【誤訳訂正書】
【提出日】平成29年4月21日(2017.4.21)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００５】
本開示の様々な実施形態により、経路設計されたイオン伝導性セラミック電解質粒子と固体高分子マトリックスとを含むイオン伝導性複合電解質が提供される。経路設計された粒子は、当該経路設計された粒子の結晶面の１つに関連する好ましい伝導度方向Ｈにおける当該結晶構造のイオン伝導度が、当該経路設計された粒子の別の結晶面に関連する低い伝導度方向Ｌにおける結晶構造のイオン伝導度より大きい、異方性結晶ミクロ構造によって特徴付けられる。当該経路設計された粒子は、経路設計された粒子の過半数がマトリックス体の対向する両方の主要面から突き出るように、サイズ調整され、および高分子マトリックス中に位置決めされ、ならびに好ましい伝導度方向Ｈが、低い伝導度方向Ｌよりも、マトリックス体の厚さにわたっての最短の経路長に対してより近く揃えられるように高分子マトリックス中において配向される。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１１】
図１Ａに示されているように、高分子マトリックスは、その間にマトリックス体を形成する対向する主要な面３２、３４の対を形成する。経路設計された粒子２０は、当該経路設計された粒子２０の過半数が、マトリックス体の対向する主要な面３２、３４の両方から突き出るように、すなわち、当該面の両方に達するかもしくはそれを超えて延びるように、サイズ調整され、および高分子マトリックス３０中に位置決めされる。当該経路設計された粒子は、有利には、異方性結晶構造によって特徴付けられ得ることが想到されるが、等方性結晶構造も想到される。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
例えば、図１Ｂおよび１Ｃに示された六方晶系結晶構造を参照すると、経路設計された粒子２０は、それらが異方性結晶構造によって特徴付けられるように選択することができることが想到される。そのような場合、当該粒子は、経路設計された粒子２０における結晶面の１つに関連する好ましい伝導度方向Ｈにおける結晶構造のイオン伝導度が、経路設計された粒子２０における異なる結晶面に関連する低い伝導度方向Ｌにおける結晶構造のイオン伝導度より大きくなるように選択することができる。このように、実質的にすべての、または少なくとも過半数の経路設計された粒子２０は、好ましい伝導度方向Ｈが、マトリックス体の厚さにわたる最短の経路長ｘにより近く揃えられるように、すなわち、低い伝導度方向Ｌよりもより近く揃えられるように、高分子マトリックス３０中において配向させることができる。この配置は、図１Ｂおよび１Ｃにおいて図式的に示されており、これにより、典型的にはおよそ１０−４Ｓ／ｃｍ以上程度の、高められたイオン伝導度を有する複合電解質を得ることができる。限定ではなく例として、リチウム−アルミニウム−チタン−ホスフェート（ＬＡＴＰ）の経路設計粒子２０との関連において、好ましい伝導度方向Ｈにおける結晶構造のイオン伝導度は、低い伝導度方向Ｌにおける結晶構造のイオン伝導度よりもおよそ１桁高い。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
本開示の特定の実施形態は、六方晶系結晶構造によって特徴付けられる経路設計された粒子２０の、有利な使用に関する。より詳細には、図１Ｂを参照すると、六方晶系結晶構造体を含む経路設計された粒子２０との関連において、本発明者らは、複合電解質１０のイオン伝導度は、マトリックス体の厚さにわたる最短経路長ｘが、比較的低い伝導度の結晶学的方向Ｌよりも比較的高い伝導度の結晶学的方向Ｈに対してより近く揃えられるように、経路設計された粒子２０の過半数または実質的に全てが、高分子マトリックス３０中において確実に配向するようにすることによって、高めることができるということを認識している。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１７】
図２に示されているように、面から突き出る経路設計された粒子２０の過半数は、一次封入体２２および二次相封入体２４の形態の内部封入体、粒界２６、孔２８、またはそれらの組み合わせを含み得ることが想到される。この関連において、経路設計された粒子２０は、突出断面を含むように高分子マトリックス３０中において配向され得、その例が、図１および２に図式的に示されている。突出断面は、粒子２０における内部封入体２２、２４、粒界２６、孔２８によって遮られていない、本体を横断する直線状のイオン導電性経路（＋）を形成する。明瞭化のために、対照的に、図３に示される粒子２０’の直線状イオン伝導性経路（＋）は、内部封入体２２’および２４’、粒界２６’、ならびに孔２８’によって遮られており、そのため、これは本体を横断する直線状イオン伝導性経路ではない。本開示による複合電解質は、前述の本体を横断する直線状のイオン伝導性経路を組み入れることにより、イオン輸送に対する粒界の影響を、排除するかまたは実質的に減少させる。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
図２の実施例に示されているように、本開示による、面から突き出る経路設計された粒子２０は、体積ベースにおいて半分より多くを占める粒界不含の単結晶を含み得るが、粒子自体の残りの体積は、少量の粒界２６、内部封入体２２および２４、ならびに孔２８を含むことが想到される。典型的には、当該残りの体積は、異なる結晶配向の一次相封入体、二次相封入体、孔、またはそれらの組み合わせを含んでおり、ならびに、当該面から突き出る経路設計された粒子２０のおよそ０．１体積％〜およそ２０体積％を占める。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
前述の遮られていない直線状のイオン伝導経路（＋）は、経路設計された粒子２０の粒界２６の及ぶ範囲が、マトリックス体の主要面に対して実質的に平行な方向において、面から突き出る経路設計された粒子の突出断面の半分または半分より確実に小さくなるようにすることによって、より容易に達成することができるということも想到される。この条件を満たす粒界の例が図２に示されているが、図３に示されている右側の粒子２０’は、この条件を満たしていない粒界２６’を含んでいる。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
図２にさらに示されているように、好ましくは、経路設計された粒子２０の少なくとも過半数は、粒子２０のそれぞれの突出断面が、面から突き出る経路設計された粒子２０の二次相封入体２４、粒界２６、および閉じた孔２８によって遮られていない、本体を横断する直線状のイオン伝導性経路を形成するように、高分子マトリックス３０中において配向される。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
経路設計されたイオン伝導性セラミック電解質粒子と固体高分子マトリックスとを含むイオン伝導性複合電解質であって、
前記高分子マトリックスが、その間にマトリックス体を形成する対向する主要面の対を形成し；
前記経路設計された粒子が、複数の結晶面を含む異方性結晶構造によって特徴付けられ；
前記経路設計された粒子の前記結晶面の１つに関連する好ましい伝導度方向Ｈにおける前記結晶構造の前記イオン伝導度が、前記経路設計された粒子の別の前記結晶面に関連する低い伝導度方向Ｌにおける前記結晶構造の前記イオン伝導度より大きく；ならびに
前記経路設計された粒子が、前記経路設計された粒子の過半数が前記マトリックス体の対向する前記主要面の両方から突き出るように、サイズ調整され、および前記高分子マトリックス中に位置決めされ、ならびに前記好ましい伝導度方向Ｈが、前記低い伝導度方向Ｌよりも、前記マトリックス体の厚さにわたる最短の経路長ｘの示す方向に対してより近く揃えられるように前記高分子マトリックス中において配向される、
イオン伝導性複合電解質。
【請求項２】
前記好ましい伝導度方向Ｈにおける前記結晶構造の前記イオン伝導度が、前記低い伝導度方向Ｌにおける前記結晶構造の前記イオン伝導度よりもおよそ１桁高い、請求項１に記載のイオン伝導性複合電解質。
【請求項３】
前記経路設計された粒子の過半数が、前記好ましい伝導度方向Ｈにおける前記経路設計された粒子のサイズ寸法が前記低い伝導度方向Ｌにおける前記経路設計された粒子のサイズ寸法より小さくなるようにサイズ調整され；ならびに
前記経路設計された粒子のそれぞれの前記サイズ寸法における違いが、前記固体高分子マトリックス中での前記経路設計された粒子の自己整列を促進し、前記好ましい伝導度方向Ｈが、前記低い伝導度方向Ｌよりも、前記マトリックス体の厚さにわたる最短経路長ｘの示す方向により近く揃えられる、
請求項１に記載のイオン伝導性複合電解質。
【請求項４】
前記経路設計された粒子が、六方晶系結晶構造によって特徴付けられ；
前記結晶面にある好ましい伝導度方向Ｈにある前記六方晶系結晶構造の前記イオン伝導度が、前記結晶面に対して垂直な低い伝導度方向Ｌにおける前記六方晶系結晶構造の前記イオン伝導度より大きく；ならびに
前記経路設計された粒子の過半数が、前記マトリックス体の厚さにわたる最短経路長ｘの示す方向が前記低い伝導度方向Ｌよりも前記好ましい伝導度方向Ｈにより近く揃えられるように、前記高分子マトリックス中において配向される、
請求項１に記載のイオン伝導性複合電解質。
【請求項５】
前記経路設計された粒子が、六方晶系結晶構造によって特徴付けられ；
前記結晶面にある好ましい伝導度方向Ｈにおける前記六方晶系結晶構造の前記イオン伝導度が、前記結晶面に垂直な低い伝導度方向Ｌにおける前記六方晶系結晶構造の前記イオン伝導度より大きく；ならびに
前記経路設計された粒子が、前記マトリックス体の厚さにわたっての最短経路長ｘの示す方向が前記低い伝導度方向Ｌよりも前記好ましい伝導度方向Ｈにより近く揃えられるように、前記高分子マトリックス中において配向される、
請求項１に記載のイオン伝導性複合電解質。