【手続補正書】
【提出日】平成29年4月13日(2017.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザーアブレーション・マス・サイトメーターを用いるレーザーアブレーション・マス・サイトメトリー分析の方法であって、
パルスごとに試料のアブレーションプルームを生成するために、前記試料の複数の部位にレーザービームの前記パルスを向けるステップと、
各アブレーションプルームを独自に捕捉するステップと、
独自に捕捉された各アブレーションプルームを誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）に搬送するステップと、
前記ＩＣＰ内に独自に捕捉され、搬送された前記アブレーションプルームをイオン化して、マス・サイトメトリー分析のためのイオンを生成するステップと、を含み、
前記レーザーアブレーション・マス・サイトメーターは、前記ＩＣＰに前記アブレーションプルームを搬送するよう構成されたインジェクターであって、レーザーアブレーション源内に位置付けられると共に、前記アブレーションプルームを捕捉するように構成されたインジェクター入口を有している、インジェクターを備え、
前記インジェクター入口は、サンプリングコーンを形成し、該サンプリングコーンの狭い部分は前記インジェクター入口のアパーチャーであり、該サンプリングコーンは、前記アブレーションプルームが生成される領域に隣接して位置し、
前記方法は、
前記アブレーションプルームを、前記インジェクターの前記サンプリングコーンの中にもたらすための捕捉ガスフローを導入するステップと、
前記アブレーションプルームを前記サンプリングコーンから前記ＩＣＰの方へ搬送するために前記インジェクター内に、前記捕捉ガスフローから分離した搬送ガスフローを導入するステップと、
をさらに含む、レーザーアブレーション・マス・サイトメトリー分析の方法。
【請求項２】
前記レーザーアブレーション・マス・サイトメーターは、
前記試料からアブレーションプルームを生成するためのレーザーアブレーション源と、
前記ＩＣＰを生成するためのＩＣＰ源と、
前記インジェクター入口に結合されたガス入口であって、前記捕捉されたアブレーションプルームを前記ＩＣＰに搬送するために、前記ガス入口からのガスを前記インジェクター入口に通すよう構成されたガス入口と、
をさらに備えている、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記アブレーションプルームを、前記インジェクター入口を経て方向付けるのを助けるために、前記インジェクター入口と前記アブレーションプルームが生成される領域との間の領域内にガスフローを導入するステップをさらに含み、
前記ガスフローは前記アブレーションプルームが生成される領域を横断し、かつ前記インジェクター入口に近接する前記インジェクターの内腔の中心線を横断する、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記アブレーションプルームが前記ＩＣＰに搬送されるときのアブレーションプルームの広がりは、前記インジェクターの内腔の内径以内に維持される、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記アパーチャーの直径は、調整可能であり、前記アブレーションプルームが前記インジェクター内に入るときに、前記アブレーションプルームに対する摂動を阻止する大きさであるか、前記アブレーションプルームの断面径に等しいか、もしくは前記断面径より大きい、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記アブレーションプルームは、前記試料を含む透明ターゲットを経て向けられるレーザーパルスによって生成され、前記透明ターゲットは、前記試料が配置される透明基板を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記レーザービームは、フェムト秒レーザーから出る、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記試料の位置は分析中、変更され、分析中、前記レーザービームは静止したままである、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記試料の位置は、分析中、固定されている、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記レーザービームのパルスは、１ミクロン以下のアブレーションスポットを生成する、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記サンプリングコーンの外側の表面の円周は前記アパーチャーに向かって減少する、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記インジェクターは、プルーム物質を囲むシースフローの一部が、前記プルーム物質が前記ＩＣＰ内に導入される前に廃棄される、犠牲フローの一部をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
レーザーアブレーション・マス・サイトメーターを用いるレーザーアブレーション・マス・サイトメトリー分析の方法であって、
パルスごとに試料のアブレーションプルームを生成するために、前記試料の複数の部位にレーザービームの前記パルスを向けるステップと、
各アブレーションプルームを独自に捕捉するステップと、
独自に捕捉された各アブレーションプルームを誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）に搬送するステップと、
前記ＩＣＰ内に独自に捕捉され、搬送された前記アブレーションプルームをイオン化して、マス・サイトメトリー分析のためのイオンを生成するステップと、を含み、
前記レーザーアブレーション・マス・サイトメーターは、
前記試料からアブレーションプルームを生成するためのレーザーアブレーション源と、
前記ＩＣＰを生成するためのＩＣＰ源と、
前記ＩＣＰに前記アブレーションプルームを搬送するよう構成されたインジェクターであって、前記レーザーアブレーション源内に位置付けられると共に、前記アブレーションプルームを捕捉するように構成されたインジェクター入口を有している、インジェクターと、
前記インジェクター入口に結合されたガス入口であって、前記捕捉されたアブレーションプルームを前記ＩＣＰに搬送するために、前記ガス入口からのガスを前記インジェクター入口に通すよう構成されたガス入口と、
を備え、
前記方法は、前記アブレーションプルームを、前記インジェクター入口を経て方向付けるのを助けるために、前記インジェクター入口と前記アブレーションプルームが生成される領域との間の領域内にガスフローを導入するステップをさらに含み、
前記ガスフローは前記アブレーションプルームが生成される領域を横断し、かつ前記インジェクター入口に近接する前記インジェクターの内腔の中心線を横断し、
前記方法は、前記アブレーションプルームを前記ＩＣＰの方へ搬送するために前記インジェクター内に搬送ガスフローを導入するステップを含み、
前記ガスフローは毎分約０．１リットルで、前記搬送ガスフローは毎分約０．９リットルである、レーザーアブレーション・マス・サイトメトリー分析の方法。
【請求項１４】
レーザー照射を生成するよう構成されたレーザーと、
分析すべき試料を保持する透明基板、又は透明基板を受けるよう構成されたステージを有するレーザーアブレーションセルと、
アブレーションプルームをＩＣＰに搬送するためのインジェクターであって、前記インジェクターはサンプリングコーンを含み、該サンプリングコーンはインジェクター開口部を形成する、該サンプリングコーンの狭い部分を有しているインジェクターと、
前記インジェクター内に搬送フローを生成するための搬送ガス源と、
前記アブレーションセル内に捕捉フローを生成するための捕捉ガス源と、
を備える、レーザーアブレーションシステム。
【請求項１５】
前記インジェクター開口部は、前記基板のある部位のアブレーションによって、前記レーザー照射が放出される表面の下流でアブレーションプルームが形成されるように構成される、請求項１４に記載のレーザーアブレーションシステム。
【請求項１６】
前記表面はレンズ又はミラーである、請求項１５に記載のレーザーアブレーションシステム。
【請求項１７】
前記サンプリングコーンの外側の表面の円周は前記インジェクター開口部に向かって減少する、請求項１４に記載のレーザーアブレーションシステム。
【請求項１８】
前記インジェクターは、プルーム物質を囲むシースフローの一部が、前記プルーム物質が前記ＩＣＰ内に導入される前に廃棄される、犠牲フローの一部をさらに含む、請求項１４に記載のレーザーアブレーションシステム。
【請求項１９】
前記レーザー、前記レーザーアブレーションセル、及び前記インジェクターは、前記レーザー照射が前記ステージ又は前記基板の片側で発生し、前記インジェクター開口部は反対側にあるよう構成される、請求項１４に記載のレーザーアブレーションシステム。