(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマを励起するための電極を有するプラズマ処理室と、
前記電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、
入力端子と出力端子とを有し該入力端子に前記高周波電源を接続するとともに前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に接続することにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、
を具備するプラズマ処理装置を、
搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再組み立てした後のプラズマ処理装置の性能評価方法であって、
前記高周波電力を供給する際に整合回路の出力端子に接続される前記高周波電力配電体の端部である測定位置で非プラズマ発光時に測定した前記プラズマ処理室の第１直列共振周波数ｆ０の、納入後の非プラズマ発光時における値ｆ０１の３倍が、
前記高周波電力の電力周波数ｆｅ より大きい値である場合に、性能を維持していると判断し、前記電力周波数ｆｅ 以下の値である場合に、性能を維持していないと判断することを特徴とするプラズマ処理装置の性能評価方法。
【請求項２】
プラズマを励起するための電極を有する複数のプラズマ処理室と、
各々の電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、
入力端子と出力端子とを有し該入力端子に前記高周波電源を接続するとともに前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に接続することにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、
を具備するプラズマ処理装置を、
搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再組み立てした後のプラズマ処理装置の性能評価方法であって、
前記高周波電力を供給する際に整合回路の出力端子に接続される前記高周波電力配電体の端部である測定位置で非プラズマ発光時に測定した前記複数のプラズマ処理室の高周波特性Ａの、納入後の非プラズマ発光時における値Ａ１のばらつきＡ１ｒが、
その最大値Ａ１ｍａｘと最小値Ａ１ｍｉｎによって、
Ａ１ｒ＝（Ａ１ｍａｘ−Ａ１ｍｉｎ）／（Ａ１ｍａｘ＋Ａ１ｍｉｎ）
と定義され、前記高周波特性Ａが共振周波数ｆ、前記高周波電力の周波数におけるインピーダンスＺ、前記高周波電力の周波数におけるレジスタンスＲ、または、前記高周波電力の周波数におけるリアクタンスＸのいずれかであり、
Ａ１ｒの値が０.１より小さい値である場合に、性能を維持していると判断し、０.１以上の値である場合に性能を維持していないと判断することを特徴とするプラズマ処理装置の性能評価方法。
【請求項３】
プラズマを励起するための電極を有する複数のプラズマ処理室と、
各々の電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、
入力端子と出力端子とを有し前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に接続するとともに該入力端子に前記高周波電源を高周波電力給電体を介して接続することにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、
を具備するプラズマ処理装置を、
搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再組み立てした後のプラズマ処理装置の性能評価方法であって、
前記高周波電力を供給する際に前記高周波電力給電体に接続される前記入力端子である測定位置で非プラズマ発光時に測定した前記複数のプラズマ処理室の高周波特性Ａの、納入後の非プラズマ発光時における値Ａ１のばらつきＡ１ｒが、
その最大値Ａ１ｍａｘと最小値Ａ１ｍｉｎによって、
Ａ１ｒ＝（Ａ１ｍａｘ−Ａ１ｍｉｎ）／（Ａ１ｍａｘ＋Ａ１ｍｉｎ）
と定義され、前記高周波特性Ａが共振周波数ｆ、前記高周波電力の周波数におけるインピーダンスＺ、前記高周波電力の周波数におけるレジスタンスＲ、または、前記高周波電力の周波数におけるリアクタンスＸのいずれかであり、
Ａ１ｒの値が０.１より小さい値である場合に、性能を維持していると判断し、０.１以上の値である場合に性能を維持していないと判断することを特徴とするプラズマ処理装置の性能評価方法。
【請求項４】
プラズマを励起するための電極を有する複数のプラズマ処理室と、
各々の電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、
入力端子と出力端子とを有し前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に接続するとともに該入力端子に前記高周波電源を高周波電力給電体を介して接続することにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、
を具備するプラズマ処理装置を、
搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再組み立てした後のプラズマ処理装置の性能評価方法であって、
前記高周波電力を供給する際に前記高周波電源に接続される前記高周波電力給電体の前記高周波電源側端部である測定位置で非プラズマ発光時に測定した前記複数のプラズマ処理室の高周波特性Ａの、納入後の非プラズマ発光時における値Ａ１のばらつきＡ１ｒが、
その最大値Ａ１ｍａｘと最小値Ａ１ｍｉｎによって、
Ａ１ｒ＝（Ａ１ｍａｘ−Ａ１ｍｉｎ）／（Ａ１ｍａｘ＋Ａ１ｍｉｎ）
と定義され、前記高周波特性Ａが共振周波数ｆ、前記高周波電力の周波数におけるインピーダンスＺ、前記高周波電力の周波数におけるレジスタンスＲ、または、前記高周波電力の周波数におけるリアクタンスＸのいずれかであり、
Ａ１ｒの値が０.１より小さい値である場合に、性能を維持していると判断し、０.１以上の値である場合に性能を維持していないと判断することを特徴とするプラズマ処理装置の性能評価方法。
【請求項５】
前記高周波特性Ａが、第１直列共振周波数ｆ０であることを特徴とする請求項２から請求項４の何れかに記載のプラズマ処理装置の性能評価方法。
【請求項６】
プラズマを励起するための電極を有する複数のプラズマ処理室と、
各々の電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、
入力端子と出力端子とを有し該入力端子に前記高周波電源を接続するとともに前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に接続することにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、
を具備するプラズマ処理装置を、
搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再組み立てした後のプラズマ処理装置の性能評価方法であって、
前記高周波電力を供給する際に整合回路の出力端子に接続される前記高周波電力配電体の端部である測定位置で非プラズマ発光時に測定した前記複数のプラズマ処理室の第１直列共振周波数ｆ０の、納入後の非プラズマ発光時における値ｆ０１のばらつきｆ０１ｒが、
その最大値ｆ０１ｍａｘと最小値ｆ０１ｍｉｎによって、
ｆ０１ｒ＝（ｆ０１ｍａｘ−ｆ０１ｍｉｎ）／（ｆ０１ｍａｘ＋ｆ０１ｍｉｎ）
と定義され、
ｆ０１ｒの値が０.１より小さい値であり、かつ、納入後における値ｆ０１の３倍が、いずれも前記高周波電力の電力周波数ｆｅ より大きな値である場合に、性能を維持していると判断し、
ｆ０１ｒの値が０.１以上の値である場合、又は納入後における値ｆ０１の３倍が前記高周波電力の電力周波数ｆｅ 以下の値である場合に、性能を維持していないと判断することを特徴とするプラズマ処理装置の性能評価方法。
【請求項７】
プラズマを励起するための電極を有する複数のプラズマ処理室と、
各々の電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、
入力端子と出力端子とを有し前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に接続するとともに該入力端子に前記高周波電源を高周波電力給電体を介して接続することにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、
を具備するプラズマ処理装置を、
搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再組み立てした後のプラズマ処理装置の性能評価方法であって、
前記高周波電力を供給する際に前記高周波電力給電体に接続される前記入力端子である測定位置で非プラズマ発光時に測定した前記複数のプラズマ処理室の第１直列共振周波数ｆ０の、納入後の非プラズマ発光時における値ｆ０１のばらつきｆ０１ｒが、
その最大値ｆ０１ｍａｘと最小値ｆ０１ｍｉｎによって、
ｆ０１ｒ＝（ｆ０１ｍａｘ−ｆ０１ｍｉｎ）／（ｆ０１ｍａｘ＋ｆ０１ｍｉｎ）
と定義され、
ｆ０１ｒの値が０.１より小さい値であり、かつ、納入後における値ｆ０１の３倍が、いずれも前記高周波電力の電力周波数ｆｅ より大きな値である場合に、性能を維持していると判断し、
ｆ０１ｒの値が０.１以上の値である場合、又は納入後における値ｆ０１の３倍が前記高周波電力の電力周波数ｆｅ 以下の値である場合に、性能を維持していないと判断することを特徴とするプラズマ処理装置の性能評価方法。
【請求項８】
プラズマを励起するための電極を有する複数のプラズマ処理室と、
各々の電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、
入力端子と出力端子とを有し前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に接続するとともに該入力端子に前記高周波電源を高周波電力給電体を介して接続することにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、
を具備するプラズマ処理装置を、
搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再組み立てした後のプラズマ処理装置の性能評価方法であって、
前記高周波電力を供給する際に前記高周波電源に接続される前記高周波電力給電体の前記高周波電源側端部である測定位置で非プラズマ発光時に測定した前記複数のプラズマ処理室の第１直列共振周波数ｆ０の、納入後の非プラズマ発光時における値ｆ０１のばらつきｆ０１ｒが、
その最大値ｆ０１ｍａｘと最小値ｆ０１ｍｉｎによって、
ｆ０１ｒ＝（ｆ０１ｍａｘ−ｆ０１ｍｉｎ）／（ｆ０１ｍａｘ＋ｆ０１ｍｉｎ）
と定義され、
ｆ０１ｒの値が０.１より小さい値であり、かつ、納入後における値ｆ０１の３倍が、いずれも前記高周波電力の電力周波数ｆｅ より大きな値である場合に、性能を維持していると判断し、
ｆ０１ｒの値が０.１以上の値である場合、又は納入後における値ｆ０１の３倍が前記高周波電力の電力周波数ｆｅ 以下の値である場合に、性能を維持していないと判断することを特徴とするプラズマ処理装置の性能評価方法。
【請求項９】
プラズマを励起するための電極を有するプラズマ処理室と、
前記電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、
入力端子と出力端子とを有し該入力端子に前記高周波電源を接続するとともに前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に接続することにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、
を具備するプラズマ処理装置が複数設けられたプラズマ処理システムを、
搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再組み立てした後のプラズマ処理システムの性能評価方法であって、
前記高周波電力を供給する際に整合回路の出力端子に接続される前記高周波電力配電体の端部である測定位置で非プラズマ発光時に測定した前記プラズマ処理室の高周波特性Ａの、納入後の非プラズマ発光時における値Ａ１のばらつきＡ１ｒが、
その最大値Ａ１ｍａｘと最小値Ａ１ｍｉｎによって、
Ａ１ｒ＝（Ａ１ｍａｘ−Ａ１ｍｉｎ）／（Ａ１ｍａｘ＋Ａ１ｍｉｎ）
と定義され、前記高周波特性Ａが共振周波数ｆ、前記高周波電力の周波数におけるインピーダンスＺ、前記高周波電力の周波数におけるレジスタンスＲ、または、前記高周波電力の周波数におけるリアクタンスＸのいずれかであり、
Ａ１ｒの値が０.１より小さい値である場合に、性能を維持していると判断し、０.１以上の値である場合に性能を維持していないと判断することを特徴とするプラズマ処理システムの性能評価方法。
【請求項１０】
プラズマを励起するための電極を有するプラズマ処理室と、
前記電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、
入力端子と出力端子とを有し前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に接続するとともに該入力端子に前記高周波電源を高周波電力給電体を介して接続することにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、
を具備するプラズマ処理装置が複数設けられたプラズマ処理システムを、
搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再組み立てした後のプラズマ処理システムの性能評価方法であって、
前記高周波電力を供給する際に前記高周波電力給電体に接続される前記入力端子である測定位置で非プラズマ発光時に測定した前記プラズマ処理室の高周波特性Ａの、納入後の非プラズマ発光時における値Ａ１のばらつきＡ１ｒが、
その最大値Ａ１ｍａｘと最小値Ａ１ｍｉｎによって、
Ａ１ｒ＝（Ａ１ｍａｘ−Ａ１ｍｉｎ）／（Ａ１ｍａｘ＋Ａ１ｍｉｎ）
と定義され、前記高周波特性Ａが共振周波数ｆ、前記高周波電力の周波数におけるインピーダンスＺ、前記高周波電力の周波数におけるレジスタンスＲ、または、前記高周波電力の周波数におけるリアクタンスＸのいずれかであり、
Ａ１ｒの値が０.１より小さい値である場合に、性能を維持していると判断し、０.１以上の値である場合に性能を維持していないと判断することを特徴とするプラズマ処理システムの性能評価方法。
【請求項１１】
プラズマを励起するための電極を有するプラズマ処理室と、
前記電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、
入力端子と出力端子とを有し前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に接続するとともに該入力端子に前記高周波電源を高周波電力給電体を介して接続することにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、
を具備するプラズマ処理装置が複数設けられたプラズマ処理システムを、
搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再組み立てした後のプラズマ処理システムの性能評価方法であって、
前記高周波電力を供給する際に前記高周波電源に接続される前記高周波電力給電体の前記高周波電源側端部である測定位置で非プラズマ発光時に測定した前記プラズマ処理室の高周波特性Ａの、納入後の非プラズマ発光時における値Ａ１のばらつきＡ１ｒが、
その最大値Ａ１ｍａｘと最小値Ａ１ｍｉｎによって、
Ａ１ｒ＝（Ａ１ｍａｘ−Ａ１ｍｉｎ）／（Ａ１ｍａｘ＋Ａ１ｍｉｎ）
と定義され、前記高周波特性Ａが、共振周波数ｆ、前記高周波電力の周波数におけるインピーダンスＺ、前記高周波電力の周波数におけるレジスタンスＲ、または、前記高周波電力の周波数におけるリアクタンスＸのいずれかであり、
Ａ１ｒの値が０.１より小さい値である場合に、性能を維持していると判断し、０.１以上の値である場合に性能を維持していないと判断することを特徴とするプラズマ処理システムの性能評価方法。
【請求項１２】
前記高周波特性Ａが、第１直列共振周波数ｆ０であることを特徴とする請求項９から請求項１１の何れかに記載のプラズマ処理システムの性能評価方法。
【請求項１３】
プラズマを励起するための電極を有するプラズマ処理室と、
前記電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、
入力端子と出力端子とを有し該入力端子に前記高周波電源を接続するとともに前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に接続することにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、
を具備するプラズマ処理装置が複数設けられたプラズマ処理システムを、
搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再組み立てした後のプラズマ処理システムの性能評価方法であって、
前記高周波電力を供給する際に整合回路の出力端子に接続される前記高周波電力配電体の端部である測定位置で非プラズマ発光時に測定した前記プラズマ処理室の第１直列共振周波数ｆ０の、納入後の非プラズマ発光時における値ｆ０１のばらつきｆ０１ｒが、
その最大値ｆ０１ｍａｘと最小値ｆ０１ｍｉｎによって、
ｆ０１ｒ＝（ｆ０１ｍａｘ−ｆ０１ｍｉｎ）／（ｆ０１ｍａｘ＋ｆ０１ｍｉｎ）
と定義され、
ｆ０１ｒの値が０.１より小さい値であり、かつ、納入後における値ｆ０１の３倍が、いずれも前記高周波電力の電力周波数ｆｅ より大きな値である場合に、性能を維持していると判断し、
ｆ０１ｒの値が０.１以上の値である場合、又は納入後における値ｆ０１の３倍が前記高周波電力の電力周波数ｆｅ 以下の値である場合に、性能を維持していないと判断することを特徴とするプラズマ処理システムの性能評価方法。
【請求項１４】
プラズマを励起するための電極を有するプラズマ処理室と、
前記電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、
入力端子と出力端子とを有し前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に接続するとともに該入力端子に前記高周波電源を高周波電力給電体を介して接続することにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、
を具備するプラズマ処理装置が複数設けられたプラズマ処理システムを、
搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再組み立てした後のプラズマ処理システムの性能評価方法であって、
前記高周波電力を供給する際に前記高周波電力給電体に接続される前記入力端子である測定位置で非プラズマ発光時に測定した前記プラズマ処理室の第１直列共振周波数ｆ０の、納入後の非プラズマ発光時における値ｆ０１のばらつきｆ０１ｒが、
その最大値ｆ０１ｍａｘと最小値ｆ０１ｍｉｎによって、
ｆ０１ｒ＝（ｆ０１ｍａｘ−ｆ０１ｍｉｎ）／（ｆ０１ｍａｘ＋ｆ０１ｍｉｎ）
と定義され、
ｆ０１ｒの値が０.１より小さい値であり、かつ、納入後における値ｆ０１の３倍が、いずれも前記高周波電力の電力周波数ｆｅ より大きな値である場合に、性能を維持していると判断し、
ｆ０１ｒの値が０.１以上の値である場合、又は納入後における値ｆ０１の３倍が前記高周波電力の電力周波数ｆｅ 以下の値である場合に、性能を維持していないと判断することを特徴とするプラズマ処理システムの性能評価方法。
【請求項１５】
プラズマを励起するための電極を有するプラズマ処理室と、
前記電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、
入力端子と出力端子とを有し前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に接続するとともに該入力端子に前記高周波電源を高周波電力給電体を介して接続することにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、
を具備するプラズマ処理装置が複数設けられたプラズマ処理システムを、
搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再組み立てした後のプラズマ処理システムの性能評価方法であって、
前記高周波電力を供給する際に前記高周波電源に接続される前記高周波電力給電体の前記高周波電源側端部である測定位置で非プラズマ発光時に測定した前記プラズマ処理室の第１直列共振周波数ｆ０の、納入後の非プラズマ発光時における値ｆ０１のばらつきｆ０１ｒが、
その最大値ｆ０１ｍａｘと最小値ｆ０１ｍｉｎによって、
ｆ０１ｒ＝（ｆ０１ｍａｘ−ｆ０１ｍｉｎ）／（ｆ０１ｍａｘ＋ｆ０１ｍｉｎ）
と定義され、
ｆ０１ｒの値が０.１より小さい値であり、かつ、納入後における値ｆ０１の３倍が、いずれも前記高周波電力の電力周波数ｆｅ より大きな値である場合に、性能を維持していると判断し、
ｆ０１ｒの値が０.１以上の値である場合、又は納入後における値ｆ０１の３倍が前記高周波電力の電力周波数ｆｅ 以下の値である場合に、性能を維持していないと判断することを特徴とするプラズマ処理システムの性能評価方法。
【請求項１６】
プラズマを励起するための電極を有するプラズマ処理室と、
前記電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、
入力端子と出力端子とを有し該入力端子に前記高周波電源を接続するとともに前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に接続することにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、
を具備するプラズマ処理装置を、
搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再組み立てした後のプラズマ処理装置の性能管理システムであって、
前記高周波電源からプラズマ処理室に供給される電力周波数ｆｅを記憶するサーバーと、このサーバーと通信回線で接続された納入先入出力装置とを備え、
前記サーバーは、前記高周波電力を供給する際に整合回路の出力端子に接続される前記高周波電力配電体の端部である測定位置で非プラズマ発光時に測定した前記プラズマ処理室の第１直列共振周波数ｆ０の納入後の非プラズマ発光時における値ｆ０１を、前記納入先入出力装置から受信し、
納入後における値ｆ０１の３倍が前記電力周波数ｆｅより大きな値である場合には、性能を維持している旨の信号を、納入後における値ｆ０１の３倍が前記電力周波数ｆｅ以下である場合には、性能を維持していない旨の信号を、各々納入先入出力装置に発信することを特徴とするプラズマ処理装置の性能管理システム。
【請求項１７】
前記サーバーが搬送元において出力装置を備え、納入後における値ｆ０１の３倍が前記高周波電力の電力周波数ｆｅ 以下の値である場合に、前記出力装置から、保守作業命令を出力することを特徴とする請求項１６に記載のプラズマ処理装置の性能管理システム。
【請求項１８】
プラズマを励起するための電極を有する複数のプラズマ処理室と、
各々の電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、
入力端子と出力端子とを有し該入力端子に前記高周波電源を接続するとともに前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に接続することにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、
を具備するプラズマ処理装置を、
搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再組み立てした後のプラズマ処理装置の性能管理システムであって、
前記高周波電源からプラズマ処理室に供給される電力周波数ｆｅを記憶するサーバーと、このサーバーと通信回線で接続された納入先入出力装置とを備え、
前記サーバーは、前記高周波電力を供給する際に整合回路の出力端子に接続される前記高周波電力配電体の端部である測定位置で非プラズマ発光時に測定した前記各々のプラズマ処理室の第１直列共振周波数ｆ０の納入後の非プラズマ発光時における値ｆ０１を、前記納入先入出力装置から受信し、
納入後における値ｆ０１の３倍が、いずれも前記高周波電力の電力周波数ｆｅ より大きな値である場合に、性能を維持している旨の信号を、
納入後における値ｆ０１の３倍が前記高周波電力の電力周波数ｆｅ 以下の値である場合に、性能を維持していない旨の信号を、各々納入先入出力装置に発信することを特徴とするプラズマ処理装置の性能管理システム。
【請求項１９】
前記サーバーが搬送元において出力装置を備え、納入後における値ｆ０１の３倍が前記高周波電力の電力周波数ｆｅ 以下の値である場合に、前記出力装置から、保守作業命令を出力することを特徴とする請求項１８に記載のプラズマ処理装置の性能管理システム。
【請求項２０】
プラズマを励起するための電極を有する複数のプラズマ処理室と、
各々の電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、
入力端子と出力端子とを有し該入力端子に前記高周波電源を接続するとともに前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に接続することにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、
を具備するプラズマ処理装置を、
搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再組み立てした後のプラズマ処理装置の性能管理システムであって、
出力装置を備えたサーバーと、このサーバーと通信回線で接続された納入先入力装置とを備え、
前記サーバーは、前記高周波電力を供給する際に整合回路の出力端子に接続される前記高周波電力配電体の端部である測定位置で非プラズマ発光時に測定した前記各々のプラズマ処理室の高周波特性Ａの納入後の非プラズマ発光時における値Ａ１を、各々のプラズマ処理室の固有番号と共に前記納入先入力装置から受信し、
この値Ａ１のばらつきＡ１ｒが、
その最大値Ａ１ｍａｘと最小値Ａ１ｍｉｎによって、
Ａ１ｒ＝（Ａ１ｍａｘ−Ａ１ｍｉｎ）／（Ａ１ｍａｘ＋Ａ１ｍｉｎ）
と定義され、前記高周波特性Ａが共振周波数ｆ、前記高周波電力の周波数におけるインピーダンスＺ、前記高周波電力の周波数におけるレジスタンスＲ、または、前記高周波電力の周波数におけるリアクタンスＸのいずれかであり、
Ａ１ｒの値が０.１以上の場合に、前記出力装置から、保守作業命令を当該最大値Ａ１ｍａｘ又は最小値Ａ１ｍｉｎを与えたプラズマ処理室の固有番号と共に出力することを特徴とするプラズマ処理装置の性能管理システム。
【請求項２１】
プラズマを励起するための電極を有する複数のプラズマ処理室と、
各々の電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、
入力端子と出力端子とを有し前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に接続するとともに該入力端子に前記高周波電源を高周波電力給電体を介して接続することにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、
を具備するプラズマ処理装置を、
搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再組み立てした後のプラズマ処理装置の性能管理システムであって、
出力装置を備えたサーバーと、このサーバーと通信回線で接続された納入先入力装置とを備え、
前記サーバーは、前記高周波電力を供給する際に前記高周波電力給電体に接続される前記入力端子である測定位置で非プラズマ発光時に測定した前記各々のプラズマ処理室の高周波特性Ａの納入後の非プラズマ発光時における値Ａ１を、各々のプラズマ処理室の固有番号と共に前記納入先入力装置から受信し、
この値Ａ１のばらつきＡ１ｒが、
その最大値Ａ１ｍａｘと最小値Ａ１ｍｉｎによって、
Ａ１ｒ＝（Ａ１ｍａｘ−Ａ１ｍｉｎ）／（Ａ１ｍａｘ＋Ａ１ｍｉｎ）
と定義され、前記高周波特性Ａが共振周波数ｆ、前記高周波電力の周波数におけるインピーダンスＺ、前記高周波電力の周波数におけるレジスタンスＲ、または、前記高周波電力の周波数におけるリアクタンスＸのいずれかであり、
Ａ１ｒの値が０.１以上の場合に、前記出力装置から、保守作業命令を当該最大値Ａ１ｍａｘ又は最小値Ａ１ｍｉｎを与えたプラズマ処理室の固有番号と共に出力することを特徴とするプラズマ処理装置の性能管理システム。
【請求項２２】
プラズマを励起するための電極を有する複数のプラズマ処理室と、
各々の電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、
入力端子と出力端子とを有し前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に接続するとともに該入力端子に前記高周波電源を高周波電力給電体を介して接続することにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、
を具備するプラズマ処理装置を、
搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再組み立てした後のプラズマ処理装置の性能管理システムであって、
出力装置を備えたサーバーと、このサーバーと通信回線で接続された納入先入力装置とを備え、
前記サーバーは、前記高周波電力を供給する際に前記高周波電源に接続される前記高周波電力給電体の前記高周波電源側端部である測定位置で非プラズマ発光時に測定した前記各々のプラズマ処理室の高周波特性Ａの納入後の非プラズマ発光時における値Ａ１を、各々のプラズマ処理室の固有番号と共に前記納入先入力装置から受信し、
この値Ａ１のばらつきＡ１ｒが、
その最大値Ａ１ｍａｘと最小値Ａ１ｍｉｎによって、
Ａ１ｒ＝（Ａ１ｍａｘ−Ａ１ｍｉｎ）／（Ａ１ｍａｘ＋Ａ１ｍｉｎ）
と定義され、前記高周波特性Ａが共振周波数ｆ、前記高周波電力の周波数におけるインピーダンスＺ、前記高周波電力の周波数におけるレジスタンスＲ、または、前記高周波電力の周波数におけるリアクタンスＸのいずれかであり、
Ａ１ｒの値が０.１以上の場合に、前記出力装置から、保守作業命令を当該最大値Ａ１ｍａｘ又は最小値Ａ１ｍｉｎを与えたプラズマ処理室の固有番号と共に出力することを特徴とするプラズマ処理装置の性能管理システム。
【請求項２３】
前記高周波特性Ａが、第１直列共振周波数ｆ０であることを特徴とする請求項２０から請求項２２の何れかに記載のプラズマ処理装置の性能管理システム。
【請求項２４】
プラズマを励起するための電極を有するプラズマ処理室と、
前記電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、
入力端子と出力端子とを有し該入力端子に前記高周波電源を接続するとともに前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に接続することにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、
を具備するプラズマ処理装置が複数設けられたプラズマ処理システムを、
搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再組み立てした後のプラズマ処理システムの性能管理システムであって、
前記高周波電源からプラズマ処理室に供給される電力周波数ｆｅを記憶するサーバーと、このサーバーと通信回線で接続された納入先入出力装置とを備え、
前記サーバーは、前記高周波電力を供給する際に整合回路の出力端子に接続される前記高周波電力配電体の端部である測定位置で非プラズマ発光時に測定した前記各々のプラズマ処理室の第１直列共振周波数ｆ０の納入後の非プラズマ発光時における値ｆ０１を、前記納入先入出力装置から受信し、
納入後における値ｆ０１の３倍が、いずれも前記高周波電力の電力周波数ｆｅ より大きな値である場合に、性能を維持している旨の信号を、
納入後における値ｆ０１の３倍が前記高周波電力の電力周波数ｆｅ 以下の値である場合に、性能を維持していない旨の信号を、各々納入先入出力装置に発信することを特徴とするプラズマ処理システムの性能管理システム。
【請求項２５】
前記サーバーが搬送元において出力装置を備え、納入後における値ｆ０１の３倍が前記高周波電力の電力周波数ｆｅ  以下の値である場合に、前記出力装置から、保守作業命令を出力することを特徴とする請求項２４に記載のプラズマ処理システムの性能管理システム。
【請求項２６】
プラズマを励起するための電極を有するプラズマ処理室と、
前記電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、
入力端子と出力端子とを有し該入力端子に前記高周波電源を接続するとともに前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に接続することにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、
を具備するプラズマ処理装置が複数設けられたプラズマ処理システムを、
搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再組み立てした後のプラズマ処理システムの性能管理システムであって、
出力装置を備えたサーバーと、このサーバーと通信回線で接続された納入先入力装置とを備え、
前記サーバーは、前記高周波電力を供給する際に整合回路の出力端子に接続される前記高周波電力配電体の端部である測定位置で非プラズマ発光時に測定した前記各々のプラズマ処理室の高周波特性Ａの納入後の非プラズマ発光時における値Ａ１を、各々のプラズマ処理室の固有番号と共に前記納入先入力装置から受信し、
この値Ａ１のばらつきＡ１ｒが、
その最大値Ａ１ｍａｘと最小値Ａ１ｍｉｎによって、
Ａ１ｒ＝（Ａ１ｍａｘ−Ａ１ｍｉｎ）／（Ａ１ｍａｘ＋Ａ１ｍｉｎ）
と定義され、前記高周波特性Ａが共振周波数ｆ、前記高周波電力の周波数におけるインピーダンスＺ、前記高周波電力の周波数におけるレジスタンスＲ、または、前記高周波電力の周波数におけるリアクタンスＸのいずれかであり、
Ａ１ｒの値が０.１以上の場合に、前記出力装置から、保守作業命令を当該最大値Ａ１ｍａｘ又は最小値Ａ１ｍｉｎを与えたプラズマ処理室の固有番号と共に出力することを特徴とするプラズマ処理システムの性能管理システム。
【請求項２７】
プラズマを励起するための電極を有するプラズマ処理室と、
前記電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、
入力端子と出力端子とを有し前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に接続するとともに該入力端子に前記高周波電源を高周波電力給電体を介して接続することにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、
を具備するプラズマ処理装置が複数設けられたプラズマ処理システムを、
搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再組み立てした後のプラズマ処理システムの性能管理システムであって、
出力装置を備えたサーバーと、このサーバーと通信回線で接続された納入先入力装置とを備え、
前記サーバーは、前記高周波電力を供給する際に前記高周波電源に接続される前記高周波電力給電体の前記高周波電源側端部である測定位置で非プラズマ発光時に測定した前記各々のプラズマ処理室の高周波特性Ａの納入後における値Ａ１を、各々のプラズマ処理室の固有番号と共に前記納入先入力装置から受信し、
この値Ａ１のばらつきＡ１ｒが、
その最大値Ａ１ｍａｘと最小値Ａ１ｍｉｎによって、
Ａ１ｒ＝（Ａ１ｍａｘ−Ａ１ｍｉｎ）／（Ａ１ｍａｘ＋Ａ１ｍｉｎ）
と定義され、前記高周波特性Ａが共振周波数ｆ、前記高周波電力の周波数におけるインピーダンスＺ、前記高周波電力の周波数におけるレジスタンスＲ、または、前記高周波電力の周波数におけるリアクタンスＸのいずれかであり、
Ａ１ｒの値が０.１以上の場合に、前記出力装置から、保守作業命令を当該最大値Ａ１ｍａｘ又は最小値Ａ１ｍｉｎを与えたプラズマ処理室の固有番号と共に出力することを特徴とするプラズマ処理システムの性能管理システム。
【請求項２８】
プラズマを励起するための電極を有するプラズマ処理室と、  前記電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、
入力端子と出力端子とを有し前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に接続するとともに該入力端子に前記高周波電源を高周波電力給電体を介して接続することにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、
を具備するプラズマ処理装置が複数設けられたプラズマ処理システムを、
搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再組み立てした後のプラズマ処理システムの性能評価方法であって、
出力装置を備えたサーバーと、このサーバーと通信回線で接続された納入先入力装置とを備え、
前記サーバーは、前記高周波電力を供給する際に前記高周波電力給電体に接続される前記入力端子である測定位置で非プラズマ発光時に測定した前記各々のプラズマ処理室の高周波特性Ａの納入後の非プラズマ発光時における値Ａ１を、各々のプラズマ処理室の固有番号と共に前記納入先入力装置から受信し、
この値Ａ１のばらつきＡ１ｒが、
その最大値Ａ１ｍａｘと最小値Ａ１ｍｉｎによって、
Ａ１ｒ＝（Ａ１ｍａｘ−Ａ１ｍｉｎ）／（Ａ１ｍａｘ＋Ａ１ｍｉｎ）
と定義され、前記高周波特性Ａが共振周波数ｆ、前記高周波電力の周波数におけるインピーダンスＺ、前記高周波電力の周波数におけるレジスタンスＲ、または、前記高周波電力の周波数におけるリアクタンスＸのいずれかであり、
Ａ１ｒの値が０.１以上の場合に、前記出力装置から、保守作業命令を当該最大値Ａ１ｍａｘ又は最小値Ａ１ｍｉｎを与えたプラズマ処理室の固有番号と共に出力することを特徴とするプラズマ処理システムの性能管理システム。
【請求項２９】
前記高周波特性Ａが、第１直列共振周波数ｆ０であることを特徴とする請求項２６から請求項２８の何れかに記載のプラズマ処理システムの性能管理システム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プラズマ処理装置又はプラズマ処理システムの性能評価方法、性能管理システム、及び性能確認システムに係り、特に、プラズマ処理装置又はプラズ処理システムが納入後に所望の性能を維持し続けることを、継続的に担保することに用いて好適な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＣＶＤ（  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、スパッタリング、ドライエッチング、アッシング等のプラズマ処理をおこなうプラズマ処理装置の一例としては、従来から、図３１に示すような、いわゆる２周波励起タイプのものが知られている。
図３１に示すプラズマ処理装置は、高周波電源１とプラズマ励起電極４との間に整合回路２Ａが介在されている。整合回路２Ａはこれら高周波電源１とプラズマ励起電極４との間のインピーダンスの整合を得るための回路として設けられている。
【０００３】
高周波電源１からの高周波電力は整合回路２Ａを通して給電板３によりプラズマ励起電極４へ供給される。この整合回路２Ａは導電体からなるハウジングにより形成されるマッチングボックス２内に収納されており、プラズマ励起電極４および給電板３は、導体からなるシャーシ２１によって覆われている。
プラズマ励起電極（カソード電極）４の下側には凸部４ａが設けられるとともに、このプラズマ励起電極（カソード電極）４の下には、多数の孔７が形成されているシャワープレート５が凸部４ａに接して設けられている。これらプラズマ励起電極４とシャワープレート５との間には空間６が形成されている。この空間６にはガス導入管１７が接続されており、導体からなるガス導入管１７の途中には絶縁体１７ａが挿入されてプラズマ励起電極１４側とガス供給源側とが絶縁されている。
【０００４】
ガス導入管１７から導入されたガスは、シャワープレート５の孔７を介してチャンバ壁１０により形成されたチャンバ室６０内に供給される。なお、符号９はチャンバ壁１０とプラズマ励起電極（カソード電極）４とを絶縁する絶縁体である。また、排気系の図示は省略してある。
一方、チャンバ室６０内には基板１６を載置しプラズマ励起電極ともなるウエハサセプタ（サセプタ電極）８が設けられておりその周囲にはサセプタシールド１２が設けられている。
【０００５】
サセプタシールド１２はサセプタ電極８を受けるシールド支持板１２Ａと、このシールド支持板１２Ａの中央部に垂下形成された筒型の支持筒１２Ｂとからなり、支持筒１２Ｂはチャンバ底部１０Ａを貫通して設けられるとともに、この支持筒１２Ｂの下端部とチャンバ底部１０Ａとがベローズ１１により密閉接続されている。
ウエハサセプタ８およびサセプタシールド１２は、これらの隙間がシャフト１３の周囲に設けられた電気絶縁物からなる絶縁手段１２Ｃによって真空絶縁されるとともに電気的にも絶縁されている。また、ウエハサセプタ８およびサセプタシールド１２は、ベローズ１１により上下動可能となっており、プラズマ励起電極４，８間の距離の調整ができる。
ウエハサセプタ８には、シャフト１３およびマッチングボックス１４内に収納された整合回路を介して第２の高周波電源１５が接続されている。なお、チャンバ壁１０とサセプタシールド１２とは直流的に同電位となっている。
【０００６】
図３２に従来のプラズマ処理装置の他の例を示す。図３２に示すプラズマ処理装置とは異なり、図３２に示すプラズマ処理装置は１周波励起タイプのプラズマ処理装置である。すなわち、カソード電極４にのみ高周波電力を供給しており、サセプタ電極８は接地されている。図３１で示される高周波電源１５とマッチングボックス１４がない。また、サセプタ電極８とチャンバ壁１０とは直流的に同電位となっている。
【０００７】
上記のプラズマ処理装置においては、一般的に１３．５６ＭＨｚ程度の周波数の電力を投入して、両電極４，８の間でプラズマを生成し、このプラズマにより、ＣＶＤ（  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、スパッタリング、ドライエッチング、アッシング等のプラズマ処理をおこなうものである。
【０００８】
しかし、上記のプラズマ処理装置においては、電力消費効率（高周波電源１からプラズマ励起電極４に投入した電力に対してプラズマ中で消費された電力の割合）は必ずしも良好ではない。特に、高周波電源から供給される周波数が高くなるほど、プラズマ処理装置における電力消費効率の低下が顕著である。同時にまた、基板サイズが大きくなるほどその低下が顕著である。
その結果、電力消費効率が低いことにより、プラズマ空間で消費される実効的な電力が上がらないため、成膜速度が遅くなる、また、たとえば絶縁膜の成膜の場合にあってはより絶縁耐圧の高い絶縁膜の形成が困難である、という問題点を有している。
【０００９】
そして、このようなプラズマ処理装置の動作確認および、動作の評価方法としては、例えば、以下のように実際に成膜等の処理をおこない、この被成膜特性を評価するというような方法でおこなっていた。
（１）堆積速度と膜面内均一性
▲１▼基板上にプラズマＣＶＤにより所望の膜を成膜する。
▲２▼レジストのパターニングをおこなう。
▲３▼膜をドライエッチングする。
▲４▼アッシングによりレジストを剥離する。
▲５▼膜の膜厚段差を触針式段差計により計測する。
▲６▼成膜時間と膜厚から堆積速度を算出する。
▲７▼膜面内均一性は、６インチ基板面内において１６ポイントで測定する。
（２）ＢＨＦエッチングレート
上記（１）▲１▼〜▲２▼と同様にレジストマスクをパターニングする。
▲３▼ＢＨＦ液に１分間基板を浸漬する。
▲４▼純水洗浄後乾燥し、レジストを硫酸過水（Ｈ２ＳＯ４＋Ｈ２Ｏ２）で剥離する。▲５▼上記（１）▲５▼と同様段差を計測する。
▲６▼浸漬時間と段差からエッチング速度を算出する。
（３）絶縁耐圧
▲１▼ガラス基板上にスパッタリングにより導電性膜を成膜し、下部電極としてパターニングする。
▲２▼プラズマＣＶＤにより絶縁膜を成膜する。
▲３▼▲１▼と同様の方法で上部電極を形成する。
▲４▼下部電極用にコンタクト孔を形成する。
▲５▼上下電極にプロービングし、Ｉ−Ｖ特性（電流電圧特性）を測定する。このとき最大電圧として２００Ｖ程度まで印加する。
▲６▼電極面積を１００μｍ角とし、１００ｐＡをよぎるところが、１μＡ／ｃｍ２  に相当するので、この時のＶを絶縁耐圧として定義する。
【００１０】
さらに、上記のようなプラズマ処理装置に対しては、従来から、半導体および液晶製造に用いられる場合において、プラズマ処理速度（成膜時の堆積速度や、加工速度）が早く生産性が高いこと、そして、被処理基体面内方向におけるプラズマ処理の均一性（膜厚の膜面内方向分布、加工処理ばらつきの膜面内方向分布）に優れていることが求められているが、近年では、被処理基板の大型化に伴い、膜面内方向の均一性に対する要求が一段と強まっている。
また、被処理基板の大型化に伴い、投入電力量もｋＷオーダーが投入されるまで増大し、電力消費量が増す傾向にある。このため、電源の高容量化に伴い、電源の開発コストが増大するとともに、装置稼働時には電力使用が増すことからランニングコストを削減することが望まれている。
また、電力消費量が増大することは、環境負荷となる二酸化炭素の排出量が増大する。これは、被処理基板の大型化に伴ってさらに放出量が増大するとともに電力消費効率をさらに下げてしまうため電力消費量が増大するので、この二酸化炭素の放出量削減への要求も高くなっている。
一方、プラズマ励起周波数として、従来一般的であった１３．５６ＭＨｚに対して、これを越える３０ＭＨｚ以上のＶＨＦ帯の周波数を用いるなど、高周波数化を図ることで、プラズマ空間で消費される実効的な電力を向上させることができる。その結果として、プラズマＣＶＤなどの堆積装置においては、成膜時の堆積速度を向上させることができる可能性が示されていた。
【００１１】
さらに、上記のようなプラズマチャンバを複数有するプラズマ処理装置に対しては、個々のプラズマチャンバに対して、プラズマ処理の機差をなくし、異なるプラズマチャンバにおいて処理をおこなった被処理基板においても、プラズマ処理速度（成膜時の堆積速度や、加工速度）や生産性、そして、被処理基体面内方向におけるプラズマ処理の均一性を向上させたい（膜厚の膜面内方向分布等の、処理のばらつきをなくしたい）という要求がある。
同時に、プラズマチャンバを複数有するプラズマ処理装置に対しては、個々のプラズマチャンバに対して、供給するガス流量や圧力、供給電力、処理時間等の外部パラメータが等しい同一のプロセスレシピを適用して、略同一のプラズマ処理結果が得られることが望まれている。
そして、プラズマ処理装置の新規設置時や調整・保守点検時において、複数のプラズマチャンバごとの機差をなくして処理のばらつきをなくし同一のプロセスレシピにより略同一の処理結果を得るために必要な調整時間の短縮が求められるとともに、このような調整に必要なコストの削減が要求されていた。
【００１２】
さらに、上記のようなプラズマ処理装置を複数有するプラズマ処理システムに対しても、同様に、各プラズマ処理装置における個々のプラズマチャンバに対して、プラズマ処理の機差をなくしたいという要求が存在していた。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記のプラズマ処理装置においては、１３．５６ＭＨｚ程度の周波数の電力を投入するように設計されており、これ以上の周波数の電力を投入することに対応していない。より具体的には、高周波電力を投入する部分、つまり、プラズマ処理をおこなうチャンバ全体としては、インピーダンス、共振周波数特性等の電気的高周波的な特性が考慮されておらず、次のような不具合が生じていた。
▲１▼１３．５６ＭＨｚ程度以上の周波数の電力を投入した場合、電力消費効率があがらず、成膜時に堆積速度を向上することができないばかりか、むしろ、堆積速度が遅くなる場合があった。
▲２▼さらに投入する電力をより高周波数化すると、周波数の上昇に伴って、プラズマ空間で消費される実効的な電力は上昇してピークを迎え、その後、減少に転じて、ついにはグロー放電できなくなってしまい高周波数化の意味がなくなってしまう。
【００１４】
また、次のような不具合も生じていた。
プラズマチャンバを複数有するプラズマ処理装置やプラズマ処理システムに対しては、複数のプラズマチャンバに対してインピーダンス、共振周波数特性等の電気的高周波的な特性の機差をなくすという設計がなされていないため、個々のプラズマチャンバにおいて、プラズマ空間で消費される実効的な電力等がそれぞれ均一になっていない可能性がある。
このため、複数のプラズマチャンバに対して同一のプロセスレシピを適用しているにも関わらず、同一のプラズマ処理結果が得られない可能性がある。
したがって、同じプラズマ処理結果を得るためには、個々のプラズマチャンバごとに、それぞれ供給するガス流量や圧力、供給電力、処理時間等の外部パラメータと上記の（１）〜（３）のような評価方法による処理結果とを比較して、これらの相関関係を把握する必要があるが、そのデータ量は膨大なものになり、すべてをおこなうことが困難である。
【００１５】
そして、このようなプラズマ処理装置の動作確認および、動作の評価方法としては、上記の（１）〜（３）のような方法を採用した場合には、適正な動作をしているかどうかの確認をするためにはプラズマ処理装置を作動させることが必要である上に、プラズマ処理装置の設置場所とは別の検査場所などにおいて被処理基板を複数のステップにより処理測定する必要がある。
このため、評価結果がでるまでには数日、あるいは数週間を要しており、装置開発段階においては、プラズマ処理室の性能確認に時間がかかりすぎるため、これを短縮したいという要求があった。
【００１６】
さらに、複数のプラズマチャンバを有するプラズマ処理装置やプラズマ処理システムに対して上記の（１）〜（３）のような検査方法を採用した場合には、複数のプラズマチャンバごとの機差をなくして処理のばらつきをなくし、同一のプロセスレシピにより同一処理結果を得るために必要な調整時間が、月単位で必要となってしまう。このため、調整期間の短縮が求められるとともに、このような調整に必要な検査用基板等の費用、この検査用基板の処理費用、および、調整作業に従事する作業員の人件費等、コストが膨大なものになるという問題があった。
【００１７】
このように、プラズマ処理装置においては、所望のレベルの性能を備えると共に、複数のプラズマチャンバ（プラズマ処理室）を備えるプラズマ処理装置やプラズマ処理システムにあっては、プラズマ処理の性能の機差をなくすような配慮が求められていた。
しかし、たとえこのような配慮が充分になされたプラズマ処理装置であっても、プラズマ処理装置を搬送する際には、一般に一旦分解してから搬送し、搬送先で再組み立てすることが行われている。この場合には、搬送中の振動や再組み立て作業の不備等により搬送前の性能が維持されていない危険性があった。
【００１８】
そして、このようなプラズマ処理装置の性能が所望の性能レベルや所望の機差内に維持されているかどうかを確認するための評価方法として、上記の（１）〜（３）のような動作評価方法を採用した場合には、プラズマ処理装置を作動させることが必要である上に、プラズマ処理装置の設置場所とは別の検査場所などにおいて被処理基板を複数のステップにより処理測定する必要がある。
そして、装置性能が仕様を満足できない場合には、装置を調整して、プラズマ処理を実施し、被処理基板を評価するといった一連の長いサイクルを繰り返す必要がある上、納入した装置の立ち上げ期間が長期化するといった問題があった。製造ラインの立ち上げ期間の長短は、そのまま年度の売り上げに大きな影響を及ぼしていた。
このため、より簡便な方法でプラズマ処理装置の性能を把握し、問題発見から改善までのサイクルを早め、装置の立ち上げ期間を短縮するという要求があった。
【００１９】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたもので、以下の目的を達成しようとするものである。
▲１▼  プラズマ処理装置やプラズマ処理システムの性能が、納入先において適正に発揮されていたかどうかを確認するための迅速かつ簡便な評価方法を提供すること。
▲２▼  納入先において、プラズマ処理装置やプラズマ処理システムの性能が適正に発揮されるように管理するための、あるいは、性能が適正に発揮されていない場合には、保守作業を直ちに行えるよう管理するための性能管理システムを提供すること。
▲３▼  適正な動作状態に簡便に維持可能なプラズマ処理装置を提供すること。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明に係るプラズマ処理装置の性能評価方法は、  プラズマを励起するための電極を有するプラズマ処理室と、
前記電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、
入力端子と出力端子とを有し該入力端子に前記高周波電源を接続するとともに前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に接続することにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、
を具備するプラズマ処理装置を、
搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再組み立てした後のプラズマ処理装置の性能評価方法であって、
前記高周波電力を供給する際に整合回路の出力端子に接続される前記高周波電力配電体の端部である測定位置で非プラズマ発光時に測定した前記プラズマ処理室の第１直列共振周波数ｆ０の、納入後の非プラズマ発光時における値ｆ０１の３倍が、
前記高周波電力の電力周波数ｆｅ より大きい値である場合に、性能を維持していると判断し、前記電力周波数ｆｅ 以下の値である場合に、性能を維持していないと判断することを特徴とする。
【００２１】
また、プラズマ処理室を複数有するプラズマ処理装置に対応して、本発明に係るプラズマ処理装置の性能評価方法は、プラズマを励起するための電極を有する複数のプラズマ処理室と、
各々の電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、
入力端子と出力端子とを有し該入力端子に前記高周波電源を接続するとともに前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に接続することにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、
を具備するプラズマ処理装置を、
搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再組み立てした後のプラズマ処理装置の性能評価方法であって、
前記高周波電力を供給する際に整合回路の出力端子に接続される前記高周波電力配電体の端部である測定位置で非プラズマ発光時に測定した前記複数のプラズマ処理室の高周波特性Ａの、納入後の非プラズマ発光時における値Ａ１のばらつきＡ１ｒが、
その最大値Ａ１ｍａｘと最小値Ａ１ｍｉｎによって、
Ａ１ｒ＝（Ａ１ｍａｘ−Ａ１ｍｉｎ）／（Ａ１ｍａｘ＋Ａ１ｍｉｎ）
と定義され、前記高周波特性Ａが共振周波数ｆ、前記高周波電力の周波数におけるインピーダンスＺ、前記高周波電力の周波数におけるレジスタンスＲ、または、前記高周波電力の周波数におけるリアクタンスＸのいずれかであり、
Ａ１ｒの値が０.１より小さい値である場合に、性能を維持していると判断し、０.１以上の値である場合に性能を維持していないと判断することを特徴とする。
【００２２】
同様に、プラズマ処理室を複数有するプラズマ処理装置に対応して、本発明に係るプラズマ処理装置の性能評価方法は、プラズマを励起するための電極を有する複数のプラズマ処理室と、
各々の電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、
入力端子と出力端子とを有し前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に接続するとともに該入力端子に前記高周波電源を高周波電力給電体を介して接続することにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、
を具備するプラズマ処理装置を、
搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再組み立てした後のプラズマ処理装置の性能評価方法であって、
前記高周波電力を供給する際に前記高周波電力給電体に接続される前記入力端子である測定位置で非プラズマ発光時に測定した前記複数のプラズマ処理室の高周波特性Ａの、納入後の非プラズマ発光時における値Ａ１のばらつきＡ１ｒが、
その最大値Ａ１ｍａｘと最小値Ａ１ｍｉｎによって、
Ａ１ｒ＝（Ａ１ｍａｘ−Ａ１ｍｉｎ）／（Ａ１ｍａｘ＋Ａ１ｍｉｎ）
と定義され、前記高周波特性Ａが共振周波数ｆ、前記高周波電力の周波数におけるインピーダンスＺ、前記高周波電力の周波数におけるレジスタンスＲ、または、前記高周波電力の周波数におけるリアクタンスＸのいずれかであり、
Ａ１ｒの値が０.１より小さい値である場合に、性能を維持していると判断し、０.１以上の値である場合に性能を維持していないと判断することを特徴とする。
【００２３】
同様に、プラズマ処理室を複数有するプラズマ処理装置に対応して、本発明に係るプラズマ処理装置の性能評価方法は、プラズマを励起するための電極を有する複数のプラズマ処理室と、
各々の電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、
入力端子と出力端子とを有し前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に接続するとともに該入力端子に前記高周波電源を高周波電力給電体を介して接続することにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、
を具備するプラズマ処理装置を、
搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再組み立てした後のプラズマ処理装置の性能評価方法であって、
前記高周波電力を供給する際に前記高周波電源に接続される前記高周波電力給電体の前記高周波電源側端部である測定位置で非プラズマ発光時に測定した前記複数のプラズマ処理室の高周波特性Ａの、納入後の非プラズマ発光時における値Ａ１のばらつきＡ１ｒが、
その最大値Ａ１ｍａｘと最小値Ａ１ｍｉｎによって、
Ａ１ｒ＝（Ａ１ｍａｘ−Ａ１ｍｉｎ）／（Ａ１ｍａｘ＋Ａ１ｍｉｎ）
と定義され、前記高周波特性Ａが共振周波数ｆ、前記高周波電力の周波数におけるインピーダンスＺ、前記高周波電力の周波数におけるレジスタンスＲ、または、前記高周波電力の周波数におけるリアクタンスＸのいずれかであり、
Ａ１ｒの値が０.１より小さい値である場合に、性能を維持していると判断し、０.１以上の値である場合に性能を維持していないと判断することを特徴とする。
【００２４】
また、プラズマ処理室を複数有するプラズマ処理装置に対応して、本発明に係るプラズマ処理装置の性能評価方法は、前記高周波特性Ａが、第１直列共振周波数ｆ０であることを特徴とする。
【００２５】
同様に、プラズマ処理室を複数有するプラズマ処理装置に対応して、本発明に係るプラズマ処理装置の性能評価方法は、プラズマを励起するための電極を有する複数のプラズマ処理室と、
各々の電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、
入力端子と出力端子とを有し該入力端子に前記高周波電源を接続するとともに前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に接続することにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、
を具備するプラズマ処理装置を、
搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再組み立てした後のプラズマ処理装置の性能評価方法であって、
前記高周波電力を供給する際に整合回路の出力端子に接続される前記高周波電力配電体の端部である測定位置で非プラズマ発光時に測定した前記複数のプラズマ処理室の第１直列共振周波数ｆ０の、納入後の非プラズマ発光時における値ｆ０１のばらつきｆ０１ｒが、
その最大値ｆ０１ｍａｘと最小値ｆ０１ｍｉｎによって、
ｆ０１ｒ＝（ｆ０１ｍａｘ−ｆ０１ｍｉｎ）／（ｆ０１ｍａｘ＋ｆ０１ｍｉｎ）
と定義され、
ｆ０１ｒの値が０.１より小さい値であり、かつ、納入後における値ｆ０１の３倍が、いずれも前記高周波電力の電力周波数ｆｅ より大きな値である場合に、性能を維持していると判断し、
ｆ０１ｒの値が０.１以上の値である場合、又は納入後における値ｆ０１の３倍が前記高周波電力の電力周波数ｆｅ 以下の値である場合に、性能を維持していないと判断することを特徴とする。
【００２６】
同様に、プラズマ処理室を複数有するプラズマ処理装置に対応して、本発明に係るプラズマ処理装置の性能評価方法は、プラズマを励起するための電極を有する複数のプラズマ処理室と、
各々の電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、
入力端子と出力端子とを有し前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に接続するとともに該入力端子に前記高周波電源を高周波電力給電体を介して接続することにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、
を具備するプラズマ処理装置を、
搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再組み立てした後のプラズマ処理装置の性能評価方法であって、
前記高周波電力を供給する際に前記高周波電力給電体に接続される前記入力端子である測定位置で非プラズマ発光時に測定した前記複数のプラズマ処理室の第１直列共振周波数ｆ０の、納入後の非プラズマ発光時における値ｆ０１のばらつきｆ０１ｒが、
その最大値ｆ０１ｍａｘと最小値ｆ０１ｍｉｎによって、
ｆ０１ｒ＝（ｆ０１ｍａｘ−ｆ０１ｍｉｎ）／（ｆ０１ｍａｘ＋ｆ０１ｍｉｎ）
と定義され、
ｆ０１ｒの値が０.１より小さい値であり、かつ、納入後における値ｆ０１の３倍が、いずれも前記高周波電力の電力周波数ｆｅ より大きな値である場合に、性能を維持していると判断し、
ｆ０１ｒの値が０.１以上の値である場合、又は納入後における値ｆ０１の３倍が前記高周波電力の電力周波数ｆｅ 以下の値である場合に、性能を維持していないと判断することを特徴とする。
【００２７】
また、プラズマ処理装置を複数有するプラズマ処理システムに対応して、本発明に係るプラズマ処理システムの性能評価方法は、プラズマを励起するための電極を有する複数のプラズマ処理室と、
各々の電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、
入力端子と出力端子とを有し前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に接続するとともに該入力端子に前記高周波電源を高周波電力給電体を介して接続することにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、
を具備するプラズマ処理装置を、
搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再組み立てした後のプラズマ処理装置の性能評価方法であって、
前記高周波電力を供給する際に前記高周波電力給電体に接続される前記入力端子である測定位置で非プラズマ発光時に測定した前記複数のプラズマ処理室の第１直列共振周波数ｆ０の、納入後の非プラズマ発光時における値ｆ０１のばらつきｆ０１ｒが、
その最大値ｆ０１ｍａｘと最小値ｆ０１ｍｉｎによって、
ｆ０１ｒ＝（ｆ０１ｍａｘ−ｆ０１ｍｉｎ）／（ｆ０１ｍａｘ＋ｆ０１ｍｉｎ）
と定義され、
ｆ０１ｒの値が０.１より小さい値であり、かつ、納入後における値ｆ０１の３倍が、いずれも前記高周波電力の電力周波数ｆｅ より大きな値である場合に、性能を維持していると判断し、
ｆ０１ｒの値が０.１以上の値である場合、又は納入後における値ｆ０１の３倍が前記高周波電力の電力周波数ｆｅ 以下の値である場合に、性能を維持していないと判断することを特徴とする。
【００２８】
同様に、プラズマ処理装置を複数有するプラズマ処理システムに対応して、本発明に係るプラズマ処理システムの性能評価方法は、プラズマを励起するための電極を有するプラズマ処理室と、
前記電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、
入力端子と出力端子とを有し該入力端子に前記高周波電源を接続するとともに前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に接続することにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、
を具備するプラズマ処理装置が複数設けられたプラズマ処理システムを、
搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再組み立てした後のプラズマ処理システムの性能評価方法であって、
前記高周波電力を供給する際に整合回路の出力端子に接続される前記高周波電力配電体の端部である測定位置で非プラズマ発光時に測定した前記プラズマ処理室の高周波特性Ａの、納入後の非プラズマ発光時における値Ａ１のばらつきＡ１ｒが、
その最大値Ａ１ｍａｘと最小値Ａ１ｍｉｎによって、
Ａ１ｒ＝（Ａ１ｍａｘ−Ａ１ｍｉｎ）／（Ａ１ｍａｘ＋Ａ１ｍｉｎ）
と定義され、前記高周波特性Ａが共振周波数ｆ、前記高周波電力の周波数におけるインピーダンスＺ、前記高周波電力の周波数におけるレジスタンスＲ、または、前記高周波電力の周波数におけるリアクタンスＸのいずれかであり、
Ａ１ｒの値が０.１より小さい値である場合に、性能を維持していると判断し、０.１以上の値である場合に性能を維持していないと判断することを特徴とする。
【００２９】
同様に、プラズマ処理装置を複数有するプラズマ処理システムに対応して、本発明に係るプラズマ処理システムの性能評価方法は、プラズマを励起するための電極を有するプラズマ処理室と、
前記電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、
入力端子と出力端子とを有し前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に接続するとともに該入力端子に前記高周波電源を高周波電力給電体を介して接続することにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、
を具備するプラズマ処理装置が複数設けられたプラズマ処理システムを、
搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再組み立てした後のプラズマ処理システムの性能評価方法であって、
前記高周波電力を供給する際に前記高周波電力給電体に接続される前記入力端子である測定位置で非プラズマ発光時に測定した前記プラズマ処理室の高周波特性Ａの、納入後の非プラズマ発光時における値Ａ１のばらつきＡ１ｒが、
その最大値Ａ１ｍａｘと最小値Ａ１ｍｉｎによって、
Ａ１ｒ＝（Ａ１ｍａｘ−Ａ１ｍｉｎ）／（Ａ１ｍａｘ＋Ａ１ｍｉｎ）
と定義され、前記高周波特性Ａが共振周波数ｆ、前記高周波電力の周波数におけるインピーダンスＺ、前記高周波電力の周波数におけるレジスタンスＲ、または、前記高周波電力の周波数におけるリアクタンスＸのいずれかであり、
Ａ１ｒの値が０.１より小さい値である場合に、性能を維持していると判断し、０.１以上の値である場合に性能を維持していないと判断することを特徴とする。
【００３０】
また、プラズマ処理装置を複数有するプラズマ処理システムに対応して、本発明に係るプラズマ処理システムの性能評価方法は、プラズマを励起するための電極を有するプラズマ処理室と、
前記電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、
入力端子と出力端子とを有し前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に接続するとともに該入力端子に前記高周波電源を高周波電力給電体を介して接続することにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、
を具備するプラズマ処理装置が複数設けられたプラズマ処理システムを、
搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再組み立てした後のプラズマ処理システムの性能評価方法であって、
前記高周波電力を供給する際に前記高周波電源に接続される前記高周波電力給電体の前記高周波電源側端部である測定位置で非プラズマ発光時に測定した前記プラズマ処理室の高周波特性Ａの、納入後の非プラズマ発光時における値Ａ１のばらつきＡ１ｒが、
その最大値Ａ１ｍａｘと最小値Ａ１ｍｉｎによって、
Ａ１ｒ＝（Ａ１ｍａｘ−Ａ１ｍｉｎ）／（Ａ１ｍａｘ＋Ａ１ｍｉｎ）
と定義され、前記高周波特性Ａが、共振周波数ｆ、前記高周波電力の周波数におけるインピーダンスＺ、前記高周波電力の周波数におけるレジスタンスＲ、または、前記高周波電力の周波数におけるリアクタンスＸのいずれかであり、
Ａ１ｒの値が０.１より小さい値である場合に、性能を維持していると判断し、０.１以上の値である場合に性能を維持していないと判断することを特徴とする。
【００３１】
同様に、プラズマ処理装置を複数有するプラズマ処理システムに対応して、本発明に係るプラズマ処理システムの性能評価方法は、前記高周波特性Ａが、第１直列共振周波数ｆ０であることを特徴とする。
【００３２】
同様に、プラズマ処理装置を複数有するプラズマ処理システムに対応して、本発明に係るプラズマ処理システムの性能評価方法は、プラズマを励起するための電極を有するプラズマ処理室と、
前記電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、
入力端子と出力端子とを有し該入力端子に前記高周波電源を接続するとともに前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に接続することにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、
を具備するプラズマ処理装置が複数設けられたプラズマ処理システムを、
搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再組み立てした後のプラズマ処理システムの性能評価方法であって、
前記高周波電力を供給する際に整合回路の出力端子に接続される前記高周波電力配電体の端部である測定位置で非プラズマ発光時に測定した前記プラズマ処理室の第１直列共振周波数ｆ０の、納入後の非プラズマ発光時における値ｆ０１のばらつきｆ０１ｒが、
その最大値ｆ０１ｍａｘと最小値ｆ０１ｍｉｎによって、
ｆ０１ｒ＝（ｆ０１ｍａｘ−ｆ０１ｍｉｎ）／（ｆ０１ｍａｘ＋ｆ０１ｍｉｎ）
と定義され、
ｆ０１ｒの値が０.１より小さい値であり、かつ、納入後における値ｆ０１の３倍が、いずれも前記高周波電力の電力周波数ｆｅ より大きな値である場合に、性能を維持していると判断し、
ｆ０１ｒの値が０.１以上の値である場合、又は納入後における値ｆ０１の３倍が前記高周波電力の電力周波数ｆｅ 以下の値である場合に、性能を維持していないと判断することを特徴とする。
【００３３】
また、本発明に係るプラズマ処理システムの性能評価方法は、プラズマを励起するための電極を有するプラズマ処理室と、
前記電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、
入力端子と出力端子とを有し前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に接続するとともに該入力端子に前記高周波電源を高周波電力給電体を介して接続することにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、
を具備するプラズマ処理装置が複数設けられたプラズマ処理システムを、
搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再組み立てした後のプラズマ処理システムの性能評価方法であって、
前記高周波電力を供給する際に前記高周波電力給電体に接続される前記入力端子である測定位置で非プラズマ発光時に測定した前記プラズマ処理室の第１直列共振周波数ｆ０の、納入後の非プラズマ発光時における値ｆ０１のばらつきｆ０１ｒが、
その最大値ｆ０１ｍａｘと最小値ｆ０１ｍｉｎによって、
ｆ０１ｒ＝（ｆ０１ｍａｘ−ｆ０１ｍｉｎ）／（ｆ０１ｍａｘ＋ｆ０１ｍｉｎ）
と定義され、
ｆ０１ｒの値が０.１より小さい値であり、かつ、納入後における値ｆ０１の３倍が、いずれも前記高周波電力の電力周波数ｆｅ より大きな値である場合に、性能を維持していると判断し、
ｆ０１ｒの値が０.１以上の値である場合、又は納入後における値ｆ０１の３倍が前記高周波電力の電力周波数ｆｅ 以下の値である場合に、性能を維持していないと判断することを特徴とする。
【００３４】
また、本発明に係るプラズマ処理システムの性能評価方法は、プラズマを励起するための電極を有するプラズマ処理室と、
前記電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、
入力端子と出力端子とを有し前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に接続するとともに該入力端子に前記高周波電源を高周波電力給電体を介して接続することにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、
を具備するプラズマ処理装置が複数設けられたプラズマ処理システムを、
搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再組み立てした後のプラズマ処理システムの性能評価方法であって、
前記高周波電力を供給する際に前記高周波電源に接続される前記高周波電力給電体の前記高周波電源側端部である測定位置で非プラズマ発光時に測定した前記プラズマ処理室の第１直列共振周波数ｆ０の、納入後の非プラズマ発光時における値ｆ０１のばらつきｆ０１ｒが、
その最大値ｆ０１ｍａｘと最小値ｆ０１ｍｉｎによって、
ｆ０１ｒ＝（ｆ０１ｍａｘ−ｆ０１ｍｉｎ）／（ｆ０１ｍａｘ＋ｆ０１ｍｉｎ）
と定義され、
ｆ０１ｒの値が０.１より小さい値であり、かつ、納入後における値ｆ０１の３倍が、いずれも前記高周波電力の電力周波数ｆｅ より大きな値である場合に、性能を維持していると判断し、
ｆ０１ｒの値が０.１以上の値である場合、又は納入後における値ｆ０１の３倍が前記高周波電力の電力周波数ｆｅ 以下の値である場合に、性能を維持していないと判断することを特徴とする。
【００３５】
また、プラズマ処理室を複数有するプラズマ処理装置に対応して、本発明に係るプラズマ処理装置の性能管理システムは、プラズマを励起するための電極を有するプラズマ処理室と、
前記電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、
入力端子と出力端子とを有し該入力端子に前記高周波電源を接続するとともに前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に接続することにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、
を具備するプラズマ処理装置を、
搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再組み立てした後のプラズマ処理装置の性能管理システムであって、
前記高周波電源からプラズマ処理室に供給される電力周波数ｆｅを記憶するサーバーと、このサーバーと通信回線で接続された納入先入出力装置とを備え、
前記サーバーは、前記高周波電力を供給する際に整合回路の出力端子に接続される前記高周波電力配電体の端部である測定位置で非プラズマ発光時に測定した前記プラズマ処理室の第１直列共振周波数ｆ０の納入後の非プラズマ発光時における値ｆ０１を、前記納入先入出力装置から受信し、
納入後における値ｆ０１の３倍が前記電力周波数ｆｅより大きな値である場合には、性能を維持している旨の信号を、納入後における値ｆ０１の３倍が前記電力周波数ｆｅ以下である場合には、性能を維持していない旨の信号を、各々納入先入出力装置に発信することを特徴とする。
【００３６】
同様に、プラズマ処理室を複数有するプラズマ処理装置に対応して、本発明に係るプラズマ処理装置の性能管理システムは、前記サーバーが搬送元において出力装置を備え、納入後における値ｆ０１の３倍が前記高周波電力の電力周波数ｆｅ 以下の値である場合に、前記出力装置から、保守作業命令を出力することを特徴とする先に記載のプラズマ処理装置の性能管理システムに係るものである。
【００３７】
同様に、プラズマ処理室を複数有するプラズマ処理装置に対応して、本発明に係るプラズマ処理装置の性能管理システムは、プラズマを励起するための電極を有する複数のプラズマ処理室と、
各々の電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、
入力端子と出力端子とを有し該入力端子に前記高周波電源を接続するとともに前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に接続することにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、
を具備するプラズマ処理装置を、
搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再組み立てした後のプラズマ処理装置の性能管理システムであって、
前記高周波電源からプラズマ処理室に供給される電力周波数ｆｅを記憶するサーバーと、このサーバーと通信回線で接続された納入先入出力装置とを備え、
前記サーバーは、前記高周波電力を供給する際に整合回路の出力端子に接続される前記高周波電力配電体の端部である測定位置で非プラズマ発光時に測定した前記各々のプラズマ処理室の第１直列共振周波数ｆ０の納入後の非プラズマ発光時における値ｆ０１を、前記納入先入出力装置から受信し、
納入後における値ｆ０１の３倍が、いずれも前記高周波電力の電力周波数ｆｅ より大きな値である場合に、性能を維持している旨の信号を、
納入後における値ｆ０１の３倍が前記高周波電力の電力周波数ｆｅ 以下の値である場合に、性能を維持していない旨の信号を、各々納入先入出力装置に発信することを特徴とする。
【００３８】
また、プラズマ処理装置を複数有するプラズマ処理システムに対応して、本発明に係るプラズマ処理システムの性能管理システムは、前記サーバーが搬送元において出力装置を備え、納入後における値ｆ０１の３倍が前記高周波電力の電力周波数ｆｅ 以下の値である場合に、前記出力装置から、保守作業命令を出力することを特徴とする。
【００３９】
同様に、プラズマ処理装置を複数有するプラズマ処理システムに対応して、本発明に係るプラズマ処理システムの性能管理システムは、プラズマを励起するための電極を有する複数のプラズマ処理室と、
各々の電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、
入力端子と出力端子とを有し該入力端子に前記高周波電源を接続するとともに前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に接続することにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、
を具備するプラズマ処理装置を、
搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再組み立てした後のプラズマ処理装置の性能管理システムであって、
出力装置を備えたサーバーと、このサーバーと通信回線で接続された納入先入力装置とを備え、
前記サーバーは、前記高周波電力を供給する際に整合回路の出力端子に接続される前記高周波電力配電体の端部である測定位置で非プラズマ発光時に測定した前記各々のプラズマ処理室の高周波特性Ａの納入後の非プラズマ発光時における値Ａ１を、各々のプラズマ処理室の固有番号と共に前記納入先入力装置から受信し、
この値Ａ１のばらつきＡ１ｒが、
その最大値Ａ１ｍａｘと最小値Ａ１ｍｉｎによって、
Ａ１ｒ＝（Ａ１ｍａｘ−Ａ１ｍｉｎ）／（Ａ１ｍａｘ＋Ａ１ｍｉｎ）
と定義され、前記高周波特性Ａが共振周波数ｆ、前記高周波電力の周波数におけるインピーダンスＺ、前記高周波電力の周波数におけるレジスタンスＲ、または、前記高周波電力の周波数におけるリアクタンスＸのいずれかであり、
Ａ１ｒの値が０.１以上の場合に、前記出力装置から、保守作業命令を当該最大値Ａ１ｍａｘ又は最小値Ａ１ｍｉｎを与えたプラズマ処理室の固有番号と共に出力することを特徴とする。
【００４０】
同様に、プラズマ処理装置を複数有するプラズマ処理システムに対応して、本発明に係るプラズマ処理システムの性能管理システムは、プラズマを励起するための電極を有する複数のプラズマ処理室と、
各々の電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、
入力端子と出力端子とを有し前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に接続するとともに該入力端子に前記高周波電源を高周波電力給電体を介して接続することにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、
を具備するプラズマ処理装置を、
搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再組み立てした後のプラズマ処理装置の性能評価方法であって、
出力装置を備えたサーバーと、このサーバーと通信回線で接続された納入先入力装置とを備え、
前記サーバーは、前記高周波電力を供給する際に前記高周波電力給電体に接続される前記入力端子である測定位置で非プラズマ発光時に測定した前記各々のプラズマ処理室の高周波特性Ａの納入後の非プラズマ発光時における値Ａ１を、各々のプラズマ処理室の固有番号と共に前記納入先入力装置から受信し、
この値Ａ１のばらつきＡ１ｒが、
その最大値Ａ１ｍａｘと最小値Ａ１ｍｉｎによって、
Ａ１ｒ＝（Ａ１ｍａｘ−Ａ１ｍｉｎ）／（Ａ１ｍａｘ＋Ａ１ｍｉｎ）
と定義され、前記高周波特性Ａが共振周波数ｆ、前記高周波電力の周波数におけるインピーダンスＺ、前記高周波電力の周波数におけるレジスタンスＲ、または、前記高周波電力の周波数におけるリアクタンスＸのいずれかであり、
Ａ１ｒの値が０.１以上の場合に、前記出力装置から、保守作業命令を当該最大値Ａ１ｍａｘ又は最小値Ａ１ｍｉｎを与えたプラズマ処理室の固有番号と共に出力することを特徴とする。
【００４１】
また、プラズマ処理装置を複数有するプラズマ処理システムに対応して、本発明に係るプラズマ処理システムの性能管理システムは、プラズマを励起するための電極を有する複数のプラズマ処理室と、
各々の電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、
入力端子と出力端子とを有し前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に接続するとともに該入力端子に前記高周波電源を高周波電力給電体を介して接続することにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、
を具備するプラズマ処理装置を、
搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再組み立てした後のプラズマ処理装置の性能管理システムであって、
出力装置を備えたサーバーと、このサーバーと通信回線で接続された納入先入力装置とを備え、
前記サーバーは、前記高周波電力を供給する際に前記高周波電源に接続される前記高周波電力給電体の前記高周波電源側端部である測定位置で非プラズマ発光時に測定した前記各々のプラズマ処理室の高周波特性Ａの納入後の非プラズマ発光時における値Ａ１を、各々のプラズマ処理室の固有番号と共に前記納入先入力装置から受信し、
この値Ａ１のばらつきＡ１ｒが、
その最大値Ａ１ｍａｘと最小値Ａ１ｍｉｎによって、
Ａ１ｒ＝（Ａ１ｍａｘ−Ａ１ｍｉｎ）／（Ａ１ｍａｘ＋Ａ１ｍｉｎ）
と定義され、前記高周波特性Ａが共振周波数ｆ、前記高周波電力の周波数におけるインピーダンスＺ、前記高周波電力の周波数におけるレジスタンスＲ、または、前記高周波電力の周波数におけるリアクタンスＸのいずれかであり、
Ａ１ｒの値が０.１以上の場合に、前記出力装置から、保守作業命令を当該最大値Ａ１ｍａｘ又は最小値Ａ１ｍｉｎを与えたプラズマ処理室の固有番号と共に出力することを特徴とする。
同様に、プラズマ処理装置を複数有するプラズマ処理システムに対応して、本発明に係るプラズマ処理システムの性能管理システムは、前記高周波特性Ａが、第１直列共振周波数ｆ０であることを特徴とする。
【００４２】
同様に、プラズマ処理装置を複数有するプラズマ処理システムに対応して、本発明に係るプラズマ処理システムの性能管理システムは、プラズマを励起するための電極を有するプラズマ処理室と、
前記電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、
入力端子と出力端子とを有し該入力端子に前記高周波電源を接続するとともに前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に接続することにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、
を具備するプラズマ処理装置が複数設けられたプラズマ処理システムを、
搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再組み立てした後のプラズマ処理システムの性能管理システムであって、
前記高周波電源からプラズマ処理室に供給される電力周波数ｆｅを記憶するサーバーと、このサーバーと通信回線で接続された納入先入出力装置とを備え、
前記サーバーは、前記高周波電力を供給する際に整合回路の出力端子に接続される前記高周波電力配電体の端部である測定位置で非プラズマ発光時に測定した前記各々のプラズマ処理室の第１直列共振周波数ｆ０の納入後の非プラズマ発光時における値ｆ０１を、前記納入先入出力装置から受信し、
納入後における値ｆ０１の３倍が、いずれも前記高周波電力の電力周波数ｆｅ より大きな値である場合に、性能を維持している旨の信号を、
納入後における値ｆ０１の３倍が前記高周波電力の電力周波数ｆｅ 以下の値である場合に、性能を維持していない旨の信号を、各々納入先入出力装置に発信することを特徴とする。
また、本発明に係るプラズマ処理装置の性能確認システムは、前記サーバーが搬送元において出力装置を備え、納入後における値ｆ０１の３倍が前記高周波電力の電力周波数ｆｅ  以下の値である場合に、前記出力装置から、保守作業命令を出力することを特徴とするものでも良い。
【００４３】
同様に、プラズマ処理装置を複数有するプラズマ処理システムに対応して、本発明に係るプラズマ処理システムの性能管理システムは、プラズマを励起するための電極を有するプラズマ処理室と、
前記電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、
入力端子と出力端子とを有し該入力端子に前記高周波電源を接続するとともに前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に接続することにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、
を具備するプラズマ処理装置が複数設けられたプラズマ処理システムを、
搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再組み立てした後のプラズマ処理システムの性能管理システムであって、
出力装置を備えたサーバーと、このサーバーと通信回線で接続された納入先入力装置とを備え、
前記サーバーは、前記高周波電力を供給する際に整合回路の出力端子に接続される前記高周波電力配電体の端部である測定位置で非プラズマ発光時に測定した前記各々のプラズマ処理室の高周波特性Ａの納入後の非プラズマ発光時における値Ａ１を、各々のプラズマ処理室の固有番号と共に前記納入先入力装置から受信し、
この値Ａ１のばらつきＡ１ｒが、
その最大値Ａ１ｍａｘと最小値Ａ１ｍｉｎによって、
Ａ１ｒ＝（Ａ１ｍａｘ−Ａ１ｍｉｎ）／（Ａ１ｍａｘ＋Ａ１ｍｉｎ）
と定義され、前記高周波特性Ａが共振周波数ｆ、前記高周波電力の周波数におけるインピーダンスＺ、前記高周波電力の周波数におけるレジスタンスＲ、または、前記高周波電力の周波数におけるリアクタンスＸのいずれかであり、
Ａ１ｒの値が０.１以上の場合に、前記出力装置から、保守作業命令を当該最大値Ａ１ｍａｘ又は最小値Ａ１ｍｉｎを与えたプラズマ処理室の固有番号と共に出力することを特徴とする。
本発明は、プラズマを励起するための電極を有するプラズマ処理室と、
前記電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、
入力端子と出力端子とを有し前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に接続するとともに該入力端子に前記高周波電源を高周波電力給電体を介して接続することにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、
を具備するプラズマ処理装置が複数設けられたプラズマ処理システムを、
搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再組み立てした後のプラズマ処理システムの性能管理システムであって、
出力装置を備えたサーバーと、このサーバーと通信回線で接続された納入先入力装置とを備え、
前記サーバーは、前記高周波電力を供給する際に前記高周波電源に接続される前記高周波電力給電体の前記高周波電源側端部である測定位置で非プラズマ発光時に測定した前記各々のプラズマ処理室の高周波特性Ａの納入後における値Ａ１を、各々のプラズマ処理室の固有番号と共に前記納入先入力装置から受信し、
この値Ａ１のばらつきＡ１ｒが、
その最大値Ａ１ｍａｘと最小値Ａ１ｍｉｎによって、
Ａ１ｒ＝（Ａ１ｍａｘ−Ａ１ｍｉｎ）／（Ａ１ｍａｘ＋Ａ１ｍｉｎ）
と定義され、前記高周波特性Ａが共振周波数ｆ、前記高周波電力の周波数におけるインピーダンスＺ、前記高周波電力の周波数におけるレジスタンスＲ、または、前記高周波電力の周波数におけるリアクタンスＸのいずれかであり、
Ａ１ｒの値が０.１以上の場合に、前記出力装置から、保守作業命令を当該最大値Ａ１ｍａｘ又は最小値Ａ１ｍｉｎを与えたプラズマ処理室の固有番号と共に出力することを特徴とするものでも良い。
【００４４】
また、  同様に、プラズマ処理装置を複数有するプラズマ処理システムに対応して、本発明に係るプラズマ処理システムの性能管理システムは、プラズマを励起するための電極を有するプラズマ処理室と、  前記電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、
入力端子と出力端子とを有し前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に接続するとともに該入力端子に前記高周波電源を高周波電力給電体を介して接続することにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、
を具備するプラズマ処理装置が複数設けられたプラズマ処理システムを、
搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再組み立てした後のプラズマ処理システムの性能評価方法であって、
出力装置を備えたサーバーと、このサーバーと通信回線で接続された納入先入力装置とを備え、
前記サーバーは、前記高周波電力を供給する際に前記高周波電力給電体に接続される前記入力端子である測定位置で非プラズマ発光時に測定した前記各々のプラズマ処理室の高周波特性Ａの納入後の非プラズマ発光時における値Ａ１を、各々のプラズマ処理室の固有番号と共に前記納入先入力装置から受信し、
この値Ａ１のばらつきＡ１ｒが、
その最大値Ａ１ｍａｘと最小値Ａ１ｍｉｎによって、
Ａ１ｒ＝（Ａ１ｍａｘ−Ａ１ｍｉｎ）／（Ａ１ｍａｘ＋Ａ１ｍｉｎ）
と定義され、前記高周波特性Ａが共振周波数ｆ、前記高周波電力の周波数におけるインピーダンスＺ、前記高周波電力の周波数におけるレジスタンスＲ、または、前記高周波電力の周波数におけるリアクタンスＸのいずれかであり、
Ａ１ｒの値が０.１以上の場合に、前記出力装置から、保守作業命令を当該最大値Ａ１ｍａｘ又は最小値Ａ１ｍｉｎを与えたプラズマ処理室の固有番号と共に出力することを特徴とする。
前記高周波特性Ａが、第１直列共振周波数ｆ０であることが好ましい。
【００４５】
上記各発明において、高周波特性Ａとあるのは、共振周波数ｆ、前記高周波電力の周波数におけるインピーダンスＺ、前記高周波電力の周波数におけるレジスタンスＲ、または、前記高周波電力の周波数におけるリアクタンスＸのいずれかを採用することができる。また、前記高周波特性Ａとして、第１直列共振周波数ｆ０  を採用することが好ましい。
【００４６】
また、上記各発明において、高周波特性Ａ（又は第１直列共振周波数ｆ０）の納入後における値Ａ１（又はｆ０１）のばらつきＡ１ｒ（又はｆ０１ｒ）と対比する所定の値として好ましい値は０．１であり、、より好ましい値は０．０３である。
【００４７】
また、上記本発明に係るプラズマ処理装置の性能管理システム又はプラズマ処理システムの性能管理システムにおいて、納入後における値ｆ０１の３倍と前記高周波電力の電力周波数ｆｅ  とを比較して性能を判断する場合には、前記サーバーが搬送元において出力装置を備え、納入後における値ｆ０１の３倍が前記高周波電力の電力周波数ｆｅ  以下の値である場合に、前記出力装置から、保守作業命令を出力することが望ましい。
【００４８】
また、上記本発明に係るプラズマ処理装置の性能確認システムにおいては、上記性能状況情報を、前記高周波特性Ａを含むものとすることができる。また、上記性能状況情報が、カタログまたは仕様書として出力されるものとすることができる。
【００４９】
以下、上記各発明をさらに詳細に説明する。
上記各発明では、プラズマ処理室の電極に高周波電力を供給する際に測定したプラズマ処理室の高周波特性Ａを評価指標とした。これは、高周波特性Ａが、プラズマ空間で消費される実効的な電力等のプラズマ処理装置の性能と密接な関連性を有するとともに、搬送中の振動や納入後の再組み立ての不備で精度に狂い生じる等、性能に悪影響を及ぼす事象が発生した場合には、容易に変動する値であることに着目したものである。
【００５０】
そして、分解搬送後に再組み立てする新規設置時や、その後の使用によるプラズマ処理の繰り返し、あるいは調整・保守点検等の際に、プラズマ処理室の性能が所定の性能レベルを維持しているか、また、プラズマ処理室が複数ある場合には、性能の機差が充分抑えられているか等の評価を可能としたものである。
【００５１】
この高周波特性Ａの測定は瞬時に行うことができるので、基板への実際の成膜等による従来の検査方法を採用した場合に比べて、大幅に評価時間を短縮することができる。また、性能評価に必要な検査用基板等の費用、この検査用基板の検査処理費用、および、評価作業に従事する作業員の人件費等の、コストを削減することが可能となる。
【００５２】
そのため、本発明に係るプラズマ処理装置の評価方法によれば、プラズマ処理装置の性能評価を瞬時にしかもコストをかけずに行うことができる。また、プラズマ処理装置が、複数のプラズマ処理室を有している場合には、各プラズマ処理室毎に求めた高周波特性Ａを指標とすることにより、各プラズマ処理室に対して、常に同一のプロセスレシピを適用して、略同一のプラズマ処理結果を得ること、つまり、プラズマ処理室において例えば成膜をおこなった際に、膜厚、絶縁耐圧、エッチングレート等、略均一な膜特性の膜を継続して得ることを可能とするものである。
【００５３】
また、本発明に係るプラズマ処理システムの評価方法によれば、プラズマ処理装置の性能評価を瞬時にしかもコストをかけずに行うことができる。また、プラズマ処理システムは、複数のプラズマ処理装置からなるため、複数のプラズマ処理室を有している。これら各プラズマ処理室毎に求めた高周波特性Ａを指標とすることにより、各プラズマ処理室に対して、常に同一のプロセスレシピを適用して、略同一のプラズマ処理結果を得ること、つまり、プラズマ処理室において例えば成膜をおこなった際に、膜厚、絶縁耐圧、エッチングレート等、略均一な膜特性の膜を継続して得ることを可能とするものである。
【００５４】
また、本発明に係るプラズマ処理装置の性能管理システムによれば、メーカー等が管理するサーバーを利用することにより、納入先の使用者等が簡便に性能評価結果を知ることができる。また、本発明に係るプラズマ処理システムの性能管理システムによれば、メーカー等が管理するサーバーを利用することにより、納入先の使用者等が簡便に性能評価結果や機差に関する情報を知ることができる。
【００５５】
従って、何れの発明も、問題のあるプラズマ処理作業を行ってしまうことを事前に回避し、良好な状態にプラズマ処理装置を保つことに寄与するものである。また、プラズマ処理室に対して、常に同一のプロセスレシピを適用して、略同一のプラズマ処理結果を得ること、つまり、プラズマチャンバにおいて例えば成膜をおこなった際に、膜厚、絶縁耐圧、エッチングレート等、略均一な膜特性の膜を継続して得ることを可能とするものである。
【００５６】
上記各発明において、前記高周波特性Ａの測定位置は、前記高周波電力を供給する際に整合回路の出力端子に接続される前記高周波電力配電体の端部とされる測定位置とすることができる。
これにより、高周波特性の変動を評価することで、プラズマ空間で消費される実効的な電力の変動を評価することができる。そして、同一のプロセスレシピを適用して、略同一のプラズマ処理結果を得ることができるかどうかの評価が可能となる。
【００５７】
また、本発明においては、上記の測定位置に変えて、前記高周波電力を供給する際に前記高周波電力給電体（給電線）に接続される前記入力端子とされる測定位置を前記高周波特性Ａの測定位置とすることができる。
これにより、プラズマ処理室だけでなく、整合回路も含めて電気的高周波特性を評価することができる。そのため、上記測定位置で評価するのと比較して、プラズマ空間で消費される実効的な電力の評価、ひいてはプラズマ処理結果に対する評価をより的確に行うことができる。
【００５８】
また、上記の測定位置に変えて、前記高周波電力を供給する際に前記高周波電源に接続される前記高周波電力給電体（給電線）の前記高周波電源側端部とされる測定位置を前記高周波特性Ａの測定位置とすることができる。
これにより、プラズマ処理室と整合回路だけでなく、高周波電力給電体も含めて電気的高周波特性を評価することができる。そのため、上記２つの測定位置で評価するのと比較して、プラズマ空間で消費される実効的な電力の評価、ひいてはプラズマ処理結果に対する評価を、さらに的確に行うことができる。
【００５９】
上記各発明において、前記高周波特性Ａは、共振周波数ｆ、前記高周波電力の周波数におけるインピーダンスＺ、前記高周波電力の周波数におけるレジスタンスＲ、または、前記高周波電力の周波数におけるリアクタンスＸのいずれかとすることができる。これにより、電気的高周波的な特性でプラズマ処理装置を評価することが可能となる。なお、この内共振周波数ｆとしては、後述するように、高周波電力を供給する際に整合回路の出力端に接続される高周波電力配電体の端部で測定したプラズマ処理室の第１直列共振周波数ｆ０’や、前記電極と協働してプラズマを発生する対向電極との容量によって規定される直列共振周波数ｆ０を採用したりすることができる。
高周波特性Ａとしては、これらの他に数１で示される電圧電流の振幅比や数２で示される電圧電流の位相差等を適宜採用できる。
【００６０】
【数１】
0003600146.tif 000002
【００６１】
【数２】
0003600146.tif 000003
【００６２】
ここで、前記高周波特性Ａとして、インピーダンスＺを採用した場合には、このインピーダンスＺは、プラズマ励起する周波数における値であるから、Ｚとθとの周波数依存性を測定してはじめて把握可能なパラメータである共振周波数ｆに対して、プラズマチャンバの高周波数特性の周波数依存性を見る必要がなく、共振周波数ｆに比べて把握が容易である。また、プラズマチャンバのプラズマ励起する周波数における電気的高周波的特性をより直接的に捉えることができるパラメータである。
また、レジスタンスＲ、および、リアクタンスＸ、を採用した場合には、これらレジスタンスＲとリアクタンスＸとのベクトル量であるインピーダンスＺを見ることに比べて、さらに直接的にプラズマチャンバのプラズマ励起する周波数における電気的高周波的特性を捉えることができる。
【００６３】
また、前記高周波特性Ａとしては、第１直列共振周波数ｆ０  を採用することができる。
この第１直列共振周波数ｆ０  は、機械的な構造をその多くの要因として決まる電気的高周波的な特性であり、各プラズマ処理室（プラズマチャンバ）ごとに異なっていると考えられる。また、この第１直列共振周波数ｆ０  は、プラズマ発生の安定性や均一な動作に密接に関係する評価指標であると考えられる。
これにより、高周波特性Ａとして、第１直列共振周波数ｆ０  を選択した場合には、より的確な性能評価が可能となるものである。
【００６４】
なお、前記高周波特性Ａとして、共振周波数ｆを採用した場合には、第１直列共振周波数ｆ０  以外の直並列共振周波数にも着目するので、チャンバ内で分岐されたすべての電流経路の特性を見ることになる。そのため、第１直列共振周波数ｆ０  を採用する場合に比べて、機差をより詳細に確認できるメリットを有するが、解析に手間を要するというデメリットを有する。
【００６５】
ここで、第１直列共振周波数ｆ０  の定義について説明する。
まず、プラズマチャンバのインピーダンスの周波数依存性を計測する。このとき、後述するようにプラズマチャンバのインピーダンス測定範囲を規定し、このインピーダンス測定範囲に対して、供給する電力周波数ｆｅ  を含む範囲で測定周波数を変化させてインピーダンスのベクトル量（Ｚ，θ）を測定することにより、プラズマチャンバのインピーダンスの周波数依存性を計測する。ここで、例えば１３．５６ＭＨｚ，２７．１２ＭＨｚ，４０．６８ＭＨｚ等の値に設定される電力周波数ｆｅ  に対応して、測定周波数を例えば１ＭＨｚ〜１００ＭＨｚ程度の範囲に設定する。
図６は第１直列共振周波数ｆ０  を説明するためのインピーダンスＺと位相θとの周波数依存特性を示すグラフである。
ついで、図６に示すように、測定周波数に対してインピーダンスＺと位相θをプロットしてインピーダンス特性曲線および位相曲線を描画し、インピーダンスＺの極小値のうち周波数の最小のもの、つまり、測定周波数の低い側から数えて一番最初に位相θがマイナスからプラスに変化したときに、位相θがゼロとなる周波数を、第１直列共振周波数ｆ０  として定義する。
【００６６】
次に、前述のプラズマチャンバのインピーダンス測定範囲（高周波数特性測定範囲）について説明する。
プラズマチャンバには整合回路を介して高周波電源が接続されているが、この整合回路の出力端子よりも出力側をインピーダンス測定範囲とする。
ここで、整合回路は、プラズマチャンバ内のプラズマ状態等の変化に対応してインピーダンスを調整するために、その多くは複数の受動素子を具備する構成とされている。
図２は整合回路２Ａを示す模式図である。
例えば、整合回路２Ａとしては、図２に示すように、高周波電源１とプラズマ放電用の電極４との間に、コイル２３とチューニングコンデンサ２４とが直列に設けられ、さらに、高周波電源１には他のロードコンデンサ２２が並列に接続され一端がアースされている構成の整合回路２Ａが挙げられる。このような整合回路の受動素子のうち、出力最終段の受動素子の出力端子位置で切り離す、つまり、直接電極４側に接続される素子、上記例の場合は、チューニングコンデンサ２４の出力端子位置ＰＲで、整合回路２Ａを切り離した状態で、これよりも先のプラズマチャンバ部分を前記測定範囲と定義する。
【００６７】
また、上記の測定位置に変えて、図２に示すように、高周波電源１と整合回路２Ａを接続する給電線（高周波電力給電体）１Ａを、高周波電源１側端部から切り離し、この高周波電源１側端部とされる測定位置ＰＲ２で、高周波電源１Ａを切り離した状態で、これよりも先のプラズマチャンバ部分を前記測定範囲と定義することができる。
さらに、上記の測定位置に変えて、図２に示すように、高周波電源１と整合回路２Ａを接続する給電線（高周波電力給電体）１Ａを、整合回路２Ａ側端部からから切り離し、この整合回路２Ａの給電線１Ａに接続される入力端子とされる測定位置ＰＲ３で、高周波電源１Ａおよび給電線１Ａを切り離した状態で、これよりも先のプラズマチャンバ部分を前記測定範囲と定義することができる。
【００６８】
本発明においては、一つの評価基準（以下「評価基準１」という。）として、前記プラズマ処理室の第１直列共振周波数ｆ０  の３倍が、前記電力周波数ｆｅ  より大きな値の範囲であるかどうかを用いた。これは、以下の理由による。
すなわち、前記プラズマ処理室の第１直列共振周波数ｆ０  の３倍が、前記電力周波数ｆｅ  より大きな値の範囲であれば、従来一般的に使用されていた１３．５６ＭＨｚ程度以上の高い周波数の電力を投入した場合であっても、電力を効率よくプラズマ発生空間に導入することが可能となり、同一周波数を供給した場合に、プラズマ空間で消費される実効的な電力を大きくすることができる。その結果、膜の積層をおこなう際には、堆積速度の向上を図ることを可能とすることができる。
この第１直列共振周波数ｆ０  は、機械的な構造をその多くの要因としてきまる電気的高周波的な特性であり、各プラズマ処理室ごとに異なっていると考えられる。そして、この第１直列共振周波数ｆ０  を基に性能を評価することにより、各プラズマ処理室に対しても、従来考慮されていなかったその全般的な電気的高周波的特性を評価することが可能となり、プラズマ発生の安定性を期待しうるかどうかの判断ができる。その結果、動作安定性の高いプラズマ処理装置を維持する上で、適切な性能評価方法と性能管理システムを提供することが可能となる。
【００６９】
本発明においては、他の評価基準（以下「評価基準２」という。）として、納入後における値Ａ１のばらつきＡ１ｒが、所定の価より小さな値の範囲であるかどうかを用いた。これは、以下の理由による。
すなわち、プラズマ処理室の電極に高周波電力を供給する際に、整合回路の出力端子に接続される高周波電力配電体の端部で測定したプラズマ処理室の高周波特性Ａを、複数あるプラズマ処理室の各々について測定し、その最大値Ａｍａｘ  と最小値Ａｍｉｎ  を求める。そして、これらの最大値Ａｍａｘ  と最小値Ａｍｉｎ  を用いて、ばらつきＡ１ｒを以下の式（１）のように定義する。
Ａ１ｒ＝（Ａ１ｍａｘ−Ａ１ｍｉｎ）／（Ａ１ｍａｘ＋Ａ１ｍｉｎ）        （１）
このＡ１ｒの値が所定の値より小さい値であれば、複数のプラズマ処理室に対してインピーダンス、共振周波数特性等の電気的高周波的な特性の機差をなくすことが可能となり、これにより、インピーダンス特性などを指標とする一定の管理幅内に複数のプラズマ処理室を設定することが可能となるので、個々のプラズマ処理室において、プラズマ空間で消費される実効的な電力等をそれぞれ略均一にすることができる。
その結果、複数のプラズマ処理室に対して同一のプロセスレシピを適用して、略同一のプラズマ処理結果を得ること、つまり、複数のプラズマ処理室において例えば成膜をおこなった際に、膜厚、絶縁耐圧、エッチングレート等、略均一な膜特性の膜を得ることが可能となる。
【００７０】
また、本発明においては、上記評価基準１と評価基準２とを組み合わせて用いることができる。この場合、動作安定性の高いプラズマ処理装置を維持する上で、適切な性能評価方法を提供することが可能となると共に、複数のプラズマ処理室に対してインピーダンス、共振周波数特性等の電気的高周波的な特性の機差が小さい状況を維持する上で、適切な性能評価方法を提供することが可能となる。
【００７１】
上記評価基準２において、前記高周波特性Ａは、共振周波数ｆ、前記高周波電力の周波数におけるインピーダンスＺ、前記高周波電力の周波数におけるレジスタンスＲ、または、前記高周波電力の周波数におけるリアクタンスＸのいずれかとすることができる。また、評価基準２において、前記高周波特性Ａとして、上述の第１直列共振周波数ｆ０  を採用することができる。
【００７２】
この場合、高周波特性Ａ（又は第１直列共振周波数ｆ０）の納入後における値Ａ１（又はｆ０１）のばらつきＡ１ｒ（又はｆ０１ｒ）と対比する所定の値に特に制限はないが、例えば、０．１とすることができる。この場合、略同一の条件で積層をおこなったプラズマチャンバにおいて、膜厚のばらつきの値を±５％の範囲におさめる等、プラズマ処理の均一性を維持することが可能になる。
【００７３】
さらに、上記の所定の値を０．０３より小さい範囲に設定することで、複数のプラズマチャンバに対してインピーダンス、共振周波数特性等の電気的高周波的な特性の機差をなくすことが可能となり、これにより、インピーダンス特性を指標とする一定の管理幅内に複数のプラズマチャンバを設定することが可能となるので、個々のプラズマチャンバにおいて、プラズマ空間で消費される実効的な電力をそれぞれ略均一にすることができる。
その結果、複数のプラズマチャンバに対して同一のプロセスレシピを適用して、略同一のプラズマ処理結果を得ること、つまり、複数のプラズマチャンバにおいて例えば成膜をおこなった際に、膜厚、絶縁耐圧、エッチングレート等、略均一な膜特性の膜を得ることが可能となる。具体的には、上記のばらつきの値を０．０３より小さい範囲に設定することにより、略同一の条件で積層をおこなったプラズマチャンバにおいて、膜厚のばらつきの値を±２％の範囲におさめることができる。
【００７４】
上記本発明に係るプラズマ処理装置の性能管理システム又はプラズマ処理システムの性能管理システムは、プラズマ処理装置又はプラズマ処理システムのメーカー、流通業者、メンテナンス業者等からユーザー等にプラズマ処理装置を納入するに際して、搬送元で分解後、納入先に搬送して、納入先にて再組み立てをするという一連の処理工程を経た後、また、その後の使用期間中に、プラズマ処理装置の性能が維持されているかどうかを上記評価基準で評価しその性能を管理するシステムである。
本管理システムにおけるサーバーは、プラズマ処理装置のメーカー、流通業者、メンテナンス業者等の搬送元が管理するものであるが、その設置場所は搬送元に特に限定されない。
【００７５】
サーバーには、納入先に設置された入出力装置又は入力装置が通信回線で接続されている。この通信回線の媒体や形式に特に限定はなく、離間した地点におかれたサーバーと入出力装置との間で信号の授受ができるものであればよい。すなわち、ケーブル回線、光ファイバー回線、衛星回線等の種々の有線や無線の通信媒体を適宜使用できると共に、電話回線網、インターネット網等種々の通信形式を活用できる。また、納入先の入出力装置、入力装置にも特に限定はなく、パーソナルコンピュータ、専用端末機、電話機等を利用する通信回線の種類等に適応できる範囲で適宜選択できる。なお、評価基準２を用いる性能管理システムにおける納入先入力装置では、少なくとも入力機能が必要で、出力機能は必須ではないが、出力機能を備えていても差し支えないのはもちろんである。
【００７６】
評価基準１を用いる性能管理システムの場合、このサーバーは高周波電源からプラズマ処理室に供給される電力周波数ｆｅを記憶している。そして、この記憶したｆｅを用いて、搬入先にあるプラズマ処理装置の性能を評価するものである。
なお、このｆｅの値は、メーカー等で管理している標準的な電力周波数ｆｅとしても良いが、プラズマ処理室の固有番号毎にｆｅの値を記憶することにより、納入先の個別のプラズマ処理装置に対応して、より的確な評価ができる。従って、より精度の高い管理システムとすることができる。
ここで、プラズマ処理室の固有番号とは、プラズマ処理室を個別に特定できる番号であれば特に限定はなく、その形式は数字だけでなく文字等を含むものであってもよい。例えば、プラズマ処理室を一つ備えたプラズマ処理装置の場合、当該プラズマ処理装置の製造番号を、当該プラズマ処理装置の固有番号として扱うこともできる。
【００７７】
この場合、サーバーは納入先入出力装置から第１直列共振周波数ｆ０の納入後における値ｆ０１を受信する。ここで、納入後とは、再組み立て直後だけでなく、その後の使用期間中を含むものである。すなわち、サーバーは、納入先のプラズマ処理装置やプラズマ処理システムの性能を反映する値ｆ０１を、適宜継続して受信できるものである。
また、上記サーバーは、納入先入出力装置から、第１直列共振周波数ｆ０の納入後における値ｆ０１を、必要に応じて、その値を与えるプラズマ処理室の固有番号と共に受信するようにしてもよい。
【００７８】
納入先入出力装置からサーバーに対して、ｆ０１の値や、必要に応じてプラズマ処理室の固有番号を送信するためには、納入先入出力装置に納入先のユーザーや、納入先を訪問したサービスマン等がこれらの値を手で入力することができるが、この入力作業は適宜自動化や省力化が可能である。例えば、納入先入出力装置に、プラズマ処理装置又はプラズマ処理システムに接続されたインピーダンス測定器を接続して、インピーダンス測定器から前記サーバーに、ｆ０１を直接送信することができる。また、単独のプラズマ処理室を備えたプラズマ処理装置を単独で使用する納入先においては、プラズマ処理室の固有番号については、一度納入先入出力装置に登録し、その後は入力作業を省略することができる。
【００７９】
サーバーは、上記納入後における値ｆ０１、電力周波数ｆｅの値から、内部の演算処理装置を用いてｆ０１の３倍と電力周波数ｆｅの値を比較する。そして、比較の結果、納入後における値ｆ０１の３倍が前記電力周波数ｆｅより大きな値である場合には、所定の性能を維持している旨の信号を、納入後における値ｆ０１の３倍が前記電力周波数ｆｅ以下である場合には、所定の性能を維持していない旨の信号を、各々納入先入出力装置に発信する。すなわち、納入先入出力装置は評価情報を受信することができ、これにより、納入先においてプラズマ処理装置の性能評価結果を把握することが可能となる。なお、納入先入出力装置は、評価情報を表示器に表示したり、プリントアウトしたり、あるいは警報信号を発する等、適宜の方法で評価情報をユーザー等に伝達することができる。
【００８０】
この場合のサーバーは、また、搬送元において出力装置を備え、納入後における値ｆ０１のいずれかの３倍が前記高周波電力の電力周波数ｆｅ  以下の値である場合に、前記出力装置から、保守作業命令を出力することが望ましい。
この場合、対応するプラズマ処理室の固有番号も併せて出力することが望ましい。これにより、納入先のプラズマ処理装置やプラズマ処理システムの不具合を搬送元においていち早く把握し、直ちに保守サービスを提供することができる。なお、サーバーが搬送元におかれていない場合には、サーバーと出力装置との間には任意の通信回線が使用される。
【００８１】
評価基準２を用いる性能管理システムの場合、サーバーは出力装置を備えている。この出力装置の設置場所に特に限定はないが、搬送元、メーカー、サービスセンター等、納入先に対する保守サービスを提供する場所ににおかれていることが望ましい。サーバーと出力装置とが遠隔地におかれている場合には、両者の間には任意の通信回線が使用される。
そして、このサーバーは、評価基準２を用いて、搬入先にあるプラズマ処理装置の性能を評価すると共に、望ましくない評価結果を得た場合には、出力装置から保守作業命令を、その評価結果に用いられた最大値Ａ１ｍａｘ又は最小値Ａ１ｍｉｎを与えたプラズマ処理室の固有番号と共に出力するものである。
【００８２】
この場合、サーバーは評価基準２による評価を行うために、納入先入力装置から高周波特性Ａの納入後における値Ａ１を受信する。ここで、納入後とは、再組み立て直後だけでなく、その後の使用期間中を含むものである。すなわち、サーバーは、納入先のプラズマ処理装置やプラズマ処理システムの性能を反映する値Ａ１を、適宜継続して受信できるものである。
また、上記サーバーは、納入先入力装置から、高周波特性Ａの納入後における値Ａ１と共に、その値を与えるプラズマ処理室の固有番号も受信する。
【００８３】
納入先入出力装置からサーバーに対して、Ａ１の値や、プラズマ処理室の固有番号を送信するためには、納入先入出力装置に納入先のユーザーや、納入先を訪問したサービスマン等がこれらの値を手で入力することができるが、この入力作業は適宜自動化や省力化が可能である。例えば、納入先入出力装置に、プラズマ処理装置又はプラズマ処理システムに接続されたインピーダンス測定器を接続して、インピーダンス測定器から前記サーバーに、Ａ１を直接送信することができる。また、単独のプラズマ処理室を備えたプラズマ処理装置を単独で使用する納入先においては、プラズマ処理室の固有番号については、一度納入先入出力装置に登録し、その後は入力作業を省略することができる。
【００８４】
サーバーは、プラズマ処理装置全体、又はプラズマ処理システム全体におけるプラズマ処理室のＡ１を総て受信すると、それらの値の中から、最大値Ａ１ｍａｘと最小値Ａ１ｍｉｎと、これらに対応する固有番号を特定する。そして、
Ａ１ｒ＝（Ａ１ｍａｘ−Ａ１ｍｉｎ）／（Ａ１ｍａｘ＋Ａ１ｍｉｎ）
との定義に従い、ばらつきＡ１ｒを求め、その値が所定の価以上の場合に、前記出力装置から、保守作業命令を当該最大値Ａ１ｍａｘ又は最小値Ａ１ｍｉｎを与えたプラズマ処理室の固有番号と共に出力する。
これにより、納入先のプラズマ処理装置やプラズマ処理システムの不具合を搬送元等のサービス提供者側でいち早く把握し、直ちに保守サービスを提供することができる。
【００８５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係るプラズマ処理装置の性能評価方法の第１実施形態を、図面に基づいて説明する。
［第１実施形態］
図１は本実施形態の性能評価方法の対象となるプラズマ処理装置の概略構成を示す断面図、図２は図１におけるプラズマ処理装置の整合回路を示す模式図である。
【００８６】
このプラズマ処理装置は、ＣＶＤ（  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ドライエッチング、アッシング等のプラズマ処理をおこなう１周波励起タイプのプラズマ処理装置とされ、図１に示すように、プラズマを励起するための平行平板型電極４，８を有するプラズマチャンバ（プラズマ処理室）ＣＮと、この電極３に接続された高周波電源１と、前記プラズマチャンバＣＮと前記高周波電源１とのインピーダンス整合を得るための整合回路２Ａとを具備する構成とされる。
同時に、このプラズマ処理装置は、後述するように、前記整合回路２Ａの出力端子位置ＰＲから測定した前記プラズマチャンバＣＮの第１直列共振周波数ｆ０  の３倍が、前記高周波電源１からプラズマチャンバＣＮに供給される電力周波数ｆｅ  より大きな値かどうかが評価される。
【００８７】
さらに詳細に説明すると、このプラズマ処理装置は、図１，図２に示すように、プラズマチャンバＣＮの上部に高周波電源１に接続されたプラズマ励起電極（カソード電極）４およびシャワープレート５が設けられ、プラズマチャンバＣＮの下部にはシャワープレート５に対向して被処理基板１６を載置するウエハサセプタ（サセプタ電極）８が設けられている。プラズマ励起電極（カソード電極）４は、給電板（高周波電力配電体）３および整合回路２Ａを介して第１の高周波電源１と接続されている。これらプラズマ励起電極４および給電板３は、シャーシ２１に覆われるとともに、整合回路２Ａは導電体からなるマッチングボックス２の内部に収納されている。
給電板３としては、幅５０〜１００ｍｍ、厚さ０．５ｍｍ、長さ１００〜３００ｍｍの形状を有する銅の表面に銀めっきを施したものが用いられており、この給電板３は、後述する整合回路２Ａのチューニングコンデンサ２４の出力端子、および、プラズマ励起電極４にそれぞれネジ止めされている。
【００８８】
また、プラズマ励起電極（カソード電極）４の下側には凸部４ａが設けられるとともに、このプラズマ励起電極（カソード電極）４の下には、多数の孔７が形成されているシャワープレート５が凸部４ａに接して設けられている。これらプラズマ励起電極４とシャワープレート５との間には空間６が形成されている。この空間６にはガス導入管１７が接続されており、導体からなるガス導入管１７の途中には絶縁体１７ａが挿入されてプラズマ励起電極４側とガス供給源側とが絶縁されている。
【００８９】
ガス導入管１７から導入されたガスは、シャワープレート５の多数の孔７からチャンバ壁１０により形成されたチャンバ室６０内に供給される。チャンバ壁１０とプラズマ励起電極（カソード電極）４とは絶縁体９により互いに絶縁されている。また、排気系の図示は省略してある。
一方、チャンバ室６０内には基板１６を載置しプラズマ励起電極ともなるウエハサセプタ（サセプタ電極）８が設けられている。
【００９０】
ウエハサセプタ（サセプタ電極）８の下部中央には、シャフト１３が接続され、このシャフト１３がチャンバ底部１０Ａを貫通して設けられるとともに、シャフト１３の下端部とチャンバ底部１０Ａ中心部とがベローズ１１により密閉接続されている。これら、ウエハサセプタ８およびシャフト１３はベローズ１１により上下動可能となっており、プラズマ励起電極４，８間の距離の調整ができる。これらサセプタ電極８とシャフト１３が接続されているため、サセプタ電極８，シャフト１３，ベローズ１１，チャンバ底部１０Ａ，チャンバ壁１０は直流的に同電位となっている。さらに、チャンバ壁１０とシャーシ２１は接続されているため、チャンバ壁１０，シャーシ２１，マッチングボックス２はいずれも直流的に同電位となっている。
【００９１】
ここで、整合回路２Ａは、プラズマチャンバＣＮ内のプラズマ状態等の変化に対応してインピーダンスを調整するために、その多くは複数の受動素子を具備する構成とされている。
整合回路２Ａは、図１，図２に示すように、複数の受動素子として、高周波電源１と給電板３との間に、コイル２３とチューニングコンデンサ２４とが直列に設けられ、これらコイル２３とチューニングコンデンサ２４とには、並列にロードコンデンサ２２が接続され、このロードコンデンサ２２の一端はマッチングボックス２１に接続されている。ここで、チューニングコンデンサ２４は給電板３を介してプラズマ励起電極４に接続されている。
マッチングボックス２は、同軸ケーブルとされる給電線１Ａのシールド線に接続されており、このシールド線が直流的にアースされている。これにより、ウエハサセプタ（サセプタ電極）８，シャフト１３，ベローズ１１，チャンバ底部１０Ａ，チャンバ壁１０，シャーシ２１，マッチングボックス２は接地電位に設定されることになり、同時に、ロードコンデンサ２２の一端も直流的にアースされた状態となる。
【００９２】
このプラズマ処理装置においては、１３．５６ＭＨｚ程度以上の周波数の電力、具体的には、例えば１３．５６ＭＨｚ，２７．１２ＭＨｚ，４０．６８ＭＨｚ等の周波数の電力を投入して、両電極４，８の間でプラズマを生成し、このプラズマにより、サセプタ電極８に載置した基板１６にＣＶＤ（  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ドライエッチング、アッシング等のプラズマ処理をおこなう。
【００９３】
このとき、高周波電力は、高周波電源１から給電線１Ａの同軸ケーブル，整合回路２Ａ，給電板３，プラズマ励起電極（カソード電極）４に供給される。一方、高周波電流の経路を考えた場合、電流はこれらを介してプラズマ空間（チャンバ室６０）を経由した後、さらにもう一方の電極（サセプタ電極）８，シャフト１３，ベローズ１１，チャンバ底部１０Ａ，チャンバ壁１０を通る。その後、シャーシ２１，マッチングボックス２，給電線１Ａのシールド線を通り、高周波電源１のアースに戻る。
【００９４】
ここで、本実施形態の評価方法で指標として用いられるプラズマ処理装置における第１直列共振周波数ｆ０  について説明する。
【００９５】
第１直列共振周波数ｆ０  は、プラズマチャンバＣＮのインピーダンスの周波数依存性を計測し、インピーダンスＺの極小値のうち最小の周波数の値であり、この値が、前記電力周波数ｆｅ  より大きな値の範囲になるよう設定される。
この第１直列共振周波数ｆ０  は、機械的な構造をその多くの要因としてきまる電気的高周波的な特性であり、具体的には図３，図４に示すように測定される。図３はプラズマ処理装置のインピーダンス特性を説明するための模式図であり、図４は、図３の等価回路を示す回路図である。
【００９６】
プラズマチャンバＣＮの測定範囲としては、整合回路２Ａの受動素子のうち出力最終段の受動素子の出力端子位置で切り離した状態をその対象とする。つまり、図３に示すように、給電板３に接続される出力端子位置ＰＲで、給電板３と整合回路２Ａの端子とのネジ止めを外して整合回路２Ａを切り離した状態のプラズマチャンバＣＮを測定範囲とする。
【００９７】
そして図３に破線で示すように、インピーダンス測定器ＡＮのプローブ１０５を切り離した出力端子位置ＰＲおよびプラズマチャンバＣＮの例えばシャーシ２１とされるアース位置に接続する。この状態で、インピーダンス測定器ＡＮの発振する測定周波数を例えば１ＭＨｚ〜１００ＭＨｚの範囲に変化させて、プラズマチャンバＣＮの上記測定範囲に対するインピーダンスのベクトル量（Ｚ，θ）を測定する。
このプローブ１０５は、図３に示すように、導線１１０上に絶縁被覆１１２を設け、この絶縁被覆１１２上に外周導体１１１を被覆してなるものである。このプローブ１０５は同軸ケーブルを通してインピーダンス測定器（共振周波数測定器）ＡＮに接続されている。
【００９８】
ついで、図５に示すように、測定周波数ｆ（ＭＨｚ）を横軸とし、縦軸としてインピーダンスＺ（Ω）と位相θ（ｄｅｇ）とを同一のグラフ上にプロットしていく。ここで、図において、左側の縦軸はインピーダンスＺ（Ω）であり、右側の縦軸は位相θ（ｄｅｇ）に対応している。描画されたインピーダンス特性曲線および位相曲線のうち、インピーダンスの最小値Ｚｍｉｎ  の周波数、つまり、測定周波数ｆの低い側から数えて一番最初に位相θがマイナスからプラスに変化したときに、位相θがゼロとなる周波数を、第１直列共振周波数ｆ０  として定義する。
【００９９】
このとき、測定される第１直列共振周波数ｆ０  に対して、考慮されている電気的高周波的要因は、図３に示すように、上記測定範囲のうち、以下のものが考えられる。
給電板（フィーダ）３のインダクタンスＬｆ  および抵抗Ｒｆ
プラズマ励起電極４とサセプタ電極８との間のプラズマ電極容量Ｃｅ
シャフト１３のインダクタンスＬＣ  および抵抗ＲＣ
ベローズ１１のインダクタンスＬＢ  および抵抗ＲＢ
チャンバ壁１０のインダクタンスＬＡ  および抵抗ＲＡ
絶縁体１７ａを挟んでガス導入管１７とプラズマ励起電極４との間の容量ＣＡ
プラズマ励起電極４とシャーシ２１との間の容量ＣＢ
プラズマ励起電極４とチャンバ壁１０との間の容量ＣＣ
【０１００】
これらの電気的高周波的要因が、プラズマ発光時に供給される高周波電流が流れる回路と同様にして、図４に示すように、給電板（フィーダ）３のインダクタンスＬｆ  および抵抗Ｒｆ  、プラズマ励起電極４とサセプタ電極８との間のプラズマ電極容量Ｃｅ  、シャフト１３のインダクタンスＬＣ  および抵抗ＲＣ  、ベローズ１１のインダクタンスＬＢ  および抵抗ＲＢ  、チャンバ壁１０のインダクタンスＬＡ  および抵抗ＲＡ  、が順に直列に接続されてその終端の抵抗ＲＡ  がアースされるとともに、抵抗Ｒｆ  とプラズマ電極容量Ｃｅ  との間に、容量ＣＡ  ，容量ＣＢ  ，容量ＣＣ  の一端がアースされた状態でそれぞれ並列に接続された等価回路を形成しており、この等価回路のインピーダンス特性を計測することで、本実施形態の第１直列共振周波数ｆ０  を定義することができる。
【０１０１】
このように定義された第１直列共振周波数ｆ０  の３倍が、高周波電源１から供給される電力周波数ｆｅ  より大きな値の範囲になるかどうかにより、所望の性能を維持しているか否かが判断される。すなわち、第１直列共振周波数ｆ０  の３倍が、高周波電源１から供給される電力周波数ｆｅ  以下の場合には、所望の性能が維持できていないと判断する。そして、所望の性能が維持できていないと判断した場合には、第１直列共振周波数ｆ０  の３倍が、高周波電源１から供給される電力周波数ｆｅ  より大きな値の範囲になるように、第１直列共振周波数ｆ０を是正する措置をとることができる。
ここで、第１直列共振周波数ｆ０  を是正する方法としては、例えば、
▲１▼給電板３の形状（長さ）を調整する。
▲２▼プラズマ励起電極４とチャンバ壁１０とのオーバーラップ面積を調整する。▲３▼プラズマ励起電極４とチャンバ壁１０との間の絶縁材料やその厚さを調節する。
▲４▼サセプタ電極８とチャンバ壁１０とを導体で接続する。
等の手法を適用することができる。
【０１０２】
例えば、このプラズマ処理装置においては、電力周波数ｆｅ  を４０．６８ＭＨｚに設定して、０〜１００ＭＨｚの範囲の測定周波数ｆ（ＭＨｚ）に対してインピーダンスＺ（Ω）と位相θ（ｄｅｇ）を測定し、図６に示すように、インピーダンス特性曲線および位相曲線を描画する。そして、
３ｆ０    ＞  ｆｅ      （２）
を満たすように、例えば、第１直列共振周波数ｆ０  を１６．５ＭＨｚとなるような是正措置をとることが可能となる。
【０１０３】
本実施形態の性能評価方法においては、プラズマチャンバＣＮの第１直列共振周波数ｆ０  の３倍を、前記電力周波数ｆｅ  より大きな値の範囲にする是正作業が可能となることにより、従来は、考慮されていなかったプラズマチャンバＣＮの全体的な電気的高周波的な特性を適正な範囲に収めることができる。
これにより、動作安定性を向上して、従来一般的に使用されていた１３．５６ＭＨｚ程度以上の高い周波数の電力を投入した場合であっても、高周波電源１からの電力を、プラズマ励起電極４とサセプタ電極８との間のプラズマ発生空間に効率よく導入することが可能となる。同時に、同一周波数を供給した場合に、従来のプラズマ処理装置と比べて、プラズマ空間で消費される実効的な電力を大きくし、生成するプラズマ密度の上昇を図ることができる。その結果、プラズマ励起周波数の高周波化による処理速度の向上を図ること、つまり、プラズマＣＶＤ等により膜の積層をおこなう際には、堆積速度の向上を図ることができる。
【０１０４】
さらに、本実施形態の性能評価の結果、適切な是正作業が施されれば、プラズマ空間に効率よく電力が供給されることにより、プラズマの不要な広がりも抑制でき、被処理基体１６における膜面内方向におけるプラズマ処理の均一性の向上を図ることができ、成膜処理においては膜厚の膜面内方向分布の均一性の向上を図ることが可能となる。
同時に、高い電力を投入することによりプラズマポテンシャルを低くすることができ、イオンによるダメージを抑制できるので、プラズマＣＶＤ、スパッタリングなどの成膜処理においては、成膜状態の向上、すなわち、堆積した膜における絶縁耐圧や、エッチング液に対する耐エッチング性、そして、いわゆる膜の「固さ」つまり膜の緻密さ等の膜特性の向上を図ることが可能となる。
ここで、膜の緻密さは例えば、ＢＨＦ液によるエッチングに対する浸食されにくさ、耐エッチング性によって表現可能である。
【０１０５】
さらに、上記是正作業が施されれば、同一周波数を供給した場合に、従来のプラズマ処理装置と比べてプラズマ空間に効率よく電力が供給することができるため、電力の消費効率を向上し、同等の処理速度もしくは膜特性を得るために、従来より少ない投入電力ですむようにできる。したがって、電力消費の低減を図ること、ランニングコストの削減を図ることができる。同時に、従来と同じ投入時間を用いる場合には、処理時間を短縮することが可能となり、生産性の向上を図ることができる。いずれの場合も省力化が可能となり、電力消費に伴う二酸化炭素の排出総量を削減することが可能となる。
【０１０６】
そして、本実施形態の性能評価方法によれば、プラズマ処理装置の実機が設置してある場所で、インピーダンス測定器ＡＮにより第１直列共振周波数ｆ０  を測定するだけで、短時間にプラズマ処理装置の性能確認および、性能の評価が可能となる。このため、成膜された基板を検査するために、製造ラインを数日あるいは数週間停止してプラズマ処理装置の性能確認および、性能の評価をする必要がなくなり、製造ラインとしての生産性を向上することができる。
この第１直列共振周波数ｆ０  は、機械的な構造をその多くの要因としてきまる電気的高周波的な特性であり、各プラズマ処理室ごとに異なっていると考えられる。上記の範囲に、この第１直列共振周波数ｆ０  を指標とすることにより、各プラズマ処理室に対しても、従来考慮されていなかったその全般的な電気的高周波的特性を設定することが可能となり、プラズマ発生の安定性を期待することができる。その結果、動作安定性の高いプラズマ処理装置を提供することが可能となる。
しかも、これらの性能評価を、装置を搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再組み立てした後に実施するために、搬送中の振動や搬入後の再組み立て作業の不備で精度に狂いが生じる等、性能に悪影響を及ぼす事象が発生した後に、簡便かつ短時間で性能を確認できるので、問題発見から改善までのサイクルを早めることができるので、納入後の装置の立ち上げ期間を短縮することが可能となる。
【０１０７】
なお、図１６に示すように、それぞれのインピーダンスが一致する複数本の導線１０１ａ〜１０１ｈの一端をプローブ取付具１０４に接続してなるフィクスチャを使用してプラズマチャンバＣＮのインピーダンス特性を測定することも可能である。
プローブ取付具１０４は、例えば５０ｍｍ×１０ｍｍ×０．５ｍｍの銅板を、締め付け部１０６とリング部とができるように成形されている。リング部はプローブ１０５の外側にはめ込み可能な径とされる。このプローブ取付部１０４に導線１０１ａ〜１０１ｈの一端をハンダ付けなどにより電気的に接続する。
導線１０１ａ〜１０１ｈの他端には、測定対象（プラズマチャンバＣＮ）との着脱用の端子（圧着端子）１０２ａ〜１０２ｈが取り付けられている。
このフィクスチャを使用するに際してはプローブ取付具１０４のリング状部１０４をプローブ１０５にはめ込み、締め付け部１０６で締め付けを行う。一方各導線１０１ａ〜１０１ｈは略点対称となるように圧着端子１０２ａ〜１０２ｈにおいて測定対象に、図１７に示すように、ねじ１１４により着脱自在にねじ止めする
導体１０１ａ〜１０１ｈは、例えばアルミニウム、銅、銀、金により構成すればよく、または、銀、金を５０μｍ以上メッキして構成してもよい。
【０１０８】
このようなフィクスチャを使用してインピーダンスを測定する方法を図１７を用いて説明する。
まずプラズマ処理装置の高周波電源１とマッチングボックス２をプラズマ処理装置から取り外す。インピーダンス測定具のプローブ１０５の導線１１０を給電板３に接続する。次いでインピーダンス測定具のフィクスチャの導線１０１ａ〜１０１ｈに接続する圧着端子１０２ａ〜１０２ｈをプラズマ処理装置のハウジング２１に給電板３を中心とする略点対称となるようにネジ１１４によってネジ止めする。インピーダンス測定具をこのように配置した後、測定信号をインピーダンス測定具の導線１１０に供給し、前記プラズマ処理装置の給電板３からプラズマ空間６０を経てハウジング２１に至る経路のインピーダンスを測定する。
これにより、測定対象の大きさ、あるいは、測定する２点間の距離に制約を与えることなく、かつ、測定対象に均一に電流を流すことができ、測定対象のインピーダンスを測定するのに影響を及ぼさない残留インピーダンス値を設定することにより、正確にインピーダンス測定をおこなうことができる。
【０１０９】
なお、図１のプラズマ処理装置においては、サセプタ電極側８に基板１６を載置してプラズマ励起電極４に対する電力周波数ｆｅ  と第１直列共振周波数ｆ０  とを設定したが、カソード電極４側に基板１６を取り付けるよう対応することも可能である。
【０１１０】
以下、本発明に係るプラズマ処理装置の性能評価方法の第２実施形態を、図面に基づいて説明する。
［第２実施形態］
図７は本実施形態の性能評価方法の対象となるプラズマ処理装置の概略構成を示す断面図である。
【０１１１】
このプラズマ処理装置は、２周波励起タイプのプラズマ処理装置とされ、図１〜図４に示したプラズマ処理装置と異なるのはサセプタ電極８側に電力を供給する点と、測定用端子６１に関する点である。それ以外の対応する構成要素には同一の符号を付してその説明を省略する。
このプラズマ処理装置は、プラズマチャンバ（プラズマ処理室）ＣＮの第１直列共振周波数ｆ０  の３倍が、前記高周波電源１からプラズマチャンバＣＮに供給される電力周波数ｆｅ  より大きな値かどうかが評価される。
【０１１２】
このプラズマ処理装置は、図７に示すように、サセプタ電極８の周囲にサセプタシールド１２が設けられ、ウエハサセプタ（サセプタ電極）８およびサセプタシールド１２は、これらの隙間がシャフト１３の周囲の設けられた電気絶縁物からなる絶縁手段１２Ｃによって真空絶縁されるとともに電気的にも絶縁されている。また、ウエハサセプタ８およびサセプタシールド１２は、ベローズ１１により上下動可能に構成されている。この構成により、プラズマ励起電極４とサセプタ電極８との間の距離が調整可能となっている。また、サセプタ電極８は、シャフト１３下端に接続された給電板２８、および、導電体からなるサセプタ電極側マッチングボックス２６内部に収納された整合回路２５を介して第２の高周波電源２７と接続されている。
これら給電板２８は、サセプタシールド１２の支持筒１２Ｂ下端に接続されたシャーシ２９に覆われるとともに、シャーシ２９は、同軸ケーブルとされる給電線２７Ａのシールド線によって接続されマッチングボックス２６とともにアースされている。これにより、サセプタシールド１２，シャーシ２９，マッチングボックス２９は直流的に同電位となっている。
【０１１３】
ここで、整合回路２５は、第２の高周波電源２７とサセプタ電極８との間のインピーダンスの整合を図るものとされ、この整合回路２５としては、図７に示すように、複数の受動素子として、第２の高周波電源２７と給電板２８との間に、チューニングコイル３０とチューニングコンデンサ３１とが直列に設けられ、これらと並列にロードコンデンサ３２が接続され、このロードコンデンサ３２の一端はマッチングボックス２６に接続されており、整合回路２Ａと略同様の構成とされている。マッチングボックス２６は給電線２７Ａのシールド線を介して接地電位に設定されており、同時に、ロードコンデンサ３２の一端がアースされている。なお、チューニングコイル３０と直列にチューニングコイルを接続することや、ロードコンデンサ３２と並列にロードコンデンサを設けることも可能である。
給電板２８としては給電板３と同様なものが適用され、この給電板２８は整合回路２５からの端子およびシャフト１３にそれぞれネジ止めされている。
【０１１４】
このプラズマチャンバＣＮの測定範囲である、整合回路２Ａの受動素子のうち出力最終段の受動素子であるチューニングコンデンサ２４の出力端子位置ＰＲには、前記プラズマチャンバＣＮのインピーダンス測定用端子（共振周波数測定用端子）６１が設けられている。このインピーダンス測定用端子６１は、第１実施形態で測定範囲を規定した出力端子位置ＰＲから、導体によってシャーシ２１の外部までのびている。
【０１１５】
このプラズマ処理装置においては、サセプタ電極８上に被処理基板１６を載置し、第１、第２の高周波電源１，２７からプラズマ励起電極４とサセプタ電極８の双方にそれぞれ高周波電力を印加するとともにガス導入管１７からシャワープレート６を介して反応ガスをチャンバ６０内に供給してプラズマを発生させ、被処理基板１６に対して成膜等のプラズマ処理をおこなう。このとき、第１の高周波電源１から１３．５６ＭＨｚ程度以上の周波数の電力、具体的には、例えば１３．５６ＭＨｚ，２７．１２ＭＨｚ，４０．６８ＭＨｚ等の周波数の電力を投入する。そして、第２の高周波電源２７からも第１の高周波電源１と同等の電力を供給するか、または、異なる周波数の電力、例えば１．６ＭＨｚ程度の電力を投入することもできる。
【０１１６】
ここで、本実施形態の評価方法で指標として用いられるプラズマ処理装置における第１直列共振周波数ｆ０は、第１実施形態と同様にして測定・定義する。本実施形態の第１直列共振周波数ｆ０  は、具体的には図８，図９に示すように測定・定義される。
図８は図７のプラズマ処理装置のインピーダンス特性を説明するための模式図であり、図９は、図８の等価回路を示す回路図である。
【０１１７】
本実施形態におけるプラズマチャンバＣＮの測定範囲としては、インピーダンス測定用端子６１からみたプラズマチャンバＣＮの状態をその対象とする。つまり、図９に示すように、第１実施形態における測定範囲と同様にして、チューニングコンデンサ２４の出力端子位置ＰＲと直列に接続されたインピーダンス測定用端子６１を測定範囲とする。つまり、プラズマ発生時には、出力端子位置ＰＲから給電板３等と並列に接続された整合回路２Ａ、および、サセプタ電極８に接続された整合回路２５は、インピーダンス特性（高周波数特性）測定時には切り離すことになる。
ここで、図には高周波電源１，２７が記載してあるが、これらは電力供給状態を示すものではなく、整合回路２Ａ，２５の接地状態を示すことを主眼とするものである。というのも、電力供給状態においては、インピーダンス特性を計測することはできないからである。
【０１１８】
そして、図８に破線で示すように、インピーダンス測定器ＡＮのプローブ１０５をインピーダンス測定用端子６１およびプラズマチャンバＣＮの例えばシャーシ２１とされるアース位置に接続する。この状態で、インピーダンス測定器ＡＮの発振する測定周波数を例えば１ＭＨｚ〜１００ＭＨｚの範囲に変化させて、プラズマチャンバＣＮの上記測定範囲に対するインピーダンスのベクトル量（Ｚ，θ）を測定する。
【０１１９】
ついで、図１０に示すように、測定周波数ｆ（ＭＨｚ）を横軸とし、縦軸としてインピーダンスＺ（Ω）と位相θ（ｄｅｇ）とを同一のグラフ上にプロットしていく。ここで、図において、左側の縦軸はインピーダンスＺ（Ω）であり、右側の縦軸は位相θ（ｄｅｇ）に対応している。描画されたインピーダンス特性曲線および位相曲線のうち、インピーダンスの最小値Ｚｍｉｎ  の周波数、つまり、測定周波数ｆの低い側から数えて一番最初に位相θがマイナスからプラスに変化したときに、位相θがゼロとなる周波数を、第１直列共振周波数ｆ０  として定義する。
【０１２０】
このとき、測定される第１直列共振周波数ｆ０  に対して、考慮されている電気的高周波的要因は、図８に示すように、上記測定範囲のうち、以下のものが考えられる。
給電板（フィーダ）３のインダクタンスＬｆ  および抵抗Ｒｆ
プラズマ励起電極４とサセプタ電極８との間のプラズマ電極容量Ｃｅ
サセプタ電極８とサセプタシールド１２との間の容量ＣＳ
サセプタシールド１２の支持筒１２ＢのインダクタンスＬＣ  および抵抗ＲＣ
ベローズ１１のインダクタンスＬＢ  および抵抗ＲＢ
チャンバ壁１０のインダクタンスＬＡ  および抵抗ＲＡ
絶縁体１７ａを挟んだガス導入管１７とプラズマ励起電極４との間の容量ＣＡ  プラズマ励起電極４とシャーシ２１との間の容量ＣＢ
プラズマ励起電極４とチャンバ壁１０との間の容量ＣＣ
【０１２１】
これらの電気的高周波的要因が、プラズマ発光時に供給される高周波電流の流れる回路と同様と見なせる状態として、図９に示すように、給電板（フィーダ）３のインダクタンスＬｆ  および抵抗Ｒｆ  、プラズマ励起電極４とサセプタ電極８との間のプラズマ電極容量Ｃｅ  、サセプタ電極８とサセプタシールド１２との間の容量ＣＳ  、サセプタシールド１２の支持筒１２ＢのインダクタンスＬＣ  および抵抗ＲＣ  、ベローズ１１のインダクタンスＬＢ  および抵抗ＲＢ  、チャンバ壁１０のインダクタンスＬＡ  および抵抗ＲＡ  が、順に直列に接続されてその終端の抵抗ＲＡ  がアースされるとともに、出力端子位置ＰＲに接続された整合回路２Ａからの寄与、抵抗Ｒｆ  とプラズマ電極容量Ｃｅ  との間に一端がアースされた状態でそれぞれ並列に接続された容量ＣＡ  ，容量ＣＢ  ，容量ＣＣ  が、等価回路を形成しており、この等価回路のインピーダンス特性を計測することで、本実施形態の第１直列共振周波数ｆ０  を定義することができる。
【０１２２】
このように定義された第１直列共振周波数ｆ０  の３倍が、高周波電源１から供給される電力周波数ｆｅ  より大きな値の範囲になるかどうかにより、所望の性能を維持しているか否かが判断される。すなわち、第１直列共振周波数ｆ０  の３倍が、高周波電源１から供給される電力周波数ｆｅ  以下の場合には、所望の性能が維持できていないと判断する。そして、所望の性能が維持できていないと判断した場合には、第１直列共振周波数ｆ０  の３倍が、高周波電源１から供給される電力周波数ｆｅ  より大きな値の範囲になるように、第１直列共振周波数ｆ０を是正する措置をとることができる。
ここで、第１直列共振周波数ｆ０  を是正する方法としては、例えば、
▲１▼給電板３の形状長さを変化させる。
▲２▼プラズマ励起電極４とチャンバ壁１０とのオーバーラップ面積を制御する。
▲３▼プラズマ励起電極４とチャンバ壁１０との間の絶縁材料を厚くする。
▲４▼サセプタ電極８とチャンバ壁１０とを導体で接続する等調整する。
等の手法を適用することができる。
【０１２３】
例えば、このプラズマ処理装置においては、電力周波数ｆｅ  を４０．６８ＭＨｚに設定して、１〜１００ＭＨｚの範囲の測定周波数ｆ（ＭＨｚ）に対してインピーダンスＺ（Ω）と位相θ（ｄｅｇ）を測定し、図１０に示すように、インピーダンス特性曲線および位相曲線を描画する。そして、
３ｆ０    ＞  ｆｅ      （２）
を満たすように是正措置をとることが可能となる。
なお、第１直列共振周波数ｆ０  は、
１．３ｆ０    ＞  ｆｅ      （３）
を満たすことがより好ましい。そこで、上記式を満たすかどうかを評価基準として、例えば、第１直列共振周波数ｆ０  を４２．５ＭＨｚとなるような是正措置をとることも可能である。
【０１２４】
本実施形態の性能評価方法においては、第１実施形態と同等の効果を奏するとともに、前記プラズマチャンバＣＮの前記整合回路２Ａの出力端子位置ＰＲに、前記プラズマチャンバＣＮのインピーダンス測定用端子６１を設けることにより、プラズマチャンバＣＮのインピーダンス特性測定時において、プロービングを容易におこなうことが可能となり、搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再組立てした後の第１直列共振周波数ｆ０  の測定時における作業効率を向上することができる。
【０１２５】
なお、本実施形態において、インピーダンス測定用端子６１が、マッチングボックス２を貫通せずに、インピーダンスを測定する際にプラズマ処理装置の高周波電源１とマッチングボックス２をプラズマ処理装置から取り外すようにして、評価指標となる第１直列共振周波数ｆ０  の測定を行うことも可能である。
【０１２６】
以下、本発明に係るプラズマ処理装置の性能評価方法の第３実施形態を、図面に基づいて説明する。
［第３実施形態］
図１１は本実施形態の性能評価方法の対象となるプラズマ処理装置の概略構成を示す断面図である。
【０１２７】
このプラズマ処理装置は、２周波励起タイプのプラズマ処理装置とされ、図７〜図９に示したプラズマ処理装置と異なるのは、測定用端子６１付近の構成に関する点と、第１直列共振周波数ｆ０  および直列共振周波数ｆ０’の評価に関する点である。それ以外の対応する構成要素には同一の符号を付してその説明を省略する。
このプラズマ処理装置は、プラズマチャンバ（プラズマ処理室）ＣＮの第１直列共振周波数ｆ０  の３倍が、前記高周波電源１からプラズマチャンバＣＮに供給される電力周波数ｆｅ  より大きな値かどうかが評価される。また、後述するように、電極間４，８の容量Ｃｅ  によって規定される直列共振周波数ｆ０’が、電力周波数ｆｅ  の（電極間の距離ｄ／プラズマ非発光部の距離δ）の平方根倍よりも大きいかどうかが評価される。
【０１２８】
このプラズマ処理装置は、図１１に示すように、整合回路２Ａの出力端子位置ＰＲ付近に、前記整合回路２Ａと前記インピーダンス測定用端子（共振周波数測定用端子）６１とを切り替えるスイッチとして、整合回路２Ａと給電板３との間に設けられるスイッチＳＷ１と、インピーダンス測定用端子６１と給電板との間に設けられるスイッチＳＷ２とが設けられている。
これらスイッチ、ＳＷ１，ＳＷ２は、前記高周波電力配電体３端部と前記共振周波数測定用端子６１との間に、プラズマを励起する際には前記配電体３端部と前記測定用端子６１との電気的接続を切るとともに前記配電体３端部と前記整合回路２Ａの出力端子ＰＲとの電気的接続を確保し、かつ、前記プラズマ処理室ＣＮの共振周波数を測定する際には前記配電体３端部と前記測定用端子６１との電気的接続を確保するとともに前記配電体３と前記整合回路２Ａの出力端子ＰＲとの電気的接続を切断するものとされている。
【０１２９】
ここで、スイッチＳＷ１を整合回路２Ａ側に接続した場合における整合回路２Ａの出力端子位置ＰＲ側からのインピーダンス特性（共振周波数特性）と、スイッチＳＷ２を前記インピーダンス測定用端子６１側に接続した場合におけるインピーダンス測定用端子６１側からのインピーダンス特性（共振周波数特性）とが等しく設定される、つまり、後述の図１１に示すように、スイッチＳＷ１付近のインピーダンスＺ１  とスイッチＳＷ２付近のインピーダンスＺ２  とが等しく設定される。
すなわち、前記スイッチＳＷ１，ＳＷ２により、前記高周波配電体３端部と前記共振周波数測定用端子６１との電気的接続を切るとともに前記配電体３端部と前記整合回路２Ａの出力端子ＰＲとの電気的接続を確保した場合における前記整合回路２Ａの出力端子ＰＲ位置で測定する共振周波数特性と、前記スイッチＳＷ１，ＳＷ２により、前記配電体３端部と前記測定用端子６１との電気的接続を確保するとともに前記配電体３と前記整合回路２Ａの出力端子ＰＲとの電気的接続を切断した場合における前記共振周波数測定用端子６１で測定した共振周波数特性と、が等しく設定されてなる。
【０１３０】
これは、スイッチＳＷ１を整合回路２Ａ側に接続してスイッチＳＷ２を開いた場合における整合回路２Ａの出力端子位置ＰＲ側つまり出力端子位置ＰＲからスイッチＳＷ２への分岐点ＢまでのインピーダンスＺ１  と、前記スイッチＳＷ２を前記インピーダンス測定用端子６１側に接続してスイッチＳＷ１を開いた場合におけるインピーダンス測定用端子６１側つまりインピーダンス測定用端子６１からスイッチＳＷ１への分岐点ＢまでのインピーダンスＺ２  とが等しく設定されるということを意味している。
インピーダンス測定用端子６１には、図８に示した第２実施形態と同様に、インピーダンス測定器ＡＮのプローブが着脱自在に接続されてなる。このプローブには、同時に、プラズマチャンバＣＮの例えばシャーシ２１とされるアース位置に着脱自在に接続されている。
【０１３１】
ここで、本実施形態の評価方法で指標として用いられるプラズマ処理装置における第１直列共振周波数ｆ０は、第２実施形態と同様にして測定・定義する。本実施形態の第１直列共振周波数ｆ０  は、具体的には図１１，図１２に示すように測定・定義される。
図１２は図１１のプラズマ処理装置のインピーダンス特性測定用の等価回路を示す回路図である。
【０１３２】
本実施形態の性能評価方法においては、スイッチＳＷ１を閉じるとともに、スイッチＳＷ２を開いた状態において、図７〜図９に示した第２実施形態と同様にして、サセプタ電極８上に被処理基板１６を載置し、第１、第２の高周波電源１，２７からプラズマ励起電極４とサセプタ電極８の双方にそれぞれ高周波電力を印加するとともにガス導入管１７からシャワープレート６を介して反応ガスをチャンバ６０内に供給してプラズマを発生させ、被処理基板１６に対して成膜等のプラズマ処理をおこなう。このとき、第１の高周波電源１から１３．５６ＭＨｚ程度以上の周波数の電力、具体的には、例えば１３．５６ＭＨｚ，２７．１２ＭＨｚ，４０．６８ＭＨｚ等の周波数の電力を投入する。そして、第２の高周波電源２７からも第１の高周波電源１からと同等か、異なる周波数の電力、例えば１．６ＭＨｚ程度の電力を投入することもできる。
【０１３３】
本実施形態のプラズマチャンバＣＮの測定範囲としては、インピーダンス測定用端子６１からみたプラズマチャンバＣＮの状態をその対象とする。これは、図１１に示すように、スイッチＳＷ１付近のインピーダンスＺ１  とスイッチＳＷ２付近のインピーダンスＺ２  とが等しく設定されたことで、出力端子位置ＰＲからみた状態のプラズマチャンバＣＮの測定範囲に等しいものとなっている。
これは、インピーダンス測定時において整合回路２Ａを電気的に切り離すためには機械的に回路を着脱する必要のあった第１，第２実施形態に対して、本実施形態では、図１１に示すように、スイッチＳＷ１によって整合回路２Ａを測定範囲から切り離し、測定範囲外とすることができるためで、これにより、プラズマチャンバＣＮのインピーダンス特性を測定することが容易になる。
ここで、第２実施形態における測定範囲と比べるとスイッチＳＷ２が加わっているが、これは、プラズマ発光時にはスイッチＳＷ１は閉じた状態となっている、つまり、インピーダンス特性に対するスイッチＳＷ１の寄与が存在していることに対応している。すなわち、このスイッチＳＷ１付近のインピーダンスＺ１  と等しいインピーダンスＺ２  を有するスイッチＳＷ２付近を含んで上記測定範囲とすることにより、インピーダンス測定用端子６１からみたプラズマチャンバＣＮの測定範囲を、実際にプラズマ発光時に高周波電流の流れる回路状態に近づけてインピーダンス測定の正確性をより向上することが可能となる。
【０１３４】
そして、スイッチＳＷ２を閉じるとともに、スイッチＳＷ１を開いた状態に設定して、図７〜図９に示した第２実施形態と同様にして、インピーダンス測定器ＡＮの発振する測定周波数を例えば１ＭＨｚ〜１５０ＭＨｚの範囲に変化させて、プラズマチャンバＣＮの上記測定範囲に対するインピーダンスのベクトル量（Ｚ，θ）を測定する。ここで、インピーダンス測定器ＡＮが、インピーダンス測定用端子６１に着脱自在に接続されてなることにより、プラズマチャンバＣＮと整合回路２Ａとを着脱することなく、かつ、第２実施形態における図８に示したインピーダンス測定プローブ１０５を着脱することなく、スイッチＳＷ１，ＳＷ２切り替えのみによりインピーダンス特性の測定および第１直列共振周波数ｆ０  の測定を容易におこなうことが可能となる。
【０１３５】
ついで、図１３に示すように、測定周波数ｆ（ＭＨｚ）を横軸とし、縦軸としてインピーダンスＺ（Ω）と位相θ（ｄｅｇ）とを同一のグラフ上にプロットしていく。ここで、図において、左側の縦軸はインピーダンスＺ（Ω）であり、右側の縦軸は位相θ（ｄｅｇ）に対応している。描画されたインピーダンス特性曲線および位相曲線のうち、インピーダンスの最小値Ｚｍｉｎ  の周波数、つまり、測定周波数ｆの低い側から数えて一番最初に位相θがマイナスからプラスに変化したときに、位相θがゼロとなる周波数を、第１直列共振周波数ｆ０  として定義する。
【０１３６】
このとき、測定される第１直列共振周波数ｆ０  に対して、考慮されている電気的高周波的要因は、図１３に示すように、上記測定範囲のうち、以下のものが考えられる。
スイッチＳＷ２のインダクタンスＬＳＷおよび抵抗ＲＳＷ
給電板（フィーダ）３のインダクタンスＬｆ  および抵抗Ｒｆ
プラズマ励起電極４とサセプタ電極８との間のプラズマ電極容量Ｃｅ
整合回路２５からの寄与
サセプタ電極８とサセプタシールド１２との間の容量ＣＳ
サセプタシールド１２の支持筒１２ＢのインダクタンスＬＣ  および抵抗ＲＣ
ベローズ１１のインダクタンスＬＢ  および抵抗ＲＢ
チャンバ壁１０のインダクタンスＬＡ  および抵抗ＲＡ
絶縁体１７ａを挟んでガス導入管１７とプラズマ励起電極４との間の容量ＣＡ
プラズマ励起電極４とシャーシ２１との間の容量ＣＢ
プラズマ励起電極４とチャンバ壁１０との間の容量ＣＣ
【０１３７】
これらの電気的高周波的要因が、プラズマ発光時に供給される高周波電流が流れる回路と同様と見なせる状態として、図１２に示すように、スイッチＳＷ２のインダクタンスＬＳＷおよび抵抗ＲＳＷ、給電板（フィーダ）３のインダクタンスＬｆ  および抵抗Ｒｆ  、プラズマ励起電極４とサセプタ電極８との間のプラズマ電極容量Ｃｅ  、サセプタ電極８とサセプタシールド１２との間の容量ＣＳ  、シャフト１３のインダクタンスＬＣ  および抵抗ＲＣ  、ベローズ１１のインダクタンスＬＢ  および抵抗ＲＢ  、チャンバ壁１０のインダクタンスＬＡ  および抵抗ＲＡ  、が順に直列に接続されてその終端の抵抗ＲＡ  がアースされるとともに、抵抗Ｒｆ  とプラズマ電極容量Ｃｅ  との間に一端がアースされた状態でそれぞれ並列に接続された容量ＣＡ  ，容量ＣＢ  ，容量ＣＣ  が、等価回路を形成しており、この等価回路のインピーダンス特性を計測することで、本実施形態の第１直列共振周波数ｆ０  を定義することができる。
【０１３８】
このように定義された第１直列共振周波数ｆ０  の３倍が、高周波電源１から供給される電力周波数ｆｅ  より大きな値の範囲になるかどうかにより、所望の性能を維持しているか否かが判断される。すなわち、第１直列共振周波数ｆ０  の３倍が、高周波電源１から供給される電力周波数ｆｅ  以下の場合には、所望の性能が維持できていないと判断する。そして、所望の性能が維持できていないと判断した場合には、第１直列共振周波数ｆ０  の３倍が、高周波電源１から供給される電力周波数ｆｅ  より大きな値の範囲になるように、第１直列共振周波数ｆ０を是正する措置をとることができる。
ここで、第１直列共振周波数ｆ０  を是正する方法としては、例えば、
▲１▼給電板３の形状長さを変化する。
▲２▼プラズマ励起電極４とチャンバ壁１０とのオーバーラップ面積を減少する。
▲３▼プラズマ励起電極４とチャンバ壁１０との間の絶縁材料を厚くする。
▲４▼サセプタシールド１２とチャンバ壁１０とを導体で短絡する。
等の手法を適用することができる。
【０１３９】
例えば、本実施形態のプラズマ処理装置の性能評価方法においては、電力周波数ｆｅ  を４０．６８ＭＨｚに設定して、０〜１５０ＭＨｚの範囲の測定周波数ｆ（ＭＨｚ）に対してインピーダンスＺ（Ω）と位相θ（ｄｅｇ）を測定し、図１３に示すように、インピーダンス特性曲線および位相曲線を描画する。そして、
３ｆ０    ＞  ｆｅ      （２）
を満たすように是正措置をとることが可能となる。
なお、第１直列共振周波数ｆ０  は、
ｆ０  ＞  ３ｆｅ            （４）
を満たすことがより好ましい。そこで、上記式を満たすかどうかを評価基準として、例えば、第１直列共振周波数ｆ０  を１２３．７８ＭＨｚとなるような是正措置をとることも可能である。
【０１４０】
そして、本実施形態においては、プラズマ励起電極（カソード電極）４とサセプタ電極（対向電極）８との間のプラズマ電極容量Ｃｅ  によって規定される直列共振周波数ｆ０’を、前記電力周波数ｆｅ  の３倍より大きな値かどうかの評価も行う。
ｆ０’  ＞  ３ｆｅ            （５）
ここで、直列共振周波数ｆ０’は、上記の第１直列共振周波数ｆ０’における、インピーダンス特性の測定と同様にして、プラズマ励起電極４，サセプタ電極８間のインピーダンス特性として定義されるものである。
つまりサセプタ電極８の一端をアースして、プラズマ励起電極８の一端からインピーダンス特性を測定し、測定周波数ｆの低い側から数えて一番最初に位相θがマイナスからプラスに変化したときに、位相θがゼロとなる周波数を、直列共振周波数ｆ０’として定義している。
直列共振周波数ｆ０’は、プラズマ励起電極４とサセプタ電極８との機械的な形状によって規定される電気的高周波的な特性であり、プラズマ励起電極４とサセプタ電極８との間のプラズマ電極容量Ｃｅ  の平方根の逆数に比例する値となる。これにより、直接プラズマを発光させる前記電極４，８の周波数特性を評価できるため、プラズマ発光空間に対して電力をより効果的に投入することができ、さらなる電力消費効率の向上か、または、処理効率の向上を図ることできるような性能評価が可能となる。
【０１４１】
さらに、本実施形態においては、プラズマ励起電極４とサセプタ電極８との間のプラズマ電極容量Ｃｅ  によって規定される直列共振周波数ｆ０’を、前記電力周波数ｆｅ  に対して、下記（６）式なる関係を満たすかどうかを評価する。
ｆ０’  ＞  （ｄ／δ）１／２            （６）
【０１４２】
図１４は、プラズマ発光状態における電極間の状態を示す模式図である。
図１４に示すように、この対向する平行平板型とされるプラズマ励起電極４，サセプタ電極８間の距離をｄとし、この電極４，８間の距離方向においてそれぞれの電極４，８と発光時のプラズマとの距離の和をδとする。つまり、プラズマ発光時に目視できるプラズマ発光領域Ｐとプラズマ励起電極４との間のプラズマ発光していない部分の距離をδａ  、プラズマ発光領域Ｐとサセプタ電極８との間のプラズマ発光していない部分の距離をδｂ  としたときに、式（７）に示すようにこれらの和をδとする。
δａ  ＋δｂ  ＝  δ            （７）
ここで、電極４，８間の距離ｄと、電極４，８間においてプラズマの発光していない部分の距離の和δとから、実際にプラズマ発光状態における電極４，８間のモデル的な容量Ｃ０”が求められる。
【０１４３】
プラズマ発光時における平行平板電極４，８は、その間にあるプラズマ発光領域Ｐが導体として見なせるため、あたかも、電極４，８間の距離がδになったようにみなすことができる。その結果、プラズマ発光時の平行平板電極４，８間の容量Ｃ０”は、電極４，８間の距離に反比例するため、非プラズマ発光時に容量Ｃ０  だったものが、プラズマ発光時には見かけ上ｄ／δ倍になる。
Ｃ０    ∝  １／ｄ
Ｃ０”  ∝  １／δ              （８）
∴Ｃ０”  ∝  ｄ／δ・Ｃ０
【０１４４】
そして、前記直列共振周波数ｆ０’は容量Ｃ０  の平方根の逆数に比例するため、プラズマ発光時における電極４，８間の直列共振周波数ｆ０”は容量Ｃ０”の平方根の逆数に比例する、つまり、ｄ／δの平方根の逆数に比例する。
ｆ０’  ∝  １／√Ｃ０  
ｆ０”  ∝  １／√Ｃ０”                  （９）
∴ｆ０”  ∝  （ｄ／δ）−１／２・ｆ０’
【０１４５】
このプラズマ発光時における電極４，８間の直列共振周波数ｆ０”と前記電力周波数ｆｅ  との関係について、第１直列共振周波数ｆ０  と電力周波数ｆｅ  との関係のように評価することができる。
ｆ０”  ＞  ｆｅ            （１０）
この式（１０）を式（９）によって書き直すと、上記式（６）となる。
前記直列共振周波数ｆ０’と前記電力周波数ｆｅ  とが、上記式（６）なる関係を満たしてなることにより、、上記のプラズマ発光時におけるモデル的な容量Ｃ０”から規定される直列共振周波数ｆ０”の値と、非プラズマ発光時における電極４，８間の容量から規定される直列共振周波数ｆ０’の値との関係を評価することができる。したがって、直列共振周波数ｆ０’のｄ／δの平方根の逆数倍の値が、電力周波数ｆｅ  よりも大きいかどうかを評価することにより、プラズマ発光時における電極４，８の直列共振周波数ｆ０’と電力周波数ｆｅ  との関係を評価し、プラズマ発光時の電力消費効率について判断することが可能となる。
【０１４６】
本実施形態のプラズマ処理装置の性能評価方法においては、第１実施形態と同等の効果を奏するとともに、インピーダンス測定用端子６１にインピーダンス測定器を着脱自在に接続するとともに、スイッチＳＷ１，ＳＷ２を設け、これらのインピーダンスＺ１  とインピーダンスＺ２  とを等しく設定することで、プラズマチャンバＣＮと整合回路２Ａとを着脱することなく、かつ、インピーダンス測定用プローブ１０５を着脱することなく、スイッチＳＷ１，ＳＷ２切り替えのみによりインピーダンス特性の測定および第１直列共振周波数ｆ０  の測定を容易におこなうことが可能となり、同時に、インピーダンス測定端子６１に接続されたインピーダンス測定器ＡＮからのインピーダンス測定値を、整合回路２Ａ出力側最終段の出力位置ＰＲから測定した値と同等と見なすことができるため、第１直列共振周波数ｆ０  の算出の補正が不要となり、実測値の換算が不要となり、作業効率を向上し、第１直列共振周波数ｆ０  の測定をより正確におこなうことができる。
さらに、前記直列共振周波数ｆ０’と前記電力周波数ｆｅ  との値を比較することにより、直接プラズマを発光させる前記電極４，８の周波数特性を評価できるため、プラズマ発光空間に対して電力をより効果的に投入することができ、さらなる電力消費効率、または、処理効率についての適切な判断が可能となる。
【０１４７】
なお、図１１において、２つのスイッチＳＷ１およびスイッチＳＷ２を設ける構成としたが、分岐点から出力端子位置ＰＲまでと分岐点からプローブまでのインピーダンスが等しく設定されていれば、よく、例えば１つのスイッチによりこれらの接続を切り替え可能とすることもできる。
【０１４８】
さらに、本発明における上記の各実施形態においては、プラズマ励起電極４に対する電力周波数ｆｅ  と第１直列共振周波数ｆ０  とを比較したが、サセプタ電極側８に対する周波数を比較の対象とすることも可能である。この場合、図７，図１１にＰＲ’で示すように、インピーダンス測定範囲を規定する整合回路２５の出力端子位置を設定することができる。
さらに、平行平板型の電極４，８を有するタイプに変えて、ＩＣＰ（ｉｎｄｕｃｔｉｖｅ  ｃｏｕｐｌｅｄ  ｐｌａｓｍａ）誘導結合プラズマ励起型、ＲＬＳＡ（ｒａｄｉａｌ  ｌｉｎｅ  ｓｌｏｔ  ａｎｔｅｎｎａ）ラジアルラインスロットアンテナ型などのプラズマ処理装置や、ＲＩＥ（Ｒｉａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）反応性スパッタエッチング用の処理装置に適用することもできる。
なお、電極４，８に替えて、ターゲット材を取り付けることにより、プラズマ処理としてスパッタリングをおこなうことも可能である。
【０１４９】
以下、本発明に係るプラズマ処理装置の性能評価方法の第４実施形態を、図面に基づいて説明する。
［第４実施形態］
図１８は本実施形態の性能評価方法の対象となるプラズマ処理装置の概略構成を示す図である。
このプラズマ処理装置７１は、例えば、トップゲート型ＴＦＴの半導体能動膜をなす多結晶シリコンの成膜からゲート絶縁膜の成膜までの一貫処理が可能なものとされ、複数のプラズマ処理室を有する装置とされる。
【０１５０】
この形態の対象となるプラズマ処理装置７１は、図１８に示すように、略七角形状の搬送室７２の周囲に、５つの処理室と１つのローダ室７３と１つのアンローダ室７４とが連設されている。また、５つの処理室の内訳としては、アモルファスシリコン膜を成膜する第１成膜室、シリコン酸化膜を成膜する第２成膜室、およびシリコン窒化膜を成膜する第３成膜室からなるプラズマ処理室７５，７６，７７、成膜後の被処理基板のアニーリング処理を行うレーザアニール室７８、成膜後の被処理基板の熱処理を行う熱処理室７９、である。
【０１５１】
上記構成の処理室７５，７６，７７は、いずれも第１の実施形態として、図１及び図２に基づき説明したプラズマ処理装置と同一構成であるので、その詳細な説明を省略する。
これらの処理室７５，７６，７７のいずれかにおいてアモルファスシリコン膜、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜等の成膜をおこなう際には、サセプタ電極８上に被処理基板１６を載置し、高周波電源１から高周波電極４とサセプタ電極８の双方にそれぞれ高周波電力を印加するとともにガス導入管１７からシャワープレート６を介して反応ガスをチャンバ室６０内に供給してプラズマを発生させ、被処理基板１６上にアモルファスシリコン膜、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜等を成膜する。
【０１５２】
レーザアニール室７８は、図１９に示すように、チャンバ８０の上部にレーザ光源８１が設けられる一方、チャンバ８０内の下部には被処理基板１６を載置するためのステージ８２が直交するＸ方向、Ｙ方向の２方向に水平移動可能に設けられている。そして、レーザ光源８１の出射部８１ａからスポット状のレーザ光８３（１点鎖線で示す）が出射されると同時に、被処理基板１６を支持したステージ８２がＸ方向、Ｙ方向に水平移動することにより、レーザ光８３が被処理基板１６の全面を走査できるようになっている。レーザ光源８１には例えばＸｅＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌ、ＸｅＦ等のハロゲンガスを用いたガスレーザを用いることができる。
また、レーザアニール室７８の構成は、レーザ光を出射するレーザ光源を備え、レーザ光源から出射されるスポット状のレーザ光が被処理基板の表面をくまなく走査できる構成のものであれば、種々の構成の装置を用いることができる。この場合、レーザ光源は例えばＸｅＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌ、ＸｅＦ等のハロゲンガスを用いたガスレーザを用いることができる。膜の種類によってはＹＡＧレーザ等の他のレーザ光源を用いることもでき、レーザ光の照射の形態としては、パルスレーザアニール、連続発振レーザアニールを用いることができる。また、熱処理室の構成は、例えば多段式電気炉型の装置を用いることができる。
【０１５３】
熱処理室７９は、図２０に示すように、多段式電気炉型のものであり、チャンバー８４内に多段に設けられたヒータ８５の各々に被処理基板１８が載置される構成になっている。そして、ヒータ８５の通電により複数枚の被処理基板１６が加熱されるようになっている。なお、熱処理室８９と搬送室７２との間にはゲートバルブ８６が設けられている。
【０１５４】
図１８に示すローダ室７３、アンローダ室７４には、ローダカセット、アンローダカセットが着脱可能に設けられている。これら２つのカセットは、複数枚の被処理基板１６が収容可能なものであり、ローダカセットに成膜前の被処理基板１６が収容され、アンローダカセットには成膜済の被処理基板１６が収容される。そして、これら処理室ユニットとローダ室７３、アンローダ室７４の中央に位置する搬送室７２に基板搬送ロボット（搬送手段）８７が設置されている。基板搬送ロボット８７はその上部に伸縮自在なリンク機構を有するアーム８８を有し、アーム８８は回転可能かつ昇降可能となっており、アーム８８の先端部で被処理基板１６を支持、搬送するようになっている。
【０１５５】
上記構成のプラズマ処理装置７１は、例えば各処理室における成膜条件、アニール条件、熱処理条件等、種々の処理条件や処理シーケンスをオペレータが設定する他は、各部の動作が制御部により制御されており、自動運転する構成になっている。したがって、このプラズマ処理装置７１を使用する際には、処理前の被処理基板１６をローダカセットにセットし、オペレータがスタートスイッチを操作すれば、基板搬送ロボット８７によりローダカセットから各処理室内に被処理基板１６が搬送され、各処理室で一連の処理が順次自動的に行われた後、基板搬送ロボット８７によりアンローダカセットに収容される。
【０１５６】
本実施形態の性能評価方法の対象となるプラズマ処理装置７１においては、複数のプラズマ処理室７５，７６，７７のそれぞれにおいて、高周波特性Ａとしての第１直列共振周波数ｆ０の、納入後における値ｆ０１のばらつきｆ０１ｒが、
その最大値ｆ０１ｍａｘと最小値ｆ０１ｍｉｎによって、
ｆ０１ｒ＝（ｆ０１ｍａｘ−ｆ０１ｍｉｎ）／（ｆ０１ｍａｘ＋ｆ０１ｍｉｎ）
と定義され、
ｆ０１ｒの値が所定の価として０．１より小さい値であるかどうかにより、所望の性能を維持しているか否かが判断される。すなわち、ｆ０１ｒの値が０．１より小さい場合には所望の性能を維持していると判断し、０．１以上の場合には、所望の性能が維持できていないと判断する。そして、所望の性能が維持できていないと判断した場合には、ｆ０１ｒの値が０．１より小さい値の範囲になるように、第１直列共振周波数ｆ０を是正する措置をとることができる。
ここで、第１直列共振周波数ｆ０は、及びその是正方法は、上記第１実施形態で説明したとおりであるので、その説明を省略する。
【０１５７】
このように、それぞれのプラズマ処理室７５，７６，７７の高周波特性として第１直列共振周波数ｆ０  のうち、その最大値ｆ０ｍａｘと最小値ｆ０ｍｉｎのばらつきを、上記（１０）式に示すように定義し、この値が０．１より小さい範囲の値かどうかを評価することで、複数のプラズマ処理室７５，７６，７７に対して電気的高周波的な特性の機差をなくすような是正措置が可能となり、これにより、インピーダンス特性を指標とする一定の管理幅内に複数のプラズマ処理室７５，７６，７７の状態を設定することが可能となるので、個々のプラズマ処理室７５，７６，７７において、プラズマ空間で消費される実効的な電力等をそれぞれ略均一にすることができる。
【０１５８】
その結果、複数のプラズマ処理室７５，７６，７７に対して同一のプロセスレシピを適用して、略同一のプラズマ処理結果を得ること、つまり、複数のプラズマ処理室７５，７６，７７において例えば成膜をおこなった際に、膜厚、絶縁耐圧、エッチングレート等、略均一な膜特性の膜を得ることが可能となる。具体的には、上記のばらつきの値を０．１より小さい範囲に設定することにより、略同一の条件で積層をおこなったプラズマ処理室７５，７６，７７において、膜厚のばらつきの値を±５％の範囲におさめることができる。
そのため、従来考慮されていなかったプラズマ処理装置７１の全般的な電気的高周波的特性を設定することが可能となり、プラズマ発生の安定性を期待することができる。その結果、動作安定性が高く、各プラズマ処理室７５，７６，７７で均一な動作が期待できるプラズマ処理装置７１を維持管理することが可能となる。
これにより、複数のプラズマ処理室７５，７６，７７に対する膨大なデータから外部パラメータと実際の基板を処理するような評価方法による処理結果との相関関係によるプロセス条件の把握を不必要とすることができる。
【０１５９】
したがって、新規設置時や調整・保守点検時において、各プラズマ処理室７５，７６，７７ごとの機差をなくして処理のばらつきをなくし同一のプロセスレシピにより略同一の処理結果を得るために必要な調整時間を、被処理基板１６への実際の成膜等による検査方法を採用した場合に比べて、第１直列共振周波数ｆ０  を測定することにより、大幅に短縮することができる。しかも、処理をおこなった基板の評価によりプラズマ処理装置７１の動作確認および、動作の評価をおこなうという２段階の方法でなく、ダイレクトにプラズマ処理装置７１の評価を、しかも、プラズマ処理装置７１の実機が設置してある場所で短時間におこなうことが可能である。その上、被処理基板１６への実際の成膜等による検査方法を採用した場合、別々におこなうしかなかった複数のプラズマ処理室７５，７６，７７に対する結果をほぼ同時に実現することができる。
このため、製造ラインを数日あるいは数週間停止してプラズマ処理装置７１の動作確認および、動作の評価をする必要がなくなり、製造ラインとしての生産性を向上することができる。また、このような調整に必要な検査用基板等の費用、この検査用基板の処理費用、および、調整作業に従事する作業員の人件費等、コストを削減することが可能となる。
【０１６０】
さらに、この各プラズマ処理室７５，７６，７７においては、第１から第３の実施形態において採用した評価方法を併せて採用することができる。すなわち、各々の第１直列共振周波数ｆ０と、電力周波数ｆｅ  とを比較した評価基準を上記ばらつきｆ０１ｒに基づく評価と併用することにより、機差だけでなく、プラズマ処理室７５，７６，７７の全体的な電気的高周波的な特性をそれぞれ適正な範囲に収めることができる。これにより、各プラズマ処理室７５，７６，７７において第１から第３の実施形態と同様の効果を得ることが可能となる。しかも、これらを、複数のプラズマ処理室７５，７６，７７において同時に実現することができる。
【０１６１】
以下、本発明に係る性能評価方法の第５実施形態を、図面に基づいて説明する。
［第５実施形態］
図２１は本実施形態の性能評価方法の対象となるプラズマ処理装置９１の概略構成を示す断面図である。
このプラズマ処理装置９１は、図１０に示すように、略四角形の搬送室９２の周囲にロードロック室９３と熱処理室９９と処理室９５，９６とが設けられた構成とされている。この装置は基板移載用の搬送ロボットが設置されている搬送室９２を中央にして、各室の間が、ゲートｇ１，ｇ２，ｇ３，ｇ４で区切られている。搬送室（待機室）９２と加熱室９９とその他の処理室９５，９６はそれぞれ個別の高真空ポンプによって高真空度に排気されている。ロードロック室９１は低真空ポンプによって低真空度に排気されている。
【０１６２】
この実施形態のプラズマ処理装置９１においては、その構成要素が図１８〜図２０に示した第４実施形態のプラズマ処理装置７１に対応しており、それぞれ、搬送室７２に搬送室９２が、熱処理室７９に熱処理室９９が、ロードロック室９３がローダ室７３およびアンローダ室７４に対応しており、略同一の構成の部分に関しては説明を省略する。
【０１６３】
また、上記構成の処理室９５，９６は、２周波励起タイプのプラズマ処理装置で、いずれも第２の実施形態として、図７に基づき説明したプラズマ処理装置と同一構成であるので、その詳細な説明を省略する。
プラズマ処理室９５，９６は、図１８に示した第４実施形態のプラズマ処理室７５，７６に対応して、それぞれ異なる種類の膜を成膜するような異なる処理をおこなうことも可能であり、また、同一のプロセスレシピにより同一の処理をおこなうこともできるのものであるが、略同一の構成とされている。
【０１６４】
上記構成のプラズマ処理装置９１は、ゲートｇ０を開放して被処理基板１６をロードロック室９３に搬入し、ゲートｇ０を閉塞してロードロック室９３を低真空ポンプによって排気する。ゲートｇ１，ｇ２を開放してロードロック室９３に搬入された基板１６を、搬送室９２の搬送ロボットの移載アームによって熱処理室９９に移動し、ゲートｇ１，ｇ２を閉塞して搬送室９２と熱処理室９９を高真空ポンプによって排気する。ついで基板１６を加熱処理し、終了後、ゲートｇ２，ｇ４を開放して熱処理された基板１６を、搬送室９２の搬送ロボットの移載アームによってプラズマ処理室９５に移動する。プラズマ処理室９５の基板１６を反応処理し、終了後ゲートｇ４，ｇ３を開放して処理された基板１６を、搬送室９２の搬送ロボットの移載アームによってプラズマ処理室９６に移動する。プラズマ処理室９６の基板１６を反応処理し、終了後ゲートｇ３，ｇ１を開放して基板１６を、搬送室９２の搬送ロボットの移載アームによってロードロック室９３に移動する。
このとき、例えば各処理室における成膜条件等の処理条件や処理シーケンスをオペレータが設定する他は、各部の動作が制御部により制御されており、自動運転する構成になっている。したがって、このプラズマ処理装置９１を使用する際には、処理前の被処理基板１６をロードロック室９３のローダカセットにセットし、オペレータがスタートスイッチを操作すれば、基板搬送ロボットによりローダカセットから各処理室内に被処理基板１６が搬送され、各処理室で一連の処理が順次自動的に行われた後、基板搬送ロボットによりアンローダカセット（ローダカセット）に収容される。
【０１６５】
上記構成のプラズマチャンバ９５，９６においては、第２実施形態と同様に、サセプタ電極８上に被処理基板１６を載置し、高周波電源１から高周波電極４とサセプタ電極８の双方にそれぞれ高周波電力を印加するとともにガス導入管１７からシャワープレート６を介して反応ガスをチャンバ室６０内に供給してプラズマを発生させ、被処理基板１６上にアモルファスシリコン膜、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜等を成膜する。
【０１６６】
そして、これらの複数のプラズマ処理室９５，９６は、図２１に示すように、後述するスイッチＳＷ２等を介してインピーダンス測定器（高周波特性測定器）ＡＮに接続されている。同時に、複数のプラズマ処理室９５，９６においては、第１直列共振周波数ｆ０  の納入後における値ｆ０１のうち、最大値ｆ０１ｍａｘと最小値ｆ０１ｍｉｎのばらつきｆ０１ｒが、
その最大値ｆ０１ｍａｘと最小値ｆ０１ｍｉｎによって、
ｆ０１ｒ＝（ｆ０１ｍａｘ−ｆ０１ｍｉｎ）／（ｆ０１ｍａｘ＋ｆ０１ｍｉｎ）
と定義され、
ｆ０１ｒの値が０．０３より小さい範囲の値であるかどうかにより、所望の性能を維持しているか否かが判断される。すなわち、ｆ０１ｒの値が０．０３より小さい場合には所望の性能を維持していると判断し、０．０３以上の場合には、所望の性能が維持できていないと判断する。そして、所望の性能が維持できていないと判断した場合には、ｆ０１ｒの値が０．０３より小さい値の範囲になるように、第１直列共振周波数ｆ０を是正する措置をとることができる。
ここで、第１直列共振周波数ｆ０は、及びその是正方法は、上記第２実施形態で説明したとおりであるので、その説明を省略する。
【０１６７】
本実施形態においては、第４実施形態と同等の効果を奏するとともに、各プラズマ処理室９５，９６における前記第１直列共振周波数ｆ０  の納入後における値ｆ０１のばらつきが０．０３より小さい範囲の値かどうかを評価するので、適切な是正措置を施すことができ、複数のプラズマ処理室９５，９６に対してインピーダンス、共振周波数特性等の電気的高周波的な特性の機差をなくすことが可能となり、これにより、インピーダンス特性を指標として一定の管理幅内に複数のプラズマ処理室の状態を設定することが可能となるので、個々のプラズマ処理室９５，９６において、プラズマ空間で消費される実効的な電力等をそれぞれ略均一にすることができる。
その結果、複数のプラズマ処理室９５，９６に対して同一のプロセスレシピを適用して、略同一のプラズマ処理結果を得ること、つまり、複数のプラズマ処理室において例えば成膜をおこなった際に、膜厚、絶縁耐圧、エッチングレート等、略均一な膜特性の膜を得ることが可能となる。具体的には、上記のばらつきの値を０．０３より小さい範囲に設定することにより、略同一の条件で積層をおこなったプラズマ処理室において、膜厚のばらつきの値を±２％の範囲におさめることができる。
【０１６８】
さらに、このプラズマ処理装置９１においては、複数のプラズマ処理室９５，９６の前記整合回路２Ａの出力端子位置ＰＲにインピーダンス測定用端子（測定用端子）６１を設け、この測定用端子６１にインピーダンス測定器ＡＮを着脱自在に接続するとともに、スイッチＳＷ１，ＳＷ２を設けることで、複数のプラズマ処理室９５，９６のインピーダンス特性測定時において、第４実施形態のようにプラズマ処理室９５，９６と整合回路２Ａとを切り離すために、電力供給線と整合回路２Ａとを着脱する必要がない。このため、前記プラズマ処理室９５，９６のインピーダンス特性を測定する際のプロービングを容易におこなうことが可能となり、第１直列共振周波数ｆ０  の測定時における作業効率を向上することができる。
【０１６９】
さらに、これら複数のプラズマ処理室９５，９６においてインピーダンスＺ１  とインピーダンスＺ２  とを等しく設定することにより、個々のプラズマ処理室９５，９６において、プラズマ処理室９５，９６と整合回路２Ａとを着脱することなく、かつ、インピーダンス測定用プローブ１０５を着脱することなく、スイッチＳＷ１，ＳＷ２切り替えのみによりインピーダンス特性の測定および第１直列共振周波数ｆ０  の測定と、プラズマ処理装置の動作状態つまりプラズマ発生状態と、の切り替えを容易におこなうことが可能となる。
ここで、インピーダンス特性の測定および第１直列共振周波数ｆ０  の測定時において、スイッチＳＷ１，ＳＷ２切り替えのみにより複数のプラズマ処理室９５，９６を順に切り替えることができ、第１直列共振周波数ｆ０  の測定時における作業効率を向上することができる。
同時に、個々のインピーダンス測定端子６１に接続されたインピーダンス測定器ＡＮからのインピーダンス測定値を、複数のプラズマ処理室９５，９６において整合回路２Ａ出力側最終段の出力位置ＰＲから測定した値と同等と見なすことができるため、第１直列共振周波数ｆ０  の算出の補正が個々のプラズマ処理室９５，９６において不要となり、実測値の換算が不要となり、作業効率を向上し、第１直列共振周波数ｆ０  の測定をより正確におこなうことができる。
さらに、複数のプラズマ処理室９５，９６において第３実施形態と同様に、直列共振周波数ｆ０’と電力周波数ｆｅ  との値を比較した評価方法により、適切な是正措置を施すことで、直接プラズマを発光させる前記電極４，８の周波数特性をそれぞれのプラズマ処理室９５，９６において規定できるため、プラズマ発光空間に対して電力をより効果的に投入することができ、本実施形態のプラズマ処理装置９１全体でさらなる電力消費効率の向上か、または、処理効率の向上を図ることが可能となる。
【０１７０】
なお、このプラズマ処理装置において、２つのスイッチＳＷ１およびスイッチＳＷ２を設ける構成としたが、分岐点から出力端子位置ＰＲまでと分岐点からプローブまでのインピーダンスが等しく設定されていれば、よく、例えば１つのスイッチによりこれらの接続を切り替え可能とすることもできる。
【０１７１】
さらに、この各プラズマ処理室９５，９６においては、第１から第３の実施形態において採用した評価方法を併せて採用することができる。すなわち、各々の第１直列共振周波数ｆ０と、電力周波数ｆｅ  とを比較した評価基準を上記ばらつきｆ０１ｒに基づく評価と併用することにより、機差だけでなく、プラズマ処理室９５，９６の全体的な電気的高周波的な特性をそれぞれ適正な範囲に収めることができる。これにより、各プラズマ処理室９５，９６において第１から第３の実施形態と同様の効果を得ることが可能となる。しかも、これらを、複数のプラズマ処理室９５，９６において同時に実現することができる。
【０１７２】
以下、本発明に係るプラズマ処理システムの性能評価方法の第６実施形態を、図面に基づいて説明する。
［第６実施形態］
図２２は本実施形態の性能評価方法の対象となるプラズマ処理システムの概略構成を示す模式図である。
【０１７３】
このプラズマ処理システムは、図１８に示した第４実施形態におけるプラズマ処理装置と略同等のプラズマ処理装置７１，７１’と、図２１に示した第５実施形態におけるプラズマ処理装置と略同等のプラズマ処理装置９１と、を組み合わせて概略構成されている。先に説明した第４，第５実施形態におけるプラズマ処理装置の構成要素に対応するものには同一の符号を付してその説明を省略する。
【０１７４】
このプラズマ処理システムは、図２２に示すように、３つのプラズマ処理室９５，９６，９７を有するプラズマ処理装置７１、２つのプラズマ処理室９５，９６を有するプラズマ処理装置９１、および、３つのプラズマ処理室９５，９６，９７を有するプラズマ処理装置７１’が製造ラインの一部を構成するものとされている。
【０１７５】
このプラズマ処理システムの製造ラインにおける工程は、例えば、以下のようになっている。まず、プラズマ処理前処理をおこなった被処理基板１６に、プラズマ処理装置７１のプラズマ処理室９５において成膜処理をおこない、ついで、熱処理室７９において加熱処理をおこない、その後、レーザーアニール室７８においてアニール処理がおこなわれ、プラズマ処理室９６，９７において、被処理基板１６に順次第２，第３の成膜処理がおこなわれる。
次いで、プラズマ処理装置７１から搬出された被処理基板１６に、図示しない他の処理装置において、フォトリソグラフィー工程によりフォトレジストの形成をおこなう。
そして、プラズマ処理装置９１のプラズマ処理室９５においてプラズマエッチングをおこない、ついで、プラズマ処理室９６において、被処理基板１６に成膜処理をおこなう。
次いで、プラズマ処理装置９１から搬出された被処理基板１６に、図示しない他の処理装置において、レジストを剥離し、新たにフォトリソグラフィー工程によりパターニングする。
最後に、プラズマ処理装置７１’のプラズマチャンバ９５、９６，９７において被処理基板１６に順次第１，第２，第３の成膜処理がおこなわれ、被処理基板１６をプラズマ処理後処理へと送り、製造ラインにおける本実施形態のプラズマ処理システムにおける工程は終了する。
【０１７６】
このプラズマ処理システムは、図２２に示すように、各プラズマ処理室９５，９６，９７のインピーダンス測定用端子６１がスイッチＳＷ３を介してインピーダンス測定器ＡＮに接続されている。スイッチＳＷ３は各プラズマ処理室９５，９６，９７の測定時に測定対象のプラズマ処理室９５，９６，９７とインピーダンス測定器ＡＮとのみを接続して、それ以外のプラズマ処理室９５，９６，９７を切断するよう切り替えるスイッチとして設けられている。そして、この測定用端子６１から、スイッチＳＷ３までのインピーダンスが、各プラズマ処理室９５，９６，９７に対して等しくなるように、測定用の同軸ケーブルの長さが等しく設定されている。インピーダンス測定用端子６１には、図７に示す第５実施形態と同様にして、インピーダンス測定器ＡＮのプローブが着脱自在に接続されている。
【０１７７】
ここで、複数のプラズマ処理装置の各プラズマ処理室９５，９６，９７における第１直列共振周波数ｆ０  は、スイッチＳＷ３を切り替えることにより、第５実施形態と同様にして測定できる。そして、その複数のプラズマ処理室９５，９６，９７においては、第１直列共振周波数ｆ０  の納入後における値ｆ０１のうち、最大値ｆ０１ｍａｘと最小値ｆ０１ｍｉｎのばらつきｆ０１ｒが、
その最大値ｆ０１ｍａｘと最小値ｆ０１ｍｉｎによって、
ｆ０１ｒ＝（ｆ０１ｍａｘ−ｆ０１ｍｉｎ）／（ｆ０１ｍａｘ＋ｆ０１ｍｉｎ）
と定義され、
ｆ０１ｒの値が０．０３より小さい範囲の値であるかどうかにより、所望の性能を維持しているか否かが判断される。すなわち、ｆ０１ｒの値が０．０３より小さい場合には所望の性能を維持していると判断し、０．０３以上の場合には、所望の性能が維持できていないと判断する。そして、所望の性能が維持できていないと判断した場合には、ｆ０１ｒの値が０．０３より小さい値の範囲になるように、第１直列共振周波数ｆ０を是正する措置をとることができる。
ここで、第１直列共振周波数ｆ０は、及びその是正方法は、上記第１及び第２実施形態で説明したとおりであるので、その説明を省略する。
【０１７８】
本実施形態においては、第４，第５実施形態と同等の効果を奏するとともに、各プラズマ処理室９５，９６，９７の第１直列共振周波数ｆ０  の納入後における値ｆ０１のばらつきが、０．０３より小さい範囲の値かどうかを評価するので、適切な是正措置を施すことができ、複数のプラズマ処理装置７１，９１，７１’において、それぞれ、各プラズマ処理室９５，９６，９７に対する電気的高周波的な特性の機差をなくすことが可能となり、これにより、プラズマ処理システム全体においてインピーダンス特性を指標とする一定の管理幅内に複数のプラズマ処理室９５，９６，９７の状態を設定することが可能となるので、個々のプラズマ処理室９５，９６，９７において、プラズマ空間で消費される実効的な電力等をそれぞれ略均一にすることができる。
【０１７９】
その結果、プラズマ処理システム全体において複数のプラズマ処理室９５，９６，９７に対して同一のプロセスレシピを適用して、略同一のプラズマ処理結果を得ること、つまり、複数のプラズマ処理室９５，９６，９７において例えば成膜をおこなった際に、膜厚、絶縁耐圧、エッチングレート等、略均一な膜特性の膜を得ることが可能となる。具体的には、上記のばらつきの値を０．０３より小さい範囲に設定することにより、略同一の条件で積層をおこなったプラズマ処理室９５，９６，９７において、膜厚のばらつきの値を±２％の範囲におさめることができる。
そのため、従来考慮されていなかったプラズマ処理システムの全般的な電気的高周波的特性を設定することが可能となり、個々のプラズマチャンバ９５，９６，９７におけるプラズマ発生の安定性を期待することができる。その結果、動作安定性が高く、各プラズマ処理室９５，９６，９７で均一な動作が期待できるプラズマ処理システムを提供することが可能となる。
これにより、単一のプラズマ処理装置よりも多数のプラズマ処理室９５，９６，９７に対する膨大なデータから外部パラメータと実際の基板を処理するような評価方法による処理結果との相関関係によるプロセス条件の把握を不必要とすることができる。
【０１８０】
したがって、新規設置時や調整・保守点検時において、各プラズマ処理室９５，９６，９７ごとの機差をなくして処理のばらつきをなくし、各プラズマ処理室９５，９６，９７において同一のプロセスレシピにより略同一の処理結果を得るために必要な調整時間を、被処理基板１６への実際の成膜等による検査方法を採用した場合に比べて、第１直列共振周波数ｆ０  を測定することにより、大幅に短縮することができる。しかも、処理をおこなった基板の評価によりプラズマ処理システムの動作確認および、動作の評価をおこなうという２段階の方法でなく、ダイレクトにプラズマ処理システムの評価を、しかも、プラズマ処理システムの実機が設置してある場所で短時間におこなうことが可能である。その上、被処理基板１６への実際の成膜等による検査方法を採用した場合、別々におこなうしかなかった複数のプラズマ処理室９５，９６，９７に対する結果をほぼ同時に実現することができる。
このため、製造ラインを数日あるいは数週間停止してプラズマ処理システムの動作確認および、動作の評価をする必要がなくなり、製造ラインとしての生産性を向上することができる。また、このような調整に必要な検査用基板等の費用、この検査用基板の処理費用、および、調整作業に従事する作業員の人件費等、コストを削減することが可能となる。
【０１８１】
さらに、この各プラズマ処理室９５，９６，９７においては、第１から第３の実施形態において採用した評価方法を併せて採用することができる。すなわち、各々の第１直列共振周波数ｆ０と、電力周波数ｆｅ  とを比較した評価基準を上記ばらつきｆ０１ｒに基づく評価と併用することにより、機差だけでなく、プラズマ処理室９５，９６，９７の全体的な電気的高周波的な特性をそれぞれ適正な範囲に収めることができる。これにより、各プラズマ処理室９５，９６，９７において第１から第３の実施形態と同様の効果を得ることが可能となる。しかも、これらを、複数のプラズマ処理室９５，９６，９７において同時に実現することができる。
【０１８２】
さらに、スイッチＳＷ１，ＳＷ２を設けてこれらのインピーダンスＺ１  とインピーダンスＺ２  とを等しく設定し、同時に、測定用端子６１からスイッチＳＷ３までのインピーダンスを複数のプラズマ処理装置７１，７１’、９１における各プラズマチャンバ９５，９６，９７に対して等しくなるように設定することで、スイッチＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ３を切り替えるだけで、インピーダンス測定端子６１に接続されたインピーダンス測定器ＡＮからのインピーダンス測定値を、整合回路２Ａ出力側最終段の出力位置ＰＲから測定した値と同等と見なすことができる。
同時に、各プラズマチャンバ９５，９６，９７のインピーダンス特性に対する測定用端子６１からスイッチＳＷ３までのインピーダンス特性の差異を考慮する必要がなくなるため、複数のプラズマ処理装置７１，７１’、９１におけるプラズマチャンバ９５，９６，９７に対する第１直列共振周波数ｆ０  の算出の補正が不要となり、実測値の換算が不要となり、プラズマ処理システムの電気的高周波的特性の設定における作業効率を向上し、第１直列共振周波数ｆ０  の測定をより正確におこなうことができる。
【０１８３】
なお、本実施形態において、スイッチＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ３を測定しようとする各プラズマチャンバ９５，９６，９７に対する切り替え動作を連動させることが可能であり、また、２つのスイッチＳＷ１およびスイッチＳＷ２の構成を、分岐点から出力端子位置ＰＲまでと分岐点からプローブまでのインピーダンスが等しく設定される１つのスイッチとすることもできる。
【０１８４】
本発明における上記の第４から第６の各実施形態においては、図２３に示すように、プラズマ処理室９５，９６，９７に対応して、整合回路２Ａと、高周波電源１とが、それぞれ設けられて、プラズマ処理室９５，９６，９７における整合回路２Ａの接続位置に、ＳＷ４を介してインピーダンス測定器ＡＮを接続したが、図２４に示すように、個々のプラズマ処理室９５，９６，９７に対する整合回路２Ａ，２Ａ，２Ａが、同一の高周波電源１に接続される構成や、図２５に示すように、個々のプラズマ処理室９５，９６，９７が、同一の整合回路２Ａに接続される構成にも適用可能である。この場合、図２４に示すように、プラズマ処理室９５，９６，９７と整合回路２Ａとの接続位置に、ＳＷ４を介してインピーダンス測定器ＡＮが接続される。
【０１８５】
また、上記の第４から第６の各実施形態においては、高周波特性Ａとして第１直列共振周波数ｆ０  に対する設定を上記式（１０）の様におこなったが、これ以外にも、高周波特性Ａとして、共振周波数ｆ、前記高周波電力の周波数におけるインピーダンスＺ、前記高周波電力の周波数におけるレジスタンスＲ、または、前記高周波電力の周波数におけるリアクタンスＸのいずれかを採用し、前記式（１０Ａ）のように設定することができる。
【０１８６】
以下、本発明に係るプラズマ処理装置の性能管理システムを第７実施形態として、図面に基づいて説明する。
［第７実施形態］
図２６及び図２７は本実施形態に係るプラズマ処理装置の性能管理システムのシステム構成図、図２８は、同性能管理システムで実現される評価情報提供方法を示すフローチャートである。
【０１８７】
図２６に示す性能管理システムは、サーバ２１０と、納入先の入出力装置２２０と、これらサーバ２１０と入出力装置２２０とを接続する通信回線２３０と、サーバーに接続された搬送元の出力装置２４０とから構成されている。また、図２７に示す性能管理システムは、図２６の構成に加えて、プラズマ処理装置２５０に接続されたインピーダンス測定器２６０とから構成されている。本管理システムの対象となるプラズマ処理装置に特に限定はなく、第１から第５の実施形態において示したプラズマ処理装置又は第６の実施形態において示したプラズマ処理システムにおけるプラズマ処理装置等が対象となる。
【０１８８】
サーバ２１０は、プラズマ処理装置のメーカー、流通業者、メンテナンス業者等の搬送元が管理するもので、その設置場所も搬送元とすることが望ましい。また、このサーバ２１０は、同時に複数の納入先の入出力装置２２０に対してサービスを提供するための高速な処理能力を持った計算機と、多様なサービスと納入先のプラズマ処理装置に関する情報を格納するための大容量記憶装置を備えたものであることが望ましい、具体的には、大型計算機、高性能ワークステーション等がよい。
サーバ２１０は、計算機２１１およびこれに接続された記憶装置２１２と、通信回線２３０と接続するための送受信手段２１３とから構成されている。また、このサーバーに、搬送元に設置された出力装置２４０が接続されている。
【０１８９】
また、納入先の入出力装置２２０は、プラズマ処理装置やプラズマ処理システムの納入先の顧客や、納入先を訪れたサービスマン等が利用するもので、納入先に設置されるか、又は納入先に携帯されて利用される。この入出力装置は通信回線２３０を利用してサーバー２１０と信号の授受を行えるものであれば特に限定はなく、具体的にはパーソナルコンピュータ、専用端末機、電話機等が利用できる。
納入先入出力装置２２０は、本体２２１、および通信回線２３０と接続するための送受信手段２２３とから構成されている。
【０１９０】
通信回線２３０は、その媒体や形式に特に限定はなく、離間した地点におかれたサーバー２１０と入出力装置２２０との間で信号の授受ができるものであればよい。すなわち、ケーブル回線、光ファイバー回線、衛星回線等の種々の有線や無線の通信媒体を適宜使用できると共に、電話回線網、インターネット網等種々の通信形式を活用できる。
【０１９１】
以下、図２６及び図２７を参照しながら、図２８のフローチャートに従い、本実施形態における処理動作を説明する。
納入先の顧客や、納入先を訪れたサービスマン等、本性能管理システムの利用者は、同システムで性能評価を開始するにあたり、まず、納入先に納入された、あるいは使用中のプラズマ処理装置について、納入後のプラズマ処理室の第１直列共振周波数ｆ０１を測定し、この値を入出力装置２２０から入力する。また、図２７に示す性能管理システムの場合には、プラズマ処理装置２５０に接続されたインピーダンス測定器２６０から直接測定値が入力される。
この入力されたｆ０１の値は、通信回線２３０を通じてサーバ２１０に送信される（ステップ３０１）。
【０１９２】
これに対しサーバ２１０は、｛ｆ０１×３｝を計算する（ステップ３０２）。
次にサーバ２１０は、記憶装置２１２に格納されたプラズマ処理室の電極に供給される高周波電源の電力周波数ｆｅの情報５００を呼び出し、この値と先に計算した｛ｆ０１×３｝とを比較し、当該プラズマ処理装置の性能を評価する。具体的には、｛ｆ０１×３｝が前記電力周波数ｆｅより大きな値である場合には、所定の性能を維持していると判断し、｛ｆ０１×３｝が前記電力周波数ｆｅ以下である場合には、所定の性能を維持していないと判断する（ステップ３０３）。
なお、実施形態４から実施形態６に示した複数のプラズマ処理室を有するプラズマ処理装置又はプラズマ処理システムから複数のｆ０１の入力を受けた場合には、すべての｛ｆ０１×３｝が前記電力周波数ｆｅより大きな値である場合のみ、所定の性能を維持していると判断し、それ以外の場合には、所定の性能を維持していないと判断する。
【０１９３】
次にサーバ２１０は、上記性能評価の結果を納入先の入出力装置２２０、及び搬送元の出力装置２４０の双方に提供する（ステップ３０４）。
この内、入出力装置２２０に対しては、プリントアウトや画面表示の指令信号を送信したり、あるいは、音声信号を送信したりする。具体的には、所定の性能を維持していると判断した場合には、例えば「ご照会の装置の性能は、適切に維持されておりますので、そのままご使用ください。」といったメッセージを、所定の信号を維持していないと判断した場合には、例えば「ご照会の装置の性能は、適切に維持されていない恐れがありますので、取扱説明書に従い調整をお願いします。」といったメッセージを、プリントアウト、画面表示、音声等で顧客やサービスマン等に伝えられるようにする。
また、出力装置２４０に対しても、所定の信号を維持していないと判断した場合に、プリントアウトや画面表示、信号出力等の指令信号を送信したり、あるいは、警報音発生信号を送信したりする。そして、出力装置２４０から、プリントアウト、画面表示、信号出力、あるいは警報音等の保守作業命令を出力する。なお、搬送元において、いずれの納入先のどの装置が保守を必要としているかを判断するために、入出力装置２２０からプラズマ処理室の固有番号を受信し、これを出力装置２４０から出力することが望ましいが、入出力装置２２０の固有番号、例えばアドレス番号や電話番号等から判断して、その判断結果を出力装置２４０から出力してもよい。
【０１９４】
この結果、納入先の顧客や納入先を訪問したサービスマン等は、プラズマ処理装置を実際に動作させて成膜された基板を検査するという作業を行うことなく、直ちに当該プラズマ装置の性能を評価基準１に基づき評価することができる。
しかも、処理をおこなった基板の評価によりプラズマ処理装置の動作確認および、動作の評価をおこなうという２段階の方法でなく、ダイレクトにプラズマ処理装置の評価を、しかも、プラズマ処理装置のプラズマチャンバＣＮが設置してある場所で短時間におこなうことが可能である。その上、被処理基板への実際の成膜等による検査方法を採用した場合、別々に行うしかなかった複数のプラズマチャンバを有するプラズマ処理装置の場合についても、結果をほぼ同時に得ることができる。
このため、納入後の装置性能について、簡便かつ短時間で確認でき、問題がある場合には、問題発見から改善までのサイクルを早めることができるので、装置の立ち上げ期間を短縮することができる。また、このような確認に必要な検査用基板等の費用、この検査用基板の処理費用、および、確認作業に従事する作業員の人件費等、コストを削減することが可能となる。
【０１９５】
また、搬送元のメーカー等においては、納入先のプラズマ処理装置に問題が生じた場合には、保守作業命令を受けて直ちにこれを知ることができるので、顧客に対するアフタサービス体制を充実させることができる。
【０１９６】
以下、本発明に係るプラズマ処理装置の性能管理システムの他の実施形態を第８実施形態として、図面に基づいて説明する。
［第８実施形態］
図２９は本実施形態に係るプラズマ処理装置の性能管理システムのシステム構成図、図３０は、同性能管理システムで実現される評価情報提供方法を示すフローチャートである。なお、両図において、図２６から図２８と同一の構成要素には、同一の符号を附してその説明を省略する。
【０１９７】
図２９に示す性能管理システムは、サーバ２１０と、納入先の入力装置２７０と、これらサーバ２１０と入力装置２７０とを接続する通信回線２３０と、サーバーに接続された搬送元の出力装置２４０とから構成されている。本管理システムの対象となるのは、プラズマ処理室を複数有するプラズマ処理装置又はプラズマ処理システムで、第４から第６の実施形態において示したプラズマ処理装置又はプラズマ処理システム等が対象となる。
【０１９８】
以下、図２９を参照しながら、図３０のフローチャートに従い、本実施形態における処理動作を説明する。
納入先の顧客や、納入先を訪れたサービスマン等、本性能管理システムの納入先側における利用者は、同システムで性能評価を開始するにあたり、まず、入力装置２７０から、納入先に納入されたプラズマ処理装置について、プラズマ処理室の固有番号Ｓ及び各プラズマ処理室の高周波特性Ａ１の測定値を入力する。
この入力された固有番号Ｓ及びＡ１の値は、通信回線２３０を通じてサーバ２１０に送信される（ステップ４０１）。
なお、プラズマ処理装置に接続されたインピーダンス測定器を入力装置２７０に接続しておいて、サーバー２１０からの指令により自動的にプラズマ処理室の固有番号Ｓ及び各プラズマ処理室の高周波特性Ａ１の測定値が入力されるようにしてもよい。
【０１９９】
これに対しサーバ２１０は、高周波特性Ａ１の情報の中から、最大値Ａ１ｍａｘ及び最小値Ａ１ｍｉｎを検索して対応する固有番号Ｓと共に特定する（ステップ４０２）。
次いで、下記式に従いばらつきＡ１ｒを計算する（ステップ４０３）。
Ａ１ｒ＝（Ａ１ｍａｘ−Ａ１ｍｉｎ）／（Ａ１ｍａｘ＋Ａ１ｍｉｎ）
【０２００】
次にサーバ２１０は、Ａ１ｒと所定の価、例えば０．１とを比較し、当該プラズマ処理装置の性能を評価する。具体的には、Ａ１ｒが所定の価より小さい値の場合には、当該プラズマ処理装置が所定の性能を維持していると判断する。また、Ａ１ｒが所定の価以上の値の場合には、当該プラズマ処理装置が所定の性能を維持していないと判断する（ステップ４０４）。
【０２０１】
次にサーバ２１０は、上記性能評価の結果所定の性能を維持していないと判断した場合に、搬送元の出力装置２４０に評価情報として、保守作業命令を当該最大値Ａ１ｍａｘ又は最小値Ａ１ｍｉｎを与えたプラズマ処理室の固有番号と共に提供する（ステップ４０５）。
具体的には、サーバ２１０は、出力装置２４０に対して、プリントアウトや画面表示の指令信号を送信したり、あるいは、警報音発生信号を送信したりする。そして、搬送元において、保守作業命令と共に、いずれの納入先のどの装置が保守を必要としているかを判断するために必要な情報として、該当するプラズマ処理室の固有番号が出力される。
【０２０２】
本実施形態のプラズマ処理装置の管理システムにおいては、搬送元において、何れのプロセス処理装置に問題が生じたか、あるいは何れのプロセス処理装置のいずれのプロセス処理室に問題が生じたか等を直ちに把握できる。
【０２０３】
すなわち、メーカーサービス会社等の搬送元においては、納入したプラズマ処理装置やプラズマ処理システムを実際に動作させて成膜された基板を検査するという作業を行うことなく、直ちに当該プラズマ装置の性能を評価基準２に基づき評価することができる。
しかも、処理をおこなった基板の評価によりプラズマ処理装置等の動作確認および、動作の評価をおこなうという２段階の方法でなく、ダイレクトにプラズマ処理装置の評価を、しかも、プラズマ処理装置のプラズマチャンバＣＮが設置してある場所で短時間におこなうことが可能である。その上、被処理基板への実際の成膜等による検査方法を採用した場合、別々に行うしかなかった複数のプラズマチャンバを有するプラズマ処理装置の場合についても、結果をほぼ同時に得ることができる。
このため、納入後の装置性能について、簡便かつ短時間で確認でき、問題がある場合には、問題発見から改善までのサイクルを早めることができるので、装置の立ち上げ期間を短縮することができる。また、このような確認に必要な検査用基板等の費用、この検査用基板の処理費用、および、確認作業に従事する作業員の人件費等、コストを削減することが可能となる。
【０２０４】
また、搬送元のメーカー等において、納入先のプラズマ処理装置に問題が生じた場合には、保守作業命令を受けて直ちにこれを知ることができるので、顧客に対するアフタサービス体制を充実させることができる。
【０２０５】
以下、本発明に係るプラズマ処理装置の性能管理システムの他の実施形態を第９実施形態として説明する。
［第９実施形態］
本実施形態に係るプラズマ処理装置の性能管理システムのシステム構成もまた、第７実施形態の図２７で示される。
本実施形態と第７実施形態との構成上の相違は、サーバ２１０が、エンジニア情報６０１として、各々所定の値の範囲によって決められた故障レベルを含む状態レベルと、故障レベルに対応して登録されたサービスエンジニアの情報を記憶しているものである点である。表１は、エンジニア情報６０１の一例を示すものである。
【０２０６】
【表１】
0003600146.tif 000004
【０２０７】
以下、図２７を参照しながら、図４０のフローチャートに従い、本実施形態における処理動作を説明する。図４０のフローチャートにおけるステップ５０１及びステップ５０２は、各々図２０のステップ４０１、４０２と同一なのでその説明を省略する。
【０２０８】
ステップ５０２で｜ΔＡ｜を求めた後、サーバ２１０は、｜ΔＡ｜をエンジニア情報６０１に照らして、どの状態レベルにあるかを評価する。そして、｜ΔＡ｜のレベルが、いずれかの故障レベルであると評価した際は、当該故障レベルに対応してエンジニア情報６０１に登録されているサービスエンジニアの情報を呼び出す。（ステップ５０３）。
【０２０９】
次にサーバ２１０は、上記性能評価の結果として、状態レベルを納入先の入出力装置２２０、及び搬送元の出力装置２４０の双方に提供する（ステップ４０４）。
この内、入出力装置２２０に対しては、状態レベル（故障レベル）をプリントアウトや画面表示の指令信号を送信したり、あるいは、音声信号を送信したりすることにより発信する。
具体的には、状態レベルは「最良」であると判断した場合には、例えば「ご照会の装置の性能は、適切に維持されておりますので、そのままご使用ください。」といったメッセージを、状態レベルは「良」であると判断した場合には、例えば「ご照会の装置の性能は、適切に維持されておりますが、念のため点検を受けることをお勧めします。」といったメッセージを、状態レベルが何れかの故障レベルであると判断した場合には、例えば「ご照会の装置は、故障レベル２に該当します。性能が適切に維持されていない恐れがありますので、サービスエンジニアに調整を依頼してください。」といったメッセージを、プリントアウト、画面表示、音声等で顧客やサービスマン等に伝えられるようにする。
また、サーバ２１０は、出力装置２４０に対しては、状態レベルがいずれかの故障レベルに該当する場合、状態レベルだけでなく、当該故障レベルに対応したサービスエンジニアの情報と共に保守作業命令を出力する。
【０２１０】
本実施形態のプラズマ処理装置の管理システムによれば、搬送元において、保守作業命令が出力されると共に、どの程度の故障レベルかや、その故障レベルに応じてランク分けされたサービスエンジニアの情報も出力される。
そのため、このシステムによれば、遠隔地に納入したプラズマ処理装置であっても、搬送元において、その故障レベルを把握することができる。そして、その故障レベルに応じて、教育訓練度合の異なるサービスエンジニアを派遣することができる。従って、人材活用が合理化できると共に、迅速、かつ、的確なサポートが可能となる。すなわち、装置納入後のフィールドサポート体制の合理化が可能となるものである。
【０２１１】
以下、本発明に係るプラズマ処理装置の性能確認システムの実施形態を第１０実施形態として、図面に基づいて説明する。なお、以下の説明では、購入発注者を単に発注者、また販売保守者を単に保守者という。
［第１０実施形態］
図３３は本実施形態のプラズマ処理装置の性能確認システムのシステム構成図である。
この図において、参照符号Ｃ１  ，Ｃ２  ，……はクライアント・コンピュータ（以下、単にクライアントという）、Ｓはサーバ・コンピュータ（性能状況情報提供手段，以下単にサーバという）、Ｄはデータベース・コンピュータ（基準情報記憶手段，以下単にデータベースという）、またＮは公衆回線である。クライアントＣ１  ，Ｃ２  ，……とサーバＳとデータベースＤとは、この図に示すように公衆回線Ｎを介して相互に接続されている。
【０２１２】
クライアントＣ１  ，Ｃ２  ，……は、一般に広く普及しているインターネットの通信プロトコル（ＴＣＰ／ＩＰ等）を用いてサーバＳと通信する機能（通信機能）を備えたものである。このうち、クライアントＣ１  （発注者側情報端末）は、発注者が保守者に発注したプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムのプラズマチャンバの性能状況を公衆回線Ｎを介して確認するためのコンピュータであり、サーバＳが保持する「プラズマチャンバの性能情報提供ページ」を情報提供ページ（Ｗｅｂページ）として閲覧する機能（プラズマチャンバの性能状況情報閲覧機能）を備えたものである。また、クライアントＣ２  （保守者側情報端末）は、保守者が上記「性能状況情報」の一部である「第１直列共振周波数ｆ０  情報」をサーバＳにアップロードするとともに、クライアントＣ１  を介して発注者から発せられた電子メールを受信するためのものである。
ここで、プラズマ処理装置又はプラズマ処理システムは、上記の第１〜第３実施形態に準じる構成とされるとともに、チャンバ数等の構成条件は、任意に設定可能なものとされる。
【０２１３】
上記サーバＳの通信機能は、公衆回線Ｎがアナログ回線の場合にはモデムによって実現され、公衆回線ＮがＩＳＤＮ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｓｅｒｖｉｃｅｓ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｎｅｔｗｏｒｋ）等のデジタル回線の場合には専用ターミナルアダプタ等によって実現される。サーバＳは、性能状況情報提供用のコンピュータであり、上記クライアントＣ１  から受信される閲覧要求に応じて、性能状況情報をインターネットの通信プロトコルを用いてクライアントＣ１  に送信する。ここで、上述した発注者が保守者からプラズマ処理装置を納入された時点では、性能状況情報を閲覧するための個別の「閲覧専用パスワード」が保守者から個々の発注者に提供されるようになっている。このサーバＳは、正規な閲覧専用パスワードが提供された場合のみ、性能状況情報のうち動作保守状況情報をクライアントＣ１  に送信するように構成されている。
【０２１４】
ここで、具体的詳細については後述するが、上記「性能状況情報」は、保守者の販売するプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムにおけるプラズマチャンバの機種に関する情報、各機種における仕様書としての品質性能情報、納入された各実機における品質性能を示すパラメータの情報、および、このパラメータ、メンテナンスの履歴情報等から構成されている。
このうち、各実機における品質性能、パラメータ、メンテナンスの履歴情報については、「閲覧専用パスワード」が提供された発注者のみに閲覧可能となっている。
【０２１５】
また、これら「性能状況情報」は、保守者または発注者からサーバＳに提供されるとともに実際の動作・保守状況を示す「動作保守状況情報」と、データベースＤに蓄積されると共にカタログとして未購入のクライアントが閲覧可能な「性能基準情報」とから構成されるものである。「性能基準情報」は、保守者が各プラズマチャンバによっておこなうプラズマ処理に対して客観的に性能を記述するためのものであり、プラズマＣＶＤ、スパッタリングなどの成膜処理においては、成膜状態を予測可能とするものである。
【０２１６】
本実施形態では、これら「性能基準情報」は、データベースＤに蓄積されるようになっている。
サーバＳは、クライアントＣ１  から受信される「性能状況情報」の閲覧要求に対して、データベースＤを検索することにより必要な「性能基準情報」を取得して、「性能状況情報提供ページ」として発注者のクライアントＣ１  に送信するように構成されている。また、サーバＳは、「閲覧専用パスワード」が提供された発注者から受信される「性能状況情報」の閲覧要求に対しては、同様に、データベースＤを検索することにより必要な「性能基準情報」を取得するとともに、当該「性能基準情報」にクライアントＣ２  を介して保守者から提供された「動作保守状況情報」を組み合わせて「性能状況情報」を構成し、「性能状況情報提供ページ」として発注者のクライアントＣ１  に送信するように構成されている。
【０２１７】
データベースＤは、このような「性能状況情報」を構成する「性能基準情報」をプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムのプラズマチャンバの機種毎に記憶蓄積するものであり、サーバＳから受信される検索要求に応じてこれら「性能基準情報」を読み出してサーバＳに転送する。図３３では１つのサーバＳのみを示しているが、本実施形態では、汎用性のある「性能基準情報」を保守者が複数箇所から管理する複数のサーバ間で共通利用することが可能なように、これらサーバとは個別のデータベースＤに「性能基準情報」を蓄積するようにしている。
【０２１８】
次に、このように構成されたプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムの性能確認システムの動作について、図３４に示すフローチャートに沿って詳しく説明する。なお、このフローチャートは、上記サーバＳにおける「性能状況情報」の提供処理を示すものである。
【０２１９】
通常、保守者は、不特定の発注者に対して販売するプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムにおける各プラズマチャンバの「性能状況情報」、特に「性能基準情報」を購入時の指標として提示することになる。一方、発注者は、この「性能基準情報」によってプラズマチャンバＣＮにどのような性能、つまりどのようなプラズマ処理が可能なのかを把握することができる。
【０２２０】
また、保守者は、特定の発注者に対して納入したプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムにおけるプラズマチャンバの「性能状況情報」のうち、「性能基準情報」を使用時の指標として提示するとともに、「動作保守状況情報」を動作状態のパラメータとして提示することになる。一方、ユーザーとしての発注者は、「性能基準情報」と「動作保守状況情報」とを比較することによってプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムにおける各プラズマチャンバの動作確認をおこなうとともにメンテナンスの必要性を認識し、かつ、プラズマ処理状態の状態を把握することができる。
【０２２１】
例えば、プラズマ処理装置またはプラズマ処理システムを保守者から購入しようとする発注者は、サーバＳにアクセスすることにより、以下のようにして自らが購入しようとするプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムの「性能状況情報」の実体を容易に確認することができる。
【０２２２】
まず、発注者がアクセスしようとした場合には、予め設定されたサーバＳのＩＰアドレスに基づいてクライアントＣ１  からサーバＳに表示要求が送信される。一方、サーバＳは、上記表示要求の受信を受信すると（ステップＳ１）、カタログページＣＰをクライアントＣ１  に送信する（ステップＳ２）。
図３５は、このようにしてサーバＳからクライアントＣ１  に送信されたメインページＣＰの一例である。このカタログページＣＰには、保守者が販売する多数の機種毎にその「性能状況情報」のうち「性能基準情報」を表示するための機種選択ボタンＫ１，Ｋ２，Ｋ３，Ｋ４…、と、後述するように、プラズマ処理装置またはプラズマ処理システムを保守者から納入された発注者の使用するカスタマーユーザ画面の表示要求をするためのカスタマーユーザボタンＫ４から構成されている。
【０２２３】
例えば、発注者がクライアントＣ１  に備えられたポインティングデバイス（例えばマウス）等を用いることによって上記プラズマ処理装置またはプラズマ処理システムの機種を選択指定した後、機種選択ボタンＫ１〜Ｋ４…のいずれかを選択指定すると、この指示は、「性能状況情報」のうち「性能基準情報」の表示要求としてサーバＳに送信される。
【０２２４】
この表示要求を受信すると（ステップＳ３）、サーバＳは、選択された機種のうち、表示要求された情報に該当するサブページをクライアントＣ１  に送信する。すなわち、サーバＳは、「性能基準情報」の表示が要求された場合（Ａ）、図３６に示すような選択された機種を指定することによってデータベースＤから「真空性能」「給排気性能」「温度性能」「プラズマ処理室電気性能」等のデータ、およびこれらのデータにおけるプラズマ処理装置またはプラズマ処理システム毎の、各パラメータのばらつきの値のデータを取得し、これらの掲載された仕様書ページＣＰ１をクライアントＣ１  に送信する（ステップＳ４）。
【０２２５】
仕様書ページＣＰ１には、図３６に示すように、選択された機種を示す機種種別Ｋ６、真空性能表示欄Ｋ７、給排気性能表示欄Ｋ８、温度性能表示欄Ｋ９、プラズマ処理室電気性能表示欄Ｋ１０から構成されている。これらは、選択された機種のプラズマチャンバにおける「性能基準情報」に対応するものであり、それぞれ、
真空性能表示欄Ｋ７には、
到達真空度  １×１０−４Ｐａ以下
操作圧力    ３０〜３００Ｐａ
給排気性能表示欄Ｋ８には、
0003600146.tif 000005
温度性能表示欄Ｋ９には、
ヒータ設定温度    ２００〜３５０±１０℃
チャンバ設定温度  ６０〜８０±２．０℃
の項目が記載されている。
ここで、ＳＣＣＭ（ｓｔａｎｄａｒｄ  ｃｕｂｉｃ  ｃｅｎｔｉｍｅｔｅｒｓ  ｐｅｒ  ｍｉｎｕｔｅ）  は、標準状態（０℃、１０１３ｈＰａ）に換算した際におけるガス流量を表しており、ｃｍ３／ｍｉｎ  に等しい単位を表している。
【０２２６】
そしてこれらのパラメータＰに対して、それぞれのプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムにおける各プラズマチャンバ毎のばらつきを、それぞれのパラメータＰのうちその最大値Ｐｍａｘ  と最小値Ｐｍｉｎ  のばらつきを、以下の式（１０Ｂ）
（Ｐｍａｘ  −Ｐｍｉｎ  ）／（Ｐｍａｘ  ＋Ｐｍｉｎ  ）            （１０Ｂ）
として定義し、これらのばらつきの値の各プラズマ処理装置またはプラズマ処理システムにおける設定範囲をそれぞれのパラメータの項目に対して表示する。
【０２２７】
また、プラズマ処理室電気性能表示欄Ｋ１０には、前述した第１〜第４実施形態で説明した第１直列共振周波数ｆ０  の値、および、この設定範囲と電力周波数ｆｅ  との関係が記載される。また、これ以外にも、電力周波数ｆｅ  におけるプラズマチャンバのレジスタンスＲおよびリアクタンスＸ、そして、プラズマ励起電極４とサセプタ電極８間のプラズマ容量Ｃ０  プラズマ励起電極４と、プラズマチャンバの接地電位とされる各部との間のロス容量ＣＸ  等の値が記載される。また、仕様書ページＣＰ１には、「プラズマ処理装置またはプラズマ処理システムの納入時においては各パラメータ値がこのページに記載された設定範囲内にあることを保証します」という性能保証の文言が記載される。
【０２２８】
これにより、従来は、考慮されていなかったプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムの全体的な電気的高周波的な特性およびプラズマチャンバの電気的特性のばらつきを購入時の新たなる指標として提示することができる。また、クライアントＣ１  またはクライアントＣ２  において、これら性能状況情報をプリンタ等に出力しハードコピーを作ることにより、上記の性能状況情報内容の記載されたカタログまたは仕様書として出力することが可能である。さらに、第１直列共振周波数ｆ０  、レジスタンスＲ、アクタンスＸ、容量Ｃ０  ，ＣＸ  等の値および上記性能保証の文言をクライアントＣ１  …の端末、カタログまたは仕様書等に提示することにより、発注者が、電機部品を吟味するようにプラズマチャンバＣＮの性能を判断して保守者から購入することが可能となる。
【０２２９】
なお、サーバＳは、このようなサブページのクライアントＣ１  への送信が完了した後に、クライアントＣ１  から接続解除要求が受信されない場合は（ステップＳ５）、次のサブページの表示要求を待って待機し（ステップＳ３）、一方、クライアントＣ１  から接続解除要求が受信された場合には（ステップＳ５）、当該クライアントＣ１  との交信を終了する。
【０２３０】
また、プラズマ処理装置またはプラズマ処理システムを保守者から納入した発注者は、サーバＳにアクセスすることにより、以下のようにして自らが購入したプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムにおけるプラズマチャンバの「性能状況情報」の実体を容易に確認することができる。
この発注者は保守者と売買契約を締結した時点で、発注者個別に対応するとともに、購入したプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムの機種番号、およびそれぞれのプラズマチャンバの機種番号にも対応可能なカスタマーユーザＩＤと、プラズマ処理装置またはプラズマ処理システムおよびその各プラズマチャンバの「動作保守状況情報」を閲覧するための個別の「ユーザー専用パスワード（閲覧専用パスワード）」が保守者から個々の発注者に提供されるようになっている。このサーバＳは、正規な閲覧専用パスワードが提供された場合のみ、「動作保守状況情報」をクライアントＣ１  に送信するように構成されている。
【０２３１】
まず、発注者がアクセスしようとした場合には、前述のカタログページＣＰにおいて、カスタマーユーザボタンＫ５を指定操作することにより、発注者はカスタマーユーザ画面の表示要求をサーバＳに送信する。
一方、サーバＳは、上記表示要求の受信を受信すると（ステップＳ３−Ｂ）、当該発注者に対して、「閲覧専用パスワード」の入力を促す入力要求としてのサブページをクライアントＣ１  に送信する（ステップＳ６）。図３７はカスタマーユーザページＣＰ２を示すものであり、このカスタマーユーザページＣＰ２はカスタマーユーザＩＤ入力欄Ｋ１１、およびパスワード入力欄Ｋ１２から構成される。
【０２３２】
この入力要求としてのカスタマーユーザページＣＰ２はクライアントＣ１  に表示されるので、発注者は、当該入力要求に応答してプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムおよびその各プラズマチャンバの識別を可能とするために、保守者から供与された「閲覧専用パスワード」を「カスタマーユーザＩＤ」とともにクライアントＣ１  に入力することになる。
ここで、発注者は、図３７に示すカスタマーユーザＩＤ入力欄Ｋ１１およびパスワード入力欄Ｋ１２に、それぞれ、カスタマーコードＩＤとパスワードを入力する。サーバＳは、クライアントＣ１から正規の「カスタマーユーザＩＤ」および「閲覧専用パスワード」が受信された場合のみ（ステップＳ７）、当該「閲覧専用パスワード」に予め関連付けられた「動作保守状況情報」のサブページをクライアントＣ１  に送信する（ステップＳ９）。
【０２３３】
すなわち、「動作保守状況情報」の閲覧は、上記プラズマ処理装置またはプラズマ処理システムの購入契約を締結した特定の発注者のみ、つまり正規の「閲覧専用パスワード」を知り得るもののみに許可されるようになっており、当該発注者以外の第３者がサーバＳにアクセスしても「動作保守状況情報」を閲覧することができない。通常、保守者は同時に多数の発注者との間で納入契約を締結するとともに、各々の発注者へ複数のプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムの納入を同時に並行して行う場合があるが、上記「閲覧専用パスワード」は、個々の発注者毎および各プラズマ処理装置またはプラズマ処理システムおよびその各プラズマチャンバ毎に相違するものが提供されるので、個々の発注者は、各プラズマ処理装置またはプラズマ処理システムおよびその各プラズマチャンバに対して、それぞれ自らに提供された「閲覧専用パスワード」に関連付けられた「動作保守状況情報」を個別に閲覧することができる。
【０２３４】
したがって、納入に係わる秘密情報が発注者相互間で漏洩することを確実に防止することができるとともに、複数のプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムが納入された場合にでもそれぞれのプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムおよびその各プラズマチャンバを個別に識別可能とすることができる。なお、サーバＳは、正規の「閲覧専用パスワード」が受信されない場合には（ステップＳ７）、接続不許可メッセージをクライアントＣ１  に送信して（ステップＳ８）、発注者に「閲覧専用パスワード」を再度入力するように促す。発注者が「閲覧専用パスワード」を誤入力した場合には、この機会に正規の入力を行うことにより「動作保守状況情報」を閲覧することができる。
【０２３５】
このＩＤ、パスワードが確認されると（ステップＳ７）、サーバＳは、表示要求された情報に該当するサブページをデータベースＤから読み出してクライアントＣ１  に送信する。すなわち、サーバＳは、ユーザＩＤによって識別された個別のプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムおよびその各プラズマチャンバに対する「性能基準情報」「動作保守状況情報」の表示が要求された場合、機種を指定することによってデータベースＤから「真空性能」「給排気性能」「温度性能」「プラズマ処理室電気性能」等のデータを取得し、これらの掲載された仕様書ページＣＰ３をクライアントＣ１  に送信する（ステップＳ９）。
【０２３６】
図３８は、このようにしてサーバＳからクライアントＣ１  に送信された「動作保守状況情報」のサブページＣＰ３である。このメンテナンス履歴ページＣＰ３には、図３８に示すように、納入されたプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムおよびその各プラズマチャンバの機械番号を示すロット番号表示Ｋ１３、真空性能表示欄Ｋ７、給排気性能表示欄Ｋ８、温度性能表示欄Ｋ９、プラズマ処理室電気性能表示欄Ｋ１０、そして、真空性能メンテナンス欄Ｋ１４、給排気性能メンテナンス欄Ｋ１５、温度性能メンテナンス欄Ｋ１６、プラズマ処理室電気性能メンテナンス欄Ｋ１７から構成されている。これらは、納入された実機の「性能基準情報」および「動作保守状況情報」に対応するものであり、それぞれ、真空性能表示欄Ｋ７、真空性能メンテナンス欄Ｋ１４には、
到達真空度  １．３×１０−５Ｐａ以下
操作圧力    ２００Ｐａ
給排気性能表示欄Ｋ８、給排気性能メンテナンス欄Ｋ１５には、
0003600146.tif 000006
温度性能表示欄Ｋ９、温度性能メンテナンス欄Ｋ１６には、
ヒータ設定温度    ３０２．３±４．９℃
チャンバ設定温度  ８０．１±２．１℃
の項目が記載されている。
【０２３７】
そしてこれらのパラメータＰに対して、それぞれのプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムにおける各プラズマチャンバ毎のばらつきを、それぞれのパラメータＰのうちその最大値Ｐｍａｘ  と最小値Ｐｍｉｎ  のばらつきを、以下の式（１０Ｂ）
（Ｐｍａｘ  −Ｐｍｉｎ  ）／（Ｐｍａｘ  ＋Ｐｍｉｎ  ）            （１０Ｂ）
として定義し、これらのばらつきの値の各プラズマ処理装置またはプラズマ処理システムにおける設定範囲をそれぞれのパラメータの項目に対して表示する。
【０２３８】
さらに、このサブページＣＰ３には、各プラズマチャンバ毎のメンテナンス欄を表示するための「詳細」ボタンＫ１８が各メンテナンス履歴欄Ｋ１４，Ｋ１５，Ｋ１６，Ｋ１７ごとに設けられ、発注者が、当該情報を閲覧可能となっている。
【０２３９】
発注者が、当該詳細欄により表示要求をおこなった場合には、メンテナンス履歴の詳細情報の記載されたメンテナンス詳細ページＣＰ４がデータベースＤからクライアントＣ１  に送信する。
【０２４０】
図３９は、このようにしてサーバＳからクライアントＣ１  に送信された「詳細メンテナンス情報」のサブページＣＰ４である。
図には電気性能メンテナンスのページを示している。
このメンテナンス履歴ページＣＰ３には、図３９に示すように、納入されたプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムおよびその各プラズマチャンバの機械番号を示すロット番号表示Ｋ１３、選択された各メンテナンス欄が表示される。ここで、各メンテナンス欄としては、各プラズマチャンバに対応するパラメータＰのメンテナンス時の値と、これらのパラメータＰのばらつきの値とが、プラズマ処理装置またはプラズマ処理システム、および、各プラズマチャンバ毎のロット番号毎に表示される。
【０２４１】
また、プラズマ処理室電気性能表示欄Ｋ１０およびプラズマ処理室電気性能メンテナンス欄Ｋ１７には、前述した第１〜第４実施形態で説明したように、第１直列共振周波数ｆ０  の値、および、この設定範囲と電力周波数ｆｅ  との関係が記載される。また、これ以外にも、電力周波数ｆｅ  におけるプラズマチャンバのレジスタンスＲおよびアクタンスＸ、そして、プラズマ励起電極４とサセプタ電極８間のプラズマ容量Ｃ０  プラズマ励起電極４と、プラズマチャンバの接地電位とされる各部との間のロス容量ＣＸ  等の値が記載される。
【０２４２】
同時に、データベースＤから「性能基準情報」としての「真空性能」「給排気性能」「温度性能」「プラズマ処理室電気性能」等のデータを取得し、これらを図３８，図３９に示すように、「動作保守状況情報」とセットでメンテナンス履歴ページＣＰ３、メンテナンス詳細ページＣＰ４に表示することにより、「性能基準情報」を参照して「動作保守状況情報」を閲覧することができ、これにより、発注者は、納入されたプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムおよびプラズマチャンバの「性能状況情報」のうち、「性能基準情報」を使用時の指標として確認するとともに、「動作保守状況情報」を動作状態を示すパラメータとして検討することができる。同時に、「性能基準情報」と「動作保守状況情報」とを比較することによってプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムおよびプラズマチャンバの動作確認をおこなうとともにメンテナンスの必要性を認識し、かつ、プラズマ処理状態の状態を把握することができる。
【０２４３】
なお、サーバＳは、このようなサブページＣＰ３、ＣＰ４のクライアントＣ１  への送信が完了した後に、クライアントＣ１  から接続解除要求が受信されない場合は（ステップＳ５）、接続不許可メッセージをクライアントＣ１  に送信して（ステップＳ８）、発注者に「閲覧専用パスワード」を再度入力するか、次のサブページの表示要求を待って待機し（ステップＳ３）、一方、クライアントＣ１  から接続解除要求が受信された場合には（ステップＳ５）、当該クライアントＣ１  との交信を終了する。
【０２４４】
本実施形態のプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムの性能確認システムにおいて、購入発注者が販売保守者に発注したプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムの動作性能状況を示す性能状況情報の閲覧を公衆回線を介して要求する購入発注者側情報端末と、販売保守者が前記性能状況情報をアップロードする販売保守者側情報端末と、前記購入発注者側情報端末の要求に応答して、販売保守者側情報端末からアップロードされた性能状況情報を購入発注者側情報端末に提供する性能状況情報提供手段と、を具備することができ、さらに、前記性能状況情報が、前記第１直列共振周波数ｆ０  およびこのパラメータに対して、それぞれのプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムにおける各プラズマチャンバ毎のばらつきの値を含むとともに、前記性能状況情報が、カタログまたは仕様書として出力されることにより、販売保守者がアップロードしたプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムおよびそのプラズマチャンバの性能基準情報および動作保守状況情報からなる性能状況情報に対して、購入発注者が情報端末から公衆回線を介して閲覧を可能とすることにより、発注者に対して、購入時に判断基準となる情報を伝達することが可能となり、かつ、使用時における、プラズマ処理装置またはプラズマ処理システムおよびそのプラズマチャンバごとの動作性能・保守情報を容易に提供することが可能となる。
また、前記性能状況情報が、上述したようにプラズマチャンバに対する性能パラメータとしての前記第１直列共振周波数ｆ０  およびそのばらつきの値を含むことにより、発注者のプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムその各プラズマチャンバに対する性能判断材料を提供できるとともに、購入時における適切な判断をすることが可能となる。さらに、前記性能状況情報を、カタログまたは仕様書として出力することができる。
【０２４５】
【実施例】
（比較例Ａ）
電力周波数ｆｅ  を４０．６８ＭＨｚに設定し、第１直列共振周波数ｆ０  を１１．６３ＭＨｚに設定した比較例について、上記の図１５に示す等価回路の各要素として、給電板３のインダクタンスＬｆ  および抵抗Ｒｆ  、プラズマ励起電極４とサセプタ電極８との間のプラズマ電極容量Ｃｅ  、サセプタ電極８とサセプタシールド１２（アース）との間の容量ＣＳ  、シャフト１３，ベローズ１１，チャンバ壁１０のインダクタンスＬＳ  および抵抗ＲＳ  、プラズマ励起電極４とアース間の容量Ｃｘ  を実測した。
これらの値を表２に示す。
【０２４６】
（実施例Ａ１）
比較例Ａのプラズマ処理装置に対して、給電板３の長さを改善して、第１直列共振周波数ｆ０  を１３．８２ＭＨｚに設定し、３ｆ０  ＞ｆｅとしたものを実施例１とする。
（実施例Ａ２）
実施例Ａ１に対して給電板３をさらに改善するとともにプラズマ励起電極８とチャンバ壁とのオーバーラップ面積を改善して、第１直列共振周波数ｆ０  を３０．０１ＭＨｚに設定し、３ｆ０  ＞ｆｅとしたものを実施例Ａ２とする。
（実施例Ａ３）
実施例Ａ２に対しプラズマ励起電極８とチャンバ壁１０との絶縁物を厚くして、第１直列共振周波数ｆ０  を３３．５７ＭＨｚに設定し、１．３ｆ０  ＞ｆｅとしたものを実施例Ａ３とする。
（実施例Ａ４）
実施例Ａ３に対し給電板３をなくし、整合回路２Ａのチューニングコンデンサ２４をプラズマ励起電極８に直結するとともに、サセプタシールド１２のシールド支持板１２Ａ先端側とチャンバ壁１０とを短絡して、第１直列共振周波数ｆ０  を１２３．７８ＭＨｚに設定し、ｆ０  ＞３ｆｅとしたものを実施例Ａ４とする。
なお、いずれの実施例も電力周波数ｆｅ  を４０．６８ＭＨｚに設定した。
これらの値を表２に示する。
【０２４７】
【表２】
0003600146.tif 000007
【０２４８】
さらに、これら実施例および比較例に対する評価として、８００Ｗ、４００Ｗの条件でＳｉＮｘ  膜の成膜をおこない、このＳｉＮｘ  膜に対する評価として、以下のようにおこなった。
（１）堆積速度と膜面内均一性
▲１▼ガラス基板上にプラズマＣＶＤによりＳｉＮｘ  膜を成膜する。
▲２▼フォトリソによりレジストのパターニングをおこなう。
▲３▼ＳＦ６  とＯ２  を用いてＳｉＮｘ  膜をドライエッチングする。
▲４▼Ｏ２  アッシングによりレジストを剥離する。
▲５▼ＳｉＮｘ  膜の膜厚段差を触針式段差計により計測する。
▲６▼成膜時間と膜厚から堆積速度を算出する。
▲７▼膜面内均一性は、６インチガラス基板面内において１６ポイントで測定する。
（２）ＢＨＦエッチングレート
上記（１）▲１▼〜▲２▼と同様にレジストマスクをパターニングする。
▲３▼２５℃のＢＨＦ液（ＨＦ：ＮＨ４Ｆ  ＝１：１０の混合液）に１分間ガラス基板を浸漬する。
▲４▼純水洗浄後乾燥し、レジストを硫酸過水（Ｈ２ＳＯ４＋Ｈ２Ｏ２）で剥離する。▲５▼上記（１）▲５▼と同様段差を計測する。
▲６▼浸漬時間と段差からエッチング速度を算出する。
【０２４９】
さらに、これら実施例および比較例に対する評価として、８００Ｗ、４００Ｗの条件でＳｉＮｘ  膜の成膜をおこない、このＳｉＮｘ  膜に対する評価を以下のようにおこなった。
（３）絶縁耐圧
▲１▼ガラス基板上にスパッタリングによりクロム膜を成膜し、下部電極としてパターニングする。
▲２▼プラズマＣＶＤによりＳｉＮｘ  膜を成膜する。
▲３▼▲１▼と同様の方法でクロムからなる上部電極を形成する。
▲４▼下部電極用にコンタクト孔を形成する。
▲５▼上下電極にプロービングし、Ｉ−Ｖ特性（電流電圧特性）を測定する。このとき最大電圧として２００Ｖ程度まで印加する。
▲６▼電極面積を１００μｍ角とし、１００ｐＡをよぎるところが、１μＡ／ｃｍ２  に相当するので、この時のＶを絶縁耐圧として定義する。
これらの結果を、表３に示す。
【０２５０】
【表３】
0003600146.tif 000008
【０２５１】
これらの結果から、第１直列共振周波数ｆ０  の値と、堆積速度、膜面内均一性、ＢＨＦエッチングレート、絶縁耐圧について、３ｆ０  ＞ｆｅとした場合には、堆積速度、絶縁耐圧が改善され、１．３ｆ０  ＞ｆｅとした場合には、堆積速度、絶縁耐圧がさらに改善されるとともに、膜面内均一性、ＢＨＦエッチングレートが改善されていることがわかる。さらに、ｆ０  ＞３ｆｅとした場合には、半分の出力の４００Ｗで、同様の膜特性を有する成膜をおこなうことが可能となっていることがわかる。
つまり、第１直列共振周波数ｆ０  の値を設定することにより、プラズマ処理装置の性能が向上している。
したがって、第１直列共振周波数ｆ０を性能評価の指標とできることがわかる。
【０２５２】
（実施例Ｂ１）
上記のプラズマ処理装置において、実施例１Ｂとして、プラズマ処理室に対する第１直列共振周波数ｆ０  の最大値ｆ０ｍａｘと最小値ｆ０ｍｉｎに対するばらつきを、式（１０）に従って０．０９に設定する。同時に、これら第１直列共振周波数ｆ０  の平均値を４３ＭＨｚに設定する。
（実施例Ｂ２）
上記のプラズマ処理装置において、実施例２として、プラズマ処理室に対する第１直列共振周波数ｆ０  の最大値ｆ０ｍａｘと最小値ｆ０ｍｉｎに対するばらつきを、式（１０）に従って０．０２に設定する。同時に、これら第１直列共振周波数ｆ０  の平均値を４３ＭＨｚに設定する。
（比較例Ｂ）
上記のプラズマ処理装置において、比較例１として、プラズマ処理室に対する第１直列共振周波数ｆ０  の最大値ｆ０ｍａｘと最小値ｆ０ｍｉｎに対するばらつきを、式（１０）に従って０．１１に設定する。同時に、これら第１直列共振周波数ｆ０  の平均値を４３ＭＨｚに設定する。
【０２５３】
上記の実施例Ｂ１，Ｂ２および比較例において、実施例および比較例Ｂに対する評価として同一のプロセスレシピを適用し、窒化珪素膜を堆積し、以下のように各プラズマ処理室に対する膜厚ばらつきを計測した。
▲１▼ガラス基板上にプラズマＣＶＤによりＳｉＮｘ  膜を成膜する。
▲２▼フォトリソによりレジストのパターニングをおこなう。
▲３▼ＳＦ６  とＯ２  を用いてＳｉＮｘ  膜をドライエッチングする。
▲４▼Ｏ２  アッシングによりレジストを剥離する。
▲５▼ＳｉＮｘ  膜の膜厚段差を触針式段差計により計測する。
▲６▼成膜時間と膜厚から堆積速度を算出する。
▲７▼膜面内均一性は、６インチガラス基板面内において１６ポイントで測定する。
【０２５４】
ここで、成膜時における条件は、
基板温度  ３５０℃
ＳｉＨ４    ４０ｓｃｃｍ
ＮＨ３    ２００ｓｃｃｍ
Ｎ２    ６００ｓｃｃｍ
堆積速度  ほぼ２００ｎｍ／ｍｉｎ程度
である。
これらの結果を表４に示す。
【０２５５】
【表４】
0003600146.tif 000009
【０２５６】
これらの結果から、第１直列共振周波数ｆ０  のばらつきの値を設定した場合には、プラズマ処理室ごとの機差による膜厚のばらつきが改善されていることがわかる。
つまり、第１直列共振周波数ｆ０  の値を設定することにより、プラズマ処理装置の動作特性が向上している。
したがって、第１直列共振周波数ｆ０のばらつきを性能評価の指標とできることがわかる。
【０２５７】
【発明の効果】
本発明のプラズマ処理装置又はプラズマ処理システムの性能評価方法によれば、プラズマ処理装置を分解、搬送後再組み立てが施された後、すなわち納入後に、プラズマ処理装置やプラズマ処理システムの性能が適正に維持されているかどうかを迅速かつ簡便に確認できる。
更に、動作安定性の高いプラズマ処理装置を維持する上で、適切な性能評価方法を提供することが可能となると共に、複数のプラズマ処理室に対してインピーダンス、共振周波数特性等の電気的高周波的な特性の機差が小さい状況を維持する上で、適切な性能評価方法を提供することが可能となる。
また、本発明のプラズマ処理装置の性能管理システム又はプラズマ処理システムの性能管理システムによれば、納入先において、プラズマ処理装置の性能が適正に維持されるために、納入先におけるプラズマ処理装置の性能評価をメーカー等の搬送元で支援できると共に、メーカー等の搬送元で充実した保守サービス体制を整えることが可能となる。
即ち、納入先のプラズマ処理装置やプラズマ処理システムの不具合を搬送元等のサービス提供者側でいち早く把握し、直ちに保守サービスを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るプラズマ処理装置の性能評価方法の第１実施形態の対象となるプラズマ処理装置を示す概略構成図である。
【図２】図１におけるプラズマ処理装置の整合回路を示す模式図である。
【図３】図１のプラズマ処理装置のインピーダンス特性を説明するための模式図である。
【図４】図３におけるプラズマ処理装置の等価回路を示す回路図である。
【図５】第１直列共振周波数ｆ０  を説明するためのインピーダンスＺと位相θとの周波数依存特性を示すグラフである。
【図６】本発明の第１実施形態における第１直列共振周波数ｆ０  およびインピーダンスＺと位相θとの周波数依存特性を示すグラフである。
【図７】本発明に係るプラズマ処理装置の性能評価方法の第２実施形態の対象となるプラズマ処理装置を示す概略構成図である。
【図８】図７のプラズマ処理装置のインピーダンス特性を説明するための模式図である。
【図９】図８におけるプラズマ処理装置の等価回路を示す回路図である。
【図１０】本発明の第２実施形態における第１直列共振周波数ｆ０  およびインピーダンスＺと位相θとの周波数依存特性を示すグラフである。
【図１１】本発明に係るプラズマ処理装置の性能評価方法の第３実施形態の対象となるプラズマ処理装置の概略構成図である。
【図１２】図１１におけるプラズマ処理装置の等価回路を示す回路図である。
【図１３】本発明の第３実施形態における第１直列共振周波数ｆ０  およびインピーダンスＺと位相θとの周波数依存特性を示すグラフである。
【図１４】プラズマ発光状態における電極間の状態を示す模式図である。
【図１５】本発明に係るプラズマ処理装置の実施例における等価回路を説明する回路図である。
【図１６】インピーダンス測定器のプローブを示す斜視図である。
【図１７】図１６のインピーダンス測定器のプローブの接続状態を示す模式図である。
【図１８】本発明に係るプラズマ処理装置の性能評価方法の第４実施形態の対象となるプラズマ処理装置の概略構成図である。
【図１９】図１８におけるレーザアニール室を示す縦断面図である。
【図２０】図１８における熱処理室を示す縦断面図である。
【図２１】発明に係るプラズマ処理装置の性能評価方法の第５実施形態の対象となるプラズマ処理装置の概略構成図である。
【図２２】発明に係るプラズマ処理システムの性能評価方法の第６実施形態の対象となるプラズマ処理システムの概略構成図である。
【図２３】本発明に係るプラズマ処理装置の性能評価方法の対象となる他のプラズマ処理装置を示す概略構成図である。
【図２４】本発明に係るプラズマ処理装置の性能評価方法の対象となる他のプラズマ処理装置を示す概略構成図である。
【図２５】本発明に係るプラズマ処理装置の性能評価方法の対象となる他のプラズマ処理装置を示す概略構成図である。
【図２６】本発明に係るプラズマ処理装置の性能管理システムの第７実施形態におけるシステム構成図である。
【図２７】本発明に係るプラズマ処理装置の性能管理システムの第７実施形態における他のシステム構成図である。
【図２８】第７実施形態に係る性能管理システムで実現される評価情報提供方法を示すフローチャートである。
【図２９】本発明に係るプラズマ処理装置の性能管理システムの第８実施形態におけるシステム構成図である。
【図３０】同性能管理システムで実現される評価情報提供方法を示すフローチャートである。
【図３１】従来のプラズマ処理装置の一例を示す模式図である。
【図３２】従来のプラズマ処理装置の他の例を示す模式図である。
【図３３】本発明のプラズマ処理装置の性能確認システムを示すシステム構成図である。
【図３４】本発明のプラズマ処理装置の性能確認システムに係わるサーバＳの性能状況情報の提供処理を示すフローチャートである。
【図３５】本発明のプラズマ処理装置の性能確認システムに係わるメインページＣＰの構成を示す平面図である。
【図３６】本発明のプラズマ処理装置の性能確認システムに係わるサブページＣＰ１の構成を示す平面図である。
【図３７】本発明のプラズマ処理装置の性能確認システムに係わるメインページＣＰ２の構成を示す平面図である。
【図３８】本発明のプラズマ処理装置の性能確認システムに係わるサブページＣＰ３の構成を示す平面図である。
【図３９】本発明のプラズマ処理装置の性能確認システムに係わるサブページＣＰ４の構成を示す平面図である。
【図４０】本発明に係るプラズマ処理装置の性能管理システムの第９実施形態で実現される評価情報提供方法を示すフローチャートである。
【符号の説明】
１…高周波電源
１Ａ…給電線
２…マッチングボックス
２Ａ…整合回路
３…給電板
４…プラズマ励起電極（電極：カソード電極）
５…シャワープレート
６…空間
７…孔
８…ウエハサセプタ（対向電極：サセプタ電極）
９…絶縁体
１０…チャンバ壁
１０Ａ…チャンバ底部
１１…ベローズ
１２…サセプタシールド
１２Ａ…シールド支持板
１２Ｂ…支持筒
１３…シャフト
１６…基板
１７…ガス導入管
１７ａ，１７ｂ…絶縁体
２１…シャーシ
２２…ロードコンデンサ
２３…コイル
２４…チューニングコンデンサ
２５…整合回路
２６…マッチングボックス
２７…第２の高周波電源
２７Ａ…給電線
２８…給電板（高周波電力配電体）
２９…シャーシ
３０…コイル
３１…チューニングコンデンサ
３２…ロードコンデンサ
６０…チャンバ室
６１…インピーダンス測定用端子（共振周波数測定用端子）
１０５…プローブ
ＡＮ…インピーダンス測定器（共振周波数測定器）
Ｂ…分岐点
ＣＮ…プラズマチャンバ（プラズマ処理室）
Ｐ…プラズマ発光領域
ＰＲ，ＰＲ’…出力端子位置
ＳＷ１，ＳＷ２…スイッチ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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