Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月10日(2017.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
八分木の八分空間に関連付けられた３次元色ルックアップ・テーブルを符号化する方法であって：  現在の八分空間について、その直接の子八分空間の少なくとも１つが再帰的に符号化されているかどうかを示すスプリット・フラグを符号化するステップと、  前記スプリット・フラグに応じて前記現在の八分空間を符号化するステップと、を含む、方法。
【請求項２】
前記現在の八分空間を符号化するステップが、前記現在の八分空間における頂点の少なくとも１つの値を別の値から予測して予測値を得るステップと、  前記頂点の前記少なくとも１つの値と前記予測値との間で算出された残差を符号化するステップと、を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記頂点について少なくとも１つの残差が符号化されているか否かを示す前記頂点についてのフラグを符号化するステップをさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記頂点の各値について、前記値について残差が符号化されているか、或いは、該残差が符号化されておらず零であると推定されるかどうかを示すフラグを符号化するステップをさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記別の値は、近傍の頂点の少なくとも１つの再構築された値から得られる、請求項２に記載の方法。
【請求項６】
前記頂点の前記少なくとも１つの値、前記別の値および前記近傍の頂点の前記少なくとも１つの再構築された値は、色値である、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記色値は、色変換を表現する、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
近傍の頂点の前記少なくとも１つの再構築された値は、前記現在の八分空間の親八分空間に属する、請求項５に記載の方法。
【請求項９】
八分木の八分空間の３次元色ルックアップ・テーブルを復号する方法であって：  現在の八分空間について、その直接の子八分空間の少なくとも１つが再帰的に復号されるかどうかを示すスプリット・フラグを復号するステップと、  前記スプリット・フラグに応じて前記現在の八分空間を再構築するステップと、を含む、方法。
【請求項１０】
前記現在の八分空間を再構築するステップが、前記現在の八分空間における頂点の少なくとも１つの値を別の値から予測して予測値を得るステップと、  前記予測値および復号された残差から前記頂点の前記少なくとも１つの値を再構築するステップと、を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記頂点について少なくとも１つの残差が復号されるか否かを示す前記頂点についてのフラグを復号するステップをさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記頂点の各値について、前記値について残差が復号されるか、或いは、該残差が復号されず零であると推定されるかどうかを示すフラグを復号するステップをさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記別の値は、近傍の頂点の少なくとも１つの再構築された値から得られる、請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
前記頂点の前記少なくとも１つの値、前記別の値および前記近傍の頂点の前記少なくとも１つの再構築された値は、色値である、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記色値は、色変換を表現する、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記近傍の頂点の前記少なくとも１つの再構築された値は、前記現在の八分空間の親八分空間に属する、請求項１３に記載の方法。
【請求項１７】
八分空間の３次元色ルックアップ・テーブルを符号化する符号化器であって、八分空間の前記３次元色ルックアップ・テーブルにアクセスするためのインタフェースおよび少なくとも１つのプロセッサを有しており、前記プロセッサは：  現在の八分空間について、その直接の子八分空間の少なくとも１つが再帰的に符号化されているかどうかを示すスプリット・フラグを符号化し；  前記スプリット・フラグに応じて前記現在の八分空間を符号化するよう構成されている、符号化器。
【請求項１８】
前記現在の八分空間を符号化することが、前記現在の八分空間における頂点の少なくとも１つの値を別の値から予測して予測値を得て；  前記頂点の前記少なくとも１つの値と前記予測値との間で算出された残差を符号化することを含む、請求項１７に記載の符号化器。
【請求項１９】
前記少なくとも１つのプロセッサがさらに、前記頂点について少なくとも１つの残差が符号化されているか否かを示す前記頂点についてのフラグを符号化するよう構成されている、請求項１８に記載の符号化器。
【請求項２０】
前記別の値は、近傍の頂点の少なくとも１つの再構築された値から得られる、請求項１８に記載の符号化器。
【請求項２１】
前記頂点の前記少なくとも１つの値、前記別の値および前記近傍の頂点の前記少なくとも１つの再構築された値は、色値である、請求項２０に記載の符号化器。
【請求項２２】
前記色値は、色変換を表現する、請求項２１に記載の符号化器。
【請求項２３】
八分空間の３次元色ルックアップ・テーブルを復号する復号器であって、ビットストリームにアクセスするためのインタフェースおよび少なくとも１つのプロセッサを有しており、前記プロセッサは：  現在の八分空間について、その直接の子八分空間の少なくとも１つが再帰的に復号されるかどうかを示すスプリット・フラグを復号し、  前記スプリット・フラグに応じて前記現在の八分空間を再構築するよう構成されている、復号器。
【請求項２４】
前記現在の八分空間を再構築することが、前記現在の八分空間における頂点の少なくとも１つの値を別の値から予測して予測値を得て；  前記予測値および復号された残差から前記頂点の前記少なくとも１つの値を再構築することを含む、請求項２３に記載の復号器。
【請求項２５】
前記少なくとも１つのプロセッサがさらに、前記頂点について少なくとも１つの残差が復号されるか否かを示す前記頂点についてのフラグを復号するよう構成されている、請求項２４に記載の復号器。
【請求項２６】
前記別の値は、近傍の頂点の少なくとも１つの再構築された値から得られる、請求項２４に記載の復号器。
【請求項２７】
前記頂点の前記少なくとも１つの値、前記別の値および前記近傍の頂点の前記少なくとも１つの再構築された値は、色値である、請求項２６に記載の復号器。
【請求項２８】
前記色値は、色変換を表現する、請求項２７に記載の復号器。
【請求項２９】
八分空間の３次元色ルックアップ・テーブルを表わすビットストリームであって、現在の八分空間について、少なくとも１つの直接の子八分空間が再帰的に符号化されているかどうかを示すスプリット・フラグと、前記スプリット・フラグに応じて符号化された前記現在の八分空間についてのデータとを含む、ビットストリーム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月3日(2017.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
逆ガス圧力調整器であって、
少なくとも１つの高圧ガス入口ダクトと、
下流側の膨張室から通じる少なくとも１つの低圧ガス出口ダクトと、
可動調整部であって、該可動調整部の一方側には低圧がかかるとともに、他方側にはバネ要素が当接し、該可動調整部は前記高圧ガス入口ダクトを閉鎖するように適合されている、可動調整部と、
上流側で高圧ガスを供給し、当該逆ガス圧力調整器の下流側で低圧ガスを供給する任意のガス回路に当該逆ガス圧力調整器を連結して該ガス回路と一体化させるように適合された上流コネクタ及び下流コネクタと、
を含み、
前記高圧ガス入口ダクト及び前記低圧ガス出口ダクトは、前記上流コネクタ及び前記下流コネクタ内にそれぞれ位置してガスを放出し、同軸上に配置された前記上流コネクタ及び前記下流コネクタは、当該逆ガス圧力調整器を前記ガス回路に直列に連結するように適合されており、
当該逆ガス圧力調整器は、高圧側にある上流中空部及び低圧側にある下流中空部を含む中空体を含み、該上流中空部及び該下流中空部は同軸上に配置されるとともに入れ子状で互いにねじ込まれており、
前記可動調整部は、前記中空体の内部の最も遠い中空部において可変容量で気密性の前記膨張室の範囲を定めるヘッド部と、該ヘッド部よりも小さい部位であるとともに該ヘッド部に固定されるロッドとを含み、該ロッドは前記上流中空部の底部に気密的に摺動し、前記ロッドの遠位端は、前記高圧ガス入口ダクトが閉鎖した状態で当接シールと当接し、前記ロッドを取り囲む前記バネ要素は一方側が前記可動調整部のヘッド部に当接し、他方側が前記ロッドが摺動する前記上流中空部の底部に当接し、
前記高圧ガス入口ダクトは、前記上流コネクタと同じ側に位置するとともに前記高圧ガス入口ダクトが閉鎖した状態では該閉鎖を行う前記可動調整部のロッドの遠位端に対して横方向に高圧ガスを放出するため、該高圧ガスは前記可動調整部に直接作用せずに後者が開くときに沿う軸に対して垂直に作用して低圧の前記膨張室にガスが供給され、
前記高圧ガス側にあり、故に前記可動調整部に対して垂直な唯一作用している有効接触領域はゼロではないが極めて小さくなる、逆ガス圧力調整器。
【請求項２】
前記バネ要素の推力を調整するための調整装置をさらに含み、
前記調整装置は前記可動調整部の動きと同軸であり、前記上流コネクタ及び前記下流コネクタのうちの一方と協働する軸要素を回転させることにより変更可能な前記調整装置の位置によって、前記高圧ガス入口ダクトが閉鎖した状態における前記バネ要素の最大圧縮力が決まり、ひいては低圧の値が決まる、請求項１に記載の逆ガス圧力調整器。
【請求項３】
前記調整装置は、前記上流中空部の底部を貫通するとともに前記ピストンのロッドが内部を摺動するボア内に前記上流コネクタの軸に沿ってねじ込まれたプラグであり、該プラグは前記当接シールを必要な高さで保持する、請求項２に記載の逆ガス圧力調整器。
【請求項４】
前記調整装置は、前記上流中空部の二重底を形成する前記バネ要素のためのベアリング部であり、該二重底に位置する第２のバネは、前記上流中空部に入れ子状でねじ込まれた前記中空体の下流中空部の縁に対して前記ベアリング部を保持し、前記下流コネクタの同時回転によるねじ込みの深さによって前記ベアリング部が必要な高さで保持される、請求項２に記載の逆ガス圧力調整器。
【請求項５】
前記高圧ガス入口ダクトと低圧の前記膨張室との間の連通は、両端が開いた前記ロッドの内部流路により又は前記ロッドの外部のダクトによって提供される、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の逆ガス圧力調整器。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月28日(2017.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光ダイオード(LED)モジュールを製造する方法であって、
少なくとも1つのLEDダイを含む反射カップを提供するステップと、
固体片の何れの部分も前記反射カップを越えて横に延びないように、前記反射カップ内の前記LEDダイ上に固体片を配置するステップであって、前記固体片は、
第1屈折率及び第1熱伝導度を有するバインダと、
前記バインダ内に一様に混合される波長変換粒子であって、前記LEDダイにより発せられる第1光を異なる波長の第2光に変換する波長変換粒子と、
前記固体片のバルクが高熱伝導粒子となるように、前記バインダ内に一様に混合される高熱伝導粒子であって、前記第1屈折率に実質的に等しい第2屈折率と、前記第1熱伝導度より大きい第2熱伝導度とを有する高熱伝導粒子とを有する、ステップと、
前記固体片が配置された後に、前記固体片を軟化させ、前記波長変換粒子、前記高熱伝導粒子及び前記バインダを前記LEDダイの周囲に流し、軟化した部分の全ての材料が前記反射カップの中にあるように、前記LEDダイに直接的に接触して封止し、前記固体片は、前記LEDダイから熱を引き出すように前記LEDダイに直接的に接触する一様に混合された波長変換粒子及び一様に混合された高熱伝導粒子を含む、ステップと、
前記LEDダイの封止後に、軟化した前記固体片を硬化させるステップと、
を有する方法。
【請求項２】
前記固体片を軟化させることは前記固体片を加熱して前記バインダを溶かすことを含む、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記固体片を軟化させることは、真空中で実行される、請求項1に記載の方法。
【請求項４】
前記バインダはシリコーンを含む、請求項1に記載の方法。
【請求項５】
前記波長変換粒子は少なくとも1つの蛍光体を含む、請求項1に記載の方法。
【請求項６】
前記高熱伝導粒子は石英又は結晶シリカを含む、請求項1に記載の方法。
【請求項７】
前記高熱伝導粒子はクリストバライトを含む、請求項1に記載の方法。
【請求項８】
前記高熱伝導粒子はガラスを含む、請求項1に記載の方法。
【請求項９】
前記高熱伝導粒子は前記固体片の大部分を占める、請求項1に記載の方法。
【請求項１０】
前記反射カップ内に前記固体片を配置することが、前記固体片を前記反射カップ内の実質的に中央部に配置することを含む、請求項1に記載の方法。
【請求項１１】
前記反射カップが円錐状である、請求項1に記載の方法。
【請求項１２】
前記波長変換粒子と前記高熱伝導粒子とを前記バインダ内で混合するステップであって、前記バインダはスラリーを形成するように軟化される、ステップと、
前記スラリーのシートを形成するステップと、
前記バインダを硬化させるステップと、
硬化した結果のシートを、実質的に同様な固体片に分離するステップと、
を有するステップにより、前記固体片を形成するステップを更に有する請求項1に記載の方法。
【請求項１３】
前記固体片はほぼ円柱状の形状を有する、請求項1に記載の方法。
【請求項１４】
少なくとも1つのLEDダイを含む反射カップを提供するステップが、基板に複数の同様な反射カップを提供するステップであって、各々の反射カップは少なくとも1つのLEDダイを含む、ステップを有する、請求項1に記載の方法。
【請求項１５】
封止後の硬化した前記固体片は、前記LEDダイから前記反射カップへ及び前記反射カップの基部へ熱を伝える、請求項1に記載の方法。
【請求項１６】
前記第2熱伝導度は、前記第1熱伝導度の3倍より大きい、請求項1に記載の方法。
【請求項１７】
前記LEDダイの封止後に、軟化した前記固体片を硬化させるステップは、前記反射カップにわたって実質的に平坦な上面を、硬化した固体片に持たせる、請求項1に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月14日(2017.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピューター使用可能命令を格納する１つ以上のコンピューター読み取り可能記憶媒体であって、前記命令が１つ以上の計算デバイスによって使用されると、前記１つ以上の計算デバイスに、ポリシーおよび許可プロファイルを管理する方法を実行させ、前記方法が、
デバイスにおいて、第１のアプリケーションまたはサービスに関連した複数のポリシーおよび許可を提示するステップであって、前記複数のポリシーおよび許可の各々が、
前記第１のアプリケーションまたはサービスのプロバイダーによって提供されるデフォルト許可を除外し、
前記第１のアプリケーションまたはサービスの前記プロバイダー以外の者である第三者ポリシーおよび許可の著者により予め定められ、
前記第三者ポリシーおよび許可の著者の識別とともに提示され、
前記第１のアプリケーションまたはサービスによる個人データーへのアクセスおよびその使用に対応する
ステップと、
前記第１のアプリケーションまたはサービスに関連した前記複数のポリシーおよび許可プロファイルのうちの１つのポリシーおよび許可のユーザー選択を受けるステップと、
前記第１のアプリケーションまたはサービスに関連しての使用のため、前記ユーザーが選択したポリシーおよび許可プロファイルをインポートするステップと、
前記ユーザーが選択したポリシーおよび許可プロファイルを、前記ユーザーおよび前記第１のアプリケーションまたはサービスの識別子と関連付けて格納するステップと、
を含む、１つ以上のコンピューター読み取り可能記憶媒体。
【請求項２】
請求項１記載の１つ以上のコンピューター読み取り可能記憶媒体において、前記方法が、更に、
ユーザーが前記第１のアプリケーションまたはサービスを起動することを望むという指示を受けるステップと、
前記第１のアプリケーションまたはサービスに関して、前記ユーザーが選択したポリシーおよび許可プロファイルを利用するステップと、
を含む、１つ以上のコンピューター読み取り可能記憶媒体。
【請求項３】
請求項１記載の１つ以上のコンピューター読み取り可能記憶媒体において、前記ユーザーが選択したポリシーおよび許可プロファイルが、それに関連する１つ以上の設定を含み、前記方法が、更に、
前記ユーザーが選択したポリシーおよび許可プロファイルに関連する前記１つ以上の設定の内少なくとも１つに対する変更の通知を受けるステップと、
前記ユーザーに関連付けて格納された前記ユーザーが選択したポリシーおよび許可プロファイルにおける前記１つ以上の設定の内前記少なくとも１つを変更するステップと、
を含む、１つ以上のコンピューター読み取り可能記憶媒体。  
【請求項４】
請求項３記載の１つ以上のコンピューター読み取り可能記憶媒体において、前記方法が、更に、前記ユーザーが選択したポリシーおよび許可プロファイルにおける前記変更をユーザーに通知するステップを含む、１つ以上のコンピューター読み取り可能記憶媒体。
【請求項５】
請求項１記載の１つ以上のコンピューター読み取り可能記憶媒体において、前記方法が、更に、第２のアプリケーションまたはサービスに関連する複数のポリシーおよび許可プロファイルから１つを選択することをユーザーに可能にするユーザー・インターフェースを提供するステップを含む、１つ以上のコンピューター読み取り可能記憶媒体。
【請求項６】
請求項１記載の１つ以上のコンピューター読み取り可能記憶媒体において、前記方法が、更に、前記ユーザーに関連する任意のポリシーおよび許可プロファイルを前記ユーザーが見ることを可能にするユーザー・インターフェースを有効にするステップを含む、１つ以上のコンピューター読み取り可能記憶媒体。
【請求項７】
請求項１記載の１つ以上のコンピューター読み取り可能記憶媒体において、前記方法が、更に、前記ユーザーに関連する任意のポリシーおよび許可プロファイルを前記ユーザーが変更することを可能にするユーザー・インターフェースを有効にするステップを含む、１つ以上のコンピューター読み取り可能記憶媒体。
【請求項８】
少なくとも１つのプロセッサーを含む１つ以上の計算デバイスによって実行される方法であって、前記方法が、ポリシーおよび許可プロファイルを管理するためであり、前記方法が、
計算デバイスにおいてアプリケーションまたはサービスのためのポリシーおよび許可のプロファイル・テンプレートを提供するステップであって、前記ポリシーおよび許可のプロファイル・テンプレートが、前記アプリケーションまたはサービスによる個人データーへのアクセスおよびその使用に対応する設定を入力するための入力領域を有する、ステップと、
前記アプリケーションまたはサービスに対するポリシーおよび許可プロファイルを受けるステップであって、前記ポリシーおよび許可プロファイルが、
前記ポリシーおよび許可のプロファイル・テンプレートに基づき、
前記プロファイル・テンプレートを利用して著作され、
前記アプリケーションまたはサービスに関連付けて設けられたデフォルトのポリシーおよび許可プロファイルとは異なり、
前記第１のアプリケーションまたはサービスのプロバイダー以外の者である第三者ポリシーおよび許可の著者の識別とともに提示され、
ユーザー・デバイスへエクスポートされ、前記ユーザー・デバイスにおける前記アプリケーションまたはサービスと関連して使用される、
ステップと、
前記アプリケーションまたはサービスに対する前記ポリシーおよび許可プロファイルを、前記ポリシーおよび許可プロファイルの前記ソースの指示と共に公開するステップであって、前記ポリシーおよび許可プロファイルを公開することが、前記アプリケーションまたはサービスの複数のユーザーのうちの１人のユーザーによる前記ポリシーおよび許可プロファイルの選択時に、前記複数のユーザーによる使用のため前記ポリシーおよび許可プロファイルを利用可能とする、ステップと、
を含む、方法。
【請求項９】
請求項８記載の方法であって、更に、前記プロファイル・テンプレートにしたがって、前記アプリケーションまたはサービスに対する前記ポリシーおよび許可プロファイルの著作のためのユーザー・インターフェースを設けるステップを含む、方法。
【請求項１０】
請求項８記載の方法であって、更に、
前記アプリケーションまたはサービスを起動することを望むユーザーによる選択を受けるステップと、
前記アプリケーションまたはサービスと共に使用するために、前記ポリシーおよび許可プロファイルを前記ユーザーに推奨するステップと、
を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月1日(2017.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワイヤレス通信システムにおけるネットワークノード選択のための方法であって、
ホームネットワークから、ネットワークノード選択に関連したポリシーを含むメッセージを受信するステップと、
前記メッセージに基づいて前記ホームネットワークのポリシーが訪問先ネットワークのポリシーよりも優先するかどうかを決定するステップと、
前記ホームネットワークのポリシーが前記訪問先ネットワークのポリシーよりも優先することを決定することに応答して、前記ホームネットワークの前記ポリシーに基づいてネットワークノードを選択するステップと
を含み、
前記ポリシーが、モビリティまたはルーティングポリシーのうちの少なくとも1つを含み、
前記メッセージが、優先度の指示をさらに含み、決定するステップが、優先度の前記指示に基づいて前記ホームネットワークのポリシーが優先することを決定するステップを含み、
前記優先度の指示がアクセスノードリストを含み、決定するステップが、前記訪問先ネットワークを前記アクセスノードリストにおけるエントリと一致させるステップと、前記訪問先ネットワークが前記アクセスノードリストにおけるエントリと一致しない場合、前記ホームネットワークのポリシーが優先すること、および前記訪問先ネットワークが前記アクセスノードリストにおけるエントリと一致する場合、前記訪問先ネットワークのポリシーが優先することを決定するステップとを含む、
方法。
【請求項２】
前記訪問先ネットワークのポリシーが優先することを決定することに応答して、前記訪問先ネットワークのポリシーの検索を試みるステップと、
前記訪問先ネットワークのポリシーを検索できないこと、または適用可能な訪問先ネットワークポリシーを検索しないことに応答して、前記ホームネットワークの前記ポリシーに基づいてネットワークノードを選択するステップと
をさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記ポリシーが、サービスプロバイダポリシーを含み、決定するステップが、サービスプロバイダポリシーの場合、前記ホームネットワークのポリシーが優先することを決定するステップを含む、請求項1に記載の方法。
【請求項４】
前記ポリシーが、サービスプロバイダポリシーをさらに含み、前記ネットワークノードを選択するステップが、前記モビリティまたはルーティングポリシーに基づいて、アクセスネットワークノードを選択し、前記サービスプロバイダポリシーに基づいて、認証のためのサービスプロバイダを選択するステップを含む、請求項1に記載の方法。
【請求項５】
前記訪問先ネットワークから、ネットワークノード選択に関連した別のポリシーを含む別のメッセージを受信するステップと、
前記訪問先ネットワークのポリシーが前記ホームネットワークのポリシーよりも優先することを決定することに応答して、前記訪問先ネットワークの前記ポリシーに基づいてネットワークノードを選択するステップと
をさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項６】
前記訪問先ネットワークから、ネットワークノード選択に関連した別のポリシーを含む別のメッセージを受信するステップと、
前記ホームネットワークのポリシーが前記訪問先ネットワークのポリシーよりも優先することを決定することに応答して、前記訪問先ネットワークのポリシーを無視するステップと
をさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項７】
受信するステップが、前記ホームネットワークにおいてトリガに基づいて前記メッセージを受信するステップを含む、請求項1に記載の方法。
【請求項８】
受信するステップが、モバイルエンティティからの要求に応答して、前記メッセージを受信するステップを含む、請求項1に記載の方法。
【請求項９】
前記訪問先ネットワークがモバイルエンティティの登録されたネットワークである、請求項1に記載の方法。
【請求項１０】
前記ホームネットワークが、ホームパブリックランドモバイルネットワーク(H-PLMN)を含み、前記訪問先ネットワークが、訪問先PLMN(V-PLMN)を含む、請求項1に記載の方法。
【請求項１１】
ホームネットワークから、ネットワークノード選択に関連したポリシーを含むメッセージを受信するための手段と、
前記メッセージに基づいて前記ホームネットワークのポリシーが訪問先ネットワークのポリシーよりも優先するかどうかを決定するための手段と、
前記ホームネットワークのポリシーが前記訪問先ネットワークのポリシーよりも優先することを決定することに応答して、前記ホームネットワークの前記ポリシーに基づいてネットワークノードを選択するための手段と
を含む装置であって、
前記ポリシーが、モビリティまたはルーティングポリシーのうちの少なくとも1つを含み、前記装置が、少なくとも部分的に、前記ホームネットワークまたは前記訪問先ネットワークのうちの一方の優先度の、前記メッセージにおける指示に基づいて、前記ホームネットワークのポリシーが優先することを決定することによって、前記決定することを実行するための手段をさらに含み、
前記優先度の指示がアクセスノードリストを含み、前記装置が、少なくとも部分的に、前記訪問先ネットワークを前記アクセスノードリストにおけるエントリと一致させ、前記訪問先ネットワークが前記アクセスノードリストにおけるエントリと一致しない場合、前記ホームネットワークのポリシーが優先すること、および前記訪問先ネットワークが前記アクセスノードリストにおけるエントリと一致する場合、前記訪問先ネットワークのポリシーが優先することを決定することによって、前記決定することを実行するための手段をさらに含む、
装置。
【請求項１２】
前記訪問先ネットワークのポリシーが優先することを決定することに応答して、前記訪問先ネットワークのポリシーの検索を試み、
前記訪問先ネットワークのポリシーを検索できないこと、または適用可能な訪問先ネットワークポリシーを検索しないことに応答して、前記ホームネットワークの前記ポリシーに基づいてネットワークノードを選択する
ための手段をさらに含む、請求項11に記載の装置。
【請求項１３】
前記ポリシーが、サービスプロバイダポリシーをさらに含み、前記装置が、少なくとも部分的に、前記モビリティまたはルーティングポリシーに基づいて、アクセスネットワークノードを選択し、前記サービスプロバイダポリシーに基づいて、認証のためのサービスプロバイダを選択することによって、前記ネットワークノードを選択するための手段をさらに含む、請求項11に記載の装置。
【請求項１４】
コードを含む非一時的コンピュータ可読媒体であって、前記コードが、少なくとも1つのコンピュータに、請求項1乃至10の何れか1項に記載の方法を実行させる、非一時的コンピュータ可読記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月17日(2017.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面弾性波デバイス（２０、３０）の製造方法であって、
（ａ）圧電構造（２００、３００）を設ける工程と、
（ｂ）誘電体構造（２６０、３６０）を設ける工程と、
を含み、工程（ｂ）が、前記誘電体構造を金属被覆する（Ｓ２２、Ｓ３２）工程（ｂ１）
を含み、
（ｃ）前記金属被覆された誘電体構造（２３１、３３１）を前記圧電構造に結合する（Ｓ２４、Ｓ３４）工程をさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記工程（ｂ１）は、インターディジタル電極構造（６１１）を形成するように行われる請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記インターディジタル電極構造（６１１）は、１００ｎｍ未満の間隔を有し、また前記誘電体構造（２６０）は、１００Ｖより高い降伏電圧を可能にするのに適した比誘電率を示す請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記工程（ｂ１）（Ｓ２２）は金属の析出により行われ、前記工程（ｂ）は、前記金属
の析出の前に、形成温度で誘電体層（２２０）を形成する工程を含み、前記形成温度は、
前記誘電体層（２２０）または前記圧電構造（２００）のうちのいずれかに析出された金属の拡散温度より大きく、特に、前記形成温度が、３５０℃よりも大きく、好ましくは、８５０℃よりも大きく、より好ましくは、１２００℃よりも大きい請求項１乃至３のうちのいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記析出される金属は、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｗの群の中から選択される請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記誘電体構造（２６０）は、Ｓ１Ｏ2、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯＣ、ＳｉＣ、ＤＬ
Ｃ、またはアルミナの材料群の中から選択された物質から作られる誘電体層（２２０）を含む請求項１乃至５のうちのいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記誘電体構造（２６０）は、誘電体層（２２０）を含み、該誘電体層は、８００℃より高い、優先的には、１０５０℃より高い温度で形成された熱成長シリコン酸化物である請求項１乃至５のうちのいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記誘電体構造（２６０）は、高誘電率の誘電体材料から、優先的には、ケイ酸ハフニウム、ケイ酸ジルコニウム、二酸化ハフニウム、二酸化ジルコニウムから作られる誘電体層（２２０）を含む請求項１乃至５のうちのいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記工程（ｂ１）（Ｓ２２）は、
前記誘電体構造（２６０、５６０１）の表面にキャビティを局所的にエッチングする（Ｓ２１）工程と、
前記キャビティに金属を析出させる工程とを含む請求項１乃至８のうちのいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記工程（ｂ１）（Ｓ３２）は、前記キャビティに前記金属の析出を行う前に、かつ前記誘電体構造（３６０）の表面にキャビティを局所的にエッチングした（Ｓ３１）後に、不動態化層を形成する工程（Ｓ３９）をさらに含む請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記工程（ｂ１）は、前記キャビティの中に析出された前記金属と、前記誘電体構造の非エッチング部分との間で同一高さの表面をもたらす工程（ｂ２）（Ｓ４３１、Ｓ４３２）をさらに含み、前記工程（ｂ２）は、好ましくは、前記誘電体構造、または前記析出された金属のうちのいずれかの突出部分を研磨する、および／または、エッチングすることにより行われる請求項９または１０のうちのいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記工程（ｂ１）は、前記析出された金属の突出部分、または前記誘電体構造の突出部分のうちのいずれかに、同一高さになるように水平化層（４５１１、４５１２、４５１３）をもたらす工程（Ｓ４５１、Ｓ４５２、Ｓ４５３）をさらに含むことを請求項９または１０のうちのいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記誘電体構造（５６０１、５６０２）は、
ドナー基板（５５０１、５５０２）と、
前記ドナー基板上に形成された誘電体層（５２０１、５２０２）と、
を含み、
前記方法が、工程（ｂ１）を実施した後、前記誘電体層を前記圧電構造上に転写する工程（ｃ１）をさらに含む請求項１乃至１２のうちのいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
工程（ｂ）は、工程（ｃ）の前に、前記ドナー基板（５５０１、５５０２）、または前
記誘電体層（５２０２）のうちのいずれかに脆弱なゾーンを形成する工程（Ｓ５６、Ｓ５６１、Ｓ５６２、Ｓ５６３）を含み、
前記工程（ｃ１）が、工程（ｃ）の後に、前記脆弱なゾーンにおいて前記誘電体層を前記ドナー基板から分離する工程を含む請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記工程（ｃ１）は、工程（ｃ）の後に、前記ドナー基板を研磨する、および／またはエッチングすることを含む請求項１３または１４に記載の方法。
【請求項１６】
工程（ｃ）の後に、前記金属被覆された誘電体構造の少なくとも一部を開放しておく工程（Ｓ６１）をさらに含む請求項１乃至１５のうちのいずれか一項に記載の方法。
【請求項１７】
圧電構造（２００、３００、６００）と、前記圧電構造上に金属被覆部分（２１０、３１０、６１０）を有する誘電体層（２２０、３２０）とを含む表面弾性波デバイス（２０、３０、６０）において、
前記誘電体層が、前記誘電体層または前記圧電構造のうちのいずれかに対する前記金属の拡散温度より高い形成温度を有することを特徴とする表面弾性波デバイス（２０、３０、６０）。
【請求項１８】
前記誘電体層（２２０、３００）は、５０Ｖより高い、優先的には、１００Ｖより高い降伏電圧を可能にするのに適した比誘電率を示す請求項１７に記載の表面弾性波デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月9日(2017.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基地局による方法であって、前記方法は、
共通基準信号干渉消去（ＣＲＳ−ＩＣ）をトリガするための１つまたは複数の基準が満たされるかどうかを決定することと、ここにおいて、前記１つまたは複数の基準は、１つまたは複数のＵＥ固有状態に関連付けられ、
トラフィックタイプ、
接続間欠受信（ＣＤＲＸ）状態、
電力選好インジケータ（ＰＰＩ）状態、または、
ＵＥ無線周波数（ＲＦ）状態のうちの少なくとも１つを含む、
前記１つまたは複数の基準が満たされる場合、ユーザ機器（ＵＥ）におけるＣＲＳ−ＩＣをトリガすることを制御するための信号を前記ＵＥに送信することと
を備える、方法。
【請求項２】
前記送信された信号が、前記ＵＥにおけるＣＲＳ−ＩＣをトリガすることを引き起こすための情報要素（ＩＥ）である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ＩＥは、前記ＵＥにおける前記ＣＲＳ−ＩＣを随意にトリガするために、時分割制限付き測定値が無線リソース管理／無線リンク監視／チャネル状態情報（ＲＲＭ／ＲＬＭ／ＣＳＩ）のために構成されることなしに送信される、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記ＵＥがボイストラフィックまたはバックグラウンドタイプトラフィックを用いてサービスされることを前記トラフィックタイプが示す場合、前記基地局が、前記ＣＲＳ−ＩＣをトリガする前記信号を前記ＵＥに送信することを控える、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
ＣＤＲＸが前記ＵＥにおいて有効にされることを前記ＣＤＲＸ状態が示す場合、前記基地局が、前記ＣＲＳ−ＩＣをトリガする前記信号を前記ＵＥに送信することを控える、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記ＣＤＲＸ状態がＣＤＲＸ構成を示す場合、前記基地局が、前記ＣＤＲＸ構成に基づいて前記ＣＲＳ−ＩＣをトリガする前記信号を前記ＵＥに送信することを控えることを決定する、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記ＵＥが前記基地局に低電力選好をシグナリングすることを前記ＰＰＩが示す場合、前記基地局が、前記ＣＲＳ−ＩＣをトリガする前記信号を前記ＵＥに送信することを控える、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記ＲＦ状態に従って、第１の条件と第２の条件とのうちの１つが満たされる場合、前記基地局が、前記ＣＲＳ−ＩＣをトリガする前記信号を前記ＵＥに送信することを控え、ここにおいて、前記第１の条件は、サービングセルの基準信号受信電力（ＲＳＲＰ）が第１のしきい値よりも大きいことであり、前記第２の条件は、ネイバーセルのＲＳＲＰが第２のしきい値よりも小さいことである、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記ＲＦ状態に従って、サービングセルのＲＳＲＰとネイバーセルのＲＳＲＰとの間の差が第３のしきい値よりも大きい場合、前記基地局が、前記ＣＲＳ−ＩＣをトリガする前記信号を前記ＵＥに送信することを控える、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記ＲＦ状態に従って、第３の条件と第４の条件とのうちの１つが満たされる場合、前記基地局が、前記ＣＲＳ−ＩＣをトリガする前記信号を前記ＵＥに送信することを控え、ここにおいて、前記第３の条件は、総干渉ごとのサービングセルからの受信エネルギーが第４のしきい値よりも大きいことであり、前記第４の条件は、背景雑音パワースペクトル密度ごとの前記サービングセルからの前記受信エネルギーが第５のしきい値よりも小さいことである、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記ＲＦ状態に従って、第５の条件と第６の条件とのうちの１つが満たされる場合、前記基地局が、前記ＣＲＳ−ＩＣをトリガする前記信号を前記ＵＥに送信することを控え、ここにおいて、前記第５の条件は、総干渉ごとのネイバーセルからの受信エネルギーが第６のしきい値よりも大きいことであり、前記第６の条件は、背景雑音パワースペクトル密度ごとの前記ネイバーセルからの前記受信エネルギーが第７のしきい値よりも小さいことである、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記１つまたは複数の基準が、前記ＵＥにおいて前にトリガされた前記ＣＲＳ−ＩＣを非アクティブにするために満たされる場合、前記基地局が、前記ＣＲＳ−ＩＣを非アクティブにするために前記信号を前記ＵＥに送信する、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記１つまたは複数の基準が、前記ＵＥから受信されたＵＥ選好を含み、前記選好が前記ＣＲＳ−ＩＣに関し、前記１つまたは複数の基準が満たされる場合、前記信号が、前記ＣＲＳ−ＩＣを非アクティブにするために前記ＵＥに送信され、ここにおいて、前記ＵＥ選好が前記ＵＥの電力消費レベルに関連付けられる、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記基地局から前記共通基準信号干渉消去（ＣＲＳ−ＩＣ）信号を、前記ＵＥによって、受信することをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
基地局である装置であって、
共通基準信号干渉消去（ＣＲＳ−ＩＣ）をトリガするための１つまたは複数の基準が満たされるかどうかを決定するための手段と、ここにおいて、前記１つまたは複数の基準は、１つまたは複数のＵＥ固有状態に関連付けられ、
トラフィックタイプ、
接続間欠受信（ＣＤＲＸ）状態、
電力選好インジケータ（ＰＰＩ）状態、または、
ＵＥ無線周波数（ＲＦ）状態のうちの少なくとも１つを含む、
前記１つまたは複数の基準が満たされる場合、ユーザ機器（ＵＥ）における前記ＣＲＳ−ＩＣをトリガすることを制御するための信号を前記ＵＥに送信するための手段と
を備える、装置。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年11月16日(2016.11.16)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ドメインネームシステム・サービスディスカバリ（ＤＮＳ−ＳＤ）を利用したコンピュータネットワーク内のサービスディスカバリ方法であって、
前記コンピュータネットワークは、構成要素として少なくとも、１つのクライアントと１つのサーバを含み、前記構成要素は、ブリッジを介してリンク可能であり、かつネットワークプロトコルによって通信可能であり、
前記クライアントおよび前記サーバは、前記コンピュータネットワークにおいて相互間でコネクション型通信経路を有しており、
コネクション消失が発生した場合、該コネクション消失により影響を受けた前記構成要素のうち１つの構成要素が、前記クライアントへのコネクションが復旧するまで、ドメインネームシステム・サービスディスカバリを利用して定期的に自身を告知する
ことを特徴とする、サービスディスカバリ方法。
【請求項２】
マルチキャストＤＮＳを利用し、前記サーバが前記コネクション消失を検出した場合に、前記サーバが定期的に自身を告知する、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
マルチキャストＤＮＳを利用し、前記クライアントが前記コネクション消失を検出した場合に、前記クライアントは、コネクションが消失した相手先である構成要素を該クライアントのＤＮＳ−ＳＤキャッシュから削除する、
請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記コンピュータネットワークは、構成要素としてＤＮＳストレージサーバを含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項５】
ユニキャストＤＮＳおよび前記ＤＮＳストレージサーバを利用し、前記サーバが前記クライアントへのコネクション消失を検出した場合に、前記サーバは自身の告知を定期的に取り消し、該取り消しは、前記ＤＮＳストレージサーバが該取り消しを受領確認するまで行う、
請求項４に記載の方法。
【請求項６】
ユニキャストＤＮＳおよび前記ＤＮＳストレージサーバを利用し、前記サーバはＤＮＳストレージサーバに自身を告知し、該告知は、前記ＤＮＳストレージサーバが該告知を受領確認するまで行う、
請求項４または５に記載の方法。
【請求項７】
ユニキャストＤＮＳおよび前記ＤＮＳストレージサーバを利用し、前記クライアントは、前記ＤＮＳストレージサーバにメッセージを送信し、該メッセージに対し前記ＤＮＳストレージサーバが応答することにより、前記ＤＮＳストレージサーバの存在を監視する、
請求項４から６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
ユニキャストＤＮＳおよび前記ＤＮＳストレージサーバを利用し、前記クライアントが、前記ＤＮＳストレージサーバの応答を短期間受け取らなかった場合、該クライアントは、前記ＤＮＳストレージサーバへメッセージを送信し続け、該クライアントは、前記ＤＮＳストレージサーバから応答を受信したときに、該クライアントのＤＮＳ−ＳＤキャッシュを更新する、
請求項４から７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
ドメインネームシステム・サービスディスカバリを利用したコンピュータネットワーク内のサービスディスカバリのための、請求項１から８に記載の方法に適合されたコンピュータネットワークであって、
構成要素として少なくとも、１つのクライアントと１つのサーバが設けられており、前記構成要素は、ブリッジを介してリンク可能であり、かつネットワークプロトコルによって通信可能であり、
前記クライアントおよび前記サーバは、前記コンピュータネットワークにおいて相互間でコネクション型通信経路を有しており、
コネクション消失が発生した場合、該コネクション消失により影響を受けた前記構成要素のうち１つの構成要素が、前記クライアントへのコネクションが復旧するまで、ドメインネームシステム・サービスディスカバリを利用して定期的に自身を告知する
ことを特徴とする、コンピュータネットワーク。
【請求項１０】
前記コンピュータネットワークはＤＮＳストレージサーバを含む、
請求項９に記載のコンピュータネットワーク。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月16日(2017.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビデオ復号の方法であって、
シンタクス要素を得るステップを含み；
前記シンタクス要素は、レイヤ識別子がレイヤ識別子シンタクス要素値と等しい非イントラランダムアクセスポイント（ＩＲＡＰ）ピクチャがレイヤ間予測のための参照ピクチャとして使用されるか否かを示し、
レイヤ間参照ピクチャセットのピクチャを「長期参照に使用される」ものとしてマーキングするか否かを判断するステップを含み；
前記シンタクス要素が時間識別子の値よりも大きい場合に、前記レイヤ間参照ピクチャセットの前記ピクチャが「長期参照に使用される」ものとしてマーキングされ、
前記シンタクス要素が前記時間識別子の前記値よりも大きくない場合に、前記レイヤ間参照ピクチャセットの前記ピクチャが「長期参照に使用される」ものとしてマーキングされない、方法。
【請求項２】
ビデオ復号のために構成された電子デバイスであって、
プロセッサと、
前記プロセッサと電子通信するメモリと、を備え、
前記メモリにストアされている命令は、シンタクス要素を得るように実行可能であり、
前記シンタクス要素は、レイヤ識別子がレイヤ識別子シンタクス要素値と等しい非イントラランダムアクセスポイント（ＩＲＡＰ）ピクチャがレイヤ間予測のための参照ピクチャとして使用されるか否かを示し、
前記命令は、レイヤ間参照ピクチャセットのピクチャを「長期参照に使用される」ものとしてマーキングするか否かを判断するように実行可能であり、
前記シンタクス要素が時間識別子の値よりも大きい場合に、前記レイヤ間参照ピクチャセットの前記ピクチャが「長期参照に使用される」ものとしてマーキングされ、
前記シンタクス要素が前記時間識別子の前記値よりも大きくない場合に、前記レイヤ間参照ピクチャセットの前記ピクチャが「長期参照に使用される」ものとしてマーキングされない、電子デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月9日(2017.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビデオビットストリームを復号するための方法であって、前記方法は、
（ａ）ビデオシーケンスを表現する、ベースレイヤ・ビットストリームおよび１以上のエンハンスメントレイヤ・ビットストリームを受信するステップと、
（ｂ）前記ベースレイヤ・ビットストリームおよび前記１以上のエンハンスメントレイヤ・ビットストリームそれぞれを復号するステップであって、アクセスユニットにおける前記ベースレイヤ・ビットストリームのピクチャが、イントラ・ランダムアクセス・ポイント（ＩＲＡＰ）ピクチャの場合、同じアクセスユニットにおける、前記１以上のエンハンスメントレイヤ・ビットストリームそれぞれのピクチャがＩＲＡＰピクチャであり、前記ベースレイヤ・ビットストリームは、前記１以上のエンハンスメントレイヤ・ビットストリームそれぞれの直接参照レイヤとしてのビデオパラメータセット（ＶＰＳ）拡張に含まれる１以上のフラグで示されるレイヤである、ステップとを含み、
１以上の前記エンハンスメントレイヤ・ビットストリームそれぞれの前記直接参照レイヤは、１以上の前記エンハンスメントレイヤ・ビットストリームが直接従属するレイヤである、方法。
【請求項２】
ビデオビットストリームを復号するデコーダであって、
ベースレイヤ・ビットストリーム、およびビデオシーケンスを表現する１以上のエンハンスメントレイヤ・ビットストリームを受信する受信部と、
前記ベースレイヤ・ビットストリームおよび前記１以上のエンハンスメントレイヤ・ビットストリームそれぞれを復号する復号部であって、アクセスユニットにおける前記ベースレイヤ・ビットストリームのピクチャが、イントラ・ランダムアクセス・ポイント（ＩＲＡＰ）ピクチャの場合、同じアクセスユニットにおける、前記１以上のエンハンスメントレイヤ・ビットストリームそれぞれのピクチャがＩＲＡＰピクチャであり、前記ベースレイヤ・ビットストリームは、前記１以上のエンハンスメントレイヤ・ビットストリームそれぞれの直接参照レイヤとしてのビデオパラメータセット（ＶＰＳ）拡張に含まれる１以上のフラグで示されるレイヤである、復号部とを備え、
１以上の前記エンハンスメントレイヤ・ビットストリームそれぞれの前記直接参照レイヤは、１以上の前記エンハンスメントレイヤ・ビットストリームが直接従属するレイヤである、デコーダ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ビデオビットストリームを復号するための方法、およびデコーダ
【手続補正書】
【提出日】平成29年4月14日(2017.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発電のための太陽光発電モジュール積層体であって、
モジュール積層体内に埋め込まれ、モジュール積層体内に電気相互接続された太陽電池の少なくとも１つのストリングを形成するように配置された複数の太陽電池と、
モジュール積層体内に埋め込まれ、前記複数の太陽電池に電気相互接続されてそれによって給電される複数の電力オプティマイザーであって、該分散型電力オプティマイザーの各々が、極大電力点追跡（ＭＰＰＴ）を持たない通過モード又は極大電力点追跡（ＭＰＰＴ）を有する切り換えモードのいずれかで作動することができる前記複数の電力オプティマイザーと、
各電力オプティマイザーに関連付けられ、かつそれと協働する分散型遮光管理のための少なくとも１つのバイパススイッチと、
を含むことを特徴とする太陽光発電モジュール積層体。
【請求項２】
前記複数の電力オプティマイザーは、極大電力点追跡（ＭＰＰＴ）を有する前記切り換えモードでの作動のための最大電力点追跡（ＭＰＰＴ）電力オプティマイザー回路を含むことを特徴とする請求項１に記載の太陽光発電モジュール積層体。
【請求項３】
前記複数の電力オプティマイザーは、極大電力点追跡（ＭＰＰＴ）を有する前記切り換えモードでの作動のための最大電力点追跡（ＭＰＰＴ）ＤＣ／ＤＣコンバータ回路を含むことを特徴とする請求項１に記載の太陽光発電モジュール積層体。
【請求項４】
前記複数の電力オプティマイザーは、極大電力点追跡（ＭＰＰＴ）を有する前記切り換えモードでの作動のための最大電力点追跡（ＭＰＰＴ）ＤＣ／ＤＣバックコンバータ回路を含むことを特徴とする請求項１に記載の太陽光発電モジュール積層体。
【請求項５】
前記複数の電力オプティマイザーは、極大電力点追跡（ＭＰＰＴ）を有する前記切り換えモードでの作動のための最大電力点追跡（ＭＰＰＴ）ＤＣ／ＤＣバック−ブーストコンバータ回路を含むことを特徴とする請求項１に記載の太陽光発電モジュール積層体。
【請求項６】
分散型遮光管理のための前記少なくとも１つのバイパススイッチは、個別のショットキー障壁整流器（ＳＢＲ）であることを特徴とする請求項１に記載の太陽光発電モジュール積層体。
【請求項７】
分散型遮光管理のための前記少なくとも１つのバイパススイッチは、個別のｐｎ接合ダイオードであることを特徴とする請求項１に記載の太陽光発電モジュール積層体。
【請求項８】
分散型遮光管理のための前記少なくとも１つのバイパススイッチは、個別のトランジスタスイッチであることを特徴とする請求項１に記載の太陽光発電モジュール積層体。
【請求項９】
前記複数の太陽電池は、モノリシックにアイル分離された太陽電池（ｉセル）であり、該太陽電池の各々が、増大した電圧と低減した電流との組合せを該太陽電池の電力に備えるために互いに電気相互接続された複数のサブセルを含むことを特徴とする請求項１に記載の太陽光発電モジュール積層体。
【請求項１０】
分散型遮光管理のための前記少なくとも１つのバイパススイッチは、前記各電力オプティマイザーの出力段に関連付けられ、かつそれに接続されることを特徴とする請求項１に記載の太陽光発電モジュール積層体。
【請求項１１】
分散型遮光管理のための前記少なくとも１つのバイパススイッチは、前記各電力オプティマイザーの入力段に関連付けられ、かつそれに接続されることを特徴とする請求項１に記載の太陽光発電モジュール積層体。
【請求項１２】
前記複数の太陽電池の各々が、該複数の太陽電池の各々と共に製造されてそれに電気的に接続された複数のモノリシックに集積されたバイパススイッチを更に含むことを特徴とする請求項９に記載の太陽光発電モジュール積層体。
【請求項１３】
前記最大電力点追跡（ＭＰＰＴ）ＤＣ／ＤＣバックコンバータ回路の各々が、その出力段でのエネルギ貯蔵とスイッチングリップルのフィルタリングとのためのインダクタとコンデンサとの組合せを含むことを特徴とする請求項５に記載の太陽光発電モジュール積層体。
【請求項１４】
複数の前記最大電力点追跡（ＭＰＰＴ）ＤＣ／ＤＣバックコンバータ回路は、電気的に直列に接続されて電力オプティマイザーの直列接続ストリングを形成し、該電力オプティマイザーの直列接続ストリングの出力段でのエネルギ貯蔵とスイッチングリップルのフィルタリングとのためのインダクタとコンデンサとの組合せを共有することを特徴とする請求項５に記載の太陽光発電モジュール積層体。
【請求項１５】
前記太陽電池は、バックプレーン取付裏面接点型太陽電池であることを特徴とする請求項１に記載の太陽光発電モジュール積層体。
【請求項１６】
モジュール積層体内に埋め込まれ、前記電気的に接続された太陽電池の少なくとも１つのストリングに電気的に接続されてそれによって給電され、遠隔制御式モジュール電力送出ゲートスイッチとして機能する少なくとも１つの遠隔アクセスモジュールスイッチ（ＲＡＭＳ）電力電子回路を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の太陽光発電モジュール積層体。
【請求項１７】
前記複数の太陽電池の各々が、それに取り付けられた専用電力オプティマイザーを有することを特徴とする請求項１に記載の太陽光発電モジュール積層体。
【請求項１８】
電力オプティマイザーが、並列接続の複数の太陽電池に取り付けられることを特徴とする請求項１に記載の太陽光発電モジュール積層体。
【請求項１９】
極大電力点追跡（ＭＰＰＴ）を有する前記切り換えモードでの作動が、前記太陽電池の開回路電圧の測定に基づく比例アルゴリズムを含むことを特徴とする請求項１に記載の太陽光発電モジュール積層体。
【請求項２０】
極大電力点追跡（ＭＰＰＴ）を有する前記切り換えモードでの作動が、前記太陽電池の短絡回路電流の測定に基づく比例アルゴリズムを含むことを特徴とする請求項１に記載の太陽光発電モジュール積層体。
【請求項２１】
複数の電力オプティマイザーの各々が、インダクタを持たないＤＣ／ＤＣバックコンバータを含むことを特徴とする請求項１に記載の太陽光発電モジュール積層体。
【請求項２２】
前記切り換えモードは、約３００ＫＨｚから１０ＭＨｚの範囲で選択された固定切り換え周波数で作動することを特徴とする請求項１に記載の太陽光発電モジュール積層体。
【請求項２３】
太陽光発電システムであって、
発電のための複数の電気相互接続されたモジュール積層体であって、該モジュール積層体の各々が、
前記モジュール積層体内に埋め込まれ、該モジュール積層体内に電気相互接続された太陽電池の少なくとも１つのストリングを形成するように配置された複数の太陽電池、
前記モジュール積層体内に埋め込まれ、前記複数の太陽電池に電気相互接続されてそれによって給電される複数の電力オプティマイザーであって、該分散型電力オプティマイザーの各々が、極大電力点追跡（ＭＰＰＴ）を持たない通過モード又は極大電力点追跡（ＭＰＰＴ）を有する切り換えモードのいずれかで作動することができる前記複数の電力オプティマイザー、
を含む前記複数の電気相互接続されたモジュール積層体と、
前記複数の電気相互接続されたモジュール積層体に接続され、かつそこから電力を受ける最大電力点追跡（ＭＰＰＴ）を有する電力変換ユニットと、
を含むことを特徴とするシステム。