【手続補正書】
【提出日】平成29年1月25日(2017.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
反射性を有する第１の電極と、
半透過半反射性を有する第２の電極と、
前記第２の電極の上に位置する光出力結合層と、
前記第１の電極と前記第２の電極との間に位置する有機層とを含み、
前記有機層は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層及び電子輸送層を含み、前記正孔注入層は、前記第１の電極に近接しかつ前記第１の電極の上に位置し、前記発光層は、それぞれ赤色、緑色及び青色画素領域に位置する赤色発光層、緑色発光層及び青色発光層を含む有機発光表示装置であって、
前記緑色及び赤色画素領域において、前記正孔注入層と前記正孔輸送層との間に位置する光学補償層をさらに含み、前記光学補償層が少なくとも二層構造であることを特徴とする有機発光表示装置。
【請求項２】
前記緑色画素領域における前記光学補償層は、第１の光学補償層及び第２の光学補償層を含み、前記第１の光学補償層の最高占有分子軌道エネルギ準位から前記第２の光学補償層の最低非占有分子軌道エネルギ準位を引いた値が≧−０．２ｅＶであり、
前記赤色画素領域における前記光学補償層は、第１の光学補償層及び第２の光学補償層を含み、前記第１の光学補償層の最高占有分子軌道エネルギ準位から前記第２の光学補償層の最低非占有分子軌道エネルギ準位を引いた値が≧−０．２ｅＶであることを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項３】
前記緑色画素領域における前記光学補償層は、第１の光学補償層及び第２の光学補償層を含み、前記第１の光学補償層の最高占有分子軌道エネルギ準位から前記第２の光学補償層の最低非占有分子軌道エネルギ準位を引いた値が≧−０．２ｅＶであり、
前記赤色画素領域における前記光学補償層は、第１の光学補償層、第２の光学補償層、第３の光学補償層及び第４の光学補償層を含み、前記第１の光学補償層の最高占有分子軌道エネルギ準位から前記第２の光学補償層の最低非占有分子軌道エネルギ準位を引いた値が≧−０．２ｅＶであり、前記第３の光学補償層に用いられる材料が前記第１の光学補償層の材料と同じであり、前記第４の光学補償層に用いられる材料及び厚さが前記第２の光学補償層と同じであることを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項４】
前記緑色画素領域及び前記赤色画素領域における前記第１の光学補償層の材料の一般化学式は、
【化１】
2017501585.tif 000001
又は
【化２】
2017501585.tif 000002
であることを特徴とする請求項２又は３に記載の有機発光表示装置。
【請求項５】
前記緑色画素領域及び前記赤色画素領域における前記第２の光学補償層の材料の一般化学式は、
【化３】
2017501585.tif 000003
であることを特徴とする請求項２又は３に記載の有機発光表示装置。
【請求項６】
前記緑色画素領域及び前記赤色画素領域における前記第２の光学補償層の材料はＨＡＴ（ＣＮ）であり、分子構造が、
【化４】
2017501585.tif 000004
であることを特徴とする請求項２又は３に記載の有機発光表示装置。
【請求項７】
前記正孔注入層は二層構造であり、前記第１の電極の上に位置する第１の正孔注入層と前記第１の正孔注入層の上に位置する第２の正孔注入層とを含み、
前記第１の正孔注入層の材料は前記第１の光学補償層に用いられる材料と同じであり、前記第２の正孔注入層の材料は前記第２の光学補償層に用いられる材料と同じであることを特徴とする請求項２又は３に記載の有機発光表示装置。
【請求項８】
前記第１の光学補償層の材料は、
【化５】
2017501585.tif 000005
及び、
【化６】
2017501585.tif 000006
とのドーピング構造であり、そのドーピング比が１００：１〜５：１であり、
或いは、前記第１の光学補償層の材料は、
【化７】
2017501585.tif 000007
及び、
【化８】
2017501585.tif 000008
とのドーピング構造を有し、ドーピング比が１００：１〜５：１であることを特徴とする請求項２又は３に記載の有機発光表示装置。
【請求項９】
基板と、基板に積層して設けられた第１の電極、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、第２の電極、光出力結合層とを含み、
前記第２の電極の光透過率が２５％以上であり、前記正孔注入層の屈折率が１．８以上であることを特徴とする視野角特性を改善したトップエミッション型ＯＬＥＤ装置。
【請求項１０】
前記正孔注入層の材料は三級アミン系化合物であり、分子一般式は、
【化９】
2017501585.tif 000009
であり、
Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５はそれぞれ水素原子、アルキル基、アリール基から選択され、
Ｒ１は、
【化１０】
2017501585.tif 000010
又は
【化１１】
2017501585.tif 000011
又は
【化１２】
2017501585.tif 000012
であり、
Ｌ１とＬ２はアセン化合物であり、前記化合物の分子式はそれぞれ、
【化１３】
2017501585.tif 000013
及び
【化１４】
2017501585.tif 000014
であることを特徴とする請求項９に記載の視野角特性を改善したトップエミッション型ＯＬＥＤ装置。
【請求項１１】
前記正孔注入層の材料の構造式は、
【化１５】
2017501585.tif 000015
（１）
又は
【化１６】
2017501585.tif 000016
（２）
又は
【化１７】
2017501585.tif 000017
（３）
又は
【化１８】
2017501585.tif 000018
（４）
又は
【化１９】
2017501585.tif 000019
（５）
又は
【化２０】
2017501585.tif 000020
（６）
又は
【化２１】
2017501585.tif 000021
（７）
であることを特徴とする請求項１０に記載の視野角特性を改善したトップエミッション型ＯＬＥＤ装置。
【請求項１２】
前記光出力結合層は、バソクプロイン材料層であることを特徴とする請求項９に記載の視野角特性を改善したトップエミッション型ＯＬＥＤ装置。
【請求項１３】
緑色及び赤色画素領域において、前記正孔注入層と前記正孔輸送層との間に位置する光学補償層をさらに含み、前記光学補償層が少なくとも二層構造であることを特徴とする請求項９に記載の視野角特性を改善したトップエミッション型ＯＬＥＤ装置。
【請求項１４】
前記緑色画素領域における前記光学補償層は、第１の光学補償層及び第２の光学補償層を含み、前記第１の光学補償層の最高占有分子軌道エネルギから第前記２の光学補償層の最低非占有分子軌道エネルギを引いた値が≧−０．２ｅＶであり、
前記赤色画素領域における前記光学補償層は、第１の光学補償層及び第２の光学補償層を含み、前記第１の光学補償層の最高占有分子軌道エネルギから第前記２の光学補償層の最低非占有分子軌道エネルギを引いた値が≧−０．２ｅＶであることを特徴とする請求項１３に記載の視野角特性を改善したトップエミッション型ＯＬＥＤ装置。
【請求項１５】
前記緑色画素領域における前記光学補償層は、第１の光学補償層及び第２の光学補償層を含み、前記第１の光学補償層の最高占有分子軌道エネルギ準位から前記第２の光学補償層の最低非占有分子軌道エネルギ準位を引いた値が≧−０．２ｅＶであり、
前記赤色画素領域における前記光学補償層は、第１の光学補償層、第２の光学補償層、第３の光学補償層及び第４の光学補償層を含み、前記第１の光学補償層の最高占有分子軌道エネルギ準位から前記第２の光学補償層の最低非占有分子軌道エネルギ準位を引いた値が≧−０．２ｅＶであり、前記第３の光学補償層に用いられる材料が前記第１の光学補償層の材料と同じであり、前記第４の光学補償層に用いられる材料及び厚さが前記第２の光学補償層と同じであることを特徴とする請求項１３に記載の視野角特性を改善したトップエミッション型ＯＬＥＤ装置。