(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光処理後の基板に現像液を供給して現像処理を行う現像処理方法であって、
現像液供給ノズルを基板上で走査させながら基板に現像液を供給する際に、前記現像液供給ノズルに取り付けられた不活性ガス供給ノズルから少なくとも基板の表面近傍部分に不活性ガスを供給することを特徴とする現像処理方法。
【請求項２】
露光処理後の基板に現像液を供給して現像処理を行う現像処理方法であって、
現像液供給ノズルを基板上で走査させながら基板に現像液を供給する工程と、
基板上に現像液を保持させて現像を進行させる工程と、
現像液を基板から振り切る工程と、
振り切られた現像液を回収する工程と
を具備し、
前記現像液を供給する工程の際に、前記現像液供給ノズルに取り付けられた不活性ガス供給ノズルから少なくとも基板の表面近傍部分に不活性ガスを供給し、かつ前記現像液を振り切る工程および／または回収する工程の際に現像液に不活性ガスを供給することを特徴とする現像処理方法。
【請求項３】
基板上の現像液に不活性ガスを吹き付けることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の現像処理方法。
【請求項４】
現像液の供給中は、基板に対して水平または斜め上向きに不活性ガスを供給し、現像液の供給の終了後、基板上の現像液に不活性ガスを供給して撹拌することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の現像処理方法。
【請求項５】
露光処理後の基板に現像液を供給して現像処理を行う現像処理装置であって、
基板を支持する基板支持部材と、
基板に現像液を吐出する現像液供給ノズルと、
前記現像液供給ノズルに取り付けられ、少なくとも基板表面近傍部分に不活性ガスを供給する不活性ガス供給ノズルと、
前記現像液供給ノズルを基板上で走査させる走査機構と
を具備し、
前記走査機構により、現像液を吐出している前記現像液供給ノズルを走査させながら、前記不活性ガス供給ノズルから不活性ガスを供給することを特徴とする現像処理装置。
【請求項６】
前記不活性ガス供給ノズルは、現像液を吐出している前記現像液供給ノズルを前記走査機構により走査している際には基板に対して水平または斜め上向きに不活性ガスを供給し、前記現像液供給ノズルを現像液の供給を停止して前記走査機構により戻す際には基板上の現像液に不活性ガスを供給して攪拌することを特徴とする請求項５に記載の現像処理装置。
【請求項７】
前記基板を回転させる基板回転手段をさらに具備し、この基板回転手段により基板を回転させつつ、前記現像液供給ノズルから現像液を供給している際に、前記不活性ガス供給ノズルから不活性ガスを供給することを特徴とする請求項５または請求項６に記載の現像処理装置。
【請求項８】
露光処理後の基板に現像液を供給して現像処理を行う現像処理装置であって、
基板を支持する基板支持部材と、
前記基板支持部材に支持されている基板を包囲する処理容器と、
前記基板支持部材に支持された基板を回転させる基板回転手段と、
基板に現像液を吐出する現像液供給ノズルと、
現像処理後に前記基板回転手段により回転されて基板から振り切られた現像液を回収する現像液回収手段と、
少なくとも基板表面近傍部分に不活性ガスを供給する第１の不活性ガス供給機構と、
基板から振り切られた現像液または前記現像液回収手段により回収される現像液に不活性ガスを供給する第２の不活性ガス供給機構と
を具備することを特徴とする現像処理装置。
【請求項９】
前記第１の不活性ガス供給機構は、前記現像液供給ノズルに取り付けられた第１の不活性ガス供給ノズルを有することを特徴とする請求項８に記載の現像処理装置。
【請求項１０】
前記第２の不活性ガス供給機構は、振り切られた現像液に不活性ガスを供給する第２の不活性ガス供給ノズルを有することを特徴とする請求項９に記載の現像処理装置。
【請求項１１】
前記現像液回収手段は、前記基板回転手段により振り切られた現像液を貯留する現像液貯留容器を有し、前記第２の不活性ガス供給機構は、前記現像液貯留容器に不活性ガスを供給することを特徴とする請求項８から請求項１０のいずれか１項に記載の現像処理装置。
【請求項１２】
露光処理後の基板に現像液を供給して現像処理を行う現像処理装置であって、
基板を支持する基板支持部材と、
基板に現像液を吐出する現像液供給ノズルと、
不活性ガスを供給する不活性ガス供給機構と、
前記不活性ガス供給機構を、基板に対して平行に不活性ガスを供給する位置と、基板上の現像液に向けて不活性ガスを供給する位置とで切り換える駆動機構と
を具備することを特徴とする現像処理装置。
【請求項１３】
露光処理後の基板に現像液を供給して現像処理を行う現像処理方法であって、
基板に現像液を供給する工程と、
基板上に現像液を保持させて現像を進行させる工程と、
現像後の現像液を基板から回収する工程と
を具備し、
前記現像液を供給する工程の際に、少なくとも基板の表面近傍部分に不活性ガスを供給する第１の不活性ガス供給機構により不活性ガスを供給し、かつ、前記現像液を回収する工程の際に、回収される現像液に不活性ガスを供給する第２の不活性ガス供給機構により不活性ガスを供給することを特徴とする現像処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、レジスト膜が形成され露光後の例えば液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）用ガラス基板等の基板に現像液を供給して現像処理を行う現像処理方法および現像処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）の製造においては、ガラス製の矩形のＬＣＤ基板にフォトレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、回路パターンに対応してレジスト膜を露光し、これを現像処理するという、いわゆるフォトリソグラフィー技術により回路パターンが形成される。
【０００３】
このような回路パターンの成形に際しては、複数の処理ユニットが集約されたレジスト塗布現像システムにより行われる。このようなシステムにおいては、まず、基板に対して必要に応じて紫外線照射により表面改質・洗浄処理が行われた後、洗浄ユニットによりブラシ洗浄および超音波水洗浄が施される。その後、基板は、レジストの定着性を高めるために、アドヒージョン処理ユニットにて疎水化処理（ＨＭＤＳ処理）され、引き続き、レジスト塗布ユニットにてレジスト塗布が行われ、プリベーク後、露光装置にて所定のパターンが露光され、さらに現像処理ユニットで現像処理され、さらにポストベーク処理されて所定の回路パターンが形成される。
【０００４】
これらの中で例えば現像処理ユニットは、基板に現像液を吐出する現像ノズルと、現像処理後にリンス液を吐出する吐出ノズルと、基板保持用のスピンチャックと、現像ノズルと吐出ノズルをそれぞれ待機位置から基板上に移動させる移動機構と、スピンチャック周囲に振り切った処理液を回収するカップを備えている。そして、この現像処理ユニットにて現像処理する際には、まず、スピンチャック上に基板を載置し、現像ノズルから基板上に現像液を供給し、基板上に現像液を液盛りする。この状態で所定の現像時間保持した後スピンチャックを回転させ、現像液を振り切る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、基板上に供給された現像液は、周囲の空気中の酸素により酸化されて劣化するおそれがある。このように現像液が劣化すると所望の現像処理が行われない場合が生ずる。
【０００６】
一方、ＬＣＤ基板は最近益々大型化の要求が高まっており、このような大型基板の現像処理の場合には現像液を多量に供給する必要があることから、無駄にする現像液を極力減らすために現像液を回収して再利用している。しかしながら、上述したように現像処理中に現像液が酸化したり、回収中に現像液が酸化すると、回収された現像液は酸化により劣化したものとなってしまい、再利用するための処理コストが高くなるという問題が生じる。
【０００７】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、酸化による現像液の劣化が生じ難い現像処理方法および現像処理装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明は、露光処理後の基板に現像液を供給して現像処理を行うにあたり、現像液供給ノズルを基板上で走査させながら基板に現像液を供給する際に、前記現像液供給ノズルに取り付けられた不活性ガス供給ノズルから少なくとも基板の表面近傍部分に不活性ガスを供給することを特徴とする現像処理方法を提供する。
【０００９】
また、本発明は、露光処理後の基板に現像液を供給して現像処理を行うにあたり、現像液供給ノズルを基板上で走査させながら基板に現像液を供給する工程と、基板上に現像液を保持させて現像を進行させる工程と、現像液を基板から振り切る工程と、振り切られた現像液を回収する工程とを具備し、前記現像液を供給する工程の際に、前記現像液供給ノズルに取り付けられた不活性ガス供給ノズルから少なくとも基板の表面近傍部分に不活性ガスを供給し、かつ前記現像液を振り切る工程および／または回収する工程の際に現像液に不活性ガスを供給することを特徴とする現像処理方法を提供する。
【００１０】
さらに、本発明は、露光処理後の基板に現像液を供給して現像処理を行う現像処理装置であって、基板を支持する基板支持部材と、基板に現像液を吐出する現像液供給ノズルと、前記現像液供給ノズルに取り付けられ、少なくとも基板表面近傍部分に不活性ガスを供給する不活性ガス供給ノズルと、前記現像液供給ノズルを基板上で走査させる走査機構とを具備し、前記走査機構により、現像液を吐出している前記現像液供給ノズルを走査させながら、前記不活性ガス供給ノズルから不活性ガスを供給することを特徴とする現像処理装置を提供する。
【００１１】
さらにまた、本発明は、露光処理後の基板に現像液を供給して現像処理を行う現像処理装置であって、基板を支持する基板支持部材と、前記基板支持部材に支持されている基板を包囲する処理容器と、前記基板支持部材に支持された基板を回転させる基板回転手段と、基板に現像液を吐出する現像液供給ノズルと、現像処理後に前記基板回転手段により回転されて基板から振り切られた現像液を回収する現像液回収手段と、少なくとも基板表面近傍部分に不活性ガスを供給する第１の不活性ガス供給機構と、基板から振り切られた現像液または前記現像液回収手段により回収される現像液に不活性ガスを供給する第２の不活性ガス供給機構とを具備することを特徴とする現像処理装置を提供する。
【００１２】
さらにまた、本発明は、露光処理後の基板に現像液を供給して現像処理を行う現像処理装置であって、基板を支持する基板支持部材と、基板に現像液を吐出する現像液供給ノズルと、不活性ガスを供給する不活性ガス供給機構と、前記不活性ガス供給機構を、基板に対して平行に不活性ガスを供給する位置と、基板上の現像液に向けて不活性ガスを供給する位置とで切り換える駆動機構とを具備することを特徴とする現像処理装置を提供する。
【００１３】
さらにまた、本発明は、露光処理後の基板に現像液を供給して現像処理を行う現像処理方法であって、基板に現像液を供給する工程と、基板上に現像液を保持させて現像を進行させる工程と、現像後の現像液を基板から回収する工程とを具備し、前記現像液を供給する工程の際に、少なくとも基板の表面近傍部分に不活性ガスを供給する第１の不活性ガス供給機構により不活性ガスを供給し、かつ、前記現像液を回収する工程の際に、回収される現像液に不活性ガスを供給する第２の不活性ガス供給機構により不活性ガスを供給することを特徴とする現像処理方法を提供する。
【００１４】
本発明によれば、現像液供給ノズルを基板上で走査させながら基板に現像液を供給する際に、前記現像液供給ノズルに取り付けられた不活性ガス供給ノズルから少なくとも基板の表面近傍部分に不活性ガスを供給するので、現像処理の際における現像液の酸化による劣化を生じ難くすることができる。また、これに加えて、現像液を振り切る際および／または現像液を回収する際に現像液に不活性ガスを供給することにより、現像液を回収する際における現像液の酸化をも生じ難くすることができるので、酸化による劣化が少ない現像液を回収することができる。さらにまた、基板に現像液を供給する際に、第１の不活性ガス供給機構により少なくとも基板の表面近傍部分に不活性ガスを供給し、かつ、現像液を振り切る際または現像液を回収する際に、第２の不活性ガス供給機構により現像液に不活性ガスを供給することにより、現像処理の際における現像液の酸化による劣化を生じ難くすることができるとともに、現像液を振り切る際または回収する際における現像液の酸化をも生じ難くすることができるので、酸化による劣化が少ない現像液を回収することができる。
【００１５】
【発明実施の形態】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る現像処理装置が搭載されたＬＣＤ基板のレジスト塗布・現像処理システムを示す平面図である。
【００１６】
この塗布・現像処理システムは、複数の基板Ｇを収容するカセットＣを載置するカセットステーション１と、基板Ｇにレジスト塗布および現像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理部２と、露光装置（図示せず）との間で基板Ｇの受け渡しを行うためのインターフェイス部３とを備えており、処理部２の両端にそれぞれカセットステーション１およびインターフェイス部３が配置されている。
【００１７】
カセットステーション１は、カセットＣと処理部２との間でＬＣＤ基板Ｇの搬送を行うための搬送機構１０を備えている。そして、カセットステーション１においてカセットＣの搬入出が行われる。また、搬送機構１０はカセットの配列方向に沿って設けられた搬送路１０ａ上を移動可能な搬送アーム１１を備え、この搬送アーム１１によりカセットＣと処理部２との間で基板Ｇの搬送が行われる。
【００１８】
処理部２は、前段部２ａと中段部２ｂと後段部２ｃとに分かれており、それぞれ中央に搬送路１２、１３、１４を有し、これら搬送路の両側に各処理ユニットが配設されている。そして、これらの間には中継部１５、１６が設けられている。
【００１９】
前段部２ａは、搬送路１２に沿って移動可能な主搬送装置１７を備えており、搬送路１２の一方側には、２つの洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１ａ、２１ｂが配置されており、搬送路１２の他方側には紫外線照射ユニット（ＵＶ）と冷却ユニット（ＣＯＬ）とが２段に重ねられた処理ブロック２５、加熱処理ユニット（ＨＰ）が２段に重ねられてなる処理ブロック２６および冷却ユニット（ＣＯＬ）が２段に重ねられてなる処理ブロック２７が配置されている。
【００２０】
また、中段部２ｂは、搬送路１３に沿って移動可能な主搬送装置１８を備えており、搬送路１３の一方側には、レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）２２および基板Ｇの周縁部のレジストを除去する周縁レジスト除去ユニット（ＥＲ）２３が一体的に設けられており、搬送路１３の他方側には、加熱処理ユニット（ＨＰ）が２段に重ねられてなる処理ブロック２８、加熱処理ユニット（ＨＰ）と冷却処理ユニット（ＣＯＬ）が上下に重ねられてなる処理ブロック２９、およびアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）と冷却ユニット（ＣＯＬ）とが上下に重ねられてなる処理ブロック３０が配置されている。
【００２１】
さらに、後段部２ｃは、搬送路１４に沿って移動可能な主搬送装置１９を備えており、搬送路１４の一方側には、本実施形態に係る３つの現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４ａ、２４ｂ、２４ｃが配置されており、搬送路１４の他方側には加熱処理ユニット（ＨＰ）が２段に重ねられてなる処理ブロック３１、およびともに加熱処理ユニット（ＨＰ）と冷却処理ユニット（ＣＯＬ）が上下に重ねられてなる処理ブロック３２、３３が配置されている。
【００２２】
なお、処理部２は、搬送路を挟んで一方の側に洗浄処理ユニット２１ａ、レジスト処理ユニット２２、現像処理ユニット２４ａのようなスピナー系ユニットのみを配置しており、他方の側に加熱処理ユニットや冷却処理ユニット等の熱系処理ユニットのみを配置する構造となっている。
【００２３】
また、中継部１５、１６のスピナー系ユニット配置側の部分には、薬液供給ユニット３４が配置されており、さらに主搬送装置のメンテナンスを行うためのスペース３５が設けられている。
【００２４】
上記主搬送装置１７，１８，１９は、それぞれ水平面内の２方向のＸ軸駆動機構、Ｙ軸駆動機構、および垂直方向のＺ軸駆動機構を備えており、さらにＺ軸を中心に回転する回転駆動機構を備えており、それぞれ基板Ｇを支持するアーム１７ａ，１８ａ，１９ａを有している。
【００２５】
上記主搬送装置１７は、搬送機構１０のアーム１１との間で基板Ｇの受け渡しを行うとともに、前段部２ａの各処理ユニットに対する基板Ｇの搬入・搬出、さらには中継部１５との間で基板Ｇの受け渡しを行う機能を有している。また、主搬送装置１８は中継部１５との間で基板Ｇの受け渡しを行うとともに、中段部２ｂの各処理ユニットに対する基板Ｇの搬入・搬出、さらには中継部１６との間の基板Ｇの受け渡しを行う機能を有している。さらに、主搬送装置１９は中継部１６との間で基板Ｇの受け渡しを行うとともに、後段部２ｃの各処理ユニットに対する基板Ｇの搬入・搬出、さらにはインターフェイス部３との間の基板Ｇの受け渡しを行う機能を有している。なお、中継部１５、１６は冷却プレートとしても機能する。
【００２６】
インターフェイス部３は、処理部２との間で基板を受け渡しする際に一時的に基板を保持するエクステンション３６と、さらにその両側に設けられた、バッファーカセットを配置する２つのバッファーステージ３７と、これらと露光装置（図示せず）との間の基板Ｇの搬入出を行う搬送機構３８とを備えている。搬送機構３８はエクステンション３６およびバッファステージ３７の配列方向に沿って設けられた搬送路３８ａ上を移動可能な搬送アーム３９を備え、この搬送アーム３９により処理部２と露光装置との間で基板Ｇの搬送が行われる。
【００２７】
このように各処理ユニットを集約して一体化することにより、省スペース化および処理の効率化を図ることができる。
【００２８】
このように構成されたレジスト塗布・現像処理システムにおいては、カセットＣ内の基板Ｇが、処理部２に搬送され、処理部２では、まず、前段部２ａの処理ブロック２５の紫外線照射ユニット（ＵＶ）で表面改質・洗浄処理が行われ、冷却処理ユニット（ＣＯＬ）で冷却された後、洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１ａ，２１ｂでスクラバー洗浄が施され、処理ブロック２６のいずれかの加熱処理ユニット（ＨＰ）で加熱乾燥された後、処理ブロック２７のいずれかの冷却ユニット（ＣＯＬ）で冷却される。
【００２９】
その後、基板Ｇは中段部２ｂに搬送され、レジストの定着性を高めるために、処理ブロック３０の上段のアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）にて疎水化処理（ＨＭＤＳ処理）され、下段の冷却処理ユニット（ＣＯＬ）で冷却後、レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）２２でレジストが塗布され、周縁レジスト除去ユニット（ＥＲ）２３で基板Ｇの周縁の余分なレジストが除去される。その後、基板Ｇは、中段部２ｂの中の加熱処理ユニット（ＨＰ）の一つでプリベーク処理され、処理ブロック２９または３０の下段の冷却ユニット（ＣＯＬ）で冷却される。
【００３０】
その後、基板Ｇは中継部１６から主搬送装置１９にてインターフェイス部３を介して露光装置に搬送されてそこで所定のパターンが露光される。そして、基板Ｇは再びインターフェイス部３を介して搬入され、必要に応じて後段部２ｃの処理ブロック３１，３２，３３のいずれかの加熱処理ユニット（ＨＰ）でポストエクスポージャーベーク処理を施した後、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４ａ，２４ｂ，２４ｃのいずれかで現像処理され、所定の回路パターンが形成される。現像処理された基板Ｇは、後段部２ｃのいずれかの加熱処理ユニット（ＨＰ）にてポストベーク処理が施された後、いずれかの冷却ユニット（ＣＯＬ）にて冷却され、主搬送装置１９，１８，１７および搬送機構１０によってカセットステーション１上の所定のカセットに収容される。
【００３１】
次に、本発明の一実施形態に係る現像処理ユニット（ＤＥＶ）について説明する。図２は現像処理ユニット（ＤＥＶ）の平面図であり、図３は現像処理ユニット（ＤＥＶ）の断面図である。
【００３２】
これらの図に示すように、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４ａ，２４ｂ，２４ｃは同一の構造を有し、これらには基板Ｇを機械的に保持するスピンチャック４１が回転駆動機構４２により回転されるように設けられ、このスピンチャック４１の下側には、回転駆動機構４２を包囲するカバー４３が配置され、このカバー４３の外周囲には、２つのアンダーカップ４４，４５が離間して設けられている。
【００３３】
これら２つのアンダーカップ４４，４５の間の上方には、主として現像液を下方に流すためのインナーカップ４６が昇降自在に設けられ、アンダーカップ４５の外側には、主としてリンス液を下方に流すためのアウターカップ４７がインナーカップ４６と一体的に昇降自在に設けられている。図３において、左側には、現像液の排出時にインナーカップ４６およびアウターカップ４７が上昇される位置が示され、右側には、リンス液の排出時にこれらが降下される位置が示されている。
【００３４】
さらに、これら現像処理ユニット全体を包囲するためのシンク４８が設けられ、このシンク４８には、回転乾燥時にユニット内を排気するための排気口４９、現像液のためのドレイン管５０ａ、およびリンス液のためのドレイン管５０ｂが設けられている。
【００３５】
図２に示すように、アウターカップ４７の一方の側には、現像液用のノズルアーム５１が設けられ、このノズルアーム５１内には、現像液供給ノズル７０が収納されている。このノズルアーム５１は、ガイドレール５３に沿って、ベルト駆動等の駆動機構５２により基板Ｇを横切って移動するように構成され、これにより、現像液の塗布時には、ノズルアーム５１により現像液供給ノズル７０は現像液を吐出しながら、静止した基板Ｇ上を走査（スキャン）するようになっている。現像液供給ノズル７０の側方には不活性ガス供給機構である不活性ガス供給ノズル７１（第１の不活性ガス供給機構）が取り付けられている。不活性ガス供給ノズル７１からは不活性ガスとして例えばＮ２ガスが供給される。もちろんＡｒガスやＨｅガス等の他の不活性ガスであってもよい。
【００３６】
アウターカップ４７の他方の側には、純水等のリンス液用のノズルアーム５４が設けられ、このノズルアーム５４の先端部分には、リンス液吐出ノズル６０が設けられている。このノズルアーム５４は枢軸５５を中心として駆動機構５６により回動自在に設けられている。これにより、リンス液の吐出時には、ノズルアーム５４は、リンス液吐出ノズル６０からリンス液を吐出しながら、基板Ｇ上をスキャンするようになっている。
【００３７】
なお、アウターカップ４７の上には昇降自在に蓋体（図示せず）が設けられており、リンスの際にこの蓋体が閉じられるようになっている。また、リンス液吐出ノズル６０をカップ内に入れたまま蓋体を閉じることができるように、アウターカップ４７には切り欠きが形成されている。
【００３８】
現像液供給ノズル７０は、図２に示すように、基板Ｇの短辺よりも若干長い長さを有している。そして、図４に示すように、その先端に多数の現像液吐出口７２を有しており、その多数の現像液吐出口７２から現像液が吐出されるようになっている。一方、現像液供給ノズル７０に取り付けられた不活性ガス供給ノズル７１はその長手方向に延びる不活性ガスを吐出する吐出口７３を有している。また、不活性ガス供給ノズル７１は駆動機構７４により矢印方向に回転可能となっており、この駆動機構７４により吐出口７３の向きを変更可能となっている。
【００３９】
図５に示すように、スピンチャック４１を回転させる回転駆動機構４２、現像液用のノズルアーム５１を駆動する駆動機構５２、リンス液用のノズルアーム５４を回動させる駆動機構５６、および不活性ガス供給ノズル７１を回転させる駆動機構７４は、いずれも制御装置８０により制御されるようになっている。
【００４０】
次に、以上のように構成された現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４ａ，２４ｂ，２４ｃにおける現像処理動作について説明する。
まず、図１に示すように、露光処理された基板Ｇが主搬送装置１９により、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４ａ，２４ｂ，２４ｃのいずれかに搬入され、図２、図３に示すように、搬入された基板Ｇがスピンチャック４１に吸着保持される。次いで、現像液用のノズルアーム５１が駆動機構５２によってガイドレール５３に沿って静止した基板Ｇ上を移動されることにより、ノズルアーム５１に取り付けられた現像液吐出ノズル７０が現像液を吐出しながら基板上を走査（スキャン）され、基板Ｇの全面に塗布される。
【００４１】
その際に、図６の（ａ）に示すように、現像液供給ノズル７０から現像液を吐出して現像液膜Ｌが形成されながら、不活性ガス供給ノズル７１はその吐出口７３が水平になるように制御装置８０（図５）により制御され、不活性ガス供給ノズル７１の吐出口７３から不活性ガス、例えばＮ２ガスが水平方向に吐出され、これにより少なくとも基板Ｇの表面近傍部分が不活性雰囲気にされる。この場合に、不活性ガスが水平方向に吐出されているため、基板Ｇ上の現像液膜に影響を与えない。不活性ガスの吐出方向は水平方向に限らず、水平方向よりも多少上向き（斜め上向き）であってもよい。
【００４２】
現像液供給ノズル７０が基板Ｇの一端から他端まで走査（スキャン）されて基板Ｇの全面に現像液膜Ｌが形成された後、現像液供給ノズル７０は現像液を吐出しない状態で元の位置まで戻される。その際に、図６の（ｂ）に示すように、不活性ガス供給ノズル７１はその吐出口７３が下向きになるように制御装置８０（図５）により制御され、不活性ガス供給ノズル７１の吐出口７３から不活性ガス、例えばＮ２ガスが下向きに吐出され、現像液膜Ｌを攪拌して現像を促進することができる。この場合に、現像液が基板から落下しないように不活性ガスの流量および吐出タイミングを調整する必要がある。不活性ガスの吐出方法としては、所定の流量で連続して吐出してもよいし、断続的（例えばパルス状）に吐出してもよい。
【００４３】
このように現像液膜Ｌが形成された状態で現像処理が進行し、所定時間経過後、基板Ｇがスピンチャック４１により回転されて現像液が振り切られ、振り切られた現像液はドレイン管５０ａを介して排出される。このとき、インナーカップ４６およびアウターカップ４７は、図３の左側に示す上昇位置に配置されている。
【００４４】
次いで、リンス液用のノズルアーム５４が駆動機構５６により枢軸５５を中心に回動されて、基板Ｇ上へ移動し、図示しない蓋体を下降させて密閉し、基板Ｇを回転させながら、リンス液吐出ノズル６０からリンス液が吐出され、基板が洗浄される。
【００４５】
所定時間経過後、リンス液の供給を停止され、基板Ｇの回転を高速にしてリンス液および残留する現像液が振り切り乾燥される。このとき、インナーカップ４６およびアウターカップ４７は、図３の右側に示す下降位置に配置されている。その後、回転が停止されるとともに蓋体が上昇され、その後リンス液吐出ノズル６０が待機位置へ移動されて、一連の現像処理が終了する。
【００４６】
このように本実施形態に係る現像処理ユニットによれば、基板Ｇに現像液を供給する際に、不活性ガス供給ノズル７１から水平方向または斜め上向きに不活性ガスを供給するので、少なくとも基板の表面部分に不活性ガスを供給することができ、結果として基板Ｇ上の現像液の酸化による劣化を生じ難くすることができる。この場合に、ノズル７１から不活性ガスを吐出させるだけであるから、大がかりな設備が不要であり極めて簡易である。
【００４７】
また、現像液膜Ｌを静止したままの状態では、（１）現像液供給開始地点と終了地点とでは現像の進行が異なり現像が不均一になること、および（２）基板の上面にタフスキン層が形成されて現像の進行が妨げられること等の問題が生じるが、上述のように不活性ガス供給ノズル７１から不活性ガスを現像液膜Ｌに供給することにより、現像液膜Ｌがある程度攪拌され、これによって現像の進行が均一化されるとともにタフスキン層を取り除いて現像を促進させることができる。
【００４８】
以上は現像処理の際における現像液の酸化による劣化を防止することを考慮した実施形態について説明したが、次に、現像液を回収する際に回収する現像液の酸化による劣化も考慮した実施形態について説明する。
【００４９】
図７は、このような現像液の回収を行う実施形態に係る現像処理ユニットを示す断面図である。この実施形態ではドレイン管５０ａに現像液回収タンク９２（現像液回収手段）が設けられており、この回収タンク９２に回収した現像液９０が貯留される。そして、上記の実施形態の基板表面近傍へ不活性ガスを供給する機構の他に、基板Ｇから振り切られた現像液または前記現像液回収手段により回収される現像液にＮ２ガスのような不活性ガスを供給する不活性ガス供給機構（第２の不活性ガス供給機構）を備えている。この第２の不活性ガス供給機構として、インナーカップ４６に不活性ガス供給ノズル９１が設けられ、さらに現像液回収タンク９２の上部に不活性ガス供給配管９３が設けられている。なお、現像液回収タンク９２の上部には不活性ガス供給配管９３に隣接して排気管９４が設けられており、これら不活性ガス供給配管９３および排気管９４にはそれぞれバルブ９５，９６が設けられている。また、現像液回収タンク９２の底部には現像液排出管９７が設けられており、この現像液排出管９７にはバルブ９８が設けられている。本実施形態において他の構成は従前の実施形態と全く同じであり、図７中図３と同じものには同じ符号を付して説明を省略する。
【００５０】
このように構成された現像処理ユニットにおいては、従前の実施形態と全く同様に現像液を塗布して現像を進行させた後、同様に基板Ｇを回転させて現像液を振り切る。この際に、振り切られた現像液には不活性ガス供給ノズル９１から不活性ガスが供給されるので、振り切られて回収経路に至る現像液の酸素（空気）との接触を妨げることができ、回収される現像液の酸化による劣化を抑制することができる。
【００５１】
振り切られた現像液は、ドレイン管５０ａを通って現像液回収タンク９２に回収される。このとき、排気管９４を介して空気を排出し、不活性ガス供給配管９３から不活性ガス、例えばＮ２ガスが現像液回収タンク９２に供給してタンク９２内を不活性ガス雰囲気にしておくことにより、現像液回収タンク９２に貯留された現像液９０の酸素（空気）との接触を妨げることができ、回収された現像液９０の酸化による劣化を抑制することができる。
【００５２】
本実施形態においては、従前の実施形態と同様に少なくとも基板Ｇの表面近傍部分に不活性ガスを供給するので、現像処理の際に現像液の酸化による劣化を生じ難くすることができるが、これに加えて上述したように現像液を振りきる際および現像液を回収する際に不活性ガス供給ノズル９１および不活性ガス供給配管９３から現像液に不活性ガスを供給することにより、現像液を回収する際における現像液の酸化をも生じ難くすることができるので、酸化による劣化が少ない現像液を回収することができる。なお、不活性ガス供給ノズル９１および不活性ガス供給配管９３は必ずしも両方設ける必要はなく、いずれか一方でも回収される現像液の酸化による劣化を抑制する効果を得ることができる。
【００５３】
なお、本発明は、上述した実施の形態には限定されず、その技術思想の範囲内で様々な変形が可能である。例えば、上記実施形態では現像液供給ノズルとして多数の吐出孔から現像液を吐出するタイプのものを用いたが、これに限るものではなく、例えばスプレータイプの現像液供給ノズルを用いてもよい。
【００５４】
このようなスプレータイプのノズルの一例を図８に示す。図８中（ａ）はスプレーノズルの側面図、（ｂ）は正面図、（ｃ）は平面図である。これらに示すように、スプレーノズル１０１はその下側に多数の現像液噴出口１０２を有しており、これら現像液噴出口１０２から現像液を放射状に噴霧（スプレー）するようになっている。スプレーノズル１０１は基板Ｇの短辺の半分の長さよりも若干長い長さを有しており、このスプレーノズル１０１には支持部材１０５によりスプレーの影響の及ばない位置に不活性ガス供給ノズル１０３が取り付けられている。この不活性ガス供給ノズル１０３の下側に吐出口１０４が設けられており、この吐出口１０４から基板Ｇ上へ不活性ガス（例えばＮ２ガス）が供給される。そして、図８の（ｃ）に示すように、基板Ｇを矢印方向に回転させながら、スプレーノズル１０１は静止した状態で現像液をスプレーするが、この時不活性ガス供給ノズル１０３から不活性ガスが供給されているので、基板Ｇ上は不活性ガス雰囲気となり、現像液の酸化による劣化を防止することができる。また、図９に示すように、不活性ガス供給ノズル１０３のみならず、スプレーノズル１０１の反対側に支持部材１０５’により不活性ガス供給ノズル１０３’を設けてその吐出口１０４’からも不活性ガスを供給するようにすることにより、現像液の酸化による劣化をより有効に防止することができる。
【００５５】
また、上記実施形態では、基板の表面近傍に不活性ガスを供給する不活性ガス供給ノズルを現像液供給ノズルに取り付けた例を示したが、これに限らず基板の少なくとも表面近傍に不活性ガスを供給することができればその位置は問わないし、不活性ガス供給機構としてはノズルに限らず他の手段であってもよい。
【００５６】
さらに、振り切った現像液または回収される現像液に不活性ガスを供給する位置についても上記実施形態に限るものではなく、その不活性ガス供給形態も不活性ガス供給ノズルや不活性ガス供給配管に限るものではない。
【００５７】
さらにまた、上記実施形態では本発明をＬＣＤ基板に対する処理システムに適用した場合を例にとって説明したが、これに限らずカラーフィルターや、半導体ウエハ等の他の基板を処理するシステムにも適用することができる。
【００５８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、基板に現像液を供給する際に、少なくとも基板の表面近傍部分に不活性ガスを供給するので、現像処理の際における現像液の酸化による劣化を生じ難くすることができる。また、これに加えて、現像液を振り切る際および／または現像液を回収する際に現像液に不活性ガスを供給することにより、現像液を回収する際における現像液の酸化をも生じ難くすることができるので、酸化による劣化が少ない現像液を回収することができる。さらにまた、基板に現像液を供給する際に、第１の不活性ガス供給機構により少なくとも基板の表面近傍部分に不活性ガスを供給し、かつ、現像液を振り切る際または現像液を回収する際に、第２の不活性ガス供給機構により現像液に不活性ガスを供給することにより、現像処理の際における現像液の酸化による劣化を生じ難くすることができるとともに、現像液を振り切る際または回収する際における現像液の酸化をも生じ難くすることができるので、酸化による劣化が少ない現像液を回収することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る現像処理ユニットが搭載されたＬＣＤ基板のレジスト塗布・現像処理システムを示す平面図。
【図２】本発明の一実施形態に係る現像処理ユニットを示す平面図。
【図３】図２に示した現像処理ユニットを示す断面図。
【図４】図２および図３に示した現像処理ユニットに設けられた現像液供給ノズルを示す斜視図。
【図５】図２および図３に示した現像処理ユニットにおける制御系を示すブロック図。
【図６】図２および図３に示した現像処理ユニットにおける現像処理動作を説明するための模式図。
【図７】本発明の他の実施形態に係る現像処理ユニットを示す断面図。
【図８】現像液供給ノズルの他の例としてのスプレーノズルを示す側面図、正面図および平面図。
【図９】図８のスプレーノズルの変形例を示す図。
【符号の説明】
２４ａ，２４ｂ，２４ｃ；現像処理ユニット（ＤＥＶ）
４１；スピンチャック
４２；回転駆動機構
４６；インナーカップ
４７；アウターカップ
５１；現像液用のノズルアーム
５２，５６，７４；駆動機構
７０；現像液供給ノズル
７１，１０３；不活性ガス供給ノズル（不活性ガス供給機構）
９０；回収された現像液
９１；不活性ガス供給ノズル（第２の不活性ガス供給機構）
９２；現像液回収タンク
９３；不活性ガス供給配管（第２の不活性ガス供給機構）
１０１；スプレーノズル（現像液供給ノズル）
Ｇ；ＬＣＤ基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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