【手続補正書】
【提出日】平成29年6月16日(2017.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトリソグラフィマスクの基板上のアラインメントマークの基準点の自動決定のための方法であって、
ａ．前記アラインメントマークの第１の要素を位置付けるために、該アラインメントマークが内部に配置された前記基板の開始領域内で、該基板の面上で第１の方向に第１の線走査を実行する段階と、
ｂ．前記アラインメントマークの第２の要素を位置付けるために、前記開始領域内で、前記基板の前記面上で少なくとも前記第１の方向と交差する第２の方向に第２の線走査を実行する段階と、
ｃ．コンピュータユニットを用いて前記アラインメントマークの前記位置付けられた第１の要素及び前記位置付けられた第２の要素から該アラインメントマークの前記基準点を推定する段階と、
ｄ．前記アラインメントマークの前記基準点を決定するために、前記コンピュータユニットを用いた該アラインメントマークの前記推定基準点の周りのターゲット領域を結像する段階であって、該結像が、段階ａ．及びｂ．における前記線走査の前記実行よりも高い分解能で行われる前記結像する段階と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
ｅ．段階ｃ．の後に前記コンピュータユニットによって実行される、前記アラインメントマークの前記基準点の前記推定値の周りにあり、前記開始領域よりも小さくかつ前記ターゲット領域よりも大きい中間領域内で第３及び第４の線走査を実行する段階と、
ｆ．前記コンピュータユニットを用いる、前記第３の線走査及び第４の線走査による前記アラインメントマークの前記第１の要素及び前記第２の要素の新たな位置付けから該アラインメントマークの前記基準点を推定し直す段階と、
ｇ．前記コンピュータユニットによって実行される前記基準点の前記新しい推定値を用いて段階ｄ．を実行する段階と、
を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
位置の不正確性が予め決められた閾値よりも小さい前記コンピュータユニットを用いる前記基準点の新たな推定に向けて段階ｅ．からｆ．を繰り返す段階を更に含むことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記予め決められた閾値は、１００μｍ、好ましくは２０μｍ、より好ましくは５μｍ、最も好ましくは１μｍであることを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
ｈ．前記開始領域内で、且つ該開始領域よりも小さくかつ前記ターゲット領域よりも大きい中間領域の外側で段階ｃ．の後に前記コンピュータユニットによって実行される前記アラインメントマークの前記基準点の前記推定値の周りで第３及び第４の線走査を実行する段階と、
ｉ．前記コンピュータユニットを用いる前記第３の線走査及び第４の線走査による前記アラインメントマークの前記第１の要素及び前記第２の要素の新たな位置付けから該アラインメントマークの前記基準点を推定し直す段階と、
ｊ．前記コンピュータユニットによって実行される前記基準点の前記新しい推定値を用いて段階ｄ．を実行する段階と、
を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
方法の段階ｃ．は、前記第１の線走査及び前記第２の線走査を格納された基準マークと比較する段階を含むことを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記基準点は、＜１０μｍ、好ましくは＜１μｍ、より好ましくは＜３００ｎｍ、最も好ましくは＜１００ｎｍの位置の不正確性を有して決定されることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
ｋ．段階ｃ．で基準点が推定されなかった場合に前記開始領域をシフトする段階と、
ｌ．段階ａ．、ｂ．及びｃ．を繰り返す段階と、
を更に含むことを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記第１及び前記第２の線走査を実行する段階は、共焦点分光反射率計の使用を含むことを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１及び前記第２の線走査を実行する段階は、事前集束なしの前記共焦点分光反射率計の前記使用を含むことを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記フォトリソグラフィマスクの前記基板と前記共焦点分光反射率計の出力レンズとの間の距離を用いて前記第１及び前記第２の線走査の信号対ノイズ比を設定する段階を更に含むことを特徴とする請求項９又は請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記ターゲット領域を前記結像する段階は、走査電子顕微鏡、及び／又は集束イオンビーム顕微鏡、及び／又は光顕微鏡の使用を含むことを特徴とする請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
フォトリソグラフィマスクの基板上のアラインメントマークの基準点の自動決定のためのデバイスであって、
ａ．前記アラインメントマークの第１の要素及び第２の要素を位置付けるために、該アラインメントマークが内部に配置された前記基板の開始領域内で、前記基板の面上で第１の方向に第１の線走査及び第２の線走査を実行するための手段と、
ｂ．前記アラインメントマークの前記第１及び前記第２の要素から該アラインメントマークの前記基準点を推定するための、コンピュータユニットを含む手段と、
ｃ．前記コンピュータユニットによって推定される前記アラインメントマークの前記基準点を決定するために該アラインメントマークの前記推定基準点の周りのターゲット領域を結像するための手段であって、前記第１の線走査及び前記第２の線走査を実行するための前記手段よりも高い分解能を有する前記結像するための手段と、
を含むことを特徴とするデバイス。
【請求項１４】
第１の線走査及び第２の線走査を実行するための前記手段は、＜１００μｍ、好ましくは＜５０μｍ、より好ましくは＜２０μｍ、最も好ましくは＜１０μｍの横方向空間分解能を有することを特徴とする請求項１３に記載のデバイス。
【請求項１５】
第１の線走査及び第２の線走査を実行するための前記手段は、前記基板の前記面を局所走査するための手段を含むことを特徴とする請求項１３又は請求項１４に記載のデバイス。
【請求項１６】
第１の線走査及び第２の線走査を実行するための前記手段は、
ｄ．集束電磁放射線を前記基板上に向け、かつ該基板によって反射及び／又は透過された電磁放射線を受けるように具現化されたセンサと、
ｅ．前記集束電磁放射線に対して垂直な平面内で前記センサ及び／又は前記基板を走査するように具現化された走査ユニットと、
ｆ．前記センサに接続され、かつ該センサによって受けた前記電磁放射線から局所強度分布を決定するように具現化された制御ユニットと、
を含む、
ことを特徴とする請求項１３から請求項１５のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項１７】
前記制御ユニットは、更に、前記走査ユニットに接続され、かつ該走査ユニットの開ループ制御又は閉ループ制御に向けて具現化されることを特徴とする請求項１６に記載のデバイス。
【請求項１８】
前記走査ユニットは、＜２０μｍ、好ましくは＜１０μｍ、より好ましくは＜１μｍ、最も好ましくは＜０．５μｍの空間分解能を有することを特徴とする請求項１６又は請求項１７に記載のデバイス。
【請求項１９】
前記センサは、共焦点分光反射率計を含むことを特徴とする請求項１６から請求項１８のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項２０】
前記センサは、事前集束なしで前記第１及び第２の線走査を実行するように具現化されることを特徴とする請求項１９に記載のデバイス。
【請求項２１】
前記第１及び前記第２の線走査の前記信号対ノイズ比は、前記フォトリソグラフィマスクの前記基板と前記共焦点分光反射率計の出力レンズとの間の距離を用いて設定されることを特徴とする請求項１９又は請求項２０に記載のデバイス。
【請求項２２】
前記ターゲット領域を結像するための前記手段は、＜２００ｎｍ、好ましくは＜５０ｎｍ、より好ましくは＜１０ｎｍ、最も好ましくは＜２ｎｍの空間的分解能を有することを特徴とする請求項１６から請求項２１のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項２３】
前記ターゲット領域を結像するための前記手段は、走査電子顕微鏡、及び／又は集束イオンビーム顕微鏡、及び／又は光顕微鏡を含むことを特徴とする請求項１６から請求項２２のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項２４】
前記アラインメントマークの前記基準点を推定するための前記コンピュータユニットは、前記位置付けられた第１及び第２の要素から該アラインメントマークの該基準点を推定するように、及び／又は前記ターゲット領域の前記結像から該アラインメントマークの該基準点を決定するように構成されたプロセッサを含むことを特徴とする請求項１６から請求項２３のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項２５】
前記アラインメントマークの前記基準点を推定するための前記コンピュータユニットは、基準マークを格納するためのメモリを含むことを特徴とする請求項１６から請求項２４のいずれか１項に記載のデバイス。