(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射する発散収束光に偏光回転分布を生じさせる偏光ビームスプリツタ膜を備える光学素子を有する偏光成分検出装置において、
上記偏光回転分布は、入射する上記発散収束光の光軸と上記偏光ビームスプリツタ膜に対する法線とで形成された平面に略垂直方向に生じる偏光回転分布であり、
上記発散収束光の光路上に配置され、上記光学素子による上記発散収束光の上記偏光回転分布をキヤンセルするように、入射する上記発散収束光の上記偏光方向を変化させる偏光回転分布変換手段
を具えることを特徴とする偏光成分検出装置。
【請求項２】
上記偏光回転分布変換手段は、
上記光学素子による上記発散収束光の上記偏光回転分布をキヤンセルするように光学特性が選定された位相板でなる
ことを特徴とする請求項１に記載の偏光成分検出装置。
【請求項３】
上記位相板は、
上記光学特性として、入射する上記発散収束光の光軸と上記偏光ビームスプリツタ膜に対する法線とで形成される平面内において、上記光学素子による上記発散収束光の上記偏光回転分布をキヤンセルするように光学軸が傾けられた
ことを特徴とする請求項２に記載の偏光成分検出装置。
【請求項４】
上記位相板は、
上記光学特性として、入射する上記発散収束光の光軸と上記偏光ビームスプリツタ膜に対する法線とで形成される平面内において、上記光学素子による上記発散収束光の上記偏光回転分布をキヤンセルするように光学軸が傾けられると共に、上記光学軸の回りに所定角度回転させて半波長板の機能をもたせた
ことを特徴とする請求項２に記載の偏光成分検出装置。
【請求項５】
上記光学素子の屈折率をｎBS、上記位相板の屈折率をｎHWP、上記光学素子のＰ偏光及びＳ偏光に対する透過率をそれぞれＴS、ＴP、発散収束光の開口率をＮＡ、上記位相板に入射する上記発散収束光の光学軸に垂直な平面と上記位相板の上記光学軸とがなす角をθとしたとき、ｎBS、ｎHWP、ＴS１、ＴP１、ＮＡ及びθが次の３つの式
【数１】
0003582668.tif 000060
【数２】
0003582668.tif 000061
【数３】
0003582668.tif 000062
を満足するようにそれぞれ選定された
ことを特徴とする請求項２に記載の偏光成分検出装置。
【請求項６】
入射する発散収束光に検波方向の回転分布を生じさせる偏光ビームスプリツタ膜を有する検光子を用いた偏光成分検出装置において、
上記検波方向の回転分布は、入射する上記発散収束光の光軸と上記偏光ビームスプリツタ膜に対する法線とで形成された平面に略垂直方向に生じる回転分布であり、
上記発散収束光の光路上に配置され、入射する上記発散収束光に対して、上記検光子により生じる上記検波方向の回転分布をキヤンセルするように偏光回転分布を生じさせる光学系
を具えることを特徴とする偏光成分検出装置。
【請求項７】
上記光学系は、
上記検光子の上記偏光ビームスプリツタ膜と平行に配置される偏光ビームスプリツタ膜を有する光学素子と、
上記検光子及び上記光学素子間に配置された半波長板とを有し、
上記光学素子及び上記半波長板において生じる上記発散収束光の偏光回転分布により、上記検光子により生じる上記検波方向の回転分布をキヤンセルする
ことを特徴とする請求項６に記載の偏光成分検出装置。
【請求項８】
上記光学系は、
上記検光子の上記偏光ビームスプリツタ膜と垂直に配置される偏光ビームスプリツタ膜を有する光学素子と、
上記検光子及び上記光学素子間に、互いに光学軸をずらして配置された第１及び第２の半波長板とを有し、
上記光学素子並びに上記第１及び第２の半波長板において生じる上記発散収束光の偏光回転分布により、上記検光子により生じる上記検波方向の回転分布をキヤンセルする
ことを特徴とする請求項６に記載の偏光成分検出装置。
【請求項９】
上記光学系は、
上記検光子の上記偏光ビームスプリツタ膜と垂直に配置される、Ｐ偏光とＳ偏光との間に180 〔°〕の位相差を生じる偏光ビームスプリツタ膜を有する光学素子と、
上記検光子及び上記光学素子間に配置された半波長板とを有し、
上記光学素子及び上記半波長板において生じる上記発散収束光の偏光回転分布により、上記検光子により生じる上記検波方向の回転分布をキヤンセルする
ことを特徴とする請求項６に記載の偏光成分検出装置。
【請求項１０】
上記光学系は、
上記検光子の上記偏光ビームスプリツタ膜と平行に配置される偏光ビームスプリツタ膜を有する光学素子と、
上記検光子及び上記光学素子間に配置され、上記発散収束光の偏光回転分布を変化させる位相板とを有し、
上記光学素子及び上記位相板において生じる上記発散収束光の偏光回転分布により、上記検光子により生じる上記検波方向の回転分布をキヤンセルする
ことを特徴とする請求項６に記載の偏光成分検出装置。
【請求項１１】
上記光学系は、
上記検光子の上記偏光ビームスプリツタ膜と垂直に配置される、Ｐ偏光とＳ偏光との間に180 〔°〕の位相差を生じる偏光ビームスプリツタ膜を有する光学素子と、
上記検光子及び上記光学素子間に配置され、上記発散収束光の偏光回転分布を変化させる位相板とを有し、
上記光学素子及び上記位相板において生じる上記発散収束光の偏光回転分布により、上記検光子により生じる上記検波方向の回転分布をキヤンセルする
ことを特徴とする請求項６に記載の偏光成分検出装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【目次】
以下の順序で本発明を説明する。
産業上の利用分野
従来の技術（図１５〜図１７）
発明が解決しようとする課題（図１４〜図１８（Ｂ））
課題を解決するための手段（図１〜図１４）
作用（図１〜図１４）
実施例
（１）第１実施例
（１−１）第１実施例の原理（図１〜図５）
（１−２）第１実施例の構成（図６及び図１６）
（２）第２実施例
（２−１）第２実施例の原理（図７〜図１１）
（２−２）第２実施例の構成（図１２及び図１３）
（３）他の実施例（図１〜図１４）
発明の効果
【０００２】
【産業上の利用分野】
本発明は偏光成分検出装置に関し、例えば光磁気記録媒体再生装置に適用して好適なものである。
【０００３】
【従来の技術】
従来、光磁気記録媒体再生装置を小型化、低コスト化する１つの方法として、光ピツクアツプを発散収束光学系として構成する方法が提案されている。
図１５及び図１６は、光ピツクアツプをこのように構成する場合の構成例を示すものであり、この構成例において図１５のタイプ（以下、このタイプをＰ分離タイプと呼ぶ）の光ピツクアツプ１では、発光ダイオード２から発射された光ビームＬ１をグレーテイング３によつて情報再用の主ビームと、トラツキング用の２つの副ビームとに分割し、これら各ビームをそれぞれビームスプリツタ４、コリメータレンズ５及び対物レンズ６を順次介して光磁気デイスク７に照射するようになされている。
【０００４】
この主ビーム及び２つの副ビームの光磁気デイスク７における各反射戻り光Ｌ２は、それぞれ対物レンズ６及びコリメータレンズ５を順次介してビームスプリツタ４の偏光膜４Ａに入射し、当該偏光膜４Ａにおいて所定方向に反射され、ウオラストンプリズム８に入射する。
ウオラストンプリズム８は、各反射戻り光Ｌ２をそれぞれ３つの光ビームに分割することにより合計９本の光ビームを形成し、これらをマルチレンズ９を介してフオトダイオード１０の受光面に入射させる。
【０００５】
フオトダイオード１０の受光面は、図１７に示すように、複数個の受光領域Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇ、Ｈ、Ｉに分割されてなる受光素子で構成されている。かくしてこの光ピツクアツプ１では、受光領域の（Ａ＋Ｃ）−（Ｂ＋Ｄ）を求めることによりフオーカスエラー（ＦＥ）を検出でき、受光領域Ｅ及び受光領域Ｆの出力差（Ｅ−Ｆ）を求めることによりトラツキングエラー（ＴＥ）を検出できる。また受光領域Ｉ及び受光領域Ｊの出力和（Ｉ＋Ｊ）を求めることによりピツト信号（ＲＦＳ  ）を得ることができ、受光領域Ｉ及び受光領域Ｊの出力差（Ｉ−Ｊ）を求めることによりＭＯ信号（ＲＦｄ  ）を得ることができるようになされている。
【０００６】
一方図１５との対応部分に同一符号を付した図１６のタイプ（以下、このタイプをＳ分離タイプと呼ぶ）の光ピツクアツプ２０では、発光ダイオード２から発射された光ビームＬ３をグレーテイング３において主ビームと２つの副ビームとに分割した後、これらをビームスプリツタ４の偏光膜４Ａで所定方向に反射することにより、コリメータレンズ５及び対物レンズ６を介して光磁気デイスク７に入射させる。
【０００７】
この主ビームと２つの副ビームの光磁気デイスク７における反射戻り光Ｌ４は、対物レンズ６、コリメータレンズ５、偏光ビームスプリツタ４、ウオラストンプリズム８及びマルチレンズ９を順次介してＰ分離タイプの光ピツクアツプ１と同様にしてフオトデイテクタ１０の受光面に入射する。
従つてこの光ピツクアツプ２０においても、上述のＰ分離タイプの光ピツクアツプ１と同様にしてフオトデイテクタ１０の出力に基づいてフオーカスエラー及びトラツキングエラーを検出し得ると共に、ピツト信号及びＭＯ信号を得ることができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、一般的に偏光ビームスプリツタは、偏光特性に角度依存性を有している。
すなわち入射光が偏光ビームスプリツタの偏光膜で反射することにより得られる反射光や、入射光が偏光ビームスプリツタの偏光膜を透過することにより得られる透過光の偏光方向は、通常、入射光が偏光ビームスプリツタの偏光膜に入射する角度に対応して回転される。
【０００９】
例えばＰ分離タイプの光ピツクアツプ１（図１５）では、上述の偏光の回転が、図１８（Ａ）に示すように、光ビームＬ１が光磁気デイスク７に集光し、反射した戻り光Ｌ２が形成するビームスポツトのうち、光磁気デイスク７のトラツク方向と平行な方向の両端部に近づくほど大きくなる。なお図中において矢印はビームスポツトの各部における偏光方向を示す（図１８（Ｂ）も同様）。
一方、Ｓ分離タイプの光ピツクアツプ２０（図１６）では、上述の偏光の回転が、図１８（Ｂ）に示すように、光ビームＬ３が光磁気デイスク７に形成するビームスポツトのうち、トラツク方向に対して垂直な方向の両端部において生じる。
【００１０】
この場合Ｓ分離タイプの光ピツクアツプ２０のように、光ビームＬ３が光磁気デイスク７に形成するビームスポツトのうち、トラツク方向に対して垂直な方向の両端部に偏光の回転が生じると、例えばトラツクとして波状の、いわゆるウオブリングトラツクを適用している光磁気デイスク７の再生時には、このトラツクのウオブリングに基づいて得られる位置検出信号がＭＯ信号へ漏れ込むため（フオトデイテクタ１０の受光面に形成される反射戻り光Ｌ４のうち、ＩとＪとの光量バランス、すなわちＩ−Ｊの出力がウオブリング周期で変化するため）、正確なＭＯ信号を得難い問題があつた。
従つて光磁気記録媒体再生装置を設計するに際して再生特性を考慮すると、光ピツクアツプとしてＳ分離タイプの採用は困難であり、このため光磁気記録媒体再生装置自体の設計の幅が狭められていた。
【００１１】
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、光磁気記録媒体再生装置の設計の自由度を増加させると共に、光磁気記録媒体再生装置を精度良く小型化することのできる偏光成分検出装置を提案しようとするものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
かかる課題を解決するため第１の発明においては、入射する発散収束光（Ｌ４）に偏光回転を生じさせる偏光ビームスプリツタ膜（４Ａ）を備える光学素子（４）を有する偏光成分検出装置において、偏光回転分布は、入射する発散収束光（Ｌ４）の光軸と偏光ビームスプリツタ膜（４Ａ）に対する法線とで形成された平面に略垂直方向に生じる偏光回転分布であり、発散収束光（Ｌ４）の光路上に配置され、光学素子（４）による発散収束光（Ｌ４）の偏光回転分布をキヤンセルするように、入射する発散収束光（Ｌ４）の偏光方向を変化させる偏光回転分布変換手段（５１）を設けるようにした。
【００１３】
また第２の発明においては、偏光回転分布変換手段（５１）は、光学素子（４）による発散収束光（Ｌ２）の偏光回転分布をキヤンセルするように光学特性が選定された位相板でなるようにした。
【００１４】
さらに第３の発明においては、位相板（５１）は、光学特性として、入射する発散収束光（Ｌ２）の光軸と偏光ビームスプリツタ膜（４Ａ）に対する法線とで形成される平面内において、光学素子（４）による発散収束光（Ｌ２）の偏光回転分布をキヤンセルするように光学軸（Ｋ５０）を傾けるようにした。
【００１５】
さらに第４の発明においては、位相板（４）は、光学特性として、入射する発散収束光（Ｌ２）の光軸と偏光ビームスプリツタ膜（４Ａ）に対する法線とで形成される平面内において、光学素子（４）による発散収束光（Ｌ２）の偏光回転分布をキヤンセルするように光学軸（Ｋ５０）を傾けると共に、光学軸（Ｋ５０）の回りに所定角度回転させて半波長板の機能をもたせるようにした。
【００１６】
さらに第５の本発明においては、光学素子（４）の屈折率をｎBS、位相板（５１）の屈折率をｎHWP、光学素子（４）のＰ偏光及びＳ偏光に対する透過率をそれぞれＴS、ＴP、発散収束光（Ｌ２）の開口率をＮＡ、位相板（５１）に入射する発散収束光（Ｌ２）の光学軸に垂直な平面と位相板（５１）の光学軸（Ｋ５０）とがなす角をθとしたとき、ｎBS、ｎHWP、ＴS１、ＴP１、ＮＡ及びθが次の３つの式
【数４】
0003582668.tif 000002
【数５】
0003582668.tif 000003
【数６】
0003582668.tif 000004
を満足するようにそれぞれ選定するようにした。
【００１７】
また第６の発明においては、入射する発散収束光（Ｌ４０）に検波方向の回転分布を生じさせる偏光ビームスプリツタ膜（７１Ａ）を有する検光子（７１）を用いた偏光成分検出装置において、検波方向の回転分布は、入射する発散収束光（Ｌ４０）の光軸と偏光ビームスプリツタ膜（７１Ａ）に対する法線とで形成された平面に略垂直方向に生じる回転分布であり、発散収束光（Ｌ４０）の光路上に配置され、入射する発散収束光（Ｌ４０）に対して、検光子（７１）により生じる検波方向の回転分布をキヤンセルするように偏光回転分布を生じさせる光学系（７２、７３）、（７２、７３Ａ、７３Ｂ）を設けるようにした。
【００１８】
さらに第７の発明においては、光学系（７２、７３）は、検光子（７１）の偏光ビームスプリツタ膜（７１Ａ）と平行に配置される偏光ビームスプリツタ膜（７２Ａ）を有する光学素子（７２）と、検光子（７１）及び光学素子（７２）間に配置された半波長板（７３）とを有し、光学素子（７２）及び半波長板（７３）において生じる発散収束光（Ｌ４０）の偏光回転分布により、検光子（７１）により生じる検波方向の回転分布をキヤンセルするようにした。
【００１９】
さらに第８の発明においては、光学系（７２、７３Ａ、７３Ｂ）は、検光子（７１）の偏光ビームスプリツタ膜（７１Ａ）と垂直に配置される偏光ビームスプリツタ膜（７２Ａ）を有する光学素子（７２）と、検光子（７１）及び光学素子（７２）間に、互いに光学軸をずらして配置された第１及び第２の半波長板（７３Ａ、７３Ｂ）とを有し、光学素子（７２）並びに第１及び第２の半波長板（７３Ａ、７３Ｂ）において生じる発散収束光（Ｌ４０）の偏光回転分布により、検光子（７１）により生じる検波方向の回転分布をキヤンセルするようにした。
【００２０】
さらに第９の発明においては、光学系（７２、７３）は、検光子（７１）の偏光ビームスプリツタ膜（７１Ａ）と垂直に配置される、Ｐ偏光とＳ偏光との間に180 〔°〕の位相差を生じる偏光ビームスプリツタ膜（７２Ａ）を有する光学素子（７２）と、検光子（７１）及び光学素子（７２）間に配置された半波長板（７３）とを有し、光学素子（７２）及び半波長板（７３）において生じる発散収束光（Ｌ４０）の偏光回転分布により、検光子（７１）により生じる検波方向の回転分布をキヤンセルするようにした。
【００２１】
さらに第１０の発明においては、光学系（７２、７３）は、検光子（７１）の偏光ビームスプリツタ膜（７１Ａ）と平行に配置される偏光ビームスプリツタ膜（７２Ａ）を有する光学素子（７２）と、検光子（７１）及び光学素子（７２）間に配置され、発散収束光（Ｌ４０）の偏光方向回転分布を変化させる位相板とを有し、光学素子（７２）及び位相板において生じる発散収束光（Ｌ４０）の偏光回転分布により、検光子（７１）により生じる検波方向の回転分布をキヤンセルするようにした。
【００２２】
さらに第１１の発明においては、光学系は、検光子（７１）の偏光ビームスプリツタ膜（７１Ａ）と垂直に配置される、Ｐ偏光とＳ偏光との間に180 〔°〕の位相差を生じる偏光ビームスプリツタ膜（７２Ａ）を有する光学素子（７２）と、検光子（７１）及び光学素子（７２）間に配置され、発散収束光（Ｌ４０）の偏光方向回転分布を変化させる位相板とを有し、光学素子（７２）及び位相板において生じる発散収束光（Ｌ４０）の偏光回転分布により、検光子（７１）により生じる検波方向の回転分布をキヤンセルするようにした。
【００２３】
【作用】
第１〜第５の発明においては、光学素子（４）による発散収束光（Ｌ４）の偏光回転分布をキヤンセルするように、入射する発散収束光（Ｌ４）の偏光方向を変化させる偏光回転分布変換手段（５１）を設けるようにしたことにより、光学素子（４）及び偏光回転分布変換手段（５１）に入射する発散収束光（Ｌ４）が光学素子（４）による偏光回転の影響を受けないようにすることができる。
従つて、これを例えば光磁気記録媒体再生装置の光ピツクアツプに適用することによつて、Ｓ分離タイプのものでも光学素子（４）による影響を受けない発散収束光学系として形成することができ、かくして光磁気記録媒体再生装置の設計の自由度を増加させると共に、光磁気記録媒体再生装置を精度良く小型化することのできる偏光成分検出装置を実現できる。
【００２４】
また第６〜第１１の発明においては、入射する発散収束光（Ｌ４０）に対して、検光子（７１）により生じる検波方向の回転分布をキヤンセルするように偏光回転分布を生じさせる光学系（７２、７３）、（７２、７３Ａ、７３Ｂ）を設けるようにしたことにより、検光子（７１）に入射する発散収束光（Ｌ４０）が当該検光子（７１）による偏光回転の影響を受けないようにすることができ、かくして第１の発明と同様に、光磁気記録媒体再生装置の設計の自由度を増加させると共に、光磁気記録媒体再生装置を精度良く小型化することのできる偏光成分検出装置を実現できる。
【００２５】
【実施例】
以下図面について、本発明の一実施例を詳述する。
【００２６】
（１）第１実施例
（１−１）第１実施例の原理
図１（Ａ）に示すように、収束するＳ偏光Ｌ１０を偏光ビームスプリツタ３０の上面３１Ａから光軸を当該上面３０Ａと垂直に入射させる場合を考える。
ここで図１（Ｂ）のように、Ｓ偏光Ｌ１０の偏光ビームスプリツタ３０への入射光軸方向をｚ軸の正方向とし、Ｓ偏光の向きをｙ軸の正方向、ｙ軸及びｚ軸にそれぞれ垂直で、かつ偏光ビームスプリツタ３０の偏光膜３０Ｂの法線が傾いている方向をｘ軸の正方向とする。
【００２７】
また図１（Ａ）及び（Ｃ）に示すように、Ｓ偏光Ｌ１０が偏光ビームスプリツタ３０の上面３０Ａに形成するビームスポツト３１のｙ軸と平行な直径の端部のうち、ｙ座標の大きい方をｃ、小さい方をｄとし、端部ｄを通る光線の偏光ビームスプリツタ３０上面３０Ａへの入射角をａ、屈折角をｂ、偏光ビームスプリツタ３０の屈折率をｎＢＳとする。
この場合入射角ａ、屈折角ｂ及び屈折率ｎＢＳの間には次式
【数７】
0003582668.tif 000005
が成り立つ。また端部ｄを通る光線を考えたとき、その屈折後の光線方向の単位ベクトルＩＩＮは、次式
【数８】
0003582668.tif 000006
で与えられ、かつ偏光方向の単位ベクトルＳＩＮは次式
【数９】
0003582668.tif 000007
で与えられる。因みに、偏光ビームスプリツタ３０の偏光膜３０Ｂの法線方向の単位ベクトルｒを次式
【数１０】
0003582668.tif 000008
で与えられるものとする。
【００２８】
いま考えている光線が偏光ビームスプリツタ３０の偏光膜３０Ｂに入射するときの当該偏光膜３０ＢにとつてのＳ偏光方向は、ビームスポツト３１の端部ｄを通る光線の屈折後の光線方向と、偏光ビームスプリツタ３０の偏光膜３０Ｂの法線方向とにそれぞれ垂直であるから、その単位ベクトルｅＳは次式
【数１１】
0003582668.tif 000009
で表され、偏光膜３０ＢにとつてのＰ偏光方向は、偏光膜３０ＢにとつてのＳ偏光方向と、ビームスポツト３１の端部ｄを通る光線の屈折後の光線方向とにそれぞれ垂直であるから、その単位ベクトルｅＰは次式
【数１２】
0003582668.tif 000010
で表される。
【００２９】
ここでこの光線が偏光ビームスプリツタ３０を透過する場合を考え、当該偏光ビームスプリツタ３０のＰ偏光及びＳ偏光に対する透過率をそれぞれＴＰ１、ＴＳ１とすると、ビームスポツト３１の端部ｄを通る光線の屈折後の偏光方向の単位ベクトルＳＩＮは次式
【数１３】
0003582668.tif 000011
で表されるのに対して、ここでは光電場として扱つているので、光線が偏光ビームスプリツタ３０を透過した後の偏光方向の単位ベクトルＳＯＵＴ  は、次式
【数１４】
0003582668.tif 000012
で表される。
【００３０】
実際に計算すると、単位ベクトルｅＳは（８）式及び（１０）式から次式
【数１５】
0003582668.tif 000013
となり、単位ベクトルｅＰは（８）式及び（１１）式から次式
【数１６】
0003582668.tif 000014
となることから、定数Ａは（９）式及び（１５）式から次式
【数１７】
0003582668.tif 000015
のように算出でき、定数Ｂは（９）式及び（１６）式から次式
【数１８】
0003582668.tif 000016
のように算出できる。
【００３１】
また単位ベクトルＳＯＵＴは、（１４）式ないし（１８）式から次式
【数１９】
0003582668.tif 000017
のように算出できる。
ここで偏光ビームスプリツタ３０の透過光Ｌ１１のＰ偏光成分Ｐ１は、単位ベクトルＳＯＵＴのＸ成分だから次式
【数２０】
0003582668.tif 000018
であり、Ｓ偏光成分Ｓ１は単位ベクトルＳＯＵＴのＳＩＮ方向の成分だから次式
【数２１】
0003582668.tif 000019
で与えられる。
【００３２】
従つてＳ偏光Ｌ１０が偏光ビームスプリツタ３０を透過したときに当該Ｓ偏光Ｌ１０の偏光方向の各端部に生じる偏光回転角αＢＳ（図１（Ｄ））は、（２０）式及び（２１）式から次式
【数２２】
0003582668.tif 000020
を満足する。
このとき光線が端部ｃ、ｄを通るとき、Ｓ偏光Ｌ１０の開口率をＮＡとすると、次式
【数２３】
0003582668.tif 000021
であるから、次式
【数２４】
0003582668.tif 000022
が出射光の偏光方向回転量となる。
【００３３】
同様にして、Ｐ偏光を偏光ビームスプリツタ３０に入射させる場合についても偏光回転角が求められる。この場合任意の偏光は、Ｓ偏光及びＰ偏光の１次結合として表されるから、任意の偏光に対して偏光回転角を求めることができる。
次に、図２（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、一面４０Ａに対して光学軸Ｋ１を角度θだけ傾けた位相板４０に、入射光Ｌ２０として発散収束光でなる直線偏光をその一面４０Ａに垂直に入射させる場合を考える。このときも上述の偏光ビームスプリツタ３０の場合と同様に、出射光Ｌ２１の偏光回転分布は入射時とは異なつたものとなる。
【００３４】
ここで一般的に位相板の特性は、屈折率楕円体を用いて表すことができる。実際上、屈折率楕円体として、次式
【数２５】
0003582668.tif 000023
を考え、この屈折率楕円体を図３に示すように、ｙ軸の回りに角度θだけ回転させた楕円体４５を用いることによつて光学軸が角度θ傾いた位相板の特性を表すことができる。
この楕円体４５を原点Ｏを通り入射光Ｌ２０の光線方向に垂直な平面で切つたときにできる楕円の２つの軸のうち、一方の径をｎ０  （これは常光線の屈折率に対応する）とし、他方の径をｎｅ  （これは異常光線の屈折率に対応する）とすると、次式
【数２６】
0003582668.tif 000024
で与えられる屈折率の差Δｎと、位相板４０の厚さｔとを用いて、出射時における常光線と異常光線との位相差を次式
【数２７】
0003582668.tif 000025
のように表すことができる。
【００３５】
これをｘｙ平面上、ｚ軸となす角度ａで入射する光線について考える。この光線は結晶内では位相板４０の屈折率をｎＨＷＰとして、次式
【数２８】
0003582668.tif 000026
を満たす角度ｂの方向の光線となる。
まずΔｎを求める。ｂが微小であると考えると（実際の用途を考えるとｂはあまり大きくしないはず）、光線に垂直な平面で切つたときの楕円は、（２５）式の楕円体をｙ軸の回りに角度θだけ回転することにより得られた楕円体４５（図３）をｘｙ平面で切つたときの楕円で近似できる。
【００３６】
実際上例えばθ回転によつて次式
【数２９】
0003582668.tif 000027
で与えられる点ｘ１  が次式
【数３０】
0003582668.tif 000028
で与えられる点Ｘ１  に移つたとすると、点ｘ１  は次式
【数３１】
0003582668.tif 000029
と表される。
従つて点ｘ１  を先の（２５）式に代入して、ｚ＝０とおくことによつて、求める楕円（すなわち（２５）式の楕円体をｙ軸の回りに角度θだけ回転することにより得られた楕円体をｘｙ平面で切つたときの楕円）が次式
【数３２】
0003582668.tif 000030
のように得られる。
【００３７】
従つてこの（３２）式からｎｅ  及びｎ０  はそれぞれ次式
【数３３】
0003582668.tif 000031
【数３４】
0003582668.tif 000032
として与えられることから、位相差Δｎは次式
【数３５】
0003582668.tif 000033
のように表すことができる。
【００３８】
一方、入射光Ｌ２０の入射方向の単位ベクトルＩは、次式
【数３６】
0003582668.tif 000034
で与えられ、結晶の光軸方向の単位ベクトルＣは次式
【数３７】
0003582668.tif 000035
で与えられ、かつ入射光の偏光方向Ｓの単位ベクトルは次式
【数３８】
0003582668.tif 000036
で与えられる。
【００３９】
ここで、原点Ｏを通り、単位ベクトルＩに垂直な平面で切つた楕円体４５の切り口の楕円の主軸（ｎ０  ＝ｎ１  に対応する軸を主軸、他方を副軸と呼ぶこととする）は、単位ベクトルＩに垂直な平面上にあり、また常にＣに垂直で原点を通る平面上にあることから、副軸方向の単位ベクトルＥＣ  は次式
【数３９】
0003582668.tif 000037
と表される。
また先に求めた（３５）式の位相差Δｎは、角度ｂが小さい間はほとんど変わらないと考えられる。
【００４０】
従つて、ｍを整数として次式
【数４０】
0003582668.tif 000038
を満たすｔの値を求め、位相板４０をその厚さにすればこの位相板４０を半波長板として機能させることができる。
ここでこの位相板４０を半波長板として用いたとき（すなわち位相板４０の厚さを（４０）式を満たすｔに設定したとき）、図４（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、先の主軸方向の単位ベクトルＥＣ  （（３９）式）と、入射光Ｌ２０（図３）の偏光方向Ｓ（（３８）式）とのなす角をαＨＷＰ  （但しθが正のときに正、負のときに負とする）とすると、この位相板４０を透過した後の光線の偏光回転角は２αＨＷＰ  で与えられる。
【００４１】
実際に計算すると、次式
【数４１】
0003582668.tif 000039
及び次式
【数４２】
0003582668.tif 000040
から次式
【数４３】
0003582668.tif 000041
が得られる。位相板４０内部における光線の角度ｂを常に０以上としておくと、次式
【数４４】
0003582668.tif 000042
及び図５のｃ′、ｄ′を通つた光線に対しては、次式
【数４５】
0003582668.tif 000043
のように、光学軸Ｋ１を傾けた位相板４０によつても偏光回転分布が生じることが分かる。
【００４２】
ここで位相板４０によつて偏光回転分布が生じたのは、副軸の方向が光の入射方向によつて変化したためであり、従つて予め偏光回転分布を有する光をこの位相板４０に入射すると共に、この際副軸の方向を、光学軸Ｋ１の傾きθを変化させるようにして最適化しておくことによつて、当該位相板４０によつて入射光Ｌ２０（図２及び図３）の偏光回転分布をなくさせる（キヤンセルさせる）ことができる。
【００４３】
従つて例えば図１及び図２との対応部分に同一符号を付した図５に示すように、偏光ビームスプリツタ３０と位相板４０とを順次配置した場合、先に求めたαＢＳ及びαＨＷＰ  の式を用いて、次式
【数４６】
0003582668.tif 000044
【数４７】
0003582668.tif 000045
【数４８】
0003582668.tif 000046
を満足するように位相板４０の光学軸Ｋ１の傾きθを選定することにより、偏光ビームスプリツタ３０において生じた入射光Ｌ１０の偏光回転を位相板４０によつてキヤンセルすることができる。
【００４４】
（１−２）第１実施例の構成
図１６との対応部分に同一符号を付して示す図６において、５０は全体として光磁気記録媒体再生装置の光ピツクアツプを示し、光磁気デイスク７からの反射戻り光Ｌ４の光路上のうち、偏光ビームスプリツタ４の後段位置に位相板５１が配置されていることを除いてＳ分離タイプの光ピツクアツプ２０（図１６）と同様に構成されている。
この場合位相板５１の光学軸Ｋ５０は、入射する反射戻り光Ｌ４の光軸と偏光ビームスプリツタ４の偏光面４Ａとで形成される平面内において、反射戻り光Ｌ４が偏光ビームスプリツタ４を透過することによつて当該反射戻り光Ｌ４に生じる回転偏光をキヤンセルし得るように傾き角θが選定されている。
【００４５】
実際上、位相板５１の光軸軸５０の傾き角θは、光磁気デイスク７における反射戻り光Ｌ４の偏光ビームスプリツタ４による偏光回転角をαＢＳ、位相板５１による偏光回転角を２αＨＷＰ、反射戻り光Ｌ４の開口率をＮＡ、偏光ビームスプリツタ４のＰ偏光及びＳ偏光の透過率をそれぞれＴＰ１及びＴＳ１、偏光ビームスプリツタ４及び位相板５１の屈折率をそれぞれｎＢＳ及びｎＨＷＰとして、（４６）式ないし（４８）式を満足するように選定されている。
【００４６】
以上の構成において、この光ピツクアツプ５０では、反射戻り光Ｌ４が偏光ビームスプリツタ４の偏光膜４Ａを透過することにより当該反射戻り光Ｌ４に生じた偏光回転を、当該反射戻り光Ｌ４が位相板５１を透過することにより生じる偏光回転によつてキヤンセルする。
従つてフオトデイテクタ１０の受光面に、偏光ビームスプリツタ４の偏光膜４Ａによる偏光回転の影響のない反射戻り光Ｌ４を入射させることができ、かくして正確なＭＯ信号を得ることができるＳ分離タイプの光ピツクアツプ５０を構成することができる。
【００４７】
以上の構成によれば、光磁気デイスク７からの反射戻り光Ｌ４の光路上に偏光ビームスプリツタ４による偏光回転をキヤンセルさせる位相板５１を配置するようにしたことにより、正確なＭＯ信号を得ることのできるＳ分離タイプの光ピツクアツプを形成でき、かくして光磁気記録媒体再生装置の設計の自由度を増加させると共に、光磁気記録媒体再生装置を精度良く小型化することができる。
また偏光ビームスプリツタ４に発散収束光を入射した際に当該発散収束光に生じる偏光回転をキヤンセルできるようになるため、偏光ビームスプリツタ４自体の適用範囲を広げることもできる。
【００４８】
（２）第２実施例
（２−１）第２実施例の原理
図７（Ａ）〜（Ｄ）に示すように、偏光ビームスプリツタ差動検光子６０に４５〔°〕偏光（すなわちＰ偏光及びＳ偏光の大きさが等しい偏光）Ｌ３０を収束光として、かつ光軸を偏光ビームスプリツタ差動検光子６０の上面６０Ａに垂直に入射させた場合に生じる検波方向の回転角を求める。
ここで図７（Ｃ）のように、偏光Ｌ３０の偏光ビームスプリツタ差動検光子６０への入射方向をｚ軸の正方向とし、当該ｚ軸と垂直で、かつ偏光ビームスプリツタ差動検光子６０の偏光膜６０Ｂと平行な方向のうち、偏光Ｌ３０の向いている側をｙ軸の正方向とすると共に、ｙ軸及びｚ軸と垂直で、かつ偏光ビームスプリツタ差動検光子６０の偏光膜６０Ｂによる偏光Ｌ３０の反射方向をｘ軸の正方向とする。
【００４９】
また図７（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、偏光Ｌ３０が偏光ビームスプリツタ差動検光子６０の上面６０Ａに形成するビームスポツト６１のｙ軸と平行な方向の端部のうち、ｙ座標の大きい側をｇ、小さい方をｈとし、端部ｇ及び端部ｈを通る光線の偏光ビームスプリツタ差動検光子６０上面６０Ａへの入射角をｅ、屈折角をｆ、偏光ビームスプリツタ検光子６０のＰ偏光及びＳ偏光の透過率をそれぞれＴＰ２、ＴＳ２とする。
このとき偏光ビームスプリツタ差動検光子６０の上面に形成されるビームスポツト６１の端部ｇ側及びｈ側からそれぞれ入射する光線に対して、それぞれがＰ偏光及びＳ偏光であつた場合の当該偏光ビームスプリツタ差動検光子６０からの透過光のＰ偏光成分及びＳ偏光成分の大きさは、第１実施例と同様の手順により算出することができる。これらを表にして図８に示す。
【００５０】
ここで、偏光ビームスプリツタ差動検光子６０にその上面６０Ａのビームスポツト６１の端部ｇ側から４５〔°〕偏光が入射し、出射した場合を考えると、出射後の偏光のＰ偏光成分Ｐ２は次式
【数４９】
0003582668.tif 000047
のように与えられ、Ｓ偏光成分Ｓ２  は次式
【数５０】
0003582668.tif 000048
のように与えられる。
【００５１】
ここで偏光ビームスプリツタ差動検光子だからＴＰ２＝１、ＴＳ２＝０として、出射光の回転角βｇ（図７（Ｄ））は、次式
【数５１】
0003582668.tif 000049
で表される。
同様にして、偏光ビームスプリツタ差動検光子上面に端部ｈ側から入射した光線に対する出射光の回転角βｈ（図７（Ｄ））は、次式
【数５２】
0003582668.tif 000050
で表される。
【００５２】
次に入射光Ｌ３０に対する出射光の大きさを考えると、偏光ビームスプリツタ差動検光子６０上面６０Ａのビームスポツト６１の端部ｇ側で次式
【数５３】
0003582668.tif 000051
倍、中央部で次式
【数５４】
0003582668.tif 000052
倍、端部ｈ側で次式
【数５５】
0003582668.tif 000053
倍となる。
【００５３】
この変化は、入射光Ｌ３０に対する出射光の偏光回転分布が図９に示すように検波方向（矢印）が変化したため、図１０に示すように、偏光ビームスプリツタ差動検光子６０にとつてのＰ偏光成分の大きさが変化したからである。
ここで偏光ビームスプリツタ差動検光子６０にとつてのＰ偏光成分の大きさが図９に示すように変化するとすれば、偏光ビームスプリツタ差動検光子６０上面６０Ａに形成されるビームスポツト６１の端部ｇ側及び端部ｈ側からの入射光線に対する出射光の大きさは、それぞれ次式
【数５６】
0003582668.tif 000054
【数５７】
0003582668.tif 000055
のようになる。
【００５４】
これは、先に示した式と一致し、このことからも検波方向が回転していることが分かる。
この検波方向の回転の影響をなくすためには、図１１に示すように、偏光ビームスプリツタ差動検光子６０に光を入射させる際に、偏光ビームスプリツタ差動検光子６０上面６０Ａに形成されるビームスポツト６１の端部ｇ側で角度βｇ  、端部ｈ側で角度βｈ  だけ入射光Ｌ３０に偏光回転分布をもたせれば良い。
【００５５】
実際上偏光ビームスプリツタ差動検光子６０への入射光Ｌ３０にこのような偏光回転分布をもたせるための１つの方法としては、第１に、上述の第１実施例においても説明したように、偏光ビームスプリツタに対して収束光を入射させると出射光に偏向回転を生じること、第２に、通常、偏光ビームスプリツタ差動検光子が半波長板によつて偏向方向を４５〔°〕回転して用いることの２点を考慮して、偏光ビームスプリツタ差動検光子６０に入射する入射光Ｌ３０の光路上に、偏光ビームスプリツタと位相板とをそれぞれの屈折率を最適化して配置すれば良い。
【００５６】
すなわち一般的に半波長板は、何度回転させるかに依らず、斜めに入射する光線の垂直に入射した場合に対する偏光回転方向を反転させ、その回転角の大きさを変化させない特性を有している。
また上述のように、偏光ビームスプリツタの偏光回転角αＢＳがその屈折率ｎ０  に対して端部で（４７）式のようになり、一方偏光ビームスプリツタ差動検光子による検波方向のずれβ（＝｜βｇ  ｜＝｜βｈ  ｜）は、その屈折率ｎ１  に対して次式
【数５８】
0003582668.tif 000056
となる。
【００５７】
従つて偏光ビームスプリツタの屈折率と、偏光ビームスプリツタ差動検光子６０の屈折率とを、これら偏光ビームスプリツタ及び半波長板を透過した光が偏光ビームスプリツタ差動検光子６０の検波方向の回転をキヤンセルするような偏向回転分布をもつように選定し、設定することによつて、偏光ビームスプリツタ差動検光子６０に入射する入射光Ｌ３０に上述したような偏光回転分布をもたせることができる。
【００５８】
（２−２）第２実施例の構成
図１２において、７０は全体として偏光成分検出装置を示し、偏光ビームスプリツタ差動検光子７１に入射する収束光Ｌ４０の光路上に偏光ビームスプリツタ７２がその偏光膜７２Ａが偏光ビームスプリツタ差動検光子７１の偏光膜７１Ａと平行になるように配置されると共に、当該偏光ビームスプリツタ７２及び偏光ビームスプリツタ差動検光子７１間に半波長板７３が配置されている。
この場合偏光ビームスプリツタ７２の屈折率ｎ０  は、偏光ビームスプリツタ差動検光子７１の屈折率ｎ１  に対して、（４７）式のｔａｎ  αＢＳと（５８）式のｔａｎ  βとが一致するように、すなわち次式
【数５９】
0003582668.tif 000057
を満足するように選定されている。
【００５９】
実施例の場合、偏光ビームスプリツタ差動検光子７１の屈折率ｎ１  、偏光ビームスプリツタ７２のＰ偏光の透過ＴＰ  、Ｓ偏光の透過率ＴＳ  及び収束光Ｌ４０の開口率ＮＡがそれぞれ、ｎ１  ＝１．７６６  、ＴＰ  ＝９９．１、ＴＳ  ＝２６．５及びＮＡ＝０．１３２  のように選定されているのに対して、偏光ビームスプリツタ７２の屈折率ｎ０  は１．６３６  に選定されている。
これによりこの偏光成分検出装置７０では、偏光ビームスプリツタ差動検光子７１による検波方向のずれβが、β＝４．２７〔°〕となるのに対して、偏光ビームスプリツタ７２による偏光回転角αＢＳが、αＢＳ＝４．２６〔°〕となるように設定されており、かくして偏光ビームスプリツタ差動検光子７１の検波方向の回転を偏光ビームスプリツタ７２による偏光回転によつてキヤンセルし得るようになされている。
【００６０】
以上の構成において、従来の光磁気記録媒体再生装置では、図７に示すような偏光ビームスプリツタ差動検光子６０を用いてＭＯ信号を検出していることが多く、このような状況下において光ピツクアツプの低コスト化及び小型化を考えて当該光ピツクアツプを発散収束光学系で形成しようとしても、上述のように収束光が偏光ビームスプリツタ差動検光子６０を透過したときに透過光に検波方向の回転分布が生じることにより、現実的に偏光ビームスプリツタ差動検光子６０を用いて発光収束光学系の光ピツクアツプを形成し難い問題があつた。
【００６１】
これに対して、この偏光成分検出装置７０では、収束光として入射する図１３（Ａ）のような直線偏光に対して、偏光ビームスプリツタ７２において図１３（Ｂ）のように当該直線偏光の偏光方向を所定量回転させた後、図１３（Ｃ）に示すように半波長板７３（破線は半波長板７３の光学軸方向を表す）において各部の偏光方向を４５〔°〕回転させ、この後図１３（Ｄ）に示すように偏光ビームスプリツタ差動検光子７１の偏光膜７１Ａにおいてこの直線偏光Ｌ４０の各部の検波方向を回転させることにより、対称な位置の偏光成分の大きさが等しい光を得ることができる。
【００６２】
従つてこの偏光成分検出装置７０を、光磁気記録媒体再生装置の光ピツクアツプに適用することによつて、偏光ビームスプリツタ差動検光子による偏光回転分布の影響を受け難い光ピツクアツプを実現することができ、かくして光磁気記録媒体再生装置の設計の自由度を増加させることができる。
またこの場合に用いているのは、偏光ビームスプリツタ７２及び半波長板７３だけであり、従つて低コストで正確なＭＯ信号を得ることができるようにすることができる。
【００６３】
以上の構成によれば、偏光ビームスプリツタ差動検光子７１に入射する光の光路上に偏光ビームスプリツタ７２及び半波長板７３を配置すると共に、当該偏光ビームスプリツタ７２及び半波長板７３の光学特性を偏光ビームスプリツタ差動検光子７１の光学特性に応じて、当該偏光ビームスプリツタ差動検光子７１による入射光Ｌ４０の偏光回転をキヤンセルするように設定するようにしたことにより、偏光ビームスプリツタ差動検光子７１による偏光回転分布の影響のない光を出射することができ、かくして光磁気記録媒体再生装置の設計の自由度を増加させると共に、光磁気記録媒体再生装置を精度良く小型化することができる。
【００６４】
（３）他の実施例
なお上述の第１実施例においては、本発明を光磁気記録媒体再生装置の光ピツクアツプ５０に適用するようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、この他種々の装置に適用できる。
【００６５】
また上述の第１実施例においては、位相板４０を偏光ビームスプリツタ４による偏光回転をキヤンセルするために使用するようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、この位相板４０は、偏光ビームスプリツタ以外の偏光回転分布をもつ光を出射するあらゆる素子、物体及び物質に対して適用でき、この結果として位相板４０から出射する光の偏光回転分布を意識することなく使用できるようにすることができる。従つてこのように位相板４０を使用することによつて、より光学設計を容易にすることができる。
【００６６】
同様にして、上述の第２実施例においては、偏光ビームスプリツタ７２及び半波長板７３を偏光ビームスプリツタ差動検光子７２による検波方向の回転分布を補正するために使用するようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、この偏光ビームスプリツタ７２及び半波長板７３は、透過光に検波方向に回転分布を生じさせる偏光ビームスプリツタ差動検光子以外のあらゆる検光子に対して使用することができる。
【００６７】
さらに上述の第２実施例においては、偏光ビームスプリツタ差動検光子７１への入射光Ｌ４０の光路上に偏光ビームスプリツタ７２及び半波長板７３を配置すると共に、当該偏光ビームスプリツタ７２の屈折率ｎ０  及び偏光ビームスプリツタ差動検光子７１の屈折率ｎ１  を、当該偏光ビームスプリツタ差動検光子７１による入射光Ｌ４０の偏光回転をキヤンセルするように設定するようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、偏光ビームスプリツタ差動検光子７１による偏光回転を偏光ビームスプリツタ７２だけではキヤンセルしきれないようなときには、半波長板７３に加えて例えば光学軸が傾けられた位相板４０（図２）のような光学素子を偏光ビームスプリツタ７２及び偏光ビームスプリツタ差動検光子７１間に配置するようにしても良い。
【００６８】
さらに上述の第２実施例においては、偏光成分検出装置７０を図１２のように構成するようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、例えば図１４に示すように、偏光成分検出装置８０を構成するようにしても良い。
実際上この偏光成分検出装置８０では、偏光ビームスプリツタ差動検光子７１への入射光Ｌ４０の光路上に偏光ビームスプリツタ７２をその偏光膜７２Ａが偏光ビームスプリツタ差動検光子７１の偏光膜７１Ａと垂直になるように配置すると共に、当該偏光ビームスプリツタ７２及び偏光ビームスプリツタ差動検光子７１間に半波長板７３Ａ、７３Ｂを水平方向にずらして２枚配置し、偏光ビームスプリツタ７２の屈折率ｎ０  と、偏光ビームスプリツタ差動検光子７１の屈折率ｎ１  とを偏光ビームスプリツタ差動検光子７１による入射光Ｌ４０の偏光回転をキヤンセルし得るように設定されている。
【００６９】
従つてこの偏光成分検出装置８０では、偏光ビームスプリツタ７２に入射する図１３（Ａ）のような偏光分布をもつ入射光Ｌ４０は、偏光ビームスプリツタ７２を透過することにより図１３（Ｅ）のように偏光回転分布が生じ、第１の半波長板７３Ａによつて図１３（Ｆ）のように偏光方向が回転させられた後、第２の半波長板７３Ｂによつて図１３（Ｃ）ように偏光方向が再び回転させられ、この後偏光ビームスプリツタ差動検光子７１によつて図１３（Ｄ）のように検波方向が回転させられることにより、対称な位置の偏光成分の大きさが等しい光を得ることができる。
従つてこのように構成された偏光成分検出装置８０を用いても、第２実施例の偏光成分検出装置７０と同様に、偏光ビームスプリツタ差動検光子７１による偏光回転分布の影響のない光を出射することができ、かくして光磁気記録媒体再生装置の設計の自由度を増加させると共に、光磁気記録媒体再生装置を精度良く小型化することができる。
【００７０】
また偏光ビームスプリツタ７２の偏光膜７２Ａの膜設計によつては、Ｐ偏光とＳ偏光との間に１８０  〔°〕の位相差を生じさせることができる。この場合１８０  〔°〕の位相差を生じさせるということは、偏光膜７２ＡのＳ偏光に対する透過率ＴＳ２の正の平方根を負の平方根に置き換えることと同様であるから、次式
【数６０】
0003582668.tif 000058
のように仮定すると、偏光ビームスプリツタ７２による偏光回転角αＢＳの符号が反転することから、図１４のように偏光ビームスプリツタ７２の偏光膜７２Ａと、偏光ビームスプリツタ差動検光子７１の偏光膜７１Ａとが垂直になるように偏光ビームスプリツタ７２及び偏光ビームスプリツタ差動検光子７１が配列された場合においても、半波長板７３Ａ、７３Ｂを１枚にすることができる。
【００７１】
実際上、例えば偏光ビームスプリツタ７１の膜設計により、偏光ビームスプリツタ７１の屈折率ｎ０  、Ｐ偏光及びＳ偏光に対する透過率ＴＰ２、ＴＳ２をそれぞれｎ０  ＝２．００９  、ＴＰ２＝ＴＳ２とし、偏光ビームスプリツタ差動検光子７１の屈折率ｎ１  を１とし、収束光Ｌ４０の開口率ＮＡを０．１３２  とすることによつて、αＢＳ＝−７．５２〔°〕、β＝７．５２〔°〕となることから、次式
【数６１】
0003582668.tif 000059
とすることができる。
さらにこの図１４において半波長板７３Ａ、７３Ｂに代えて位相板を配置するようにして良い。
【００７２】
さらに上述の第１実施例においては、反射戻り光Ｌ２の偏光ビームスプリツタ４による偏光回転を位相板５１によつてキヤンセルするようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、要は、光学特性を調整することによつて反射戻り光Ｌ２の偏光ビームスプリツタ４による偏光回転分布をキヤンセルし得るように当該反射戻り光Ｌ２を偏光回転させることができるのであれば、反射戻り光Ｌ２を偏光回転させる手段としては、この他種々の手段を適用できる。
【００７３】
さらに上述の第１実施例においては、位相板５１の光学軸Ｋ５０の傾き角θを調整することによつて反射戻り光Ｌ２の偏光ビームスプリツタ４による偏光回転を位相板５１でキヤンセルするようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、要は、（４６）式ないし（４８）式を満足するように位相板５１の光学特性を調整するようにするのであれば、位相板５１の光学軸Ｋ５０の傾き角θ以外の光学定数を調整選定するようにしても良い。
【００７４】
同様に、上述の第２実施例においては、偏光ビームスプリツタ差動検光子７１を透過する収束光Ｌ４０の当該偏光ビームスプリツタ差動検光子７１による偏光回転を補正する手段として、偏光ビームスプリツタ７２の屈折率ｎ１  を選択設定するようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、偏光ビームスプリツタ７２のこの他の光学定数及び又は偏光ビームスプリツタ差動検光子７１の調整可能な光学定数を選択設定するようにしても良い。
【００７５】
さらに上述の第１実施例においては、偏光ビームスプリツタ４による戻り光Ｌ２の偏光回転分布を補正する手段として戻り光Ｌ２の光路上に位相板５１を単に光学軸Ｋ５０を傾けて配置するようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、戻り光Ｌ２の光路上に位相板５０を光学軸Ｋ５０を傾けて配置すると共に、この際位相板５０を光学軸Ｋ５０の回りに所定角度回転させて半波長板の機能をもたせるようにしても良く、このようにしても第１実施例と同様の効果を得ることができる。
【００７６】
さらに上述の第２実施例においては、偏光ビームスプリツタ差動検光子７１を透過する発散収束光Ｌ４０に生じる検波方向の回転分布を補正する手段として、発散収束光Ｌ４０の光路上に偏光ビームスプリツタ７２及び半波長板７３を配置するようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、半波長板７３に代えて位相板を配置するようにしても良い。このようにしても第２実施例と同様の効果を得ることができる。
【００７７】
【発明の効果】
上述のように第１〜第５の発明によれば、入射する発散収束光に偏光回転を生じさせる偏光ビームスプリツタ膜を備える光学素子を有する偏光成分検出装置において、偏光回転分布は、入射する発散収束光の光軸と偏光ビームスプリツタ膜に対する法線とで形成された平面に略垂直方向に生じる偏光回転分布であり、発散収束光の光路上に配置され、光学素子による発散収束光の偏光回転分布をキヤンセルするように、入射する発散収束光の偏光方向を変化させる偏光回転分布変換手段を設けるようにしたことにより、光学素子に入射する発散収束光が光学素子による偏光回転の影響を受けないようにすることができる。従つて光磁気記録媒体再生装置のＳ分離タイプの光ピツクアツプのものでも偏光ビームスプリツタによる影響を受けない発散収束光学系として形成することができることにより、光磁気記録媒体再生装置の設計の自由度を増加させると共に、光磁気記録媒体再生装置を精度良く小型化することのできる偏光成分検出装置を実現できる。
【００７８】
また第６〜第１１の発明によれば、入射する発散収束光に検波方向の回転分布を生じさせる偏光ビームスプリツタ膜を有する検光子を用いた偏光成分検出装置において、検波方向の回転分布は、入射する発散収束光の光軸と偏光ビームスプリツタ膜に対する法線とで形成された平面に略垂直方向に生じる回転分布であり、発散収束光の光路上に配置され、入射する発散収束光に対して、検光子により生じる検波方向の回転分布をキヤンセルするように偏光回転分布を生じさせる光学系を設けるようにしたことにより、検光子に入射する発散収束光が当該検光子による偏光回転の影響を受けないようにすることができ、かくして第１の発明と同様に、光磁気記録媒体再生装置の設計の自由度を増加させると共に、光磁気記録媒体再生装置を精度良く小型化することのできる偏光成分検出装置を実現できる。特許法第１７条の２第１項第３号の規定による補正
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施例の原理の説明に供する略線的な斜視図である。
【図２】第１実施例の原理の説明に供する略線的な斜視図である。
【図３】第１実施例の原理の説明に供する略線的な斜視図である。
【図４】第１実施例の原理の説明に供する平面図である。
【図５】第１実施例の原理の説明に供する略線的な斜視図である。
【図６】第１実施例による光ピツクアツプの構成を示す平面図である。
【図７】第２実施例の原理の説明に供する略線的な斜視図である。
【図８】偏光ビームスプリツタ差動検光子を透過するＰ偏光成分及びＳ偏光成分の大きさを示す図表である。
【図９】第２実施例の原理の説明に供する平面図である。
【図１０】第２実施例の原理の説明に供する平面図である。
【図１１】第２実施例の原理の説明に供する平面図である。
【図１２】第２実施例による偏光検出装置の構成を示す平面図である。
【図１３】第２実施例及び他の実施例の動作の説明に供する平面図である。
【図１４】他の実施例を示す平面図である。
【図１５】従来の光磁気記録媒体再生装置に適用されているＰ分離タイプの光ピツクアツプの構成を示す平面図である。
【図１６】従来の光磁気記録媒体再生装置に適用されているＳ分離タイプの光ピツクアツプの構成を示す平面図である。
【図１７】フオトデイテクタの受光面の構成を示す平面図である。
【図１８】Ｐ分離タイプ及びＳ分離タイプの各光ピツクアツプがそれぞれ光磁気デイスクに形成するビームスポツトにおける偏光方向の説明に供する平面図である。
【符号の説明】
４、７２……偏光ビームスプリツタ、４Ａ、７２Ａ……偏光膜、７……光磁気デイスク、１０……フオトデイテクタ、５０……光ピツクアツプ、５１……位相板、７０、８０……偏光成分検出装置、７１……偏光ビームスプリツタ差動検光子、７１Ａ……偏光膜、７３、７３Ａ、７３Ｂ……半波長板、Ｌ２……反射戻り光、Ｌ４０……入射光、Ｋ１、Ｋ５０……光学軸。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１７】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１８】
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