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【手続補正書】
【提出日】平成28年12月9日(2016.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワイヤレスフィデリィティ（Ｗｉ−Ｆｉ）ダイレクト（登録商標）サービスをサポートする伝送送信側と伝送受信側との間の伝送セッションを処理する方法であって、前記伝送送信側が、
前記伝送受信側との伝送セッションを初期化するステップと、
前記伝送受信側からの「伝送セッションＩＤ（Ｓｅｎｄ  Ｓｅｓｓｉｏｎ  ＩＤ）：取り消し（Ｃａｎｃｅｌｌｅｄ）」イベントに応じて、前記伝送セッションを取り消し（ＣＡＮＣＥＬＥＤ）状態に遷移させるステップと、を有し、
前記取り消し状態に遷移させることは、前記伝送セッションの伝送中（ＴＲＡＮＳＰＯＲＴＩＮＧ）状態および伝送中断（ＴＲＡＮＳＦＥＲ＿ＰＡＵＳＥＤ）状態において許可され、前記伝送セッションの伝送可能（ＲＥＡＤＹ＿ＦＯＲ＿ＴＲＡＮＳＰＯＲＴ）状態において許可されない、セッション処理方法。
【請求項２】
前記伝送送信側が、伝送取り消し（Ｃａｎｃｅｌ  Ｔｒａｎｓｆｅｒ（））メッセージを前記伝送受信側に送信するステップをさらに有し、
前記「伝送セッションＩＤ：取り消し」イベントは、前記伝送取り消しメッセージを送信した後、前記伝送受信側から受信される、請求項１に記載のセッション処理方法。
【請求項３】
ワイヤレスフィデリィティ（Ｗｉ−Ｆｉ）ダイレクト（登録商標）サービスをサポートする伝送送信側と伝送受信側との間の伝送セッションを処理する方法であって、前記伝送受信側が、
前記伝送送信側との伝送セッションを初期化するステップと、
「伝送セッションＩＤ（Ｓｅｎｄ  Ｓｅｓｓｉｏｎ  ＩＤ）：取り消し（Ｃａｎｃｅｌｌｅｄ）」イベントを前記伝送送信側に送信するステップと、
前記伝送セッションを取り消し（ＣＡＮＣＥＬＥＤ）状態に遷移させるステップと、を有し、
前記取り消し状態に遷移させることは、前記伝送セッションの伝送中（ＴＲＡＮＳＰＯＲＴＩＮＧ）状態および伝送中断（ＴＲＡＮＳＦＥＲ＿ＰＡＵＳＥＤ）状態において許可され、前記伝送セッションの伝送可能（ＲＥＡＤＹ＿ＦＯＲ＿ＴＲＡＮＳＰＯＲＴ）状態において許可されない、セッション処理方法。
【請求項４】
前記伝送受信側が、伝送取り消し（Ｃａｎｃｅｌ  Ｔｒａｎｓｆｅｒ（））メッセージを前記伝送送信側から受信するステップをさらに有し、
前記「伝送セッションＩＤ：取り消し」イベントは、前記伝送取り消しメッセージを受信した後、前記伝送送信側に送信される、請求項３に記載のセッション処理方法。
【請求項５】
ワイヤレスフィデリィティ（Ｗｉ−Ｆｉ）ダイレクト（登録商標）サービスをサポートする伝送送信側であって、
送受信器と、
プロセッサと、を有し、
前記プロセッサは、
Ｗｉ−Ｆｉダイレクトサービスをサポートする伝送受信側との伝送セッションを初期化し、
前記伝送受信側からの「伝送セッションＩＤ（Ｓｅｎｄ  Ｓｅｓｓｉｏｎ  ＩＤ）：取り消し（Ｃａｎｃｅｌｌｅｄ）」イベントに応じて、前記伝送セッションを取り消し（ＣＡＮＣＥＬＥＤ）状態に遷移させるよう構成され、
前記取り消し状態に遷移させることは、前記伝送セッションの伝送中（ＴＲＡＮＳＰＯＲＴＩＮＧ）状態および伝送中断（ＴＲＡＮＳＦＥＲ＿ＰＡＵＳＥＤ）状態において許可され、前記伝送セッションの伝送可能（ＲＥＡＤＹ＿ＦＯＲ＿ＴＲＡＮＳＰＯＲＴ）状態において許可されない、伝送送信側。
【請求項６】
前記プロセッサは、前記送受信器が伝送取り消し（Ｃａｎｃｅｌ  Ｔｒａｎｓｆｅｒ（））メッセージを前記伝送受信側に送信するようにするようさらに構成され、
前記「伝送セッションＩＤ：取り消し」イベントは、前記伝送取り消しメッセージを送信した後、前記伝送受信側から受信される、請求項５に記載の伝送送信側。
【請求項７】
ワイヤレスフィデリィティ（Ｗｉ−Ｆｉ）ダイレクト（登録商標）サービスをサポートする伝送受信側であって、
送受信器と、
プロセッサと、を有し、
前記プロセッサは、
Ｗｉ−Ｆｉダイレクトサービスをサポートする伝送送信側との伝送セッションを初期化し、
前記送受信器が「伝送セッションＩＤ（Ｓｅｎｄ  Ｓｅｓｓｉｏｎ  ＩＤ）：取り消し（Ｃａｎｃｅｌｌｅｄ）」イベントを前記伝送送信側に送信するようにし、
前記伝送セッションを取り消し（ＣＡＮＣＥＬＥＤ）状態に遷移させるよう構成され、
前記取り消し状態に遷移させることは、前記伝送セッションの伝送中（ＴＲＡＮＳＰＯＲＴＩＮＧ）状態および伝送中断（ＴＲＡＮＳＦＥＲ＿ＰＡＵＳＥＤ）状態において許可され、前記伝送セッションの伝送可能（ＲＥＡＤＹ＿ＦＯＲ＿ＴＲＡＮＳＰＯＲＴ）状態において許可されない、伝送受信側。
【請求項８】
前記プロセッサは、前記送受信器が伝送取り消し（Ｃａｎｃｅｌ  Ｔｒａｎｓｆｅｒ（））メッセージを前記伝送送信側から受信した後、前記「伝送セッションＩＤ：取り消し」イベントを前記伝送送信側に送信するようにするよう構成される、請求項７に記載の伝送受信側。
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月20日(2017.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属酸化物金属（ＭＯＭ）キャパシタ構造であって、前記ＭＯＭキャパシタ構造の上位レイヤが集積回路（ＩＣ）デバイスの相互接続スタックの第１の上位相互接続層であり、前記ＭＯＭキャパシタ構造は前記相互接続スタックの少なくとも１つの下位相互接続層を備え、前記ＭＯＭキャパシタ構造は異なる極性の横方向に配置された導電性フィンガを備える、ＭＯＭキャパシタ構造と、
前記ＭＯＭキャパシタ構造に結合された前記相互接続スタックの第２の上位相互接続層と、
前記第１の上位相互接続層と前記第２の上位相互接続層との間の少なくとも１つの金属絶縁体金属（ＭＩＭ）キャパシタ層と、
前記ＭＯＭキャパシタ構造に結合されたＭＩＭキャパシタ構造であり、前記第１の上位相互接続層の一部のみから成る第１のキャパシタプレートと、前記少なくとも１つのＭＩＭキャパシタ層の少なくとも一部を含む第２のキャパシタプレートとを備えるＭＩＭキャパシタ構造と
を備えるキャパシタ。
【請求項２】
前記相互接続スタックの前記第１の上位相互接続層と前記第２の上位相互接続層との間の追加のＭＩＭキャパシタ構造をさらに備え、前記追加のＭＩＭキャパシタ構造が、第１のキャパシタプレートと、誘電体層と、第２のキャパシタプレートとしての前記ＭＩＭキャパシタ構造の前記第１のキャパシタプレートとを備える、請求項１に記載のキャパシタ。
【請求項３】
前記第２の上位相互接続層の第１の部分が前記追加のＭＩＭキャパシタ構造の前記第１のキャパシタプレートに結合され、前記第２の上位相互接続層の第２の部分が前記追加のＭＩＭキャパシタ構造の前記第２のキャパシタプレートに結合される、請求項２に記載のキャパシタ。
【請求項４】
セルフォン、ハンドヘルドパーソナル通信システム（ＰＣＳ）ユニット、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、ポータブルデータユニット、および／または固定位置データユニットに組み込まれる、請求項１に記載のキャパシタ。
【請求項５】
キャパシタの作製方法であって、
集積回路（ＩＣ）デバイスの相互接続スタックの下位相互接続層内に、異なる極性の横方向に配置された導電性フィンガを備える金属酸化物金属（ＭＯＭ）キャパシタ構造を形成するステップであって、前記ＭＯＭキャパシタ構造の上位レイヤが第１の上位相互接続層である、ステップと、
前記相互接続スタックの前記第１の上位相互接続層と第２の上位相互接続層との間に少なくとも１つの金属絶縁体金属（ＭＩＭ）キャパシタ層を堆積するステップと、
前記ＭＯＭキャパシタ構造に結合されたＭＩＭキャパシタ構造を形成するステップであり、前記ＭＩＭキャパシタ構造が、前記第１の上位相互接続層の一部のみから成る第１のキャパシタプレートと、前記少なくとも１つのＭＩＭキャパシタ層の少なくとも一部を含む第２のキャパシタプレートとを備える、ステップと
を含むキャパシタの作製方法。
【請求項６】
前記相互接続スタックの前記第１の上位相互接続層と前記第２の上位相互接続層との間の追加のＭＩＭキャパシタ構造を作製するステップをさらに含み、前記追加のＭＩＭキャパシタ構造が、第１のキャパシタプレートと、誘電体層と、第２のキャパシタプレートとしての前記ＭＩＭキャパシタ構造の前記第１のキャパシタプレートとを備える、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記第２の上位相互接続層の第１の部分を前記追加のＭＩＭキャパシタ構造の前記第１のキャパシタプレートに結合するステップと、
前記第２の上位相互接続層の第２の部分を前記追加のＭＩＭキャパシタ構造の前記第２のキャパシタプレートに結合するステップと
をさらに含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
セルフォン、ハンドヘルドパーソナル通信システム（ＰＣＳ）ユニット、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、ポータブルデータユニット、および／または固定位置データユニットに前記キャパシタを組み込むステップをさらに含む、請求項５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月11日(2017.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
１以上の方法及び／又はプロセスは、一般的に、ＣＰＵ２５２によって実行されるとき、方法及び／又はプロセスを処理チャンバ２００に実行させるソフトウェアルーチン２５８としてメモリ２５６内に格納することができる。ソフトウェアルーチン２５８はまた、ＣＰＵ２５２によって制御されるハードウェアから離れて位置する第２のＣＰＵ（図示せず）によって格納及び／又は実行されることができる。本発明の方法のいくつか又は全ては、ハードウェア内で実行することもできる。このように、方法及び／又はプロセスは、ソフトウェア内に実装し、コンピュータシステムを用いて実行してもよいし、ハードウェア内に、例えば、特定用途向け集積回路として又は他のタイプのハードウェア実装でもよいし、又はソフトウェアとハードウェアの組み合わせとしてもよい。ソフトウェアルーチン２５８は、基板２１０を基板支持台２０８上に位置決めされた後に実行することができる。ソフトウェアルーチン２５８は、ＣＰＵ２５２によって実行されると、本明細書に開示された方法が実行されるようにチャンバ動作を制御する特定の目的のコンピュータ（コントローラ）２５０に汎用コンピュータを変える。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
ベースの周縁部及びクランプの周りに配置され、ベースの少なくとも一部及びガス分配プレートの少なくとも一部を覆うようにクランプの部分に亘って延びるリングを含む請求項１記載のシャワーヘッド。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2016511935.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月16日(2017.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基準信号に基づいて変調電源電圧を発生させるように構成された包絡線追跡変調電源であって、
スイッチモード電源を含み、前記基準信号における低周波数変動を追跡するための低周波数経路と、
線形増幅器を含み、前記基準信号における高周波数変動を追跡するための補正経路と、
前記線形増幅器の出力から前記線形増幅器の入力への帰還経路と、
変調電源電圧を発生させるために前記スイッチモード電源の出力と前記線形増幅器の出力とを結合するための結合器と、
を備え、前記結合器は、前記低周波数経路および前記補正経路の出力信号を結合するための、前記低周波数経路の出力におけるインダクタおよび前記補正経路の出力におけるコンデンサを含む、包絡線追跡変調電源。
【請求項２】
前記補正経路における前記線形増幅器は、前記基準信号における周波数の全周波数域を含む信号を増幅する、請求項1に記載の包絡線追跡変調電源。
【請求項３】
前記補正経路における信号にオフセット電圧を供給するための電圧源をさらに備える、請求項1または2に記載の包絡線追跡変調電源。
【請求項４】
前記オフセット電圧の値は、前記線形増幅器のための可能な限り最低の電源電圧を可能とするために前記線形増幅器への信号入力を設定するように選択される、請求項3に記載の包絡線追跡変調電源。
【請求項５】
前記インダクタは、前記スイッチモード電源の前記出力と電源出力との間に接続され、
前記コンデンサは、前記線形増幅器の前記出力と前記電源出力との間に接続される、請求項1から4のいずれか一項に記載の包絡線追跡変調電源。
【請求項６】
前記結合器は、前記スイッチモード電源の前記出力と前記インダクタとの間に接続された別のインダクタと、2つの前記インダクタの接続部と電気的接地との間に接続されたコンデンサと、をさらに含み、
前記スイッチモード電源の切り替えの結果としての何らかのリップル電流は、前記別のインダクタにおいて発生されると共に、前記コンデンサを通じて接地に短絡される、請求項1から5のいずれか一項に記載の包絡線追跡変調電源。
【請求項７】
前記低周波数経路は、前記低周波数経路のための濾波された基準信号を発生させるために、前記低周波数経路から所定の周波数よりも高い周波数成分を除去するための低域フィルタを含む、請求項1から6のいずれか一項に記載の包絡線追跡変調電源。
【請求項８】
前記スイッチモード電源は、低域の前記濾波された基準信号に基づいてスイッチ電源電圧を発生させる、請求項7に記載の包絡線追跡変調電源。
【請求項９】
前記スイッチモード電源は、ピーク電流モードスイッチ電源を備える、請求項7に記載の包絡線追跡変調電源。
【請求項１０】
低域の前記濾波された基準信号に基づいてスイッチモード電圧出力を発生させるためのスイッチを制御するためのパルス幅変調器と、
前記スイッチの出力電流に基づいて前記パルス幅変調器に制御を適合させるための内部帰還制御ループと、
前記スイッチモード電源の出力電圧に基づいて前記パルス幅変調器に制御を適合させるための外部帰還制御ループと、
を備える、請求項9に記載の包絡線追跡変調電源。
【請求項１１】
前記補正経路において遅延器をさらに備える、請求項1から10のいずれか一項に記載の包絡線追跡変調電源。
【請求項１２】
前記遅延器は、前記低周波数経路における前記スイッチモード電源に関連付けられた遅延を補償するように設定される、請求項11に記載の包絡線追跡変調電源。
【請求項１３】
請求項1から12のいずれか一項に記載の包絡線追跡変調電源を含むRF増幅器又はワイヤレス通信システム又はワイヤレスモバイルデバイス。
【請求項１４】
スイッチモード電源を含み、基準信号における低周波数変動を追跡するための低周波数経路と、線形増幅器を含み、前記基準信号における高周波数変動を追跡するための補正経路と、を備え、前記基準信号に基づいて変調電源電圧を発生させるように構成された包絡線追跡変調電源の方法であって、
前記方法は、前記線形増幅器の出力から前記線形増幅器の入力への帰還経路を提供するステップを含み、
包絡線追跡変調器は、変調電源電圧を発生させるために、前記低周波数経路の出力におけるインダクタおよび前記補正経路の出力におけるコンデンサを使用して前記スイッチモード電源の出力と、前記線形増幅器の出力とを結合するための結合器をさらに備える、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月3日(2017.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（Ｉ）
ＭｘＮｉａＭ１ｂＭ２ｃＯ２      （Ｉ）
（式中、変数は、それぞれ以下のように定義される：
Ｍは、Ｎａであり、
Ｍ１は、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ又はＣｏであり、
Ｍ２は、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｔｉ又はＺｒであり、
ｘは、０．５〜０．８の範囲であり、
ａは、０．１〜０．４の範囲であり、
ｂは、０．０５〜０．６の範囲であり、
ｃは、０．０５〜０．６の範囲である）
の活性カソード物質であって、且つ、
ａ＋ｂ＋ｃ＝１であることを特徴とする活性カソード物質。
【請求項２】
前記Ｍ１が、Ｍｎであることを特徴とする請求項１に記載の活性カソード物質。
【請求項３】
前記Ｍ２が、Ｔｉであることを特徴とする請求項１又は２に記載の活性カソード物質。
【請求項４】
前記Ｍが、Ｎａであり、
前記Ｍ１が、Ｍｎであり、
前記Ｍ２が、Ｔｉであり、
前記ａと前記ｃは、ともに０．３２〜０．３４の範囲であり、
前記ｂは、０．３２〜０．３４の範囲である
ことを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載の活性カソード物質。
【請求項５】
前記物質は、Ｘ線回折で確認されるＰ２型層状構造を有することを特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載の活性カソード物質。
【請求項６】
（Ａ）請求項１〜５の何れか一項に記載の活性カソード物質と
（Ｂ）ｓｐ２混成炭素原子を少なくとも６０％含む多形体カーボンと、
（Ｃ）任意に、結合剤として少なくとも一種のポリマーと、
を有する充電式電気化学電池用の電極物質。
【請求項７】
請求項６に記載の電極物質から製造され、又は請求項６に記載の電極物質を使用して製造された電極。
【請求項８】
請求項７に記載の少なくとも一個の電極を有する充電式電気化学電池。
【請求項９】
請求項８に記載の少なくとも一個の充電式電気化学電池を有する充電式バッテリ。
【請求項１０】
自動車、電動自転車、航空機、船、又は定置型エネルギー蓄積装置における請求項８に記載の充電式電気化学電池の使用方法。
【請求項１１】
請求項８に記載の少なくとも一個の充電式電気化学電池を有する装置。
【請求項１２】
請求項１〜５の何れか一項に記載の前記一般式（Ｉ）
ＭｘＮｉａＭ１ｂＭ２ｃＯ２                            （Ｉ）
（式中、ｘは、０．６と０．７５の間の範囲である）
の活性カソード物質の製造方法であって、
（ａ）Ｍ、Ｎｉ、Ｍ１及びＭ２の酸化物の混合物
（該混合物中、金属は以下のモル比で利用可能である：
Ｍが、０．６〜０．７５モル当量、
Ｎｉが、０．１〜０．４モル当量、
Ｍ１が、０．０５〜０．６モル当量、
Ｍ２が、０．０５〜０．６モル当量）
又は焼成中に酸化物を形成する前記金属の化合物の混合物
を製造する工程と、
（ｂ）任意に、工程（ａ）で形成される前記混合物をペレット化する工程と、
（ｃ）３００℃〜１２００℃の範囲の温度で、前記工程（ａ）又は（ｂ）で形成された前記混合物を焼成する工程と、
を有することを特徴とする製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月20日(2017.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（Ｉ）
ＭｘＮｉａＭ１ｂＭ２ｃＯ２        （Ｉ）
（式中、記号はそれぞれ以下のように定義される：
Ｍは、Ｎａであり、
Ｍ１は、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ又はＣｏであり、
Ｍ２は、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｔｉ又はＺｒであり、
ｘは、０．７〜１．３の範囲であり、
ａは、０．１５〜０．４の範囲であり、
ｂは、０．２〜０．７の範囲であり、
ｃは、０．１５〜０．４の範囲であり、ａ＋ｂ＋ｃ＝１である）
で表される活性カソード材料。
【請求項２】
Ｍ１がＦｅであることを特徴とする請求項１に記載の活性カソード材料。
【請求項３】
Ｍ２がＴｉであることを特徴とする請求項１又は２に記載の活性カソード材料。
【請求項４】
ＭがＮａであり、Ｍ１がＦｅであり、Ｍ２がＴｉであり、ａ及びｃが両方とも０．３３〜０．３４の範囲であり、ｂが０．３２〜０．３４の範囲であることを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載の活性カソード材料。
【請求項５】
前記材料が、Ｘ線回折で確認されるアルファ−ＮａＦｅＯ２型層状構造を有することを特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載の活性カソード材料。
【請求項６】
（Ａ）請求項１〜５の何れか一項に記載の活性カソード材料、
（Ｂ）ｓｐ２混成炭素原子を少なくとも６０％含む多形体カーボン、及び
（Ｃ）任意に、結合剤としての少なくとも一種のポリマー、
を有する充電式電気化学電池用の電極材料。
【請求項７】
請求項６に記載の電極材料から製造され、又は請求項６に記載の電極材料を使用して製造される電極。
【請求項８】
請求項７に記載の少なくとも１個の電極を有する充電式電気化学電池。
【請求項９】
請求項８に記載の少なくとも１個の充電式電気化学電池を有する充電式バッテリ。
【請求項１０】
自動車、電動自転車、航空機、船又は定置型エネルギー貯蔵装置における請求項８に記載の充電式電気化学電池の使用方法。
【請求項１１】
請求項８に記載の少なくとも１個の充電式電気化学電池を有する装置。
【請求項１２】
請求項１〜５の何れか一項に記載の一般式（Ｉ）
ＭｘＮｉａＭ１ｂＭ２ｃＯ２                         （Ｉ）
（式中、ｘは、０．９と１．１の間の範囲である）
の活性カソード材料の製造方法であって、
（ａ）Ｍ、Ｎｉ、Ｍ１及びＭ２の酸化物の混合物
（該混合物中、金属は以下のモル比で利用可能である：
Ｍが０．９〜１．１モル当量、
Ｎｉが０．１５〜０．４５モル当量、
Ｍ１が０．１〜０．７モル当量、
及びＭ２が０．１５〜０．４５モル当量）
又はか焼時に酸化物を形成する前記金属の化合物
を製造する工程、
（ｂ）任意に、工程（ａ）で形成される前記混合物をペレット化する工程、
（ｃ）工程（ａ）又は（ｂ）で形成される前記混合物を３００℃〜１２００℃の範囲の温度で、好ましくは８００℃〜１０００℃の範囲の温度でか焼する工程、
を含むことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月19日(2017.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多重Ｘ線ビームのＸ線源であって、
アノード構造及びカソード構造を有し、
前記アノード構造は、複数の焦点ラインを提供する複数の液体金属ジェットを有し、
前記カソード構造は、各々の液体金属ジェットにサブ電子ビームを供給する電子ビーム構造を提供し、
前記液体金属ジェットの各々は、その外周の半分より小さい周表面の電子衝突部分に沿って、前記サブ電子ビームによりヒットされる、多重Ｘ線ビームのＸ線源。
【請求項２】
前記焦点ラインは、少なくとも１つの平面に配される、請求項１に記載の多重Ｘ線ビームのＸ線源。
【請求項３】
前記電子ビーム構造は、サブ電子ビームとして供給される個別の電子ビームの複数を含む、請求項１又は２に記載の多重Ｘ線ビームのＸ線源。
【請求項４】
前記電子ビーム構造は、前記液体金属ジェットが互いにマスキングを提供し、それにより前記液体金属ジェットの外周の半分より小さい周表面の部分のみが単一電子ビームの一部によりヒットされるように、前記液体金属ジェットに供給される単一電子ビームを含む、請求項１又は２に記載の多重Ｘ線ビームのＸ線源。
【請求項５】
前記液体金属ジェットの各々は、電子ビーム伝搬方向にいて個々の近傍の金属ジェットに対するマスキングを提供する、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の多重Ｘ線ビームのＸ線源。
【請求項６】
前記液体金属ジェットは、位相コントラストイメージングにおけるＸ線生成の間、各液体金属ジェットに対する前記サブ電子ビームの電子透過深さの約２倍のサイズのジェット直径を与えられる、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の多重Ｘ線ビームのＸ線源。
【請求項７】
前記液体金属ジェットの形状が円形でない、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の多重Ｘ線ビームのＸ線源。
【請求項８】
前記液体金属ジェットが、管電圧に依存して形成可能である、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の多重Ｘ線ビームのＸ線源。
【請求項９】
前記液体金属ジェットは、金属の放物線状の飛行経路が中心ビームと直交する平面と最大のアライメントを有するように、角度を付けられる、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の多重Ｘ線ビームのＸ線源。
【請求項１０】
ステッピング装置が、前記液体金属ジェットの共通ステッピングのために提供される、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の多重Ｘ線ビームのＸ線源。
【請求項１１】
アパーチャ構造が提供され、前記アパーチャ構造は、Ｘ線吸収材料による複数の液体ジェットによって形成されるダイアフラムセグメントの間に直線的な開口を提供する、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の多重Ｘ線ビームのＸ線源。
【請求項１２】
位相コントラストＸ線イメージング用のシステムであって、
Ｘ線源と、
位相グレーティングと、
アナライザグレーティングと、
Ｘ線検出器と、
を有し、対象受け入れ空間が、前記Ｘ線源と前記位相グレーティングとの間に提供され、前記Ｘ線源は、請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の多重Ｘ線ビームのＸ線源として提供される、システム。
【請求項１３】
位相コントラストＸ線イメージング用のＸ線放射線を生成する方法であって、
ａ）複数の焦点ラインを提供する複数の液体金属ジェットを生成するステップと、
ｂ）前記液体金属ジェットの各々にサブ電子ビームを供給するステップと、
ｃ）前記液体金属ジェットに当たる電子によってＸ線放射線を生成するステップと、
を有し、前記液体金属ジェットの各々は、その外周の半分より小さい周表面の電子衝突部分に沿って、前記サブ電子ビームによりヒットされる、方法。
【請求項１４】
請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の多重Ｘ線ビームのＸ線源又は請求項１２に記載のシステムを制御するためのコンピュータプログラムであって、請求項１３に記載の方法の各ステップを処理ユニットに実施させるコンピュータプログラム。
【請求項１５】
請求項１４に記載のコンピュータプログラムが記憶されたコンピュータ可読媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月5日(2017.1.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
管状部材であって、前記管状部材の入力端部から前記管状部材の出力端部へ光を案内するよう適応される管状部材と、前記管状部材の前記出力端部に配設される照明装置とを有する光ガイド組立体であり、前記照明装置が、
光源と、
層であって、少なくとも、前記層に当たる光の反射、及び前記層を透過することができる光の量に関して、調節可能な層とを有する光ガイド組立体であって、
前記層が、
前記層が少なくとも部分的に反射性になるように調節されているときには、前記管状部材の前記出力端部から出力される光を反射し、
前記層が少なくとも部分的に光を透過するものになるように調節されているときには、前記層に、前記光源によって発せられる光を透過させるよう、構成される光ガイド組立体。
【請求項２】
前記層が、前記層が少なくとも部分的に反射性になるように調節されているときには、前記管状部材の前記出力端部から出力される光を二次反射面の方へ反射するよう、構成され、前記二次反射面が、前記層によって反射され、前記二次反射面に当たる光を、前記光ガイド組立体によって照明されるべき空間の方へ向け直すよう構成される請求項１に記載の光ガイド組立体。
【請求項３】
前記光源が、前記二次反射面に向かう方向に光を発するよう構成される請求項２に記載の光ガイド組立体。
【請求項４】
前記層が、前記管状部材の前記出力端部に向かう方向に先細であるよう構成される前記照明装置の先細構造上に配設される請求項１乃至３のいずれか一項に記載の光ガイド組立体。
【請求項５】
前記層が、電気的に制御可能な粒子を有し、前記層の前記反射及び光が前記層を透過することができる前記量が、前記粒子を電気的に制御することによって調節可能である請求項１乃至４のいずれか一項に記載の光ガイド組立体。
【請求項６】
前記層の前記反射が、拡散反射又は鏡面反射である請求項１乃至５のいずれか一項に記載の光ガイド組立体。
【請求項７】
ユーザによって入力されるデータ、光センサから受信されるデータ、及びメモリから受信される所定のデータのうちの１つ以上である入力データに基づいて前記層を制御するよう構成される制御装置を更に有する請求項１乃至６のいずれか一項に記載の光ガイド組立体。
【請求項８】
反射器であって、前記照明装置の前記層によって反射され、前記反射器に当たる光を、前記光ガイド組立体によって照明されるべき空間の方へ向け直すように、前記管状部材の前記出力端部に配設される反射器を更に有する請求項１乃至７のいずれか一項に記載の光ガイド組立体。
【請求項９】
前記反射器が、前記管状部材から離れる方向に広がっている請求項８に記載の光ガイド組立体。
【請求項１０】
前記管状部材において案内された光を透過するよう構成される窓を更に有する請求項１乃至９のいずれか一項に記載の光ガイド組立体。
【請求項１１】
前記窓が、前記窓に当たる光の反射、前記窓を透過する光の色、及び／又は前記窓を透過することができる光の量に関して、調節可能である請求項１０に記載の光ガイド組立体。
【請求項１２】
前記管状部材の前記入力端部に配設されるレンズを更に有し、前記レンズが、光を前記管状部材内へ向けるよう構成される請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の光ガイド組立体。
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月6日(2017.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
a)負極をプレリチウム化(pre-lithiating)する工程；
b)負極、正極、セパレータおよび電解質を、密封されたセルに組み立てる工程；
c)電解質還元の電圧より高いが、負極の最大安全リチウム容量を超える(violate)電圧より低い電圧までセルを充電する工程；
d)セルを放電または部分的に放電する工程；ならびに
e)通常の完全電圧までセルを充電する工程
を含む、リチウムイオンセルの比容量および容量保持を最大にする方法。
【請求項２】
さらなるSEI消失を刺激するために、好ましくは徐々に高くなる電圧で、セルを放電し、部分充電工程を繰り返す、請求項１記載の方法。
【請求項３】
最初の部分充電後、半日〜7日以上の間セルに高温を適用する、請求項１記載の方法。
【請求項４】
セル比容量および容積容量密度(volumetric capacity density)が上昇する、請求項１記載の方法。
【請求項５】
セル容量保持が上昇する、請求項１記載の方法。
【請求項６】
形成サイクルを高温で行う、請求項１記載の方法。
【請求項７】
a)負極をプレリチウム化する工程；
b)負極、正極、セパレータおよび電解質を、密封されたセルに組み立てる工程；
c)セルを高温まで加熱する工程；
d)電解質還元の電圧より高いが、負極の最大安全リチウム容量を超える電圧より低い電圧までセルを充電する工程；
e)任意に、さらなるSEI消失を刺激するために、おそらく徐々に高くなる電圧でセルを放電し、上述の部分充電工程を繰り返す工程；
f)任意にセルを放電する工程；ならびに
g)通常の完全電圧までセルを充電する工程
を含む、リチウムイオンセルの比容量および容量保持を最大にする方法。
【請求項８】
セル比容量および容積容量密度が上昇する、請求項７記載の方法。
【請求項９】
セル容量保持が上昇する、請求項７記載の方法。
【請求項１０】
工程gの前に高い貯蔵工程を使用する、請求項７記載の方法。
【請求項１１】
a)負極；
b)負極、正極、セパレータおよび電解質を、密封されたセルに組み立てる工程；
c)電解質還元の電圧より高いが、負極の最大安全リチウム容量を超える電圧より低い電圧までセルを充電する工程；
d)セルを放電または部分的に放電する工程；ならびに
e)通常の完全電圧までセルを充電する工程
を含む、リチウムイオンセルの比容量および容量保持を最大にする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月23日(2017.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワイヤレス通信のためのアクセスポイントであって、
1組のアクセスポイント間でハンドオーバコマンド送信のためにハンドオーバの前に予約される予約されたリソースを判定するように構成され、アクセス端末をハンドオーバすることを判定するようにさらに構成された処理システムであって、前記予約されたリソースの前記判定の後に前記アクセス端末をハンドオーバするための前記判定が起こる、処理システムと、
前記アクセス端末をハンドオーバするための判定の結果として前記予約されたリソースを介して前記アクセス端末にハンドオーバコマンドを送信するように構成された送信機とを含む、アクセスポイント。
【請求項２】
前記処理システムは、前記予約されたリソースを示す情報を記憶することによって前記予約されたリソースを判定するように構成される、請求項1に記載のアクセスポイント。
【請求項３】
前記処理システムは、前記リソースを選択するためにアクセスポイントのクラスタの少なくとも1つのアクセスポイントと通信することによって前記予約されたリソースを判定するように構成される、請求項1に記載のアクセスポイント。
【請求項４】
前記処理システムは、前記予約されたリソースを示す情報を受信することによって前記予約されたリソースを判定するように構成される、請求項1に記載のアクセスポイント。
【請求項５】
前記処理システムは、所定の予約されたリソースを判定することによって前記予約されたリソースを判定するように構成される、請求項1に記載のアクセスポイント。
【請求項６】
前記処理システムは、ネットワーク規模の構成を判定することによって前記所定の予約されたリソースを判定するようにさらに構成される、請求項5に記載のアクセスポイント。
【請求項７】
異なる所定の予約されたリソースは、アクセスポイントの異なるクラスタに関して定義され、
前記処理システムは、前記アクセスポイントのクラスタのうちの1つを識別し、前記識別されたクラスタに関して前記所定の予約されたリソースのうちのどれが定義されるかを判定することによって前記所定の予約されたリソースを判定するようにさらに構成される、
請求項5に記載のアクセスポイント。
【請求項８】
前記処理システムは、リソース許可を生成するようにさらに構成され、
リソース許可は、前記予約されたリソースおよびハンドオーバタイミング情報に関する情報を含み、
前記送信機は、前記ハンドオーバコマンドの前記送信の前に前記アクセス端末に前記リソース許可を送信するようにさらに構成される、
請求項1に記載のアクセスポイント。
【請求項９】
前記送信機は、前記ハンドオーバコマンドの前記送信の前に前記アクセス端末に前記リソースの予約を示す情報を送信するようにさらに構成される、請求項1に記載のアクセスポイント。
【請求項１０】
前記予約されたリソースを示す情報は、前記ハンドオーバコマンドの前記送信が起こる時間スロットより前に、前記アクセス端末に記憶される、請求項1に記載のアクセスポイント。
【請求項１１】
前記予約されたリソースは、周波数領域リソースである、請求項1に記載のアクセスポイント。
【請求項１２】
前記予約されたリソースは、時間領域リソースである、請求項1に記載のアクセスポイント。
【請求項１３】
前記予約されたリソースは、LTE物理リソースブロックである、請求項1に記載のアクセスポイント。
【請求項１４】
アクセスポイントでのワイヤレス通信の方法であって、
1組のアクセスポイント間でハンドオーバコマンド送信のためにハンドオーバの前に予約される予約されたリソースを判定するステップと、
アクセス端末をハンドオーバすることを判定するステップであって、前記予約されたリソースの前記判定の後に前記アクセス端末をハンドオーバするための前記判定が起こる、ステップと、
前記アクセス端末をハンドオーバするための判定の結果として前記予約されたリソースを介して前記アクセス端末にハンドオーバコマンドを送信するステップと
を含む、方法。
【請求項１５】
コンピュータに、
1組のアクセスポイント間でハンドオーバコマンド送信のためにハンドオーバの前に予約される予約されたリソースを判定させ、
アクセス端末をハンドオーバすることを判定させ、ここにおいて、前記予約されたリソースの前記判定の後に前記アクセス端末をハンドオーバするための前記判定が起こり、
前記アクセス端末をハンドオーバするための判定の結果として前記予約されたリソースを介して前記アクセス端末にハンドオーバコマンドを送信させる
ためのコードを含む、コンピュータ可読記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月30日(2016.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも真正塩基性線維芽細胞成長因子（ｂＦＧＦ）の産生のためにエシェリキア・コリ宿主で使用するＤＮＡ構築物であって、発現カセットと、インテイン配列と、塩基性線維芽細胞成長因子（ｂＦＧＦ）をコード化するＤＮＡと、真正ヒト上皮成長因子（ＥＧＦ）をコード化するＤＮＡと、を含む挿入物を含み、前記宿主に前記宿主の細胞質中に塩基性線維芽細胞成長因子（ｂＦＧＦ）を分泌させ、および／または前記宿主が培養される細胞培地に排泄させるように構成された、ＤＮＡ構築物。
【請求項２】
ＥＧＦをコード化する前記ＤＮＡが前記発現カセットと前記インテイン配列との間に配置される、請求項１に記載のＤＮＡ構築物。
【請求項３】
前記宿主に前記ｂＦＧＦおよび／または前記ＥＧＦを非融合ポリペプチドとして分泌または排泄させるように構成された、請求項２に記載のＤＮＡ構築物。
【請求項４】
前記インテイン配列がＳｃｅ ＶＭＡインテイン配列である、請求項１に記載のＤＮＡ構築物。
【請求項５】
前記発現カセットが、プロモータ配列と、オペレータ配列と、コンセンサスリボソーム結合部位の配列と、リーダー配列とを含む、請求項１に記載のＤＮＡ構築物。
【請求項６】
前記発現カセットが、プロモータ配列の前記配列中に、オペレータ配列と、コンセンサスリボソーム結合部位の配列と、リーダー配列とを含む、請求項５に記載のＤＮＡ構築物。
【請求項７】
前記プロモータ配列がｌａｃＵＶ５プロモータ（ｌａｃＵＶ５）であり、前記オペレータ配列がｌａｃオペレータ（ｌａｃＯ）であり、前記リーダー配列がｏｍｐＡリーダー配列（ｏｍｐＡ）である、請求項５に記載のＤＮＡ構築物。
【請求項８】
少なくとも塩基性線維芽細胞成長因子（ｂＦＧＦ）と真正ヒト上皮成長因子（ＥＧＦ）の産生のための遺伝子組換え生物系であって、前記系がエシェリキア・コリ宿主であり、細胞質中に分泌および／または前記系が培養される細胞培地中に排泄によって前記塩基性線維芽細胞成長因子（ｂＦＧＦ）と前記真正ヒト上皮成長因子（ＥＧＦ）を産生する、遺伝子組換え生物系。
【請求項９】
発現カセットと、インテイン配列と、塩基性線維芽細胞成長因子（ｂＦＧＦ）をコード化するＤＮＡと、真正ヒト上皮成長因子（ＥＧＦ）をコード化するＤＮＡと、を含む挿入物を含むＤＮＡ構築物を含む、請求項８に記載の系。
【請求項１０】
前記塩基性線維芽細胞成長因子（ｂＦＧＦ）を非融合ポリペプチドとして産生するよう構成した、請求項８に記載の系。
【請求項１１】
前記真正ヒト上皮成長因子（ＥＧＦ）を非融合ポリペプチドとして産生するよう構成した、請求項８に記載の系。
【請求項１２】
エシェリキア・コリ宿主の細胞質中におよび／または細胞質から細胞外産物として塩基性線維芽細胞成長因子（ｂＦＧＦ）と真正ヒト上皮成長因子（ＥＧＦ）を産生する方法であって、前記ｂＦＧＦと前記ＥＧＦの発現のためのＤＮＡ構築物においてインテインと前記ｂＦＧＦと前記ＥＧＦを夫々コード化するＤＮＡを使用するステップを含む、方法。
【請求項１３】
前記インテインがＳｃｅ ＶＭＡインテインである、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記ＤＮＡ構築物中のｂＦＧＦおよびＥＧＦの前記ＤＮＡコーディング間に前記インテインを配置するステップを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
産生される前記ｂＦＧＦおよび／またはＥＧＦが非融合ポリペプチドである、請求項１２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月13日(2017.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワイヤレスアクセスポイント発見のためのコンピュータ実施方法であって、
前記方法は、
１つまたは複数のワイヤレスアクセスポイントを発見するために第１のスキャン反復においてチャネルのセットをスキャンすることと、
１つまたは複数の発見されたワイヤレスアクセスポイントに基づいて発見プロファイルを決定することと、
第２のスキャン反復においてチャネルの前記セットのサブセットをスキャンすることと、ここにおいて、チャネルの前記セットの前記サブセットは、前記発見プロファイルに従って選択された非オーバーラップチャネルからなる、
を備え、
ここにおいて、前記発見プロファイルを決定することは、前記サブセット中の１つまたは複数のチャネルに前記１つまたは複数の発見されたワイヤレスアクセスポイントと関連付けられる１つまたは複数の発見されたチャネルを適合させることをさらに備え、ここにおいて、前記サブセットは複数のサブセットのうちの１つであり、および、ここにおいて、各サブセットは地理的位置と関連付けられる、
方法。
【請求項２】
前記発見プロファイルを決定することは、
前記１つまたは複数の発見されたワイヤレスアクセスポイントから国識別子を抽出することと、および、
前記国識別子に基づいてチャネルの前記セットの前記サブセットを選択することと、
をさらに備え、
ここにおいて、前記サブセットは前記国識別子によって示される国と関連付けられる前記非オーバーラップチャネルである、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
サブセットスキャン反復閾値が満たされるまで、複数の後続のスキャン反復において前記サブセットを再スキャンすること、
をさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記サブセットスキャン反復閾値が満たされると決定することと、および、
第１のセットスキャン反復閾値が満たされるまで、複数の後続のスキャン反復においてチャネルの前記セットを再スキャンすることと、
をさらに備える、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記第１のセットスキャン反復閾値が満たされると決定することと、
前記サブセットにおける低い信頼度を計算することと、および、
第２のセットスキャン反復閾値が満たされるまで、複数の後続のスキャン反復においてチャネルの前記セットを、前記低い信頼度に基づいて、再スキャンすることと、ここにおいて、前記第２のセットスキャン反復閾値は、前記第１のセットスキャン反復閾値よりも多くのスキャン反復を有する、
をさらに備える、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
ワイヤレスアクセスポイント発見のための実行可能コードを含む機械可読記憶媒体であって、前記コードは、プロセッサによって実行されるとき、前記プロセッサに、請求項１乃至５のうちのいずれか１項に記載のステップを実行させる、機械可読記憶媒体。
【請求項７】
ワイヤレスアクセスポイント発見のための装置であって、
１つまたは複数のワイヤレスアクセスポイントを発見するために第１のスキャン反復においてチャネルのセットをスキャンするための手段と、
１つまたは複数の発見されたワイヤレスアクセスポイントに基づいて発見プロファイルを決定するための手段と、および、
第２のスキャン反復においてチャネルの前記セットのサブセットをスキャンするための手段と、ここにおいて、チャネルの前記セットの前記サブセットは、前記発見プロファイルに従って選択された非オーバーラップチャネルからなる、
を備え、
ここにおいて、前記発見プロファイルを決定するための前記手段は、前記サブセット中の１つまたは複数のチャネルに前記１つまたは複数の発見されたワイヤレスアクセスポイントと関連付けられる１つまたは複数の発見されたチャネルを適合させるための手段を備え、ここにおいて、前記サブセットは複数のサブセットのうちの１つであり、および、ここにおいて、各サブセットは地理的位置と関連付けられる、
装置。
【請求項８】
前記発見プロファイルを決定することは、
１つまたは複数の発見されたワイヤレスアクセスポイントから国識別子を抽出するための手段と、および、
前記国識別子に基づいて、チャネルの前記セットの前記サブセットを選択するための手段と、ここにおいて、チャネルの前記サブセットは、前記国識別子によって識別される国と関連付けられる前記非オーバーラップチャネルである、
をさらに備える、
請求項７に記載の装置。
【請求項９】
サブセットスキャン反復閾値が満たされるまで、複数の後続のスキャン反復においてチャネルの前記サブセットを再スキャンするための手段、
をさらに備える、請求項７に記載の装置。
【請求項１０】
前記サブセットスキャン反復閾値が満たされると決定するための手段と、および、
第１のセットスキャン反復閾値が満たされるまで、複数の後続のスキャン反復においてチャネルの前記セットを再スキャンするための手段と、
をさらに備える、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記第１のセットスキャン反復閾値が満たされると決定するための手段と、
チャネルの前記セットの前記サブセットにおける低い信頼度を計算するための手段と、および、
第２のセットスキャン反復閾値が満たされるまで、複数の後続のスキャン反復においてチャネルの前記セットを、前記低い信頼度に基づいて再スキャンするための手段と、ここにおいて前記第２のセットスキャン反復閾値は、前記第１のセットスキャン反復閾値よりも多くのスキャン反復を有する、
をさらに備える、請求項１０に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月2日(2016.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
超音波トランスデューサーの基礎部材上に少なくとも１つの電極を堆積させる方法であって、
第１のエッチング剤を用いて前記基礎部材の表面を少なくとも部分的にエッチングすることと、
第１の触媒を用いて前記基礎部材の前記表面に触媒作用を及ぼすことと、
前記基礎部材の前記表面上に銅をめっきすることと、
第２のエッチング剤を用いて、前記銅めっき面の表面を少なくとも部分的にエッチングすることと、
第２の触媒を用いて前記銅めっき面に触媒作用を及ぼすことと、
無電解めっき工程を用いて、前記銅めっき面の上にニッケルをめっきすることと、
を含む、超音波トランスデューサーの基礎部材上に少なくとも１つの電極を堆積させる方法。
【請求項２】
前記基礎部材は、非導電性材料、及び／またはセラミックを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
第１のエッチング剤を用いて基礎部材の表面を少なくとも部分的にエッチングする前に、洗浄剤を用いて前記基礎部材を洗浄すること更に含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記ニッケルめっき面の上に金の少なくとも１つの層を析出させること
を更に含む、請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記第１のエッチング剤及び前記第２のエッチング剤のうちの少なくとも一方は酸を含む、請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記第１の触媒及び前記第２の触媒のうちの少なくとも一方はパラジウムを含む、請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記基礎部材の前記表面に銅をめっきすることは、無電解めっき工程を用いることを含み、及び／または
前記第２の触媒は硫酸アニオン系溶液を含み、または
前記銅めっき面の上にニッケルをめっきすることは、高燐ニッケルを含む浴内に前記超音波トランスデューサーを配置することを含み、または
前記ニッケルめっき面の上に金の少なくとも１つの層を析出させることは、該ニッケルめっき面に沿って金の単層を浸漬めっきすることを含み、または
前記ニッケルコーティング面に沿った金の厚さは、０．１マイクロインチと１０マイクロインチとの間であり、または
前記基礎部材の前記表面に沿った銅の厚さは、１０マイクロインチと２５マイクロインチとの間であり、または
前記銅コーティング面に沿ったニッケルの厚さは、１００マイクロインチと２００マイクロインチとの間であり、または
前記銅、前記ニッケル及び前記金は、前記基礎部材の外面及び内面に沿って析出し、または
これらのいずれかの組み合わせである、請求項１〜６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法を用いて、前記トランスデューサーの前記基礎部材の上に堆積した電極を備え、
前記トランスデューサーは円筒状トランスデューサーを含む、超音波トランスデューサー。
【請求項９】
基礎部材と、
前記基礎部材の表面に沿って配置された銅の少なくとも１つの層と、
前記銅の少なくとも１つの層に沿って配置されたニッケルの少なくとも１つの層であって、前記銅の少なくとも１つの層は、前記基礎部材と前記ニッケルの少なくとも１つの層との間に配置されている、ニッケルの少なくとも１つの層と、
前記ニッケルの少なくとも１つの層に沿って配置された金の少なくとも１つの層と、
を備える超音波トランスデューサー。
【請求項１０】
前記銅の少なくとも１つの層は、前記基礎部材の前記表面の上にめっきされており、及び／または
前記銅の少なくとも１つの層は、無電解めっき工程を用いて前記基礎部材の前記表面の上にめっきされている、請求項９に記載の超音波トランスデューサー。
【請求項１１】
前記ニッケルの少なくとも１つの層は、前記銅の少なくとも１つの層に沿ってめっきされており、及び／または
前記ニッケルの少なくとも１つの層は、無電解めっき工程を用いて前記銅の少なくとも１つの層に沿ってめっきされている、請求項９または１０に記載の超音波トランスデューサー。
【請求項１２】
前記基礎部材は、非導電性材料、及び／またはセラミックを含む、請求項９から１１のいずれかに記載の超音波トランスデューサー。
【請求項１３】
前記銅の少なくとも１つの層の厚さは、１０マイクロインチと２５マイクロインチとの間である、請求項９〜１２のいずれかに記載の超音波トランスデューサー。
【請求項１４】
前記ニッケルの少なくとも１つの層の厚さは、１００マイクロインチと２００マイクロインチとの間である、請求項９〜１３のいずれかに記載の超音波トランスデューサー。
【請求項１５】
前記金の少なくとも１つの層の厚さは、０．１マイクロインチと１０マイクロインチとの間である、請求項９〜１４のいずれか一項に記載の超音波トランスデューサー。
【請求項１６】
前記銅の少なくとも１つの層の厚さは、１０マイクロインチと２５マイクロインチとの間であり、前記ニッケルの少なくとも１つの層の厚さは、１００マイクロインチと２００マイクロインチとの間であり、前記金の少なくとも１つの層の厚さは、０．１マイクロインチと１０マイクロインチとの間である、請求項９〜１５のいずれかに記載の超音波トランスデューサー。
【請求項１７】
前記基礎部材は圧電セラミック材料を含む、請求項９〜１６のいずれかに記載の超音波トランスデューサー。
【請求項１８】
円筒状トランスデューサーを含む、請求項９〜１７のいずれかに記載の超音波トランスデューサー。