Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月14日(2017.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれ少なくとも１つの対の逆並列配向ＬＥＤを含む、容量性駆動に適した複数のＬＥＤパッケージであって、前記ＬＥＤは、当該ＬＥＤの対向する表面においてアノード端子及びカソード端子を具備されており、前記ＬＥＤは、誘電材料の２つの実質的に平行の基板の間に挟まれており、前記基板は、当該基板の対向する面において電気伝導性材料の薄膜を設けられており、これにより、前記端子と前記電気伝導性材料の薄膜との間において電気的コンタクトが存在するように構成されている、複数のＬＥＤパッケージを含むＬＥＤアセンブリであって、前記ＬＥＤパッケージは、２つの支持層の間に挟まれており、前記支持層は、当該支持層の対向する面において電極層を具備されており、前記電極層のそれぞれは、前記ＬＥＤパッケージの前記基板と接触しており、前記電極層は、ＡＣ電源に電気的に接続するための電源端子を備えられている、ＬＥＤアセンブリ。
【請求項２】
請求項１に記載のＬＥＤアセンブリであって、前記電気伝導性材料は、金属又は合金、好ましくは貴金属（合金）、より好ましくは金（合金）を含む、ＬＥＤアセンブリ。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のＬＥＤアセンブリであって、前記基板は、一層の樹脂材料、好ましくはポリフッ化ビニリデン樹脂材料、を含む、ＬＥＤアセンブリ。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れか一項に記載のＬＥＤアセンブリであって、前記基板の間における空間の少なくとも一部は、光学的に透明な封止材料で充填されている、ＬＥＤアセンブリ。
【請求項５】
請求項４に記載のＬＥＤアセンブリであって、前記封止材料は、散乱粒子を含む、ＬＥＤアセンブリ。
【請求項６】
請求項４又は５に記載のＬＥＤアセンブリであって、前記封止材料は蛍光体粒子を含む、ＬＥＤアセンブリ。
【請求項７】
請求項１乃至６の何れか一項に記載のＬＥＤアセンブリであって、前記支持層の両方は、前記ＬＥＤパッケージにより発せられ得るＬＥＤ光に関して光学的に透明である、ＬＥＤアセンブリ。
【請求項８】
請求項７に記載のＬＥＤアセンブリであって、前記支持層のうちの少なくとも１つは、ガラスからなっている、ＬＥＤアセンブリ。
【請求項９】
請求項１乃至８の何れか一項に記載のＬＥＤアセンブリであって、前記電極層は、透明材料、好ましくはＩＴＯ及びＡＴＯのうちの少なくとも１つ、を含む、ＬＥＤアセンブリ。
【請求項１０】
請求項１乃至９の何れか一項に記載のＬＥＤアセンブリであって、前記電源端子は、前記支持層の縁部に配置される、ＬＥＤアセンブリ。
【請求項１１】
請求項１０に記載のＬＥＤアセンブリであって、前記電極層は、前記支持層の前記縁部まで延在し、前記電源端子は、前記支持層の前記縁部の周りにおいてクランプする、ＬＥＤアセンブリ。
【請求項１２】
ＬＥＤパッケージの容量性駆動のための回路であって、請求項１乃至１１の何れか一項に記載のＬＥＤアセンブリ、及び前記電極層へ接続されるＡＣ電源を含む、回路。
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月17日(2017.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データ符号化の方法であって、
１組の情報ビットを受信することと、
コードワードを生成するために、リフトされた低密度パリティ検査（ＬＤＰＣ）符号化演算を前記１組の情報ビットに実行することと、
前記ＬＤＰＣ符号化演算で使用される基礎ＬＤＰＣ符号の１つまたは複数のパンクチャされた基礎ビットに対応する前記コードワードのすべてのリフトされたビットをパンクチャすることと、ここにおいて、
前記１つまたは複数のパンクチャされた基礎ビットが、それぞれ前記基礎ＬＤＰＣ符号の１つまたは複数のパンクチャされた基礎ノードに対応するものであり、
前記基礎ＬＤＰＣ符号がノード対間の多重エッジを有しておらず、
ここにおいて、前記１つまたは複数のパンクチャされた基礎ノードのうちの少なくとも１つが、前記基礎ＬＤＰＣ符号の最高次数の変数ノードに対応する、
を備える、方法。
【請求項２】
前記１つまたは複数のパンクチャされた基礎ノードが、前記基礎ＬＤＰＣ符号の検査ノードの数に等しいかまたはそれより１少ない次数を有する１つまたは複数の変数ノードに対応する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記１つまたは複数のパンクチャされた基礎ノードが、１つまたは複数の次数２の変数ノードに対応する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記１つまたは複数のパンクチャされた基礎ノードが、各々別の変数ノードに接続されている１つまたは複数のそれぞれの検査ノードを分割し、その他の変数ノードの各々が、エッジによって、前記対応する分割された検査ノードの両方の要素に接続される、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
疑似巡回リフティングが前記基礎ＬＤＰＣ符号に適用され、前記疑似巡回リフティングのエッジクラスタの置換が巡回置換である、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
先行する請求項１〜５のいずれか一項にしたがった方法を実施するための命令を備えるコンピュータプログラム製品。
【請求項７】
データ復号化の方法であって、
ＬＤＰＣコードワードを受信することと、
基礎ＬＤＰＣ符号の１つまたは複数のパンクチャされたベースドビットに対応する前記ＬＤＰＣコードワードのすべてのリフトされたビットを識別することと、ここにおいて、
前記１つまたは複数のパンクチャされた基礎ビットが、それぞれ前記基礎ＬＤＰＣ符号の１つまたは複数のパンクチャされた基礎ノードに対応するものであり、
前記基礎ＬＤＰＣ符号がノード対間の多重エッジを有していない、
１組の情報ビットを回復するために前記受信されたコードワードにＬＤＰＣ復号化演算を実行することと、ここにおいて、前記識別されたリフトされたビットが、復号化の目的では消去されているとして扱われ、
ここにおいて、前記１つまたは複数のパンクチャされた基礎ノードのうちの少なくとも１つが、前記基礎ＬＤＰＣ符号の最高次数の変数ノードに対応する、
を備える、方法。
【請求項８】
前記１つまたは複数のパンクチャされた基礎ノードが、前記基礎ＬＤＰＣ符号の検査ノードの数に等しいかまたはそれより１少ない次数を有する１つまたは複数の変数ノードに対応する、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記１つまたは複数のパンクチャされた基礎ノードが、１つまたは複数の次数２の変数ノードに対応する、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記１つまたは複数のパンクチャされた基礎ノードが、各々別の変数ノードに接続されている１つまたは複数のそれぞれの検査ノードを分割し、その他の変数ノードの各々が、エッジによって、前記対応する分割された検査ノードの両方の要素に接続される、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
疑似巡回リフティングが前記基礎ＬＤＰＣ符号に適用され、前記疑似巡回リフティングのエッジクラスタの置換が巡回置換である、請求項７に記載の方法。
【請求項１２】
先行する請求項７〜１１のいずれか一項にしたがった方法を実施するための命令を備えるコンピュータプログラム製品。
【請求項１３】
１組の情報ビットを受信するための手段と、
コードワードを生成するために、前記１組の情報ビットにＬＤＰＣ符号化演算を実行するための手段と、
前記ＬＤＰＣ符号化演算で使用される基礎ＬＤＰＣ符号の１つまたは複数のパンクチャされた基礎ビットに対応する前記コードワードのすべてのリフトされたビットをパンクチャするための手段と、ここにおいて、
前記１つまたは複数のパンクチャされた基礎ビットが、それぞれ前記基礎ＬＤＰＣ符号の１つまたは複数のパンクチャされた基礎ノードに対応するものであり、
前記基礎ＬＤＰＣ符号がノード対間の多重エッジを有しておらず、
ここにおいて、前記１つまたは複数のパンクチャされた基礎ノードのうちの少なくとも１つが、前記基礎ＬＤＰＣ符号の最高次数の変数ノードに対応する、
を備える、符号器。
【請求項１４】
ＬＤＰＣコードワードを受信するための手段と、
基礎ＬＤＰＣ符号の１つまたは複数のパンクチャされたベースドビットに対応する前記ＬＤＰＣコードワードのすべてのリフトされたビットを識別するための手段と、ここにおいて、
前記１つまたは複数のパンクチャされた基礎ビットが、それぞれ前記基礎ＬＤＰＣ符号の１つまたは複数のパンクチャされた基礎ノードに対応するものであり、
前記基礎ＬＤＰＣ符号がノード対間の多重エッジを有していない、
１組の情報ビットを回復するために前記受信されたコードワードにＬＤＰＣ復号化演算を実行するための手段と、ここにおいて、前記識別されたリフトされたビットが、復号化の目的では消去されているとして扱われ、
ここにおいて、前記１つまたは複数のパンクチャされた基礎ノードのうちの少なくとも１つが、前記基礎ＬＤＰＣ符号の最高次数の変数ノードに対応する、
を備える、復号器。
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月14日(2016.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２つの音声再生要素（109, 110）を有すると共に第一のチャンネル（111）と第二のチャンネル（112）とを備える音声再生手段と、
入って来る音声信号のための入力部（120）と、
入って来る音声信号の該入力部（120）を前記第一のチャンネル（111）から前記第二のチャンネル（112）に切り替えるようになっている切り替え回路と
を有し、
該切り替え回路には、第一の遅延素子（105）と第二の遅延素子（106）とがあり、該第一の遅延素子（105）は前記第一のチャンネル（111）用の遅延を形成し、該第二の遅延素子（106）は前記第二のチャンネル（112）用の遅延を形成し、
該第二の遅延素子（106）によって形成された前記第二のチャンネルの遅延は約25〜85 msの範囲で調節可能になっていることを特徴とする、聴力欠損を改善する装置。
【請求項２】
前記第一の遅延素子（105）によって形成される前記第一のチャンネル（111）の遅延が一定である、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記第一のチャンネルの遅延と前記第二のチャンネルの遅延とが相互に独立に調節可能である、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記第一のチャンネル及び第二のチャンネルの周波数応答を調節する手段（103, 104）をさらに有する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の装置。
【請求項５】
前記第一のチャンネルの周波数応答と前記第二のチャンネルの周波数応答とが相互に独立に調節可能である、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記第一のチャンネル（111）が左側のチャンネルであり、前記第二のチャンネル（112）が右側のチャンネルである、請求項１〜５のいずれか一項に記載の装置。
【請求項７】
前記第一のチャンネル及び第二のチャンネルにおける信号を増幅する手段（107, 108）をさらに有しており、増幅は２つのチャンネルに対して別々に調節可能であり、又は両チャンネルに対して共通に増幅可能である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の装置。
【請求項８】
前記音声再生手段がスピーカー装置又はイヤホーンである、請求項１〜７のいずれか一項に記載の装置。
【請求項９】
入って来る音声の前記入力部（120）に接続された１つ以上のマイクをさらに有している、請求項１〜８のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１０】
２つの音声再生要素（109, 110）を有すると共に第一のチャンネル（111）と第二のチャンネル（112）とを備える音声再生手段と、入って来る音声信号のための入力部（120）と、入って来る音声信号の該入力部（120）を前記第一のチャンネル（111）から前記第二のチャンネル（112）に切り替えるようになっている切り替え回路とを有し、該切り替え回路には、第一の遅延素子（105）と第二の遅延素子（106）とがある装置を用いて聴力欠損を改善する方法であって、
前記第一の遅延素子（105）は前記第一のチャンネル（111）用の遅延を形成し、前記第二の遅延素子（106）は前記第二のチャンネル（112）用の遅延を形成し、
該第二の遅延素子（106）によって形成された前記第二のチャンネルの遅延は約25〜85 msの範囲で調節可能になっていることを特徴とする方法。
【請求項１１】
前記第一の遅延素子（105）によって形成される前記第一のチャンネル（111）の遅延が一定である、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記第一のチャンネルの遅延と前記第二のチャンネルの遅延とが相互に独立に調節される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記第一のチャンネル及び第二のチャンネルの周波数応答が調節される、請求項１０〜１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記第一のチャンネルの周波数応答と前記第二のチャンネルの周波数応答とが相互に独立に調節される、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記第一のチャンネル及び第二のチャンネルにおける信号が増幅され、２つのチャンネルに対して別々に増幅を調節することができ、又は両チャンネルに共通の調節として増幅を調節することのできる、請求項１０〜１４のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月25日(2017.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
流体作動機械の作動チャンバと、第１の作動流体ラインおよび第２の作動流体ラインの双方との間の作動流体の流れを調節するためのバルブユニットであって、前記バルブユニットは、
第１のバルブ部材および１つ以上の協動する第１のバルブシートを含む第１のバルブと、
第２のバルブ部材および１つ以上の協動する第２のバルブシートを含む第２のバルブと、
前記第１のバルブ部材を前記１つ以上の第１のバルブシートから離れる方に、または前記１つ以上の第１のバルブシートに向けて付勢する力と、前記第２のバルブ部材を前記１つ以上の第２のバルブシートから離れる方に、または前記１つ以上の第２のバルブシートに向けて付勢する力とをかけるように動作可能なアクチュエータと、
前記アクチュエータと第１のバルブ部材との間の継手とを備え、
前記継手は、少なくとも部分的に前記第２のバルブ部材を通って延在するコネクタを含み、さらに、
前記第１のバルブおよび前記第２のバルブがそれを通って作動チャンバと連通することができる開口部を前記バルブユニットにさらに備え、
前記第１のバルブ部材は、前記第１のバルブ部材が前記１つ以上の第１のバルブシートと封止接触している時に、前記第２のバルブがそれを通って前記開口部と連通することができるアパーチャを含むことを特徴とする、バルブユニット。
【請求項２】
前記第２のバルブ部材は、前記第１のバルブ部材と前記アクチュエータとの間に位置する、請求項１に記載のバルブユニット。
【請求項３】
前記アクチュエータはソレノイドアクチュエータである、先行する請求項のうちいずれか１項に記載のバルブユニット。
【請求項４】
前記第２のバルブ部材は、磁性材料を含み、前記ソレノイドアクチュエータが通電されると、前記ソレノイドアクチュエータからの磁束が前記第２のバルブ部材を通過し、開口力または閉鎖力がそれによって前記第２のバルブ部材に及ぼされるように、前記ソレノイドアクチュエータと磁気結合される、請求項３に記載のバルブユニット。
【請求項５】
前記ソレノイドアクチュエータはアーマチュアに作用し、前記アーマチュアは、前記第２のバルブ部材を通って延在するコネクタによって前記第１のバルブ部材に接続され、前記ソレノイドアクチュエータが通電されると、前記ソレノイドアクチュエータからの磁束が前記アーマチュアを通過し、開口力または閉鎖力がそれによって前記コネクタを通って前記第１のバルブ部材に及ぼされるように、前記ソレノイドアクチュエータと磁気結合される、請求項３または４に記載のバルブユニット。
【請求項６】
前記ソレノイドアクチュエータはアーマチュアに作用し、前記アーマチュアは、液圧操作継手を通って液圧作動部材に結合され、前記液圧作動部材は、前記コネクタによって前記第１のバルブ部材に結合される、請求項３または４に記載のバルブユニット。
【請求項７】
液圧流体を含む容積を規定するチャンバを備え、前記チャンバは、前記液圧作動部材の表面によって部分的に規定され、前記液圧作動部材は摺動可能に搭載され、それにより前記ソレノイドによる作動に応じた前記アーマチュアの移動は、前記チャンバ内の液圧の変化と、結果として生ずる前記液圧作動部材の移動とにつながる、請求項６に記載のバルブユニット。
【請求項８】
前記チャンバは、バルブを通って液圧流体のためのシンクまたは源と連通し、前記アーマチュアは、前記バルブを開くために前記ソレノイドによる作動に応じて摺動可能であり、それによって液圧流体を前記チャンバに入らせるかまたは前記チャンバから離れさせ、前記液圧作動部材にわたって圧力差を生じさせる、請求項７に記載のバルブユニット。
【請求項９】
前記バルブはパイロットバルブであり、液圧流体のためのシンクまたは源は、前記コネクタを通って前記バルブユニットの開口部に延在する導管を含む、請求項８に記載のバルブユニット。
【請求項１０】
前記ソレノイドアクチュエータはアーマチュアに作用し、前記アーマチュアは、液圧操作継手を通って前記第２のバルブ部材に結合される、請求項６に記載のバルブユニット。
【請求項１１】
前記第２のバルブ部材は摺動可能に搭載され、液圧流体を含むチャンバと連通する表面を有し、前記アーマチュアの移動は、前記チャンバ内の液圧流体の圧力の変化を引起し、当該圧力の変化は、前記１つ以上の第２のバルブシートから離れる方への、または前記１つ以上の第２のバルブシートに向かっての、前記第２のバルブ部材の前記付勢を引起す、請求項１０に記載のバルブユニット。
【請求項１２】
前記１つ以上の第１のバルブシートおよび前記１つ以上の第２のバルブシートは共軸である、先行する請求項のうちいずれか１項に記載のバルブユニット。
【請求項１３】
前記第１および／または第２のバルブ部材は２つのバルブシートを有し、前記２つのバルブシートは、前記２つのシートの間にあるポートを封止する、先行する請求項のうちいずれか１項に記載のバルブユニット。
【請求項１４】
前記第１および第２のバルブ部材は、前記バルブユニット内にある、先行する請求項のうちいずれか１項に記載のバルブユニット。
【請求項１５】
１つ以上の第１のバルブシートを液圧ラインに結合するための、外側方向に少なくとも部分的に延在する１つ以上の流路、および／または１つ以上の第２のバルブシートを液圧ラインに結合するための、１つ以上の径方向外側に延在する流路を備える、先行する請求項のうちいずれか１項に記載のバルブユニット。
【請求項１６】
前記アクチュエータの動作が前記第１のバルブを開くかまたは閉じさせ、その後前記第２のバルブを開くかまたは閉鎖させるように構成される、先行する請求項のうちいずれか１項に記載のバルブユニット。
【請求項１７】
前記第１のバルブの開口または閉鎖は、前記アクチュエータによって前記第２のバルブ部材に及ぼされる力を直接的か間接的かに関わらず増大させ、前記第２のバルブのその後の開口または閉鎖をそれによって容易にする、請求項１６に記載のバルブユニット。
【請求項１８】
前記コネクタは液圧コネクタを含む、先行する請求項のうちいずれか１項に記載のバルブユニット。
【請求項１９】
低圧ライン、高圧ライン、作動チャンバ、および先行する請求項のうちいずれか１項に記載のバルブユニットを備える流体作動機械であって、前記第１および第２のバルブは前記作動チャンバと流体連通し、前記第１および第２のバルブシートは、前記低圧ラインおよび高圧ラインにそれぞれ結合され、それによって前記作動チャンバと前記低圧ラインおよび高圧ラインとの間の作動流体の流れを調節する、流体作動機械。
【請求項２０】
値ユニットは、前記第１のバルブおよび前記第２のバルブがそれを通って前記作動チャンバと連通する開口部を前記バルブユニットにさらに含み、前記第１のバルブ部材は、前記第１のバルブ部材が前記１つ以上の第１のバルブシートと封止接触している時に前記第２のバルブがそれを通って前記作動チャンバと連通することができるアパーチャを含む、請求項１９に記載の流体作動機械。
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月27日(2016.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザ入力をコンピュータシステムに提供するナチュラルユーザインプット（NUI）システムであって、前記ＮＵＩシステムは、論理マシンおよび命令記憶マシンを備え、前記命令記憶マシンが、前記論理マシンにより実行された場合に、前記論理マシンに、
奥行きカメラにより取得された対象者の奥行き映像から導出された姿勢情報を受信させ、
受信された前記姿勢情報を解析させ、前記対象者が前記コンピュータシステムへの関与を望むことを示すことが増大するにつれて上昇し、前記対象者が前記コンピュータシステムへの関与を望むことを示すことが減少するにつれて低下する前記対象者の関与測定基準を演算させ、
可変閾値を、現在関与しているユーザからの姿勢情報が前記コンピュータシステムへのユーザ入力として処理されている場合には第１レベルに維持させ、現在関与しているユーザがいない場合には前記第１レベルより低い第２レベルに維持させ、
前記関与測定基準が前記可変閾値を超えた後にのみ、受信された前記姿勢情報を前記コンピュータシステムへのユーザ入力として処理するか否かを判定させる、
命令を保持する、システム。
【請求項２】
前記対象者が、前記論理マシンが姿勢情報を受信して解析する複数の対象者のうちの１人であり、前記関与測定基準が、前記対象者のそれぞれに対して演算され、最も高い関与測定基準を有する前記対象者の前記姿勢情報が、前記コンピュータシステムへのユーザ入力として処理される、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記関与測定基準が、前記対象者からの関与ジェスチャを検出したとき上昇し、前記関与ジェスチャが、前記対象者の腰より高い、前記対象者の胴体と前記コンピュータシステムの表示面との間のゾーンへの前記対象者の挙手を含み、前記挙手の後に前記手が静止する一時停止が続く、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記可変閾値が、前記関与ジェスチャの激しさの増大に伴って低下する、請求項３に記載のシステム。
【請求項５】
前記関与測定基準が、前記関与ジェスチャの激しさの増大に伴って上昇する、請求項３に記載のシステム。
【請求項６】
前記関与測定基準が、前記対象者からのマイクロホンデータにさらに基づく、請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記挙手の直後に前記一時停止が続き、前記姿勢情報が、前記一時停止の直後に前記ユーザ入力として処理される、請求項３に記載のシステム。
【請求項８】
前記関与ジェスチャが、前記手の左右方向の動作がない場合に検出される、請求項３に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月17日(2017.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
基材１１０の厚さ（高さ；Ｈ１）に比べて複数のマイクロレンズ１２０の中心部は最大８５％（Ｈ２＝０．８５＊Ｈ１）で、複数のマイクロレンズ１２０の外角部は最小１２％（Ｈ２＝０．１２＊Ｈ１）に構成することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月21日(2017.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
流体サンプルにおける分析物を電気化学的に測定する間に、温度を補償する方法であって、該方法は、
電気的テスト・シーケンスを電気化学的バイオセンサに印加するステップであって、該電気化学的バイオセンサは、電極システムと、該電極システムと電気通信している試薬と、前記試薬とコンタクトする流体における前記流体サンプルが前記試薬を有するテスト要素に提供された流体サンプルにコンタクトするように構成されるレセプタクルと、を備え、前記電気的テスト・シーケンスは、少なくとも１つの励起電圧パルス、および、少なくとも１つの回復電位パルスのシーケンスを有する少なくとも１つのＤＣブロック(直流ブロック)を備え、前記電極システムの閉路状態が、前記ＤＣブロックの間維持される、ステップと、
前記ＤＣブロックからの電流応答情報に基づいて、分析物濃度を決定するステップであって、前記少なくとも１つの回復電位パルスからの情報が、ＰＬＳ回帰モデル（部分的最小２乗回帰モデル）に基づいて前記分析物濃度に対する温度影響を補償するのに用いられる、
ステップとのステップを含む、方法。
【請求項２】
前記少なくとも１つの励起電圧パルスは、およそ＋４５０ｍＶであり、前記少なくとも１つの回復電圧パルスは、およそ０ｍＶであり、各々のパルスは、およそ５０ミリ秒からおよそ５００ミリ秒までである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記少なくとも１つの励起電圧パルスに対する、および、前記少なくとも１つの回復電圧パルスに対する電流応答情報を測定するステップと、
前記電流応答情報から前記分析物濃度を決定するステップと
を更に含む請求項１または請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記電気的テスト・シーケンスは、少なくとも２つの異なる周波数の低振幅信号のＡＣブロック（交流ブロック）を更に備える、請求項１ないし３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記ＡＣブロックは、前記少なくとも１つのＤＣブロックの前に、前記少なくとも１つのＤＣブロックの後に、または、前記少なくとも１つのＤＣブロックの中で散らばって印加される、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記ＰＬＳ回帰モデルは、ヘマトクリット、温度、および、分析物濃度を含む共変動データ・セットに基づく、請求項１ないし５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記ＰＬＳ回帰モデルは、温度および、分析物濃度を含む共変動データ・セットに基づく、請求項１ないし６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記周波数は、およそ１０ｋＨｚ、およそ２０ｋＨｚ、およそ１０ｋＨｚ、およそ２ｋＨｚ、および、およそ１ｋＨｚであり、各々が、およそ０．５秒からおよそ１．５秒の間、印加される、請求項４に記載の方法。
【請求項９】
緩和パルスへの電気的応答の前記情報は、励起パルスへの電気的応答の情報には発見されないユニークな情報を含む、請求項１ないし８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記分析物濃度は、ブドウ糖濃度である、請求項１ないし９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の方法を実行するように構成された、分析物濃度測定デバイス。
【請求項１２】
前記分析物濃度測定デバイスは、血糖値メーターである、請求項１１に記載のデバイス。
【請求項１３】
請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の方法を実行するように構成された、分析物濃度を決定するシステム。
【請求項１４】
前記システムは、自己モニタリング血糖（ＳＭＢＧ）システムである、請求項１３に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月14日(2017.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極、陰極、並びに放射線を電子及び正孔に変換するための中間直接変換材料であって、電子は前記陽極によって集めることができ、前記中間直接変換材料は前記陽極と前記陰極との間に配置され、前記中間直接変換材料は入射面を含み、前記陰極は前記入射面上に配置される、前記陽極、前記陰極、及び前記中間直接変換材料と、
集められた前記電子に応じて検出信号を生成するための検出信号生成器と、
広帯域可視光及び／又は広帯域赤外光である照明光で前記中間直接変換材料を照明するための照明器であって、前記照明器は
マクロ構造を有する回折板と、
放射線の外側に位置し、放射線の経路の外側から照明光を放つ光源と、
照明光を前記回折板の側面を介して前記回折板内へと入力させる結合要素であって、照明光が、前記マクロ構造から出力され、前記陰極内の開口部を前記中間直接変換材料まで横断される、前記結合要素と、
を含む、照明器と、
を含む放射線を検出するための検出器であって、
照明光の波長は、少なくとも１００ｎｍの広さの波長域を含む、
検出器。
【請求項２】
前記回折板は、照明光が前記陰極を横断する前に照明光を回折させる、請求項１に記載の検出器。
【請求項３】
前記照明器は、前記陽極、前記陰極、及び前記中間直接変換材料に対して移動可能な別個の要素である、請求項１に記載の検出器。
【請求項４】
前記照明器は、強度変調モードで前記中間直接変換材料を照明する、請求項１に記載の検出器。
【請求項５】
前記照明器は、生成された検出信号に応じて前記中間直接変換材料を照明する、請求項１に記載の検出器。
【請求項６】
前記検出器は、前記中間直接変換材料の分極度を示す分極度値を決定するための分極度決定ユニットを更に含み、前記照明器は前記分極度値に応じて前記中間直接変換材料を照明する、請求項１に記載の検出器。
【請求項７】
前記分極度決定ユニットは、前記陰極から前記陽極に移動するのに電子によって必要とされる時間を測定し、測定された時間に応じて前記分極度値を決定する、請求項６に記載の検出器。
【請求項８】
対象体の投影データを生成するための投影データ生成システムであって、前記投影データ生成システムは、
対象体を横断するための放射線を供給するための放射線源と、
検出された放射線に応じて検出信号を生成し、生成された前記検出信号に応じて前記投影データを生成するために、対象体を横断した後に放射線を検出するための請求項１に記載の検出器とを含む、投影データ生成システム。
【請求項９】
請求項１に記載の検出器を使用することによって放射線を検出するための検出方法であって、前記検出方法は、
前記陽極と前記陰極との間に配置される前記中間直接変換材料によって放射線を電子及び正孔に変換するステップであって、電子は前記陽極によって集められる、変換するステップと、
集められた電子に応じて前記検出信号生成器によって前記検出信号を生成するステップと、
前記照明器により、広帯域可視光及び／又は広帯域赤外光である照明光で前記中間直接変換材料を照明するステップとを含む、検出方法。
【請求項１０】
対象体の投影データを生成するための投影データ生成方法であって、前記投影データ生成方法は、
対象体を横断するための放射線を放射線源によって与えるステップと、
請求項１に記載の検出器により、対象体を横断した後に放射線を検出し、検出された放射線に応じて前記検出信号を生成するステップと、
生成された前記検出信号に応じて前記投影データを生成するステップとを含む、投影データ生成方法。
【請求項１１】
放射線を検出するための検出コンピュータプログラムであって、前記検出コンピュータプログラムは、前記検出器を制御するコンピュータ上で実行されるとき、検出方法のステップを請求項１に記載の検出器に実行させるためのプログラムコード手段を含む、検出コンピュータプログラム。
【請求項１２】
対象体の投影データを生成するための投影データ生成コンピュータプログラムであって、前記投影データ生成コンピュータプログラムは、前記投影データ生成システムを制御するコンピュータ上で実行されるとき、投影データ生成方法のステップを請求項８に記載の投影データ生成システムに実行させるためのプログラムコード手段を含む、投影データ生成コンピュータプログラム。
【請求項１３】
照明光の少なくとも１つの前記波長域は、３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの間の広帯域可視光の波長を含む、請求項１に記載の検出器。
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月16日(2017.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
本発明にかかる方法では、トレーサガス１８に対する感度がユーティリティガス２６に対する感度よりも遥かに高いガス検出器２８を用いると、このようなガス検出器２８が、地面１４においてユーティリティガス２６の拡大領域２９に比べて遥かに狭い拡大領域３０内にあるトレーサガス１８を選択的に検出する。したがって、本発明にかかる方法を利用することにより、地面１４においてユーティリティガス２６を検出することを要する漏洩検出方法に比べて、ガス導管１２の漏洩位置２２の予測範囲を大幅に狭めることができる。  以下、本発明の実施の態様を示す。
[態様１]埋設されたユーティリティガスの導管（１２）のガス漏洩（２２）の位置を、その導管（１２）の上の地盤の表面（１４）の上方又は下方においてガス（１８）の存在を推測することで検出する方法において、
空気よりも軽いトレーサガス（１８）を、前記導管（２２）内の前記ユーティリティガス（２６）に注入する過程と、
前記トレーサガス（１８）に対する感度が前記ユーティリティガス（２６）に対する感度よりも高いガス検出器（２８）を用いて、前記漏洩位置（２２）を特定する過程と、
を含むことを特徴とする、方法。
[態様２]態様１に記載の方法において、前記トレーサガス（１８）が水素である、方法。
[態様３]態様１に記載の方法において、前記トレーサガス（１８）がヘリウムである、方法。
[態様４]態様１から３のいずれか一項に記載の方法において、前記ガス検出器（２８）は、前記トレーサガス（１８）に対する感度が前記ユーティリティガス（２６）に対する感度よりも少なくとも１０倍高い、方法。
[態様５]態様１から４のいずれか一項に記載の方法において、前記ガス検出器（２８）は、前記トレーサガス（１８）に対する感度が前記ユーティリティガス（２６）に対する感度よりも少なくとも１００倍高い、方法。
[態様６]態様１から５のいずれか一項に記載の方法において、前記ガス検出器（２８）は、前記トレーサガス（１８）に対する感度が前記ユーティリティガス（２６）に対する感度よりも少なくとも１，０００倍高い、方法。
[態様７]態様１から６のいずれか一項に記載の方法において、前記トレーサガス（１８）は、前記トレーサガス（１８）に対する感度が前記ユーティリティガス（２６）に対する感度よりも少なくとも１０，０００倍高い、方法。
[態様８]態様１から７のいずれか一項に記載の方法において、前記トレーサガス（１８）が、漏洩が疑われる位置（２２）の上流側で、前記ガス導管（１２）内に注入される、方法。
[態様９]態様１から８のいずれか一項に記載の方法において、前記トレーサガス（１８）が、前記ガス導管（１２）内の圧力が大気よりも高くなるように当該ガス導管（１２）内に注入される、方法。
[態様１０]態様１から９のいずれか一項に記載の方法において、前記トレーサガス（１８）が、漏洩検出を実行する前の４８時間以内に注入される、方法。
[態様１１]態様１から１０のいずれか一項に記載の方法において、前記トレーサガス（１８）が、漏洩検出を実行する前の１８時間以内、好ましくは１２時間以内に前記導管（１２）内に注入される、方法。
[態様１２]態様１から１１のいずれか一項に記載の方法において、前記トレーサガス（１８）が、漏洩検出を実行する３０分以上前ないし漏洩検出を実行する前の８時間以内に前記導管（１２）内に注入される、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月2日(2016.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ナノワイヤデバイスであって、
下面及び上面を有する少なくとも１つの半導体ナノワイヤと、
前記半導体ナノワイヤを囲む絶縁材料と、
前記半導体ナノワイヤの前記上面にオーミック接触する電極と、を備え、
前記半導体ナノワイヤの半導体材料への前記電極の接触は、前記半導体ナノワイヤの前記上面への接触によって支配される
ことを特徴とする半導体ナノワイヤデバイス。
【請求項２】
前記絶縁材料は、前記絶縁材料の側壁と前記半導体ナノワイヤの前記上面との間に凹部を形成するように、前記半導体ナノワイヤの前記上面よりも上に延び、
前記電極は、前記凹部を埋め、前記半導体ナノワイヤの側壁に接触することなく、前記半導体ナノワイヤの前記上面だけに接触する
ことを特徴とする請求項１に記載された半導体ナノワイヤデバイス。
【請求項３】
前記半導体ナノワイヤの前記上面は直径又は幅を有し、
前記電極は、前記上面と、前記半導体ナノワイヤのうち前記上面よりも下にある側部との両方に接触し、
前記半導体ナノワイヤの前記半導体材料への前記電極の接触が前記半導体ナノワイヤの前記上面への接触によって支配されるように、前記側部の長さが０であるか、０と前記少なくとも１つの半導体ナノワイヤの前記直径又は幅との間である
ことを特徴とする請求項１に記載された半導体ナノワイヤデバイス。
【請求項４】
複数の半導体ナノワイヤと、隣接する半導体ナノワイヤの間に位置する誘電材料とを更に有し、
前記複数の半導体ナノワイヤの一部は、前記絶縁材料と前記半導体ナノワイヤの前記上面との間に凹部を有しない
ことを特徴とする請求項２に記載された半導体ナノワイヤデバイス。
【請求項５】
前記半導体ナノワイヤは、シリコン又はＩＩＩ−Ｖ半導体を含み、
前記半導体ナノワイヤは、その下面で支持体上に配置されるか、下面支持なしに絶縁マトリクスに組み込まれる
ことを特徴とする請求項１に記載された半導体ナノワイヤデバイス。
【請求項６】
前記半導体ナノワイヤは、第１導電型を有する第１層が、反対の第２導電型を有する第２層の上にあるｐｎ接合を有する軸状ナノワイヤを含む
ことを特徴とする請求項１に記載された半導体ナノワイヤデバイス。
【請求項７】
前記ｐｎ接合は前記半導体ナノワイヤの軸に直交する方向に延び、前記ｐｎ接合は前記半導体ナノワイヤの前記上面の３００ｎｍ以内に位置する
ことを特徴とする請求項６に記載された半導体ナノワイヤデバイス。
【請求項８】
前記半導体ナノワイヤは、前記上面の上に位置する触媒粒子を有しない
ことを特徴とする請求項１に記載された半導体ナノワイヤデバイス。
【請求項９】
前記半導体ナノワイヤデバイスは、発光ダイオードデバイス、光電気デバイス又は光起電デバイスである
ことを特徴とする請求項１に記載された半導体ナノワイヤデバイス。
【請求項１０】
半導体ナノワイヤデバイスを製造する方法であって、
少なくとも１つの半導体ナノワイヤを形成する工程であって、前記半導体ナノワイヤは、前記半導体ナノワイヤの上面の上に触媒粒子を有するか、前記上面を含む犠牲部分を有する、工程と、
前記半導体ナノワイヤの周りに絶縁材料を形成する工程と、
前記絶縁材料の上面よりも下に前記半導体ナノワイヤの前記上面を凹ませるように前記触媒粒子又は前記犠牲部分を除去する工程と、
前記半導体ナノワイヤの前記上面にオーミック接触する電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする方法。
【請求項１１】
前記絶縁材料は、前記触媒粒子又は前記犠牲部分を除去する工程の前に形成され、前記絶縁材料を形成する工程の結果として、前記絶縁材料が前記触媒粒子又は前記犠牲部分を覆う
ことを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記触媒粒子又は前記犠牲部分を覆う前記絶縁材料を除去する工程を更に有する
ことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
複数の半導体ナノワイヤと、隣接する半導体ナノワイヤの間に位置する誘電材料とを形成する工程を更に有する
ことを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
前記複数の半導体ナノワイヤの一部は、前記絶縁材料と前記半導体ナノワイヤの前記上面との間に凹部を有しない
ことを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記少なくとも１つの半導体ナノワイヤを形成する工程は、前記触媒粒子を用いて支持体に前記半導体ナノワイヤを成長させることを含み、
前記除去する工程は、前記触媒粒子を除去することを含む
ことを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月9日(2017.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
本明細書で用いる術語は、特定の実施形態を説明するためのものにすぎず、本発明を限定することを意図するものではない。数量を指定していない名詞は、本明細書において用いられるとき、文脈上明らかに別段の指定がない限り、単数形だけでなく複数形も含むように意図されている。「備える」及び／又は「含む」という用語は、この明細書及び特許請求の範囲において用いられるとき、明記された特徴、要素、及び／又は構成要素の存在を指定しているが、１つ又は複数の他の特徴、要素、構成要素、及び／又はそれらの群の存在又は追加を排除するものではないことが更に理解されるであろう。本発明の説明は、例示及び説明の目的で提示されており、網羅的であることも、開示された形態の発明に限定されることも意図するものではない。本発明の範囲及び趣旨から逸脱することなく、多くの変更形態及び変形形態が当業者に明らかであろう。実施形態は、本発明の原理及び実用的な用途を説明するとともに、他の当業者が、考慮されている特定の使用に適するように様々な変更を有する様々な実施形態について本発明を理解することを可能にするために選ばれて記載されたものである。請求項の範囲は、開示の実施形態及び任意のそのような変更を広く包含するように意図されている。
また、本発明は、以下の特徴を以って実施することができる。
［特徴１］
流体の流量を制御する質量流量制御器であって、
前記流体を受け取る流入口と、
前記流体が該質量流量制御器を通過する流路と、
前記流路を通る前記流体の質量流量に対応する信号を提供する質量流量センサーと、
前記質量流量センサーに結合され流体の大部分が流れるバイパスと、
前記バイパスの上流に位置し、より均一な流体流量を生成するターニングベーンと、
該質量流量制御器の流出口から出る前記流体の前記流量を調節する可変弁と、
バルブ制御信号を印加して前記可変弁を所望のバルブ位置に調整し、該質量流量制御器の流出口から出る前記流体の前記流量を制御する制御器とを備える質量流量制御器。
［特徴２］
前記ターニングベーンはフローミキサーを備える特徴１に記載の質量流量制御器。
［特徴３］
前記フローミキサーは前記バイパスの流入口スクリーンに当接している特徴２に記載の質量流量制御器。
［特徴４］
ターニングベーンは、前記フローミキサーに当接している平坦部を有する特徴２に記載の質量流量制御器。
［特徴５］
前記ターニングベーンは複数のベーンを含む特徴１に記載の質量流量制御器。
［特徴６］
前記ターニングベーンの前記複数のベーンのうちの各ベーンの曲面の角度は、最下のベーンから最上のベーンにかけて次第に増加する特徴５に記載の質量流量制御器。
［特徴７］
前記ターニングベーンは単一のベーンを含む特徴１に記載の質量流量制御器。
［特徴８］
前記単一のベーンの湾曲部の一部が真っ直ぐに延び、前記ターニングベーンを通る部分的な流体の流れを可能にする特徴７に記載の質量流量制御器。
［特徴９］
前記ターニングベーンは支持構造体を備える特徴１に記載の質量流量制御器。
［特徴１０］
前記ターニングベーンは前記バイパスの流入口スクリーンに当接している特徴１に記載の質量流量制御器。
［特徴１１］
流量制御器及び流量計のうちの少なくとも一方のバイパスの上流に位置するように構成され、より均一な流体流量を生成するターニングベーン。
［特徴１２］
フローミキサーを更に備える特徴１１に記載のターニングベーン。
［特徴１３］
前記フローミキサーは前記バイパスの流入口スクリーンに当接しているように構成されている特徴１２に記載のターニングベーン。
［特徴１４］
前記フローミキサーに当接している平坦部を有する特徴１２に記載のターニングベーン。
［特徴１５］
複数のベーンを含む特徴１１に記載のターニングベーン。
［特徴１６］
前記ターニングベーンの前記複数のベーンのうちの各ベーンの曲面の角度が、最下のベーンから最上のベーンにかけて次第に増加する特徴１５に記載のターニングベーン。
［特徴１７］
単一のベーンを含む特徴１１に記載のターニングベーン。
［特徴１８］
前記単一のベーンの湾曲部の一部が真っ直ぐに延び、前記ターニングベーンを通る部分的な流体の流れを可能にする特徴１７に記載のターニングベーン。
［特徴１９］
支持構造体を備える特徴１に記載のターニングベーン。
［特徴２０］
流体の流量を測定する質量流量計であって、
前記流体を受け取る流入口と、
該質量流量計を通る前記流体の質量流量に対応する信号を提供する質量流量センサーと、
前記質量流量センサーに結合され流体の大部分が流れるバイパスと、
前記バイパスの上流に位置し、より均一な流体流量を生成するターニングベーンとを備える質量流量計。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
流体の流量を制御する質量流量制御器であって、
前記流体を受け取る流入口と、
前記流体が該質量流量制御器を通過する流路と、
前記流路を通る前記流体の質量流量に対応する信号を提供する質量流量センサーと、
前記質量流量センサーに結合され流体の大部分が流れるバイパスと、
前記バイパスの上流に位置し、より均一な流体流量を生成するターニングベーンと、
該質量流量制御器の流出口から出る前記流体の前記流量を調節する可変弁と、
バルブ制御信号を印加して前記可変弁を所望のバルブ位置に調整し、該質量流量制御器の流出口から出る前記流体の前記流量を制御する制御器とを備える質量流量制御器。
【請求項２】
流体の流量を測定する質量流量計であって、
前記流体を受け取る流入口と、
該質量流量計を通る前記流体の質量流量に対応する信号を提供する質量流量センサーと、
前記質量流量センサーに結合され流体の大部分が流れるバイパスと、
前記バイパスの上流に位置し、より均一な流体流量を生成するターニングベーンとを備える質量流量計。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月13日(2017.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザ機器(UE)におけるモード移行中の改善された再選択のための方法であって、
第1の無線アクセス技術(RAT)から第2のRATへのセルの再選択のために、前記UEにおいてセルの再選択を実行するステップと、
前記セルの再選択のための測定が実行中である間に、前記UEが第1の優先スケジューリングモードから第2の優先スケジューリングモードへの切替を開始したことを識別するステップであって、前記第1の優先スケジューリングモードと、前記第2の優先スケジューリングモードとが、高優先スケジューリングモードからなるグループおよび全優先スケジューリングモードから選択され、前記高優先スケジューリングモードは、高優先層の探索に関し、前記全優先スケジューリングモードは、全優先層の探索に関し、前記切替は、前記UEのサービングセルの信号品質の変化又は前記UEの移動に少なくとも基づいて開始される、ステップと、
前記識別に応答してモード移行タイマを開始するステップと、
前記モード移行タイマが満了すると、前記UEにおいて前記第2の優先スケジューリングモードの1つまたは複数の周波数の探索をトリガするステップとを含む、方法。
【請求項２】
前記切替は、
全優先スケジューリングモードから高優先スケジューリングモードへの切替、または高優先スケジューリングモードから全優先スケジューリングモードへの切替を含む、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記モード移行タイマは、前記全優先スケジューリングモードから前記高優先スケジューリングモードへの切替時に、0とThigher_priority_searchとの間の値に設定される、請求項2に記載の方法。
【請求項４】
前記モード移行タイマは、前記高優先スケジューリングモードから前記全優先スケジューリングモードへの切替時に、0とKcarrier * Tdetect-UTRAとの間の値に設定される、請求項2に記載の方法。
【請求項５】
前記第2の優先スケジューリングモードの周波数への再選択を実行するステップをさらに含む、請求項2に記載の方法。
【請求項６】
ユーザ機器(UE)におけるモード移行中の改善された再選択のための装置であって、
第1の無線アクセス技術(RAT)から第2のRATへのセルの再選択のために、前記UEにおいてセルの再選択を実行するための手段
前記セルの再選択のための測定が実行中である間に、前記UEが第1の優先スケジューリングモードから第2の優先スケジューリングモードへの切替を開始したことを識別するための手段であって、前記第1の優先スケジューリングモードと、前記第2の優先スケジューリングモードとが、高優先スケジューリングモードからなるグループおよび全優先スケジューリングモードから選択され、前記高優先スケジューリングモードは、高優先層の探索に関し、前記全優先スケジューリングモードは、全優先層の探索に関し、前記切替は、前記UEのサービングセルの信号品質の変化又は前記UEの移動に少なくとも基づいて開始される、手段と、
前記識別に応答してモード移行タイマを開始するための手段と、
前記モード移行タイマが満了すると、前記UEにおいて前記第2の優先スケジューリングモードの1つまたは複数の周波数の探索をトリガするための手段とを備える、装置。
【請求項７】
識別するための前記手段は、全優先スケジューリングモードから高優先スケジューリングモードに、または高優先スケジューリングモードから全優先スケジューリングモードに切り替えるための手段を備えるようにさらに構成される、請求項6に記載の装置。
【請求項８】
開始するための前記手段は、前記全優先スケジューリングモードから前記高優先スケジューリングモードへの切替時に、前記モード移行タイマを0とThigher_priority_searchとの間の値に設定するようにさらに構成される、請求項7に記載の装置。
【請求項９】
開始するための前記手段は、前記高優先スケジューリングモードから前記全優先スケジューリングモードへの切替時に、前記モード移行タイマを0とKcarrier * Tdetect-UTRAとの間の値に設定するようにさらに構成される、請求項7に記載の装置。
【請求項１０】
前記第2の優先スケジューリングモードの周波数への再選択を実行するための手段をさらに備える、請求項7に記載の装置。
【請求項１１】
コンピュータ上で実行されるときに、請求項1から5のいずれか一項に記載の方法を実行するように適合されるコンピュータ実行可能コードを記憶するコンピュータ可読媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月1日(2016.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポータブルコンピューティングデバイス(「PCD」)における熱エネルギー発生を管理するための方法であって、
前記PCDにおける1つまたは複数の構成要素に関連する温度しきい値を定義するステップと、
前記PCDにおける1つまたは複数の温度センサを監視するステップであって、各温度センサが、前記1つまたは複数の構成要素のうちの1つに関連し、瞬間的な温度を表す信号を生成する、ステップと、
前記1つまたは複数の構成要素の各々に関連する瞬間的な熱抵抗値を追跡するステップであって、ある構成要素の前記熱抵抗値が、前記構成要素の前記瞬間的な温度、前記構成要素に対するアクティブな電力供給、および前記PCDの周囲温度から計算される、ステップと、
前記1つまたは複数の構成要素のうちの少なくとも1つに関連する温度しきい値を超えていることを決定するステップと、
前記1つまたは複数の構成要素のうちの前記少なくとも1つに関して調整された電力供給を計算するステップであって、前記調整された電力供給が、前記構成要素のターゲット温度、前記PCDの前記周囲温度、および前記構成要素に関連する前記瞬間的な熱抵抗値から計算される、ステップと、
前記調整された電力供給を前記構成要素に適用するステップと
を含む方法。
【請求項２】
前記1つまたは複数の温度センサのうちの少なくとも1つが、コアのシリコン接合に関連付けられる、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記1つまたは複数の温度センサのうちの少なくとも1つが、パッケージオンパッケージ(「PoP」)メモリ構成要素に関連付けられる、請求項1に記載の方法。
【請求項４】
前記ターゲット温度が前記瞬間的な温度よりも低い、請求項1に記載の方法。
【請求項５】
前記ターゲット温度が前記瞬間的な温度よりも高い、請求項1に記載の方法。
【請求項６】
前記調整された電力供給を適用するステップが、前記アクティブな電力供給の前記電圧および/または周波数をスケーリングするステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項７】
前記調整された電力供給が前記アクティブな電力供給よりも低い、請求項6に記載の方法。
【請求項８】
前記調整された電力供給が前記アクティブな電力供給よりも高い、請求項6に記載の方法。
【請求項９】
前記PCDがワイヤレス電話の形式である、請求項1に記載の方法。
【請求項１０】
前記PCDにおける処理構成要素によって発生した熱エネルギーをファン構成要素で管理できない、請求項1に記載の方法。
【請求項１１】
ポータブルコンピューティングデバイス(「PCD」)における熱エネルギー発生を管理するためのコンピュータシステムであって、
前記PCDにおける1つまたは複数の構成要素に関連する温度しきい値を定義するための手段と、
前記PCDにおける1つまたは複数の温度センサを監視するための手段であって、各温度センサが、前記1つまたは複数の構成要素のうちの1つに関連し、瞬間的な温度を表す信号を生成する、手段と、
前記1つまたは複数の構成要素の各々に関連する瞬間的な熱抵抗値を追跡するための手段であって、ある構成要素の前記熱抵抗値が、前記構成要素の前記瞬間的な温度、前記構成要素に対するアクティブな電力供給、および前記PCDの周囲温度から計算される、手段と、
前記1つまたは複数の構成要素のうちの少なくとも1つに関連する温度しきい値を超えていることを決定するための手段と、
前記1つまたは複数の構成要素のうちの前記少なくとも1つに関して調整された電力供給を計算するための手段であって、前記調整された電力供給が、前記構成要素のターゲット温度、前記PCDの前記周囲温度、および前記構成要素に関連する前記瞬間的な熱抵抗値から計算される、手段と、
前記調整された電力供給を前記構成要素に適用するための手段と
を含むコンピュータシステム。
【請求項１２】
前記1つまたは複数の温度センサのうちの少なくとも1つが、コアのシリコン接合に関連付けられる、請求項11に記載のコンピュータシステム。
【請求項１３】
前記1つまたは複数の温度センサのうちの少なくとも1つが、パッケージオンパッケージ(「PoP」)メモリ構成要素に関連付けられる、請求項11に記載のコンピュータシステム。
【請求項１４】
前記ターゲット温度が前記瞬間的な温度よりも低い、請求項11に記載のコンピュータシステム。
【請求項１５】
請求項1から10のいずれか一項に記載の方法を実施する命令を含むコンピュータプログラム。