(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子ビームを放射する手段と、
該荷電粒子ビームを通して該荷電粒子ビームをマルチ荷電粒子ビームにするために２次元的に配列された複数の開口が基板に形成され、該基板の各開口の縁部に一対の偏向電極が形成されたブランキングアパーチャアレイと、
被露光体を支持するステージと、
供給されるビットマップデータに応じて、該ブランキングアパーチャアレイを通った該マルチ荷電粒子ビームの一部が該被露光体上に到達しないように該ブランキングアパーチャアレイの該偏向電極に電圧を印加することにより、該マルチ荷電粒子ビームの断面をドットパターンに整形するブランキングアパーチャアレイ駆動手段と、
整形された該マルチ荷電粒子ビームを該被露光体上の走査位置に照射させるために該マルチ荷電粒子ビームを偏向させる偏向手段と
を有するマルチ荷電粒子ビーム露光装置を用いた露光方法であって、
該ブランキングアパーチャアレイ駆動手段へ該ビットマップデータを供給する前の段階において、該マルチ荷電粒子ビームを該被露光体上に連続して照射可能な帯状走査範囲の該ビットマップデータを単位とし、該ビットマップデータの‘１’又は‘０’の一方の全個数を第１チェックサムとして予め求めておく第１工程と、
該ブランキングアパーチャアレイ駆動手段の出力段から順次取り出される該ビットマップデータについて、該第１チェックサムに対応した第２チェックサムをリアルタイムで求める第２工程と、
該第１チェックサムと該第２チェックサムとを比較する第３工程と
を有し、
該第１工程は、
（１）ビットマップ展開前の図形データに基づいて、該帯状走査範囲を単位として該帯状走査範囲内の図形の全面積を求め、該面積に対応した該第１チェックサムを展開前第１チェックサムとして求め、
（２）該帯状走査範囲を単位として図形データをビットマップ展開し、展開されたビットマップの該第１チェックサムを展開後第１チェックサムとして求め、
（３）該展開前第１チェックサムと該展開後第１チェックサムとを比較し、
（４）該展開前第１チェックサムと該展開後第１チェックサムの値が異なる場合には該ステップ（２）及び（３）の処理を再度行う
ことを特徴とするマルチ荷電粒子ビーム露光方法。
【請求項２】
荷電粒子ビームを放射する手段と、
該荷電粒子ビームを通して該荷電粒子ビームをマルチ荷電粒子ビームにするために２次元的に配列された複数の開口が基板に形成され、該基板の各開口の縁部に一対の偏向電極が形成されたブランキングアパーチャアレイと、
被露光体を支持するステージと、
供給されるビットマップデータに応じて、該ブランキングアパーチャアレイを通った該マルチ荷電粒子ビームの一部が該被露光体上に到達しないように該ブランキングアパーチャアレイの該偏向電極に電圧を印加することにより、該マルチ荷電粒子ビームの断面をドットパターンに整形するブランキングアパーチャアレイ駆動手段と、
整形された該マルチ荷電粒子ビームを該被露光体上の走査位置に照射させるために該マルチ荷電粒子ビームを偏向させる偏向手段と
を有するマルチ荷電粒子ビーム露光装置を用いた露光方法であって、
該ブランキングアパーチャアレイ駆動手段へ該ビットマップデータを供給する前の段階において、該マルチ荷電粒子ビームを該被露光体上に連続して照射可能な帯状走査範囲の該ビットマップデータを単位とし、該ビットマップデータの‘１’又は‘０’の一方の全個数を第１チェックサムとして予め求めておく第１工程と、
該ブランキングアパーチャアレイ駆動手段の出力段から順次取り出される該ビットマップデータについて、該第１チェックサムに対応した第２チェックサムをリアルタイムで求める第２工程と、
該第１チェックサムと該第２チェックサムとを比較する第３工程と
を有し、
該第１工程は、
（１）該帯状走査範囲を単位として図形データをビットマップ展開し、展開されたビットマップの該第１チェックサムを求めるという処理を、同一図形データについて２系統で並列して行い、
（２）両系統の第１チェックサムを比較し、
（３）両第１チェックサムの値が異なる場合には再度、該ステップ（１）及び（２）の処理を再度行う
ことを特徴とするマルチ荷電粒子ビーム露光方法。
【請求項３】
荷電粒子ビームを放射する手段と、
該荷電粒子ビームを通して該荷電粒子ビームをマルチ荷電粒子ビームにするために２次元的に配列された複数の開口が基板に形成され、該基板の各開口の縁部に一対の偏向電極が形成されたブランキングアパーチャアレイと、
被露光体を支持するステージと、
供給されるビットマップデータに応じて、該ブランキングアパーチャアレイを通った該マルチ荷電粒子ビームの一部が該被露光体上に到達しないように該ブランキングアパーチャアレイの該偏向電極に電圧を印加することにより、該マルチ荷電粒子ビームの断面をドットパターンに整形するブランキングアパーチャアレイ駆動手段と、
整形された該マルチ荷電粒子ビームを該被露光体上の走査位置に照射させるために該マルチ荷電粒子ビームを偏向させる偏向手段と
を有するマルチ荷電粒子ビーム露光装置を用いた露光方法であって、
該ブランキングアパーチャアレイ駆動手段へ該ビットマップデータを供給する前の段階において、該マルチ荷電粒子ビームを該被露光体上に連続して照射可能な帯状走査範囲の該ビットマップデータを単位とし、該ビットマップデータの‘１’又は‘０’の一方の全個数を第１チェックサムとして予め求めておく第１工程と、
該ブランキングアパーチャアレイ駆動手段の出力段から順次取り出される該ビットマップデータについて、該第１チェックサムに対応した第２チェックサムをリアルタイムで求める第２工程と、
該第１チェックサムと該第２チェックサムとを比較する第３工程と
を有し、
該第１工程は、該帯状走査範囲を単位として図形データをビットマップ展開し、展開されたビットマップの前記第１チェックサムを求め、
該第２工程は、
該ブランキングアパーチャアレイ駆動手段の出力段からｎビット単位で順次取り出される該ビットマップデータを読み取り、
該ｎビットに含まれる‘１’又は‘０’の一方の個数を求め、
該個数を累積加算して積算値を求め、
ｍ回前から現在までの（ｍ＋１）個の該積算値を（ｍ＋１）個のレジスタのそれぞれに保持させておき、
現在求めた積算値とｍ回前に求めた積算値との差を、該ブランキングアパーチャアレイを通ったマルチ荷電粒子ビームの相互間のクーロン力による焦点ぼけを補正するためのリフォーカス値として求め、
該帯状走査範囲の該ビットマップデータの読み取りが完了した時の現在の該積算値を該第２チェックサムとして得る
ことを特徴とするマルチ荷電粒子ビーム露光方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、荷電粒子ビームをブランキングアパーチャアレイ板に通してマルチ荷電粒子ビームを形成しかつその断面を所望のドットパターンにし、このマルチ荷電粒子ビームを、レジストが被着された半導体ウェーハやマスク等の被露光体に対し走査して露光するマルチ荷電粒子ビーム露光方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体集積回路の素子微細化に伴い、荷電粒子ビーム露光装置が用いられている。荷電粒子としては、電子が用いられている。この装置によれば、０．０５μｍ以下の微細加工を、０．０２μｍ以下の位置合わせ精度で行うことが可能である。しかし、荷電粒子ビームを半導体ウェーハ上又はマスク上で走査させて露光するので、光露光よりも露光時間が長くなる。そこで、ブランキングアパーチャアレイ板によりマルチ荷電粒子ビームの微細パターンを形成し、移動ステージを例えば１００ｍｍ／ｓで連続的に移動させながら主偏向器及び副偏向器でマルチビームを偏向させて高速に露光する露光装置が提案されている（例えば、特開昭５３−１１７３８７号公報、米国特許第４１５３８４３号公報）。この装置を用いても、荷電粒子ビームを走査させるので光露光よりも露光時間が長くなり、荷電粒子ビーム露光装置のスループットを向上させる必要がある。
【０００３】
（１）走査方法による露光のスループット低下
半導体ウェーハ上での荷電粒子ビームの走査は、ウェーハが搭載された移動ステージと、移動ステージの上方に配置された主偏向器及び副偏向器とにより行われる。通常、主偏向器は電磁型であり、副偏向器は静電型である。
必要な精度で走査可能な範囲の大きい順は、移動ステージ、主偏向器及び副偏向器であるが、走査速度の速い順は副偏向器、主偏向器及び移動ステージである。このような走査の性質を利用して、ウェーハ上での荷電粒子ビームの走査が図１３（Ａ）及び（Ｂ）に示すように行われる。
【０００４】
図１３（Ａ）において、移動ステージにより半導体ウェーハ１０上の領域１１１〜１１５が一点鎖線Ｌ１で示すように連続的に走査される。また、主偏向器により、サブフィールド１２、１３、１４、１５、・・・の順に、サブフィールドの中心間がステップ走査される。但し、例えばサブフィールド１３とサブフィールド１６との間のサブフィールド１３に露光データが存在しない場合には、主偏向器によりサブフィールド１３から１６へジャンプされる。各サブフィールドは、主偏向が一定にされた状態で、副偏向器により走査される。
【０００５】
図１３（Ｂ）において、後述のブランキングアパーチャアレイ板３０を通ったマルチビームを副偏向器で偏向可能な範囲は、主偏向器の走査点がＱ１のとき一点鎖線で示すＡ１である。サブフィールド１２は、セルストライプ１２１〜１２５の順に、二点鎖線Ｌ３及び点線Ｌ４に沿って副偏向器で走査される。二点鎖線Ｌ３は露光時であり、点線Ｌ４はブランキング（フライバック）時である。副走査の間、移動ステージにより半導体ウェーハ１０が連続的に移動しているので、サブフィールド１２の走査終了時点では、主偏向器の走査点がＱ２になっている。
【０００６】
この状態から、主偏向器の走査点がＱ３にステップ変化されて、副偏向範囲が２点鎖線で示すＡ２となり、副偏向器で同様にサブフィールド１３がセルストライプ１３１〜１３５の順に走査される。
以上のような走査が繰り返し行われる。
例えば、セルストライプ１３１には露光データが存在するが、セルストライプ１３２〜１３５には露光データが存在しない場合にも、主走査点をＱ２からＱ３へ大ステップ変化させなければならず、このため、ステップ変化の際の無駄な制定時間が長くなり、露光のスループットが低下する原因となる。
【０００７】
また、必ず副走査範囲Ａ１を越えないように副走査するためにセルストライプを短くすると、セルストライプの全本数が多くなるので、副走査中のフライバック回数が多くなり、露光のスループットが低下する原因となる。
（２）副走査における露光のスループット低下
図１４（Ａ）は、マルチビームＥＢ２を偏向させる静電式副偏向器２０に対する駆動回路を示す。
【０００８】
副偏向量ＱＲＸ２は、Ｄ／Ａ変換器２１でアナログ電流ＱＲＸ３に変換され、図１４（Ｂ）に示す如く変化する。電流ＱＲＸ３は、電流／電圧変換器２２により電圧ＱＲＸ４に変換される。Ｄ／Ａ変換器２１の応答周波数は半導体ウェーハ１０〜２０ＭＨｚ程度であるが、後述のブランキングアパーチャアレイ板３０に供給するデータの周波数は高速露光のため例えば４００ＭＨｚにされるので、電圧ＱＲＸ４の波形を滑らかにしてマルチビームＥＢ２を副偏向器２０で連続的に走査させる必要がある。そこで、電圧ＱＲＸ４は増幅＆ローパスフィルタ回路２３により、増幅されかつ高周波成分がカットされて、図１４（Ｂ）に示す如く滑らかな電圧ＱＲＸ５となる。電圧ＱＲＸ５のグラフ中の点Ｒ１、Ｒ２及びＲ３はそれぞれ図１３（Ｂ）中の点Ｒ１、Ｒ２及びＲ３に対応している。
【０００９】
電流ＱＲＸ３は、時間ｔ１の間、最小値から最大値まで小ステップ変化し、一方、電圧ＱＲＸ５は、直線的に変化する。しかし、電流ＱＲＸ３が最大値から最小値に大ステップ変化したとき、電圧ＱＲＸ５は、増幅＆ローパスフィルタ回路２３が高周波成分をカットするので、緩やかに下降し、その時間ｔ２は、ｔ１にほぼ等しくなる。ｔ１及びｔ２はいずれも４μＳ程度である。ｔ２は無駄時間であり、露光のスループットを向上させるためには、ｔ２／ｔ１をできるだけ小さくする必要がある。
【００１０】
（３）エラーの検出及び訂正による露光のスループット低下
図１５は、従来のブランキングアパーチャアレイ板３０及びその駆動回路を示す。
ブランキングアパーチャアレイ板３０は、薄い基板３１の領域３２内に、開口３３が千鳥格子状に形成されている。各開口３３に対し、基板３１の上面に一対の共通電極３４と電極３５とが形成され、共通電極３４がグランド線に接続されている。基板３１の下面には、共通電極３４及び電極３５にそれぞれ接続された１対の不図示の偏向電極が突出されている。
【００１１】
領域３２に、略均一の電流密度の荷電粒子ビームが投射される。開口３３を通った荷電粒子ビームは、電極３５の電位を０Ｖにすると、下方のアパーチャ板の開口を通るが、電極３５に一定の電位Ｖｓを印加すると、偏向されて該アパーチャ板により遮られる。したがって、例えば、ビットが‘１’／‘０’の露光ドットデータに対応して電極３５に０／Ｖｓの電位を印加することにより、所望のドットパターンを半導体ウェーハ１０上に露光させることができる。
【００１２】
例えば、１つの開口３３は一辺が２５μｍの正方形であり、この開口３３で半導体ウェーハ１０上に露光される領域は一辺が０．０８μｍの略正方形である。Ｘ方向を開口３３の行と称し、開口３３の見かけ上の２行を１行とする。開口３３は、図１５では簡単化のために３行副偏向器２０列としているが、実際には、例えば８行１２８列である。
【００１３】
開口３３をｍ行ｎ列とし、第ｉ行第ｊ列の開口３３及び電極３５をそれぞれ３３（ｉ，ｊ）及び３５（ｉ，ｊ）と表す。但し、図１５中には符号３３（ｉ，ｊ）を省略している（図１６についても同様）。
開口領域３２のＹ方向のピッチｐは、電極及び配線の領域を確保するため、例えば開口領域３２の一辺の長さａの３倍となっている。
【００１４】
ＢＡＡ駆動回路４０には、第ｊ列（ｊ＝１〜ｎ）の電極３５に対応して、ドットメモリ４１ｊが備えられている。ドットメモリ４１１〜４１ｎは互いに同一記憶容量である。
書き込み・読み出し回路４２は、クロックφ０に同期して動作する制御回路４３からのクロック及び制御信号に基づき、ドットメモリ４１１〜４１ｎに対し共通のアドレスを指定して、供給される露光ドットデータの書き込み又は書き込まれている露光ドットデータの読み出しを行わせる。各ドットメモリ４１１〜４１ｎ内は、複数領域、例えば２領域に分割され、一方の領域に露光ドットデータの書き込みをダイレクトメモリアクセス方法で行うと同時に、他方の領域から露光ドットデータの読み出しが行われ、１セルストライプのドットデータの読み出し及び書き込みが完了する毎に、読み出し領域と書き込み領域との間で両領域が切り換えられる。
【００１５】
ドットメモリ４１１〜４１ｎに対するリード・ライト制御信号は、制御回路４３から供給される。ドットメモリ４１ｊから読み出された露光ドットデータは、シフトレジスタ４４ｊの最下位ビットに供給される。シフトレジスタ４４ｊは、制御回路４３からの１クロックで上位側へ１ビットシフトされる。このクロックは、露光のスループット向上のため例えば４００ＭＨｚであり、その周期Ｔは、出力段に並列／直列変換回路を備えたドットメモリ４１ｊからのビット読み出し周期と同一である。
【００１６】
図１６に示すように、電極３５（ｉ，ｊ）は、ドライバ４５の無接点スイッチ素子を介して電位Ｖｓの電源配線又はグランド線に接続され、このスイッチ素子の制御入力端にシフトレジスタ４４ｊの最下位からｋ番目（最下位を０番目とする）のビット出力端が接続されている。ここにｋは、上記ｐ及びａを用いると、
ｊが奇数のとき、ｋ＝２（ｐ／ａ）（ｉ−１）
ｊが偶数のとき、ｋ＝（ｐ／ａ）（２ｉ−１）
となる。
【００１７】
シフトレジスタ４４ｊの第ｋビットが‘１’／‘０’のとき、電極３５（ｉ，ｊ）に電位０／Ｖｓが印加され、開口３３（ｉ，ｊ）を通った荷電粒子ビームは、この電位が０のときのみ半導体ウェーハ１０上に照射される。荷電粒子ビームのＹ方向走査速度は、時点ｔ＝０で開口３３（１，ｊ）を通った荷電粒子ビームが半導体ウェーハ１０上の点Ｐを照射するとすると、時点ｔ＝２（ｐ／ａ）Ｔ，４（ｐ／ａ）Ｔ、・・・、２（ｍ−１）（ｐ／ａ）Ｔでそれぞれ開口３３（２，ｊ），開口３３（３，ｊ）、・・・、開口３３（ｍ，ｊ）を通った荷電粒子ビームが半導体ウェーハ１０上の同一点Ｐを照射するように一定に調整されている。
【００１８】
これにより、半導体ウェーハ１０上では、同一点がｍ回同一データで露光される。また、開口３３（ｉ，ｊ）、ｊ＝１、３、５、・・・、ｎ−１を通って時点ｔで露光されたドットの間は、開口３３（ｉ，ｊ）、ｊ＝２、４、６、・・・、ｎを通って時点ｔ＋（ｐ／ａ）Ｔで露光される。
例えば、ブランキングアパーチャアレイの１開口によって半導体ウェーハ上に露光される領域は一辺が０．０８μｍの正方形であり、一辺が２０ｍｍの正方形の半導体チップ上を露光する場合には、少なくとも（２００００／０．０８）２＝６２．５Ｇｂｉｔの露光ドットデータが必要である。パターンのエッジ部分の寸法調整や高精度な近接効果補正を行うためには、例えば上記値の４倍の２５０Ｇｂｉｔの露光ドットデータが必要となる。
【００１９】
図１５のＢＡＡ駆動回路４０及びその前段のデータ生成回路において、大量のデータの読み出し、書き込み及び転送が高速に行われるので、ノイズによりビット反転した場合にそのエラーを検出して信頼性を向上させる必要がある。伝送路でのデータ誤りの検出には一般に、パリティーチェックが用いられるが、８ビット単位で１ビットのパリティが必要になるので、５１２ビットの並列データに対しては６４個のパリテェィーチェック回路が必要となり、回路規模が大きくなる。また、ＥＣＳ（Ｅｒｒｏｒ  Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ  Ｓｙｓｔｅｍ）によれば誤り検出とその訂正を行うことができるが、回路規模がパリティーチェック回路の場合よりも大きくなり、かつ、上記４００ＭＨｚの高速処理は困難である。このため、エラー検出のためにブランキングアパーチャアレイ板３０へのデータ転送速度を低下させなけれなならず、露光のスループットが低下する原因となる。
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、上記問題点に鑑み、露光のスループットを向上させることができるマルチ荷電粒子ビーム露光方法を提供することにある。
【００２１】
【課題を解決するための手段及びその作用効果】
本発明の第１態様では、
荷電粒子ビームを放射する手段と、
該荷電粒子ビームを通して該荷電粒子ビームをマルチ荷電粒子ビームにするために２次元的に配列された複数の開口が基板に形成され、該基板の各開口の縁部に一対の偏向電極が形成されたブランキングアパーチャアレイと、
被露光体を支持するステージと、
供給されるビットマップデータに応じて、該ブランキングアパーチャアレイを通った該マルチ荷電粒子ビームの一部が該被露光体上に到達しないように該ブランキングアパーチャアレイの該偏向電極に電圧を印加することにより、該マルチ荷電粒子ビームの断面をドットパターンに整形するブランキングアパーチャアレイ駆動手段と、
整形された該マルチ荷電粒子ビームを該被露光体上の走査位置に照射させるために該マルチ荷電粒子ビームを偏向させる偏向手段と
を有するマルチ荷電粒子ビーム露光装置を用いた露光方法であって、
該ブランキングアパーチャアレイ駆動手段へ該ビットマップデータを供給する前の段階において、該マルチ荷電粒子ビームを該被露光体上に連続して照射可能な帯状走査範囲の該ビットマップデータを単位とし、該ビットマップデータの‘１’又は‘０’の一方の全個数を第１チェックサムとして予め求めておく第１工程と、
該ブランキングアパーチャアレイ駆動手段の出力段から順次取り出される該ビットマップデータについて、該第１チェックサムに対応した第２チェックサムをリアルタイムで求める第２工程と、
該第１チェックサムと該第２チェックサムとを比較する第３工程と
を有する。
【００２２】
この第１態様によれば、該帯状走査範囲のビットマップデータを単位としてチェックサムを求めるので、エラーを検出する構成が簡単になり、エラー検出のために帯状走査速度を低下させる必要がなくなるので、露光のスループットを向上させることができる。
本発明の第２態様では、上記第１工程は、ビットマップ展開前の図形データに基づいて、上記帯状走査範囲を単位として該帯状走査範囲内の図形の全面積を求め、該面積に対応した上記第１チェックサムを求める。
【００２３】
この第２態様によれば、ビットマップ展開前の図形データの段階において、帯状走査範囲内の図形の全面積を求めることにより容易に第１チェックサムを求めることができる。
本発明の第３態様では、上記第１工程は、上記帯状走査範囲を単位として図形データをビットマップ展開し、展開されたビットマップの上記第１チェックサムを求める。
【００２４】
特許請求の範囲に記載した発明は、以下の第４〜６態様である。
本発明の第４態様では、上記第２態様の第１チェックサムと上記第３態様の第１チェックサムとを求め、両第１チェックサムを比較し、両第１チェックサムの値が異なる場合には、上記第２態様の第１工程を再度行う。
この第４態様では、ビットマップ展開処理においてエラーの検出及び訂正を行うので、露光データの信頼性が向上する。また、ビットマップ展開装置を２系統備える必要がないので、ビットマップ展開処理におけるエラーの検出及び訂正を行う構成が簡単になる。
【００２５】
本発明の第５態様では、上記第３態様の第１工程を同一図形データについて２系統で並列して行い、両系統の第１チェックサムを比較し、
両第１チェックサムの値が異なる場合には再度、両系統の第１工程及び第１チェックサムの比較を行う。
この第５態様では、ビットマップ展開処理においてエラーの検出及び訂正を行うので、露光データの信頼性が向上する。
【００２６】
本発明の第６態様では、上記第２工程は、
上記ブランキングアパーチャアレイ駆動手段の出力段からｎビット単位で順次取り出される上記ビットマップデータを読み取り、
該ｎビットに含まれる‘１’又は‘０’の一方の個数を求め、
該個数を累積加算して積算値を求め、
ｍ回前から現在までの（ｍ＋１）個の該積算値を（ｍ＋１）個のレジスタのそれぞれに保持させておき、
現在求めた積算値とｍ回前に求めた積算値との差を、上記ブランキングアパーチャアレイを通ったマルチ荷電粒子ビームの相互間のクーロン力による焦点ぼけを補正するためのリフォーカス値として求め、
上記帯状走査範囲の該ビットマップデータの読み取りが完了した時の現在の該積算値を上記第２チェックサムとして得る。
【００２７】
この第６態様によれば、リフォーカス値の途中の計算結果をチェックサムの計算に用いることができるので、チェックサムを求める構成が簡単になる。
【００３６】
【実施の形態】
以下、図面に基づいて本発明の実施形態を説明する。
［第１実施形態］
図１は、本発明の第１実施形態のマルチ荷電粒子ビーム露光装置の概略構成を示す。
【００３７】
（１）マルチ荷電粒子ビーム露光装置の概略
荷電粒子ビーム放射装置５０から放射された荷電粒子ビームＥＢ０は、ブランキングアパーチャアレイ板３０を通ってマルチビームにされ、かつ、その一部ＥＢ１が偏向されてアパーチャ板５１で遮られることにより、アパーチャ板５１を通過したマルチビームＥＢ２の断面がドットパターンに成形される。荷電粒子ビームＥＢ０は連続的に放射されており、例えば図７のセルストライプ走査終了点Ｒ２からセルストライプ走査開始点Ｒ３までの間では、ブランキングアパーチャアレイ板３０とアパーチャ板５１との間に配置されたブランキング偏向器５２によりマルチビーム全体が偏向されてアパーチャ板５１で遮られる。
【００３８】
マルチビームＥＢ２は、ビーム間クーロン力により反発し合うので、焦点が半導体ウェーハ１０の下方にずれて像がぼける。このぼけを防止するために、マルチビームＥＢ２の本数に比例した電流がリフォーカスコイル５３に供給されて、マルチビームＥＢ２が絞られる。マルチビームＥＢ２は、副偏向器２０及び主偏向器５４により偏向され、不図示の電磁レンズで半導体ウェーハ１０上に収束される。
【００３９】
半導体ウェーハ１０は移動ステージ５５上に搭載され、移動ステージ５５の移動はステージ制御回路５６で制御され、その位置はレーザ干渉測長器５７で測定される。
副偏向器２０及び主偏向器５４への駆動信号が０のとき、マルチビームＥＢ２は露光装置の光軸と半導体ウェーハ１０との交点（移動ステージ走査位置）に照射される。レーザ干渉測長器５７は、半導体ウェーハ１０上の固定原点に対する移動ステージ走査位置Ｐの座標（ＰＸ，ＰＹ）を偏向量計算回路５８へ供給する。偏向量計算回路５８は、主偏向器５４及び副偏向器２０によりマルチビームＥＢ２を半導体ウェーハ１０上の目標位置へ照射させるために、後述の主偏向量ＰＱＸ２及び副偏向量ＱＲＸ２を算出し、それぞれＤ／Ａ変換器５９及びＤ／Ａ変換器２１へ供給する。図１では簡単化のために、主偏向器５４及び副偏向器２０の１つの偏向コイル及び偏向電極板に対する駆動回路のみを示し、かつ、主偏向器５４及び副偏向器２０のＹ方向偏向成分に対する駆動回路を図示省略している。
【００４０】
主偏向量ＰＱＸ２は、Ｄ／Ａ変換器５９によりアナログ電流ＰＱＸ３に変換され、さらに増幅器６０で増幅され、駆動電流ＰＱＸ４として主偏向器５４に供給される。
露光用ビットマップデータ及びリフォーカスデータは、データ生成回路６１により生成され、ＢＡＡ＆リフォーカスコイル駆動回路６２を介してそれぞれブランキングアパーチャアレイ板３０及びリフォーカスコイル５３に供給される。
【００４１】
（２）副偏向器駆動回路
副偏向量ＱＲＸ２は、Ｄ／Ａ変換器２１でアナログ電流ＱＲＸ３に変換され、電流／電圧変換器２２で電圧ＱＲＸ４に変換され、増幅＆ローパスフィルタ回路２３Ａにより、増幅されかつステップ変化による高周波成分がカットされて駆動電圧ＱＲＸ５にされ、副偏向器２０に供給される。
【００４２】
増幅＆ローパスフィルタ回路２３Ａは、演算増幅回路２３１の反転入力端に抵抗値Ｒ１の抵抗２３２、抵抗値Ｒ２の抵抗２３３及びスイッチ素子ＳＷ１の各々の一端が接続され、抵抗２３３の他端が演算増幅回路２３１の出力端に接続されている。また、スイッチ素子ＳＷ１の他端は、キャパシタ２３４及びスイッチ素子ＳＷ２を介して演算増幅回路２３１の出力端に接続されている。スイッチ素子ＳＷ１及びＳＷ２は、偏向量計算回路５８からの制御信号Ｓ２により連動して図６に示す如くオン／オフ制御される。
【００４３】
すなわち、電流ＱＲＸ３が小ステップ変化する間はスイッチ素子ＳＷ１及びＳＷ２がオンにされて増幅＆ローパスフィルタ回路２３Ａが増幅及び高周波成分カットの動作をし、電圧ＱＲＸ４のステップ変化が滑らかにされる。このとき増幅＆ローパスフィルタ回路２３Ａのカットオフ角周波数は１／（Ｒ２・Ｃ）であり、増幅＆ローパスフィルタ回路２３Ａの増幅率はＲ２／Ｒ１となる。
【００４４】
副偏向量ＱＲＸ２が最大値から最小値に大ステップ変化すると、制御信号Ｓ２によりスイッチ素子ＳＷ１及びＳＷ２が一定時間オフにされる。これにより、点Ｒ２と結合される容量は抵抗２３３及びそのリード線の容量成分となり、カットオフ角周波数が高くなって、電圧ＱＲＸ５は最大値から最小値へ急速に復帰する。このとき、増幅＆ローパスフィルタ回路２３Ａの増幅率はＲ２／Ｒ１と変わらないので、電圧ＱＲＸ５の最大値及び最小値はスイッチ素子ＳＷ１及びＳＷ２がオンのときと同一になる。
【００４５】
Ｒ１＝５００Ω、Ｒ２＝２ｋΩ、Ｃ＝８００ｐＦ
としたところ、図６中のｔ１及びｔ２はそれぞれ４μＳ及び２００ｎＳとなり、ｔ２／ｔ１＝１／２０となり、露光時間を従来の２１／４０に短縮することができる。
（３）マルチ荷電粒子ビーム走査方法
図７（Ａ）は、図１３（Ｂ）に対応しており、マルチ荷電粒子ビーム走査方法を示す。
【００４６】
図１３（Ｂ）中のセルストライプ１３２〜１３５にデータが存在しないことから、図７（Ａ）ではセルストライプ１３１をセルストライプ１２６としてサブフィールド１２Ａに含ませ、サブフィールド１３を省いている。
半導体ウェーハ１０上の固定原点Ｏに対するサブフィールド１２Ａの走査開始点Ｒ１のベクトルＯＲ１は、
ＯＲ１＝ＯＰ１＋Ｐ１Ｑ１＋Ｑ１Ｒ１          ・・・（１）
と表される。ここに、
ＯＰ１：移動ステージ５５による走査ベクトル、Ｐ１は移動ステージ走査位置
Ｐ１Ｑ１：主偏向器５４による主走査のベクトル、Ｑ１は主走査位置
Ｑ１Ｒ１：副偏向器２０による副走査のベクトル、Ｒ１は副走査位置
である。移動ステージ走査位置Ｐ１は、露光装置の光軸と半導体ウェーハ１０との交点であり、Ｌ１上を矢印方向へ定速移動する。ベクトルＯＰ１と移動ステージの位置ベクトルとの和は一定になる。副走査中では、主走査ベクトルＰ１Ｑ１は一定であるが、点Ｑ１は、点Ｐ１の移動に追従する。
【００４７】
サブフィールド１２Ａは、セルストライプ１２１〜１２６の順に、一点鎖線Ｌ３及び点線Ｌ４に沿って副偏向器２０で走査される。一点鎖線Ｌ３は露光時であり、点線Ｌ４はブランキング時である。
ブランキングアパーチャアレイ板３０を通ったマルチビームＥＢ２を副偏向器で偏向可能な範囲は、サブフィールド１２の走査開始時点Ｒ１において、一点鎖線で示すＡ１である。
【００４８】
一つの主偏向量に対し副偏向器２０で走査可能なセルストライプ数ｋは、
ｋＶΔｔ≦ＡＬ＜（ｋ＋１）ＶΔｔ                    ・・・（２）
を満たす。ここに、
ＡＬ：副走査開始点Ｒ１からＡ１の境界線までの距離
Δｔ：点Ｒ１から点Ｒ２までのセルストライプ走査時間と点Ｒ２から点Ｒ３までのフライバック時間との和
Ｖ  ：ステージ移動速度
である。
【００４９】
図７（Ａ）は、ｋ＝５の場合を示しており、主走査ベクトルＰ１Ｑ１の下で副走査できるのは第１〜ｋセルストライプであり、セルストライプ１２６を副走査することができない。しかし、露光データには、データ量が膨大であるため各サブフィールドに１つしか主走査位置の座標データがない。
図９は、階層化された露光データを示す。
【００５０】
サブフィールドデータは、各サブフィールドについて、セルストライプデータのスタートアドレスと、セルストライプ数ｐと、主走査位置のＸ座標ＱＸ１０と、主走査位置のＹ座標ＱＹ１０とを有する。
セルストライプデータは、各セルストライプについて、ビットマップデータのスタートアドレス、ワード数及びチェックサムと、上記第ｋセルストライプであることを示すジャンプフラグＪＰと、副走査位置の主走査位置（ＱＸ１０，ＱＹ１０）に対するＸ座標ＱＲＸ０とを有する。チェックサムは、そのセルストライプのビットマップデータ中の‘１’のビットの全個数である。同一パターンのセルストライプデータはジャンプフラグを除き同一になり、このような階層構造によれば露光データ量が低減される。
【００５１】
図９中のビットマップデータにおいて、ハッチングが施された升目は‘１’のビットであり、図１のブランキングアパーチャアレイ板３０及びアパーチャ板５１を通過するビーム（オンビーム）に対応している。ビットマップデータの１ワードのビット数は図１５のｎに等しい。
セルストライプのビットマップデータの各ワードには、ブランキングアパーチャアレイ板３０を通過するオンビームの数に等しいリフォーカスデータが対応している。図９のリフォーカスデータは、図１５のｍが３の場合を示しており、オンビーム数を用いて次のように計算される。
【００５２】
0003544759.tif 000002
図３は、図２中の設定回路７０の要部構成を示す。
【００５３】
バッファメモリ７０１には、図９のサブフィールドデータ、及び、チェックサムを除くセルストライプデータが書き込まれており、サブフィールド走査終了毎に次のサブフィールドの主走査位置のＸ座標ＱＸ１０及びＹ座標がそれぞれレジスタ７０２Ｘ及び７０２Ｙに保持され、また、セルストライプ走査開始毎にそのセルストライプのジャンプフラグＪＦがフリップフロップ７０３に保持される。カウンタ７０４Ａは、サブフィールド走査終了毎にゼロクリアされ、図５の制御信号Ｓ１によりセルストライプ走査開始毎にインクリメントされる。
【００５４】
計算部７０５は、ジャンプフラグＪＦが‘１’のとき、サブフィールドのセルストライプ数ｐ、カウンタ７０４Ａの計数値ｋ、レジスタ７０４Ｂに設定されたセルストライプの幅ｗを用いて、主走査位置Ｘ座標ＱＸ１１を、
ＱＸ１１＝ＱＸ１０＋（２ｐ−ｋ）ｗ／２      ・・・（３）
として求め、レジスタ７０２Ａに保持させる。
【００５５】
セレクタ７０６は、ジャンプフラグＪＦが‘０’のとき、レジスタ７０２Ｘの出力ＱＸ１０をＱＸ１として選択し、ジャンプフラグＪＦが‘１’のとき、レジスタ７０２Ａの出力ＱＸ１１をＱＸ１として選択する。ＱＸ１は、後述のように次の主走査位置のＸ座標として用いられる。
主走査位置のＹ座標については、ジャンプフラグＪＦが‘１’のときも変化がないので、バッファメモリ７０２Ｙに保持させたＱＹ１０をＱＹ１として用いることができる。
【００５６】
このような処理により、例えば図７（Ａ）において、セルストライプ１２５の走査が終了すると、主走査位置がＱ２からＱ４にジャンプする。
ジャンプ後のサブフィールド１２６の主走査位置に対するＸ座標は、上式（３）中の（２ｐ−ｋ）ｗ／２だけ差し引く必要があるので、次のように修正する。
セルストライプ走査終了毎に次のセルストライプの副走査位置の主走査位置に対するＸ座標ＱＲＸ１０がレジスタ７０７Ｘに保持される。レジスタ７０７Ａには、通常は０が保持されているが、上記レジスタ７０２ＡにＱＸ１１が保持される時に、（２ｐ−ｋ）ｗ／２が保持され、サブフィールド走査終了時点でゼロクリアされる。レジスタ７０７Ｘの出力とレジスタ７０７Ａの出力との差が、修正後の副走査位置ＱＲＸとして、減算器７０８で求められる。
【００５７】
制御回路７０９は、設定回路７０の内外の構成要素に対し各種制御信号を生成し出力する。
以上のような走査方法によれば、主走査ベクトルの変化がサブフィールド間ジャンプの場合よりも小さいので、ステップ変化の際の無駄な制定時間を短縮することができ、露光のスループットを向上させることができる。また、必ず副走査範囲Ａ１を越えないように副走査するためにセルストライプを短くしてセルストライプの全本数が多くなるのを避けることができるので、副走査中のフライバックの回数が多くなることによるスループットの低下を防止することができる。
【００５８】
（４）偏向量計算回路５８
図１の偏向量計算回路５８の構成例を図２に示す。図２中に示すデータの関係を図７（Ｂ）に示す。図７（Ｂ）は、図７（Ａ）に示す走査に対応しており、点Ｐは直線Ｌ１上の点Ｐ１から点Ｐ２までの間の任意の位置を示している。
設定回路７０は、通常は各サブフィールドの走査終了時点で、シャンプフラグＪＦが‘１’のときは、シャンプフラグＪＦが‘１’のセルストライプ走査終了時点で、ラッチパルスＳ３により、主走査位置Ｑ１のＸ座標ＱＸ１びＹ座標ＱＹ１をそれぞれレジスタ７１Ｘ及び７１Ｙに保持させ、これと同時に、ステージ走査位置ＰのＸ座標ＰＸ及びＹ座標ＰＹをそれぞれＰＸ１及びＰＹ１としてレジスタ７２Ｘ及び７２Ｙに保持させる。
【００５９】
レジスタ７１Ｘの内容ＱＸ１とレジスタ７２Ｘの内容ＰＸ１との差ＰＱＸ１が減算器７３Ｘで算出され、レジスタ７１Ｙの内容ＱＹ１とレジスタ７２Ｙの内容ＰＹ１との差ＰＱＹ１が減算器７３Ｙで算出される。
補正回路７４は、（ＰＱＸ１，ＰＱＹ１）に対し、主偏向器５４の偏向方向及び入力電流に対する磁界強度の、設計値に対するずれを補正し、（ＰＱＸ２，ＰＱＹ２）として出力する。補正回路７４は、入力座標に対する一次変換回路であり、理想的な場合には単位マトリックスとして機能する。
【００６０】
各セルストライプの走査終了毎に、設定回路７０によりカウンタ７５Ｙがクリア信号ＣＬＲＹでクリアされ、図６に示す制御信号Ｓ２が一定時間低レベルにされた後、クロックＣＬＫＹがカウンタ７５Ｙに供給されて計数される。カウンタ７５Ｙの計数値ＮＹは、アドレス入力として走査メモリ７６Ｙに供給される。また、各セルストライプの走査終了毎に、次のセルストライプのＸ座標がレジスタ７５Ｘに保持される。
【００６１】
ＰＸとＰＸ１との差ΔＸが減算器７７Ｘで算出され、ＰＹとＰＹ１との差ΔＹが減算器７７Ｙで算出される。ＱＲＸとΔＸとの差ＱＲＸ１が減算器７８Ｘで算出され、ＱＲＹとΔＹとの差ＱＲＹ１が減算器７８Ｙで算出される。補正回路７９は、（ＱＲＸ１，ＱＲＹ１）に対し、副偏向器２０の偏向方向及び入力電圧に対する電界強度の、設計値に対するずれを補正し、（ＱＲＸ２，ＱＲＹ２）として出力する。補正回路７９は、入力座標に対する一次変換回路であり、理想的な場合には単位マトリックスとして機能する。
【００６２】
主偏向量ＰＱＸ２及び副偏向量ＱＲＸ２はそれぞれ図１のＤ／Ａ変換器５９及びＤ／Ａ変換器２１に供給され、主偏向量ＰＱＹ２及び副偏向量ＱＲＹ２はそれぞれ主偏向器５４及び副偏向器２０のＹ方向偏向成分に対する不図示の駆動回路に供給される。
（５）ＢＡＡ＆リフォーカスコイル駆動回路６２
図１中のＢＡＡ＆リフォーカスコイル駆動回路６２の構成例を、図５に示す。
【００６３】
ＢＡＡ＆リフォーカスコイル駆動回路６２のＢＡＡ駆動回路４０は、図５では簡略化しているが、図１５のＢＡＡ駆動回路４０と同一である。ＢＡＡ駆動回路４０のドットメモリ４１１〜４１ｎにはそれぞれ、外部記憶装置８０１〜８０ｎからのドットデータが書き込まれる。
ＢＡＡ＆リフォーカスコイル駆動回路６２は、チェックサム計算回路８１を備えている。この回路８１では、‘１’合計回路８２に、各シフトレジスタ４４１〜４４ｎの先端ビットが供給され、‘１’合計回路８２は、‘１’のビットの合計を求め、これを加算器８３の一方の入力端に供給する。加算器８３の出力は、シフトレジスタ４４１〜４４ｎの出力と同一周期でレジスタ８４に保持され、その値が加算器８３の他方の入力端に供給され、これにより‘１’合計回路８２の出力の積算値がレジスタ８４に保持される。１セルストライプ分の積算値がレジスタ８４に求まると、これがチェックサムとしてレジスタ８５に保持される。
【００６４】
他方、外部記憶装置８６からバッファメモリ８７に読み込まれたチェックサムデータが、レジスタ８５の出力に対応して順にレジスタ８８に保持される。レジスタ８８の出力とレジスタ８５の出力とが比較器８９で比較され、両者の不一致が検出されると、警報器９０が動作し、かつ、記録装置９１にエラーアドレス及びエラー発生時点が記録される。
【００６５】
チェックサム計算回路８１は、ｎビット、例えば５１２ビットに対し、１つの‘１’合計回路８２と１つの加算器８３と２つのレジスタ８４、８５とで構成されるので、多数組必要なパリティチェック回路やＥＣＳ回路よりも構成が簡単になり、かつ、複雑なＥＣＳ回路よりも高速にエラーチェックができ、ブランキングアパーチャアレイ板３０へのデータ転送速度を低下させる必要がないので、露光のスループットの低下を防止できるという利点を有する。
【００６６】
リフォーカスコイル駆動回路部では、外部記憶装置９２からバッファメモリ９３にリフォーカスデータが書き込まれ、ドライバ４５の入力に対応しバッファメモリ９３からリフォーカスデータが順に読み出されてレジスタ９４に保持され、その値に比例した駆動電流がドライバ９５によりリフォーカスコイル５３へ供給される。
【００６７】
（６）データ生成回路６１
図４は、図１のデータ生成回路６１の構成例を示す。
設計データを露光装置用フォーマットに変換した後、図形データに変換したものがバッファメモリ１００を介して外部記憶装置１０１に格納される。この図形データは、セルストライプで区切られており、例えば図８（Ａ）に示す如く、セルストライプ１２１内のパターンＡ１Ｂ１Ｃ１Ｄ１Ｅ１Ｆ１Ｇ１、Ａ２Ｂ２Ｃ２Ｄ２Ｅ２Ｆ２Ｇ２及びＡ３Ｂ３Ｃ３Ｄ３に分割され、さらに、矩形や三角形などの所定基本図形に分解されている。例えば、パターンＡ１Ｂ１Ｃ１Ｄ１Ｅ１Ｆ１Ｇ１は、矩形Ａ１Ｂ１Ｃ１Ｇ１と、矩形Ｃ１Ｄ１Ｅ１Ｆ１とに分割される。図８（Ｂ）において、矩形ＡＢＣＤの図形データは、矩形を示すコードＦＣ、点Ｂの座標（ＸＢ，ＹＢ）、矩形の幅Ｗ及び高さＨで表される。
【００６８】
したがって、ビットマップ展開前の図形データの段階において、セルストライプ内の図形の全面積を求めることにより容易にチェックサムを求めることができる。
図４において、外部記憶装置１０１に格納された図形データは、セルストライプ単位でバッファメモリ１０２を介してビットマップ展開回路１０３に供給され、ビットマップ展開回路１０３はこれをキャンバスメモリ１０４上でビップマップに展開する。このビットマップのデータは、セルストライプの長手方向一端に対応した部分から、セルストライプの幅に相当するｎビットの単位で順に読み出され、一方では外部記憶装置８０１〜８０ｎに格納され、他方ではチェックサム計算回路８１Ａの‘１’合計回路８２Ａに供給される。チェックサム計算回路８１Ａは、図５のチェックサム計算回路８１と同一構成であり、構成要素８２Ａ〜８５Ａはそれぞれ構成要素８２〜８５に対応している。
【００６９】
レジスタ８４Ａの出力は、ワードシフトレジスタ群１０５に供給されてレジスタ単位でシフトされる。ワードシフトレジスタ群１０５のレジスタ数は図１５のブランキングアパーチャアレイ板３０の行数ｍに等しい。レジスタ８４Ａに保持された値とワードシフトレジスタ群１０５の先頭から出力された値との差が減算器１０６により算出される。この差は、図１のブランキングアパーチャアレイ板３０及びアパーチャ板５１を通過するビーム数（オンビーム数）に等しく、リフォーカスデータとして外部記憶装置９２に格納される。
【００７０】
チェックサム計算回路８１Ａは、リフォーカス計算回路と、‘１’合計回路８２Ａ、加算器８３Ａ及びレジスタ８４Ａを共用しているので、パリティチェック回路やＥＣＳ回路よりも構成が簡単になるという利点を有する。
図４において、チェックサム計算部１０７は、バッファメモリ１００に保持された図形データについて、セルストライプ内の図形の全面積を計算することにより、チャックサムを求め、これを外部記憶装置８６に格納させる。格納されたチェックサムデータは、レジスタ８５Ａに対応して順にレジスタ１０８に保持される。比較器１０９は、レジスタ１０８とレジスタ８５Ａとの内容を比較し、その結果をビットマップ展開回路１０３に供給する。
【００７１】
ビットマップ展開回路１０３は、比較器１０９の出力が不一致を示している場合、すなわち、バッファメモリ１０２、ビットマップ展開回路１０３及びキャンバスメモリ１０４等においてデータに誤りが生じた場合、そのセルストライプについて再度ビットマップ展開処理を行う。これにより、外部記憶装置８０１〜８１ｎ、８６及び９２に格納されたデータが当該セルストライプについて書き換えられ、露光データの信頼性が向上する。
【００７２】
図５のＢＡＡ＆リフォーカスコイル駆動回路６２がリアルタイム処理を行うのに対し、図４のデータ生成回路はＢＡＡ＆リフォーカスコイル駆動回路６２と非同期でバッチ処理を行うので、このような再処理による誤り訂正が可能となる。
制御回路１４０は、図４中の構成要素に対し、上述の各動作を行うための制御を行う。
【００７３】
なお、図９中のサブフィールドデータ、及び、チェックサムを除くセルストライプデータは、バッファメモリ１００の前段階で生成される。
［第２実施形態］
上記第１実施形態では、図形データの段階で上式（２）を演算してジャンプフラグＪＦを生成する場合を説明したが、露光の際にリアルタイムで上式（２）のｋを求めるようにすれば、ジャンプフラグ記憶容量が不要になるので好ましい。図１０（Ａ）は、本発明の第２実施形態のジャンプ判定回路１５０を示す。
【００７４】
上式（２）のＶ、Δｔ及びＡＬはそれぞれレジスタ１５１、１５２及び１５３に設定される。乗算器１５４は、Ｖ・Δｔを求め、除算器１５５は、ＡＬ／（Ｖ・Δｔ）を求める。除算器１５５の出力値の整数部ｋは、ダウンカウンタ１５６にロードされる。このロードは、サブフィールド走査開始前の主偏向器駆動回路整定時間において行われる。
【００７５】
サブフィールドの走査が開始されると、ダウンカウンタ１５６のクロック入力端に、図６に示す制御信号Ｓ１が供給され、セルストライプ走査開始毎にダウンカウンタ１５６の計数値がデクリメントされる。この計数値が０になると、ゼロ検出回路１６１から出力されるジャンプ準備信号が高レベルになり、図２の設定回路７０でジャンプフラグＪＦが‘１’の場合と同じ処理が行われる。
【００７６】
なお、上式（２）中のｋを求める替わりに、セルストライプ開始後、時間Ｔ
Ｔ＝ＡＬ／Ｖ−Δｔ                ・・・（３）
が経過したときに、現在副走査中のセルストライプがｋ番目であると判定するように、すなわちジャンプ準備信号を出力するように構成してもよい。
［第３実施形態］
図４では図形データの段階でチェックサムを計算しているが、バッファメモリ１０２、ビットマップ展開回路１０３、キャンバスメモリ１０４及びチェックサム計算回路８１Ａを２組備え、両者のチェックサムを比較することによりエラーを検出する事も可能である。図１１は、このような構成のデータ生成回路を第３実施形態として示す。
【００７７】
図１１中、バッファメモリ１０２Ａ、ビットマップ展開回路１０３Ａ、キャンバスメモリ１０４Ａ、チェックサム計算回路８１Ｂ及びレジスタ８５Ｂはそれぞれ、バッファメモリ１０２、ビットマップ展開回路１０３、キャンバスメモリ１０４、チェックサム計算回路８１Ａ及びレジスタ８５Ａと同一構成である。制御回路１４０Ａは、図１１中の構成要素に対し必要な制御を行う。
【００７８】
１セルストライプ分の全データがキャンバスメモリ１０４から出力される毎に、レジスタ８５Ａの内容がチェックサムとして外部記憶装置８６に格納され、比較器１０９の出力が不一致を示している場合には、そのセルストライプについてビットマップ展開が再度行われ、外部記憶装置８６及び９２に格納された対応する値が書き換えられる。
【００７９】
この第３実施形態を図４と比較すれば、図４の構成が簡単であることが明かである。この利点は、セルストライプを単位としてチェックサムを定義したことにより図形データの段階でチェックサムを容易に求めることが可能になったことに由来している。
［第４実施形態］
図１２は、本発明の第４実施形態の副偏向器駆動回路を示す。
【００８０】
この回路では、図１の増幅＆ローパスフィルタ回路２３Ａの代わりに増幅＆ローパスフィルタ回路２３Ｂを用いている。
制御信号Ｓ２が高レベルで露光中のときには、スイッチ素子ＳＷ３及びＳＷ４がオンにされ、スイッチ素子ＳＷ５及びＳＷ６がオフにされ、スイッチ素子ＳＷ７及びＳＷ８がオンにされ、スイッチ素子ＳＷ９及びスイッチ素子ＳＷ１０がオフにされる。制御信号Ｓ２が低レベルでフライバック中のときには、前記と逆に、スイッチ素子ＳＷ３及びＳＷ４がオフにされ、スイッチ素子ＳＷ５及びＳＷ６がオンにされ、スイッチ素子ＳＷ７及びＳＷ８がオフにされ、スイッチ素子ＳＷ９及びスイッチ素子ＳＷ１０がオンにされる。
【００８１】
抵抗２３２Ａ、２３２Ｂ、２３３Ａ、２３３Ｂの抵抗値をそれぞれＲ１Ａ、Ｒ１Ｂ、Ｒ２Ａ、Ｒ２Ｂとすると、露光中の増幅率Ｒ２Ａ／Ｒ１Ａはフライバック中の増幅率Ｒ２Ｂ／Ｒ１Ｂに等しくされている。また、Ｒ２Ａ＜Ｒ２Ｂとなっているので、フライバック時のカットオフ周波数は露光中のそれよりも小さくなり、図６中のｔ２／ｔ１を従来の場合よりも小さくすることができる。
【００８２】
なお、本発明には外にも種々の変形例が含まれる。
例えば、図１の増幅＆ローパスフィルタ回路２３は、反転増幅する構成であるが、非反転増幅する構成であってもよい。また、演算増幅回路２３１は、対向する１対の偏向電極板に対し１対の互いに反対極性の信号を出力する差動型の構成であってもよい。これらの点は図１２の増幅＆ローパスフィルタ回路についても同様である。
【００８３】
また、図１の移動ステージ走査位置Ｐ（ＰＸ，ＰＹ）の替わりに移動ステージ検出位置自体又は移動距離に比例した数のパルスを用いてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態のマルチ荷電粒子ビーム露光装置の概略図である。
【図２】図１中の偏向量計算回路の構成例を示すブロック図である。
【図３】図２中の設定回路の要部構成を示すブロック図である。
【図４】図１中のデータ生成回路の構成例を示すブロック図である。
【図５】図１中のＢＡＡ＆リフォーカスコイル駆動回路の構成例を示すブロック図である。
【図６】図１中の副偏向器駆動回路の動作を示す波形図である。
【図７】（Ａ）はマルチ荷電粒子ビーム走査方法説明図であり、（Ｂ）は図２中のデータの関係を示すベクトル図である。
【図８】（Ａ）はセルストライプ内の図形データ説明図であり、（Ｂ）は基本図形説明図である。
【図９】階層化された露光データ説明図である。
【図１０】本発明の第２実施形態のジャンプ判定回路を示すブロック図である。
【図１１】本発明の第３実施形態のデータ生成回路を示すブロック図である。
【図１２】本発明の第４実施形態の副偏向器駆動回路を示す図である。
【図１３】（Ａ）及び（Ｂ）はブランキングアパーチャアレイ板を用いた従来のマルチ荷電粒子ビーム露光方法説明図である。
【図１４】（Ａ）は従来の副偏向器駆動回路を示す図であり、（Ｂ）はこの回路の動作を示す波形図である。
【図１５】従来のブランキングアパーチャアレイ板及びその駆動回路を示す図である。
【図１６】図１５の回路の一部詳細を示す図である。
【符号の説明】
２０  副偏向器
２１、５９  Ｄ／Ａ変換器
２２  電流／電圧変換器
２３、２３Ａ、２３Ｂ  増幅＆ローパスフィルタ回路
２３１  演算増幅回路
３０  ブランキングアパーチャアレイ板
３３  開口
４０  ＢＡＡ駆動回路
５０  荷電粒子ビーム放射装置
５１  アパーチャ板
５２  ブランキング偏向器
５３  リフォーカスコイル
５４  主偏向器
５５  移動ステージ
５８  偏向量計算回路
６１  データ生成回路
６２  ＢＡＡ＆リフォーカスコイル駆動回路
７０  設定回路
８１、８１Ａ、８１Ｂ  チェックサム計算回路
８２、８２Ａ  ‘１’合計回路
８７、９３、１００、１０２、７０１  バッファメモリ
８９、１０９、１５７  比較器
１０３  ビットマップ展開回路
１０４  キャンバスメモリ
１０５  ワードシフトレジスタ群
１０７  チェックサム計算部
１１０  ジャンプフラグ生成回路
１５３  乗算器
１５０、１５０Ａ  ジャンプ判定回路
【図１】
0003544759.tif 000003
【図２】
0003544759.tif 000004
【図３】
0003544759.tif 000005
【図４】
0003544759.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
0003544759.tif 000009
【図８】
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【図９】
0003544759.tif 000011
【図１０】
0003544759.tif 000012
【図１１】
0003544759.tif 000013
【図１２】
0003544759.tif 000014
【図１３】
0003544759.tif 000015
【図１４】
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【図１５】
0003544759.tif 000017
【図１６】
0003544759.tif 000018