【手続補正書】
【提出日】平成29年1月16日(2017.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
本出願の発明を総括的及び具体的な実施形態の両方で上記に記載してきた。本発明は何が好ましい実施形態であると考えられるかを示したが、当業者に知られた様々な変更は一般開示の範囲内で選択されうる。本発明は下記の特許請求の範囲の記載以外にいかなる形でも限定されない。
本発明の実施態様の一部を以下の項目［１］−［７１］に記載する。
［１]
第一のミクロ構造を有する第一のｅＰＴＦＥメンブレン、及び、
第二のミクロ構造を有する第二のｅＰＴＦＥメンブレン、
を含む非対称延伸ポリテトラフルオロエチレン（ｅＰＴＦＥ）ラミネート、
前記第二のｅＰＴＦＥメンブレンの上の金属化層、
前記金属化層の上のフルオロポリマーメンブレン、及び、
前記フルオロポリマーメンブレンの上のテキスタイル層、
を含む、複合材料。
［２]
前記第一のｅＰＴＦＥメンブレンは粗いミクロ構造を有し、そして前記第二のｅＰＴＦＥメンブレンは密なミクロ構造を有する、項目１記載の複合材料。
［３]
前記金属化層は前記第二のｅＰＴＦＥメンブレン上に堆積された金属を含む、項目１記載の複合材料。
［４]
前記金属化層は金属層及び金属化基材から選ばれる、項目３記載の複合材料。
［５]
前記フルオロポリマーメンブレンはｅＰＴＦＥメンブレンである、項目１記載の複合材料。
［６]
前記ｅＰＴＦＥメンブレンは密なミクロ構造を有する、項目５記載の複合材料。
［７]
前記非対称ｅＰＴＦＥラミネートは第三のｅＰＴＦＥメンブレンをさらに含み、前記第三のｅＰＴＦＥメンブレンは前記第一のｅＰＴＦＥメンブレンとは反対側の前記第二のｅＰＴＦＥメンブレン上に配置され、前記第二のｅＰＴＦＥ層は前記非対称ｅＰＴＦＥラミネート内の中央に配置されている、項目１記載の複合材料。
［８]
前記複合材料は、
前記テキスタイル層の上の第二の金属化層、及び、
前記第二の金属化層の上の第二の非対称ｅＰＴＦＥラミネート、
をさらに含み、前記第二の非対称ｅＰＴＦＥは、
第三のミクロ構造を有する第三のｅＰＴＦＥメンブレン、及び、
第四のミクロ構造を有する第四のｅＰＴＦＥメンブレン、
を含む、項目７記載の複合材料。
［９]
前記第一のｅＰＴＦＥメンブレンはその上に可視光反射性を提供する少なくとも１種の着色剤を含むコーティング組成物を有する、項目１記載の複合材料。
［１０]
前記コーティング組成物はｎＩＲ反射性を提供する着色剤をさらに含む、項目９記載の複合材料。
［１１]
（１）第一のミクロ構造を有する第一のｅＰＴＦＥメンブレン、及び、
第二のミクロ構造を有する第二のｅＰＴＦＥメンブレン、
を含む非対称延伸ポリテトラフルオロエチレン（ｅＰＴＦＥ）ラミネート、
前記第二のｅＰＴＦＥメンブレン上の金属化層、
前記金属化層の上のフルオロポリマーメンブレン、及び、
前記フルオロポリマーメンブレンの上のテキスタイル層、
を含む、複合材料、ならびに、
（２）幾何形状を有する複数の切込み付きフラップ、ここで、前記切込み付きフラップの各々はヒンジ式フラップ部を含む、
を含む、切込み付きパネルであって、
前記第一のｅＰＴＦＥメンブレンは粗いミクロ構造を有し、前記第二のｅＰＴＦＥメンブレンは密なミクロ構造を有する、切込み付きパネル。
［１２]
前記複合材料は第三のｅＰＴＦＥメンブレンをさらに含み、前記第三のｅＰＴＦＥメンブレンは前記第一のｅＰＴＦＥメンブレンとは反対側の前記第二のｅＰＴＦＥメンブレン上に配置され、前記第二のｅＰＴＦＥ層は前記非対称ｅＰＴＦＥラミネート内の中央に配置されている、項目１１記載の切込み付きパネル。
［１３]
前記複合材料は、
前記テキスタイル層の上の第二の金属化層、及び、
前記第二の金属化層の上の第二の非対称ｅＰＴＦＥラミネート、
をさらに含み、前記第二の非対称ｅＰＴＦＥは、
第三のミクロ構造を有する第三のｅＰＴＦＥメンブレン、及び、
第四のミクロ構造を有する第四のｅＰＴＦＥメンブレン、
を含む、項目１２記載の切込み付きパネル。
［１４]
前記第三のミクロ構造は密なミクロ構造であり、前記第四のミクロ構造は粗いミクロ構造を有する、項目１３記載の切込み付きパネル。
［１５]
前記第一のｅＰＴＦＥメンブレンの前記ミクロ構造及び前記第三のｅＰＴＦＥメンブレンの前記ミクロ構造は互いに実質的に同様である、項目１１記載の切込み付きパネル。
［１６]
前記ヒンジ式フラップ部の少なくとも一部分は張力の印加時に開放形態を取る、項目１１記載の切込み付きパネル。
［１７]
前記開放形態において、前記ヒンジ式フラップ部は前記複合材料に対して非線状三次元配向を取る、項目１６記載の切込み付きパネル。
［１８]
前記切込み付きフラップは重ね合っている反転様式に配向されている、項目１１記載の切込み付きパネル。
［１９]
前記切込み付きフラップは重なり合い領域を有し、前記重なり合い領域は高さが約０ｍｍ〜約８ｃｍであり、幅が約０．１ｍｍ〜約４ｃｍである、項目１８記載の切込み付きパネル。
［２０]
前記ヒンジ式フラップ部は幅が約０．５ｍｍ〜約８ｃｍであり、高さが約０．５ｍｍ〜約８ｃｍである、項目１９記載の切込み付きパネル。
［２１]
前記切込み付きフラップは高さが約１ｍｍ〜約１６ｃｍ及び幅が約１ｍｍ〜約１６ｃｍである基本ヒンジ系を形成している、項目１８記載の切込み付きパネル。
［２２]
前記切込み付きフラップは１つの反転切込み付きフラップ及び２つの非反転切込み付きフラップを含む基本フラップセルを形成している、項目１１記載の切込み付きパネル。
［２３]
前記反転フラップは前記非反転切込み付きフラップと０〜８ｃｍの第一の距離だけ重なり合っている、項目２２記載の切込み付きパネル。
［２４]
前記非反転切込み付きフラップは約０．１ｍｍ〜約４ｃｍの第二の距離だけ分離されている、項目２３記載の切込み付きパネル。
［２５]
前記切込み付きフラップは２列以上の列を含むブロックパターンを形成し、各列は１つの反転切込み付きフラップ及び２つの非反転切込み付きフラップを含む、項目１１記載の切込み付きパネル。
［２６]
前記切込み付きフラップは繰り返しパターンを有する六角形ブロックを形成している、項目２５記載の切込み付きパネル。
［２７]
前記列の各々は長さが約１．５ｍｍ〜約２４ｃｍである、項目２５記載の切込み付きパネル。
［２８]
前記列の間の距離は約０〜約８ｃｍである、項目２７記載の切込み付きパネル。
［２９]
前記ブロックパターンは前記複合材料においてランダム配向されている、項目２５記載の切込み付きパネル。
［３０]
前記ブロックパターンのブロックは放射状パターンを形成していない、項目２９記載の切込み付きパネル。
［３１]
前記フラップ部は前記切込み付きフラップの第二の高さよりも低い第一の高さを有する、項目１１記載の切込み付きパネル。
［３２]
前記フルオロポリマーメンブレンはｅＰＴＦＥメンブレンである、項目１１記載の切込み付きパネル。
［３３]
前記ｅＰＴＦＥメンブレンは密なミクロ構造を有する、項目３２記載の複合材料。
［３４]
ベース材料、及び、
前記ベース材料に取り付けられた少なくとも１つの切込み付きパネル、ここで、前記切込み付きパネルは複数の切込み付きフラップを含む、
を含むカバーであって、前記切込み付きフラップは張力の印加時に非線状３次元開放形態を取る、カバー。
［３５]
前記切込み付きパネルは前記切込み付きパネルを前記ベース材料に取り付けることができるように１つ以上の非切込み縁を含む、項目３４記載のカバー。
［３６]
前記切込み付き材料は少なくとも４つの非切込み縁を有し、前記ベース材料は前記４つの非切込み縁に沿って前記切込み付きパネルに取り付けられている、項目３５記載のカバー。
［３７]
前記カバーはリバーシブルであり、
前記切込み付き材料は少なくとも３つの非切込み縁を有し、前記ベース材料は前記３つの非切込み縁に沿って前記切込み付きパネルに取り付けられており、第四の縁に沿って開口部を残している、項目３５記載のカバー。
［３８]
前記切込み付きパネルは前記ベース材料よりも少なくとも約２％小さいサイズを有する、項目３４記載のカバー。
［３９]
前記切込み付きパネルは前記ベース材料よりも約５％〜約２０％小さいサイズを有する、項目３４記載のカバー。
［４０]
前記切込み付きフラップは重なり合っている反転様式で配向されている、項目３４記載のカバー。
［４１]
前記切込み付きフラップは重なり合い領域を有し、前記重なり合い領域は高さが約０ｍｍ〜約８ｃｍであり、幅が約０．１ｍｍ〜約４ｃｍである、項目４０記載のカバー。
［４２]
前記切込み付きフラップはヒンジ式フラップ部を含み、前記ヒンジ式フラップ部は幅が約０．５ｍｍ〜約８ｃｍであり、高さが約０．５ｍｍ〜約８ｃｍである、項目４１記載のカバー。
［４３]
前記ヒンジ式フラップ部は前記切込み付きフラップの第二の高さよりも低い第一の高さを有する、項目４２記載のカバー。
［４４]
前記切込み付きフラップは高さが約１ｍｍ〜約１６ｃｍ及び幅が約１ｍｍ〜約１６ｃｍである基本ヒンジ系を形成している、項目４０記載のカバー。
［４５]
前記切込み付きフラップは１つの反転切込み付きフラップ及び２つの非反転切込み付きフラップを含む基本フラップセルを形成している、項目３４記載のカバー。
［４６]
前記反転フラップは前記非反転切込み付きフラップと０〜８ｃｍの第一の距離だけ重なり合っている、項目４５記載のカバー。
［４７]
前記非反転切込み付きフラップは約０．１ｍｍ〜約４ｃｍの第二の距離だけ分離されている、項目４６記載のカバー。
［４８]
前記切込み付きフラップは２列以上の列を含むブロックパターンを形成し、各列は１つの反転切込み付きフラップ及び２つの非反転切込み付きフラップを含む、項目３４記載のカバー。
［４９]
前記切込み付きフラップは繰り返しパターンを有する六角形ブロックを形成している、項目４８記載のカバー。
［５０]
前記列の各々は長さが約１．５ｍｍ〜約２４ｃｍである、項目４８記載のカバー。
［５１]
前記列の間の距離は約０〜約８ｃｍである、項目５０記載のカバー。
［５２]
前記ブロックパターンは前記複合材料においてランダム配向されている、項目４８記載のカバー。
［５３]
前記切込み付きパネルは、
第一のミクロ構造を有する第一のｅＰＴＦＥメンブレン、及び、
第二のミクロ構造を有する第二のｅＰＴＦＥメンブレン、
を含む第一の非対称延伸ポリテトラフルオロエチレン（ｅＰＴＦＥ）ラミネート、
前記第二のｅＰＴＦＥメンブレンの上の第一の金属化層、
前記金属化層の上のフルオロポリマーメンブレン、及び、
前記フルオロポリマーメンブレンの上のテキスタイル層、
を含む、複合材料を含む、項目３４記載のカバー。
［５４]
前記第一の非対称ｅＰＴＦＥラミネートは第三のｅＰＴＦＥメンブレンをさらに含み、前記第三のｅＰＴＦＥメンブレンは前記第一のｅＰＴＦＥメンブレンとは反対側の前記第二のｅＰＴＦＥメンブレン上に配置され、前記第二のｅＰＴＦＥ層は前記第一の非対称ｅＰＴＦＥラミネート内の中央に配置されている、項目５３記載のカバー。
［５５]
前記切込み付きパネルは、
前記テキスタイル層の上の第二の金属化層、及び、
前記第二の金属化層の上の第二の非対称ｅＰＴＦＥラミネート、
をさらに含み、前記第二の非対称ｅＰＴＦＥは、
第一のミクロ構造を有する第三のｅＰＴＦＥメンブレン、及び、
第二のミクロ構造を有する第四のｅＰＴＦＥメンブレン、
を含む、項目５４記載のカバー。
［５６]
項目１３記載の切込み付きパネルを含む、リバーシブルカバー。
［５７]
項目１２記載の切込み付きパネルを含む、カバー。
［５８]
切込み付きパネルの各々が切込み付きフラップを含む、複数の切込み付きパネル、
を含む、衣料品であって、
前記切込み付きフラップは張力の印加時に非線状３次元開放形態を取る、衣料品。
［５９]
前記切込み付きパネルはドライスーツ又はウエットスーツに取り付けられている、項目５８記載の衣料品。
［６０]
前記切込み付きフラップは２列以上の列を含むブロックパターンを形成し、各列は１つの反転切込み付きフラップ及び２つの非反転切込み付きフラップを含む、項目５８記載の衣料品。
［６１]
前記切込み付きフラップは繰り返しパターンを有する六角形ブロックを形成している、項目６０記載の衣料品。
［６２]
前記列の各々は長さが約１．５ｍｍ〜約２４ｃｍである、項目６０記載の衣料品。
［６３]
前記列の間の距離は約０〜約８ｃｍである、項目６２記載の衣料品。
［６４]
前記ブロックパターンは前記複合材料においてランダム配向されている、項目６０記載の衣料品。
［６５]
前記切込み付きパネルは、
第一のミクロ構造を有する第一のｅＰＴＦＥメンブレン、及び、
第二のミクロ構造を有する第二のｅＰＴＦＥメンブレン、
を含む第一の非対称延伸ポリテトラフルオロエチレン（ｅＰＴＦＥ）ラミネート、
前記第二のｅＰＴＦＥメンブレンの上の第一の金属化層、
前記金属化層の上のフルオロポリマーメンブレン、及び、
前記フルオロポリマーメンブレンの上のテキスタイル層、
を含む、複合材料を含む、項目５８記載の衣料品。
［６６]
前記第一の非対称ｅＰＴＦＥラミネートは第三のｅＰＴＦＥメンブレンをさらに含み、前記第三のｅＰＴＦＥメンブレンは前記第一のｅＰＴＦＥメンブレンとは反対側の前記第二のｅＰＴＦＥメンブレン上に配置され、前記第二のｅＰＴＦＥ層は前記第一の非対称ｅＰＴＦＥラミネート内の中央に配置されている、項目６５記載の衣料品。
［６７]
前記切込み付きパネルは、
前記テキスタイル層の上の第二の金属化層、及び、
前記第二の金属化層の上の第二の非対称ｅＰＴＦＥラミネート、
をさらに含み、前記第二の非対称ｅＰＴＦＥは、
第一のミクロ構造を有する第三のｅＰＴＦＥメンブレン、及び、
第二のミクロ構造を有する第四のｅＰＴＦＥメンブレン、
を含む、項目６６記載の衣料品。
［６８]
第一のミクロ構造を有する第一のｅＰＴＦＥメンブレン、及び、
第二のミクロ構造を有する第二のｅＰＴＦＥメンブレン、
を含む第一の非対称延伸ポリテトラフルオロエチレン（ｅＰＴＦＥ）ラミネート、
前記第二のｅＰＴＦＥメンブレンの上の第一の金属化層、
前記金属化層の上のフルオロポリマーメンブレン、
前記フルオロポリマーメンブレンの上のテキスタイル層、
前記テキスタイル層の上の第二の金属化層、及び、
前記第二の非対称延伸ポリテトラフルオロエチレン（ｅＰＴＦＥ）ラミネート、
を含み、該第二の非対称延伸ポリテトラフルオロエチレン（ｅＰＴＦＥ）ラミネートは、
第三のミクロ構造を有する第三のｅＰＴＦＥメンブレン、及び、
第四のミクロ構造を有する第四のｅＰＴＦＥメンブレン、
を含み、
前記第一のｅＰＴＦＥメンブレン及び前記第四のｅＰＴＦＥメンブレンは可視光反射性を提供する少なくとも１種の着色剤を含むコーティング組成物をその上に有する、リバーシブルマルチスペクトル複合材料。
［６９]
前記コーティング組成物はｎＩＲ反射性を提供する着色剤をさらに含む、項目６８記載の複合材料。
［７０]
前記第一のｅＰＴＦＥメンブレン及び前記第四のｅＰＴＦＥメンブレンは粗いミクロ構造を有し、そして前記第二のｅＰＴＦＥメンブレン及び第三のｅＰＴＦＥメンブレンは密なミクロ構造を有する、項目６８記載の複合材料。
［７１]
前記フルオロポリマーメンブレンは密なミクロ構造を有するｅＰＴＦＥメンブレンである、項目６８記載の複合材料。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース材料、及び、
前記ベース材料に取り付けられた切込み付きパネル、ここで、前記切込み付きパネルは複数の切込み付きフラップを含み、各々の前記切り込みフラップはヒンジ式フラップ部を含む、
を含むカバーであって、前記ヒンジ式フラップ部の少なくとも一部は前記切込み付きパネルに張力の印加時に非線状３次元開放形態を取り、
前記切込み付きフラップは２列以上の列を含むブロックパターンを形成し、各列は１つの反転切込み付きフラップ及び２つの非反転切込み付きフラップを含み、
前記切込み付きフラップは重なり合っている様式で配向され、
前記列の各々は長さが約１．５ｍｍ〜約２４ｃｍであり、
前記切込み付きパネルは前記ベース材料よりも少なくとも約２％小さいサイズを有する、カバー。
【請求項２】
前記切込み付きフラップは繰り返しパターンを有する六角形ブロックを形成している、請求項１記載のカバー。
【請求項３】
ベース材料、及び、
前記ベース材料に取り付けられた切込み付きパネル、ここで、前記切込み付きパネルは複数の切込み付きフラップを含む、
を含むカバーであって、前記切込み付きフラップの幅が約０．５ｍｍ〜約８ｃｍであり、高さが約０．５ｍｍ〜約８ｃｍであり、
各々の前記切り込みフラップはヒンジ式フラップ部を含み、
前記切込み付きフラップは２列以上の列を含むブロックパターンを形成し、各列は１つの反転切込み付きフラップ及び２つの非反転切込み付きフラップを含み、
前記切込み付きフラップは重なり合っている様式で配向され、
前記列の各々は長さが約１．５ｍｍ〜約２４ｃｍであり、
前記切込み付きフラップは高さが約１ｍｍ〜約１６ｃｍ及び幅が約１ｍｍ〜約１６ｃｍである基本ヒンジ系を形成し、
前記切込み付きパネルは前記ベース材料よりも少なくとも約２％小さいサイズを有する、カバー。
【請求項４】
前記切込み付きパネルは前記ベース材料よりも約５％〜約２０％小さいサイズを有する、請求項１または３記載のカバー。
【請求項５】
前記ヒンジ式フラップ部の少なくとも一部は、前記切込み付きパネルに対して非線状３次元形態を有する、請求項４記載のカバー。
【請求項６】
前記ヒンジ式フラップ部は、ＲＦエネルギーをランダム散乱する、請求項１または５記載のカバー。
【請求項７】
前記ヒンジ式フラップ部は前記切込み付きフラップの第二の高さよりも低い第一の高さを有する、請求項１または５記載のカバー。
【請求項８】
前記ヒンジ式フラップ部は幅が約０．５ｍｍ〜約８ｃｍであり、高さが約０．５ｍｍ〜約８ｃｍである、請求項１または５記載のカバー。
【請求項９】
前記カバーはリバーシブルであり、
前記切込み付きパネルは前記切込み付きパネルを前記ベース材料に取り付けることができるように少なくとも３つの非切込み縁を有し、前記ベース材料は前記３つの非切込み縁に沿って前記切込み付きパネルに取り付けられており、第四の縁に沿って開口部を残している、請求項１または３記載のカバー。
【請求項１０】
前記切込み付きフラップは重なり合い領域を有し、前記重なり合い領域は高さが約０ｍｍ〜約８ｃｍであり、幅が約０．１ｍｍ〜約４ｃｍである、請求項１または３記載のカバー。
【請求項１１】
前記ブロックパターンは高さが約１ｍｍ〜約１６ｃｍ及び幅が約１ｍｍ〜約１６ｃｍであり、
前記ブロックパターンは前記切込み付きパネルにおいてランダム配向されているか、または、
前記ブロックパターンのブロックは前記切込み付きパネルにおいて放射状パターンを形成していないか、または、
前記ブロックパターンは前記切込み付きパネルにおいて別のブロックパターンに対して９０°角を形成しない、
請求項１または３記載のカバー。
【請求項１２】
前記ブロックパターンは前記切込み付きパネルにおいてランダム配向されているか、または、
前記ブロックパターンのブロックは前記切込み付きパネルにおいて放射状パターンを形成していない、
請求項１または３記載のカバー。
【請求項１３】
前記ブロックパターンは前記切込み付きパネルにおいて別のブロックパターンに対して９０°角を形成しない、
請求項１または３記載のカバー。