【手続補正書】
【提出日】平成29年2月13日(2017.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上方に配置され、第１の方向に長さを有する第１の半導体フィンと、
前記第１の半導体フィンの上に配置された第１のゲート構造であって、前記第１の方向と直交する第２の方向に、第２の端部と向かい合う第１の端部を有する前記第１のゲート構造と、
前記第１の半導体フィンを中央とするゲートエッジ分離構造の対と、
を備え、
前記ゲートエッジ分離構造の対のうち第１のゲートエッジ分離構造は、前記第１のゲート構造の前記第１の端部に直接隣接して配置され、前記ゲートエッジ分離構造の対のうち第２のゲートエッジ分離構造は、前記第１のゲート構造の前記第２の端部に直接隣接して配置される、
半導体構造。
【請求項２】
前記第１のゲート構造の両側で、前記第１の半導体フィンの中に配置されたソース領域及びドレイン領域と、
前記ソース領域の上に配置された第１のトレンチコンタクト及び前記ドレイン領域の上に配置された第２のトレンチコンタクトと、
をさらに備え、
前記第１のトレンチコンタクト及び前記第２のトレンチコンタクトのそれぞれは、前記第２の方向に、第２の端部と向かい合う第１の端部を有し、
前記ゲートエッジ分離構造の対のうち前記第１のゲートエッジ分離構造は、前記第１のトレンチコンタクトの前記第１の端部、及び前記第２のトレンチコンタクトの前記第１の端部に直接隣接して配置され、前記ゲートエッジ分離構造の対のうち前記第２のゲートエッジ分離構造は、前記第１のトレンチコンタクトの前記第２の端部、及び前記第２のトレンチコンタクトの前記第２の端部に直接隣接して配置される、
請求項１に記載の半導体構造。
【請求項３】
前記基板の上方に配置され、前記第１の方向に長さを有する第２の半導体フィンであって、前記第１の半導体フィンから離間した前記第２の半導体フィンと、
前記第２の半導体フィンの上に配置された第２のゲート構造であって、前記第２の方向に、第２の端部と向かい合う第１の端部を有する前記第２のゲート構造と、
前記第２のゲート構造の前記第２の端部に直接隣接して配置された第３のゲートエッジ分離構造と、
をさらに備え、
前記ゲートエッジ分離構造の対のうち前記第２のゲートエッジ分離構造は、前記第２のゲート構造の前記第１の端部に直接隣接して配置され、
前記第３のゲートエッジ分離構造と前記ゲートエッジ分離構造の対のうち前記第２のゲートエッジ分離構造とは、前記第２の半導体フィンを中央とする、
請求項１に記載の半導体構造。
【請求項４】
前記第１のゲート構造及び前記第２のゲート構造の上方に配置され、かつ前記第１のゲート構造及び前記第２のゲート構造を電気的連結する、ローカルインターコネクトをさらに備える、
請求項３に記載の半導体構造。
【請求項５】
前記ローカルインターコネクトは、前記ゲートエッジ分離構造の対、及び前記第３のゲートエッジ分離構造と自己整合される、
請求項４に記載の半導体構造。
【請求項６】
前記第１のゲート構造はＮ型ゲート構造であり、前記第２のゲート構造はＰ型ゲート構造である、
請求項３に記載の半導体構造。
【請求項７】
前記第１のゲート構造は、高誘電率ゲート絶縁体層及びメタルゲート電極を有する、
請求項１から６の何れか一項に記載の半導体構造。
【請求項８】
前記ゲートエッジ分離構造の対は、酸化シリコン、窒化シリコン、炭化シリコン、及びこれらの組み合わせから成る群から選択された材料を有する、
請求項１から７の何れか一項に記載の半導体構造。
【請求項９】
基板の上方に配置され、長さを有する半導体フィンと、
前記半導体フィンの前記長さに配置された、交互に並ぶソース／ドレイン領域及びチャネル領域であって、それぞれのソース／ドレイン領域は前記半導体フィンの上に配置された関連トレンチコンタクトを有し、及びそれぞれのチャネル領域は前記半導体フィンの上に配置された関連ゲート構造を有する、前記交互に並ぶソース／ドレイン領域及びチャネル領域と、
複数のゲートエッジ分離構造であって、隣接したトレンチコンタクト及びゲート構造は、前記複数のゲートエッジ分離構造のうち１つのゲートエッジ分離構造によって分離される、前記複数のゲートエッジ分離構造と、
複数の前記ゲート構造のうち１つの上方、かつ前記複数のゲートエッジ分離構造のうちの一対の間に配置された、ゲートローカルインターコネクトと、
を備える、
半導体構造。
【請求項１０】
前記ゲートローカルインターコネクト上に配置された絶縁体キャップをさらに備え、
前記絶縁体キャップは、前記複数のゲートエッジ分離構造のうちの前記一対の間に配置される、
請求項９に記載の半導体構造。
【請求項１１】
複数の前記トレンチコンタクトのうち１つの上方、かつ前記複数のゲートエッジ分離構造のうちの第２の対の間に配置されたトレンチコンタクトローカルインターコネクトをさらに備える、
請求項９又は１０に記載の半導体構造。
【請求項１２】
前記トレンチコンタクトローカルインターコネクト上に配置された絶縁体キャップをさらに備え、
前記絶縁体キャップは、前記複数のゲートエッジ分離構造のうちの前記第２の対の間に配置される、
請求項１１に記載の半導体構造。
【請求項１３】
それぞれのゲート構造は、高誘電率ゲート絶縁体層及びメタルゲート電極を有する、
請求項９から１２の何れか一項に記載の半導体構造。
【請求項１４】
前記複数のゲートエッジ分離構造のそれぞれは、酸化シリコン、窒化シリコン、炭化シリコン、及びこれらの組み合わせから成る群から選択された材料を有する、
請求項９から１３の何れか一項に記載の半導体構造。
【請求項１５】
基板の上方に配置され、長さを有する半導体フィンと、
前記半導体フィンの前記長さに配置された、交互に並ぶソース／ドレイン領域及びチャネル領域であって、それぞれのソース／ドレイン領域は前記半導体フィンの上に配置された関連トレンチコンタクトを有し、及びそれぞれのチャネル領域は前記半導体フィンの上に配置された関連ゲート構造を有する、前記交互に並ぶソース／ドレイン領域及びチャネル領域と、
複数のゲートエッジ分離構造であって、隣接したトレンチコンタクト及びゲート構造は、前記複数のゲートエッジ分離構造のうち１つのゲートエッジ分離構造によって分離される、前記複数のゲートエッジ分離構造と、
複数の前記トレンチコンタクトのうち１つの上方、かつ前記複数のゲートエッジ分離構造のうちの一対の間に配置された、トレンチコンタクトローカルインターコネクトと、
を備える、
半導体構造。
【請求項１６】
前記トレンチコンタクトローカルインターコネクト上に配置された絶縁体キャップをさらに備え、
前記絶縁体キャップは、前記複数のゲートエッジ分離構造のうちの前記一対の間に配置される、
請求項１５に記載の半導体構造。
【請求項１７】
それぞれのゲート構造は、高誘電率ゲート絶縁体層及びメタルゲート電極を有する、
請求項１５又は１６に記載の半導体構造。
【請求項１８】
前記複数のゲートエッジ分離構造のそれぞれは、酸化シリコン、窒化シリコン、炭化シリコン、及びこれらの組み合わせから成る群から選択された材料を有する、
請求項１５から１７の何れか一項に記載の半導体構造。
【請求項１９】
半導体構造を製造する方法であって、前記方法は、
基板の上方に、平行な第１の半導体フィン及び第２の半導体フィンを形成する段階と、
前記第１の半導体フィン及び前記第２の半導体フィンのそれぞれの複数の側壁に隣接して、複数のダミースペーサを形成する段階と、
前記第１の半導体フィン及び前記第２の半導体フィンの前記複数のダミースペーサの間に分離構造を形成する段階と、
前記複数のダミースペーサを除去する段階と、
前記第１の半導体フィンの上に第１のリプレースメントゲート構造を、前記第２の半導体フィンの上に第２のリプレースメントゲート構造を形成する段階と、
を備え、
前記第１の半導体フィンの前記複数のダミースペーサは、前記第２の半導体フィンの前記複数のダミースペーサと一体的にならず、
前記第１のリプレースメントゲート構造及び前記第２のリプレースメントゲート構造は前記分離構造に直接隣接し、かつ前記分離構造によって互いから分離される、
方法。
【請求項２０】
前記第１の半導体フィンの上にトレンチコンタクトの第１の対を、前記第２の半導体フィンの上にトレンチコンタクトの第２の対を形成する段階をさらに備え、
トレンチコンタクトの前記第１の対及びトレンチコンタクトの前記第２の対は、前記分離構造に直接隣接し、前記分離構造によって互いから分離される、
請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
分離構造を形成する段階の後、かつ前記複数のダミースペーサを除去する段階の前に、前記第１の半導体フィン及び前記第２の半導体フィンをリセスする段階をさらに備える、
請求項１９又は２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記複数のダミースペーサを形成する段階は、多結晶シリコン層を形成してエッチングする段階を有する、
請求項１９から２１の何れか一項に記載の方法。
【請求項２３】
前記分離構造を形成する段階は、酸化シリコン、窒化シリコン、炭化シリコン、及びこれらの組み合わせから成る群から選択された材料を堆積して平坦化する段階を有する、
請求項１９から２２の何れか一項に記載の方法。
【請求項２４】
前記第１のリプレースメントゲート構造及び前記第２のリプレースメントゲート構造の一方または両方を形成する段階は、高誘電率ゲート絶縁体層及びメタルゲート電極を形成する段階を有する、
請求項１９から２３の何れか一項に記載の方法。
【請求項２５】
前記第１のリプレースメントゲート構造及び前記第２のリプレースメントゲート構造の上方にローカルインターコネクトを形成し、前記第１のリプレースメントゲート構造及び前記第２のリプレースメントゲート構造を電気的に連結する段階をさらに備える、
請求項１９から２４の何れか一項に記載の方法。
【請求項２６】
シリコンを含み、第１の方向に沿って最長寸法を有する第１のフィンと、
シリコンを含み、前記第１の方向に沿って最長寸法を有する第２のフィンと、
前記第１のフィンと前記第２のフィンとの間の分離材料と、
前記第１のフィンの上の第１のゲート構造であって、前記第１のゲート構造は、前記第１の方向に直交する第２の方向に沿って最長寸法を有し、前記第１のゲート構造は、第１のゲート絶縁体層と第１のゲート電極とを有する、第１のゲート構造と、
前記第２のフィンの上の第２のゲート構造であって、前記第２のゲート構造は、前記第２の方向に沿って最長寸法を有し、前記第２のゲート構造は、前記第２の方向に沿って前記第１のゲート構造と不連続であり、前記第２のゲート構造は、前記第２の方向に沿って、前記第１のゲート構造のエッジに向いたエッジを有し、前記第２のゲート構造は、第２のゲート絶縁体層と第２のゲート電極とを有する、第２のゲート構造と、
前記第２の方向に沿って、前記第１のゲート構造の前記エッジと前記第２のゲート構造の前記エッジとの間に接触して配置されたゲートエッジ分離構造であって、前記分離材料の上に配置された、ゲートエッジ分離構造と、
前記第１の方向に沿って、前記第１のおよび第２のゲート構造に横方向に隣接する絶縁体材料であって、前記絶縁体材料は、前記第１の方向に沿って前記ゲートエッジ分離構造に横方向に隣接して配置され、前記絶縁体材料は、前記ゲートエッジ分離構造から分離している、絶縁体材料と、を備える、
集積回路構造。
【請求項２７】
前記ゲートエッジ分離構造は、シリコンと窒素とを含む、
請求項２６に記載の集積回路構造。
【請求項２８】
前記絶縁体材料は、前記ゲートエッジ分離構造と接触している、
請求項２６または２７に記載の集積回路構造。
【請求項２９】
前記ゲートエッジ分離構造は、前記第１のゲート構造のゲート絶縁体層および前記第２のゲート構造のゲート絶縁体層と接触している、
請求項２６から２８のいずれか１項に記載の集積回路構造。
【請求項３０】
前記ゲートエッジ分離構造は、前記第１のゲート構造のメタルゲート電極層および前記第２のゲート構造のメタルゲート電極層と接触している、
請求項２９に記載の集積回路構造。
【請求項３１】
前記第１のゲート構造の前記ゲート絶縁体層は、高誘電率絶縁体材料を含み、前記第２のゲート構造の前記ゲート絶縁体層は、高誘電率絶縁体材料を含む、
請求項２９または３０に記載の集積回路構造。
【請求項３２】
前記ゲートエッジ分離構造は、前記第１のゲート構造の高さより高く、前記第２のゲート構造の高さより高い高さを有する
請求項２６から３１のいずれか１項に記載の集積回路構造。
【請求項３３】
前記第１のゲート構造の一部分の上であって、前記ゲートエッジ分離構造の一部分の上であって、前記第２のゲート構造の一部分の上に配置されるローカルインターコネクトをさらに備える、
請求項３２に記載の集積回路構造。
【請求項３４】
前記ローカルインターコネクトは、前記第１のゲート構造を前記第２のゲート構造に電気的に結合する、
請求項３３に記載の集積回路構造。
【請求項３５】
前記第１のゲート構造の上の前記ローカルインターコネクトの一部分上に配置されるが、前記第２のゲート構造の上の前記ローカルインターコネクトの一部分上には配置されない、ゲートコンタクトをさらに備える、
請求項３３または３４に記載の集積回路構造。
【請求項３６】
シリコンを含み、第１の方向に沿って最長寸法を有する第１のフィンを形成する段階と、シリコンを含み、前記第１の方向に沿って最長寸法を有する第２のフィンを形成する段階と、
前記第１のフィンと前記第２のフィンとの間に分離材料を形成する段階と、
前記第１のフィンの上の第１のゲート構造を形成する段階であって、前記第１のゲート構造は、前記第１の方向に直交する第２の方向に沿って最長寸法を有し、前記第１のゲート構造は、第１のゲート絶縁体層と第１のゲート電極とを有する、段階と、
前記第２のフィンの上の第２のゲート構造を形成する段階であって、前記第２のゲート構造は、前記第２の方向に沿って最長寸法を有し、前記第２のゲート構造は、前記第２の方向に沿って前記第１のゲート構造と不連続であり、前記第２のゲート構造は、前記第２の方向に沿って、前記第１のゲート構造のエッジに向いたエッジを有し、前記第２のゲート構造は、第２のゲート絶縁体層と第２のゲート電極とを有する、段階と、
前記第２の方向に沿って、前記第１のゲート構造の前記エッジと前記第２のゲート構造の前記エッジとの間に接触して配置されたゲートエッジ分離構造を形成する段階であって、前記ゲートエッジ分離構造は、前記分離材料の上に配置される、段階と、
前記第１の方向に沿って、前記第１のおよび第２のゲート構造と横方向に隣接する絶縁体材料を形成する段階であって、前記絶縁体材料は、前記第１の方向に沿って前記ゲートエッジ分離構造と横方向に隣接して配置され、前記絶縁体材料は、前記ゲートエッジ分離構造から分離している、段階と、を備える、
集積回路構造の製造方法。
【請求項３７】
前記ゲートエッジ分離構造は、シリコンと窒素とを含む、
請求項３６に記載の製造方法。
【請求項３８】
前記絶縁体材料は、前記ゲートエッジ分離構造と接触している、
請求項３６または３７に記載の製造方法。
【請求項３９】
前記ゲートエッジ分離構造は、前記第１のゲート構造のゲート絶縁体層および前記第２のゲート構造のゲート絶縁体層と接触している、
請求項３６から３８のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項４０】
前記ゲートエッジ分離構造は、前記第１のゲート構造のメタルゲート電極層および前記第２のゲート構造のメタルゲート電極層と接触している、
請求項３９に記載の製造方法。
【請求項４１】
前記第１のゲート構造の前記ゲート絶縁体層は、高誘電率絶縁体材料を含み、前記第２のゲート構造の前記ゲート絶縁体層は、高誘電率絶縁体材料を含む、
請求項３９または４０に記載の製造方法。
【請求項４２】
前記ゲートエッジ分離構造は、前記第１のゲート構造の高さより高く、前記第２のゲート構造の高さより高い高さを有する
請求項３６から４１のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項４３】
前記第１のゲート構造の一部分の上であって、前記ゲートエッジ分離構造の一部分の上であって、前記第２のゲート構造の一部分の上に配置されるローカルインターコネクトを形成する段階をさらに備える、
請求項４２に記載の製造方法。
【請求項４４】
前記ローカルインターコネクトは、前記第１のゲート構造を前記第２のゲート構造に電気的に結合する、
請求項４３に記載の製造方法。
【請求項４５】
前記第１のゲート構造の上の前記ローカルインターコネクトの一部分上に配置されるが、前記第２のゲート構造の上の前記ローカルインターコネクトの一部分上には配置されない、ゲートコンタクトを形成する段階をさらに備える、
請求項４３または４４に記載の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体構造、集積回路構造、及びそれらの製造方法