【手続補正書】
【提出日】平成29年2月6日(2017.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
不揮発性記憶デバイスにおいてフラグメント化ファイルに対してメモリーのリアドレシングを実行するために、少なくとも部分的に計算デバイスによって実行される方法であって、
前記計算デバイスによって、前記フラグメント化ファイルの前記メモリーをリアドレシングするためにコマンドを前記不揮発性記憶デバイスに送るステップであって、前記フラグメント化ファイルのファイル・フラグメントが、複数の不連続物理アドレスに跨がって広がり、前記不揮発性記憶デバイス内の複数の物理位置に格納される、ステップと、
前記計算デバイスによって、前記フラグメント化ファイルの前記メモリーがリアドレシングされたという応答を前記不揮発性記憶デバイスから受けるステップであって、前記メモリーが連続物理アドレスにリアドレシングされ、前記リアドレシングが、
前記フラグメント化ファイルの開始ブロックに対し、一意の開始物理メモリー・アドレスを割り当て、前記一意の開始物理メモリー・アドレスが前記フラグメント化ファイルにのみ割り当てられ、
前記フラグメント化ファイルの全ての後続のブロックに対し、前記フラグメント化ファイルに一意でない共有可能な物理メモリー・アドレスを割り当て、前記共有可能な物理メモリー・アドレスが、前記不揮発性記憶デバイスに格納される他のファイルによって共有可能であって共有可能な物理メモリー・アドレスが複数のファイルに割り当て可能であり、
前記開始ブロックの前記一意の開始物理メモリー・アドレスと、前記開始ブロックの前記一意の開始物理メモリー・アドレス後に前記フラグメント化ファイルの全ての前記後続のブロックが連続してアドレスされる前記フラグメント化ファイルの長さと、を使用して前記フラグメント化ファイルがシーケンシャル・アクセスとしてのみ引き出される、
ことを含む、ステップと、
を含み、
前記ファイル・フラグメントの前記複数の物理位置が、前記フラグメント化ファイルの前記メモリーがリアドレシングされた後も同じままで残る、方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法であって、更に、前記リアドレシングされたメモリーに基づいて論理ブロック・アドレシング（ＬＢＡ）マッピング・テーブルを更新するステップを含む、方法。
【請求項３】
請求項１記載の方法であって、更に、前記計算デバイスによって、前記連続物理アドレスを使用して前記フラグメント化ファイルを読み出す最適化コマンドを送るステップを含む、方法。
【請求項４】
不揮発性記憶デバイスであって、
処理ユニットと、
不揮発性メモリーと、
を含み、
前記不揮発性記憶デバイスが、フラグメント化ファイルに対してメモリーをリアドレシングする動作を実行するように構成され、前記動作が、
前記フラグメント化ファイルの前記メモリーをリアドレシングするためにコマンドを受ける動作であって、前記フラグメント化ファイルのファイル・フラグメントが、複数の不連続物理アドレスに跨がって広がり、前記不揮発性記憶デバイス内の複数の物理位置に格納される、動作と、
前記ファイル・フラグメントの各々に対して、連続物理メモリー・アドレスを前記ファイル・フラグメントに割り当てる動作であって、
前記フラグメント化ファイルの開始ブロックに対し、一意の開始物理メモリー・アドレスを割り当て、前記一意の開始物理メモリー・アドレスが前記フラグメント化ファイルにのみ割り当てられ、
前記フラグメント化ファイルの全ての後続のブロックに対し、前記フラグメント化ファイルに一意でない共有可能な物理メモリー・アドレスを割り当て、前記共有可能な物理メモリー・アドレスが、前記不揮発性記憶デバイスに格納される他のファイルによって共有可能であって共有可能な物理メモリー・アドレスが複数のファイルに割り当て可能であり、
前記開始ブロックの前記一意の開始物理メモリー・アドレスと、前記開始ブロックの前記一意の開始物理メモリー・アドレス後に前記フラグメント化ファイルの全ての前記後続のブロックが連続してアドレスされる前記フラグメント化ファイルの長さと、を使用して前記フラグメント化ファイルがシーケンシャル・アクセスとしてのみ引き出される、
ことを含む、動作と、
を含み、
前記ファイル・フラグメントの前記複数の物理位置が、前記フラグメント化ファイルの前記メモリーがリアドレシングされた後も、同じままで残る、不揮発性記憶デバイス。
【請求項５】
請求項４記載の不揮発性記憶デバイスにおいて、前記不揮発性記憶デバイスが、ソリッド・ステート・ドライブである、不揮発性記憶デバイス。
【請求項６】
請求項４記載の不揮発性記憶デバイスにおいて、前記不揮発性記憶デバイスが、相変化メモリー・デバイスである、不揮発性記憶デバイス。
【請求項７】
請求項４記載の不揮発性記憶デバイスにおいて、前記フラグメント化ファイルの前記メモリーをリアドレシングする前記コマンドを、前記不揮発性記憶デバイスの自動維持スケジュールの一部として受ける、不揮発性記憶デバイス。
【請求項８】
請求項４記載の不揮発性記憶デバイスにおいて、前記フラグメント化ファイルの前記メモリーをリアドレシングする前記コマンドを、オペレーティング・システム・コンポーネントから受ける、不揮発性記憶デバイス。
【請求項９】
請求項４記載の不揮発性記憶デバイスにおいて、前記フラグメント化ファイルの前記メモリーをリアドレシングするコマンドを受ける動作が、
フラグメンテーションの程度に基づいて、リアドレシングする可能性が最も高い候補ファイルを決定する動作と、
前記最も可能性が高い候補ファイルを、前記フラグメント化ファイルとして選択する動作と、
を含む、不揮発性記憶デバイス。
【請求項１０】
不揮発性記憶デバイスにおけるフラグメント化ファイルに対してメモリーをリアドレシングする動作を計算デバイスに実行させるコンピューター実行可能命令を格納するコンピューター読み取り可能記憶デバイスであって、前記動作が、
前記フラグメント化ファイルの前記メモリーをリアドレシングするために前記不揮発性記憶デバイスにコマンドを送る動作であって、前記フラグメント化ファイルのファイル・フラグメントが、不連続の複数の物理アドレスに跨がって広がり、前記不揮発性記憶デバイス内の複数の物理位置に格納される、動作と、
前記フラグメント化ファイルのメモリーがリアドレシングされたという応答を前記不揮発性記憶デバイスから受ける動作であって、前記メモリーが連続物理アドレスにリアドレシングされ、前記リアドレシングが、
前記フラグメント化ファイルの開始ブロックに対し、一意の開始物理メモリー・アドレスを割り当て、前記一意の開始物理メモリー・アドレスが前記フラグメント化ファイルにのみ割り当てられ、
前記フラグメント化ファイルの全ての後続のブロックに対し、前記フラグメント化ファイルに一意でない共有可能な物理メモリー・アドレスを割り当て、前記共有可能な物理メモリー・アドレスが、前記不揮発性記憶デバイスに格納される他のファイルによって共有可能であって共有可能な物理メモリー・アドレスが複数のファイルに割り当て可能であり、
前記開始ブロックの前記一意の開始物理メモリー・アドレスと、前記開始ブロックの前記一意の開始物理メモリー・アドレス後に前記フラグメント化ファイルの全ての前記後続のブロックが連続してアドレスされる前記フラグメント化ファイルの長さと、を使用して前記フラグメント化ファイルがシーケンシャル・アクセスとしてのみ引き出される、
ことを含む、動作と、
を含み、
前記ファイル・フラグメントの前記複数の物理位置が、前記フラグメント化ファイルの前記メモリーがリアドレシングされた後も同じままで残る、コンピューター読み取り可能記憶デバイス。