【手続補正書】
【提出日】平成29年6月23日(2017.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
材料を、基板の上に堆積された第１の層に設けられたビア又はトレンチの中に堆積するための方法であって、
前記ビア又はトレンチを有する前記第１の層を設けることと、
第２の層の第１の部分を前記ビア又はトレンチを有する前記第１の層の上に堆積することであって、前記第２の層の前記第１の部分の前記堆積が、第１の磁石配置を有するマグネトロンスパッタカソードで実行され、前記第１の磁石配置が、結果として第１の堆積方向となる第１の角座標で設けられる、堆積することと、
前記第２の層の第２の部分を前記ビア又はトレンチを有する前記第１の層の上に堆積することであって、前記第２の層の前記第２の部分の前記堆積が、前記マグネトロンスパッタカソードで実行され、前記第１の磁石配置が、結果として第２の堆積方向となる第２の角座標で設けられ、前記第２の角座標が前記第１の角座標とは異なる、堆積することと
を含む方法。
【請求項２】
前記マグネトロンスパッタカソードが、回転ターゲットを有する回転可能なマグネトロンスパッタカソードであり、前記回転可能なマグネトロンスパッタカソードが、線源を形成する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記回転ターゲットが、第１の回転軸の周りで回転する、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記マグネトロンスパッタカソードが、堆積源のアレイにおける少なくとも３つの堆積源のうちの１つの堆積源である、請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記第２の層が、６０％以上のステップカバレッジを有する、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記トレンチ又はビアが、前記ビア又はトレンチの底部で３ｎｍ以下の幅を有する、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記トレンチ又はビアが、７０°以上のテーパ角度を有する、請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記第１の層及び前記第２の層の少なくとも一方が、金属層である、請求項１から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記第１の層及び前記第２の層の少なくとも一方が、ＭｏＷ層、Ｍｏ層、Ｔｉ層、Ａｌ層、Ｃｕ層、ＭｏＷ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕのうちの２つ以上を含む層、或いはＭｏＷ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕのうちの１つ又は複数の合金を含む層である、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１の層及び前記第２の層の少なくとも一方が、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）層、ドープＩＴＯ層、不純物ドープＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２及びＣｄＯ、ＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３：Ｓｎ）、ＡＺＯ（ＺｎＯ：Ａｌ）、ＩＺＯ（ＺｎＯ：Ｉｎ）、ＧＺＯ（ＺｎＯ：Ｇａ）、又はＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３、及びＳｎＯ２の組み合わせを含むか或いはこれらの組み合わせからなる多成分酸化物からなるグループから選択された１つ又は複数の成分、又はそれらの組み合わせを含む、請求項１から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
基板上にトランジスタを製造する方法であって、
材料を、請求項１から１０のいずれか一項に記載の、基板の上に堆積された第１の層の中に設けられたビア又はトレンチの中に堆積する方法を含む、方法。
【請求項１２】
前記第１の層が、アクティブチャネル層の上に堆積されたゲート絶縁体の上に堆積された前記トランジスタのゲートの上に堆積され、イオン注入が、前記アクティブチャネル層のゲートマスキングで実行される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記イオン注入が、前記アクティブチャネル層のコンタクト領域のドーピングを前記トランジスタのソースにもたらし、前記アクティブチャネル層のさらなるコンタクト領域のドーピングを前記トランジスタのドレインにもたらす、請求項１２に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ビア又はトレンチの中に層を堆積する方法、及び当該方法によって得られる製品
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【図１Ａ−１Ｅ】実施形態に係る層スタックが堆積されている基板の一部の概略図を示す。
【図１Ｆ−１Ｉ】実施形態に係る層スタックが堆積されている基板の一部の概略図を示す。
【図２】本明細書に記載され、図１Ａから１Ｉに対応する実施形態に従って、基板の上に材料の層を堆積するための方法を示すフロー図を示す。
【図３Ａ】本明細書に記載された実施形態に係る、第１の処理条件で材料の層を堆積する装置の概略図を示す。
【図３Ｂ】本明細書に記載された実施形態に係る、第２の処理条件で材料の層を堆積する装置の概略図を示す。
【図４Ａ−４Ｂ】本明細書に記載された実施形態に係る、第１及び第２の処理条件を示す。
【図５Ａ−５Ｂ】本明細書に記載された実施形態に従って、堆積された層の概略的な結果を示し、図５Ａは、層の第１の部分を示し、図５Ｂは、層の第１及び第２の部分を示す。
【図６】本明細書に記載された実施形態に従って、基板の上に材料の層を堆積するための方法を示すフロー図を示す。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
［００３７］本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によると、図３Ａ及び図３Ｂに関連して説明されているように、基板の上に層（例えば、ゲート形成層）を堆積するための装置が提供され得る。図３Ａは、本明細書に記載された実施形態に係る堆積装置１００の概略断面図を示す。例示的に、内部に層を堆積するための１つの真空チャンバ１０２が示されている。図３Ａで示されているように、さらなるチャンバ１０２をチャンバ１０２の隣に設けてもよい。真空チャンバ１０２は、バルブハウジング１０４及びバルブユニット１０５を有するバルブによって、隣接するチャンバから分離され得る。矢印１で示されているように、基板１５１が載っているキャリア１１４が真空チャンバ１０２の中に挿入された後、バルブユニット１０５を閉じることができる。したがって、真空チャンバ１０２の中の雰囲気は、例えば、チャンバ１０２に接続された真空ポンプで技術的真空（ｔｅｃｈｎｉｃａｌ  ｖａｃｕｕｍ）を生成することによって、且つ／又は、処理ガスをチャンバ１０２内の堆積領域内に挿入することによって、個別に制御することができる。上述のように、多くの大面積領域処理用途において、大面積基板はキャリアによって支持される。しかしながら、本明細書に記載された実施形態は、それに限定されるものではなく、処理装置又は処理システムを通して基板を搬送するその他の搬送要素を使用してもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
［００３８］基板が載っているキャリア１１４をチャンバ１０２の内外へ搬送するため、チャンバ１０２の中に搬送システムが設けられている。本明細書で使用されている「基板」という用語は、ガラス基板、ウエハ、サファイアなどの透明結晶体のスライス、又はガラスプレートのような基板を含むものとする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
［００４６］図３Ａで示されているように、磁石アセンブリは、矢印３００Ａで示されている堆積方向を設けるように、回転される。第１の柱状成長方向が設けられ、結果として第１の堆積方向となる。図３Ｂで示されているように、磁石アセンブリは、矢印３００Ｂで示されている堆積方向を設けるように、回転される。第２の堆積方向が設けられ、結果としてステップカバレッジが改善される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
［００６３］本明細書に記載された幾つかの実施形態は、本明細書に記載された実施形態を有益に利用することができるＬＴＰＳ−ＴＦＴなどのトランジスタの製造に対して言及しているが、その他の用途も、本明細書に記載された実施形態から同様に恩恵を受けることができる。図７は、材料の第２の層をビア又はトレンチを有する第１の層の上に堆積する方法を示しているが、層の第１の部分は、第１の堆積方向でビア又はトレンチを有する第１の層上に堆積され（図６のボックス６０１を参照）、第２の層の第１の部分の堆積は、第１の回転軸の周りで回転可能な第１の磁石配置を有するマグネトロンスパッタカソードで実行される。このとき、第１の磁石配置は、結果として第１の堆積方向となる第１の角座標で設けられる。第２の層の第２の部分は、ビア又はトレンチを有する第１の層の上に堆積され（図６のボックス６０２を参照）、第２の層の第２の部分の堆積は、マグネトロンスパッタカソードで実行される。このとき、第１の磁石配置は、結果として第２の堆積方向となる第２の角座標で設けられ、第１の角座標は、第２の角座標とは異なる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３Ａ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３Ａ】
2017520683.tif 000001
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３Ｂ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３Ｂ】
2017520683.tif 000002