(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理するための処理室と、
前記処理室内に配置され、第１及び第２の面を有し、前記第１の面に基板を保持して加熱処理する熱板と、
前記処理室内に処理気体を供給する供給手段と、
前記処理室内を排気する排気手段と、
前記熱板の第２の面の外周の内側に沿って設けられ、前記供給手段から供給された処理気体を一旦蓄えて前記熱板の外縁から該熱板の表面に向けて案内する案内室とを具備し、
前記案内室は、前記供給手段から供給された処理気体を前記熱板裏面の外周に沿って案内すると共に、前記熱板に接続された案内板を具備することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
基板を処理するための処理室と、
前記処理室内に配置され、第１及び第２の面を有し、前記第１の面に基板を保持して加熱処理する熱板と、
前記処理室内に処理気体を供給する供給手段と、
前記処理室内を排気する排気手段と、
前記熱板の第２の面の外周の内側に沿って設けられ、前記供給手段から供給された処理気体を一旦蓄えて前記熱板の外縁から該熱板の表面に向けて案内する案内室とを具備し、
前記案内室は、前記供給手段から供給された処理気体を前記熱板裏面の外周に沿って案内する案内溝を有する案内路を具備することを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項１または２記載の基板処理装置において、
前記供給手段は、前記処理気体を温調する温調部を具備することを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項１または２記載の基板処理装置において、
前記案内室に、前記案内室内をパージするための気体を供給するための手段を更に具備することを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項１または２記載の基板処理装置において、
前記供給手段は、前記案内室に対して一箇所から処理気体を供給することを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項１または２記載の基板処理装置において、
前記基板には粒子またはコロイドを溶媒に分散させた塗布液が塗布されており、
前記処理気体には蒸気化されたアンモニアが含まれていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
請求項１または２記載の基板処理装置において、
前記処理室は、
前記第１の面が露出面となるように前記熱板が配置された本体と、
前記本体に対して接離可能に配置され、前記本体に対して接触しているときに前記本体との間で基板を処理するための密閉空間を形成する蓋体と
を具備することを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
請求項７記載の基板処理装置において、
前記蓋体には、前記熱板により保持された基板のほぼ中央に対応する位置に排気用の排気口が設けられ、
前記排気手段は、前記排気口を介して前記密閉空間内を排気することを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】
請求項８記載の基板処理装置において、
前記排気口を塞ぐように配置され、複数の透孔が設けられた部材を更に具備することを特徴とする基板処理装置。
【請求項１０】
請求項７記載の基板処理装置において、
前記蓋体を温調する蓋体温調機構を更に具備することを特徴とする基板処理装置。
【請求項１１】
請求項１または２記載の基板処理装置において、
前記処理室内の処理気体の濃度を検出する手段と、
前記検出された濃度に基づき、前記処理室内で基板を処理するための処理時間を制御する手段と
を更に具備することを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体デバイスの製造工程等に用いられる基板処理装置の技術分野に属し、例えば基板上に絶縁膜材料として塗布された、粒子またはコロイドを有機溶媒に分散させたゾル状の塗布膜をゲル化する際にゲル化処理を施すための基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイスの製造工程においては、例えば、ＳＯＤ（Ｓｐｉｎ  ｏｎ  Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）システムにより層間絶縁膜を形成している。このＳＯＤシステムでは、例えばウエハ上に塗布膜をスピンコートし、化学的処理または加熱処理等を施して層間絶縁膜を形成している。
【０００３】
例えばこのような層間絶縁膜を形成する場合には、まず半導体ウエハ（以下、「ウエハ」と呼ぶ。）上に絶縁膜材料、例えばＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）のコロイドを有機溶媒に分散させた溶液を供給する。次に、溶液が供給されたウエハをゲル化処理し、次いで溶媒の置換を行う。そして、溶媒の置換されたウエハを加熱処理している。
【０００４】
これら一連の工程のうちウエハをゲル化処理（エージング処理）する工程では、例えば蒸気化されたアンモニアを含む処理気体を供給しつつ排気するように構成された処理室内でウエハを例えば１００℃前後で加熱処理している。これにより、絶縁膜材料として塗布された塗布膜に含まれるＴＥＯＳのコロイドがゲル化して網目状に連鎖される。
【０００５】
そして、処理室内に処理気体を供給するための構成としては、例えばウエハ表面の外周の外側に沿って加熱された処理気体を吹き出す供給孔を多数設け、これらの供給孔からウエハの表面に向けて処理気体を供給することが考えられる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述したウエハをゲル化処理する工程においては、均一なゲル化処理を行うために、処理の際に処理温度を一定に保つこと及びアンモニアを含む処理気体をウエハ上に均一に供給することが重要である。
【０００７】
しかしながら、上述した構成において、供給する処理気体を一定温度に保つためには、例えば温度検出手段を設けて該温度検出結果に基づき処理気体の温度をフィードバック制御するような構成が必要とされるが、その場合に構成が複雑になるという課題に加え、特に過熱状態となった場合に適正な温度に戻す場合に多大な時間を要するために処理温度を一定に保つことが困難である、という課題がある。
【０００８】
また処理気体を供給するための装置に接続された供給孔のうち、該装置の近くに接続された供給孔の方がより多量に処理気体を供給する傾向が強いため、処理気体をウエハ上に均一に供給することが困難である、という課題がある。
【０００９】
そこで、本発明は、簡単な構成で処理温度を一定に保つことができ、更に処理気体を基板上に均一に供給することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の主要な観点は、基板処理装置において、基板を処理するための処理室と、前記処理室内に配置され、第１の及び第２の面を有し、前記第１の面に基板を保持して加熱処理する熱板と、前記処理室内に処理気体を供給する供給手段と、前記処理室内を排気する排気手段と、前記熱板の第２の面の外周の内側に沿って設けられ、前記供給手段から供給された処理気体を一旦蓄えて前記熱板の外縁から該熱板の表面に向けて案内する案内室とを具備し、前記案内室は、前記供給手段から供給された処理気体を前記熱板裏面の外周に沿って案内すると共に、前記熱板に接続された案内板を具備する。
【００１１】
本発明では、供給室から供給された処理気体が熱板裏面に設けられて基板の加熱処理温度とほぼ同じ温度とされた案内室内に一旦蓄積され、基板の加熱処理温度とほぼ同じ温度とされるので、簡単な構成で処理温度を一定に保つことができる。また本発明では、案内室が熱板裏面の外周の内側に沿って設けられ、供給手段から供給された処理気体を熱板の外縁から該熱板の表面に向けて案内するように構成されているので、供給手段から供給された処理気体が案内室の熱板裏面の外周の内側に回り込んでから基板上に供給される。従って、処理気体を基板上に均一な濃度及び温度で供給することができる。
【００１２】
本発明のこれらの目的とそれ以外の目的と利益とは、以下の説明と添付図面とによって容易に確認することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
先ず、本発明の基板処理装置としてのＳＯＤ（Ｓｐｉｎ  ｏｎ  Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）システムを説明する。図１〜図３はこのＳＯＤシステムの全体構成を示す図であって、図１は平面図、図２は正面図および図３は背面図である。
【００１４】
このＳＯＤシステム１は、基板としての半導体ウエハ（以下、ウエハと呼ぶ。）ＷをウエハカセットＣＲで複数枚たとえば２５枚単位で外部からシステムに搬入しまたはシステムから搬出したり、ウエハカセットＣＲに対してウエハＷを搬入・搬出したりするためのカセットブロック１０と、ＳＯＤ塗布工程の中で１枚ずつウエハＷに所定の処理を施す枚葉式の各種処理ステーションを所定位置に多段配置してなる処理ブロック１１と、エージング工程にて必要とされるアンモニア水のボトル、バブラー、ドレインボトル等が設置されたキャビネット１２とを一体に接続した構成を有している。
【００１５】
カセットブロック１０では、図１に示すように、カセット載置台２０上の突起２０ａの位置に複数個例えば４個までのウエハカセットＣＲがそれぞれのウエハ出入口を処理ブロック１１側に向けてＸ方向一列に載置され、カセット配列方向（Ｘ方向）及びウエハカセットＣＲ内に収納されたウエハのウエハ配列方向（Ｚ垂直方向）に移動可能なウエハ搬送体２１が各ウエハカセットＣＲに選択的にアクセスするようになっている。更に、このウエハ搬送体２１は、θ方向に回転可能に構成されており、後述するように処理ブロック１１側の第３の組Ｇ３  の多段ステーション部に属する受け渡し・冷却プレート（ＴＣＰ）にもアクセスできるようになっている。
【００１６】
処理ブロック１１では、図１に示すように、中心部に垂直搬送型の主ウエハ搬送機構２２が設けられ、その周りに全ての処理ステーションが１組または複数の組に亙って多段に配置されている。この例では、４組Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４  の多段配置構成であり、第１および第２の組Ｇ１，Ｇ２  の多段ステーションはシステム正面（図１において手前）側に並置され、第３の組Ｇ３  の多段ステーションはカセットブロック１０に隣接して配置され、第４の組Ｇ４  の多段ステーションはキャビネット１２に隣接して配置されている。
【００１７】
図２に示すように、第１の組Ｇ１  では、カップＣＰ内でウエハＷをスピンチャックに載せて絶縁膜材料を供給し、ウエハを回転させることによりウエハ上に均一な絶縁膜材料を塗布するＳＯＤ塗布処理ステーション（ＳＣＴ）と、カップＣＰ内でウエハＷをスピンチャックに載せてＨＭＤＳ及びヘプタン等のエクスチェンジ用薬液を供給し、ウエハ上に塗布された絶縁膜中の溶媒を乾燥工程前に他の溶媒に置き換える処理を行うソルベントエクスチェンジ処理ステーション（ＤＳＥ）とが下から順に２段に重ねられている。
【００１８】
第２の組Ｇ２  では、ＳＯＤ塗布処理ステーション（ＳＣＴ）が上段に配置されている。なお、必要に応じて第２の組Ｇ２  の下段にＳＯＤ塗布処理ステーション（ＳＣＴ）やソルベントエクスチェンジ処理ステーション（ＤＳＥ）等を配置することも可能である。
【００１９】
図３に示すように、第３の組Ｇ３  では、２個の低酸素高温加熱処理ステーション（ＯＨＰ）と、低温加熱処理ステーション（ＬＨＰ）と、２個の冷却処理ステーション（ＣＰＬ）と、受け渡し・冷却プレート（ＴＣＰ）と、冷却処理ステーション（ＣＰＬ）とが上から順に多段に配置されている。ここで、低酸素高温加熱処理ステーション（ＯＨＰ）は密閉化可能な処理室内にウエハＷが載置される熱板を有し、熱板の外周の穴から均一にＮ２  を吐出しつつ処理室上部中央より排気し、低酸素化雰囲気中でウエハＷを高温加熱処理する。低温加熱処理ステーション（ＬＨＰ）はウエハＷが載置される熱板を有し、ウエハＷを低温加熱処理する。冷却処理ステーション（ＣＰＬ）はウエハＷが載置される冷却板を有し、ウエハＷを冷却処理する。受け渡し・冷却プレート（ＴＣＰ）は下段にウエハＷを冷却する冷却板、上段に受け渡し台を有する２段構造とされ、カセットブロック１０と処理ブロック１１との間でウエハＷの受け渡しを行う。
【００２０】
第４の組Ｇ４  では、低温加熱処理ステーション（ＬＨＰ）、２個の低酸素キュア・冷却処理ステーション（ＤＣＣ）と、エージング処理ステーション（ＤＡＣ）とが上から順に多段に配置されている。ここで、低酸素キュア・冷却処理ステーション（ＤＣＣ）は密閉化可能な処理室内に熱板と冷却板とを隣接するように有し、Ｎ２  置換された低酸素雰囲気中で高温加熱処理すると共に加熱処理されたウエハＷを冷却処理する。エージング処理ステーション（ＤＡＣ）は密閉化可能な処理室内にＮＨ３  ＋Ｈ２Ｏを導入してウエハＷをエージング処理し、ウエハＷ上の絶縁膜材料膜をウエットゲル化する。
【００２１】
図４は主ウエハ搬送機構２２の外観を示した斜視図であり、この主ウエハ搬送機構２２は上端及び下端で相互に接続され対向する一対の壁部２５、２６からなる筒状支持体２７の内側に、上下方向（Ｚ方向）に昇降自在なウェハ搬送装置３０を装備している。筒状支持体２７はモータ３１の回転軸に接続されており、このモータ３１の回転駆動力によって、前記回転軸を中心としてウェハ搬送装置３０と一体に回転する。従って、ウェハ搬送装置３０はθ方向に回転自在となっている。このウェハ搬送装置３０の搬送基台４０上にはピンセットが例えば３本備えられている。これらのピンセット４１、４２、４３は、いずれも筒状支持体２７の両壁部２５、２６間の側面開口部４４を通過自在な形態及び大きさを有しており、Ｘ方向に沿って前後移動が自在となるように構成されている。そして、主ウエハ搬送機構２２はピンセット４１、４２、４３をその周囲に配置された処理ステーションにアクセスしてこれら処理ステーションとの間でウエハＷの受け渡しを行う。
【００２２】
図５は上述したエージング処理ステーション（ＤＡＣ）の断面図、図６はその平面図である。図７はエージング処理ステーション（ＤＡＣ）における処理室の構成を示す断面図、図８は図７におけるＡ矢視図、図９は図７におけるＢ矢視図、図１０は図７におけるＣ矢視図である。
【００２３】
図５及び図６に示すように、エージング処理ステーション（ＤＡＣ）の中央には、処理室５１が配置されている。処理室５１は処理室本体５２とこの処理室本体５２に対して昇降可能に配置された蓋体５３とを有する。また、処理室５１に隣接するように２つの昇降シリンダー５４，５５が配置されている。昇降シリンダー５４は支持部材５６を介して蓋体５３に接続されており、蓋体５３を昇降駆動する。また昇降シリンダー５５は支持部材５７を介して後述する３本の支持ピンに接続され、支持ピンを昇降駆動する。
【００２４】
図７に示すように、処理室本体５２のほぼ中央には熱板６０が配置されている。この熱板６０内にはヒータ８１が内蔵されている。熱板６０はヒータ８１によってエージング処理を行うための温度、例えば１００℃前後に加熱されるようになっている。また熱板６０表面から裏面には、複数個、例えば３個の孔６１が同心円上に設けられている。各孔６１には上述した支持ピン５８が熱板６０表面から出没可能に位置されている。そして支持ピン５８は、熱板６０の表面から突き出た状態で、主ウエハ搬送機構２２との間でウェハＷの受け渡しを行う。主ウエハ搬送機構２２からウエハＷを受け取った支持ピン５８は、下降して熱板６０内に没し、これによりウエハＷが熱板６０上に載置され、ウエハＷの加熱が行われるようになっている。更にウエハＷを熱板６０上に密着することなく熱板６０上で浮かせて保持するためのプロキシミティシート６２が熱板６０表面のウエハＷ載置位置の外周部の複数カ所、例えば６カ所に配置されている。またプロキシミティシート６２は、それぞれウエハＷ載置位置の外側に延在しており、各プロキシミティシート６２の延在した位置には、それぞれウエハＷの案内用の案内ガイド６３が配置されている。
【００２５】
また上述したように処理室本体５２の上方には蓋体５３が昇降可能に配置されている。処理室本体５２外周の蓋体５３の密着面には、シール部材７７が配置されており、またこの密着面には図示を省略した真空引き装置に接続された吸引孔６４が複数設けされている。そして、蓋体５３が下降した状態で、吸引孔６４が真空引きされて蓋体５３外周の密着面と処理室本体５２の密着面とが密着して処理室５１内に密閉空間Ｓを形成するように構成されている。更に蓋体５３のほぼ中央、つまり熱板６０の上方中央には、排気装置８２に接続された排気口６５が設けられている。また更に、この蓋体５３内にはヒータ８３が内蔵されている。上述した熱板６０と同様に蓋体５３についてもこのヒータ８３によってエージング処理を行うための温度と同程度の温度に加熱されるようになっている。これにより、処理気体が蓋体５３に結露するのを防止することができる。
【００２６】
処理室本体５２の裏面外周寄りには、処理室５１内に蒸気化されたアンモニア（ＮＨ３  ）が含まれた処理気体及びパージ用の窒素（Ｎ２  ）ガスを供給するガス供給部８４に接続されたただ１つの供給路６６が設けられている。熱板６０裏面の外周の内側に沿って、供給路６６を介してガス供給部８４から供給された処理気体を一旦蓄えて熱板６０の外縁から該熱板６０の表面に向けて案内する案内室６７が設けられている。ガス供給部８４は、例えばタンクに蓄積された蒸気化されたアンモニア（ＮＨ３  ）が含まれた処理気体（ＮＨ３＋Ｈ２Ｏ）及びパージ用の窒素（Ｎ２  ）ガスのうちいずれかを選択的に供給する。また、ガス供給部８４はこれらのガスを予熱する機能も有する。例えばこの予熱は実際の処理温度と同程度としてもよいが、処理温度よりも少し低い温度としてもよい。実際の処理温度と同程度とすると、過熱状態となった場合に正常な処理温度に低下させることができなくなるからである。
【００２７】
制御部８５は上述したヒーター８１，８３や排気装置８２のオン・オフの制御や、ガス供給部８４の切り替えを制御する。排気口６５と排気装置８２との間には、処理気体の濃度を検出するためのモニター８６が設けられており、このモニター８６により検出された結果は制御部８５に伝えられるようになっている。
【００２８】
上述した３本の支持ピン５８は、その下部において連結部材９１に連結されており、この連結がなされた空間は下部蓋８７で覆われている。連結部材９１は、昇降駆動用の棒状部材８８に接続され、棒状部材８８は下部蓋８７に設けられた孔８９を介して外部に出て、外部の支持部材５７に連結されている。連結部材９１と下部蓋８７との間にはシール用のＯリング９０が配置されており、支持ピン５８が下降して熱板６０上にウエハＷが載置されたとき、連結部材９１と下部蓋８７との間でＯリング９０が挟まるようになっている。これにより、下部蓋８７の密閉性が確保され、この結果密閉空間Ｓ内の密閉性が確保される。
【００２９】
案内室６７内には、案内室６７内を上下に仕切るための仕切板６８が設けられている。そして仕切板６８によって仕切られた下方室６９の底面外側には上記のただ１つの供給路６６が設けられ、下方室６９の内側において下方室６９は仕切板６８によって仕切られた上方室７０との間で連通している。このように上下室構造とすることで処理気体が案内室６７内を通過する実質的な距離を長くすることができ、案内室６７内における処理気体の蓄熱による温度制御の効果をより高めることができ、また案内室６７内における処理気体の回り込みの効果をより高めることができ、処理気体をウエハＷ上により均一に供給することができる。
【００３０】
また下方室６９の底面には、ガス供給部８４から供給された処理気体を熱板６０裏面の外周に沿って案内する案内溝７１が例えば４本設けられている。案内溝７１は図１０に示すように内側に行くたびに２方向に２回分岐して最内周側で円を描いている。更に上方室７０には、図８及び図９に示すように、ガス供給部８４から供給された処理気体を熱板６０裏面の外周に沿って案内する環状の案内板７２〜７５が例えば４枚設けられている。最内周に配置された案内板７２は仕切板６８上に配置され、熱板６０裏面との間で隙間を有し、次の案内板７３は熱板６０裏面に配置され、仕切板６８との間で隙間を有し、次の案内板７４は仕切板６８上に配置され、熱板６０裏面との間で隙間を有し、最外周の案内板７５は熱板６０裏面に配置され、仕切板６８との間で隙間を有する。そして、処理室本体５２の内周と熱板６０の外縁との間に隙間７６が設けられ、この隙間７６を介して案内室６７から熱板６０の表面に処理気体及びパージ用の窒素（Ｎ２  ）ガスが供給されるようになっている。
【００３１】
次にこのように構成されたＳＯＤシステム１における動作について説明する。図１１はこのＳＯＤシステム１における処理フローを示している。
【００３２】
まずカセットブロック１０において、処理前のウエハＷはウエハカセットＣＲからウエハ搬送体２１を介して処理ブロック１１側の第３の組Ｇ３に属する受け渡し・冷却プレート（ＴＣＰ）における受け渡し台へ搬送される。
【００３３】
受け渡し・冷却プレート（ＴＣＰ）における受け渡し台に搬送されたウエハＷは主ウエハ搬送機構２２を介して冷却処理ステーション（ＣＰＬ）へ搬送される。そして冷却処理ステーション（ＣＰＬ）において、ウエハＷはＳＯＤ塗布処理ステーション（ＳＣＴ）における処理に適合する温度まで冷却される（ステップ９０１）。
【００３４】
冷却処理ステーション（ＣＰＬ）で冷却処理されたウエハＷは主ウエハ搬送機構２２を介してＳＯＤ塗布処理ステーション（ＳＣＴ）へ搬送される。そしてＳＯＤ塗布処理ステーション（ＳＣＴ）において、ウエハＷはＳＯＤ塗布処理が行われる（ステップ９０２）。
【００３５】
ＳＯＤ塗布処理ステーション（ＳＣＴ）でＳＯＤ塗布処理が行われたウエハＷは主ウエハ搬送機構２２を介してエージング処理ステーション（ＤＡＣ）へ搬送される。エージング処理ステーション（ＤＡＣ）の処理室５１では、支持ピン５８が熱板６０の表面から突き出た状態で、主ウエハ搬送機構２２からウエハＷを受け取る。次に、支持ピン５８が下降して熱板６０上に載置されると共に、蓋体５３が下降して蓋体５３外周の密着面と処理室本体５２の密着面とが密着して処理室５１内に密閉空間Ｓが形成される。そして、供給路６６を介して処理室５１内の密閉空間Ｓに蒸気化されたアンモニア（ＮＨ3  ）が含まれた処理気体を供給する。これにより、ウエハＷをエージング処理し、ウエハＷ上の絶縁膜材料をゲル化する処理が行われる（ステップ９０３）。本実施形態では、供給路６６を介して供給された処理気体が案内室６７内において特に案内溝７１及び案内板７２〜７５を介して案内室６７の熱板６０裏面の外周の内側に回り込んでから処理室本体５２の内周と熱板６０の外縁との間に隙間７６を介して案内室６７から熱板６０の表面に処理気体が供給されるようになっているので、簡単な構成で処理室５１内の処理温度を一定に保つことができ、また処理気体をウエハＷ上に均一に供給することができる。そして、その後アンモニアの拡散を防止するために供給路６６を介して処理室５１内に窒素ガスを供給して処理室５１内をパージする。次に、蓋体５３を上昇すると共に、支持ピン５８を上昇してウエハＷを主ウエハ搬送機構２２に受け渡す。なお、処理室５１で処理が行われないときには、通常、蓋体５３は閉じられている。これにより、処理気体の漏れをより少なくしている。
また、本実施形態では、特に、制御部８５がモニター８６の検出結果に基づき処理時における処理気体の濃度が濃い場合には処理時間を短くし、逆に処理時における処理気体の濃度が薄い場合には処理時間を長くする制御を行っている。これにより、均一な処理を行うことが可能となる。
【００３６】
エージング処理ステーション（ＤＡＣ）でエージング処理されたウエハＷは主ウエハ搬送機構２２を介してソルベントエクスチェンジ処理ステーション（ＤＳＥ）へ搬送される。そしてソルベントエクスチェンジ処理ステーション（ＤＳＥ）において、ウエハＷはエクスチェンジ用薬液が供給され、ウエハ上に塗布された絶縁膜中の溶媒を他の溶媒に置き換える処理が行われる（ステップ９０４）。
【００３７】
ソルベントエクスチェンジ処理ステーション（ＤＳＥ）で置換処理が行われたウエハＷは主ウエハ搬送機構２２を介して低温加熱処理ステーション（ＬＨＰ）へ搬送される。そして低温加熱処理ステーション（ＬＨＰ）において、ウエハＷは低温加熱処理される（ステップ９０５）。
【００３８】
低温加熱処理ステーション（ＬＨＰ）で低温加熱処理されたウエハＷは主ウエハ搬送機構２２を介して低酸素高温加熱処理ステーション（ＯＨＰ）へ搬送される。そして低酸素高温加熱処理ステーション（ＯＨＰ）において、ウエハＷは低酸素化雰囲気中での高温加熱処理が行われる（ステップ９０６）。
【００３９】
低酸素高温加熱処理ステーション（ＯＨＰ）で高温加熱処理が行われたウエハＷは主ウエハ搬送機構２２を介して低酸素キュア・冷却処理ステーション（ＤＣＣ）へ搬送される。そして低酸素キュア・冷却処理ステーション（ＤＣＣ）において、ウエハＷは低酸素雰囲気中で高温加熱処理され、冷却処理される（ステップ９０７）。
【００４０】
低酸素キュア・冷却処理ステーション（ＤＣＣ）で処理されたウエハＷは主ウエハ搬送機構２２を介して受け渡し・冷却プレート（ＴＣＰ）における冷却板へ搬送される。そして受け渡し・冷却プレート（ＴＣＰ）における冷却板において、ウエハＷは冷却処理される（ステップ９０８）。
【００４１】
受け渡し・冷却プレート（ＴＣＰ）における冷却板で冷却処理されたウエハＷはカセットブロック１０においてウエハ搬送体２１を介してウエハカセットＣＲへ搬送される。
【００４２】
次に、本発明の他の実施形態を説明する。
【００４３】
図１２は本発明の他の実施形態に係る処理室における蓋体の構成を説明するための図である。
【００４４】
この実施形態では、図１２に示すように、排気口９５を上述した実施形態における排気口６５と比して大径化するとともに、この排気口９５を塞ぐように、多数の透孔９６が設けられた部材９７を配置したものである。
【００４５】
このような構成により、処理中にウエハＷの上方に乱流が生じることはなくなり、処理を均一に行うことが可能となる。本発明者らの実験によるとこのような構成で処理を行うことでウエハＷの表面に縞模様が発生する不具合は皆無になった。
【００４６】
図１３は本発明の他の実施形態に係る処理室の構成を説明するための図である。
【００４７】
この実施形態では、図１３に示すように、本体５２の外周下部に排気口９８及びこの排気口９８を開閉するバルブ９９を設け、処理気体をパージする際に排気口６５と共にこの排気口９８を使って排気するようにしている。これにより、処理気体を効率よくパージすることができるようになる。
【００４８】
なお、本発明は、上述した実施の形態に限定されず、種々変形可能である。例えば、処理する基板は半導体ウエハに限らず、ＬＣＤ基板等の他のものであってもよい。また、膜の種類は層間絶縁膜に限らない。また、供給路６６がただ１つであると説明したが、供給路６６を複数設けてもよいのはいうまでもない。更に、遅い流速で所定の量の処理気体及び窒素ガスを供給可能であり、さらに処理気体及び窒素ガスの温調能力が向上できる。
【００４９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、フィードバック系の温度制御等は不要であり、簡単な構成で処理温度を一定に保つことができ、また供給手段から供給された処理気体が案内室の熱板裏面の外周の内側に回り込んでから基板上に供給され、処理気体を基板上に均一に供給することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態に係るＳＯＤシステムの平面図である。
【図２】図１に示したＳＯＤシステムの正面図である。
【図３】図１に示したＳＯＤシステムの背面図である。
【図４】図１に示したＳＯＤシステムにおける主ウエハ搬送機構の斜視図である。
【図５】本発明の実施の形態に係るエージング処理ステーションの断面図である。
【図６】図５に示したエージング処理ステーションの平面図である。
【図７】図５及び図６に示した処理室の断面図である。
【図８】図７におけるＡ矢視図である。
【図９】図７におけるＢ矢視図である。
【図１０】図７におけるＣ矢視図である。
【図１１】図１に示したＳＯＤシステムの処理フロー図である。
【図１２】本発明の他の実施形態に係る処理室における蓋体の構成を説明するための図である。
【図１３】本発明の他の実施形態に係る処理室の構成を説明するための図である。
【符号の説明】
５１  処理室
６０  熱板
６５  排気孔
６６  供給路
６７  案内室
７１  案内溝
７２〜７５  案内板
Ｗ  ウエハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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