(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体メモリ装置において、
幅が狭い一端と前記一端より幅が広い他端で構成され、中間部が曲がった多数個のレーザーヒューズを有し、前記レーザーヒューズの一端のピッチは狭く、前記レーザーヒューズの他端のピッチは広く、前記多数個のレーザーヒューズが相互に隣接した第１レーザーヒューズグループと、
幅が広い一端と前記一端より幅が狭い他端で構成され、中間部が曲がった他の多数個のレーザーヒューズを有し、前記他の多数個のレーザーヒューズの一端のピッチは広く、前記他の多数個のレーザーヒューズの他端のピッチは狭く、前記他の多数個のレーザーヒューズが相互に隣接した第２レーザーヒューズグループとを備えるレーザーヒューズボックスを具備し、
前記第１レーザーヒューズグループのレーザーヒューズの一端と前記第２レーザーヒューズグループのレーザーヒューズの一端とが隣接し、前記第１レーザーヒューズグループのレーザーヒューズの他端と前記第２レーザーヒューズグループのレーザーヒューズの他端とが隣接し、前記第１及び第２レーザーヒューズグループの外側のレーザーヒューズは中間部分が曲がることなく直線で構成されていることを特徴とする半導体メモリ装置。
【請求項２】
前記レーザーヒューズはポリシリコンで形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体メモリ装置。
【請求項３】
前記レーザーヒューズは平面的に配列されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体メモリ装置。
【請求項４】
前記第１レーザーヒューズグループに属する前記多数個のレーザーヒューズのヒュージング領域は該多数個のレーザーヒューズの他端であることを特徴とする請求項１に記載の半導体メモリ装置。
【請求項５】
前記第２レーザーヒューズグループに属する前記他の多数個のレーザーヒューズのヒュージング領域は該他の多数個のレーザーヒューズの一端であることを特徴とする請求項１に記載の半導体メモリ装置。
【請求項６】
前記レーザーヒューズボックス内で第１及び第２レーザーヒューズグループが交互に繰り返し配置されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体メモリ装置。
【請求項７】
前記レーザーヒューズボックスは不良メモリセルをリダンダンシーメモリセルで置き換えるためのリダンダンシーヒューズボックスであることを特徴とする請求項１に記載の半導体メモリ装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体メモリ装置に係り、特にレーザーヒューズボックスの配線配置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体メモリ装置はその製造が完了した後に規定通り動作しているか否かを判別するため、多様なテストパラメータ（Ｐａｒａｍｅｔｅｒ）を利用して多様な方法でテストされる。このテストにおいて制御回路中の一つが不良であると判定された半導体メモリ装置は廃棄処分されるが、メモリセル（Ｍｅｍｏｒｙ  Ｃｅｌｌ）中の一部が不良であると判断された半導体メモリ装置は不良に係るメモリセルがリダンダンシー（Ｒｅｄｕｎｄａｎｃｙ）メモリセルで置き換えられて正常に用いられる。
【０００３】
メモリセルとリダンダンシーメモリセルはヒューズを通して制御回路と連結される。したがって、不良メモリセルがある場合、該不良メモリセルに連結されたヒューズをオープンさせ、その代わりに該ヒューズがオープンされたという情報に従ってリダンダンシーメモリセルを駆動して、該不良メモリセルを該リダンダンシーメモリセルで代用する。
【０００４】
半導体メモリ装置に利用されるヒューズとしては、電気によりオープンされる電気ヒューズ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ  Ｆｕｓｅ）、レーザービーム（Ｌａｓｅｒ  Ｂｅａｍ）によりオープンされるレーザーヒューズなどがある。電気ヒューズはＥＥＰＲＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ  Ｅｒａｓａｂｌｅ  Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）半導体装置に主に利用され、レーザーヒューズはＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）系列に多用される。
【０００５】
図１Ａは、従来の半導体メモリ装置のレーザーヒューズボックス内の配線配置図である。図１Ａを参照すると、従来の半導体メモリ装置１０１に利用されるレーザーヒューズ１１１〜１１６は、その幅Ｗ１とピッチ（ｐｉｔｃｈ）Ｐ１がすべて等しい。レーザーヒューズ１１１〜１１６の中間部分１３１は、レーザーによりヒュージング（ｆｕｓｉｎｇ）される箇所である。
【０００６】
図１Ａに示されたようにレーザーヒューズ１１１〜１１６のピッチＰ１が等しい場合、レーザーヒューズ１１１〜１１６を備える半導体メモリ装置１０１が小さくなるとレーザーヒューズ１１１〜１１６のピッチＰ１もそれに比例して減少する。レーザーヒューズ１１１〜１１６のピッチＰ１が減少すると、特定のレーザーヒューズをヒュージングする時、隣接したレーザーヒューズが損傷を受ける場合がある。
【０００７】
図１Ｂは、従来の半導体メモリ装置のレーザーヒューズボックス内の他の配線配置図である。図１Ｂは、米国特許第５、７４７、８６９号を引用したものである。図１Ｂを参照すると、レーザーヒューズ１５１〜１５６は、幅が狭い端部１５１ａ〜１５６ａと幅が広い端部１５１ｂ〜１５６ｂとを有している。
【０００８】
図１Ｂに示されたレーザーヒューズ１５１、１５６の狭い端部１５１ａ、１５６ａの側面には、広い空間Ｓ１、Ｓ２が存在する。最近、半導体装置の大きさが徐々に減少すると共に半導体装置に集積される素子の数は徐々に多くなってきている。したがって、レーザーヒューズボックス内にレーザーヒューズを配置する時、空間Ｓ１、Ｓ２を除去してレーザーヒューズの集積度を向上させることが望ましい。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明が達成しようとする技術的課題は、レーザーヒューズのヒュージング時に、隣接したレーザーヒューズが損傷を受けにくい半導体メモリ装置を提供することにある。
【００１０】
本発明が達成しようとする他の技術的課題は、レーザーヒューズの集積度を向上させた半導体メモリ装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
前記技術的課題を達成するために本発明の半導体装置は、ヒューズボックスを具備し、前記ヒューズボックスは、第１レーザーヒューズグループと第２レーザーヒューズグループを備える。
【００１２】
例えば、第１レーザーヒューズグループは、幅が狭い一端と前記一端より幅が広い他端とで構成され、中間部が曲がった多数個のレーザーヒューズを備え、前記レーザーヒューズの一端のピッチは狭く、前記レーザーヒューズの他端のピッチは広く、前記多数個のレーザーヒューズは相互に隣接する。
【００１３】
例えば、第２レーザーヒューズグループは、幅が広い一端と前記一端より幅が狭い他端で構成され、中間部が曲がった他の多数個のレーザーヒューズを備え、前記他の多数個のレーザーヒューズの一端のピッチは広く、前記他の多数個のレーザーヒューズの他端のピッチは狭く、前記他の多数個のレーザーヒューズは相互に隣接する。
【００１４】
例えば、前記第１レーザーヒューズグループのレーザーヒューズの一端と前記第２レーザーヒューズグループのレーザーヒューズの一端が隣接し、前記第１レーザーヒューズグループのレーザーヒューズの他端と前記第２レーザーヒューズグループのレーザーヒューズの他端が隣接し、前記第１及び第２レーザーヒューズグループの外側のレーザーヒューズは、中間部分の曲がりがなく直線状である。
【００１５】
本発明によれば、例えば、ヒューズボックス内に配置されたレーザーヒューズの中、該当するレーザヒューズのヒュージング時において、それに隣接したレーザーヒューズが損傷を受けにくく、また、レーザーヒューズ領域の集積度が向上する。
【００１６】
【発明の実施の形態】
本発明と本発明の動作上の利点及び本発明の実施によって達成される目的を十分に理解するためには、本発明の望ましい実施の形態を参照すべきである。
【００１７】
以下、添付した図面を参照して本発明の望ましい実施の形態を詳しく説明する。
【００１８】
図２は、本発明の望ましい実施の形態に係る半導体メモリ装置のレーザーヒューズを示した図面である。図２を参照すると、半導体メモリ装置２０１は第１及び第２レーザーヒューズグループ２１１及び２１２を有する。
【００１９】
第１レーザーヒューズグループ２１１は３個のレーザーヒューズ２２１〜２２３を備える。３個のレーザーヒューズ２２１〜２２３は幅が狭い一端２２１ａ〜２２３ａ、幅が広い中間部分２２１ｂ〜２２３ｂ及び幅が広い他端２２１ｃ〜２２３ｃを有する。内側のレーザーヒューズ２２２〜２２３の中間部分２２２ｂ〜２２３ｂはすべて曲がっており、最も外側のレーザーヒューズ２２１はその中間部分２２１ｂが曲がることなく直線で構成される。中間部分２２２ｂ〜２２３ｂは互いに平行に配列される。  レーザーヒューズ２２１〜２２３の一端２２１ａ〜２２３ａの幅Ｗ１と該一端２２１ａ〜２２３ａの間のピッチＰ１は狭く形成される。一端２２１ａ〜２２３ａの幅Ｗ１とピッチＰ１は各々最小間隔のデザインルール（ｄｅｓｉｇｎ  ｒｕｌｅ）と最小導体デザインルールに従って形成される。
【００２０】
また、他端２２１ｃ〜２２３ｃの幅Ｗ３と、該他端２２１ｃ〜２２３ｃの間のピッチＰ３は広い。
【００２１】
また、曲がった中間部分２２２ｂ〜２２３ｂの幅Ｗ２は、他端２２１ｃ〜２２３ｃの幅Ｗ３と同一であってもよいし、幅Ｗ３と異なる幅であってもよい。中間部分２２２ｂ〜２２３ｂ間のピッチＰ２は、一端２２１ａ〜２２３ａの間のピッチＰ１より広く他端２２１ｃ〜２２３ｃの間のピッチＰ３より狭くてもよいし、同一でもよいし、広くてもよい。
【００２２】
他端２２１ｃ〜２２３ｃの幅Ｗ３とピッチＰ３は、レーザーヒューズの間隔と幅に関するデザインルールに規定された長さと同一の長さ以上になるように形成される。
【００２３】
第１レーザーヒューズグループ２１１のブロック２３１のレーザーヒューズ２２１、２２２、２２３はヒュージングプログラムに従ってレーザーによりヒュージングされる。例えば、レーザーヒューズ２２１をヒュージングプログラムに従ってヒュージングする場合について説明すると、ヒュージングの際に、レーザーヒューズ２２１の他端２２１ｃの一部にレーザービームが照射される。このレーザービームが照射された部分は蒸発し、これによりレーザーヒューズ２２１はオープン（ｏｐｅｎ）される。
【００２４】
第２レーザーヒューズグループ２１２は３個のレーザーヒューズ２２４〜２２６を備える。レーザーヒューズ２２４〜２２６は幅が広い一端２２４ａ〜２２６ａ、幅が広い中間部分２２４ｂ〜２２６ｂ及び幅が狭い他端２２４ｃ〜２２６ｃを有している。内側の中間部分２２４ｂ、２２５ｂは曲がっており、最も外側のレーザーヒューズ２２６は中間部分２２６ｂが曲がることなく直線で形成されている。曲がった中間部分２２４ｂ、２２５ｂは互いに平行に配列される。
【００２５】
レーザーヒューズ２２４〜２２６の一端２２４ａ〜２２６ａの幅Ｗ３と一端２２４ａ〜２２６ａ間のピッチＰ３は広く、他端２２４ｃ〜２２６ｃの幅Ｗ１と該他端２２４ｃ〜２２６ｃの間のピッチＰ１は狭い。曲がった中間部分２２４ｂ、２２５ｂの幅Ｗ２は一端２２４ａ〜２２６ａの幅Ｗ３と同一であり、中間部分２２４ｂ、２２５ｂの間のピッチＰ２は一端２２４ａ〜２２６ａの間のピッチＰ３よりは狭く、他端２２４ｃ〜２２６ｃのピッチＰ１よりは広い。なお、中間部分２２４ｂ、２２５ｂの曲がりの程度は多様な形状に変形することができる。
【００２６】
第２レーザーヒューズグループ２１２のレーザーヒューズ２２４、２２５、２２６の一部２３２はヒュージングプログラムに従ってレーザーによりヒュージングされる。
【００２７】
第１レーザーヒューズグループ２１１の一端２２１ａ〜２２３ａと第２レーザーヒューズグループ２１２の一端２２４ａ〜２２６ａとが隣接し、第１レーザーヒューズグループ２１１の他端２２１ｃ〜２２３ｃと第２レーザーヒューズグループ２１２の他端２２４ｃ〜２２６ｃとが隣接する。レーザーヒューズ２２１〜２２６は、例えば導電体であるポリシリコン（ｐｏｌｙ  ｓｉｌｉｃｏｎ）で形成される。
【００２８】
図２に示す例では、第１レーザーヒューズグループ２１１と第２レーザーヒューズグループ２１２が各々レーザーヒューズを３個備えているが、それ以上またはそれ以下の数を備えるように変更してもよい。
【００２９】
また、半導体メモリ装置２０１は、第１レーザーヒューズグループ２１１と第２レーザーヒューズグループ２１２を交互に多数個配置してなるヒューズボックスを備えることが望ましい。
【００３０】
上記のレーザーヒューズボックスは、例えば、ノーマルメモリセルが不良である場合に、これをリダンダンシー（ｒｅｄｕｎｄａｎｃｙ）メモリセルで置き換えるためのリダンダンシーヒューズボックスに好適である。
【００３１】
上述のように、本発明の望ましい実施の形態によれば、例えば、レーザーヒューズ群を配置し該レーザーヒューズ群の一部のレーザヒューズをヒュージングする場合において、それに隣接したレーザヒューズに損傷を与えなくヒュージングすることができる。
【００３２】
また、例えば図２に示されたようにレーザーヒューズ群を配置することによってレーザーヒューズの集積度は、図１Ａに示す例に比べてはるかに高まり、また、図１Ｂに示す例よりも高まる。
【００３３】
図１Ｂに示されたレーザーヒューズボックスの全体幅は（３ＦＷ＋３ＦＳ＋３ＰＷ＋２ＰＳ＋Ｓ１）であるのに対して、図２に示されたレーザーヒューズボックスの全体幅は（３ＦＷ＋３ＦＳ＋３ＰＷ＋２ＰＳ）である。すなわち、図２に示されたレーザーヒューズボックスは、図１Ｂに示されたレーザーヒューズボックスに比べて空間Ｓ１に相当する面積が削減される。
【００３４】
以上のように、本発明の望ましい実施の形態によれば、例えば、半導体メモリ装置２０１の面積が小さくレーザーヒューズの数が多い場合においても、レーザーヒューズを効率的な形状で配列することによって、隣接したレーザーヒューズに損傷を与えることなく該当するレーザーヒューズをヒュージングすることができ、また、半導体メモリ装置２０１の集積度を向上させることができる。
【００３５】
上記の実施の形態では、特定の用語が用いたが、これは単に本発明の適用例を具体的に説明するための目的で用いたに過ぎず、意味限定や特許請求の範囲に記載された発明の範囲を制限するために用いたのではない。本技術分野の通常の知識を有する者であれば、これから多様な変形及び均等な他の実施の形態を採用することができることを理解されたい。したがって、本発明の真の技術的範囲は、特許請求の範囲の記載に基づいて定められるべきである。
【００３６】
【発明の効果】
本発明によれば、例えば、レーザヒューズのヒュージング時に、該レーザヒューズに隣接したレーザヒューズが損傷を受けにくい半導体メモリ装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１Ａ】従来の半導体メモリ装置のレーザーヒューズボックス内の配線配置図である。
【図１Ｂ】従来の半導体メモリ装置のレーザーヒューズボックス内の他の配線配置図である。
【図２】本発明の望ましい実施の形態に係る半導体メモリ装置のレーザーヒューズボックスのレーザーヒューズを示す。
【符号の説明】
２０１  半導体メモリ装置
２１１  第１レーザーヒューズグループ
２１２  第２レーザーヒューズグループ
２２１〜２２３、２２４〜２２６  レーザーヒューズ
２２１ａ〜２２３ａ  幅が狭い一端
２２１ｂ〜２２３ｂ  幅が広い中間部分
２２１ｃ〜２２３ｃ  幅が広い他端
２２４ａ〜２２６ａ：幅が広い一端
２２４ｂ〜２２６ｂ  幅が広い中間部分
２２４ｃ〜２２６ｃ  幅が狭い他端
【図１Ａ】
0003590549.tif 000002
【図１Ｂ】
0003590549.tif 000003
【図２】
0003590549.tif 000004