【手続補正書】
【提出日】平成29年2月6日(2017.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体構造を形成する方法であって、
隔離層に接してその上にある第１のハードマスク層を形成することであって、前記隔離層が、頂部表面を有し、ソース構造とドレイン構造とに接してそれらの上にある、前記第１のハードマスク層を形成することと、
前記第１のハードマスク層に接してその上にある第２のハードマスク層を形成することであって、前記第２のハードマスク層が頂部表面と底部表面とを有する、前記第２のハードマスク層を形成することと、
前記第２のハードマスク層に接してその上にある第３のハードマスク層を形成することであって、前記第３のハードマスク層が頂部表面を有する、前記第３のハードマスク層を形成することと、
前記第３のハードマスク層に接してその上にある第４のハードマスク層を形成することであって、前記第４のハードマスク層が頂部表面を有する、前記第４のハードマスク層を形成することと、
第１のフォトレジストパターンを形成することであって、
第１のフォトレジスト層を堆積し、前記第１のフォトレジスト層をイメージングし、前記第１のフォトレジスト層のイメージングされたフォトレジスト領域を除去し、
その後に、第２のフォトレジスト層を堆積し、前記第２のフォトレジスト層をイメージングし、前記第２のフォトレジスト層のイメージングされたフォトレジスト領域を除去する、
ことにより、前記第１のフォトレジストパターンを形成することと、
多数のトレンチを形成するために前記第１のフォトレジストパターンを用いて前記第４のハードマスク層をエッチングすることであって、各トレンチが前記第３のハードマスク層の前記頂部表面を露出させる、前記第４のハードマスク層をエッチングすることと、
を含む、方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
多数のマスク開口を形成するために、前記第３のハードマスク層と前記第２のハードマスク層と前記第１のハードマスク層とを選択的にエッチングすることを更に含み、各マスク開口が前記隔離層の前記頂部表面上の覆われていない領域を露出させる、方法。
【請求項３】
請求項２に記載の方法であって、
前記第３のハードマスク層と前記第４のハードマスク層とに接してそれらの上にある、第３のパターニングされたフォトレジスト層を形成することと、
前記第３のハードマスク層と前記第４のハードマスク層とに接してそれらの上にある、第４のパターニングされたフォトレジスト層を形成することと、
を更に含み、
前記第３のパターニングされたフォトレジスト層と前記第４のパターニングされたフォトレジスト層とが、前記第３のハードマスク層の前記頂部表面上の多数の覆われていない領域を露出させ、前記第３のハードマスク層の前記頂部表面上の前記多数の覆われていない領域が、前記多数のマスク開口を形成するためにエッチングされる、方法。
【請求項４】
請求項２に記載の方法であって、
多数の金属コンタクト開口を形成するために、前記隔離層の前記頂部表面上の各覆われていない領域をエッチングすることを更に含み、第１の金属コンタクト開口が前記ソース構造を露出させ、第２の金属コンタクト開口が前記ドレイン構造を露出させる、方法。
【請求項５】
請求項４に記載の方法であって、
前記第１のハードマスク層と前記第２のハードマスク層とが異なる材料組成を有する、方法。
【請求項６】
請求項４に記載の方法であって、
前記第２のハードマスクの前記頂部表面におけるマスク開口の幅が、前記第２のハードマスク層の前記底部表面における前記マスク開口の幅より実質的に大きいように、前記第２のハードマスク層を介する各マスク開口が先細りの側壁を有する、方法。
【請求項７】
請求項４に記載の方法であって、
前記第２のハードマスクの前記頂部表面におけるマスク開口の幅が、前記第２のハードマスクの前記底部表面における前記マスク開口の幅の２倍より大きいように、前記第２のハードマスク層を介する各マスク開口が先細りの側壁を有する、方法。
【請求項８】
請求項４に記載の方法であって、
前記第１のハードマスク層がエッチングされる間に、前記第３及び第４のハードマスク層が完全に取り除かれる、方法。
【請求項９】
請求項４に記載の方法であって、
前記第２のハードマスク層と前記第３のハードマスク層とが異なる材料組成を有する、方法。
【請求項１０】
半導体構造を形成する方法であって、
隔離層に接してその上にある第１のハードマスク層を形成することであって、前記隔離層が、頂部表面を有し、ソース構造とドレイン構造とに接してそれらの上にある、前記第１のハードマスク層を形成することと、
前記第１のハードマスク層に接してその上にある第２のハードマスク層を形成することであって、前記第２のハードマスク構造が頂部表面と底部表面とを有する、前記第２のハードマスク層を形成することと、
前記第２のハードマスク層に接してその上にある第３のハードマスク層を形成することであって、前記第３のハードマスク層が頂部表面を有する、前記第３のハードマスク層を形成することと、
前記第３のハードマスク層に接してその上にある第４のハードマスク層を形成することであって、前記第４のハードマスク層が頂部表面を有する、前記第４のハードマスク層を形成することと、
前記第４のハードマスク層に接してその上にある第１のパターニングされたフォトレジスト層を形成することと、
前記第１のパターニングされたフォトレジスト層を形成した後に、前記第４のハードマスク層に接してその上にある第２のパターニングされたフォトレジスト層を形成することと、
を含み、
前記第１のパターニングされたフォトレジスト層と前記第２のパターニングされたフォトレジスト層とが、前記第４のハードマスク層の前記頂部表面上の多数の覆われていない領域を露出させる、方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の方法であって、
前記第４のハードマスク層を通して延びる多数のトレンチを形成するために、前記第４のハードマスク層の前記頂部表面上の前記多数の覆われていない領域をエッチングすることを更に含み、各トレンチが前記第３のハードマスク層を露出させる、方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の方法であって、
前記第３のハードマスク層を露出させるために前記多数の覆われていない領域をエッチングした後に、前記第３のハードマスク層と前記第４のハードマスク層とに接してそれらの上にある、第３のパターニングされたフォトレジスト層を形成することと、
前記第３のパターニングされたフォトレジスト層を形成した後に、前記第３のハードマスク層と前記第４のハードマスク層とに接してそれらの上にある、第４のパターニングされたフォトレジスト層を形成することと、
を更に含み、
前記第３のパターニングされたフォトレジスト層と前記第４のパターニングされたフォトレジスト層とが、前記第３のハードマスク層の前記頂部表面上の多数の覆われていない領域を露出させる、方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の方法であって、
多数のマスク開口を形成するために、前記第３のハードマスク層の前記頂部表面上の多数の覆われていない領域と前記第２のハードマスク層の下にある領域と前記第１のハードマスク層の下にある領域とを通して、前記第３のハードマスク層をエッチングすることを更に含み、前記多数のマスク開口が前記隔離層の前記頂部表面上の多数の覆われていない領域を露出させる、方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の方法であって、
多数の金属コンタクト開口を形成するために、前記隔離層の前記頂部表面上の前記多数の覆われていない領域を通して前記隔離層をエッチングすることを更に含み、第１の金属コンタクト開口が前記ソース構造を露出させ、第２の金属コンタクト開口が前記ドレイン構造を露出させる、方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の方法であって、
前記第３のパターニングされたフォトレジスト層が、各々前記トレンチに実質的に直交する複数の離間されたストリップを有する、方法。
【請求項１６】
請求項１４に記載の方法であって、
前記第１のハードマスク層と前記第２のハードマスク層とが異なる材料組成を有する、方法。
【請求項１７】
請求項１４に記載の方法であって、
前記第２のハードマスクの前記頂部表面におけるマスク開口の幅が、前記第２のハードマスクの前記底部表面における前記マスク開口の幅より実質的に大きいように、前記第２のハードマスク層を介する各マスク開口が先細りの側壁を有する、方法。
【請求項１８】
請求項１４に記載の方法であって、
前記第１のハードマスク層がエッチングされる間に、前記第３及び第４のハードマスク層が完全に取り除かれる、方法。
【請求項１９】
請求項１４に記載の方法であって、
前記第２のハードマスク層と前記第３のハードマスク層とが異なる材料組成を有する、方法。
【請求項２０】
半導体構造を形成する方法であって、
ソース構造とドレイン構造とに接してそれらの上にある隔離層に接してその上にある第１のハードマスク層を形成することと、
前記第１のハードマスク層に接してその上にある第２のハードマスク層を形成することであって、前記第２のハードマスク層が前記第１のハードマスク層よりも厚い、前記第２のハードマスク層を形成することと、
前記第２のハードマスク層に接してその上にある第３のハードマスク層を形成することと、
前記第３のハードマスク層に接してその上にある第４のハードマスク層を形成することであって、前記第１のハードマスク層が前記第３のハードマスク層と前記第４のハードマスク層との混合された厚さよりも厚い、前記第４のハードマスク層を形成することと、
前記第４のハードマスク層の上に第１のフォトレジストパターンを形成することであって、
第１のフォトレジスト層を堆積し、前記第１のフォトレジスト層をイメージングし、前記第１のフォトレジスト層のイメージングされたフォトレジスト領域を除去し、
その後に、第２のフォトレジスト層を堆積し、前記第２のフォトレジスト層をイメージングし、前記第２のフォトレジスト層のイメージングされたフォトレジスト領域を除去する、
ことにより、前記第１のフォトレジストパターンを形成することと、
多数のトレンチを形成するために前記第１のフォトレジストパターンを用いて前記第４のハードマスク層をエッチングすることであって、各トレンチが前記第３のハードマスク層を露出させる、前記第４のハードマスク層をエッチングすることと、
前記第４のハードマスク層と前記第３のハードマスク層の露出された領域の上に第２のフォトレジストパターンを形成することであって、
第３のフォトレジスト層を堆積し、前記第３のフォトレジスト層をイメージングし、前記第３のフォトレジスト層のイメージングされたフォトレジスト領域を除去し、
その後に、第４のフォトレジスト層を堆積し、前記第４のフォトレジスト層をイメージングし、前記第４のフォトレジスト層のイメージングされたフォトレジスト領域を除去する、
ことにより、前記第２のフォトレジストパターンを形成することと、
前記第２のハードマスク層の多数の覆われていない領域を露出するために、前記第４のハードマスク層に関して前記第３のハードマスク層を前記第２のフォトレジストパターンを用いて選択的にエッチングすることと、
前記第４のハードマスク層と前記第３のハードマスク層よりも多く前記第２のハードマスク層が除去されるように前記第２のハードマスク層を選択的にエッチングすることであって、前記第１のハードマスク層の多数の覆われていない領域が露出され、前記第２のハードマスク層上に先細の側壁を作るために重いポリマーエッチが利用される、前記選択的にエッチングすることと、
前記隔離層の多数の覆われていない領域を露出させるために前記第２のハードマスク層に関して前記第１のハードマスク層を選択的にエッチングすることと、
前記ソース構造と前記ドレイン構造とを露出させるために前記第１のハードマスク層を用いて前記隔離層をエッチングすることと、
を含む、方法。