【手続補正書】
【提出日】平成29年6月5日(2017.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャビティ、第１の金属層、および外部電力回路網を備える基板と、
内部電力回路網および内部グランド回路網を備えるダイであって、前記内部電力回路網が前記外部電力回路網に結合されるダイと、
前記キャビティ内に埋め込まれた多端子コンデンサであって、ダイの前記内部電力回路網および前記ダイの前記内部グランド電力回路網に電気的に結合されるように構成され、
第１の面と、
前記第１の面とほぼ反対側の第２の面と、
第１の正端子および第２の正端子を含む複数の正端子と、
第１のグランド端子および第２のグランド端子を含む複数のグランド端子とを含み、
前記第１の正端子および前記第１のグランド端子が、前記多端子コンデンサの前記第１の面上にあり、
前記第２の正端子および前記第２のグランド端子が、前記多端子コンデンサの前記第２の面上にある多端子コンデンサと、
前記多端子コンデンサの表面の上の第１のコンデンサ金属層であって、前記基板の前記第１の金属層とほぼ同一平面上にあり、前記第１の正端子に電気的に結合されたコンデンサ電力回路網を形成するように構成され、前記コンデンサ電力回路網が、前記ダイの前記内部電力回路網に電気的に結合されるように構成される第１のコンデンサ金属層と、
前記多端子コンデンサの表面の上の第２のコンデンサ金属層であって、前記基板の前記第１の金属層とほぼ同一平面上にあり、前記第１のグランド端子に電気的に結合されたコンデンサグランド回路網を形成するように構成され、前記コンデンサグランド回路網が、前記ダイの前記内部グランド回路網に電気的に結合されるように構成される第２のコンデンサ金属層と
を備えるデバイス。
【請求項２】
前記多端子コンデンサが、ダイに面する表面と、対向する表面とを含み、前記複数の正端子および前記複数のグランド端子が、前記ダイに面する表面と前記対向する表面との間で延びる前記多端子コンデンサの側壁上に分散する請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記基板が複数の金属層を含み、前記コンデンサ金属層が、前記基板の前記複数の金属層のうちの中間金属層とほぼ位置合せされる請求項１に記載のデバイス。
【請求項４】
前記外部電力回路網が前記基板と前記ダイとの間を横切るとき、前記外部電力回路網が前記多端子コンデンサを迂回する請求項１に記載のデバイス。
【請求項５】
前記複数の正端子が、前記多端子コンデンサの前記第１の面上の第３の正端子を含み、前記複数のグランド端子が、前記多端子コンデンサの前記第２の面上の第３のグランド端子を含む請求項１に記載のデバイス。
【請求項６】
前記第１のグランド端子が前記第１の正端子と前記第３の正端子との間にあるように、前記第１のグランド端子が前記第１の面上にあり、前記第２の正端子が前記第２のグランド端子と前記第３のグランド端子との間にあるように、前記第２の正端子が前記第２の面上にある請求項５に記載のデバイス。
【請求項７】
前記第１のコンデンサ金属層が複数の第１の電力レール内に配置され、前記第２のコンデンサ金属層が複数の第１のグランドレール内に配置される請求項１に記載のデバイス。
【請求項８】
前記内部電力回路網が、複数の第１のダイ相互接続を通じて前記第１の電力レールに電気的に結合される請求項７に記載のデバイス。
【請求項９】
前記基板が、前記外部電力回路網を形成するように構成された複数の金属層を含み、前記ダイが、少なくとも第２のダイ相互接続を通じて前記外部電力回路網に電気的に結合されたヘッドスイッチを含み、前記ヘッドスイッチが、前記複数の第２のダイ相互接続にさらに電気的に結合される請求項８に記載のデバイス。
【請求項１０】
前記基板が、前記第１のコンデンサ金属層および前記第２のコンデンサ金属層に重なる第４の金属層を含み、前記第４の金属層が、前記第１の電力レールに電気的に結合された複数の第２の電力レールを含むように構成され、前記第４の金属層が、前記第１のグランドレールに電気的に結合された複数の第２のグランドレールを含むように構成される請求項７に記載のデバイス。
【請求項１１】
前記第１の電力レールと前記第１のグランドレールがインターリーブされ、前記第２の電力レールと前記第２のグランドレールがインターリーブされる請求項１０に記載のデバイス。
【請求項１２】
前記第１の電力レールおよび第１のグランドレールが、第１の方向に延びるように配置され、前記第２の電力レールおよび第２のグランドレールが、前記第１の方向と直交する第２の方向に延びるように配置される請求項１１に記載のデバイス。
【請求項１３】
前記多端子コンデンサが多層セラミックコンデンサである請求項１に記載のデバイス。
【請求項１４】
基板金属層および外部電力回路網を含む基板を設けるステップと、
前記基板内にキャビティを形成するステップと、
コンデンサ金属層が前記基板金属層とほぼ位置合せされるように前記キャビティ内にコンデンサを埋め込むステップであって、（ｉ）第１の電力端子および第２の電力端子を含む複数の電力端子と、（ｉｉ）第１のグランド端子および第２のグランド端子を含む複数のグランド端子とを含む多端子コンデンサを設けるステップを含み、前記第１の電力端子および前記第１のグランド端子が、前記多端子コンデンサの第１の面上にあり、前記第２の電力端子および前記第２のグランド端子が、前記多端子コンデンサの第２の面上にあり、前記第２の面が前記第１の面とほぼ反対側にあるステップと、
前記多端子コンデンサの第１の表面上に前記コンデンサ金属層を堆積させ、前記多端子コンデンサの前記第１の電力端子に電気的に結合するコンデンサ電力回路網を形成し、前記多端子コンデンサの前記第１のグランド端子に電気的に結合するコンデンサグランド回路網を形成するステップであって、前記コンデンサ電力回路網がダイの内部電力回路網に電気的に結合するように構成されるように、前記コンデンサ電力回路網が形成されるステップと、
前記ダイの前記内部電力回路網が前記コンデンサ電力回路網および前記基板の前記外部電力回路網に電気的に結合されるように、前記基板に前記ダイを結合するステップであって、前記外部電力回路網が、前記基板と前記ダイとの間を横切るとき、前記コンデンサを迂回するステップと
を含む方法。
【請求項１５】
前記コンデンサ金属層を堆積させる前記ステップが、複数の第１の電力レールを堆積させ、前記コンデンサ電力回路網を形成するステップと、複数の第１のグランドレールを堆積させ、前記コンデンサグランド回路網を形成するステップとを含む請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記キャビティ内に前記コンデンサを埋め込んだ後、前記基板上に誘電体層を形成するステップと、
前記誘電体層を貫いて第１の複数のビアを形成するステップであって、前記第１の複数のビアが、前記第１の電力レールに電気的に結合するステップと、
前記誘電体層を貫いて第２の複数のビアを形成するステップであって、前記第２の複数のビアが、前記第１のグランドレールに電気的に結合するステップと
をさらに含む請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記誘電体層上に追加の金属層を堆積させ、複数の第２の電力レールおよび複数の第２のグランドレールを形成するステップであって、前記複数の第２の電力レールが、前記第１の複数のビアに電気的に結合し、前記複数の第２のグランドレールが、前記第２の複数のビアに電気的に結合するステップをさらに含む請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記ダイの内部電力回路網が、複数の第１のダイ相互接続を通じて前記コンデンサ金属層内の前記電力回路網に電気的に結合する請求項１４に記載の方法。
【請求項１９】
前記ダイを結合する前記ステップが、複数の第２のダイ相互接続を通じて、前記ダイ内の内部グランド回路網を前記コンデンサ金属層内の前記グランド回路網に電気的に結合する請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記キャビティ内に前記コンデンサを埋め込む前記ステップが、前記キャビティの残りの部分を誘電体材料で充填するステップをさらに含む請求項１４に記載の方法。
【請求項２１】
前記コンデンサ金属層を堆積させる前記ステップが、銅コンデンサ金属層を堆積させるステップを含む請求項１４に記載の方法。
【請求項２２】
キャビティを含む基板と、
前記キャビティ内に埋め込まれた多端子コンデンサであって、
第１の面と、
前記第１の面とほぼ反対側の第２の面と、
第１の正端子および第２の正端子を含む複数の正端子と、
第１のグランド端子および第２のグランド端子を含む複数のグランド端子とを含み、
前記第１の正端子および前記第１のグランド端子が、前記多端子コンデンサの前記第１の面上にあり、
前記第２の正端子および前記第２のグランド端子が、前記多端子コンデンサの前記第２の面上にある多端子コンデンサと、
前記多端子コンデンサの第１の表面の上のコンデンサ金属層であって、前記多端子コンデンサについての前記複数の正端子に電気的に結合されたコンデンサ電力回路網を含み、前記多端子コンデンサについての前記複数のグランド端子に電気的に結合されたコンデンサグランド回路網を含むコンデンサ金属層と、
内部電力回路網および内部グランド回路網を備えるダイと、
前記内部電力回路網および前記内部グランド回路網が前記多端子コンデンサに電気的に結合するように構成されるように、前記コンデンサ電力回路網に前記内部電力回路網を電気的に結合し、前記コンデンサグランド回路網に前記内部グランド回路網を電気的に結合するための手段とを備える集積回路パッケージ。
【請求項２３】
前記基板が、前記ダイの前記内部電力回路網に電気的に結合されるように構成される外部電力回路網をさらに含む請求項２２に記載の集積回路パッケージ。
【請求項２４】
前記ダイが、前記外部電力回路網と前記内部電力回路網との間に電気的に結合されたヘッドスイッチを含む請求項２３に記載の集積回路パッケージ。
【請求項２５】
前記基板が有機基板を含む請求項２２に記載の集積回路パッケージ。
【請求項２６】
前記基板が半導体基板を含む請求項２２に記載の集積回路パッケージ。
【請求項２７】
前記コンデンサ金属層が、パターン形成された銅金属層を含む請求項２２に記載の集積回路パッケージ。
【請求項２８】
前記集積回路パッケージが、携帯電話、ラップトップ、タブレット、音楽プレーヤ、通信デバイス、コンピュータ、およびビデオプレーヤのうちの少なくとも１つの中に組み込まれる請求項２２に記載の集積回路パッケージ。
【請求項２９】
前記外部電力回路網が前記基板と前記ダイとの間を横切るとき、前記外部電力回路網が前記多端子コンデンサを迂回する請求項２２に記載の集積回路パッケージ。