圧溝１９の深さは例えば１ｍｍ、幅は例えば１．５ｍｍである。また円周溝１９ｂに関し、例えば、内側の円周溝の直径は７１ｍｍ、外側の円周溝の直径は１３３ｍｍである。基板１５が基板保持体１３の上面に載置された後に差圧溝１９を差圧チャック排気部１８によって真空に排気すると、基板１５の表面と差圧溝１９との間に圧力差が生じる。この圧力差によって、基板１５は基板保持体１３の上に固定される。この基板固定手段によれば、基板１５の成膜が行われる面に機械的な接触が直接的に行われず、基板１５の表面全面に成膜を行うことができる。通常、この固定方法は差圧チャックまたは真空チャックと呼ばれる。なお固定手段としては、静電チャック装置を用いることもできる。
【００５５】
上記の差圧溝１９の構造によって、基板１５を基板保持体１３に固定することができる。本実施例のＣＶＤ装置の構造によれば、基板１５の上面すなわち成膜面に対して直接に接触するものが存在しないために基板１５の表面の温度分布は、基板保持体１３の温度分布が均一ならば、基板１５と基板保持体１３の接触状態のみによって決定される。それ故に、基板１５が基板保持体１３上に均一に固定されるならば、基板１５は均一な温度分布を持つことになる。
【００５６】
反応容器１１の下壁部１１ａには、中央部に筒状部２０ａが形成された石英窓２０が取り付けられる。筒状部２０ａの下側開口部には端壁２１が設けられ、この端壁２１には内外二重の筒体２２が取り付けられる。筒体２２は基板保持体１３を支持する働きを有する。筒体２２の下部は閉じられ、上部には連結体２３が固設される。筒体２２の内側筒部２２ａは上記孔１７に通じる孔を形成し、筒体２２の下壁から外部に延設される。筒体２２の外側筒部２２ｂと内側筒部２２ａの間の空間にはパージガス導入部２４を介してパージガス（第１のパージガス）が供給される。上記連結体２３には、その中央部に上記の孔１７や内側筒部２２ａ内の孔に通じる孔２３ａが形成され、その周囲部に例えば１０本のパージガス供給路２５が形成される。
【００５７】
上記基板保持体１３は、連結体２３にネジ１９で固定され、上記筒体２２に取り付けられる。これによって基板保持体１３は、筒体２２に支持された状態で、反応容器１１の下側中央部に好ましくはほぼ水平状態で配置される。基板保持体１３と連結体２３と支持用筒体２２は一体的に形成される。この構造によって、差圧チャックを形成する孔１７等、バージガス供給路２５、反応容器１１の内部空間が互いに隔離される。なお、連結体２３と基板保持体１３との接触面には、パージガスが通路外に漏れるのを防止するためのシール材２７が設けられる。
【００５８】
基板保持体１３には、その表面に円形溝であるパージガス吹出し溝２８が形成され、さらにその内部に例えば１０本のパージガス通路２９が形成される。１０本のパージガス通路２９の各々は、連結体２３における対応するパージガス供給路２５と、基板保持体１３の上面に形成されたパージガス吹出し溝２８とを接続する。各パージガス通路２９は、パージガス導入部２４によって導入される第１のパージガスをパージガス吹出し溝２８に対して供給する。各パージガス通路２９は、好ましくは水平であって基板保持体１３の径方向を向いた径方向部と、好ましくは垂直であって基板保持体１３の軸方向を向いた軸方向部とによって形成される。各パージガス通路２９の径方向部は、図２に示すように、等角度の間隔で放射状の位置に配置される。パージガス通路２９の径方向部は、図１中下側に位置して円形のパージガス吹出し溝２８の外壁面の半径よりも大きな長さを有する第１の径方向部と、図１中上側に位置してパージガス吹出し溝２８の外壁面にパージガス吐出口（出口部）が形成される第２の径方向部とがある。パージガス通路２９の形状は全体としてパージガス吹出し溝２８の半径よりも長くなるように径方向に延設され、かつその後に垂直な軸方向部を経由して基板保持体１３の中心部方向に折り返され、パージガス吹出し溝２８に対してその外側から接続される。
【００５９】
基板保持体１３内に形成されるパージガス通路２９は、実際には、それを形成する径方向部と軸方向部のそれぞれを個別に、基板保持体１２の外面から孔を開け、それぞれを接続することによって作製される。径方向部と軸方向部の各孔を作製した後に、当該孔の開口部は栓を埋めることにより閉じられる。
【００６０】
また基板保持体１３の上面では、バージガス吹出し溝２８の内側に位置する表面すなわち基板配置面と、バージガス吹出し溝２８の外側に位置する表面との間に段差が設けられる。この段差は、例えば０．２ｍｍである。この段差が設けられることによって、基板１５を基板配置面に配置したとき、基板１５と基板保持体１３の間にパージガスを吹出すための隙間３４が形成される。
【００６１】
連結体２３に形成されるパージガス供給路２５の数は、基板保持体１３の１０本のパージガス通路２９と同じであり、円周方向にて等角度の間隔で配置される。上記パージガス吹出し溝２８は、基板保持体１３の上面（基板配置面）に対して好ましくは垂直になるように形成され、かつ好ましくは基板保持体１３上に配置された基板１５に対してパージガス吹出し溝２８の外壁面が基板１５の外周縁よりも内側の位置になるように形成される。つまり、パージガス吹出し溝２８の外壁面の半径（または直径）は基板１５の半径（または直径）よりも小さく設定される。かかるパージガス吹出し溝２８の寸法は、例えば、その内径（内壁面の直径）は１４０ｍｍ、深さは１０ｍｍ、幅は２．５ｍｍである。パージガス通路２９の出口（パージガス吐出口）は、かかるパージガス吹出し溝２８に対し、パージガス吹出し溝２８の好ましくは下端（底部の近傍箇所）であって外壁面に開口するように接続される。
【００６２】
基板保持体１３の側部周囲には、反応容器１１の下壁１１ａに固定された筒型（環状またはリング状）のシールド部材３０が配置される。シールド部材３０の高さは基板保持体１３の高さとほぼ同じである。シールド部材３０を設けることによって、基板保持体１３の下部および側部周囲には所要のスペースが形成され、このスペースは、別途に設けられた他のパージガス導入部３１によって導入されるパージガス（第２のパージガス）を流すための通路として使用される。
【００６３】
反応容器１１の下側に、反射部を備えた環状のランプ支持部材３１が配置される。ランプ支持部材３１には、ほぼ等間隔で複数の加熱ランプ３２が配置される。加熱ランプ３２から生じた輻射熱（輻射光）は石英窓２０を通して基板保持体１３に与えられ、基板保持体１３を加熱する。基板１５は、基板保持体１３から伝導される熱によって加熱される。基板保持体１３の温度は内部に埋め込まれた熱電対３３によって測定され、その測定データは、その後、図示しない加熱制御系によって基板保持体１３の温度制御に使用される。
【００６４】
上記構成によれば、加熱ランプ３２によって所望の温度に保持された基板保持体１３上に、差圧チャックによって基板１５が固定される。かかる基板１５に対向した反応ガス供給板１２から反応容器１１内に反応ガスが導入され、基板１５の上に所望の薄膜が形成される。反応容器１１内で生じた未反応ガスや副生成ガスは排気部１６から排気される。
【００６５】
上記の実施例に係るＣＶＤ装置において、通常の成膜条件は、成膜初期の核生成段階として、反応ガスＷＦ６  は２〜１０ｓｃｃｍ、ＳｉＨ４  は２〜１０ｓｃｃｍ、第１のパージガス（Ａｒ）は５０〜１５０ｓｃｃｍ、第２のパージガス（Ａｒ）は１５０〜３００ｓｃｃｍ、成膜温度は４００〜５００℃、成膜圧力は０．５〜５Ｔｏｒｒで成膜が行われ、続いて、Ｈ２  の還元により厚膜が形成される成膜条件は、反応ガスＷＦ６  は５０〜２００ｓｃｃｍ、Ｈ２  は５００〜２０００ｓｃｃｍ、第１のパージガス（Ａｒ）は３００〜７００ｓｃｃｍ、第２のパージガス（Ａｒ）は１００〜３００ｓｃｃｍ、成膜温度は４００〜５００℃、成膜圧力は３０〜７０Ｔｏｒｒである。
【００６６】
次に、上記実施例において基板１５の裏面成膜を防止するための主要構成部分である第１のパージガスに係るパージガス供給路の構成、およびその実施条件について詳述する。
【００６７】
第１のパージガスはパージガス導入部２４によって導入され、筒体２２の内壁２２ａと外壁２２ｂの間を通り、連結体２３の１０本のパージガス供給路２５に分散される。各パージガス供給路２５に分散されたパージガスは、基板保持体１３内における対応するパージガス通路２９を通って円形のパージガス吹出し溝２８に供給され、パージガスはパージガス吹出し溝２８でその円周方向に分散されながら、基板１５と基板保持体１３の間に形成された隙間３４を通って反応容器１１の内部に吹出される。基板１５の外周縁の下側から径方向にて外方向にパージガスが吹出すことによって、基板１５の裏面に反応ガスが回り込むのを防止し、基板１５における裏面成膜を防止する。
【００６８】
上記のごとく本実施例では、好ましくはパージガス通路２９がパージガス吹出し溝２８の外壁面に垂直でかつもっとも下方の位置に接続するようにしたため、パージガス吹出し溝２８内でのパージガスの流れが複雑に生じ、パージガス吹出し溝２８における円周方向へパージガスの流れが均一に分散する。これによって、基板１５の外周縁の全周囲におけるパージガスの吹出し圧力が均等化される。これによって、基板１５の全周囲で裏面に反応ガスが回り込むのを防止し、基板１５における裏面成膜の発生を全周囲で完全に防止することができる。
【００６９】
上記のパージガスの流れに関するパージガス吹出し溝２８の円周方向の分散特性は、当該溝２８の外壁面に連結されるパージガス通路２９と、当該外壁面とのなす角度が鋭角であればあるほど、さらに大きな効果が生じる。
【００７０】
また実施条件は次の通りである。基板１５の裏面に反応ガスが侵入するのを防止できる直接の要因は、パージガスの吹出し速度である。このパージガスの吹出し速度は、パージガスの流量を、隙間３４と当該隙間を構成する円周とからなる面積で割って得た値で定義される（標準状態の線速度）。本実施例の場合、パージガスの吹出し口の円周が基板１５（６インチの基板）の円周とほぼ等しいとすると、パージガスの吹出し速度は、導入したパージガス流量を、１５π×０．０２ｃｍ＝０．９５ｃｍ２  で割ることにより得られる。
【００７１】
これまでの実験により、通常の成膜条件において、成膜圧力が１０Ｔｏｒｒ以下では吹出し速度が５０ｃｍ／ｍｉｎ以上、成膜圧力が１０Ｔｏｒｒ以上では吹出し速度が３００ｃｍ／ｍｉｎ  以上であれば、基板の裏面成膜防止、基板保持体上への成膜防止が可能であることが判明している。
【００７２】
上記の実施例では、パージガス流量は１０Ｔｏｒｒ以下の成膜では５０〜１５０ｓｃｃｍ、１０Ｔｏｒｒ以上の成膜では３００〜７００ｓｃｃｍで、差圧チャックを不安定にすることなく成膜を行うことができ、かつ基板の裏面への成膜も完全に抑えることができた。また以上の条件において、基板１５と基板保持体１３との間の隙間、および基板保持体１３とシールド部材３０との間の隙間から吹出すパージガスの速度が５０〜７００ｃｍ／ｍｉｎとなっている。
【００７３】
一方、パージガスの吹出し速度が７００ｃｍ／ｍｉｎ以上であると、基板１５の外周の温度低下や反応ガスの供給不足によって分布が劣化する。
【００７４】
以上のごとく、第１のパージガスは、パージガス通路２９、パージガス吹出し溝２８、および隙間３４の構成によって、基板１５の外周に沿って均一に吹出され、ムラなく基板裏面への成膜を防止することができる。
【００７５】
またパージガス導入部３１によって導入される第２のパージガス（Ａｒ）を流すことによりシールド部材３０と基板保持体１３の間の隙間からパージガスを吹出し、これによって石英窓２０への成膜を防止できる。
【００７６】
次に、上記実施例の変形例を説明する。
【００７７】
図４は、基板保持体４１の上面におけるパージガス吹出し溝２８の外側の表面の所定範囲に微細な凹凸４２を設けた場合の例を示す。この実施例による基板保持体４１では、好ましくはパージガス吹出し溝２８の内側表面の高さと外側表面の高さとをほぼ等しくし、かつ外側表面の所定範囲に微細な凹凸領域を形成する。凹凸領域を形成する範囲は、パージガス吹出し溝２８の外壁面から少なくとも基板１５の外周縁までの間の範囲である。微細な凹凸４２は、ブラスト加工によって形成され、凹部と凸部の段差は例えば数十ミクロンである。このような微細な凹凸がパージガスの微細な流路を複雑に形成することによって、パージガスが基板１５と基板保持体４１の隙間から基板外周に沿って均一に吹出される。
【００７８】
図５は、パージガス吹出し溝２８の中に溝の内壁面に接触するようなリング部材４３を配置した場合の例を示す。リング部材４３の材質は、基板保持体１３の材質と同じで、アルミニウムである。パージガス吹出し溝２８の中にリング部材４３を挿入することにより、当該溝の加工上の問題、すなわち切削バイトによる加工不可能の問題を解消できる。このようにパージガス吹出し溝２８の中に内側面に接触するようにリング部材４３を配置することによってパージガス吹出し溝２８の幅を狭くし、それによってパージガスの円周方向の分散化をさらに高めることができる。なお、リング部材４３を配置する場合と同様な効果は、パージガスの出口である隙間３４を極端に小さくすることによっても得られるが、この場合にはパージガス吹出し溝内の圧力が大きくなり、差圧チャックが不安定になるという不具合が生じる。
【００７９】
上記の各実施例においては、上記成膜条件下で成膜分布測定径１４０ｍｍにおいて±５％と良好な値が得られ、かつ基板の裏面成膜が全くない状態であった。また成膜領域は、基板外周縁まで可能であるが、下地ＴｉＮの成膜範囲より内側であった。
【００８０】
次に、図６に基づいて本発明に係るＣＶＤ装置の第２の実施例を説明する。図６において、図１で示された要素と実質的に同一の要素は同一の符号を付し、詳細な説明を省略する。
【００８１】
反応容器１１の外面には、反応容器１１を冷却するための複数の水冷通路５１が設けられる。また基板保持体１３の周囲にシールド部材５２が配置される。このシールド部材５２は、基板保持体１３の側部周囲に位置する円筒部５２ａと、基板保持体１３の上面の基板周囲の面を被うリング板部５２ｂとからなる。シールド部材５２の円筒部５２ａは、反応容器１１の下壁１１ａに固定される。リング板部５２ｂと基板保持体１３との間の隙間は、室温では１ｍｍ程度の隙間として形成される。しかし、成膜温度のときには基板保持体１３が熱膨脹し、当該隙間は０．２ｍｍ程度になり、基板１５と基板保持体１３の間に形成される上記隙間３４とほぼ等しい隙間となる。従ってリング板部５２ｂの内周縁と基板１５の外周縁はほぼ同じ高さの位置に存在し、かつそれらの間に例えば１ｍｍ程度の隙間５３が形成される。シールド部材５２と基板保持体１３とによって、パージガス導入部３１で導入される第２のパージガスを流す供給路が形成される。
【００８２】
その他の構成は、図１に基づいて説明した第１実施例に係るＣＶＤ装置の構成と同じである。
【００８３】
第２のパージガスは、主に基板保持体１３への成膜を防ぐためのものであり、リング板部５２ｂを設け、このリング板部５２ｂと基板保持体１３との間に形成される隙間、およびリング板部５２ｂの内周縁と基板１５の外周縁との間の隙間５３を通して第２のパージガスを吹出すようにしている。
【００８４】
上記第２のパージガスは、基板保持体１３のパージガス通路２９およびパージガス吹出し溝２８を通して供給される第１のパージガスと、隙間５３付近で合流し、反応容器１１の内部に吹出る。この場合において、隙間５３の形成位置、第１および第２のパージガスの吹出し方向および合流作用によって、第２のパージガスは基板保持体１３の表面または基板１５に対してほぼ直角に吹出すことになる。第２のパージガスの吹出し作用によって、反応ガスが、基板保持体１３とリング板部５２ｂの間の隙間に侵入するのを防止することができる。さらに詳しくは、上方から隙間５３付近への反応ガスは、合流したパージガスによって濃度が薄められ、基板１５の裏面への反応ガスの侵入は隙間３４から吹出る第１のパージガスによって防止され、基板保持体１３とリング板部５２ｂの間の隙間への反応ガスの侵入は第２のパージガスによって防止される。
【００８５】
上記第２実施例の装置構成によっても、前述の第１実施例と同等な作用および効果が生じるのは勿論である。
【００８６】
また第２の従来装置との比較において、第２の実施例の装置構成ではシールド部材５２を移動させず、固定したため、次の利点が生じる。
【００８７】
シールド部材５２はネジ等によって反応容器１１の下壁１１ａに固定されるだけであり、上下移動機構が不要であり、そのためにメインテナンスに要する作業時間を従来装置に比較して２／３に短縮することができた。
【００８８】
シールド部材５２が常に静止しているため、リング板部５２ｂの移動に伴って生じた塵（パーティクル）が全く生じなくなった。なお、前述した水冷通路５１を設けるようにしたため、シールド部材５２は冷却され、この結果、通常条件においてリング板部５２ｂの内周縁での温度が高々２５０℃に保たれた。この温度における成膜速度は、５０オングストローム／ｍｉｎ  であり、非常に抑制される。このことは、塵が低減されることに寄与している。
【００８９】
またリング板部５２ｂの上下動がなくなり、反応容器１１内に基板１５が静止状態に保持される時間が３秒程度減少したため、単位時間あたりの基板処理枚数が０．２枚程度増加させることが可能となった。
【００９０】
また第１および第２のパージガスの供給路および吹出し構造に関しては、反応容器１１内が低圧であっても、差圧チャックによって安定して基板１５を基板保持体１３に固定し、かつ基板の裏面成膜を防止することができるという効果を発揮する。すなわち、第１のパージガスは基板１５に対して上方に持ち上げるように力を作用するため、例えば３Ｔｏｒｒ以下の低圧では差圧チャックによる固定が不安定になりやすい。しかしながら、上記第２の実施例の構成によれば、第１のパージガスの吹出し量を少なくし、第２のパージガスの吹出し量を多くすることによって、基板の固定を安定化することができる。このように、低圧条件の膜形成（核形成）においても、差圧チャックを利用して安定に基板を固定できる。
【００９１】
また第２のパージガスの反応容器内への吹出し方向が基板１５とほぼ垂直になるように設定されるため、反応ガスの侵入時の流れと逆行することがなく、そのために基板上の成膜で良好な分布を得ることができる。
【００９２】
前述の第２実施例に係るＣＶＤ装置においても、第１実施例の変形例の場合と同様に変形することができるのは勿論である。
【００９３】
【発明の効果】
以上の説明で明らかなように本発明によれば、パージガスを基板の外周縁の近傍に形成された隙間から吹出すように構成された装置において、パージガス供給路の構造をパージガスを吹出し溝の円周方向に分散できるように作ったため、吹出し圧力が基板外周縁に沿って均一化され、吹出し圧力のムラをなくして、裏面成膜の発生を完全に防止し、基板の外周縁の近傍に至るまで基板全面に良好な分布の成膜を行うことができ、高い生産性と高い歩留まりの成膜を行うことができる。
【００９４】
また第２のパージガスの供給路を形成するシールド部材を固定して設けるようにしたため、移動機構部をなくすことによって装置の構造を簡素化し、パーティクルの発生を低減し、さらに生産性を高めることができる。さらに第１のパージガスと第２のパージガスを組合せるようにしたため、低圧条件の成膜にも最適に対処することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施例に係るＣＶＤ装置の要部の縦断面図である。
【図２】第１実施例に係るＣＶＤ装置の基板保持体の要部平面図である。
【図３】第１実施例に係るＣＶＤ装置の基板保持体の一部拡大縦断面図である。
【図４】第１実施例に係るＣＶＤ装置の基板保持体の変形例を示す一部拡大縦断面図である。
【図５】第１実施例に係るＣＶＤ装置の基板保持体の他の変形例を示す一部拡大縦断面図である。
【図６】第２実施例に係るＣＶＤ装置の要部の縦断面図である。
【図７】従来のＣＶＤ装置の第１の例を示す縦断面図である。
【図８】従来のＣＶＤ装置の第２の例を示す縦断面図である。
【図９】従来のＣＶＤ装置の第１例で成膜される基板に生じた裏面成膜の例を示す図である。
【符号の説明】
１１                                    反応容器
１２                                    反応ガス供給板
１３，４１                        基板保持体
１５                                    基板
１６                                    排気部
１８                                    差圧チャック排気部
１０                                    差圧溝
２０                                    石英窓
２５                                    パージガス供給路
２８                                    パージガス吹出し溝
２９                                    パージガス通路
３４，５３                        隙間
４２                                    凹凸
４３                                    リング部材
５１                                    水冷通路
５２                                    シールド部材
５２ａ                                円筒部
５２ｂ                                リング板部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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