(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を表面に載置して熱処理する熱処理板を有する基板処理装置において，
前記熱処理板の裏面側から表面側に向けて設けられた有底孔と，
前記有底孔内に設けられ，前記熱処理板の温度を測定する温度センサと，
前記温度センサを前記有底孔の底部に固定するための固定部材と，
前記固定部材を押さえるための押さえ部材と，
前記固定部材と前記押さえ部材との間に挟まれる中間部材とを有し，
前記中間部材には，断熱材が使用されていることを特徴とする，基板処理装置。
【請求項２】
前記固定部材には，前記熱処理板と同一若しくはそれより高い熱伝導率を有する材質が使用されていることを特徴とする，請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記中間部材は，その内部が中空になっていることを特徴とする，請求項１又は２のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記固定部材の周面は，前記有底孔の内壁に適合する形状であることを特徴とする，請求項１，２又は３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記押さえ部材には，断熱材が使用されていることを特徴とする，請求項１，２，３又は４のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記温度センサは，前記熱処理板の温度を検出する検出部と，その検出部に接続された金属線とを有し，
前記検出部は，前記有底孔の底部に設けられ，
前記金属線は，前記検出部から前記有底孔の底部に沿って延伸する延伸部を有することを特徴とする，請求項１，２，３，４又は５のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記有底孔の底部には，凹部が形成されており，
前記温度センサの検出部は，前記凹部に設けられていることを特徴とする，請求項６に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記凹部は，前記検出部の外形に適合するように形成されていることを特徴とする，請求項７に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイスの製造におけるフォトリソグラフィー工程においては，半導体ウエハ（以下，「ウエハ」）の表面にレジスト液を塗布した後の加熱処理（プリベーキング）や，パターンの露光を行った後の加熱処理（ポストエクスポージャーベーキング），各加熱処理後の冷却処理等，種々の熱処理が行われている。
【０００３】
例えば上述した加熱処理は，通常加熱処理装置によって行われ，この加熱処理装置には，ウェハを載置して加熱するための円盤状の熱板が設けられており，この熱板には，熱源となるヒータが内蔵されている。そして，このヒータの発熱量を調節することによって，熱板温度を調節し，その熱板上に載置されるウェハを所定の温度で加熱できるようになっている。このようにヒータを調節するためには，熱板温度を測定する必要があるが，この測定は，通常温度センサを熱板に設けることによって実現されている。
【０００４】
温度センサの設置は，例えば熱板の裏面から表面に向けて有底孔を設け，その底部に温度センサを設けることによって行われる。この場合，温度センサが熱板に密着し，落下しないように，温度センサを下方から押さえ板や押さえ棒等で押さえる必要がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら，温度センサを，単純に押さえ棒等で押さえるようにすると，その押さえ部材を介して，外部からの熱が伝導し，温度センサ近辺の熱板温度が変化し，熱板の正確な温度を測定することができなくなる。そして，このように熱板温度が正確に測定できなくなると，ヒータの調節が適切に行われず，ウェハが所定の温度で加熱されなくなるため，歩留まりが低下することが懸念される。
【０００６】
また，近年は，熱板温度の応答性を向上させるため，熱板を薄型にする傾向があるが，熱板を薄型にした場合は，外部の熱が上記押さえ棒と熱板を介して直接ウェハに影響を与える恐れもある。
【０００７】
本発明は，かかる点に鑑みてなされたものであり，熱板等の熱処理板の有底孔内に設けられた温度センサを，外部からの熱の影響がないように押さえ，熱処理板温度を正確に測定できる基板処理装置を提供することをその目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
かかる目的を達成するために，請求項１によれば，基板を表面に載置して熱処理する熱処理板を有する基板処理装置において，前記熱処理板の裏面側から表面側に向けて設けられた有底孔と，前記有底孔内に設けられ，前記熱処理板の温度を測定する温度センサと，前記温度センサを前記有底孔の底部に固定するための固定部材と，前記固定部材を押さえるための押さえ部材と，前記固定部材と前記押さえ部材との間に挟まれる中間部材とを有し，前記中間部材には，断熱材が使用されていることを特徴とする基板処理装置が提供される。
【０００９】
このように，熱処理板の前記有底孔の底部に設けられた温度センサを固定部材で固定し，その固定部材と固定部材を押さえるための押さえ部材との間に，断熱材が使用された中間部材を挟むことによって，押さえ部材からの外部の熱が前記中間部材によって遮断され，外部の熱が温度センサやその周辺の熱処理板に伝導することが抑制される。したがって，温度センサが，外部の熱によって影響されず熱処理板の正確な温度を測定できる。
【００１０】
かかる請求項１の発明において，請求項２のように前記固定部材には，前記熱処理板と同一若しくはそれより高い熱伝導率を有する材質が使用されるようにしてもよい。このように，固定部材の材質に熱伝導性の優れたものを使用することによって，熱処理板の温度が固定部材に迅速に伝わり，固定部材の熱処理板に対する熱の応答性が向上する。そのため，熱処理板温度が変更され，熱処理板温度が変動している場合においても，前記固定部材と熱処理板との温度がほぼ一致し，温度センサが固定部材に接していても，熱処理板の正確な温度を測定することができる。なお，前記熱処理板と同一の熱伝導率を有する材質とは，当然全くの同一である必要はなく，温度センサの測定に支障がないものなら前記熱処理板よりも多少熱伝導率の低いものであってもよい。
【００１１】
以上で記載した請求項１と請求項２の各基板処理装置において，前記中間部材は，その内部が中空になっていてもよい。このように，中間部材を中空にすることによって，熱の伝わり易い固体部分が減少し，中間部材の断熱性が向上する。したがって，中間部材が外部からの熱をより一層遮断するため，温度センサが，外部の熱によって影響されず熱処理板の正確な温度を測定できる。
【００１２】
また，請求項４のように前記固定部材の周面が，前記有底孔の内壁に適合する形状になるようにしてもよい。このように，前記固定部材の周面を前記有底孔の内壁に適合する形状にすることにより，熱処理板の熱が固定部材に伝導しやすくなり，より一層迅速かつ完全に熱処理板の温度と固定部材の温度とを一致させることができる。したがって，熱処理板と固定部材に接触する温度センサの温度測定が適切に行われ，熱処理板の温度を正確に測定することができる。
【００１３】
さらに，請求項５のように前記押さえ部材には，断熱材が使用されるようにしてもよい。このように，押さえ部材に断熱材を使用することによって，外部の熱が押さえ部材を介して伝導することを抑制できる。
【００１４】
以上で記載した請求項１〜５の各基板処理装置において，請求項６のように前記温度センサは，前記熱処理板の温度を検出する検出部と，その検出部に接続された金属線とを有し，前記検出部は，前記有底孔の底部に設けられ，前記金属線は，前記検出部から前記有底孔の底部に沿って延伸する延伸部を有するようにしてもよい。
【００１５】
温度センサが，検出部と金属線によって構成されている場合，検出部に近い金属線は，その周りの熱を拾いその熱が検出部に伝達される。そのため，検出部での測定温度は，実際には，検出部に近い金属線の温度の影響を大きく受けている。そこで，請求項６のように，金属線が検出部から前記有底孔の底部に沿って延伸する延伸部を有するようにして，金属線の前記延伸部と前記検出部とを同じ条件の位置，すなわち有底孔の底部に配置し，前記延伸部の温度が前記検出部の温度と同じなるようにした。こうすることによって，検出部が金属線によって，測定温度を変えられることはなく，正確な温度測定が行われる。
【００１６】
かかる請求項６の発明において，請求項７のように前記有底孔の底部には，凹部が形成されており，前記温度センサの検出部は，前記凹部に設けられるようにしてもよい。このように，温度センサの検出部を，前記有底孔の底部に形成された凹部に設けることにより，前記検出部が熱処理板の温度を検出しやすくなるため，熱処理板の温度をより正確に測定することができる。また，請求項８のように前記凹部は，前記検出部の外形に適合するように形成されるようにしてもよい。こうすることにより，前記検出部と前記熱処理板との接触面積が増大し，更に正確に熱処理板の温度を測定することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下，本発明の好ましい実施の形態について説明する。図１は，本発明にかかる基板処理装置を有する塗布現像処理システム１の平面図であり，図２は，塗布現像処理システム１の正面図であり，図３は，塗布現像処理システム１の背面図である。
【００１８】
塗布現像処理システム１は，図１に示すように，例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部から塗布現像処理システム１に対して搬入出したり，カセットＣに対してウェハＷを搬入出したりするカセットステーション２と，塗布現像処理工程の中で枚葉式に所定の処理を施す各種処理装置を多段配置してなる処理ステーション３と，この処理ステーション３に隣接して設けられている図示しない露光装置との間でウェハＷの受け渡しをするインターフェイス部４とを一体に接続した構成を有している。
【００１９】
カセットステーション２では，載置部となるカセット載置台５上の所定の位置に，複数のカセットＣをＸ方向（図１中の上下方向）に一列に載置自在となっている。そして，このカセット配列方向（Ｘ方向）とカセットＣに収容されたウェハＷのウェハ配列方向（Ｚ方向；鉛直方向）に対して移送可能なウェハ搬送体７が搬送路８に沿って移動自在に設けられており，各カセットＣに対して選択的にアクセスできるようになっている。
【００２０】
ウェハ搬送体７は，ウェハＷの位置合わせを行うアライメント機能を備えている。このウェハ搬送体７は後述するように処理ステーション３側の第３の処理装置群Ｇ３に属するエクステンション装置３２に対してもアクセスできるように構成されている。
【００２１】
処理ステーション３では，その中心部に主搬送装置１３が設けられており，この主搬送装置１３の周辺には各種処理装置が多段に配置されて処理装置群を構成している。該塗布現像処理システム１においては，４つの処理装置群Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４が配置されており，第１及び第２の処理装置群Ｇ１，Ｇ２は現像処理システム１の正面側に配置され，第３の処理装置群Ｇ３は，カセットステーション２に隣接して配置され，第４の処理装置群Ｇ４は，インターフェイス部４に隣接して配置されている。さらにオプションとして破線で示した第５の処理装置群Ｇ５を背面側に別途配置可能となっている。前記主搬送装置１３は，これらの処理装置群Ｇ１，Ｇ３，Ｇ４，Ｇ５に配置されている後述する各種処理装置に対して，ウェハＷを搬入出可能である。なお，処理装置群の数や配置は，ウェハＷに施される処理の種類によって異なり，処理装置群の数は，１以上であれば４つで無くてもよい。
【００２２】
第１の処理装置群Ｇ１では，例えば図２に示すように，ウェハＷにレジスト液を塗布するレジスト塗布装置１７と，露光後のウェハＷを現像処理する現像処理装置１８とが下から順に２段に配置されている。処理装置群Ｇ２の場合も同様に，レジスト塗布装置１９と，現像処理装置２０とが下から順に２段に積み重ねられている。
【００２３】
第３の処理装置群Ｇ３では，例えば図３に示すように，ウェハＷを冷却処理するクーリング装置３０，レジスト液とウェハＷとの定着性を高めるためのアドヒージョン装置３１，ウェハＷを待機させるエクステンション装置３２，レジスト液中の溶剤を乾燥させるプリベーキング装置３３，３４及び現像処理後の加熱処理を施すポストベーキング装置３５，３６等が下から順に例えば７段に重ねられている。
【００２４】
第４の処理装置群Ｇ４では，例えばクーリング装置４０，載置したウェハＷを自然冷却させるエクステンション・クーリング装置４１，エクステンション装置４２，クーリング装置４３，本実施の形態にかかる基板処理装置としてのポストエクスポージャーベーキング装置（以下「ＰＥＢ装置」とする）４４，４５，ポストベーキング装置４６，４７等が下から順に例えば８段に積み重ねられている。
【００２５】
インターフェイス部４の中央部にはウェハ搬送体５０が設けられている。このウェハ搬送体５０はＸ方向（図１中の上下方向），Ｚ方向（垂直方向）の移動とθ方向（Ｚ軸を中心とする回転方向）の回転が自在にできるように構成されており，第４の処理装置群Ｇ４に属するエクステンション・クーリング装置４１，エクステンション装置４２，周辺露光装置５１及び図示しない露光装置に対してアクセスして，各々に対してウェハＷを搬送できるように構成されている。
【００２６】
次に上述したＰＥＢ装置４４の構成について説明する。図４に示すように，このＰＥＢ装置４４は，上側に位置して上下動自在な蓋体６０と，下側に位置して蓋体６０と一体となって処理室Ｓを形成する熱板収容部６１とを有している。
【００２７】
蓋体６０は，中心部に向かって次第に高くなる略円錐状の形態を有し，頂上部には排気部６０ａが設けられている。そして，処理室Ｓ内の雰囲気は排気部６０ａから均一に排気されるようになっている。
【００２８】
一方，熱板収容部６１には，ウェハＷを載置して加熱する熱処理板としての熱板６３が設けられている。この熱板６３は，厚みが例えば２〜１０ｍｍ程度の薄い円盤状に形成されており，その材質には，熱伝導性の優れたセラミックである例えば炭化ケイ素や窒化アルミニウムが用いられている。
【００２９】
熱板６３の裏面には，熱板６３の熱源となる発熱部であるヒータ６４が印刷技術を用いて設けられており，ヒータ６４は，温度制御装置６５によってその発熱量が制御されるようになっている。また，熱板６３には，熱板６３の裏面から表面に向けて所定深さの有底孔６６が設けられており，その有底孔６６内には，熱板６３の温度を測定するための測定手段である温度センサとしての熱電対６７が後述する設置機構Ｋによって設置されている。この熱電対６７による測定値は，温度制御装置６５に入力される。したがって，熱板６３の測定温度を受け取った温度制御装置６５は，その測定値に基づいてヒータ６４の発熱量を制御し，熱板６３を所定の温度に調節して，熱板６３上に載置されるウェハＷを所定の温度で加熱できるようになっている。
【００３０】
ここで，熱電対６７を有底孔６６に設置する設置機構Ｋについて詳しく説明すると，図５に示すように，前記有底孔６６の底部６６ａに前記熱電対６７が設けられている。この熱電対６７の下方には，熱電対６７を下方から固定するための固定部材としての固定板６８が設けられている。また，その固定板６８の下方には，断熱材，例えば樹脂，多孔質セラミック等を材質とする中間部材としての断熱部材６９が設けられている。さらに，この断熱部材６９の下方には，これらの熱電対６７や固定板６８及び断熱部材６９を下方から押さえるための押さえ部材７０が設けられている。なお，この押さえ部材７０の下端は，後述する支持台７９に固定され，支持されている。
【００３１】
上述した熱電対６７は，熱板温度を検出する検出部６７ａと，その検出部６７ａから前記温度制御装置６５まで伸びる金属線６７ｂとを有している。金属線６７ｂは，検出部６７ａから前記有底孔６６の底部６６ａに沿って延伸し，その後有底孔６６の内壁に沿って有底孔６６外に延伸するように設けられている。
【００３２】
前記固定板６８は，有底孔６６とほぼ同じ直径を有する円盤状に形成されており，その外周面が有底孔６６の内壁と適合するようになっている。また，固定板６８の材質には，熱板６３と同じ，熱伝導性の良いセラミックが使用されている。前記断熱部材６９は，外形が円柱状であり，その内部には，図６に示すように中空部６９ａが形成されている。押さえ部材７０の材質は，断熱材，例えば多孔質セラミックが使用されており，後述する支持台７９からの熱が押さえ部材７０に伝導し難くくなっている。
【００３３】
一方，熱板６３の下方には，図４に示すようにウェハＷを搬入出する際にウェハＷを支持し，昇降させるための昇降ピン７５が設けられており，この昇降ピン７５は，昇降駆動機構７６により上下に移動自在に構成されている。また，熱板６３の中央部付近には，熱板６３を鉛直方向に貫通する孔７７が設けられており，昇降ピン７５がこの孔７７を貫通し，熱板６３上に突出できるように構成されている。
【００３４】
また，熱板収容部６１は，熱板６３の外縁部を支持する支持部材７８と，その支持部材７８を支持する支持台７９を有している。支持部材７８には，熱板６３の熱を外部に逃がさないように断熱材が使用されている。また，支持台７９は，上面が開口した略筒状に形成されており，その上部に支持部材７８を支持している。
【００３５】
さらに，熱板収容部６１は，支持部材７８とその支持台７９とを囲む略筒状のサポートリング８０を有している。このサポートリング８０には，処理室Ｓ内に向けて例えば，不活性ガスを噴出する吹き出し口８０ａが設けられており，処理室Ｓ内をパージすることができる。また，サポートリング８０の外方には，熱板収容部６１の外周となる円筒状のケース８１が設けられている。
【００３６】
次に，以上のように構成されているＰＥＢ装置４４の作用について，塗布現像処理システム１で行われるフォトリソグラフィー工程のプロセスと共に説明する。
【００３７】
先ず，ウェハ搬送体７がカセットＣから未処理のウェハＷを１枚取りだし，第３の処理装置群Ｇ３に属するアドヒージョン装置３１に搬入する。このアドヒージョン装置３１において，レジスト液との密着性を向上させるＨＭＤＳなどの密着強化剤を塗布されたウェハＷは，主搬送装置１３によって，クーリング装置３０搬送され，所定の温度に冷却される。その後，ウェハＷは，レジスト塗布装置１７又１９，プリベーキング装置３３又は３４に順次搬送され，所定の処理が施される。その後，ウェハＷは，エクステンション・クーリング装置４１に搬送される。
【００３８】
次いで，ウェハＷはエクステンション・クーリング装置４１からウェハ搬送体５０によって取り出され，その後，周辺露光装置５１を経て露光装置（図示せず）に搬送される。露光処理の終了したウェハＷは，ウェハ搬送体５０によりエクステンション装置４２に搬送された後，主搬送装置１３に保持される。次いで，このウェハＷは，加熱処理が行われるＰＥＢ装置４４又は４５に搬送される。
【００３９】
そして，加熱処理の終了したウェハＷは，主搬送装置１３によりクーリング装置４３，現像処理装置１８又は２０，ポストベーキング装置３５，３６，４６又は４７，クーリング装置３０と順次搬送され，各装置において所定の処理が施される。その後，ウェハＷは，エクステンション装置３２を介して，ウェハ搬送体７によってカセットＣに戻され，一連の所定の塗布現像処理が終了する。
【００４０】
次に上述したＰＥＢ装置４４の作用について詳しく説明する。先ず，ウェハＷの加熱処理を開始する前に，熱板６３の温度を所定の温度に加熱し，維持する。この際に，熱電対６７は，逐次熱板６３の温度を測定しそのデータは温度制御装置６５に入力される。そのデータを受け取った温度制御装置６５は，そのデータに基づいてヒータ６４を調節するようにして，熱板６３の温度が所定の温度に加熱，維持される。このとき，押さえ部材７０と固定板６８との間に断熱部材６９を設けているため，熱電対６７は，外部からの熱の影響を受けず正確な熱板温度を測定することができる。
【００４１】
そして，加熱処理が開始されると，蓋体６０が図示しない駆動機構により上昇され，前工程，すなわちパターンの露光処理が終了したウェハＷが主搬送装置１３によってＰＥＢ装置４４内に搬入される。そして，ＰＥＢ装置４４内に搬入されたウェハＷは，予め熱板６３上方の所定の位置で待機していた昇降ピン７５上に支持される。
【００４２】
次いで，蓋体６０が下降され，熱板収容部６１と一体となって処理室Ｓが形成される。このとき，サポートリング８０の吹き出し口８０ａから不活性ガスの供給が開始される。この不活性ガスが処理室Ｓを通って排気部６０ａから排気されることにより気流が発生し，以後加熱処理が終了するまで，処理室Ｓ内の雰囲気がパージされる。
【００４３】
その後，ウェハＷは，昇降駆動機構７６により昇降ピン７５と共に下降され，熱板６３上に載置される。そして，ウェハＷが載置されると同時に加熱が開始される。その後，ウェハＷは，所定時間加熱される。この加熱中においても，熱板６３の温度を所定温度に維持するために，熱電対６７による正確な温度測定が逐次行われ，その測定結果に基づいて，温度制御装置６５によるヒータ６８の調節が行われている。
【００４４】
そして，所定時間経過後，ウェハＷは昇降ピン７５により再び上昇されて，熱板６３による加熱が終了する。次いで，蓋体６０が上昇され，処理室Ｓが開放される。そして，ウェハＷが昇降ピン７５から主搬送装置１３に受け渡され，ウェハＷがＰＥＢ装置４４内から搬出されて一連の加熱処理が終了する。
【００４５】
また，ウェハ処理のレシピが変更され，加熱温度が変更された場合には，熱板６３の設定温度が変更される。この際にも熱電対６７の温度測定に基づいて，ヒータ６８の発熱量の調節が行われ，熱板６３を変更された所定温度に加熱する。このとき，熱電対６７に接触し，熱電対６７を下方から固定している固定板６８は，熱伝導性の優れた熱板６３と同じ材質でできており，さらに上述したように有底孔６６の内壁に適合するような形状に形成されているため，熱板６３に対する熱の応答性が良く，常に熱板６３の温度とほぼ同じ温度を維持している。したがって，熱板温度が変動している時でも，熱電対６７がリアルタイムで熱板６３の正確な温度を測定できる。
【００４６】
以上の実施の形態によれば，押さえ部材７０と固定板６８との間に断熱部材６９を設けたため，外部，すなわち支持台７９側からの熱の伝導を遮断し，熱板温度に熱的な影響を与えないため，熱板温度を維持・調節する際の熱電対６７の温度測定が適切に行われる。また，断熱部材６９の内部を中空にしたため，断熱部材６９の断熱性がさらに向上し，外部の熱をより効果的に遮断している。
【００４７】
また，熱電対６７を固定する固定板６８に熱板６３と同じ熱伝導性の良い材質を使用し，さらに，固定板６８を有底孔６６の内壁に適合する形状にしたため，固定板６８が，熱板温度の変化に迅速に応答し，常に熱板温度とほぼ同じ温度を保つことができる。そのため，熱板温度が急激に変動している際にも，固定板６８と接触している熱電対６７が熱板温度を正確に測定することができる。
【００４８】
さらに，押さえ部材７０に断熱材を使用しため，支持台７９の熱が押さえ部材７０に伝導することを抑制できる。
【００４９】
また，熱電対６７の検出部６７ａに近い，延伸部としての金属線６７ｂを，有底孔６６の底部６６ａに沿って延伸させて設けたため，検出温度に影響を与える，検出部６７ａに近い金属線６７ｂを，検出部６７ａと同じ有底孔６６の底部６６ａに配置することができるので，検出部６７ａによる熱板温度の検出がより正確に行われる。
【００５０】
以上の実施の形態では，熱電対６７の検出部６７ａを有底孔６６の底部６６ａと固定板６８との間に挟むようにして設けたが，図７に示すように有底孔６６の底部６６ａに凹部６６ｂを設け，その凹部６６ｂに検出部６７ａを嵌合させるようにして設けてもよい。前記凹部６６ｂは，検出部６７ａの外形に適合するように形成され，本実施の形態のように検出部６７ａが球形の場合には，半球状に形成される。このように，検出部６７ａを前記凹部６６ｂに嵌合させて設けることによって，検出部６７ａと熱板６３との接触面積が増大し，熱板６３の温度をより正確に検出することができる。
【００５１】
また，上記の実施の形態では，固定部材６８に熱板６３と同じ材質を使用していたが，熱板６３より熱伝導率の高い材質，例えばアルミニウム，銅等を使用するようにしてもよい。このようにすれば，固定部材６８の熱伝導性が向上するため，熱板６３の熱をより早く吸収し，熱板６３に対する熱の応答性が向上する。したがって，熱板温度を急激に変更させた場合でも，熱板６３と固定部材６８との温度差をより小さくすることができ，熱電対６７がより正確な熱板温度を測定することができる。
【００５２】
以上の実施の形態にかかる基板処理装置は，ＰＥＢ装置４４又は４５についてであったが，他の加熱処理装置，例えばプリベーク装置３３又は３４，ポストベーク装置３５，３６，４６又は４７においても応用できる。また，ウェハＷを載置して冷却処理する冷却板を有するクーリング装置３０，４０又は４３においても応用できる。
【００５３】
また，以上で説明した実施の形態は，半導体ウェハデバイス製造プロセスのフォトリソグラフィー工程におけるウェハＷの処理装置についてであったが，本発明は半導体ウェハ以外の基板例えばＬＣＤ基板の処理装置においても応用できる。
【００５４】
【発明の効果】
請求項１〜８によれば，外部からの熱が押さえ部材を介して熱板や温度センサに伝導することが抑制できるため，温度センサの測定を正確に行うことができる。したがって，熱処理板温度の維持・調節を正確に行うことができるため，その熱処理板に載置される基板の処理が適切な温度で行われ，歩留まりの向上が図られる。
【００５５】
特に，請求項２によれば，固定部材に熱処理板と同一若しくはそれより高い熱伝導率を有する材質を使用するため，固定部材の熱処理板に対する熱の応答性が向上し，固定部材と熱処理板との温度差を小さく保つことができる。そのため，温度センサが固定部材に接触していても，熱処理板の温度を正確に測定することができる。また，熱処理板の温度を変更する場合においても，固定部材の温度が熱処理板の温度変化に迅速に応答するため，温度センサは，熱処理板の温度を迅速かつ正確に測定することができる。したがって，その測定結果に基づいて行われる熱処理板の温度調節も迅速かつ正確に行われ，その熱処理板上で行われる基板処理のスループットと歩留まりの向上が図られる。
【００５６】
また，請求項３によれば，中間部材が外部からの熱をより確実に遮断できるため，温度センサの測定がより一層正確に行われる。
【００５７】
請求項４によれば，固定部材の温度が安定し，温度センサの測定がより一層正確に行われる。
【００５８】
請求項５によれば，押さえ部材を介する外部からの熱の伝達を抑制し，熱処理板の温度を正確に測定することができる。
【００５９】
請求項６によれば，温度センサの温度測定が適切に行われ，その熱処理板に載置される基板の処理が適切な温度で行われ，歩留まりの向上が図られる
【００６０】
請求項７又は８によれば，温度センサが，熱処理板の温度をより正確かつ迅速に測定することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態にかかるＰＥＢ装置を有する塗布現像処理システムの構成の概略を示す平面図である。
【図２】図１の塗布現像処理システムの正面図である。
【図３】図１の塗布現像処理システムの背面図である。
【図４】本実施の形態にかかるＰＥＢ装置の縦断面の説明図である。
【図５】ＰＥＢ装置の熱板における熱電対の設置機構を示す縦断面の説明図である。
【図６】断熱部材の縦断面の説明図である。
【図７】有底孔の底部に凹部を設けた場合の熱板の縦断面の説明図である。
【符号の説明】
１    塗布現像処理システム
４４    ＰＥＢ装置
６３    熱板
６６    有底孔
６６ａ  底部
６７    熱電対
６８    固定板
６９    断熱部材
７０    押さえ部材
Ｋ    設置機構
Ｓ    処理室
Ｗ    ウェハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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