(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバ内の検知位置にあるウエハを検知するウエハ検知装置であって、
感度を低反射率ウエハに合わせ前記検知位置にあるウエハに検知ビームを照射しウエハからの反射ビームを検知することによりウエハ有として検知する反射型ビームセンサと、
前記チャンバ底部の前記反射型ビームセンサに対向する位置に設けられ、前記検知位置にウエハがないことによりチャンバの底部に到達した検知ビームを透過させる検知ビーム透過窓と、
この検知ビーム透過窓の近傍に設けられ、前記検知位置からチャンバの底部に落下したウエハを傾斜状態に支持して反射ビームを前記反射型ビームセンサの配設方向とは異なる方向へ反射させるウエハ支持部と、
を具備することを特徴するウエハ検知装置。
【請求項２】
チャンバ内の検知位置にあるウエハを検知するウエハ検知装置であって、
感度を低反射率ウエハに合わせ前記検知位置にあるウエハに検知ビームを照射しウエハからの反射ビームを検知することによりウエハ有として検知する反射型ビームセンサと、
前記チャンバの底部の前記反射型ビームセンサに対向する位置に設けられ、前記検知位置にウエハがないことによりチャンバの底部に到達した検知ビームを前記反射型ビームセンサの配設方向とは異なる方向へ反射させる傾斜面部と、
この傾斜面部の近傍に設けられ、前記検知位置からチャンバの底部に落下したウエハを傾斜状態に支持して反射ビームを前記反射型ビームセンサの配設方向とは異なる方向へ反射させるウエハ支持部と、
を具備することを特徴するウエハ検知装置。
【請求項３】
チャンバ内の検知位置にあるウエハを検知するウエハ検知装置であって、
感度を低反射率ウエハに合わせ前記検知位置にあるウエハに検知ビームを照射しウエハからの反射ビームを検知することによりウエハ有として検知する反射型ビームセンサと、
前記チャンバの底部の前記反射型ビームセンサに対向する位置に設けられ、前記検知位置にウエハがないことによりチャンバの底部に到達した検知ビームの反射率を減ずる低反射率面部と、
この低反射率面部の近傍に設けられ、前記検知位置からチャンバの底部に落下したウエハを傾斜状態に支持して反射ビームを前記反射型ビームセンサの配設方向とは異なる方向へ反射させるウエハ支持部と、
を具備することを特徴するウエハ検知装置。
【請求項４】
チャンバ内の検知位置にあるウエハを検知するウエハ検知装置であって、
感度を低反射率ウエハに合わせ前記検知位置にあるウエハに検知ビームを照射しウエハからの反射ビームを検知することによりウエハ有として検知する反射型ビームセンサと、
前記チャンバの底部の前記反射型ビームセンサに対向する位置に設けられ、前記検知位置からチャンバの底部に落下したウエハを傾斜状態に支持して反射ビームを前記反射型ビームセンサの配設方向とは異なる方向へ反射させると共に、上面が前記検知位置にウエハがないことにより到達した検知ビームを前記反射型ビームセンサの配設方向とは異なる方向へ反射させる傾斜面部となる突起部と、
を具備することを特徴するウエハ検知装置。
【請求項５】
チャンバ内の検知位置にあるウエハを検知するウエハ検知装置であって、
感度を低反射率ウエハに合わせ前記検知位置にあるウエハに検知ビームを照射しウエハからの反射ビームを検知することによりウエハ有として検知する反射型ビームセンサと、
前記チャンバの底部の前記反射型ビームセンサに対向する位置に設けられ、前記検知位置からチャンバの底部に落下したウエハを傾斜状態に支持して反射ビームを前記反射型ビームセンサの配設方向とは異なる方向へ反射させると共に、上面が前記検知位置にウエハがないことにより到達した検知ビームの反射率を減ずる低反射率面部となる突起部と、
を具備することを特徴するウエハ検知装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、ウエハ移動型半導体製造装置、特にクラスタ型装置等においてチャンバ内にあるウエハの有無を検知するウエハ検知装置に係り、詳しくは、チャンバ上部より反射型ビームセンサを使用し所定の検知位置にあるウエハを検知するウエハ検知装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
通常、クラスタ型装置等におけるウエハ検知装置としては、チャンバ内にあるウエハの有無を非接触状態で検出する必要がある関係上、ビームセンサを用いた光学的ウエハ検知装置が使用されている。
【０００３】
また、ビームセンサとしては、透過型ビームセンサと反射型ビームセンサとがある。
しかしながら、透過型ビームセンサを使用するウエハ検知装置にあっては、
（ａ）上下センサ取付用の穴加工及び取付具の加工が必要。
（ｂ）上下のセンサの芯出しが必要で芯出し工数がかかる。
（ｃ）センサの配線が上下ともに必要で配線工数が２倍かかる。
等、取付け労力とコストがかかるといった問題がある。
一方、反射型ビームセンサを使用するウエハ検知装置にあっては、取付けが簡単かつ低コストで実施できる反面、以下の（ア）〜（エ）に示すような問題がある。
【０００４】
すなわち、ウエハ検知装置で検知されるウエハは、表面形状や色が一定でなく、表面形状としては、ミラーウエハ、パターンウエハ、エッチングウエハ等があり、また、色としては、無彩色（白色から黒色まで）から有彩色まであり、このため、ウエハによって、表面の反射率が異なる。
【０００５】
このため、
（ア）白色系ウエハ（高反射率ウエハ）に感度を合わせる（センサ検知距離を短くする）と、黒色系ウエハ（低反射率ウエハ）の検知ができない。また、黒色系ウエハ（低反射率ウエハ）に感度を合わせると、センサ検知距離が実質長くなり、チャンバ底面や、落下したウエハを誤認識してしまう。
【０００６】
さらに、反射型ビームセンサを使用した場合、
（イ）検知距離が長いとチャンバ底面の反射を検知して誤認識をする。
（ウ）測定範囲の変更ができない。（変更可能センサは高価である）。
（エ）落下ウエハからの反射ビームを受けて所定位置にウエハが有るとして  誤認識する可能性がある。
等の問題がある。
【０００７】
このことを、図９（Ａ）〜（Ｇ）を参照して説明する。
図において、ａは反射型ビームセンサ、ｂはウエハ、ｃはウエハのセット位置、ｄはチャンバ底面を示す。Ｌはウエハ検知距離を示す。
【０００８】
図９（Ａ）は、反射型ビームセンサａの検知範囲を示す。（標準検知片は白色とメーカでは規定している）。
また、半導体製造装置におけるクラスタ型チャンバ等においては、チャンバと反射型ビームセンサａの間はガラスｅによって仕切られる場合が多い。この場合は図９（Ｂ）に示すように、検知距離が１０〜２０％（ガラスの厚さ、材質、色等によって異なる）短くなる。
【０００９】
図９（Ｃ）は高反射率ウエハｂの搬送に合わせて反射型ビームセンサａの検知範囲Ｌを調整した場合である。
同センサａで低反射率ウエハｂを使用すると図９（Ｄ）に示すように、検知距離が短くなってウエハ検知ができなくなる。
【００１０】
図９（Ｅ）は、低反射率ウエハｂにセンサａの感度を合わせた場合を示し、同センサａにおいて、高反射率ウエハｂを使用した場合、図９（Ｆ）に示すように検知距離が延びてしまう。この場合、チャンバ底面ｄによる反射で誤認識を起こしてしまう。
【００１１】
また、図９（Ｇ）に示すように、ロボットがチャックミス等でウエハｂを落下させた場合、ウエハｂが無いにもかかわらず有るものと誤認識してしまうといった問題がある。
【００１２】
理想的な反射型ビームセンサａは、高反射率ウエハｂから低反射率ウエハｂまでをカバーするものであり、図１０に示す検知範囲を有するセンサであるが、現状では開発されていない。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、反射型ビームセンサは、取付けが簡単かつ低コストで実施できるといった特長を有するものであるが、現状では高反射率ウエハから低反射率ウエハまでをカバーするセンサが開発されていない。
【００１４】
このため、現状では検知距離の長い反射型ビームセンサを用い、チャンバの深さを深くすることで対処せざるを得ず、チャンバのコストアップを招くといった問題があった。
【００１５】
本発明は、上記事情に基づき成されたもので、安価で、しかも、取付け調整が簡単でありながら、反射率の異なるあらゆる種類のウエハを検知でき、しかも、落下したウエハによる誤検知を確実に防止できるようにしたウエハ検知装置を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を解決するための第１の手段として、チャンバ内の検知位置にあるウエハを検知するウエハ検知装置であって、感度を低反射率ウエハに合わせ前記検知位置にあるウエハに検知ビームを照射しウエハからの反射ビームを検知することによりウエハ有として検知する反射型ビームセンサと、前記チャンバ底部の前記反射型ビームセンサに対向する位置に設けられ、前記検知位置にウエハがないことによりチャンバの底部に到達した検知ビームを透過させる検知ビーム透過窓と、この検知ビーム透過窓の近傍に設けられ、前記検知位置からチャンバの底部に落下したウエハを傾斜状態に支持して反射ビームを前記反射型ビームセンサの配設方向とは異なる方向へ反射させるウエハ支持部とを具備してなる構成としたものである。
【００１７】
また、第２の手段として、チャンバ内の検知位置にあるウエハを検知するウエハ検知装置であって、感度を低反射率ウエハに合わせ前記検知位置にあるウエハに検知ビームを照射しウエハからの反射ビームを検知することによりウエハ有として検知する反射型ビームセンサと、前記チャンバの底部の前記反射型ビームセンサに対向する位置に設けられ、前記検知位置にウエハがないことによりチャンバの底部に到達した検知ビームを前記反射型ビームセンサの配設方向とは異なる方向へ反射させる傾斜面部と、この傾斜面部の近傍に設けられ、前記検知位置からチャンバの底部に落下したウエハを傾斜状態に支持して反射ビームを前記反射型ビームセンサの配設方向とは異なる方向へ反射させるウエハ支持部とを具備してなる構成としたものである。
【００１８】
また、第３の手段として、チャンバ内の検知位置にあるウエハを検知するウエハ検知装置であって、感度を低反射率ウエハに合わせ前記検知位置にあるウエハに検知ビームを照射しウエハからの反射ビームを検知することによりウエハ有として検知する反射型ビームセンサと、前記チャンバの底部の前記反射型ビームセンサに対向する位置に設けられ、前記検知位置にウエハがないことによりチャンバの底部に到達した検知ビームの反射率を減ずる低反射率面部と、この低反射率面部の近傍に設けられ、前記検知位置からチャンバの底部に落下したウエハを傾斜状態に支持して反射ビームを前記反射型ビームセンサの配設方向とは異なる方向へ反射させるウエハ支持部とを具備してなる構成としたものである。
【００１９】
また、第４の手段として、チャンバ内の検知位置にあるウエハを検知するウエハ検知装置であって、感度を低反射率ウエハに合わせ前記検知位置にあるウエハに検知ビームを照射しウエハからの反射ビームを検知することによりウエハ有として検知する反射型ビームセンサと、前記チャンバの底部の前記反射型ビームセンサに対向する位置に設けられ、前記検知位置からチャンバの底部に落下したウエハを傾斜状態に支持して反射ビームを前記反射型ビームセンサの配設方向とは異なる方向へ反射させると共に、上面が前記検知位置にウエハがないことにより到達した検知ビームを前記反射型ビームセンサの配設方向とは異なる方向へ反射させる傾斜面部となる突起部とを具備してなる構成としたものである。
【００２０】
また、第５の手段として、チャンバ内の検知位置にあるウエハを検知するウエハ検知装置であって、感度を低反射率ウエハに合わせ前記検知位置にあるウエハに検知ビームを照射しウエハからの反射ビームを検知することによりウエハ有として検知する反射型ビームセンサと、前記チャンバの底部の前記反射型ビームセンサに対向する位置に設けられ、前記検知位置からチャンバの底部に落下したウエハを傾斜状態に支持して反射ビームを前記反射型ビームセンサの配設方向とは異なる方向へ反射させると共に、上面が前記検知位置にウエハがないことにより到達した検知ビームの反射率を減ずる低反射率面部となる突起部とを具備してなる構成としたものである。
【００２１】
【作用】
第１の手段のウエハ検知装置によれば、感度を低反射率ウエハに合わせた反射型ビームセンサを使用するようにしたから、センサ検知距離が実質長くなり、高反射率ウエハから低反射率ウエハまで、反射率の影響を受けることなく検知することが可能となる。
【００２２】
また、チャンバ底部の反射型ビームセンサに対向する位置に検知ビーム透過窓を設け、検知位置にウエハがないことによりチャンバの底部に到達した検知ビームを透過させるようにしたから、チャンバ底面からの反射光の影響がなく誤検知を確実に防止できる。
【００２３】
また、検知ビーム透過窓の近傍にウエハ支持部を設け、検知位置からチャンバの底部に落下したウエハを傾斜状態に支持し、落下したウエハからの反射ビームを前記反射型ビームセンサの配設方向とは異なる方向へ反射させるようにしたから、落下したウエハによる誤検知を確実に防止できる。
【００２４】
また、第２の手段のウエハ検知装置によれば、感度を低反射率ウエハに合わせた反射型ビームセンサを使用するようにしたから、センサ検知距離が実質長くなり、高反射率ウエハから低反射率ウエハまで、反射率の影響を受けることなく検知することが可能となる。
【００２５】
また、チャンバ底部の反射型ビームセンサに対向する位置に傾斜面部を設け、検知位置にウエハがないことによりチャンバの底部に到達した検知ビームを前記反射型ビームセンサの配設方向とは異なる方向へ反射させるようにしたから、チャンバ底面からの反射光の影響がなく誤検知を確実に防止できる。
【００２６】
また、傾斜面部の近傍にウエハ支持部を設け、検知位置からチャンバの底部に落下したウエハを傾斜状態に支持し、落下したウエハからの反射ビームを前記反射型ビームセンサの配設方向とは異なる方向へ反射させるようにしたから、落下したウエハによる誤検知を確実に防止できる。
【００２７】
また、第３の手段のウエハ検知装置によれば、感度を低反射率ウエハに合わせた反射型ビームセンサを使用するようにしたから、センサ検知距離が実質長くなり、高反射率ウエハから低反射率ウエハまで、反射率の影響を受けることなく検知することが可能となる。
【００２８】
また、チャンバ底部の反射型ビームセンサに対向する位置に低反射率面部を設け、検知位置にウエハがないことによりチャンバの底部に到達した検知ビームの反射率を減ずるようにしたから、チャンバ底面からの反射光の影響がなく誤検知を確実に防止できる。
【００２９】
また、低反射率面部の近傍にウエハ支持部を設け、検知位置からチャンバの底部に落下したウエハを傾斜状態に支持し、落下したウエハからの反射ビームを前記反射型ビームセンサの配設方向とは異なる方向へ反射させるようにしたから、落下したウエハによる誤検知を確実に防止できる。
【００３０】
また、第４の手段のウエハ検知装置によれば、感度を低反射率ウエハに合わせた反射型ビームセンサを使用するようにしたから、センサ検知距離が実質長くなり、高反射率ウエハから低反射率ウエハまで、反射率の影響を受けることなく検知することが可能となる。
【００３１】
また、チャンバ底部の反射型ビームセンサに対向する位置に突起部を設け、検知位置からチャンバの底部に落下したウエハを傾斜状態に支持して落下したウエハからの反射ビームを反射型ビームセンサの配設方向とは異なる方向へ反射させるようにしたから、落下したウエハによる誤検知を確実に防止できる。また、突起部の上面が傾斜面部となっていて、前記検知位置にウエハがないことにより到達した検知ビームを前記反射型ビームセンサの配設方向とは異なる方向へ反射させるようにしたから、チャンバ底面からの反射光の影響がなく誤検知を確実に防止できる。
【００３２】
また、第５の手段のウエハ検知装置によれば、感度を低反射率ウエハに合わせた反射型ビームセンサを使用するようにしたから、センサ検知距離が実質長くなり、高反射率ウエハから低反射率ウエハまで、反射率の影響を受けることなく検知することが可能となる。
【００３３】
また、チャンバ底部の反射型ビームセンサに対向する位置に突起部を設け、検知位置からチャンバの底部に落下したウエハを傾斜状態に支持して落下したウエハからの反射ビームを反射型ビームセンサの配設方向とは異なる方向へ反射させるようにしたから、落下したウエハによる誤検知を確実に防止できる。また、突起部の上面が低反射率面部となっていて、前記検知位置にウエハがないことにより到達した検知ビームの反射率を減ずるようにしたから、チャンバ底面からの反射光の影響がなく誤検知を確実に防止できる。
【００３４】
【実施例】
以下、本発明の第１の実施例について、図１ないし図３を参照して説明する。
まず、図１および図２を参照して、本発明のウエハ検知装置を適用したクラスター方式の加熱処理装置１０の構成について説明する。
【００３５】
図１に示すように、加熱処理装置１０は、ウエハＷを所定位置に搬送するためのウエハ搬送手段としてのロボット１を主とした搬送室２を中心に、ウエハＷを格納したカセット３，４を収容するカセット室５，６と、ウエハＷを加熱状態で処理する処理室としてのプロセス室７，８等が周囲に配置されたものとなっている。
【００３６】
また、カセット室５，６には、カセット室５，６を大気に対して開放あるいは遮断する第１ゲートバルブ２０，２１が付設されており、これら第１ゲートバルブ２０，２１を介してカセット３，４を交換するようになっている。
【００３７】
また、カセット室５，６と搬送室２との間には、これらの間を開閉するための第２ゲートバルブ２２，２３が設けられている。この図においては第２ゲートバルブ２２は開いた状態にある。さらに、プロセス室７，８と搬送室２との間を開閉するための第３ゲートバルブ２４，２５が設けられている。
【００３８】
また、カセット室５およびカセット室６内には、図２に示すように、モータ３０を含む上下動駆動機構３１によって所望の位置決め可能に上下動される昇降台３２，３３が設けられている。これら昇降台３２，３３上には、カセット３，４が交換可能に設置されるようになっている。
【００３９】
ロボット１は、図１に示すように、旋回中心軸４０に取付けられたアーム４１と、このアーム４１の自由端に軸４２を中心に対称的に配置された２つのウエハ載置部としてのピック４３Ａ、４３Ｂを有し、これらのピック４３Ａ、４３Ｂを軸４２の回りに１８０°旋回させることにより交互にカセット３，４内に出入させるようになっている。
【００４０】
また、図２に示すように制御手段である制御装置５０が設けられており、加熱処理装置１０を制御するようになっている。そして、制御装置５０は、カセット室５，６内に配設された昇降台３２，３３の上下動駆動機構３１，３１のモータ３０，３０と接続していると共に、ロボット１を駆動するための駆動装置５１と接続している。
【００４１】
次いで本装置の作用について説明する。第１ゲートバルブ２０を開き、処理済みのウエハＷが入っているカセット３をカセット室５から取出し、代わりに未処理のウエハＷを入れたカセット３を昇降台３２上に設置する。
【００４２】
次に、第１ゲートバルブ２０を閉じてカセット室５を搬送室２と同じ減圧状態ないし同じ雰囲気状態にした後、第２ゲートバルブ２２を開き、カセット３の上下動とロボット１の動作によってカセット３内のウエハＷを１枚ずつ取出してプロセス室７または８へ１枚ずつ搬入し、加熱を伴う処理を行なう。
【００４３】
また、処理されたウエハＷは、ロボット１によりプロセス室７または８から取出され、カセット室５内に搬送されると共に、カセット３内の未処理ウエハＷを１枚ずつ取出してプロセス室７または８へ１枚ずつ搬入し、加熱を伴う処理を行なう。
【００４４】
このように、ロボット１により、プロセス室７、８から処理済みウエハＷの搬出と、該プロセス室７、８への未処理のウエハＷの搬入を順次行ない、かつ処理済みのウエハＷをカセット３へ戻す動作を繰返すようになっている。
【００４５】
また、図２に示すように、搬送室２を構成するチャンバ５２Ａの上面には、反射型ビームセンサ６０を有するウエハ検知装置６１Ａが設けられており、チャンバ５２Ａ内のウエハＷ、すなわち、前記ロボット１のピック４３Ａ、４３Ｂで支承されたウエハＷを検知するようになっている。
【００４６】
次に、ウエハ検知装置６１Ａの第１の実施例について、図３を参照して説明する。
このウエハ検知装置６１Ａで使用する反射型ビームセンサ６０は、感度を低反射率ウエハに合わせた検知距離Ｌの長い赤色光反射型ビームセンサを用い、検知距離調整フィルタ９０により検知距離Ｌが７０〜３００ｍｍになるようにした。
【００４７】
検知距離Ｌの選定は、チャンバ５２の天井部を構成するガラス５２Ａ越しであるため１０〜２０％の減衰を見越し、一番検知距離が短いと感知することができない黒色ウエハに対応するため検知距離Ｌを長めにした。なぜならば検知距離Ｌが短いと黒色ウエハの検知が不可能となる可能性があるためである。
【００４８】
また、前記チャンバ５２の底部５２Ａのウエハ検知位置に対応する部分、すなわち、反射型ビームセンサ６０と対向する位置には、検知位置にウエハＷがないことによりチャンバ５２の底部５２Ｂに到達した検知ビームＬＢ′を反射することなく透過させる検知ビーム透過窓６２が形成されている。また、この検知ビーム透過窓６２は、検知ビームＬＢ′を透過させる材質からなるガラス板６３により閉塞されチャンバ５２の気密性が保持されている。
【００４９】
また、前記検知ビーム透過窓６２の近傍には、ウエハ支持部としての突起６４が形成され、検知位置であるピック４３Ａ、４３Ｂから落下したウエハＷをチャンバ５２の底部５２Ｂに対して例えば４〜１５°程度の角度Θの傾斜状態に支持するようになっている。
【００５０】
そして、ウエハＷからの反射ビームＬＢ１  を前記反射型ビームセンサ６０の配設方向とは異なる方向へ反射させるようになっている。
この第１の実施例のウエハ検知装置６１Ａによれば、感度を低反射率ウエハに合わせた反射型ビームセンサ６０を使用するようにしたから、センサ検知距離Ｌが実質長くなり、白色系ウエハやミラーウエハ等の高反射率ウエハＷから黒色系ウエハ等の低反射率ウエハＷまで、反射率の影響を受けることなく検知することができる。
【００５１】
また、チャンバ底部５２Ａの反射型ビームセンサ６０に対向する位置に検知ビーム透過窓６２を設け、検知位置にウエハＷがないことによりチャンバ５２の底部５２Ｂに到達した検知ビームＬＢ′を透過させるようにしたから、チャンバ底面５２Ｂからの反射光の影響がなく誤検知を確実に防止できる。
【００５２】
また、検知ビーム透過窓６２の近傍にウエハ支持部としての突起６４を設け、検知位置からチャンバ５２の底部５２Ｂに落下したウエハＷを傾斜状態に支持し、落下したウエハＷからの反射ビームＬＢ１  を前記反射型ビームセンサ６０の配設方向とは異なる方向へ反射させるようにしたから、落下したウエハＷによる誤検知を確実に防止できる。
【００５３】
次に、図４を参照して、第２の実施例のウエハ検知装置６１Ｂの構成について説明する。
このウエハ検知装置６１Ｂで使用する反射型ビームセンサ６０は、感度を低反射率ウエハに合わせた検知距離Ｌの長い赤色光反射型ビームセンサを用い、検知距離調整フィルタ９０により検知距離Ｌが７０〜３００ｍｍになるようにした。
【００５４】
また、前記チャンバ５２の底部５２Ｂのウエハ検知位置に対応する部分、すなわち、反射型ビームセンサ６０と対向する位置には、検知位置にウエハＷがないことによりチャンバ５２の底部５２Ｂに到達した検知ビームＬＢ′を前記反射型ビームセンサ６０の配設方向とは異なる方向へ反射させる傾斜面部７０Ａが形成されている。なお、この傾斜面部７０Ａは、チャンバ５２の底部５２Ｂに底面が傾斜するように形成した凹所７１からなっている。
【００５５】
また、前記傾斜面部７０の近傍には、ウエハ支持部としての突起６４が形成され、検知位置であるピック４３Ａ、４３Ｂから落下したウエハＷをチャンバ５２の底部５２Ｂに対して４〜１５°程度の角度Θの傾斜状態に支持するようになっている。そして、ウエハＷからの反射ビームＬＢ１  を前記反射型ビームセンサ６０の配設方向とは異なる方向へ反射させるようになっている。
【００５６】
この第２の実施例のウエハ検知装置６１Ｂによれば、感度を低反射率ウエハに合わせた反射型ビームセンサ６０を使用するようにしたから、センサ検知距離Ｌが実質長くなり、白色系ウエハやミラーウエハ等の高反射率ウエハＷから黒色系ウエハ等の低反射率ウエハＷまで、反射率の影響を受けることなく検知することができる。
【００５７】
また、チャンバ底部５２Ａの反射型ビームセンサ６０に対向する位置に傾斜面部７０Ａを設け、検知位置にウエハＷがないことによりチャンバ５２の底部５２Ｂに到達した検知ビームＬＢ′を前記反射型ビームセンサ６０の配設方向とは異なる方向へ反射させるようにしたから、チャンバ底面５２Ｂからの反射光ＬＢ２  の影響がなく誤検知を確実に防止できる。
【００５８】
また、傾斜面部７０Ａの近傍にウエハ支持部としての突起６４を設け、検知位置からチャンバ５２の底部５２Ｂに落下したウエハＷを傾斜状態に支持し、落下したウエハＷからの反射ビームＬＢ１  を前記反射型ビームセンサ６０の配設方向とは異なる方向へ反射させるようにしたから、落下したウエハＷによる誤検知を確実に防止できる。
【００５９】
次に、図５を参照して、第３の実施例のウエハ検知装置６１Ｃの構成について説明する。
このウエハ検知装置６１Ｃで使用する反射型ビームセンサ６０は、感度を低反射率ウエハに合わせた検知距離Ｌの長い赤色光反射型ビームセンサを用い、検知距離調整フィルタ９０により検知距離Ｌが７０〜３００ｍｍになるようにした。
【００６０】
また、前記チャンバ５２の底部５２Ｂのウエハ検知位置に対応する部分、すなわち、反射型ビームセンサ６０と対向する位置には、検知位置にウエハＷがないことによりチャンバ５２の底部５２Ｂに到達した検知ビームＬＢ′を前記反射型ビームセンサ６０の配設方向とは異なる方向へ反射させる傾斜面部７０Ｂが形成されている。
【００６１】
この反射用の傾斜面部７０Ｂは、チャンバ５２の底部５２Ｂの一部を傾斜状態とすることにより形成された広角のＶ字状凹所７２の一傾斜面部７２Ａにより構成されている。また、前記一傾斜面部７２Ａの傾斜上端部は、検知位置であるピック４３Ａ、４３Ｂから落下したウエハＷをチャンバ５２の底部５２Ｂに対して例えば４〜１５°程度の角度Θの傾斜状態に支持するためのウエハ支持部としての支持面６４′を兼用している。そして、ウエハＷからの反射ビームＬＢ１  を前記反射型ビームセンサ６０の配設方向とは異なる方向へ反射させるようになっている。
【００６２】
この第３の実施例のウエハ検知装置６１Ｃによれば、感度を低反射率ウエハに合わせた反射型ビームセンサ６０を使用するようにしたから、センサ検知距離Ｌが実質長くなり、白色系ウエハやミラーウエハ等の高反射率ウエハＷから黒色系ウエハ等の低反射率ウエハＷまで、反射率の影響を受けることなく検知することができる。
【００６３】
また、チャンバ底部５２Ａの反射型ビームセンサ６０に対向する位置に傾斜面部７０Ｂを設け、検知位置にウエハＷがないことによりチャンバ５２の底部５２Ｂに到達した検知ビームＬＢ′を前記反射型ビームセンサ６０の配設方向とは異なる方向へ反射させるようにしたから、チャンバ底面５２Ｂからの反射光ＬＢ２  の影響がなく誤検知を確実に防止できる。
【００６４】
また、傾斜面部７０Ｂの近傍にウエハ支持部としての支持面６４′を設け、検知位置からチャンバ５２の底部５２Ｂに落下したウエハＷを傾斜状態に支持し、落下したウエハＷからの反射ビームＬＢ１  を前記反射型ビームセンサ６０の配設方向とは異なる方向へ反射させるようにしたから、落下したウエハＷによる誤検知を確実に防止できる。
【００６５】
次に、図６を参照して、第４の実施例のウエハ検知装置６１Ｄの構成について説明する。
このウエハ検知装置６１Ｄで使用する反射型ビームセンサ６０は、感度を低反射率ウエハに合わせた検知距離Ｌの長い赤色光反射型ビームセンサを用い、検知距離調整フィルタ９０により検知距離Ｌが７０〜３００ｍｍになるようにした。
【００６６】
また、前記チャンバ５２の底部５２Ｂのウエハ検知位置に対応する部分、すなわち、反射型ビームセンサ６０と対向する位置には、検知位置にウエハＷがないことによりチャンバ５２の底部５２Ｂに到達した検知ビームＬＢ′の反射率を減ずる低反射率面部７５が形成されている。なお、この低反射率面部７５は、チャンバ５２の底部５２Ｂに底面を粗面あるいは黒色に着色する等して形成されている。
【００６７】
また、前記低反射率面部７５の近傍には、ウエハ支持部としての突起６４が形成され、検知位置であるピック４３Ａ、４３Ｂから落下したウエハＷをチャンバ５２の底部５２Ｂに対して４〜１５°程度の角度Θの傾斜状態に支持するようになっている。そして、ウエハＷからの反射ビームＬＢ１  を前記反射型ビームセンサ６０の配設方向とは異なる方向へ反射させるようになっている。
【００６８】
この第４の実施例のウエハ検知装置６１Ｄによれば、感度を低反射率ウエハに合わせた反射型ビームセンサ６０を使用するようにしたから、センサ検知距離Ｌが実質長くなり、白色系ウエハやミラーウエハ等の高反射率ウエハＷから黒色系ウエハ等の低反射率ウエハＷまで、反射率の影響を受けることなく検知することができる。
【００６９】
また、チャンバ底部５２Ａの反射型ビームセンサ６０に対向する位置に低反射率面部７５を設け、検知位置にウエハＷがないことによりチャンバ５２の底部５２Ｂに到達した検知ビームＬＢ′の反射率を減ずるようにしたから、チャンバ底面５２Ｂからの反射光ＬＢ２  の影響がなく誤検知を確実に防止できる。
【００７０】
また、傾斜面部７０Ｂの近傍にウエハ支持部としての突起６４を設け、検知位置からチャンバ５２の底部５２Ｂに落下したウエハＷを傾斜状態に支持し、落下したウエハＷからの反射ビームＬＢ１  を前記反射型ビームセンサ６０の配設方向とは異なる方向へ反射させるようにしたから、落下したウエハＷによる誤検知を確実に防止できる。
【００７１】
次に、図７を参照して、第５の実施例のウエハ検知装置６１Ｅの構成について説明する。
このウエハ検知装置６１Ｅで使用する反射型ビームセンサ６０は、感度を低反射率ウエハに合わせた検知距離Ｌの長い赤色光反射型ビームセンサを用い、検知距離調整フィルタ９０により検知距離Ｌが７０〜３００ｍｍになるようにした。
【００７２】
また、前記チャンバ５２の底部５２Ｂのウエハ検知位置に対応する部分、すなわち、反射型ビームセンサ６０と対向する位置には、検知位置であるピック４３Ａ、４３Ｂから落下したウエハＷをチャンバ５２の底部５２Ｂに対して例えば４〜１５°程度の角度Θの傾斜状態に支持するためのウエハ支持部としての突起６４Ｂが設けられている。
【００７３】
そして、ウエハＷからの反射ビームＬＢ１  を前記反射型ビームセンサ６０の配設方向とは異なる方向へ反射させるようになっている。
また、突起６４Ｂの上面は、検知位置にウエハＷがないことによりチャンバ５２の底部５２Ｂに到達した検知ビームＬＢ′を前記反射型ビームセンサ６０の配設方向とは異なる方向へ反射させる傾斜面部８０が形成されている。
【００７４】
この第５の実施例のウエハ検知装置６１Ｅによれば、感度を低反射率ウエハに合わせた反射型ビームセンサ６０を使用するようにしたから、センサ検知距離Ｌが実質長くなり、白色系ウエハやミラーウエハ等の高反射率ウエハＷから黒色系ウエハ等の低反射率ウエハＷまで、反射率の影響を受けることなく検知することができる。
【００７５】
また、前記チャンバ５２の底部５２Ｂのウエハ検知位置に対応する部分にウエハ支持部としての突起６４Ｂを設け、検知位置からチャンバ５２の底部５２Ｂに落下したウエハＷを傾斜状態に支持し、  落下したウエハＷからの反射ビームＬＢ１  を前記反射型ビームセンサ６０の配設方向とは異なる方向へ反射させるようにしたから、落下したウエハＷによる誤検知を確実に防止できる。
【００７６】
また、突起６４Ｂの上面に傾斜面部８０を形成し、検知位置にウエハＷがないことによりチャンバ５２の底部５２Ｂに到達した検知ビームＬＢ′を前記反射型ビームセンサ６０の配設方向とは異なる方向へ反射させるようにしたから、チャンバ底面５２Ｂからの反射光ＬＢ２  の影響がなく誤検知を確実に防止できる。
【００７７】
次に、図８を参照して、第６の実施例のウエハ検知装置６１Ｆの構成について説明する。
このウエハ検知装置６１Ｆで使用する反射型ビームセンサ６０は、感度を低反射率ウエハに合わせた検知距離Ｌの長い赤色光反射型ビームセンサを用い、検知距離調整フィルタ９０により検知距離Ｌが７０〜３００ｍｍになるようにした。
【００７８】
また、前記チャンバ５２の底部５２Ｂのウエハ検知位置に対応する部分、すなわち、反射型ビームセンサ６０と対向する位置には、検知位置であるピック４３Ａ、４３Ｂから落下したウエハＷをチャンバ５２の底部５２Ｂに対して例えば４〜１５°程度の角度Θの傾斜状態に支持するためのウエハ支持部としての突起６４Ｃが設けられている。
【００７９】
そして、ウエハＷからの反射ビームＬＢ１  を前記反射型ビームセンサ６０の配設方向とは異なる方向へ反射させるようになっている。
また、突起６４Ｃの上面は、検知位置にウエハＷがないことによりチャンバ５２の底部５２Ｂに到達した検知ビームＬＢ′の反射率を減ずる低反射率面部８１が形成されている。
【００８０】
この第６の実施例のウエハ検知装置６１Ｆによれば、感度を低反射率ウエハに合わせた反射型ビームセンサ６０を使用するようにしたから、センサ検知距離Ｌが実質長くなり、白色系ウエハやミラーウエハ等の高反射率ウエハＷから黒色系ウエハ等の低反射率ウエハＷまで、反射率の影響を受けることなく検知することができる。
【００８１】
また、前記チャンバ５２の底部５２Ｂのウエハ検知位置に対応する部分にウエハ支持部としての突起６４Ｃを設け、検知位置からチャンバ５２の底部５２Ｂに落下したウエハＷを傾斜状態に支持し、  落下したウエハＷからの反射ビームＬＢ１  を前記反射型ビームセンサ６０の配設方向とは異なる方向へ反射させるようにしたから、落下したウエハＷによる誤検知を確実に防止できる。
【００８２】
また、突起６４Ｃの上面に低反射率面部８１を形成し、検知位置にウエハＷがないことによりチャンバ５２の底部５２Ｂに到達した検知ビームＬＢ′の反射率を減ずるようにしたから、チャンバ底面５２Ｂからの反射光ＬＢ２  の影響がなく誤検知を確実に防止できる。
【００８３】
本発明は、上記実施例のようにすることにより、一つの反射型ビームセンサにより鏡面ウエハから黒色ウエハまで幅広い表面反射率の異なるウエハＷの検知が可能となった。
【００８４】
また、ウエハＷの面からチャンバ５２の底面５２Ｂまでの距離も、設計時の制約が減り、より適切なチャンバ５２の形状とすることが可能となった。
また、万一、ウエハＷをチャンバ５２内に落下した際にも、誤認識することなくその後の適切な処理に大いに役立つことになった。
なお、本発明は、上記実施例に限らず、本発明の要旨を変えない範囲で種々変形実施可能なことは勿論である。
【００８５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、次のような効果を奏する。
請求項１記載のウエハ検知装置によれば、感度を低反射率ウエハに合わせた反射型ビームセンサを使用するようにしたから、センサ検知距離が実質長くなり、高反射率ウエハから低反射率ウエハまで、反射率の影響を受けることなく検知することが可能となる。
【００８６】
また、チャンバ底部の反射型ビームセンサに対向する位置に検知ビーム透過窓を設け、検知位置にウエハがないことによりチャンバの底部に到達した検知ビームを透過させるようにしたから、チャンバ底面からの反射光の影響がなく誤検知を確実に防止できる。
【００８７】
また、検知ビーム透過窓の近傍にウエハ支持部を設け、検知位置からチャンバの底部に落下したウエハを傾斜状態に支持し、落下したウエハからの反射ビームを前記反射型ビームセンサの配設方向とは異なる方向へ反射させるようにしたから、落下したウエハによる誤検知を確実に防止できる。
【００８８】
また、請求項２記載のウエハ検知装置によれば、感度を低反射率ウエハに合わせた反射型ビームセンサを使用するようにしたから、センサ検知距離が実質長くなり、高反射率ウエハから低反射率ウエハまで、反射率の影響を受けることなく検知することが可能となる。
【００８９】
また、チャンバ底部の反射型ビームセンサに対向する位置に傾斜面部を設け、検知位置にウエハがないことによりチャンバの底部に到達した検知ビームを前記反射型ビームセンサの配設方向とは異なる方向へ反射させるようにしたから、チャンバ底面からの反射光の影響がなく誤検知を確実に防止できる。
【００９０】
また、傾斜面部の近傍にウエハ支持部を設け、検知位置からチャンバの底部に落下したウエハを傾斜状態に支持し、落下したウエハからの反射ビームを前記反射型ビームセンサの配設方向とは異なる方向へ反射させるようにしたから、落下したウエハによる誤検知を確実に防止できる。
【００９１】
また、請求項３記載のウエハ検知装置によれば、感度を低反射率ウエハに合わせた反射型ビームセンサを使用するようにしたから、センサ検知距離が実質長くなり、高反射率ウエハから低反射率ウエハまで、反射率の影響を受けることなく検知することが可能となる。
【００９２】
また、チャンバ底部の反射型ビームセンサに対向する位置に低反射率面部を設け、検知位置にウエハがないことによりチャンバの底部に到達した検知ビームの反射率を減ずるようにしたから、チャンバ底面からの反射光の影響がなく誤検知を確実に防止できる。
【００９３】
また、低反射率面部の近傍にウエハ支持部を設け、検知位置からチャンバの底部に落下したウエハを傾斜状態に支持し、落下したウエハからの反射ビームを前記反射型ビームセンサの配設方向とは異なる方向へ反射させるようにしたから、落下したウエハによる誤検知を確実に防止できる。
【００９４】
また、請求項４記載のウエハ検知装置によれば、感度を低反射率ウエハに合わせた反射型ビームセンサを使用するようにしたから、センサ検知距離が実質長くなり、高反射率ウエハから低反射率ウエハまで、反射率の影響を受けることなく検知することが可能となる。
【００９５】
また、チャンバ底部の反射型ビームセンサに対向する位置に突起部を設け、検知位置からチャンバの底部に落下したウエハを傾斜状態に支持して落下したウエハからの反射ビームを反射型ビームセンサの配設方向とは異なる方向へ反射させるようにしたから、落下したウエハによる誤検知を確実に防止できる。また、突起部の上面が傾斜面部となっていて、前記検知位置にウエハがないことにより到達した検知ビームを前記反射型ビームセンサの配設方向とは異なる方向へ反射させるようにしたから、チャンバ底面からの反射光の影響がなく誤検知を確実に防止できる。
【００９６】
また、請求項５記載のウエハ検知装置によれば、感度を低反射率ウエハに合わせた反射型ビームセンサを使用するようにしたから、センサ検知距離が実質長くなり、高反射率ウエハから低反射率ウエハまで、反射率の影響を受けることなく検知することが可能となる。
【００９７】
また、チャンバ底部の反射型ビームセンサに対向する位置に突起部を設け、検知位置からチャンバの底部に落下したウエハを傾斜状態に支持して落下したウエハからの反射ビームを反射型ビームセンサの配設方向とは異なる方向へ反射させるようにしたから、落下したウエハによる誤検知を確実に防止できる。また、突起部の上面が低反射率面部となっていて、前記検知位置にウエハがないことにより到達した検知ビームの反射率を減ずるようにしたから、チャンバ底面からの反射光の影響がなく誤検知を確実に防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のウエハ検知装置を適用したクラスター方式の加熱処理装置の構成を示す概略的平面断面図。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿う断面図。
【図３】本発明のウエハ検知装置の第１の実施例を示す一部断面側面図。
【図４】本発明のウエハ検知装置の第２の実施例を示す一部断面側面図。
【図５】本発明のウエハ検知装置の第３の実施例を示す一部断面側面図。
【図６】本発明のウエハ検知装置の第４の実施例を示す一部断面側面図。
【図７】本発明のウエハ検知装置の第５の実施例を示す一部断面側面図。
【図８】本発明のウエハ検知装置の第６の実施例を示す一部断面側面図。
【図９】反射型ビームセンサの種々の検知範囲を示す説明図。
【図１０】理想的なセンサの検知範囲を示す説明図。
【符号の説明】
Ｗ…ウエハ、１０…加熱処理装置、４３Ａ、４３Ｂ…ピック（ウエハ載置部）、５２…チャンバ、５２Ａ…ガラス、５２Ｂ…底部、６０…反射型ビームセンサ、６１Ａ，６１Ｂ，６１Ｃ，６１Ｄ，６１Ｅ，６１Ｆ，６１Ｇ…ウエハ検知装置、６２…検知ビーム透過窓、６３…ガラス板、６４，６４′，６４Ｂ，６４Ｃ…突起（ウエハ支持部）、７０…傾斜面部、７０Ｂ…傾斜面部、７１，７２…凹所、７５…低反射率面部、８０…傾斜面部、８１…低反射率面部、９０…検知距離調整フィルタ、Ｌ…検知距離、ＬＢ…検知ビーム、ＬＢ′…底部に到達した検知ビーム、ＬＢ１  …ウエハからの反射ビーム、ＬＢ２  …底部からの反射ビーム。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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