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【手続補正書】
【提出日】平成29年8月24日(2017.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
送信機におけるワイヤレス通信の方法であって、
前記送信機において、複数のサブチャネル上でそれぞれ送信する複数の近接送信機の各々の送信電力を決定することと、
前記送信機から前記複数のサブチャネル上でそれぞれ送信する前記複数の近接送信機の各々までの経路損失を検出することと、
を備え、
前記複数のサブチャネルの各々についてアウテージ領域サイズを推定することと、ここにおいて、サブチャネルについて前記アウテージ領域サイズを前記推定することは、前記サブチャネル上で送信する近接送信機の決定された送信電力と、前記近接送信機までの前記検出された経路損失とに基づく、
前記送信機から信号を送信するための前記複数のサブチャネルのうちの１つを選択することと、ここにおいて、前記選択することは、前記複数のサブチャネルの各々の前記推定されたアウテージ領域サイズに基づく、
を特徴とする、方法。
【請求項２】
前記送信電力を前記決定することは、
インバンドエミッション（ＩＢＥ）電力、または
前記サブチャネル上の意図された送信信号の送信電力
のうちの少なくとも１つを決定することを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記複数のサブチャネル上でそれぞれ送信する前記複数の近接送信機の各々についての前記ＩＢＥ電力は、近接送信機のＩＢＥのモデル、および／またはそれぞれのサブチャネル上の前記意図された送信信号の前記近接送信機の前記送信電力の決定に基づいて決定される、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記複数のサブチャネルのうちの前記１つは、最も小さい推定されたアウテージ領域サイズを有する前記サブチャネルに基づいて選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
アウテージ領域は、前記送信機からの前記信号の意図された受信機がしきい値よりも小さい信号対干渉プラス雑音比（ＳＩＮＲ）を経験する地理的エリアを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記サブチャネル上で送信する前記近接送信機の前記決定された送信電力は、前記サブチャネルについての前記アウテージ領域サイズを示す、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記サブチャネル上で送信する前記近接送信機までの前記検出された経路損失は、前記サブチャネルについての前記アウテージ領域サイズを示す、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
請求項１に記載の方法を実行するための手段を備えた、ワイヤレス通信のための送信機。
【請求項９】
プロセッサによって実行されると、請求項１に記載の方法を実行する、送信機におけるワイヤレス通信のためのコンピュータ実行可能コードを記憶するコンピュータ可読媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成29年9月6日(2017.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１貫通孔及び第２貫通孔を含むベースプレートと、
前記ベースプレート上に結合されたレンズモジュールとを含み、
前記レンズモジュールは、
レンズ部と、
前記レンズ部の外側から第１横方向に延びる第１支持部と、
前記第１支持部の下面から延びて前記第１貫通孔に結合される第１突出部と、
前記レンズ部の外側から第２横方向に延びる第２支持部と、
前記第２支持部の下面から延びて前記第２貫通孔に結合される第２突出部とを含み、
前記第１支持部は、
前記レンズ部に隣接する隣接部と、
前記第１横方向に前記レンズ部から最も遠くに配置され、第１エッジを含む末端部と、
前記第１突出部と前記第２突出部との間に配置される中央部とを含み、
前記中央部の下面は前記ベースプレートと直接接触する、レンズパッケージ。
【請求項２】
前記第２支持部は、
前記レンズ部に隣接する隣接部と、
前記第２横方向に前記レンズ部から最も遠くに配置され、第２エッジを含む末端部と、
前記第２突出部と前記第１突出部との間に配置される中央部とを含み、
前記中央部の下面は前記ベースプレートと直接接触する、請求項１に記載のレンズパッケージ。
【請求項３】
前記第１突出部は、前記第１支持部の下面に備えられて前記第１エッジと離隔し、前記第２突出部は、前記第２支持部の下面に備えられて前記第２エッジと離隔する、請求項１又は２に記載のレンズパッケージ。
【請求項４】
前記第１支持部の隣接部及び末端部の下面は前記ベースプレートと直接接触する、請求項１乃至３のいずれか１項に記載のレンズパッケージ。
【請求項５】
前記第２支持部の隣接部及び末端部の下面は前記ベースプレートと直接接触する、請求項２乃至４のいずれか１項に記載のレンズパッケージ。
【請求項６】
前記レンズ部の下面の一部分は前記第１支持部の下面と平行である、請求項１乃至５のいずれか１項に記載のレンズパッケージ。
【請求項７】
前記レンズ部の下面の一部分は前記第２支持部の下面と平行である、請求項１乃至６のいずれか１項に記載のレンズパッケージ。
【請求項８】
前記第１横方向と前記第２横方向とは互いに反対方向である、請求項１乃至７のいずれか１項に記載のレンズパッケージ。
【請求項９】
前記第１突出部は、前記第１貫通孔の内部で前記ベースプレートと結合される、請求項１乃至８のいずれか１項に記載のレンズパッケージ。
【請求項１０】
前記第２突出部は、前記第２貫通孔の内部で前記ベースプレートと結合される、請求項１乃至９のいずれか１項に記載のレンズパッケージ。
【請求項１１】
前記第１突出部は、前記第１貫通孔全体に延びて配置される、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載のレンズパッケージ。
【請求項１２】
前記第２突出部は、前記第２貫通孔全体に延びて配置される、請求項１乃至１１のいずれか１項に記載のレンズパッケージ。
【請求項１３】
前記第１突出部は前記第１貫通孔の内側面と直接接触する、請求項１乃至１２のいずれか１項に記載のレンズパッケージ。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成29年5月9日(2017.5.9)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１６】
有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ）、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、集積回路（ＩＣ）、論理回路、キャパシタ、無線周波数識別（ＲＦＩＤ）タグ、デバイスまたはコンポーネント、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、有機発光トランジスタ（ＯＬＥＴ）、フラットパネルディスプレイ、ディスプレイのバックライト、有機光起電デバイス（ＯＰＶ）、有機太陽電池（Ｏ−ＳＣ）、フォトダイオード、レーザーダイオード、光導電体、有機光検出器（ＯＰＤ）、電子写真デバイス、電子写真記録デバイス、有機メモリデバイス、センサーデバイス、電荷注入層、ポリマー発光ダイオード（ＰＬＥＤ）における電荷輸送層または中間層、ショットキーダイオード、平坦化層、帯電防止フィルム、ポリマー電解質膜（ＰＥＭ）、導電性基板、導電性パターン、電池における電極材料、配向層、バイオセンサー、バイオチップ、セキュリティーマーキング、セキュリティーデバイス、およびＤＮＡ配列を検出および識別するためのコンポーネントまたはデバイスからなる群から選択される、有機電子コンポーネントまたはデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成29年10月24日(2017.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
分散補償機能を備えたオールインワンの飽和可能なアブソーバ―ミラーを付与する受動モード同期レーザ光学システム用の光学的サブシステムであって、
グラフェンをベースとした飽和可能なアブソーバと、
前記レーザ光学システムの分散特性を制御するように構成された多層の分散型ミラーを含む光学的デバイスとを備え、
該グラフェンをベースとした飽和可能なアブソーバは、前記光学的デバイスの表面に蒸着され、
前記光学的デバイスは、軸回りの前記光学的デバイスの回転を許す取付け具上に取り付けられて、光学的デバイス上の入射角を変え、光パルスの波長を含むレーザパラメータの調整を可能にする、光学的サブシステム。
【請求項２】
前記グラフェンをベースとする飽和可能なアブソーバは、グラフェン、グラフェン派生物、カーボンナノチューブ及び機能化されたグラフェンの少なくとも１つを備え、
及び/又は
前記グラフェンをベースとする飽和可能なアブソーバは、電圧制御されるように構成されて、前記グラフェンをベースとする飽和可能なアブソーバは、グラフェンをベースとするコンデンサ又はスーパコンデンサである、請求項１に記載の光学的サブシステム。
【請求項３】
前記光学的デバイスは、チャープミラーである、請求項１又は２に記載の光学的サブシステム。
【請求項４】
前記光学的デバイスは、分散制御型ミラーである、請求項１又は２に記載の光学的サブシステム。
【請求項５】
前記光学的デバイスは、焦点型分散制御型ミラーである、請求項１又は２に記載の光学的サブシステム。
【請求項６】
前記光学的デバイスは、一対のジル・トレノアミラーである、請求項１又は２に記載の光学的サブシステム。
【請求項７】
前記光学的デバイスは、レーザ共振器を形成する出力連結ミラーであり、該出力連結ミラーは部分的に分散補償機能を有し、該出力連結ミラーは部分的に透明である、請求項１又は２に記載の光学的サブシステム。
【請求項８】
請求項１乃至７の何れかの光学的サブシステムと、
遷移金属イオンドーパントでドープされたレーザゲイン媒体を備える、光学的システム。
【請求項９】
前記遷移金属イオンドーパントは、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni及びCuからなる群から選択され、好ましくは、
前記遷移金属イオンドーパントは、Cr２+及びFe２+からなる群から選択される、請求項８に記載の光学的システム。
【請求項１０】
前記レーザゲイン媒体は、硫化物、セレン化物、混合したセレン化硫化物、テルル化物及びコランダムからなる群から選択されるホスト材を含む、請求項８又は９に記載の光学的システム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年9月21日(2017.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
システムであって、
荷電粒子の一次ビームを発生させ、前記一次ビームを標的上へ集束させるように構成される荷電粒子光学カラムを備え、前記荷電粒子光学カラムは、磁気液浸レンズを含み、前記磁気液浸レンズは、外側極片及び内側極片を有し、それらの間には間隙があり、前記外側極片は、前記標的からのエネルギー粒子が前記外側極片を通って外部検出器に渡ることを可能にする開口部を有し、前記内側または外側極片は、前記間隙に近接する１つ以上のノッチを有する、
システム。
【請求項２】
前記１つ以上のノッチは、前記荷電粒子カラムの前記軸に対して軸対称パターンで配設される２つ以上のノッチを含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記１つ以上のノッチは、前記荷電粒子カラムの前記軸に対して軸対称パターンで配設される３つ以上のノッチを含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記１つ以上のノッチは、前記荷電粒子カラムの前記軸に対して軸対称パターンで配設される４つ以上のノッチを含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記ノッチは、前記液浸レンズを駆動するために必要とされる電力を１％以上増加させることなく、前記検出器デバイスの前記標的への所望のアクセスを提供するのに十分大きい、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記外側極片は、前記間隙に近接するいくつかのノッチを有する、請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記内側極片は、前記間隙に近接するいくつかのノッチを有する、請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
前記内側極片及び前記外側極片はどちらも、前記間隙に近接するいくつかのノッチを有する、請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
前記間隙は、半径方向の間隙である、請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
前記間隙は、軸方向の間隙である、請求項１に記載のシステム。
【請求項１１】
前記外部検出器をさらに備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項１２】
前記外部検出器は、Ｘ線検出器である、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１３】
前記荷電粒子光学カラムは、電子の一次ビームを発生させ、前記電子の一次ビームを前記標的上へ集束させるように構成される、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１４】
磁気液浸レンズ装置であって、
外側極片及び内側極片を備え、それらの間には間隙があり、前記外側極片は、前記液浸レンズの前方の標的からのエネルギー粒子が前記外側極片を通って外部検出器に渡ることを可能にする開口部を有し、前記外側または内側極片は、前記間隙に近接する１つ以上のノッチを有する、
磁気液浸レンズ装置。
【請求項１５】
前記１つ以上のノッチは、荷電粒子カラムの軸に対して軸対称パターンで配設される２つ以上のノッチを含む、請求項１４に記載の磁気液浸レンズ装置。
【請求項１６】
前記１つ以上のノッチは、荷電粒子カラムの軸に対して軸対称パターンで配設される４つ以上のノッチを含む、請求項１４に記載の磁気液浸レンズ装置。
【請求項１７】
前記ノッチは、前記液浸レンズを駆動するために必要とされる電力を１％以上増加させることなく、前記検出器の前記標的への所望のアクセスを提供するのに十分大きい、請求項１４に記載の磁気液浸レンズ装置。
【請求項１８】
前記外側極片は、前記間隙に近接するいくつかのノッチを有する、請求項１４に記載の磁気液浸レンズ装置。
【請求項１９】
前記内側極片は、前記間隙に近接するいくつかのノッチを有する、請求項１４に記載の磁気液浸レンズ装置。
【請求項２０】
前記内側極片及び前記外側極片はどちらも、前記間隙に近接するいくつかのノッチを有する、請求項１４に記載の磁気液浸レンズ装置。
【請求項２１】
前記間隙は、半径方向の間隙である、請求項１４に記載の磁気液浸レンズ装置。
【請求項２２】
前記間隙は、軸方向の間隙である、請求項１４に記載の磁気液浸レンズ装置。
【請求項２３】
磁気液浸レンズのための外側極片であって、前記外側極片は、前記液浸レンズの前方の標的からのエネルギー粒子が前記外側極片を通って外部検出器に渡ることを可能にする開口部を有し、前記外側極片は、中央開口に近接する１つ以上のノッチを有する、
磁気液浸レンズのための外側極片。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成29年6月30日(2017.6.30)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００４】
この場合、この伝送特性による、１本のケーブルから他のケーブルへの好ましくないエネルギーの伝達、または、伝送システムの中への高周波電磁界の放射も障害になる。この挙動は、当技術分野において、クロストーク（crosstalk）として知られている。同じケ
ーブルハーネス内の異なるサービスラインまたはケーブル間の放射を意味する「エイリアン近端クロストーク（alien-next）」は、既知のクロストークの拡大と見做すことができる。伝送システムは、適正でない操作なしには、限定された量の放射エネルギーしか補償できない。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６５】
図１および２に示すデータケーブル２は、高比率の空気を含む外側のシース１４を配置する結果、および、中間シース１２を３ｍｍという標準寸法に寸法設定する結果、全体として、信号伝送品質が改善されたデータケーブル２が利用可能になり、同時に、プラグ１６などの標準的なアセンブリ要素を使用できるという特別な利点を提供する。特に、外部から到来する干渉源のエネルギーの入射は、外側のシース１４と、それによって大きくなったデータケーブル２の寸法および表面とによって、少なくとも低減される。同時に、必要な材料量および付加重量は、外側のシース１４が発泡体であることによって極力低く維持される。従って、いわゆるエイリアン近端クロストーク（alien-next）に関する感度は低下する。
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月17日(2017.8.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部供給源から電力を受け取り、少なくとも１つの光源に給電する電力段と、
プログラマブル照明ドライバの少なくとも１つの動作パラメータ又は構成設定に従って、前記電力段の動作を制御するコントローラと、
前記プログラマブル照明ドライバの前記少なくとも１つの動作パラメータ又は構成設定を記憶する不揮発性メモリと、
前記プログラマブル照明ドライバの前記少なくとも１つの動作パラメータ又は構成設定を通信する無線周波数（ＲＦ）信号を受信し、これに応えて、前記プログラマブル照明ドライバの前記少なくとも１つの動作パラメータ又は構成設定を前記不揮発性メモリに記憶する近距離無線通信ドライバと、
を含み、
前記近距離無線通信ドライバは、当該近距離無線通信ドライバが前記プログラマブル照明ドライバの前記少なくとも１つの動作パラメータ又は構成設定を前記不揮発性メモリに記憶する間に、前記無線周波数信号から、前記不揮発性メモリに給電するための供給電圧を生成し、
前記プログラマブル照明ドライバの前記少なくとも１つの動作パラメータは、前記電力段によって前記少なくとも１つの光源に供給される出力電流、前記少なくとも１つの光源の可変スタートアップ時間パラメータ、動作期間の後、前記プログラマブル照明ドライバが前記出力電流を増加すべきである当該動作期間、前記出力電流を減少させるための少なくとも１つの温度閾値、動作期間の後、前記プログラマブル照明ドライバが寿命終了信号をトリガすべきである当該動作期間、及び、前記少なくとも１つの光源を自動的に調光するための少なくとも１つの時間設定のうちの少なくとも１つを含み、
前記無線周波数信号は、前記プログラマブル照明ドライバの前記少なくとも１つの構成設定を通信し、前記少なくとも１つの構成設定は、前記プログラマブル照明ドライバに使用可能である複数の調光インターフェースから、アクティブである、前記プログラマブル照明ドライバの調光インターフェースを特定する、
プログラマブル照明ドライバ。
【請求項２】
前記近距離無線通信ドライバは更に、前記無線周波数信号から、前記コントローラに給電するための第２の供給電圧を生成する、請求項１に記載のプログラマブル照明ドライバ。
【請求項３】
前記近距離無線通信ドライバに、前記無線周波数信号を提供するアンテナ又はコイルを更に含む、請求項１に記載のプログラマブル照明ドライバ。
【請求項４】
前記近距離無線通信ドライバは更に、前記プログラマブル照明ドライバの前記少なくとも１つの動作パラメータ又は構成設定を受信することに応えて、前記アンテナ又はコイルを介して、確認信号を送信する、請求項３に記載のプログラマブル照明ドライバ。
【請求項５】
前記近距離無線通信ドライバは更に、前記アンテナ又はコイルを介して、前記プログラマブル照明ドライバの少なくとも１つの追加の動作パラメータ、少なくとも１つの追加の構成設定又は動作データを送信する、請求項３に記載のプログラマブル照明ドライバ。
【請求項６】
少なくとも１つの非金属製の開口を有する実質的に金属製のハウジングを更に含み、前記開口を通り、前記無線周波数信号が、前記アンテナ又はコイルに通信される、請求項３に記載のプログラマブル照明ドライバ。
【請求項７】
前記不揮発性メモリは、前記近距離無線通信ドライバと通信するための第１のポートと、前記コントローラと通信するための第２のポートとを有するデュアルポートメモリである、請求項１に記載のプログラマブル照明ドライバ。
【請求項８】
第２の不揮発性メモリを更に含み、前記第２の不揮発性メモリは、前記コントローラに応えて、前記プログラマブル照明ドライバの動作データを記憶する、請求項１に記載のプログラマブル照明ドライバ。
【請求項９】
前記少なくとも１つの照明ドライバは、少なくとも１つの発光ダイオード（ＬＥＤ）を含む、請求項１に記載のプログラマブル照明ドライバ。
【請求項１０】
前記電力段は、少なくとも１つの発光ダイオードを駆動するための電流を供給する制御可能な電流源を含む、請求項９に記載のプログラマブル照明ドライバ。
【請求項１１】
前記電力段は、交流電流（ＡＣ）主電源電圧を受け取り、前記電力段は、前記少なくとも１つの発光ダイオードを駆動するための前記電流を生成するように、前記交流電流主電源電圧を整流する整流器を更に含む、請求項９に記載のプログラマブル照明ドライバ。
【請求項１２】
前記プログラマブル照明ドライバに使用可能である前記複数の調光インターフェースは、デジタルアドレッサブルライティングインターフェース（ＤＡＬＩ）、アナログ０−１０Ｖ調光信号インターフェース、デジタルマルチプレクス（ＤＭＸ）インターフェース及び位相カット交流電流（ＡＣ）調光インターフェースを含む、請求項１に記載のプログラマブル照明ドライバ。
【請求項１３】
請求項１乃至１２の何れか一項に記載のプログラマブル照明ドライバをプログラミングする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年9月1日(2017.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線アクセス技術(RAT)間の干渉を低減するための非連続通信の方法であって、
リソースを介して信号を受信するステップであって、第1のRATに従って動作する第1の送受信機が前記信号を受信するために使用される、ステップと、
前記第1のRATと関連付けられる前記リソースの利用率を特定するステップであって、前記特定することが前記受信された信号に基づく、ステップと、
前記リソースを共有する第2のRATのための送信のアクティブ化期間および非アクティブ化期間を定義する、時分割多重化(TDM)通信パターンの1つまたは複数の周期化パラメータを設定するステップであって、前記リソースの前記特定された利用率に基づく、ステップと、
前記TDM通信パターンに従って、前記リソースを通じた送信のアクティブ化期間と非アクティブ化期間との間で前記第2のRATの動作を循環させるステップと、
第2のRATに関連付けられるサービス品質(QoS)要求を判定するステップと、
前記QoS要求に基づき1つまたは複数の周期化パラメータを修正するステップと
を備える、方法。
【請求項２】
前記リソースが免許不要高周波帯域である、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記第1のRATがWi-Fi技術を含み、
前記第2のRATがLong Term Evolution(LTE)技術を含む、請求項1に記載の方法。
【請求項４】
前記第2のRATに従って動作する第2の送受信機が、前記TDM通信パターンの前記アクティブ化期間において前記リソースを通じて送信を実行し、
前記第1の送受信機および前記第2の送受信機が併置される、請求項1に記載の方法。
【請求項５】
前記リソースの前記利用率を特定するステップが、前記第1のRATのパケットと関連付けられる送信持続時間、前記第1のRATのパケットと関連付けられる受信信号強度、またはそれらの組合せの少なくとも1つを決定するステップを備え、
前記決定するステップが、プリアンブル、物理(PHY)ヘッダ、媒体アクセス制御(MAC)ヘッダ、ビーコン、プローブ要求、プローブ応答、またはそれらの組合せの少なくとも1つを復号するステップを備える、請求項1に記載の方法。
【請求項６】
前記TDM通信パターンの非アクティブ化期間において前記リソース上で測定が行われることを要求するステップをさらに備え、前記測定が前記第1のRATに従って動作する前記第1の送受信機を使用して受信される前記信号のためのものである、請求項1に記載の方法。
【請求項７】
前記設定するステップが、前記リソースの前記特定された利用率と、前記第1のRATに提供される保護のレベルと関連付けられる閾値との比較に基づいて、前記1つまたは複数の周期化パラメータの少なくとも1つを変更するステップを備え、
前記方法がさらに、
前記受信された信号に基づいて、前記第1のRATと関連付けられるサービス品質(QoS)を決定するステップと、
前記決定されたQoSに基づいて前記閾値を調整するステップと
をさらに備える、請求項1に記載の方法。
【請求項８】
前記1つまたは複数の周期化パラメータが、デューティ比、送信電力、周期のタイミング、またはそれらの組合せの少なくとも1つを備えるか、または、
前記方法がさらに、前記第2のRATと関連付けられるトラフィックまたはバックホールの制約を決定するステップであって、前記設定するステップが前記決定された制約にさらに基づく、ステップを備える、請求項1に記載の方法。
【請求項９】
再送信手順が保留中であると判定するステップであって、前記再送信手順が前記第2のRATによる前記リソース上での通信と関連付けられる、ステップと、
前記判定に応答して、前記リソース上での前記第2のRATのための前記TDM通信パターンのアクティブ化期間を延長するステップをさらに備える、請求項1に記載の方法。
【請求項１０】
前記第1のRATを介して前記リソース上でClear-to-Send-to-Self(CTS2S)メッセージを送信して、前記第2のRATによる送信のために前記リソースを確保するステップをさらに備える、請求項1に記載の方法。
【請求項１１】
前記受信するステップ、特定するステップ、設定するステップ、循環させるステップ、またはそれらの組合せの少なくとも1つが、スモールセル基地局によって実行される、請求項1に記載の方法。
【請求項１２】
前記受信するステップ、特定するステップ、設定するステップ、循環させるステップ、またはそれらの組合せの少なくとも1つが、ユーザデバイスによって実行され、
前記方法がさらに、
前記ユーザデバイスからスモールセル基地局にメッセージを送信するステップであって、前記メッセージが前記リソースの前記利用率に基づく、ステップと、
前記スモールセル基地局から前記ユーザデバイスにおいて応答メッセージを受信するステップとをさらに備え、前記応答メッセージが、前記送信されたメッセージに応答して受信され、前記1つまたは複数の周期化パラメータの少なくとも1つを備える、請求項1に記載の方法。
【請求項１３】
前記スモールセル基地局に送信される前記メッセージが、前記リソースの前記利用率を示す測定結果情報を備え、
前記スモールセル基地局から受信される前記応答メッセージが、前記測定結果情報に基づいて、前記スモールセル基地局によって決定される周期化パラメータを備える、請求項12に記載の方法。
【請求項１４】
無線アクセス技術(RAT)間の干渉を低減するための非連続通信のための装置であって、請求項１に記載の方法を実行するための手段を備える装置。
【請求項１５】
プロセッサにより実行されたときに請求項１に記載の方法を実行する命令を含むコンピュータ可読記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月22日(2017.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁ベースと、
前記絶縁ベース上に配置され、基板支持表面を有する誘電体層と、
前記絶縁ベースと前記基板支持表面との間に配置された電極アセンブリと、
前記絶縁ベースに結合された複数の加熱要素とを備え、前記複数の加熱要素が、前記絶縁ベースの裏面上に形成され、基板表面にわたって温度プロファイルを方位角方向に制御するように少なくとも１つまたは複数の加熱要素の独立して制御可能な群で配置される、
静電チャック。
【請求項２】
前記複数の加熱要素が、格子状の構成、画素状の構成、ドット状の構成、極性配列の構成、または同心円状の構成で配置される、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項３】
前記複数の加熱要素が、個別の金属区分の形である、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項４】
前記複数の加熱要素が、抵抗加熱要素を備える、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項５】
前記電極アセンブリが、少なくとも２つの交互配置電極を有する、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項６】
前記少なくとも２つの交互配置電極が、第１の組の電極フィンガおよび第２の組の電極フィンガを備え、前記第１の組の電極フィンガが、前記第２の組の電極フィンガとは異なる極性を有する電荷を生成する、請求項５に記載の静電チャック。
【請求項７】
前記複数の加熱要素が、約４０から約３００個の加熱要素を備える、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項８】
前記誘電体層は、ガラス材料、又は、炭化ケイ素、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、イットリウム含有材料、酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）、イットリウム−アルミニウム−ガーネット（ＹＡＧ）、酸化チタン（ＴｉＯ）及び窒化チタン（ＴｉＮ）からなる群から選択されるセラミック材料から作られる請求項１に記載の静電チャック。
【請求項９】
第１の表面および前記第１の表面とは反対側の第２の表面を有する絶縁ベースと、
前記絶縁ベースの前記第１の表面上に形成され、第２の電極と交互配置された第１の電極を有する電極アセンブリと、
前記第１および第２の電極の交互配置部分間に形成され、前記絶縁ベースの前記第２の表面上に形成された複数の加熱要素と、
前記電極アセンブリに結合された封入部材と
を備える静電チャック。
【請求項１０】
前記複数の加熱要素が、個別の区分の形である、請求項９に記載の静電チャック。
【請求項１１】
前記複数の加熱要素が、抵抗加熱要素を備える、請求項９に記載の静電チャック。
【請求項１２】
前記封入部材は、ガラス材料、又は、炭化ケイ素、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、イットリウム含有材料、酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）、イットリウム−アルミニウム−ガーネット（ＹＡＧ）、酸化チタン（ＴｉＯ）及び窒化チタン（ＴｉＮ）からなる群から選択されるセラミック材料から作られる請求項９に記載の静電チャック。
【請求項１３】
静電チャックを製造する方法であって、
第２の電極と交互配置された第１の電極を含む電極アセンブリを絶縁ベース上に形成するステップと、
基板表面にわたって温度プロファイルを方位角方向に制御する複数の加熱要素を前記絶縁ベースの裏側に形成するステップと、
前記電極アセンブリ上に封入部材を形成するステップとを含む方法。
【請求項１４】
前記絶縁ベースを前記封入部材に接合して一体構成要素を形成するステップ
をさらに含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記複数の加熱要素が、誘導加熱要素を備える、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項１６】
前記複数の加熱要素が、誘導加熱要素を備える、請求項９に記載の静電チャック。
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月8日(2017.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板にシリコンおよび／またはシリコンイオンを注入する方法であって、
（ａ）式ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４のモノシラン（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４の各々は独立してＨ；ハロゲンである）；
（ｂ）少なくとも１つのＳｉ−Ｓｉ結合を含む、式ＳｉｎＨｙのジシランおよびポリシラン（式中、ｎ＝１から８であり、非分岐および分岐鎖に関してはｙ＝２ｎ＋２、および環状化合物に関してはｙ＝２ｎ）および式ＳｉｎＲ１Ｒ２・・・Ｒｙの対応する置換ジシランおよびポリシラン（式中、ｎ＝１から８であり、Ｒ１、Ｒ２・・・Ｒｙの各々は前出のＲ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４の各々に指定されたとおりである）；および
（ｃ）前記前駆体の１つ以上を含む予備混合物または並行流の混合物
からなる群から選択されるシリコン前駆体
を含む組成物からシリコンまたはシリコン含有イオンを生成することであって、
前記組成物はもっぱら（１）四フッ化ケイ素、（２）シラン、（３）四フッ化ケイ素およびシランの混合物、または（４）四フッ化ケイ素、キセノンおよび水素からなるものではないこと；および
基板にシリコンまたはシリコンイオンを注入すること
を含む方法。
【請求項２】
シリコン前駆体および第２のガスが、前記組成物中で混合物として存在する請求項１に記載の方法。
【請求項３】
イオン化はイオン化チャンバ内で行われ、シリコン前駆体組成物は送達導管中のイオン化チャンバに送達され、イオン化チャンバおよび送達導管の少なくとも１つを能動冷却することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
シリコン前駆体は、イオン化を目的として並行流ガスと並流される請求項１に記載の方法。
【請求項５】
（ａ）四フッ化ケイ素、ＳｉＦ４を含むシリコン前駆体をイオン化することであって、四フッ化ケイ素はフルオロ反応抑制剤と並流され、または予備混合され；および
（ｂ）基板に前記イオン化からのシリコンイオンを注入すること
を含む基板にシリコンイオンを注入する方法。
【請求項６】
フルオロ反応抑制剤が（ｉ）水素、（ｉｉ）水素化物ガス、（ｉｉｉ）窒素、（ｉｖ）シランおよび（ｖ）アンモニアの少なくとも１つを含む請求項５に記載の方法。
【請求項７】
基板にシリコンおよび／またはシリコンイオンを注入するのに使用するシリコン前駆体組成物であって、前記組成物は、
（ａ）式ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４のモノシラン（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４の各々は独立してＨ；ハロゲンである）；
（ｂ）少なくとも１つのＳｉ−Ｓｉ結合を含む、式ＳｉｎＨｙのジシランおよびポリシラン（式中、ｎ＝１から８であり、非分岐および分岐鎖に関してはｙ＝２ｎ＋２、および環状化合物に関してはｙ＝２ｎ）および式ＳｉｎＲ１Ｒ２・・・Ｒｙの対応する置換ジシランおよびポリシラン（式中、ｎ＝１から８であり、Ｒ１、Ｒ２・・・Ｒｙの各々は前出のＲ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４の各々に指定されたとおりである）；および
（ｃ）前記前駆体の１つ以上を含む予備混合物または並行流の混合物
からなる群から選択される少なくとも１つのシリコン前駆体
を含む組成物であって、前記組成物はもっぱら（１）四フッ化ケイ素、（２）シラン、（３）四フッ化ケイ素およびシランの混合物、または（４）四フッ化ケイ素、キセノンおよび水素からなるものではない組成物。
【請求項８】
シリコン前駆体および並行流ガスを含む請求項７に記載の組成物。
【請求項９】
並行流ガスは、水素化物、ハロゲン（フッ素、臭素、塩素、ヨウ素）、ハロゲン化合物および複合体、一酸化炭素、二酸化炭素、フッ化カルボニル、キセノン、二フッ化キセノン、酸素、窒素、アルゴン、ネオン、クリプトン、ヘリウム、ＳｉＦ４、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、メチルシラン、フルオロシラン、クロロシラン、セレン化水素、硫化水素、ジボラン、メタン、アンモニア、ホスフィン、アルシンからなる群から選択される請求項８に記載の組成物。
【請求項１０】
シリコン前駆体組成物がシリコン前駆体以外のガスを含み、他のガスは、その少なくとも１つの同位体において天然存在度を超えるように同位体濃縮されている請求項７に記載の組成物。
【請求項１１】
少なくとも１つのシリコン前駆体が、
アルキルシラン；
架橋シロキサン；
式ＲｎＳｉＨ（４−ｎ）の化合物、式中０≦ｎ≦４であり、Ｒｎは、アルキル、アルコキシル、アミド、アルキレン、シリル、イミド、水素またはアセテートである；
アルキルジシラン；
トリシリルアミン；
メチルシラン；
（ＭｅＨＳｉ）４Ｏ４；
Ｍｅ２ＳｉＨ２；
ＥｔＳｉＨ３；
Ｍｅ３ＳｉＨ；
（ＭｅＯ）３ＳｉＨ；
Ｍｅ３ＳｉＳｉＭｅ３；
ｎ−ＢｕＳｉＨ３；
（ＳｉＨ３）３Ｎ；
（ＭｅＨＳｉ）４Ｏ４，（ＴＭＣＴＳ）；
Ｍｅ２ＳｉＨ２；
Ｓｉ２Ｈ６；
Ｓｉ３Ｈ８；
Ｍｅ２ＳｉＦ２；
ＨＳｉＦ３；
ＳｉＣｌ４；
ＳｉＨＣｌ３；
ＳｉＨ２Ｃｌ２；
ＳｉＨ３Ｃｌ；
（ＮＭｅ）２Ｓｉ２Ｈ４；
Ｍｅ３Ｓｉ（ＣＨ２ＣＨ２）；
（Ｍｅ３Ｓｉ）３ＳｉＨ；
（Ｍｅ２Ｓｉ）３（ＮＨＭｅ）３；
（Ｍｅ３Ｓｉ）３ＧｅＨ；
［（ｔＢｕ）ＮＣＨ＝ＣＨＮ（ｔＢｕ）］Ｓｉ；
（Ｍｅ３Ｓｉ）３Ｎ；
［（ＭｅＯ）３Ｓｉ］３Ｎ；
（Ｃ２Ｈ４Ｏ２）２Ｓｉ；
Ｓｉ（ＯＯＣＣＨ３）４；
Ｍｅ３Ｓｉ（ＮＭｅ２）；
ＳｉＨ（ＮＭｅ２）３；
Ｍｅ３ＳｉＥｔ；
Ｍｅ２ＳｉＣＨ２ＮＨ２；
Ｍｅ３ＳｉＮＨＳｉＭｅ３；
Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４；
部分的にフッ素化または塩素化された材料；
その場で生成された材料；
ハロゲンおよび水素の両方を含む分子；
ならびに
それらの誘導体および混合物
からなる群から選択されるシリコン前駆体を含む請求項７に記載の組成物。
【請求項１２】
（ｅ）以下からなる群から選択されるシリコン含有前駆体：
（ｉ）式Ｓｉ（Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４）または（Ｒ１Ｒ２）Ｓｉ：（シリレン）のモノマー；
（ｉｉ）式［Ｓｉ（Ｒ１Ｒ２Ｒ３）］２の二量体；
（ｉｉｉ）式［Ｓｉ（Ｒ１Ｒ２）］３の三量体；および
（ｉｖ））式［Ｓｉ（Ｒ１）］４の四量体、
式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、それぞれ独立して：Ｃ１−Ｃ８アルキル；シリル；アミノ；アミド；イミド；Ｃ１−Ｃ８アルコキシ；シロキシ；ハロ；モノー、ジーおよびトリ−アルキルシリル（ここで、アルキルはＣ１−Ｃ８アルキル）；モノーおよびジ−アルキルアミノ（ここで、アルキルはＣ１−Ｃ８アルキル）；
（ｆ）ビピリジンおよびアルキンシラン付加物；
（ｇ）セレンに直接結合したシリコン（Ｓｉ−Ｓｅ結合）を含むセレン化ケイ素、および
（ｈ）少なくとも１つのシリコン同位体において天然存在度を超えるように同位体濃縮されている前駆体（ｅ）から（ｇ）
からなる群から選択されるシリコン前駆体を含む請求項７に記載の組成物。
【請求項１３】
イオン注入システムで使用するために
請求項７に係るシリコン前駆体組成物を保持する第１のガス供給容器；および
シリコン前駆体組成物と共に使用するための並行流ガスを保持する第２のガス供給容器
を提供することを含むイオン注入システムの動作を強化する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月12日(2017.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱処理チャンバのための支持シリンダーであって、
内周面及び前記内周面と平行な外周面を有する中空円筒体であって、前記内周面と前記外周面は前記支持シリンダーの長手方向軸と平行な方向に沿って延在する、中空円筒体、並びに
前記外周面から前記内周面へ径方向に延在する平坦面を備え、前記中空円筒体が、不透明石英ガラス材料を含み、且つ前記中空円筒体が、光学的透明層でコーティングされる、支持シリンダー。
【請求項２】
前記不透明石英ガラス材料が合成黒色石英であり、且つ前記光学的透明層が約１．５の屈折率を有する、請求項１に記載の支持シリンダー。
【請求項３】
前記光学的透明層が透明溶融石英材料を含む、請求項１に記載の支持シリンダー。
【請求項４】
前記光学的透明層が前記内周面上にコーティングされる、請求項１に記載の支持シリンダー。
【請求項５】
前記内周面上に形成された前記光学的透明層が、反射コーティング層によって覆われる、請求項４に記載の支持シリンダー。
【請求項６】
前記光学的透明層が、約３０μｍから約２００μｍの厚みを有する、請求項１に記載の支持シリンダー。
【請求項７】
前記中空円筒体が、傾斜面部及び曲面部を備え、前記傾斜面部が、前記平坦面を介して前記曲面部に接続する、請求項１に記載の支持シリンダー。
【請求項８】
前記傾斜面部が、前記内周面に対して約１５°から約４０°の角度で前記内周面に向かって下方に傾斜する、請求項７に記載の支持シリンダー。
【請求項９】
熱処理チャンバ内で使用されるリング体を処理する方法であって、
不透明石英ガラス材料を含むリング体上に光学的透明層を形成することであって、前記リング体が、内周面、外周面、及び前記外周面から前記内周面へ径方向に延在する平坦面を有する、形成することと、
約１．５の屈折率を有する光学的透明層で前記リング体の少なくとも一部をコーティングすることと
を含む方法。
【請求項１０】
前記不透明石英ガラス材料が合成黒色石英である、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記光学的透明層が、前記不透明石英ガラス材料と実質的に一致する又は類似する熱膨張係数を有する、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記光学的透明層が前記内周面上にコーティングされる、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記内周面上の前記光学的透明層を覆う反射コーティング層を形成することを更に含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
熱処理チャンバ内で基板を処理する方法であって、
前記熱処理チャンバの内周面の内側に向かって径方向にリング体を位置決めすることであって、前記リング体が、不透明石英ガラス材料を含み、且つその上に形成された光学的透明層を有し、前記リング体が、内周面、外周面、及び前記内周面から前記外周面へ径方向に延在する平坦面を有する、位置決めすることと、
前記リング体の前記平坦面によって支持リングを支持することであって、前記支持リングが、半導体基板の外縁を前記半導体基板の裏面から支持するために前記支持リングの表面から径方向内側に延在する端部リップを有する、支持することと
を含む方法。
【請求項１５】
処理チャンバのための支持シリンダーであって、
基板支持リングと、
前記基板支持リングの底部に連結する中空円筒体と
を備え、前記基板支持リングは基板支持リングの表面から径方向内側に延在する端部リップを有し、前記中空円筒体は内周面及び前記内周面と平行な外周面を有し、前記内周面と前記外周面は前記支持シリンダーの長手方向軸と平行な方向に沿って延在し、前記中空円筒体は合成黒色石英を含み、且つ前記中空円筒体は光学的透明層でコーティングされる、支持シリンダー。
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月18日(2017.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板表面から突出するフィン構造であって、
前記基板表面に最も近いベース部分と、
上部部分と、
前記ベース部分から前記上部部分へ延びる側壁の第１のペアであって、前記フィン構造の長さに対応する長さを有する側壁の第１のペアと、
第１の材料を含み、第１のドーパント濃度を前記フィン構造の前記ベース部分に有する第１のドープ領域と、
第２の材料を含み、第２のドーパント濃度を前記フィン構造の前記上部部分に有する第２のドープ領域であって、前記第１の材料は前記第２の材料と異なる、第２のドープ領域とを備える、フィン構造と、
前記側壁の第１のペアの第１の側壁の付近の第１の導電性構造を備えるゲートであって、誘電体層が前記第１の導電性構造を前記第１の側壁から電気的に分離するゲートと
を備えるトンネル電界効果トランジスタ、ＴＦＥＴ、デバイス。
【請求項２】
前記ゲートは、前記側壁の第１のペアの第２の側壁の付近の第２の導電性構造をさらに備え、前記誘電体層が前記第２の導電性構造を前記第２の側壁から電気的に分離する、請求項１に記載のＴＦＥＴデバイス。
【請求項３】
前記ゲートは、前記上部部分の付近の第３の導電性構造をさらに備え、前記誘電体層が前記第３の導電性構造を前記上部部分から電気的に分離し、前記第３の導電性構造が前記第１の導電性構造および前記第２の導電性構造に結合される、請求項２に記載のＴＦＥＴデバイス。
【請求項４】
前記フィン構造は、前記ベース部分と前記上部部分との間に中央部分をさらに備え、前記中央部分は前記フィン構造のチャネル領域に相当する、請求項１に記載のＴＦＥＴデバイス。
【請求項５】
チャネル長は前記中央部分の高さに相当する、請求項４に記載のＴＦＥＴデバイス。
【請求項６】
前記ベース部分は前記フィン構造のドレインに相当し、前記上部部分は前記フィン構造のソースに相当する、請求項１に記載のＴＦＥＴデバイス。
【請求項７】
前記第１のドーパント濃度はｎ−型濃度を含み、前記第２のドーパント濃度はｐ−型濃度を含む、または
前記第１のドーパント濃度はｐ−型濃度を含み、前記第２のドーパント濃度はｎ−型濃度を含む、請求項６に記載のＴＦＥＴデバイス。
【請求項８】
前記ベース部分は前記フィン構造のソースに相当し、前記上部部分は前記フィン構造のドレインに相当する、請求項１に記載のＴＦＥＴデバイス。
【請求項９】
前記第１のドーパント濃度はｎ−型濃度を含み、前記第２のドーパント濃度はｐ−型濃度を含む、または
前記第１のドーパント濃度はｐ−型濃度を含み、前記第２のドーパント濃度はｎ−型濃度を含む、請求項８に記載のＴＦＥＴデバイス。
【請求項１０】
縦型トンネル電界効果トランジスタ、ＴＦＥＴ、デバイスを製作するステップを備える方法であって、
前記縦型ＴＦＥＴデバイスを製作するステップは、
ウェル領域、ベース部分、中央部分、および上部部分を基板内に形成するステップであって、前記ベース部分が前記ウェル領域の表面から突出しおよび第１の材料を含み、前記上部部分が前記第１の材料と異なる第２の材料を含み、前記中央部分が前記ベース部分と前記上部部分との間に形成されるステップと、
縦型フィン構造を形成するために前記基板をエッチングするステップであって、前記縦型フィン構造が、前記ベース部分、前記中央部分、および前記上部部分を含むステップと、
誘電体層を前記縦型フィン構造の上に堆積するステップと、
第１のゲート材料を前記誘電体層の上に堆積するステップと
を備える方法。
【請求項１１】
前記縦型ＴＦＥＴデバイスを製作するステップは、
前記ウェル領域、前記ベース部分、前記中央部分、および前記上部部分を注入するのに先立ち、前記基板の上にフォトレジストをパターニングするステップと、
前記上部部分を露光するために前記フォトレジストを除去するステップであって、前記フォトレジストがフォトレジストストリッピングを介して除去されるステップと、
ハードマスク膜を前記上部部分の上に堆積するステップと、
前記縦型フィン構造を前記基板からエッチングするのに先立ち、前記ハードマスク膜をパターニングするステップと
をさらに備える、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記縦型ＴＦＥＴデバイスを製作するステップは、
酸化物層を形成するステップと、
前記酸化物層を形成した後、前記誘電体層を前記縦型フィン構造の上に堆積するのに先立ち、前記ハードマスク膜を除去するステップと、
をさらに備える、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記酸化物層を形成するステップは、
前記酸化物層を堆積するステップと、
化学機械研磨、ＣＭＰ、を前記酸化物層の上で実施するステップと、
前記酸化物層をエッチングするステップと
を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記縦型ＴＦＥＴデバイスを製作するステップは、
層間誘電体酸化物を前記第１のゲート材料の上に堆積するステップと、
化学機械研磨、ＣＭＰ、を前記層間誘電体酸化物の上で実施するステップと、
前記第１のゲート材料を除去するステップと、
ゲートメタルを堆積するステップと、
ＣＭＰを前記ゲートメタルの上で実施するステップと
をさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１５】
命令を備えるコンピュータ可読記憶媒体であって、前記命令は、プロセッサによって実行された時に、前記プロセッサに、
縦型トンネル電界効果トランジスタ、ＴＦＥＴ、デバイスを製作することを開始させ、
前記縦型ＴＦＥＴデバイスを製作することは、
ウェル領域、ベース部分、中央部分、および上部部分を基板内に形成することであって、前記ベース部分が前記ウェル領域の表面から突出しおよび第１の材料を含み、前記上部部分が前記第１の材料と異なる第２の材料を含み、前記中央部分が前記ベース部分と前記上部部分との間に形成されることと、
縦型フィン構造を形成するために前記基板をエッチングすることであって、前記縦型フィン構造が、前記ベース部分、前記中央部分、および前記上部部分を含むことと、
誘電体層を前記縦型フィン構造の上に堆積することと、
第１のゲート材料を前記誘電体層の上に堆積することと
を備える、コンピュータ可読記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月15日(2017.8.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の側面、前記第１の側面の反対側の第２の側面、第３の側面、前記第３の側面の反対側の第４の側面、第５の側面、および前記第５の側面の反対側の第６の側面を有するインターポーザであって、前記インターポーザが、
前記第３の側面および前記第４の側面に対して、ならびに前記第５の側面および前記第６の側面に対して行および列の互い違いのパターンで配置された複数の電源端子および接地端子によって形成され、それによって前記電源端子を有する各列が前記接地端子を有する隣接する列から互い違いに配置された、複数の多層薄膜キャパシタと、
接点の第１の組と接点の第２の組との間で前記複数の電源端子及び前記複数の接地端子を結合するように構成された複数の導電ビアと、を含む、インターポーザ。
【請求項２】
接点の前記第１の組が、接点の前記第２の組よりも小さなピッチを有する、請求項１に記載のインターポーザ。
【請求項３】
前記複数の多層薄膜キャパシタが、接点の前記第１の組と前記複数の導電ビアとの間に配置される、請求項２に記載のインターポーザ。
【請求項４】
前記複数の導電ビアと接点の前記第２の組との間に形成された第２の複数の多層薄膜キャパシタをさらに含む、請求項３に記載のインターポーザ。
【請求項５】
前記複数の多層薄膜キャパシタが、金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）構成で形成され、
前記複数の多層薄膜キャパシタが、複数のトレンチキャパシタを含む、請求項１に記載のインターポーザ。
【請求項６】
前記複数の多層薄膜キャパシタが、複数のトレンチキャパシタを含む、請求項１に記載のインターポーザ。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか一項に記載のインターポーザと、
前記インターポーザ上に配置されたダイと、を含む、システム。
【請求項８】
接点の前記第１の組が、接点の前記第２の組よりも小さなピッチを有する、請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
前記ダイが、フリップチップである、請求項７に記載のシステム。
【請求項１０】
前記インターポーザの前記第２の側面上に配置された基板をさらに含む、請求項７に記載のシステム。
【請求項１１】
前記互い違いのパターンが、行ごとの互い違いのパターンおよび列ごとの互い違いのパターンのうちの少なくとも１つである、請求項７に記載のシステム。
【請求項１２】
第１の側面、前記第１の側面の反対側の第２の側面、第３の側面、前記第３の側面の反対側の第４の側面、第５の側面、および前記第５の側面の反対側の第６の側面を有するインターポーザを作製するための方法であって、
複数の電源端子および接地端子を前記第３の側面および前記第４の側面に対して、ならびに前記第５の側面および前記第６の側面に対して行および列の互い違いのパターンで配列して、複数の多層薄膜キャパシタを形成し、前記電源端子を有する各列が、前記接地端子を有する隣接する列から互い違いに配置されるように配列するステップと、
複数の導電ビアを前記複数の電源端子および接地端子に結合するステップと、
接点の第１の組と接点の第２の組との間で前記複数の電源端子及び前記複数の接地端子と前記複数の導電ビアとを結合するステップと、を含む、方法。
【請求項１３】
接点の前記第１の組が、接点の前記第２の組よりも小さなピッチを有する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記互い違いのパターンが、行ごとの互い違いのパターンおよび列ごとの互い違いのパターンのうちの少なくとも１つである、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記複数の多層薄膜キャパシタが、複数のトレンチキャパシタを含む、請求項１２に記載の方法。