Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月25日(2016.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ドレイン端子と、ソース端子と、ゲート端子とを有する縦型電界効果装置を作製する方法であって、
前記ドレイン端子、前記ソース端子、および前記ゲート端子に接続された第１の電界効果装置を提供する工程と、
並列有効化ヒューズのセットにより前記ソース端子に接続され、直列絶縁ヒューズのセットにより前記ゲート端子に接続された第２の電界効果装置のセットを提供する工程と、
装置パラメータ測定値を測定する工程と、
前記装置パラメータ測定値を目標値と比較する工程と、
前記装置パラメータ測定値が前記目標値を満たす場合、前記並列有効化ヒューズのセットのうち１並列有効化ヒューズを溶断する工程と
を有する方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法において、前記溶断する工程は、さらに、前記並列有効化ヒューズのセットのうち複数の並列有効化ヒューズを溶断する工程を有するものである方法。
【請求項３】
請求項１記載の方法において、さらに、
前記装置パラメータ測定値が前記目標値を満たさない場合、前記直列絶縁ヒューズのセットのうち１直列絶縁ヒューズを溶断する工程を有するものである方法。
【請求項４】
請求項１記載の方法において、前記測定する工程は、さらに、しきい値電圧を測定する工程を有するものである方法。
【請求項５】
請求項１記載の方法において、前記測定する工程は、さらに、オン抵抗電圧を測定する工程を有するものである方法。
【請求項６】
請求項１記載の方法において、前記第２の電界効果装置のセットを提供する工程は、さらに、前記並列有効化ヒューズのセットに接続された抵抗のセットを提供する工程を有するものである方法。
【請求項７】
請求項１記載の方法において、前記ゲート端子は、さらに、トリム可能な並列抵抗ネットワークに接続され、さらに、
前記並列抵抗ネットワークの並列抵抗ヒューズを溶断する工程を有するものである方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
費用効果の高い製造工程においてパラメータ分布を厳密化するため、長年にわたり種々の技術が使用されてきているが、完全に条件を満たすものはない。
この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、以下のものがある（国際出願日以降国際段階で引用された文献及び他国に国内移行した際に引用された文献を含む）。
（先行技術文献）
（特許文献）
（特許文献１）  米国特許第７，９６０，９９７号明細書
（特許文献２）  米国特許第５，４４６，３１０号明細書
（特許文献３）  米国特許第５，８３１，２９１号明細書
（特許文献４）  米国特許第７，７８２，０８３号明細書
（特許文献５）  米国特許第５，５６３，４４７号明細書
（特許文献６）  米国特許出願公開第２００９／０２００５７８号明細書
（特許文献７）  米国特許第６，４３３，３８６号明細書
（特許文献８）  米国特許出願公開第２００５／０００７１６０号明細書
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月28日(2016.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｎ型層、一次光を放出する活性層、及びＰ型層を有する発光ダイオード（ＬＥＤ）半導体層と、
前記ＬＥＤ半導体層の発光面の上に取り付けられた、前記半導体層用の成長基板ではない発光サファイアと
を有し、
前記ＬＥＤ半導体層及び前記発光サファイアはＬＥＤダイの一部を形成し、前記発光サファイアは、所定の光吸収帯及びルミネッセンス発光帯を持つＦライク中心を生じさせる酸素空孔を含有し、
前記発光サファイアは、前記Ｆライク中心を介して、前記一次光の一部を吸収し且つ前記一次光をダウンコンバートして二次光を放出することで、前記ＬＥＤダイからの発光が少なくとも前記一次光と前記二次光との組み合わせを含むようにする、
発光デバイス。
【請求項２】
前記発光サファイアは、バインダと組み合わされて混合物を形成する発光サファイア粒子を有し、前記混合物は、前記ＬＥＤ半導体層の前記発光面の上に配置されている、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記混合物は、前記半導体層の上にラミネートされている、請求項２に記載のデバイス。
【請求項４】
前記混合物は、前記半導体層の上で成形されている、請求項２に記載のデバイス。
【請求項５】
前記混合物は、前記ＬＥＤ半導体層のうちの１つの上に直に置かれている、請求項２に記載のデバイス。
【請求項６】
前記発光サファイアは、前記ＬＥＤ半導体層の前記発光面の上に取り付けられたプリフォームされたタイルを有する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項７】
前記タイルは、発光サファイアの単結晶を有する、請求項６に記載のデバイス。
【請求項８】
前記タイルは、バインダ内の発光サファイア粒子を有する、請求項６に記載のデバイス。
【請求項９】
前記タイルは、接着層を用いて前記ＬＥＤ半導体層のうちの１つに直に取り付けられている、請求項６に記載のデバイス。
【請求項１０】
前記Ｎ型層、前記活性層及び前記Ｐ型層は、前記発光サファイアではないサファイア成長基板の上にエピタキシャル成長されている、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１１】
当該デバイスは更に、前記ＬＥＤダイの一部として前記ＬＥＤ半導体層の上に位置する蛍光体層を有し、前記ＬＥＤダイの発光は、前記一次光、前記発光サファイアからの前記二次光、及び前記蛍光体層からの光を含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１２】
前記発光サファイアは、混合物を形成するようバインダと結合された発光サファイア粒子を有し、前記混合物は、前記ＬＥＤ半導体層の前記発光面の上に配置されており、前記蛍光体は前記混合物の一部である、請求項１１に記載のデバイス。
【請求項１３】
前記一次光は青色光であり、前記二次光及び前記蛍光体からの光は緑色及び赤色光を含む、請求項１２に記載のデバイス。
【請求項１４】
前記一次光、前記発光サファイアからの前記二次光、及び前記蛍光体層からの前記光が、白色光を作り出す、請求項１１に記載のデバイス。
【請求項１５】
一次光を生成する発光ダイオード（ＬＥＤ）半導体層を有するＬＥＤダイを設けるステップと、
前記ＬＥＤ半導体層の発光面の上に、前記半導体層用の成長基板ではない発光サファイア層を取り付けるステップであり、前記発光サファイアは、前記一次光の一部を二次光へとダウンコンバートし、前記ＬＥＤダイによって放出される光が少なくとも前記一次光と前記二次光との組み合わせを含むようにされ、前記発光サファイアは、所定の光吸収帯及びルミネッセンス発光帯を持つＦライク中心を生じさせる酸素空孔を有する、ステップと、
前記二次光の特徴を調節するため、レーザを用いて、前記ＬＥＤダイ内の前記発光サファイア層を調整するステップと、
を有する方法。
【請求項１６】
前記ＬＥＤダイが形成された後に、前記発光サファイアの発光性を高めるために、前記発光サファイアをアニールすることによって前記ＬＥＤダイ内の前記発光サファイアを活性化するステップ、を更に有する請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記発光サファイアは、混合物を形成するバインダ内の発光サファイア粒子を有し、前記混合物は、前記ＬＥＤ半導体層の前記発光面の上に配置される、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
蛍光体粒子も前記混合物に含められる、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記発光サファイアは、前記ＬＥＤ半導体層の前記発光面の上に取り付けられるプリフォームされたタイルを有する、請求項１５に記載の方法。
【請求項２０】
当該方法は更に、前記ＬＥＤ半導体層の上に蛍光体層を配置するステップを有し、前記一次光、前記発光サファイアからの前記二次光、及び前記蛍光体層からの光が、白色光を作り出す、請求項１５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月15日(2016.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
クレストファクタ低減（ＣＦＲ）フィルタを演算する方法であって、
入力信号を受信することと、
選択可能な長さのウィンドウを選択することと、
選択されたウィンドウ内の入力信号に対して高速フーリエ変換（ＦＦＴ）を演算することと、
演算されたＦＦＴの結果の振幅二乗（ｍａｇｎｉｔｕｄｅ  ｓｑｕａｒｅ）を演算することと、
選択可能な数のサンプルを用いて振幅二乗の平均を演算することと、
前記平均振幅二乗の二乗根を演算することと、
前記二乗根の逆ＦＦＴを演算することと、
前記逆ＦＦＴの結果を正規化してＣＦＲ相殺パルスを生成することと、
前記ＣＦＲ相殺パルスを前記入力信号に適用することと、
を含む、方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
前記ＦＦＴを演算することが１２８ポイントＦＦＴを演算する、方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、
前記ＦＦＴを演算することが２５６ポイントＦＦＴを演算する、方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、
前記ＦＦＴを演算することが５１２ポイントＦＦＴを演算する、方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、
前記振幅二乗の平均を演算することが、２の整数乗に等しい前記選択可能な数のサンプルを用いる、方法。
【請求項６】
クレストファクタ低減（ＣＦＲ）フィルタを演算する方法であって、
複数の入力信号のストリームを受信する工程と、
入力信号の各ストリームのためのＣＦＲ相殺パルスを独立して演算することと、
前記入力信号のノイズレベルの変化を許容するために複数のＣＦＲ相殺パルスをスケーリングする工程と、
前記複数のスケーリングされた相殺パルスを組み合わせる工程と、
入力信号の各ストリームのＰＳＤ（パワースペクトル密度）を演算する工程であって、
時間ドメインウィンドウをデータの１つのブロックに周期的に適用することと、
前記ウィンドウに対してＦＦＴ（高速フーリエ変換）を演算することと、
データの各ブロックの演算されたＦＦＴの結果の振幅二乗を演算することと、
複数のブロックにわたって前記振幅二乗を平均することと、
により、前記ＰＳＤを演算する工程と、
を含む、方法。
【請求項７】
請求項６に記載の方法であって、
入力信号の各ストリームのためのＣＦＲ相殺パルスを独立して演算することが、
入力信号の各ストリームを周波数補間して補間データを生成することと、
前記補間データの各ストリームを周波数シフトすることと、
次のように重み関数を適用することにより前記周波数シフトされたデータの周波数応答をシェーピングすることであって、
ａ＝［ａ１，ａ２，ａ３，・・・，ａＮ］
ｗ＝［ｗ１，ｗ２，ｗ３，・・・，ｗＮ］
ｏｕｔ＝［ａ１＊ｗ１，ａ２＊ｗ２，・・・，ａＮ＊ｗＮ］
ここで、ｗが重みベクトルであり、aがＰＳＤである、
前記シェーピングすることと、
前記周波数シェーピングされたデータの各ストリームの二乗根を演算することと、
前記二乗根データの各ストリームの逆ＦＦＴを演算することと、
逆ＦＦＴデータの各ストリームを利得調節することと、
を含む、方法。
【請求項８】
クレストファクタ低減（ＣＦＲ）フィルタを演算する方法であって、
複数の入力信号を受信することと、
複数のキャリアのための初期相殺パルスをストアすることと、
各キャリアの周波数位置をストアすることと、
前記初期相殺パルスを前記キャリアのストアされた周波数位置まで周波数シフトすることと、
前記入力信号の電力を動的に測定することと、
周波数シフトされた相殺パルスを対応する入力信号の動的に測定された電力によって利得調節することと、
前記利得調節された相殺パルスを合計することと、
前記合計された相殺パルスを正規化することと、
前記正規化された相殺パルスを前記入力信号に適用することと、
を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月20日(2016.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
接合構造体を作製する方法であって、
（ａ）単結晶シリコン基板の前面からヘリウムイオンを注入するステップと、
単結晶シリコン基板は、一方がその前面で、他方がその後面である、ほぼ平行な２つの主面と、前面と後面を接続する周縁端部と、前面および後面の間にある中央面とを有し、
ヘリウムイオンは、前面から中央面に向かって測定したときに、約０．０２ミクロン〜１ミクロンの間の平均深度Ｄ１まで注入され、
（ｂ）水素イオンを単結晶ドナー基板の前面から注入するステップと、
水素イオンは、単結晶ドナー基板の前面から中央面に向かって測定したときに、約０．０２ミクロン〜１ミクロンの間の平均深度Ｄ２まで注入され、
平均深度Ｄ１および平均深度Ｄ２は約１０００オングストローム以内であり、
（ｃ）単結晶シリコン基板内に剥離面を形成するために、約２００℃〜約３５０℃の温度で、約２時間〜約１０時間、単結晶シリコン基板をアニール処理するステップと、
剥離面は、平均深度Ｄ１および平均深度Ｄ２と等しい深度であるか、平均深度Ｄ１と平均深度Ｄ２との間の深度を有し、
（ｄ）接合構造体を形成するために、剥離面を内在する単結晶ドナー基板の前面をキャリア基板に接合するステップと、
キャリア基板は、シリコン、サファイア、クォーツ、ガリウムヒ素、シリコンカーバイド、シリコンゲルマニウム、およびゲルマニウムからなる群から選択された材料で構成され、
（ｅ）約１５０℃〜約３５０℃の温度で約１時間〜約５時間、接合構造体をアニール処理するステップとを有し、
前記ステップ（ａ）から前記ステップ（ｅ）の順序で行うことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記ステップ（ｃ）の前に、前記ステップ（ａ）から前記ステップ（ｂ）の順序で行うことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ステップ（ｃ）の前に、前記ステップ（ａ）および前記ステップ（ｂ）を同時に行うことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
単結晶シリコン基板は、チョクラルスキ法を用いて成長させた単結晶シリコンインゴットをスライスした単結晶シリコンウエハからなることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
キャリア基板は、シリコンウエハであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
シリコンウエハは、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）表面層を有することを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
キャリア基板は、サファイアウエハであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
キャリア基板は、クォーツウエハであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前面の層は、前記ステップ（ａ）および前記ステップ（ｂ）を行う前において、酸化層を有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前面の層は酸化層を有し、酸化層はキャリア基板に接合されることを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記接合ステップの前に、酸化プラズマ表面活性化処理を用いて、剥離面を内在する単結晶ドナー基板を活性化させるステップを有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
多層構造体を形成するために、接合構造体を剥離面に沿って剥離させるステップを有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記ステップ（ａ）において、ヘリウムイオンは単結晶シリコン基板の前面から注入され、全体のヘリウムイオン注入量は、約０．５×１０１６個（ヘリウムイオン数）／ｃｍ２〜約２×１０１６個（ヘリウムイオン数）／ｃｍ２であり、
前記ステップ（ｂ）において、水素イオンは単結晶シリコン基板の前面から注入され、全体の水素イオン注入量は、約０．５×１０１６個（水素イオン数）／ｃｍ２〜約３×１０１６個（水素イオン数）／ｃｍ２であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月18日(2016.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
本発明が容易に理解されるよう、本発明の実施態様を添付図面に例として示す。
【図１】先行技術のユーザーインターフェイスの第一の実施態様を表すスクリーンショットである。
【図２】先行技術のユーザーインターフェイスの第二の実施態様を表すスクリーンショットである。
【図３】先行技術のユーザーインターフェイスの第三の実施態様を表すスクリーンショットである。
【図４】先行技術のユーザーインターフェイスの第四の実施態様を表すスクリーンショットである。
【図５】先行技術のユーザーインターフェイスの第五の実施態様を表すスクリーンショットである。
【図６】先行技術のユーザーインターフェイスの第六の実施態様を表すスクリーンショットである。
【図７】先行技術のユーザーインターフェイスの第七の実施態様を表すスクリーンショットである。
【図８】先行技術のユーザーインターフェイスの第八の実施態様を表すスクリーンショットである。
【図９】先行技術のユーザーインターフェイスの第九の実施態様を表すスクリーンショットである。
【図１０】先行技術のユーザーインターフェイスの第十の実施態様を表すスクリーンショットである。
【図１１】最初の2Dシック軸面投影画像を表すスクリーンショットである。
【図１２】図１１中の印のついた領域に相当する、ズームされた関心領域を表すスクリーンショットである。
【図１３】最終2Dシック冠状面投影画像を表すスクリーンショットである。
【図１４】最初の2Dシック軸面投影画像を表すスクリーンショットである。
【図１５】図１４に示すビューの後に経時的に続く複数のビューの連続ビューを表すスクリーンショットである。
【図１６】図１５に示すビューの後に経時的に続く複数のビューの連続ビューを表すスクリーンショットである。
【図１７】図１６に示すビューの後に経時的に続く複数のビューの連続ビューを表すスクリーンショットである。
【図１８】ズームされた画像データの一部分の所望の最終2Dシック軸面投影画像を表すスクリーンショットである。
【図１９】ズームされた最初の2Dシック軸面投影画像を表すスクリーンショットである。
【図２０】図１９に示すビューの後に経時的に続く複数のビューの連続ビューを表すスクリーンショットである。
【図２１】図２０に示すビューの後に経時的に続く複数のビューの連続ビューを表すスクリーンショットである。
【図２２】図２１に示すビューの後に経時的に続く複数のビューの連続ビューを表すスクリーンショットである。
【図２３】図２２に示すビューの後に経時的に続く複数のビューの連続ビューを表すスクリーンショットである。
【図２４】図２３に示すビューの後に経時的に続く複数のビューの連続ビューを表すスクリーンショットである。
【図２５】図２４に示すビューの後に経時的に続く複数のビューの連続ビューを表すスクリーンショットである。
【図２６】図１３に示すビューに相当する所望の最終2Dシック冠状面投影画像を表すスクリーンショットである。
【図２７】最初の2Dシック軸面投影画像を表すスクリーンショットである。
【図２８】図２７に示すビューの後に経時的に続く複数のビューの連続ビューを表すスクリーンショットである。
【図２９】図２８に示すビューの後に経時的に続く複数のビューの連続ビューを表すスクリーンショットである。
【図３０】図２９に示すビューの後に経時的に続く複数のビューの連続ビューを表すスクリーンショットである。
【図３１】第一画像データの第一レンダリング投影と第二画像データの最終レンダリング投影との間のトランジションをユーザーに表示するためのシステムの、画像データを表示するための方法を提供する一実施態様を表すブロック図である。
【図３２】第一画像データの第一レンダリング投影と第二画像データの最終レンダリング投影との間のトランジションをユーザーに表示するための方法の、画像データを表示するための方法を提供する第一の実施態様を表すフローチャートである。
【図３３】所望の最終3Dレンダリング投影画像を表すスクリーンショットである。
【図３４】図３３に示すビューに類似のビューを表すスクリーンショットである。
【図３５】図３４に示すビューの後に経時的に続く複数のビューの連続ビューを表すスクリーンショットである。
【図３６】図３５に示すビューの後に経時的に続く複数のビューの連続ビューの一つを表すスクリーンショットである。
【図３７】図３６に示すビューの後に経時的に続く複数のビューの連続ビューの一つを表すスクリーンショットである。
【図３８】画像データの2Dシック冠状面レンダリング投影画像に対する画像データの一部分の最終レンダリング投影画像を表すスクリーンショットである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３１】
2016508242.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３２】
2016508242.tif 000002
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３３】
2016508242.tif 000003
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３４】
2016508242.tif 000004
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３５】
2016508242.tif 000005
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３６】
2016508242.tif 000006
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３７】
2016508242.tif 000007
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３８】
2016508242.tif 000008
【手続補正１０】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】
さらに、中央処理ユニットに動作可能なように接続される通信ポートを含み、通信ポートは、システムを、構造を走査する遠隔3D走査装置に動作可能なように接続するためのものである、請求項１２に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月17日(2016.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
室内空間と屋外空間とを区切るための窓に配置される空気浄化装置であって、前記空気浄化装置は、
第１入口と、第２入口と、出口とを持つ入口室であって、前記第１入口は、前記屋外空間に作動的に開かれ、前記第２入口は、前記室内空間に作動的に開かれる当該入口室と、
空気を前記入口室から前記出口を通して前記室内空間に送り込むためのエアポンピングユニットであって、空気は、前記第１入口を通して又は前記第２入口を通して前記入口室に送り込まれる当該エアポンピングユニットと、
空気中の汚染物質を濾過するための、前記エアポンピングユニットの上流に配置される濾過ユニットと、
前記第１入口を作動的に密閉するための第１カバーと、
前記第２入口を作動的に密閉するための第２カバーと、
前記第１入口を密閉するために前記第１カバーを、又は、前記第２入口を密閉するために前記第２カバーを作動的に動作させるためのアクチュエータと、
前記屋内空間及び前記屋外空間の空気の状態を検出するための空気状態センサと、
検出した空気の状態に従って、前記第１入口又は前記第２入口を密閉するために前記アクチュエータを制御する第１コントローラと
を有する、空気浄化装置。
【請求項２】
前記入口室は、内壁の少なくとも一部に溝を有し、前記濾過ユニットは、前記出口と流体連通するエアチャネルを形成するために前記溝を覆うフィルタスクリーンを有する、請求項１に記載の空気浄化装置。
【請求項３】
前記フィルタスクリーンは、ＨＥＰＡフィルタである、請求項２に記載の空気浄化装置。
【請求項４】
前記フィルタスクリーンは、前記入口室の前記内壁の上面及び/又は側面に配置される、請求項２に記載の空気浄化装置。
【請求項５】
前記エアポンピングユニットは、遠心ファン又は軸流ファンである、請求項１に記載の空気浄化装置。
【請求項６】
前記エアポンピングユニットの下流に配置される出口室であって、空気が前記出口室を通して前記室内空間に送り込まれる時に騒音を低減するための騒音低減部を有する当該出口室を更に有する、請求項１に記載の空気浄化装置。
【請求項７】
前記エアポンピングユニットは、前記入口室と前記出口室との間に配置される、請求項６に記載の空気浄化装置。
【請求項８】
前記第１コントローラは、前記検出した空気の状態に従って、前記エアポンピングユニットの動きを更に制御する、請求項１に記載の空気浄化装置。
【請求項９】
前記屋内空間及び前記屋外空間の気温を検知する温度センサと、
前記室内空間と前記屋外空間との間の温度差に従って、前記第１入口又は前記第２入口を密閉するために前記アクチュエータを制御する第２コントローラと
を更に有する、請求項８に記載の空気浄化装置。
【請求項１０】
検知した気温に従って、前記屋内空間の気温を調整するための空調ユニットを更に有する、請求項９に記載の空気浄化装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月21日(2016.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
筐体と、
前記筐体に収容された少なくとも１つの羽根車と、
前記少なくとも１つの羽根車を径方向に支持するように構成された第１の複数の外部加圧多孔媒体ガス軸受と、
前記少なくとも１つの羽根車を軸方向に支持するように構成された第２の複数の外部加圧多孔媒体ガス軸受と
を備える回転機器。
【請求項２】
前記少なくとも１つの羽根車がシャフトに沿って配置されている、請求項１に記載の回転機器。
【請求項３】
前記シャフトが固定され、前記第１の複数の外部加圧多孔媒体ガス軸受が、前記シャフトと前記少なくとも１つの羽根車の各々との間に配置されている、請求項２に記載の回転機器。
【請求項４】
前記少なくとも１つの羽根車が少なくとも２つの羽根車であり、前記第１の複数の外部加圧多孔媒体ガス軸受が、前記少なくとも１つの羽根車の各々の中間に前記シャフトに沿って配置されている、請求項２に記載の回転機器。
【請求項５】
前記第１の複数の外部加圧多孔媒体ガス軸受が、前記少なくとも１つの羽根車のいずれかの側面において前記シャフトに沿って配置されている、請求項２に記載の回転機器。
【請求項６】
前記第１の複数の外部加圧多孔媒体ガス軸受又は前記第２の複数の外部加圧多孔媒体ガス軸受のいずれかが、シールとして機能するように構成されている、請求項１に記載の回転機器。
【請求項７】
前記少なくとも１つの羽根車が少なくとも２つの羽根車であり、前記少なくとも２つの羽根車の各々が異なる速度で駆動される、請求項１に記載の回転機器。
【請求項８】
前記第１の複数の外部加圧多孔媒体ガス軸受又は前記第２の複数の外部加圧多孔媒体ガス軸受のいずれかが、モータ又は発電機の磁気要素でもある、請求項１に記載の回転機器。
【請求項９】
前記第２の複数の外部加圧多孔媒体ガス軸受が、軸方向の支持を提供するために、前記少なくとも１つの羽根車の各々の両側面において配置されている、請求項１に記載の回転機器。
【請求項１０】
前記第１の複数の外部加圧多孔媒体ガス軸受又は前記第２の複数の外部加圧多孔媒体ガス軸受の各々が、黒鉛、炭素、炭化ケイ素、炭化タングステン、アルミナ、ネオジム、又は他の焼結材料、及び、それらの組み合わせの群から選択された多孔制限体を含む、請求項１に記載の回転機器。
【請求項１１】
前記第１の複数の外部加圧多孔媒体ガス軸受又は前記第２の複数の外部加圧多孔媒体ガス軸受の各々が、３Ｄプリント加工を用いて形成された多孔制限体を含む、請求項１に記載の回転機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
非接触軸受が、相対移動を伴って相対する面同士と、多孔制限体を通じて周囲より高い圧力を放つ一面とを備え、多孔制限体が、ラビリンスを含むランド部に取り付けられた単一多孔体又は多孔層の一部であり、多孔制限体及びランド部が、多孔制限体の各々の側面の間の差圧から作り出される隙間の１０％を超えて歪まないように構成される。
また、非接触軸受において、多孔制限体が、黒鉛、炭素、炭化ケイ素、炭化タングステン、アルミナ、ネオジム、又は他の焼結材料、及び、それらの組み合わせの群から選択される多孔媒体であってもよい。
また、非接触軸受において、相対する面同士のうちの第１の面が多孔制限体であり、相対する面同士のうちの第２の面が回転シャフトであってもよい。
また、非接触軸受において、相対する面同士のうちの第１の面が軸受パッドを備え、軸受パッドが少なくとも３つのティルティング・パッドに分割されてもよい。
また、非接触軸受において、軸受パッドが固体黒鉛分割体であってもよい。
また、非接触軸受において、多孔制限体が、機械加工が後に続く鋳込み成形、又は、３Ｄプリントのいずれかによって製作されてもよい。
また、非接触軸受において、非接触軸受がシールとしても機能してもよい。
また、非接触軸受において、非接触軸受が、ロータ動的効果を向上するために、中間シャフト位置に据え付けられていてもよい。
また、非接触軸受において、非接触軸受が、羽根車先端に据え付けられ、アキシャル軸受及びシールとしても機能するように構成されていてもよい。
また、非接触軸受において、非接触軸受が、径方向及び軸方向の支持を提供するように、且つ、往復動装置のためのシールとして機能するように構成されていてもよい。
また、非接触軸受が、温度、振動、変位、力を測定するための器具をさらに備えていてもよい。
また、非接触軸受において、非接触軸受が、回転要素軸受又は他の搭載設備の効果からシャフトを絶縁する目的のために、大型回転機器を高速釣合わせするように構成されていてもよい。
また、非接触軸受において、相対する面同士のうちの少なくとも一方が、コンプライアンスを提供するＯリング、バネ、皿バネ、可撓部、又は蛇腹部のうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。
また、非接触軸受において、軸受流体と作動媒体とが同じであってもよい。
また、非接触軸受が、ターボ機器の段を、シャフトなしで、独立して中心支持体なしで運転させることができてもよい。
また、非接触軸受において、シャフトなし機器が、シャフトなしタービンにおいて、有用な仕事を生成してもよい。
また、非接触軸受において、外部加圧ガス軸受が、推力又は推進力を生成する「リム駆動」機器を支持するために使用されてもよい。
また、非接触軸受において、外部加圧ガス軸受が、直列循環又は揚水を生成する「リム駆動」機器を支持するために使用されてもよい。
更には、非接触軸受システムが、第１の複数の外部加圧ガス軸受を備え、第１の複数の外部加圧ガス軸受の各々が、静止シャフトにおいて複数の羽根車のうちの１つを支持し、複数の羽根車の各々が、独立して異なる速度で駆動される。
また、非接触軸受システムにおいて、各々の外部加圧ガス軸受が、羽根車、又は、羽根車によって駆動される発電機を駆動するモータの磁気要素でもあってもよい。
また、非接触軸受システムが、羽根車の動力学を抑制するために、第１の複数の外部加圧ガス軸受と羽根車の反対側で用いられ、羽根車に軸方向の制限を与える第２の複数の加圧ガス軸受をさらに備えてもよい。
更には、熱伝導を向上する境界層スクラブ効果を作り出す、非常に狭い隙間を通る高速空気流を作り出すために、外部加圧ガス軸受が使用される。
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月8日(2016.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炎症性皮膚疾患の治療および／または予防用の局所的使用のための、下記の一般式ＩのＬ−グルタメートから誘導された化合物を含んでなる、皮膚科学的または化粧用組成物：
【化１】
2016508974.tif 000001
［式中、
ラジカルＲは、
・直鎖または分岐型Ｃ５−Ｃ２５アルキル基、
・またはベンジルラジカル、
・またはフェネチルラジカル、
・または、イソプレニル、ゲラニル、ファルネシルおよびフィチルラジカルからなる群から選択されるラジカル
を表す］。
【請求項２】
ラジカルＲが、直鎖または分岐型Ｃ５−Ｃ２５アルキル基である、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
ラジカルＲが、直鎖または分岐型Ｃ５−Ｃ１４アルキル基である、請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
化合物が下記の化合物：
５−（ｎ−ペンチル）−Ｌ−グルタメートまたは２−アミノ−５−オキソ−５−（ペンチルオキシ）ペンタン酸、
５−（ｎ−ヘキシル）−Ｌ−グルタメートまたは２−アミノ−５−（ヘキシルオキシ）−５−オキソペンタン酸、
５−（ｎ−ノニル）−Ｌ−グルタメートまたは２−アミノ−５−（ノニルオキシ）−５−オキソペンタン酸、
５−（ｎ−ドデシル）−Ｌ−グルタメートまたは２−アミノ−５−（ドデシルオキシ）−５−オキソペンタン酸、
５−（ｎ−テトラデシル）−Ｌ−グルタメートまたは２−アミノ−５−オキソ−５（テトラデシル）ペンタン酸、
５−（ｎ−ヘキサデシル）−Ｌ−グルタメートまたは２−アミノ−５−（ヘキサデシルオキシ）−５−オキソペンタン酸、
５−（ｎ−オクタデシル）−Ｌ−グルタメートまたは２−アミノ−５−（オクタデシルオキシ）−５−オキソペンタン酸、
５−（３，７−ジメチルオクチル）−Ｌ−グルタメートまたは２−アミノ−５（３，７−ジメチルオクチルオキシ）−５−オキソ−ペンタン酸、
５−（ノナン−２−イル）−Ｌ−グルタメートまたは２−アミノ−５（ノナン−２−イルオキシ）−５−オキソペンタン酸、
５−（ノナン−５−イル）−Ｌ−グルタメートまたは２−アミノ−５（ノナン−５−イルオキシ）−５−オキソペンタン酸、
５−（２−ヘキシルデシル）−Ｌ−グルタメートまたは２−アミノ−５（２−ヘキシルデシルオキシ）−５−オキソペンタン酸、
５−（２−エチルヘキシル）−Ｌ−グルタメートまたは２−アミノ−５（２−エチルヘキシルオキシ）−５−オキソペンタン酸
の１つから選択される、請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
炎症性皮膚疾患が、アトピー性皮膚炎、接触性湿疹、座瘡、脂漏性皮膚炎、酒さまたは乾癬からなる、請求項１〜４のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項６】
炎症性皮膚疾患の治療における薬物または化粧品有効成分としての、局所的使用のための、少なくとも１種類の薬学上または化粧上許容される賦形剤と組み合わせた、請求項１〜４のいずれか一項に定義される式Ｉの化合物を有効成分として含んでなる、局所用組成物。
【請求項７】
５−（３，７−ジメチルオクチル）−Ｌ−グルタメートまたは２−アミノ−５（３，７−ジメチルオクチルオキシ）−５−オキソペンタン酸、
５−（ノナン−２−イル）−Ｌ−グルタメートまたは２−アミノ−５（ノナン−２−イルオキシ）−５−オキソペンタン酸、
５−（ノナン−５−イル）−Ｌ−グルタメートまたは２−アミノ−５（ノナン−５−イルオキシ）−５−オキソペンタン酸、
５−（２−ヘキシルデシル）−Ｌ−グルタメートまたは２−アミノ−５（２−ヘキシルデシルオキシ）−５−オキソペンタン酸、
５−（２−エチルヘキシル）−Ｌ−グルタメートまたは２−アミノ−５（２−エチルヘキシルオキシ）−５−オキソペンタン酸
の中から選択される、一般式（Ｉ）のＬ−グルタミン酸から誘導された化合物。
【請求項８】
α−（ｎ−ベンジル）−Ｌ−グルタメート−Ｎ−α−ベンジルカルボニル酸を、Ｒが請求項１に示される対応する意味を有する式Ｒ−ＯＨのアルコールと反応し、および得られた生成物を触媒的水素化により脱保護することを特徴とする、請求項７に定義される式Ｉの化合物の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月28日(2016.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
抗ＨＥＲ２抗体またはヒトＨＥＲ２を認識し結合するその断片、１または複数の薬学的に許容可能な賦形剤および酢酸緩衝液を含んでなる、医薬製剤。
【請求項２】
医薬製剤が、液体製剤、凍結乾燥製剤または再構成製剤である、請求項１に記載の医薬製剤。
【請求項３】
抗ＨＥＲ２抗体またはヒトＨＥＲ２を認識し結合するその断片が、医薬製剤内に１０〜４０ｍｇ／ｍｌの量で存在する、請求項１または２に記載の医薬製剤。
【請求項４】
酢酸緩衝液が、医薬製剤内に１〜１０ｍＭの量で存在する酢酸ナトリウム緩衝液である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の医薬製剤。
【請求項５】
薬学的に許容可能な賦形剤が、１または複数の界面活性剤、凍結乾燥保護剤、充填剤、無機もしくは有機塩、安定化剤、希釈剤、可溶化剤、還元剤、抗酸化剤、キレート剤および／または保存剤を含んでなる、請求項１〜４のいずれか一項に記載の医薬製剤。
【請求項６】
界面活性剤が、医薬製剤内に０．００１％〜０．１％（ｗ／ｗ）の量で存在するポリソルベート８０である、請求項５に記載の医薬製剤。
【請求項７】
凍結乾燥保護剤が、医薬製剤内に５％〜１５％（ｗ／ｗ）の量で存在するスクロースであるか、医薬製剤内にそれぞれ５％〜１５％（ｗ／ｗ）および０．５％〜５％（ｗ／ｗ）の量で存在するスクロースおよびマンニトールであるか、または、抗体１モルに対してスクロース１５００〜２０００モルの、抗体に対する凍結乾燥保護剤のモル比で医薬製剤内に存在するスクロースである、請求項５に記載の医薬製剤。
【請求項８】
充填剤が、医薬製剤内に０．５％〜１．５％（ｗ／ｗ）の量で存在するグリシンである、請求項５に記載の医薬製剤。
【請求項９】
３０ｍｇ／ｍｌの抗ＨＥＲ２抗体またはヒトＨＥＲ２を認識し結合するその断片、１２％（ｗ／ｗ）スクロース、１％（ｗ／ｗ）グリシンおよび０．０１４％（ｗ／ｗ）ポリソルベート８０ならびに５．７５ｍＭ酢酸ナトリウム緩衝液を含んでなり、かつ、製剤のｐＨが５．７±０．２であり、かつ、凍結乾燥製剤である、請求項１に記載の医薬製剤。
【請求項１０】
製剤が、希釈剤を含んでなり、かつ、再構成製剤である、請求項９に記載の医薬製剤。
【請求項１１】
２１ｍｇ／ｍｌの抗ＨＥＲ２抗体またはヒトＨＥＲ２を認識し結合するその断片、８．４％（ｗ／ｗ）スクロース、０．７％（ｗ／ｗ）グリシン、０．０１％（ｗ／ｗ）ポリソルベート８０、ＷＦＩおよび４ｍＭ酢酸ナトリウム緩衝液を含んでなり、かつ、製剤のｐＨが５．７±０．２である、請求項１０に記載の医薬製剤。
【請求項１２】
抗ＨＥＲ２抗体またはヒトＨＥＲ２を認識し結合するその断片が、配列番号１０の重鎖と配列番号１１の軽鎖とを有する、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の医薬製剤。
【請求項１３】
転移性乳癌、早期乳癌および転移性胃癌等のＨＥＲ２陽性癌から選択されるＨＥＲ２関連障害の処置に用いるための、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の医薬製剤。
【請求項１４】
転移性乳癌、早期乳癌および転移性胃癌等のＨＥＲ２陽性癌から選択されるＨＥＲ２関連障害の処置のための医薬の製造における、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の医薬製剤の使用。
【請求項１５】
（ｉ）請求項９〜１１のいずれか一項に記載の凍結乾燥製剤を有する容器；および
（ｉｉ）凍結乾燥製剤を希釈剤で再構成し、再構成製剤における抗体濃度を約１０〜４０ｍｇ／ｍｌとするための説明書
を含んでなる、製品。
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月16日(2017.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上部胃腸管又は喉の疾患治療用の、胃に対する胆汁酸捕捉剤の徐放性のための錠剤の形態である胃内滞留型経口剤形であって、前記剤形が、１つ又はそれ以上の親水性ポリマーを含むポリマーマトリクス中に分散される、コレセベラム及びコレセベラム塩酸塩からなる群から選択される胆汁酸捕捉剤を含み、少なくとも１つの親水性ポリマーが、ポリ（アルキレン）オキシドである、前記胃内滞留型経口剤形。
【請求項２】
胃液を吸収して、前記剤形が３時間以上の期間の胃の滞留を促進するのに十分な大きさに膨潤し、そして前記胆汁酸捕捉剤が、少なくとも３時間の長期間にわたって、ポリマーマトリクスの浸食を介して前記剤形から放出される、請求項１に記載の胃内滞留型経口剤形。
【請求項３】
ポリマーマトリクスが、薬物放出の期間の間浸食され、前記薬物放出の期間が少なくとも６時間である、請求項１又は２に記載の胃内滞留型経口剤形。
【請求項４】
ｐＨ４．５の酢酸緩衝液中で、シンカーに配置した錠剤とＵＳＰ ＩＩ型（パドル）装置とを使用して、インビトロで測定される薬物放出速度が、４時間後に前記剤形から放出されてしまう薬物の比率が４０％以下となるものである、請求項１〜３のいずれか一項に記載の胃内滞留型経口剤形。
【請求項５】
ｐＨ４．５の酢酸緩衝液中で、シンカーに配置した錠剤とＵＳＰ ＩＩ型（パドル）装置とを使用して、インビトロで測定される薬物放出速度が、１６時間後に前記剤形から放出されてしまう薬物の比率が７５〜１００％となるものである、請求項１〜４のいずれか一項に記載の胃内滞留型経口剤形。
【請求項６】
前記ポリマーマトリクスが、親水性ポリマーの２つを含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の胃内滞留型経口剤形。
【請求項７】
前記ポリ（アルキレン）オキシドが、４０重量％の比率から７５重量％の比率の範囲の量で存在する、請求項１〜６のいずれか一項に記載の胃内滞留型経口剤形。
【請求項８】
前記ポリ（アルキレン）オキシドが、４７重量％の比率から５３重量％の比率の範囲の量で存在する、請求項１〜７のいずれか一項に記載の胃内滞留型経口剤形。
【請求項９】
前記胃内滞留型経口剤形が、２つの親水性ポリマーを含み、２つの親水性ポリマーの第二親水性ポリマーが、結合剤として使用され、そしてポビドン、デンプン、ヒドロキシプロピルセルロース、及びヒドロキシプロピルメチルセルロースから選択される、請求項１〜８のいずれか一項に記載の胃内滞留型経口剤形。
【請求項１０】
胆汁酸捕捉剤の用量が、１００ｍｇ〜７５０ｍｇである、請求項１〜９のいずれか一項に記載の胃内滞留型経口剤形。
【請求項１１】
胆汁酸捕捉剤の用量が、４００ｍｇ〜６００ｍｇである、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の胃内滞留型経口剤形。
【請求項１２】
更にコーティングを含む胃内滞留型経口剤形であって、コーティングのレベルが、錠剤の総重量の５％〜７．５％（重量：重量）である、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の胃内滞留型経口剤形。
【請求項１３】
更にコーティングを含む胃内滞留型経口剤形であって、コーティングが、微結晶セルロース及びアセチル化グリセリドを含む、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の胃内滞留型経口剤形。
【請求項１４】
前記胃内滞留型経口剤形が、２時間以内に元の大きさの少なくとも１３０％の大きさに膨潤する、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の胃内滞留型経口剤形。
【請求項１５】
前記胃内滞留型経口剤形が、ポリマーの２つを含み、ポリマーの両方が、膨潤性及び親水性浸食性ポリマーである、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の胃内滞留型経口剤形。
【請求項１６】
前記胃内滞留型経口剤形が、ポリマーの２つを含み、ポリマーの１つが、膨潤性及び親水性浸食性ポリマーであり、そしてポリマーのもう一方が、膨潤性及び非親水性非浸食性ポリマーである、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の胃内滞留型経口剤形。
【請求項１７】
前記胃内滞留型経口剤形が、ポリマーの２つを含み、ポリマーの１つが、膨潤性及び親水性浸食性ポリマーであり、そしてポリマーのもう一方が、非膨潤性及び親水性浸食性ポリマーである、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の胃内滞留型経口剤形。
【請求項１８】
請求項１〜１７のいずれか一項に記載の胃内滞留型経口剤形と追加の治療剤とを含む、医薬組成物。
【請求項１９】
胆汁酸捕捉剤約１５００ｍｇ〜約３０００ｍｇの１日用量の治療有効量を、必要とする摂食状態の被検体へ投与するための、請求項１〜１７のいずれか一項に記載の胃内滞留型経口剤形。
【請求項２０】
胸焼け、消化障害、消化不良、びらん性食道炎、消化性潰瘍、胃潰瘍、食道潰瘍、食道炎、喉頭炎、咽頭炎、粗い声、胃食道逆流症（ＧＥＲＤ）、バレット食道、胃癌、食道癌（例えば腺癌）、胃炎、及びＧＥＲＤ関連肺機能障害から選択される疾患に罹患している被検体の治療用の請求項１〜１７のいずれか一項に記載の胃内滞留型経口剤形。
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月16日(2017.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルドール縮合条件下、反応ゾーンにおいて、アミン触媒及び塩基を含むプロモーターの存在下において、ホルムアルデヒドと別のアルデヒドとを接触させてヒドロキシアルデヒドを製造することを含む方法。
【請求項２】
ホルムアルデヒドと別のアルデヒドとの接触が、１種以上のアミン塩の形成を引き起こす、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
アミン触媒を収容する反応ゾーンにおいて、アルドール縮合反応を実施することによりヒドロキシアルデヒドを含む反応混合物を生成させることであって、１種以上のアミン塩がアルドール縮合反応の間に生成すること、及び
アミン塩と塩基とを接触させることによりアミン塩の少なくとも一部の解離を引き起こすことを含む方法。
【請求項４】
アルドール縮合反応が、ホルムアルデヒド及び別のアルデヒドと、アミン触媒とを接触させることを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
ヒドロキシアルデヒドが、３‐ヒドロキシプロパナール、ジメチロールエタナール、トリメチロールエタナール（ペンタエリスリタール）、３‐ヒドロキシブタナール（アセトアルドール）、３‐ヒドロキシ‐２‐エチルヘキサナール（ブチルアルドール）、３‐ヒドロキシ‐２‐メチルペンタナール（プロピルアルドール）、２‐メチロールプロパナール、２，２‐ジメチロールプロパナール、３‐ヒドロキシ‐２‐メチルブタナール、３‐ヒドロキシペンタナール、２‐メチロールブタナール、２，２‐ジメチロールブタナール、又はヒドロキシピバルデヒドを含む、請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記別のアルデヒドが、ホルムアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ｎ‐ブチルアルデヒド、イソブチルアルデヒド、バレルアルデヒド、２‐メチルブチルアルデヒド、３‐メチルブチルアルデヒド（イソバレルアルデヒド）、２，２‐ジメチルプロピオンアルデヒド（ピバリンアルデヒド）、カプロアルデヒド、２‐メチルバレルアルデヒド、３‐メチルバレルアルデヒド、４‐メチルバレルアルデヒド、２‐エチルブチルアルデヒド、２，２‐ジメチルブチルアルデヒド、３，３‐ジメチルブチルアルデヒド、カプリルアルデヒド、カプリンアルデヒド、又はグルタルアルデヒドを含む、請求項１、２又は４のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
別のアルデヒドが、イソブチルアルデヒドである、請求項１、２又は４のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
塩基が、反応ゾーンに供給される、請求項１〜７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
塩基が、反応ゾーンの反応ゾーン上流にて供給物に添加される、請求項１〜７のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
塩基が、質量基準で５００ｐｐｍ〜３０００ｐｐｍの量にて反応ゾーン中に存在する、請求項１〜９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
塩基が、アミン塩の解離を達成するのに十分な量にて存在する、請求項１〜１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
塩基が、アミン塩の質量％と比較して、１０質量％超過未満である量にて存在する、請求項１〜１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
更に、精製ゾーンにおいてヒドロキシアルデヒドの少なくとも一部を精製することによって、精製された生成物を生成させることを含む、請求項１〜１２のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
更に、ヒドロキシアルデヒドを水素化してポリオールを形成することを含む、請求項１〜１３のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
ポリオールが、プロピレングリコール、エチレングリコール、ジプロピレングリコール、ジエチレングリコール、１，４‐ブタンジオール、ネオペンチルグリコール、トリエタノールアミン、又はグリセロールを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
更に、ヒドロキシアルデヒドの少なくとも一部を精製することにより、精製された生成物を生成させることを含み、そして精製に続いて水素化が起こる、請求項１４又は１５のいずれかに記載の方法。
【請求項１７】
精製が蒸留によるものであり、及び塔頂ストリームを生成させ、並びに前記塔頂ストリームの少なくとも一部をもとの反応ゾーンへ再循環させ、塔頂ストリームがアミン触媒の少なくとも一部を含む、請求項１３又は１５のいずれかに記載の方法。
【請求項１８】
更に、精製された生成物のナトリウム及び窒素含有量を測定することを含み、更に、精製された生成物の測定されたナトリウム及び窒素含有量に基づいてアミン塩と接触する塩基の量を制御することを含む、請求項１３、１６又は１７のいずれかに記載の方法。
【請求項１９】
アミン触媒が、トリエチルアミン、トリ‐ｎ‐プロピルアミン、トリ‐ｎ‐ブチルアミン、トリメチルアミン、又はこれらの混合物である、請求項１〜１８のいずれかに記載の方法。
【請求項２０】
塩基が、アルカリ金属又はアルカリ土類金属の炭酸塩、炭酸水素塩、又は水酸化物を含む、請求項１〜１８のいずれかに記載の方法。
【請求項２１】
塩基が、Ｎａ2ＣＯ3、Ｋ2ＣＯ3、ＣａＣＯ3、ＮａＨＣＯ3、ＫＨＣＯ3、ＮａＯＨ、ＫＯＨ、Ｃａ（ＯＨ）2、又はこれらの組み合わせから選択される、請求項１〜１８のいずれかに記載の方法。
【請求項２２】
反応ゾーンが、均一な反応混合物を含む、請求項１〜２１のいずれかに記載の方法。
【請求項２３】
アミン触媒がトリメチルアミンであり、かつ、塩基がＮａＯＨである、請求項１〜２２のいずれかに記載の方法。
【請求項２４】
プロセスが、連続プロセスである、請求項１〜２３のいずれかに記載の方法。
【請求項２５】
反応ゾーンにおける条件が、２０°Ｃ〜１５０°Ｃの範囲内の温度、５ｐｓｉｇ〜１００ｐｓｉｇの範囲内の圧力、３０分〜２時間の範囲内の全反応時間を含む、請求項１〜２４のいずれかに記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月22日(2016.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）
【化４９】
2016508968.tif 000001
式中、
Ｒ１がＨ、メチルもしくはエチルであり；
Ｒ２がフェニル、ピロールもしくはピラゾールであり、前記フェニルが、場合により、フルオロもしくはクロロから独立して選択される１個または複数の置換基で置換され；但し前記置換基がクロロである場合、前記クロロが前記フェニルのメタ位もしくはオルト位に位置し、クロロ置換基の数が１個以下であり；
Ｒ３が、
【化５０】
2016508968.tif 000002
（式中、Ｒ１００およびＲ２００が、Ｈ、（Ｃ１〜Ｃ６）アルキル、シクロアルキル、有機カチオンおよび無機カチオンからなる群からそれぞれ独立して選択される）
からなる群から選択される構造式であり；
Ｒ４がＨもしくは−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ２であり；
Ｒ５が（Ｃ１〜Ｃ６）アルキル、シクロアルキル、フェニル、ヘテロ環およびヘテロアリールからなる群から選択され、場合により１個または複数の独立したＲ３００置換基で置換され；ならびに
Ｒ３００が、Ｈ、（Ｃ１〜Ｃ６）アルキル、シクロアルキル、ヒドロキシ、アミノおよびＦからなる群から選択される；
の化合物、または、薬学的に許容されるその塩。
【請求項２】
Ｒ１がＨである、請求項１に記載の化合物、または薬学的に許容されるその塩。
【請求項３】
Ｒ２がフェニルである、請求項１に記載の化合物、または薬学的に許容されるその塩。
【請求項４】
Ｒ３が（Ｉａ）である、請求項１に記載の化合物、または薬学的に許容されるその塩。
【請求項５】
Ｒ３が（Ｉｃ）であり、Ｒ１００およびＲ２００がいずれもＨである、請求項１に記載の化合物、または薬学的に許容されるその塩。
【請求項６】
Ｒ４がＨである、請求項１に記載の化合物、または薬学的に許容されるその塩。
【請求項７】
Ｒ５が（Ｃ１〜Ｃ６）アルキル、フェニル、テトラヒドロ−２Ｈ−ピランまたはピリジンである、請求項１に記載の化合物、または薬学的に許容されるその塩。
【請求項８】
Ｒ５がシクロアルキルである、請求項１に記載の化合物、または薬学的に許容されるその塩。
【請求項９】
Ｒ５がシクロヘキサンである、請求項１に記載の化合物、または薬学的に許容されるその塩。
【請求項１０】
Ｒ５がシクロヘキサン（（Ｃ１〜Ｃ６）アルキル、シクロアルキルもしくはＦから独立して選択される、１個もしくは複数の置換基で置換される）である、請求項１に記載の化合物、または薬学的に許容されるその塩。
【請求項１１】
Ｒ５がシクロヘキサン（メチル、シクロプロパンもしくはＦから独立して選択される、１個もしくは複数の置換基で置換される）である、請求項１に記載の化合物、または薬学的に許容されるその塩。
【請求項１２】
Ｒ５がシクロヘキサン（２個のメチル置換基で置換される）である、請求項１に記載の化合物、または薬学的に許容されるその塩。
【請求項１３】
【表８−１】
2016508968.tif 000003
【表８−２】
2016508968.tif 000004
【表８−３】
2016508968.tif 000005
【表８−４】
2016508968.tif 000006
【表８−５】
2016508968.tif 000007
【表８−６】
2016508968.tif 000008
【表８−７】
2016508968.tif 000009
からなる群から選択される、請求項１に記載の化合物、または薬学的に許容されるその塩。
【請求項１４】
以下の構造
【化５１】
2016508968.tif 000010
を有する、請求項１に記載の化合物、または薬学的に許容されるその塩。
【請求項１５】
以下の構造
【化５２】
2016508968.tif 000011
を有する、請求項１に記載の化合物、または薬学的に許容されるその塩。
【請求項１６】
以下の構造
【化５３】
2016508968.tif 000012
を有する、請求項１に記載の化合物、または薬学的に許容されるその塩。
【請求項１７】
請求項１から請求項１６のいずれか一項の式（Ｉ）の化合物、または薬学的に許容されるその塩、および薬学的に許容される担体または賦形剤を含む、医薬組成物。
【請求項１８】
少なくとも１つの追加の医薬品をさらに含む、請求項１７に記載の医薬組成物。
【請求項１９】
前記少なくとも１つの追加の医薬品が、抗結核剤である、請求項１８記載の医薬組成物。
【請求項２０】
前記抗結核剤が、イソニアジド、リファンピシン、ピラジンアミド、エタンブトール、ストレプトマイシン、カナマイシン、アミカシン、カプレオマイシン、オフロキサシン、レボフロキサシン、モキシフロキサシン、シクロセリン、パラアミノサリチル酸、エチオナミド、プロチオナミド、チオアセタゾンクロファジミン、クラブラン酸を伴うアモキシシリン、イミペネム、リネゾリド、クラリスロマイシンおよびチオリダジンからなる群から選択される、請求項１９に記載の医薬組成物。
【請求項２１】
治療に使用する、請求項１から１６に記載の化合物。
【請求項２２】
前記治療が、結核菌（M. tuberculosis）のエノイルアシルキャリアータンパク質還元酵素（ＩｎｈＡ）の阻害を通じたミコール酸生合成の阻害により介在される疾患、障害または症候群を処置するためのものである、請求項２１に記載の化合物。