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【手続補正書】
【提出日】平成29年2月15日(2017.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のキャビティと、前記第１のキャビティに流体連通する第１の流体ポートと、開口端部とを含む第１の弧状チャンバを画成する第１のハウジングと；
前記第１のハウジング内に回転可能にジャーナル支持され、ロータリ出力軸と、前記ロータリ出力軸から半径方向外方に延びる第１のロータ・アームとを含むロータ・アセンブリと；
前記第１のハウジング内に、前記第１の弧状チャンバ内で、前記開口端部を通って往復動自在に配設された弧状の第１のピストンであって、第１のシールと、前記第１のキャビティと、前記第１のピストンとが第１の圧力チャンバを画成し、前記第１のピストンの第１の部分が前記第１のロータ・アームと接触する、第１のピストンと；
前記ロータリ出力軸の外面に形成された中央装着点と、前記ロータリ出力軸の前記中央装着点の近位にある前記第１のハウジングの外周面に形成された半径方向の凹部とを含む中央作動アセンブリであって、前記中央装着点が前記ロータリ出力軸の長手方向軸線の中間点の近位にある、中央作動アセンブリと；
前記半径方向の凹部を通って延びており、近位側端が前記中央装着点へ取り外し自在に取り付けられた作動アームであって、遠位端が被作動部材の外部装着部位への取り付けに適した作動アームとを備える；
ロータリ・アクチュエータ。
【請求項２】
前記第１のハウジングの半径方向突出部を備える中央装着アセンブリを更に含み、前記半径方向突出部が、前記作動アームから約１８０°に配設され、前記中央装着アセンブリは外部装着部位への取り付けに適する； 
請求項１に記載のロータリ・アクチュエータ。
【請求項３】
前記第１のハウジングが、第２のキャビティと、前記第２のキャビティに流体連通する第２の流体ポートとを備える第２の弧状チャンバを更に画成する；
請求項１に記載のロータリ・アクチュエータ。
【請求項４】
前記ロータ・アセンブリは第２のロータ・アームを更に備え；
前記ロータリ・アクチュエータは、前記第２の弧状チャンバ内で往復動自在に前記第１のハウジングに配設された弧状の第２のピストンを更に備え；
第２のシールと、前記第２のキャビティと、前記第２のピストンとが第２の圧力チャンバを画成し、前記第２のピストンの第１の部分が前記第２のロータ・アームに接触する；
請求項３に記載のロータリ・アクチュエータ。
【請求項５】
前記央作動アセンブリが、前記ロータリ出力軸の中央装着点の近位にある前記第１のハウジングの外周面に形成された半径方向の凹部を更に含み；
前記作動アームが半径方向の凹部を通って延びている；
請求項４に記載のロータリ・アクチュエータ。
【請求項６】
前記第１のハウジングの半径方向突出部を備える中央装着アセンブリを更に含み、前記半径方向突出部が、前記作動アームから約１８０°に配設され、前記中央装着アセンブリは外部装着部位への取り付けに適する；
請求項５に記載のロータリ・アクチュエータ。
【請求項７】
前記第１のハウジングは一体ハウジングとして形成された；
請求項１に記載のロータリ・アクチュエータ。
【請求項８】
ロータリ・アクチュエータを提供するステップであって前記ロータリ・アクチュエータは；
第１のキャビティと、前記第１のキャビティに流体連通する第１の流体ポートと、開口端部とを含む第１の弧状チャンバを画成する第１のハウジングと；
前記第１のハウジング内に回転可能にジャーナル支持され、ロータリ出力軸と、前記ロータリ出力軸から半径方向外方に延びる第１のロータ・アームとを含むロータ・アセンブリと；
前記第１のハウジング内に、前記第１の弧状チャンバ内で、前記開口端部を通って往復動自在に配設された弧状の第１のピストンであって、第１のシールと、前記第１のキャビティと、前記第１のピストンとが第１の圧力チャンバを画成し、前記第１のピストンの第１の部分が前記第１のロータ・アームと接触する、第１のピストンと；
前記ロータリ出力軸の外面に形成された中央装着点と、前記ロータリ出力軸の前記中央装着点の近位にある前記第１のハウジングの外周面に形成された半径方向の凹部とを含む中央作動アセンブリであって、前記中央装着点が前記ロータリ出力軸の長手方向軸線の中間点の近位にある、中央作動アセンブリと；
前記半径方向の凹部を通って延びており、近位側端が前記中央装着点へ取り外し自在に取り付けられた作動アームであって、遠位端が被作動部材の外部装着部位への取り付けに適した作動アームとを備える、ロータリ・アクチュエータを提供するステップと；
加圧流体を前記第１の圧力チャンバへ送るステップと；
前記第１のピストンを前記第１の圧力チャンバから部分的に外方へ付勢し、前記ロータリ出力軸の第１の方向の回転を付勢するステップと；
前記ロータリ出力軸を第１の方向とは反対の第２の方向に回転させるステップと；
前記第１のピストンを部分的に前記第１の圧力チャンバ内へと付勢し加圧流体を前記第１の流体ポートから外へと押し出すステップとを備える；
回転作動の方法。
【請求項９】
前記第１のハウジングが、第２のキャビティと、前記第２のキャビティに流体連通する第２の流体ポートとを備える第２の弧状チャンバを更に画成する；
請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記ロータ・アセンブリは第２のロータ・アームを更に備え；
前記ロータリ・アクチュエータは、前記第２の弧状チャンバ内で往復動自在に前記第１のハウジングに配設された弧状の第２のピストンを更に備え；
第２のシールと、前記第２のキャビティと、前記第２のピストンとが第２の圧力チャンバを画成し、前記第２のピストンの第１の部分が前記第２のロータ・アームと接触する；
請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記ロータリ・アクチュエータが、前記第１のハウジングの半径方向突出部を備える中央装着アセンブリを更に含み、前記半径方向突出部が、前記作動アームから約１８０°に配設され、前記中央装着アセンブリは外部装着部位への取り付けに適する； 
請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１のハウジングは一体ハウジングとして形成された；
請求項８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月13日(2017.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
経糸（５）によって杼口を形成する作動装置であって、当該作動装置（１）は、屈曲可能なばねエレメント（９）に結合されかつ前記経糸（５）に結合可能なリフタ（７）と、制御可能なアクチュエータ（１１）とを有しており、該アクチュエータ（１１）は、前記ばねエレメント（９）を屈曲するように押圧し、かつ前記リフタ（７）は、前記ばねエレメント（９）の交番する屈曲変形によって往復動させられる作動装置（１）において、
前記ばねエレメント（９）は、両端部において保持体（１３，１５）に回動不能に緊締されていて、前記アクチュエータ（１１）によって片側においてかつ軸方向で圧縮されるように押圧され、前記アクチュエータ（１１）は、前記ばねエレメント（９）のための保持体（１５）を備えた直線的に案内される（１７）スライダ（１４）と、該スライダ（１４）のための駆動手段（１６）とを有していて、前記スライダ（１４）は往復動を実施し、前記駆動手段（１６）は、プッシャとして形成されていて、前記スライダ（１４）と解離可能に駆動結合していることを特徴とする作動装置。
【請求項２】
前記アクチュエータ（１１）は、変形された屈曲位置において前記ばねエレメント（９）を固定する制御可能なロック装置（３３）を有している、請求項１記載の作動装置。
【請求項３】
前記ロック装置（３３）は、前記スライダ（１４）に対して作用し、かつ該スライダ（１４）を前進ポジションにおいて運動死点の前でロックする、請求項２記載の作動装置。
【請求項４】
前記駆動手段（１６）は、前記スライダ（１４）と押圧するように駆動結合しており、かつ戻しエレメント（５４）、特に永久磁石と解離可能に戻し結合している、請求項１から３までのいずれか１項記載の作動装置。
【請求項５】
前記プッシャ（１６）は、軸（２９）と往復動する軸駆動装置（３０）とを備えたスイングレバー（２８）を有しており、前記駆動手段（１６）、特に前記プッシャ（１６）は、可動の、特にその軸線を中心にして回転可能な伝達エレメント（３１）を、前記スライダ（１４）との駆動接触のために有している、請求項１から４までのいずれか１項記載の作動装置。
【請求項６】
前記スライダ（１４）は、好ましくはプレート状の本体（１８）を有していて、該本体（１８）は、変位可能な接触ジョイント（１９）、特にばね弾性的な押圧アームを、前記駆動手段（１６）との駆動結合のために有しており、前記接触ジョイント（１９）と前記プッシャ（１６）の前記伝達エレメント（３１）とは、接触箇所において、互いに合わせられた回転対称の形状を有している、請求項５記載の作動装置。
【請求項７】
前記スライダ（１４）は、互いに反対側に位置する２つの側にそれぞれ１つのストッパ（２２，２３）と別の凹部（２０，２１）とを有しており、該ストッパ（２２，２３）と該別の凹部（２０，２１）とは、前記スライダ（１４）の長手方向において軸方向にずらされて配置されている、請求項１から６までのいずれか１項記載の作動装置。
【請求項８】
前記ロック装置（３３）は、制御可能な駆動装置（３７）、特にピエゾ駆動装置と、前記スライダ（１４）に対して作用するロック手段（３６）とを有している、請求項１から７までのいずれか１項記載の作動装置。
【請求項９】
前記リフタ（７）は、前記ばねエレメント（９）との可動結合のために結合体（１０）を有している、請求項１から８までのいずれか１項記載の作動装置。
【請求項１０】
前記結合体（１０）は、前記リフタ（７）に固定されていて、差し込まれるばねエレメント（９）のための貫通孔（４０）を備えた滑りシュー（３８）として形成されており、前記貫通孔（４０）は、横断面で見て、リング状の周囲を閉じられた形状を有している、請求項８記載の作動装置。
【請求項１１】
当該作動装置（１）は、前記リフタ（７）を検出するセンサ装置（８）を有している、請求項１から１０までのいずれか１項記載の作動装置。
【請求項１２】
前記リフタ（７）は、扁平ロッドとして形成されていて、隣接したリフタのためのスペーサ（４５）を有している、請求項１から１１までのいずれか１項記載の作動装置。
【請求項１３】
織機（３）の経糸（５）によって、杼口、特にダブルストローク・オープン杼口を形成するための複数の装置（１）を備えた、杼口形成機、特にジャカード織機であって、前記装置（１）は、請求項１から１２までのいずれか１項記載のように形成されていることを特徴とする杼口形成機。
【請求項１４】
前記リフタ（７）は、複数のリフタ列のマトリックスにおいて、互いに並んでかつ相前後して配置されており、このとき前記リフタ（７）は、上方及び下方に向かってそのばねエレメント（９）を越えて突出しており、経糸方向（ｋ）に沿って方向付けられたリフタ列（５１）において、所属のばねエレメント（９）はほぼ整合してかつ互いに上下に間隔をおいて配置されており、このとき前記アクチュエータ（１１）は、前記リフタ列（５１）の左右に交互に配置されている、請求項１３記載の杼口形成機。
【請求項１５】
緯糸方向（ｓ）において同じ高さで相前後して配置された前記アクチュエータ（１１）は、１つの共通の軸駆動装置（３０）を備えた１つの共通の軸（２９）を有しており、前記１つの共通の軸（２９）に、個々にスイングレバー（２８）が軸方向間隔をおいて配置されており、該スイングレバー（２８）は一緒に、軸方向において連続していて押圧棒として形成された１つの伝達手段（３１）を保持している、請求項１３又は１４記載の杼口形成機。
【請求項１６】
当該杼口形成機（２）は、リフタ（７）及び経糸（５）を所望のようにロックするための個々に制御可能な複数のロック装置（３３）を備えた選択装置（１２）を有している、請求項１３から１５までのいずれか１項記載の杼口形成機。
【請求項１７】
緯糸方向（ｓ）において同じ高さで相前後して配置された前記ロック装置（３３）は、複数のロックエレメント（３６）を有していて、該ロックエレメント（３６）は、経糸方向（ｋ）において交互に互いにずらされて配置されており、ずらされて配置された前記ロックエレメント（３６）と前記スライダ（１４）の同様にずらされた前記凹部（２０，２１）とが、相互に合わせられており、このとき前記凹部（２０，２１）は、隣接したスライダ（１４）のロックエレメント（３６）用の各１つの通路を形成している、請求項１３から１６までのいずれか１項記載の杼口形成機。
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月20日(2017.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向する受容チャネルを有する細長いトリムストリップを、別の物体に固定するためのシートメタルクリップであって、
平面トリム係合部と、前記平面トリム係合部から直角に延在した、または延在可能な物体係合部と、を有する一体成形シートメタル体を備え、
前記平面トリム係合部が、長いプロファイル寸法および前記長いプロファイル寸法より短い対角線プロファイル寸法を有する、長方形プロファイルを有し、前記対角線プロファイル寸法が、前記トリムストリップの長手方向と垂直であるときに、前記平面トリム係合部は、対向する受容チャネルの間を通ることができ、
前記長いプロファイル寸法が前記トリムストリップの前記長手方向と垂直であるときに、前記平面トリム係合部は前記チャネルに固定され、前記平面トリム係合部がその長いプロファイル寸法が前記トリムストリップの長手方向に対して垂直に回転させられた状態で前記受容チャネルに受容されるときに、前記平面トリム係合部のスロットは、弾性的に偏向されるばねセクションを作るように構成されて配置され、
前記平面トリム係合部が前記トリムストリップの長手方向に対して垂直であるとき、前記ばねセクションが、クリップのその他の最下端部よりも低く突き出し、受容チャネル壁を係合するように配置される鋭角の角部を有することを特徴とするシートメタルクリップ。
【請求項２】
前記スロットが、鋭角の角部の上に重なるように設けられていることを特徴とする請求項１記載のクリップ。
【請求項３】
前記スロットに垂直部分が含まれることを特徴とする請求項２記載のクリップ。
【請求項４】
前記ばねセクションのノッチは、マイナスドライバーを受容可能に設けられ、前記マイナスドライバーによる回転により、前記鋭角の角部を受容チャネル壁より取り外すことに効果的であることを特徴とする請求項１記載のクリップ。
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月4日(2017.1.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通路を通って流体接続する入口及び出口を有する、弁本体と、
前記通路に装着される、シートリングと、
前記弁本体内に摺動可能に配置される制御要素であって、前記制御要素及び前記弁シートが、協働して前記弁本体を通る流体流動を制御する、制御要素と、
第１のバックアップリングと第２のバックアップリングとの間に位置する金属／グラファイトシールリング、前記第２のバックアップリングに隣接して位置するバイアス要素、及び前記第２のバックアップリングに隣接する前記バイアス要素を保持するリテーナリングを有する、シールアセンブリと、を備える、摺動ステム制御弁。
【請求項２】
前記金属／グラファイトシールリングが、グラファイトリング、及び前記グラファイトリングを少なくとも部分的に包囲する金属製外囲体を含む、請求項１に記載の摺動ステム制御弁。
【請求項３】
前記金属製外囲体が、前記グラファイトリングの３つの側面を包囲する、請求項２に記載の摺動ステム制御弁。
【請求項４】
前記金属製外囲体が、約０．００１インチ〜約０．００５インチの厚さを有する、請求項２又は３に記載の摺動ステム制御弁。
【請求項５】
前記金属製外囲体が、底側、内側壁、及び外側壁を含む、請求項２乃至４のいずれかに記載の摺動ステム制御弁。
【請求項６】
前記内側壁及び前記外側壁が各々、前記グラファイトリングの厚さを超える高さを有する、請求項５に記載の摺動ステム制御弁。
【請求項７】
前記第２のバックアップリングが、前記金属製外囲体内に少なくとも部分的に配置される、請求項２乃至６のいずれかに記載の摺動ステム制御弁。
【請求項８】
前記第２のバックアップリングが、前記第１のバックアップリングよりも小さい半径方向寸法を有する、請求項１乃至７のいずれかに記載の摺動ステム制御弁。
【請求項９】
前記金属製外囲体が、Ｎ０７７１８、Ｎ０７７５０、アルミニウム、銅、及び青銅のうちの１つから形成される、請求項２乃至７のいずれかに記載の摺動ステム制御弁。
【請求項１０】
前記金属製外囲体が、銀めっきでコーティングされる、請求項２乃至７又は９のいずれかに記載の摺動ステム制御弁。
【請求項１１】
高温制御弁用のシールアセンブリであって、
第１のバックアップリングと第２のバックアップリングとの間に位置する金属／グラファイトシールリングと、
前記第２のバックアップリングに隣接して位置する、バイアス要素と、
前記第２のバックアップリングに対して前記バイアス要素を保持する、リテーナリングと、を備える、シールアセンブリ。
【請求項１２】
前記金属／グラファイトシールリングが、グラファイトリング、及び前記グラファイトリングを少なくとも部分的に包囲する金属製外囲体を含む、請求項１１に記載のシールアセンブリ。
【請求項１３】
前記金属製外囲体が、前記グラファイトリングの３つの側面を包囲する、請求項１〜１２に記載のシールアセンブリ。
【請求項１４】
前記金属製外囲体が、約０．００１インチ〜約０．００５インチの厚さを有する、請求項１〜１３のいずれかに記載のシールアセンブリ。
【請求項１５】
前記金属製外囲体が、底側、内側壁、及び外側壁を含む、請求項１〜１４のいずれかに記載のシールアセンブリ。
【請求項１６】
前記内側壁及び前記外側壁が各々、前記グラファイトリングの厚さを超える高さを有する、請求項１〜１５のいずれかに記載のシールアセンブリ。
【請求項１７】
前記第２のバックアップリングが、前記金属製外囲体内に少なくとも部分的に配置される、請求項１〜１６のいずれかに記載のシールアセンブリ。
【請求項１８】
前記第２のバックアップリングが、前記第１のバックアップリングよりも小さい半径方向寸法を有する、請求項１〜１７のいずれかに記載のシールアセンブリ。
【請求項１９】
前記金属製外囲体が、Ｎ０７７１８、Ｎ０７７５０、アルミニウム、銅、及び青銅のうちの１つから形成される、請求項１〜１８のいずれかに記載のシールアセンブリ。
【請求項２０】
前記金属製外囲体が、銀めっきでコーティングされる、請求項１〜１９のいずれかに記載のシールアセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月17日(2017.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
三つの渦を形成する混合燃料の減圧燃焼炉であって、
減圧室、当該減圧室への圧縮空気ノズルインレット、当該圧縮空気ノズルインレットを通して減圧室に入る圧縮空気ノズル、およびイジェクタアウトレットを含み、気体燃料を第１燃焼室に供給するインテークマニホールドと、
円筒形の外側部と、円錐形内部とを有する第１燃焼室であり、前記円錐形内部が、より小さい直径の第１の端と、より大きい直径を持つ第２の端を有し、前記円錐形内部の第１の端が前記インテークマニホールドに連結され、前記円錐形内部が方向付けブレードの第１のセットをさらに備えてなる第１燃焼室と、
前記第１燃焼室の円錐形内部の第２の端に連結される縮小するノズルであり、前記第１燃焼室に連結する、より大きな直径の円錐台形の第１の部分と、前記円錐台形の第１の部分のより小さな直径から延びた円筒形の第２の部分とを備えた縮小するノズルと、
前記縮小するノズルの円錐台形の第１の部分に対し直角とされ、液体燃料を第１燃焼室に注入するイジェクタと、そして
円筒形の第２燃焼室であり、当該第２燃焼室に空気を導くための方向付けブレードの第２のセットを備えた第２燃焼室とを備えてなり、
前記第１燃焼室のより小さい第１の端と、前記第１燃焼室のより大きい第２の端と、前記第１の方向付けブレードのセットとが、燃料の３つの渦を形成し、もって、燃焼炉の外に至るまで燃料の回転を維持し、燃料の通過を遅らせて完全な燃焼を可能にすることを特徴とする、燃焼炉。
【請求項２】
前記圧縮空気ノズルが、前記インテークマニホールドを経て第１燃焼室の炎の中心部に圧縮空気を吹き込む、請求項１に記載の混合燃料の減圧燃焼炉。
【請求項３】
前記インジェクタが、気体燃料の回転と反対の方向で、液体燃料を第１燃焼室に注入し、前記気体燃料が、前記第１の方向付けブレードのセットにより形成される３番目の渦において前記第１燃焼室の円錐形内部に対して右回りまたは左回りの方向に回転する、請求項１に記載の混合燃料の減圧燃焼炉。
【請求項４】
前記気体燃料が、天然ガス、水電気分解の副産物（HHO）、またはそれらの組み合わせである、請求項１に記載の混合燃料の減圧燃焼炉。
【請求項５】
前記液体燃料が、廃油、グリセリン、大豆オイル、産業燃料油（IFO）、またはそれらの組み合わせである、請求項１に記載の混合燃料の減圧燃焼炉。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の、三つの渦を形成する混合燃料の減圧燃焼炉において、混合燃料を効率よく燃焼させる方法であって、当該方法が
円錐形の第１燃焼室と接続されたインテークマニホールドを通して空気を噴出することにより、円錐形の第１燃焼室に減圧条件を作り、
インテークマニホールドを通じて円錐形の第１燃焼室に燃料を導入し、前記第１燃焼室のより小さい第１の端、および前記第１燃焼室のより大きい第２の端が、二つの最初の燃料セットおよび出てゆくガスの渦を形成し、
３番目の渦を形成するために、燃料の最初のセットを、前記円錐形の第１燃焼室の第１の方向付ブレードのセットに当て、前記円錐形の第１燃焼室および第２燃焼室を通り、燃焼炉の外に至るまで、前記三つの渦の回転を維持し、そして
最初の燃料セットの回転方向とは逆の方向に２番目の燃料セットをイジェクタにより円錐形の第１燃焼室に注入することを含んでなる、方法。
【請求項７】
前記最初の燃料セットが気体燃料であり、２番目の燃料セットが液体燃料である、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
第２の空気入口のブレードを通し、第２燃焼室へのさらに空気を導入することを含んでなる、請求項６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月6日(2017.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２５％〜９８．９９％の少なくとも１つの接着剤成分；
０．０１％〜１５％の少なくとも１つの抗菌剤；
１％〜６０％の少なくとも１つのゲル化しない崩壊剤；
を含み、前記崩壊剤が結晶セルロースを含有する、抗菌性接着剤組成物。
【請求項２】
６時間後、３．５ｌｏｇ以上のバンコマイシン耐性エンテロコッカス・フェシウム（ＶＲＥ）の増殖を抑制する、請求項１に記載の抗菌性接着剤組成物。
【請求項３】
接着剤組成物が感圧接着剤である、請求項１又は２に記載の抗菌性接着剤組成物。
【請求項４】
接着剤成分が、アクリル系接着剤、シリコーン系接着剤、ゴム系接着剤、およびポリウレタン系接着剤からなる群から選択される接着剤を含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の抗菌性接着剤組成物。
【請求項５】
更に、抗炎症剤、鎮痛剤、および麻酔剤、並びにそれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも１つの薬学的に活性な剤を含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の抗菌性接着剤組成物。
【請求項６】
抗菌剤がグルコン酸クロルヘキシジン（ＣＨＧ）である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の抗菌性接着剤組成物。
【請求項７】
崩壊剤が、デンプン、甘味料、クレイ、セルロース、セルロースエーテル、アルギン酸塩、ガム、塩類、酢酸塩、アルカリ金属炭酸塩、クエン酸、ポリ（メチル）アクリレート、ポリビニルピロリドン、ゼラチン、およびペクチン、並びにそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項１〜６のいずれか１項に記載の抗菌性接着剤組成物。
【請求項８】
接着剤組成物から抗菌剤の放出を増強する方法であって、
少なくとも１つの抗菌剤を含有する接着剤組成物を提供すること；
少なくとも１つのゲル化しない崩壊剤を接着剤組成物に包含させること；
を含み、前記崩壊剤が結晶セルロースを含有する、方法。
【請求項９】
抗菌剤の増強された放出が、組成物から抗菌剤の放出速度を増加させることによって示される、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
抗菌剤の増強された放出が、組成物から抗菌剤の過剰な放出を増加させることによって示される、請求項８又は９に記載の方法。
【請求項１１】
接着剤組成物が感圧接着剤である、請求項８〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
接着剤組成物が、２５％〜９８．９９％の少なくとも１つの接着剤成分、および０．０１％〜１５％の少なくとも１つの抗菌剤を含む、請求項８〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
接着剤成分が、アクリル系接着剤、シリコーン系接着剤、ゴム系接着剤、およびポリウレタン系接着剤からなる群から選択される、請求項８〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
更に、抗炎症剤、鎮痛剤、および麻酔剤、並びにそれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも１つの薬学的に活性な剤を含む、請求項８〜１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
抗菌剤がグルコン酸クロルヘキシジン（ＣＨＧ）である、請求項８〜１４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】
崩壊剤が、デンプン、甘味料、クレイ、セルロース、セルロースエーテル、アルギン酸塩、ガム、塩類、酢酸塩、アルカリ金属炭酸塩、クエン酸、ポリ（メチル）アクリレート、ポリビニルピロリドン、ゼラチン、およびペクチン、並びにそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項８〜１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１７】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の抗菌性接着剤組成物を含有する医療物品。
【請求項１８】
物品が、創傷ドレッシング材、外科用ドレッシング材、切開フィルム、医療用テープ、アスレチックテープ、外科用テープ、センサー、電極、オストミー器具または関連部品、カテーテル、装着コネクタ、カテーテルハブ、カテーテルアダプタ、液体送達チューブ、電線および電気ケーブル、陰圧閉鎖療法（ＮＰＷＴ）の部品、外科用ドレーン、創傷排出部品、静脈部位のドレッシング材、プロテーゼ、ストーマパウチ、バッカルパッチ、経皮吸収パッチ、義歯、ヘアピース、絆創膏、おむつ、並びに医療用パッドからなる群から選択される、請求項１７に記載の物品。
【請求項１９】
接着剤成分、少なくとも１つの抗菌剤、および少なくとも１つのゲル化しない崩壊剤を含み、前記崩壊剤が結晶セルロースを含有し、接触６時間後、２ｌｏｇを超える微生物の増殖を抑制する、抗菌性接着剤組成物。
【請求項２０】
組成物が、接触６時間後、３ｌｏｇを超える微生物の増殖を抑制する、請求項１９に記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月20日(2017.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号コンディショナーであって、
半二重シリアルバス上のデータ信号の所定のプロトコルレベルモードを検出するように構成される状態機械と、
前記所定のプロトコルレベルモードの検出に応答して前記半二重シリアルバス上の前記データ信号の立ち上がりエッジと立ち下がりエッジとの少なくとも１つに電流を注入するように構成されるリドライバと、
を含む、信号コンディショナー。
【請求項２】
請求項１に記載の信号コンディショナーであって、
前記半二重シリアルバスがユニバーサルシリアルバス（ＵＳＢ）規格互換デバイスである、信号コンディショナー。
【請求項３】
請求項２に記載の信号コンディショナーであって、
前記所定のプロトコルレベルモードがＨｉｇｈ−Ｓｐｅｅｄ  ＵＳＢプロトコルである、信号コンディショナー。
【請求項４】
請求項３に記載の信号コンディショナーであって、
前記データ信号が、前記ＵＳＢ規格互換デバイスのＤ＋及びＤ−ラインで提供される、信号コンディショナー。
【請求項５】
請求項１に記載の信号コンディショナーであって、
前記状態機械が、前記所定のプロトコルレベルモード以外のプロトコルレベルモードを検出することに応答して前記リドライバをディセーブルするように構成される、信号コンディショナー。
【請求項６】
請求項１に記載の信号コンディショナーであって、
前記リドライバが、
所定の最大立ち上がり時間より長い立ち上がり時間を有する前記データ信号の立ち上がりエッジを検出するように構成される立ち上がりエッジ検出器と、
所定の最大立ち下がり時間より長い立ち下がり時間を有する前記データ信号の立ち下がりエッジを検出するように構成される立ち下がりエッジ検出器と、
を更に含む、信号コンディショナー。
【請求項７】
請求項６に記載の信号コンディショナーであって、
前記リドライバが、
前記立ち上がりエッジ検出器から提供される所与のアクティベーション信号に応答して前記データ信号に正電流を注入するように構成される正電流ブースタと、
前記立ち下がりエッジ検出器から提供される別のアクティベーション信号に応答して前記データ信号に負電流を注入するように構成される負電流ブースタと、
を更に含む、信号コンディショナー。
【請求項８】
請求項７に記載の信号コンディショナーであって、
前記正電流ブースタが、前記データ信号の前記立ち上がりエッジが前記所定の最大立ち上がり時間より少ない立ち上がり時間を有すると判定することに応答して、前記所与のアクティベーション信号を前記正電流ブースタに提供しないように構成され、及び
前記負電流ブースタが、前記データ信号の前記立ち下がりエッジが前記所定の最大立ち下がり時間より少ない立ち下がり時間を有すると判定することに応答して、前記別のアクティベーション信号を前記負電流ブースタに提供しないように構成される、信号コンディショナー。
【請求項９】
請求項６に記載の信号コンディショナーであって、
前記正電流ブースタが、約２ミリアンペア（ｍＡ）から約６ｍＡまでのプログラマブル電流範囲を有する独立の電流源を含む、信号コンディショナー。
【請求項１０】
請求項１に記載の信号コンディショナーであって、
前記状態機械が、前記データ信号の波形特性に基づいて前記所定のプロトコルレベルモードを検出するように構成される、信号コンディショナー。
【請求項１１】
請求項１に記載の信号コンディショナーであって、
前記状態機械と前記リドライバとが別個の集積回路（ＩＣ）チップ上に実装される、信号コンディショナー。
【請求項１２】
請求項１に記載の信号コンディショナーを含む、集積回路（ＩＣ）チップ。
【請求項１３】
システムであって、
ユニバーサルシリアルバス（ＵＳＢ）デバイスであって、半二重チャネルを介して別のＵＳＢデバイスと通信する、前記ＵＳＢデバイスと、
信号コンディショナーであって、
前記半二重バスで伝搬されるデータ信号の所定のプロトコルレベルモードを検出するように構成される状態機械と、
前記所定のプロトコルレベルモードの検出に応答して前記半二重バス上の前記データ信号の立ち上がりエッジと立ち下がりエッジとの少なくとも１つに電流を注入するように構成されるリドライバと、
を含む、前記信号コンディショナーと、
を含む、システム。
【請求項１４】
請求項１３に記載のシステムであって、
前記所定のプロトコルレベルモードがＨｉｇｈ−Ｓｐｅｅｄ  ＵＳＢプロトコルである、システム。
【請求項１５】
請求項１４に記載のシステムであって、
前記状態機械が、前記Ｈｉｇｈ−Ｓｐｅｅｄ  ＵＳＢプロトコル以外のプロトコルレベルモードを検出することに応答して前記リドライバをディセーブルするように構成される、システム。
【請求項１６】
請求項１３に記載のシステムであって、
前記信号コンディショナーが、前記所与のＵＳＢデバイスのＵＳＢポート内に位置する集積回路（ＩＣ）チップにおいて実装される、システム。
【請求項１７】
請求項１３に記載のシステムであって、
前記状態機械が、前記データ信号の波形特性に基づいて前記所定のプロトコルレベルモードを検出するように構成される、システム。
【請求項１８】
方法であって、
状態機械において、半二重バスを介して伝搬されるデータ信号の所定のプロトコルレベルモードを検出することと、
リドライバにより、所定の最大立ち上がり時間より長い立ち上がり時間を有する前記データ信号の立ち上がりエッジを検出することに応答して前記データ信号に正電流を注入することと、
前記リドライバにより、所定の最大立ち上がり時間より長い立ち上がり時間を有する前記データ信号の立ち上がりエッジを検出することを検出することに応答して前記データ信号に負電流を注入することと、
を含む、方法。
【請求項１９】
請求項１８に記載の方法であって、
前記状態機械により、前記バス上の前記所定のプロトコルレベルモード以外のプロトコルレベルモードを検出することに応答して前記正電流と前記負電流との前記注入を防ぐことを更に含む、方法。
【請求項２０】
請求項１９に記載の方法であって、
前記所定のプロトコルレベルモードがＨｉｇｈ−Ｓｐｅｅｄユニバーサルシリアルバス（ＵＳＢ）プロトコルである、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月25日(2017.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１近接端末に関係付けて使用するための装置であって、前記第１近接端末が、ネットワークを介して１つ以上の遠端ユーザー端末との音声またはビデオ電話を確立するように動作可能な移動体ユーザー端末であり、前記装置が、
前記第１近接端末が、計算デバイスである第２近接端末との相対的近接の範囲内にあるときを検出するように構成された検出モジュールと、
前記検出に基づいて、前記第１近接端末のユーザーに通知を出力するように構成された通知モジュールと、
前記検出に応答して、前記第２近接端末を特定したものとして、前記第１近接端末を設定するための設定情報を格納するように動作可能な構成モジュールと、
を含む、装置において、
前記検出モジュールは、前記第２近接端末が音声またはビデオ電話の内1つ以上に関係して電話関係サービスを提供可能かどうかを判断するために、前記第２近接端末の能力を検出するように構成され、
前記通知は、前記ユーザーに前記電話関係サービスを通知するものであり、
前記設定情報は、今後の前記電話関係サービスを提供するために前記第２近接端末を特定するものであり、
前記第２近接端末が、メディア終点を提供するユーザー端末であり、前記電話関係サービスが、前記電話のオーディオまたはビデオ・ストリームの内少なくとも１つをプレイアウトまたは生成するための前記第２近接端末の使用を含む、
装置。
【請求項２】
請求項１に記載の装置において、前記通知モジュールが、前記第１近接端末および前記第２近接端末が相対的近接の範囲内にあることが検出されたときに、前記通知を自動的に出力するように構成される、装置。
【請求項３】
請求項２に記載の装置において、前記通知が、前記電話関係サービスの使用を受け入れるか否かに関するユーザー選択をユーザーに促し、前記構成モジュールが、前記ユーザー選択が肯定的であることを条件に、前記設定情報を格納するように構成される、装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の装置において、前記構成モジュールが、前記第１近接端末および／または前記第２近接端末が分離し次いで前記近接に戻った後に、前記電話関係サービスを利用するために、前記設定情報を自動的に引き出すように構成される、装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の装置において、前記構成モジュールが、前記ユーザーが後に前記音声またはビデオ電話の内１つを行うときに、前記設定情報を自動的に引き出すように構成され、これによって前記電話関係サービスを前記電話において利用する、装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の装置において、前記第２近接端末が前記少なくとも１つのストリームをプレイアウトまたは生成する間、前記第１近接端末が、前記電話の少なくとも１つの他のオーディオまたはビデオ・ストリームをプレイアウトまたは生成する、および／または前記電話を制御し続ける、装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の装置において、前記検出モジュールが、
前記第１近接端末および前記第２近接端末が双方とも同じローカル・ネットワークに接続されている、
前記第１近接端末および前記第２近接端末が、パケット交換ネットワークのアドレスの部分集合であるアドレス空間を共有する、
前記第１近接端末および前記第２近接端末が、双方共、仲介ネットワーク機器の同じネットワーク・インターフェース・アドレスに接続する、
前記第１近接端末および前記第２近接端末が、閾値数以下のホップによって分離される、
前記第１近接端末および前記第２近接端末間を移動するパケットの送信時間、および／または
前記第１近接端末および前記第２近接端末間における通信に現在利用可能なアクセス技術のタイプ、
の内１つ以上に基づいて、前記第１近接端末および前記第２近接端末が前記相対的近接の範囲内にあるときを検出するように構成される、装置。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の装置において、前記検出モジュールが、前記第１近接端末の地理的位置が前記第２近接端末の地理的位置と相対的近接の範囲内にあることを検出するために衛星系測位システムまたは他の地理的位置検出(localization)技術を使用することに基づいて、前記第１近接端末および前記第２近接端末が、前記相対的近接の範囲内にあるときを検出するように構成される、装置。
【請求項９】
第１近接端末に関係付けて使用するための方法であって、前記第１近接端末が、ネットワークを介して１つ以上の遠端ユーザー端末との音声またはビデオ電話を確立するように動作可能な移動体ユーザー端末であり、前記方法が、
前記第１近接端末が、計算デバイスである第２近接端末との相対的近接の範囲内にあるときを検出するステップと、
前記検出に基づいて、前記第１近接端末のユーザーに通知を出力するステップと、
前記検出に応答して、前記第２近接端末を特定したものとして、前記第１近接端末を設定するための設定情報を格納するステップと、
を含む、方法において、
前記第１近接端末が、計算デバイスである第２近接端末との相対的近接の範囲内にあるときを検出するステップは、前記第２近接端末が音声またはビデオ電話の内1つ以上に関係して電話関係サービスを提供可能かどうかを判断するために、前記第２近接端末の能力を検出することを含み、
前記通知は、前記ユーザーに前記電話関係サービスを通知するものであり、
前記設定情報は、今後の前記電話関係サービスを提供するために前記第２近接端末を特定するものであり、
前記第２近接端末が、メディア終点を提供するユーザー端末であり、前記電話関係サービスが、前記電話のオーディオまたはビデオ・ストリームの内少なくとも１つをプレイアウトまたは生成するための前記第２近接端末の使用を含む、
方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の方法を実行するためのプログラム。
【請求項１１】
請求項９に記載の方法を実行するためのプログラムを記録した記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月19日(2017.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
方法であって、
ユーザー機器（ＵＥ）をレガシーＬＴＥセルに接続することと、
ＮＣＴ（Ｎｅｗ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｔｙｐｅ）セルでデータと制御とを受信するように前記ユーザー機器（ＵＥ）を構築することと、
を含み、
前記ＵＥを構築することが、
無線リソース管理（ＲＲＭ）測定に関する情報を制御チャネルで受信することと、
無線リソース管理（ＲＲＭ）測定を提供するためにセルのリストを生成するため前記情報を復調することであって、前記リストにおける各セルに対して伝送フォーマットが示される、前記復調することと、
チャネル状態情報（ＣＳＩ）参照信号（ＲＳ）を構築するため無線リソース制御を介してＲＲＭ測定のためのレポート基準を受信することと、
ＲＲＭレポートを伝送することと、
を含む、方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
前記伝送フォーマットが、レガシーとＮＣＴの群の一方から選ばれる、方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、
前記伝送フォーマットが物理セルＩＤに対して決定される、方法。
【請求項４】
請求項３に記載の方法であって、
物理セルＩＤのセットが幾らかの範囲に分割される、方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、
前記レポート基準が隣のセルの伝送フォーマットを含む、方法。
【請求項６】
方法であって、
時間多重化されたレガシーフォーマットとＮＣＴ（Ｎｅｗ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｔｙｐｅ）フォーマットとを用いてセルラー通信システムを動作させることと、
どのフォーマットが複数のサブフレームの各々により用いられるかを示すリストを受信することと、
を含む、方法。
【請求項７】
請求項６に記載の方法であって、
前記リストが無線リソース制御（ＲＲＣ）シグナリングにより通信される、方法。
【請求項８】
請求項６に記載の方法であって、
前記リストがビット値「０」と「１」とで構成され、「１」のビット値が前記サブフレームが一方の伝送フォーマットのものであることを示し、「０」のビット値が前記サブフレームが他方の伝送フォーマットのものであることを示す、方法。
【請求項９】
ＮＣＴ（Ｎｅｗ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｔｙｐｅ）セルでデータと制御とを受信するようにユーザー装置（ＵＥ）を構築することを含む方法であって、
前記構築することが、
無線ソース管理（ＲＲＭ）測定に関する情報を制御チャネルで受信することと、
無線リソース管理（ＲＲＭ）測定を提供するためにセルのリストを生成するため前記情報を復調することであって、伝送フォーマットが前記リストの各セルに対して示される、前記復調することと、
チャネル状態情報（ＣＳＩ）参照信号（ＲＳ）を構築するため無線リソース制御（Ｒａｄｉｏ  Ｒｅｓｏｕｒｃｅ  Ｃｏｎｔｒｏｌ）を介してＲＲＭ測定のためのレポート基準を受信することと、
ＲＲＭ報告を伝送することと、
を含む、方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の方法であって、
前記伝送フォーマットがレガシーとＮＣＴのグループの１つから選択される、方法。
【請求項１１】
請求項９に記載の方法であって、
前記伝送フォーマットが物理セルＩＤから決定される、方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の方法であって、
物理セルＩＤのセットが幾らかの範囲に分割される、方法。
【請求項１３】
請求項９に記載の方法であって、
前記レポート基準が隣のセルの伝送フォーマットを含む、方法。
【請求項１４】
方法であって、
ＮＣＴ（Ｎｅｗ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｔｙｐｅ）セル上でデータと制御とを受信するようにユーザー装置（ＵＥ）を構成することと、
どのフォーマットが複数のサブフレームの各々により利用されるかを示すリストを前記ユーザー装置（ＵＥ）において受信することと、
を含む、方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の方法であって、
前記リストが無線リソース制御（ＲＲＣ）シグナリングにより通信される、方法。
【請求項１６】
請求項１に記載の方法であって、
前記リストがビット値「０」と「１」とで構成され、「１」のビット値が前記サブフレームが一方の伝送フォーマットのものであることを示し、「０」のビット値が前記サブフレームが他方の伝送フォーマットのものであることを示す、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月13日(2017.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも第1の基板に少なくとも1つの溝を形成する行為；
該第1の基板の少なくとも一部を超伝導材料で覆う行為；
第2の基板の少なくとも一部を超伝導材料で覆う行為；ならびに
該第1の基板と該第2の基板をつなげて、該少なくとも1つの溝および該超伝導材料を含む少なくとも1つの囲いを形成する行為を含む、
超伝導デバイスを製造するための方法。
【請求項２】
前記少なくとも1つの溝を形成する行為が、
前記第1の基板の一部を覆うマスク層を形成する行為；および
該マスク層で覆われない該第1の基板の一部をエッチングする行為を含む、
請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記エッチングする行為が異方性エッチングの行為を含む、請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記異方性エッチングの行為がウェット腐食液を使用する、請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記マスク層が窒化ケイ素を含む、請求項２記載の方法。
【請求項６】
前記第1の基板の少なくとも一部を超伝導材料で覆う行為が、
該第1の基板の少なくとも一部上にシード層を形成する行為；および
該シード層上に該超伝導材料を電気めっきする行為を含む、請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記超伝導材料が、アルミニウム、ニオブ、インジウム、レニウム、タンタル、窒化チタンおよび窒化ニオブからなる群より選択される、請求項１記載の方法。
【請求項８】
少なくとも１つのワイヤ層基板にチャネルを形成する行為；
該チャネルの少なくとも一部を前記超伝導材料で覆い、ワイヤ層を形成する行為；および
該少なくとも1つのワイヤ基板と、前記第1の基板および/または前記第2の基板をつなぐ行為
をさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項９】
前記少なくとも第1の基板に少なくとも1つの溝を形成する行為が、
該第1の基板に第1の溝を形成する行為；および
前記第2の基板に第2の溝を形成する行為を含み、ここで該少なくとも1つの囲いが、該第1の溝および該第2の溝で形成される第1の囲いを含む、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
前記少なくとも1つの囲いが、少なくとも1つの電磁シールドを形成するように形作られて、外部の電磁放射線が、該少なくとも1つの囲いに侵入することが防がれる、請求項９記載の方法。
【請求項１１】
前記第1の囲いに少なくとも1つの超伝導構成要素を形成することをさらに含む、請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
前記少なくとも1つの超伝導構成要素が、少なくとも1つの超伝導回路を含む、請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
前記少なくとも1つの超伝導構成要素が、少なくとも1つのキュービットを含む、請求項１１記載の方法。
【請求項１４】
前記第2の基板の少なくとも一部を支持層で覆うことをさらに含み、ここで該支持層上および/または支持層内に前記少なくとも1つのキュービットが配置される、請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
前記少なくとも1つの超伝導構成要素が、少なくとも1つのストリップライン共振器を含む、請求項１３記載の方法。
【請求項１６】
前記少なくとも第1の基板に少なくとも1つの溝を形成する行為が、第3の基板に第3の溝を形成することをさらに含み、
該第3の基板の少なくとも一部を前記超伝導材料で覆う行為；
第4の基板の少なくとも一部を該超伝導材料で覆う行為；
該第3の基板と該第4の基板をつなぎ、該第3の溝から、第2の囲いを含むメモリー層を形成する行為；および
該メモリー層を前記少なくとも1つのワイヤ層につなぐ行為
をさらに含む、請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
前記ワイヤ層が、前記第2の囲いと前記第1の囲いを連結する、請求項１６記載の方法。
【請求項１８】
前記第1の囲いが、少なくとも1つの経路(via)を介して前記ワイヤ層に電気的に接続される、請求項１７記載の方法。
【請求項１９】
前記第2の囲いのQファクターが、前記第1の囲いのQファクターよりも大きい、請求項１６記載の方法。
【請求項２０】
少なくとも1つのキュービットを前記少なくとも1つの囲いに連結することをさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項２１】
前記少なくとも1つのキュービットを前記少なくとも1つの囲いに連結することが、該少なくとも1つの囲い内に該少なくとも1つのキュービットを形成することを含む、請求項２０記載の方法。
【請求項２２】
前記少なくとも1つのキュービットが、トランスモン(transmon)キュービットである、請求項２０記載の方法。
【請求項２３】
前記少なくとも1つのキュービットが、フラクソニウム(fluxonium)キュービットである、請求項２０記載の方法。
【請求項２４】
前記少なくとも1つの囲いが、少なくとも1つの三次元空洞共振器を形成するように形作られて、1つ以上の周波数での電磁放射線が、該少なくとも1つの三次元空洞共振器内で共振する、請求項１記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月4日(2017.1.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板、基板上に配置された表面層、および基板と表面層との間の界面を含むヘテロ構造であって、基板は中心軸、中心軸とほぼ直交する裏面、および中心軸を通って基板を横切って延びる直径を含むヘテロ構造中の歪を緩和するプロセスであって、
基板中に転位源層を形成する工程と、
基板を半径方向に拡張し、転位を形成して、転位源層から表面層に向かって転位を滑らす工程と、を含むプロセス。
【請求項２】
転位は、基板と表面層との界面に滑り、界面でミスフィット界面転位を形成する請求項１に記載のプロセス。
【請求項３】
基板は、シリコン、炭化シリコン、サファイア、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム、窒化ゲルマニウム、窒化アルミニウム、砒化ガリウム、インジウムガリウム砒素、またはそれらの組み合わせからなるグループから選択された材料からなり、
表面層は、シリコン、炭化シリコン、サファイア、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム、窒化ゲルマニウム、窒化アルミニウム、砒化ガリウム、インジウムガリウム砒素、またはそれらの組み合わせからなるグループから選択された材料からなる請求項１または２に記載のプロセス。
【請求項４】
基板は、シリコンからなり、表面層は、シリコンゲルマニウムからなる請求項１または２に記載のプロセス。
【請求項５】
転位源層は、半導体材料を含むインゴットから基板をスライスして、
基板の裏面をラッピングして、
基板の裏面をサンドブラストして、または
基板の裏面を通って基板中にイオンを注入して、形成した請求項１〜４のいずれかに記載のプロセス。
【請求項６】
基板は、ヘテロ構造を半径方向に拡張するとともに、少なくとも約５５０℃に加熱する請求項１〜５のいずれかに記載のプロセス。
【請求項７】
半径方向の拡張中に、応力がヘテロ構造に適用され、応力は、少なくとも約５ＭＰａである請求項１〜６のいずれかに記載のプロセス。
【請求項８】
基板は、少なくとも約１０秒間、半径方向に拡張される請求項１〜７のいずれかに記載のプロセス。
【請求項９】
基板を半径方向に拡張する工程は、ヘテロ構造を半径方向に拡張する工程を含む請求項１〜８のいずれかに記載のプロセス。
【請求項１０】
半径方向に拡張する間に、応力Ｓ１がヘテロ構造に適用され、このプロセスは更に、応力Ｓ１から応力Ｓ２に低減する工程を含み、Ｓ２はＳ１より小さく、Ｓ２は転位が転位源層から形成される閾値より小さな応力であり、かつ転位を活性化して基板と表面層との界面に向かって滑らせる閾値より上であり、実質的に転位の無い基板を形成する請求項１〜９のいずれかに記載のプロセス。
【請求項１１】
表面層は、基板の直径を横切って連続して延びる請求項１〜１０のいずれかに記載のプロセス。
【請求項１２】
表面層は、不連続なセグメントを含む請求項１〜１０のいずれかに記載のプロセス。
【請求項１３】
緩和されたヘテロ構造を準備するプロセスであって、
半導体基板の表面の上に表面層を堆積し、これにより表面層と基板との間に歪を形成する工程と、
請求項１〜１２のいずれかのプロセスにより、表面層と基板の中の歪を緩和する工程と、を含むプロセス。
【請求項１４】
半導体基板は格子定数ａＳを有し、表面層は格子定数ａＳＬを有し、ａＳＬ／ａＳの比は、約１より大きい請求項１３に記載のプロセス。
【請求項１５】
表面層は不連続なセグメントを含み、プロセスは更に、基板を半径方向に拡張した後に、半導体基板の表面上に半導体材料を堆積する工程を含み、堆積工程は基板の表面上に連続した表面層を形成する工程である請求項１３または１４に記載のプロセス。
【請求項１６】
表面、裏面、および周縁エッジを有する半導体構造を半径方向に拡張する装置であって、
基板の周縁エッジと隣り合う構造と接触する、上部プレートと底部プレートとを含む構造ホルダーであって、上部プレートは構造の表面に接触するように適用され、底部プレートは構造の裏面に接触するように適用され、上部プレートと底部プレートは、さらに、上部プレート、底部プレート、および構造の周縁エッジの間に周辺チャンバを形成するように適用される構造ホルダーを含む装置。
【請求項１７】
上部プレートと底部プレートは、構造とシールを形成し、装置の中で容易に差圧を形成する請求項１６に記載の装置。
【請求項１８】
構造ホルダーは、さらに、周辺リング、底部プレート、および構造の周縁エッジの間にチャンバを形成するために適用される周辺リングを含む請求項１６または１７に記載の装置。
【請求項１９】
さらに、構造ホルダーがメインチャンバの中に配置されるメインチャンバと、
メインチャンバと周辺チャンバとの間に差圧を形成するために、メインチャンバに流体接続されたポンプと、を含む請求項１６〜１８のいずれかに記載の装置。
【請求項２０】
さらに、構造を加熱する加熱要素を含む請求項１６〜１９のいずれかに記載の装置。
【請求項２１】
さらに、構造の表面に接触して、構造上に力を働かせる圧縮プレートを含む請求項１６〜２０のいずれかに記載の装置。
【請求項２２】
構造ホルダーは、さらに、周辺チャンバ中に孔のあいた壁を含み、孔のあいた壁は、構造の拡張中に、構造の拡張を制限するように設けられた請求項１６〜２１のいずれかに記載の装置。
【請求項２３】
装置中で半導体構造を半径方向に拡張するための方法であって、構造は、表面、裏面、および周縁エッジを有し、装置は、構造と隣り合う構造の周縁エッジに接触させるための上部プレートと底部プレートを含み、上部プレートは構造の上面に接触するように設けられ、底部プレートは構造の裏面に接触するように設けられ、この方法は、
上部プレート、底部プレート、および構造の周縁エッジの間に周辺チャンバを形成する工程と、
周辺チャンバ中の圧力を変えて、構造を半径方向の拡張する工程と、を含む方法。
【請求項２４】
周辺チャンバは、底部プレートの上に半導体構造を配置する工程と、上部プレートを構造上に下げる工程により形成される請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
圧力は、周辺チャンバ中の圧力を低減することにより変えられる請求項２３または２４に記載の方法。
【請求項２６】
装置は、構造ホルダーがその中に設けられるメインチャンバを含み、この方法は、メインチャンバと周辺チャンバとの間に差圧を形成する工程を含む請求項２３〜２５のいずれかに記載の方法。
【請求項２７】
メインチャンバ中の圧力を増加することにより、メインチャンバ中の圧力を変化させる請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
さらに、構造の半径方向の拡張中に、構造を加熱する工程を含む請求項２３〜２７のいずれかに記載の方法。
【請求項２９】
上部プレートは、環状の壁で規定されたリセスを含み、この方法は、
上部プレートと構造の表面との間に中央チャンバを形成する工程と、
中央チャンバ中の圧力を増やすことより、中央チャンバ中の圧力を変える工程と、を含む請求項２３〜２８のいずれかに記載の方法。
【請求項３０】
半導体構造は、基板とエピタキシャル層とを含み、基板とエピタキシャル層は、基板とエピタキシャル層との界面を形成する請求項２３〜２９のいずれかに記載の方法。