【手続補正書】
【提出日】平成29年5月8日(2017.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
良好な性能およびスケーラビリティを有し、かつ良好な寸法上および製造上の特性を有する効果的なアバランシェ光検出素子を製作するための課題は残っている。本開示は、従来技術の物理的なメサ形光検出器および類似の素子のこれらの欠点およびその他の欠点に対処し、それらを改善するものである。
この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、以下のものがある（国際出願日以降国際段階で引用された文献及び他国に国内移行した際に引用された文献を含む）。
（先行技術文献）
（特許文献）
（特許文献１）  欧州特許出願公開第００２５７４９号明細書
（特許文献２）  欧州特許出願公開第０８６９５６１号明細書
（特許文献３）  特開昭６１―１９９６７５号公報
（特許文献４）  米国特許第４，３４１，５７０号明細書
（特許文献５）  米国特許第４，４０３，３９７号明細書
（特許文献６）  米国特許第４，５３９，７４３号明細書
（特許文献７）  米国特許第５，２０４，５２０号明細書
（特許文献８）  米国特許第５，２２３，７０４号明細書
（特許文献９）  米国特許第５，３２９，１１２号明細書
（特許文献１０）  米国特許第５，３４９，１７４号明細書
（特許文献１１）  米国特許第５，９１４，４９９号明細書
（特許文献１２）  米国特許第６，７５３，２１４号明細書
（特許文献１３）  米国特許第７，９４３，４０６号明細書
（特許文献１４）  米国特許第８，２７９，４１１号明細書
（特許文献１５）  米国特許第９，０２９，７７２号明細書
（特許文献１６）  米国特許第５，８６６，９３６号明細書
（特許文献１７）  米国特許出願公開第２００４／０１６９９９１号明細書
（特許文献１８）  米国特許出願公開第２００４／０１８８７９３号明細書
（特許文献１９）  米国特許出願公開第２００４／０２４５５９２号明細書
（特許文献２０）  米国特許出願公開第２００５／００７８７２５号明細書
（特許文献２１）  米国特許出願公開第２００７／００８５１５８号明細書
（特許文献２２）  米国特許出願公開第２００８／０１６４５５４号明細書
（特許文献２３）  米国特許出願公開第２００８／０２２０５９８号明細書
（特許文献２４）  米国特許出願公開第２０１０／００９１１６２号明細書
（特許文献２５）  米国特許出願公開第２０１０／０１２７３１４号明細書
（特許文献２６）  米国特許出願公開第２０１１／００７９７２７号明細書
（特許文献２７）  米国特許出願公開第２０１１／０２７２５６１号明細書
（特許文献２８）  米国特許出願公開第２０１２／０００９７２７号明細書
（特許文献２９）  米国特許出願公開第２０１３／００９９１００号明細書
（特許文献３０）  米国特許出願公開第２０１３／０２０７２１７号明細書
（特許文献３１）  米国特許出願公開第２０１１／００２４７６８号明細書
（特許文献３２）  米国特許出願公開第２０１３／００２２０７７号明細書
（特許文献３３）  国際公開第２０１１／１１７３０９号
（非特許文献）
（非特許文献１）  ＥＰＯ，"Ｅｘｔｅｎｄｅｄ  Ｅｕｒｏｐｅａｎ  Ｓｅａｒｃｈ  Ｒｅｐｏｒｔ  −  Ａｐｐ．Ｎｏ．１４７８４９０５．３−１５０４"，Ｄｅｃ．６，２０１６．
（非特許文献２）  Ｓ．ＡＨＭＥＤ  ＥＴ  ＡＬ．，"Ｉｍｐｌａｎｔ  ｉｓｏｌａｔｉｏｎ  ｉｎ  ＧａＡｓ  ｄｅｖｉｃｅ  ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ：  Ｅｆｆｅｃｔ  ｏｆ  ｓｕｂｓｔｒａｔｅ  ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ"，Ｎｕｃｌｅａｒ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ  ａｎｄ  Ｍｅｔｈｏｄｓ  ｉｎ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｒｅｓｅａｒｃｈ，  ｖｏｌ．Ｂ  １８８，ｐ．１９６−２００，（２００２），Ｅｌｓｅｖｉｅｒ．
（非特許文献３）  Ｓ．ＡＨＭＥＤ  ＥＴ  ＡＬ．，"Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ  ｉｓｏｌａｔｉｏｎ  ｏｆ  ｎ−ｔｙｐｅ  ＧａＡｓ  ｄｅｖｉｃｅｓ  ｂｙ  ＭｅＶ／ＭｅＶ−ｌｉｋｅ  ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ  ｏｆ  ｖａｒｉｏｕｓ  ｉｏｎ  ｓｐｅｃｉｅｓ"，ｐ．１８−２３（２００２），Ｅｌｓｅｖｉｅｒ．
（非特許文献４）  Ａ．Ｒ．ＢＲＡＴＳＣＨＵＮ  ＥＴ  ＡＬ．，"Ａ  Ｓｔｕｄｙ  ｏｆ  Ｉｍｐｌａｎｔ  Ｄａｍａｇｅ  ａｎｄ  Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ  Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ  ｉｎ  ａｎ  ＩｎＧａＰ  ＨＢＴ  Ｐｒｏｃｅｓｓ"，ＣＳ  Ｍａｎｔｅｃｈ  Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ，Ｍａｙ  ２０１１．
（非特許文献５）  Ｇ．Ｅ．ＢＵＬＭＡＮ  ＥＴ  ＡＬ．，"Ｐｒｏｔｏｎ  ｉｓｏｌａｔｅｄ  Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ａｓ／ＧａＡｓ  ｓｔｒａｉｎｅｄｌａｙｅｒ  ｓｕｐｅｒｌａｔｔｉｃｅ  ａｖａｌａｎｃｈｅ  ｐｈｏｔｏｄｉｏｄｅ"，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．４８，ｐ．１０１５−１０１７（１９８６），Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ  ｏｆ  Ｐｈｙｓｉｃｓ．
（非特許文献６）  Ｊ．Ｃ．ＣＡＭＰＢＥＬＬ，"Ｒｅｃｅｎｔ  Ａｄｖａｎｃｅｓ  ｉｎ  Ｔｅｌｅｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ  Ａｖａｌａｎｃｈｅ  Ｐｈｏｔｏｄｉｏｄｅ"，Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｌｉｇｈｔｗａｖｅ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，ｖｏｌ．２５，ｎｏ．１，ｐ．１０９−１２１（Ｊａｎｕａｒｙ  ２００７），ＩＥＥＥ．
（非特許文献７）  Ｃ．ＣＡＲＭＯＤＹ  ＥＴ  ＡＬ．，"Ｕｌｔｒａｆａｓｔ  ｔｒａｐｐｉｎｇ  ｔｉｍｅｓ  ｉｎ  ｉｏｎ  ｉｍｐｌａｎｔｅｄ  ＩｎＰ"，Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ，ｖｏｌ．９２，ｎｏ．５，ｐ．２４２０−２４２３（Ｓｅｐｔ．２００２），Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ  ｏｆ  Ｐｈｙｓｉｃｓ．
（非特許文献８）  Ｇ．ＣＯＬＬＡＺＵＯＬ，"Ｔｈｅ  ＳｉＰＭ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  ａｎｄ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  −  ａ  ｒｅｖｉｅｗ"，ＰｈｏｔｏＤｅｔ，Ｊｕｎｅ．２０１２．
（非特許文献９）  Ｓ．ＣＯＶＡ  ＥＴ  ＡＬ．，"Ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ  ａｎｄ  ｐｒｏｓｐｅｃｔｓ  ｆｏｒ  ｓｉｎｇｌｅ−ｐｈｏｔｏｎ  ａｖａｌａｎｃｈｅ  ｄｉｏｄｅｓ  ａｎｄ  ｑｕｅｎｃｈｉｎｇ  ｃｉｒｃｕｉｔｓ"，Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｍｏｄｅｒｎ  Ｏｐｔｉｃｓ，ｖｏｌ．５１，ｎｏ．９−１０，ｐ．１２６７−１２８８（Ｊｕｌｙ  ２００４），Ｔａｙｌｏｒ  &  Ｆｒａｎｃｉｓ．
（非特許文献１０）  Ｓ．ＤＡＬＩＥＮＴＯ  ＥＴ  ＡＬ．，"Ｈｅｌｉｕｍ  ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ  ｉｎ  ｓｉｌｉｃｏｎ：  ｄｅｔａｉｌｅｄ  ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌ  ａｎａｌｙｓｉｓ  ｏｆ  ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ  ａｎｄ  ｌｉｆｅｔｉｍｅ  ｐｒｏｆｉｌｅｓ  ａｓ  ａ  ｆｕｎｃｔｉｏｎ  ｏｆ  ｔｈｅ  ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ  ｄｏｓｅ  ａｎｄ  ｅｎｅｒｇｙ"，Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ  ｏｆ  ｔｈｅ  １８ｔｈ  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ  ｏｎ  Ｐｏｗｅｒ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｄｅｖｉｃｅｓ  &  ＩＣ’ｓ（Ｊｕｎｅ  ２００６），ＩＥＥＥ．
（非特許文献１１）  Ｉ．ＤＡＮＩＬＯＶ  ＥＴ  ＡＬ．，"Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ  ｉｓｏｌａｔｉｏｎ  ｏｆ  ＩｎＧａＰ  ｂｙ  ｐｒｏｔｏｎ  ａｎｄ  ｈｅｌｉｕｍ  ｉｏｎ  ｉｒｒａｄｉａｔｉｏｎ"，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，ｖｏｌ．９２，ｎｏ．８，ｐ．４２６１−４２６５（Ｏｃｔ．２００２），Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ  ｏｆ  Ｐｈｙｓｉｃｓ．
（非特許文献１２）  Ｊ．Ｐ．ＤＥ  ＳＯＵＺＡ  ＥＴ  ＡＬ．，"Ｔｈｅｒｍａｌ  ｓｔａｂｉｌｉｔｙ  ｏｆ  ｔｈｅ  ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ  ｉｓｏｌａｔｉｏｎ  ｉｎ  ｎ−ｔｙｐｅ  ｇａｌｌｉｕｍ  ａｒｓｅｎｉｄｅ  ｌａｙｅｒｓ  ｉｒｒａｄｉａｔｅｄ  ｗｉｔｈ  Ｈ，Ｈｅ，ａｎｄ  Ｂ  ｉｏｎｓ"，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，ｖｏｌ．８１，ｎｏ．２，ｐ．６５０−６５５（Ｊａｎ．１９９７），Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ  ｏｆ  Ｐｈｙｓｉｃｓ．
（非特許文献１３）  Ｊ．Ｐ．ＤＥ  ＳＯＵＺＡ  ＥＴ  ＡＬ．，"Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ  ｉｓｏｌａｔｉｏｎ  ｉｎ  ＧａＡｓ  ｂｙ  ｌｉｇｈｔ  ｉｏｎ  ｉｒｒａｄｉａｔｉｏｎ：  Ｔｈｅ  ｒｏｌｅ  ｏｆ  ａｎｔｉｓｉｔｅ  ｄｅｆｅｃｔｓ"，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，ｖｏｌ．６８，ｎｏ．４，ｐ．５３５−５３７（Ｊａｎ．１９９６），Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ  ｏｆ  Ｐｈｙｓｉｃｓ．
（非特許文献１４）  Ｔ．ＦＲＡＣＨ  ＥＴ  ＡＬ．，"Ｔｈｅ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｐｈｏｔｏｍｕｌｔｉｐｌｉｅｒ  −  Ｓｙｓｔｅｍ  Ａｒｃｈｉｔｅｃｔｕｒｅ  ａｎｄ  Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ  Ｅｖａｌｕａｔｉｏｎ"，Ｎｕｃｌｅａｒ  Ｓｃｉｅｎｃｅ  Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ  Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ  Ｒｅｃｏｒｄ（ＮＳＳ／ＭＩＣ），ｐ．１７２２−１７２７（２０１０），ＩＥＥＥ．
（非特許文献１５）  Ｐ．Ｎ．Ｋ．ＤＥＥＮＡＰＡＮＲＡＹ  ＥＴ  ＡＬ．，"Ｉｍｐｌａｎｔ  ｉｓｏｌａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｚｎ−ｄｏｐｅｄ  ＧａＡｓ  ｅｐｉｌａｙｅｒｓ：  Ｅｆｆｅｃｔｓ  ｏｆ  ｉｏｎ  ｓｐｅｃｉｅｓ，  ｄｏｐｉｎｇ  ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎ，ａｎｄ  ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ  ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ"，Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ，ｖｏｌ．９３，ｎｏ．１１，ｐ．９１２３−９１２９（Ｊｕｎｅ  ２００３），ＡＩＰ  Ｐｕｂｌｉｓｈｉｎｇ．
（非特許文献１６）  Ａ．ＨＥＮＫＥＬ  ＥＴ  ＡＬ．，"Ｂｏｒｏｎ  Ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ  ｉｎｔｏ  ＧａＡｓ／Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ  Ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ"，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，ｖｏｌ．３６，ｐ．１７５−１８０（Ｊａｎ．１９９７）．
（非特許文献１７）  Ｃ．ＨＵＡＮＧ  ＥＴ  ＡＬ．，"Ｉｍｐｌａｎｔ  Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｔｗｏ−Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｇａｓｅｓ  ａｔ  ４．２  Ｋ"，ＩＥＥＥ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｄｅｖｉｃｅ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，ｖｏｌ．３４，ｎｏ．１，ｐ．２１−２３（Ｊａｎ．２０１３），ＩＥＥＥ．
（非特許文献１８）  Ａ．ＫＨＯＤＩＮ  ＥＴ  ＡＬ．，"Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ａｖａｌａｎｃｈｅ  Ｐｈｏｔｏｄｉｏｄｅｓ  Ａｒｒａｙ  ｆｏｒ  Ｐａｒｔｉｃｌｅ  Ｄｅｔｅｃｔｏｒ：  Ｍｏｄｅｌｌｉｎｇ  ａｎｄ  Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ"，Ｊｕｎｅ  ２０００，Ｂｅｌａｒｕｓ  Ｓｔａｔｅ  Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ．
（非特許文献１９）  Ｗ．Ｊ．ＫＩＮＤＴ，"Ａ  Ｎｏｖｅｌ  Ａｖａｌａｎｃｈｅ  Ｐｈｏｔｏｄｉｏｄｅ  Ａｒｒａｙ"，Ｎｕｃｌｅａｒ  Ｓｃｉｅｎｃｅ  Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ  ａｎｄ  Ｍｅｄｉｃａｌ  Ｉｍａｇｉｎｇ  Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ，ｐ．１６４−１６７（１９９４），ＩＥＥＥ．
（非特許文献２０）  Ｙ．ＬＩＵ  ＥＴ  ＡＬ．，"Ａ  Ｐｌａｎａｒ  ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ  Ａｖａｌａｎｃｈｅ  Ｐｈｏｔｏｄｉｏｄｅ  ｗｉｔｈ  Ｆｌｏａｔｉｎｇ  Ｇｕａｒｄ  Ｒｉｎｇ  ａｎｄ  Ｄｏｕｂｌｅ  Ｄｉｆｆｕｓｅｄ  Ｊｕｎｃｔｉｏｎ"，Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｌｉｇｈｔｗａｖｅ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，ｖｏｌ．１０，ｎｏ．２，ｐ．１８２−１９３（Ｆｅｂ．１９９２），ＩＥＥＥ．
（非特許文献２１）  Ｍ．ＭＩＫＵＬＩＣＳ  ＥＴ  ＡＬ．，"ＧａＡｓ  ｐｈｏｔｏｄｅｔｅｃｔｏｒｓ  ｐｒｅｐａｒｅｄ  ｂｙ  ｈｉｇｈ−ｅｎｅｒｇｙ  ａｎｄ  ｈｉｇｈ−ｄｏｓｅ  ｎｉｔｒｏｇｅｎ  ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ"，Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ  ８９（２００６），Ａｍｅｒｉｃａ  Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ  ｏｆ  Ｐｈｙｓｉｃｓ．
（非特許文献２２）  Ｓ．Ｊ．ＰＥＡＲＴＯＮ  ＥＴ  ＡＬ．，"Ｉｏｎ  ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ  ｄｏｐｉｎｇ  ａｎｄ  ｉｓｏｌａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｉｎ０．５Ｇａ０．５Ｐ"，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５９，ｐ．１４６７−１４６９（１９９１），Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ  ｏｆ  Ｐｈｙｓｉｃｓ．
（非特許文献２３）  Ｓ．Ｊ．ＰＥＡＲＴＯＮ，"Ｉｏｎ  Ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ  ｆｏｒ  Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ  ｏｆ  ＩＩＩ−Ｖ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ"，Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  Ｓｃｉｅｎｃｅ  Ｒｅｐｏｒｔｓ  ４，ｐ．３１３−３６７（１９９０），Ｅｌｓｅｖｉｅｒ  Ｓｃｉｅｎｃｅ  Ｐｕｂｌｉｓｈｅｒｓ  Ｂ．Ｖ．
（非特許文献２４）  Ｈ．ＰＥＲＥＳ  ＥＴ  ＡＬ．，"Ｈｉｇｈ  Ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｌａｙｅｒｓ  Ｏｂｔａｉｎｅｄ  ｂｙ  Ｈｙｄｒｏｇｅｎ  Ｉｏｎ  Ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ"，Ｂｒａｚｉｌｉａｎ  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｐｈｙｓｉｃｓ，ｖｏｌ．２７／Ａ，ｎｏ．４，ｐ．２３７−２３９（Ｄｅｃ．１９９７）．
（非特許文献２５）  Ｑ．ＺＨＯＵ  ＥＴ  ＡＬ．，"Ｐｒｏｔｏｎ−Ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ−Ｉｓｏｌａｔｅｄ  ４Ｈ−ＳｉＣ  Ａｖａｌａｎｃｈｅ  Ｐｈｏｔｏｄｉｏｄｅｓ"，ＩＥＥＥ  Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，ｖｏｌ．２１，ｎｏ．２３，ｐ．１７３４−１７３６  （Ｄｅｃ．２００９），ＩＥＥＥ．
（非特許文献２６）  Ｚ．Ｙ．ＳＡＤＹＧＯＶ  ＥＴ  ＡＬ．，"Ａｖａｌａｎｃｈｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｒａｄｉａｔｉｏｎ  Ｄｅｔｅｃｔｏｒｓ"，ＩＥＥＥ  Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ  ｏｎ  Ｎｕｃｌｅａｒ  Ｓｃｉｅｎｃｅ，ｖｏｌ．４３，ｉｓｓ．３（Ｊｕｎｅ  １９９６），ＩＥＥＥ．
（非特許文献２７）  Ｉ．ＳＡＮＤＡＬＬ  ＥＴ  ＡＬ．，"Ｐｌａｎａｒ  ＩｎＡｓ  ｐｈｏｔｏｄｉｏｄｅｓ  ｆａｂｒｉｃａｔｅｄ  ｕｓｉｎｇ  Ｈｅ  ｉｏｎ  ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ"，Ｏｐｔｉｃｓ  Ｅｘｐｒｅｓｓ，ｖｏｌ．２０，ｎｏ．８，ｐ．８５７５−８５８３（Ａｐｒｉｌ  ２０１２），ＯＳＡ．
（非特許文献２８）  Ｖ．ＳＡＶＥＬＩＥＶ  ＥＴ  ＡＬ．，"Ｓｉｌｉｃｏｎ  ａｖａｌａｎｃｈｅ  ｐｈｏｔｏｄｉｏｄｅｓ  ｏｎ  ｔｈｅ  ｂａｓｅ  ｏｆ  ｍｅｔａｌ−ｒｅｓｉｓｔｏｒ−ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ（ＭＲＳ）ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ"，Ｎｕｃｌｅａｒ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ  &  Ｍｅｔｈｏｄｓ  ｉｎ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｒｅｓｅａｒｃｈ，ｓｅｃｔｉｏｎ  Ａ  ４４２，ｐ．２２３−２２９（２０００），Ｅｌｓｅｖｉｅｒ  Ｓｃｉｅｎｃｅ  Ｂ．Ｖ．
（非特許文献２９）  Ｓ．ＳＥＩＦＥＲＴ  ＥＴ  ＡＬ．，"Ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｐｈｏｔｏｍｕｌｔｉｐｌｉｅｒ  Ｓｉｇｎａｌｓ"，ＩＥＥＥ  Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ  ｏｎ  Ｎｕｃｌｅａｒ  Ｓｃｉｅｎｃｅ，ｖｏｌ．５６，ｎｏ．６，ｐ．３７２６−３７３３（Ｄｅｃ．２００９），ＩＥＥＥ．
（非特許文献３０）  Ａ．ＳＨＵＪＡ，"Ｉｍｐｌａｎｔ  Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｇａｌｌｉｕｍ  Ａｒｓｅｎｉｄｅ  −  Ｔｈｅｓｉｓ  ｐｒｅｓｅｎｔｅｄ  ｔｏ  ｔｈｅ  Ｄｅｐａｒｔｍｅｎｔ  ｏｆ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  ａｎｄ  Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ  Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ  ｏｆ  Ｓｕｒｒｅｙ，ｆｏｒ  ｔｈｅ  ａｗａｒｄ  ｏｆ  Ｄｏｃｔｏｒ  ｏｆ  Ｐｈｉｌｏｓｏｐｈｙ"（Ｍａｙ  ２００２），Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ  ｏｆ  Ｓｕｒｒｅｙ．
（非特許文献３１）  Ａ．Ｇ．ＳＴＥＷＡＲＴ  ＥＴ  ＡＬ．，"Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ  ｏｆ  １−ｍｍ２  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｐｈｏｔｏｍｕｌｔｉｐｌｉｅｒ"，ＩＥＥＥ  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｑｕａｎｔｕｍ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ，ｖｏｌ．４４，ｎｏ．２，ｐ．１５７−１６４（Ｆｅｂ．２００８），ＩＥＥＥ．
（非特許文献３２）  Ｗ．ＳＵＬ  ＥＴ  ＡＬ．，"Ｇｕａｒｄ−Ｒｉｎｇ  Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ  ｆｏｒ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｐｈｏｔｏｍｕｌｔｉｐｌｉｅｒｓ"，ＩＥＥＥ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｄｅｖｉｃｅ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，ｖｏｌ．３１，ｎｏ．１，ｐ．４１−４３（Ｊａｎ．２０１０），ＩＥＥＥ．
（非特許文献３３）  Ｓ．ＴＩＳＡ  ＥＴ  ＡＬ．，"Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ  ｆｏｒ  ｓｉｎｇｌｅ  ｐｈｏｔｏｎ  ａｖａｌａｎｃｈｅ  ｄｉｏｄｅ  ａｒｒａｙｓ"，Ｓｅｎｓｏｒｓ  Ａｃｔｕａｔｏｒｓ  Ａ  １４０，ｐ．１１３−１２２（２００７），Ｅｌｓｅｖｉｅｒ．
（非特許文献３４）  Ｐ．ＴＯＯ  ＥＴ  ＡＬ．，"Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ  ｉｓｏｌａｔｉｏｎ  ｏｆ  ｎ−ｔｙｐｅ  ＩｎＰ  ｌａｙｅｒｓ  ｂｙ  ｈｅｌｉｕｍ  ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ  ａｔ  ｖａｒｉａｂｌｅ  ｓｕｂｓｔｒａｔｅ  ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｓ"，Ｎｕｃｌｅａｒ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ  ａｎｄ  Ｍｅｔｈｏｄｓ  ｉｎ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｒｅｓｅａｒｃｈ  Ｂ  １８８，ｐ．２０５−２０９（２００２），Ｅｌｓｅｖｉｅｒ  Ｓｃｉｅｎｃｅ  Ｂ．Ｖ．
（非特許文献３５）  Ｅ．ＷＥＮＤＬＥＲ  ＥＴ  ＡＬ．，"Ｅｍｐｉｒｉｃａｌ  ｍｏｄｅｌｉｎｇ  ｏｆ  ｔｈｅ  ｃｒｏｓｓ  ｓｅｃｔｉｏｎ  ｏｆ  ｄａｍａｇｅ  ｆｏｒｍａｔｉｏｎ  ｉｎ  ｉｏｎ  ｉｍｐｌａｎｔｅｄ  ＩＩＩ−Ｖ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ"，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ  １００（２０１２），Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ  ｏｆ  Ｐｈｙｓｉｃｓ．
（非特許文献３６）  Ｐ．ＷＨＩＴＩＮＧ，"Ｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｉｏｎ  ｏｆ  ｄｅｆｅｃｔｓ  ｆｏｒｍｅｄ  ｂｙ  ｉｏｎ  ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｈ２＋  ｉｎｔｏ  ｓｉｌｉｃｏｎ（Ｔｈｅｓｉｓ）"，Ｔｈｅｓｉｓ／Ｄｉｓｓｅｒｔａｔｉｏｎ  Ｃｏｌｌｅｃｔｉｏｎｓ（Ａｕｇ．２００９），Ｔｈｅ  Ｒｏｃｈｅｓｔｅｒ  Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ  ｏｆ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ．
（非特許文献３７）  Ｆ．ＺＡＰＰＡ  ＥＴ  ＡＬ．，"Ｉｍｐａｃｔ  ｏｆ  Ｌｏｃａｌ−Ｎｅｇａｔｉｖｅ−Ｆｅｅｄｂａｃｋ  ｏｎ  ｔｈｅ  ＭＲＳ  Ａｖａｌａｎｃｈｅ  Ｐｈｏｔｏｄｅｔｅｃｔｏｒ  Ｏｐｅｒａｔｉｏｎ"，ＩＥＥＥ  Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ  ｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｄｅｖｉｃｅｓ，ｖｏｌ．４５，ｎｏ．１，ｐ．９１−９７（Ｊａｎ．１９９８），ＩＥＥＥ．
（非特許文献３８）  Ｑ．ＺＨＯＵ  ＥＴ  ＡＬ．，"Ｐｒｏｔｏｎ−Ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ−Ｉｓｏｌａｔｅｄ  ４Ｈ−ＳｉＣ  Ａｖａｌａｎｃｈｅ  Ｐｈｏｔｏｄｉｏｄｅｓ"，ＩＥＥＥ  Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，ｖｏｌ．２１，ｎｏ．２３，ｐ．１７３４−１７３６（Ｄｅｃ．２００９），ＩＥＥＥ．
（非特許文献３９）  Ｑ．ＺＨＯＵ  ＥＴ  ＡＬ．，"Ｐｒｏｔｏｎ−Ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ−Ｉｓｏｌａｔｅｄ  Ｓｅｐａｒａｔｅ  Ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ  Ｃｈａｒｇｅ  ａｎｄ  Ｍｕｌｔｉｐｌｉｃａｔｉｏｎ  ４Ｈ−ＳｉＣ  Ａｖａｌａｎｃｈｅ  Ｐｈｏｔｏｄｉｏｄｅｓ"，ＩＥＥＥ  Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，ｖｏｌ．２３，ｎｏ．５，ｐ．２９９−３０１（Ｍａｒｃｈ  ２０１１），ＩＥＥＥ．