(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
波長４００〜４１０ｎｍの範囲から選択されるレーザー光に対して記録および再生が可能であり、基板上の記録層に記録用色素を含有する光記録媒体において、該記録用色素として、トリアジン環に対してパラ位にジ置換アミノ基により置換されたフェニル基を少なくとも１つ有するトリアジン系化合物を少なくとも一種用いる光記録媒体。
【請求項２】
トリアジン系化合物が、下記一般式（２）で表される化合物である請求項１に記載の光記録媒体。
【化１】
0003590345.tif 000024
〔式中、置換基Ｒ1〜Ｒ12はそれぞれ独立に、水素原子、置換または無置換のアルキル基、アラルキル基、アリール基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基を表し、Ｒ1〜Ｒ12の各置換基は、隣接する置換基と互いに結合して置換基を有しても良い脂環、芳香環または複素環を形成してもよく、置換基Ｌ1〜Ｌ6はそれぞれ独立に、置換または無置換のアルキル基、アラルキル基、アリール基を表し、Ｌ1〜Ｌ6の各置換基は、隣接する置換基と互いに結合して置換基を有しても良い複素環を形成してもよい。また、Ｌ1とＲ1、Ｌ2とＲ2、Ｌ3とＲ3、Ｌ4とＲ4、Ｌ5とＲ5、Ｌ6とＲ6は、互いに結合して置換基を有しても良い複素環を形成してもよい。〕
【請求項３】
基板上の記録層に記録用色素を含有する光記録媒体において、該記録用色素として、下記一般式（２）で表される化合物を少なくとも一種用いる光記録媒体。
【化２】
0003590345.tif 000025
〔式中、置換基Ｒ1〜Ｒ12はそれぞれ独立に、水素原子、置換または無置換のアルキル基、アラルキル基、アリール基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基を表し、Ｒ1〜Ｒ12の各置換基は、隣接する置換基と互いに結合して置換基を有しても良い脂環、芳香環または複素環を形成してもよく、置換基Ｌ1〜Ｌ6はそれぞれ独立に、置換または無置換のアルキル基、アラルキル基、アリール基を表し、Ｌ1〜Ｌ6の各置換基は、隣接する置換基と互いに結合して置換基を有しても良い複素環を形成してもよい。また、Ｌ1とＲ1、Ｌ2とＲ2、Ｌ3とＲ3、Ｌ4とＲ4、Ｌ5とＲ5、Ｌ6とＲ6は、互いに結合して置換基を有しても良い複素環を形成してもよい。〕
【請求項４】
波長３００ｎｍ〜５００ｎｍの範囲から選択されるレーザー光により記録および再生が可能である請求項３に記載の光記録媒体。
【請求項５】
波長４００ｎｍ〜５００ｎｍの範囲から選択されるレーザー光により記録および再生が可能である請求項３に記載の光記録媒体。
【請求項６】
波長４００ｎｍ〜４１０ｎｍの範囲から選択されるレーザー光により記録および再生が可能である請求項３に記載の光記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光記録媒体に関するものであり、特に可視レーザーの１種である青色レーザー光により記録・再生可能である化合物含有の追記型光記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
コンパクトディスク（以下、ＣＤと略す）規格に対応した追記型光記録媒体としてＣＤ−Ｒ（ＣＤ−Ｒｅｃｏｒｄａｂｌｅ）が広く普及している。ＣＤ−Ｒの記録容量は６８０ＭＢ程度であるが、情報量の飛躍的増加に伴い、情報記録媒体に対する高密度化および大容量化への要求は高まっている。
【０００３】
記録および再生用レーザーの短波長化によりビームスポットを小さくすることができ、高密度な光記録が可能になる。最近では、光ディスクシステムに利用される短波長半導体レーザーの開発が進み、波長６８０ｎｍ、６６０ｎｍ、６５０ｎｍおよび６３５ｎｍの赤色半導体レーザーが実用化されている〔例えば、日経エレクトロニクスＮｏ．５９２、ｐ．６５、１９９３年１０月１１日号〕。これらの半導体レーザーを用い、２時間以上の動画をデジタル記録したＤＶＤが実用化されている。ＤＶＤは再生専用媒体であるため、この容量に対応する追記型光記録媒体（ＤＶＤ−Ｒ）の開発も進んでいる。
【０００４】
さらに、超高密度の記録が可能となる波長４００ｎｍ〜５００ｎｍの青色領域に発振波長を有する半導体レーザーの開発も急速に進んでおり〔例えば、日経エレクトロニクスＮｏ．７０８、ｐ．１１７、１９９８年１月２６日号〕、それに対応した追記型光記録媒体の開発も行われている。
【０００５】
追記型光記録媒体の記録層にレーザー光を照射し、記録層に物理変化や化学変化を生じさせることでピットを形成させるとき、化合物の光学定数、分解挙動が良好なピットを形成させるための重要な要素となる。分解しづらいものは感度が低下し、分解が激しいかまたは変化しやすいものはピット間および半径方向への影響が大きくなり、信頼性のあるピット形成が困難になる。従来のＣＤ−Ｒ媒体は、青色半導体レーザー波長を用いて記録する場合、記録層の屈折率も低く、消衰係数も適度な値ではないため、記録特性の高いものが得られない。そのため、記録層に用いる化合物には青色半導体レーザーに対する光学的性質、分解挙動の適切な化合物を選択する必要がある。現在のところ、青色半導体レーザー記録用の有機色素化合物の例として、特開平４−７４６９０号公報および特開平６−４０１６１号公報記載のシアニン系色素化合物や、特開平７−３０４２５６号公報、特開平７−３０４２５７号公報、特開平８−１２７１７４号公報、特開平１１−１０１９５３号公報、特開平１１−１４４３１２号公報に記載のポルフィリン系色素化合物の他、特開平４−７８５７６号公報および特開平４−８９２７９号公報記載のポリエン系色素化合物、特開平１１−３４４８９号公報記載のスチリル系色素化合物、特開平１１−７８２３９号公報記載のインジゴイド系色素化合物、特開平１１−１０５４２３号公報記載のシアノエテン系色素化合物、特開平１１−１１０８１５号公報記載のスクアリリウム系色素化合物などが提案されている。
【０００６】
また、記録層形成用の有機色素としてポルフィリン系色素やシアニン系色素等を主とする記録層および銀を主体とする金属反射層の２層が構成された特開平１１−５３７５８号公報記載の光記録媒体や、青色レーザーに感応するシアニン系色素などを含有した青色感応色素層ならびに赤色感応色素層または赤外感応色素層を有することで、２波長領域の記録を可能とする特開平１１−２０３７２９号公報記載の光記録媒体等、層構造を改良した各種光記録媒体も提案されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
最近の状況として、波長４００〜４１０ｎｍの青紫色半導体レーザーが開発され、該レーザーでの光記録による１５〜３０ＧＢ容量の超高密度記録が可能であることから、該波長レーザーに最適な追記型光記録媒体開発の動きが活発化している〔例えば、日経エレクトロニクスＮｏ．７３６、ｐ．３３、１９９９年２月８日号、同Ｎｏ．７４１、ｐ．２８、１９９９年４月１９日号、同Ｎｏ．７４８、ｐ．１９、１９９９年７月２６日号、同Ｎｏ．７５１、ｐ．１１７、１９９９年９月６日号、同Ｎｏ．７７２、ｐ．５７、２０００年６月１９日号、同Ｎｏ．７７４、ｐ．１４１、２０００年７月１７日号、同Ｎｏ．７８０、ｐ．４９、２０００年１０月９日号〕。しかしながら、前述の青色半導体レーザー用光記録媒体では波長４００〜４１０ｎｍのレーザー光に対して十分に適応していないのが実情である。すなわち、前述の有機色素を使用した媒体では、記録した信号の再生について、搬送波と雑音の比（Ｃ／Ｎ）が必ずしも良好な値でないために、信号の読み出しが必ずしも満足に行えないなどの問題を有していることをわれわれは見いだした。この問題を克服し、波長４００〜４１０ｎｍのレーザー光で高密度記録・再生可能な光記録媒体の開発が急務となっていた。
【０００８】
本発明の目的は、青色半導体レーザー光、殊に波長４００ｎｍ〜４１０ｎｍの範囲から選択される可視領域のレーザー光で良好な記録および再生が可能な超高密度記録に適した記録層を有する光記録媒体を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明は、基板上の記録層に記録用色素を含有する光記録媒体において、▲１▼該記録用色素として、トリアジン系化合物、特に一般式（１）で示される化合物を少なくとも１種用いる光記録媒体、および▲２▼波長３００〜５００ｎｍ、特に波長４００〜５００ｎｍ、更には波長４００ｎｍ〜４１０ｎｍの範囲から選択されるレーザー光により記録および再生が可能である前記▲１▼の光記録媒体に関するものである。
【００１０】
【化３】
0003590345.tif 000002
〔式中、環Ａ、Ｂ、Ｃは、それぞれ独立に置換基を有していても良い芳香環を表し、且つ、少なくとも一つの環がジ置換アミノ基により置換された芳香環を表す。〕
【００１１】
【発明の実施の形態】
本発明は、光記録媒体の記録層中に記録用色素としてトリアジン系化合物を少なくとも１種含有することを特徴とする光記録媒体に関し、波長３００〜５００ｎｍ、特に波長４００ｎｍ〜５００ｎｍ、更には波長４００ｎｍ〜４１０ｎｍの範囲から選択されるレーザー光に対して記録および再生が可能である新規な光記録媒体に関するものである。
【００１２】
本発明に係る光記録媒体とは、情報を記録して再生することのできる光記録媒体を示すものである。但し、ここでは適例として基板上に記録層、反射層を有する本発明の光記録媒体に関して説明する。
【００１３】
本発明の光記録媒体は、例えば、図１に示すような基板１、記録層２、反射層３、及び保護層４が順次積層している４層構造を有しているか、図２に示すような貼り合わせ構造を有している。即ち、図２に示す媒体は、基板１上に記録層２が形成されており、その上に密着して反射層３が設けられており、さらにその上に接着層５を介して保護層４が貼り合わされている構造を有しているものである。但し、記録層２の下、又は上に別の層があっても良く、反射層３の上に別の層があっても構わない。また、図３に示すように基板１、反射層３、記録層２、保護層４の順に積層し、保護層側から記録再生する構造であっても良い。また、特開平１０−３２６４３５号公報記載のように光透過層の厚みが、再生系のレーザー光源波長λ、および、対物レンズの開口数Ｎ．Ａ．により規定された媒体構造であっても構わない。また、本発明の光記録媒体は、必要に応じて特開平１１−２０３７２９号公報記載のように記録層を２種以上有する構造であっても構わない。
【００１４】
基材の材質としては、基本的には記録光および再生光の波長で透明であればよい。例えば、ポリカーボネート樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリメタクリル酸メチル等のアクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹脂等の高分子材料やガラス等の無機材料が利用される。これらの基板材料は射出成形法等により円盤状に基板に成形してもよい。必要に応じて、基板表面に案内溝やピットを形成することもある。このような案内溝やピットは、基板の成形時に付与することが望ましいが、基板の上に紫外線硬化樹脂層を用いて付与することもできる。
【００１５】
通常、光ディスクとして用いる場合は、厚さ１．２ｍｍ程度、直径８０ｍｍ乃至１２０ｍｍ程度の円盤状であってもよく、中央に直径１５ｍｍ程度の穴が開いていても構わない。
【００１６】
本発明においては、基板上に記録層を設けるが、本発明の記録層は、トリアジン化合物、特に一般式（１）で示される化合物を記録用色素として少なくとも１種含有するものである。ここで、記録用色素とは、レーザー光の照射によりそれ自体が熱分解、昇華などが誘発され、記録層の変化、或いは形状変化（ピット形成）などにより反射率の変化する部分を形成できる色素である。本発明の光記録媒体は、特に波長４００ｎｍ〜５００ｎｍから選択される記録レーザー波長及び再生レーザー波長に対して記録・再生が可能であり、中でも、波長４００ｎｍ〜４１０ｎｍの範囲から選択される記録レーザー波長および再生レーザー波長に対して良好な信号特性が得られる光記録媒体である。
【００１７】
本発明記載の一般式（１）で表される化合物は、置換基の選択により吸収波長を任意に選択できるため、前記レーザー光の波長において、記録層に必要な光学定数を満足することのできる極めて有用な記録用色素である。
【００１８】
以下、本発明について、さらに詳細に述べる。
本発明記載の一般式（１）で表される化合物について、環Ａ、Ｂ、Ｃで表される置換基を有していても良い芳香環について、具体的な置換基の例としては、水素原子、置換または無置換のアルキル基、アラルキル基、アリール基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基等が挙げられる。
【００１９】
また、芳香環上の各置換基は、隣接する置換基と互いに結合してよく、具体的には脂肪族縮合、あるいは芳香族縮合による環の形成が挙げられる。
【００２０】
本発明において、一般式（１）で表される化合物としては、下記一般式（２）で例示される化合物が好ましい例として挙げられる。
【００２１】
【化４】
0003590345.tif 000003
【００２２】
〔式中、置換基Ｒ１〜Ｒ１２はそれぞれ独立に、水素原子、置換または無置換のアルキル基、アラルキル基、アリール基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基を表し、Ｒ１〜Ｒ１２の各置換基は、隣接する置換基と互いに結合して置換基を有しても良い脂環、芳香環または複素環を形成してもよく、置換基Ｌ１〜Ｌ６はそれぞれ独立に、置換または無置換のアルキル基、アラルキル基、アリール基を表し、Ｌ１〜Ｌ６の各置換基は、隣接する置換基と互いに結合して置換基を有しても良い脂環または複素環を形成してもよい。また、Ｌ１とＲ１、Ｌ２とＲ２、Ｌ３とＲ３、Ｌ４とＲ４、Ｌ５とＲ５、Ｌ６とＲ６は、互いに結合して置換基を有しても良い脂環または複素環を形成してもよい。〕
【００２３】
本発明の一般式（２）で表される化合物において、Ｒ１〜Ｒ１２の置換または無置換のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｉｓｏ−ペンチル基、２−メチルブチル基、１−メチルブチル基、ネオペンチル基、１，２−ジメチルプロピル基、１，１−ジメチルプロピル基、シクロペンチル基、ｎ−ヘキシル基、４−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、１−メチルペンチル基、３，３−ジメチルブチル基、２，３−ジメチルブチル基、１，３−ジメチルブチル基、２，２−ジメチルブチル基、１，２−ジメチルブチル基、１，１−ジメチルブチル基、３−エチルブチル基、２−エチルブチル基１−エチルブチル基、１，２，２−トリメチルブチル基、１，１，２−トリメチルブチル基、１−エチル−２−メチルプロピル基、シクロヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシル基、４−メチルヘキシル基、５−メチルヘキシル基、２，４−ジメチルペンチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、２，５−ジメチルヘキシル基、２，５，５−トリメチルペンチル基、３，５，５−トリメチルヘキシル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、４−エチルオクチル基、４−エチル−４，５−メチルヘキシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、１，３，５，７−テトラエチルオクチル基、４−ブチルオクチル基、６，６−ジエチルオクチル基、ｎ−トリデシル基、６−メチル−４−ブチルオクチル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、３，５−ジメチルヘプチル基、２，６−ジメチルヘプチル基、２，４−ジメチルヘプチル基、２，２，５，５−テトラメチルヘキシル基、１−シクロペンチル−２，２−ジメチルプロピル基、１−シクロヘキシル−２，２−ジメチルプロピル基などの炭素数１〜１５の無置換の直鎖、分岐または環状のアルキル基；
【００２４】
クロロメチル基、クロロエチル基、ブロモエチル基、ヨードエチル基、ジクロロメチル基、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、２，２，２−トリクロロエチル基、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロピル基、ノナフルオロブチル基、パーフルオロデシル基等のハロゲン原子で置換された炭素数１〜１０のアルキル基；
【００２５】
ヒドロキシメチル基、２−ヒドロキシエチル基、３−ヒドロキシプロピル基、４−ヒドロキシブチル基、２−ヒドロキシ−３−メトキシプロピル基、２−ヒドロキシ−３−クロロプロピル基、２−ヒドロキシ−３−エトキシプロピル基、３−ブトキシ−２−ヒドロキシプロピル基、２−ヒドロキシ−３−シクロヘキシルオキシプロピル基、２−ヒドロキシプロピル基、２−ヒドロキシブチル基、４−ヒドロキシデカリル基などのヒドロキシ基で置換された炭素数１〜１０のアルキル基；
ヒドロキシメトキシメチル基、ヒドロキシエトキシエチル基、２−（２’−ヒドロキシ−１’−メチルエトキシ）−１−メチルエチル基、２−（３’−フルオロ−２’−ヒドロキシプロポキシ）エチル基、２−（３’−クロロ−２’−ヒドロキシプロポキシ）エチル基、ヒドロキシブトキシシクロヘキシル基などのヒドロキシアルコキシ基で置換された炭素数２〜１０のアルキル基；
ヒドロキシメトキシメトキシメチル基、ヒドロキシエトキシエトキシエチル基、［２’−（２’−ヒドロキシ−１’−メチルエトキシ）−１’−メチルエトキシ］エトキシエチル基、［２’−（２’−フルオロ−１’−ヒドロキシエトキシ）−１’−メチルエトキシ］エトキシエチル基、［２’−（２’−クロロ−１’−ヒドロキシエトキシ）−１’−メチルエトキシ］エトキシエチル基などのヒドロキシアルコキシアルコキシ基で置換された炭素数３〜１０のアルキル基；
【００２６】
シアノメチル基、２−シアノエチル基、３−シアノプロピル基、４−シアノブチル基、２−シアノ−３−メトキシプロピル基、２−シアノ−３−クロロプロピル基、２−シアノ−３−エトキシプロピル基、３−ブトキシ−２−シアノプロピル基、２−シアノ−３−シクロヘキシルプロピル基、２−シアノプロピル基、２−シアノブチル基などのシアノ基で置換された炭素数２〜１０のアルキル基；
メトキシメチル基、エトキシメチル基、プロポキシメチル基、ブトキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシエチル基、プロポキシエチル基、ブトキシエチル基、ｎ−ヘキシルオキシエチル基、（４−メチルペントキシ）エチル基、（１，３−ジメチルブトキシ）エチル基、（２−エチルヘキシルオキシ）エチル基、ｎ−オクチルオキシエチル基、（３，５，５−トリメチルヘキシルオキシ）エチル基、（２−メチル−１−ｉｓｏ−プロピルプロポキシ）エチル基、（３−メチル−１−ｉｓｏ−プロピルブチルオキシ）エチル基、（２−エトキシ−１−メチル）エチル基、３−メトキシブチル基、（３，３，３−トリフルオロプロポキシ）エチル基、（３，３，３−トリクロロプロポキシ）エチル基などのアルコキシ基で置換された炭素数２〜１５のアルキル基；
【００２７】
メトキシメトキシメチル基、メトキシエトキシエチル基、エトキシエトキシエチル基、プロポキシエトキシエチル基、ブトキシエトキシエチル基、シクロヘキシルオキシエトキシエチル基、デカリルオキシプロポキシエトキシ基、（１，２−ジメチルプロポキシ）エトキシエチル基、（３−メチル−１−ｉｓｏ−ブチルブトキシ）エトキシエチル基、（２−メトキシ−１−メチルエトキシ）エチル基、（２−ブトキシ−１−メチルエトキシ）エチル基、２−（２’−エトキシ−１’−メチルエトキシ）−１−メチルエチル基、（３，３，３−トリフルオロプロポキシ）エトキシエチル基、（３，３，３−トリクロロプロポキシ）エトキシエチル基などのアルコキシアルコキシ基で置換された炭素数３〜１５のアルキル基；
メトキシメトキシメトキシメチル基、メトキシエトキシエトキシエチル基、エトキシエトキシエトキシエチル基、ブトキシエトキシエトキシエチル基、シクロヘキシルオキシエチル基、プロポキシプロポキシプロポキシエチル基、（２，２，２−トリフルオロエトキシ）エトキシエトキシエチル基、（２，２，２−トリクロロエトキシ）エトキシエトキシエチル基などのアルコキシアルコキシアルコキシ基で置換された炭素数４〜１５のアルキル基；
【００２８】
ホルミルメチル基、２−オキソブチル基、３−オキソブチル基、４−オキソブチル基、２，６−ジオキソシクロヘキサン−１−イル基、２−オキソ−５−ｔ−ブチルシクロヘキサン−１−イル基等のアシル基で置換された炭素数２〜１０のアルキル基；
ホルミルオキシメチル基、アセトキシエチル基、プロピオニルオキシエチル基、ブタノイルオキシエチル基、バレリルオキシエチル基、（２−エチルヘキサノイルオキシ）エチル基、（３，５，５−トリメチルヘキサノイルオキシ）エチル基、（３，５，５−トリメチルヘキサノイルオキシ）ヘキシル基、（３−フルオロブチリルオキシ）エチル基、（３−クロロブチリルオキシ）エチル基などのアシルオキシ基で置換された炭素数２〜１５のアルキル基；
ホルミルオキシメトキシメチル基、アセトキシエトキシエチル基、プロピオニルオキシエトキシエチル基、バレリルオキシエトキシエチル基、（２−エチルヘキサノイルオキシ）エトキシエチル基、（３，５，５−トリメチルヘキサノイルオキシ）ブトキシエチル基、（３，５，５−トリメチルヘキサノイルオキシ）エトキシエチル基、（２−フルオロプロピオニルオキシ）エトキシエチル基、（２−クロロプロピオニルオキシ）エトキシエチル基などのアシルオキシアルコキシ基で置換された炭素数３〜１５のアルキル基；
【００２９】
アセトキシメトキシメトキシメチル基、アセトキシエトキシエトキシエチル基、プロピオニルオキシエトキシエトキシエチル基、バレリルオキシエトキシエトキシエチル基、（２−エチルヘキサノイルオキシ）エトキシエトキシエチル基、（３，５，５−トリメチルヘキサノイルオキシ）エトキシエトキシエチル基、（２−フルオロプロピオニルオキシ）エトキシエトキシエチル基、（２−クロロプロピオニルオキシ）エトキシエトキシエチル基などのアシルオキシアルコキシアルコキシ基で置換された炭素数５〜１５のアルキル基；
メトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニルメチル基、ブトキシカルボニルメチル基、メトキシカルボニルエチル基、エトキシカルボニルエチル基、ブトキシカルボニルエチル基、（ｐ−エチルシクロヘキシルオキシカルボニル）シクロヘキシル基、（２，２，３，３−テトラフルオロプロポキシカルボニル）メチル基、（２，２，３，３−テトラクロロプロポキシカルボニル）メチル基などのアルコキシカルボニル基で置換された炭素数３〜１５のアルキル基；
【００３０】
フェノキシカルボニルメチル基、フェノキシカルボニルエチル基、（４−ｔ−ブチルフェノキシカルボニル）エチル基、ナフチルオキシカルボニルメチル基、ビフェニルオキシカルボニルエチル基などのアリールオキシカルボニル基で置換された炭素数８〜１５のアルキル基；
ベンジルオキシカルボニルメチル基、ベンジルオキシカルボニルエチル基、フェネチルオキシカルボニルメチル基、（４−シクロヘキシルオキシベンジルオキシカルボニル）メチル基などの炭素数９〜１５のアラルキルオキシカルボニル基で置換された炭素数９〜１５のアルキル基；
ビニルオキシカルボニルメチル基、ビニルオキシカルボニルエチル基、アリルオキシカルボニルメチル基、オクテノキシカルボニルメチル基などのアルケニルオキシカルボニル基で置換された炭素数４〜１０のアルキル基；
【００３１】
メトキシカルボニルオキシメチル基、メトキシカルボニルオキシエチル基、エトキシカルボニルオキシエチル基、ブトキシカルボニルオキシエチル基、（２，２，２−トリフルオロエトキシカルボニルオキシ）エチル基、（２，２，２−トリクロロエトキシカルボニルオキシ）エチル基などの炭素数３〜１５のアルコキシカルボニルオキシ基で置換されたアルキル基；
メトキシメトキシカルボニルオキシメチル基、メトキシエトキシカルボニルオキシエチル基、エトキシエトキシカルボニルオキシエチル基、ブトキシエトキシカルボニルオキシエチル基、（２，２，２−トリフルオロエトキシエトキシカルボニルオキシ）エチル基、（２，２，２−トリクロロエトキシエトキシカルボニルオキシ）エチル基などのアルコキシアルコキシカルボニルオキシ基で置換された炭素数４〜１５のアルキル基；
【００３２】
ジメチルアミノメチル基、ジエチルアミノメチル基、ジ−ｎ−ブチルアミノメチル基、ジ−ｎ−ヘキシルアミノメチル基、ジ−ｎ−オクチルアミノメチル基、ジ−ｎ−デシルアミノメチル基、Ｎ−イソアミル−Ｎ−メチルアミノメチル基、ピペリジノメチル基、ジ（メトキシメチル）アミノメチル基、ジ（メトキシエチル）アミノメチル基、ジ（エトキシメチル）アミノメチル基、ジ（エトキシエチル）アミノメチル基、ジ（プロポキシエチル）アミノメチル基、ジ（ブトキシエチル）アミノメチル基、ビス（２−シクロヘキシルオキシエチル）アミノメチル基、ジメチルアミノエチル基、ジエチルアミノエチル基、ジ−ｎ−ブチルアミノエチル基、ジ−ｎ−ヘキシルアミノエチル基、ジ−ｎ−オクチルアミノエチル基、ジ−ｎ−デシルアミノエチル基、Ｎ−イソアミル−Ｎ−メチルアミノエチル基、ピペリジノエチル基、ジ（メトキシメチル）アミノエチル基、ジ（メトキシエチル）アミノエチル基、ジ（エトキシメチル）アミノエチル基、ジ（エトキシエチル）アミノエチル基、ジ（プロポキシエチル）アミノエチル基、ジ（ブトキシエチル）アミノエチル基、ビス（２−シクロヘキシルオキシエチル）アミノエチル基、ジメチルアミノプロピル基、ジエチルアミノプロピル基、ジ−ｎ−ブチルアミノプロピル基、ジ−ｎ−ヘキシルアミノプロピル基、ジ−ｎ−オクチルアミノプロピル基、ジ−ｎ−デシルアミノプロピル基、Ｎ−イソアミル−Ｎ−メチルアミノプロピル基、ピペリジノプロピル基、ジ（メトキシメチル）アミノプロピル基、ジ（メトキシエチル）アミノプロピル基、ジ（エトキシメチル）アミノプロピル基、ジ（エトキシエチル）アミノプロピル基、ジ（プロポキシエチル）アミノプロピル基、ジ（ブトキシエチル）アミノプロピル基、ビス（２−シクロヘキシルオキシエチル）アミノプロピル基、ジメチルアミノブチル基、ジエチルアミノブチル基、ジ−ｎ−ブチルアミノブチル基、ジ−ｎ−ヘキシルアミノブチル基、ジ−ｎ−オクチルアミノブチル基、ジ−ｎ−デシルアミノブチル基、Ｎ−イソアミル−Ｎ−メチルアミノブチル基、ピペリジノブチル基、ジ（メトキシメチル）アミノブチル基、ジ（メトキシエチル）アミノブチル基、ジ（エトキシメチル）アミノブチル基、ジ（エトキシエチル）アミノブチル基、ジ（プロポキシエチル）アミノブチル基、ジ（ブトキシエチル）アミノブチル基、ビス（２−シクロヘキシルオキシエチル）アミノブチル基等のジアルキルアミノ基で置換された炭素数３〜２０のアルキル基；
【００３３】
アセチルアミノメチル基、アセチルアミノエチル基、プロピオニルアミノエチル基、ブタノイルアミノエチル基、シクロヘキサンカルボニルアミノエチル基、ｐ−メチルシクロヘキサンカルボニルアミノエチル基、スクシンイミノエチル基などのアシルアミノ基で置換された炭素数３〜１０のアルキル基；
メチルスルホンアミノメチル基、メチルスルホンアミノエチル基、エチルスルホンアミノエチル基、プロピルスルホンアミノエチル基、オクチルスルホンアミノエチル基などのアルキルスルホンアミノ基で置換された炭素数２〜１０のアルキル基；
【００３４】
メチルスルホニルメチル基、エチルスルホニルメチル基、ブチルスルホニルメチル基、メチルスルホニルエチル基、エチルスルホニルエチル基、ブチルスルホニルエチル基、２−エチルヘキシルスルホニルエチル基、（２，２，３，３−テトラフルオロプロピル）スルホニルメチル基、（２，２，３，３−テトラクロロプロピル）スルホニルメチル基などのアルキルスルホニル基で置換された炭素数２〜１０のアルキル基；
ベンゼンスルホニルメチル基、ベンゼンスルホニルエチル基、ベンゼンスルホニルプロピル基、ベンゼンスルホニルブチル基、トルエンスルホニルメチル基、トルエンスルホニルエチル基、トルエンスルホニルプロピル基、トルエンスルホニルブチル基、キシレンスルホニルメチル基、キシレンスルホニルエチル基、キシレンスルホニルプロピル基、キシレンスルホニルブチル基などのアリールスルホニル基で置換された炭素数７〜１２のアルキル基；
チアジアゾリノメチル基、ピロリノメチル基、ピロリジノメチル基、ピラゾリジノメチル基、イミダゾリジノメチル基、オキサゾリル基、トリアゾリノメチル基、モルホリノメチル基、インドーリノメチル基、ベンズイミダゾリノメチル基、カルバゾリノメチル基などの複素環基で置換された炭素数２〜１３のアルキル基；
【００３５】
フェロセニルメチル基、フェロセニルエチル基、フェロセニル−ｎ−プロピル基、フェロセニル−ｉｓｏ−プロピル基、フェロセニル−ｎ−ブチル基、フェロセニル−ｉｓｏ−ブチル基、フェロセニル−ｓｅｃ−ブチル基、フェロセニル−ｔ−ブチル基、フェロセニル−ｎ−ペンチル基、フェロセニル−ｉｓｏ−ペンチル基、フェロセニル−２−メチルブチル基、フェロセニル−１−メチルブチル基、フェロセニルネオペンチル基、フェロセニル−１，２−ジメチルプロピル基、フェロセニル−１，１−ジメチルプロピル基、フェロセニルシクロペンチル基、フェロセニル−ｎ−ヘキシル基、フェロセニル−４−メチルペンチル基、フェロセニル−３−メチルペンチル基、フェロセニル−２−メチルペンチル基、フェロセニル−１−メチルペンチル基、フェロセニル−３，３−ジメチルブチル基、フェロセニル−２，３−ジメチルブチル基、フェロセニル−１，３−ジメチルブチル基、フェロセニル−２，２−ジメチルブチル基、フェロセニル−１，２−ジメチルブチル基、フェロセニル−１，１−ジメチルブチル基、フェロセニル−３−エチルブチル基、フェロセニル−２−エチルブチル基、フェロセニル−１−エチルブチル基、フェロセニル−１，２，２−トリメチルブチル基、フェロセニル−１，１，２−トリメチルブチル基、フェロセニル−１−エチル−２−メチルプロピル基、フェロセニルシクロヘキシル基、フェロセニル−ｎ−ヘプチル基、フェロセニル−２−メチルヘキシル基、フェロセニル−３−メチルヘキシル基、フェロセニル−４−メチルヘキシル基、フェロセニル−５−メチルヘキシル基、フェロセニル−２，４−ジメチルペンチル基、フェロセニル−ｎ−オクチル基、フェロセニル−２−エチルヘキシル基、フェロセニル−２，５−ジメチルヘキシル基、フェロセニル−２，５，５−トリメチルペンチル基、フェロセニル−２，４−ジメチルヘキシル基、フェロセニル−２，２，４−トリメチルペンチル基、フェロセニル−３，５，５−トリメチルヘキシル基、フェロセニル−ｎ−ノニル基、フェロセニル−ｎ−デシル基、
【００３６】
コバルトセニルメチル基、コバルトセニルエチル基、コバルトセニル−ｎ−プロピル基、コバルトセニル−ｉｓｏ−プロピル基、コバルトセニル−ｎ−ブチル基、コバルトセニル−ｉｓｏ−ブチル基、コバルトセニル−ｓｅｃ−ブチル基、コバルトセニル−ｔ−ブチル基、コバルトセニル−ｎ−ペンチル基、コバルトセニル−ｉｓｏ−ペンチル基、コバルトセニル−２−メチルブチル基、コバルトセニル−１−メチルブチル基、コバルトセニルネオペンチル基、コバルトセニル−１，２−ジメチルプロピル基、コバルトセニル−１，１−ジメチルプロピル基、コバルトセニルシクロペンチル基、コバルトセニル−ｎ−ヘキシル基、コバルトセニル−４−メチルペンチル基、コバルトセニル−３−メチルペンチル基、コバルトセニル−２−メチルペンチル基、コバルトセニル−１−メチルペンチル基、コバルトセニル−３，３−ジメチルブチル基、コバルトセニル−２，３−ジメチルブチル基、コバルトセニル−１，３−ジメチルブチル基、コバルトセニル−２，２−ジメチルブチル基、コバルトセニル−１，２−ジメチルブチル基、コバルトセニル−１，１−ジメチルブチル基、コバルトセニル−３−エチルブチル基、コバルトセニル−２−エチルブチル基、コバルトセニル−１−エチルブチル基、コバルトセニル−１，２，２−トリメチルブチル基、コバルトセニル−１，１，２−トリメチルブチル基、コバルトセニル−１−エチル−２−メチルプロピル基、コバルトセニルシクロヘキシル基、コバルトセニル−ｎ−ヘプチル基、コバルトセニル−２−メチルヘキシル基、コバルトセニル−３−メチルヘキシル基、コバルトセニル−４−メチルヘキシル基、コバルトセニル−５−メチルヘキシル基、コバルトセニル−２，４−ジメチルペンチル基、コバルトセニル−ｎ−オクチル基、コバルトセニル−２−エチルヘキシル基、コバルトセニル−２，５−ジメチルヘキシル基、コバルトセニル−２，５，５−トリメチルペンチル基、コバルトセニル−２，４−ジメチルヘキシル基、コバルトセニル−２，２，４−トリメチルペンチル基、コバルトセニル−３，５，５−トリメチルヘキシル基、コバルトセニル−ｎ−ノニル基、コバルトセニル−ｎ−デシル基、
【００３７】
ニッケロセニルメチル基、ニッケロセニルエチル基、ニッケロセニル−ｎ−プロピル基、ニッケロセニル−ｉｓｏ−プロピル基、ニッケロセニル−ｎ−ブチル基、ニッケロセニル−ｉｓｏ−ブチル基、ニッケロセニル−ｓｅｃ−ブチル基、ニッケロセニル−ｔ−ブチル基、ニッケロセニル−ｎ−ペンチル基、ニッケロセニル−ｉｓｏ−ペンチル基、ニッケロセニル−２−メチルブチル基、ニッケロセニル−１−メチルブチル基、ニッケロセニルネオペンチル基、ニッケロセニル−１，２−ジメチルプロピル基、ニッケロセニル−１，１−ジメチルプロピル基、ニッケロセニルシクロペンチル基、ニッケロセニル−ｎ−ヘキシル基、ニッケロセニル−４−メチルペンチル基、ニッケロセニル−３−メチルペンチル基、ニッケロセニル−２−メチルペンチル基、ニッケロセニル−１−メチルペンチル基、ニッケロセニル−３，３−ジメチルブチル基、ニッケロセニル−２，３−ジメチルブチル基、ニッケロセニル−１，３−ジメチルブチル基、ニッケロセニル−２，２−ジメチルブチル基、ニッケロセニル−１，２−ジメチルブチル基、ニッケロセニル−１，１−ジメチルブチル基、ニッケロセニル−３−エチルブチル基、ニッケロセニル−２−エチルブチル基、ニッケロセニル−１−エチルブチル基、ニッケロセニル−１，２，２−トリメチルブチル基、ニッケロセニル−１，１，２−トリメチルブチル基、ニッケロセニル−１−エチル−２−メチルプロピル基、ニッケロセニルシクロヘキシル基、ニッケロセニル−ｎ−ヘプチル基、ニッケロセニル−２−メチルヘキシル基、ニッケロセニル−３−メチルヘキシル基、ニッケロセニル−４−メチルヘキシル基、ニッケロセニル−５−メチルヘキシル基、ニッケロセニル−２，４−ジメチルペンチル基、ニッケロセニル−ｎ−オクチル基、ニッケロセニル−２−エチルヘキシル基、ニッケロセニル−２，５−ジメチルヘキシル基、ニッケロセニル−２，５，５−トリメチルペンチル基、ニッケロセニル−２，４−ジメチルヘキシル基、ニッケロセニル−２，２，４−トリメチルペンチル基、ニッケロセニル−３，５，５−トリメチルヘキシル基、ニッケロセニル−ｎ−ノニル基、ニッケロセニル−ｎ−デシル基、
【００３８】
ジクロロチタノセニルメチル基、トリクロロチタンシクロペンタジエニルメチル基、ビス（トリフルオメタンスルホナト）チタノセンメチル基、ジクロロジルコノセニルメチル基、ジメチルジルコノセニルメチル基、ジエトキシジルコノセニルメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）クロムメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロモリブデンメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロハフニウムメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロニオブメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）ルテニウムメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）バナジウムメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロバナジウムメチル基などのメタロセニル基で置換した炭素数１１〜２０のアルキル基；
【００３９】
フェロセニルメトキシメチル基、フェロセニルメトキシエチル基、フェロセニルメトキシプロピル基、フェロセニルメトキシブチル基、フェロセニルメトキシペンチル基、フェロセニルメトキシヘキシル基、フェロセニルメトキシヘプチル基、フェロセニルメトキシオクチル基、フェロセニルメトキシノニル基、フェロセニルメトキシデシル基、フェロセニルエトキシメチル基、フェロセニルエトキシエチル基、フェロセニルエトキシプロピル基、フェロセニルエトキシブチル基、フェロセニルエトキシペンチル基、フェロセニルエトキシヘキシル基、フェロセニルエトキシヘプチル基、フェロセニルエトキシオクチル基、フェロセニルエトキシノニル基、フェロセニルエトキシデシル基、フェロセニルプロポキシメチル基、フェロセニルプロポキシエチル基、フェロセニルプロポキシプロピル基、フェロセニルプロポキシブチル基、フェロセニルプロポキシペンチル基、フェロセニルプロポキシヘキシル基、フェロセニルプロポキシヘプチル基、フェロセニルプロポキシオクチル基、フェロセニルプロポキシノニル基、フェロセニルプロポキシデシル基、フェロセニルブトキシメチル基、フェロセニルブトキシエチル基、フェロセニルブトキシプロピル基、フェロセニルブトキシブチル基、フェロセニルブトキシペンチル基、フェロセニルブトキシヘキシル基、フェロセニルブトキシヘプチル基、フェロセニルブトキシオクチル基、フェロセニルブトキシノニル基、フェロセニルブトキシデシル基、フェロセニルデシルオキシメチル基、フェロセニルデシルオキシエチル基、フェロセニルデシルオキシプロピル基、フェロセニルデシルオキシブチル基、フェロセニルデシルオキシペンチル基、フェロセニルデシルオキシヘキシル基、フェロセニルデシルオキシヘプチル基、フェロセニルデシルオキシオクチル基、フェロセニルデシルオキシノニル基、フェロセニルデシルオキシデシル基；
【００４０】
コバルトセニルメトキシメチル基、コバルトセニルメトキシエチル基、コバルトセニルメトキシプロピル基、コバルトセニルメトキシブチル基、コバルトセニルメトキシペンチル基、コバルトセニルメトキシヘキシル基、コバルトセニルメトキシヘプチル基、コバルトセニルメトキシオクチル基、コバルトセニルメトキシノニル基、コバルトセニルメトキシデシル基、コバルトセニルエトキシメチル基、コバルトセニルエトキシエチル基、コバルトセニルエトキシプロピル基、コバルトセニルエトキシブチル基、コバルトセニルエトキシペンチル基、コバルトセニルエトキシヘキシル基、コバルトセニルエトキシヘプチル基、コバルトセニルエトキシオクチル基、コバルトセニルエトキシノニル基、コバルトセニルエトキシデシル基、コバルトセニルプロポキシメチル基、コバルトセニルプロポキシエチル基、コバルトセニルプロポキシプロピル基、コバルトセニルプロポキシブチル基、コバルトセニルプロポキシペンチル基、コバルトセニルプロポキシヘキシル基、コバルトセニルプロポキシヘプチル基、コバルトセニルプロポキシオクチル基、コバルトセニルプロポキシノニル基、コバルトセニルプロポキシデシル基、コバルトセニルブトキシメチル基、コバルトセニルブトキシエチル基、コバルトセニルブトキシプロピル基、コバルトセニルブトキシブチル基、コバルトセニルブトキシペンチル基、コバルトセニルブトキシヘキシル基、コバルトセニルブトキシヘプチル基、コバルトセニルブトキシオクチル基、コバルトセニルブトキシノニル基、コバルトセニルブトキシデシル基、コバルトセニルデシルオキシメチル基、コバルトセニルデシルオキシエチル基、コバルトセニルデシルオキシプロピル基、コバルトセニルデシルオキシブチル基、コバルトセニルデシルオキシペンチル基、コバルトセニルデシルオキシヘキシル基、コバルトセニルデシルオキシヘプチル基、コバルトセニルデシルオキシオクチル基、コバルトセニルデシルオキシノニル基、コバルトセニルデシルオキシデシル基；
【００４１】
ニッケロセニルメトキシメチル基、ニッケロセニルメトキシエチル基、ニッケロセニルメトキシプロピル基、ニッケロセニルメトキシブチル基、ニッケロセニルメトキシペンチル基、ニッケロセニルメトキシヘキシル基、ニッケロセニルメトキシヘプチル基、ニッケロセニルメトキシオクチル基、ニッケロセニルメトキシノニル基、ニッケロセニルメトキシデシル基、ニッケロセニルエトキシメチル基、ニッケロセニルエトキシエチル基、ニッケロセニルエトキシプロピル基、ニッケロセニルエトキシブチル基、ニッケロセニルエトキシペンチル基、ニッケロセニルエトキシヘキシル基、ニッケロセニルエトキシヘプチル基、ニッケロセニルエトキシオクチル基、ニッケロセニルエトキシノニル基、ニッケロセニルエトキシデシル基、ニッケロセニルプロポキシメチル基、ニッケロセニルプロポキシエチル基、ニッケロセニルプロポキシプロピル基、ニッケロセニルプロポキシブチル基、ニッケロセニルプロポキシペンチル基、ニッケロセニルプロポキシヘキシル基、ニッケロセニルプロポキシヘプチル基、ニッケロセニルプロポキシオクチル基、ニッケロセニルプロポキシノニル基、ニッケロセニルプロポキシデシル基、ニッケロセニルブトキシメチル基、ニッケロセニルブトキシエチル基、ニッケロセニルブトキシプロピル基、ニッケロセニルブトキシブチル基、ニッケロセニルブトキシペンチル基、ニッケロセニルブトキシヘキシル基、ニッケロセニルブトキシヘプチル基、ニッケロセニルブトキシオクチル基、ニッケロセニルブトキシノニル基、ニッケロセニルブトキシデシル基、ニッケロセニルデシルオキシメチル基、ニッケロセニルデシルオキシエチル基、ニッケロセニルデシルオキシプロピル基、ニッケロセニルデシルオキシブチル基、ニッケロセニルデシルオキシペンチル基、ニッケロセニルデシルオキシヘキシル基、ニッケロセニルデシルオキシヘプチル基、ニッケロセニルデシルオキシオクチル基、ニッケロセニルデシルオキシノニル基、ニッケロセニルデシルオキシデシル基；
【００４２】
ジクロロチタノセニルメトキシメチル基、トリクロロチタンシクロペンタジエニルメトキシエチル基、ビス（トリフルオロメタンスルホナト）チタノセンメトキシプロピル基、ジクロロジルコノセニルメトキシブチル基、ジメチルジルコノセニルメトキシペンチル基、ジエトキシジルコノセニルメトキシメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）クロムメトキシヘキシル基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロハフニウムメトキシメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロニオブメトキシオクチル基、ビス（シクロペンタジエニル）ルテニウムメトキシメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）バナジウムメトキシメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロバナジウムメトキシエチル基、オスモセニルメトキシエチル基などのメタロセニルアルキルオキシ基で置換した炭素数１２〜３０のアルキル基；
【００４３】
フェロセンカルボニルオキシメチル基、フェロセンカルボニルオキシエチル基、フェロセンカルボニルオキシプロピル基、フェロセンカルボニルオキシブチル基、フェロセンカルボニルオキシペンチル基、フェロセンカルボニルオキシヘキシル基、フェロセンカルボニルオキシヘプチル基、フェロセンカルボニルオキシオクチル基、フェロセンカルボニルオキシノニル基、フェロセンカルボニルオキシデシル基、
【００４４】
コバルトセンカルボニルオキシメチル基、コバルトセンカルボニルオキシエチル基、コバルトセンカルボニルオキシプロピル基、コバルトセンカルボニルオキシブチル基、コバルトセンカルボニルオキシペンチル基、コバルトセンカルボニルオキシヘキシル基、コバルトセンカルボニルオキシヘプチル基、コバルトセンカルボニルオキシオクチル基、コバルトセンカルボニルオキシノニル基、コバルトセンカルボニルオキシデシル基、
【００４５】
ニッケロセンカルボニルオキシメチル基、ニッケロセンカルボニルオキシエチル基、ニッケロセンカルボニルオキシプロピル基、ニッケロセンカルボニルオキシブチル基、ニッケロセンカルボニルオキシペンチル基、ニッケロセンカルボニルオキシヘキシル基、ニッケロセンカルボニルオキシヘプチル基、ニッケロセンカルボニルオキシオクチル基、ニッケロセンカルボニルオキシノニル基、ニッケロセンカルボニルオキシデシル基、
【００４６】
ジクロロチタノセニルカルボニルオキシメチル基、トリクロロチタンシクロペンタジエニルカルボニルオキシエチル基、ビス（トリフルオロメタンスルホナト）チタノセンカルボニルオキシメトキシプロピル基、ジクロロジルコノセンカルボニルオキシブチル基、ジメチルジルコノセンカルボニルオキシペンチル基、ジエトキシジルコノセンカルボニルオキシメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）クロムカルボニルオキシヘキシル基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロハフニウムカルボニルオキシメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロニオブカルボニルオキシオクチル基、ビス（シクロペンタジエニル）ルテニウムカルボニルオキシメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）バナジウムカルボニルオキシメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロバナジウムカルボニルオキシエチル基、ビス（シクロペンタジエニル）オスミウムカルボニルオキシエチル基などのメタロセニルカルボニルオキシ基で置換した炭素数１２〜３０のアルキル基；
等が挙げられる。
【００４７】
Ｒ１〜Ｒ１２の置換または無置換のアラルキル基の例としては、前記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有するアラルキル基であり、好ましくは、ベンジル基、ニトロベンジル基、シアノベンジル基、ヒドロキシベンジル基、メチルベンジル基、トリフルオロメチルベンジル基、ナフチルメチル基、ニトロナフチルメチル基、シアノナフチルメチル基、ヒドロキシナフチルメチル基、メチルナフチルメチル基、トリフルオロメチルナフチルメチル基、フルオレン−９−イルエチル基などの炭素数７〜１５のアラルキル基等が挙げられる。
【００４８】
Ｒ１〜Ｒ１２の置換または無置換のアリール基の例としては、前記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有するアリール基であり、好ましくは、フェニル基、ニトロフェニル基、シアノフェニル基、ヒドロキシフェニル基、メチルフェニル基、トリフルオロメチルフェニル基、ナフチル基、ニトロナフチル基、シアノナフチル基、ヒドロキシナフチル基、メチルナフチル基、トリフルオロメチルナフチル基、メトキシカルボニルフェニル基、４−（５’−メチルベンゾキサゾール−２’−イル）フェニル基、ジブチルアミノカルボニルフェニル基などの炭素数６〜１５のアリール基等が挙げられる。
【００４９】
Ｒ１〜Ｒ１２の置換または無置換のアルコキシ基の例としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、イソペンチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ペンチルオキシ基、ｓｅｃ−ペンチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、１−メチルペンチルオキシ基、２−メチルペンチルオキシ基、３−メチルペンチルオキシ基、４−メチルペンチルオキシ基、１，１−ジメチルブトキシ基、１，２−ジメチルブトキシ基、１，３−ジメチルブトキシ基、２，３−ジメチルブトキシ基、１，１，２−トリメチルプロポキシ基、１，２，２−トリメチルプロポキシ基、１−エチルブトキシ基、２−エチルブトキシ基、１−エチル−２−メチルプロポキシ基、シクロヘキシルオキシ基、メチルシクロペンチルオキシ基、ｎ−へプチルオキシ基、１−メチルヘキシルオキシ基、２−メチルヘキシルオキシ基、３−メチルヘキシルオキシ基、４−メチルヘシルオキシ基、５−メチルヘキシルオキシ基、１，１−ジメチルペンチルオキシ基、１，２−ジメチルペンチルオキシ基、１，３−ジメチルペンチルオキシ基、１，４−ジメチルペンチルオキシ基、２，２−ジメチルペンチルオキシ基、２，３−ジメチルペンチルオキシ基、２，４−ジメチルペンチルオキシ基、３，３−ジメチルペンチルオキシ基、３，４−ジメチルペンチルオキシ基、１−エチルペンチルオキシ基、２−エチルペンチルオキシ基、３−エチルペンチルオキシ基、１，１，２−トリメチルブトキシ基、１，１，３−トリメチルブトキシ基、１，２，３−トリメチルブトキシ基、１，２，２−トリメチルブトキシ基、１，３，３−トリメチルブトキシ基、２，３，３−トリメチルブトキシ基、１−エチル−１−メチルブトキシ基、１−エチル−２−メチルブトキシ基、１−エチル−３−メチルブトキシ基、２−エチル−１−メチルブトキシ基、２−エチル−３−メチルブトキシ基、１−ｎ−プロピルブトキシ基、１−イソプロピルブトキシ基、１−イソプロピル−２−メチルプロポキシ基、メチルシクロヘキシルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、１−メチルヘプチルオキシ基、２−メチルヘプチルオキシ基、３−メチルヘプチルオキシ基、４−メチルヘプチルオキシ基、５−メチルヘプチルオキシ基、６−メチルヘプチルオキシ基、１，１−ジメチルヘキシルオキシ基、１，２−ジメチルヘキシルオキシ基、１，３−ジメチルヘキシルオキシ基、１，４−ジメチルヘキシルオキシ基、１，５−ジメチルヘキシルオキシ基、２，２−ジメチルヘキシルオキシ基、２，３−ジメチルヘキシルオキシ基、２，４−ジメチルヘキシルオキシ基、２，５−ジメチルヘキシルオキシ基、３，３−ジメチルヘキシルオキシ基、３，４−ジメチルヘキシルオキシ基、３，５−ジメチルヘキシルオキシ基、４，４−ジメチルヘキシルオキシ基、４，５−ジメチルヘキシルオキシ基、１−エチルヘキシルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、３−エチルヘキシルオキシ基、４−エチルヘキシルオキシ基、１−ｎ−プロピルペンチルオキシ基、２−ｎ−プロピルペンチルオキシ基、１−イソプロピルペンチルオキシ基、２−イソプロピルペンチルオキシ基、１−エチル−１−メチルペンチルオキシ基、１−エチル−２−メチルペンチルオキシ基、１−エチル−３−メチルペンチルオキシ基、１−エチル−４−メチルペンチルオキシ基、２−エチル−１−メチルペンチルオキシ基、２−エチル−２−メチルペンチルオキシ基、２−エチル−３−メチルペンチルオキシ基、２−エチル−４−メチルペンチルオキシ基、３−エチル−１−メチルペンチルオキシ基、３−エチル−２−メチルペンチルオキシ基、３−エチル−３−メチルペンチルオキシ基、３−エチル−４−メチルペンチルオキシ基、１，１，２−トリメチルペンチルオキシ基、１，１，３−トリメチルペンチルオキシ基、１，１，４−トリメチルペンチルオキシ基、１，２，２−トリメチルペンチルオキシ基、１，２，３−トリメチルペンチルオキシ基、１，２，４−トリメチルペンチルオキシ基、１，３，４−トリメチルペンチルオキシ基、２，２，３−トリメチルペンチルオキシ基、２，２，４−トリメチルペンチルオキシ基、２，３，４−トリメチルペンチルオキシ基、１，３，３−トリメチルペンチルオキシ基、２，３，３−トリメチルペンチルオキシ基、３，３，４−トリメチルペンチルオキシ基、１，４，４−トリメチルペンチルオキシ基、２，４，４−トリメチルペンチルオキシ基、３，４，４−トリメチルペンチルオキシ基、１−ｎ−ブチルブトキシ基、１−イソブチルブトキシ基、１−ｓｅｃ−ブチルブトキシ基、１−ｔｅｒｔ−ブチルブトキシ基、２−ｔｅｒｔ−ブチルブトキシ基、１−ｎ−プロピル−１−メチルブトキシ基、１−ｎ−プロピル−２−メチルブトキシ基、１−ｎ−プロピル−３−メチルブトキシ基、１−イソプロピル−１−メチルブトキシ基、１−イソプロピル−２−メチルブトキシ基、１−イソプロピル−３−メチルブトキシ基、１，１−ジエチルブトキシ基、１，２−ジエチルブトキシ基、１−エチル−１，２−ジメチルブトキシ基、１−エチル−１，３−ジメチルブトキシ基、１−エチル−２，３−ジメチルブトキシ基、２−エチル−１，１−ジメチルブトキシ基、２−エチル−１，２−ジメチルブトキシ基、２−エチル−１，３−ジメチルブトキシ基、２−エチル−２，３−ジメチルブトキシ基、１，１，３，３−テトラメチルブトキシ基、１，２−ジメチルシクロヘキシルオキシ基、１，３−ジメチルシクロヘキシルオキシ基、１，４−ジメチルシクロヘキシルオキシ基、エチルシクロヘキシルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ基、３，５，５−トリメチルヘキシルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基、ｎ−ウンデシルオキシ基、ｎ−ドデシルオキシ基、１−アダマンチルオキシ基、ｎ−ペンタデシルオキシ基等の炭素数１〜１５の直鎖、分岐又は環状の無置換アルコキシ基；
【００５０】
メトキシメトキシ基、メトキシエトキシ基、エトキシエトキシ基、ｎ−プロポキシエトキシ基、イソプロポキシエトキシ基、ｎ−ブトキシエトキシ基、イソブトキシエトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシエトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシエトキシ基、ｎ−ペンチルオキシエトキシ基、イソペンチルオキシエトキシ基、ｔｅｒｔ−ペンチルオキシエトキシ基、ｓｅｃ−ペンチルオキシエトキシ基、シクロペンチルオキシエトキシ基、ｎ−ヘキシルオキシエトキシ基、エチルシクロヘキシルオキシエトキシ基、ｎ−ノニルオキシエトキシ基、（３，５，５−トリメチルヘキシルオキシ）エトキシ基、（３，５，５−トリメチルヘキシルオキシ）ブトキシ基、ｎ−デシルオキシエトキシ基、ｎ−ウンデシルオキシエトキシ基、ｎ−ドデシルオキシエトキシ基、３−メトキシプロポキシ基、３−エトキシプロポキシ基、３−（ｎ−プロポキシ）プロポキシ基、２−イソプロポキシプロポキシ基、２−メトキシブトキシ基、２−エトキシブトキシ基、２−（ｎ−プロポキシ）ブトキシ基、４−イソプロポキシブトキシ基、デカリルオキシエトキシ基、アダマンチルオキシエトキシ基等の、アルコキシ基で置換された炭素数２〜１５のアルコキシ基；
【００５１】
メトキシメトキシメトキシ基、エトキシメトキシメトキシ基、プロポキシメトキシメトキシ基、ブトキシメトキシメトキシ基、メトキシエトキシメトキシ基、エトキシエトキシメトキシ基、プロポキシエトキシメトキシ基、ブトキシエトキシメトキシ基、メトキシプロポキシメトキシ基、エトキシプロポキシメトキシ基、プロポキシプロポキシメトキシ基、ブトキシプロポキシメトキシ基、メトキシブトキシメトキシ基、エトキシブトキシメトキシ基、プロポキシブトキシメトキシ基、ブトキシブトキシメトキシ基、メトキシメトキシエトキシ基、エトキシメトキシエトキシ基、プロポキシメトキシエトキシ基、ブトキシメトキシエトキシ基、メトキシエトキシエトキシ基、エトキシエトキシエトキシ基、プロポキシエトキシエトキシ基、ブトキシエトキシエトキシ基、メトキシプロポキシエトキシ基、エトキシプロポキシエトキシ基、プロポキシプロポキシエトキシ基、ブトキシプロポキシエトキシ基、メトキシブトキシエトキシ基、エトキシブトキシエトキシ基、プロポキシブトキシエトキシ基、ブトキシブトキシエトキシ基、メトキシメトキシプロポキシ基、エトキシメトキシプロポキシ基、プロポキシメトキシプロポキシ基、ブトキシメトキシプロポキシ基、メトキシエトキシプロポキシ基、エトキシエトキシプロポキシ基、プロポキシエトキシプロポキシ基、ブトキシエトキシプロポキシ基、メトキシプロポキシプロポキシ基、エトキシプロポキシプロポキシ基、プロポキシプロポキシプロポキシ基、ブトキシプロポキシプロポキシ基、メトキシブトキシプロポキシ基、エトキシブトキシプロポキシ基、プロポキシブトキシプロポキシ基、ブトキシブトキシプロポキシ基、メトキシメトキシブトキシ基、エトキシメトキシブトキシ基、プロポキシメトキシブトキシ基、ブトキシメトキシブトキシ基、メトキシエトキシブトキシ基、エトキシエトキシブトキシ基、プロポキシシエトキシブトキシ基、ブトキシエトキシブトキシ碁、メトキシプロポキシブトキシ基、エトキシプロポキシブトキシ基、プロポキシプロポキシブトキシ基、ブトキシプロポキシブトキシ基、メトキシブトキシブトキシ基、エトキシブトキシブトキシ基、プロポキシブトキシブトキシ基、ブトキシブトキシブトキシ基、（４−エチルシクロへキシルオキシ）エトキシエトキシ基、（２−エチル−１−へキシルオキシ）エトキシプロポキシ基、〔４−（３，５，５−トリメチルヘキシルオキシ）ブトキシ〕エトキシ基等の、アルコキシアルコキシ基で置換された炭素数３〜１５のアルコキシ基；
【００５２】
メトキシカルボニルメトキシ基、エトキシカルボニルメトキシ基、ｎ−プロポキシカルボニルメトキシ基、イソプロポキシカルボニルメトキシ基、（４’−エチルシクロヘキシルオキシ）カルボニルメトキシ基等のアルコキシカルボニル基で置換された炭素数３〜１０のアルコキシ基；
アセチルメトキシ基、エチルカルボニルメトキシ基、オクチルカルボニルメトキシ基、フェナシルオキシ基等のアシル基で置換された炭素数３〜１０のアルコキシ基；
【００５３】
アセチルオキシメトキシ基、アセチルオキシエトキシ基、アセチルオキシヘキシルオキシ基、ブタノイルオキシシクロヘキシルオキシ基などのアシルオキシ基で置換された炭素数３〜１０のアルコキシ基；
メチルアミノメトキシ基、２−メチルアミノエトキシ基、２−（２−メチルアミノエトキシ）エトキシ基、４−メチルアミノブトキシ基、１−メチルアミノプロパン−２−イルオキシ基、３−メチルアミノプロポキシ基、２−メチルアミノ−２−メチルプロポキシ基、２−エチルアミノエトキシ基、２−（２−エチルアミノエトキシ）エトキシ基、３−エチルアミノプロポキシ基、１−エチルアミノプロポキシ基、２−イソプロピルアミノエトキシ基、２−（ｎ−ブチルアミノ）エトキシ基、３−（ｎ−ヘキシルアミノ）プロポキシ基、４−（シクロヘキシルアミノ）ブチルオキシ基等のアルキルアミノ基で置換された炭素数２〜１０のアルコキシ基；
【００５４】
メチルアミノメトキシメトキシ基、メチルアミノエトキシエトキシ基、メチルアミノエトキシプロポキシ基、エチルアミノエトキシプロポキシ基、４−（２’−イソブチルアミノプロポキシ）ブトキシ基等のアルキルアミノアルコキシ基で置換された炭素数３〜１０のアルコキシ基；
ジメチルアミノメトキシ基、２−ジメチルアミノエトキシ基、２−（２−ジメチルアミノエトキシ）エトキシ基、４−ジメチルアミノブトキシ基、１−ジメチルアミノプロパン−２−イルオキシ基、３−ジメチルアミノプロポキシ基、２−ジメチルアミノ−２−メチルプロポキシ基、２−ジエチルアミノエトキシ基、２−（２−ジエチルアミノエトキシ）エトキシ基、３−ジエチルアミノプロポキシ基、１−ジエチルアミノプロポキシ基、２−ジイソプロピルアミノエトキシ基、２−（ジ−ｎ−ブチルアミノ）エトキシ基、２−ピペリジルエトキシ基、３−（ジ−ｎ−ヘキシルアミノ）プロポキシ基等のジアルキルアミノ基で置換された炭素数３〜１５のアルコキシ基；
【００５５】
ジメチルアミノメトキシメトキシ基、ジメチルアミノエトキシエトキシ基、ジメチルアミノエトキシプロポキシ基、ジエチルアミノエトキシプロポキシ基、４−（２’−ジイソブチルアミノプロポキシ）ブトキシ基等のジアルキルアミノアルコキシ基で置換された炭素数４〜１５のアルコキシ基；
メチルチオメトキシ基、２−メチルチオエトキシ基、２−エチルチオエトキシ基、２−ｎ−プロピルチオエトキシ基、２−イソプロピルチオエトキシ基、２−ｎ−ブチルチオエトキシ基、２−イソブチルチオエトキシ基、（３，５，５−トリメチルヘキシルチオ）ヘキシルオキシ基等のアルキルチオ基で置換された炭素数２〜１５のアルコキシ基；
【００５６】
フェロセニルメトキシ基、フェロセニルエトキシ基、フェロセニルプロポキシ基、フェロセニルブトキシ基、フェロセニルペンチルオキシ基、フェロセニルヘキシルオキシ基、フェロセニルヘプチルオキシ基、フェロセニルオクチルオキシ基、フェロセニルノニルオキシ基、フェロセニルデシルオキシ基、
コバルトセニルメトキシ基、コバルトセニルエトキシ基、コバルトセニルプロポキシ基、コバルトセニルブトキシ基、コバルトセニルペンチルオキシ基、コバルトセニルヘキシルオキシ基、コバルトセニルヘプチルオキシ基、コバルトセニルオクチルオキシ基、コバルトセニルノニルオキシ基、コバルトセニルデシルオキシ基、
【００５７】
ニッケロセニルメトキシ基、ニッケロセニルエトキシ基、ニッケロセニルプロポキシ基、ニッケロセニルブトキシ基、ニッケロセニルペンチルオキシ基、ニッケロセニルヘキシルオキシ基、ニッケロセニルヘプチルオキシ基、ニッケロセニルオクチルオキシ基、ニッケロセニルノニルオキシ基、ニッケロセニルデシルオキシ基、
ジクロロチタノセニルメトキシ基、トリクロロチタンシクロペンタジエニルメトキシ基、ビス（トリフルオロメタンスルホナト）チタノセンメトキシ基、ジクロロジルコノセニルメトキシ基、ジメチルジルコノセニルメトキシ基、ジエトキシジルコノセニルメトキシ基、ビス（シクロペンタジエニル）クロムメトキシ基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロハフニウムメトキシ基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロニオブメトキシ基、ビス（シクロペンタジエニル）ルテニウムメトキシ基、ビス（シクロペンタジエニル）バナジウムメトキシ基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロバナジウムメトキシ基、ビス（シクロペンタジエニル）オスミウムメトキシ基などのメタロセニル基で置換した炭素数１１〜２０のアルコキシ基；
等が挙げられ、好ましくは、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉｓｏ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｉｓｏ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ペントキシ基、ｉｓｏ−ペントキシ基、ネオペントキシ基、２−メチルブトキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、３，５，５−トリメチルヘキシルオキシ基、デカリルオキシ基、メトキシエトキシ基、エトキシエトキシ基、メトキシエトキシエトキシ基、エトキシエトキシエトキシ基、フェロセニルメトキシ基などの炭素数１〜１１のアルコキシ基が挙げられる。
【００５８】
Ｒ１〜Ｒ１２の置換または無置換のアラルキルオキシ基の例としては、前記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有するアラルキルオキシ基であり、好ましくは、ベンジルオキシ基、ニトロベンジルオキシ基、シアノベンジルオキシ基、ヒドロキシベンジルオキシ基、メチルベンジルオキシ基、トリフルオロメチルベンジルオキシ基、ナフチルメトキシ基、ニトロナフチルメトキシ基、シアノナフチルメトキシ基、ヒドロキシナフチルメトキシ基、メチルナフチルメトキシ基、トリフルオロメチルナフチルメトキシ基、フルオレン−９−イルエトキシ基などの炭素数７〜１５のアラルキルオキシ基等が挙げられる。
【００５９】
Ｒ１〜Ｒ１２の置換または無置換のアリールオキシ基の例としては、前記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有するアリールオキシ基であり、好ましくは、フェノキシ基、２−メチルフェノキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−ｔ−ブチルフェノキシ基、２−メトキシフェノキシ基、４−ｉｓｏ−プロピルフェノキシ基、ナフトキシ基などの炭素数６〜１０のアリールオキシ基が挙げられる。
【００６０】
Ｒ１〜Ｒ１２の置換または無置換のアルキルチオ基の例としては、前記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有するアルキルチオ基であり、好ましくは、メチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−プロピルチオ基、ｉｓｏ−プロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基、ｉｓｏ−ブチルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ｎ−ペンチルチオ基、ｉｓｏ−ペンチルチオ基、ネオペンチルチオ基、２−メチルブチルチオ基、メチルカルボキシルエチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、３，５，５−トリメチルヘキシルチオ基、デカリルチオ基などの炭素数１〜１０のアルキルチオ基が挙げられる。
【００６１】
Ｒ１〜Ｒ１２の置換または無置換のアラルキルチオ基の例としては、前記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有するアラルキルチオ基であり、好ましくは、ベンジルチオ基、ニトロベンジルチオ基、シアノベンジルチオ基、ヒドロキシベンジルチオ基、メチルベンジルチオ基、トリフルオロメチルベンジルチオ基、ナフチルメチルチオ基、ニトロナフチルメチルチオ基、シアノナフチルメチルチオ基、ヒドロキシナフチルメチルチオ基、メチルナフチルメチルチオ基、トリフルオロメチルナフチルメチルチオ基、フルオレン−９−イルエチルチオ基などの炭素数７〜１２のアラルキルチオ基等が挙げられる。
【００６２】
Ｒ１〜Ｒ１２の置換または無置換のアリールチオ基の例としては前記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有するアリールチオ基であり、好ましくは、フェニルチオ基、４−メチルフェニルチオ基、２−メトキシフェニルチオ基、４−ｔ−ブチルフェニルチオ基、ナフチルチオ基等の炭素数６〜１０のアリールチオ基などが挙げられる。
【００６３】
式（２）で示される化合物中、アミノ基の置換基Ｌ１〜Ｌ６の例としては、
前述のアルキル基；
前述のアラルキル基；
前述のアリール基；
と同様のアルキル基、アラルキル基、アリール基が挙げられる。
【００６４】
置換基Ｌ１〜Ｌ６で置換した各アミノ基の好ましい例としては、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、メチルエチルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ジブチルアミノ基、ジ−ｎ−ヘキシルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基、ジオクチルアミノ基、ビス（メトキシエチル）アミノ基、ビス（エトキシエチル）アミノ基、ビス（プロポキシエチル）アミノ基、ビス（ブトキシエチル）アミノ基、ジ（アセチルオキシエチル）アミノ基、ジ（ヒドロキシエチル）アミノ基、Ｎ−エチル−Ｎ−（２−シアノエチル）アミノ基、ジ（プロピオニルオキシエチル）アミノ基などの炭素数２〜１６のジアルキルアミノ基；
【００６５】
ジベンジルアミノ基、ジフェネチルアミノ基、ビス（４−エチルベンジル）アミノ基、ビス（４−イソプロピルベンジル）アミノ基などの炭素数１４〜２０のジアラルキルアミノ基；
ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基、Ｎ−フェニル−Ｎ−トリルアミノ基などの炭素数１２〜１４のジアリールアミノ基；
Ｎ−フェネチル−Ｎ−フェニルアミノ基、Ｎ−トリル−Ｎ−メチルアミノ基、Ｎ−ベンジル−Ｎ−エチルアミノ基等の置換基を有していてもよいアルキル基、アラルキル基、アリール基より選択した炭素数３〜１４のジ置換アミノ基が挙げられる。
【００６６】
Ｒ１とＲ７、Ｒ２とＲ８、Ｒ３とＲ９、Ｒ４とＲ１０、Ｒ５とＲ１１、Ｒ６とＲ１２において、隣接する基同士が結合して形成した、置換していてもよい脂環について、−Ｒ１−Ｒ７−、−Ｒ２−Ｒ８−、−Ｒ３−Ｒ９−、−Ｒ４−Ｒ１０−、−Ｒ５−Ｒ１１−、−Ｒ６−Ｒ１２−の具体的な骨格の例としては、式（３）または式（４）または式（５）
【００６７】
【化５】
0003590345.tif 000004
【００６８】
（式中、ｒ１〜ｒ２０は各々独立に水素原子、フッ素原子等のハロゲン原子、Ｒ１〜Ｒ１２で示されるアルキル基、アラルキル基、アリール基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基と同様のアルキル基、アラルキル基、アリール基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基を表し、ｎ１〜ｎ３は０または１を表す。）
で表される骨格等が挙げられる。好ましくは−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−等が挙げられる。
【００６９】
Ｒ１とＲ７、Ｒ２とＲ８、Ｒ３とＲ９、Ｒ４とＲ１０、Ｒ５とＲ１１、Ｒ６とＲ１２において、隣接する基同士が結合して形成した、置換していてもよい芳香環について、−Ｒ１−Ｒ７−、−Ｒ２−Ｒ８−、−Ｒ３−Ｒ９−、−Ｒ４−Ｒ１０−、−Ｒ５−Ｒ１１−、−Ｒ６−Ｒ１２−の具体的な骨格の例としては、式（６）
【００７０】
【化６】
0003590345.tif 000005
【００７１】
（式中、ｒ２１〜ｒ２４は各々独立に水素原子、ｒ１〜ｒ２０で示されるアルキル基、アラルキル基、アリール基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基と同様のアルキル基、アラルキル基、アリール基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基を表す。）
で表される骨格等が挙げられる。好ましくは−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−Ｃ（ＣＨ３）＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−Ｃ（ＣＨ２ＣＨ３）＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−Ｃ（ＣＨ〔ＣＨ３〕２）＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−Ｃ（ＯＣＨ３）＝ＣＨ−等が挙げられる。
【００７２】
Ｒ１とＲ７、Ｒ２とＲ８、Ｒ３とＲ９、Ｒ４とＲ１０、Ｒ５とＲ１１、Ｒ６とＲ１２において、隣接する基同士が結合して形成した、置換していてもよい複素環について、−Ｒ１−Ｒ７−、−Ｒ２−Ｒ８−、−Ｒ３−Ｒ９−、−Ｒ４−Ｒ１０−、−Ｒ５−Ｒ１１−、−Ｒ６−Ｒ１２−で表される複素鎖の骨格としては、窒素原子、酸素原子、または硫黄原子などのヘテロ原子および炭素原子を適宜選択して組み合わせて連結した鎖状骨格であり、好ましくは、鎖を構成する連結原子数５〜６の複素鎖が挙げられる。好適に用いられる複素鎖の具体的な骨格の例として、好ましくは、−ＯＣＨ２ＣＨ２Ｏ−、−ＣＨ２ＯＣＨ２−、−ＯＣＨ２Ｏ−、−ＯＣ（ＣＨ３）２Ｏ−、−ＳＣＨ２ＣＨ２Ｓ−、−ＣＨ２ＳＣＨ２−、−ＳＣＨ２Ｓ−、−ＣＨ２ＳＳＣＨ２−、−Ｎ（ＣＨ３）−ＣＨ２ＣＨ２−Ｎ（ＣＨ３）−、−ＣＨ２−Ｎ（ＣＨ３）−ＣＨ２−、−ＣＨ２−Ｎ（ＣＨ２ＣＨ３）−ＣＨ２−、−ＣＨ２−Ｎ（ＣＨ３）−Ｎ（ＣＨ３）−ＣＨ２−、−ＣＨ２−Ｎ（ＣＨ２ＣＨ３）−Ｎ（ＣＨ２ＣＨ３）−ＣＨ２−等が挙げられる。
【００７３】
Ｌ１〜Ｌ６において、隣接する基同士が結合して形成した、置換していてもよい複素環について、−Ｌ１−Ｌ２−、−Ｌ３−Ｌ４−、−Ｌ５−Ｌ６−で表される複素鎖の骨格としては、窒素原子、酸素原子、または硫黄原子などのヘテロ原子および炭素原子を適宜選択して組み合わせて連結した鎖状骨格であり、好ましくは、鎖を構成する連結原子数５〜６の複素鎖が挙げられる。好適に用いられる複素鎖の具体的な骨格の例としては、式（７）または式（８）
【００７４】
【化７】
0003590345.tif 000006
【００７５】
（式中、ｒ２５〜ｒ４８は各々独立に水素原子、ｒ１〜ｒ２０で示されるアルキル基、アラルキル基、アリール基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基と同様のアルキル基、アラルキル基、アリール基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基を表し、Ｙは、酸素原子、硫黄原子、前述のアルキル基、アラルキル基、アリール基と同様のアルキル基、アラルキル基、アリール基により置換された窒素原子を表し、ｎ４〜ｎ７は０または１を表す。）で表される骨格等が挙げられる。
【００７６】
隣接する基であるＬ１とＲ１、Ｌ２とＲ２、Ｌ３とＲ３、Ｌ４とＲ４、Ｌ５とＲ５、Ｌ６とＲ６が各々連結して形成される複素環において、連結基−Ｌ１−Ｒ１−、−Ｌ２−Ｒ２−、−Ｌ３−Ｒ３−、−Ｌ４−Ｒ４−、−Ｌ５−Ｒ５−、−Ｌ６−Ｒ６−の具体的な骨格の例としては、式（９）または式（１０）
【００７７】
【化８】
0003590345.tif 000007
【００７８】
（式中、ｒ４９〜ｒ６０は各々独立に、水素原子、ｒ１〜ｒ２０で示されるアルキル基、アラルキル基、アリール基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基と同様のアルキル基、アラルキル基、アリール基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基を表し、Ｚは、酸素原子、硫黄原子、前述のアルキル基、アラルキル基、アリール基と同様のアルキル基、アラルキル基、アリール基により置換された窒素原子を表し、ｎ８は０または１を表す。）
で表される骨格等が挙げられる。好ましくは−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２Ｃ（ＣＨ３）２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＯＣＨ２−、−ＣＨ２ＳＣＨ２−、−Ｎ（ＣＨ３）−ＣＨ２ＣＨ２−等が挙げられる。
【００７９】
本発明の光記録媒体に用いられる一般式（２）の化合物の合成方法としては、例えばＣｈｅｍ．  Ｅｕｒ．  Ｊ．  １９９７，  ３，  Ｎｏ．１１  ｐｐ１７６５−１７７３、Ａｎｇｅｗ．  Ｃｈｅｍ．  Ｉｎｔ．  Ｅｄ．  ２０００，  ３９，  Ｎｏ．８  ｐｐ１４３６−１４３９に記載されている方法、あるいは当該技術分野に属する通常の知識を有する者にとって上記の他の公知の多数の文献に記載されている方法によって合成することができる。具体的な合成法の例としては、例えば、式（１１）
【００８０】
【化９】
0003590345.tif 000008
【００８１】
〔式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ７、Ｒ８、Ｌ１、Ｌ２は前記と同じ意味を表し、Ｘは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などのハロゲン原子を表す。〕
で示されるアニリン誘導体を溶媒中または無溶媒で、必要に応じて冷却しながら、ｎ−ブチルリチウム、ｓｅｃ−ブチルリチウム、ｔｅｒｔ−ブチルリチウムなどのアルキルリチウムを作用させて、リチオ化し、次いで、フッ化シアヌル、塩化シアヌル、臭化シアヌル、ヨウ化シアヌルなどのハロゲノシアヌルと反応させることで、式（１２）
【００８２】
【化１０】
0003590345.tif 000009
〔式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ７、Ｒ８、Ｌ１、Ｌ２は前記と同じ意味を表す。〕
で表される〔本発明の一般式（２）に相当する〕化合物を容易に得ることができる。
【００８３】
また、式（１２）の化合物を得る過程で、副生物として、式（１３）および式（１４）の化合物を得ることができる。
【００８４】
【化１１】
0003590345.tif 000010
【００８５】
【化１２】
0003590345.tif 000011
【００８６】
〔式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ７、Ｒ８、Ｌ１、Ｌ２は、前記と同じ意味を表し、Ｘ’はフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などのハロゲン原子を表す。〕
ここで、式（１５）
【００８７】
【化１３】
0003590345.tif 000012
【００８８】
〔式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ９、Ｒ１０、Ｌ３、Ｌ４およびＸは、前記と同じ意味を表す。〕で示されるアニリン誘導体を溶媒中または無溶媒で、必要に応じて冷却しながら、ｎ−ブチルリチウム、ｓｅｃ−ブチルリチウム、ｔｅｒｔ−ブチルリチウムなどのアルキルリチウムを作用させて、リチオ化し、次いで、式（１３）または式（１４）と反応させることで、式（１６）または式（１７）
【００８９】
【化１４】
0003590345.tif 000013
【００９０】
【化１５】
0003590345.tif 000014
〔式中、Ｒ１〜Ｒ４、Ｒ７〜Ｒ１０、Ｌ１〜Ｌ４は前記と同じ意味を表す。〕
で表される本発明の一般式（２）に相当する化合物を容易に得ることができる。
【００９１】
さらに、式（１６）の化合物を得る過程で、副生物として、式（１８）の化合物を得ることができる。
【００９２】
【化１６】
0003590345.tif 000015
〔式中、Ｒ１〜Ｒ４、Ｒ７〜Ｒ１０、Ｌ１〜Ｌ４およびＸ’は、前記と同じ意味を表す。〕
【００９３】
ここで、式（１９）
【００９４】
【化１７】
0003590345.tif 000016
【００９５】
〔式中、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｌ５、Ｌ６およびＸは、前記と同じ意味を表す。〕
で示されるアニリン誘導体を溶媒中または無溶媒で、必要に応じて冷却しながら、ｎ−ブチルリチウム、ｓｅｃ−ブチルリチウム、ｔｅｒｔ−ブチルリチウムなどのアルキルリチウムを作用させて、リチオ化し、次いで、式（１８）と反応させることで、本発明の一般式（２）に相当する化合物を容易に得ることができる。
【００９６】
一般式（１）で示される化合物の具体例については、下記に記載する化合物（１−１）〜（１−２０）を有する化合物等が挙げられる。
【００９７】
【化１８】
0003590345.tif 000017
【００９８】
【化１９】
0003590345.tif 000018
【００９９】
【化２０】
0003590345.tif 000019
【０１００】
【化２１】
0003590345.tif 000020
【０１０１】
【化２２】
0003590345.tif 000021
【０１０２】
【化２３】
0003590345.tif 000022
【０１０３】
本発明の光記録媒体を構成している記録層の色素は、実質的に１種またはそれ以上のトリアジン系化合物、特に式（１）の化合物からなるものであり、更には、所望に応じて、波長２９０ｎｍ〜６９０ｎｍに吸収極大を持ち、３００ｎｍ〜７００ｎｍでの屈折率が大きい前記以外の化合物と混合しても良い。具体的には、シアニン系化合物、スクアリリウム系化合物、ナフトキノン系化合物、アントラキノン系化合物、テトラピラポルフィラジン系化合物、インドフェノール系化合物、ピリリウム系化合物、チオピリリウム系化合物、アズレニウム系化合物、トリフェニルメタン系化合物、キサンテン系化合物、インダスレン系化合物、インジゴ系化合物、チオインジゴ系化合物、メロシアニン系化合物、チアジン系化合物、アクリジン系化合物、オキサジン系化合物、ジピロメテン系化合物などがあり、複数の化合物の混合であっても良い。これらの化合物の混合割合は、０．１質量％〜３０質量％程度である。
【０１０４】
記録層を成膜する際に、記録用途とは別目的に、記録品位、或いは記録特性の向上を図るために、必要に応じて式（１）で表される化合物に、クエンチャー、化合物熱分解促進剤、紫外線吸収剤、接着剤などを混合するか、あるいは、そのような効果を有する化合物を式（１）で表される化合物の置換基として導入することも可能である。
【０１０５】
クエンチャーの具体例としては、アセチルアセトナート系、ビスジチオ−α−ジケトン系やビスフェニルジチオール系などのビスジチオール系、チオカテコナール系、サリチルアルデヒドオキシム系、チオビスフェノレート系などの金属錯体が好ましい。また、アミン系も好適である。
【０１０６】
化合物熱分解促進剤としては、熱減量分析（ＴＧ分析）などにより、化合物の熱分解の促進が確認できるのもであれば特に限定されず、例えば、金属系アンチノッキング剤、メタロセン化合物、アセチルアセトナート系金属錯体などの金属化合物が挙げられる。金属系アンチノッキング剤の例としては、四エチル鉛、その他の鉛系化合物、シマントレン〔Ｍｎ（Ｃ５Ｈ５）（ＣＯ）３〕などのＭｎ系化合物、また、メタロセン化合物の例としては、鉄ビスシクロペンタジエニル錯体（フェロセン）をはじめ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｚｒ、Ｌｕ、Ｔａ、Ｗ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｓｃ、Ｙなどのビスシクロペンタジエニル錯体がある。なかでもフェロセン、ルテノセン、オスモセン、ニッケロセン、チタノセンおよびそれらの誘導体は良好な熱分解促進効果がある。
【０１０７】
その他、鉄系金属化合物として、メタロセンの他に、ギ酸鉄、シュウ酸鉄、ラウリル酸鉄、ナフテン酸鉄、ステアリン酸鉄、酢酸鉄などの有機酸鉄化合物、アセチルアセトナート鉄錯体、フェナントロリン鉄錯体、ビスピリジン鉄錯体、エチレンジアミン鉄錯体、エチレンジアミン四酢酸鉄錯体、ジエチレントリアミン鉄錯体、ジエチレングリコールジメチルエーテル鉄錯体、ジホスフィノ鉄錯体、ジメチルグリオキシマート鉄錯体などのキレート鉄錯体、カルボニル鉄錯体、シアノ鉄錯体、アンミン鉄錯体などの鉄錯体、塩化第一鉄、塩化第二鉄、臭化第一鉄、臭化第二鉄などのハロゲン化鉄、あるいは、硝酸鉄、硫酸鉄などの無機鉄塩類、さらには、酸化鉄などが挙げられる。ここで用いる熱分解促進剤は有機溶剤に可溶で、かつ、耐湿熱性及び耐光性の良好なものが望ましい。
【０１０８】
上述した各種のクエンチャー及び化合物熱分解促進剤は、必要に応じて、１種類で用いても、２種類以上を混合して用いても良い。
【０１０９】
さらに、必要に応じて、バインダー、レベリング剤、消泡剤などの添加物質を加えても良い。好ましいバインダーとしては、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ニトロセルロース、酢酸セルロース、ケトン樹脂、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、ウレタン樹脂、ポリビニルブチラール、ポリカーボネート、ポリオレフィンなどが挙げられる。
【０１１０】
図１または図２のような光記録媒体を作製する場合、記録層を基板の上に成膜する際に、基板の耐溶剤性や反射率、記録感度などを向上させるために、基板の上に無機物やポリマーからなる層を設けても良い。
【０１１１】
ここで、記録層におけるトリアジン系化合物、特に一般式（１）で示される化合物の含有量は、記録・再生が可能な任意の量を選択することができるが、通常、３０質量％以上、好ましくは６０質量％以上である。尚、実質的に１００質量％であることも好ましい。
【０１１２】
記録層を設ける方法は、例えば、スピンコート法、スプレー法、キャスト法、スライド法、カーテン法、エクストルージョン法、ワイヤー法、グラビア法、スプレッド法、ローラーコート法、ナイフ法、浸漬法などの塗布法、スパッタ法、化学蒸着法、真空蒸着法などが挙げられるが、スピンコート法が簡便で好ましい。
【０１１３】
スピンコート法などの塗布法を用いる場合には、トリアジン系化合物、特に一般式（１）で示される化合物を１〜４０質量％、好ましくは３〜３０質量％となるように溶媒に溶解あるいは分散させた塗布液を用いるが、この際、溶媒は基板にダメージを与えないものを選ぶことが好ましい。例えば、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、オクタフルオロペンタノール、アリルアルコール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、テトラフルオロプロパノールなどのアルコール系溶媒、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジメチルシクロヘキサンなどの脂肪族または脂環式炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼンなどの芳香族炭化水素系溶媒、四塩化炭素、クロロホルム、テトラクロロエタン、ジブロモエタンなどのハロゲン化炭化水素系溶媒、ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジオキサンなどのエーテル系溶媒、アセトン、３−ヒドロキシ−３−メチル−２−ブタノンなどのケトン系溶媒、酢酸エチル、乳酸メチルなどのエステル系溶媒、水などが挙げられる。これらは単独で用いても良く、あるいは、複数混合しても良い。
【０１１４】
なお、必要に応じて、記録層の化合物を高分子薄膜などに分散して用いたりすることもできる。
【０１１５】
また、基板にダメージを与えない溶媒を選択できない場合は、スパッタ法、化学蒸着法や真空蒸着法などが有効である。
【０１１６】
記録層の膜厚は、通常１ｎｍ〜１０００ｎｍであるが、好ましくは５ｎｍ〜３００ｎｍである。記録層の膜厚を１ｎｍより薄くすると、記録できないか、記録信号に歪が発生する上、信号振幅が小さくなる場合がある。また、膜厚が１０００ｎｍより厚い場合は反射率が低下し、再生信号特性が悪化する場合がある。
【０１１７】
次に記録層の上に、好ましくは１ｎｍ〜３００ｎｍの厚さの反射層を形成する。反射率を高めるためや密着性をよくするために、記録層と反射層の間に反射増幅層や接着層を設けることができる。反射層の材料としては、再生光の波長で反射率の十分高いもの、例えば、Ａｌ、Ａｇ、ＮｉおよびＰｔの金属を単独あるいは合金にして用いることが可能である。この中でもＡｇ、Ａｌは反射率が高く反射層の材料として適している。これ以外でも必要に応じて下記のものを含んでいても良い。例えば、Ｍｇ、Ｓｅ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｐｄ、Ｔａなどの金属および半金属を挙げることができる。ＡｇまたはＡｌを主成分とするもので反射率の高い反射層が容易に得られるものが好適である。金属以外の材料で低屈折率薄膜と高屈折率薄膜を交互に積み重ねて多層膜を形成し、反射層として用いることも可能である。
【０１１８】
反射層を形成する方法としては、例えば、スパッタ法、イオンプレーティング法、化学蒸着法、真空蒸着法などが挙げられる。また、基板の上や反射層の下に反射率の向上、記録特性の改善、密着性の向上などのために公知の無機系または有機系の中間層、接着層を設けることもできる。
【０１１９】
さらに、反射層の上に形成する保護層の材料としては反射層を外力から保護するものであれば特に限定しない。無機物質としては、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＭｇＦ２、ＡｌＮ、ＳｎＯ２などが挙げられる。また、有機物質としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂などを挙げることができる。熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂などは適当な溶媒に溶解して塗布液を調製した後に、この塗布液を塗布し、乾燥することによって形成することができる。紫外線硬化性樹脂はそのままもしくは適当な溶媒に溶解して塗布液を調製した後に、この塗布液を塗布し、紫外線を照射して硬化させることによって形成することができる。紫外線硬化性樹脂としては、例えば、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレートなどのアクリレート樹脂を用いることができる。これらの材料は単独であるいは混合して用いても良く、１層だけでなく多層膜にして用いても良い。
【０１２０】
保護層の形成の方法としては、記録層と同様にスピンコート法やキャスト法などの塗布法やスパッタ法や化学蒸着法などの方法が用いられるが、この中でもスピンコート法が好ましい。
【０１２１】
保護層の膜厚は、一般には０．１μｍ〜１０００μｍの範囲であるが、場合により１μｍ〜１００μｍ、さらには、５μｍ〜２０μｍとすることができる。
【０１２２】
保護層の上にさらにレーベル、バーコードなどの印刷を行うこともできる。
【０１２３】
また、反射層面に保護シートまたは基板を貼り合わせる、あるいは反射層面相互を内側とし対向させ、光記録媒体２枚を貼り合わせるなどの手段を用いても良い。
【０１２４】
基板鏡面側に、表面保護やごみ等の付着防止のために紫外線硬化性樹脂、無機系薄膜等を成膜しても良い。
【０１２５】
また、図３のような光記録媒体を作製する場合、基板の上に、好ましくは１ｎｍ〜３００ｎｍの厚さの反射層を形成する。反射率を高めるためや密着性をよくするために、記録層と反射層の間に反射増幅層や接着層を設けることができる。反射層の材料としては、再生光の波長で反射率の十分高いもの、例えば、Ａｌ、Ａｇ、ＮｉおよびＰｔの金属を単独あるいは合金にして用いることが可能である。この中でもＡｇ、Ａｌは反射率が高く反射層の材料として適している。これ以外でも必要に応じて下記のものを含んでいても良い。例えば、Ｍｇ、Ｓｅ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｐｄ、Ｔａなどの金属および半金属を挙げることができる。ＡｇまたはＡｌを主成分とするもので反射率の高い反射層が容易に得られるものが好適である。金属以外の材料で低屈折率薄膜と高屈折率薄膜を交互に積み重ねて多層膜を形成し、反射層として用いることも可能である。
【０１２６】
反射層を形成する方法としては、例えば、スパッタ法、イオンプレーティング法、化学蒸着法、真空蒸着法などが挙げられる。また、基板の上や反射層の下に反射率の向上、記録特性の改善、密着性の向上などのために公知の無機系または有機系の中間層、接着層を設けることもできる。
【０１２７】
次に、記録層を反射層の上に成膜する際に、反射層の耐溶剤性や反射率、記録感度などを向上させるために、反射層の上に無機物やポリマーからなる層を設けても良い。
【０１２８】
ここで、記録層におけるトリアジン系化合物、特に一般式（１）で示される化合物の含有量は、記録・再生が可能な任意の量を選択することができるが、通常、３０質量％以上、好ましくは６０質量％以上である。尚、実質的に１００質量％であることも好ましい。
【０１２９】
記録層を設ける方法は、例えば、スピンコート法、スプレー法、キャスト法、スライド法、カーテン法、エクストルージョン法、ワイヤー法、グラビア法、スプレッド法、ローラーコート法、ナイフ法、浸漬法などの塗布法、スパッタ法、化学蒸着法、真空蒸着法などが挙げられるが、スピンコート法が簡便で好ましい。
【０１３０】
スピンコート法などの塗布法を用いる場合には、トリアジン系化合物、特に一般式（１）で示される化合物を１〜４０質量％、好ましくは３〜３０質量％となるように溶媒に溶解あるいは分散させた塗布液を用いるが、この際、溶媒は反射層にダメージを与えないものを選ぶことが好ましい。例えば、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、オクタフルオロペンタノール、アリルアルコール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、テトラフルオロプロパノールなどのアルコール系溶媒、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジメチルシクロヘキサンなどの脂肪族または脂環式炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼンなどの芳香族炭化水素系溶媒、四塩化炭素、クロロホルム、テトラクロロエタン、ジブロモエタンなどのハロゲン化炭化水素系溶媒、ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジオキサンなどのエーテル系溶媒、アセトン、３−ヒドロキシ−３−メチル−２−ブタノンなどのケトン系溶媒、酢酸エチル、乳酸メチルなどのエステル系溶媒、水などが挙げられる。これらは単独で用いても良く、あるいは、複数混合しても良い。
【０１３１】
なお、必要に応じて、記録層の化合物を高分子薄膜などに分散して用いたりすることもできる。
【０１３２】
また、反射層にダメージを与えない溶媒を選択できない場合は、スパッタ法、化学蒸着法や真空蒸着法などが有効である。
【０１３３】
記録層の膜厚は、通常１ｎｍ〜１０００ｎｍであるが、好ましくは５ｎｍ〜３００ｎｍである。記録層の膜厚を１ｎｍより薄くすると、記録できないか、記録信号に歪が発生する上、信号振幅が小さくなる場合がある。また、膜厚が１０００ｎｍより厚い場合は反射率が低下し、再生信号特性が悪化する場合がある。
【０１３４】
さらに、記録層の上に形成する保護層の材料としては記録層を外力や雰囲気など、外部からの悪影響保護するものであれば特に限定しない。無機物質としては、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＭｇＦ２、ＡｌＮ、ＳｎＯ２などが挙げられる。また、有機物質としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂などを挙げることができる。熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂などは適当な溶媒に溶解して塗布液を調製した後に、この塗布液を塗布し、乾燥することによって形成することができる。紫外線硬化性樹脂はそのままもしくは適当な溶媒に溶解して塗布液を調製した後にこの塗布液を塗布し、紫外線を照射して硬化させることによって形成することができる。紫外線硬化性樹脂としては、例えば、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレートなどのアクリレート樹脂を用いることができる。これらの材料は単独であるいは混合して用いても良く、１層だけでなく多層膜にして用いても良い。
【０１３５】
保護層の形成の方法としては、記録層と同様にスピンコート法やキャスト法などの塗布法やスパッタ法や化学蒸着法などの方法が用いられるが、この中でもスピンコート法が好ましい。
【０１３６】
保護層の膜厚は、一般には０．０１μｍ〜１０００μｍの範囲であるが、場合により０．１μｍ〜１００μｍ、さらには、１μｍ〜２０μｍとすることができる。
【０１３７】
また、基板面に保護シートまたは反射層を貼り合わせる、あるいは基板面相互を内側とし対向させ、光記録媒体２枚を貼り合わせるなどの手段を用いても良い。
【０１３８】
保護層面側に、表面保護やごみ等の付着防止のために紫外線硬化性樹脂、無機系薄膜等を成膜しても良い。
【０１３９】
本発明の光記録媒体において、媒体全体を保護する目的で、例えば、フロッピーディスクや光磁気ディスクなどに見られるようにディスクを保護するケース型の保護ユニットを設置しても構わない。材質はプラスチックや、アルミニウムなどの金属を使用することができる。
【０１４０】
ここで、本発明で言う波長３００〜５００ｎｍ、さらには４００ｎｍ〜５００ｎｍのレーザーは、特に制限はないが、例えば、可視光領域の広範囲で波長選択のできる色素レーザーや、波長４４５ｎｍのヘリウムカドミウムレーザー、波長４５７ｎｍあるいは４８８ｎｍのアルゴンレーザー等のイオンレーザー、波長４００〜４１０ｎｍのＧａＮ系半導体レーザー等の青紫色半導体レーザー、ＣｒドープしたＬｉＳｎＡｌＦ６を用いた波長８６０ｎｍの赤外線レーザーの第２高調波４３０ｎｍを発振する半導体レーザー他、波長４１５、４２５ｎｍ等の可視半導体レーザー等の半導体レーザー等があげられる。本発明では、上述のレーザー等を記録または再生を行う記録層の感応する波長に応じて適宜選択することができる。高密度記録および再生は各々、上述の該レーザーから選択される１波長または複数波長において可能となる。記録再生用としては半導体レーザーが通常用いられる。また、本発明の式（１）のトリアジン系化合物を記録用色素に用いた光記録媒体では、例えば窒素レーザー（３３７ｎｍ）等のガスレーザー等、波長４００ｎｍ未満のレーザーについても使用可能である。
【０１４１】
また、赤色レーザー波長領域や赤外レーザー波長領域に感応する色素を共に用いて記録層を形成した場合には、波長５００ｎｍ以上のレーザーを使用して、赤色レーザー波長領域や赤外レーザー波長領域に感応する色素による記録再生を行ってもかまわない。具体的なレーザーの例としては、Ｈｅ−Ｎｅレーザー等のガスレーザー、６０２、６１２、６３５、６４７、６５０、６６０、６７０、６８０ｎｍ等の可視半導体レーザー等の半導体レーザー等が挙げられる。
【０１４２】
【実施例】
以下に本発明の実施例を示すが、本発明はこれによりなんら限定されるものではない。
【０１４３】
実施例１
一般式（１）で表される化合物のうち、化合物（１−１）をポリカーボネート樹脂製で連続した案内溝（トラックピッチ：０．７４μｍ）を有する外径１２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍの円盤状の基板上に真空蒸着法にて厚さ７０ｎｍになるように成膜した。
【０１４４】
この記録層上にバルザース社製スパッタ装置（ＣＤＩ−９００）を用いてＡｇをスパッタし、厚さ１００ｎｍの反射層を形成した。スパッタガスには、アルゴンガスを用いた。スパッタ条件は、スパッタパワー２．５ｋＷ、スパッタガス圧１．３３Ｐａ（１．０×１０−２Ｔｏｒｒ）で行った。
【０１４５】
さらに、反射層の上に、紫外線硬化樹脂ＳＤ−１７（大日本インキ化学工業製）をスピンコートした後、紫外線照射して厚さ５μｍの保護層を形成した。更に、保護層の上に紫外線硬化樹脂ＳＤ−３０１（大日本インキ化学工業製）をスピンコートした後、前記基板と同様な案内溝のないポリカーボネート樹脂製基板をのせ、紫外線照射して基板を貼り合わせ、光記録媒体を作製した。
【０１４６】
以上のように記録層が形成された光記録媒体について、以下の評価試験を行った。
【０１４７】
波長４０３ｎｍ、開口数０．６５の青色半導体レーザーヘッドを搭載した評価機により記録周波数９．７ＭＨｚ、信号パワー８．５ｍＷ、線速９．０ｍ／ｓ、最短ピット長０．４６μｍで記録を行ったところ、ピットが形成され、記録できた。記録後、同評価装置により、線速９．０ｍ／ｓで再生を行ったところ、ピットを読み取ることができた。
【０１４８】
実施例２〜２０
記録層に化合物（１−２）〜（１−２０）を用いること以外は実施例１と同様にして光記録媒体を作製し、実施例１と同様に記録を行ったところいずれも良好にピットが形成され、記録できた。また、ピットを読み取ることができた。
【０１４９】
実施例２１
化合物（１−２０）０．２ｇをテトラフルオロプロパノール１０ｍｌに溶解し、化合物溶液を調製した。
【０１５０】
ポリカーボネート樹脂製で連続した案内溝（トラックピッチ：０．７４μｍ）を有する外径１２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍの円盤状の基板上に、この化合物溶液を回転速度１５００ｍｉｎ−１でスピンコートし、７０℃で２時間乾燥して記録層を形成した。
【０１５１】
上記の記録層の形成以外は、実施例１と同様にして光記録媒体を作製し、記録を行ったところ、ピットが形成され、記録できた。記録後、同評価装置により、線速９．０ｍ／ｓで再生を行ったところ、ピットを読み取ることができた。
【０１５２】
比較例１
化合物（１−２０）の代わりに、式（ａ）
【０１５３】
【化２４】
0003590345.tif 000023
【０１５４】
の化合物を用いた以外は、実施例２０と同様にして、光記録媒体を作製し、記録再生評価を行った。その結果、Ｃ／Ｎ比が低く、うまく読み取れなかった。
【０１５５】
実施例１〜２１に記載されるように、本発明の光記録媒体は、青色レーザー波長領域において、記録再生が可能であり、記録特性に優れている。
【０１５６】
このことから、本発明で規定する構造の化合物を含有する記録層は、波長３００〜５００ｎｍから選択されるレーザー光による信号記録が可能であり、本発明の光記録媒体は波長３００〜５００ｎｍから選択されるレーザー光を記録再生に用いる光記録媒体に用いることができる。
【０１５７】
【発明の効果】
本発明によれば、トリアジン系化合物、特に一般式（１）で示される化合物を記録層に用いることにより、高密度記録可能な波長３００ｎｍ〜５００ｎｍのレーザーで記録および再生が可能な追記型光記録媒体を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る光記録媒体の層構成の一例を示す断面構造図である。
【図２】本発明に係る光記録媒体の層構成の一例を示す断面構造図である。
【図３】本発明に係る光記録媒体の層構成の一例を示す断面構造図である。
【符号の説明】
１  ：基板
２  ：記録層
３  ：反射層
４  ：保護層
５  ：接着層
【図１】
0003590345.tif 000026
【図２】
0003590345.tif 000027
【図３】
0003590345.tif 000028