Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成29年9月6日(2017.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリンダを有するエンジンであって、
前記シリンダは、シリンダヘッド本体と、排気バルブ機構と、前記シリンダにおけるストロークを介して移動可能な、往復動作を行うターボピストンアセンブリと、を備え、
前記シリンダヘッド本体は、混合気流を許容し、かつシリンダ軸と同軸に配置された複数のチャネルを有するサンフラワーバルブを含む、サンフラワーバルブ機構を有し、
前記サンフラワーバルブは、円筒状カムフォロワーに固定され、
前記円筒状カムフォロワーは、前記サンフラワーバルブに対して角運動を提供し、
前記排気バルブ機構は、燃焼ガスを前記シリンダから排出するために排気バルブカム、プッシュロッド、調節可能ロッカーアーム及び排気バルブを有することを特徴とするエンジン。
【請求項２】
前記シリンダヘッド本体は、円筒状表面を有し、さらに、吸気マニフォルドと、排気マニフォルドと、バルブロックハウジングと、ブラケットと、排気室と、を備え、
前記吸気マニフォルド及び排気マニフォルドは、前記シリンダヘッド本体の円筒状表面に配置され、
前記バルブロックハウジングは、前記シリンダヘッド本体の前記円筒状表面に配置され、サンフラワーバルブ上部ガイドロック、サンフラワーバルブロック、サンフラワーバルブ下部ガイドロック、サンフラワーバルブアセンブリカバー及び円筒状カムフォロワーを収容し、
前記ブラケットは、前記排気バルブ機構のカムシャフト及び前記プッシュロッドのためのベアリング支持を提供し、
前記排気室は、外側円筒状表面を有し、前記シリンダ軸に沿うサンフラワーバルブアセンブリの移動を停止するために前記外側円筒状表面に配置される環状突起と、前記シリンダ軸に沿う前記サンフラワーバルブアセンブリの移動を停止するために前記外側円筒状表面に配置されるサンフラワーアセンブリサークリップを受容する前記環状突起の下方の凹所と、を有し、
前記シリンダヘッド本体は、その頂表面にインジェクターと点火プラグとを受容するためのねじ切り穴を有することを特徴とする、請求項１に記載のエンジン。
【請求項３】
前記サンフラワーバルブ機構は、前記吸気マニフォルドに隣接して配置され、さらに、サンフラワーバルブ上部ガイドと、サンフラワーバルブ下部ガイドと、円筒状カムフォロワーと、角度付きスロットと、コイルスプリングと、を備え、
前記サンフラワーバルブ上部ガイドは、吸気ストローク中に混合気を案内するためにエンジンシリンダ軸と同軸に配置される複数のチャネルを有し、シリンダ軸回りの回転を防止するためにシリンダヘッド本体に固定され、
前記サンフラワーバルブ下部ガイドは、前記混合気を前記シリンダに案内して周方向スワールを発生するために、前記エンジンシリンダ軸と同軸に配置される前記サンフラワーバルブ上部ガイドと一直線に複数の渦形状チャネルを有し、シリンダ軸回りの回転を防止するために前記シリンダヘッド本体に固定され、
前記円筒状カムフォロワーは、円筒状カムフォロワープロファイに従って角運動を前記サンフラワーバルブに付するために前記サンフラワーバルブロックの頂表面に配置され、
前記角度付きスロットは、前記円筒状カムフォロワーを角度付きパスに案内するために、前記シリンダヘッド本体の前記バルブロックハウジングに形成され、
前記コイルスプリングは、前記サンフラワーバルブを閉鎖位置に保つためにサンフラワーバルブスプリングシートに配置されることを特徴とする、請求項２に記載のエンジン。
【請求項４】
排気バルブカムと円筒状カムとが、その円筒状表面に配置されるカムシャフトを備え、
前記排気バルブカムは、往復運動を前記プッシュロッドに付すために、前記プッシュロッドと機械的に連結され、
前記円筒状カムは、前記円筒状カムフォロワーと前記サンフラワーバルブ機構に角運動を付すために、前記円筒状カムフォロワーに機械的に連結されることを特徴とする、請求項１に記載のエンジン。
【請求項５】
前記ターボピストンアセンブリは、ピストンと、インペラーと、接続ロッドと、を備え、
前記ピストンは、頂表面を有し、
前記インペラーは、前記ピストンの前記頂表面に配置され、シリンダ軸回りに混合気の力によって回転され、シリンダ軸方向に沿う移動を防止するために前記ピストンに固定され、
前記接続ロッドは、往復運動を回転運動に変化させることを特徴とする、請求項１に記載のエンジン。
【請求項６】
前記サンフラワーバルブは、前記サンフラワーバルブ上部ガイドと前記サンフラワーバルブ下部ガイドとの間でシリンダ軸回りに回転可能であり、吸気ストローク中に前記シリンダ内への前記混合気の流れを許容するために、前記サンフラワーバルブ上部ガイドと前記サンフラワーバルブ下部ガイドの前記チャネルを覆わず、
前記サンフラワーバルブ機構において、前記サンフラワーバルブ下部ガイドのらせん状のチャネルは、前記シリンダ内で周方向スワールを発生するために前記混合気の流れを前記シリンダ内に周方向へ向け、
前記サンフラワーバルブ機構によって発生された周方向スワールは、前記シリンダの壁を冷却し、
前記サンフラワーバルブ機構によって発生された前記周方向スワールは、爆発ストローク中に前記シリンダの壁への炎の伝搬を防止することを特徴とする、請求項３に記載のエンジン。
【請求項７】
前記ターボピストンアセンブリは、前記シリンダのエネルギーセンタで高負荷圧縮スワールを引き起こすために圧縮ストローク中に上方へ移動し、
前記高負荷圧縮スワールは、前記混合気を前記エネルギーセンタで完全に燃焼させることを特徴とする、請求項５に記載のエンジン。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２０】
2016534267.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２３】
2016534267.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成29年9月20日(2017.9.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複合顔料を含む塗料調製物であって、前記複合顔料は、金属酸化物／シリカ、金属酸化物／シリケート、および金属酸化物／金属酸化物よりなる群から選択され、ここで、前記金属酸化物の粒子サイズが５ｎｍ〜１００ｎｍの範囲であり、前記複合顔料の重量％量が、前記調製物の合計重量に対して１重量％〜５重量％の範囲である塗料調製物。
【請求項２】
前記金属酸化物が、酸化亜鉛、酸化アルミニウム、酸化アンチモン、酸化バリウム、酸化マグネシウムおよび酸化ジルコニウムよりなる群から選択される、請求項１に記載の塗料調製物。
【請求項３】
塗料調製物を調製する方法であって、有効量の、金属酸化物／シリカ、金属酸化物／シリケート、および金属酸化物／金属酸化物よりなる群から選択される複合顔料を前記調製物に含有させる工程を含み、前記金属酸化物の粒子サイズが５ｎｍ〜１００ｎｍの範囲であり、前記複合顔料の重量％量が、前記調製物の合計重量に対して１重量％〜５重量％の範囲である方法。
【請求項４】
第一の成分としての金属酸化物、およびシリカ、シリケートおよび金属酸化物よりなる群から選択される第二の成分を含み、前記複合顔料が中空コア−シェル構造であり、さらに、前記複合顔料が均質な形態または非均質な形態のいずれかである複合顔料。
【請求項５】
第一の成分としての前記金属酸化物が前記第二の成分によって少なくとも部分的に被覆される、請求項４に記載の複合顔料。
【請求項６】
前記中空コア−シェル構造が、第一および第二の成分の交互層のシェルからなる、請求項４または５に記載の複合顔料。
【請求項７】
複合顔料がコアーシェル構造を有する、請求項１または２に記載の塗料調製物。
【請求項８】
前記コアーシェル構造が中空コアである、請求項７に記載の塗料調製物。
【請求項９】
複合顔料がコアーシェル構造を有する、請求項３に記載の方法。
【請求項１０】
前記コアーシェル構造が中空コアである、請求項９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年9月15日(2017.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
火花点火式直噴式内燃機関における低速プレイグニッション事象を低減させる方法であって、該内燃機関に潤滑粘度の基油と過塩基性金属清浄剤とを含む潤滑剤組成物を供給することを含み、該内燃機関が、正味平均有効圧力（ＢＭＥＰ）が１０バールまたはそれより大きい負荷の下で運転される、方法。
【請求項２】
前記内燃機関が３，０００ｒｐｍまたはそれより遅い速度で運転される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記内燃機関が、液状炭化水素燃料、液状非炭化水素燃料またはその混合物を燃料供給される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記内燃機関が、天然ガス、液化石油ガス（ＬＰＧ）、圧縮天然ガス（ＣＮＧ）またはその混合物によって燃料供給される、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記過塩基性金属清浄剤が、スルホネート清浄剤、フェネート清浄剤、サリシレート清浄剤およびその組合せのうちの１種類またはそれより多くを含むものである、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記潤滑剤組成物がさらに、無灰分散剤、無灰酸化防止剤、リン含有耐摩耗添加剤、摩擦調整剤および高分子粘度調整剤から選択される少なくとも１種類の他の添加剤を含むものである、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記過塩基性金属清浄剤がスルホネート清浄剤を含むものである、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記過塩基性金属清浄剤がサリシレート清浄剤を含むものである、請求項５に記載の方法。
【請求項９】
前記過塩基性金属清浄剤がアルカリ金属またはアルカリ土類金属清浄剤を含むものである、請求項５に記載の方法。
【請求項１０】
前記過塩基性金属清浄剤が５〜３０の金属比を有するものである、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記過塩基性金属清浄剤が前記潤滑剤組成物の０．２〜８重量パーセントの量で存在している、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記潤滑組成物がさらに、該組成物の０．５〜４重量％の量のポリアルケニルスクシンイミド分散剤を含むものである、請求項２に記載の方法。
【請求項１３】
前記潤滑組成物が少なくとも５０重量％のグループＩＩの基油、グループＩＩＩの基油またはその混合物を含むものである、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記過塩基性金属清浄剤が硫黄連結型フェネート清浄剤を含むものである、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記過塩基性金属清浄剤が、０．１重量パーセント〜０．９重量パーセントの硫酸灰分が前記潤滑組成物にもたらされる量で、存在している、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
少なくとも１０パーセントのＬＳＰＩ事象の回数の減少がみられる、請求項１〜１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１７】
前記低速プレイグニッション事象が１００，０００回の燃焼事象あたり２０回未満のＬＳＰＩ事象まで低減される、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１８】
火花点火式直噴式内燃機関における低速プレイグニッション事象を低減させる方法であって、該内燃機関に潤滑粘度の基油と潤滑剤組成物の０．２〜０．８重量パーセントの量の過塩基性マグネシウム清浄剤とを含む潤滑剤組成物を供給することを含み、該内燃機関が、正味平均有効圧力（ＢＭＥＰ）が１０バールまたはそれより大きい負荷の下で運転される、方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
本発明によりさらに、低速プレイグニッション事象が１００，０００回の燃焼事象あたり２０回未満のＬＳＰＩ事象まで低減される、本明細書に記載の方法を提供する。
一実施形態において、例えば、以下の項目が提供される。
（項目１）
火花点火式直噴式内燃機関における低速プレイグニッション事象を低減させる方法であって、該内燃機関に潤滑粘度の基油と過塩基性金属清浄剤とを含む潤滑剤組成物を供給することを含む方法。
（項目２）
前記内燃機関を正味平均有効圧力（ＢＭＥＰ）が１０バールまたはそれより大きい負荷の下で運転する、項目１に記載の方法。
（項目３）
前記内燃機関を３，０００ｒｐｍまたはそれより遅い速度で運転する、項目１に記載の方法。
（項目４）
前記内燃機関に、液状炭化水素燃料、液状非炭化水素燃料またはその混合物が燃料供給される、項目１に記載の方法。
（項目５）
前記内燃機関が、天然ガス、液化石油ガス（ＬＰＧ）、圧縮天然ガス（ＣＮＧ）またはその混合物によって燃料供給される、項目４に記載の方法。
（項目６）
前記過塩基性金属清浄剤が、スルホネート清浄剤、フェネート清浄剤、サリシレート清浄剤およびその組合せのうちの１種類またはそれより多くを含むものである、項目１に記載の方法。
（項目７）
前記潤滑剤組成物がさらに、無灰分散剤、無灰酸化防止剤、リン含有耐摩耗添加剤、摩擦調整剤および高分子粘度調整剤から選択される少なくとも１種類の他の添加剤を含むものである、項目１に記載の方法。
（項目８）
前記過塩基性金属清浄剤がスルホネート清浄剤を含むものである、項目６に記載の方法。
（項目９）
前記過塩基性金属清浄剤がサリシレート清浄剤を含むものである、項目６に記載の方法。
（項目１０）
前記過塩基性金属清浄剤がアルカリ金属またはアルカリ土類金属清浄剤を含むものである、項目６に記載の方法。
（項目１１）
前記過塩基性金属清浄剤が５〜３０の金属比を有するものである、項目１に記載の方法。
（項目１２）
前記過塩基性金属清浄剤が潤滑剤組成物の０．２〜８重量パーセントの量で存在している、項目１に記載の方法。
（項目１３）
前記潤滑組成物がさらに、該組成物の０．５〜４重量％の量のポリアルケニルスクシンイミド分散剤を含むものである、項目３に記載の方法。
（項目１４）
前記潤滑組成物が少なくとも５０重量％のグループＩＩの基油、グループＩＩＩの基油またはその混合物を含むものである、項目１に記載の方法。
（項目１５）
前記過塩基性金属清浄剤が硫黄連結型フェネート清浄剤を含むものである、項目１に記載の方法。
（項目１６）
前記過塩基性金属清浄剤を、０．１重量パーセント〜０．９重量パーセントの硫酸灰分が前記潤滑組成物にもたらされる量で存在させる、項目１に記載の方法。
（項目１７）
少なくとも１０パーセントのＬＳＰＩ事象の回数の減少がみられる、項目１〜１６のいずれか１項に記載の方法。
（項目１８）
低速プレイグニッション事象が１００，０００回の燃焼事象あたり２０回未満のＬＳＰＩ事象まで低減される、項目１〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年9月8日(2017.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャンドルシステムであって、当該キャンドルシステムは；
燃料容器を有し、前記燃料容器は、自己崩壊性空洞を有し、前記自己崩壊性空洞は、所定の液体燃料を収納し、かつ、前記自己崩壊性空洞内の前記所定の液体燃料の減少に追随して前記自己崩壊性空洞の長手軸に沿って鉛直方向に縮小するように構成されており；かつ
少なくとも一つの芯を有し、前記少なくとも一つの芯は、前記所定の液体燃料を、前記自己崩壊性空洞内へ導入した後に燃焼させるように構成されており；
前記自己崩壊性空洞が、前記空洞に前記所定の液体燃料が充填され前記芯に火がついている時には徐々に崩壊するように構成されている、
前記キャンドルシステム。
【請求項２】
前記芯が、前記自己崩壊性空洞に前記所定の液体燃料が充填されている時には前記芯の第１の端部が前記空洞の開口部から突き出るように構成されている、請求項１記載のキャンドルシステム。
【請求項３】
前記自己崩壊性空洞が、前記所定の液体燃料が前記空洞内で減少するペースと同様のペースで崩壊するように構成されている、請求項１または２に記載のキャンドルシステム。
【請求項４】
前記自己崩壊性空洞が、前記所定の液体燃料が前記自己崩壊性空洞に収容されている時には前記所定の液体燃料によって前記自己崩壊性空洞が広がって伸び、かつ前記空洞に前記所定の液体燃料が充填され前記芯に火がついている時には前記所定の液体燃料が消費されるに従って前記自己崩壊性空洞の伸びが小さくなるように、伸縮性の材料で作られている、請求項１〜３のいずれか一項に記載のキャンドルシステム。
【請求項５】
前記自己崩壊性空洞が、浮遊端部に吊り下げられる折畳み可能なフィルムによって形成されている側壁に囲まれることにより、前記所定の液体燃料が充填されている時には拡張し、かつ前記芯に火がついている時には前記所定の液体燃料が消費されるに従って収縮する、請求項１〜３のいずれか一項に記載のキャンドルシステム。
【請求項６】
前記自己崩壊性空洞が、可融性の材料で作られている側壁に囲まれ、かつ前記キャンドルシステムが、前記空洞に前記所定の液体燃料が充填され前記芯に火がついている時には前記側壁の端部が溶けるように構成されている、請求項１〜３のいずれか一項に記載のキャンドルシステム。
【請求項７】
さらに、前記空洞内に収容された一定の体積の前記所定の液体燃料を有する、請求項１〜６のいずれか一項に記載のキャンドルシステム。
【請求項８】
前記自己崩壊性空洞が、前記所定の液体燃料上に浮かぶよう構成された浮遊端部に吊り下げられる側壁に囲まれている、請求項１〜３のいずれか一項に記載のキャンドルシステム。
【請求項９】
前記自己崩壊性空洞が、前記自己崩壊性空洞に前記所定の液体燃料が充填されている時にはテレスコピックに伸び、かつ前記液体燃料の前記減少とともにテレスコピックに後退するように構成されている、請求項８記載のキャンドルシステム。
【請求項１０】
前記所定の液体燃料が、前記空洞の開口部まで前記空洞を一部または全部満たす、請求項１〜９のいずれか一項に記載のキャンドルシステム。
【請求項１１】
前記液体燃料の燃焼中に炎が前記空洞の外から見えるように構成されている、請求項１〜１０のいずれか一項に記載のキャンドルシステム。
【請求項１２】
さらに、前記所定の液体燃料の上に浮くことができる浮きを有し、前記芯が前記浮きの上に配置されている、請求項１〜１１のいずれか一項に記載のキャンドルシステム。
【請求項１３】
前記芯の第２の端部が、前記自己崩壊性空洞に連結されている、請求項１〜１２のいずれか一項に記載のキャンドルシステム。
【請求項１４】
さらに、前記芯を補強するように構成される芯のコーティングを有する、請求項１３に記載のキャンドルシステム。
【請求項１５】
前記芯のコーティングが、可融性の材料で作られている、請求項１４に記載のキャンドルシステム。
【請求項１６】
さらに、前記空洞を覆うよう構成された可融性の覆いを有し、前記芯は、前記芯の第１の端部が前記可融性の覆いから突き出るようにさらに構成されており、前記可融性の覆いが、前記芯の前記第１の端部に火がついている時には溶けるように構成されている、請求項１〜１５のいずれか一項に記載のキャンドルシステム。
【請求項１７】
請求項１〜１６のいずれか一項に記載の１以上のキャンドルシステムと、
オリーブオイルを含む１以上のオリーブオイル容器とを有する、
キャンドルキット。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成29年3月3日(2017.3.3)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ａｌ−Ｍｇ−Ｓｉ（−Ｃｕ）押出用合金を製造する方法であって、
該押出用合金は、最初に押出ビレットに鋳造されており、
０．２０〜１．５０質量％のＳｉと、
０．２５〜１．５０質量％のＭｇと、
０．０５〜０．５０質量％のＦｅと、
０．００〜１．００質量％のＣｕと、
０．００〜１．００質量％のＭｎと、
０．００〜０．５０質量％のＣｒと、
０．００〜０．５０質量％のＺｎと、
０．００〜０．２０質量％のＴｉと、
随伴不純物及び残部にＡｌと
を含み、
前記押出ビレットを、その合金組成と用途に応じて、５２０〜６２０℃の所望の均質化保持温度Ｔ１に加熱し、前記均質化保持温度Ｔ１で必要な時間にわたって保持し、その後で、前記押出ビレットを前記均質化保持温度Ｔ１から温度Ｔ２に冷却、またはＴ２より低い温度Ｔ３に冷却し、次いでＴ２に再加熱してから、１５０℃／ｈ以上の速度で冷却を開始し、前記均質化温度Ｔ２が前記均質化保持温度Ｔ１より少なくとも１０℃低く、前記均質化保持温度Ｔ１から、前記均質化温度Ｔ２で始まる１５０℃／ｈ以上の速度での冷却開始までの時間が最短３０分、最長２０時間である方法。
【請求項２】
前記均質化温度Ｔ２が、前記硬化元素Ｓｉ、Ｍｇ、およびＣｕに関して、前記押出用合金のソルバス温度未満で、５０℃より高いことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ビレットが、前記均質化保持温度Ｔ１から前記均質化温度Ｔ２に単調に冷却されることを特徴とする、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記均質化温度Ｔ２で最長２０時間の保持時間が適用されることを特徴とする、請求項１または２に記載の方法。
【請求項５】
前記均質化温度Ｔ２が、前記押出用合金のソルバス温度未満であるが、４５０℃より高いことを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
均質化保持温度Ｔ１から、Ｔ２後の急冷開始までの平均中間冷却速度が、１５０℃／ｈ未満であるが、４℃／ｈ超であることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記平均冷却速度を得る中間冷却シーケンスが
−  均質化温度Ｔ２への連続冷却
−  均質化温度Ｔ２への段階的冷却
−  均質化温度Ｔ２への急冷と、その後の均質化温度Ｔ２での保持
−  均質化温度Ｔ２より低い温度Ｔ３への冷却と、その後の均質化温度Ｔ２への再加熱
であることを特徴とする、請求項１または６に記載の方法。
【請求項８】
測定した前記合金の組成が好ましくは、
Ｓｉ：０．３０〜０．６質量％
Ｆｅ：０．１０〜０．３０質量％
Ｍｇ：０．３５〜０．６質量％
の範囲内にあり、かつ、以下の元素を以下の最大濃度
Ｃｕ：０．１０質量％
Ｍｎ：０．１０質量％
Ｃｒ：０．０５質量％
Ｚｎ：０．１５質量％
Ｔｉ：０．１０質量％
以内で含むことを特徴とする、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
測定した前記合金の組成が好ましくは、
Ｓｉ：０．２０〜０．６質量％
Ｍｇ：０．４５〜０．９質量％
の範囲内にあり、かつ、以下の元素を以下の最大濃度
Ｆｅ：０．３５質量％
Ｃｕ：０．１０質量％
Ｍｎ：０．１０質量％
Ｃｒ：０．１０質量％
Ｚｎ：０．１０質量％
Ｔｉ：０．１０質量％
以内で含むことを特徴とする、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
測定した前記合金の組成が好ましくは、
Ｓｉ：０．５０〜０．９質量％
Ｍｇ：０．４０〜０．７質量％
の範囲内にあり、かつ、以下の元素を以下の最大濃度
Ｆｅ：０．３５質量％
Ｃｕ：０．３０質量％
Ｍｎ：０．５０質量％
Ｃｒ：０．３０質量％
Ｚｎ：０．２０質量％
Ｔｉ：０．１０質量％
以内で含むことを特徴とする、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
測定した前記合金の組成が好ましくは、
Ｓｉ：０．４０〜０．８質量％
Ｃｕ：０．１５〜０．４０質量％
Ｍｇ：０．８〜１．２質量％
Ｃｒ：０．０４〜０．３５質量％
の範囲内にあり、かつ、以下の元素を以下の最大濃度
Ｆｅ：０．７質量％
Ｍｎ：０．１５質量％
Ｚｎ：０．２５質量％
Ｔｉ：０．１５質量％
以内で含むことを特徴とする、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
測定した前記合金の組成が好ましくは、
Ｓｉ：０．７〜１．３質量％
Ｍｎ：０．４０〜１．０質量％
Ｍｇ：０．６〜１．２質量％
の範囲内にあり、かつ、以下の元素を以下の最大濃度
Ｆｅ：０．５０質量％
Ｃｕ：０．１０質量％
Ｃｒ：０．２５質量％
Ｚｎ：０．２０質量％
Ｔｉ：０．１０質量％
以内で含むことを特徴とする、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
加熱室と冷却室とを含み請求項１〜１２のいずれか一項に記載の方法を促進するバッチ式の設備であって、
加熱および保持のための炉に、前記押出ビレットを均質化温度Ｔ２または温度Ｔ３に冷却し、次いで均質化温度Ｔ２に再加熱するための手段が設けられていることを特徴とする設備。
【請求項１４】
加熱室と冷却室とを含み請求項１〜１２のいずれか一項に記載の方法を促進するバッチ式の設備であって、
均質化保持温度Ｔ１から均質化温度Ｔ２に冷却するための中間冷却ステーションが設けられていることを特徴とする設備。
【請求項１５】
加熱室または加熱領域と、保持領域と、冷却領域とを含み請求項１〜１２のいずれか一項に記載の方法を促進する連続式の設備であって、
前記加熱領域と前記保持領域との間の空気の流れが制限または遮断されていることを特徴とする設備。
【請求項１６】
加熱室または加熱領域と、保持領域と、冷却領域とを含み請求項１〜１２のいずれか一項に記載の方法を促進する連続式の設備であって、
周囲空気を前記保持領域に送り込み、前記押出ビレットを前記均質化保持温度Ｔ１から均質化温度Ｔ２に冷却する手段が設けられていることを特徴とする設備。
【請求項１７】
図４に従い請求項１〜１２のいずれか一項に記載の方法を促進する連続式の設備であって、
加熱領域と、保持領域と、中間冷却領域と、冷却領域とから成ることを特徴とする設備。
【手続補正書】
【提出日】平成29年10月18日(2017.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
例としての無欠陥のナノファイバウェブが、米国特許第８，２７７，７１１  Ｂ２号明細書の工程に対する本発明の改良を取り入れた改良型遠心力ナノファイバ紡糸装置を使って作製された。図２１は、例１のナノファイバウェブおよびそのウェブの作製に使用されたポリマ樹脂ペレットのほとんど同じＴＧＡ測定結果を示している。図２２は、例１と比較例１のナノファイバウェブ、およびそのウェブの製作に使用されたポリマ樹脂ペレットの巨大分子量測定を示している。ウェブの作製に使用されたポリマ樹脂ペレットと比較して、例１のナノファイバウェブの巨大分子量はわずかに減少している。図２３は、ＤＳＣ測定結果から、ナノファイバウェブの結晶化度がそのナノファイバの作製に使用されたポリマ樹脂より高いことを示している。全体として、測定結果は、熱劣化が最小値まで減少したことを示している。図２４は、例１のナノファイバウェブの平均ウェブ強度測定値が比較例１より２．５倍高いことを示している。
次に、本発明の好ましい態様を示す。
１．  高分子ナノファイバを作製する紡糸装置であって、
（ａ）スピニングディスクまたはスピニングボウルを含む高速回転部材であって、縁辺を有し、かつ誘導加熱によって加熱されてもよい高速回転部材と、
（ｂ）前記回転部材の前記縁辺に固定されて、包囲鋸歯状部を形成する保護シールドであって、前記スピニングディスクの最上部または前記スピニングボウルの底部に位置付けられた保護シールドと、
（ｃ）前記回転部材の底部にある静止シールドと、
（ｄ）任意選択の延伸領域と
を含む紡糸装置。
２．  上記１に記載の紡糸装置から製造される高分子ナノファイバであって、個数平均直径が約５００ｎｍ未満のナノファイバを数において少なくとも約９９％含む高分子ナノファイバ。
３．  上記２に記載の高分子ナノファイバから製造されるナノファイバウェブであって、
（ａ）前記ナノファイバウェブの作製に使用されたポリマと比較して、前記ナノファイバウェブのＭｗ減少が約５％未満であり、
（ｂ）ＴＧＡで測定される場合に、前記ナノファイバウェブの作製に使用された前記ポリマと比較して、熱重量減少が基本的に同じであり、
（ｃ）前記ナノファイバウェブの作製に使用された前記ポリマと比較して、前記ナノファイバウェブの結晶化度がより高く、および
（ｄ）平均ウェブ強度が少なくとも約２．５Ｎ／ｃｍである、
ナノファイバウェブ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高分子ナノファイバを作製する紡糸装置であって、
（ａ）スピニングディスクまたはスピニングボウルを含む高速回転部材であって、縁辺を有し、かつ誘導加熱によって加熱されてもよい高速回転部材と、
（ｂ）前記回転部材の前記縁辺に固定されて、包囲鋸歯状部を形成する保護シールドであって、前記スピニングディスクの最上部または前記スピニングボウルの底部に位置付けられた保護シールドと、
（ｃ）前記回転部材の底部にある静止シールドと、
（ｄ）任意選択の延伸領域と
を含む紡糸装置。
【請求項２】
請求項１に記載の紡糸装置から製造される高分子ナノファイバであって、個数平均直径が約５００ｎｍ未満のナノファイバを数において少なくとも約９９％含む高分子ナノファイバから製造されるナノファイバウェブであって、
（ａ）前記ナノファイバウェブの作製に使用されたポリマと比較して、前記ナノファイバウェブのＭｗ減少が約５％未満であり、
（ｂ）ＴＧＡで測定される場合に、前記ナノファイバウェブの作製に使用された前記ポリマと比較して、熱重量減少が基本的に同じであり、
（ｃ）前記ナノファイバウェブの作製に使用された前記ポリマと比較して、前記ナノファイバウェブの結晶化度がより高く、および
（ｄ）平均ウェブ強度が少なくとも約２．５Ｎ／ｃｍである、
ナノファイバウェブ。
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月28日(2017.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光硬化性材料と、
前記光硬化性材料全体に亘って分散された構造体光学粒子状材料であって、前記光硬化性材料全体に亘って第１の波長の照射光を散乱させることが可能である構造体光学粒子状材料と、
を含むことを特徴とする接着剤組成物。
【請求項２】
光学素子を保持するように構成された支持構造と、
前記支持構造上に位置決めされた前記光学素子と、
接着性により前記光学素子を前記支持構造に結合するように該支持構造の表面と該光学素子の表面の間に配置された硬化済みの請求項１記載の接着剤組成物であって、架橋結合したポリマーマトリックス材料、および該マトリックス全体に亘って分散された構造体光学粒子状材料を有する硬化済みの接着剤組成物と、
を備えたことを特徴とする光学装置。
【請求項３】
接着性により光学素子を支持構造に取り付ける方法であって、
前記支持構造の表面と前記光学素子の表面の間に配置された請求項１記載の光硬化性接着剤組成物で、該光学素子を該支持構造上に位置決めする工程と、
前記光硬化性接着剤組成物を硬化させるのに適切な波長の照射光を、該光硬化性接着剤組成物に向ける工程と、
を有してなることを特徴とする方法。
【請求項４】
前記硬化済みの接着剤組成物の少なくとも一部分が、（ｉ）直接照射の光路内ではない、前記光学素子と前記支持構造の間の領域、または（ｉｉ）該光学素子の表面に塗布されたコーティングによって直接照射の光路から遮蔽されている、該光学素子と該支持構造の間の領域に配置されていることを特徴とする請求項２記載の光学装置。
【請求項５】
前記硬化済みの接着剤組成物の少なくとも一部分が、（ｉ）直接照射の光路内ではない、前記光学素子と前記支持構造の間の領域、または（ｉｉ）該光学素子の表面に塗布されたコーティングによって直接照射の光路から遮蔽されている、該光学素子と該支持構造の間の領域に配置されていることを特徴とする請求項３記載の方法。
【請求項６】
前記構造体光学粒子状材料が、溶融シリカ微小球であることを特徴とする請求項１記載の接着剤組成物。
【請求項７】
前記構造体光学粒子状材料が、溶融シリカ微小球であることを特徴とする請求項２記載の光学装置。
【請求項８】
前記光硬化性接着剤組成物に構造体光学粒子状材料が含まれており、当該構造体光学粒子材料が溶融シリカ微小球であることを特徴とする請求項３記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月15日(2017.8.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）ハーネスと、
（ｂ）マスク本体であって、前記マスク本体は、フィルタ構造、及び前記マスク本体にわたり横方向に延びる少なくとも１つの補強部材を含み、前記フィルタ構造によって形成される前記補強部材は、前記フィルタ構造の３つの層が一緒に接合されるように、ｓ字型に折り畳まれ、接続領域において一緒に溶着される、マスク本体と、
を備える、フィルタ式フェースピースレスピレータ。
【請求項２】
（ａ）ハーネスと、
（ｂ）内面及び外面を有するマスク本体であって、フィルタ構造、及び前記フィルタ構造によって形成される少なくとも１つの補強部材を含み、前記補強部材は、接続領域、並びに前記内面付近の内側リブ、及び前記外面付近の外側リブを有する、マスク本体と、
を備える、フィルタ式フェースピースレスピレータ。
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月25日(2017.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の記録されたデータオブジェクトのジェスチャオブジェクトのジェスチャを認識するための方法であって、前記記録されたデータオブジェクトは、時間の経過とともに記録され、前記方法は、
前記複数の記録されたデータオブジェクトを使用して、ジェスチャ角度の少なくとも1つの組を決定するステップであって、ジェスチャ角度の前記少なくとも1つの組のうちの前記ジェスチャ角度の各々は、前記ジェスチャオブジェクトの2つの位置の間の角度測定を含み、前記2つの位置は、前記複数の記録されたデータオブジェクトの連続するデータオブジェクトに記録され、ジェスチャ角度の前記少なくとも1つの組は、ジェスチャ角度の第1のサブセットと、ジェスチャ角度の第2のサブセットとをさらに含む、ステップと、
ジェスチャ角度の前記第1のサブセットに基づいて角度の頻度を表す第1のヒストグラムと、ジェスチャ角度の前記第2のサブセットに基づいて角度の頻度を表す第2のヒストグラムとを決定するステップと、
第1のモデルヒストグラムおよび第2のモデルヒストグラムのそれぞれに対する前記第1のヒストグラムおよび前記第2のヒストグラムとの比較に基づいて前記ジェスチャを認識するステップであって、各モデルヒストグラムは、ジェスチャモデルのジェスチャの下位区分の角度の頻度を表す、ステップと、
前記ジェスチャを認識するステップに応答してデバイスの挙動を修正するステップと
を含む方法。
【請求項２】
ジェスチャ角度の前記第1のサブセットと、ジェスチャ角度の前記第2のサブセットとは、時系列であり、
前記ジェスチャを認識するステップは、前記ジェスチャモデルの下位区分のそれぞれに対して、ジェスチャ角度の前記第1のサブセットと、ジェスチャ角度の前記第2のサブセットとを比較するステップを含む、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
ジェスチャ角度の前記第1のサブセットは、ジェスチャ角度の前記第2のサブセットとジェスチャ角度を共有する、請求項1に記載の方法。
【請求項４】
ジェスチャ角度の前記少なくとも1つの組は、ジェスチャ角度の第3のサブセットをさらに含み、
ジェスチャ角度の前記第3のサブセットは、ジェスチャ角度の前記第2のサブセットの下位区分を含む、請求項1に記載の方法。
【請求項５】
前記ジェスチャを認識するステップは、ジェスチャ角度の前記第3のサブセットに基づいて角度の頻度を表す第3のヒストグラムを、前記第2のモデルヒストグラムによって表わされるジェスチャ角度の下位区分の角度の頻度を表す第3のモデルヒストグラムと比較するステップにさらに基づく、請求項4に記載の方法。
【請求項６】
ジェスチャ角度の前記少なくとも1つの組は、ジェスチャ角度の第3のサブセットをさらに含み、
ジェスチャ角度の前記第3のサブセットは、ジェスチャ角度の前記第2のサブセットに含まれたジェスチャ角度のいずれも含まないジェスチャ角度の前記第1のサブセットの下位区分を含む、請求項1に記載の方法。
【請求項７】
前記ジェスチャを認識するステップは、ジェスチャ角度の前記第3のサブセットに基づいて角度の頻度を表す第3のヒストグラムを、前記第2のモデルヒストグラムのジェスチャを含まない前記ジェスチャモデルのジェスチャの下位区分の角度の頻度を表す第3のモデルヒストグラムと比較するステップにさらに基づく、請求項6に記載の方法。
【請求項８】
前記ジェスチャを認識するステップは、
ジェスチャ角度の連結されたサブセットを生成するために、ジェスチャ角度の前記第2のサブセットをジェスチャ角度の前記第3のサブセットに連結するステップと、
連結されたモデルヒストグラムを生成するために、前記第2のモデルヒストグラムと前記第3のモデルヒストグラムとを組み合わせるステップと、
ジェスチャ角度の前記連結されたサブセットを前記連結されたモデルヒストグラムと比較するステップと
にさらに基づく、請求項7に記載の方法。
【請求項９】
前記ジェスチャモデルは、前記ジェスチャオブジェクトの前記ジェスチャを認識する前に生成されたジェスチャ角度の少なくとも1つのトレーニングされた組を含む請求項1に記載の方法。
【請求項１０】
複数の記録されたデータオブジェクトのジェスチャオブジェクトのジェスチャを認識するための装置であって、前記記録されたデータオブジェクトは、時間の経過とともに記録され、前記装置は、
前記複数の記録されたデータオブジェクトを使用して、ジェスチャ角度の少なくとも1つの組を決定するための手段であって、ジェスチャ角度の前記少なくとも1つの組のうちの前記ジェスチャ角度の各々は、前記ジェスチャオブジェクトの2つの位置の間の角度測定を含み、前記2つの位置は、前記複数の記録されたデータオブジェクトの連続するデータオブジェクトに記録され、ジェスチャ角度の前記少なくとも1つの組は、ジェスチャ角度の第1のサブセットと、ジェスチャ角度の第2のサブセットとをさらに含む、手段と、
ジェスチャ角度の前記第1のサブセットに基づいて角度の頻度を表す第1のヒストグラムと、ジェスチャ角度の前記第2のサブセットに基づいて角度の頻度を表す第2のヒストグラムとを決定するための手段と、
第1のモデルヒストグラムおよび第2のモデルヒストグラムのそれぞれに対する前記第1のヒストグラムおよび前記第2のヒストグラムとの比較に基づいて前記ジェスチャを認識するための手段であって、各モデルヒストグラムは、ジェスチャモデルのジェスチャの下位区分の角度の頻度を表す、手段と、
前記ジェスチャを認識することに応答してデバイスの挙動を修正するための手段と
を含む装置。
【請求項１１】
ジェスチャ角度の前記第1のサブセットと、ジェスチャ角度の前記第2のサブセットとは、時系列であり、
前記ジェスチャを認識するための手段は、前記ジェスチャモデルの下位区分のそれぞれに対して、ジェスチャ角度の前記第1のサブセットと、ジェスチャ角度の前記第2のサブセットとを比較することを含む、請求項10に記載の装置。
【請求項１２】
ジェスチャ角度の前記第1のサブセットは、ジェスチャ角度の前記第2のサブセットとジェスチャ角度を共有する、請求項10に記載の装置。
【請求項１３】
ジェスチャ角度の前記少なくとも1つの組は、ジェスチャ角度の第3のサブセットをさらに含み、
ジェスチャ角度の前記第3のサブセットは、ジェスチャ角度の前記第2のサブセットの下位区分を含む、請求項12に記載の装置。
【請求項１４】
前記ジェスチャを認識するための前記手段は、ジェスチャ角度の前記第3のサブセットに基づいて角度の頻度を表す第3のヒストグラムを、前記第2のモデルヒストグラムによって表わされるジェスチャ角度の下位区分の角度の頻度を表す第3のモデルヒストグラムと比較することにさらに基づく、請求項13に記載の装置。
【請求項１５】
プロセッサに、請求項1乃至9のいずれか1項に記載の方法を実行させるように構成されたプロセッサで読み取り可能な命令を含む、非一時的なプロセッサで読み取り可能な記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月7日(2017.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリシステムにおける電力消費を節約するための方法であって、
システムオンチップ(SoC)に存在する複数のメモリクライアントの各々を高性能使用事例または低性能使用事例に割り当てるステップと、
前記SOCに存在する前記複数のメモリクライアントのうちの1つから、メモリバスを介して前記SoCに結合されたダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)メモリシステムにアクセスするためのメモリ要求を受信するステップであって、前記メモリ要求が、前記メモリクライアントの性能使用事例を示すチャネル幅サイズ変更ビットを含む、ステップと、
前記メモリ要求内の前記チャネル幅サイズ変更ビットから、前記メモリクライアントからの前記メモリ要求が前記メモリバスの全幅未満を使用するための前記低性能使用事例に対応すると判断するステップと、
前記メモリ要求について前記メモリバスを前記全幅未満に動的にサイズ変更することによって、前記低性能使用事例に対応する前記メモリ要求に対するメモリ電力消費を節約するステップと
を備える方法。
【請求項２】
前記メモリ要求を送信する前記メモリクライアントが、前記SoCに存在する中央処理装置(CPU)、グラフィックス処理装置(GPU)、およびデジタル信号プロセッサ(DSP)のうちの1つを備える、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記メモリバスがNビットチャネルを備え、前記メモリバスのバス幅を前記動的にサイズ変更するステップが、前記Nビットチャネルを(N-M)ビットチャネルに低減するステップを備える、請求項1に記載の方法。
【請求項４】
前記メモリバスがシングルメモリチャネルを備える、請求項1に記載の方法。
【請求項５】
バス幅を前記動的にサイズ変更するステップが、
前記バス幅を第1のチャネル幅から第2のチャネル幅に低減するステップと、
前記DRAMメモリシステムによって定義される最小アクセス長(MAL)を維持するために、前記シングルメモリチャネルにわたってビート数を増加させるステップと
を備える、請求項4に記載の方法。
【請求項６】
前記バス幅を前記第1のチャネル幅から前記第2のチャネル幅に前記低減するステップが、前記SoC内のSoC物理レイヤデバイスおよび前記DRAMメモリシステム内のメモリ物理レイヤデバイスを無効にするステップを備える、請求項4に記載の方法。
【請求項７】
前記メモリバスがnチャネルバスを備える、請求項1に記載の方法。
【請求項８】
メモリシステムにおける電力消費を節約するためのシステムであって、
システムオンチップ(SoC)に存在する複数のメモリクライアントの各々を高性能使用事例または低性能使用事例に割り当てるための手段と、
前記SOCに存在する前記複数のメモリクライアントのうちの1つから、メモリバスを介して前記SoCに結合されたダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)メモリシステムにアクセスするためのメモリ要求を受信するための手段であって、前記メモリ要求が、前記メモリクライアントの性能使用事例を示すチャネル幅サイズ変更ビットを含む、手段と、
前記メモリ要求内の前記チャネル幅サイズ変更ビットから、前記メモリクライアントからの前記メモリ要求が前記メモリバスの全幅未満を使用するための前記低性能使用事例に対応すると判断するための手段と、
前記メモリ要求について前記メモリバスを前記全幅未満に動的にサイズ変更することによって、前記低性能使用事例に対応する前記メモリ要求に対するメモリ電力消費を節約するための手段と
を備えるシステム。
【請求項９】
前記メモリ要求を送信する前記メモリクライアントが、前記SoCに存在する中央処理装置(CPU)、グラフィックス処理装置(GPU)、およびデジタル信号プロセッサ(DSP)のうちの1つを備える、請求項8に記載のシステム。
【請求項１０】
前記メモリバスがNビットチャネルを備え、前記メモリバスのバス幅を動的にサイズ変更するための前記手段が、前記Nビットチャネルを(N-M)ビットチャネルに低減するための手段を備える、請求項8に記載のシステム。
【請求項１１】
前記メモリバスがシングルメモリチャネルを備える、請求項8に記載のシステム。
【請求項１２】
バス幅を動的にサイズ変更するための前記手段が、
前記バス幅を第1のチャネル幅から第2のチャネル幅に低減するための手段と、
前記DRAMメモリシステムによって定義される最小アクセス長(MAL)を維持するために、
前記シングルメモリチャネルにわたってビート数を増加させるための手段と
を備える、請求項11に記載のシステム。
【請求項１３】
前記バス幅を前記第1のチャネル幅から前記第2のチャネル幅に低減するための前記手段が、前記SoC内のSoC物理レイヤデバイスおよび前記DRAMメモリシステム内のメモリ物理レイヤデバイスを無効にするための手段を備える、請求項11に記載のシステム。
【請求項１４】
前記メモリバスがnチャネルバスを備える、請求項8に記載のシステム。
【請求項１５】
請求項1乃至7の何れか1項に記載の方法を実施するための命令を含む、コンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月16日(2017.8.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
指紋検知装置（１０２）であって、
複数の検知素子（１０４）を備える検知回路であって、各検知素子が、検知面に配置されて当該指紋検知装置の表面に対面している検知構造を備えるとともに、前記検知素子のそれぞれが、前記検知構造と当該指紋検知装置の前記表面に置かれる指との間の電磁結合を示す信号を提供するよう構成される、検知回路と、
前記検知回路と読み出し回路との間に電気的接続を提供するために前記検知回路に電気的に接続される複数の接続パッド（１０８）と、
を具備した指紋検知装置（１０２）であって、
前記複数の接続パッドのそれぞれは、各接続パッドが前記指紋検知装置の縁部に配置されて、前記指紋検知装置の前記縁部に達するフロア（１１０）を有した凹部によって画成されるよう前記検知面に対して別個に凹み、前記フロア（１１０）はフロア面内にあり、各接続パッドは、前記指紋検知装置の前記フロア面に対して盛り上がっている部分を介して、近接する接続パッドから隔てられている、指紋検知装置（１０２）。
【請求項２】
前記凹部は、前記フロア（１１０）から当該指紋検知装置の接続面に達する、少なくとも一つの側壁を有し、前記フロアと前記検知回路との間に前記接続面を介して電気的接続が形成されるよう、前記フロアおよび前記側壁の少なくとも一部に導電層が配置される、請求項１に記載の指紋検知装置。
【請求項３】
前記接続面は、当該指紋検知装置の最上金属層に配置される、請求項２に記載の指紋検知装置。
【請求項４】
前記接続面は、前記検知面に配置される、請求項２または３に記載の指紋検知装置。
【請求項５】
前記側壁は、前記フロアから前記接続面へと傾斜している、請求項２から４のいずれか一項に記載の指紋検知装置。
【請求項６】
傾斜した前記側壁は、４５度を超え、好ましくは８０度を超える傾斜を有する、請求項５に記載の指紋検知装置。
【請求項７】
前記導電層は、前記接続パッドのそれぞれを囲む本質的に平らな表面の一部にさらに配置される、請求項２から６のいずれか一項に記載の指紋検知装置。
【請求項８】
前記凹部の深さは、２０μｍより大きく、より好ましくは５０μｍより大きく、最も好ましくは１００μｍより大きい、請求項１から７のいずれか一項に記載の指紋検知装置。
【請求項９】
当該検知装置は読み出し回路を備える読み出し基板上に配置され、前記複数の接続パッドの少なくとも一つが前記読み出し回路にワイヤボンドされている、請求項１から８のいずれか一項に記載の指紋検知装置。
【請求項１０】
前記検知素子のそれぞれは、前記検知構造と当該指紋検知装置の前記表面上に置かれる指との間の容量結合を示す信号を提供するよう構成されている、請求項１から９のいずれか一項に記載の指紋検知装置。
【請求項１１】
前記指と前記検知構造との間の電位差の変化に起因する、前記検知構造が帯びる電荷の変化を示す検知信号を提供するために、前記検知構造のそれぞれに一つずつ接続される複数のチャージアンプ、をさらに備える、請求項１から１０のいずれか一項に記載の指紋検知装置。
【請求項１２】
前記チャージアンプは、
前記検知構造に接続されるマイナス入力と、
検知器グラウンド電位に対して略一定である検知素子基準電位に接続されるプラス入力と、
前記検知信号を提供する出力と、
前記マイナス入力と前記出力との間に接続される帰還コンデンサと、
前記プラス入力および前記マイナス入力と前記出力との間の少なくとも一つの増幅段と、を備え、
前記チャージアンプは、前記マイナス入力での電位が前記プラス入力での電位に実質的に追従するように構成されている、請求項１１に記載の指紋検知装置。
【請求項１３】
前記複数の検知素子を覆う保護誘電トッププレートと、
前記プレートと前記検知素子との間に配置される、前記プレートを前記検知素子に付着させるよう構成された接着剤の層と、をさらに備える、請求項１から１２のいずれか一項に記載の指紋検知装置。
【請求項１４】
前記接続パッドを読み出し回路に接続するボンドワイヤをさらに備え、前記ボンドワイヤは、前記検知面の上方を前記接着剤の中へと伸びている、請求項１３に記載の指紋検知装置。
【請求項１５】
指紋検知装置に接続パッドを形成する方法であって、
第一マスク層を前記指紋検知装置上に設ける段階であって、前記第一マスク層は前記接続パッドのための第一領域を画成する開口を備えている段階と、
前記指紋検知装置に、前記開口に対応した凹部を形成する段階と、
前記第一マスク層を取り除く段階と、
前記凹部内と、前記凹部のフロアに対して盛り上がった、前記凹部に近接する前記指紋検知装置の部分とに導電材料を設ける段階であって、前記凹部内の前記導電材料が接続パッドを形成する段階と、
を備え、前記導電材料を設ける段階は、
導電材料を堆積させることと、
前記凹部と、前記凹部のフロアに対して盛り上がった、前記凹部に近接する前記指紋検知装置の前記部分とを包含する第二領域を覆う第二マスク層を設けることと、
前記第二マスク層に覆われていない前記指紋検知装置の部分上の前記導電材料を取り除くことと、
前記第二マスク層を取り除くことと、
を備えている、方法。
【請求項１６】
前記導電材料の堆積を介して、前記凹部と、前記接続パッドを制御回路に接続するための接続領域との間に電気的接続が形成されるよう、前記凹部のフロアに対して盛り上がった、前記凹部に近接する前記指紋検知装置の前記部分が、前記制御回路の前記接続領域に対応している、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記導電材料を設ける段階は、前記指紋検知装置の最上金属層が設けられる段階である、請求項１５または１６に記載の方法。
【請求項１８】
自らの第一側に付着された圧縮性接着材料を有する誘電体プレートを設ける段階と、
前記圧縮性接着材料が前記凹部を充填するよう、前記最上金属層に対して前記接着材料を押圧することによって、前記誘電体プレートを前記金属層に付着させる段階と、
をさらに備える、請求項１７に記載の方法。