【手続補正書】
【提出日】平成29年4月25日(2017.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電界効果トランジスタ型の動作に従ってユニポーラ電流がトランジスタの第１の領域から前記トランジスタの第２の領域に流れることを可能にするために第１のゲート電圧を用いて前記トランジスタをバイアスするステップと、
バイポーラ電流が前記第１の領域から前記第２の領域に流れることを可能にするためにボディ端子をバイアスするステップであって、前記バイポーラ電流がバイポーラ接合トランジスタ型の動作に従ってボディ端子電流によって調整される、ステップと、
を含み、
前記ユニポーラ電流が前記バイポーラ電流と同時に流れる、方法。
【請求項２】
前記ユニポーラ電流がデジタル金属酸化膜半導体モードに関連付けられ、前記バイポーラ電流がアナログゲート制御バイポーラ接合トランジスタモードに関連付けられている、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１のゲート電圧が、前記トランジスタの電流利得と、前記トランジスタの相互コンダクタンスと、前記トランジスタの抵抗値とを制御する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記トランジスタが、ｎ型金属酸化膜半導体かつＮＰＮ型デバイスである、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記トランジスタが、ｐ型金属酸化膜半導体かつＰＮＰ型デバイスである、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記トランジスタが、バルク相補型金属酸化膜半導体かつバイポーラ接合トランジスタデバイスである、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記トランジスタが、シリコンオンインシュレータ相補型金属酸化膜半導体かつバイポーラ接合トランジスタデバイスである、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記トランジスタが、プレーナ型相補型金属酸化膜半導体かつバイポーラ接合トランジスタデバイスである、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記トランジスタが、３次元フィン型相補型金属酸化膜半導体かつバイポーラ接合トランジスタデバイスである、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１のゲート電圧をバイアスするステップが、ユニポーラ電流を可能にするために反転層を形成する、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記トランジスタの前記第１の領域が前記トランジスタのソースに対応し、前記トランジスタの前記第２の領域が前記トランジスタのドレインに対応する、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１のゲート電圧をバイアスするステップおよび前記ボディ端子をバイアスするステップが、電子デバイスに組み込まれたプロセッサによって開始される、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
電界効果トランジスタ型の動作に従ってユニポーラ電流がトランジスタの第１の領域から前記トランジスタの第２の領域に流れることを可能にするために第１のゲート電圧を受けるように構成された前記トランジスタの第１のゲート領域と、
前記ユニポーラ電流と同時にバイポーラ接合トランジスタ型の動作に従ってバイポーラ電流が前記トランジスタの前記第１の領域から前記トランジスタの前記第２の領域に流れることを可能にするために第１のボディ電圧を受けるように構成された前記トランジスタの第１のボディ領域と、
を備える、装置。
【請求項１４】
前記第１の領域が前記トランジスタのソースに対応する、請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記第２の領域が前記トランジスタのドレインに対応する、請求項１３に記載の装置。
【請求項１６】
前記トランジスタがユニポーラ動作モードおよびバイポーラ動作モードにおいて動作するように構成されていて、前記トランジスタがｎ型トランジスタであり、前記第１のボディ電圧が前記トランジスタに関連する順方向接合電圧よりも高い、請求項１３に記載の装置。
【請求項１７】
前記第１のゲート電圧が電源電圧に等しい、請求項１６に記載の装置。
【請求項１８】
前記トランジスタがユニポーラ動作モードおよびバイポーラ動作モードにおいて動作するように構成されていて、前記トランジスタがｐ型トランジスタであり、前記第１のボディ電圧が前記トランジスタに関連する負の順方向接合電圧よりも低い、請求項１３に記載の装置。
【請求項１９】
前記第１のゲート電圧がゼロ電圧に等しい、請求項１８に記載の装置。
【請求項２０】
インバータミキサ回路をさらに備え、前記インバータミキサ回路が、
前記トランジスタであって、前記第１のボディ電圧が第１の入力信号に対応する、前記トランジスタと、
第２のトランジスタであって、前記第２のトランジスタの第２のボディ領域が前記第１のボディ領域に結合され、前記第２のボディ領域が前記第１のボディ電圧を受けるように構成されていて、前記第２のトランジスタの第２のゲート領域が前記第１のゲート領域に結合され、前記第２のゲート領域が前記第１のゲート電圧を受けるように構成されていて、前記第１のゲート電圧が第２の入力信号に対応し、前記第２のトランジスタの第２のドレイン領域が前記トランジスタの第１のドレイン領域に結合された、第２のトランジスタと、
を備える、請求項１３に記載の装置。
【請求項２１】
インバータミキサ回路をさらに備え、前記インバータミキサ回路が、
前記トランジスタであって、前記第１のボディ電圧が第１の入力信号に対応する、前記トランジスタと、
第２のトランジスタであって、前記第２のトランジスタの第２のボディ領域が第２の入力信号に対応する第２のボディ電圧を受けるように構成されていて、前記第２のトランジスタの第２のゲート領域が前記第１のゲート領域に結合され、前記第２のゲート領域が前記第１のゲート電圧を受けるように構成されていて、前記第１のゲート電圧が第３の入力信号に対応し、前記第２のトランジスタの第２のドレイン領域が前記トランジスタの第１のドレイン領域に結合された、第２のトランジスタと、
を備える、請求項１３に記載の装置。
【請求項２２】
差動ミキサ回路をさらに備え、前記差動ミキサ回路が、
前記トランジスタであって、前記第１のゲート電圧が第１の差動入力信号の第１の信号に対応し、前記第１のボディ電圧が第２の差動入力信号の第２の信号に対応する、前記トランジスタと、
第２のトランジスタであって、前記第２のトランジスタの第２のゲート領域が第２のゲート電圧を受けるように構成されていて、前記第２のゲート電圧が前記第１の差動入力信号の第２の信号に対応し、前記第２のトランジスタの第２のボディ領域が前記第２の差動入力信号の第１の信号を受けるように構成されていて、前記トランジスタの第１のソース領域が前記第２のトランジスタの第２のソース領域に結合された、第２のトランジスタと、
を備える、請求項１３に記載の装置。
【請求項２３】
インバータドライバ回路をさらに備え、前記インバータドライバ回路が、
前記トランジスタであって、前記第１のゲート電圧および前記第１のボディ電圧が第１の入力信号に対応する、前記トランジスタと、
第２のトランジスタであって、前記第２のトランジスタの第２のゲート領域が前記第１のゲート領域に結合され、前記第２のトランジスタの第２のボディ領域が前記第１のボディ領域に結合され、前記第２のボディ領域が前記第１のボディ電圧を受けるように構成されていて、前記第２のトランジスタの第２のドレイン領域が前記トランジスタの第１のドレイン領域に結合された、請求項１３に記載の装置。
【請求項２４】
インバータドライバ回路をさらに備え、前記インバータドライバ回路が、
前記トランジスタであって、前記第１のボディ電圧が第１の入力信号に対応し、前記第１のゲート電圧が第２の入力信号に対応する、前記トランジスタと、
第２のトランジスタであって、前記第２のトランジスタの第２のゲート領域が前記第１のゲート領域に結合され、前記第２のゲート領域が前記第１のゲート電圧を受けるように構成されていて、前記第２のトランジスタの第２のボディ領域が第３の入力信号を介してバイアスされ、前記第２のトランジスタの第２のドレイン領域が前記トランジスタの第１のドレイン領域に結合された、第２のトランジスタと、
を備える、請求項１３に記載の装置。
【請求項２５】
前記第１のゲート領域および前記第１のボディ領域が、少なくとも１つの半導体ダイに集積された、請求項１３に記載の装置。
【請求項２６】
セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、娯楽ユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、携帯情報端末、固定位置データユニット、およびコンピュータからなるグループから選択されたデバイスをさらに備え、前記デバイス内に前記第１のゲート領域および前記第１のボディ領域が集積された、請求項１３に記載の装置。
【請求項２７】
プロセッサによって実行されると、前記プロセッサに、
ユニポーラ電流がトランジスタの第１の領域から前記トランジスタの第２の領域に流れることを可能にするために第１のゲート電圧を用いて前記トランジスタのゲートをバイアスさせ、
ボディ−ソース電圧の絶対値が前記トランジスタの接合電圧よりも大きくなるように、前記トランジスタのボディ領域に結合された端子を第２の電圧にバイアスさせる命令を含み、前記端子をバイアスすることが、前記ユニポーラ電流と同時にバイポーラ電流が前記トランジスタの前記第１の領域から前記トランジスタの前記第２の領域に流れることを可能にする、非一時的コンピュータ可読媒体。
【請求項２８】
前記ユニポーラ電流がデジタル金属酸化膜半導体モードに関連付けられ、前記バイポーラ電流がアナログゲート制御バイポーラ接合トランジスタモードに関連付けられている、請求項２７に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
【請求項２９】
電界効果トランジスタ型の動作に従ってユニポーラ電流がトランジスタの第１の領域から前記トランジスタの第２の領域に流れることを可能にするために第１のゲート電圧を受けるための手段と、
前記ユニポーラ電流と同時にバイポーラ接合トランジスタ型の動作に従ってバイポーラ電流が前記第１の領域から前記第２の領域に流れることを可能にするためにボディ端子をバイアスするための手段と、
を備える、装置。
【請求項３０】
前記第１のボディ領域が、前記第１のボディ電圧に応答して前記バイポーラ電流を発生させることによって前記ユニポーラ電流の大きさを調整するように更に構成されている、請求項１３に記載の装置。