(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気記録媒体上を相対的に移動して情報を書き込む磁気抵抗効果素子部を備える薄膜磁気ヘッドであって、該素子部は水素化非晶質炭素系被膜から構成された、下部ギャップ絶縁層、及び上部ギャップ絶縁層にて挟持され、前記上部ギャップ絶縁層の膜中水素濃度が、前記下部ギャップ絶縁層の膜中水素濃度より高いことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
磁気記録媒体上を相対的に移動して情報を書き込む磁気抵抗効果素子部を備える薄膜磁気ヘッドであって、該素子部は基板上に形成され、水素化非晶質炭素系被膜から構成された、下部ギャップ絶縁層、及び上部ギャップ絶縁層にて挟持され、前記上部ギャップ絶縁層の圧縮応力が、前記下部ギャップ絶縁層の圧縮応力より低いことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
前記下部ギャップ絶縁層は、中間体を介して前記基板上に形成されることを特徴とする、請求項１または２に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
前記上部ギャップ絶縁層は、中間体を介して前記下部ギャップ絶縁層上に形成されることを特徴とする、請求項１〜３のうちいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
前記中間体の膜厚が２００Å以下、又は前記下部ギャップ絶縁層、或るいは上部ギャップ絶縁層の膜厚の１／５以下であることを特徴とする、請求項１〜４のうちいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】
前記上部ギャップ絶縁層は、前記磁気抵抗効果素子部上に直接形成された、前記中間体を介して形成されることを特徴とする、請求項１〜５のうちいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】
前記中間体は、Ｓｉ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｃ、Ｇｅ、Ｚｒ、或るいはＴｉ、又はこれらの元素と窒素、酸素のうち少なくとも１種の元素との混合物であることを特徴とする、請求項１〜６のうちいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項８】
前記下部ギャップ絶縁層、又は上部ギャップ絶縁層は、Ｃ、Ｈ又はこれらの元素とＳｉ、Ｂ、Ｎ、Ｏのうち少なくとも１種の元素からなることを特徴とする、請求項１〜７のうちいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項９】
前記下部ギャップ絶縁層、又は上部ギャップ絶縁層の水素濃度が５〜６５原子％であることを特徴とする、請求項１〜９のうちいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１０】
前記下部ギャップ絶縁層、又は上部ギャップ絶縁層の炭素原子間の結合のうち、２５％以上がｓｐ３結合であることを特徴とする、請求項１〜９のうちいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１１】
前記下部ギャップ絶縁層、又は上部ギャップ絶縁層を形成する被膜の内部応力が、０．５〜９．０ＧＰａであること特徴とする、請求項１〜１０のうちいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１２】
前記下部ギャップ絶縁層、又は上部ギャップ絶縁層を形成する被膜の比抵抗が、１０9〜１０12Ωｃｍであること特徴とする、請求項１〜１１のうちいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、パーソナルコンピュータ、或るいはワークステーション等の情報処理装置に用いられるハ−ドディスク、或るいはフロッピーディスク等の磁気記録媒体（以下「記録媒体」と称する。）上を相対的に移動して情報を読み出したり、或るいは書き込んだりする磁気抵抗効果素子部を有する薄膜磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、薄膜磁気ヘッドは記録媒体への情報の高密度記録に際して用いられている。斯かる薄膜磁気ヘッドとしては、特開平６−２２３３３１号公報に開示されたものがあり、図７はそのヘッドの概略断面図である。
【０００３】
従来の薄膜磁気ヘッドは、図７に示すように、基板１の上部にダイヤモンドライクカーボン（以下「ＤＬＣ」と称する。）からなる絶縁層２０、シールド層３、ＤＬＣからなる絶縁層２１、磁気抵抗効果素子部（以下「ＭＲ素子層」と称する。）５、リード層６−Ａ、６−Ｂ、ＤＬＣからなる絶縁層２２、及びシールド層８を順次積層した構成となっている。
【０００４】
更に、図８は、ＭＲ素子層５、リード層６−Ａ及びリード層６−Ｂの部分拡大図である。
【０００５】
図８によれば、短冊状のＭＲ素子層５の両端にリード層６−Ａ、及びリード層６−Ｂが接続されている。ＭＲ素子層５は基板１側から、軟磁性体層１０、非磁性の中間層１１、及び磁性抵抗層１２が順次積層形成されており、軟磁性体層１０は磁気抵抗層１２にバイアス磁界を印加するための膜であり、また非磁性の中間層１１は軟磁性体層１０と磁気抵抗層１２を磁気的に分離するための膜であり、更に磁気抵抗層１２は磁束の変化を信号に変換するための膜である。
【０００６】
ここで、上述の薄膜磁気ヘッドを用いて記録媒体に情報を記録するに際しては、ＭＲヘッドのリード層６−Ａ、６−Ｂに定格電流を流すことによって、電流はリード層６−Ａ、ＭＲ素子層５、及びリード層６−Ｂを順次流れた後、電源に戻る。このときＭＲ素子層５に流れる電流により、電流方向とは直角方向に磁界が発生し、磁気抵抗層１２と軟磁性体層１０に磁界が誘起され、カップリングの効果により磁気抵抗層１２が通電方向とは直角方向にバイアスされる。
【０００７】
このバイアスされた状態で、外部から磁界を受けると、磁気抵抗層１２の抵抗が磁界の変化に伴って変化し、この抵抗の変化を信号として処理することにより出力を得ることが可能となる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
然し乍ら、一般的にＤＬＣは内部応力、特に圧縮応力が大きく、この圧縮応力の作用によりＤＬＣに密着している物体には、引張力が作用する。
【０００９】
従って、上述のような薄膜磁気ヘッドにあっては、リード層６−Ａ、リード層６−Ｂ、及びＭＲ素子層５は、特に絶縁層２２によって挟持されているため、ＭＲ素子層５は絶縁層２１、絶縁層２２の圧縮応力によって変形されて、所望の電気的特性を得ることができなくなってしまい、信頼性の上で問題があった。
【００１０】
更に、上述のように高い圧縮応力を持つ絶縁層をシールド層上に直接形成したのでは、絶縁層の圧縮応力の作用より、経年変化して当該絶縁層を含むその上層部が基板から剥離する可能性があった。
【００１１】
そこで、本発明は、ＭＲ素子層が水素を含む被膜、特に水素化非晶質炭素系被膜からなる絶縁層で挟持されていても、そのＭＲ素子層の変形を伴うことなく、所望の電気的特性を得ることが可能であるとともに、絶縁層を含むその上層部が基板から剥離することがなく、信頼性が高い薄膜磁気ヘッドを提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の薄膜磁気ヘッドは、磁気記録媒体上を相対的に移動して情報を書き込む磁気抵抗効果素子部を備える薄膜磁気ヘッドであって、該素子部は水素化非晶質炭素系被膜から構成された、下部ギャップ絶縁層、及び上部ギャップ絶縁層にて挟持され、前記上部ギャップ絶縁層の膜中水素濃度が、前記下部ギャップ絶縁層の膜中水素濃度より高いことを特徴とする。
【００１５】
本発明の薄膜磁気ヘッドは、磁気記録媒体上を相対的に移動して情報を書き込む磁気抵抗効果素子部を備える薄膜磁気ヘッドであって、該素子部は基板上に形成され、水素化非晶質炭素系被膜から構成された、下部ギャップ絶縁層、及び上部ギャップ絶縁層にて挟持され、前記上部ギャップ絶縁層の圧縮応力が、前記下部ギャップ絶縁層の圧縮応力より低いことを特徴とする。
【００１７】
また、前記下部ギャップ絶縁層は、中間体を介して前記基板上に形成されることを特徴とする。
【００１８】
更に、前記上部ギャップ絶縁層は、中間体を介して前記下部ギャップ絶縁層上に形成されることを特徴とする。
【００１９】
また、前記中間体の膜厚が２００Å以下、又は前記下部ギャップ絶縁層、或るいは上部ギャップ絶縁層の膜厚の１／５以下であることを特徴とする。
【００２０】
前記上部ギャップ絶縁層は、前記磁気抵抗効果素子部上に直接形成された、前記中間体を介して形成されることを特徴とする。
【００２１】
また、前記中間体は、Ｓｉ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｃ、Ｇｅ、Ｚｒ、或るいはＴｉ、又はこれらの元素と窒素、酸素のうち少なくとも１種の元素との混合物であることを特徴とする。
【００２２】
前記下部ギャップ絶縁層、又は上部ギャップ絶縁層は、Ｃ、Ｈ又はこれらの元素とＳｉ、Ｂ、Ｎ、Ｏのうち少なくとも１種の元素からなることを特徴とする。
【００２３】
前記下部ギャップ絶縁層、又は上部ギャップ絶縁層の水素濃度が５〜６５原子％であることを特徴とする。
【００２４】
また、前記下部ギャップ絶縁層、又は上部ギャップ絶縁層の炭素原子間の結合のうち、２５％以上がｓｐ３結合であることを特徴とする。
【００２５】
前記下部ギャップ絶縁層、又は上部ギャップ絶縁層を形成する被膜の内部応力が、０．５〜９．０ＧＰａであること特徴とする。
【００２６】
更に、前記下部ギャップ絶縁層、又は上部ギャップ絶縁層を形成する被膜の比抵抗が、１０９〜１０１２Ωｃｍであること特徴とする。
【００２７】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を図１〜図６を用いて説明する。
【００２８】
本発明の薄膜磁気ヘッドは、次に示す第１ステップ〜第９ステップに従って作成される。図１を参照し乍ら、そのステップを説明すると、
（１）Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ基板５１上に絶縁層５２（例えばＡｌ２Ｏ３）、及びシールド層５３（例えばパーマロイ等のＮｉ系合金）を形成したウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）を基板ホルダーに設置する。
【００２９】
（２）スパッタリング法によって、例えばＳｉからなる第１中間体５４をウエハ上に形成する。
【００３０】
（３）高応力膜からなる下部ギャップ絶縁層５５を第１中間体５４上に形成する。
【００３１】
（４）スパッタリング法によって、例えばＮｉ系合金からなるＭＲ素子層５６を下部ギャップ絶縁層５５上の所定個所に形成する。
【００３２】
（５）スパッタリング法によって、例えばＡｕからなる電極層５７をＭＲ素子層５６の所定個所に形成する。
【００３３】
（６）スパッタリング法によって、例えばＳｉからなる第２中間体５８を、少なくとも電極層５７、及びＭＲ素子層５６上に形成する。
【００３４】
（７）低応力膜からなる上部ギャップ絶縁層５９を、少なくとも第２中間体５８上に形成する。
【００３５】
（８）スパッタリング法によって、上部ギャップ絶縁層５９上に、例えばパーマロイ等のＮｉ系合金からなるシールド層６０を形成する。
【００３６】
（９）シールド層６０上に誘電型磁気ヘッド部６１を形成する。
【００３７】
上述のステップのうち、第２ステップ、第３ステップ、第６ステップ、及び第７ステップは図５に示すＥＣＲプラズマ発生装置によって形成される。従って、図５に示すＥＣＲプラズマ発生装置において第２ステップ、及び第３ステップの処理工程が終了すると、一旦別のスパッタリング等の成膜手段において第４ステップ、及び第５ステップを処理した後、再びウエハは図５に示すプラズマ発生装置に戻され、その後の工程処理を行うことになる。
【００３８】
図５は、本発明の薄膜磁気ヘッドの上に、第１中間体（第２ステップで形成）、第２中間層（第３ステップで形成）、下部ギャップ絶縁層（第６ステップで形成）、及び上部ギャップ絶縁層（第７ステップで形成）を形成するための装置の一例を示す概略断面図である。
【００３９】
図５において、真空チャンバ２８には、プラズマ発生室２４が設けられている。プラズマ発生室２４には、導波管２２の一端が取り付けられている。導波管２２の他方端には、マイクロ波供給手段２１が設けられている。マイクロ波供給手段２１で発生したマイクロ波は、導波管２２、及びマイクロ波導入窓２３を通ってプラズマ発生室２４に導かれる。
【００４０】
プラズマ発生室２４には、プラズマ発生室２４内にアルゴン（Ａｒ）ガスなどの放電ガスを導入させるための放電ガス導入管２５が設けられている。プラズマ発生室２４の周囲には、プラズマ磁界発生装置２６が設けられている。マイクロ波による高周波磁界と、プラズマ磁界発生装置２６からの磁界を作用させることにより、プラズマ発生室２４内に高密度のプラズマが形成される。
【００４１】
真空チャンバ２８内には筒状の基板ホルダー３２が設けられている。この基板ホルダー３２は、真空チャンバ２８の壁面に対し垂直に設けられた軸（軸は図面に対して垂直方向に配されている。）の周りに回転自在に設けられている。
【００４２】
基板ホルダー３２の周面には、複数のウエハ３３が等しい間隔で装着されており、その基板ホルダー３２には、高周波電源３０が接続されている。
【００４３】
基板ホルダー３２の周囲には、金属製の筒状のシールドカバー３４が所定の距離隔てて設けられており、このシールドカバー３４は、接地電極に接続されている。このシールドカバー３４は、被膜を形成するときに、基板ホルダー３２に印加されるＲＦ電圧によって被膜形成箇所以外の基板ホルダー３２と真空チャンバ２８との間で放電が発生するのを防止するため設けられている。
【００４４】
シールドカバー３４には、第１の開口部３５が形成されている。この第１の開口部３５を通って、プラズマ発生室２４から引き出されたプラズマが基板ホルダー３２に装着されたウエハ３３に放射される。真空チャンバ２８内には、反応ガス導入管３６が設けられている。この反応ガス導入管３６の先端は、第１の開口部３５の上方に位置する。
【００４５】
図６は、この反応ガス導入管３６の先端部分近傍を示す平面図である。
【００４６】
図６において、反応ガス導入管３６は、外部から真空チャンバ内にＣＨ４ガス  などの原料ガスを導入するためのガス導入部３６ａと、このガス導入部３６ａと垂直に接続されたガス放出部３６ｂとから構成されている。
【００４７】
ガス放出部３６ｂは、基板ホルダー３２の回転方向Ａに対して垂直方向に配置され、第１の開口部３５の上方の回転方向の上流側に位置するように設けられている。ガス放出部３６ｂには、下方に向けて約４５度の方向に複数の孔４１が形成されている。本実施例では、８個の孔４１が形成されている。
【００４８】
図５を再び参照して、第１の開口部３５の反対側には、第２の開口部４３が形成されている。第２の開口部４３の下方には、第１中間体５４、第２中間体５８を構成する材料原子からなるターゲット４６が設けられている。ターゲット４６の近傍には、ターゲット４６をスパッタするため、不活性ガスのイオンをターゲット４６に放射するイオンガン４７が設けられている。
【００４９】
本実施の形態では、不活性ガスとしてＡｒガスを用いている。ターゲット４６及びイオンガン４７により、第２の開口部４３を通り、ウエハ３３上に第１中間体５４、或るいは第２中間体５８を構成する材料原子を放射することができる。＜実施例１、実施例２＞
図５に示す装置を用いて、ウエハ上に第１中間体５４、第２中間体５８としてのＳｉ層と下部ギャップ絶縁層５５、及び上部ギャップ絶縁層５９からなる水素化非晶質炭素系被膜を形成する。
【００５０】
まず、真空チャンバ２８内を１０−５〜１０−７Ｔｏｒｒに排気して、基板ホルダー３２を約１０ｒｐｍの速度で回転させる。次に、イオンガン４７にＡｒガスを供給して、Ａｒイオンを取り出し、これをＳｉからなるターゲット４６の表面に放射する。このときのＡｒイオンの加速電圧は９００ｅＶ、イオン電流密度は０．４ｍＡ／ｃｍ２に設定した。
【００５１】
以上の工程を約１分間行い、シールド層５３の表面に膜厚２０ÅのＳｉからなる第１中間体５４を形成する。
【００５２】
次に、イオンガン４７からのＡｒイオンの放射を止めたのち、ＥＣＲプラズマ発生装置の放電ガス導入管２５からＡｒガスを５．７×１０−４Ｔｏｒｒで供給するとともに、マイクロ波供給手段２１から２．４５ＧＨｚ、２００Ｗのマイクロ波を供給して、プラズマ発生室２４内にＡｒプラズマを形成し、形成されたＡｒプラズマを第１の開口部３５を通して、第１中間体５４の表面に放射する。
【００５３】
これと同時に、ウエハ３３に自己バイアスを発生させるために高周波電源３０から１３．５６ＭＨｚのＲＦ電圧を基板ホルダー３２に印加し、反応ガス導入管３６からＣＨ４ガスを１．０×１０−３Ｔｏｒｒで供給する。
【００５４】
以上の工程により、第１中間体５４上に膜厚１０００Åの下部ギャップ絶縁層５５を形成し、更に第２中間体５８上に膜厚１０００Åの上部ギャップ絶縁層５９を形成したもの（実施例１）を作製し、更に第１中間体５４上に膜厚４００Åの下部ギャップ絶縁層５５を形成し、更に第２中間体５８上に膜厚４００Åの上部ギャップ絶縁層５９を形成したもの（実施例２）を作製した。
【００５５】
次に、図２は、図１の薄膜磁気ヘッドの変形例であり、図１の薄膜磁気ヘッドとの相違点は、第２中間体５８を、ＭＲ素子層５６、及び電極層５７にのみ形成したことである。
【００５６】
斯かる薄膜磁気ヘッドは、第２中間体５８を下部ギャップ絶縁層５５を含むＭＲ素子層５６、及び電極層５７上に形成した後、エッチング処理工程により、下部ギャップ絶縁層５５上に形成された第２中間体５８を除去することにより、図１の薄膜磁気ヘッドと同様な工程処理によって作製することができる。
【００５７】
図３は、自己バイアス電圧と、下部ギャップ絶縁層５５、及び上部ギャップ絶縁層５９の膜厚１０００Åにおける水素化非晶質炭素系被膜の膜中水素濃度、内部応力との関係図を示したものである。
【００５８】
図３によると、自己バイアス電圧を変化させることにより、水素化非晶質炭素系被膜の膜中水素濃度、内部応力が制御されることが分かる。即ち、自己バイアス電圧を大きくすることにより、水素化非晶質炭素系被膜の膜中水素濃度は減少し、これと共に内部応力は増大し、膜中水素濃度を測定することにより、内部応力を推定することが可能となる。
【００５９】
図４は自己バイアス電圧と、水素化非晶質炭素系被膜の膜内炭素原子間のｓｐ３結合との関係図を示したものである。
【００６０】
図４によると、自己バイアス電圧を変化させることにより、膜内炭素原子間のｓｐ３結合の割合が変化することが分かる。即ち、自己バイアス電圧を変化させることにより、ｓｐ３結合の割合を制御することが可能である。また、図４に示した条件で形成した非晶質炭素系被膜の比抵抗測定を行った結果、１０９〜１０１２Ωｃｍであることを確認した。
【００６１】
ここで、上述の実施例１、実施例２、及び比較例３（Ａｌ２Ｏ３膜）として、下部ギャップ絶縁層５５、及び上部ギャップ絶縁層５９を高応力膜、低応力膜、及びＡｌ２Ｏ３膜から構成した場合のそれらの各膜を形成する際の自己バイアス電圧、膜の内部応力、及び硬度を比較したものを表１に示す。
【００６２】
【表１】
0003547930.tif 000002
【００６３】
この表１より、高応力膜、及び低応力膜の硬度、及び内部応力は、比較例３（Ａｌ２Ｏ３膜）のそれより大きいことが分かる。
【００６４】
尚、被膜の内部応力は、一般に基板の変形量から測定することができる。具体的には、薄い基板の上に応力の掛かった状態で被膜を形成すると、基板はその形と弾性定数によって決まるたわみを示すので、このたわみ量を検出することによって内部応力を評価することができる。この手法は「たわみ法」と呼ばれており（応力物理，第６６巻，第７号（１９８７），第９２３頁〜第９２４頁）、表１に示  す被膜の内部応力はたわみ法で測定したものである。
【００６５】
次に、表２では、本発明に係かる実施例１、実施例２、及び比較例３、比較例４で作製した薄膜磁気ヘッドにおいて、ＭＲ素子層５６からシールド層５３へリークする電流の相対比較を行った結果を示したものである。
【００６６】
【表２】
0003547930.tif 000003
【００６７】
この表２によると、比較例３との相対比較をすると、実施例１、実施例２のリーク電流割合は、極端に減少しているのに対して、比較例４のリーク電流割合は膜厚を４００Åと薄膜化することにより、３．７４倍に増加している。
【００６８】
即ち、このことから、下部ギャップ絶縁層５５、及び上部ギャップ絶縁層５９に水素化非晶質炭素系被膜を用いることで、リーク電流を増加させることなく、薄膜化が可能となることが分かる。
【００６９】
次に、下部ギャップ絶縁層５５、上部ギャップ絶縁層５９について、内部応力の異なる被膜を種々形成して、実施例１、実施例２、及び比較例１〜比較例３の５種類の薄膜磁気ヘッドを作製し、通電寿命試験を行うと共に、記録媒体との一定時間の摺動試験後のＭＲ素子層５６の摩耗量を測定し、その結果を表３に示す。
【００７０】
【表３】
0003547930.tif 000004
【００７１】
尚、通電寿命試験は、ＭＲ素子層５６に所定電流を通電し、その電流値が規定値以下に減少するまでの寿命を測定した。
【００７２】
表３によると、比較例１の通電寿命は、比較例３に比較して劣るが、実施例１、実施例２、及び比較例２は比較例３に比較して同等以上の結果となった。
【００７３】
この原因は、比較例１では、上部ギャップ絶縁層５９の高い内部応力が、ＭＲ素子層５６に悪影響を及ぼしたものと考えられる。
【００７４】
次に、実施例１、２の摺動試験によるＭＲ素子層５６の摩耗量は、比較例３に比較して１／４以下に減少しており、また比較例２よりも少なくなっている。
【００７５】
この原因は、下部ギャップ絶縁層５５が高硬度であるため、耐摩耗性が高く、この結果、非常に薄いＭＲ素子層５６を保護しているものと考えられる。
【００７６】
尚、上述の実施の形態では、下部ギャップ絶縁層５５、及び上部ギャップ絶縁層５９の組成は、特に限定されるものではなく、摺動特性改善等の点で、不純物、例えばＳｉ、Ｂ、Ｏが適量添加されたものも含まれる。
【００７７】
また、第１中間体５４、第２中間体５８は、下地材料と下部ギャップ絶縁層５５、及び上部ギャップ絶縁層５９との密着性を改善するものであれば、Ｓｉに限定されるものではない。
【００７８】
また、上述の実施の形態では、第１中間体５４、及び第２中間体５８として、Ｓｉを用いたが、これには限られず、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｃ、Ｇｅ、Ｚｒ、或るいはＴｉ、又はこれらの元素と窒素、酸素のうち少なくとも１種の元素との混合物を用いても、Ｓｉと同様な結果となることを実験により確認した。
【００７９】
また、上述の形成条件における下部ギャップ絶縁層、及び上部ギャップ絶縁層を形成する被膜の形成温度は１００℃以下であることを実験により確認した。
【００８０】
更に、上述の実施の形態では、内部応力を制御する手法として、自己バイアス電圧を変化させているが、これに限られるものではなく、例えば膜中に窒素を添加することによって内部応力を制御してもよい。
【００８１】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、ＭＲ素子層を下部ギャップ絶縁層、及び上部ギャップ絶縁層にて挟持した構成の薄膜磁気ヘッドにおいて、上部ギャップ絶縁層の内部応力が、下部ギャップ絶縁層の内部応力より小さく形成しているため、ＭＲ素子層に対して悪影響を及ぼすことがなくなり、薄膜磁気ヘッドの素子寿命と共に、耐摩耗性が向上する結果、信頼性が増す効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の薄膜磁気ヘッドの断面図である。
【図２】本発明の薄膜磁気ヘッドの断面図である。
【図３】本発明において、自己バイアス電圧と、下部ギャップ絶縁層、及び上部ギャップ絶縁層の膜厚１０００Åにおける水素化非晶質炭素系被膜の膜中水素濃度、内部応力との関係図を示したものである。
【図４】本発明において、自己バイアス電圧と、水素化非晶質炭素系被膜の膜内炭素原子間のｓｐ３結合比との関係図を示したものである。
【図５】本発明の実施の形態において第１中間体、第２中間層、下部ギャップ絶縁層、及び上部ギャップ絶縁層を形成する装置の一例を示す概略断面図である。
【図６】図５に示す装置の第１の開口部近傍を示す平面図である。
【図７】従来の薄膜磁気ヘッドの概略断面図である。
【図８】従来の薄膜磁気ヘッドにおけるＭＲ素子層５、リード層６−Ａ及びリード層６−Ｂの部分拡大図である。
【符号の説明】
５１・・・基板
５２・・・絶縁層
５３、６０・・・シールド層
５４・・・第１中間体
５５・・・下部ギャップ絶縁層
５６・・・ＭＲ素子層
５７・・・電極層
５８・・・第２中間体
５９・・・上部ギャップ絶縁層
【図１】
0003547930.tif 000005
【図２】
0003547930.tif 000006
【図３】
0003547930.tif 000007
【図４】
0003547930.tif 000008
【図５】
0003547930.tif 000009
【図６】
0003547930.tif 000010
【図７】
0003547930.tif 000011
【図８】
0003547930.tif 000012