【誤訳訂正書】
【提出日】平成29年1月11日(2017.1.11)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フラクチャリングまたはマスクデータ準備または近接効果補正または光学近接補正またはマスクプロセス補正のための方法であって、露光パスに対する複数の成形ビーム荷電粒子ビームショットを決定することを含み、前記複数の成形ビームショットは、荷電粒子ビームライタにおいて用いられた場合に、レジストコーティングされた表面に線量を生成し、前記レジストコーティングされた表面の前記線量は、前記レジストコーティングされた表面上にパターンを形成し、前記表面上の前記パターンは、パターン周辺部を含み、前記レジストは、レジスト閾値を有し、前記複数の成形ビームショットは、前記パターンの異なる部分に異なる線量を与え、
前記決定することは、前記複数の成形ビームショットから線量マージンを計算することを含み、前記線量マージンは、前記レジスト閾値において、前記パターン周辺部に垂直な直線方向に関する、レジスト線量の傾きであり、前記決定することは、１つ以上のコンピューティングハードウェア装置を用いて実行される、方法。
【請求項２】
前記複数の成形ビームショットは、前記表面上の前記パターンの内部領域内よりも、前記表面上の前記パターン周辺部付近で高いレジスト線量ピークを生成する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記計算することは、荷電粒子ビームシミュレーションを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記荷電粒子ビームシミュレーションは、前方散乱、後方散乱、レジスト拡散、クーロン効果、エッチング、フォギング、ローディング、およびレジスト帯電から成る群のうちの少なくとも１つを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記線量マージンが既定の目標線量マージンよりも低い場合、前記複数の成形ビームショットを訂正し、前記線量マージンを再計算することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記複数の成形ビームショットにおける各ショットは、割り当てられた線量を含み、前記複数の成形ビームショットにおける少なくとも２つのショットの前記割り当てられた線量は、後方散乱またはフォギングを含む長範囲効果に対する線量補正前は、互いに異なる、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記複数の成形ビームショットにおける各ショットは、可変成形ビーム（ＶＳＢ）ショットである、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
荷電粒子ビームリソグラフィを使用して表面を製造するための方法であって、
複数の露光パスに対する複数の成形ビームショットを決定することと、
前記表面上にパターンを形成することと、を含み、前記表面は、レジストコーティングされたものであり、荷電粒子ビームライタが、前記複数の成形ビームショットを用いて、前記レジストコーティングがなされた前記表面に線量を生成し、前記レジストコーティングされた表面上の前記線量は、前記パターンを形成し、前記表面上の前記パターンは、パターン周辺部を含み、前記レジストは、レジスト閾値を有し、
前記複数の成形ビームショットは、前記パターンの異なる部分に異なる線量を与え、前記決定することは、前記複数の成形ビームショットから線量マージンを計算することを含み、前記線量マージンは、前記レジスト閾値において、前記パターン周辺部に垂直な直線方向に関する、レジスト線量の傾きである、方法。
【請求項９】
前記複数の成形ビームショットは、前記表面上の前記パターンの内部領域内よりも、前記表面上の前記パターン周辺部付近で高いレジスト線量ピークを生成する、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記計算することは、荷電粒子ビームシミュレーションを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記荷電粒子ビームシミュレーションは、前方散乱、後方散乱、レジスト拡散、クーロン効果、エッチング、フォギング、ローディング、およびレジスト帯電から成る群のうちの少なくとも１つを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記複数の成形ビーム射出における各ショットは、割り当てられた線量を含み、
前記方法は、後方散乱またはフォギングを含む長範囲効果に対する線量補正を実施することをさらに含み、
前記複数の成形ビームショットにおける少なくとも２つのショットの前記割り当てられた線量は、前記線量補正前は、互いに異なる、請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
前記表面は、基板を製造するために光学的リソグラフィプロセスにおいて使用されるべきレチクルを備える、請求項８に記載の方法。
【請求項１４】
フラクチャリングまたはマスクデータ準備または近接効果補正または光学近接補正またはマスクプロセス補正のためのシステムであって、露光パスに対する複数の成形ビーム荷電粒子ビーム射出を決定するように構成されるデバイスを備え、前記複数の成形ビームショットは、荷電粒子ビームライタにおいて用いられた場合に、レジストコーティングされた表面に線量を生成し、前記レジストコーティングされた表面の前記線量は、前記レジストコーティングされた表面上にパターンを形成し、前記表面上の前記パターンは、パターン周辺部を含み、前記レジストは、レジスト閾値を有し、前記複数の成形ビームショットは、前記パターンの異なる部分に異なる線量を与え、
決定するように構成される前記デバイスは、前記複数の成形ビームショットから線量マージンを計算し、前記線量マージンは、前記レジスト閾値において、前記パターン周辺部に垂直な直線方向に関する、レジスト線量の傾きである、システム。
【請求項１５】
前記計算することは、荷電粒子ビームシミュレーションを含む、請求項１４に記載のシステム。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２９】
例えば、荷電粒子ビームリソグラフィを使用して表面上に繰り返しパターンを露光させる際、各パターン例のサイズは、最終的な製造された表面上で測定されるように、製造上のばらつきにより、わずかに異なる。サイズのばらつきの量は、本質的な製造最適化基準である。今日のマスクマスキングにおいて、１ｎｍ（１シグマ）以下の二乗平均平方根（ＲＭＳ）のばらつきが所望され得る。より多くのサイズのばらつきは、回路性能におけるより多くのばらつきに変わり、より高い設計マージンが必要とされることにつながり、より速い、低電力の集積回路を設計することをますます困難にする。このばらつきは、限界寸法（ＣＤ）ばらつきと称される。低いＣＤばらつきが望ましく、製造上のばらつきが最終的な製造された表面上で比較的小さいサイズのばらつきを生成することを示す。より小さい規模において、高いＣＤばらつきの効果は、ラインエッジラフネス（ＬＥＲ）として観察され得る。ＬＥＲは、わずかに異なって製造されているラインエッジの各部によって引き起こされ、直線のエッジを有することが意図される線における何らかの波型につながる。ＣＤばらつきは、エッジ傾斜と呼ばれる、レジスト閾値における線量曲線の傾斜に反比例する。したがって、エッジ傾斜すなわち線量マージンは、表面の粒子ビーム書き込みに対する重要な最適化要因である。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３６】
エッジ傾斜すなわち線量マージンは、パターンエッジのみにおける問題である。例えば、通常線量が、良好なエッジ傾斜を提供するように、レジスト閾値の２倍である場合、パターンの内部領域は、製造上のばらつきに対するいくらかのマージンを占めた後、全ての内部領域における線量がレジスト閾値を上回ったままである限り、通常線量よりも低い線量を有することができる。本開示において、パターンの内部領域の線量を低減する２つの方法を開示する。