(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマを励起するための電極を有するプラズマ処理室と、
この電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、
入力端子と出力端子とを有し該入力端子に前記高周波電源を接続するとともに前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に接続することにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、
を具備するプラズマ処理装置の性能評価方法であって、
前記高周波電力を供給する際に整合回路の出力端子に接続される前記高周波電力配電体の端部である測定位置で非プラズマ発光時に測定した前記プラズマ処理室の高周波特性Ａ（ただし前記高周波特性Ａは、共振周波数ｆ、前記高周波電力の周波数におけるインピーダンスＺ、前記高周波電力の周波数におけるレジスタンスＲ、または、前記高周波電力の周波数におけるリアクタンスＸのいずれかである。）の、時刻ｔ０とその後の時刻ｔ１における値Ａ０、Ａ１の差ΔＡの絶対値を求め、
その値が前記Ａ０の１０％より小さい値である場合に、性能を維持していると判断し、その値が前記Ａ０の１０％以上の値である場合に、性能を維持していないと判断することを特徴とするプラズマ処理装置の性能評価方法。
【請求項２】
プラズマを励起するための電極を有するプラズマ処理室と、
前記電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、
入力端子と出力端子とを有し前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に接続するとともに該入力端子に前記高周波電源を高周波電力給電体を介して接続することにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、
を具備するプラズマ処理装置の性能評価方法であって、
前記高周波電力を供給する際に前記高周波電源に接続される前記高周波電力給電体の前記高周波電源側端部である測定位置で非プラズマ発光時に測定した前記プラズマ処理室の高周波特性Ａ（ただし前記高周波特性Ａは、共振周波数ｆ、前記高周波電力の周波数におけるインピーダンスＺ、前記高周波電力の周波数におけるレジスタンスＲ、または、前記高周波電力の周波数におけるリアクタンスＸのいずれかである。）の、時刻ｔ０とその後の時刻ｔ１における値Ａ０、Ａ１の差ΔＡの絶対値を求め、
その値が前記Ａ０の１０％より小さい値である場合に、性能を維持していると判断し、その値が前記Ａ０の１０％以上の値である場合に、性能を維持していないと判断することを特徴とするプラズマ処理装置の性能評価方法。
【請求項３】
プラズマを励起するための電極を有するプラズマ処理室と、  前記電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、
入力端子と出力端子とを有し前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に接続するとともに該入力端子に前記高周波電源を高周波電力給電体を介して接続することにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、
を具備するプラズマ処理装置の性能評価方法であって、
前記高周波電力を供給する際に前記高周波電力給電体に接続される前記入力端子である測定位置で非プラズマ発光時に測定した前記プラズマ処理室の高周波特性Ａ（ただし前記高周波特性Ａは、共振周波数ｆ、前記高周波電力の周波数におけるインピーダンスＺ、前記高周波電力の周波数におけるレジスタンスＲ、または、前記高周波電力の周波数におけるリアクタンスＸのいずれかである。）の、時刻ｔ０とその後の時刻ｔ１における値Ａ０、Ａ１の差ΔＡの絶対値を求め、
その値が前記Ａ０の１０％より小さい値である場合に、性能を維持していると判断し、その値が前記Ａ０の１０％以上の値である場合に、性能を維持していないと判断することを特徴とするプラズマ処理装置の性能評価方法。
【請求項４】
前記高周波特性Ａが、第１直列共振周波数ｆ０ であることを特徴とする請求項１から請求項３の何れかに記載のプラズマ処理装置の性能評価方法。
【請求項５】
時刻ｔ０とその後の時刻ｔ１との間に、前記プラズマ処理室内に被処理物が導入され、該被処理物にプラズマ処理が行われることを特徴とする請求項１から請求項３の何れかに記載のプラズマ処理装置の性能評価方法。
【請求項６】
時刻ｔ０とその後の時刻ｔ１との間に、前記プラズマ処理装置に、分解掃除、部品交換、組み立て調整等の調整作業が施されることを特徴とする請求項１から請求項３の何れかに記載のプラズマ処理装置の性能評価方法。
【請求項７】
時刻ｔ０とその後の時刻ｔ１との間に、分解、搬送、及び再組み立てが施されることを特徴とする請求項１から請求項３の何れかに記載のプラズマ処理装置の性能評価方法。
【請求項８】
請求項１から請求項３の何れかに記載された評価方法の結果、ΔＡの絶対値が前記Ａ０の１０％以上の場合に、高周波特性Ａの是正作業を行うことを特徴とするプラズマ処理装置の保守方法。
【請求項９】
前記高周波特性Ａが、第１直列共振周波数ｆ０ であることを特徴とする請求項８に記載のプラズマ処理装置の保守方法。
【請求項１０】
プラズマを励起するための電極を有するプラズマ処理室と、
この電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、
入力端子と出力端子とを有し該入力端子に前記高周波電源を接続するとともに前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に接続することにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、
を具備するプラズマ処理装置の性能管理システムであって、
前記高周波電力を供給する際に整合回路の出力端子に接続される前記高周波電力配電体の端部である測定位置で非プラズマ発光時に測定した前記プラズマ処理室の高周波特性Ａ（ただし前記高周波特性Ａは、共振周波数ｆ、前記高周波電力の周波数におけるインピーダンスＺ、前記高周波電力の周波数におけるレジスタンスＲ、または、前記高周波電力の周波数におけるリアクタンスＸのいずれかである。）の、時刻ｔ０における値Ａ０を記憶するサーバーと、このサーバーと通信回線で接続された納入先入出力装置とを備え、
前記サーバーは、前記高周波特性Ａ０のその後の時刻ｔ１における値Ａ１を、前記納入先入出力装置から受信し、前記Ａ０と、このＡ１との差であるΔＡの絶対値を演算し、
その値が前記Ａ０の１０％より小さい値である場合には、性能を維持している旨の信号を、前記Ａ０の１０％以上の値である場合には、性能を維持していない旨の信号を、各々納入先入出力装置に発信することを特徴とするプラズマ処理装置の性能管理システム。
【請求項１１】
プラズマを励起するための電極を有するプラズマ処理室と、  前記電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、
入力端子と出力端子とを有し前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に接続するとともに該入力端子に前記高周波電源を高周波電力給電体を介して接続することにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、
を具備するプラズマ処理装置の性能管理システムであって、
前記高周波電力を供給する際に前記高周波電源に接続される前記高周波電力給電体の前記高周波電源側端部である測定位置で非プラズマ発光時に測定した前記プラズマ処理室の高周波特性Ａ（ただし前記高周波特性Ａは、共振周波数ｆ、前記高周波電力の周波数におけるインピーダンスＺ、前記高周波電力の周波数におけるレジスタンスＲ、または、前記高周波電力の周波数におけるリアクタンスＸのいずれかである。）の、時刻ｔ０における値Ａ０を記憶するサーバーと、このサーバーと通信回線で接続された納入先入出力装置とを備え、
前記サーバーは、前記高周波特性Ａ０のその後の時刻ｔ１における値Ａ１を、前記納入先入出力装置から受信し、前記Ａ０と、このＡ１との差であるΔＡの絶対値を演算し、
その値が前記Ａ０の１０％より小さい値である場合には、性能を維持している旨の信号を、前記Ａ０の１０％以上の値である場合には、性能を維持していない旨の信号を、各々納入先入出力装置に発信することを特徴とするプラズマ処理装置の性能管理システム。
【請求項１２】
プラズマを励起するための電極を有するプラズマ処理室と、
前記電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、
入力端子と出力端子とを有し前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に接続するとともに該入力端子に前記高周波電源を高周波電力給電体を介して接続することにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、
を具備するプラズマ処理装置の性能管理システムであって、
前記高周波電力を供給する際に前記高周波電力給電体に接続される前記入力端子である測定位置で非プラズマ発光時に測定した前記プラズマ処理室の高周波特性Ａ（ただし前記高周波特性Ａは、共振周波数ｆ、前記高周波電力の周波数におけるインピーダンスＺ、前記高周波電力の周波数におけるレジスタンスＲ、または、前記高周波電力の周波数におけるリアクタンスＸのいずれかである。）の、時刻ｔ０における値Ａ０を記憶するサーバーと、このサーバーと通信回線で接続された納入先入出力装置とを備え、
前記サーバーは、前記高周波特性Ａ０のその後の時刻ｔ１における値Ａ１を、前記納入先入出力装置から受信し、前記Ａ０と、このＡ１との差であるΔＡの絶対値を演算し、
その値が前記Ａ０の１０％より小さい値である場合には、性能を維持している旨の信号を、前記Ａ０の１０％以上の値である場合には、性能を維持していない旨の信号を、各々納入先入出力装置に発信することを特徴とするプラズマ処理装置の性能管理システム。
【請求項１３】
前記高周波特性Ａが、第１直列共振周波数ｆ０ であることを特徴とする請求項１０から請求項１２の何れかに記載のプラズマ処理装置の性能管理システム。
【請求項１４】
時刻ｔ０とその後の時刻ｔ１との間に、前記プラズマ処理室内に被処理物が導入され、該被処理物にプラズマ処理が行われることを特徴とする請求項１０から請求項１２の何れかに記載のプラズマ処理装置の性能管理システム。
【請求項１５】
時刻ｔ０とその後の時刻ｔ１との間に、前記プラズマ処理装置に、分解掃除、部品交換、組み立て調整等の調整作業が施されることを特徴とする請求項１０から請求項１２の何れかに記載のプラズマ処理装置の性能管理システム。
【請求項１６】
時刻ｔ０とその後の時刻ｔ１との間に、分解、搬送、及び再組み立てが施されることを特徴とする請求項１０から請求項１２の何れかに記載のプラズマ処理装置の性能管理システム。
【請求項１７】
前記サーバーが、プラズマ処理室の固有番号毎にＡ０を記憶し、納入先入出力装置から納入したプラズマ処理室の固有番号を受信して、当該固有番号に対応するＡ０を用いて演算をすることを特徴とする請求項１０から請求項１２の何れかに記載のプラズマ処理装置の性能管理システム。
【請求項１８】
前記納入先入出力装置に、プラズマ処理装置に接続されたインピーダンス測定器を接続して、インピーダンス測定器から前記サーバーに、Ａ１が直接送信されることを特徴とする請求項１０から請求項１２の何れかに記載のプラズマ処理装置の性能管理システム。
【請求項１９】
前記サーバーが搬送元において出力装置を備え、ΔＡの絶対値が前記Ａ０の１０％を超える場合に、前記出力装置から、保守作業命令を出力することを特徴とする請求項１０から請求項１２の何れかに記載のプラズマ処理装置の性能管理システム。
【請求項２０】
プラズマを励起するための電極を有するプラズマ処理室と、
この電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、
入力端子と出力端子とを有し該入力端子に前記高周波電源を接続するとともに前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に接続することにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、
を具備するプラズマ処理装置の性能管理システムであって、
前記高周波電力を供給する際に整合回路の出力端子に接続される前記高周波電力配電体の端部である測定位置で非プラズマ発光時に測定した前記プラズマ処理室の高周波特性Ａ（ただし高周波特性Ａは、共振周波数ｆ、前記高周波電力の周波数におけるインピーダンスＺ、前記高周波電力の周波数におけるレジスタンスＲ、または、前記高周波電力の周波数におけるリアクタンスＸのいずれかである。）の時刻ｔ０における値Ａ０と、前記高周波特性Ａのその後の時刻ｔ１における値Ａ１と、の差であるΔＡの絶対値に応じて複数の故障レベルを設定し、該設定された複数の故障レベルに対応して登録されたサービスエンジニアの情報とを記憶するサーバーと、このサーバーの搬送元における出力装置と、このサーバーと通信回線で接続された納入先入出力装置とを備え、
前記サーバーは、前記高周波特性Ａ０のその後の時刻ｔ１における値Ａ１を、前記納入先入出力装置から受信し、前記Ａ０と、このＡ１との差であるΔＡの絶対値を演算し、
その値が、先に設定した何れかの故障レベルである場合には、前記出力装置から、当該故障レベルと、当該故障レベルに対応して登録されたサービスエンジニアの情報と共に、保守作業命令を出力することを特徴とするプラズマ処理装置の性能管理システム。
【請求項２１】
プラズマを励起するための電極を有するプラズマ処理室と、  前記電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、
入力端子と出力端子とを有し前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に接続するとともに該入力端子に前記高周波電源を高周波電力給電体を介して接続することにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、
を具備するプラズマ処理装置の性能管理システムであって、
前記高周波電力を供給する際に前記高周波電源に接続される前記高周波電力給電体の前記高周波電源側端部である測定位置で非プラズマ発光時に測定した前記プラズマ処理室の高周波特性Ａ（ただし高周波特性Ａは、共振周波数ｆ、前記高周波電力の周波数におけるインピーダンスＺ、前記高周波電力の周波数におけるレジスタンスＲ、または、前記高周波電力の周波数におけるリアクタンスＸのいずれかである。）の時刻ｔ０における値Ａ０と、前記高周波特性Ａのその後の時刻ｔ１における値Ａ１と、の差であるΔＡの絶対値に応じて複数の故障レベルを設定し、該設定された複数の故障レベルに対応して登録されたサービスエンジニアの情報とを記憶するサーバーと、このサーバーの搬送元における出力装置と、このサーバーと通信回線で接続された納入先入出力装置とを備え、
前記サーバーは、前記高周波特性Ａ０のその後の時刻ｔ１における値Ａ１を、前記納入先入出力装置から受信し、前記Ａ０と、このＡ１との差であるΔＡの絶対値を演算し、
その値が、先に設定した何れかの故障レベルである場合には、前記出力装置から、当該故障レベルと、当該故障レベルに対応して登録されたサービスエンジニアの情報と共に、保守作業命令を出力することを特徴とするプラズマ処理装置の性能管理システム。
【請求項２２】
プラズマを励起するための電極を有するプラズマ処理室と、  前記電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、
入力端子と出力端子とを有し前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に接続するとともに該入力端子に前記高周波電源を高周波電力給電体を介して接続することにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、
を具備するプラズマ処理装置の性能管理システムであって、
前記高周波電力を供給する際に前記高周波電力給電体に接続される前記入力端子である測定位置で非プラズマ発光時に測定した前記プラズマ処理室の高周波特性Ａ（ただし高周波特性Ａは、共振周波数ｆ、前記高周波電力の周波数におけるインピーダンスＺ、前記高周波電力の周波数におけるレジスタンスＲ、または、前記高周波電力の周波数におけるリアクタンスＸのいずれかである。）の時刻ｔ０における値Ａ０と、前記高周波特性Ａのその後の時刻ｔ１における値Ａ１と、の差であるΔＡの絶対値に応じて複数の故障レベルを設定し、該設定された複数の故障レベルに対応して登録されたサービスエンジニアの情報とを記憶するサーバーと、このサーバーの搬送元における出力装置と、このサーバーと通信回線で接続された納入先入出力装置とを備え、
前記サーバーは、前記高周波特性Ａ０のその後の時刻ｔ１における値Ａ１を、前記納入先入出力装置から受信し、前記Ａ０と、このＡ１との差であるΔＡの絶対値を演算し、
その値が、先に設定した何れかの故障レベルである場合には、前記出力装置から、当該故障レベルと、当該故障レベルに対応して登録されたサービスエンジニアの情報と共に、保守作業命令を出力することを特徴とするプラズマ処理装置の性能管理システム。
【請求項２３】
前記高周波特性Ａが、第１直列共振周波数ｆ０ であることを特徴とする請求項２０から請求項２２の何れかに記載のプラズマ処理装置の性能管理システム。
【請求項２４】
時刻ｔ０とその後の時刻ｔ１との間に、前記プラズマ処理室内に被処理物が導入され、該被処理物にプラズマ処理が行われることを特徴とする請求項２０から請求項２２の何れかに記載のプラズマ処理装置の性能管理システム。
【請求項２５】
時刻ｔ０とその後の時刻ｔ１との間に、前記プラズマ処理装置に、分解掃除、部品交換、組み立て調整等の調整作業が施されることを特徴とする請求項２０から請求項２２の何れかに記載のプラズマ処理装置の性能管理システム。
【請求項２６】
時刻ｔ０とその後の時刻ｔ１との間に、分解、搬送、及び再組み立てが施されることを特徴とする請求項２０から請求項２２の何れかに記載のプラズマ処理装置の性能管理システム。
【請求項２７】
前記サーバーが、プラズマ処理室の固有番号毎にＡ０を記憶し、納入先入出力装置から納入したプラズマ処理室の固有番号を受信して、当該固有番号に対応するＡ０を用いて演算をすることを特徴とする請求項２０から請求項２２の何れかに記載のプラズマ処理装置の性能管理システム。
【請求項２８】
前記納入先入出力装置に、プラズマ処理装置に接続されたインピーダンス測定器を接続して、インピーダンス測定器から前記サーバーに、Ａ１が直接送信されることを特徴とする請求項２０から請求項２２の何れかに記載のプラズマ処理装置の性能管理システム。
【請求項２９】
前記サーバーが、前記当該故障レベルを、前記納入先入出力装置にも発信することを特徴とする請求項２０から請求項２２の何れかに記載のプラズマ処理装置の性能管理システム。
【請求項３０】
プラズマを励起するための電極を有するプラズマ処理室と、  この電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、
入力端子と出力端子とを有し該入力端子に前記高周波電源を接続するとともに前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に接続することにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、
を具備するプラズマ処理装置であって、
前記高周波電力を供給する際に整合回路の出力端子に接続される前記高周波電力配電体の端部である測定位置で非プラズマ発光時に測定した前記プラズマ処理室の高周波特性Ａ（ただし高周波特性Ａは、共振周波数ｆ、前記高周波電力の周波数におけるインピーダンスＺ、前記高周波電力の周波数におけるレジスタンスＲ、または、前記高周波電力の周波数におけるリアクタンスＸのいずれかである。）の、時刻ｔ０とその後の時刻ｔ１における値Ａ０、Ａ１の差ΔＡの絶対値が前記Ａ０の１０％より小さい値に維持されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項３１】
プラズマを励起するための電極を有するプラズマ処理室と、  前記電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、
入力端子と出力端子とを有し前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に接続するとともに該入力端子に前記高周波電源を高周波電力給電体を介して接続することにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、
を具備するプラズマ処理装置であって、
前記高周波電力を供給する際に前記高周波電源に接続される前記高周波電力給電体の前記高周波電源側端部である測定位置で非プラズマ発光時に測定した前記プラズマ処理室の高周波特性Ａ（ただし高周波特性Ａは、共振周波数ｆ、前記高周波電力の周波数におけるインピーダンスＺ、前記高周波電力の周波数におけるレジスタンスＲ、または、前記高周波電力の周波数におけるリアクタンスＸのいずれかである。）の、時刻ｔ０とその後の時刻ｔ１における値Ａ０、Ａ１の差ΔＡの絶対値が前記Ａ０の１０％より小さい値に維持されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項３２】
プラズマを励起するための電極を有するプラズマ処理室と、
前記電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、
入力端子と出力端子とを有し前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に接続するとともに該入力端子に前記高周波電源を高周波電力給電体を介して接続することにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、
を具備するプラズマ処理装置であって、
前記高周波電力を供給する際に前記高周波電力給電体に接続される前記入力端子である測定位置で非プラズマ発光時に測定した前記プラズマ処理室の高周波特性Ａ（ただし高周波特性Ａは、共振周波数ｆ、前記高周波電力の周波数におけるインピーダンスＺ、前記高周波電力の周波数におけるレジスタンスＲ、または、前記高周波電力の周波数におけるリアクタンスＸのいずれかである。）の、時刻ｔ０とその後の時刻ｔ１における値Ａ０、Ａ１の差ΔＡの絶対値が前記Ａ０の１０％より小さい値に維持されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項３３】
前記高周波特性Ａが、第１直列共振周波数ｆ０ であることを特徴とする請求項３０から請求項３２の何れかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項３４】
時刻ｔ０とその後の時刻ｔ１との間に、前記プラズマ処理室内に被処理物が導入され、該被処理物にプラズマ処理が行われることを特徴とする請求項３０から請求項３２の何れかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項３５】
時刻ｔ０とその後の時刻ｔ１との間に、前記プラズマ処理装置に、分解掃除、部品交換、組み立て調整等の調整作業が施されることを特徴とする請求項３０から請求項３２の何れかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項３６】
時刻ｔ０とその後の時刻ｔ１との間に、分解、搬送、及び再組み立てが施されることを特徴とする請求項３０から請求項３２の何れかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項３７】
ΔＡの絶対値が前記Ａ０の１０％以上の値である場合に、高周波特性Ａの是正作業を行うことにより、ΔＡの絶対値が前記Ａ０の１０％より小さい値に維持されていることを特徴とする請求項３０から請求項３２の何れかに記載のプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プラズマ処理装置の性能評価方法、保守方法、及び性能管理システム、並びにプラズマ処理装置に係り、特に、プラズマ処理装置が所望の性能を維持し続けることを、継続的に担保することに用いて好適な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＣＶＤ（  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、スパッタリング、ドライエッチング、アッシング等のプラズマ処理をおこなうプラズマ処理装置の一例としては、従来から、図２２に示すような、いわゆる２周波励起タイプのものが知られている。
図２２に示すプラズマ処理装置は、高周波電源１とプラズマ励起電極４との間に整合回路２Ａが介在されている。整合回路２Ａはこれら高周波電源１とプラズマ励起電極４との間のインピーダンスの整合を得るための回路として設けられている。
【０００３】
高周波電源１からの高周波電力は整合回路２Ａを通して給電板３によりプラズマ励起電極４へ供給される。この整合回路２Ａは導電体からなるハウジングにより形成されるマッチングボックス２内に収納されており、プラズマ励起電極４および給電板３は、導体からなるシャーシ２１によって覆われている。
プラズマ励起電極（カソード電極）４の下側には凸部４ａが設けられるとともに、このプラズマ励起電極（カソード電極）４の下には、多数の孔７が形成されているシャワープレート５が凸部４ａに接して設けられている。これらプラズマ励起電極４とシャワープレート５との間には空間６が形成されている。この空間６にはガス導入管１７が接続されており、導体からなるガス導入管１７の途中には絶縁体１７ａが挿入されてプラズマ励起電極１４側とガス供給源側とが絶縁されている。
【０００４】
ガス導入管１７から導入されたガスは、シャワープレート５の孔７を介してチャンバ壁１０により形成されたチャンバ室６０内に供給される。なお、符号９はチャンバ壁１０とプラズマ励起電極（カソード電極）４とを絶縁する絶縁体である。また、排気系の図示は省略してある。
一方、チャンバ室６０内には基板１６を載置しプラズマ励起電極ともなるウエハサセプタ（サセプタ電極）８が設けられておりその周囲にはサセプタシールド１２が設けられている。
【０００５】
サセプタシールド１２はサセプタ電極８を受けるシールド支持板１２Ａと、このシールド支持板１２Ａの中央部に垂下形成された筒型の支持筒１２Ｂとからなり、支持筒１２Ｂはチャンバ底部１０Ａを貫通して設けられるとともに、この支持筒１２Ｂの下端部とチャンバ底部１０Ａとがベローズ１１により密閉接続されている。これら、ウエハサセプタ８およびサセプタシールド１２は、これらの隙間がシャフト１３の周囲に設けられた電気絶縁物からなる絶縁手段１２Ｃによって真空絶縁されるとともに電気的にも絶縁されている。また、ウエハサセプタ８およびサセプタシールド１２は、ベローズ１１により上下動可能となっており、プラズマ励起電極４，８間の距離の調整ができる。
ウエハサセプタ８には、シャフト１３およびマッチングボックス１４内に収納された整合回路を介して第２の高周波電源１５が接続されている。なお、チャンバ壁１０とサセプタシールド１２とは直流的に同電位となっている。
【０００６】
図２３に従来のプラズマ処理装置の他の例を示す。図２２に示すプラズマ処理装置とは異なり、図２３に示すプラズマ処理装置は１周波励起タイプのプラズマ処理装置である。すなわち、カソード電極４にのみ高周波電力を供給しており、サセプタ電極８は接地されている。図２２で示される高周波電源１５とマッチングボックス１４がない。また、サセプタ電極８とチャンバ壁１０とは直流的に同電位となっている。
【０００７】
上記のプラズマ処理装置においては、一般的に１３．５６ＭＨｚ程度の周波数の電力を投入して、両電極４，８の間でプラズマを生成し、このプラズマにより、ＣＶＤ（  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、スパッタリング、ドライエッチング、アッシング等のプラズマ処理をおこなうものである。
【０００８】
そして、このようなプラズマ処理装置の動作確認および、動作の評価方法としては、例えば、以下のように実際に成膜等の処理をおこない、この被成膜特性を評価するというような方法でおこなっていた。
（１）堆積速度と膜面内均一性
▲１▼基板上にプラズマＣＶＤにより所望の膜を成膜する。
▲２▼レジストのパターニングをおこなう。
▲３▼膜をドライエッチングする。
▲４▼アッシングによりレジストを剥離する。
▲５▼膜の膜厚段差を触針式段差計により計測する。
▲６▼成膜時間と膜厚から堆積速度を算出する。
▲７▼膜面内均一性は、６インチ基板面内において１６ポイントで測定する。
（２）ＢＨＦエッチングレート
上記（１）▲１▼〜▲２▼と同様にレジストマスクをパターニングする。
▲３▼ＢＨＦ液に１分間基板を浸漬する。
▲４▼純水洗浄後乾燥し、レジストをＨ２ＳＯ４＋Ｈ２Ｏ２  で剥離する。
▲５▼上記（１）▲５▼と同様段差を計測する。
▲６▼浸漬時間と段差からエッチング速度を算出する。
（３）絶縁耐圧
▲１▼ガラス基板上にスパッタリングにより導電性膜を成膜し、下部電極としてパターニングする。
▲２▼プラズマＣＶＤにより絶縁膜を成膜する。
▲３▼▲１▼と同様の方法で上部電極を形成する。
▲４▼下部電極用にコンタクト孔を形成する。
▲５▼上下電極にプロービングし、Ｉ−Ｖ特性（電流電圧特性）を測定する。このとき最大電圧として２００Ｖ程度まで印加する。
▲６▼電極面積を１００μｍ角とし、１００ｐＡをよぎるところが、１μＡ／ｃｍ２  に相当するので、この時のＶを絶縁耐圧として定義する。
【０００９】
さらに、上記のようなプラズマ処理装置に対しては、従来から、半導体および液晶製造に用いられる場合において、プラズマ処理速度（成膜時の堆積速度や、加工速度）が早く生産性が高いこと、そして、被処理基体面内方向におけるプラズマ処理の均一性（膜厚の膜面内方向分布、加工処理ばらつきの膜面内方向分布）に優れていることが、近年では、被処理基板の大型化に伴い、一段と強まっている。
また、被処理基板の大型化に伴い、投入電力量もｋＷオーダーが投入されるまで増大し、電力消費量が増す傾向にある。このため、電源の高容量化に伴い、電源の開発コストが増大するとともに、装置稼働時には電力使用が増すことからランニングコストを削減することが望まれている。
また、電力消費量が増大することは、環境負荷となる二酸化炭素の排出量が増大する。これは、被処理基板の大型化に伴ってさらに放出量が増大するとともに電力消費効率をさらに下げてしまうため電力消費量が増大するので、この二酸化炭素の放出量削減への要求も高くなっている。
一方、プラズマ励起周波数として、従来一般的であった１３．５６ＭＨｚに対して、これを越える３０ＭＨｚ以上のＶＨＦ帯の周波数を用いるなど、高周波数化を図ることで、プラズマ空間で消費される実効的な電力の増加を図ることができる。その結果として、プラズマＣＶＤなどの体積装置においては、成膜時の堆積速度を向上させることができる可能性が示されていた。
【００１０】
さらに、上記のようなプラズマチャンバを複数有するプラズマ処理装置に対しては、個々のプラズマチャンバに対して、プラズマ処理の機差をなくし、異なるプラズマチャンバにおいて処理をおこなった被処理基板においても、プラズマ処理速度（成膜時の堆積速度や、加工速度）や生産性、そして、被処理基体面内方向におけるプラズマ処理の均一性を向上させたい（膜厚の膜面内方向分布等の、処理のばらつきをなくしたい）という要求がある。
同時に、プラズマチャンバを複数有するプラズマ処理装置に対しては、個々のプラズマチャンバに対して、供給するガス流量や圧力、供給電力、処理時間等の外部パラメータが等しい同一のプロセスレシピを適用して、略同一のプラズマ処理結果が得られることが望まれている。
そして、プラズマ処理装置の新規設置時や調整・保守点検時において、複数のプラズマチャンバごとの機差をなくして処理のばらつきをなくし同一のプロセスレシピにより略同一の処理結果を得るために必要な調整時間の短縮が求められるとともに、このような調整に必要なコストの削減が要求されていた。
【００１１】
さらに、上記のようなプラズマ処理装置を複数有するプラズマ処理システムに対しても、同様に、各プラズマ処理装置における個々のプラズマチャンバに対して、プラズマ処理の機差をなくしたいという要求が存在していた。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
上述のように、プラズマ処理装置においては、所望のレベルの性能を備えると共に、複数のプラズマチャンバ（プラズマ処理室）を備えるプラズマ処理装置やプラズマ処理システムにあっては、プラズマ処理の性能の機差をなくすような配慮が求められていた。しかし、たとえこのような配慮が充分になされたプラズマ処理装置であっても、プラズマ処理を繰り返す内に、所望の性能レベルが維持できなくなったり複数のプラズマ処理室間の機差が生じる可能性があった。また、分解掃除、部品交換、組み立て調整等の調整作業をを行った場合には、調整の不備等により調整作業前の性能が維持されていない可能性があった。さらに、プラズマ処理装置を搬送する際には、一般に一旦分解してから搬送し、搬送先で再組み立てすることが行われている。この場合にも、搬送中の振動や再組み立て作業の不備等により搬送前の性能が維持されていない危険性があった。
【００１３】
そして、このようなプラズマ処理装置の性能が所望の性能レベルや所望の機差内に維持されているかどうかを確認するための評価方法として、上記の（１）〜（３）のような動作評価方法を採用した場合には、プラズマ処理装置を作動させることが必要である上に、プラズマ処理装置の設置場所とは別の検査場所などにおいて被処理基板を複数のステップにより処理測定する必要がある。
このため、評価結果がでるまでには数日、あるいは数週間がかかり、その期間製造ラインを停止しなかった場合、プラズマ処理をおこなった被処理基板の特性は未知であり、もし、プラズマ処理装置の状態がよくなかった際には、そのプラズマ処理装置で処理した製品が製品としての基準に達しないおそれがあるため、より簡便な方法でプラズマ処理装置の動作を適正な状態に維持したいという要求があった。
【００１４】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたもので、以下の目的を達成しようとするものである。
▲１▼  プラズマ処理装置の性能が適正に維持されているかどうかを確認するための迅速かつ簡便な評価方法を提供すること。
▲２▼  プラズマ処理装置の性能が適正に維持されていない場合に、迅速に是正可能な保守方法を提供すること。
▲３▼  納入先において、プラズマ処理装置の性能が適正に維持されるように管理するための性能管理システムを提供すること。
▲４▼  適正な動作状態に簡便に維持可能なプラズマ処理装置を提供すること。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明に係るプラズマ処理装置の性能評価方法は、
プラズマを励起するための電極を有するプラズマ処理室と、
この電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、
入力端子と出力端子とを有し該入力端子に前記高周波電源を接続するとともに前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に接続することにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、
を具備するプラズマ処理装置の性能評価方法であって、
前記高周波電力を供給する際に整合回路の出力端子に接続される前記高周波電力配電体の端部である測定位置で非プラズマ発光時に測定した前記プラズマ処理室の高周波特性Ａ（ただし前記高周波特性Ａは、共振周波数ｆ、前記高周波電力の周波数におけるインピーダンスＺ、前記高周波電力の周波数におけるレジスタンスＲ、または、前記高周波電力の周波数におけるリアクタンスＸのいずれかである。）の、時刻ｔ０とその後の時刻ｔ１における値Ａ０、Ａ１の差ΔＡの絶対値を求め、
その値が前記Ａ０の１０％より小さい値である場合に、性能を維持していると判断し、その値が前記Ａ０の１０％以上の値である場合に、性能を維持していないと判断することを特徴とする。
【００１６】
上記課題を解決するため、本発明に係るプラズマ処理装置の性能評価方法は、  プラズマを励起するための電極を有するプラズマ処理室と、
前記電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、
入力端子と出力端子とを有し前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に接続するとともに該入力端子に前記高周波電源を高周波電力給電体を介して接続することにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、
を具備するプラズマ処理装置の性能評価方法であって、
前記高周波電力を供給する際に前記高周波電源に接続される前記高周波電力給電体の前記高周波電源側端部である測定位置で非プラズマ発光時に測定した前記プラズマ処理室の高周波特性Ａ（ただし前記高周波特性Ａは、共振周波数ｆ、前記高周波電力の周波数におけるインピーダンスＺ、前記高周波電力の周波数におけるレジスタンスＲ、または、前記高周波電力の周波数におけるリアクタンスＸのいずれかである。）の、時刻ｔ０とその後の時刻ｔ１における値Ａ０、Ａ１の差ΔＡの絶対値を求め、
その値が前記Ａ０の１０％より小さい値である場合に、性能を維持していると判断し、その値が前記Ａ０の１０％以上の値である場合に、性能を維持していないと判断することを特徴とする。
【００１７】
上記課題を解決するため、本発明に係るプラズマ処理装置の性能評価方法は、  プラズマを励起するための電極を有するプラズマ処理室と、  前記電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、
入力端子と出力端子とを有し前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に接続するとともに該入力端子に前記高周波電源を高周波電力給電体を介して接続することにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、
を具備するプラズマ処理装置の性能評価方法であって、
前記高周波電力を供給する際に前記高周波電力給電体に接続される前記入力端子である測定位置で非プラズマ発光時に測定した前記プラズマ処理室の高周波特性Ａ（ただし前記高周波特性Ａは、共振周波数ｆ、前記高周波電力の周波数におけるインピーダンスＺ、前記高周波電力の周波数におけるレジスタンスＲ、または、前記高周波電力の周波数におけるリアクタンスＸのいずれかである。）の、時刻ｔ０とその後の時刻ｔ１における値Ａ０、Ａ１の差ΔＡの絶対値を求め、
その値が前記Ａ０の１０％より小さい値である場合に、性能を維持していると判断し、その値が前記Ａ０の１０％以上の値である場合に、性能を維持していないと判断することを特徴とする。
【００１８】
前記において高周波特性Ａが、第１直列共振周波数ｆ０ であっても良い。
前記において、時刻ｔ０とその後の時刻ｔ１との間に、前記プラズマ処理室内に被処理物が導入され、該被処理物にプラズマ処理が行われるものでも良い。
前記において、時刻ｔ０とその後の時刻ｔ１との間に、前記プラズマ処理装置に、分解掃除、部品交換、組み立て調整等の調整作業が施されることを特徴とするものでも良い。
前記において、時刻ｔ０とその後の時刻ｔ１との間に、分解、搬送、及び再組み立てが施されることを特徴とするものでも良い。
本発明において先に記載の評価方法の結果、ΔＡの絶対値が前記Ａ０の１０％以上の場合に、高周波特性Ａの是正作業を行うことを特徴とするプラズマ処理装置の保守方法を提供できる。前記高周波特性Ａが、第１直列共振周波数ｆ０ であっても良い。
【００１９】
また、本発明に係るプラズマ処理装置の性能管理システムは、プラズマを励起するための電極を有するプラズマ処理室と、
この電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、
入力端子と出力端子とを有し該入力端子に前記高周波電源を接続するとともに前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に接続することにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、
を具備するプラズマ処理装置の性能管理システムであって、
前記高周波電力を供給する際に整合回路の出力端子に接続される前記高周波電力配電体の端部である測定位置で非プラズマ発光時に測定した前記プラズマ処理室の高周波特性Ａ（ただし前記高周波特性Ａは、共振周波数ｆ、前記高周波電力の周波数におけるインピーダンスＺ、前記高周波電力の周波数におけるレジスタンスＲ、または、前記高周波電力の周波数におけるリアクタンスＸのいずれかである。）の、時刻ｔ０における値Ａ０を記憶するサーバーと、このサーバーと通信回線で接続された納入先入出力装置とを備え、
前記サーバーは、前記高周波特性Ａ０のその後の時刻ｔ１における値Ａ１を、前記納入先入出力装置から受信し、前記Ａ０と、このＡ１との差であるΔＡの絶対値を演算し、
その値が前記Ａ０の１０％より小さい値である場合には、性能を維持している旨の信号を、前記Ａ０の１０％以上の値である場合には、性能を維持していない旨の信号を、各々納入先入出力装置に発信することを特徴とする。
【００２０】
また、本発明に係るプラズマ処理装置の性能管理システムは、プラズマを励起するための電極を有するプラズマ処理室と、  前記電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、
入力端子と出力端子とを有し前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に接続するとともに該入力端子に前記高周波電源を高周波電力給電体を介して接続することにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、
を具備するプラズマ処理装置の性能管理システムであって、
前記高周波電力を供給する際に前記高周波電源に接続される前記高周波電力給電体の前記高周波電源側端部である測定位置で非プラズマ発光時に測定した前記プラズマ処理室の高周波特性Ａ（ただし前記高周波特性Ａは、共振周波数ｆ、前記高周波電力の周波数におけるインピーダンスＺ、前記高周波電力の周波数におけるレジスタンスＲ、または、前記高周波電力の周波数におけるリアクタンスＸのいずれかである。）の、時刻ｔ０における値Ａ０を記憶するサーバーと、このサーバーと通信回線で接続された納入先入出力装置とを備え、
前記サーバーは、前記高周波特性Ａ０のその後の時刻ｔ１における値Ａ１を、前記納入先入出力装置から受信し、前記Ａ０と、このＡ１との差であるΔＡの絶対値を演算し、
その値が前記Ａ０の１０％より小さい値である場合には、性能を維持している旨の信号を、前記Ａ０の１０％以上の値である場合には、性能を維持していない旨の信号を、各々納入先入出力装置に発信することを特徴とする。
【００２１】
また、本発明に係るプラズマ処理装置の性能管理システムは、プラズマを励起するための電極を有するプラズマ処理室と、
前記電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、
入力端子と出力端子とを有し前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に接続するとともに該入力端子に前記高周波電源を高周波電力給電体を介して接続することにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、
を具備するプラズマ処理装置の性能管理システムであって、
前記高周波電力を供給する際に前記高周波電力給電体に接続される前記入力端子である測定位置で非プラズマ発光時に測定した前記プラズマ処理室の高周波特性Ａ（ただし前記高周波特性Ａは、共振周波数ｆ、前記高周波電力の周波数におけるインピーダンスＺ、前記高周波電力の周波数におけるレジスタンスＲ、または、前記高周波電力の周波数におけるリアクタンスＸのいずれかである。）の、時刻ｔ０における値Ａ０を記憶するサーバーと、このサーバーと通信回線で接続された納入先入出力装置とを備え、
前記サーバーは、前記高周波特性Ａ０のその後の時刻ｔ１における値Ａ１を、前記納入先入出力装置から受信し、前記Ａ０と、このＡ１との差であるΔＡの絶対値を演算し、
その値が前記Ａ０の１０％より小さい値である場合には、性能を維持している旨の信号を、前記Ａ０の１０％以上の値である場合には、性能を維持していない旨の信号を、各々納入先入出力装置に発信することを特徴とする。
【００２２】
また、本発明に係るプラズマ処理装置の性能管理システムは、前記高周波特性Ａが、第１直列共振周波数ｆ０ であっても良い。
本発明に係るプラズマ処理装置の性能管理システムにおいて、時刻ｔ０とその後の時刻ｔ１との間に、前記プラズマ処理室内に被処理物が導入され、該被処理物にプラズマ処理が行われることを特徴とするものでも良い。
本発明に係るプラズマ処理装置の性能管理システムにおいて、時刻ｔ０とその後の時刻ｔ１との間に、前記プラズマ処理装置に、分解掃除、部品交換、組み立て調整等の調整作業が施されることを特徴とするものでも良い。
本発明に係るプラズマ処理装置の性能管理システムにおいて、時刻ｔ０とその後の時刻ｔ１との間に、分解、搬送、及び再組み立てが施されることを特徴とするものでも良い。
本発明に係るプラズマ処理装置の性能管理システムにおいて、前記サーバーが、プラズマ処理室の固有番号毎にＡ０を記憶し、納入先入出力装置から納入したプラズマ処理室の固有番号を受信して、当該固有番号に対応するＡ０を用いて演算をすることを特徴とするものでも良い。
本発明に係るプラズマ処理装置の性能管理システムにおいて、前記納入先入出力装置に、プラズマ処理装置に接続されたインピーダンス測定器を接続して、インピーダンス測定器から前記サーバーに、Ａ１が直接送信されることを特徴とするものでも良い。
本発明に係るプラズマ処理装置の性能管理システムにおいて、前記サーバーが搬送元において出力装置を備え、ΔＡの絶対値が前記Ａ０の１０％を超える場合に、前記出力装置から、保守作業命令を出力することを特徴とするものでも良い。
【００２３】
本発明に係るプラズマ処理装置の性能管理システムは、プラズマを励起するための電極を有するプラズマ処理室と、
この電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、
入力端子と出力端子とを有し該入力端子に前記高周波電源を接続するとともに前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に接続することにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、
を具備するプラズマ処理装置の性能管理システムであって、
前記高周波電力を供給する際に整合回路の出力端子に接続される前記高周波電力配電体の端部である測定位置で非プラズマ発光時に測定した前記プラズマ処理室の高周波特性Ａ（ただし高周波特性Ａは、共振周波数ｆ、前記高周波電力の周波数におけるインピーダンスＺ、前記高周波電力の周波数におけるレジスタンスＲ、または、前記高周波電力の周波数におけるリアクタンスＸのいずれかである。）の時刻ｔ０における値Ａ０と、前記高周波特性Ａのその後の時刻ｔ１における値Ａ１と、の差であるΔＡの絶対値に応じて複数の故障レベルを設定し、該設定された複数の故障レベルに対応して登録されたサービスエンジニアの情報とを記憶するサーバーと、このサーバーの搬送元における出力装置と、このサーバーと通信回線で接続された納入先入出力装置とを備え、
前記サーバーは、前記高周波特性Ａ０のその後の時刻ｔ１における値Ａ１を、前記納入先入出力装置から受信し、前記Ａ０と、このＡ１との差であるΔＡの絶対値を演算し、
その値が、先に設定した何れかの故障レベルである場合には、前記出力装置から、当該故障レベルと、当該故障レベルに対応して登録されたサービスエンジニアの情報と共に、保守作業命令を出力することを特徴とする。
【００２４】
本発明に係るプラズマ処理装置の性能管理システムは、プラズマを励起するための電極を有するプラズマ処理室と、
前記電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、
入力端子と出力端子とを有し前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に接続するとともに該入力端子に前記高周波電源を高周波電力給電体を介して接続することにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、
を具備するプラズマ処理装置の性能管理システムであって、
前記高周波電力を供給する際に前記高周波電源に接続される前記高周波電力給電体の前記高周波電源側端部である測定位置で非プラズマ発光時に測定した前記プラズマ処理室の高周波特性Ａ（ただし高周波特性Ａは、共振周波数ｆ、前記高周波電力の周波数におけるインピーダンスＺ、前記高周波電力の周波数におけるレジスタンスＲ、または、前記高周波電力の周波数におけるリアクタンスＸのいずれかである。）の時刻ｔ０における値Ａ０と、前記高周波特性Ａのその後の時刻ｔ１における値Ａ１と、の差であるΔＡの絶対値に応じて複数の故障レベルを設定し、該設定された複数の故障レベルに対応して登録されたサービスエンジニアの情報とを記憶するサーバーと、このサーバーの搬送元における出力装置と、このサーバーと通信回線で接続された納入先入出力装置とを備え、
前記サーバーは、前記高周波特性Ａ０のその後の時刻ｔ１における値Ａ１を、前記納入先入出力装置から受信し、前記Ａ０と、このＡ１との差であるΔＡの絶対値を演算し、
その値が、先に設定した何れかの故障レベルである場合には、前記出力装置から、当該故障レベルと、当該故障レベルに対応して登録されたサービスエンジニアの情報と共に、保守作業命令を出力することを特徴とする。
【００２５】
本発明に係るプラズマ処理装置の性能管理システムは、プラズマを励起するための電極を有するプラズマ処理室と、
前記電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、
入力端子と出力端子とを有し前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に接続するとともに該入力端子に前記高周波電源を高周波電力給電体を介して接続することにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、
を具備するプラズマ処理装置の性能管理システムであって、
前記高周波電力を供給する際に前記高周波電力給電体に接続される前記入力端子である測定位置で非プラズマ発光時に測定した前記プラズマ処理室の高周波特性Ａ（ただし高周波特性Ａは、共振周波数ｆ、前記高周波電力の周波数におけるインピーダンスＺ、前記高周波電力の周波数におけるレジスタンスＲ、または、前記高周波電力の周波数におけるリアクタンスＸのいずれかである。）の時刻ｔ０における値Ａ０と、前記高周波特性Ａのその後の時刻ｔ１における値Ａ１と、の差であるΔＡの絶対値に応じて複数の故障レベルを設定し、該設定された複数の故障レベルに対応して登録されたサービスエンジニアの情報とを記憶するサーバーと、このサーバーの搬送元における出力装置と、このサーバーと通信回線で接続された納入先入出力装置とを備え、
前記サーバーは、前記高周波特性Ａ０のその後の時刻ｔ１における値Ａ１を、前記納入先入出力装置から受信し、前記Ａ０と、このＡ１との差であるΔＡの絶対値を演算し、
その値が、先に設定した何れかの故障レベルである場合には、前記出力装置から、当該故障レベルと、当該故障レベルに対応して登録されたサービスエンジニアの情報と共に、保守作業命令を出力することを特徴とする。
【００２６】
本発明に係るプラズマ処理装置の性能管理システムにおいて、前記高周波特性Ａが、第１直列共振周波数ｆ０ であることを特徴とするものでも良い。
本発明に係るプラズマ処理装置の性能管理システムにおいて、時刻ｔ０とその後の時刻ｔ１との間に、前記プラズマ処理室内に被処理物が導入され、該被処理物にプラズマ処理が行われることを特徴とするものでも良い。
本発明に係るプラズマ処理装置の性能管理システムにおいて、時刻ｔ０とその後の時刻ｔ１との間に、前記プラズマ処理装置に、分解掃除、部品交換、組み立て調整等の調整作業が施されることを特徴とするものでも良い。
本発明に係るプラズマ処理装置の性能管理システムにおいて、時刻ｔ０とその後の時刻ｔ１との間に、分解、搬送、及び再組み立てが施されることを特徴とするものでも良い。
【００２７】
本発明に係るプラズマ処理装置の性能管理システムにおいて、前記サーバーが、プラズマ処理室の固有番号毎にＡ０を記憶し、納入先入出力装置から納入したプラズマ処理室の固有番号を受信して、当該固有番号に対応するＡ０を用いて演算をすることを特徴とする。
本発明に係るプラズマ処理装置の性能管理システムにおいて、前記納入先入出力装置に、プラズマ処理装置に接続されたインピーダンス測定器を接続して、インピーダンス測定器から前記サーバーに、Ａ１が直接送信されることを特徴とするものでも良い。
本発明に係るプラズマ処理装置の性能管理システムにおいて、前記サーバーが、前記当該故障レベルを、前記納入先入出力装置にも発信することを特徴とするものでも良い。
【００２８】
本発明に係るプラズマ処理装置は、プラズマを励起するための電極を有するプラズマ処理室と、  この電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、
入力端子と出力端子とを有し該入力端子に前記高周波電源を接続するとともに前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に接続することにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、
を具備するプラズマ処理装置であって、
前記高周波電力を供給する際に整合回路の出力端子に接続される前記高周波電力配電体の端部である測定位置で非プラズマ発光時に測定した前記プラズマ処理室の高周波特性Ａ（ただし高周波特性Ａは、共振周波数ｆ、前記高周波電力の周波数におけるインピーダンスＺ、前記高周波電力の周波数におけるレジスタンスＲ、または、前記高周波電力の周波数におけるリアクタンスＸのいずれかである。）の、時刻ｔ０とその後の時刻ｔ１における値Ａ０、Ａ１の差ΔＡの絶対値が前記Ａ０の１０％より小さい値に維持されていることを特徴とする。
【００２９】
本発明に係るプラズマ処理装置の性能管理システムは、プラズマを励起するための電極を有するプラズマ処理室と、  前記電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、
入力端子と出力端子とを有し前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に接続するとともに該入力端子に前記高周波電源を高周波電力給電体を介して接続することにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、
を具備するプラズマ処理装置であって、
前記高周波電力を供給する際に前記高周波電源に接続される前記高周波電力給電体の前記高周波電源側端部である測定位置で非プラズマ発光時に測定した前記プラズマ処理室の高周波特性Ａ（ただし高周波特性Ａは、共振周波数ｆ、前記高周波電力の周波数におけるインピーダンスＺ、前記高周波電力の周波数におけるレジスタンスＲ、または、前記高周波電力の周波数におけるリアクタンスＸのいずれかである。）の、時刻ｔ０とその後の時刻ｔ１における値Ａ０、Ａ１の差ΔＡの絶対値が前記Ａ０の１０％より小さい値に維持されていることを特徴とする。
【００３０】
本発明に係るプラズマ処理装置は、プラズマを励起するための電極を有するプラズマ処理室と、
前記電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、
入力端子と出力端子とを有し前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に接続するとともに該入力端子に前記高周波電源を高周波電力給電体を介して接続することにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、
を具備するプラズマ処理装置であって、
前記高周波電力を供給する際に前記高周波電力給電体に接続される前記入力端子である測定位置で非プラズマ発光時に測定した前記プラズマ処理室の高周波特性Ａ（ただし高周波特性Ａは、共振周波数ｆ、前記高周波電力の周波数におけるインピーダンスＺ、前記高周波電力の周波数におけるレジスタンスＲ、または、前記高周波電力の周波数におけるリアクタンスＸのいずれかである。）の、時刻ｔ０とその後の時刻ｔ１における値Ａ０、Ａ１の差ΔＡの絶対値が前記Ａ０の１０％より小さい値に維持されていることを特徴とする。
【００３１】
本発明に係るプラズマ処理装置において、前記高周波特性Ａが、第１直列共振周波数ｆ０ であることを特徴とするものでも良い。
【００３２】
本発明に係るプラズマ処理装置は、時刻ｔ０とその後の時刻ｔ１との間に、前記プラズマ処理室内に被処理物が導入され、該被処理物にプラズマ処理が行われるものでも良い。
【００３３】
本発明に係るプラズマ処理装置は、時刻ｔ０とその後の時刻ｔ１との間に、前記プラズマ処理装置に、分解掃除、部品交換、組み立て調整等の調整作業が施されることを特徴とする。
【００３４】
本発明に係るプラズマ処理装置は、時刻ｔ０とその後の時刻ｔ１との間に、分解、搬送、及び再組み立てが施されることを特徴とする。
【００３５】
本発明に係るプラズマ処理装置の性能管理システムにおいて、ΔＡの絶対値が前記Ａ０の１０％以上の値である場合に、高周波特性Ａの是正作業を行うことにより、ΔＡの絶対値が前記Ａ０の１０％より小さい値に維持されていることを特徴とする。
【００３８】
以下、上記各発明をさらに詳細に説明する。
上記各発明では、プラズマ処理室の電極に高周波電力を供給する際に測定した高周波特性Ａを評価指標とした。これは、高周波特性Ａが、プラズマ空間で消費される実効的な電力等のプラズマ処理装置の性能と密接な関連性を有するとともに、汚れが付着したり、組み立て精度に狂いが生じる等、性能に悪影響を及ぼす事象が発生した場合には、容易に変動する値であることに着目したものである。そして、この指標とした高周波特性Ａが、時刻ｔ０とその後の時刻ｔ１における値Ａ０、Ａ１の差ΔＡの絶対値は、プラズマ処理装置の性能変動幅と密接な関連を有すること、及びこの値が所定の値よりも小さければ、性能変動幅も所定の範囲内であると見なせることを見いだし、このΔＡの絶対値と所定の値を比較することにより、プラズマ処理装置の性能評価を可能とした。
すなわち、分解搬送後の新規設置時やその後の使用によるプラズマ処理の繰り返し、あるいは調整・保守点検等の際に、プラズマ処理室の性能が所定の性能レベルを維持しているか、また、プラズマ処理室が複数ある場合には、性能の機差が充分抑えられているか等の評価を可能としたものである。
【００３９】
この高周波特性Ａの測定は瞬時に行うことができるので、基板への実際の成膜等による従来の検査方法を採用した場合に比べて、大幅に評価時間を短縮することができる。また、性能評価に必要な検査用基板等の費用、この検査用基板の検査処理費用、および、評価作業に従事する作業員の人件費等の、コストを削減することが可能となる。
そのため、本発明に係るプラズマ処理装置の評価方法によれば、プラズマ処理装置の性能評価を瞬時にしかもコストをかけずに行うことができる。また、本発明に係る保守方法によれば、性能評価結果を瞬時に、かつコストをかけずに行うことができるので、所望の頻度で性能評価を行い、その結果を直ちに反映して是正作業を行うことができる。また、本発明に係るプラズマ処理装置の性能管理システムによれば、メーカー等が管理するサーバーを利用することにより、納入先の使用者等が簡便に性能評価結果を知ることができる。また、本発明に係るプラズマ処理装置によれば、高周波特性Ａという、常時確認可能な指標により性能を維持されるので、良好なプラズマ処理を行うことが可能となる。さらに、本発明に係るプラズマ処理装置の性能確認システムによれば、販売保守者が管理するサーバーを利用することにより、購入発注者が、プラズマ処理装置の動作性能状況を簡便に知ることができる。
【００４０】
従って、何れの発明も、問題のあるプラズマ処理作業を行ってしまうことを事前に回避し、良好な状態にプラズマ処理装置を保つことに寄与するものである。また、プラズマ処理室に対して、常に同一のプロセスレシピを適用して、略同一のプラズマ処理結果を得ること、つまり、プラズマチャンバにおいて例えば成膜をおこなった際に、膜厚、絶縁耐圧、エッチングレート等、略均一な膜特性の膜を継続して得ることを可能とするものである。
なお、プラズマ処理装置が、複数のプラズマチャンバを有していたり、複数のプラズマ処理装置が結合してプラズマ処理システムを構成している場合には、各プラズマチャンバ毎にこの高周波特性Ａを求めて指標とすることができる。
【００４１】
上記各発明において、前記高周波特性Ａの測定位置は、前記高周波電力を供給する際に整合回路の出力端子に接続される前記高周波電力配電体の端部とされる測定位置とすることができる。
これにより、高周波特性の変動を評価することで、プラズマ空間で消費される実効的な電力の変動を評価することができる。そして、同一のプロセスレシピを適用して、略同一のプラズマ処理結果を得ることができるかどうかの評価が可能となる。
【００４２】
また、本発明においては、上記の測定位置に変えて、前記高周波電力を供給する際に前記高周波電力給電体（給電線）に接続される前記入力端子とされる測定位置を前記高周波特性Ａの測定位置とすることができる。
これにより、プラズマ処理室だけでなく、整合回路も含めて電気的高周波特性を評価することができる。そのため、上記測定位置で評価するのと比較して、プラズマ空間で消費される実効的な電力の評価、ひいてはプラズマ処理結果に対する評価をより的確に行うことができる。
【００４３】
また、上記の測定位置に変えて、前記高周波電力を供給する際に前記高周波電源に接続される前記高周波電力給電体（給電線）の前記高周波電源側端部とされる測定位置を前記高周波特性Ａの測定位置とすることができる。
これにより、プラズマ処理室と整合回路だけでなく、高周波電力給電体も含めて電気的高周波特性を評価することができる。そのため、上記２つの測定位置で評価するのと比較して、プラズマ空間で消費される実効的な電力の評価、ひいてはプラズマ処理結果に対する評価を、さらに的確に行うことができる。
【００４４】
上記各発明において、前記高周波特性Ａは、共振周波数ｆ、前記高周波電力の周波数におけるインピーダンスＺ、前記高周波電力の周波数におけるレジスタンスＲ、または、前記高周波電力の周波数におけるリアクタンスＸのいずれかとすることができる。これにより、電気的高周波的な特性でプラズマ処理装置を評価することが可能となる。なお、この内共振周波数ｆとしては、後述するように、高周波電力を供給する際に整合回路の出力端に接続される高周波電力配電体の端部で測定したプラズマ処理室の第１直列共振周波数ｆ０や、前記電極と協働してプラズマを発生する対向電極との容量によって規定される直列共振周波数ｆ０’を採用したりすることができる。
高周波特性Ａとしては、これらの他に数１で示される電圧電流の振幅比や数２で示される電圧電流の位相差等を適宜採用できる。
【００４５】
【数１】
0003600144.tif 000002
【００４６】
【数２】
0003600144.tif 000003
【００４７】
ここで、前記高周波特性Ａとして、インピーダンスＺを採用した場合には、このインピーダンスＺは、プラズマ励起する周波数における値であるから、Ｚとθとの周波数依存性を測定してはじめて把握可能なパラメータである共振周波数ｆに対して、プラズマチャンバの高周波数特性の周波数依存性を見る必要がなく、共振周波数ｆに比べて把握が容易である。また、プラズマチャンバのプラズマ励起する周波数における電気的高周波的特性をより直接的に捉えることができるパラメータである。
また、レジスタンスＲ、および、リアクタンスＸ、を採用した場合には、これらレジスタンスＲとリアクタンスＸとのベクトル量であるインピーダンスＺを見ることに比べて、さらに直接的にプラズマチャンバのプラズマ励起する周波数における電気的高周波的特性を捉えることができる。
【００４８】
また、前記高周波特性Ａとしては、第１直列共振周波数ｆ０  を採用することができる。
この第１直列共振周波数ｆ０  は、機械的な構造をその多くの要因として決まる電気的高周波的な特性であり、各プラズマ処理室（プラズマチャンバ）ごとに異なっていると考えられる。また、この第１直列共振周波数ｆ０  は、プラズマ発生の安定性や均一な動作に密接に関係する評価指標であると考えられる。
これにより、高周波特性Ａとして、第１直列共振周波数ｆ０  を選択した場合には、より的確な性能評価が可能となるものである。
【００４９】
なお、前記高周波特性Ａとして、共振周波数ｆを採用した場合には、第１直列共振周波数ｆ０  以外の直並列共振周波数にも着目するので、チャンバ内で分岐されたすべての電流経路の特性を見ることになる。そのため、第１直列共振周波数ｆ０  を採用する場合に比べて、機差をより詳細に確認できるメリットを有するが、解析に手間を要するというデメリットを有する。
【００５０】
ここで、第１直列共振周波数ｆ０  の定義について説明する。
まず、プラズマチャンバのインピーダンスの周波数依存性を計測する。このとき、後述するようにプラズマチャンバのインピーダンス測定範囲を規定し、このインピーダンス測定範囲に対して、供給する電力周波数ｆｅ  を含む範囲で測定周波数を変化させてインピーダンスのベクトル量（Ｚ，θ）を測定することにより、プラズマチャンバのインピーダンスの周波数依存性を計測する。ここで、例えば１３．５６ＭＨｚ，２７．１２ＭＨｚ，４０．６８ＭＨｚ等の値に設定される電力周波数ｆｅ  に対応して、測定周波数を例えば１ＭＨｚ〜１００ＭＨｚ程度の範囲に設定する。
図６は第１直列共振周波数ｆ０  を説明するためのインピーダンスＺと位相θとの周波数依存特性を示すグラフである。
ついで、図６に示すように、測定周波数に対してインピーダンスＺと位相θをプロットしてインピーダンス特性曲線および位相曲線を描画し、インピーダンスＺの極小値のうち周波数の最小のもの、つまり、測定周波数の低い側から数えて一番最初に位相θがマイナスからプラスに変化したときに、位相θがゼロとなる周波数を、第１直列共振周波数ｆ０  として定義する。
【００５１】
次に、前述のプラズマチャンバのインピーダンス測定範囲（高周波数特性測定範囲）について説明する。
プラズマチャンバには整合回路を介して高周波電源が接続されているが、この整合回路の出力端子よりも出力側をインピーダンス測定範囲とする。
ここで、整合回路は、プラズマチャンバ内のプラズマ状態等の変化に対応してインピーダンスを調整するために、その多くは複数の受動素子を具備する構成とされている。
図２は整合回路２Ａを示す模式図である。
例えば、整合回路２Ａとしては、図２に示すように、高周波電源１とプラズマ放電用の電極４との間に、コイル２３とチューニングコンデンサ２４とが直列に設けられ、さらに、高周波電源１には他のロードコンデンサ２２が並列に接続され一端がアースされている構成の整合回路２Ａが挙げられる。このような整合回路の受動素子のうち、出力最終段の受動素子の出力端子位置で切り離す、つまり、直接電極４側に接続される素子、上記例の場合は、チューニングコンデンサ２４の出力端子位置ＰＲで、整合回路２Ａを切り離した状態で、これよりも先のプラズマチャンバ部分を前記測定範囲と定義する。
【００５２】
また、上記の測定位置に変えて、図２に示すように、高周波電源１と整合回路２Ａを接続する給電線（高周波電力給電体）１Ａを、高周波電源１側端部からから切り離し、この高周波電源１側端部とされる測定位置ＰＲ２で、高周波電源１Ａを切り離した状態で、これよりも先のプラズマチャンバ部分を前記測定範囲と定義することができる。
さらに、上記の測定位置に変えて、図２に示すように、高周波電源１と整合回路２Ａを接続する給電線（高周波電力給電体）１Ａを、整合回路２Ａ側端部からから切り離し、この整合回路２Ａの給電線１Ａに接続される入力端子とされる測定位置ＰＲ３で、高周波電源１Ａおよび給電線１Ａを切り離した状態で、これよりも先のプラズマチャンバ部分を前記測定範囲と定義することができる。
【００５３】
上記各発明において、前記高周波特性Ａの、時刻ｔ０とその後の時刻ｔ１における値Ａ０、Ａ１の差ΔＡの絶対値と比較する所定の値に特に制限はないが、例えば、Ａ０の１０％と設定することができる。この場合、たとえばプラズマＣＶＤ装置において、堆積速度の変動を５％以内に抑えることができる。
また、より好ましくは、Ａ０の３％と設定することができる。この場合、たとえばプラズマＣＶＤ装置において、堆積速度の変動を２％以内に抑えることができる。
【００５４】
上記本発明に係るプラズマ処理装置の性能管理システムは、たとえば、プラズマ処理装置のメーカー、流通業者、メンテナンス業者等からユーザー等にプラズマ処理装置を納入するに際して、搬送元で分解後、納入先に搬送して、納入先にて再組み立てをするという一連の処理工程を経た後、あるいは、その後の使用期間中のように、時刻ｔ０からある時間が経過した後の時刻ｔ１において、プラズマ処理装置の性能が維持されているかどうかを評価しその性能を管理するシステムである。
本管理システムにおけるサーバーは、プラズマ処理装置のメーカー、流通業者、メンテナンス業者等の搬送元が管理するものであるが、その設置場所は搬送元に特に限定されない。このサーバーは高周波特性Ａの分解前の値Ａ０を記憶している。そして、この記憶したＡ０を用いて、搬入先にあるプラズマ処理装置の性能を評価するものである。
【００５５】
このＡ０の値は、メーカー等で管理している標準的な高周波特性Ａの値としても良いが、プラズマ処理室の固有番号毎にＡ０の値を記憶することにより、納入先の個別のプラズマ処理装置に対応して、より的確な評価ができる。従って、より精度の高い管理システムとすることができる。
なお、プラズマ処理室の固有番号とは、プラズマ処理室を個別に特定できる番号であれば特に限定はなく、その形式は数字だけでなく文字等を含むものであってもよい。例えば、プラズマ処理室を一つ備えたプラズマ処理装置の場合、当該プラズマ処理装置の製造番号を、当該プラズマ処理装置の固有番号として扱うこともできる。
【００５６】
サーバーには、納入先に設置された入出力装置が通信回線で接続されている。この通信回線の媒体や形式に特に限定はなく、離間した地点におかれたサーバーと入出力装置との間で信号の授受ができるものであればよい。すなわち、ケーブル回線、光ファイバー回線、衛星回線等の種々の有線や無線の通信媒体を適宜使用できると共に、電話回線網、インターネット網等種々の通信形式を活用できる。また、納入先の入出力装置にも特に限定はなく、パーソナルコンピュータ、専用端末機、電話機等を利用する通信回線の種類等に適応できる範囲で適宜選択できる。
【００５７】
サーバーは、係る納入先入出力装置から再組み立て後における値Ａ１を受信する。また、必要に応じてプラズマ処理装置の固有番号を受信する。ここで、再組み立て後とは、再組み立て直後だけでなく、その後の使用期間中を含むものである。すなわち、サーバーは、納入先のプラズマ処理装置の性能を反映する値Ａ１を、適宜継続して受信できるものである。
納入先入出力装置からサーバーに対して、Ａ１の値やプラズマ処理装置の固有番号を送信するためには、納入先入出力装置に納入先のユーザーや、納入先を訪問したサービスマン等がこれらの値を手で入力することができるが、この入力作業は適宜自動化や省力化が可能である。例えば、納入先入出力装置に、プラズマ処理装置に接続されたインピーダンス測定器を接続して、インピーダンス測定器から前記サーバーに、Ａ１を直接送信することができる。また、単独のプラズマ処理室を備えたプラズマ処理装置を単独で使用する納入先においては、プラズマ処理装置の固有番号を一度納入先入出力装置に登録し、その後は入力作業を省略することができる。
【００５８】
サーバーは、上記高周波特性Ａ０、Ａ１の値から、内部の演算処理装置を用いてＡ０と、このＡ１との差であるΔＡの絶対値を演算する。そして、その値が所定の値より小さい値である場合には、所定の性能を維持している旨の信号を、所定の値以上の値である場合には、所定の性能を維持していない旨の信号を、各々評価情報として納入先入出力装置に発信する。すなわち、納入先入出力装置は評価情報を受信することができ、これにより、納入先においてプラズマ処理装置の性能評価結果を把握することが可能となる。なお、納入先入出力装置は、評価情報を表示器に表示したり、プリントアウトしたり、あるいは警報信号を発する等、適宜の方法で評価情報をユーザー等に伝達することができる。
【００５９】
サーバーは、また、搬送元において出力装置を備え、ΔＡの絶対値が所定の値を超える場合に、前記出力装置から、評価情報として保守作業命令を出力することができる。この場合、対応するプラズマ処理室の固有番号も併せて出力することが望ましい。これにより、納入先のプラズマ処理装置の不具合を搬送元においていち早く把握し、直ちに保守サービスを提供することができる。
なお、サーバーが搬送元におかれていない場合には、サーバーと出力装置との間には任意の通信回線が使用される。
【００６０】
サーバーが、納入先入出力装置と搬送元の出力装置との双方に評価情報を提供する場合、両評価情報の基礎となる所定の値は必ずしも同一の値でなくともよい。例えば、納入先入出力装置に発信する評価情報については、所定の値をＡ０の１０％とし、この値を越えたときに所定の性能を維持していない旨の信号を発信し、一方、搬送元の出力装置には、所定の値をＡ０の３％として、この値を越える場合に保守作業命令を出力するようにしても良い。このように、搬送元の出力装置に対して、納入先入出力装置に対するよりも厳しい評価基準に基づき保守作業命令が出される場合には、納入先のプラズマ処理装置の性能が大きく変動する以前に搬送元による保守サービスを行うことができる。すなわち、より先手を打った保守体制を確立することができる。
【００６１】
上記本発明に係る他のプラズマ処理装置の性能管理システムもまた、たとえば、プラズマ処理装置のメーカー、流通業者、メンテナンス業者等からユーザー等にプラズマ処理装置を納入するに際して、搬送元で分解後、納入先に搬送して、納入先にて再組み立てをするという一連の処理工程を経た後、あるいは、その後の使用期間中のように、時刻ｔ０からある時間が経過した後の時刻ｔ１において、プラズマ処理装置の性能が維持されているかどうかを評価しその性能を管理するシステムである。
本発明に係るプラズマ処理装置の性能管理システムの特徴が、先のプラズマ処理装置の性能管理システムの特徴と異なる点は、サーバーが、各々所定の値の範囲によって決められた故障レベルに対応して登録されたサービスエンジニアの情報とを記憶すると共に、搬送元における出力装置を備える点である。そして、サーバーが、ΔＡの絶対値を演算した後、その値が、何れかの故障レベルの所定の値の範囲である場合には、前記出力装置から、当該故障レベルと、当該故障レベルに対応して登録されたサービスエンジニアの情報と共に、保守作業命令を出力するという処理を行う点にある。
【００６２】
この性能管理システムの場合、搬送元では、保守作業命令が出力されると共に、どの程度の故障レベルかや、その故障レベルに応じてランク分けされたサービスエンジニアの情報も出力される。
そのため、この本発明に係る他のプラズマ処理装置の性能管理システムによれば、遠隔地に納入したプラズマ処理装置であっても、搬送元において、その故障レベルを把握することができる。そして、その故障レベルに応じて、教育訓練度合の異なるサービスエンジニアを派遣することができる。従って、人材活用が合理化できると共に、迅速、かつ、的確なサポートが可能となる。すなわち、装置納入後のフィールドサポート体制の合理化が可能となるものである。
【００６３】
また、本発明のプラズマ処理装置の性能確認システムにおいて、販売保守者がアップロードした各プラズマ処理室ユニットの動作性能状況を示す性能状況情報に対して、購入発注者が情報端末から公衆回線を介して閲覧を可能とすることにより、購入発注者に対して、購入後の使用時における、プラズマ処理装置の動作性能・保守情報を容易に提供することが可能となる。また、前記性能状況情報が、上述したようにプラズマ処理装置に対する性能パラメータとしての前記第１直列共振周波数ｆ０  等の高周波特性Ａを含むことにより、購入発注者のプラズマ処理装置に対する性能判断材料を提供することが可能となる。さらに、前記性能状況情報を、カタログまたは仕様書として出力することができる。
【００６４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係るプラズマ処理装置の第１実施形態を、図面に基づいて説明する。
［第１実施形態］
図１は本実施形態のプラズマ処理装置の概略構成を示す断面図、図２は図１におけるプラズマ処理装置の整合回路を示す模式図である。
【００６５】
本実施形態のプラズマ処理装置は、ＣＶＤ（  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ドライエッチング、アッシング等のプラズマ処理をおこなう１周波励起タイプのプラズマ処理装置とされ、図１に示すように、プラズマを励起するための平行平板型電極４，８を有するプラズマチャンバ（プラズマ処理室）ＣＮと、この電極３に接続された高周波電源１と、前記プラズマチャンバＣＮと前記高周波電源１とのインピーダンス整合を得るための整合回路２Ａとを具備する構成とされる。同時に、本実施形態のプラズマ処理装置は、後述するように、高周波特性Ａとして前記整合回路２Ａの出力端子位置ＰＲから測定した前記プラズマチャンバＣＮの第１直列共振周波数ｆ０  の３倍が、前記高周波電源１からプラズマチャンバＣＮに供給される電力周波数ｆｅ  より大きな値の範囲になるようにｆ００  （高周波特性Ａ０）が設定されて設計、製造されている。そして、分解搬送後、納入先において再組み立てした後においても、さらに、その後の使用期間においても、その時の第１直列共振周波数ｆ０１  （高周波特性Ａ１）が、ｆ０１とｆ００  との差Δｆ０（ΔＡ）の絶対値がｆ００の１０％より小さい値となるように維持されている。
【００６６】
さらに詳細に説明すると、本実施形態のプラズマ処理装置は、図１，図２に示すように、プラズマチャンバＣＮの上部に高周波電源１に接続されたプラズマ励起電極（電極）４およびシャワープレート５が設けられ、プラズマチャンバＣＮの下部にはシャワープレート５に対向して被処理基板１６を載置するサセプタ電極（電極）８が設けられている。プラズマ励起電極（電極）４は、給電板（高周波電力配電体）３および整合回路２Ａを介して第１の高周波電源１と接続されている。これらプラズマ励起電極４および給電板３は、シャーシ２１に覆われるとともに、整合回路２Ａは導電体からなるマッチングボックス２の内部に収納されている。
給電板３としては、幅５０〜１００ｍｍ、厚さ０．５ｍｍ、長さ１００〜３００ｍｍの形状を有する銅の表面に銀めっきを施したものが用いられており、この給電板３は整合回路２Ａからの端子およびプラズマ励起電極４にそれぞれネジ止めされている。
【００６７】
また、プラズマ励起電極（カソード電極）４の下側には凸部４ａが設けられるとともに、このプラズマ励起電極（カソード電極）４の下には、多数の孔７が形成されているシャワープレート５が凸部４ａに接して設けられている。これらプラズマ励起電極４とシャワープレート５との間には空間６が形成されている。この空間６にはガス導入管１７が接続されている。
このガス導入管１７は、導体からなるとともに、ガス導入管１７の途中には絶縁体１７ａがシャーシ２１内側位置に介挿されてプラズマ励起電極４側とガス供給源側とが絶縁される。同時に、ガス導入管１７には、シャーシ２１の側壁を貫通する部分の外周を囲むように絶縁体１７ｂが設けられており、ガス導入管１７とシャーシ２１とが絶縁されている。
【００６８】
ガス導入管１７から導入されたガスは、シャワープレート５の多数の孔７，７からチャンバ壁１０により形成されたチャンバ室６０内に供給される。チャンバ壁１０とプラズマ励起電極（カソード電極）４とは絶縁体９により互いに絶縁されている。また、排気系の図示は省略してある。
一方、チャンバ室６０内には基板１６を載置しプラズマ励起電極ともなるウエハサセプタ（サセプタ電極）８が設けられている。
【００６９】
サセプタ電極８はシャフト１３で支持されており、このシャフト１３の下端部とチャンバ底部１０Ａ中心部とがベローズ１１により密閉接続されている。これら、ウエハサセプタ８およびシャフト１３はベローズ１１により上下動可能となっており、プラズマ励起電極４，８間の距離の調整ができる。
これらサセプタ電極８とシャフト１３とが接続されて、シャフト１３とベローズ１１とチャンバ壁１０とが接続されているため、サセプタ電極８，シャフト１３，ベローズ１１，チャンバ底部１０Ａ，チャンバ壁１０は直流的に同電位となっている。さらに、チャンバ壁１０とシャーシ２１は接続されているため、チャンバ壁１０，シャーシ２１，マッチングボックス２はいずれも直流的に同電位となっている。
【００７０】
ここで、整合回路２Ａは、プラズマチャンバＣＮ内のプラズマ状態等の変化に対応してインピーダンスを調整するために、その多くは複数の受動素子を具備する構成とされている。
整合回路２Ａは、図１，図２に示すように、複数の受動素子として、高周波電源１と給電板３との間に、コイル２３とチューニングコンデンサ２４とが直列に設けられ、これらコイル２３とチューニングコンデンサ２４とには、並列にロードコンデンサ２２が接続され、このロードコンデンサ２２の一端はマッチングボックス２１に接続されている。
マッチングボックス２は、同軸ケーブルとされる給電線１Ａのシールド線に接続されており、このシールド線がアースされている。これにより、サセプタ電極８，シャフト１３，ベローズ１１，チャンバ底部１０Ａ，チャンバ壁１０，シャーシ２１，マッチングボックス２は接地電位に設定されることになり、同時に、ロードコンデンサ２２の一端もアースされた状態となる。
【００７１】
本実施形態のプラズマ処理装置においては、１３．５６ＭＨｚ程度以上の周波数の電力、具体的には、例えば１３．５６ＭＨｚ，２７．１２ＭＨｚ，４０．６８ＭＨｚ等の周波数の電力を投入して、両電極４，８の間でプラズマを生成し、このプラズマにより、サセプタ電極８に載置した基板１６にＣＶＤ（  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ドライエッチング、アッシング等のプラズマ処理をおこなう。
このとき、高周波電力は、高周波電源１から給電線１Ａの同軸ケーブル，整合回路２Ａ，給電板３，プラズマ励起電極（カソード電極）４に供給される。一方、高周波電流の経路を考えた場合、電流はこれらを介してプラズマ空間（チャンバ室６０）を経由した後、さらにもう一方の電極（サセプタ電極）８，シャフト１３，ベローズ１１，チャンバ底部１０Ａ，チャンバ壁１０を通る。その後、シャーシ２１，マッチングボックス２，給電線１Ａのシールド線を通り、高周波電源１のアースに戻る。
【００７２】
ここで、本実施形態のプラズマ処理装置における第１直列共振周波数ｆ０  について説明する。
【００７３】
第１直列共振周波数ｆ０  は、プラズマチャンバＣＮのインピーダンスの周波数依存性を計測し、インピーダンスＺの極小値のうち最小の周波数の値であり、この値が、前記電力周波数ｆｅ  より大きな値の範囲になるよう設定される。
この第１直列共振周波数ｆ０  は、機械的な構造をその多くの要因としてきまる電気的高周波的な特性であり、具体的には図３，図４に示すように測定される。図３はプラズマ処理装置のインピーダンス特性を説明するための模式図であり、図４は、図３の等価回路を示す回路図である。
【００７４】
プラズマチャンバＣＮの測定範囲としては、整合回路２Ａの受動素子のうち出力最終段の受動素子の出力端子位置で切り離した状態をその対象とする。つまり、図３に示すように、給電板３に接続されるチューニングコンデンサ２４（図２参照）の出力端子位置ＰＲで、給電板３と整合回路２Ａの端子とのネジ止めを外して整合回路２Ａを切り離した状態のプラズマチャンバＣＮを測定範囲とする。
【００７５】
そして図３に破線で示すように、インピーダンス測定器ＡＮのプローブ１０５を切り離した出力端子位置ＰＲおよびプラズマチャンバＣＮの例えばシャーシ２１とされるアース位置に接続する。この状態で、インピーダンス測定器ＡＮの発振する測定周波数を例えば１ＭＨｚ〜１００ＭＨｚの範囲に変化させて、プラズマチャンバＣＮの上記測定範囲に対するインピーダンスのベクトル量（Ｚ，θ）を測定する。
このプローブ１０５は、図３示すように、導線１１０上に絶縁被覆１１２を設け、この絶縁被覆１１２上に外周導体１１１を被覆してなるものである。このプローブ１０５は同軸ケーブルを通してインピーダンス測定器（共振周波数測定器）ＡＮに接続されている。
【００７６】
ついで、図５に示すように、測定周波数ｆ（ＭＨｚ）を横軸とし、縦軸としてインピーダンスＺ（Ω）と位相θ（ｄｅｇ）とを同一のグラフ上にプロットしていく。ここで、図において、左側の縦軸はインピーダンスＺ（Ω）であり、右側の縦軸は位相θ（ｄｅｇ）に対応している。描画されたインピーダンス特性曲線および位相曲線のうち、インピーダンスの最小値Ｚｍｉｎ  の周波数、つまり、測定周波数ｆの低い側から数えて一番最初に位相θがマイナスからプラスに変化したときに、位相θがゼロとなる周波数を、第１直列共振周波数ｆ０  として定義する。
【００７７】
このとき、測定される第１直列共振周波数ｆ０  に対して、考慮されている電気的高周波的要因は、図３に示すように、上記測定範囲のうち、以下のものが考えられる。
給電板（フィーダ）３のインダクタンスＬｆ  および抵抗Ｒｆ
プラズマ励起電極４とサセプタ電極８との間のプラズマ電極容量Ｃｅ
シャフト１３のインダクタンスＬＣ  および抵抗ＲＣ
ベローズ１１のインダクタンスＬＢ  および抵抗ＲＢ
チャンバ壁１０のインダクタンスＬＡ  および抵抗ＲＡ
絶縁体１７ａを挟んでガス導入管１７とプラズマ励起電極４との間の容量ＣＡ
プラズマ励起電極４とシャーシ２１との間の容量ＣＢ
プラズマ励起電極４とチャンバ壁１０との間の容量ＣＣ
【００７８】
これらの電気的高周波的要因が、プラズマ発光時に供給される高周波電流が流れる回路と同様にして、図４に示すように、給電板（フィーダ）３のインダクタンスＬｆ  および抵抗Ｒｆ  、プラズマ励起電極４とサセプタ電極８との間のプラズマ電極容量Ｃｅ  、シャフト１３のインダクタンスＬＣ  および抵抗ＲＣ  、ベローズ１１のインダクタンスＬＢ  および抵抗ＲＢ  、チャンバ壁１０のインダクタンスＬＡ  および抵抗ＲＡ  、が順に直列に接続されてその終端の抵抗ＲＡ  がアースされるとともに、抵抗Ｒｆ  とプラズマ電極容量Ｃｅ  との間に、容量ＣＡ  ，容量ＣＢ  ，容量ＣＣ  の一端がアースされた状態でそれぞれ並列に接続された等価回路を形成しており、この等価回路のインピーダンス特性を計測することで、本実施形態の第１直列共振周波数ｆ０  を定義することができる。
【００７９】
このように定義された第１直列共振周波数ｆ０  の３倍が、高周波電源１から供給される電力周波数ｆｅ  より大きな値の範囲になるようにｆ００  （高周波特性Ａ０）が設定されて設計、製造されている。そして、本プラズマ処理装置が分解搬送後、納入先において再組み立てした後においても、さらに、その後それが使用され被処理物のプラズマ処理が行われても、さらには、分解掃除、部品交換、組み立て調整等の調整作業が施されても、その時の第１直列共振周波数ｆ０１  （高周波特性Ａ１）が、ｆ０１とｆ００  との差Δｆ０（ΔＡ）の絶対値がｆ００の１０％より小さい値となるように維持されている。そのために、もし、Δｆ０の絶対値がｆ００の１０％以上となった場合は是正作業が行われる。
ここで、第１直列共振周波数ｆ０１を是正する方法としては、例えば、
▲１▼給電板３の形状、長さを調整する。
▲２▼プラズマ励起電極４とチャンバ壁１０とのオーバーラップ面積を調整する。▲３▼プラズマ励起電極４とチャンバ壁１０との間の絶縁材の材質やその厚さを調節する。
▲４▼サセプタ８とチャンバ壁１０とを導体で接続する等、調整する。
等の手法を適用することができる。
【００８０】
例えば、本実施形態のプラズマ処理装置においては、電力周波数ｆｅ  を４０．６８ＭＨｚに設定して、０〜１００ＭＨｚの範囲の測定周波数ｆ（ＭＨｚ）に対してインピーダンスＺ（Ω）と位相θ（ｄｅｇ）を測定し、図６に示すように、インピーダンス特性曲線および位相曲線を描画する。そして、
３ｆ０    ＞  ｆｅ      （１）
を満たすように、第１直列共振周波数ｆ００を１６．５ＭＨｚとして設定する。
【００８１】
本実施形態のプラズマ処理装置においては、分解、搬送、再組み立て、その後の使用（プラズマ処理）、あるいは調整作業が施された後においても、第１直列共振周波数ｆ０１  が、ｆ０１とｆ００  との差Δｆ０（ΔＡ）の絶対値がｆ００の１０％より小さい値となるように維持されている。そのため、ある時間が経過する間に、上記のような電気的高周波的な特性に影響を与える可能性のある事象があった場合にも、その時間の前後で、電気的高周波的な特性の差をなくすことが可能となり、これにより、インピーダンス特性を指標とする一定の管理幅内に本装置のプラズマチャンバＣＮの状態を維持することが可能となるので、プラズマ空間で消費される実効的な電力等をそれぞれ略均一に維持することができる。
【００８２】
その結果、上記のような電気的高周波的な特性に影響を与える可能性のある事象があった場合にも、その時間の前後で同一のプロセスレシピを適用して、略同一のプラズマ処理結果を得ること、つまり、プラズマチャンバＣＮにおいて例えばある時間を隔てて成膜をおこなった際に、経過した時間の前後で、膜厚、絶縁耐圧、エッチングレート等、略同等な膜特性の膜を得ることが可能となる。具体的には、上記のΔｆ０（ΔＡ）の絶対値がｆ００の１０％より小さい値に維持することにより、時間の経過にかかわらず、すなわち、分解、搬送、再組み立てや使用回数、調整作業等の存在にかかわらず、略同一の条件で積層をおこなったプラズマチャンバＣＮにおいて、膜厚のばらつきの値を±５％の範囲におさめることができる。
そのため、従来考慮されていなかったプラズマ処理装置の全般的な電気的高周波的特性を設定することが可能となり、プラズマ発生の安定性を期待することができる。その結果、動作安定性が高く、プラズマチャンバＣＮで均一な動作が期待できるプラズマ処理装置を提供することが可能となる。
さらに、プラズマチャンバＣＮを複数備えたプラズマ処理装置、あるいはプラズマ処理装置を複数備えたプラズマ処理システムとして構成した場合には、複数のプラズマチャンバ間においても、同一のプロセスレシピを適用して、略同一のプラズマ処理結果が得られる状態を維持することが可能となる。
これにより、膨大なデータから外部パラメータと実際の基板を処理するような評価方法による処理結果との相関関係によるプロセス条件の把握を不必要とすることができる。
【００８３】
したがって、処理のばらつきをなくし同一のプロセスレシピにより略同一の処理結果を得るために必要な調整時間を、被処理基板１６への実際の成膜等による検査方法を採用した場合に比べて、第１直列共振周波数ｆ０  を測定することにより、大幅に短縮することができる。しかも、処理をおこなった基板の評価によりプラズマ処理装置の動作確認および、動作の評価をおこなうという２段階の方法でなく、ダイレクトにプラズマ処理装置の評価を、しかも、プラズマ処理装置のプラズマチャンバＣＮが設置してある場所で短時間におこなうことが可能である。その上、被処理基板１６への実際の成膜等による検査方法を採用した場合、別々に行うしかなかった複数のプラズマチャンバＣＮを有するプラズマ処理装置の場合についても、結果をほぼ同時に得ることができる。
このため、製造ラインを数日あるいは数週間停止してプラズマ処理装置の動作確認および、動作の評価をする必要がなくなり、製造ラインとしての生産性を向上することができる。また、このような調整に必要な検査用基板等の費用、この検査用基板の処理費用、および、調整作業に従事する作業員の人件費等、コストを削減することが可能となる。
【００８４】
さらに、本実施形態の各プラズマチャンバＣＮにおいては、その第１直列共振周波数ｆ０  の３倍を、前記電力周波数ｆｅ  より大きな範囲の値に設定することにより、従来は、考慮されていなかったププラズマチャンバＣＮの全体的な電気的高周波的な特性をそれぞれ適正な範囲に収めることができる。これにより、各プラズマチャンバＣＮにおいて動作安定性を向上して、従来一般的に使用されていた１３．５６ＭＨｚ程度以上の高い周波数の電力を投入した場合であっても、高周波電源１からの電力を、プラズマ励起電極４とサセプタ電極８との間のプラズマ発生空間に効率よく導入することが可能となる。同時に、同一周波数を供給した場合に、従来のプラズマ処理装置と比べてプラズマ空間で消費される実効的な電力を大きくし、生成するプラズマ密度の上昇を図ることができる。
その結果、プラズマ励起周波数の高周波化による処理速度の向上を図ること、つまり、プラズマＣＶＤ等により膜の積層をおこなう際には、堆積速度の向上を図ることができる。同時に、プラズマ発生の安定性を期待することができる。その結果、動作安定性の高いプラズマ処理装置を提供することが可能となる。しかも、これらを、複数のプラズマチャンバＣＮを備えたプラズマ処理装置、あるいはプラズマ処理システムとして構成することもできる。
【００８５】
さらに、プラズマ空間に効率よく電力が供給されることにより、プラズマの不要な広がりも抑制でき、被処理基体１６における膜面内方向におけるプラズマ処理の均一性の向上を図ることができ、成膜処理においては膜厚の膜面内方向分布の均一性の向上を図ることが可能となる。
同時に、プラズマ空間で消費される実効的な電力の増加により、プラズマＣＶＤ、スパッタリングなどの成膜処理においては、成膜状態の向上、すなわち、堆積した膜における絶縁耐圧や、エッチング液に対する耐エッチング性、そして、いわゆる膜の「固さ」つまり膜の緻密さ等の膜特性の向上を図ることが可能となる。
ここで、膜の緻密さは例えば、ＢＨＦ液によるエッチングに対する浸食されにくさ、耐エッチング性によって表現可能である。
【００８６】
また、本実施形態によれば、同一周波数を供給した場合に、従来のプラズマ処理装置と比べてプラズマ空間で消費される実効的な電力の増加を図ることができるため、電力の消費効率を向上し、同等の処理速度もしくは膜特性を得るために、従来より少ない投入電力ですむようにできる。しかも、これらを、複数のプラズマチャンバＣＮを備えたプラズマ処理装置、あるいはプラズマ処理システムにおいて実現することもできる。したがって、本実施形態により、電力損失の低減を図ること、ランニングコストの削減を図ること、生産性の向上を図ることがより一層可能になる。同時に、処理時間をより短縮することが可能となるため、プラズマ処理時の電力消費に伴う二酸化炭素の総量を相当量削減することが可能となる。
【００８７】
なお、図１５に示すように、それぞれのインピーダンスが一致する複数本の導線１０１ａ〜１０１ｈの一端をプローブ取付具１０４に接続してなるフィクスチャを使用してプラズマチャンバＣＮのインピーダンス特性を測定することも可能である。
プローブ取付具１０４は、例えば５０ｍｍ×１０ｍｍ×０．５ｍｍの銅板を、締め付け部１０６とリング部とができるように成形されている。リング部はプローブ１０５の外側にはめ込み可能な径とされる。このプローブ取付部１０４に導線１０１ａ〜１０１ｈの一端をハンダ付けなどにより電気的に接続する。
導線１０１ａ〜１０１ｈの他端には、測定対象（プラズマチャンバＣＮ）との着脱用の端子（圧着端子）１０２ａ〜１０２ｈが取り付けられている。
このフィクスチャを使用するに際してはプローブ取付具１０４のリング状部１０４をプローブ１０５にはめ込み、締め付け部１０６で締め付けを行う。一方各導線１０１ａ〜１０１ｈは略点対称となるように圧着端子１０２ａ〜１０２ｈにおいて測定対象に、図１６に示すように、ねじ１１４により着脱自在にねじ止めする
導体１０１ａ〜１０１ｈは、例えばアルミニウム、銅、銀、金により構成すればよく、または、銀、金を５０μｍ以上メッキして構成してもよい。
【００８８】
このようなフィクスチャを使用してインピーダンスを測定する方法を、図１、図１５、及び図１６を用いて説明する。
まずプラズマ処理装置の高周波電源１とマッチングボックス２をプラズマ処理装置から取り外す。インピーダンス測定具のプローブ１０５の導線１１０をマッチングボックス２と給電板３とを接続する導線１１３に接続する。次いでインピーダンス測定具のフィクスチャの導線１０１ａ〜１０１ｈに接続する圧着端子１０２ａ〜１０２ｈをプラズマ処理装置のハウジング２１に給電板３を中心とする略点対称となるようにネジ１１４によってネジ止めする。インピーダンス測定具をこのように配置した後、測定信号をインピーダンス測定具の導線１１０に供給し、前記プラズマ処理装置の給電板３からプラズマ空間６０を経てハウジング２１に至る経路のインピーダンスを測定する。
これにより、測定対象の大きさ、あるいは、測定する２点間の距離に制約を与えることなく、かつ、測定対象に均一に電流を流すことができ、測定対象のインピーダンスを測定するのに影響を及ぼさない残留インピーダンス値を設定することにより、正確にインピーダンス測定をおこなうことができる。
【００８９】
なお、本実施形態においては、図１に示したように、サセプタ電極側８に基板１６を載置してプラズマ励起電極４に対する電力周波数ｆｅ  と第１直列共振周波数ｆ０  とを設定したが、カソード電極４側に基板１６を取り付けるよう対応することも可能である。
【００９０】
以下、本発明に係るプラズマ処理装置の第２実施形態を、図面に基づいて説明する。
［第２実施形態］
図７は本実施形態のプラズマ処理装置の概略構成を示す断面図である。
【００９１】
本実施形態のプラズマ処理装置は、２周波励起タイプのプラズマ処理装置とされ、図１〜図４に示した第１実施形態と異なるのはサセプタ電極８側に電力を供給する点と、測定用端子６１に関する点と、第１直列共振周波数ｆ０  の設定に関する点である。それ以外の対応する構成要素には同一の符号を付してその説明を省略する。
本実施形態のプラズマ処理装置は、高周波特性Ａとして前記整合回路２Ａの出力端子位置ＰＲから測定した前記プラズマチャンバＣＮの第１直列共振周波数ｆ０  の１．３倍が、前記高周波電源１からプラズマチャンバＣＮに供給される電力周波数ｆｅ  より大きな値の範囲になるようにｆ００  （高周波特性Ａ０）が設定されて設計、製造されている。そして、分解搬送後、納入先において再組み立てした後においても、さらに、その後の使用期間においても、その時の第１直列共振周波数ｆ０１  （高周波特性Ａ１）が、ｆ０１とｆ００  との差Δｆ０（ΔＡ）の絶対値がｆ００の１０％より小さい値となるように維持されている。
【００９２】
本実施形態のプラズマ処理装置は、図７に示すように、サセプタ電極８の周囲にサセプタシールド１２が設けられ、サセプタ電極８およびサセプタシールド１２はベローズ１１により上下動可能に構成されている。この構成により、プラズマ励起電極４とサセプタ電極８との間の距離が調整可能となっている。また、サセプタ電極８は、シャフト１３下端に接続された給電板２８、および、導電体からなるサセプタ電極側マッチングボックス２６内部に収納された整合回路２５を介して第２の高周波電源２７と接続されている。
これら給電板２８は、サセプタシールド１２の支持筒１２Ｂ下端に接続されたシャーシ２９に覆われるとともに、シャーシ２９は、同軸ケーブルとされる給電線２７Ａのシールド線によって接続されマッチングボックス２６とともにアースされている。これにより、サセプタシールド１２，シャーシ２９，マッチングボックス２６は直流的に同電位となっている。
【００９３】
ここで、整合回路２５は、第２の高周波電源２７とサセプタ電極８との間のインピーダンスの整合を図るものとされ、この整合回路２５としては、図７に示すように、複数の受動素子として、第２の高周波電源２７と給電板２８との間に、コイル３０とチューニングコンデンサ３１とが直列に設けられ、これらと並列にロードコンデンサ３２が接続され、このロードコンデンサ３２の一端はマッチングボックス２６に接続されており、整合回路２Ａと略同様の構成とされている。マッチングボックス２６は給電線２７Ａのシールド線を介して接地電位に設定されており、同時に、ロードコンデンサ３２の一端がアースされている。なお、コイル３０と直列にチューニングコイルを接続することや、ロードコンデンサ３２と並列にロードコンデンサを設けることも可能である。
給電板２８としては給電板３と同様なものが適用され、この給電板２８は整合回路２５からの端子およびシャフト１３にそれぞれネジ止めされている。
【００９４】
本実施形態のプラズマチャンバＣＮの測定範囲である、整合回路２Ａの受動素子のうち出力最終段の受動素子であるチューニングコンデンサ２４の出力端子位置ＰＲには、前記プラズマチャンバＣＮのインピーダンス測定用端子（共振周波数測定用端子）６１が設けられている。このインピーダンス測定用端子６１は、第１実施形態で測定範囲を規定した出力端子位置ＰＲから、導体によってシャーシ２１の外部までのびている。
【００９５】
本実施形態のプラズマ処理装置においては、サセプタ電極８上に被処理基板１６を載置し、第１、第２の高周波電源１，２７からプラズマ励起電極４とサセプタ電極８の双方にそれぞれ高周波電力を印加するとともにガス導入管１７からシャワープレート５を介して反応ガスをチャンバ６０内に供給してプラズマを発生させ、被処理基板１６に対して成膜等のプラズマ処理をおこなう。このとき、第１の高周波電源１から１３．５６ＭＨｚ程度以上の周波数の電力、具体的には、例えば１３．５６ＭＨｚ，２７．１２ＭＨｚ，４０．６８ＭＨｚ等の周波数の電力を投入する。そして、第２の高周波電源２７からも第１の高周波電源１と同等の電力を供給するか、または、異なる周波数の電力、例えば１．６ＭＨｚ程度の電力を投入することもできる。
【００９６】
ここで、本実施形態のプラズマ処理装置における第１直列共振周波数ｆ０  は、第１実施形態と同様にして測定・定義する。本実施形態の第１直列共振周波数ｆ０  は、具体的には図８，図９に示すように測定・定義される。
図８は本実施形態のプラズマ処理装置のインピーダンス特性を説明するための模式図であり、図９は、図８の等価回路を示す回路図である。
【００９７】
本実施形態のプラズマチャンバＣＮの測定範囲としては、インピーダンス測定用端子６１からみたプラズマチャンバＣＮの状態をその対象とする。つまり、図９に示すように、第１実施形態における測定範囲に対して、チューニングコンデンサ２４の出力端子位置ＰＲと直列に接続されたインピーダンス測定用端子６１、および、出力端子位置ＰＲから給電板３等と並列に接続された整合回路２Ａ、サセプタ電極８に接続された整合回路２５をも含んで測定範囲とする。
ここで、図には高周波電源１，２７が記載してあるが、これらは電力供給状態を示すものではなく、整合回路２Ａ，２５の設置状態を示すことを主眼とするものである。というのも、電力供給状態においては、インピーダンス特性を計測することはできないからである。
【００９８】
そして、図８に破線で示すように、インピーダンス測定器ＡＮのプローブ１０５をインピーダンス測定用端子６１およびプラズマチャンバＣＮの例えばシャーシ２１とされるアース位置に接続する。この状態で、インピーダンス測定器ＡＮの発振する測定周波数を例えば１ＭＨｚ〜１００ＭＨｚの範囲に変化させて、プラズマチャンバＣＮの上記測定範囲に対するインピーダンスのベクトル量（Ｚ，θ）を測定する。
【００９９】
ついで、図１０に示すように、測定周波数ｆ（ＭＨｚ）を横軸とし、縦軸としてインピーダンスＺ（Ω）と位相θ（ｄｅｇ）とを同一のグラフ上にプロットしていく。ここで、図において、左側の縦軸はインピーダンスＺ（Ω）であり、右側の縦軸は位相θ（ｄｅｇ）に対応している。描画されたインピーダンス特性曲線および位相曲線のうち、インピーダンスの最小値Ｚｍｉｎ  の周波数、つまり、測定周波数ｆの低い側から数えて一番最初に位相θがマイナスからプラスに変化したときに、位相θがゼロとなる周波数を、第１直列共振周波数ｆ０  として定義する。
【０１００】
このとき、測定される第１直列共振周波数ｆ０  に対して、考慮されている電気的高周波的要因は、図８に示すように、上記測定範囲のうち、以下のものが考えられる。
整合回路２Ａからの寄与
給電板（フィーダ）３のインダクタンスＬｆ  および抵抗Ｒｆ
プラズマ励起電極４とサセプタ電極８との間のプラズマ電極容量Ｃｅ
整合回路２５からの寄与
サセプタ電極８とサセプタシールド１２との間の容量ＣＳ
シャフト１３のインダクタンスＬＣ  および抵抗ＲＣ
ベローズ１１のインダクタンスＬＢ  および抵抗ＲＢ
チャンバ壁１０のインダクタンスＬＡ  および抵抗ＲＡ
絶縁体１７ａを挟んだガス導入管１７とプラズマ励起電極４との間の容量ＣＡ
プラズマ励起電極４とシャーシ２１との間の容量ＣＢ
プラズマ励起電極４とチャンバ壁１０との間の容量ＣＣ
【０１０１】
これらの電気的高周波的要因が、プラズマ発光時に供給される高周波電流の流れる回路と同様と見なせる状態として、図９に示すように、給電板（フィーダ）３のインダクタンスＬｆ  および抵抗Ｒｆ  、プラズマ励起電極４とサセプタ電極８との間のプラズマ電極容量Ｃｅ  、サセプタ電極８とサセプタシールド１２との間の容量ＣＳ  、シャフト１３のインダクタンスＬＣ  および抵抗ＲＣ  、ベローズ１１のインダクタンスＬＢ  および抵抗ＲＢ  、チャンバ壁１０のインダクタンスＬＡ  および抵抗ＲＡ  が、順に直列に接続されてその終端の抵抗ＲＡ  がアースされるとともに、出力端子位置ＰＲに接続された整合回路２Ａからの寄与、抵抗Ｒｆ  とプラズマ電極容量Ｃｅ  との間に一端がアースされた状態でそれぞれ並列に接続された容量ＣＡ  ，容量ＣＢ  ，容量ＣＣ  、および、プラズマ電極容量Ｃｅ  と容量ＣＳ  との間に接続された整合回路２５からの寄与が、等価回路を形成しており、この等価回路のインピーダンス特性を計測することで、本実施形態の第１直列共振周波数ｆ０  を定義することができる。
【０１０２】
このように定義された第１直列共振周波数ｆ０  の１．３倍が、高周波電源１から供給される電力周波数ｆｅ  より大きな値の範囲になるようにｆ００  （高周波特性Ａ０）が設定されて設計、製造されている。そして、本プラズマ処理装置が分解搬送後、納入先において再組み立てした後においても、さらに、その後それが使用され被処理物のプラズマ処理が行われても、さらには、分解掃除、部品交換、組み立て調整等の調整作業が施されても、その時の第１直列共振周波数ｆ０１  （高周波特性Ａ１）が、ｆ０１とｆ００  との差Δｆ０（ΔＡ）の絶対値がｆ００の１０％より小さい値となるように維持されている。そのために、もし、Δｆ０の絶対値がｆ００の１０％以上となった場合は是正作業が行われる。
ここで、第１直列共振周波数ｆ０１を是正する方法としては、例えば、
▲１▼給電板３の形状を変化させる。
▲２▼プラズマ励起電極４とチャンバ壁１０とのオーバーラップ面積を制御する。
▲３▼プラズマ励起電極４とチャンバ壁１０との間の絶縁を厚くする。
▲４▼サセプタシールド１２とチャンバ壁１０とを短絡する。
等の手法を適用することができる。
【０１０３】
例えば、本実施形態のプラズマ処理装置においては、電力周波数ｆｅ  を４０．６８ＭＨｚに設定して、０〜１００ＭＨｚの範囲の測定周波数ｆ（ＭＨｚ）に対してインピーダンスＺ（Ω）と位相θ（ｄｅｇ）を測定し、図１０に示すように、インピーダンス特性曲線および位相曲線を描画する。そして、
１．３ｆ０    ＞  ｆｅ      （２）
を満たすように、第１直列共振周波数ｆ００を４２．５ＭＨｚとして設定する。
【０１０４】
本実施形態のプラズマ処理装置においては、第１実施形態と同等の効果を奏するとともに、前記プラズマチャンバＣＮの前記整合回路２Ａの出力端子位置ＰＲに、前記プラズマチャンバＣＮのインピーダンス測定用端子６１を設けることにより、プラズマチャンバＣＮのインピーダンス特性測定時において、第１実施形態のようにプラズマチャンバＣＮと整合回路２Ａとを切り離すために、電力供給線と整合回路２Ａとを着脱する必要がない。このため、前記プラズマチャンバＣＮのインピーダンス特性を測定する際のプロービングを容易におこなうことが可能となり、第１直列共振周波数ｆ０  の測定時における作業効率を向上することができる。
ここで、インピーダンス測定用端子６１にインピーダンス測定器ＡＮを接続してプラズマチャンバＣＮの周波数特性を測定する際に、測定用端子６１からみるとプラズマチャンバＣＮと並列に整合回路２Ａが接続されており、一見すると測定すべきインピーダンスに対して正確な測定ができないようにみえる。しかし、高周波電力供給時に使用される整合回路２Ａを並列に接続した場合、図１０に破線で示す整合回路２Ａが接続されていない場合のインピーダンスＺに比べて、図１０に実線で示すように、インピーダンス特性曲線の形状は変化するが、急峻になっている第１直列共振周波数ｆ０  付近ではあまり変化がない。したがって、この第１直列共振周波数ｆ０  を測定する際には、並列に接続された整合回路２Ａの影響は少ないといえるので、第１直列共振周波数ｆ０  を簡便に測定することが可能となる。
【０１０５】
なお、本実施形態において、インピーダンス測定用端子６１が、マッチングボックス２を貫通せずに、インピーダンスを測定する際にプラズマ処理装置の高周波電源１とマッチングボックス２をプラズマ処理装置から取り外すように構成することも可能である。この場合にも、第１実施形態のようにプラズマチャンバＣＮと整合回路２Ａとを切り離すために、電力供給線と整合回路２Ａとを着脱する必要がなく、第１直列共振周波数ｆ０  の測定時における作業効率を向上することができる。
【０１０６】
以下、本発明に係るプラズマ処理装置の第３実施形態を、図面に基づいて説明する。
［第３実施形態］
図１１は本実施形態のプラズマ処理装置の概略構成を示す断面図である。
【０１０７】
本実施形態のプラズマ処理装置は、２周波励起タイプのプラズマ処理装置とされ、図７〜図９に示した第２実施形態と異なるのは、測定用端子６１付近の構成に関する点と、第１直列共振周波数ｆ０  および直列共振周波数ｆ０’の設定に関する点である。それ以外の対応する構成要素には同一の符号を付してその説明を省略する。
本実施形態のプラズマ処理装置は、高周波特性Ａとして前記整合回路２Ａの出力端子位置ＰＲから測定した前記プラズマチャンバＣＮの第１直列共振周波数ｆ０  が、前記高周波電源１からプラズマチャンバＣＮに供給される電力周波数ｆｅ  の３倍りよ大きな値の範囲になるように、ｆ００  （高周波特性Ａ０）が設定されて設計、製造されている。
また、後述するように、他の高周波特性Ａ’として電極間４，８の容量Ｃｅ  によって規定される直列共振周波数ｆ０’が、電力周波数ｆｅ  の（電極間の距離ｄ／プラズマ非発光部の距離δ）の平方根倍よりも大きくなるように、ｆ００’（高周波特性Ａ０’）が設定されて設計、製造されている。
そして、分解搬送後、納入先において再組み立てした後においても、さらに、その後の使用期間においても、その時の第１直列共振周波数ｆ０１  （高周波特性Ａ１）が、ｆ０１とｆ００  との差Δｆ０（ΔＡ）の絶対値がｆ００の１０％より小さい値となるように維持されている。また、その時の直列共振周波数ｆ０１’（高周波特性Ａ１’）も、ｆ０１’とｆ００’との差Δｆ０’（ΔＡ’）の絶対値がｆ００’の１０％より小さい値となるように維持されている。
【０１０８】
本実施形態のプラズマ処理装置は、図１１に示すように、整合回路２Ａの出力端子位置ＰＲ付近に、前記整合回路２Ａと前記インピーダンス測定用端子（共振周波数測定用端子）６１とを切り替えるスイッチとして、整合回路２Ａと給電板３との間に設けられるスイッチＳＷ１と、インピーダンス測定用端子６１と給電板との間に設けられるスイッチＳＷ２とが設けられている。
これらスイッチ、ＳＷ１，ＳＷ２は、前記高周波電力配電体３端部と前記共振周波数測定用端子６１との間に、プラズマを励起する際には前記配電体３端部と前記測定用端子６１との電気的接続（ＳＷ２）を切るとともに前記配電体３端部と前記整合回路２Ａの出力端子ＰＲとの電気的接続（ＳＷ１）を確保し、かつ、前記プラズマ処理室ＣＮの共振周波数を測定する際には前記配電体３端部と前記測定用端子６１との電気的接続を確保するとともに前記配電体３と前記整合回路２Ａの出力端子ＰＲとの電気的接続を切断するものとされている。
【０１０９】
ここで、スイッチＳＷ１，ＳＷ２を整合回路２Ａ側に接続した場合における整合回路２Ａの出力端子位置ＰＲ側からのインピーダンス特性（共振周波数特性）と、スイッチＳＷ１，ＳＷ２を前記インピーダンス測定用端子６１側に接続した場合におけるインピーダンス測定用端子６１側からのインピーダンス特性（共振周波数特性）とが等しく設定さる、つまり、後述の図１１に示すように、スイッチＳＷ１付近のインピーダンスＺ１  とスイッチＳＷ２付近のインピーダンスＺ２  とが等しく設定される。
すなわち、前記スイッチＳＷ１，ＳＷ２により、前記高周波配電体３端部と前記共振周波数測定用端子６１との電気的接続を切るとともに前記配電体３端部と前記整合回路２Ａの出力端子ＰＲとの電気的接続を確保した場合における前記整合回路２Ａの出力端子ＰＲ位置で測定する共振周波数特性と、前記スイッチＳＷ１，ＳＷ２により、前記配電体３端部と前記測定用端子６１との電気的接続を確保するとともに前記配電体３と前記整合回路２Ａの出力端子ＰＲとの電気的接続を切断した場合における前記共振周波数測定用端子６１で測定した共振周波数特性と、が等しく設定されてなる。
【０１１０】
これは、スイッチＳＷ１を整合回路２Ａ側に接続してスイッチＳＷ２を開いた場合における整合回路２Ａの出力端子ＰＲ側つまり出力端子位置ＰＲからスイッチＳＷ２への分岐点ＢまでのインピーダンスＺ１  と、前記スイッチＳＷ２を前記インピーダンス測定用端子６１側に接続してスイッチＳＷ１を開いた場合におけるインピーダンス測定用端子６１側つまりインピーダンス測定用端子６１からスイッチＳＷ１への分岐点ＢまでのインピーダンスＺ２  とが等しく設定されるということを意味している。
インピーダンス測定用端子６１には、図８に示した第２実施形態と同様に、インピーダンス測定器ＡＮのプローブが着脱自在に接続されてなる。このプローブには、同時に、プラズマチャンバＣＮの例えばシャーシ２１とされるアース位置に着脱自在に接続されている。
【０１１１】
ここで、本実施形態のプラズマ処理装置における第１直列共振周波数ｆ０  は、第２実施形態と同様にして測定・定義する。本実施形態の第１直列共振周波数ｆ０  は、具体的には図１１，図１２に示すように測定・定義される。
図１２は図１１の本実施形態のプラズマ処理装置のインピーダンス特性測定用の等価回路を示す回路図である。
【０１１２】
本実施形態のプラズマ処理装置においては、スイッチＳＷ１を閉じるとともに、スイッチＳＷ２を開いた状態において、図７〜図９に示した第２実施形態と同様にして、サセプタ電極８上に被処理基板１６を載置し、第１、第２の高周波電源１，２７からプラズマ励起電極４とサセプタ電極８の双方にそれぞれ高周波電力を印加するとともにガス導入管１７からシャワープレート６を介して反応ガスをチャンバ６０内に供給してプラズマを発生させ、被処理基板１６に対して成膜等のプラズマ処理をおこなう。このとき、第１の高周波電源１から１３．５６ＭＨｚ程度以上の周波数の電力、具体的には、例えば１３．５６ＭＨｚ，２７．１２ＭＨｚ，４０．６８ＭＨｚ等の周波数の電力を投入する。そして、第２の高周波電源２７からも第１の高周波電源１からと同等か、異なる周波数の電力、例えば１．６ＭＨｚ程度の電力を投入することもできる。
【０１１３】
本実施形態のプラズマチャンバＣＮの測定範囲としては、インピーダンス測定用端子６１からみたプラズマチャンバＣＮの状態をその対象とする。これは、図１１に示すように、スイッチＳＷ１付近のインピーダンスＺ１  とスイッチＳＷ２付近のインピーダンスＺ２  とが等しく設定されたことで、出力端子位置ＰＲからみた状態のプラズマチャンバＣＮの測定範囲に等しいものとなっている。
これは、図１１に示すように、第２実施形態における測定範囲に対して、スイッチＳＷ１によって整合回路２Ａを測定範囲から切り離し、測定範囲外とすることができるため、プラズマチャンバＣＮ単独のより正確なインピーダンス特性を測定することが可能となる。ここで、第２実施形態における測定範囲と比べるとスイッチＳＷ２が加わっているが、これは、プラズマ発光時にはスイッチＳＷ１は閉じた状態となっている、つまり、インピーダンス特性に対するスイッチＳＷ１の寄与が存在していることに対応している。すなわち、このスイッチＳＷ１付近のインピーダンスＺ１  と等しいインピーダンスＺ２  を有するスイッチＳＷ２付近を含んで上記測定範囲とすることにより、インピーダンス測定用端子６１からみたプラズマチャンバＣＮの測定範囲を、実際にプラズマ発光時に高周波電流の流れる回路状態に近づけてインピーダンス測定の正確性をより向上することが可能となる。
【０１１４】
そして、スイッチＳＷ２を閉じるとともに、スイッチＳＷ１を開いた状態に設定して、図７〜図９に示した第２実施形態と同様にして、インピーダンス測定器ＡＮの発振する測定周波数を例えば１ＭＨｚ〜１５０ＭＨｚの範囲に変化させて、プラズマチャンバＣＮの上記測定範囲に対するインピーダンスのベクトル量（Ｚ，θ）を測定する。ここで、インピーダンス測定器ＡＮが、インピーダンス測定用端子６１に着脱自在に接続されてなることにより、プラズマチャンバＣＮと整合回路２Ａとを着脱することなく、かつ、第２実施形態における図８に示したインピーダンス測定プローブ１０５を着脱することなく、スイッチＳＷ１，ＳＷ２切り替えのみによりインピーダンス特性の測定および第１直列共振周波数ｆ０  の測定を容易におこなうことが可能となる。
【０１１５】
ついで、図１３に示すように、測定周波数ｆ（ＭＨｚ）を横軸とし、縦軸としてインピーダンスＺ（Ω）と位相θ（ｄｅｇ）とを同一のグラフ上にプロットしていく。ここで、図において、左側の縦軸はインピーダンスＺ（Ω）であり、右側の縦軸は位相θ（ｄｅｇ）に対応している。描画されたインピーダンス特性曲線および位相曲線のうち、インピーダンスの最小値Ｚｍｉｎ  の周波数、つまり、測定周波数ｆの低い側から数えて一番最初に位相θがマイナスからプラスに変化したときに、位相θがゼロとなる周波数を、第１直列共振周波数ｆ０  として定義する。
【０１１６】
このとき、測定される第１直列共振周波数ｆ０  に対して、考慮されている電気的高周波的要因は、図１３に示すように、上記測定範囲のうち、以下のものが考えられる。
スイッチＳＷ２のインダクタンスＬＳＷおよび抵抗ＲＳＷ
給電板（フィーダ）３のインダクタンスＬｆ  および抵抗Ｒｆ
プラズマ励起電極４とサセプタ電極８との間のプラズマ電極容量Ｃｅ
整合回路２５からの寄与
サセプタ電極８とサセプタシールド１２との間の容量ＣＳ
シャフト１３のインダクタンスＬＣ  および抵抗ＲＣ
ベローズ１１のインダクタンスＬＢ  および抵抗ＲＢ
チャンバ壁１０のインダクタンスＬＡ  および抵抗ＲＡ
絶縁体１７ａを挟んでガス導入管１７とプラズマ励起電極４との間の容量ＣＡ
プラズマ励起電極４とシャーシ２１との間の容量ＣＢ
プラズマ励起電極４とチャンバ壁１０との間の容量ＣＣ
【０１１７】
これらの電気的高周波的要因が、プラズマ発光時に供給される高周波電流が流れる回路と同様と見なせる状態として、図１２に示すように、スイッチＳＷ２のインダクタンスＬＳＷおよび抵抗ＲＳＷ、給電板（フィーダ）３のインダクタンスＬｆ  および抵抗Ｒｆ  、プラズマ励起電極４とサセプタ電極８との間のプラズマ電極容量Ｃｅ  、サセプタ電極８とサセプタシールド１２との間の容量ＣＳ  、シャフト１３のインダクタンスＬＣ  および抵抗ＲＣ  、ベローズ１１のインダクタンスＬＢ  および抵抗ＲＢ  、チャンバ壁１０のインダクタンスＬＡ  および抵抗ＲＡ  、が順に直列に接続されてその終端の抵抗ＲＡ  がアースされるとともに、抵抗Ｒｆ  とプラズマ電極容量Ｃｅ  との間に一端がアースされた状態でそれぞれ並列に接続された容量ＣＡ  ，容量ＣＢ  ，容量ＣＣ  、および、プラズマ電極容量Ｃｅ  と容量ＣＳ  との間に接続された整合回路２５からの寄与が、等価回路を形成しており、この等価回路のインピーダンス特性を計測することで、本実施形態の第１直列共振周波数ｆ０  を定義することができる。
【０１１８】
このように定義された第１直列共振周波数ｆ０  が、高周波電源１から供給される電力周波数ｆｅ  の３倍より大きな値の範囲になるようにｆ００  （高周波特性Ａ０）が設定されて設計、製造されている。そして、本プラズマ処理装置が分解搬送後、納入先において再組み立てした後においても、さらに、その後それが使用され被処理物のプラズマ処理が行われても、さらには、分解掃除、部品交換、組み立て調整等の調整作業が施されても、その時の第１直列共振周波数ｆ０１  （高周波特性Ａ１）が、ｆ０１とｆ００  との差Δｆ０（ΔＡ）の絶対値がｆ００の１０％より小さい値となるように維持されている。そのために、もし、Δｆ０の絶対値がｆ００の１０％以上となった場合は是正作業が行われる。
ここで、第１直列共振周波数ｆ０  を是正する方法としては、例えば、
▲１▼給電板３の形状、長さを太く短くする。
▲２▼プラズマ励起電極４とチャンバ壁１０とのオーバーラップ面積を減少する。
▲３▼プラズマ励起電極４とチャンバ壁１０との間の絶縁を厚くする。
▲４▼サセプタシールド１２とチャンバ壁１０とを導体で短絡する。
等の手法を適用することができる。
【０１１９】
例えば、本実施形態のプラズマ処理装置においては、電力周波数ｆｅ  を４０．６８ＭＨｚに設定して、０〜１５０ＭＨｚの範囲の測定周波数ｆ（ＭＨｚ）に対してインピーダンスＺ（Ω）と位相θ（ｄｅｇ）を測定し、図１３に示すように、インピーダンス特性曲線および位相曲線を描画する。そして、
ｆ０  ＞  ３ｆｅ            （３）
を満たすように、第１直列共振周波数ｆ００  を１２３．７８ＭＨｚとして設定する。
【０１２０】
そして、本実施形態においては、プラズマ励起電極（電極）４とサセプタ電極（対向電極）８との間のプラズマ電極容量Ｃｅ  によって規定される直列共振周波数ｆ０’を、前記電力周波数ｆｅ  の３倍より大きな値の範囲に設定する。
ｆ０’  ＞  ３ｆｅ            （４）
ここで、直列共振周波数ｆ０’は、上記の第１直列共振周波数ｆ０’における、インピーダンス特性の測定と同様にして、プラズマ励起電極４，サセプタ電極８間のインピーダンス特性として定義されるものである。
つまりサセプタ電極８の一端をアースして、プラズマ励起電極４の一端からインピーダンス特性を測定し、測定周波数ｆの低い側から数えて一番最初に位相θがマイナスからプラスに変化したときに、位相θがゼロとなる周波数を、直列共振周波数ｆ０’として定義している。
直列共振周波数ｆ０’は、プラズマ励起電極４とサセプタ電極８との機械的な形状によって規定される電気的高周波的な特性であり、プラズマ励起電極４とサセプタ電極８との間のプラズマ電極容量Ｃｅ  の平方根の逆数に比例する値となる。これにより、直接プラズマを発光させる前記電極４，８の周波数特性を規定できるため、プラズマ発光空間に対して電力をより効果的に投入することができ、さらなる電力消費効率の向上か、または、処理効率の向上を図ることが可能となる。
【０１２１】
さらに、本実施形態においては、プラズマ励起電極４とサセプタ電極８との間のプラズマ電極容量Ｃｅ  によって規定される直列共振周波数ｆ０’を、前記電力周波数ｆｅ  に対して、下記（５）式なる関係を満たすように設定する。
ｆ０’  ＞  （ｄ／δ）１／２            （５）
【０１２２】
図１４は、プラズマ発光状態における電極間の状態を示す模式図である。
図１４に示すように、この対向する平行平板型とされるプラズマ励起電極４，サセプタ電極８間の距離をｄとし、この電極４，８間の距離方向においてそれぞれの電極４，８と発光時のプラズマとの距離の和をδとする。つまり、プラズマ発光時に目視できるプラズマ発光領域Ｐとプラズマ励起電極４との間のプラズマ発光していない部分の距離をδａ  、プラズマ発光領域Ｐとサセプタ電極８との間のプラズマ発光していない部分の距離をδｂ  としたときに、式（６）に示すようにこれらの和をδとする。
δａ  ＋δｂ  ＝  δ            （６）
ここで、電極４，８間の距離ｄと、電極４，８間においてプラズマの発光していない部分の距離の和δとから、実際にプラズマ発光状態における電極４，８間のモデル的な容量Ｃ０”が求められる。
【０１２３】
プラズマ発光時における平行平板電極４，８は、その間にあるプラズマ発光領域Ｐが導体として見なせるため、あたかも、電極４，８間の距離がδになったようにみなすことができる。その結果、プラズマ発光時の平行平板電極４，８間の容量Ｃ０”は、電極４，８間の距離に反比例するため、非プラズマ発光時に容量Ｃ０  だったものが、プラズマ発光時には見かけ上ｄ／δ倍になる。
Ｃ０    ∝  １／ｄ
Ｃ０”  ∝  １／δ              （７）
∴Ｃ０”  ∝  ｄ／δ・Ｃ０
【０１２４】
そして、前記直列共振周波数ｆ０’は容量Ｃ０  の平方根の逆数に比例するため、プラズマ発光時における電極４，８間の直列共振周波数ｆ０”は容量Ｃ０”の平方根の逆数に比例する、つまり、ｄ／δの平方根の逆数に比例する。
ｆ０’  ∝  １／Ｃ０  
ｆ０”  ∝  １／Ｃ０”                  （８）
∴ｆ０”  ∝  （ｄ／δ）−１／２・ｆ０’
【０１２５】
このプラズマ発光時における電極４，８間の直列共振周波数ｆ０”と前記電力周波数ｆｅ  との関係を第１直列共振周波数ｆ０  と電力周波数ｆｅ  との関係のように設定する。
ｆ０”  ＞  ｆｅ            （９）
この式（９）を式（８）によって書き直すと、上記式（５）となる。
前記直列共振周波数ｆ０’と前記電力周波数ｆｅ  とが、上記式（５）なる関係を満たしてなることにより、、上記のプラズマ発光時におけるモデル的な容量Ｃ０”から規定される直列共振周波数ｆ０”の値と、非プラズマ発光時における電極４，８間の容量から規定される直列共振周波数ｆ０’の値との関係を設定することができる。したがって、直列共振周波数ｆ０’のｄ／δの平方根の逆数倍の値が、電力周波数ｆｅ  よりも大きく設定されることにより、プラズマ発光時における電極４，８の直列共振周波数ｆ０’を電力周波数ｆｅ  に対して設定し、プラズマ発光時の電力消費効率の向上を図ることが可能となる。
【０１２６】
本実施形態のプラズマ処理装置においては、第１実施形態と同等の効果を奏するとともに、インピーダンス測定用端子６１にインピーダンス測定器を着脱自在に接続するとともに、スイッチＳＷ１，ＳＷ２を設け、これらのインピーダンスＺ１  とインピーダンスＺ２  とを等しく設定することで、プラズマチャンバＣＮと整合回路２Ａとを着脱することなく、かつ、インピーダンス測定用プローブ１０５を着脱することなく、スイッチＳＷ１，ＳＷ２切り替えのみによりインピーダンス特性の測定および第１直列共振周波数ｆ０  の測定を容易におこなうことが可能となり、同時に、インピーダンス測定端子６１に接続されたインピーダンス測定器ＡＮからのインピーダンス測定値を、整合回路２Ａ出力側最終段の出力位置ＰＲから測定した値と同等と見なすことができるため、第１直列共振周波数ｆ０  の算出の補正が不要となり、実測値の換算が不要となり、作業効率を向上し、第１直列共振周波数ｆ０  の測定をより正確におこなうことができる。
さらに、前記直列共振周波数ｆ０’と前記電力周波数ｆｅ  との値を設定することにより、直接プラズマを発光させる前記電極４，８の周波数特性を規定できるため、プラズマ発光空間に対して電力をより効果的に投入することができ、さらなる電力消費効率の向上か、または、処理効率の向上を図ることが可能となる。
【０１２７】
なお、本実施形態において、２つのスイッチＳＷ１およびスイッチＳＷ２を設ける構成としたが、分岐点から出力端子位置ＰＲまでと分岐点からプローブまでのインピーダンスが等しく設定されていれば、よく、例えば１つのスイッチによりこれらの接続を切り替え可能とすることもできる。
【０１２８】
さらに、本発明における上記の各実施形態においては、プラズマ励起電極４に対する電力周波数ｆｅ  と第１直列共振周波数ｆ０  とを設定したが、サセプタ電極側８に対する周波数を設定するよう対応することも可能である。この場合、図７，図１１にＰＲ’で示すように、インピーダンス測定範囲を規定する整合回路２５の出力端子位置を設定することができる。
さらに、平行平板型の電極４，８を有するタイプに変えて、ＩＣＰ（ｉｎｄｕｃｔｉｖｅ  ｃｏｕｐｌｅｄ  ｐｌａｓｍａ）誘導結合プラズマ励起型、ＲＬＳＡ（ｒａｄｉａｌ  ｌｉｎｅ  ｓｌｏｔ  ａｎｔｅｎｎａ）ラジアルラインスロットアンテナ型などのプラズマ処理装置や、ＲＩＥ（Ｒｉａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）反応性スパッタエッチング用の処理装置に適用することもできる。
【０１２９】
以下、本発明に係るプラズマ処理装置の性能管理システムを第４実施形態として、図面に基づいて説明する。
［第４実施形態］
図１７は本実施形態に係るプラズマ処理装置の性能管理システムのシステム構成図、図１８は、同性能管理システムで実現される評価情報提供方法を示すフローチャートである。
【０１３０】
図１７に示す性能管理システムは、サーバ２１０と、納入先の入出力装置２２０と、これらサーバ２１０と入出力装置２２０とを接続する通信回線２３０と、サーバーに接続された搬送元の出力装置２４０とから構成されている。
【０１３１】
サーバ２１０は、プラズマ処理装置のメーカー、流通業者、メンテナンス業者等の搬送元が管理するもので、その設置場所も搬送元とすることが望ましい。また、このサーバ２１０は、同時に複数の納入先の入出力装置２２０に対してサービスを提供するための高速な処理能力を持った計算機と、多様なサービスと納入先のプラズマ処理装置に関する情報を格納するための大容量記憶装置を備えたものであることが望ましい、具体的には、大型計算機、高性能ワークステーション等がよい。
サーバ２１０は、計算機２１１およびこれに接続された記憶装置２１２と、通信回線２３０と接続するための送受信手段２１３とから構成されている。また、このサーバーに、搬送元に設置された出力装置２４０が接続されている。
【０１３２】
また、納入先の入出力装置２２０は、納入先の顧客や、納入先を訪れたサービスマン等が利用するもので、納入先に設置されるか、又は納入先に携帯されて利用される。この入出力装置は通信回線２３０を利用してサーバー２１０と信号の授受を行えるものであれば特に限定はなく、具体的にはパーソナルコンピュータ、専用端末機、電話機等が利用できる。
納入先入出力装置２２０は、本体２２１、および通信回線２３０と接続するための送受信手段２２３とから構成されている。
【０１３３】
通信回線２３０は、その媒体や形式に特に限定はなく、離間した地点におかれたサーバー２１０と入出力装置２２０との間で信号の授受ができるものであればよい。すなわち、ケーブル回線、光ファイバー回線、衛星回線等の種々の有線や無線の通信媒体を適宜使用できると共に、電話回線網、インターネット網等種々の通信形式を活用できる。
【０１３４】
以下、図１７を参照しながら、図１８のフローチャートに従い、本実施形態における処理動作を説明する。
納入先の顧客や、納入先を訪れたサービスマン等、本性能管理システムの利用者は、同システムで性能評価を開始するにあたり、まず、納入先に納入された、あるいは使用中のプラズマ処理装置について、プラズマ処理室の高周波特性Ａ１を測定し、この値を入出力装置２２０から入力する（ステップ３０１）。
この入力されたＡ１の値は、通信回線２３０を通じてサーバ２１０に送信される。
【０１３５】
これに対しサーバ２１０は、記憶装置２１２に格納された基準となる高周波特性Ａ０の情報５００を呼び出し、この値に基づき、Ａ０とＡ１との差の絶対値｜ΔＡ｜を計算する（ステップ３０２）。
なお、基準となる高周波特性Ａ０は、プラズマ処理装置を納入先に搬送するに先立ち分解をする前に、搬送元で設定した高周波特性値であって、例えば上記（１）式を満たす第１直列共振周波数ｆ００である。
【０１３６】
次にサーバ２１０は、｜ΔＡ｜とＡ０とを比較し、当該プラズマ処理装置の性能を評価する。具体的には、｜ΔＡ｜がＡ０の１０％より小さい値の場合には、当該プラズマ処理装置が所定の性能を維持していると判断する。また、｜ΔＡ｜がＡ０の１０％以上の値の場合には、当該プラズマ処理装置が所定の性能を維持していると判断する（ステップ３０３）。
【０１３７】
次にサーバ２１０は、上記性能評価の結果を納入先の入出力装置２２０、及び搬送元の出力装置２４０の双方に提供する（ステップ３０４）。
この内、入出力装置２２０に対しては、プリントアウトや画面表示の指令信号を送信したり、あるいは、音声信号を送信したりする。具体的には、所定の性能を維持していると判断した場合には、例えば「ご照会の装置の性能は、適切に維持されておりますので、そのままご使用ください。」といったメッセージを、所定の信号を維持していないと判断した場合には、例えば「ご照会の装置の性能は、適切に維持されていない恐れがありますので、取扱説明書に従い調整をお願いします。」といったメッセージを、プリントアウト、画面表示、音声等で顧客やサービスマン等に伝えられるようにする。
また、出力装置２４０に対しても、所定の信号を維持していないと判断した場合に、プリントアウトや画面表示、信号出力等の指令信号を送信したり、あるいは、警報音発生信号を送信したりする。そして、出力装置２４０から、プリントアウト、画面表示、信号出力、あるいは警報音等の保守作業命令を出力する。なお、搬送元において、いずれの納入先のどの装置が保守を必要としているかを判断するために、入出力装置２２０からプラズマ処理室の固有番号を受信し、これを出力装置２４０から出力することが望ましいが、入出力装置２２０の固有番号、例えばアドレス番号や電話番号等から判断して、その判断結果を出力装置２４０から出力してもよい。
【０１３８】
この結果、納入先の顧客や納入先を訪問したサービスマン等は、プラズマ処理装置を実際に動作させて成膜された基板を検査するという作業を行うことなく、直ちに当該プラズマ装置の性能を評価することができる。
しかも、処理をおこなった基板の評価によりプラズマ処理装置の動作確認および、動作の評価をおこなうという２段階の方法でなく、ダイレクトにプラズマ処理装置の評価を、しかも、プラズマ処理装置のプラズマチャンバＣＮが設置してある場所で短時間におこなうことが可能である。その上、被処理基板への実際の成膜等による検査方法を採用した場合、別々に行うしかなかった複数のプラズマチャンバを有するプラズマ処理装置の場合についても、結果をほぼ同時に得ることができる。
このため、製造ラインを数日あるいは数週間停止してプラズマ処理装置の動作確認および、動作の評価をする必要がなくなり、製造ラインとしての生産性を向上することができる。また、このような調整に必要な検査用基板等の費用、この検査用基板の処理費用、および、調整作業に従事する作業員の人件費等、コストを削減することが可能となる。
【０１３９】
また、搬送元のメーカー等においては、納入先のプラズマ処理装置に問題が生じた場合には、保守作業命令を受けて直ちにこれを知ることができるので、顧客に対するアフタサービス体制を充実させることができる。
【０１４０】
なお、本実施形態のように、サーバーが、納入先の入出力装置２２０と搬送元の出力装置２４０との双方に評価情報を提供する場合、両評価情報の基礎となる所定の値は必ずしも同一の値でなくともよい。例えば、納入先入出力装置に発信する評価情報については、所定の値をＡ０の１０％とし、この値を越えたときに所定の性能を維持していない旨の信号を発信し、一方、搬送元の出力装置には、所定の値をＡ０の３％として、この値を越える場合に保守作業命令を出力するようにしても良い。このように、搬送元の出力装置に対して、納入先入出力装置に対するよりも厳しい評価基準に基づき保守作業命令が出される場合には、納入先のプラズマ処理装置の性能が大きく変動する以前に搬送元による保守サービスを行うことができる。すなわち、より先手を打った保守体制を確立することができる。
【０１４１】
以下、本発明に係るプラズマ処理装置の性能管理システムの他の実施形態を第５実施形態として、図面に基づいて説明する。
［第５実施形態］
図１９は本実施形態に係るプラズマ処理装置の性能管理システムのシステム構成図、図２０は、同性能管理システムで実現される評価情報提供方法を示すフローチャートである。なお、両図において、図１７及び図１８と同一の構成要素には、同一の符号を附してその説明を省略する。
【０１４２】
図１９に示す性能管理システムは、サーバ２１０と、納入先の入出力装置２２０と、これらサーバ２１０と入出力装置２２０とを接続する通信回線２３０と、サーバーに接続された搬送元の出力装置２４０とに加えて、プラズマ処理装置２５０に接続されたインピーダンス測定器２６０とから構成されている。
【０１４３】
本実施形態では、インピーダンス測定器２６０の出力端子が入出力装置２２０に接続され、インピーダンス測定器２６０で測定されたプラズマ測定装置２５０の高周波特性が、入出力装置２２０及び通信回線２３０を介して、人手による入力作業を経ることなく、直接サーバ２１０に送信されるようになっている。また、入出力装置２２０は、プラズマ処理室の固有番号Ｓの入力を受けると、インピーダンス測定器２６０の測定結果を読みとるようにプログラムされている。
【０１４４】
以下、図１９を参照しながら、図２０のフローチャートに従い、本実施形態における処理動作を説明する。
納入先の顧客や、納入先を訪れたサービスマン等、本性能管理システムの利用者は、同システムで性能評価を開始するにあたり、まず、予めインピーダンス測定器２６０を入出力装置２２０に接続した上で、納入先に納入された、あるいは使用中のプラズマ処理装置について、プラズマ処理室の固有番号Ｓを入出力装置２２０から入力する。このとき、プラズマ処理室の高周波特性Ａ１の測定値が、入出力装置２２０のプログラムに従い、自動的にインピーダンス測定器２６０から入出力装置２２０に入力される。（ステップ４０１）。
この入力された固有番号Ｓ及びＡ１の値は、通信回線２３０を通じてサーバ２１０に送信される。
【０１４５】
これに対しサーバ２１０は、記憶装置２１２に格納された高周波特性Ａ０の情報の中から、固有番号Ｓに対応する固有Ａ０の情報６００を呼び出し、この値に基づき、Ａ０とＡ１との差の絶対値｜ΔＡ｜を計算する（ステップ４０２）。
ここで、固有Ａ０は、固有番号Ｓと１対１の関係で記憶装置２１２に格納されたもの、すなわち、各々のプラズマ処理室毎に設定した、あるいは、製造時等に実際に測定した個別の高周波特性Ａ０である。
【０１４６】
次にサーバ２１０は、｜ΔＡ｜とＡ０とを比較し、当該プラズマ処理装置の性能を評価する。具体的には、｜ΔＡ｜がＡ０の１０％より小さい値の場合には、当該プラズマ処理装置が所定の性能を維持していると判断する。また、｜ΔＡ｜がＡ０の１０％以上の値の場合には、当該プラズマ処理装置が所定の性能を維持していないと判断する（ステップ４０３）。
【０１４７】
次にサーバ２１０は、上記性能評価の結果を納入先の入出力装置２２０、及び搬送元の出力装置２４０の双方に提供する（ステップ４０４）。
この内、入出力装置２２０に対しては、プリントアウトや画面表示の指令信号を送信したり、あるいは、音声信号を送信したりする。具体的には、所定の性能を維持していると判断した場合には、例えば「ご照会の装置の性能は、適切に維持されておりますので、そのままご使用ください。」といったメッセージを、所定の信号を維持していないと判断した場合には、例えば「ご照会の装置の性能は、適切に維持されていない恐れがありますので、取扱説明書に従い調整をお願いします。」といったメッセージを、プリントアウト、画面表示、音声等で顧客やサービスマン等に伝えられるようにする。
また、サーバ２１０は、出力装置２４０に対しても、プリントアウトや画面表示の指令信号を送信したり、あるいは、警報音発生信号を送信したりする。具体的には、所定の信号を維持していないと判断した場合に、保守作業命令を送信する。なお、搬送元において、いずれの納入先のどの装置が保守を必要としているかを判断するために、サーバ２１０から出力装置２４０に対してプラズマ処理室の固有番号も同時に提供される。
【０１４８】
本実施形態のプラズマ処理装置の管理システムにおいては、第４実施形態と同等の効果を奏するとともに、固有番号Ｓ毎に実際の値を記憶することで、より精密な管理が可能となる。また、出力装置２４０に保守作業命令と共に固有番号２４０の情報が提供されるので、搬送元において、何れのプロセス処理装置に問題が生じたか、あるいは何れのプロセス処理装置のいずれのプロセス処理室に問題が生じたか等を直ちに把握できる。
なお、複数のプラズマ処理室を備えたプラズマ処理装置やプラズマ処理装置を複数備えたプラズマ処理システムにおいては、各々のプラズマ処理室の動作条件を揃え、同一のプロセスレシピで同等の成膜特性を得るために、同等の高周波特性を設定することが望ましい。そのため、固有Ａ０は、プロセス処理室間でバラツキなく設定することが望ましいが、納入先の事情等種々の要因により他のプロセス処理装置と大きく異なるＡ０を設定しても差し支えない。
【０１４９】
以下、本発明に係るプラズマ処理装置の性能管理システムの他の実施形態を第６実施形態として説明する。
［第６実施形態］
本実施形態に係るプラズマ処理装置の性能管理システムのシステム構成もまた、第５実施形態の図１９で示される。
本実施形態と第５実施形態との構成上の相違は、サーバ２１０が、エンジニア情報６０１として、各々所定の値の範囲によって決められた故障レベルを含む状態レベルと、故障レベルに対応して登録されたサービスエンジニアの情報を記憶しているものである点である。表１は、エンジニア情報６０１の一例を示すものである。
【０１５０】
【表１】
0003600144.tif 000004
【０１５１】
以下、図１９を参照しながら、図２１のフローチャートに従い、本実施形態における処理動作を説明する。図２１のフローチャートにおけるステップ５０１及びステップ５０２は、各々図２０のステップ４０１、４０２と同一なのでその説明を省略する。
【０１５２】
ステップ５０２で｜ΔＡ｜を求めた後、サーバ２１０は、｜ΔＡ｜をエンジニア情報６０１に照らして、どの状態レベルにあるかを評価する。そして、｜ΔＡ｜のレベルが、いずれかの故障レベルであると評価した際は、当該故障レベルに対応してエンジニア情報６０１に登録されているサービスエンジニアの情報を呼び出す。（ステップ５０３）。
【０１５３】
次にサーバ２１０は、上記性能評価の結果として、状態レベルを納入先の入出力装置２２０、及び搬送元の出力装置２４０の双方に提供する（ステップ４０４）。
この内、入出力装置２２０に対しては、状態レベル（故障レベル）をプリントアウトや画面表示の指令信号を送信したり、あるいは、音声信号を送信したりすることにより発信する。
具体的には、状態レベルは「最良」であると判断した場合には、例えば「ご照会の装置の性能は、適切に維持されておりますので、そのままご使用ください。」といったメッセージを、状態レベルは「良」であると判断した場合には、例えば「ご照会の装置の性能は、適切に維持されておりますが、そろそろ点検が必要です。」といったメッセージを、状態レベルが何れかの故障レベルであると判断した場合には、例えば「ご照会の装置は、故障レベル２に該当します。性能が適切に維持されていない恐れがありますので、サービスエンジニアに調整を依頼してください。」といったメッセージを、プリントアウト、画面表示、音声等で顧客やサービスマン等に伝えられるようにする。
また、サーバ２１０は、出力装置２４０に対しては、状態レベルがいずれかの故障レベルに該当する場合、状態レベルだけでなく、当該故障レベルに対応したサービスエンジニアの情報と共に保守作業命令を出力する。
【０１５４】
本実施形態のプラズマ処理装置の管理システムによれば、搬送元において、保守作業命令が出力されると共に、どの程度の故障レベルかや、その故障レベルに応じてランク分けされたサービスエンジニアの情報も出力される。
そのため、このシステムによれば、遠隔地に納入したプラズマ処理装置であっても、搬送元において、その故障レベルを把握することができる。そして、その故障レベルに応じて、教育訓練度合の異なるサービスエンジニアを派遣することができる。従って、人材活用が合理化できると共に、迅速、かつ、的確なサポートが可能となる。すなわち、装置納入後のフィールドサポート体制の合理化が可能となるものである。
【０１５５】
以下、本発明に係るプラズマ処理装置の性能確認システムの実施形態を第７実施形態として、図面に基づいて説明する。なお、以下の説明では、購入発注者を単に発注者、また販売保守者を単に保守者という。
［第７実施形態］
図２４は本実施形態のプラズマ処理装置の性能確認システムのシステム構成図である。
この図において、参照符号Ｃ１  ，Ｃ２  ，……はクライアント・コンピュータ（以下、単にクライアントという）、Ｓはサーバ・コンピュータ（性能状況情報提供手段，以下単にサーバという）、Ｄはデータベース・コンピュータ（基準情報記憶手段，以下単にデータベースという）、またＮは公衆回線である。クライアントＣ１  ，Ｃ２  ，……とサーバＳとデータベースＤとは、この図に示すように公衆回線Ｎを介して相互に接続されている。
【０１５６】
クライアントＣ１  ，Ｃ２  ，……は、一般に広く普及しているインターネットの通信プロトコル（ＴＣＰ／ＩＰ等）を用いてサーバＳと通信する機能（通信機能）を備えたものである。このうち、クライアントＣ１  （発注者側情報端末）は、発注者が保守者に発注したプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムのプラズマチャンバの性能状況を公衆回線Ｎを介して確認するためのコンピュータであり、サーバＳが保持する「プラズマチャンバの性能情報提供ページ」を情報提供ページ（Ｗｅｂページ）として閲覧する機能（プラズマチャンバの性能状況情報閲覧機能）を備えたものである。また、クライアントＣ２  （保守者側情報端末）は、保守者が上記「性能状況情報」の一部である「第１直列共振周波数ｆ０  情報」をサーバＳにアップロードするとともに、クライアントＣ１  を介して発注者から発せられた電子メールを受信するためのものである。
ここで、プラズマ処理装置又はプラズマ処理システムは、上記の第１〜第３実施形態に準じる構成とされるとともに、チャンバ数等の構成条件は、任意に設定可能なものとされる。
【０１５７】
上記サーバＳの通信機能は、公衆回線Ｎがアナログ回線の場合にはモデムによって実現され、公衆回線ＮがＩＳＤＮ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｓｅｒｖｉｃｅｓ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｎｅｔｗｏｒｋ）等のデジタル回線の場合には専用ターミナルアダプタ等によって実現される。サーバＳは、性能状況情報提供用のコンピュータであり、上記クライアントＣ１  から受信される閲覧要求に応じて、性能状況情報をインターネットの通信プロトコルを用いてクライアントＣ１  に送信する。ここで、上述した発注者が保守者からプラズマ処理装置を納入された時点では、性能状況情報を閲覧するための個別の「閲覧専用パスワード」が保守者から個々の発注者に提供されるようになっている。このサーバＳは、正規な閲覧専用パスワードが提供された場合のみ、性能状況情報のうち動作保守状況情報をクライアントＣ１  に送信するように構成されている。
【０１５８】
ここで、具体的詳細については後述するが、上記「性能状況情報」は、保守者の販売するプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムにおけるプラズマチャンバの機種に関する情報、各機種における仕様書としての品質性能情報、納入された各実機における品質性能を示すパラメータの情報、および、このパラメータ、メンテナンスの履歴情報等から構成されている。
このうち、各実機における品質性能、パラメータ、メンテナンスの履歴情報については、「閲覧専用パスワード」が提供された発注者のみに閲覧可能となっている。
【０１５９】
また、これら「性能状況情報」は、保守者または発注者からサーバＳに提供されるとともに実際の動作・保守状況を示す「動作保守状況情報」と、データベースＤに蓄積されると共にカタログとして未購入のクライアントが閲覧可能な「性能基準情報」とから構成されるものである。「性能基準情報」は、保守者が各プラズマチャンバによっておこなうプラズマ処理に対して客観的に性能を記述するためのものであり、プラズマＣＶＤ、スパッタリングなどの成膜処理においては、成膜状態を予測可能とするものである。
【０１６０】
本実施形態では、これら「性能基準情報」は、データベースＤに蓄積されるようになっている。
サーバＳは、クライアントＣ１  から受信される「性能状況情報」の閲覧要求に対して、データベースＤを検索することにより必要な「性能基準情報」を取得して、「性能状況情報提供ページ」として発注者のクライアントＣ１  に送信するように構成されている。また、サーバＳは、「閲覧専用パスワード」が提供された発注者から受信される「性能状況情報」の閲覧要求に対しては、同様に、データベースＤを検索することにより必要な「性能基準情報」を取得するとともに、当該「性能基準情報」にクライアントＣ２  を介して保守者から提供された「動作保守状況情報」を組み合わせて「性能状況情報」を構成し、「性能状況情報提供ページ」として発注者のクライアントＣ１  に送信するように構成されている。
【０１６１】
データベースＤは、このような「性能状況情報」を構成する「性能基準情報」をプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムのプラズマチャンバの機種毎に記憶蓄積するものであり、サーバＳから受信される検索要求に応じてこれら「性能基準情報」を読み出してサーバＳに転送する。図２４では１つのサーバＳのみを示しているが、本実施形態では、汎用性のある「性能基準情報」を保守者が複数箇所から管理する複数のサーバ間で共通利用することが可能なように、これらサーバとは個別のデータベースＤに「性能基準情報」を蓄積するようにしている。
【０１６２】
次に、このように構成されたプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムの性能確認システムの動作について、図２５に示すフローチャートに沿って詳しく説明する。なお、このフローチャートは、上記サーバＳにおける「性能状況情報」の提供処理を示すものである。
【０１６３】
通常、保守者は、不特定の発注者に対して販売するプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムにおける各プラズマチャンバの「性能状況情報」、特に「性能基準情報」を購入時の指標として提示することになる。一方、発注者は、この「性能基準情報」によってプラズマチャンバＣＮにどのような性能、つまりどのようなプラズマ処理が可能なのかを把握することができる。
【０１６４】
また、保守者は、特定の発注者に対して納入したプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムにおけるプラズマチャンバの「性能状況情報」のうち、「性能基準情報」を使用時の指標として提示するとともに、「動作保守状況情報」を動作状態のパラメータとして提示することになる。一方、ユーザーとしての発注者は、「性能基準情報」と「動作保守状況情報」とを比較することによってプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムにおける各プラズマチャンバの動作確認をおこなうとともにメンテナンスの必要性を認識し、かつ、プラズマ処理状態の状態を把握することができる。
【０１６５】
例えば、プラズマ処理装置またはプラズマ処理システムを保守者から購入しようとする発注者は、サーバＳにアクセスすることにより、以下のようにして自らが購入しようとするプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムの「性能状況情報」の実体を容易に確認することができる。
【０１６６】
まず、発注者がアクセスしようとした場合には、予め設定されたサーバＳのＩＰアドレスに基づいてクライアントＣ１  からサーバＳに表示要求が送信される。一方、サーバＳは、上記表示要求の受信を受信すると（ステップＳ１）、カタログページＣＰをクライアントＣ１  に送信する（ステップＳ２）。
図２６は、このようにしてサーバＳからクライアントＣ１  に送信されたメインページＣＰの一例である。このカタログページＣＰには、保守者が販売する多数の機種毎にその「性能状況情報」のうち「性能基準情報」を表示するための機種選択ボタンＫ１，Ｋ２，Ｋ３，Ｋ４…、と、後述するように、プラズマ処理装置またはプラズマ処理システムを保守者から納入された発注者の使用するカスタマーユーザ画面の表示要求をするためのカスタマーユーザボタンＫ４から構成されている。
【０１６７】
例えば、発注者がクライアントＣ１  に備えられたポインティングデバイス（例えばマウス）等を用いることによって上記プラズマ処理装置またはプラズマ処理システムの機種を選択指定した後、機種選択ボタンＫ１〜Ｋ４…のいずれかを選択指定すると、この指示は、「性能状況情報」のうち「性能基準情報」の表示要求としてサーバＳに送信される。
【０１６８】
この表示要求を受信すると（ステップＳ３）、サーバＳは、選択された機種のうち、表示要求された情報に該当するサブページをクライアントＣ１  に送信する。すなわち、サーバＳは、「性能基準情報」の表示が要求された場合（Ａ）、図２７に示すような選択された機種を指定することによってデータベースＤから「真空性能」「給排気性能」「温度性能」「プラズマ処理室電気性能」等のデータ、およびこれらのデータにおけるプラズマ処理装置またはプラズマ処理システム毎の、各パラメータのばらつきの値のデータを取得し、これらの掲載された仕様書ページＣＰ１をクライアントＣ１  に送信する（ステップＳ４）。
【０１６９】
仕様書ページＣＰ１には、図２７に示すように、選択された機種を示す機種種別Ｋ６、真空性能表示欄Ｋ７、給排気性能表示欄Ｋ８、温度性能表示欄Ｋ９、プラズマ処理室電気性能表示欄Ｋ１０から構成されている。これらは、選択された機種のプラズマチャンバにおける「性能基準情報」に対応するものであり、それぞれ、
真空性能表示欄Ｋ７には、
到達真空度  １×１０−４Ｐａ以下
操作圧力    ３０〜３００Ｐａ
給排気性能表示欄Ｋ８には、
0003600144.tif 000005
排気特性  ５００ＳＣＣＭ流して２０Ｐａ以下
温度性能表示欄Ｋ９には、
ヒータ設定温度    ２００〜３５０±１０℃
チャンバ設定温度  ６０〜８０±２．０℃
の項目が記載されている。
ここで、ＳＣＣＭ（ｓｔａｎｄａｒｄ  ｃｕｂｉｃ  ｃｅｎｔｉｍｅｔｅｒｓ  ｐｅｒ  ｍｉｎｕｔｅ）  は、標準状態（０℃、１０１３ｈＰａ）に換算した際におけるガス流量を表しており、ｃｍ３／ｍｉｎ  に等しい単位を表している。
【０１７０】
そしてこれらのパラメータＰに対して、それぞれのプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムにおける各プラズマチャンバ毎のばらつきを、それぞれのパラメータＰのうちその最大値Ｐｍａｘ  と最小値Ｐｍｉｎ  のばらつきを、以下の式（１０Ｂ）
（Ｐｍａｘ  −Ｐｍｉｎ  ）／（Ｐｍａｘ  ＋Ｐｍｉｎ  ）            （１０Ｂ）
として定義し、これらのばらつきの値の各プラズマ処理装置またはプラズマ処理システムにおける設定範囲をそれぞれのパラメータの項目に対して表示する。
【０１７１】
また、プラズマ処理室電気性能表示欄Ｋ１０には、前述した第１〜第４実施形態で説明した第１直列共振周波数ｆ０  の値、および、この設定範囲と電力周波数ｆｅ  との関係が記載される。また、これ以外にも、電力周波数ｆｅ  におけるプラズマチャンバのレジスタンスＲおよびリアクタンスＸ、そして、プラズマ励起電極４とサセプタ電極８間のプラズマ容量Ｃ０  プラズマ励起電極４と、プラズマチャンバの接地電位とされる各部との間のロス容量ＣＸ  等の値が記載される。また、仕様書ページＣＰ１には、「プラズマ処理装置またはプラズマ処理システムの納入時においては各パラメータ値がこのページに記載された設定範囲内にあることを保証します」という性能保証の文言が記載される。
【０１７２】
これにより、従来は、考慮されていなかったプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムの全体的な電気的高周波的な特性およびプラズマチャンバの電気的特性のばらつきを購入時の新たなる指標として提示することができる。また、クライアントＣ１  またはクライアントＣ２  において、これら性能状況情報をプリンタ等に出力しハードコピーを作ることにより、上記の性能状況情報内容の記載されたカタログまたは仕様書として出力することが可能である。さらに、第１直列共振周波数ｆ０  、レジスタンスＲ、リアクタンスＸ、容量Ｃ０  ，ＣＸ  等の値および上記性能保証の文言をクライアントＣ１  …の端末、カタログまたは仕様書等に提示することにより、発注者が、電機部品を吟味するようにプラズマチャンバＣＮの性能を判断して保守者から購入することが可能となる。
【０１７３】
なお、サーバＳは、このようなサブページのクライアントＣ１  への送信が完了した後に、クライアントＣ１  から接続解除要求が受信されない場合は（ステップＳ５）、次のサブページの表示要求を待って待機し（ステップＳ３）、一方、クライアントＣ１  から接続解除要求が受信された場合には（ステップＳ５）、当該クライアントＣ１  との交信を終了する。
【０１７４】
また、プラズマ処理装置またはプラズマ処理システムを保守者から納入した発注者は、サーバＳにアクセスすることにより、以下のようにして自らが購入したプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムにおけるプラズマチャンバの「性能状況情報」の実体を容易に確認することができる。
この発注者は保守者と売買契約を締結した時点で、発注者個別に対応するとともに、購入したプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムの機種番号、およびそれぞれのプラズマチャンバの機種番号にも対応可能なカスタマーユーザＩＤと、プラズマ処理装置またはプラズマ処理システムおよびその各プラズマチャンバの「動作保守状況情報」を閲覧するための個別の「ユーザー専用パスワード（閲覧専用パスワード）」が保守者から個々の発注者に提供されるようになっている。このサーバＳは、正規な閲覧専用パスワードが提供された場合のみ、「動作保守状況情報」をクライアントＣ１  に送信するように構成されている。
【０１７５】
まず、発注者がアクセスしようとした場合には、前述のカタログページＣＰにおいて、カスタマーユーザボタンＫ５を指定操作することにより、発注者はカスタマーユーザ画面の表示要求をサーバＳに送信する。
一方、サーバＳは、上記表示要求の受信を受信すると（ステップＳ３−Ｂ）、当該発注者に対して、「閲覧専用パスワード」の入力を促す入力要求としてのサブページをクライアントＣ１  に送信する（ステップＳ６）。図２８はカスタマーユーザページＣＰ２を示すものであり、このカスタマーユーザページＣＰ２はカスタマーユーザＩＤ入力欄Ｋ１１、およびパスワード入力欄Ｋ１２から構成される。
【０１７６】
この入力要求としてのカスタマーユーザページＣＰ２はクライアントＣ１  に表示されるので、発注者は、当該入力要求に応答してプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムおよびその各プラズマチャンバの識別を可能とするために、保守者から供与された「閲覧専用パスワード」を「カスタマーユーザＩＤ」とともにクライアントＣ１  に入力することになる。
ここで、発注者は、図２８に示すカスタマーユーザＩＤ入力欄Ｋ１１およびパスワード入力欄Ｋ１２に、それぞれ、カスタマーコードＩＤとパスワードを入力する。サーバＳは、クライアントＣ１から正規の「カスタマーユーザＩＤ」および「閲覧専用パスワード」が受信された場合のみ（ステップＳ７）、当該「閲覧専用パスワード」に予め関連付けられた「動作保守状況情報」のサブページをクライアントＣ１  に送信する（ステップＳ９）。
【０１７７】
すなわち、「動作保守状況情報」の閲覧は、上記プラズマ処理装置またはプラズマ処理システムの購入契約を締結した特定の発注者のみ、つまり正規の「閲覧専用パスワード」を知り得るもののみに許可されるようになっており、当該発注者以外の第３者がサーバＳにアクセスしても「動作保守状況情報」を閲覧することができない。通常、保守者は同時に多数の発注者との間で納入契約を締結するとともに、各々の発注者へ複数のプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムの納入を同時に並行して行う場合があるが、上記「閲覧専用パスワード」は、個々の発注者毎および各プラズマ処理装置またはプラズマ処理システムおよびその各プラズマチャンバ毎に相違するものが提供されるので、個々の発注者は、各プラズマ処理装置またはプラズマ処理システムおよびその各プラズマチャンバに対して、それぞれ自らに提供された「閲覧専用パスワード」に関連付けられた「動作保守状況情報」を個別に閲覧することができる。
【０１７８】
したがって、納入に係わる秘密情報が発注者相互間で漏洩することを確実に防止することができるとともに、複数のプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムが納入された場合にでもそれぞれのプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムおよびその各プラズマチャンバを個別に識別可能とすることができる。なお、サーバＳは、正規の「閲覧専用パスワード」が受信されない場合には（ステップＳ７）、接続不許可メッセージをクライアントＣ１  に送信して（ステップＳ８）、発注者に「閲覧専用パスワード」を再度入力するように促す。発注者が「閲覧専用パスワード」を誤入力した場合には、この機会に正規の入力を行うことにより「動作保守状況情報」を閲覧することができる。
【０１７９】
このＩＤ、パスワードが確認されると（ステップＳ７）、サーバＳは、表示要求された情報に該当するサブページをデータベースＤから読み出してクライアントＣ１  に送信する。すなわち、サーバＳは、ユーザＩＤによって識別された個別のプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムおよびその各プラズマチャンバに対する「性能基準情報」「動作保守状況情報」の表示が要求された場合、機種を指定することによってデータベースＤから「真空性能」「給排気性能」「温度性能」「プラズマ処理室電気性能」等のデータを取得し、これらの掲載された仕様書ページＣＰ３をクライアントＣ１  に送信する（ステップＳ９）。
【０１８０】
図２９は、このようにしてサーバＳからクライアントＣ１  に送信された「動作保守状況情報」のサブページＣＰ３である。このメンテナンス履歴ページＣＰ３には、図２９に示すように、納入されたプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムおよびその各プラズマチャンバの機械番号を示すロット番号表示Ｋ１３、真空性能表示欄Ｋ７、給排気性能表示欄Ｋ８、温度性能表示欄Ｋ９、プラズマ処理室電気性能表示欄Ｋ１０、そして、真空性能メンテナンス欄Ｋ１４、給排気性能メンテナンス欄Ｋ１５、温度性能メンテナンス欄Ｋ１６、プラズマ処理室電気性能メンテナンス欄Ｋ１７から構成されている。これらは、納入された実機の「性能基準情報」および「動作保守状況情報」に対応するものであり、それぞれ、真空性能表示欄Ｋ７、真空性能メンテナンス欄Ｋ１４には、
到達真空度  １．３×１０−５Ｐａ以下
操作圧力    ２００Ｐａ
給排気性能表示欄Ｋ８、給排気性能メンテナンス欄Ｋ１５には、
0003600144.tif 000006
温度性能表示欄Ｋ９、温度性能メンテナンス欄Ｋ１６には、
ヒータ設定温度    ３０２．３±４．９℃
チャンバ設定温度  ８０．１±２．１℃
の項目が記載されている。
【０１８１】
そしてこれらのパラメータＰに対して、それぞれのプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムにおける各プラズマチャンバ毎のばらつきを、それぞれのパラメータＰのうちその最大値Ｐｍａｘ  と最小値Ｐｍｉｎ  のばらつきを、以下の式（１０Ｂ）
（Ｐｍａｘ  −Ｐｍｉｎ  ）／（Ｐｍａｘ  ＋Ｐｍｉｎ  ）            （１０Ｂ）
として定義し、これらのばらつきの値の各プラズマ処理装置またはプラズマ処理システムにおける設定範囲をそれぞれのパラメータの項目に対して表示する。
【０１８２】
さらに、このサブページＣＰ３には、各プラズマチャンバ毎のメンテナンス欄を表示するための「詳細」ボタンＫ１８が各メンテナンス履歴欄Ｋ１４，Ｋ１５，Ｋ１６，Ｋ１７ごとに設けられ、発注者が、当該情報を閲覧可能となっている。
【０１８３】
発注者が、当該詳細欄により表示要求をおこなった場合には、メンテナンス履歴の詳細情報の記載されたメンテナンス詳細ページＣＰ４がデータベースＤからクライアントＣ１  に送信する。
【０１８４】
図３０は、このようにしてサーバＳからクライアントＣ１  に送信された「詳細メンテナンス情報」のサブページＣＰ４である。
図には電気性能メンテナンスのページを示している。
このメンテナンス履歴ページＣＰ３には、図３０に示すように、納入されたプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムおよびその各プラズマチャンバの機械番号を示すロット番号表示Ｋ１３、選択された各メンテナンス欄が表示される。ここで、各メンテナンス欄としては、各プラズマチャンバに対応するパラメータＰのメンテナンス時の値と、これらのパラメータＰのばらつきの値とが、プラズマ処理装置またはプラズマ処理システム、および、各プラズマチャンバ毎のロット番号毎に表示される。
【０１８５】
また、プラズマ処理室電気性能表示欄Ｋ１０およびプラズマ処理室電気性能メンテナンス欄Ｋ１７には、前述した第１〜第４実施形態で説明したように、第１直列共振周波数ｆ０  の値、および、この設定範囲と電力周波数ｆｅ  との関係が記載される。また、これ以外にも、電力周波数ｆｅ  におけるプラズマチャンバのレジスタンスＲおよびアクタンスＸ、そして、プラズマ励起電極４とサセプタ電極８間のプラズマ容量Ｃ０  プラズマ励起電極４と、プラズマチャンバの接地電位とされる各部との間のロス容量ＣＸ  等の値が記載される。
【０１８６】
同時に、データベースＤから「性能基準情報」としての「真空性能」「給排気性能」「温度性能」「プラズマ処理室電気性能」等のデータを取得し、これらを図２９，図３０に示すように、「動作保守状況情報」とセットでメンテナンス履歴ページＣＰ３、メンテナンス詳細ページＣＰ４に表示することにより、「性能基準情報」を参照して「動作保守状況情報」を閲覧することができ、これにより、発注者は、納入されたプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムおよびプラズマチャンバの「性能状況情報」のうち、「性能基準情報」を使用時の指標として確認するとともに、「動作保守状況情報」を動作状態を示すパラメータとして検討することができる。同時に、「性能基準情報」と「動作保守状況情報」とを比較することによってプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムおよびプラズマチャンバの動作確認をおこなうとともにメンテナンスの必要性を認識し、かつ、プラズマ処理状態の状態を把握することができる。
【０１８７】
なお、サーバＳは、このようなサブページＣＰ３、ＣＰ４のクライアントＣ１  への送信が完了した後に、クライアントＣ１  から接続解除要求が受信されない場合は（ステップＳ５）、接続不許可メッセージをクライアントＣ１  に送信して（ステップＳ８）、発注者に「閲覧専用パスワード」を再度入力するか、次のサブページの表示要求を待って待機し（ステップＳ３）、一方、クライアントＣ１  から接続解除要求が受信された場合には（ステップＳ５）、当該クライアントＣ１  との交信を終了する。
【０１８８】
本実施形態のプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムの性能確認システムにおいて、購入発注者が販売保守者に発注したプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムの動作性能状況を示す性能状況情報の閲覧を公衆回線を介して要求する購入発注者側情報端末と、販売保守者が前記性能状況情報をアップロードする販売保守者側情報端末と、前記購入発注者側情報端末の要求に応答して、販売保守者側情報端末からアップロードされた性能状況情報を購入発注者側情報端末に提供する性能状況情報提供手段と、を具備することができ、さらに、前記性能状況情報が、前記第１直列共振周波数ｆ０  およびこのパラメータに対して、それぞれのプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムにおける各プラズマチャンバ毎のばらつきの値を含むとともに、前記性能状況情報が、カタログまたは仕様書として出力されることにより、販売保守者がアップロードしたプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムおよびそのプラズマチャンバの性能基準情報および動作保守状況情報からなる性能状況情報に対して、購入発注者が情報端末から公衆回線を介して閲覧を可能とすることにより、発注者に対して、購入時に判断基準となる情報を伝達することが可能となり、かつ、使用時における、プラズマ処理装置またはプラズマ処理システムおよびそのプラズマチャンバごとの動作性能・保守情報を容易に提供することが可能となる。
また、前記性能状況情報が、上述したようにプラズマチャンバに対する性能パラメータとしての前記第１直列共振周波数ｆ０  およびそのばらつきの値を含むことにより、発注者のプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムその各プラズマチャンバに対する性能判断材料を提供できるとともに、購入時における適切な判断をすることが可能となる。さらに、前記性能状況情報を、カタログまたは仕様書として出力することができる。
【０１８９】
【発明の効果】
本発明のプラズマ処理装置の性能評価方法によれば、プラズマ処理装置を分解、搬送後再組み立てが施されたり、その後被処理物が導入されてプラズマ処理が行われたり、分解掃除、部品交換、組み立て調整等の調整作業が施されたりした際に、プラズマ処理装置の性能が適正に維持されているかどうかを迅速かつ簡便に確認できる。
また、本発明のプラズマ処理装置の保守方法によれば、プラズマ処理装置の性能が適正に維持されていない場合に、迅速に是正が可能となる。
また、本発明のプラズマ処理装置の性能管理システムによれば、納入先において、プラズマ処理装置の性能が適正に維持されるために、納入先におけるプラズマ処理装置の性能評価をメーカー等の搬送元で支援できると共に、メーカー等の搬送元で充実した保守サービス体制を整えることが可能となる。
さらに、本発明のプラズマ処理装置によれば、適正な動作状態に簡便に維持することが可能であり、良好なプラズマ処理を継続して行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るプラズマ処理装置の第１実施形態を示す概略構成図である。
【図２】図１におけるプラズマ処理装置の整合回路を示す模式図である。
【図３】本発明に係るプラズマ処理装置の第１実施形態におけるプラズマ処理装置のインピーダンス特性を説明するための模式図である。
【図４】図３におけるプラズマ処理装置の等価回路を示す回路図である。
【図５】第１直列共振周波数ｆ０  を説明するためのインピーダンスＺと位相θとの周波数依存特性を示すグラフである。
【図６】本発明に係るプラズマ処理装置の第１実施形態における第１直列共振周波数ｆ０  およびインピーダンスＺと位相θとの周波数依存特性を示すグラフである。
【図７】本発明に係るプラズマ処理装置の第２実施形態を示す概略構成図である。
【図８】本発明に係るプラズマ処理装置の第２実施形態におけるプラズマ処理装置のインピーダンス特性を説明するための模式図である。
【図９】図８におけるプラズマ処理装置の等価回路を示す回路図である。
【図１０】本発明に係るプラズマ処理装置の第２実施形態における第１直列共振周波数ｆ０  およびインピーダンスＺと位相θとの周波数依存特性を示すグラフである。
【図１１】本発明に係るプラズマ処理装置の第３実施形態を示す概略構成図である。
【図１２】図１１におけるプラズマ処理装置の等価回路を示す回路図である。
【図１３】本発明に係るプラズマ処理装置の第３実施形態における第１直列共振周波数ｆ０  およびインピーダンスＺと位相θとの周波数依存特性を示すグラフである。
【図１４】プラズマ発光状態における電極間の状態を示す模式図である。
【図１５】インピーダンス測定器のプローブを示す斜視図である。
【図１６】図１５のインピーダンス測定器のプローブの接続状態を示す模式図である。
【図１７】本発明に係るプラズマ処理装置の性能管理システムの第４実施形態におけるシステム構成図である。
【図１８】同性能管理システムで実現される評価情報提供方法を示すフローチャートである。
【図１９】本発明に係るプラズマ処理装置の性能管理システムの第５実施形態におけるシステム構成図である。
【図２０】同性能管理システムで実現される評価情報提供方法を示すフローチャートである。
【図２１】本発明に係るプラズマ処理装置の性能管理システムの第５実施形態で実現される評価情報提供方法を示すフローチャートである。
【図２２】従来のプラズマ処理装置の一例を示す模式図である。
【図２３】従来のプラズマ処理装置の他の例を示す模式図である。
【図２４】本発明のプラズマ処理装置の性能確認システムを示すシステム構成図である。
【図２５】本発明のプラズマ処理装置の性能確認システムに係わるサーバＳの建築状況情報の提供処理を示すフローチャートである。
【図２６】本発明のプラズマ処理装置の性能確認システムに係わるメインページＣＰの構成を示す平面図である。
【図２７】本発明のプラズマ処理装置の性能確認システムに係わるサブページＣＰ１の構成を示す平面図である。
【図２８】本発明のプラズマ処理装置の性能確認システムに係わるメインページＣＰ２の構成を示す平面図である。
【図２９】本発明のプラズマ処理装置の性能確認システムに係わるサブページＣＰ３の構成を示す平面図である。
【図３０】本発明のプラズマ処理装置の性能確認システムに係わるサブページＣＰ４の構成を示す平面図である。
【符号の説明】
１…高周波電源
１Ａ…給電線
２…マッチングボックス
２Ａ…整合回路
３…給電板
４…プラズマ励起電極（電極：カソード電極）
５…シャワープレート
６…空間
７…孔
８…ウエハサセプタ（対向電極：サセプタ電極）
９…絶縁体
１０…チャンバ壁
１０Ａ…チャンバ底部
１１…ベローズ
１２…サセプタシールド
１２Ａ…シールド支持板
１２Ｂ…支持筒
１３…シャフト
１６…基板
１７…ガス導入管
１７ａ，１７ｂ…絶縁体
２１…シャーシ
２２…ロードコンデンサ
２３…コイル
２４…チューニングコンデンサ
２５…整合回路
２６…マッチングボックス
２７…第２の高周波電源
２７Ａ…給電線
２８…給電板（高周波電力配電体）
２９…シャーシ
３０…コイル
３１…チューニングコンデンサ
３２…ロードコンデンサ
６０…チャンバ室
６１…インピーダンス測定用端子（共振周波数測定用端子）
１０５…プローブ
ＡＮ…インピーダンス測定器（共振周波数測定器）
Ｂ…分岐点
ＣＮ…プラズマチャンバ（プラズマ処理室）
Ｐ…プラズマ発光領域
ＰＲ，ＰＲ’…出力端子位置
ＳＷ１，ＳＷ２…スイッチ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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