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【手続補正書】
【提出日】平成29年6月1日(2017.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
照明システムを制御する方法であって、
前記照明システムは、天井にパターンとして配置された照明タイル及び非照明用タイルを含む複数の発光タイルと、
前記複数の発光タイルを制御するための制御ユニットとを有し、前記方法は、
前記天井において、前記照明タイルと前記非照明用タイルとの間の予め決定された輝度コントラストを提供するために、前記複数の発光タイルを制御するステップであって、前記非照明用タイルは前記照明タイルと比較して低減された輝度を有する、ステップと、
前記予め決定された輝度コントラストのため、対象面に入射する均一な配光を提供するために、前記パターンを制御するステップと
を有する、方法。
【請求項２】
前記輝度コントラストは、前記非照明用タイルの輝度を低減することによって、及び、前記照明タイルの輝度を増加することによって達成される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記複数の発光タイルは、前記複数の発光タイルによって照明される面に入射する昼光に基づいて制御される、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記照明タイルは、前記照明タイルの第１のサブセット及び前記照明タイルの第２のサブセットを含み、前記第２のサブセットは、ほとんど昼光が入射しない面を照明し、
前記複数の発光タイルを制御するステップは、前記第２のサブセットと前記非照明用タイルとの間の第２の輝度コントラストを提供することを含み、前記第２の輝度コントラストは、前記輝度コントラストよりも大きい、
請求項１ないし３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記照明タイルの前記第１のサブセットの輝度は、前記第１のサブセットに隣接する前記照明タイルの前記第２のサブセットの輝度と比較して、少なくとも２倍大きくなるように制御される、請求項１ないし４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記照明タイルの前記第１のサブセットの輝度は、前記第１のサブセットに隣接する前記照明タイルの前記第２のサブセットの輝度よりも５倍から２０倍大きくなるように制御される、請求項１ないし５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記発光タイルが、前記天井において、第１の予め決定された輝度コントラストパターンから、第２の予め決定された輝度コントラストパターンへと変化するように制御するステップと、
前記対象面上の均一な配光が、前記第１の予め決定された輝度コントラストパターンに対して及び前記第２の予め決定された輝度コントラストパターンに対して同一になるように制御するステップと
をさらに有する、請求項１ないし６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記天井において、複数の予め決定された輝度コントラストパターンを動的に提供するために前記発光タイルを制御するステップと、
前記対象面の均一な配光が、前記複数の予め決定された輝度パターンに対して同一になるように制御するステップと
をさらに有する、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
天井にパターンとして配置されるための照明タイル及び非照明用タイルを含む複数の発光タイルと、
前記複数の発光タイルを制御する制御ユニットと、
を有し、
前記制御ユニットは、前記天井において、予め決定された前記照明タイルと前記非照明用タイルとの間の輝度コントラストを提供するために、前記複数の発光タイルを制御し、前記非照明用タイルは前記照明タイルと比較して減少された輝度を有し、前記予め決定された輝度コントラストに対して、対象面に入射する均一な配光を提供するために、前記パターンを制御する、
照明システム。
【請求項１０】
室内エリア内の照明状態を感知し、前記照明状態を示す信号を前記制御ユニットに送信する感知ユニットをさらに有し、
前記制御ユニットは、予め決定された輝度コントラストを提供するために、前記パターンを制御し、前記予め決定された輝度コントラストに対して、前記照明状態を示す前記信号に基づいて、対象面に入射する均一な配光を提供するために、前記複数の発光タイルを制御する、請求項９に記載の照明システム。
【請求項１１】
前記複数の発光タイルの各発光タイルは、前記制御ユニットによって個々に制御可能である、請求項９または１０に記載の照明システム。
【請求項１２】
前記複数の発光タイルの各発光タイルは、少なくとも一つおきの前記複数の発光タイルの発光タイルに隣接する、請求項９ないし１１のいずれか一項に記載の照明システム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月23日(2017.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
低損失基板と、
前記低損失基板と第２のインダクタ構造との間に存在する第１のインダクタ構造であって、前記第１のインダクタ構造が第１のインダクタを含み、前記第２のインダクタ構造が第２のインダクタを含み、前記第１のインダクタ構造が前記第２のインダクタ構造と整列して垂直結合トランスを形成する第１のインダクタ構造と、
前記第１のインダクタ構造と前記第２のインダクタ構造との間に存在するエアギャップと
を備え、
前記第２のインダクタは第１の材料中の凹所の近傍に配置され、前記第１の材料が前記第１のインダクタおよび前記第２のインダクタと接触し、
前記エアギャップは前記凹所に結合されることを特徴とする、トランス。
【請求項２】
前記第１の材料を含む金属間誘電体層をさらに備え、
前記エアギャップが微小電気機械型（ＭＥＭＳ）エアギャップを備え、
前記エアギャップの第１の部分が前記金属間誘電体層内の領域で前記凹所の第２の部分に結合される、
請求項１に記載のトランス。
【請求項３】
前記第１の材料が誘電材料を含み、前記低損失基板が誘電体基板または半導体基板を備える、請求項１に記載のトランス。
【請求項４】
前記第１のインダクタ構造および前記第２のインダクタ構造が、平らな正方形のインダクタ、平らな中空のインダクタ、平らな円形のインダクタ、平らな八角形のインダクタ、正方形の螺旋インダクタ、中空の螺旋インダクタ、円形の螺旋インダクタまたは八角形の螺旋インダクタを備える、請求項１に記載のトランス。
【請求項５】
前記第１のインダクタ構造が複数の第１のインダクタを備え、前記第２のインダクタ構造が複数の第２のインダクタを備える、請求項１に記載のトランス。
【請求項６】
前記複数の第１のインダクタおよび前記複数の第２のインダクタが並列に結合される、請求項５に記載のトランス。
【請求項７】
前記複数の第１のインダクタが第１のスタックとして並列に配置され、前記複数の第２のインダクタが第２のスタックとして並列に配置され、前記第１のスタックが前記第２のスタックと並列に配置される、請求項６に記載のトランス。
【請求項８】
第１のエアギャップが前記複数の第１のインダクタ間に配置され、
第２のエアギャップが前記複数の第２のインダクタ間に配置される、
請求項６に記載のトランス。
【請求項９】
前記第１のインダクタが２つの隣接するインダクタを備え、前記エアギャップが前記隣接するインダクタの両方の上方に配置される、請求項１に記載のトランス。
【請求項１０】
前記第２のインダクタが２つの隣接するインダクタを備え、前記エアギャップが前記隣接するインダクタの両方の下方に配置される、請求項１または請求項９に記載のトランス。
【請求項１１】
第１のインダクタを備える第１のインダクタ構造を形成するステップと、
第２のインダクタを備える第２のインダクタ構造を形成するステップであって、前記第１のインダクタ構造が低損失基板と前記第２のインダクタ構造との間に存在し、前記第１のインダクタ構造が前記第２のインダクタ構造と整列してトランスを形成するステップと、
前記第１のインダクタ構造と前記第２のインダクタ構造との間にエアギャップを形成するステップと
を含み、
前記第２のインダクタの近傍の領域へのエッチングによる凹所の一部の配置に引き続いて、前記エアギャップの一部が化学プロセスによって前記領域に配置され、前記エアギャップが前記領域で前記凹所に結合されることを特徴とする、方法。
【請求項１２】
前記エアギャップが前記凹所を介して犠牲材料を除去することによって形成される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記犠牲材料が、モリブデン、アモルファスシリコン、ポリシリコン、二酸化ケイ素およびＳＵ−８フォトレジストのうちの少なくとも１つを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記凹所が前記第２のインダクタの近傍に配置される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
第１のエアギャップが複数の第１のインダクタ間に配置され、
第２のエアギャップが複数の第２のインダクタ間に配置される、
請求項１１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月8日(2017.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非線形軽負荷への供給電圧を切り替えるための主ＡＣスイッチを備える調光器で使用するブリーダ回路であって、前記主ＡＣスイッチに動作補助を提供するブリーダ負荷と、ブリーダ負荷イネーブル回路とを備え、
前記ブリーダ負荷イネーブル回路が、前記主ＡＣスイッチのスイッチング信号に依存して前記供給電圧の半サイクルの終点に向かう臨界部分で前記ブリーダ負荷をオンに切り替える、ブリーダ回路。
【請求項２】
前記ブリーダ負荷イネーブル回路が、前記主ＡＣスイッチの前記スイッチング信号に基づいて切替え可能であり、前記スイッチング信号は、前記主ＡＣスイッチをトリガし前記主ＡＣスイッチに導通を開始させる内部トリガ信号である、請求項１に記載のブリーダ回路。
【請求項３】
前記ブリーダ負荷イネーブル回路が、補助ＡＣスイッチを備え、前記主ＡＣスイッチは、トライアックである、請求項２に記載のブリーダ回路。
【請求項４】
前記供給電圧の半サイクルの終点に向かう臨界部分で前記非線形軽負荷の負荷電流が前記主ＡＣスイッチの保持電流レベル未満に下がるときに、前記主ＡＣスイッチに動作補助を提供する、請求項１乃至３のいずれか一項に記載のブリーダ回路。
【請求項５】
前記主ＡＣスイッチトリガ信号からブリーダ負荷イネーブル回路トリガ信号を導出するトリガ回路を備える、請求項２に記載のブリーダ回路。
【請求項６】
前記トリガ回路が、前記ブリーダ負荷イネーブル回路トリガ信号を発生するための微分器回路を備える、請求項５に記載のブリーダ回路。
【請求項７】
前記ブリーダ負荷イネーブル回路トリガ信号が、前記主ＡＣスイッチトリガ信号の後縁から導出される、請求項６に記載のブリーダ回路。
【請求項８】
前記ブリーダ負荷イネーブル回路が、オプトトライアックを備える、請求項２乃至７のいずれか一項に記載のブリーダ回路。
【請求項９】
前記ブリーダ負荷が、幾つかの正温度係数サーミスタを備える、請求項１乃至８のいずれか一項に記載のブリーダ回路。
【請求項１０】
前記補助ＡＣスイッチを電圧過渡から保護するための過渡抑制器を備える、請求項３に記載のブリーダ回路。
【請求項１１】
電源電力供給と非線形軽負荷との間で使用するブリーダ回路であって、前記非線形軽負荷が、０Ｗと前記調光器の定格負荷との間の任意の電力量を消費する、請求項１乃至１０のいずれか一項に記載のブリーダ回路。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一項に記載のブリーダ回路を備える調光器であって、前記ブリーダ回路が中に組み込まれた、調光器。
【請求項１３】
非線形軽負荷と、前記非線形軽負荷に電源電圧を供給する請求項１２に記載の調光器とを備える電気機器であって、照明構成、電動機、電磁石、及び電動弁の何れかを備える、電気機器。
【請求項１４】
前記電気機器が、ＬＥＤランプであり、前記非線形軽負荷が、１つ又は複数の発光ダイオードを有するＬＥＤ照明構成を備える、請求項１３に記載の電気機器。
【請求項１５】
非線形軽負荷を調光する方法であって、
調光器を供給電圧と前記非線形軽負荷との間に接続するステップであって、前記調光器が、前記非線形軽負荷への前記供給電圧を切り替えるための主ＡＣスイッチを備えるステップと、
前記主ＡＣスイッチに動作補助を提供するために、前記主ＡＣスイッチのスイッチング信号に基づいてブリーダ負荷をイネーブルにするステップと
を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月21日(2017.3.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
強誘電性ポリマーを含む少なくとも１つの層と、この層の両側に少なくとも２つの電極とを含む強誘電体メモリ装置であって、強誘電性ポリマーは、一般式Ｐ（ＶＤＦ−Ｘ−Ｙ）で表され、式中、ＶＤＦはフッ化ビニリデン単位を表し、Ｘはトリフルオロエチレン単位またはテトラフルオロエチレン単位を表し、Ｙは第３のモノマーから得られる単位を表し、ポリマー中のＹ単位のモル比は６．５％以下である、強誘電体メモリ装置。
【請求項２】
Ｙが、テトラフルオロエチレン単位、フッ化ビニル単位、パーフルオロ（アルキル  ビニル）エーテル単位、ブロモトリフルオロエチレン単位、クロロフルオロエチレン単位、クロロトリフルオロエチレン単位、ヘキサフルオロプロピレン単位、テトラフルオロプロペン単位、クロロトリフルオロプロペン単位、トリフルオロプロペン単位またはペンタフルオロプロペン単位を表す、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
Ｙが、クロロトリフルオロエチレン単位を表す、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
Ｘがトリフルオロエチレン単位を表す、請求項１から３のいずれか一項に記載の装置。
【請求項５】
ポリマー中のＹ単位のモル比が０．１から６．５％の値を有する、請求項１から４のいずれか一項に記載の装置。
【請求項６】
ポリマー中のＹ単位のモル比が０．５から６％の値を有する、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
ポリマー中のＹ単位のモル比が２から５％の値を有する、請求項５に記載の装置。
【請求項８】
ポリマー中のＶＤＦ単位とＸ単位のモル比が５５：４５から８０：２０の値を有する、請求項１から７のいずれか一項に記載の装置。
【請求項９】
ポリマー中のＶＤＦ単位とＸ単位のモル比が６０：４０から７５：２５の値を有する、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
強誘電性ポリマーの層が１μｍ未満の厚さを有する、請求項１から９のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１１】
強誘電性ポリマーの層が１０ｎｍから９００ｎｍの厚さを有する、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
強誘電性ポリマーの層が１００ｎｍから８００ｎｍの厚さを有する、請求項１０に記載の装置。
【請求項１３】
強誘電性ポリマーとの混合物として、または別の層の形で、半導体材料を含む、請求項１から１２のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１４】
半導体材料が半導体ポリマーである、請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
強誘電体コンデンサを含むか、または強誘電体コンデンサである、請求項１から１４のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１６】
強誘電体電界効果トランジスタを含むか、または強誘電体電界効果トランジスタである、請求項１から１４のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１７】
強誘電体ダイオードを含むか、または強誘電体ダイオードである、請求項１から１４のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１８】
強誘電性ポリマーの１つの層の両側または強誘電性ポリマーの複数の層の両側に、２つの電極配列を含む集積メモリ装置である、請求項１から１７のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１９】
強誘電体メモリ装置の製造における一般式Ｐ（ＶＤＦ−Ｘ−Ｙ）の強誘電性ポリマーの使用であって、式中、ＶＤＦはフッ化ビニリデン単位を表し、Ｘはトリフルオロエチレン単位またはテトラフルオロエチレン単位を表し、Ｙは第３のモノマーから得られる単位を表し、ポリマー中のＹ単位のモル比は６．５％以下である、使用。
【請求項２０】
強誘電性ポリマーが請求項２から９のいずれか一項に記載のものであり、および／または強誘電体メモリ装置が請求項１３から１８のいずれか一項に記載のものであり、および／または強誘電性ポリマーが請求項１０から１２のいずれか一項に記載の層の中に配置される、請求項１９に記載の使用。
【請求項２１】
強誘電性ポリマーが、スピンコーティング、噴霧または印刷することによって基板上に堆積される、請求項１９または２０に記載の使用。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年11月24日(2016.11.24)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項５】
前記第１気体混合物と前記第２気体混合物の各々が、５００ｓｃｃｍ乃至１５００ｓｃｃｍの流量で供給されるヘリウム又はアルゴンのうちの少なくとも一を含み、
前記第１気体混合物と前記第２気体混合物の各々は、該第１気体混合物と該第２気体混合物の気体流全体の１０％以下の流量で供給されるドーパント含有気体をさらに含み、
前記ドーパント含有気体は、アルシン、ホスフィン、又はボリンのうちの少なくとも一を含み、
前記第１期間と前記第２期間の各々の経過期間が０．５乃至１０秒で、
前記第１気体混合物と前記第２気体混合物を導入する間、前記基板は２００℃以下に維持され、かつ、
前記基板上に生成される構造が複数のＦｉｎ−ＦＥＴを有し、かつ、前記ドーパント種の層が前記Ｆｉｎ−ＦＥＴ上に生成される、
請求項１に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１４】
好適には、チャンバの１つ以上の部品が、処理中での当然又は生来の組成及び消費を考慮して、処理中に酸素及びシリコン源を供する。たとえば、シリコン及び酸素は処理中にプラズマ中に存在するように、チャンバ壁はイットリウム酸化物（Ｙ２Ｏ３）によってコーティングされて良く、かつ、他の部品−たとえばシリカ窓又は集束リング−はシリカで構成されて良い。前述したように、酸素（及びシリコン）は処理において有利な役割を果たし得るが、少量しか必要ないので、酸素は気体混合物の特定の添加剤である必要はない。必要に応じて、少量の酸素が気体混合物に加えられて良い。しかし酸素の必要量は相対的に少ないので、満足行く酸素の寄与は、既存のチャンバ部品によって、又は、酸素及び／若しくはシリコン源を供するチャンバ部品を選ぶことによって供されて良い。気体の供給又は気体源は、３０、３２で供される１つ以上の気体源によって概略的に表されている。基本的には、気体混合物は、基本プラズマ生成気体である不活性気体−たとえばヘリウム又はアルゴン−で構成される。不活性気体は気体源３０から供給されて良い。それに加えて、ドーパント含有気体が供される。好適にはドーパントはアルシン、ホスフィン又はボリンである。他のドーパント−たとえばホウ素系ドーパント気体−が用いられても良い。たとえばドーパント含有気体は、キャリア気体−たとえばヘリウム−中で希釈される低濃度のドーパント−水素気体−たとえばＡｓＨ３、Ｂ２Ｈ６、又はＰＨ３−を含んで良い。他のドーパント気体−たとえば様々なヒ素、リン、若しくはホウ素のフッ化物又は水素化物−もまた用いられて良い。前記のものは単原子、二原子、三原子、又は他の形態で供されて良い。クラスタイオン−たとえばホウ素ドーピング用のＢ１０Ｈｘ−もまた用いられて良い。クラスタイオンはドーパント種及び基板から離れて生成された他の原子の結合した多原子構成物であり、かつ、プラズマへ導入される。クラスタイオンは、質量が大きいことに起因して、小さなクラスタ原子あたりのエネルギーを有し、かつ、基板を損傷させることなく基板と衝突するように分散する点で有利となり得る。例として、ドーパント化合物は、ドーパント含有気体の２％未満で、より好適には１％未満であって良い（たとえば０．７％のＡｓＨ３で、残りはＨｅと、任意でドーパント含有気体中の少量のさらなる添加物−たとえば追加の水素−）。よってドーパント自体は、特に気体流全体と比較して非常に少量しかチャンバ内に導入されない。チャンバ内に導入されるドーパントの量は、壁又は排出ポンプポートへのドーパントの損失の原因となる照射の必要量よりも大きい。例として、不活性気体のヘリウム又はアルゴンガスが約５００ｓｃｃｍ〜約１５００ｓｃｃｍの流量で導入される一方で、ドーパント含有気体はたとえば１５〜５０ｓｃｃｍ（たとえば２８ｓｃｃｍ）の流量で導入される。さらにドーパント含有気体は、希釈された量のドーパントを含み、かつ、たとえば０．７％のドーパント−たとえばＡｓＨ３又はＰＨ３−を含んで良い。残りは不活性気体−たとえばＨｅ又はＡｒ−である。よってたとえば３０〜６０秒にわたって起こりえるドーピングプロセス全体を通して、ほんの少量のドーパント自体が実際にはチャンバへ注入される。ドーパントの量はたとえば、標準状態で約０．５（以下）〜３．０ｃｍ３（すなわち０．５〜３ｓｃｃｍ）のドーパント気体が全プロセスで（全プロセスを通じて）ある。気体混合物全体（不活性気体とドーパント含有気体の両方を含む）に関しては、ドーパント化合物（たとえばＡｓＨ３又はＰＨ３）はたとえば混合物全体又は気体流全体の約０．０１％〜０．１％であって良い。プロセスレシピに依存して、さらなる元素が不活性気体又はドーパント含有気体に含まれても良い。たとえばさらなる水素が、ドーパント含有気体又は不活性気体と共に導入されることによって、気体混合物中に供されても良い（たとえば１〜３ｓｃｃｍ）。気体は、適切なポンプによってチャンバから排出される。ここで排出は矢印Ｅで表される。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月15日(2017.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光検出器であって、
第１のバンドギャップエネルギーと、第１の電界と、第１のドーピング濃度とを有する第１の半導体材料を含む第１の層を備え、
前記第１の半導体材料は、ＧａＡｓ化合物を含み、
前記第１のバンドギャップエネルギーよりも高い第２のバンドギャップエネルギーと、前記第１の電界よりも小さい非ゼロの第２の電界と、第２のドーピング濃度とを有する第２の半導体材料を含む第２の層をさらに備え、
前記第２の層は、前記第１の層に接続され、
前記第２の半導体材料は、ＡｌＧａＡｓ化合物を含み、
前記第１及び第２の層の間の領域は、第３のドーピング濃度を有する光検出器。
【請求項２】
前記第２の電界は、前記第１のドーピング濃度、前記第２のドーピング濃度、及び前記第３のドーピング濃度の少なくともいずれか１つにより生成される、
請求項１に記載の光検出器。
【請求項３】
前記第１の層は、意図する範囲内の波長の光を吸収する、
請求項２に記載の光検出器。
【請求項４】
前記第１の層の少なくとも一部が、実質的に空乏状態である、
請求項３に記載の光検出器。
【請求項５】
前記第２のドーピング濃度は、前記第１のドーピング濃度よりも高い、
請求項３に記載の光検出器。
【請求項６】
前記第１のドーピング濃度は、前記第１の層に沿って可変的に分布し、前記第２の層に隣接する前記第１の層の領域における前記第１のドーピング濃度は、前記第１の層の他の領域における前記第１のドーピング濃度よりも高い、 
請求項３に記載の光検出器。
【請求項７】
前記第２のドーピング濃度は、前記第２の層に沿って可変的に分布し、前記第１の層に隣接する前記第２の層の領域における前記第２のドーピング濃度は、前記第２の層の他の領域における前記第２のドーピング濃度よりも高い、
請求項３に記載の光検出器。
【請求項８】
前記第２の半導体材料は、軽度にｎ型にドープされた半導体材料である、
請求項３に記載の光検出器。
【請求項９】
前記第１のバンドギャップエネルギー及び前記第２のバンドギャップエネルギーは、前記第１の層及び前記第２の層の厚みに沿って実質的に均一である、
請求項３に記載の光検出器。
【請求項１０】
前記領域は、第３の層の厚さに沿って段階的に変化する第３のバンドギャップエネルギーを有する第３の半導体材料を含む第３の層を含み、
前記第３の層は、前記第１の層を前記第２の層に接続させる、
請求項３に記載の光検出器。
【請求項１１】
前記段階的に変化する第３のバンドギャップエネルギーは、前記第１の層に面する前記第３の層の側における前記第１のバンドギャップエネルギーに実質的に等しい値から、前記第２の層に面する前記第３の層の側における前記第２のバンドギャップエネルギーに実質的に等しい値に増大する、
請求項１０に記載の光検出器。
【請求項１２】
前記第３の半導体材料は、前記第１の層に面する前記第３の層の側において前記第１の半導体材料と実質的に等しい組成から、前記第２の層に面する前記第３の層の側において前記第２の半導体材料と実質的に等しい組成に徐々に変化する傾斜組成を有する、
請求項１１に記載の光検出器。  
【請求項１３】
前記第３の半導体材料は、前記第２層のドーパントと同一の型のドーパントによってドープされた領域を備える、
請求項１１に記載の光検出器。
【請求項１４】
外部電気回路に結合されるように構成された第１のオーミックコンタクトと、前記第１のオーミックコンタクトと前記第２の層とは反対側の前記第１の層の側面との間に配置される第４の層と、をさらに備え、
前記第４の層は、第４のバンドギャップエネルギーと第４のドーピング濃度とを有する第４の半導体材料を含む、
請求項３に記載の光検出器。
【請求項１５】
前記第４のドーピング濃度は、前記第１のドーピング濃度よりも高い、
請求項１４に記載の光検出器。
【請求項１６】
前記第４のバンドギャップエネルギーは、前記第１のバンドギャップエネルギーよりも高い、
請求項１５に記載の光検出器。
【請求項１７】
外部電気回路に結合されるように構成された第２のオーミックコンタクトと、前記第２のオーミックコンタクトと前記第１の層とは反対側の前記第２の層の側面との間に配置された第５の層と、をさらに備え、
前記第５の層は、前記第２のバンドギャップエネルギーよりも高い第５のバンドギャップエネルギーを有するとともに、第５のドーピング濃度を有する、
請求項１４に記載の光検出器。
【請求項１８】
第１及び第２のオーミック電極の少なくとも一方はリング形状を有する、
請求項１７に記載の光検出器。
【請求項１９】
前記第２の層と前記第５の層との間に配置されるバリア層をさらに備え、
前記バリア層は、第６のバンドギャップエネルギーと第６のドーピング濃度を有する第６の半導体材料を含み、
第６のバンドギャップエネルギーは、第２のバンドギャップエネルギー及び第５のバンドギャップエネルギーよりも高い、
請求項１７に記載の光検出器。
【請求項２０】
前記第６の半導体材料は、ｎドープされたＡｌＧａＡｓ化合物を含み、
前記バリア層は、２０ｎｍの厚さを有する、
請求項１９に記載の光検出器。
【請求項２１】
前記第１の半導体材料は、真性ＧａＡｓ化合物を含み、
前記第２の半導体材料は、真性または軽度にｎドープされたＡｌＧａＡｓ化合物を含み、
前記領域は、アルミニウムの濃度が段階的に変化する軽度にｎドープされたＡｌＧａＡｓ化合物を含む第３の半導体材料であり、
前記アルミニウムの濃度は、前記第１の層に隣接する前記領域の第１の側において実質的にゼロの値であり、前記第２の層に隣接する前記領域の反対側の第２の側へ向かう前記領域に亘って徐々に増加し、
前記第２の側における前記アルミニウムの濃度は、前記第２の半導体材料の前記ＡｌＧａＡｓ化合物のアルミニウムの濃度と実質的に等しい値である、
請求項１に記載の光検出器。
【手続補正書】
【提出日】平成29年4月17日(2017.4.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１以上の荷電粒子ビームから複数のサブビームを形成するためのサブビームアパーチャアレイであって、
サブビームアパーチャアレイは、１以上のビーム領域を有し、
各ビーム領域は、非規則的な六角形パターンで配置された複数のサブビームアパーチャを有し、
前記非規則的な六角形パターンは、各サブビームアパーチャが、その６つの隣り合うサブビームアパーチャの全てから等間隔でないように配置されているという点で非規則的であり、
前記サブビームアパーチャは、第１の方向において第２の方向に平行なライン上へと投影されたとき、前記サブビームアパーチャが前記ラインに沿って均一に離間されているように配置され、前記第１の方向は前記第２の方向とは異なる、サブビームアパーチャアレイ。
【請求項２】
前記１以上のビーム領域の各々内で、前記サブビームアパーチャは、前記第２の方向において規則的に離間された複数の列で配置され、各列の前記サブビームアパーチャは、前記第２の方向において、同じ列の各隣接しているサブビームアパーチャから、同じ量だけオフセットされている、請求項１に記載のサブビームアパーチャアレイ。
【請求項３】
各列内でのサブビームアパーチャ間の前記オフセットは、一方のビーム領域のサブビームアパーチャと他方のビーム領域の対応する列の隣接しているサブビームアパーチャとの間のオフセットと同じである、請求項２に記載のサブビームアパーチャアレイ。
【請求項４】
単一の列において隣接しているサブビームアパーチャの前記オフセットは、前記サブビームアパーチャの径の比に等しい、請求項２又は３に記載のサブビームアパーチャアレイ。
【請求項５】
前記１以上のビーム領域の各々内で、各列の前記サブビームアパーチャは、前記第１の方向において、隣り合う列の前記サブビームアパーチャに対して互い違いになっている、請求項１ないし４のいずれか１項に記載のサブビームアパーチャアレイ。
【請求項６】
他の全ての列の前記サブビームアパーチャが、前記第２の方向においてアライメントされている、請求項１ないし５のいずれか１項に記載のサブビームアパーチャアレイ。
【請求項７】
前記第２の方向は、前記第１の方向に対してほぼ垂直である、請求項１ないし６のいずれか１項に記載のサブビームアパーチャアレイ。
【請求項８】
前記サブビームアパーチャアレイは、各ビーム領域内で同じ非規則的な六角形パターンを均一に繰り返す、請求項１ないし７のいずれか１項に記載のサブビームアパーチャアレイ。
【請求項９】
１以上の荷電粒子サブビームから複数の小ビームを形成するための小ビームアパーチャアレイであって、
小ビームアパーチャアレイは、１以上のグループで配置された複数の小ビームアパーチャを有し、各グループがサブビームに対応し、各グループ内の前記小ビームアパーチャの配置が不均衡アレイを形成している、小ビームアパーチャアレイ。
【請求項１０】
各グループの前記小ビームアパーチャは、斜めの矩形アレイを形成している、請求項９に記載の小ビームアパーチャアレイ。
【請求項１１】
各グループの前記小ビームアパーチャは、前記グループの小ビームアパーチャによって形成されたビームスポットの中心から全てオフセットされている、請求項９又は１０に記載の小ビームアパーチャアレイ。
【請求項１２】
複数の荷電粒子サブビームを使用してターゲットを露光するための荷電粒子リソグラフィシステムであって、
荷電粒子ビームを発生させるための荷電粒子発生器と、
請求項１ないし８のいずれか１項に記載のサブビームアパーチャアレイと、
前記ターゲットの表面上に前記サブビームを投影するように構成された投影レンズ系とを具備し、
システムは、１以上のグループで配置された複数の小ビームアパーチャを有する小ビームアパーチャアレイをさらに具備し、前記小ビームアパーチャアレイは、前記サブビームを受信して前記小ビームアパーチャアレイの前記小ビームアパーチャの位置に複数の小ビームを形成するように配置されている、システム。
【請求項１３】
前記小ビームアパーチャアレイは、請求項９ないし１１のいずれか１項に記載の小ビームアパーチャアレイである、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１４】
前記小ビームアパーチャは、第４の方向において第３の方向に平行なライン上へと投影されたとき、各グループの前記小ビームアパーチャが前記ラインに沿って均一に離間されているように配置され、前記第３の方向は前記第４の方向とは異なる、請求項１２又は１３に記載のシステム。
【請求項１５】
前記第１の方向は、前記第３の方向と同じであり、前記第２の方向は、前記第４の方向と同じである、請求項１４に記載のシステム。
【請求項１６】
各グループの列内の前記小ビームアパーチャが、前記第４の方向にアライメントされている、請求項１４又は１５に記載のシステム。
【請求項１７】
前記小ビームアパーチャアレイの１つの行内の隣り合う小ビームアパーチャは、前記第３の方向に対して均一な量だけ互いにオフセットされている、請求項１２ないし１６のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項１８】
前記オフセットは、前記隣り合う小ビームアパーチャ間のピッチの比に等しい、請求項１７に記載のシステム。
【請求項１９】
前記比は、前記行内の小ビームアパーチャの数で割った前記隣り合う小ビームアパーチャ間の前記ピッチに等しい、請求項１８に記載のシステム。
【請求項２０】
前記サブビームを前記第１の方向に偏向するように配置されたデフレクタと、
前記ターゲットを前記第２の方向に移動させるための可動ステージとをさらに具備する、請求項１２ないし１９のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項２１】
複数の荷電粒子小ビームを使用してターゲットのフィールドを露光するための方法であって、前記フィールドは、第１の方向の長さと、第２の方向の幅とを有し、この方法は、
前記荷電粒子小ビームから非規則的な六角形パターンで配置された複数の別個のグループを形成することを含み、前記非規則的な六角形パターンは、各サブビームアパーチャが、その６つの隣り合うサブビームアパーチャの全てから等間隔でないように配置されているという点で非規則的であり、前記グループは、前記フィールドの幅を横切って均等に離間され、
前記ターゲットを前記第１の方向に移動させて、各小ビームが前記ターゲットの表面上の描画経路に従うように、前記フィールドの対応するストライプの幅を横切って各グループの小ビームを同時に走査することを含み、
各グループの前記小ビームの前記描画経路は、前記第１の方向において均一に離間されている、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月14日(2017.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のデバイスが通信することを可能にするための方法であって、
第１のデバイスと第２のデバイスとの間で、オーディオ部分およびビデオ部分を有するマルチメディア通信セッションを開始することと、前記第１および第２のデバイスの各々はローカルネットワークを介した少なくとも１つの追加のデバイスへのアクセスを有し、
前記第２のデバイスが、前記少なくとも１つの追加のデバイスに向ける前記マルチメディア通信セッションの少なくとも一部分を、残りの部分を前記第１のデバイスに向け続けながら、識別することと、
前記第２のデバイスが、データ記憶システムから前記少なくとも１つの追加のデバイスの一意の識別子を取得することと、前記データ記憶システムは前記ローカルネットワークを介して互いにアクセス可能な複数のデバイスの複数の一意の識別子を記憶し、
前記第１のデバイスが、前記第２のデバイスから、前記少なくとも１つの追加のデバイスの前記一意の識別子を取得することと、
前記第１のデバイスが、前記第２のデバイスから取得された前記一意の識別子に応答して、前記少なくとも１つの追加のデバイスに前記マルチメディア通信セッションの前記識別された少なくとも一部分を向けることと、
を備える、方法。
【請求項２】
第１のデバイスと第２のデバイスとの間でマルチメディア通信セッションを開始することは、前記第１のデバイスおよび前記第２のデバイスを認証することをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１のデバイス、前記第２のデバイス、および前記少なくとも１つの追加のデバイスの各々は、ルーティング可能なアドレスを使用して個別にアドレス指定可能である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記少なくとも１つの追加のデバイス内に位置する要素は、ルーティング可能なアドレスを使用して個別にアドレス指定可能である、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記ルーティング可能なアドレスは、電話番号に相関されるＩＰアドレスを備える、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記ＩＰアドレスは、前記少なくとも１つの追加のデバイスに関連付けられた能力に相関される、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記マルチメディア通信セッションは、ボイスオーバＩＰ（ＶｏＩＰ）呼である、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記ＶｏＩＰ呼は、第１のデータおよび第２のデータを備え、前記第２のデータは、前記少なくとも１つの追加のデバイスに転送される、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記マルチメディア通信セッションの前記少なくとも一部分は、ビデオおよびオーディオから選ばれる、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１のデバイスが、前記少なくとも１つの追加のデバイスに前記マルチメディア通信セッションの前記識別された少なくとも一部分を向けることは、前記第２のデバイスおよび前記少なくとも１つの追加のデバイスに前記マルチメディア通信セッションの前記識別された少なくとも一部分を同時放送することを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記少なくとも１つの追加のデバイスは、電話機、テレビ、タブレットコンピューティングデバイス、およびパーソナルコンピューティングデバイスから選ばれる、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
複数のデバイスが通信することを可能にするためのシステムであって、
第１のデバイスと第２のデバイスとの間で、オーディオ部分およびビデオ部分を有するマルチメディア通信セッションを開始するための手段と、前記第１および第２のデバイスの各々は少なくとも１つの追加のデバイスへのアクセスを、残りの部分を前記第１のデバイスに向け続けながら、有し、
ローカルネットワークを介して互いにアクセス可能な複数のデバイスの複数の一意の識別子を記憶するための手段と、
前記少なくとも１つの追加のデバイスに向ける前記マルチメディア通信セッションの少なくとも一部分を識別するための手段と、前記第２のデバイスは、前記複数の一意の識別子を記憶するための前記手段から前記少なくとも１つの追加のデバイスの一意の識別子を取得し、前記第１のデバイスに前記一意の識別子を通信し、
前記第１のデバイスが前記第２のデバイスから前記一意の識別子を受信することに応答して、前記少なくとも１つの追加のデバイスに前記マルチメディア通信セッションの前記識別された少なくとも一部分を向けるための手段と、
を備える、システム。
【請求項１３】
第１のデバイスと第２のデバイスとの間でマルチメディア通信セッションを開始するための前記手段は、前記第１のデバイスおよび前記第２のデバイスを認証するための手段をさらに備える、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１４】
前記第１のデバイス、前記第２のデバイス、および前記少なくとも１つの追加のデバイスの各々は、ルーティング可能なアドレスを使用して個別にアドレス指定可能である、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１５】
前記少なくとも１つの追加のデバイス内に位置する要素は、ルーティング可能なアドレスを使用して個別にアドレス指定可能である、請求項１２に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年4月17日(2017.4.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のＬＥＤを備えるＬＥＤ組立体と、
前記ＬＥＤ組立体と熱伝達状態の円形ベースプレートと、
前記ＬＥＤ組立体に電気接続して、前記ＬＥＤ組立体に電力を供給するように構成された電気モジュールと、
第１の端部で前記ベースプレートに結合すると共に該ベースプレートからの熱を伝達する熱伝達状態にあり、第２の端部で前記電気モジュールの少なくとも一部を隠し、さらに前記ベースプレートから前記電気モジュールまで延びる実質的に滑らかな表面を備えるランプ本体であって、前記ランプ本体の前記滑らかな表面は、穴及び突出部を有する凸凹を除いた面であり、前記ランプ本体は熱を放散させる材料で構成される、前記ランプ本体と、
前記ＬＥＤ組立体によって生じる光を分散するように構成された光学部品と、
前記光学部品を取り囲み、前記ランプ本体の前記第１の端部に結合し、前記光学部品を支持するように構成され、前記ランプ本体の第１の端部の外周に実質的に等しい外周と前記光学部品の外周と実質的に等しい内周とを有する透明な光学部品保持部と、
を備える、ＬＥＤランプ。
【請求項２】
前記円形ベースプレートは、実質的に平らな中央領域と傾斜した外側領域とを備える、請求項１に記載のＬＥＤランプ。
【請求項３】
前記ランプ本体の第１の端部の外周は、前記ランプ本体の第２の端部の外周よりも大きい、請求項１に記載のＬＥＤランプ。
【請求項４】
前記ベースプレートは、ランプ本体にはめ込まれるように構成される、請求項１に記載のＬＥＤランプ。
【請求項５】
前記電気モジュールは、前記ＬＥＤ組立体とは反対側の円形ベースプレートの底部側に機械的に結合される、請求項１に記載のＬＥＤランプ。
【請求項６】
前記ベースプレート及び前記ランプ本体は、単一の構造体を構成する、請求項１に記載のＬＥＤランプ。
【請求項７】
前記光学部品及び前記透明な光学部品保持部は、単一の構造体を構成する、請求項１に記載のＬＥＤランプ。
【請求項８】
前記複数のＬＥＤは、実質的に相互に隣接して前記ＬＥＤ組立体上に配置される、請求項１に記載のＬＥＤランプ。
【請求項９】
前記ベースプレートは、前記ランプ本体の前記第１の端部の外周と実質的に等しい外周を備える、請求項１に記載のＬＥＤランプ。
【請求項１０】
前記ランプ本体の前記第２の端部は、前記電気モジュールの外周に実質的に等しい外周を備える、請求項１に記載のＬＥＤランプ。
【請求項１１】
前記ランプ本体は、前記ベースプレートの少なくとも一部、前記電気モジュールの少なくとも一部、及び前記電気モジュールと前記ＬＥＤ組立体との間の電気接続部を隠すように構成される、請求項１に記載のＬＥＤランプ。
【請求項１２】
複数のＬＥＤを備えるＬＥＤ組立体と、
前記ＬＥＤ組立体に電力を供給するように構成された電気モジュールと、
ヒートシンク組立体と、
を備えるＰＡＲランプであって、前記ヒートシンク組立体は、
熱伝導性ベースと、
滑らかな表面の熱伝導性本体と、
を備え、
前記ＬＥＤモジュールは、前記熱伝導性ベースからの熱を伝達する熱伝達状態にあり、且つ、前記熱伝導性ベースの第１の側面に結合し、
前記電気モジュールは、前記ＬＥＤモジュールとは反対側の、前記熱伝導性ベースの第２の側面に結合し、
前記滑らかな表面の熱伝導性本体は、前記熱伝導性ベースから前記電気モジュールまで前記ヒートシンクの長さにわたって延び、前記電気モジュールの少なくとも一部を隠すように構成され、
前記ランプ本体の前記滑らかな表面は、穴及び突出部を有する凸凹を除いた面であり、前記ランプ本体は熱を放散させる材料で構成され、
前記ＰＡＲランプは、さらに、
前記滑らかな表面の熱伝導性本体の前記第１の側面に結合し、前記滑らかな表面の熱伝導性本体の前記第１の側面の外周に実質的に等しい外周を有する光学部品モジュールをさらに備え、
前記光学部品モジュールは、
前記ＬＥＤモジュールから生じた光を分散するように構成された光学部品と、
前記光学部品を取り囲む透明リングと、
を備える、ＰＡＲランプ。
【請求項１３】
前記熱伝導性ベースは、前記滑らかな表面の熱伝導性本体の中に落ち込んだ、実質的に平らな中央領域と、前記実質的に平らな中央領域から離れて上向きに、前記滑らかな表面の熱伝導性本体の端部に向かって傾斜する傾斜外側領域とを備える、請求項１２に記載のＰＡＲランプ。
【請求項１４】
前記滑らかな表面の熱伝導性本体の第１の端部の外周は、前記滑らかな表面の熱伝導性本体の第２の端部の外周よりも大きい、請求項１２に記載のＰＡＲランプ。
【請求項１５】
前記複数のＬＥＤは、実質的に相互に隣接して前記ＬＥＤ組立体上に配置される、請求項１２に記載のＰＡＲランプ。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月13日(2017.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モバイルワイヤレスデバイスにおける自動情報エントリの方法であって、
前記ワイヤレスデバイスのユーザインターフェースにおいてキャラクタ列の入力を受け取ることと、
前記キャラクタ列の少なくとも一部分に基づいてロケーション関連コンテキストを識別することと、
前記ロケーション関連コンテキストを識別することに応答して前記ワイヤレスデバイスのロケーション情報を取得することと、
前記ワイヤレスデバイスの前記ロケーション情報の第１の範囲内のランドマーク情報の第１のセットを取得することと
を備え、
ランドマーク情報の前記取得された第１のセットについてのサーチ結果の数がサーチ結果しきい値を満たすかどうかを決定することと、
サーチ結果の前記数が前記サーチ結果しきい値を満たすとの決定に応答して、ランドマーク情報の前記第１のセットから選択されたランドマーク情報を受信することと、
前記選択されたランドマーク情報に対する方向情報を取得することと、ここにおいて、前記方向情報は、前記選択されたランドマーク情報からの前記ワイヤレスデバイスの方向および距離のうちの１つまたは複数を含む、
前記選択されたランドマーク情報とともに前記方向情報を前記キャラクタ列に追加することと、
によって特徴付けられる方法。
【請求項２】
前記選択されたランドマーク情報を表す画像を取得することと、
前記キャラクタ列とともに前記画像を提示することと、
をさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ロケーション関連コンテキストを識別することは、ロケーション推測語と前記キャラクタ列の少なくとも一部分との間のマッチを検出することをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ロケーション推測語は、「中（in）」、「において（at）」、「上（on）」、「訪れている（visiting）」、「向かっている（heading）」、「進んでいる（going）」、「そばに（by）」、「近くに（near）」、「から（from）」、「隣に（next to）」、「正面に（in front of）」、「わきに（beside）」、「下に（beneath）」、および「最上に（on top of）」からなる群から選択される、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
ランドマーク情報の前記第１のセットが前記サーチ結果しきい値を満たさないとの決定に応答して、前記ワイヤレスデバイスの前記ロケーション情報から第２の範囲内のランドマーク情報の第２のセットを取得することをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第１の範囲は、前記第２の範囲よりも小さい、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
ランドマーク情報の前記第１のセットをリストにおいて提示することをさらに備え、ここにおいて、ランドマーク情報の前記第１のセットは、オプションにより順序づけられる、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記ワイヤレスデバイス上のキャッシュにおいて前記ロケーション情報に対応するランドマーク情報の前記第１のセットを記憶することをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記ワイヤレスデバイスがあるロケーションに戻るときに前記キャッシュからランドマーク情報の前記第１のセットを取得すること、または、
前記キャッシュにおいて前記選択されたランドマーク情報についてカスタマイズされた名称を受信および記憶すること
のいずれかをさらに備える、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記キャッシュは、メッセージディクショナリをさらに備え、
選択されたランドマーク情報の前記記憶されたセットを前記メッセージディクショナリに追加すること、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記選択されたランドマーク情報を前記キャラクタ列に追加することは、前記メッセージディクショナリからの前記選択されたランドマーク情報を自動的に追加することをさらに備える、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記ランドマーク情報は、ランドマークの名称、構造物、建物、通り、住所、交差点、ロケーションを表すグラフィック、およびロケーションを表すアイコンのうちの１つまたは複数を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記ロケーション情報は、
前記ワイヤレスデバイス上の全地球測位システム（ＧＰＳ）コンポーネントまたは前記ワイヤレスデバイスの最後のフィックスから、または、
前記ワイヤレスデバイス上のロケーションボタンの選択を受信すると、
のいずれかで取得される、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
コンピュータ可読媒体を備えるコンピュータプログラム製品であって、
前記コンピュータ可読媒体は、
コンピュータに請求項１乃至１３のうちのいずれか１項に記載の方法を実行させる少なくとも１つの命令を備える、コンピュータプログラム製品。
【請求項１５】
装置であって、
ワイヤレスデバイスのユーザインターフェースにおいてキャラクタ列の入力を受け取る手段と、
前記キャラクタ列の少なくとも一部分に基づいてロケーション関連コンテキストを識別する手段と、
前記ロケーション関連コンテキストを識別することに応答して前記ワイヤレスデバイスのロケーション情報を取得する手段と、
前記ワイヤレスデバイスの前記ロケーション情報に対応する１つまたは複数のランドマーク情報のセットを取得する手段と、
を備え、
１つまたは複数のランドマーク情報の前記セットから選択されたランドマーク情報を受信する手段と、
前記選択されたランドマーク情報に対する方向情報を取得する手段と、ここにおいて、前記方向情報は、前記選択されたランドマーク情報からの前記ワイヤレスデバイスの方向および距離のうちの１つまたは複数を含む、
前記選択されたランドマーク情報とともに前記方向情報を前記キャラクタ列に追加する手段と、
によって特徴付けられる装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月14日(2017.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理コントローラと、メモリと、表示画面とを備えた第１のディスプレイ装置に、デジタル・コンテンツを表示するためのシステムであって、
前記第１のディスプレイ装置上に表示されるように構成された、少なくとも１つのデジタル・コンテンツ・アイテムと、
サーバ、メモリ、およびプロセッサを備え、前記少なくとも１つのデジタル・コンテンツ・アイテムを、複数の暗号化されたスライスとして記憶するように構成されたサービス・クラウドと、
前記サービス・クラウドの前記サーバ上で稼働し、前記サービス・クラウドの前記メモリ内に記憶されたキー保管部から、暗号キーをダウンロードするように構成された暗号コントローラとを備え、
前記暗号キーは、前記第１のディスプレイ装置に対応した一意の識別子で符号化され、前記少なくとも１つのデジタル・コンテンツ・アイテムを、前記第１のディスプレイ装置にロックするように構成され、
前記暗号キーは、前記少なくとも１つのデジタル・コンテンツ・アイテムの複数の小部分を記述し、前記小部分は前記スライスよりも大きく、
前記プロセッサは、前記少なくとも１つのデジタル・コンテンツ・アイテムの前記複数の暗号化されたスライスを取り出すように構成され、
前記プロセッサは、前記１つまたは複数の暗号化されたスライスを、前記暗号キーを用いて前記複数の小部分に再び組み立てるように構成され、
前記プロセッサは、前記複数の小部分を暗号化し、前記複数の小部分および前記暗号キーを、前記ディスプレイ装置の前記処理コントローラへ送信するように構成され、
前記少なくとも１つのデジタル・コンテンツ・アイテムを前記ディスプレイ装置に表示するための要求を受信すると、前記プロセッサは、前記第１のディスプレイ装置の前記処理コントローラへ、前記第１のディスプレイ装置上での表示用に、前記複数の暗号化された小部分から前記少なくとも１つのデジタル・コンテンツ・アイテムを再び組み立てるために、前記暗号コントローラにより提供された起動コードを送信するように構成された、システム。