(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性基体上に金属薄膜型磁性層及び保護層が順次形成され、その上に一般式、
【化１】
0003600688.tif 000005
で表される潤滑層が設けられていることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
保護層がプラズマＣＶＤ法により成膜された硬質炭素膜からなる請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
金属薄膜型磁性層の磁性材料がＣｏ（コバルト）である請求項１又は請求項２のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
上記化１で示されるカルボン酸エステルのＲが炭素数１４〜２３の直鎖のアルキル基である請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【請求項５】
上記化１で示されるカルボン酸エステルのＲｆが炭素数８〜２１のパーフルオロアルキル基である請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【請求項６】
上記化１で示されるカルボン酸エステルのｎが２〜４である請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、金属薄膜型磁気記録媒体に関し、さらに詳しくは、低温から高温高湿度の範囲で高い耐久性を有する潤滑層を保護層上に設けた金属薄膜型磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の磁気記録媒体は塗布により磁性層を形成するものが一般的に広く用いられている。これらは一般に、塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂等の有機バインダー中に磁性材料とその他添加材を分散させた磁性塗料を塗布、乾燥することにより作製される。
【０００３】
一方で、Ｃｏ−Ｎｉ合金等の強磁性金属材料を、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等のフィルム状の基体上に、真空薄膜成形技術（真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等）により成膜した、いわゆる金属薄膜型磁気記録媒体の提案もなされている。このような金属薄膜型磁気記録媒体は、従来の塗布型磁気記録媒体に比べ、磁性層の厚さを極めて薄くすることが可能で、また保磁力や角形比等に優れるため短波長での電磁変換特性に優れ、さらに磁性層中に非磁性材料である有機バインダー等がないため磁性材料の充填密度が高く、記録密度を向上させることが可能なため、実用化されるにいたって至っている。
【０００４】
しかしながら、上記金属薄膜型磁気記録媒体は、磁性金属を直接基体上に成膜するために、磁性層表面の平滑性が良好であるために実質的な接触面積が大きいこと及び磁性金属に潤滑性がないことにより、摩擦係数が大きくなる等、耐候性を含む耐久性や走行性等に問題がある。そのために、磁性層表面にカルボン酸やそのエステル等を潤滑層として設けることにより、耐久性や走行性を向上させることが試みられているが、カルボン酸は高温多湿雰囲気ではイオン化するために磁性層を腐食し、カルボン酸エステルも撥水性がないために高温多湿雰囲気で保存すると摩擦が上昇する問題がある。
【０００５】
他方、このような欠点を改良するために特開昭６２−２５６２１８号公報には、「非磁性支持体上に強磁性金属薄膜を形成し、前記強磁性金属薄膜上にカルボン酸パーフルオロアルキルエステルを被着したことを特徴とする磁気記録媒体。」が提案されている。この出願においては、低温から常温における条件下においても潤滑効果を持続できるカルボン酸パーフルオロアルキルエステルを用いた磁気記録媒体に関する提案がなされている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記公報には２５℃及び−５℃という常温から低温にかけての耐久性が改善されるものの、高温多湿雰囲気での耐久性に関する検討はなされておらず、低温から高温多湿雰囲気まで耐久性を維持できるような潤滑層は提案されていない。
【０００７】
そこで本発明は、低温から高温多湿雰囲気での使用や保存においても低い摩擦係数と高い耐久性を維持しさらに高い耐候性をも有することのできるような磁性層上に保護層を有しさらにその上に新規な潤滑層を有する金属薄膜型磁気記録媒体を提供するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、上記目的を達成するために潤滑剤に関して鋭意研究した結果、炭素数の特定された直鎖飽和型のカルボン酸エステルが高温多湿雰囲気においても物理的、化学的に安定であるという見地に基づいて本発明をなすに至った。
【０００９】
具体的には、下記（１）〜（６）の構成により達成される。
【００１０】
（１）非磁性基体上に金属薄膜型磁性層及び保護層が順次形成され、その上に一般式、
【００１１】
【化２】
0003600688.tif 000002
【００１２】
で表される潤滑層が設けられていることを特徴とする磁気記録媒体。
【００１３】
このようにして得られる磁気記録媒体は、上記の構成を有することにより低温から高温多湿雰囲気においても低い摩擦係数と高い耐久性さらに高い耐候性を有する。
【００１４】
（２）保護層がプラズマＣＶＤ法により成膜された硬質炭素膜からなる上記（１）記載の磁気記録媒体。
【００１５】
（３）金属薄膜型磁性層の磁性材料がＣｏ（コバルト）である（１）又は（２）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【００１６】
（４）上記化２で示されるカルボン酸エステルのＲが炭素数１４〜２３の直鎖のアルキル基である（１）ないし（３）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【００１７】
（５）上記化２で示されるカルボン酸エステルのＲｆが炭素数８〜２１のパーフルオロアルキル基である（１）ないし（４）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【００１８】
（６）上記化２で示されるカルボン酸エステルのｎが２〜４である（１）ないし（５）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【００１９】
ここで、金属薄膜型磁性層とは、真空薄膜形成技術でＣｏ、Ｃｏ−Ｎｉ等の強磁性金属材料を被着した層のことである。また、保護層とは、金属薄膜型磁性層の上に設けられる、硬質炭素膜、ＳｉＯ膜、ＳｉＯＸ膜等を指し、磁性層の腐食防止の目的で設けられる。上記、硬質炭素膜は、真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法等により、ＳｉＯ膜は真空蒸着法により、ＳｉＯＸ膜はプラズマＣＶＤ法によりそれぞれ成膜することができる。
【００２０】
硬質炭素膜は前記の方法により成膜できるが、プラズマＣＶＤ法により成膜した保護層をもつ磁気記録媒体は、特に耐磨耗性に優れている。
【００２１】
金属薄膜型磁性層の磁性材料は、前記のような金属又は合金からなるものであるが、Ｃｏを使用したものは、特に電磁変換特性が良く高密度記録媒体に有利である。
【００２２】
（４）ないし（６）の構成のような特定のカルボン酸パーフルオロアルキルエステルは、原料の工業的入手が容易であるため生産性の向上をはかることが可能となる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
本発明に係る磁気記録媒体について、具体的に以下に説明する。
【００２４】
（潤滑層）
本発明に係る磁気記録媒体の潤滑層は、一般式ＲＣＯＯ（ＣＨ２）ｎＲｆでかつＲは炭素数１４以上の直鎖状のアルキル基、Ｒｆは炭素数８以上のパーフルオロアルキル基、ｎは２以上であるカルボン酸エステルからなるものである。
【００２５】
上記一般式ＲＣＯＯ（ＣＨ２）ｎＲｆにおけるアルキル基Ｒの炭素数が１４以上では、優れた耐久性を有するが、とくに炭素数が１４〜２３のものが好ましい。炭素数が２３より大きいものは、効果において差異はないが（飽和するため）工業的に入手しにくくなるので、産業上のメリットがない。これらの中でも媒体の耐久性等の特性が特に向上するため炭素数が１５、１６のものはもっとも好ましい。このアルキル基Ｒの炭素数が１４未満では、常温での摩擦が上昇する不具合がある。これは、アルキル基の炭素数が少ないと潤滑剤の分子内凝集が起こりやすくなるために塗布面（磁性面）全体をカバーしにくく、まだら（海島状のムラ）状態になり、摩擦係数が不均一となり、結果として摩擦が上昇すると考えられる。この対策として凝集により塗布面をカバーできなくなった分をあらかじめ過剰に塗布してもよいが、単位面積当たりの潤滑剤の量が多くなりすぎるためにスティックスリップを起こして摩擦が上昇してしまい好ましくない。
【００２６】
さらに、上記一般式のＲはアルキル基、すなわち直鎖状の飽和炭化水素基である。Ｒが直鎖状であっても不飽和型の炭化水素基、すなわち分子内に二重結合または三重結合を有する炭化水素基の場合では、長期保存すると酸化等が進行するために摩擦が上昇してしまう。また、Ｒが飽和であっても枝分かれしたいわゆる分枝状炭化水素基では、枝分かれによるかさ高さのために配向しにくく、摩擦が上昇して好ましくない。
【００２７】
一方、上記一般式のＲｆ、すなわちパーフルオロアルキル基の炭素数は、８〜２１のものが好ましい。これより炭素数の大きいものは、効果が飽和するので差異はないが原料の工業的入手が困難であるため産業上のメリットがない。また、溶解性等の問題から保護層形成が困難になる可能性もある。これらの中でも炭素数が８〜１４のものは特に好ましい。このようなパーフルオロアルキル基が配向することにより、疎水性の原子として働くフッ素がほぼ均一に配列されることとなり塗布面（磁性面）全体が潤滑剤でカバーされた状態となるため、水分が近づきにくくなって撥水性を得ることができ、結果的に優れた耐候性を備えるものとなる。一方、炭素数が８未満ではパーフルオロアルキル基は十分に配向せず、塗布面のカバーが十分でなく、必要なだけの撥水性が得られない。
【００２８】
また、上記一般式のＲｆはパーフルオロアルキル基、すなわち飽和型のものである。これは上記したように分子内に二重結合、三重結合等の不飽和結合を有する場合では、長期保存すると酸化等が進行するために摩擦が上昇してしまうためである。ここで、上記パーフルオロアルキル基は直鎖状、枝分かれ状のどちらでもよい。
【００２９】
このような上記カルボン酸エステルを得るには、アルキル基が直鎖で飽和型の炭素数Ｒ＋１である高級モノカルボン酸とフッ化アルキル基が飽和の一般式でＲｆ（ＣＨ２）ｎＯＨなる構造のフッ素アルコールを用いて合成すればよい。このとき、ｎは２以上であるアルコールを使用する。すなわち、前記カルボン酸エステルの一般式のｎも２以上となる。ｎ＝０のアルコールはアルコール合成後分解するため存在しないことと、詳しい理由は不明であるがｎ＝１の場合においては保存後の摩擦が劣化する問題がある。また、ｎが４を超えるものは効果が飽和するので差異は生じにくいが、工業的に入手が困難で、産業上のメリットがないため、実質上ｎは２〜４、実際に使用できるものとしては、
ｎ−Ｃ１４Ｈ２９ＣＯＯＣ２Ｈ４Ｃ８Ｆ１７、ｎ−Ｃ１５Ｈ３１ＣＯＯＣ２Ｈ４Ｃ８Ｆ１７、
ｎ−Ｃ１６Ｈ３３ＣＯＯＣ２Ｈ４Ｃ８Ｆ１７、ｎ−Ｃ１７Ｈ３５ＣＯＯＣ２Ｈ４Ｃ８Ｆ１７、
ｎ−Ｃ１８Ｈ３７ＣＯＯＣ２Ｈ４Ｃ８Ｆ１７、ｎ−Ｃ１９Ｈ３９ＣＯＯＣ２Ｈ４Ｃ８Ｆ１７、
ｎ−Ｃ２０Ｈ４１ＣＯＯＣ２Ｈ４Ｃ８Ｆ１７、ｎ−Ｃ２１Ｈ４３ＣＯＯＣ２Ｈ４Ｃ８Ｆ１７、
ｎ−Ｃ２２Ｈ４５ＣＯＯＣ２Ｈ４Ｃ８Ｆ１７、ｎ−Ｃ１５Ｈ３１ＣＯＯＣ２Ｈ４Ｃ１０Ｆ２１、
ｎ−Ｃ１５Ｈ３１ＣＯＯＣ２Ｈ４Ｃ１１Ｆ２３、ｎ−Ｃ１５Ｈ３１ＣＯＯＣ２Ｈ４Ｃ１２Ｆ２５、
ｎ−Ｃ１５Ｈ３１ＣＯＯＣ２Ｈ４Ｃ１３Ｆ２７、ｎ−Ｃ１５Ｈ３１ＣＯＯＣ３Ｈ６Ｃ８Ｆ１７、
ｎ−Ｃ１５Ｈ３１ＣＯＯＣ４Ｈ８Ｃ８Ｆ１７、ｎ−Ｃ１８Ｈ３７ＣＯＯＣ２Ｈ４Ｃ１０Ｆ２１、
ｎ−Ｃ２０Ｈ４１ＣＯＯＣ２Ｈ４Ｃ１０Ｆ２１
等が挙げられる。
【００３０】
またこのようなカルボン酸エステルは、Ｒの数において５０％以上の主成分の炭素数の±２のアルキル基を混合して含んでいてもよく、Ｒｆにおいても５０％以上の主成分の炭素数の±２のパーフルオロアルキル基を混合して含んでいてもよい。これらの混合比は５０／５０〜１００／０の範囲が潤滑性のバランスがとれているため好ましい。
【００３１】
このような潤滑層の形成方法は、上記カルボン酸エステルからなる潤滑剤を例えば、メタノール、エタノール、ブタノール、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、アセトン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、シクロヘキサノン、シクロヘキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、酢酸エチル、酢酸ブチル、ジオキサン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、トルエン、キシレン、リグロイン、石油エーテルなどの溶媒に溶解して得られた溶液を保護層の表面に塗布あるいは噴霧するかして、後に乾燥すればよい。
【００３２】
その磁性層面への塗布量は、潤滑剤量として０．５〜１０ｍｇ／ｍ２であるのが好ましい。特に３〜８ｍｇ／ｍ２が好ましい。上記塗布量とすることにより、走行性、耐久性、耐候性が向上する。
【００３３】
また塗布量０．５ｍｇ／ｍ２を割ると潤滑剤が少ないことよりムラになり摩擦係数の変動と上昇を引き起こすとともに耐候性の低下を招き、１０ｍｇ／ｍ２を越えると潤滑剤が過剰となるためスティックスリップを生じる。という不具合がある。
【００３４】
（非磁性基体）
非磁性基体は蒸着工程に耐えられるものであれば何でもよく、特に限定されなが例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリイミド、アラミド、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリサルフォン等のフィルムが挙げられる。その厚さは、磁気記録媒体が使用される用途により適宜選択されるが、例えば磁気記録媒体がビデオテープとして使用される場合、録画時間やシステム要求値にあわせて選択され、通常は５〜４０μｍである。
【００３５】
また、磁性層の表面粗さ、ひいては媒体の記録面側の表面粗さを制御するために上記基体上に微粒子層を設けてもよい。微粒子層は、ジルコニア、シリカ、アルミナなど無機粒子を樹脂と共に水又は溶剤に分散させ塗布することによって得られる。これら無機粒子の粒子径は、５〜４０ｎｍより選択され、塗布後の密度は１×１０４〜１００×１０４個／ｍｍ２程度とすればよい。
【００３６】
さらに、基体の磁性層が設けられる面とは反対側の面にバックコート層を設けてもよい。
【００３７】
バックコート層は、結合剤樹脂と無機化合物及び／又はカーボンブラックとを有機溶媒に混合分散させたバックコート用塗料を磁性層とは反対側の基体表面に塗布することにより形成される。また、バックコート層の塗料組成はこの種の磁気記録媒体に用いられるものであればいずれのものも使用できる。例えば、結着剤樹脂は塩化ビニル系共重合体、ポリウレタン樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂等であり、単独又は混合して使用しても良く、媒体の特性、工程条件により適宜選択される。カーボンブラックとしてはファーネスカーボンブラック、サーマルカーボンブラック等を挙げることができ、無機化合物としては、例えば炭酸カルシウム、アルミナ、α−酸化鉄等を挙げることができる。これら粒子は媒体に要求される電気抵抗、摩擦特性等から粒子サイズを適宜選択すればよい。有機溶剤は、例えばケトン類、芳香族炭化水素類等であり、使用する結合材樹脂の溶解性を考慮し適宜選択すればよい。
【００３８】
（金属薄膜型磁性層）
金属薄膜型磁性層を形成する磁性金属はＣｏ、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｃｕ、Ｃｏ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｆｅ、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｂ、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｂ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ等が使用される。これらの中でも特にＣｏは保磁力、磁束密度が大きいために、高密度記録に適している。また、磁性金属にＣｏ−Ｎｉ等のＮｉ含有合金を使用した場合、Ｎｉの延性により、スチル寿命が延びるようになる。
【００３９】
上記磁性層の形成方法は、均一な薄膜が形成できれば問題なく、非磁性基体上に一般的な真空薄膜成形技術により形成することが可能であり、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法等を用いることができるが、生産性から真空蒸着法が多用される。
【００４０】
このような磁性層の形成に真空蒸着法を用いる場合、蒸着用チャンバー内を１０−６Ｔｏｒｒ程度まで排気した後、電子銃にて磁性層の原料の溶解を行い、その原料全体が溶解した時点で蒸着を始める。また、磁性層の磁気特性を制御するために、磁性層中に酸素を導入するには酸素、オゾン、亜酸化窒素から選ばれた酸化性ガスを蒸着チャンバー内に導入し蒸着部位にて放出すればよい。このように形成される磁性層の膜厚は、１００〜３００ｎｍ程度である。
【００４１】
上記金属又はこれらの合金は非磁性基体に直接被着するだけでなく、下地層を介して被着してもよい。ここでいう下地層とは、前記したような微粒子層の他に、場合によっては、基体上に直接又は表面に微粒子層を有する基体上に設けた、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｂｉ、Ｓｂ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｃｄ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｔｌ等の金属を主体とする層をさす。この金属を主体とする層を用いることによって磁性層の耐食性、付着性及び電磁変換特性等を向上させることが可能である。
【００４２】
（保護層）
上述した磁性層への水分の進入を防ぎ、磁性層の腐食を防止することならびに潤滑性を付与することを目的に磁性層に保護層が設けられる。このような保護層には硬質炭素膜、ＳｉＯ膜、ＳｉＯＸ膜等が用いられ、このような材料の中でも、特に硬質炭素膜は、硬くヘッドによる磨耗が少ないために、好ましい。ここで、硬質炭素膜とは高次に炭素が結合した合成炭素膜のことをさし、具体的には、屈折率の値が１．９以上を有するのものである。このような屈折率を有するものは、その屈折率から硬度を近似することができ、例えば屈折率が１．９のときのビッカース硬度は６５０ｋｇ／ｍｍ２である。
【００４３】
このような、屈折率１．９以上を有する硬質炭素膜の形成方法は、一般的な真空薄膜成形技術（プラズマＣＶＤ法、スパッタリング法、真空蒸着法等）により可能であるが、特にプラズマＣＶＤ法を用いることにより、膜質や組成のコントロールが容易で保護層をより緻密に成膜することが可能で磁性層が温度や湿度に影響されにくくなるため好ましい。
【００４４】
硬質炭素膜の形成方法について、プラズマＣＶＤ法を用いる場合を例に説明する。原反（磁性金属を蒸着した基体）を搬送させるチャンバー内を１０−５Ｔｏｒｒ以下に排気した後、炭化水素ガスと必要に応じて添加ガスを、反応圧力として、１〜１０−２Ｔｏｒｒになるように所定量を導入する。その導入量はチャンバーの容積とポンプの排気能力に依存するので必要に応じて適宜決定する。
【００４５】
炭化水素ガスとしては、特に制限はないが、取り扱い上常温常圧でガス状のものがよく、例えばメタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、エチレン、プロピレン、アセチレン、メチルアセチレンの少なくとも一種から選択される。シラン系や窒素系のガスは毒性を有していたり、腐食性のガスもありまた重合しても硬質炭素膜とはならないので望ましくない。
【００４６】
必要に応じて用いる添加ガスとしては、水素、ネオン、ヘリウム、アルゴンの少なくとも一種から選択される。その添加比率は炭化水素量に対し、添加ガス／炭化水素ガス（モル比）で１〜０．０１程度とすればよい。上記比率が大きすぎる、すなわち炭化水素ガスに対し添加ガス量が多すぎると成膜速度が低下するおそれがある。
【００４７】
放電電源は、１０ｋＨｚ〜４５０ｋＨｚの周波数が好ましく、更に５０ｋＨｚ〜２００ｋＨｚの周波数が好ましい。１０ｋＨｚより周波数が低いと長時間の運転が困難になる。一方、４５０ｋＨｚより周波数が高いと膜が緻密にならないおそれがある。特に直流に近い周波数では異常放電が発生した場合、イオンエネルギーが大きくなるためにテープに穴が空く等の不具合がある。
【００４８】
また、成膜中に原反を搬送させる場合にはテープがアース電位に接地されている冷却ドラムに沿って走行することが好ましい。放電空間を空中に浮いたままテープが走行した場合には、ベースフィルムの熱による変形を生じると共に付着したイオンがチャージアップして次のイオンが成膜できず、膜質としても柔らかく結果としてテープ特性も向上しない。
【００４９】
このように形成される保護層の膜厚は、４〜１５ｎｍ程度であることが好ましい。膜厚が厚すぎるとスペーシング損失が大きくなり、高密度記録媒体として適さない。一方、薄すぎると信頼性に問題を生じる場合がある。
【００５０】
【実施例】
以下、本発明の具体的実施例を示す。
【００５１】
試料
磁気記録媒体の試料の作成方法を、表２試料Ｎｏ１を例に挙げて説明する。
【００５２】
厚さが６μｍのポリエチレンテレフタレートのフィルムにＳｉＯ２微粒子（平均粒子径１２ｎｍ）を１００×１０４個／ｍｍ２となるように樹脂と共に塗布した基体に、真空蒸着法により、１００ｎｍの膜厚となるように、Ｃｏ（コバルト）の蒸着を行い、これを繰り返して２００ｎｍの膜厚の磁性層を成形した。更にその上にプラズマＣＶＤ法により硬質炭素膜を成膜した。このときの反応ガスは、エチレンとＡｒ（流量比２：１）を用いて１００ｋＨｚの電源にて１０ｎｍの厚さに成膜した。別途後述する方法によって測定したこの硬質炭素膜の屈折率の値は２．１であった。また、成膜した硬質炭素膜の水素／炭素比をＥＲＤＡ（Ｅｌａｓｔｉｃ  Ｒｅｃｏｉｌ  Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ  Ａｎａｌｙｓｉｓ）により測定した結果０．３であった。ついで表１に示す潤滑剤（試料Ｎｏ１の場合はＣ１４Ｈ２９ＣＯＯＣ２Ｈ４Ｃ８Ｆ１７）をＭＩＢＫ、ヘプタンの混合溶媒に溶解し、磁性面上に５ｍｇ／ｍ２となるように塗布乾燥した。さらに基体の裏面にバックコート層を設けた後に、８ｍｍ幅に裁断することにより試料を作製した。
【００５３】
他の試料も同様にして作成した。ここで、試料Ｎｏ１４の磁性層の材料はＣｏ：Ｎｉ＝８：２（重量比）の合金である。また、試料Ｎｏ２２〜２４は硬質炭素膜を設けなかった。
【００５４】
なお、バックコート層の組成は以下の通りとした。
【００５５】
カーボンブラック（粒径  ８０ｎｍ）                ７５重量部
カーボンブラック（粒径  ２０ｎｍ）                ２０重量部
α−Ｆｅ２Ｏ３                                        ３重量部
塩化ビニル−酢酸ビニル−ビニルアルコール重合体    ４０重量部
ポリウレタン樹脂                                  ６０重量部
メチルエチルケトン                              ８００重量部
シクロヘキサノン                                ４８０重量部
トルエン                                        ３２０重量部
ポリイソシアネート（固形分５０％）                ４０重量部
【００５６】
【表１】
0003600688.tif 000003
【００５７】
評価方法
このようにして得た８ｍｍビデオテープサンプルを温湿度の条件を変えた環境にて摩擦係数、スチル、シャトルテストの測定を行い、さらに、保存テスト、電磁変換特性を確認した。また、硬質炭素膜の硬度を測定するために屈折率を測定し、さらにその膜厚も測定した。
【００５８】
（摩擦係数）
摩擦係数の測定は、抱き角９０度のピン摩擦試験器にてオイラーの式により繰り返し摩擦係数を測定することにより評価した。ピンは２ｍｍφで表面性０．２ＳのＳＵＳ３０４を使用した。負荷荷重は１０ｇ、繰り返し回数は１００往復とした。また測定は−５℃、２０℃１０％ＲＨ、２０℃６０％ＲＨ、４０℃９０％ＲＨの４つの環境にて行った。
【００５９】
（スチル特性）
スチル特性は、ソニー社製Ｓ１５００デッキを使用し、８ＭＨｚの信号を記録した後、スチルモードにて出力が初期より−３ｄＢまで低下する時間を測定した。ここで測定は２０℃１０％ＲＨ、２０℃６０％ＲＨ、４０℃９０％ＲＨの３つの環境にて行った。
【００６０】
（シャトルテスト）
ソニー社製Ｓ１５００デッキを使用し、８ＭＨｚの信号を記録し、出力が初期より−３ｄＢまで低下するまでの繰り返しパス回数を測定した。ここで測定はスチル特性と同様の環境にて行った。
【００６１】
（保存テスト）
保存テストは、リール状態で試料を６０℃９０％ＲＨにて７日間保存した後に２０℃６０％ＲＨにて６時間放置後、摩擦係数を測定した。測定は上記摩擦の測定方法と同様に行った。但し、測定環境は２０℃６０％ＲＨである。
【００６２】
また、８ｍｍ幅、長さ１ｍの試料を同様に６０℃９０％ＲＨにて７日間保存し、保存前後の飽和磁化Ｂｍの変化率をＶＳＭ（Ｖｉｂｒａｔｉｎｇ  Ｓａｍｐｌｅ  Ｍａｇｎｅｔｍｅｔｅｒ）により測定し求めた。計算式は以下の通りである。
【００６３】
ΔＢｍ（％）＝（Ｂｍ（保存前）−Ｂｍ（保存後））／Ｂｍ（保存前）×１００
（電磁変換特性）
電磁変換特性（表２では電特と記載）は、ソニー社製Ｓ１５００デッキを使用し、８ＭＨｚの信号を記録再生して測定し評価した。ここで標準テープはＴＤＫ社製Ｈｉ８ビデオテープ（Ｐ６−１２０）を用いた。
【００６４】
（屈折率、膜厚）
Ｓｉウエハ上に表２と同一条件で成膜された硬質炭素膜の屈折率及び膜厚をエリプソメーター（溝尻光学工業所製）により測定した。前記したように、硬質炭素膜の屈折率を測定することによりその硬度を知ることができる。その方法としては、硬質炭素膜について、エリプソメーターにて屈折率を測定し、一方で微小硬度計（ＮＥＣ（株）社製）によりビッカース硬度を測定し、予め検量線を作成しておくことで屈折率から硬度を知ることができる。ここでは屈折率及び膜厚の値を記載した。
【００６５】
評価結果
表２に各試料について各評価項目に対する結果を示す。
【００６６】
【表２】
0003600688.tif 000004
【００６７】
表２より磁性層上に保護層（硬質炭素膜）を有し、さらに一般式ＲＣＯＯ（ＣＨ２）ｎＲｆでかつＲは炭素数１４以上の直鎖のアルキル基、Ｒｆは炭素数８以上のパーフルオロアルキル基、ｎは２以上で表されるカルボン酸エステルを潤滑層に使用したものは高温高湿度の範囲での摩擦係数、スチル、シャトルの各特性、保存特性、電磁変換特性において良好な結果が得られた。また、低温、常温での結果も良好なことから、本発明に係る磁気記録媒体は、低温から高温多湿雰囲気での使用や保存においても高い耐久性や走行性を維持できることがわかる。磁性層にＣｏ−Ｎｉ合金を使用したもの（Ｎｏ．１４）については電磁変換特性が＋３．５ｄＢ未満と他のものより低いが、これは磁性層に依存するものであり、＋５．０ｄＢ以上のＤＶＣ規格を満たすものではないが、Ｈｉ８規格は十分に満たしている。
【００６８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る金属薄膜型磁気記録媒体は、低温から高温高湿度の範囲で高い耐久性と耐候性、特に被コーティング面の耐久摩擦、シャトル特性、保存特性がよく、高密度記録媒体として優れている。