【手続補正書】
【提出日】平成29年4月11日(2017.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板により支持された１つ又は複数の能動又は受動電子デバイスコンポーネントであり、選択的に変態可能な材料を単独で含んだ１つ又は複数の能動又は受動電子デバイスコンポーネントと、
前記１つ又は複数の能動又は受動電子デバイスコンポーネントを少なくとも部分的に封入する封入材層と、
を備えた過渡電子デバイスであって、
前記基板、前記封入材層又はこれら両者が外部又は内部刺激に反応して選択的に除去可能な無機材料を単独で含み、前記外部又は内部刺激に応答した前記基板、前記封入材層又はこれら両者の少なくとも部分的な除去が前記外部又は内部刺激に応答して事前選択の時点又は事前選択の速度で前記過渡電子デバイスのプログラム可能な変態をもたらす前記１つ又は複数の能動又は受動電子デバイスコンポーネントの少なくとも部分的な変態を開始させ、前記プログラム可能な変態が前記過渡電子デバイスの第１の条件から第２の条件への機能の変化をもたらす、過渡電子デバイス。
【請求項２】
前記１つ又は複数の能動又は受動電子デバイスコンポーネントが、１つ若しくは複数の無機半導体コンポーネント、１つ若しくは複数の金属導体コンポーネント、又は１つ若しくは複数の無機半導体コンポーネント及び１つ若しくは複数の金属導体コンポーネントを備えた、請求項１に記載の過渡電子デバイス。
【請求項３】
前記基板、前記封入材層又はこれら両者が全体的に無機の構造又は無機と有機の複合構造を単独で含む、請求項１又は２に記載の過渡電子デバイス。
【請求項４】
前記全体的に無機の構造が、ＳｉＯ２、スピンオンガラス、Ｍｇ、Ｍｇ合金、Ｆｅ、Ｗ、Ｚｎ、Ｍｏ、Ｓｉ、ＳｉＧｅ、Ｓｉ３Ｎ４及びＭｇＯのうちの１つ又は複数を含む、請求項３に記載の過渡電子デバイス。
【請求項５】
前記無機と有機の複合構造が、前記能動又は受動電子デバイスコンポーネントに隣接する第１の表面と有機層に隣接する第２の表面とを有する無機層を含む、又は、前記能動又は受動電子デバイスコンポーネントに隣接する第１の表面と前記無機層に隣接する第２の表面とを有する有機層を含む、請求項３に記載の過渡電子デバイス。
【請求項６】
前記無機層が、ＳｉＯ２、スピンオンガラス、Ｍｇ、Ｍｇ合金、Ｆｅ、Ｗ、Ｚｎ、Ｍｏ、Ｓｉ、ＳｉＧｅ、Ｓｉ３Ｎ４及びＭｇＯのうちの１つ又は複数を含み、且つ前記有機層が、ポリ無水物及びポリ（ジメチルシロキサン）（ＰＤＭＳ）のうちの１つ又は複数を含む、請求項３又は５に記載の過渡電子デバイス。
【請求項７】
前記デバイスが全体的に無機のデバイスであり、前記能動又は受動電子デバイスコンポーネント、前記基板及び前記封入材層がそれぞれ、単独で全体的に１つ又は複数の無機材料から構成される、請求項１〜４のいずれか一項に記載の過渡電子デバイス。
【請求項８】
前記基板、前記封入材層又はこれら両者が、前記外部又は内部刺激に応答して事前選択の過渡性プロファイルを単独で有する、請求項１〜７のいずれか一項に記載の過渡電子デバイス。
【請求項９】
前記基板、前記封入材層又はこれら両者の前記選択的に除去可能な無機材料が、金属、金属酸化物、セラミック、これらの組み合わせ、結晶質材料、非晶質材料、これらの組み合わせ、単結晶材料、多結晶材料、ドープした結晶質材料、ガラス、薄膜、コーティング、箔、これらの任意の組み合わせ、ナノ構造層又はマイクロ構造層を単独で含む、請求項１〜８のいずれか一項に記載の過渡電子デバイス。
【請求項１０】
前記基板、前記封入材層又はこれら両者の前記選択的に除去可能な無機材料が、Ｍｇ、Ｗ、Ｍｏ、Ｆｅ、Ｚｎ、その合金、ＳｉＯ２、ＭｇＯ、Ｎ４Ｓｉ３又はＳｉＣ、スピンオンガラス、溶液処理可能なガラス、生体適合性材料、生体不活性材料又は生体適合性材料と生体不活性材料の組み合わせを単独で含む、請求項１〜９のいずれか一項に記載の過渡電子デバイス。
【請求項１１】
前記基板、前記封入材層又はこれら両者が、前記選択的に除去可能な無機材料を含む１つ又は複数の薄膜、コーティング又は箔を含んだ多層構造を単独で含む、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の過渡電子デバイス。
【請求項１２】
前記基板、前記封入材層又はこれら両者が、多層形状を有する無機と有機の複合構造を単独で含む、請求項１１に記載の過渡電子デバイス。
【請求項１３】
前記多層構造が、１つ又は複数の電気絶縁層、バリア層又はこれらの任意の組み合わせをさらに含み、
前記１つ又は複数の電気絶縁層又はバリア層が、前記１つ又は複数の薄膜、コーティング又は箔との物理的な接触、電気的な接触又はこれら両者によって設けられている、又は、
前記１つ又は複数の電気絶縁層又はバリア層が前記多層構造の外部層を含むか、或いは前記１つ又は複数の電気絶縁層又はバリア層が前記１つ又は複数の能動又は受動電子デバイスコンポーネントと物理的に接触又は電気的に接触して前記多層構造の内部層を含む、又は、
前記１つ又は複数の電気絶縁層又はバリア層が、ポリマー、絶縁セラミック、ガラス、ＳｉＯ２、スピンオンガラス、ＭｇＯ又はこれらの任意の組み合わせを含む、請求項１１に記載の過渡電子デバイス。
【請求項１４】
前記多層構造が、第１の電気絶縁層又はバリア層と物理的に接触した第１の側面を有する金属箔又は金属薄膜を含み、
前記第１の電気絶縁層又はバリア層が前記多層構造の外部層であるか、或いは前記第１の電気絶縁層又はバリア層が前記能動又は受動電子デバイスコンポーネントと物理的に接触又は電気的に接触した前記多層構造の内部層である、又は、
前記第１の電気絶縁層又はバリア層が、ポリマー層若しくはコーティング、金属酸化物層若しくはコーティング、ガラス層若しくはコーティング、又はこれらの任意の組み合わせを含む、
前記多層構造が第２の電気絶縁層又はバリア層と接触してコーティングされた第２の側面を有する前記金属箔又は金属薄膜を含む、又は、
前記金属箔又は金属薄膜が前記第１の電気絶縁層又はバリア層と前記第２の電気絶縁層又はバリア層の間に設けられている、請求項１１に記載の過渡電子デバイス。
【請求項１５】
前記基板、前記封入材層又はこれら両者の前記少なくとも部分的な除去が前記１つ又は複数の能動又は受動電子デバイスコンポーネントを前記外部又は内部刺激に対して曝露させ、これにより前記１つ又は複数の能動又は受動電子デバイスコンポーネントの前記少なくとも部分的な変態を開始させている、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の過渡電子デバイス。
【請求項１６】
前記内部又は外部刺激に応答した前記基板、前記封入材層又はこれら両者の前記少なくとも部分的な除去が、相変化、分解、加水分解、生体再吸収、エッチング、腐食、光化学反応、電気化学反応又はこれらのプロセスの任意の組み合わせを介して生じる、請求項１〜１５のいずれか一項に記載の過渡電子デバイス。
【請求項１７】
前記基板、前記封入材層又はこれら両者が、１ｍｓ〜５年の範囲から選択された時間間隔にわたる前記基板又は前記封入材層の０．０１％〜１００％の除去によって特徴付けられる、又は、０．０１ｎｍ／日〜１００ミクロンｓ−１の範囲で選択された速度で前記基板又は前記封入材層の平均厚さを低減することによって特徴付けられる事前選択の過渡性プロファイルを単独で有する、請求項１〜１６のいずれか一項に記載の過渡電子デバイス。
【請求項１８】
前記基板、前記封入材層又はこれら両者が、前記外部又は内部刺激に応答した前記基板、前記封入材層又はこれら両者の前記少なくとも部分的な除去に先立って、０．０１％〜９９．９％の範囲から選択された多孔率、０．０１％〜１００％の範囲から選択された結晶度、又は、バルクと比較して０．０１％〜１００％の範囲から選択された密度を単独で有する、請求項１〜１７のいずれか一項に記載の過渡電子デバイス。
【請求項１９】
前記選択的に除去可能な無機材料の厚さがゼロに至るまでの時間が次式によって提供され、
【数１】
2016527701.tif 000001
上式において、ｔｃは臨界時間であり、ρｍは材料の質量密度であり、Ｍ（Ｈ２Ｏ）は水のモル質量であり、Ｍ（ｍ）は材料のモル質量であり、ｈ０は材料の初期厚さであり、Ｄは水の拡散率であり、ｋは分解反応の反応定数であり、ｗ０は水の初期濃度であり、ここでｋは１×１０５ｓ−１〜１×１０−１０ｓ−１の範囲から選択された値を有する、請求項１〜１８のいずれか一項に記載の過渡電子デバイス。
【請求項２０】
前記基板、前記封入材層又はこれら両者が、前記外部又は内部刺激に応答した前記基板、前記封入材層又はこれら両者の前記少なくとも部分的な除去に先立って、水に対して実質的に不浸透性である、周囲に対する正味漏れ電流を０．１μＡ／ｃｍ２以下に制限している、又は、水性又は非水性溶媒に曝露されたときに１０％以下の体積増加を受ける、請求項１〜１９のいずれか一項に記載の過渡電子デバイス。
【請求項２１】
前記薄膜、コーティング又は箔が、前記外部又は内部刺激に応答した前記基板、前記封入材層又はこれら両者の前記少なくとも部分的な除去に先立って、前記１つ又は複数の能動又は受動電子デバイスコンポーネントの上又は下に１０００μｍ以下の平均厚さを有する、請求項１１に記載の過渡電子デバイス。
【請求項２２】
前記基板、前記封入材層又はこれら両者が、前記外部又は内部刺激に応答した前記基板、前記封入材層又はこれら両者の前記少なくとも部分的な除去に先立って、０．１μｍ〜１０００μｍの範囲から選択された厚さ、０．５ＫＰａ〜１０ＴＰａの範囲で選択される平均ヤング率、１×１０−４Ｎｍ以下の正味撓み剛性、又は、１×１０８ＧＰａμｍ４以下の正味曲げ剛性を単独で有する、請求項１〜２１のいずれか一項に記載の過渡電子デバイス。
【請求項２３】
前記基板、前記封入材層又はこれら両者が、電磁波スペクトルの可視光領域又は赤外光領域において少なくとも部分的に光学的に透明である、請求項１〜２２のいずれか一項に記載の過渡電子デバイス。
【請求項２４】
前記基板、前記封入材層又はこれら両者が、物理的気相成長、化学的気相成長、スパッタリング、原子層堆積、電気化学析出、スピンキャスティング、電気流体力学的ジェット式印刷、スクリーン印刷、又はこれらの任意の組み合わせを介して作成されている、請求項１〜２３のいずれか一項に記載の過渡電子デバイス。
【請求項２５】
前記基板、前記封入材層又はこれら両者が、前記１つ又は複数の能動又は受動電子デバイスコンポーネントの外部面積又は内部面積に関して１％〜１００％の範囲から選択された百分率をカバーする又は百分率に対応する、又は、
前記基板、前記封入材層又はこれら両者が、前記１つ又は複数の能動又は受動電子デバイスコンポーネントの外部面積又は内部面積に関する１０％以上をカバーする又は１０％以上に対応する、請求項１〜２４のいずれか一項に記載の過渡電子デバイス。
【請求項２６】
前記１つ又は複数の無機半導体コンポーネントが、多結晶半導体材料、単結晶半導体材料、ドープした多結晶若しくは単結晶半導体材料、Ｓｉ、Ｇａ、ＧａＡｓ、ＺｎＯ又はこれらの任意の組み合わせを含む、請求項２に記載の過渡電子デバイス。
【請求項２７】
前記１つ又は複数の金属導体コンポーネントが、Ｍｇ、Ｗ、Ｍｏ、Ｆｅ、Ｚｎ又はその合金を含む、請求項２に記載の過渡電子デバイス。
【請求項２８】
前記１つ若しくは複数の無機半導体コンポーネント、１つ若しくは複数の金属導体コンポーネント、又はこれら両者が、トランジスタ、ダイオード、増幅器、マルチプレクサ、発光ダイオード、レーザ、フォトダイオード、集積回路、センサ、温度センサ、電気化学セル、サーミスタ、ヒータ、抵抗性ヒータ、アンテナ、電池、エネルギー蓄積システム、アクチュエータ、ナノエレクトロメカニカルシステム若しくはマイクロエレクトロメカニカルシステム、及びアクチュエータやそのアレイから成る群より選択される電子デバイスのコンポーネントを備える、請求項２に記載の過渡電子デバイス。
【請求項２９】
前記デバイスが、通信システム、フォトニックデバイス、センサ、光電子デバイス、バイオメディカルデバイス、温度センサ、光検出器、光起電力デバイス、ひずみゲージ、撮像システム、ワイヤレス送信機、電気化学セル、アンテナ、電池、エネルギー蓄積システム、アクチュエータ、ナノエレクトロメカニカルシステム又はマイクロエレクトロメカニカルシステムである、請求項１〜２８のいずれか一項に記載の過渡電子デバイス。
【請求項３０】
基板と、
前記基板により支持された１つ又は複数の能動又は受動電子デバイスコンポーネントで、選択的に変態可能な材料を単独で含んだ１つ又は複数の能動又は受動電子デバイスコンポーネントと、
前記１つ又は複数の能動又は受動電子デバイスコンポーネントを少なくとも部分的に封入する封入材層と、
を備えた過渡電子デバイスであり、
前記基板、前記封入材層又はこれら両者が外部又は内部刺激に反応して選択的に除去可能な無機材料を単独で含み、前記外部又は内部刺激に応答した前記基板、前記封入材層又はこれら両者の少なくとも部分的な除去が前記外部又は内部刺激に応答して事前選択の時点又は事前選択の速度で前記過渡電子デバイスのプログラム可能な変態をもたらす前記１つ又は複数の能動又は受動電子デバイスコンポーネントの少なくとも部分的な変態を開始させ、前記プログラム可能な変態が前記過渡電子デバイスの第１の条件から第２の条件への機能の変化をもたらす、過渡電子デバイスを用意するステップと、
前記１つ又は複数の能動又は受動電子デバイスコンポーネントを前記外部又は内部刺激に対して曝露させ、これにより前記過渡電子デバイスの前記プログラム可能な変態をもたらすような前記基板又は封入材層の前記少なくとも部分的な除去がもたらされるように前記過渡電子デバイスを前記外部又は内部刺激に対して曝露させるステップと、
を含む過渡電子デバイスを用いる方法。
【請求項３１】
基板を用意するステップと、
前記基板上に、選択的に変態可能な材料を単独で含んだ１つ又は複数の能動又は受動電子デバイスコンポーネントを設けるステップと、
前記１つ又は複数の能動又は受動電子デバイスコンポーネントを封入材層によって少なくとも部分的に封入するステップと、
を含む過渡電子デバイスを作製する方法であって、
前記基板、前記封入材層又はこれら両者が外部又は内部刺激に反応して選択的に除去可能な無機材料を単独で含み、前記外部又は内部刺激に応答した前記基板、前記封入材層又はこれら両者の少なくとも部分的な除去が前記外部又は内部刺激に応答して事前選択の時点又は事前選択の速度で過渡電子デバイスのプログラム可能な変態をもたらす前記１つ又は複数の能動又は受動電子デバイスコンポーネントの少なくとも部分的な変態を開始させ、前記プログラム可能な変態が過渡電子デバイスの第１の条件から第２の条件への機能の変化をもたらす、過渡電子デバイスを作製する方法。