(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理液中に基板を浸漬して基板処理を行う基板処理槽と、
基板処理槽からオーバーフローした処理液を前記基板処理槽に連通する循環供給管を通して循環供給する循環供給手段と、
前記基板処理槽および前記循環供給管内の処理液を排出する排出手段とを有する基板処理装置であって、
前記基板処理槽に対して複数種の処理液を供給する処理液供給手段と、
前記基板処理槽に対して純水を供給する純水供給手段と、
前記基板処理槽に浸漬されて基板処理される先行基板の処理に使用される処理液と前記先行基板の次に基板処理される後行基板の処理に使用される処理液の組成および濃度を記憶する記憶部を備え、後行基板を処理する前に前記記憶部から読み出された先行基板の処理液と後行基板の処理液の組成または濃度のいずれかが異なるときに、前記基板処理槽および前記循環供給管から先行基板の処理液を排出し、前記基板処理槽に対して供給された純水を所定時間循環させた後、排出する純水洗浄を所定回数行う洗浄処理を行い、後行基板の処理液を基板処理槽に対して供給するように前記排出手段、前記純水供給手段、前記循環供給手段および前記処理液供給手段を動作制御する槽制御部とが設けられた基板処理装置。
【請求項２】
前記槽制御部は、先行基板の処理に使用される処理液と後行基板の処理に使用される処理液の組成および濃度を記憶するとともに、後行基板の処理液に対応した洗浄条件を記憶する記憶部を備え、後行基板を処理する前に前記記憶部から読み出された先行基板の処理液と後行基板の処理液の組成または濃度のいずれかが異なるときに、前記記憶部から読み出された洗浄条件に従って洗浄処理を行う請求項１に記載された基板処理装置。
【請求項３】
前記槽制御部は、先行基板の処理に使用される処理液と後行基板の処理に使用される処理液の組成および濃度を記憶するとともに、処理液の組成および濃度ごとに関係付けられた洗浄条件を記憶する記憶部を備え、後行基板を処理する前に前記記憶部から読み出された先行基板の処理液と後行基板の処理液の組成または濃度のいずれかが異なるときに、後行基板の処理液の組成および濃度に対応した洗浄条件を前記記憶部から読み出し、読み出された洗浄条件に従って洗浄処理を行う請求項１に記載された基板処理装置。
【請求項４】
処理液中に基板を浸漬して基板処理を行う基板処理槽と、
基板処理槽からオーバーフローした処理液を前記基板処理槽に連通する循環供給管を通して循環供給する循環供給手段と、
前記基板処理槽および前記循環供給管内の処理液を排出する排出手段とを有する基板処理装置であって、
前記基板処理槽に対して複数種の処理液を供給する処理液供給手段と、
前記基板処理槽に対して純水を供給する純水供給手段と、
前記基板処理槽に浸漬されて基板処理される先行基板の処理に使用される処理液と前記先行基板の次に基板処理される後行基板の処理に使用される処理液の組成を記憶する記憶部を備え、後行基板を処理する前に前記記憶部から読み出された先行基板の処理液と後行基板の処理液の組成が異なるときに、前記基板処理槽および前記循環供給管から先行基板の処理液を排出し、前記基板処理槽に対して供給された純水を所定時間循環させた後、排出する純水洗浄を所定回数行う洗浄処理を行い、後行基板の処理液を基板処理槽に対して供給するように前記排出手段、前記純水供給手段、前記循環供給手段および前記処理液供給手段を動作制御する槽制御部とが設けられた基板処理装置。
【請求項５】
前記槽制御部は、先行基板の処理に使用される処理液と後行基板の処理に使用される処理液の組成を記憶するとともに、後行基板の処理液に対応した洗浄条件を記憶する記憶部を備え、後行基板を処理する前に前記記憶部から読み出された先行基板の処理液と後行基板の処理液の組成が異なるときに、前記記憶部から読み出された洗浄条件に従って洗浄処理を行う請求項４に記載された基板処理装置。
【請求項６】
前記槽制御部は、先行基板の処理に使用される処理液と後行基板の処理に使用される処理液の組成を記憶するとともに、処理液の組成ごとに関係付けられた洗浄条件を記憶する記憶部を備え、後行基板を処理する前に前記記憶部から読み出された先行基板の処理液と後行基板の処理液の組成が異なるときに、後行基板の処理液の組成に対応した洗浄条件を前記記憶部から読み出し、読み出された洗浄条件に従って洗浄処理を行う請求項４に記載された基板処理装置。
【請求項７】
処理液中に基板を浸漬して基板処理を行う基板処理槽と、
基板処理槽からオーバーフローした処理液を前記基板処理槽に連通する循環供給管を通して循環供給する循環供給手段と、
前記基板処理槽および前記循環供給管内の処理液を排出する排出手段とを有する基板処理装置であって、
前記基板処理槽に対して複数種の処理液を供給する処理液供給手段と、
前記基板処理槽に対して純水を供給する純水供給手段と、
前記基板処理槽に浸漬されて基板処理される先行基板の処理に使用される処理液と前記先行基板の次に基板処理される後行基板の処理に使用される処理液の濃度を記憶する記憶部を備え、後行基板を処理する前に前記記憶部から読み出された先行基板の処理液と後行基板の処理液の濃度が異なるときに、前記基板処理槽および前記循環供給管から先行基板の処理液を排出し、前記基板処理槽に対して供給された純水を所定時間循環させた後、排出する純水洗浄を所定回数行う洗浄処理を行い、後行基板の処理液を基板処理槽に対して供給するように前記排出手段、前記純水供給手段、前記循環供給手段および前記処理液供給手段を動作制御する槽制御部とが設けられた基板処理装置。
【請求項８】
前記槽制御部は、先行基板の処理に使用される処理液と後行基板の処理に使用される処理液の濃度を記憶するとともに、後行基板の処理液に対応した洗浄条件を記憶する記憶部を備え、後行基板を処理する前に前記記憶部から読み出された先行基板の処理液と後行基板の処理液の濃度が異なるときに、前記記憶部から読み出された洗浄条件に従って洗浄処理を行う請求項７に記載された基板処理装置。
【請求項９】
前記槽制御部は、先行基板の処理に使用される処理液と後行基板の処理に使用される処理液の濃度を記憶するとともに、処理液の濃度ごとに関係付けられた洗浄条件を記憶する記憶部を備え、後行基板を処理する前に前記記憶部から読み出された先行基板の処理液と後行基板の処理液の濃度が異なるときに、後行基板の処理液の濃度に対応した洗浄条件を前記記憶部から読み出し、読み出された洗浄条件に従って洗浄処理を行う請求項７に記載された基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明が属する技術分野】
本発明は、半導体基板や液晶ガラス基板などの薄板状基板（以下、単に「基板」という。）を種々の処理液によって基板処理を行う基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
処理液により基板に各種の処理を行う基板処理装置には、所定温度に調整された処理液中に複数の基板を浸漬して基板処理を行う基板処理槽と、この基板処理槽からオーバーフローした処理液を回収する回収槽と、この回収槽に回収された処理液を前記基板処理槽に循環供給する循環供給手段とを有する基板処理装置がある。前記循環供給手段には、前記基板処理槽と前記回収槽とを連通接続する循環供給管を備え、この循環供給管には循環ポンプ、ヒータ、フィルターが設けられている。なお、基板処理槽に一度に浸漬され基板処理される基板（通常は複数）はロットと呼ばれる。
【０００３】
前記基板処理装置において、処理液は複数のロットを処理した後、装置外に排出され、新しい処理液が供給され、この処理液によって再び複数のロットが処理される。このような処理液の交換が複数回行われると、処理液をフィルターによって濾過しているにもかかわらず、基板処理槽内に不可避的にパーティクル等の不純物が残存するようになる。このため、複数回の処理液の交換ごとに、基板処理槽の洗浄処理が行われる。この洗浄処理は、基板処理槽に純水を満たした後、この純水を不純物とともに排出する純水洗浄を数回行うことによってなされる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
近年、基板の多品種化、設備コストの低減のため、前記処理液を循環使用するタイプの基板処理装置においても、１つの基板処理槽で多品種の基板の処理が可能なことが望まれており、このため基板処理槽に複数種の処理液を供給するようにした基板処理装置が検討されている。
【０００５】
しかし、１つの基板処理槽で先行基板用と後行基板用とで違う処理液で処理を行う場合、基板処理槽に貯留する処理液を入れ替えただけでは満足のいく基板処理を行うことができないことがある。特に、最近のように集積度が高まって益々微細加工が要望される状況においては、例えば自然酸化膜除去のためのスライスエッチング処理等にように０．２％フッ酸のような極めて低濃度の処理液を使用する場合、無視できないまでの不具合が生じることがある。
【０００６】
その原因を鋭意探求した結果、基板処理槽の循環供給管や循環ポンプ等の内部に先行基板用の処理液が付着していることが原因であるのを見出した。すなわち、これまでの処理工程のように数十％程度の処理液を取り扱う場合には、循環供給管や循環ポンプ等の内部に付着する処理液は、基板処理槽に貯留される処理液量に比して極僅かであるので、その影響は少なく問題視されなかった。
【０００７】
しかしながら、処理液の濃度が薄くなると、そのような配管内等に僅かに付着した先行基板用の処理液は、後行基板用の処理液に大きく影響する。例えば、先行基板用の処理液が、従来から一般に行われているような数十％濃度の処理液であって、後行基板用の処理液が例えば前記０．２％フッ酸のような場合には、その濃度差は数百倍もあり、僅かな量であっても影響は大きい。先行基板用と後行基板用とで処理液の組成が違う場合には、僅かな量の液であっても、上記例のように数百倍もの濃度差があると、後行基板用の処理液の組成は変質し処理が不安定になる。また、先行基板用と後行基板用の処理液の組成が同じであっても、上記例のように数百倍もの濃度差では、後行基板用の処理液の濃度は大きくずれ、処理が不安定になる。特に、高濃度の処理液から低濃度の処理液に変更する場合に影響が大きい。
【０００８】
このように、微細加工の要望の高まりとともに、これまで基板処理に使用されなかった低濃度の処理液が使用される等のように処理液が多様化すると、先行基板と後行基板とで、処理液の組成の違いや、または、同じ組成であっても濃度の違いは、後行基板の処理への影響が無視できなくなってきた。
【０００９】
本発明はかかる問題に鑑みなされたもので、多品種の基板を処理するに際し、各品種の基板が各々の処理液によって高精度に基板処理することができる基板処理装置を提供するものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
請求項１にかかる発明は、処理液中に基板を浸漬して基板処理を行う基板処理槽と、基板処理槽からオーバーフローした処理液を前記基板処理槽に連通する循環供給管を通して循環供給する循環供給手段と、前記基板処理槽および前記循環供給管内の処理液を排出する排出手段とを有する基板処理装置であって、前記基板処理槽に対して複数種の処理液を供給する処理液供給手段と、前記基板処理槽に対して純水を供給する純水供給手段と、前記基板処理槽に浸漬されて基板処理される先行基板の処理に使用される処理液と前記先行基板の次に基板処理される後行基板の処理に使用される処理液の組成および濃度を記憶する記憶部を備え、後行基板を処理する前に前記記憶部から読み出された先行基板の処理液と後行基板の処理液の組成または濃度のいずれかが異なるときに、前記基板処理槽および前記循環供給管から先行基板の処理液を排出し、前記基板処理槽に対して供給された純水を所定時間循環させた後、排出する純水洗浄を所定回数行う洗浄処理を行い、後行基板の処理液を基板処理槽に対して供給するように前記排出手段、前記純水供給手段、前記循環供給手段および前記処理液供給手段を動作制御する槽制御部とが設けられたものである。
【００１１】
この発明によると、後行基板を処理する前に、先行基板の処理に使用される処理液と後行基板の処理に使用される処理液の組成または濃度のいずれかが異なるときに、先行基板の処理に使用した処理液を排出し、基板処理槽や循環供給管に純水を所定時間循環させながら洗浄する純水洗浄を所定回数行うので、基板処理槽や循環供給管および循環供給管に設けられた各種機器を純水により十分に洗浄することができ、先行基板の処理に使用した処理液が基板処理槽や循環供給管に残留することがなく、従って洗浄後に後行基板の処理に使用する処理液を基板処理槽に供給しても、先行基板の処理液の残留液が後行基板の処理液に混入することがなく、後行基板を確実に処理することができ、処理精度の向上ひいては基板品質の向上を図ることができ、多品種、高精度の基板処理を行うことができる。
【００１２】
請求項２に記載された発明は、請求項１に記載された基板処理装置において、前記槽制御部は、先行基板の処理に使用される処理液と後行基板の処理に使用される処理液の組成および濃度を記憶するとともに、後行基板の処理液に対応した洗浄条件を記憶する記憶部を備え、後行基板を処理する前に前記記憶部から読み出された先行基板の処理液と後行基板の処理液の組成または濃度のいずれかが異なるときに、前記記憶部から読み出された洗浄条件に従って洗浄処理を行うものである。
【００１３】
この発明によると、先行基板の処理液と後行基板の処理液の組成または濃度のいずれかが異なるときに、記憶部に記憶された、後行基板の処理液に対応した洗浄条件に従って洗浄処理を行うことができるため、例えば混じると相性が悪い処理液の場合とか、また後行基板の処理液の濃度が薄い場合ではより十分な洗浄を行うなど、後行基板の処理液の組成および濃度に応じて最適な洗浄処理を行うことができ、一方後行基板の処理液に対して不必要に過度な洗浄を防止することができ、純水消費量の節約や基板処理精度の一層の向上を図ることができる。
【００１４】
請求項３に記載された発明は、請求項１に記載された基板処理装置において、前記槽制御部は、先行基板の処理に使用される処理液と後行基板の処理に使用される処理液の組成および濃度を記憶するとともに、処理液の組成および濃度ごとに関係付けられた洗浄条件を記憶する記憶部を備え、後行基板を処理する前に前記記憶部から読み出された先行基板の処理液と後行基板の処理液の組成または濃度のいずれかが異なるときに、後行基板の処理液の組成および濃度に対応した洗浄条件を前記記憶部から読み出し、読み出された洗浄条件に従って洗浄処理を行うものである。
【００１５】
この発明によると、先行基板の処理液と後行基板の処理液の組成または濃度のいずれかが異なるときに、後行基板の処理液の組成および濃度に対応した洗浄条件により、最適な洗浄処理を行うことができ、純水消費量の節約や基板処理精度の一層の向上を図ることができる。また、処理液の組成および濃度ごとに対応した洗浄条件を一旦記憶部に入力しておけば、後行基板の処理の際に処理液の組成および濃度を入力するだけでよく、洗浄条件まで入力する必要がないため、操作性に優れる。
【００１６】
請求項４にかかる発明は、処理液中に基板を浸漬して基板処理を行う基板処理槽と、基板処理槽からオーバーフローした処理液を前記基板処理槽に連通する循環供給管を通して循環供給する循環供給手段と、前記基板処理槽および前記循環供給管内の処理液を排出する排出手段とを有する基板処理装置であって、前記基板処理槽に対して複数種の処理液を供給する処理液供給手段と、前記基板処理槽に対して純水を供給する純水供給手段と、前記基板処理槽に浸漬されて基板処理される先行基板の処理に使用される処理液と前記先行基板の次に基板処理される後行基板の処理に使用される処理液の組成を記憶する記憶部を備え、後行基板を処理する前に前記記憶部から読み出された先行基板の処理液と後行基板の処理液の組成が異なるときに、前記基板処理槽および前記循環供給管から先行基板の処理液を排出し、前記基板処理槽に対して供給された純水を所定時間循環させた後、排出する純水洗浄を所定回数行う洗浄処理を行い、後行基板の処理液を基板処理槽に対して供給するように前記排出手段、前記純水供給手段、前記循環供給手段および前記処理液供給手段を動作制御する槽制御部とが設けられたものである。
【００１７】
この発明によると、後行基板を処理する前に、先行基板に使用される処理液と後行基板の処理に使用される処理液の組成が異なるときに、先行基板の処理に使用した処理液を排出し、基板処理槽や循環供給管に純水を所定時間循環させながら洗浄する純水洗浄を所定回数行うので、基板処理槽や循環供給菅および循環供給管に設けられた各種機器を純水により十分に洗浄することができ、先行基板の処理に使用した処理液が基板処理槽や循環供給管に残留することがなく、従って洗浄後に後行基板の処理に使用する処理液を基板処理槽に供給しても、先行基板の処理液が後行基板の処理液に混入することがなく、後行基板を確実に処理することができ、処理精度の向上を図ることができ、多品種、高精度の基板処理を行うことができる。
【００１８】
請求項５に記載された発明は、請求項４に記載された基板処理装置において、前記槽制御部は、先行基板の処理に使用される処理液と後行基板の処理に使用される処理液の組成を記憶するとともに、後行基板の処理液に対応した洗浄条件を記憶する記憶部を備え、後行基板を処理する前に前記記憶部から読み出された先行基板の処理液と後行基板の処理液の組成が異なるときに、前記記憶部から読み出された洗浄条件に従って洗浄処理を行うものである。
【００１９】
この発明によると、先行基板の処理液と後行基板の処理液の組成が異なるときに、記憶部に記憶された、後行基板の処理液に対応した洗浄条件に従って洗浄処理を行うことができるため、例えば混じると相性が悪い処理液の場合ではより十分な洗浄を行うなど、後行基板の処理液の組成に応じて最適な洗浄処理を行うことができ、一方後行基板の処理に対して不必要に過度な洗浄を防止することができ、純水消費量の節約や基板処理精度の一層の向上を図ることができる。
【００２０】
請求項６に記載された発明は、請求項４に記載された基板処理装置において、前記槽制御部は、先行基板の処理に使用される処理液と後行基板の処理に使用される処理液の組成を記憶するとともに、処理液の組成ごとに関係付けられた洗浄条件を記憶する記憶部を備え、後行基板を処理する前に前記記憶部から読み出された先行基板の処理液と後行基板の処理液の組成が異なるときに、後行基板の処理液の組成に対応した洗浄条件を前記記憶部から読み出し、読み出された洗浄条件に従って洗浄処理を行うものである。
【００２１】
この発明によると、先行基板の処理液と後行基板の処理液の組成が異なるときに、後行基板の処理液の組成に対応した洗浄条件により、最適な洗浄処理を行うことができ、純水消費量の節約や基板処理精度の一層の向上を図ることができる。また、処理液の組成ごとに対応した洗浄条件を一旦記憶部に入力しておけば、後行基板の処理の際に処理液の組成を入力するだけでよく、洗浄条件まで入力する必要がないため、操作性に優れる。
【００２２】
請求項７にかかる発明は、処理液中に基板を浸漬して基板処理を行う基板処理槽と、基板処理槽からオーバーフローした処理液を前記基板処理槽に連通する循環供給管を通して循環供給する循環供給手段と、前記基板処理槽および前記循環供給管内の処理液を排出する排出手段とを有する基板処理装置であって、前記基板処理槽に対して複数種の処理液を供給する処理液供給手段と、前記基板処理槽に対して純水を供給する純水供給手段と、前記基板処理槽に浸漬されて基板処理される先行基板の処理に使用される処理液と前記先行基板の次に基板処理される後行基板の処理に使用される処理液の濃度を記憶する記憶部を備え、後行基板を処理する前に前記記憶部から読み出された先行基板の処理液と後行基板の処理液の濃度が異なるときに、前記基板処理槽および前記循環供給管から先行基板の処理液を排出し、前記基板処理槽に対して供給された純水を所定時間循環させた後、排出する純水洗浄を所定回数行う洗浄処理を行い、後行基板の処理液を基板処理槽に対して供給するように前記排出手段、前記純水供給手段、前記循環供給手段および前記処理液供給手段を動作制御する槽制御部とが設けられたものである。
【００２３】
この発明によると、後行基板を処理する前に、先行基板に使用される処理液と後行基板の処理に使用される処理液の濃度が異なるときに、先行基板の処理に使用した処理液を排出し、基板処理槽や循環供給管に純水を所定時間循環させながら洗浄する純水洗浄を所定回数行うので、基板処理槽や循環供給菅および循環供給管に設けられた各種機器を純水により十分に洗浄することができ、先行基板の処理に使用した処理液が基板処理槽や循環供給管に残留することがなく、従って洗浄後に後行基板の処理に使用する処理液を基板処理槽に供給しても、先行基板の処理液が後行基板の処理液に混入することがなく、後行基板を確実に処理することができ、処理精度の向上を図ることができ、多品種、高精度の基板処理を行うことができる。
【００２４】
請求項８に記載された発明は、請求項７に記載された基板処理装置において、前記槽制御部は、先行基板の処理に使用される処理液と後行基板の処理に使用される処理液の濃度を記憶するとともに、後行基板の処理液に対応した洗浄条件を記憶する記憶部を備え、後行基板を処理する前に前記記憶部から読み出された先行基板の処理液と後行基板の処理液の濃度が異なるときに、前記記憶部から読み出された洗浄条件に従って洗浄処理を行うものである。
【００２５】
この発明によると、先行基板の処理液と後行基板の処理液の濃度が異なるときに、記憶部に記憶された、後行基板の処理液に対応した洗浄条件に従って洗浄処理を行うことができるため、例えば混じると相性が悪い処理液の場合ではより十分な洗浄を行うなど、後行基板の処理液の濃度に応じて最適な洗浄処理を行うことができ、一方後行基板の処理に対して不必要に過度な洗浄を防止することができ、純水消費量の節約や基板処理精度の一層の向上を図ることができる。
【００２６】
請求項９に記載された発明は、請求項７に記載された基板処理装置において、前記槽制御部は、先行基板の処理に使用される処理液と後行基板の処理に使用される処理液の濃度を記憶するとともに、処理液の濃度ごとに関係付けられた洗浄条件を記憶する記憶部を備え、後行基板を処理する前に前記記憶部から読み出された先行基板の処理液と後行基板の処理液の濃度が異なるときに、後行基板の処理液の濃度に対応した洗浄条件を前記記憶部から読み出し、読み出された洗浄条件に従って洗浄処理を行うものである。
【００２７】
この発明によると、先行基板の処理液と後行基板の処理液の濃度が異なるときに、後行基板の処理液の濃度に対応した洗浄条件により、最適な洗浄処理を行うことができ、純水消費量の節約や基板処理精度の一層の向上を図ることができる。また、処理液の濃度ごとに対応した洗浄条件を一旦記憶部に入力しておけば、後行基板の処理の際に処理液の濃度を入力するだけでよく、洗浄条件まで入力する必要がないため、操作性に優れる。
【００２８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施形態について図を参照しながら説明する。
図１は本発明の実施形態にかかる基板処理装置１の要部構成を示す模式図であり、この基板処理装置１は、処理液中に複数枚の基板を浸漬して基板処理を行う基板処理槽２と、前記基板処理槽２からオーバーフローした処理液を前記基板処理槽２に循環供給する循環供給手段４とを有する。なお、基板処理槽２で一度に処理される複数の基板（ロット）は、ロット単位でカセットに収容された状態で基板処理装置のローダに供給され、ローダによりカセットから取り出されて基板搬送ロボットに移載され、この基板搬送ロボットにより基板処理槽２に搬送され、基板処理槽２内に浸漬、引き上げ自在に昇降する基板保持手段に移載され、基板処理後に基板処理槽２から引き上げられて、前記基板搬送ロボットによって他の処理槽やアンローダに搬送される。
【００２９】
前記循環供給手段４は、前記基板処理槽２からオーバーフローした処理液を一時的に回収する回収槽３と、この回収槽３の底部に開設された排出口と前記基板処理槽２の底部に開設された供給口とを連通接続する循環供給管５と、この循環供給管５に設けられた循環ポンプ６、管内を流れる処理液を加熱するヒータ７およびフィルター８とを備えている。また、前記循環供給管５には、ヒータ７の下流側に排出バルブ１１を備えた排出管１２が接続されている。
【００３０】
前記基板処理槽２には、槽内の処理液の温度を検出する、Ｋ熱電対や白金抵抗体などの温度検出器１４が付設され、前記温度検出器１４によって検出された処理液の温度が、基板を処理する際の基板処理温度になるようにヒータ７を制御する温度調節器１５（図２参照）が設けられている。
【００３１】
また、前記基板処理槽２には、一定量の純水を収容する純水槽１７に連通接続され、純水バルブＶＷを介して純水を供給する純水供給管１８と、一定量の処理液Ａ，Ｂを収容する処理液槽（図示省略）に連通接続され、処理液バルブＶＡ，ＶＢを介して処理液Ａ，Ｂを供給する処理液供給管２１Ａ，２１Ｂが設けられている。なお、前記純水槽１７、処理液槽には、各供給元管（図示省略）から供給される純水、処理液Ａ，Ｂの収容量を検出するレベル検出器（図示省略）が設けられており、レベル検出器からの検出信号により供給元管から各液の供給が停止され、各槽には一定量の純水等が貯留されるようになっている。
【００３２】
前記基板処理装置１には、基板処理槽２に対して処理液の供給排出処理、洗浄処理の制御を行う槽制御部２６が設けられており、図２に示すように、槽制御部２６は制御プログラムに従って情報処理を行う制御コンピュータ２７を備え、この制御コンピュータ２７は各部との間で制御信号を送受信するＣＰＵ、制御プログラムや各種情報を記憶するメモリ及び入出力インターフェイスを備えている。前記メモリに記憶される情報としては、基板処理槽２に浸漬するロットの処理条件（処理液の組成および濃度、基板処理温度など）やこの処理液を供給する際の洗浄条件（洗浄回数、純水の循環時間など）がある。前記制御コンピュータ２７には、キーボード、スイッチ等の入力手段２８、ディスプレイ等の各種情報を表示する表示手段２９、前記循環ポンプの運転停止操作を行うポンプ操作部３１、前記排出管１２に設けられた排出バルブＶＤ，純水供給管１８に設けられた純水バルブＶＷ，処理液供給管２１Ａ，２１Ｂに設けられた処理液バルブＶＡ，ＶＢを開閉操作するバルブ操作部３２、および前記温度調節器１５、前記搬送ロボットや基板保持部材の動作制御を行う基板搬送制御部４０が入出力インターフェイスを介して接続されている。
【００３３】
次に、処理液の供給排出処理、洗浄処理を処理手順を示すフローチャート（図３）を参照して説明する。ここでは、先行ロットが処理液Ａによって処理されているものとする。なお、処理液Ａは温度調節器１５によって所定の基板処理温度になるように温度調整されている。
【００３４】
まず、先行ロットの基板処理が終了した後、後行ロットを処理する際に、後行ロットの処理条件（処理液の組成および濃度、基板処理温度ＷＴ）および洗浄条件（洗浄回数、純水の循環時間）が制御コンピュータ２７に入力され、一時的にメモリに記憶される（Ｓ１）。なお、先行ロットの処理条件等は、先行のロットを処理する際に制御コンピュータ２７に入力され、メモリに一時的に記憶されている。
【００３５】
次に、先行ロット、後行ロットの処理条件の内の処理液の組成および濃度をメモリから読み出し（Ｓ２）、先行ロットの処理液の組成および濃度と、後行ロットの処理液の組成および濃度とを比較し（Ｓ３）、組成または濃度のいずれかが異なるときには、処理液Ａを基板処理槽２および循環供給管５から排出する（Ｓ４）。この処理は、制御コンピュータ２７がバルブ操作部３２を介して排出管１２に介設された排出バルブＶＤを開操作することにより行われる。
【００３６】
次に、後行ロットの洗浄条件をメモリから読み出し、この洗浄条件に従って洗浄処理を行う（Ｓ５）。この洗浄処理は、下記の純水洗浄を洗浄条件として設定された洗浄回数行うことによってなされる。純水洗浄は、純水供給管１８に設けられ純水バルブＶＷを開操作し、純水を基板処理槽２に供給した後、循環ポンプ６を純水の循環時間が経過するまで運転して循環させた後、循環ポンプ６を停止し、排出バルブＶＤを開操作して洗浄後の純水を排出することによって行われる。これにより、後行ロットの処理に使用される処理液に応じて、最適な洗浄が行われる。
【００３７】
洗浄処理後、後行ロットの処理に使用する処理液（処理液Ｂとする。）を基板処理槽に供給する（Ｓ６）。この処理は、後行ロットの処理液の種類情報に従って、バルブ操作部３２を介して処理液供給管２１Ｂの処理液バルブＶＢを開操作することにより実行される。一定量の処理液Ｂが基板処理槽２に供給されると、処理液バルブＶＢを閉操作し、処理液Ｂの温度調整を開始する（Ｓ７）。すなわち、制御コンピュータ２７を介して処理液Ｂの基板処理温度が温度調節器１５に設定され、処理液Ｂを循環供給管５を介して循環させながら基板処理温度になるように温度調節器１５によってヒータ７の出力が制御される。
【００３８】
制御コンピュータ２７は温度調節器１５から処理液Ｂが基板処理温度に立ち上がった際に送信される立ち上がり信号の有無を判断しており（Ｓ８）、立ち上がり信号があると制御コンピュータ２７を介して基板処理開始信号が基板搬送制御部４０に送信され、後行ロットの基板処理が開始される（Ｓ９）。一方、先行ロットの処理液と後行ロットの処理液とで組成も濃度も同じであれば、洗浄処理等は行われず、直ちに後行ロットの基板処理が開始される。なお、後行ロットの処理条件等は、次のロットが処理される際に、先行ロットの処理条件等として再記憶される。
【００３９】
上記実施形態では、後行ロットの基板処理の際に、後行ロットの処理条件のほか、洗浄条件をも含めて制御コンピュータ２７に入力、記憶するようにしたが、処理液の組成および濃度ごとに洗浄条件を予めメモリに記憶しておき、後行ロットを基板処理する際に、制御コンピュータ２７には処理条件のみを入力するようにし、先行ロットの処理液と後行ロットの処理液の組成または濃度のいずれかが異なる場合に、後行ロットの処理液の組成および濃度に対応した洗浄条件をメモリから読み出して、読み出された洗浄条件に従って洗浄処理を行うようにしてもよい。なお、後行ロットの処理条件等は、後行ロットを基板処理する際、すなわち後行ロットが基板処理槽２に搬送された後、浸漬される前に入力手段２８を介して制御コンピュータ２７に入力してもよく、また当該ロットを基板処理装置に搬入する際（ローダに載置する際）、そのロットの処理条件等を基板搬送制御部４０に入力し、当該ロットの基板処理の際にその情報を制御コンピュータ２７に送信するようにしてもよい。また、当該ロットを基板処理する際に製造ラインを統括する中央コンピュータから送信するようにしてもよい。
【００４０】
また、制御コンピュータ２７には、後行ロットの処理条件のみを入力するようにし、複数種の洗浄条件を予めメモリに記憶しておき、先行ロットの処理液と後行ロットの処理液の組成または濃度のいずれかが異なる場合に、表示手段２９に全ての洗浄条件を表示させ、オぺレータがその内から任意の洗浄条件を選択して、その洗浄条件を入力手段２８を介して制御コンピュータ２７に入力し、入力された洗浄条件に従って洗浄処理を行うようにしてもよい。
【００４１】
また、上記実施形態では後行ロットの処理条件および洗浄条件を制御コンピュータ２７に入力、記憶するようにし、また上記実施形態の変形例では処理液の組成および濃度ごとの洗浄条件あるいは複数種の洗浄条件を予めメモりに記憶するようにし、先行ロットの処理液と後行ロットの処理液の組成または濃度のいずれかが異なる場合に、後行ロットの処理液の組成および濃度に対応した洗浄条件をメモリから読み出し、あるいはオペレータの判断により選択して洗浄処理を行うようにしたが、純水循環時間が所定時間に設定された純水洗浄を１回あるいは所定回数行うこととした特定の洗浄条件をメモリに記憶しておき、先行ロットの処理液と後行ロットの処理液の組成または濃度のいずれかが異なる場合には、自動的に前記特定の洗浄条件にて洗浄処理を行うようにしてもよい。この場合、制御コンピュータ２７に後行ロットの洗浄条件を入力、記憶する必要がないことは当然である。
【００４２】
上記実施形態では、処理条件のうち処理液の情報については、制御コンピュータ２７に各処理液の組成および濃度を記憶させておき（Ｓ１）、先行ロットと後行ロットの処理条件の内の処理液の組成および濃度をメモリから読み出し（Ｓ２）、先行ロットと後行ロットとで処理液の組成および濃度を比較して（Ｓ３）、処理液の組成または濃度のいずれかが異なるときには処理液Ａを基板処理槽２および循環供給管５から排出する（Ｓ４）ようにしたが、次のようにしてもよい。
【００４３】
すなわち、処理条件のうち処理液の情報については、制御コンピュータ２７に各処理液の組成を記憶させておき（Ｓ１’）、先行ロットと後行ロットの処理条件の内の処理液の組成をメモリから読み出し（Ｓ２’）、先行ロットと後行ロットとで処理液の組成だけを比較して（Ｓ３’）、処理液の組成さえ異なれば、処理液Ａを基板処理槽２および循環供給管５から排出する（Ｓ４）ようにしてもよい。
【００４４】
このように処理液の組成だけで先行ロットと後行ロットとの処理液の異同を判断する場合においても、処理液の組成ごとに洗浄条件を予めメモりに記憶しておき、後行ロットを基板処理する際に、制御コンピュータ２７には処理条件のみ入力するようにし、先行ロットの処理液と後行ロットの処理液の組成が異なる場合に、後行ロットの処理液の組成に対応した洗浄条件をメモリから読み出して、読み出された洗浄条件に従って洗浄処理を行うようにしてもよい。また、制御コンピュータ２７には、後行ロットの処理条件のみを入力するようにし、複数種の洗浄条件を予めメモりに記憶しておき、先行ロットの処理液と後行ロットの処理液の組成が異なる場合に、表示手段２９に全ての洗浄条件を表示させ、オペレータがその内から任意の洗浄条件を選択して、その洗浄条件を入力手段２８を介して制御コンピュータ２７に入力し、入力された洗浄条件に従って洗浄処理を行うようにしてもよい。
【００４５】
また、上記変形形態では後行ロットの処理液の組成および洗浄条件を制御コンピュータ２７に記憶するようにし、また処理液の組成ごとの洗浄条件あるいは複数種の洗浄条件を予めメモりに記憶するようにし、先行ロットの処理液と後行ロットの処理液の組成が異なる場合に、後行ロットの処理液の組成に対応した洗浄条件をメモリから読み出し、あるいはオペレータの判断により選択して洗浄処理を行うようにしたが、純水循環時間が所定時間に設定された純水洗浄を１回あるいは所定回数行うこととした特定の洗浄条件をメモリに記憶しておき、先行ロットの処理液と後行ロットの処理液の組成が異なる場合には、自動的に前記特定の洗浄条件にて洗浄処理を行うようにしてもよい。この場合、制御コンピュータ２７に後行ロットの洗浄条件を入力、記憶する必要がないことは当然である。
【００４６】
さらにまた、上記実施形態における前記（Ｓ１）、（Ｓ２）、（Ｓ３）、（Ｓ４）を、次のようにしてもよい。すなわち、処理条件のうち処理液の情報については、制御コンピュータ２７に各処理液の濃度を記憶させておき（Ｓ１”）、先行ロットと後行ロットの処理条件の内の処理液の濃度をメモリから読み出し（Ｓ２”）、先行ロットと後行ロットとで処理液の濃度だけを比較して（Ｓ３”）、処理液の濃度さえ異なれば、処理液Ａを基板処理槽２および循環供給管５から排出する（Ｓ４）ようにしてもよい。
【００４７】
このように処理液の濃度だけで先行ロットと後行ロットとの処理液の異同を判断する場合においても、処理液の濃度ごとに洗浄条件を予めメモりに記憶しておき、後行ロットを基板処理する際に、制御コンピュータ２７には処理条件のみ入力するようにし、先行ロットの処理液と後行ロットの処理液の濃度が異なる場合に、後行ロットの処理液の濃度に対応した洗浄条件をメモリから読み出して、読み出された洗浄条件に従って洗浄処理を行うようにしてもよい。また、制御コンピュータ２７には、後行ロットの処理条件のみを入力するようにし、複数種の洗浄条件を予めメモりに記憶しておき、先行ロットの処理液と後行ロットの処理液の濃度が異なる場合に、表示手段２９に全ての洗浄条件を表示させ、オペレータがその内から任意の洗浄条件を選択して、その洗浄条件を入力手段２８を介して制御コンピュータ２７に入力し、入力された洗浄条件に従って洗浄処理を行うようにしてもよい。
【００４８】
また、上記変形形態では後行ロットの処理液の濃度および洗浄条件を制御コンピュータ２７に記憶するようにし、また処理液の濃度ごとの洗浄条件あるいは複数種の洗浄条件を予めメモりに記憶するようにし、先行ロットの処理液と後行ロットの処理液の濃度が異なる場合に、後行ロットの処理液の濃度に対応した洗浄条件をメモリから読み出し、あるいはオペレータの判断により選択して洗浄処理を行うようにしたが、純水循環時間が所定時間に設定された純水洗浄を１回あるいは所定回数行うこととした特定の洗浄条件をメモリに記憶しておき、先行ロットの処理液と後行ロットの処理液の濃度が異なる場合には、自動的に前記特定の洗浄条件にて洗浄処理を行うようにしてもよい。この場合、制御コンピュータ２７に後行ロットの洗浄条件を入力、記憶する必要がないことは当然である。
【００４９】
また、上記実施形態では、複数の基板からなるロットを単位として処理するバッチ処理タイプの基板処理装置の例を示したが、基板を１枚ずつ処理する枚葉処理タイプの基板処理装置であってもよい。また、バッチ処理タイプの場合においても、上記実施形態のように基板のみを搬送するものに限らず、基板を収容したカセットごと処理するものであってもよい。
【００５０】
【発明の効果】
本発明の基板処理装置によれば、先行基板の処理液と後行基板の処理液の組成または濃度が異なるときに、先行基板の処理に使用した処理液を排出し、基板処理槽や循環供給管に純水を所定時間循環させながら洗浄する純水洗浄を所定回数行うので、基板処理槽や循環供給管および循環供給管に設けられた各種機器を十分に洗浄することができ、基板処理槽に対して供給された新たな処理液に先行基板の処理に使用した処理液が混入することによる処理液の変質を確実に防止することができ、多様な基板処理を高精度かつ安定的に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態にかかる基板処理装置の要部構成を示す模式図である。
【図２】実施形態における槽制御部の機器ブロック図である。
【図３】実施形態の処理手順を示すフローチャートである。
【符号の説明】
１  基板処理装置
２  基板処理槽
３  回収槽
４  循環供給手段
５  循環供給管
７  ヒータ
１４  温度検出器
１５  温度制御部
１８  純水供給管
２１Ａ，２１Ｂ  処理液供給管
２６  槽制御部
２７  制御コンピュータ
ＶＤ  排出バルブ
ＶＷ  純水バルブ
ＶＡ  処理液バルブ
ＶＢ  処理液バルブ
【図１】
0003544313.tif 000002
【図２】
0003544313.tif 000003
【図３】
0003544313.tif 000004