【手続補正書】
【提出日】平成29年7月7日(2017.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビニリデン二重結合の総含有量５０モル％超および数平均分子量（Ｍn）５００〜１０，０００ダルトンを有するポリイソブチレンであって、ここで、該ポリイソブチレンのすべてのビニリデン二重結合の少なくとも１０％が、ポリイソブチレン主鎖に対する、少なくとも２個の炭素原子からの１つまたは複数の側鎖の構成要素である前記ポリイソブチレン。
【請求項２】
ビニリデン二重結合の総含有量７０モル％超および数平均分子量（Ｍn）９００〜２５００ダルトンを有するポリイソブチレンであって、ここで、該ポリイソブチレンのすべてのビニリデン二重結合の少なくとも１２％が、ポリイソブチレン主鎖に対する、少なくとも２個の炭素原子からの１つまたは複数の側鎖の構成要素である、請求項１に記載のポリイソブチレン。
【請求項３】
ポリイソブチレン主鎖に対する、少なくとも２個の炭素原子からの１つまたは複数の側鎖の構成要素であるビニリデン二重結合が、それぞれα位で前記側鎖の遠位末端に配置されている、請求項１または２に記載のポリイソブチレン。
【請求項４】
１．０５〜２．０の多分散度を有する、請求項１から３までのいずれか１項に記載のポリイソブチレン。
【請求項５】
重合装置内で、イソブテンまたはイソブテン含有Ｃ4炭化水素混合物を、２〜５つのイソブテン単位から構成される実質的にイソブテンのオリゴマーからの混合物の存在下に、−１００℃〜＋１００℃の温度で、ブレンステッド酸型またはルイス酸型重合触媒を用いて重合し、ここで、重合媒体中に存在しているイソブテンオリゴマー混合物に含まれるビニリデン二重結合と使用されたイソブテンモノマーの二重結合とのモル比が、少なくとも１：１００であることを特徴とする、請求項１から４までのいずれか１項に記載のポリイソブチレンの製造方法。
【請求項６】
２〜５つのイソブテン単位から構成される実質的にイソブテンのオリゴマーからなる混合物を別個に製造して、イソブテンまたはイソブテン含有Ｃ4炭化水素混合物の重合の前またはその間に重合媒体に導入することを特徴とする、請求項５に記載のポリイソブチレンの製造方法。
【請求項７】
請求項１から４までのいずれか１項に記載のポリイソブチレンの、燃料添加剤および潤滑剤添加剤として好適な誘導体を製造するための使用。
【請求項８】
一般式Ｉ
【化１】
2016525165.tif 000001
［式中、
ＰＯＬは、請求項１から４までのいずれか１項に記載のポリイソブチレンのｎ官能性の基を表し、
Ａは、それぞれ１つまたは複数のアミノ官能基および／またはニトロ基および／またはヒドロキシル基および／またはメルカプタン基および／またはカルボン酸官能基またはカルボン酸誘導体官能基、特に、無水コハク酸官能基またはコハク酸誘導体官能基、および／またはスルホン酸官能基またはスルホン酸誘導体官能基、および／またはアルデヒド官能基および／またはシリル基を含む低分子の極性基を意味し、ならびに
変数ｎは、１〜１０の数を表し、ここで、ｎ＞１の場合、変数Ａは、同一または異なっていてよい］
のポリイソブチレン誘導体を製造するための方法であって、
請求項１から４までのいずれか１項に記載のポリイソブチレンを、前記低分子の極性基Ａまたは前記低分子の極性基Ａの部分構造を導入する少なくともｎ当量の化合物と反応させて、部分構造との反応の場合、後続反応によって前記低分子の極性基Ａの形成を完結することを特徴とする、前記方法。
【請求項９】
一般式Ｉのポリイソブチレン誘導体において、前記低分子の極性基Ａが、以下
（ａ）６個までの窒素原子を有するモノアミノ基またはポリアミノ基、ここで、少なくとも１個の窒素原子は塩基特性を有している；
（ｂ）ニトロ基、場合により、ヒドロキシル基と組み合わされたニトロ基；
（ｃ）ヒドロキシル基、場合により、モノアミノ基またはポリアミノ基と組み合わされたヒドロキシル基、ここで、少なくとも１個の窒素原子は塩基特性を有している；
（ｄ）カルボキシル基またはそのアルカリ金属塩もしくはアルカリ土類金属塩；
（ｅ）スルホン酸基またはそのアルカリ金属塩もしくはアルカリ土類金属塩；
（ｆ）ヒドロキシル基、モノアミノ基もしくはポリアミノ基によって末端化されており、ここで、少なくとも１個の窒素原子は塩基特性を有しているか、またはカルバメート基によって末端化されているポリオキシ−Ｃ2〜Ｃ4アルキレン基；
（ｇ）カルボン酸エステル基；
（ｈ）無水コハク酸またはヒドロキシ基および／もしくはアミノ基および／もしくは四級化アミノ基および／もしくはアミド基および／もしくはイミド基を有する無水コハク酸に由来する基であって、前記ＰＯＬの基礎をなすポリイソブチレンの内部二重結合およびビニリデン二重結合を、無水マレイン酸を用いて熱またはハロゲン触媒作用によりマレイン化して製造された、ならびに前記ヒドロキシ基および／もしくはアミノ基および／もしくは四級化アミノ基および／もしくはアミド基および／もしくはイミド基を有する無水コハク酸に由来する基の場合、相応の後続反応によって製造された前記無水コハク酸または前記無水コハク酸に由来する基、
ここで、結果として生じるカルボン酸アミド誘導体またはカルボン酸イミド誘導体は、さらに、さらなる反応によって少なくとも１つのＣ2〜Ｃ12無水ジカルボン酸、少なくとも１つのＣ2〜Ｃ4アルキレンカーボネートおよび／またはホウ酸で変性されてよい；
（ｊ）ＰＯＬで置換されたフェノールと、アルデヒドと、モノアミンまたはポリアミンとのマンニッヒ反応によって生成された基；
（ｋ）フェノール基、アルキルフェノール基または（ヒドロキシアルキル）フェノール基；
（Ｉ）ヒドロキシメチル基；
（ｍ）前記ＰＯＬの基礎をなすポリイソブチレンのビニリデン二重結合のエポキシド化、および引き続き
（ｉ）加水分解して１，２−ジオールにする、
（ｉｉ）チオールまたはポリチオールと反応させる、
（ｉｉｉ）アンモニア、モノアミンまたはポリアミンと反応させる、
（ｉｖ）ボランと反応させてホウ酸エステルにして、該ホウ酸エステルを酸化分解して１，３−ジオールにする、
（ｖ）アルデヒドに変換する、
（ｖｉ）アルデヒドに変換して、該アルデヒドをオキシムに変換して、該オキシムを還元してアミンにする、
（ｖｉｉ）アルデヒドに変換して、該アルデヒドをアゾメチンカチオンに変換して、加水分解してアミンにする、
（ｖｉｉｉ）アルデヒドに変換して、該アルデヒドをアルコールに変換するか、または
（ｉｘ）アルデヒドに変換して、該アルデヒドをシッフ塩基もしくはエナミンに変換して、該シッフ塩基もしくは該エナミンを還元してアミンにする
ことによって生成された基；
（ｎ）前記ＰＯＬの基礎をなすポリイソブチレンのビニリデン二重結合のヒドロホウ素化、および後に続く最初のヒドロホウ素化生成物の酸化によって生成された基；ならびに
（ｏ）前記ＰＯＬの基礎をなすポリイソブチレンのビニリデン二重結合のヒドロシリル化によって生成された基
から選択される、一般式Ｉのポリイソブチレン誘導体を製造するための請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
請求項１から４までのいずれか１項に記載のポリイソブチレンを、好適な触媒を使用して一酸化炭素および水素の存在下にヒドロホルミル化し、続いて少なくともｎ当量のアンモニアまたはモノアミンまたはポリアミンの存在下に還元的アミノ化することを特徴とする、一般式Ｉ［式中、Ａは、アミノ官能基を含む低分子の極性基を意味する］のポリイソブチレン誘導体を製造するための請求項８または９に記載の方法。
【請求項１１】
請求項１から４までのいずれか１項に記載のポリイソブチレンを、好適な活性化剤、特に塩素で処理し、続いてｎ当量のアンモニアまたはモノアミンまたはポリアミンと反応させることを特徴とする、一般式Ｉ［式中、Ａは、アミノ官能基を含む低分子の極性基を意味する］のポリイソブチレン誘導体を製造するための請求項８または９に記載の方法。
【請求項１２】
請求項１から４までのいずれか１項に記載のポリイソブチレンを、エチレン性不飽和Ｃ4〜Ｃ12ジカルボン酸またはその反応性誘導体、特に無水マレイン酸と熱またはハロゲン触媒作用により反応させ、場合により、続いてモノアミンもしくはポリアミンによって相応のカルボン酸アミド誘導体またはカルボン酸イミド誘導体に変換し、ここで、結果として生じるカルボン酸アミド誘導体またはカルボン酸イミド誘導体は、さらに、さらなる反応によって少なくとも１つのＣ2〜Ｃ12無水ジカルボン酸、少なくとも１つのＣ2〜Ｃ4アルキレンカーボネートおよび／もしくはホウ酸で変性されてよいことを特徴とする、一般式Ｉ［式中、Ａは、アミノ官能基を含む低分子の極性基を意味する］のポリイソブチレン誘導体を製造するための請求項８または９に記載の方法。
【請求項１３】
請求項１から４に記載のポリイソブチレンを、フェノールによって相応のアルキルフェノールに変換し、続いて該アルキルフェノールを、アルデヒドと第一級アミンまたは第二級アミンとの反応によって相応のマンニッヒ付加物にすることを特徴とする、一般式Ｉ［式中、Ａは、アミノ官能基を含む低分子の極性基を意味する］のポリイソブチレン誘導体を製造するための請求項８または９に記載の方法。