(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
中心導体の外周に低誘電率樹脂絶縁層と外部金属導体層を順次設けてなる細径同軸ケーブルに於いて、
前記低誘電率樹脂絶縁層は、中心導体の外周にペースト押出し成形された未焼結の四弗化エチレン樹脂絶縁体がサンドバス、溶融塩或は不活性溶液中を高速で通過させる方法により瞬間的な加熱処理を施されて形成されるとともに、絶縁層の外径が５〜３０％収縮されている多孔質四弗化エチレン樹脂絶縁層であることを特徴とする端末加工性が良好な細径同軸ケーブル。
【請求項２】
前記ペースト押出し成形された未焼結の四弗化エチレン樹脂絶縁体は、結晶化率が９５％以上で気孔率が３０〜５０％であることを特徴とする請求項１記載の端末加工性が良好な細径同軸ケーブル。
【請求項３】
前記多孔質四弗化エチレン樹脂絶縁層の表面はエッチング液で表面処理され、めっき可能とされていることを特徴とする請求項１又は２記載の端末加工性が良好な細径同軸ケーブル。
【請求項４】
前記多孔質四弗化エチレン樹脂絶縁層の外径が１．０ｍｍ以下の細径であることを特徴とする請求項１、２又は３記載の端末加工性が良好な細径同軸ケーブル。
【請求項５】
中心導体１の外周に未焼結の四弗化エチレン樹脂をペースト押出し成形し、結晶化率が９５％以上で気孔率が３０〜５０％の未焼結の四弗化エチレン樹脂絶縁体からなる未焼結多孔質四弗化エチレン樹脂層２ａを設けて未焼結絶縁体コアｃ’とするペースト押出し工程ｆ１と、サンドバス、溶融塩或は不活性溶液中を高速で通過させる方法により前記未焼結絶縁体コアｃ’に瞬間的な加熱処理を施し、表面の結晶化率を７５〜９２％に調整し，絶縁層全体の気孔率を５〜３０％に調整し，また絶縁層の外径を５〜３０％収縮させた多孔質四弗化エチレン樹脂絶縁層２として絶縁体コアｃとする瞬間的加熱処理工程ｆ２と、前記絶縁体コアｃの表面をエッチング液で表面処理してめっき可能とするエッチング処理工程ｆ３と、外部金属導体層３の形成工程として、前記工程ｆ３後の絶縁体コアｃの外周に無電解めっきによりアンカー金属層３ａを設ける無電解めっき工程ｆ４と、前記アンカー金属層３ａの外周に電気めっきにより厚めっき金属層３ｂを設ける電気めっき工程ｆ４とを有することを特徴とする端末加工性が良好な細径同軸ケーブルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は小型電子機器の高周波伝送線路に用いられる細径同軸ケーブルに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
携帯電話機等の小型電子機器内の高周波伝送線路として使用される細径同軸ケーブルは、可撓性に富み高周波電気特性に優れるとともに、端末加工の容易さや半田耐熱性が要求される。細径同軸ケーブルの一般的な構成は、中心導体の外周に、弗素樹脂あるいはポリエチレン樹脂等を押出し形成被覆するか、樹脂のテープを重ね巻きして低誘電率絶縁層を形成し、この低誘電率絶縁層の外周に外部金属導体層を設けてなっている。前記外部金属導体層としては、金属テープを重ね巻きしたもの、導線を横巻きしたもの、銅パイプ中に低誘電率絶縁層を挿入し、銅パイプと低誘電率絶縁層が密着するまでダイスで引き絞り加工して形成したもの、あるいは本願発明者等が特開平6-187847号公報に開示のように、低誘電率絶縁層外周に無電解めっきによるアンカー金属層と電気めっきによる良導電性金属層とを施して形成したものがある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
細径同軸ケーブルは、他の電子部品と同様に、回路基板等と半田接続する際にリフロー炉を用いた自動半田接続方式が採用されるようになり、細径同軸ケーブルの更なる改良が求められ、低誘電率樹脂絶縁層に充実型の弗素樹脂絶縁体に代わって耐熱性の良い多孔質四弗化エチレン樹脂（ＰＴＦＥ）絶縁体が多用されるようになった。
【０００４】
しかし、細径同軸ケーブルの絶縁層を多孔質ＰＴＦＥ絶縁体で形成した場合、端末処理工程において、多孔質ＰＴＦＥ絶縁層を中心導体から輪切り状に剥離する際に、多孔質ＰＴＦＥ絶縁層が剥離工具によって押しつぶされたり引き伸ばされてしまうので、多孔質ＰＴＦＥ絶縁層を輪切り状に確実に剥離することが難しく、また剥離の際に中心導体に損傷を与えてしまうという問題があった。これは、多孔質ＰＴＦＥ絶縁体の剛性が充実型の弗素樹脂絶縁体の剛性に比べ低いことに起因している。
【０００５】
本発明は、上記従来技術が有する各種問題点を解決するためになされたもので、優れた高周波電気特性と耐熱性能を損なうことなく端末加工性の改善を図り、端末加工の際に中心導体に損傷を与えることなく、多孔質ＰＴＦＥ絶縁層を輪切り状に確実に剥離することのできる端末加工性が良好な細径同軸ケーブル及びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、第１の観点として本発明は、中心導体の外周に低誘電率樹脂絶縁層と外部金属導体層を順次設けてなる細径同軸ケーブルに於いて、
前記低誘電率樹脂絶縁層は、中心導体の外周にペースト押出し成形された未焼結の四弗化エチレン樹脂絶縁体がサンドバス、溶融塩或は不活性溶液中を高速で通過させる方法により瞬間的な加熱処理を施されて形成されるとともに、絶縁層の外径が５〜３０％収縮されている多孔質四弗化エチレン樹脂絶縁層であることを特徴とする端末加工性が良好な細径同軸ケーブル（以下、細径同軸ケーブルと略記する）にある。
なお、前記不活性溶液としては、弗素系溶剤・フロリナート等が挙げられる。
【０００７】
本発明の第１の観点の細径同軸ケーブルは、前記低誘電率樹脂絶縁層は、中心導体の外周にペースト押出し成形された未焼結の四弗化エチレン樹脂絶縁体（以下、未焼結ＰＴＦＥ絶縁体と略記する）がサンドバス、溶融塩或は不活性溶液中を高速で通過させる方法により瞬間的な加熱処理を施されるとともに、絶縁層の外径が５〜３０％収縮されている多孔質四弗化エチレン樹脂絶縁層（以下、多孔質ＰＴＦＥ絶縁層と略記する）であるので、表面等が完全焼結されることなく、優れた高周波電気特性と耐熱性能を大きく損なうことなしに剛性の向上が図れ、充実体と同程度の剛性を持つようになり、端末加工性を改善することができる。更に詳しく説明すると、多孔質ＰＴＦＥ絶縁層全体の剛性が高まることにより、端末加工の際に処理工程において、多孔質ＰＴＦＥ絶縁層を中心導体から輪切り状に剥離する際に、剥離工具の刃を、多孔質ＰＴＦＥ絶縁層を押し潰すことなく、該絶縁層内深くまで挿入することができるので、多孔質ＰＴＦＥ絶縁層を無理に引き伸ばすことなく中心導体から確実、容易に輪切り状に剥離することが可能となる。従って、剥離の際に中心導体に損傷を与えてしまうという恐れもなくなる。また前記瞬間的な加熱処理の方法として、サンドバス、溶融塩或は不活性溶液中を高速で通過させる方法を用いることにより、瞬間的な加熱処理が効果的になされる。
【０００８】
第２の観点として本発明は、前記ペースト押出し成形された未焼結の四弗化エチレン樹脂絶縁体は、結晶化率が９５％以上で気孔率が３０〜５０％である細径同軸ケーブルにある。
【０００９】
本発明の第２の観点の細径同軸ケーブルは、前記未焼結ＰＴＦＥ絶縁体として、結晶化率が９５％以上で気孔率が３０〜５０％のものが好ましく用いられる。
【００１０】
第３の観点として本発明は、前記多孔質ＰＴＦＥ絶縁層の表面はエッチング液で表面処理され、めっき可能とされている細径同軸ケーブルにある。
【００１１】
本発明の第３の観点の細径同軸ケーブルは、前記多孔質ＰＴＦＥ絶縁層の表面はエッチング液で表面処理されているので、該ＰＴＦＥ絶縁層に良好な無電解めっき及び電気めっきが可能となり、良好な外部金属導体層が形成される。
【００１２】
第４の観点として本発明は、前記多孔質ＰＴＦＥ絶縁層の外径が１．０ｍｍ以下の細径である細径同軸ケーブルにある。
【００１３】
本発明の第４の観点の細径同軸ケーブルは、前記多孔質ＰＴＦＥ絶縁層の外径が１．０ｍｍ以下の細径であるので、小型電子機器内の高周波伝送線路として好ましく適用できる。
【００１４】
第５の観点として本発明は、中心導体１の外周に未焼結四弗化エチレン樹脂をペースト押出し成形し、結晶化率が９５％以上で気孔率が３０〜５０％の未焼結の四弗化エチレン樹脂絶縁体からなる未焼結多孔質四弗化エチレン樹脂層（以下未焼結ＰＴＦＥ層と略記する）２ａを設けて未焼結絶縁体コアｃ’とするペースト押出し工程ｆ１と、サンドバス、溶融塩或は不活性溶液中を高速で通過させる方法により前記未焼結絶縁体コアｃ’に瞬間的な加熱処理を施し、表面の結晶化率を７５〜９２％に調整し，絶縁層全体の気孔率を５〜３０％に調整し，また絶縁層の外径を５〜３０％収縮させた多孔質ＰＴＦＥ絶縁層２として絶縁体コアｃとする瞬間的加熱処理工程ｆ２と、前記絶縁体コアｃの表面をエッチング液で表面処理してめっき可能とするエッチング処理工程ｆ３と、外部金属導体層３の形成工程として、前記工程ｆ３後の絶縁体コアｃの外周に無電解めっきによりアンカー金属層３ａを設ける無電解めっき工程ｆ４と、前記アンカー金属層３ａの外周に電気めっきにより厚めっき金属層３ｂを設ける電気めっき工程ｆ４とを有する細径同軸ケーブルの製造方法にある。
【００１５】
本発明の第５の観点の細径同軸ケーブルの製造方法によれば、前記第１〜第４の観点の細径同軸ケーブルが好ましく製造できる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態について、図を用いて詳細に説明する。
図１は本発明の細径同軸ケーブルが製造される迄の一例を示す略断面図であり、同図（ａ）は中心導体の外周に未焼結ＰＴＦＥ樹脂層が設けられた未焼結絶縁体コアであり、同図（ｂ）は前記未焼結状態コアが瞬間加熱処理され、絶縁層の外径が５〜３０％収縮されている絶縁体コアであり、また同図（ｃ）は絶縁体コアの外周に外部金属導体層が設けられ、完成した細径同軸ケーブルである。また、図２は本発明の細径同軸ケーブルの製造方法の一例を示すチャート図である。
【００１７】
これらの図に於いて、１は中心導体、２ａは未焼結多孔質ＰＴＦＥ層、２は多孔質ＰＴＦＥ絶縁層（低誘電率樹脂絶縁層）、３は外部金属導体層、３ａはアンカー金属層、３ｂは厚めっき金属層、ｃ’は未焼結絶縁体コア、ｃは絶縁体コア、また５は細径同軸ケーブルである。
【００１８】
−第１の実施の形態−
本発明の第１の実施の形態について、図１、２を用いて説明する。
先ず、ペースト押出し工程ｆ１として、外径０．１６２ｍｍの銀めっき銅覆鋼線の中心導体１の外周に、未焼結の多孔質ＰＴＦＥ樹脂をペースト押出し被覆して、被覆厚さ０．２１９ｍｍ、結晶化率９７％、気孔率４０％の未焼結多孔質ＰＴＦＥ層２ａを形成し、未焼結絶縁体コアｃ’とした（図１（ａ））。なお、結晶化率はＸ線回析により算出した。
【００１９】
続いて瞬間的加熱処理工程ｆ２として、前記未焼結絶縁体コアｃ’を３４０℃のサンドバス槽で３秒間加熱処理し、前記未焼結多孔質ＰＴＦＥ層２ａの外径を収縮させ、被覆厚さ０．１７ｍｍ（収縮率１６．７％）、結晶化率８５％、気孔率２５％の多孔質ＰＴＦＥ絶縁層２を形成し、外径０．５０ｍｍの絶縁体コアｃとした（図１（ｂ））。
【００２０】
続いてエッチング処理工程ｆ３として、前記絶縁体コアｃを液温１０℃の金属ナトリウム−ナフタレン錯体溶液中で０．２６秒間活性化処理した。
【００２１】
続いて外部金属導体層３の形成工程として、先ず無電解めっき工程ｆ４として、前記活性化処理後の絶縁体コアｃの外周に無電解めっきにより０．５μｍ厚さのＮｉ−Ｐアンカー金属層３ａを施した。
【００２２】
続いて電気めっき工程ｆ４として、前記アンカー金属層３ａの外周に電気めっきにより５０μｍ厚さの銅めっき金属層３ｂを施し、合計厚さ５０．５μｍの外部金属導体層３を形成して外径０．６０３ｍｍの細径同軸ケーブル５を製造した（図１（ｃ））。
【００２３】
−第２の実施の形態−
本発明の第２の実施の形態について、図１、２を用いて説明する。
先ず、ペースト押出し工程ｆ１として、外径０．２００ｍｍの銀めっき銅覆鋼線の中心導体１の外周に、未焼結の多孔質ＰＴＦＥ樹脂をペースト押出し被覆して、被覆厚さ０．２５ｍｍ、結晶化率９７％、気孔率４０％の未焼結多孔質ＰＴＦＥ層２ａを形成し、未焼結絶縁体コアｃ’とした（図１（ａ））。
【００２４】
続いて瞬間加熱処理工程ｆ２として、前記未焼結絶縁体コアｃ’を３４０℃のサンドバス槽で３秒間加熱処理し、前記未焼結多孔質ＰＴＦＥ層２ａの外径を収縮させ、被覆厚さ０．２０ｍｍ（収縮率１４．３％）、結晶化率８５％、気孔率２５％の多孔質ＰＴＦＥ絶縁層２を形成し、外径０．６０ｍｍの絶縁体コアｃとした（図１（ｂ））。
【００２５】
続いてエッチング処理工程ｆ３として、前記絶縁体コアｃを液温１０℃の金属ナトリウム−ナフタレン錯体溶液中で０．２６秒間活性化処理し、多孔質ＰＴＦＥ絶縁層２の表面をエッチングした。
【００２６】
続いて無電解めっき工程ｆ４として、前記活性化処理後の絶縁体コアｃの外周に無電解めっきにより０．５μｍ厚さのＮｉ−Ｐアンカー金属層３ａを施した。
【００２７】
続いて電気めっき工程ｆ４として、前記アンカー金属層３ａの外周に電気めっきにより５０μｍ厚さの銅めっき金属層３ｂを施し、合計厚さ５０．５μｍの外部金属導体層３を形成して外径０．６０３ｍｍの細径同軸ケーブル５を製造した（図１（ｃ））。
【００２８】
なお、外部金属導体層３としては、上記金属めっき外部導体層の他に、金属テープを重ね巻きして形成したもの、或は導線を横巻きして形成したもの、或は銅パイプを被せて形成したもの等がある。本発明の実施の形態では金属めっき外部導体層を例示したが、いずれの外部導体であっても差し支えないことは勿論である。
【００２９】
比較の形態
−第１の比較の形態−
前記第１の実施の形態において、瞬間的加熱処理工程ｆ２を除いた以外は第１の実施の形態と同様にして細径同軸ケーブルを製造した。
【００３０】
−第２の比較の形態−
前記第２の実施の形態において、瞬間的加熱処理工程ｆ２を除いた以外は第１の実施の形態と同様にして細径同軸ケーブルを製造した。
【００３１】
前記実施の形態および比較の形態により得られた細径同軸ケーブルについて、端末加工性等の特性を試験した。その結果を下記表１に示す。また、端末加工性試験後の細径同軸ケーブルの端部を写真図の図３に示す。なお、同図（ａ）は第１の実施形態の細径同軸ケーブル、また同図（ｂ）は第１の比較形態の細径同軸ケーブルである。また、倍率は１２倍である。
【００３２】
【表１】
0003592083.tif 000002
【００３３】
上記表１から明らかなように、本発明の細径同軸ケーブルは端末加工性、耐熱性が良好であることが分かる。また、写真図の図３から明らかなように、本発明の細径同軸ケーブルは絶縁層が輪切り状に良好に剥離されていることが分かる。一方、比較形態の細径同軸ケーブルは絶縁層が押しつぶされていることが分かる。また、表には記載しなかったが、本発明の細径同軸ケーブルは高周波電気特性も良好であった。
【００３４】
【発明の効果】
本発明の細径同軸ケーブル及びその製造方法によれば、中心導体の外周にペースト押出し成形された未焼結ＰＴＦＥ絶縁体が瞬間的な加熱処理を施されることにより多孔質ＰＴＦＥ絶縁層が形成され、更には、絶縁層の外径が５〜３０％収縮されたものであるので、充実体と同程度の剛性を持つようになり、端末加工性が改善された。従って、優れた高周波電気特性と耐熱性能を損なうことなく端末加工性の改善が図られ、端末加工の際に中心導体に損傷を与えることなく、多孔質ＰＴＦＥ絶縁層を輪切り状に確実に剥離することのできるようになった。従って、本発明は産業に寄与する効果が極めて大である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の細径同軸ケーブルが製造される迄の一例を示す略断面図である。
同図（ａ）は中心導体の外周に未焼結ＰＴＦＥ樹脂層が設けられた未焼結絶縁体コアである。
同図（ｂ）は前記未焼結状態コアが瞬間加熱処理され、絶縁層の外径が５〜３０％収縮されている絶縁体コアである。
同図（ｃ）は絶縁体コアの外周に外部金属導体層が設けられ、完成した細径同軸ケーブルである。
【図２】本発明の細径同軸ケーブルの製造方法の一例を示すチャート図である。
【図３】端末加工性試験後の細径同軸ケーブルの端部を示す写真図である。
同図（ａ）は第１の実施形態の細径同軸ケーブルである。
同図（ｂ）は第１の比較形態の細径同軸ケーブルである。
【符号の説明】
１  中心導体
２  多孔質四弗化エチレン樹脂絶縁層（低誘電率樹脂絶縁層）
２ａ  未焼結多孔質四弗化エチレン樹脂層
３  外部金属導体層
３ａ  アンカー金属層
３ｂ  厚めっき金属層
５  細径同軸ケーブル
ｃ  絶縁体コア
ｃ’  未焼結絶縁体コア
【図１】
0003592083.tif 000003
【図２】
0003592083.tif 000004
【図３】
0003592083.tif 000005