(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板にゲート絶縁膜と、ゲート電極と、ソース及びドレイン領域とを形成して構成されるＭＯＳトランジスタにおいて、
前記ゲート電極は、ＴｉＣＮ膜よりなる単一膜、またはＴｉＣＮ膜とその膜上に形成された低抵抗金属膜よりなる二重膜であることを特徴とするＭＯＳトランジスタ。
【請求項２】
前記低抵抗金属膜を構成する物質は、タングステン、タングステンシリサイド、チタンシリサイド及び銅よりなるグループから選択される何れか１つであることを特徴とする請求項１に記載のＭＯＳトランジスタ。
【請求項３】
ＭＯＳトランジスタの製造方法において、
半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極用のＴｉＣＮ膜を形成する工程と、
を具備することを特徴とするＭＯＳトランジスタの製造方法。
【請求項４】
前記ＴｉＣＮ膜は、反応性スパッタリング法により形成することを特徴とする請求項３に記載のＭＯＳトランジスタの製造方法。
【請求項５】
前記ＴｉＣＮ膜は、約６００℃の温度でアルゴンガス雰囲気中で窒素とメタンガスを利用して形成することを特徴とする請求項４に記載のＭＯＳトランジスタの製造方法。
【請求項６】
前記ＴｉＣＮ膜を形成する工程の後に、前記ＴｉＣＮ膜上に低抵抗の金属物質を形成する工程をさらに具備し、前記ＴｉＣＮ膜と低抵抗の金属物質よりなるゲート電極を形成することを特徴とする請求項３に記載のＭＯＳトランジスタの製造方法。
【請求項７】
前記低抵抗の金属物質は、タングステン、タングステンシリサイド、チタンシリサイド及び銅よりなるグループから選択される何れか１つで形成されることを特徴とする請求項６に記載のＭＯＳトランジスタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＭＯＳトランジスタ及びその製造方法に係り、特にチタンカーボンナイトライド（以下、ＴｉＣＮと称する）のゲート電極を有するＭＯＳトランジスタ及びその製造方法に関する。
【従来の技術】
ＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）トランジスタは、半導体基板と、前記半導体基板に反対導電型の不純物イオンを注入して形成されたソース及びドレイン領域と、前記ソース領域とドレイン領域との間に形成されるチャンネル領域と、前記チャンネル領域上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極とで構成される。一般的に、ＭＯＳトランジスタのゲート電極は、Ｎ形の不純物がドーピングされたポリシリコンで構成される。このようにポリシリコンでゲート電極を構成する場合は、プロセスが非常に安定的であるという利点を有する一方で、シート抵抗が高いという短所がある。
一方、ＰＭＯＳトランジスタの場合には、埋没チャンネル型素子として動作をするのでスレショルド電圧を低くしにくい。これはスレッショルド電圧を低くすると、短チャンネル効果によりトランジスタの特性が悪化するからである。
【０００２】
このような問題点を解決するため、ポリシリコンに比べて比抵抗の低い金属物質のゲート電極が研究されており、その１つとして、チタンナイトライド（以下、ＴｉＮと称する）をゲート電極として使用する方法が提案されている。
ＴｉＮゲート電極は、５０μΩｃｍ以下の低い比抵抗を有するため、ＲＣ遅延時間を低減することができる。また、ＴｉＮゲート電極は、シリコンのミドギャップエネルギーレベル（Ｅｆ）を有するので、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタとＰチャンネルＭＯＳトランジスタの両方を表面チャンネル型素子として作動させ得る長所を有する。従って、短チャンネル効果によるトランジスタの特性の低下を回避でき、工程を単純化させ得る。
しかし、実際に形成されたＴｉＮゲート電極のフェルミエネルギーレベルは、ＴｉＮ膜の構造及び化学的構成により、シリコンのミドギャップエネルギーレベルとある程度ずれることになる。これを図１及び図２に基づいて説明する。
図１は、ＴｉＮゲート電極を使用した場合と、とポリシリコンゲート電極を使用した場合の従来のＭＯＳキャパシタのＣ−Ｖ（容量ー電圧）曲線を比較したグラフである。
図１において、符号ａ及びｂは、夫々ポリシリコンゲート電極、ＴｉＮゲート電極を有するＭＯＳキャパシタのＣ−Ｖ曲線を示す。図１に示すように、ＴｉＮゲート電極とポリシリコンゲート電極との間の仕事関数の差は、０．６〜０．７ｅＶになる。従って、ＴｉＮゲート電極のフェルミエネルギーレベルは、シリコンのミドギャップエネルギーレベルから価電子バンドの方に移動されていることがわかる。
図２及び図３は、夫々ＴｉＮゲート電極を有する従来のＰＭＯＳトランジスタ及びＮＭＯＳトランジスタのゲート長（Ｌ）の変化に伴うスレッショルド電圧（Ｖ）の変化を示したグラフである。
図２及び図３において、Ｘ軸はゲート長を示し、Ｙ軸はスレッショルド電圧を示す。ＴｉＮゲート電極のフェルミエネルギーレベルは、シリコンのミドギャップエネルギーレベルから価電子バンドの方に移動することによりビルトインポテンシャルが増加する。これにより、図２及び図３に示されたように、ＰＭＯＳトランジスタの臨界電圧の減少及びＮＭＯＳトランジスタの臨界電圧の増加がわかる。
前述のように、ＴｉＮゲート電極のフェルミエネルギーレベルは、シリコンのミドギャップエネルギーレベルからずれることになる。このようなＴｉＮゲート電極のフェルミエネルギーレベルの変化は短チャンネルを形成することによりトランジスタの特性が悪化される問題点をもたらす。
【発明が解決しょうとする課題】
本発明の目的は、上記の問題点を解決するために仕事関数の変化を調節し得るＭＯＳトランジスタを提供することにある。
また、本発明の他の目的は、仕事関数の変化を調節し得るＭＯＳトランジスタを製造するのに好適なＭＯＳトランジスタの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明のＭＯＳトランジスタは、半導体基板にゲート絶縁膜と、ゲート電極と、ソース及びドレイン領域とを形成して構成されるＭＯＳトランジスタにおいて、前記ゲート電極はＴｉＣＮ膜よりなる単一膜、またはＴｉＣＮ膜とその膜上に形成された低抵抗金属膜よりなる二重膜であることを特徴とする。前記低抵抗金属膜を構成する物質は、タングステン、タングステンシリサイド、チタンシリサイド及び銅よりなるグループから選択される何れか１つで構成することが好ましい。
前記他の目的を達成するため、本発明のＭＯＳトランジスタの製造方法は、半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極用のＴｉＣＮ膜を形成する工程とを具備することを特徴とする。
前記ＴｉＣＮ膜は、反応性スパッタリング法により形成し、前記ＴｉＣＮ膜は６００℃の温度でアルゴンガス雰囲気中で窒素とメタンガスを利用して形成することが好ましい。
また、前記ＴｉＣＮ膜を形成する工程後に、前記ＴｉＣＮ膜上に低抵抗の金属物質を形成する工程をさらに具備し、前記ＴｉＣＮ膜と低抵抗の金属物質よりなるゲート電極を形成しても良い。
【０００３】
前記低抵抗の金属物質は、タングステン、タングステンシリサイド、チタンシリサイド及び銅よりなるグループから選択された何れか１つで形成することが好ましい。
【発明の実施の形態】
図４は、ＴｉＣＮゲート電極を有する本発明のＭＯＳトランジスタの形成に適用された反応性スパッタリング装置の概略図である。
図４に示すように、チャンバ１の上部にはＴｉターゲット３が配置され、これに対向してヒータとして作用し、ウェーハ（シリコン基板）４を載置する支持台１２が備えられている。また、チャンバ１の上下には窒素とメタンガスを注入するノズル５と、アルゴンガスが注入される７が配置され、チャンバ１の下部には真空雰囲気を保てる排気口１１が備えられている。また、上下のノズル５及び７の間にシールド６が備えられている。
次いで、図４に示した反応性スパッタリング装置を用いて本発明のＴｉＣＮ膜の形成方法を説明する。
【０００４】
イオン化されたアルゴンをＴｉターゲット３に衝突、エッチングさせ、気相中に飛び出したＴｉ原子をウェーハ４上のノズル５から供給される窒素ガス及びメタンガスと反応させ、予めゲート絶縁膜が形成されたシリコン基板上にＴｉＣＮ膜を形成する。この際、窒素ガスとメタンガス（ＣＨ４）は、各々シリコン基板を取囲んでいる輪形の側面ノズル５を通して導入される。これはシリコン基板上でさらに多くの反応を起こらせるためである。
【０００５】
ＴｉＣＮ蒸着時圧力は２ｍＴｏｒｒ、パワーは４Ｋｗに固定し、蒸着温度は、常温、２００℃、４００℃及び６００℃にし、ＣＨ４ガス量は０〜２０ＳＣＣＭにして、厚さ９００ÅのＴｉＣＮを蒸着する。この際、窒素ガスは１６ＳＣＣＭ、アルゴンガスは１０ＳＣＣＭに固定した。このように形成したＴｉＣＮ膜の抵抗は、従来のポリシリコン膜の比抵抗６００〜２０００μΩｃｍに比べて非常に低い８０〜１００μΩｃｍを示す。このＣ−Ｖ特性を図５に示している。
【０００６】
図５は、ＴｉＣＮゲート電極を有する本発明のＭＯＳキャパシタのＣ−Ｖ曲線を説明するためのグラフである。
図５において、符号ｃは、ＴｉＮゲート電極を有する従来のＭＯＳキャパシタのＣ−Ｖ曲線であり、符号ｄ、ｅ、ｆは、夫々窒素ガスを１６ｓｃｃｍとして、メタンガス量を１ｓｃｃｍ、３ｓｃｃｍ、４ｓｃｃｍとした時のＴｉＣＮゲート電極を有するＭＯＳキャパシタのＣ−Ｖ曲線であり、符号ｇは、ポリシリコンゲート電極を有する従来のＭＯＳキャパシタのＣ−Ｖ曲線である。
メタンガス量を増加させることにより、Ｃ−Ｖ曲線がポリシリコンゲート電極の曲線の方に移動することがわかる。以上の結果に基づいてシリコンと比較すると、ＴｉＣＮゲート電極のフェルミエネルギーレベルは、シリコンのミドギャップエネルギーレベルの方に移動したことがわかる。表１は、ポリシリコンゲート電極を有するＭＯＳキャパシタの曲線を基準として、メタンガス量の調整によるフラットバンド電圧の移動量を示している。
【表１】
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前記図５及び表１に示すように、メタンガスの注入量を変化させることにより、ＴｉＣＮ膜のフェルミエネルギーレベルを調節することができる。
【０００７】
上記の説明は、ゲート電極をＴｉＣＮの単一膜で構成した一例であるが、本発明は、ＴｉＣＮ膜上に低抵抗金属膜を蒸着してなる二重膜をゲート酸化膜とした場合にも適用できる。ゲート酸化膜とＴｉＣＮ膜とが接触する構成とすれば、上記の説明と同様の効果を奏するからである。この低抵抗金属膜の材質としては、例えば、タングステン、タングステンシリサイド、チタンシリサイドまたは銅などが好適である。
本発明は、上記の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想内で当分野の通常の知識を有する者により様々な変更が可能であるであること明白である。
【発明の効果】
本発明によれば、仕事関数の変化を調節し得るＭＯＳトランジスタを提供することができる。
また、本発明によれば、仕事関数の変化を調節し得るＭＯＳトランジスタを製造するのに好適なＭＯＳトランジスタの製造方法を提供できる。
【０００８】
すなわち、反応性スパッタリングにより形成されたＴｉＣＮゲート電極は、約８０〜１００μΩｃｍの低い比抵抗を有する。また、ＴｉＮゲートのフェルミエネルギーレベルのずれの問題は、ＴｉＣＮゲート電極を形成して調節することにより解決し得る。
【０００９】
【図面の簡単な説明】
【図１】ＴｉＮゲート電極を使用した場合と、ポリシリコンゲート電極を使用した場合の従来のＭＯＳキャパシタのＣ−Ｖ曲線を示した図である。
【図２】ＴｉＮゲート電極を有する従来のＰＭＯＳトランジスタのゲート長（Ｌ）の変化に伴うスレッショルド電圧（Ｖ）の変化を示した図である。
【図３】ＴｉＮゲート電極を有する従来のＮＭＯＳトランジスタのゲート長（Ｌ）の変化に伴うスレッショルド電圧（Ｖ）の変化を示した図である。
【図４】ＴｉＣＮゲート電極を有する本発明のＭＯＳトランジスタの形成に適用された反応性スパッタリング装置の概略図である。
【図５】ＴｉＣＮゲート電極を有する本発明のＭＯＳキャパシタのＣ−Ｖ曲線を説明するための図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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