(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
中央部に一対の引出し導体により画定された信号検出領域を有した磁気抵抗効果素子の両端部にバイアス磁界印加用の磁性膜を有する磁気抵抗効果型薄膜ヘッドにおいて、
前記磁気抵抗効果素子におけるバイアス磁界印加用の磁性膜を接合する前記引出し導体より外側に位置する両端部分の厚みが、前記引出し導体の接合部を含む信号検出領域の厚みよりも厚くなるように当該引出し導体の接合部を含む信号検出領域を均一な厚みに薄くしたことを特徴とする磁気抵抗効果型薄膜ヘッド。
【請求項２】
前記バイアス磁界印加用の磁性膜は、フェリー磁性膜、反強磁性膜若しくは永久磁石膜からなることを特徴とする請求項１の磁気抵抗効果型薄膜ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は磁気ディスク装置、或いは磁気テープ装置等に用いられる磁気抵抗効果型薄膜ヘッド（以下ＭＲヘッドと略称する）に関するものである。
【０００２】
近年、磁気ディスク装置等においては、小型、大容量化に伴って高密度記録化が進められ、その高密度記録化に対して再生出力の高い磁気ヘッドが要求されている。このため、再生専用の磁気ヘッドとして再生出力が記録媒体の速度に依存せず、小型な磁気ディスクにも対応でき、しかも高い再生出力が得られるＭＲヘッドが注目されているが、更に再生特性が良好で、信頼性の高いＭＲヘッドが必要とされている。
【０００３】
【従来の技術】
従来のＭＲヘッドは図４の要部斜視図及び図５の要部側断面図に示すように、長さ方向に所定間隔をもってＡｕ膜、Ｃｕ膜、或いはＡｌ膜等からなる一対の引出し導体１２ａ，  １２ｂが接合され、その一対の引出し導体１２ａ，  １２ｂ間に画定された信号検出領域１１ａ  を有する  Ｎｉ−Ｆｅ膜からなる磁気抵抗効果素子  （以下、ＭＲ素子と略称する）  １１の両側に、それぞれＡｌ２Ｏ３  等からなる非磁性絶縁膜１３を介して、例えばＮｉＺｎフェライト等からなるシールド磁性体１４と  Ｎｉ−Ｆｅ膜からなるシールド磁性膜１５とが配設された構成からなっている。
【０００４】
そしてかかるＭＲヘッドを矢印方向に移動する磁気記録媒体１７上に所定間隙をもって浮上動作させた状態で、前記ＭＲ素子１１にその各引出し導体１２ａ，  １２ｂよりセンス電流Ｉｓを供給することにより発生する磁界によって前記シールド磁性体１４が磁化され、その磁化により該ＭＲ素子１１にバイアス磁界が印加される。
【０００５】
このＭＲ素子１１での信号検出領域１１ａ  の磁化は磁気記録媒体１７からの磁界により変化され、磁気抵抗効果により生じる信号検出領域１１ａ  の電気抵抗値の変化を前記引出し導体１２ａ，  １２ｂより電圧の変化として再生信号を検出することによって再生を行なっている。
【０００６】
このようなＭＲヘッドにおいては、記録媒体の高密度記録に伴う狭トラック化によりＭＲ素子１１の狭トラックに対応するコア幅が小さくなるにつれてそのコア幅方向の反磁界が増大して該ＭＲ素子１１の磁区構造が多磁区化するようになり、再生時にそのＭＲ素子１１の磁壁の不規則な移動によってバルクハウゼン雑音が発生し、再生信号を著しく劣化させる傾向にある。
【０００７】
従って、そのようなバルクハウゼン雑音の発生を防止する方法として、例えば前記ＭＲ素子１１の全面にバイアス磁界印加用のＦｅＭｎ等の反強磁性膜からなる磁性膜を接合し、それによって交換バイアス磁界を作用させ、該ＭＲ素子１１の磁区構造を単磁区化していた。しかし、該ＭＲ素子１１の全面に前記バイアス磁界印加用の磁性膜を接合するとそのＭＲ素子１１の透磁率が低下し、ＭＲヘッドとしての再生感度が低下する問題があった。
【０００８】
そこで、前記バルクハウゼン雑音の発生と透磁率の低下とを防止するために、図４に示すようにバイアス磁界印加用の例えば反強磁性膜からなる磁性膜１６ａ，１６ｂ  をＭＲ素子１１の両端部のみに接合した構成が採られている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、この様な構成のＭＲヘッドによって再生を行う記録媒体の高密度記録に伴う狭トラック化と共に線記録密度も高めて行くと、そのトラック方向への記録ピットが微小化し、それに対応して再生するＭＲヘッドにおけるＭＲ素子の膜厚も薄層化する傾向にある。
【００１０】
ところが、そのＭＲ素子の膜厚の薄層化により該ＭＲ素子に対するその両端部に設けたバイアス磁界印加用の例えば反強磁性膜からなる磁性膜によるバイアス磁界強度が低下し、ＭＲ素子の磁化が不十分になって磁壁の不規則な移動によるバルクハウゼン雑音の発生を確実に防止することが難しくなるという欠点があった。
【００１１】
本発明は上記した従来の問題点に鑑み、ＭＲ素子の膜厚を薄層化してもその両端部上に設けたバイアス磁界印加用の磁性膜により該ＭＲ素子を十分に磁化してバルクハウゼン雑音の発生を確実に防止するようにした磁気抵抗効果型薄膜ヘッドを提供することを目的とするものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記した目的を達成するため、中央部に一対の引出し導体により画定された信号検出領域を有した磁気抵抗効果素子の両端部にバイアス磁界印加用の磁性膜を有する磁気抵抗効果型薄膜ヘッドにおいて、前記磁気抵抗効果素子におけるバイアス磁界印加用の磁性膜を接合する前記引出し導体より外側に位置する両端部分の厚みが、前記引出し導体の接合部を含む信号検出領域の厚みよりも厚くなるように当該引出し導体の接合部を含む信号検出領域を均一な厚みに薄くした構成とする。
【００１３】
また、前記バイアス磁界印加用の磁性膜は、フェリー磁性膜、若しくは永久磁石膜からなる構成とする。
【００１４】
【作用】
本発明では、中央部に一対の引出し導体により画定された信号検出領域を有した磁気抵抗効果素子の両端部にバイアス磁界印加用の磁性膜を有する磁気抵抗効果型薄膜ヘッドにおいて、前記磁気抵抗効果素子におけるバイアス磁界印加用の磁性膜を接合する前記引出し導体より外側に位置する両端部分の厚みが、前記引出し導体の接合部を含む信号検出領域の厚みよりも厚くなるように当該引出し導体の接合部を含む信号検出領域を均一な厚みに薄くした構成とすることにより、前記バイアス磁界印加用の磁性膜が接合されたＭＲ素子の両端部分に多くのＮ，  Ｓ極が生じ、中央部に対して印加されるバイアス磁界強度が大きくなって該中央部が十分に磁化されて確実に単磁区化される。その結果、ＭＲ素子を薄層化しても再生時のＭＲ素子の磁壁の不規則な移動によるバルクハウゼン雑音の発生を確実に防止することができる。
【００１５】
【実施例】
以下図面を用いて本発明の実施例について詳細に説明する。
図１は本発明の磁気抵抗効果型薄膜ヘッドの一実施例を示す要部斜視図である。
【００１６】
図において、２４はＮｉＺｎフェライト等からなるシールド磁性体、２５はＮｉＦｅ膜からなるシールド磁性膜であり、このシールド磁性体２４とシールド磁性層２５との間にＳｉＯ２膜、或いは  Ａｌ２Ｏ３膜等からなる図示しない非磁性絶縁膜をそれぞれ介在して、中央部に信号検出領域２１ａ  を画定するようにＡｕ膜、或いはＣｕ膜等からなる一対の引出し導体２２ａ，  ２２ｂが接合され、その一対の引出し導体２２ａ，  ２２ｂの両外側にＦｅＭｎからなるバイアス磁界印加用の磁性膜２３ａ  と２３ｂ  が接合されたＭＲ素子２１が配設されている。
【００１７】
この場合、前記ＭＲ素子２１としては、例えば中央部の膜厚が  ４００Åと薄層化され、その中央部の両側のバイアス磁界印加用の磁性膜２３ａ  と２３ｂ  が接合された両端部の膜厚が  ５００Åと厚く形成されている。
【００１８】
このようなＭＲ素子２１を形成するには、  ５００Åの膜厚のＭＲ素子形成用のＮｉＦｅ膜とそのＮｉＦｅ膜上にバイアス磁界印加用のＦｅＭｎからなる磁性膜をスパッタリング法等により連続的に積層形成し、これらを一括して素子パターン形状にパターニングした後、パターニングされた前記磁性膜の所定両端部上をレジスト膜によりマスクした状態でそのマスクより露出する磁性膜の中央部分をイオンミリング法等により除去し、更にその直下の前記ＭＲ素子の中央部分を  １００Å程度イオンミリングすることにより、図２の拡大斜視図に示すように中央部分に  ４００ÅのＮｉＦｅ膜が露出し、その両側の厚い  ５００Åの膜厚の両端部にそれぞれバイアス磁界印加用の磁性膜２３ａ  と２３ｂ  が接合された形状に形成される。
【００１９】
そして中央部上に信号検出領域２１ａ  を画定するようにＡｕ膜、或いはＣｕ膜等からなる一対の引出し導体２２ａ，  ２２ｂを接合した構成としている。
従って、このようなヘッド構成によりＭＲ素子の薄層化、即ち、ＭＲ素子の中央部を薄層化してもバイアス磁界印加用の磁性膜２３ａ  と２３ｂ  が接合された両端部の膜厚を厚くすることによって前記中央部に対する磁化が十分になされ、バルクハウゼン雑音の発生を確実に防止することができるので、再生信号のＳ／Ｎが向上し、信頼性良く情報を再生することが可能となる。
【００２０】
なお、上記した実施例のヘッド構成では、ＭＲ素子２１の先端部と共に、該ＭＲ素子２１の両端部に接合されたＦｅＭｎからなるバイアス磁界印加用の磁性膜２３ａ  と２３ｂ  の一部が記録媒体対向面に露出しており、腐食し易いＦｅＭｎ膜からなるバイアス磁界印加用の磁性膜２３ａ  と２３ｂ  が空気等と接触して腐食する問題がある。
【００２１】
そのような腐食を防止するために例えば図３の斜視図に示すようにＭＲ素子３１の中央部を下方に突出させて該ＭＲ素子３１をＴ字型にしてそのＭＲ素子３１の突出部３１ｂ  の先端を記録媒体対向面に露出させた構成とし、前記バイアス磁界印加用の磁性膜２３ａ，  ２３ｂを記録媒体対向面より後退させることによりその腐食を防止することができる。従って、バイアス磁界印加用の磁性膜２３ａ，  ２３ｂにＦｅＭｎ膜以外の腐食し易い磁性材料も適用することが可能となる。
【００２２】
また、以上の各実施例ではバイアス磁界印加用の磁性膜としてＦｅＭｎからなる磁性膜を用いた場合の例について説明したが、この例に限定されるものではなく、例えばα−Ｆｅ２Ｏ３等からなるフェリ磁性膜、或いはＳｍＣｏ等からなる永久磁石膜などを用いることもでき、同様な効果が得られる。
【００２３】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明に係る磁気抵抗効果型薄膜ヘッドによれば、バイアス磁界印加用の磁性膜を接合する前記引出し導体より外側に位置する両端部分の厚みが、前記引出し導体の接合部を含む信号検出領域の厚みよりも厚くなるように当該引出し導体の接合部を含む信号検出領域を均一な厚みに薄くしたした構成としているので、両端部上のバイアス磁界印加用の磁性膜がＭＲ素子の中央部に作用する静磁界が大きくなり、該中央部が十分に磁化されて確実に単磁区化することができるのでバルクハウゼン雑音の発生が防止され、再生信号のＳ／Ｎが向上し、信頼性良く情報を再生することが可能となる優れた利点を有する。
【００２４】
従って、磁気ディスク装置の大容量化、高密度記録化に寄与するところが大きい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の磁気抵抗効果型薄膜ヘッド（ＭＲヘッド）の一実施例を示す要部斜視図である。
【図２】本発明の磁気抵抗効果型薄膜ヘッド（ＭＲヘッド）の一実施例におけるＭＲ素子を示す拡大斜視図である。
【図３】本発明の磁気抵抗効果型薄膜ヘッド（ＭＲヘッド）の一実施例の変形例を示す要部斜視図である。
【図４】従来の磁気抵抗効果型薄膜ヘッド（ＭＲヘッド）を説明するための要部斜視図である。
【図５】従来の磁気抵抗効果型薄膜ヘッド（ＭＲヘッド）を説明するための要部側断面図である。
【符号の説明】
２１，３１    ＭＲ素子
２１ａ，３１ａ    信号検出領域
２２ａ，２２ｂ    引出し導体
２３ａ，２３ｂ    磁性膜
２４    シールド磁性体
２５    シールド磁性膜
３１ｂ    突出部
【図１】
0003590078.tif 000002
【図２】
0003590078.tif 000003
【図３】
0003590078.tif 000004
【図４】
0003590078.tif 000005
【図５】
0003590078.tif 000006