(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
触媒の存在下でアルキレンオキシドと（メタ）アクリル酸とを反応させ、反応後の反応液中の未反応アルキレンオキシドおよび／または未反応（メタ）アクリル酸を除去して得られるヒドロキシアルキル（メタ）アクリレートの精製方法において、
空塔部分を有する蒸留装置を用いて、前記ヒドロキシアルキル（メタ）アクリレートを含有する反応液を、液温７０〜１３０℃で０．６６〜４０ｈＰａの減圧下で蒸留する第１工程（ａ）と、
前記第１工程（ａ）で得られた前記蒸留装置の缶出液を、薄膜式蒸発装置に供給し、０．６６〜４０ｈＰａの減圧下で蒸発させ、留出物としてヒドロキシアルキル（メタ）アクリレートを得る第２工程（ｂ）と
を含む、ヒドロキシアルキル（メタ）アクリレートの精製方法。
【請求項２】
前記第２工程（ｂ）で得られた前記薄膜式蒸発装置からの留出物を、コンデンサーを途中に備えた留出ラインを通じて前記蒸留装置に戻す第３工程（ｃ）をさらに含む、
請求項１に記載のヒドロキシアルキル（メタ）アクリレートの精製方法。
【請求項３】
前記第１工程（ａ）が、前記蒸留装置の缶出液をリボイラーに供給し、再加熱したあと蒸留装置に戻すリボイラー工程（ａ−１）をさらに含む、
請求項１または２に記載のヒドロキシアルキル（メタ）アクリレートの精製方法。
【請求項４】
前記反応液に含まれていた不純物が除去され、ジエステルの副生が抑制されたヒドロキシアルキル（メタ）アクリレートを得る
請求項１から３までのいずれかに記載のヒドロキシアルキル（メタ）アクリレートの精製方法。
【請求項５】
前記蒸留装置が、複数のシーブトレイを有する蒸留塔、あるいは、充填物を有する蒸留塔である、請求項１から４までのいずれかに記載のヒドロキシアルキル（メタ）アクリレートの精製方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ヒドロキシアルキル（メタ）アクリレートの精製方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ヒドロキシアルキル（メタ）アクリレ−トは、一般に、（メタ）アクリル酸とアルキレンオキシドとを触媒の存在下で反応させることにより得られるが、これらの製造方法においては、目的とするヒドロキシアルキル（メタ）アクリレ−トの生成と同時にアルキレングリコ−ルジ（メタ）アクリレ−ト（以下に単に「ジエステル」という）、ジアルキレングリコ−ル（メタ）アクリレ−ト、アクリル酸ダイマ−等の副生成物が生成する。そこで、精製工程が必要となる。
【０００３】
これまでの一般的な精製方法としては、反応液を減圧下にて蒸留して分離精製する方法が行われてきた（特公昭５７−３００号公報）。しかしながら、この方法において、例えば蒸留塔を用いた場合、反応に使用した触媒の共存下で長時間にわたり比較的高温にさらされると、このヒドロキシアルキル（メタ）アクリレ−トの不均化反応が起こり易くなってジエステルが増大したり、残存するアクリル酸からアクリル酸ダイマ−が増大し、目的とするヒドロキシアルキル（メタ）アクリレ−トの純度低下、製品品質上の問題等を引き起こしてきた。また、ヒドロキシアルキル（メタ）アクリレ−トは非常に重合性が高いので、高温での滞留により重合が起こりやすいという点でも問題があった。
【０００４】
これに対して、高温での長時間の滞留を避けることを目的に、薄膜式蒸発装置を用いる方法が検討されてきた（東独国特許出願公告第１５２５４０号明細書）。しかしながらこの場合は、副生成物の抑制、および重合防止という点では優れているが、蒸留塔を使用する場合と比較して分離効率が劣るため、製品純度の確保という点では問題があった。また、薄膜式蒸発装置は円筒形のものなどを回転させて蒸発面に液をワイパーなどで掻いたりすることで蒸発面の薄膜を維持しているが、液膜形成のための回転や掻き取りで飛沫が生じやすく、留出の製品中に飛沫が混入しやすいという問題もあった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
したがって本発明が解決しようとする課題は、蒸留工程においてジエステル、アクリル酸ダイマ−等の副生を抑え、且つ、ヒドロキシアルキル（メタ）アクリレ−トの純度を確保でき、重合などのトラブルを起こさずに安定運転可能な、ヒドロキシアルキル（メタ）アクリレ−トの精製方法を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明者は上記課題を解決すべく鋭意検討した。その結果、触媒の存在下でアルキレンオキシドと（メタ）アクリル酸とを反応させ、反応後の反応液中の未反応アルキレンオキシドおよび／または未反応（メタ）アクリル酸を除去して得られるヒドロキシアルキル（メタ）アクリレ−トの精製工程において、空塔部分を有する蒸留装置と薄膜式蒸発装置を併用する形態を採用すると、これらの装置個々の有する特徴およびこれら装置の併用による相乗効果により、ヒドロキシアルキル（メタ）アクリレートを従来の問題を起こさずに精製できることを着想した。具体的には、触媒の共存する場合でも液の高温での滞留時間を低減し、不純物の副生を抑え、かつ製品純度を確保できることを見出した。本発明はこのようにして完成された。
【０００７】
すなわち本発明に係るヒドロキシアルキル（メタ）アクリレートの精製方法は、触媒の存在下でアルキレンオキシドと（メタ）アクリル酸とを反応させ、反応後の反応液中の未反応アルキレンオキシドおよび／または未反応（メタ）アクリル酸を除去して得られるヒドロキシアルキル（メタ）アクリレートの精製方法において、空塔部分を有する蒸留装置を用いて、前記ヒドロキシアルキル（メタ）アクリレートを含有する反応液を、液温７０〜１３０℃で０．６６〜４０ｈＰａの減圧下で蒸留する第１工程（ａ）と、前記第１工程（ａ）のあとで、薄膜式蒸発装置を用いて、０．６６〜４０ｈＰａの減圧下で前記反応液を蒸留する第２工程（ｂ）とを含む。
前記第２工程（ｂ）で得られた前記薄膜式蒸発装置からの留出物を、コンデンサーを途中に備えた留出ラインを通じて前記蒸留装置に戻す第３工程（ｃ）をさらに含むことができる。
前記第１工程（ａ）が、前記蒸留装置の缶出液をリボイラーに供給し、再加熱したあと蒸留装置に戻すリボイラー工程（ａ−１）をさらに含むことができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】
本発明に係る特徴的な精製方法を好ましく適用することができるヒドロキシアルキル（メタ）アクリレートの製造プロセスの概略は以下の通りである。すなわち、まず、（メタ）アクリル酸とアルキレンオキシドとを、触媒の存在下で付加反応させる。この場合、（メタ）アクリル酸に対し、アルキレンオキシドの反応モル比を高くすることが多く、アクリル酸の転化率を１００％とする場合でも、反応終了時の反応液中には未反応のアルキレンオキシドが残存し、（メタ）アクリル酸の転化率が１００％未満の場合には、反応終了時の反応液中には未反応の（メタ）アクリル酸やアルキレンオキシド等が残存する場合が一般的である。そこで、上記の反応液は、これら未反応原料等を反応液中から除去するための工程へと導かれる。そして、続く最終段階として、蒸留等による精製が行われて、目的のヒドロキシアルキル（メタ）アクリレートが得られる。本発明は、上記製造プロセスの最終段階である、ヒドロキシアルキル（メタ）アクリレートの精製工程に関するものである。
【０００９】
本発明の実施にあたり、精製対象であるヒドロキシアルキル（メタ）アクリレートを製造するために好ましく用いられる原料は、（メタ）アクリル酸とアルキレンオキシドである。本発明において用いることが出来る（メタ）アクリル酸とは、アクリル酸、または、メタアクリル酸のことである。また、本発明において用いることが出来るアルキレンオキシドは、好ましくは炭素数２〜６、より好ましくは炭素数２〜４のアルキレンオキシドであり、例えば、エチレンオキシド、プロピレンオキシド、ブチレンオキシドが挙げられる。
【００１０】
本発明を実施するにあたり、上記（メタ）アクリル酸とアルキレンオキシドとの反応における原料の仕込み量は、（メタ）アクリル酸１モルに対して、アルキレンオキシドが１．０モル以上が好ましく、１．０〜２．０モルがより好ましい範囲であり、さらに好ましくは１．０３〜１．７モル、最も好ましくは１．１〜１．５モルである。アルキレンオキシドの仕込み量が１．０モル未満の場合には、反応率が低下し、副生成物が増加するので好ましくない。また、アルキレンオキシドの仕込み量が多すぎると、経済的に好ましくない。
【００１１】
本発明において、触媒の存在下における（メタ）アクリル酸とアルキレンオキシドとの反応は、この種の反応に一般的に用いられている方法に従って行うことができる。通常、（メタ）アクリル酸中に液状のアルキレンオキシドを導入して行われる。この際、アルキレンオキシドは、一括して、あるいは連続的にまたは間欠的に添加してもよい。そして連続的または間欠的に添加する場合、この種の反応においてよくおこなわれるように、アルキレンオキシド導入後も反応を継続させて、いわいる熟成を行い反応を完結させることもできる。反応温度は、通常、４０〜１３０℃の範囲で行うことが好ましく、より好ましくは５０〜１００℃の範囲である。反応温度が４０℃よりも低ければ、反応の進行が遅くなって実用レベルから離れてしまい、一方、反応温度が１３０℃よりも高ければ、（メタ）アクリル酸または生成エステルが重合したり、生成物の変質等が起こるので好ましくない。反応時の系内圧力は、使用する原料の種類や混合比にもよるが、通常は加圧下で行われる。また、反応を行う際の雰囲気は特に限定されないが、好ましくは、窒素等の不活性雰囲気で行う。
【００１２】
本発明の実施にあたり、精製対象であるヒドロキシアルキル（メタ）アクリレートを製造するために好ましく用いられる触媒については、特に限定されず、この種の反応に一般に用いられる触媒を使用することができる。具体的には、塩化第二鉄、酢酸第二鉄などの鉄化合物、重クロム酸ソ−ダ、塩化クロム、不飽和酸のクロム塩などのクロム化合物、トリアルキルアミン類、４級アンモニウム基をもつイオン交換樹脂などのアミン類を用いることができる。
【００１３】
反応の際の（メタ）アクリレ−トの重合を防止する目的で使用する安定剤は、特に制限はなく、この種の反応に一般に用いられる重合防止剤を使用することができる。その代表例としては、ハイドロキノン、ハイドロキノンモノメチルエ−テル、フェノチアジン、ジブチルジチオカルバミン酸銅などを挙げることができる。重合防止剤の使用量は通常、（メタ）アクリル酸の０．００１〜１重量％、好ましくは０．０１〜０．５重量％である。
【００１４】
本発明の特徴は、上記の様にして得られた反応液を蒸留法により精製分離する際に、空塔部分を有する蒸留装置と薄膜式蒸発装置とを併用することにある。
本発明で用いる空塔部分を有する蒸留装置としては、いわゆる蒸留塔が好ましく、その構造としては、単蒸留でもよいし、充填塔や泡鐘塔、多孔板塔などの精留塔が挙げられ、特に、複数のシーブトレイを有する蒸留塔、あるいは、充填物を有する蒸留塔が好ましい。単蒸留の場合は、ワイヤーメッシュデミスタ−等を設けて、飛沫同伴を防止することが望ましい。また、純度の確保、重合物の除去という観点からすると多段の多孔板塔が望ましい。加熱形式については、ジャケット付き、または、缶出液を循環させ、多管式熱交換器にて加熱するリボイラ−形式などがある。蒸留の圧力条件としては、減圧下で行う。操作圧力としては重合防止の観点から出来るだけ低い方が望ましいが、０．６６〜４０ｈＰａが好ましく、より好ましくは１．３３〜１３ｈＰａ、さらに好ましくは４〜９．３ｈＰａである。蒸留装置内の液温は、通常、７０〜１３０℃、好ましくは８０〜１１０℃である。
【００１５】
前記空塔部分を有する蒸留装置がリボイラーを備えることは、本発明の好ましい形態である。蒸留装置と併用する薄膜式蒸発装置も、処理量が少ない場合はリボイラーとしての役割を持つことがあるが、処理量が多い場合は薄膜式蒸発装置では伝熱面積が不足する。そこで、リボイラーをさらに併用することにより、上記問題が回避できる。前記リボイラの形式は特に限定されるものではないが、多管式熱交換器においては、縦型サーモサイホン式リボイラ、縦型多管式液膜流下型リボイラ、強制循環型リボイラなどがあげられる。重合防止の観点から伝熱面に気相部がほとんどない強制循環型リボイラが好ましい。また、縦型多管式液膜流下型リボイラは、常に伝熱面が液に濡れており、かつ液のホールドアップも小さいので液の滞留時間が少なく、重合防止と不純物生成防止するので好ましい。
【００１６】
本発明で用いる薄膜式蒸発装置としては、縦型、横型のいずれも含むものである。縦型の例としては、スミス式薄膜蒸発装置やＬｕｗａ型薄膜式蒸発装置のように、ジャケットを有する円筒内に鉛直の回転軸があり、攪拌翼やワイパー等を用いて薄膜を作り、蒸発させるものが挙げられる。横型の例としては、水平なジャケットを有する円筒内に水平な回転軸があり、ローラーやワイパーを回転させて薄膜を作り、蒸発させるもの等が挙げられる。
【００１７】
薄膜式蒸発装置の圧力条件は、蒸留装置に近い条件で行うことが好ましく、同様の条件で行うことが特に好ましい。特に、本発明の実施においては、前記空塔部分を有する蒸留装置を０．６６〜４０ｈＰａの操作圧力で操作し、且つ、前記薄膜式蒸発装置を０．６６〜４０ｈＰａの操作圧力で操作することが望ましい。このように操作圧力を制御することにより、薄膜式蒸発装置の温度をよりいっそう低く保つことができ、濃縮倍率を上げた条件でも、ダイマーや副生物の生成を抑制でき、重合物等によるトラブルもなく、安定運転ができるので、好ましい。
【００１８】
本発明においては上記空塔部分を有する蒸留装置と薄膜式蒸発装置とを併用するので、蒸留装置における濃縮倍率が低くでき、装置底の温度上昇を少なくできるとともに、蒸留装置からの抜出し量を増加し、装置底の液の滞留時間を減らすことができるので、蒸留装置におけるジエステルの生成や高沸点物などの生成が抑制できる。また、重合によるトラブルの心配も少ない。
【００１９】
蒸留装置での濃縮倍率がたとえ低いものであっても、併用する薄膜式蒸発装置においては濃縮倍率を高くすることができる。薄膜式蒸発装置においては、ジエステルや高沸不純物の生成が少ないという利点がある。薄膜式蒸発装置の留出ベーパーまたは凝縮液に含まれる飛沫同伴成分は、後述のように蒸留装置に戻されて分離されるので、製品中に薄膜式蒸発装置からの飛沫が混入することはない。
【００２０】
仮に、蒸留装置単独で精製を行うとすると、純度を得るためには留出の割合を下げなければならず、収率が下がる。一方、単蒸留でもよいが、留出の割合を上げて収率を改善するためには、蒸留装置内に充填物やトレイを配置し気液接触させて蒸留効率を上げることになる。しかし、留出割合をあげるということは、濃縮倍率を上げるということであり、濃縮倍率が上がると、装置底からの液の抜出し量が減ることになり、蒸留装置の底部分の液ホールドアップに対し抜出し量が少なくなるので、滞留時間が増大することになる。また、濃縮倍率が上がれば、高沸点の化合物の濃縮がおこり、沸点上昇で、蒸留装置底部の液の温度が上昇することになる。ジエステルの生成は温度が高いほど、また、滞留時間の長いほどすすんでいくものであるので、濃縮倍率を上げると温度が高くなるとともに滞留時間も増大し、ジエステルの生成が問題になる。また、重合も、温度が高いほど、また、滞留時間が大きいほど起こりやすいのでトラブルの可能性が増大する。さらに、蒸留装置にトレイや充填物を入れて蒸留効率の改善を図る場合も、特に圧力条件の低い領域では（真空度の高い領域では）、トレイや充填物の圧力損失の塔底圧力上昇への影響が大きく、圧力上昇分だけ温度が上がり、滞留時間が大きい場合は特に、重合やジエステル生成の面から好ましくない。
【００２１】
また、仮に、薄膜式蒸発装置単独で精製を行うとすると、液の滞留時間が減るので、ジエステルの生成抑制の面では好ましく、濃縮倍率も高くすることが可能である。また、滞留時間が短いので、ジエステルや高沸点物の生成が抑制され、蒸留装置単独の場合に比べて同一濃縮倍率の場合でも沸点上昇も少なく温度を低く維持できる。しかしながら、薄膜式蒸発装置の留出ベーパーにはその濃縮した液が飛沫同伴して混入しやすく、高沸点の不純物が製品に混入することになり高純度の製品が得られないという欠点がある。さらに、薄膜式蒸発装置は円筒形のものなどを回転させて蒸発面に液をワイパーなどで掻いたりすることにより、蒸発面の薄膜を維持しているが、この液膜形成のための回転や掻き取りで飛沫が生じやすく、留出の製品中に混入しやすい。このように、飛沫同伴は薄膜式蒸発装置においては顕著な欠点であり、ワイヤーメッシュデミスター等を用いて防止しても、必ずしも十分とはいえない。
【００２２】
本発明に係るヒドロキシアルキル（メタ）アクリレートの精製方法は、さらに、前記蒸留装置の缶出液を前記薄膜式蒸発装置に供給し、且つ、前記薄膜式蒸発装置からの留出物を、コンデンサーを途中に備えた留出ラインを通じて前記空塔部分を有する蒸留装置に戻す形態をとることが好ましい。
薄膜式蒸発装置からの留出ラインの途中にコンデンサーを設置して、凝縮液を蒸留装置に供給することにより、留出ラインから蒸留装置の温度が高くなりすぎることを抑制でき、重合性の特に高いものについてはトラブルが減るので好ましい。また、真空系を別にもつことが出来ることから薄膜式蒸発装置の温度を低くでき、更に濃縮をかけることもできるので、コンデンサーを有することは好ましい。特に、本発明の精製対象であるヒドロキシアルキル（メタ）アクリレートは重合性が特に高いので、薄膜式蒸発装置からの留出ラインの途中にコンデンサーを設置することは、重合防止や性能向上の面で好ましい。
【００２３】
コンデンサーを設置せずに薄膜蒸発装置のベーパーをそのまま蒸留装置に供給する場合、精製対象が重合性のあまり高くないものであれば、ベーパーで蒸留装置に供給することはエネルギーコストの面で経済的である。しかしながら、本発明のように、重合性の高いものを精製対象とする場合には、コンデンサーを設置せずに薄膜蒸発装置のベーパーをそのまま蒸留装置に供給すると重合等の問題が起こる場合がある。
【００２４】
留出ラインの液の戻す部位については、空塔部分を有する蒸留装置に戻る部位であれば、特に限定するものではない。槽を経由して前記蒸発装置に直接戻しても良い。前記蒸発装置の供給配管に戻しても良い。また、全量でなく一部を戻しても良い。例えば、一部を安定剤作製の母液に使用しても良い。好ましくは、前記蒸発装置の供給配管に全量戻す形態である。
【００２５】
本発明において用いることができるコンデンサの形式はとくに限定されるものではないが、バロメトリックコンデンサ、縦型多管式、横型多管式、などの形式が挙げられ、重合防止の観点から、好ましくはバロメトリックコンデンサまたは縦型多管式熱交換器である。縦型多管式熱交換器においては、留出液循環させをバロメトリックコンデンサのようにベーパー中にシャワーさせるのが重合防止の観点から安定運転上好ましい。
【００２６】
【実施例】
以下に本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
また、以下の実施例および比較例における、供給液および留出液の組成分析は、ガスクロマトグラフにより行った。
［実施例１］
図１に示す工程に従い、蒸留塔と薄膜式蒸発装置とを併用して２−ヒドロキシエチルメタクリレ−トを精製した。使用した蒸留塔１は、段塔５段の無堰多孔板蒸留塔であり、薄膜式蒸発装置２は、伝面積３ｍ２  の横型の薄膜式蒸発装置であった。
【００２７】
鉄粉触媒存在下でメタアクリル酸とエチレンオキサイドを反応させ、得られた２−ヒドロキシエチルメタクリレ−ト（ジエステル、その他不純物を含む）を１．  ０ｔ／ｈの流量で蒸留塔１の中段に導入した。蒸留塔１は、操作圧＝４ｈＰａ、還流比０．５の条件で運転して、塔頂より０．  ９５ｔ／ｈの流量で留出液を得た。
【００２８】
蒸留塔１からの缶出液は、薄膜式蒸発装置２に導入した。薄膜式蒸発装置２は、操作圧４ｈＰａで運転して、留出液を、コンデンサー３を途中に備えた留出ライン４を通じて蒸留塔１の供給ラインに戻しつつ、０．０５ｔ／ｈを廃液とした。
上記供給液および留出液中に含まれる２−ヒドロキシエチルメタクリレ−ト、ジエステル、および、その他の不純物の組成割合は表１の通りであった。
【００２９】
上記操作を３ヶ月間継続したがポリマ−の発生等の問題はなく、安定に稼動した。
【００３０】
【表１】
0003592970.tif 000002
【００３１】
［比較例１］
図２に示す工程に従い、薄膜式蒸発装置単独で、２−ヒドロキシエチルメタクリレ−トを精製した。使用した薄膜式蒸発装置１２は、伝面積３ｍ２  の横型の薄膜式蒸発装置であった。
鉄粉触媒存在下でメタアクリル酸とエチレンオキサイドを反応させ、得られた２−ヒドロキシエチルメタクリレ−ト（ジエステル、その他不純物を含む）を０．２ｔ／ｈの流量で薄膜式蒸発装置１２に導入した。薄膜式蒸発装置１２は、操作圧＝４ｈＰａ条件で運転して、０．１７ｔ／ｈの流量で留出させ、残りは廃液として廃棄した。
【００３２】
上記供給液および留出液中に含まれる２−ヒドロキシエチルメタクリレ−ト、ジエステル、および、その他の不純物の組成割合は表２の通りであった。
上記操作を３ヶ月間継続したがポリマ−の発生等の問題はなく、安定に稼動したが留出液の品質は十分ではなかった。
【００３３】
【表２】
0003592970.tif 000003
【００３４】
［比較例２］
図３に示す工程に従い、蒸留塔単独で、２−ヒドロキシエチルメタクリレ−トを精製した。使用した蒸留塔２１は、段塔５段の無堰多孔板蒸留塔であった。
鉄粉触媒存在下でメタアクリル酸とエチレンオキサイドを反応させ、得られた２−ヒドロキシエチルメタクリレ−ト（ジエステル、その他不純物を含む）を１．  ０ｔ／ｈの流量で蒸留塔２１の中段に導入した。蒸留塔２１は、操作圧＝４ｈＰａ、還流比０．５の条件で運転して、塔頂より０．  ９５ｔ／ｈの流量で留出液を得た。
【００３５】
蒸留塔２１からの缶液は、０．０５ｔ／ｈで抜き出し、廃液とした。
上記供給液および留出液中に含まれる２−ヒドロキシエチルメタクリレ−ト、ジエステル、および、その他の不純物の組成割合は表３の通りであった。
上記操作を継続したが１ヶ月でポリマ−の発生の問題が生じ、安定な稼動ができなかった。
【００３６】
【表３】
0003592970.tif 000004
【００３７】
【発明の効果】
本発明の精製方法によれば、高温での滞留時間が短い為、ジエステル等の副生、ならびに重合物の発生を抑え、かつ蒸留塔の使用によりヒドロキシアルキル（メタ）アクリレ−トの純度を確保して、高純度のヒドロキシアルキル（メタ）アクリレ−トを安定的に確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の精製方法の一つの実施態様を示す工程図である。
【図２】比較例１に係る精製方法の実施態様を示す工程図である。
【図３】比較例２に係る精製方法の実施態様を示す工程図である。
【符号の説明】
１    蒸留塔
２    薄膜式蒸発装置
３    コンデンサー
４    留出ライン
５    リボイラー
６    蒸留塔底部抜き出しライン
７    蒸留塔供給ライン
８    エステル留出ライン
９    廃液抜き出しライン
１２  薄膜式蒸発装置
１３  薄膜式蒸発装置供給ライン
１４  エステル留出ライン
１５  廃液抜き出しライン
２１  蒸留塔
２３  蒸留塔供給ライン
２４  エステル留出ライン
２５  廃液抜き出しライン
【図１】
0003592970.tif 000005
【図２】
0003592970.tif 000006
【図３】
0003592970.tif 000007