【手続補正書】
【提出日】平成29年7月14日(2017.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
クロム（ＩＩＩ）／シリカ触媒を製造するための方法における分子前駆体クロム化合物の使用であって、前記分子前駆体化合物が、配位子を含むクロム（ＩＩ）及び／又はクロム（ＩＩＩ）及び／又はクロム（ＩＶ）化合物であって、全ての配位子が容易に除去可能であり、その際、前記方法は、前記分子前駆体化合物の少なくとも１つの配位子を、表面Ｏ−Ｓｉ−Ｏ基（≡ＳｉＯ）により置換する第一の工程と、残りの全ての配位子を除去するか表面Ｏ−Ｓｉ−Ｏ基（≡ＳｉＯ）により置換する第二の工程を含み、前記配位子は、−Ｏ−ＣＲ３Ｒ４−ＣＨ−Ｒ１Ｒ２又は−Ｏ−Ｓｉ−（Ｏ−ＣＲ３Ｒ４−ＣＨＲ１Ｒ２）３型のアニオン性配位子（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は同一又は異なってよく且つ−ＣＲ３Ｒ４−ＣＨ−Ｒ１Ｒ２からのベータ水素の脱離を介して配位子の分解に影響を与えない任意の基であってよい）、及び−Ｎ−（Ｓｉ−Ｒ５Ｒ６Ｒ７）２及び／又は−Ｎ−（Ｃ−Ｒ５Ｒ６Ｒ７）２型のアミドアニオン性配位子（式中、Ｒ５、Ｒ６及びＲ７は同一又は異なってよく且つ好ましくは、水素、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基又は芳香族基から選択される）からなる群から選択される配位子である、前記クロム（ＩＩ）及び／又はクロム（ＩＩＩ）及び／又はクロム（ＩＶ）化合物；並びに配位性溶媒、特にモノマー又はダイマーの分子前駆体クロム化合物である、前記使用。
【請求項２】
Ｒ１〜Ｒ４が互いに独立して水素、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、及びアリール基からなる群から選択され、好ましくはＲ１〜Ｒ４が互いに独立して水素、メチル及びフェニルからなる群から選択され、最も好ましくはＲ１及びＲ２が水素であり、且つＲ３及びＲ４がメチルである、請求項１に記載の使用。
【請求項３】
アニオン性配位子の少なくとも１つがトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラノレート（−ＯＳｉ（ＯｔＢｕ）３）及びヘキサメチルジシラジド（−Ｎ（ＳｉＭｅ３）２）からなる群から選択される、請求項１又は２に記載の使用。
【請求項４】
分子前駆体クロム化合物がダイマーであり、その際、全ての配位子が−Ｏ−ＣＲ３Ｒ４−ＣＨ−Ｒ１Ｒ２及び／又は−Ｏ−Ｓｉ−（Ｏ−ＣＲ３Ｒ４−ＣＨＲ１Ｒ２）３である、請求項１から３までのいずれか１項に記載の使用。
【請求項５】
分子前駆体クロム化合物がＣｒ（Ｎ（Ｓｉ（ＣＨ３）３）２）３、［Ｃｒ（ＯＳｉ（ＯｔＢｕ）３）２］２、Ｃｒ（ＯｔＢｕ）４、Ｃｒ（ＯＳｉ（ＯｔＢｕ）３）３＊２ｔｈｆ、及びＣ４８Ｈ１０８Ｃｒ２Ｏ１７Ｓｉ４（５）、特にＣ４８Ｈ１０８Ｃｒ２Ｏ１７Ｓｉ４（５）及び［Ｃｒ（ＯＳｉ（ＯｔＢｕ）３）２］２から選択される、請求項１から４までのいずれか１項に記載の使用。
【請求項６】
クロム／シリカ触媒の製造における使用に適切であるが、分子前駆体クロム化合物がＣｒ（Ｎ（Ｓｉ（ＣＨ３）３）２）３、Ｃｒ（ＯＳｉ（ＯｔＢｕ）３）３＊２ｔｈｆ、Ｃｒ（ＯｔＢｕ）４、Ｃｒ（ＯｔＢｕ）３（Ｏ−Ｓｉ（ＯｔＢｕ）３）、Ｃｒ（ＯｔＢｕ）２（Ｏ−Ｓｉ（ＯｔＢｕ）３）２、Ｃｒ（ＨＮＥｔ２）２（Ｏ−Ｓｉ（ＯｔＢｕ）３）２、及びＣｒ（ＨＮＥｔ２）２（Ｏ−Ｓｉ（ＯｔＢｕ）３）３ではないことを条件とする、請求項１から５までのいずれか１項に規定された分子前駆体クロム化合物。
【請求項７】
請求項１から５までのいずれか１項又は請求項６に規定された分子前駆体化合物の少なくとも１つの配位子が表面Ｏ−Ｓｉ−Ｏ基（≡ＳｉＯ）によって置換される、クロム／シリカ触媒前駆体。
【請求項８】
配位子を含み且つ少なくとも１つのＳｉ−Ｏ結合を介してシリカ表面に結合されているＣｒ（ＩＩ）又はＣｒ（ＩＩＩ）又はＣｒ（ＩＶ）化合物、特に、［（≡ＳｉＯ）Ｃｒ２（ＯＳｉ（ＯｔＢｕ）３）３］若しくはシリカにグラフトしたＣ４８Ｈ１０８Ｃｒ２Ｏ１７Ｓｉ４（６）又は［（≡ＳｉＯ）Ｃｒ（ＯＳｉ（ＯｔＢｕ）３）２（ｔｈｆ）］である、請求項７に記載のクロム／シリカ触媒前駆体。
【請求項９】
Ｓｉ−Ｏ結合を介してシリカ表面に結合されたＣｒ（ＩＩ）化合物である、請求項７に記載のクロム／シリカ触媒前駆体であって、全ての配位子が除去されたか又は表面Ｏ−Ｓｉ−Ｏ基（≡ＳｉＯ）、特に［（≡ＳｉＯ）４Ｃｒ２］によって置換された、前記クロム／シリカ触媒前駆体。
【請求項１０】
Ｓｉ−Ｏ結合を介してシリカ表面に結合されたＣｒ（ＩＩＩ）又はＣｒ（ＩＶ）化合物である、クロム／シリカ触媒であって、全ての配位子が除去されたか又は表面Ｏ−Ｓｉ−Ｏ基（≡ＳｉＯ）、特にかかるＣｒ（ＩＩＩ）化合物、特に［（≡ＳｉＯ）６Ｃｒ２］又は［（≡ＳｉＯ）３Ｃｒ］によって置換された、前記クロム／シリカ触媒。
【請求項１１】
分子前駆体クロム化合物、特に請求項１から５までのいずれか１項の使用に適した又は請求項６に記載の分子前駆体クロム化合物の製造方法であって、Ｃｒ（ＩＩ）又はＣｒ（ＩＩＩ）又はＣｒ（ＩＶ）出発化合物、特にＣｒ（ＨＭＤＳ）２＊２ｔｈｆ又はＣｒ（ＨＭＤＳ）３又はＣｒＣｌ３＊３ｔｈｆ又はＣｒＣｌ３又はＣｒＣｌ２＊２ｔｈｆ又はＣｒＣｌ２を、プロトン化配位子のような１つ以上の配位子前駆体及び／又は１つ以上の配位子の金属塩を用いて１つ以上の配位子の配位を可能にする条件下で処理することを含み、その際、配位子が請求項１から６までのいずれか１項に規定される通りである、特に、−４０〜１５０℃の温度で、有利には１５〜４０℃の間に含まれる温度で非配位性溶媒においてＣｒ（ＩＩ）又はＣｒ（ＩＩＩ）又はＣｒ（ＩＶ）出発化合物のスラリーを反応させることによる、前記製造方法。
【請求項１２】
シリカを請求項１から５までのいずれか１項又は請求項６に規定される分子前駆体クロム化合物で処理することを含み、前記化合物がＣｒ（ＩＩ）及び／又はＣｒ（ＩＩＩ）及び／又はＣｒ（ＩＶ）分子前駆体クロム化合物であり、特にＣｒ（ＩＩ）及び／又はＣｒ（ＩＩＩ）分子前駆体クロム化合物である、請求項８に記載のクロム／シリカ触媒前駆体の製造方法。
【請求項１３】
Ｃｒ（ＩＩ）前駆体である請求項８に記載のクロム／シリカ触媒前駆体を、全ての配位子を除去するのに適した時間及び温度で、特に真空下で又は不活性ガスの流れ下で１００〜９００℃の間、好ましくは２００〜７００℃の間、更に好ましくは２２０〜５００℃の間に含まれる温度で処理することを含む、請求項９に記載のクロム／シリカ触媒前駆体の製造方法。
【請求項１４】
請求項８に記載のクロム／シリカ触媒前駆体、特にＣｒ（ＩＩ）又はＣｒ（ＩＩＩ）クロム／シリカ触媒前駆体を、全ての配位子を除去するのに適した時間及び温度で、特に真空下で又は不活性ガスの流れ下で１００〜９００℃の間、好ましくは２００〜７００℃の間、更に好ましくは２２０〜５００℃の間に含まれる温度で熱処理すること、及び任意に酸化することを含む、クロム／シリカ触媒の製造方法。
【請求項１５】
請求項９に記載のクロム／シリカ触媒前駆体を、特にＮ２Ｏを用いて、非常に有利には２０〜３００℃、更に有利には２０〜１５０℃、最も有利には約１００℃の温度で酸化することを含むクロム／シリカ触媒の製造方法。
【請求項１６】
Ｃｒ（ＩＩ）分子前駆体又はクロム（ＩＩ）／シリカ触媒前駆体をＣｒ（ＩＩＩ）分子前駆体又はクロム（ＩＩＩ）／シリカ触媒前駆体又はクロム（ＩＩＩ）／シリカ触媒に変換する方法であって、Ｃｒ（ＩＩ）分子前駆体又はクロム（ＩＩＩ）／シリカ触媒前駆体を、Ｎ２Ｏなどの酸化剤を用いて、特に、２０〜３００℃、更に有利には２０〜１５０℃、最も有利には分子前駆体の場合、約２０℃の温度で、クロム／シリカ触媒前駆体の場合、約１００℃で処理することを含む、前記方法。
【請求項１７】
エチレンを、請求項１０に記載のクロム（ＩＩＩ）／シリカ触媒の存在下で、１００ミリバール〜５０バール、好ましくは１バール〜２５バール、特に６バールの圧力で重合することを含む、ポリエチレン（ＰＥ）の製造方法。
【請求項１８】
クロム（ＩＩＩ）／シリカ触媒の、ポリエチレン（ＰＥ）を製造するための、特に、請求項１０に記載のクロム（ＩＩＩ）／シリカ触媒の、例えば、気相における又は有機溶媒を含有するスラリーにおけるポリエチレン（ＰＥ）を製造するための使用。