Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月30日(2017.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザ機器（ＵＥ）のワイヤレス通信の方法であって、
干渉セルからの少なくとも１つの干渉送信を受信するよりも前に、前記ＵＥのためのサービス提供セルから構成情報を受信することと、前記構成情報は、少なくとも制限された送信レートを含み、ここにおいて、前記制限された送信レートは、前記干渉セルが現在送信している送信レートよりも低い送信レートである、
前記ＵＥにおいて信号を受信することと、前記受信された信号は、前記サービス提供セルからの送信および少なくとも１つの干渉送信を備え、前記少なくとも１つの干渉送信は、第１の干渉送信を含み、ここにおいて、前記第１の干渉送信は、前記制限された送信レートで送信される、
前記サービス提供セルから受信された前記受信された構成情報に基づいて、前記第１の干渉送信に関連付けられる、前記制限された送信レートを前記ＵＥによって決定することと、
前記決定された制限された送信レートに基づいて前記第１の干渉送信を除去することと、
を備える方法。
【請求項２】
前記構成情報は、
前記第１の干渉送信が受信される１つまたは複数の低減レートリソースの指示と、
前記第１の干渉送信に関連付けられる、前記制限された送信レートと、
を少なくともさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記少なくとも１つの干渉送信に対して測定を実行することと、前記少なくとも１つの干渉送信は、１つまたは複数の干渉セルからのものである、
前記サービス提供セルに前記測定を報告することと、
をさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記１つまたは複数の干渉セルは、前記ＵＥにおいて受信された少なくとも１つの第２の干渉送信よりも実質的に強力な前記受信された信号への干渉を引き起こす、前記第１の干渉送信を送る優性干渉セルを含み、前記測定はさらに、前記受信された信号から前記第１の干渉送信を除去した後に前記ＵＥによって予期される利得を示す、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記第１の干渉送信が受信される１つまたは複数の低減レートリソースを決定することをさらに備え、前記１つまたは複数の低減レートリソースは、前記制限された送信レートで構成され、
前記受信された信号から前記第１の干渉送信を除去することは、前記１つまたは複数の低減レートリソースに対して実行される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第１の干渉送信の前記除去の成功レートを示す統計を前記サービス提供セルに報告することをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
ワイヤレス通信の方法であって、
第１の基地局から第１のユーザ機器（ＵＥ）への１つまたは複数のリソース上での送信のために制限された送信レートを決定することと、前記制限された送信レートは、前記送信の低減された送信レートである、
第２の基地局を介して前記第１の基地局とは異なる前記第２の基地局によってサービス提供される第２のＵＥに前記制限された送信レートをシグナリングすることと、
を備える、方法。
【請求項８】
前記制限された送信レートは、前記第２のＵＥからの測定に基づいて決定される、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記測定は、前記送信が前記第２のＵＥにおいて受信された少なくとも１つの第２の送信よりも実質的に強力な干渉を引き起こすことを示す、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記測定はさらに、前記第２のＵＥにおいて受信された信号からの送前記信の除去の後に前記第２のＵＥによって予期される利得を示す、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記第２のＵＥにおいて受信された前記信号からの前記送信の前記除去の成功レートを示す統計を前記第２のＵＥから受信すること、
をさらに備える、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記制限された送信レートに基づいて前記送信を前記第１のＵＥに送ることをさらに備える、請求項７に記載の方法。
【請求項１３】
前記送信のために低減レートリソースを決定することをさらに備える、請求項７に記載の方法。
【請求項１４】
ワイヤレス通信のためのユーザ機器（ＵＥ）であって、
干渉セルからの少なくとも１つの干渉送信を受信するよりも前に、前記ＵＥのためのサービス提供セルから構成情報を受信するための手段と、前記構成情報は、少なくとも制限された送信レートを含み、ここにおいて、前記制限された送信レートは、前記干渉セルが現在送信している送信レートよりも低い送信レートである、
前記ＵＥにおいて信号を受信するための手段と、前記受信された信号は、前記サービス提供セルからの送信および少なくとも１つの干渉送信を備え、前記少なくとも１つの干渉送信は、第１の干渉送信を含み、ここにおいて、前記第１の干渉送信は、前記制限された送信レートで送信される、
前記第１の干渉送信に関連付けられる、前記制限された送信レートを決定するための手段と、
前記決定された制限された送信レートに基づいて、前記受信された信号から前記第１の干渉送信を除去するための手段と、
を備える、ＵＥ。
【請求項１５】
ワイヤレス通信のための装置であって、
第１の基地局から第１のユーザ機器（ＵＥ）への１つまたは複数のリソース上での送信のために制限された送信レートを決定するための手段と、前記制限された送信レートは、第１の干渉送信の低減された送信レートである、
第２の基地局を介して前記第１の基地局とは異なる前記第２の基地局によってサービス提供される第２のＵＥに前記制限された送信レートをシグナリングするための手段と、
を備える、装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月28日(2017.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信のために使用されるフレーム構造を決定することと、前記決定されたフレーム構造が、通信のために使用され得る複数のフレーム構造のうちの１つである、
前記決定されたフレーム構造を使用して装置と通信することと、
を備え、
前記複数のフレーム構造の各々が異なるフレーム持続時間を有し、前記複数のフレーム構造の各々がダウンリンクサブフレームの異なる構成を有することを特徴とする、ワイヤレス通信のための方法。
【請求項２】
１つまたは複数のネットワーク状態を決定することをさらに備え、
ここにおいて、前記フレーム構造が、前記１つまたは複数のネットワーク状態に少なくとも部分的に基づいて決定される、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記１つまたは複数のネットワーク状態に少なくとも部分的に基づいて前記フレーム構造のサブフレーム構成を構成することをさらに備える、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記１つまたは複数のネットワーク状態が、ネットワークトラフィック状態、干渉状態、またはレーダー検出のうちの少なくとも１つを備える、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記フレーム構造の１つまたは複数のサブフレーム中で前記装置と通信することより前にクリアチャネルアセスメントを実施することをさらに備える、請求項２に記載の方法。
【請求項６】
前記複数のフレーム構造のうちの最も短い長さのフレーム構造に少なくとも部分的に基づいてクリアチャネルアセスメント（ＣＣＡ）周期性を決定することをさらに備える、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
クリアチャネルアセスメント（ＣＣＡ）周期性を決定することをさらに備え、ここにおいて、前記決定されたＣＣＡ周期性が前記装置のＣＣＡ周期性とは異なる、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記フレーム構造の１つまたは複数のサブフレーム中で前記装置と通信することより前に送信パーミッションを決定することをさらに備える、請求項５に記載の方法。
【請求項９】
前記クリアチャネルアセスメントがフレーム境界からのオフセット値に基づいて実施され、異なる送信エンティティに異なる優先度を与えるために異なるオフセット値が割り当てられる、請求項５に記載の方法。
【請求項１０】
前記決定されたフレーム構造の指示を前記装置に通信することをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記指示が、クリアチャネルアセスメントを免除された送信、共通制御信号、または１次コンポーネントキャリアのうちの少なくとも１つを介して通信される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記フレーム構造の１つまたは複数のサブフレーム中で前記装置からフィードバックを受信することまたは前記装置にフィードバックを送信することをさらに備え、ここにおいて、前記１つまたは複数のサブフレームが、
参照サブフレーム構成におけるサブフレームと同じアップリンクまたはダウンリンク方向を有するサブフレームと、
複数の利用可能なサブフレーム構成の各々においてアンカーサブフレームとして指定されるサブフレームと
のうちの少なくとも１つを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記装置が基地局（ＢＳ）を備え、
前記決定が、前記基地局から受信されたシグナリングに基づく、
請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれか１の方法を実施するための手段を備える、ワイヤレス通信のための装置。
【請求項１５】
プロセッサによって実行されたとき、請求項１乃至１３のいずれか１の方法を実施する命令を備える、ワイヤレス通信のためのコンピュータ実行可能コードを記憶したコンピュータ可読媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月25日(2017.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワイヤレス通信システムにおいてアクセスネットワークを識別するための方法であって、
パブリックランドモバイルネットワーク識別子(PLMN-ID)および追加の識別子に基づいてアクセスネットワーク識別のための方式を決定するステップと、
前記アクセスネットワークから、前記PLMN-IDおよび前記追加の識別子を含むブロードキャスト情報を受信するステップであり、前記追加の識別子が、下位識別子の区分を含み、前記区分が、前記追加の識別子に割り振られた可変ビット空間に少なくとも部分的に基づき、前記可変ビット空間が、アクセスネットワークのクラスに少なくとも部分的に基づいて定義される、ステップと、
前記アクセスネットワークが前記追加の識別子を利用するアクセスネットワークの前記クラスに属することを決定するステップと、
アクセスネットワークの前記クラスおよび前記決定された方式に基づいて前記PLMN-IDと前記追加の識別子の組合せを使用して前記アクセスネットワークを識別するステップと
を含む方法。
【請求項２】
前記追加の識別子が、1つまたは複数の既存のフィールドを介して前記ブロードキャスト情報において受信され、前記1つまたは複数の既存のフィールドが、グローバルセルID(GCID)、PLMN-IDリスト、または限定加入者グループ識別子(CSG ID)を含み、前記方式が、下位識別子の前記区分に基づき、前記アクセスネットワークを識別するステップが、前記下位識別子を決定することに基づき、前記追加の識別子が、前記追加の識別子の情報を伝達するために定義された新しいフィールドを介して、前記ブロードキャスト情報において受信される、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記アクセスネットワークに関連付けられたデジタル署名、デジタル証明書、または公開鍵のうちの少なくとも1つを含むセキュリティ情報に基づいて前記アクセスネットワークを認証するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項４】
セキュリティ情報が前記ブロードキャスト情報において受信され、前記セキュリティ情報が前記アクセスネットワークとの接続を確立した後に受信され、ネットワークタイプが、住宅ネットワークタイプ、企業ネットワークタイプ、およびインターネットサービスプロバイダタイプ(ISP)のうちの1つを含む、請求項2に記載の方法。
【請求項５】
前記方式がモバイルエンティティにおいて事前構成される、請求項1に記載の方法。
【請求項６】
前記方式を決定するステップが、ネットワークエンティティから識別子区分方式を受信することに基づく、請求項1に記載の方法。
【請求項７】
アクセスポイントによるワイヤレス通信のための方法であって、
アクセスネットワーク識別のための方式に基づいてパブリックランドモバイルネットワーク識別子(PLMN-ID)および追加の識別子をブロードキャストするステップであり、前記追加の識別子が、アクセスネットワークの分類および前記方式に基づいて前記アクセスネットワークを識別するように構成され、前記追加の識別子が、下位識別子の区分を含み、前記区分が、前記追加の識別子に割り振られた可変ビット空間に少なくとも部分的に基づき、前記可変ビット空間が、前記アクセスネットワークの前記分類に少なくとも部分的に基づいて定義される、ステップ
を含む方法。
【請求項８】
ブロードキャストするステップが、1つまたは複数の既存のフィールドを介して前記追加の識別子をブロードキャストするステップを含む、請求項7に記載の方法。
【請求項９】
前記追加の識別子が、前記追加の識別子の情報を伝達するために定義された新しいフィールドを介してブロードキャストされる、請求項7に記載の方法。
【請求項１０】
前記アクセスネットワークに関連付けられたデジタル署名、デジタル証明書、または公開鍵のうちの少なくとも1つを含む前記アクセスネットワークを認証するためのセキュリティ情報をブロードキャストするステップをさらに含む、請求項7に記載の方法。
【請求項１１】
前記方式が、下位識別子の前記区分に基づき、前記アクセスネットワークを識別するステップが、前記下位識別子を決定することに基づき、下位識別子の前記区分が、ネットワークタイプ、ネットワークID、およびセル識別子に対応する情報を含み、前記アクセスネットワークの前記追加の識別子が、前記方式に基づいて前記追加の識別子に割り振られた前記可変ビット空間に基づいて符号化される、請求項7に記載の方法。
【請求項１２】
ワイヤレス通信のための装置であって、
アクセスネットワーク識別のための方式に基づいてパブリックランドモバイルネットワーク識別子(PLMN-ID)および追加の識別子をブロードキャストするための手段であり、前記追加の識別子が、アクセスネットワークの分類および前記方式に基づいてアクセスネットワークを識別するように構成され、前記追加の識別子が、下位識別子の区分を含み、前記区分が、前記追加の識別子に割り振られた可変ビット空間に少なくとも部分的に基づき、前記可変ビット空間が、前記アクセスネットワークの前記分類に少なくとも部分的に基づいて定義される、手段と、
データを処理するための手段と、
データを記憶するための手段と
を含む装置。
【請求項１３】
ブロードキャストするための前記手段がさらに、アクセスポイントを認証するための署名をブロードキャストするように構成され、前記署名が、前記アクセスポイントの前記分類に関連付けられた割り振られた区分に少なくとも部分的に基づいて、前記アクセスポイントを認証する、請求項12に記載の装置。
【請求項１４】
ワイヤレス通信システムにおいてアクセスネットワークを識別するための装置であって、
パブリックランドモバイルネットワーク識別子(PLMN-ID)および追加の識別子に基づいてアクセスネットワーク識別のための方式を決定するための手段と、
前記アクセスネットワークから、前記PLMN-IDおよび前記追加の識別子を含むブロードキャスト情報を受信するための手段であり、前記追加の識別子が、下位識別子の区分を含み、前記区分が、前記追加の識別子に割り振られた可変ビット空間に少なくとも部分的に基づき、前記可変ビット空間が、アクセスネットワークのクラスに少なくとも部分的に基づいて定義される、手段と、
前記アクセスネットワークが前記追加の識別子を利用するアクセスネットワークの前記クラスに属することを決定するための手段と、
アクセスネットワークの前記クラスおよび前記決定された方式に基づいて前記PLMN-IDと前記追加の識別子の組合せを使用して前記アクセスネットワークを識別するための手段と
を含む方法。
【請求項１５】
請求項１から１１のいずれか一項に記載の方法をデータ処理デバイスに実行させる実行可能な命令を記憶する非一時的コンピュータ可読記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月23日(2017.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＲＦ信号を受信するように構成されたアンテナと、
前記アンテナから前記ＲＦ信号を受信し、整流された入力信号を生成するように構成された整流器と、
前記整流器から前記入力信号を受信するように構成され、前記入力信号を基準信号と比較し、デジタル信号を出力する比較器と、
前記比較器から前記デジタル信号を受信し、前記基準信号の振幅を調整する自動しきい値制御回路であって、サブスレッショルド領域においてだけ動作するトランジスタを有するデジタル回路によって部分的に構成される、自動しきい値制御回路と、
サブスレッショルド領域において動作するトランジスタを有するデジタル回路によって部分的に構成される相関器であって、前記比較器から前記デジタル信号を受信し、ウエイクアップ・コードと前記デジタル信号を相関させ、ウエイクアップ信号を出力するように構成され、前記ウエイクアップ信号は、前記デジタル信号と前記ウエイクアップ・コードとの間の相関関係が相関しきい値を超過するときは高い値を有し、前記デジタル信号と前記ウエイクアップ・コードとの間の相関関係が相関しきい値よりも小さいときは低い値を有する、相関器と
を備える低出力ラジオ。
【請求項２】
前記整流器は、サブスレッショルド領域においてだけ動作するトランジスタを有する回路によって部分的に構成される、請求項１に記載の低出力ラジオ。
【請求項３】
前記整流器は、さらに、ディクソン乗算回路として規定される、請求項１に記載の低出力ラジオ。
【請求項４】
比較器は、サブスレッショルド領域においてだけ動作するトランジスタを有する回路によって部分的に構成される、請求項１に記載の低出力ラジオ。
【請求項５】
前記相関器は、さらに、ビット・スライスからの異なるシフトされたサンプルを各相関器が受信し、前記シフトされたサンプルを前記ウエイクアップ・コードと比較するように、並列に動作する複数の前記相関器として規定される、請求項１に記載の低出力ラジオ。
【請求項６】
基準クロック信号を生成する発振器をさらに備え、前記比較器と前記相関器とは、前記発振器からの前記基準クロック信号を使用する、請求項１に記載の低出力ラジオ。
【請求項７】
前記発振器は、水晶発振素子と発振器回路とを含み、前記発振器回路は、前記水晶発振素子の両端に結合された増幅器を含み、前記増幅器は、フィードバック回路によってバイアスされて、最小の消費電力で前記水晶発振素子の発振を継続する、請求項６に記載の低出力ラジオ。
【請求項８】
前記整流器と、前記比較器と、前記相関器と、前記発振器回路とは、集積回路として実装される、請求項７に記載の低出力ラジオ。
【請求項９】
前記アンテナと前記整流器との間に電気的に結合された低電力増幅器をさらに備える、請求項１に記載の低出力ラジオ。
【請求項１０】
低消費電力モードで動作する間、前記相関器から前記ウエイクアップ信号を受信するように構成されたラジオコンポーネントをさらに備え、前記ラジオコンポーネントは、高い値を有する前記ウエイクアップ信号を受信することに応じて、低消費電力モードから高消費電力モードへと遷移する、請求項１に記載の低出力ラジオ。
【請求項１１】
復調器からデジタル信号を受信し、ウエイクアップ・コードと前記デジタル信号を相関させ、ウエイクアップ信号を出力するように構成された相関器回路であって、前記ウエイクアップ信号は、前記デジタル信号と前記ウエイクアップ・コードとの間の相関関係が相関しきい値を超過するときは高い値を有し、前記デジタル信号と前記ウエイクアップ・コードとの間の相関関係が相関しきい値よりも小さいときは低い値を有する、相関器回路と、
前記復調器から前記デジタル信号を受信し、前記デジタル信号の値に従って前記復調器の感度を調整するように構成された自動しきい値制御回路と、
クロック信号を生成する発振器回路と備え、前記相関器回路と前記自動しきい値制御回路とは、前記発振器回路と前記相関器回路とからの前記クロック信号によってクロックされ、前記自動しきい値制御回路と前記発振器回路とは、サブスレッショルド領域においてだけ動作するトランジスタを含む、低電力ベースバンド・プロセッサ。
【請求項１２】
前記相関器回路は、さらに、前記デジタル信号のビット・スライスからの異なるシフトされたサンプルを各相関器が受信し、前記シフトされたサンプルを前記ウエイクアップ・コードと比較するように、並列に動作する複数の前記相関器として規定される、請求項１１に記載の低電力ベースバンド・プロセッサ。
【請求項１３】
前記自動しきい値制御回路は、高い値を有する前記デジタル信号からの連続したサンプルの数が第１のしきい値を超過するときは前記復調器の感度を低下させ、低い値を有する前記デジタル信号からの連続したサンプルの数が第２のしきい値を超過するときは前記復調器の感度を向上させる、請求項１１に記載の低電力ベースバンド・プロセッサ。
【請求項１４】
前記復調器と、前記相関器回路と、前記自動しきい値制御回路とは、集積回路として実装される、請求項１１に記載の低電力ベースバンド・プロセッサ。
【請求項１５】
前記発振器回路を駆動する水晶発振素子をさらに備え、前記発振器回路は、前記水晶発振素子の両端に結合された増幅器を含み、前記増幅器は、フィードバック回路によってバイアスされて、最小消費電力で前記水晶発振素子の発振を継続する、請求項１１に記載の低電力ベースバンド・プロセッサ。
【手続補正書】
【提出日】平成29年10月5日(2017.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＲＲＨ（Ｒｅｍｏｔｅ  Ｒａｄｉｏ  Ｈｅａｄ）とＢＢＵ（ＢａｓｅＢａｎｄ  Ｕｎｉｔ）とが分離されるクラウドＲＡＮ（Ｃｌｏｕｄ  Ｒａｄｉｏ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｎｅｔｗｏｒｋ：Ｃ−ＲＡＮ）環境でＢＢＵがＲＲＨの電源を制御する方法であって、
スイッチオフ状態を有するＲＲＨの下りリンク信号の測定された強度が閾値以上であること報告する測定報告メッセージ（ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ  ｒｅｐｏｒｔ  ｍｅｓｓａｇｅ）を端末から受信するステップと、
前記ＲＲＨは前記ＲＲＨと関連した前記ＢＵＵにより制御され、
前記ＢＢＵは前記ＲＲＨのためにレイヤ処理を実行し、
前記測定報告メッセージに対する応答として、前記ＲＲＨがサポートする無線アクセス技術（Ｒａｄｉｏ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ：ＲＡＴ）を示すＲＡＴ情報を、前記端末に送信するステップと、
前記ＲＡＴ情報に示された前記ＲＡＴのうち、前記端末が好むＲＡＴに関する情報を含む起床要求メッセージ（ｗａｋｅ−ｕｐ  ｒｅｑｕｅｓｔ  ｍｅｓｓａｇｅ）を、前記端末から受信するステップと、
前記起床要求メッセージに基づいて前記ＲＲＨの電源状態をスイッチオン（ｓｗｉｔｃｈｅｄ  ｏｎ）に設定するステップと、
を含む、電源制御方法。
【請求項２】
前記方法は、前記ＲＡＴ情報を前記端末に送信する前に前記ＲＲＨの電源状態を確認するステップをさらに含み、
前記電源状態は、スイッチオン又はスイッチオフであり、ＲＲＨとＢＢＵとのマッピング関係に関する情報を管理するエンティティ又は前記ＲＲＨから確認される、請求項１に記載の電源制御方法。
【請求項３】
前記方法は、前記起床要求メッセージを受信した後に、前記ＲＲＨにマップされた第１ＢＢＵに関する情報を取得するステップをさらに含み、
前記第１ＢＢＵに関する情報は、ＲＲＨとＢＢＵとのマッピング関係に関する情報を管理するエンティティから取得される、請求項１に記載の電源制御方法。
【請求項４】
前記方法は、前記第１ＢＢＵに関する情報を取得した後に、前記ＲＲＨと前記第１ＢＢＵとのマッピング関係を、前記ＲＲＨと、前記端末が好むＲＡＴをサポートする第２ＢＢＵとのマッピング関係に変更するステップをさらに有する、請求項３に記載の電源制御方法。
【請求項５】
前記変更するステップは、
前記エンティティを前記端末が好むＲＡＴをサポートするＢＢＵに設定することを要求するステップと、
前記エンティティからの前記第２ＢＢＵを指定する応答に基づいて、前記第２ＢＢＵが前記ＲＲＨとの接続を設定することを要求するステップと、
前記第２ＢＢＵから前記ＲＲＨとの接続が設定されたことを示す応答メッセージを受信するステップとを含む、請求項１に記載の電源制御方法。
【請求項６】
ＲＲＨ（Ｒｅｍｏｔｅ  Ｒａｄｉｏ  Ｈｅａｄ）とＢＢＵ（ＢａｓｅＢａｎｄ  Ｕｎｉｔ）とが分離されるクラウドＲＡＮ（Ｃｌｏｕｄ  Ｒａｄｉｏ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｎｅｔｗｏｒｋ：Ｃ−ＲＡＮ）環境でＢＢＵがＲＲＨの電源を制御する方法であって、
端末から受信した第１ＲＲＨに対する測定報告メッセージ（ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ  ｒｅｐｏｒｔ  ｍｅｓｓａｇｅ）に基づいて、スイッチオン状態を有する前記第１ＲＲＨの電源状態をスイッチオフ（ｓｗｉｔｃｈｅｄ  ｏｆｆ）に設定することを決定するステップと、
前記第１ＲＲＨの電源状態をスイッチオフに設定することを知らせるＲＲＨ状態変更要求メッセージ（ＲＲＨ  ｓｔａｔｕｓ  ｃｈａｎｇｅ  ｒｅｑｕｅｓｔ  ｍｅｓｓａｇｅ）を、前記第１ＲＲＨに接続されたＢＢＵに送信するステップと、
前記第１ＲＲＨに接続された全てのＢＢＵから前記ＲＲＨ状態変更要求を承認するＲＲＨ状態変更応答メッセージを受信する場合、前記ＢＢＵにＲＲＨスイッチングを指示するＲＲＨ状態変更命令メッセージ（ＲＲＨ  ｓｔａｔｕｓ  ｃｈａｎｇｅ  ｃｏｍｍａｎｄ  ｍｅｓｓａｇｅ）を送信するステップと、
前記ＢＢＵのＲＲＨスイッチングが全て完了すると、前記第１ＲＲＨとのマッピング関係を第２ＲＲＨとのマッピング関係に変更するＲＲＨスイッチングを行うステップと、
前記第１ＲＲＨの電源状態をスイッチオフに設定するステップと、
を含み、
前記第１ＲＲＨと前記第２ＲＲＨは前記ＢＵＵにより制御され、
前記ＢＢＵは前記第１ＲＲＨ及び前記第２ＲＲＨのレイヤ処理を実行する、電源制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年9月1日(2017.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
【図１】キーがアンロック位置にある状態のキーハウジングの模式図である。
【図２】キーがロック位置にある状態のキーハウジングの模式図である。
【図３】キーのインサートがアンロック位置にある状態の弾性吸収手段の模式図である。
【図４】キーのインサートがロック位置にある状態の弾性吸収手段の模式図である。
【図５】キーに加わる力について説明する模式図である。
【手続補正書】
【提出日】平成29年9月27日(2017.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリ（アリーレンスルフィド）組成物および極性有機化合物を含む反応生成組成物を、Ｃ４〜Ｃ３０α，β−不飽和ケトン、Ｃ４〜Ｃ３０α，β−不飽和エステル、Ｃ４〜Ｃ３０α，β−不飽和アミド、またはそれらの任意の組み合わせと接触させる方法であって、前記極性有機化合物は、約１重量％以上のチオフェノールを含み、接触後、前記極性有機化合物が、約１重量％未満のチオフェノールを含む方法。
【請求項２】
反応生成組成物が、
ｉ）２つのハロゲンを有する少なくとも１種のハロゲン化芳香族化合物、
ｉｉ）硫黄化合物、および
ｉｉｉ）極性有機化合物
を接触させることにより、製造される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ポリ（アリーレンスルフィド）組成物がポリ（フェニレンスルフィド）組成物である、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
ハロゲン化芳香族化合物が、ｐ−ジクロロベンゼンを含み、かつ硫黄化合物が、硫化ナトリウム、硫化水素ナトリウム、またはそれらの任意の組み合わせを含む、請求項２または３に記載の方法。
【請求項５】
極性有機化合物がＮ−メチル−２−ピロリドンを含む、請求項２〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
ポリ（アリーレンスルフィド）組成物が、Ｃ４〜Ｃ３０α，β−不飽和エステルと接触する、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
Ｃ４〜Ｃ３０α，β−不飽和エステルが、２−エチルヘキシルアクリレートを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
Ｃ４〜Ｃ３０α，β−不飽和エステルが、アクリル酸と脂肪族アルコールとのエステルを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
Ｃ４〜Ｃ３０α，β−不飽和エステルが、メタクリル酸と脂肪族アルコールとのエステルを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
反応生成組成物が、チオフェノール１当量当たり少なくとも１化学当量のＣ４〜Ｃ３０α，β−不飽和ケトン、Ｃ４〜Ｃ３０α，β−不飽和エステル、Ｃ４〜Ｃ３０α，β−不飽和アミド、またはそれらの任意の組み合わせと接触する、請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
接触が約２００℃以下の温度で起こる、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
１重量％未満のチオフェノールを含む極性有機化合物が、反応生成組成物から分離される、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
分離された極性有機化合物が、ポリ（アリーレンスルフィド）組成物を製造するプロセスに使用される、請求項１２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月21日(2017.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）次式の置換イソブチレンコポリマー：
【化１】
2016536424.tif 000001
（式中、ａは、少なくとも２０であり、ｂは、少なくとも１であり、ｃは０であってよく、
Ｒ１は、Ｈ又はＣＨ３であり、
Ｒ２は、多価の飽和若しくは不飽和アルキレン又はアリーレンであり、各Ｒ３は、アルキル基又はアリール基であり、ｘは１〜３であり、ｑは１又は２である）及び
ｂ）粘着付与剤
を含む、硬化性イソブチレンコポリマー組成物。
【請求項２】
ペンダントアルコキシシラン基を有する重合されたモノマー単位を０重量％より多く２０重量％未満含む、請求項１に記載の硬化性イソブチレンコポリマー。
【請求項３】
前記組成物の総重量に対して１〜５０重量％の粘着付与剤を含む、請求項１又は２に記載の硬化性イソブチレンコポリマー組成物。
【請求項４】
非官能化ポリ（イソブチレン）ポリマーを更に含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の硬化性イソブチレンコポリマー組成物。
【請求項５】
ａ）３０重量％より多くの、ペンダントアルコキシシラン基を有するイソブチレンコポリマー、
ｂ）１〜５０重量％の粘着付与剤、及び
ｃ）１０〜５０重量％の非官能性イソブチレン（コ）ポリマー、
を含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の硬化性イソブチレンコポリマー組成物。
【請求項６】
架橋された請求項１〜５のいずれか一項に記載の硬化性イソブチレンコポリマー組成物。
【請求項７】
裏材上に請求項６に記載の架橋された硬化性イソブチレンコポリマーのコーティングを含む、接着剤物品。
【請求項８】
前記ペンダントアルコキシシラン基を有するイソブチレンコポリマーが、イソブチレンコポリマーへのメルカプトシラン化合物のフリーラジカル付加によって調製される、請求項１〜６のいずれか一項に記載の硬化性イソブチレンコポリマー組成物。
【請求項９】
前記メルカプトシランが、次式のものである
【化２】
2016536424.tif 000002
（式中、
Ｒ２は、多価の飽和若しくは不飽和アルキレン又はアリーレンであり、各Ｒ３は、アルキル基又はアリール基であり、ｘは１〜３であり、ｑは１又は２である）、請求項８に記載の硬化性組成物。
【請求項１０】
少なくとも１つの主表面を有する第１の基材、
少なくとも１つの主表面を有する第２の基材、及び
前記第１の基材の少なくとも１つの主表面と前記第２の基材の少なくとも１つの主表面との間に配設され、かつこれらと接触している、請求項１に記載の接着剤組成物
を含む、光学的に透明な積層体。
【請求項１１】
導電性トレースを有する光学的に透明な第１の基材と、
前記第１の基材上に配設され、かつ前記トレースと接触している、請求項１に記載の光学的に透明な感圧接着剤と、
を含む、物品。
【請求項１２】
前記接着剤上に配設されている光学的に透明な第２の基材を更に含む、請求項１１に記載の物品。
【手続補正書】
【提出日】平成29年10月5日(2017.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
産業システムの水性流体に、有効な腐食防止量の、１つ以上の水溶性ニオブ酸化合物を添加する工程を含む、産業システム中に含まれる水性流体と接触する表面の腐食を防止する方法。
【請求項２】
前記１つ以上のニオブ酸化合物は、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、亜鉛、アンモニウム、四級アミン、およびそれらの任意の組み合わせからなる群より選択されるカチオンを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記水性流体は約１０℃から約１２０℃の温度および約４．０から約１２．０のｐＨを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記１つ以上のニオブ酸化合物は、ニオブ酸カリウム、ニオブ酸アンモニウム、およびシュウ酸ニオブアンモニウムからなる群より選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記表面は軟鋼、亜鉛メッキ鋼、アルミニウム、アルミニウム合金、銅、銅ニッケル合金、銅亜鉛合金、ガラス、および黄銅からなる群より選択されるメンバーを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記有効な腐食防止量は、約６ｐｐｍから約１０，０００ｐｐｍである、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記有効な腐食防止量は、約２００ｐｐｍから約８００ｐｐｍであり、前記１つ以上のニオブ酸化合物はニオブ酸カリウム、シュウ酸ニオブアンモニウム、およびそれらの任意の組み合わせからなる群より選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記産業システムの前記水性流体に有効量の亜硝酸含有化合物を添加する工程を、さらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記亜硝酸含有化合物は亜硝酸ナトリウムである、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記亜硝酸含有化合物の前記有効量は約５０ｐｐｍから約１０，０００ｐｐｍである、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記表面の腐食速度は少なくとも約９０％低減される、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記１つ以上のニオブ酸化合物は完全に水溶性である、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記産業システムは水再循環システムである、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
産業システムの水性流体に、有効量の、１つ以上のニオブ酸化合物から本質的に構成される腐食防止剤を添加する工程を含む、産業システム中に含まれる水性流体と接触する金属表面の腐食を防止する方法。
【請求項１５】
前記水性流体に、亜硝酸含有化合物から本質的に構成される組成物を添加する工程をさらに含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記有効量は約２００ｐｐｍから約８００ｐｐｍであり、前記１つ以上のニオブ酸化合物は、ニオブ酸カリウム、シュウ酸ニオブアンモニウム、およびそれらの任意の組み合わせからなる群より選択される、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
産業システムの水性流体に、有効量の、１つ以上のニオブ酸化合物および１つ以上の亜硝酸含有化合物から構成される腐食防止剤を添加する工程を含む、産業システム中に含まれる水性流体と接触する金属表面の腐食を防止する方法。
【請求項１８】
前記有効量は約２００ｐｐｍから約８００ｐｐｍであり、前記１つ以上のニオブ酸化合物はニオブ酸カリウム、シュウ酸ニオブアンモニウム、およびそれらの任意の組み合わせからなる群より選択される、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記１つ以上の亜硝酸含有化合物は亜硝酸ナトリウムを含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
前記金属表面の腐食速度は少なくとも約９０％低減される、請求項１７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月3日(2017.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
防食溶液であって、
前記防食溶液の総重量１００重量％に対して１〜１０重量％のテトラアルキルオルソシリケートと、
前記防食溶液の総重量１００重量％に対して０．２〜６．０重量％の金属塩であって、前記金属塩が、アルミニウム塩、ストロンチウム塩、クロム塩、ジルコニウム塩、及びセリウム塩からなる群から選択される１種又は２種以上を含む、金属塩と、
酸と、
前記防食溶液の総重量１００重量％に対して３〜９０重量％の水と、
前記防食溶液の総重量１００重量％に対して４〜９５重量％のアルコールと、
の反応成分の反応生成物を含み、
前記防食溶液がｐＨ値４以下を有する、防食溶液。
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月23日(2017.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）２個のシラン型末端官能基を含むポリエーテル、２個のシラン型末端官能基を含むポリウレタン、ポリ塩化ビニル、ポリアミドまたはこれらの混合物からなる群から選択される少なくとも１種のポリマー；
ｂ）以下を含む可塑剤：
ｉ）少なくとも１種の炭化水素含有留分またはバイオマス変換から生じる留分
ｉｉ）少なくとも１種の脂肪酸モノエステル
ｉｉｉ）１重量％未満のフタラート；
ｃ）増粘剤、充填剤、架橋剤、架橋触媒および粘着性付与樹脂またはこれらの混合物からなる群から選択される少なくとも１種の化合物；
を含む組成物。
【請求項２】
請求項１において、前記可塑剤が少なくとも１種の炭化水素含有留分を含む組成物。
【請求項３】
請求項１または２において、前記炭化水素含有留分が、水素化処理、水素化分解または接触分解された炭化水素含有留分である組成物。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項において、前記炭化水素含有留分が、脱芳香族化および／または脱硫された炭化水素含有留分である組成物。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項において、前記炭化水素含有留分の沸点が、２３０〜４００℃の範囲内である組成物。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項において、前記炭化水素含有留分のＡＳＴＭ  Ｄ４４５規格に準じた４０℃での動粘度が、２〜２２ｍｍ2／ｓである組成物。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項において、前記炭化水素含有留分のＡＳＴＭ  Ｄ９７規格に準じた流動点が、−５０〜＋１０℃の範囲内である組成物。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項において、前記炭化水素含有留分のＵＶ測定での芳香族化合物の含有率が、３００ｐｐｍ未満である組成物。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項において、前記脂肪酸モノエステルがＣ１４−１８脂肪酸メチルエステルである組成物。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか一項において、前記脂肪酸モノエステルと、前記炭化水素含有留分または前記バイオマス変換から生じる留分との質量比が、５：９５〜７５：２５に含まれる組成物。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか一項において、
−２個のシラン型末端官能基を含むポリエーテル、２個のシラン型末端官能基を含むポリウレタンまたはこれらの混合物からなる群から選択される少なくとも１種のポリマー；および
−少なくとも１種の架橋剤；
を含むマスチック組成物である、組成物。
【請求項１２】
請求項１〜１０の一項において、
−ポリ塩化ビニルからなる群から選択される少なくとも１種のポリマー；
−充填剤；
を含むプラスチゾル組成物である、組成物。
【請求項１３】
請求項１〜１０のいずれか一項において、
−ポリアミドからなる少なくとも１種のポリマー；
−エチレン−酢酸ビニルコポリマー；
−粘着性付与樹脂；
を含む接着剤組成物である、組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９９】
可塑剤としてＥＭＡＧ／Ｈｙｄｒｏｓｅａｌ  Ｇ３４０Ｈ組成物を含有するＳＴ−ＰＥマスチックの機械的性質が、可塑剤としてＤＩＤＰを含有するマスチックと同等またははるかに良好であることがわかる。
なお、本発明は、実施の態様として以下の内容を含む。
〔態様１〕
ａ）２個のシラン型末端官能基を含むポリエーテル、２個のシラン型末端官能基を含むポリウレタン、ポリ塩化ビニル、ポリアミドまたはこれらの混合物からなる群から選択される少なくとも１種のポリマー；
ｂ）以下を含む可塑剤：
ｉ）少なくとも１種の炭化水素含有留分またはバイオマス変換から生じる留分
ｉｉ）少なくとも１種の脂肪酸モノエステル
ｉｉｉ）１重量％未満のフタラート；
ｃ）増粘剤、充填剤、架橋剤、架橋触媒および粘着性付与樹脂またはこれらの混合物からなる群から選択される少なくとも１種の化合物；
を含む組成物。
〔態様２〕
態様１において、前記可塑剤が少なくとも１種の炭化水素含有留分を含む組成物。
〔態様３〕
態様１または２において、前記炭化水素含有留分が、水素化処理、水素化分解または接触分解された炭化水素含有留分である組成物。
〔態様４〕
態様１〜３のいずれか一態様において、前記炭化水素含有留分が、脱芳香族化および／または脱硫された炭化水素含有留分である組成物。
〔態様５〕
態様１〜４のいずれか一態様において、前記炭化水素含有留分の沸点が、２３０〜４００℃の範囲内である組成物。
〔態様６〕
態様１〜５のいずれか一態様において、前記炭化水素含有留分のＡＳＴＭ  Ｄ４４５規格に準じた４０℃での動粘度が、２〜２２ｍｍ2／ｓである組成物。
〔態様７〕
態様１〜６のいずれか一態様において、前記炭化水素含有留分のＡＳＴＭ  Ｄ９７規格に準じた流動点が、−５０〜＋１０℃の範囲内である組成物。
〔態様８〕
態様１〜７のいずれか一態様において、前記炭化水素含有留分のＵＶ測定での芳香族化合物の含有率が、３００ｐｐｍ未満（好ましくは２００ｐｐｍ未満、より好ましくは１００ｐｐｍ未満）である組成物。
〔態様９〕
態様１〜８のいずれか一態様において、前記脂肪酸モノエステルがＣ１４−１８脂肪酸メチルエステルである組成物。
〔態様１０〕
態様１〜９のいずれか一態様において、前記脂肪酸モノエステルと、前記炭化水素含有留分または前記バイオマス変換から生じる留分との質量比が、５：９５〜７５：２５（好ましくは１０：９０〜６０：４０、より好ましくは２０：８０〜４５：５５、さらに好ましくは３０：７０〜４０：６０）に含まれる組成物。
〔態様１１〕
態様１〜１０のいずれか一態様において、
−２個のシラン型末端官能基を含むポリエーテル、２個のシラン型末端官能基を含むポリウレタンまたはこれらの混合物からなる群から選択される少なくとも１種のポリマー；および
−少なくとも１種の架橋剤；
を含むマスチック組成物である、組成物。
〔態様１２〕
態様１〜１０の一態様において、
−ポリ塩化ビニルからなる群から選択される少なくとも１種のポリマー；
−充填剤；
を含むプラスチゾル組成物である、組成物。
〔態様１３〕
態様１〜１０のいずれか一態様において、
−ポリアミドからなる少なくとも１種のポリマー；
−エチレン−酢酸ビニルコポリマー；
−粘着性付与樹脂；
を含む接着剤組成物である、組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月26日(2017.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
本質的に１つのリチウム化合物及び炭素並びに典型的な不純物を含有する導電性ターゲット材料であって、含有される炭素が優勢的に、５０％を超える比率で、元素状で出現することを特徴とする導電性ターゲット材料。
【請求項２】
前記本質的に１つのリチウム化合物がリン酸リチウムであることを特徴とする請求項１に記載の導電性ターゲット材料。
【請求項３】
ターゲット材料が、ターゲット材料の一側面からターゲット材料の反対側の面へ浸透する少なくとも１つの炭素クラスターを、含有することを特徴とする請求項１又は２に記載の導電性ターゲット材料。
【請求項４】
ターゲット材料が、炭素が本質的に１つのリチウム化合物に富む領域の周りにネットワーク形状で存在する２相ミクロ構造を、有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の導電性ターゲット材料。
【請求項５】
ターゲット材料が、ターゲット材料の切断面において測定して、３％〜２０％の間の炭素面積比率を有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の導電性ターゲット材料。
【請求項６】
ターゲット材料が、３〜２０原子％の間の炭素を含有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の導電性ターゲット材料。
【請求項７】
ターゲット材料の電気伝導度が０．０１Ｓ／ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の導電性ターゲット材料。
【請求項８】
ターゲット材料の熱伝導度が２．５ｍｍ２／秒以上であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の導電性ターゲット材料。
【請求項９】
ターゲット材料が１０〜２０ｐｐｍ／Ｋの熱膨張係数を有することを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の導電性ターゲット材料。
【請求項１０】
薄膜バッテリーのためのリチウムイオン電解質層の蒸着のための、請求項１〜９のいずれか１項に記載の導電性ターゲット材料の使用。
【請求項１１】
本質的に１つのリチウム化合物及び炭素並びに典型的な不純物を含有する導電性ターゲット材料の製造方法であって、以下の工程を有することを特徴とする製造方法。
−  本質的に１つのリチウム化合物及び炭素を含有する粉末混合物を製造する工程、
−  この粉末混合物を型に導入する工程、及び
−  圧力又は温度によりこの粉末混合物を圧縮する工程。
【請求項１２】
前記本質的に１つのリチウム化合物がリン酸リチウムであることを特徴とする請求項１１に記載の導電性ターゲット材料の製造方法。
【請求項１３】
前記圧縮工程がホットプレス（ＨＰ）又はスパークプラズマ焼結（ＳＰＳ）によって実施されることを特徴とする請求項１１又は１２に記載の導電性ターゲット材料の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月1日(2016.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空チャンバ内のスパッタ堆積用のスパッタ堆積源であって、
前記真空チャンバの壁部と、
前記スパッタ堆積中に堆積されるべき材料を供給するターゲットと、
ＲＦ電力を前記ターゲットに供給するためのＲＦ電源と、
前記ターゲットを前記ＲＦ電源に接続するための電力コネクタと、
前記真空チャンバの内側から前記真空チャンバの外側に前記壁部を通って延びる導体ロッドであって、前記真空チャンバの内側の一つ以上の部品に接続され、前記真空チャンバの外側の前記ＲＦ電源に接続され、前記導体ロッドを通る定められたＲＦリターンパスを生成する、導体ロッドと
を含む、スパッタ堆積源。
【請求項２】
前記導体ロッドは、リターンパスＲＦ集電金属シートに接続される、請求項１に記載のスパッタ堆積源。
【請求項３】
前記導体ロッドは、前記壁部を通って突き出るように構成された追加的な部分の幅より広い幅のヘッド部を有する、請求項１または２に記載のスパッタ堆積源。
【請求項４】
前記導体ロッドは、前記壁部への接続のために真空密閉が提供されるようなＯリング用に構成された少なくとも一つの溝を含む、請求項１から３のいずれか一項に記載のスパッタ堆積源。
【請求項５】
前記導体ロッドは、前記ヘッド部に設けられた少なくとも一つの溝を含む、請求項４に記載のスパッタ堆積源。
【請求項６】
前記ＲＦ電源は、前記電力コネクタ及び前記導体ロッドに整合器を経由して接続される、請求項１から５のいずれか一項に記載のスパッタ堆積源。
【請求項７】
前記電力コネクタは、接合ブリッジ及び前記接合ブリッジに接続またはねじ留めされたホットパス金属シートを更に含む、請求項１から６のいずれか一項に記載のスパッタ堆積源。
【請求項８】
前記リターンパスＲＦ集電金属シートは、電源金属シートに接続またはねじ留めされる、請求項２から７のいずれか一項に記載のスパッタ堆積源。
【請求項９】
前記導体ロッドは、前記壁部の内側表面を越えて、少なくとも０．８ｍｍだけ突き出て、前記壁部の前記内側表面と前記一つ以上の部品の間に間隙が形成される、請求項１から８のいずれか一項に記載のスパッタ堆積源。
【請求項１０】
前記一つ以上の部品は、少なくとも一つの遮蔽箱を含む、請求項１から９のいずれか一項に記載のスパッタ堆積源。
【請求項１１】
前記導体ロッドは、前記真空チャンバの外側及び／又は前記真空チャンバの内側に少なくとも一つのねじ山を有する、請求項１から１０のいずれか一項に記載のスパッタ堆積源。
【請求項１２】
真空チャンバ内のスパッタ堆積用の装置であって、
請求項１から１１のいずれか一項に記載の、前記真空チャンバ内のスパッタ堆積用のスパッタ堆積源と、
前記真空チャンバと
を含む、装置。
【請求項１３】
前記壁部は、前記真空チャンバに接続された前記源のドアである、請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
真空チャンバ内のスパッタ堆積用の装置を組立てる方法であって、
前記装置の壁部を通って導体ロッドを挿入することと、
前記真空チャンバの内側の少なくとも一つの部品を前記導体ロッドに接続することと、
前記導体ロッドをＲＦ電源に接続して、前記導体ロッドを通る定められたＲＦリターンパスを生成することと
を含む、方法。
【請求項１５】
ターゲットに接続されている接合ブリッジにホットパス金属シートをねじ留めすることを更に含み、
前記導体ロッドをＲＦ電源の前記リターンパスに接続することは、
電源金属シートをリターンパスＲＦ集電金属シートにねじ留めすることを含む、請求項１４に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
［０００５］  上記を踏まえて、真空チャンバ内のスパッタ堆積用のスパッタ堆積源、真空チャンバ内のスパッタ堆積用の装置、及び真空チャンバ内のスパッタ堆積用の装置を組立てる方法が、提供される。本発明の更なる態様、利点及び特徴が、従属請求項、明細書、及び添付の図面から明らかとなる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
［００３０］  本書に記載された他の実施形態と結合できる、幾つかの実施形態によれば、ＲＦ電流に適当な導電パスを提供するために、一つ以上のリターンパスＲＦ集電金属シート１１２が、隣接する部品にねじ留めされることができる。図３Ａと図３Ｂに例示的に示されるように、リターンパスＲＦ集電金属シート１１２は、ねじ３５２で導体ロッド１１０に接続される。導体ロッド１１０は、真空チャンバの壁部１０２を通って真空チャンバの内側（図３Ａ及び図３Ｂでは下側）から真空チャンバの外側（図３Ａ及び図３Ｂでは上側）に延びる。それに応じて、本書に記載された実施形態の代表的な修正は、一つ以上のねじ山３１１が設けられている導体ロッド１１０を含む。それにより、金属シート又は他の部品が、ＲＦ電流に適当なリターンパスを提供するために、導体ロッドにねじ留めされることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
［００３８］  本書に記載された他の実施形態とも結合できる、更に別の実施態様によれば、２つ以上の導体ロッドを設けることができる。それにより、例えば、一つの導体ロッドの長さを減らすことができる。例えば、導体ロッドの各々が、正方形又は円形であってもよいであろうし、複数の導体ロッド１１０が設けられる。更に、図２に示されるような、リターンパスＲＦ集電金属シート１１２の長さに沿って延びる導体ロッド１１０に加えて、短い導体ロッド、すなわち、一つの寸法においてターゲットの長さの少なくとも５０％に沿って延びる導体ロッド、が設けられてもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
［００４４］  図５は、スパッタ堆積源の更に別の例を示す。図５に示されたスパッタ堆積源は、回転可能なターゲット６２０を含む。回転可能なターゲット６２０は、支持体６０２によって支持される。一般に、支持体６０２は、回転可能なターゲット６２０を回転させるための手段を含むこともできる。例えば、回転させるための手段は、アクチュエータ、駆動ベルト、ドライブトレーン、又はターゲットを回転させるように構成されたモータを含むことができる。支持体６０２は、通常、整合器２３０から回転可能なターゲット６２０に電力を供給するためのコネクタも含む。図５に示された実施形態において、導体ロッド１１０、リターンパスＲＦ集電金属シート１１２並びに金属シート６１２及び電源金属シート２１２が、支持体６０２の外側に示されている。それにもかかわらず、壁部１０２を通って延びる導体ロッドによってとりわけ提供されるＲＦ電流のリターンパスは、支持体６０２のハウジングの中に統合することもできる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】スパッタ堆積源、スパッタ堆積用の装置及びその組立て方法