(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に回路パターンが形成された半導体ウェハの裏面を研削して半導体ウェハの厚さを薄くする研削工程を有する半導体ウェハを用いた半導体装置の製造方法であって、
前記研削工程前に、前記半導体ウェハの表面に、両面に粘着剤が付与された保護テープを用いてキャリア板を貼り合わせるキャリア板設置工程と、
前記キャリア板が貼り合わされた半導体ウェハを前記キャリア板とダイシングテープとが互いに向き合うようにマウントするウェハマウント工程と、
前記半導体ウェハを前記保護テープ及び前記キャリア板と共にダイシングして個々の半導体チップとする分割工程と、
前記半導体チップを前記キャリア板側から押し出し部材により押し出すと共に、前記半導体チップの裏面側に配置されたリードフレームにダイスボンド材を介して前記半導体チップの裏面を貼り付けるダイスボンド工程と、
前記ダイスボンド材を硬化させて前記半導体チップを前記リードフレームに接着する接着工程と、
前記キャリア板を前記半導体チップから剥離するキャリア板剥離工程と、
を有し、
前記保護テープの少なくとも一方の面の粘着剤が、熱により粘着力が低下する粘着剤であり、前記接着工程と、前記キャリア板剥離工程と、を前記リードフレームを加熱することで行う半導体ウェハを用いた半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記接着工程及び前記キャリア板剥離工程が、前記リードフレームを加熱し、前記ダイスボンド材を硬化させて前記半導体チップを前記リードフレームに接着すると共に、前記保護テープの粘着剤の粘着力を低下させ、前記キャリア板を前記半導体チップから剥離する加熱工程により行なわれる請求項１に記載の半導体ウェハを用いた半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記保護テープが、前記半導体ウエハに接する面に前記熱により粘着力が低下する粘着剤を付与してなる請求項１又は２に記載の半導体ウェハを用いた半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記キャリア板が、前記半導体ウェハの径より大きい径のキャリア板である請求項１〜３のいずれかに記載の半導体ウェハを用いた半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記研削工程後に、保持部を有する収納容器の該保持部に前記キャリア板を保持させて、前記半導体ウェハを収納する収納工程を有する請求項１〜４のいずれかに記載の半導体ウェハを用いた半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウェハを用いた半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の半導体ウェハを用いた半導体装置の製造においては、一般に、半導体ウェハに回路パターンを形成後、研削工程、研削層除去工程、収納工程、ウェハマウント工程、分割（ダイシング）工程、ダイスボンド工程、接着工程、及びワイヤボンディング工程等を経て、半導体装置が製造されている。
【０００３】
以下、従来の半導体ウェハを用いた半導体装置の製造方法について説明する。まず、一般に、研削工程前に、回路パターンの形成された半導体ウェハの表面（回路パターン面）に保護テープを貼り合わせ、半導体ウェハと同形状に保護テープをカットする。この保護テープは、半導体ウェハの表面を機械的及び／又は化学的に保護すると共に、半導体ウェハの表面に形成された配線やバンプなどの構造物の凹凸を吸収し、研削等半導体ウェハを加圧する際に加工面に均一な圧力を伝える役割を果たす他、水分や薬液の侵入を防止する役割を果たす。
【０００４】
次に、半導体ウェハの厚さを薄くするために、半導体ウェハの回路パターンの形成されていない裏面を研削する（研削工程）。続いて、研削によるダメージ層（研削層）をポリッシングなどにより機械的に、或いはエッチングなどにより化学的に除去する（研削層除去工程）。
【０００５】
研削層除去工程後、保護テープを粘着テープ等を用いて剥離し、その後、一旦、半導体ウェハを収納容器（マガジン）に収納する。
続いて、紫外線により粘着層が反応して粘着力が低下するダイシングテープ上に、半導体ウェハをリングと共に、半導体ウェハの裏面（切削面）が接するようにマウントし、ダイシングして半導体チップとする（ウェハマウント工程・分割工程）。
【０００６】
次に、半導体ウェハ（半導体チップ）の裏面側から紫外線を照射し、ダイシングテープを引き伸ばして（エキスパンド）、裏面側から針で半導体を突き上げ、ダイシングテープを突き破って半導体チップを持ち上げる。そして、コレットでテープから剥離されたチップを把持し、ペースト状樹脂からなるダイスボンド材の付与されたリードフレームへ搭載する（ダイスボンド工程）。
【０００７】
ダイスボンドが終了したリードフレームは収納容器（マガジン）に収納された後、収納容器ごと樹脂硬化のために加熱処理を施される（接着工程）。
続いて、ワイヤボンディング処理等を施して半導体装置が製造される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
以上説明した従来の半導体ウェハを用いた半導体装置の製造方法においては、以下の問題がある。
即ち、上記各工程を経るために半導体ウェハを搬送する必要があるが、その際、半導体ウェハは薄いために割れが発生しやすく、取扱いが困難である。この問題は、今後の半導体ウェハの薄化傾向を勘案すると更に大きな問題となってくる。
また、図６に示すように、半導体ウェハ２００を収納容器２０２に収納する際においては、収納容器２０２の保持部２０４に半導体ウェハ２００の裏面を係止することにより保持するが、半導体ウェハ２００の自重により大きくたわむ（反りが生じる）ため、半導体ウェハ２００がダメージを受ける可能性がある。
【０００９】
従って、本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、半導体ウェハへのダメージを抑制して容易かつ安定して高品質の半導体装置の製造を行うことができる半導体ウェハを用いた半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するための手段は、以下の通りである。
＜１＞  表面に回路パターンが形成された半導体ウェハの裏面を研削して半導体ウェハの厚さを薄くする研削工程を有する半導体ウェハを用いた半導体装置の製造方法であって、
前記研削工程前に、前記半導体ウェハの表面に、両面に粘着剤が付与された保護テープを用いてキャリア板を貼り合わせるキャリア板設置工程と、
前記キャリア板が貼り合わされた半導体ウェハを前記キャリア板とダイシングテープとが互いに向き合うようにマウントするウェハマウント工程と、
前記半導体ウェハを前記保護テープ及び前記キャリア板と共にダイシングして個々の半導体チップとする分割工程と、
前記半導体チップを前記キャリア板側から押し出し部材により押し出すと共に、前記半導体チップの裏面側に配置されたリードフレームにダイスボンド材を介して前記半導体チップの裏面を貼り付けるダイスボンド工程と、
前記ダイスボンド材を硬化させて前記半導体チップを前記リードフレームに接着する接着工程と、
前記キャリア板を前記半導体チップから剥離するキャリア板剥離工程と、
を有し、
前記保護テープの少なくとも一方の面の粘着剤が、熱により粘着力が低下する粘着剤であり、前記接着工程と、前記キャリア板剥離工程と、を前記リードフレームを加熱することで行う半導体ウェハを用いた半導体装置の製造方法である。
【００１１】
＜２＞  前記接着工程及び前記キャリア板剥離工程が、前記リードフレームを加熱し、前記ダイスボンド材を硬化させて前記半導体チップを前記リードフレームに接着すると共に、前記保護テープの粘着剤の粘着力を低下させ、前記キャリア板を前記半導体チップから剥離する加熱工程により行なわれる＜１＞に記載の半導体ウェハを用いた半導体装置の製造方法である。
【００１２】
＜３＞  前記保護テープが、前記半導体ウエハに接する面に前記熱により粘着力が低下する粘着剤を付与してなる＜１＞又は＜２＞に記載の半導体ウェハを用いた半導体装置の製造方法である。
【００１３】
＜４＞  前記キャリア板が、前記半導体ウェハの径より大きい径のキャリア板である＜１＞〜＜３＞のいずれかに記載の半導体ウェハを用いた半導体装置の製造方法である。
＜５＞  前記研削工程後に、保持部を有する収納容器の該保持部に前記キャリア板を保持させて、前記半導体ウェハを収納する収納工程を有する＜１＞〜＜４＞のいずれかに記載の半導体ウェハを用いた半導体装置の製造方法である。
【００１４】
【発明の実施形態】
〔本発明の半導体ウェハを用いた半導体装置の製造方法に係る工程例〕
以下、本発明の半導体ウェハを用いた半導体装置の製造方法に係る工程例（以下、単に本発明に係る工程例と称する場合がある。）について説明する。ここで、図１は本発明の半導体ウェハを用いた半導体装置の製造方法のフロー図であり、図２及び図３は本発明の半導体ウェハを用いた半導体装置の製造方法に係る工程例の概略説明図である。
【００１５】
図１に示すように、本発明に係る工程例は、キャリア板設置工程（ステップ１）と、研削工程（ステップ２）と、研削層除去工程（ステップ３）と、収納工程（ステップ４）と、ウェハマウント工程（ステップ５）と、分割工程（ステップ６）と、ダイスボンド工程（ステップ７）と、接着工程（ステップ８）と、ワイヤボンディング工程（ステップ９）と、を有している。
【００１６】
以下、各工程ごとに説明する。
図２（Ａ）に示すように、まず、半導体ウェハ１００の表面（回路面）側に、基板の両面に粘着剤が付与された保護テープ１０２を介してキャリア板１０４を貼り合わせる。
具体的には、表面に回路パターンが形成された半導体ウェハ１００に対し、まず、一方のセパレータを剥離した保護テープ１０２を半導体ウェハ１００の表面に皺にならず、かつ、気泡が入らないように、ローラー等を用いて圧着する。次に、半導体ウェハ１００の外形に沿って保護テープ１０２をカットし、その後、保護テープ１０２の他方のセパレータを剥離して、気泡が入らないように、半導体ウェハ１００と同径のキャリア板１０４を貼り合わせる（以下、キャリア板１０４を貼り合わせた半導体ウェハ１００をキャリア板付半導体ウェハ１０６と称す。）（Ｓ１）。
なお、先に保護テープ１０２とキャリア板１０４を貼り合わせた後に、半導体ウェハ１００に貼り合わせることも可能である。
【００１７】
次に、半導体ウェハ１００の厚さを薄くするために、半導体ウェハ１００の回路パターンの形成されていない裏面を研削する（Ｓ２）。そして、研削によるダメージ層（研削層）をポリッシングなどにより機械的に或いはエッチングなどにより化学的に除去する（Ｓ３）。
この研削工程（Ｓ２）と研削層除去工程（Ｓ３）は、従来と同様の方法で行うことができる。
この研削工程及び研削層除去工程においては、半導体ウェハ１００にキャリア板１０４が貼り合わされているので、半導体ウェハ１００に与えるダメージを抑制して処理を行うことができ、また、半導体ウェハ１００の薄化を図ることが可能となる。
【００１８】
研削層を除去した後、図２（Ｂ）に示すように、キャリア板付半導体ウェハ１０６を保持部１０７を有する収納容器１０８に一旦収納する（Ｓ４）。このとき、半導体ウェハ１００は表面全面がキャリア板１０４で保持されているためたわみを生じることがなく、収納容器１０８のスロットを通常のピッチとすることができ、キャリア板付半導体ウェハ１０６の収納数を増大させることができる。
【００１９】
続いて、図２（Ｃ）に示すように、紫外線により粘着層が反応して粘着力が低下するダイシングテープ１１０上に、半導体ウェハ１００の裏面（切削面）が接触するように、キャリア板付半導体ウェハ１０６をリング１１２と共にマウントして接着固定した後、例えば、剥がし用テープによりキャリア板１０４と保護テープ１０２を剥離する（Ｓ５）。
キャリア板１０４と保護テープ１０２を剥離した後、ダイシングソー１１４を用いて半導体ウェハ１００をカットして半導体チップ１１６（図３（Ｄ）参照）とする（Ｓ６）。
【００２０】
次に、図３（Ｄ）及び（Ｅ）に示すように、半導体ウェハ１００の裏面側から紫外線を照射して、ダイシングテープ１１０の粘着力を低下させ、ダイシングテープ１１０を引き伸ばして各半導体チップ１１６を分離した後（エキスパンド）、半導体チップ１１６の裏面側から針部材１１７で突き上げ、ダイシングテープ１１０を突き破って半導体チップ１１６を持ち上げる。次に、コレット１１８でダイシングテープ１１０から剥離された半導体チップ１１６を把持し、例えば、ペースト状樹脂からなるダイスボンド材１２０の付与されたリードフレームのダイパッド１２２へ搭載する（Ｓ７）。
【００２１】
続いて、ダイスボンドが終了したリードフレームを収納容器（マガジン）に収納し、収納容器ごと樹脂硬化のために加熱処理を施す（Ｓ８）。
最後に、ワイヤボンディング処理等を施して半導体装置を製造する（Ｓ９）。
【００２２】
以上のように、本発明に係る工程例によれば、キャリア板１０４により半導体ウェハ１００の表面全面が保持されているので、作業時（例えば、搬送時）における半導体ウェハ１００の割れ等を防止して、容易かつ安定して高品質の半導体装置の製造を行うことができる。
また、本製造方法により、今後更に進むと考えられる半導体チップ１１６の薄型化（例えば、５０μｍ以下）を実現することが可能となる。
【００２３】
〔本発明の半導体ウェハを用いた半導体装置の製造方法の実施形態〕
（第１の実施形態）
以下、本発明の半導体ウェハを用いた半導体装置の製造方法の実施形態（以下、単に本発明の実施形態と称する場合がある。）について説明する。
まず、本発明の第１の実施形態について述べる。ただし、本発明の第１の実施形態において、キャリア板設置工程（Ｓ１）及び収納工程（Ｓ４）は、下記に説明する通りである。また、ウェハマウント工程（Ｓ５）、分割工程（Ｓ６）、ダイスボンド工程（Ｓ７）、及び接着工程（Ｓ８）は、後述する第３の実施形態と同様であり、これら以外の工程は、上記の本発明に係る工程例と同様であるので説明を省略する。
本発明の第１の実施形態においては、キャリア板として半導体ウェハの径より大きい径のキャリア板を用いる。
ここで、図４（Ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る半導体ウェハを用いた半導体装置の製造方法のキャリア板設置工程の説明図であり、図４（Ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係る半導体ウェハを用いた半導体装置の製造方法の収納工程の説明図である。なお、上記の本発明に係る工程例と同一の構成のものについては、同一の符号を付して説明を省略する。
【００２４】
図４（Ａ）に示すように、半導体ウェハ１００とキャリア板１２４の中心をおおよそ一致させ保護テープ１０２を介して半導体ウェハ１００とキャリア板１２４とを第１の実施形態と同様の方法により貼り合わせてキャリア板付半導体ウェハ１２６とする。（キャリア板設置工程（Ｓ１））。
半導体ウェハ１００の径より大きな径のキャリア板１２４を用いることにより、キャリア板１２４の外周部（半導体ウェハ１００からはみ出した部分）を把持等して半導体ウェハ１００を搬送することが可能となって、半導体ウェハ１００へのダメージを抑制することができると共に容易に搬送（次の工程への移行）を行うことができる。
【００２５】
図４（Ｂ）に示すように、収納工程（Ｓ４）においては、保持部１２８を有する収納容器１３０の保持部１２８上に、キャリア板１２４の外周部を載置することにより、半導体ウェハ１００を支持して収納容器１３０に収納する。このとき、キャリア板１２４を図面上正面視した場合の外周部の長さａは、正面視した保持部１２８の長さｂより大きいことが好ましい。これにより、半導体ウェハ１００が保持部１２８に接触することがなく、半導体ウェハ１００へのダメージを防止することができる。
【００２６】
なお、本実施形態においては、保持部１２８上に載置したが、キャリア板の外周部を把持部材により把持することにより、半導体ウェハ１００を支持して収納することも可能である。
以上のような収納方法によれば、半導体ウェハ１００の裏面（切削面）で支持しないため、収納容器１３０に収納した際の半導体ウェハ１００の裏面へのダメージを防止することができる。
【００２７】
（本発明の第２の実施形態）
続いて、本発明の第２の実施形態について述べる。ただし、本発明の第２の実施形態において、キャリア板設置工程（Ｓ１）は、下記に説明する通りである。また、ウェハマウント工程（Ｓ５）、分割工程（Ｓ６）、ダイスボンド工程（Ｓ７）、及び接着工程（Ｓ８）は、後述する第３の実施形態と同様であり、これら以外の工程は、上記の本発明に係る工程例と同様であるので説明を省略する。
本発明の第２の実施形態に係る半導体ウェハを用いた半導体装置の製造方法においては、少なくとも一方の面の粘着剤が、熱により粘着力が低下する粘着剤（以下、熱応答性粘着剤という。）である保護テープを用いる。
【００２８】
キャリア板設置工程（Ｓ１）においては、半導体ウェハの表面側に、基板の一方の面に熱応答性粘着剤が付与され、他の面には通常の粘着剤が付与された保護テープを介してキャリア板を貼り合わせる。このとき、保護テープの熱応答性粘着剤が付与された側の面と半導体ウェハの表面とを接触させて貼り合わせることが好ましい。
【００３０】
なお、本実施形態においては、保護テープの熱応答性粘着剤が付与された側の面と半導体ウェハの表面とを接触させて貼り合わせることとしたが、保護テープの熱応答性粘着剤が付与された側の面とキャリア板の表面とを接触させて貼り合わせることも可能である。また、保護テープの両面の粘着剤を熱応答性粘着剤とすることも可能である。
【００３１】
（本発明の第３の実施形態）
更に、本発明の第３の実施形態について述べる。ただし、本発明の第３の実施形態において、ウェハマウント工程（Ｓ５）、分割工程（Ｓ６）、ダイスボンド工程（Ｓ７）、及び接着工程（Ｓ８）は、下記に説明する通りであり、また、これら以外の工程は、上記の本発明に係る工程例と同様であるので説明を省略する。
以下、これらの工程について説明する。
【００３２】
ここで、図５（Ａ）は本発明の第３の実施形態に係る半導体ウェハを用いた半導体装置の製造方法のウェハマウント工程及び分割工程の説明図であり、図５（Ｂ）は本発明の第３の実施形態に係る半導体ウェハを用いた半導体装置の製造方法のダイスボンド工程の説明図である。なお、上記の本発明に係る工程例と同一の構成のものについては、同一の符号を付して説明を省略する。
【００３３】
図５（Ａ）に示すように、ウェハマウント工程（Ｓ５）においては、紫外線により粘着層が反応して粘着力が低下するダイシングテープ１１０上に、キャリア板付半導体ウェハ１０６を、キャリア板１０４表面とダイシングテープ１１０とが互いに向き合うように（キャリア板１０４の表面が接触するように）、リング１１２と共にマウントし、キャリア板１０４側からダイシングテープ１１０を介して接着固定する。
分割工程（Ｓ６）においては、半導体ウェハ１００の裏面からスクライブラインを検知可能な装置（例えば、赤外線カメラを搭載したダイシング装置）を用いて保護テープ１０２及びキャリア板１０４と共に半導体ウェハ１００をダイシングしてキャリア板付半導体チップ１３２とする。
【００３４】
図５（Ｂ）に示すように、ダイスボンド工程（Ｓ７）においては、キャリア板付半導体チップ１３２のキャリア板１３３側から紫外線を照射して、ダイシングテープ１１０の粘着力を低下させ、ダイシングテープ１１０を引き伸ばして各キャリア板付半導体チップ１３２を分離した後（エキスパンド）、キャリア板付半導体チップ１３２のキャリア板１３３側からダイシングテープ１１０を介して押し出し部材の一例である針部材１３４により押し出すと共に、ダイスボンド材１３６が付与されたリードフレームのダイパッド１３８にキャリア板付半導体チップ１３２の裏面を貼り付ける。
なお、ダイスボンド材１３６は半導体チップ１４０の裏面にダメージを与えることなく塗布することも可能である。
【００３５】
以上のようなダイスボンド工程によれば、キャリア板１３３を押し出し部材により押し出すので、半導体チップ１４０の裏面（切削面）を押し出し部材により押し出すのに比べ、半導体チップ１４０に与えるダメージを低減することができる。
【００３６】
その後、リードフレームを収納容器（マガジン）に収納し、収納容器ごと樹脂硬化のために加熱処理を施した後、例えば、粘着テープ等を用いて保護テープ１４２及びキャリア板１３３を剥離する（接着工程（Ｓ８）、キャリア板剥離工程）。なお、キャリア板１４２等の剥離は接着工程前に行うことも可能である。
【００３７】
また、少なくとも一方の面の粘着剤が、熱応答性粘着剤である保護テープを用いる場合には、上記接着工程及びキャリア板剥離工程は、以下のように行うことができる。
即ち、リードフレームを加熱し、ダイスボンド材１３６を硬化させて半導体チップ１４０をリードフレームに接着すると共に、保護テープ１４２の粘着剤の粘着力を低下させ、キャリア板１３３を半導体チップ１４０から剥離することができる（加熱工程）。
このとき、例えば、キャリア板設置工程において、保護テープ１０２の熱応答性粘着剤が付与された側の面と半導体ウェハ１００の表面とを接触させて貼り合わせた場合には、保護テープ１４２とキャリア板１３３を同時に半導体チップ１４０から剥離することができる。
【００３８】
また、ダイスボンドの終了したリードフレームを加熱する際、半導体チップ１４０の表面（回路面）が保護テープ１４２等により覆われていることにより、ダイスボンド材１３６の揮発成分により半導体チップ１４０の表面汚染によるワイヤ配線の接合性の低下やパッケージとしての耐湿性の低下等の発生を防止することができる。
【００３９】
（キャリア板）
キャリア板は、半導体ウェハの反り、たわみ等を矯正しかつその取り扱いを容易にするために、半導体ウェハの表面に貼り合わされるものであり、半導体ウェハの表面を全て覆うような円盤形状のものが好ましいが、本発明の効果を損なわない範囲で、例えば中心部が空洞となったドーナツ盤形状のものであってもよい。
【００４０】
キャリア板の厚さとしては、半導体ウェハの大きさ（径）にもよるが、４００〜１５００μｍであることが好ましく、５００〜１０００μｍであることがより好ましく、６００〜８００μｍであることがさらに好ましい。
また、キャリア板を構成する材料としては、研削層除去工程において使用されるエッチング液（例えば、ＨＦとＨＮＯ３の混合液）に対して耐性を有する材料が好ましく、具体的にはポリフッ化エチレン（テフロン（Ｒ））等が挙げられる。
【００４１】
（保護テープ）
保護テープは、半導体ウェハの回路面を機械的及び／又は化学的に保護する機能と、回路面の凹凸を吸収し均一に研削する機能とを有している。かかる保護テープは、ポリエステル等からなる基板、粘着剤及びセパレータ等で構成されており、基板の両方の面に粘着剤からなる粘着層が設けられている。
保護テープとしては、従来公知のもの（但し、両面に粘着性を有するもの）を使用することができる。
【００４２】
また、少なくとも一方の面の粘着剤が熱応答性粘着剤である保護テープにおける熱応答性粘着剤としては、発砲剤を含有した粘着剤が挙げらる。このような熱応答性粘着剤の保護テープとして、具体的には、例えば、リバアルファ（日東電工株式会社製）が挙げられる。
【００４３】
【発明の効果】
本発明の半導体ウェハを用いた半導体装置の製造方法によれば、半導体ウェハへのダメージを抑制して容易かつ安定して高品質の半導体装置の製造を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体ウェハを用いた半導体装置の製造方法のフロー図である。
【図２】本発明の半導体ウェハを用いた半導体装置の製造方法に係る工程例の概略説明図である。
【図３】本発明の半導体ウェハを用いた半導体装置の製造方法に係る工程例の概略説明図である。
【図４】（Ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る半導体ウェハを用いた半導体装置の製造方法のキャリア板設置工程の説明図であり、（Ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係る半導体ウェハを用いた半導体装置の製造方法の収納工程の説明図である。
【図５】（Ａ）は本発明の第３の実施形態に係る半導体ウェハを用いた半導体装置の製造方法のウェハマウント工程及び分割工程の説明図であり、（Ｂ）は本発明の第３の実施形態に係る半導体ウェハを用いた半導体装置の製造方法のダイスボンド工程の説明図である。
【図６】従来における半導体ウェハの収納時の状態説明図である。
【符号の説明】
１００…半導体ウェハ
１０２、１４２…保護テープ
１０４、１２４、１３３…キャリア板
１０６、１２６…キャリア板付半導体ウェハ
１０７…保持部
１０８…収納容器
１１０…ダイシングテープ
１１２…リング
１１４…ダイシングソー
１１６、１４０…半導体チップ
１１７、１３４…針部材
１１８…コレット
１２０、１３６…ダイスボンド材
１２２、１３８…ダイパッド
１２８…保持部
１３０…収納容器
１３２…キャリア板付半導体チップ
【図１】
0003553551.tif 000002
【図２】
0003553551.tif 000003
【図３】
0003553551.tif 000004
【図４】
0003553551.tif 000005
【図５】
0003553551.tif 000006
【図６】
0003553551.tif 000007