(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方導電型の基板の表面に他方導電型領域を形成してなるダイオード素子と、その素子の表面側と裏面側の各々を、左右一対のリード端子で上記ダイオード素子を狭持するようにロウ材により各リード端子に接続し、モールド樹脂で封止してなるダイオードにおいて、前記ダイオード素子の不純物拡散面を表面側と、基板を裏面とすると共に、上記ダイオード素子の表面側に接続されるリード端子が裏面側に接続されるリード端子よりも長くし且つダイオード素子の該表面側に接続されるリード端子との接続に用いられる上記ロウ材が裏面側と該裏面側に接続されるリード端子との接続に用いられる上記ロウ材よりも低い融点を有するものであることを特徴とするダイオード。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、ダイオード素子を左右一対のリード端子で狭持してなるダイオードに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、この種のダイオードは、例えば図２に示すように、ダイオード素子１１の両極と、該両極と導通する長さの異なる左右一対のリード端子１２，１３とが、該リード端子１２，１３でダイオード素子を上下方向に狭持するように接ロウ材１４，１５により接続され、これをモールド樹脂１６で封止するという構成をしている。
【０００３】
上記ダイオード素子１１の両極とリード端子１２，１３との接続は、先ず溶融状態の半田等のロウ材１４を下側のリード端子１３の内方部１３ａに付着させ、このロウ材１４上にダイオード素子１１を載置してロウ材１４を固化して接続し、次に上記ロウ材１４と同一のロウ材１５を上側となるリード端子１２の内方部１２ａに付着させ、これを上記のようにして下側のリード端子１３に接続したダイオード素子１１の上面側に重ね合わせて接続することにより行われる。
【０００４】
一般に、上記ダイオードに用いられるダイオード素子１１は、メサ型及びプレーナ型にタイプ別される。上記メサ型タイプは、例えば図３に示すように、一方導電型（ｎ型）の半導体基板２１の表面側にこれと逆の導電型（ｐ型）の領域２２が形成され、上記表面側の肩部には傾斜面が形成され、該傾斜面にガラス等の絶縁膜２３が形成されｐｎ接合面が保護され、上記半導体基板２１の表面と裏面には電極膜２４ａ，２４ｂが形成さるという構造を有する。また、プレーナ型タイプは、例えば図４に示すように、一方導電型（ｎ型）の半導体基板２５の表面側にこれと逆の導電型（ｐ型）の領域２６が形成され、上記半導体基板２５の表面にはｐｎ接合面の絶縁を保護する酸化シリコン等の絶縁膜２７とｐ型領域２６と導通する電極膜２８ａが形成され、半導体基板の裏面には電極膜２８ｂが形成されるという構造を有する。
【０００５】
尚、本明細書において、上記半導体基板２１，２５における逆の導電型の領域２２，２６の形成された面をダイオード素子の表面側という。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上記のようなダイオード素子において、その表面側、即ち上記半導体基板の表面側は、裏面側に比して不純物の拡散、絶縁膜の形成等の熱処理工程等が多くなされ、しかも複雑な構造を有するために、裏面側より熱的強度及び機械的強度が低いものであり、素子破壊又は素子不良が生じるとすれば主に表面側の問題であった。
【０００７】
このようなことがあって、従来より、ダイオード素子とリード端子の接続工程、該接続工程以後の搬送工程等の製造時にリード端子によりダイオード素子に及ぼされる機械的応力を緩和しようと、リード端子の適宜箇所に屈曲部を設けるなどして対処されていた。
【０００８】
しかしながら、従来は、上記のように機械的応力に対してのみ対処されるだけで、熱的応力、即ち熱によりダイオード素子が伸縮したときに該ダイオード素子に加わるストレスについては全く対処乃至考慮されていなかった。
【０００９】
即ち、ダイオードを半田等によりプリント基板等に実装する際に溶融半田からリード端子を伝わってダイオード素子に及ぼされる熱、ダイオード素子をリード端子に接続する際に溶融状態のロウ材がダイオード素子に及ぼす熱等の熱的応力によっても素子破壊又は素子不良が当然生じるのである。
【００１０】
本発明は、上記課題を解消し、熱的応力による素子破壊又は素子不良の生じないダイオードを提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、ダイオード素子をリード端子で挟み込んだ構造のダイオードにおいて、上記のような熱的応力による素子破壊又は素子不良の問題に鑑み鋭意研究を重ねた結果、ダイオード素子の不純物拡散面を表面側と、基板を裏面とすると共に、上記タイプのダイオードは該ダイオードの底面からダイオード素子までのリード端子の長さが左右リード端子で異なることに着目し、長い方のリード端子をダイオード素子の表面側に接続し、短い方のリード端子をダイオード素子の裏面側に接続したときは、ダイオード素子表面側の方が裏面側に比して実装時に溶融半田からリード端子を通って伝わる熱量が小さく、熱量が小さい分ダイオード素子表面側のリード端子接続に用いるロウ材を低融点なものとし得、ダイオード素子に与える熱的応力を低減できることを見出した。
【００１２】
即ち、本発明は、一方導電型の基板の表面に他方導電型領域を形成してなるダイオード素子の表面側と裏面側の各々を、左右一対のリード端子で上記ダイオード素子を狭持するようにロウ材により各リード端子に接続し、モールド樹脂で封止してなるダイオードにおいて、上記ダイオード素子の表面側に接続されるリード端子が裏面側に接続されるリード端子よりも長く、且つダイオード素子の表面側と該表面側に接続されるリード端子との接続に用いられる上記ロウ材が、裏面側と該裏面側に接続されるリード端子との接続に用いられる上記ロウ材よりも低い融点を有するものであることを特徴とするダイオードに係るものである。
【００１３】
【作用】
ダイオードにおける一対のリード端子を、実装時の実装用半田の付着面からダイオード素子の接続面までのリード端子の距離が、ダイオード素子の裏面側に接続されるものに比してダイオード素子の表面側に接続されるものの方が長くなるように接続しているので、実装時に実装用の溶融半田からリード端子を媒体としてダイオード素子に伝わる熱量は、ダイオード素子の表面側と裏面側とでは表面側の方が当然のことながら小さくなる。この伝わる熱量が小さくなる分、ダイオード素子の表面側におけるリード端子接続に用いるロウ材の融点を裏面側に用いるものに比して、実装時の上記溶融半田からダイオード素子の表面側に伝わる熱量で溶融しない程度までの範囲で低いものとし得るのである。
【００１４】
従って、ダイオード素子の表面側とリード端子との接続時に該表面側にかかる熱量は可能な範囲で低減されることになり、ダイオード素子の裏面側よりも強度的に弱い表面側に及ぼされる熱的応力を最小限にまで緩和できるのである。
【００１５】
【実施例】
以下、実施例を示し、本発明の特徴とするところをより詳細に説明する。
【００１６】
図１に示すように、本実施例において、ダイオードは、メサ型又はプレーナ型のダイオード素子１を第１のリード端子２及び第２のリード端子３で挟み込むように、ダイオード素子１の表面側１ａと裏面側１ｂとにそれぞれ第１のリード端子２と第２のリード端子３とを半田等の第１及び第２のロウ材４，５により接続し、この状態でモールド樹脂６でパッケージした形態になっている。
【００１７】
上記ダイオードにおいて、ダイオード素子１の表面側１ａに接続される第１のリード端子２は、裏面側１ｂに接続される第２のリード端子３よりも、実装用半田７によりプリント基板８等に実装されたときに上記実装用半田７の境界部からダイオード素子１の接続部までの距離が長さｘ分長くなっている。このリード端子長さの長い分、ダイオード素子１の表面側１ａに伝わる熱量は、裏面側１ｂに伝わる熱量よりも少なくなることとなる。
【００１８】
よって、上記伝わる熱量が少ない分、ダイオード素子１の表面側１ａと第１のリード端子２とを接続するのに用いられる上記第１のロウ材４は、裏面側１ｂと第２のリード端子３との接続に用いられる第２のロウ材５よりも低い融点のものとし得るのである。例えば第２のロウ材５の融点を２９５℃とするのであれば第１のロウ材４の融点は２８５℃とされる。ただし、当然のことながら上記第１及び第２のロウ材４，５の融点は、実装時に溶融しない程度以上のものとされる。
【００１９】
【発明の効果】
本発明によれば、ダイオード素子の表面側に及ぼす熱的応力を裏面側よりも低減できるので、熱による素子破壊又は素子不良を最小限に低減できるのである。
【図面の簡単な説明】
【図１】ダイオードを実装基板に実装した状態を示す断面図である。
【図２】ダイオードの構造を示す断面図である。
【図３】メサ型ダイオード素子を示す断面図である。
【図４】プレーナ型ダイオード素子を示す断面図である。
【符号の説明】
１            ダイオード素子
２            第１のリード端子
３            第２のリード端子
４            第１のロウ材
５            第２のロウ材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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