【手続補正書】
【提出日】平成29年10月26日(2017.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
弁体内の流路の入口端と出口端との間に位置する閉弁部材付きの流路を有する弁体と、
流路内に環状オリフィスを形成する流路内のノズルインサートと、
環状オリフィスと流体の流れで連通するノズルインサート周りの環状プレナムと、
環状プレナムに流体の流れの関係で接続された補助ポートと、
を備え、
環状プレナムが、流路の周りで弁体の端部内に延在する環状路を備えるとともに、環状路が、環状プレナムを形成するように流路の周りでノズルインサートに囲まれている弁装置。
【請求項２】
ノズルインサートが、弁体の内壁よりも直径が小さい円筒状延在部に窄まるフレア状入口端部を有する請求項１に記載の弁装置。
【請求項３】
円筒状延在部が流路内で環状路よりも延在して、環状プレナムから環状オリフィスに延在する環状ノズルを内壁面と円筒状延在部との間に形成する請求項２に記載の弁装置。
【請求項４】
フレア状入口端部の周辺をとり囲むリムフランジを含み、そのリムフランジは、環状路に隣接する弁体に接している請求項３に記載の弁装置。
【請求項５】
リムフランジに装着された環状シールを含む請求項４に記載の弁装置。
【請求項６】
環状プレナムが、弁体の出口端内に延在する環状路を備えるとともに、その環状路が、環状プレナムを形成するようにノズルインサートに囲まれている請求項１に記載の弁装置。
【請求項７】
弁体の入口ポートと出口ポートとの間の弁体の内壁面によって規定される流路を有するとともに長軸に沿って延在する弁体と、流路内にある閉弁部材と、を有する弁内の粉体及び固体堆積物を制御する方法であって、
内壁面に沿って、かつ閉弁部材に向かって、長軸と平行かつ同心にクリーニングガスの少なくとも１つの環状流を流室内へ指向させることを含み、少なくとも１つの環状流は、少なくとも１つの環状プレナムを通してクリーニングガスを流すことで形成され、少なくとも１つの環状プレナムは、流路を取り囲み、流路の周りで弁体の端部内に延在する環状路を備え、少なくとも１つの環状ノズルに向かってノズルインサートにより囲まれ、かつノズルインサートにより囲まれて閉弁部材の片側で弁体の内壁面に隣接して位置付けられている方法。
【請求項８】
環状ノズルにクリーニングガスを流して、閉弁部材の上流に位置付けられた環状オリフィスから流出させることを含む請求項７に記載の方法。
【請求項９】
環状ノズルにクリーニングガスを流して、閉弁部材の下流に位置付けられた環状オリフィスから流出させることを含む請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
環状ノズル内に狭流状態を作ることを含む請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
閉弁部材の両側からそれぞれクリーニングガスの２つの環状流を対向方向に、互いに向かって、かつ内壁面に沿って指向させることを含む請求項７に記載の方法。
【請求項１２】
クリーニングガスが未反応ガスである請求項７に記載の方法。
【請求項１３】
クリーニングガスが反応ガスである請求項７に記載の方法。
【請求項１４】
内壁面に沿ってかつ閉弁部材に向かってクリーニングガスの少なくとも１つの環状流を流室内へ指向させながら、流路内で閉弁部材を開位置と閉位置との間で前後に動かすことを含む請求項７に記載の方法。
【請求項１５】
弁体の入口端における入口ポートと弁体の出口端における出口ポートとの間の弁体の内壁面によって規定される流路を有する弁体と、流路内にある閉弁部材と、を有する弁装置において、
閉弁部材の上流の内壁面に隣接して位置付けられ、かつ内壁面に沿って閉弁部材に指向された上流環状ノズルに対して、クリーニングガスの第一部分を分配する上流環状プレナムを含み、上流環状プレナムは、流路の周りで弁体の入口端内に延在する環状路を備えるとともに、環状路が、上流環状プレナムを形成するように流路の周りで上流ノズルインサートに囲まれており、
閉弁部材の下流の内壁面に隣接して位置付けられ、かつ内壁面に沿って閉弁部材に指向された下流環状ノズルに対して、クリーニングガスの第二部分を分配する下流環状プレナムを含み、下流環状プレナムは、流路の周りで弁体の出口端内に延在する環状路を備えるとともに、環状路が、下流環状プレナムを形成するように流路の周りで下流ノズルインサートに囲まれている弁装置。
【請求項１６】
上流環状ノズルは、上流環状プレナムと上流環状オリフィスとの間で延在し、上流環状プレナムから上流環状オリフィスにクリーニングガスの第一部分を流し、
下流環状ノズルは、下流環状プレナムと下流環状ノズルとの間で延在し、下流環状プレナムから下流環状オリフィスにクリーニングガスの第二部分を流す請求項１５に記載の弁装置。
【請求項１７】
上流環状ノズルは、弁が稼働する真空パラメータ及びクリーニングガスが供給される圧力パラメータにおいて上流環状ノズル内に狭流状態を作りだす広さの断面積を有し、
下流環状ノズルは、弁が稼働する真空パラメータ及びクリーニングガスが供給される圧力パラメータにおいて下流環状ノズル内に狭流状態を作りだす広さの断面積を有する請求項１６に記載の弁装置。
【請求項１８】
弁体の入口端における入口ポートと弁体の出口端における出口ポートとの間の弁体の内壁面によって規定される流路を有する弁体と、流路内にある閉弁部材と、を有するスロットルバルブ内の粉体及び固体堆積物を制御する方法であって、
上流環状プレナム内にクリーニングガスの第一部分を流すことを含み、上流環状プレナムは、弁体の入口端内に延在する環状路を備えるとともに、流路の周りで上流ノズルインサートに囲まれており、上流ノズルインサートは、入口端から流路内に延在して閉弁部材の上流の内壁面に隣接して位置付けられた上流環状ノズルを形成し、上流環状プレナムは内壁面に沿って閉弁部材に向かってクリーニングガスの第一部分を分配し、
下流環状プレナム内にクリーニングガスの第二部分を流すことを含み、下流環状プレナムは、弁体の出口端内に延在する環状路を備えるとともに、流路の周りで下流ノズルインサートに囲まれており、下流ノズルインサートは、出口端から流路内に延在して閉弁部材の下流の内壁面に隣接して位置付けられた下流環状ノズルを形成し、下流環状プレナムは内壁面に沿って閉弁部材に向かってクリーニングガスの第二部分を分配する方法。
【請求項１９】
上流環状プレナムから上流環状ノズルを介して、閉弁部材に向かって指向された上流ノズルインサートの端部により形成された上流環状オリフィスの外にクリーニングガスの第一部分を流すことと、
下流環状プレナムから下流環状ノズルを介して、閉弁部材に向かって指向された下流ノズルインサートの端部により形成された下流環状オリフィスの外にクリーニングガスの第二部分を流すこととを含む請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
上流環状ノズル内に狭流状態を作ることと、下流環状ノズル内に狭流状態を作ることと、を含む請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
閉弁部材の両側からそれぞれクリーニングガスの第一部分及び第二部分を対向方向に、互いに向かって、内壁面に沿って、かつ間欠的に指向させることを含む請求項１９に記載の方法。
【請求項２２】
閉弁部材の両側からそれぞれクリーニングガスの第一部分及び第二部分を対向方向に、互いに向かって、内壁面に沿って、かつパルス状に流れるように指向させることを含む請求項１９に記載の方法。
【請求項２３】
閉弁部材の両側からそれぞれクリーニングガスの第一部分及び第二部分を対向方向に、互いに向かって、内壁面に沿って、かつ定常的に流れるように指向させることを含む請求項１９に記載の方法。
【請求項２４】
クリーニングガスが未反応ガスである請求項１９に記載の方法。
【請求項２５】
クリーニングガスが反応ガスである請求項１９に記載の方法。
【請求項２６】
閉弁部材の両側からそれぞれクリーニングガスの２つの環状流を対向方向に、互いに向かって、かつ内壁面に沿って指向させながら、流路内で閉弁部材を開位置と閉位置との間で前後に動かすことを含む請求項１９に記載の方法。
【請求項２７】
排出ガス中に粉末粒子を生成するＣＶＤシステムの真空ポンプライン内の排出ガスの流れを調整するためのスロットルバルブ装置であって、
弁体の内壁面によって規定され、長軸に沿って入口ポートから出口ポートに延在する流路を有する弁体と、
入口ポートと出口ポートとの間の流路内に位置付けられた調整閉弁部材と、
調整閉弁部材に面して、内壁面に隣接する環状オリフィスと、
弁体内に位置し、環状オリフィスを介して長軸と平行でかつ同心である弁体の内壁面に沿う流路内に調整閉弁部材に向けてクリーニングガスの環状流を注入するように配向されている環状ノズルにより流体が流れるように環状オリフィスに接続された環状プレナムと、
環状プレナムに流体の流れの関係で接続され、クリーニングガスの供給源と接続するよう適合された弁体内の補助ダクトと、
を備え、
環状プレナムが、弁体の入口端内に延在する環状路を備えるとともに、環状路が、環状プレナムを形成するように流路の周りでノズルインサートに囲まれているスロットルバルブ装置。
【請求項２８】
補助ポート内へのクリーニングガスの流れを制御するために、補助ポートに流体の流れの関係で接続されたクリーニングガス供給弁を含む請求項２７に記載のスロットルバルブ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
限定ではなく一例として、ＣＶＤシステム１００内のスロットルバルブ１０の粉体制御システムを説明する。ＣＶＤシステム１００は、特にＣＶＤ処理室の真空状態が比較的低い場合（即ち、圧力が比較的高い場合）に、スロットルバルブを妨害しかつ詰まらせる固体微粒子状の粉体副生成物を生成するという悪評がある。窒化ガリウム（ＧａＮ）から成る薄膜１０６を基板１０８上に堆積させるために使用される有機金属化学蒸着（ＭＯＣＶＤ）プロセスは、高温・真空状態でトリメチルガリウム（「ＴＭＧ」、Ｇａ（ＣＨ3）3）をアンモニア（ＮＨ3）及び大量の水素と反応させることを含んでもよい。ＴＭＧ及びアンモニアは、相互に反応して、周囲温度においても非常に早く中間付加物Ｇａ（ＣＨ3）3・ＮＨ3を形成できる。１０００〜１２００℃前後の温度で加熱されるウェハー表面上でこの中間付加物が解離して結晶性ＧａＮ化合物が形成される。比較的遅い解離プロセスによって、ＧａＮ原子がほぼ完全に配列した高品質の結晶性ＧａＮの形成が可能となる；しかしながら、中間付加物の解離により炭素粉体及び液体ガリウムが生じてしまう。Ｇａ（ＣＨ3）3・ＮＨ3付加物の分解によって形成された炭素粉体に加えて、反応室内の液体ガリウム（Ｇａ）の存在により（ガリウムは３０〜２２００℃において液体形状を保つ）、部分的にガリウムが充填されたカーボンナノチューブ粒子が、処理室内、特に若干温度の低い反応室の内壁に形成する恐れがある。これは、液体ガリウムが液滴状でカーボンナノチューブの形成を助ける触媒として作用するからである。真空ポンプ１１６によって、このような粉末粒子は他の排ガスと共に反応室１０２から真空ポンプライン１０４内に導かれる。