(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
高い熱伝導率を有する第１のセラミック基板と、高い熱伝導率を有する第２のセラミック基板と、前記第１のセラミック基板と前記第２のセラミック基板とにより、その膜厚方向から挟持されることで、トラック幅方向に対して略中央部に位置する磁気抵抗効果素子を有する電磁変換部とを具備する薄膜磁気ヘッドにおいて、
前記トラック幅方向は、前記電磁変換部が情報を伝達するときに、媒体に対して前記磁気ヘッドの移動方向と実質的に垂直であり、さらに前記第１および第２のセラミック基板はそれぞれ電磁変換部の両側に、前記第１および第２のセラミック基板が電磁変換部からの熱を放散するように、配置されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
前記第１セラミック基板および前記第２のセラミック基板の少なくとも一方は、熱伝導率が10W/mKないし270W/mKの範囲のセラミック基板からなることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
前記第１セラミック基板および前記第２のセラミック基板の少なくとも一方は、ビッカース硬度が800 Hvないし3000 Hvの範囲のセラミック基板からなることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
前記電磁変換部は前記第１および第２セラミック基板の間に保持された絶縁層内に配置されていることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
前記前記第１および第２セラミック基板のうち少なくとも一方は、前記絶縁層よりも高い熱伝導率を有することを特徴とする請求項４記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】
前記電磁変換部は前記第１セラミック基板上に形成され、前記絶縁層および前記第２のセラミック基板はその間を無機材料の接合層で接合されていることを特徴とする請求項５記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】
前記接合層は不活性な金属からなる接着剤層を有していることを特徴とする請求項６記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項８】
前記磁気抵抗効果素子は、互いに対向するCo系磁性層とCu系非磁性層とからなることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項９】
高い熱伝導率を有する第１のセラミック基板と、高い熱伝導率を有する第２のセラミック基板と、前記第１のセラミック基板と前記第２のセラミック基板との間に、電磁変換部に従って決定されるトラック幅方向に保持されている磁気抵抗効果素子を有する電磁変換部とを具備する薄膜磁気ヘッドにおいて、
前記トラック幅方向は、前記電磁変換部が情報を伝達するときに、媒体に対して前記磁気ヘッドの移動方向と実質的に垂直であり、さらに前記第１および第２のセラミック基板はそれぞれ電磁変換部の両側に、前記第１および第２のセラミック基板が電磁変換部からの熱を放散するように、配置されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項１０】
前記電磁変換部は実質的にトラック幅方向に対して前記磁気ヘッドの中心にあることを特徴とする請求項９の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１１】
前記第１セラミック基板および前記第２のセラミック基板の少なくとも一方は、熱伝導率が10W/mKないし270W/mKの範囲のセラミック基板からなることを特徴とする請求項９記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１２】
前記第１セラミック基板および前記第２のセラミック基板の少なくとも一方は、ビッカース硬度が800 Hvないし3000 Hvの範囲のセラミック基板からなることを特徴とする請求項９記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１３】
前記電磁変換部は前記第１のセラミック基板上に形成され、かつ前記電磁変換部は無機接合層を介して前記第２のセラミック基板と接合されていることを特徴とする請求項９記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１４】
媒体対向面側に磁気ギャップを挟んで形成された少なくとも１対の磁気コアと、前記１対の磁気コアを介して記録媒体から信号磁界が導かれる磁気抵抗効果素子とを有する電磁変換部と、前記電磁変換部を厚さ方向から挟持する、高い熱伝導率を有する第１および第２のセラミック基板からなる薄膜磁気ヘッドであって、
前記厚さ方向は、電磁変換部が情報を伝達する時、媒体に対する磁気ヘッドの移動方向と実質的に垂直な方向であり、また
前記第１および第２のセラミック基板は、前記第１および第２のセラミック基板が電磁変換部から熱を放散するように、電磁変換部のそれぞれの両側に配置されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項１５】
前記電磁変換部は前記１対の磁気コアに記録磁界を供給するコイルを有することを特徴とする請求項１４記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１６】
前記電磁変換部はトラック幅方向に対して実質的に前記薄膜磁気ヘッドの中央部に位置していることを特徴とする請求項１４記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１７】
前記第１セラミック基板および前記第２のセラミック基板の少なくとも一方は、熱伝導率が10W/mKないし270W/mKの範囲のセラミック基板からなることを特徴とする請求項１４記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１８】
前記第１セラミック基板および前記第２のセラミック基板の少なくとも一方は、ビッカース硬度が800 Hvないし3000 Hvの範囲のセラミック基板からなることを特徴とする請求項１４記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１９】
前記電磁変換部は前記第１のセラミック基板上に形成され、かつ前記電磁変換部は無機接合層を介して前記第２のセラミック基板と接合されていることを特徴とする請求項１４記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項２０】
磁気記録媒体と薄膜磁気ヘッドを有する磁気ヘッドスライダーからなる磁気記録装置において、
前記薄膜磁気ヘッドが、高い熱伝導率を有する第１のセラミック基板と、高い熱伝導率を有する第２のセラミック基板と、および磁気抵抗素子を有する電磁変換部からなり、前記電磁変換部は、前記第１のセラミック基板と前記第２のセラミック基板との間に、その膜厚方向から、それにより前記電磁変換部が変換素子に従って決定される前記磁気記録媒体のトラック幅方向に対して前記ヘッドスライダーの略中央部に位置するよう、保持されいる、
さらに前記トラック幅方向は、電磁変換部が情報を伝達する時、媒体に対する磁気ヘッドの移動方向と実質的に垂直な方向であり、また
前記第１および第２のセラミック基板は、前記第１および第２のセラミック基板が電磁変換部から熱を放散するように、電磁変換部のそれぞれの両側に配置されていることを特徴とする磁気記録装置。
【請求項２１】
前記磁気ヘッドスライダーの前記磁気記録媒体からの浮上量は100 nm以下であることを特徴とする請求項２０記載の磁気記録装置。
【請求項２２】
磁気記録媒体および薄膜磁気ヘッドを有する磁気ヘッドスライダーからなる磁気記録装置において、
前記 薄膜磁気ヘッドが 高い熱伝導率を有する第１のセラミック基板、高い熱伝導率を有する第２のセラミック基板、および磁気抵抗効果素子を有する電磁変換部からなり、前記電磁変換部は、前記第１のセラミック基板と前記第２のセラミック基板との間に、電磁変換部に従って決められるトラック幅方向に保持されており、
前記トラック幅方向は、前記電磁変換部が情報を伝達するときに、媒体に対して前記磁気ヘッドの移動方向と実質的に垂直であり、さらに前記第１および第２ののセラミック基板はそれぞれ電磁変換部の両側に、前記第１および第２のセラミック基板が電磁変換部からの熱を放散するように、配置されていることを特徴とする磁気記録装置。
【請求項２３】
前記電磁変換部は実質的に前記トラック幅方向に対して前記薄膜磁気ヘッドの中央に位置することを特徴とする請求項２２記載の磁気記録装置。
【請求項２４】
前記磁気ヘッドスライダーの前記磁気記録媒体からの浮上量は100 nm以下であることを特徴とする請求項２２記載の磁気記録装置。
【請求項２５】
磁気記録媒体および薄膜磁気ヘッドを有する磁気ヘッドスライダーからなる磁気記録再生装置において、
前記 薄膜磁気ヘッドが 前記磁気記録媒体からの発生する磁界により信号を読み取りまたは前記磁気媒体に磁界により信号を書き込みする磁気抵抗効果素子を有する電磁変換部であって、媒体対向面側に磁気ギャップが介在された一対の磁気コアと、前記一対の磁気コアを介して前記記録媒体から信号磁束が導かれる前記磁気抵抗効果素子とを有する前記電磁変換部と、
前記電磁変換部を膜厚方向から保持する高い熱伝導率を有する第１のセラミック基板と第２のセラミック基板を備えることを特徴とする磁気記録再生装置。
【請求項２６】
前記電磁変換部は、前記一対の磁気コアに記録磁界を供給するフラットコイルを有することを特徴とする、請求項２５記載の磁気記録再生装置。
【請求項２７】
前記電磁変換部は、実質的に前記磁気記録媒体のトラック幅方向に対して前記薄膜磁気ヘッドの中央に位置することを特徴とする請求項２５記載の磁気記録再生装置。
【請求項２８】
前記磁気ヘッドスライダーの前記磁気記録媒体からの浮上量は100 nm以下であることを特徴とする請求項２５記載の磁気記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は薄膜磁気ヘッドと磁気ディスク装置などの磁気記録装置に係り、特に磁気記録媒体からの浮上量が低い薄膜磁気ヘッドと磁気記録装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
磁気ディスク装置（ＨＤＤ）においては、図１２に示すような薄膜磁気ヘッドを使用した磁気ヘッド（スライダ）１が用いられている。図１２に示す磁気ヘッド（スライダ）１は、主表面にＡｌＯｘ  膜３などの絶縁層が設けられたＡｌ２  Ｏ３  ・ＴｉＣ基板２を有している。
【０００３】
Ａｌ２  Ｏ３  ・ＴｉＣ基板２の媒体対向面には、両側面にそれぞれスライダ部４が設けられている。スライダ部４の媒体対向面はそれぞれＡＢＳ（Ａｉｒ  Ｂｅａｒｉｎｇ  Ｓｕｒｆａｃｅ）とされており、これらにより磁気ヘッド（スライダ）１は磁気ディスクから浮上している。記録再生部としての電磁変換部５は、ＡｌＯｘ  膜３内に配置されている。電磁変換部５にはいわゆる薄膜磁気ヘッドが用いられる。図中６は電磁変換部５に記録磁界を供給するコイルである。電磁変換部５は、媒体進行方向との関係やその製造工程から、一方のスライダ部４側に配置されている。
【０００４】
ところで、ＨＤＤなどの磁気記録装置においては、記録情報の高密度化が強く望まれている。高密度記録を達成する上で、狭トラック化、狭ギャップ化は必須技術である。例えば、記録密度が２００Ｍｂ／ｉｎｃｈ２  （ｂｐｓｉ）のＨＤＤでは、記録トラック幅は  ７μｍ  、トラック間距離およびトラック幅公差は  ２μｍ  程度である。記録密度を１Ｇｂｐｓｉ以上、さらには５Ｇｂｐｓｉ以上とするために、記録トラック幅は  ３〜  ５μｍ  以下、トラック幅公差は  ０．５μｍ  以下とすることが望まれている。
【０００５】
このような記録情報の高密度化に伴い、信号磁束量は低下する。これを補うために、あるいは分解能向上のために、磁気記録媒体からの磁気ヘッドの浮上量を低下させる必要が生じている。従来のＨＤＤでは  １００ｎｍを超えていた磁気ヘッドの浮上量を、  １００ｎｍ以下とすることが一般化しつつある。特に、１Ｇｂｐｓｉ以上では磁気ヘッドの浮上量を約５０ｎｍ以下、５Ｇｂｐｓｉ以上では２０ｎｍ以下となることもある。一方、再生ヘッドに関しては、記録トラック幅の縮小に伴う再生出力の低下を補うために、高感度な磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）を適用した磁気ヘッド（ＭＲヘッド）が使用されるようになってきている。図１３は電磁変換部５の再生部として用いられるシールド型ＭＲヘッドの構成を示している。
【０００６】
Ａｌ２  Ｏ３  ・ＴｉＣ基板２の主表面上には、ＡｌＯｘ  膜３′を介してパーマロイなどからなる下側磁気シールド層１１が形成されている。Ａｌ２  Ｏ３  ・ＴｉＣ基板２は、磁気ヘッドスライダ１を構成する基板である。下側磁気シールド層１１上には、再生磁気ギャップを構成する非磁性絶縁膜１２を介して、磁気抵抗効果膜（ＭＲ膜）１３が形成されている。ＭＲ素子１４は、ＭＲ膜１３とその両端に接続された一対のリード１５とにより構成されている。
【０００７】
ＭＲ素子１４上には、再生磁気ギャップを構成する非磁性絶縁膜１６を介して、上側の磁気シールド層１７が配置されている。これらによって、再生部としてのシールド型ＭＲヘッドが構成されている。シールド型ＭＲヘッドにおける信号磁界の検出は、例えば一対のリード１５にセンス電流を流し、ＭＲ膜１３の平均磁化方向の変化に伴う素子抵抗を測定することにより行われる。
【０００８】
電磁変換部５の記録部は、上側磁気シールド層１７に引き続いて形成される。記録部は、記録磁気ギャップを介して磁気回路を構成する上下一対の磁極（図示せず）を有する。コイル６は一対の磁極間に記録磁界を発生させるためのものである。記録部上にはＡｌＯｘ  膜など絶縁保護膜が形成される。この絶縁保護膜はＡｌＯｘ  膜２の一部を構成する。
【０００９】
ＡＢＳを利用して磁気ヘッドスライダ１を磁気ディスクから浮上させているＨＤＤでは、磁気ヘッドスライダ１と磁気ディスクとが接触するというような問題は基本的には発生しないはずである。しかしながら、グライドハイトと呼ばれる媒体表面の突起によって、電磁変換部５と記録媒体との接触が起こる。これは磁気ヘッドスライダ１の低浮上化により顕著になる。電磁変換部５と記録媒体との接触は再生部のＭＲ膜１３の温度を局部的に上昇させる。ＭＲ膜１３の温度上昇は再生電圧出力レベルを変動させ、サーマルアスペリティと呼ばれる読み出し出力波形の劣化を起こしエラーを生じさせる。
【００１０】
加えて、ＭＲ素子１４を適用した再生部では、抵抗変化を測定するためのセンス電流（〜５ｍＡ）によっても４０℃程度の温度上昇がある。環境温度８０℃の下では、ＭＲ素子１４の温度が  １２０〜  １３０℃程度まで温度上昇することになる。このようなＭＲ素子１４の温度上昇は、長期的に見るとＭＲ膜１３の界面拡散やそれを構成する磁性層の特性劣化などを引き起こすことになる。
【００１１】
磁気ヘッドスライダ１の浮上量を記録媒体の平滑限界である２０ｎｍ程度以下とすると、電磁変換部５と記録媒体との接触確率が急増する。さらに、磁気ヘッドスライダ１の一方の側面側に電磁変換部５が配置されていることも、シーク時の電磁変換部５と記録媒体との接触確率の増大原因となっている。これらによって、ＭＲ膜１３の近傍を含む広い面積で、磁気ヘッドと磁気記録媒体とが接触する。このように、広い面積で接触する磁気ヘッドの媒体対向面に硬度の小さいＡｌＯｘ  膜２などが露出していると偏摩耗が発生する。媒体対向面の偏摩耗は磁気ヘッドと記録媒体との間の距離を広げ、記録分解能および再生分解能を劣化させる。摩耗量が大きい場合には、媒体対向面よりさらに奥の構成材料が順次露出する。これにより、記録媒体の潤滑層の粒子が吸着されて消費し、潤滑層の摩耗をも引き起こすことなる。さらに、電磁変換部５が側面側に配置されている磁気ヘッドスライダ１は、記録密度を高密度化した際に、記録トラックのトレース精度が低下しやすいという問題も有している。
【００１２】
一方、ＭＲ膜と記録媒体との直接の接触を避けるヘッド構造として、磁気ヨークを介してＭＲ膜に信号磁界を流入させるヨーク型ＭＲへッドが提案されている（特開平８−１３８２１５号公報など参照）。ヨーク型ＭＲへッドでは、例えばＡｌ２  Ｏ３  ・ＴｉＣ基板上に絶縁膜を介して、磁気ヨークとなる一対の磁気コアを配置する。一対の磁気コアは同一平面を構成するように磁気ギャップを介して配置される。このような平面型の磁気ヨーク上にＭＲ素子が配置される。記録部のコイルは、磁気ヨークを一対の磁極とするように形成される。
【００１３】
ヨーク型ＭＲへッドを適用した磁気ヘッド（スライダ）では、電磁変換部を有するスライダ部のＡＢＳの幅が、他方のスライダ部のＡＢＳの幅より狭く設定される。さらに、電磁変換部を有するスライダ部の浮上高さは、他方のスライダ部の浮上高さより低く設定される。これらによって、電磁変換部の先端部が記録媒体とニアコンタクトする構成とされている。
【００１４】
このようなヨーク型ＭＲへッドを用いた磁気ヘッド（スライダ）においても、シールド型ＭＲヘッドを用いた磁気ヘッド（スライダ）と同様な問題を生じる可能性がある。さらに、ヨーク型ＭＲへッドは、一対の磁気コアを平面方向の配置しているため、媒体対向面に露出する電磁変換部の厚さがシールド型ＭＲヘッドに比べて薄い。ＭＲ膜は媒体対向面に直接露出していないものの、電磁変換部がより一層摩耗しやすいという問題を有している。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、磁気ヘッド（スライダ）を低浮上走行させると、記録媒体との接触により媒体対向面に露出する電磁変換部が発熱し、サーマルアスペリティを引き起こすという問題がある。ＭＲ膜へのセンス電流による温度上昇によっても特性劣化が生じる。このようなことから、ＭＲ膜を含む電磁変換部近傍の放熱性を高めることが強く望まれている。
【００１６】
さらに、磁気ヘッド（スライダ）の浮上量が記録媒体の平滑限界以下になると、電磁変換部近傍の広い面積で摩耗が起こり、記録および再生分解能が劣化するという問題がある。摩耗量が大きい場合には、記録媒体側の潤滑層の摩耗をも引き起こすことになる。このようなことから、磁気ヘッド（スライダ）を低浮上走行させた際の電磁変換部近傍の摩耗を抑制することが望まれている。
【００１７】
電磁変換部が側面側に配置されている磁気ヘッド（スライダ）は、電磁変換部と記録媒体との接触確率の増大原因となっている。さらに記録密度を高密度化した際に、記録トラックのトレース精度が低下しやすいという問題も有している。このようなことから、磁気ヘッド（スライダ）を安定走行を可能にする技術が求められている。
【００１８】
本発明は、このような課題に対処するためになされたもので、サーマルアスペリティの発生や温度上昇に伴う電磁変換部の特性劣化を抑制するために、電磁変換部近傍の放熱性を高めた薄膜磁気ヘッド、およびそれを用いた磁気記録装置を提供することを目的としている。本発明の他の目的は、記録および再生分解能の劣化や記録媒体側の潤滑層の摩耗を抑えるために、電磁変換部近傍の摩耗を抑制することを可能にした薄膜磁気ヘッド、およびそれを用いた磁気記録装置を提供することにある。本発明のさらに他の目的は、ヘッドスライダの安定走行を実現した薄膜磁気ヘッド、およびそれを用いた磁気記録装置を提供することにある。
【００１９】
【問題を解決するための手段】本発明の第１の薄膜磁気ヘッドは、請求項１に記載したように、高い熱伝導率を有する第１のセラミック基板と、高い熱伝導率を有する第２のセラミック基板と、前記第１のセラミック基板と前記第２のセラミック基板とにより、その膜厚方向から挟持されることで、トラック幅方向に対して略中央部に位置する磁気抵抗効果素子を有する電磁変換部とを具備する薄膜磁気ヘッドであって、前記トラック幅方向は、前記電磁変換部が情報を伝達するときに、媒体に対して前記磁気ヘッドの移動方向と実質的に垂直であり、さらに前記第１および第２のセラミック基板はそれぞれ電磁変換部の両側に、前記第１および第２のセラミック基板が電磁変換部からの熱を放散するように、配置されていることを特徴としている。
【００２０】
本発明の第２の薄膜磁気ヘッドは、請求項９に記載したように、高い熱伝導率を有する第１のセラミック基板と、高い熱伝導率を有する第２のセラミック基板と、前記第１のセラミック基板と前記第２のセラミック基板との間に、電磁変換部に従って決定されるトラック幅方向に保持されている磁気抵抗効果素子を有する電磁変換部とを具備する薄膜磁気ヘッドであって、前記トラック幅方向は、前記電磁変換部が情報を伝達するときに、媒体に対して前記磁気ヘッドの移動方向と実質的に垂直であり、さらに前記第１および第２のセラミック基板はそれぞれ電磁変換部の両側に、前記第１および第２のセラミック基板が電磁変換部からの熱を放散するように、配置されていることを特徴としている。
【００２１】
本発明の第３の薄膜磁気ヘッドは、請求項１４に記載したように、媒体対向面側に磁気ギャップを挟んで形成された少なくとも１対の磁気コアと、前記１対の磁気コアを介して記録媒体から信号磁界が導かれる磁気抵抗効果素子とを有する電磁変換部と、前記電磁変換部を厚さ方向から挟持する、高い熱伝導率を有する第１および第２のセラミック基板からなる薄膜磁気ヘッドであって、  前記厚さ方向は、電磁変換部が情報を伝達する時、媒体に対する磁気ヘッドの移動方向と実質的に垂直な方向であり、また前記第１および第２のセラミック基板は、前記第１および第２のセラミック基板が電磁変換部から熱を放散するように、電磁変換部のそれぞれの両側に配置されていることを特徴としている。
【００２２】
本発明の薄膜磁気ヘッドは、請求項２、１１および１９に記載したように、第１セラミック基板および第２セラミック基板の少なくとも一方が、熱伝導率が10W/mKないし270W/mKの範囲のセラミック基板からなることを特徴としている。さらに請求項３、１２および１８に記載したように、第１セラミック基板および第２セラミック基板の少なくとも一方が、熱伝導率がビッカース硬度が800 Hvないし3000 Hvの範囲のセラミック基板からなることを特徴としている。
【００２３】
さらにまた、第１の薄膜磁気ヘッドは、電磁変換部は、請求項４記載のように、第１セラミック基板および第２セラミック基板の間に保持された絶縁層内に配置されていることを特徴とし、さらに請求項５記載のように、第１および第２のセラミック基板のうち少なくとも一方が絶縁層よりも高い熱伝導率を有することを特徴とし、さらにまた請求項６記載のように、電磁変換部は第１のセラミック基板の上に形成され、且つ絶縁部および第２のセラミック基板はその間を無機材料の接合層で接合されており、さらに請求項７記載のように、接合層は不活性の金属からなる接着剤層を有していることを特徴としている。
第２および第３の薄膜磁気ヘッドでは、請求項１３および１９に記載のように、電磁変換部は第１セラミック基板の上に形成され無機接合層を介して第２セラミック基板に接合されていることわ特徴としている。
【００２４】
本発明の薄膜磁気ヘッドにおいては、電磁変換部を第１および第２のセラミックス基板で挟持している。従って、電磁変換部などが記録媒体表面の突起部と接触して温度が上昇しても、第１および第２のセラミックス基板に効率よく放熱される。これにより、サーマルアスペリティの発生を低減することができる。センス電流による電磁変換部の温度上昇なども抑制することができる。さらに、電磁変換部と記録媒体との接触による摩耗は、電磁変換部を挟持する第１および第２のセラミックス基板により抑制される。
【００２５】
さらに、電磁変換部を薄膜磁気ヘッドの略中央部に配置した場合、走行時の安定性が増大する。従って、記録媒体との接触による摩耗量が低減でき、薄膜磁気ヘッドと磁気記録媒体との距離が大きくなって記録再生分解能が低減するなどの問題を解消することができる。これらによって、磁気ヘッドの浮上量が  １００ｎｍ以下であっても良好な特性が得られる。
【００２６】
本発明の薄膜磁気ヘッドの他の好ましい形態としては、以下に示すような構成が挙げられる。すなわち、第３の薄膜磁気ヘッドにおいて、電磁変換部はさらに一対の磁気コアに記録磁界を供給するコイルを有する。第２および第３の薄膜磁気ヘッドにおいて、電磁変換部はトラック幅方向に対して略中央部に位置している。本発明の薄膜磁気ヘッドにおいて、第１のセラミックス基板および第２のセラミックス基板の少なくとも一方は熱伝導率が１０Ｗ／ｍ  Ｋ  以上のセラミックス基板からなる。あるいは、第１のセラミックス基板および第２のセラミックス基板の少なくとも一方はビッカース硬度が  ８００Ｈｖ以上のセラミックス基板からなる。
【００２７】
本発明の磁気記録装置は、上述したような本発明の薄膜磁気ヘッドを有する磁気ヘッドスライダを具備するものである。
【００２８】
本発明第１の磁気記録装置は、請求項２０に記載のように、磁気記録媒体と薄膜磁気ヘッドを有する磁気ヘッドスライダーからなる磁気記録装置であって、前記薄膜磁気ヘッドが、高い熱伝導率を有する第１のセラミック基板と、高い熱伝導率を有する第２のセラミック基板と、および磁気抵抗素子を有する電磁変換部からなり、前記電磁変換部は、前記第１のセラミック基板と前記第２のセラミック基板との間に、その膜厚方向から、それにより前記電磁変換部が変換素子に従って決定される前記磁気記録媒体のトラック幅方向に対して前記ヘッドスライダーの略中央部に位置するよう、保持されおり、さらに前記トラック幅方向は、電磁変換部が情報を伝達する時、媒体に対する磁気ヘッドの移動方向と実質的に垂直な方向であり、また前記第１および第２のセラミック基板は、前記第１および第２のセラミック基板が電磁変換部から熱を放散するように、電磁変換部のそれぞれの両側に配置されていることを特徴としている。また
請求項２１に記載のように、前記磁気ヘッドスライダーの前記磁気記録媒体からの浮上量は100 nm以下であることを特徴としている。また本発明第２の磁気記録装置は、請求項２２に記載のように、磁気記録媒体および薄膜磁気ヘッドを有する磁気ヘッドスライダーからなる磁気記録装置において、前記 薄膜磁気ヘッドが 高い熱伝導率を有する第１のセラミック基板、高い熱伝導率を有する第２のセラミック基板、および磁気抵抗効果素子を有する電磁変換部からなり、前記電磁変換部は、前記第１のセラミック基板と前記第２のセラミック基板との間に、電磁変換部に従って決められるトラック幅方向に保持されており、前記トラック幅方向は、前記電磁変換部が情報を伝達するときに、媒体に対して前記磁気ヘッドの移動方向と実質的に垂直であり、さらに前記第１および第２ののセラミック基板はそれぞれ電磁変換部の両側に、前記第１および第２のセラミック基板が電磁変換部からの熱を放散するように、配置されていることを特徴としている。さらにこの第２の磁気記録装置は、請求項２３に記載のように、電磁変換部は実質的に前記トラック幅方向に対して前記薄膜磁気ヘッドの中央に位置することを特徴とする、また請求項２４に記載のように、前記磁気ヘッドスライダーの前記磁気記録媒体からの浮上量は100 nm以下であることを特徴としている。
【００２９】
本発明の磁気記録再生装置は、請求項２５に記載のように、磁気記録媒体および薄膜磁気ヘッドを有する磁気ヘッドスライダーからなる磁気記録再生装置であって、前記 薄膜磁気ヘッドが 前記磁気記録媒体からの発生する磁界により信号を読み取りまたは前記磁気媒体に磁界により信号を書き込みする磁気抵抗効果素子を有する電磁変換部であって、媒体対向面側に磁気ギャップが介在された一対の磁気コアと、前記一対の磁気コアを介して前記記録媒体から信号磁束が導かれる前記磁気抵抗効果素子とを有する前記電磁変換部と、前記電磁変換部を膜厚方向から保持する高い熱伝導率を有する第１のセラミック基板と第２のセラミック基板を備えることを特徴としている。
【００３０】
本発明の磁気記録再生装置の好ましい形態としては、請求項２６に記載のように、前記電磁変換部は、前記一対の磁気コアに記録磁界を供給するフラットコイルを有すること、さらに請求項２７記載のように、前記電磁変換部は、実質的に前記磁気記録媒体のトラック幅方向に対して前記薄膜磁気ヘッドの中央に位置すること、さらにまた、請求項２８記載のように、前記磁気ヘッドスライダーの前記磁気記録媒体からの浮上量は100 nm以下であることである。
【００３１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を実施するための形態について説明する。
【００３２】
図１は本発明の薄膜磁気ヘッドを適用した磁気ヘッド（スライダ）の第１の実施形態の概略構成を示す斜視図である。図１に示す磁気ヘッド（スライダ）２１は、記録トラック幅方向の略中央部に、記録部および再生部を備える電磁変換部２２を有している。電磁変換部２２はＡｌＯｘ  （１≦ｘ  ≦１．５）などからなる絶縁層２３内に配置されている。電磁変換部２２は、媒体対向面（図１では磁気ヘッド（スライダ）２１の下面）に露出面を有している。磁気ヘッド（スライダ）２１は、記録媒体の回転に応じて進行方向Ｐに向けて記録媒体から浮上している。
【００３３】
絶縁層２３内に配置されている電磁変換部２２は、絶縁層２３の一方の側面に設けられた接合層２４を介して、第１のセラミックス基板２５と第２のセラミックス基板２６とによって、その膜厚方向から挟持されている。第１および第２のセラミックス基板２５、２６は、それらの積層方向が記録トラックの幅方向（図中Ｔｗ  ）と平行となるように配置されている。言い換えると、第１および第２のセラミックス基板２６は、絶縁層２３内に配置された電磁変換部２２を記録トラック幅方向Ｔｗ  から挟持している。電磁変換部２２は第１および第２のセラミックス基板２５、２６に挟持されることによって、トラック幅方向Ｔｗ  の略中央部に位置している。
【００３４】
図２は磁気ヘッド（スライダ）２１の電磁変換部２２近傍を媒体対向面側から見た断面図である。図２を参照して、電磁変換部２２の形成位置について詳述する。すなわち、第１のセラミックス基板２５の主表面には、絶縁性のＡｌＯｘ  膜２３ａなどが設けられている。電磁変換部２２はＡｌＯｘ  膜２３ａ上に形成されており、さらに保護絶縁層としてのＡｌＯｘ  膜２３ｂで覆われている。電磁変換部２２は、これらＡｌＯｘ  膜２３ａ、２３ｂからなる絶縁層２３内に配置されている。
【００３５】
電磁変換部２２が形成された第１のセラミックス基板２５は、接合層２４を介して第２のセラミックス基板２６と接合されている。第１および第２のセラミックス基板２５、２６の接合面には、それぞれ接合下地膜２７、２８が設けられている。これら接合下地膜２７、２８間に、水ガラスや低融点ガラスなどからなる接着剤層２９を介在させて、第１のセラミックス基板２５と第２のセラミックス基板２６とを接合している。第２のセラミックス基板２６の接合面側にも、必要に応じてＡｌＯｘ  膜などの絶縁層が設けられる。
【００３６】
接着剤層２９には水ガラスや低融点ガラスなどに限らず、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｉｒ、Ｃｏなどの不活性な金属を用いることもできる。各セラミックス基板２５、２６の接合下地膜２７、２８上に不活性な金属の薄膜を形成し、これら不活性な金属の薄膜を突き合わせて熱処理することにより、第１のセラミックス基板２５と第２のセラミックス基板２６とを接合することができる。第２のセラミックス基板２６側への放熱性を考慮した場合、接着剤層２９には金属材料を使用することが好ましい。接合方法については後に詳述する。
【００３７】
図１および図２に示す磁気ヘッド（スライダ）２１において、電磁変換部２２近傍の媒体対向面（ＡＢＳ）には、電磁変換部２２、絶縁層２３、接合層２４、第１および第２のセラミックス基板２５、２６が露出している。絶縁層２３にはダイヤモンドライクカーボンを使用してもよい。ダイヤモンドライクカーボンは電磁変換部２２近傍の放熱性の向上および高硬度化に寄与する。
【００３８】
第１および第２のセラミックス基板２５、２６には、電磁変換部２２近傍の放熱性を高めるという目的からは熱伝導率が薄膜アルミナ（ＡｌＯｘ  ）以上、具体的には熱伝導率が１０Ｗ／ｍ  Ｋ  以上の基板材料を用いることが好ましい。このような熱伝導率を有するセラミックス基板としては、Ａｌ２  Ｏ３  ・ＴｉＣ基板（熱伝導率：  ２０〜５０Ｗ／ｍ  Ｋ  ）、ＳｉＣ基板（熱伝導率：２７０Ｗ／ｍ  Ｋ  ）、ＡｌＮ基板（熱伝導率：１００〜２５０Ｗ／ｍ  Ｋ）、Ｓｉ３  Ｎ４  基板（５０〜１００Ｗ／ｍ  Ｋ）、Ｎｉ−Ｚｎフェライト基板（熱伝導率：３０Ｗ／ｍ  Ｋ）、Ａｌ２  Ｏ３  基板（熱伝導率：  １０〜３０Ｗ／ｍ  Ｋ  ）などが挙げられる。第１および第２のセラミックス基板２５、２６の熱伝導率は、特に２０Ｗ／ｍ  Ｋ  以上であることが好ましい。
【００３９】
一方、電磁変換部２２近傍の摩耗を抑制するという観点からは、第１および第２のセラミックス基板２５、２６には硬高度のセラミックス基板を用いることが好ましい。具体的には、ビッカーズ硬度が  ８００Ｈｖ以上のセラミックス基板を用いることが好ましい。このようなセラミックス基板としては、Ａｌ２  Ｏ３  ・ＴｉＣ基板（ビッカーズ硬度：２０００〜２５００Ｈｖ）、ＳｉＣ基板（ビッカーズ硬度：２０００〜３０００Ｈｖ）、Ｓｉ３  Ｎ４  基板（ビッカーズ硬度：１２００〜１９００Ｈｖ）、Ｎｉ−Ｚｎフェライト基板（ビッカーズ硬度：８００Ｈｖ）、Ａｌ２  Ｏ３  基板（ビッカーズ硬度：２０００〜２１００Ｈｖ）、ＺｒＯ２  （ビッカーズ硬度：１２００〜１６００Ｈｖ）などが挙げられる。
【００４０】
第１および第２のセラミックス基板２５、２６には、同材質のセラミックス基板を用いてもよいし、また異なる材質のセラミックス基板を使用することもできる。例えば、第１のセラミックス基板２５に高硬度のセラミックス基板を適用し、第２のセラミックス基板２６に高熱伝導性のセラミックス基板を適用することも可能である。
【００４１】
電磁変換部２２の再生部には、高出力が得られるＭＲ素子を適用することが好ましい。ＭＲ素子を再生部に適用した電磁変換部２２としては、例えば記録部と再生部を一体化したヨーク型記録再生部や、記録部と再生部を分離形成したシールド型記録再生部が挙げられる。特に、図３に示すような平面ヨーク型記録再生部が好ましく用いられる。なお、再生部のみを適用した平面ヨーク型再生部であってもよい。
【００４２】
図３に示す平面ヨーク型記録再生部において、一対の磁気コア（磁性体層）３１、３２は、第１のセラミックス基板（図３では図示せず）上のＡｌＯｘ  膜２３ａ上に形成されている。これら一対の磁気コア３１、３２は、それらの主表面がＡｌＯｘ  膜２３ａの表面と略平行となるように並列配置されている。また、磁気コア３１、３２の膜厚がトラック幅に略一致する。一対の磁気コア３１、３２の媒体対向面（ＡＢＳ）側には磁気ギャップ３３が介在されており、これらにより平面型磁気ヨーク３４が構成されている。
【００４３】
図３に示す構成では、磁気ギャップ３３はトラック幅方向から媒体進行方向に傾いて形成されている（アジマス角の付与）。角度θは、隣接するトラックとのクロストークを効果的に防止するために適宜付与されるものである。
【００４４】
一対の磁気コア３１、３２上には、絶縁膜３５を介してＭＲ膜３６が形成されている。ＭＲ膜３６は、媒体対向面（ＡＢＳ）から後退したヘッド内部に配置されており、その両端部にはＭＲ膜３６にセンス電流を供給する一対の電極３７が形成されている。これらＭＲ膜３６および一対の電極３７はＭＲ素子３８を構成している。媒体対向面（ＡＢＳ）には、磁気ギャップ３３を介して配置された一対の磁気コア３１、３２からなる平面型磁気ヨーク３４のみが露出している。
【００４５】
ＭＲ膜３６には、例えば電流方向と磁性層の磁化モーメントの成す角度に依存して電気抵抗が変化する異方性磁気抵抗効果膜（ＡＭＲ膜）、磁性層と非磁性層との積層構造を有し、各磁性層の磁化の成す角度に依存して電気抵抗が変化するスピンバルブ膜や人工格子膜などの巨大磁気抵抗効果膜（ＧＭＲ）が用いられる。ＡＭＲ膜の構成材料としてはＮｉ８０Ｆｅ２０などが挙げられる。スピンバルブ膜にはＣｏ９０Ｆｅ１０／Ｃｕ／Ｃｏ９０Ｆｅ１０積層膜などが用いられる。スピンバルブ膜では、一方のＣｏ９０Ｆｅ１０膜（強磁性膜）に隣接させてＦｅＭｎやＩｒＭｎなどからなる反強磁性膜が配置され、一方のＣｏ９０Ｆｅ１０膜の磁化が固着される。
【００４６】
平面型磁気ヨーク３４の媒体対向面（ＡＢＳ）から見て後方部側、すなわちバックギャップ３９上には、絶縁膜３５を一部除去して一対の磁気コア３１、３２と磁気的に結合させたバックコア４０が形成されている。これらは記録磁気ループを形成している。この記録磁気ループを横切るように、記録コイル４１が平面的に巻かれている。記録媒体は磁気コア３１、３２を横切る方向で走査される。すなわち、トラック幅は磁気コア３１、３２の厚さに相当し、記録および再生ビット長はギャップ３３の幅に相当する。
【００４７】
上述したような磁気ヘッド（スライダ）２１は、例えば図４および図５に示す磁気ディスク装置などの磁気記録装置に搭載される。図４および図５はロータリーアクチュエータを用いた磁気ディスク装置５０の概略構造を示している。
【００４８】
磁気ディスク５１はスピンドル５２に装着され、駆動装置制御源（図示せず）からの制御信号に応答するモータ５３により回転する。磁気ディスク５１上を浮上した状態で情報の記録再生を行う電磁変換部を有するヘッドスライダ５４は、薄膜状のサスペンション５５の先端に取り付けられている。磁気ディスク５１が回転すると、ヘッドスライダ５４の媒体対向面（ＡＢＳ）は磁気ディスク５１の表面から所定の浮上量ｄ（０以上  １００ｎｍ以下）をもって保持される。
【００４９】
ヘッドスライダ５４は、上述した実施形態の磁気ヘッドスライダ２１により構成されたものであり、上述した平面ヨーク型記録再生部などの電磁変換部２２  （図４および図５では図示せず）を有している。ヘッドスライダ５４は、磁気ディスク５１の回転方向に対して第１および第２のセラミックス基板２５、２６の積層方向がおおよそ直交するように配置される。図６に磁気ディスク５１の記録トラック５１ａとヘッドスライダ５４の電磁変換部２２との相対的な位置関係を示す。
【００５０】
サスペンション５５は、図示しない駆動コイルを保持するボビン部等を有するアクチュエータアーム５６の一端に接続されている。アクチュエータアーム５６の他端には、リニアモータの  １種であるボイスコイルモータ５７が設けられている。ボイスコイルモータ５７は、アクチュエータアーム５６のボビン部に巻き上げられた図示しない駆動コイルと、それを挟み込むように対向して配置された永久磁石および対向ヨークからなる磁気回路とから構成される。アクチュエータアーム５６は、固定軸５８の上下  ２カ所に設けられた図示しないボールベアリングによって保持され、ボイスコイルモータ５７により回転摺動が自在にできるようになっている。
【００５１】
上述した実施形態の磁気ヘッド（スライダ）２１では、電磁変換部２２をその膜厚方向の両側から第１および第２のセラミックス基板２５、２６で挟持している。従って、磁気ディスク５１などの記録媒体と電磁変換部２２とが接触した際に発生する熱を、第１および第２のセラミックス基板２５、２６にそれぞれ放出することができる。図１２に示した電磁変換部の片側にのみ基板を有する従来の磁気へッドスライダと比べて約  ２倍の熱放出効率が得られる。特に第１および第２のセラミックス基板２５、２６として熱伝導率が１０Ｗ／ｍ  Ｋ  以上、さらには２０Ｗ／ｍ  Ｋ  以上のセラミックス基板を使用することによって、電磁変換部２２からの熱放出効率を高めることができる。
【００５２】
このように、電磁変換部２２近傍の放熱性を高め、電磁変換部２２からの熱放出効率を向上させることによって、電磁変換部２２の温度上昇を抑制することが可能となる。従って、グライドハイトと呼ばれる記録媒体表面の突起との接触により電磁変換部２２の温度が局部的に上昇しても、サーマルアスペリティと呼ばれる再生電圧出力レベルの変動は生じず、読み出しエラーの発生を低減することができる。電磁変換部２２近傍の放熱性の向上は、センス電流によるＭＲ膜３６の温度上昇の抑制にも寄与する。これにより、ＭＲ膜３６を構成する磁性層の特性劣化なども抑制される。
【００５３】
さらに、電磁変換部２２近傍の媒体対向面（ＡＢＳ）には、電磁変換部２２と絶縁層２３のみならず、第１および第２のセラミックス基板２５、２６が露出している。電磁変換部２２と磁気ディスク５１などの記録媒体とが接触した場合、摩耗しやすい電磁変換部２２やＡｌＯｘ  などからなる絶縁層２３は記録媒体と接触するが、耐摩耗性に優れる第１および第２のセラミックス基板２５、２６も同時に記録媒体と接触する。従って、電磁変換部２２や絶縁層２３の摩耗の進行を抑制することができる。特に、第１および第２のセラミックス基板２５、２６としてビッカース硬度が  ８００Ｈｖ以上のセラミックス基板を使用することによって、電磁変換部２２近傍の摩耗を大幅に抑制することが可能となる。
【００５４】
このように、電磁変換部２２近傍の摩耗を抑制することによって、電磁変換部２２と記録媒体との距離を安定に保つことができる。従って、記録および再生分解能の劣化を抑制することができる。さらに、記録媒体側の潤滑層の摩耗なども抑制することが可能となる。
【００５５】
電磁変換部２２近傍の摩耗抑制効果は、電磁変換部２２に平面ヨーク型記録再生部（もしくは平面ヨーク型再生部）を適用した場合に顕著である。図３に示したような平面ヨーク型記録再生部では、磁気ヨーク３４の一主面が記録媒体から一方の磁気コア３１、ＭＲ膜３６、他方の磁気コア３２へと流れる磁束と実質的に平行である。言い換えると、磁束の流れがＭＲ膜３６の膜面方向と実質的に平行である。このため、電磁変換部２２の媒体対向面（ＡＢＳ）に露出している厚さが１０〜５０μｍ  程度と薄く、摩耗が進行しやすい。シールド型再生部の場合、流れる磁束がＭＲ膜の膜面方向と実質的に垂直であるために電磁変換部の厚さは    ２００μｍ  程度と厚い。本発明によれば、媒体対向面（ＡＢＳ）への露出部の厚さが薄い平面ヨーク型記録再生部（もしくは平面ヨーク型再生部）の膜減りを効果的に抑制することができる。
【００５６】
図７に、この実施形態の磁気ヘッド（スライダ）および従来の平面ヨーク型再生部を使用した磁気ヘッド（スライダ）を低浮上走行させた後の記録媒体表面の観察結果を示す。測定結果Ａに示すように、保護絶縁膜やＡＢＳ保護膜として用いたＡｌＯｘ  膜が媒体対向面に露出する従来の磁気ヘッドスライダでは、記録媒体表面の潤滑材に傷が観察された。一方、本発明の実施形態による磁気ヘッド（スライダ）では安定性が向上し、かつ媒体対向面にＡｌＯｘ  膜よりも硬度の大きいセラミックス基板２５、２６が露出しているため、測定結果Ｂに示すように、そのような傷は観察されなかった。
【００５７】
上述した実施形態の磁気ヘッド（スライダ）２１では、記録トラック幅方向の略中央部に電磁変換部２２を配置している。従って、電磁変換部が一方の側面側に形成されている従来の磁気ヘッド（スライダ）に比べて、アクチュエータアーム５６へのヘッドスライダ５４の取付け誤差による電磁変換部２２と記録媒体との接触頻度などを低減することができる。さらに、記録トラック幅方向の略中央部に配置されていると共に、その両側からセラミックス基板２５、２６により挟持されている電磁変換部２２は、走行安定性や記録トラックのトレース精度などを向上させる。このような効果は電磁変換部２２を両側からセラミックス基板２５、２６で挟持することにより容易に得ることができる。
【００５８】
本発明を適用した磁気ヘッド（スライダ）を採用することによって、磁気記録密度を高めることができ、大容量で信頼性の高い磁気ディスク装置などの磁気記録装置を提供することが可能となる。本発明は磁気ヘッド（スライダ）の浮上高さｄを  １００ｎｍ以下の低浮上走行させる場合に、特に効果を発揮するものである。なお、上述した実施形態では電磁変換部の記録再生部に平面ヨーク型記録再生部を適用した場合について説明した。本発明はこの他に、図１３に示したようなシールド型再生部（もしくはシールド型記録再生部）などの各種の再生部および記録部を適用することができる。図１３に示したシールド型再生部は、その膜厚方向から第１および第２のセラミックス基板により挟持することができる。
【００５９】
図８は、図１に示した磁気ヘッド（スライダ）２１の変形例の概略構成を示す斜視図である。図８に示す磁気ヘッド（スライダ）２１において、電磁変換部２２近傍の媒体対向面（ＡＢＳ）には、電磁変換部２２とＡｌＯｘ  などからなる絶縁層２３が露出している。このようなヘッド構造においても、電磁変換部２２近傍の放熱性を高めることができる。ただし、電磁変換部２２近傍の摩耗は大きくなりやすいことから、耐摩耗性に関しては図１に示した磁気ヘッド（スライダ）２１の方が優れている。図８に示した磁気ヘッド（スライダ）２１においては、絶縁層２３としてダイヤモンドライクカーボンを使用することが効果的である。これにより、電磁変換部２２近傍の摩耗が抑制される。
【００６０】
次に、上述した実施形態で示した電磁変換部２２としての平面ヨーク型記録再生部、およびそれを用いた磁気ヘッド（スライダ）２１の製造方法について説明する。まず、図９を参照して電磁変換部２２としての平面ヨーク型記録再生部の製造工程について述べる。
【００６１】
図９（ａ）に示すように、第１のセラミックス基板２５の表面にＡｌＯｘ  （１≦  ｘ≦１．５）膜などの絶縁膜２３ａを、  ２極ＲＦダイオードスパッタ法などで形成する。次いで、絶縁膜２３ａ上にＮｉＦｅ、ＣｏＺｒＮｂのような軟磁性材料膜を成膜後、レジストマスクを用いたイオンビームエッチングなどで第１の磁気コア（ヨーク半体）３１を形成する。
【００６２】
続いて、図９（ｂ）に示すように、第１の磁気コア３１上を含む絶縁膜２３ａ上に、磁気ギャップ３３となるＡｌＯｘ  やＳｉＯｘ  などの非磁性膜と、第２の磁気コア３２となるＮｉＦｅ、ＣｏＺｒＮｂのような軟磁性材料膜３２′を連続して成膜する。この後、図９（ｃ）に示すように、分子量の小さいレジスト６１を塗布し、ベークさせてその表面を平坦化する。
【００６３】
そして、図９（ｄ）に示すように、レジスト６１と軟磁性材料膜３２′とが同一のエッチングレートでエッチングされるように、例えばイオン入射角を設定する。このような条件で、第１の磁気コア３１上の磁気ギャップ３３が露出するまでイオンビームによりエッチングして、第２の磁気コア３２を形成する。
【００６４】
この後、図９（ｅ）に示すように、第１および第２の磁気コア３１、３２の表面にＡｌＯｘ  などの絶縁膜３５を形成した後、ＭＲ膜３６およびその長手方向両端に接続する一対の電極３７を形成する。このようにして、平面ヨーク型再生部を有する電磁変換部２２が完成する。さらに、ＭＲ膜３６の後方側にバックコアや記録コイル（図９（ｅ）では図示せず）を形成し、これらの表面を保護絶縁膜で覆うことによって、平面ヨーク型記録再生部を有する電磁変換部２２が完成する。この電磁変換部２２の厚さは約１０〜５０μｍ  程度の薄膜である。
【００６５】
なお、記録部は再生部の平面ヨークとは別に一対の磁極を形成して構成することも可能である。この場合、再生部の平面ヨークと記録部の磁極とを、非磁性絶縁膜を介して積層した構造とすることができる。
【００６６】
次に、図１０を参照して電磁変換部２２としての平面ヨーク型記録再生部の製造工程について述べる。
【００６７】
まず、図１０（ａ）に示すように、電磁変換部２２が形成された第１のセラミックス基板２５表面に、ＡｌＯｘ  などの保護絶縁膜２３ｂを  ２極ＲＦダイオードスパッタ法などで形成し、その表面をポリッシング法などにより平坦化させる。電磁変換部２２は絶縁層２３内に配置されている。次いで、平坦化した絶縁層２３の表面にパッシベーション膜や後に用いる接合材料との密着性の高い材料、例えばＴｉなどからなる接合下地膜２７を形成する。
【００６８】
一方、図１０（ｂ）に示すように、表面に同様な接合下地膜２８を形成した第２のセラミックス基板２６を準備する。第２のセラミックス基板２６は、表面に絶縁層２３ｃを有するものであってもよい。
【００６９】
次に、図１０（ｃ）に示すように、第１のセラミックス基板２５と第２のセラミックス基板２６とを接合下地膜２７、２８間に水ガラスや低融点ガラスなどからなる接着剤層２９を介在させて積層する。この状態で約  ３００℃の熱処理を行って、第１のセラミックス基板２５と第２のセラミックス基板２６とを接合する。この基板の接合体を、電磁変換部２２を媒体対向面（ＡＢＳ）に露出するよう切断すると共に、ヘッドスライダ形状に加工することによって、この実施形態の磁気ヘッドスライダ１が完成する。
【００７０】
接合下地膜２８と接着剤層２９との好ましい組み合わせとしては、Ｔｉ／Ｓｉ／接着剤層、Ｓｉ／接着剤層、Ｓｉ／ＳｉＯｘ  ／接着剤層、Ｔｉ／Ｓｉ／ＳｉＯｘ  ／接着剤層などが挙げられる。ＳｉやＳｉＯｘ  は、Ｔｉなどと密着性が高く、さらに水ガラスなどに対しても高い密着性を示す。Ｔｉに代えてＣｒ、Ｎｂ、  Ｔａ、Ｚｒ、およびこれらの混合層を用いることもできる。
【００７１】
接合を良好に行うために、加熱の際に数Ｖ  程度の静電界をセラミックス基板に印加することが好ましい。加熱温度は、Ｎｉ８０Ｆｅ２０などの耐熱性の低い材料を用いたＭＲ膜を使用している場合には  ２５０〜  ３２０℃程度とすることが好ましい。Ｃｏ９０Ｆｅ１０／Ｃｕ／Ｃｏ９０Ｆｅ１０などの比較的耐熱性の高い材料には  ２５０〜    ３５０℃程度の温度で接合することができる。接着剤層２９として水ガラスなどを用いた場合、  ２５０〜  ３５０℃程度の熱処理温度を要するため、Ｃｏ９０Ｆｅｌ０／Ｃｕ／Ｃｏ９０Ｆｅ１０などの比較的耐熱性の高い材料を使用することが好ましい。
【００７２】
さらに、接着剤層２９には水ガラスなどの他に、例えばＡｕ、Ｐｔ、Ａｇ、  Ｃｕ、Ｎｉ、Ｉｒ、Ｃｏなどの不活性な金属を使用することができる。
【００７３】
不活性な金属を用いて接合する場合には、まず各セラミックス基板２５、２６の接合下地金属２７、２８の表面に、スパッタ法などで不活性な金属の薄膜をそれぞれ形成する。この際、不活性な金属の薄膜は、チャンバ内を真空に保って形成したり、あるいはチャンバ内の雰囲気を水素などの還元性雰囲気として形成することが好ましい。このようにして形成した不活性な金属の薄膜は、その表面に酸化物を有しておらず、良好な接合特性を示す。次いで、形成した不活性な金属の薄膜を突き合わせて、第１および第２のセラミックス基板２５、２６を積層する。この状態で  ２５０〜  ３５０℃に加熱して、第１のセラミックス基板２５と第２のセラミックス基板２６とを接合する。
【００７４】
不活性な金属を用いた接合は  ２５０〜  ３５０℃程度の温度で実施することができるため、耐熱性に乏しい薄膜磁気ヘッドを電磁変換部に備えていても、薄膜磁気ヘッドの磁気特性などを劣化させることがない。特に、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒなどの白金族元素はビッカーズ硬度も高く、摩耗の抑制にも効果を発揮する。さらに、ガラス系の接着剤に比べて熱伝導率が大きいため、電磁変換部２２から第２のセラミックス基板２６への熱放出効率を高めることができる。
【００７５】
次に、本発明の薄膜磁気ヘッドを適用した磁気ヘッド（スライダ）の第２の実施形態について説明する。図１１は本発明の薄膜磁気ヘッドを適用した磁気ヘッド（スライダ）の第２の実施形態の概略構成を示す斜視図である。
【００７６】
図１１に示す磁気ヘッド（スライダ）７０は、ＡｌＯｘ  （１≦ｘ  ≦１．５）などからなる絶縁層７２が主表面に形成された第１のセラミックス基板７１を有している。電磁変換部７３は絶縁層７２内に埋め込み形成されている。電磁変換部７３の形成位置は、記録トラック幅方向の略中央部とされている。そして、絶縁層７２内に配置された電磁変換部７３を有する第１のセラミックス基板７１と、第２のセラミックス基板７２とを、媒体進行方向と平行となるように積層および接合することによって、磁気ヘッド（スライダ）７０が構成されている。
【００７７】
すなわち、絶縁層７２内に配置されている電磁変換部７３は、その膜厚方向から第１のセラミックス７１と第２のセラミックス基板７４とによって挟持されている。言い換えると、第１および第２のセラミックス基板７１、７４は、絶縁層７２内に配置された電磁変換部７３を媒体進行方向から挟持している。電磁変換部７３は、予め第１のセラミックス基板７１上に形成しておくことによって、記録トラック幅方向の略中央部に位置している。
【００７８】
なお、この第２の実施形態におけるセラミックス基板７１、７２の材質や接合方法、電磁変換部７３の構成などは、前述した第１の実施形態と同様とすることが好ましい。
【００７９】
この第２の実施形態による磁気ヘッド（スライダ）７０においても、電磁変換部７３で発生した熱を第１のセラミックス基板７１および第２のセラミックス基板７４に効率よく放出することができる。特に、電磁変換部７３を記録トラック幅方向に対して略中央部に配置することによって、より一層熱放出効率を高めることができる。電磁変換部７３近傍の摩耗についても、電磁変換部７３近傍の媒体対向面に第１および第２のセラミックス基板７１、７４が露出する構造とすることによって、電磁変換部７３の摩耗を抑制することができる。さらに、電磁変換部７３を記録トラック幅方向の略中央部に配置することにより、走行安定性や記録トラックのトレース精度などを向上させる。
【００８０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば薄膜磁気ヘッドを低浮上走行させた場合に、媒体表面の突起部との接触による発熱を効率よく放散させることができる。従って、サーマルアスペリティなどによる問題を低減することができる。浮上量が記録媒体の平滑限界以下であっても、再生・記録分解能の劣化を低減することができる。さらに、薄膜磁気ヘッドの媒体対向面の摩耗、薄膜磁気ヘッドの摩耗に伴う記録媒体の潤滑層の摩耗なども抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態による磁気ヘッド（スライダ）の概略構造を示す斜視図である。
【図２】図１に示す磁気ヘッド（スライダ）の電磁変換部近傍を媒体対向面から見た断面図である。
【図３】図１に示す磁気ヘッド（スライダ）に電磁変換部として適用した平面ヨーク型記録再生部の構成を示す斜視図である。
【図４】本発明の一実施形態による磁気ディスク装置の構造を示す斜視図である。
【図５】図４に示す磁気ディスク装置の概略構造を模式的に示す側面図である。
【図６】図４に示す磁気ディスク装置の磁気ヘッド（スライダ）と記録トラックとの位置関係を示す図である。
【図７】本発明の実施形態による磁気ヘッド（スライダ）と従来の磁気ヘッド（スライダ）とを比較した特性図である。
【図８】図１に示す磁気ヘッド（スライダ）の変形例を示す斜視図である。
【図９】図１に示す磁気ヘッド（スライダ）に電磁変換部として適用した平面ヨーク型記録再生部の製造工程を示す断面図である。
【図１０】図１に示す磁気ヘッド（スライダ）の製造工程を示す断面図である。
【図１１】本発明の第２の実施形態による磁気ヘッド（スライダ）の概略構造を示す斜視図である。
【図１２】従来の磁気ヘッド（スライダ）の一構成例を示す斜視図である。
【図１３】従来の磁気ヘッドの電磁変換部としてのシールド型ＭＲヘッドの構造を示す斜視図である。
【符号の説明】
２１、７０……磁気ヘッド（スライダ）
２２、７３……電磁変換部
２４……接合層
２５、７１……第１のセラミックス基板
２６、７４……第２のセラミックス基板
３１、３２……磁気コア
３３……磁気ギャップ
３８……磁気抵抗効果素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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