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【手続補正書】
【提出日】平成29年4月21日(2017.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリマー、抗血栓剤および抗菌剤を含む化合物であって、前記抗血栓剤および前記抗菌剤が前記ポリマーに共有結合する化合物。
【請求項２】
前記ポリマーは架橋を含まない、請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
前記抗菌剤がグアニジン基または第四級アンモニウム塩を含む、請求項１または請求項２に記載の化合物。
【請求項４】
前記ポリマーが、重合したビニル基、アリル基、メタクリラート基、アクリラート基またはそれらの組合せを含む、先行する請求項のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項５】
前記抗血栓剤および前記抗菌剤のどちらかまたは両方がポリエチレンオキシド基を含む連結基により前記ポリマーに共有結合しているペンダント状基である、先行する請求項のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項６】
前記抗血栓剤が、多糖、グリコサミノグリカン、ワルファリン、ヒルジン、ヘパリン基、ヒアルロン酸基またはそれらの組合せを含む、先行する請求項のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項７】
前記抗血栓剤が、ヘパリン誘導体、ヘパリンアミン、ヘパリン塩、ヘパリン硫酸、ヘパラン硫酸、ヘパリンメタクリラート、ヘパリン第四級アンモニウム塩複合体メタクリラート、ヘパリンメタクリラート塩またはヘパリンポリ（エチレングリコール）メタクリラートであるヘパリン基を含む、請求項６に記載の化合物。
【請求項８】
前記グアニジン基が、グアニド誘導体、グアニジン誘導体、ビグアニド基、ビグアニド誘導体、ポリアミノプロピルビグアニド基、ポリ（ヘキサメチレンビグアニド）基、ポリ（ヘキサメチレンビグアニド）誘導体基、クロルヘキシジン基またはクロルヘキシジン誘導体基を含む、請求項３に記載の化合物。
【請求項９】
前記ポリマーにおける前記抗血栓剤部分の数の、前記抗菌剤部分の数に対する比率が約１：３〜約１：２５である、先行する請求項のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項１０】
前記ポリマーに共有結合する滑沢基および／または付着防止基をさらに含む、先行する請求項のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項１１】
Ｎ−ビニルピロリドン基および／もしくはグリセロールメタクリラート基を含む滑沢剤ならびに／またはメタクリロイルオキシエチルホスホリルコリン、２−（（２−（メタクリロイルオキシ）エチル）ジメチルアンモニオ）エチル２−メトキシエチルホスファート、２−（（２−（メタクリロイルオキシ）エチル）ジメチルアンモニオ）プロピル２−メトキシエチルホスファートもしくはそれらの組合せのうちの１つもしくは複数を含む付着防止化合物とブレンドされた、先行する請求項のいずれか一項に記載される化合物を含むポリマー被覆。
【請求項１２】
請求項１〜１０のいずれか一項に記載される化合物を含む被覆または請求項１１に記載される被覆を有する医療デバイス。
【請求項１３】
抗菌剤と抗血栓剤との混合物を重合することを含む、ポリマーを製造するための方法であって、前記抗菌剤が、共有結合した抗菌性化合物と第１の重合可能な基とを伴う第１の骨格前駆体を含み、かつ前記抗血栓剤が、共有結合した抗血栓性化合物と第２の重合可能な基とを伴う第２の骨格前駆体を含み、これにより請求項１〜１０のいずれか一項に記載される化合物を製造する、方法。
【請求項１４】
滑沢基および／または付着防止基を、連結基および第３の重合可能な基を含む第３の骨格前駆体と反応させて、添加剤を形成すること、ならびに
前記添加剤を重合前の前記混合物と混合すること
をさらに含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
抗血栓性ポリマーとブレンドされた抗菌性ポリマーを含むポリマーブレンド物であって、
前記抗菌性ポリマーが、第１の骨格、前記第１の骨格に共有結合する第１の連結基、および前記第１の連結基に共有結合する抗菌性基を含み、かつ
前記抗血栓性ポリマーが、第２の骨格、前記第２の骨格に共有結合する第２の連結基、および前記第２の連結基に共有結合する抗血栓性基を含む、ポリマーブレンド物。
【請求項１６】
前記第１の骨格および／または第２の骨格が、重合したビニル基、アリル基、メタクリラート基、アクリラート基またはそれらの組合せを含む、請求項１５に記載のポリマーブレンド物。
【請求項１７】
前記抗菌性基がグアニド基、グアニド誘導体、ビグアニド基、ビグアニド誘導体、ポリアミノプロピルビグアニド基、ポリ（ヘキサメチレンビグアニド）基、ポリ（ヘキサメチレンビグアニド）誘導体基、ポリヘキサメチレンビグアニジン基、ポリヘキサメチレンビグアニジン誘導体、クロルヘキシジン基もしくはクロルヘキシジン誘導体基；または第四級アンモニウム塩を含む、請求項１５または１６に記載のポリマーブレンド物。
【請求項１８】
前記抗血栓性基が、多糖、グリコサミノグリカン、ワルファリン、ヒルジン、ヘパリン基、ヒアルロン酸基またはそれらの組合せを含む、請求項１５〜１７のいずれか一項に記載のポリマーブレンド物。
【請求項１９】
前記抗血栓性基が、ヘパリン誘導体、ヘパリンアミン、ヘパリン塩、ヘパリン硫酸、ヘパラン硫酸、ヘパリンメタクリラート、ヘパリン第四級アンモニウム塩複合体メタクリラート、ヘパリンメタクリラート塩またはヘパリンポリ（エチレングリコール）メタクリラートであるヘパリン基を含む、請求項１８に記載のポリマーブレンド物。
【請求項２０】
前記ポリマーにおける前記抗血栓性基の数の、前記抗菌性基の数に対する比率が約１：３〜約１：２５である、請求項１５〜１９のいずれか一項に記載のポリマーブレンド物。
【請求項２１】
滑沢基および／または付着防止基をさらに含む、請求項１５〜２０のいずれか一項に記載のポリマーブレンド物。
【請求項２２】
前記抗菌性ポリマーおよび前記抗血栓性ポリマーの１または両方が架橋を含まない、請求項１５〜２１のいずれか一項に記載のポリマーブレンド物。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成29年9月12日(2017.9.12)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
重金属を含まない処方物であって、
前記重金属は鉄及びビスマスであり、
（Ａ）メチルグリシン二酢酸（ＭＧＤＡ）、イミノジコハク酸（ＩＤＡ）、グルタミン酸二酢酸（ＧＬＤＡ）及びそれらの塩から選択される少なくとも１種のアミノカルボキシラートと、
（Ｂ）５００ｇ／ｍｏｌから８００ｇ／ｍｏｌ未満の範囲の平均分子量ＭＷ、少なくとも５ｍｅｑ／ｇの正電荷密度、及びアルコキシ化アルキレンイミンポリマーの総量に基づいて２質量％から８０質量％以下の範囲のアルキレンオキシド側鎖を有する、少なくとも１種のアルコキシ化アルキレンイミンポリマーと、
を含む処方物。
【請求項２】
リン酸塩及びポリリン酸塩を含まない請求項１に記載の処方物。
【請求項３】
（Ｂ）がエチレンオキシド又はプロピレンオキシドと反応したポリエチレンイミンから選択される請求項１又は２に記載の処方物。
【請求項４】
前記重金属の含有量は、当該処方物の固体物の含有量に基づいて、０．０５ｐｐｍ未満である請求項１から３のいずれか一項に記載の処方物。
【請求項５】
アルキレンイミンポリマー（Ｂ）が、最大３０モル％のアルキレンイミンポリマーの窒素原子が、プロピレンオキシドと反応したものから選択される請求項１から４のいずれか一項に記載の処方物。
【請求項６】
室温で固体である請求項１から５のいずれか一項に記載の処方物。
【請求項７】
０．１質量％〜１０質量％の範囲の水を含む請求項１から６のいずれか一項に記載の処方物。
【請求項８】
前記アルコキシ化アルキレンイミンポリマー（Ｂ）中の、アルキレンオキシド基に対する窒素原子のモル比が、最大５である請求項１から７のいずれか一項に記載の処方物。
【請求項９】
いずれの場合にも、当該処方物の固体物の含有量に基づいて、
合計で１質量％〜５０質量％の範囲のアミノカルボキシラート（Ａ）と、
合計で０．００１質量％〜２質量％の範囲のアルコキシ化アルキレンイミンポリマー（Ｂ）と、
を含む請求項１から８のいずれか一項に記載の処方物。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか一項に記載の処方物を、ドイツ硬度が２°〜２５°の水を使用して、食器及び台所道具を洗浄するために使用する方法
【請求項１１】
装飾され又は装飾されていなくても良い少なくとも１つのガラス製の面を有する物体の洗浄のための請求項１から９のいずれか一項に記載の処方物の使用方法。
【請求項１２】
前記洗浄が、食器洗浄機を用いた洗浄である請求項１０又は１１に記載の使用方法。
【請求項１３】
飲用グラス、ガラス製の花瓶及び調理用のガラス製の容器を洗浄するために、請求項１から８のいずれか一項に記載の処方物の少なくとも１種が使用される請求項１０から１２のいずれか一項に記載の使用方法。
【請求項１４】
請求項１から９のいずれか一項に記載の処方物を製造する方法であって、
（Ａ）メチルグリシン二酢酸（ＭＧＤＡ）、イミノジコハク酸（ＩＤＡ）、グルタミン酸二酢酸（ＧＬＤＡ）及びそれらの塩から選択されるアミノカルボキシラート、
（Ｂ）５００ｇ／ｍｏｌから８００ｇ／ｍｏｌ未満の範囲の平均分子量ＭＷ、少なくとも５ｍｅｑ／ｇの正電荷密度、及びアルコキシ化アルキレンイミンポリマーの総量に基づいて２質量％から８０質量％以下の範囲のアルキレンオキシド側鎖を有する、少なくとも１種のアルコキシ化アルキレンイミンポリマー、並びに、
任意のさらなる成分が、水の存在下で、互いに１つ以上のステップで混合され、その後、前記水が完全に又は少なくとも部分的に除去される方法。
【請求項１５】
前記水が、噴霧乾燥又は噴霧造粒により除去される請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年4月28日(2017.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
前記めっきは、前記物品が前記めっき液の槽内に設置される容器内にありながら行われ、前記めっき液は、前記めっきの前、および／または、前記めっきの間、前記めっき液の槽から前記めっき液を攪拌する攪拌部に循環させられ、さらに、前記めっき液の槽に戻される請求項１または２に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
前記容器は、前記めっきの全期間において、一定の速度で回転する請求項８または９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月12日(2017.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
高い強度および良好な成形性を有する鋼を製造することが望ましい。しかしながら、そのような特性を示す鋼の商業的製造は、比較的低合金の添加物が望ましいことや工業生産ラインの熱処理能力の限界といった要因により困難であった。本発明は、鋼組成物、および得られる鋼が高強度および冷間成形性を示すように溶融亜鉛／亜鉛合金めっき（ｈｏｔ−ｄｉｐ ｇａｌｖａｎｉｚｉｎｇ／ｇａｌｖａｎｎｅａｌｉｎｇ：ＨＤＧ）処理を用いて鋼を製造する処理方法に関する。
この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、以下のものがある（国際出願日以降国際段階で引用された文献及び他国に国内移行した際に引用された文献を含む）。
（先行技術文献）
（特許文献）
（特許文献１）  国際公開第２００９／０３５５７６号
（特許文献２）  欧州特許出願公開第２３２５３４６号明細書
（特許文献３）  欧州特許出願公開第２５２４９７０号明細書
（特許文献４）  国際公開第２００５／１０８０５８号
（非特許文献）
（非特許文献１）  ＪＯＨＮ  Ｇ  ＳＰＥＥＲ  ＥＴ  ＡＬ："Ａｎａｌｙｓｉｓ  ｏｆ  Ｍｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ  Ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ  ｉｎ  Ｑｕｅｎｃｈｉｎｇ  ａｎｄ  Ｐａｒｔｉｔｉｏｎｉｎｇ  Ａｕｔｏｍｏｔｉｖｅ  Ｓｈｅｅｔ  Ｓｔｅｅｌ"，ＭＥＴＡＬＬＵＲＧＩＣＡＬ  ＡＮＤ  ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ  ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ  Ａ，ＳＰＲＩＮＧＥＲ−ＶＥＲＬＡＧ，ＮＥＷ  ＹＯＲＫ，ｖｏｌ．４２，ｎｏ．１２，１５  Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ  ２０１１（２０１１−０９−１５），ｐａｇｅｓ  ３５９１−３６０１
（非特許文献２）  Ｔａｔａ  Ｓｔｅｅｌ  Ａｕｔｏｍｏｔｉｖｅ："ＤＰ８００  ＣＲ  Ｈｉｇｈ  ｓｔｒｅｎｇｔｈ，ｈｉｇｈ  ｄｕｃｔｉｌｉｔｙ，ｈｉｇｈ  ｆｏｒｍａｂｉｌｉｔｙ"，２０１３
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月29日(2017.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極を備えた二次電池用のリチウムイオンセルであって、
前記リチウムイオンセルは活性材料層を有しており、前記活性材料層内には、非水系電解質および粒子状多孔性添加剤と接触して、活性材料粒子が含まれており、前記活性材料層における添加剤の体積割合は、２％〜４０％の範囲にあるリチウムイオンセルにおいて、
添加剤として多孔性炭素粒子が使用され、
前記多孔性炭素粒子の空隙率は５０％〜９５％の範囲にあり、
前記多孔性炭素粒子は、相互に流体連通されている複数のマクロ孔を備えており、前記マクロ孔は、５〜５００ｎｍの範囲の平均壁厚を有する炭素壁によって仕切られている、
リチウムイオンセル。
【請求項２】
前記炭素粒子の空隙率は、７０〜９０％の範囲にある、
請求項１記載のリチウムイオンセル。
【請求項３】
前記炭素壁は、１０〜１００ｎｍの範囲の平均壁厚を有する、
請求項１または２記載のリチウムイオンセル。
【請求項４】
前記多孔性炭素粒子は、０．５〜３．５ｃｍ3／ｇの範囲の全細孔容積を有する、
請求項１から３のいずれか１項記載のリチウムイオンセル。
【請求項５】
前記多孔性炭素粒子は、５０ｎｍ〜５μｍのサイズ範囲の細孔を有しており、前記サイズ範囲の細孔が前記多孔性炭素粒子の全細孔容積に占める割合は、少なくとも７０％である、
請求項１から４のいずれか１項記載のリチウムイオンセル。
【請求項６】
前記多孔性炭素粒子は、５０ｎｍ〜５μｍのサイズ範囲の細孔を有しており、前記サイズ範囲の細孔が前記多孔性炭素粒子の全細孔容積に占める割合は、少なくとも８０％である、
請求項１から４のいずれか１項記載のリチウムイオンセル。
【請求項７】
前記多孔性炭素粒子の少なくとも一部分は、グラファイト化されている、
請求項１から６のいずれか１項記載のリチウムイオンセル。
【請求項８】
前記活性材料層は、７５μｍ以上の厚さを有する、
請求項１から７のいずれか１項記載のリチウムイオンセル。
【請求項９】
前記活性材料層は、プレスされている、
請求項１から８のいずれか１項記載のリチウムイオンセル。
【請求項１０】
前記活性材料粒子は、平均直径ΦＡを有し、前記炭素粒子は、平均直径ΦＫを有し、比ΦＡ／ΦＫは、０．２５〜４の範囲にある、
請求項１から９のいずれか１項記載のリチウムイオンセル。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月10日(2017.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
少なくとも、寸法安定性支持体、光重合層及びレーザーで融除可能なマスク層を含むフレキソ印刷要素からフレキソ印刷フォームを製造する方法であって、前記方法が、少なくとも、
（ｉ）前記レーザーで融除可能なマスク層をＩＲ−レーザーにより画像化し、前記光重合層の上にマスクを得る工程と、
（ｉｉ）大気酸素の存在下で、工程（ｉ）で得られた前記マスクを通過する紫外線を用いて前記光重合層を露光する工程と、
（ｉｉｉ）適切な洗浄溶媒を使用して前記光重合層の未露光部分を除去する工程と、
（ｉｖ）ＵＶＡ光及び／又はＵＶＣ光を用いる露光により、前記重合層を仕上げる工程と、を備え、
前記方法が、工程（ｉｉｉ）及び工程（ｉｖ）の間に又は工程（ｉｖ）の後に、エンボス加工デバイスにより前記光重合層をエンボス加工する追加的な工程（ｖ）を備え、前記エンボス加工デバイスが、テクスチャ付きの表面を含み、前記エンボス加工デバイスのテクスチャ付きの表面を調節可能な圧力で前記光重合層の表面と接触させ、前記エンボス加工デバイスの前記表面が、室温を超える温度であり、前記エンボス加工デバイスがシリンダー型エンボス加工デバイス又はエンボス加工プラテンであることを特徴とする方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
工程（ｉｉ）が、１００ｍＷ／ｃｍ２未満の強度を有する紫外線を用いて行われる請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月19日(2017.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バイポーラトランジスタであって、
半導体表面を有する基板と、
第１のトレンチエンクロージャと、前記第１のトレンチエンクロージャの外側の第２のトレンチエンクロージャとであって、前記第１及び第２のトレンチエンクロージャの両方が、前記半導体表面の頂部側からトレンチ深さまで下向きに延在する誘電体で少なくともライニングされ、前記第１のトレンチエンクロージャが内部の囲まれたエリアを画定する、前記第１及び第２のトレンチエンクロージャと、
前記内部の囲まれたエリア内のベースと、
前記ベースに形成されるエミッタと、
前記ベースの下を含む、前記トレンチ深さより下の埋め込み層と、
シンカー拡散と、
を含み、
前記シンカー拡散が、前記第１及び第２のトレンチエンクロージャ間の第１の部分であって、前記半導体表面の前記頂部側から前記埋め込み層まで延在する前記第１の部分と、前記内部の囲まれたエリア内の第２の部分であって、前記半導体表面の前記頂部側まで延在しない、前記第２の部分とを含む、バイポーラトランジスタ。
【請求項２】
請求項１に記載のバイポーラトランジスタであって、
前記トランジスタがＮＰＮトランジスタである、バイポーラトランジスタ。
【請求項３】
請求項１に記載のバイポーラトランジスタであって、
第２のトレンチエンクロージャの外側の第３のトレンチエンクロージャを更に含む、バイポーラトランジスタ。
【請求項４】
請求項１に記載のバイポーラトランジスタであって、
前記半導体表面がシリコンを含む、バイポーラトランジスタ。
【請求項５】
請求項１に記載のバイポーラトランジスタであって、
前記シンカー拡散がリンを含む、バイポーラトランジスタ。
【請求項６】
請求項１に記載のバイポーラトランジスタであって、
前記半導体表面がシリコン／ゲルマニウムを含み、前記基板がシリコンを含む、バイポーラトランジスタ。
【請求項７】
集積回路（ＩＣ）であって、
半導体表面を有する基板と、
少なくとも第１の端子と接地端子とを含む複数の端子を有する機能性を実現して実施するように構成される前記半導体表面を用いて形成される機能回路要素と、
前記半導体表面に形成される前記ＩＣのための静電放電（ＥＳＤ）保護デバイスとして構成される少なくとも１つのバイポーラトランジスタであって、前記バイポーラトランジスタが、
第１のトレンチエンクロージャと、前記第１のトレンチエンクロージャの外側の第２のトレンチエンクロージャとであって、前記第１及び第２のトレンチエンクロージャの両方が、前記半導体表面の頂部側からトレンチ深さまで下向きに延在する誘電体で少なくともライニングされ、前記第１のトレンチエンクロージャが内部の囲まれたエリアを画定する、前記第１及び第２のトレンチエンクロージャと、
前記内部の囲まれたエリア内のベースと、
前記ベースに形成されるエミッタと、
前記ベースの下を含む、前記トレンチ深さより下の埋め込み層と、
シンカー拡散と、
を含む、前記少なくとも１つのバイポーラトンラジスタと、
を含み、
前記シンカー拡散が、前記第１及び第２のトレンチエンクロージャ間の第１の部分であって、前記半導体表面の前記頂部側から前記埋め込み層まで延在する前記第１の部分と、前記内部の囲まれたエリア内の第２の部分であって、前記半導体表面の前記頂部側まで延在しない、前記第２の部分とを含む、ＩＣ。
【請求項８】
請求項７に記載のＩＣであって、
前記トランジスタがＮＰＮトランジスタである、ＩＣ。
【請求項９】
請求項７に記載のＩＣであって、
第２のトレンチエンクロージャの外側の第３のトレンチエンクロージャを更に含む、ＩＣ。
【請求項１０】
請求項７に記載のＩＣであって、
前記半導体表面がシリコンを含む、ＩＣ。
【請求項１１】
請求項７に記載のＩＣであって、
前記シンカー拡散がリンを含む、ＩＣ。
【請求項１２】
請求項７に記載のＩＣであって、
前記半導体表面がシリコン／ゲルマニウムを含み、前記基板がシリコンを含む、ＩＣ。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成29年5月9日(2017.5.9)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の段階：
ａ）  ドナー基板（１０）およびサポート基板（３０）を提供する段階であって、前記ドナー基板は第１表面（２０）を含む段階と；
ｂ）  ドナー基板（１０）中に脆化領域（４０）を形成する段階であって、脆化領域（４０）は、ドナー基板（１０）の第１表面（２０）とともに、機能層（５０）を画定する段階と；
ｃ）  サポート基板（３０）とドナー基板（１０）とを組み合わせる段階と；
ｄ）  脆化領域（４０）に沿ってドナー基板（１０）を断裂し、サポート基板（３０）上に機能層（５０）を転写する段階と；
ｅ）  機能層（５０）を薄層化して、薄層化機能層（５１）を得る段階であって、薄層化は、機能層（５０）の不均一な厚さを消耗させる段階と
を含み、
段階ｂ）は、脆化領域の広がり全体にわたって不均一である量の注入工程を含み、段階ｄ）終了時にサポート基板（２０）上に転写される機能層（５０）が厚さプロファイルを示し、
前記厚さプロファイルは、段階ｅ）中の機能層（５０）の消耗における不均一性を少なくとも部分的に補償するのに適当であり、
薄層化機能層（５１）は、全段階の終了時に実質的に均一な厚さを有する
ことを特徴とする複合構造物の製造方法。
【請求項２】
薄層化段階ｅ）は、機能層（５０）を酸化して酸化物の層（５２）を形成する段階であって、酸化物の層（５２）の厚さは不均一である段階と、引き続いて前記酸化物の層（５２）を除去する段階とを含むことを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
段階ｂ）は、ＨまたはＨｅの２つの化学種の少なくとも一方の注入により実施されることを特徴とする請求項２に記載の製造方法。
【請求項４】
注入される化学種の全量は、脆化領域（４０）の範囲全体にわたって不均一であり、注入される化学種の量の不均一性は、段階ｄ）終了時の機能層（５０）の厚さプロファイルを生じさせるのに適当であることを特徴とする請求項３に記載の製造方法。
【請求項５】
工程ｂ）を、水素イオンおよびヘリウムイオンの注入により実施し、注入される水素イオンの量は、脆化領域（４０）の範囲全体にわたって均一であり、注入されるヘリウムイオンの量は、脆化領域（４０）の範囲にわたって不均一であることを特徴とする請求項４に記載の製造方法。
【請求項６】
段階ｅ）で形成される酸化物の層（５２）は、その中央部においてより大きな厚さを示し、酸化物の層（５２）の円環状周縁に向かって進むにつれてより小さい厚さを示し、注入される化学種の量は、前記脆化領域の中央部においてより多く、前記脆化領域の円環状周縁に向かって進むにつれて低下することを特徴とする請求項４または５に記載の製造方法。
【請求項７】
段階ｅ）で形成される酸化物の層（５２）は、その中央部においてより小さい厚さを示し、酸化物の層（５２）の円環状周縁に向かって進むにつれてより大きな厚さを示し、注入される化学種の量は、前記脆化領域の中央部においてより少なく、前記脆化領域の円環状周縁に向かって進むにつれてより多くなることを特徴とする請求項４または５に記載の製造方法。
【請求項８】
段階ｂ）は
−  第１注入エネルギーによる、化学種の第１の注入であって、化学種の第１の注入の量は、脆化領域の広がりにわたって不均一である、化学種の第１の注入と、
−  第１注入エネルギーより低い第２注入エネルギーによる、化学種の第２の注入であって、化学種の第２の注入の量は、脆化領域の広がりにわたって不均一である、化学種の第２の注入と
の２つの段階において実施され、
第２注入エネルギーは、第１注入エネルギーの９０％より大きく、
化学種の第１の注入の量および化学種の第２の注入の量は、脆化領域の範囲全体にわたって相補的であり、
化学種の第１の注入の量の不均一性および化学種の第２の注入の量の不均一性は、断裂段階ｄ）終了時の機能層（５０）の厚さプロファイルを生じさせるのに適当である
ることを特徴とする請求項３に記載の製造方法。
【請求項９】
第１の注入および第２の注入中に注入される化学種は、水素イオンを含むことを特徴とする請求項８に記載の製造方法。
【請求項１０】
段階ｂ）の前に、前記ドナー基板の前記第１表面上に誘電体層（５３）を形成することを特徴とする請求項１から９のいずれかに記載の製造方法。
【請求項１１】
前記誘電体層（５３）は、酸化ケイ素または窒化ケイ素の少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項１０に記載の製造方法。
【請求項１２】
前記ドナー基板（１０）は、ケイ素、ゲルマニウム、またはケイ素／ゲルマニウム合金の少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１から１１のいずれかに記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年4月25日(2017.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光デバイスであり、
実質的に透明な成長基板と、
前記基板上に配設された発光ダイオード（ＬＥＤ）層であり、該ＬＥＤ層は、ｐ型層及びｎ型層を含み、前記ｎ型層は、前記ｐ型層と前記成長基板との間にあり、該ＬＥＤ層は、前記ｎ型層をｎメタルコンタクトへの電気接続のために露出させるようにエッチングされており、該エッチングはまた、当該デバイスを取り囲むトレンチを作り出している、ＬＥＤ層と、
前記ｐ型層と電気的に接触してｐメタルコンタクトを形成している金属コンタクト層と、
前記ｐ型層と接触した前記金属コンタクト層を覆って形成された第１の誘電体層であり、該第１の誘電体層は、前記ｎ型層を露出させる第１の開口を有し、該第１の誘電体層は、前記ｐ型層と接触した前記金属コンタクト層を露出させる第２の開口を有する、第１の誘電体層と、
前記ｐ型層への電気接続のために前記金属コンタクト層と接触した第１の金属層と、
前記ｎ型層への電気接続のために、前記第１の誘電体層内の前記第１の開口を通じて前記ｎ型層と接触した第２の金属層であり、前記第１の金属層及び該第２の金属層は平面状でない、第２の金属層と、
前記第１の金属層、前記第２の金属層、前記第１の誘電体層、及び前記ｐメタルコンタクトを覆って配設された誘電体ポリマー応力緩和層であり、該応力緩和層は、実質的に平面状の表面を形成し、該応力緩和層は、前記第１の金属層及び前記第２の金属層の一部を露出させる２つ以上の開口を有し、該応力緩和層は、前記トレンチを少なくとも部分的に充填している、応力緩和層と、
前記応力緩和層の上に配設された金属はんだパッドであり、該金属はんだパッドは、前記応力緩和層内の前記開口を通じて前記第１の金属層及び前記第２の金属層に電気的に接続され、該金属はんだパッドは、前記第１の金属層及び前記第２の金属層よりも厚い、金属はんだパッドと、
を有するデバイス。
【請求項２】
前記応力緩和層は、弾力性を持ち、熱が与えられて前記金属はんだパッドがその下に位置する材料とは異なる率で膨張するときに変形する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記応力緩和層はベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）を有する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項４】
前記成長基板は、前記ＬＥＤ層が上にエピタキシャル成長された成長面を持ち、前記成長面は、前記ＬＥＤ層を成長させるのに先立ってパターン加工されている、請求項１に記載のデバイス。
【請求項５】
前記応力緩和層と前記ｐメタルコンタクト及び前記ｎメタルコンタクトとの間のパッシベーション層、を更に有する請求項１に記載のデバイス。
【請求項６】
当該デバイスはフリップチップＬＥＤである、請求項１に記載のデバイス。
【請求項７】
前記はんだパッド上のはんだバンプ、を更に有する請求項１に記載のデバイス。
【請求項８】
前記基板はサファイアを有し、前記ＬＥＤはＧａＮ系である、請求項１に記載のデバイス。
【請求項９】
前記１つ以上の金属コンタクト層は、前記ｐ型層及び前記ｎ型層のうちの一方と物理的に接触した金属コンタクト層と、該コンタクト層と前記はんだパッドとの間のインタフェース層とを有する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１０】
前記はんだパッドは複数の金属層を有する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１１】
発光デバイスを製造する方法であって、
実質的に透明な成長基板の上に発光ダイオード（ＬＥＤ）層をエピタキシャル成長させ、前記ＬＥＤ層はｐ型層及びｎ型層を含み、前記ｎ型層は、前記ｐ型層と前記成長基板との間にあり、
前記ｎ型層をｎメタルコンタクトへの電気接続のために露出させるように、前記ＬＥＤ層をエッチングし、該エッチングはまた、前記デバイスを取り囲むトレンチを作り出し、
前記ｐ型層と電気的に接触する金属コンタクト層を堆積及びパターニングして、ｐメタルコンタクトを形成し、
前記ｐ型層と接触した前記金属コンタクト層を覆って第１の誘電体層を形成し、前記第１の誘電体層は、前記ｎ型層を露出させる第１の開口を有し、前記第１の誘電体層は、前記ｐ型層と接触した前記金属コンタクト層を露出させる第２の開口を有し、
前記ｐ型層への電気接続のために前記金属コンタクト層と接触する第１の金属層を形成し、
前記ｎ型層への電気接続のために、前記第１の誘電体層内の前記第１の開口を通じて前記ｎ型層と接触する第２の金属層を形成し、前記第１の金属層及び前記第２の金属層は平面状でなく、
前記第１の金属層、前記第２の金属層、前記第１の誘電体層、及び前記ｐメタルコンタクトを覆って誘電体ポリマー応力緩和層を堆積し、前記応力緩和層は、実質的に平面状の表面を形成し、前記応力緩和層は、前記第１の金属層及び前記第２の金属層の一部を露出させる２つ以上の開口を有し、前記応力緩和層は、前記トレンチを少なくとも部分的に充填し、且つ
前記応力緩和層の上に金属はんだパッドを形成し、前記金属はんだパッドは、前記応力緩和層内の前記開口を通じて前記第１の金属層及び前記第２の金属層に電気的に接触し、前記金属はんだパッドは、前記第１の金属層及び前記第２の金属層よりも厚い、
ことを有する方法。
【請求項１２】
前記応力緩和層は、熱が与えられて前記金属はんだパッドがその下に位置する材料とは異なる率で膨張するときに変形するよう、弾力性を持つ、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記応力緩和層はベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）を有する、請求項１１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月9日(2017.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チョクラルスキ法で成長したインゴットからスライスされたｐ型単結晶シリコンウエハであって、ｐ型単結晶シリコンウエハは約１０ミリオーム・ｃｍより少ないウエハ抵抗率を有し、ｐ型単結晶シリコンウエハはチョクラルスキ法で成長したインゴットからスライスされ、表面、裏面、表面と裏面との間の中心平面、表面と裏面とを接続する周縁エッジ、中心平面と直交する中心軸、および中心平面と表面との間のウエハの領域を含むバルク層を含み、ｐ型単結晶シリコンウエハは中心軸から周縁エッジまで空孔が支配的であり、このｐ型単結晶シリコンウエハは、
少なくとも約１×１０１９原子毎立方センチメータの平均ホウ素濃度のホウ素ドーパント、
少なくとも約３×１０１８原子毎立方センチメータの平均砒素濃度の砒素、および、
中心軸から周縁エッジまで少なくとも約５×１０８析出物／ｃｍ３の平均濃度の酸素析出物であって、単結晶シリコンウエハは酸素析出物の濃度が約５×１０８析出物／ｃｍ３より少ない環状領域を含まない酸素析出物、を含むｐ型単結晶シリコンウエハ。
【請求項２】
チョクラルスキ法で成長したインゴットからスライスされたｐ型単結晶シリコンウエハであって、ｐ型単結晶シリコンウエハは約１０ミリオーム・ｃｍより少ないウエハ抵抗率を有し、ｐ型単結晶シリコンウエハはチョクラルスキ法で成長したインゴットからスライスされ、表面、裏面、表面と裏面との間の中心平面、表面と裏面とを接続する周縁エッジ、中心平面と直交する中心軸、および中心平面と表面との間のウエハの領域を含むバルク層を含み、ｐ型単結晶シリコンウエハは中心軸から周縁エッジまで空孔が支配的であり、このｐ型単結晶シリコンウエハは、
少なくとも約１×１０１９原子毎立方センチメータの平均ホウ素濃度のホウ素ドーパント、
少なくとも約５×１０１７原子毎立方センチメータの平均アンチモン濃度のアンチモン、および
中心軸から周縁エッジまで少なくとも約５×１０８析出物／ｃｍ３の平均濃度の酸素析出物であって、単結晶シリコンウエハは酸素析出物の濃度が約５×１０８析出物／ｃｍ３より少ない環状領域を含まない酸素析出物、を含むｐ型単結晶シリコンウエハ。
【請求項３】
チョクラルスキ法で成長したインゴットからスライスされたｐ型単結晶シリコンウエハであって、ｐ型単結晶シリコンウエハは約１０ミリオーム・ｃｍより少ないウエハ抵抗率を有し、ｐ型単結晶シリコンウエハはチョクラルスキ法で成長したインゴットからスライスされ、表面、裏面、表面と裏面との間の中心平面、表面と裏面とを接続する周縁エッジ、中心平面と直交する中心軸、および中心平面と表面との間のウエハの領域を含むバルク層を含み、このｐ型単結晶シリコンウエハは、
少なくとも約１×１０１９原子毎立方センチメータの平均ホウ素濃度のホウ素ドーパント、
少なくとも約３×１０１８原子毎立方センチメータの平均砒素濃度の砒素、少なくとも約５×１０１７原子毎立方センチメータの平均アンチモン濃度のアンチモン、およびそれらの組み合わせからなるグループから選択される第２ドーパントであって、第２ドーパントの濃度はホウ素ドーパントの濃度より少ない第２ドーパント、および、
中心軸から周縁エッジまで少なくとも約５×１０８析出物／ｃｍ３の平均濃度の酸素析出物であって、単結晶シリコンウエハは、酸素析出物の濃度が約５×１０８析出物／ｃｍ３より少ない環状領域を含まない酸素析出物、を含むｐ型単結晶シリコンウエハ。
【請求項４】
少なくとも約３×１０１８原子毎立方センチメータの平均砒素濃度の砒素、および少なくとも約５×１０１７原子毎立方センチメータの平均アンチモン濃度のアンチモンを含む請求項３に記載のｐ型単結晶シリコンウエハ。
【請求項５】
少なくとも約３×１０１８原子毎立方センチメータの平均砒素濃度の砒素を含む請求項３に記載のｐ型単結晶シリコンウエハ。
【請求項６】
少なくとも約５×１０１７原子毎立方センチメータの平均アンチモン濃度のアンチモンを含む請求項３に記載のｐ型単結晶シリコンウエハ。
【請求項７】
約５ミリオーム・ｃｍより少ないウエハ抵抗率を有する請求項３に記載のｐ型単結晶シリコンウエハ。
【請求項８】
少なくとも約１×１０１０析出物／ｃｍ３の平均濃度の酸素析出物を含む請求項３に記載のｐ型単結晶シリコンウエハ。
【請求項９】
第２ドーパントの濃度は、約１×１０１９原子毎立方センチメータより少ない請求項３に記載のｐ型単結晶シリコンウエハ。
【請求項１０】
第２ドーパントの濃度は、５×１０１８原子毎立方センチメータより少ない請求項３に記載のｐ型単結晶シリコンウエハ。
【請求項１１】
約４．５×１０１７原子／ｃｍ３から約５．５×１０１７原子／ｃｍ３までの酸素濃度を含む請求項３に記載のｐ型単結晶シリコンウエハ。
【請求項１２】
約４．５×１０１７原子／ｃｍ３より少ない酸素濃度を含む請求項３に記載のｐ型単結晶シリコンウエハ。
【請求項１３】
約５．５×１０１７原子／ｃｍ３から約８×１０１７原子／ｃｍ３までの酸素濃度を含む請求項３に記載のｐ型単結晶シリコンウエハ。
【請求項１４】
約６×１０１７原子／ｃｍ３から約９×１０１７原子／ｃｍ３までの酸素濃度を含む請求項３に記載のｐ型単結晶シリコンウエハ。
【請求項１５】
約７．５×１０１７原子／ｃｍ３から約８．５×１０１７原子／ｃｍ３までの酸素濃度を含む請求項３に記載のｐ型単結晶シリコンウエハ。
【請求項１６】
少なくとも約１×１０９析出物／ｃｍ３の平均濃度で酸素析出物を含む請求項３に記載のｐ型単結晶シリコンウエハ。
【請求項１７】
酸素析出物の濃度が約１×１０９析出物／ｃｍ３より少ない環状領域を含まない請求項１６に記載のｐ型単結晶シリコンウエハ。
【請求項１８】
少なくとも約５×１０９析出物／ｃｍ３の平均濃度で酸素析出物を含む請求項３に記載のｐ型単結晶シリコンウエハ。
【請求項１９】
酸素析出物の濃度が約５×１０９析出物／ｃｍ３より少ない環状領域を含まない請求項１８に記載のｐ型単結晶シリコンウエハ。
【請求項２０】
酸素析出物の濃度が約１×１０１０析出物／ｃｍ３より少ない環状領域を含まない請求項１９に記載のｐ型単結晶シリコンウエハ。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月17日(2017.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
顔の第１の画像および第２の画像を取得することと、
前記第１の画像および前記第２の画像からファンダメンタル行列を決定することと、
前記ファンダメンタル行列から、前記第１の画像に対応する第１のホモグラフィ行列および前記第２の画像に対応する第２のホモグラフィ行列を分解することと、
前記第１の行列および前記第２の行列を、それぞれ前記第１の画像および前記第２の画像に適用することによって、ピクセルが垂直方向に整合し、水平方向に異なるように、前記２つの画像を矯正することと、
前記矯正された画像から深度マップを決定することと、
反転された第１の行列を取得するために前記第１の行列を反転することと、
逆深度マップを計算するために前記反転された第１の行列を前記深度マップに適用することと、
前記画像矯正によって引き起こされた前記深度マップ中のひずみを補正するために前記逆深度マップを正規化することと、
前記正規化された逆深度マップと前記２つの画像のうちの１つとに基づいて３次元顔モデルを生成することと
を備える、３次元顔生成のための方法。
【請求項２】
前記２つの画像が、人間の顔に対する異なるパースペクティブである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記逆深度マップを正規化することが、前記逆深度マップ中のピクセルのサブセットを正規化することを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記逆深度マップを正規化することが、前記逆深度マップを回転すること、チルトすること、およびスケーリングすることのうちの１つを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記逆深度マップをチルトすることが、
前記逆深度マップのサブセット選択中のピクセルの各列のための深度導関数を決定することと、
前記サブセット選択について、すべての前記深度導関数の平均値を決定することと、
前記平均値をしきい値と比較することと、
前記比較に基づいて前記逆深度マップをチルトすることと
を備える、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記サブセット選択が矩形領域を備える、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記サブセット選択が第１のエリアと第２のエリアとを備え、ここにおいて、比較することが、前記第１のエリアの前記平均値と前記第２のエリアの前記平均値との間の差をしきい値と比較することを備える、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記逆深度マップを回転することが、
前記逆深度マップ中の対称特徴を検出することと、ここにおいて、前記対称特徴が左特徴と右特徴とを備える、
前記左特徴と前記右特徴とが水平方向に平らになるように前記逆深度マップを比例的に調整することと
を備える、請求項４に記載の方法。
【請求項９】
前記逆深度マップをスケーリングすることが、
前記逆深度マップ中の対称特徴を検出することと、ここにおいて、前記対称特徴が左特徴と右特徴とを備える、
前記左特徴と前記右特徴とが比例的に一様で、同じ深度レベルになるように、前記逆深度マップを調整することとを備える、請求項４に記載の方法。
【請求項１０】
顔の第１の画像および第２の画像を取得するための手段と、
前記第１の画像および前記第２の画像からファンダメンタル行列を決定するための手段と、
前記ファンダメンタル行列から、前記第１の画像に対応する第１のホモグラフィ行列および前記第２の画像に対応する第２のホモグラフィ行列を分解するための手段と、
前記第１の行列および前記第２の行列を、それぞれ前記第１の画像および前記第２の画像に適用することによって、ピクセルが垂直方向に整合し、水平方向に異なるように、前記２つの画像を矯正するための手段と、
前記矯正された画像から深度マップを決定するための手段と、
反転された第１の行列を取得するために第１の行列を反転するための手段と、
逆深度マップを計算するために前記反転された第１の行列を前記深度マップに適用するための手段と、
画像矯正によって引き起こされた前記深度マップ中のひずみを補正するために前記逆深度マップを正規化するための手段と、
前記正規化された逆深度マップと前記２つの画像のうちの１つとに基づいて３次元顔モデルを生成するための手段と
を備える、３次元顔生成のための装置。
【請求項１１】
命令をその上に有する非一時的コンピュータ可読媒体を備える、３次元顔生成のためのコンピュータプログラム製品であって、前記命令は、電子デバイスに、請求項１から９のいずれか一項に記載の方法を実行させるためのコードを備える、コンピュータプログラム製品。
【手続補正書】
【提出日】平成29年4月21日(2017.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリコントローラ内のメモリリフレッシュ方法であって、
第1のメモリアドレスに対応する第1の保持状態と、第2のメモリアドレスに対応する第2の保持状態とを検査するステップと、
前記第2の保持状態が弱保持状態を示すとき、前記第2のメモリアドレスに対応する行に対してリフレッシュ動作を実行するステップと、
前記第2のメモリアドレスに対応する前記行に対して前記リフレッシュ動作を実行するステップの後に、前に、又は同時に、前記第1のメモリアドレスに対応する行に対してリフレッシュ動作を実行するステップと
を含み、前記第1のメモリアドレスが、リフレッシュカウンタアドレスに対応し、前記第2のメモリアドレスが、反転最上位ビットをもつ前記リフレッシュカウンタアドレスに対応する、メモリリフレッシュ方法。
【請求項２】
前記第1の保持状態を検査するステップが、ワンタイムプログラマブルメモリから前記第1のメモリアドレスの前記第1の保持状態と前記第2のメモリアドレスの前記第2の保持状態とを読み取るステップを含む、請求項1に記載のメモリリフレッシュ方法。
【請求項３】
前記ワンタイムプログラマブルメモリが、各メモリアドレスとそれぞれの各メモリアドレスに対応する保持状態とを含む、請求項2に記載のメモリリフレッシュ方法。
【請求項４】
前記ワンタイムプログラマブルメモリが、前記弱保持状態を有する各メモリアドレスを含む、請求項2に記載のメモリリフレッシュ方法。
【請求項５】
前記第1の保持状態を検査するステップが、弱行表から前記第1のメモリアドレスをもつヒットが検出されたのか、または前記第2のメモリアドレスをもつヒットが検出されたのかを決定するステップを含む、請求項1に記載のメモリリフレッシュ方法。
【請求項６】
前記第2のメモリアドレスに対応する第2の複数の内部行からの内部弱行に対して前記リフレッシュ動作を実行するステップと同時に、前記第1のメモリアドレスに対応する第1の複数の内部行に対して前記リフレッシュ動作を実行するステップをさらに含み、前記内部弱行が、前記第2の保持状態によって識別される、請求項1に記載のメモリリフレッシュ方法。
【請求項７】
前記第1のメモリアドレスが、前記リフレッシュカウンタアドレスに対応し、前記第2のメモリアドレスが、相補最上位ビットをもつ前記リフレッシュカウンタアドレスに対応する、請求項1に記載のメモリリフレッシュ方法。
【請求項８】
前記メモリリフレッシュ方法が、行アドレスストア(RAS)リフレッシュサイクル中に実行される、請求項1に記載のメモリリフレッシュ方法。
【請求項９】
前記メモリコントローラが、携帯電話、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、コンピュータ、ハンドヘルドパーソナル通信システム(PCS)ユニット、ポータブルデータユニットおよび/または固定ロケーションデータユニット中に組み込まれる、請求項1に記載のメモリリフレッシュ方法。
【請求項１０】
ダイナミックメモリと、
前記ダイナミックメモリに結合されたリフレッシュ制御ブロックとを含むメモリコントローラであって、前記リフレッシュ制御ブロックが、リフレッシュカウンタと、保持状態表と、制御論理手段とを含み、前記制御論理手段が、
前記保持状態表からの第1のメモリアドレスに対応する第1の保持状態と、前記保持状態表からの第2のメモリアドレスに対応する第2の保持状態とを検査することと、
前記第2の保持状態が弱保持状態を示すとき、リフレッシュ動作を挿入することと、
前記第2のメモリアドレスに対応する行に対する前記リフレッシュ動作の後に、前に、又は同時に、前記第1のメモリアドレスに対応する行に対してリフレッシュ動作を実行することと
を行うように動作可能であり、前記第1のメモリアドレスが、リフレッシュカウンタアドレスに対応し、前記第2のメモリアドレスが、反転最上位ビットをもつ前記リフレッシュカウンタアドレスに対応する、メモリコントローラ。
【請求項１１】
前記保持状態表が、各メモリアドレスとそれぞれの各メモリアドレスに対応する保持状態とを含むワンタイムプログラマブルメモリを含む、請求項10に記載のメモリコントローラ。
【請求項１２】
前記保持状態表が、前記弱保持状態を有する各メモリアドレスを含むワンタイムプログラマブルメモリを含む、請求項10に記載のメモリコントローラ。
【請求項１３】
前記制御論理手段が、前記第2のメモリアドレスに対応する第2の複数の内部行からの内部弱行に対して前記リフレッシュ動作を実行することと同時に、前記第1のメモリアドレスに対応する第1の複数の内部行に対して前記リフレッシュ動作を実行するようにさらに動作可能であり、前記内部弱行が、前記第2の保持状態によって識別される、請求項10に記載のメモリコントローラ。
【請求項１４】
前記第1のメモリアドレスが、前記リフレッシュカウンタアドレスに対応し、前記第2のメモリアドレスが、相補最上位ビットをもつ前記リフレッシュカウンタアドレスに対応する、請求項10に記載のメモリコントローラ。
【請求項１５】
前記メモリコントローラが、携帯電話、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、コンピュータ、ハンドヘルドパーソナル通信システム(PCS)ユニット、ポータブルデータユニットおよび/または固定ロケーションデータユニット中に組み込まれる、請求項10に記載のメモリコントローラ。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月1日(2017.5.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)をリフレッシュする方法であって、
外部コマンドに従って、前記DRAMの第1のDRAMバンクの第1の行において前記DRAMのページをオープンするステップと、
前記外部コマンドとリフレッシュ動作との間でサブアレイレベル競合が検出されるかどうかを判断するために前記DRAMのサブアレイ構成を読み取るステップであって、前記第1のDRAMバンクの前記第1の行が前記第1のDRAMバンクの第1のサブアレイにある、ステップと、
前記サブアレイレベル競合が検出されなかったときに、前記リフレッシュ動作に従って、前記第1のDRAMバンクの前記第1の行をクローズする前に前記第1のDRAMバンクの第2の行をリフレッシュするステップであって、前記第1のDRAMバンクの前記第2の行が前記第1のDRAMバンクの第2のサブアレイにある、ステップと
を含む方法。
【請求項２】
前記サブアレイレベル競合が検出されたときのみ、前記第1のDRAMバンクの第3の行をリフレッシュする前に前記第1のDRAMバンクのすべての行をクローズするステップであって、前記第1のDRAMバンクの前記第3の行が前記第1のDRAMバンクの前記第1のサブアレイにある、ステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
DRAMバンクのセット中の前記第3の行をリフレッシュするステップであって、DRAMバンクの前記セットが前記第1のDRAMバンクを含む、ステップをさらに含む、請求項2に記載の方法。
【請求項４】
ローカルリフレッシュカウンタをリセットするステップと、
前記ローカルリフレッシュカウンタに基づいて、リフレッシュ期間が満了したかどうかを判断するステップと、
前記リフレッシュ期間が満了したと判断したことに応答して、オープンされた行が前記ローカルリフレッシュカウンタと競合するかどうかを判断するステップと
をさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項５】
前記オープンされた行が前記ローカルリフレッシュカウンタと競合すると判断したことに応答して、プリチャージコマンドを、前記オープンされた行を含むバンクに送るステップと、
前記プリチャージコマンドを送った後にリフレッシュコマンドを送るステップと
をさらに含む、請求項4に記載の方法。
【請求項６】
前記オープンされた行が前記ローカルリフレッシュカウンタと競合しないと判断したことに応答して、前記プリチャージコマンドを、前記オープンされた行を含む前記バンクに送ることなく、リフレッシュコマンドを送るステップをさらに含む、請求項5に記載の方法。
【請求項７】
前記DRAMを携帯電話、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、コンピュータ、ハンドヘルドパーソナル通信システム(PCS)ユニット、ポータブルデータユニット、および/または固定ロケーションデータユニットに組み込むステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項８】
ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)システムであって、
メモリチップであって、
メモリセルの複数のサブアレイであって、各々が割り振られたセンス増幅器を有するサブアレイと、
前記メモリチップのサブアレイ構成を記憶するように構成されたモードレジスタと、
グローバル行アドレスラッチと、
リフレッシュカウンタと、
前記グローバル行アドレスラッチおよび前記リフレッシュカウンタに結合されたサブアレイセレクタと、
前記サブアレイセレクタに結合されたローカル行アドレスラッチと
を備えるメモリチップと、
前記メモリチップに結合されたメモリコントローラであって、前記メモリチップの前記サブアレイ構成を読み取り、外部コマンドとリフレッシュ動作との間のサブアレイレベル競合を検出し、前記リフレッシュ動作の間に少なくとも1つの競合しないページをオープンにしておくように構成されたメモリコントローラと
を備えるシステム。
【請求項９】
前記メモリコントローラが、前記サブアレイレベル競合を検出するように構成された複製のリフレッシュカウンタを含む、請求項8に記載のシステム。
【請求項１０】
前記メモリコントローラが、前記外部コマンドが進行中のリフレッシュ動作と競合するときに、前記外部コマンドを遅延させるように構成される、請求項8に記載のシステム。
【請求項１１】
前記メモリコントローラが、リフレッシュコマンドが進行中の外部コマンドと競合するときに、前記リフレッシュコマンドを遅延させるように構成される、請求項8に記載のシステム。
【請求項１２】
前記グローバル行アドレスラッチが、DRAMバンクの第1の行にアクセスするために第1の行アドレスを前記サブアレイセレクタに与えるように構成され、前記リフレッシュカウンタが、前記DRAMバンクの第2の行をリフレッシュするために第2の行アドレスを前記サブアレイセレクタに与えるように構成される、請求項8に記載のシステム。
【請求項１３】
前記サブアレイセレクタが、前記第1の行アドレスに基づいて、前記DRAMバンクの前記第1の行にアクセスするために第1のワード線をオンにし、前記第2の行アドレスに少なくとも部分的に基づいて、前記DRAMバンクの前記第2の行をリフレッシュするために第2のワード線をオンにするように構成される、請求項12に記載のシステム。
【請求項１４】
前記サブアレイセレクタに結合されたマルチプレクサ回路であって、前記第1のワード線および前記第2のワード線が前記DRAMバンクの異なるサブアレイにあるときのみ、前記サブアレイセレクタが前記第1のワード線および前記第2のワード線を同時にオンにすることを可能にするように構成されたマルチプレクサ回路をさらに備える、請求項13に記載のシステム。
【請求項１５】
携帯電話、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、コンピュータ、ハンドヘルドパーソナル通信システム(PCS)ユニット、ポータブルデータユニット、および/または固定ロケーションデータユニットに組み込まれる、請求項8に記載のシステム。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成29年11月9日(2017.11.9)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
製造方法においては、前記錯化剤は５規定（Ｎ）濃度のアンモニア水が用いられ、前記水溶液のｐＨが１０〜１１の溶液になるよう前記錯化剤を混合する。例えば、前記出発物質と錯化剤を混合するステップは、前記出発物質を４ｍｌ／ｍｉｎの速度で滴定し、同時に前記錯化剤を４ｍｌ／ｍｉｎの速度で滴定してもよい。そして、前記沈殿物を形成するステップにおいて、ｐＨ調節のためにＮａＯＨ溶液を添加して、前記ＮａＯＨ溶液は１モル濃度で形成され、共沈反応が進行するにつれ、共沈反応器のｐＨ変化によって自動的に滴定されてもよい。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２６】
共沈反応器において、約５００ｍｌの蒸留水と準備されたＮａＯＨでｐＨを１１レベルに調節し、共沈反応器のインペラ速度を約１０００ｒｐｍに設定する。共沈反応が始まると、出発物質は約４ｍｌ／ｍｉｎの速度で滴定し、同時に錯化剤として準備されたアンモニア水を同一の４ｍｌ／ｍｉｎの速度で滴定する。また、共沈反応が進行するにつれ、反応器のｐＨ調節のために上述の準備されたＮａＯＨ１モル溶液を共沈反応器のｐＨ変化によって自動的に滴定されるよう設置する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１２】
前記錯化剤を混合するステップは、出発物質を４ｍｌ／ｍｉｎの速度で滴定し、同時に前記錯化剤を４ｍｌ／ｍｉｎの速度で滴定する請求項１１に記載のリチウム二次電池用固体電解質の製造方法。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１３】
前記沈殿物を形成するステップにおいて、ｐＨ調節のために水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）溶液を添加して、前記ＮａＯＨ溶液は１モル濃度で形成され、共沈反応が進行するにつれ、共沈反応器のｐＨ変化によって自動的に滴定される請求項１１に記載のリチウム二次電池用固体電解質の製造方法。