(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
矩形の平面形状を呈し、かつ半導体チップ搭載部を有するとともに各辺に前記半導体チップ搭載部を囲む態様でリードが形成され、前記半導体チップ搭載部から延在するサポートバーを具える単位フレームを、マトリックス状に複数個集合して単位フレーム集合体を構成し、前記単位フレーム集合体をリードフレームベースに設けて成り、半導体チップを前記各単位フレームの半導体チップ搭載部表面に搭載し、前記単位フレーム集合体全域を樹脂封止して樹脂封止体を形成した後、前記単位フレーム集合体において各単位フレームを互いに連結しているタイバーおよび前記単位フレーム集合体と前記リードフレームベースとの境界部に沿って、前記サポートバーの一部を含み前記樹脂封止体を切断することによって各々の半導体装置を製造するように構成されたリードフレームであって、
前記サポートバーは、前記半導体チップ搭載部との結合部から切断される部位まで裏面側を除去して薄肉に形成して成る
ことを特徴とするリードフレーム。
【請求項２】
前記サポートバーは、前記半導体チップ搭載部から角部に向けて延在するとともに分岐して前記タイバーに結合され、製造される半導体装置の角部以外の場所から露呈するように構成された
ことを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。
【請求項３】
前記サポートバーは、封止樹脂が充填される貫通孔が設けられる
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のリードフレーム。
【請求項４】
前記サポートバーの貫通孔は、前記分岐域から前記サポートバーと前記半導体チップ搭載部との境界域に至る領域に形成される長孔である
ことを特徴とする請求項３に記載のリードフレーム。
【請求項５】
前記タイバーと前記境界部の厚さを、前記リードフレームベースの厚さより薄肉に形成する
ことを特徴とする請求項１から請求項４のうちの何れか一項に記載のリードフレーム。
【請求項６】
前記リードにおける単位フレーム表面側に非貫通孔を形成する
ことを特徴とする請求項１から請求項５のうちの何れか一項に記載のリードフレーム。
【請求項７】
前記単位フレーム集合体と前記リードフレームベースとの境界に沿って外周タイバーが形成されるとともに、前記外周タイバーの外周域には複数のスリットが形成され、且つ、前記外周タイバーと前記リードフレームベースとは複数の幅狭な連結片によって結合されている
ことを特徴とする請求項１から請求項６のうちの何れか一項に記載のリードフレーム。
【請求項８】
前記外周タイバーに隣接する内方域と対称なダミーリードパターンが前記外周タイバーの外方域に形成される
ことを特徴とする請求項７に記載のリードフレーム。
【請求項９】
矩形の平面形状を呈し、かつ半導体チップ搭載部を有するとともに各辺に前記半導体チップ搭載部を囲む態様でリードが形成され、前記半導体チップ搭載部から延在するサポートバーを具える単位フレームを、マトリックス状に複数個集合して単位フレーム集合体を構成し、前記単位フレーム集合体をリードフレームベースに設けて成り、半導体チップを前記各単位フレームの半導体チップ搭載部表面に搭載し、前記単位フレーム集合体全域を樹脂封止して樹脂封止体を形成した後、前記単位フレーム集合体において各単位フレームを互いに連結しているタイバーおよび前記単位フレーム集合体と前記リードフレームベースとの境界部に沿って、前記サポートバーの一部を含み前記樹脂封止体を切断することによって各々の半導体装置を製造するように構成されたリードフレームであって、
前記単位フレーム集合体と前記リードフレームベースとの境界に沿って外周タイバーが形成されるとともに、前記外周タイバーの外周域には複数のスリットが形成され、且つ、前記外周タイバーと前記リードフレームベースとは複数の幅狭な連結片によって結合され、
少なくとも前記切断される部位が各単位フレーム裏面側を除去して薄肉に形成して成る前記サポートバーと、前記リードフレームベースの厚さより薄肉に形成して成る前記タイバーと、前記リードフレームベースの厚さより薄肉に形成して成る前記外周タイバーとを具える
ことを特徴とするリードフレーム。
【請求項１０】
前記外周タイバーに隣接する内方域と対称なダミーリードパターンが前記外周タイバーの外方域に形成される
ことを特徴とする請求項９に記載のリードフレーム。
【請求項１１】
前記サポートバーは、前記半導体チップ搭載部との結合部から切断される部位まで裏面側を除去して薄肉に形成して成る
ことを特徴とする請求項９または請求項１０に記載のリードフレーム。
【請求項１２】
前記サポートバーは、前記半導体チップ搭載部から角部に向けて延在するとともに分岐して前記タイバーに結合され、製造される半導体装置の角部以外の場所から露呈するように構成された
ことを特徴とする請求項９から請求項１１のうちの何れか一項に記載のリードフレーム。
【請求項１３】
前記サポートバーは、封止樹脂が充填される貫通孔が設けられる
ことを特徴とする請求項９から請求項１２のうちの何れか一項に記載のリードフレーム。
【請求項１４】
前記サポートバーの貫通孔は、前記分岐域から前記サポートバーと前記半導体チップ搭載部との境界域に至る領域に形成される長孔である
ことを特徴とする請求項１３に記載のリードフレーム。
【請求項１５】
前記リードにおける単位フレーム表面側に非貫通孔を形成する
ことを特徴とする請求項９から請求項１４のうちの何れか一項に記載のリードフレーム。
【請求項１６】
矩形の平面形状を呈し、かつ半導体チップ搭載部を有するとともに各辺に前記半導体チップ搭載部を囲む態様でリードが形成され、前記半導体チップ搭載部から延在するサポートバーを具える単位フレームを、マトリックス状に複数個集合して単位フレーム集合体を構成し、前記単位フレーム集合体をリードフレームベースに設けて成り、半導体チップを前記各単位フレームの半導体チップ搭載部表面に搭載し、前記単位フレーム集合体全域を樹脂封止して樹脂封止体を形成した後、前記単位フレーム集合体において各単位フレームを互いに連結しているタイバーおよび前記単位フレーム集合体と前記リードフレームベースとの境界部に沿って、前記サポートバーの一部を含み前記樹脂封止体を切断することによって各々の半導体装置を製造するように構成されたリードフレームを用いて製造される半導体装置であって、
前記リードフレームのサポートバーは、前記半導体チップ搭載部との結合部から切断される部位まで裏面側を除去して薄肉に形成して成る
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
前記リードフレームのサポートバーは、前記半導体チップ搭載部から角部に向けて延在するとともに分岐して前記タイバーに結合され、角部以外の場所から露呈するように構成された
ことを特徴とする請求項１６に記載の半導体装置。
【請求項１８】
前記リードフレームのサポートバーは、封止樹脂が充填される貫通孔が設けられる
ことを特徴とする請求項１６または請求項１７に記載の半導体装置。
【請求項１９】
前記リードフレームのサポートバーの貫通孔は、前記分岐域から前記サポートバーと前記半導体チップ搭載部との境界域に至る領域に形成される長孔である
ことを特徴とする請求項１８に記載の半導体装置。
【請求項２０】
前記リードフレームのリードにおける単位フレーム表面側に非貫通孔を形成する
ことを特徴とする請求項１６から請求項１９のうちの何れか一項に記載の半導体装置。
【請求項２１】
矩形の平面形状を呈し、かつ半導体チップ搭載部を有するとともに各辺に前記半導体チップ搭載部を囲む態様でリードが形成され、前記半導体チップ搭載部から延在するサポートバーを具える単位フレームを、マトリックス状に複数個集合して単位フレーム集合体を構成し、前記単位フレーム集合体をリードフレームベースに設けて成り、半導体チップを前記各単位フレームの半導体チップ搭載部表面に搭載し、前記単位フレーム集合体全域を樹脂封止して樹脂封止体を形成した後、前記単位フレーム集合体において各単位フレームを互いに連結しているタイバーおよび前記単位フレーム集合体と前記リードフレームベースとの境界部に沿って、前記サポートバーの一部を含み前記樹脂封止体を切断することによって各々の半導体装置を製造するように構成されたリードフレームであって、
前記単位フレーム集合体と前記リードフレームベースとの境界に沿って、外周タイバーが形成されるとともに、前記外周タイバーの外周域には複数のスリットが形成され、
前記外周タイバーに隣接する内方域と対称なダミーリードパターンが前記外周タイバーの外方域に形成される
ことを特徴とするリードフレーム。
【請求項２２】
前記サポートバーは、前記半導体チップ搭載部との結合部から切断される部位まで裏面側を除去して薄肉に形成している
ことを特徴とする請求項２１に記載のリードフレーム。
【請求項２３】
前記サポートバーは、分岐して前記タイバーに結合され、製造される半導体装置の角部以外の場所から露呈する
ことを特徴とする請求項２２に記載のリードフレーム。
【請求項２４】
前記サポートバーは、封止樹脂が充填される貫通孔が設けられる
ことを特徴とする請求項２１から請求項２３のうちの何れか一項に記載のリードフレーム。
【請求項２５】
前記サポートバーの貫通孔は、前記分岐域から前記サポートバーと半導体チップ搭載部との境界域に至る領域に形成される長孔である
ことを特徴とする請求項２４に記載のリードフレーム。
【請求項２６】
前記タイバーと前記外周タイバーの厚さを、前記リードフレームベースの厚さより薄肉に形成する
ことを特徴とする請求項２１から請求項２５のうちの何れか一項に記載のリードフレーム。
【請求項２７】
前記リードにおける単位フレーム表面側に非貫通孔を形成することを特徴とする請求項２１から請求項２６のうちの何れか一項に記載のリードフレーム。
【請求項２８】
矩形の平面形状を呈し、
且つ半導体チップ搭載部を有するとともに各辺に前記半導体チップ搭載部を囲む態様でリードが形成され、前記半導体チップ搭載部から角部に向けて延在するサポートバーを具えるリードフレームの前記サポートバーを、前記半導体チップ搭載部との結合部から各半導体装置に分離するために切断される部位まで裏面側を薄肉に形成し、半導体チップを前記半導体チップ搭載部表面に搭載して樹脂封止し切断して各半導体装置を製造し、
上面、下面及び４つの側面を有し、下面と側面に前記リードが露出する態様で樹脂パッケージを形成し、
且つ、前記側面の４角にのみ前記サポートバーの薄肉部が露呈している
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２９】
前記リードにおける単位フレーム表面側のボンディング部を除く中央域に非貫通孔が形成され、当該非貫通孔が形成された箇所の断面が前記樹脂パッケージの側面に露呈する
ことを特徴とする請求項２８に記載の半導体装置。
【請求項３０】
矩形の平面形状を呈し、
且つ半導体チップ搭載部を有するとともに各辺に前記半導体チップ搭載部を囲む態様でリードが形成され、前記半導体チップ搭載部から角部に向けて延在するとともに先端が分岐するサポートバーを前記半導体チップ搭載部との結合部から各半導体装置に分離するために切断される部位までの裏面側を薄肉に形成し、
半導体チップを前記半導体チップ搭載部表面に搭載して樹脂封止し切断して各半導体装置を製造し、
上面、下面及び４つの側面を有し、下面と側面に前記リードが露出する態様で樹脂パッケージを形成し、
且つ、角部以外の側面にのみ前記サポートバーの薄肉部が露呈している
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項３１】
前記リードにおける単位フレーム表面側のボンディング部を除く中央域に非貫通孔が形成され、当該非貫通孔が形成された箇所の断面が前記樹脂パッケージの側面に露呈する
ことを特徴とする請求項３０に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＭＡＰ法を採用して製造される半導体装置を構成するリードフレーム、および該リードフレームを用いた半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体チップをリードフレームに搭載し、樹脂封止して成る樹脂封止型の半導体装置においては、小型化、高密度化の要請から、図８（ａ）に示すように、樹脂パッケージ１０４ｐの側面からリード１０２ｒが突出することなく、半導体装置１００の裏面１００ｔにリード１０２ｒが露呈する、いわゆるＳＯＮ（Ｓｍａｌｌ  Ｏｕｔｌｉｎｅ  Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ  ｐａｃｋａｇｅ）やＱＦＮ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ  ｐａｃｋａｇｅ）と呼ばれるタイプの半導体装置が注目されている。
【０００３】
ところで、最近では、ＰＣＢやテープ基板を使用した半導体装置において、複数個を一括して樹脂封止する製造方法であるＭＡＰ（Ｍｏｌｄ  Ａｒｒａｙ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）と呼ばれる製造方法が採用され、半導体装置の製造が行われており、前述したＳＯＮやＱＦＮなどのリードフレームを使用した半導体装置にもこのＭＡＰを適用しようとする動きがある。以下に例を示す。
【０００４】
半導体装置１００は、半導体チップ１０９を単位フレーム１０２のタブ１０２ｂ上に搭載するとともに単位フレーム１０２のリード１０２ｒにボンディングワイヤ１０３を介して電気的に接続し、全体を樹脂封止することによって構成されている。
【０００５】
単位フレーム１０２は、図９のハッチングに示すように、リードフレーム１０５に形成され、矩形の平面形状を呈している。
【０００６】
そして、中央部には半導体チップ搭載部であるタブ１０２ｂが形成され、タブ１０２ｂより角部に向かって延在するサポートバー１０２ｓによって該タブ１０２ｂが支持され、各辺よりタブ１０２ｂを囲む態様でリード１０２ｒが形成されている。
【０００７】
リードフレーム１０５には、複数の単位フレーム１０２をタイバー１０６を用いて連結してマトリックス状に構成した単位フレーム集合体１０７が形成されている。
【０００８】
なお、単位フレーム集合体１０７はリードフレーム１０５の長手方向（図の左右方向）へ複数形成される。
【０００９】
次に、半導体装置１００の製造方法について説明する。
【００１０】
上述したリードフレーム１０５を用意し、単位フレーム集合体１０７の各単位フレーム１０２のタブ１０２ｂ上に半導体チップ１０９を接着剤又は接着テープを用いて搭載し、半導体チップ１０９の電極１０９ｄとリード１０２ｒとをボンディングワイヤ１０３を介して電気的に接続する。（図８（ａ）参照）
以下、上記ＭＡＰ法による製造工程である。
【００１１】
すなわち、図９に示すように、単位フレーム集合体１０７とガイドレール１０５ｇの一部を含んで１０８線内を封止樹脂１０４によって樹脂封止し、樹脂封止体１０８を成形する。
【００１２】
そして、樹脂封止体１０８をダイシングソー（図示せず）により、矢印に示す如く、各単位フレーム１０２の境界であるタイバー１０６、ガイドレール１０５ｇに沿って、切断し、各々の半導体装置１００へ分離する。
【００１３】
この方法によれば、複数の半導体装置を一括して樹脂封止できるため樹脂封止工程が簡略化できるとともに、外形サイズが同じであれば、ひとつの樹脂封止金型で多品種に対応でき、従来と比較して大幅なコストダウンが図れるという利点がある。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述したようにＭＡＰ法をリードフレームを使用した半導体装置に適用した場合には、以下に示す問題がある。
【００１５】
すなわち、樹脂封止体１０８を切断し、各半導体装置１００へ分離する際に、ダイシングソーにより樹脂封止体１０８とリードフレーム１０５のタイバー１０６およびリード１０２ｒとを同時に切断するが、リードフレーム１０５と樹脂封止体１０８とは材質が異なり硬度等に関係する切断力が異なるので、切断時に切断抵抗が変化し、切断箇所における封止樹脂体１０８とリードフレーム１０５との切断抵抗による変形量の差異が原因となり、図８（ｂ）に示すように、切断方向（矢印方向）に向かって封止樹脂１０４とリードフレーム１０５との境界部分に剥離１０４ｈが生じるという問題がある。
【００１６】
また、サポートバー１０２ｓは矩形の平面形状をなす樹脂パッケージ１０４ｐの角部に位置し露呈するので、切断に際して切断方向（矢印方向）に向かってバリ１０２ｓｂが発生し、外観不良並びに寸法不良となるばかりでなく、接合不良なども引き起こしてしまい、さらに、バリ１０２ｓｂを除去する工程が必要である。このような理由から、ＭＡＰ法をリードフレームを使用した半導体装置に適用し、量産することは非常に困難であった。
【００１７】
本発明は上記実状に鑑みて、リードと封止樹脂との剥離、および外部に露呈するサポートバーのバリを可及的に防止することが可能な、リードフレームおよび半導体装置の提供を目的とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するべく、本発明の請求項１に関わるリードフレームは、矩形の平面形状を呈し、かつ半導体チップ搭載部を有するとともに各辺に半導体チップ搭載部を囲む態様でリードが形成され、半導体チップ搭載部から延在するサポートバーを具える単位フレームを、マトリックス状に複数個集合して単位フレーム集合体を構成し、単位フレーム集合体をリードフレームベースに設けて成り、半導体チップを各単位フレームの半導体チップ搭載部表面に搭載し、単位フレーム集合体全域を樹脂封止して樹脂封止体を形成した後、単位フレーム集合体において各単位フレームを互いに連結しているタイバーおよび単位フレーム集合体とリードフレームベースとの境界部に沿って、サポートバーの一部を含み樹脂封止体を切断することによって各々の半導体装置を製造するように構成されたリードフレームであって、サポートバーは、半導体チップ搭載部との結合部から切断される部位まで裏面側を除去して薄肉に形成して成ることを特徴としている。
【００１９】
本発明の請求項９に関わるリードフレームは、矩形の平面形状を呈し、かつ半導体チップ搭載部を有するとともに各辺に半導体チップ搭載部を囲む態様でリードが形成され、半導体チップ搭載部から延在するサポートバーを具える単位フレームを、マトリックス状に複数個集合して単位フレーム集合体を構成し、単位フレーム集合体をリードフレームベースに設けて成り、半導体チップを各単位フレームの半導体チップ搭載部表面に搭載し、単位フレーム集合体全域を樹脂封止して樹脂封止体を形成した後、単位フレーム集合体において各単位フレームを互いに連結しているタイバーおよび単位フレーム集合体とリードフレームベースとの境界部に沿って、サポートバーの一部を含み樹脂封止体を切断することによって各々の半導体装置を製造するように構成されたリードフレームであって、単位フレーム集合体とリードフレームベースとの境界に沿って外周タイバーが形成されるとともに、外周タイバーの外周域には複数のスリットが形成され、且つ、外周タイバーとリードフレームベースとは複数の幅狭な連結片によって結合され、少なくとも切断される部位が各単位フレーム裏面側を除去して薄肉に形成して成るサポートバーと、リードフレームベースの厚さより薄肉に形成して成るタイバーと、リードフレームベースの厚さより薄肉に形成して成る外周タイバーとを具えることを特徴としている。
【００２０】
本発明の請求項１６に関わる半導体装置は、矩形の平面形状を呈し、かつ半導体チップ搭載部を有するとともに各辺に半導体チップ搭載部を囲む態様でリードが形成され、半導体チップ搭載部から延在するサポートバーを具える単位フレームを、マトリックス状に複数個集合して単位フレーム集合体を構成し、単位フレーム集合体をリードフレームベースに設けて成り、半導体チップを各単位フレームの半導体チップ搭載部表面に搭載し、単位フレーム集合体全域を樹脂封止して樹脂封止体を形成した後、単位フレーム集合体において各単位フレームを互いに連結しているタイバーおよび単位フレーム集合体とリードフレームベースとの境界部に沿って、サポートバーの一部を含み樹脂封止体を切断することによって各々の半導体装置を製造するように構成されたリードフレームを用いて製造される半導体装置であって、リードフレームのサポートバーは、半導体チップ搭載部との結合部から切断される部位まで裏面側を除去して薄肉に形成して成ることを特徴としている。
【００２２】
本発明の請求項２１に関わるリードフレームは、矩形の平面形状を呈し、かつ半導体チップ搭載部を有するとともに各辺に半導体チップ搭載部を囲む態様でリードが形成され、半導体チップ搭載部から延在するサポートバーを具える単位フレームを、マトリックス状に複数個集合して単位フレーム集合体を構成し、単位フレーム集合体をリードフレームベースに設けて成り、半導体チップを各単位フレームの半導体チップ搭載部表面に搭載し、単位フレーム集合体全域を樹脂封止して樹脂封止体を形成した後、単位フレーム集合体において各単位フレームを互いに連結しているタイバーおよび単位フレーム集合体とリードフレームベースとの境界部に沿って、サポートバーの一部を含み樹脂封止体を切断することによって各々の半導体装置を製造するように構成されたリードフレームであって、単位フレーム集合体とリードフレームベースとの境界に沿って、外周タイバーが形成されるとともに、外周タイバーの外周域には複数のスリットが形成され、
外周タイバーに隣接する内方域と対称なダミーリードパターンが外周タイバーの外方域に形成されることを特徴としている。
【００２４】
本発明の請求項２８に関わる半導体装置は、矩形の平面形状を呈し、且つ半導体チップ搭載部を有するとともに各辺に半導体チップ搭載部を囲む態様でリードが形成され、半導体チップ搭載部から角部に向けて延在するサポートバーを具えるリードフレームのサポートバーを、半導体チップ搭載部との結合部から各半導体装置に分離するために切断される部位まで裏面側を薄肉に形成し、半導体チップを半導体チップ搭載部表面に搭載して樹脂封止し切断して各半導体装置を製造し、上面、下面及び４つの側面を有し、下面と側面にリードが露出する態様で樹脂パッケージを形成し、且つ、側面の４角にのみサポートバーの薄肉部が露呈していることを特徴としている。
【００２５】
本発明の請求項３０に関わる半導体装置は、矩形の平面形状を呈し、且つ半導体チップ搭載部を有するとともに各辺に半導体チップ搭載部を囲む態様でリードが形成され、半導体チップ搭載部から角部に向けて延在するとともに先端が分岐するサポートバーを半導体チップ搭載部との結合部から各半導体装置に分離するために切断される部位までの裏面側を薄肉に形成し、半導体チップを半導体チップ搭載部表面に搭載して樹脂封止し切断して各半導体装置を製造し、上面、下面及び４つの側面を有し、下面と側面にリードが露出する態様で樹脂パッケージを形成し、且つ、角部以外の側面にのみサポートバーの薄肉部が露呈していることを特徴としている。
【００２８】
【発明の実施の形態】
以下、実施例を示す図面に基づいて、本発明を詳細に説明する。
【００２９】
本発明に関わるリードフレームの実施例を図１に、および半導体装置の実施例を図２に示す。
【００３０】
半導体装置１は、半導体チップ９を単位フレーム２のタブ２ｂ上に搭載するとともに単位フレーム２のリード２ｒにボンディングワイヤ３を介して電気的に接続し、全体を樹脂封止することによって構成されている。
【００３１】
なお、半導体装置１はＳＯＮ（Ｓｍａｌｌ  Ｏｕｔｌｉｎｅ  Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ  ｐａｃｋａｇｅ）或いはＱＦＮ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ  ｐａｃｋａｇｅ）と呼ばれるタイプの四角形の平面形状を有する半導体装置であり、樹脂パッケージ４ｐの裏面４ｐｒにリード２ｒが露呈する。
【００３２】
単位フレーム２は、図１のハッチングにて示すように、リードフレーム５に形成され、矩形の平面形状を呈している。
【００３３】
そして、中央部には半導体チップ搭載部であるタブ２ｂが形成され、タブ２ｂより角部に向かって延在するサポートバー２ｓによって該タブ２ｂが支持され、各辺よりタブ２ｂを囲む態様でリード２ｒが形成されている。
【００３４】
リードフレーム５のリードフレームベース５Ｂに、複数の単位フレーム２をタイバー６を用いて連結しマトリックス状に構成した単位フレーム集合体７が形成されている。
【００３５】
なお、単位フレーム集合体７はリードフレーム５の長手方向（図の左右方向）へ複数形成される。
【００３６】
すなわち、単位フレーム集合体７は各々の単位フレーム２毎に上記のリードパターンを形成して構成され、各単位フレーム２は単位フレーム集合体７内において互いに同じ幅を有するタイバー６によって結合され、且つ区分けされている。
【００３７】
ここで、サポートバー２ｓは、裏面（以下、半導体チップ９搭載面を表面、搭載面の裏面を裏面と称す）から見た図３（ａ）、その断面図である図３（ｄ）に示すように、タブ２ｂへの結合部から対角線方向に隣接する別の単位フレーム２への結合部２ｋの手前まで、裏面側をコイニング加工、或いはハーフエッチングを行って除去することによってリードフレームベース５Ｂの厚さより薄肉に形成されている。
【００３８】
同様に、タイバー６は、図３（ａ）、図３（ｂ）、図３（ｃ）に示すように、隣接するタイバー６への結合部２ｋを除いて、裏面側をコイニング加工、或いはハーフエッチングを行って除去することによってリードフレームベース５Ｂの厚さより薄肉に形成されている。
【００３９】
そして、単位フレーム集合体７の外周には、図１に示すように、単位フレーム集合体７の外周部に位置する単位フレーム２を結合して、詳しくは単位フレーム２のリード２ｒを結合して、タイバー６と同じ幅を有する外周タイバー６ｏ（境界部）が単位フレーム集合体７の四方を囲んで成形される。
【００４０】
ここで、外周タイバー６ｏは、図１（ｂ）に示すように、裏面側をコイニング加工、或いはハーフエッチングを行って除去することによってリードフレームベース５Ｂの厚さより薄肉に形成されている。
【００４１】
そして、外周タイバー６ｏの外周域には複数のスリット５ｓ（切り欠き部）が間隔をおいて形成され、さらに、複数のスリット５ｓの外方域はリードフレームベース５Ｂとなっており、外周タイバー６ｏとリードフレームベース５Ｂは複数の幅狭な連結片５ｒによって結合されている。
【００４２】
次に、上述したリードフレーム５の製造方法について簡単に説明する。
【００４３】
まず、リードフレーム５の母材として、帯状或いは短冊状の銅系の導電性材料よりなる金属薄板を準備する。
【００４４】
そして、図１に示すように、この母材のリードフレームベース５Ｂに、上述の所定のリードパターンを有する単位フレーム２を複数個集合してマトリックス状に構成した単位フレーム集合体７をスタンピング或いはエッチングにより成形することによって、リードフレーム５が完成する。
【００４５】
この時、上述したように、サポートバー２ｓは、タブ２ｂへの結合部から対角線方向に隣接する別の単位フレーム２への結合部２ｋの手前まで、裏面側を除去することによってリードフレームベース５Ｂの厚さより薄肉に形成する。
【００４６】
同様に、タイバー６は、隣接するタイバー６への結合部２ｋを除いて裏面側を除去することによってリードフレームベース５Ｂの厚さより薄肉に形成し、また、外周タイバー６ｏは、裏面側を除去することによってリードフレームベース５Ｂの厚さより薄肉に形成する。
【００４７】
次に、上述したリードフレーム５を用いた半導体装置１の製造方法について説明する。
【００４８】
まず、図４（ａ）に示すように、用意したリードフレーム５の単位フレーム集合体７における各単位フレーム２のタブ２ｂ上に半導体チップ９を銀ペースト等の接着剤（図示せず）や接着テープ（図示せず）を用いて搭載する。（図２参照）
次に、半導体チップ９の電極９ｄとリード２ｒを、金線等のボンディングワイヤ３を用いてワイヤボンディングすることによって電気的に接続する。
【００４９】
そして、図１、図４（ｂ）に示すように、単位フレーム集合体７上にマトリックス状に搭載した複数の半導体チップ９を覆って、図示した線Ｆ内（図１参照）をエポキシ等の樹脂によって一括して樹脂封止し、樹脂封止体８を形成する。
【００５０】
その後、図１、図４（ｂ）の矢印に示すように、単位フレーム２間の境界に相当するタイバー６、および単位フレーム２とリードフレームベース５Ｂの境界に相当する外周タイバー６ｏに沿って、サポートバー２ｓの一部を含み前記樹脂封止体８をダイシングソー（図示せず）等のツールによってダイシングし（リードフレーム５の切断箇所を図３（ａ）で二点鎖線で示す、サポートバー２ｓの切断箇所は２ｓｃである）、各々の半導体装置１へ分離することによって、半導体装置１が完成する。（図４（ｃ）、図２参照）
なお、上述したサポートバー２ｓ、タイバー６および外周タイバー６ｏの薄肉化工程は、リードフレーム５の形状形成と同時に行っても良いし、別々に行っても良い。
【００５１】
本発明のリードフレームによれば、各半導体装置１への切断に際して、切断箇所に相当するタイバー６、サポートバー２ｓおよび外周タイバー６ｏが薄肉に形成されているので切断抵抗が低下し、タイバー６、サポートバー２ｓおよび外周タイバー６ｏと封止樹脂４との切断抵抗の違いが減少し、切断箇所におけるリード２ｒからの封止樹脂４の剥離、およびサポートバー２ｓからの封止樹脂４の剥離が防止されるリードフレームが得られる。
【００５２】
本発明の半導体装置によれば、各半導体装置１への切断に際して、切断箇所に相当するタイバー６、サポートバー２ｓおよび外周タイバー６ｏが薄肉に形成されているので切断抵抗が低下し、タイバー６、サポートバー２ｓおよび外周タイバー６ｏと封止樹脂４との切断抵抗の違いが減少し、切断箇所におけるリード２ｒからの封止樹脂４の剥離、およびサポートバー２ｓからの封止樹脂４の剥離が防止される。
【００５３】
よって、高精度でしかも安定した切断作業が可能となり、高品質の半導体装置が得られる。
【００５４】
次に、第二実施例について図５、図６を参照して説明する。
【００５５】
リードフレームの成形工程において、リードフレーム２５を表面から見た一部拡大図の図５（ａ）に示すように、リード２２ｒの半導体チップ搭載面側のボンディング部２２ｒｂを除く中央域に非貫通穴２２ｒａを形成する。
【００５６】
加えて、サポートバー２２ｓを、図６に示すように、樹脂パッケージ２４ｐの角部以外の場所から露呈するように二股に分岐してタイバー２６に連結するように成形するとともに、分岐する箇所に幅広部２２ｓｈを設け、該幅広部２２ｓｈに貫通孔２２ｓａを穿孔する。
【００５７】
ここで、サポートバー２２ｓは、図５（ａ）、図５（ｂ）に示すように、裏面側をコイニング加工、或いはハーフエッチングを行って除去することによってリードフレームベース５Ｂの厚さより薄肉に形成されている。
【００５８】
同様に、タイバー２６は、図５（ａ）、図５（ｃ）に示すように、裏面側をコイニング加工、或いはハーフエッチングを行って除去することによってリードフレームベース５Ｂの厚さより薄肉に形成されている。
【００５９】
ここで、図５（ａ）に示すように、リードフレーム２５の切断箇所は二点鎖線で示す領域であり、サポートバー２２ｓの切断部位は２２ｓｃである。
【００６０】
なお、上述したサポートバー２２ｓ、タイバー２６および外周タイバー６ｏの薄肉化工程およびリード２２ｒへの非貫通穴２２ｒａの形成工程は、リードフレームの形状形成と同時に行っても良いし、別々に行っても良い。
【００６１】
また、サポートバー２２ｓに設けられる幅広部、或いは貫通孔の位置と数は上記以外にも適宜選択可能である。
【００６２】
本実施例においては、上述以外の構成は第一の実施例と同様であるので、同一符号を付して説明を省略する。
【００６３】
本発明のリードフレーム、および本発明の半導体装置によれば、各半導体装置への切断に際して、切断箇所に相当するタイバー２６、サポートバー２２ｓおよび外周タイバー６ｏが薄肉に形成されているので切断抵抗が低下し、タイバー２６、サポートバー２２ｓおよび外周タイバー６ｏと封止樹脂４との切断抵抗の違いが減少し、切断箇所におけるリード２２ｒからの封止樹脂４の剥離、およびサポートバー２２ｓからの封止樹脂４の剥離が防止される。
【００６４】
また、樹脂封止工程において封止樹脂４がリード２２ｒの非貫通穴２２ｒａ内に充填されるので、リード２２ｒと封止樹脂４との結合性が強化される。
【００６５】
加えて、封止樹脂４がサポートバー２２ｓに設けられる貫通孔２２ｓａにも充填されるので、サポートバー２２ｓと封止樹脂４との結合性が強化され、切断工程における封止樹脂４の単位フレームからの剥離防止効果が更に向上する。
【００６６】
そして、サポートバー２２ｓを樹脂パッケージ２４ｐの角部以外の場所から露呈するように二股に分岐してタイバー２６に連結するように成形されるので、サポートバー２２ｓのタイバー２６との連結部が単位フレームの角部から外れて位置し、図６に示すように、サポートバー２２ｓは矩形の平面形状をなす樹脂パッケージ２４ｐの角部以外の場所から露呈し、切断工程におけるサポートバー２２ｓのバリの発生が防止され、バリ取りの作業が不要である。
【００６７】
よって、高精度でしかも安定した切断作業が可能となり、高精度でしかも高品質の半導体装置が得られる。
【００６８】
なお、本実施例では、上述したように、リード２２ｒの半導体チップ搭載面側のボンディング部２２ｒｂを除く中央域に非貫通穴２２ｒａを形成し、同時に、サポートバー２２ｓを、樹脂パッケージ２４ｐの角部以外の場所から露呈するように二股に分岐してタイバー２６に連結するように成形するとともに、分岐する箇所に幅広部２２ｓｈを設け、該幅広部２２ｓｈに貫通孔２２ｓａを穿孔する構成を例示した。
【００６９】
しかし、それぞれの構成、すなわち、リードに非貫通穴を設ける、サポートバーを樹脂パッケージの角部以外の場所から露呈するように二股に分岐する、サポートバーが分岐する箇所に幅広部を設ける、サポートバーに貫通孔を穿孔する等は、それぞれ別々に適用できるものであり、或いは各々組み合わせて適用してもよい。
【００７０】
次に、第三実施例について図１０を参照して説明する。
【００７１】
なお、本実施例においては、以下に記載する以外の構成は第ニ実施例と同様であるので、同一符号を付して説明を省略する。
【００７２】
リードフレームの成形工程において、リードフレーム３５を表面から見た一部拡大図の図１０（ａ）に示すように、サポートバー３２ｓを、第ニ実施例である図６同様に、樹脂パッケージ２４ｐの角部以外の場所から露呈するように二股に分岐してタイバー２６に連結するように成形する。
【００７３】
そして、サポートバー３２ｓには、その長手方向に沿って上記二股の分岐域３２ｂよりサポートバー３２ｓとタブ３ｂとの境界領域のタブ境界域３２ｋ（境界域）に至る領域に長形の長貫通孔３２ｓａ（長孔）が穿孔されている。
【００７４】
ここで、サポートバー３２ｓに穿孔される長貫通孔３２ｓａは、タブ３ｂから離れて形成されるほど樹脂パッケージ２４ｐの角部における封止樹脂４の切断による剥離が増加する傾向を有している。
【００７５】
また、単位フレーム２に接合される半導体チップ９の下面に対向するタブ３ｂの領域に長貫通孔３２ｓａが形成される場合には、半導体チップ９の接合の際に使用されるペーストが長貫通孔３２ｓａ内に漏出してしまうという現象が生じるため、該領域に長貫通孔３２ｓａを形成することは好適ではない。
【００７６】
従って、上述したように長貫通孔３２ｓａを半導体チップ９の下面に対向するタブ３ｂの領域に形成せず、サポートバー３２ｓにおける二股の分岐域３２ｂよりタブ３ｂに近接したタブ境界域３２ｋ（境界域）に至る領域に形成することにより、樹脂パッケージ２４ｐの角部における封止樹脂４の切断による剥離の増加、および長貫通孔３２ｓａ内へのペーストの漏出という問題が解決できるものである。
【００７７】
一方、サポートバー３２ｓおよびタブ３ｂの外周部は、図１０（ｂ）に示すように、裏面側をコイニング加工、或いはハーフエッチングを行って除去することによってリードフレームベース５Ｂの厚さより薄肉に形成されている。
【００７８】
なお、上述したタイバー２６、サポートバー３２ｓ、タブ３ｂの外周部、および外周タイバー６ｏの薄肉化工程、およびサポートバー３２ｓの長貫通孔３２ｓａ、およびリード２２ｒへの非貫通穴２２ｒａの形成工程は、リードフレームの形状形成と同時に行っても良いし、別々に行っても良い。
【００７９】
本発明のリードフレーム、および本発明の半導体装置によれば、各半導体装置への切断に際して、切断箇所に相当するタイバー２６、サポートバー３２ｓおよび外周タイバー６ｏが薄肉に形成されているので切断抵抗が低下し、タイバー２６、サポートバー３２ｓおよび外周タイバー６ｏと封止樹脂４との切断抵抗の違いが減少し、切断箇所におけるリード２２ｒからの封止樹脂４の剥離、およびサポートバー３２ｓからの封止樹脂４の剥離が防止される。
【００８０】
加えて、サポートバー３２ｓには、二股の分岐域３２ｂよりタブ３ｂとの境界域３２ｋに至る領域に長貫通孔３２ｓａが穿孔されているので、サポートバー３２ｓにおける強度が低減され、サポートバー３２ｓがタブ３ｂに連続して形成されることから生じる切断抵抗がさらに低下し、封止樹脂４の剥離防止効果がさらに高まる構成である。
【００８１】
なお、サポートバー３２ｓは幅が狭く形成されるので、長貫通孔３２ｓａが丸孔であると孔径が小さ過ぎて十分な封止樹脂４の剥離防止効果は得られないが、長貫通孔３２ｓａの形状は長形であれば単なる長方形等、前述の形状以外種々採用し得るものである。
【００８２】
また、封止樹脂４は、サポートバー３２ｓに穿孔される長貫通孔３２ｓａにも充填され、しかも、長貫通孔３２ｓａは長形であるので幅狭なサポートバー３２ｓにおいてもより大きな開口面積を有することができ、より多量の封止樹脂４が貫通孔３２ｓａ内に流入することが可能であり、封止樹脂４とサポートバー３２ｓとの結合性が強化され、切断工程における封止樹脂４の単位フレーム２からの剥離防止効果が更に向上する。
【００８３】
また、樹脂封止工程において封止樹脂４がリード２２ｒの非貫通穴２２ｒａ内に充填されるので、リード２２ｒと封止樹脂４との結合性が強化される。
【００８４】
そして、サポートバー３２ｓは、樹脂パッケージ２４ｐの角部以外の場所から露呈するように二股に分岐してタイバー２６に連結するように成形されるので、サポートバー３２ｓのタイバー２６との連結部が単位フレーム２の角部から外れて位置し、図６に示すように、サポートバー２２ｓは矩形の平面形状をなす樹脂パッケージ２４ｐの角部以外の場所から露呈し、切断工程における樹脂パッケージ２４ｐの角部のサポートバー３２ｓのバリの発生が防止され、バリ取りの作業が不要である。
【００８５】
よって、高精度でしかも安定した切断作業が可能となり、高精度でしかも高品質の半導体装置が得られる。
【００８６】
なお、上記実施例では、サポートバー２２ｓに設けられる貫通孔は長形の長貫通孔３２ｓａとしたが、サポートバー２２ｓの長手方向である二股の分岐域３２ｂよりタブ境界域３２ｋに至る領域に孔が穿孔されていることが肝要であり、例えば複数の孔が、穿孔されていてもよい。
【００８７】
次に、第四実施例のリードフレーム５’を図７に示す。
【００８８】
単位フレーム集合体７とリードフレームベース５Ｂ間に位置する境界部６ｏ’は、図７（ｂ）に示すように、裏面側をコイニング加工、或いはハーフエッチングを行って除去することによってリードフレームベース５Ｂの厚さより薄肉に形成されている。
【００８９】
本実施例のリードフレーム５’は、単位フレーム集合体７の外方部が連続した板材で構成される以外、リードフレーム５との構成の差異はないので、同一の符号を付して説明を省略する。
【００９０】
リードフレーム５’およびリードフレーム５’を用いた半導体装置は、前述した第一実施例と同じ効果が得られる。
【００９１】
また、リードフレーム５’に第ニ、三実施例の構成を適用すれば、第ニ、三実施例と同じ効果が得られる。
【００９２】
なお、上述の実施例では、境界部６ｏ’は裏面側を除去して薄肉化した例を示したが、薄肉化するのは表面側を加工してもよいし、或いは両面を加工してもよい。
【００９３】
次に、第五実施例のリードフレーム５５を図１１に示す。
【００９４】
なお、本実施例は第一実施例の変形例であり、第一実施例と同一の構成は同一の符号を付して説明を省略する。
【００９５】
リードフレーム５５は、単位フレーム集合体７、およびその外周部を囲んで位置する外周タイバー６ｏ、さらにその外方域に外周タイバー６ｏに対し対称に単位リードフレーム２のダミーのリードパターン、すなわち、ダミーリード５２ｒ、ダミーサポートバー５２ｓ、ダミータイバー５６が形成されている。
【００９６】
そして、外周タイバー６ｏとリードフレームベース５Ｂ間には第一実施例と同じくスリット５５ｓが形成されている。
【００９７】
ここで、ダミーサポートバー５２ｓは、サポートバー２ｓと同様に、裏面側をコイニング加工、或いはハーフエッチングを行って除去することによって、リードフレームベース５Ｂの厚さより薄肉に形成されている。
【００９８】
また、ダミータイバー５６は、タイバー６と同様に、裏面側をコイニング加工、或いはハーフエッチングを行って除去することによって、リードフレームベース５Ｂの厚さより薄肉に形成されている。
【００９９】
但し、ダミーリード５２ｒは、薄肉に形成されることなくリード２ｒと同じ厚さを有している。
【０１００】
第五実施例のリードフレーム、および第五実施例のリードフレームを用いた半導体装置によれば、前述の第一実施例の効果に加え、ダイシングソー等によってダイシングされる外周タイバー６ｏにおいて、外周タイバー６ｏに隣接する内方域と外方域とが対称な形状を呈しているため、ダイシングに際して外周タイバー６ｏの内方側と外方側とから受ける切断抵抗が可及的に等しくなり、切断抵抗がバランスされた外周タイバー６ｏの切断が可能になりダイシング工程が円滑に行われる。
【０１０１】
また、第五実施例の構成を第ニ、三実施例の構成に適用すれば、第ニ、三実施例においても外周タイバーのダイシング工程が円滑に行われるという効果を得られる。
【０１０２】
なお、上述の第一〜第五実施例では、リードフレームのタイバー、サポートバー、外周タイバー、ダミータイバー、ダミーサポートバーは裏面側を除去して薄肉化した例を示したが、薄肉化するのは表面側を加工してもよいし、或いは両面を加工してもよい。
【０１０３】
また、上述の実施例では、半導体チップとリードとの電気的接続をワイヤボンディング法で行ったが、フリップチップ接続を適用してもよい。
【０１０４】
また、上述の実施例では、リードフレームの母材として、銅系の導電性材料よりなる金属薄板を使用したが、鉄系合金等、導電性材料であればその他の材料が使用できることは当然である。
【０１０５】
【発明の効果】
以上、詳述した如く、本発明の請求項１に関わるリードフレームまたは請求項１６に関わる半導体装置によれば、リードフレームのサポートバーは、その裏面側が除去され薄肉に形成されているので、裏面側に樹脂を充填でき、樹脂封止体底面に露出しない。
また、サポートバーは、薄肉に形成されているため切断抵抗が減少し、サポートバーからの封止樹脂の剥離を防止することができる。
【０１０６】
本発明の請求項２に関わるリードフレームまたは請求項１７に関わる半導体装置によれば、サポートバーとタイバーとの連結部が単位フレームの角部から外れて位置し、サポートバーは矩形の平面形状をなす樹脂封止体の角部以外の場所から露呈するので、切断工程におけるバリの発生が防止され、バリ取りの作業が不要である。
【０１０７】
本発明の請求項３に関わるリードフレームまたは請求項１８に関わる半導体装置によれば、封止樹脂がサポートバーに設けられる貫通孔にも充填されるので、サポートバーと封止樹脂との結合性が強化され、切断工程における封止樹脂の単位フレームからの剥離防止効果が更に向上する。
【０１０８】
本発明の請求項４に関わるリードフレームまたは請求項１９に関わる半導体装置によれば、サポートバーには分岐域から半導体チップ搭載部との境界域に至る領域に長孔が穿孔されているので、サポートバーにおける強度が低減され、サポートバーが半導体チップ搭載部に連続して形成されることから生じる切断抵抗がさらに低下し、封止樹脂の剥離防止効果が更に高まる。
また、封止樹脂は、サポートバーに穿孔される長孔にも充填され、しかも、長孔は長形であるので幅狭なサポートバーにおいてもより大きな開口面積を有することができ、より多量の封止樹脂が貫通孔内に流入することが可能であり、封止樹脂とサポートバーとの結合性が強化され、切断工程における封止樹脂の単位フレームからの剥離防止効果が更に向上する。
【０１０９】
本発明の請求項５に関わるリードフレームによれば、切断箇所に相当するタイバー、サポートバー、および境界部が薄肉に形成されているので、切断抵抗が低下し、タイバー、サポートバー、および境界部と封止樹脂との切断抵抗の違いが減少し、切断箇所におけるリードからの封止樹脂の剥離、およびサポートバーからの封止樹脂の剥離が防止される。
【０１１０】
本発明の請求項６に関わるリードフレームまたは請求項２０に関わる半導体装置によれば、樹脂封止工程において封止樹脂がリードの非貫通孔内に充填されるので、リードと封止樹脂との結合性が強化され封止樹脂の単位フレームからの剥離防止効果が更に向上する。
【０１１１】
本発明の請求項７に関わるリードフレームによれば、外周タイバーとリードフレームベースとの間にスリットが形成されるので、外周タイバーが切断される際に切断抵抗が低下し、リードからの封止樹脂の剥離が防止できる。
【０１１２】
本発明の請求項８に関わるリードフレームによれば、外周タイバーに隣接する内方域と外方域が対称な形状を呈しているため、ダイシングに際して外周タイバーの内方側と外方側とから受ける切断抵抗が可及的に等しくなり、切断抵抗がバランスされた外周タイバーの切断が可能になりダイシング工程が円滑に行われる。
【０１１３】
本発明の請求項９に関わるリードフレームによれば、外周タイバーとリードフレームベースとの間にスリットが形成されるので、外周タイバーが切断される際に切断抵抗が低下し、リードからの封止樹脂の剥離が防止できる。
また、切断箇所に相当するタイバー、サポートバー、および外周タイバーが薄肉に形成されているので、切断抵抗が低下し、タイバー、サポートバー、および外周タイバーと封止樹脂との切断抵抗の違いが減少し、切断箇所におけるリードからの封止樹脂の剥離、およびサポートバーからの封止樹脂の剥離が防止される。
【０１１４】
本発明の請求項１０に関わるリードフレームによれば、外周タイバーに隣接する内方域と外方域が対称な形状を呈しているため、ダイシングに際して外周タイバーの内方側と外方側とから受ける切断抵抗が可及的に等しくなり、切断抵抗がバランスされた外周タイバーの切断が可能になりダイシング工程が円滑に行われる。
【０１１５】
本発明の請求項１１に関わるリードフレームによれば、サポートバーは、薄肉に形成されているため切断抵抗が減少し、サポートバーからの封止樹脂の剥離を防止することができる。
【０１１６】
本発明の請求項１２に関わるリードフレームによれば、サポートバーとタイバーとの連結部が単位フレームの角部から外れて位置し、サポートバーは矩形の平面形状をなす樹脂封止体の角部以外の場所から露呈するので、切断工程におけるバリの発生が防止され、バリ取りの作業が不要である。
【０１１７】
本発明の請求項１３に関わるリードフレームによれば、封止樹脂がサポートバーに設けられる貫通孔にも充填されるので、サポートバーと封止樹脂との結合性が強化され、切断工程における封止樹脂の単位フレームからの剥離防止効果が更に向上する。
【０１１８】
本発明の請求項１４に関わるリードフレームによれば、サポートバーには分岐域から半導体チップ搭載部との境界域に至る領域に長孔が穿孔されているので、サポートバーにおける強度が低減され、サポートバーが半導体チップ搭載部に連続して形成されることから生じる切断抵抗がさらに低下し、封止樹脂の剥離防止効果が更に高まる。
また、封止樹脂は、サポートバーに穿孔される長孔にも充填され、しかも、長孔は長形であるので幅狭なサポートバーにおいてもより大きな開口面積を有することができ、より多量の封止樹脂が貫通孔内に流入することが可能であり、封止樹脂とサポートバーとの結合性が強化され、切断工程における封止樹脂の単位フレームからの剥離防止効果が更に向上する。
【０１１９】
本発明の請求項１５に関わるリードフレームによれば、樹脂封止工程において封止樹脂がリードの非貫通孔内に充填されるので、リードと封止樹脂との結合性が強化され封止樹脂の単位フレームからの剥離防止効果が更に向上する。
【０１２０】
本発明の請求項２１に関わるリードフレームによれば、単位フレーム集合体とリードフレームベースとの間にスリットを形成し、外周タイバーを切断するので切断抵抗が低下し、リードからの封止樹脂の剥離が防止できる。
また、切断される外周タイバーに隣接する内方域と外方域とが対称な形状を呈しているため、ダイシングに際して外周タイバーの内方側と外方側とから受ける切断抵抗が可及的に等しくなり、切断抵抗がバランスされた外周タイバーの切断が可能になりダイシング工程が円滑に行われる。
【０１２１】
本発明の請求項２２に関わるリードフレームによれば、サポートバーの裏面が薄肉化されているため、当該箇所に樹脂を充填できるとともにサポートバーが封止樹脂底面に露出しない。
【０１２２】
本発明の請求項２３に関わるリードフレームによれば、サポートバーのタイバーとの連結部が単位フレームの角部から外れて位置し、サポートバーは矩形の平面形状をなす樹脂パッケージの角部以外の場所から露呈するので、切断工程におけるポートバーのバリの発生が防止され、バリ取りの作業が不要である。
【０１２３】
本発明の請求項２４に関わるリードフレームによれば、封止樹脂がサポートバーに設けられる貫通孔にも充填されるので、サポートバーと封止樹脂との結合性が強化され、切断工程における封止樹脂の単位フレームからの剥離防止効果が更に向上する。
【０１２４】
本発明の請求項２５に関わるリードフレームによれば、サポートバーには、二股の分岐域より半導体チップ搭載部との境界域に至る領域に長孔が穿孔されているので、サポートバーにおける強度が低減され、サポートバーが半導体チップ搭載部に連続して形成されることから生じる切断抵抗が更に低下し、封止樹脂の剥離防止効果が更に高まる。
また、封止樹脂は、サポートバーに穿孔される長貫通孔にも充填され、しかも、長貫通孔は長形であるので幅狭なサポートバーにおいてもより大きな開口面積を有することができ、より多量の封止樹脂が貫通孔内に流入することが可能であり、封止樹脂とサポートバーとの結合性が強化され、切断工程における封止樹脂の単位フレームからの剥離防止効果が更に向上する。
【０１２５】
本発明の請求項２６に関わるリードフレームによれば、切断箇所に相当するタイバー、サポートバー、および外周タイバーが薄肉に形成されているので、切断抵抗が低下し、タイバー、サポートバー、および外周タイバーと封止樹脂との切断抵抗の違いが減少し、切断箇所におけるリードからの封止樹脂の剥離、およびサポートバーからの封止樹脂の剥離が防止される。
【０１２６】
本発明の請求項２７に関わるリードフレームによれば、樹脂封止工程において封止樹脂がリードの非貫通孔内に充填されるので、リードと封止樹脂との結合性が強化され封止樹脂の単位フレームからの剥離防止効果が更に向上する。
【０１２７】
本発明の請求項２８に関わる半導体装置によれば、サポートバーの裏面が薄肉化されているため、当該箇所に樹脂を充填できるとともにサポートバーが封止樹脂底面に露出しない。
【０１２８】
本発明の請求項２９に関わる半導体装置によれば、樹脂封止工程において封止樹脂がリードの非貫通孔内に充填されるので、リードと封止樹脂との結合性が強化され封止樹脂の単位フレームからの剥離防止効果が更に向上する。
【０１２９】
本発明の請求項３０に関わる半導体装置によれば、サポートバーのタイバーとの連結部が単位フレームの角部から外れて位置し、サポートバーは矩形の平面形状をなす樹脂パッケージの角部以外の場所から露呈するので、切断工程におけるサポートバーのバリの発生が防止され、バリ取りの作業が不要である。
【０１３０】
本発明の請求項３１に関わる半導体装置によれば、樹脂封止工程において封止樹脂がリードの非貫通孔内に充填されるので、リードと封止樹脂との結合性が強化され封止樹脂の単位フレームからの剥離防止効果が更に向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）および（ｂ）は本発明に関わるリードフレームの実施例を示す平面図、およびＡ−Ａ線断面図。
【図２】（ａ）および（ｂ）は本発明に関わる半導体装置の実施例を示す概念的断面図、および斜視図。
【図３】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は、図１のＪ部の裏面の平面図、ｂ−ｂ線断面図、ｃ−ｃ線断面図、ｄ−ｄ線断面図。
【図４】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、本発明に関わる半導体装置の実施例の製造方法を示す概念的な横断面図。
【図５】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は本発明に関わるリードフレームの第二実施例を示す表面から見た一部拡大平面図、ｂ−ｂ線断面図、ｃ−ｃ線断面図。
【図６】本発明に関わる半導体装置の第二実施例を示す斜視図。
【図７】（ａ）および（ｂ）は本発明に関わるリードフレームの第四実施例を示す平面図、およびＡ’−Ａ’線断面図。
【図８】（ａ）および（ｂ）は従来の半導体装置を示す概念的断面図、および斜視図。
【図９】従来のリードフレームを示す平面図。
【図１０】（ａ）および（ｂ）は本発明に関わるリードフレームの第三実施例を示す表面から見た一部拡大平面図、ｆ−ｆ線断面図。
【図１１】本発明に関わるリードフレームの第五実施例を示す平面図。
【符号の説明】
１、２１…半導体装置、
２…単位フレーム、
２ｂ、３ｂ…半導体チップ搭載部（タブ）、
２ｒ、２２ｒ…リード、
２２ｒａ…非貫通孔
２ｓ、２２ｓ、３２ｓ…サポートバー、
２ｓｃ、２２ｓｃ…切断される部位、
４…封止樹脂、
４ｐ、２４ｐ…樹脂パッケージ、
５、５’、２５、３５、５５…リードフレーム、
５Ｂ…リードフレームベース、
６、２６…タイバー、
６ｏ、６ｏ’…境界部、
７…単位フレーム集合体、
８…樹脂封止体、
９…半導体チップ、
２２ｓａ…貫通孔、
３２ｂ…分岐域、
３２ｋ…境界域、
３２ｓａ…長孔。
【図１】
0003547704.tif 000002
【図２】
0003547704.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
0003547704.tif 000010
【図１０】
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【図１１】
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