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【誤訳訂正書】
【提出日】平成29年7月14日(2017.7.14)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コーティング可能な組成物の作製方法であって、
水性液媒中に分散されたシリカナノ粒子を含む第１の組成物を提供する工程であって、前記シリカナノ粒子が４５ナノメートル以下の平均粒子径を有し、前記第１の組成物が８より大きいｐＨを有する、工程、
無機酸を用いて前記第１の組成物を４以下のｐＨまで酸性化して第２の組成物を提供する工程、及び
前記第２の組成物中に少なくとも１種の金属化合物を溶解して、コーティング可能な組成物を提供する工程であって、前記少なくとも１種の金属化合物が、銀化合物、亜鉛化合物、又は銅化合物のうち少なくとも１種を含む工程、を含む、方法。
【請求項２】
抗菌性物品の作製方法であって、
ａ）水性液媒中に分散されたシリカナノ粒子を含む第１の組成物を提供する工程であって、前記シリカナノ粒子が４５ナノメートル以下の平均粒子径を有するモードで粒子径分布を有し、前記第１の組成物が８より大きいｐＨを有する、工程、
ｂ）無機酸を用いて前記第１の組成物を４以下のｐＨまで酸性化して第２の組成物を提供する工程、及び
ｃ）前記第２の組成物中に少なくとも１種の金属化合物を溶解して、コーティング可能な組成物を提供する工程であって、前記少なくとも１種の金属化合物が、銀化合物、亜鉛化合物、又は銅化合物のうち少なくとも１種を含む、工程、及び
ｄ）前記コーティング可能な組成物の層を基材の表面にコーティングする工程、及び
ｅ）前記コーティング可能な組成物の前記層を少なくとも部分的に乾燥して、前記基材の前記表面上に配設された抗菌層を形成する工程、を含む、方法。
【請求項３】
金属カチオンを含有する非晶質のシリカマトリックスを含む抗菌性組成物であって、前記非晶質のシリカマトリックスが、平均粒子径が１０ナノメートル以下の粒子径分布を有する相互接続した球体のシリカナノ粒子を含み、前記金属カチオンの過半数が前記非晶質のシリカマトリックス中に個別に配置されており、前記金属カチオンが、銀カチオン、亜鉛カチオン、又は銅カチオンのうち少なくとも１種を含み、前記金属カチオンが前記非晶質抗菌性組成物における前記金属カチオンとシリコンとの合計モルの０．５〜２０モルパーセントを構成する、抗菌性組成物。
【請求項４】
基材の表面に配設された非晶質の抗菌性組成物の層を備える抗菌性物品であって、前記非晶質の抗菌性組成物が、金属カチオンを含有するシリカマトリックスを含み、前記金属カチオンが、銀カチオン、亜鉛カチオン、又は銅カチオンのうち少なくとも１種を含み、前記シリカマトリックスが、平均粒子径が１０ナノメートル以下の粒子径分布を有する相互接続した球体のシリカナノ粒子を含み、前記金属カチオンがｎ＋の電荷を有し、ｎが２以上の整数を表し、前記金属カチオンの過半数が前記シリカマトリックス中に個別に配置されており、前記金属カチオンが前記非晶質抗菌性組成物における金属カチオンとシリコンとの合計モルの０．５〜２０モルパーセントを構成する、抗菌性物品。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
更に別の態様では、本開示は、金属カチオンを含有する非晶質のシリカマトリックスを含む抗菌性組成物を提供し、非晶質のシリカマトリックスは、相互接続したシリカナノ粒子を含み、金属カチオンの過半数は非晶質のシリカマトリックス中に個別に配置されており、金属カチオンは銀カチオン、亜鉛カチオン、又は銅カチオンのうち少なくとも１種を含み、金属カチオンは非晶質抗菌性組成物における金属カチオンとシリコンとの合計モルの０．５〜２０モルパーセントを構成する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１１】
更に別の態様では、本開示は、基材の表面に配設された非晶質の抗菌性組成物の層を備える抗菌性物品を提供し、非晶質の抗菌性組成物は金属カチオンを含有するシリカマトリックスを含み、シリカマトリックスは、平均粒子径が１００ナノメートル以下の粒子径分布を有する相互接続したシリカナノ粒子を含み、金属カチオンはｎ＋の電荷を有し、ｎは２以上の整数を表し、金属カチオンの過半数はシリカマトリックス中に個別に配置されており、金属カチオンは非晶質の抗菌性組成物における金属カチオンとシリコンとの合計モルの０．５〜２０モルパーセントを構成する。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６５】
第１５の実施形態では、本開示は、金属カチオンを含有する非晶質のシリカマトリックスを含む抗菌性組成物であって、前記非晶質のシリカマトリックスが、相互接続したシリカナノ粒子を含み、前記金属カチオンの過半数が前記非晶質のシリカマトリックス中に個別に配置されており、前記金属カチオンが、銀カチオン、亜鉛カチオン、又は銅カチオンのうち少なくとも１種を含み、前記金属カチオンが前記非晶質抗菌性組成物における前記金属カチオンとシリコンとの合計モルの０．５〜２０モルパーセントを構成する、抗菌性組成物を提供する。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６８】
第１８の実施形態では、本開示は、基材の表面に配設された非晶質の抗菌性組成物の層を備える抗菌性物品であって、前記非晶質の抗菌性組成物が、金属カチオンを含有するシリカマトリックスを含み、前記シリカマトリックスが、平均粒子径が１００ナノメートル以下の粒子径分布を有する相互接続したシリカナノ粒子を含み、前記金属カチオンがｎ＋の電荷を有し、ｎが２以上の整数を表し、前記金属カチオンの過半数が前記シリカマトリックス中に個別に配置されており、前記金属カチオンが前記非晶質抗菌性組成物における金属カチオンとシリコンとの合計モルの０．５〜２０モルパーセントを構成する、抗菌性物品、を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月15日(2016.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダプソン、ジエチレングリコールモノエチルエーテルである第１の可溶化剤、任意に少なくとも１つの第２の可溶化剤、ポリマー粘度上昇剤、および水を含む組成物であって、前記ダプソンが、約３％ｗ／ｗ〜約１０％ｗ／ｗの濃度で前記組成物中に存在する、組成物。
【請求項２】
前記ジエチレングリコールモノエチルエーテルが、約２０％ｗ／ｗ〜約３０％ｗ／ｗの濃度で存在する、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記ジエチレングリコールモノエチルエーテルが、約２５％ｗ／ｗの濃度で前記組成物中に存在する、請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
アダパレンをさらに含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
前記アダパレンが、約０．１％ｗ／ｗ〜約０．３％ｗ／ｗの濃度で存在する、請求項４に記載の組成物。
【請求項６】
前記第２の可溶化剤がＰＥＧ４００、乳酸、ジメチルイソソルビド、プロピレングリコール、プロピレンカーボネート、ヘキシレングリコール、イソステアリルアルコール、ジエチルセバケート、またはエタノールである、請求項１に記載の組成物。
【請求項７】
前記第２の可溶化剤が、プロピレングリコールである、請求項６に記載の組成物。
【請求項８】
前記第２の可溶化剤が、プロピレンカーボネートである、請求項６に記載の組成物。
【請求項９】
前記第２の可溶化剤が、エタノールである、請求項６に記載の組成物。
【請求項１０】
前記ポリマー粘度上昇剤が、アクリルアミド／アクリロイルジメチルタウリン酸ナトリウムコポリマーを含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項１１】
前記ポリマー粘度上昇剤が、約２％ｗ／ｗ〜約６％ｗ／ｗの濃度で存在する、請求項１に記載の組成物。
【請求項１２】
前記ポリマー粘度上昇剤が、約４％ｗ／ｗの濃度で存在する、請求項１に記載の組成物。
【請求項１３】
メチルパラベンをさらに含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項１４】
カルボマーインターポリマーＡ型、カルボマーインターポリマーＢ型、またはカルボマーホモポリマーＣ型をさらに含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項１５】
中和剤をさらに含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項１６】
前記中和剤が、ＮａＯＨまたはトリエタノールアミンである、請求項１５に記載の組成物。
【請求項１７】
エチレンジアミン四酢酸をさらに含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項１８】
皮膚科学的状態を治療するための、請求項１に記載の組成物。
【請求項１９】
前記状態が、尋常性座瘡、酒さ、アトピー性皮膚炎、慢性創傷の治療、褥瘡、毛孔性角化症、脂腺嚢胞、炎症性皮膚病、炎症後色素沈着過度、湿疹、乾燥症、掻痒症、扁平苔癬、結節性痒疹、皮膚炎、湿疹、または汗疹である、請求項１８に記載の組成物。
【請求項２０】
前記状態が、尋常性座瘡である、請求項１９に記載の組成物。
【請求項２１】
皮膚科学的状態の治療用医薬を製造するための、請求項１に記載の組成物の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月16日(2016.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の構造を有する治療上有効な量のシクロヘキセノン化合物、あるいは、その薬学的に許容可能な塩、代謝物、溶媒和物、または、プロドラッグを含む、被験体の神経変性疾患を処置し、またはそのリスクを低減させるために使用される医薬組成物であって、
【化１】
2016500074.tif 000001
ここで、ＸおよびＹの各々は、独立して酸素、ＮＲ５、または硫黄であり、
Ｒは水素またはＣ（＝Ｏ）Ｃ１−Ｃ８アルキルであり、
Ｒ１、Ｒ２、およびＲ３の各々は、独立して、水素、メチル、または（ＣＨ２）ｍ−ＣＨ３であり、
Ｒ４は、ＮＲ５Ｒ６、ＯＲ５、ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ７、Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ５、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ５、Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ５Ｒ６、ハロゲン、５または６員環ラクトン、Ｃ１−Ｃ８アルキル、Ｃ２−Ｃ８アルケニル、Ｃ２−Ｃ８アルキニル、アリール、グルコシルであり、ここで、５または６員環ラクトン、Ｃ１−Ｃ８アルキル、Ｃ２−Ｃ８アルケニル、Ｃ２−Ｃ８アルキニル、アリール、およびグルコシルは、ＮＲ５Ｒ６、ＯＲ５、ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ７、Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ５、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ５、Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ５Ｒ６、Ｃ１−Ｃ８アルキル、Ｃ２−Ｃ８アルケニル、Ｃ２−Ｃ８アルキニル、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル、および、Ｃ１−Ｃ８ハロアルキルから選ばれた１つ以上の置換基によって随意に置換され、
Ｒ５およびＲ６の各々は、独立して、水素またはＣ１−Ｃ８アルキルであり、
Ｒ７はＣ１−Ｃ８アルキル、ＯＲ５、またはＮＲ５Ｒ６であり、
ｍ＝１−１２であり、および、
ｎ＝１−１２である、医薬組成物。
【請求項２】
前記医薬組成物は、被験体におけるβ−アミロイドによって誘発されたニューロンの損傷を抑制する、請求項1に記載の医薬組成物。
【請求項３】
前記神経変性疾患は、アルツハイマー病、パーキンソン病、多発性硬化症、および、筋萎縮性側索硬化症からなる群から選択される、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項４】
前記神経変性疾患は、アルツハイマー病またはパーキンソン病である、請求項３に記載の医薬組成物。
【請求項５】
以下の構造を有する治療上有効な量のシクロヘキセノン化合物、あるいは、その薬学的に許容可能な塩、代謝物、溶媒和物、または、プロドラッグを含む、被験体におけるβ−アミロイドによって誘発された疾患の処置のために使用される医薬組成物であって、
【化２】
2016500074.tif 000002
ここで、ＸおよびＹの各々は、独立して酸素、ＮＲ５または硫黄であり、
Ｒは水素またはＣ（＝Ｏ）Ｃ１−Ｃ８アルキルであり、
Ｒ１、Ｒ２、およびＲ３の各々は、独立して、水素、メチル、または（ＣＨ２）ｍ−ＣＨ３であり、
Ｒ４は、ＮＲ５Ｒ６、ＯＲ５、ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ７、Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ５、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ５、Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ５Ｒ６、ハロゲン、５または６員環ラクトン、Ｃ１−Ｃ８アルキル、Ｃ２−Ｃ８アルケニル、Ｃ２−Ｃ８アルキニル、アリール、グルコシルであり、ここで、５または６員環ラクトン、Ｃ１−Ｃ８アルキル、Ｃ２−Ｃ８アルケニル、Ｃ２−Ｃ８アルキニル、アリール、およびグルコシルは、ＮＲ５Ｒ６、ＯＲ５、ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ７、Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ５、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ５、Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ５Ｒ６、Ｃ１−Ｃ８アルキル、Ｃ２−Ｃ８アルケニル、Ｃ２−Ｃ８アルキニル、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル、および、Ｃ１−Ｃ８ハロアルキルから選ばれた１つ以上の置換基によって随意に置換され、
Ｒ５およびＲ６の各々は、独立して、水素またはＣ１−Ｃ８アルキルであり、
Ｒ７はＣ１−Ｃ８アルキル、ＯＲ５またはＮＲ５Ｒ６であり、
ｍ＝１−１２であり、および、
ｎ＝１−１２である、医薬組成物。
【請求項６】
β−アミロイドによって誘発された疾患は、アルツハイマー病またはダウン症候群である、請求項５に記載の医薬組成物。
【請求項７】
前記医薬組成物は、経口で、非経口で、または静脈内に投与される、請求項１乃至６のいずれか１つに記載の医薬組成物。
【請求項８】
前記医薬組成物は、Ａｎｔｒｏｄｉａ  ｃａｍｐｈｏｒａｔｅから単離されるか、合成的にまたは半合成的に調製される、請求項１または５に記載の医薬組成物。
【請求項９】
Ｒは水素、Ｃ（＝Ｏ）Ｃ３Ｈ８、Ｃ（＝Ｏ）Ｃ２Ｈ５、または、Ｃ（＝Ｏ）ＣＨ３である、請求項１または５に記載の医薬組成物。
【請求項１０】
Ｒ１、Ｒ２、および、Ｒ３の各々は、独立して、水素、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、または、オクチルである、請求項１または５に記載の医薬組成物。
【請求項１１】
Ｒ１、Ｒ２、および、Ｒ３の各々は水素またはメチルである、請求項１０に記載の医薬組成物。
【請求項１２】
Ｒ４は、Ｃ２Ｈ５Ｃ（ＣＨ３）２ＯＨ、Ｃ２Ｈ５Ｃ（ＣＨ３）２ＯＣＨ３、ＣＨ２ＣＯＯＨ、Ｃ２Ｈ５ＣＯＯＨ、ＣＨ２ＯＨ、Ｃ２Ｈ５ＯＨ、ＣＨ２Ｐｈ、Ｃ２Ｈ５Ｐｈ、ＣＨ２ＣＨ＝Ｃ（ＣＨ３）（ＣＨＯ）、ＣＨ２ＣＨ＝Ｃ（ＣＨ３）（Ｃ（＝Ｏ）ＣＨ３）、５または６員環ラクトン、Ｃ１−Ｃ８アルキル、アリール、または、グルコシルであり、ここで、５または６員環ラクトン、Ｃ１−Ｃ８アルキル、アリール、およびグルコシルは、ＮＲ５Ｒ６、ＯＲ５、ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ７、Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ５、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ５、Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ５Ｒ６、Ｃ１−Ｃ８アルキル、Ｃ２−Ｃ８アルケニル、Ｃ２−Ｃ８アルキニル、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル、および、Ｃ１−Ｃ８ハロアルキルから選ばれた１つ以上の置換基で随意に置換される、請求項１または５に記載の医薬組成物。
【請求項１３】
Ｒ４は、ＮＲ５Ｒ６、ＯＲ５、ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ７、Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ５、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ５、Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ５Ｒ６、Ｃ１−Ｃ８アルキル、Ｃ２−Ｃ８アルケニル、Ｃ２−Ｃ８アルキニル、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル、および、Ｃ１−Ｃ８ハロアルキルから選ばれた１つ以上の置換基によって随意に置換されたＣ１−Ｃ８アルキルである、請求項１２に記載の医薬組成物。
【請求項１４】
Ｒ４はＣＨ２ＣＨ＝Ｃ（ＣＨ３）２である、請求項１３に記載の医薬組成物。
【請求項１５】
前記シクロヘキセノン化合物は以下のとおりである、請求項１４に記載の医薬組成物。
【化３】
2016500074.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月17日(2016.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
溶接プラスチック管の製造において熱可塑性プロファイル（１）を螺旋状に巻回する方法であって、
複数のスライド手段（２，３）を含むモジュール（１２）を提供する工程と、
熱可塑性プロファイル（１）を、製造される管（４）の軸心方向に配置されるとともに実質的に前記管（４）の内径に対応する直径を有する実質的に円筒状の巻回表面を規定する前記複数のスライド手段（２，３）上に受ける工程と、
前記プロファイルの両側エッジ（１ａ，１ｂ）を溶接のために互いに押し付けるために、前記プロファイル（１）を、螺旋状経路（Ｓ）に沿って、前記プロファイル（１）の先行の巻回部に向けて案内する工程と、
前記熱可塑性プロファイル（１）のテンションと、それによって、当該プロファイルが、前記スライド手段（２，３）によって規定される前記巻回面周りで収縮する力とを調節するために、前記モジュール（１２）をブラケットの軸心に沿ってスライドさせることによって前記スライド手段の径方向位置を調節する工程とを含む、方法。
【請求項２】
前記熱可塑性プロファイル（１）は、製造される前記管（４）の軸心方向において対で配設された回転バー（２，３）上で巻回される、請求項１に記載の溶接プラスチック管の製造において熱可塑性プロファイル（１）を螺旋状に巻回する方法。
【請求項３】
前記スライド手段（２，３）は、前記管（４）の径方向（Ｄ）においてブラケット（１５）上で移動される、請求項１又は２に記載の、溶接プラスチック管の製造において熱可塑性プロファイル（１）を螺旋状に巻回する方法。
【請求項４】
径の異なる管（４）を製造するために、前記スライド手段（２，３）の前記径方向位置（Ｄ）を、前記調節手段（１６）によって前記ラジアルブラケット（１５）に沿ってシフトする、請求項３に記載の、溶接プラスチック管の製造において熱可塑性プロファイル（１）を螺旋状に巻回する方法。
【請求項５】
螺旋巻回管を製造するための巻回装置であって、
製造される管（４）の軸心方向に配設されるとともにこの製造される管の内径に対応する直径を有する実質的に円筒状の巻回面を規定する複数のスライド手段（２，３）を含むモジュール（１２）と、
熱可塑性プロファイル（１）を受け取り、当該プロファイルの両側エッジ部（１ａ，１ｂ）を溶接するために押し付けるべく、前記螺旋状経路（Ｓ）に沿って当該プロファイルの先行の巻回部に向けて案内する案内手段（１０）と、
前記熱可塑性プロファイル（１）のテンションと、それによって前記プロファイル自身が前記スライド手段（２，３）によって形成される前記巻回面周りで締め付けられる力とを調節するために、前記モジュール（１２）を前記装置のブラケットの軸心に沿ってスライドさせることによって前記スライド手段（２，３）のラジアル位置（Ｄ）をシフトさせるための調節手段（１６）とを備える、装置。
【請求項６】
前記スライド手段（２，３）は、製造される前記管（４）の軸心方向において対で配設された回転バーである、請求項５に記載の螺旋巻回管を製造するための巻回装置。
【請求項７】
前記案内手段は、前記管（４）の径方向（Ｄ）においてブラケット（１５）に沿って移動可能な一体ユニット（１２）を形成するべく前記スライド手段（２，３）と密接に（ｉｎ  ｃｌｏｓｅ  ｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ）配置された回転ローラ（１０）である、請求項５又は６に記載の螺旋巻回管を製造するための巻回装置。
【請求項８】
前記調節手段（１６）は、径の異なる管（４）の製造を可能にするために、前記スライド手段（２，３）の前記径方向位置（Ｄ）を、前記ラジアルブラケット（１５）に沿ってシフトするように構成されている、請求項７に記載の螺旋巻回管を製造するための巻回装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月25日(2016.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
溶融ガラスをガラスリボンに成形するための成形用内部空間を画成するようにこの空間の側方周囲を閉じ、下方に下部開口を有する第一周壁と、
前記成形用内部空間に配置され、溶融ガラスを下方に流下させてガラスリボンに成形する成形体と、
前記第一周壁に対して間隙を置いて下方に配置され、前記ガラスリボンが通過する上部開口を有するとともに、該ガラスリボンを受け入れる内部空間を画成するようにこの空間の側方周囲を閉じる第二周壁と、
この第二周壁内に配置され、前記成形手段を経たガラスリボンを挟み付けて下方に引き下ろすローラ対と、
基端が前記第一周壁の内面に固定され、先端が前記基端よりも下方に位置する形状を有して、前記成形用内部空間の温度を調整するための仕切り板と、
一部が開いた箱型の形状を有するトレイと、
このトレイを前記間隙に挿入、かつそこから退出可能とし、挿入した際に、トレイの開いた部分が前記仕切り板の先端の下側において、該先端に沿って延びる状態に保持可能なトレイ保持機構とを有するガラス成形装置。
【請求項２】
前記トレイ保持機構が、前記第二周壁の上端面を含む部分からなる請求項１記載のガラス成形装置。
【請求項３】
前記トレイが、Ｕ字状の断面形状を有するものである請求項１または２記載のガラス成形装置。
【請求項４】
前記トレイの開いた部分の長さが前記仕切り板の先端の横幅以上とされている請求項１から３いずれか１項記載のガラス成形装置。
【請求項５】
前記仕切り板が、先端がガラスリボンの幅方向に延びる状態に形成されて、該ガラスリボンの両側にそれぞれ配置され、
前記トレイが、２つの前記仕切り板に各々対応させて２個設けられている請求項１から４いずれか１項記載のガラス成形装置。
【請求項６】
フュージョンドローガラス成形装置である請求項１から５いずれか１項記載のガラス成形装置。
【請求項７】
溶融ガラスをシート状のガラスリボンに成形するための成形用内部空間を画成するようにこの空間の側方周囲を閉じ、下方に下部開口を有する第一周壁と、
前記成形用内部空間に配置され、溶融ガラスを下方に流下させてガラスリボンに成形する成形手段と、
前記第一周壁に対して間隙を置いて下方に配置され、前記ガラスリボンが通過する上部開口を有するとともに、該ガラスリボンを受け入れる内部空間を画成するようにこの空間の側方周囲を閉じる第二周壁と、
この第二周壁内に配置され、前記成形手段を経たガラスリボンを挟み付けて下方に引き下ろすローラ対と、
基端が前記第一周壁の内面に固定され、先端が前記基端よりも下方に位置する形状を有して、前記成形用内部空間の温度を調整するための仕切り板と、
前記ローラ対よりも上の位置において前記第二周壁の一部に形成され、該第二周壁の内部と外部とを連通させる切欠と、
一部が開いた箱型の形状を有するトレイと、
前記トレイを、その開いた部分が横方向を向く状態で前記切欠から第二周壁内に進入、かつそこから退出可能とし、進入した後、前記開いた部分が上方向を向くまで回転することを許容し、この回転後に、トレイが前記仕切り板の先端の下側において、該先端に沿って延びる状態に該トレイを保持するトレイ回転保持機構とを有するガラス成形装置。
【請求項８】
前記トレイ保持機構が、
前記トレイの一端部を固定して前記仕切り板の先端と平行な方向に延びるロッドと、
このロッドを回転自在に保持する部分および、この部分から上下に延びて前記トレイを通過させる部分とからなる貫通孔を有する架台とを備えたものである請求項７記載のガラス成形装置。
【請求項９】
前記トレイ保持機構が、前記ロッドを回転させるハンドルを備えたものである請求項８記載のガラス成形装置。
【請求項１０】
前記トレイが、Ｕ字状の断面形状を有するものである請求項７から９いずれか１項記載のガラス成形装置。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年12月6日(2016.12.6)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３１】
本明細書に開示されるゴム組成物の特定の実施形態は、プロセスオイルを全く含まなくてもよく、または非常にわずかに、例えば５ｐｈｒ以下で含んでいてもよい。プロセスオイルは、当業者に周知であり、一般に石油から抽出され、パラフィン、芳香族またはナフタレンタイプのプロセスオイル（ＭＥＳおよびＴＤＡＥ油を含む）であると分類される。プロセスオイルはまた、とりわけ植物系油、例えばヒマワリ油、菜種油および植物油を含むことが知られている。本明細書に開示されるゴム組成物の一部は、エラストマー、例えばスチレン−ブタジエンゴムを含んでいてもよく、これは１つ以上のこうしたプロセスオイルで油展がなされているが、こうした油は、ゴム組成物の総エラストマー含有量の１０ｐｈｒ以下であるように、特定の実施形態のゴム組成物において制限される。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年11月15日(2016.11.15)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
二酸化マンガン含有原料から金属有価物を回収する方法であって、
ａ．他の金属類をも含有する二酸化マンガン含有原料を得る工程、
ｂ．ＭｎＯを生成させ、他の金属類を遊離させるために、二酸化マンガン含有原料をＮＨ３と反応させ、溶液を生成する、工程、
ｃ．金属塩類を生成するために、無機酸を用いて前記反応させた原料を浸出させる、工程、
ｄ．他の金属類を沈殿させて前記金属塩類から前記他の金属類を回収する工程、
及び
ｅ．少なくとも前記工程ｂの後に実施される、マンガン酸化物及びマンガン水酸化物を沈殿させて回収する工程を含む方法。
【請求項２】
前記二酸化マンガン含有原料は、任意の水域から得られる重合団塊である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記二酸化マンガン含有原料は、深海マンガン団塊である、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記二酸化マンガン含有原料は、海中採鉱によって回収されるマンガン含有団塊である、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記二酸化マンガン含有原料は、任意の水域から得られる重合団塊について化学的処理または冶金処理をすることによって得られる、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記重合団塊を圧潰または粉砕する工程をさらに含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記二酸化マンガン含有原料を洗浄することによって塩化物を除去することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記工程ｂは温度を上昇させて実施される、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記二酸化マンガン含有原料は、ニッケル、コバルト、鉄、銅、マグネシウム、アルミニウム、カルシウム、カドミウム、カリウム、ナトリウム、ジルコニウム、チタン、亜鉛、鉛、セリウム、モリブデン、リン、バリウム、及びバナジウムからなる群から選択される少なくとも１つの金属類をも含む、方法であって、
ｆ．あらゆる鉄を水酸化第二鉄残渣として沈殿させるよう、前記溶液にアルカリ土類酸化物、アルカリ土類水酸化物、またはアルカリ土類炭酸塩を添加することと、
ｇ．前記溶液を濾過して前記残渣を除去することと、
ｈ．前記溶液中に存在する銅、鉛、及びカドミウムをいずれも硫化物として沈殿させることと、
ｉ．コバルト及びニッケル硫化物を沈殿させて、アルカリ土類塩類を残留させることとを、前記ａ〜ｅの工程に加えて実施する、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記溶液から、銅、鉛、またはカドミウムを沈殿させることは、前記溶液のｐＨを低く調整し、前記溶液にＨ２ＳまたはＮａＨＳを導入して硫化物を生成することによって実現される、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記コバルト及びニッケル硫化物の沈殿は、前記溶液のｐＨを上昇させ、該溶液に、追加のＨ２ＳまたはＮａＨＳを導入することによって実行される、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
マンガン酸化物及びマンガン水酸化物の沈殿は、前記溶液のｐＨを約９にまで上昇させることによって実行される、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記二酸化マンガン含有原料はまた鉄をも含み、
ｊ．水酸化第二鉄残渣として沈殿させるよう、前記溶液にアルカリ土類酸化物、アルカリ土類水酸化物、またはアルカリ土類炭酸塩を添加することと、
ｋ．前記溶液を濾過して前記残渣を除去することとを、前記ａ〜ｅの工程に加えて実施する、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記二酸化マンガン含有原料は、銅、鉛、及びカドミウムをも含み、
前記溶液中に存在する銅、鉛、及びカドミウムを硫化物として沈殿させること、
をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記二酸化マンガン含有原料は、コバルト及びニッケルをも含み、
コバルト及びニッケル硫化物を沈殿させて、アルカリ土類塩類を残留させること、
をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
二酸化マンガン含有原料から硝酸産物を生産する方法であって、
ａ．他の金属類をも含有する二酸化マンガン含有原料を得る工程、
ｂ．ＭｎＯを生成させ、他の金属類を遊離させるために、前記二酸化マンガン含有原料をＮＨ３と反応させ、溶液を生成する、工程、
ｃ．金属硝酸塩を生成するために、硝酸を用いて前記反応させた原料を浸出させる、工程、
ｄ．他の金属類を沈殿させて前記金属硝酸塩から前記他の金属類を回収する工程、
及び
ｅ．少なくとも前記工程ｂの後に実施される、マンガン酸化物及びマンガン水酸化物を沈殿させて回収し、硝酸産物を残留させる工程、
を含む方法。
【請求項１７】
前記硝酸産物はリサイクル可能な硝酸塩である、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記硝酸産物は硝酸肥料産物である、請求項１６に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２５】
他の実施例
マンガン含有原料は、代わりに、産業廃棄物または化学処理して得たもの、あるいは土を採鉱して得られた鉱石を用いてもよい。これらの鉱石には、マンガン、またはこのような鉱石を処理することによって得られるマンガン含有原料を含む。このマンガン含有原料は、任意の水域から得られた重合団塊について、事前に、化学的処理または冶金処理をすることによって得られる。
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月9日(2016.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
過熱から保護するべき電気機器（４６；７８）のための２つの電気接続端子（３９、４０；５９、６０）と、少なくとも１つの温度依存スイッチ（１０；６３、６４；１１２）とを備えた過熱保護回路であって、
ＤＣ電圧用の電子半導体スイッチ（４１；６２；９４；１０１）を少なくとも１つ備えること、
前記温度依存スイッチ（１０；１１２）が温度依存スイッチング機構（１１）と、接続端子（３９、４０）に接続された２つの固定接点（３１、３２）と、２つの受け接点（２７、２８）とを備え、前記受け接点が互いに電気的に接続されており、温度により前記２つの固定接点（３１、３２）と支持接触し、この接触状態において前記固定接点を電気的に互いに接続すること、並びに
２つの半導体スイッチ（９４；１０１）が備えられ、該半導体スイッチ（９４；１０１）がそれぞれ制御入力（９５；１０２）を備え、少なくとも前記温度依存スイッチ（１０）が閉じているとき制御入力（９５；１０２）が前記スイッチング機構（１１）を介して前記受け接点（２７、２８）と電気的に接続されており、半導体スイッチ（９５；１０１）がそれぞれ第１の電流端子（９６；１０３）及び第２の電流端子（９７；１０４）を備え、一方の半導体スイッチ（９４）の第１の電流端子（９６）はもう一方の半導体スイッチ（１０１）の第１の電流端子（１０３）と接続され、一方の半導体スイッチの第２の電流端子（９７）ともう一方の半導体スイッチ（１０１）の第２の電流端子（１０４）は接続端子（３９、４０；５９、６０）の一方と接続されていること
を特徴とする過熱保護回路。
【請求項２】
前記半導体スイッチ（４１）が電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）、又は金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳ‐ＦＥＴ）を含むことを特徴とする請求項１に記載の過熱保護回路。
【請求項３】
前記スイッチング機構（１１）が、前記電気的に相互に接続されている２つの受け接点（２７、２８）が配置されている電流伝達素子（２４；１１３）を備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の過熱保護回路。
【請求項４】
前記温度依存スイッチング機構（１１）がばね部（２１、２２）を備え、ばね部が前記電流伝達素子（２４）を支持してこれと電気的に導通するよう接続され、かつ少なくとも前記温度依存スイッチ（１０）が閉じているときに前記制御入力（４９）と電気的に導通するよう接続されていることを特徴とする請求項３に記載の過熱保護回路。
【請求項５】
前記スイッチ（１０）がハウジング（１２）を有し、ハウジングが前記スイッチング機構（１１）を収納し、下部（１４）及び上部（１５）を有し、上部の内側（２９）に配置された固定接点（３１、３２）を有することを特徴とする請求項４に記載の過熱保護回路。
【請求項６】
前記ばね部（２１、２２）が、少なくとも温度依存スイッチ（１０）が閉じているときに下部（１４）で支持されているバイメタルスナップアクションディスク（２２）であることを特徴とする請求項４に記載の過熱保護回路。
【請求項７】
前記ばね部（２１、２２）が、少なくとも温度依存スイッチ（１０）が閉じているときには下部（１４）によって支持されているばねスナップアクションディスク（２１）であり、自体のスイッチング温度を超えると固定接点（３１、３２）から電流伝達素子（２４）を離れさせるバイメタルスナップアクションディスク（２２）が備えられていることを特徴とする請求項４に記載の過熱保護回路。
【請求項８】
前記下部（１４）が導電性であることを特徴とする請求項６又は７に記載の過熱保護回路。
【請求項９】
前記ばね部（２１、２２）が常に下部（１４）と電気的に接続されていることを特徴とする請求項８に記載の過熱保護回路。
【請求項１０】
自己保持抵抗器（３７）が固定接点（３１、３２）の間に接続されていることを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載の過熱保護回路。
【請求項１１】
固定接点（３１、３２）のうち１つ（３１）とそれに関連付けられた接続端子（３９）との間に加熱抵抗器（５６）が接続されていることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項に記載の過熱保護回路。
【請求項１２】
電流伝達素子（２４）が、２つの受け接点（２７、２８）が配置された導電性の接点板（２４）であり、２つの受け接点が接点板（２４）を介して互いに電気的に導通するよう接続されており、接点板（２４）がスイッチング機構（１１）と電気的に導通するように接続されていることを特徴とする請求項３〜１１のいずれか一項に記載の過熱保護回路。
【請求項１３】
前記電流伝達素子（２４、１１３）が、２つの受け接点（２７、２８）が配置された導電性のばね部（１１３）であり、２つの受け接点がばね部（１１３）を介して互いに電気的に導通するように接続されていることを特徴とする請求項３に記載の過熱保護回路。
【請求項１４】
前記ばね部（１１３）がバイメタルスナップアクションディスク（１１３）であることを特徴とする請求項１３に記載の過熱保護回路。
【請求項１５】
前記ばね部（１１３）が常に前記制御入力（４９）と接続されていることを特徴とする請求項１４に記載の過熱保護回路。
【請求項１６】
２つの温度依存スイッチ（６３、６４）が備えられており、前記温度依存スイッチが２つの外部端子（７２、７３；７４、７５）間の電気的接続を温度により確立したり開いたりする温度依存スイッチング機構（７６、７７）をそれぞれ備え、それぞれの場合において、それぞれのスイッチ（６３、６４）の１つの外部端子（７２、７４）が接続端子（５９、６０）の一方に接続されているか、又はそれ自体が接続端子の役割を果たし、他方の外部端子（７３、７５）が互いに接続されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の過熱保護回路。
【請求項１７】
請求項１〜１６のいずれか一項に記載の過熱保護回路を備える電気機器（４６；７８）。
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月1日(2016.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
検査装置であって；
２つ以上の導電性トラックが上に配置された基板と；
少なくとも１つの導電性トラックの一部の上に配置された試薬組成物と；
前記２つ以上の導電性トラックの一部を覆い、前記基板とともにサンプル収容室を形成する最上層とを含み；
少なくとも１つの導電性トラックが導電性ポリマーを含む、検査装置。
【請求項２】
前記装置が、２、３、４、５、または６個の導電性トラックを含み、各トラックが導電性ポリマーを含む、請求項１に記載の検査装置。
【請求項３】
前記導電性ポリマーが、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリフルオレン、ポリアセチレン、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）、ポリ（３，４−プロピレンジオキシチオフェン）、ポリ（３，３−ジベンジル−３，４−プロピレンジオキシチオフェン）、ポリ（３−４−エチレンジオキシチオフェン）、ビス−ポリ（エチレングリコール）、ラウリル末端ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−ブロックＰＥＧ、およびテトラメタクリレートでエンドキャップされたポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）、またはそれらの組み合わせを含む、請求項１または請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記導電性ポリマーが、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）と対イオンとを含む複合体である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の装置。
【請求項５】
前記対イオンが、ポリスチレンスルホネート（ＰＳＳ）、パークロレート、パークロレートｐ−トルエン（ｐｅｒｃｈｌｏｒａｔｅ  ｐ−ｔｏｌｕｅｎｅ）、スルホネートｐ−トルエン（ｓｕｌｆｏｎａｔｅ  ｐ−ｔｏｌｕｅｎｅ）、トシレートから選択される、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記導電性ポリマーが、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）およびポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）を含む複合体である、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
導電性ポリマーを含む前記少なくとも１つの導電性トラックが、炭素、金、白金、銀、パラジウム、銅、インジウムスズ酸化物、およびそれらの組み合わせを含む群から選択される別の導電性材料をさらに含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の装置。
【請求項８】
前記試薬組成物が、オキシドレダクターゼ酵素およびメディエーター化合物を含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の装置。
【請求項９】
前記オキシドレダクターゼが、グルコースオキシダーゼ、グルコースデヒドロゲナーゼ、乳酸デヒドロゲナーゼ、アルコールデヒドロゲナーゼ、ヒドロキシ酪酸デヒドロゲナーゼ、コレステロールオキシダーゼ、アミノ酸オキシダーゼ、ピルビン酸オキシダーゼ、ペルオキシダーゼ、サルコシンオキシダーゼ、乳酸オキシダーゼ、アルコールオキシダーゼ、モノアミンオキシダーゼ、グリセロールオキシダーゼ、グリセロールリン酸オキシダーゼ、尿酸オキシダーゼ、キサンチンオキシダーゼ、アスコルビン酸オキシダーゼ、カタラーゼ、ジアホラーゼ、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記グルコースデヒドロゲナーゼが、キノプロテイングルコースデヒドロゲナーゼ、ＦＡＤ依存性グルコースデヒドロゲナーゼ、およびＮＡＤ依存性グルコースデヒドロゲナーゼから選択される、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記ＦＡＤ依存性グルコースデヒドロゲナーゼが、Ｓｅｋｉｓｕｉ  ＤｉａｇｎｏｓｔｉｃｓのＦＡＤ依存性グルコースデヒドロゲナーゼ（カタログ番号ＧＬＤＥ−７０−１１９２（Ｅ．Ｃ．番号１．１．９９．１０）、アスペルギルス種（Ａｓｐｅｒｇｉｌｌｕｓ  ｓｐ．）由来）、またはＢＢＩ  ｅｎｚｙｍｅｓのＦＡＤ依存性グルコースデヒドロゲナーゼ（カタログ番号ＧＬＤ１）である、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記メディエーター化合物が、フェリシアン化カリウム、フェロセン誘導体、フェノキサジン誘導体、フェノチアジン誘導体、キノン誘導体、および可逆レドックス遷移金属錯体、特にルテニウムおよびオスミウムの錯体、ニコチンアミドアデニンジヌクレオチド（リン酸塩）、ジイミン類、フェナントロリン誘導体、ジクロロフェノールインドフェノール、テトラゾリウム染料、フェニルイミノ−ベンゾフェノキサジン、ならびにそれらの組み合わせを含む群から選択される、請求項８〜１１のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１３】
前記メディエーター化合物が３−（３’，５’−ジカルボキシ−フェニルイミノ）−３Ｈ−フェノチアジンである、請求項８〜１２のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１４】
前記オキシドレダクターゼ酵素および／または前記メディエーター化合物が、化学結合または物理的閉じ込めによって、前記導電性ポリマー中に混入される、または前記導電性ポリマーに結合する、請求項８〜１３のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１５】
リンカー分子を使用して、前記メディエーターを前記導電性ポリマーに結合させることで、前記オキシドレダクターゼ酵素分子の活性部位と電極表面との間に前記メディエーターを移動させ、それによって前記酵素から前記電極への電子の移動を促進させる、請求項１４に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月2日(2016.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＥＵＶリソグラフィー用光学系の反射性光学素子の製造方法であって、
前記反射性光学素子（２０）は、ＥＵＶ波長域の動作波長である入射電磁波を反射し位相φの反射波を得る多層系（２３、８３）と、キャッピング層材料からなるキャッピング層（２５、８５）とを備え、
前記製造方法は、
ａ）前記キャッピング層材料について、前記キャッピング層の厚さに対する、前記反射波の前記位相の依存曲線を決定するステップと、 
ｂ）前記依存曲線における直線領域であり、前記キャッピング層（２５、８５）の前記厚さに伴って、前記反射波の前記位相が実質的に直線的に変化する領域を決定するステップと、
ｃ）前記キャッピング層（２５、８５）に厚さプロファイルを生成して、該厚さプロファイルにおける最大層厚及び最小層厚の両方が前記直線領域内となるようにするステップと、を含む、製造方法。
【請求項２】
前記キャッピング層（２５、８５）内において厚さプロファイルを生成する前記ステップｃ）は、前記光学系内の波面収差が前記反射性光学素子（２０）によって少なくとも部分的には補償されるように、実施される、請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記キャッピング層（２５、８５）内において厚さプロファイルを生成する前記ステップｃ）は、前記キャッピング層の厚さｄの変化に対する前記位相φの変化の比率が２５％超、特に３５％超、さらに特に４０％超となるように、実施されることを特徴とする、請求項１又は２に記載の製造方法。
【請求項４】
前記キャッピング層の厚さに対する、前記反射波の前記位相の依存曲線は、前記位相φは、最初、厚さｄ１に到達するまでは実質的に一定であり、前記厚さｄ１と、ｄ１＜ｄ２である他の厚さｄ２との間で減少し、ｄ２より大きい厚さで実質的に一定であり、前記キャッピング層（２５、８５）内において厚さプロファイルを生成する前記ステップｃ）は、結果的に得られる前記キャッピング層（２５、８５）の厚さｄがｄ１＜ｄ＜ｄ２の条件を満たすように実施されることを特徴とする、請求項１〜３の何れか一項に記載の製造方法。
【請求項５】
-  前記キャッピング層材料について、前記キャッピング層（２５、８５）の厚さに対する、前記反射性光学素子（２０）の反射率の依存曲線を決定するステップと、
-  前記反射性光学素子（２０）の前記反射率が実質的に一定であるプラトー領域を前記依存曲線中で決定するステップと、を更に含み、 
-  前記キャッピング層に厚さプロファイルを生成する前記ステップｃ）において、前記厚さプロファイルにおける最大層厚及び最小層厚の両方が前記プラトー領域内となるようにすることを特徴とする、請求項１〜４の何れか一項に記載の製造方法。
【請求項６】
ＥＵＶリソグラフィー用光学システムの反射性光学素子の製造方法であって、
前記反射性光学素子（２０）は、ＥＵＶ波長域の動作波長である入射電磁波を反射する多層系（２３、８３）と、キャッピング層材料からなるキャッピング層（２５、８５）とを備え、
前記製造方法は、
１）前記キャッピング層材料について、前記キャッピング層の厚さに対する、前記反射性光学素子（２０）の反射率の依存曲線を決定するステップと、
２）前記反射性光学素子（２０）の前記反射率が実質的に一定であるプラトー領域を前記依存曲線中で決定するステップと、
３）前記キャッピング層（２５、８５）に厚さプロファイルを生成して、該厚さプロファイルにおける最大層厚及び最小層厚の両方が前記プラトー領域内となるようにする、ステップと、を含む、製造方法。
【請求項７】
前記キャッピング層（２５、８５）に厚さプロファイルを生成する前記ステップｃ）は、前記厚さプロファイルにおける前記最大層厚及び前記最小層厚の両方が、１ｎｍ〜４ｎｍの領域内となるように実施される、請求項１〜６の何れか一項に記載の製造方法。
【請求項８】
前記キャッピング層（２５、８５）材料は、ルテニウム、ロジウム、又は窒化ケイ素を含む、請求項１〜７の何れか一項に記載の製造方法。
【請求項９】
前記多層系（２３、８３）は、シリコン及びモリブデンからなる交互配置されたサブレイヤを有する、請求項１〜８の何れか一項に記載の製造方法。
【請求項１０】
請求項１〜９の何れか一項に記載の製造方法を用いて製造された、ＥＵＶリソグラフィー用反射性光学素子。
【請求項１１】
ＥＵＶリソグラフィー用反射性光学素子であって、 
・ＥＵＶ波長域の動作波長である入射電磁波を反射し、位相φを有する反射波を生成するための多層系（２３、８３）と、 
・キャッピング層材料から形成されるキャッピング層（２５、８５）と、を備え、
・前記キャッピング層（２５、８５）は、キャッピング層厚の変化に対する位相φの変化の比率が２５％超となるように、キャッピング層厚にばらつきを有していることを特徴とする、反射性光学素子。
【請求項１２】
前記キャッピング層（２５、８５）は、前記キャッピング層厚の変化に対する前記位相φの変化の比率が３５％超、特に、４０％超となるように、キャッピング層厚にばらつきを有していることを特徴とする、請求項１１に記載の反射性光学素子。
【請求項１３】
請求項１０〜１２の何れか一項に記載の反射性光学素子を備える、ＥＵＶリソグラフィー用光学系。
【請求項１４】
投影系として実装される、請求項１３に記載のＥＵＶリソグラフィー用光学系。
【請求項１５】
前記反射性光学素子（２０）は、下式により定義されるパラメータＰ（Ｍ）が０．２未満であり、特に、０．１未満である前記光学系内の平面に配置されることを特徴とする、請求項１３又は１４に記載の光学系。
Ｐ（Ｍ）＝Ｄ（ＳＡ）／（Ｄ（ＳＡ）＋Ｄ（ＣＲ））
（ここで、Ｄ（ＳＡ）はサブ開口直径を示し、Ｄ（ＣＲ）は、対象とする面内の光学表面Ｍ上における、光学的に使用される全フィールドポイントについて決定される最大主光線間隔を示す。）
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月24日(2016.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
本出願はまた、２０１３年１１月２６日に出願され、あらゆる目的のために本書に組み込まれている、「モータモジュール、多軸モータ駆動アセンブリ、多軸ロボット装置、並びに、電子デバイス製造のシステム及び方法（ＭＯＴＯＲ  ＭＯＤＵＬＥＳ，  ＭＵＬＴＩ−ＡＸＩＳ  ＭＯＴＯＲ  ＤＲＩＶＥ  ＡＳＳＥＭＢＬＩＥＳ，  ＭＵＬＴＩ−ＡＸＩＳ  ＲＯＢＯＴ  ＡＰＰＡＲＡＴＵＳ，  ＡＮＤ  ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣ  ＤＥＶＩＣＥ  ＭＡＮＵＦＡＣＴＵＲＩＮＧ  ＳＹＳＴＥＭＳ  ＡＮＤ  ＭＥＴＨＯＤＳ）」と題された、米国特許出願番号１４/０９０，９２９（代理人整理番号２１５０９／ＦＥＧ／ＳＹＮＸ／ＰＪＴ）に関する。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月18日(2016.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワークデバイスであって、
ネットワークインターフェースと、
認可証明書を含むメモリと、
サービスプロバイダから受信された認可トークンを、前記認可証明書を使用して検証し、前記サービスプロバイダが要求された動作を前記ネットワークデバイスとともに実行することを認可されているかどうかを判定することであって、前記サービスプロバイダがモバイルネットワーク事業者であること、および
前記認可トークンに含まれる動作特権を行使すること
を含む機能を実行するためのプロセッサとを備え、
前記プロセッサおよび前記メモリは、前記ネットワークデバイスの埋込み汎用集積回路カード（eUICC）内に構成される、
ネットワークデバイス。
【請求項２】
前記プロセッサは、前記認可トークンをデバイス管理機関に送信するかまたは前記デバイス管理機関によって認可されている場合に前記サービスプロバイダに送信するよう命令することを含む動作をさらに実行する、請求項1に記載のネットワークデバイス。
【請求項３】
前記認可証明書は、選択され、前記埋込み汎用集積回路カード(eUICC)の前記メモリにプログラムされる、請求項1に記載のネットワークデバイス。
【請求項４】
前記プロセッサは、前記認可トークンに含まれる前記サービスプロバイダに関連する動作特権を指定するための機能をさらに実行する、請求項1に記載のネットワークデバイス。
【請求項５】
ネットワークデバイスによって実施される方法であって、
サービスプロバイダから受信された認可トークンを、認可証明書を使用して前記ネットワークデバイスの埋込み汎用集積回路カード(eUICC)で検証し、前記サービスプロバイダが要求された動作を前記ネットワークデバイスとともに実行することを認可されているかどうかを判定するステップであって、前記サービスプロバイダがモバイルネットワーク事業者であるステップと、
前記認可トークンに含まれる動作特権を前記ネットワークデバイスの前記埋込み汎用集積回路カードで行使するステップとを含む方法。
【請求項６】
前記認可トークンをデバイス管理機関に送信するかまたは前記デバイス管理機関によって認可されている場合に前記サービスプロバイダに送信するよう命令するステップをさらに含む、請求項5に記載の方法。
【請求項７】
前記認可証明書は、前記ネットワークデバイスの埋込み汎用集積回路カード(eUICC)に記憶されるかまたは前記デバイス管理機関に記憶される、請求項5に記載の方法。
【請求項８】
前記ネットワークデバイスが前記認可証明書に基づいて前記認可トークンを生成するかまたはデバイス管理機関が前記認可証明書に基づいて前記認可トークンを生成し、前記デバイス管理機関は前記認可トークンを前記サービスプロバイダに送信する、請求項5に記載の方法。
【請求項９】
前記認可証明書は、バイナリストリング、パスワード、対称鍵、または公開鍵のうちの少なくとも1つである、請求項5に記載の方法。
【請求項１０】
前記認可トークンに含まれる前記サービスプロバイダに関連する動作特権を指定するステップをさらに含む、請求項5に記載の方法。
【請求項１１】
前記動作特権は、前記サービスプロバイダの1組のデータまたはサービスのロード、削除、有効化、または無効化を含む、請求項1に記載のデバイスまたは請求項10に記載の方法。
【請求項１２】
前記サービスプロバイダによって提供される前記サービスは、少なくともモバイルネットワーク接続サービスを含む、請求項11に記載のデバイスまたは方法。
【請求項１３】
前記動作特権に関連付けられた前記サービスプロバイダが前記認可トークンにおいて指定される、請求項11に記載のネットワークデバイスまたは方法。
【請求項１４】
前記動作特権の有効性が前記認可トークンにおいて指定される、請求項11に記載のネットワークデバイスまたは方法。
【請求項１５】
前記認可トークンは、1回使用認可トークンまたは複数回使用認可トークンである、請求項1に記載のネットワークデバイスまたは請求項5に記載の方法。
【請求項１６】
請求項5乃至15の何れか1項に記載の方法を実施するためのコードを含む、ネットワークデバイスにおいて実行されるコンピュータプログラム。