【誤訳訂正書】
【提出日】平成29年10月16日(2017.10.16)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
インターポーザは、厚さおよそ５０μｍ〜１００μｍであり、現在では２００ｍｍＯＤ〜３００ｍｍＯＤのサイズであることを特徴とし、長期に亘ってより大きなサイズのパネルへの傾向がある。ビアホールは、金属化の後にこれを通って電気信号が処理されるが、これは５μｍＯＤ〜１５０μｍＯＤであり、密度は設計及び用途に応じて、典型的には１平方ミリメートル当たり１〜２０個のビアホールである。厚いインターポーザは許容できない形状因子（高さ）及び性能（熱）障害を引き起こすため、インターポーザは定義上薄いものである。「薄い」とは一般に約１００マイクロメートルとされるが、一般に２００マイクロメートルを超えない。一方、国際半導体技術ロードマップ（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  Ｒｏａｄｍａｐ  ｆｏｒ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ：ＩＴＲＳ）は、５０μｍまでの厚さを許容している。また、これらの厚さの基板は一般に、既存の工具で加工できない。従って本開示は、キャリアの有利な使用、及び高温加工中でもウェハに取り付けられたままとすることができ、それでもなお、このような加工の後にウェハを容易に解放できるキャリアについて考える。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１２１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１２１】
よって、脱気に関するある試験は、カバー表面９１２の表面エネルギの変化を使用する。具体的には、表面９１２の表面エネルギが≧１０ｍＪ／ｍ２だけ変化する場合、脱気が発生している。この大きさの表面エネルギの変化は汚染に対応しており、この汚染はフィルム接着の損失、又は材料の特性及びデバイスの性能の劣化に繋がり得る。≦５  ｍＪ／ｍ２の表面エネルギの変化は、表面エネルギ測定及び表面エネルギの不均質性の再現性に近い。この小さな変化は、最小の脱気に対応する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１３１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１３１】
僅かな量の脱気を測定する第２の方法は、組み立て済み物品、即ち薄型シートが表面修飾層を介してキャリアに結合された物品に基づくものであり、％気泡領域を使用して脱気を決定する。即ち物品の加熱中、キャリアと薄型シートとの間に形成された気泡は、表面修飾層の脱気を示す。第１の脱気試験に関連して上述したように、極めて薄い表面修飾層の脱気を測定するのは困難である。この第２の試験では、薄型シート下側の脱気が、薄型シートとキャリアとの間の強力な接着によって制限されている場合がある。それにもかかわらず、厚さ≦１０ｎｍの層（例えばプラズマ重合化材料、ＳＡＭ及び熱分解シリコンオイル表面処理）は、絶対質量損失が比較的小さいにもかかわらず、それでもなお熱処理中に気泡を生成する場合がある。そして薄型シートとキャリアとの間の気泡の生成は、パターン生成、フォトリソグラフィ加工及び／又は薄型シート上へのデバイスの加工中の位置合わせに関する問題を引き起こし得る。更に、薄型シートとキャリアとの間の結合領域の境界における気泡発生は、あるプロセスからの、下流のプロセスを汚染するプロセス流体による問題を引き起こし得る。≧５の％気泡領域の変化は有意であり、脱気の指標であり、望ましくない。一方で≦１の％気泡領域の変化は有意でなく、脱気が存在しないことの指標である。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャリア結合表面を有するキャリア；
中に少なくとも１つのビアホールを有するシートであって、シート結合表面を更に備えるシート；
表面修飾層
を備える、物品であって、
前記キャリア結合表面は、間に前記表面修飾層を有して前記シート結合表面に結合され、
前記表面修飾層は：
（ｉ）チャンバ内において室温から５００℃まで９．２℃／分の速度で加熱され、５００℃の温度で１０分保持された後、炉冷速度で３００℃に冷却される温度サイクルに前記物品を供し、前記チャンバから前記物品を取り出して前記物品を室温まで冷却させた後、前記キャリア及び前記シートは、一方が保持され他方が重力を受けている場合には互いに分離せず、前記シートは、室温で分離を実施する際に前記キャリア及び前記シートのうちの薄い方が２つ以上の片に破壊されることなく、前記キャリアから分離できること；並びに
（ｉｉ）チャンバ内において室温から４００℃まで９．２℃／分の速度で加熱され、４００℃の温度で１０分保持された後、炉冷速度で３００℃に冷却される温度サイクルに前記物品を供し、前記チャンバから前記物品を取り出して前記物品を室温まで冷却させた後、前記キャリア及び前記シートは、一方が保持され他方が重力を受けている場合には互いに分離せず、％気泡領域に基づく脱気試験によると、表面修飾層からの脱気は存在せず、前記シートは、室温で分離を実施する際に前記キャリア及び前記シートのうちの薄い方が２つ以上の片に破壊されることなく、前記キャリアから分離できること
のうちの少なくとも一方を特徴とする、物品。
【請求項２】
前記シートは、シリコン、石英、サファイアを含む、請求項１に記載の物品。
【請求項３】
キャリア結合表面を有するキャリア；
厚さ≦２００マイクロメートルのウェハシートであって、シート結合表面を更に備え、シリコン、石英又はサファイアを含む、ウェハシート；
表面修飾層
を備える、物品であって、
前記キャリア結合表面は、間に前記表面修飾層を有して前記シート結合表面に結合され、
前記表面修飾層は：
（ｉ）チャンバ内において室温から５００℃まで９．２℃／分の速度で加熱され、５００℃の温度で１０分保持された後、炉冷速度で３００℃に冷却される温度サイクルに前記物品を供し、前記チャンバから前記物品を取り出して前記物品を室温まで冷却させた後、前記キャリア及び前記シートは、一方が保持され他方が重力を受けている場合には互いに分離せず、前記シートは、室温で分離を実施する際に前記キャリア及び前記シートのうちの薄い方が２つ以上の片に破壊されることなく、前記キャリアから分離できること；並びに
（ｉｉ）チャンバ内において室温から４００℃まで９．２℃／分の速度で加熱され、４００℃の温度で１０分保持された後、炉冷速度で３００℃に冷却される温度サイクルに前記物品を供し、前記チャンバから前記物品を取り出して物品を室温まで冷却させた後、前記キャリア及び前記シートは、一方が保持され他方が重力を受けている場合には互いに分離せず、％気泡領域に基づく脱気試験によると、前記表面修飾層からの脱気は存在せず、また前記シートは、室温で分離を実施する際に前記キャリア及び前記シートのうちの薄い方が２つ以上の片に破壊されることなく、前記キャリアから分離できること
のうちの少なくとも一方を特徴とする、物品。
【請求項４】
前記少なくとも１つのビアホールは、直径≦１５０マイクロメートルであり、中に導電性材料を含む、請求項１又は２に記載の物品。
【請求項５】
前記シートは、前記シート結合表面に対向するデバイス表面を備え、
前記デバイス表面は、シリコン、シリコン‐ゲルマニウム、ガリウムヒ素及び窒化ガリウム上に又はシリコン、シリコン‐ゲルマニウム、ガリウムヒ素及び窒化ガリウムから製造された：集積回路；ＭＥＭＳ；ＣＰＵ；マイクロセンサ；電力半導体；発光ダイオード；フォトニック回路；インターポーザ；埋込み型パッシブデバイス；及びマイクロデバイスからなる群から選択されるデバイスのアレイを備える、請求項１〜４のいずれか１項に記載の物品。
【請求項６】
加熱中に前記表面修飾層からの脱気が存在せず、
前記表面修飾層からの前記脱気は：
（ａ）表面エネルギ測定に基づく脱気試験に従って、試験限界温度６００℃において、前記カバーの表面エネルギの変化が≧１５ｍＪ／ｍ２であること；及び
（ｂ）％気泡領域に基づく脱気試験に従って、試験限界温度６００℃において、％気泡領域の変化が≧５であること
のうちの少なくとも１つとして定義される、請求項１〜５のいずれか１項に記載の物品。
【請求項７】
前記表面修飾層は：
ａ）プラズマ重合化フルオロポリマー；及び
ｂ）芳香族シラン
のうちの１つを含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載の物品。
【請求項８】
キャリア結合表面を有するキャリアを得るステップ；
中に少なくとも１つのビアホールを有するシートを得るステップであって、前記シートは、シート結合表面を更に備え、前記キャリア結合表面及び前記シート結合表面のうちの少なくとも１つはその上に表面修飾層を備える、ステップ；
前記結合表面及び前記表面修飾層を用いて前記キャリアを前記シートに結合して、物品を形成するステップ；
前記物品を基板工程（ＦＥＯＬ）加工に供するステップであって、前記ＦＥＯＬ加工後、前記キャリア及び前記シートは、一方が保持され他方が重力を受けている場合には互いに分離しない、ステップ；
前記キャリア及び前記シートのうちの薄い方が２つ以上の片に破壊されることなく、前記キャリアから前記シートを取り外すステップ
を有してなる、インターポーザを作製する方法。
【請求項９】
前記シートは、シリコン、石英、サファイア、セラミック又はガラスを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
キャリア結合表面を有するキャリアを得るステップ；
厚さ≦２００マイクロメートルのウェハシートを得るステップであって、前記シートはシリコン、石英又はサファイアを含み、前記シートは、シート結合表面を更に備え、前記キャリア結合表面及び前記シート結合表面のうちの少なくとも１つはその上に表面修飾層を備える、ステップ；
前記結合表面及び前記表面修飾層を用いて前記キャリアを前記シートに結合して、物品を形成するステップ；
前記物品を基板工程（ＦＥＯＬ）加工に供するステップであって、前記ＦＥＯＬ加工後、前記キャリア及び前記シートは、一方が保持され他方が重力を受けている場合には互いに分離しない、ステップ；
前記キャリア及び前記シートのうちの薄い方が２つ以上の片に破壊されることなく、前記キャリアから前記シートを取り外すステップ
を有してなる、シリコンウェハシートを加工する方法。
【請求項１１】
前記ＦＥＯＬ加工は：
（ｉ）５００℃〜７００℃の加工チャンバ温度；及び
（ｉｉ）ＤＲＩＥ（乾式反応性イオンエッチング）；ＰＶＤ；ＣＶＤ  ＴｉＮ；ＰＥＣＶＤ  ＳｉＯ２；電解Ｃｕめっき；Ｃｕアニーリング；計測；Ｃｕ  ＣＭＰ；Ｃｕ（Ｈ２Ｏ２＋Ｈ２ＳＯ４）＋Ｔｉ（ＤＨＦ）湿式エッチング；スパッタ付着層；スパッタシード層；リソグラフィ（フォトレジスト、露光、ストリッピング、Ｃｕのエッチング）のうちの少なくとも１つ
のうちの少なくとも一方を含む、請求項８〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記少なくとも１つのビアホールは、直径≦１５０マイクロメートルであり、中に導電性材料を含む、請求項８、９又は１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
前記シートは、前記シート結合表面に対向するデバイス表面を備え、
前記デバイス表面は：
（ｉ）シリコン、シリコン‐ゲルマニウム、ガリウムヒ素及び窒化ガリウム上に又はシリコン、シリコン‐ゲルマニウム、ガリウムヒ素及び窒化ガリウムから製造された：集積回路；ＭＥＭＳ；ＣＰＵ；マイクロセンサ；電力半導体；発光ダイオード；フォトニック回路；インターポーザ；埋込み型パッシブデバイス；及びマイクロデバイスからなる群から選択されるデバイスのアレイ；並びに
（ｉｉ）はんだバンプ；金属ポスト；金属ピラー；相互接続ルーティング；相互接続配線；絶縁性酸化物層；並びにシリコン、ポリシリコン、二酸化シリコン、シリコン（オキシ）窒化物、金属、低ｋ誘電体、ポリマー誘電体、金属窒化物及び金属ケイ化物からなる群から選択された材料から形成された構造体からなる群から選択される、少なくとも１つの構造体
のうちの少なくとも一方を備える、請求項８〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
加熱中に前記表面修飾層からの脱気が存在せず、
前記表面修飾層からの脱気は：
（ａ）表面エネルギ測定に基づく脱気試験に従って、試験限界温度６００℃において、前記カバーの表面エネルギの変化が≧１５ｍＪ／ｍ２であること；及び
（ｂ）％気泡領域に基づく脱気試験に従って、試験限界温度６００℃において、％気泡領域の変化が≧５であること
のうちの少なくとも１つとして定義される、請求項８〜１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
前記表面修飾層は：
ａ）プラズマ重合化フルオロポリマー；及び
ｂ）芳香族シラン
のうちの１つを含む、請求項８〜１４のいずれか１項に記載の方法。