【手続補正書】
【提出日】平成29年5月25日(2017.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性基板を少なくとも部分的に被覆する方法であって、少なくとも
（１）基板の表面上へ、少なくとも１種の結合剤を含む浸漬用ワニスを少なくとも部分的に電気泳動析出させることによって、前記基板を、前記浸漬用ワニスで少なくとも部分的に被覆する工程、及び
（２）前記浸漬用ワニスで少なくとも部分的に被覆された前記基板を、水性組成物に接触させる工程
を含み、
工程（２）で使用する前記水性組成物が、
少なくとも１種の金属原子及び／又は半金属原子及び少なくとも２種の加水分解性基を有し、及び、更に、少なくとも１種の非加水分解性有機ラジカルを有する少なくとも１種の出発化合物を、水と反応させることによって得られる水性ゾル−ゲル組成物であり、かつ、
工程（２）を、電気泳動析出した前記浸漬用ワニスが硬化する前に行うことを特徴とする方法。
【請求項２】
工程（２）で使用する前記水性ゾル−ゲル組成物が、
（Ａ１）  （Ｍ１）Ｘ（Ｘ１）ａ（Ｒ１）
及び／又は
（Ａ２）  （Ｍ２）ｙ（Ｘ２）ｂ（Ｒ２）（Ｒ３）
（式中、
Ｍ１及びＭ２は、それぞれ互いに独立して、金属原子又は半金属原子であり、
Ｘ１及びＸ２は、それぞれ互いに独立して、加水分解性基であり、
ｘは、金属原子又は半金属原子Ｍ１の原子価であり、
ｙは、金属原子又は半金属原子Ｍ２の原子価であり、
Ｒ１は、Ｘ１、非加水分解性有機ラジカル、（Ｔ）（Ｍ１）ｘ（Ｘ１）ｃ、又は（Ｕ）［（Ｍ１）ｘ（Ｘ１）ｃ］２であり、
Ｒ２は、非加水分解性有機ラジカルであり、
Ｒ３は、非加水分解性有機ラジカル、（Ｔ）（Ｍ１）ｘ（Ｘ１）ｃ、（Ｕ）［（Ｍ１）ｘ（Ｘ１）ｃ］２、（Ｖ）（Ｍ２）ｙ（Ｘ２）ｄ（Ｒ２）又は（Ｗ）［（Ｍ２）ｙ（Ｘ２）ｄ（Ｒ２）］２であり、
Ｒ１がＸ１である場合は、ａはｘであり、又は
Ｒ１が、非加水分解性有機ラジカル、（Ｔ）（Ｍ１）ｘ（Ｘ１）ｃ、又は（Ｕ）［（Ｍ１）ｘ（Ｘ１）ｃ］２（ただし、それぞれの場合、ａは、少なくとも２である）である場合は、ａはｘ−１であり、
ｂは、ｙ−２であり（ただし、ｂは、少なくとも２である）、
Ｔ、Ｕ、Ｖ及びＷは、それぞれの場合、互いに独立して、それぞれ、１〜３０個の炭素原子を有するラジカルであり、
ｃは、ｘ−１であり、及び
ｄは、ｙ−２である）
の少なくとも１種の化合物と、水が反応することによって得られることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
Ｘ１及びＸ２は、それぞれ互いに独立して、ハロゲン化物及びアルコキシ基Ｏ−Ｒａ
（式中、Ｒａは、それぞれの場合、Ｃ１〜１６脂肪族ラジカルである）
からなる群から選択され、かつ、
Ｍ１及びＭ２は、それぞれ互いに独立して、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｆｅ、Ｂ及びＳｉからなる群から選択されることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
Ｒ１、Ｒ２及びＲ３の定義における少なくとも１種の非加水分解性有機ラジカルは、それぞれの場合、互いに独立して、Ｃ１−Ｃ１０脂肪族ラジカル、Ｃ１−Ｃ１０ヘテロ脂肪族ラジカル、Ｃ３−Ｃ１０シクロ脂肪族ラジカル、３〜１０員環ヘテロ脂環式ラジカル、５〜１２員環アリール又はヘテロアリールラジカル、Ｃ１−Ｃ６脂肪族ラジカルを介して結合されるＣ３−Ｃ１０シクロ脂環式ラジカル、Ｃ１−Ｃ６脂肪族ラジカルを介して結合される３〜１０員環ヘテロ脂環式ラジカル、Ｃ１−Ｃ６脂肪族ラジカルを介して結合される５〜１２員環アリール又はヘテロアリールラジカルからなる群から選択されるラジカルであることを特徴とする請求項２又は３に記載の方法。
【請求項５】
少なくとも１種の化合物（Ａ１）を、Ｒ１が、第一級アミノ基、第二級アミノ基、エポキシド基、チオール基、イソシアネート基、リン含有基、及びエチレン性不飽和二重結合を有する基からなる群から選択される少なくとも１種の反応性官能基を有する非加水分解性有機ラジカルである少なくとも１種の出発化合物として使用することを特徴とする請求項３又は４に記載の方法。
【請求項６】
工程（２）で使用する前記水性ゾル−ゲル組成物が、
少なくとも１種の化合物（Ａ１）としての少なくとも１種の化合物Ｓｉ（Ｘ１）３（Ｒ１）
（式中、Ｒ１は、第一級アミノ基、第二級アミノ基、エポキシド基、及びエチレン性不飽和二重結合を有する基からなる群から選択される少なくとも１種の反応性官能基を有する非加水分解性有機ラジカルである）を、水と反応させることによって得られることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
工程（２）で使用する前記水性ゾル−ゲル組成物が、
請求項６で定義された少なくとも１種の化合物（Ａ１）としての少なくとも１種の化合物Ｓｉ（Ｘ１）３（Ｒ１）、
及び、少なくとも１種の他の化合物（Ａ１）としての少なくとも１種の化合物Ｓｉ（Ｘ１）４、
及び、少なくとも１種の他の化合物（Ａ１）としての少なくとも１種の化合物Ｓｉ（Ｘ１）３（Ｒ１）
（式中、Ｒ１は、反応性官能基を有さない非加水分解性有機ラジカルである）
を、水と反応させることによって得られることを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
工程（２）で使用する前記水性ゾル−ゲル組成物が、
少なくとも１種の化合物（Ａ１）としての少なくとも１種の化合物Ｓｉ（Ｘ１）３（Ｒ１）
（式中、Ｒ１は、第一級アミノ基、第二級アミノ基、エポキシド基、及びエチレン性不飽和二重結合を有する基からなる群から選択される少なくとも１種の反応性官能基を有する非加水分解性Ｃ１−Ｃ１０脂肪族有機ラジカルである）、
及び、少なくとも１種の他の化合物（Ａ１）としての少なくとも１種の化合物Ｓｉ（Ｘ１）４、
及び、少なくとも１種の他の化合物（Ａ１）としての少なくとも１種の化合物Ｓｉ（Ｘ１）３（Ｒ１）
（式中、Ｒ１は、反応性官能基を有さない非加水分解性有機Ｃ１−Ｃ１０脂肪族ラジカルである）
を、水と反応させることによって得られることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記水性組成物の製造に使用する少なくとも１種の出発化合物の完全加水分解及び凝縮の後に、工程（２）で使用する前記水性組成物の固形分含有量が、前記水性組成物の合計質量に対して、０．０１〜１０質量％の範囲であることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
工程（２）で使用する前記水性組成物が、３．０〜６．０の範囲のｐＨを有することを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
工程（１）の前に、リン酸塩処理工程を行わないことを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
さらに、
工程（１）によって得られ、工程（２）による接触工程を受けた基板上の少なくとも部分的な被覆コーティングを硬化させる工程（３）
を含むことを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか１項に記載の方法によって得られる少なくとも部分的に被覆された基板。
【請求項１４】
請求項１３に記載の、少なくとも１種の少なくとも部分的に被覆された基板から製造される構成部品。
【請求項１５】
浸漬用ワニス層を、水性ゾル−ゲル組成物と接触させることによる、
少なくとも部分的な電気泳動析出によって少なくとも部分的に導電性基板に塗布された浸漬用ワニス層を後処理するための水性ゾル−ゲル組成物の使用方法であって、
前記水性ゾル−ゲル組成物が、少なくとも１種の金属原子及び／又は半金属原子、及び
少なくとも２種の加水分解性基を有し、かつ、さらに、少なくとも１種の非加水分解性有機ラジカルを有する少なくとも１種の出発化合物を、水と反応させることによって得られることを特徴とする方法。