Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成29年4月12日(2017.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベニューマップを更新する方法であって、
前記ベニューマップを取得することと、
前記ベニュー内に配置された１つまたは複数のカメラから画像データを取得することと、
対象物のＩＲ特性に基づいて、しきい値ＩＲ反射率の値を決定することと、
前記ベニューでの前記対象物の存在を決定するために前記画像データを処理することと、前記画像データを処理することは、ある特定のしきい値を上回るＩＲ輻射を反射するアイテム、またはある特定のしきい値を下回るＩＲ輻射を反射するアイテムのいずれかまたは両方を示す１つまたは複数のパターンを決定することを含み、
プロセッサにより前記ベニューマップを前記処理された画像データと比較することと、
前記比較に基づいて前記ベニューマップを更新することと、
前記ベニューマップをモバイルデバイスに送ることと
を備える、方法。
【請求項２】
前記画像データは、１つまたは複数の赤外線（ＩＲ）カメラからのものである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記画像データは、可視光の１つまたは複数のカメラ画像からのものである、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記対象物は、
ステッカー、
塗料、
シンボル、
ＩＲアブソーバ、
ＩＲリフレクタ、または
タグ
の少なくとも１つを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記対象物が前記ベニューの構造的構成要素または室内設備に取り付けられていると決定することをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記対象物を識別することをさらに備える、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記対象物の向きに基づいて前記構造的構成要素または室内設備の向きを決定することをさらに備える、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記対象物に対応する情報に基づいて前記構造的構成要素または室内設備の１つまたは複数の特徴を決定することをさらに備える、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記対象物は、構造的構成要素または室内設備を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
通信インターフェースと、
メモリと、
前記メモリと前記通信インターフェースとに通信可能に結合され、
ベニューマップを取得することと、
前記ベニュー内に配置された１つまたは複数のカメラから画像データを取得することと、
対象物のＩＲ特性に基づいて、しきい値ＩＲ反射率の値を決定することと、
前記ベニューでの前記対象物の存在を決定するために前記画像データを処理することと、前記画像データを処理することは、ある特定のしきい値を上回るＩＲ輻射を反射するアイテム、またはある特定のしきい値を下回るＩＲ輻射を反射するアイテムのいずれかまたは両方を示す１つまたは複数のパターンを決定することを含み、
前記ベニューマップを前記処理された画像データと比較することと、
前記比較に基づいて前記ベニューマップを更新することと、
前記ベニューマップをモバイルデバイスに送ることと
を含む機能を行うように構成される、処理ユニットと、
を備える、サーバ。
【請求項１１】
デバイスであって、
ベニューマップを取得するための手段と、
前記ベニュー内に配置された１つまたは複数のカメラから画像データを取得するための手段と、
対象物のＩＲ特性に基づいて、しきい値ＩＲ反射率の値を決定することと、
前記ベニューでの前記対象物の存在を決定するために前記画像データを処理するための手段と、前記画像データを処理することは、ある特定のしきい値を上回るＩＲ輻射を反射するアイテム、またはある特定のしきい値を下回るＩＲ輻射を反射するアイテムのいずれかまたは両方を示す１つまたは複数のパターンを決定することを含み、
前記ベニューマップを前記処理された画像データと比較するための手段と、
前記比較に基づいて前記ベニューマップを更新するための手段と、
前記ベニューマップをモバイルデバイスに送るための手段と
を備える、デバイス。
【請求項１２】
ベニューマップを生成する方法であって、
前記ベニュー内に配置された１つまたは複数のカメラから画像データを取得することと、
対象物のＩＲ特性に基づいて、しきい値ＩＲ反射率の値を決定することと、
前記ベニューでの前記対象物の存在を決定するために前記画像データを処理することと、前記画像データを処理することは、ある特定のしきい値を上回るＩＲ輻射を反射するアイテム、またはある特定のしきい値を下回るＩＲ輻射を反射するアイテムのいずれかまたは両方を示す１つまたは複数のパターンを決定することを含み、
プロセッサにより前記決定された前記対象物の存在に基づいて特徴を有する前記ベニューマップを生成することと、
前記ベニューマップをモバイルデバイスに送ることと
を備える、方法。
【請求項１３】
通信インターフェースと、
メモリと、
前記メモリと前記通信インターフェースとに通信可能に結合され、
ベニュー内に配置された１つまたは複数のカメラから画像データを取得することと、
対象物のＩＲ特性に基づいて、しきい値ＩＲ反射率の値を決定することと、
前記ベニューでの前記対象物の存在を決定するために前記画像データを処理することと、前記画像データを処理することは、ある特定のしきい値を上回るＩＲ輻射を反射するアイテム、またはある特定のしきい値を下回るＩＲ輻射を反射するアイテムのいずれかまたは両方を示す１つまたは複数のパターンを決定することを含み、
前記決定された前記対象物の存在に基づいて特徴を有するベニューマップを生成することと、
前記通信インターフェースを介して前記ベニューマップをモバイルデバイスに送ることと
を含む機能を行うように構成される、処理ユニットと、
を備える、サーバ。
【請求項１４】
ベニューマップを生成するための命令が埋め込まれたコンピュータ可読記憶媒体であって、前記命令は、プロセッサ上で実行されるとき、前記プロセッサに、請求項１乃至９、または請求項１２のいずれか一項の方法を行わせるためのコンピュータ実行可能なコードを含む、コンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１５】
デバイスであって、
ベニュー内に配置された１つまたは複数のカメラから画像データを取得するための手段と、
対象物のＩＲ特性に基づいて、しきい値ＩＲ反射率の値を決定することと、
前記ベニューでの前記対象物の存在を決定するために前記画像データを処理するための手段と、前記画像データを処理することは、ある特定のしきい値を上回るＩＲ輻射を反射するアイテム、またはある特定のしきい値を下回るＩＲ輻射を反射するアイテムのいずれかまたは両方を示す１つまたは複数のパターンを決定することを含み、
前記決定された前記対象物の存在に基づいて特徴を有するベニューマップを生成するための手段と、
前記ベニューマップをモバイルデバイスに送るための手段と
を備える、デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月7日(2017.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
破線をレンダリングする方法であって、
グラフィックス処理ユニット（ＧＰＵ）を用いて、破線の複数の順序付きセグメントの現在のセグメントより前のセグメントをピクセルシェーディングすることと、ここで、各セグメントは長さを有し、
前記グラフィックス処理ユニット（ＧＰＵ）を用いて、前記破線の前記現在のセグメントのためのテクスチャオフセットを決定することと、ここにおいて、前記現在のセグメントのための前記テクスチャオフセットが、前記現在のセグメントより順序が前の前記セグメントの前記長さの累積に基づく、
前記現在のセグメントのためのテクスチャロケーションを決定するために、前記テクスチャオフセットを適用することと、
前記決定されたロケーションにおいてテクスチャが適用される前記現在のセグメントをピクセルシェーディングすることと
を備える方法。
【請求項２】
前記複数のセグメントが、１つまたは複数の可視セグメントと１つまたは複数の不可視セグメントとを含み、前記方法が、
前記現在のセグメントの前記決定されたロケーションに基づいて、前記現在のセグメントが可視セグメントであるかどうかを決定することと、
前記現在のセグメントが可視セグメントであることに基づいて前記現在のセグメントを保持する、または、前記現在のセグメントが可視セグメントではないことに基づいて前記現在のセグメントを破棄することと
をさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記現在のセグメントのための前記テクスチャオフセットを決定する前に、前記複数の順序付きセグメントを形成するために前記破線をジオメトリシェーディングすることと、
長さの前記累積に基づいて前記テクスチャオフセットを決定することが前記現在のセグメントの長さ値に基づいて前記テクスチャオフセットを決定することを備えるように、前記長さ値を決定することと
をさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記長さ値を決定することが、前記順序が前のセグメントの長さを指定するｌｉｎｅｌｅｎｇｔｈスカラー値を生成することを備える、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記複数の順序付きセグメントの前記セグメントの各々をラスタライズすること
をさらに備え、
ここにおいて、前記テクスチャオフセットを適用することが、前記現在のセグメントがラスタライズされた後に前記ラスタライズされた現在のセグメントに前記テクスチャオフセットを適用することを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記テクスチャオフセットを適用することが、前記ロケーションを示す、前記現在のセグメントのテクスチャ座標値を決定することを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記ピクセルシェーディングが、前記破線をストロークすることを含む、前記破線のためのパスレンダリングプロセス中に含まれる、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記セグメントの前記順序がプリミティブ順序であるように、前記セグメントのジオメトリシェーディング中に前記セグメントの前記順序を決定することをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
グラフィックスデータをレンダリングするための装置であって、
グラフィックス処理ユニット（ＧＰＵ）を用いて、破線の複数の順序付きセグメントの現在のセグメントより前のセグメントをピクセルシェーディングするための手段と、ここで、各セグメントは長さを有し、
前記グラフィックス処理ユニット（ＧＰＵ）を用いて、前記破線の前記現在のセグメントのためのテクスチャオフセットを決定するための手段と、ここにおいて、前記現在のセグメントのための前記テクスチャオフセットが、前記現在のセグメントより順序が前の前記セグメントの長さの累積に基づく、
前記現在のセグメントのためのテクスチャロケーションを決定するために、前記テクスチャオフセットを適用するための手段と、
前記決定されたロケーションにおいてテクスチャが適用される前記現在のセグメントをピクセルシェーディングするための手段と
を備える装置。
【請求項１０】
前記複数のセグメントが、１つまたは複数の可視セグメントと１つまたは複数の不可視セグメントとを含み、前記装置が、
前記現在のセグメントの前記決定されたロケーションに基づいて、前記現在のセグメントが可視セグメントであるかどうかを決定するための手段と、
前記現在のセグメントが可視セグメントであることに基づいて前記現在のセグメントを保持する、または、前記現在のセグメントが可視セグメントではないことに基づいて前記現在のセグメントを破棄するための手段と
をさらに備える、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記現在のセグメントのための前記テクスチャオフセットを決定する前に、前記複数の順序付きセグメントを形成するために前記破線をジオメトリシェーディングするための手段と、
長さの前記累積に基づいて前記テクスチャオフセットを決定することが前記現在のセグメントの長さ値に基づいて前記テクスチャオフセットを決定することを備えるように、前記長さ値を決定するための手段と
をさらに備える、請求項９に記載の装置。
【請求項１２】
前記長さ値を決定するための前記手段が、前記順序が前のセグメントの長さを指定するｌｉｎｅｌｅｎｇｔｈスカラー値を生成するための手段を備える、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記複数の順序付きセグメントの前記セグメントの各々をラスタライズするための手段
をさらに備え、
ここにおいて、前記テクスチャオフセットを適用するための前記手段が、前記現在のセグメントがラスタライズされた後に前記ラスタライズされた現在のセグメントに前記テクスチャオフセットを適用するための手段を備える、請求項９に記載の装置。
【請求項１４】
前記テクスチャオフセットを適用するための前記手段が、前記ロケーションを示す、前記現在のセグメントのテクスチャ座標値を決定するための手段を備える、請求項９に記載の装置。
【請求項１５】
前記セグメントの前記順序がプリミティブ順序であるように、前記セグメントのジオメトリシェーディング中に前記セグメントの前記順序を決定するための手段をさらに備える、請求項９に記載の装置。
【請求項１６】
実行されたとき、グラフィックス処理ユニット（ＧＰＵ）に、請求項１から請求項８のうちのいずれか一項に記載の方法を行わせる命令を記憶した非一時的コンピュータ可読媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月21日(2017.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データセンター内の冷却能力を管理する方法をコンピュータに実行させるために記憶された命令のシーケンスを含む非一時的なコンピュータ可読記憶媒体であって、前記方法は、
複数の筐体それぞれから筐体の情報を収集し、前記筐体情報は入口温度、最大許容筐体温度、及び給気温度を含み、
前記複数の筐体の積算電力量を収集し、
前記複数の筐体の総冷却能力を収集し、
前記複数の筐体の残余の冷却能力を導出し、
前記複数の筐体それぞれについてθ値を計算し、前記計算されたθ値のそれぞれは、それぞれ収集された前記筐体情報から少なくとも部分的に計算され、そして、
前記計算されたθ値それぞれについて、前記複数の筐体の前記入口温度のいずれかが前記それぞれの最大許容筐体温度以下であるか、最大許容筐体温度であるか、それ以上であるかのうちの少なくとも１つであるかどうかを判定し、
もし前記入口温度のいずれか１つが前記それぞれの最大許容筐体温度であるかそれ以上のうちの少なくとも１つであれば第一のアラームを発し、
前記入口温度のすべてが前記それぞれの最大許容筐体温度以下であれば、前記計算されたθ値の各々がユーザ定義のθ値以下であるか、θ値であるか、それ以上であるかのうちの少なくとも１つであるかどうかを判定し、
もし前記計算されたθ値のいずれか１つが前記ユーザ定義のθ値であるか、それ以上のうちの少なくとも１つであれば第二のアラームを発し、そして、
もし前記計算されたθ値のすべてが前記ユーザ定義のθ値以下であれば
前記複数の筐体すべてに亘って残余の冷却能力を分配する、
ことから成る非一時的なコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項２】
前記複数の筐体すべてに亘って残余の冷却能力を分配することは、前記複数の筐体すべてに亘って均等に残余の冷却能力を分配することを含む、請求項１記載の非一時的なコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項３】
ユーザ定義のθ値は信頼率に相当する、請求項１に記載の非一時的なコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項４】
前記信頼率は、前記複数の筐体すべてに亘っての残余の冷却能力の分配が前記データセンターの予測された状態を満たすであろう信頼レベルに対応する、請求項３に記載の非一時的なコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項５】
前記信頼率は、０．３よりも大きいユーザ定義のθ値に対して１００％未満である、請求項３に記載の非一時的なコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項６】
前記複数の筐体の前記積算電力量を収集するステップは、前記複数の筐体の電源コンセント部を監視することを含む、請求項１に記載の非一時的なコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項７】
前記複数の筐体のそれぞれの前記入口温度を収集するステップは、前記複数の筐体のそれぞれのための少なくとも１つの温度センサを監視することを含む、請求項１に記載の非一時的なコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項８】
θの値の各々は、次式を介して計算される、請求項１に記載の非一時的なコンピュータ可読記憶媒体：
【数１】
2016532220.tif 000001
式中：
Ｔｍａｘ，ｉは、前記それぞれの入口温度であり、
ＴＳＡＴは、前記それぞれの給気温度であり、及び
ＴＡｌｌｏｗａｂｌｅ は、前記それぞれの最大許容筐体温度である。
【請求項９】
データセンター内の冷却能力を管理するためのシステムであって、前記システムは、
少なくとも１つのプロセッサ、及び
前記少なくとも１つのプロセッサに接続された非一時的なコンピュータ可読記憶媒体を備え、前記非一時的なコンピュータ可読記憶媒体は、
複数の筐体それぞれから筐体の情報を収集し、前記筐体情報は入口温度、最大許容筐体温度、及び給気温度を含み、
前記複数の筐体の積算電力量を収集し、
前記複数の筐体の総冷却能力を収集し、
前記複数の筐体の残余の冷却能力を導出し、
前記複数の筐体それぞれについてθ値を計算し、前記計算されたθ値のそれぞれは、それぞれ収集された前記筐体情報から少なくとも部分的に計算され、そして、
前記計算されたθ値のそれぞれについて、前記複数の筐体の前記入口温度のいずれかが前記それぞれの最大許容筐体温度以下であるか、最大許容筐体温度であるか、それ以上であるかのうちの少なくとも１つであるかどうかを判定し、
もし前記入口温度のいずれか１つが前記それぞれの最大許容筐体温度であるかそれ以上のうちの少なくとも１つであれば第一のアラームを発し、
前記入口温度のすべてが前記それぞれの最大許容筐体温度以下であれば、前記計算されたθ値の各々がユーザ定義のθ値以下であるか、θ値であるか、それ以上であるかのうちの少なくとも１つであるかどうかを判定し、
もし前記計算されたθ値のいずれか１つが前記ユーザ定義のθ値であるか、それ以上のうちの少なくとも１つであれば第二のアラームを発し、そして、
もし前記計算されたθ値のすべてが前記ユーザ定義のθ値以下であれば
前記複数の筐体すべてに亘って残余の冷却能力を分配する、
ための命令を含むシステム。
【請求項１０】
前記複数の筐体すべてに亘って残余の冷却能力を分配することは、前記複数の筐体すべてに亘って均等に残余の冷却能力を分配することから成る、請求請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
前記ユーザ定義のθ値が信頼率に対応する、請求項９に記載のシステム。
【請求項１２】
前記信頼率は、前記複数の筐体すべてに亘っての残余の冷却能力の分配が前記データセンターの予測された状態を満たすであろう信頼レベルに対応する、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１３】
前記信頼率は、０．３よりも大きいユーザ定義のθ値がに対して１００％未満である、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１４】
前記複数の筐体の前記積算電力量の前記収集は、前記複数の筐体それぞれの電源コンセント部を監視することを含む、請求項９に記載のシステム。
【請求項１５】
前記複数の筐体それぞれの前記入口温度の前記収集は、前記複数の筐体それぞれのための少なくとも１つの温度センサを監視することを含む、請求項９に記載のシステム。
【請求項１６】
θの値の各々は、次式を介して計算される、請求項９に記載のシステム：
【数２】
2016532220.tif 000002
式中：
Ｔｍａｘ，ｉは、前記それぞれの入口温度であり、
ＴＳＡＴは、前記それぞれの給気温度であり、及び
ＴＡｌｌｏｗａｂｌｅ は、前記それぞれの最大許容筐体温度である。
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月17日(2017.8.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソース領域とドレイン領域との間の高移動度チャネルであって、実質的にゲートの長さだけ延在する、高移動度チャネルと、
前記ソース領域または前記ドレイン領域から前記高移動度チャネルの方へ延在するドープ領域とを備え、
基板の一部は、前記ドープ領域が前記高移動度チャネルに接触しないように前記ドープ領域と前記高移動度チャネルとの間に位置決めされることを特徴とする、半導体デバイス。
【請求項２】
ゲートをさらに備え、前記高移動度チャネルは、前記ゲートに結合される請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項３】
前記ゲートに結合されたスペーサをさらに備え、前記ドープ領域は、前記スペーサと接触する請求項２に記載の半導体デバイス。
【請求項４】
前記ドープ領域は、前記ソース領域または前記ドレイン領域と接触し、前記ドープ領域は、前記基板およびスペーサと接触し、又は、
前記ドープ領域と前記ソース領域または前記ドレイン領域との間の接合部は、前記半導体デバイスがオン状態にあるときに前記ソース領域から前記ドレイン領域への高移動度キャリア経路を可能にし、又は、
前記ドープ領域と前記高移動度チャネルとの間の接合部は、前記半導体デバイスがオフ状態にあるときに漏れ電流を阻止するためのバリアをもたらす、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項５】
前記基板の前記一部は、スペースと接触し、前記基板は、シリコンを含む請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項６】
前記ドープ領域は、前記ゲートの下に延在しない、又は、
前記高移動度チャネルは、スペーサの下に延在しない、又は、
前記基板の前記一部と前記ドープ領域との間の接合部の少なくとも一部は、スペーサの下に位置決めされる、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項７】
半導体デバイスのソース領域またはドレイン領域に関連付けられたドープ領域を形成するステップと、
前記半導体デバイス内に高移動度チャネルを形成するステップであって、前記ドープ領域は、前記高移動度チャネルを形成する前にアニーリングされ、前記ドープ領域は、前記ソース領域または前記ドレイン領域から前記高移動度チャネルの方へ延在し、前記半導体デバイスの基板の一部は、前記ドープ領域が前記高移動度チャネルに接触しないように前記ドープ領域と前記高移動度チャネルとの間に位置決めされる、ステップとを含む、方法。
【請求項８】
前記ソース領域に関連付けられているソース注入部を堆積するステップと、前記ドレイン領域に関連付けられているドレイン注入部を堆積するステップとをさらに含む請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記ドープ領域が形成された後に前記半導体デバイスをアニーリングするステップをさらに含み、アニーリングする前記ステップは、高速熱アニーリング、レーザーアニーリング、またはこれらの組合せを含む請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記高移動度チャネルは、ゲルマニウム、ＩＩＩ−Ｖ材料、ＩＩ−Ｖ材料、グラフェン、別の高移動度材料、またはこれらの組合せを含む請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
ゲートを形成するステップをさらに含み、前記ゲートは、前記高移動度チャネルに結合される請求項７に記載の方法。
【請求項１２】
前記ゲートは、高Ｋ材料および金属を含む請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記半導体デバイスの前記基板上にダミーゲートを形成するステップと、
前記ダミーゲート上にスペーサを形成するステップと、
前記ダミーゲートを取り除いてキャビティを作製するステップとをさらに含む請求項７に記載の方法。
【請求項１４】
前記基板の第２の一部の中に前記キャビティを貫入させるステップであって、前記基板の前記第２の一部は、前記半導体デバイスのチャネル領域に関連付けられ、前記キャビティは、第１の値を有する特定の深さだけ延在させられる、ステップと、
前記基板の前記第２の一部に高移動度材料を充填して前記高移動度チャネルを形成するステップであって、前記高移動度チャネルは、第２の値を有する特定な厚さを有する、ステップとをさらに含み、
前記第１の値および前記第２の値は、同じ値であり、又は、
前記第１の値および前記第２の値は、異なる値である、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
プロセッサ実行可能命令を備える非一時的コンピュータ可読媒体であって、前記命令はプロセッサによって実行されたときに、前記プロセッサが
半導体デバイスの形成を開始することを引き起こし、前記半導体デバイスは、請求項７から１４の何れか一項に記載の方法によって形成される、非一時的コンピュータ可読媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月9日(2017.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハウジングと、
前記ハウジング内に配置される電解液と、
金属材料と、
前記電解液に少なくとも部分的に浸漬された複数の充電アノード及び複数の充電カソードと、
前記電解液に浸漬された複数の放電カソードと、並びに
前記放電カソードと隣接する複数の第１のスペースと、
を備える、電気化学セルシステムであって、
前記ハウジングは単一のコンテナであり、且つ、前記複数の充電カソード、前記複数の充電アノード、前記複数の放電カソード及び複数の放電アノードが、前記単一のコンテナの中に全て収容され、
前記充電カソード及び前記充電アノードは前記放電カソードの上にあり、
放電中に前記金属材料は電気化学的に前記充電カソード上に析出し、
前記充電カソード上に析出した前記金属材料は少なくとも断続的に取り除かれ、
前記金属材料が前記第１のスペースに位置する場合、前記金属材料は複数の放電アノードを形成し、且つ
放電中、前記金属材料は電気化学的に溶解する、電気化学セルシステム。
【請求項２】
前記第１のスペースが満杯になった場合に、超過した金属材料を貯蔵するため前記放電カソード上に第２のスペースを更に備える、請求項１に記載の電気化学セルシステム。
【請求項３】
前記電解液の濃度を均一化するために少なくとも断続的に前記電解液を対流させる、請求項１に記載の電気化学セルシステム。
【請求項４】
前記ハウジングのうち前記電解液と接触している部分が空気を透過しない、請求項１に記載の電気化学セルシステム。
【請求項５】
前記金属材料は、亜鉛、アルミニウム、マグネシウム、リチウム、鉄、カドミウム、鉛、スズ、ビスマス、インジウム及びアンチモン又はそれら金属の合金からなる群から選択される金属を含む、請求項１に記載の電気化学セルシステム。
【請求項６】
前記電気化学セルシステムが、前記充電アノード及び前記放電カソードにおける前記電気化学反応のための化学薬品を更に含み、且つ
前記化学薬品は酸素、臭素、塩素、塩化鉄、バナジウム塩、塩化クロム、塩化チタン、及び塩化セリウムからなる群から選択される、
請求項１に記載の電気化学セルシステム。
【請求項７】
拭く、又は擦る、又は振る、又は振動させる又はそれらの組合せによって前記金属材料を取り除く、
請求項１に記載の電気化学セルシステム。
【請求項８】
前記金属材料が前記充電カソードから除去される際、前記金属材料が重力によって前記第１のスペースへ移動する、
請求項１に記載の電気化学セルシステム。
【請求項９】
フィルター材料を介して前記第１のスペースと流体連通するチャンバを更に備える、請求項１に記載の電気化学セルシステム。
【請求項１０】
前記放電カソード及び前記充電アノードが、セパレータを備えるチャンバの内部に電極をそれぞれ備え、且つ前記電解液が、前記金属材料の析出及び溶解に関連する反応のための陰性の電解液である、
請求項１に記載の電気化学セルシステム。
【請求項１１】
請求項１０に記載の電気化学セルシステムであって、
陽性の電解液と、
前記陽性の電解液を収容するリザーバと、及び
前記チャンバと前記リザーバの間にある前記陽性の電解液を対流させるためのポンプと、
を更に備える、電気化学セルシステム。
【請求項１２】
前記放電カソードが、１つ以上の酸素膜電極と、前記酸素膜電極により封止されたキャビティと、前記酸素膜電極の表面を覆う１つ以上のセパレータと、並びに空気又は酸素含有ガスを前記キャビティの内と外に通すための入口及び出口と、を備える、
請求項１に記載の電気化学セルシステム。
【請求項１３】
充電中の前記金属材料の析出及び放電中の前記金属材料の溶解が、同時に実行される、
請求項１に記載の電気化学セルシステム。
【請求項１４】
ハウジングと、
前記ハウジング内に収容される電解液と、
前記電解液中に浸漬された１つ以上の酸素カソード及び前記酸素カソードの間にある１つ以上の第１のスペースと、
金属材料であって、前記第１のスペースに位置する場合に１つ以上の放電アノードを形成する、金属材料と、並びに
前記電解液に少なくとも部分的に浸漬された１つ以上の充電アノード及び１つ以上の充電カソードと、
を備える電気化学セルシステムであって、
前記ハウジングは単一のコンテナであって、且つ１つ以上の充電カソード、１つ以上の充電アノード、前記１つ以上の酸素カソード及び前記１つ以上の放電アノードが、前記単一のコンテナの内部に全て収容され、
前記金属材料は充電中に前記充電カソード上に析出し、
前記金属材料は少なくとも断続的に前記充電カソードから取り除かれ、
前記充電カソード及び充電アノードは前記放電カソード上にあり、
前記電気化学セルシステムは、前記第１のスペースが満杯になった場合に前記金属材料を収容するため、（ａ）前記放電カソードと（ｂ）前記充電カソード及び充電アノードとの間に位置する第２のスペースを更に備え、
各前記酸素カソードは、空気又は酸素含有ガスを収容するため、１つ以上の酸素膜電極により封止されたキャビティを備え、
前記金属材料は、放電中に溶解し、且つ
前記電解液は、少なくとも断続的に対流している、
電気化学セルシステム。
【請求項１５】
請求項１に記載の電気化学セルシステムを用いて電気を発生させ且つ貯蔵するための方法であって、前記方法は、
前記ハウジング内に収容された前記電解液に少なくとも浸漬された前記複数の充電カソード及び前記複数の充電アノードを備える充電組立体を用いて、前記金属材料の電気化学的な析出により、電気を貯蔵することと、
前記充電カソード上に析出した金属材料を取り除くことと、
前記金属材料を、前記複数の放電カソードの間にある前記複数の第１のスペースに配置することであって、それにより前記電解液に少なくとも部分的に浸漬された放電組立体を形成し、
前記第１のスペースにある前記金属材料は、前記複数の放電アノードを形成する、ことと、
前記第１のスペースが満杯になった場合に、前記放電組立体の上にある第２のスペースに前記金属材料を収容することと、
前記放電組立体中の前記金属材料の電気化学的な溶解によって電気を発生させることと、及び
前記ハウジング内の前記電解液を対流させることと、
を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年9月27日(2017.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
照明装置のためのコネクタプラグであって、
前記照明装置を機械的に前記コネクタプラグに結合するための固定配置と、
前記コネクタプラグに結合された前記照明装置に電力を輸送する及び前記コネクタプラグに結合された前記照明装置とデータを通信するための電子接点であって、前記電子接点は、ユニバーサル・シリアル・バス（ＵＳＢ）型の接点又はモジュラー・コネクタ型の接点であり、ケーブルに電気的に接続されるように配されている、電子接点と、
前記コネクタプラグに結合されている前記照明装置から熱を受け取る熱受容インターフェースと、前記熱受容インターフェースを介して受け取られた前記熱の少なくとも一部を放散させる熱放散インターフェースを有するヒートシンクと、
を有するコネクタプラグ。
【請求項２】
前記ヒートシンクは、前記熱受容インターフェースから前記熱放散インターフェースまで熱を伝導するための少なくとも１Ｗ／（ｍＫ）の熱伝導率を有する材料を有する、請求項１に記載のコネクタプラグ。
【請求項３】
前記熱放散インターフェースは、１つ以上のフィンを有する、請求項１又は２に記載のコネクタプラグ。
【請求項４】
前記固定配置は、ポジティブ・ロック型である、請求項１乃至３の何れか一項に記載のコネクタプラグ。
【請求項５】
前記ヒートシンクはスリーブとして形成される、請求項１乃至４の何れか一項に記載のコネクタプラグ。
【請求項６】
前記スリーブはカバー層によって覆われている、請求項５に記載のコネクタプラグ。
【請求項７】
前記照明装置を駆動する駆動電子部品を更に有する、請求項１乃至６の何れか一項に記載のコネクタプラグ。
【請求項８】
前記ケーブル及び前記固定配置は前記照明装置を懸架している、請求項１乃至７の何れか一項に記載のコネクタプラグ。
【請求項９】
請求項１乃至８の何れか一項に記載のコネクタプラグに結合する照明装置であって、
前記コネクタプラグに前記照明装置を機械的に結合させるための固定配置と、
前記コネクタプラグから電力を受け取る及び前記コネクタプラグとデータを通信するための電子接点であって、前記電子接点は、ユニバーサル・シリアル・バス（ＵＳＢ）型の接点又はモジュラー・コネクタ型の接点である、電子接点と、
前記照明装置により生成される熱を前記コネクタプラグに輸送する熱放散インターフェースと、
を有するコネクタ・ポート配置を有する前記照明装置。
【請求項１０】
少なくとも１つの固体光源を更に有する、請求項９に記載の照明装置。
【請求項１１】
請求項１乃至８の何れか一項に記載のコネクタプラグと、前記コネクタプラグへの接続に適応している請求項９又は１０に記載の照明装置とを有する照明システム。
【請求項１２】
前記コネクタプラグの前記熱受容インターフェースは、前記照明装置の前記熱放散インターフェースと直接的に接触する、請求項１１に記載の照明システム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年9月14日(2017.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハウジングと、
前記ハウジング上又は前記ハウジング内に含まれ、１つ又は複数の面上に少なくとも２つの空間的に制限された照明効果を投射する、少なくとも２つのＬＥＤと、
前記ハウジング内に含まれるコントローラであって、前記少なくとも２つのＬＥＤに動作可能に結合され、少なくとも２つの投射照明効果に少なくとも２つの明確な符号化光信号を同時に担持させるように前記少なくとも２つのＬＥＤを選択的に作動させる、コントローラとを含む照明器具であって、
前記少なくとも２つの投射照明効果のうちの少なくとも１つは、非対称形状を持つ、照明器具。
【請求項２】
少なくとも２つの明確な光メッセージは、少なくとも部分的に、前記少なくとも２つの投射照明効果によって担持される複数の明確な符号化光信号によって伝達される、請求項１に記載の照明器具。
【請求項３】
前記少なくとも２つの明確な光メッセージは、少なくとも部分的に、前記少なくとも２つの投射照明効果の複数の異なる色相によって伝達される、請求項１に記載の照明器具。
【請求項４】
前記少なくとも２つの明確な光メッセージは、少なくとも部分的に、前記少なくとも２つの投射照明効果の複数の明確な形状によって伝達される、請求項１に記載の照明器具。
【請求項５】
前記少なくとも２つのＬＥＤによって発せられた光を１つ又は複数の面上に向けるように成形された少なくとも２つの光学素子を含む、請求項１に記載の照明器具。
【請求項６】
前記少なくとも２つの光学素子の少なくとも１つは、前記少なくとも２つのＬＥＤの少なくとも１つから発せられる光を非対称形状の投射照明効果へと成形する、請求項５に記載の照明器具。
【請求項７】
前記１つ又は複数の照明効果の形状を画定する１つ又は複数の成形開口部を有するマスクを含む、請求項１に記載の照明器具。
【請求項８】
前記ハウジングは、壁又は天井に取り付けられる、請求項１に記載の照明器具。
【請求項９】
前記少なくとも２つのＬＥＤは、人間には実質的に感知不可能であってモバイルコンピューティングデバイスの光センサによって検出可能にするように選択された強度を有する前記少なくとも２つの照明効果を投射する、請求項１に記載の照明器具。
【請求項１０】
前記少なくとも２つの明確な符号化光信号は、複数の異なる位置と関連付け可能である、請求項１に記載の照明器具。
【請求項１１】
照明器具のコントローラによって、第１の位置に関連付け可能な第１の光メッセージを伝達する第１の符号化光信号を生成するように、前記照明器具の複数の発光ダイオードのうちの第１のＬＥＤを選択的に作動させるステップと、
前記照明器具によって、前記第１のＬＥＤから発せられた光を第１の面上に投射するステップと、
前記コントローラによって、第１の位置とは異なる第２の位置に関連付け可能な第２の光メッセージを伝達する第２の符号化光信号を生成するように、前記照明器具の複数のＬＥＤのうちの第２のＬＥＤの照明を選択的に行うステップと、
前記照明器具によって、前記第２のＬＥＤから発せられた光を前記第１の面又は第２の面上に投射するステップとを含む、方法。
【請求項１２】
第１のＬＥＤから発せられた光を投射するステップは、第１のＬＥＤから発せられた光を、複数の平行な通路のうちの第１の通路の上方の天井の一部上に投射することを含み、第２のＬＥＤから発せられた光を投射するステップは、第２のＬＥＤから発せられた光を、前記複数の平行な通路のうちの第２の通路の上方の天井の一部上に投射することを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
第１のＬＥＤから発せられた光を投射するステップは、第１のＬＥＤから発せられた光を、複数の平行な通路のうちの第１の通路の床上に投射することを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
ハウジングと、
前記ハウジング内に含まれる第１及び第２のＬＥＤと、
前記ハウジングに取り付けられ、且つ前記第１及び第２のＬＥＤから発せられた光を１つ又は複数の面上に向けるように構成された第１及び第２の光学素子と、
前記第１及び第２のＬＥＤに動作可能に結合され、且つ第１の位置に関連付け可能な第１の光メッセージを伝達する第１の符号化光信号を生成するように前記第１のＬＥＤの照明を行い、第１の位置とは異なる第２の位置に関連付け可能な第２の光メッセージを伝達する第２の符号化光信号を生成するように前記第２のＬＥＤの照明を行うように構成されたコントローラとを含む、照明器具。
【請求項１５】
それぞれ前記第１及び第２のＬＥＤによって生み出される第１及び第２の投射照明効果の形状を画定する第１及び第２の成形開口部を有するマスクを含む、請求項１４に記載の照明器具。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月24日(2017.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
M-PHYプロトコルを使用して動作するように構成された電子デバイスであって、
前記M-PHYプロトコルに準拠した複数のデータパスを有する通信インターフェースと、
前記通信インターフェースのM-PHY RXDNおよびRXDPデータパスに電気的に結合された第1の差動データ出力ピンペア、
前記通信インターフェースのM-PHY TXDNおよびTXDPデータパスに電気的に結合された第1の差動データ入力ピンペア、ならびに
挿入検出を可能にするように構成されたピン
を含む複数のピンを有するメモリカード型コネクタと
を含む、デバイス。
【請求項２】
前記複数のピンの他のピンが、それを通して電力を提供するように構成された、請求項1に記載のデバイス。
【請求項３】
前記複数のピンの他のピンが、それを通して追加のデータチャネルを提供するように構成された、請求項1に記載のデバイス。
【請求項４】
前記メモリカード型コネクタが、コンパクトフラッシュ(IおよびII)、セキュアデジタル(SD)(SD、miniSD、microSD、SDHC、miniSDHC、microSDHC、SDXC)、メモリスティック(スタンダード、Pro、Pro Duo、Pro-HG Duo、Micro(M2)、xC)、MultiMediaCard(MMC)(MMC、RS-MMC、MMCmobile、MMCplus、MMCmicro、eMMC)、シリアル周辺機器インターフェース(SPI)、xD(スタンダード、Type M、Type H、Type M+)、XQD、およびウルトラハイスピード(UHS:Ultra High Speed)(IおよびII)から成る群から選択される規格の1つに準拠する、請求項1に記載のデバイス。
【請求項５】
前記複数のピンの他のピンが、それを通してクロック信号を提供するように構成された、請求項1に記載のデバイス。
【請求項６】
前記複数のピンの少なくとも1つが、複数のピンでどのタイプのメモリカードピンレイアウトが使用されているかを示す識別信号を提供するように構成された、請求項1に記載のデバイス。
【請求項７】
集積回路(IC)に組み込まれた、請求項1に記載のデバイス。
【請求項８】
前記電子デバイスが組み込まれた、セットトップボックス、エンターテイメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、固定位置データユニット、モバイル位置データユニット、携帯電話、セルラ電話、コンピュータ、ポータブルコンピュータ、デスクトップコンピュータ、携帯情報端末(PDA)、モニタ、コンピュータモニタ、テレビ、チューナ、ラジオ、衛星ラジオ、音楽プレーヤ、デジタル音楽プレーヤ、ポータブル音楽プレーヤ、デジタルビデオプレーヤ、ビデオプレーヤ、デジタルビデオディスク(DVD)プレーヤ、およびポータブルデジタルビデオプレーヤから成る群から選択されたデバイスをさらに含む、請求項1に記載のデバイス。
【請求項９】
M-PHYプロトコルを使用して動作するように構成された電子デバイスを第2のデバイスに接続する方法であって、
前記M-PHYプロトコルに準拠した複数のデータパスを提供するステップと、
複数のピンを有するメモリカード型コネクタを提供するステップと、
前記メモリカード型コネクタの挿入を検出するステップと、
第1の差動データ出力ピンペアをM-PHY RXDNおよびRXDPデータパスに電気的に結合するステップと、
第1の差動データ入力ピンペアをM-PHY TXDNおよびTXDPデータパスに電気的に結合するステップと
を含む、方法。
【請求項１０】
前記メモリカード型コネクタを通した電力をさらに含む、請求項9に記載の方法。
【請求項１１】
1つまたは複数の追加データチャネルを提供するステップをさらに含む、請求項9に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月6日(2017.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
楽音発生装置であって、
・共鳴空洞を定める管であって、前記管は、複数の音響発生チャイムを備え、前記チャイムは、少なくとも１つの物体が前記チャイムの少なくとも１つに当たるときに可聴音を生成するように構成されている、管；
・多くの物体を保つように構成されたリザーバ；
・移送機構であって、物体を前記リザーバから前記共鳴空洞内の高位置に移送するように構成されている移送機構；
・動力源；および
・積載補助手段であって、前記動力源で動力供給され、前記リザーバからの前記移送機構の物体の取り込みを補助するように構成されている、積載補助手段
を備え、
物体が、前記移送機構によって移送された後に重力によって前記共鳴空洞内の高位置から落下し、前記複数の音響発生チャイムを打ち、時間にわたってランダム間隔で楽音の連続サイクルを発生させる、楽音発生装置。
【請求項２】
請求項１の楽音発生装置であって、物体は、プラスチックビーズである、楽音発生装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２の楽音発生装置であって、前記移送機構は、従動ベルトであり、前記従動ベルトは、物体を捕らえて管の最上部に移送する複数のパドルと共に構成されている、楽音発生装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項の楽音発生装置であって、前記管は、モータによって回転するように構成されている、楽音発生装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項の楽音発生装置であって、前記積載補助手段は、前記リザーバに保たれる物体の位置に応じて前記移送機構に対する前記リザーバの位置を動かすように構成され、前記リザーバからの前記移送機構の物体の取り込みを補助する、楽音発生装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項の楽音発生装置であって、前記動力源は、電源である、楽音発生装置。
【請求項７】
請求項６の楽音発生装置であって、前記積載補助手段は、前記移送機構に対する前記リザーバの位置を、前記リザーバにある物体の位置を検出するように構成された少なくとも１つのセンサと、前記少なくとも１つのセンサからの入力を通じて前記リザーバの位置を動かすように構成された少なくとも１つのアクチュエータと、によって動かすように構成されている、楽音発生装置。
【請求項８】
請求項６または請求項７の楽音発生装置であって、前記積載補助手段は、物体が前記移送機構に引き付けられるように構成されている、楽音発生装置。
【請求項９】
請求項６〜８のいずれか１項の楽音発生装置であって、前記積載補助手段は、前記リザーバにある物体を撹拌するように構成されている、楽音発生装置。
【請求項１０】
請求項６〜９のいずれか１項の楽音発生装置であって、前記積載補助手段は、イオン発生装置を備え、前記イオン発生装置は、１つ以上の物体および／または前記リザーバに静電気を生じさせるように構成されている、楽音発生装置。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１項の楽音発生装置であって、前記楽音発生装置は、マイクロホンも備え、前記マイクロホンは、前記共鳴空洞に位置して、アップロードされて少なくとも１つのスピーカーを介して再現される音を変換する、楽音発生装置。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか１項の楽音発生装置であって、前記楽音発生装置は、少なくとも１つのＬＥＤも備え、前記ＬＥＤは、前記チャイムの１つが物体の１つに打たれるときに、前記共鳴空洞を照らすように構成されている、楽音発生装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年9月25日(2017.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電圧供給システムであって、
第１電圧レベルを生成する第１バッテリーと、
前記第１バッテリーのアノードと電気ノードとの間に直列で電気的にカップリングされたコンタクタと、
前記第１電圧レベルを示す第１電圧信号を生成する第１電圧センサと、
前記電気ノードと前記第１バッテリーのカソードとの間の第２電圧レベルを示す第２電圧信号を生成する第２電圧センサと、
前記電気ノードと前記第１バッテリーのカソードとの間に電気的にカップリングされたＤＣ−ＤＣ電圧コンバータと、
前記ＤＣ−ＤＣ電圧コンバータの出力電圧の印加を受け、前記第１電圧レベルより低い第３電圧レベルを生成する第２バッテリーと、並びに、
前記第１電圧センサ、前記第２電圧センサ、前記コンタクタ及び前記ＤＣ−ＤＣ電圧コンバータに動作可能にカップリングされたマイクロプロセッサとを備えてなり、
前記マイクロプロセッサは、前記コンタクタの接点が閉鎖作動位置から開放作動位置に切り換わるようにしたとき、前記第１電圧レベルが前記第２電圧レベルと実質的に同じであって、前記第１電圧レベルが第１臨界電圧レベルより低ければ、前記ＤＣ−ＤＣ電圧コンバータの作動を非活性化させることを特徴とする、電圧供給システム。
【請求項２】
前記マイクロプロセッサは、前記第１電圧レベルが前記第２電圧レベルと実質的に同じであって、前記第１電圧レベルが第２臨界電圧レベルより高い場合、前記ＤＣ−ＤＣ電圧コンバータの作動を非活性化させるように構成され、前記第２臨界電圧レベルは前記第１臨界電圧レベルより高いことを特徴とする、請求項１に記載の電圧供給システム。
【請求項３】
前記マイクロプロセッサは、前記ＤＣ−ＤＣ電圧コンバータの作動を非活性化するため、前記ＤＣ−ＤＣ電圧コンバータの動作を誘導する制御信号の生成を中断するように構成されたことを特徴とする、請求項１又は２に記載の電圧供給システム。
【請求項４】
前記マイクロプロセッサは、前記ＤＣ−ＤＣ電圧コンバータの作動を非活性化するため、前記ＤＣ−ＤＣ電圧コンバータによって受信されるディスエーブル（ｄｉｓａｂｌｅ）命令を含む命令メッセージを生成するように構成され、前記ディスエーブル命令に従って前記ＤＣ−ＤＣ電圧コンバータが非活性化されることを特徴とする、請求項１〜３の何れか一項に記載の電圧供給システム。
【請求項５】
前記第１電圧レベルは４８ＶＤＣと実質的に同じであり、前記第３電圧レベルは１２ＶＤＣと実質的に同じであることを特徴とする、請求項１〜４の何れか一項に記載の電圧供給システム。
【請求項６】
前記マイクロプロセッサは、前記コンタクタの接点が閉鎖作動位置から開放作動位置に切り換わるように、前記コンタクタに提供される制御信号の生成を中断することを特徴とする、請求項１〜５の何れか一項に記載の電圧供給システム。
【請求項７】
電圧供給システムが欠陥状態であるとき、ＤＣ−ＤＣ電圧コンバータの作動を非活性化するための方法であって、
前記電圧供給システムが、
第１電圧レベルを生成する第１バッテリー、
前記第１バッテリーのアノードと電気ノードとの間に直列で電気的にカップリングされたコンタクタ、
前記第１電圧レベルを測定する第１電圧センサ、
前記電気ノードと前記第１バッテリーのカソードとの間の第２電圧レベルを測定する第２電圧センサ、
前記電気ノードと前記第１バッテリーのカソードとの間に電気的にカップリングされたＤＣ−ＤＣ電圧コンバータ、
前記ＤＣ−ＤＣ電圧コンバータの出力電圧の印加を受け、前記第１電圧レベルより低い第３電圧レベルを生成する第２バッテリー、及び
前記第１電圧センサ、前記第２電圧センサ、前記コンタクタ及び前記ＤＣ−ＤＣ電圧コンバータに動作可能にカップリングされたマイクロプロセッサを備えてなるものであり、
（ａ）前記電圧供給システムを提供する段階と、
（ｂ）前記マイクロプロセッサが前記コンタクタの接点を閉鎖作動位置から開放作動位置に切り換える段階と、
（ｃ）前記第１電圧センサを用いて前記第１電圧レベルを示す第１電圧信号を生成する段階と、
（ｄ）前記第２電圧センサを用いて前記第２電圧レベルを示す第２電圧信号を生成する段階と、及び、
（ｅ）前記第１電圧レベルが前記第２電圧レベルと実質的に同じであって、前記第１電圧レベルが第１臨界電圧レベルより低い場合、前記マイクロプロセッサが前記ＤＣ−ＤＣ電圧コンバータの作動を非活性化する段階とを含んでなることを特徴とする、非活性化するための方法。
【請求項８】
前記第１電圧レベルが前記第２電圧レベルと実質的に同じであって、前記第１電圧レベルが第２臨界電圧レベルより高い場合、前記マイクロプロセッサが前記ＤＣ−ＤＣ電圧コンバータの作動を非活性化する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項７に記載の非活性化するための方法。
【請求項９】
前記（ｅ）段階において、前記マイクロプロセッサが前記ＤＣ−ＤＣ電圧コンバータの動作を誘導する制御信号の生成を中断することを特徴とする、請求項７又は８に記載の非活性化するための方法。
【請求項１０】
前記（ｅ）段階において、前記マイクロプロセッサが前記ＤＣ−ＤＣ電圧コンバータによって受信されるディスエーブル命令を含む命令メッセージを生成し、前記ディスエーブル命令に従って前記ＤＣ−ＤＣ電圧コンバータが非活性化されることを特徴とする、請求項７〜９の何れか一項に記載の非活性化するための方法。
【請求項１１】
前記第１電圧レベルは４８ＶＤＣと実質的に同じであり、前記第３電圧レベルは１２ＶＤＣと実質的に同じであることを特徴とする、請求項７〜１０の何れか一項に記載の非活性化するための方法。
【請求項１２】
前記（ｂ）段階は、前記コンタクタの接点が閉鎖作動位置から開放作動位置に切り換わるように、前記マイクロプロセッサが前記コンタクタに提供する制御信号の生成を中断する段階であることを特徴とする、請求項７〜１１の何れか一項に記載の非活性化するための方法。