【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年12月12日(2016.12.12)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロエレクトロニクス構造を形成する方法であって：
表面を有する基材を提供すること；
所望により、前記基材表面上に１つまたは複数の中間層を形成することであって、１つまたは複数の中間層が存在する場合は、前記基材表面上に最上の中間層がある、こと；
存在する場合は前記最上の中間層に、または中間層が存在しない場合は前記基材表面に組成物を塗布することであって、前記組成物が溶剤系中に溶解または分散されたポリアミド酸を含む、こと；および
炭素リッチ層の質量を１００質量％とするときに、５０質量％を超える炭素を含む炭素リッチ層を形成するように前記組成物を加熱することであって、前記炭素リッチ層が現像剤可溶性であり、温度４００℃、１０分間で、１０％未満の質量損失を示す、ことを含む方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、前記基材表面上に少なくとも１つの前記中間層がある方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、前記炭素リッチ層上に画像形成層を形成することを更に含む方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、前記炭素リッチ層上に少なくとも１つの付加的中間層を形成することを更に含む方法。
【請求項５】
請求項４に記載の方法であって、前記少なくとも１つの付加的中間層上に画像形成層を形成することを更に含む方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法であって、前記組成物は、前記組成物中の総固体の前記総質量を１００質量％とするときに、１０質量％未満の水素を含む方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法であって、前記炭素リッチ層は、前記層の質量を１００質量％とするときに、６０質量％を超える炭素を含む方法。
【請求項８】
請求項１に記載の方法であって、前記炭素リッチ層は、前記層の総質量を１００質量％とするときに、１０質量％未満の水素を含む方法。
【請求項９】
請求項１に記載の方法であって、前記ポリアミド酸は、以下の化学式を有する繰り返しモノマーを含み：
【化１】
2014530386.tif 000001
【請求項１０】
請求項１に記載の方法であって、前記ポリアミド酸は二無水物とジアミンとの共重合体であり：
前記二無水物は、５−（２，５−ジオキソテトラヒドロール）−３−メチル−３−シクロヘキセン−１，２−ジカルボン酸無水物、シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、テトラヒドロフラン−２，３，４，５−テトラカルボン酸二無水物、４−（２，５−ジオキソテトラヒドロフラン−３−イル）−１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−１，２−ジカルボン酸無水物、ビシクロ（２，２，２）オクト−７−エン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、ピロメリト酸二無水物、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２’−ビス−（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物、４，４’−オキシジフタル酸無水物、３，３’，４，４’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、４，４’−ビスフェノールＡ二無水物、ヒドロキノンジフタル酸無水物、３，４，９，１０−ペリレン−テトラカルボン酸二無水物、１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、およびエチレングリコールビス（トリメリット酸無水物）から成る群から選択され；および
前記ジアミンは、１，３−ビス（アミノメチル）−シクロヘキサン、１，４−ビス（アミノメチル）−シクロヘキサン、４，４’−メチレンビス（シクロヘキシルアミン）、４，４’−メチレンビス（２−メチルシクロヘキシル）アミン、３−アミノベンジルアミン、
１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）−ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）−ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、４，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）−ビフェニル、２，２−ビス［４−４−アミノフェノキシ）−フェニル］ヘキサフルプロプラン、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）−フェニル］プロパン、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）−フェニル］スルホン、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）−フェニル］スルホン、１，１’−ビス（４−アミノフェニル）−シロヘキサン、９，９’−ビス（４−アミノフェニル）−フルオレン、２，２’−ビス（４−アミノフェニル）−ヘキサフルオロプロパン、ビス（２−アミノフェニル）スルフィド、ビス（４−アミノフェニル）スルフィド、ビス（３−アミノフェニル）スルホン、ビス（４−アミノフェニル）スルホン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジメチル−ジフェニルメタン、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，３’−ジアミノジフェニルメタン、３，４’−ジアミノジフェニルメタン、２，７−ジアミノフルオレン、１，５−ジアミノナフタレン、４，４’−ジアミノオクタフルオロビフェニル、２，５−ジメチル−１，４−フェニレンジアミン、４，４’−エチレンジアニリン、１，３−フェニレンジアミン、１，４−フェニレンジアミン、２，３，５，６−テトラメチル−１，４−フェニレンジアミン、ｍ−キシリレンジアミン、およびｐ−キシリレンジアミンから成る群から選択される方法。
【請求項１１】
請求項１に記載の方法であって、前記ポリアミド酸の質量平均分子量は１５，０００ダルトン未満である方法。
【請求項１２】
請求項１に記載の方法であって、前記組成物は、架橋剤を更に含む方法。
【請求項１３】
請求項１に記載の方法であって、前記加熱することは、前記ポリアミド酸の架橋という結果をもたらす方法。
【請求項１４】
請求項１に記載の方法であって、前記基材は、ケイ素、ＳｉＧｅ、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＯＮ、アルミニウム、タングステン、ケイ化タングステン、ガリウム砒素、ゲルマニウム、タンタル、窒化タンタル、サンゴ、ブラックダイヤ、リンまたはホウ酸ドープガラス、Ｔｉ３Ｎ４、ハフニウム、ＨｆＯ２、ルテニウム、リン化インジウム、およびそれらの混合物から成る群から選択されるマイクロエレクトロニクス基材である方法。
【請求項１５】
請求項１に記載の方法であって、前記炭素リッチ層のｎ値は１．４０以上である方法。
【請求項１６】
請求項１に記載の方法であって、
所望により、前記炭素リッチ層上に１つまたは複数の中間層を形成することであって、前記炭素リッチ層上に１つまたは複数の中間層が存在する場合は、前記炭素リッチ層上に最上の中間層がある、こと；および、
存在する場合は、前記炭素リッチ層上の前記最上の中間層上に、前記炭素リッチ層上に中間層が無い場合は、前記炭素リッチ層上に、画像形成層を形成することを更に含む方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載の方法であって：
前記画像形成層をパターニングしてその中にパターンを形成すること；および、
存在する場合は、前記炭素リッチ層上の前記中間層に、および前記炭素リッチ層に、前記パターンを転写することを更に含み、前記パターンは、複数のラインを含み、前記ラインは、殆どまたは全く、ウィグリング（ｗｉｇｇｌｉｎｇ）を示さない、方法。
【請求項１８】
請求項１７に記載の方法であって、前記パターニングは、
前記画像形成層の露光された部分を生成するために前記画像形成層を光に暴露すること；および、露光後、前記露光された部分を除去するために前記画像形成層を現像剤に接触させることを含む方法。
【請求項１９】
請求項１８に記載の方法であって、前記接触させることは、前記炭素リッチ層の部分が除去され、それによって前記ラインが形成される結果をもたらす、方法。
【請求項２０】
マイクロエレクトロニクス構造であって：
表面を有するマイクロエレクトロニクス基材；
所望により、前記基材表面上の１つまたは複数の中間層であって、１つまたは複数の中間層が存在する場合は、前記基材表面上に最上の中間層がある、１つまたは複数の中間層；および、
存在する場合は、前記最上の中間層上の前記組成物中の総固体の前記総質量を１００質量％とするときに、５０質量％を超える炭素を含む炭素リッチ層、または中間層が存在しない場合は前記基材表面、を含み、
前記炭素リッチ層は：
架橋されたポリアミド酸を含み；
現像剤可溶性であり；および
温度約４００℃、１０分間で、１０％未満の質量損失を示す、構造。
【請求項２１】
請求項２０に記載の構造であって、前記基材表面上に少なくとも１つの中間層がある構造。
【請求項２２】
請求項２０に記載の構造であって、前記炭素リッチ層上の画像形成層を更に含む構造。
【請求項２３】
請求項２０に記載の構造であって、前記炭素リッチ層上の少なくとも１つの付加的中間層を更に含む、構造。
【請求項２４】
請求項２３に記載の構造であって、前記少なくとも１つの付加的中間層上の画像形成層を更に含む、構造。
【請求項２５】
請求項２０に記載の構造であって、前記炭素リッチ層は、前記層の質量を１００質量％とするときに、１０質量％未満の水素を含む、構造。
【請求項２６】
請求項２０に記載の構造であって、前記マイクロエレクトロニクス基材は、ケイ素、ＳｉＧｅ、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＯＮ、アルミニウム、タングステン、ケイ化タングステン、ガリウム砒素、ゲルマニウム、タンタル、窒化タンタル、サンゴ、ブラックダイヤ、リンまたはホウ酸ドープガラス、Ｔｉ３Ｎ４、ハフニウム、ＨｆＯ２、ルテニウム、リン化インジウム、およびそれらの混合物から成る群から選択される、構造。
【請求項２７】
請求項２０に記載の構造であって、前記炭素リッチ層のｎ値が１．４０以上である、構造。
【請求項２８】
請求項２０に記載の構造であって、前記架橋されたポリアミド酸は、以下の式を有する繰り返しモノマーを含むポリアミド酸から形成され：
【化２】
2014530386.tif 000002
【請求項２９】
請求項２０に記載の構造であって、前記架橋されたポリアミド酸は、二無水物とジアミンの共重合体を含むポリアミド酸から形成され：
前記二無水物は、５−（２，５−ジオキソテトラヒドロール）−３−メチル−３−シクロヘキセン−１，２−ジカルボン酸無水物、シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、テトラヒドロフラン−２，３，４，５−テトラカルボン酸二無水物、４−（２，５−ジオキソテトラヒドロフラン−３−イル）−１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−１，２−ジカルボン酸無水物、ビシクロ（２，２，２）オクト−７−エン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、ピロメリト酸二無水物、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２’−ビス−（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物、４，４’−オキシジフタル酸無水物、３，３’，４，４’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、４，４’−ビスフェノールＡ二無水物、ヒドロキノンジフタル酸無水物、３，４，９，１０−ペリレン−テトラカルボン酸二無水物、１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、およびエチレングリコールビス（トリメリット酸無水物）から成る群から選択され；および
前記ジアミンは、１，３−ビス（アミノメチル）−シクロヘキサン、１，４−ビス（アミノメチル）−シクロヘキサン、４，４’−メチレンビス（シクロヘキシルアミン）、４，４’−メチレンビス（２−メチルシクロヘキシル）アミン、３−アミノベンジルアミン、
１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）−ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）−ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、４，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）−ビフェニル、２，２−ビス［４−４−アミノフェノキシ）−フェニル］ヘキサフルプロプラン、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）−フェニル］プロパン、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）−フェニル］スルホン、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）−フェニル］スルホン、１，１’−ビス（４−アミノフェニル）−シクロヘキサン、９，９’−ビス（４−アミノフェニル）−フルオレン、２，２’−ビス（４−アミノフェニル）−ヘキサフルオロプロパン、ビス（２−アミノフェニル）スルフィド、ビス（４−アミノフェニル）スルフィド、ビス（３−アミノフェニル）スルホン、ビス（４−アミノフェニル）スルホン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジメチル−ジフェニルメタン、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，３’−ジアミノジフェニルメタン、３，４’−ジアミノジフェニルメタン、２，７−ジアミノフルオレン、１，５−ジアミノナフタレン、４，４’−ジアミノオクタフルオロビフェニル、２，５−ジメチル−１，４−フェニレンジアミン、４，４’−エチレンジアニリン、１，３−フェニレンジアミン、１，４−フェニレンジアミン、２，３，５，６−テトラメチル−１，４−フェニレンジアミン、ｍ−キシリレンジアミン、およびｐ−キシリレンジアミンから成る群から選択される、構造。
【請求項３０】
請求項２０に記載の構造であって、前記炭素リッチ層は、パターンの形式であって、前記パターンは、ラインを含み、前記ラインは、殆どまたは全くウィグリングを示さない、構造。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００７】
【図１】実施例２６で実施されるポジ型現像フォトリソグラフィー（４０Ｌ／８０Ｐ、１６．８ｍＪ）の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。
【図２】実施例２７で実施されるネガ型現像フォトリソグラフィー（５３Ｓ／１０５Ｐ、１９．６ｍＪ）のＳＥＭ写真である。
【図３】実施例２８で形成される、エッチングされたスピンオン炭素層のＳＥＭ写真である。
【図４】実施例２９のＳＯＣ配合物Ｅ−２の熱質量分析（ＴＧＡ）曲線を示す。
【図５】実施例３０に記載されるように、孤立型の深いコンタクトホールを充填するＳＯＣ配合物Ｅ−２のＳＥＭ写真である。
【図６】実施例３０に記載されるように、密集型の深いコンタクトホールを充填するＳＯＣ配合物Ｅ−２のＳＥＭ写真である。
【図７】比較例３２に示されるように、Ｃ４Ｆ８／Ａｒエッチング後の、ＯｐｔｉＳｔａｃｋ（Ｒ）のＳＯＣ１１０Ｄパターンを示すＳＥＭ写真である。
【図８】実施例３３に記載されるように、Ｃ４Ｆ８／Ａｒエッチング後の配合物Ｅ−２のパターンを示すＳＥＭ写真である。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８３】
〔比較例３２〕
（シリコン基材へのパターン転写および耐ウィグリング性（試験１））
リソグラフィー試験を、多層積層（上から下に、ＡＩＭ５４Ｂ４フォトレジスト、ＯｐｔｉＳｔａｃｋ（Ｒ）ＨＭ８２５ハードマスク、および、炭素層としてＯｐｔｉＳｔａｃｋ（Ｒ）ＳＯＣ１１０Ｄ）を用いて実施した。被覆されたウェファを、１９００ｉステッパを用いて露光し、ＯＰＤ５２６２によって現像して、露光された部分を除去した。ウェファを切断してチップにし、その後、次の条件でエッチングするために、Ｏｘｆｏｒｄ  Ｐｌａｓｍａｌａｂ  ＲＩＥに装填した：ＣＦ４、３５シーム、５５ｓ、５０ｍトール、１００Ｗ、その後、Ａｒ／ＣＯ２、２５／２５シーム、７０ｓ、２０ｍトール、３００Ｗ、その後、Ｃ４Ｆ８／Ａｒ、５／１００シーム、７０ｓ、２０ｍトール、３００Ｗ。図７は、ＳＯＣ層のパターンがＣ４Ｆ８／Ａｒエッチング中にウィグリングしたこと、および、シリコン基材への良好なパターン転写がなかったことを示している。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８４】
〔実施例３３〕
（シリコン基材へのパターン転写および耐ウィグリング性（試験２））
実施例２６のウェファを切断してチップにし、その後、次の条件でエッチングするために、Ｏｘｆｏｒｄ  Ｐｌａｓｍａｌａｂ  ＲＩＥに装填した：ＣＦ４、３５シーム、５５ｓ、５０ｍトール、１００Ｗ、その後、Ａｒ／ＣＯ２、２５／２５シーム、７０ｓ、２０ｍトール、３００Ｗ、およびＣ４Ｆ８／Ａｒ、５／１００シーム、７０ｓ、２０ｍトール、３００Ｗ。図８は、ＳＯＣパターンがウィグリングしなかったことを示しており、それは、現在の標準材料（比較例３２）より、耐ウィグリング性が優れていることを示している。パターンをシリコン基材に転写することに成功した。