【手続補正書】
【提出日】平成28年12月26日(2016.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チョクラルスキー法により成長させたインゴットからスライスされたインジウムドープ単結晶シリコンウェハを含み、絶対的エアマス１．５の下での前記インジウムドープ単結晶シリコンウェハの表面における太陽光の分光放射照度の変換効率が、少なくとも１７％である太陽電池セル。
【請求項２】
絶対的エアマス１．５の下での前記インジウムドープ単結晶シリコンウェハの表面における太陽光の分光放射照度の変換効率が、少なくとも１８％である請求項１に記載の太陽電池セル。
【請求項３】
絶対的エアマス１．５の下での前記インジウムドープ単結晶シリコンウェハの表面における太陽光の分光放射照度の変換効率が、少なくとも１９．５％である請求項１に記載の太陽電池セル。
【請求項４】
前記インジウムドープ単結晶シリコンウェハが、約２Ω・ｃｍと約５Ω・ｃｍとの間の平均のバルク抵抗率を有する請求項１に記載の太陽電池セル。
【請求項５】
前記インジウムドープ単結晶シリコンウェハが、約３Ω・ｃｍと約３．５Ω・ｃｍとの間の平均のバルク抵抗率を有する請求項１に記載の太陽電池セル。
【請求項６】
４５℃より低い温度で０．１〜１０ＳＵＮに相当する光に１〜３００時間暴露した後、前記太陽電池セルの相対効率が約２％以下劣化する請求項１に記載の太陽電池セル。
【請求項７】
４５℃より低い温度で０．１〜１０ＳＵＮに相当する光に１〜３００時間暴露した後、前記太陽電池セルの相対効率が約１％以下劣化する請求項１に記載の太陽電池セル。
【請求項８】
４５℃より低い温度で０．１〜１０ＳＵＮに相当する光に１〜３００時間暴露した後、前記太陽電池セルの絶対効率が約０．５％以下劣化する請求項１に記載の太陽電池セル。
【請求項９】
４５℃より低い温度で０．１〜１０ＳＵＮに相当する光に１〜３００時間暴露した後、前記太陽電池セルの絶対効率が約０．２％以下劣化する請求項１に記載の太陽電池セル。
【請求項１０】
チョクラルスキー法により成長させたインゴットからスライスされたインジウムドープ単結晶シリコンウェハを含み、前記ウェハが約１０Ω・ｃｍより小さい平均のバルク抵抗率を有し、４５℃より低い温度で０．１〜１０ＳＵＮに相当する光に１〜３００時間暴露した後、相対効率が約１％以下劣化する太陽電池セル。
【請求項１１】
前記インジウムドープ単結晶シリコンウェハが、約２Ω・ｃｍと約５Ω・ｃｍとの間の平均のバルク抵抗率を有する請求項１０に記載の太陽電池セル。
【請求項１２】
４５℃より低い温度で０．１〜１０ＳＵＮに相当する光に１〜３００時間暴露した後、前記太陽電池セルの絶対効率が約０．２％以下劣化する請求項１０に記載の太陽電池セル。
【請求項１３】
絶対的エアマス１．５の下での前記インジウムドープ単結晶シリコンウェハの表面における太陽光の分光放射照度の変換効率が、少なくとも１７％である請求項１０に記載の太陽電池セル。
【請求項１４】
チョクラルスキー法により成長させたインゴットからスライスされたインジウムドープ単結晶シリコンウェハを含み、前記ウェハが約１０Ω・ｃｍより小さい平均のバルク抵抗率を有し、４５℃より低い温度で太陽光に４時間暴露した後、相対効率が約１％以下劣化する太陽電池セル。
【請求項１５】
絶対的エアマス１．５の下での前記インジウムドープ単結晶シリコンウェハの表面における太陽光の分光放射照度の変換効率が、少なくとも１７％である請求項１４に記載の太陽電池セル。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５７】
この記載は、ベストモードを含む本発明を開示する実施例、および当該技術分野における任意の当業者が発明を実施すること（任意の装置またはシステムを作製することおよび使用すること、または任意の組み入れられた方法を実行することを含む）も可能にする実施例を用いる。本発明の特許を受けることができる範囲は特許請求の範囲により規定され、当業者が考えつく他の実施例を含んでよい。そのような他の実施例が特許請求の範囲の文言通りの言葉と異ならない構成要素を含む場合、またはそのような他の実施例が特許請求の範囲の文言通りの言葉と実質的ではない違いを有する均等な構成要素を含む場合、そのような他の実施例は、本特許請求の範囲内であることが意図される。
本明細書の開示内容は、以下の態様を含む。
態様１：
チョクラルスキー法により成長させたインゴットからスライスされたインジウムドープ単結晶シリコンウェハを含み、絶対的エアマス１．５の下での前記インジウムドープ単結晶シリコンウェハの表面における太陽光の分光放射照度の変換効率が、少なくとも１７％である太陽電池セル。
態様２：
絶対的エアマス１．５の下での前記インジウムドープ単結晶シリコンウェハの表面における太陽光の分光放射照度の変換効率が、少なくとも１８％である態様１に記載の太陽電池セル。
態様３：
絶対的エアマス１．５の下での前記インジウムドープ単結晶シリコンウェハの表面における太陽光の分光放射照度の変換効率が、少なくとも１９％である態様１に記載の太陽電池セル。
態様４：
絶対的エアマス１．５の下での前記インジウムドープ単結晶シリコンウェハの表面における太陽光の分光放射照度の変換効率が、少なくとも１９．５％である態様１に記載の太陽電池セル。
態様５：
絶対的エアマス１．５の下での前記インジウムドープ単結晶シリコンウェハの表面における太陽光の分光放射照度の変換効率が、少なくとも２０％である態様１に記載の太陽電池セル。
態様６：
絶対的エアマス１．５の下での前記インジウムドープ単結晶シリコンウェハの表面における太陽光の分光放射照度の変換効率が、少なくとも２０．５％である態様１に記載の太陽電池セル。
態様７：
絶対的エアマス１．５の下での前記インジウムドープ単結晶シリコンウェハの表面における太陽光の分光放射照度の変換効率が、少なくとも２１％である態様１に記載の太陽電池セル。
態様８：
絶対的エアマス１．５の下での前記インジウムドープ単結晶シリコンウェハの表面における太陽光の分光放射照度の変換効率が、少なくとも２２％である態様１に記載の太陽電池セル。
態様９：
絶対的エアマス１．５の下での前記インジウムドープ単結晶シリコンウェハの表面における太陽光の分光放射照度の変換効率が、少なくとも２４％である態様１に記載の太陽電池セル。
態様１０：
絶対的エアマス１．５の下での前記インジウムドープ単結晶シリコンウェハの表面における太陽光の分光放射照度の変換効率が、少なくとも２６％である態様１に記載の太陽電池セル。
態様１１：
絶対的エアマス１．５の下での前記インジウムドープ単結晶シリコンウェハの表面における太陽光の分光放射照度の変換効率が、少なくとも２８％である態様１に記載の太陽電池セル。
態様１２：
絶対的エアマス１．５の下での前記インジウムドープ単結晶シリコンウェハの表面における太陽光の分光放射照度の変換効率が、少なくとも３０％である態様１に記載の太陽電池セル。
態様１３：
前記インジウムドープ単結晶シリコンウェハが、約１０Ω・ｃｍより小さい平均のバルク抵抗率を有する態様１に記載の太陽電池セル。
態様１４：
前記インジウムドープ単結晶シリコンウェハが、約５Ω・ｃｍより小さい平均のバルク抵抗率を有する態様１に記載の太陽電池セル。
態様１５：
前記インジウムドープ単結晶シリコンウェハが、約４Ω・ｃｍより小さい平均のバルク抵抗率を有する態様１に記載の太陽電池セル。
態様１６：
前記インジウムドープ単結晶シリコンウェハが、約３Ω・ｃｍより小さい平均のバルク抵抗率を有する態様１に記載の太陽電池セル。
態様１７：
前記インジウムドープ単結晶シリコンウェハが、約１Ω・ｃｍより小さい平均のバルク抵抗率を有する態様１に記載の太陽電池セル。
態様１８：
前記インジウムドープ単結晶シリコンウェハが、約０．５Ω・ｃｍより小さい平均のバルク抵抗率を有する態様１に記載の太陽電池セル。
態様１９：
４５℃より低い温度で０．１〜１０ＳＵＮに相当する光に１〜３００時間暴露した後、前記太陽電池セルの相対効率が約２％以下劣化する態様１に記載の太陽電池セル。
態様２０：
４５℃より低い温度で０．１〜１０ＳＵＮに相当する光に１〜３００時間暴露した後、前記太陽電池セルの相対効率が約１％以下劣化する態様１に記載の太陽電池セル。
態様２１：
４５℃より低い温度で０．７ＳＵＮに相当する光に２４時間暴露した後、前記太陽電池セルの相対効率が約２％以下劣化する態様１に記載の太陽電池セル。
態様２２：
４５℃より低い温度で０．７ＳＵＮに相当する光に２４時間暴露した後、前記太陽電池セルの相対効率が約１％以下劣化する態様１に記載の太陽電池セル。
態様２３：
４５℃より低い温度で０．１〜１０ＳＵＮに相当する光に１〜３００時間暴露した後、前記太陽電池セルの絶対効率が約０．５％以下劣化する態様１に記載の太陽電池セル。
態様２４：
４５℃より低い温度で０．１〜１０ＳＵＮに相当する光に１〜３００時間暴露した後、前記太陽電池セルの絶対効率が約０．２％以下劣化する態様１に記載の太陽電池セル。
態様２５：
４５℃より低い温度で０．１〜１０ＳＵＮに相当する光に１〜３００時間暴露した後、前記太陽電池セルの絶対効率が約０．１％以下劣化する態様１に記載の太陽電池セル。
態様２６：
４５℃より低い温度で０．７ＳＵＮに相当する光に２４時間暴露した後、前記太陽電池セルの絶対効率が約０．５％以下劣化する態様１に記載の太陽電池セル。
態様２７：
４５℃より低い温度で０．７ＳＵＮに相当する光に２４時間暴露した後、前記太陽電池セルの絶対効率が約０．２％以下劣化する態様１に記載の太陽電池セル。
態様２８：
４５℃より低い温度で０．７ＳＵＮに相当する光に２４時間暴露した後、前記太陽電池セルの絶対効率が約０．１％以下劣化する態様１に記載の太陽電池セル。
態様２９：
前記インジウムドープウェハが、８３０ｎｍと１４００ｎｍとの間の波長を有する光を、同じ抵抗率のホウ素ドープウェハより多く吸収する態様１に記載の太陽電池セル。
態様３０：
チョクラルスキー法により成長させたインゴットからスライスされたインジウムドープ単結晶シリコンウェハを含み、前記ウェハが約１０Ω・ｃｍより小さい平均のバルク抵抗率を有し、４５℃より低い温度で０．１〜１０ＳＵＮに相当する光に１〜３００時間暴露した後、相対効率が約１％以下劣化する太陽電池セル。
態様３１：
前記インジウムドープ単結晶シリコンウェハが、約５Ω・ｃｍより小さい平均のバルク抵抗率を有する態様３０に記載の太陽電池セル。
態様３２：
前記インジウムドープ単結晶シリコンウェハが、約４Ω・ｃｍより小さい平均のバルク抵抗率を有する態様３０に記載の太陽電池セル。
態様３３：
前記インジウムドープ単結晶シリコンウェハが、約３Ω・ｃｍより小さい平均のバルク抵抗率を有する態様３０に記載の太陽電池セル。
態様３４：
前記インジウムドープ単結晶シリコンウェハが、約１Ω・ｃｍより小さい平均のバルク抵抗率を有する態様３０に記載の太陽電池セル。
態様３５：
前記インジウムドープ単結晶シリコンウェハが、約０．５Ω・ｃｍより小さい平均のバルク抵抗率を有する態様３０に記載の太陽電池セル。
態様３６：
４５℃より低い温度で０．１〜１０ＳＵＮに相当する光に１〜３００時間暴露した後、前記太陽電池セルの絶対効率が約０．５％以下劣化する態様３０に記載の太陽電池セル。
態様３７：
４５℃より低い温度で０．１〜１０ＳＵＮに相当する光に１〜３００時間暴露した後、前記太陽電池セルの絶対効率が約０．２％以下劣化する態様３０に記載の太陽電池セル。
態様３８：
４５℃より低い温度で０．１〜１０ＳＵＮに相当する光に１〜３００時間暴露した後、前記太陽電池セルの絶対効率が約０．１％以下劣化する態様３０に記載の太陽電池セル。
態様３９：
４５℃より低い温度で０．７ＳＵＮに相当する光に２４時間暴露した後、前記太陽電池セルの絶対効率が約０．５％以下劣化する態様３０に記載の太陽電池セル。
態様４０：
４５℃より低い温度で０．７ＳＵＮに相当する光に２４時間暴露した後、前記太陽電池セルの絶対効率が約０．２％以下劣化する態様３０に記載の太陽電池セル。
態様４１：
４５℃より低い温度で０．７ＳＵＮに相当する光に２４時間暴露した後、前記太陽電池セルの絶対効率が約０．１％以下劣化する態様３０に記載の太陽電池セル。
態様４２：
前記インジウムドープウェハが、８３０ｎｍと１４００ｎｍとの間の波長を有する光を、同じ抵抗率のホウ素ドープウェハより多く吸収する態様３０に記載の太陽電池セル。
態様４３：
チョクラルスキー法により成長させたインゴットからスライスされたインジウムドープ単結晶シリコンウェハを含み、前記ウェハが約１０Ω・ｃｍより小さい平均のバルク抵抗率を有し、４５℃より低い温度で太陽光に４時間暴露した後、相対効率が約１％以下劣化する太陽電池セル。
態様４４：
中心軸と、前記中心軸に対して略垂直である前面および後面と、前記前面と前記後面との間にあり且つそれらに平行な中心面と、周縁端と、前記中心軸から前記周縁端に伸びる半径Ｒとを有し：
少なくとも約１×１０１５原子／ｃｍ３の平均インジウム濃度を含み；
前記インジウム濃度が、少なくとも０．７５Ｒに亘って、約１５％以下の半径方向の相対変化を有する、
単結晶シリコンセグメント。
態様４５：
前記インジウム濃度が、少なくとも０．９５Ｒに亘って、約１５％以下の半径方向の相対変化を有する態様４４に記載の単結晶シリコンセグメント。
態様４６：
前記インジウム濃度が、少なくとも０．７５Ｒに亘って、約１０％以下の半径方向の相対変化を有する態様４４に記載の単結晶シリコンセグメント。
態様４７：
前記平均インジウム濃度が、約１×１０１５原子／ｃｍ３と約１×１０１７原子／ｃｍ３のとの間である態様４４に記載の単結晶シリコンセグメント。
態様４８：
約１１ｐｐｍａと約２０ｐｐｍａとの間の酸素濃度を有する態様４４に記載の単結晶シリコンセグメント。
態様４９：
約２ｐｐｍａ以下の炭素濃度を有する態様４４に記載の単結晶シリコンセグメント。
態様５０：
約１００μｍと約１０００μｍとの間の厚さと、約５０ｍｍと約３００ｍｍとの間の２つの主要寸法とを有し：
少なくとも約１×１０１５原子／ｃｍ３の平均インジウム濃度を含み；
前記インジウム濃度が、前記２つの主要寸法のいずれか一方の長さの少なくとも７５％に亘って、約１５％以下の変化を有する、
単結晶シリコンウェハ。
態様５１：
約１２０μｍと約２４０μｍとの間の厚さと、約１００ｍｍと約２００ｍｍとの間の２つの主要寸法とを有し、前記インジウム濃度が、前記２つの主要寸法両方の長さの少なくとも７５％に亘って、約１５％以下の半径方向の相対変化を有する態様５０に記載の単結晶シリコンウェハ。
態様５２：
前記インジウム濃度が、前記２つの主要寸法両方の長さの少なくとも９５％に亘って、約１５％以下の半径方向の相対変化を有する態様５０に記載の単結晶シリコンウェハ。
態様５３：
前記インジウム濃度が、前記２つの主要寸法両方の長さの少なくとも７５％に亘って、約１０％以下の半径方向の相対変化を有する態様５０に記載の単結晶シリコンウェハ。
態様５４：
前記平均インジウム濃度が、約１×１０１５原子／ｃｍ３と約１×１０１７原子／ｃｍ３のとの間である態様５０に記載の単結晶シリコンウェハ。
態様５５：
約１１ｐｐｍａと約２０ｐｐｍａとの間の酸素濃度を有する態様５０に記載の単結晶シリコンウェハ。
態様５６：
約２ｐｐｍａ以下の炭素濃度を有する態様５０に記載の単結晶シリコンウェハ。