【手続補正書】
【提出日】平成29年9月4日(2017.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子の１個もしくはそれ以上のビームレットの軌道を操作するための荷電粒子光学装置であって、当該荷電粒子光学装置は平坦な基板の上方の側におけるもしくはその近傍の第１の面と、前記平坦な基板の下方の側におけるもしくはその近傍の第２の面と、更に均一な厚さとを有する前記平坦な基板を含む第１の電磁偏光器を備えており、前記平坦な基板は、
前記１個もしくはそれ以上のビームレットをそこを通って通過させるための貫通開口部を備え、当該貫通開口部は前記平坦な基板の上方側及び下方側に進出し、
第１及び第２のコイルを更に備え、前記第１及び第２のコイルの各々は前記第１の面の上に配置された１個もしくはそれ以上の導電的な上方の各リードと、前記第２の面に配置された１個もしくはそれ以上の導電的な下方の各リードと、前記平坦な基板を貫通して延在する各ビアとを備え、前記各ビアの各々は前記コイルを形成するために前記各上側リードの１つを前記下方の各リードの１つに導電的に接続するために配置され、
前記第１及び第２のコイルは前記貫通開口部のいずれかの側に配置されている
荷電粒子光学装置。
【請求項２】
前記貫通開口部は２個の縦方向の側及び２個の横方向の側を有する矩形状のウインドウを画定しており、前記第１及び第２のコイルは前記縦方向の各側に隣接して配置されている
請求項１に記載の荷電粒子光学装置。
【請求項３】
前記貫通開口部は１個もしくはそれ以上のビームレットをそこを通って通過させるための第１の貫通開口部であり、前記平坦な基板はさらに、
１個もしくはそれ以上のビームレットの第２の組をそこを通って通過させるための第２の貫通開口部を備え、前記第２の貫通開口部は前記平坦な基板の前記上方側及び下方側内に進出し、そして前記第２の貫通開口部は前記第１の貫通開口部から離隔した対向する第２のコイル側に配置されており、
第３のコイルを更に備え、当該第３のコイルは前記第１の面の上に配置された１個もしくはそれ以上の導電的な上方のリードと、前記第２の面の上に配置された１個もしくはそれ以上の導電的な下方リードと、前記平坦な基板を貫通して延在する１個もしくはそれ以上のビアとを備え、前記各ビアの各々は前記コイルを形成するために前記上方のリードの１つを前記下方リードの１つに導電的に接続するために配置され、
前記第３のコイルは前記第２のコイルからル離隔して対向する前記第２の開口部の側に配置されている
請求項１もしくは２に記載の荷電粒子光学装置。
【請求項４】
前記平坦な基板は前記第１と第２の貫通開口部間に配置されている１個もしくはそれ以上の更なる貫通開口部を具備しており、前記第１、第２及び更なる各貫通開口部はお互いからの一定の距離に配置され、そして前記貫通開口部の二つの間のある領域において、コイルが配置されている
請求項３に記載の荷電粒子光学装置。
【請求項５】
前記各貫通開口部から離隔して対向する側における前記各コイルの周りに配置される磁束閉じ込め部材を更に備えている
請求項１から請求項４のいずれか一つに記載の荷電粒子光学装置。
【請求項６】
磁束閉じ込め部材は前記平坦な基板を取り囲むように配置されている
請求項５に記載の荷電粒子光学装置。
【請求項７】
前記磁束閉じ込め部材は前記第１及び第３のコイルに隣接して配置されている
請求項３に従属する請求項５もしくは６に記載の荷電粒子光学装置
【請求項８】
前記第２のコイルのコイルターンの数は、前記第１のコイルコイルターンの数＋（プラス）前記第３のコイルのコイルターンの数に等しい
請求項３，請求項４もしくは請求項７か，請求項３に従属する請求項５か請求項６のいずれか一つにに記載の荷電粒子光学装置。
【請求項９】
前記貫通開口部を除く前記平坦な基板の少なくとも第１及び第２の面は電気的に絶縁物質の第１の層と導電物質の第２の層とによって被覆され、前記第１の層は前記第２の層と前記平面的な基板との間に挟まれている
請求項１から請求項８のいずれか一つに記載の荷電粒子光学装置。
【請求項１０】
前記各貫通開口部は内周縁部を備え、当該内周縁部は導電物質の層で被覆されている、及び／もしくは、前記平坦な基板は外周縁部を備えており、当該外周縁部は導電物質の層で被覆されている
請求項９に記載の荷電粒子光学装置。
【請求項１１】
前記荷電粒子光学装置は前記第１の電磁偏向器の複製である第２の電磁偏向器を備えており、そして前記第１の電磁偏向器から一定の距離に配置されている
請求項１から請求項１０のいずれか一つに記載の荷電粒子光学装置。
【請求項１２】
前記第２の電磁偏向器は、前記第２の電磁偏向器の少なくとも前記第１及び前記第２のコイルが前記第１の電磁偏向器の前記第１及び第２のコイルに平行に延びるように前記第１の電磁偏向器に対して配置されている
請求項１１に記載の荷電粒子光学装置。
【請求項１３】
前記第２の電磁偏向器は前記第１の電磁偏向器の偏向に対向した方向へ１個もしくはそれ以上のビームレットを偏向させるために配置されおよび／もしくは制御される
請求項１１もしくは請求項１２に記載の荷電粒子光学装置。
【請求項１４】
前記荷電粒子光学装置は、均一な厚さを有する第２の平坦な基板を含む第１の静電偏向器を備えており、
前記第２の基板は前記１個もしくはそれ以上のビームレットをそこを通って通過させるための１個もしくはそれ以上の貫通開口部を備えており、前記１個もしくはそれ以上の貫通開口部は前記第２の基板の上方側及び下方側に進出し、各貫通開口部において前記第２の基板は前記貫通開口部内の電場を提供するために前記貫通開口部のいずれかの側に配置されている第１及び第２の電極を備えており、
前記第１の静電偏向器は前記第１の電磁偏向器からの一定の距離において配置されている
請求項１から請求項１３のいずれか一つに記載の荷電粒子光学装置。
【請求項１５】
前記第１の静電偏向器は、前記第１の静電偏向器の少なくとも前記第１及び第２の電極が前記第１の電磁偏向器の前記第及び第２のコイルに平行に延在するように前記第１の電磁偏向器に対して配置されている
請求項１４に記載の荷電粒子光学装置。
【請求項１６】
前記荷電粒子光学装置は前記第１の静電偏向器の複製である第２の静電偏向器を備え、そして前記第１の静電偏向器からの一定の距離に配置されている
請求項１４もしくは請求項１５に記載の荷電粒子光学装置。
【請求項１７】
前記第２の静電偏向器は、前記第２の静電偏向器の少なくとも前記第１及び第２の電極が前記第１の静電偏向器の前記第１及び第２の電極に平行に延びるように前記第１の静電偏向器に対して配置されている
請求項１６に記載の荷電粒子光学装置。
【請求項１８】
前記第２の静電偏向器は、前記第１の静電偏向器の偏向に対向した方向に前記１個もしくはそれ以上のビームレットを偏向するために配置されおよび／もしくは制御される
請求項１６もしくは請求項１７に記載の荷電粒子光学装置。
【請求項１９】
前記荷電粒子光学装置は冷却部を備えており、もしくは冷却部の上に実装されており、前記冷却部は均一な厚さを有する第３の平坦な基板を備えており、
前記第３の平坦な基板は前記１個もしくはそれ以上のビームレットをそれを通って通過するための１個もしくはそれ以上の貫通開口部を備えており、前記１個もしくはそれ以上の貫通開口部は前記第３の平坦な基板の上方の側及び下方の側に進出しており、
前記第３の平坦な基板は各フローチャンネルが前記各貫通開口部に隣接して配置されている冷却流体のためのフローチャンネルを具備しており、
前記冷却部の１個もしくはそれ以上の貫通開口部の少なくとも１つが前記第１の電磁偏向器の１個もしくはそれ以上の貫通開口部の１つに一列に配置されている
請求項１から請求項１８のいずれか一つに記載の荷電粒子光学装置。
【請求項２０】
複数の荷電粒子ビームレットを用いてターゲットを露光するための荷電粒子マルチービームレット露光システムであって、当該システムは、
前記複数の荷電粒子ビームレットを発生するためのビームレット発生器と、
前記複数の荷電粒子ビームレットの１個もしくはそれ以上を前記ターゲットのある面の上に投影するためのビームレット投影器とを備え、当該ビームレット投影器は、請求項１から請求項１９にいずれか一つに記載したような荷電粒子光学装置を備えている
荷電粒子マルチービームレット露光システム。
【請求項２１】
前記システムはリソグラフィックシステムであるかもしくは顕微鏡システムである
請求項２０に記載の荷電粒子マルチービームレット露光システム。
【請求項２２】
請求項２０もしくは請求項２１に記載の荷電粒子マルチービームレット露光システムにおける荷電粒子の１個もしくはそれ以上のビームレットの軌道を操作する方法であって、
前記磁場を横断する方向の前記貫通開口部を通過する前記１個もしくはそれ以上のビームレットを偏向させる前記貫通開口部内側の一定の磁場を提供するために前記第１及び第２のコイルを通って電流を方向づける工程を備えている
方法。