【手続補正書】
【提出日】平成29年6月2日(2017.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機エレクトロルミネセント素子と、
第１の領域と、第２の領域と、前記第１及び第２の領域間での電荷の流れを制御するように構成された中間の半導電性領域とを有する接合トランジスタであり、少なくとも２つの隣接する領域が、１つ以上の半導電性無機金属化合物から基本的に成る、接合トランジスタと
を有し、
前記接合トランジスタの各領域及び前記エレクトロルミネセント素子が、共通の方向に沿って続けて積層されている、
エレクトロルミネセントデバイス。
【請求項２】
発光トランジスタである請求項１に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
【請求項３】
前記中間の半導電性領域はベース領域であり、前記第１の領域はエミッタ領域であり、前記第２の領域はコレクタ領域であり、前記ベース領域と、前記エミッタ領域又は前記コレクタ領域の少なくとも一方とは、隣接する領域である、請求項１又は２に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
【請求項４】
前記エレクトロルミネセント素子及び前記接合トランジスタの各領域が、垂直方向に沿って続けて積層されている、請求項１乃至３の何れか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
【請求項５】
前記エレクトロルミネセント素子及び前記接合トランジスタの各領域は、互いに上下にされた層である、請求項１乃至４の何れか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
【請求項６】
前記有機エレクトロルミネセント素子は、前記接合トランジスタとは別であり、且つ前記接合トランジスタに隣接している、請求項１乃至５の何れか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
【請求項７】
前記中間の半導電性領域及び前記第１の領域は、２つの隣接する領域であり、且つ、金属の酸化物、窒化物、硫化物及び炭化物から成る群から選択された１つ以上の半導電性無機金属化合物から基本的に成り、前記第２の領域は、１つ以上の電荷輸送有機キャリア材料又は金属を有する、請求項１乃至６の何れか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
【請求項８】
前記第１の領域は、２．５ｅＶよりも低い又は４．０ｅＶよりも高い仕事関数を持った、１つ以上の電荷輸送有機キャリア材料又は金属を有する、請求項７に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
【請求項９】
前記中間の半導電性領域は、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｎ及びＴｉの酸化物から成る群から選択された１つ以上の半導電性無機金属化合物から基本的に成る、請求項１乃至８の何れか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
【請求項１０】
前記中間の半導電性領域は、半導体材料の２つ以上の層を有する積層された薄膜の構造を有し、前記２つ以上の層は高抵抗層及び低抵抗層を含む、請求項１乃至９の何れか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
【請求項１１】
前記中間の半導電性領域は、２つの層を形成するように高抵抗層と導電層若しくは低抵抗層とが積層された構造を有する、請求項１乃至９の何れか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
【請求項１２】
前記第２の領域は、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｎ及びＴｉの酸化物から成る群から選択された１つ以上の半導体材料から基本的に成る、請求項１乃至１１の何れか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
【請求項１３】
前記第１の領域は、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｎ及びＴｉの酸化物から成る群から選択された１つ以上の半導体材料から基本的に成る、請求項１乃至１２の何れか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
【請求項１４】
前記接合トランジスタは透明である、請求項１乃至１３の何れか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
【請求項１５】
当該エレクトロルミネセントデバイスは、前記エレクトロルミネセント素子内の有機発光層から光が発生されるように構成され、前記発光層は、前記接合トランジスタと前記エレクトロルミネセント素子の更なる層との間に配置され、前記発光層から発生された光は、前記有機エレクトロルミネセント素子の前記更なる層を透過し、前記接合トランジスタと基板との間に配置されたリフレクタ領域によって反射される、請求項１乃至１４の何れか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
【請求項１６】
当該エレクトロルミネセントデバイスから透過される光は入射光のうちの少なくとも３０％である、請求項１乃至１５の何れか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
【請求項１７】
請求項１乃至１６の何れか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイスを有する画素回路であって、
前記エレクトロルミネセントデバイスは、前記エレクトロルミネセントデバイスの動作を制御する制御回路に接続され、
前記制御回路は、
スイッチング手段と、
電流設定トランジスタと、
キャパシタと
を有する、
画素回路。
【請求項１８】
前記スイッチング手段は、前記スイッチング手段がオンであるときに、第１の制御ラインを前記エレクトロルミネセントデバイスの入力電極に選択的に結合して、前記入力電極における電圧を設定するように構成され、且つ、ゲートが第２の制御ラインに接続され且つソース及びドレインが前記第１の制御ラインの前記入力電極への前記結合のために構成された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）であり、
前記電流設定トランジスタは、前記電流設定トランジスタがバイアスされた状態にあるときに、前記入力電極を介して、前記エレクトロルミネセントデバイスに電流を送り届ける又は前記エレクトロルミネセントデバイスから電流を引き抜くように構成され、且つ、ゲートが前記キャパシタに接続されたＴＦＴであり、
前記キャパシタは、前記スイッチング手段がターンオフされたときに、前記送り届けられる電流又は引き抜かれる電流を長引かせるよう、前記電流設定トランジスタが前記バイアスされた状態にあることを長引かせるように構成される、
請求項１７に記載の画素回路。
【請求項１９】
前記スイッチング手段は更に、前記スイッチング手段がオンであるときに、前記第１の制御ラインを選択的に結合して、前記電流設定トランジスタをバイアスされた状態にし、当該画素回路は更に、前記スイッチング手段がオンであるときに前記第１の制御ラインを選択的に結合して前記入力電極における前記電圧を設定する第２のスイッチング手段を有し、前記キャパシタは、前記入力電極からアイソレートされている、請求項１８に記載の画素回路。
【請求項２０】
請求項１に記載のエレクトロルミネセントデバイスを各々が有する複数の画素回路を有する画素マトリクス回路であって、前記エレクトロルミネセントデバイスは、前記エレクトロルミネセントデバイスの動作を制御するマトリクス回路に接続され、各画素回路が、
前記エレクトロルミネセントデバイスの入力電極に結合されて、前記入力電極における電圧を設定する第１の制御ラインと、
前記エレクトロルミネセントデバイスに接続されて、前記エレクトロルミネセントデバイスのアノードとカソードとの間に電圧を印加する第２の制御ラインと
を有し、
前記第１及び第２の制御ラインが同期されて、前記第１の制御ラインが、前記エレクトロルミネセントデバイスから発せられるルミネセンスを制御するパルスを提供するようにされ、各エレクトロルミネセントデバイスについて、各画素回路の前記第２の制御ラインが走査コントローラに接続され、各画素回路の前記第１の制御ラインがまた、信号コントローラに接続される、
画素マトリクス回路。
【請求項２１】
フロントプレーン及びバックプレーンを有し、
前記フロントプレーンは、請求項１に記載のエレクトロルミネセントデバイスを含み、前記バックプレーンは、少なくとも２つのＴＦＴと少なくとも１つのキャパシタとを含んだ制御回路を含む、
エレクトロルミネセントディスプレイパネル。
【請求項２２】
前記ＴＦＴは、多結晶Ｓｉ  ＴＦＴ、アモルファスＳｉ  ＴＦＴ、酸化物ＴＦＴ、及び有機ＴＦＴから成る群から選択されている、請求項２１に記載のエレクトロルミネセントディスプレイパネル。
【請求項２３】
前記エレクトロルミネセントデバイス、前記少なくとも２つのＴＦＴ、及び前記少なくとも１つのキャパシタは、画素回路を形成するように構成され、前記エレクトロルミネセントデバイスは、前記エレクトロルミネセントデバイスの動作を制御する制御回路に接続され、前記制御回路は、スイッチング手段と、電流設定トランジスタと、キャパシタとを有する、請求項２１又は２２に記載のエレクトロルミネセントディスプレイパネル。
【請求項２４】
請求項１乃至１６の何れか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイスを製造する方法であって、
ａ）１つ以上の半導電性無機金属化合物で構成される層をスパッタリングによって堆積し、その後、
ｂ）前記エレクトロルミネセント素子を真空蒸着によって堆積する
ことを有する方法。
【請求項２５】
請求項２１に記載のエレクトロルミネセントディスプレイパネルを製造する方法であって、前記バックプレーンを、１０００℃以上で実行される第１のプロセスによって製造することと、前記フロントプレーンを、前記第１のプロセスとは異なり且つ３００℃以下で実行される第２のプロセスによって製造することとを有し、前記第２のプロセスは、１つ以上の半導電性無機金属で構成された層の上に、少なくとも前記エレクトロルミネセント素子を含む１つ以上の有機層を堆積する、方法。