【手続補正書】
【提出日】平成28年12月30日(2016.12.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンタクトプラットフォームであって、複数の分析領域を有し、これら分析領域の各々が少なくとも１対の固有の電気コンタクトプローブを有して電圧ポテンシャルを当該分析領域に案内する、上記コンタクトプラットフォームと、
電圧源に動作可能に結合されたコントローラであって、上記電圧源が１対または複数対の上記固有の電気コンタクトプローブと接続可能である、上記コントローラと、
上記コントローラおよび上記電圧源に結合されたマルチプレクサであって、選択的に、上記電圧源を、単一の分析領域の当該対の固有の電気コンタクトプローブに結合し、または２以上の分析領域の当該複数対の固有の電気コンタクトプローブに結合する、上記マルチプレクサとを有することを特徴とする計器。
【請求項２】
上記複数の分析領域はＰ×Ｑのマトリックスに配列される請求項１記載の計器。
【請求項３】
請求項１記載の計器において、
上記計器は、マルチウェルプレート中に含まれる複数のサンプルを分析するように構成され、
上記計器は、
上記マルチウェルプレートを支持するように構成されたキャリッジフレームであって、コンタクトプラットフォームに対して相対的に移動可能である上記キャリッジフレームを有し、
上記マルチウェルプレートは複数のウェルを有し、これらウェルはＭ×Ｎのマトリックスに配列され、
上記少なくとも１対の固有の電気コンタクトプローブが電圧ポテンシャルを少なくとも１つのウェルに案内し、
上記コントローラが、モータに動作可能に結合されて上記キャリッジフレームを上記コンタクトプラットフォームに対して相対的に移動させる、上記計器。
【請求項４】
上記分析領域は、Ｐ×Ｑのマトリックスに配列され、上記Ｍ×Ｎのマトリックスは、上記Ｐ×Ｑのマトリックスより大きい請求項３記載の計器。
【請求項５】
上記マルチウェルプレートは、上記プレートの底表面に各ウェルに対して複数の底電気コンタクトを有し、これら底電気コンタクトは上記コンタクトプラットフォームの当該対の固有の電気コンタクトプローブと接触するように構成される請求項３記載の計器。
【請求項６】
上記マルチウェルプレートは、上記底電気コンタクトと接続されて上記電圧ポテンシャルを上記ウェル内に導く複数の内部電極を上記ウェル内にさらに有する請求項５記載の計器。
【請求項７】
上記プラットフォームの上記電気コンタクトプローブは、複数の操作コンタクトプローブを有し、これら操作コンタクトプローブは、上記コントローラによって選択的に上記電圧源に結合されて分析対象のウェルの数を決定する請求項３記載の計器。
【請求項８】
結合されていない上記操作コンタクトプローブは上記マルチプレクサにおいて電気的に絶縁されている請求項７記載の計器。
【請求項９】
上記プラットフォームの上記電気コンタクトプローブはさらに複数の対抗コンタクトプローブを有し、これら対抗コンタクトプローブは少なくとも１つの接地に電気的に結合されている請求項７記載の計器。
【請求項１０】
少なくとも１つのウェルのために上記コンタクトプラットフォームで上記対抗コンタクトプローブに結合されている上記マルチウェルトレイの上記底電気コンタクトは電気的に絶縁されている請求項９記載の計器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０３】
この開示において引用された特許、特許出願、刊行物、および試験方法は参照してここに組み入れる。この発明は、ここに説明された具体的な実施例によってその範囲が限定されない。実際、この発明の種々の変更は、ここで説明された変更に加えて、当業者に先の説明および添付図面から明らかであろう。そのような変更は特許請求の範囲において請求される範囲内のものと意図されている。
以下、ここで説明した技術的特徴を列挙する。
［技術的特徴１］
離れたプラットフォームに光学センサを焦点合わせする方法であって、
（ａ）少なくとも高位置、中位置、および低位置のパターン表面を提供するステップであって、上記中位置のパターン表面および上記プラットフォームが相互に整合させられ、上記高位置のパターン表面および上記中位置のパターン表面との間の第１の距離と、上記中位置のパターン表面および上記低位置のパターン表面との間の第２の距離とが実質的に等しいステップと、
（ｂ）上記光学センサによる、上記高位置のパターン表面および上記中位置のパターン表面の間の第１のコントラスト値差分を取得するステップと、
（ｃ）上記光学センサによる、上記中位置のパターン表面および上記低位置のパターン表面の間の第２のコントラスト値差分を取得するステップと、
（ｄ）上記第１のコントラスト値差分および上記第２のコントラスト値差分を比較するステップとを有することを特徴とする、上記方法。
［技術的特徴２］
（ｅ）上記光学センサおよび上記プラットフォームの間の距離を調整するステップをさらに有し、上記第１のコントラスト値差分および上記第２のコントラスト値差分の間の差分が予め定められた値より小さくなるまで、上記ステップ（ｂ）〜（ｄ）を繰り返す技術的特徴１記載の方法。
［技術的特徴３］
上記中位置のパターン表面は、上記光学センサにより分析、される少なくとも１つのサンプルを担持するトレイの底表面と同一の平面レベルに整合させられる技術的特徴１記載の方法。
［技術的特徴４］
上記プラットフォームは、上記トレイの上記底表面と接触して上記少なくとも１つのサンプルに電気を供給するための複数の電極を有する技術的特徴３記載の方法。
［技術的特徴５］
上記高位置、中位置、および低位置のパターン表面は平行な平坦平面に位置づけられる技術的特徴１記載の方法。
［技術的特徴６］
上記高位置、中位置、および低位置のパターン表面は実質的に同一のパターンを有する技術的特徴１記載の方法。
［技術的特徴７］
上記同一のパターンはグリッドを有する技術的特徴６記載の方法。
［技術的特徴８］
上記予め定められた値は約＋−４．０より少ない技術的特徴２記載の方法。
［技術的特徴９］
上記予め定められた値は約＋−３．０より少ない技術的特徴２記載の方法。
［技術的特徴１０］
上記予め定められた値は約＋−２．０より少ない技術的特徴２記載の方法。
［技術的特徴１１］
上記中位置のパターン表面および上記プラットフォームの間の距離は約４ｍｍおよび約４．７５ｍｍの範囲である技術的特徴１記載の方法。
［技術的特徴１２］
上記中位置のパターン表面および上記プラットフォームの間の距離は約４．５ｍｍおよび約４．７ｍｍの範囲である技術的特徴１１記載の方法。
［技術的特徴１３］
上記中位置のパターン表面および上記プラットフォームの間の距離は約４．６ｍｍおよび約４．７ｍｍの範囲である技術的特徴１記載の方法。
［技術的特徴１４］
上記高位置、中位置および低位置のパターン表面は相互に隣接して配置される技術的特徴１記載の方法。
［技術的特徴１５］
上記高位置、中位置および低位置のパターン表面は、４分円の内部に位置づけられる技術的特徴１記載の方法。
［技術的特徴１６］
上記高位置、中位置および低位置のパターン表面は、上記光学センサと対抗して位置づけられる光源により照射される技術的特徴１記載の方法。
［技術的特徴１７］
上記光学センサは、カメラ、ＣＣＤセンサ、またはＣＭＯＳセンサを有する技術的特徴１記載の方法。
［技術的特徴１８］
光学センサ用の焦点合わせ機構であって、上記光学センサから離れた少なくとも高位置のパターン表面、中位置のパターン表面、および低位置のパターン表面を有し；
上記中位置のパターン表面は、上記光学センサおよび上記中位置のパターン表面により焦点合わせされる目標表面に整合させられ、
上記高位置のパターン表面および上記中位置のパターン表面の間の第１の距離と、上記中位置のパターン表面および上記低位置のパターン表面との間の第２の距離とが実質的に等しく、
上記第１および第２のコントラスト値差分の間の差分が予め定められた値未満になるまで、上記光学センサおよび上記パターン表面が相互に相対的に移動し；
照射源が、上記高位置、中位置、および低位置のパターン表面を通じて、光を上記光学センサに投射させるように位置決めされることを特徴とする焦点合わせ機構。
［技術的特徴１９］
上記目標表面は、上記光学センサによって分析されるサンプルに電気を選択的に流す、プラットフォームの参照表面を有する技術的特徴１８記載の焦点合わせ機構。
［技術的特徴２０］
上記中位置のパターン表面はプラットフォームの上記参照表面に予め定められた量だけ整合させられる技術的特徴１９記載の焦点合わせ機構。
［技術的特徴２１］
上記距離は約４ｍｍおよび約４．７５ｍｍの範囲である技術的特徴２０記載の焦点合わせ機構。
［技術的特徴２２］
上記距離は約４．５ｍｍおよび約４．７ｍｍの範囲である技術的特徴２１記載の焦点合わせ機構。
［技術的特徴２３］
上記距離は約４．６ｍｍおよび約４．７ｍｍの範囲である技術的特徴２２記載の焦点合わせ機構。
［技術的特徴２４］
上記目標表面は、上記光学センサにより分析、される少なくとも１つのサンプルを担持するトレイの底表面を有する技術的特徴１８記載の焦点合わせ機構。
［技術的特徴２５］
上記中位置のパターン表面および上記トレイの低表面は実質的に同一の平坦レベルに整合させられる技術的特徴２４記載の焦点合わせ機構。
［技術的特徴２６］
上記高位置、中位置および低位置のパターン表面は相互に隣接して配置される技術的特徴１８記載の焦点合わせ機構。
［技術的特徴２７］
上記高位置、中位置および低位置のパターン表面は、４分円の内部に位置づけられる技術的特徴１８記載の焦点合わせ機構。
［技術的特徴２８］
上記光学センサは、カメラ、ＣＣＤセンサ、またはＣＭＯＳセンサを有する技術的特徴１９記載の焦点合わせ機構。
［技術的特徴２９］
上記高位置、中位置、および低位置のパターン表面は平行な平坦平面に位置づけられる技術的特徴１８記載の焦点合わせ機構。
［技術的特徴３０］
上記高位置、中位置、および低位置のパターン表面は実質的に同一のパターンを有する技術的特徴１８記載の焦点合わせ機構。
［技術的特徴３１］
上記同一のパターンはグリッドを有する技術的特徴３０記載の焦点合わせ機構。
［技術的特徴３２］
コンタクトプラットフォームであって、複数の分析領域を有し、これら分析領域の各々が少なくとも１対の電気コンタクトを有して電圧ポテンシャルを当該分析領域に案内する、上記コンタクトプラットフォームと、
電圧源に動作可能に結合されたコントローラであって、上記電圧源が１対または複数対の電気コンタクトと接続可能である、上記コントローラと、
上記コントローラおよび上記電圧源に結合されたマルチプレクサであって、選択的に、上記電圧源を、単一の分析領域の当該対の電気コンタクトに結合し、または２以上の分析領域の当該対の電気コンタクトに結合する、上記マルチプレクサとを有することを特徴とする計器。
［技術的特徴３３］
上記複数の分析領域はＰ×Ｑのマトリックスに配列される技術的特徴３２記載の計器。
［技術的特徴３４］
上記Ｐ×Ｑのマトリックスは２×２のマトリックスである技術的特徴３３記載の計器。
［技術的特徴３５］
上記コンタクトプラットフォームの上記対の電気コンタクトは、立ち上がったピンを有する技術的特徴３２記載の計器。
［技術的特徴３６］
上記立ち上がったピンはバネ荷重である技術的特徴３５記載の計器。
［技術的特徴３７］
さらに、上記コンタクトフォームの上に位置づけられた光学センサを有する技術的特徴３２記載の計器。
［技術的特徴３８］
上記プラットフォームから上記光学センサへ投射を行う光源をさらに有し、上記プラットフォームを上記光源に対して整合させる技術的特徴３７記載の計器。
［技術的特徴３９］
マルチウェルプレートを搬送して当該プレートを上記コンタクトプラットフォームに対して位置づけ、もって、上記電圧ポテンシャルが上記プレート上の１または複数のウェルに印加されるように構成された、プレートキャリッジプラットフォームをさらに有する技術的特徴３２記載の計器。
［技術的特徴４０］
第２の整合機構をさらに有し、上記第２の整合機構は、上記プレートキャリッジフレーム上に位置づけられた複数の開口を有し、上記プラットフォームからの光源が上記開口を通じて照射されて、さらに、上記プレートキャリッジフレームを上記コンタクトプラットフォームに整合させる技術的特徴３９記載の計器。
［技術的特徴４１］
上記プレートキャリッジフレームは、上記マルチウェルプレートの周囲のスカート部を支持するような寸法および形状の矩形の開口を有する技術的特徴４０記載の計器。
［技術的特徴４２］
上記複数の開口は上記矩形の開口の少なくとも２つの側部に位置づけられる技術的特徴４１記載の計器。
［技術的特徴４３］
上記プレートキャリッジフレームは上記マルチウェルプレートを上記プレートキャリッジフレームに保持するためのラッチ機構を有する技術的特徴３９記載の計器。
［技術的特徴４４］
上記プレートキャリッジフレーム上に配置された焦点合わせ機構をさらに有し、光学センサを上記焦点合わせ機構に対して焦点合わせ可能になる技術的特徴３９記載の計器。
［技術的特徴４５］
第３の整合機構を有し、上記第３の整合機構は、上記プレートキャリッジフレーム上に位置決めされた電気伝導性表面を有し、上記コンタクトプラットフォーム上の上記電気コンタクトが上記電気伝導性表面に接触したときに上記コンタクトプラットフォーム上の上記電気コンタクトの間を流れ上記電気コンタクトと上記プレートキャリッジフレームとの間の予め定められた距離を示す技術的特徴３９記載の計器。
［技術的特徴４６］
コンタクトプラットフォームであって、複数の分析領域を有し、これら分析領域の各々が少なくとも１対の電気コンタクトを有して電圧ポテンシャルを当該分析領域に案内する、上記コンタクトプラットフォームと、
電圧源に動作可能に結合されたコントローラであって、上記電圧源が１対または複数対の電気コンタクトと接続可能である、上記コントローラと、
上記コントローラおよび上記電圧源に結合された手段であって、上記電圧源および単一の分析領域の上記電気コンタクトの間の第１の結合から、上記電圧源および１または複数の分析領域の上記電気コンタクトの間の第２の結合へと切り換えを行う上記手段とを有することを特徴とする計器。
［技術的特徴４７］
マルチウェルプレート中に含まれる複数のサンプルを分析するように構成された計器において、
上記マルチウェルプレートを支持するように構成されたキャリッジフレームであって、コンタクトプラットフォームに対して相対的に移動可能である上記キャリッジフレームであって、
上記マルチウェルプレートは複数のウェルを有し、これらウェルはＭ×Ｎのマトリックスに配列され、
上記コンタクトプラットフォームは複数の分析領域を有し、上記分析領域の各々は少なくとも１対の電気コンタクトを有し、電圧ポテンシャルを少なくとも１つのウェルに案内する、上記キャリッジフレームと、
モータに動作可能に結合されたコントローラであって、上記キャリッジフレームを上記コンタクトプラットフォームに対して相対的に移動させ、かつ電圧源に動作可能に結合され、上記電圧源が１対または複数対の電気コンタクトに結合可能である、上記コントローラと、
上記コントローラおよび上記電圧源に結合されたマルチプレクサであって、選択的に、上記電圧源を単一の分析領域の当該１対の電気コンタクトに結合させ、または、上記電圧源を、２以上の分析領域の少なくとも１対の電気コンタクトに結合させる上記マルチプレクサとを有することを特徴とする計器。
［技術的特徴４８］
上記分析領域は、Ｐ×Ｑのマトリックスに配列され、上記Ｍ×Ｎのマトリックスは、上記Ｐ×Ｑのマトリックスより大きい技術的特徴４７記載の計器。
［技術的特徴４９］
上記Ｐ×Ｑのマトリックスは２×２のマトリックスである技術的特徴４８記載の計器
［技術的特徴５０］
上記マルチウェルプレートは、上記プレートのどこ表面に各ウェルに対して複数の底電気コンタクトを有し、これら底電気コンタクトは上記コンタクトプラットフォームの当該対の電気コンタクトと接触するように構成される技術的特徴４７記載の計器。
［技術的特徴５１］
上記マルチウェルプレートは、上記底電気コンタクトと接続されて上記電圧ポテンシャルを上記ウェル内に導く複数の内部電気コンタクトをさらに有する技術的特徴５０記載の計器。
［技術的特徴５２］
少なくとも１つのウェルに対する上記底電気コンタクトが、隣接ウェルに対する上記底電気コンタクトから電気的に絶縁されている技術的特徴５０記載の計器。
［技術的特徴５３］
少なくとも１つのウェルに対する上記内部電気コンタクトが、隣接ウェルに対する上記底電気コンタクトから電気的に絶縁されている技術的特徴５１記載の計器。
［技術的特徴５４］
上記プラットフォームの上記電気コンタクトは、複数の操作電極を有し、これら操作電極は、上記コントローラによって選択的に上記電圧源に結合されて分析対象のウェルの数を決定する技術的特徴４７記載の計器。
［技術的特徴５５］
１つの操作電極が１つのウェルに結合される技術的特徴５４記載の計器。
［技術的特徴５６］
１つの操作電極が複数のウェルに結合される技術的特徴５４記載の計器。
［技術的特徴５７］
結合されていない上記操作端子は上記マルチプレクサにおいて電気的に絶縁されている技術的特徴５４記載の計器。
［技術的特徴５８］
上記プラットフォームの上記電気コンタクトはさらに複数の対抗電極を有し、これら対抗電極は少なくとも１つの接地に電気的に結合されている技術的特徴５４記載の計器。
［技術的特徴５９］
複数のウェルのために上記コンタクトプラットフォームで上記対抗電極に結合されている上記マルチウェルトレイの上記底電気コンタクトは電気的に結合されている技術的特徴５８記載の計器。
［技術的特徴６０］
すべてのウェルのために上記コンタクトプラットフォームで上記対抗電極に結合されている上記マルチウェルトレイの上記底電気コンタクトは電気的に結合されている技術的特徴５８記載の計器。
［技術的特徴６１］
少なくとも１つのウェルのために上記コンタクトプラットフォームで上記対抗電極に結合されている上記マルチウェルトレイの上記底電気コンタクトは電気的に結合されている技術的特徴５８記載の計器。
［技術的特徴６２］
上記コンタクトプラットフォームの複数対の電気コンタクトは立ち上がったピンを有する技術的特徴４７記載の計器。
［技術的特徴６３］
上記立ち上がったピンはバネ荷重である技術的特徴６２記載の計器。
［技術的特徴６４］
上記コントローラはＰ×Ｎ個のウェルを同時に分析する技術的特徴４７記載の計器。
［技術的特徴６５］
上記コントローラはＰ×Ｎ個未満のウェルを同時に分析する技術的特徴４７記載の計器。
［技術的特徴６６］
Ｍ×Ｎのマトリックスのウェルを具備するマルチウェルプレート中に含まれるサンプルを分析する方法であって、
（ａ）複数の分析領域を具備するコンタクトプラットフォームを準備するステップと、
（ｂ）上記分析領域の各々に対して少なくとも１対の電気コンタクトを準備するステップであって、上記分析領域の各々は単一のウェルを分析するように構成される上記ステップと、
（ｃ）電圧を、（ｉ）１または複数のウェルを同時に分析するために１つの分析領域に、または（ｉｉ）複数のウェルを分析するために複数の分析領域に、選択的に印加するステップと、
（ｄ）追加的な複数のウェルを分析するために上記マルチウェルプレートを上記プラットフォームに対して相対的に移動させるステップとを有することを特徴とする、上記方法。
［技術的特徴６７］
上記分析領域がＰ×Ｑのマトリックスに配列され、上記Ｍ×Ｎのマトリックスが上記Ｐ×Ｑのマトリックスより大きい技術的特徴６６記載の方法。
［技術的特徴６８］
上記ステップ（ｃ）において、（ｉ）単一のウェルが分析される技術的特徴６６記載の方法。
［技術的特徴６９］
上記ステップ（ｃ）において、（ｉｉ）Ｍ×Ｎ個のウェルが分析される技術的特徴６７記載の方法。
［技術的特徴７０］
上記コンタクトプラットフォームの当該複数対の電気コンタクトの少なくとも１つの正のコンタクトを選択して上記電圧ポテンシャルを導くことによって上記ステップ（ｃ）における電圧ポテンシャルの印加を制御するステップ（ｅ）をさらに有する技術的特徴６６記載の方法。
［技術的特徴７１］
上記ステップ（ｅ）は、上記電圧ポテンシャルに結合されていない少なくとも１つの正のコンタクトを電気的に絶縁するステップをさらに含む技術的特徴７０記載の方法。
［技術的特徴７２］
上記マルチウェルプレートの底表面の複数の底電気コンタクトを準備するステップ（ｆ）をさらに有する技術的特徴７０記載の方法。
［技術的特徴７３］
上記複数の底電気コンタクトから少なくとも１つの接地コンタクトを電気的に絶縁するステップ（ｇ）をさらに有する技術的特徴７２記載の方法。
［技術的特徴７４］
上記ステップ（ｇ）において、上記複数の底電気コンタクトからの複数の接地コンタクトのすべてが相互に絶縁されている技術的特徴７３記載の方法。
［技術的特徴７５］
光学センサを準備するステップ（ｈ）をさらに有する技術的特徴６６記載の方法。
［技術的特徴７６］
上記光学センサを上記コンタクトプラットフォームに焦点合わせするステップ（ｉ）をさらに有する技術的特徴７５の方法。
［技術的特徴７７］
上記光学センサを上記コンタクトプラットフォームに整合させるステップ（ｊ）をさらに有する技術的特徴７５記載の方法。
［技術的特徴７８］
上記マルチウェルプレートを担持するようになされたトレイキャリッジフレームを上記コンタクトプラットフォームに整合させるステップ（ｋ）をさらに有する技術的特徴７５記載の方法。
［技術的特徴７９］
上記コンタクトプラットフォームの上記複数対の電気コンタクトをマルチウェルトレイの底表面に整合させるステップ（ｌ）をさらに有する技術的特徴７５記載の方法。
［技術的特徴８０］
上記ステップ（ｌ）は、さらに上記トレイキャリッジフレームの電気伝導性表面を準備するステップをさらに有する技術的特徴７９記載の方法。
［技術的特徴８１］
上記マルチウェルトレイをトレイキャリッジフレームにラッチさせるステップ（ｍ）をさらに有する技術的特徴６６記載の方法。
［技術的特徴８２］
マルチウェルプレートにおいて発光分析評価を実行するための計器において、上記計器は、光検出サブシステムおよびプレート操作サブシステムを有し、上記プレート操作サブシステムは、
（ａ）ハウジングおよび取り外し可能な引き出しを有する光タイト筐体であって、
（ｘ）上記ハウジングが、ハウジングトップ、ハウジングフロント、１または複数のプレート案内開口、検出開口、上記プレート案内開口をシールするための滑動光タイト・ドアー、および複数の整合機構を有し、上記ハウジングは上記取り外し可能な引き出しを収容するようになされ、
（ｙ）上記取り外し可能な引き出しは：
（ｉ）上記取り外し可能な引き出しを上記ハウジング内において上記光検出サブシステムに対して整合させるために上記複数の整合機構と対をなして係合させられるように構成された複数の随伴整合機構を有し、上記取り外し可能な引き出しの重量が上記ハウジングトップにより支持される、ｘ−ｙサブシステムと；
（ｉｉ）上昇または下降させることができるプレートリフトプラットフォームを具備する１または複数のプレートエレベータであって、上記プレート案内開口の下に位置づけられる上記１または複数のプレートエレベータと；
（ｉｉｉ）プレートを１または複数の水平方向に移動させるためのプレート移動ステージであって、上記プレートキャリッジは、上記プレートキャリッジの下に位置決めされた上記プレートエレベータが上記プレートに到達して上記プレートを上昇させることができるようになす、開口を具備し、上記プレート移動ステージは複数のプレートを上記検出開口の下に位置づけ、かつ上記複数のプレートを上記プレートエレベータの上に位置づけるように構成される、上記プレート移動ステージとを有する、
上記光タイト筐体と；
（ｂ）上記ハウジングトップに、上記プレート案内開口の上の位置で実装される１または複数のプレートスタッカであって、上記複数のプレートを収容し、または上記プレートエレベータに送出するように構成されている、上記１または複数のプレートスタッカとを有し、
上記光検出サブシステムは、上記筐体トップに取り付けられ光タイトシールによって上記検出開口に結合される光検出器を有することを特徴とする、上記計器。
［技術的特徴８３］
上記ｘ−ｙサブシステムは上記ハウジングトップに取り付けられる技術的特徴８２記載の計器。
［技術的特徴８４］
上記複数の整合機構は、上記ハウジングの全体にわたって分布させられた一組の整合ピンを有し、上記複数の随伴整合機構は、上記一組の整合ピンと係合刷るように高瀬された一組の穴を有する技術的特徴８２記載の計器。
［技術的特徴８５］
上記ハウジングは複数の電気コネクタを有し、上記引き出しは上記複数の電気コネクタと接触して係合するように構成された複数の随伴電気コネクタを有する技術的特徴８２記載の計器。
［技術的特徴８６］
上記１または複数のプレートスカッタは取り外し可能である技術的特徴８２記載の計器。
［技術的特徴８７］
複数のプレートを収容するように構成され、上記プレートスタッカの頂部に位置づけられたプレートスタッカ拡張要素をさらに有する技術的特徴８２記載の計器。
［技術的特徴８８］
上記プレートスタッカ拡張要素の高さは調整可能である技術的特徴８７記載の計器。
［技術的特徴８９］
上記プレートスタッカ拡張要素は最高で２０枚までのプレートに対処できるように構成される技術的特徴８８記載の計器。
［技術的特徴９０］
上記プレートスタッカ拡張要素は最高で１０枚までのプレートに対処できるように構成される技術的特徴８８記載の計器。
［技術的特徴９１］
上記プレートスタッカ拡張要素は最高で５枚までのプレートに対処できるように構成される技術的特徴８８記載の計器。
［技術的特徴９２］
上記プレート操作サブシステムは、上記サブシステム内においてプレートを検出するように構成されたプレートセンサをさらに有する技術的特徴８２記載の計器。
［技術的特徴９３］
上記プレートセンサは、容量センサ、接触スイッチ、超音波スイッチ、重量センサ、または光学センサを有する技術的特徴９２記載の計器。
［技術的特徴９４］
上記引き出しは、上記１または複数のプレートエレベータおよび／または上記プレート移動ステージの近傍に複数の流出阻止機構を有する技術的特徴８２記載の計器。
［技術的特徴９５］
上記流出阻止機構はドリップシールドを有する技術的特徴９４記載の計器。
［技術的特徴９６］
プレートリフトプラットフォームは、滑り止め表面を有する技術的特徴８２記載の計器。
［技術的特徴９７］
上記１または複数のプレートエレベータは、２つの隣接するリフトプラットフォームであって、当該リフトプラットフォームを上昇または下降させるように構成された鋏機構によって結合された上記２つの隣接するリフトプラットフォームを有する技術的特徴８２記載の計器。
［技術的特徴９８］
上記プレート移動ステージは上記ステージの移動を阻止するように構成されたロック機構を有する技術的特徴８２記載の計器。
［技術的特徴９９］
上記プレート操作サブシステムはさらに１または複数のプレート配位センサを有する技術的特徴８２記載の計器。
［技術的特徴１００］
上記１または複数のプレート配位センサは、上記プレートキャリッジ、上記１または複数のプレートスタッカ、およびこれらの組み合わせの表面またはこれらに関連して位置づけられる技術的特徴９９記載の計器。
［技術的特徴１０１］
上記光検出サブシステムは、カメラと、上記カメラをｘ、ｙ、ｚ、およびシータ方向に焦点合わせするように構成されたカメラ焦点合わせ機構とを有する技術的特徴８２記載の計器。
［技術的特徴１０２］
上記カメラ焦点合わせ機構は手動調整可能要素を有する技術的特徴１０１記載の計器。
［技術的特徴１０３］
上記手動調整可能よそはノブを有する技術的特徴１０２記載の計器。
［技術的特徴１０４］
上記光検出サブシステムは、上記カメラ焦点合わせ機構を駆動するように構成されたモータをさらに有する技術的特徴１０１記載の計器。
［技術的特徴１０５］
上記光検出サブシステムは、上記プレート操作サブシステムに取り付けられた光検出サブシステムハウジングを有する技術的特徴１０１記載の計器。
［技術的特徴１０６］
上記光検出サブシステムハウジングは上記光タイト筐体のハウジングトップに固着されるバックルを有する技術的特徴１０５記載の計器。
［技術的特徴１０７］
上記バックルは、上記光タイト容体から光が漏れるのを阻止する１または複数の光阻止材料をさらに有する技術的特徴１０６記載の計器。
［技術的特徴１０８］
上記光検出サブシステムハウジングはさらに上記カメラを包囲する光シールドをさらに有する技術的特徴１０１記載の計器。
［技術的特徴１０９］
上記カメラはＦ値が１．３〜１．８の範囲のレンズを有する技術的特徴１０１記載の計器。
［技術的特徴１１０］
上記ハウジングは、内部冷却ファン、上記ハウジングの第１の側部の吸入ベント、および、上記ハウジングの上記第１の側部に対して反対側の側部に位置づけられる排出ベントを有する技術的特徴１０１記載の計器。
［技術的特徴１１１］
マルチウェルプレートにおいて発光分析評価を実行するための計器において、上記計器は、上記マルチウェルプレートを支持するためのプレートキャリッジを含む、プレート操作サブシステムを有し、上記プレートキャリッジはフレームおよびプレートラッチ機構を有し、
上記プレートラッチ機構は：
（ａ）プレートキャリッジ棚部と；
（ｂ）上記棚部と直角で、上記棚部に対する基端部および末端部を有するプレートクランプアームであって、上記フレームに上記基端部で取り付けられ上記末端部においてｘ−ｙプレートにおいて回転可能であり、さらに上記プレートと係合するように構成されたに角度付けられた表面を含む上方クランプをさらに有する、上記プレートクランプアームと；
（ｃ）ロッド、ペダル、およびバネを有するプレート位置決め要素であって、上記ロッドが上記アームと直角で、上記棚部に対して平行で、上記アームの末端部に上記バネを介し取り付けられる、上記プレート位置決め要素と；
（ｄ）上記アームに対して平行であり上記位置決め要素および上記棚部と直角で上記位置決め要素および上記棚部の間に配されるプレート壁部であって、（ｉ）マルチウェルプレートスカートと係合するように構成された下側プレートクランプと、（ｉｉ）上記スカートへと上記下側プレートクランプを押すように構成された下側クランプランプ部とを有する上記プレート壁部とを有することを特徴とする、上記計器。
［技術的特徴１１２］
上記プレート壁部は、上記下側プレートクランプを上記スカートから係合解除するように構成されたプレートエジェクタ要素をさらに有する技術的特徴１１１記載の計器。
［技術的特徴１１３］
技術的特徴１１１の計器において上記マルチウェルプレートを係合させる方法において、
（ａ）上記フレームに上記プレートを配置するステップと；
（ｂ）プレート位置決め要素のバネを圧縮し、もって、上記ペダルを上記プレートに抗して上記棚部の方向に押圧して上記アームを上記ｘ−ｙ平面において上記プレートへと回転させるステップと；
（ｃ）上記上側クランプを上記プレートに接触させ、もって上記プレートを上記キャリッジ壁部へ押圧するステップと；
（ｄ）上記下側プレートクランプを上記スカートに接触させて、もって上記プレートを上記キャリッジ内にロックするステップとを有することを特徴とする、上記方法。
［技術的特徴１１４］
マルチウェルプレートにおいて発光分析評価を実行するための計器において、上記計器は、上記マルチウェルプレートを支持するためのプレートキャリッジとプレートラッチ機構とを含む、プレート操作サブシステムを有し、
上記マルチウェルプレートは少なくとも第１、第２、第３、および第４の側部を具備し、上記第１および第３の側部は実施的に相互に平行であり上記第２および第４の側部は実質的に相互に平行であり、
上記プレートキャリッジは、実質的に上記マルチウェルプレートと同位置の形状で上記マルチウェルプレートより小さな寸法の形状を具備する開口を形成し、もって、上記開口が上記マルチウェルプレートの周囲の回りに位置づけられる棚部を支持するようになし、上記プレートキャリッジは、さらに、上記マルチウェルプレートの上記第１および第２の側部にそれぞれ対応する第１のストップ（５０１）と第２のストップ（５１３）とを有し、
上記プレートラッチ機構は、１つのマルチウェルプレートを受容するための開口構成から、上記マルチウェルプレートを上記プレートキャリッジにラッチするためのクランプ構成へと移行可能であり、
上記プレートラッチ機構は、上記クランプ位置にバイアスされ、かつ上記マルチウェルプレートの上記第１の側部を上記第１のストップの方向に押圧するようになされたペダル（５１１）を具備する第１のラッチ部材（５０９）と、上記クランプ位置にバイアスされ、かつ上記プレートクランプアーム（５０２）にピボットによって結合され上記第２の即部を上記第２のストップ（５１３）の方向に押圧するようになされたブラケット（５０３）を具備するプレートクランプアーム（５０２）とを有し、上記第１のラッチ機構（５０９）は上記プレートクランプアーム（５０２）に結合され、
上記プレートラッチ機構は、第２のストップ（５１３）の近くに位置づけられて上記マルチウェルプレートの上記スカートを上記プレートキャリッジにクランプする、少なくとも１つのバイアスされたクランプ（５１５）を有することを特徴とする、上記計器。
［技術的特徴１１５］
上記ブラケット（５０３）は少なくとも２つの脚部（５０４、５０６）を有し、双方とも上記マルチウェルトレイの上記第４の側部に接触する技術的特徴１１４記載の計器。
［技術的特徴１１６］
少なくとも１つの脚部（５０４、５０６）は上記マルチウェルトレイの平面と直交する力を印加するためにランプ（５０７、５０８）を有する技術的特徴１１５記載の計器。
［技術的特徴１１７］
上記第１のラッチ部材は作動ロッド（５１０）を有し、この作動ロッドがバネ（５１２）によってクランプ位置にバイアスされる技術的特徴１１４記載の計器。
［技術的特徴１１８］
上記ペダル（５１１）は上記作動ロッド（５１０）に取り付けられ、上記プレートキャリッジは、上記作動ロッドが移動するときに上記ペダルに力を印可して上記ペダルが上記マルチウェルトレイに対して近づいたり遠ざかったりするようになす第３のストップを具備する技術的特徴１１７記載の計器。
［技術的特徴１１９］
上記ペダルおよびプレートクランプアームは開放構成において後退する技術的特徴１１７記載の計器、
［技術的特徴１２０］
上記マルチウェルトレイを上記第１または第２のストップから遠ざかるように移動させるエジェクタをさらに有する技術的特徴１１１記載の計器。
［技術的特徴１２１］
上記エジェクタはバネ荷重である技術的特徴１２０記載の計器。
［技術的特徴１２２］
上記エジェクタは過剰移動阻止部を有する技術的特徴１２０記載の計器。
［技術的特徴１２３］
（ｉ）単一ウェルアドレス可能プレートまたはマルチウェルアドレス可能プレートからなるグループから選択されたマルチウェル分析評価プレートと；
（ｉｉ）上記単一ウェルアドレス可能プレートの単一ウェル、または上記マルチウェルアドレス可能プレートのウェルのグループからの電気発光を測定するように構成された装置とを有することを特徴とするシステム。
［技術的特徴１２４］
上記マルチウェル分析評価プレートは、上記単一ウェルアドレス可能プレートであって、複数のプレート頂部開口を具備するプレート頂部と上記プレート頂部と対をなして上記単一ウェルアドレス可能プレートの複数のウェルを形成するプレート底部とを含む上記単一ウェルアドレス可能プレートを有し、上記プレート底部は、表面に複数の電極パターンを具備する頂部表面と、表面にパターン形成された複数の電気コンタクトを具備する底部表面とを具備する基体を有し、上記電極および上記コンタクトが上記単一ウェルアドレス可能プレートの複数のウェル底部を形成するようにパターン形成され、１つのウェル底部内のパターンが：
（ａ）上記基体の上記頂部表面の作業電極であって、１つの電気コンタクトに電気的に結合された上記作業電極と；
（ｂ）上記基体の上記頂部表面の対抗電極であって、上記電気コンタクトに電気的に接続され、かつ、上記単一ウェルアドレス可能プレートの付加的なウェルの付加的な対抗電極に電気的に接続されない上記対抗電極とを有する、技術的特徴１２３記載のシステム。
［技術的特徴１２５］
上記単一ウェルアドレス可能プレートは４ウェルのプレート、６ウェルのプレート、２４ウェルのプレート、９６ウェルのプレート、３８４ウェルのプレート、１５３６ウェルのプレート、６１４４ウェルのプレートまたは９６００ウェルのプレートである技術的特徴１２４記載のシステム。
［技術的特徴１２６］
上記電極およびコンタクトは個別にアドレス可能である技術的特徴１２４記載のシステム。
［技術的特徴１２７］
上記電極は炭素粒子を有する技術的特徴１２４記載のシステム。
［技術的特徴１２８］
上記電極は印刷導電性材料を有する技術的特徴１２４記載のシステム。
［技術的特徴１２９］
１または複数の上記電極は、その上に形成された複数の分析評価ドメインを有する技術的特徴１２８記載のシステム。
［技術的特徴１３０］
上記複数の分析評価ドメインは少なくとも４つの分析評価ドメインを有する技術的特徴１２９記載のシステム。
［技術的特徴１３１］
上記複数の分析評価ドメインは少なくとも７個の分析評価ドメインを有する技術的特徴１２９記載のシステム。
［技術的特徴１３２］
上記複数の分析評価ドメインは少なくとも１０個の分析評価ドメインを有する技術的特徴１２９記載のシステム。
［技術的特徴１３３］
上記複数の分析評価ドメインは、上記作業電極に支持される１または複数の誘電体層中の開口により形成される技術的特徴１２９記載のシステム。
［技術的特徴１３４］
上記マルチウェル分析評価プレートは、上記マルチウェルアドレス可能プレートであって、複数のプレート頂部開口を具備するプレート頂部と上記プレート頂部と対をなして上記マルチウェルアドレス可能プレートの複数のウェルを形成するプレート底部とを含む上記マルチウェルアドレス可能プレートを有し、上記プレート底部は、表面に複数の電極パターンを具備する頂部表面と、表面にパターン形成された複数の電気コンタクトを具備する底部表面とを具備する基体を有し、上記電極および上記コンタクトが２またはそれ以上の一緒にアドレス可能な分析評価ウェルからなる、２またはそれ以上の独立してアドレス可能なセクタを形成するようにパターン形成され、上記セクタの各々が２または複数のウェルを有し、さらに：
（ａ）上記基体の上記頂部表面の一緒にアドレス可能な複数の作業電極であって、上記作業電極の各々が相互に電気的に接続され、かつ上記電気コンタクトの少なくとも第１の電気コンタクトに電気的に結合された上記作業電極と；
（ｂ）上記基体の上記頂部表面の一緒にアドレス可能な複数の対抗電極であって、上記対抗電極の各々が相互に電気的に接続され、かつ、上記作業電極に電気的に接続されず、さらに、上記電気コンタクトの少なくとも第２のコンタクトに電気的に接続される上記対抗電極とを有する、技術的特徴１２３記載のシステム。
［技術的特徴１３５］
上記マルチウェルアドレス可能プレートは４ウェルのプレート、６ウェルのプレート、２４ウェルのプレート、９６ウェルのプレート、３８４ウェルのプレート、１５３６ウェルのプレート、６１４４ウェルのプレートまたは９６００ウェルのプレートである技術的特徴１３４記載のシステム。
［技術的特徴１３６］
上記独立してアドレス可能なセクタは上記マルチウェルアドレス可能プレートのウェルの５０％未満しか含まない技術的特徴１３４記載のシステム。
［技術的特徴１３７］
上記独立してアドレス可能なセクタは上記マルチウェルアドレス可能プレートのウェルの２０％未満しか含まない技術的特徴１３４記載のシステム。
［技術的特徴１３８］
上記独立してアドレス可能なセクタはウェルの４×４のアレイである技術的特徴１３４記載のシステム。
［技術的特徴１３９］
上記マルチウェルプレートは、独立してアドレス可能なセクタの２×３のアレイである技術的特徴１３４記載のシステム。
［技術的特徴１４０］
上記独立してアドレス可能なセクタは１または複数の列または１または複数の行のウェルを有する技術的特徴１３４記載のシステム。
［技術的特徴１４１］
上記電極は炭素粒子を有する技術的特徴１３４記載のシステム
［技術的特徴１４２］
上記電極は印刷導電性材料を有する技術的特徴１３４記載のシステム。
［技術的特徴１４３］
１または複数の上記電極は、その上に形成された複数の分析評価ドメインを有する技術的特徴１４２記載のシステム。
［技術的特徴１４４］
上記複数の分析評価ドメインは少なくとも４つの分析評価ドメインを有する技術的特徴１４３記載のシステム。
［技術的特徴１４５］
上記複数の分析評価ドメインは少なくとも７個の分析評価ドメインを有する技術的特徴１４３記載のシステム。
［技術的特徴１４６］
上記複数の分析評価ドメインは少なくとも１０個の分析評価ドメインを有する技術的特徴１４３記載のシステム。
［技術的特徴１４７］
技術的特徴１２３〜１４６のいずれかに記載のシステムにおいて、上記装置は、
コンタクトプラットフォームであって、複数の分析領域を有し、これら分析領域の各々が少なくとも１対の電気コンタクトを有して電圧ポテンシャルを当該分析領域に案内する、上記コンタクトプラットフォームと、
電圧源に動作可能に結合されたコントローラであって、上記電圧源が１対または複数対の電気コンタクトと接続可能である、上記コントローラと、
上記コントローラおよび上記電圧源に結合されたマルチプレクサであって、選択的に、上記電圧源を、単一の分析領域の当該対の電気コンタクトに結合し、または２以上の分析領域の当該対の電気コンタクトに結合する、上記マルチプレクサとを有する、上記システム。
［技術的特徴１４８］
上記複数の分析領域はＰ×Ｑのマトリックスに配列される技術的特徴１４７記載のシステム。
［技術的特徴１４９］
上記Ｐ×Ｑのマトリックスは２×２のマトリックスである技術的特徴１４８記載のシステム。
［技術的特徴１５０］
上記コンタクトプラットフォームの上記対の電気コンタクトは、立ち上がったピンを有する技術的特徴１４７記載のシステム。
［技術的特徴１５１］
上記立ち上がったピンはバネ荷重である技術的特徴１５０記載のシステム。
［技術的特徴１５２］
さらに、上記コンタクトフォームの上に位置づけられた光学センサを有する技術的特徴１４７記載のシステム。
［技術的特徴１５３］
第１の整合機構をさらに有し、この第１の整合機構は上記プラットフォームから上記光学センサへ投射を行う光源を有し、上記プラットフォームを上記光源に対して整合させる技術的特徴１５２記載のシステム。
［技術的特徴１５４］
マルチウェルプレートを搬送して当該プレートを上記コンタクトプラットフォームに対して位置づけ、もって、上記電圧ポテンシャルが上記プレート上の１または複数のウェルに印加されるように構成された、プレートキャリッジプラットフォームをさらに有する技術的特徴１４７記載のシステム。
［技術的特徴１５５］
第２の整合機構をさらに有し、上記第２の整合機構は、上記プレートキャリッジフレーム上に位置づけられた複数の開口を有し、上記プラットフォームからの光源が上記開口を通じて照射されて、さらに、上記プレートキャリッジフレームを上記コンタクトプラットフォームに整合させる技術的特徴１５４記載のシステム。
［技術的特徴１５６］
上記プレートキャリッジフレームは、上記マルチウェルプレートの周囲のスカート部を支持するような寸法および形状の矩形の開口を有する技術的特徴１５５記載のシステム。
［技術的特徴１５７］
上記複数の開口は上記矩形の開口の少なくとも２つの側部に位置づけられる技術的特徴１５６記載のシステム。
［技術的特徴１５８］
上記プレートキャリッジフレームは上記マルチウェルプレートを上記プレートキャリッジフレームに保持するためのラッチ機構を有する技術的特徴１５４記載のシステム。
［技術的特徴１５９］
上記プレートキャリッジフレーム上に配置された焦点合わせ機構をさらに有し、光学センサを上記焦点合わせ機構に対して焦点合わせ可能になる技術的特徴１５４記載のシステム。
［技術的特徴１６０］
第３の整合機構を有し、上記第３の整合機構は、上記プレートキャリッジフレーム上に位置決めされた電気伝導性表面を有し、上記コンタクトプラットフォーム上の上記電気コンタクトが上記電気伝導性表面に接触したときに上記コンタクトプラットフォーム上の上記電気コンタクトの間を流れ上記電気コンタクトと上記プレートキャリッジフレームとの間の予め定められた距離を示す技術的特徴１５４記載のシステム。
［技術的特徴１６１］
技術的特徴１２３〜１４６のいずれかに記載のシステムにおいて、上記装置は、
コンタクトプラットフォームであって、複数の分析領域を有し、これら分析領域の各々が少なくとも１対の電気コンタクトを有して電圧ポテンシャルを当該分析領域に案内する、上記コンタクトプラットフォームと、
電圧源に動作可能に結合されたコントローラであって、上記電圧源が１対または複数対の電気コンタクトと接続可能である、上記コントローラと、
上記コントローラおよび上記電圧源に結合された手段であって、上記電圧源および単一の分析領域の上記電気コンタクトの間の第１の結合から、上記電圧源および１または複数の分析領域の上記電気コンタクトの間の第２の結合へと切り換えを行う上記手段とを有する、上記システム。
［技術的特徴１６２］
単一ウェルアドレス可能プレートまたはマルチウェルアドレス可能プレートからなるグループから選択された１のプレートタイプのマルチウェルプレートからの発光を測定するための装置において、
（ｉ）上記プレートタイプを特定するプレートタイプ識別子インタフェースと；
（ｉｉ）上記マルチウェルプレートをｘ−ｙ平面において保持し、また、移動させるプレート移動ステージと；
（ｉｉｉ）複数のコンタクトプローブを有し、上記プレート移動ステージの下方に、上記ステージの移動範囲内において位置づけられるプレートコンタクト機構であって、上記プレートコンタクト機構は、上記機構を上昇させ、下降させ、上記プレートが上記トランスレーションステージ上に位置づけられるときに、上記プローブを、底コンタクト表面と接触させ、または接触解除させるコンタクト機構エレベータに取り付けられる、上記プレートコンタクト機構と；
（ｉｖ）上記コンタクトプローブを通じて上記プレートにポテンシャルを印加するための電圧源と；
（ｖ）上記プレート移動ステージの上方に上記プレートコンタクト機構と垂直に整合されて位置づけられる撮像システムとを有し、
（ａ）上記撮像システムは、Ｐ×Ｑのマトリックスのウェルを撮像するように構成され、上記プレートコンタクト機構は、上記マトリックスに関連する上記底コンタクト表面と接触するように構成され、上記プレート移行ステージはプレートを移動させて上記マトリックスが上記撮像システムおよびプレートコンタクト機構に整合するように位置づけるように構成され；
（ｂ）上記装置は上記単一ウェルアドレス可能プレートの上記マトリックス中の各ウェルに順次的に電圧を印可して上記マトリックスを撮像するように構成され；
（ｃ）上記装置は上記マルチウェルアドレス可能プレートの上記マトリックス中の各ウェルに同時に電圧を印可して上記マトリックスを撮像するように構成されることを特徴とする、上記装置。
［技術的特徴１６３］
上記Ｐ×Ｑのマトリックスは２×２のアレイのウェルである技術的特徴１６２記載の装置。
［技術的特徴１６４］
上記撮像システムは、単一ウェルアドレス可能プレートの上記マトリックス中の各ウェルに順次的に電圧が印加される際の個別のイメージを収集する技術的特徴１６３記載の装置。
［技術的特徴１６５］
上記プレートタイプ識別子インタフェースはバーコードリーダ、ＥＰＲＯＭリーダ、ＥＥＰＲＯＭリーダ、またはＲＦＩＤリーダからなるグループから選択されるデバイスを有する技術的特徴１６２記載の装置。
［技術的特徴１６６］
上記プレートタイプ識別子インタフェースはユーザがプレートタイプ識別子情報を入力できるように構成されたグラフィカルユーザインタフェースを有する技術的特徴１６２記載の装置。
［技術的特徴１６７］
単一ウェルアドレス可能プレートまたはマルチウェルアドレス可能プレートからなるグループから選択されたプレートタイプのマルチウェルプレートからの発光を測定するための方法において、
装置は、
（ｉ）上記プレートタイプを特定するプレートタイプ識別子インタフェースと；
（ｉｉ）上記マルチウェルプレートをｘ−ｙ平面において保持し、また、移動させるプレート移動ステージと；
（ｉｉｉ）複数のコンタクトプローブを有し、上記プレート移動ステージの下方に、上記ステージの移動範囲内において位置づけられるプレートコンタクト機構であって、上記プレートコンタクト機構は、上記機構を上昇させ、下降させ、上記プレートが上記トランスレーションステージ上に位置づけられるときに、上記プローブを、底コンタクト表面と接触させ、または接触解除させるコンタクト機構エレベータに取り付けられる、上記プレートコンタクト機構と；
（ｉｖ）上記コンタクトプローブを通じて上記プレートにポテンシャルを印加するための電圧源と；
（ｖ）上記プレート移動ステージの上方に上記プレートコンタクト機構と垂直に整合されて位置づけられる撮像システムとを有し、
（ａ）プレートを上記プレート移動ステージに載せるステップと；
（ｂ）上記プレートが単一ウェルまたはマルチウェルアドレス可能プレートのいずれかを特定するステップと；
（ｃ）上記プレート移行ステージを移動させて第１のＰ×Ｑのマトリックスのウェルを上記プレートコンタクト機構および撮像システムに整合させるステップと；
（ｄ）上記プレートが単一ウェルアドレス可能プレートであるならば、グループ中の各ウェルに順次的に電圧を印加することにより当該Ｐ×Ｑのマトリックス中で発光を生じさせて撮像するステップと；
（ｅ）上記プレートがマルチウェルアドレス可能プレートであるならば、当該Ｐ×Ｑのマトリックス中の各ウェルに同時に電圧を印加することにより当該Ｐ×Ｑのマトリックス中で発光を生じさせて撮像するステップと；
（ｇ）上記プレート中の他のＰ×Ｑのマトリックスについて上記ステップ（ｃ）〜（ｆ）を繰り返すステップとを有することを特徴とする、上記方法。
［技術的特徴１６８］
上記Ｐ×Ｑのマトリックスは２×２のウェルである技術的特徴１６７記載の方法。
［技術的特徴１６９］
上記撮像システムは、単一ウェルアドレス可能プレートの上記マトリックス中の各ウェルに順次的に電圧が印加される際の個別のイメージを収集する技術的特徴１６７記載の方法。