【誤訳訂正書】
【提出日】平成29年4月11日(2017.4.11)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１及び第２の導電性要素（２０、２２）と、前記第１及び第２の導電性要素（２０、２２）に対向した表面を備えている第３の及び第４の導電性要素（１４、１６）との間に介在された圧電材料の層（１８）を備えているタッチ感応式センサー（１０）であって、
前記第１及び第２の導電性要素（２０、２２）の各々は櫛形（３４、３６）を備えており、前記第１及び第２の導電性要素（２０、２２）の櫛形（３４、３６）は互いに組み合っており、
前記第３及び第４の導電性要素（１４、１６）の各々は櫛形（４６、４８）を備えており、前記第３及び第４の導電性要素（１４、１６）の前記櫛形（４６、４８）は互いに組み合っており、
・前記第１の導電性要素（２０）の櫛歯（３８）は、前記第４の導電性要素（１６）の櫛歯（５２）に対向して配置されており、
・前記第２の導電性要素（２２）の櫛歯（４０）は、前記第３の導電性要素（１４）の櫛歯（５０）に対向して配置されており、
前記第１の導電性要素（２０）は、前記第３の導電性要素（１４）に電気的に接続されており、及び前記第２の導電性要素（２２）は、前記第４の導電性要素（１６）に電気的に接続されている、タッチ感応式センサー。
【請求項２】
グラフェン要素（２４）が、前記第１及び第２の導電性要素（２０、２２）と接触して、及び前記圧電材料の層（１８）と接触して形成されている、請求項１に記載のタッチ感応式センサー。
【請求項３】
グラフェン要素（２６）が、前記第３及び第４の導電性要素（１４、１６）と接触して、及び前記圧電材料の層（１８）と接触して形成され、並びに前記第１及び第２の導電性要素（２０、２２）と接触して形成された前記グラフェン要素（２４）と対向している、請求項２に記載のタッチ感応式センサー。
【請求項４】
前記グラフェン要素（２４、２６）は、グラフェンを備えており、前記導電性要素（１４、１６、２０、２２）内に形成されたグラフェンパッドである、請求項２または３に記載のタッチ感応式センサー。
【請求項５】
前記圧電材料（１８）は、前記第１及び第２の導電性要素（２０、２２）と、前記第３及び第４の導電性要素（１４、１６）との間の対向する表面に垂直な分極を有している、結晶性または半結晶性の強誘電体材料である、請求項１から４のいずれか一項に記載のタッチ感応式センサー。
【請求項６】
前記圧電材料（１８）は、前記第１及び第２の導電性要素（２０、２２）と、前記第３及び第４の導電性要素（１４、１６）との間の対向する表面であって、前記対向する表面の間に電位差が印加されるとき、前記対向する表面の間に現れる電場線に沿って分極された、結晶性または半結晶性の強誘電体材料である、請求項１から５のいずれか一項に記載のタッチ感応式センサー。
【請求項７】
前記強誘電体材料（１８）は、ポリフッ化ビニリデン、ポリフッ化ビニリデンの共重合体、チタン酸ジルコン酸鉛、チタン酸バリウム、またはそれらの混合物を含む、請求項５または６に記載のタッチ感応式センサー。
【請求項８】
前記ポリフッ化ビニリデンの共重合体は、ポリ（ＶＤＦ−ＴｒＦｅ）である、請求項７に記載のタッチ感応式センサー。
【請求項９】
前記圧電材料（１８）は、フレキシブル基板（１２）上に形成されている請求項１から８のいずれか一項に記載のタッチ感応式センサー。
【請求項１０】
・第１及び第２の導電性要素（２０、２２）と、前記第１及び第２の導電性要素（２０、２２）に対向した表面を備えている第３及び第４の導電性要素（１４、１６）との間に介在された結晶性または半結晶性の強誘電体材料の層（１８）を形成するステップと、
・前記第１及び第２の導電性要素（２０、２２）と、前記第３及び第４の導電性要素（１４、１６）との間に電場を印加するステップであって、前記電場は、３０ＭＶ／ｍから６０ＭＶ／ｍの範囲の強度を有しており、１時間から８時間の間印加され、前記強誘電体材料の層を前記材料のキュリー温度より低い温度まで加熱する、電場を印加するステップと、
を備えているタッチ感応式センサーを製造する方法であって、
前記第１及び第２の導電性要素（２０、２２）の各々は櫛形（３４、３６）を備えており、前記第１及び第２の導電性要素（２０、２２）の櫛形（３４、３６）は互いに組み合っており、
前記第３及び第４の導電性要素（１４、１６）の各々は櫛形（４６、４８）を備えており、前記第３及び第４の導電性要素（１４、１６）の櫛形（４６、４８）は互いに組み合っており、
・前記第１の導電性要素（２０）の櫛歯（３８）は、前記第４の導電性要素（１６）の櫛歯（５２）に対向して配置されており、
・前記第２の導電性要素（２２）の櫛歯（４０）は、前記第３の導電性要素（１４）の櫛歯（５０）に対向して配置されており、
前記第１の導電性要素（２０）は、前記第３の導電性要素（１４）に電気的に接続されており、及び前記第２の導電性要素（２２）は、前記第４の導電性要素（１６）に電気的に接続されている、タッチ感応式センサーを製造する方法。
【請求項１１】
前記第１の導電性要素（２０）及び前記第３の導電性要素（１４）を電気的に接続する第１の接続要素（５８）、並びに前記第２の導電性要素（２２）及び前記第４の導電性要素（１６）を電気的に接続する第２の接続要素（６２）が形成されており、
前記電場は、前記第１及び第２の接続要素（５８、６２）の間に電位差を印加することによって得られる、
請求項１０に記載のタッチ感応式センサーを製造する方法。
【請求項１２】
前記強誘電体材料（１８）は、ポリフッ化ビニリデン、ポリフッ化ビニリデンの共重合体、チタン酸ジルコン酸鉛、チタン酸バリウム、またはそれらの混合物を含む、請求項１０または１１に記載のタッチ感応式センサーを製造する方法。
【請求項１３】
前記ポリフッ化ビニリデンの共重合体は、ポリ（ＶＤＦ−ＴｒＦｅ）である、請求項１２に記載のタッチ感応式センサーを製造する方法。
【請求項１４】
前記導電性要素の間に介在された前記強誘電体材料の層（１８）は、
・フレキシブル基板（１２）の表面上に前記第３及び第４の導電性要素（１４、１６）を形成するステップと、
・前記第３及び第４の導電性要素（１４、１６）及び前記基板（１２）上に前記強誘電体材料の層（１８）を形成するステップと、
・前記強誘電体材料の層（１８）上に前記第１及び第２の導電性要素（２０、２２）を形成するステップと、
によって形成される、請求項１０から１３のいずれか一項に記載のタッチ感応式センサーを製造する方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１１】
第１及び第２の導電性要素の各々は櫛形を備えており、第１及び第２の導電性要素の櫛形は互いに組み合っており、そのような構造は、広い表面上の物体の存在を容量的に検出することを可能にしている。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
より具体的に、圧電材料の層は、一方では、第１及び第２の導電性要素と、及び他方では、第３の導電性要素及び第４の導電性要素との間に介在されており、第３及び第４の導電性要素の各々は櫛形を備えており、第３及び第４の導電性要素の櫛形は互いに組み合っている。第１の導電性要素の櫛歯は、第４の導電性要素の櫛歯に対向して配置されており、第２の導電性要素の櫛歯は、第３の導電性要素の櫛歯に対向して配置されている。そのような構造は、対向する櫛歯の各々の対の間に容量を画定し、これはセンサーの感度を増大させることを可能にしている。さらに、センサーは、対称構造を有しており、及びその両方の表面上で、容量及び圧力検出を可能にしている。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１４】
特に、この方法で電気的に接続された互いに組み合った櫛形の形態にある、第１、第２、第３、及び第４の導電性要素の配置は、圧電材料層の表面の間の最大容量を画定する。実際、第１及び第３の導電性要素は、圧電層の一つの表面上、及びそれから別の表面上に交互に堆積された櫛歯を有する第１の三次元構造を共に形成する。同様に、第２及び第３の導電性要素は、圧電層の表面上に交互に堆積された櫛歯を有する第２の三次元構造を共に形成する。それによって、高い垂直の容量が得られ、圧電層の表面上に配置された第１の構造は、圧電層の別の表面上に配置された第２の構造の対応する部分に対向している。圧電層の表面上の容量及びその表面の間の容量の合計である結果としての全容量はそれ故非常に高い。これは特に、二つの構造の間の電源電圧を減少させることを可能にしている。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２７】
一つの実施形態によると、
・導電性要素の間に介在された圧電層を形成するステップであって、一方では、第１及び第２の導電性要素と、及び他方では、第３の導電性要素及び第４の導電性要素との間に介在された前記層を形成することを備えており、導電性要素の各々は、櫛形を備えており、第１及び第２の導電性要素の櫛形は互いに組み合っており、第３及び第４の導電性要素の櫛形は互いに組み合っており、第１の導電性要素の櫛歯は第４の導電性要素の櫛歯に対向して配置されており、及び第２の導電性要素の櫛歯は第３の導電性要素の櫛歯に対向して配置されている、ステップ。
・方法はさらに、第１の導電性要素と第３の導電性要素とを接続するための第１の接続要素、及び第２の導電性要素と第４の導電性要素とを接続する第２の接続要素を形成するステップを備えている。
・電場は、前記第１及び第２の接続要素の間に電位差を印加することによって得られる。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３４】
前部電極２０、２２はそれぞれ、有利的に櫛形３４、３６を有している。前部電極の櫛形３４、３６は互いに組み合っており、櫛形３４の櫛歯３８は、別の櫛形３６の櫛歯４０の間に置かれている。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３５】
例えば、櫛形３４、３６は、同じ長さの平行な櫛歯３８、４０を有しており、それぞれアーマチュア４２、４４に取り付けられている。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３６】
それから、櫛形３４は、そのアーマチュア４２が図面の左側に配置されていることに起因して「左側」櫛形と呼ばれ、且つ櫛形３６は、そのアーマチュア４４が図面の右側に配置されていることに起因して「右側」櫛形と呼ばれる。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３７】
図３を参照すると、前部電極（図３の左側）及び後部電極（図３の右側）を上面図で図示しており、後部電極１４、１６はそれぞれ櫛形４６、４８を備えている。後部電極の櫛形４６、４８は互いに組み合っており、櫛形４６の櫛歯５０は、別の櫛形４８の櫛歯５２の間に置かれている。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３８】
櫛形４６、４８の櫛歯５０、５２は、アーマチュア５４、５６にそれぞれ取り付けられている。それから、櫛形４６は、そのアーマチュア５４が図面の左側に配置されていることに起因して「左側」櫛形と呼ばれ、且つ櫛形４８は、そのアーマチュア５６が図面の右側に配置されていることに起因して「右側」櫛形と呼ばれる。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３９】
前部左側櫛形３４は、後部右側櫛形４８の同一の反射面であり、そこへ反対に配置されている。同様に、前部右側櫛形３６は、後部左側櫛形４８の同一の反射面であり、そこへ反対に配置されている。このようにして、前部右側及び左側櫛形３４、３６の櫛歯３８、４０は、それぞれ左側及び右側櫛形４６、４８の櫛歯５０、５２と対向して配置される。
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４０】
センサー１０はさらに、前部及び後部左側櫛形３４、４６を、特に保護層２８の厚さにわたって形成された金属ビア５８を通して、電気的に接続する接続素子と、左側櫛形３４、４６に電気的に接続され、且つ保護層２８上に形成された金属領域６０と、を備えている。同様に、センサー１０は、前部及び後部右側櫛形３６、４８を、特に保護層２８の厚さにわたって形成された金属化ビア６２を通して、電気的に接続する接続素子と、右側櫛形３６、４８に電気的に接続され、且つ保護層２８上に形成された金属領域６４と、を備えている。
【誤訳訂正１３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４１】
グラフェンパッド２４、２６はさらに、櫛形３４、３６、４６、４８の櫛歯の各々に形成されており、前部櫛形のグラフェンパッドは、後部櫛形のグラフェンパッドに対向して好ましくは配置されており、これは、センサー１０の一般的な対称性を保つことを可能にしている。
【誤訳訂正１４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４３】
図３に示されるように、前述の電極構造はこのように、圧電層１８と組み合わせて、次のように定義される。
・前部櫛形３６、３８の隣接する櫛歯３８、４０のそれぞれの対の間の容量Ｃｆａｖｉ
・後部櫛形４６、４８の隣接する櫛歯５０、５２のそれぞれの対の間の容量Ｃｆａｒｉ
・対向する前部左側及び後部右側櫛形３４、４８の櫛歯３８、５２のそれぞれの対の間、及び対向する前部右側及び後部左側櫛形３６、４６の櫛歯４０、５０のそれぞれの対の間の容量Ｃｐｉ
・このように定義された全ての容量Ｃｆａｖｉ、Ｃｆａｒｉ、Ｃｐｉの並列接続
【誤訳訂正１５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５１】
特に注目すべきは、二つの独立した三次元電極、すなわち、前部左側櫛形３４、後部左側櫛形４６、及び接続要素５８で形成された第１の電極、及び前部右側櫛形３、後部右側櫛形４８、及び接続要素６２で形成された第２の電極、が形成されることである。これらの電極の各々は、圧電層１８の前面及び後面上に交互に配置された櫛歯を備えており、且つ層１８の表面上に配置された電極の部分の各々に対して、層１８の別の表面上に、対応する対向部分が存在している。それにより、「垂直」の容量Ｃｐは最大値を有している。同様に、層１８の各々の表面に対して、第１電極の一部分、及び端部に位置していない櫛歯の二つは、第２電極の少なくとも一つの対応する部分に対向して配置されている。「水平」の容量Ｃｆａｖ及びＣｆａｒは、それぞれが最大値を有している。これは、二つの電極間の最大の一般的な容量をもたらす。これは特に、必要に応じて、二つの電極間の電源電圧を減少することを可能にしている。
【誤訳訂正１６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５２】
圧電層１８は有利的に、分極結晶性または半結晶性強誘電体材料、特にＰＶＤＦ（ポリフッ化ビニリデン）及び／またはＰＶＤＦ共重合体、例えば、適合した組成物を有するポリ（ＶＤＦ−ＴｒＦｅ）、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）、ＢａＴｉＯ３（バリウムチタン酸塩）、ＰｂＴｉＯ３（鉛チタン酸塩）、またはこれらの材料の組み合わせに基づく強誘電体材料で作られた層である。
【誤訳訂正１７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６２】
メタライゼーション７２は、同じ長さで平行に互いに組み合う櫛歯５０、５２が形成される二つのアーマチュア５４、５６を備えている。櫛歯５０、５２は完成されておらず、グラフェンパッドが要求される位置でボイド７４を示している。アーマチュア５４、５６の各々はさらに、金属領域７６、７８に接続されている（図７は上面図、及び図８はＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ面に沿った断面図）。
【誤訳訂正１８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６３】
次の段階で、１００ｎｍから数μｍの範囲の厚さを有している導電性のグラフェンパッド２６が、例えば、シルクスクリーンによって、櫛歯５０、５２内に形成されたボイド７４上に堆積される（図９は上面図、及び図１０はＸ−Ｘ面に沿った断面図）。上述した後部電極１４、１６がこのようにして得られる。
【誤訳訂正１９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６７】
メタライゼーション８０は、同じ長さで平行に互いに組み合う櫛歯３８、４０が形成される二つのアーマチュア４２、４４を備えている。櫛歯３８、４０は完成されておらず、グラフェンパッド２４が要求される場所でボイド８２を備えている。アーマチュア４２、４４はさらに、金属領域７６、７８にそれぞれ接続され、メタライゼーション８０は、層２８内に形成された、領域７６、７８と一致している開口を充填する。
【誤訳訂正２０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６９】
１００ｎｍから１０μｍの範囲の厚さを有する導電性グラフェンパッド２４は、例えばシルクスクリーンによって、櫛歯３８、４０内に形成されたボイド８２上に堆積される（図１７は上面図、及び図１８はＸＶＩＩＩ−ＸＶＩＩＩ面に沿った断面図）。上述した前部電極２０、２２は、このようにして得られる。
【誤訳訂正２１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７２】
前部及び後部電極が、対向して互いに組み合う櫛形を備えた、本発明によるセンサーの実施形態が説明された。櫛形の形状及び寸法、及び櫛歯の数は、センサー内に存在する容量を設定するために有利的に選択される。
【誤訳訂正２２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７９】
１０  タッチ感応式センサー
１２  基板
１４、１６  後部電極
１８  圧電材料層
２０、２２  前部電極
２４、２６  グラフェンパッド
２８  側部保護層
３０  上部保護層
３４  前部左側櫛形
３６  前部右側櫛形
３８、４０、５０、５２  櫛歯
４２、４４  アーマチュア
４６  後部左側櫛形
４８  後部右側櫛形
５４、５６  アーマチュア
５８  接続要素
６０、６４  金属領域
６２  接続要素
７０  指
７２  メタライゼーション
７４  ボイド
７６、７８  金属領域
８０  メタライゼーション
８２  ボイド