(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
接合された電子部品とリードとを樹脂で封入してパッケージ型の半導体装置を製造するための装置であって、
前記電子部品またはリードの少なくともいずれか一方の被処理部材を表面処理するための表面処理部は、
前記被処理部材を介して互いに対向した第一電極と第二電極とからなる２つの電極と、
前記２つの電極へ高周波電力を印加することにより大気圧またはその近傍の圧力下でガス中に気体放電を発生させる高周波印加手段と、
前記放電発生手段の近傍に前記ガスを供給する手段と、からなり、
前記被処理部材との間で放電を起こすための前記第一電極の、前記被処理部材と対向している面に形成された絶縁体を有し、
前記第二電極の前記被処理部材が載置される領域に形成された凹部を有することを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項２】
前記表面処理部が、接合された前記電子部品及びリードが前記樹脂封止部において樹脂封止される前に、表面処理することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造装置。
【請求項３】
前記表面処理部が、前記電子部品及びリードが接合される前に、表面処理することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造装置。
【請求項４】
前記絶縁体は、放電が発生する部分よりも横方向に広いウイング形状をしていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１つに記載の半導体装置の製造装置。
【請求項５】
前記ガスに水分を含ませるための手段を更に有することを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１つに記載の半導体装置の製造装置。
【請求項６】
前記活性種に曝露させる前記少なくとも一方の前記電子部品またはリードの表面に水分を供給する手段を更に有することを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１つに記載の半導体装置の製造装置。
【請求項７】
前記少なくとも一方の前記電子部品またはリードを移動させる手段を更に有することを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１つに記載の半導体装置の製造装置。
【請求項８】
前記被処理部材との間で放電を起こすための前記第一の電極中に、途中で曲がったガス供給路を持つ前記ガスを供給する手段が設けられていることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか１つに記載の半導体装置の製造装置。
【請求項９】
前記ガス供給路は、前記ガス供給路へガスを供給するガス導入口と、前記被処理部材へガスを放出するガス放出口からなり、前記ガス導入口は複数のスポット状であり、かつ前記ガス放出口はスリット状であることを特徴とする請求項８記載の半導体装置の製造装置。
【請求項１０】
前記ガス放出口には、絶縁体からなる多孔質の多孔質材が形成されていることを特徴とする請求項９記載の半導体装置の製造装置。
【請求項１１】
前記多孔質材は、アルミナまたはセラミックスからなることを特徴する請求項１０記載の半導体装置の製造装置。
【請求項１２】
前記凹部は前記被処理部材の下に形成されており、前記凹部の深さは、３ｍｍから５ｍｍであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造装置。
【請求項１３】
前記被処理部材との間で放電を起こすための前記第一の電極の、前記被処理部材からはずれている部分の長さをＸ（ｍｍ）とし、印加する前記高周波電力をＹ（Ｗ）とした場合に、ＸとＹが次の式を満たすことを特徴とする請求項１乃至請求項１２のいずれか１つに記載の半導体装置の製造装置。
「Ｘ  ≧  ０．０９Ｙ」
【請求項１４】
単位面積当たりの前記高周波電力を
０．３〜１００Ｗ／ｃｍ2
とすることを特徴とする請求項１乃至請求項１４のいずれか１つに記載の半導体装置の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、半導体装置の製造において、被処理材の表面をエッチングまたはアッシングして無機物や有機物を除去したり、改質してぬれ性を改善する表面処理技術に関し、例えば実装工程の前処理または後処理として、または電子部品を樹脂封止するため、もしくは半導体表面の成膜等のために使用される。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、半導体装置の製造において様々な表面処理技術が使用されている。例えば、電子部品類を実装する際にはんだ付けに使用するフラックスのような有機物を除去する方法として、有機溶剤によるウェット洗浄法や、オゾン・紫外線等を照射し、有機物に化学反応を生じさせて除去するドライ洗浄法がある。しかし、ウェット法では、有機物の洗浄後に洗浄剤を除去するリンス工程と基板を乾燥させる工程、及びこれらを実行するために固定された設備が必要であり、多大な時間及び労力を要すると共に製造コストが高くなるという問題があった。更に、ウェット法による洗浄では、洗浄剤が電子部品に影響を与える虞がある。また、ドライ法では、特に分子量の大きい有機物の除去能力が低いために、十分な洗浄効果は期待できない。
【０００３】
このため、最近では、真空中でプラズマを発生させ、これを用いて有機物及び無機物を除去する方法が開発されている。例えば、特開昭５８−１４７１４３号公報には、ＩＣチップをプラスチックパッケージする際に、減圧下でマイクロ波放電により活性化させた酸素ガスによりリードフレームの表面を処理することによって、リードフレームと樹脂との密着性を改善し、信頼性を向上させる方法が開示されている。また、特開平４−１１６８３７号公報に記載される電子部品の表面実装方法では、プラズマエッチング装置に１〜１０Ｔｏｒｒの水素ガスを導入して放電することによって、酸化物を除去している。更に、特開平５−１６０１７０号公報には、減圧した処理室内で電極に高周波電圧を印加し、アルゴン酸素プラズマまたは水素還元プラズマを発生させることによってリードフレームをエッチングする方法が開示されている。
【０００４】
また、希ガスと僅かな反応ガスとを大気圧下で用いてプラズマを発生させることによって、プラズマＣＶＤ、アッシング、エッチング、表面処理が可能であることが知られている。これらは、多くの場合、高周波電極と被処理材との間で放電を発生させる。これに対し、電源電極と接地電極間で放電させるようにしたものとして、特開平３−１３３１２５号公報には、ふっ化物を含むガスを大気圧放電させ、基板に吹き付けたりオゾン雰囲気下で暴露することによりアッシングする方法が開示され、また特開平４−１４５１３９号公報には、フッ素系部材の表面をヘリウムガス雰囲気下において大気圧でプラズマ放電処理することによって、表面を親水化させ、接着に適する表面に改質する方法が開示されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した従来のプラズマ放電を用いた表面処理技術において、特開昭５８−１４７１４３号や特開平４−１１６８３７号等のように減圧された環境下で放電させる場合には、真空チャンバや真空ポンプ等の特別な設備が必要であり、そのために装置全体が大型化・複雑化し、しかも高価でコストが上昇すると共に、現場での作業や局所的な処理は困難であるという不都合があった。また、放電の際にチャンバ内を所定の圧力まで減圧しかつ維持する必要があり、１時間に２回程度しか処理できない等処理自体にも長時間を要するので、作業が面倒な割りに処理能力が低く、バッチ処理は可能だが枚葉処理が困難なためにインライン化できない、という問題があった。更に、真空中または減圧下のプラズマ放電では、励起種に比して電子とイオンが多いために、特に半導体装置の表面処理に用いた場合には、電子部品に対するダメージが大きくなる。
【０００６】
これに対し、大気圧下でプラズマ放電させる方法は、真空設備を必要としない点で有利であるが、電極と被処理材との間で放電を発生させるものは、放電状態が不均一になり易く、被処理材にダメージを生じさせる虞があり、そのために電極と被処理材間の距離や被処理材の材質等が制限されることになる。特に、被処理材の形状が複雑であったり凹凸が大きい場合には、それに対応して電極の形状が複雑になったり、放電が局在的に生じたり、凹んだ部分は十分に処理できない等の問題があった。
【０００７】
電極間で放電させる場合でも、特開平３−１３３１２５号の方法は、パターニング後の基板からレジストを除去するためのものであり、被処理材を励起ガスに曝すために石英セル内に配置するので、処理作業が面倒でインライン化や現場での処理は困難である。また、局所的なアッシングやエッチングには適しておらず、特に電子部品を樹脂封止する場合や半導体装置から不良チップを取り外して良品を再実装するような場合に、実際上表面処理することができない。また、特開平４−１４５１３９号の大気圧プラズマ放電では、電極を対向させた処理室内に被処理材を収容し、高価なヘリウムガスを常時供給して処理するため、多大なコストがかかり、装置が大型化する。このため、インライン化が困難であると共に、局所的な放電処理や現場での作業には適していない。また、電極が放電を発生させる処理室内に配置されているので、放電による損傷を受け易く、耐久性に問題が生じ易い。
【０００８】
特に、テープキャリアにＩＣチップを接続するＩＬＢ（インナリードボンディング）において、従来のウェット洗浄法では、インナリード表面やチップ接合面に付着した汚れを除去することが比較的面倒なため、これらを接合する前に清浄化する工程は一般に行われていない。また、テープキャリアには、ポリイミド樹脂の被膜が残存している場合がある。このため、インナリードとＩＣチップとが良好に接合できず、また後工程で樹脂封止する際にモールド樹脂との密着性が悪く、歩留りを低下させる原因の一つとなっていた。
【０００９】
そこで、本発明の半導体装置の製造方法は、上述した従来の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、電子部品とリードとを接続しかつこれらを樹脂で封入することによりパッケージ化された半導体装置の製造において、真空や減圧のための設備を必要とせず、大気圧またはその近傍の圧力下でアッシング、エッチング、ドライ洗浄やぬれ性改善の表面処理をすることができ、被処理材を処理でき、装置を簡単に構成しかつ小型化することができると共に、インライン化及び枚葉処理が可能な低コストで処理能力が高い表面処理を行うことができ、それによって、電子部品とリードとの接合性を高め、また、これらとモールド樹脂とのぬれ性を向上させて密着性を高めて、歩留りを向上させ、かつ信頼性の高いパッケージ型半導体装置を製造し得る方法を提供することにある。更に、本発明の目的は、上述した方法を実現するための半導体装置の製造装置を提供することにある。
【００１０】
また、本発明の別の目的は、電子部品やリードの形状、寸法や材質に拘らずそれらに熱的または電気的ダメージを与えることなく安全に表面処理することができる半導体装置の製造方法及び装置を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上述した目的を達成するためのものであり、以下にその内容を図面に示した実施例を用いて説明する。
【００１５】
本発明にかかる半導体装置の製造装置は、前記電子部品またはリードの少なくともいずれか一方の被処理部材を表面処理するための表面処理部が、前記被処理部材を介して互いに対向した第一電極と第二電極とからなる２つの電極と、前記２つの電極へ高周波電力を印加することにより大気圧またはその近傍の圧力下でガス中に気体放電を発生させる高周波印加手段と、前記放電発生手段の近傍に前記ガスを供給する手段とからなり、前記被処理部材との間で放電を起こすための前記第一電極の、前記被処理部材と対向している面に形成された絶縁体を有し、前記被処理部材が載置される前記第二の電極中に形成された凹部を有することを特徴とする。
【００１６】
本発明にかかる半導体装置の製造装置は、表面処理部が、接合された電子部品及びリードを、樹脂封止部において樹脂封止される前に表面処理を行うことを特徴とする。
【００１７】
本発明にかかる半導体装置の製造装置は、表面処理部が、電子部品及びリードが接合される前に、表面処理を行うことを特徴とする。
【００１８】
本発明にかかる半導体装置の製造装置は、前記絶縁体が、放電が発生する部分よりも横方向に広いウイング形状をしていることを特徴とする。
【００１９】
本発明にかかる半導体装置の製造装置は、活性種を生成させるガスに水分を含ませるための手段を更に有することを特徴とする。
【００２０】
本発明にかかる半導体装置の製造装置は、活性種に曝露させる少なくとも一方の電子部品またはリードの表面に水分を供給する手段を更に有することを特徴とする。
【００２１】
本発明にかかる半導体装置の製造装置は、少なくとも一方の電子部品またはリードを移動させる手段を更に有することを特徴とする。
【００２２】
本発明にかかる半導体装置の製造装置は、前記被処理部材との間で放電を起こすための前記第一の電極中に、途中で曲がったガス供給路を持つ前記ガスを供給する手段が設けられていることを特徴とする。
【００２３】
本発明にかかる半導体装置の製造装置は、前記ガス供給路が、前記ガス供給路へガスを供給するガス導入口と、前記被処理部材へガスを放出するガス放出口からなり、前記ガス導入口は複数のスポット状であり、かつ前記ガス放出口はスリット状であることを特徴とする。
【００２４】
本発明にかかる半導体装置の製造装置は、前記ガス放出口に、絶縁体からなる多孔質の多孔質材が形成されていることを特徴とする。
【００２５】
本発明にかかる半導体装置の製造装置は、前記多孔質材が、アルミナまたはセラミックスからなることを特徴する。
【００２７】
本発明にかかる半導体装置の製造装置は、前記凹部が前記被処理部材の下に形成されており、前記凹部の深さは、３ｍｍから５ｍｍであることを特徴とする。
【００２８】
本発明にかかる半導体装置の製造装置は、前記被処理部材との間で放電を起こすための前記第一の電極の、前記被処理部材からはずれている部分の長さをＸ（ｍｍ）とし、印加する前記高周波電力をＹ（Ｗ）とした場合に、ＸとＹが次の式を満たすことを特徴とする。
「Ｘ  ≧  ０．０９Ｙ」
【００２９】
本発明にかかる半導体装置の製造装置は、単位面積当たりの前記高周波電力を
０．３〜１００Ｗ／ｃｍ２
とすることを特徴とする。
【００３０】
【作用】
従って、本発明の半導体装置の製造装置によれば、絶縁膜の存在により、アーク放電等の異常放電が防止でき、また、絶縁膜をウイング形状とすることにより、使用ガスをより少なくできる。
【００３１】
本発明の半導体装置の製造装置によれば、接合された電子部品またはリードとモールド樹脂とのぬれ性を向上させ、これらを良好に密着させることができる。
【００３２】
本発明の半導体装置の製造装置によれば、電子部品とリードとを良好に接合することができ、同時にモールド樹脂とのぬれ性を向上させて、これらを良好に密着させることができる。
【００３３】
本発明の半導体装置の製造装置によれば、活性種に曝露する際に水分が存在することによって表面処理速度を早めることができる。
【００３４】
本発明の半導体装置の製造装置によれば、電子部品またはリード、もしくは双方を曝露手段に対して相対的に移動させることによって、電子部品またはリードの寸法、形状や処理の目的に応じて、その全面を一様に、または部分的に選択して処理することができ、更に複数の電子部品またはリードを順次移動させながら処理することができる。
【００３５】
本発明の半導体装置の製造装置によれば、ガスの濃度を均等化することができ、これにより、プラズマ処理の均等化が行える。
【００３６】
本発明の半導体装置の製造装置によれば、多孔質部材の存在により、異常放電を防止することができる。
【００３７】
本発明の半導体装置の製造装置によれば、凹部を設けることにより、ＴＣＰやリードフレームの裏側まで充分にプラズマを回り込ませることができ、また、ＴＣＰの処理の場合に異常放電を防止できる。
【００３８】
本発明の半導体装置の製造装置によれば、安定な放電を発生することができる。
【００８４】
【実施例】
図１には、電子部品とリードとを接続しかつ樹脂で封止して、パッケージ型の半導体装置を製造する本発明の方法に使用するための表面処理装置の参考例が、概略的に示されている。図１の表面処理装置１は、電源２に接続された棒状の放電発生用電極３と、放電用のガスを供給するガス供給装置４とから構成される。ガス供給装置４は、電極３先端付近に前記ガスを吐出するための開口５を有する。電極３先端の直ぐ下側には、被処理材として、接合された電子部品６及びリード７が所定の間隔をもって配置される。電子部品６及びリード７は、図２に示すようなＤＩＰ（Dual Inline Package）型の半導体装置を製造するためのものであり、ダイパッド８の上に接着されたベアチップの電子部品６の各電極パッドと対応するリード７とが、例えば金やアルミニウムのワイヤ９でそれぞれ接続されている。
【００８５】
先ず、ガス供給装置４から前記放電用ガスを供給し、電極３先端と電子部品６及びリード７との間及びその近傍の雰囲気を該放電用ガスで置換する。次に、電源２から電極３に所定の電圧を印加すると、電極３先端部と電子部品６及びリード７との間で気体放電が起こる。この放電状態にある電極３と電子部品６及びリード７間の領域１０には、プラズマによる前記放電用ガスの解離、電離、励起等の種々の反応が存在する。これらの反応により前記ガス中に生成された活性種に電子部品６及びリード７を所定の時間曝露して表面処理する。
【００８６】
次に、これらを周知の方法により、図２に示すようにモールド樹脂１１で封入してパッケージ１２を形成する。パッケージ１２は、前記表面処理により前記電子部品及びリードの表面が改質されてぬれ性が大幅に向上するので、モールド樹脂１１との接触角が小さくなり、両者の密着性が向上する。モールド樹脂１１と電子部品６またはリード７との界面に僅かでも隙間が存在すると、パッケージ１２内に侵入した水分が前記隙間に溜まって電子部品６を汚染したり、リフロー時の高温により膨張してパッケージにクラックを発生させる虞がある。本発明によりモールド樹脂の密着性を向上させることによって、これらの問題点が解消され、信頼性が著しく向上すると共に、歩留りが向上する。
【００８７】
また、モールド樹脂１１が、リード７との密着性は良好だが電子部品６との密着性に問題がある場合や、リード７が活性種を含むガスに腐食し易い場合には、図３に示すように、電極３の先端形状を電子部品６と略同じ大きさに小さくする。このようにして電極３に電圧を印加すると、前記気体放電は、実質的に電極３先端と電子部品６のみとの間で発生する。従って、電子部品６のみが活性種を含む前記ガスに曝露されて、前記表面処理が行われる。この場合には、前記電子部品の表面とモールド樹脂との密着性が向上する。他方、リード７は、放電の影響で腐食したりする虞がない。
【００８８】
逆に、モールド樹脂１１が、電子部品６との密着性は良好だがリード７との密着性に問題がある場合や、電子部品６が放電による電子やイオンの影響を受け易い場合には、電極３の先端を、図４に示すようにリード７の形状に合わせて２個の棒状部分に分岐させる。このようにして電極３に電圧を印加すると、前記気体放電は、実質的に電極３の分岐した２個の先端部分１３とそれに対応するリード７６のみとの間で発生する。従って、リード７のみが活性種を含む前記ガスに曝露されて、前記表面処理が行われる。この場合には、前記リードとモールド樹脂との密着性は向上するが、電子部品６が放電によるイオンや電子の影響でダメージを受けたりする虞がない。
【００８９】
本発明による半導体装置の製造方法の別の参考例では、電子部品６とリード７とをワイヤボンディングにより接続する前に、表面処理装置１を用いて表面処理することができる。図５に示す表面処理装置１は、電極３先端が、その下方に並べて配置される電子部品６及び左右のリード７に合わせて、３個の棒状部分に分岐されている。そして、電極３に電圧を印加することによって、その３個の先端部分１４と対応する電子部品６及び左右のリード７との間でそれぞれ前記気体放電が発生する。従って、電子部品６及びリード７を同時に表面処理することができる。
【００９０】
次に、これらを周知のボンディング方法により接続し、更にモールド樹脂で封入する。本実施例では、電子部品６及びリード７の表面がそれぞれ活性になっているため、両者の接合性が向上し、良好に接続することができる。同時に、両者の表面は、改質されてぬれ性が向上しているので、モールド樹脂１１で封入する際に該樹脂との密着性が併せて向上する。
【００９１】
また、当然ながら、電子部品６とリード７とは、それぞれ別個に表面処理することもできる。この場合、同じ表面処理装置を用いても良く、また別個の表面処理装置を用いて表面処理することもできる。電子部品６のみを表面処理する場合には、図３に示したような先端の小さい電極を使用することができ、また、リードフレームに結合された状態のリード７のみを表面処理する場合には、図４に示したように先端の分岐した電極を使用すると好都合である。
【００９２】
また、別の参考例では、上述したＤＩＰのようなパッケージでなく、テープキャリアの配線に接続された電子部品を樹脂で封入し、ＴＣＰ型の半導体装置を製造することができる。例えば、テープキャリアの電極パッドにＩＣチップの電極をワイヤボンディングした後トランファモールドにより樹脂封止する前に、またはテープキャリアのインナリードにＩＣチップを接続するＩＬＢ後ポッティングモールドにより樹脂封止する前に、上述した活性種を含むガスによる表面処理を行い、モールド樹脂との密着性を向上させることができる。また、本発明の半導体の製造方法は、上記実施例のＤＩＰやＴＣＰだけでなく、ＳＩＰ、ＺＩＰ、ＭＦＰ、ＳＯＰ等の様々な樹脂封止形パッケージの半導体装置について、同様に適用することができる。
【００９３】
ここで、使用するガス種については、ヘリウム、アルゴン、酸素、窒素、水素、及びこれらの混合ガスを用いて実験したところ、これら全てのガス種についてモールド樹脂１１と電子部品６またはリード７との密着性の向上が確認された。一般に、ヘリウム等の希ガスを大気圧又はその近傍の圧力下で用いて高周波数の電圧を印加すると、気体放電を発生させ易く、かつその放電が均一で曝露される部材に与えるダメージを少くできるが、ガス自体が高価なため、コストが増大する。そこで、放電開始時のみ、電極近傍の雰囲気を、放電を起こし易いヘリウムやアルゴン等の希ガスに置換しておき、電圧を印加して放電を発生させた後は、他の適当な安価なガスに変更することもできる。
【００９４】
フラックスのような有機物を除去したい場合は、ヘリウムと酸素との混合ガスをガス供給装置４から供給する。これにより、酸素のイオン、励起種等の活性種が生成され、これが有機物と反応して一酸化炭素、二酸化炭素と水の蒸気となって除去される。放電用ガスとしてヘリウムと酸素との混合ガスに代えて、圧縮空気、窒素と酸素との混合ガスを用いても、同様に有機物を除去する効果即ちアッシング効果が得られる。
【００９５】
また、放電用ガスとして窒素、フッ素化合物（ＣＦ４，Ｃ２Ｆ６，ＳＦ６等）、または有機物を含むガスを用いることによって、酸化物を除去することができる。この場合、酸化物は、窒素のイオン、励起種等の活性種と反応して窒素酸化物になり、またはフッ素のイオン、励起種等の活性種と反応してフッ化物となって除去される。有機物を含むガスの場合、前記酸化物は、前記有機物が解離、電離、励起して生成する有機物、炭素、水素のイオン、励起種等の活性種と反応してヒドロキシ化合物、オキソ化合物カルボン酸、二酸化炭素、水蒸気等になって取り除かれる。前記有機物は、放電用ガスに加える代わりに、被処理材の表面に塗布することもできる。この場合には、放電領域においてプラズマによりガスが解離、電離、励起してエネルギー状態が高くなる。塗布された前記有機物は、一部が蒸発しかつ放電にさらされて解離、電離、励起し、有機物、炭素、水素のイオン、励起種等の活性種となる。また、他の一部は、エネルギー状態の高いガスの活性種からエネルギーを受け取り、解離、電離、励起して有機物、炭素、水素のイオン、励起種等の活性種となる。
【００９６】
これらの活性種によって、放電用ガスに有機物を添加した場合と同種の作用効果が得られる。しかも、この活性種は、フラックスに含まれる塩素化合物のように被処理材の表面に残留しない。このように酸化物を除去するエッチング効果が得られる放電用ガスとしては、例えばヘリウムまたは圧縮空気と四フッ化炭素との混合ガスがある。当然ながら、これらの混合ガス等では放電を起こし難い場合には、上述したように放電開始時のみヘリウム単体を導入してやればよい。また、圧縮空気の代わりに酸素を用いてもよい。更に、本願発明者によれば、ヘリウムに対してフッ素化合物（例えば、ＣＦ４）が０．５〜５％、好適には１％、酸  素０．５〜５％、好適には１％が含まれる混合ガス系であれば、エッチング効果が最大となることが確認された。
【００９７】
また、本発明の別の参考例によれば、上述したガス供給装置からは希ガスのみを導入して放電を発生させ、かつこれとは別個のガス供給手段を設けて、処理目的に応じて窒素、フッ素化合物等の反応性ガスを放電領域に供給する。これにより、前記反応性ガスの活性種が生成されて、所望の表面処理が行われる。
【００９８】
また、電源については、１０ＫＨｚ、４００ＫＨｚ、１３．５６ＭＨｚの周波数で実験したところ、これら全周波数で同様にモールド樹脂１１と電子部品６またはリード７との密着性の向上が確認された。これらの実験結果は、以下に示す通りである。
【００９９】
先ず、本発明の参考例の表面処理によるぬれ性の改善を確認した。この実験では、被処理材の表面に本発明の参考例の表面処理を５秒間行い、液滴式接触角計を用いて接触角を測定し、全く表面処理を行わなかったもの、及び減圧下で活性化させた酸素ガスを用いる従来技術で１５分間処理したものについて同様に接触角を測定し、本発明と比較したところ、表１に示されるように、使用ガス種により多少の差があるものの、本発明の参考例の著しい効果を示す結果が得られた。
【０１００】
【表１】
0003557682.tif 000002
【０１０１】
次に、モールド樹脂と電子部品またはリードとの密着性に起因するパッケージのクラック発生について実験した。両方とも本発明の参考例の表面処理を行った電子部品及びリードの組と、両方とも上述した従来技術の表面処理を行った電子部品及びリードの組と、両方とも全く表面処理を行わなかった電子部品及びリードの組とを、それぞれ接合した後樹脂封止した３組のパッケージについて、１２５℃で１０時間乾燥させ、温度８５℃、湿度８５％の雰囲気内で５０４時間吸湿させた後、２５０℃で１０秒間リフロー処理を行い、クラックの発生率を確認したところ、表２に示す結果が得られた。これにより、本発明の参考例によれば、従来技術による場合と比較して処理時間が僅か１／１８０であるにも拘らず、少なくとも同程度以上に密着性向上の効果が認められた。
【０１０２】
【表２】
0003557682.tif 000003
【０１０３】
更に、放電により発生するイオンや電子が電子部品に与えるダメージによって生じる素子破壊について、その不良品発生率を実験した。実験では、１０ＫＨｚの電源を用いて本発明の参考例の表面処理を１時間行った電子部品と、１３．５６ＭＨｚの電源を用いて同じく本発明の参考例の表面処理を１時間行った電子部品と、上述した従来技術の表面処理を１時間行った電子部品とについて、それぞれの不良発生率を調べたところ、以下に示す表３の結果が得られた。この実験結果によれば、１３．５６ＭＨｚの電源を用いた本発明の参考例の表面処理の場合に、不良発生率が最も低いことが分かる。これから、ＭＨｚオーダーの周波数の方が、ダメージがより少ないと言える。しかし、いずれの周波数の電源を用いても、実際に本発明の参考例の表面処理に要する時間は５秒間程度であるから、どの周波数でも実際上電子部品の不良は殆ど発生しないと考えて良いと思われる。
【０１０４】
【表３】
0003557682.tif 000004
【０１０５】
以上の実験結果から、本発明の参考例の表面処理を酸素または水素を含む雰囲気中で行った場合に、最良の結果が得られることが分かる。但し、これらの場合には、当然ながら、酸素による処理を長時間行うとリードの金属が酸化して腐食し、水素を長時間用いるとリードの金属が水素化して脆化する虞があるので、実際には処理条件を厳しく管理する必要がある。
【０１０６】
図６には、本発明に適用される表面処理装置の第２参考例が概略的に示されている。電源１５に接続された細長い丸棒状の放電発生用電極１６が、接地されかつ下方に開放された概ね円筒形をなす金属カバー１７の中心に、絶縁取付具１８によって電気的に浮いた状態にして垂直に保持されている。金属カバー１７の下端から突出する電極１６先端の直ぐ下側には、図１の第１参考例と同様に電子部品６及びリード７が所定の間隔をもって配置されている。金属カバー１７の内部は、放電用のガスを供給するガス供給装置１９に連通している。
【０１０７】
先ず、ガス供給装置１９から金属カバー１７内に前記放電用ガスを供給し、電極１６と電子部品６及びリード７との間及びその近傍の雰囲気を、前記放電用ガスで置換する。次に、電極１６に電源１５から電圧を印加すると、電極１６先端部と電子部品６及びリード７との間で気体放電が起こり、第１参考例の場合と同様に表面処理がなされる。また、この時に発生するに反応ガスは、電極近傍に配設したダクト２０によって排気することができる。
【０１０８】
図７には、図６の第２参考例の表面処理装置の変形例が示されている。本参考例では、金属カバー１７の下端を電極１６の先端近傍まで、電極１６が金属カバー１７内に完全に収容される位置まで延長させ、これを電源電極１６に対する放電発生のための対電極２１としている。そして、対電極２１によって形成される金属カバー１７の下端開口２２の下方に電子部品６及びリード７を配置する。また、電極１６は、冷却装置２３からパイプ２４を用いて冷却水を循環させることによって、長時間に亘る放電処理により電極１６が過度に加熱しないように冷却することができる。金属カバー１７の下端開口には、電子部品６及びリード７との間に金属メッシュ２５が配設されている。
【０１０９】
ガス供給装置１９から放電用ガスを供給し、該ガスで金属カバー１７内部を置換する。電極１６に電源１５から電圧を印加すると、電極１６の先端部と対電極２１との間で気体放電が生じる。ガス供給装置１９からは前記放電用ガスが連続的に送給されているので、放電領域２６を前記ガスが通過する過程で、その一部はイオン、励起種等の活性種となり、金属カバー１７の下端開口２２より、反応性ガス流２７となって下方へ噴出する。この反応性ガス流に含まれる前記活性種によって電子部品６及びリード７が表面処理される。
【０１１０】
本参考例においても、ガス供給装置１９からヘリウム等の希ガスのみを導入して放電させ、かつ別個のガス供給手段から処理目的に応じて窒素、フッ素化合物等の反応性ガスを電子部品６及びリード７近傍に供給することができる。これにより、前記放電により生成されかつ開口２２からガス流となって噴出するヘリウムラジカルと、前記反応性ガスとのエネルギー変換によって、反応活性種が生成され、これによって所望の表面処理が行われる。
【０１１１】
本参考例は、上述した反応性ガス流により被処理材を曝露させるため、イオンの介在という意味において処理効果が幾分小さくなる。当然ながら、電子部品６及びリード７を金属カバー１７の下端開口２２から離隔する程にその傾向が強くなる。しかしながら、逆にイオンの介在が電子部品６及びリード７にとって弊害をもたらす場合は、上述したように、下端開口２２に設けた金属メッシュ２５により反応性ガス流１７に含まれるイオンをトラップしてニュウトライズし、噴出する反応性ガスにイオンが含まれないようにすれば良い。
【０１１２】
また、電子部品６及びリード７は、放電自体によりまたは電極１６の輻射熱により、条件によっては２００℃以上に加熱される。そこで電子部品６及びリード７を熱に対して保護することが必要な場合には、図示されない冷却手段によって電子部品６及びリード７を冷却しながら処理することができる。他方、電子部品６及びリード７が熱に対する保護を必要としないときは、逆に積極的に加熱を行うべきである。本発明は、化学反応を利用した還元処理方法の一種であるから、加熱は反応を促進させることが多いからである。
【０１１３】
別の加熱方法としては、ハロゲンランプ等の光源を用いることができる。この方法によれば、洗浄すべき面を早く加熱することが可能であり、時間の損失を少なくできるだけでなく、被処理材が凹凸の激しい複雑な形状であっても比較的簡単に加熱できる。また、前記光源を用いて短波長の光即ち紫外線を照射してもよい。この場合には、加熱効果だけでなく、有機物の化学的結合を切断して、更に洗浄能力を向上させる効果も得られる。
【０１１４】
更に別の補助的な手段としては、ブロー装置を用いて基板にガス流を噴射する方法がある。これにより、被処理材表面の有機物を除去しつつ、該有機物に覆われているまたは接着されている無機物のごみ等を、前記ガス流で飛ばしてしまうことができる。これは、別個のブロー装置を設けずに、金属カバー内に供給される放電用ガスの流量を大きくすることによっても可能である。また、前記ブロー装置によるガス流は、その温度を調整することによって基板の冷却または加熱する手段として使用することも可能である。更に、使用条件によって電極１６に水滴等が付着する恐れがある場合には、図示していないが適当なヒータを用いて電極１６及び金属カバー１７の周囲を加熱しても良い。
【０１１５】
図８及び図９には、図７の参考例を更に変形させた表面処理装置の参考例が示されている。細長い棒状をなす放電発生用電極１６が、金属カバー１７の内部に絶縁取付具１８によって水平に保持されている。金属カバー１７は、電極１６に対応する長さの細長い概ね断面正方形の箱形をなし、その対角線がそれぞれ垂直・水平をなす向きに配置されると共に、前記正方形の下側の角部が全長に亘って所定の幅で切除されて下向きに細長い開口２２が形成され、反応性ガス流を金属カバー１７内から下方へ噴出できるようになっている。そして、長手方向に沿って開口２２両側の辺縁部２８が対電極を構成している。当然ながら、金属カバー１７の開口２２の幅を相当拡大して電極１６を金属カバー１７の下端から下方に突出させたり、または金属カバー１７自体を取り外すことによって、電極１６と被処理材との間で直接放電を発生させることもできる。
【０１１６】
本参考例では、電極１６に電源１５から電圧を印加すると、電極１６の全長に亘って金属カバー１７の対電極部２８との間で気体放電する。放電によって生成された前記放電用ガスの活性種は、開口２２からその略全長に亘って下向きに反応性ガス流２７となって噴出される。このとき、上述した表面処理装置と電子部品６及びリード７とを電極１６の横方向に相対的に移動させることによって、多数の電子部品６及びリード７を同時に一括して処理することができる。
【０１１７】
図１０Ａ及び図１０Ｂには、上述した図８の電極１６及び金属カバー１７の構造の変形例がそれぞれ示されている。いずれの参考例も、放電発生用電極１６が、断面逆Ｔ字形の内部空腔２９を有する金属カバー１７内に包まれるように構成されている。そして、金属カバー１７の底面３０には、多数のガス噴出口３１が幅方向及び長手方向に開設されている。
【０１１８】
図１０Ａの参考例では、電極１６が、金属カバー１７の長手方向に沿って延長する断面Ｉ字形の板状をなしているので、放電が発生するのは、電極１６とその直ぐ下側に位置する金属カバー底面３０の中央部分のみである。従って、中央付近の噴出口３１のみから反応性ガス流２７が噴出する。これに対して図１０Ｂの参考例では、電極１６が、金属カバー１７の内部空腔２９の形状に対応する逆Ｔ字形の断面形状を有する。このため、電極１６の幅方向にフランジ状に延出する下端部３２とそれに対面する金属カバー底面３０との間で、略全面的に放電が発生する。従って、この場合には、略全ての噴出口３１から反応性ガス流を噴射することができる。このように、放電を発生させる位置、その数、及びガス噴出口等は、使用条件や処理材に応じて適当にかつ任意に変えることができる。また、このような構成にすることで、処理面積をより一層大きくして、処理能力を高くすることが可能である。
【０１１９】
図１１は、表面処理を現場で必要に応じて局所的にするための処理装置３３を概略的に示している。処理装置３３は、必要に応じて作業者が手に持って作業できるような所謂ガンタイプの構造を有し、その先端に開口を有する円筒状のノズル３４の内部に、放電発生部３５が設けられている。放電発生部３５は、その基本構造が上述した各参考例の表面処理装置と同じであり、図示されないガス供給装置及び電源に接続されると共に、放電により生成される活性種を含む反応性ガス流が、放電発生部３５の下部から、ノズル３４の先端開口３６に案内されて、被処理材に向けて噴出する。
【０１２０】
図１２Ａには、放電発生部３７と反応性ガス流を噴射するノズル部３８とを別個に設け、これらをフレキシブルチューブ３９で連結した表面処理装置４０が示されている。放電発生部３７は、図示されない電源やガス供給装置等を一体に組み込んだ固定式または移動式の本体４１に内蔵され、そこで発生させた反応性ガス流が、フレキシブルチューブ３９を介して送給され、ノズル部３８から被処理材に噴出させるようになっている。フレキシブルチューブ３９の長さは、活性種を有効に前記被処理材に到達させることができる点から、最大で約５ｍ、好ましくは２ｍ程度が望ましい。このようにノズル部３８を別体にすることによって、作業性が向上すると共に、装置４０の処理能力を必要に応じて高めることができる。
【０１２１】
ノズル部３８は、フレキシブルチューブ３９の先端に取外可能に装着されている。図１２Ｂには、このような交換可能なノズル部４２が示されている。図１２Ａのノズル部３８が、比較的大きな円盤状をなし、広い面積を一度に処理できるのに対し、図１２Ｂのノズル部４２は、長方形をなし、比較的小さな部分を処理するのに適している。このようにノズル部を適当に交換することによって、被処理物や使用条件の変化に容易に対応することができ、作業上のフレキシビリティが向上する。
【０１２２】
図１３乃至図１５には、それぞれ本発明による放電処理の効果を高めるように水分を付加するための具体的な構成が示されている。図１３に示す参考例では、ガス供給装置４から表面処理装置４３にガスを供給するパイプ４４の途中にバイパスを設けて分岐し、前記ガスの一部を、バルブ４５により調節してタンク４６内に送り込む。タンク４６内には、水、好適には純水４７が貯留され、ヒータ４８によって加熱されて水蒸気を発生させ易くしている。タンク４８内に導入されたガスは、水蒸気を含んで再びパイプ４４に戻され、ガス供給装置４から直接送給される前記ガスと混合して表面処理装置４３に供給される。
【０１２３】
このように表面処理装置４３に送られるガス中に水分を含ませることによって、被処理材に結露を生じる虞れが無く、好都合である。また、添加する水分の量は、バルブ４５の開度及びヒータ４８よりタンク４８内の水４７の温度を調節することによって調整される。
【０１２４】
図１４に示す別の参考例では、ガス供給装置４から前記表面処理装置へ通じるパイプ４４の途中に霧化器４９を設け、これにタンク４６から水４７を供給する。これにより、前記処理装置に送られるガスに水分を付加することができる。この場合、タンク４６内に第１３図の参考例と同様のヒータを設けて温水を霧化器４９に供給することにより、水の微粒化を促進することもできる。また、ガス供給装置４及びパイプ４４とは別個に送風手段及び管路を設け、霧化器４９により霧化された水分を強制的に前記表面処理装置に直接に送給することもできる。
【０１２５】
図１５の参考例では、タンク４６内の水４７をヒータ４８で加熱して水蒸気を発生させ、パイプ５０によって放電処理が行われる被処理材の表面付近に直接供給することができる。この場合、比較的温度の低い被処理材の表面で結露を生じる可能性があるが、結露により前記被処理材に好ましくない影響を及ぼす虞れがある場合には、パイプ５０を前記表面処理装置にまたはパイプ４４の途中に接続して放電を生じる以前に前記ガスに添加することもできる。
【０１２６】
図１６は、テープキャリヤに電子部品を接続するＩＬＢ（インナリードボンディング）において本発明により表面処理を行うことができる装置の参考例を概略的に示している。このＩＬＢ装置５１は、テープキャリア５２を送り出す巻出しリール５３と、ボンディングを行うボンディング部５４と、ボンディングを終了したテープキャリア５２を収納する巻取りリール５５とからなる周知の構成に加えて、ボンディング部５４の手前にテープキャリア５２を表面処理するための表面処理装置５６が配設されている。テープキャリア５２は、モータ５７により搬送され、複数のガイドローラ５８に案内されて、巻出しリール５３から表面処理装置５６及びボンディング部５４を通過して巻取りリール５５に送られる。ボンディング部５４は、よく知られるように加圧シリンダで上下に駆動されるボンディングツール５９を有し、チップステージ６０上に位置決めされたＩＣチップ６１に、テープキャリア５２の開孔部に突出するインナリード６２を加圧加熱して接続する。
【０１２７】
表面処理装置５６は、上述したいずれかの表面処理装置例えば図１の表面処理装置１と同一の構成からなり、ガス供給装置４から送られたガスに、電源２から高周波電圧を印加することによって、大気圧近傍の圧力下で電極３とテープキャリア５２との間で気体放電させる。放電により発生した活性種に曝露することによって、インナリード６２及びテープキャリア５２の表面から有機物・無機物の汚れが除去される。これにより、インナリード６２とＩＣチップ６１との接合性が大幅に向上する。この場合、別個の表面処理装置を用いてＩＣチップ６１の接合面を同様に表面処理しておくと、両者の接合性が更に向上する。また、前記表面処理により、同時にインナリード６２及びテープキャリア５２の表面が改質されてぬれ性が向上する。従って、後工程でこれらを樹脂封止する際に、モールド樹脂との密着性が向上する。これにより、最終的にＴＣＰ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ）の歩留りが向上する。
【０１２８】
また、本発明の表面処理方法は、液晶ディスプレイの製造におけるドライ洗浄に用いることができる。液晶ディスプレイの製造工程は、図１７に示すように、工程順にパターン基板作製工程、セル作製工程、液晶モジュールの作製工程に大きく分けられる。先ず、パターン基板作製工程では、透明電極基板を洗浄した後必要な電極、配線を、周知の真空蒸着法やＣＶＤ法を用いてパターニングして、パターン基板を形成する。次に、セル作製工程において、前記パターン基板を洗浄した後配向膜を形成し、更に洗浄した後液晶セルを形成する。所定寸法の前記液晶セルに偏光板を貼り付けて、液晶パネルを形成する。検査を通過した前記液晶パネルは、最後にモジュール作製工程において、駆動用のＩＣチップや実装基板を接続し、筐体に組み立てられて、液晶ディスプレイが完成する。
【０１２９】
本参考例では、パターン基板作製工程中の洗浄工程、及びセル作製工程中の２回の洗浄工程において、上述した大気圧近傍下のプラズマ放電による表面処理を基板の全面に対して行う。これにより、基板表面から有機物・無機物の汚れを除去し、後工程のためにぬれ性を改善することができる。本発明の参考例によれば、枚葉処理による基板の洗浄が可能であるから、特にぬれ性については、バッチ処理の場合のようにポットライフに注意する必要がなく、後のパターニング工程、配向膜形成工程等のスケジュール、各作業が行われる場所、それらの間における運搬の問題等を考慮して、最適に生産管理することができる。また、洗浄後の基板はリアルタイムで後工程に送ることができるので、インライン化を容易に実現することができる。更に、必要に応じて基板の一部分のみを選択的に洗浄することもできる。
【０１３０】
更に、液晶セル表面に偏光板を貼り付ける工程の前処理として、同様に本発明の参考例による大気圧近傍下での表面処理を行う。これにより、以前の工程において液晶セル表面に付着したフラックス、スクライブの残滓や指紋の汚れ等の有機物、無機物を、簡単に高速度でかつ低コストで除去することができる。これにより、従来の人手による汚れ落としの作業が不要となって、手間及び処理時間を削減することができ、かつ液晶セル表面を物理的に損傷させることがなく、液晶セルと偏光板との間に気泡が残って映像不良等の表示欠陥を生じる虞を確実に解消することができる。
【０１３１】
最後のモジュール作製工程において、筐体組立後に最終検査を行い、液晶パネルに実装された半導体チップに不良品が発見された場合には、これを取り除いて良品のチップに交換する。例えば、図１８に示す液晶パネル６３は、所謂ＣＯＧ（chip on glass）方式により液晶セル６４のガラス面に複数個の駆動用半導体チップ６５が直接接続されている。本発明の参考例によれば、発見された不良品の半導体チップ６６のみを、例えばその接合部を加熱することによって取り除く。
【０１３２】
次に、良品の半導体チップを交換して実装する前に、その接合領域６７に選択的に、本発明の参考例による大気圧近傍下での放電による活性種を含むガスを曝露して表面処理を行う。この場合、表面処理装置６８と液晶セル６４との間に、図１９に示すように接合領域６７に対応する開孔６９を有するマスク７０を使用すると、簡単に他の半導体チップ６５やその接合部に影響を与えないようにすることができるので、好都合である。従って、従来の局所的な処理が困難なウェット洗浄や各種ドライ洗浄のように全部の半導体チップを取り外す必要がない。本願発明者が実験したところ、このようにして表面処理することによって、接合領域６７から不良品６６を除去した後に残存する接着剤、ろう材等が、他の部分に搭載された良品の半導体チップ等に何ら影響を与えることなく除去された。同時に、接合領域６７のぬれ性が改善されて、良品の半導体チップを良好に接続することができた。また、接合部の洗浄において、前記表面処理だけで指紋に含まれるアルカリ残渣を除去することは困難であったが、表面処理の前または後に純水洗浄を組み合わせて行うことによって、完全に清浄化できた。
【０１３３】
更に、本参考例では、ガンタイプの表面処理装置６８を用いてインライン化することができ、これを半導体チップのボンディング装置と一体化することによって、洗浄機付きボンディング装置が得られた。また、本発明は、当然ながら、ＣＯＧ方式以外の方法により液晶セルと実装基板とを接続した液晶パネルについて同様に適用することができ、また、液晶パネル以外に電子部品を搭載したプリント基板等の半導体装置の製造においても同様に適用することができる。
【０１３４】
次に他の参考例として、前述の図１６に示したテープキャリヤに電子部品を接続するＩＬＢ（インナーリードボンディング）工程の後工程へ本願発明の参考例を適用した例を説明する。つまり、テープキャリヤに電子部品をＩＬＢ工程で接続したＴＣＰ（テープ・キャリヤ・パッケージ）に対して、ポッティングまたはトランスファーモールディング等のパッケージをほどこした後に、このＴＣＰをさらに回路基板へ接続するＯＬＢ（アウターリードボンデイング）工程の前処理へ、本願発明の参考例を適用することにより、ＯＬＢ工程での濡れ性を向上させたものが本参考例である。
【０１３５】
ＴＣＰのリードと回路基板のパターンとの接続は、半田により行われる場合、異方性導電フィルムにより行われる場合等がある。
【０１３６】
半田により行われる場合は、ＴＣＰのリ−ドのフィンガー部に半田コートを行い、かつ回路基板のパターンに対しても半田メッキを行う。そしてそれらを３５０〜４００℃程度で治具により加熱圧着して接合する。この加熱圧着前に、前述の本願発明のプラズマ処理をＴＣＰ及び／または回路基板の半田部分にほどこし、濡れ性を向上させることが本実施例である。次に、半田により接続する場合の具体的な説明を行う。
【０１３７】
後述の図２２に示す上電極を持った図２１に示す装置を用い、高周波電力２００Ｗ、処理ガスとしてＨｅを流量２０リットル／分とＣＦ４を３００ｃｃｍ、それと水蒸気等の水分が２％のものを用いる。すると、半田上の自然酸化膜（ＳｎＯ）が、濡れ性向上のために有効な材質（ＳｎＦ２）に以下のように変化する。
【０１３８】
ＣＦ４  ＋  ２Ｈ２Ｏ  →  ＣＯ２  ＋  ４ＨＦ
２ＨＦ  ＋  ＳｎＯ    →  Ｈ２Ｏ  ＋  ＳｎＦ２
次に、ＴＣＰのリードと回路基板のパターンとの接続が、異方性導電フィルムにより行われる場合の実施例について述べる。ここで、ＴＣＰのリードもしくは回路基板のパターンの両方もしくはどちらかに半田が形成されていれば上述と同様の処理を行えばよいものである。しかし、例えばＴＣＰのリ−ドに半田が形成されておらず、しかもそのリ−ドが銅からなる場合も、上述と同様の処理条件で行う。この時、銅上の接合に不都合な自然酸化膜（ＣｕＯ）が、気体のガス（ＣｕＦ２）に以下のように変化し、銅の表面が露出し、濡れ性が向上する。
【０１３９】
ＣＦ４ ＋ ２Ｈ２Ｏ → ＣＯ２ ＋ ４ＨＦ
２ＨＦ ＋ ＣｕＯ → Ｈ２Ｏ ＋ ＣｕＦ２
次に他の参考例として、図２０（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）及び表４を参照してＴＡＢ（テープ・オートメーテッド・ボンディング）、つまりＩＣ等の電子部品がＩＬＢ工程により実装されたキヤリヤテープのＩＣ等の電子部品に対して、その保護として行うポッティングの前処理に本願発明の参考例を適用した例を説明する。ポッティング膜は、ＩＣ等の電子部品を外界からの湿度や機械的なダメージ、不純物の汚染、から保護するために設けられるものである。従って、このポッティング膜は、その目的を達成するために、ＩＣ等の電子部品の周りに充分回り込んで形成する必要がある。このポッティング膜は、エポキシ樹脂等からなる。ポッティング膜を充分回り込ませるために、本願発明の参考例の処理を適用し、濡れ性を向上させるのである。
【０１４０】
図２０を用いて説明する。図２０において、２０１０はポッティング樹脂を塗布するためのディスペンサー、２０１１はディスペンサー２０１０のノズル、２０１２はテープキャリヤ、２０１３はテープキャリヤ上に印刷されたリード、２０１４はＩＣチップ、２０１５はポッティング樹脂である。図２０（Ａ）を下側からみた図が、図２０（Ｂ）である。図２０（Ａ）及び（Ｂ）は、ポッティング樹脂２０１５を塗布する前の状態を示し、図２０（Ｃ）は、ポッティング樹脂２０１５を塗布した後の状態を示す。図２０（Ｃ）中の”α”は、テープキャリヤ２０１２のＩＣチップ２０１４が設けられている側のＩＣチップ２０１４の端部からポッティング樹脂２０１５の端部までの距離を示しているものである。これを、表４中では、回り込み量と表現した。また、表４中の回り込み量αは、１つのＴＣＰ中での平均値を表している。
【０１４１】
具体的な処理条件を次に説明する。図２０（Ａ）よりも前の状態で、図２２に示す上電極を持った装置で、図２４に示すような状態で、大気圧プラズマ処理を行う。使用ガスは、４リットル／分の流量のＨｅと、２００ｃｃｍのＯ２であり、印加電力は表４に示すように、各種値が適当であるが、１５０Ｗが好ましい。表４中の本発明Ａから本発明Ｄはどれも本実施例であり、回り込み量αも、全てよい値を示す。これは、従来例のプラズマ等、何の処理もほどこさずにポッティング樹脂を塗布した従来Ａ及び従来Ｂの回り込み量αと比較すれば明きらかである。従来Ａは、従来の処理のうち最もよい値を示し、従来Ｂは従来の処理のうち不良品としたものの値を示す。
【０１４２】
【表４】
0003557682.tif 000005
【０１４３】
さらに他の参考例を図２１から図２３を用いて、実施例を図２４及び図２５を用いて次に説明する。この参考例及び実施例は電極と被処理部材（ワーク）との間で放電及びプラズマの生成を行う電極構造及びその電極を用いた各種ワークの処理方法に関するものであり、前述のＩＬＢ工程の前処理、モールド（樹脂封止）工程の前処理、ＯＬＢ工程の前処理、ポッティング樹脂の塗布工程の前処理及び液晶パネルに対する処理等に適用可能なものである。
【０１４４】
また、前述の図１，図３，図４，図５，図６及び図１６は、処理装置を簡略化して示しているが、これらの図の処理装置は、図２１から図２４までの処理装置を用いて処理を行うこととしてもよいものである。
【０１４５】
図２１は、電極とワークとの間で放電するタイプの電極構造の立体図（一部透視図）である。図２１において、２１１０は上電極２１１１を処理装置へ接続するための絶縁体からなるコネクター、２１１１は上電極、２１１２はガスが通るガス流路、２１１３はアルミナまたはセラミックス等からなる絶縁体、２１１４は被処理体であるワーク、２１１５は下電極、２１１６はガスをワーク２１１４へ噴射するためのスリット状の孔、２１１７はワークの両面を一度に両側から処理するためのガスを放出するスリット状の孔である。
【０１４６】
Ｈｅ，Ｏ２，ＣＦ４，水蒸気等の使用ガスは、上電極２１１１の上側のガス流路２１１２（図では３箇所）から導入され、ワーク２１１４に対してはスポット状ではなく、スリット状に噴射される。このように、図の３箇所のガス流路２１１２は途中で全てつながっている構成とする。これは、ブラズマの発生の均等化に有効である。
【０１４７】
ワーク２１１４は、ＴＡＢ，ＴＣＰに用いられるポリイミド等からなるキャリヤテープ、リードフレーム、液晶パネル等からなり、ワーク２１１４の導電体の部分と上電極２１１１、もしくは下電極２１１５と上電極２１１１との間の空間で放電が起こり、そこでプラズマが生成される。この放電は、正確には、上電極２１１１の下方向へ凸型となった最下面、つまり、下に薄く絶縁体２１１３が存在している部分の上電極２１１１の面と、ワーク２１１４との間または下電極２１１５との間で行われる。この放電が起こる空間は、好ましくは５ｍｍ以下で０ｍｍより大きいことがよい。また、ワーク２１１４は、２１１４の符号を引き出している方向へ移動しながらのプラズマ処理が可能である。
【０１４８】
下電極２１１５に設けられたスリット状の孔２１１７も使用して、ワーク２１１４の裏面も表面と同時にプラズマ処理を行う場合は、ワーク２１１４を図示しない機構により、上電極２１１１と下電極２１１５とに接しないように、それらの間に浮かせることが必要である。ワーク２１１４の裏面の処理が必要なく、表面の処理だけであれは、ワーク２１１４は、下電極２１１５に接していてもよい。
【０１４９】
上電極２１１１の下面及び側面に形成された絶縁体２１１３は、厚さ０．５ｍｍ程度のアルミナまたはセラミックス等からなり、上電極２１１１の放電に寄与する部分と、ワーク２１１４との間もしくは下電極２１１５との間で発生するアーク放電等の異常放電を防止するために必要なものであり、本参考例の特徴の１つである。このアーク放電等の異常放電が発生すると、ワークにＩＣチップ等の部品が搭載されている場合に、ＩＣチップを破壊してしまうことになる。
【０１５０】
この図２１は、上電極２１１１を図２２のものに変更したり、ガス流路２１１２を図２２及び図２３のものに変更したり、または、下電極２１１５を図２４または図２５のものに変更したりすることが可能である。また、図２１から図２５の各構成部分は、各々どのような組み合わせでも可能である。
【０１５１】
次に上電極の他の構成を図２２及び図２３を参照して説明する。この参考例は、少ない使用ガス量で、均一で、かつ処理の際に正常なプラズマの発生を起こさせるために有効なものである。図２２は、図２１のような処理装置の幅の狭い方向の上電極の断面図である。
【０１５２】
図２２は、上電極の構造を示すものであり、２２１０は上電極２２１１を処理装置へ接続するための絶縁体からなるコネクター、２２１１は上電極、２２１２はガス流路、２２１３は必要に応じて上電極２２１１を冷却するための冷却水路、２２１４は多孔質のアルミナまたはセラミックス等の絶縁物からなる多孔質材、２２１５はアルミナまたはセラミックス等からなる絶縁体、２２１６は空間、２２１７はガスを噴射するスリット状の孔である。
【０１５３】
図２２のガス流路２２１２下に存在する多孔質材２２１４は、ガス流路２２１２の金属部分と、図示しないワークもしくは下電極との間のアーク放電等の異常放電を防止するために設けたものである。
【０１５４】
また、図２２の絶縁体２２１５は、図２１の絶縁体２１１３と同様の役割を有するものである。つまり、空間２２１６とスリット状の孔２２１７とに挟まれている上電極２２１１の下面（金属）、つまり放電部分と、図示しない下電極との間で発生するアーク放電等の異常放電を防止するために、絶縁体２２１５を設けている。これにより、ワークの破壊が発生しない。このとき、上電極２２１１の放電部分下に存在する絶縁体２２１５の厚さは、０．５ｍｍ程度である。
【０１５５】
さらに、この図２２の絶縁体２２１５は、下側を大きく左右に張りだしたウイング形状とした。このウイング形状により、スリット状の孔２２１７から放出されたガスを放電空間に閉じこめ易くできる。このウイング形状の絶縁体２２１５も本参考例の特徴の１つである。ガスを放電空間に閉じこめ易いということは、同じプラズマ処理を行うにあたって、ウイング形状がある場合のほうが、無い場合に比較して、より使用ガスの消費量が少なくて済むということを意味する。例えば、図２１のような絶縁体２１１３を有する装置の場合は、放電に必要なＨｅガスが２０リットル／分であるのにたいして、図２２のようなウイング形状の絶縁体２２１５を有する装置の場合は、放電に必要なＨｅガスが３リットル／分でよい。この絶縁体２２１５のウイング形状は、必要に応じて左右への張りだし量を調整可能とする。また、ウイング形状の絶縁体２２１５を有する装置では、ワークを大気圧中のプラズマによりエッチングする際に、エッチングした物質のワークへの再度の付着を防止することができる。
【０１５６】
次に図２２の空間２２１６について説明する。プラズマの発生に寄与する放電は、空間２２１６とスリット状の孔２２１７とに挟まれている上電極２２１１の下面（金属）、つまり放電部分と、図示しないワークまたは下電極との間で行われる。この際、放電面積を広げるために、空間２２１６へ追加の金属を上電極２２１１に接続する形で形成すればよい。従って、空間２２１６は、放電面積を増減させるためのものである。
【０１５７】
図２２のガス流路２２１２が、その途中で曲がっているが、これは本参考例の特徴の１つである。
【０１５８】
図２１のガス流路２１１２は直線であった。図２１のようにガス流路２１１２が全体として直線的な形状であると、スポット状に導入されたガスが下のスリット状の孔２１１６から放出される際に、ガス濃度にばらつきが生じ、プラズマの不均一化につながることがあった。つまり、ガス流路下に位置するスリット状の孔の部分から、他のスリット状の孔の部分よりも多くガスが噴出し易いのである。プラズマの不均一化は、処理の不均一化となり、信頼性上問題である。
【０１５９】
そこで、図２１のガス流路２１１２を改良したものが、図２２のガス流路２２１２である。図２３も参照しながら、図２２のガス流路２２１２について説明する。
【０１６０】
図２３は、図２２のガス流路２２１２のみを、立体的に取り出して記載したものである。図２３において、２３１０はスポット状のガス導入口、２３１１はスリット状のガス放出口である。図２３では、ガス導入口２３１０を省略して２箇所しか記載していないが、実際のガス導入口は、図２１のように３箇所か、もしくは４箇所程度が適当である。また、図２３には、図２２に記載された多孔質のアルミナまたはセラミックス等の絶縁物からなる多孔質材２２１４も省略して図示していないが、実際には、多孔質材を図２３のスリット状のガス放出口に沿って形成するものである。
【０１６１】
図２３のように、図２２のガス流路２２１２を構成することにより、次のような効果がある。つまり、ガス導入口２３１０から導入されたガスが、スリット状のガス放出口２３１１から放出されるまでに、充分濃度的に均等化されるため、ワークに対して均等なプラズマ処理が行える。
【０１６２】
次に図２４及び図２５を参照して、実施例としてＴＣＰ及びリードフレームのプラズマ処理について説明する。
【０１６３】
まず、図２４を参照して、実施例を説明する。図２４は、図２１のような処理装置の長手方向の断面図である。
【０１６４】
図２４は、テープ状のＴＣＰが図の紙面に対して垂直方向に移動しながらプラズマ処理を行うものである。また、ＴＣＰのＩＣチップをポッティングまたはトランスファモールディングする前の大気圧プラズマ処理を示す実施例である。さらに、そのプラズマ処理の条件は、表１及び表２のように先に詳細に示してあるものがそのまま利用できる。例えば、上電極２４１０と下電極２４１１に印加する高周波の周波数は、１３．５６ＭＨｚ、使用ガスはＨｅ＋Ｏ２、処理時間は５秒である。
【０１６５】
図２４は、図２１または図２２に比較して各部の構成を省略して示しているが、実際には、特に上電極については図２１及び図２２の構成を適用するものである。図２４において、２４１０は上電極、２４１１は下電極、２４１２はＴＣＰのテープキャリヤ、２４１３はＩＣチップ、２４１４はリード、２４１５は下電極２４１１に設けられた凹部、２４１６は上電極２４１０の放電部側に設けられたアーク放電等の異常放電を防止するための絶縁体である。
【０１６６】
また、図２４中の凹部２４１５は、プラズマをＴＣＰの上電極からみて反対側（ＩＣチップが存在しない側）へ回り込ませて、テープキャリヤの両側、リード及びＩＣチップの表面のプラズマによる改質を充分に行うためと、後述のように放電の集中を防止するために必要なものであり、本実施例の特徴の一つである。
【０１６７】
図２４において、上電極２４１０の横幅は８０ｍｍ程度であり、凹部２４１５の幅”ハ”は３０ｍｍ程度であり、ＴＣＰの幅”ニ”は３５ｍｍ程度であり、凹部２４１５の深さ”イ”は３ｍｍ程度であり、ＴＣＰの厚さ”ロ”は１ｍｍ程度であり、上電極２４１０の下面から、凹部２４１５の底部までの距離”ホ”は５ｍｍ程度以下である。
【０１６８】
前述したように、放電間間隔としては、最大でも５ｍｍ程度であり、本実施例の場合は、その放電間間隔は”ホ”となる。なぜならば、ＴＣＰは、主体的にはポリイミド等の絶縁体のテープに、銅等の導電体のリ−ドを印刷したものである。その導電体のリ−ド２４１４が多く存在している部分では、上電極２４１０とＴＣＰのリード２４１４との間で放電が生ずるが、リ−ド２４１４がほとんど存在しない部分では、上電極２４１０と下電極２４１５の凹部２４１５の底部との間で放電することとなる。このとき、凹部２４１５の深さを４ｍｍ程度以上に深くしてしまうと、上電極２４１０と凹部２４１５との間が５ｍｍを越えた距離となり、これらの間では有効に放電しなくなり、上電極と凹部２４１５以外の下電極２４１１との間でしか放電が起こらなくなる。すると、下側の放電面積縮小による放電の集中が発生する。この放電の集中により、多くのパワーが狭い範囲に集中するため、ＴＣＰ上のリードの断線が生じ、ＴＣＰの破壊につながってしまう。そのため、ＴＣＰのプラズマ処理の場合は、凹部２４１５の深さ”イ”がポイントとなり、その値は前述のように３ｍｍ程度が適当である。
【０１６９】
次に、図２５を参照して、他の実施例を説明する。図２５（Ａ）は、図２１のような処理装置の幅の狭い方向の断面図であり、図２５（Ｂ）は、図２１のような処理装置の長手方向の断面図である。
【０１７０】
図２５は、ＩＣチップが３つ搭載されたリードフレームを下電極上に載置してプラズマ処理を行うものである。また、リードフレーム上のＩＣチップをトランスファモールディングする前の大気圧プラズマ処理を示す実施例である。さらに、そのプラズマ処理の条件は、表１及び表２のように先に詳細に示してあるものがそのまま利用できる。例えば、上電極２５１０と下電極２５１５に印加する高周波の周波数は、１３．５６ＭＨｚ、使用ガスはＨｅ＋Ｏ２、処理時間は５秒である。
【０１７１】
図２５は、図２１または図２２に比較して各部の構成を省略して示しているが、実際には、特に上電極については図２１及び図２２の構成を適用するものである。図２５において、２５１０は上電極、２５１１はガス流路であり、前述の図２２のガス流路２２１２と同様に、ガスを均等化してスリット状のガス放出口から放出する機能を有している、２５１２は上電極２５１０の放電部側に設けられたアーク放電等の異常放電を防止するための絶縁体、２５１３はリードフレーム、２５１４はＩＣチップ、２５１５は下電極、２５１６は下電極２５１５に設けられた凹部である。
【０１７２】
また、図２５中の凹部２５１６は、プラズマをリードフレーム２５１３の上電極からみて反対側（ＩＣチップ２５１４が存在する側）へ回り込ませて、リードフレームの両側及びＩＣチップの表面のプラズマによる改質を充分に行うために必要なものであり、本実施例の特徴の一つである。しかし、凹部２５１６について、本実施例と図２４の実施例との異なる部分は、図２４は放電の集中の防止を考慮して、凹部の深さを決めていたのに対して、本実施例は放電の集中を考慮する必要が無いことである。なぜならば、本実施例のワークはリードフレーム２５１３であり、リードフレーム２５１３は金属である。そのため、リードフレーム２５１３は、ＴＣＰのテープキャリヤのように部分的に導電リードが多く存在していたり、いなかったりということはなく、常に導電体である金属のリードフレーム２５１３が、上電極２５１０と対向した場所に存在する。したがって、本実施例は放電の集中が起こり得ない構造である。
【０１７３】
図２５において、凹部２５１６の深さ”ヘ”は５ｍｍ程度であり、上電極２５１０の下面から、リードフレーム２５１３の上面までの距離”ト”は５ｍｍ程度以下である。この”ト”の距離は、先に何回か説明しているように、放電に必要な導電部材間の距離は、最大５ｍｍ程度であることに起因している。もし、放電させるための導電部材間の距離が５ｍｍを越えると、有効な放電が起きなくなる。５ｍｍを越えても放電をさせようとすると、過剰なガス量、過剰な高周波電力等が必要となり、製造処理上好ましくない。
【０１７４】
次に、異常放電の防止と、単位面積当たりの高周波電力について考察する。
【０１７５】
まず、異常放電の防止について述べる。
【０１７６】
図２２の形状の上電極を、図２１の処理装置へ適用する場合に、異常放電を防止するための電極構造と印加高周波電力との関係について、説明する。
【０１７７】
”Ｘ”をワーク外の放電部分の電極の長さ（ｍｍ）とし、”Ｙ”を高周波電力（Ｗ）とすると、次の関係式（式１）が成立する。
【０１７８】
Ｘ  ≧  ０．０９Ｙ    ・・・（式１）
ここで、このワーク外の放電部分の電極の長さ”Ｘ”とは、例えば上電極と下電極とが重なった部分の、図２１の処理装置の長手方向の上電極の長さのうち、ワークがその下に存在しない部分の長さ（上電極の両側の長さの和）を示す。
【０１７９】
この式１を満たすように、”Ｘ”及び”Ｙ”を適切に設定すれば、異常放電が生じないことが、本願発明者の実験により明きらかとなった。
【０１８０】
次に、単位面積当たりの印加高周波電力について考察する。
【０１８１】
本願発明者による実験の結果、次の値が好ましいことがわかった。
【０１８２】
０．３〜１００Ｗ／ｃｍ２
このとき、高周波電力、つまりパワーを上げると、処理時間が短くなるものである。また、Ｈｅをべースとした使用ガス中に、混合する他のガス（”Ｚ”）の割合［Ｚ／（Ｚ＋Ｈｅ）＊１００］は、０〜３０％が好ましく、さらに好ましくは０〜１０％であることも実験により明きらかとなった。Ｈｅ１００％の時と、Ｈｅに５％の酸素（Ｏ２）を混ぜた時とで、放電を生じ、かつ異常放電を生じさせない、上述の単位面積当たりの印加高周波電力の値は次の通りである。
【０１８３】
Ｈｅ：１００％  ・・・  ０．３〜２０Ｗ／ｃｍ２
５％Ｏ２＋Ｈｅ  ・・・  ５〜８０Ｗ／ｃｍ２
このように、ヘリウムガスが多いほど、小さなパワーで放電が可能となり、酸素等の他のガスを混合するほど、大きなパワーを印加できる。
【０１８４】
最後に、使用ガスについて追加の説明を行う。
【０１８５】
大気圧中でプラズマを発生させるための放電にタイプとして、大きく分けて２つのタイプが存在する。つまり、１つ目は、図１，図３，図４，図５，図６，図１６や、図２１から図２５で説明したように、電極と被処理部材（ワーク）との間で放電及びプラズマの生成を行うタイプであり、２つ目は、図７，図８，図９，図１０，図１１及び図１２で説明したように２つの電極間で放電及びプラズマの生成を行い、そこで生成されたプラズマを別の場所に置かれた被処理部材へ向けて放出するタイプである。前者は、放電発生の場所と被処理部材に対するプラズマ処理の場所が同じであり、ここでこれを直接放電タイプと表現する。また、後者は放電発生の場所と被処理部材に対するプラズマ処理の場所が異なり、ここでこれを間接放電タイプと表現する。
【０１８６】
直接放電タイプは、間接放電タイプに比較して使用ガス量が少なくて済む。直接放電タイプの放電の種類は、グロー放電であり、間接放電タイプのそれは、コロナ放電である。前述の各参考例で各種の使用ガスについて説明したが、実際には、各放電タイプにとってより好ましい使用ガスが存在する。この好ましい使用ガスについて説明する。
【０１８７】
ガスのコストは、圧縮空気が一番安い、これは大気中の空気を単に圧縮して使用するだけなので当然である。また、放電に有効なＨｅは、コストがかかっている。また、窒素は、大気中から窒素のみを取り出して使用するため、比較的安く生成できる。したがって、ヘリウム（Ｈｅ）のみ及びヘリウムをベ−スとするガス、例えばＨｅ＋Ｏ２、Ｈｅ＋ＣＦ４等は、直接放電タイプに使用する方が好ましい。また、圧縮空気、窒素、窒素と酸素の混合等は、間接放電タイプに使用する方が好ましい。また、どちらのタイプとも窒素＋ＣＦ４は、酸化させずにエッチングする場合に有効である。
【０１８８】
さらに、金属メッシュは、間接放電タイプに使用する方が有効である。
【０１８９】
以上、本発明の好適な実施例について詳細に説明したが、本発明は、その技術的範囲内において上記実施例に様々な変形・変更を加えて実施することができる。例えば、放電発生用の電極は、棒状、板状のもの以外に球状、非球状湾曲形状等様々な形状とすることができる。これによって処理条件に適した放電状態を生じさせることができる。また、本発明による放電処理は、被処理材の向きに拘らず上下いずれの面に対しても行なうことができる。
【０１９０】
【発明の効果】
本発明は、以上のように構成されているので、以下に記載されるような効果を奏する。
【０１９１】
本発明の半導体装置の製造装置は、減圧環境を必要としないので装置の構成を簡単にして小型化することができ、大気圧近傍下の放電により高速度で表面処理できるので、電子・イオンが励起種に比して少なくなり、電子部品またはリードへのダメージが少なく、低コストで電子部品とリードとの接合性を向上させ、またはモールド樹脂との密着性を向上させることができるので、歩留りが向上し、かつ半導体装置の信頼性を向上させることができる。しかも、枚葉処理が可能であり、電子部品とリードとを接合する工程またはこれらを樹脂封止する工程とのインライン化を容易に達成することができ、また装置を移動可能にして作業性を向上させることができる。
【０１９７】
本発明の半導体装置の製造装置によれば、絶縁膜の存在により、アーク放電等の異常放電が防止でき、また、絶縁膜をウイング形状とすることにより、使用ガスをより少なくできる。
【０１９８】
本発明の半導体装置の製造装置によれば，ガスの濃度を均等化することができ，これにより、プラズマ処理の均等化が行える。
【０１９９】
本発明の半導体装置の製造装置によれば、多孔質部材の存在により、異常放電を防止することができる。
【０２００】
本発明の半導体装置の製造装置によれば、凹部を設けることにより、ＴＣＰやリードフレームの裏側まで充分にプラズマを回り込ませることができ、また、ＴＣＰの処理の場合に異常放電を防止できる。
【０２０１】
本発明の半導体装置の製造装置によれば、安定な放電を発生することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による半導体装置の製造方法の第１参考例に使用される表面処理装置の構成を示す模式図である。
【図２】樹脂封止されたパッケージ型半導体装置の断面図である。
【図３】本発明の第２参考例に使用される表面処理装置の模式図である。
【図４】本発明の第３参考例に使用される表面処理装置の模式図である。
【図５】本発明の第４参考例に使用される表面処理装置の模式図である。
【図６】本発明に使用される表面処理装置の第２参考例を示す模式図である。
【図７】本発明に使用される表面処理装置の第３参考例を示す模式図である。
【図８】本発明に使用される表面処理装置の第４参考例を示す模式図である。
【図９】図８のＩＸ−ＩＸ線における断面図である。
【図１０】図１０Ａ及び図１０Ｂからなり、それぞれ表面処理装置に使用するノズルの構造を示す断面図である。
【図１１】現場で使用可能な表面処理装置に使用するノズルを示す部分断面斜視図である。
【図１２】図７Ａは、放電発生部とノズルとを別個にした表面処理装置の構成を示す部分断面斜視図であり、図７図はノズル部分の変形例を示す図である。
【図１３】反応性ガス中に水分を含ませるための構成を示すブロック図である。
【図１４】図１３と異なる別の構成を示すブロック図である。
【図１５】図１３と異なる更に別の構成を示すブロック図である。
【図１６】本発明による表面処理装置を用いてテープキャリヤに電子部品をインナボンディングするための装置を概略的に示す構成図である。
【図１７】液晶ディスプレイを製造する工程を示すフロー図である。
【図１８】液晶セルから不良品の電子部品を取り外す要領を説明するための平面図である。
【図１９】マスクを用いて部分的に洗浄される液晶セルを示す断面図である。
【図２０】図２０Ａ、図２０Ｂ及び図２０Ｃからなり、それぞれＴＣＰ及びその表面処理装置の断面図及び平面図である。
【図２１】本発明の参考例に使用される表面処理装置の模式図である。
【図２２】本発明の参考例に使用される表面処理装置の上電極の模式図である。
【図２３】本発明の参考例に使用される表面処理装置の上電極のガス流路の模式図である。
【図２４】本発明の実施例に使用されるＴＣＰの表面処理装置の模式図である。
【図２５】図２５Ａ及び図２５Ｂからなり、それぞれリードフレームの表面処理装置の模式図である。
【符号の説明】
１  表面処理装置
２  電源
３  放電発生用電極
４  ガス供給装置
５  開口
６  電子部品
７  リード
８  ダイパッド
９  ワイヤ
１０  放電領域
１１  モールド樹脂
１２  パッケージ
１３  先端部分
１４  先端部分
１５  電源
１６  放電発生用電極
１７  金属カバー
１８  絶縁取付具
１９  ガス供給装置
２０  ダクト
２１  対電極
２２  下端開口
２３、２４  パイプ
２５  金属メッシュ
２６  放電領域
２７  反応性ガス流
２８  辺縁部
２９  内部空腔
３０  底面
３１  噴出口
３２  下端部
３３  処理装置
３４  ノズル
３５  放電発生部
３６  先端開口
３７  放電発生部
３８  ノズル部
３９  フレキシブルチューブ
４０  表面処理装置
４１  本体
４２  ノズル部
４３  表面処理装置
４４  パイプ
４５  バルブ
４６  タンク
４７  純水
４８  ヒータ
４９  霧化器
５０  パイプ
５１  ＩＬＢ装置
５２  テープキャリア
５３  巻出しリール
５４  ボンディング部
５５  巻取りリール
５６  表面処理装置
５７  モータ
５８  ガイドローラ
５９  ボンディングツール
６０  チップステージ
６１  ＩＣチップ
６２  インナリード
６３  液晶パネル
６４  液晶セル
６５  駆動用半導体チップ
６６  不良品の半導体チップ
６７  接合領域
６８  表面処理装置
６９  開孔
７０  マスク
２０１０  ディスペンサー
２０１１  ノズル
２０１２、２４１２  テープキャリヤ
２０１３、２４１４  リード
２０１４、２４１３、２５１４  ＩＣチップ
２０１５  ポッティング樹脂
２１１０、２２１０  コネクター
２１１１、２２１１、２４１０、２５１０  上電極
２１１２、２２１２、２５１１  ガス流路
２１１３、２２１５、２４１６、２５１２  絶縁体
２１１４  ワーク
２１１５、２４１１、２５１５  下電極
２１１６、２１１７、２２１７  スリット状の孔
２２１３  冷却水路
２２１４  多孔質材
２２１６  空間
２３１０  ガス導入口
２３１１  ガス放出口
２４１５、２５１６  凹部
２５１３  リードフレーム
【図１】
0003557682.tif 000006
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0003557682.tif 000012
【図８】
0003557682.tif 000013
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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