【手続補正書】
【提出日】平成29年11月17日(2017.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のサンプルを並行して分析するための集積デバイスにおいて、
基板の上に配置されている複数のピクセルであって、前記複数のピクセルの個々のピクセルは、
生物学的なサンプルを保持する励起領域を有するサンプル・ウェルと、
前記サンプル・ウェルに隣接して、又は、前記サンプル・ウェルの中に位置付けされている第１の構造体であって、前記第１の構造体は、前記励起領域の中への少なくとも励起エネルギーのカップリングに影響を及す、第１の構造体と、
センサーを含むセンシング・システムであって、前記センサーは、前記サンプル・ウェルからの少なくとも２つの異なるエミッションの間を差別するように構成されており、前記２つの異なるエミッションは、スペクトルの差又は時間的な差のうちの少なくとも一方からなる、センシング・システムと
からなる、複数のピクセルと、
前記センサーからの少なくとも１つの信号を受け取るように前記基板の上に配置されている回路と、
からなる、複数のサンプルを並行して分析するための集積デバイス。
【請求項２】
前記励起エネルギーを前記サンプル・ウェルに与えるように配置されている、前記基板の上の少なくとも１つの励起供給源をさらに備える、請求項１に記載の集積デバイス。
【請求項３】
前記第１の構造体が、前記第１の構造体において励起されるプラズモンを介して、前記励起領域の中への前記励起エネルギーのカップリングを改善する、３次元の、マイクロ・スケールの、又はナノ・スケールのプラズモニック構造体からなる、請求項１に記載の集積デバイス。
【請求項４】
前記第１の構造体が、前記励起領域の中の前記励起エネルギーの強度を増加させるマイクロ光学的な構造体又はナノ光学的な構造体からなる、請求項１に記載の集積デバイス。
【請求項５】
前記ピクセルが、第２の構造体をさらに含み、前記第２の構造体は、前記サンプル・ウェルに隣接して位置付けされており、前記サンプル・ウェルは、前記サンプル・ウェルから放出された放射線を、前記放出された放射線の波長に依存する複数の異なる空間的な分布
の中へ方向付けするように、及び、複数の異なる方向のそれぞれの方向に前記放出された放射線を濃縮する、請求項１に記載の集積デバイス。
【請求項６】
前記集積デバイス及びサンプル・ウェルが、懸濁流体の中のサンプルを受け取るように配置されている、請求項１〜５のいずれか１項に記載の集積デバイス。
【請求項７】
前記サンプル・ウェルが、励起エネルギーが受け取られるエントランス・アパーチャからなり、前記アパーチャの直径が、おおよそ３０ナノメートルからおおよそ２５０ナノメートルの間にある、請求項１〜６のいずれか１項に記載の集積デバイス。
【請求項８】
前記サンプル・ウェルの中に配置されているインヒビターをさらに含み、前記インヒビターは、前記サンプル・ウェルの少なくとも１つの表面に対するサンプルの付着を阻止する、請求項１〜７のいずれか１項に記載の集積デバイス。
【請求項９】
前記サンプル・ウェルの少なくとも一部分が、半導体接合に隣接して位置付けされている、請求項１〜８のいずれか１項に記載の集積デバイス。
【請求項１０】
前記第１の構造体が、前記励起エネルギーの特性周波数に関する共鳴構造体からなり、前記サンプル・ウェルが、前記共鳴構造体のカップリング領域に対応する位置に位置決めされている、請求項１〜９のいずれか１項に記載の集積デバイス。
【請求項１１】
前記プラズモニック構造体が、デバイスの少なくとも１つの電極の中に形成されており、前記少なくとも１つの電極は、前記サンプル・ウェルに隣接して位置付けされている、請求項３に記載の集積デバイス。
【請求項１２】
前記第１の構造体が、前記サンプル・ウェルに隣接する薄い損失性膜からなる、請求項３４に記載の集積デバイス。
【請求項１３】
前記第２の構造体が、プラズモニック構造体からなり、前記サンプル・ウェルの光学的な近接場の中に形成され、前記プラズモニック構造体が、前記サンプル・ウェルがその中に形成されている同じ層の中に少なくとも部分的に形成されている、請求項３５に記載の集積デバイス。
【請求項１４】
前記センサーが、少なくとも２つの空間的に分離された検出器からなり、任意で前記センサーが、ブルズ・アイ・フォトディテクターからなり、前記ブルズ・アイ・フォトディテクターは、中央光検出器と、前記中央光検出器から間隔を置いて配置され、前記中央光検出器を取り囲む、少なくとも１つのリング形状の光検出器とを有している、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の集積デバイス。
【請求項１５】
前記少なくとも１つの励起供給源が、少なくとも１つのサンプル・ウェルに励起エネルギーを提供するようにそれぞれ配置されている複数のＯＬＥＤ、ＰｈＯＬＥＤ、ＱＬＥＤ、ＬＥＤ、レーザ・ダイオード、又はＶＣＳＥＬからなる、請求項２に記載の集積デバイス。
【請求項１６】
複数のサンプルを並行して分析する分析方法において、
基板の表面において、サンプルを含有する試料を受け入れる工程と、
前記基板の上の複数のピクセルの中に位置付けされている複数のサンプル・ウェルの中に、懸濁流体からのサンプルを保持する工程と、
少なくとも１つの励起供給源から前記サンプル・ウェルのうちの１つ又は複数に励起エネルギーを提供する工程と、
少なくとも前記複数のピクセルのうちの１つに関して、
前記サンプル・ウェルからエミッションを受け取るように配置されているセンサーにおいて、サンプル・ウェルからのエミッションを検出する工程と、
前記検出されたエミッションを表している、前記センサーからの信号セットを受け取る工程と、
前記信号セットの分析に基づいて、前記サンプル・ウェルの中に保持されているサンプルの特質を特定する工程と、
からなる、方法。
【請求項１７】
前記信号セットが、前記エミッションから前記センサーによって作り出される２つのノン・ゼロ信号からなり、前記エミッションの空間的な分布又は時間的な分布のうちの少なくとも一方を表している、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記センサーが、マルチ・セグメント・センサーからなる、請求項１６又は１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記信号セットを分析する工程をさらに含む、請求項１６〜１８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２０】
分析する前記工程が、
前記信号セットの中の信号の比率を評価する工程と、
前記評価された比率に基づいて、前記エミッションを発生させたエミッターのタイプを特定する工程と、
からなる、請求項１６〜１９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２１】
前記少なくとも１つの励起供給源が、少なくとも１つのナノ・スケール励起供給源からなり、前記少なくとも１つのナノ・スケール励起供給源は、それぞれのピクセルの中に形成され、前記１つ又は複数のサンプル・ウェルに整合させられている、請求項１６〜２０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２２】
前記ナノ・スケール励起供給源が、発光ダイオード、垂直方向のレーザ・ダイオード、又は垂直共振器面発光レーザからなる、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
少なくとも１つのサンプル・ウェルの横断方向の寸法、及び、前記少なくとも１つのサンプル・ウェルに整合させられているナノ・スケール励起供給源の横断方向の寸法が、２００ｎｍ未満である、請求項２１又は２２に記載の方法。