(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上の被リン酸処理層をリン酸溶液によりエッチングするリン酸処理工程と、
前記リン酸処理工程後における露出した前記被リン酸処理層の表面又は前記半導体基板を含む前記被リン酸処理層の下地層に対し、前記リン酸処理工程による放射性元素を除去するエッチング処理を施す後処理工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記後処理工程は、前記半導体基板をエッチング可能な溶液又はガスを用いて前記エッチング処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２記載の半導体装置の製造方法において、
前記下地層は酸化膜であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記放射性元素は、少なくともＰｂ、210Ｐｂ又はＰｏであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４記載の半導体装置の製造方法において、
前記後処理工程後の前記放射性元素の元素量としてＰｂが１×１０5ａｔｏｍｓ／ｃｍ2以下に、210Ｐｂが１×１０0ａｔｏｍｓ／ｃｍ2以下に、Ｐｏが１×１０0ａｔｏｍｓ／ｃｍ2以下になるように、前記後処理工程時のエッチング条件を設定することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記リン酸処理工程に使用する前記リン酸溶液は、前記リン酸中のＰｂ、Ｕ、又はＴｈをリン酸から分離させ、分離後のリン酸溶液に対して水素を流しながら熱処理してＰｏを除去して精製したものであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６記載の半導体装置の製造方法において、
前記リン酸溶液は、低濃度のリン酸溶液をイオン交換樹脂に通過させてＰｂ、Ｕ、又はＴｈをリン酸から分離させたものであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項６又は７記載の半導体装置の製造方法において、
前記リン酸から分離させるＰｂは、210Ｐｂであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項６乃至８のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記リン酸溶液は、前記熱処理後のリン酸溶液中の放射性元素の元素量としてＰｂが１ｐｐｂ以下に、Ｐｏが０．００１ｐｐｂ以下になるように、前記分離における放射性元素の分離度合と前記熱処理の水素量を設定することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明はリン酸処理後の放射性元素による悪影響を除去する半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体装置の製造工程において、その材料等に含まれた放射性元素から放出されるα粒子により、ソフトエラーが発生することが問題となってきている。  例えば、トランジスタから成るメモリセルを格子状に配列した半導体メモリでは、その製造工程中に使用された各種の材料中に放射性元素が含まれていると、その影響でメモリセルに記憶されているデータが消滅するなどの現象（ソフトエラー）が発生する恐れがある。この現象は、特にメモリセルのサイズが小さく使用電力が小さい場合に顕著となる。
【０００３】
半導体装置の製造工程で使用される材料の中で、放射性元素が含まれるものとしては、例えばリン酸（Ｈ３  ＰＯ４  ）が知られている。すなわち、半導体装置の製造工程においてリン酸処理を行った場合、リン酸中に含まれる放射性元素がウェーハ上に付着し、上記のソフトエラーを引き起こす要因となる。
従来、半導体装置の製造工程においてリン酸処理を行う工程としては、例えばシリコン（Ｓｉ）窒化膜が高温酸化雰囲気におけるマスク材となることを利用して、部分的な酸化膜形成を行うＬＯＣＯＳ（Ｌｏｃａｌ  Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｓｉｌｉｃｏｎ）法を用いた拡散層形成工程が知られている。
【０００４】
図５（ａ）、（ｂ）及び図６（ｃ）、（ｄ）は、従来のＭＯＳ型トランジスタの拡散層形成工程を示す工程図である。
ＭＯＳ型トランジスタの拡散層形成は、まず、Ｐ型シリコン基板１０１の表面にＳｉ窒化膜１０２をパターン形成した後（図５（ａ））、これを高温酸化雰囲気中で酸化を行う。その結果、Ｓｉ窒化膜１０２の存在していない基板表面にだけが酸化されてシリコン酸化膜（ＳｉＯ２  ）１０３が形成される（図５（ｂ））。
【０００５】
その後、この状態のウェーハをリン酸溶液に浸漬することにより、Ｓｉ基板１０１及び酸化膜１０３を残してＳｉ窒化膜１０２のみをエッチングする（図６（ｃ））。これによって、基板１０１表面上に窓１０４が開口される。
そして、その窓１０４を通してＰ型基板１０１の表面側の中にＮ型拡散を行ってＮ型拡散層（ソース層／ドレイン層）１０５を形成し、そのＮ型拡散層１０５の表面に酸化膜１０３で被覆する（図６（ｄ））。
【０００６】
このようにＳｉ窒化膜のエッチング液として使用されるリン酸溶液は、自然界に存在するリン鉱石より生成されるが、上記したようにその中には放射性元素が含有されており、このようなリン酸溶液にウェーハを浸漬した場合には、リン酸溶液中の放射性元素がウェーハ表面に付着し、ウェーハ上に残留するといった問題が生ずる。
【０００７】
特に、リン酸溶液は、前述したように半導体装置の製造工程において、シリコン酸化膜と窒化膜との選択的エッチング等のゲートに近いところで使用されるため、前記ソフトエラーの観点からリン酸処理後に放射性元素がウェーハに残留することを避ける必要がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の半導体装置の製造工程では、リン酸処理後のウェーハ表面から放射性元素を選択的に除去することは行われていなかった。
また、リン酸溶液そのものから放射性元素を取り除くことも行われてなかった。すなわち、従来のリン酸の精製方法としては、不純物の少ない鉱山からリン鉱石を採集するという程度の方法以外に、液体にしてからは精製工程がないのが現状である。これは、リン酸の蒸発温度が非常に高いものであるためにほとんど蒸留精製することができないというリン酸の特質に因るものである。従って、放射性元素を含まないリン酸溶液を使用してリン酸処理をすることもできなかった。
【０００９】
これにより、上記リン酸処理を施した半導体装置においてはソフトエラーが発生する可能性が高くなるという問題があった。
本発明の目的は、リン酸処理によって半導体装置内に残留した放射性元素を除去することができる半導体装置の製造方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、リン酸溶液中の第１の放射性元素をリン酸から分離する分離工程と、前記分離工程後のリン酸溶液に対して熱処理を施して第２の放射性元素を除去する熱処理工程とを有することを特徴とするリン酸の精製方法によって達成される。
【００１１】
上述したリン酸の精製方法において、前記分離工程は、低濃度のリン酸溶液をイオン交換樹脂に通過させて前記第１の放射性元素をリン酸から分離することが望ましい。
上述したリン酸の精製方法において、前記熱処理工程は、前記分離工程後のリン酸溶液中に水素を流しながら熱処理して前記第２の放射性元素を除去することが望ましい。
【００１２】
上述したリン酸の精製方法において、前記第１の放射性元素はＰｂ又は  ２１０Ｐｂであり、前記第２の放射性元素はＰｏであることが望ましい。
上述したリン酸の精製方法において、前記熱処理工程後のリン酸溶液中の前記第１の放射性元素の元素量としてＰｂが１ｐｐｂ以下に、  ２１０Ｐｂが０．００１ｐｐｂ以下になるように、前記第２の放射線元素の元素量としてＰｏが０．００１ｐｐｂ以下になるように、前記分離工程における第１の放射性元素の分離度合と前記熱処理工程の水素量を設定することが望ましい。
【００１３】
上記目的は、リン酸溶液中の第１の放射性元素をリン酸から分離する分離工程と、前記分離工程後のリン酸溶液に対して熱処理を施して第２の放射性元素を除去する熱処理工程と、前記分離工程と前記熱処理工程により精製されたリン酸を用いて半導体基板にリン酸処理を施すリン酸処理工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法によって達成される。
【００１４】
上述した半導体装置の製造方法において、前記分離工程は、低濃度のリン酸溶液をイオン交換樹脂に通過させて前記第１の放射性元素をリン酸から分離することが望ましい。
上述した半導体装置の製造方法において、前記熱処理工程は、前記分離工程後のリン酸溶液中に水素を流しながら熱処理して前記第２の放射性元素を除去することが望ましい。
【００１５】
上記目的は、半導体基板上の被リン酸処理層をリン酸溶液によりエッチングするリン酸処理工程と、前記リン酸処理工程後の前記被リン酸処理層の表面又は前記半導体基板を含む前記被リン酸処理層の下地層に対し、前記リン酸処理工程による放射性元素を除去するエッチング処理を施す後処理工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法によって達成される。
【００１６】
上述した半導体装置の製造方法において、前記後処理工程は、前記半導体基板をエッチング可能な溶液又はガスを用いて前記エッチング処理を行うことが望ましい。
上述した半導体装置の製造方法において、前記下地層は酸化膜であることが望ましい。
【００１７】
上述した半導体装置の製造方法において、前記放射性元素は、少なくともＰｂ、  ２１０Ｐｂ又はＰｏであることが望ましい。
上述した半導体装置の製造方法において、前記後処理工程後の前記放射性元素の元素量としてＰｂが１×１０５  ａｔｏｍｓ／ｃｍ２  以下に、  ２１０Ｐｂが１×１００  ａｔｏｍｓ／ｃｍ２  以下に、Ｐｏが１×１００  ａｔｏｍｓ／ｃｍ２  以下になるように、前記後処理工程時のエッチング条件を設定することが望ましい。
【００１８】
【作用】
本発明によるリン酸の精製方法によれば、リン酸溶液中の第１の放射性元素をリン酸から分離し、分離工程後のリン酸溶液に対して熱処理を施して第２の放射性元素を除去するようにしたので、リン酸溶液中の放射性元素を低減することができる。これにより、リン酸溶液を例えば半導体装置の製造工程に用いる場合でも、予めリン酸溶液中の放射性元素を低減させておくことができる。
【００１９】
本発明による半導体装置の製造方法によれば、半導体基板上の被リン酸処理層をリン酸溶液によりエッチングし、リン酸処理工程後の被リン酸処理層の表面又は半導体基板を含む被リン酸処理層の下地層に対し、リン酸処理工程による放射性元素を除去するようにしたので、リン酸処理によりリン酸溶液中の放射性元素が半導体装置内に残留している場合であっても、この放射性元素を簡易かつ的確に低減させることができる。
【００２０】
【実施例】
本発明の一実施例によるリン酸の精製方法を図１（ａ）、（ｂ）を用いて説明する。
図１（ａ）、（ｂ）に示すように、このリン酸の精製方法を実施するためのリン酸精製装置としては、放射性元素分離装置１０（同図（ａ））と加熱濃縮装置２０（同図（ｂ））とで構成されている。
【００２１】
放射性元素分離装置１０は、筒状の陰イオン交換塔１１を有し、その内部には、入出口部１２、１３近傍にそれぞれ所定の空間を置いて陰イオン交換樹脂１４が配設されている。さらに、放射性元素分離装置１０の出口部１３下近傍には、この放射性元素分離装置１０の出口部１３から流出するリン酸溶液１５を受け取るための受取り容器１６が配置されている。
【００２２】
一方、加熱濃縮装置２０は、受取り容器１６に溜められたリン酸を入れる加熱容器２１と、この加熱容器２１の外底面及び外側面に沿って取り付けられたヒータ２２と、加熱容器２１の上部から内側面及び内底面に沿って複数本の水素パイプ２３とが設けられている。水素パイプ２３は、加熱容器２１中のリン酸溶液に水素を通すためのパイプであり、その水素パイプ２３の加熱容器２１の底面に沿った箇所には複数の穴が設けられている。
【００２３】
次に、本実施例におけるリン酸の精製方法を説明する。
まず、リン酸濃度を１０％以下にしたリン酸溶液を生成し、これを陰イオン交換塔１１の入口部１２から注入する。ここで、リン濃度を１０％以下に薄めたリン酸溶液を陰イオン交換塔１１に注入するのは、リン濃度が高く酸化性が強いと、陰イオン交換樹脂１４が分解されて機能を果たさなくなるので、これを回避するためである。
【００２４】
その結果、リン酸溶液は、陰イオン交換樹脂１４を通過して出口部１３より流出し、リン酸溶液１５として受取り容器１６に溜められる。この間に、リン酸溶液中のＵ（ウラン）、Ｔｈ（トリウム）、及び  ２１０Ｐｂ（鉛）の放射性元素が陰イオン交換樹脂１４に吸着し、これらの元素がリン酸と分離する。しかしながら、受取り容器１６に溜められれたリン酸溶液１５には、放射性元素のうち、Ｕ（ウラン）、Ｔｈ（トリウム）、及び  ２１０Ｐｂ（鉛）が含まれないが、  ２１０Ｐｏ（ポロリウム）は未だ含まれている。
【００２５】
この  ２１０Ｐｏは、  ２１０Ｐｂからβ崩壊で放出されるα性を有する放射性元素であって上述したソフトエラーを発生する最大の要因となると共に、揮発性の元素であり、加熱すると水分と一緒に蒸発する性質も有するものである。
続いて、受取り容器１６に溜められたリン酸溶液１５を加熱容器２１に入れ、ヒータ２２により加熱容器２１を加熱（例えば１００℃）することにより、このリン酸溶液１５を通常の濃度（８０％程度）まで濃縮する。これと同時に、水素パイプ２３を通してリン酸溶液１５中に水素（Ｈ２  ）を放出する。その結果、リン酸溶液１５に含まれていた  ２１０Ｐｏは、水素化物ＰｏＨｘとなって水分と一緒に蒸発する。
【００２６】
このように本実施例によれば、α線放射性元素の主なものであるＵ（ウラン）、Ｔｈ（トリウム）、Ｐｂ（鉛）、及び  ２１０Ｐｏ（ポロリウム）をリン酸溶液から減少することができる。即ち、Ｐｂは１ｐｐｂ以下、また  ２１０Ｐｏは０．００１ｐｐｂ以下になる。
特に、  ２１０Ｐｏからのα粒子はエネルギーが大きく、本実施例ではこの  ２１０Ｐｏを簡易な方法で、しかも的確に減少させることができるので、上述した半導体装置の製造工程におけるリン酸処理に本実施例の精製方法により精製したリン酸を使用すれば、半導体メモリ等のソフトエラーの発生を未然に防止することができる。
【００２７】
精製したリン酸と精製しないリン酸を使用してウェーハをリン酸処理し、その後のウェーハ表面から放出されるα線量をαカウンタで測定すると、精製しないものは約０．３ｃｏｕｎｔ／ｈ・ｃｍ２  の発生が認められるが、精製したものは０．００１ｃｏｕｎｔ／ｈ・ｃｍ２  以下となった。
本発明の他の実施例による半導体装置の製造方法を図２（ａ）、（ｂ）及び図３（ｃ）〜（ｅ）を用いて説明する。
【００２８】
本実施例は、上記実施例によるリン酸の精製方法を用いて精製されたリン酸溶液ではなく、通常のリン酸溶液を使用して半導体装置の製造工程（ＬＯＣＯＳ法を用いた拡散層形成工程）において、リン酸処理を施した場合につき、そのウェーハ表面から、Ｕ（ウラン）、Ｔｈ（トリウム）、Ｐｂ（鉛）、及び  ２１０Ｐｏ（ポロリウム）のα線放射性元素を除去するようにしたものである。
【００２９】
本実施例のＭＯＳ型トランジスタの拡散層形成は、まず、従来方法と同様にＰ型シリコン基板３１の表面にＳｉ窒化膜３２をパターン形成し（図２（ａ））、この状態のウェーハを高温酸化雰囲気中で酸化する。これによって、Ｓｉ窒化膜３２の存在していない基板表面だけが酸化されてシリコン酸化膜（ＳｉＯ２  ）３３が基板３１の表面上に形成される（図２（ｂ））。
【００３０】
その後、この状態のウェーハを通常のリン酸溶液に浸漬するリン酸処理を行い、Ｓｉ基板３１及び酸化膜３３を残してＳｉ窒化膜３２のみを除去する（図２（ｃ））。これによって、基板３１表面上に窓３４が開口される。
この窓３４に表出した基板３１の表面には、先のリン酸処理によりリン酸溶液中のα線放射性元素が残留している可能性がある。従って、リン酸処理後の後処理として、基板３１の表面を次のようなフッ化水素系やアンモニヤ系のような薬液でエッチングすることにより、α線放射性元素を除去する。
【００３１】
すなわち、シリコン基板３１の表面をエッチングし得る薬液として、例えば、ＨＦ（フッ酸）とＨＮＯ３  （硝酸）とＨ２  Ｏ（水）が、
ＨＦ：ＨＮＯ３  ：Ｈ２  Ｏ＝１：１：１０〜１：１０：１０
の比率の薬液を生成し、あるいは、ＮＨ４  ＯＨ（アンモニア）とＨ２  Ｏ２  （過酸化水素）とＨ２  Ｏ（水）が、
ＮＨ４  ＯＨ：Ｈ２  Ｏ２  ：Ｈ２  Ｏ＝１：１：５
の比率の薬液を生成する。ここで、ＨＦは、０．５〜１５％とする。
【００３２】
この薬液中にウェーハを浸漬して基板３１の表面３５をエッチングした後、その窓３４を通してＰ型基板３１の表面側の中にＮ型拡散を行ってＮ型拡散層（ソース層／ドレイン層）３６を形成し、そのＮ型拡散層３６の表面を酸化膜３３で被覆する（図３（ｅ））。
このように本実施例によれば、リン酸処理後の後処理として、シリコン基板３１の表面をエッチングし得る薬液でエッチングするようにしたので、リン酸処理によるα線放射性元素がシリコン基板３１に残留している場合であっても、これを減少させることができる。
【００３３】
この点を明らかにするものとして、α線量カウンターで測定したα線量の測定結果を図４（ａ）に示す。
同図（ａ）において、リン酸処理を施さない場合Ｚ１では０．００１ｃｏｕｎｔ／ｈ・ｃｍ２  以下であり、リン酸処理のみで上記の後処理を行わなかった場合Ｚ２は０．１ｃｏｕｎｔ／ｈ・ｃｍ２  をはるかに越えた数値となっている。
【００３４】
また、リン酸処理後にＨ２  Ｏ２  とＨ２  ＳＯ４  （硫酸）の薬液、あるいはＨＮＯ３  の薬液で基板３１の表面を処理した場合（リン酸処理後に基板に付着した金属を除去する処理として通常行われている）Ｚ３、Ｚ４でも、０．１ｃｏｕｎｔ／ｈ・ｃｍ２  を越えた数値となっている。但し、Ｈ２  Ｏ２  とＨ２  ＳＯ４  の薬液を使用した場合Ｚ３の薬液比率は、Ｈ２  Ｏ２  ：Ｈ２  ＳＯ４  ＝４：１であり、また、ＨＮＯ３  の薬液を使用した場合Ｚ４のＨＮＯ３  は濃ＨＮＯ３  を用いた。
【００３５】
また、この他にも、リン酸処理後にシリコン基板３１の表面を処理する場合として、ＨＣｌ（塩酸）の薬液や、ＨＣｌとＨ２  Ｏ２  の薬液、あるいはＨＮＯ３  とＨＣｌの薬液などを用いることがあり、これらの比率は、例えばそれぞれ濃ＨＣｌ、ＨＣｌ：Ｈ２  Ｏ２  ：Ｈ２  Ｏ＝１：１：５、ＨＮＯ３  ：ＨＣｌ＝１：３とする。
【００３６】
これに対して、上述した本実施例の薬液、つまりＨＦ及びＨＮＯ３  を使用した薬液、及びＮＨ４  ＯＨ及びＨ２  Ｏ２  を使用した薬液は、同図（ａ）のＺ５及びＺ６にそれぞれ明らかなように、リン酸処理を施さない場合と同様に０．００１ｃｏｕｎｔ／ｈ・ｃｍ２  以下となっている。
本発明の上記実施例に限らず種々の変形が可能であり、例えば次のようなものがある。
【００３７】
上記実施例におけるリン酸の精製方法では、リン酸溶液１５中の  ２１０Ｐｏを蒸発させるために、加熱濃縮装置２０に水素パイプ２３を設けてリン酸溶液１５中に水素を通過させるながら加熱するようにしたが、この場合の水素は  ２１０Ｐｏを蒸発を促進させるためのものであり、水素を通過させずにリン酸溶液１５を加熱するだけでもよい。
【００３８】
また、上記実施例においては、リン酸溶液１５中の  ２１０Ｐｏを蒸発させることと、リン酸溶液１５を濃縮することとを加熱処理を施すことで同時に実施している。しかし、リン酸溶液１５から  ２１０Ｐｏを十分蒸発させるために必要な時間と、リン酸溶液１５の濃縮に要する時間とを比較した場合に、前者が後者よりも短いことを鑑みれば、リン酸溶液１５から  ２１０Ｐｏを蒸発させる工程とリン酸溶液１５を濃縮する工程とを分離するようにしてもよい。このようにした場合は、水素を通過させる処理は、リン酸溶液１５を濃縮する工程において不要となるので、水素の使用量を減少させることができる。
【００３９】
また、上記実施例における半導体装置の製造方法では、シリコン基板３１の表面にそのまま窒化膜３２が形成される例を説明したが、シリコン基板３１表面に酸化膜あるいはアルミニウム等を介して窒化膜３２が形成されるような場合も本発明を適用することができる。例えば、シリコン基板３１表面に酸化膜が形成されているような場合は、リン酸処理して窒化膜３２を除去した後に酸化膜に放射性元素が残留していても、酸化膜はＨＦ等で容易にエッチングされるので、この酸化膜のエッチングより放射性元素を除去することができる。
【００４０】
これを裏付けるものとして、図４（ｂ）に示すようにα線量カウンターで測定したα線量の測定結果は、リン酸処理のみで後処理を行わない場合には０．１ｃｏｕｎｔ／ｈ・ｃｍ２  をはるかに越えた数値になるが、リン酸処理後にＨＦで酸化膜をエッチングした場合は０．００１ｃｏｕｎｔ／ｈ・ｃｍ２  以下となっている。
【００４１】
従って、この場合は、酸化膜をリン酸処理の保護膜として使用して、放射性元素が残留しないシリコン基板３１の表面を現出することができるので、上記実施例のようなハードなシリコン基板３１表面のエッチング処理を行わなくと、ＨＦのみで非常に簡単に放射性元素の除去を行うことが可能となる。
また、上記実施例における半導体装置の製造方法では、リン酸処理の後処理としてシリコン基板３１の表面をエッチングするに際し、ウェットエッチング処理を用いたが、ドライエッチング処理でも同様の効果が得られる。この場合、ＮＦ３  、ＣｌＦ３  、ＣＦ４  、ＨＦ（無水）等のフッ素系のガスを使用するのが好ましい。さらに、このフッ素系ガスを流すと同時にプラズマ処理を行うようにしてもよい。このようにリン酸処理後にフッ素系ガスで処理しても、ウェーハ上のα線量を０．００１ｃｏｕｎｔ／ｈ・ｃｍ２  以下に抑えることができる。なお、リン酸処理の後処理として酸化膜をエッチングする場合も同様である。
【００４２】
また、上記実施例における半導体装置の製造方法では、リン酸処理を行う場合としてＬＯＣＯＳ法による窒化膜をエッチングする例を示したが、例えばＡｌ（アルミニューム）配線をエッチングする際に行われるリン酸処理にも本発明を適用することが可能である。この場合、リン酸処理の後処理として、ＨＣｌ：Ｈ２  Ｏ２  ：Ｈ２  Ｏ＝１：１：５の比率の薬液でＡｌ表面をエッチングすることにより、Ａｌ配線上でのα線量を低下させることができる。
【００４３】
【発明の効果】
以上の通り、本発明による半導体装置の製造方法によれば、半導体基板上の被リン酸処理層をリン酸溶液によりエッチングし、リン酸処理工程後の被リン酸処理層の表面又は半導体基板を含む被リン酸処理層の下地層に対し、リン酸処理工程による放射性元素を除去するようにしたので、リン酸処理によりリン酸溶液中の放射性元素が半導体装置内に残留している場合であっても、この放射性元素を簡易かつ的確に低減させることができる。
【００４４】
また、本発明によれば、リン酸溶液中の第１の放射性元素をリン酸から分離し、分離工程後のリン酸溶液に対して熱処理を施して第２の放射性元素を除去するようにしたので、リン酸溶液中の放射性元素を低減することができるので、リン酸溶液を例えば半導体装置の製造工程に用いる場合に、予めリン酸溶液中の放射性元素を低減させておくことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例によるリン酸の精製方法の説明図である。
【図２】本発明の他の実施例による半導体装置の製造方法の工程図（その１）である。
【図３】本発明の他の実施例による半導体装置の製造方法の工程図（その２）である。
【図４】α線量の測定結果を示すグラフである。
【図５】従来のＭＯＳ型トランジスタの拡散層形成工程を示す工程図（その１）である。
【図６】従来のＭＯＳ型トランジスタの拡散層形成工程を示す工程図（その２）である。
【符号の説明】
１０…放射性元素分離装置
１１…陰イオン交換塔
１２、１３…入出口部
１４…陰イオン交換樹脂
１５…リン酸溶液
１６…受取り容器
２０…加熱濃縮装置
２１…加熱容器
２２…ヒータ
２３…水素パイプ
３１…シリコン基板
３２…Ｓｉ窒化膜
３３…シリコン酸化膜
３４…窓
３５…基板３１の表面
３６…拡散層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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