(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）プロトン解離によりブレンステッド酸性を示す官能基を有するアルカリ可溶性樹脂と、
（Ｂ）光酸発生剤と、
（Ｃ）熱架橋剤と、
（Ｄ）アルコキシシラン化合物と、
を含む感光性樹脂組成物であって、
前記（Ｄ）アルコキシシラン化合物は、下記一般式（２）で表されることを特徴とする感光性樹脂組成物。
0006988121.tif 000029
（式中、Ｘは炭素原子または窒素原子、Ｒ１は１級アミン、２級アミン、３級アミン、ウレイド、ヒドロキシル基、チオヒドロキシル基またはグリシドキシ基、Ｒ２は炭素数１以上１０以下のアルキレン基、Ｒ３及びＲ４は炭素数１以上３以下のアルキル基、ｔは０〜２を示す）
【請求項２】
（Ａ）プロトン解離によりブレンステッド酸性を示す官能基を有するアルカリ可溶性樹脂と、
（Ｂ）光酸発生剤と、
（Ｃ）熱架橋剤と、
（Ｄ）アルコキシシラン化合物と、
を含む感光性樹脂組成物であって、
前記（Ｄ）アルコキシシラン化合物は、下記一般式（１）で表されることを特徴とする感光性樹脂組成物。
0006988121.tif 000030
（式中、Ｘは窒素原子、Ｒ１は２級アミン、３級アミン、ウレタンまたはウレイド、Ｒ２は炭素数１以上１０以下のアルキレン基、Ｒ３及びＲ４は炭素数１以上３以下のアルキル基、ｔは０〜２を示す）
【請求項３】
（Ａ）プロトン解離によりブレンステッド酸性を示す官能基を有するアルカリ可溶性樹脂と、
（Ｂ）光酸発生剤と、
（Ｃ）熱架橋剤と、
（Ｄ）アルコキシシラン化合物と、
を含む感光性樹脂組成物であって、
前記（Ｄ）アルコキシシラン化合物は、下記式（１９）で表されることを特徴とする感光性樹脂組成物。
0006988121.tif 000031
【請求項４】
前記（Ｃ）熱架橋剤はグリシジル基を有する化合物である請求項１乃至３のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物。
【請求項５】
前記（Ａ）プロトン解離によりブレンステッド酸性を示す官能基を有するアルカリ可溶性樹脂は、ノルボルネン系モノマーの単独重合体または共重合体である請求項１乃至４のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物。
【請求項６】
前記（Ａ）プロトン解離によりブレンステッド酸性を示す官能基を有するアルカリ可溶性樹脂が有する官能基は、カルボキシル基または−Ｃ（ＯＨ）−（ＣＦ３）２である請求項１乃至５のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物の硬化物を備えることを特徴とする半導体素子。
【請求項８】
請求項７に記載の半導体素子同士が前記硬化物を介して積層されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項７に記載の半導体素子と、パッケージ基板と、が前記硬化物を介して接着されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項７に記載の半導体素子と、ガラス基板と、が前記硬化物を介して接着されていることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、感光性樹脂組成物及び半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体素子の表面保護膜には、優れた耐熱性及び機械特性等を有するポリベンゾオキサゾール樹脂やポリイミド樹脂、フェノール樹脂等が用いられている。一方、プロセスを簡略化するため、それらポリベンゾオキサゾール樹脂やポリイミド樹脂、フェノール樹脂等に感光剤のジアゾキノン化合物を組み合わせたポジ型感光性樹脂組成物も使用されている。 この感光性樹脂組成物は、未露光部においてジアゾキノン化合物のポリベンゾ
オキサゾール樹脂やポリイミド樹脂、フェノール樹脂等への溶解抑止効果によってアルカリ水溶液に難溶となる。一方、露光部においては、ジアゾキノン化合物が化学変化を起こし、感光性樹脂組成物は、アルカリ水溶液に可溶となる。この露光部と未露光部との溶解性の差を利用し、アルカリ水溶液で露光部を溶解除去することにより未露光部のみの塗膜パターンの作成が可能となる（アルカリ現像）。
【０００３】
これらの感光性樹脂組成物を半導体素子の表面保護膜又は積層型半導体装置における半導体素子同士の接着剤に適用する場合、重要となる樹脂特性は、回路のパターニング性とウエハーへの密着性である。感光性樹脂組成物が照射光に対して低感度であると露光時間が長くなり、プロセスのスループット（単位時間当たりの処理速度）が低下するため、より高感度な材料が求められている。また、感光性樹脂組成物とウエハーとの密着性が不十分な場合、アルカリ現像によるパターニングを行う際、露光部の溶解とともに未露光部のパターンが剥離するという問題が生じる。このような問題が生じると、特にこれらの感光性樹脂組成物を積層型半導体装置における半導体素子同士の接着剤に適用する場合においては、接着剤を介して半導体素子同士を接着した際に、半導体素子同士の接着性（密着性）が低下してしまい、その結果、半導体装置の機械的及び電気的信頼性が低下してしまう。
【０００４】
これらの感光性樹脂組成物は、ウエハーとの密着性を確保するため、感光性樹脂組成物のベースポリマーとウエハー表面との化学的結合を仲立ちして互いの密着力を向上させる、アルコキシシラン化合物に代表されるカップリング剤を添加することがある。カップリング剤を添加せずとも、特許文献１、２及び３のようにウエハーとの密着性を確保できることはあるが、近年はパターニング後に塗膜を加熱硬化させる際に、より低温での硬化が求められているため、密着性を確保することがより難しい傾向となっている。このため近年は、適当なカップリング剤を適量含有する感光性樹脂組成物の開発が望まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−２０６６８８号
【特許文献２】特開平１０−６９０７３号
【特許文献３】特開平１１−１９４４９７号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の課題は、ウエハー、パッケージ基板およびガラス基板のうちのいずれかとの密着性を確保しつつ、パターニング性も兼ね備えた感光性樹脂組成物、かかる感光性樹脂組成物の硬化物により半導体素子同士を接着した半導体装置、前記硬化物により半導体素子とパッケージ基板とを接着した半導体装置、および、前記硬化物により半導体素子とガラス基板とを接着した半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らが鋭意検討した結果、特定の化学構造を有するアルコキシシラン化合物をカップリング剤として感光性樹脂組成物に添加することで、半導体装置において良好な密着性とパターニング性を両立することを見出した。すなわち、上記課題は下記（１）〜（１０）の発明により解決される。
（１）
（Ａ）プロトン解離によりブレンステッド酸性を示す官能基を有するアルカリ可溶性樹脂と、
（Ｂ）光酸発生剤と、
（Ｃ）熱架橋剤と、
（Ｄ）アルコキシシラン化合物と、
を含む感光性樹脂組成物であって、 
前記（Ｄ）アルコキシシラン化合物は、下記一般式（２）で表されることを特徴とする感光性樹脂組成物。
【化１】
0006988121.tif 000002
（式中、Ｘは炭素原子または窒素原子、Ｒ１は１級アミン、２級アミン、３級アミン、ウレイド、ヒドロキシル基、チオヒドロキシル基またはグリシドキシ基、Ｒ２は炭素数１以上１０以下のアルキレン基、Ｒ３及びＲ４は炭素数１以上３以下のアルキル基、ｔは０〜２を示す）
【０００８】
（２）
（Ａ）プロトン解離によりブレンステッド酸性を示す官能基を有するアルカリ可溶性樹脂と、
（Ｂ）光酸発生剤と、
（Ｃ）熱架橋剤と、
（Ｄ）アルコキシシラン化合物と、
を含む感光性樹脂組成物であって、
前記（Ｄ）アルコキシシラン化合物は、下記一般式（１）で表されることを特徴とする感光性樹脂組成物。
【化２】
0006988121.tif 000003
（式中、Ｘは窒素原子、Ｒ１は２級アミン、３級アミン、ウレタンまたはウレイド、Ｒ２は炭素数１以上１０以下のアルキレン基、Ｒ３及びＲ４は炭素数１以上３以下のアルキル基、ｔは０〜２を示す）
【０００９】
（３）
（Ａ）プロトン解離によりブレンステッド酸性を示す官能基を有するアルカリ可溶性樹脂と、
（Ｂ）光酸発生剤と、
（Ｃ）熱架橋剤と、
（Ｄ）アルコキシシラン化合物と、
を含む感光性樹脂組成物であって、
前記（Ｄ）アルコキシシラン化合物は、下記式（１９）で表されることを特徴とする感光性樹脂組成物。
【化３】
0006988121.tif 000004
【００１１】
（４）
前記（Ｃ）熱架橋剤はグリシジル基を有する化合物である上記（１）ないし（３）のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物。
（５）
前記（Ａ）プロトン解離によりブレンステッド酸性を示す官能基を有するアルカリ可溶性樹脂は、ノルボルネン系モノマーの単独重合体または共重合体である上記（１）ないし（４）のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物。
（６）
前記（Ａ）プロトン解離によりブレンステッド酸性を示す官能基を有するアルカリ可溶性樹脂が有する官能基は、カルボキシル基または−Ｃ（ＯＨ）−（ＣＦ３）２である上記（１）ないし（５）のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物。
（７）
上記（１）ないし（６）のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物の硬化物を備えることを特徴とする半導体素子。
（８）
上記（７）に記載の半導体素子同士が前記硬化物を介して積層されていることを特徴とする半導体装置。
（９）
上記（７）に記載の半導体素子と、パッケージ基板と、が前記硬化物を介して接着されていることを特徴とする半導体装置。
（１０）
上記（７）に記載の半導体素子と、ガラス基板と、が前記硬化物を介して接着されていることを特徴とする半導体装置。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の感光性樹脂組成物の硬化物を使用することで、ウエハーとの密着性を確保しつつパターニング性も兼ね備えた半導体素子が得られ、半導体素子と感光性樹脂組成物の界面剥離による不具合が発生しにくくなり、半導体装置としての機械的及び電気的信頼性を高めることができる。
【００１３】
また、本発明の感光性樹脂組成物の硬化物を使用することで、高い機械的及び電気的信頼性をもって半導体素子同士が接着された積層型半導体装置をも得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の半導体装置の一例を示す断面図である。
【図２】図１に示す半導体装置を製造する方法を説明するための図である。
【図３】図１に示す半導体装置を製造する方法を説明するための図である。
【図４】図１に示す半導体装置を製造する方法を説明するための図である。
【図５】図１に示す半導体装置を製造する方法を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の感光性樹脂組成物及び半導体装置の製造方法について、添付図面に示す好適な実施形態に基づいて詳細に説明する。
【００１６】
＜半導体装置＞
まず、本発明の半導体装置の一例について説明する。
【００１７】
図１は、本発明の半導体装置の一例を示す断面図である。
【００１８】
図１に示す半導体装置１０は、ＢＧＡ（Ball Grid Array）型の半導体パッケージを有
する一例であり、積層された複数の半導体チップ２０（半導体素子）と、半導体チップ２０同士を接着する接着層６０１と、半導体チップ２０を支持するパッケージ基板３０と、半導体チップ２０とパッケージ基板３０とを接着する接着層１０１と、半導体チップ２０を封止するモールド部５０と、パッケージ基板３０の下方に設けられたハンダボール８０と、を有している。以下、各部の構成について順次詳述する。
【００１９】
半導体チップ２０は、いかなる種類の素子であってもよく、例えばＮＡＮＤ（Not AND
）フラッシュメモリー、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）のようなメモリー素子、ＩＣ（Integrated Circuit）、ＬＳＩ（Large Scale Integration）のような集積回
路素子等が挙げられる。
【００２０】
半導体チップ２０の構成材料としては、特に限定されないが、例えばシリコン、炭化ケイ素、化合物半導体等の単結晶材料、多結晶材料、アモルファス材料等が挙げられる。
【００２１】
複数の半導体チップ２０は、その面内方向において互いに少しずつずれて積層されてお
り、これによりチップ積層体２００（積層型半導体素子）が構成されている。また、半導体チップ２０同士の間は接着層６０１を介して接着されている。接着層６０１は、チップ積層体２００の上面にも設けられている。また、接着層６０１は、本発明の感光性樹脂組成物の硬化物で構成されている。なお、感光性樹脂組成物については後に詳述する。
【００２２】
図１に示すパッケージ基板３０は、コア基板３１と、絶縁層３２と、ソルダーレジスト層３３と、配線３４と、導通ビア３５と、を備えるビルドアップ基板である。
【００２３】
このうち、コア基板３１は、パッケージ基板３０を支持する基板であり、例えばガラスクロスに樹脂材料を充填した複合材料で構成されている。
【００２４】
また、絶縁層３２は、配線３４間や配線３４と導通ビア３５とを絶縁する層間絶縁層であり、例えば樹脂材料で構成されている。また、ソルダーレジスト層３３は、パッケージ基板３０の最表面に形成された配線を保護する表面保護層であり、例えば樹脂材料で構成されている。
【００２５】
また、配線３４及び導通ビア３５は、それぞれ電気信号の伝送路であり、例えばＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉの単体または合金といった金属材料で構成されている。
【００２６】
ハンダボール８０は、配線３４と電気的に接続されており、外部の電気回路に融着されることで、配線３４を他の電気回路と接続するための電極として機能する。
【００２７】
複数の半導体チップ２０を積層してなるチップ積層体２００は、パッケージ基板３０の上面に載置されている。チップ積層体２００とパッケージ基板３０との間は、接着層１０１により接着されている。
【００２８】
また、パッケージ基板３０の配線３４の一部は、パッケージ基板３０の上面に露出しており、この露出部と各半導体チップ２０の電極部とが、ボンディングワイヤー７０により接続されている。
【００２９】
図１に示すモールド部５０は、チップ積層体２００の側面及び上面を覆うとともに、パッケージ基板３０の上面全体を覆うよう構成されている。これにより、外部環境からチップ積層体２００を保護することができる。このようなモールド部５０は、例えば、エポキシ系樹脂、フェノール系樹脂等の各種樹脂材料で構成されている。
【００３０】
＜感光性樹脂組成物＞
次いで、本発明の感光性樹脂組成物について説明する。
【００３１】
≪組成≫
感光性樹脂組成物は、（Ａ）プロトン解離によりブレンステッド酸性を示す官能基（X
）を構造単位の中に少なくとも1個以上有するアルカリ可溶性樹脂（以下、単に（Ａ）ア
ルカリ可溶性樹脂と言う）と、（Ｂ）光酸発生剤と、（Ｃ）熱架橋剤と、（Ｄ）アルコキシシラン化合物とを含む。
【００３２】
以下、感光性樹脂組成物を構成する各材料について詳細に説明する。
【００３３】
＜（Ａ）アルカリ可溶性樹脂＞
（Ａ）アルカリ可溶性樹脂は、接着層６０１の基材となる材料である。また、感光性樹脂組成物は、（Ａ）アルカリ可溶性樹脂を含むことにより、接着層６０１の半導体チップ２０に対する接着力（密着力）を高めることができる。そのため、接着層６０１により半
導体チップ２０同士をより強固に接着することができる。さらに、（Ａ）アルカリ可溶性樹脂を含むことにより、塗膜６０１ａがアルカリ現像液に対する可溶性を有するものとなるため、現像工程における環境負荷の低減を図ることができる。
【００３４】
（Ａ）アルカリ可溶性樹脂としては、具体的には、例えば、環状オレフィン系樹脂、フェノール系樹脂、アクリル系樹脂、ポリアミド系樹脂等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも特に、環状オレフィン系樹脂であることが好ましい。環状オレフィン系樹脂としては、例えば、ノルボルネン系樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂等が挙げられ、これらの中でも、ノルボルネン系樹脂であるのが好ましい。環状オレフィン系樹脂を含む感光性樹脂組成物を用いることで、半導体チップ２０に対する接着力に特に優れた接着層６０１を得ることができる。特に、ノルボルネン系樹脂を含む感光性樹脂組成物を用いることにより、接着層６０１の半導体チップ２０に対する接着力をさらに高めることができる。また、ノルボルネン系樹脂は、高い疎水性を有するため、ノルボルネン系樹脂を含む感光性樹脂組成物を用いることで吸水による寸法変化等を生じ難い接着層６０１を形成することができる。
【００３５】
また、（Ａ）アルカリ可溶性樹脂が環状オレフィン系樹脂である場合、環状オレフィン系樹脂は、酸性基を有する繰り返し単位（第１の繰り返し単位）を少なくとも１つ有するものであるのが好ましい。この酸性基が、本発明における（Ａ）プロトン解離によりブレンステッド酸性を示す官能基のことであり、後述する（Ｄ）アルコキシシラン化合物は、これと反応性を示す官能基を有する。このため、本発明による感光性樹脂組成物は、シリコンウエハー等の基材との接着性が良好になると考えられる。
【００３６】
第１の繰り返し単位は、主骨格としての環状オレフィン（環状オレフィンモノマー）に由来する構造に、酸性基を有する置換基が結合したものである。
【００３７】
環状オレフィンに由来する構造としては、シクロヘキセン、シクロオクテン等の単環体、ノルボルネン、ノルボルナジエン、ジシクロペンタジエン、ジヒドロジシクロペンタジエン、テトラシクロドデセン、トリシクロペンタジエン、ジヒドロトリシクロペンタジエン、テトラシクロペンタジエン、ジヒドロテトラシクロペンタジエン等の多環体などに由来する構造が挙げられ、これらの中でも特に、ノルボルネンに由来する構造であるのが好ましい。ノルボルネンに由来する構造であることで、接着層６０１の半導体チップ２０に対する接着力をより高めることができる。また、ノルボルネンに由来する構造を有する（Ａ）アルカリ可溶性樹脂を含む感光性樹脂組成物は、耐熱性に優れ、また、硬化後の柔軟性にも優れているため好ましい。
【００３８】
酸性基を有する置換基としては、カルボキシル基、フェノール性水酸基、−Ｃ（ＯＨ）−（ＣＦ３）２、−Ｎ（Ｈ）−Ｓ（Ｏ）２−ＣＦ３等を有する置換基が挙げられ、これらの中でも特に、カルボキシル基、−Ｃ（ＯＨ）−（ＣＦ３）２のいずれかを有する置換基であるのが好ましい。環状オレフィン系樹脂が、このような酸性基を有する置換基を含むことにより、感光性樹脂組成物のアルカリ現像液に対する可溶性を高めることができる。そのため、半導体装置の製造において、現像後の感光性樹脂組成物の溶け残りを低減することができ、現像時のパターンニング性をより高めることができる。
【００３９】
このようなことから、第１の繰り返し単位は、特に、下記式（３）及び下記式（４）からなる群から選択される少なくとも１種であるのが好ましい。このような構造の第１の繰り返し単位を含むことにより、接着層６０１の半導体チップ２０に対する接着性をより高くすることができる。また、感光性樹脂組成物のアルカリ現像液に対する可溶性をより高くすることができる。
【００４０】
【化３】
0006988121.tif 000005
【００４１】
【化４】
0006988121.tif 000006
【００４２】
上記式（３）及び上記式（４）において、ｘ、ｙは、それぞれ、０以上１０以下の整数であるのが好ましく、１以上５以下の整数であることがより好ましい。これにより、半導体チップ２０同士をより強固に接着することができる接着層６０１を得ることができる。
【００４３】
環状オレフィン系樹脂は、少なくとも１種の第１の繰り返し単位を有するものであればよいが、異なる２種以上の第１の繰り返し単位を有するものであるのが好ましく、上記式（３）及び上記式（４）の双方の第１の繰り返し単位を有するものであるのがより好ましい。これにより、接着層６０１の半導体チップ２０に対する接着性をさらに高くすることができるとともに、感光性樹脂組成物のアルカリ現像液に対する可溶性をさらに高くすることができる。
【００４４】
環状オレフィン系樹脂中における第１の繰り返し単位の含有率は、感光性樹脂組成物のアルカリ現像液に対する溶解性を考慮して最適値を決定することができるが、例えば、１０〜８０ｍｏｌ％であるのが好ましく、２０〜７０ｍｏｌ％であるのがより好ましい。第１の繰り返し単位の含有率が前記下限値未満であると、アルカリ現像液に対する可溶性を十分に発現させることが困難になる場合がある。第１の繰り返し単位の含有率が前記上限値を超えると、第１の繰り返し単位の種類によっては、環状オレフィン系樹脂のうちの第１の繰り返し単位以外の構成が備える特性が埋没してしまうおそれがある。
【００４５】
環状オレフィン系樹脂中における酸性基は、ポリマー１ｇあたり０．００１〜０．０１モルであるのが好ましい。０．００１５〜０．００６モルであるのがより好ましい。これにより、感光性樹脂組成物のアルカリ現像液に対する可溶性を特に高めることができる。
【００４６】
さらに、環状オレフィン系樹脂は、前述した第１の繰り返し単位とは異なる第２の繰り返し単位を有するものであるのが好ましい。
【００４７】
第２の繰り返し単位は、主骨格としての環状オレフィンに由来する構造に、前記第１の繰り返し単位が有する置換基とは異なる置換基が結合したものである。
【００４８】
第２の繰り返し単位の主骨格としては、前述した第１の繰り返し単位で挙げたものを用いることができ、これらの中でも特に、耐熱性や、硬化後の柔軟性等の観点から、ノルボルネンに由来する構造であるのが好ましい。また、第１及び第２の繰り返し単位の主骨格
は、それぞれ互いに異なるものであってもよいが、同じものであるのが好ましい。特に、第１及び第２の繰り返し単位の主骨格は、ともにノルボルネンに由来する構造であることが好ましい。これにより、接着層６０１の半導体チップ２０に対する接着力をより高めることができるとともに、接着層６０１の弾性率を適度に下げることができる。そのため、接着層６０１によって、半導体チップ２０同士をより強固に接着することができるとともに、接着層６０１の柔軟性を適度に高めることで半導体チップ２０同士の接合界面に発生する応力集中を緩和することができる。
【００４９】
第２の繰り返し単位が有する置換基としては、炭素数２〜３０であるのが好ましく、炭素数が４〜１５の直鎖状の置換基であるのがさらに好ましい。炭素数が前記範囲内のものであると、感光性樹脂組成物の硬化後の弾性率を下げ、接着層６０１の柔軟性を高めることができる。そのため、接着層６０１によって、半導体チップ２０同士の接合界面での応力集中に伴う半導体チップ２０や接着層６０１に生じるクラックや、半導体チップ２０と接着層６０１との剥離をさらに抑制することができる。また、外部からの衝撃による半導体チップ２０や接着層６０１の破損等の発生を抑制することができる。
【００５０】
また、第２の繰り返し単位は、環状構造、分岐状構造等であってもよいが、直鎖状構造であるのが好ましい。これにより、感光性樹脂組成物の硬化後の弾性率をより下げることができ、接着層６０１の柔軟性をより高めることができる。
【００５１】
炭素数が２〜３０の直鎖状の置換基としては、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アラルキル基、アルキルエーテル構造を有する基などが挙げられ、これらの中でも特に、アルキルエーテル構造を有する基であるのが好ましい。これにより、感光性樹脂組成物は、硬化後の柔軟性により優れたものとなる。
【００５２】
アルキルエーテル構造を有する基としては、特に、下記式（５）で表される基であるのが好ましい。これにより、接着層６０１の柔軟性をより高めることができる。
【００５３】
【化５】
0006988121.tif 000007
【００５４】
上記式（５）において、ｚは、１以上１０以下の整数であるのが好ましく、２以上６以下の整数であることがより好ましい。これにより、接着層６０１の柔軟性をさらに好適なものとすることができる。
【００５５】
このようなことから、第２の繰り返し単位は、特に、下記式（６）であるのが好ましい。（Ａ）アルカリ可溶性樹脂が、前述した第１の繰り返し単位に加え、下記式（６）に示す第２の繰り返し単位を有することにより、第１の繰り返し単位によるアルカリ現像液に対する溶解性を十分に高めることができるという機能と、第２の繰り返し単位による感光性樹脂組成物の硬化後の弾性率を適度なものとする機能との両立を好適に図ることができる。
【００５６】
【化６】
0006988121.tif 000008
【００５７】
特に、上記式（６）において、ｚは、１以上１０以下の整数であるのが好ましく、２以上５以下の整数であることがより好ましい。これにより、感光性樹脂組成物の硬化後の弾性率をより好適なものとすることができる。
【００５８】
また、環状オレフィン系樹脂が第２の繰り返し単位を含む場合、環状オレフィン系樹脂中における第２の繰り返し単位の含有率は、例えば、２０〜６０ｍｏｌ％であるのが好ましく、２５〜５０ｍｏｌ％であるのがより好ましい。第２の繰り返し単位の含有率が前記下限値未満であると、第２の繰り返し単位の種類によっては、感光性樹脂組成物の硬化後の弾性率を所望の値に調整することが困難な場合がある。また、第２の繰り返し単位の含有率が前記上限値を超えると、第２の繰り返し単位の種類によっては、環状オレフィン系樹脂のうちの第２の繰り返し単位以外の構成が備える特性が埋没してしまうおそれがある。
【００５９】
以上のようなことから、環状オレフィン系樹脂としては、以下の式（７）で表されるものが好適である。感光性樹脂組成物は、式（７）で示す環状オレフィン系樹脂を含むことにより、接着層６０１に必要な機械的強度を備えつつ、より適度な柔軟性（応力緩和性）を有するものとなる。さらに、アルカリ現像液に対する特に優れた溶解性を発揮し、加えて、半導体チップ２０に対する接着力に特に優れた接着層６０１を得ることができる。
【００６０】
【化７】
0006988121.tif 000009
【００６１】
上記式（７）においてｌ、ｍ、ｎは、１以上の整数である。なお、前述したように、ｘは、０以上１０以下の整数であるのが好ましく、ｙは、０以上１０以下の整数であるのが好ましく、ｚは、１以上１０以下の整数であるのが好ましい。
【００６２】
式（７）において、第１の繰り返し単位の重合度に対する、第２の繰り返し単位の重合度（すなわち、（ｌ＋ｍ）／ｎ）としては、０．３〜２．０であるのが好ましく、０．４〜１．５であるのがより好ましい。これにより、半導体チップ２０同士の接合界面に発生する応力集中を特に緩和することができるとともに、半導体チップ２０同士をより強固に接着することができる接着層６０１を得ることができる。
【００６３】
また、環状オレフィン系樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は５，０００〜５００，０００であるのが好ましく、７，０００〜２００，０００であるのがより好ましく、８，０００〜１００，０００であるのがさらに好ましい。これにより、半導体チップ２０に対する接着力に特に優れた接着層６０１を得ることができる。
【００６４】
なお、環状オレフィン系樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は、ＡＳＴＭＤＳ３５３６−９１に準拠して、標準とする環状オレフィン系樹脂を用いて、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）を用いて測定することができる。
【００６５】
また、環状オレフィン系樹脂は、そのガラス転移温度が１００〜２５０℃のものが好ましい。このようなガラス転移温度の環状オレフィン系樹脂を用いることにより、感光性樹脂組成物の耐熱性がより高くなり、高温下での半導体装置１０の信頼性をより高めること
ができる。
【００６６】
なお、環状オレフィン系樹脂のガラス転移温度は、例えば示差走査熱量測定法により、常温から昇温速度５℃／分で昇温させたとき、発熱反応が生じる温度として求めることができる。
【００６７】
また、（Ａ）アルカリ可溶性樹脂として、フェノール樹脂を加えてもよい。このとき、フェノール樹脂としてはフェノールノボラック、クレゾールノボラック、フェノールアラルキル、ビフェニルアラルキル型であるのが好ましい。
【００６８】
＜（Ｂ）光酸発生剤＞
（Ｂ）光酸発生剤は、エネルギー線照射による露光時の光反応で酸を生成し、アルカリ現像液に対する溶解性を増加させる機能を有する。これにより、半導体装置の製造において、感光性樹脂組成物（塗膜６０１ａ）のうちの露光された部分である露光部において、現像後に溶け残りが生じることをより低減することができる。このため、現像時のパターンニング性を向上させることができる。また、感光性樹脂組成物は、（Ｂ）光酸発生剤を含むことにより、半導体装置の製造において、エネルギー線照射によって後述する（Ｃ）エポキシ化合物による（Ａ）アルカリ可溶性樹脂を架橋させる反応を促進することができる。
【００６９】
（Ｂ）光酸発生剤としては、具体的には、例えばオニウム塩、ハロゲン化有機化合物、キノンジアジド化合物、α，α−ビス（スルホニル）ジアゾメタン系化合物、α−カルボニル−α−スルホニル−ジアゾメタン系化合物、スルホン化合物、有機酸エステル化合物、有機酸アミド化合物、有機酸イミド化合物等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも特にキノンジアジド化合物を有するものであるのが好ましい。キノンジアジド化合物としては、例えば、１，２−ベンゾキノンジアジドあるいは１，２−ナフトキノンジアジド構造を有する化合物等を挙げることができる。より具体的には、１，２−ナフトキノン−２−ジアジド−５−スルホン酸あるいは１，２−ナフトキノン−２−ジアジド−４−スルホン酸とフェノール化合物とのエステル化合物を含むことが好ましい。これらは、エネルギー線照射（特に、放射線照射）による露光時の光反応でカルボキシル基を生成するため、露光部のアルカリ現像液に対する溶解性をより増加させることができる。このため、感光性樹脂組成物は、特に小さい露光量でもアルカリ現像液に対するより高い溶解性を発揮することができる。その結果、現像時のパターンニング性をより向上させることができる。
【００７０】
（Ｂ）光酸発生剤の含有量は、特に限定されないが、（Ａ）アルカリ可溶性樹脂１００質量部に対し、１〜５０質量部であるのが好ましく、５〜３０質量部であるのがより好ましい。（Ｂ）光酸発生剤の含有量が前記下限値未満であると、（Ｂ）光酸発生剤の種類等によっては、感光性樹脂組成物の露光、現像特性が低下する可能性がある。また、（Ｂ）光酸発生剤の含有量が前記上限値を超えても、それ以上の効果の増大は見込めず、（Ｂ）光酸発生剤の種類によっては、感光性樹脂組成物中における（Ｂ）光酸発生剤以外の材料が備える特性が埋没してしまうおそれがある。
【００７１】
＜（Ｃ）熱架橋剤＞
（Ｃ）熱架橋剤は、（Ａ）アルカリ可溶性樹脂（特に、環状オレフィン系樹脂）を架橋する機能を有する。
【００７２】
（Ｃ）熱架橋剤としては、具体的には、例えば、アミン化合物、エポキシ化合物、メチロール化合物、オキセタン化合物といったものが挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。この中でも特にエポキシ化合物が好ましい。ま
た、分子中に芳香環を含む芳香族エポキシ化合物や、分子中に芳香環を含まない脂肪族エポキシ化合物のいずれであってもよいが、脂肪族エポキシ化合物であるのがより好ましい。これにより、感光性樹脂組成物中の（Ａ）アルカリ可溶性樹脂の架橋密度を適度に下げることができ、接着層６０１の柔軟性を適度に高めることができる。
【００７３】
また、（Ｃ）熱架橋剤は、分枝状構造または直鎖状構造であるのが好ましく、分枝状構造であるのがより好ましい。感光性樹脂組成物が分枝状構造をなす（Ｃ）熱架橋剤を含むことで、感光性樹脂組成物中の（Ａ）アルカリ可溶性樹脂の架橋密度を適度に下げることができ、接着層６０１の柔軟性を適度に高めることができる。これにより、接着層６０１は、必要な機械的強度を備えつつ、半導体チップ２０同士の接合界面に発生する応力集中を緩和する応力緩和性により優れたものとなる。
【００７４】
また、（Ｃ）熱架橋剤は、分子内に２つ以上のグリシジル基を含有する化合物であるのが好ましく、分子内に３つ以上９つ以下のグリシジル基を含有する化合物であるのがより好ましい。これにより、感光性樹脂組成物中の（Ａ）アルカリ可溶性樹脂の架橋密度を適度に下げることができ、必要な機械的強度を備えつつ応力緩和性により優れた接着層６０１を得ることができる。
【００７５】
このような（Ｃ）熱架橋剤としては、例えば、エチレングリコールジグリシジルエーテル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、トリメチロールエタントリグリシジルエーテル、ソルビトールポリグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールポリグリシジルエーテル、ＥＸＡ−８３０ＣＲＰ、ＥＸＡ−８３０ＶＬＰ、ＥＸＡ−８３５ＬＶ、ＥＸＡ−８５０ＣＲＰ（ＤＩＣ株式会社製)、ＹＤ−８１２５Ｇ、ＹＤＦ−８１７０Ｇ、ＺＸ−１０５９、ＺＸ−１５４２
（新日鉄住金化学株式会社製）、ＹＬ９８０、ＹＬ７４１０、ＹＸ７７００、ＹＥＤ２１６Ｄ（三菱化学株式会社製）、ＥＰ−３３００Ｓ、ＥＰ−３９５０Ｌ、ＥＰ−４０００Ｌ、ＥＰ−４０１０Ｌ、ＥＰ−４０８８Ｌ（株式会社ＡＤＥＫＡ製）等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも特に、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテルであるのが好ましい。これにより、感光性樹脂組成物中の（Ａ）アルカリ可溶性樹脂の架橋反応を促進することができ、応力緩和性により優れた接着層６０１をより容易かつより確実に得ることができる。
【００７６】
（Ｃ）熱架橋剤の含有量は、特に限定されないが、（Ａ）アルカリ可溶性樹脂１００質量部に対し、１〜１００質量部であるのが好ましく、５〜５０質量部であるのがより好ましい。（Ｃ）熱架橋剤の含有量が前記下限値未満であると、（Ｃ）熱架橋剤の種類等によっては、接着層６０１の応力緩和性が低下する可能性がある。一方、（Ｃ）熱架橋剤の含有量が前記上限値を超えると、感光性樹脂組成物の粘度が必要以上に高くなりすぎる場合がある。
【００７７】
＜（Ｄ）アルコキシシラン化合物＞
感光性樹脂組成物は、（Ｄ）アルコキシシラン化合物を含むことにより、例えば、塗膜６０１ａを備えたウエハー２０１を露光及び現像によりパターニングする際に、塗膜６０１ａがウエハー２０１から剥離することを抑制することが出来る。このように塗膜６０１ａとウエハー２０１との密着力を高めることによって、最終的に、信頼性の高いチップ積層体２００を得ることができる。
【００７８】
また、（Ｄ）アルコキシシラン化合物は芳香環を含むことが好ましい。これにより、樹脂との相溶性を向上させることで、アルカリ現像時にパターンの開口部に現像液に溶解した塗膜の残渣が残ることを抑制することができ、パターニング性が向上する。
【００７９】
さらに、（Ｄ）アルコキシシラン化合物は、（Ａ）アルカリ可溶性樹脂が有するプロトン解離によりブレンステッド酸性を示す官能基と反応する官能基を含むことが好ましい。これにより、（Ｄ）アルコキシシラン化合物と（Ａ）アルカリ可溶性樹脂との間で架橋構造が形成されることで、ウエハー２０１との密着性が向上する。
ここで、（Ｄ）アルコキシシラン化合物は、（Ａ）アルカリ可溶性樹脂が有するプロトン解離によりブレンステッド酸性を示す官能基と反応する官能基が芳香環に直接結合していることが好ましい。これにより、アルカリ現像時のパターニング性の向上とウエハー２０１との密着性の向上を両立することができる。
【００８０】
このような（Ｄ）アルコキシシラン化合物としては、以下に示す一般式（１）の化学構造を有するものを使用することが好ましく、プロトン解離によりブレンステッド酸性を示す官能基と反応性を示す官能基Ｒ１が芳香環に直接結合しており、この官能基Ｒ１に炭素数１以上１０以下のアルキレン基Ｒ２が結合しており、このアルキレン基Ｒ２に１〜３価のアルコキシシリル基が結合している。
【００８１】
【化１】
0006988121.tif 000010
【００８２】
上記一般式（１）において、Ｘは炭素原子または窒素原子、Ｒ１はプロトン解離によりブレンステッド酸性を示す官能基と反応性を示す官能基、Ｒ２は炭素数１以上１０以下のアルキレン基、Ｒ３及びＲ４は炭素数１以上３以下のアルキル基、ｔは０〜２を示す。
一般式（１）の化学構造を有するアルコキシシラン化合物の官能基Ｒ１は、（Ａ）アルカリ可溶性樹脂との反応性が良好であるため、本発明による感光性樹脂組成物は、ウエハー２０１との接着性が良好になると考えられる。
ここで、官能基Ｒ１は、プロトン解離によりブレンステッド酸性を示す官能基と反応性を示す官能基であれば特に限定はされないが、例えば２級アミン、３級アミン、ウレタンあるいはウレイド等の含窒素官能基であることが好ましく、これらの中でも特に２級アミンまたは３級アミンであることがさらに好ましい。
また、（Ｄ）アルコキシシラン化合物としては、以下に示す一般式（２）の化学構造を有するものを使用することも好ましく、プロトン解離によりブレンステッド酸性を示す官能基と反応性を示す官能基Ｒ１が芳香環に直接結合しており、また、前記官能基Ｒ１とは別に芳香環に炭素数１以上１０以下のアルキレン基Ｒ２が結合しており、このアルキレン基Ｒ２に１〜３価のアルコキシシリル基が結合している。
【００８３】
【化２】
0006988121.tif 000011
【００８４】
上記一般式（２）において、Ｘは炭素原子または窒素原子、Ｒ１はプロトン解離によりブレンステッド酸性を示す官能基と反応性を示す官能基、Ｒ２は炭素数１以上１０以下のアルキレン基、Ｒ３及びＲ４は炭素数１以上３以下のアルキル基、ｔは０〜２を示す。
一般式（２）の化学構造を有するアルコキシシラン化合物の官能基Ｒ１は、（Ａ）アルカリ可溶性樹脂との反応性が良好であり、本発明による感光性樹脂組成物は、ウエハー２０１との接着性が良好になると考えられる。
ここで、官能基Ｒ１は、プロトン解離によりブレンステッド酸性を示す官能基と反応性を示す官能基であれば特に限定はされないが、例えば１級アミン、２級アミン、３級アミン、ウレイド等の含窒素官能基、ヒドロキシル基、チオヒドロキシル基、グリシドキシ基であることが好ましく、これらの中でも特に２級アミンまたはグリシドキシ基であることがさらに好ましい。
本発明における（Ｄ）アルコキシシラン化合物の形態として２例を挙げたが、いずれもプロトン解離によりブレンステッド酸性を示す官能基と反応性を示す官能基Ｒ１が芳香環に直接結合していることが共通し、芳香環と前記官能基Ｒ１の間で何らかの作用があり、その相乗効果として接着性の向上に寄与していると推定される。
（Ｄ）アルコキシシラン化合物としてさらに具体的には、例えば、３−（２−グリシドキシフェニル）プロピルトリメトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−（４−アミノフェニル）プロピルトリメトキシシラン、３−（４−アミノフェニル）プロピルトリメトキシシラン、３−（Ｎ−メチル−Ｎ−（４−ピリジル）アミノ）プロピルトリメトキシシラン、３−（３−フェニルウレイド）プロピルトリエトキシシランが挙げられる。これにより、塗膜２０１ａとウエハー２０１の密着性をより高めることができる。その中でも特に、３−（２−グリシドキシフェニル）プロピルトリメトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシランが好ましい。前者はベンゼン環に酸素原子が結合し、後者はベンゼン環に窒素原子が結合し、いずれもベンゼン環のπ電子と共役し得る非共有電子対を有している。この非共有電子対の存在が、先述した相乗効果の一因となり、結果として接着性の向上に寄与している可能性がある。
【００８５】
（Ｄ）アルコキシシラン化合物の含有量は、（Ａ）アルカリ可溶性樹脂１００質量部に対し、０．１〜３０質量部であるのが好ましく、０．２〜２０質量部であるのがより好ましい。（Ｄ）アルコキシシラン化合物の含有量が前記下限値未満であると、アルカリ現像処理によってパターニングをした際に塗膜２０１ａとウエハー２０１の間で剥離が生じてしまう可能性がある。（Ｄ）アルコキシシラン化合物の含有量が前記上限値を超えても、それ以上の効果の増大は見込めず、（Ｄ）アルコキシシラン化合物の種類によっては、接着層６０１とチップ２０との接着性を著しく悪化させてしまうおそれがある。
【００８６】
また、感光性樹脂組成物は、上記のような（Ｄ）アルコキシシラン化合物の他にさらに接着助剤を１種以上含んでいてもよい。具体的には、例えば、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、５，６−エポキシヘキシルトリエトキシシラン、ｐ−スチリルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、ビス［３−（トリエトキシシリル）プロピル］テトラスルフィド、ビス［３−（トリエトキシシリル）プロピル］ジスルフィド、３−イソシアナトプロピルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ベンゾイロキシプロピルトリメトキシシラン、ベンゾイロキシプロピルトリエトキシシラン、１，６−ビス（トリメトキシシリル）ヘキサン、ノルボルネニルトリメトキシシラン、ノルボルネニルトリエトキシシラン、３−（トリエトキシシリル）プロピルコハク酸無水物、６−アジドスルホニルヘキシルトリエトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリエトキシシラン、トリス（３−トリメトキシシリルプロピル）イソシアヌレート、［２−（３−シクロヘキセニル）エチル］トリメトキシシラン、［２−（３−シクロヘキセニル）エチル］トリエトキシシラン、（３−シクロペンタジエニルプロピル）トリエトキシシラン、ペンチルトリメトキシシラン、ペンチルトリエトキシシラン、ｎ−ヘキシルトリメトキシシラン、ｎ−ヘキ
シルトリエトキシシラン、ｎ−オクチルトリメトキシシラン、ｎ−オクチルトリエトキシシラン、デシルトリメトキシシラン、デシルトリエトキシシラン、ドデシルトリメトキシシラン、ドデシルトリエトキシシラン、ビス（トリエトキシシリル）メタン、ビス（トリメトキシシリル）エタン、ビス（トリエトキシシリル）エタン、ビス（トリメトキシシリル）ヘキサン、ビス（トリエトキシシリル）ヘキサン、ビス（トリメトキシシリル）オクタン、ビス（トリエトキシシリル）オクタン、ビス（トリメトキシシリル）ベンゼン、ビス［（３−メチルジメトキシシリル）プロピル］ポリプロピレンオキシド、ポリメタクリル酸トリメトキシシリルエステル、ポリメタクリル酸トリエトキシシリルエステル、トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、１，３−ジメチルテトラメトキシジシロキサンなどを挙げることができるが、接着助剤は何らこれらに限定されない。これらは単独でも、２種以上を混合して使用してもよい。これにより、感光性樹脂組成物（接着層６０１）の接着性をより高めることができる。
【００８７】
なお、これらの接着助剤を含む場合でも、（Ｄ）アルコキシシラン化合物の含有量は、（Ａ）アルカリ可溶性樹脂１００質量部に対し、０．１〜３０質量部であるのが好ましく、０．２〜２０質量部であるのがより好ましい。（Ｄ）アルコキシシラン化合物の含有量が前記下限値未満であると、アルカリ現像処理によってパターニングをした際に塗膜２０１ａとウエハー２０１の間で剥離が生じてしまう可能性がある。（Ｄ）アルコキシシラン化合物の含有量が前記上限値を超えても、それ以上の効果の増大は見込めず、（Ｄ）アルコキシシラン化合物の種類によっては、接着層６０１とチップ２０との接着性を著しく悪化させてしまうおそれがある。
【００８８】
以上のような（Ａ）アルカリ可溶性樹脂と、（Ｂ）光酸発生剤と、（Ｃ）熱架橋剤と、（Ｄ）アルコキシシラン化合物とを感光性樹脂組成物が含むことにより、半導体装置の製造において、例えば、ウエハー２０１上に塗布された塗膜６０１ａをパターニングする際や、接着層６０１を介して半導体チップ２０同士を圧着させた際に、塗膜６０１ａとウエハー２０１及び接着層６０１と半導体チップ２０との剥離が生じにくくなる。このため、信頼性の高いチップ積層体２００を得ることができる。また、接着層６０１は、１層構造であるにもかかわらず、十分な接着性に加え、応力緩和性を備えている。このため、半導体チップ２０同士の間に、接着性に優れた層と、応力緩和性に優れた層との２層を設ける必要がなく、よって、チップ積層体２００の全体の厚さが著しく厚くなるのを避けることができる。その結果、低背で、かつ、接着性及び応力緩和性に優れた信頼性の高い半導体装置１０を得ることができる。このような半導体装置１０は、例えばモバイル機器のように内容積が極めて小さく、かつ、持ち運びながら使用される電子機器において特に有用なものとなる。すなわち、電子機器の小型化、薄型化、軽量化に寄与するとともに、電子機器を落としたり振り回したりした場合でも、半導体装置１０の機能が損なわれ難いという点で有用である。
【００８９】
また、感光性樹脂組成物には、必要に応じて、フェノール化合物、レベリング剤、難燃剤、可塑剤、硬化促進剤、酸化防止剤等がさらに含まれていてもよい。
【００９０】
フェノール化合物としては、４−エチルレソルシノール、２−プロピルレソルシノール、４−ブチルレソルシノール、４−ヘキシルレソルシノール、２−ヒドロキシ安息香酸、３−ヒドロキシ安息香酸、４−ヒドロキシ安息香酸、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、３，３’−ジヒドロキシジフェニルジスルフィド、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、２，２’−ジヒドロキシジフェニルメタン、４，４’−ジヒドロキシジフェニルメタン、２，２’−ジヒドロキシジフェニルエーテル、４，４’−ジヒドロキシジフェニルエーテル、４，４’−（１，３−ジメチルブチリデン）ジフェノール、４，４’−（２−エチルヘキシリデン）ジフェノール、４，４’−エチリデンビスフェノール、２，２’−エチレンジオキシジフェノール、３，３’−エチレンジオキシジフェノー
ル、１，５−ビス（ｏ−ヒドロキシフェノキシ）−３−オキサペンタン、ジフェノイック酸、Ｂｉｓ−Ｚ（本州化学工業株式会社製）、Ｐｈ−ＲＳ−Ｚ（本州化学工業株式会社製）、４−（１，１−ジメチルプロピル）フェノール、４−シクロヘキシルフェノール、４−（１，１，３，３−テトラメチルブチル）フェノール、４−（４−ヒドロキシフェニル）−２−ブタノン、４’−ヒドロキシブチロフェノン、４’−ヒドロキシバレロフェノン、４’−ヒドロキシヘキサノフェノン、３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸、３−ヒドロキシ安息香酸メチル、３−ヒドロキシ安息香酸エチル、４−ヒドロキシ安息香酸メチル、４−ヒドロキシ安息香酸エチル、４−ヒドロキシ安息香酸プロピル、４−ヒドロキシ安息香酸イソプロピル、４−ヒドロキシ安息香酸ブチル、４−ヒドロキシ安息香酸イソブチル、４−ヒドロキシ安息香酸ヘキシル、４−ヒドロキシ安息香酸ベンジル、１，３−ビス［２−（４−ヒドロキシフェニル）−２−プロピル］ベンゼン、ＢｉｓＰ−ＤＥＤ（本州化学工業株式会社製）等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることが出来る。
【００９１】
このようなフェノール化合物を含むことによりアルカリ現像液及び有機溶剤に対する溶解性を高めることができる。
【００９２】
酸化防止剤としては、例えば、フェノール系酸化防止剤、アミン系酸化防止剤、リン系酸化防止剤及びチオエーテル系酸化防止剤が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができ、これらの中でもフェノール系酸化防止剤とアミン系酸化防止剤とを組み合わせて用いることが好ましい。
【００９３】
このような酸化防止剤を含むことにより、感光性樹脂組成物の硬化の際の酸化、及びその後のプロセス等における感光性樹脂組成物（塗膜６０１ａ）の酸化を抑えることができる。
【００９４】
フェノール系酸化防止剤としては、ペンタエリスリチル−テトラキス〔３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕、３，９−ビス｛２−〔３−（３−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロピオニルオキシ〕−１，１−ジメチルエチル｝２，４，８，１０−テトラオキサスピロ〔５，５〕ウンデカン、オクタデシル−３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、１，６−ヘキサンジオール−ビス〔３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕、１，３，５−トリメチル−２，４，６−トリス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェノール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−エチルフェノール、２，６−ジフェニル−４−オクタデシロキシフェノール、２，６−ビス［（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）メチル］−４−メチルフェノール、ステアリル（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、ジステアリル（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）ホスホネート、チオジエチレングリコールビス〔（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕、４，４’−チオビス（６−ｔ−ブチル−ｍ−クレゾール）、２−オクチルチオ−４，６−ジ（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェノキシ）−ｓ−トリアジン、２，２’−メチレンビス（４−メチル−６−ｔ−ブチル−６−ブチルフェノール）、２，２’−メチレンビス（４−エチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、ビス〔３，３−ビス（４−ヒドロキシ−３−ｔ−ブチルフェニル）酪酸〕グリコールエステル、４，４’−ブチリデンビス（６−ｔ−ブチル−ｍ−クレゾール）、２，２’−エチリデンビス（４，６−ジ−ｔ−ブチルフェノール）、２，２’−エチリデンビス（４−ｓ−ブチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、１，１，３−トリス（２−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチルフェニル）ブタン、ビス〔２−ｔ−ブチル−４−メチル−６−（２−ヒドロキシ−３−ｔ−ブチル−５−メチルベンジル）フェニル〕テレフタレート、１，３，５−トリス（２，６−ジメチル−３−ヒドロキシ−４−ｔ−ブ
チルベンジル）イソシアヌレート、１，３，５−トリス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）−２，４，６−トリメチルベンゼン、１，３，５−トリス〔（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオニルオキシエチル〕イソシアヌレート、テトラキス〔メチレン−３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕メタン、２−ｔ−ブチル−４−メチル−６−（２−アクリロイルオキシ−３−ｔ−ブチル−５−メチルベンジル）フェノール、３，９−ビス（１，１−ジメチル−２−ヒドロキシエチル）−２，４，８，１０−テトラオキサスピロ［５，５］ウンデカン−ビス〔β−（３−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロピオネート〕、トリエチレングリコールビス〔β−（３−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロピオネート〕、１，１’−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、２，２’−メチレンビス（４−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、２，２’−メチレンビス（４−エチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、２，２’−メチレンビス（６−（１−メチルシクロヘキシル）−４−メチルフェノール）、４，４’−ブチリデンビス（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、３，９−ビス（２−（３−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニルプロピオニルオキシ）１，１−ジメチルエチル）−２，４，８，１０−テトラオキサスピロ［５，５］ウンデカン、４，４'−チオビス（
３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、４，４’−ビス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）スルフィド、４，４’−チオビス（６−ｔ−ブチル−２−メチルフェノール）、２，５−ジ−ｔ−ブチルヒドロキノン、２，５−ジ−ｔ−アミルヒドロキノン、２−ｔ−ブチル−６−（３−ｔ−ブチル−２−ヒドロキシ−５−メチルベンジル）−４−メチルフェニルアクリレート、２，４−ジメチル−６−（１−メチルシクロヘキシル、スチレン化フェノール、２，４−ビス（（オクチルチオ）メチル）−５−メチルフェノール、などが挙げられる。これらの中でも、２，６−ビス［（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）メチル］−４−メチルフェノール等のフェノール系酸化防止剤が好ましい。
【００９５】
アミン系酸化防止剤としては、Ｎ，Ｎ’−ジ−sec−ブチル−ｐ−フェニレンジアミン
、４，４’−ジメトキシジフェニルアミン、４−イソポロキシジフェニルアミン、Ｎ−イソプロピル−Ｎ’−フェニル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ−（１，３−ジメチルブチル）−Ｎ’−フェニル−ｐ−フェニレンジアミン、４，４’−ジ（α，α−ジメチルベンジル）ジフェニルアミン
などが挙げられ、これらの中でも、４，４’−ジメトキシジフェニルアミン、４−イソポロキシジフェニルアミン、４，４’−ジ（α，α−ジメチルベンジル）ジフェニルアミン等のジフェニルアミン系化合物が好ましい。
【００９６】
リン系酸化防止剤としては、ビス−（２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト、トリス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニルホスファイト）、テトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチル−５−メチルフェニル）−４，４’−ビフェニレンジホスホナイト、３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジルホスホネート−ジエチルエステル、ビス−（２，６−ジクミルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト、２，２−メチレンビス（４，６−ジ−ｔ−ブチルフェニル）オクチルホスファイト、トリス（ミックスドモノａｎｄジ−ノニルフェニルホスファイト）、ビス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ペンタエリスリトール−ジホスファイト、ビス（２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メトキシカルボニルエチル−フェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト、ビス（２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−オクタデシルオキシカルボニルエチル−フェニル）ペンタエリスリトールジホスファイトなどが挙げられる。これらの中では、ホスファイト及びホスフェートが好ましい。
【００９７】
チオエーテル系酸化防止剤としては、ジラウリル−３，３’−チオジプロピオネート、ビス（２−メチル−４−（３−ｎ−ドデシル）チオプロピオニルオキシ）−５−ｔ−ブチ
ルフェニル）スルフィド、ジステアリル−３，３’−チオジプロピオネート、ペンタエリスリトール−テトラキス（３−ラウリル）チオプロピオネートなどが挙げられる。
【００９８】
感光性樹脂組成物が酸化防止剤を含む場合、酸化防止剤の含有量は、（Ａ）アルカリ可溶性樹脂１００質量部に対し、０．１〜５０質量部であるのが好ましく、０．５〜３０質量部であるのがより好ましい。
【００９９】
≪物性≫
次に、感光性樹脂組成物の物性（接着層６０１の物性）について詳細に説明する。
【０１００】
感光性樹脂組成物の硬化物、すなわち接着層６０１の弾性率は、２５℃において２．０〜３．５ＧＰａであるのが好ましい。また、感光性樹脂組成物の硬化前の状態の弾性率は、２５℃において、硬化物の２５℃における弾性率の７０〜１２０％であるのが好ましい。また、エッチング処理及びアッシング処理に供された硬化前の状態における感光性樹脂組成物の半導体チップ２０に対する接着力は、２５℃において２０．０〜２００．０Ｎであるのが好ましい。
【０１０１】
このような感光性樹脂組成物は硬化前の状態における弾性率が硬化後の弾性率に対して所定の範囲内に収まっていることにより、例えば硬化前の感光性樹脂組成物が著しく変形したり、流れ出したりするおそれが小さくなる。このため、半導体チップ２０を積層する際の位置合わせの精度を高めることができる。さらに、硬化前後での弾性率の変化量が比較的小さいことから、感光に伴う収縮量も小さくすることができ、硬化収縮に伴って半導体チップ２０との界面に発生する応力を低減することができる。かかる観点からも、チップ積層体２００の信頼性向上に寄与する。
【０１０２】
その一方、エッチング処理及びアッシング処理に供された硬化前の状態における感光性樹脂組成物は、半導体チップ２０に対して、ダイボンディングにおいて必要とされる十分な密着力を有する。このため、半導体チップ２０同士を接着する接着層６０１は、半導体チップ２０同士をより強固に固定し、チップ積層体２００の信頼性向上に寄与している。
【０１０３】
以上のような条件を満たす感光性樹脂組成物によれば、十分な接着性と応力緩和性とを両立した接着層６０１を実現することがより容易である。換言すれば、接着層６０１は、それ１層でもってバッファーコート膜の素子保護機能（バッファーコート機能）とダイボンディングフィルムの接着機能（ダイボンディング機能）とを兼ね備えていることから、信頼性を低下させることなくチップ積層体２００を形成可能にするとともに、２層を用いていた従来に比べてチップ積層体２００の薄型化を図ることができる。また、チップ積層体２００の薄型化に伴い、モールド部５０の体積を減らしたり、ボンディングワイヤー７０の短縮化を図ったりすることができるため、それによる軽量化、低コスト化にも寄与する。
【０１０４】
また、感光性樹脂組成物の硬化物の弾性率（２５℃）は、より好ましくは２．２〜３．２ＧＰａとされ、さらに好ましくは２．４〜３．０ＧＰａとされる。なお、硬化物の弾性率が前記下限値を下回ると、感光性樹脂組成物の組成によっては、接着層６０１の接着力が若干低下したり、モールド部５０中にフィラーが含まれている場合にはそのフィラーが接着層６０１を貫通して半導体チップ２０に悪影響を及ぼしたりするおそれがある。一方、硬化物の弾性率が前記上限値を上回ると、感光性樹脂組成物の組成によっては、接着層６０１の柔軟性が低下するため、応力緩和性が低下し、例えば半導体チップ２０の積層に伴って生じた残留応力や半導体チップ２０と接着層６０１との熱膨張差に伴う熱応力の局所集中を緩和することができず、半導体チップ２０にクラックを生じさせるおそれがある。
【０１０５】
なお、硬化物の弾性率は、例えば、超微小硬度計ＥＮＴ−１０００（株式会社エリオニクス製）を用いて、測定温度２５℃、荷重２ｍＮ、保持時間１秒とし、バーコヴィッチ圧子（三角錐、対稜角１１５°）を用いて、ＩＳＯ１４５７７に準拠して測定することにより求めることができる。
【０１０６】
また、感光性樹脂組成物の硬化物の弾性率は、マウント工程後の塗膜６０１ａの弾性率として求めることができる。
【０１０７】
また、感光性樹脂組成物の硬化前の状態の弾性率（２５℃）は、より好ましくは硬化物の２５℃における弾性率の７５〜１１５％とされ、さらに好ましくは８０〜１１０％とされる。なお、硬化前の状態の弾性率が前記下限値を下回る場合、粘着性が大きくなるものの、感光性樹脂組成物の被膜が変形し易くなり、例えばこの被膜を介して半導体チップ２０を仮配置した際に、その位置がずれ易くなったり、あるいは感光性樹脂組成物が流れ出したりするおそれがある。一方、硬化前の状態の弾性率が前記上限値を上回る場合、粘着性が低下し、半導体チップ２０を仮配置し難くなるおそれがある。
【０１０８】
なお、硬化前の状態の弾性率も、硬化物の弾性率と同様に測定することができる。
【０１０９】
また、感光性樹脂組成物の硬化前の状態の弾性率は、処理工程後でかつマウント工程前の塗膜６０１ａの弾性率として求めることができる。
【０１１０】
一方、エッチング処理及びアッシング処理に供された硬化前の状態における感光性樹脂組成物の半導体チップ２０に対する接着力（２５℃）は、より好ましくは３０〜１８０Ｎとされ、さらに好ましくは４０〜１６０Ｎとされる。なお、接着力が前記下限値を下回る場合、接着層６０１と半導体チップ２０との界面に気泡が入り込み易くなるおそれがある。一方、接着力が前記上限値を上回る場合、接着層６０１と半導体チップ２０との界面に気泡が入り込んでしまった場合、それが抜け難くなるおそれがある。
【０１１１】
なお、半導体チップ２０に対する接着力は、エッチング処理及びアッシング処理に供された硬化前の状態における本発明の感光性樹脂組成物を介して半導体チップ２０同士を接着した後、そのチップ積層体２００について、万能型ボンドテスターＤａｇｅ４０００（デイジ・ジャパン株式会社製）を用い、半導体チップ２０の横（側面）からシェアツールで半導体チップを水平方向（半導体チップ２０の面内方向）に押し、半導体チップ２０間の接合面が破断されたときの強度（ダイシェア強度）として求められる。
【０１１２】
また、エッチング処理及びアッシング処理に供された硬化前の状態における感光性樹脂組成物の半導体チップ２０に対する接着力は、エッチング処理及びアッシング処理を施した処理工程後でかつマウント工程前の塗膜６０１ａの半導体チップ２０に対する接着力として求めることができる。
【０１１３】
なお、上記エッチング処理とは、例えば、半導体チップ２０の表面のパッシベーション膜を除去し、ボンディングワイヤー７０を接続するためのパッドを露出させる処理であり、具体的には、ガスとしてフッ素化合物ガス（ＣＦ４）とアルゴンガス（Ａｒ）と酸素ガス（Ｏ２）の混合ガスを用い、出力は２５００Ｗ、時間は６分、ＣＦ４流量／Ａｒ流量／Ｏ２流量は２００ｓｃｃｍ／２００ｓｃｃｍ／５０ｓｃｃｍとする条件で行うエッチング処理が挙げられる。
【０１１４】
また、上記アッシング処理とは、例えば、エッチング処理によって発生した処理残渣等を除去し、接着層６０１表面やパッド表面を清浄化する処理であり、具体的には、酸素ガ
ス（Ｏ２）を用い、出力は６００Ｗ、時間は１２分、Ｏ２流量は２００ｓｃｃｍとする条件で行うプラズマ処理が挙げられる。
【０１１５】
なお、このようなエッチング処理及びアッシング処理は、有機材料の劣化を促進させることがあるため、エッチング耐性及びアッシング耐性が低い接着層であるが場合、半導体チップ２０同士を十分に接着することができないおそれがある。これに対し、感光性樹脂組成物を用いて形成された接着層６０１は、十分なエッチング耐性及びアッシング耐性を有しているため、このようなエッチング処理とアッシング処理とを経た後であっても、接着力の低下が抑えられ、その結果、前述したような接着力を発現する。したがって、このような感光性樹脂組成物は、接着プロセスでの各種処理において接着性の低下を考慮しなくても済むため、製造工程の簡略化、低コスト化を容易に図ることができるという点で有用である。
【０１１６】
また、感光性樹脂組成物の弾性率は、処理工程の前後での変化が一定の範囲内に収まっていることが好ましい。換言すれば、処理工程に対する耐性（エッチング耐性及びアッシング耐性）に影響を及ぼすと考えられる加熱工程における加熱条件は、感光性樹脂組成物の弾性率が処理工程の前後での変化が一定の範囲内に収まるように、適宜設定されることが好ましい。
【０１１７】
具体的には、感光性樹脂組成物の加熱工程後でかつ処理工程前における弾性率（２５℃）をＸ［ＧＰａ］とし、処理工程後における弾性率（２５℃）をＹ［ＧＰａ］としたとき、０．７≦Ｘ／Ｙ≦１．５なる関係を満足するのが好ましく、０．８≦Ｘ／Ｙ≦１．３なる関係を満足するのがより好ましい。処理工程前後での弾性率の変化が前記関係を満足することで、感光性樹脂組成物で構成された塗膜６０１ａは、パターニングされた形状を保持するのに十分な機械的特性を有するとともに、半導体チップ２０同士を接着するのに十分な接着性を有するものとなる。すなわち、処理工程は、エッチング処理やアッシング処理を伴うため、塗膜６０１ａの劣化が進み易いものの、処理工程の前後で弾性率が前記関係を満足する場合には、その塗膜６０１ａは、パターニングされた形状を十分に保持しつつ、マウント工程においては接着層６０１として十分に機能する。このため、処理工程の前後における弾性率の変化が前記関係を満足するとき、そのような感光性樹脂組成物で構成された塗膜６０１ａは、エッチングマスクとしての機能と接着層６０１としての機能とを両立し得るものとなる。
【０１１８】
なお、上記の規定における処理工程は、前述した処理条件を満足するエッチング処理とアッシング処理とを行うものである。
【０１１９】
また、感光性樹脂組成物は、その硬化前の状態において、１００〜２００℃の範囲での最小溶融粘度が２０〜５００Ｐａ・ｓであるのが好ましい。このような組成物は、半導体チップ２０に対する濡れ性に優れているため、接着層６０１にはボイド等を発生させ難いものとなる。したがって、物性のバラツキが少ない均質な接着層６０１を形成することができるため、接着層６０１を介して半導体チップ２０同士を接着した際、応力の局所集中を招き難く、半導体チップ２０におけるクラックの発生や、半導体チップ２０と接着層６０１との間の剥離の発生等をさらに抑制することができる。なお、感光性樹脂組成物の硬化前の溶融粘度は、レオメーターにより測定することができる。また、感光性樹脂組成物の硬化前の状態における溶融粘度は、処理工程後でかつマウント工程前の塗膜６０１ａの溶融粘度として求めることができる。
【０１２０】
なお、硬化前の最小溶融粘度は、より好ましくは２５〜４００Ｐａ・ｓとされ、さらに好ましくは３０〜３００Ｐａ・ｓとされる。
【０１２１】
また、感光性樹脂組成物は、その硬化前の状態にあるとき、一定の粘着性を有している一方、それに対してＵＶ照射処理を施すことにより、その粘着性を低減させることができる。したがって、かかる感光性樹脂組成物は、ＵＶ照射処理の有無によって、その粘着性を制御し得るものであると言える。
【０１２２】
具体的には、感光性樹脂組成物は、硬化前の状態であって、かつ前述したエッチング処理及びアッシング処理に供された後の状態は、ＵＶ剥離タイプのバックグラインドフィルム９０に対して、好ましくは２５℃で３．０Ｎ／２５ｍｍ以上の粘着力を発揮するものである。このような感光性樹脂組成物は、エッチング処理やアッシング処理といった有機材料の劣化を促進させるような処理に供された後でも、バックグラインドフィルム９０に対して十分な粘着力を発現し得るものであるため、例えば感光性樹脂組成物の塗膜６０１ａが形成されたウエハー２０１にバックグラインド処理を施すとき、ウエハー２０１を確実に固定することができ、バックグラインド処理の精度をより高めることができる。
【０１２３】
なお、上記粘着力は、より好ましくは３．５Ｎ／２５ｍｍ以上１０．０Ｎ／２５ｍｍ以下とされる。
【０１２４】
また、前記粘着力は、感光性樹脂組成物の塗膜６０１ａに対して粘着面が接するようにＵＶ剥離タイプのバックグラインドフィルム９０（幅２５ｍｍ、長さ７５ｍｍ）を貼り合わせ、測定温度を２５℃とし、引き剥がし速度を１０．０±０．２ｍｍ／ｓとした上で、剥離角が１８０°になるようにバックグラインドフィルム９０の長手方向の一端を引っ張って、感光性樹脂組成物の塗膜６０１ａからバックグラインドフィルム９０を引き剥がすとき、引き剥がしに要した荷重の平均値（１８０°引き剥がし粘着力、単位：Ｎ／２５ｍｍ、ＪＩＳ  Ｚ  ０２３７準拠）を測定することにより求めることができる。
【０１２５】
一方、感光性樹脂組成物は、その硬化前の状態であって、かつＵＶ照射処理に供された後の状態は、ＵＶ剥離タイプのバックグラインドフィルム９０に対して、好ましくは５０℃で０．５Ｎ／２５ｍｍ以下の粘着力を発揮するものである。このような感光性樹脂組成物は、ＵＶ照射処理により、バックグラインドフィルム９０に対する粘着力を十分に小さくすることができるので、例えば、感光性樹脂組成物の塗膜６０１ａにバックグラインドフィルム９０を貼り付けてバックグラインド処理を施した後、感光性樹脂組成物の塗膜６０１ａからバックグラインドフィルム９０を剥がす際、塗膜６０１ａに大きな負荷を及ぼすことなくバックグラインドフィルム９０を円滑に剥がすことができる。加えて、塗膜６０１ａと半導体チップ２０との密着性を損なうことなく、バックグラインドフィルム９０を剥がすことができるので、例えばダイシング処理後、個片２１、２２をピックアップする際に、半導体チップ２０の欠け等の不具合が発生するのを防止することができる。
【０１２６】
また、上述したように塗膜６０１ａの粘着力を小さくすることにより、例えばダイシング工程において感光性樹脂組成物がダイシングブレード１１０に付着したり、マウント工程において感光性樹脂組成物がコレット１２１に付着したりするのを抑制することができる。その結果、ダイシング不良やピックアップ不良が発生するのを抑えることができる。
【０１２７】
なお、上記粘着力は、より好ましくは０．０５Ｎ／２５ｍｍ以上０．４０Ｎ／２５ｍｍ以下とされる。
【０１２８】
また、上記ＵＶ照射処理は、波長が３６５ｎｍの光を用い、積算光量が６００ｍＪ／ｃｍ２となるように照射する処理である。
【０１２９】
また、上記の規定において用いられるＵＶ剥離タイプのバックグラインドフィルム９０は、アクリル系樹脂製のものである。
【０１３０】
なお、感光性樹脂組成物の塗膜のＵＶ照射処理に供された後の状態の、バックグラインドフィルム９０に対する５０℃での粘着力の測定は、前述したエッチング処理及びアッシング処理に供された後の状態の、バックグラインドフィルム９０に対する２５℃での粘着力の測定と同様の方法で行うことができる。
【０１３１】
＜半導体装置の製造方法＞
次いで、本発明の半導体装置の製造方法について説明する。
【０１３２】
図２〜５は、それぞれ図１に示す半導体装置の製造方法を説明するための図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図２〜５の上方を「上」といい、下方を「下」という。
【０１３３】
半導体装置１０の製造方法は、感光性樹脂組成物を含む液体をウエハー（半導体基板）上に塗布する塗布工程と、得られた塗膜を露光する露光工程と、現像により塗膜をパターニングする現像工程と、塗膜を加熱する加熱工程と、加熱された塗膜が設けられたウエハーにエッチング処理及びアッシング処理を施す処理工程と、ウエハーの裏面を研削するバックグラインド工程と、ウエハーをダイシングして複数の半導体チップに個片化するダイシング工程と、半導体チップをピックアップしてパッケージ基板上にマウントした後、別の半導体チップをピックアップして先にマウントした半導体チップ上に圧着するマウント工程と、を有する。以下、各工程について順次説明する。
【０１３４】
［１］塗布工程
まず、半導体チップ２０を切り出すためのウエハー２０１（図２（ａ）参照）を用意し、その上（一方の面側）に感光性樹脂組成物を含む液体を塗布する。これにより、図２（ｂ）に示すように、ウエハー２０１上に塗膜６０１ａが形成される。なお、ウエハー２０１には、あらかじめ複数の半導体チップ２０が含まれるように、半導体回路や電極パッド等が形成されている。すなわち、ウエハー２０１は、半導体製造工程のいわゆる前工程に供されたものである。したがって、ウエハー２０１を後述する工程にて切断し、個片化することにより、複数の半導体チップ２０を切り出すことができる。
【０１３５】
塗布方法は、特に限定されないが、スピンコート法、スプレーコート法、インクジェット法、ロールコーティング法、印刷法等が挙げられる。
【０１３６】
必要に応じて、塗布した液体（液状被膜）を加熱して乾燥させるようにしてもよい。この場合、加熱温度は、７０〜１６０℃であるのが好ましく、８０〜１５０℃であるのがより好ましい。また、加熱時間は、加熱温度に応じて適宜設定されるものの、５秒〜３０分であるのが好ましく、１０秒〜１５分であるのがより好ましい。
【０１３７】
感光性樹脂組成物を含む液体は、本発明の感光性樹脂組成物にこれを溶解する溶媒等を適宜添加することにより調製される。また、用いる溶媒は、後述する工程において加熱された際、揮発除去可能なものであるのが好ましい。具体的には、トルエン、キシレン、ベンゼン、ジメチルホルムアミド、テトラヒドロフラン、エチルセロソルブ、酢酸エチル、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、γ−ブチロラクトン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、メチル−１，３−ブチレングリコールアセテート、１，３−ブチレングリコール−３−モノメチルエーテル、ピルビン酸メチル、ピル
ビン酸エチル、３−メトキシ−３−メチルーブタノール、３−メトキシブタノール、メチル−３−メトキシプロピオネート等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも特に、溶解性が高く、かつ揮散により除去し易い点より、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、γ−ブチロラクトン及びシクロヘキサノンのいずれかを含む溶媒が好ましく用いられる。
【０１３８】
［２］露光工程
次いで、ウエハー２０１上に形成した塗膜６０１ａに対し、所望の領域に露光処理を施す（図２（ｃ）参照）。これにより、露光領域の塗膜６０１ａにおいて光反応が生じ、潜在的にパターニングが施される（潜像が形成される）。
【０１３９】
塗膜６０１ａの所望の領域に露光処理を施すため、図２（ｃ）に示すように、塗膜６０１ａに接するように設けられたマスク４を用いることができる。
【０１４０】
露光処理に用いられる光としては、様々な波長の電磁波や粒子線等が用いられ、例えばｉ線のような紫外線、可視光線、レーザー、Ｘ線、電子線等が用いられる。このうち、波長２００〜７００μｍ程度の紫外線または可視光線が好ましく用いられる。また、露光処理は、例えば空気雰囲気下、不活性ガス雰囲気下、減圧雰囲気下において行うことができる。
【０１４１】
この露光工程では、塗膜６０１ａに接して設けられたマスク４に代えて、塗膜６０１ａから離して設けられたマスクを用いるようにしてもよい。なお、Ｘ線や電子線のように指向性が高いものを用いた場合には、マスクの使用を省略することができる。
【０１４２】
露光処理における露光量は、塗膜６０１ａの厚さや感光性樹脂組成物の感度等に応じて適宜設定されるが、一例として３０〜３０００ｍＪ／ｃｍ２程度であるのが好ましい。
【０１４３】
［３］現像工程
次いで、露光処理を施した塗膜６０１ａに対し、現像処理を施す。これにより、露光部の塗膜６０１ａが除去され、図２（ｄ）に示すように、所望のパターニングが施される。このような現像処理により、例えば半導体チップ２０にボンディングワイヤー７０を接続するためのパッドを露出させたり、後述するダイシング工程において切断しろとなるダイシングライン上の塗膜６０１ａを除去したりすることができる。
【０１４４】
現像処理では、露光処理を施した塗膜６０１ａに対して現像液を接触させる。これにより、露光部の塗膜６０１ａが現像液に溶解し、除去される。これにより、塗膜６０１ａに開口部６０１ｂが形成される。現像液としては、例えば、アルカリ金属の炭酸塩、アルカリ金属の水酸化物、テトラアンモニウムヒドロキシドのようなアルカリ現像液、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドンのような有機系現像液等が挙げられるが、特にアルカリ現像液が好ましく用いられる。アルカリ現像液は、環境に対する負荷が小さく、残渣が発生し難いという特徴を有する。
【０１４５】
また、現像液の供給方法としては、例えば、スプレー、パドル、浸漬、超音波等の方式が挙げられる。
【０１４６】
なお、本実施形態では、塗膜６０１ａがいわゆるポジ型の感光性を有しているが、塗膜６０１ａはいわゆるネガ型の感光性を有していてもよい。
【０１４７】
［４］加熱工程
次いで、現像処理が施された塗膜６０１ａを加熱する（図２（ｅ）参照）。これにより、塗膜６０１ａを構成する感光性樹脂組成物において所定の硬化反応が生じ、塗膜６０１ａに適度な接着性が発現する。
【０１４８】
塗膜６０１ａの加熱温度は、特に限定されないが、８０〜１７０℃であるのが好ましく、１２０〜１６０℃であるのがより好ましい。一方、加熱時間は、加熱温度に応じて適宜設定されるものの、３５〜１２０分であるのが好ましく、４０〜１００分であるのがより好ましい。これにより、塗膜６０１ａの弾性率といった機械的特性が最適化されるとともに、塗膜６０１ａに後述する処理工程におけるエッチング処理やアッシング処理に対する十分な耐性が付与される。
また、塗膜６０１ａは、本発明の感光性樹脂組成物により形成されており、このような塗膜６０１ａから形成された接着層６０１は、有機溶剤に対して比較的高い溶解性を示すものとなる。このため、例えばウエハー２０１に塗膜６０１ａを成膜した後、この塗膜６０１ａを除去する必要が生じた場合でも、残渣（残留物）の発生を抑制しつつ、塗膜６０１ａを効率よく溶解させ、除去することができる。これにより、ウエハー２０１を無駄にすることなく、改めて接着プロセスに供する（リワークする）ことができ、工程歩留まりの改善を図ることができる。
【０１４９】
［５］処理工程
次いで、加熱された塗膜６０１ａが設けられたウエハー２０１に対し、エッチング処理を施す。これにより、開口部６０１ｂを備える塗膜６０１ａがエッチングマスクとして機能し、ウエハー２０１の表面（上面）のうち、開口部６０１ｂに対応する領域に対して選択的にエッチング処理が施される。その結果、ウエハー２０１の表面にパッシベーション膜が形成されている場合、それを除去し、ボンディングワイヤー７０を接続するためのパッドを露出させることができる。
【０１５０】
エッチング処理としては、例えば、図３（ｆ）に示すようにプラズマを供給することによってエッチングを施すプラズマエッチング（ドライエッチング）、各種ウエットエッチングといった処理等が挙げられる。このうち、プラズマエッチング処理を行う条件は、一般的に知られた条件で行うことができるが、例えば、フッ素化合物ガス（ＣＦ４、ＣＨＦ３）、フッ素化合物ガス（ＣＦ４、ＣＨＦ３）と酸素ガス（Ｏ２）との混合物ガス、フッ素化合物ガス（ＣＦ４、ＣＨＦ３）とアルゴンガス（Ａｒ）との混合物ガスを用い、出力は２００〜２０００Ｗ、時間は０．２〜１５分、ガス流量は５０〜１０００ｓｃｃｍとすることができる。
【０１５１】
その後、必要に応じてアッシング処理を施す。これにより、エッチング処理によって発生した処理残渣等を除去し、塗膜６０１ａ表面やパッド表面を清浄化することができる。その結果、後述する接着層６０１の接着力を高めたり、パッドに対するボンディングワイヤー７０の接合力を高めたりすることができる。
【０１５２】
アッシング処理としては、例えば、プラズマ処理、薬剤を用いたウェット処理等が挙げられる。このうち、プラズマ処理を行う条件は、例えば、処理ガスとして酸素ガス（Ｏ２）、酸素ガス（Ｏ２）とアルゴンガス（Ａｒ）との混合物ガス等を用い、出力は２００〜２０００Ｗ、処理時間は０．２〜１５分、ガス流量は５０〜１０００ｓｃｃｍといった条件が挙げられる。
【０１５３】
［６］バックグラインド工程
次いで、図３（ｇ）に示すように、塗膜６０１ａ上にバックグラインドフィルム９０を貼り付ける。バックグラインドフィルム９０は、バックグラインド処理の際にウエハー２０１を支持し、ウエハー２０１に欠けや割れ等の不具合が発生するのを抑制する。
【０１５４】
次いで、ウエハー２０１の裏面（他方の面側）を研削する（バックグラインド処理）。これにより、図３（ｈ）の破線部分が除去され、ウエハー２０１の厚さを薄くすることができる。この研削の結果、ウエハー２０１の厚さは、元の厚さによって異なるものの２０〜１００μｍ程度にまで薄くされる。
【０１５５】
この研削には、例えばバックグラインディングホイールと呼ばれる装置が用いられる。
【０１５６】
なお、本発明の感光性樹脂組成物により得られた塗膜６０１ａは、半導体チップ２０との間で十分な接着力を発現する接着層６０１を切り出すことができる。それに加えて、本発明の感光性樹脂組成物により得られた塗膜６０１ａは、バックグラインドフィルム９０に対しても十分な接着力を発現する。したがって、塗膜６０１ａ上にバックグラインドフィルム９０を貼り付けることにより、バックグラインドフィルム９０は、塗膜６０１ａ及びウエハー２０１を確実に支持することができ、上述したバックグラインド処理を高精度に行うことができる。このため、厚さのバラツキが小さく、積層したときに傾き等が発生し難い半導体チップ２０を実現することができる。
【０１５７】
また、本実施形態の場合、バックグラインド工程に供されるウエハー２０１に対して塗膜６０１ａを成膜し、その状態でバックグラインド処理を行っている。前述したように、塗膜６０１ａは、半導体チップ２０同士を確実に接着し得る機械的特性を備えている。したがって、塗膜６０１ａは、ウエハー２０１とバックグラインドフィルム９０との間に介在するだけでなく、ウエハー２０１を機械的に支持する機能も併せ持つ。しかも、塗膜６０１ａは、液相状態でウエハー２０１に成膜された後、硬化されてなるものであるため、ウエハー２０１との密着性が良好である。よって、塗膜６０１ａが成膜された状態でウエハー２０１にバックグラインド処理を施すことにより、より均一な処理が可能になる。
【０１５８】
［７］ダイシング工程
次いで、ウエハー２０１にダイシング処理を施す。これにより、ウエハー２０１が複数の半導体チップ２０に切り分けられ、個片化される。
【０１５９】
ダイシング処理の際には、ウエハー２０１をダイシング・ダイアタッチフィルムあるいはダイシングフィルムに貼り付けた状態で行う。このダイシング・ダイアタッチフィルムあるいはダイシングフィルムは、ダイシング処理の際にウエハー２０１を固定するものである。
【０１６０】
図３（ｉ１）及び図３（ｉ２）は、それぞれバックグラインド工程において研削されたウエハー２０１の裏面側にダイシングフィルム１００ａを貼り付けた例を示す図である。なお、図３（ｉ１）は、チップ積層体２００の最下層（パッケージ基板３０に最も近い層）に用いられる半導体チップ２０を切り出すためのウエハー２０１等を図示したものであり、一方、図３（ｉ２）は、チップ積層体２００の最下層以外に用いられる半導体チップ２０を切り出すためのウエハー２０１等を図示したものである。
【０１６１】
図３（ｉ１）では、ウエハー２０１の裏面にダイシングフィルム１００ａとダイアタッチフィルム１００ｂとの積層体であるダイシング・ダイアタッチフィルム１００が貼り付けられており、一方、図３（ｉ２）では、ウエハー２０１の裏面にダイシングフィルム１００ａが貼り付けられている。
【０１６２】
次いで、図４（ｊ１）及び図４（ｊ２）に示すように、塗膜６０１ａからバックグラインドフィルム９０を剥がす。
【０１６３】
次いで、塗膜６０１ａが設けられたウエハー２０１に対してダイシング処理を施す。ダイシング処理では、図４（ｋ１）及び図４（ｋ２）に示すように、ダイシングブレード１１０がダイシングフィルム１００ａに達するように行う。その結果、塗膜６０１ａ、ウエハー２０１及びダイアタッチフィルム１００ｂが個片化され、図４（ｋ１）に示すように、接着層６０１、半導体チップ２０（第１半導体素子）及び接着層１０１が積層してなる個片２１が切り出される。同様に、塗膜６０１ａ及びウエハー２０１が個片化され、図４（ｋ２）に示すように、接着層６０１及び半導体チップ２０（第２半導体素子）が積層してなる個片２２が切り出される。
【０１６４】
なお、本実施形態では、複数の半導体チップ２０を含むように構成されているウエハー２０１にダイシング処理を施して複数の半導体チップ２０を切り出す場合について説明しているが、このような場合に限定されるものではなく、例えば、あらかじめ個片化されている複数の半導体チップ２０を用いてもよい。あらかじめ個片化されている複数の半導体チップ２０を用いる場合、ダイシング工程を省略することができる。また、ウエハー２０１や半導体チップ２０が当初から薄い場合には、バックグラインド工程を省略することができる。
【０１６５】
また、バックグラインド工程とダイシング工程の工程順序は、上述した順序に限定されず、反対であってもよい。すなわち、ウエハー２０１にダイシング処理を施した後、バックグラインド処理を施すようにしてもよい。
【０１６６】
［８］マウント工程
図４（Ｌ１）及び図４（Ｌ２）は、それぞれ切り出された個片２１及び個片２２をボンディング装置１２０のコレット１２１でピックアップする例を示す図である。
【０１６７】
まず、個片２１をボンディング装置１２０のコレット１２１でピックアップし、パッケージ基板３０上に圧着（マウント）する。この際、半導体チップ２０の裏面とパッケージ基板３０との間は、図５（ａ）に示すように接着層１０１を介して接着される。なお、この接着層１０１は、ダイアタッチフィルム１００ｂの個片以外に、例えば本発明の感光性樹脂組成物の硬化物で構成されたものであってもよい。
【０１６８】
続いて、先にマウントした個片２１上に、個片２２を圧着する。これにより、図５（ｂ）に示すように、接着層６０１を介して２枚の半導体チップ２０を積層することができる。その後、この工程を繰り返すことにより、図５（ｃ）に示すように、多数の半導体チップ２０を積層してなるチップ積層体２００が得られる。このとき、半導体チップ２０の位置を相互にずらしながら積層することで、ボンディングワイヤー７０を接続する領域（塗膜６０１ａの開口部６０１ｂに対応する領域）を確保することができる。
【０１６９】
また、半導体チップ２０をマウントする際には、接着層６０１を加熱しながら行うようにする。これにより、接着層６０１に十分な接着力が発現し、半導体チップ２０同士を強固に接着することができる。この場合の加熱温度は、３０〜１５０℃程度であるのが好ましい。また、マウント時の圧着荷重は０．１〜１００Ｎ程度、圧着時間は０．１〜１０秒程度であるのが好ましい。
【０１７０】
その後、各半導体チップ２０の電極部とパッケージ基板３０の配線３４の露出部との間を、図５（ｄ）に示すように、ボンディングワイヤー７０により接続する。
【０１７１】
そして、チップ積層体２００を覆うようにモールド部５０を成形することによって、図１に示す半導体装置１０が得られる。
【０１７２】
モールド部５０の成形には、例えばトランスファー成形機を用い、封止材料を成形型内に注入することにより行うことができる。その場合、成形型の温度を１３０〜２５０℃程度、注入圧力を３〜１０ＭＰａ程度、注入後の保持時間を１０秒〜１０分程度であるのが好ましい。
【０１７３】
離型後、必要に応じて成形体を加熱することにより、モールド部５０及び接着層６０１を最終硬化させることができる。その場合の加熱温度は１３０〜２５０℃程度であるのが好ましく、加熱時間は１０分〜１０時間程度であるのが好ましい。
【０１７４】
以上、本発明について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、感光性樹脂組成物には任意の成分が添加されていてもよい。また、半導体装置には任意の構造体が付加されていてもよい。
【実施例】
【０１７５】
次に、本発明の具体的実施例について説明する。
【０１７６】
（実施例１）
［１］（Ａ）アルカリ可溶性樹脂（環状オレフィン系樹脂Ａ−１）の合成
複数のガラス機器を用意し、これらを６０℃、０．１トル（Ｔｏｒｒ）下で１８時間乾燥した。その後、全てのガラス機器をグローボックス内に備え付けた。
【０１７７】
次に、１つのガラス機器（ガラス機器Ｘ）にトルエン（９９２ｇ）、ジメトキシエタン（１１６ｇ）、１，１−ビストリフルオロメチル−２−（ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン−５−イル）エチルアルコール（以下、ＨＦＡＮＢ）（１４８ｇ、０．５４ｍｏｌ）、エチル  ３−（ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン−２−イル）プロパネート（以下、ＥＰＥｓＮＢ）（２０．７ｇ、０．１０７ｍｏｌ）、５−（（２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ）メチル）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン（以下、ＮＢＴＯＮ）（６１．９ｇ、０．２７４ｍｏｌ）を仕込んだ。その後、これら仕込んだモノマーを４５℃で加熱しながら３０分間窒素を流すことによりパージを行った。
【０１７８】
また、別のガラス機器（ガラス機器Ｙ）で、ＥＰＥｓＮＢ（１４．２ｇ、０．０７３ｍｏｌ）とＮＢＴＯＮ（４６．７ｇ、０．１５９ｍｏｌ）とを混合し、窒素パージした。完全に窒素パージが終わった後、６０．５ｍｌのトルエンに溶解させたビス（トルエン）ビス（パーフルオロフェニル）ニッケル（５．８２ｇ、０．０１２ｍｏｌ）をガラス機器Ｙ内に投入した。同時に、前述したガラス機器Ｘ内で混ぜ合わせたモノマーを重合のために一定のレベルに保つような速度で、３時間かけて、ガラス機器Ｙ内に添加し、反応溶液を得た。
【０１７９】
次に、反応溶液を約１Ｌのメタノール／ＴＨＦ（＝４モル／５モル）溶液に溶解させることにより、未反応モノマーを取り除いた後、６０℃で４時間、水酸化ナトリウム／酢酸ナトリウム（＝４．８モル／１モル）の水酸化ナトリウム溶液によってエステルを加水分解した。その後、メタノール（４０５ｇ）、ＴＨＦ（８７ｇ）、酢酸（６７ｇ）、ギ酸（６７ｇ）、脱イオン水（２１ｇ）を加えて、５０℃、１５分間攪拌した。攪拌を止めると溶液は水層と有機層に分離するため、上の層の水層を取り除き、有機層を６０℃、１５分間、メタノール／脱イオン水（＝３９０ｇ／２３７６ｇ）溶液で３回洗浄した。そして、得られたポリマーを溶媒中に希釈し、溶媒置換した。このようにして、式（７）で示すポリマー（環状オレフィン系樹脂Ａ−１）を得た。
【０１８０】
環状オレフィン系樹脂Ａ−１の収率は９３．１％であった。環状オレフィン系樹脂Ａ−１の重量平均分子量（Ｍｗ）は８５，９００であった。環状オレフィン系樹脂Ａ−１の分
子量分散（ＰＤ）は２．５２であった。
【０１８１】
また、環状オレフィン系樹脂Ａ−１の組成は、１Ｈ−ＮＭＲにおいて、ＨＦＡＮＢが４５．０モル％、２−（ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン−５−イル）プロピオン酸（以下、ＥＰＥＮＢ）が１５．０モル％、ＮＢＴＯＮが４０．０モル％であった。
【０１８２】
【化８】
0006988121.tif 000012
【０１８３】
上記式（８）において、ｌ：ｍ：ｎ＝４５：１５：４０である。
［２］感光性樹脂組成物の作製
前記［１］にて得られた（Ａ）アルカリ可溶性樹脂としての環状オレフィン系樹脂Ａ−１（２５．０質量部）と、（Ｂ）光酸発生剤としての光酸発生剤Ｂ−１（４．０質量部）と、（Ｃ）熱架橋剤としての熱架橋剤Ｃ−１（５．０質量部）と、（Ｄ）アルコキシシラン化合物としてのアルコキシシラン化合物Ｄ−１（０．５質量部）と、溶解助剤としてフェノール化合物Ｅ−１（３．０質量部）と、酸化防止剤Ｆ−１（０．５質量部）と、溶媒（溶剤）としてのプロピレングリコールメチルエーテルアセタート（６０．５質量部）とを混合し、均一な感光性樹脂組成物を得た。
【０１８４】
この実施例１の感光性樹脂組成物で用いた材料を以下に示す。
【０１８５】
〈光酸発生剤Ｂ−１〉
光酸発生剤Ｂ−１として、下記式（９）で表される化合物を用意した。
【０１８６】
【化９】
0006988121.tif 000013
【０１８７】
〈熱架橋剤Ｃ−１〉
熱架橋剤Ｃ−１として、下記式（１０）で表される化合物を用意した。
【０１８８】
【化１０】
0006988121.tif 000014
【０１８９】
〈アルコキシシラン化合物Ｄ−１〉
アルコキシシラン化合物Ｄ−１として、下記式（１１）で表される化合物（３−（２−グリシドキシフェニル）プロピルトリメトキシシラン）を用意した。
【０１９０】
【化１１】
0006988121.tif 000015
【０１９１】
〈フェノール化合物Ｅ−１〉
フェノール化合物Ｅ−１として、下記式（１２）で表される化合物（２，２’−ジヒドロキシジフェニルメタン）を用意した。
【０１９２】
【化１２】
0006988121.tif 000016
【０１９３】
〈酸化防止剤Ｆ−１〉
酸化防止剤Ｆ−１として、下記式（１３）で表される化合物（４，４’−ジ（α，α−ジメチルベンジル）ジフェニルアミン）を用意した。
【０１９４】
【化１３】
0006988121.tif 000017
【０１９５】
（実施例２〜８、比較例１〜５）
感光性樹脂組成物を構成する材料を表１に示すものに変更し、その各材料を表１に示す含有量とした以外は、実施例１と同様にして感光性樹脂組成物を得た。
【０１９６】
なお、各実施例及び比較例の感光性樹脂組成物で用いた材料を以下に示す。
〈フェノール樹脂Ａ−２〉
攪拌装置、温度計、熱交換器を備えた３Ｌの４口フラスコに、ｍ−クレゾールとｐ−クレゾールとを、モル比（ｍ−クレゾール：ｐ−クレゾール）＝４：６の割合で混合したフェノール類１０００部に対し、３７％ホルマリン水溶液４７０部、シュウ酸５部を仕込み、還流下で４時間反応を行なった。この後、内温１７０℃まで常圧下で脱水し、さらに９．３×１０3Ｐａの減圧下で２００℃まで脱水・脱モノマーを行い、重量平均分子量６２
００の下記式（１４）で表されるフェノール樹脂Ａ−２を６６０部得た。
【０１９７】
【化１４】
0006988121.tif 000018
【０１９８】
〈アルコキシシラン化合物Ｄ−２〉
アルコキシシラン化合物Ｄ−２として、下記式（１５）で表される化合物（Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン）を用意した。
【０１９９】
【化１５】
0006988121.tif 000019
【０２００】
〈アルコキシシラン化合物Ｄ−３〉
アルコキシシラン化合物Ｄ−３として、下記式（１６）で表される化合物（３−（４−アミノフェニル）プロピルトリメトキシシラン）を用意した。
【０２０１】
【化１６】
0006988121.tif 000020
【０２０２】
〈アルコキシシラン化合物Ｄ−４〉
アルコキシシラン化合物Ｄ−４として、下記式（１７）で表される化合物（３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピルトリメトキシシラン）を用意した。
【０２０３】
【化１７】
0006988121.tif 000021
【０２０４】
〈アルコキシシラン化合物Ｄ−５〉
アルコキシシラン化合物Ｄ−５として、下記式（１８）で表される化合物（３−（Ｎ−メチル−Ｎ−（４−ピリジル）アミノ）プロピルトリメトキシシラン）を用意した。
【０２０５】
【化１８】
0006988121.tif 000022
【０２０６】
〈アルコキシシラン化合物Ｄ−６〉
アルコキシシラン化合物Ｄ−６として、下記式（１９）で表される化合物（３−（３−フェニルウレイド）プロピルトリエトキシシラン）を用意した。
【０２０７】
【化１９】
0006988121.tif 000023
【０２０８】
〈アルコキシシラン化合物Ｄ’−１〉
アルコキシシラン化合物Ｄ’−１（（Ｄ’）アルカリ可溶性樹脂中のプロトン解離によりブレンステッド酸性を示す官能基（X）と反応性を示す官能基（Ａ）が直接芳香環に結
合していないアルコキシシラン化合物）として、下記式（２０）で表される化合物（３−アミノプロピルトリメトキシシラン）を用意した。
【０２０９】
【化２０】
0006988121.tif 000024
【０２１０】
〈アルコキシシラン化合物Ｄ’−２〉
アルコキシシラン化合物Ｄ’−２（（Ｄ’）アルカリ可溶性樹脂中のプロトン解離によりブレンステッド酸性を示す官能基（X）と反応性を示す官能基（Ａ）が直接芳香環に結
合していないアルコキシシラン化合物）として、下記式（２１）で表される化合物（３−アミノブチルトリメトキシシラン）を用意した。
【０２１１】
【化２１】
0006988121.tif 000025
【０２１２】
〈アルコキシシラン化合物Ｄ’−３〉
アルコキシシラン化合物Ｄ’−３（（Ｄ’）アルカリ可溶性樹脂中のプロトン解離によりブレンステッド酸性を示す官能基（X）と反応性を示す官能基（Ａ）が直接芳香環に結
合していないアルコキシシラン化合物）として、下記式（２２）で表される化合物（３−アミノオクチルトリメトキシシラン）を用意した。
【０２１３】
【化２２】
0006988121.tif 000026
【０２１４】
〈アルコキシシラン化合物Ｄ’−４〉
アルコキシシラン化合物Ｄ’−４（（Ｄ’）アルカリ可溶性樹脂中のプロトン解離によりブレンステッド酸性を示す官能基（X）と反応性を示す官能基（Ａ）が直接芳香環に結
合していないアルコキシシラン化合物）として、下記式（２３）で表される化合物（３−
フェニルトリメトキシシラン）を用意した。
【０２１５】
【化２３】
0006988121.tif 000027
【０２１６】
［３］評価用テストピースの作製
まず、感光性接着剤組成物をシリコン製の半導体チップ上に塗布し、１２０℃、５分間のプリベークを行った。これにより、塗膜を得た。
【０２１７】
次いで、得られた塗膜に対し、１５０℃、４０分間の加熱処理を行った。
【０２１８】
次いで、加熱処理を施した塗膜に対し、エッチング処理及びアッシング処理を順次施した。エッチング処理は、フッ素化合物ガス（ＣＦ４）とアルゴンガス（Ａｒ）と酸素ガス（Ｏ２）の混合ガスを用い、出力は２５００Ｗ、時間は６分、ＣＦ４流量／Ａｒ流量／Ｏ２流量は２００ｓｃｃｍ／２００ｓｃｃｍ／５０ｓｃｃｍで行い、アッシング処理は、Ｏ２とＡｒの混合ガスを用い、出力は６００Ｗ、時間は１２分、Ｏ２流量は２００ｓｃｃｍで行った。
【０２１９】
次いで、塗膜を介して別の半導体チップあるいはガラスチップを重ね、温度１５０℃で加熱しつつ、５秒間、荷重１０Ｎで圧着した。
【０２２０】
このようにして、２つの半導体チップあるいは半導体チップとガラスチップが接着層を介して接着された評価用テストピースを作製した。
［４］感光性接着剤組成物及び評価用テストピースの評価
［４．１］現像時下地密着性の評価
まず、各実施例及び各比較例で使用した感光性接着剤組成物をシリコン製の半導体チップ上に塗布し、１２０℃、５分間のプリベークを行った。これにより、厚さ１０μｍの塗膜を得た。
【０２２１】
次いで、得られた塗膜に対し、幅１００μｍのライン・アンド・スペースパターンのマスクを介して、露光処理を施した。なお、この露光処理は、波長が３６５ｎｍで光強度が５ｍＷ／ｃｍ２である光を、塗膜ごとに時間を変えながら空気中で照射することにより行った。
【０２２２】
次いで、露光処理を施した塗膜に対し、アルカリ現像液（２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液）で、２３℃、４０秒現像した後、純水で２０秒リンスした。現像後の塗膜（接着層）の１００μｍの開口部を光学顕微鏡にて観察し、パターン剥がれの程度を下記評価基準に基づいて行った。
【０２２３】
＜評価基準＞
◎    ：パターン剥がれ無し。
【０２２４】
〇    ：パターン剥がれが３０％未満。
【０２２５】
△    ：パターン剥がれが３０％以上５０％未満。
【０２２６】
×    ：パターン剥がれが５０％以上。
［４．２］パターニング性の評価
まず、各実施例及び各比較例で使用した感光性接着剤組成物をシリコン製の半導体チップ上に塗布し、１２０℃、５分間のプリベークを行った。これにより、厚さ１０μｍの塗膜を得た。
【０２２７】
次いで、得られた塗膜に対し、幅１００μｍのライン・アンド・スペースパターンのマスクを介して、露光処理を施した。なお、この露光処理は、波長が３６５ｎｍで光強度が５ｍＷ／ｃｍ２である光を、塗膜ごとに時間を変えながら空気中で照射することにより行った。
【０２２８】
次いで、露光処理を施した塗膜に対し、アルカリ現像液（２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液）で、２３℃、４０秒現像した後、純水で２０秒リンスした。
現像後の塗膜（接着層）の１００μｍの開口部を光学顕微鏡にて観察し、以下のようにして定義される未露光部の残膜率が９０％以上であって、かつ、露光部の残膜率が０％となるときの最小の露光量（単位：ｍＪ／ｃｍ２）を求め、下記の評価基準に基づき、パターニング性の評価を行なった。
【０２２９】
残膜率＝１００×未露光部の現像後の膜厚／プリベーク後の膜厚
＜評価基準＞
◎    ：最小露光量が３００ｍＪ／ｃｍ２未満。
〇    ：最小露光量が３００ｍＪ／ｃｍ２以上４５０ｍＪ／ｃｍ２未満。
△    ：最小露光量が４５０ｍＪ／ｃｍ２以上６００ｍＪ／ｃｍ２未満。
×    ：最小露光量が６００ｍＪ／ｃｍ２以上。
［４．３］接着性の評価
得られた半導体チップとガラスチップが接着された評価用テストピースについて、光学顕微鏡を用いて、ガラスチップの上面からボイドを観察し、ボイドの占有率を算出し以下の評価基準に基づいて評価した。
【０２３０】
ボイドの占有率＝１００×ボイドの面積／ガラスチップの面積
＜評価基準＞
◎    ：接着性が非常に高い。（ボイドの占有率が０〜２０％）
〇    ：接着性が高い。（ボイドの占有率が２０〜５０％）
△    ：接着性が低い。（ボイドの占有率が５０〜７０％）
×    ：接着性が非常に低い。（ボイドの占有率が７０〜１００％）
［４．４］対吸湿性の評価
得られた２つの半導体チップが接着された評価用テストピースについて、８５℃、８５％ＲＨ、２４時間の条件で高温高湿処理を実施したサンプル、及び高温高湿処理未実施のサンプルをＤａｇｅ４０００（デイジ・ジャパン株式会社製）を用い、半導体チップの横（側面）からシェアツールで半導体チップを水平方向に押し、チップ間の接合面が破断されたときのチップあたりのダイシェア強度を測定した。チップサイズは４ｍｍ×４ｍｍであった。
【０２３１】
そして、測定したダイシェア強度から下記式にて劣化率を算出し、以下の評価基準に基づいて評価した。
【０２３２】
劣化率＝１００×（１-高温高湿処理サンプルのダイシェア強度/高温高湿処理未実施のダイシェア強度）
＜評価基準＞
◎    ：対吸湿性が非常に高い。（劣化率が０〜２０％）
〇    ：対吸湿性が高い。（劣化率が２０〜５０％）
△    ：対吸湿性が低い。（劣化率が５０〜７０％）
×    ：対吸湿性が非常に低い。（劣化率が７０〜１００％）
【０２３３】
【表１】
0006988121.tif 000028
【０２３４】
表１から明らかなように、各実施例の感光性樹脂組成物及び評価用テストピースでは、ウエハーと塗膜との間に十分な密着力があることが認められた。また、各実施例で用いた塗膜は、現像後の露光部の残膜率が０％になる最小露光量も小さく、パターニング性が良好であった。さらに、各実施例の評価用テストピースは、塗膜（接着層）と半導体チップとの接着性も良好であり、対吸湿性も高いことが認められた。
【符号の説明】
【０２３５】
４                マスク
１０              半導体装置
２０              半導体チップ
２１              個片
２２              個片
３０              パッケージ基板
３１              コア基板
３２              絶縁層
３３              ソルダーレジスト層
３４              配線
３５              導通ビア
５０              モールド部
７０              ボンディングワイヤー
８０              ハンダボール
９０              バックグラインドフィルム
１００            ダイシング・ダイアタッチフィルム
１００ａ          ダイシングフィルム
１００ｂ          ダイアタッチフィルム
１０１            接着層
１１０            ダイシングブレード
１２０            ボンディング装置
１２１            コレット
２００            チップ積層体
２０１            ウエハー
６０１            接着層
６０１ａ          塗膜
６０１ｂ          開口部
【図１】
0006988121.tif 000032
【図２】
0006988121.tif 000033
【図３】
0006988121.tif 000034
【図４】
0006988121.tif 000035
【図５】
0006988121.tif 000036