(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハー表面調整プロセスにおける酸の使用、精製、回収および再利用を包含する閉鎖ループ式方法であって、
a.塩酸、フッ化水素酸、臭化水素酸および硝酸からなる群から選択された酸でウエハーの表面を調整し、それにより酸はウエハーの表面から除去された物質で汚染される工程、
b.汚染された酸の共沸混合物形成性水溶液に低蒸気圧液体補助剤を、補助剤対汚染された水溶液の容量比0.4:1ないし2:1で添加して反応混合物を形成し、それにより汚染された水溶液の共沸混合物形成特性が失われる工程、
c.該反応混合物を分離して、酸が減少し補助剤を含有する汚染された第一の水性液相と、酸が増加し補助剤が減少した実質的に汚染物質を含まない第一の水蒸気含有気相とを形成する工程、
d.該汚染された第一の水性液相を、補助剤が減少した汚染された第二の水性液相と、補助剤が増加した実質的に汚染物質を含まない第二の水蒸気含有気相とに分離する工程、
e.該第一の気相を再構成して、ウエハー表面調整における使用に有効な純度を有する精製された酸を形成する工程、および
f.該精製された酸でウエハー表面を調整する工程、
からなる方法。
【請求項２】
前記低蒸気圧液体補助剤が硫酸およびリン酸からなる群から選択される請求項１記載の方法。
【請求項３】
反応混合物の前記分離が蒸留により行われる請求項１記載の方法。
【請求項４】
反応混合物の前記分離が不活性ガスパージにより行われる請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記不活性ガスがガス0.02ないし0.4ミリリットル／分／汚染された水溶液ミリリットルの速度で反応混合物に添加される請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記不活性ガスが上記反応混合物を通してパージされる請求項４記載の方法。
【請求項７】
前記不活性ガスが上記反応混合物の表面を横切ってパージされる請求項４記載の方法。
【請求項８】
反応混合物の前記分離が蒸留および不活性ガスパージの両方により行われる請求項１記載の方法。
【請求項９】
前記再構成が水での吸収により行われる請求項１記載の方法。
【請求項１０】
0.4規定と4.5規定の間の水性酸を生じるのに十分な量の水が前記吸収において使用される請求項９記載の方法。
【請求項１１】
前記再構成が凝縮により行われる請求項１記載の方法。
【請求項１２】
前記第二の気相を再構成して、ウエハー表面調整プロセスにおいて再利用に適する純度を有する実質的に汚染物質を含まない低蒸気圧液体補助剤源を形成することを更に含む請求項１記載の方法。
【請求項１３】
前記第一の水性液相の前記分離が蒸留により行われる請求項１記載の方法。
【発明の詳細な説明】
発明の背景
1.発明の分野
本発明は化学物質を発生および再生されるための装置および方法、およびより特別には高純度フッ化水素酸および塩酸の再循環する方法に関する。本発明の方法は特に高純度のウエハー洗浄化学物質の、使用のポイント（point−of−use）での発生および再循環に対して有益である。
2.背景の情報
今日製造される超大規模（ULSI）半導体デバイスはミクロン未満である設計ライン幅（designed line widths）および300オングストロームより薄い絶縁フィルム（dielectric films）を包含する。より少ない超過時間（overtime）になることを期待する、これらの機構（feature）はこれらの製造の間の汚染に極めて感受性が高い。機構の大きさが縮小するにつれ、通常チップまたはウエハーと呼ばれる回路デバイスは汚染への感受性が高くなるであろう。
ULSIデバイスに不利な作用を及ぼす混入物は種々の形態をとる。パーティクル（particle）は開回路（open circuit）および短絡（shroted circuit）および集積しない絶縁フィルム（non−integral dielectric film）の原因となり得る。金属または非金属の両方の、有機および無機汚染物質、乏しいフィルム品質ならびに減少されたデバイス性能および信頼性をもたらすことになる。金属の混入物は特に損傷を与え得る。全体として、混入物はデバイスの収量の損失の大部分をもたらす。
ULSIデバイスの製作で現在使用される方法は気体および液体の両方の化学薬品に大いに依存する。湿式洗浄溶液は現在ウエハー製造で使用される手段の約25％を占める。一般に、これらの方法で使用される液体試薬は気体試薬よりも混入物のかなり高いレベルを含む。
これらの混入物のレベルの見地から、ウエハー製造産業では液体薬品への依存を減少しようと試みている。しかし、気体相による洗浄方法は、特にパーティクルおよび金属の除去の方法を開発することが困難であることが判明している。このため液体ベースの洗浄方法は少なくともさらに10年間は使用されると予想される。従って、これらの液体の汚染の減少が非常に望まれている。上記産業では、３ないし４年ごとに10倍の混入物の減少が要求されることが予測される。
典型的な設備においては、溶解させた化学薬品の比較的大容量を洗浄に利用する。ULSIデバイス技術の巨大設備の製造態様による化学薬品の使用量の概算は以下に示されるものである：
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これらの化学薬品は、高い毒性、高い腐食性があり、それらの分配、使用および処分に関する環境的費用が提起され得る。使用済みの化学薬品を中和するために、大容量の追加の化合物が要求される。使用済みの化学薬品の処理の費用は特には化学薬品の購入の費用を超える。考慮すべき費用は薬品の使用量を縮小するか、薬品が再循環されれば達成されるだろう。
過去においては、上記に挙げたような液体を再循環させるため、種々の方法が使用されまたは提案されている。この様な方法の例は、炭素吸着、逆浸透、イオン交換、膜ろ過、限外ろ過および蒸留を含む。
しかしながら、これらの方法は著しい制限および短所をもつ。
従来技術の短所および制限を克服する、洗浄化学薬品例えば、水性の、塩酸（HCl）、フッ化水素酸（HF）、臭化水素酸（HBr）および硝酸（HNO3）を再循環する方法のための技術的必要性にもかかわらず、知られる限りにおいて開発または提案されたものはない。従って、本発明の目的は従来技術の制限および短所を克服する種々の化学的方法で使用される、HClおよびHFを再循環させる方法を提供することである。本発明の特別な目的は、ULSI回路の製造に使用する高純度の塩酸およびフッ化水素酸を再生するために適当な方法を提供することである。本発明のさらに他の目的はULSI回路の製造収量を増加させ、そして生産コストを減少させるように、これらの洗浄化学薬品の使用のポイントにおいて使用可能な方法を提供することである。
発明の要約
最も基本的形態においては、本発明は塩酸、フッ化水素酸、臭化水素酸および硝酸からなる群から選択された酸を、酸および水からなる液体混合物から分離する方法であって；
ａ  低蒸気圧の物質の予め決められた量を酸−水混合物に加えて反応混合物を生成し；
ｂ  反応混合物を分離して低蒸気圧物質の水溶液と酸および水蒸気からなる気体とを生成し；そして
ｃ  水を有する前記気体を再構成して水性状態の酸を生成することよりなる、工程からなる方法を提供することである。
好ましい実例では、本発明は
液体の洗浄化合物をその使用のポイントにおいて再循環させる方法であり、該化合物は、酸、水および混入物からなる液体混合物からの、塩酸、フッ化水素酸、臭化水素酸および硝酸からなる群から選択された酸を含み、該方法は集積回路の製造のための閉鎖ループプロセス（closed loop process）を使用するのに適当であり；
ａ  硫酸もしくはリン酸のような、低蒸気圧の物質の予め決められた量を、予め決められた速度で酸−水混合物に加えて1:1ないし2:1の低蒸気圧物質：酸の容積比の反応混合物を生成し；
ｂ  反応混合物の温度を調節し；
ｃ  反応混合物を分離して低蒸気圧物質の水溶液と酸および水蒸気からなる気体とを生成し；そして
ｄ  水中に気体を吸収させて再生された水性の酸を生成することよりなる、工程からなる方法を提供することである。
本発明の利点は下記の図面を参照する以下の記載から明らかになるであろう。
【図面の簡単な説明】
図１は本発明の方法の流れ図である。
図２は実施例の結果を示す表である。
図３は液相中の硫酸（H2SO4）濃度と気相中のHCl濃度との相間関係を示すグラフである。
図４はHClの蒸気圧と硫酸（H2SO4）濃度との相間関係を示すグラフである。
図５は本発明の方法を実施するための装置の側面図である。
図６は液体表面から窒素ガスパージを行った場合、液体の容量混合比がHCl再生に与える影響を示すグラフである。
図７は液体を通して窒素ガスパージを行った場合、液体の容量混合比がHCl再生に与える影響を示すグラフである。
図８はパージ方法がHCl再生に与える影響を示すグラフである。
図９はHClおよびH2SO4を混合することにより温度が上昇することを示すグラフである。
図10はHCl再生における種々の混入物（元素）の除去効率（純度）を示す表である。
図11は元素の除去効率を示す表である。
図12は図11の実施例において他の元素に関する元素の除去効率を示す表である。
図13は燐酸で蒸留を行うことによるHF再生を示す一組のグラフである。
図14は硫酸で蒸留を行うことによるHF再生を示す一組のグラフである。
図15はHF再生の元素除去効率を示す表である。
図16は本発明の方法を使用する化学物質を洗浄するプロセスに使用されるシステムの概略図である。
好ましい態様の説明
1.背景
最近のウエハー洗浄は、1970年代初期に発展した“RCA洗浄”に大きく基礎を置いている。４種類の異なる化学薬剤混合物が通常使用される。
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前記混合物はしばしば、続く加工工程で必要とされる表面浄化度の水準を達成するために、組み合わせて使用される。混合比は最適な浄化挙動を得るために変更される。使用される化学薬剤は、表面の再汚染を防止するために、高純度でなければならない。
例えば硫酸，水酸化アンモニウム，塩酸及び弗化水素酸のような、使用される洗浄化学薬剤の大部分は、水に気体を吸収させることにより製造される。この場合、化学薬剤の純度は、使用される気体及び水の純度並びに吸収装置の清浄度により決定される。高純度の気体及び水を製造するための技術は、良く発展している。金属及び金属塩は低い蒸気圧を有し、それ故、気体中の大部分の汚染物は粒子の形態で存在する。粒子は容易に気体から除去される；全ての粒子の実質的に完全な除去（99.99999999％よりも高い）は、現在市販されているメンブランフィルターを用いることにより可能である。水は、炭素吸着，逆浸透，イオン交換，メンブラン濾過及び限外ろ過を包含する単位操作を組み合わせることにより、純粋化することができる。好適に保持された系においては、汚染物の著しく低い濃度を達成することができる。それ故、著しく高純度の化学薬剤は、半導体二次加工設備における使用のために製造され得る。加えて、前記操作が使用のために行われる場合には、貯蔵及び輸送に伴う汚染は除去される。
使用に際して、初期に用いる洗浄化学薬剤に使用される気体及び液体の純粋化工程が不適当である場合は、使用のための前記の液体の洗浄化学薬剤の、例えば蒸留又はイオン交換による回収は、非常に困難である。知られている限りにおいて、塩酸の使用においては、このような再生は全く行われなかった。弗化水素酸はイオン交換により回収されたけれども、希釈溶液を得ることができるのみであり、そして前記酸の一部分の回収のみが可能である。
注意深く制御された蒸留は、硫酸の純粋化において、成功裏に用いられた。通常、硫酸中に見出される汚染物（主に、金属）は低い蒸気圧を有するので、硫酸の蒸留は都合が良い。使用済みの化学薬剤の蒸留は本質的に、高純度の化学薬剤の閉鎖ループでの化学的使用を可能にする。それ故、これにより、液体の化学薬剤に関する純度及び廃棄問題の両方が解決される。不幸なことに、前記技術は、恐らく硫酸の溶解に伴う高温（＞300℃）に起因するを機械的な問題を生じ、そして許諾を得ることが先ず第一である。
硫酸以外の洗浄化学薬剤を回収するために蒸留を使用することは、知られている限りにおいて、研究されなかった。塩酸及び弗化水素酸の両方は、水と共沸混合物を形成する。共沸混合物は、蒸気相の組成物が液相の組成物と同一であるもののうちの一つである。共沸混合物の形成のために、蒸留は、水から塩酸又は弗化水素酸を回収するための実用的な方法ではない。
蒸留による前記化学薬剤の回収に伴う別の潜在的な複雑性は、混合物中の過酸化水素の存在である。しかしながら、過酸化水素は高温で迅速に分解して水と酸素を形成する。それ故、前記の事は主な問題を引き起こさないだろう。加えて、過酸化水素よりもむしろオゾンがオキシダントとして使用される場合には、オゾンは一層迅速に分解するので、潜在的な問題は除かれる。
2.技術的検討
本発明の方法において、HClは、低蒸気圧物質、例えば硫酸又は燐酸を添加することにより、HCl−水溶液から分離される。同様に、HF,HBr及びHNO3は、低蒸気圧物質を添加することにより、酸−水溶液から分離されるであろう。例えば、HCl及びHF気体及び液体との間に形成された共沸混合物は、溶液に低蒸気圧の酸を添加することにより破壊される。低蒸気圧（高沸点）成分の効果は二重である：低蒸気圧成分は、液体に溶解された気体の蒸気圧を非常に増大させ、他方、液体の蒸気圧を減少させる。次いで、気体は、蒸留により又は混合物を通して不活性ガスをバブリングすることにより、混合物から容易に除去される。除去された気体は続いて、凝縮することにより又は高純度DI水に吸収させることにより、再生される。
図１（これは、本発明のHCl,HF,HBr及びHNO3を再生するための基本的な方法のフローチャートを示す）に示される如く、化学的工程からの使用済み気体／液体化学溶液は分離カラムに投入され、分離カラムで、前記化学溶液は非常に低い蒸気圧成分と混合される。次いで気体は、蒸留，不活性ガスパージの何れか、又は両方法により、前記カラムから除去される。気体が除去された場合、気体は、吸収カラム内で高純度DI水に吸収される。或いは又、凝縮を経由して再生が行われてもよい。再生された化学溶液は、化学工程に戻される。低い蒸気圧成分を含む前記混合物は、再精製のために蒸留カラムに移送される。過剰の水は、分離カラムから又は低い蒸気圧成分の再精製の間に除去される。或いは又、水は、蒸留により予備縮合カラム内で除去されてもよい。
硫酸又は燐酸は、HClと水との間、及びHF,HBr又はHNO3と水との間の共沸混合物を破壊するために使用される。両物質は、両溶液に比べて非常に低い蒸気圧（高沸点）を有し、そして半導体二次加工設備において多量に利用可能である。加えて、前記酸の回収のための技術は公知である。低い蒸気圧の酸は、低い蒸気圧の酸対洗浄酸の0.4:1及び2:1の容積比の間の反応混合物を形成するために添加される。好ましい比率は1:1及び2:1の間である。次いでHClは、HCl/酸/H2O混合物から、例えばガスパージにより容易に除去される。分離は、比較的低い温度（≦120℃）で行うことができる。それ故、酸の蒸留に関する問題は、商業的実施においては遭遇しないであろう。
図３のグラフは、25℃におけるHCl混合物上の蒸気組成に関する硫酸の添加効果を示す。異なるHCl濃度に対する曲線が示されている。これは、添加される硫酸の量に関して、少量の投入が蒸気組成に対して劇的な効果を有することを示している。
HClモル分率0.03の溶液に対して、蒸気中のHClのモル分率は、硫酸モル分率が0.02から0.18まで増大する場合に、0.0001から0.8386まで増大する（8000倍の増大）。図２に記載された全ての条件において、蒸気中の硫酸モル分率は検出不能であった（＜0.0000）ことを覚えておくべきである。加えて、不活性ガスパージ又は蒸留により、HClは硫酸から完全に除去され得る。
HF,HBr及びHNO3溶液の物理的性質は、HCl溶液の物理的性質と同一である。硫酸はHFの脱水剤として使用され、そしてHF−水−硫酸系からなる組成物の蒸気と液体との間の関係が研究された。
図16は、例えばULSI回路二次加工設備においてHCl,HF,HBr及びHNO3を連続的に純粋化するための、本発明の方法に用いる系を示す。第一蒸留カラムは水を除去するために使用され、そして第二蒸留カラムは汚染物を除去する。
カラム内の一定温度を保持することにより、第二カラムを出る高純度酸の濃度が制御される。本系は、多量の廃棄酸を回収することもできる。例えば、低蒸気圧の添加剤中の最大許容汚染物が20000ppbであり且つ入口廃棄酸が前記汚染物を10ppb（半導体工業規格よりも明らかに高い汚染物濃度）含み、そして添加剤が工程に使用され得る場合には、廃棄酸の容積は添加剤の容積の2000倍である。それ故、添加剤が回収され得ずに消費される場合でさえも、この系は廃棄化学物質の容積を因子2000によって減少させる。本系の最後の利点は、第一カラムを出る水は非常に高純度であり、且つ水製造工程で回収され得るということである。
3.実験結果
更に本発明を説明するために、本発明の限定を意図しない下記の例を記載する。
本発明を実施するために使用される系は、図５に示してある。その系は、級100のクリーンルーム内で操作されそして１個の混合容器、１個の凝縮管、１個のビュレット及び１個の吸収カラムからなる。これらの部品は、高純度のガラスから構成されている。混合容器は、混合容器内の溶液の混合と加熱をするために加熱器／攪拌器の上に支持されている。温度計が、混合物の温度の測定をするために設置されている。吸収カラムは水を含有するガラス管からなり、そのカラムを発生した気体が泡状になって通過する。別の方法の実施態様では、ガス吸収を速めるための気体小泡を形成するために、多孔質のガラスフリットが、吸収カラム中に埋め込まれた管の末端上に置かれていてもよい。しかし、HClとHFの高回収を達成するためには、大きい泡によってすら吸収速度は充分であることが見出されている。分離カラム又は凝縮管は、カラム中の多段分離を可能にするために、高表面積充填材料を備えている。その系は、高純度水晶又はテフロン▲R▼440HPのような抽出性金属含量の低い材料から成っているのが好ましい。テフロン440HPは、それがHF抽出性が低いので好ましいテフロン材料である。NFが水晶と不適合であるのでHFの分離の際にはテフロンが使用されなければならない。凝縮器から吸収器への中継管は好ましくはテフロンPFA管である。
A.  HCl回収
汚染HClを、37％HCl:水＝6:1（v/v）の混合物に、塩化カルシウム、塩化銅、塩化鉄、塩化ニッケル及び塩化ナトリウムを添加することにより製造した。この比率は、規定度1.76を持つ混合物を生成する。最終混合物中の金属性不純分で約500ng/l（ppb）の金属性汚染濃度になるのに充分な量の塩化物である塩を添加する。これらの汚染物は半導体デバイスに有害でありそして普通は使用済みの工業化学品中に見出されるものである。
HCl回収実験は、下記の工程の使用により実施された：
1.  混合容器に、測定した量の汚染HClと水の1.76モル溶液（約５重量％のHCl:約0.03モル分のHCl）を入れた。
2.  吸収カラムを、計測した量の高純度DI水で充填した。
3.  ビュレットを、計測した量の硫酸で充填する。
4.  硫酸を３−30分間にわたり混合容器に添加した。添加した硫酸の体積と混合物の温度を追跡した。混合容器と吸収カラムを観察した。
5.  全硫酸を添加したら、発生したHClガスを吸収カラムへ移送するために、窒素を混合容器を通過してパージさせた。パージ気体は、混合容器中の液面上を通過させるか又は液体中を泡状にして通過させるかした。パージ気体の流速を、約20ml／分に調節した。
6.  吸収カラムのDI水を入れ替えそしてHCl回収の程度を決めるために一定間隔で測定した。
7.  DI水中のHCl濃度を、25mlビュレットを使用して2.0N水酸化ナトリウムで滴定することにより測定した。滴定終点を、指示薬としてフェノールフタレインを使用して検出した。
実施例で使用される条件の纏めは図２に示されている。各々の実施例に於けるHClの回収も示されている。表は、HClの回収は、硫酸：塩酸溶液の体積混合比が1:1より大きく又はそれに等しくそして実施例を20時間以上にわたり実施した場合は、実質的に完全であった（100±５％）。硫酸を添加しない場合の実施例は、測定できるHClの回収を示さなかった。従って、硫酸の添加は、水溶液からのHClガスの発生の場合には高度に有効であることが示されている。更に吸収は、発生ガスを再生する（reconstituting）場合に有効であることが示されている。
再生酸（reconstituted acid）と残留硫酸の純度は、ICP発光分析−マススペクトロスコピィ（ICP−MS）と黒鉛炉原子吸光（GFAA）及びイオンクロマトグラフィー（IC）を使用して分析された。ICP−MS又はGFAAは、金属について分析するのに使用されてよい。ICは硫酸中の塩化物濃度と塩酸中の硫酸イオンを測定するのに使用されてよい。再生された化学品中のHCl濃度と分離カラム中に残存している硫酸の濃度は液体の比重を測定することにより又は滴定により測定してもよい。図10は、再生した酸の純度を決定するための操業実施例の結果を示すものであって、汚染溶液には汚染物約500ppbが混入されていた。図11は、再生した酸の純度を決定するための実施例の結果を示すものであって、汚染溶液には汚染物約20,000ppbが混入されていた。図12は、見出されたものであるが、図11の最初の溶液に意図して添加されたものではない、いろいろの汚染物の除去効率を示しているものである。これらの例では、回収HClは0.5ppmより少ない硫酸を含みそして残留硫酸溶液は0.1ppm HClより少ないHClを含んでいた。
HClの回収に与える混合比の影響は、図６と７に示してある。図６は、HClを混合容器から吸収カラムへ移すために液面上の窒素パージを使用した場合の、時間函数としてのHCl回収を表している。混合比（硫酸:HCl混合物）1:1と2:1の混合比についての回収が示してある。これらの混合比率は、それぞれ、硫酸モル分率0.25と0.40に相当する。図７は、窒素パージガスを混合容器中の液体を通じて泡立たせた場合に実施された回収を示している。混合比1:1と1.5:1の混合比についての回収が示してある。1.5:1の混合比率は、硫酸モル分率0.34に相当する。
図６と図７の両方に示した結果は、HCl混合物へ添加される硫酸の量を増やすと、HCl回収を増やことを示している。これは恐らく混合物上のHClの気圧が増加した結果によることであろう。
図８はHCl回収についての２種の窒素パージ法の影響度を比較している。データは液体混合比が1:1である場合の実施例を含んでいる。曲線は、液体を通過するパージの方が液面を接触するパージより効果が多いことを示している。液体を通過するパージは、恐らく液体と接触する気体表面積を増加させ、それにより物質移動速度を増加させる。
HCl混合物との硫酸の混合は、高発熱性であることが見出された。混合熱は、図９に示されているように、温度が約100℃上がる原因になっていた。この温度上昇は、HCl気圧を更に増すことにより溶液からのHClガスの発生を恐らく増長する。
再生溶液中のHCl濃度は、使用済溶液中の濃度より多く増加され得る。一つの実施例では、再生溶液は規定度4.5であり、それは原液の規定度1.76の2.6倍である。濃度の増加は、混合容器へ添加されるHCl溶液の容積より少ない吸収カラム中の液体容積を使用することにより実施された。
B.  HF回収
汚染HFは、HClの例で使用されたのと同様の方法を利用して製造される。
二つのHF回収実験を、下記の工程を使用して実施した。一つ目は低蒸気圧（low vapor pressure）添加物としてリン酸を使用しそして二つ目は低蒸気圧添加物として硫酸を使用した。
1.  混合容器に汚染HFと水を入れた。HF溶液の規定度は3.0であった（10:1希釈）。
2.  吸収カラムを計測した量の高純度DI水で充填した。
3.  ビュレットを、HF溶液との1:1（体積比）混合物を製造するのに充分な量の低蒸気圧添加物で充填する。
4.  低蒸気圧添加物を混合容器へ１ないし３分間で添加した。リン酸とHFとの間の混合熱は、温度を約40℃高めた。硫酸とHFの間の混合熱は温度を約100℃高めた。
5.  全部の低蒸気圧添加物を添加したら、混合物を温度が170−175℃に到達する迄加熱し、その間、窒素ガスパージを維持した。窒素ガスパージ速度は約20ml／分に調節された。
図13を参照すると、同じリン酸を低蒸気圧添加物として使用する多数回の回収サイクルが実施された。回収速度は各々のサイクル毎に増加した。これは化学物質間の平衡に因るように見られる。カラム中への溶液インプットのような入って来る化学物質は汚染物を差し引いたアウトプットであるので、蒸留分は同じ組成の揮発性種（酸性ガスと水）であるに違いない。この方法では低蒸気圧化合物は、汚染物スカベンジャとして作用する。
図14を参照すると、ここでも硫酸を低蒸気圧添加物として使用する多数回の回収サイクルが実施された。
図15は、硫酸を使用する操業中に再生されたHFの純度を示している。この実施例では、9000−20,000ppbの元素で汚染されていた。蒸留物は、各々の＜0.1ないし.2.3ppbの間の元素を含有していた。除去効率は99.98ないし＞99.999％であった。分離は、単蒸留釜を使用して実施した。多段蒸留を採用したら、0.1ppbより少ない汚染物濃度になり得ることが期待される。リン酸を利用する操業中に再生するHFの純度は、５回の操業サイクルの後のクリアな（clear）蒸留物により示されたが、他方、金属不純物を含有する残留リン酸は青色であった。
4.  まとめ
本発明は、超高純度化学品を使用する閉鎖ループ型のウエハー洗浄工程を実施するための方法を提供する。この方法は市販品の純度を超える純度を持つ水性のHCl又はHF溶液を生産する。純度の増加は、ULSIデバイスの製造歩留りを改善し、かくしてその製造経費を削減すると期待される。それは又、ULSIデバイスの性能と信頼性を高めるとも期待されるであろう。
製造工程において使用済みHCl、HF、HBr及びHNO3を再使用するためのこの方法の性能は、化学品購入と廃棄経費を削減するであろう。更に、環境中へ放出される化学物質の量はかなり減少するであろう。デバイス性能が改善されると共にILSIデバイスの製造経費が削減されることは、近年外国からの厳しい競争に曝されている米国半導体産業の競争力を高めることになると期待される。
本発明の実施態様はその教示するところを利用すれば多くの変更が可能であるので、上述の記述と図面は説明のためのものであって、本発明の限定のためのものでないと理解されるべきである。
【図１】
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【図２】
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【図１０】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図９】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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