(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板上に半導体プロセスにより集積されるよう製造される層状スタックとを備え、該層状スタックは、前記基板の有底のキャビティ上に位置する浮かされた部分を備え、該浮かされた部分が圧電体及び該圧電体に電界を加えるように配置された電極を含み、前記圧電体及び前記電極が共振するとともに負の周波数温度係数を備える音響共振器において、
前記圧電体、及び前記電極に音響的に接続された補償手段にして、前記負の周波数温度係数の関数である前記共振に対する温度誘導効果を少なくとも一部分相殺するような性質を備えた強磁性体材料から成る補償手段を、前記圧電体の前記基板と逆側である頂側に、前記層状スタックの製造における一連の前記半導体プロセスによって所定厚さに形成し、
前記補償手段を前記浮かされた部分の幅寸法に近似するよう前記圧電体より小寸法とし、前記補償手段を包囲して前記圧電体と前記補償手段の寸法差を生じる部分で前記圧電体の頂側の前記電極と接触させるように低損失電流経路を構成する金属雨仕舞い層を設けることを特徴とする音響共振器。
【請求項２】
前記層状スタックが、前記浮かされている部分を支持するように前記基板に接触する周辺領域を含むようにしたことを特徴とする、請求項１に記載の音響共振器。
【請求項３】
前記層状スタックが、薄膜バルク共振器（ＦＢＡＲ）スタックであるようにしたことを特徴とする、請求項１又は２のいずれかに記載の音響共振器。
【請求項４】
前記補償手段が、正の周波数温度係数を備えた材料から形成されるとともに前記補償手段の存在によって前記共振に与える温度誘導効果の大きさが前記負の周波数温度係数における関数としての前記共振に関する前記温度誘導効果の大きさに等しくなる厚さを備えるようにしたことを特徴とする、請求項１、２又は３のいずれかに記載の音響共振器。
【請求項５】
前記基板が、シリコン基板であるようにしたことを特徴とする、請求項１、２、３又は４のいずれかに記載の音響共振器。
【請求項６】
基板を設け、該基板上に薄膜を設け、該薄膜の少なくとも一部分が、前記基板と接触するようにしつつ浮かせた構造を成す音響共振器を組立てる方法において、
前記基板上に負の周波数温度係数を備えた電極・圧電体スタックを形成する工程と、
正の周波数温度係数を備えた強磁性体材料からなる補償手段層を、前記電極・圧電体スタックの形成工程に連続する一連の半導体プロセスによって、前記電極・圧電体スタックに重なるように所定の厚さにして、且つ前記電極・圧電体スタックよりも小幅寸法に形成する工程と、
前記補償手段層を包囲するように、且つ前記補償手段と前記電極・圧電体スタックとの寸法差に対応する前記補償手段の外周位置で前記電極・圧電体スタックの頂側電極に接触するように低損失電流経路を成すように金属雨仕舞い層を形成する工程とを有することを特徴とする音響共振器の組立方法。
【請求項７】
前記補償手段を形成する工程で、前記補償手段を構成する前記強磁性体材料として、ニッケル−鉄合金を使用することを特徴とする、請求項６に記載の音響共振器の組立方法。
【請求項８】
前記補償手段を形成する工程で、前記補償手段の厚さを、前記電極・圧電体スタックの作動が共振に与える温度誘導効果の大きさと前記補償手段層が前記共振に与える温度誘導効果の大きさとをほぼ一致させるように選択することを特徴とする、請求項６又は７のいずれかに記載の音響共振器の組立方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、概して音響共振器に関し、特に、音響共振器の共振周波数を制御する組立方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
薄膜から構成されている音響共振器は、精密に制御された周波数を必要とする多数の応用分野を有している。薄膜バルク音響共振器（ＦＢＡＲ）あるいはスタックされた薄膜バルク音響共振器（ＳＢＡＲ）は、大きさ、コストおよび周波数の安定性が重要なファクタであるセルラー電話他の装置におけるフィルタとして使える。
【０００３】
ＦＢＡＲは、二つの導電性電極間に圧電材料の薄膜を有し、また、ＳＢＡＲは、複数の追加の圧電材料層を有していて、その層のそれぞれが、二つの電極を分離している。固体的に取り付けられた共振器が周知であるが、ＦＢＡＲあるいはＳＢＡＲの活性層はしばしば、該層の周辺部分を支持して空中に浮かされていることがある。層スタックの両側において、空気／共振器界面に、動作中に発生したエネルギの一部が捕捉される。
【０００４】
時間的に変化する電界が圧電層によって分離されている二つの電極間に加えられるとき、圧電材料は、電気エネルギの一部分を音波の形で機械的なエネルギに変換する。この音波は電界と同じ方向に伝播し、空気／共振器界面において反射される。適切に作られたＦＢＡＲあるいはＳＢＡＲでは、音波は特定の機械的な共振をおこす。
【０００５】
上述したように、ＦＢＡＲあるいはＳＢＡＲはその機械的な共振周波数において動作できるときは電子的な共振器として機能するので、フィルタとして使える。この機械的な共振周波数において、共振器を伝わる音波の半波長は、圧電材料における音の所定の位相速度に対する共振器の全体の厚さにほぼ等しい。音響共振器は、単独であるいは組み合わせて使うことができる。例えば、数個の共振器を電気的に接続して所望のフィルタ応答を与える帯域フィルタが構成される。幾つかのフィルタ構成が可能である。一つの好ましい形態は、半はしご形であり、１群の共振器が直列に接続され（直列共振器）、直列共振器の間には接地されている並列共振器が接続されている。直列共振器は、その共振周波数が並列共振器のそれのほぼ３％だけ高くなるように製造される。圧電層の厚さは直列および並列共振器について等しくできるので、圧電材の堆積は共振器間で「共通化」されることが多い。
【０００６】
音響共振器の重要な特性が、共振を維持する能力にあることが明らかになってきた。これは、音響共振器が温度の変動を受ける環境に配置されるとき問題であることが分かった。それは、温度変化（ΔＴ）により共振器のいくつかの層に厚さの変化（Δｔ）や音波速度の変化（ΔＶ）がおこり、それらにより周波数シフト（Δｆ）が、生じるためである。特に、共振周波数ｆ０および周波数温度係数Δｆ／ｆ０は、それぞれ以下のように定義される。
ｆ０＝Ｖ／（２ｔ０）・・・・・・（１）
Δｆ／ｆ０＝ΔＶ／Ｖ―Δｔ／ｔ０・・・・・・（２）
ここでＶは音響共振器を通過する音波の速度であり、および、ｔ０は共振器の厚さである。この厚さは、音波に関して以下のように定義される。
ｔ０）＝λ／２・・・・・・・・・（３）
ここで、λは音波が伝播する媒体内における音波の波長である。音響共振器を製造するために使われる材料において、厚さｔ０は、通常、温度ΔＴの正変化に伴って増加する。他方、材料を通過する音波の速度は、通常、温度の正変化に伴って減少する。これらの二つの因子は、周波数の負の温度変化係数として呼ばれる現象を発生させるように組み合わせられる。式（１）および（２）から、音響共振器の共振周波数ｆ０は、通常、温度が高くなると小さくなることが判る。共振のこの変動は、しばしば、好ましくない特性となる。
【０００７】
温度変化に対して補償する周知の方法は、周波数安定化回路との協働である。しかしながら、セルラー電話および類似の装置における空間的な制約が、補助回路の使用を制限している。別の方法が、Ｋ．Ｍ．Ｌａｋｉｎ：“Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｒｅｓｏｎａｔｏｒｓ  ａｎｄ  Ｆｉｔｅｒｓ”、ＩＥＥＥ  ＵＬｔｒａｓｏｎｉｃｓ  Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ（１９９９年６月１日）において開示されている。
この第２の方法では、固体的に取り付けられた共振器（ＳＭＲ）からなり、これは、支持面からの周辺支持により浮かされているのではなく支持面に沿って取り付けられている。ＳＭＲとこれが形成されている基板の音響的な分離が、ＳＭＲと基板の間に反射体（ブラッグ反射体が普通である）を形成することによって行なわれる。この反射体は、ＳＭＲの共振周波数におけるほぼ１／２波長の厚さの各層からなる高屈折率および低屈折率材料を交互に有する層スタックである。この第２の方法によれば、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）を特定屈折率層の一方を形成するために使えば、ＳｉＯ２の温度係数の効果である程度の温度補償がなされる。しかしながら、ＳｉＯ２が親水性であるという欠陥のために、ＳＭＲの性能は、湿度で劣化する。他の懸案事項は、ＳｉＯ２が１／４波長層として構成されているために、補償のレベルが、目標共振周波数によって一部分決定されるということにある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
温度変化に対して一定共振を維持する能力を改善した音響共振器と該音響共振器の組立方法である。
本発明の他の目的は湿度の影響が少ない音響共振器と該音響共振器の組立方法である。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
音響共振器は、電極・圧電層スタックを備え、この電極・圧電層スタックは、電極・圧電層スタックに対して補償手段を音響的に接続することによって少なくとも部分的に相殺される負の周波数温度係数を備えている。補償手段は、この補償手段を共振に関して温度により誘導された効果を相殺するようにさせる性質を持った材料から構成されており、この効果は、電極・圧電層スタックに対する温度変化により生じるものである。
【００１０】
一つの実施例において、補償手段は、強磁性材料から構成される。さらに好ましい実施例においては、この材料は、ニッケルー鉄合金であり、最も好ましい実施例においては、この合金が、ほぼ３５％のニッケルとほぼ６５％の鉄により構成される。補償手段は、周波数の正の係数を有していなければならない。補償手段の厚さは、この補償手段の存在が共振に関する温度誘導効果の大きさが電極・圧電層スタックが与える負の周波数温度係数による共振に関する温度誘導効果の大きさにほぼ等しくなるように選択できる。一つの例として、スタックが厚さ１、５２０ｎｍの厚さを備える窒化アルミニウム層の反対側に１１０ｎｍの厚さのモリブデン電極を備えるとき、０ｐｐｍ／℃複合係数が、ニッケルー鉄合金補償手段が３３２ｎｍの厚さを備えているとき得られると考えられる。
【００１１】
強磁性体材料は、マイクロ周波数において大きな電気的な損失に関連するという不具合を有している。これを防ぐために、強磁性体合金を包囲するようにモリブデンの雨仕舞い層が用いられ、強磁性体合金の周囲に電流を逸らせる。例えば、モリブデンの薄膜層（２０ｎｍ）が、電極・圧電スタックの反対側にある補償手段の一方の側に形成できる。他の材料を使うこともできるが、好ましい実施例では、雨仕舞い材料は、電極材料と同じものが使われる。
【００１２】
なお、好ましい実施例を参照すると、補償手段と電極・圧電スタックは、基板の表面から浮かされる。かくして、共振層を基板に接触させるためのブラッグ反射体あるいはその他の機構を備える必要がなくなる。
【００１３】
電極・圧電スタックが通常示す負の周波数温度係数を補償する従来技術の手段に比較して、本発明の一つの利点は、本発明の補償手段が、目的とする共振周波数に必要な波長には無関係な厚さを維持することができることにある。すなわち、ブラッグ反射体内で１／４波長層となるべき厚さを備えるものに比較して、この補償手段の厚さは、補償手段の能力を調節するように選択できる。本発明のその他の利点は、補償手段が金属により形成されるので、電極の電気抵抗は、悪い影響を受けないで済むことにある。本発明のさらにその他の利点は、本実施例に好適なニッケルー鉄合金は、電極パターンの構成に従来用いられていたのと同じウェットエッチングによりエッチングできることである。その上、補償手段は親水性ではないので、湿度の高い環境において劣化することがない。
【００１４】
【発明の実施の形態】
図１において、本発明の一実施例の音響共振器１０は相対する電極１２，１４の対を有する。相対する電極１２，１４の間には圧電体１６があり、電極・圧電スタック１８が形成されている。この電極・圧電スタック１８は一般に薄膜バルク音響共振器（ＦＢＡＲ）と呼ばれている。
電極・圧電スタック１８に隣接して、温度変化に対する音響共振器１０の共振周波数の安定性を促進する補償手段２０が配置されている。これは、正の周波数温度係数を備える幾つかの材料により補償手段２０を形成して実現される。この正の周波数温度係数は、電極・圧電スタック１８が形成されている材料における負の周波数温度係数を補償する。
【００１５】
通常、圧電体１６は、十分に高い電気機械結合係数と低い誘電体定数を与える圧電材料により構成される。使うことのできる誘電体材料は、ＺｎＯ、ＡｌＮおよびＰＺＴである。電極１２と１４は、アルミニウム、金、モリブデン、チタン、タングステンなどのような導電性材料から構成される。圧電体１６、電極１２と１４を構成する材料の特性は、温度変化に応じて変化する。この変化により、温度の上昇に従って音響共振器１０の共振周波数は減少する。特にこれらの材料の速度特性は、温度上昇と共に減少するので、スタックを伝わる音波の速度を遅くする。さらに、材料の厚さは、温度上昇と共に厚くなる。
【００１６】
共振における温度変化への支配的な寄与は、スタックを形成している材料の速度特性の変化に帰することができる。その結果、補償手段２０は、温度変化に対応して積極的に変化する速度特性を備えるように選択される。そのために、補償手段２０は、およそ３５％のニッケルと６５％の鉄から構成されている金属合金が好ましい。この合金は、ＩＮＶＡＲという商標で、Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｎｉｃｋｌｅ  Ｃｏｍｐａｎｙによって販売されている。この合金は、温度変化に対してほとんど不変の厚さを備えた層を形成する。速度特性は、しかしながら、温度の変化に伴って積極的に変化する。Ｙ．Ｅｎｄｏｈ他：“Ｚｅｒｏ  Ｓｏｕｎｄ  Ａｎｏｍａｌｙ  ｉｎ  ａ  Ｆｅｒｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ  ＩＮＶＡＲ  Ａｌｌｏｙ”、Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  ｔｈｅ  Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｓｏｃｉｅｔｙ  ｏｆ  Ｊａｐａｎ，Ｖｏｌ．４６，Ｎｏ．３，ｐ．８０４−８１４（Ｍａｒｃｈ  １９７９）には、ＩＮＶＡＲが＋１７０ｐｐｍ／℃の周波数温度係数を有していることを示唆している。一方、これに比較して、Ｌ．Ｉ．Ｍａｎｏｓａ他：“Ａｃｏｕｓｔｉｃ−ｍｏｄｅ  Ｖｉｂｒａｔｉｏｎａｌ  Ａｎｈａｒ−ｍｏｎｉｃｉｔｙ  Ｒｅｌａｔｅｄ  ｔｏ  ｔｈｅ  Ａｎｏｍａ−  ｌｏｕｓＴｈｅｒｍａｌ  Ｅｘｐａｎｓｉｏｎ  ｏｆ  ＩＮＶＡＲ  Ｉｒｏｎ  Ａｌｌｏｙｓ”、Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｒｅｖｉｅｗ  Ｂ，Ｔｈｅ  Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｓｏｃｉｅｔｙ，ｖｏｌｕｍｅ  ４５，Ｎｏ．５，ｐ．２２２４−２２３６（１  Ｆｅｂｒｕａｒｙ  １９９２）により示されているデータにおいては、ＩＮＶＡＲの周波数温度係数がおよそ＋２３９ｐｐｍ／℃でるとされている。補償手段２０の厚さを適切に選択することによって、音響共振器１０は、実質的に０である複合周波数温度係数を有するように形成できる。あるいは、この複合周波数温度係数の大きさは、正あるいは負に設定できるので、共振の変化は、温度に正比例するかあるいは反比例する。このようにして音響共振器１０は、その応用に対応して必要な温度係数を実質的に与えることができる。
【００１７】
図２において、電源２２が、電極１２と電極１４の間に接続される。電源２２によって、電極１２と電極１４との間に発生された電界は、圧電体１６内で音波を発生する。音波は、面２６と面２８間を伝わる。面２６は、補償手段２０と周囲の環境との界面である。面２８は、電極１４と周囲の環境との界面である。
【００１８】
前述したように、音響共振器の各層は、温度に従って変化する厚さ（ｔ）と音波速度（Ｖ）を有している。音響共振器内を面２６と面２８間を伝わる波の位相（φ）は、音響共振器の周波数の関数として変化するとされている。特に、図１および図２の音響共振器１０内を伝わる波の位相は次式であらわせる：
φ＝２πｆ（ｔ１／Ｖ１＋ｔ２／Ｖ２＋ｔ３／Ｖ３＋ｔ４／Ｖ４）・・・・・（４）。
ここで、ｔ１およびＶ１が底部電極１４の性質に関係し、ｔ２およびＶ２が圧電体１６のの性質に関係し、ｔ３およびＶ３が上部電極１２の性質に関係し、および、ｔ４およびＶ４が補償手段２０の性質に関係する厚さと音波速度である。
周波数の安定性は、φ＝πおよび式（４）におけるカッコ内の係数の和が一定であるとき、得られる。本発明の好ましい実施例において、この和は、第４の係数（例えば、ｔ４／Ｖ４）をその他の三つの係数（例えば、ｔ１／Ｖ１＋ｔ２／Ｖ２＋ｔ３／Ｖ３）の和とは反対に変化させることによりほぼ固定できる。
【００１９】
音響共振器１０の温度が上昇すると、圧電体１６内の音波２４の速度Ｖ２は、遅くなるとともに厚さｔ２が厚くなる。さらに、Ｖ１およびＶ３として示されている電極１２と１４を伝わる音波の速度は、それぞれ、遅くなり、厚さｔ１およびｔ３は、厚くなる。しかしながら、音波の遅くなった速度は、補償手段２０の存在により補償される。特に、補償手段２０内の音波の速度Ｖ４は、温度の上昇につれて大きくなる。補償手段内における温度により誘導された変化の大きさが電極・圧電スタックにおける温度により誘導されたこのような変化の大きさに等しいとすると、面２６および面２８間を伝わる音波における全体の位相φには、知覚できる変化は認められないであろう。従って、音響共振器１０における共振周波数は、温度の変化の存在する範囲内で維持される筈である。
【００２０】
図３に示す本発明の特定の実施例において、音響共振器１１０は、従来周知の半導体プロセスを用いて組立られる。そのために、音響共振器１１０は、キャビティ１３２を形成するようにエッチングされた一つの面を備えたシリコンウェファ１３０上に組立てられる。これは、ＫＯＨを用いて、プリスロッティングとして知られているシリコンの数ミクロンの除去により行なわれる。ＫＯＨによって除去されるシリコンの量は、引き続く処理中にウェファ１３０の構造的な欠陥の発生を避けるために選ばれる。ＰＳＧ（  Ｐｈｏｓｐｈｏ−ｓｉｌｉｃａｔｅ  ｇｌａｓｓ）膜１３４が、キャビティ内に挿入され、周知の機械的なやり方で平らに研磨される。ＰＳＧ膜１３４の挿入とそれに引き続く除去のプロセスは、米国特許第６．０６０，８１８号明細書に記載されている。
【００２１】
ＰＳＧ膜１３４がキャビティ１３２内に形成された後、一つの電極１１４が、ウエファ１３０の面に堆積される。この実施例においては、電極１１４は、スパッタ技術により堆積されて約１１０ｎｍの厚さのモリブデン層を形成する。これは、約−４５ｐｐｍ／℃の負の周波数温度係数を備えた電極１１４を生じる。
【００２２】
圧電体が、約１、５２０ｎｍの厚さを備えて電極１１４に隣接してＡｌＮの層を蒸着によって形成される。これは、約−２５ｐｐｍ／℃の負の周波数温度係数を備えた圧電体１１６を生じる。
【００２３】
モリブデンから形成される追加の電極１１２が、次いで、約１１０ｎｍの厚さを備えるようにＡｌＮ１１６に隣接して蒸着される。補償手段１２０が、約３３２ｎｍの厚さを備えるようにスパッタ技術を用いて電極１１２に隣接して形成される。補償手段は、約１７０ｐｐｍ／℃の正の周波数温度係数を備えている。製造中、部材１１２、１１６および１２０のエッジは、写真製版的にエッチングされて互いにおよびキャビティ１３２のエッジと整合させられる。かくして、浮かされたスタックのすべての点が、同一の共振周波数ｆ０を備えることになる。その結果、部分質量負荷効果によって生じる「スプリアス」共振が阻止される。
【００２４】
電極１１２と補償手段１２０の堆積後、ＰＳＧ膜１３４は、共振器構造の下方からエッチングされてキャビティ１３２の形成を完成させる。これは、希釈されたフッ化水素酸溶液を用いて行なうことができる。残りの膜の除去により、電極１１４の基本的な部分は残り、従って、音響共振器１１０はウエファ１３０から距離を置いて配置されることになる。
【００２５】
このようにして、音響共振器１１０は、約０ｐｐｍ／℃の周波数温度係数を備えるように形成される。かくして、本実施例の音響共振器１１０は、−３０℃〜８５℃の温度変化範囲で、約１．９ＧＨｚの一定共振周波数を維持するように組立られる。この技術は、０．４〜１０ＧＨｚの範囲にある周波数において音響共振器を形成するように適用可能である。
【００２６】
図４において、本発明のさらに別の実施例である音響共振器２１０が、補償手段２２０を覆う雨仕舞い２３０を備えるように示されている。ここで、補償手段２２０が形成される好ましい材料は、大きな電気的な損失を示す強磁性体材料である。この損失の存在は、音響共振器のＱ（良さの指数）を劣化させ、従って、具合が悪い。雨仕舞い２３０は、補償手段２２０の回りに低損失電流経路を形成するために設けられている。そのために、雨仕舞い２３０は、補償手段２２０の露出された部分を被覆し、すなわち、電極２１２に隣接していない領域を被覆する。雨仕舞い２３０はいかなる導電性の材料からも形成できるが、雨仕舞い２３０は、電極２１２と電極２１４と同じ材料から形成されることが好ましい。雨仕舞いは、写真製版的にパターン化されるので、電極２１２のエッジ上における雨仕舞い２３０の過剰質量はシリコン基板２３２上にある。これは、「スプリアスの」共振を抑制するのに効果的である。
【００２７】
雨仕舞い２３０および電極２１２、２１４は、モリブデン（Ｍｏ）から形成され、それぞれ、約１１０ｎｍの厚さを備えている。圧電体２１６が、−２５ｐｐｍ／℃である負の周波数温度係数を備えるＡｌＮから形成される。従って、音響共振器２１６が約０ｐｐｍ／℃である周波数温度係数を備えることが望ましいときは、補償手段２２０は、十分な厚さを備えて相殺する正の周波数温度係数を提供しなければならない。このような構成によって、シリコン基板の音響共振器２１０は、−３０℃〜８５℃の温度変化範囲で、２００ＭＨｚ〜１０ＧＨｚの範囲で選択された周波数において一定の共振周波数に維持することができる。
【００２８】
上述の説明および添付の図面に基づいて本発明に対して種々の修正を行なうことは、当該技術に通常に知識を有するものであれば容易に行ない得ることであろう。例えば、上記議論は、ＦＢＡＲ技術に関するものであった。しかしながら、本発明は、ＳＢＡＲ技術にも等しく適用可能である。さらに、補償手段は、基板の反対側の電極・圧電スタックの片側に配置されるように示されたが、補償手段は、基板上に直接形成することも、基板に接触する雨仕舞い上にけいせいすることもできよう。従って、本発明は、上述された実施例に限定されるものではなく、添付の特許請求の範囲およびその均等物によって定められるべきものである。
以下に、本発明の実施態様を例示して大方の参考に供する。
【００２９】
（実施態様１）
基板（１３０および２３２）と、前記基板に集積された層状スタック（１８）であって、浮かされた部分を備え、前記浮かされた部分が、圧電体（１６；１１６および２１６）および前記圧電体に電界を加えるように配置された電極（１２および１４；１１２および１１４；および２１２および２１４）からなり、前記圧電体および前記電極が、共振するとともに負の周波数温度係数を備えているようにした層状スタック（１８）と、前記圧電体および前記電極に音響的に接続された補償手段（２０；１２０および２２０）であって、前記補償手段が前記負の周波数温度係数の関数である前記共振に対する温度誘導効果を少なくとも一部分相殺するような性質を備えた材料から構成されているようにした補償手段（２０；１２０および２２０）とを有する音響共振器（１０；１１０および２１０）。
【００３０】
（実施態様２）
前記補償手段（２０；１２０および２２０）が、前記電極（１２；１１２および２１２）の一つによって前記圧電体（１６；１１６および２１６）から距離を置いて配置されている強磁性体層であるようにした実施態様１に記載の音響共振器。
【００３１】
（実施態様３）
前記層状スタック（１８）が、前記浮かされている部分を支持するように前記基板に接触する周辺領域を含むようにした実施態様１あるいは２に記載の音響共振器。
【００３２】
（実施態様４）
前記層状スタック（１８）がさらに、前記電極（２１２および２１４）と前記圧電体（２１６）の反対側である前記補償手段（２２０）の一方の側に金属雨仕舞い層（２３０）を含んでいるようにした実施態様１に記載の音響共振器。
（実施態様５）
前記層状スタック（１８）が、薄膜バルク共振器（ＦＢＡＲ）スタックであるようにした実施態様１、２、３あるいは４に記載の音響共振器。
【００３３】
（実施態様６）
前記補償手段（２０；１２０および２２０）が、正の周波数温度係数を備えた材料から形成されるとともに前記補償手段の存在によって前記共振に与える温度誘導効果の大きさが前記負の周波数温度係数における関数としての前記共振に関しする前記温度誘導効果の大きさに等しくなるような厚さを備えているようにした実施態様１、２、３、４あるいは５に記載の音響共振器。
【００３４】
（実施態様７）
前記基板（１３０および１３２）が、シリコン基板であり、前記電極（１２および１４；１１２および１１４；および２１２および２１４）および前記補償手段（２０；１２０および２２０）が、金属層であるようにした実施態様１、２、３、４、５あるいは６に記載の音響共振器。
【００３５】
（実施態様８）
基板（１３０および２３２）を設け、該基板上に薄膜を設け、該薄膜の少なくとも一部分が、前記基板と接触するようにして浮かせた音響共振器（１０；１１０および２１０）を組立てる方法において、
（ａ）負の周波数温度係数を備えた電極・圧電体スタック（１８）を形成し、
（ｂ）正の周波数温度係数を備えた材料からなり、前記電極・圧電体スタック（１８）に隣接して補償手段層（２０；１２０および２２０）を形成することを含む音響共振器の組立方法。
【００３６】
（実施態様９）
前記（ｂ）の過程が、ニッケル−鉄合金からなる材料を選択する過程を含んでいるようにした実施態様８に記載の音響共振器の組立方法。
（実施態様１０）
前記（ｂ）の過程が、前記電極・圧電体スタック（１８）の作動が共振に与える温度誘導効果の大きさと前記補償手段層（２０；１２０および２２０）が前記共振に与える温度誘導効果の大きさとをほぼ一致させるように層の厚さを選択する過程を含んでいるようにした実施態様８あるいは９に記載の音響共振器の組立方法。
【００３７】
（実施態様１１）
前記薄膜を形成する過程がさらに、前記電極・圧電体スタック（１８）の反対側である前記補償手段層（２０；１２０および２２０）の一方の側に金属雨仕舞い層（２３０）を含んでいるようにした実施態様８、９あるいは１０に記載の音響共振器の組立方法。
【００３８】
【発明の効果】
本発明の効果を例示再掲すれば次の通り。
本発明の補償手段が、目的とする共振周波数に必要な波長には無関係な厚さを維持することができることにある。すなわち、ブラッグ反射体内で１／４波長層となるべき厚さを備えるものに比較して、この補償手段の厚さは、補償手段の能力を調節するように選択できる。
本発明のその他の利点は、補償手段が金属により形成されるので、電極の電気抵抗は、悪い影響を受けないで済むことにある。
本発明のさらにその他の利点は、本実施例に好適なニッケルー鉄合金は、電極パターンの構成に従来用いられていたのと同じウェットエッチングによりエッチングできることである。
また、別の利点は、補償手段は親水性ではないので、湿度の高い環境において劣化することがないことである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による音響共振器の側断面図である。
【図２】図１に示される音響共振器が、電源に接続されている状態を示す側断面図である。
【図３】ウェファ上に形成された図１に示す音響共振器の側断面図である。
【図４】本発明の他の実施例による音響共振器の側断面図である。
【符号の説明】
１０；１１０および２１０  音響共振器
１２、１４；１１２、１１４；および２１２、２１４  電極
１６；１１６および２１６  圧電体
１８  層状スタック
２０；１２０および２２０  補償手段
１３０および２３２  基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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