【手続補正書】
【提出日】平成29年8月30日(2017.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無機物質を含む蛍光体であって、前記無機物質は、その組成において少なくとも元素Ｄ、元素Ａ１、元素ＡＸ、元素ＳＸ及び元素ＮＸを含み、ここで、
−  Ｄは、Ｍｎ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、アルカリ金属及びＹｂの群からなる１つ、２つ又はそれ以上の元素を表し、
−  Ａ１は、Ｄに含まれていない、二価金属の群からなる１つ、２つ又はそれ以上の元素を表し、
−  ＳＸは、四価金属の群からなる１つ、２つ又はそれ以上の元素を表し、
−  ＡＸは、三価金属の群からなる１つ、２つ又はそれ以上の元素を表し、及び
−  ＮＸは、Ｏ、Ｎ、Ｓ、Ｃ、Ｃｌ、Ｆの群からなる１つ、２つ又はそれ以上の元素を表し、及び前記無機物質は、Ｓｒ（ＳｒaＣａ1-a）Ｓｉ2Ａｌ2Ｎ6と同じ結晶構造を示し、かつ空間群Ｐ１、Ｐ２、Ｐ２1又は
2016535800.tif 000001
で結晶化する、蛍光体。
【請求項２】
前記無機物質は、単斜晶の空間群Ｐ２1で結晶化する、請求項１に記載の蛍光体。
【請求項３】
前記無機物質は、次の一般式：
（ＤaＡ１b）（ＤcＡ１d）ＳＸeＡＸfＮＸg
［式中、ａ＋ｂ≦１及びｃ＋ｄ≦１及びここでパラメータａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ及びｇは、次の条件を満たし、ここで、０≦ａ≦０．５；０≦ｃ≦０．５；０≦ｂ≦１；０≦ｄ≦１；ａ＋ｃ＞０；ｂ＋ｄ＜２；０．１≦ｅ≦８；０．１≦ｆ≦１６；０．８（ｆ＋４／３ｅ＋２／３（ｂ＋ｄ））≦ｇ；及びｇ≦１．２（ｆ＋４／３ｅ＋２／３（ｂ＋ｄ））、ここで、０≦ａ≦０．１及び０≦ｃ≦０．１であることができる］
によって記載される、請求項１又は２に記載の蛍光体。
【請求項４】
一般式
Ａ１（Ａ１aＭ1-a）ＳＸ2ＡＸ2ＮＸ6：Ｄ
［式中、Ｍは、Ａ１とは異なる二価の金属元素であり、及びパラメータａは０．６〜１．０である］で表される、請求項１から３までのいずれか１項に記載の蛍光体。
【請求項５】
一般式：
Ｓｒ(1-x-h)（ＳｒaＭ1-a）(1-y-i)Ａ(x+y)Ｂ(h+i)/2Ｅ(h+i)/2Ｓｉ(2-z)ＧzＡｌ2Ｎ6：Ｄ
又は
Ｓｒ(1-x-h)（ＳｒaＭ1-a）(1-y-i)Ａ(x+y)Ｂ(h+i)/2Ｅ(h+i)/2Ｓｉ(2-z)ＧzＡｌ2（Ｎ，Ｘ）6：Ｄ
又は
Ｓｒ(1-x-h)（ＳｒaＭ1-a）(1-y-i)Ａ(x+y)Ｂ(h+i)/2Ｅ(h+i)/2Ｓｉ(2-z)ＧzＡｌ2-vＬv（Ｎ，Ｘ）6：Ｄ
［式中、
−  Ｍは、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇから、単独で又は組み合わせて選択され、
−  Ａは、Ｍとは異なる二価金属から選択され、
−  Ｂは三価金属であり、かつ
−  Ｅは一価金属であり、ここで、
−  ０≦ｘ＋ｙ≦０．４及び０≦ｈ＋ｉ≦０．４が当てはまり、
−  Ｄは、Ｍｎ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、アルカリ金属及びＹｂの群からなる１つ、２つ又はそれ以上の元素であり、
−  Ｘは、Ｏ又はハロゲンであり、
−  Ｇは、Ｓｉを置き換える四価元素であり、及びここで、０≦ｚ≦１が当てはまり、
−  Ｌは三価元素であり、及びここで、０≦ｖ≦０．５が当てはまり、かつ
−  ａは０．６〜１．０である］で表される、請求項１から４までのいずれか１項に記載の蛍光体。
【請求項６】
−  Ａは、Ｃｕ、Ｚｎ又はこれらの組み合わせから選択され、
−  ＢはＬａであり、かつ
−  ＥはＬｉであり、ここで、
−  ０．０４≦ｘ＋ｙ≦０．３及び０．０４≦ｈ＋ｉ≦０．３が当てはまり、
−  Ｄは、Ｅｕ、Ｃｅ、Ｌｉ、Ｍｎ及びこれらの組み合わせから選択され、
−  Ｇは、Ｓｉを置き換えるＣ又はＧｅであり、及びここで、０≦ｚ≦０．５が当てはまり、
−  Ｌは、Ｂ、Ｇａ又はＩｎであり、及びここで、０≦ｖ≦０．５が当てはまる、請求項５に記載の蛍光体。
【請求項７】
一般式：
Ｓｒ(1-x)（ＳｒaＭ1-a）(1-y)Ｂ(x+y)Ｓｉ2-(x+y)Ａｌ2+(x+y)（Ｎ，Ｘ）6：Ｄ
［式中、
−  Ｍは、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇから、単独で又は組み合わせて選択され、
−  Ｂは三価金属であり、
−  Ｄは、Ｍｎ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、アルカリ金属及びＹｂの群からなる１つ、２つ又はそれ以上の元素であり、
−  Ｘは、Ｏ又はハロゲンであり、及びここで、０≦ｘ＋ｙ≦０．４であり、及び
−  ａは、０．６〜１．０である］で表される、請求項１から５までのいずれか１項に記載の蛍光体。
【請求項８】
−  ＢはＬａであり、
−  Ｄは、Ｅｕ、Ｃｅ、Ｌｉ、Ｍｎ及びこれらの組み合わせから選択され、及び
０．０４≦ｘ＋ｙ≦０．３が当てはまる、請求項７に記載の蛍光体。
【請求項９】
一般式
Ｓｒ（ＳｒaＭ1-a）Ｓｉ2Ａｌ2Ｎ6：Ｄ
で表され、Ｍは、Ｃａ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｍｇの群から選択され、及びａは０．６〜１．０である、請求項１から５まで又は請求項７のいずれか１項に記載の蛍光体。
【請求項１０】
ａは０．８〜１．０である、請求項９に記載の蛍光体。
【請求項１１】
式：
Ｓｒ（ＳｒaＣａ1-a）Ｓｉ2Ａｌ2Ｎ6：Ｄ
で表され、Ｄは、Ｍｎ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、アルカリ金属及びＹｂの群からなる１つ、２つ又はそれ以上の元素であり、及びａは０．６〜１．０である、請求項１から５まで、請求項７、９又は１０のいずれか１項に記載の蛍光体。
【請求項１２】
Ｄは、Ｅｕであるか又はＤは、Ｅｕ及び１つ又はそれ以上のアルカリ金属である、請求項１から１１までのいずれか１項に記載の蛍光体。
【請求項１３】
前記アルカリ金属はＬｉである、請求項１２に記載の蛍光体。
【請求項１４】
一般式：
Ｓｒ（ＳｒaＭ1-a）Ｓｉ2Ａｌ2（Ｎ，Ｘ）6：Ｄ，Ａ，Ｂ，Ｅ，Ｇ，Ｌ
で表される蛍光体であって、ここで、
−  Ｍは、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇから、単独で又は組み合わせて選択され、
−  Ｄは、Ｍｎ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、アルカリ金属及びＹｂの群からなる１つ、２つ又はそれ以上の元素であり、
−  Ａは、Ｍ及びＤとは異なる二価金属から選択され、
−  Ｂは三価金属であり、
−  Ｅは一価金属であり、
−  Ｇは四価元素であり、
−  Ｌは三価元素であり、
−  Ｘは、Ｏ又はハロゲンであり、
−  パラメータａは、０．６〜１．０であり、及び前記蛍光体は空間群Ｐ１、Ｐ２、
2016535800.tif 000002
又はＰ２1で結晶化する、蛍光体。
【請求項１５】
一般実験式
Ｓｒ（ＳｒaＭ1-a）Ｓｉ2Ａｌ2Ｎ6：Ｄ
で表される蛍光体であって、ここで、
−  Ｍは、Ｃａ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｍｇ及び／又はＬｉからなる群から選択され、
−  Ｄは、Ｍｎ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ及びＹｂから選択され、
パラメータａは、０．６〜１．０であり、及び前記蛍光体は空間群Ｐ１、Ｐ２、
2016535800.tif 000003
又はＰ２1で結晶化する、蛍光体。
【請求項１６】
Ｄは、Ｅｕ及びＣｅから選択される、請求項１５に記載の蛍光体。
【請求項１７】
パラメータａは０．８〜１．０である、請求項１４又は１５記載の蛍光体。
【請求項１８】
Ｄの濃度は、アルカリ土類金属の濃度を基準として、０．１モル％〜２０モル％である、請求項５から１７までのいずれか１項に記載の蛍光体。
【請求項１９】
Ｄの濃度は、アルカリ土類金属の濃度を基準として、１モル％〜１０モル％である、請求項１８に記載の蛍光体。
【請求項２０】
次の工程：
Ａ）  固体として存在する、Ｓｒ、Ａｌ、Ｓｉ及びＥｕのための出発材料、並びに任意にＣａのための出発材料、及び場合により元素Ａ、Ｂ、Ｅ、Ｌ及びＧのための出発材料を準備する工程、
Ｂ）  前記出発材料を混合する工程、
Ｃ）  前記出発材料を、不活性ガス雰囲気下で又はフォーミングガス雰囲気下で、少なくとも１５００℃に加熱し、かつ焼成ケークを形成する工程、及び
Ｄ）  前記焼成ケークを粉砕して蛍光体にする工程
を有する、請求項５から１９までのいずれか１項記載の蛍光体の製造方法。
【請求項２１】
赤色光を発光するための蛍光体であって、一般実験式ＳｒxＣａ1-xＡｌＳｉＮ3：Ｅｕ（式中、０．８＜ｘ≦１）を示し、Ｓｒ格子サイト、Ｃａ格子サイト及び／又はＳｒ／Ｃａ格子サイトの、境界値を含めて０．１％〜５％は、Ｅｕに置き換えられていて、ここで、Ｘ線構造分析において、前記蛍光体は、斜方晶の記述でミラー指数
【数１】
2016535800.tif 000004
を示す反射（Ｒ）を示す、赤色光を発光するための蛍光体。
【請求項２２】
０．８５≦ｘ≦０．９５、及びＳｒ格子サイトの、境界値を含めて０．３５％〜２．２％は、Ｅｕに置き換えられている、請求項２１に記載の蛍光体。
【請求項２３】
Ｃｕ−Ｋα1−放射線を用いた単色照射の際の粉末回折図において、３６．７°〜３７．７°の２Θで、ミラー指数
【数２】
2016535800.tif 000005
を示す反射（Ｒ）を示す、請求項２１又は２２に記載の蛍光体。
【請求項２４】
前記反射（Ｒ）は、主反射を基準として、境界値を含めて０．３％〜８％の強度を示す、請求項２３に記載の蛍光体。
【請求項２５】
前記蛍光体は、境界値を含めて５９６ｎｍ〜６０６ｎｍの主波長を示し、前記蛍光体から発せられた放射線スペクトルの、最大値の半分の高さでの幅は、境界値を含めて７５ｎｍ〜８７ｎｍであり、かつ前記蛍光体は、境界値を含めて４１０ｎｍ〜４５０ｎｍの波長領域で、相対的な吸収極大を示し、かつ放射線を発するために青色光で励起可能である、請求項２１から２４までのいずれか１項に記載の蛍光体。
【請求項２６】
次の工程：
Ａ）  固体として存在する、Ｓｒ、Ａｌ、Ｓｉ及びＥｕのための出発材料、並びに任意にＣａのための出発材料を準備する工程、
Ｂ）  前記出発材料を混合する工程、
Ｃ）  前記出発材料を、窒素雰囲気下で又はフォーミングガス雰囲気下で、少なくとも１５００℃に加熱し、かつ焼成ケークを形成する工程、及び
Ｄ）  前記焼成ケークを粉砕して蛍光体にする工程
を有する、請求項２１から２４までのいずれか１項に記載の蛍光体の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０３４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０３４２】
ここに記載された発明は、実施例に基づく記載によって制限されるものではない。むしろ、本発明は、全ての新規の特徴並びにこれらの特徴の全ての組み合わせを有し、これは、特に、これらの特徴又はその組合せが特許請求の範囲又は実施例に明確には記載されていない場合であっても、特許請求の範囲の特徴の全ての組合せを含むものとする。
以下に、好ましい実施形態が記載される：
好ましい実施形態
１．  無機物質を含む蛍光体であって、前記無機物質は、その組成において少なくとも元素Ｄ、元素Ａ１、元素ＡＸ、元素ＳＸ及び元素ＮＸ（ここで、Ｄは、Ｍｎ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、アルカリ金属（Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ）及びＹｂの群からなる１つ、２つ又はそれ以上の元素を表し、Ａ１は、Ｄに含まれていない、二価金属の群からなる１つ、２つ又はそれ以上の元素を表し、ＳＸは、四価金属の群からなる１つ、２つ又はそれ以上の元素を表し、ＡＸは、三価金属の群からなる１つ、２つ又はそれ以上の元素を表し、及びＮＸは、Ｏ、Ｎ、Ｓ、Ｃ、Ｃｌ、Ｆの群からなる１つ、２つ又はそれ以上の元素を表す）を含み、及びＳｒ（ＳｒaＣａ1-a）Ｓｉ2Ａｌ2Ｎ6と同じ結晶構造を示す、蛍光体。
２．  前記無機物質は、次の一般式：
（ＤaＡ１b）（ＤcＡ１d）ＳＸeＡＸfＮＸg
［式中、ａ＋ｂ≦１及びｃ＋ｄ≦１及びここでパラメータａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ及びｇは、次の条件を満たし、ここで、０≦ａ≦０．５；０≦ｃ≦０．５；０≦ｂ≦１；０≦ｄ≦１；ａ＋ｃ＞０；ｂ＋ｄ＜２；０．１≦ｅ≦８；０．１≦ｆ≦１６；０．８（ｆ＋４／３ｅ＋２／３（ｂ＋ｄ））≦ｇ；及びｇ≦１．２（ｆ＋４／３ｅ＋２／３（ｂ＋ｄ））、ここで、０≦ａ≦０．１及び０≦ｃ≦０．１であることができる］
によって記載される、前記実施形態に記載の蛍光体。
３．  一般式：
Ｓｒ（ＳｒaＭ1-a）Ｓｉ2Ａｌ2（Ｎ，Ｘ）6：Ｄ，Ａ，Ｂ，Ｅ，Ｇ，Ｌ
［式中、Ｍは、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇから、単独で又は組み合わせて選択され、Ａは、Ｍ及びＤとは異なる二価金属から選択され、Ｂは三価金属であり、Ｅは一価金属であり、Ｇは四価元素であり及びＬは三価元素である］で表される蛍光体。
４．  一般式Ａ１（Ａ１aＭ1-a）ＳＸ2ＡＸ2ＮＸ6：Ｄ
で表される、前記実施形態のいずれか１つに記載の蛍光体。
５．  パラメータａは、０．６〜１．０、若しくは、０．８〜１．０である、前記実施形態４に記載の蛍光体。
６．  一般式：
Ｓｒ(1-x-h)（ＳｒaＭ1-a）(1-y-i)Ａ(x+y)Ｂ(h+i)/2Ｅ(h+i)/2Ｓｉ(2-z)ＧzＡｌ2Ｎ6：Ｄ
［式中、Ｍは、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇから、単独で又は組み合わせて選択され、Ａは、Ｍとは異なる二価金属、例えばＣｕ、Ｚｎ又はこれらの組み合わせから選択され、Ｂは三価金属、例えばＬａであり、Ｅは一価金属、例えばＬｉであり、ここで、０≦ｘ＋ｙ≦０．４、好ましくは０．０４≦ｘ＋ｙ≦０．３、及び０≦ｈ＋ｉ≦０．４、好ましくは０．０４≦ｈ＋ｉ≦０．３が当てはまる］で表される、前記実施形態のいずれか１つに記載の蛍光体。
７．  一般式：
Ｓｒ(1-x)（ＳｒaＭ1-a）(1-y)Ｂ(x+y)Ｓｉ2-(x+y)Ａｌ2+(x+y)（Ｎ，Ｘ）6：Ｄ
［式中、Ｂは三価金属、例えばＬａであり、かつ０≦ｘ＋ｙ≦０．４、好ましくは０．０４≦ｘ＋ｙ≦０．３が当てはまる］で表される、前記実施形態１から５までのいずれか１つに記載の蛍光体。
８．  一般式：
Ｓｒ(1-x-h)（ＳｒaＭ1-a）(1-y-i)Ａ(x+y)Ｂ(h+i)/2Ｅ(h+i)/2Ｓｉ(2-z)ＧzＡｌ2（Ｎ，Ｘ）6：Ｄ又は
Ｓｒ(1-x)（ＳｒaＭ1-a）(1-y)Ｂ(x+y)Ｓｉ2-(x+y)Ａｌ2+(x+y)（Ｎ，Ｘ）6：Ｄ
［Ｍは、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇから、単独で又は組み合わせて選択され、Ａは、Ｍとは異なる二価金属、例えばＣｕ、Ｚｎ又はこれらの組み合わせから選択され、Ｂは三価金属、例えばＬａであり、Ｅは一価金属、例えばＬｉであり、ここでＤは、Ｍｎ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、アルカリ金属及びＹｂの群からなる１つ、２つ又はそれ以上の元素であり、好ましくはＥｕ、Ｃｅ、Ｌｉ、Ｍｎ及びこれらの組み合わせから選択される］で表される、前記実施形態のいずれか１つに記載の蛍光体。
９．  Ｄは、Ｅｕ及び１つ又はそれ以上のアルカリ金属、好ましくはＬｉである、前記実施形態８に記載の蛍光体。
１０．  一般式Ｓｒ（ＳｒaＭ1-a）Ｓｉ2Ａｌ2Ｎ6：Ｄで表され、Ｍは、Ｃａ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｍｇの群から選択される、前記実施形態のいずれか１つに記載の蛍光体。
１１．  式：Ｓｒ（ＳｒaＣａ1-a）Ｓｉ2Ａｌ2Ｎ6：Ｄで表され、Ｄは、Ｍｎ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕの群から、それぞれ単独で又はそれらの組み合わせで選択される少なくとも１つの付活元素である、前記実施形態のいずれか１つに記載の蛍光体。
１２．  付活元素の濃度は、アルカリ土類金属の濃度を基準として、０．１モル％〜２０モル％、好ましくは０．１モル％〜１０モル％、又は１モル％〜１０モル％である、前記実施形態のいずれか１つに記載の蛍光体。
１３．  次の工程：
Ａ）  固体として存在する、Ｓｒ、Ａｌ、Ｓｉ及びＥｕのための出発材料、並びに任意にＣａのための出発材料、及び場合により元素Ａ、Ｂ、Ｅ、Ｌ及びＧのための出発材料を準備する工程、
Ｂ）  前記出発材料を混合する工程、
Ｃ）  前記出発材料を、不活性ガス雰囲気下で、好ましくは窒素雰囲気下で又はフォーミングガス雰囲気下で、少なくとも１５００℃に加熱し、かつ焼成ケークを形成する工程、及び
Ｄ）  前記焼成ケークを粉砕して蛍光体にする工程
を有する、前記実施形態のいずれか１つに記載の蛍光体の製造方法。
１４．  Ｓｒ、Ａｌ及び／又はＣａのための出発材料として、純金属、金属合金、ケイ化物、窒化物、水素化物、酸窒化物、酸化物、ハロゲン化物又はこれらの混合物を使用し、ここでＳｉのための出発材料として、ケイ素金属、窒化ケイ素、アルカリ土類金属ケイ化物、シリコンジイミド又はこれらの混合物を使用し、かつＥｕのための出発材料として、次の物質：ユウロピウム金属、酸化ユウロピウム、窒化ユウロピウム、水素化ユウロピウム、ハロゲン化ユウロピウムの少なくとも１つを使用する、前記実施形態１３に記載の方法。
１５．  工程ｃ）において、融剤及び／又はフラックスとして、次の物質：ＬｉＦ、ＬｉＣｌ、ＮａＦ、ＮａＣｌ、ＳｒＣｌ2、ＳｒＦ2、ＣａＣｌ2、ＣａＦ2、ＢａＣｌ2、ＢａＦ2、ＮＨ4Ｃｌ、ＮＨ4Ｆ、ＫＦ、ＫＣｌ、ＭｇＦ2、ＭｇＣｌ2、ＡｌＦ3、Ｈ3ＢＯ3、Ｂ2Ｏ3、Ｌｉ2Ｂ4Ｏ7、ＮａＢＯ2、Ｎａ2Ｂ4Ｏ7、ＬｉＢＦ4、ＮＨ4ＨＦ2、ＮａＢＦ4、ＫＢＦ4、及びＥｕＦ3の少なくとも１つが添加されている、実施形態１３又は１４に記載の方法。
１６．  工程Ｄ）に続く工程Ｅ）において、蛍光体の焼成を、少なくとも１５００℃の温度でフォーミングガス雰囲気下で行う、実施形態１３から１５までのいずれか１つに記載の方法。
１７．  少なくとも１５００℃の温度を、工程Ｃ）及び／又は工程Ｅ）において少なくとも２時間保持する、実施形態１３から１６までのいずれか１つに記載の方法。
１８．  出発材料として、Ｃａ3Ｎ2、Ｓｒ3Ｎ2、ＡｌＮ、Ｓｉ3Ｎ4、及びＥｕ2Ｏ3、及び場合により、Ｍｎ2Ｏ3、ＣｕＯ、Ｚｎ3Ｎ2、Ｌａ2Ｏ3、Ｌｉ2Ｂ4Ｏ7及び黒鉛を使用し、ここで、次の原子比：
Ｓｒ：Ｃａ：Ａｌ：Ｓｉ：Ｅｕ＝（１＋ａ）：（１−ａ）：２：２：ｙ
が存在するように秤量を行い、ここで、ｙは、Ｅｕによって置き換えられる二価の格子サイトの割合であり、ここで、工程Ｂ）を、窒素雰囲気中で酸素不含及び水不含で実施し、フラックスとして、ＡｌＦ3、Ｌｉ2Ｂ4Ｏ7及び／又はＬｉＢＦ4を添加し、ここで、工程Ｃ）を、Ｎ2／Ｈ2雰囲気下で、１６５０℃±５０℃の温度で少なくとも３時間実施し、かつ、ここで、少なくとも工程Ｃ）を、境界値を含めて０．９ｂａｒ〜１．５ｂａｒの圧力で実施する、実施形態１３から１７までのいずれか１つに記載の方法。
１９．  実施形態１から１２まで及び２０から２１までのいずれか１つに記載の蛍光体の、発光ダイオード中での使用において、前記発光ダイオードは、作動時に青色光を発する少なくとも１種の半導体チップを有し、前記蛍光体は、光路に沿って前記半導体チップの下流に配置されている、蛍光体の発光ダイオード中での使用。
２０．  一般実験式Ｓｒ（ＳｒaＭ1-a）Ｓｉ2Ａｌ2Ｎ6：Ｄ
［式中、Ｍは、Ｃａ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｍｇ及び／又はＬｉからなる群から選択される］の蛍光体。
２１．  Ｄは、Ｍｎ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ及びＹｂから選択され、好ましくはＤは、Ｃｅ及びＥｕである、前記実施形態２０に記載の蛍光体。
２２．  −  ３００ｎｍ〜５７０ｎｍの波長領域で一次放射線を発する放射源（３５）、
−  前記一次放射源（３５）の光路中に配置されていて、かつ前記一次放射線の少なくとも一部を、５７０ｎｍ〜８００ｎｍ、好ましくは５８０ｎｍ〜７００ｎｍ、更に好ましくは５９０ｎｍ〜６５０ｎｍのオレンジ色〜赤色の波長領域の二次放射線に変換する、実施形態１から１２まで及び２０から２１までのいずれか１つに記載の第１の蛍光体（４０）
を有する、照明装置（３０）。
２３．  更に、
−  前記一次放射源の光路中に配置されていて、かつ第１の蛍光体とは異なる発光を示す第２の蛍光体（４５）
を有する、前記実施形態２２に記載の照明装置（３０）。
２４．  更に、
−  二次放射線の光路中に配置されていて、かつ前記二次放射線の少なくとも一部を吸収しかつ変換する第２の蛍光体（４５）
を有する、前記実施形態２２又は２３に記載の照明装置（３０）。
２５．  −  第２の蛍光体が、元素Ｍ、Ａ、Ｄ、Ｅ及びＸを有し、ここで、Ｍは、Ｍｎ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ及びＹｂからなる群から選択される１つ又はそれ以上の元素であり、Ａは、Ｍとは異なる二価金属元素からなる群から選択される１つ又はそれ以上の元素であり、Ｄは、四価金属元素からなる群から選択される１つ又はそれ以上の元素であり、Ｅは、三価金属元素からなる群から選択される１つ又はそれ以上の元素であり、Ｘは、Ｏ、Ｎ、及びＦからなる群から選択される１つ又はそれ以上の元素であり、かつ、ＣａＡｌＳｉＮ3と同じ結晶構造を有する、
前記実施形態２２から２４までのいずれか１つに記載の照明装置（３０）。
２６．  第２の蛍光体が、一般構造式：
（Ｇｄ，Ｌｕ，Ｔｂ，Ｙ）3（Ａｌ，Ｇａ，Ｄ）5（Ｏ，Ｘ）12：ＲＥ
［式中、Ｘは、ハロゲン化物、Ｎ又は二価元素であり、Ｄは、三価元素又は四価元素であり、かつＲＥは、付活剤としての希土類金属、特に任意の共ドーパントを有するセリウムである］を示す、前記実施形態２２から２４までのいずれか１つに記載の照明装置（３０）。
２７．  −  一般式（Ｇｄ，Ｌｕ，Ｔｂ，Ｙ）3（Ａｌ，Ｇａ，Ｄ）5（Ｏ，Ｘ）12：ＲＥ
［式中、Ｘは、ハロゲン化物又は二価元素であり、Ｄは、三価元素又は四価元素であり、かつＲＥは、付活剤としての希土類金属、特に任意の共ドーパントを有するセリウムである］
の第２の蛍光体を有し、
−  第２の蛍光体は、一次放射源（３５）の光路中に配置されている、
フラッシュ用途に適した、前記実施形態２２に記載の照明装置（３０）。
２８．  −  第２の蛍光体は、希土類金属を基準としてそれぞれ、０．５〜５モル％、好ましくは０．５〜２モル％のセリウム割合及び０〜０．５、好ましくは０．１５〜０．３のガリウム割合ｘを有する、一般式Ｌｕ3（Ａｌ1-xＧａx）5Ｏ12：Ｃｅ、又は（Ｌｕ，Ｙ）3（Ａｌ1-xＧａx）5（Ｏ）12：Ｃｅを示す、
フラッシュ用途に適した、前記実施形態２７に記載の照明装置（３０）。
２９．  −  第２の蛍光体は、１．５〜５モル％、好ましくは２．５〜５モル％のセリウム割合及び０〜０．５のガリウム割合ｘ、好ましくは０〜０．１のガリウム割合ｘを有する、一般式（Ｇｄ，Ｙ）3（Ａｌ1-xＧａx）5Ｏ12：Ｃｅ、又は（Ｔｂ，Ｙ）3（Ａｌ1-xＧａx）5（Ｏ）12：Ｃｅを示す、
フラッシュ用途に適した、前記実施形態２２に記載の照明装置（３０）。
３０．  −  さらに、第２の放射源が存在し、第２の放射源の光路中に、第２の放射源の一次放射線を二次放射線に変換する蛍光体が配置されていて、かつ
−  第１の放射源の二次放射線と、第２の放射源の二次放射線との混合により、前記照明装置の全体の発光放射線が生じる、
フラッシュ用途に適した、前記実施形態２６から２９までのいずれか１つに記載の照明装置（３０）。
３１．  −  第２の放射源の変換された放射線の色域は、第１の放射源の変換された放射線の色域とは異なる、
フラッシュ用途に適した、前記実施形態３０に記載の照明装置（３０）。
３２．  −  第１の放射源と第２の放射源とは異なる電流強度で作動可能であり、かつ第１の放射源と第２の放射源との異なる電流強度によって、前記照明装置の全体の発光放射線の色域が調節可能である、
フラッシュ用途に適した、前記実施形態３１に記載の照明装置（３０）。
３３．  −  第１の放射源の蛍光体と第２の放射源の蛍光体とは、光学素子、好ましくはレンズの下流に配置されていて、前記光学素子は、第１の放射源の二次放射線と第２の放射源の二次放射線とを混合して、全体の発光放射線を生成する、
フラッシュ用途に適した、前記実施形態３１又は３２に記載の照明装置（３０）。
３４．  −  第１の蛍光体は、一般式Ｓｒ（ＳｒaＣａ1-a）Ｓｉ2Ａｌ2Ｎ6：Ｄ（式中、０．７≦ａ、好ましくは０．８≦ａ、更に好ましくは０．８４≦ａである）を示し、かつ
−  第２の蛍光体として、一般式（Ｇｄ，Ｌｕ，Ｙ；Ｔｂ）3（Ａｌ，Ｇａ）5（Ｏ）12：ＲＥ（式中、ＲＥは、希土類金属、好ましくはＣｅである）のガーネットが存在する、
ＣＲＩ≧８０を有する白色光を生成するための、前記実施形態２２に記載の照明装置。
３５．  −  第２の蛍光体は、一般式Ｙ3（Ａｌ1-xＧａx）5（Ｏ）12：Ｃｅ（式中、Ｇａの割合は、０．２≦ｘ≦０．６、好ましくは０．３≦ｘ≦０．５、更に好ましくは０．３５≦ｘ≦０．４５である）を示す、
ＣＲＩ≧８０を有する白色光を生成するための、前記実施形態３４に記載の照明装置。
３６．  −  前記放射源（３５）は、４３０ｎｍ〜４７０ｎｍ、好ましくは４４０ｎｍ〜４６０ｎｍの波長領域で一次放射線を発し、
−  第２の蛍光体として、一般式（Ｇｄ，Ｌｕ，Ｙ，Ｔｂ）3（Ａｌ，Ｇａ）5（Ｏ）12：ＲＥ、好ましくは（Ｌｕ，Ｙ）3（Ａｌ，Ｇａ）5（Ｏ）12：ＲＥ（式中、ＲＥは、希土類金属、好ましくはＣｅである）のガーネットが存在している、
ＣＲＩ≧９０を有する白色光を生成するための、実施形態２２に記載の照明装置。
３７．  −  第１の蛍光体中で、金属Ｍは、Ｓｒ及びＣａであり、パラメータａについて、０．７≦ａ、好ましくは０．８≦ａ、更に好ましくは０．８４≦ａが当てはまり、かつ付活剤Ｄの割合は、≧１．５％、好ましくは≧３．５％、更に好ましくは≧４．５％である、
ＣＲＩ≧９０を有する白色光を生成するための、前記実施形態３６に記載の照明装置。
３８．  −  第２の蛍光体は、次の蛍光体：
−  一般式Ｓｉ6-zＡｌzＯzＮ8-z：Ｅｕ（式中、０＜ｚ≦４）のベータ−ＳｉＡｌＯＮ
−  量子ドットとしてのナノ半導体材料、
−  一般組成ＡＥ2-xＲＥxＳｉＯ4-xＮx：Ｅｕ（式中、ＡＥは、Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇであり、ＲＥは、希土類金属である）又は一般組成ＡＥ2-xＲＥxＳｉ1-yＯ4-x-2yＮx：Ｅｕのニトリド−オルトケイ酸塩
の群からの少なくとも１つの蛍光体から選択される、
実施形態２２から２４までのいずれか１項に記載の照明装置。
３９．  −  第１の蛍光体は、一般式Ｓｒ（ＳｒaＣａ1-a）Ｓｉ2Ａｌ2Ｎ6：Ｄ（式中、０．７≦ａ、好ましくは０．８≦ａ、更に好ましくは０．８４≦ａ、及び付活剤Ｄの割合は、≧２モル％、好ましくは≧３モル％、更に好ましくは≧４モル％である）を示し、かつ
−  第２の蛍光体は、一般式Ｙ3（Ａｌ1-xＧａx）5Ｏ12：Ｃｅ（式中、０．２≦ｘ≦０．６、好ましくは０．３≦ｘ≦０．５、更に好ましくは０．３≦ｘ≦０．４５）又はＬｕ3（Ａｌ1-xＧａx）Ｏ12：Ｃｅ（式中、０≦ｘ≦０．６、好ましくは０≦ｘ≦０．４、更に好ましくは０≦ｘ≦０．２５）を示し、かつ希土類金属を基準としてそれぞれ０．５〜５モル％、好ましくは０．５〜３モル％、更に好ましくは０．５〜２．５モル％のＣｅ割合を有する、
バックライト用途に適した、実施形態２３又は２４に記載の照明装置。
４０．  −  第１の蛍光体は、一般式Ｓｒ（ＳｒaＣａ1-a）Ｓｉ2Ａｌ2Ｎ6：Ｄ（式中、０．７≦ａ、好ましくは０．８≦ａ、更に好ましくは０．８４≦ａ、及び付活剤Ｄの割合は、≧４モル％、好ましくは≧８モル％、更に好ましくは≧１０モル％である）を示し、かつ
−  第２の蛍光体は、ベータ−ＳｉＡｌＯＮのＳｉ6-xＡｌzＯyＮ8-y：ＲＥz（式中、０＜ｘ≦４、０＜ｙ≦４、０＜ｚ＜１、及びＲＥは、希土類金属から選択される１種以上の元素、好ましくは少なくともＥｕ及び／又はＹｂを含む）を示す、
バックライト用途に適した、実施形態２３又は２４に記載の照明装置。
４１．  −  第１の蛍光体は、一般式Ｓｒ（ＳｒaＣａ1-a）Ｓｉ2Ａｌ2Ｎ6：Ｄ（式中、０．７≦ａ、好ましくは０．８≦ａ、更に好ましくは０．８４≦ａ、及び付活剤Ｄの割合は、≧４モル％、好ましくは≧８モル％、更に好ましくは≧１０モル％である）を示し、かつ
−  第２の蛍光体は、一般式ＡＥ2-xＬxＳｉＯ4-xＮx：ＲＥ及び／又はＡＥ2-xＬxＳｉ1-yＯ4-x-2yＮx：ＲＥ及び／又はＡＥ2ＳｉＯ4：ＲＥ（式中、ＡＥは、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａからなる１種以上の元素を含み、かつＲＥは、希土類金属から選択される１種以上の元素、好ましくは少なくともＥｕを含み、かつＬは、ＲＥとは異なる希土類金属から選択される１種以上の元素を含み、０＜ｘ≦０．１、好ましくは０．００３≦ｘ≦０．０２及び０＜ｙ≦０．１、好ましくは０．００２≦ｙ≦０．０２）を示す
バックライト用途に適した、実施形態２３又は２４に記載の照明装置。
４２．  第２の蛍光体は、ＡＥとして、少なくともＳｒ及びＢａを含み、かつＳｒとＢａとの比率について、０．５≦Ｂａ：Ｓｒ≦２、好ましくは０．７５≦Ｂａ：Ｓｒ≦１．２５が当てはまる、
バックライト用途に適した、前記実施形態４１に記載の照明装置。
４３．  −  第１の蛍光体は、一般式Ｓｒ（ＳｒaＣａ1-a）Ｓｉ2Ａｌ2Ｎ6：Ｄ（式中、０．７≦ａ、好ましくは０．８≦ａ、更に好ましくは０．８４≦ａ、及び付活剤Ｄの割合は、≧４モル％、好ましくは≧８モル％、更に好ましくは≧１０モル％である）を示し、かつ
−  第２の蛍光体は、ナノ結晶質材料の形の量子ドットを含み、前記ナノ結晶質材料は、ＩＩ−ＶＩ族系化合物及び／又はＩＩＩ−Ｖ族系化合物及び／又はＩＶ−ＶＩ族系化合物及び／又は金属ナノ結晶を含み、これらは、一次放射線で励起した場合に、５００〜５６０ｎｍ、好ましくは５１０〜５５０ｎｍ、更に好ましくは５２０〜５４０ｎｍのピーク波長を有する緑色〜黄色のスペクトル領域の二次放射線を発する、
バックライト用途に適した、前記実施形態２３又は２４に記載の照明装置。
４４．  第１の蛍光体（４０）は、第１のマトリックス材料（５０）中に埋め込まれている、前記実施形態２２から４３までのいずれか１つに記載の照明装置。
４５．  第１のマトリックス材料（５０）は、ガラス、シリコーン、エポキシ樹脂、ポリシラザン、ポリメタクリラート及びポリカルボナート、並びにこれらの組み合わせの材料の群から選択される、前記実施形態４４に記載の照明装置。
４６．  −  第１の蛍光体及び／又は第２の蛍光体は、粒子として存在し、かつ５〜３０μｍの平均粒度を有する、前記実施形態２２から４３までのいずれか１つに記載の照明装置。
４７．  第１及び／又は第２の蛍光体（４０）は、セラミック変換エレメントとして存在する、前記実施形態２２から４３までのいずれか１つに記載の照明装置。
４８．  第２の蛍光体（４５）は、第２のマトリックス材料（５５）中に埋め込まれている、前記実施形態２３から４３までのいずれか１つに記載の照明装置。
４９．  第１の蛍光体（４０）及び第２の蛍光体（４５）は、互いに混合されている、前記実施形態２３から４３までのいずれか１つに記載の照明装置。
５０．  第１の蛍光体（４０）及び／又は第２の蛍光体（４５）は、前記放射源から隔てられている、前記実施形態２２から４９までのいずれか１つに記載の照明装置。
５１．  前記放射源は、ＬＥＤ、ＯＬＥＤ又はレーザーを含む、前記実施形態２２から５０までのいずれか１つに記載の照明装置。
５２．  更に、一次放射線及び／又は部分的に二次放射線を吸収するフィルタ又はフィルタ粒子が存在する、前記実施形態２２から５１までのいずれか１つに記載の照明装置。
５３．  赤色光を発光するための蛍光体であって、一般実験式ＳｒxＣａ1-xＡｌＳｉＮ3：Ｅｕ（式中、０．８＜ｘ≦１）を示し、Ｓｒ格子サイト、Ｃａ格子サイト及び／又はＳｒ／Ｃａ格子サイトの、境界値を含めて０．１％〜５％は、Ｅｕに置き換えられていて、ここで、Ｘ線構造分析において、前記蛍光体は、斜方晶の記述でミラー指数
【数９】
2016535800.tif 000006
を示す反射（Ｒ）を示す、赤色光を発光するための蛍光体。
５４．  ０．８５≦ｘ≦０．９５、及びＳｒ格子サイトの、境界値を含めて０．３５％〜２．２％は、Ｅｕに置き換えられている、前記実施形態５３に記載の蛍光体。
５５．  Ｃｕ−Ｋα1−放射線を用いた単色照射の際の粉末回折図において、３６．７°〜３７．７°の２Θで、ミラー指数
【数１０】
2016535800.tif 000007
を示す反射（Ｒ）を示す、前記実施形態５３又は５４に記載の蛍光体。
５６．  前記反射（Ｒ）は、主反射を基準として、境界値を含めて０．３％〜８％の強度を示す、前記実施形態５５に記載の蛍光体。
５７．  前記蛍光体は、境界値を含めて５９６ｎｍ〜６０６ｎｍの主波長を示し、前記蛍光体から発せられた放射線スペクトルの、最大値の半分の高さでの幅は、境界値を含めて７５ｎｍ〜８７ｎｍであり、かつ前記蛍光体は、境界値を含めて４１０ｎｍ〜４５０ｎｍの波長領域で、相対的な吸収極大を示し、かつ放射線を発するために青色光で励起可能である、前記実施形態５３から５６までのいずれか１つに記載の蛍光体。
５８．  次の工程：
Ａ）  固体として存在する、Ｓｒ、Ａｌ、Ｓｉ及びＥｕのための出発材料、並びに任意にＣａのための出発材料を準備する工程、
Ｂ）  前記出発材料を混合する工程、
Ｃ）  前記出発材料を、窒素雰囲気下で又はフォーミングガス雰囲気下で、少なくとも１５００℃に加熱し、かつ焼成ケークを形成する工程、及び
Ｄ）  前記焼成ケークを粉砕して蛍光体にする工程
を有する、前記実施形態５３から５７までのいずれか１つに記載の蛍光体の製造方法。
５９．  Ｓｒ、Ａｌ及び／又はＣａのための出発材料として、純金属、金属合金、ケイ化物、窒化物、酸窒化物、酸化物、ハロゲン化物又はこれらの混合物を使用し、ここでＳｉのための出発材料として、ケイ素金属、窒化ケイ素、アルカリ土類金属ケイ化物、シリコンジイミド又はこれらの混合物を使用し、かつＥｕのための出発材料として、次の物質：ユウロピウム金属、酸化ユウロピウム、窒化ユウロピウム、ハロゲン化ユウロピウムの少なくとも１つを使用する、前記実施形態５８に記載の方法。
６０．  工程ｃ）において、融剤及び／又はフラックスとして、次の物質：ＬｉＦ、ＬｉＣｌ、ＮａＦ、ＮａＣｌ、ＳｒＣｌ2、ＳｒＦ2、ＣａＣｌ2、ＣａＦ2、ＢａＣｌ2、ＢａＦ2、ＮＨ4Ｃｌ、ＮＨ4Ｆ、ＫＦ、ＫＣｌ、ＭｇＦ2、ＭｇＣｌ2、ＡｌＦ3，Ｈ3ＢＯ3、Ｂ2Ｏ3、Ｌｉ2Ｂ4Ｏ7、ＮａＢＯ2、Ｎａ2Ｂ4Ｏ7、ＬｉＢＦ4の少なくとも１つが添加されている、実施形態５８又は５９に記載の方法。
６１．  工程Ｄ）に続く工程Ｅ）において、蛍光体の焼成を、少なくとも１５００℃の温度でフォーミングガス雰囲気下で行う、実施形態５８から６０までのいずれか１つに記載の方法。
６２．  少なくとも１５００℃の温度を、工程Ｃ）及び／又は工程Ｅ）において少なくとも２時間保持する、実施形態５８から６１までのいずれか１つに記載の方法。
６３．  出発材料として、Ｃａ3Ｎ2、Ｓｒ3Ｎ2、ＡｌＮ、Ｓｉ3Ｎ4及びＥｕ2Ｏ3を使用し、
ここで、次の原子比：Ｃａ：Ｓｒ：Ａｌ：Ｓｉ：Ｅｕ＝（１−ｘ）：ｘ：１：３：ｙが存在するように秤量を行い、
ここで、ｙは、Ｅｕによって置き換えられるＳｒ格子サイトの割合であり、
ここで、工程Ｂ）を、窒素雰囲気中で酸素不含及び水不含で実施し、
ここで、フラックスとして、ＡｌＦ3、Ｌｉ2Ｂ4Ｏ7及び／又はＬｉＢＦ4を添加し、
ここで、工程Ｃ）を、Ｎ2／Ｈ2雰囲気下で、１６５０℃±５０℃の温度で少なくとも３時間実施し、
かつここで、少なくとも工程Ｃ）を、境界値を含めて０．９ｂａｒ〜１．５ｂａｒの圧力で実施する、実施形態５８から６２までのいずれか１つに記載の方法。
６４．  実施形態５３から５７までのいずれか１つに記載の蛍光体の、発光ダイオード中での使用において、前記発光ダイオードは、作動時に青色光を発する少なくとも１種の半導体チップを有し、前記蛍光体は、光路に沿って前記半導体チップの下流に配置されている、蛍光体の発光ダイオード中での使用。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
Ｇは、Ｓｉを置き換える四価元素、例えばＣ又はＧｅを表し、ここで、パラメータｚは次のこと：０≦ｚ≦１、又は０≦ｚ≦０．５、又は０．０２≦ｚ≦０．３が当てはまり、ここでｚは特に０．０２又は０．４であることができるか、又は四価元素は存在しなくてもよいので、ｚ＝０である。元素Ｌについてのパラメータｖは、次の値を取ることができる：０≦ｖ≦１、更に０≦ｖ≦０．５。