【手続補正書】
【提出日】平成28年10月12日(2016.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
芳香族ポリアミドと、前記芳香族ポリアミドを溶解する溶剤と、を含有する樹脂組成物であって、
前記芳香族ポリアミドは、芳香族ジアミン由来の構造として４，４’−ジアミノ−２，２’−ビストリフルオロメチルベンジジン（ＰＦＭＢ）由来の構造と、芳香族ジカルボン酸ジクロライド由来の構造としてテレフタロイルジクロライド（ＴＰＣ）由来の構造およびイソフタロイルジクロライド（ＩＰＣ）由来の構造と、を含有するとともに、エポキシ基と反応可能な１つ以上の官能基とカルボキシル基とを含有し、
前記芳香族ジカルボン酸ジクロライド由来の構造において、前記イソフタロイルジクロライド（ＩＰＣ）由来の構造の含有率が３０ｍｏｌ％以上であり、
当該樹脂組成物は、多官能エポキシドを含み、
前記多官能エポキシドの含有率は、前記芳香族ポリアミドの７〜１０重量％であり、
当該樹脂組成物は、このものを用いて層を形成し、該層の２つの直交する面内方向の屈折率をそれぞれＮｘ、Ｎｙとし、前記層の厚さ方向の屈折率をＮｚとしたとき、｛（Ｎｘ＋Ｎｙ）／２−Ｎｚ｝＞０．０１なる関係を満足するものであることを特徴とする樹脂組成物。
【請求項２】
前記芳香族ポリアミドは、６０ｍｏｌ％以上の量で、前記芳香族ジアミン由来の構造と前記芳香族ジカルボン酸ジクロライド由来の構造とを含有し、かつ、エポキシ基と反応可能な１つ以上の官能基とカルボキシル基とを含有する剛直構造を含む請求項１に記載の樹脂組成物。
【請求項３】
前記剛直構造は、下記一般式で表される繰り返し単位である請求項２に記載の樹脂組成物。
2016536393.tif 000001
（ただし、ｎは、１〜４の整数を示し、
Ａｒ１は、下記一般式（Ａ）または（Ｂ）で表され、
2016536393.tif 000002
2016536393.tif 000003
［ｐ＝４、Ｒ１、Ｒ４、Ｒ５は、水素、ハロゲン、アルキル、置換アルキル、ニトロ、シアノ、チオアルキル、アルコキシ、置換アルコキシ、アリール、置換アリール、アルキルエステル、および置換アルキルエステル、並びにそれらの組み合せからなる群から選択され、Ｇ１は、共有結合、ＣＨ２基、Ｃ（ＣＨ３）２基、Ｃ（ＣＦ３）２基、Ｃ（ＣＸ３）２基（但しＸはハロゲン）、ＣＯ基、Ｏ原子、Ｓ原子、ＳＯ２基、Ｓｉ（ＣＨ３）２基、９，９−フルオレン基、置換９，９−フルオレン基、およびＯＺＯ基からなる群から選択され、Ｚは、アリール基または置換アリール基である。］、
Ａｒ２は、下記一般式（Ｃ）または（Ｄ）で表され、
2016536393.tif 000004
2016536393.tif 000005
［ｐ＝４、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８は、水素、ハロゲン、アルキル、置換アルキル、ニトロ、シアノ、チオアルキル、アルコキシ、置換アルコキシ、アリール、置換アリール、アルキルエステル、および置換アルキルエステル、並びにそれらの組み合せからなる群から選択され、Ｇ２は、共有結合、ＣＨ２基、Ｃ（ＣＨ３）２基、Ｃ（ＣＦ３）２基、Ｃ（ＣＸ３）２基（但しＸはハロゲン）、ＣＯ基、Ｏ原子、Ｓ原子、ＳＯ２基、Ｓｉ（ＣＨ３）２基、９，９−フルオレン基、置換９，９−フルオレン基、およびＯＺＯ基からなる群から選択され、Ｚは、アリール基または置換アリール基である。］、
Ａｒ３は、下記一般式（Ｅ）または（Ｆ）で表される。
2016536393.tif 000006
2016536393.tif 000007
［ｔ＝１〜３、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１は、水素、ハロゲン、アルキル、置換アルキル、ニトロ、シアノ、チオアルキル、アルコキシ、置換アルコキシ、アリール、置換アリール、アルキルエステル、および置換アルキルエステル、並びにそれらの組み合せからなる群から選択され、Ｇ３は、共有結合、ＣＨ２基、Ｃ（ＣＨ３）２基、Ｃ（ＣＦ３）２基、Ｃ（ＣＸ３）２基（但しＸはハロゲン）、ＣＯ基、Ｏ原子、Ｓ原子、ＳＯ２基、Ｓｉ（ＣＨ３）２基、９，９−フルオレン基、置換９，９−フルオレン基、およびＯＺＯ基からなる群から選択され、Ｚは、アリール基または置換アリール基である。］）
【請求項４】
前記剛直構造は、さらに、４，４’−ジアミノジフェン酸（ＤＡＰＤ）由来の構造および３，５−ジアミノベンゾイン酸（ＤＡＢ）由来の構造のうちの少なくとも１種を含む請求項２または３に記載の樹脂組成物。
【請求項５】
前記芳香族ポリアミドは、全芳香族ポリアミドである請求項１ないし４のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
【請求項６】
前記芳香族ポリアミドの少なくとも一方の末端は、前記エポキシ基と反応可能な前記官能基である請求項１ないし５のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
【請求項７】
前記多官能エポキシドは、２つ以上のグリシジルエポキシ基を含むエポキシドまたは２つ以上の脂環式基を含むエポキシドである請求項１ないし６のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
【請求項８】
前記多官能エポキシドは、下記一般構造（α）および（β）を含む群から選択される請求項１ないし７のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
2016536393.tif 000008
（ただし、ｌは、グリシジル基の数を表し、Ｒは、
2016536393.tif 000009
2016536393.tif 000010
2016536393.tif 000011
2016536393.tif 000012
2016536393.tif 000013
2016536393.tif 000014
2016536393.tif 000015
2016536393.tif 000016
2016536393.tif 000017
を含む群から選択される［ｍ＝１〜４、ｎおよびｓは、それぞれ独立した単位の平均数であって、０〜３０であり、Ｒ１２は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、水素、ハロゲン、アルキル、置換アルキル、ニトロ、シアノ、チオアルキル、アルコキシ、置換アルコキシ、アリール、置換アリール、アルキルエステル、および置換アルキルエステル、並びにそれらの組み合せからなる群から選択され、Ｇ４は、共有結合、ＣＨ２基、Ｃ（ＣＨ３）２基、Ｃ（ＣＦ３）２基、Ｃ（ＣＸ３）２基（但しＸはハロゲン）、ＣＯ基、Ｏ原子、Ｓ原子、ＳＯ２基、Ｓｉ（ＣＨ３）２基、９，９−フルオレン基、置換９，９−フルオレン基、およびＯＺＯ基からなる群から選択され、Ｚは、アリール基または置換アリール基であり、Ｒ１３は、水素またはメチル基であり、Ｒ１４は、二価有機基である。］。）
2016536393.tif 000018
（ただし、環状構造（cyclic structure）は、
2016536393.tif 000019
2016536393.tif 000020
2016536393.tif 000021
2016536393.tif 000022
2016536393.tif 000023
2016536393.tif 000024
2016536393.tif 000025
2016536393.tif 000026
2016536393.tif 000027
2016536393.tif 000028
2016536393.tif 000029
2016536393.tif 000030
を含む群から選択される［Ｒ１５は、炭素数２〜１８を有するアルキル鎖であり、該アルキル鎖は、直鎖、分枝鎖または環状骨格を有する鎖であり、ｍおよびｎは、それぞれ独立した１〜３０の整数であり、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆは、それぞれ独立した０〜３０の整数である。］。）
【請求項９】
前記多官能エポキシドは、下記一般構造を含む群から選択される請求項１ないし８のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
2016536393.tif 000031
2016536393.tif 000032
（ただし、Ｒ１６は、炭素数２〜１８を有するアルキル鎖であり、該アルキル鎖は、直鎖、分枝鎖または環状骨格を有する鎖であり、ｔおよびｕは、それぞれ独立した１〜３０の整数である）
【請求項１０】
前記芳香族ポリアミドの少なくとも一方の末端は、封止されている請求項１ないし９のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
【請求項１１】
前記層は、ナトリウム線（Ｄ線）における全光線透過率が８０％以上である請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
【請求項１２】
当該樹脂組成物は、さらに、無機フィラーを含有する請求項１ないし１１のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
【請求項１３】
請求項１ないし１２のいずれか１項に記載の樹脂組成物の硬化物を含むことを特徴とする樹脂フィルム。
【請求項１４】
電子素子を形成するために用いられる基板であって、
第１の面と、該第１の面に対向する第２の面とを備える平板状の基材と、
前記基材の前記第１の面側に設けられ、請求項１ないし１２のいずれか１項に記載の樹脂組成物の硬化物を含有し、その上に前記電子素子が形成されるための電子素子形成層と、
を備え、
前記電子素子形成層の２つの直交する面内方向の屈折率をそれぞれＮｘ、Ｎｙとし、前記電子素子形成層の厚さ方向の屈折率をＮｚとしたとき、｛（Ｎｘ＋Ｎｙ）／２−Ｎｚ｝＞０．０１なる関係を満足することを特徴とする電子素子製造用基板。
【請求項１５】
前記電子素子形成層の熱膨張係数（ＣＴＥ）は、１００ｐｐｍ／Ｋ以下である請求項１４に記載の電子素子製造用基板。
【請求項１６】
前記電子素子形成層の平均厚さは、１〜５０μｍである請求項１４または１５に記載の電子素子製造用基板。
【請求項１７】
前記電子素子は、有機ＥＬ素子である請求項１４ないし１６のいずれか１項に記載の電子素子製造用基板。
【請求項１８】
第１の面と、該第１の面に対向する第２の面とを備える平板状の基材と、前記基材の前記第１の面側に設けられ、請求項１ないし１２のいずれか１項に記載の樹脂組成物の硬化物を含有する電子素子形成層と、を備える基板であって、前記電子素子形成層の２つの直交する面内方向の屈折率をそれぞれＮｘ、Ｎｙとし、前記電子素子形成層の厚さ方向の屈折率をＮｚとしたとき、｛（Ｎｘ＋Ｎｙ）／２−Ｎｚ｝＞０．０１なる関係を満足する基板を用意する工程と、
前記電子素子形成層の前記基材と反対側の面に、電子素子を形成する工程と、
前記電子素子を覆うように被覆層を形成する工程と、
前記基材と前記電子素子形成層との界面において前記基材から前記電子素子形成層を剥離させるために、光を前記電子素子形成層に照射する工程と、
前記電子素子、前記被覆層および前記電子素子形成層を含む電子装置を、前記基材から分離する工程と、
を有することを特徴とする電子装置を製造する方法。
【請求項１９】
前記電子素子形成層の熱膨張係数（ＣＴＥ）は、１００ｐｐｍ／Ｋ以下である請求項１８に記載の電子装置を製造する方法。
【請求項２０】
前記電子素子形成層の平均厚さは、１〜５０μｍである請求項１８または１９に記載の電子装置を製造する方法。
【請求項２１】
請求項１８ないし２０のいずれか１項に記載の電子装置を製造する方法を用いて製造されたことを特徴とする電子装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】樹脂組成物、樹脂フィルム、電子素子製造用基板、電子装置を製造する方法および電子装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、樹脂組成物、樹脂フィルム、電子素子製造用基板、電子装置を製造する方法および電子装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の目的は、光の取り出し効率に優れた電子装置を製造することができる樹脂組成物、樹脂フィルムおよび電子素子製造用基板を提供することにある。また、本発明のさらなる目的は、かかる電子素子製造用基板を用いた電子装置の製造方法および電子装置を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
このような目的は、下記（１）〜（２１）に記載の本発明により達成される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
（１）芳香族ポリアミドと、前記芳香族ポリアミドを溶解する溶剤と、を含有する樹脂組成物であって、
前記芳香族ポリアミドは、芳香族ジアミン由来の構造として４，４’−ジアミノ−２，２’−ビストリフルオロメチルベンジジン（ＰＦＭＢ）由来の構造と、芳香族ジカルボン酸ジクロライド由来の構造としてテレフタロイルジクロライド（ＴＰＣ）由来の構造およびイソフタロイルジクロライド（ＩＰＣ）由来の構造と、を含有するとともに、エポキシ基と反応可能な１つ以上の官能基とカルボキシル基とを含有し、
前記芳香族ジカルボン酸ジクロライド由来の構造において、前記イソフタロイルジクロライド（ＩＰＣ）由来の構造の含有率が３０ｍｏｌ％以上であり、
当該樹脂組成物は、多官能エポキシドを含み、
前記多官能エポキシドの含有率は、前記芳香族ポリアミドの７〜１０重量％であり、
当該樹脂組成物は、このものを用いて層を形成し、該層の２つの直交する面内方向の屈折率をそれぞれＮｘ、Ｎｙとし、前記層の厚さ方向の屈折率をＮｚとしたとき、｛（Ｎｘ＋Ｎｙ）／２−Ｎｚ｝＞０．０１なる関係を満足するものであることを特徴とする樹脂組成物。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
（２）前記芳香族ポリアミドは、６０ｍｏｌ％以上の量で、前記芳香族ジアミン由来の構造と前記芳香族ジカルボン酸ジクロライド由来の構造とを含有し、かつ、エポキシ基と反応可能な１つ以上の官能基とカルボキシル基とを含有する剛直構造を含む上記（１）に記載の樹脂組成物。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
（３）前記剛直構造は、下記一般式で表される繰り返し単位である上記（２）に記載の樹脂組成物。
2016536393.tif 000033
（ただし、ｎは、１〜４の整数を示し、Ａｒ１は、下記一般式（Ａ）または（Ｂ）で表され、
2016536393.tif 000034
2016536393.tif 000035
［ｐ＝４、Ｒ１、Ｒ４、Ｒ５は、水素、ハロゲン、アルキル、置換アルキル、ニトロ、シアノ、チオアルキル、アルコキシ、置換アルコキシ、アリール、置換アリール、アルキルエステル、および置換アルキルエステル、並びにそれらの組み合せからなる群から選択され、Ｇ１は、共有結合、ＣＨ２基、Ｃ（ＣＨ３）２基、Ｃ（ＣＦ３）２基、Ｃ（ＣＸ３）２基（但しＸはハロゲン）、ＣＯ基、Ｏ原子、Ｓ原子、ＳＯ２基、Ｓｉ（ＣＨ３）２基、９，９−フルオレン基、置換９，９−フルオレン基、およびＯＺＯ基からなる群から選択され、Ｚは、アリール基または置換アリール基である。］、
Ａｒ２は、下記一般式（Ｃ）または（Ｄ）で表され、
2016536393.tif 000036
2016536393.tif 000037
［ｐ＝４、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８は、水素、ハロゲン、アルキル、置換アルキル、ニトロ、シアノ、チオアルキル、アルコキシ、置換アルコキシ、アリール、置換アリール、アルキルエステル、および置換アルキルエステル、並びにそれらの組み合せからなる群から選択され、Ｇ２は、共有結合、ＣＨ２基、Ｃ（ＣＨ３）２基、Ｃ（ＣＦ３）２基、Ｃ（ＣＸ３）２基（但しＸはハロゲン）、ＣＯ基、Ｏ原子、Ｓ原子、ＳＯ２基、Ｓｉ（ＣＨ３）２基、９，９−フルオレン基、置換９，９−フルオレン基、およびＯＺＯ基からなる群から選択され、Ｚは、アリール基または置換アリール基である。］、
Ａｒ３は、下記一般式（Ｅ）または（Ｆ）で表される。
2016536393.tif 000038
2016536393.tif 000039
［ｔ＝１〜３、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１は、水素、ハロゲン、アルキル、置換アルキル、ニトロ、シアノ、チオアルキル、アルコキシ、置換アルコキシ、アリール、置換アリール、アルキルエステル、および置換アルキルエステル、並びにそれらの組み合せからなる群から選択され、Ｇ３は、共有結合、ＣＨ２基、Ｃ（ＣＨ３）２基、Ｃ（ＣＦ３）２基、Ｃ（ＣＸ３）２基（但しＸはハロゲン）、ＣＯ基、Ｏ原子、Ｓ原子、ＳＯ２基、Ｓｉ（ＣＨ３）２基、９，９−フルオレン基、置換９，９−フルオレン基、およびＯＺＯ基からなる群から選択され、Ｚは、アリール基または置換アリール基である。］）
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
（４）前記剛直構造は、さらに、４，４’−ジアミノジフェン酸（ＤＡＰＤ）由来の構造および３，５−ジアミノベンゾイン酸（ＤＡＢ）由来の構造のうちの少なくとも１種を含む上記（２）または（３）に記載の樹脂組成物。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
（５）前記芳香族ポリアミドは、全芳香族ポリアミドである上記（１）ないし（４）のいずれかに記載の樹脂組成物。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
（６）前記芳香族ポリアミドの少なくとも一方の末端は、前記エポキシ基と反応可能な前記官能基である上記（１）ないし（５）のいずれかに記載の樹脂組成物。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
（７）前記多官能エポキシドは、２つ以上のグリシジルエポキシ基を含むエポキシドまたは２つ以上の脂環式基を含むエポキシドである上記（１）ないし（６）のいずれかに記載の樹脂組成物。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
（８）前記多官能エポキシドは、下記一般構造（α）および（β）を含む群から選択される上記（１）ないし（７）のいずれかに記載の樹脂組成物。
2016536393.tif 000040
（ただし、ｌは、グリシジル基の数を表し、Ｒは、
2016536393.tif 000041
2016536393.tif 000042
2016536393.tif 000043
2016536393.tif 000044
2016536393.tif 000045
2016536393.tif 000046
2016536393.tif 000047
2016536393.tif 000048
2016536393.tif 000049
を含む群から選択される［ｍ＝１〜４、ｎおよびｓは、それぞれ独立した単位の平均数であって、０〜３０であり、Ｒ１２は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、水素、ハロゲン、アルキル、置換アルキル、ニトロ、シアノ、チオアルキル、アルコキシ、置換アルコキシ、アリール、置換アリール、アルキルエステル、および置換アルキルエステル、並びにそれらの組み合せからなる群から選択され、Ｇ４は、共有結合、ＣＨ２基、Ｃ（ＣＨ３）２基、Ｃ（ＣＦ３）２基、Ｃ（ＣＸ３）２基（但しＸはハロゲン）、ＣＯ基、Ｏ原子、Ｓ原子、ＳＯ２基、Ｓｉ（ＣＨ３）２基、９，９−フルオレン基、置換９，９−フルオレン基、およびＯＺＯ基からなる群から選択され、Ｚは、アリール基または置換アリール基であり、Ｒ１３は、水素またはメチル基であり、Ｒ１４は、二価有機基である。］。）
2016536393.tif 000050
（ただし、環状構造（cyclic structure）は、
2016536393.tif 000051
2016536393.tif 000052
2016536393.tif 000053
2016536393.tif 000054
2016536393.tif 000055
2016536393.tif 000056
2016536393.tif 000057
2016536393.tif 000058
2016536393.tif 000059
2016536393.tif 000060
2016536393.tif 000061
2016536393.tif 000062
を含む群から選択される［Ｒ１５は、炭素数２〜１８を有するアルキル鎖であり、該アルキル鎖は、直鎖、分枝鎖または環状骨格を有する鎖であり、ｍおよびｎは、それぞれ独立した１〜３０の整数であり、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆは、それぞれ独立した０〜３０の整数である。］。）
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
（９）前記多官能エポキシドは、下記一般構造を含む群から選択される上記（１）ないし（８）のいずれかに記載の樹脂組成物。
2016536393.tif 000063
2016536393.tif 000064
（ただし、Ｒ１６は、炭素数２〜１８を有するアルキル鎖であり、該アルキル鎖は、直鎖、分枝鎖または環状骨格を有する鎖であり、ｔおよびｕは、それぞれ独立した１〜３０の整数である）
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
（１０）前記芳香族ポリアミドの少なくとも一方の末端は、封止されている上記（１）ないし（９）のいずれかに記載の樹脂組成物。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
（１１）前記層は、ナトリウム線（Ｄ線）における全光線透過率が８０％以上である上記（１）ないし（１０）のいずれかに記載の樹脂組成物。
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
（１２）当該樹脂組成物は、さらに、無機フィラーを含有する上記（１）ないし（１１）のいずれかに記載の樹脂組成物。
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
（１３）上記（１）ないし（１２）のいずれかに記載の樹脂組成物の硬化物を含むことを特徴とする樹脂フィルム。
（１４）電子素子を形成するために用いられる基板であって、
第１の面と、該第１の面に対向する第２の面とを備える平板状の基材と、
前記基材の前記第１の面側に設けられ、上記（１）ないし（１２）のいずれかに記載の樹脂組成物の硬化物を含有し、その上に前記電子素子が形成されるための電子素子形成層と、
を備え、
前記電子素子形成層の２つの直交する面内方向の屈折率をそれぞれＮｘ、Ｎｙとし、前記電子素子形成層の厚さ方向の屈折率をＮｚとしたとき、｛（Ｎｘ＋Ｎｙ）／２−Ｎｚ｝＞０．０１なる関係を満足することを特徴とする電子素子製造用基板。
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
（１５）前記電子素子形成層の熱膨張係数（ＣＴＥ）は、１００ｐｐｍ／Ｋ以下である上記（１４）に記載の電子素子製造用基板。
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
（１６）前記電子素子形成層の平均厚さは、１〜５０μｍである上記（１４）または（１５）に記載の電子素子製造用基板。
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
（１７）前記電子素子は、有機ＥＬ素子である上記（１４）ないし（１６）のいずれかに記載の電子素子製造用基板。
【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
（１８）第１の面と、該第１の面に対向する第２の面とを備える平板状の基材と、前記基材の前記第１の面側に設けられ、上記（１）ないし（１２）のいずれかに記載の樹脂組成物の硬化物を含有する電子素子形成層と、を備える基板であって、前記電子素子形成層の２つの直交する面内方向の屈折率をそれぞれＮｘ、Ｎｙとし、前記電子素子形成層の厚さ方向の屈折率をＮｚとしたとき、｛（Ｎｘ＋Ｎｙ）／２−Ｎｚ｝＞０．０１なる関係を満足する基板を用意する工程と、
前記電子素子形成層の前記基材と反対側の面に、電子素子を形成する工程と、
前記電子素子を覆うように被覆層を形成する工程と、
前記基材と前記電子素子形成層との界面において前記基材から前記電子素子形成層を剥離させるために、光を前記電子素子形成層に照射する工程と、
前記電子素子、前記被覆層および前記電子素子形成層を含む電子装置を、前記基材から分離する工程と、
を有することを特徴とする電子装置を製造する方法。
【手続補正２６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
（１９）前記電子素子形成層の熱膨張係数（ＣＴＥ）は、１００ｐｐｍ／Ｋ以下である上記（１８）に記載の電子装置を製造する方法。
【手続補正２７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
（２０）前記電子素子形成層の平均厚さは、１〜５０μｍである上記（１８）または（１９）に記載の電子装置を製造する方法。
【手続補正２８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
（２１）上記（１８）ないし（２０）のいずれかに記載の電子装置を製造する方法を用いて製造されたことを特徴とする電子装置。