(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
製造工程途中の半導体装置を構成する材料層について、その一部を除去することによって所定の微細パターンを形成するパターニング工程に用いるマスク板であって、
前記材料層のパターニング対象領域に応じた広さを有する主面をもったハニカム構造板と、
このハニカム構造板の前記主面上の、前記微細パターンに応じた所定の領域に設けられたマスク層と、
を備え、
前記ハニカム構造板には、少なくとも前記マスク層によって覆われていない開口窓領域に、パターニング工程において前記材料層に対して化学反応を生じさせる反応性粒子を厚み方向に通過させることが可能な多数の貫通孔が形成されており、
前記マスク層は、前記反応性粒子を遮蔽する機能を有し、
前記多数の貫通孔は、前記ハニカム構造板を通過した反応性粒子による反応を、１つの開口窓領域内において均一に生じさせることができるように、直径２００〜１０００オングストロームの円柱状をなし、２．０×１０６〜２．０×１０７／ｍｍ２程度の密度で配されていることを特徴とする微細パターン形成用マスク板。
【請求項２】
請求項１に記載のマスク板において、
ハニカム構造体を、アルミニウム板を陽極酸化することにより得られる、多数の貫通孔をもった酸化アルミニウム板により構成したことを特徴とする微細パターン形成用マスク板。
【請求項３】
請求項１または２に記載のマスク板を製造する方法であって、
第１の金属からなる第１の層の上面に、陽極酸化により多数の孔部が形成される性質をもった第２の金属からなる第２の層を形成する段階と、
前記第２の層に所定の酸化電圧を印加しながら、この第２の層の上面を陽極酸化法により所定の深さまで酸化することにより、前記第２の層の上層部側に酸化層を、下層部側に非酸化残存層を、それぞれ形成するとともに、前記酸化層に所定の深さをもった多数の微細な孔部を形成する段階と、
前記第１の層に所定の研磨電圧を印加しながら、前記孔部の底を電界研磨し、前記孔部が少なくとも前記酸化層を貫通する貫通孔になるようにする段階と、
前記第１の層および前記非酸化残存層を除去して、多数の微細な貫通孔が形成された酸化層を残す段階と、
によりハニカム構造体を形成することを特徴とする微細パターン形成用マスク板の製造方法。
【請求項４】
請求項１または２に記載のマスク板を製造する方法であって、
支持基板上に第１の金属からなる第１の層を形成する第１の段階と、
前記第１の層の上面に、陽極酸化により多数の孔部が形成される性質をもった第２の金属からなる第２の層を形成する第２の段階と、
前記第２の層に所定の酸化電圧を印加しながら、この第２の層の上面を陽極酸化法により所定の深さまで酸化し、前記第２の層の上層部側に酸化層を、下層部側に非酸化残存層を、それぞれ形成するとともに、前記酸化層に所定の深さをもった多数の微細な孔部を形成する第３の段階と、
前記酸化層の上面に、マスク層となるべき第３の層を形成する第４の段階と、
前記第３の層に対するパターニングを行い、所定の微細パターンに応じた領域のみをマスク層として残す第５の段階と、
前記第１の層に所定の研磨電圧を印加しながら、前記孔部の底を電界研磨し、前記孔部が少なくとも前記酸化層を貫通する貫通孔になるようにする第６の段階と、
前記支持基板、前記第１の層、および前記非酸化残存層の、少なくとも前記マスク層によって覆われていない開口窓領域を除去して、多数の微細な貫通孔が形成された酸化層からなるハニカム構造体およびその上面に形成されたマスク層を残す第７の段階と、
を有することを特徴とする微細パターン形成用マスク板の製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の製造方法において、
第１の金属としてクロムを、第２の金属としてアルミニウムを、第３の層となるべき材料としてクロムを、それぞれ用いたことを特徴とする微細パターン形成用マスク板の製造方法。
【請求項６】
請求項１または２に記載のマスク板を製造する方法であって、
支持基板上に第１の金属からなる第１の層を形成する第１の段階と、
前記第１の層の上面に、陽極酸化により多数の孔部が形成される性質をもった第２の金属からなる第２の層を形成する第２の段階と、
前記酸化層の上面に、マスク層となるべき第３の層を形成する第３の段階と、
前記第３の層に対するパターニングを行い、所定の微細パターンに応じた領域のみをマスク層として残す第４の段階と、
前記第２の層に所定の酸化電圧を印加しながら、この第２の層の上面のうち、前記マスク層で覆われていない開口窓領域を陽極酸化法により所定の深さまで酸化し、前記第２の層の上層部側の開口窓領域に酸化層を、その他の部分に非酸化残存層を、それぞれ形成するとともに、前記酸化層に所定の深さをもった多数の微細な孔部を形成する第５の段階と、
前記第１の層に所定の研磨電圧を印加しながら、前記孔部の底を電界研磨し、前記孔部が少なくとも前記酸化層を貫通する貫通孔になるようにする第６の段階と、
前記支持基板、前記第１の層、および前記非酸化残存層の、少なくとも前記マスク層によって覆われていない開口窓領域を除去して、多数の微細な貫通孔が形成された酸化層からなるハニカム構造体、ならびに前記非酸化残存層の前記マスク層によって覆われている領域およびその上面に形成されたマスク層を残す第７の段階と、
を有することを特徴とする微細パターン形成用マスク板の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の製造方法において、
第１の金属としてクロムを、第２の金属としてアルミニウムを、第３の層となるべき材料としてタンタルを、それぞれ用いたことを特徴とする微細パターン形成用マスク板の製造方法。
【請求項８】
請求項４〜７のいずれかに記載の製造方法において、
第７の段階で、支持基板、第１の層、および非酸化残存層のそれぞれ周囲部分を除去せずに残すようにし、この残った部分をマスク板の外枠として用いるようにしたことを特徴とする微細パターン形成用マスク板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は微細パターン形成用マスク板およびその製造方法、特に、製造工程途中の半導体装置を構成する材料層について、その一部を除去することによって所定の微細パターンを形成するパターニング工程に用いるマスク板およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般的な半導体装置は、半導体基板上に複数の層をそれぞれ様々なパターンで積層させた構造をもつ。このため、半導体装置の製造工程では、半導体基板上への層の形成と、形成した層に対するパターニングとが繰り返し行われる。従来用いられている最も一般的なパターニング方法は、フォトリソグラフィ法である。この方法では、パターニング対象となる層の上にレジスト層を形成し、このレジスト層上に所定のパターンが描かれたマスクを載せた状態で露光し、レジスト層を現像して露光部分または非露光部分を除去し、残ったレジスト層を保護膜として用い、パターニング対象層のエッチングが行われる。
【０００３】
上述したフォトリソグラフィ法では、対象となる１つの層をパターニングするために、▲１▼レジスト層の形成、▲２▼マスクを用いた露光、▲３▼レジスト層の現像、▲４▼エッチング、▲５▼レジスト層の除去、という５つの段階が必要になる。一般に、１つの半導体装置を製造するためには、多数の層に対するパターニングが必要になるため、全製造プロセスを完了するまでには、非常に多数の段階からなる複雑な処理を行わねばならない。このため、製造に時間がかかりコストも高くなるという問題があった。
【０００４】
このような問題を解決することができる新規なパターニング方法が、本願発明者によって提案され、特開平６−１６８９１９号公報および特開平７−４５５９５号公報に開示されている。この新規なパターニング方法では、物理的な開口窓をもったマスク板によって、パターニング対象となる材料層の一部が物理的に覆われる。この状態で、所定の反応性ガスの雰囲気中におくか、あるいは所定の反応性イオンを照射すると、マスク板の開口窓から露出した材料層に対して化学反応が生じ、この露出部分についてのみ別な化合物が形成される。結局、マスク板で覆われていた部分はもとの材料層のままであるが、開口窓によって露出していた部分には別な化合物が形成されたことになる。そこで、もとの材料層と別な化合物との間でエッチングレートが異なる方法でエッチングを行えば、露出部分と非露出部分とのいずれか一方を選択的に除去することができ、所望のパターニングが可能になる。この方法によれば、(1)反応性ガスあるいはイオンによる化合物形成、(2)エッチング、という２段階の処理により、１つの層に対するパターニングが完了する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
上述した新規なパターニング方法では、通常のフォトリソグラフィ法で用いるマスク板とは全く異なるマスク板を用いる必要がある。すなわち、通常のフォトリソグラフィ法で用いるマスク板は、所定のパターン領域について、選択的に光を透過させる機能があればよい。これに対して、上述した新規なパターニング法に用いるマスク板は、反応性ガス分子やイオンを物理的に通過させる機能が必要になる。このため、マスク板上には物理的な開口窓を形成する必要がある。
【０００６】
このような物理的な開口窓が、いわゆる島状のパターンであれば、マスク板の構造は非常に単純である。すなわち、金属板などの一部分を島状に打ち抜き、点在する開口窓を形成すればよい。しかしながら、このような物理的な開口窓が、いわゆる枠状のパターンである場合には、通常のマスク板の構造では実現できない。すなわち、枠の部分が開口窓になるため、金属板からこの枠の部分を打ち抜いてしまうと、本来は残っていなければならない枠の内部の部分まで一緒に打ち抜かれてしまうことになる。
【０００７】
そこで本発明は、いわゆる枠状パターンの開口窓を有するマスク板およびこのマスク板の製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
(1)   本願第１の発明は、製造工程途中の半導体装置を構成する材料層について、その一部を除去することによって所定の微細パターンを形成するパターニング工程に用いるマスク板において、
材料層のパターニング対象領域に応じた広さを有する主面をもったハニカム構造板と、
このハニカム構造板の主面上の、微細パターンに応じた所定の領域に設けられたマスク層と、
を設け、
ハニカム構造板には、少なくともマスク層によって覆われていない開口窓領域に、パターニング工程において材料層に対して化学反応を生じさせる反応性粒子を厚み方向に通過させることが可能な多数の貫通孔を形成し、
マスク層には、反応性粒子を遮蔽する機能をもたせ、
多数の貫通孔は、ハニカム構造板を通過した反応性粒子による反応を、１つの開口窓領域内において均一に生じさせることができるように、直径２００〜１０００オングストロームの円柱状をなし、２．０×１０６〜２．０×１０７／ｍｍ２程度の密度で配されているようにしたものである。
【００１０】
(2)   本願第２の発明は、上述の第１の発明に係るマスク板において、
ハニカム構造体を、アルミニウム板を陽極酸化することにより得られる、多数の貫通孔をもった酸化アルミニウム板により構成したものである。
【００１１】
(3)   本願第３の発明は、上述のマスク板を製造する方法において、
第１の金属からなる第１の層の上面に、陽極酸化により多数の孔部が形成される性質をもった第２の金属からなる第２の層を形成する段階と、
第２の層に所定の酸化電圧を印加しながら、この第２の層の上面を陽極酸化法により所定の深さまで酸化することにより、第２の層の上層部側に酸化層を、下層部側に非酸化残存層を、それぞれ形成するとともに、酸化層に所定の深さをもった多数の微細な孔部を形成する段階と、
第１の層に所定の研磨電圧を印加しながら、孔部の底を電界研磨し、孔部が少なくとも酸化層を貫通する貫通孔になるようにする段階と、
第１の層および非酸化残存層を除去して、多数の微細な貫通孔が形成された酸化層を残す段階と、
によりハニカム構造体を形成するようにしたものである。
【００１２】
(4)   本願第４の発明は、上述のマスク板を製造する方法において、
支持基板上に第１の金属からなる第１の層を形成する第１の段階と、
第１の層の上面に、陽極酸化により多数の孔部が形成される性質をもった第２の金属からなる第２の層を形成する第２の段階と、
第２の層に所定の酸化電圧を印加しながら、この第２の層の上面を陽極酸化法により所定の深さまで酸化し、第２の層の上層部側に酸化層を、下層部側に非酸化残存層を、それぞれ形成するとともに、酸化層に所定の深さをもった多数の微細な孔部を形成する第３の段階と、
酸化層の上面に、マスク層となるべき第３の層を形成する第４の段階と、
第３の層に対するパターニングを行い、所定の微細パターンに応じた領域のみをマスク層として残す第５の段階と、
第１の層に所定の研磨電圧を印加しながら、孔部の底を電界研磨し、孔部が少なくとも酸化層を貫通する貫通孔になるようにする第６の段階と、
支持基板、第１の層、および非酸化残存層の、少なくともマスク層によって覆われていない開口窓領域を除去して、多数の微細な貫通孔が形成された酸化層からなるハニカム構造体およびその上面に形成されたマスク層を残す第７の段階と、
を行うようにしたものである。
【００１３】
(5)   本願第５の発明は、上述の第４の発明に係る製造方法において、
第１の金属としてクロムを、第２の金属としてアルミニウムを、第３の層となるべき材料としてクロムを、それぞれ用いたものである。
【００１４】
(6)   本願第６の発明は、上述のマスク板を製造する方法において、
支持基板上に第１の金属からなる第１の層を形成する第１の段階と、
第１の層の上面に、陽極酸化により多数の孔部が形成される性質をもった第２の金属からなる第２の層を形成する第２の段階と、
酸化層の上面に、マスク層となるべき第３の層を形成する第３の段階と、
第３の層に対するパターニングを行い、所定の微細パターンに応じた領域のみをマスク層として残す第４の段階と、
第２の層に所定の酸化電圧を印加しながら、この第２の層の上面のうち、マスク層で覆われていない開口窓領域を陽極酸化法により所定の深さまで酸化し、第２の層の上層部側の開口窓領域に酸化層を、その他の部分に非酸化残存層を、それぞれ形成するとともに、酸化層に所定の深さをもった多数の微細な孔部を形成する第５の段階と、
第１の層に所定の研磨電圧を印加しながら、孔部の底を電界研磨し、孔部が少なくとも酸化層を貫通する貫通孔になるようにする第６の段階と、
支持基板、第１の層、および非酸化残存層の、少なくともマスク層によって覆われていない開口窓領域を除去して、多数の微細な貫通孔が形成された酸化層からなるハニカム構造体およびその上面に形成されたマスク層を残す第７の段階と、
を行うようにしたものである。
【００１５】
(7)   本願第７の発明は、上述の第６の発明に係る製造方法において、
第１の金属としてクロムを、第２の金属としてアルミニウムを、第３の層となるべき材料としてタンタルを、それぞれ用いたものである。
【００１６】
(8)   本願第８の発明は、上述の第４〜７の発明に係る製造方法において、
第７の段階で、支持基板、第１の層、および非酸化残存層のそれぞれ周囲部分を除去せずに残すようにし、この残った部分をマスク板の外枠として用いるようにしたものである。
【００１７】
【作  用】
本発明に係るマスク板は、ハニカム構造板とその上に形成されたマスク層とによって構成される。ここで、ハニカム構造板には、その厚み方向に多数の微細な貫通孔が形成されており、反応性粒子を厚み方向に通過させることができる。このため、マスク層が形成された領域では、反応性粒子の通過は阻止され、マスク層が形成されていない領域では、反応性粒子が通過することになる。マスク層はハニカム構造板によって支持されるので、どのようなパターンのマスク層でも形成することが可能である。
【００１８】
本発明に係るマスク板の製造方法では、上述したハニカム構造板が陽極酸化法によって作成される。すなわち、アルミニウムなどの金属板に対して陽極酸化を行うと、酸化を受けた面に多数の微細な孔部が形成される。この孔部の底を電界研磨すると、各孔部は貫通孔を形成することになる。こうして、上述したハニカム構造板を効率良く作成することが可能になる。
【００１９】
【実施例】
以下、本発明を図示する実施例に基づいて説明する。
【００２０】
＜新規なパターニング方法＞
本発明は、特開平６−１６８９１９号公報および特開平７−４５５９５号公報に開示されている新規なパターニング方法に用いるのに適した微細パターン形成用マスク板に関するものである。そこで、まず、この新規なパターニング方法を簡単に説明しておく。
【００２１】
ここでは、ガラス基板上にＣｒからなる金属配線層をパターニングするプロセスについて説明する。このプロセスは、特開平７−４５５９５号公報に開示されている。まず、図１の断面図に示すように、ガラス基板１０上にクロム（Ｃｒ）を堆積させ、Ｃｒ材料層２０を形成する。Ｃｒを堆積させる方法としては、従来から用いられている一般的な成膜方法を用いればよい。たとえば、真空蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法、鍍金法などを用いることができる。
【００２２】
続いて、このＣｒ材料層の上方に、本発明に係るマスク板３０を配置する。このマスク板３０には、金属配線層に形成すべき所定のパターンに対応する形状の開口窓３１が設けられている。開口窓３１は貫通孔を形成しており、図の上下に反応性粒子が通り抜けられるようになっている。このマスク板３０は、Ｃｒ材料層２０の層面に対してほぼ平行に配置される。
【００２３】
マスク板３０の更に上方には、反応性粒子発生源４０が置かれている。この反応性粒子発生源４０は、反応性粒子を発生するとともに、これを平行な流束としてＣｒ材料層２０に向けて照射する機能を有する。この実施例では、反応性粒子として弗化物イオン（例えば、ＣＦ３＋やＳＦ５＋）を用いており、反応性粒子発生源４０としては、カウフマン型イオン銃を用いている。
【００２４】
このような構成において、反応性粒子発生源４０からＣｒ材料層２０に向かって、弗化物イオンを照射した場合を考える。弗化物イオンは、互いに平行なイオン流として照射されるようにする。すなわち、Ｃｒ材料層２０の表面が二次元的に弗化物イオンの照射を受けることになる。また、イオン流の照射角度は、Ｃｒ材料層２０の層面に対してほぼ垂直になるようにする。このようなイオン流照射を行うと、マスク板３０の開口窓３１に照射されたイオン流は、そのまま通過してＣｒ材料層２０の表面にまで到達するが、開口窓以外の部分に照射されたイオン流は、マスク板３０に阻まれてＣｒ材料層２０まで到達することはできない。しかも、各イオン流はＣｒ材料層２０の表面に対してほぼ垂直な方向に入射するような直進性をもっているため、Ｃｒ材料層２０の表面には、マスク板３０のパターンが投影された状態になる。別言すれば、Ｃｒ材料層２０のうち、マスク板３０のパターンに対応する領域には弗化物イオンが衝突し、マスク板３０の影になった領域には衝突は起こらないことになる。
【００２５】
ところで、Ｃｒ材料層２０の表面に弗化物イオンが衝突すると、クロムと弗素との化学反応により、弗素化合物膜２１が形成される。なお、条件によっては、弗素によるコーティング膜が形成される場合もあるが、本明細書では、このような弗素コーティング膜も含めて弗素化合物膜２１と呼ぶことにする。図２は、イオン流の照射を完了したときの状態を示す断面図であり、Ｃｒ材料層２０の表面に弗素化合物膜２１が形成された状態が明瞭に示されている。ここで、弗素化合物膜２１は、マスク板３０の開口部３１に対応する領域にだけ形成されており、マスク板３０のパターンと同じパターンがＣｒ材料層２０上に形成されたことになる。
【００２６】
さて、図２に示すように、弗素化合物膜２１が所定のパターンで形成されたら、これに対して選択的なエッチングを行う。すなわち、Ｃｒ材料層２０と弗素化合物膜２１との間で、エッチングレートの異なるエッチング方法を行うのである。たとえば、硝酸第２セリウムアンモン液を用いたエッチングを行えば、Ｃｒ材料層２０に対するエッチング速度は、弗素化合物膜２１に対するエッチング速度の１０倍程度となり、エッチング速度の遅い弗素化合物膜２１をマスクとして用い、Ｃｒ材料層２０のうち弗素化合物膜２１が形成されていない部分のみをエッチング除去することが可能である。こうして、図３に示すように、Ｃｒ材料層２０のうち、Ｃｒパターニング層２２だけがエッチング除去されずに残ることになり、このＣｒパターニング層２２が目的の金属配線層となる。なお、別なエッチング方法として、ＣＣｌ４を用いたドライエッチングを行っても、同程度のエッチング選択比が得られる。
【００２７】
＜本発明に係るマスク板＞
本発明は、上述した新規なパターニング方法に用いるマスク板に関するものである。このマスク板には、所定のパターンをもった物理的な開口窓が形成されているが、この開口窓の性質によって、マスク板を２とおりのタイプに分けることができる。図４は、第１のタイプのマスク板５０の平面図であり、このタイプのマスク板５０は、枠状部５１と開口窓５２によって構成されている。ここで、開口窓５２は、いわゆる「島状の開口窓」であり、マスク板５０上において島状に点在する。このような第１のタイプのマスク板５０は、１枚の金属板に開口窓５２を形成することによって容易に作成することができ、開口窓５２を形成しても何ら支障は生じない。
【００２８】
一方、図５は、第２のタイプのマスク板６０の平面図であり、このタイプのマスク板６０は、枠状部６１と開口窓６２と島状部６３とによって構成されている。ここで、開口窓６２は、いわゆる「枠状の開口窓」であり、この枠状の開口窓６２の内部には、島状部６３が存在する。このような第２のタイプのマスク板６０は、上述の第１のタイプのマスク板５０と同様の構造によって実現することはできない。１枚の金属板に開口窓６２を形成すると、この開口窓６２は物理的な開口窓であるため、島状部６３は枠状部６１から分離されてしまうことになる。すなわち、１枚の金属板によって、この第２のタイプのマスク板６０を実現することはできない。
【００２９】
この点が、この新規なパターニング方法に用いるマスク板が、従来のフォトリソグラフィ法に用いるフォトマスクと根本的に異なる点である。フォトマスクであれば、１枚のフィルム上において、枠状部６１および島状部６３が遮光性をもち、開口部６２が透光性をもつようなモノクロ画像を形成させておくだけでよいが、この新規なパターニング方法で用いるマスク板は、反応性粒子が通過する物理的な開口窓を形成する必要があるのである。
【００３０】
本発明では、図６に示すような構造により、図５に示すような枠状の開口窓をもったマスク板を実現させている。この図６に示すマスク板７０は、外枠７１と、ハニカム構造板７２と、マスク層７３，７４と、開口窓７５と、によって構成されている。図７は、このマスク板７０の縦断面図である。ハニカム構造板７２は、パターニング対象領域に応じた広さを有する主面をもった矩形の板状部材であり、外枠７１は、ハニカム構造板７２の下面に、その外周部分を取り巻くように接合されている。また、ハニカム構造板７２の上面には、所定のパターン領域にマスク層７３，７４が形成されている。ここで、マスク層７３は、図５に示すパターンの島状部６３に対応し、マスク層７４は、図５に示すパターンの枠状部６１に対応する。また、いずれのマスク層も形成されていない領域が開口窓７５となり、この開口窓７５は、図５に示すパターンの開口窓６２に対応する。
【００３１】
ここで重要な点は、ハニカム構造板７２の少なくとも開口窓７５の領域には、前述した新規なパターニング工程において、材料層２０に対して化学反応を生じさせる反応性粒子（前述の例では弗化物イオン）を厚み方向に通過させることが可能な多数の貫通孔が形成されている点である。これに対し、マスク層７３，７４は、この反応性粒子を遮蔽する機能を有する。結局、このマスク板７０の上方から、反応性粒子を照射すると、図７の断面図に一点鎖線で示すように、マスク層７３，７４が形成された領域については、反応性粒子は通過を阻止されるが、開口窓７５の領域については、ハニカム構造板７２に形成された多数の微細な貫通孔を通って反応性粒子が図の下方へと通過することになる。こうして、このマスク板７０は、図５に示すような平面パターンをもったマスク板６０と同等の機能をもつことになる。しかも、島状のマスク層７３と枠状のマスク層７４とは、いずれもハニカム構造板７２上に固着されているため、互いに分離することなく１枚のマスク板としての一体構造を有する。
【００３２】
図８は、ハニカム構造板７２の詳細な構造説明図である。ここに示す例では、厚み数μｍのハニカム構造板７２に、直径２００〜１０００オングストロームの円柱状の貫通孔７２ｈが、２．０×１０６〜２．０×１０７／ｍｍ２程度の密度で多数配置されている。本発明のマスク板に用いられるハニカム構造板７２には、このように、径が２００〜１０００オングストローム程度の微細な構造をもった貫通孔７２ｈが、２．０×１０６〜２．０×１０７／ｍｍ２程度の高密度で多数配置されている必要がある。これは、このハニカム構造板７２を通過した反応性粒子による反応を、１つの開口窓領域内において均一に生じさせるためである。たとえば、図５に示すような平面パターンをもったマスク板の場合、開口窓６２の領域について、反応性粒子がハニカム構造板７２を通過して、パターニング対象となる材料層に衝突することになるが、この反応性粒子の衝突を、開口窓６２の領域内において、均一にさせるのに十分微細な構造をもった貫通孔７２ｈが、均一にさせるのに十分な密度で配置されている必要がある。
【００３３】
このように、多数の微細な貫通孔７２ｈをもったハニカム構造板７２は、アルミニウム板に対して陽極酸化を行うことにより、容易に得ることができる。たとえば、図９に示すような断面をもったアルミニウム板８０を用意し、この上面に対して陽極酸化を行うと、図１０に示すように、アルミニウム板８０の上層部分は酸化を受け、酸化アルミニウムとなり、下層部分はもとのアルミニウムのままの状態となる。たとえば、アルミニウム板８０の下面を別な保護層で覆っておき、露出した上面だけが酸化を受ける状態にしておき、このアルミニウム板８０を、図１１に示すように、白金板などから構成される対極８３とともに陽極酸化液の中に浸す。そして、対極８３となる白金板に対して、アルミニウム板８０に正の酸化電圧を印加すると、アルミニウム板８０の露出面から深部へ向かって徐々に酸化が行われることになる。これが陽極酸化である。酸化が進行する深さは、印加する電圧値と時間によって制御することができる。
【００３４】
ここで、このアルミニウムに対して陽極酸化を行うと、上層の酸化アルミニウムからなる酸化層が、ハニカム構造層８２になることが知られている。すなわち、この酸化層には、直径２００〜１０００オングストローム程度の円柱状の孔部８２ｈが、２．０×１０６〜２．０×１０７／ｍｍ２程度の密度で多数形成されることが知られている（たとえば、Ｃｏｒｒｏｓｉｏｎ  Ｓｃｉｅｎｃｅ  Ｖｏｌ．１８，ｐ４８１，１９７８，Ｇ．Ｅ．Ｔｈｏｍｐｓｏｎ  ｅｔａｌに報告がある）。まだ、この状態では、孔部８２ｈは貫通孔にはなっていない。そこで、この孔部８２ｈの底を電界研磨して更に掘り下げ、下層部分の非酸化残存層８１を除去すれば、貫通孔を有するハニカム構造層８２を得ることができ、これを本発明に係るマスク板におけるハニカム構造板７２として利用することができる。このような原理を利用して、本発明に係るマスク板を製造する方法を以下に詳述する。
【００３５】
＜本発明に係るマスク板の製造方法：実施例１＞
ここでは、図６に示すような構造をもったマスク板７０を製造する方法の一実施例を、断面図を示しながら各段階に分けて説明する。
【００３６】
第１の段階
まず、図１２に示すように、支持基板１００の上面に、第１の金属層１１０を形成する。ここで、支持基板１００は、その外周部分が最終的に外枠７１を形成することになる基板であり、この実施例では、シリコン（Ｓｉ）により支持基板１００を構成している。また、第１の金属層１１０は、後述する第６の段階における電界研磨を行う際の電界研磨用電極膜として機能する金属層であり、この実施例では、クロム（Ｃｒ）により第１の金属層１１０を構成している。この実施例では、Ｓｉからなる支持基板１００の上面に、スパッタ法などにより、Ｃｒからなる第１の金属層１１０を、０．２μｍ程度の厚みで成膜している。もちろん、支持基板１００をＳｉ以外の材料で構成してもよく、第１の金属層１１０をＣｒ以外の材料で構成してもよい。また、第１の金属層１１０はどのような方法で成膜してもよい。
【００３７】
第２の段階
次に、図１３に示すように、第１の金属層１１０の上面に、第２の金属層１２０を形成する。ここで、第２の金属層１２０は、次の第３の段階における陽極酸化により、多数の孔部をもったハニカム構造層が形成される性質をもった金属である必要がある。この実施例では、このような性質をもった典型的な金属として、アルミニウムを用いているが、アルミニウムの合金を用いてもかまわない。この実施例では、やはりスパッタ法により、第２の金属層１２０を厚み３．２μｍ程度に成膜しているが、他の成膜法を用いてもかまわない。
【００３８】
第３の段階
続いて、第２の金属層１２０の上面に対する陽極酸化を行う。すなわち、図１３に示す基板全体を、図１１に示すアルミニウム板８０と同様に、白金板などの対極８３とともに陽極酸化液８４に浸し、第２の金属層１２０側が正、対極８３側が負となるように所定の酸化電圧を印加しながら陽極酸化を行う。この実施例では、陽極酸化液８４として、０．２Ｍリン酸（Ｈ３ＰＯ４）を用い、液温：２５℃、電流密度：５０Ａ／ｍ２という条件で、３０分間陽極酸化を行った。第２の金属層１２０の下面は第１の金属層１１０によって覆われているので、陽極酸化は、第２の金属層１２０の上面から深部へと徐々に進行することになる。酸化の進行する速度は、上述の条件によって自由に設定可能である。なお、陽極酸化液８４としては、この他、硫酸、しゅう酸、クロム酸、ほう酸などを用いることもできる。
【００３９】
前述したように、アルミニウム層に対して陽極酸化を行うと、形成される酸化アルミニウム層は、多数の微細な孔部を有するハニカム構造層となる。したがって、この陽極酸化の結果、アルミニウムからなる第２の金属層１２０は、図１４に示すように、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）からなるハニカム構造層１２１と、酸化を受けなかった非酸化残存層１２２と、に変わることになる。別言すれば、アルミニウムからなる第２の金属層１２０の上層部分だけが酸化されてハニカム構造層１２１になり、下層部分は酸化を受けずに非酸化残存層１２２として残ることになる。上述の陽極酸化条件では、厚み３．２μｍの第２の金属層１２０に対する陽極酸化により、厚み４．５μｍのハニカム構造層１２１と、厚み０．１μｍの非酸化残存層１２２と、が得られた。なお、図において、このハニカム構造層１２１と非酸化残存層１２２との境界は、破線によって示すことにする。
【００４０】
図１４に示す断面図の部分拡大図を図１５に示す。この部分拡大図では、ハニカム構造層１２１に形成された多数の微細な孔部１２１ｈが明瞭に示されている。なお、非酸化残存層１２２とハニカム構造層１２１との界面は、通常は平面にはならず、図に示すように、孔部１２１ｈに応じた波状面となる。また、孔部１２１ｈの底には、酸化アルミニウムの層が存在し、この段階では、孔部１２１ｈは貫通孔にはなっていない。
【００４１】
第４の段階
次に、図１６に示すように、ハニカム構造層１２１の上面に、第３の金属層１３０を形成する。ここで、第３の金属層１３０としては、「ハニカム構造層１２１（すなわち、第２の金属層１２０の酸化物）を溶解せずに、第３の金属層１３０を溶解することができるようなエッチング液が存在する」という条件を満たせば、どのような材料で構成してもかまわない。すなわち、第３の金属層１３０として、第１の金属層１１０と同じ金属を用いてもかまわない。この実施例では、第１の金属層１１０と同じＣｒによって、第３の金属層１３０を形成している。この場合、Ｃｒに対するエッチング液として、たとえば硝酸第２セリウムアンモンを用いれば、酸化アルミニウムからなるハニカム構造層１２１を溶解せずにＣｒからなる第３の金属層１３０のみをエッチング除去することができ、上述の条件が満たされている。この実施例では、Ｃｒからなる第３の金属層１３０を、スパッタ法により形成している。なお、この実施例では、第３の層１３０としてＣｒを用いているため、「第３の金属層１３０」と記述しているが、この層は金属に限定されるものではない。上述の条件を満たせば、金属だけでなく、窒化物や酸化物といった絶縁化合物を用いてもよい。
【００４２】
図１６に示す断面図の部分拡大図を図１７に示す。この部分拡大図では、ハニカム構造層１２１に形成された多数の微細な孔部１２１ｈを埋めるようにして、第３の金属層１３０が形成されている状態が示されている。なお、この第３の金属層１３０は、最終的にマスク層として機能する層であるので、反応性粒子の通過を阻止することができるだけの十分な厚みをもたせておく必要がある。
【００４３】
第５の段階
続いて、第３の金属層１３０に対するパターニングを行い、所定の微細パターンに応じた領域のみをマスク層として残し、それ以外の領域を開口窓とする。この実施例では、図１８に示すように、開口窓１３１が形成され、島状のマスク層１３２と枠状のマスク層１３３とが残されている。ここで、開口窓１３１，島状のマスク層１３２，枠状のマスク層１３３は、それぞれ、図６に示すマスク板７０における開口窓７５，島状マスク層７３，枠状マスク層７４に対応するものである。
【００４４】
第３の金属層１３０に対するこのようなパターニングは、一般的なフォトリソグラフィの手法を用いればよい。すなわち、第３の金属層１３０の上面に有機レジストを塗布し、図５に示すような平面パターンをもったフォトマスクを用いて露光を行い、有機レジストの層を現像し、第３の金属層１３０の露出面をエッチングにより除去すればよい。前述のように、エッチング液として、硝酸第２セリウムアンモンを用いれば、第３の金属層１３０の露出部分のみをエッチング除去することができ、その下のハニカム構造層１２１はエッチングの影響を受けない。
【００４５】
図１８に示す断面図の部分拡大図を図１９に示す。この部分拡大図では、ハニカム構造層１２１に形成された多数の微細な孔部１２１ｈに埋まっていた第３の金属Ｃｒが、エッチング液に溶出し、開口窓１３１の領域では、孔部１２１ｈが空になっている状態が示されている。
【００４６】
第６の段階
次に、ハニカム構造層１２１に形成された孔部１２１ｈの底の部分に対する電界研磨を行う。すなわち、図１８に示す基板全体を、図１１に示すアルミニウム板８０と同様に、白金板などの対極８３とともに電界研磨液に浸し、第１の金属層１１０側が正、対極８３側が負となるように所定の研磨電圧を印加しながら電界研磨を行う。この電界研磨は、上述した第３の段階で行った陽極酸化の手法に似ているが、陽極酸化液の代わりに電界研磨液を用いる点が異なる。この実施例では、電界研磨液として、２０％過塩素酸（ＨＣｌＯ４）／８０％エタノール溶液を用い、液温：０℃（アイスバスによる冷却を行った）、電流密度：０．１Ａ／ｃｍ２（または、陽極酸化電圧以上の定電圧を印加）という条件で、１〜２秒間電界研磨を行った。このときの研磨速度は、１０μｍ／分程度であり、第１の金属層１１０を電界研磨用電極膜として用いることにより、孔部１２１ｈの底の部分が研磨除去された。図１９に示す研磨前の状態に対して、研磨後は、図２０に示す状態が得られた。開口窓１３１の領域に存在する孔部１２１ｈの底の部分が溶出し、ハニカム構造層１２１に関しての貫通孔１２１ｔｈが形成された。なお、この貫通孔１２１ｔｈは、ハニカム構造層１２１を貫通しているという意味での「貫通孔」であり、図２０に示すように、この時点では、まだ非酸化残存層１２２，第１の金属層１１０，支持基板１００といった各層が下に存在するため、本来の「貫通孔」にはなっていない。
【００４７】
第７の段階
続いて、支持基板１００、第１の金属層１１０、非酸化残存層１２２の、中央部分を除去し、残った周囲部分を外枠７１とする。まず、図２１に示すように、支持基板１００の中央部分をエッチングにより除去し、残った枠状部１０１によって囲まれた空洞部１０２が形成されるようにする。これは、基板上面の全面および基板下面の周囲部分を何らかの材料で覆って保護し、弗酸などのシリコンに対するエッチング溶液を図の下方から作用させればよい。なお、Ｃｒからなる第１の金属層１１０は、弗酸による腐食は受けないので、図２１に示すように、形成される空洞部１０２は、第１の金属層１１０の下面までとなる。このように、第１の金属層１１０は、前述した第６の段階において、電界研磨用電極膜として機能するだけでなく、この第７の段階ではエッチングストッパとして機能することになる。
【００４８】
次に、図２２に示すように、第１の金属層１１０の中央部分をエッチングにより除去し、残った枠状部１１１によって囲まれた空洞部１１２が形成されるようにする。これは、硝酸第２セリウムアンモン溶液などのＣｒに対するエッチング液を図の下方から作用させればよい。図２２に示す断面図の部分拡大図を図２３に示す。
【００４９】
更に、図２４に示すように、非酸化残存層１２２の中央部分をエッチングにより除去し、残った枠状部１２３によって囲まれた空洞部１２４が形成されるようにする。これは、リン酸系のエッチング溶液などのＡｌに対するエッチング液を図の下方から作用させればよい。図２４に示す断面図の部分拡大図を図２５に示す。この図には、開口窓１３１の領域において、貫通孔１２１ｔｈが完全な貫通孔になっていることが明瞭に示されている。なお、非酸化残存層１２２に対するエッチングは、貫通孔１２１ｔｈを通して図の上方から行うことも可能である。したがって、非酸化残存層１２２に対するエッチングを、第１の金属層１１０に対するエッチングよりも先に行ってもよい。
【００５０】
この図２４あるいは図２５に示す構造により、図６に示すマスク板７０が実現されている。すなわち、ハニカム構造層１２１がハニカム構造板７２に対応し、枠状部１０１，１１１，１２３が外枠７１に対応し、マスク層１３２，１３３がマスク層７３，７４に対応し、開口窓１３１が開口窓７５に対応している。
【００５１】
＜本発明に係るマスク板の製造方法：実施例２＞
続いて、本発明に係るマスク板の製造方法の別な実施例を述べる。この方法は、上述した実施例１における第３の段階〜第５の段階の順序を若干入れ替えたものである。すなわち、実施例１では、
第３の段階  ：  第２の金属層１２０の陽極酸化
第４の段階  ：  第３の金属層１３０の形成
第５の段階  ：  第３の金属層１３０のパターニング
という順序で処理を行っていたのに対し、この実施例２では、
第３の段階  ：  第３の金属層１３０の形成
第４の段階  ：  第３の金属層１３０のパターニング
第５の段階  ：  第２の金属層１２０の陽極酸化
という順序で処理を行うことになる。以下、この方法を断面図を示しながら各段階に分けて説明する。
【００５２】
第１の段階
前述した実施例１と全く同様である。すなわち、図１２に示すように、支持基板１００の上面に、第１の金属層１１０を形成する。
【００５３】
第２の段階
前述した実施例１と全く同様である。すなわち、図１３に示すように、第１の金属層１１０の上面に、第２の金属層１２０を形成する。
【００５４】
第３の段階
実施例１では、ここで第２の金属層１２０に対する陽極酸化を行っていたが、この実施例２では、まだ陽極酸化は行わない。代わりに、図２６に示すように、第２の金属層１２０の上面に、第３の金属層１３０を形成する。
【００５５】
第４の段階
続いて、第３の金属層１３０に対するパターニングを行い、所定の微細パターンに応じた領域のみをマスク層として残し、それ以外の領域を開口窓とする。すなわち、図２７に示すように、開口窓１３１が形成され、島状のマスク層１３２と枠状のマスク層１３３とが残されている。
【００５６】
第５の段階
この状態になってから、第２の金属層１２０の上面に対する陽極酸化を行う。ただし、第２の金属層１２０の一部分はマスク層１３２，１３３によって覆われているので、酸化は開口窓１３１から露出した部分についてのみ行われる。この結果、図２８に示すように、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）からなるハニカム構造層１２１と、酸化を受けなかった非酸化残存層１２２と、が形成される。ハニカム構造層１２１は、開口窓１３１によって露出した部分にのみ形成されることになる。図２８に示す断面図の部分拡大図を図２９に示す。
【００５７】
第６の段階
以下の各段階は、実施例１と同様である。すなわち、ハニカム構造層１２１に形成された孔部１２１ｈの底の部分に対する電界研磨を行えば、図２９に示す研磨前の状態に対して、研磨後は、図３０に示す状態が得られる。
【００５８】
第７の段階
最後に、支持基板１００、第１の金属層１１０、非酸化残存層１２２、の中央部分を除去し、残った周囲部分を外枠７１とすれば、図３１に示す状態が得られる。図３１に示す断面図の部分拡大図を図３２に示す。前述した実施例１によって作成されたマスク板とは、若干細かな部分での構造は異なるが、機能は全く同等である。なお、図３０の状態から図３２の状態へもってゆくためにエッチングを行う場合、非酸化残存層１２２がすべて除去されてしまうことがないような工夫が必要になる（すなわち、図３２に示すように、マスク層１３２によって覆われている部分については、非酸化残存層１２２を残しておく必要がある）。ここでは、次のような３とおりのエッチング法を示しておく。
【００５９】
▲１▼図３０の状態において、まず、上方から非酸化残存層１２２に対するエッチングを行い、マスク層１３２で覆われていない領域を除去する。続いて、下方から支持基板１００、第１の金属層１１０の順にエッチング除去すれば、図３２の構造を得る。
【００６０】
▲２▼図３０の状態において、▲１▼と同様に、上方から、非酸化残存層１２２に対するエッチングを行った後、同じく上方から第１の金属層１１０に対するエッチングを行い、いずれも、マスク層１３２で覆われていない領域を除去する。続いて、下方から支持基板１００をエッチング除去する。この方法では、図３２に示す構造とは若干異なる構造が得られる（図３２の非酸化残存層１２２の下方に第１の金属層１１０の一部が残った構造になる）。
【００６１】
▲３▼図３０の状態において、下方から支持基板１００に対するエッチングを行い、更に第１の金属層１１０に対するエッチングを行う。続いて、下方から非酸化残存層１２２に対するエッチングを行うが、図３２に示す構造が得られた時点でエッチングを中止する。すなわち、アルミニウムに対して用いる腐蝕液のエッチングレートを考慮して、時間管理を行いながらエッチングする。
【００６２】
上述の▲１▼〜▲３▼の方法の中では、方法▲３▼が最も好ましい（方法▲１▼では目づまりの弊害を避けられない）。この実施例では、図３０の構造において、貫通孔１２１ｔｈの下方に位置する非酸化残存層１２２の厚みは０．１μｍ程度であるのに対し、マスク層１３２の下方に位置する非酸化残存層１２２の厚みは３．２μｍ程度であるので、方法▲３▼の時間管理によるエッチング方法は比較的容易に実施することが可能である。
【００６３】
この実施例２では、特有のメリットが得られる。それは、前述した実施例１では、第３の金属層１３０のパターニングを行う際（第５の段階）、孔部１２１ｈに詰まった第３の金属が、エッチングにより除去されずに残る可能性がある。すなわち、拡大断面図で示せば、図１７に示す状態から、第３の金属層１３０の一部をエッチング除去して、図１９に示す状態を得る際に、開口窓１３１の領域に形成されている孔部１２１ｈの底の部分に第３の金属（Ｃｒ）が残り、完全に除去されずに目詰まりを起こす可能性がある。この実施例２では、そのような弊害を避けることができる。すなわち、第３の金属層１３０に対するパターニングを完了してから、陽極酸化を行い孔部１２１ｈを形成するため、孔部１２１ｈが目詰まりを起こすおそれはないのである。
【００６４】
ただし、この実施例２には、次のようなデメリットもある。すなわち、図２７に示す状態から陽極酸化を行い、図２８に示す状態を得るため、第２の金属層１２０の露出面とともに、マスク層１３２，１３３の表面も一緒に陽極酸化を受けてしまうのである。このため、マスク層１３２，１３３として用いる材料（第３の層１３０として用いる材料）に加重条件が課されることになる。すなわち、全く酸化されない材料（たとえば、金、白金、窒化物、酸化物など：前述したように、第３の層は金属である必要はない）を用いるか、あるいは、酸に対する溶解度が高くなく安定に酸化される材料（たとえば、Ｔｉ，Ｖ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｓｂ，Ｔｅ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｂｉなど）を用いる必要がある。したがって、前述した実施例１において用いたＣｒを、第３の金属層１３０として用いることは好ましくない。そこで、この実施例２では、第３の金属層１３０としてＴａを用いている。
【００６５】
以上、本発明を図示する実施例に基づいて説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではなく、この他にも種々の態様で実施可能である。特に上述の実施例で述べた各材料は一例として掲げたものであり、同様の機能を果たす材料に適宜置き換えて用いることができるものである。
【００６６】
【発明の効果】
以上のとおり本発明によれば、多数の微細な貫通孔が形成されたハニカム構造板とその上に形成されたマスク層とによってマスク板を形成するようにしたため、いわゆる枠状パターンの開口窓を有するマスク板を実現することができる。また、アルミニウムなどの金属板に対する陽極酸化により、ハニカム構造板を形成させるようにしたため、このようなマスク板を効率良く製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るマスク板を用いた新規なパターニング方法を説明する図である。
【図２】図１に示す方法によって、材料層上に化合物膜が形成された状態を示す断面図である。
【図３】図２に示す材料層に対してエッチングを行った状態を示す断面図である。
【図４】いわゆる島状の開口窓を有するマスク板の平面図である。
【図５】いわゆる枠状の開口窓を有するマスク板の平面図である。
【図６】本発明の一実施例に係るマスク板の斜視図である。
【図７】図６に示すマスク板の縦断面図である。
【図８】図６に示すマスク板のハニカム構造板７２の構造を示す拡大図である。
【図９】ハニカム構造板７２を作成するもとになるアルミニウム板の断面図である。
【図１０】図９に示すアルミニウム板に対して陽極酸化を行った状態を示す断面図である。
【図１１】陽極酸化の方法を示す概念図である。
【図１２】本発明に係るマスク板の製造方法の第１の実施例における第１の段階の工程を示す断面図である。
【図１３】本発明に係るマスク板の製造方法の第１の実施例における第２の段階の工程を示す断面図である。
【図１４】本発明に係るマスク板の製造方法の第１の実施例における第３の段階の工程を示す断面図である。
【図１５】図１４に示す断面図の部分拡大図である。
【図１６】本発明に係るマスク板の製造方法の第１の実施例における第４の段階の工程を示す断面図である。
【図１７】図１６に示す断面図の部分拡大図である。
【図１８】本発明に係るマスク板の製造方法の第１の実施例における第５の段階の工程を示す断図である。
【図１９】図１８に示す断面図の部分拡大図である。
【図２０】本発明に係るマスク板の製造方法の第１の実施例における第６の段階の工程を示す部分拡大断面図である。
【図２１】本発明に係るマスク板の製造方法の第１の実施例における第７の段階の第１の工程を示す断面図である。
【図２２】本発明に係るマスク板の製造方法の第１の実施例における第７の段階の第２の工程を示す断面図である。
【図２３】図２２に示す断面図の部分拡大図である。
【図２４】本発明に係るマスク板の製造方法の第１の実施例における第７の段階の第３の工程を示す断面図である。
【図２５】図２４に示す断面図の部分拡大図である。
【図２６】本発明に係るマスク板の製造方法の第２の実施例における第３の段階の工程を示す断面図である。
【図２７】本発明に係るマスク板の製造方法の第２の実施例における第４の段階の工程を示す断面図である。
【図２８】本発明に係るマスク板の製造方法の第２の実施例における第５の段階の工程を示す断図である。
【図２９】図２８に示す断面図の部分拡大図である。
【図３０】本発明に係るマスク板の製造方法の第２の実施例における第６の段階の工程を示す部分拡大断面図である。
【図３１】本発明に係るマスク板の製造方法の第２の実施例における第７の段階の工程を示す断面図である。
【図３２】図３１に示す断面図の部分拡大図である。
【符号の説明】
１０…ガラス基板
２０…Ｃｒ材料層
２１…弗素化合物膜
２２…Ｃｒパターニング層
３０…マスク板
４０…反応性粒子発生源（カウフマン型イオン銃）
５０…島状の開口部を有するマスク板
５１…枠状部
５２…開口窓
６０…枠状の開口部を有するマスク板
６１…枠状部
６２…開口窓
６３…島状部
７０…本発明に係るマスク板
７１…外枠
７２…ハニカム構造板
７２ｈ…貫通孔
７３…島状のマスク層
７４…枠状のマスク層
７５…開口窓
８０…アルミニウム板
８１…非酸化残存層（アルミニウム）
８２…ハニカム構造層（酸化アルミニウム）
８２ｈ…孔部
８３…対極（白金板）
８４…陽極酸化液（０．２Ｍリン酸：Ｈ３ＰＯ４）
１００…支持基板（Ｓｉ）
１０２…空洞部
１０１…枠状部
１１０…第１の金属層（Ｃｒ）
１１１…枠状部
１１２…空洞部
１２０…第２の金属層（Ａｌ）
１２１…ハニカム構造層（Ａｌ２Ｏ３）
１２１ｈ…孔部
１２１ｔｈ…貫通孔
１２２…非酸化残存層（Ａｌ）
１２３…枠状部
１２４…空洞部
１３０…第３の金属層（ＣｒまたはＴａ）
１３１…開口窓
１３２…島状のマスク層
１３３…枠状のマスク層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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