【手続補正書】
【提出日】平成29年3月24日(2017.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０５】
１．３２ｇのｐ−トルエンスルホン酸ピリジニウムを２９８．７ｇの４．２重量％ポリビニルアルコール水溶液中に溶解し、そして０．２ミクロンナイロンフィルタで濾過した。この溶液を上記のウェハ上にスピンキャストして９０ｎｍフィルムを形成し、そしてこのフィルムを１２０℃で６０秒間ベークした。最後に、このウェハを２．３８重量％ＴＭＡＨ現像剤で４５秒間現像した。様々なｐＨを有するポリ（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチルアクリレート−ｃｏ−Ｎ−ビニルピロリドン）トシル酸塩の溶液は全て、図形の接着性の損失を伴って非常に不良のリソ画像反転を与えた。比較として、合成例２に記載のように調製された単離されたポリマーは、図形の接着性の損失の徴候を何ら示すことなく非常に良好なＬＩＲを与えた（リソグラフィ例１：ＬＩＲプロセス参照）。
本願は特許請求の範囲に記載の発明に係るものであるが、本願の開示は以下も包含する：
１．
フォトレジストパターン上に層を形成することができる、ポリマー型熱酸発生剤の水性コーティング組成物であって、構造２の少なくとも一種の繰り返し単位を有するポリマーを含む、前記水性コーティング組成物。
【化１２】
2016526183.tif 000001
式中、Ｒ１〜Ｒ５は、独立して、Ｈ及びＣ１〜Ｃ６アルキルからなる群から選択され；Ｒ６は、アリール、置換されたアリール、アルキル（Ｃ１〜Ｃ８）及びフルオロアルキル（Ｃ１〜Ｃ８）からなる群から選択され、そしてＷはＣ２〜Ｃ６アルキレンスペーサー基である。
２．
ポリマーが、構造１の少なくとも一種の繰り返し単位を含むポリマーとスルホン酸との単離された反応生成物である、上記１に記載の水性コーティング組成物。
【化１３】
2016526183.tif 000002
式中、Ｒ１〜Ｒ５は、独立して、Ｈ及びＣ１〜Ｃ６アルキルからなる群から選択される。
３．
ポリマーが構造３の繰り返し単位を更に含む、上記１または２に記載の水性コーティング組成物。
【化１４】
2016526183.tif 000003
式中、Ｒ７〜Ｒ９は、独立して、水素及びＣ１〜Ｃ６アルキルから選択され、Ａは、単結合、Ｏ、Ｃ（Ｏ）、（Ｃ＝Ｏ）Ｏ、Ｃ１〜Ｃ４アルキルから選択され；Ｘ、Ｙ、Ｚ及びＮは環状構造を形成し、更にここでＸは、Ｃ１〜Ｃ６アルキレン、不飽和Ｃ１〜Ｃ６アルキレン、直接結合及びこれらの混合物から選択され、Ｙは、Ｃ１〜Ｃ６アルキレン、不飽和Ｃ１〜Ｃ６アルキレン、直接結合及びこれらの混合物から選択され、Ｚは、酸素、Ｃ（Ｏ）及び窒素から選択される。
４．
構造（３）の繰り返し単位が次から選択される、上記３に記載のコーティング組成物。
【化１５】
2016526183.tif 000004
式中、Ｒ７〜Ｒ９は、独立して、水素及びＣ１〜Ｃ６アルキルから選択され、Ｘ、Ｙ、Ｚ及びＮは環状構造を形成し、更にここでＸは、Ｃ１〜Ｃ６アルキレン、不飽和Ｃ１〜Ｃ６アルキレン、直接結合及びこれらの混合物から選択され、Ｙは、Ｃ１〜Ｃ６アルキレン、不飽和Ｃ１〜Ｃ６アルキレン、直接結合及びこれらの混合物から選択され、Ｚは、酸素、Ｃ（Ｏ）及び窒素から選択される。
５．
構造（３）のモノマー性単位が次から選択される、上記３または４に記載のコーティング組成物。
【化１６】
2016526183.tif 000005
６．
Ｗがメチレン及びエチレンから選択される、上記１または２に記載のコーティング組成物。
７．
水混和性溶媒を更に含む、及び／または界面活性剤、Ｃ１〜Ｃ８アルコール及び架橋性化合物から選択される添加剤を更に含む、及び／または架橋性化合物を含まない、上記１〜４のいずれか一つに記載の組成物。
８．
微細電子デバイスを製造する方法であって、
ａ）基材にフォトレジストパターンを供し；
ｂ）このフォトレジストパターンを、上記１〜７のいずれか一つに記載のポリマー型熱酸発生剤の水性コーティング組成物でコーティングし；
ｃ）フォトレジストパターンと接触している部分のコーティング組成物を、ベークすることによって反応させ；及び
ｄ）反応していない部分のコーティング組成物を水性除去液で除去して、フォトレジストパターンの表面上にコーティングを形成する、
ことを含む前記方法。
９．
ａ）コーティングされたフォトレジストパターンを、水性塩基現像剤で現像して、フォトレジストパターンのトリミングを行うステップを更に含む、上記８に記載の方法。
１０．
ａ）コーティングされたフォトレジストパターンを、水性塩基可溶化基で保護された酸不安定性基を含むポリマーと、第一のフォトレジストパターンを溶解しない溶媒とを含む第二の組成物でコーティングするステップ；
ｂ）水性塩基可溶性基を保護する酸不安定性基を含むポリマーを含む前記組成物と、上記１に記載のポリマー結合型熱酸発生剤とを、コーティングされたキャップされたフォトレジスト図形をベークすることによって反応させるステップ；及び
ｃ）熱酸発生剤でキャップされたフォトレジスト図形と、酸不安定性基を持つポリマーとの間の境界面で解保護化された材料を、水性アルカリ現像剤で除去するステップ、
を更に含む、上記８に記載の方法。
１１．
第二の組成物が、水性アルカリで現像可能なポジトーン化学増幅フォトレジストである、及び／または水性塩基可溶性基を保護する酸不安定性基を含むポリマーが、次の（ａ）〜（ｅ）からなる群から選択される、上記１０に記載の方法。
ａ）（ｉ）置換されたかもしくは置換されていないヒドロキシスチレンと、アクリレート、メタクリレート、またはアクリレートとメタクリレートとの混合物とを含むポリマー（前記アクリレート及び／またはメタクリレートは、脱ブロック化に高い活性化エネルギーを必要とする酸不安定性基で保護されている）と、（ｉｉ）ビニルエーテル及び置換されていないかもしくは置換された複素脂肪環式類から選択された化合物との間で、触媒の不在下に形成された反応生成物；
ｂ）（ｉ）ノボラックポリマー、（ｉｉ）２〜７個のフェノール基を有するポリヒドロキシ化合物、及び（ｉｉｉ）ビニルエーテル及び置換されていないかもしくは置換された複素脂肪環式類から選択された化合物の間で、触媒の不在下に形成された反応生成物；
ｃ）（ｉ）ノボラックポリマー、（ｉｉ）置換されたかもしくは置換されていないヒドロキシスチレンと、アクリレート、メタクリレート、またはアクリレートとメタクリレートとの混合物とを含むポリマー（前記アクリレート及び／またはメタクリレートは、脱ブロック化に高い活性化エネルギーを必要とする酸不安定性基で保護されている）、及び（ｉｉｉ）ビニルエーテル及び置換されていないかもしくは置換された複素脂肪環式類から選択された化合物の間で、触媒の不在下に形成された反応生成物；
ｄ）（ｉ）（ａ）ノボラックポリマー、（ｂ）２〜７個のフェノール基を有するポリヒドロキシ化合物、及び（ｃ）ビニルエーテル及び置換されていないかもしくは置換された複素脂肪環式類から選択された化合物の間で触媒の不在下に形成された反応生成物と、（ｉｉ）置換されたかもしくは置換されていないヒドロキシスチレンと、アクリレート、メタクリレート、またはアクリレートとメタクリレートとの混合物とを含むポリマー（前記アクリレート及び／またはメタクリレートは、脱ブロック化のための高い活性化エネルギーで保護されている）との混合物；及び
ｅ）（ｉ）（ａ）ノボラックポリマー、（ｂ）２〜７個のフェノール基を有するポリヒドロキシ化合物、及び（ｃ）ビニルエーテル及び置換されていないかもしくは置換された複素脂肪環式類から選択された化合物の間で触媒の不在下に形成された反応生成物、（ｉｉ）置換されたかもしくは置換されていないヒドロキシスチレンと、アクリレート、メタクリレート、またはアクリレートとメタクリレートとの混合物とを含むポリマー（前記アクリレート及び／またはメタクリレートは、脱ブロック化に高い活性化エネルギーを必要とする酸不安定性基で保護されている）、及び（ｉｉｉ）ノボラック、の混合物。
１２．
熱酸発生剤でキャップされたフォトレジスト図形を溶解しないスピンキャスト溶媒が、Ｃ４〜Ｃ８アルキルアセテート、Ｃ８〜Ｃ１２アルカン、Ｃ４〜Ｃ８アルコール、及びこれらの混合物からなる群から選択され、好ましくは酢酸ブチル、酢酸プロピル、酢酸ペンチル、４−メチル−２−ペンタノール、ペンタノール、及びヘキサノールからなる群から選択される、上記１０または１１に記載の方法。
１３．
微細電子デバイスを製造する方法であって、
ａ）基材にフォトレジストパターンを供し；
ｂ）このフォトレジストパターンを、上記１〜７のいずれか一つに記載のポリマー型熱酸発生剤の水性コーティング組成物でコーティングし；
ｃ）フォトレジストパターンと接触している部分のコーティング組成物を、ベークすることによって反応させ；
ｄ）反応していない部分のコーティング組成物を水性除去液で除去して、フォトレジストパターンの表面上にコーティングを形成し；
ｅ）コーティングされたフォトレジストパターンを、水性現像剤中に不溶性のポリマーと、第一のフォトレジストパターンを溶解しない溶媒とを含む第二の組成物でコーティングし；及び
ｆ）水性塩基現像剤で現像することによって元のフォトレジストパターンを除去して、リソグラフィ画像反転を起こす、
ことを含む前記方法。
１４．
第二の組成物が、水性アルカリによって現像可能なポジトーン化学増幅フォトレジストである、上記１３に記載の方法。
１５．
水性塩基可溶性基を保護する酸不安定性基を含むポリマーが、次のａ）〜ｅ）からなる群から選択される、上記１３または１４に記載の方法。
ａ）（ｉ）置換されたかもしくは置換されていないヒドロキシスチレンと、アクリレート、メタクリレート、またはアクリレートとメタクリレートとの混合物とを含むポリマー（前記アクリレート及び／またはメタクリレートは、脱ブロック化に高い活性化エネルギーを必要とする酸不安定性基で保護されている）と、（ｉｉ）ビニルエーテル及び置換されていないかもしくは置換された複素脂肪環式類から選択された化合物との間で、触媒の不在下に形成された反応生成物；
ｂ）（ｉ）ノボラックポリマー、（ｉｉ）２〜７個のフェノール基を有するポリヒドロキシ化合物、及び（ｉｉｉ）ビニルエーテル及び置換されていないかもしくは置換された複素脂肪環式類から選択された化合物の間で、触媒の不在下に形成された反応生成物；
ｃ）（ｉ）ノボラックポリマー、（ｉｉ）置換されたかもしくは置換されていないヒドロキシスチレンと、アクリレート、メタクリレート、またはアクリレートとメタクリレートとの混合物とを含むポリマー（このアクリレート及び／またはメタクリレートは、脱ブロック化に高い活性化エネルギーを必要とする酸不安定性基で保護されている）、及び（ｉｉｉ）ビニルエーテル及び置換されていないかもしくは置換された複素脂肪環式類から選択された化合物の間で、触媒の不在下に形成された反応生成物；
ｄ）（ｉ）（ａ）ノボラックポリマー、（ｂ）２〜７個のフェノール基を有するポリヒドロキシ化合物、及び（ｃ）ビニルエーテル及び置換されていないかもしくは置換された複素脂肪環式類から選択された化合物の間で触媒の不在下に形成された反応生成物と、（ｉｉ）置換されたかもしくは置換されていないヒドロキシスチレンと、アクリレート、メタクリレート、またはアクリレートとメタクリレートとの混合物とを含むポリマー（前記アクリレート及び／またはメタクリレートは、脱ブロック化のための高い活性化エネルギーで保護されている）との混合物；及び
ｅ）（ｉ）（ａ）ノボラックポリマー、（ｂ）２〜７個のフェノール基を有するポリヒドロキシ化合物、及び（ｃ）ビニルエーテル及び置換されていないかもしくは置換された複素脂肪環式類から選択された化合物の間で触媒の不在下に形成された反応生成物、（ｉｉ）置換されたもしくは置換されていないヒドロキシスチレンと、アクリレート、メタクリレート、またはアクリレートとメタクリレートとの混合物とを含むポリマー（前記アクリレート及び／またはメタクリレートは、脱ブロック化に高い活性化エネルギーを必要とする酸不安定性基で保護されている）、及び（ｉｉｉ）ノボラック、の混合物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトレジストパターン上に層を形成することができる、ポリマー型熱酸発生剤の水性コーティング溶液であって、
前記水性コーティング溶液は、構造２の少なくとも一種の繰り返し単位を有するポリマーを含み、かつ
更に前記ポリマーは構造３の繰り返し単位を更に含み、かつ
更に前記水性コーティング溶液は架橋性化合物を含まず、かつ
更に前記ポリマーは５，０００〜２００，０００ｇ／モルの分子量範囲を有する、
前記水性コーティング溶液。
【化１】
2016526183.tif 000006
［式中、Ｒ１〜Ｒ５は、独立して、Ｈ及びＣ１〜Ｃ６アルキルからなる群から選択され；Ｒ６は、アリール、置換されたアリール、アルキル（Ｃ１〜Ｃ８）及びフルオロアルキル（Ｃ１〜Ｃ８）からなる群から選択され、そしてＷはＣ２〜Ｃ６アルキレンスペーサー基である］
【化２】
2016526183.tif 000007
［式中、Ｒ７〜Ｒ９は、独立して、水素及びＣ１〜Ｃ６アルキルから選択され、Ａは、単結合、Ｏ、Ｃ（Ｏ）、（Ｃ＝Ｏ）Ｏ、Ｃ１〜Ｃ４アルキレンから選択され；Ｘ、Ｙ、Ｚ及びＮは環状構造を形成し、更にここでＸは、Ｃ１〜Ｃ６アルキレン、不飽和Ｃ１〜Ｃ６アルキレン、直接結合及びこれらの混合物から選択され、Ｙは、Ｃ１〜Ｃ６アルキレン、不飽和Ｃ１〜Ｃ６アルキレン、直接結合及びこれらの混合物から選択され、Ｚは、酸素、Ｃ（Ｏ）及び窒素から選択される］
【請求項２】
ポリマーが、構造１の少なくとも一種の繰り返し単位を含みかつ構造３の繰り返し単位を更に含むポリマーとスルホン酸との単離された反応生成物である、請求項１に記載の水性コーティング溶液。
【化３】
2016526183.tif 000008
式中、Ｒ１〜Ｒ５は、独立して、Ｈ及びＣ１〜Ｃ６アルキルからなる群から選択され、ＷはＣ２〜Ｃ６アルキレンスペーサー基であり、及び更にＲ７〜Ｒ９は、独立して、水素及びＣ１〜Ｃ６アルキルから選択され、Ａは、単結合、Ｏ、Ｃ（Ｏ）、（Ｃ＝Ｏ）Ｏ、Ｃ１〜Ｃ４アルキレンから選択され；Ｘ、Ｙ、Ｚ及びＮは環状構造を形成し、更にここでＸは、Ｃ１〜Ｃ６アルキレン、不飽和Ｃ１〜Ｃ６アルキレン、直接結合及びこれらの混合物から選択され、Ｙは、Ｃ１〜Ｃ６アルキレン、不飽和Ｃ１〜Ｃ６アルキレン、直接結合及びこれらの混合物から選択され、Ｚは、酸素、Ｃ（Ｏ）及び窒素から選択される。
【請求項３】
構造（３）の繰り返し単位が次から選択される、請求項１または２に記載のコーティング溶液。
【化４】
2016526183.tif 000009
式中、Ｒ７〜Ｒ９は、独立して、水素及びＣ１〜Ｃ６アルキルから選択され、Ｘ、Ｙ、Ｚ及びＮは環状構造を形成し、更にここでＸは、Ｃ１〜Ｃ６アルキレン、不飽和Ｃ１〜Ｃ６アルキレン、直接結合及びこれらの混合物から選択され、Ｙは、Ｃ１〜Ｃ６アルキレン、不飽和Ｃ１〜Ｃ６アルキレン、直接結合及びこれらの混合物から選択され、Ｚは、酸素、Ｃ（Ｏ）及び窒素から選択される。
【請求項４】
構造（３）の繰り返し単位が次から選択される、請求項１〜３のいずれか一つに記載のコーティング溶液。
【化５】
2016526183.tif 000010
【請求項５】
Ｗがメチレン及びエチレンから選択される、請求項１または２に記載のコーティング溶液。
【請求項６】
水混和性溶媒を更に含む、請求項１〜５のいずれか一つに記載のコーティング溶液。
【請求項７】
界面活性剤及びＣ１〜Ｃ８アルコールから選択される添加剤を更に含む、請求項１〜６のいずれか一つに記載のコーティング溶液。
【請求項８】
微細電子デバイスを製造する方法であって、
ａ）基材にフォトレジストパターンを供し；
ｂ）このフォトレジストパターンを、フォトレジストパターン上に層を形成することができる、ポリマー型熱酸発生剤の水性コーティング溶液でコーティングし、ここで前記水性コーティング組成物は、構造２の少なくとも一種の繰り返し単位を有するポリマーを含み、かつ前記ポリマーは、構造３の繰り返し単位を更に含み、かつ更に前記水性コーティング溶液は架橋性化合物を含まず；
【化６】
2016526183.tif 000011
［式中、Ｒ１〜Ｒ５は、独立して、Ｈ及びＣ１〜Ｃ６アルキルからなる群から選択され；Ｒ６は、アリール、置換されたアリール、アルキル（Ｃ１〜Ｃ８）及びフルオロアルキル（Ｃ１〜Ｃ８）からなる群から選択され、そしてＷはＣ２〜Ｃ６アルキレンスペーサー基である］
【化７】
2016526183.tif 000012
［式中、Ｒ７〜Ｒ９は、独立して、水素及びＣ１〜Ｃ６アルキルから選択され、Ａは、単結合、Ｏ、Ｃ（Ｏ）、（Ｃ＝Ｏ）Ｏ、Ｃ１〜Ｃ４アルキレンから選択され；Ｘ、Ｙ、Ｚ及びＮは環状構造を形成し、更にここでＸは、Ｃ１〜Ｃ６アルキレン、不飽和Ｃ１〜Ｃ６アルキレン、直接結合及びこれらの混合物から選択され、Ｙは、Ｃ１〜Ｃ６アルキレン、不飽和Ｃ１〜Ｃ６アルキレン、直接結合及びこれらの混合物から選択され、Ｚは、酸素、Ｃ（Ｏ）及び窒素から選択される］
ｃ）フォトレジストパターンと接触している部分のコーティング溶液を、ベークすることによって反応させ；及び
ｄ）反応していない部分のコーティング溶液を水性除去液で除去して、コーティングされたフォトレジストパターンを形成する、
ことを含む前記方法。
【請求項９】
ａ）コーティングされたフォトレジストパターンを、水性塩基現像剤で現像して、フォトレジストパターンのトリミングを行うステップを更に含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
ａ）コーティングされたフォトレジストパターンを、水性塩基可溶化基を保護する酸不安定性基を含むポリマーと、コーティングされたフォトレジストパターンを溶解しない溶媒とを含む第二の組成物でコーティングするステップ；
ｂ）水性塩基可溶性基を保護する酸不安定性基を含むポリマーを含む前記第二の組成物と、該ポリマー型熱酸発生剤とを、ベークすることによって反応させるステップ；及び
ｃ）コーティングされたフォトレジストパターンと、酸不安定性基を持つポリマーを含む第二の組成物との間の境界面で解保護化された材料を、水性アルカリ現像剤で除去するステップ、
を更に含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
第二の組成物が、水性アルカリで現像可能なポジトーン化学増幅フォトレジストである、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
水性塩基可溶性基を保護する酸不安定性基を含むポリマーが、次の（ａ）〜（ｅ）からなる群から選択される、請求項１０または１１に記載の方法。
ａ）（ｉ）置換されたかもしくは置換されていないヒドロキシスチレンと、アクリレート、メタクリレート、またはアクリレートとメタクリレートとの混合物とを含むポリマー（前記アクリレート及び／またはメタクリレートは、脱ブロック化に高い活性化エネルギーを必要とする酸不安定性基で保護されている）と、（ｉｉ）ビニルエーテル及び置換されていないかもしくは置換された複素脂肪環式類から選択された化合物との間で、触媒の不在下に形成された反応生成物；
ｂ）（ｉ）ノボラックポリマー、（ｉｉ）２〜７個のフェノール基を有するポリヒドロキシ化合物、及び（ｉｉｉ）ビニルエーテル及び置換されていないかもしくは置換された複素脂肪環式類から選択された化合物の間で、触媒の不在下に形成された反応生成物；
ｃ）（ｉ）ノボラックポリマー、（ｉｉ）置換されたかもしくは置換されていないヒドロキシスチレンと、アクリレート、メタクリレート、またはアクリレートとメタクリレートとの混合物とを含むポリマー（前記アクリレート及び／またはメタクリレートは、脱ブロック化に高い活性化エネルギーを必要とする酸不安定性基で保護されている）、及び（ｉｉｉ）ビニルエーテル及び置換されていないかもしくは置換された複素脂肪環式類から選択された化合物の間で、触媒の不在下に形成された反応生成物；
ｄ）（ｉ）（ａ）ノボラックポリマー、（ｂ）２〜７個のフェノール基を有するポリヒドロキシ化合物、及び（ｃ）ビニルエーテル及び置換されていないかもしくは置換された複素脂肪環式類から選択された化合物の間で触媒の不在下に形成された反応生成物と、（ｉｉ）置換されたかもしくは置換されていないヒドロキシスチレンと、アクリレート、メタクリレート、またはアクリレートとメタクリレートとの混合物とを含むポリマー（前記アクリレート及び／またはメタクリレートは、脱ブロック化のための高い活性化エネルギーを必要とする酸不安定性基で保護されている）との混合物；及び
ｅ）（ｉ）（ａ）ノボラックポリマー、（ｂ）２〜７個のフェノール基を有するポリヒドロキシ化合物、及び（ｃ）ビニルエーテル及び置換されていないかもしくは置換された複素脂肪環式類から選択された化合物の間で触媒の不在下に形成された反応生成物、（ｉｉ）置換されたかもしくは置換されていないヒドロキシスチレンと、アクリレート、メタクリレート、またはアクリレートとメタクリレートとの混合物とを含むポリマー（前記アクリレート及び／またはメタクリレートは、脱ブロック化に高い活性化エネルギーを必要とする酸不安定性基で保護されている）、及び（ｉｉｉ）ノボラック、の混合物。
【請求項１３】
コーティングされたフォトレジストパターンを溶解しない溶媒が、Ｃ４〜Ｃ８アルキルアセテート、Ｃ８〜Ｃ１２アルカン、Ｃ４〜Ｃ８アルコール、及びこれらの混合物からなる群から選択される、請求項１０〜１２のいずれか一つに記載の方法。
【請求項１４】
コーティングされたフォトレジストパターンを溶解しない溶媒が、酢酸ブチル、酢酸プロピル、酢酸ペンチル、４−メチル−２−ペンタノール、ペンタノール、及びヘキサノールからなる群から選択される、請求項１０〜１３のいずれか一つに記載の方法。
【請求項１５】
微細電子デバイスを製造する方法であって、
ａ）基材にフォトレジストパターンを供し；
ｂ）このフォトレジストパターンを、フォトレジストパターン上に層を形成することができる、ポリマー型熱酸発生剤の水性コーティング溶液でコーティングし、ここで前記水性コーティング溶液は、構造２の少なくとも一種の繰り返し単位を有するポリマーを含み、更にかつ前記ポリマーは、構造３の繰り返し単位を更に含み、かつ更に前記水性コーティング溶液は架橋性化合物を含まず；
【化８】
2016526183.tif 000013
［式中、Ｒ１〜Ｒ５は、独立して、Ｈ及びＣ１〜Ｃ６アルキルからなる群から選択され；Ｒ６は、アリール、置換されたアリール、アルキル（Ｃ１〜Ｃ８）及びフルオロアルキル（Ｃ１〜Ｃ８）からなる群から選択され、そしてＷはＣ２〜Ｃ６アルキレンスペーサー基である］
【化９】
2016526183.tif 000014
［式中、Ｒ７〜Ｒ９は、独立して、水素及びＣ１〜Ｃ６アルキルから選択され、Ａは、単結合、Ｏ、Ｃ（Ｏ）、（Ｃ＝Ｏ）Ｏ、Ｃ１〜Ｃ４アルキレンから選択され；Ｘ、Ｙ、Ｚ及びＮは環状構造を形成し、更にここでＸは、Ｃ１〜Ｃ６アルキレン、不飽和Ｃ１〜Ｃ６アルキレン、直接結合及びこれらの混合物から選択され、Ｙは、Ｃ１〜Ｃ６アルキレン、不飽和Ｃ１〜Ｃ６アルキレン、直接結合及びこれらの混合物から選択され、Ｚは、酸素、Ｃ（Ｏ）及び窒素から選択される］
ｃ）フォトレジストパターンと接触している部分のコーティング溶液を、ベークすることによって反応させ；
ｄ）反応していない部分のコーティング溶液を水性除去液で除去して、コーティングされたフォトレジストパターンを形成し；
ｅ）コーティングされたフォトレジストパターンを、水性現像剤中に不溶性のポリマーと、コーティングされたフォトレジストパターンを溶解しない溶媒とを含む第二の組成物でコーティングし；及び
ｆ）水性塩基現像剤で現像することによって、リソグラフィ画像反転を起こす、
ことを含む前記方法。
【請求項１６】
第二の組成物が、水性アルカリによって現像可能なポジトーン化学増幅フォトレジストである、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
水性現像剤中に不溶性のポリマーが、次のａ）〜ｅ）からなる群から選択される、請求項１５または１６に記載の方法。
ａ）（ｉ）置換されたかもしくは置換されていないヒドロキシスチレンと、アクリレート、メタクリレート、またはアクリレートとメタクリレートとの混合物とを含むポリマー（前記アクリレート及び／またはメタクリレートは、脱ブロック化に高い活性化エネルギーを必要とする酸不安定性基で保護されている）と、（ｉｉ）ビニルエーテル及び置換されていないかもしくは置換された複素脂肪環式類から選択された化合物との間で、触媒の不在下に形成された反応生成物；
ｂ）（ｉ）ノボラックポリマー、（ｉｉ）２〜７個のフェノール基を有するポリヒドロキシ化合物、及び（ｉｉｉ）ビニルエーテル及び置換されていないかもしくは置換された複素脂肪環式類から選択された化合物の間で、触媒の不在下に形成された反応生成物；
ｃ）（ｉ）ノボラックポリマー、（ｉｉ）置換されたかもしくは置換されていないヒドロキシスチレンと、アクリレート、メタクリレート、またはアクリレートとメタクリレートとの混合物とを含むポリマー（このアクリレート及び／またはメタクリレートは、脱ブロック化に高い活性化エネルギーを必要とする酸不安定性基で保護されている）、及び（ｉｉｉ）ビニルエーテル及び置換されていないかもしくは置換された複素脂肪環式類から選択された化合物の間で、触媒の不在下に形成された反応生成物；
ｄ）（ｉ）（ａ）ノボラックポリマー、（ｂ）２〜７個のフェノール基を有するポリヒドロキシ化合物、及び（ｃ）ビニルエーテル及び置換されていないかもしくは置換された複素脂肪環式類から選択された化合物の間で触媒の不在下に形成された反応生成物と、（ｉｉ）置換されたかもしくは置換されていないヒドロキシスチレンと、アクリレート、メタクリレート、またはアクリレートとメタクリレートとの混合物とを含むポリマー（前記アクリレート及び／またはメタクリレートは、脱ブロック化のための高い活性化エネルギーで保護されている）との混合物；及び
ｅ）（ｉ）（ａ）ノボラックポリマー、（ｂ）２〜７個のフェノール基を有するポリヒドロキシ化合物、及び（ｃ）ビニルエーテル及び置換されていないかもしくは置換された複素脂肪環式類から選択された化合物の間で触媒の不在下に形成された反応生成物、（ｉｉ）置換されたもしくは置換されていないヒドロキシスチレンと、アクリレート、メタクリレート、またはアクリレートとメタクリレートとの混合物とを含むポリマー（前記アクリレート及び／またはメタクリレートは、脱ブロック化に高い活性化エネルギーを必要とする酸不安定性基で保護されている）、及び（ｉｉｉ）ノボラック、の混合物。