【手続補正書】
【提出日】平成29年6月9日(2017.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面多孔性シリカ粒子を含む固定相を有する分離デバイスであって、前記表面多孔性シリカ粒子が２μｍ未満の大きさである、分離デバイス。
【請求項２】
表面多孔性無機／有機ハイブリッド粒子を含む表面多孔性材料を含む、固定相を有する分離デバイスであって、前記粒子が２μｍ未満の大きさである、分離デバイス。
【請求項３】
実質的に非多孔性のコアと、前記コアの周囲にある多孔性シェル材料の１つ以上の層とを含む表面多孔性粒状材料を含む、固定相を有する分離デバイスであって、前記粒子が２μｍ未満の大きさである、分離デバイス。
【請求項４】
前記実質的に非多孔性のコアがシリカコアである、請求項３に記載の分離デバイス。
【請求項５】
前記実質的に非多孔性のコアが、無機／有機ハイブリッドコアである、請求項３に記載の分離デバイス。
【請求項６】
前記多孔性シェル材料が、多孔性無機／有機ハイブリッド材料である、請求項３から５のいずれか一項に記載の分離デバイス。
【請求項７】
前記多孔性シェル材料が、多孔性シリカである、請求項３から５のいずれか一項に記載の分離デバイス。
【請求項８】
前記多孔性シェル材料が、多孔性コンポジット材料である、請求項３から５のいずれか一項に記載の分離デバイス。
【請求項９】
前記表面多孔性粒状材料が、シリカコアの上にシリカ多孔性層を含む、請求項３から５のいずれか一項に記載の分離デバイス。
【請求項１０】
前記表面多孔性粒状材料が、シリカコアの上にハイブリッド多孔性層を含む、請求項３から５のいずれか一項に記載の分離デバイス。
【請求項１１】
前記表面多孔性粒状材料が、ハイブリッドコアの上にシリカ多孔性層を含む、請求項３から５のいずれか一項に記載の分離デバイス。
【請求項１２】
前記表面多孔性粒状材料が、ハイブリッドコアの上にハイブリッド多孔性層を含む、請求項３から５のいずれか一項に記載の分離デバイス。
【請求項１３】
多孔性シェル材料の１層より多い層を含み、それぞれの層が、独立して、多孔性無機／有機ハイブリッド材料、多孔性シリカ、多孔性コンポジット材料またはこれらの混合物から選択される、請求項３から５のいずれか一項に記載の分離デバイス。
【請求項１４】
前記ハイブリッドコアは、前記コア表面近傍のハイブリッド含有量が増加した、請求項３から５のいずれか一項に記載の分離デバイス。
【請求項１５】
前記ハイブリッドコアは、前記コア表面近傍のハイブリッド含有量が減少した、請求項３から５のいずれか一項に記載の分離デバイス。
【請求項１６】
前記表面多孔性粒状材料は、前記コア表面近傍のハイブリッド含有量が増加した、請求項３から５のいずれか一項に記載の分離デバイス。
【請求項１７】
前記表面多孔性粒状材料は、前記コア表面近傍のハイブリッド含有量が減少した、請求項３から５のいずれか一項に記載の分離デバイス。
【請求項１８】
前記材料が、クロマトグラフィーの性能を高める細孔形状を有する、請求項１から１７のいずれか一項に記載の分離デバイス。
【請求項１９】
前記材料は、微細孔の小さな集合を有する、請求項１８に記載の分離デバイス。
【請求項２０】
前記材料は、きわめて球状に近いコア形態を有する、請求項１から１９のいずれか一項に記載の分離デバイス。
【請求項２１】
前記孔は、平均直径が約２５から６００Åである、請求項１から２０のいずれか一項に記載の分離デバイス。
【請求項２２】
前記孔は、平均直径が約６０から３５０Åである、請求項２１に記載の分離デバイス。
【請求項２３】
前記孔は、平均直径が約８０から３００Åである、請求項２２に記載の分離デバイス。
【請求項２４】
前記孔は、平均直径が約９０から１５０Åである、請求項２３に記載の分離デバイス。
【請求項２５】
前記材料は、材料の表面近傍の平均細孔直径が大きい、請求項１から２０のいずれか一項に記載の分離デバイス。
【請求項２６】
前記材料の中心近傍の前記平均細孔直径が４０から３００Åである、請求項２５に記載の分離デバイス。
【請求項２７】
前記材料の表面近傍の前記平均細孔直径が７０から５００Åである、請求項２５または２６に記載の分離デバイス。
【請求項２８】
前記の材料は、前記材料の表面近傍の平均細孔直径が減少した、請求項１から２０のいずれか一項に記載の分離デバイス。
【請求項２９】
前記材料の表面近傍の前記平均細孔直径が、４０から３００Åである、請求項２８に記載の分離デバイス。
【請求項３０】
前記材料の中心近傍の前記平均細孔直径が、７０から５００Åである、請求項２８または２９に記載の分離デバイス。
【請求項３１】
前記平均細孔体積が、約０．１１から０．５０ｃｍ３／ｇである、請求項１から３０のいずれか一項に記載の分離デバイス。
【請求項３２】
前記平均細孔体積が、約０．０９から０．４５ｃｍ３／ｇである、請求項３１に記載の分離デバイス。
【請求項３３】
前記平均細孔体積が、約０．１７から０．３０ｃｍ３／ｇである、請求項３２に記載の分離デバイス。
【請求項３４】
細孔表面積が、約１０ｍ２／ｇから４００ｍ２／ｇである、請求項１から３３のいずれか一項に記載の分離デバイス。
【請求項３５】
細孔表面積が、約１５ｍ２／ｇから３００ｍ２／ｇである、請求項３４に記載の分離デバイス。
【請求項３６】
細孔表面積が、約６０ｍ２／ｇから２００ｍ２／ｇである、請求項３５に記載の分離デバイス。
【請求項３７】
粒状材料が、球状である、請求項１から３６のいずれか一項に記載の分離デバイス。
【請求項３８】
粒状材料が、粗い表面を有する、請求項１から３６のいずれか一項に記載の分離デバイス。
【請求項３９】
粒状材料が、単分散である、請求項１から３８のいずれか一項に記載の分離デバイス。
【請求項４０】
粒状材料が、非単分散である、請求項１から３８のいずれか一項に記載の分離デバイス。
【請求項４１】
さらに表面改質されている、請求項１から４０のいずれか一項に記載の分離デバイス。
【請求項４２】
ポリマーを用いたコーティングによって、
有機基とシラノール基の修飾の組み合わせによるポリマーを用いたコーティングによって、
有機基の修飾とポリマーを用いたコーティングの組み合わせによって、
シラノール基の修飾とポリマーを用いたコーティングの組み合わせによって、
前記材料の有機基と修飾試薬との間の有機共有結合の生成によって、または
有機基の修飾、シラノール基の修飾およびポリマーを用いたコーティングの組み合わせによって、
さらに表面改質されている、請求項１から４１のいずれか一項に記載の分離デバイス。
【請求項４３】
前記デバイスが、クロマトグラフィーカラム、薄層プレート、濾過膜、マイクロ流体分離デバイス、サンプル洗浄デバイス、固体支持体、固相抽出デバイス、マイクロチップ分離デバイスおよびマイクロタイタープレートからなる群から選択される、請求項１から４２のいずれか一項に記載の分離デバイス。
【請求項４４】
前記分離デバイスが、順相クロマトグラフィー、ＨＩＬＩＣ、超臨界流体クロマトグラフィー、二酸化炭素系クロマトグラフィー、亜臨界流体クロマトグラフィーおよび溶媒和ガスクロマトグラフィーに有用である、請求項４３に記載の分離デバイス。
【請求項４５】
（ａ）充填材料を受け入れるための円筒形の内側を有するカラムと、
（ｂ）実質的に非多孔性のコアと前記コアの周囲にある多孔性シェル材料の１つ以上の層を含み、粒子が２μｍ未満の大きさである、表面多孔性シリカ粒子、表面多孔性無機／有機ハイブリッド粒子または表面多孔性粒状材料を含む、充填されたクロマトグラフィー床と
を備える、クロマトグラフィーカラム。
【請求項４６】
前記カラムが、順相クロマトグラフィー、超臨界流体クロマトグラフィー、二酸化炭素系クロマトグラフィー、亜臨界流体クロマトグラフィーまたは溶媒和ガスクロマトグラフィーで使用するために改変されている、請求項４５に記載のクロマトグラフィーカラム。
【請求項４７】
（ａ）充填材料を受け入れるための内側の流路と、
（ｂ）実質的に非多孔性のコアと前記コアの周囲にある多孔性シェル材料の１つ以上の層を含み、粒子が２μｍ未満の大きさである、表面多孔性シリカ粒子、表面多孔性無機／有機ハイブリッド粒子または表面多孔性粒状材料を含む、充填されたクロマトグラフィー床と
を備える、クロマトグラフィーデバイス。
【請求項４８】
前記デバイスが、順相クロマトグラフィー、超臨界流体クロマトグラフィー、二酸化炭素系クロマトグラフィー、亜臨界流体クロマトグラフィーまたは溶媒和ガスクロマトグラフィーで使用するために改変されている、請求項４７に記載のクロマトグラフィーデバイス。
【請求項４９】
請求項１から４４のいずれか一項に記載の分離デバイスと、超臨界流体クロマトグラフィーで使用するための説明書とを備える、キット。
【請求項５０】
請求項４５に記載のクロマトグラフィーカラムと、超臨界流体クロマトグラフィーで使用するための説明書とを備える、キット。
【請求項５１】
請求項４７に記載のクロマトグラフィーデバイスと、超臨界流体クロマトグラフィーで使用するための説明書とを備える、キット。
【請求項５２】
超臨界流体クロマトグラフィーを行うための方法であって、
超臨界流体クロマトグラフィーによって分離されるサンプルを提供する工程と；
実質的に非多孔性のコアと前記コアの周囲にある多孔性シェル材料の１つ以上の層を含み、粒子が２μｍ未満の大きさである、表面多孔性シリカ粒子、表面多孔性無機／有機ハイブリッド粒子または表面多孔性粒状材料を含む固定相に前記サンプルを装填する工程と；
超臨界流体クロマトグラフィーを行って前記サンプルを分離する工程と
を含む、方法。
【請求項５３】
順相クロマトグラフィー、ＨＩＬＩＣ、二酸化炭素系クロマトグラフィー、亜臨界流体クロマトグラフィーまたは溶媒和ガスクロマトグラフィーを行うための方法であって、
超臨界流体クロマトグラフィーによって分離されるサンプルを提供する工程と；
実質的に非多孔性のコアと前記コアの周囲にある多孔性シェル材料の１つ以上の層を含み、粒子が２μｍ未満の大きさである、表面多孔性シリカ粒子、表面多孔性無機／有機ハイブリッド粒子または表面多孔性粒状材料を含む固定相に前記サンプルを装填する工程と；
順相クロマトグラフィー、ＨＩＬＩＣ、二酸化炭素系クロマトグラフィー、亜臨界流体クロマトグラフィーまたは溶媒和ガスクロマトグラフィーを行って前記サンプルを分離する工程と
を含む、方法。
【請求項５４】
超臨界流体クロマトグラフィーを行うための方法であって、
超臨界流体クロマトグラフィーによって分離されるサンプルを提供する工程と；
実質的に非多孔性のコアと前記コアの周囲にある多孔性シェル材料の１つ以上の層を含む、表面多孔性シリカ粒子、表面多孔性無機／有機ハイブリッド粒子または表面多孔性粒状材料を含む固定相に前記サンプルを装填する工程と；
超臨界流体クロマトグラフィーを行って前記サンプルを分離する工程と
を含み、
前記固定相に関連するテーリングファクターが約０．８０から２．０である、方法。
【請求項５５】
前記固定相に関連するテーリングファクターが、約０．８５から１．６０である、請求項５４に記載の方法。
【請求項５６】
前記固定相に関連するテーリングファクターが、約０．９０から１．３０である、請求項５５に記載の方法。
【請求項５７】
前記固定相に関連するテーリングファクターが、約０．９５から１．２０である、請求項５６に記載の方法。
【請求項５８】
前記固定相に関連するテーリングファクターが、約１．００から１．１０である、請求項５７に記載の方法。
【請求項５９】
式１を有する表面多孔性材料。
［Ｘ］（Ｗ）ａ（Ｑ）ｂ（Ｔ）ｃ        式１
［式中、
Ｘは、実質的に非多孔性のコアと前記コアの周囲にある多孔性シェル材料の１つ以上の層を含む、表面多孔性シリカ材料、表面多孔性無機／有機ハイブリッド材料または表面多孔性粒状材料であり；
Ｗは、存在しないか、および／または水素を含むか、ならびに／またはＸの表面にヒドロキシルを含み；
Ｑは、Ｘに直接結合し、分析物とクロマトグラフィー時に相互作用する、第１番目の親水性であり、極性であり、イオン化可能であり、および／または帯電した官能基を含み；
Ｔは、Ｘに直接結合し、分析物とクロマトグラフィー時に相互作用する、第２番目の親水性であり、極性であり、イオン化可能であり、および／または帯電した官能基を含み；
ａは０より大きく、ｂは０より大きく、ｃは０より大きく、ｂ＝０であり、およびｃは０より大きいか、または、ｃ＝０であり、およびｂは０より大きく、
ＱおよびＴは、分析物とＸ及びＷとのクロマトグラフィー時の相互作用を本質的になくし、これによって、低濃度の水を利用するクロマトグラフィー条件下で経時に伴う保持変動（ドリフト）を最小限にする。］
【請求項６０】
請求項５９に記載の表面多孔性材料。
［式中、Ｑは、
【化１】
2016521858.tif 000001
によって表され、式中、
ｎ１は、０から３０の整数であり；
ｎ２は、０から３０の整数であり；
ｎ３＝０または１であり、但し、ｎ３＝０の場合、ｎ１は０ではなく；
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４のそれぞれは、独立して、水素、フルオロ、メチル、エチル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル、ｉ−プロピル、低級アルキル、保護されたアルコールまたは保護されていないアルコール、両性イオン、または基Ｚを表し；
Ｚは、
（ａ）下式を有する表面結合基
（Ｂ１）ｘ（Ｒ５）ｙ（Ｒ６）ｚＳｉ−（式中、ｘは、１から３の整数であり、
ｙは、０から２の整数であり、
ｚは、０から２の整数であり、
ｘ＋ｙ＋ｚ＝３であり、
Ｒ５およびＲ６のそれぞれは、独立して、メチル、エチル、ｎ−ブチル、ｉｓｏ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｉｓｏ−プロピル、テキシル、置換または非置換のアリール、環状アルキル、分枝鎖アルキル、低級アルキル、保護されたアルコールまたは保護されていないアルコール、または両性イオン基を表し、
Ｂ１は、シロキサン結合を表す。）；
（ｂ）直接的な炭素−炭素結合生成による、またはヘテロ原子、エステル、エーテル、チオエーテル、アミン、アミド、イミド、尿素、カーボネート、カルバメート、ヘテロ環、トリアゾールまたはウレタン結合による、表面有機官能基化ハイブリッド基への結合；または
（ｃ）材料の表面に共有結合していない吸着した表面基
を表し；
Ｙは、埋め込まれた極性官能基であり；
Ａは、
（ｉ）親水性末端基；
（ｉｉ）水素、フルオロ、メチル、エチル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル、ｉ−プロピル、低級アルキルまたは基Ｚ；または
（ｉｉｉ）官能基化可能な基
を表す。］
【請求項６１】
請求項５９に記載の表面多孔性材料。
［式中、Ｔは、
【化２】
2016521858.tif 000002
によって表され、式中、
ｎ１は、０から５の整数であり；
ｎ２は、０から５の整数であり；
ｎ３＝０または１であり、但し、ｎ３＝０の場合、ｎ１は０ではなく；
Ｒ１、Ｒ１、Ｒ３およびＲ４のそれぞれは、独立して、水素、フルオロ、メチル、エチル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル、ｉ−プロピル、低級アルキル、保護されたアルコールまたは保護されていないアルコール、両性イオンまたは基Ｚを表し；
Ｚは、
（ａ）下式を有する表面結合基
（Ｂ１）ｘ（Ｒ５）ｙ（Ｒ６）ｚＳｉ−（式中、ｘは、１から３の整数であり、
ｙは、０から２の整数であり、
ｚは、０から２の整数であり、
ｘ＋ｙ＋ｚ＝３であり、
Ｒ５およびＲ６のそれぞれは、独立して、メチル、エチル、ｎ−ブチル、ｉｓｏ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｉｓｏ−プロピル、テキシル、置換または非置換のアリール、環状アルキル、分枝鎖アルキル、低級アルキル、保護されたアルコールまたは保護されていないアルコールまたは両性イオン基を表し；
Ｂ１は、シロキサン結合を表す。）；
（ｂ）直接的な炭素−炭素結合生成による、またはヘテロ原子、エステル、エーテル、チオエーテル、アミン、アミド、イミド、尿素、カーボネート、カルバメート、ヘテロ環、トリアゾールまたはウレタン結合による、表面有機官能基化ハイブリッド基への結合；
（ｃ）材料の表面に共有結合していない吸着した表面基；または
（ｄ）シリルエーテル結合
を表し；
Ｙは、埋め込まれた極性官能基であり；
Ａは、
（ｉ）親水性末端基またはイオン化可能末端基；または
（ｉｉ）水素、フルオロ、メチル、エチル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル、ｉ−プロピル、低級アルキルまたは基Ｚ
を表す。］
【請求項６２】
Ｔは、以下の構造のいずれか１つを含む、請求項５９から６１のいずれか一項に記載の表面多孔性材料。
【化３】
2016521858.tif 000003
［式中、Ｒ５およびＲ６は、独立して、メチル、エチル、ｎ−ブチル、ｉｓｏ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｉｓｏ−プロピル、テキシル、置換または非置換のアリール、環状アルキル、分枝鎖アルキル、低級アルキル、保護されたアルコールまたは保護されていないアルコールまたは両性イオン基を表し、Ａ、ＡｉおよびＡ２は、（１）シアノ、ヒドロキシル、フルオロ、トリフルオロ、置換アリール、エステル、エーテル、アミド、カルバメート、尿素、スルホキシド、ニトロ、ニトロソ、ホウ酸、ホウ酸エステル、尿素、チオエーテル、スルフィニル、スルホニル、チオ尿素、チオカーボネート、チオカルバメート、エチレングリコール、ヘテロ環、メチル、エチル、ｎ−ブチル、ｉｓｏ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｉｓｏ−プロピル、テキシル、置換または非置換のアリール、環状アルキル、分枝鎖アルキル、低級アルキル、保護されたアルコールまたは保護されていないアルコール、または両性イオン基、またはトリアゾール官能基を含む、親水性基／イオン化可能な基のいずれか１つから独立して選択され、（２）メチル、エチル、ｎ−ブチル、ｉｓｏ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｉｓｏ−プロピル、テキシル、置換または非置換のアリール、環状アルキル、分枝鎖アルキルまたは低級アルキルを含む、非極性基から独立して選択され、および／または（３）独立して、親水性基／イオン化可能な基から選択され、およびＡｉは、独立して、非極性基から選択され、Ａ２は、独立して、親水性基／イオン化可能な基から、または非極性基からのいずれかから選択される。］
【請求項６３】
さらに他の具体的な実施形態において、Ｑが、以下の構造のいずれか１つを含む、請求項５９から６２のいずれか一項に記載の表面多孔性材料。
【化４】
2016521858.tif 000004
2016521858.tif 000005
【請求項６４】
式２を有する表面多孔性材料。
［Ｘ］（Ｗ）ａ（Ｑ）ｂ（Ｔ）ｃ        式２
［式中、
Ｘは、表面多孔性材料であり；
Ｗは、存在しないか、および／または水素を含むか、ならびに／またはＸの表面にヒドロキシルを含み；
Ｑは、低濃度の水を利用するクロマトグラフィー条件下で経時に伴う保持変動（ドリフト）を最小限にする官能基であり；
Ｔは、分析物とクロマトグラフィー時に相互作用する、１つ以上の親水性であり、極性であり、イオン化可能であり、および／または帯電した官能基を含み；
ｂおよびｃは、正の数であり、０．０５≦（ｂ／ｃ）≦１００であり、ａ≧０である。］
【請求項６５】
Ｑは、
【化５】
2016521858.tif 000006
によって表され、式中、
ｎ１は、０から３０の整数であり；
ｎ２は、０から３０の整数であり；
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４のそれぞれは、独立して、水素、フルオロ、メチル、エチル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル、ｉ−プロピル、低級アルキル、保護されたアルコールまたは保護されていないアルコール、両性イオンまたは基Ｚを表し；基Ｚは、
（ａ）下式を有する表面結合基
（Ｂ１）ｘ（Ｒ５）ｙ（Ｒ６）ｚＳｉ−
（式中、ｘは、１から３の整数であり、
ｙは、０から２の整数であり、
ｚは、０から２の整数であり、
ｘ＋ｙ＋ｚ＝３であり、
Ｒ５およびＲ６のそれぞれは、独立して、メチル、エチル、ｎ−ブチル、ｉｓｏ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｉｓｏ−プロピル、テキシル、置換または非置換のアリール、環状アルキル、分枝鎖アルキル、低級アルキル、保護されたアルコールまたは保護されていないアルコールまたは両性イオン基を表し；
Ｂ１は、シロキサン結合を表す。）；
（ｂ）直接的な炭素−炭素結合生成による、またはヘテロ原子、エステル、エーテル、チオエーテル、アミン、アミド、イミド、尿素、カーボネート、カルバメート、ヘテロ環、トリアゾールまたはウレタン結合による、表面有機官能基化ハイブリッド基への結合；または
（ｃ）材料の表面に共有結合していない吸着した表面基
を含み；
Ｙは、埋め込まれた極性官能基であり；
Ａは、
（ｉ）親水性末端基；
（ｉｉ）水素、フルオロ、メチル、エチル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル、ｉ−プロピル、低級アルキルまたは基Ｚ；または
（ｉｉｉ）官能基化可能な基を表す、請求項６４に記載の表面多孔性材料。
【請求項６６】
Ｔは、
【化６】
2016521858.tif 000007
2016521858.tif 000008
またはこれらの組み合わせのいずれかによって表され、式中、
ｍは、０から３０の整数であり；
ｍ’は、０から３０の整数であり；
ｍ”は、０から３の整数であり；
Ｚは、
（ａ）下式を有する表面結合基
（Ｂ１）ｘ（Ｒ５）ｙ（Ｒ６）ｚＳｉ−
（式中、ｘは、１から３の整数であり、
ｙは、０から２の整数であり、
ｚは、０から２の整数であり、
ｘ＋ｙ＋ｚ＝３であり、
Ｒ５およびＲ６のそれぞれは、独立して、メチル、エチル、ｎ−ブチル、ｉｓｏ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｉｓｏ−プロピル、テキシル、置換または非置換のアリール、環状アルキル、分枝鎖アルキル、低級アルキル、保護されたアルコールまたは保護されていないアルコールまたは両性イオン基を表し；
Ｂ１は、シロキサン結合を表し；Ｒ７、Ｒ７’およびＲ７”のそれぞれは、水素、メチル、エチル、ｎ−ブチル、ｉｓｏ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｉｓｏ−プロピル、テキシル、フェニル、分枝鎖アルキルまたは低級アルキルを表す。）；
（ｂ）直接的な炭素−炭素結合生成による、またはヘテロ原子、エステル、エーテル、チオエーテル、アミン、アミド、イミド、尿素、カーボネート、カルバメート、ヘテロ環、トリアゾールまたはウレタン結合による、表面有機官能基化ハイブリッド基への結合；または
（ｃ）材料の表面に共有結合していない吸着した表面基
を表し；
Ｙは、埋め込まれた極性官能基であり；
Ｂは、結合、Ｎ、Ｏ、Ｓ、
−（ＣＨ２）０−１２−Ｎ−Ｒ１１Ｒ１２、
−（ＣＨ２）０−１２−Ｏ−Ｒ１１、
−（ＣＨ２）０−１２−Ｓ−Ｒ１１、
−（ＣＨ２）０−１２−Ｎ−（ＣＨ２）０−１２−Ｒ１１Ｒ１２、
−（ＣＨ２）０−１２−Ｏ−（ＣＨ２）０−１２−Ｒ１１、
−（ＣＨ２）０−１２−Ｓ−（ＣＨ２）０−１２−Ｒ１１、
−（ＣＨ２）０−１２−Ｓ（Ｏ）１−２−（ＣＨ２）０−１２−Ｎ−Ｒ１１Ｒ１２、
−（ＣＨ２）０−１２−Ｓ（Ｏ）１−２−（ＣＨ２）０−１２−Ｏ−Ｒ１１、
−（ＣＨ２）０−１２−Ｓ（Ｏ）１−２−（ＣＨ２）０−１２−Ｓ−Ｒ１１、
−（ＣＨ２）０−１２−Ｓ（Ｏ）１−２−（ＣＨ２）０−１２−Ｎ−（ＣＨ２）０−１２−Ｒ１１Ｒ１２、
−（ＣＨ２）０−１２−Ｓ（Ｏ）１−２−（ＣＨ２）０−１２−Ｏ−（ＣＨ２）０−１２−Ｒ１１、または
−（ＣＨ２）０−１２−Ｓ（Ｏ）１−２−（ＣＨ２）０−１２−Ｓ−（ＣＨ２）０−１２−Ｒ１１
を表し；
Ｒ１１は、第１番目のモノ芳香族、ポリ芳香族、ヘテロ環芳香族またはポリヘテロ環芳香族基であり；
Ｒ１２は、水素、脂肪族基または第２番目のモノ芳香族、ポリ芳香族、ヘテロ環芳香族またはポリヘテロ環芳香族基であり、Ｒ１１およびＲ１２は、脂肪族基で置換されていてもよい、請求項６４または６５に記載の表面多孔性材料。
【請求項６７】
Ｑは、
【化７】
2016521858.tif 000009
のいずれか１つによって表され、式中、
Ｚは、
（ａ）下式を有する表面結合基
（Ｂ１）ｘ（Ｒ５）ｙ（Ｒ６）ｚＳｉ−
（式中、ｘは、１から３の整数であり、
ｙは、０から２の整数であり、
ｚは、０から２の整数であり、
ｘ＋ｙ＋ｚ＝３であり、
Ｒ５およびＲ６のそれぞれは、独立して、メチル、エチル、ｎ−ブチル、ｉｓｏ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｉｓｏ−プロピル、テヘキシル、置換または非置換のアリール、環状アルキル、分枝鎖アルキル、低級アルキル、保護されたアルコールまたは保護されていないアルコールまたは両性イオン基を表し、およびＢ１はシロキサン結合を表す。）；
Ｒ１１は、第１番目のモノ芳香族、ポリ芳香族、ヘテロ環芳香族またはポリヘテロ環芳香族基であり；
Ｒ１２は、水素、脂肪族基または第２番目のモノ芳香族、ポリ芳香族、ヘテロ環芳香族またはポリヘテロ環芳香族基であり、Ｒ１１およびＲ１２は、脂肪族基で置換されていてもよい；
（ｂ）直接的な炭素−炭素結合生成による、またはヘテロ原子、エステル、エーテル、チオエーテル、アミン、アミド、イミド、尿素、カーボネート、カルバメート、ヘテロ環、トリアゾールまたはウレタン結合による、表面有機官能基化ハイブリッド基への結合；または
（ｃ）材料の表面に共有結合していない吸着した表面基
を含む、請求項６４から６６のいずれか一項に記載の表面多孔性材料。
【請求項６８】
Ｔは、
【化８】
2016521858.tif 000010
2016521858.tif 000011
2016521858.tif 000012
2016521858.tif 000013
2016521858.tif 000014
のいずれか１つによって表され、式中、
Ｚは、
（ａ）下式を有する表面結合基
（Ｂ１）ｘ（Ｒ５）ｙ（Ｒ６）ｚＳｉ−
（式中、ｘは、１から３の整数であり、
ｙは、０から２の整数であり、
ｚは、０から２の整数であり、
ｘ＋ｙ＋ｚ＝３であり、
Ｒ５およびＲ６のそれぞれは、独立して、メチル、エチル、ｎ−ブチル、ｉｓｏ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｉｓｏ−プロピル、テキシル、置換または非置換のアリール、環状アルキル、分枝鎖アルキル、低級アルキル、保護されたアルコールまたは保護されていないアルコールまたは両性イオン基を表し；
Ｂ１は、シロキサン結合を表す。）；
（ｂ）直接的な炭素−炭素結合生成による、またはヘテロ原子、エステル、エーテル、チオエーテル、アミン、アミド、イミド、尿素、カーボネート、カルバメート、ヘテロ環、トリアゾールまたはウレタン結合による、表面有機官能基化ハイブリッド基への結合；または
（ｃ）材料の表面に共有結合していない吸着した表面基
を含む、請求項６４から６７のいずれか一項に記載の表面多孔性材料。
【請求項６９】
前記材料が、粒状材料である、請求項５９から６８のいずれか一項に記載の表面多孔性材料。
【請求項７０】
前記材料の平均粒径が、０．８から３．０μｍである、請求項５９から６９のいずれか一項に記載の表面多孔性材料。
【請求項７１】
前記材料の孔は、平均直径が約２５から６００Åである、請求項５９から７０のいずれか一項に記載の表面多孔性材料。
【請求項７２】
前記材料は、平均細孔体積が約０．１１から０．５０ｃｍ３／ｇである、請求項５９から７１のいずれか一項に記載の表面多孔性材料。
【請求項７３】
前記材料が、細孔表面積が約１０ｍ２／ｇから４００ｍ２／ｇである、請求項５９から７２のいずれか一項に記載の表面多孔性材料。
【請求項７４】
請求項５９から７３のいずれか一項に記載の表面多孔性材料を含む固定相を有する分離デバイス。
【請求項７５】
超臨界流体クロマトグラフィーを行うための方法であって、
超臨界流体クロマトグラフィーによって分離されるサンプルを提供する工程と；
請求項５９から７３のいずれか一項に記載の表面多孔性材料を含む固定相に前記サンプルを装填する工程と；
超臨界流体クロマトグラフィーを行って前記サンプルを分離する工程と
を含み、
前記固定相に関連するテーリングファクターが約０．８０から２．０である、方法。