【手続補正書】
【提出日】平成29年7月18日(2017.7.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板（１１）上に一つ以上の堆積層を堆積させるための一つ以上の堆積源（５０）を有する真空堆積装置（１００）のためのインライン堆積制御装置（１４０）であって、
前記一つ以上の堆積層を有する前記基板を照射するように適合された一つ以上の光源（１４２）と、
前記一つ以上の堆積層を有する前記基板で反射された光、及び前記一つ以上の堆積層を有する前記基板を透過した光のうちの少なくとも一つから選択される測定信号のスペクトル分解検出に適合された検出装置（１６０）と、
前記測定信号に基づいて前記一つ以上の堆積層のそれぞれの厚さを確定するための評価ユニット（１７０）と、
前記評価ユニットに接続され、確定された前記厚さに基づく前記一つ以上の堆積層の堆積のフィードバック制御のために前記真空堆積装置に接続可能なコントローラ（１８０）と、
を含むインライン堆積制御装置（１４０）。
【請求項２】
各々が前記一つ以上の光源及び前記検出装置の少なくとも一つを含む、反射測定のための一つ以上の測定ユニット（２４２、２４４、２４６）を更に含む、請求項１に記載のインライン堆積制御装置（１４０）。
【請求項３】
前記一つ以上の測定ユニットのうちの少なくとも一つが、前記基板の搬送方向に実質的に垂直に可動である、請求項２に記載のインライン堆積制御装置（１４０）。
【請求項４】
前記評価ユニット（１７０）が、前記一つ以上の堆積層の堆積の一組の設定値パラメータを含み、前記一組の設定値パラメータが、以下のパラメータ：前記基板の所望の材料組成、前記基板の所望の厚さ、前記基板の屈折率、前記基板の消衰係数、堆積層の所望の材料組成、堆積層の所望の厚さ、前記基板上の堆積層の数、堆積層の屈折率、及び堆積層の消衰係数、のうちの一つ以上を含む、請求項１から３のいずれか一項に記載のインライン堆積制御装置（１４０）。
【請求項５】
前記評価ユニット（１７０）が、スペクトル分解された前記測定信号を、前記一組の設定値パラメータに基づく一つ以上のシミュレーションされたスペクトル曲線と比較するように適合される、請求項１から４のいずれか一項に記載のインライン堆積制御装置（１４０）。
【請求項６】
前記評価ユニット（１７０）が、前記測定信号と前記シミュレーションされたスペクトル曲線との間の前記比較から、前記一つ以上の堆積層の各々について実際の層の厚さを確定するように更に適合される、請求項５に記載のインライン堆積制御装置（１４０）。
【請求項７】
前記コントローラ（１８０）が、前記堆積層の少なくとも一つを堆積させるための少なくとも一つのスパッタ源（５０）を制御するように適合される、請求項１から６のいずれか一項に記載のインライン堆積制御装置（１４０）。
【請求項８】
前記検出装置（１６０）が、約３００〜約１７００ｎｍ、特に約３８０〜約１１００ｎｍの波長範囲での、前記一つ以上の堆積層を有する基板の反射率及び／又は透過率を確定するように適合される少なくとも一つの分光計を更に含む、請求項１から７のいずれか一項に記載のインライン堆積制御装置（１４０）。
【請求項９】
約０．００５〜約０．５ｍ／ｓの速度で運ばれる基板のインライン検査に更に適合される、請求項１から８のいずれか一項に記載のインライン堆積制御装置（１４０）。
【請求項１０】
約２００〜約２０００ｍｍの横幅を有する基板のインライン検査に更に適合される、請求項１から９のいずれか一項に記載のインライン堆積制御装置（１４０）。
【請求項１１】
搬送されているときに２０〜８００Ｎの張力を受けている基板のインライン検査に更に適合される、請求項１から１０のいずれか一項に記載のインライン堆積制御装置（１４０）。
【請求項１２】
堆積材料が、Ａｇ，Ａｌ，Ａｕ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ｍｏ，Ｎｉ，ＮｉＣｒ，ＮｉＶ，Ｓｉ，ステンレス鋼，Ｔｉ，ＴｉＯ２，Ｔａ，Ａｌ２Ｏ３，アルミニウムがドープされた酸化亜鉛，ＣｒＯｘＮｙ，インジウムがドープされた酸化スズ，ＭｇＯ，Ｎｂ２Ｏ５，ＳｉＮ，ＳｉＯ２，及びＳｉＯｘＮｙからなる群から選択され、及び／又は、
前記基板が、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリイミド、ポリアミド、ポリカーボネート、トリアセチルセルロース、及び金属箔からなる群から選択される、請求項１から１１のいずれか一項に記載のインライン堆積制御装置（１４０）。
【請求項１３】
真空堆積装置のためのインライン堆積制御の方法であって、
一つ以上の堆積層が上に堆積された基板を照射すること（５０２）、
前記一つ以上の堆積層を有する前記基板で反射された光、及び前記一つ以上の堆積層を有する前記基板を透過した光のうちの少なくとも一つから選択されるスペクトル分解された信号を測定すること（５０４）、
測定された前記スペクトル分解された信号及び前記一つ以上の堆積層の堆積の一組の設定値パラメータに基づいて、前記一つ以上の堆積層のそれぞれの厚さを確定すること（５０６）、並びに
確定された前記厚さに基づいて前記一つ以上の堆積層の堆積をフィードバック制御すること（５０８）、
を含む方法。
【請求項１４】
前記それぞれの厚さを確定することは、測定された前記スペクトル分解された信号とマッチするように、一つ以上のシミュレーションされたスペクトル曲線の入力パラメータをフィッティングすることを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記それぞれの厚さを確定することは、非線形最適化アルゴリズムとともに特性行列公式を用いて、測定された前記スペクトル分解された信号から前記それぞれの厚さを確定することを含む、請求項１４に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
一つの実施形態によれば、基板上に一つ以上の堆積層を堆積させるための一つ以上の堆積源を有する真空堆積装置のためのインライン堆積制御装置が、提供される。インライン堆積制御装置は、一つ以上の堆積層を有する基板を照射するように適合された一つ以上の光源を含む。インライン堆積制御装置は、測定信号のスペクトル分解検出に適合された検出装置を更に含み、測定信号は、一つ以上の堆積層を有する基板で反射された光、及び一つ以上の堆積層を有する基板を透過した光のうちの少なくとも一つから選択される。更に、インライン堆積制御装置は、測定信号に基づいて一つ以上の堆積層のそれぞれの厚さを確定するための評価ユニットと、評価ユニットに接続され、確定された厚さに基づく一つ以上の堆積層の堆積のフィードバック制御のために真空堆積装置に接続可能なコントローラとを含む。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
他の実施形態によれば、真空堆積装置のためのインライン堆積制御の方法が、提供される。本方法は、一つ以上の堆積層が堆積された基板を照射すること、一つ以上の堆積層を有する基板で反射された光、及び一つ以上の堆積層を有する基板を透過した光のうちの少なくとも一つから選択されるスペクトル分解された信号を測定すること、測定されたスペクトル分解された信号及び一つ以上の堆積層の堆積についての一組の設定値パラメータに基づいて、一つ以上の堆積層のそれぞれの厚さを確定すること、並びに確定された厚さに基づいて一つ以上の堆積層の堆積をフィードバック制御すること、を含む。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
図３に示される実施形態において、特に、基板１１が少なくとも段階的に透明である場合に、コーティングされた基板を検査するためのインライン透過測定装置１４０を、ワインドチャンバ１０６は含む。インライン透過測定装置１４０は、コーティングされた層を上に有する基板１１を照射するように適合されている光源１４２を含む。本書に記載の他の実施形態と結合できる、幾つかの実施形態によれば、一つより多い光源１４２が設けられ得る。本書に記載の他の実施形態と結合できる、幾つかの実施形態によれば、一つより多い光源は、基板１１の幅にわたって異なる位置に配列され得る。更に、インライン透過測定装置１４０は、コーティングされた基板を透過した光を受け取るように適合されたレシーバ１４４を含む。光源１４２とレシーバ１４４の組合せは、測定ヘッドとも呼ばれ得る。レシーバ１４４は、検出装置１６０に接続されており、検出装置１６０は、レシーバ１４４によって与えられる測定信号のスペクトル分解検出に適合される。本書に記載の他の実施形態と結合できる、幾つかの実施形態によれば、検出装置１６０は分光計である。本書に記載の他の実施形態と結合できる、幾つかの実施形態によれば、分光計は、約３００〜約１７００ｎｍの波長範囲、特に約３８０〜約１１００ｎｍの波長範囲での、コーティングされた基板１１の透過率を確定するように、適合され得る。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本書に記載の他の実施形態と結合できる、幾つかの実施形態によれば、評価ユニット１７０は、測定信号とシミュレーションされたスペクトル曲線との間の比較から、一つ以上の堆積層の各々について実際の層の厚さを確定するように、更に適合される。そのような確定方法の実施形態が、以下により詳細に説明される。限定的と解釈すべきでない例示によれば、所望のコーティングは、８ｎｍの厚さの第一の層、４０ｎｍの厚さの第二の層、及び３０ｎｍの厚さの第三の層の３つの層を有する。これらの所望の値及び他の設定値パラメータ、例えば、各層のそれぞれの材料、に基づいて、光学的測定についてのシミュレーションされたスペクトル曲線が、計算される。その後、これらの計算された曲線が、測定ヘッド及び検出装置１６０によって確定されるような実際のスペクトル曲線を比較され、所望のスペクトル曲線からの実際のスペクトル曲線の偏差を確定する。本書に記載の他の実施形態と結合できる、幾つかの実施形態によれば、一つ以上のシミュレーションされたスペクトル曲線の入力パラメータが、スペクトル分解された測定信号、すなわち、実際のスペクトル曲線とマッチするように、フィッティングされてもよい。例えば、シミュレーションされた曲線が、測定されたスペクトル曲線と合うまで、それぞれの層の厚さの値が、調整されてもよい。このフィッティングから、実際の層の厚さが、確定され得る。例示にすぎないが、フィッティングにより、第一の層の厚さが６ｎｍ、第二の層の厚さが４５ｎｍ、第三の層の厚さが３２ｎｍであることが明らかとなるかもしれない。従って、第一の層は所望の厚さから−２ｎｍだけずれ、第二の層は＋５ｎｍだけずれ、第三の層は＋２ｎｍだけずれている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
上記のように、一つ以上の堆積源５０が、装置１００に設けられる。通常、これらの源は、スパッタターゲットであることができる。しかしながら、蒸発器、ＣＶＤ源及びＰＥＣＶＤ（プラズマ化学気相堆積）源のような他の源も、含めてよい。特に、層スタックが、堆積モジュールの中で、すなわち堆積チャンバ１０４の中で堆積される場合、２つ以上の源が設けられることができ、源は、ＰＶＤ源、スパッタ源、平面又は回転可能なスパッタ源、平面又は回転可能なツインスパッタ源、ＣＶＤ源、ＰＥＣＶＤ（プラズマ化学気相堆積）源及び蒸発器からなる群から個別に選択されることができる。本書に記載の他の実施形態と結合できる、幾つかの実施形態によれば、一つ以上のスパッタターゲットが、堆積モジュールの中に、例えば、一つのサブチャンバ４０につき一つのスパッタターゲットで、設けられることができる。図３に示されるように、ターゲットは、第一のターゲット部と第二のターゲット部を有するツインターゲットとして設けることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
真空堆積装置のためのインライン堆積制御の方法が、図７に示される。ステップ５０２で、一つ以上の堆積層が堆積された基板が、照射される。次のステップ５０４で、一つ以上の堆積層を有する基板で反射された光、及び／又は一つ以上の堆積層を有する基板を透過した光である、スペクトル分解された信号が、測定される。その後、ステップ５０６で、測定信号及び一つ以上の堆積層の堆積についての一組の設定値パラメータに基づいて、一つ以上の層のそれぞれの厚さが確定される。次のステップ５０８で、一つ以上の堆積層の堆積が、確定された厚さに基づいてフィードバック制御される。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
次のステップ９１２で、新しいメリット関数Ｍ１が、ステップ９１０で確定された新しい反射率及び／又は透過率の値に基づいて計算される。その後、新しいメリット関数Ｍ１が、ステップ９１４で最初のメリット関数Ｍ０と比較される。このようにして、変えられた層の厚さが、測定データとよりぴったり合うスペクトルデータをもたらすかどうかが、決定されることができる。これが事実である場合、新しいメリット関数Ｍ１は、最初のメリット関数Ｍ０よりも小さいであろう。この場合、最初のメリット関数Ｍ０は、ステップ９１６で、新しいメリット関数Ｍ１によって置換えられ、本方法は、ステップ９０８における層の厚さの更なる変化とともに継続する。新しいメリット関数Ｍ１が、古いメリット関数Ｍ０よりも小さくない場合、反復最適化プロセスは終了し、最新の層の厚さｄ１Ｎ，…，ｄＮＮが、測定されたスペクトル曲線とフィットする厚さの値の最良の組として維持される。