(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板（１０）上にキャパシタ（Ｃ）が形成された半導体装置であって、
主面（１０ａ）を有する前記基板と、
前記主面上に配置され、前記キャパシタを有する配線層（４０）と、を備え、
前記配線層は、
前記基板上に配置された第１絶縁膜（５１）と、
前記第１絶縁膜上に配置された下層電極部（６１）と、
前記下層電極部を覆う状態で前記第１絶縁膜上に配置された第２絶縁膜（５２）と、
前記第２絶縁膜上に配置され、前記下層電極部と対向する中間電極部（６３）と、
前記中間電極部を覆う状態で前記第２絶縁膜上に配置された第３絶縁膜（５３）と、
前記第３絶縁膜上に配置され、前記中間電極部と対向する上層電極部（６４）と、を有し、
前記キャパシタは、前記下層電極部および前記中間電極部を含んで構成される第１キャパシタ（Ｃ１）と、前記中間電極部および前記上層電極部を含んで構成される第２キャパシタ（Ｃ２）とを有し、前記下層電極部と前記上層電極部とが電気的に接続されることで前記第１キャパシタと前記第２キャパシタとが並列接続されており、
前記中間電極部は、前記下層電極部および前記上層電極部より高電位とされ、前記基板の主面に対する法線方向から視たとき、前記下層電極部および前記上層電極部の内部に位置している半導体装置。
【請求項２】
前記下層電極部と前記中間電極部との間隔（Ｌ１）は、前記中間電極部と前記上層電極部との間隔（Ｌ２）よりも狭くされている請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
基板（１０）上にキャパシタ（Ｃ）が形成された半導体装置であって、
主面（１０ａ）を有する前記基板と、
前記主面上に配置され、前記キャパシタを有する配線層（４０）と、を備え、
前記配線層は、
前記基板上に配置された第１絶縁膜（５１）と、
前記第１絶縁膜上に配置された下層電極部（６１）と、
前記下層電極部を覆う状態で前記第１絶縁膜上に配置された第２絶縁膜（５２）と、
前記第２絶縁膜上に配置され、前記下層電極部と対向する中間電極部（６３）と、
前記中間電極部を覆う状態で前記第２絶縁膜上に配置された第３絶縁膜（５３）と、
前記第３絶縁膜上に配置され、前記中間電極部と対向する上層電極部（６４）と、を有し、
前記キャパシタは、前記下層電極部および前記中間電極部を含んで構成される第１キャパシタ（Ｃ１）と、前記中間電極部および前記上層電極部を含んで構成される第２キャパシタ（Ｃ２）とを有し、前記下層電極部と前記上層電極部とが電気的に接続されることで前記第１キャパシタと前記第２キャパシタとが並列接続されており、
前記中間電極部は、前記下層電極部および前記上層電極部より高電位とされ、
前記下層電極部と前記中間電極部との間隔（Ｌ１）は、前記中間電極部と前記上層電極部との間隔（Ｌ２）よりも狭くされている半導体装置。
【請求項４】
前記基板には、前記主面側にウェル領域（１４ａ）が形成されており、
前記第１絶縁膜上には、前記ウェル領域と接続されて当該ウェル領域をグランド電位に維持するグランド配線（６２）が形成されている請求項１ないし３のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項５】
基板（１０）上にキャパシタ（Ｃ）が形成された半導体装置であって、
主面（１０ａ）を有する前記基板と、
前記主面上に配置され、前記キャパシタを有する配線層（４０）と、を備え、
前記配線層は、
前記基板上に配置された第１絶縁膜（５１）と、
前記第１絶縁膜上に配置された下層電極部（６１）と、
前記下層電極部を覆う状態で前記第１絶縁膜上に配置された第２絶縁膜（５２）と、
前記第２絶縁膜上に配置され、前記下層電極部と対向する中間電極部（６３）と、
前記中間電極部を覆う状態で前記第２絶縁膜上に配置された第３絶縁膜（５３）と、
前記第３絶縁膜上に配置され、前記中間電極部と対向する上層電極部（６４）と、を有し、
前記キャパシタは、前記下層電極部および前記中間電極部を含んで構成される第１キャパシタ（Ｃ１）と、前記中間電極部および前記上層電極部を含んで構成される第２キャパシタ（Ｃ２）とを有し、前記下層電極部と前記上層電極部とが電気的に接続されることで前記第１キャパシタと前記第２キャパシタとが並列接続されており、
前記中間電極部は、前記下層電極部および前記上層電極部より高電位とされ、
前記基板には、前記主面側にウェル領域（１４ａ）が形成されており、
前記第１絶縁膜上には、前記ウェル領域と接続されて当該ウェル領域をグランド電位に維持するグランド配線（６２）が形成されている半導体装置。 
【請求項６】
前記第２絶縁膜および前記第３絶縁膜の少なくともいずれか一方は、酸化膜と窒化膜とが積層されて構成されている請求項１ないし５のいずれか１つに記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板上にキャパシタが形成された半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体基板上にキャパシタが形成された半導体装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。例えば、この半導体装置では、基板上に第１電極が形成され、第１電極上に容量層としての酸化膜等が形成されている。そして、容量層上には、第２電極が形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−１７７０５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記半導体装置は、第１電極および第２電極における電位の大小については規定されていない。このため、例えば、第１電極が第２電極より高電位とされる場合には、第１電極と基板との寄生容量が大きくなる。特に、第１電極と第２電極との間に１００Ｖ以上の高電圧が印加されるような場合には、基板との寄生容量が顕著になり、当該寄生容量に起因する不具合が発生する可能性がある。また、このようなキャパシタを有する半導体装置では、キャパシタの単位面積当たりの容量を増加したいという要望もある。
【０００５】
本発明は上記点に鑑み、寄生容量が大きくなることを抑制しつつ、単位面積当たりの容量を増加できる半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するための請求項１、３、５では、基板（１０）上にキャパシタ（Ｃ）が形成された半導体装置であって、主面（１０ａ）を有する基板と、主面上に配置され、キャパシタを有する配線層（４０）と、を備え、配線層は、基板上に配置された第１絶縁膜（５１）と、第１絶縁膜上に配置された下層電極部（６１）と、下層電極部を覆う状態で第１絶縁膜上に配置された第２絶縁膜（５２）と、第２絶縁膜上に配置され、下層電極部と対向する中間電極部（６３）と、中間電極部を覆う状態で第２絶縁膜上に配置された第３絶縁膜（５３）と、第３絶縁膜上に配置され、中間電極部と対向する上層電極部（６４）と、を有し、キャパシタは、下層電極部および中間電極部を含んで構成される第１キャパシタ（Ｃ１）と、中間電極部および上層電極部を含んで構成される第２キャパシタ（Ｃ２）とを有し、下層電極部と上層電極部とが電気的に接続されることで第１キャパシタと第２キャパシタとが並列接続されており、中間電極部は、下層電極部および上層電極部より高電位とされるようになっている。
さらに、請求項１では、中部電極部は、基板の主面に対する法線方向から視たとき、下層電極部および上層電極部の内部に位置している。
請求項３では、下層電極部と中間電極部との間隔（Ｌ１）は、中間電極部と上層電極部との間隔（Ｌ２）よりも狭くされている。
請求項５では、基板には、主面側にウェル領域（１４ａ）が形成されており、第１絶縁膜上には、ウェル領域と接続されて当該ウェル領域をグランド電位に維持するグランド配線（６２）が形成されている。
【０００７】
これによれば、中間電極部が高電位とされるため、下部電極部が低電位となる。このため、基板とキャパシタとの間で発生する寄生容量を低減できる。また、キャパシタは、第１キャパシタと第２キャパシタとが並列接続された構成とされている。このため、キャパシタの単位面積当たりの容量を増加させることができる。
なお、各構成要素等に付された括弧付きの参照符号は、その構成要素等と後述する実施形態に記載の具体的な構成要素等との対応関係の一例を示すものである。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第１実施形態における半導体装置の断面図である。
【図２】下層電極部、中間電極部、上層電極部の位置関係を示す平面図である。
【図３】第１実施形態におけるキャパシタの回路図である。
【図４】第２実施形態における半導体装置の断面図である。
【図５】電圧と容量変化率との関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。
【００１０】
（第１実施形態）
第１実施形態について、図面を参照しつつ説明する。本実施形態の半導体装置は、図１に示されるように、支持基板１１上に埋込絶縁膜１２を介して活性層１３が積層されたＳＯＩ（Silicon On Insulatorの略）基板１０を用いて構成される。なお、支持基板１１は、シリコン等の半導体基板で構成され、埋込絶縁膜１２は、酸化膜等で構成される。活性層１３は、所定の不純物濃度とされたＮ−型のシリコン基板を用いて構成されている。以下では、活性層１３における埋込絶縁膜１２側と反対側の面をＳＯＩ基板１０の主面１０ａともいう。
【００１１】
本実施形態では、活性層１３は、トレンチ分離部２０によって素子領域１４とフィールドグランド領域１５とに素子分離されている。具体的には、活性層１３は、素子領域１４がフィールドグランド領域１５に囲まれるように、トレンチ分離部２０によって素子分離されている。
【００１２】
トレンチ分離部２０は、ＳＯＩ基板１０の主面１０ａから埋込絶縁膜１２に達するように形成された溝部２１に、当該溝部２１を埋め込むように絶縁膜２２が配置されることで構成されている。なお、絶縁膜２２は、熱酸化、またはデポジションによる絶縁材料の埋め込みによって溝部２１に配置される。
【００１３】
素子領域１４では、本実施形態では、活性層１３の表層部に、活性層１３よりも高不純物濃度とされたＮ型のウェル領域１４ａが形成されている。
【００１４】
ＳＯＩ基板１０の主面１０ａ上には、酸化膜等で構成される表面絶縁膜３０が形成されている。表面絶縁膜３０には、ウェル領域１４ａを露出させるコンタクトホール３０ａが形成されている。本実施形態では、コンタクトホール３０ａは、複数形成されている。そして、ＳＯＩ基板１０の主面１０ａには、コンタクトホール３０ａ内にウェル領域と接続されるパッド部３１が形成されている。
【００１５】
なお、表面絶縁膜３０は、ＣＶＤ（Chemical Vapor Depositionの略）法等で形成されるテトラエトキシシラン（TEOS:Tetra EthylOrthoSilicate）膜等で構成される。以下では、テトラエトキシシラン膜を単にＴＥＯＳ膜ともいう。また、パッド部３１は、アルミニウム等で構成される。
【００１６】
そして、ＳＯＩ基板１０の主面１０ａ上には、表面絶縁膜３０を介してメタルインシュレータメタル構造のキャパシタＣを有する配線層４０が形成されている。
【００１７】
具体的には、表面絶縁膜３０上には、第１層間絶縁膜５１が形成されている。本実施形態では、第１層間絶縁膜５１は、ＳＯＩ基板１０側から第１下層絶縁膜５１ａ、第１上層絶縁膜５１ｂが順に積層されることで構成されている。なお、第１下層絶縁膜５１ａは、高密度プラズマ（HDP：High Density Plasma）のＣＶＤ法で形成される酸化膜で構成されている。第１上層絶縁膜５１ｂは、ＣＶＤ法等で形成されるＴＥＯＳ膜で構成されている。以下では、高密度プラズマの化学気相蒸着法で形成される酸化膜をＨＤＰ膜ともいう。
【００１８】
第１層間絶縁膜５１には、パッド部３１を露出させるコンタクトホール５１ｃが形成されている。そして、コンタクトホール５１ｃには、タングステンが埋め込まれることで構成される接続ビア５１ｄが配置されている。
【００１９】
第１層間絶縁膜５１上には、下層電極部６１およびグランド配線部６２が形成されている。下層電極部６１は、本実施形態では、平面矩形状とされている。グランド配線部６２は、本実施形態では、下層電極部６１を挟んで２つ配置されている。そして、各グランド配線部６２は、それぞれ接続ビア５１ｄを通じてウェル領域１４ａと接続されている。なお、本実施形態では、各グランド配線部６２は、下層電極部６１のうちの対向する一辺に沿って配置されている。つまり、図１中では、各グランド配線部６２は、紙面奥行方向に沿って延設されている。
【００２０】
第１層間絶縁膜５１上には、下層電極部６１およびグランド配線部６２を覆うように、第２層間絶縁膜５２が形成されている。本実施形態では、第２層間絶縁膜５２は、ＳＯＩ基板１０側から第２下層絶縁膜５２ａ、第２上層絶縁膜５２ｂが順に積層されることで構成されている。
【００２１】
なお、第２下層絶縁膜５２ａはＨＤＰ膜で構成され、第２上層絶縁膜５２ｂはＴＥＯＳ膜等で構成される。また、ＨＤＰ膜はＴＥＯＳ膜よりも埋込性が高いため、第２下層絶縁膜５２ａをＨＤＰ膜で構成することにより、第２層間絶縁膜５２をＴＥＯＳ膜のみで構成した場合と比較して、下層電極部６１およびグランド配線部６２との間に隙間が形成されることを抑制できる。
【００２２】
第２層間絶縁膜上には、下層電極部６１と対向するように、中間電極部６３が形成されている。これにより、下層電極部６１、中間電極部６３、下層電極部６１と中間電極部６３との間に位置する第２層間絶縁膜５２を有し、第２層間絶縁膜５２を容量層とする第１キャパシタＣ１が構成される。なお、本実施形態では、中間電極部６３は、平面矩形状とされている。
【００２３】
そして、第２層間絶縁膜５２上には、中間電極部６３を覆うように、第３層間絶縁膜５３が形成されている。本実施形態では、第３層間絶縁膜５３は、ＳＯＩ基板１０側から第３下層絶縁膜５３ａ、第３上層絶縁膜５３ｂが順に積層されることで構成されている。なお、第３下層絶縁膜５３ａはＨＤＰ膜で構成され、第３上層絶縁膜５３ｂはＴＥＯＳ膜で構成される。また、第３下層絶縁膜５３ａをＨＤＰ膜で構成することにより、中間電極部６３との間に隙間が形成されることを抑制できる。
【００２４】
第３層間絶縁膜５３上には、中間電極部６３と対向するように、上層電極部６４が形成されている。これにより、中間電極部６３、上層電極部６４、中間電極部６３と上層電極部６４との間に位置する第３層間絶縁膜５３を有し、第３層間絶縁膜５３を容量層とする第２キャパシタＣ２が構成される。なお、本実施形態では、上層電極部６４は、平面矩形状とされている。
【００２５】
第３層間絶縁膜５３上には、上層電極部６４を覆うように第４層間絶縁膜５４が形成されている。なお、第４層間絶縁膜５４は、ポリイミド系樹脂で構成されている。
【００２６】
ここで、本実施形態では、下層電極部６１、中間電極部６３、および上層電極部６４は、中間電極部６３が下層電極部６１および上層電極部６４より平面形状が小さくなるように形成されている。なお、本実施形態では、下層電極部６１および上層電極部６４は、平面の大きさが同じとされている。そして、下層電極部６１、中間電極部６３、および上層電極部６４は、主面１０ａに対する法線方向（以下では、単に法線方向という）から視たとき、図２に示されるように、下層電極部６１および上層電極部６４の内部に中間電極部６３が位置するように形成されている。つまり、下層電極部６１、中間電極部６３、および上層電極部６４は、法線方向から視たとき、下層電極部６１および上層電極部６４から中間電極部６３が突出しないように形成されている。
【００２７】
さらに、本実施形態では、第１キャパシタＣ１における下層電極部６１と中間電極部６３との間隔Ｌ１は、第２キャパシタＣ２における中間電極部６３と上層電極部６４との間隔Ｌ２より狭くされている。つまり、下層電極部６１と中間電極部６３との間に位置する第２層間絶縁膜５２の厚さは、中間電極部６３と上層電極部６４との間に位置する第３層間絶縁膜５３の厚さより薄くされている。
【００２８】
また、下層電極部６１、中間電極部６３、および上層電極部６４は、図１とは別断面でそれぞれ他の配線部と接続されている。そして、本実施形態の半導体装置は、中間電極部６３が高電位とされ、下層電極部６１および上層電極部６４が低電位とされるようになっている。より詳しくは、下層電極部６１および上層電極部６４は、他の配線部を介して電気的に接続されており、同電位となっている。つまり、本実施形態の半導体装置におけるキャパシタＣは、図３に示されるように、第１キャパシタＣ１と第２キャパシタＣ２とを有し、第１キャパシタＣ１と第２キャパシタＣ２とが並列接続されることで構成されている。
【００２９】
なお、本実施形態では、下層電極部６１および上層電極部６４に接続される配線部と、中間電極部６３と接続される配線部とは、法線方向から視たとき、各電極部６１、６３、６４を挟んで反対側となるように形成されている。また、下層電極部６１および上層電極部６４に接続される配線部と、中間電極部６３と接続される配線部とは、法線方向から視たとき、グランド配線部６２と交差しないように形成されている。例えば、図１中では、下層電極部６１および上層電極部６４に接続される配線部は、紙面手前側に引き出されており、中間電極部６３と接続される配線部は、紙面奥行側に引き出されている。これにより、これらの配線部の間で発生し得る寄生容量を低減できる。
【００３０】
また、グランド配線部６２も図１とは別断面で他の配線部と接続されており、グランド電位に維持されるようになっている。このため、ウェル領域１４ａは、グランド電位に維持される。
【００３１】
以上説明したように、本実施形態では、下層電極部６１、中間電極部６３、上層電極部６４が積層されており、下層電極部６１が低電位とされる。このため、ＳＯＩ基板１０とキャパシタＣとの間で発生する寄生容量を低減できる。
【００３２】
また、キャパシタＣは、下層電極部６１および中間電極部６３を有する第１キャパシタＣ１と、中間電極部６３および上層電極部６４を有する第２キャパシタＣ２とが並列接続された構成とされている。このため、キャパシタＣの単位面積当たりの容量を増加させることができる。
【００３３】
さらに、本実施形態では、法線方向から視たとき、中間電極部６３が下層電極部６１および上層電極部６４内に位置する構成とされている。このため、位置ずれ等が発生した際、中間電極部６３と下層電極部６１との対向面積が変化することを抑制でき、中間電極部６３と上層電極部６４との対向面積が変化することを抑制できる。つまり、位置ずれが発生した際にキャパシタＣの容量が変動することを抑制できる。さらに、法線方向から視たときに中間電極部６３が下層電極部６１内に位置する構成とされているため、高電位とされる中間電極部６３とＳＯＩ基板１０との間で寄生容量が発生することを抑制できる。
【００３４】
また、第１キャパシタＣ１は、間隔Ｌ１が第２キャパシタＣ２の間隔Ｌ２より狭くされている。このため、キャパシタＣの耐圧は、第１キャパシタＣ１に依存することになる。ここで、上記半導体装置は、ＳＯＩ基板１０の主面１０ａ上に、主面１０ａ側から各層間絶縁膜５１〜５４、各電極部６１、６３、６４、およびグランド配線部６２等を順に形成することで製造されるが、後の工程で製造される部分ほど製造誤差が大きくなり易い。このため、本実施形態では、製造誤差が小さい第１キャパシタＣ１でキャパシタＣの耐圧が規定されるため、キャパシタＣの耐圧がばらつくことを抑制できる。
【００３５】
そして、本実施形態では、ウェル領域１４ａと接続されるグランド配線部６２が形成されている。このため、素子領域１４にノイズが伝搬された場合には、グランド配線部６２を通じて当該ノイズを放出できる。したがって、ノイズによってキャパシタＣの特性が変動することも抑制できる。
【００３６】
（第２実施形態）
第２実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対し、第３層間絶縁膜５３の構成を変更したものである。その他に関しては、第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００３７】
本実施形態では、図４に示されるように、第３層間絶縁膜５３は、第３下層絶縁膜５３ａと第３上層絶縁膜５３ｂとの間に、第３下層絶縁膜５３ａ側から第３中下層絶縁膜５３ｃ、第３中上層絶縁膜５３ｄが順に配置されている。第３中下層絶縁膜５３ｃは、ＴＥＯＳ膜で構成されている。第３中上層絶縁膜５３ｄは、窒化膜で構成されている。つまり、第２キャパシタＣ２は、容量層が酸化膜と窒化膜とを有する構成とされている。
【００３８】
ここで、本発明者らが検討したキャパシタに印加される電圧と、容量変動率との関係について図５を参照しつつ説明する。なお、図５の容量変動率は、７０Ｖ時の容量を基準値とし、当該基準値に対する各電圧の容量の変動率を示している。
【００３９】
図５に示されるように、容量層を酸化膜で構成した場合には、電圧が７０Ｖ未満の領域では、電圧が小さくなるほど基準値に対して容量が大きくなることが確認される。また、電圧が７０Ｖより大きい領域では、電圧が大きくなるほど基準値に対して容量が小さくなることが確認される。
【００４０】
一方、容量層を窒化膜で構成した場合には、電圧が７０Ｖ未満の領域では、電圧が小さくなるほど基準値に対して容量が小さくなることが確認される。また、電圧が７０Ｖより大きい領域では、電圧が大きくなるほど基準値に対して容量が大きくなることが確認される。
【００４１】
つまり、容量層を酸化膜で構成した場合と、容量層を窒化膜で構成した場合とでは、電圧に対する容量の特性が反対となることが確認される。そして、容量層を酸化膜および窒化膜で構成した場合には、酸化膜および窒化膜の容量特性が緩和されるため、容量の変動が小さくなることが確認される。
【００４２】
このため、本実施形態では、上記のように、第３層間絶縁膜５３を酸化膜および窒化膜を有する構成とすることにより、電圧に対する容量の変動が小さくなるようにしている。
【００４３】
以上説明したように、本実施形態では、第３層間絶縁膜５３を酸化膜および窒化膜で構成している。このため、第２キャパシタＣ２の電圧に対する容量の変動を小さくしつつ、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００４４】
また、第３層間絶縁膜５３が窒化膜を有する構成とすることにより、窒化膜は酸化膜よりも水分の透過性が低いため、第３中上層絶縁膜５３ｄよりＳＯＩ基板１０側に水分が透過することを抑制できる。
【００４５】
（他の実施形態）
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
【００４６】
例えば、上記各実施形態において、第１キャパシタＣ１の間隔は、第２キャパシタＣ２の間隔より広くされていてもよい。また、上記各実施形態において、中間電極部６３は、法線方向から視たとき、下層電極部６１および上層電極部６４より突出した形状とされていてもよい。そして、上記各実施形態において、グランド配線部６２は、枠状とされていなくてもよいし、備えられていなくてもよい。これらのような半導体装置としても、下層電極部６１が低電位とされるようにすることにより、ＳＯＩ基板１０とキャパシタＣとで構成される寄生容量を低減できる。
【００４７】
また、上記第１実施形態において、第１〜第３層間絶縁膜５１〜５３は、ＨＤＰ膜のみで構成されていてもよいし、ＴＥＯＳ膜のみで構成されていてもよい。つまり、第１〜第３層間絶縁膜５１〜５３は、１層の絶縁膜のみで構成されていてもよい。さらに、第１〜第３層間絶縁膜５１〜５３は、それぞれさらに複数の絶縁膜が積層されていてもよい。例えば、第２層間絶縁膜５２は、ＴＥＯＳ膜、ＨＤＰ膜、ＴＥＯＳ膜が積層されて構成されていてもよいし、さらに複数の絶縁膜が積層されて構成されていてもよい。同様に、上記第２実施形態においても、第１〜第３層間絶縁膜５１〜５３を構成する絶縁膜の層数は、適宜変更可能である。そして、上記各実施形態において、下層電極部６１、中間電極部６３、および上層電極部６４は、平面矩形状とされていなくもてよく、例えば、円形状とされていてもよい。
【００４８】
さらに、上記第２実施形態において、第２層間絶縁膜５２においても窒化膜を有する構成としてもよい。つまり、第１キャパシタＣ１の容量層が酸化膜および窒化膜で構成されるようにしてもよい。これによれば、第１キャパシタＣ１の電圧に対する容量の変動を小さくできる。この場合、第１キャパシタＣ１および第２キャパシタＣ２の容量層が共に酸化膜および窒化膜で構成されるようにしてもよいし、第１キャパシタＣ１の容量層のみが酸化膜および窒化膜で構成されるようにしてもよい。
【００４９】
また、上記第２実施形態において、第３中下層絶縁膜５３ｃを配置せず、第３下層絶縁膜５３ａ上に窒化膜で構成される第３中上層絶縁膜５３ｄを配置するようにしてもよい。さらに、上記第２実施形態において、第３上層絶縁膜５３ｂを配置せず、第３中上層絶縁膜５３ｄ上に上層電極部６４を配置するようにしてもよい。
【符号の説明】
【００５０】
１０    基板
１０ａ  主面
４０    配線層
５１    第１層間絶縁膜
５２    第２層間絶縁膜
５３    第３層間絶縁膜
６１    下層電極部
６３    中間電極部
６４    上層電極部
Ｃ      キャパシタ
Ｃ１    第１キャパシタ
Ｃ２    第２キャパシタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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