【手続補正書】
【提出日】平成28年12月12日(2016.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、少なくとも１つのペロブスカイト層と、導電層と、任意選択的に少なくとも１つの追加層とを含む素子であって、前記少なくとも１つのペロブスカイト層は、前記基板上に直接、または前記基板上に配置された少なくとも１つの追加層の上の何れかで前記基板上に設けられ、前記少なくとも１つの追加層は足場層とは異なる素子と；
基板と、少なくとも１つのペロブスカイト層と、導電層と、任意選択的に少なくとも１つの追加層とを含む素子であって、前記素子が足場層を有しない素子と；
基板と、少なくとも１つのペロブスカイト層と、導電層と、任意選択的に少なくとも１つの追加層と、さらに任意選択的に少なくとも１つの足場層とを含む素子であって、前記ペロブスカイト層が前記基板上に直接設けられている素子と；
基板と、少なくとも１つのペロブスカイト層と、導電層と、任意選択的に少なくとも１つの追加層とを含む素子であって、前記基板上の前記少なくとも１つのペロブスカイト層によって平面接合が得られる素子と；
からなる群から選択された素子。
【請求項２】
請求項１に記載の素子において、前記ペロブスカイト材料がＡＭＸ３、ＡＭＸ４、Ａ２ＭＸ４、Ａ３ＭＸ５、Ａ２Ａ’ＭＸ５、およびＡＭＸ３−ｎＸ’ｎ
（式中、
ＡおよびＡ’は、独立して、有機カチオン、金属カチオン、およびそのようなカチオンのあらゆる組み合わせから選択され；
Ｍは、金属カチオン、または金属カチオンのあらゆる組み合わせであり；
ＸおよびＸ’は、独立して、アニオン、およびアニオンのあらゆる組み合わせから選択され；
ｎは０〜３の間である）
からなる群から選択されるペロブスカイト材料であることを特徴とする素子。
【請求項３】
請求項２に記載の素子において、前記金属カチオンが、元素周期表のブロックｄのＩＩＩＢ族、ＩＶＢ族、ＶＢ族、ＶＩＢ族、ＶＩＩＢ族、ＶＩＩＩＢ族、ＩＢ族、ＩＩＢ族、ＩＩＩＡ族、ＩＶＡ族、およびＶＡ族の金属原子からなる群から選択されることを特徴とする素子。
【請求項４】
請求項３に記載の素子において、前記有機部分が置換または非置換のアルキル、置換または非置換のアルケニル、置換または非置換のアルキニル、置換または非置換のシクロアルキル、置換または非置換のシクロアルケニル、置換または非置換のシクロアルキニル、置換または非置換のアリール、置換または非置換のヘテロアリール、置換または非置換のヘテロシクリル、置換または非置換の−ＮＲ１Ｒ２、置換または非置換の−ＯＲ３、置換または非置換の−ＳＲ４、置換または非置換の−Ｓ（Ｏ）Ｒ５、置換または非置換のアルキレン−ＣＯＯＨ、ならびに置換または非置換のエステルからなる群から選択されることを特徴とする素子。
【請求項５】
請求項１に記載の素子において、前記ペロブスカイト層が層状ペロブスカイト材料の多層構造であり、各層が異なるものであり、異なる種類のペロブスカイト材料、またはいくつかの異なる種類のペロブスカイト材料の異なる混合物の何れかを含むことを特徴とする素子。
【請求項６】
請求項１に記載の素子において、前記ペロブスカイト材料が有機−無機ペロブスカイトハイブリッドであり；前記有機カチオンが１つ以上のヘテロ原子を含む炭素（炭化水素）鎖であり、前記ヘテロ原子がＮ、Ｏ、およびＳから選択されることを特徴とする素子。
【請求項７】
請求項６に記載の素子において、前記有機カチオンが、２つの正に帯電した窒素原子を有する第１級、第２級、第３級、または第４級の有機アンモニウム化合物であることを特徴とする素子。
【請求項８】
請求項７に記載の素子において、前記有機カチオンが（ＲＲ’Ｒ’’Ｒ’’’Ｎ）＋（式中、前記Ｒ、Ｒ’、Ｒ’’、およびＲ’’’のそれぞれは、互いに独立して、水素、アルキル、アルケニル、アルキニル、シクロアルキル、シクロアルケニル、シクロアルキニル、アリール、ヘテロアリール、ヘテロシクリル、ハロゲン、アルキレン−ＣＯＯＨ、エステル、−ＯＨ、−ＳＨ、および−ＮＨから選択される）から選択されることを特徴とする素子。
【請求項９】
請求項８に記載の素子において、前記カチオンがＲＮＨ３、ＲＲ’ＮＨ２、ＲＲ’Ｒ’’ＮＨ、ＮＨ３ＲＮＨ３、ＲＮＨ＝Ｒ’、ＮＨ２＝Ｒ、ＲＮ＝Ｒ’Ｒ’’、Ｒ’＝Ｎ＝Ｒ、ＲＲ’Ｎ＝Ｒ＝ＮＲ’’Ｒ’’’、Ｈ２Ｎ＝Ｒ＝ＮＨ２、およびＲＲ’Ｎ＝ＣＨＮＲ’’Ｒ’’’からなる群から選択され、Ｒ、Ｒ’、Ｒ’’およびＲ’’’のそれぞれが、請求項８に記載の定義のように選択されることを特徴とする素子。
【請求項１０】
請求項８に記載の素子において、前記カチオンが（Ｈ２Ｎ＝ＣＨＮＨ２）＋であることを特徴とする素子。
【請求項１１】
請求項２に記載の素子において、前記ペロブスカイト材料が、式ＲＮＨ３ＭＸ’Ｘ２のペロブスカイト材料であり、Ｒが水素、アルキル、アルケニル、アルキニル、シクロアルキル、シクロアルケニル、シクロアルキニル、アリール、ヘテロアリール、ヘテロシクリル、ハロゲン、アルキレン−ＣＯＯＨ、エステル、−ＯＨ、−ＳＨ、および−ＮＨからなる群から選択されることを特徴とする素子。
【請求項１２】
請求項１１に記載の素子において、前記ペロブスカイト材料が、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＦ３、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＣｌ３、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＢｒ３、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＢｒＩ２、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＢｒＣｌ２、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩＢｒ２、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩＣｌ２、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＣｌＢｒ２、およびＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ２Ｃｌからなる群から選択されることを特徴とする素子。
【請求項１３】
請求項２に記載の素子において、前記ペロブスカイト材料が式ＲＮＨ３ＭＸ３のペロブスカイト材料であり、Ｒが水素、アルキル、アルケニル、アルキニル、シクロアルキル、シクロアルケニル、シクロアルキニル、アリール、ヘテロアリール、ヘテロシクリル、ハロゲン、アルキレン−ＣＯＯＨ、エステル、−ＯＨ、−ＳＨ、および−ＮＨからなる群から選択されることを特徴とする素子。
【請求項１４】
請求項１３に記載の素子において、前記ペロブスカイト材料が、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＦ３、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＣｌ３、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３、およびＣＨ３ＮＨ３ＰｂＢｒ３からなる群から選択されることを特徴とする素子。
【請求項１５】
請求項２に記載の素子において、前記ペロブスカイト材料が式（ＮＨ２＝ＣＨ−ＮＨ２）ＭＸ３のペロブスカイト材料であることを特徴とする素子。
【請求項１６】
請求項２に記載の素子において、前記ペロブスカイト材料が式ＡＭＸ３のペロブスカイト材料であって、Ｍが金属カチオンである材料である；あるいは、前記ペロブスカイト材料が式Ｍ’ＭＸ’Ｘ２のペロブスカイト材料であることを特徴とする素子。
【請求項１７】
請求項１６に記載の素子において、前記ペロブスカイト材料が、ＣｓＰｂＩ２Ｃｌ、ＣｓＰｂＩＣｌ２、ＣｓＰｂＩ２Ｆ、ＣｓＰｂＩＦ２、ＣｓＰｂＩ２Ｂｒ、およびＣｓＰｂＩＢｒ２からなる群から選択されることを特徴とする素子。
【請求項１８】
本発明の素子の形成方法において：
−基板を得るステップと；
−任意選択的に、前記基板上に、少なくとも１つの追加層を配置（または塗布または堆積）するステップと；
−前記基板上または少なくとも１つの追加層上に、少なくとも１つのペロブスカイト層を配置（または塗布または堆積）するステップと；
−前記ペロブスカイト層の上、または少なくとも１つの追加層上に導電層を配置（または塗布または堆積）するステップと；を具え、
それによって、規定の本発明の素子が得られることを特徴とする形成方法。
【請求項１９】
請求項１に記載の素子を含むまたは請求項１に記載の素子からなるヘテロ接合。
【請求項２０】
能動素子を含むデバイスであって、前記能動素子が、基板と、少なくとも１つのペロブスカイト層、導電層と、任意選択的に少なくとも１つの追加層とからなり、前記少なくとも１つのペロブスカイト層が、前記基板上に直接または前記少なくとも１つの追加層上の何れかで前記基板上に設けられ、前記少なくとも１つの追加層は足場層とは異なるデバイスと；
能動素子を含むデバイスであって、前記能動素子が、基板と、少なくとも１つのペロブスカイト層と、導電層と、任意選択的に少なくとも１つの追加層とからなり、前記素子が足場層を有しないデバイスと；
能動素子を含むデバイスであって、前記能動素子が、基板と、少なくとも１つのペロブスカイト層と、導電層と、任意選択的に少なくとも１つの追加層とからなり、前記素子が、前記基板と前記ペロブスカイト層との間に足場層を有しないデバイスと；
能動素子を含むデバイスであって、前記能動素子が、基板と、少なくとも１つのペロブスカイト層と、導電層と、任意選択的に少なくとも１つの追加層とからなり、前記少なくとも１つのペロブスカイト層が前記基板上に直接配置されるデバイスと；
からなる群から選択されたデバイス。
【請求項２１】
基板と、少なくとも１つのペロブスカイト層と、導電層と、任意選択的に少なくとも１つの追加層とを含む光起電力セルにおいて、前記少なくとも１つのペロブスカイト層が、前記基板上に直接または前記少なくとも１つの追加層上の何れかで前記基板上に設けられ、前記少なくとも１つの追加層が足場層とは異なることを特徴とする光起電力セル。
【請求項２２】
請求項１に記載の素子を含むことを特徴とする太陽電池。