【誤訳訂正書】
【提出日】平成29年3月6日(2017.3.6)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の複数の離間された除去可能な物理的な構造体の周りに、アノード材料の第１のペーストを分注し、前記第１の複数の離間された除去可能な物理的な構造体のそれぞれを前記アノード材料で少なくとも部分的に取り囲み、前記第１のペーストを乾燥させることによって、アノード層を形成するステップと、
第２の複数の離間された除去可能な物理的な構造体の周りに、カソード材料の第２のペーストを分注し、前記第２の複数の離間された除去可能な物理的な構造体のそれぞれを前記カソード材料で少なくとも部分的に取り囲み、前記第２のペーストを乾燥させることによって、カソード層を形成するステップと、
多層スタックを形成するために前記カソード層と前記アノード層との間に電解質層を配置するステップであって、前記多層スタックのアクティブセル部分は、前記アノード層と、前記アノード層と対向関係にある前記カソード層と、それらの間の前記電解質層と、によって形成されている、ステップと、
前記多層スタックをラミネート加工するステップと、
前記第１および第２の複数の除去可能な物理的な構造体を、ラミネート加工された前記多層スタックから引き出し、前記アノード層および前記カソード層のそれぞれを通って形成されている離間されたアクティブ通路を露出させるステップと、
ラミネート加工された前記多層スタックを焼結し、アクティブセルを形成するステップであって、前記アクティブセルは、前記離間されたアクティブ通路を含み、前記離間されたアクティブ通路は、焼結されたアノード材料および焼結されたカソード材料の中に埋め込まれ、それらによって支持されている、ステップと
を含む、モノリシック燃料電池デバイスを作製する方法。
【請求項２】
前記アノード層およびカソード層のうちの１つまたは両方を形成するステップが、少なくとも２つの副層であって、その各々が異なる材料で作られている少なくとも２つの副層からなる多層構造を有する前記アノード層および／または前記カソード層を形成することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記少なくとも２つの副層が、多孔性のアノードまたはカソードペースト材料の第１の副層と、前記第１の副層の上に分注されている、非多孔性のアノードまたはカソードペースト材料の第２の副層とを含み、前記電解質層の前記配置が、前記第１の副層に隣接している、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記第１の副層が、それぞれの前記第１または第２の複数の離間された除去可能な物理的な構造体の周りに分注されており、焼結するステップの後に、前記離間されたアクティブ通路が、焼結された前記多孔性のアノードまたはカソード材料の中に埋め込まれ、それらによって支持されるようになっている、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記第１の副層が、それぞれの前記第１または第２の複数の離間された除去可能な物理的な構造体の周りに分注されており、前記第２の副層が、それぞれの前記第１または第２の複数の離間された除去可能な物理的な構造体の対向する側部の周りに分注されており、焼結するステップの後、前記離間されたアクティブ通路が、一方の側部において、焼結された前記多孔性のアノードまたはカソード材料の中に部分的に埋め込まれ、それらによって支持されており、前記対向する側部において、焼結された前記非多孔性のアノードまたはカソード材料の中に部分的に埋め込まれ、それらによって支持されるようになっている、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記少なくとも２つの副層が、それぞれ異なる気孔率を有する複数の副層を含み、前記多層構造は、前記電解質層から離れる厚さ方向に、気孔率が減少する、請求項２に記載の方法。
【請求項７】
前記アノード層およびカソード層のうちの１つまたは両方を形成するステップが、前記除去可能な物理的な構造体の厚さ方向または前記除去可能な物理的な構造体の長さ方向に変化する組成を有する前記第１または第２のペーストを分注することを含み、前記組成の変化は、気孔率の量、孔のサイズ、化学的な組成、相対的な電気伝導度、相対的なイオン伝導率、前記多層スタックを取り囲む他の材料との結合特性、前記アノード層またはカソード層に含まれるセラミック材料に対するアノードまたはカソード材料の比率、または、それらの組み合わせから選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記変化する組成が、前記電解質層から離れる厚さ方向に減少する段階的な気孔率、あるいは前記長さ方向に延在する、セラミック材料及びアノード材料の交互のセグメント、並びに／またはセラミック材料及びカソード材料の交互のセグメントから選択される、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記アクティブセル部分の上にセラミック支持層を形成するステップと、前記セラミック支持層を通って延在する露出された導電性部分を設けるステップと、前記アノードおよびカソード層を形成する前記ステップ、および、それらの間の前記電解質層を配置する前記ステップを繰り返し、追加的なアクティブセル部分を垂直方向に積み重ねるステップであって、１つのアクティブセル部分の前記アノード層が、前記次の垂直方向に隣接するアクティブセル部分の前記カソード層に隣接しており、前記セラミック支持層が、前記垂直方向に隣接するアクティブセル部分同士の間にあり、前記露出された導電性部分が、前記アクティブセル部分に直列に電気的に接続している、ステップとをさらに含み、露出された導電性部分が、前記セラミック支持層を通る間隔をあけたビアホールを設け、前記ビアホールを導電性材料で充填することによって、または間隔をあけたビアホールが形成された２つのセラミック支持層を設け、前記２つのセラミック支持層のそれぞれの一方の側部を導電性材料でコーティングし、一方のセラミック支持層の前記ビアホールがもう一方のセラミック支持層の前記ビアホールからオフセットされる状態で互いに接触するように、前記コーティングされた側部を設置することによって、形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１および第２の複数の離間された除去可能な物理的な構造体の前記それぞれが、細長い長さを有し、かつ、それぞれの前記アノード層およびカソード層の中で前記第１および第２の複数の離間された除去可能な物理的な構造体の長さ方向に平行に配置されており、かつ、前記長さ方向に対して横断する方向に互いから物理的に離間されており、前記方法は、前記長さ方向における前記アクティブセル部分の端部のそれぞれにおいて、前記アノード材料およびカソード材料に隣接して、前記第１および第２の複数の離間された除去可能な物理的な構造体の周りに、セラミック材料の第３のペーストを分注し、前記第１および第２の複数の離間された除去可能な物理的な構造体のそれぞれを前記セラミック材料で少なくとも部分的に取り囲み、前記第３のペーストを乾燥させ、前記多層スタックにおいて前記長さ方向における前記アクティブセル部分の前後に第１および第２のパッシブ支持部分を形成するステップであって、前記焼結するステップが、第１および第２のパッシブ支持構造体をさらに形成し、前記第１および第２のパッシブ支持構造体は、それぞれ入口部および出口部を含み、前記入口部および出口部のそれぞれは、焼結された前記セラミック材料の中に埋め込まれ、それらによって支持されており、且つ前記アクティブセルの中の前記離間されたアクティブ通路と一体的に遷移する離間されたパッシブ通路に連結されている、ステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１および／または第２の複数の前記除去可能な物理的な構造体が、前記アクティブセル部分の中で前記長さ方向に真っ直ぐであり、かつ、前記第１および／または第２のパッシブ支持部分の少なくとも一部分に関して湾曲し、前記多層スタックの前記第１および／または第２のパッシブ支持部分を前記長さ方向に対して横断する方向に出ていく、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１の複数の前記除去可能な物理的な構造体が、前記アクティブセル部分および前記第１のパッシブ支持部分の中で前記長さ方向に真っ直ぐであり、かつ、前記第２のパッシブ支持部分の少なくとも一部分に関して湾曲し、前記第２のパッシブ支持構造体の中の前記アノード層のための前記出口部を、前記長さ方向に対して横断する方向に形成し、前記第２の複数の前記除去可能な物理的な構造体が、前記アクティブセル部分および前記第２のパッシブ支持部分の中で前記長さ方向に真っ直ぐであり、かつ、前記第１のパッシブ支持部分の少なくとも一部分に関して湾曲し、前記第１のパッシブ支持部分の中の前記カソード層のための前記出口部を、前記長さ方向に対して横断方向に形成する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１のおよび／または第２の複数の除去可能な物理的な構造体が、前記入口部と出口部との間で湾曲している、請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
前記アノード層および前記カソード層が、少なくとも第１および第２の副層を含み、それぞれの前記第１または第２の複数の除去可能な物理的な構造体の第１の部分が、前記第１のパッシブ支持部分および前記第１の副層の中に延在しており、それぞれの前記第１または第２の複数の除去可能な物理的な構造体の第２の部分が、前記第２のパッシブ支持部分および前記第２の副層の中に延在しており、それによって、前記焼結するステップの後に形成された前記アノード層およびカソード層の前記第１の副層のそれぞれの中の前記離間されたアクティブ通路が、前記第１のパッシブ支持構造体の中の前記入口部に連結され、前記アクティブセルを通って延在し、前記焼結するステップの後に形成された前記アノード層およびカソード層の前記第２の副層のそれぞれの前記離間されたアクティブ通路が、前記アクティブセルから前記第２のパッシブ支持構造体の中の前記出口部へ延在する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１５】
前記第１および第２の複数の除去可能な物理的な構造体の前記第２の部分が、前記第２のパッシブ支持部分の中に延在する前記細長い長さの少なくとも一部分に関して湾曲し、前記長さ方向に対して横断する方向に前記出口部を形成している、請求項１４に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
これらの多層燃料デバイス10は、層ごとに、グリーン材料から構築され、次いで、ラミネート加工され、同時焼成され(焼結され)、単一のモノリシックデバイスを形成し、モノリシックデバイスは、1つまたは複数のアクティブセル50を取り囲むセラミック支持構造体29を有し、それぞれのアクティブセル50は、燃料通路および空気通路14、20によって供給される、関連のアノード24、カソード26、および電解質28を有している。アクティブセル50(または、アクティブ層50)は、アノード24が、カソード26に対して対向する関係にあり、アノード24とカソード26との間に電解質28を備えているものであり、アクティブ通路は、アクティブセル50に沿って、または、アクティブセル50の中に走っているものである。図3は、2つのアクティブセル50を示している。対向したアノード24およびカソード26のないデバイス10の領域は、支持構造体29を形成しているデバイス10のアクティブでない部分またはパッシブ部分であり、パッシブガス通路は、デバイス10のこれらのパッシブ部分を通って走るものである。アクティブセル50は、デバイス10の「中に」あり、セラミック支持構造体29によって実質的に取り囲まれ、かつ、支持されている。デバイスは、外部表面およびセラミック構造体29である内部支持構造体を有しており、アクティブセル50が、外部表面の実質的に内向きに含まれ、かつ、内部セラミック支持構造体によって含まれるようになっている。外部表面における電気的な接続のためにデバイスの縁部まで電極のすべてまたは一部分が延在することは、アクティブセル50が依然として内部構造体の中にあり、かつ、「実質的に取り囲まれている」の範囲内にあるので、この構造体の支持に支障をきたすことはないことが理解されるべきである。アクティブセル50の中の電解質28は、セラミック支持構造体29と同時焼成されるために、セラミック支持構造体29とモノリシックになっており、同じ材料または異なる材料で作製することが可能である。例示的な実施形態では、電解質28およびセラミック支持構造体29は、組成が同一または類似しており、それらの間の主要な相違は、電解質28が、対向するアノード24とカソード26との間に存在するセラミック材料の部分(すなわち、3層アクティブセル50の中の中間層)であり、セラミック支持構造体29が、セラミック材料の残りの部分(すなわち、3層アクティブセル50を取り囲むセラミック)になっていることである。空気および燃料は、パッシブ通路を通してデバイス10の中へ供給され、パッシブ通路は、アクティブセル50に供給するアクティブ通路に流体連結されている。したがって、燃料通路14および酸化剤通路20は、本明細書で述べられているように、通路のパッシブ部分とアクティブ部分の両方を含む。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１７】
一実施形態によれば、モノリシック燃料電池デバイスを作製する方法が提供され、方法は、第1の複数の離間された除去可能な物理的な構造体の周りに、アノード材料の第1のペーストを分注し、第1の複数の離間された除去可能な物理的な構造体のそれぞれをアノード材料で少なくとも部分的に取り囲み、第1のペーストを乾燥させることによって、アノード層を形成するステップと、第2の複数の離間された除去可能な物理的な構造体の周りに、カソード材料の第2のペーストを分注し、第2の複数の離間された除去可能な物理的な構造体のそれぞれをカソード材料で少なくとも部分的に取り囲み、第2のペーストを乾燥させることによって、カソード層を形成するステップとを含む。電解質層は、カソード層とアノード層との間に、多層スタックの中に設けられており、多層スタックのアクティブセル部分は、アノード層によって形成され、アノード層は、カソード層に対向する関係にあり、それらの間に電解質層を備えている。多層スタックがラミネート加工され、次いで、第1および第2の複数の除去可能な物理的な構造体が、ラミネート加工された多層スタックから引き出され、アノード層およびカソード層のそれぞれを通って形成されている離間されたアクティブ通路を露出させる。最後に、ラミネート加工された多層スタックが焼結され、アクティブセルを形成し、アクティブセルは、離間されたアクティブ通路を含み、離間されたアクティブ通路は、焼結されたアノード材料および焼結されたカソード材料の中に埋め込まれ、それらによって支持されている。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
別の実施形態によれば、モノリシック燃料電池デバイスを作製する方法が提供され、方法は、第1の複数の除去可能な物理的な構造体の周りに、アノード材料の第1のペーストを分注し、第1の複数の除去可能な物理的な構造体のそれぞれをアノード材料で少なくとも部分的に取り囲み、第1のペーストを乾燥させることによって、アノード層を形成するステップと、第2の複数の除去可能な物理的な構造体の周りに、カソード材料の第2のペーストを分注し、第2の複数の除去可能な物理的な構造体のそれぞれをカソード材料で少なくとも部分的に取り囲み、第2のペーストを乾燥させることによって、カソード層を形成するステップとを含む。第1および第2の複数の除去可能な物理的な構造体のそれぞれは、細長い長さを有し、かつ、それぞれのアノード層およびカソード層の中に長さ方向に平行に配置されており、かつ、長さ方向に対して横断する方向に互いから物理的に離間されている。電解質層が、カソード層とアノード層との間に、多層スタックの中にさらに配置されており、多層スタックのアクティブセル部分は、アノード層によって形成され、アノード層は、カソード層に対向する関係にあり、それらの間に電解質層を備えている。セラミック材料の第3のペーストが、アノード材料およびカソード材料に隣接する第1および第2の複数の除去可能な物理的な構造体の周りに分注され、第1および第2の複数の除去可能な物理的な構造体のそれぞれをセラミック材料で取り囲み、第3のペーストを乾燥させ、アクティブセル部分に隣接して多層スタックの中にパッシブ支持部分を形成する。多層スタックがラミネート加工され、次いで、第1および第2の複数の除去可能な物理的な構造体が、ラミネート加工された多層スタックから引き出され、パッシブ支持部分に形成された離間された通路を露出させるステップであって、離間された通路は、パッシブ支持部分の中に形成され、アクティブセル部分の中のアノード層およびカソード層のそれぞれを通って遷移する。最後に、ラミネート加工された多層スタックが焼結され、アクティブセルを形成し、アクティブセルは、離間された通路を有する隣接するセラミックパッシブ支持構造体を備え、離間された通路は、焼結されたセラミック材料、アノード材料およびカソード材料の中に埋め込まれ、それらによって支持されている。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
本発明によれば、多層燃料電池デバイスの中にパッシブ通路およびアクティブ通路を形成するために、層がグリーン状態で組み立てられるときに、ワイヤなどのような除去可能な物理的な構造体が、デバイスのアノード層およびカソード層の中に設置されている。除去可能な物理的な構造体は、デバイスの一方の端部から、アクティブ領域を通って進行し、かつ、互いに離間されており、その間にアノード材料またはカソード材料を備えている。以前の設計は、デバイスの端部において除去可能な物理的な構造体を使用し、パッシブ通路を形成し、パッシブ通路は、有機の犠牲材料のより大きい領域に連結され、有機の犠牲材料は、デバイスの内側で使用され、アクティブ通路を形成していた。ワイヤは、単に、グリーンセラミック材料のプリフォームされたシート同士の間に設置されており、一方の端部が犠牲材料のシートに接触し、もう一方の端部がデバイスの端部の外側に延在する状態になっていた。ラミネート加工後には(ラミネート加工中には、プリフォームされたシートは、物理的な構造体の形状に一致している)、除去可能な物理的な構造体が引き出され、次いで、デバイスが同時焼成され、犠牲材料が燃え尽き、パッシブ通路を通って、および/または、側部にある他の一時的なベークアウトポートを通って、デバイスの端部を出ていくことを可能にした。アクティブ通路を支持することを助けるためにアクティブ領域の中にセラミックボールを使用する実施形態にかかわらず、図3に示されているような大きい平坦なアクティブ通路は、依然として、せいぜい部分的にしか支持されておらず、かつ、犠牲材料がベークアウトするときに変形する場合がある。上記に説明されているように、変形は、時にはリークにつながることもあり、リークは、セルの性能を劣化させている。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２６】
デバイススタックが形成されると、それがラミネート加工され、次いで、ワイヤ92が除去される。層ごとの寸法は、本発明によって、ラミネート加工中に、より良好に維持される。何故なら、グリーンプリフォーム層は、すでにワイヤ92を含んでおり、電極材料が、ワイヤ形状を取り囲み、ワイヤ形状に一致しており、層が一緒にプレスされるときに、グリーン層はワイヤ92の周りに一致する必要がないようになっているからである。ワイヤ92が引き抜かれた後の、および、多孔性のアノード材料およびカソード材料が焼成された後の、単一のアクティブセル50に関する結果が、図5に断面で示されている。図3に示されているような、アノード24に隣接する大きい平坦な通路14よりもむしろ、図5のデバイスは、アノード24の中に埋め込まれている複数の小さく丸形の燃料通路14を含み、同じことが、カソード26および酸化剤通路20に関しても当てはまる。他の形状を使用することが可能であるので、丸形のワイヤが必要とされるわけではない。ワイヤ92は、スタックを焼く前に除去されるため、バインダーのための出口通路がすでに存在しているので、多孔性の材料からの、および、任意の犠牲層からのバインダー除去が、より急速に進むことになる。図6は、アノード24に関して、デバイス10の動作中のガスが、どのように、微細な燃料通路14を通って流れ、次いで、多孔性のアノード24を通って進行し、電解質領域28に到達するかについて示している。また、単一の電極が、両側で、2つの電解質層28のために働くことも可能である。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
ワイヤ92または他の物理的な構造体に関して、ワイヤ直径、ワイヤ材料、およびワイヤ特性の観点から、変形が可能である。ワイヤは、例えば、0.02インチ、0.01インチ、0.005インチ、または0.002インチであることが可能である。ワイヤは、ステンレス鋼、炭素鋼、ニッケル、チタン、または、任意の他の適当な材料で作製することが可能である。ワイヤは、ばね金属であり、焼鈍され、可撓性であることが可能であり、かつ、様々な強度を有することが可能である。以下にさらに論じられているように、ワイヤは、真っ直ぐであるか、または、湾曲していることが可能である。ワイヤは、所望の通りに、丸形、楕円形、半円形、正方形、長方形、または、任意の他の形状であることが可能である。単一の層の中の複数のワイヤは、すべて同じ形状または寸法である必要はなく、ある層と別の層とで異なっていることが可能である。さらに、ワイヤは、デバイスの長さ方向に進行するにしたがって、寸法および/または形状が変化することが可能である。例えば、ワイヤは、デバイスのパッシブ領域の長さに沿って第1の直径を有し、デバイスのアクティブ領域の第2の直径、例えば、より小さい第2の直径まで、徐々にまたは急に減少することが可能である。別の例では、ワイヤは、デバイスのパッシブ領域の長さに沿って第1の形状を有し、デバイスのアクティブ領域の第2の形状まで、徐々にまたは急に変化することが可能である(第1の丸形形状、および、第2の半円形形状または第2の楕円形形状など)。直径および形状の変化は、ガスフロー特性の目的を実現するように、および/または、ラミネート加工後に除去されるワイヤに対する少ない抵抗を実現するように、設計することが可能である。また、ワイヤ除去を容易にするために、ラミネート加工後にデバイスを、例えば、他の温度も考えられるが、約85℃まで加熱することも有利であり得る。一実施形態では、デバイスの温度は、スティックの有機材料のガラス転移温度(Tg)の上方へ上昇され、材料を劇的に軟化させ、容易なワイヤの除去を可能にする。さらに、ワイヤは、必要に応じて、離型剤でコーティングすることが可能である。しかし、熱の使用は、離型剤の使用を不必要にする。ワイヤは、入力通路、アクティブ通路、および、排出通路の任意の組み合わせを形成するために使用することが可能である。さらに、アノード層24などのような単一の層の中で、ワイヤ92は、単一の層、または複数の間隔をあけた層の中で、並列に配置され得る。また、ワイヤのサイズ、および、したがって、形成される通路のサイズは、複数の間隔をあけた層の中で変化させることも可能であり、例えば、より小さい直径通路の列を図7のアノード層24bの中に形成することが可能であり、かつ、この列を、所望の通りに、アノード層24aの中の通路に対して整合またはオフセットさせることが可能である。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４１】
図15は、概略断面で、直列に積み重ねられた2つのアクティブセル50を示しているが、多くのアクティブセル50を、この方法によって次々に積み重ねることが可能である。アノード層24およびカソード層26は、例えば、図6に示されているように、上記に説明されているように形成されており、かつ、介在する電解質層28を用いて積み重ねられ、アノード24/電解質28/カソード26の3層アクティブセルスタック50を形成している。非導電性のインターコネクタ層50aが、それぞれのアクティブセルスタック50の間に配置されており、それぞれのインターコネクタ層50aは、複数の導電性バイア52を有しており、複数の導電性バイア52は、インターコネクタ層50aを通って延在し、1つのアクティブセル50のカソード26、および、次のアクティブセル50のアノード24と電気的接触をしている。インターコネクタ層50aを作製するために、非導電性のセラミック材料のグリーンシートが穿孔され、ビアホール51を提供することが可能であり、例えば、貴金属を含有する、導電性ペーストが、導電性バイア52との電気的な接続を作製するために、ビアホール51の中へ充填され得る。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４５】
内部の一連の接続を形成するための1つの方法は、図19(ワイヤは示されていない)に示されているように、それぞれの電極セグメントのためのインターコネクタタブ54を含むことである。分解図は、アノード層(層1)、電解質28と導電性バイア52の両方を含む組み合わせ電解質28/インターコネクタ層50a(層2)、および、カソード層(層3)のそれぞれを、積み重ねるために整合した状態で上面図で示しており、次いで、積み重ねられた状態で側面図で示している。ワイヤは示されていないが、層1および3のそれぞれを通って延在することになる。1つのアクティブセル50のアノード24のインターコネクタタブ54は、次の隣接するアクティブセル50のカソード26のインターコネクタタブ54と整合しており、インターコネクタ層50aの導電性ビア52は、両方と整合しており、それによって、隣接するアクティブセル50の間に一連の接続を作製する。代替的なインターコネクタタブ54が、図20Aおよび図20Bに概略的に示されており、上面図と側面図の両方を示している。図20Aでは、タブは切り欠かれており、それは、アノードセグメント24、セラミック支持材料29、およびインターコネクタタブ54の間にインターロックを提供し、それは、リーク防止に貢献することが可能である。図20Bでは、インターコネクタタブ54は、インターコネクタ層50aと境界をなす表面だけにある薄い拡張部であり、それによって、電気的な接続のために使用される材料を最小化する。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４６】
図21Aおよび図21Bを参照すると、それぞれ側面図および上面図で、別の一連の構造体が、交互の電極およびセラミック支持セグメントを使用して示されている。層を積み重ねるときに、一方の層の中のアノードセグメントが、もう一方の層の中のカソードセグメントに対してオフセットされ、それらの間に、組み合わせ電解質28/インターコネクタ層50aが備えられる。1つのアクティブセル50のアノード24の縁部は、小さい重複領域を提供するように、次の隣接するアクティブセル50のカソード26の縁部と整合させられており、次いで、インターコネクタ層50aの導電性バイア52は、その重複領域と整合させられる。そして、この設計は、インターコネクタタブ54の必要性を排除する。インターコネクタ層50aよりもむしろ、その代わりにインターコネクタ層50bを使用することが可能であり、インターコネクタ層50bは、その間に印刷された導体層53を備える2つのシートから形成されている。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４９】
10  多層燃料デバイス
11a  端部
11a1  第1の端部部分
11a2  第1の端部部分
11b  端部
11b1  第2の端部部分
11b2  第2の端部部分
12  燃料入口部
14  燃料通路
15  排出通路
16  燃料出口部
18  酸化剤入口部
20  酸化剤通路
22  酸化剤出口部
24  アノード
24a  アノード層
24b  アノード層
24c  アノード層
26  カソード
28  電解質
29  セラミック支持構造体
50  アクティブセル、アクティブ領域
50a  インターコネクタ層
50b  インターコネクタ層
51  ビアホール
52  導電性バイア
53  導体層
54  インターコネクタタブ
92  ワイヤ