【手続補正書】
【提出日】平成29年8月21日(2017.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンを含み、フィン下部およびフィン上部を有するフィンと、
ホスホシリケートガラス（ＰＳＧ）を含む層であって、前記フィンの前記フィン下部の第１の側壁上および第２の側壁上に直接、前記ＰＳＧを含み、前記フィンの前記フィン下部の前記第１の側壁の側面に隣接する第１の上端部を有する前記ＰＳＧを含み、前記フィンの前記フィン下部の前記第２の側壁の側面に隣接する第２の上端部を有する前記ＰＳＧを含む前記層と、
酸素を含む絶縁材料であって、前記絶縁材料は、前記フィンの前記フィン下部の前記第１の側壁上および前記第２の側壁上に直接ある前記ＰＳＧを含む前記層の側面に隣接し、前記絶縁材料は、第１の上面部および第２の上面部を有し、前記絶縁材料の前記第１の上面部は、前記ＰＳＧを含む前記層の前記第１の上端部の下方にあり、前記絶縁材料の前記第２の上面部は、前記ＰＳＧを含む前記層の前記第２の上端部の下方にある前記絶縁材料と、
前記フィンの前記フィン上部の上面の上方であって、且つ、前記フィンの前記フィン上部の側壁の側面に隣接するゲート電極であって、前記ＰＳＧを含む前記層の前記第１の上端部および前記第２の上端部の上方にあり、前記絶縁材料の前記第１の上面部および前記第２の上面部の上方にある前記ゲート電極と
を備える集積回路構造。
【請求項２】
前記絶縁材料の前記第１の上面部は、前記フィンの前記フィン下部の前記第１の側壁上の前記ＰＳＧを含む前記層の側面に隣接する
請求項１に記載の集積回路構造。
【請求項３】
前記絶縁材料の前記第２の上面部は、前記フィンの前記フィン下部の前記第２の側壁上の前記ＰＳＧを含む前記層の側面に隣接する
請求項１又は２に記載の集積回路構造。
【請求項４】
前記フィンの前記フィン下部の前記第１の側壁上および前記第２の側壁上に直接ある前記ＰＳＧを含む前記層の側面に直接隣接する絶縁層を更に備え、
前記絶縁材料は、前記絶縁層の側面に直接隣接する
請求項１から３のいずれか一項に記載の集積回路構造。
【請求項５】
前記絶縁層は、ホウケイ酸ガラス（ＢＳＧ）を含む
請求項４に記載の集積回路構造。
【請求項６】
前記絶縁層は、前記ＰＳＧを含む前記層の前記第１の上端部の側面に隣接する第１の上端部を有し、
前記絶縁層は、前記ＰＳＧを含む前記層の前記第２の上端部の側面に隣接する第２の上端部を有する
請求項４又は５に記載の集積回路構造。
【請求項７】
前記絶縁層の前記第１の上端部は、前記ＰＳＧを含む前記層の前記第１の上端部と実質的に同一平面上であり、前記絶縁層の前記第２の上端部は、前記ＰＳＧを含む前記層の前記第２の上端部と実質的に同一平面上であり、
請求項６に記載の集積回路構造。
【請求項８】
前記絶縁材料の前記第１の上面部は、前記絶縁層の前記第１の上端部の下方にあり、前記絶縁材料の前記第２の上面部は、前記絶縁層の前記第２の上端部の下方にある
請求項６に記載の集積回路構造。
【請求項９】
前記ゲート電極は、前記絶縁層の前記第１の上端部および前記第２の上端部の上方にある
請求項６から８のいずれか一項に記載の集積回路構造。
【請求項１０】
前記ＰＳＧを含む前記層の前記第１の上端部は、前記ＰＳＧを含む前記層の前記第２の上端部と実質的に同一平面上にある
請求項１から９のいずれか一項に記載の集積回路構造。
【請求項１１】
前記絶縁材料の前記第１の上面部は、前記絶縁材料の前記第２の上面部と実質的に同一平面上にある
請求項１０に記載の集積回路構造。
【請求項１２】
シリコンを含み、フィン下部およびフィン上部を有するフィンと、
Ｎ型ドーパントを含み、前記フィンの前記フィン下部の第１の側壁上および第２の側壁上に直接あり、前記フィンの前記フィン下部の前記第１の側壁の側面に隣接する第１の上端部を有し、前記フィンの前記フィン下部の前記第２の側壁の側面に隣接する第２の上端部を有する誘電体層と、
酸素を含む絶縁材料であって、前記絶縁材料は、前記フィンの前記フィン下部の前記第１の側壁上および前記第２の側壁上に直接ある前記誘電体層の側面に隣接し、前記絶縁材料は、第１の上面部および第２の上面部を有し、前記絶縁材料の前記第１の上面部は、前記誘電体層の前記第１の上端部の下方にあり、前記絶縁材料の前記第２の上面部は、前記誘電体層の前記第２の上端部の下方にある前記絶縁材料と、
前記フィンの前記フィン上部の上面の上方であって、前記フィンの前記フィン上部の側壁の側面に隣接するゲート電極であって、前記誘電体層の前記第１の上端部および前記第２の上端部の上方にあり、前記絶縁材料の前記第１の上面部および前記第２の上面部の上方にある前記ゲート電極と、
を備える集積回路構造。
【請求項１３】
前記Ｎ型ドーパントは、リンである
請求項１２に記載の集積回路構造。
【請求項１４】
前記絶縁材料の前記第１の上面部は、前記フィンの前記フィン下部の前記第１の側壁上の前記誘電体層の側面に隣接する
請求項１２又は１３に記載の集積回路構造。
【請求項１５】
前記絶縁材料の前記第２の上面部は、前記フィンの前記フィン下部の前記第２の側壁上の前記誘電体層の側面に隣接する
請求項１２から１４のいずれか一項に記載の集積回路構造。
【請求項１６】
前記フィンの前記フィン下部の前記第１の側壁上および前記第２の側壁上に直接ある前記誘電体層の側面に直接隣接する絶縁層を更に備え、
前記絶縁材料は、前記絶縁層の側面に直接隣接する
請求項１２から１５のいずれか一項に記載の集積回路構造。
【請求項１７】
前記絶縁層は、ホウケイ酸ガラス（ＢＳＧ）を含む
請求項１６に記載の集積回路構造。
【請求項１８】
前記誘電体層は、前記誘電体層の前記第１の上端部の側面に隣接する第１の上端部を有し、
前記絶縁層は、前記誘電体層の前記第２の上端部の側面に隣接する第２の上端部を有する
請求項１６に記載の集積回路構造。
【請求項１９】
前記絶縁層の前記第１の上端部は、前記誘電体層の前記第１の上端部と実質的に同一平面上にあり、前記絶縁層の前記第２の上端部は、前記誘電体層の前記第２の上端部と実質的に同一平面上にある
請求項１８に記載の集積回路構造。
【請求項２０】
前記絶縁材料の前記第１の上面部は、前記絶縁層の前記第１の上端部の下方にあり、前記絶縁材料の前記第２の上面部は、前記絶縁層の前記第２の上端部の下方にある
請求項１８に記載の集積回路構造。
【請求項２１】
前記ゲート電極は、前記絶縁層の前記第１の上端部および前記第２の上端部の上方にある
請求項１８から２０のいずれか一項に記載の集積回路構造。
【請求項２２】
前記誘電体層の前記第１の上端部は、前記誘電体層の前記第２の上端部と実質的に同一平面上にある
請求項１２から２１のいずれか一項に記載の集積回路構造。
【請求項２３】
前記絶縁材料の前記第１の上面部は、前記絶縁材料の前記第２の上面部と同一平面上にある
請求項２２に記載の集積回路構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
いくつかの実施形態は、基板と、その基板の上方のフィンであって、第１ドーパント型のチャンネル及び第２ドーパント型のウェルの少なくとも一部分を有するフィンと、フィンのウェルに接触せずに形成された、フィンの第１コンタクト及び第２コンタクトと、フィン上及びフィンの周りに形成された第１コンタクトと第２コンタクトとの間にあり、第１コンタクトと第２コンタクトとの間の抵抗を制御する制御ゲートとを備える可変抵抗器に関する。本明細書に記載の発明は、以下の項目に記載の形態によっても実施され得る。
［項目１］
基板上にフィンを形成する段階と、
前記基板上に、かつ、前記フィンの下部上に、第１ドーパント型のガラスを堆積する段階と、
前記基板及び前記フィン上に、第２ドーパント型のガラスを堆積する段階と、
複数の前記ドーパントを前記フィン及び前記基板に打ち込むべく、前記ガラスをアニールする段階と、
前記ガラスを除去する段階と、
前記フィンの前記下部に接触せずに、前記フィン上に第１コンタクトと第２コンタクトとを形成する段階と
を備える
方法。
［項目２］
前記フィン上に制御ゲートを形成する段階であって、前記制御ゲートは、前記第１コンタクトと前記第２コンタクトとの間において前記フィンを通る電流フローを制御する、前記フィンの上面及び複数の側面上の導電材である、段階をさらに備える項目１に記載の方法。
［項目３］
制御ゲートを形成する前記段階は、前記フィン上にポリシリコンをパターニングし、前記ポリシリコンを除去し、前記ポリシリコンによるボイドを金属で埋め戻す段階を含む、項目１又は２に記載の方法。
［項目４］
制御ゲートを形成する前記段階は、前記ガラスを除去する前記段階の後、かつ、前記第１コンタクトと前記第２コンタクトとを形成する前記段階の前に、前記フィン上に制御ゲートを形成する段階を含む、項目１から３のいずれか一項に記載の方法。
［項目５］
前記第１コンタクトは、ソースを含み、前記第２コンタクトは、ドレインを含み、前記方法は、前記フィンの前記下部に接触せずに、前記ソースと前記ドレインとの間において前記フィン上にゲートを形成する段階をさらに備える項目１から４のいずれか一項に記載の方法。
［項目６］
前記ガラスを除去する前記段階の後に、シリコンの前記基板上に酸化物を堆積する段階をさらに備え、前記酸化物は、前記フィンの前記下部を覆う深度を有し、前記酸化物は、ドープされた前記ソース、前記ゲート、及び前記ドレインを形成する前に、前記フィンの前記下部を絶縁する、項目５に記載の方法。
［項目７］
第１ドーパント型のガラスを堆積する前記段階は、
前記基板及び前記フィン上に、前記第１ドーパント型の前記ガラスを堆積する段階と、
前記基板、及び前記フィンの部分上に、ブロッキング材料を堆積する段階と、
前記ブロッキング材料に覆われていない、堆積した前記ガラスを除去する段階と、
前記ブロッキング材料を除去する段階とを含む、
項目１から６の何れか一項に記載の方法。
［項目８］
第２ドーパント型のガラスを堆積する前記段階は、前記フィンの部分から前記第１ドーパント型の前記ガラスを除去し、前記フィンの前記部分上に、かつ、前記第１ドーパント型の前記ガラス上に、前記第２ドーパント型の前記ガラスを堆積する段階を含む、項目７に記載の方法。
［項目９］
基板と、
前記基板の上方のフィンであって、第１ドーパント型のチャンネルと、第２ドーパント型のウェルの少なくとも一部分とを有するフィンと、
前記フィンの前記ウェルに接触せずに形成された、前記フィンの第１コンタクト及び第２コンタクトと
を備える
装置。
［項目１０］
前記第１コンタクトと前記第２コンタクトとの間の抵抗を制御するべく、前記フィン上及び前記フィンの周りに形成された前記第１コンタクトと前記第２コンタクトとの間における制御ゲートをさらに備える項目９に記載の装置。
［項目１１］
前記第１コンタクト及び前記第２コンタクトは、前記フィンにおいてドーパントを含む、項目１０に記載の装置。
［項目１２］
前記制御ゲートは、前記フィンの前記チャンネル上及び前記チャンネルの周りにおいて、両側に延在する、項目１１に記載の装置。
［項目１３］
前記第１コンタクトは、ソースを含み、前記第２コンタクトは、ドレインを含み、前記装置は、前記フィンの前記ウェルに接触せずに形成された前記ソースと前記ドレインとの間において形成された、前記フィンの前記第２ドーパント型のゲートをさらに備える項目９から１２のいずれか一項又は複数項に記載の装置。
［項目１４］
前記ゲートは、エピタキシャル成長の前記フィン上にある、項目１３に記載の装置。
［項目１５］
前記第１ドーパント型の前記チャンネルは、前記ソースと前記ドレインとの間の電流チャンネルであり、前記ゲートに適用される電圧は、電流が前記チャンネルを流れるか否かを決定する、項目１３又は１４に記載の装置。
［項目１６］
前記ソースと前記ドレインとの間において制御ゲートをさらに備え、前記制御ゲートは、前記フィンの前記チャンネル上及び前記チャンネルの周りにおいて、両側に延在し、前記チャンネルを通る電流フローを制限する、項目１３から１５のいずれか一項又は複数項に記載の装置。
［項目１７］
通信チップと、
電源と、
複数のトランジスタを有するプロセッサであって、少なくとも１つのトランジスタは、基板と、前記基板の上方のフィンであって、第１ドーパント型のチャンネル及び第２ドーパント型のウェルの少なくとも一部分を含むフィンと、前記フィンの前記ウェルに接触せずに形成された前記フィンの前記第１ドーパント型のソース及びドレインと、前記フィンの前記ウェルに接触せずに形成された前記ソースと前記ドレインとの間に形成された、前記フィンの前記第２ドーパント型のゲートとを含む接合型ゲート電界効果トランジスタである、プロセッサと
を備える
コンピューティングシステム。
［項目１８］
前記ゲートは、前記フィン上にドープされたガラスを堆積し、前記ガラスをアニールし、前記ガラスを除去することによって、前記フィンにおいて形成される、項目１７に記載のコンピューティングシステム。
［項目１９］
前記接合型ゲート電界効果トランジスタは、前記ソースと前記ゲートとの間において、制御ゲートをさらに含み、前記制御ゲートは、前記フィン上及び前記フィンの周りに形成され、前記ソースと前記ドレインとの間の抵抗を制御する、項目１７又は１８に記載のコンピューティングシステム。
［項目２０］
前記制御ゲートは、前記フィン上にポリシリコンをパターニングし、前記ポリシリコンを除去し、前記ポリシリコンによるボイドを金属で埋め戻すことによって、形成される、項目１９に記載のコンピューティングシステム。