Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月12日(2017.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
活性剤を基体上に固定化する方法であって：
表面を有する基体を提供するステップであって、前記基体表面が医療装置または医療装置成分の表面を含み、前記基体がポリスルホン、ポリイソプレン、およびポリカーボネートからなる群から選択されるか、または金属であるステップと、
前記基体と、トリヒドロキシフェニル基を含む化合物の溶液とを接触させ、それによって前記トリヒドロキシフェニル基を前記基体表面にカップリングさせてトリヒドロキシフェニル処理基体を提供するステップと、
前記トリヒドロキシフェニル処理基体と、抗微生物剤、防汚剤、抗炎症剤、抗血栓薬、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される活性剤とを接触させ、それによって前記活性剤を、トリヒドロキシフェニル基を含む前記化合物にカップリングさせ、そして前記活性剤を前記基体上に固定化するステップであって、トリヒドロキシフェニル基を含む前記化合物が、没食子酸、フロログルシノールカルボン酸、ガラミド（gallamide）、５−メチル−ベンゼン−１，２，３−トリオール、３，４，５−トリヒドロキシベンズアルデヒド、２，３，４−トリヒドロキシベンズアルデヒド、ガラセトフェノン、３，４，５−トリヒドロキシベンズアミド、２，３，４−トリヒドロキシ安息香酸、５−ヒドロキシドーパミン塩酸塩、没食子酸メチル、ピロガロール、それらの誘導体、前記のものの塩、およびそれらの組み合わせからなる群から選択され、これによって前記活性剤を前記基体上に固定化するステップと
を含む、方法。
【請求項２】
活性剤を基体上に固定化する方法であって：
表面を有する基体を提供するステップであって、前記基体表面が医療装置または医療装置成分を含み、前記基体がポリスルホン、ポリイソプレン、およびポリカーボネートからなる群から選択されるか、または金属であるステップと、
溶液中でトリヒドロキシフェニル基を含む化合物と、抗微生物剤、防汚剤、抗炎症剤、抗血栓薬、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される活性剤とを組み合わせ、それによって前記活性剤を、トリヒドロキシフェニル基を含む前記化合物にカップリングさせ、そして活性剤・トリヒドロキシフェニル結合体の溶液を形成するステップと、
前記基体と前記活性剤・トリヒドロキシフェニル結合体の溶液とを接触させ、それによって前記活性剤・トリヒドロキシフェニル結合体の前記トリヒドロキシフェニル基を前記基体表面にカップリングさせ、そして前記活性剤を前記基体表面上に固定化するステップであって、トリヒドロキシフェニル基を含む前記化合物が、没食子酸、フロログルシノールカルボン酸、ガラミド（gallamide）、５−メチル−ベンゼン−１，２，３−トリオール、３，４，５−トリヒドロキシベンズアルデヒド、２，３，４−トリヒドロキシベンズアルデヒド、ガラセトフェノン、３，４，５−トリヒドロキシベンズアミド、２，３，４−トリヒドロキシ安息香酸、５−ヒドロキシドーパミン塩酸塩、没食子酸メチル、ピロガロール、それらの誘導体、前記のものの塩、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される、ステップとを含む、方法。
【請求項３】
トリヒドロキシフェニル基を含む前記化合物が没食子酸を含む、請求項１〜２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項４】
該基体を活性化して該基体表面上に反応性部分を導入することをさらに含み、前記活性化ステップが好ましくは、基体表面を酸化剤で処理すること、プラズマ処理、該基体を開始剤の存在下で照射して該基体表面上にラジカルを生成させること、および該基体を開始剤の存在下で加熱して該基体表面上にラジカルを生成させることからなる群から選択される、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記基体が金属基体である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記基体が金属を含むコーティングを有する非金属基体を含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記医療装置が体外血液回路または体外血液回路の成分を含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記基体が、チュービング、液袋、隔膜、活栓、鉗子、フィルター、カテーテル、針、およびカニューレからなる群から選択される医療装置または医療装置成分の表面を含む、請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
（ａ）前記活性剤が抗微生物剤を含み、前記抗微生物剤が抗菌剤であるか、
（ｂ）前記活性剤が抗血栓薬を含み、前記抗血栓薬が抗凝固剤であるか、または
（ｃ）前記活性剤が抗炎症剤を含み、前記抗炎症剤が補体阻害剤である、
請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記活性剤が、キトサン、線状ポリエチレングリコール、ループ状ポリエチレングリコール、ポリエチレングリコール誘導体、ポリビニルピロリドン、ポリビニルピロリドン誘導体、分画ヘパリン、未分画ヘパリン、ヘパリン誘導体、第４アンモニウムポリマー、アルブミン、ポリエチレンイミン、４−ヒドロキシクマリン誘導体、および前記のものの組み合わせからなる群から選択される、請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記活性剤がキトサンである、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
その表面上に固定化された活性剤を有する基体であって、前記基体は前記基体表面にカップリングしたトリヒドキシフェニル基を含む化合物を有し、前記基体表面は医療装置または医療装置成分の表面を含み、そして前記基体は金属であるか、またはポリスルホン、ポリイソプレン、およびポリカーボネートからなる群から選択され、トリヒドロキシフェニル基を含む前記化合物が、没食子酸、フロログルシノールカルボン酸、ガラミド（gallamide）、５−メチル−ベンゼン−１，２，３−トリオール、３，４，５−トリヒドロキシベンズアルデヒド、２，３，４−トリヒドロキシベンズアルデヒド、ガラセトフェノン、３，４，５−トリヒドロキシベンズアミド、２，３，４−トリヒドロキシ安息香酸、５−ヒドロキシドーパミン塩酸塩、没食子酸メチル、ピロガロール、それらの誘導体、前記のものの塩、およびそれらの組み合わせからなる群から選択され、そしてトリヒドロキシフェニル基を含む前記化合物は、それらにカップリングした抗微生物剤、防汚剤、抗凝固剤、抗炎症剤、抗血栓薬、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される活性剤を含むので、前記活性剤が前記医療装置または医療装置成分の表面上に固定化される、基体。
【請求項１３】
請求項１２に記載の基体を含む、医療装置。
【請求項１４】
前記医療装置が、
（ａ）体外血液回路または体外血液回路の成分、あるいは
（ｂ）チュービング、液袋、隔膜、活栓、鉗子、フィルター、カテーテル、針、およびカニューレからなる群から選択される医療装置
を含む、請求項１３に記載の医療装置。
【請求項１５】
（ａ）前記医療装置がチュービングを含み、前記チュービングがポリジメチルシロキサンを含み、トリヒドロキシフェニル基を含む前記化合物が没食子酸を含み、前記活性剤がキトサンまたはヘパリンを含むか、あるいは
（ｂ）前記基体がステンレス鋼を含み、トリヒドロキシフェニル基を含む前記化合物が没食子酸を含み、前記活性剤がキトサンを含む、
請求項１３に記載の医療装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月31日(2017.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部の、少なくとも実質的に真っ直ぐの側面を有し、表面上で若しくは表面にて、直線に沿って磁場を設けるように構成されているカードであって、
該直線は前記側面と少なくとも実質的に平行であり、且つ、前記側面から６．９ｍｍ〜７．２ｍｍの間に、若しくは、１０．２ｍｍ〜１０．５ｍｍの間に、配置されており、
カードは、電磁場の少なくとも一部をアウトプットするように構成された少なくとも二つの端部を含む長方形の磁場生成器を含み、
端部は、磁場生成器の長手方向に直交する、少なくとも１．８ｍｍの幅を有し、表面の平面上に突起するとき、個々の端部のエッジが前記直線から０．５ｍｍ以下に配置され、及び／又は、前記直線は突起内で端部とオーバーラップしない、
ように配置されている、カード。
【請求項２】
前記直線は、表面上の若しくは表面における第１の端点と第２の端点との間に延在し、第１及び第２のカーブ端点が、端部を介して直線上に突出したとき、端部の間に配置されるように、端部は配置される、
請求項１に記載のカード。
【請求項３】
磁場生成器が、コイル内において延在するコア材料を含む、
請求項１又は２に記載のカード。
【請求項４】
前記カードは、表面上の若しくは表面における所定のカーブに沿って更なる電磁場を提供するように構成され、
前記カードは第２の長方形の磁場生成器を含み、
前記第２の長方形の磁場生成器は、自らの長手方向に直交する方向に、少なくとも１．８ｍｍの幅を有する二つの第２の端部を伴い、且つ、更なる電磁場の少なくとも一部をアウトプットするように構成されており、
表面の平面上に突起するとき、個々の第２の端部のエッジが所定のカーブから０．５ｍｍ以下に配置され、及び／又は、所定のカーブは突起内で第２の端部とオーバーラップしない、
請求項１〜３のうちのいずれか一に記載のカード。
【請求項５】
前記カーブは、前記側面と少なくとも実質的に平行であり、且つ、前記側面から１０．２ｍｍ〜１０．５ｍｍの間に配置されている、直線である、請求項４に記載のカード。
【請求項６】
更に、第１及び第２の補償磁場アウトプットを有する補償磁場生成器を含み、
平面上に突起するとき、端部が前記カーブの一方の側の側面上に設けられ且つ補償磁場アウトプットが前記カーブの反対側の側面上に設けられるように、端部及び補償磁場アウトプットが配置される、
請求項４又は５に記載のカード。
【請求項７】
カードとカードリーダとのアセンブリであって、
カードは外部の、少なくとも実質的に真っ直ぐの側面を有し、
カードリーダは、電磁場を感知する際にカードの直線を覆って配置されるように、且つ感知された電磁場に関する信号をアウトプットするように、構成されている、読み出しヘッドを含み、該直線は前記側面と少なくとも実質的に平行であり、且つ、前記側面から６．９ｍｍ〜７．２ｍｍの間に、若しくは、１０．２ｍｍ〜１０．５ｍｍの間に、配置されており、
カードは、少なくとも二つの端部を含む長方形の磁場生成器を含み、
前記少なくとも二つの端部は、磁場生成器の長手方向に直交する、少なくとも１．８ｍｍの幅を有し、且つ、電磁場の少なくとも一部をアウトプットするように構成され、
端部は、表面の平面上に突起するとき、
各端部のエッジが前記直線から０．５ｍｍ以下に配置され、及び／又は
前記直線が突起内で端部にオーバーラップしない、
ように配置される、アセンブリ。
【請求項８】
読み出しヘッドは少なくとも第１及び第２の磁場センサを含み、
第１の磁場センサは前記直線に沿って移動するように構成され、第２の磁場センサはカーブに沿って移動するように構成され、
カードは、表面上の若しくは表面におけるカーブ沿いに更なる電磁場を設けるように構成され、
カードは、二つの第２の端部が更なる電磁場の少なくとも一部をアウトプットするように構成された、第２の長方形の磁場生成器を含み、
第２の端部は、表面の平面上に突起するとき、
各第２の端部のエッジが前記カーブから０．５ｍｍ以下に配置され、及び／又は
前記カーブが突起内で第２の端部にオーバーラップしない、
ように配置される、請求項７に記載のアセンブリ。
【請求項９】
前記方法は、磁場生成器を操作して磁場をアウトプットするステップを含む、
請求項１〜６のうちのいずれか一に記載の方法。
【請求項１０】
操作するステップが、磁場生成器を操作して経時変化する磁場をアウトプットするステップを含む、
請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
カードから読み出しヘッドを含むカードリーダへ情報を伝える方法において、
カードは外部の、少なくとも実質的に真っ直ぐの側面を有し、
前記方法は、
直線の直ぐ上に読み出しヘッドを配置するステップであって、前記直線は前記側面と少なくとも実質的に平行であり、且つ、前記側面から６．９ｍｍ〜７．２ｍｍの間に、若しくは、１０．２ｍｍ〜１０．５ｍｍの間に、配置されている、ステップと、
磁場の少なくとも一部が読み出しヘッドに入り、カードリーダが読み出しヘッドに入る磁場の少なくとも一部に対応する信号をアウトプットするように、カードの磁場生成器を操作して磁場をアウトプットするステップとを含み、
操作するステップは、電磁場の少なくとも一部をアウトプットするように構成された少なくとも二つの端部を含む磁場生成器を操作するステップを含み、
端部は、磁場生成器の長手方向に直交する、少なくとも１．８ｍｍの、幅を有し、
端部は、表面の平面上に突起するとき、
各端部のエッジが前記直線から０．５ｍｍ以内に配置され、及び／又は
前記直線が突起内において端部にオーバーラップしない
ように配置される、方法。
【請求項１２】
前記配置するステップは、カードに対して読み出しヘッドを並進するステップを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記エッジが、前記長方形の磁場生成器の長手方向に延在する、端部の一部である、又は、端部の一部にて存在する、請求項１に記載のカード。
【請求項１４】
前記エッジが、前記長方形の磁場生成器の長手方向に延在する、端部の一部である、又は、端部の一部にて存在する、請求項７に記載のアセンブリ。
【請求項１５】
前記エッジが、前記長方形の磁場生成器の長手方向に延在する、端部の一部である、又は、端部の一部にて存在する、請求項１１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月2日(2017.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面加工装置であって、
機械加工される基板（３）を支えるための基板支持体（２）と、
実質的に互いに直交して延びる第１及び第２移動軸に沿って前記基板支持体（２）に対して調節することができる機械加工ユニット（６，６’）であって、第１ガントリー駆動装置（５ａ）を用いて少なくとも前記第１移動軸に沿って調節可能である機械加工ユニット（６，６’）と、
前記基板支持体（２）上の前記基板（３）の向きを確認するための位置検出ユニットと、前記基板支持体（２）上の前記基板（３）の向きに応じて前記機械加工ユニット（６，６’）の動作を制御する制御ユニットと
を含み、
前記機械加工ユニット（６，６’）は、特に前記第１及び第２移動軸によって形成される平面に対して垂直に延びる高さ軸を中心に、前記基板支持体（２）に対して旋回させることができることを特徴とする、表面加工装置。
【請求項２】
前記機械加工ユニット（６，６’）は、リニア駆動装置を用いて、好ましくはフィードモーターを用いて、特に好ましくは第２ガントリー駆動装置を用いて前記第２移動軸に沿って調節することができることを特徴とする、請求項１に記載の表面加工装置。
【請求項３】
前記機械加工ユニット（６、６’）は、前記第２移動軸から離間して延びる搬送要素に、特に前記第２移動軸に対して平行に延びるリニアガイド（９）に支持されることを特徴とする、請求項１又は２に記載の表面加工装置。
【請求項４】
前記機械加工ユニット（６，６’）は、前記第１及び第２移動軸によって形成される平面に対して実質的に直角に調節することができることを特徴とする、請求項１から３のいずれか１項に記載の表面加工装置。
【請求項５】
前記基板支持体（２）に隣接して前記機械加工ユニット（６，６’）の移動領域内に配置されるメンテナンスユニットにより特徴付けられる、請求項１から４のいずれか１項に記載の表面加工装置。
【請求項６】
前記基板支持体（２）は前記機械加工ユニット（６，６’）に対して調節することができることを特徴とする、請求項１から５のいずれか１項に記載の表面加工装置。
【請求項７】
前記基板支持体（２）は、前記第１及び第２移動軸によって形成される平面に対して垂直に延びる高さ軸を中心に旋回させることができることを特徴とする、請求項１から６のいずれか１項に記載の表面加工装置。
【請求項８】
前記基板支持体（２）は、前記基板（３）を支えるための循環するコンベヤーベルト（１４）を含み、前記コンベヤーベルト（１４）は、前記第１ガントリー駆動装置（５ａ）の移動方向に対して平行な対応する移動方向を有することを特徴とする、請求項１から７のいずれか１項に記載の表面加工装置。
【請求項９】
前記基板支持体（２）は前記基板を支えるための循環するコンベヤーベルト（１４）を含み、特に好ましい前記コンベヤーベルト（１４）は高さ軸を中心に旋回可能であることを特徴とする、請求項１から８のいずれか１項に記載の表面加工装置。
【請求項１０】
前記機械加工ユニット（６，６’）は１つ、好ましくは複数のインクジェットプリントヘッド（８）を含み、特に好ましい前記複数のインクジェットプリントヘッド（８）は互いに対して調節可能に配置されることを特徴とする、請求項１から９のいずれか１項に記載の表面加工装置。
【請求項１１】
前記制御ユニットは前記基板支持体（２）の動作制御に使用することができ、特にそれは意図される表面機械加工に応じて前記機械加工ユニット（６，６’）の動作を前記基板支持体（２）の動作と同期させることを特徴とする、請求項１から１０のいずれか１項に記載の表面加工装置。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年12月21日(2016.12.21)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３７】
本出願で記述したフォトトランジスタ２１０は非常に小さく透明に作ることが容易に行えるが、フォトトランジスタ２１０には、透明領域から離れて位置する処理エレクトロニクスに接続される３つの端子（例えば、Vddと電圧プローブ２６０、グランド１５５）が具備される。図５に示すように、処理エレクトロニクスへの接続は、グラフェン膜２２０の位置に統合又は結合された透明（又は実質的に透明な）インターコネクト５００のような導電手段を介して行われる。インターコネクト５００はグラフェンでもよく、その結果、コストを最小化し、将来の変形可能デバイスに適合するよう機械的可撓性を高めるために、全グラフェンデバイスを規定することができる。グラフェンは単層で配置されてもよい。インターコネクト５００はグラフェンに限定されるものではなく、導電性酸化物（例えば、酸化インジウムスズ等）のような他の材料が使用されてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月9日(2016.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
浮き埠頭で天然ガスを液化するシステムであって、
ドックに近接した陸上に位置する天然ガス前処理設備であって、前記陸上の天然ガス前処理設備はパイプライン品質のガスを前処理済み天然ガスに処理する天然ガス前処理設備と、
前記ドックに係留される浮き液化ユニットであって、前記浮き液化ユニットは、甲板上の天然ガス液化モジュールと、前記甲板の下に生産したＬＮＧを貯蔵するＬＮＧ貯蔵タンクとをさらに備える浮き液化ユニットと、
前記陸上での前処理設備を前記ドックに結合するパイプラインであって、前記パイプラインは前処理済み天然ガスを前記ドックに輸送するパイプラインと、
前記パイプラインを前記浮き液化ユニットに流体連結する高圧ガスアームであって、前記ガスアームは前処理済み天然ガスを前記浮き液化ユニットに輸送するパイプラインとを備え、
前記陸上での前処理設備は、前記浮き液化ユニットに搭載された機器を冷却するように構成される閉ループ冷却システムを更に備える、
ことを特徴とするシステム。
【請求項２】
前記前処理済み天然ガスは、ＬＮＧに近い品質であり、前記浮き液化ユニットは、内蔵する最終ガス処理ユニットをさらに備え、前記最終ガス処理ユニットは、液化前に、前記ＬＮＧに近い品質の天然ガスをＬＮＧ品質にするように構成される、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記浮き液化ユニットに搭載された前記ＬＮＧ貯蔵タンクから、ＬＮＧを受け入れるように構成されるＬＮＧ運搬船をさらに備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記ＬＮＧ運搬船は再ガス化船である、請求項３に記載のシステム。
【請求項５】
前記ドックはシーアイランドであり、前記パイプラインは少なくとも部分的に水面以下に延在する、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
パイプライン品質の天然ガスを前記陸上での前処理設備まで輸送するように構成されるガス導管をさらに備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記ガス導管は沖合のガス貯留地に結合される、請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
前記ガス導管は陸上のガス貯留地に結合される、請求項６に記載のシステム。
【請求項９】
前記浮き液化ユニット上に配置される分別システムをさらに備え、関連する復水貯蔵は前記陸上での前処理設備上に配置される、請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
前記陸上の天然ガス前処理設備は、前記浮き液化ユニットに搭載された天然ガスから復水を除去する貯蔵池を備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項１１】
浮き埠頭で天然ガスを液化するシステムであって、
ドックに近接した陸上に位置する天然ガス前処理設備であって、前記陸上の天然ガス前処理設備はパイプライン品質のガスを前処理済み天然ガスに処理する天然ガス前処理設備と、
前記ドックに係留される浮き液化ユニットであって、前記浮き液化ユニットは、甲板上の天然ガス液化モジュールと、前記甲板の下に生産したＬＮＧを貯蔵するＬＮＧ貯蔵タンクとをさらに備える浮き液化ユニットと、
前記陸上での前処理設備を前記ドックに結合するパイプラインであって、前記パイプラインは前処理済み天然ガスを前記ドックに輸送するパイプラインと、
前記パイプラインを前記浮き液化ユニットに流体連結する高圧ガスアームであって、前記ガスアームは前処理済み天然ガスを前記浮き液化ユニットに輸送するパイプラインと、
前記陸上での前処理設備は、前記浮き液化ユニットに搭載された機器を冷却する閉ループ冷却システムと、
前記ドックに近接して配置され、前記浮き液化ユニットに搭載された天然ガスから復水を貯蔵するように構成される陸上貯蔵設備を備える、システム。
【請求項１２】
前記陸上での前処理設備は、前記浮き液化ユニットに搭載された機器を冷却するように構成される閉ループ冷却システムをさらに備える、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１３】
前記閉ループ冷却システムは、陸上の冷却水熱交換器と、前記浮き液化ユニットの前記船尾と船首を可撓性接続することをさらに備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項１４】
浮き埠頭で天然ガスを液化する方法であって、
ドックに近接する陸上の前処理設備で船上での液化のために天然ガスを前処理することと、
前記前処理済み天然ガスをパイプラインで前記陸上の前処理設備からドックに係留される浮き液化ユニットまで輸送することと、
前記浮き液化ユニットに搭載された前記天然ガスを液化してＬＮＧを形成することと、
前記ＬＮＧを前記浮き液化ユニット上に貯蔵することと、
前記ＬＮＧを前記浮き液化ユニットから受け入れＬＮＧ運搬船に輸送し、使用地まで輸送することと、
前記復水を、前記浮き液化ユニットに搭載された前記天然ガスから除去し、その後前記復水を貯蔵するために、前記ドックに近接して配置される陸上貯蔵設備に輸送するステップをさらに備える、方法。
【請求項１５】
毎年約５００万トンの天然ガスが前記浮き液化ユニット上で液化される、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記ＬＮＧは、並列に船から船へＬＮＧを輸送することを用いて、前記浮き液化ユニットから受け入れＬＮＧ運搬船に輸送される、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
陸上に配置されるデッドマンアンカーにラインを係留して、前記浮き液化ユニットは前記ドックに係留される、請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
前記浮き液化ユニットの建設を造船所で完了し、前記完全に建設したユニットを前記造船所から前記ドックまで輸送するステップをさらに備える、請求項１４に記載の方法。
【請求項１９】
前記ドックはシーアイランドである、請求項１４に記載の方法。
【請求項２０】
前記天然ガスは前記浮き液化ユニットに輸送され、前記浮き液化ユニットは、少なくとも部分的に水面以下であり、少なくとも部分的に前記シーアイランドの上にある、請求項１９記載の方法。
【請求項２１】
前記浮き液化ユニットに搭載された液化機械ドライバを、陸上冷却水熱交換器を用いて冷却するステップをさらに備える、請求項１４に記載の方法。
【請求項２２】
前記浮き液化ユニットに搭載された冷却液化システムを陸上の水を用いて冷却するステップをさらに備える、請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月21日(2017.3.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱可塑性膜を圧縮する方法であって、
基板上に可溶性形態の熱可塑性物質を堆積させて膜を形成する工程と、
前記膜をソフトベークして残留溶媒を除去する工程と、
前記熱可塑性物質のガラス転移温度Ｔgより少なくとも１００℃低い温度で、２０〜１２０分間、可変周波数マイクロ波（ＶＦＭ）により前記膜を硬化させる工程と
を含む方法。
【請求項２】
前記熱可塑性物質は、二官能性ポリアミック酸部分と二官能性アミン部分とを有するポリイミドを含み、かつ、前記ポリイミドは、３００〜４００℃の範囲のＴgを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ポリイミドは３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物−ｐ−フェニレンジアミン（ＢＰＤＡ−ＰＰＤ）を含み、前記ＶＦＭ硬化は約１７５〜２２５℃の温度で実施される、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記ＶＦＭ硬化は、選択された中心周波数の少なくとも±５％の帯域幅に亘りマイクロ波力を掃引的に印加する工程を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記基板は、集積回路を上に載せた半導体ウエハを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記熱可塑性物質は、ポリイミド、ポリオレフィン、ポリビニル、ポリカーボネートおよびアクリロニトリルからなる群から選択されるポリマーを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記熱可塑性物質の多分散指数（ＰＤＩ）を低減させる工程をさらに含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記ＰＤＩの低減は、サイズ排除クロマトグラフィーを含む分離技術を用いること、または、前記熱可塑性物質の出発材料の形成の間の熱可塑性物質のエンドキャップ反応の初期化を制限することにより行われる、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
マイクロ電子デバイスを作る方法であって、
集積回路を上に載せた半導体ウエハを準備する工程と、
前記半導体ウエハ上に可溶性形態の熱可塑性膜を堆積させて膜を形成する工程と、
前記膜をソフトベークして残留溶媒を除去する工程と、
前記熱可塑性物質のガラス転移温度Ｔgより少なくとも１００℃低い温度で、２０〜１２０分間、可変周波数マイクロ波（ＶＦＭ）により前記膜を硬化させる工程と
を含む方法。
【請求項１０】
前記熱可塑性物質は、二官能性ポリアミック酸部分と二官能性アミン部分とを有するポリイミドを含み、かつ、前記ポリイミドは、３００〜４００℃の範囲のＴgを有する、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記ポリイミドは３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物−ｐ−フェニレンジアミン（ＢＰＤＡ−ＰＰＤ）を含み、前記ＶＦＭ硬化は約１７５〜２２５℃の温度で実施される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記ＶＦＭ硬化は、選択された中心周波数の少なくとも±５％の帯域幅に亘りマイクロ波力を掃引的に印加する工程を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記集積回路は、幅１００〜１０ｎｍの機能回路特徴部を備え、かつ、前記熱可塑性物質は、３００〜４００℃の範囲のＴgを有する、請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
上に設けられた機能集積回路を有する半導体と、
その上に設けられた実質的に高密度の熱可塑性コーティングであって、３００〜４００℃の範囲のＴgを有する熱可塑性コーティングと
を備えた、電子デバイス。
【請求項１５】
前記集積回路は、幅１００〜１０ｎｍの範囲の機能回路特徴部を備える、請求項１４に記載の電子デバイス。
【請求項１６】
前記熱可塑性コーティングは、ポリイミド、ポリオレフィン、ポリビニル、ポリカーボネートおよびアクリロニトリルからなる群から選択されるポリマーを含む、請求項１４に記載の電子デバイス。
【請求項１７】
前記熱可塑性コーティングは、二官能性ポリアミック酸部分と二官能性アミン部分とを有するポリイミドを含む、請求項１６に記載の電子デバイス。
【請求項１８】
前記ポリイミドは、ＢＰＤＡ−ＰＰＤを含む、請求項１７に記載の電子デバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
ポリイミド膜は、マイクロ電子産業において、何十年にも亘って最適な有機誘電体であったが、その理由は、この材料が、３００℃を超える温度に対して、高い熱安定性、化学安定性および機械安定性を有するためである。電子工学デバイス技術の最近の進歩によって、２５０℃を上回る高温処理に対してしばしば感受性を来している。この限界により、電子工学産業は、硬化温度が２５０℃未満である他の化学的なクラス、例えば、ポリベンゾオキサゾールおよびエポキシなどを模索せざるを得なくなった。全ての場合において、ポリイミドに代わるこれらの物質では、安定性および誘電特性に関して妥協してきたか、または、製造上の頑健性を低減させてきた。従来のオーブンで３００℃未満の温度で不完全に硬化されたポリイミドは、マイクロ電子デバイスには許容され得ない化学的および誘電特性を有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
本発明が、従来は形成不能であった構造の製造を可能にすることは、当業者には明らかであろう。特に、温度上限が２５０℃以下である機能的なシリコン集積回路を、Ｔgが３５０℃以上である熱可塑性物質の高密度な層でコーティングした複合的な構造を作り上げることができる。集積回路の特徴の特徴部サイズは１００〜１５ｎｍでありうる。全ての従来技術の方法では、この種のポリマーを圧縮するために必要とされる処理温度は、下にある回路部材の機能性を破壊してしまう。
ＶＦＭ処理は、キャビティおよび加工対象品のサイズおよび形状、基板のタイプなどの変数に基づいて、当業者が特別な周波数範囲、掃引速度などを選択することができる、本質的に柔軟性を有する方法であることが理解されることになろう。ある選択された帯域幅（通常、中心周波数の±５％または±１０％）に亘って周波数を掃引することは、均一性を向上させるのみならず、アーク放電およびこれ以外の加工対象品中の電子工学部品に対して悪影響を及ぼす効果を防ぐことは周知である。したがって、出願人は、中心周波数の少なくとも±５％、より好ましくは±１０％の帯域幅に亘って、周波数を掃引することを好む。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月9日(2017.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属酸化物を含有する粉末の製造方法であって、前記方法は噴霧熱分解を行うことを含み、前記噴霧熱分解は、
（ａ）  前駆体溶液中に固相粒子を有するスラリーをアトマイゼーションして、前記前駆体溶液と前記固相粒子を１種以上有する液滴を形成させる工程、その際、（ｉ）前記固相粒子は、約１０ｎｍ〜５０μｍの範囲内の平均サイズを有し、かつ（ｉｉ）前記前駆体溶液は溶媒中に溶解又は懸濁する少なくとも１種の前駆体化合物を有し、前記少なくとも１種の前駆体化合物は少なくとも１種の金属酸化物の１種以上の金属元素を有し、かつ（ｉｉｉ）前記スラリーは、金属酸化物含有粉末を基準として約２％〜約７５％の範囲内の固相粒子の全質量分率を有する；
（ｂ）  前記液滴中の溶媒を蒸発させて、少なくとも１種の前駆体化合物及び１種以上の固相粒子を有する乾燥した液滴の形状にする工程；かつ
（ｃ）  前記乾燥した液滴をか焼して、少なくとも１種の前駆体化合物を少なくとも部分的に分解して金属酸化物含有粉末を形成させる工程、その際、前記金属酸化物含有粉末は、少なくとも１種の金属酸化物を有する生成物粒子を有し、前記生成物粒子は、（ｉ）約１００ｎｍ〜約５００μｍの範囲内の平均サイズを有し、かつ（ｉｉ）エアロゾル中の種粒子の不存在で行われる他は同じ噴霧熱分解法により製造されたほぼ同じ平均サイズの粒子の平均中空度よりも低い平均中空度を有し、前記生成物粒子の平均中空度は約２０％よりも低い、金属酸化物を含有する粉末の製造方法。
【請求項２】
前記固相粒子の平均サイズは、約１００ｎｍ〜約１５μｍの範囲内にあり、かつ前記生成物粒子の平均サイズは、約５００ｎｍ〜約５０μｍの範囲内にある、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記固相粒子は、（ｉ）  前記か焼の間に分解する組成を有する分解される固相粒子、（ｉｉ）  前記固相粒子の前記か焼の間に実質的に分解しない組成を有する安定な固相粒子、（ｉｉｉ）  前記か焼の間に分解する少なくとも１種の化合物及び前記か焼の間に実質的には分解しない少なくとも１種の異なる化合物を有する組成を有する部分的に安定な固相粒子、及び（ｉｖ）  それらの組み合わせからなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記生成物粒子は、更に、（ｉｉｉ）多孔性のモルホロジーを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記生成物粒子のほぼ全てが、実質的に均一な組成を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記生成物粒子のほぼ全てが、不均一な組成を有し、前記生成物粒子の前記固相粒子部分が、前記生成物粒子の少なくとも１種の金属酸化物部分とは異なる組成を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記固相粒子と、前記少なくとも１種の金属酸化物とは、無関係に、組成式
Ｌｉ1+α（ＮｉxＣｏyＭｎz）1-tＭtＯ2-dＲd
を有するものから選択され、前記式中、
Ｍは、Ａｌ、Ｍｇ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｃａ、Ｎａ、Ｋ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｖ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ及びこれらの混合物からなる群から選択され、
Ｒは、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｈ、Ｓ、Ｎ及びこれらの混合物からなる群から選択され、かつ
０≦α≦０．５０；０＜ｘ≦１；０≦ｙ≦１；０＜ｚ≦１；０≦ｔ≦１；及び０≦ｄ≦０．５である、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記固相粒子と、前記少なくとも１種の金属酸化物とは、無関係に、組成式
ｘＬｉ2ＭＯ3・（１−ｘ）ＬｉＭ′Ｏ2
を有するものから選択され、前記式中、
Ｍは、＋４の平均酸化状態を有する１以上の金属イオンであり；
Ｍ′は、＋３の平均酸化状態を有する１以上の金属イオンであり；及び
０＜ｘ＜１である、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
ＭはＭｎであり、かつＭ′は、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｏ及びこれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記前駆体溶液は、ＬｉＮＯ3及びＭｎ（ＮＯ3）2及びＮｉ（ＮＯ3）2及び／又はＣｏ（ＮＯ3）2及び／又はこれらの水和物を有する、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記生成物粒子は、約１μｍ〜約１５μｍの範囲内の平均サイズを有する、メソ孔の二次粒子であり、前記二次粒子は、約５０ｎｍ〜約５００ｎｍの範囲内の平均サイズを有する金属酸化物一次粒子を有する、請求項７に記載の方法。
【請求項１２】
非中空のモルホロジーを有し、かつ約１μｍ〜約１５μｍの範囲内の平均サイズを有する、複数のメソ孔の、金属酸化物含有の二次粒子を有し、前記二次粒子は、約５０ｎｍ〜約５００ｎｍの範囲内の平均サイズを有する一次粒子を有し、前記二次粒子の平均サイズについての標準偏差が、約０〜約１０の範囲内であり、前記二次粒子は、約２ｎｍ〜約１００ｎｍの範囲内の一次粒子間の間隔を有し、前記二次粒子は、約１ｍ2／ｇ〜約１００ｍ2／ｇの範囲内のブルナウアー・エメット・テラー表面積を有し、前記材料の各１マイクロメートル領域内のそれぞれのエレメントの相対濃度は、その平均値から約４％を越えて変化することはなく、かつ前記材料中の標準偏差は約４％以下であり、かつ前記金属酸化物は、組成式
ｘＬｉ2ＭＯ3・（１−ｘ）ＬｉＭ′Ｏ2を有し、前記式中：
Ｍは、＋４の平均酸化状態を有する１種以上の金属イオンであり；かつ
Ｍ′は、＋３の平均酸化状態を有する１種以上の金属イオンであり；かつ
０＜ｘ＜１である材料。
【請求項１３】
前記金属酸化物の組成式は
ｘＬｉ2ＭｎＯ3・（１−ｘ）ＬｉＭｎ0.5Ｎｉ0.5Ｏ2であるか、又はｘＬｉ2ＭｎＯ3・（１−ｘ）ＬｉＣｏＯ2であるか、又はｘＬｉ2ＭｎＯ3・（１−ｘ）ＬｉＭｎ1/3Ｎｉ1/3Ｃｏ1/3Ｏ2であり、かつ０．３≦ｘ≦０．７である、請求項１２に記載の材料。
【請求項１４】
前記金属酸化物は、層状・層状複合結晶構造を有するか、又は層状・スピネル複合結晶構造を有するか、又はスピネル型（ＬＴ−ＬｉＣｏＯ2型）結晶構造を有するか、又は単斜晶Ｌｉ2ＭｎＯ3型結晶構造を有する、請求項１２に記載の材料。
【手続補正書】
【提出日】平成29年4月17日(2017.4.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも２つの電気接続要素（１２１、１２２、１２３；１２１’、１２２’、１２３’）を収容する電気絶縁性の本体（１１０；１１０’）と、
温度センサ（２００）と、
を具備する電気付属品（１００；１００’）であって、
前記温度センサ（２００）は、前記本体（１１０；１１０’）とは別体の熱伝導性且つ電気絶縁性の支持要素（１５０；２５０；３５０）に受容されており、
前記支持要素は、前記電気接続要素（１２１、１２２、１２３、１２１’、１２２’、１２３’）の間で延び且つ前記本体（１１０）の外面（１１１Ａ；１１１’Ａ）から後退した状態で前記本体（１１０、１１０’）内に取り付けられており、
前記支持要素（１５０； ２５０）は、２つの対向する端部を有する少なくとも１つの第１の枝部（１５０； ２６０）を具備し、前記端部の各々が前記電気接続要素（１２１、１２２、１２３）のそれぞれの１つに対する取り付けのための取付手段を備えるとともに、前記支持要素（１５０； ２５０）は、中央部において、前記温度センサ（２００）を受容するのに適した穴（１５６；２５６）を具備することを特徴とする電気付属品。
【請求項２】
前記支持要素（１５０；２５０）は、前記電気接続要素（１２１、１２２、１２３）の内の少なくとも１つに対する取り付けのための取付手段を具備することを特徴とする、請求項１に記載の電気付属品（１００）。
【請求項３】
各取付手段は、前記対応する電気接続要素（１２１、１２２、１２３）をはさみ付けることを特徴とする、請求項２に記載の電気付属品（１００）。
【請求項４】
各取付手段は、互いに向い合う２つの内面（１５３、１５４；２５３、２５４）を有するハウジング（１５２；２５２）を具備しており、
前記内面の内の第１の内面（１５３；２５３）は、前記電気接続要素（１２１；１２２；１２３）の対応する面に適合しており、
少なくとも１つの湾曲部（１５５；２５５）を具備する第２の内面（１５４；２５４）は、前記電気接続要素（１２１、１２２、１２３）を前記第１の内面（１５３；２５３）に押し付けるのに適していることを特徴とする、請求項３に記載の電気付属品（１００）。
【請求項５】
前記取付手段は、前記対応する電気接続要素にクリッピングすることによる取付手段であることを特徴とする、請求項２に記載の電気付属品。
【請求項６】
前記本体（１１０）は、３つの電気接続要素（１２１、１２２、１２３）を収容しており、前記温度センサ（２００）を収容する前記支持要素（１５０；２５０）は、前記３つの電気接続要素（１２１、１２２、１２３）と接触する状態で設置されていることを特徴とする、請求項１に記載の電気付属品（１００）。
【請求項７】
前記支持要素（２５０）は、２つの対向する端部を備え且つ２つの第１の電気接続要素（１２１、１２２）に対する取り付けのための取付手段を含む第１の枝部（２６０）と、前記第１の枝部（２６０）と前記第３の電気接続要素（１２３）との間で延びる第２の枝部（２７０）とによるＴ字形状を呈することを特徴とする、請求項１に記載の電気付属品（１００）。
【請求項８】
前記支持要素（１５０、２５０）は、回線に接続された前記電気接続要素（１２１）、及び中性線に接続される前記電気接続要素（１２２）に対する取り付けのための取付手段を具備することを特徴とする、請求項１に記載の電気付属品（１００）。
【請求項９】
前記電気センサは、サーミスタ（２００）であることを特徴とする、請求項１に記載の電気付属品（１００；１００’）。
【請求項１０】
前記支持要素（１５０；２５０；３５０）は、セラミック粒子を含むポリマー材料により製作されることを特徴とする、請求項１に記載の電気付属品（１００；１００’）。
【請求項１１】
前記支持要素（１５０；２５０；３５０）を作るために使用される材料は、１０Ｗ／ｍ2・Ｋ以上の熱伝導率を有することを特徴とする、請求項１に記載の電気付属品（１００、１００’）。
【請求項１２】
該電気付属品は、前記本体（１１０）の前外面（１１１Ａ）から突出する２つの電気接続ピン（１３１，１３２）を具備する電気プラグ（１００）であり、各電気接続ピンは、前記本体（１１０）の内部において、前記電気接続要素（１２１、１２２、１２３）のそれぞれ１つに電気的に接続されることを特徴とする、請求項１に記載の電気付属品（１００）。
【請求項１３】
該電気付属品は、前記本体（１１０’）の前外面（１１１’Ａ）から突出する２つの電気接続ピン（１３１’、１３２’）を具備する電気プラグ（１００’）であり、
各電気接続ピンは、導電体（ １１４’Ａ、１１４’Ｂ）の導電部（１１５’Ａ、１１５’Ｂ）を受容するために前記電気接続要素（１２１’、１２２’）の１つを形成するステムにより前記本体の内部において延びており、
前記支持要素（３５０）は、それがピン支持部を構成するように、該支持要素を通過する前記ピン（１３１’、１３２’）を有することを特徴とする、請求項１に記載の電気付属品（１００’）。
【請求項１４】
前記支持要素（３５０）は、前記ピン（１３１’、１３２’）が圧入される２つの穴が開けられた実質的に板の形態であり、
前記板は、前記本体（１１０’）の前記前壁（１１１’）の後内面（１１１’Ｂ）に隣接する前面（３５０Ａ）と、前記ピン（１３１’、１３２’）の前記ステム（１２１’、１２２’）が出現する対向する後面（３５０Ｂ）と、を有することを特徴とする、請求項１３に記載の電気付属品（１００’）。
【請求項１５】
前記支持要素（３５０）の前記後面（３５０Ｂ）は、温度センサ（２００）を受容するための少なくとも１つの受容ハウジングを画定する少なくとも１つの突出リブ（３５１、３５２、３５３）を具備することを特徴とする、請求項１４に記載の電気付属品（１００’）。
【請求項１６】
前記支持要素（３５０）は、各温度センサ（２００）が電気的に接続されるプリント回路（４００）の支持カードをスナップ締結するためのスナップ締結手段を具備することを特徴とする、請求項１に記載の電気付属品（１００’）。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月2日(2017.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シースルー光学表示装置において、
像形成コンポーネント、
非平面で自由形状の前面光学面を有する、傾けられた一次ミラー、及び
非平面で自由形状の前面光学面を有する、傾けられた二次ミラー、
を備え、
前記装置が外部ひとみを有する、
ことを特徴とする装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月22日(2016.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路であって、
複数のスイッチボックス、ここにおいて、各スイッチボックスは、インプット／アウトプット（Ｉ／Ｏ）ポートのセットを含み、各Ｉ／Ｏポートは、複数のインプットチャネルを受信し、複数のアウトプットチャネルをアウトプットするように設定され、
各Ｉ／Ｏポートは、前記複数のアウトプットチャネルに対応する複数の条件付きのルーティング回路を含み、各スイッチボックスのＩ／Ｏポートのための各条件付きのルーティング回路は、
第１のアドレス信号に応答してマルチプレクサのアウトプットを形成するために前記スイッチボックスのためのＩ／Ｏポートの前記セットに残る各Ｉ／Ｏポートから前記インプットチャネルのうちの単一の受信された１つを備える信号のグループから選択するように設定される第１のマルチプレクサと、
前記第１のアドレス信号を形成するように設定されるデコーダと、前記デコーダは、前記第１のアドレス信号が信号の前記グループに依存しない動作の静的なルーティングモードで動作するように設定可能であり、前記デコーダは、前記第１のアドレス信号が、前記選択された受信されたインプットチャネルに加えて信号の前記グループの中の前記受信されたインプットチャネルのうちの１つに依存する動作の条件付きのルーティングモードで動作するようにさらに設定可能であり、ここにおいて、前記条件付きのルーティング回路は、前記条件付きのルーティング回路のアウトプットチャネルとして前記マルチプレクサのアウトプットを駆動するように設定可能であり、
を含み、
を備える、回路。
【請求項２】
各スイッチボックスは、命令セルのアウトプットを作るために前記スイッチボックスのためのＩ／Ｏポートの前記セットの中の前記Ｉ／Ｏポートのうちの１つによって受信された前記インプットチャネルのうちの少なくとも１つに論理演算を実行するように設定される命令セルを含み、ここにおいて、信号の前記グループは、前記命令セルのアウトプットをさらに含む、請求項１に記載の回路。
【請求項３】
前記複数のスイッチボックスは、行および列によって配置され、ここにおいて、各スイッチボックスのためのＩ／Ｏポートの前記セットは、対向する行のＩ／Ｏポートのペアおよび対向する列のＩ／Ｏポートのペアを備える、請求項２に記載の回路。
【請求項４】
各スイッチボックスのＩ／Ｏポートの条件付きのルーティング回路のための各デコーダは、前記スイッチボックスのためのコンフィギュレーションワードからのコンフィギュレーションビットに応答して、前記デコーダに選択された信号を形成するために信号のそれの条件付きのルーティング回路の第１のマルチプレクサのグループから選択するように設定されるように設定可能である、請求項１に記載の回路。
【請求項５】
各デコーダは、前記第１のアドレス信号を形成するために前記デコーダに選択された信号からビットのサブセットをデコードするように設定される、請求項１に記載の回路。
【請求項６】
各条件付きのルーティング回路は、機能ユニットのアウトプットを形成するために前記条件付きのルーティング回路のマルチプレクサのアウトプットに論理演算を実行するように設定される機能ユニットをさらに含む、請求項１に記載の回路。
【請求項７】
各デコーダは、第２のアドレス信号を形成するようにさらに設定され、ここにおいて、各条件付きのルーティング回路は、前記第２のアドレス信号に応答して前記対応するアウトプットチャネルを形成するために前記条件付きのルーティング回路のマルチプレクサのアウトプットと前記条件付きのルーティング回路の機能ユニットのアウトプット間で選択するように設定される第２のマルチプレクサをさらに含む、請求項５に記載の回路。
【請求項８】
前記機能ユニットのうちの少なくとも１つは、レジスタを備える、請求項６に記載の回路。
【請求項９】
前記機能ユニットのうちの少なくとも１つは、シフト回路を備える、請求項６に記載の回路。
【請求項１０】
各デコーダは、前記第１のマルチプレクサが、前記マルチプレクサのアウトプットを形成するために前記第１のアドレス信号に応答して前記デコーダに選択された信号を除く信号のそのグループから選択するように設定されるように、動作の前記条件付きのルーティングモードで動作するようにさらに設定可能である、請求項１に記載の回路。
【請求項１１】
前記命令セルのうちの少なくとも１つは、算術論理ユニット（ＡＬＵ）を備える、請求項２に記載の回路。
【請求項１２】
各スイッチボックスの列のＩ／Ｏポートの中の各第１のマルチプレクサは、前記スイッチボックスの中の各行のＩ／Ｏポートから受信されたインプットチャネルから、および前記スイッチボックスの中の残りの列のＩ／Ｏポートから受信されたインプットチャネルから、選択するように設定される、請求項３に記載の回路。
【請求項１３】
各スイッチボックスの中の各行のＩ／Ｏポートの中の各第１のマルチプレクサは、前記スイッチボックスの中の各列のＩ／Ｏポートから受信されたインプットチャネルから、および前記スイッチボックスの中の残りの行のＩ／Ｏポートから受信されたインプットチャネルから、選択するように設定される、請求項３に記載の回路。
【請求項１４】
方法であって、
隣接のスイッチボックスのセットで取り囲まれるようにスイッチボックスのアレイに配置される第１のスイッチボックスのために、前記隣接のスイッチボックスの各々から複数のインプットチャネルを受信することと、
命令セルのアウトプットを形成するために前記受信されたインプットチャネルのうちの少なくとも１つに論理演算を実行することと、
第１のアドレス信号を形成するために前記セットの中の各隣接のスイッチボックスから前記受信されたインプットチャネルのうちの単一の１つ、および前記命令セルのアウトプットを備える信号のグループから選択されたデコーダに選択された信号をデコードすることと、
前記第１のアドレス信号に応答して、前記隣接のスイッチボックスのうちの所与の１つにアウトプットチャネルを形成するために前記デコーダに選択された信号に加えて信号の前記グループから選択することと、
を備える、方法。
【請求項１５】
前記第１のスイッチボックスのためのコンフィギュレーションワードの中のコンフィギュレーションビットに応答して信号の前記グループから前記デコーダに選択された信号を選択することをさらに備える、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
信号の前記グループから前記デコーダに選択された信号を選択することは、信号の前記グループの中の前記信号の各々に関する論理ステートにさらに応答する、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記アウトプットチャネルを形成することは、
マルチプレクサのアウトプットを形成するために信号の前記グループから選択することと、
機能ユニットのアウトプットを形成するために前記マルチプレクサのアウトプットに論理演算を実行することと、
前記アウトプットチャネルを形成するために前記マルチプレクサのアウトプットと前記機能ユニットのアウトプット間で選択することと、
前記アウトプットチャネルを形成するために前記マルチプレクサのアウトプットと前記機能ユニットのアウトプット間で選択することと、
を備える、請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月23日(2017.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キー導出機能を実行することによってワーキングキーを生成するステップであって、前記キー導出機能への入力が、セキュアメカニズムによるソフトウェアの認証に使用するためのセキュリティパラメータのセットの少なくとも1つのセキュリティパラメータおよびデバイスのシークレットキーを含み、セキュリティパラメータの前記セットおよび前記シークレットキーは前記ワーキングキーの前記生成に先立って前記デバイス上に供給および記憶されている、ステップと、
前記ソフトウェアを認証するための前記セキュアメカニズムのアクティブ化に先立って、前記ソフトウェアが、前記ワーキングキーに基づいて前記デバイスの少なくとも1つのセキュリティ機能を実行するステップであって、前記ワーキングキーは前記少なくとも1つのセキュリティ機能に対して前記ソフトウェアによって直接的または間接的に使用される、ステップと
を備える、セキュリティを提供する方法。
【請求項２】
前記少なくとも1つのセキュリティパラメータは、前記デバイス上の前記ソフトウェアに許可されている少なくとも1つの操作機能を決定する、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記少なくとも1つのセキュリティパラメータは、前記ソフトウェアが前記デバイスに対して許可されているかどうかを決定するために使用される公開キーを備える、請求項1に記載の方法。
【請求項４】
前記公開キーは、前記ソフトウェアに署名するために使用される秘密キーに対応する、請求項3に記載の方法。
【請求項５】
シークレットキーは第1のエンティティによって前記デバイスにロードされ、前記少なくとも1つのセキュリティパラメータは前記第1のエンティティとは異なる第2のエンティティによって前記デバイスにロードされる、請求項1に記載の方法。
【請求項６】
前記シークレットキーおよび前記少なくとも1つのセキュリティパラメータは、異なる時間に前記デバイスにロードされる、請求項1に記載の方法。
【請求項７】
少なくとも1つのセキュリティ機能を実行する前記ステップは、前記ワーキングキーにより前記デバイスのデータを暗号化または署名するステップを備える、請求項1に記載の方法。
【請求項８】
前記少なくとも1つのセキュリティ機能を実行する前記ステップは、前記ワーキングキーにより前記デバイスのデータを復号または検証するステップを備える、請求項1に記載の方法。
【請求項９】
前記少なくとも1つのセキュリティ機能を実行する前記ステップは、前記ソフトウェアの制御の下に前記少なくとも1つのセキュリティ機能を実行するステップを備える、請求項1に記載の方法。
【請求項１０】
セキュアメカニズムを介して前記ソフトウェアを認証することなく前記ソフトウェアを前記デバイス上で実行するステップをさらに備える、請求項1に記載の方法。
【請求項１１】
前記シークレットキーを前記デバイス上のセキュアメモリに記憶するステップと、
前記少なくとも1つのセキュリティパラメータを前記デバイス上のセキュアメモリまたは非セキュアメモリに記憶するステップと
をさらに備える、請求項1に記載の方法。
【請求項１２】
キー導出機能を実行することによってワーキングキーを生成するための手段であって、前記キー導出機能への入力が、セキュアメカニズムによるソフトウェアの認証に使用するためのセキュリティパラメータのセットの少なくとも1つのセキュリティパラメータおよびデバイスのシークレットキーを含み、セキュリティパラメータの前記セットおよび前記シークレットキーは前記ワーキングキーの前記生成に先立って前記デバイス上に供給および記憶されている、手段と、
前記ソフトウェアを認証するための前記セキュアメカニズムのアクティブ化に先立って、前記ワーキングキーに基づいて前記デバイスの少なくとも1つのセキュリティ機能を実行するための手段であって、前記ワーキングキーは前記少なくとも1つのセキュリティ機能に対して前記ソフトウェアによって直接的または間接的に使用される、装置。
【請求項１３】
前記シークレットキーおよび前記少なくとも1つのセキュリティパラメータは、異なるエンティティによって、または異なる時間において、またはその両方において、前記デバイスにロードされる、請求項12に記載の装置。
【請求項１４】
少なくとも1つのコンピュータに、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の方法を実行させるコードを備えるコンピュータ可読記録媒体。