【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年11月16日(2016.11.16)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）層を基板（１２）に一体化する方法であって、前記方法は：
前記基板（１２）の上に、第１ＢＣＢ層（１８ａ）を形成することであって、前記第１ＢＣＢ層（１８ａ）が、該第１ＢＣＢ層（１８ａ）を貫通して下地構造を露出させる複数のビアを画定する前記第１ＢＣＢ層（１８ａ）を形成することと、
前記第１ＢＣＢ層（１８ａ）の上に、かつ前記第１ＢＣＢ層（１８ａ）によって画定された前記複数のビア内に、第１金属層（２０ａ）を堆積させることであって、該第１金属層（２０ａ）が、一組のビアを通って延び、下地構造に直接接続する脚部と、該脚部の間を前記第１ＢＣＢ層（１８ａ）を連続的に横切って延びている接続部とを含む、前記第１金属層（２０ａ）を堆積させることと、
前記第１金属層（２０ａ）の上に、前記第１ＢＣＢ層（１８ａ）により画定された前記ビアを充填し、前記第１ＢＣＢ層（１８ａ）により画定された前記ビアにより露出させられた下地構造に直接接続する第２ＢＣＢ層（１８ｂ）を形成することであって、前記第２ＢＣＢ層（１８ｂ）が、該第２ＢＣＢ層（１８ｂ）を貫通する複数のビアを画定する、前記第２ＢＣＢ層（１８ｂ）を形成することと、
第２金属層（２０ｂ）を前記第２ＢＣＢ層（１８ｂ）の上に、かつ前記第２ＢＣＢ層（１８ｂ）によって画定される前記複数のビア内に堆積させることであって、前記第２金属層（２０ｂ）が、前記第２ＢＣＢ層（１８ｂ）によって画定される前記ビア群を通って延び、前記第１金属層（２０ａ）との操作可能な接続を確立するように堆積させることと、を含み、
前記第１及び第２金属層（２０ａ，２０ｂ）は、前記基板（１２）によって支持されるいずれの回路素子との電気接続とも無関係である、方法。
【請求項２】
更に、前記基板（１２）の上にエピタキシャル半導体層（１４）を有する前記基板（１２）を設けることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
更に、金属層（１６）を前記エピタキシャル半導体層の上に堆積させることを含み、前記第１ＢＣＢ層（１８ａ）を形成することは、前記第１ＢＣＢ層（１８ａ）を前記金属層（１６）の上に形成することを含み、そして前記第１金属層（２０ａ）を堆積させることは、前記金属層（１６）との操作可能な接続を確立させることを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記エピタキシャル半導体層はＩＩＩ−Ｖ族材料である、請求項２又は３に記載の方法。
【請求項５】
更に、前記第２ＢＣＢ層（１８ｂ）を形成する前に、金属接着層（２２ａ）を前記第１金属層（２０ａ）の上に堆積させることを含む、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記第１及び第２ＢＣＢ層（１８ａ、１８ｂ）を形成すること、および前記第１及び第２金属層（２０ａ、２０ｂ）を堆積させることは、チップ（２６）の縁部に近接して、前記第１及び第２ＢＣＢ層（１８ａ、１８ｂ）を形成すること、および前記第１及び第２金属層（２０ａ、２０ｂ）を堆積させることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
更に、金属配線を、前記第１金属層（２０ａ）及び前記第２金属層（２０ｂ）のうちの少なくとも一方の金属層の形成と同時に形成することを含み、前記金属配線は、前記基板（１２）によって支持される回路素子との電気接続を確立させるように構成され、かつ前記第１及び第２金属層（２０ａ、２０ｂ）との電気接続とは無関係である、請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記第２ＢＣＢ層（１８ｂ）を形成することは、前記第２ＢＣＢ層（１８ｂ）を貫通する前記ビア群を、前記第１ＢＣＢ層（１８ａ）の前記ビア群からオフセットするように画定することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
基板（１２）と、
前記基板（１２）の上の第１ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）層（１８ａ）を含む複数のＢＣＢ層（１８ａ，１８ｂ，１８ｃ，１８ｄ）であって、前記第１ＢＣＢ層（１８ａ）が、該第１ＢＣＢ層（１８ａ）を貫通して下地構造を露出させる、複数のビアを画定する、前記複数のＢＣＢ層（１８ａ，１８ｂ，１８ｃ，１８ｄ）と、
前記第１ＢＣＢ層（１８ａ）の上に在り、かつ前記第１ＢＣＢ層（１８ａ）によって画定される前記複数のビア内に在る第１金属層（２０ａ）であって、該第１金属層（２０ａ）が、一組のビアを通って延び、下地構造に直接接続する脚部と、該脚部の間を前記第１ＢＣＢ層（１８ａ）を連続的に横切って延びている接続部とを含む第１金属層（２０ａ）と、を備えた装置であって、
前記複数のＢＣＢ層（１８ａ，１８ｂ，１８ｃ，１８ｄ）は更に、前記第１金属層（２０ａ）の上に第２ＢＣＢ層（１８ｂ）を含み、前記第２ＢＣＢ層（１８ｂ）は、前記第１ＢＣＢ層（１８ａ）により画定された前記ビアを充填し、前記第１ＢＣＢ層（１８ａ）により画定された前記ビアにより露出させられた下地構造に直接接続し、前記第２ＢＣＢ層（１８ｂ）は前記第２ＢＣＢ層（１８ｂ）を貫通する複数のビアを画定し、前記装置はさらに、
第２金属層（２０ｂ）であって、前記第２ＢＣＢ層（１８ｂ）の上に在り、かつ前記第２ＢＣＢ層（１８ｂ）によって画定される前記複数のビア内に在ることにより、前記第２金属層（２０ｂ）が、前記第２ＢＣＢ層（１８ｂ）によって画定される前記ビア群を通って延び、前記第１金属層（２０ａ）との操作可能な接続を確立する、第２金属層（２０ｂ）を備え、
前記第１及び第２金属層（２０ａ，２０ｂ）は、前記基板（１２）によって支持されるいずれの回路素子との電気接続とも無関係である、装置。
【請求項１０】
更に、エピタキシャル半導体層（１４）を前記基板（１２）の上に備え、前記第１ＢＣＢ層（１８ａ）は、前記エピタキシャル半導体層（１４）の上に在る、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
更に、窒化ガリウム（ＧａＮ）層（１４）を前記基板（１２）の上に備え、前記第１ＢＣＢ層（１８ａ）は、前記ＧａＮ層（１４）の上に在る、請求項９に記載の装置。
【請求項１２】
更に、金属層（１６）を前記ＧａＮ層の上に備え、前記第１ＢＣＢ層（１８ａ）は、前記金属層（１６）の上に在り、そして前記第１金属層（２０ａ）は、前記金属層（１６）との操作可能な接続を確立させる、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
更に、金属接着層（２２ａ）を前記第１金属層（２０ａ）の上に備え、前記第２ＢＣＢ層（１８ｂ）は、前記金属接着層（２２ａ）の上に在る、請求項９から１２のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１４】
前記装置はチップ（２６）を備え、そして前記第１及び第２ＢＣＢ層（１８ａ、１８ｂ）、及び前記第１及び第２金属層（２０ａ、２０ｂ）は、前記チップ（２６）の縁部に近接している、請求項９に記載の装置。
【請求項１５】
更に、前記第１金属層（２０ａ）及び前記第２金属層（２０ｂ）のうちの少なくとも一方の金属層と同時に形成される金属配線を備え、前記金属配線は、前記基板（１２）によって支持される回路素子との電気接続を確立させるように構成されるが、前記第１及び第２金属層（２０ａ、２０ｂ）との電気接続とは無関係である、請求項９から１４のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１６】
前記第２ＢＣＢ層（１８ｂ）の前記ビア群は、前記第１ＢＣＢ層（１８ａ）の前記ビア群からオフセットする、請求項９に記載の装置。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
１つの実施形態の前記方法は更に、前記第２ＢＣＢ層を形成する前に、金属接着層を前記第１金属層の上に堆積させることを含むことができる。１つの実施形態の前記方法では更に、チップの縁部に近接して、前記第１及び第２ＢＣＢ層を形成し、そして前記第１及び第２金属層を堆積させることができる。１つの実施形態の前記方法は更に、金属配線を、前記第１金属層及び前記第２金属層のうちの少なくとも一方の金属層の形成と同時に形成することを含むことができる。この点に関して、前記金属配線は、前記基板によって支持される回路素子との電気接続を確立させるように構成され、かつ前記第１及び第２金属層との電気接続とは無関係である。１つの実施形態の前記方法では、前記第２ＢＣＢ層を貫通する前記ビア群を、前記第１ＢＣＢ層の前記ビア群からオフセットして画定することにより、前記第２ＢＣＢ層を形成することができる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１４】
１つの実施形態の前記方法は更に、金属層を前記ＧａＮ層の上に堆積させることを含むことができる。この実施形態では、前記第１ＢＣＢ層を形成することは、前記第１ＢＣＢ層を前記金属層の上に形成することを含むことができる。従って、前記第１金属層を堆積させることは、前記金属層との操作可能な接続を確立させることを含むことができる。１つの実施形態では、前記第１金属層を堆積させることは、金から成る第１金属層を堆積させることを含むことができる。１つの実施形態では、前記第１及び第２ＢＣＢ層を形成することができ、そして前記第１及び第２金属層は、チップの縁部に近接して堆積させることができる。１つの実施形態では、前記方法は更に、金属配線を、前記第１金属層及び前記第２金属層のうちの少なくとも一方の金属層の形成と同時に形成することを含むことができる。この点に関して、前記金属配線は、前記基板によって支持される回路素子との電気接続を確立させるように構成され、かつ前記第１及び第２金属層との電気接続とは無関係である。１つの実施形態では、前記第２ＢＣＢ層を形成することは、前記第２ＢＣＢ層を貫通する前記ビア群を、前記第１ＢＣＢ層の前記ビア群からオフセットするように画定すること含むことができる。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
１つの実施形態の前記装置は更に、窒化ガリウム層（ＧａＮ）を前記基板の上に含む。この実施形態では、前記第１ＢＣＢ層は、前記ＧａＮ層の上に在る。この実施形態の前記装置は更に、金属層を前記ＧａＮ層の上に含むことができる。従って、この実施形態の前記第１ＢＣＢ層は、前記金属層の上に在る。更に、この実施形態の前記第１金属層は、前記金属層との操作可能な接続を確立させることにより、前記第１ＢＣＢ層を下地構造に効果的に固定して前記第１ＢＣＢ層の剥離の可能性を低下させる。１つの実施形態の前記装置は更に、金属接着層を前記第１金属層の上に含むことができる。従って、この実施形態の前記第２ＢＣＢ層は、前記金属接着層の上に在るようにすることができる。１つの実施形態の前記装置は更に、チップを、前記第１及び第２ＢＣＢ層、及び前記第１及び第２金属層が、前記チップの縁部に近接している状態で備えることができる。１つの実施形態では、前記装置は更に、前記第１金属層及び前記第２金属層のうちの少なくとも一方の金属層の形成と同時に形成される金属配線を含むことができる。この点に関して、前記金属配線は、前記基板によって支持される回路素子との電気接続を確立させるように構成され、かつ前記第１及び第２ＢＣＢ層との電気接続とは無関係である。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
【図１】図１は、本開示の１つの実施形態による装置の側面図である。
【図２】図２は、本開示の１つの実施形態に従って行なわれる操作のフローチャートである。
【図３】図３は、本開示の１つの実施形態による複数のＢＣＢ層と複数の金属層の関係を示す斜視図である。
【図４】図４は、図３の複数のＢＣＢ層と複数の金属層の関係を異なる視点から眺めたときの斜視図である。
【図５】図５は、本開示の１つの実施形態による装置を含むチップの平面図であり、金属層及びＢＣＢ層が周辺に配置される様子を示している。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３４】
金属メッキビア群（これらの金属メッキビアのうちの１つの金属メッキビアが、例えば図３及び４に図示されている）から成る積層体群２８は、電気配線群及び回路素子群を含んでいないチップ２６のいずれかの部分に形成することができる、すなわち金属メッキビア群から成る積層体群２８は、チップ２６のいずれかの空き空間に形成することができる。図５の平面図に示すように、例えば金属メッキビア群から成る積層体群２８は、装置１０を含んでいるチップ２６の縁部に近接して形成することができる。金属メッキビア群から成る積層体群２８をチップ２６の縁部に近接して形成することにより、金属メッキビア群から成る積層体群は、これらのＢＣＢ層が剥離する可能性を、このような剥離が普通、チップの縁部から、例えば溶媒がＢＣＢ層と隣接層との間に浸入する結果として始まるので低下させることができる。金属メッキビア群から成る積層体群２８を１つの実施形態に従って、チップ２６の縁部にのみ近接して形成することにより、１つの実施形態のチップの中央部分には金属メッキビア群から成る積層体群が存在しないので、下地半導体層との多層配線構造は、チップの中央部分に従来方法により形成することができる。従って、金属メッキビア群から成る積層体群２８の金属層２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄは、多層配線構造の金属配線とは電気的に無関係であり、かつ電気的に区分されており、そして基板１２によって支持される回路素子群とは電気的に無関係であり、かつ電気的に区分されている。しかしながら、金属層２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄは、多層配線構造の金属配線の間の誘電体層として機能するＢＣＢ層１８ａ，１８ｂ，１８ｃ，１８ｄを下地構造に固定するように機能して、ＢＣＢ層が剥離する可能性を低下させるように機能する。