(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェーハに対するスパッタリング工程が遂行される工程チャンバーと、
前記工程チャンバーの上側に前記ウェーハから離隔されて設置されたターゲットと、
下部面上に前記ターゲットを装着可能、かつ前記ターゲットを冷却可能に冷媒ガスが循環される冷媒ガス管が備えられるバッキングプレートと、
前記バッキングプレートの冷媒ガス管に冷媒ガスを循環供給させる冷媒ガス供給手段と、
を備えてなり、
前記冷媒ガス供給手段は、
前記冷媒ガス管の冷媒ガス放出口と冷媒ガス供給口の間を連結する冷媒ガス循環管と、
前記冷媒ガス循環管の中に設置され、前記冷媒ガス放出口から放出された冷媒ガスを圧縮して液化させるコンプレッサーと、
前記コンプレッサーと冷媒ガス供給口の間の前記冷媒ガス循環管中に設置され、前記液化された冷媒を気化させる膨張バルブと、
前記コンプレッサーと膨張バルブとの間の前記冷媒ガス循環管の中に設置され、前記液化された冷媒を前記膨張バルブ方向にポンピングするポンプと、
を有することを特徴とする半導体装置製造用スパッタリング設備。
【請求項２】
前記冷媒ガス管は前記バッキングプレートに内蔵されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置製造用スパッタリング設備。
【請求項３】
前記冷媒ガス管の冷媒ガス供給口及び冷媒ガス放出口に前記冷媒ガスの供給温度及び放出温度をそれぞれ測定可能な温度測定手段がそれぞれさらに備えられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置製造用スパッタリング設備。
【請求項４】
前記冷媒ガスとして窒素ガス、アルゴンガス、フロンガス及びヘリウムガスの中から選ばれるいずれか一つのガスを使用することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置製造用スパッタリング設備。
【請求項５】
前記ウェーハとターゲットとの間の離隔距離は１５０ｍｍ乃至４００ｍｍであることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置製造用スパッタリング設備。
【請求項６】
前記バッキングプレートには冷却水が循環される冷却水管がさらに備えられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置製造用スパッタリング設備。
【請求項７】
半導体装置製造用スパッタリング設備を利用したスパッタリング方法において、
前記スパッタリング設備の工程チャンバー内のステージ上にウェーハをローディングさせる段階と、
前記ウェーハの上側に設置されたターゲットに１５ｋＷ乃至４５ｋＷの高電力を与えて、前記スパッタリング設備の内部に３ＳＣＣＭ乃至１０ＳＣＣＭの反応ガスを供給し、前記スパッタリング設備の内部の圧力を０．１ｍＴｏｒｒ乃至１ｍＴｏｒｒに維持しながら前記ターゲットをスパッタリングして前記ウェーハ上に前記ターゲットの物質を蒸着する段階と、
を含み、
前記スパッタリング時、ターゲットの温度を０℃乃至１５℃に維持することを特徴とする半導体装置製造用スパッタリング方法。
【請求項８】
前記ウェーハとターゲットとの間の離隔距離を１５０ｍｍ乃至４００ｍｍに維持することを特徴とする請求項７に記載の半導体装置製造用スパッタリング方法。
【請求項９】
前記ターゲットの温度は前記ターゲットが下部面上に装着されるバッキングプレート内に冷媒ガスを循環させることで維持されることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置製造用スパッタリング方法。
【請求項１０】
前記スパッタリング時、前記ウェーハがローディングされて前記スパッタリングが実施される部分である工程チャンバーの内部の温度を室温に維持することを特徴とする請求項７に記載の半導体装置製造用スパッタリング方法。
【請求項１１】
前記ターゲットはチタンからなり、前記反応ガスはアルゴンであることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置製造用スパッタリング方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置製造用スパッタリング設備及びスパッタリング方法に関するもので、より詳しくはウェーハ上にステップカバレッジ（Ｓｔｅｐ  Ｃｏｖｅｒａｇｅ）及び蒸着率（Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ  Ｒａｔｅ）が優れた金属膜を蒸着することができる半導体装置製造用スパッタリング設備及びスパッタリング方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
通常、半導体装置製造工程の最後の段階には半導体装置の配線形成のための金属膜形成工程が進行される。
【０００３】
このような金属膜形成工程は、半導体装置の収率（Ｙｉｅｌｄ）と信頼度（Ｒｅｌｉａｂｉｌｉｔｙ）を左右する重要な工程で、金属膜蒸着速度の制御が容易で、表面特性が優秀で、ほとんど全ての物質をターゲット（Ｔａｒｇｅｔ）に使用することができるというなどの長所のあるスパッタリング（Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）工程によって主に形成されている。
【０００４】
前記スパッタリング工程は工程チャンバー内部に供給されたアルゴン（Ａｒ）ガス等の反応ガスが工程チャンバーの内部でプラズマ（Ｐｌａｓｍａ）状態に形成され、前記プラズマ状態の反応ガスの陽イオンがターゲット（Ｔａｒｇｅｔ）と衝突してターゲット原子をはじき、前記ターゲット原子がウェーハ上に蒸着される工程である。
【０００５】
図１は従来の半導体装置製造用スパッタリング設備を示す概略図で、真空ポンプ（図示しない）の駆動による真空状態でスパッタリング工程が進行される工程チャンバー１０が備えられている。
【０００６】
そして、前記工程チャンバー１０の下部にはスパッタリング工程が進行されるウェーハ１８が陽極（Ａｎｏｄｅ）として作用するステージ（Ｓｔａｇｅ）１６上に装着されており、前記ステージ１６と向い合う工程チャンバー１０の上部には陰極（Ｃａｔｈｏｄｅ）として作用するターゲット（Ｔａｒｇｅｔ）１２が備えられている。
【０００７】
また、前記ターゲット１２の裏面にはバッキングプレート（Ｂａｃｋｉｎｇ  Ｐｌａｔｅ）１４が結合されており、前記バッキングプレート１４の内部には前記ターゲット１２の温度を調節する冷却水が供給可能な冷却水管（図示しない）が形成されている。
【０００８】
前記冷却水管の一側は冷却水供給源２４と冷却水供給管２２によって連結されており、前記冷却水管の他側は冷却水放出管２３と連結されることで、冷却水供給源２４から放出された冷却水が冷却水供給管２２を通じて冷却水管に供給されてバッキングプレート１４と結合されたターゲット１２の温度を冷却させた後、冷却水放出管２３に放出されるようになっている。
【０００９】
また、前記ターゲット１２には高周波電源２６が連結されており、前記電源２６の印加によってステージ１６とターゲット１２の間に電場が形成される。
そして、前記工程チャンバー１０の一側にはアルゴン（Ａｒ）ガス等の反応ガスを工程チャンバー１０の内部に供給することが可能なガス供給ライン２０が形成されている。
【００１０】
従って、真空ポンプの稼動によって特定真空状態が形成された工程チャンバー１０の内部のステージ１６上にウェーハ１８を位置させた後、ガス供給ライン２０を通じて工程チャンバー１０の内部に反応ガスを供給する。
【００１１】
そして、電源２６から１０ｋＷ乃至１２ｋＷの電力を与えられたターゲット１２とステージ１６の間に電場が形成されることによって工程チャンバー１０の内部に供給された反応ガスは電場によって加速されてプラズマ状態に変形される。
【００１２】
そして、プラズマ状態の反応ガスの陽イオンは陰極として作用するターゲット１２に移動してターゲット１２と衝突してターゲット１２をなすターゲット原子を離脱させ、前記ターゲット１２から離脱されたターゲット原子はウェーハ１８上に蒸着される。
【００１３】
ここで、前記ターゲット１２はプラズマ状態の反応ガスの陽イオンと反復的に衝突することでターゲット１２では高熱が発生され、前記高熱は冷却水供給源２４から放出された冷却水が冷却水供給管２２を通じてターゲット１２と結合されたバッキングプレート１４の冷却水管に供給された後、冷却水放出管２３に放出されることで除去される。
【００１４】
しかし、最近に半導体装置が高集積化されてコンタクト（Ｃｏｎｔａｃｔ）の大きさが小さくなり、その深さが深くなることによってウェーハ上に蒸着された金属膜のステップカバレッジが問題点と台頭されている。
【００１５】
これにより、前記ステップカバレッジを向上させるためにターゲットとウェーハの間のコリメーター（Ｃｏｌｌｉｍａｔｏｒ）を設置する方法、工程チャンバーの内部の圧力を調節する方法等が使用されている。
【００１６】
前記ターゲットとウェーハの間にコリメーターを設置する方法は、ターゲット原子がコリメーターでフィルタリングされるのでウェーハ上に蒸着されるターゲット原子の蒸着率が落ちるし、コリメーターに蒸着されたターゲット原子が後続工程を進行しながらパーティクル（Ｐａｒｔｉｃｌｅ）を発生させてスパッタリング工程進行中であるウェーハを汚染させる問題点があった。
【００１７】
従って、ウェーハ上に蒸着される金属膜のステップカバレッジ及び蒸着率を一緒に向上させることができる新しいスパッタリング設備及びスパッタリング方法の開発が模索されている。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、ターゲットを容易に冷却させ、ターゲットに高電力を与えてステップカバレッジ及び蒸着率が優れた金属膜を形成することができる半導体装置製造用スパッタリング設備及びスパッタリング方法を提供することにある。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するための、本発明による半導体装置製造用スパッタリング設備は、ウェーハに対するスパッタリング工程が遂行される工程チャンバーと、前記工程チャンバーの上側に前記ウェーハから離隔されて設置されたターゲットと、下部面上に前記ターゲットを装着可能、かつ前記ターゲットを冷却可能に冷媒ガスが循環される冷媒ガス管が備えられるバッキングプレートと、前記バッキングプレートの冷媒ガス管に冷媒ガスを循環供給させる冷媒ガス供給手段とを備えてなる。
【００２０】
前記冷媒ガス供給手段は、前記冷媒ガス管の冷媒ガス放出口と冷媒ガス供給口の間を連結する冷媒ガス循環管と、前記冷媒ガス循環管の中に設置され、前記冷媒ガス放出口から放出された冷媒ガスを圧縮して液化させるコンプレッサーと、前記コンプレッサーと冷媒ガス供給口の間の前記冷媒ガス循環管の中に設置され、前記液化された冷媒を気化させる膨張バルブと、前記コンプレッサーと膨張バルブの間の前記冷媒ガス循環管の中に設置され、前記液化された冷媒を前記膨張バルブの方向にポンピングするポンプとを有し、前記冷媒ガス管の冷媒ガス供給口及び冷媒ガス放出口に前記冷媒ガスの供給温度及び放出温度をそれぞれ測定可能な温度測定手段がそれぞれさらに備えられている。
【００２１】
一方、前記ウェーハとターゲットの間の離隔距離は１５０ｍｍ乃至４００ｍｍ程度に維持することでコリメーターの使用なく直進性を有するターゲット原子をウェーハ上に良好なステップカバレッジを有するように蒸着することもできる。
【００２２】
一方、前記本発明の目的を達成するための半導体装置製造用スパッタリング方法は、半導体装置製造用スパッタリング設備を利用したスパッタリング方法において、前記スパッタリング設備の工程チャンバー内のステージ上にウェーハをローディングさせる段階と、前記ウェーハの上側に設置されたターゲットに１５ｋＷ乃至４５ｋＷの高電力を与え、前記スパッタリング設備の内部に３ＳＣＣＭ乃至１０ＳＣＣＭの反応ガスを供給し、前記スパッタリング設備の内部の圧力を０．１ｍＴｏｒｒ乃至１ｍＴｏｒｒに維持しながら前記ターゲットをスパッタリングして前記ウェーハ上に前記ターゲットの物質を蒸着する段階とを含む。
【００２３】
好ましくは、前記ウェーハとターゲットの間の離隔距離を長距離、即ち１５０ｍｍ乃至４００ｍｍに維持するようにするし、前記ターゲットが下部面上に装着されるバッキングプレート内に冷媒ガスを循環させることで前記スパッタリング時、ターゲットの温度を低温、即ち０℃乃至１５℃に維持して蒸着率を良好にすることができる。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の具体的な実施例を添付した図面を参照に詳しく説明する。
【００２５】
図２は、本発明による半導体装置製造用スパッタリング設備の一実施例を示す概略図で、ウェーハ上にチタンなどの金属膜を蒸着するスパッタリング工程が進行される工程チャンバー３０が備えられている。
【００２６】
そして、前記工程チャンバー３０の一側にはアルゴン（Ａｒ）ガス等の反応ガスを工程チャンバー３０内部に供給することが可能なガス供給ライン４０が形成されており、前記工程チャンバー３０の他の一側には工程チャンバー３０内部の圧力状態を調節する真空ポンプ５６がバルブ５８を介在して連結されている。
【００２７】
そして、前記工程チャンバー１０の下部にはスパッタリング工程が進行されるウェーハ３８をローディングするために陽極（Ａｎｏｄｅ）として作用するステージ（Ｓｔａｇｅ）３６が備えられており、前記ステージ３６と向い合う工程チャンバー１０の上部には陰極（Ｃａｔｈｏｄｅ）として作用するチタン材質のターゲット３２が備えられている。
【００２８】
前記ステージ３６とターゲット３２は１５０ｍｍ以上、好ましくは１５０ｍｍ乃至４００ｍｍくらい離隔されるＬＴＳ（Ｌｏｎｇ  Ｔｈｒｏｗ  Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）方式で構成されている。
【００２９】
また、前記ターゲット３２には高周波電源６０が連結されており、前記ターゲット３２及びステージ３６はそれぞれ接地されることで電源６０から与えられた特定高周波電力によってステージ３６とターゲット３２の間に電場を形成可能になっている。
そして、前記ターゲット３２の裏面には図３に示すようなバッキングプレート３４が様々な方式によってお互い結合されている。
【００３０】
前記バッキングプレート３４はチタン材質からなり、前記ターゲット３２とバッキングプレート３４はソルダーボンディング（Ｓｏｌｄｅｒ  ｂｏｎｄｉｎｇ）、ディフュージョンボンディング（Ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ  ｂｏｎｄｉｎｇ）及びエポックシボンディング（Ｅｐｏｘｙ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）等によって結合され得る。
【００３１】
そして、前記バッキングプレート３４の内部には図３に示すようにバッキングプレート３４の内面と接触する面積が増加可能に多数の変曲点が形成された曲線形状からなる冷媒ガス管６２が備えられている。
【００３２】
また、前記冷媒ガス管６２の内部には窒素（Ｎ２）ガス、アルゴン（Ａｒ）ガス、フロン（Ｆｒｅｏｎ）ガス及びヘリウム（Ｈｅ）ガス等の冷媒ガスが流れるようになっており、前記冷媒ガス管６２の入口側である冷媒ガス供給口６６には第１温度測定装置７０ａが隣接して接地されており、前記冷媒ガス管６２の出口側である冷媒ガス放出口６８には第２温度測定装置７０ｂが隣接に設置されている。
【００３３】
前記第１温度測定装置７０ａ及び第２温度測定装置７０ｂは冷媒ガス供給口６６及び冷媒ガス放出口６８を通過する冷媒ガスの温度をそれぞれ測定可能になっており、製作者によって前記冷媒ガス管６２は内蔵されておらず、バッキングプレート３４と接触しながらバッキングプレート３４の外側に形成することもできる。
また、前記冷媒ガス供給口６６と冷媒ガス放出口６８は冷媒ガス循環管４６によってお互い連結されている。
【００３４】
前記冷媒ガス循環管４６上には前記冷媒ガス放出口６８から循環されて出る冷媒ガスを周辺部に熱を発散しながら圧縮して液化可能なコンプレッサー（Ｃｏｍｐｒｅｓｓｏｒ）４８が設置されており、前記コンプレッサー４８と冷媒ガス供給口６６の間には液化された冷媒を急激に膨張させて気化可能な膨張バルブ４２が設置されており、前記コンプレッサー４８と膨張バルブ４２の間の冷媒ガス循環管４６上には液化された冷媒を円滑に循環可能なポンプ４４が設置されている。
【００３５】
一方、工程チャンバー３０と真空ポンプ５６の間のバルブ５８を開放した後、真空ポンプ５６を稼動させることにより前記工程チャンバー３０の内部の圧力は特定高真空状態に形成され得る。
【００３６】
図４は、本発明による半導体装置製造用スパッタリング設備バッキングプレートの他の実施例を説明するための斜視図である。
図４を参照すると、バッキングプレート８０の内部に冷却水管９４及び冷媒ガス管８８が一緒に備えられている。
【００３７】
前記冷却水管９４及び冷媒ガス管８８はバッキングプレート８０の内面と接触する面積が増加されることができるように多数の変曲点が形成された曲線形状に形成されている。
【００３８】
そして、前記冷却水管９４の一側には第１温度測定装置８１ａを備える冷却水供給口９０が形成されており、前記冷却水管９４の他側には第２温度測定装置８１ｂを備える冷却水放出口９２が形成されており、前記冷媒ガス管８８の一側には第１温度測定装置８２ａを備える冷媒ガス供給口８４が形成されており、前記冷媒ガス管８８の他側には第２温度測定装置８２ｂを備える冷媒ガス放出口８６が形成されている。
【００３９】
前記第１温度測定装置８１ａ、８２ａは供給される冷却水または冷媒ガスの温度を測定することができるようになっており、前記第２温度測定装置８１ｂ、８２ｂは放出される冷却水または冷媒ガスの温度を測定することができるようになっている。
【００４０】
製作者によって前記冷却水管９４及び冷媒ガス管８８は内蔵されず、バッキングプレート８０の外部表面に備えることもできる。
従って、冷却水が冷却水供給口９０を通じて冷却水管９４の内部に供給された後、冷却水放出口９２を通じて放出され、低温の冷媒ガスが冷媒ガス供給口８４を通じて冷媒ガス管８８の内部に供給された後、冷媒ガス放出口８６を通じて放出される。
【００４１】
ここで、前記冷却水及び冷媒ガスがそれぞれ冷却水管９４及び冷媒ガス管８８に供給されることでバッキングプレート８０と接触されたターゲットの温度は調節される。
【００４２】
ここで、前記バッキングプレート３４の内部に供給される冷却水及び冷媒ガスの温度は第１温度測定装置８１ａ、８２ａによって測定され、前記バッキングプレート８０の外部に放出される冷却水及び冷媒ガスの温度は第２温度測定装置８１ｂ、８２ｂによって測定され、前記各測定された温度の温度差によってバッキングプレート８０の内部に供給される冷却水及び冷媒ガスの供給温度、供給時間等が調節される。
【００４３】
一方、本発明による半導体装置製造用スパッタリング方法の工程条件を最適化するために前記図２及び図３に図示された半導体装置製造用スパッタリング設備で半導体ウェーハ上にスパッタリング工程を実施した。
【００４４】
まず、テスト対象になるウェーハを工程チャンバー内にローディングした後、高電力が与えられることで高熱が発生するチタン材質のターゲット３２の温度を冷媒ガスを使用して１５℃以下、好ましくは−２０℃乃至１５℃に冷却して、工程チャンバー３０の内部温度を室温（Ｒｏｏｍ  ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）、好ましくは２０℃乃至２５℃に維持し、工程チャンバー３０の内部にそれぞれ４、５、６、７、８、１５、３０ＳＣＣＭ（Ｓｔａｎｄａｒｄ  Ｃｕｂｉｃ  Ｃｅｎｔｉｍｅｔｅｒ  Ｍｉｎｕｔｅ）のアルゴンガスを供給し、ターゲット３２に与えられる電力をそれぞれ３、６、９、１２、１５ｋＷに増加させながらスパッタリング工程による蒸着率及びステップカバレッジを測定した。
【００４５】
実験したウェーハ上のコンタクトのボトムＣＤ（Ｂｏｔｔｏｍ  ＣＤ）は、０．４μｍで、縦横比（Ａｓｐｅｃｔ  Ｒａｔｉｏ）は３．３であった。
前記スパッタリング工程時、工程チャンバーの内部の圧力は１ｍＴｏｒｒ以下、好ましくは０．１ｍＴｏｒｒ乃至１ｍＴｏｒｒに維持されるようになり、スパッタリング工程を進行した結果を下記表１及び表２と図４及び図５に示す。
【００４６】
【表１】
0003592582.tif 000002
【表２】
0003592582.tif 000003
【００４７】
前記表１及び表２、図４及び図５を参照すると、工程チャンバー３０の内部にそれぞれ８、１５、３０ＳＣＣＭのアルゴンガスを同一に供給する場合、ターゲット３２の印加電力を３ｋＷから１５ｋＷに増加させることによってウェーハ上に蒸着されたチタン膜の蒸着率及びステップカバレッジは全て増加されることが分かる。
【００４８】
一方、同一印加電力に対しては工程チャンバー３０の内部に供給されるアルゴンガスの供給量が減少することによって蒸着率は小さい比率で減少するが、ステップカバレッジは非常に大きい比率で増加することが分かる。
【００４９】
一方、印加電力が１５ｋＷでは、反応ガスの供給量が減少することによって蒸着率も減少するが、反応ガス供給量が５ＳＣＣＭ以下になる場合飽和することが分かるし、ステップカバレッジはアルゴンガス供給量が５ＳＣＣＭ以下になる場合むしろ減少することが分かる。
【００５０】
【発明の効果】
従って、本発明によると冷媒ガスによってターゲットに対する冷却効率が優秀でスパッタリングターゲットに１５ｋＷ以上、好ましくは１５ｋＷ乃至４５ｋＷの高電力を与えることができるし、工程チャンバーの内部に１０ＳＣＣＭ以下、好ましくは３ＳＣＣＭ乃至１０ＳＣＣＭのアルゴンガスを供給して、工程チャンバーの内部圧力を１ｍＴｏｒｒ以下、好ましくは０．１ｍＴｏｒｒ乃至１ｍＴｏｒｒに形成することで、前記ウェーハ上に蒸着される金属物質の蒸着率が良好でステップカバレッジが非常に向上される。
【００５１】
また、従来にウェーハの上側にスパッタリングされたターゲット原子の直進性確報のために設置したコリメーターを使用しなくても蒸着される金属物質のステップカバレッジが高く、蒸着率もまた良好であるのでコリメーターによるパーティクル発生要素が除去されて信頼性のある金属配線工程が行われる。
【００５２】
以上、本発明は記載された具体例に対してのみ詳しく説明されたが、本発明の技術思想範囲内で多様な変形及び修正が可能であることは当業者にとって明白なことであり、このような変形及び修正が添付された特許請求の範囲に属することは当然なことである。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の半導体装置製造用スパッタリング設備の概略的な構成図である。
【図２】本発明による半導体装置製造用スパッタリング設備の一実施例を示す構成図である。
【図３】図２の半導体装置製造用スパッタリング設備のバッキングプレートを示す斜視図である。
【図４】本発明による半導体装置製造用スパッタリング設備の他の実施例を説明するためのバッキングプレートの斜視図である。
【図５】本発明による半導体装置製造用スパッタリング方法によってウェーハ上に蒸着されたチタン膜の蒸着率の推移を示すグラフ図である。
【図６】本発明による半導体装置製造用スパッタリング方法によってウェーハ上に蒸着されたチタン膜のステップカバレッジの推移を示すグラフ図である。
【符号の説明】
１０、３０  工程チャンバー
１２、３２  ターゲット
１４、３４、８０  バッキングプレート
１６、３６  ステージ
１８、３８  ウェーハ
２０、４０  ガス供給ライン
２２  冷却水供給管
２３  冷却水放出管
２４  冷却水供給源
２６、６０  電源
４２  膨張バルブ
４４  ポンプ
４６  冷媒ガス循環管
５６  真空ポンプ
５８  バルブ
６２、８８  冷媒ガス管
６６、８４  冷媒ガス供給口
６８、８６  冷媒ガス放出口
７０ａ、８１ａ、８２ａ  第１温度測定装置
７０ｂ、８１ｂ、８２ｂ  第２温度測定装置
９０  冷却水供給口
９２  冷却水放出口
９４  冷却水管
４８  コンプレッサー
【図１】
0003592582.tif 000004
【図２】
0003592582.tif 000005
【図３】
0003592582.tif 000006
【図４】
0003592582.tif 000007
【図５】
0003592582.tif 000008
【図６】
0003592582.tif 000009