(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスクが形成された面を有する突出構造に対し、前記マスクが形成された面以外の前記突出構造の周辺に、Ｓｅ又はＳを５×１０18ｃｍ-3以上の濃度で添加したIII−Ｖ族半導体を成長させることにより形成され、前記マスク端部から上方に向かって延在して、前記突出構造の表面よりも高い領域を有する埋込層を設ける
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記III−Ｖ族半導体は、ＩｎＰである
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２記載の半導体装置の製造方法において、
前記突出構造は、分岐部を有するメサストライプである
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記突出構造は、終端部を有するメサストライプである
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記突出構造は、＜０１１＞方向の部分と＜０１１＞方向以外の方向の部分とを有するメサストライプである
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記埋込層を形成するときに塩素を含有するガスを導入する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記マスクは、酸化シリコン及び／又は窒化シリコンの膜である
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に、光通信や光接続等に用いられる光集積回路等の半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＩｎＰ系材料の光半導体素子では、光が導波するＩｎＧａＡｓＰコアとＩｎＰ埋込層との屈折率差により、水平方向の光閉じ込めが行われている。このような光閉じ込めを実現する構造としては、半導体レーザに用いられている埋込ヘテロ（ＢＨ；Ｂｕｒｉｅｄ  Ｈｅｔｅｒｏ）構造が知られている。
【０００３】
ＢＨ構造を有する半導体レーザの製造方法について図１０を用いて説明する。図１０は、ＢＨ構造を有する半導体レーザの製造方法を示す工程断面図である。
【０００４】
まず、図１０（ａ）に示すように、ｎ型ＩｎＰ基板１００上に、ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＧａＡｓＰ多重量子井戸層１０２、ｐ型ＩｎＰクラッド層１０４をそれぞれ順次形成する。
【０００５】
次に、図１０（ｂ）に示すように、ｐ型ＩｎＰクラッド層１０４上にＳｉＯ２膜１０６をエッチング保護膜として形成し、ドライエッチングにより活性層メサストライプ１０８を形成する。このとき、活性層メサストライプ１０８の方向は、＜０１１＞方向となっている。
【０００６】
続いて、図１０（ｃ）に示すように、ＳｉＯ２膜１０６を選択成長マスクとして、有機金属気相成長（ＭＯＶＰＥ；Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｖａｐｏｒ  Ｐｈａｓｅ  Ｅｐｉｔａｘｙ）法により、ｐ型ＩｎＰ埋込層１１０及びｎ型ＩｎＰ埋込層１１２を、活性層メサストライプ１０８周囲のＩｎＰ基板１００上に順次結晶成長する。ＭＯＶＰＥ法による結晶成長の際にＣＨ３Ｃｌ等の塩素系ガスを添加することにより、図１０（ｃ）に示すように、ｎ型ＩｎＰ埋込層１１２の結晶成長は、（１１１）Ｂ面を成長停止面として停止する。これにより、ｎ型ＩｎＰ埋込層１１２をＳｉＯ２膜１０６上に被らないように形成することができる。
【０００７】
その後、ＳｉＯ２膜１０６をＨＦによるエッチングによって除去し、全面にｐ型ＩｎＰクラッド層１１４、ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層１１６を順次形成する。
【０００８】
最後に、ｎ型ＩｎＰ基板１００下面にｎ型電極１１８を形成し、ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層１１６上にｐ型電極１２０を形成する。こうして、ＢＨ構造を有する半導体レーザの製造を終了する。
【０００９】
近年、光通信技術において、波長多重通信や高速光変調の必要性から、半導体レーザに対して光分岐器や、光結合器、光変調器、光スイッチ等を集積化した光集積回路がキーデバイスとなってきている。このような光集積回路も、上述したＢＨ構造を有する半導体レーザの場合と同様の方法によって製造することが行われている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、半導体レーザを製造する場合と異なり、ＢＨ構造を有する光集積回路を製造する場合、活性層メサストライプ形成後の埋込層を形成する工程に問題が生じていた。
【００１１】
上述の半導体レーザの共振器の方向は＜０１１＞方向であるため、図１０（ｃ）に示すように、ｎ型ＩｎＰ埋込層１１２の結晶成長は、（１１１）Ｂ面を成長停止面として停止する。これにより、ｎ型ＩｎＰ埋込層１１２を選択成長マスク上に被ることなく形成することができる。
【００１２】
一方、光集積回路の導波路は、種々の素子の接続等の機能を果たすために、様々な方向の部分を有するだけでなく、分岐部や終端部を有している。図１１は、選択成長マスクとしてＳｉＯ２膜を形成した、光集積回路の活性層メサストライプの構造を示したものである。図１１に示すように、光集積回路の活性層メサストライプ１２１には、分岐部１２２や終端部１２４が形成され、また、＜０１１＞方向以外の方向の部分１２６も存在している。このような活性層メサストライプ１２１に対し、埋込層を形成するために、選択成長マスクとしてＳｉＯ２膜１２８が形成される。
【００１３】
選択成長マスクが分岐部１２２や終端部１２４上に形成されていたり、＜０１１＞方向以外の方向の部分１２６に形成されている場合は、埋込層を形成するときに特定の成長停止面が存在しない。従って、選択成長マスク上に埋込層が被ることとなる。図１２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、それぞれ分岐部１２２、終端部１２４、＜０１１＞方向以外の方向の部分１２６での埋込層の成長の様子を示したものである。図１２に示すように、分岐部１２２等では、活性層メサストライプ１２１上に形成された選択成長マスクであるＳｉＯ２膜１２８上に埋込層１３０が被って成長することとなる。このような埋込層１３０の被り成長は、埋込層１３０の結晶成長時に塩素系ガスを添加しても抑制することはできない。
【００１４】
光集積回路において、上述のような被り成長が生じた部分には、積層欠陥が発生してしまう。更に、その後の工程で選択成長マスクを除去してクラッド層、コンタクト層を形成する場合に、被り成長によって生じた埋込層のオーバーハングの下が空洞となる。図１３は、埋込層の被り成長によって空洞が生じた光集積回路の断面構造の一例を示したものである。
【００１５】
図１３に示すように、ｎ型ＩｎＰ基板１３２に形成された活性層メサストライプ１２１の両端にｐ型ＩｎＰ埋込層１３４、ｎ型ＩｎＰ埋込層１３６が層状に形成されている。更に、これらの上面にｐ型ＩｎＰクラッド層１３８、ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層１４０が順次形成されている。ｎ型ＩｎＰ埋込層１３６には、活性層メサストライプ１２１上に被って成長したオーバーハング部１４２が生じている。オーバーハング部１４２の下には、ｐ型ＩｎＰクラッド層１３８が形成されず、空洞１４４が生じている。
【００１６】
上述した埋込層の被り成長に起因する積層欠陥や空洞は、屈折率の揺らぎとなり光の導波を妨げることとなる。更には、デバイス動作時に電気的劣化の原因ともなっていた。
【００１７】
本発明の目的は、被り成長を生じることなく、メサストライプ等の突出構造に対して埋込層を成長しうる半導体装置の製造方法を提供することにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、マスクが形成された面を有する突出構造に対し、前記マスクが形成された面以外の前記突出構造の周辺に、Ｓｅ又はＳを５×１０18ｃｍ-3以上の濃度で添加したIII−Ｖ族半導体を成長させることにより形成され、前記マスク端部から上方に向かって延在して、前記突出構造の表面よりも高い領域を有する埋込層を設けることを特徴とする半導体装置の製造方法により達成される。
【００１９】
また、上記の半導体装置の製造方法において、前記ＩＩＩ−Ｖ族半導体は、ＩｎＰであってもよい。
【００２０】
また、上記の半導体装置の製造方法において、前記突出構造は、分岐部を有するメサストライプであってもよい。
【００２１】
また、上記の半導体装置の製造方法において、前記突出構造は、終端部を有するメサストライプであってもよい。
【００２２】
また、上記の半導体装置の製造方法において、前記突出構造は、＜０１１＞方向の部分と＜０１１＞方向以外の方向の部分とを有するメサストライプであってもよい。
【００２３】
また、上記の半導体装置の製造方法において、前記埋込層を形成するときに塩素を含有するガスを導入してもよい。
【００２４】
また、上記の半導体装置の製造方法において、前記マスクは、酸化シリコン及び／又は窒化シリコンの膜であってもよい。
【００２５】
【発明の実施の形態】
［第１実施形態］
本発明の第１実施形態による光集積回路の製造方法について図１乃至図４を用いて説明する。図１は、本実施形態による光集積回路の製造方法を示す工程断面図、図２は、分岐部の被り長さとＳｅ濃度との関係を示すグラフ、図３は、Ｓｅのドーピング効率の基板面方位依存性を示すグラフ、図４は、Ｓｅ添加による特定面上への半導体層の成長を抑制する従来技術を示す概略図である。
【００２６】
本実施形態による光集積回路の製造方法は、＜０１１＞方向以外の方向のメサストライプについてＢＨ構造を形成するものである。
【００２７】
まず、図１（ａ）に示すように、ｎ型ＩｎＰ基板１０上に、ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＧａＡｓＰ多重量子井戸層１２、ｐ型ＩｎＰクラッド層１４をそれぞれ順次形成する。
【００２８】
次に、図１（ｂ）に示すように、ｐ型ＩｎＰクラッド層１４上にＳｉＯ２膜１６をエッチング保護膜として形成し、例えば＜０１１＞１０°  ｏｆｆ＜０１０＞方向、即ち＜０１１＞方向から＜０１０＞方向に１０°傾斜した方向の、高さ約１．５μｍの活性層メサストライプ１８をドライエッチングにより形成する。
【００２９】
続いて、図１（ｃ）に示すように、ＳｉＯ２膜１６を選択成長マスクとして、ＭＯＶＰＥ法により、層厚約１μｍのｐ型ＩｎＰ埋込層２０を、活性層メサストライプ１８両側のＩｎＰ基板１０上に結晶成長する。このとき、ＩＩＩ族元素原料、Ｖ族元素原料としてそれぞれＴＭＩ（ＴｒｉＭｅｔｈｙｌＩｎｄｉｕｍ）、ＰＨ３を用いる。また、ドーパントガスとしてＤＥＺｎ（ＤｉＥｔｈｙｌｚｉｎｃ）を用いてｐ型ＩｎＰ埋込層２０にＺｎを添加し、ｐドーピング濃度を約１×１０１８ｃｍ−３とする。成長時の温度は約６３０℃、圧力は約０．１気圧である。
【００３０】
ｐ型ＩｎＰ埋込層２０形成後、引き続きＭＯＶＰＥ法により、ｐ型ＩｎＰ埋込層２０上に、層厚約０．７μｍのｎ型ＩｎＰ埋込層２２を結晶成長する（図１（ｃ））。このとき、ドーパントガスとしてＨ２Ｓｅを用いてｎ型ＩｎＰ埋込層２２にＳｅを添加し、ｎドーピング濃度を約５×１０１８ｃｍ−３とする。
【００３１】
ここで、ｎ型ＩｎＰ埋込層２２成長時にｎ型ドーパントとしてＳｅを添加する効果について図２及び図３を用いて説明する。
【００３２】
図２は、１．５μｍの高さを有するメサストライプの分岐部において、ｎ型ＩｎＰ埋込層の選択成長マスクへの被り長さのＳｅ濃度依存性を示すグラフである。図２から明らかなように、添加するＳｅ濃度が５×１０１８ｃｍ−３以上となるとほぼ完全に被り成長が停止している。この現象は以下のように説明することができる。
【００３３】
ＶＩ族元素であるＳｅは、ｎ型ＩｎＰ結晶成長時にＰ格子点に取り込まれドナーとなる。このＳｅのドーピング効率（ｎ型ドナー濃度／ドーパント供給量）は成長面方位によって変化する。図３は、Ｓｅのドーピング効率の基板面方位による変化を示すグラフである。図３から明らかなように、（１００）面から（３１１）Ｂ面及び（０１１）Ｂ面に比べ、その他の面方位では、ドーピング効率が１桁以上増加している。
【００３４】
選択成長マスク端では、成長面方位として（１１１）面などのＳｅのドーピング効率が高い面が支配的であることが知られている。従って、Ｓｅを（１００）面上の濃度５×１０１８ｃｍ−３で添加すると、選択成長マスク端で現れる面では５×１０１９ｃｍ−３の高濃度となる。このため、ＳｅがＰの格子点を占有することとなり、ＩｎＰの結晶成長が停止すると考えられる。更に、選択成長マスク上では、原料ガスが消費されないので、選択成長マスクからエピタキシャル層への原料拡散が生じていると考えられる。この結果、選択成長マスク端でのＳｅ濃度が、面方位依存性から予測される以上に増加すると推定される。
【００３５】
Ｓｅを８×１０１８ｃｍ−３以上の濃度でＩｎＰ埋込層に添加することにより特定面上への成長を抑制する技術が、特開平６−２８３８１６号公報に開示されている。この技術は、図４に示すように、選択成長マスクが無い状態で＜０１１＞方向のメサストライプ１４６について埋込構造の形成を行う。このとき、Ｓｅを添加して埋込層１４８を成長すると、メサ上（１００）面での成長速度が、メサ脇（１００）面での成長速度に比べて遅くなることを利用して、メサ上（１００）面への埋込層１４８の成長を抑制するものである。
【００３６】
これに対し、本発明は、選択成長マスクが形成されたメサストライプでの被り成長を抑制するものであり、＜０１１＞方向以外の方向のメサストライプに対しても適用することができる。更に、上述のように、Ｓｅドーピング効率が増加する面方位での成長速度が減少することを原理としている。従って、特開平６−２８３８１６号公報に開示された発明と本発明とは明らかに異なったものである。
【００３７】
このように、本実施形態による光集積回路の製造方法は、選択成長マスクを形成したメサストライプにｎ型ＩｎＰ埋込層を形成する際に、ｎ型ドーパントとしてＳｅを添加することに特徴がある。これにより、ｎ型ＩｎＰ埋込層の選択成長マスク上への被り成長を抑制することができる。
【００３８】
上述のように、被り成長を生じることなくｎ型ＩｎＰ埋込層２２を形成した後、ＳｉＯ２膜１６をＨＦによるエッチングによって除去する。続いて、図１（ｄ）に示すように、全面にｐ型ＩｎＰクラッド層２４、ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層２６を順次形成する。
【００３９】
最後に、図１（ｅ）に示すように、ｎ型ＩｎＰ基板１０下面にｎ型電極２８を形成し、ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層２６上にｐ型電極３０を形成する。こうして、光集積回路の製造を終了する。
【００４０】
このように、本実施形態によれば、ｎ型ＩｎＰ埋込層形成時に、ｎ型ドーパントとしてＳｅを添加するので、選択成長マスク上に被り成長を生じることなくｎ型ＩｎＰ埋込層を成長することができる。
【００４１】
［第２実施形態］
本発明の第２実施形態による光集積回路の製造方法について図５及び図６を用いて説明する。図５は、本実施形態による光集積回路の製造方法を示す工程断面図、図６は、光集積回路の製造方法を示す斜視図である。
【００４２】
本実施形態による光集積回路の製造方法は、終端部を有するメサストライプについてＢＨ構造を形成するものである。
【００４３】
まず、図５（ａ）に示すように、ｎ型ＩｎＰ基板１０上に、ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＧａＡｓＰ多重量子井戸層１２、ｐ型ＩｎＰクラッド層１４をそれぞれ順次形成する。
【００４４】
次に、図５（ｂ）及び図６（ａ）に示すように、ｐ型ＩｎＰクラッド層１４上にＳｉＯ２膜１６をエッチング保護膜として形成し、＜０１１＞方向の高さ約１．５μｍの活性層メサストライプ１８をドライエッチングにより形成する。この活性層メサストライプ１８は終端部３２を有している。なお、図５（ｂ）は、図６（ａ）のＡ−Ａ′線断面図を示している。
【００４５】
続いて、図５（ｃ）及び図６（ｂ）に示すように、ＳｉＯ２膜１６を選択成長マスクとして、ＭＯＶＰＥ法により、層厚約１μｍのｐ型ＩｎＰ埋込層２０を、活性層メサストライプ１８両側のＩｎＰ基板１０上に結晶成長する。なお、図５（ｃ）は、図６（ｂ）のＡ−Ａ′線断面図を示している。このとき、ＩＩＩ族元素原料、Ｖ族元素原料としてそれぞれＴＭＩ、ＰＨ３を用いる。また、ドーパントガスとしてＤＥＺｎを用いてｐ型ＩｎＰ埋込層２０にＺｎを添加し、ｐドーピング濃度を約１×１０１８ｃｍ−３とする。成長時の温度は約６３０℃、圧力は約０．１気圧である。
【００４６】
ｐ型ＩｎＰ埋込層２０形成後、引き続きＭＯＶＰＥ法により、ｐ型ＩｎＰ埋込層２０上に、層厚約０．７μｍのｎ型ＩｎＰ埋込層２２を結晶成長する（図５（ｃ）及び図６（ｂ））。このとき、ドーパントガスとしてＨ２Ｓｅを用いてｎ型ＩｎＰ埋込層２２にＳｅを添加し、ｎドーピング濃度を約５×１０１８ｃｍ−３とする。
【００４７】
第１実施形態と同様に、ｎ型ＩｎＰ埋込層２２を結晶成長する際にＳｅを添加しているので、終端部３２においてもｎ型ＩｎＰ埋込層２２の被り成長が生じることはない。
【００４８】
その後、ＳｉＯ２膜１６をＨＦによるエッチングによって除去し、図５（ｄ）及び図６（ｃ）に示すように、全面にｐ型ＩｎＰクラッド層２４、ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層２６を順次形成する。なお、図５（ｄ）は、図６（ｃ）のＡ−Ａ′線断面図を示している。
【００４９】
最後に、図５（ｅ）に示すように、ｎ型ＩｎＰ基板１０下面にｎ型電極２８を形成し、ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層２６上にｐ型電極３０を形成する。こうして、光集積回路の製造を終了する。
【００５０】
このように、本実施形態によれば、ｎ型ＩｎＰ埋込層形成時に、ｎ型ドーパントとしてＳｅを添加するので、選択成長マスク上に被り成長を生じることなくｎ型ＩｎＰ埋込層を成長することができる。
【００５１】
［第３実施形態］
本発明の第３実施形態による光集積回路の製造方法について図７及び図８を用いて説明する。図７は、本実施形態による光集積回路の製造方法を示す工程断面図、図８は、光集積回路の製造方法を示す斜視図である。
【００５２】
本実施形態による光集積回路の製造方法は、分岐部を有するメサストライプについてＢＨ構造を形成するものである。
【００５３】
まず、図７（ａ）に示すように、ｎ型ＩｎＰ基板１０上に、ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＧａＡｓＰ多重量子井戸層１２、ｐ型ＩｎＰクラッド層１４をそれぞれ順次形成する。
【００５４】
次に、図７（ｂ）及び図８（ａ）に示すように、ｐ型ＩｎＰクラッド層１４上にＳｉＯ２膜１６をエッチング保護膜として形成し、高さ約１．５μｍの活性層メサストライプ１８をドライエッチングにより形成する。この活性層メサストライプ１８は分岐部３４を有している。なお、図７（ｂ）は、図８（ａ）のＢ−Ｂ′線断面図を示している。
【００５５】
続いて、図７（ｃ）及び図８（ｂ）に示すように、ＳｉＯ２膜１６を選択成長マスクとして、ＭＯＶＰＥ法により、層厚約１μｍのｐ型ＩｎＰ埋込層２０を、活性層メサストライプ１８両側のＩｎＰ基板１０上に結晶成長する。なお、図７（ｃ）は、図８（ｂ）のＢ−Ｂ′線断面図を示している。このとき、ＩＩＩ族元素原料、Ｖ族元素原料としてそれぞれＴＭＩ、ＰＨ３を用いる。また、ドーパントガスとしてＤＥＺｎを用いてｐ型ＩｎＰ埋込層２０にＺｎを添加し、ｐドーピング濃度を約１×１０１８ｃｍ−３とする。成長時の温度は約６３０℃、圧力は約０．１気圧である。
【００５６】
ｐ型ＩｎＰ埋込層２０形成後、引き続きＭＯＶＰＥ法により、ｐ型ＩｎＰ埋込層２０上に、層厚約０．７μｍのｎ型ＩｎＰ埋込層２２を結晶成長する（図７（ｃ）及び図８（ｂ））。このとき、ドーパントガスとしてＨ２Ｓｅを用いてｎ型ＩｎＰ埋込層２２にＳｅを添加し、ｎドーピング濃度を約５×１０１８ｃｍ−３とする。
【００５７】
第１実施形態と同様に、ｎ型ＩｎＰ埋込層２２を結晶成長する際にＳｅを添加しているので、分岐部３４においてもｎ型ＩｎＰ埋込層２２の被り成長が生じることはない。
【００５８】
その後、ＳｉＯ２膜１６をＨＦによるエッチングによって除去し、図７（ｄ）及び図８（ｃ）に示すように、全面にｐ型ＩｎＰクラッド層２４、ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層２６を順次形成する。なお、図７（ｄ）は、図８（ｃ）のＢ−Ｂ′線断面図を示している。
【００５９】
最後に、図７（ｅ）に示すように、ｎ型ＩｎＰ基板１０下面にｎ型電極２８を形成し、ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層２６上にｐ型電極３０を形成する。こうして、光集積回路の製造を終了する。
【００６０】
このように、本実施形態によれば、ｎ型ＩｎＰ埋込層形成時に、ｎ型ドーパントとしてＳｅを添加するので、選択成長マスク上に被り成長を生じることなくｎ型ＩｎＰ埋込層を成長することができる。
【００６１】
［変形実施形態］
本発明の上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
【００６２】
例えば、上記実施形態では、ｎ型ＩｎＰ埋込層２２を形成するときに、ｎ型ドーパントとしてＨ２Ｓｅを用いてＳｅを添加しているが、ｎ型ＩｎＰ埋込層２２に添加する元素はＳｅに限定されるものではない。Ｓｅ以外のＶＩ族元素も、Ｓｅと同様にＰ格子点に取り込まれドナーとなる。例えば、Ｓのドーピング効率の基板面方位依存性も、図９に示すように、（１００）面に比べ、（１１１）Ｂ面付近で２桁以上増加する。従って、ｎ型ＩｎＰ埋込層成長のｎ型ドーパントとしてＨ２Ｓを用いてＳを添加することによっても、上記実施形態と同様に、活性層メサストライプの分岐部や終端部等でのｎ型ＩｎＰ埋込層の被り成長を抑制することが可能である。
【００６３】
また、上記実施形態におけるＭＯＶＰＥ法によるｎ型及びｐ型ＩｎＰ埋込層成長時に、Ｃｌ２、ＨＣｌ、ＣＨ３Ｃｌ、ＣＣｌ４、ＣＨ３ＣＨ２Ｃｌ、ＰＣｌ３等の塩素を含有するガスを同時に添加してもよい。
【００６４】
また、上記実施形態では、ｐ型ＩｎＰ埋込層２０を形成するときに、ドーパントガスとしてＤＥＺｎを用いてＺｎを添加していたが、これに限定されるものではない。例えば、ドーパントとしてＣｐ２Ｆｅを用いて、Ｆｅを添加してもよい。
【００６５】
また、上記実施形態では、活性層メサストライプ１８を形成するためのエッチングマスクとして、ＳｉＯ２膜１６を形成しているが、これに限定されるものではない。ＳｉＯ２膜の代わりとして、Ｓｉ３Ｎ４膜、ＳｉＯＮ膜等をエッチングマスクとしてもよい。
【００６６】
また、上記実施形態では、埋込層の材料としてＩｎＰを用いているが、これに限定されるものではなく、その他のＩＩＩ−Ｖ族半導体も埋込層の材料とすることができる。
【００６７】
また、上記実施形態では、活性層としてＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＧａＡｓＰ多重量子井戸層１２を用いているが、活性層の構造は、量子井戸構造に限定されるものではない。
【００６８】
【発明の効果】
以上の通り、本発明によれば、マスクが形成された面を有する突出構造に対し、マスクが形成された面以外の突出構造の周辺にＳｅ又はＳを５×１０１８ｃｍ−３以上の濃度で添加したＩＩＩ−Ｖ族半導体の埋込層を形成するので、被り成長を生じることなく埋込層を成長することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態による光集積回路の製造方法を示す工程断面図である。
【図２】分岐部の被り長さとＳｅ濃度との関係を示すグラフである。
【図３】Ｓｅのドーピング効率の基板面方位依存性を示すグラフである。
【図４】Ｓｅ添加による特定面上への半導体層の成長を抑制する従来技術を示す概略図である。
【図５】本発明の第２実施形態による光集積回路の製造方法を示す工程断面図である。
【図６】本発明の第２実施形態による光集積回路の製造方法を示す斜視図である。
【図７】本発明の第３実施形態による光集積回路の製造方法を示す工程断面図である。
【図８】本発明の第３実施形態による光集積回路の製造方法を示す斜視図である。
【図９】Ｓのドーピング効率の基板面方位依存性を示すグラフである。
【図１０】ＢＨ構造を有する半導体レーザの製造方法を示す工程断面図である。
【図１１】選択成長マスクを形成した光集積回路の活性層メサストライプの構造を示す概略図である。
【図１２】埋込層の選択成長マスク上への被り成長を示す概略図である。
【図１３】埋込層の被り成長によって空洞が生じた光集積回路の断面構造を示す概略図である。
【符号の説明】
１０…ｎ型ＩｎＰ基板
１２…ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＧａＡｓＰ多重量子井戸層
１４…ｐ型ＩｎＰクラッド層
１６…ＳｉＯ２膜
１８…活性層メサストライプ
２０…ｐ型ＩｎＰ埋込層
２２…ｎ型ＩｎＰ埋込層
２４…ｐ型ＩｎＰクラッド層
２６…ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層
２８…ｎ型電極
３０…ｐ型電極
３２…終端部
３４…分岐部
１００…ｎ型ＩｎＰ基板
１０２…ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＧａＡｓＰ多重量子井戸層
１０４…ｐ型ＩｎＰクラッド層
１０６…ＳｉＯ２膜
１０８…活性層メサストライプ
１１０…ｐ型ＩｎＰ埋込層
１１２…ｎ型ＩｎＰ埋込層
１１４…ｐ型ＩｎＰクラッド層
１１６…ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層
１１８…ｎ型電極
１２０…ｐ型電極
１２１…活性層メサストライプ
１２２…分岐部
１２４…終端部
１２６…＜０１１＞方向以外の方向の部分
１２８…ＳｉＯ２膜
１３０…埋込層
１３２…ｎ型ＩｎＰ基板
１３４…ｐ型ＩｎＰ埋込層
１３６…ｎ型ＩｎＰ埋込層
１３８…ｐ型ＩｎＰクラッド層
１４０…ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層
１４２…オーバーハング部
１４４…空洞
１４６…メサストライプ
１４８…埋込層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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