(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）内部に排ガス分解処理室が形成された排ガス処理塔本体と、
（ｂ）排ガス処理塔本体の底部に装着された本体底部と、
（ｃ）本体底部に挿通され且つ排ガス処理塔本体内に立設され、その先端から排ガスを排ガス分解処理室内に放出するガス供給パイプと、
（ｄ）本体底部内にその給電部が配設され且つ本体底部から立設された電熱ヒータとで構成された事を特徴とする排ガス処理装置の排ガス処理塔。
【請求項２】
（ａ）内部に排ガス分解処理室が形成され、排ガス分解処理室の底部に冷却部が形成されている排ガス処理塔本体と、
（ｂ）排ガス処理塔本体の底部に装着され、冷却部にて冷却される本体底部と、
（ｃ）本体底部に挿通され且つ排ガス処理塔本体内に立設され、その先端から排ガスを排ガス分解処理室内に放出するガス供給パイプと、
（ｄ）本体底部内にその給電部が配設され且つ本体底部から立設された電熱ヒータとで構成された事を特徴とする排ガス処理装置の排ガス処理塔。
【請求項３】
冷却部は、
（ａ）排ガス分解処理室の底部側面を構成し、本体底部に至る冷却壁と、
（ｂ）排ガス処理塔本体の外周部分に、排ガス処理塔本体を取り巻くように形成された冷却流体回流部と、
（ｃ）冷却流体回流部内に配設され、排ガス処理塔本体の周方向に冷却流体を噴出する噴出管と、
（ｄ）冷却壁の内周面に沿って冷却流体回流部に形成された冷却流体噴出用のスリットとで構成された事を特徴とする請求項２に記載の排ガス処理装置の排ガス処理塔。
【請求項４】
冷却部（１２）は、
（ａ）排ガス分解処理室の底部側面を構成し、本体底部に至る冷却壁と、
（ｂ）冷却壁に沿って配設され、冷却壁の周方向に沿って冷却流体を噴出する噴出管とで構成された事を特徴とする請求項２に記載の排ガス処理装置の排ガス処理塔。
【請求項５】
排ガス分解処理室を構成する内壁から冷却壁の内側にて冷却壁の上部内周を覆う遮蔽壁が垂設されている事を特徴とする請求項２〜４に記載の排ガス処理装置の排ガス処理塔。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の排ガス処理装置の排ガス処理塔に使用される電熱ヒータであって、
両端に給電部が設けられ、給電部間に発熱部が設けられている複数の電熱ヒータ棒と、相隣接する一方の給電部間に架設され、給電部と同じ材料で形成された架設通電体とで構成された電熱ヒータに於いて、
架設通電体に穿設された嵌合孔と電熱ヒータ棒の給電部とがスキマ嵌めにて嵌合されており、
嵌合孔と給電部との間の間隙を給電部と同じ材料で形成された無機接着材を充填して接着している事を特徴とする電熱ヒータ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体，液晶等の電子回路素子の製造中、特にクリーニング，エッチング工程において派生する排ガスの処理装置に使用される排ガス処理塔と該処理塔に使用される電熱ヒータに関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体製造プロセスにおいて、ＣＶＤのような半導体製造設備のオペレーションは、一般的に次のようにして行われる。ＳｉＨ４（人体に有毒・爆発性危険ガス）のようなデポジットガスによるデポジション→→窒素によるＣＶＤチャンバの残留ＳｉＨ４ガスのパージ→→Ｃ２Ｆ６（温室効果を有するが無害）のようなクリーニングガスによるＣＶＤチャンバ内の清掃→→窒素によるＣＶＤチャンバのクリーニングガスのパージ→→以下、繰り返し。
【０００３】
前述のようにＣＶＤチャンバのクリーニングに使用されるガスの一群にＰＦＣがある。これはパーフルオロカーボン（Ｐｅｒｆｌｕｏｒｏｃａｒｂｏｎ）の略称であり、ＣＦ４，ＣＨＦ３，前述のＣ２Ｆ６がその代表的化合物である。Ｃａｒｂｏｎの代わりにＣｏｍｐｏｕｎｄを使用した場合には更に、ＮＦ３，ＳＦ６，ＳＦ４のようなＣを含まないフッ素化合物が対象として加わってくる。
【０００４】
ＣＦ４，Ｃ２Ｆ６を代表とするＰＦＣは不燃性であり、又ガス自体の人体への毒性は不明であり、少なくとも急性，亜急性の毒性は知られていない。しかしながら、化合物そのものが安定であるため、大気中に放出された場合、長期わたって変化せず滞留することになる。大気中における消費までのライフはＣＦ４で５０，０００年、Ｃ２Ｆ６で１０，０００年といわれており、又、地球温暖化係数（ＣＯ２を１としての比較値）はＣＦ４で４，４００、Ｃ２Ｆ６で６，２００（２０年経過時点）であり、地球環境上放置できない問題を孕んでおり、ＣＦ４，Ｃ２Ｆ６を代表とするＰＦＣを除害する手段の確立が望まれている。
【０００５】
しかしながら、前者ＰＦＣ、すなわちＣＦ４，ＣＨＦ３，Ｃ２Ｆ６を代表とした化合物はＣ−Ｆ結合が安定であるため（結合エネルギーが１３０ｋｃａｌ／ｍｏｌと大きく）、分解が容易でなく、単純な加熱酸化分解での除害は極めて難しい。
【０００６】
例えば単純な加熱酸化分解ではＣ２Ｆ６の場合はＣ−Ｃ結合枝の切断で分解が進むため、処理温度１０００℃において処理風量を２５０リットル／ｍｉｎ以下に制限して除害が可能であるが、ＣＦ４は最も結合エネルギーの大きなＣ−Ｆを切断せねばならず、上記風量においても１４００〜１５００℃を必要とする。
【０００７】
図９は従来のパーフルオロカーボン或いはパーフルオロコンパウンドを含む半導体排ガス分解処理装置（１００）で、排ガス分解反応室（１０７）を有する排ガス分解反応塔（１０１）、前部スクラバ（１０９）、後部スクラバ（１１０）及び排気ファン（１１１）とで構成されている。この装置（１００）はクリーンルームで使用されるため非常にコンパクトにまとめられている。本装置（１００）のガス分解反応には電熱ヒータ（１０２）を使用しているが、前述のように半導体排ガス（ｆ）の熱分解には１４００〜１５００℃もの高温を必要とする。
【０００８】
電熱ヒータ（１０２）を１４００〜１５００℃もの高温で使用すると電熱ヒータ（１０２）の発熱体材料の物理的性質からも限界に近く且つ給電部（１０５）及び周囲の絶縁部材（１０６）の絶縁破壊を生じるような温度であるためこのような高温での長時間の使用は不可能に近い。
【０００９】
図９に示す従来装置（１００）では、電熱ヒータ（１０２）を排ガス分解反応室（１０７）の天井（１０４）から垂設して使用していた。熱は排ガス分解反応室（１０７）の天井（１０４）に向かって上昇し、電熱ヒータ（１０２）の給電部（１０５）が収納されている天井（１０４）部分が最も高温となる。その結果、絶縁性が要求される電熱ヒータ（１０２）の給電部（１０５）は勿論、これを取り巻く絶縁部材（１０６）の絶縁性が大幅に低下し給電部（１０５）で短絡が発生する。また、電熱ヒータ（１０２）を排ガス分解反応室（１０７）の天井（１０４）から垂設して高温で使用し続ける電熱ヒータ（１０２）が例えばクリープのような現象で次第に伸び、遂には断線してしまうというような問題もあった。また、前述のように本装置（１００）そのものはコンパクトにまとめられているため、排ガス分解反応室（１０７）の容積もさほど大きくはない。一方、電熱ヒータ（１０２）そのものは規格品であり、排ガス分解反応室（１０７）に適合するようなものは殆どなく、電熱ヒータ（１０２）そのものの形状が本装置（１００）の設計のネックにもなっていた。換言すれば、装置メーカ側で装置に合わせた電熱ヒータ（１０２）の製作を容易に行えるようにする事が装置メーカ側の要望であった。
【００１０】
これに加えて次のような問題もある。即ち、電熱ヒータ（１０２）を排ガス分解反応室（１０７）の天井（１０４）から垂設して使用すると、最も高温となる電熱ヒータ（１０２）の先端部分が最下部に位置し、この熱が前述のように天井方向に登って行き、天井（１０４）付近で高温雰囲気を形成することになる。一方、排ガス（ｆ）は排ガス分解反応室（１０７）の底部から内部に導入される。この排ガス（ｆ）は、前工程で前部スクラバ（１０９）で洗浄されているため水分を含む低温ガスである。
【００１１】
この低温排ガス（ｆ）が排ガス分解反応室（１０７）において最初に最高温に達している電熱ヒータ（１０２）の先端部分に接触しそのまま上昇通過するので、この部分で熱分解させようとすると低温排ガス（ｆ）を分解温度迄瞬時に上昇させる必要があり、電熱ヒータ（１０２）の先端部分の温度を必要以上に高い温度にしなければ所定の分解反応を起こさせる事が出来ないし、天井（１０４）付近の高温雰囲気で熱分解する場合でも天井（１０４）付近の高温雰囲気を１４００〜１５００℃にするには電熱ヒータ（１０２）の先端部分の温度をそれ以上にする必要があり、電熱ヒータ（１０２）に過重な負担を強いていた。
【００１２】
このように、低温排ガス（ｆ）を熱分解するには電熱ヒータ（１０２）には必要以上の負荷を加わえなければならず、電熱ヒータ（１０２）の寿命も著しく短くなりしかも熱エネルギーコストが増大するという問題があった。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、高温で半導体排ガスの熱分解反応を行うに当たり、排ガス分解処理室で使用される電熱ヒータの給電部の絶縁性を確保出来且つ電熱ヒータの通電時の負荷を出来る限り軽減出来、しかも熱ロスを最小限にする事が出来るような排ガス処理装置の排ガス処理塔並びにそのような過酷な条件下で使用可能でしかも使いやすい電熱ヒータが求められている。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
「請求項１」は、排ガス処理装置（Ａ）の排ガス処理塔（１）の一例「図１参照」で、
（ａ）内部に排ガス分解処理室（１ａ）が形成された排ガス処理塔本体（３）と、
（ｂ）排ガス処理塔本体（３）の底部に装着された本体底部（４）と、
（ｃ）本体底部（４）に挿通され且つ排ガス処理塔本体（３）内に立設され、その先端から排ガス（Ｆ）を排ガス分解処理室（１ａ）内に放出するガス供給パイプ（６）と、
（ｄ）本体底部（４）内にその給電部（８ｂ）が配設され且つ本体底部（４）から立設された電熱ヒータ（７）とで構成された事を特徴とする。
【００１５】
以上の半導体排ガス処理装置（Ａ１）によれば、排ガス分解処理室（１ａ）内に配設された電熱ヒータ（７）の給電部（８ｂ）は、最も温度の低い排ガス処理塔本体（３）の底部に装着された本体底部（４）に配設されているので、排ガス処理塔本体（３）内の上部（＝天井部分）が高温になっても本体底部（４）は比較的低温に保たれ、しかも本体底部（４）には低温の排ガス（Ｆ）が通過するガス供給パイプ（６）が挿通されているので、本体底部（４）はガス供給パイプ（６）を通流する排ガス（Ｆ）によって熱が奪われて温度が下げられ、給電部（８ｂ）やこれを取り巻く絶縁部材（９）の絶縁性にダメージを与えない。逆に排ガス側は予熱されることになり電熱ヒータ（７）による熱分解がより促進されることになる。
【００１６】
加えて前記において電熱ヒータ（７）は本体底部（４）から立設されているので、最高温となる電熱ヒータ（７）の先端部分が最上部に位置する事になり、導入された排ガス（Ｆ）はガス供給パイプ（６）内を低温部から高温部へとその温度を上昇させつつ予熱されて上昇していくことになり、いきなり低温の排ガス（Ｆ）を電熱ヒータ（７）の高温部に接触させるような従来例と異なり、電熱ヒータ（７）の負荷を過度に高くする必要がない。従って、電熱ヒータ（７）の寿命を大幅に延ばす事が出来る。
【００１７】
「請求項２」は、排ガス処理装置（Ａ）の排ガス処理塔（１）の他の例「図２参照」で、
（ａ）内部に排ガス分解処理室（１ａ）が形成され、排ガス分解処理室（１ａ）の底部に冷却部（１２）が形成されている排ガス処理塔本体（３）と、
（ｂ）排ガス処理塔本体（３）の底部に装着され、冷却部（１２）にて冷却される本体底部（４）と、
（ｃ）本体底部（４）に挿通され且つ排ガス処理塔本体（３）内に立設され、その先端から排ガス（Ｆ）を排ガス分解処理室（１ａ）内に放出するガス供給パイプ（６）と、
（ｄ）本体底部（４）内にその給電部（８ｂ）が配設され且つ本体底部（４）から立設された電熱ヒータ（７）とで構成された事を特徴とする。
【００１８】
この場合は、請求項１で述べた作用に加えて冷却部（１２）による本体底部（４）のより効果的な冷却効果が加わり、給電部（８ｂ）とその周囲部分の絶縁破壊を効果的に防止できる。なお、前記冷却部（１２）は本体底部（４）内又は外に配設された冷媒流通管（図示せず）のようなものでもよいし、排ガス処理塔本体（３）の底部外周に形成した間接冷却ジャケット（図示せず）のようなものでもよいし、次に述べる直接冷却ジャケットのようなものでもよい。なお、使用される冷却流体（２０）は水を始めとする各種冷媒液である。
【００１９】
「請求項３」は冷却部（１２）の具体的構成例で、
冷却部（１２）は、
（ａ）排ガス分解処理室（１ａ）の底部側面を構成し、本体底部（４）に至る冷却壁（１３）と、
（ｂ）排ガス処理塔本体（３）の外周部分に、排ガス処理塔本体（３）を取り巻くように形成された冷却流体回流部（１４）と、
（ｃ）冷却流体回流部（１４）内に配設され、排ガス処理塔本体（３）の周方向に冷却流体（２０）を噴出する噴出管（１７）と、
（ｄ）冷却壁（１３）の内周面に沿って冷却流体回流部（１４）に形成された冷却流体噴出用のスリット（１８）とで構成された事を特徴とする。
【００２０】
「請求項４」は冷却部（１２）の他の具体的構成例で、
冷却部（１２）は、
（ａ）排ガス分解処理室（１ａ）の底部側面を構成し、本体底部（４）に至る冷却壁（１３）と、
（ｂ）冷却壁（１３）に沿って配設され、冷却壁（１３）  の周方向に沿って冷却流体（２０）を噴出する噴出管（１７）とで構成された事を特徴とする。
【００２１】
直接冷却ジャケット式の冷却部（１２）は、間接水冷ジャケットや冷媒流通管と異なり、冷却部（１２）の内周面に沿って形成されたスリット（１８）から噴出された冷却流体（２０）は冷却壁（１３）の内周面に沿って直接露出し且つ飛沫を発生させることなく螺旋状に冷却層（２２）を形成して流れ落ちるので、それだけ冷却効果が高くなり、給電部（８ｂ）の絶縁性保護に大きな力を発揮する事になる。
【００２２】
「請求項５」は請求項２〜４に記載の排ガス処理装置（Ａ）の排ガス処理塔（１）の冷却部（１２）の改良に関し、「排ガス分解処理室（１ａ）を構成する内壁（３ａ）から冷却壁（１３）の内側にて冷却壁（１３）の上部内周を覆う遮蔽壁（１９）が垂設されている」事を特徴とする。
【００２３】
このように遮蔽壁（１９）を垂設する事で、冷却壁（１３）の内周斜面を螺旋を描いて流れ落ちる冷却流体（２０）が熱せられて蒸発しても、その蒸気はにて遮蔽され、排ガス分解処理室（１ａ）に流入し難くなり、冷却流体（２０）の蒸気による熱分解反応が阻害されるような事がない。なお、排ガス分解処理室（１ａ）内のガスは底部に設けられたガス排出部（５）によって排ガス分解処理室（１ａ）から排出されているので、排ガス分解処理室（１ａ）内は常時ダウンフローの流れが存在し、冷却部（１２）の冷却流体（２０）の蒸気が上昇して排ガス分解処理室（１ａ）内に入り込む危険性は少ないのであるが、遮蔽壁（１９）の存在により、よりそのような危険性がなくなるものである。
【００２４】
「請求項６」に記載の電熱ヒータ（７）は排ガス分解処理室（１ａ）のような高温、腐食性或いは／及び爆発性雰囲気内での使用に特に適したもので、「請求項１〜５のいずれかに記載の排ガス処理装置（Ａ）の排ガス処理塔（１）に使用される電熱ヒータ（７）であって、
両端に給電部（８ａ）（８ｂ）が設けられ、給電部（８ａ）（８ｂ）間に発熱部（７ａ）が設けられている複数の電熱ヒータ棒（７１）（７２）…と、相隣接する給電部（８ａ）（８ａ）…間に架設され、給電部（８ａ）（８ｂ）と同じ材料で形成された架設通電体（８ｃ）とで構成された電熱ヒータ（７）に於いて、
架設通電体（８ｃ）に穿設された嵌合孔（８ｄ）（８ｄ）と電熱ヒータ棒（７１）（７２）…の給電部（８ａ）（８ａ）とがスキマ嵌めにて嵌合されており、
嵌合孔（８ｄ）（８ｄ）…と給電部（８ａ）（８ａ）との間の間隙を給電部（８ａ）（８ｂ）と同じ材料で形成された無機接着材（８ｅ）を充填して接着している」事を特徴とする。
【００２５】
これによれば、複数の電熱ヒータ棒（７１）（７２）…を架設通電体（８ｃ）に穿設した嵌合孔（８ｄ）（８ｄ）…を利用して接続することが出来るので、排ガス分解処理室（１ａ）に合わせて任意の寸法に加工することが出来、使い勝手が非常によい。また、電熱嵌合孔（８ｄ）（８ｄ）と給電部（８ａ）（８ａ）との間の間隙を給電部（８ａ）（８ａ）と同じ材料で形成された無機接着材（８ｅ）を充填して接着しているので、スキマ嵌めにて嵌合しても両者間の間隙は無機接着材（８ｅ）にて完全に埋められて接合され、通電に支障を来たすようなことがない。なお、本電熱ヒータ（７）の用途は、腐食性或いは／及び爆発性を有する半導体排ガス（Ｆ）用に限られず、１，４００℃程度の高温を要する部分での使用に適する。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図１に示す実施例１を用いて説明する。本発明の排ガス分解処理装置（Ａ）では、図では理解をしやすくするために各ユニットをバラバラに記載しているが実際は、（ａ）ＰＦＣの熱分解、（ｂ）発生フッ素化合物の洗浄排気又は固定化除害、（ｃ）その他の可燃性成分の燃焼除害、の３要素を実行する各種構成ユニットをキャビネットに一体に収納している。
【００２７】
図１は本発明の排ガス処理装置（Ａ）の基本形式の概要を示した図であり、大略、前部スクラバ（３０）、排ガス処理塔（１）、後部スクラバ（４０）、配管系、排気ファン（５０）及び水槽（６０）で構成されている。
【００２８】
図１において前部スクラバ（３０）は、工場の半導体製造装置（図示せず）と排ガスダクト（３１）にて連結しており、半導体製造工程において使用された残留ガス及び半導体製造工程において使用され、諸々の化学反応を経た排ガスの集合した半導体製造排ガス或いはパージガスなど各種排ガス（Ｆ）がここに導入される。
【００２９】
前部スクラバ（３０）は水槽（６０）上に立設されており或いは水槽（６０）と別個に配設され両者が配管で接続され、排水が水槽（６０）に送り込まれるようになっている。前部スクラバ（３０）の概略構造を説明すると、頂部に前記排ガスダクト（３１）が接続された直管型のスクラバ本体（３０ａ）と、前記スクラバ本体（３０ａ）内部の頂部近傍に設置され、アルカリ液、酸性液或いは水などの薬液を噴霧状にして撒布するスプレーノズル（３２）とで構成されており、撒布された前記薬液は水槽（６０）に収納されるようになっている。
【００３０】
スプレーノズル（３２）と水槽（６０）との間には循環水ポンプ（３３）が設置されており、水槽（６０）内の貯留水をスプレーノズル（３２）に揚水するようになっている。また、前記循環水ポンプ（３３）には市水が供給されるようになっていて、水槽（６０）のオーバーフロー水の補給を行っている。なお、水槽（６０）は図の関係から排ガス供給側（６０ａ）と反応排ガス排出側（６０ｂ）とは分割されているが底部で繋がっている。
【００３１】
排ガス処理塔（１）は水槽（６０）又は機台（１１）上に立設されており或いは水槽（６０）と離れて別個にキャビネット（２７）から突設された軸受（２８）に、排ガス処理塔本体（３）の上部側面から突設された枢着軸（２８）が回動可能に吊り下げられるようにして設置されており、垂直状態及びキャビネット（２７）から排ガス処理塔本体（３）の下端部を引き出した水平状態で保持出来るようになっている。なお、排ガス処理塔本体（３）をキャビネット（２７）に吊り下げ保持した場合、水平状態で保持する事で、次に述べる排ガス処理塔本体（３）の底部に装着された本体底部（４）着脱が容易になる。
【００３２】
排ガス処理塔（１）の構造に付いて説明すると、排ガス処理塔本体（３）はスチール製で円筒状の外皮ジャケット（３ａ）と、耐火材で構成された内張部材（３ｂ）とで構成されており、内張部材（３ｂ）の内部に排ガス分解処理室（１ａ）が形成されている。内張部材（３ｂ）は外皮ジャケット（３ａ）の内周全面を覆っており、内張部材（３ｂ）が排気ガス（Ｆ）に直接接触するようになっている。排ガス処理塔本体（３）の底部には、絶縁部材（９）が装着された本体底部（４）が一体的に取り付けられている。図１の場合には、アンカボルトのような締結具（１０）で両者（３）（４）が機台（１１）に着脱可能に設置されており、図２の場合にはボルト・ナットのような締結具（１０ａ）で両者（３）（４）が着脱可能に固着されている。
【００３３】
絶縁部材（９）の中心には耐熱性・耐腐食性に優れた金属パイプで構成されたガス供給パイプ（６）が立設されており、その周囲を電熱ヒータ（７）が取り巻くように配設されている。ガス供給パイプ（６）は前述のように本体底部（４）の絶縁部材（９）の中央を貫通するように配設されており、前記電熱ヒータ（７）の給電部（８ｂ）はガス供給パイプ（６）を取り巻くように絶縁部材（９）内に配設されている。ガス供給パイプ（６）の高さは、前記電熱ヒータ（７）とほぼ同じかそれより高く形成されている。排ガス分解処理室（１ａ）に挿入された前記ガス供給パイプ（６）には、前部スクラバ（３０）が接続されている水槽（６０）の排ガス供給側（６０ａ）の天井部分或いは前部スクラバ（３０）の下端から導出された洗浄ガス送給配管（３４）が接続されている。排ガス処理塔本体（３）の下部にはガス排出部（５）が開設されており、分解ガス送給配管（３５）を介して次の後部スクラバ（４０）に接続されている。
【００３４】
電熱ヒータ（７）は、２又は３本の電熱ヒータ棒単体（７１）（７２）…と、電熱ヒータ棒単体（７１）（７２）…の１端を接続する架設通電体（８ｃ）とで構成されているもので、電熱ヒータ棒単体（７１）（７２）…は、主体が炭化珪素の中実或いは中空の棒状体で、両端に給電部（８ａ）（８ｂ）が設けられ、給電部（８ａ）（８ｂ）間に発熱部（７ａ）が設けられている。給電部（８ａ）（８ｂ）と同じ材料で形成された架設通電体（８ｃ）には給電部（８ａ）（８ａ）とスキマ嵌めにて嵌合される嵌合孔（８ｄ）（８ｄ）が接続される数（２又は３）だけ穿設されている。前記嵌合孔（８ｄ）（８ｄ）にスキマ嵌めにて挿入された電熱ヒータ棒単体（７１）（７２）…給電部（８ａ）（８ａ）…と嵌合孔（８ｄ）（８ｄ）との間隙には給電部（８ａ）（８ｂ）と同じ材料で形成された無機接着材（８ｅ）が充填され接着されている。図７は２本の電熱ヒータ棒単体（７１）（７２）を架設通電体（８ｃ）で接続した門型の電熱ヒータ（７）である。（８ｆ）は他方の給電部（８ｂ）（８ｂ）…に接続された接続金具である。
【００３５】
後部スクラバ（４０）は一般的な形状であり、多言を要しないが、簡単に説明すると後部スクラバ（４０）内部に洗浄層（４１）とその直上に配設されたスプレーノズル（４２）が設置されており、水槽（６０）上に立設されるか或いは水槽（６０）の反応排ガス排出側（６０ｂ）と別個に配設され両者が配管で接続されていてその排水が水槽（６０）に送り込まれるようになっている。そして後部スクラバ（４０）の出口は処理済みガス（Ｆ）を待機放出する排気ファン（５０）に接続されている。
【００３６】
次に、図１の実施例（Ａ）の作用に付いて説明する。半導体製造装置から排出された排ガス（Ｆ）は、前部スクラバ（３０）内に導入され、スプレーノズル（３２）から散布された霧状の薬液（アルカリ液、酸性液又は水）に接触し、排ガス（Ｆ）中の粉塵が散布された微細液滴に接触して捕捉され水槽（６０）に送り込まれる。これと同時に排ガス（Ｆ）中の水溶性成分も薬液中に吸収除去される。
【００３７】
前部スクラバ（３０）にて洗浄された低温湿潤排ガス（Ｆ）は、洗浄ガス送給配管（３４）を介してガス供給パイプ（６）へと送り込まれる。排ガス（Ｆ）はまず絶縁部材（９）に接触してこれを冷却し、続いてガス供給パイプ（６）を上昇し、その上昇中に周囲温度によって加熱され、十分予熱された時点でガス供給パイプ（６）の先端から排ガス分解処理室（１ａ）内に放出される。
【００３８】
ガス供給パイプ（６）の先端の周囲には電熱ヒータ（７）の最も高温に加熱されている先端部分が配置されているため、十分予熱された後、ガス供給パイプ（６）の先端から排ガス処理塔本体（３）内に放出された排ガス（Ｆ）は、前記電熱ヒータ（７）の先端部分に接触し且つ十分な高温を保っている天井付近の高温雰囲気接触して直ちに熱分解される。
【００３９】
ここで熱分解における電熱ヒータ（７）に付いて更に詳しく説明する。電熱ヒータ（７）は、排ガス処理塔本体（３）の底部に配設されている絶縁部材（９）に立設されているので、最も高温になる先端部分が最も高い位置に位置し、高温先端部分に接触した雰囲気ガスは排ガス処理塔本体（３）内の天井付近に溜まり、その部分の雰囲気温度を最も高い温度に保持する。一方、給電部（８ｂ）（８ｂ）は熱が溜まらない排ガス処理塔本体（３）の底部に位置する絶縁部材（９）内に埋設されているので温度上昇が抑制される。その結果、絶縁部材（９）の絶縁性能が保たれ、稼動中に電熱ヒータ（７）の絶縁破壊による短絡事故を確実に防止できるようになる。
【００４０】
なお、本排ガス熱分解処理反応において重要な事は、排ガス分解処理室（１ａ）では半導体製造装置の半導体プロセスで加えられ、これが未消化で残留した爆発下限界以下の微量酸素以外は積極的に酸素（又は空気）を添加せず、遊離酸素の存在しない状態で熱分解がなされるという事である。
【００４１】
このようにして熱分解された排ガス（Ｆ）は、続いて後部スクラバ（４０）に導入され、アルカリ液、酸性液或いは水のような薬液による薬液洗浄と温度低下がなされ、排気ファン（５０）によって大気放出される。
【００４２】
なお、電熱ヒータ（７）が破損したり、内張部材（３ｂ）等内部部材が損傷して排ガス処理塔（１）を分解する必要が生じた場合は、締結具（１０）（１０ａ）を外すと排ガス処理塔本体（３）から本体底部（４）が離脱し、電熱ヒータ（７）等内部部材を外部に引き出して簡単に新品と交換したり、補修をすることが出来る。
【００４３】
次に、図２に示す第２実施例について説明する。第１実施例と異なる部分は、排ガス処理塔（１）に冷却部（１２）が設けられている点であり、その他は同じであるので説明の煩雑さを避けるため相違する部分を中心に説明する。排ガス処理塔（１）の外周中段には冷却流体回流部（１４）が形成され、排ガス処理塔（１）の冷却流体回流部（１４）より下の部分は冷却壁（１３）となっている。
【００４４】
冷却流体回流部（１４）は、外皮ジャケット（３ａ）と前記外皮ジャケット（３ａ）の外側に巻設された回流壁（１５）とで構成された中空部分で、排ガス処理塔本体（３）の全周を取り巻くように構成されている。冷却流体回流部（１４）には、１乃至複数箇所にコンジット（１６）が取り付けられており、コンジット（１６）に取り付けられた噴出管（１７）が前記冷却流体回流部（１４）に挿入されている。噴出管（１７）の先端は冷却流体回流部（１４）に合わせて周方向に屈曲されており、噴出管（１７）が冷却流体回流部（１４）内にて周方向に噴出されるようになっている。また、冷却流体回流部（１４）の外皮ジャケット（３ａ）の下端と冷却壁（１３）の上端にはその全周にわたって本体底部（４）に向かって開口するようにスリット（１８）が斜め下方に穿設されている。
【００４５】
冷却壁（１３）は耐熱性・耐腐食性金属板材で構成されており、その形状は図の実施例では下窄まりの円錐台状である。勿論、円筒状でもよいが後述するように冷却流体（２０）がスムーズに流下するようにするためには下窄まりの円錐台状の形状が好ましい。
【００４６】
排ガス処理塔本体（３）の底部には、実施例１と同様に前記冷却壁（１３）内に収納される絶縁部材（９）が装着された本体底部（４）が締結具（１０ａ）にて取り外し可能に取り付けられている。前記冷却壁（１３）と本体底部（４）との間には冷却流体（２０）が溜まる冷却流体溜部（２１）が形成され、冷却流体溜部（２１）に溜まった冷却流体（２０）で絶縁部材（９）を直接冷却するようになっている。
【００４７】
また、内張部材（３ｂ）の下端から耐食性金属で形成された円筒状の遮蔽壁（１９）が垂設されており、冷却壁（１３）の上部を上部内周を覆っている。また、遮蔽壁（１９）の下方にて冷却壁（１３）を貫通するようにして不活性ガス供給ノズル（２６）が設置されている。不活性ガス供給ノズル（２６）から排ガス分解処理室（１ａ）の底部内に吹き込まれた不活性ガスは、底部内を旋回すると共に分解された排ガス（Ｆ）と共にガス排出部（５）から排出される。
【００４８】
このように遮蔽壁（１９）を垂設し且つ不活性ガス供給ノズル（２６）から排ガス分解処理室（１ａ）の底部内に不活性ガスを吹き込む事で、冷却壁（１３）の内周斜面を螺旋を描いて流れ落ちる冷却流体（２０）が熱せられて蒸発しても、その蒸気は遮蔽壁（１９）にて遮蔽され、排ガス分解処理室（１ａ）に流入し難くなり、冷却流体（２０）の蒸気による熱分解反応が阻害されるような事がない。なお、排ガス分解処理室（１ａ）内のガスは底部に設けられたガス排出部（５）によって排ガス分解処理室（１ａ）から排出されているので、排ガス分解処理室（１ａ）内は常時ダウンフローの流れが存在し、冷却部（１２）の冷却流体（２０）の蒸気が上昇して排ガス分解処理室（１ａ）内に入り込む危険性は少ないのであるが、遮蔽壁（１９）の存在により、よりそのような危険性がなくなるものである。
【００４９】
図５、６は冷却部（１２）の他の実施例で、回流壁（１５）を設ける代わりに噴出管（１７ａ）を直接冷却壁（１３）に沿わせて配設し、その下方にリング状の液溜リング（２４）が冷却壁（１３）の内周に設置された例である。リング状の液溜リング（２４）と冷却壁（１３）との間に冷却流体（２０）が通過できる間隙が形成されている。噴出管（１７ａ）から噴出された冷却流体（２０）は冷却壁（１３）の内周に沿って螺旋を描いて流下し、その一部が間隙を通って更に流下していき、残部が液溜リング（２４）上に堰き止められる事になる。この場合も、遮蔽壁（１９）と不活性ガス供給ノズル（２６）の作用により、冷却流体（２０）の蒸気は遮蔽され、排ガス分解処理室（１ａ）に流入し難い。
【００５０】
なお、図２〜６の冷却部（１２）は冷却流体（２０）を水とし、冷却流体（２０）が直接排ガス処理塔（１）の底部に露出して流れる直接冷却ジャケットであるので、排ガス処理塔（１）内の高温雰囲気に影響を与えないように、直接排ガス処理塔（１）の塔高を十分に取るようになっている。冷却流体（２０）が窒素やアルゴンガスなどの不活性ガスの場合は、冷却流体（２０）が水の場合より塔高を低くすることが出来る。
【００５１】
勿論、図２の直接冷却ジャケット方式に代え、本体底部（４）内又は外に冷媒流通管（図示せず）のようなものを配設し、その中に冷却流体（２０）を通流させる間接冷却ジャケット（図示せず）のようなものを採用してもよい。
【００５２】
【発明の効果】
本発明は、排ガス分解処理室内に立設された電熱ヒータの給電部を、最も温度の低い排ガス処理塔本体の底部の本体底部に配設したので、排ガス処理塔本体内の上部（＝天井部分）が高温になっても給電部は比較的低温に保たれ、稼働中の給電部の短絡事故を防止出来る。加えて、本体底部には低温の排ガスが通過するガス供給パイプが挿通されているので、本体底部とガス供給パイプとの間で熱交換が行われ、排ガス側は予熱され、本体底部側は冷却され、給電部の短絡事故の防止に繋がる。
【００５３】
更に、導入された排ガスがガス供給パイプ内を上昇する間に立設されている電熱ヒータによって予熱されるので、電熱ヒータの負荷を過度に高くする必要がなく熱ロスを最小限にする事が出来ると同時に電熱ヒータの寿命を大幅に延ばす事が出来る。
【００５４】
また、冷却部を排ガス処理塔に設けた場合、前述の冷却効果に加え、本体底部のより効果的な冷却効果が加わり、給電部の絶縁破壊を効果的に防止できるよう
なものでもよい。
【００５５】
また、上記で使用される電熱ヒータは、複数の電熱ヒータ棒単体を架設通電体に穿設した嵌合孔を利用して接続することが出来るので、排ガス分解処理室に合わせて任意の寸法に加工することが出来、使い勝手が非常によい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る排ガス分解処理装置の第１実施例の構成説明断面図
【図２】本発明に係る排ガス分解処理装置の第２実施例の構成説明断面図
【図３】図２の冷却部の水平断面図
【図４】図３の部分縦断面図
【図５】本発明に係る排ガス分解処理装置の第３実施例の構成説明断面図
【図６】図５の部分縦断面図
【図７】本発明に使用される電熱ヒータの正面から見た部分断面図
【図８】図７の平面図
【図９】従来の排ガス分解処理装置の概略構成説明断面図
【符号の説明】
（Ｆ）排ガス
（１ａ）排ガス分解処理室
（３）排ガス処理塔本体
（４）本体底部
（６）ガス供給パイプ
（７）電熱ヒータ
（８ａ）（８ｂ）給電部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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