(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ノーマルブチルアセテート、アミルアセテート、エチルアセトアセテートおよびイソプロピルアセテートを含む一群から選択される少なくとも一つの物質からなるアセト酸エステル化合物と、
γ−ブチロラクトンと、
エチルラクタート、エチル−３−エトキシプロピオネートおよびメチル−３−メトキシプロピオネートを含む一群から選択されるいずれか一つの非アセト酸エステル化合物と、
を含むことを特徴とするフォトレジストストリッパ組成物。
【請求項２】
前記アセト酸エステル化合物はノーマルブチルアセテートであることを特徴とする請求項１に記載のフォトレジストストリッパ組成物。
【請求項３】
前記アセト酸エステル化合物の含量は８から９５重量％であり、前記γ−ブチロラクトンの含量は０．１から１３重量％であり、前記非アセト酸エステル化合物の含量は３から８０重量％であることを特徴とする請求項１に記載のフォトレジストストリッパ組成物。
【請求項４】
前記アセト酸エステル化合物の含量は５０から９０重量％であり、前記γ−ブチロラクトンの含量は０．１から７重量％であり、前記非アセト酸エステル化合物の含量は１０から７０重量％であることを特徴とする請求項１に記載のフォトレジストストリッパ組成物。
【請求項５】
前記非アセト酸エステル化合物はエチルラクタートであり、前記ノーマルブチルアセテートの含量は５０から８５重量％であり、前記γ−ブチロラクトンの含量は１から１３重量％であり、前記エチルラクタートの含量は１０から４０重量％であることを特徴とする請求項２に記載のフォトレジストストリッパ組成物。
【請求項６】
前記非アセト酸エステル化合物はエチルラクタートであり、前記ノーマルブチルアセテートの含量は５５から８５重量％であり、前記γ−ブチロラクトンの含量は１から７重量％であり、前記エチルラクタートの含量は１０から４０重量％であることを特徴とする請求項２に記載のフォトレジストストリッパ組成物。
【請求項７】
前記非アセト酸エステル化合物はエチル−３−エトキシプロピオネートであることを特徴とする請求項２に記載のフォトレジストストリッパ組成物。
【請求項８】
前記ノーマルブチルアセテートの含量は２０から９０重量％であり、前記γ−ブチロラクトンの含量は０．１から１３重量％であり、前記エチル−３−エトキシプロピオネートの含量は１０から７０重量％であることを特徴とする請求項７に記載のフォトレジストストリッパ組成物。
【請求項９】
前記ノーマルブチルアセテートの含量は３０から８９重量％であり、前記γ−ブチロラクトンの含量は０．１から７重量％であり、前記エチル−３−エトキシプロピオネートの含量は２０から７０重量％であることを特徴とする請求項７に記載のフォトレジストストリッパ組成物。
【請求項１０】
前記ノーマルブチルアセテートの含量は３０から８９重量％であり、前記γ−ブチロラクトンの含量は０．５から５重量％であり、前記エチル−３−エトキシプロピオネートの含量は１０から６５重量％であることを特徴とする請求項７に記載のフォトレジストストリッパ組成物。
【請求項１１】
前記非アセト酸エステル化合物はメチル−３−メトキシプロピオネートであり、前記ノーマルブチルアセテートの含量は５０から９０重量％であり、前記γ−ブチロラクトンの含量は１から１３重量％であり、前記メチル−３−メトキシプロピオネートの含量は５から４０重量％であることを特徴とする請求項２に記載のフォトレジストストリッパ組成物。
【請求項１２】
前記非アセト酸エステル化合物はメチル−３−メトキシプロピオネートであり、前記ノーマルブチルアセテートの含量は５５から９０重量％であり、前記γ−ブチロラクトンの含量は１から７重量％であり、前記メチル−３−メトキシプロピオネートの含量は５から４０重量％であることを特徴とする請求項２に記載のフォトレジストストリッパ組成物。
【請求項１３】
界面活性剤をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のフォトレジストストリッパ組成物。
【請求項１４】
前記界面活性剤の含量は１重量％以下であることを特徴とする請求項１３に記載のフォトレジストストリッパ組成物。
【請求項１５】
前記界面活性剤は、アルキルベンゼンスルホン酸塩、アルキルベンゼンスルホン酸塩のアルカリ金属塩、アルキル酸塩ジフェニルジスルホン酸塩およびアルキル酸塩ジフェニルジスルホン酸塩のアルカリ金属塩、アルキルアリールスホン酸塩、アルカリ金属フルオロアルカルカルボン酸塩、アンモニウム過フルオロアルキルスルホン酸塩、ならびにこれらの混合物質を含む一群から選択された少なくとも一つの物質であることを特徴とする請求項１３に記載のフォトレジストストリッパ組成物。
【請求項１６】
ノーマルブチルアセテート、アミルアセテート、エチルアセトアセテートおよびイソプロピルアセテートを含む一群から選択された少なくとも一つの物質かなるアセト酸エステル化合物と、
γ−ブチロラクトンと、
プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、またはプロピレングリコールモノメチルエーテルおよびプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートの混合物のいずれかからなる多価アルコール誘導体と、
を含むことを特徴とするフォトレジストストリッパ組成物。
【請求項１７】
前記アセト酸エステル化合物は、ノーマルブチルアセテートであることを特徴とする請求項１６に記載のフォトレジストストリッパ組成物。
【請求項１８】
前記アセト酸エステル化合物の含量は４２から９０重量％であり、前記γ−ブチロラクトンの含量は１から１３重量％であり、前記多価アルコール誘導体の含量は５から４５重量％であることを特徴とする請求項１６に記載のフォトレジストストリッパ組成物。
【請求項１９】
前記アセト酸エステル化合物の含量は５０から８５重量％であり、前記γ−ブチロラクトンの含量は１から７重量％であり、前記多価アルコール誘導体の含量は１０から４０重量％であることを特徴とする請求項１６に記載のフォトレジストストリッパ組成物。
【請求項２０】
前記多価アルコール誘導体はプロピレングリコールモノメチルエーテルであり、前記ノーマルブチルアセテートの含量は５０から８５重量％であり、前記γ−ブチロラクトンの含量は１から１３重量％であり、前記プロピレングリコールモノメチルエーテルの含量は５から４０重量％であることを特徴とする請求項１７に記載のフォトレジストストリッパ組成物。
【請求項２１】
前記多価アルコール誘導体はプロピレングリコールモノメチルエーテルであり、前記ノーマルブチルアセテートの含量は５５から８５重量％であり、前記γ−ブチロラクトンの含量は１から７重量％であり、前記プロピレングリコールモノメチルエーテルの含量は１０から３０重量％であることを特徴とする請求項１７に記載のフォトレジストストリッパ組成物。
【請求項２２】
前記多価アルコール誘導体はプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートであり、前記ノーマルブチルアセテートの含量は５０から８５重量％であり、前記γ−ブチロラクトンの含量は１から１３重量％であり、前記プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートの含量は１０から４０重量％であることを特徴とする請求項１７に記載のフォトレジストストリッパ組成物。
【請求項２３】
前記多価アルコール誘導体はプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートであり、前記ノーマルブチルアセテートの含量は５５から８５重量％であり、前記γ−ブチロラクトンの含量は１から７重量％であり、前記プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートの含量は１０から４０重量％であることを特徴とする請求項１７に記載のフォトレジストストリッパ組成物。
【請求項２４】
界面活性剤をさらに含むことを特徴とする請求項１６に記載のフォトレジストストリッパ組成物。
【請求項２５】
前記界面活性剤の含量は１重量％以下であることを特徴とする請求項２４に記載のフォトレジストストリッパ組成物。
【請求項２６】
前記界面活性剤は、アルキルベンゼンスルホン酸塩、アルキルベンゼンスルホン酸塩のアルカリ金属塩、アルキル酸塩ジフェニルジスルホン酸塩およびアルキル酸塩ジフェニルジスルホン酸塩のアルカリ金属塩、アルキルアリールスホン酸塩、アルカリ金属フルオロアルカルカルボン酸塩、アンモニウム過フルオロアルキルスルホン酸塩、ならびにこれらの混合物質を含む一群から選択された少なくとも一つの物質であることを特徴とする請求項２４に記載のフォトレジストストリッパ組成物。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、フォトレジストストリッパ組成物に関するものであり、より詳細には、低廉に製造することができ、、基板上に塗布されているフォトレジストをストリッピングするために用いられる新規なフォトレジストストリッパ組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
微細回路を製造するためには、シリコン基板の小さい領域に不純物を正確に調節して注入し、このような領域を相互に連結し素子およびＶＬＳＩ回路を形成しなければならないが、これら領域を限定するパターンはフォトリソグラフィにより形成される。即ち、ウェーハ基板上にフォトレジストポリマフィルムを塗布し、紫外線、赤外線またはＸ線などを照射し、選択的に露光させた後に現像する。これにより、残ったフォトレジストは被覆している基板を保護し、フォトレジストが除去された部分はパターンに用いて、基板表面上に各種付加的または抽出的工程を行う。
【０００３】
フォトリソグラフィを実施するとき、フォトレジストの塗布に対する不良が度々発生する。このような不良が発生すると、前記フォトレジストが塗布されている基板をストリッピングしフォトレジストを除去した後、基板を再使用する。このような工程をウェーハのリワーク（ｒｅｗｏｒｋ）工程という。
【０００４】
また、フォトレジスト層を形成するときには、主に基板を回転させながら、フォトレジストを基板上に塗布する。そうすると、基板エッジと裏面（ｂａｃｋ  ｓｉｄｅ）にもフォトレジストが塗布される。しかし、基板エッジと裏面に塗布されたフォトレジストはエッチングやイオン注入工程のような後続工程でパーティクルなどを発生させ、または、パターン不良を発生させる原因として作用する。したがって、シンナー組成物を用いて基板のエッジと裏面に塗布されているフォトレジストをストリッピングし除去する工程（以下、“ＥＢＲ工程”という）を実施する。
【０００５】
従来のフォトレジストは、溶解速度が遅すぎたり、溶解が不完全であったりし、ストリッピング後、基板上のフォトレジスト成分の残留汚染物が後続工程で除去されない場合が発生した。このような場合には、装置の収率を低下させ、信頼性によくない影響を及ぼす。
【０００６】
一方、半導体装置の集積度が高まって、Ｉ−ライン、Ｇ−ラインで使用されるフォトレジスト組成物が開発され、このようなフォトレジスト組成物はノボラック（ｎｏｖｏｌａｃｋ）樹脂を主成分にする。また、エキシマレーザ波長や原紫外線に反応する増幅型フォトレジストも用いられてきた。したがって、このような多様なフォトレジストに共通的に優れた溶解度を示すフォトレジストのストリッピング用シンナー組成物が必要となる。
【０００７】
最近、呈示されたシンナー組成物はたとえば、米国特許第５，８６６，３０５号（ｉｓｓｕｅｄ  ｔｏ  Ｃｈｏｎ  ｅｔ  ａｌ．）および米国特許第６，１５９，６４６号（ｉｓｓｕｅｄ  ｔｏ  Ｊｅｏｎ  ｅｔ  ａｌ．）などに開示されている。
【０００８】
米国特許第５，８６６，３０５号には、エチルラクタート（ｅｔｈｙｌ  ｌａｃｔａｔｅ）およびエチル−３−エトキシプロピオネート（ｅｔｈｙｌ−３−ｅｔｈｏｘｙ  ｐｒｏｐｉｏｎａｔｅ）から成るシンナー組成物またはエチルラクタート（ｅｔｈｙｌ  ｌａｃｔａｔｅ）、エチル−３−エトキシプロピオネートおよびγ−ブチロラクトンから成るシンナー組成物が開示されている。米国特許第５，８６６，３０５号に開示されたシンナー組成物が現在多く用いられているが、このシンナー組成物はエチル−３−エトキシプロピオネートが主成分であるために、価格が高い。また、米国特許第５，８６６，３０５号に開示されたシンナー組成物は特定フォトレジストたとえば、増幅型フォトレジストのストリッピングで溶解能力が下がる短所がある。
【０００９】
米国特許第６，１５９，６４６号によると、エチルラクタートおよびγ−ブチロラクトンから成るシンナー組成物、エチルラクタート、エチル−３−エトキシプロピオネートおよびγ−ブチロラクトンから成るシンナー組成物またはエチルラクタートおよびエチル−３−エトキシプロピオネートから成るシンナー組成物が開示されている。しかし、このシンナー組成物は高価であるエチル−３−エトキシプロピオネート、γ−ブチロラクトンなどが主成分であるので、シンナー組成物の製造単価が高い。
【００１０】
また、本出願人により１９９９年１０月８日付で出願され（出願番号第１９９９−４３４８６号）２００１年５月７日付で公開された韓国特許公開第２００１−３６４６１号には、アセトン、γ−ブチロラクトンおよびアセト酸エステル化合物を主成分とするストリッピング組成物が開示されている。しかし、シンナーの主成分であるアセトンは浸透（ｐｅｎｅｔｒａｔｉｏｎ）特性が相当に強くて特に、ＥＢＲ工程でフォトレジストのエッジプロファイルがよくない。特に、特定フォトレジストたとえば、ＤＵＶフォトレジストで顕著である。また、アセトンは揮発性が高いので、たとえば、ノーマルブチルアセテート（ＮＢＡ）＋γ−ブチロラクトン（ＧＢＬ）＋アセトンからなるシンナーを用いてＥＢＲ工程を進行する場合には残留物が残り、望ましくない。
【００１１】
シンナー組成物は再使用のためのフォトレジストのストリッピング（リワーク工程）、ならびに基板エッジと裏面に塗布されるフォトレジストのストリッピング（ＥＢＲ工程）などに共通的に用いることができるが、二工程に同一な効果を示すシンナーが必ず必要である。
【００１２】
また、シンナー組成物はその成分上価格が高いという短所がある。これは、経費節減が要求される最近の半導体装置の製造に致命的な欠陥として作用する。
したがって、最近ではストリッピング特性に支障をきたさない低廉な価格のシンナー組成物の開発が必要である。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、現在使用されている全てのフォトレジストに対してリワーク工程およびＥＢＲ工程に共通的に優れたストリッピング特性を有する低廉な価格の新規なフォトレジストストリッパ組成物を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明の目的を達成するために本発明は、アセト酸エステル化合物、γ−ブチロラクトンおよび非アセト酸エステル化合物を含むことを特徴とするフォトレジストストリッパ組成物を提供する。
また、本発明の目的はアセト酸エステル化合物、γ−ブチロラクトンおよび多価アルコール誘導体を含むことを特徴とするフォトレジストストリッパ組成物によっても達成できる。
【００１５】
本発明のフォトレジストストリッパ組成物を用いたフォトレジストのストリッピング方法は、アセト酸エステル化合物、γ−ブチロラクトンおよび非アセト酸エステル化合物を含むフォトレジストストリッパ組成物またはアセト酸エステル化合物、γ−ブチロラクトンおよび多価アルコール誘導体を含むことを特徴とするフォトレジストストリッパ組成物を用意する段階と、フォトレジストが塗布されている基板にフォトレジストストリッパ組成物を接触させフォトレジストをストリッピングする段階とを含む。アセト酸エステル化合物としては、ノーマルブチルアセテート（ｎｏｒｍａｌ  ｂｕｔｙｌ  ａｃｅｔａｔｅ）を使用することが望ましい。
【００１６】
本発明によると、アセト酸エステル化合物特に、ノーマルブチルアセテート（ｎｏｒｍａｌ  ｂｕｔｙｌ  ａｃｅｔａｔｅ）のような低廉な価格の化合物を、フォトレジストストリッパ組成物の主成分または高い組成比を有する化合物に用いることができる。フォトレジストストリッパ組成物を低廉な価格に製造することができるにも関わらず、従来のシンナー組成物と同様に同一またはさらに優れたフォトレジストのストリッピング特性を確保することができる。したがって、フォトレジストストリッパ組成物は最近の経費節減が要求される半導体産業に活用する場合、経済的な面で相当に利点がある。そして、フォトレジストストリッパ組成物を構成する化合物は環境新化的であるので最近の環境問題にも積極的に対処することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
まず、アセト酸エステル化合物、γ−ブチロラクトンおよび非アセト酸エステル化合物から成る第１群のフォトレジストストリッパ組成物について説明する。本発明で使用することができるアセト酸エステル化合物としては、ノーマルブチルアセテート、アミルアセテート、エチルアセトアセテート、イソプロピルアセテートなどを挙げることができる。これらは単独にまたは混合し使用することができる。本発明で使用することができる望ましいアセト酸エステル化合物としては、ノーマルブチルアセテート（ｎｏｒｍａｌ  ｂｕｔｙｌ  ａｃｅｔａｔｅ：以下、‘ＮＢＡ’と称する）を挙げることができる。
【００１８】
ここで、ＮＢＡは樹脂（ｒｅｓｉｎ）類に対し良好な溶解能力があることで知られている。ＮＢＡは２０℃での比重が０．８８２であり、２５℃での粘度が０．６９３ｃＰであり、大気圧で沸点が１２６．５℃であり、引火点（ｆｌａｓｈｐｏｉｔ）は３８℃であり、発火点（ｂｕｒｎｉｎｇ  ｐｏｉｎｔ）は４２１℃である物理的特性を有する。特に、ＮＢＡは価格が安く湿潤性（ＷＥＴＴＡＢＩＬＩＴＹ、基板上での広がり程度またはフォトレジストとの反応程度）が良好であるが、単独使用時にはＥＢＲ工程でフォトレジストエッジプロファイルがよくない。
【００１９】
第１群のフォトレジストストリッパ組成物において、アセト酸エステル化合物の含量が８重量％未満であるかまたは９５重量％を超過すると、フォトレジストのストリッピング特性が低下するために望ましくない。したがって、アセト酸エステル化合物の含量は８から９５重量％、望ましくは５０から９０重量％である。特に、アセト酸エステル化合物がＮＢＡである場合、ＮＢＡの含量は２０から９０重量％であり、望ましくは３０から８９重量％である。
【００２０】
そして、本発明で使用することができる非アセト酸エステル化合物の例として、エチルラクタート（ｅｔｈｙｌ  ｌａｃｔａｔｅ：以下、‘ＥＬ’と称する）、エチル−３−エトキシプロピオネート（ｅｔｈｙｌ−３−ｅｔｈｏｘｙ  ｐｒｏｐｉｏｎａｔｅ：以下、‘ＥＥＰ’と称する）、メチル−３−メトキシプロピオネート（ｍｅｔｈｙｌ−３−ｍｅｔｈｏｘｙ  ｐｒｏｐｉｏｎａｔｅ：以下、‘ＭＭＰ’と称する）などを挙げることができる。これらは単独に使用することもでき、２以上の成分を混合し使用することもできる。物質は浸透（ｐｅｎｅｔｒａｔｉｏｎ）特性を抑制する特性があって、例えばフォトレジストストリッパ組成物としてＮＢＡとγ−ブチロラクトンのみを使用する場合、発生するフォトレジスト残留物（ｒｅｓｉｄｕｅ）を抑制する役割を有する。
【００２１】
非アセト酸エステル化合物の含量が３重量％未満であるかまたは８０重量％を超過すると、フォトレジストのストリッピング特性が低下するために望ましくない。したがって、非アセト酸エステル化合物の含量は３から８０重量％、望ましくは１０から７０重量％である。
【００２２】
特に、非アセト酸エステル化合物としてＥＥＰを使用する場合、ＥＥＰの含量は１０から７０重量％、望ましくは１０から６５重量％である。
本発明の第１群のフォトレジストストリッパ組成物は主成分としてγ−ブチロラクトン（ｇａｍｍａ−ｂｕｔｙｒｏ  ｌａｃｔｏｎｅ：以下、‘ＧＢＬ’と称する）を含む。
【００２３】
ＧＢＬは合成樹脂の溶剤として知られており、発火点が高く、溶剤としては比較的安定である。そして、ＧＢＬは食品添加剤として使用される程度に人体に対し安全である。ＧＢＬは２５℃での比重が１．１２５４であり、２５℃での粘度が１．７ｃＰであり、大気圧で沸点は２０４℃であり、引火点は９８．３℃であり、発火点は４５７℃である物理的特性を有する。ＧＢＬはフォトレジスト溶解能力が相当に優れているが、価格が高く、ＧＢＬの含量が小さいと、溶解能が下がり、多すぎると製造単価が上昇するために適当量が必要である。より具体的には、ＧＢＬは溶解度（ｓｏｌｕｂｉｌｉｔｙ）がよいので、エッジプロファイルを改善させる役割を有するが、ＮＢＡ＋ＧＢＬのみにより構成されたフォトレジストストリッパ組成物は、残留物を誘発させるので、ＥＥＰなどの非アセト酸エステル化合物を必要とする。
【００２４】
ＧＢＬの含量が０．１重量％未満であると、フォトレジストストリッパ組成物の製造が容易でないために、望ましくない。そして、ＧＢＬの含量が１３％を超過すると、フォトレジストストリッパ組成物の製造価格が上昇するために望ましくない。したがって、ＧＢＬの含量は１から１３重量％であり、望ましくはＧＢＬの含量は０．１から７重量％であり、より望ましくは、０．５から５重量％である。
【００２５】
本発明の望ましいフォトレジストストリッパ組成物としては、ＮＢＡ、ＧＢＬおよびＥＬから成るフォトレジストストリッパ組成物、ＮＢＡ、ＧＢＬおよびＥＥＰから成るフォトレジストストリッパ組成物、またはＮＢＡ、ＧＢＬおよびＭＭＰから成るフォトレジストストリッパ組成物などを挙げることができる。
【００２６】
ＮＢＡ、ＧＢＬおよびＥＬから成るフォトレジストストリッパ組成物では、ＮＢＡの含量が５０から８５重量％であり、ＧＢＬの含量が１から１３重量％であり、ＥＬの含量が１０から４０重量％であることが望ましい。そして、より望ましいフォトレジストストリッパ組成物で、ＮＢＡの含量は５５から８５重量％であり、ＧＢＬの含量は１から７重量％であり、ＥＬの含量は１０から４０重量％である。
【００２７】
ＮＢＡ、ＧＢＬおよびＥＥＰから成るフォトレジストストリッパ組成物では、ＮＢＡの含量が２０から９０重量％であり、ＧＢＬの含量が０．１から１３重量％であり、ＥＥＰの含量が１０から７０重量％であることが望ましい。そして、より望ましいフォトレジストストリッパ組成物で、ＮＢＡの含量は３０から８９重量％であり、ＧＢＬの含量は０．１から７重量％であり、ＥＥＰの含量は２０から７０重量％である。また、最も望ましいフォトレジストストリッパ組成物で、ＮＢＡの含量は３０から８９重量％であり、ＧＢＬの含量は０．５から５重量％であり、ＥＥＰの含量は１０から６５重量％である。
【００２８】
ＮＢＡ、ＧＢＬおよびＭＭＰから成るフォトレジストストリッパ組成物では、ＮＢＡの含量が５０から９０重量％であり、ＧＢＬの含量が１から１３重量％であり、ＭＭＰの含量が５から４０重量％であることが望ましい。そして、より望ましいフォトレジストストリッパ組成物で、ＮＢＡの含量は５５から９０重量％であり、ＧＢＬの含量は１から７重量％であり、ＭＭＰの含量は５から４０重量％である。
【００２９】
そして、フォトレジストストリッパ組成物は必要により微量の界面活性剤をさらに含むことができる。本発明で使用可能である界面活性剤としてはアルキルベンゼンスルホン酸塩およびこれのアルカリ金属塩、アルキル酸塩ジフェニルジスルホン酸塩およびこれのアルカリ金属塩、アルキルアリールスホン酸塩、アルカリ金属フルオロアルカルカルボン酸塩、アンモニウム過フルオロアルキルスルホン酸塩などを挙げることができる。界面活性剤の役割は湿潤性（ＷＥＴＴＡＢＩＬＩＴＹ）を向上させ、フォトレジストストリッパの各成分を均等に混ぜられるようにするものである。界面活性剤の含量は１重量％以下であることが望ましい。
【００３０】
次に、アセト酸エステル化合物、γ−ブチロラクトンおよび多価アルコール誘導体から成る第２群（ｓｅｃｏｎｄ  ｇｒｏｕｐ）によるフォトレジストストリッパ組成物について説明する。
本発明の第２群によるフォトレジストストリッパ組成物はアセト酸エステル化合物を含む。アセト酸エステル化合物における説明は前述したとおりである。
【００３１】
フォトレジストストリッパ組成物において、アセト酸エステル化合物の含量が４２重量％未満であるかまたは９０重量％を超過すると、フォトレジストのストリッピング特性が低下するために望ましくない。したがって、フォトレジストストリッパ組成物中のアセト酸エステル化合物の含量は４２から９０重量％であり、望ましくは５０から８５重量％である。
【００３２】
本発明の第２群によるフォトレジストストリッパ組成物はＧＢＬを含む。ＧＢＬの説明は前述したとおりである。
ＧＢＬの含量が１重量％未満であると、フォトレジストストリッパ組成物の製造が容易でないために望ましくない。そして、ＧＢＬの含量が１３％を超過すると、フォトレジストストリッパ組成物の製造価格が上昇するために望ましくない。ＧＢＬの含量は１から１３重量％であり、望ましくは１から７重量％である。
【００３３】
本発明の第２群によるフォトレジストストリッパ組成物は多価アルコール誘導体を含む。本発明で使用することができる多価アルコール誘導体としてはプロピレングリコールモノメチルエーテル（ｐｒｏｐｙｌｅｎｅ  ｇｌｙｃｏｌ  ｍｏｎｏｍｅｔｈｙｌ  ｅｔｈｅｒ：以下、‘ＰＧＭＥ’と称する）、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ｐｒｏｐｙｌｅｎｅ  ｇｌｙｃｏｌ  ｍｏｎｏｍｅｔｈｙｌ  ｅｔｈｅｒ  ａｃｅｔａｔｅ：以下、‘ＰＧＭＥＡ’と称する）などを挙げることができる。これらは単独にまたは混合し使用することができる。前述した第１群のフォトレジストストリッパ組成物のように、ＮＢＡ＋ＧＢＬのみで構成されたフォトレジストストリッパ組成物は残留物を誘発させるので、多価アルコール誘導体が必要である。
【００３４】
多価アルコール誘導体の含量が５重量％未満であるかまたは４５重量％を超過すると、フォトレジストのストリッピング特性が低下されるために望ましくない。したがって、多価アルコール誘導体の含量は５から４５重量％、望ましくは１０から４０重量％である。
【００３５】
本発明の第２群によるフォトレジストストリッパ組成物の望ましい例としては、ＮＢＡ、ＧＢＬおよびＰＧＭＥから成るフォトレジストストリッパ組成物、ＮＢＡ、ＧＢＬおよびＰＧＭＥＡから成るフォトレジストストリッパ組成物などを挙げることができる。
【００３６】
ＮＢＡ、ＧＢＬおよびＰＧＭＥから成るフォトレジストストリッパ組成物の場合、ＮＢＡの含量は５０から８５重量％、望ましくは５５から８５重量％であり、ＧＢＬの含量は１から１３重量％であり、望ましくは１から７重量％であり、ＰＧＭＥの含量は５から４０重量％、望ましくは１０から３０重量％である。
【００３７】
ＮＢＡ、ＧＢＬおよびＰＧＭＥＡから成るフォトレジストストリッパ組成物の場合、ＮＢＡの含量は５０から８５重量％であり、ＧＢＬの含量は１から１３重量％、望ましくは１から７重量％であり、ＰＧＭＥＡの含量は１０から４０重量％である。
【００３８】
そして、第２群によるフォトレジストストリッパ組成物は界面活性剤をさらに含むことが望ましい。界面活性剤については上述したとおりである。前記界面活性剤の含量は望ましくは１重量％以下である。
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
まず、フォトレジストストリッパ組成物としてのシンナー組成物を使用したフォトレジストのストリッピング方法について説明する。
【００３９】
（ＥＢＲ工程）
図１は本発明の一実施例によるシンナー組成物を使用し基板エッジと裏面部位に塗布されているフォトレジストをストリッピングする方法を説明するための工程図である。
【００４０】
図１を参照すると、ＮＢＡ、ＧＢＬ及び非アセト酸エステル化合物から成るシンナー組成物またはＮＢＡ、ＧＢＬおよび多価アルコール誘導体から成るシンナー組成物を用意する。（段階Ｓ１０）
次に、基板上にフォトレジストを塗布する。（段階Ｓ１２）フォトレジストの塗布は主にスピンコータを使用する。スピンコータにより回転する基板にフォトレジストを塗布する。これにより、基板に噴射されたフォトレジストは遠心力により基板のエッジ部位まで押し出され、基板全体領域に均一の厚みで塗布される。
【００４１】
そして、遠心力によりフォトレジストは基板のエッジ部位だけでなく、基板の裏面部位まで押し出される。このように、基板のエッジと裏面部位まで押し出され基板のエッジと裏面に塗布されるフォトレジストは、後続工程で不良として作用する。
【００４２】
したがって、フォトレジストが塗布される基板のエッジと裏面にシンナー組成物を接触させ、フォトレジストをストリッピングする。（段階Ｓ１４）シンナー組成物の接触の方法は基板にシンナー組成物を噴射する方法などを挙げることができる。
【００４３】
シンナー組成物を噴射する方法は、基板を回転させる回転−チャック（ｓｐｉｎ−ｃｈｕｃｋ）、ならびにシンナー組成物を噴射するノズルなどを使用し実施することができる。
本実施例では回転チャックおよびノズルを用いてシンナー組成物を噴射する方法について説明する。
【００４４】
シンナー組成物を噴射するときに基板は回転−チャックにより順次に低速回転および高速回転をすることが望ましい。
まず、フォトレジストが塗布された基板を比較的低速で回転させながら、シンナー組成物を噴射する。基板を例えば、８００から２，０００ｒｐｍの速度で回転させながら、ノズルを通じてシンナー組成物を基板のエッジと裏面に約５〜１０秒、望ましくは６秒間噴射する。そうすると、回転する基板上に噴射されたシンナー組成物は遠心力により、基板のエッジと裏面に不必要に塗布されたフォトレジストをストリッピングし除去する。
【００４５】
次に、基板を２，０００から２，５００ｒｐｍの比較的高速で回転させ、基板をスピンドライする。（段階Ｓ１６）スピンドライ工程は必要である場合には省略することができる。
そして、シンナー組成物を噴射する他の方法は次のとおりである。例えばノズルを固定させた後、基板を回転させながら、基板のエッジにシンナー組成物を噴射する方法があり、基板を固定させた後、ノズルを基板のエッジ部位に沿って移動させながらシンナー組成物を噴射する方法がある。また、基板裏面にシンナー組成物を噴射する方法も他のノズルを用いて基板エッジにシンナー組成物を噴射する方法と類似である。以後、通常的なフォト工程すなわち、フォトレジストベーク、露光および現像工程を進行する。
【００４６】
（リワーク工程）
図２は本発明の一実施例によるシンナー組成物を使用し基板全面に塗布されているフォトレジストをストリッピングする方法を説明するための工程図である。先に、通常のフォト工程すなわち、現像工程まで完了した状態で不良が発生すると、リワーク工程を実施する。
【００４７】
図２を参照すると、ＮＢＡ、ＧＢＬおよび非アセト酸エステル化合物から成るシンナー組成物またはＮＢＡ、ＧＢＬおよび多価アルコール誘導体から成るシンナー組成物を用意する。（段階Ｓ２０）
そして、フォトレジストが塗布されている基板すなわち、再使用のためにリワークを実施する基板に、シンナー組成物を接触させフォトレジストをストリッピングする。シンナー組成物を接触させる方法は、基板をバスに収容されているシンナー組成物に浸漬（ｄｉｐｐｉｎｇ）させる方法または回転−チャックおよびノズルを用いて基板上にシンナー組成物を噴射する方法などがある。
【００４８】
本実施例では回転−チャックおよびノズルを用いて基板上にシンナー組成物を噴射する方法について説明する。
まず、フォトレジストが塗布されている基板を比較的低速で回転させながら、シンナー組成物を基板に噴射する。（段階Ｓ２２）具体的には、基板を８００から２，０００ｒｐｍの速度で回転させながら、ノズルを通じて基板上にシンナー組成物を約１０から２０秒間噴射する。そうすると、回転する基板上に噴射されたシンナー組成物は遠心力により基板上に均一に供給される。
【００４９】
続いて、基板の回転を一時的に停止する。（段階Ｓ２４）基板の停止は約１０秒から３０秒間維持される。そうすると、基板上に噴射されたシンナー組成物により基板上に塗布されているフォトレジストが溶解する。
次に、任意に基板を約２，０００から２，５００ｒｐｍの高速で回転させ、ウェーハをスピンドライさせる。スピンドライは省略可能である。
【００５０】
続いて、基板上に残留するフォトレジスト残留物を除去するために、基板を比較的高速で回転させる。具体的には、基板を約２０００から２５００ｒｐｍの速度で回転させながら、高速で回転する基板にシンナー組成物を約１０から２０秒間噴射させる。（段階Ｓ２６）そうすると、基板上に残留するフォトレジスト残留物が除去される。
【００５１】
そして、高速で回転する基板へのシンナー組成物の噴射を停止する。そうすると、基板のみ続けて２０００〜２５００ｒｐｍの高速で回転する。これにより、基板に噴射されたシンナー組成物のスピンドライを行う。（段階Ｓ２８）
続いて、基板上に純水を噴射し基板を洗浄し、続けて基板を回転させスピンドライを実施する。（段階Ｓ３０）
【００５２】
ここで、段階Ｓ２４、Ｓ２６およびＳ３０は追加的工程として作業者の任意に省略することもできる。
したがって、上述の方法を通じてフォトレジストのストリッピングを行った場合、基板は再使用可能である。
【００５３】
このように、多様なフォトレジストのストリッピングを実施するとき、シンナー組成物を使用しても優れたストリッピング特性を得ることができる。すなわち、本発明は低廉な価格のフォトレジストストリッパ組成物を使用するにも関わらず、フォトレジストのストリッピング特性には影響を及ぼさない。
以下、本発明の実施例を具体的に説明する。
【００５４】
〈実施例１〉
容器にＮＢＡ、ＧＢＬおよびＥＬを入れて、これらを混合しシンナー組成物を製造した。シンナー組成物はＮＢＡの含量が８５重量％、ＧＢＬの含量が５重量％、ＥＬの含量が１０重量％を有するように調整した。収得したシンナー組成物の粘度は０．７９ｃＰ（２５℃恒温槽で測定）であった。
【００５５】
〈実施例２〉
容器にＮＢＡ、ＧＢＬおよびＥＬを入れて、これらを混合しシンナー組成物を製造した。シンナー組成物はＮＢＡの含量が７５重量％、ＧＢＬの含量が５重量％、ＥＬの含量が２０重量％を有するように調整した。収得したシンナー組成物の粘度は０．８８ｃＰ（２５℃恒温槽で測定）であった。
【００５６】
〈実施例３〉
容器にＮＢＡ、ＧＢＬおよびＥＥＰを入れて、これらを混合しシンナー組成物を製造した。シンナー組成物はＮＢＡの含量が８５重量％、ＧＢＬの含量が５重量％、ＥＥＰの含量が１０重量％を有するように調整した。収得したシンナー組成物の粘度は０．７４ｃＰ（２５℃恒温槽で測定）であった。
【００５７】
〈実施例４〉
容器にＮＢＡ、ＧＢＬおよびＥＥＰを入れて、これらを混合しシンナー組成物を製造した。シンナー組成物はＮＢＡの含量が７５重量％、ＧＢＬの含量が５重量％、ＥＥＰの含量が２０重量％を有するように調整した。収得したシンナー組成物の粘度は０．７４ｃＰ（２５℃恒温槽で測定）であった。
【００５８】
〈実施例５〉
容器にＮＢＡ、ＧＢＬおよびＥＥＰを入れて、これらを混合しシンナー組成物を製造した。シンナー組成物はＮＢＡの含量が３５重量％、ＧＢＬの含量が５重量％、ＥＥＰの含量が６０重量％を有するように調整した。収得したシンナー組成物の粘度は０．７８ｃＰ（２５℃恒温槽で測定）であった。
【００５９】
〈実施例６〉
容器にＮＢＡ、ＧＢＬおよびＰＧＭＥＡを入れて、これらを混合しシンナー組成物を製造した。シンナー組成物はＮＢＡの含量が８５重量％、ＧＢＬの含量が５重量％、ＰＧＭＥＡの含量が１０重量％を有するように調整した。収得したシンナー組成物の粘度は０．７４ｃＰ（２５℃恒温槽で測定）であった。
【００６０】
〈実施例７〉
容器にＮＢＡ、ＧＢＬおよびＰＧＭＥＡを入れて、これらを混合しシンナー組成物を製造した。シンナー組成物はＮＢＡの含量が７５重量％、ＧＢＬの含量が５重量％、ＰＧＭＥＡの含量が２０重量％を有するように調整した。収得したシンナー組成物の粘度は０．７４ｃＰ（２５℃恒温槽で測定）であった。
【００６１】
〈実施例８〉
容器にＮＢＡ、ＧＢＬおよびＰＧＭＥを入れて、これらを混合しシンナー組成物を製造した。シンナー組成物はＮＢＡの含量が８５重量％、ＧＢＬの含量が５重量％、ＰＧＭＥの含量が１０重量％を有するように調整した。収得したシンナー組成物の粘度は０．７４ｃＰ（２５℃恒温槽で測定）であった。
【００６２】
〈実施例９〉
容器にＮＢＡ、ＧＢＬおよびＰＧＭＥを入れて、これらを混合しシンナー組成物を製造した。シンナー組成物はＮＢＡの含量が７５重量％、ＧＢＬの含量が５重量％、ＰＧＭＥの含量が２０重量％を有するように調整した。収得したシンナー組成物の粘度は０．７８ｃＰ（２５℃恒温槽で測定）であった。
【００６３】
〈実施例１０〉
容器にＮＢＡ、ＧＢＬおよびＭＭＰを入れて、これらを混合しシンナー組成物を製造した。シンナー組成物はＮＢＡの含量が９０重量％、ＧＢＬの含量が５重量％、ＭＭＰの含量が５重量％を有するように調整した。収得したシンナー組成物の粘度は０．７４ｃＰ（２５℃恒温槽で測定）であった。
【００６４】
〈実施例１１〉
容器にＮＢＡ、ＧＢＬおよびＥＥＰを入れて、これらを混合しシンナー組成物を製造した。シンナー組成物はＮＢＡの含量が８７重量％、ＧＢＬの含量が１重量％、ＥＥＰの含量が１２重量％を有するように調整した。収得したシンナー組成物の粘度は０．７４ｃＰ（２５℃恒温槽で測定）であった。
【００６５】
〈比較例１〉
容器にＥＥＰ、ＥＬおよびＧＢＬを入れて、これらを混合しシンナー組成物を製造した。シンナー組成物はＥＥＰの含量が７５重量％、ＥＬの含量が２０重量％、ＧＢＬの含量が５重量％を有するように調整した。収得したシンナー組成物の粘度は１．３０ｃＰ（２５℃恒温槽で測定）であった。
【００６６】
〈比較例２〉
韓国特許公開公報第２００１−３６４６１号に開示されたシンナー組成物を製造した。
容器にＮＢＡ、ＧＢＬおよびアセトンを入れて、これらを混合しシンナー組成物を製造した。シンナー組成物はＮＢＡの含量が８５重量％、ＧＢＬの含量が５重量％、アセトンの含量が１０重量％を有するように調整した。収得したシンナー組成物の粘度は０．６６ｃＰ（２５℃恒温槽で測定）であった。
【００６７】
〈比較例３〉
容器にＧＢＬおよびＥＬを入れて、これらを混合しシンナー組成物を製造した。シンナー組成物はＧＢＬの含量が２０重量％、ＥＬの含量が８０重量％を有するように調整した。収得したシンナー組成物の粘度は２．４０ｃＰ（２５℃恒温槽で測定）であった。
【００６８】
〈比較例４〉
容器にＮＢＡおよびＥＬを入れて、これらを混合しシンナー組成物を製造した。シンナー組成物のＮＢＡ：ＥＬの比率を８５：５に調整した。収得したシンナー組成物の粘度は０．７４ｃＰ（２５℃恒温槽で測定）であった。
【００６９】
〈比較例５〉
容器にＮＢＡおよびＧＢＬを入れて、これらを混合しシンナー組成物を製造した。シンナー組成物中のＮＢＡ：ＧＢＬの比率を８５：５に調整した。収得したシンナー組成物の粘度は０．７４ｃＰ（２５℃恒温槽で測定）であった。
【００７０】
（フォトレジストの種類による溶解速度試験）
実施例８で製造されたシンナー組成物を使用し、現在使用されているフォトレジストに対する溶解速度を試験した。
〈試験例１〉
基板上にｉ−ラインフォトレジストであるクライアント社（Ｃｌａｒｉａｎｔｃｏｍｐａｎｙ：米国）のＡＺ１５２０ＨＳ（製品名）を約１．５ｃｃスピン塗布した後、ソフトベーキング（１１０℃に加熱）を実施した。形成されたフォトレジスト膜の厚みは４２，０００Åであった。
そして、２５℃で基板をシンナー組成物に浸漬させ、フォトレジストをストリッピングした後、溶解速度を観察した。観察された溶解速度は５，０００Å／ｓｅｃであった。
【００７１】
〈試験例２〉
基板上にｉ−ラインフォトレジストであるシプリコリア社（Ｓｈｉｐｌｅｙ  Ｋｏｒｅａ  ｃｏｍｐａｎｙ：韓国）のＭＣＰＲ−４１００Ｈ（製品名）を約１．５ｃｃスピン塗布した後、ソフトベーキング（９０℃に加熱）を実施した。形成されたフォトレジスト膜の厚みは１１，９００Åであった。
そして、基板をシンナー組成物に浸漬させフォトレジストをストリッピングした後、溶解速度を観察した。観察された溶解速度は３，０００Å／ｓｅｃ以上であった。
【００７２】
〈試験例３〉
基板上にｉ−ラインフォトレジストであるティオケイ社（ＴＯＫ  ｃｏｍｐａｎｙ：日本）のＳＡＴ−７０１（製品名）を約１．５ｃｃスピン塗布した後、ソフトベーキング（９０℃に加熱）を実施した。形成されたフォトレジスト膜の厚みは９，７００Åであった。
そして、基板をシンナー組成物に浸漬させフォトレジストをストリッピングした後、溶解速度を観察した。観察された溶解速度は９，７００Å／ｓｅｃ以上であった。
【００７３】
〈試験例４〉
基板上にｉ−ラインフォトレジストであるティオケイ社（ＴＯＫ  ｃｏｍｐａｎｙ：日本）のＳＡＴ−６６８（製品名）を約１．５ｃｃスピン塗布した後、ソフトベーキング（９０℃に加熱）を実施した。形成されたフォトレジスト膜の厚みは１９，７００Åであった。
そして、基板をシンナー組成物に浸漬させフォトレジストをストリッピングした後、溶解速度を観察した。観察された溶解速度は１９，０００Å／ｓｅｃ以上であった。
【００７４】
〈試験例５〉
基板上にｉ−ラインフォトレジストであるシプリコリア社（Ｓｈｉｐｌｅｙ  Ｋｏｒｅａ  ｃｏｍｐａｎｙ：韓国）のＭＣＰＲ−ｉ７０１０Ｎ（製品名）を約１．５ｃｃスピン塗布した後、ソフトベーキング（１１０℃に加熱）を実施した。形成されたフォトレジスト膜の厚みは３５，０００Åであった。
そして、基板をシンナー組成物に浸漬させフォトレジストをストリッピングした後、溶解速度を観察した。観察された溶解速度は２０，０００Å／ｓｅｃ以上であった。
【００７５】
〈試験例６〉
基板上にｉ−ラインフォトレジストであるドンウー社（Ｄｏｎｇｗｏｏ  ｃｏｍｐａｎｙ：韓国）のＰＦＩ−５８Ａ（製品名）を約１．５ｃｃスピン塗布した後、ソフトベーキング（１１０℃に加熱）を実施した。形成されたフォトレジスト膜の厚みは１２，３００Åであった。
そして、基板をシンナー組成物に浸漬させフォトレジストをストリッピングした後、溶解速度を観察した。観察された溶解速度は１２，２００Å／ｓｅｃ以上であった。
【００７６】
〈試験例７〉
基板上にｉ−ラインフォトレジストであるティオケイ社（ＴＯＫ  ｃｏｍｐａｎｙ：日本）のＴＨＭＲ−ｉｐ３１００（製品名）を約１．５ｃｃスピン塗布した後、ソフトベーキング（１１０℃に加熱）を実施した。形成されたフォトレジスト膜の厚みは１４，４００Åであった。
そして、基板をシンナー組成物に浸漬させフォトレジストをストリッピングした後、溶解速度を観察した。観察された溶解速度は１４，４００Å／ｓｅｃ以上であった。
【００７７】
〈試験例８〉
基板上にｇ−ラインフォトレジストであるシプリコリア社（Ｓｈｉｐｌｅｙ  Ｋｏｒｅａ  ｃｏｍｐａｎｙ：韓国）のＧＳ１１１Ｍ（製品名）を約１．５ｃｃスピン塗布した後、ソフトベーキング（９０℃に加熱）を実施した。形成されたフォトレジスト膜の厚みは１２，２００Åであった。
そして、基板をシンナー組成物に浸漬させフォトレジストをストリッピングした後、溶解速度を観察した。観察された溶解速度は１２，０００Å／ｓｅｃ以上であった。
【００７８】
〈試験例９〉
基板上に原紫外線用フォトレジストであるシンエツ社（Ｓｈｉｎｅｔｓｕ  ｃｏｍｐａｎｙ：日本）のＳＥＰＲ−４０２（製品名）を約１．５ｃｃスピン塗布した後、ソフトベーキング（１００℃に加熱）を実施した。形成されたフォトレジスト膜の厚みは１０，３００Åであった。
そして、基板をシンナー組成物に浸漬させフォトレジストをストリッピングした後、溶解速度を観察した。観察された溶解速度は７，０００Å／ｓｅｃ以上であった。
【００７９】
〈試験例１０〉
基板上に原紫外線用フォトレジストであるシンエツ社（Ｓｈｉｎｅｔｓｕ  ｃｏｍｐａｎｙ：日本）のＳＥＰＲ−４３０（製品名）を約１．５ｃｃスピン塗布した後、ソフトベーキング（１００℃に加熱）を実施した。形成されたフォトレジスト膜の厚みは５，７００Åであった。
そして、基板をシンナー組成物に浸漬させフォトレジストをストリッピングした後、溶解速度を観察した。観察された溶解速度は５，７００Å／ｓｅｃ以上であった。
【００８０】
〈試験例１１〉
基板上に原紫外線用フォトレジストであるスミトモ社（Ｓｕｍｉｔｏｍｏ  ｃｏｍｐａｎｙ：日本）のＳＳＫ−５００ＭＡ（製品名）を約１．５ｃｃスピン塗布した後、ソフトベーキング（１００℃に加熱）を実施した。形成されたフォトレジスト膜の厚みは１６，０００Åであった。
そして、基板をシンナー組成物に浸漬させフォトレジストをストリッピングした後、溶解速度を観察した。観察された溶解速度は７，０００Å／ｓｅｃ以上であった。
【００８１】
試験例１から１１で、実施例８で製造されたシンナー組成物を使用し多様なフォトレジストに対する溶解速度を観察したとおり、実施例８によるシンナー組成物は大部分のフォトレジストに対し優れた溶解速度を示すことが分かる。また、他の実施例によるシンナー組成物もこれと類似の結果を示した。したがって、本発明によるフォトレジストストリッパ組成物はウェーハ上に塗布されたフォトレジストを溶解するに使用することができることが分かる。
【００８２】
（フォトレジストの種類による残留物評価試験）
実施例１から１１および比較例１から５で収得されたシンナー組成物を使用しフォトレジストを溶解させた後、残留するフォトレジストである残留物の存在可否を検査した。具体的には、試験例１から１１で使用されたものと同一のフォトレジストを基板上に試験例１から１１と同一の方法により塗布した。フォトレジストが塗布された基板を実施例１から１１および比較例１から５で収得されたシンナー組成物中に１２０秒間に浸漬させた後、自然乾燥させた。自然乾燥された基板を顕微鏡で観察し基板上に残留する残留物の存在可否を評価した。評価結果を下記表１に示す。
【００８３】
【表１】
0003590395.tif 000002
【００８４】
表１の凡例において、○よい、△普通、×悪いを示す。
○：基板上に残留物が残留しない良好な状態
△：基板上に残留物が若干残留した状態（残留物が占める面積が基板面積対比１０％未満）
×：基板上に残留物が相当な程度に残留し、ストリッピング状態がよくない場合（残留物が占める面積が基板面積対比１０％以上）
【００８５】
また、表１のＰＲ１から１１は各々試験例１から１１で使用されたフォトレジストと同一なフォトレジストを示す。
表１から分かるように、本発明の実施例１から１１により収得されたシンナー組成物を使用し、浸漬法によりフォトレジストをストリッピングしても、以前より使用されているシンナー組成物と同様に良好なストリッピング特性を得ることができる。
したがって、本発明のフォトレジストストリッパ組成物は浸漬法によるフォトレジストストリッパ組成物として使用することができる。
【００８６】
（フォトレジストの種類によるＥＢＲ工程の評価）
実施例１１、ならびに比較例１、２、３および５で収得されたシンナー組成物を使用し、フォトレジスト種類別に前述したようなＥＢＲ工程を実施した後、フォトレジストのストリッピング程度を評価した（ＥＢＲ評価）。本ＥＢＲ評価時には、基板にシンナー組成物を噴射する方法を使用してフォトレジストと接触させた。噴射にはＤＮＳ社の窒素（Ｎ２）加圧方式コータ（Ｃｏａｔｅｒ）を用いた。このとき、窒素圧力は０．７ｋｇｆ／ｃｍ２（６．９×１０４Ｐａ）であり、シンナー組成物は１３ｃｃ／ｍｉｎの流速で４秒間供給した。評価結果を下記表２に示す。
【００８７】
【表２】
0003590395.tif 000003
【００８８】
表２の凡例において、○よい、△普通、×悪いを示す。
○：ＥＢＲ工程を実施した部位に残留物がなく、ＥＢＲ工程を実施した後のフォトレジストの境界線（ＥＢＲ工程を実施した部位と実施しない部位との間の境界線）がきれいに形成された状態
△：ＥＢＲ工程を実施した部位には残留物がないが、ＥＢＲ工程を実施した後のフォトレジストの境界線がきれいでない状態
×：ＥＢＲ工程を実施した部位に残留物があり、ＥＢＲ工程を実施した後のフォトレジストの境界線がきれいでない状態
【００８９】
前記ＰＲ３から７および９から１１は、試験例３から７および９から１１で使用されたフォトレジストと同一のフォトレジストを示す。
表２から分かるように、本発明の実施例１１で収得したシンナー組成物を使用すると、ＥＢＲ工程を実施した場合に優れたストリッピング特性を得ることができる。
【００９０】
比較例１のシンナー組成物は、本発明の実施例１１と殆ど同一のストリッピング特性を示しているが、いくつかのｉ−ラインフォトレジストに対してＥＢＲ境界線がきれいでなく、特に価格が高いという短所がある。また、比較例２のシンナー組成物はＥＢＲ工程を実施した後に残留物が残らないが、添加成分であるアセトンを含むので、ＥＢＲ境界線がきれいでないことが示された。比較例３の組成物はフォトレジストに対する溶解能力はよいが、粘度が高く（２．４０ｃＰ）、ＥＢＲ特性がよくないことが示され、比較例５のシンナー組成物の場合には、ＥＢＲ工程を実施した後、いくつかのフォトレジスト組成物に対して残留物を残した。
以上、本発明の実施例を詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有するものであれば本発明の思想と精神を離れることなく、本発明の実施例を修正または変更できるであろう。
【００９１】
【発明の効果】
本発明による新規なフォトレジストストリッパ組成物は、多様なフォトレジストおよびＥＢＲ／リワーク工程に対し良好なストリッピング特性を示した。特に、ノーマルブチルアセテートのような低廉な価格の非アセト酸エステル化合物をストリッパの主成分に含み、この成分はストリッパの成分含量を高める。したがって、フォトレジストストリッパ組成物を低廉な価格に製造することができ、多様なフォトレジストに対して優れた特性を確保することができる。フォトレジストストリッパ組成物は環境新化的であるので、環境問題を発生させず、後に惹起される環境問題にも積極的に対処することができ、また、下部膜に支障を及ぼさないことを確認することができた。
本発明によると、低廉な価格のフォトレジストストリッパ組成物をフォトレジストのストリッピングに積極的に使用することができる。したがって、半導体産業に広く使用されることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例によるシンナー組成物を使用し基板エッジおよび裏面部位に塗布されているフォトレジストをストリッピングする方法を説明するための工程図である。
【図２】本発明の実施例によるシンナー組成物を使用し基板エッジ全面に塗布されているフォトレジストをストリッピングする方法を説明するための工程図である。
【図１】
0003590395.tif 000004
【図２】
0003590395.tif 000005