(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部空間に接する固体電解質にて区画形成された処理空間に導入された前記外部空間からの被測定ガスに含まれる酸素をポンピング処理して、前記処理空間における酸素分圧を測定対象である所定ガス成分が分解され得ない所定の値に制御する主ポンプ手段と、
前記主ポンプ手段にてポンピング処理された後の被測定ガス中に含まれる被測定ガス成分を触媒作用及び／又は電気分解により分解させ、該分解によって発生した酸素をポンピング処理する測定用ポンプ手段と、
少なくとも前記主ポンプ手段と前記測定用ポンプ手段を所定の温度に加熱するヒータとを具備したセンサ素子を有し、
前記測定用ポンプ手段のポンピング処理によって該測定用ポンプ手段に流れるポンプ電流に基づいて前記被測定ガス中の前記被測定ガス成分を測定するガスセンサにおいて、
前記ヒータは、前記センサ素子の先端側に対応する部分のパターンが密のピッチに、中央部分のパターンが粗のピッチに設定され、且つ、前記センサ素子の後端部に対応する部分のパターンの粗密が省略され、
前記測定用ポンプ手段の電子伝導の抵抗率を抵抗値換算で１ＭΩ以上とすることを特徴とするガスセンサ。
【請求項２】
請求項１記載のガスセンサにおいて、
前記所定ガス成分がＮＯであり、前記被測定ガス成分がＮＯｘであることを特徴とするガスセンサ。
【請求項３】
請求項１又は２記載のガスセンサにおいて、
前記測定用ポンプ手段の電子伝導の抵抗率が抵抗値換算で２ＭΩ以上であることを特徴とするガスセンサ。
【請求項４】
請求項３記載のガスセンサにおいて、
前記測定用ポンプ手段の電子伝導の抵抗率が抵抗値換算で４ＭΩ以上であることを特徴とするガスセンサ。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載のガスセンサにおいて、
固体電解質と該固体電解質に接して形成された内側補助ポンプ電極と外側補助ポンプ電極とを有し、前記主ポンプ手段にてポンピング処理された後の被測定ガスに含まれる酸素を、前記主ポンプ手段側に汲み出す補助ポンプ手段が設けられていることを特徴とするガスセンサ。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載のガスセンサにおいて、  前記測定用ポンプ手段の近傍の温度が一定になるようにヒータの電力を制御するヒータ制御手段を有することを特徴とするガスセンサ。
【請求項７】
外部空間に接する固体電解質にて区画形成された処理空間に導入された前記外部空間からの被測定ガスに含まれる酸素をポンピング処理して、前記処理空間における酸素分圧を測定対象である所定ガス成分が分解され得ない所定の値に制御する主ポンプ手段と、
前記主ポンプ手段にてポンピング処理された後の被測定ガス中に含まれる被測定ガス成分を触媒作用及び／又は電気分解により分解させ、該分解によって発生した酸素をポンピング処理する測定用ポンプ手段と、
少なくとも前記主ポンプ手段と前記測定用ポンプ手段を所定の温度に加熱するヒータとを具備したセンサ素子を有し、
前記測定用ポンプ手段のポンピング処理によって該測定用ポンプ手段に流れるポンプ電流に基づいて前記被測定ガス中の前記被測定ガス成分を測定するガスセンサにおいて、
前記測定用ポンプ手段のインピーダンスが一定になるようにヒータの電力を制御するヒータ制御手段とを有し、
前記ヒータは、前記センサ素子の先端側に対応する部分のパターンが密のピッチに、中央部分のパターンが粗のピッチに設定され、且つ、前記センサ素子の後端部に対応する部分のパターンの粗密が省略され、
前記測定用ポンプ手段の電子伝導の抵抗率が所定値以上であることを特徴とするガスセンサ。
【請求項８】
請求項７記載のガスセンサにおいて、
前記測定用ポンプ手段の電子伝導の抵抗率が抵抗値換算で１００ｋΩ以上であることを特徴とするガスセンサ。
【請求項９】
請求項７又は８記載のガスセンサにおいて、
固体電解質と該固体電解質に接して形成された内側補助ポンプ電極と外側補助ポンプ電極とを有し、前記主ポンプ手段にてポンピング処理された後の被測定ガスに含まれる酸素を、前記主ポンプ手段側に汲み出す補助ポンプ手段が設けられていることを特徴とするガスセンサ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば、車両の排出ガスや大気中に含まれるＮＯ、ＮＯ２  、ＳＯ２  、ＣＯ２  、Ｈ２  Ｏ等のガス成分を測定するガスセンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば、ガソリン車やディーゼルエンジン車等の車両から排出される排出ガス中には、一酸化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯ２  ）等の窒素酸化物（ＮＯｘ）や、一酸化炭素（ＣＯ）、炭化水素（ＨＣ）、水素（Ｈ２  ）、酸素（Ｏ２  ）等が含まれている。この場合、ＮＯはＮＯｘ全体の約８０％を占め、また、ＮＯとＮＯ２  とでＮＯｘ全体の約９５％を占めている。
【０００３】
このような排出ガス中に含まれるＨＣ、ＣＯ、ＮＯｘを浄化する三元触媒は、理論空燃比（Ａ／Ｆ＝１４．６）近傍で最大の浄化効率を示し、Ａ／Ｆを１６以上に制御した場合には、ＮＯｘの発生量は減るが、触媒の浄化効率が低下し、結果的に、ＮＯｘの排出量が増える傾向がある。
【０００４】
ところで、昨今、化石燃料の有効利用、地球温暖化防止のためにＣＯ２  の排出量の抑制等の市場要求が増大しており、これに対応するために燃費を向上させる必要性が高まりつつある。このような要求に対して、例えば、リーン・バーン・エンジンの研究や、ＮＯｘ浄化触媒の研究等が行われつつあり、その中でもＮＯｘセンサのニーズが高まっている。
【０００５】
従来、このようなＮＯｘを検出するものとして、ＮＯｘ分析計がある。このＮＯｘ分析計は、化学発光分析法を用いてＮＯｘ固有の特性を測定するものであるが、装置自体がきわめて大がかりであり、高価となる不都合がある。また、ＮＯｘを検出するための光学系部品を用いているため、頻繁なメンテナンスが必要である。更に、このＮＯｘ分析計は、ＮＯｘをサンプリングして測定するものであり、検出素子自体を流体内に直接挿入することができず、従って、自動車の排出ガス等のように、状況が頻繁に変動する過渡現象の解析には不向きなものである。
【０００６】
そこで、これらの不具合を解消するものとして、酸素イオン伝導性固体電解質からなる基体を用いて排出ガス中の所望のガス成分を測定するようにしたセンサが提案され、実用化に至っている。
【０００７】
図９は、特開平８−２７１４７６号公報に開示されたガスセンサ１０の構成を示す。
【０００８】
このガスセンサ１０は、被測定ガスを第１の拡散律速部１２を通じて第１空所１４に導き、内側ポンプ電極１６、固体電解質１８及び外側ポンプ電極２０で構成される第１の酸素ポンプ手段２２によって前記第１空所１４で被測定ガス中の酸素を所定ガス成分が分解しない程度に汲み出し又は汲み入れを行う。
【０００９】
次いで、前記被測定ガスを第２の拡散律速部２４を通じて第２空所２６に導き、第２空所２６内に配置された測定ガス分解電極２８、固体電解質３０及び基準ガス導入空間３２に配置された基準電極３４で構成される第２の酸素ポンプ手段３６により、前記測定ガス分解電極２８の触媒作用あるいは電圧印加による電気分解により分解発生した酸素を汲み出す。
【００１０】
そして、前記第２の酸素ポンプ手段３６での酸素の汲み出しに要した電流値を測定し、該電流値に基づいて被測定ガス中の所定ガス成分を測定する。
【００１１】
このガスセンサ１０の用途例としては、前記所定ガス成分に結合酸素を有するＮＯｘ、Ｈ２  Ｏ、ＣＯ２  等を測定するＮＯｘセンサ、Ｈ２  Ｏセンサ、ＣＯ２  センサなどが挙げられる。
【００１２】
ＮＯｘセンサとして使用する場合は、前記測定ガス分解電極２８にＲｈ、Ｐｔ等を用いることによって、ＮＯｘを触媒分解し、この分解時に発生した酸素をポンプ電流として検出したり、酸素濃淡電池の電圧変化として検出することができる。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
また、図１０に示すように、前記ガスセンサ１０をＮＯｘセンサとして使用する場合において、その酸素依存性を改善するようにしたガスセンサ１０Ａが提案されている（例えば特願平７−２７２８２６号の明細書参照）。
【００１４】
このガスセンサ１０Ａは、第２空所２６に補助ポンプ電極３８を設けて、補助ポンプ電極３８、固体電解質（１８及び３０を含む）及び基準電極３４で第３の酸素ポンプ手段、即ち、補助ポンプ手段４０を構成し、第１空所１４より微量に拡散侵入する酸素を該補助ポンプ手段４０で再度汲み出すようにしたものである。これによって、測定精度（特に、酸素濃度依存性）を大きく改善することができる。
【００１５】
しかしながら、これらのガスセンサ１０及び１０Ａにおいては、第１の酸素ポンプ手段２２によって、あるいは第１の酸素ポンプ手段２２及び補助ポンプ手段４０によって、ＮＯｘ測定の前段階として、被測定ガス中の酸素濃度を例えば１ｐｐｍ以下に制御しても、ＮＯｘ＝０のときのポンプ電流値（以下、オフセット値と記す）は１ｐｐｍ相当の値よりもはるかに高い１００ｐｐｍ相当の値になっているのが実状である。
【００１６】
このオフセット値は、ガスセンサ１０及び１０Ａのあらゆる使用環境下で常に一定であれば問題とならないが、排気ガスの温度変化によりオフセット値が変動するため、大きな測定誤差になるおそれがある。
【００１７】
このオフセット値を小さくするには、制御する酸素濃度を更に下げるなどのように、第１の酸素ポンプ手段２２での制御、及び補助ポンプ手段４０での制御を厳しくすることが考えられるが、制御を厳しくすると、それらのポンピング処理でＮＯｘが分解されてしまうという問題がある。
【００１８】
図１１は、前記問題の様子を示したものであり、図９に示したガスセンサ１０の第１空所１４の酸素濃度を１０−７ａｔｍ（酸素濃度検出器の電圧として約３００ｍＶ）に制御した場合は、オフセット値が１．０μＡとなる。
【００１９】
理論的には、このオフセット値は、本来、第１空所１４の残留酸素濃度、即ち、０．１ｐｐｍに相当する（ＮＯに換算しても０．２ｐｐｍに相当する）値になるはずであるが、実際には、１μＡ（２００ｐｐｍ相当のＮＯ換算値）となっている。なお、ＮＯ感度は、５μＡ／１０００ｐｐｍにより換算した。
【００２０】
従って、このオフセット値がセンサ素子の温度等により僅かに変化し、仮に１０％の変化が起こっても、２０ｐｐｍ相当の変化となり、数１００ｐｐｍ程度の低濃度のＮＯｘを測定する際には大きな問題となっている。
【００２１】
図１２はその様子を示したものであり、例えば、被測定ガスの温度（ガス温度）が６５０℃から８００℃へと１４０℃ほど変化すると、約１．５μＡの変化、即ち、３００ｐｐｍの変化となってしまい、数１００ｐｐｍの低濃度のＮＯｘを測定する場合において大きな問題となる。
【００２２】
この問題を解消するため、第１空所１４の酸素濃度を下げる方法が考えられるが、第１空所１４の酸素濃度を１０−１０  ａｔｍまで下げても、オフセット値は依然として１μＡであり、１０−１２  ａｔｍまで下げて初めて０．１μＡ（２０ｐｐｍ相当）になる。この場合、温度変化等により２０％変化しても、せいぜい４ｐｐｍ程度の変化に抑えられ、数１００ｐｐｍの測定には十分なレベルとなる。
【００２３】
しかし、第１空所１４の酸素濃度を下げすぎることにより、第１空所１４で排気ガス中のＨＣやＣＯの可燃ガス成分が燃焼する前にＮＯｘとの反応が起こり、感度の低下が発生するという新たな問題が生じる。
【００２４】
本発明はこのような課題を考慮してなされたものであり、所定ガス成分の還元を引き起こすことなく、オフセット値を測定に支障がない程度まで小さくでき、所定ガス成分の測定精度の向上を図ることができるガスセンサを提供することを目的とする。
【００２５】
【課題を解決するための手段】
本発明に係るガスセンサは、外部空間に接する固体電解質にて区画形成された処理空間に導入された前記外部空間からの被測定ガスに含まれる酸素をポンピング処理して、前記処理空間における酸素分圧を測定対象である所定ガス成分が分解され得ない所定の値に制御する主ポンプ手段と、前記主ポンプ手段にてポンピング処理された後の被測定ガス中に含まれる被測定ガス成分を触媒作用及び／又は電気分解により分解させ、該分解によって発生した酸素をポンピング処理する測定用ポンプ手段と、少なくとも前記主ポンプ手段と前記測定用ポンプ手段を所定の温度に加熱するヒータとを具備したセンサ素子を有し、前記測定用ポンプ手段のポンピング処理によって該測定用ポンプ手段に流れるポンプ電流に基づいて前記被測定ガス中の前記被測定ガス成分を測定するガスセンサにおいて、前記ヒータは、前記センサ素子の先端側に対応する部分のパターンが密のピッチに、中央部分のパターンが粗のピッチに設定され、且つ、前記センサ素子の後端部に対応する部分のパターンの粗密が省略され、前記測定用ポンプ手段の電子伝導の抵抗率を抵抗値換算で１ＭΩ以上とする。
【００２６】
これにより、まず、外部空間から導入された被測定ガスのうち、酸素が主ポンプ手段によってポンピング処理され、該酸素は所定濃度に調整される。前記主ポンプ手段にて酸素の濃度が調整された被測定ガスは、次の検出用ポンプ手段に導かれる。検出用ポンプ手段は、前記主ポンプ手段にてポンピング処理された後の被測定ガス中に含まれる被測定ガス成分を触媒作用及び／又は電気分解により分解させ、該分解によって発生した酸素をポンピング処理する。前記検出用ポンプ手段によりポンピング処理される酸素の量に応じて該検出用ポンプ手段に生じるポンプ電流に基づいて、酸素量に応じた被測定ガス成分が測定される。被測定ガス成分としては例えばＮＯｘが挙げられる。
【００２７】
この被測定ガス成分の測定においては、固体電解質に電圧を印加すると、酸素イオンの移動により電流が流れ、これがポンプ電流として測定される。このとき、測定用ポンプ手段が高温になると、固体電解質を流れる電流は酸素イオンのみならず、極めて微量ではあるが、電子伝導が起こり、これがオフセット値として現れてくる。
【００２８】
前記電子伝導率は、酸素イオンの伝導率に比べ非常に小さく、通常はほとんど無視されるものであるが、非常に微量のガス濃度を測定するに際しては、数μＡ程度の限界電流しか得られず、μＡレベルの電子伝導は大きな誤差要因となる。
【００２９】
しかし、本発明では測定用ポンプ手段の電子伝導の抵抗率を抵抗値換算で１ＭΩ以上に設定しているため、測定用ポンプ手段の電子伝導を抑えることができ、これによって、オフセット値を小さくすることができ、被測定ガス成分の低濃度測定に極めて有用となる。
【００３０】
上述したように、測定用ポンプ手段の電子伝導率は抵抗値換算で１ＭΩ以上にすることがよいが、好ましくは２ＭΩ以上、更に好ましくは４ＭΩ以上とするのがよい。
【００３１】
また、前記構成において、固体電解質と該固体電解質に接して形成された内側補助ポンプ電極と外側補助ポンプ電極とを有し、前記主ポンプ手段にてポンピング処理された後の被測定ガスに含まれる酸素を、前記主ポンプ手段側に汲み出す補助ポンプ手段を設けるようにしてもよい。
【００３２】
この場合、前記主ポンプ手段にてポンピング処理された後の被測定ガスに含まれる酸素、即ち、微量に拡散侵入する酸素を汲み出すことができることから、測定用ポンプ手段での酸素濃度依存性を大きく改善することができ、測定精度の向上を図ることができる。
【００３３】
また、前記構成において、前記測定用ポンプ手段の近傍の温度が一定になるようにヒータの電力を制御するヒータ制御手段を設けるようにしてもよい。この場合、被測定ガスの温度が変化しても、測定用ポンプ手段の電子伝導率を一定に制御しやすく、所定ガス成分の低濃度測定において有利となる。
【００３４】
次に、本発明に係るガスセンサにおいては、外部空間に接する固体電解質にて区画形成された処理空間に導入された前記外部空間からの被測定ガスに含まれる酸素をポンピング処理して、前記処理空間における酸素分圧を測定対象である所定ガス成分が分解され得ない所定の値に制御する主ポンプ手段と、前記主ポンプ手段にてポンピング処理された後の被測定ガス中に含まれる被測定ガス成分を触媒作用及び／又は電気分解により分解させ、該分解によって発生した酸素をポンピング処理する測定用ポンプ手段と、少なくとも前記主ポンプ手段と前記測定用ポンプ手段を所定の温度に加熱するヒータとを具備したセンサ素子を有し、前記測定用ポンプ手段のポンピング処理によって該測定用ポンプ手段に流れるポンプ電流に基づいて前記被測定ガス中の前記被測定ガス成分を測定するガスセンサにおいて、前記測定用ポンプ手段のインピーダンスが一定になるようにヒータの電力を制御するヒータ制御手段とを有し、前記ヒータは、前記センサ素子の先端側に対応する部分のパターンが密のピッチに、中央部分のパターンが粗のピッチに設定され、且つ、前記センサ素子の後端部に対応する部分のパターンの粗密が省略され、前記測定用ポンプ手段の電子伝導の抵抗率を所定値以上に設定して構成する。
【００３５】
この場合、ポンプ電流が流れる電極間のインピーダンスが一定になるように制御する。即ち、測定用ポンプ手段を、前記主ポンプ手段にてポンピング処理された後の被測定ガスに曝される検出電極と、基準ガスが導入される基準ガス導入空間に形成された基準電極と、これら電極間に介在する固体電解質にて構成する場合においては、検出電極と基準電極間のインピーダンスを測定してヒータを制御する。
【００３６】
また、測定用ポンプ手段を、前記検出電極と、前記基準電極以外の電極（例えば、前記主ポンプ手段を構成する主ポンプ外側電極）と、これら電極間に介在する固体電解質にて構成し、前記基準電極と検出電極間に発生する起電力をモニタしながら検出電極と主ポンプ外側電極間でポンプ電流を流す場合は、検出電極と主ポンプ外側電極間のインピーダンスを測定し、ヒータを制御する。
【００３７】
この発明に係るガスセンサにおいては、温度変化に伴うオフセット値の変動幅を小さくすることができ、極めて精度の高いガスセンサとすることができる。
【００３８】
また、この発明に係るガスセンサにおいては、被測定ガスの温度が変化しても、オフセット値を一定に制御することができる。しかも、測定用ポンプ手段の電子伝導の抵抗率が抵抗値換算で１００ｋΩ以上であって、多少電子伝導率が大きくても十分に許容できるというメリットがある。
【００３９】
また、前記構成において、固体電解質と該固体電解質に接して形成された内側補助ポンプ電極と外側補助ポンプ電極とを有し、前記主ポンプ手段にてポンピング処理された後の被測定ガスに含まれる酸素を、前記主ポンプ手段側に汲み出す補助ポンプ手段を設けるようにしてもよい。
【００４０】
この場合、前記主ポンプ手段にてポンピング処理された後の被測定ガスに含まれる酸素、即ち、微量に拡散侵入する酸素を汲み出すことができることから、測定用ポンプ手段での酸素濃度依存性を大きく改善することができ、測定精度の向上を図ることができる。
【００４１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係るガスセンサを例えば車両の排気ガスや大気中に含まれるＮＯ、ＮＯ２  、ＳＯ２  、ＣＯ２  、Ｈ２  Ｏ等のガス成分を測定するガスセンサに適用した実施の形態例（以下、単に実施の形態に係るガスセンサと記す）を図１〜図８を参照しながら説明する。
【００４２】
本実施の形態に係るガスセンサ５０は、図１及び図２に示すように、全体として、長尺な板状体形状に構成されており、ＺｒＯ２  等の酸素イオン伝導性固体電解質を用いたセラミックスよりなる例えば６枚の固体電解質層５０ａ〜５０ｆが積層されて構成され、下から１層目及び２層目が第１及び第２の基板層５０ａ及び５０ｂとされ、下から３層目及び５層目が第１及び第２のスペーサ層５０ｃ及び５０ｅとされ、下から４層目及び６層目が第１及び第２の固体電解質層５０ｄ及び５０ｆとされている。
【００４３】
具体的には、第２の基板層５０ｂ上に第１のスペーサ層５０ｃが積層され、更に、この第１のスペーサ層５０ｃ上に第１の固体電解質層５０ｄ、第２のスペーサ層５０ｅ及び第２の固体電解質層５０ｆが順次積層されている。第２の基板層５０ｂと第１の固体電解質層５０ｄとの間には、酸化物測定の基準となる基準ガス、例えば大気が導入される空間（基準ガス導入空間）５２が、第１の固体電解質層５０ｄの下面、第２の基板層５０ｂの上面及び第１のスペーサ層５０ｃの側面によって区画、形成されている。
【００４４】
また、第１及び第２の固体電解質層５０ｄ及び５０ｆ間に第２のスペーサ層５０ｅが挟設されると共に、第１及び第２の拡散律速部５４及び５６が挟設されている。
【００４５】
そして、第２の固体電解質層５０ｆの下面、第１及び第２の拡散律速部５４及び５６の側面並びに第１の固体電解質層５０ｄの上面によって、被測定ガス中の酸素分圧を調整するための第１室５８が区画、形成され、第２の固体電解質層５０ｆの下面、第２の拡散律速部５６の側面、第２のスペーサ層５０ｅの側面並びに第１の固体電解質層５０ｄの上面によって、被測定ガス中の酸素分圧を微調整し、更に被測定ガス中の酸化物、例えば窒素酸化物（ＮＯｘ）を測定するための第２室６０が区画、形成される。
【００４６】
外部空間と前記第１室５８は、第１の拡散律速部５４を介して連通され、第１室５８と第２室６０は、前記第２の拡散律速部５６を介して連通されている。
【００４７】
ここで、前記第１及び第２の拡散律速部５４及び５６は、第１室５８及び第２室６０にそれぞれ導入される被測定ガスに対して所定の拡散抵抗を付与するものであり、例えば、被測定ガスを導入することができる多孔質材料（例えばＺｒＯ２  等からなる多孔質体）又は所定の断面積を有した小孔からなる通路として形成することができる。また、印刷による多孔質層もしくは空隙層にて構成してもよい。なお、第１及び第２の拡散律速部５４及び５６における各拡散抵抗の大小関係は、ここでは問わないが、第２の拡散律速部５６の拡散抵抗が第１の拡散律速部５４より大きい方が好ましい。
【００４８】
そして、前記第２の拡散律速部５６を通じて、第１室５８内の雰囲気が所定の拡散抵抗の下に第２室６０内に導入される。
【００４９】
また、前記第２の固体電解質層５０ｆの下面のうち、前記第１室５８を形づくる下面全面に、平面ほぼ矩形状の多孔質サーメット電極からなる内側ポンプ電極６２が形成され、前記第２の固体電解質層５０ｆの上面のうち、前記内側ポンプ電極６２に対応する部分に、外側ポンプ電極６４が形成されており、これら内側ポンプ電極６２、外側ポンプ電極６４並びにこれら両電極６２及び６４間に挟まれた第２の固体電解質層５０ｆにて電気化学的なポンプセル、即ち、主ポンプセル６６が構成されている。
【００５０】
そして、前記主ポンプセル６６における内側ポンプ電極６２と外側ポンプ電極６４間に、外部の可変電源６８を通じて所望の制御電圧（ポンプ電圧）Ｖｐ１を印加して、外側ポンプ電極６４と内側ポンプ電極６２間に正方向あるいは負方向にポンプ電流Ｉｐ１を流すことにより、前記第１室５８内における雰囲気中の酸素を外部空間に汲み出し、あるいは外部空間の酸素を第１室５８内に汲み入れることができるようになっている。
【００５１】
また、前記第１の固体電解質層５０ｄの上面のうち、前記第１室５８を形づくる上面であって、かつ第２の拡散律速部５６に近接する部分に、平面ほぼ矩形状の多孔質サーメット電極からなる測定電極７０が形成され、前記第１の固体電解質層５０ｄの下面のうち、基準ガス導入空間５２に露呈する部分に基準電極７２が形成されており、これら測定電極７０、基準電極７２及び第１の固体電解質層５０ｄによって、電気化学的なセンサセル、即ち、制御用酸素分圧測定セル７４が構成されている。
【００５２】
この制御用酸素分圧測定セル７４は、第１室５８内の雰囲気と基準ガス導入空間５２内の基準ガス（大気）との間の酸素濃度差に基づいて、測定電極７０と基準電極７２との間に発生する起電力を電圧計７６にて測定することにより、前記第１室５８内の雰囲気の酸素分圧が検出できるようになっている。
【００５３】
即ち、基準電極７２及び測定電極７０間に生じる電圧Ｖは、基準ガス導入空間５２に導入される基準ガスの酸素分圧と、第１室５８内の被測定ガスの酸素分圧との差に基づいて生じる酸素濃淡電池起電力であり、ネルンストの式として知られる
Ｖ＝ＲＴ／４Ｆ・ｌｎ（Ｐ１  （Ｏ２  ）／Ｐ０  （Ｏ２  ））
Ｒ：気体定数
Ｔ：絶対温度
Ｆ：ファラデー数
Ｐ１  （Ｏ２  ）：第１室５８内の酸素分圧
Ｐ０  （Ｏ２  ）：基準ガスの酸素分圧
の関係を有している。そこで、前記ネルンストの式に基づく電圧Ｖを電圧計７６によって測定することで、第１室５８内の酸素分圧を検出することができる。
【００５４】
前記検出された酸素分圧値は可変電源６８のポンプ電圧Ｖｐ１をフィードバック制御系７８を通じて制御するために使用され、具体的には、第１室５８内の雰囲気の酸素分圧が、次の第２室６０において酸素分圧の制御を行い得るのに十分な低い所定の値となるように、主ポンプセル６６のポンプ動作が制御される。
【００５５】
なお、前記主ポンプセル６６における内側ポンプ電極６２及び外側ポンプ電極６４並びに制御用酸素分圧測定セル７４における測定電極７０は、このガスセンサ内に導入された被測定ガス中のＮＯｘ、例えば、ＮＯに対する触媒活性が低い不活性材料により構成される。
【００５６】
特に、前記内側ポンプ電極６２及び測定電極７０は、多孔質サーメット電極にて構成することができ、この場合、Ｐｔ等の金属とＺｒＯ２  等のセラミックスとから構成されることになるが、被測定ガスに接触する第１室５８内に配置される内側ポンプ電極６２及び測定電極７０は、測定ガス中のＮＯ成分に対する還元能力を弱めた、あるいは還元能力のない材料を用いる必要があり、例えばＬａ３  ＣｕＯ４  等のペロブスカイト構造を有する化合物、あるいはＡｕ等の触媒活性の低い金属とセラミックスのサーメット、あるいはＡｕ等の触媒活性の低い金属とＰｔ族金属とセラミックスのサーメットで構成されることが好ましい。更に、電極材料にＡｕとＰｔ族金属の合金を用いる場合は、Ａｕ添加量を金属成分全体の０．０３〜３５ｖｏｌ％にすることが好ましい。
【００５７】
また、前記第１の固体電解質層５０ｄの上面のうち、前記第２室６０を形づくる上面に、平面ほぼ矩形状の多孔質サーメット電極からなる検出電極８０が形成されている。そして、該検出電極８０、前記主ポンプセル６６における内側ポンプ電極６２、第１の固体電解質層５０ｄ、第２のスペーサ層５０ｅ及び第２の固体電解質層５０ｆによって、電気化学的なポンプセル、即ち、測定用ポンプセル８２が構成される。
【００５８】
前記検出電極８０は、例えば被測定ガス成分であるＮＯｘを還元し得る金属であるＲｈとセラミックスとしてのジルコニアからなる多孔質サーメットにて構成され、これによって、第２室６０内の雰囲気中に存在するＮＯｘを還元するＮＯｘ還元触媒として機能するほか、前記基準電極７２との間に、直流電源８４を通じて測定用電圧Ｖｐ２が印加されることによって、第２室６０内の雰囲気中の酸素を基準ガス導入空間５２内に汲み出せるようになっている。この測定用ポンプセル８２のポンプ動作によって流れるポンプ電流Ｉｐ２は、電流計８６によって検出されるようになっている。
【００５９】
一方、前記第２の固体電解質層５０ｆの下面のうち、前記第２室６０を形づくる下面全面には、平面ほぼ矩形状の多孔質サーメット電極からなる補助ポンプ電極８８が形成されており、該補助ポンプ電極８８、前記第２の固体電解質層５０ｆ、第２のスペーサ層５０ｅ、第１の固体電解質層５０ｄ及び基準電極７２にて補助的な電気化学的ポンプセル、即ち、補助ポンプセル９０が構成されている。
【００６０】
前記補助ポンプ電極８８は、前記主ポンプセル６６における内側ポンプ電極６２と同様に、被測定ガス中のＮＯ成分に対する還元能力を弱めた、あるいは還元能力のない材料を用いている。この場合、例えばＬａ３  ＣｕＯ４  等のペロブスカイト構造を有する化合物、あるいはＡｕ等の触媒活性の低い金属とセラミックスのサーメット、あるいはＡｕ等の触媒活性の低い金属とＰｔ族金属とセラミックスのサーメットで構成されることが好ましい。更に、電極材料にＡｕとＰｔ族金属の合金を用いる場合は、Ａｕ添加量を金属成分全体の０．０３〜３５ｖｏｌ％にすることが好ましい。
【００６１】
そして、前記補助ポンプセル９０における補助ポンプ電極８８と基準電極７２間に、外部の直流電源９２を通じて所望の一定電圧Ｖｐ３を印加することにより、第２室６０内の雰囲気中の酸素を基準ガス導入空間５２に汲み出せるようになっている。
【００６２】
これによって、第２室６０内の雰囲気の酸素分圧が、実質的に被測定ガス成分（ＮＯｘ）が還元又は分解され得ない状況下で、かつ目的成分量の測定に実質的に影響がない低い酸素分圧値とされる。この場合、第１室５８における主ポンプセル６６の働きにより、この第２室６０内に導入される酸素の量の変化は、被測定ガスの変化よりも大幅に縮小されるため、第２室６０における酸素分圧は精度よく一定に制御される。
【００６３】
また、この実施の形態に係るガスセンサ５０では、第１及び第２の基板層５０ａ及び５０ｂにて上下から挟まれた形態において、外部からの給電によって発熱するヒータ９４が埋設されている。このヒータ９４は、酸素イオンの伝導性を高めるために設けられるもので、該ヒータ９４の上下面には、基板層５０ａ及び５０ｂとの電気的絶縁を得るために、アルミナ等のセラミック層９６が形成されている。
【００６４】
前記ヒータ９４は、図２に示すように、第１室５８から第２室６０の全体にわたって配設されており、これによって、第１室５８及び第２室６０がそれぞれ所定の温度に加熱され、併せて主ポンプセル６６、制御用酸素分圧測定セル７４及び測定用ポンプセル８２も所定の温度に加熱、保持されるようになっている。
【００６５】
ところで、ＮＯｘ＝０のときに測定用ポンプセル８２に流れるポンプ電流、即ち、オフセット電流は、理想的には、第１室５８あるいは補助ポンプセル９０での残留酸素濃度に相当する値であるはずであり、例えば主ポンプセル６６によって第１室５８の酸素濃度が０．１ｐｐｍとなるように制御されている場合においては、約０．２ｐｐｍ相当の値になるはずであるが、実際には、図１１に示すように、２００ｐｐｍ相当の値になっている。
【００６６】
これは、何らかのかたちで検出電極８０上に２００ｐｐｍの酸素が侵入してきていることを意味している。この原因は、ＺｒＯ２  の積層体を焼成して当該ガスセンサ５０のセンサ素子１００を作製した場合に、積層が不完全であったり、焼成過程においてマイクロクラックが発生するなどによる第２室６０の気密性不足、あるいは検出電極８０や補助ポンプ電極８８に接続され、かつ、大気側に導通するリード（例えばＰｔ／ＺｒＯ２  のサーメットリード）の気密性不足であったりするが、更に、予期し得なかった箇所に原因があることが判明した。
【００６７】
そこで、本実施の形態に係るガスセンサ５０では、オフセット値を小さくするために、図３Ｂに示すように、ヒータ９４のパターンを改善して、測定用ポンプセル８２の電子伝導を抵抗値換算で１ＭΩ以上に設定している。
【００６８】
具体的には、通常、主ポンプセル６６、測定用ポンプセル８２及び補助ポンプセル９０の能力を十分に引き出すために、各ポンプセル６６、８２及び９０が均等に加熱されるように、ヒータ９４のパターンを工夫しており、例えば、図３Ａに示すように、センサ素子１００の先端側に対応する部分のパターン９４ａを密のピッチに、中央部分のパターン９４ｂを粗のピッチに、センサ素子１００の後端部に対応する部分のパターン９４ｃを密のピッチとしている。
【００６９】
この場合の測定用ポンプセル８２における検出電極８０と基準電極７２間の温度、即ち、図２に示すように、センサ素子１００の先端部Ａから奥行き方向に所定距離ｍだけ進んだ位置（以下、単にポイントＰで示す位置）の温度は、図４の温度分布曲線ａに示すように、約８４０℃となっている。
【００７０】
これに対して、本実施の形態に係るガスセンサ５０におけるヒータ９４のパターンは、図３Ｂに示すように、図３Ａに示す前記ヒータ９４のパターンのうち、センサ素子１００の後端部に対応する部分のパターン９４ｃを取り除いたパターンにしている。
【００７１】
これにより、測定用ポンプセル８２における検出電極８０と基準電極７２間の温度（ポイントＰの温度）は、図４の温度分布曲線ｂに示すように約７００℃であり、パターンの改善を行う前の温度の約８４０℃と比して１４０℃ほど低下している。
【００７２】
本実施の形態に係るガスセンサ５０は、基本的には以上のように構成されるものであり、次にその作用効果について説明する。
【００７３】
ＮＯｘの測定に先立ち、本実施の形態に係るガスセンサ５０を第１室５８内に被測定ガスが導入できる状態に設定する。次いで、ヒータ９４に通電し、第１及び第２の固体電解質層５０ｄ及び５０ｆを所望の状態に活性化する。
【００７４】
次に、上述のように設定したガスセンサ５０に対して被測定ガスを導入することにより、前記被測定ガス中に含まれるＮＯｘの測定を開始する。
【００７５】
第１の拡散律速部５４を介して所定の拡散抵抗のもとに第１室５８内に導入された被測定ガスは、可変電源６８を通じて内側ポンプ電極６２及び外側ポンプ電極６４間に印加された所定のポンプ電圧Ｖｐ１によって、その中に含まれる酸素分圧が所定値に制御される。即ち、第１室５８内の酸素分圧は、電圧計７６によって検出される内側ポンプ電極６２及び基準電極７２間の電圧Ｖに基づいて測定することができる。この電圧Ｖは、前述したネルンストの式で規定される酸素濃淡電池起電力であり、この電圧Ｖが、例えば、３００ｍＶ以下となるように可変電源６８の電圧を制御することで、第１室５８内の酸素分圧が所定値に制御される。
【００７６】
第１室５８内で所定の酸素分圧に制御された被測定ガスは、第２の拡散律速部５６を介して第２室６０に導入される。
【００７７】
第２室６０では、基準電極７２と検出電極８０との間に当該第２室６０内のＯ２  を十分に汲み出すことのできる所定のポンプ電圧Ｖｐ２が直流電源８４によって印加されており、このポンプ電圧Ｖｐ２あるいは第２室６０に配設したＮＯｘ分解触媒によって被測定ガスに含まれるＮＯｘが分解され、それによって発生したＯ２  が第１の固体電解質層５０ｄを介して基準ガス導入空間５２側に汲み出される。このとき、酸素イオンの移動によって生じた電流値Ｉｐ２は、電流計８６によって測定され、この電流値Ｉｐ２から被測定ガス中に含まれる所定の酸化物、例えば、ＮＯ、ＮＯ２  等のＮＯｘの濃度が測定されることになる。
【００７８】
つまり、ＺｒＯ２  のような酸素イオン伝導性固体電解質（図１の例では、第１の固体電解質層５０ｄ）に電圧を印加すると、酸素イオンの移動によって電流が流れ、これが電流計８６を通じてポンプ電流Ｉｐ２として測定される。なお、プロトンイオン伝導性固体電解質の場合は、プロトンが移動することによって電流が流れる。
【００７９】
そして、前記ＮＯｘの測定において、測定用ポンプセル８２が高温になると、第１の固体電解質層５０ｄを流れる電流は、酸素イオンのみならず、極めて微量ではあるが、電子伝導が起こり、これがオフセット電流となって現れることが判明した。
【００８０】
この電子伝導率は、酸素イオンの伝導率に比べて、約１／１０００程度であり、例えば酸素イオン伝導率が約１／１００（１／Ω）相当とすると、電子伝導は、その１／１０００の１／１００ｋ（１／Ω）となり、通常は殆ど無視されるものである。
【００８１】
しかしながら、非常に微量なガス濃度を測定するに際しては、数μＡ程度の限界電流しか得られず、μＡレベルの電子伝導は大きな誤差要因となる。例えば、上述のように電子伝導率が１／１００ｋ（１／Ω）の場合、測定用ポンプセル８２に０．４５Ｖを印加すると、ポンプ電流Ｉｐ２＝０．４５（Ｖ）×１／１００ｋ（１／Ω）＝４．５μＡという大きな値になる。
【００８２】
センサ素子１００の温度が変化して、電子伝導率が変化、例えば１／２に減少すると、電子伝導による電流変化は、４．５μＡから２．２５μＡに変化し、その変化量は２．２５μＡとなり、５００ｐｐｍ相当の変化となる。これがオフセット値の温度依存性として現れてくる。
【００８３】
このオフセット値の温度依存性を小さくするには、測定用ポンプセル８２の電子伝導率を極力小さくすることが必要であるが、本実施の形態に係るガスセンサ５０では、測定用ポンプセル８２における前記ポイントＰの温度を８４０℃から７００℃に下げるようにしているため、電子伝導の抵抗率を抵抗値換算で４５０ｋΩから４ＭΩに上げることができ、オフセット値を１μＡから０．１１μＡに低下させることが可能となった。
【００８４】
即ち、被測定ガスの温度が変化して、センサ素子１００の温度変化が起こり、これによって、電子伝導率が１／２に変化した場合でのオフセット値の変動は、ヒータ９４のパターンの改善前は、０．５μＡ（１００ｐｐｍ相当）の変化であったが、本実施の形態に係るガスセンサ５０では、０．０５μＡ（１０ｐｐｍ相当）の僅かな変化になり、精度よく低濃度のＮＯｘを測定することができる。
【００８５】
図５はその様子を示したものであり、被測定ガスの温度（ガス温度）が８００℃のときに、電子伝導が０．２μＡとなるようにヒータ９４の温度が設定してある。ガス温度が６００℃から８００℃に変化しても、０．１μＡ程度しか変化しない。０．１μＡは、このガスセンサ５０の感度（５μＡ／１０００ｐｐｍ）から換算すると、２０ｐｐｍであり、数１００ｐｐｍの測定に対しても満足できる変化量に収まっている。
【００８６】
この場合、ガスセンサ５０のヒータ９４は補助ポンプセル９０のインピーダンスが一定になるように制御することが好ましい。ここで、補助ポンプセル９０のインピーダンスが一定になるようにヒータ９４を制御するヒータ制御系について図６〜図８を参照しながら説明する。
【００８７】
このヒータ制御系は、検出電極８０を除く、例えば主ポンプセル６６における内側ポンプ電極６２と補助ポンプ電極８８との間に挿入接続され、かつ両電極６２及び８８間のインピーダンスを検出するインピーダンス検出回路１０２と、該インピーダンス検出回路１０２からの検出信号に基づいて前記ヒータ９４への通電を制御するヒータ制御回路１０４を具備して構成される。
【００８８】
前記インピーダンス検出回路１０２は、図７に示すように、前記内側ポンプ電極６２と補助ポンプ電極８８間に交流を供給する交流発生回路１１０と、前記内側ポンプ電極６２と補助ポンプ電極８８間への交流供給によって該電極６２及び８８間に発生する該電極６２及び８８間のインピーダンスに応じたレベルの電圧信号Ｖｆを検出する信号検出回路１１２を有する。
【００８９】
前記内側ポンプ電極６２と補助ポンプ電極８８とこれら両電極６２及び８８間に挟まれた第２の固体電解質層５０ｆにて構成されるインピーダンス被測定体は、図８に示すように、等価的に抵抗Ｒと容量Ｃとが並列に接続された回路１１４で表すことができる。
【００９０】
従って、前記信号検出回路１１２としては、図８に示すように、前記電極６２及び８８間に発生する交流信号を前記電極６２及び８８間のインピーダンスに応じたレベルの電圧信号（以下、単に検出レベルとも記す）Ｖｆに変換するフィルタ回路（例えばローパスフィルタやバンドパスフィルタなど）１１６にて構成することができる。
【００９１】
一方、ヒータ制御回路１０４は、同じく図８に示すように、ヒステリシス付きコンパレータ１１８とｐｎｐトランジスタ１２０を有して構成されている。ヒステリシス付きコンパレータ１１８は、基準レベルをＥ、不感帯レベルをＶＨ  としたとき、前記フィルタ回路１１６から出力される電圧信号の検出レベルＶｆが正側しきい値レベル（Ｅ＋ＶＨ  ／２）より高い場合に高レベル信号を出力し、前記検出レベルＶｆが負側しきい値レベル（Ｅ−ＶＨ  ／２）より低い場合に低レベル信号を出力し、前記検出レベルＶｆが−ＶＨ  ／２〜＋ＶＨ  ／２の間にある場合に現在のレベルを維持する。
【００９２】
ｐｎｐトランジスタ１２０は、そのコレクタ端子に電源Ｖｃｃが接続され、ベース端子に前記ヒステリシス付きコンパレータ１１８の出力側が接続され、エミッタ端子にヒータ９４の一方の端子φ１が接続されている。なお、ヒータ９４の他方の端子φ２は接地とされている。
【００９３】
前記ｐｎｐトランジスタ１２０は、前記コンパレータ１１８から低レベル信号がベース端子に供給されることによってＯＮ動作し、これによって、電源Ｖｃｃからヒータ９４に駆動電流が供給され、反対に、前記コンパレータ１１８から高レベル信号がベース端子に供給されることによってＯＦＦ動作し、これによって、ヒータ９４への駆動電流の供給が停止されるようになっている。
【００９４】
前記交流発生回路１１０にて発生する交流成分の周波数帯域としては、例えば３００Ｈｚ〜１００ｋＨｚ程度の範囲に設定されることが望ましく、１ｋＨｚ〜１０ｋＨｚが最適である。また、前記交流成分の電圧としては、各電極が機能に支障のないレベル、例えば５００ｍＶ以下に設定されることが望ましく、１００〜３００ｍＶ程度が最適である。
【００９５】
また、ヒータ制御回路１０４のコンパレータ１１８に供給される基準レベルＥは、センサ素子１００内の被測定ガス温度が所定温度（所望の温度）となったときの検出レベルと同じレベルに設定される。
【００９６】
次に、前記ヒータ制御系の動作について説明すると、前記ＮＯｘの測定が行われている間に、インピーダンス検出回路１０２（図６参照）を通じて、前記検出電極８０を除く、内側ポンプ電極６２と補助ポンプ電極８８間のインピーダンスが電圧レベルとして検出され、更に、ヒータ制御回路１０４を通じて前記検出された電圧レベルに基づいてヒータ９４への通電が制御される。
【００９７】
具体的には、ガス温度が所定温度よりも上昇して、前記内側ポンプ電極６２及び補助ポンプ電極８８間のインピーダンスが上昇すると、インピーダンス検出回路１０２のフィルタ回路１１６（図８参照）から出力される電圧信号の検出レベルＶｆも高くなる。該電圧信号の検出レベルＶｆがコンパレータ１１８の正側しきい値レベル（Ｅ＋ＶＨ  ／２）より高くなると、ヒータ制御回路１０４におけるｐｎｐトランジスタ１２０のベース電極に高レベル信号が供給され、ヒータ９４への通電が停止される。これにより、センサ素子１００内の被測定ガス温度は徐々に低下することとなる。
【００９８】
反対に、ガス温度が所定温度よりも下降して、前記内側ポンプ電極６２及び補助ポンプ電極８８間のインピーダンスが下降すると、前記フィルタ回路１１６から出力される電圧信号の検出レベルＶｆも低くなる。該電圧信号の検出レベルＶｆがコンパレータ１１８の負側しきい値レベル（Ｅ−ＶＨ  ／２）より低くなると、ヒータ制御回路１０４におけるｐｎｐトランジスタ１２０のベース電極に低レベル信号が供給され、ヒータ９４への通電が開始される。これにより、センサ素子１００内の測定ガス温度は徐々に上昇することとなる。このようにヒータ９４への通電制御をインピーダンス値に基づいて行うことにより、センサ素子１００内の温度を一定に保つことが可能となる。
【００９９】
前記ヒータ制御系では、補助ポンプセル９０のインピーダンスが一定になるようにヒータ９４を制御するようにしたが、その他、測定用ポンプセル８２のインピーダンスが一定になるように制御するようにしてもよい。この場合、ポンプ電流Ｉｐ２が流れる電極間（図２の例では検出電極８０と基準電極７２間）のインピーダンスが一定になるように制御する。これにより、前記ガス温度が６００℃から８００℃に変化しても、オフセット値の変化幅は、０．０２μＡ（４ｐｐｍ相当）以下となり、極めて精度の高いガスセンサ５０とすることができる。
【０１００】
また、この測定用ポンプセル８２のインピーダンスを一定に制御する方式においては、被測定ガスの温度が変化しても、オフセット値を一定に制御することができる。そのため、前記オフセット値を出力側でのゼロ調整にて容易にゼロにすることができ、ガスセンサ５０の測定精度の向上を図ることができる。しかも、測定用ポンプセル８２の電子伝導の抵抗率が抵抗値換算で１００ｋΩ以上であって、多少電子伝導率が大きくても十分に許容できる（即ち、前記オフセット値を一定に制御することができる）というメリットがある。
【０１０１】
ここで、測定用ポンプセル８２の電子伝導率の測定方法（手順）について説明すると、前記電子伝導率は、まず、センサ素子１００のガス導入口を高融点ガラス等で密閉し、酸素の供給を絶った状態で測定用ポンプセル８２に所定のポンプ電圧（測定用電圧Ｖｐ２）を印加し、空間（第２室）６０内の酸素がなくなった状態でポンプ電流Ｉｐ２を測定することにより求めることができる。
【０１０２】
電圧印加当初は、空間６０内に酸素が残っているため、大きなポンプ電流Ｉｐ２が流れるが、酸素が汲み出されて、空間６０内の酸素濃度が低下するに従って、ポンプ電流Ｉｐ２は減少し、空間６０内に酸素がなくなった段階で、一定の値を示すようになる。この一定の値が電子伝導による電流を表すことになる。
【０１０３】
他の測定方法としては、被測定ガスの酸素濃度を０に近づけた状態、例えば１ｐｐｍ程度にし、測定用ポンプセル８２における検出電極８０と基準電極７２間の起電力（酸素濃淡電池起電力）＋２００ｍＶ程度の電圧を前記測定用ポンプセル８２に印加して、ポンプ電流Ｉｐ２を測定することにより求めることができる。
【０１０４】
即ち、測定用ポンプセル８２の限界電流は、例えば上述の例のように、５μＡ／１０００ｐｐｍであり、０．１ｐｐｍ程度であれば、計算上は、限界電流は１×５／１０００＝０．００５μＡとなり、実際に測定される電流からこの値を差し引いた値が電子伝導による電流値となる。
【０１０５】
この場合、電流値の値より、差し引く電流の割合が大きくなると、計算上の誤差が大きくなるため、そのような場合は、被測定ガス中の酸素濃度を更に下げて測定するのが好ましい。
【０１０６】
測定用ポンプセル８２の電子伝導率を下げる方法としては、上述のように温度を下げる方法のみでなく、検出電極８０の面積を小さくしたり、測定用ポンプセル８２を構成するＺｒＯ２  材料等の純度を上げることによって達成される。
【０１０７】
本実施の形態に係るガスセンサ５０における検出電極８０の面積を１／２に縮小させると、オフセット値は確実に１／２に低下しており、また、温度を通常（図４の温度分布曲線ａで示す温度）のままにしておき、第１及び第２の固体電解質層５０ｄ及び５０ｆを含む基体の構成材料の純度を９６％から９９％に上げることにより、オフセット値は０．５μＡに低下した。
【０１０８】
なお、測定用ポンプセル８２は、図２に示すように、第２室６０の検出電極８０と基準電極７２間で構成される酸素ポンプのほかに、前記検出電極８０と、前記基準電極７２以外の電極と、これら電極間に介在する固体電解質にて構成される酸素ポンプでもよい。具体的には、第２室６０の検出電極８０と主ポンプセル６６の内側ポンプ電極６２間で構成される酸素ポンプや、第２室６０の検出電極８０と主ポンプセル６６の外側ポンプ電極６４間で構成される酸素ポンプ、あるいは第２室６０の検出電極８０と更に別に設けた排気ガス側の素子表面の電極間で構成される酸素ポンプ等によって前記測定用ポンプセル８２を構成することができる。これらの構成においては、前記基準電極７２と検出電極８０間に発生する起電力（酸素濃淡電池起電力）をモニタしながら、検出電極８０と前記基準電極７２以外の電極（内側ポンプ電極６２、外側ポンプ電極６４、あるいは別に設けた排気ガス側の素子表面の電極）間でポンプ電流Ｉｐ２を流す方式が採用される。
【０１０９】
いずれの構成においても、要は、測定すべきポンプ電流Ｉｐ２が流れるポンプセルの電子伝導率を、測定すべきガス成分が分解して発生したイオン電流に比べて無視できる程度に小さくすればよい。
【０１１０】
特に、測定用ポンプセル８２のインピーダンスが一定になるようにヒータ９４を制御する場合においては、ポンプ電流Ｉｐ２が流れる検出電極８０と基準電極７２以外の電極（内側ポンプ電極６２、外側ポンプ電極６４、あるいは別に設けた排気ガス側の素子表面の電極）間のインピーダンスを測定し、その測定結果に基づいてヒータ９４を制御するように制御系を構成すればよい。
【０１１１】
この測定用ポンプセル８２のインピーダンスを一定に制御する方式による効果の方が、上述したヒータパターンの形状改善や検出電極８０の面積の縮小化による効果よりも極めて大きいというメリットがある。
【０１１２】
このように、本実施の形態に係るガスセンサ５０によれば、測定用ポンプセル８２の電子伝導の抵抗率を抵抗値換算で１ＭΩ以上に設定しているため、測定用ポンプセル８２の電子伝導を抑えることができ、これによって、オフセット値を小さくすることができ、ＮＯｘの低濃度測定に極めて有用となる。
【０１１３】
上述したように、本実施の形態に係るガスセンサ５０では、測定用ポンプセル８２の電子伝導率を抵抗値換算で１ＭΩ以上にしたが、好ましくは２ＭΩ以上、更に好ましくは４ＭΩ以上とするのがよい。但し、測定用ポンプセル８２のインピーダンスを制御する方式の場合は、測定用ポンプセル８２の電子伝導の抵抗率が抵抗値換算で１００ｋΩ以上でも十分に効果がある。
【０１１４】
測定用ポンプセル８２の電子伝導を下げるために、測定用ポンプセル８２の近傍の温度を下げたり、検出電極８０の面積を縮小すると、測定用ポンプセル８２のポンプ能力が低下するが、該ポンプ能力の限界値に対して、２倍程度の値に設定しておけばよい。
【０１１５】
例えば、最大１０００ｐｐｍの濃度を測定したい場合には、２０００ｐｐｍのガス濃度で、測定用ポンプセル８２の近傍の温度を徐々に下げ、感度低下が起こり始めた温度を限界温度／限界面積と設定すれば、１０００ｐｐｍの測定に対して十分に余裕のあるポンプを設計することができる。
【０１１６】
ガスセンサ５０の温度制御をするに当たっては、測定用ポンプセル８２の温度をモニタして、ヒータ９４の制御を行うのが好ましい。排気ガス温度が変化しても、電子伝導率が一定に制御されるため、オフセット値が一定に制御されるからである。この場合、交流を印加して測定用ポンプセル８２の交流インピーダンスを測定してもよいし、限流の起こらない小さい電圧を間欠的に測定用ポンプセル８２に印加して、直流インピーダンスを測定してもよい。また、測定用ポンプセル８２の近傍に別の温度測定手段を設けてもよい。
【０１１７】
この実施の形態に係るガスセンサ５０では、測定すべき所定ガス成分としてＮＯｘを対象としたが、被測定ガス中に存在する酸素の影響を受けるＮＯｘ以外の結合酸素含有ガス成分、例えばＨ２  ＯやＣＯ２  等の測定にも有効に適用することができる。
【０１１８】
例えばＣＯ２  やＨ２  Ｏを電気分解して発生したＯ２  を酸素ポンプで汲み出す構成のガスセンサや、Ｈ２  Ｏを電気分解することによって発生したＨ２  をプロトンイオン伝導性固体電解質を用いてポンピング処理するガスセンサにも適用させることができる。
【０１１９】
なお、この発明に係るガスセンサは、上述の実施の形態に限らず、この発明の要旨を逸脱することなく、種々の構成を採り得ることはもちろんである。
【０１２０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係るガスセンサによれば、ＮＯｘの還元を引き起こすことなく、オフセット値を測定に支障がない程度まで小さくでき、所定ガス成分の測定精度の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施の形態に係るガスセンサの構成を示す平面図である。
【図２】図１におけるＡ−Ａ線上の断面図である。
【図３】図３Ａはヒータのパターンを改善する前の形状を示す平面図であり、図３Ｂはヒータのパターンを改善した後の形状を示す平面図である。
【図４】ヒータパターンの改善前と改善後におけるセンサ素子の温度分布を示す特性図である。
【図５】本実施の形態に係るガスセンサにおけるガス温度の変化に対するオフセット値の変動を示す特性図である。
【図６】本実施の形態に係るガスセンサに設けられるヒータ制御系をセンサ素子と共に示す構成図である。
【図７】前記ヒータ制御系におけるインピーダンス検出回路を示す構成図である。
【図８】前記ヒータ制御系の構成を示す回路図である。
【図９】提案例に係るガスセンサを示す構成図である。
【図１０】他の提案例に係るガスセンサを示す構成図である。
【図１１】第１空所の酸素濃度を０．１ｐｐｍに制御した場合におけるＮＯ濃度の変化に対するポンプ電流の変化を示す特性図である。
【図１２】提案例に係るガスセンサにおけるガス温度の変化に対するオフセット値の変動を示す特性図である。
【符号の説明】
５０ａ…第１の基板層                                ５０ｂ…第２の基板層
５０ｃ…第１のスペーサ層                        ５０ｄ…第１の固体電解質層
５０ｅ…第２のスペーサ層                        ５０ｆ…第２の固体電解質層
５２…基準ガス導入空間                            ５４…第１の拡散律速部
５６…第２の拡散律速部                            ５８…第１室
６０…第２室                                                ６２…内側ポンプ電極
６４…外側ポンプ電極                                ６６…主ポンプセル
６８…可変電源                                            ７０…測定電極
７２…基準電極                                            ７４…制御用酸素分圧測定セル
８０…検出電極                                            ８２…測定用ポンプセル
８８…補助ポンプ電極                                ９０…補助ポンプセル
９４…ヒータ                                                １００…センサ素子
１０２…インピーダンス検出回路            １０４…ヒータ制御回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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