【誤訳訂正書】
【提出日】平成29年10月10日(2017.10.10)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
いくつかの実装形態では、金属棒および金属配線は、インダクタの少なくとも部分を画定する。インダクタは、インダクタの可変インダクタンスに対応する、ある程度の可撓性を有し得る。いくつかの実装形態では、金属棒および金属配線は、トロイド状に構成された複数の金属巻線の１つの少なくとも一部分を画定して、基板に実質的に平行な面に位置するトロイダルインダクタを画定する。トロイダルインダクタのいくつかの実装形態では、金属配線は、その面に沿った先細りの形状を有してよく、先細りの形状は、トロイドの外側に近接したより幅が広い部分、およびトロイドの内側に近接したより幅が狭い部分によって画定される。トロイドは、円の形状、楕円の形状、レーストラックの形状、またはこれらの何らかの組合せを有し得る。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
いくつかの実装形態では、金属配線、および第１のビアと第２のビアの中に配置された金属が、上で説明された特性のいくつかまたはすべてを有するトロイダルインダクタのようなインダクタの少なくとも部分を画定する。上で言及されたように、インダクタは、インダクタの可変インダクタンスに対応する、ある程度の可撓性を有し得る。いくつかの実装形態では、インダクタは、フレキシブル基板の歪みまたは変位に応答して、出力端子において出力信号を与えるように構成され得る。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８８】
いくつかの実装形態では、本明細書で説明される貫通ガラスビアインダクタの例のいずれもが、可変インダクタンス値が望ましくは感知される様々なフィードバック用途の回路およびデバイスに、組み込まれ得る。たとえば、ガラス基板がある程度の可撓性を可能にするのに十分薄いとき、たとえば、約２００マイクロメートル以下の厚さであるとき、ガラスに与えられる、または別様に発生するある程度の湾曲は、本明細書で開示されるようなソレノイダルインダクタまたはトロイダルインダクタの例のいずれかのインダクタンス値に、対応する変化を引き起こす。いくつかの他の実装形態では、上で説明された技法を使用して形成されるインダクタのガラス基板は、適切なポリマー膜でインダクタを被覆した後で、上側および／または下側においてエッチングで除かれ得る。結果として得られる、ガラス基板を伴わないポリマーにより被覆されたインダクタは、フレキシブルであり得る。様々なフィードバック回路構成は、そのようなフレキシブルインダクタを組み込んでよく、または、たとえば、集積回路素子またはディスクリート回路素子を使用して、フレキシブルインダクタに結合されてよい。インダクタはセンサとして機能することができ、フィードバック回路は、インダクタの可変インダクタンスを監視して、対応する湾曲の程度を決定するように構成され得る。たとえば、インダクタは、たとえば、入力に応答してインダクタの出力端子に出力信号を与えるように構成されることによって、歪みセンサまたは変位センサとして実装され得る。入力は、フレキシブルインダクタに対する、またはそのインダクタが位置するフレキシブル基板に対する外力によって課される、機械的な歪みまたは変位であり得る。いくつかの例では、入力はまた、インダクタの入力端子に与えられる電気信号を含む。出力信号は、出力信号から機械的な歪みまたは変位の対応する程度を判断するために結合された、フィードバック回路または感知回路に与えられ得る。いくつかの実装形態では、ＬＣタンクのような様々な共振器回路構成は、直列に、並列に、またはキャパシタを有する別の回路において結合される、上で説明された方式で構築されたフレキシブルインダクタを組み込み得る。信号がＬＣタンクに与えられるとき、共振器回路の共振周波数の変化は、インダクタの湾曲の程度を示すことができ、そのような変化は、ＬＣタンクに結合された周波数検出回路によって感知され得る。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の面および第２の面を有するガラス基板（１１０２、１４０２）であって、キャビティが前記ガラス基板中に画定される、ガラス基板と、
第１の金属棒および第２の金属棒および第３の金属棒を含む、前記キャビティ中の少なくとも３つの金属棒（１１２０、１４２０）であって、各金属棒の第１の端が前記ガラス基板の前記第１の面に近接し、各金属棒の第２の端が前記ガラス基板の前記第２の面に近接する、金属棒と、
前記第１の金属棒の前記第１の端と前記第２の金属棒の前記第１の端を接続する第１の金属配線と、前記第２の金属棒の前記第２の端と前記第３の金属棒の前記第２の端を接続する第２の金属配線とを含む、少なくとも２つの金属配線（１１２６、１４２６）と、
前記第１の面上の第１の誘電体層（１１０８、１４０８）と前記第２の面上の第２の誘電体層（１１１０、１４１０）とを含む、少なくとも２つの誘電体層とを含む、デバイス（１１００、１４００）。
【請求項２】
前記キャビティが前記第１の面から前記第２の面へと前記基板を通って延び、前記キャビティがさらに前記第１の誘電体層および前記第２の誘電体層中に画定される、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記第１の金属配線が前記第１の誘電体層と物理的に接触しており、前記第２の金属配線が前記第２の誘電体層と物理的に接触しており、前記第１の誘電体層が前記第１の金属配線を支持し、前記第２の誘電体層が前記第２の金属配線を支持する、請求項１または２に記載のデバイス。
【請求項４】
前記金属棒の１つまたは複数が中空の金属棒である、請求項１から３のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項５】
前記第１の金属棒と前記第２の金属棒の間、および前記第１の金属配線と前記第２の金属配線の間の、前記キャビティ中の磁気コア（１４１８）をさらに含む、請求項１から４のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項６】
前記金属棒および前記金属配線が、インダクタの可変インダクタンスに対応するある程度の可撓性を有する前記インダクタを画定する、請求項１から５のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項７】
前記金属棒および前記金属配線が、トロイダル構成で構成された複数の金属巻線の少なくとも１つの巻線を画定して、インダクタを画定する、請求項１から６のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項８】
前記金属配線の１つまたは複数が先細りの形状を有し、前記先細りの形状が、前記トロイダル構成の外側部分に近接したより幅が広い部分と、前記トロイダル構成の内側部分に近接したより幅が狭い部分とを有する、請求項７に記載のデバイス。
【請求項９】
前記複数の金属巻線が、入力端子および出力端子を有する第１のコイルを画定する巻線の第１のセットを含む、請求項７または８に記載のデバイス。
【請求項１０】
前記複数の金属巻線がさらに、入力端子および出力端子を有する第２のコイルを画定する巻線の第２のセットを含み、前記第１のコイルおよび前記第２のコイルが変圧器を画定する、請求項９に記載のデバイス。
【請求項１１】
前記第１のコイルの少なくとも一部分が前記第２のコイルの少なくとも一部分と重なり、
前記第１のコイルが前記トロイダル構成の第１の部分を形成し、前記第２のコイルが前記トロイダル構成の第２の部分を形成し、前記第１のコイルから離隔される、請求項１０に記載のデバイス。
【請求項１２】
ガラス基板に少なくとも２つのビアを形成するステップ（１０２）であって、前記ガラス基板がフォトイメージング可能なガラスを含み、キャビティが形成されることになる前記ガラス基板の領域が前記少なくとも２つのビアを含む、ステップと、
前記ガラス基板を高温に曝露するステップ（１０６）と、
金属層を堆積するステップ（１０８）であって、前記金属層が、第１のビアおよび第２のビアを少なくとも部分的に埋め、前記第１のビアと前記第２のビアの金属を接続する配線を形成する、ステップと、
誘電体層を、前記ガラス基板の第１の側および第２の側に堆積するステップ（１１０）と、
前記ガラス基板の前記第１の側に配置された前記誘電体層の一部分を、前記ガラス基板の前記領域の少なくとも一部分を露出するために除去するステップと、
前記ガラス基板の前記領域を紫外線に曝露するステップと、
前記紫外線に曝露された前記ガラス基板の前記領域を酸でエッチングして、前記キャビティを形成するステップとを含む、方法。
【請求項１３】
前記ガラス基板に前記少なくとも２つのビアを形成するステップが、
前記少なくとも２つのビアが形成されることになる前記ガラス基板の前記領域を前記紫外線に曝露するステップと、
前記ガラス基板を高温に曝露するステップと、
前記ガラス基板中の前記少なくとも２つのビアを前記酸でエッチングするステップとを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記ガラス基板に前記少なくとも２つのビアを形成するステップが、サンドブラスト加工、レーザーアブレーション加工、超音波ドリル加工、および酸エッチング加工の少なくとも１つを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記金属層を堆積するステップが、
物理気相堆積加工、化学気相堆積加工、蒸着加工、原子層堆積加工、および無電解メッキ加工の少なくとも１つによってシード層を堆積するステップと、
前記シード層に金属をメッキして前記金属層を形成するステップとを含む、請求項１２から１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
前記金属層を堆積する前に、前記ガラス基板に誘電接着層を堆積するステップをさらに含み、前記金属層が前記誘電接着層に堆積される、請求項１２から１５のいずれか一項に記載の方法。