Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月12日(2016.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザ機器（ＵＥ）の方法であって、
前記ＵＥにおいて第２のセルからの第２のセル送信を復号するとき、第１のセルからの干渉する第１のセル送信の干渉抑圧を可能にするであろう変調およびコーディング方式（ＭＣＳ）を決定することと、前記干渉する第１のセル送信が、前記ＵＥを対象としない送信であり、前記第２のセル送信が、前記ＵＥを対象とする送信である、
前記第１のセルについての前記決定されたＭＣＳを示す情報を送信することと、
前記第２のセルからダウンリンク許可を受信することと、前記ダウンリンク許可が、前記第１のセルについての前記決定されたＭＣＳを示す前記送信された情報に基づく、
前記第２のセルからの前記第２のセル送信と前記第１のセルからの前記干渉する第１のセル送信とを備える送信を受信することと、
前記決定されたＭＣＳに基づいて、前記受信された送信からの前記第２のセル送信を復調することまたは復号することのうちの少なくとも１つを実行することとを備える、方法。
【請求項２】
前記実行することが、復調することを備え、前記受信された送信からの前記第２のセル送信を前記復調することは、前記干渉する第１のセル送信が、前記決定されたＭＣＳに基づいて変調されるかまたは符号化されるかのうちの少なくとも１つであるという仮定に基づく、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記実行することが、復号することを備え、前記受信された送信からの前記第２のセル送信を前記復号することは、前記干渉する第１のセル送信が、前記決定されたＭＣＳに基づいて変調されるかまたは符号化されるかのうちの少なくとも１つであるという仮定に基づく、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記受信された送信から、前記干渉する第１のセル送信による前記第２のセル送信への干渉を抑圧することをさらに備え、前記干渉が、前記決定されたＭＣＳに基づいて抑圧される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
セルの方法であって、
前記セルからのセル送信の第１のユーザ機器（ＵＥ）による干渉抑圧を可能にするであろう変調およびコーディング方式（ＭＣＳ）を示す情報を受信することと、
前記ＭＣＳを示す前記受信された情報に基づいてダウンリンク送信を受信するためにスケジュールすべきＵＥを決定することと、前記決定されたＵＥが第２のＵＥを含む、
前記決定されたスケジューリングに基づいて前記セル送信を受信するように前記第２のＵＥをスケジュールすることと、
前記ＭＣＳを示す前記受信された情報に基づいてデータを変調することまたは符号化することのうちの少なくとも１つを実行することと、
前記セル送信中で前記データを前記第２のＵＥに送信することとを備える、方法。
【請求項６】
前記受信されたＭＣＳを示す前記情報が、前記第１のＵＥから受信されるか、または前記第１のＵＥをサービスする第２のセルから受信される、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記ＵＥは、前記ＵＥが前記ＭＣＳにおいて前記ダウンリンク送信を受信することが可能であるかどうかに基づいて、前記ダウンリンク送信を受信するために決定される、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記ＭＣＳを示す前記情報が、チャネル品質インジケータ（ＣＱＩ）を示す情報を備える、請求項５に記載の方法。
【請求項９】
前記データが、前記示されたＭＣＳよりも小さいかまたはそれに等しいＭＣＳで変調され、符号化される、請求項５に記載の方法。
【請求項１０】
ワイヤレス通信のための装置であって、前記装置がユーザ機器（ＵＥ）であり、
前記ＵＥにおいて第２のセルからの第２のセル送信を復号するとき、第１のセルからの干渉する第１のセル送信の干渉抑圧を可能にするであろう変調およびコーディング方式（ＭＣＳ）を決定するための手段と、前記干渉する第１のセル送信が、前記ＵＥを対象としない送信であり、前記第２のセル送信が、前記ＵＥを対象とする送信である、
前記第１のセルについての前記決定されたＭＣＳを示す情報を送信するための手段と、
前記第２のセルからダウンリンク許可を受信するための手段と、前記ダウンリンク許可が、前記第１のセルについての前記決定されたＭＣＳを示す前記送信された情報に基づく、
前記第２のセルからの前記第２のセル送信と前記第１のセルからの前記干渉する第１のセル送信とを備える送信を受信するための手段と、
前記決定されたＭＣＳに基づいて、前記受信された送信からの前記第２のセル送信を復調することまたは復号することのうちの少なくとも１つを実行するための手段とを備える、装置。
【請求項１１】
実行するための前記手段は、前記干渉する第１のセル送信が、前記決定されたＭＣＳに基づいて変調されるかまたは符号化されるかのうちの少なくとも１つであるという仮定に基づいて、前記受信された送信からの前記第２のセル送信を復調するように構成された、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
実行するための前記手段は、前記干渉する第１のセル送信が、前記決定されたＭＣＳに基づいて変調されるかまたは符号化されるかのうちの少なくとも１つであるという仮定に基づいて、前記受信された送信からの前記第２のセル送信を復号するように構成された、請求項１０に記載の装置。
【請求項１３】
前記受信された送信から、前記干渉する第１のセル送信による前記第２のセル送信への干渉を抑圧するための手段をさらに備え、前記干渉が、前記決定されたＭＣＳに基づいて抑圧される、請求項１０に記載の装置。
【請求項１４】
ワイヤレス通信のための装置であって、前記装置がセルであり、
前記セルからのセル送信の第１のユーザ機器（ＵＥ）による干渉抑圧を可能にするであろう変調およびコーディング方式（ＭＣＳ）を示す情報を受信するための手段と、
前記ＭＣＳを示す前記受信された情報に基づいてデータを変調することまたは符号化することのうちの少なくとも１つを実行するための手段と、
前記セル送信中で前記データを第２のＵＥに送信するための手段とを備え、
前記ＭＣＳを示す前記受信された情報に基づいてダウンリンク送信を受信するためにスケジュールすべきＵＥを決定するための手段と、前記決定されたＵＥが前記第２のＵＥを含む、
前記決定されたスケジューリングに基づいて前記セル送信を受信するように前記第２のＵＥをスケジュールするための手段と、
をさらに備える、装置。
【請求項１５】
コンピュータ上で動作させられるとき、請求項１−９のうちのいずれか一項にしたがった方法を実行するための命令を備えるコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月1日(2017.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヘパラナーゼの組換え発現を含むｅｘ  ｖｉｖｏで培養された細胞であって、該細胞内で内因性ヘパラナーゼが発現されないか、またはヘパラナーゼが組換え発現されると、ヘパラナーゼの既存の発現が過剰発現される、細胞。
【請求項２】
Ｔ細胞、ＮＫ細胞、またはＮＫＴ細胞である、請求項１に記載の細胞。
【請求項３】
ｅｘ  ｖｉｖｏで拡張されたＴ細胞である、請求項１に記載の細胞。
【請求項４】
腫瘍抗原特異的Ｔ細胞である、請求項１に記載の細胞。
【請求項５】
キメラ抗原受容体（ＣＡＲ）特異的Ｔ細胞である、請求項１に記載の細胞。
【請求項６】
細胞療法の有効性を改善する方法であって、該療法のための細胞を、ヘパラナーゼが発現されるように改変するステップを含む、方法。
【請求項７】
前記細胞が、内因性ヘパラナーゼを発現せず、前記改変するステップが、ヘパラナーゼの発現を回復させる、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記細胞が、内因性ヘパラナーゼを発現し、該ヘパラナーゼが、過剰発現される、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記細胞が、腫瘍抗原特異的Ｔ細胞である、請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
前記細胞が、ＣＡＲ特異的Ｔ細胞である、請求項６に記載の方法。
【請求項１１】
前記細胞療法が、がんのための細胞療法である、請求項６に記載の方法。
【請求項１２】
前記細胞療法が、固形腫瘍のための細胞療法である、請求項６に記載の方法。
【請求項１３】
治療有効量の治療用細胞を含有し、
該細胞が、ヘパラナーゼを組換え発現するｅｘ  ｖｉｖｏで培養された細胞である、
個体におけるがんを処置するための医薬組成物。
【請求項１４】
前記細胞が、
１）内因性ヘパラナーゼを発現しないか、または
２）内因性ヘパラナーゼを発現し、組換え発現されたヘパラナーゼが、過剰発現される、
請求項１３に記載の医薬組成物。
【請求項１５】
前記がんが、固形腫瘍を含む、請求項１３に記載の医薬組成物。
【請求項１６】
前記細胞が、腫瘍抗原特異的Ｔ細胞である、請求項１３に記載の医薬組成物。
【請求項１７】
前記細胞が、ＣＡＲ特異的Ｔ細胞である、請求項１３に記載の医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月23日(2017.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
タンパク質導入ドメインおよびＳｍａｄ７ドメインを含む、医薬として使用するための融合タンパク質であって、前記Ｓｍａｄ７ドメインが
（ｉ）ＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ：１２に記載のアミノ酸配列のアミノ酸２〜２５８、または位置２１６のＭｅｔがＬｅｕに改変されているその変異体；
（ｉｉ）ＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ：１２に記載のアミノ酸配列のアミノ酸２０３〜２５８、または位置２１６のＭｅｔがＬｅｕに改変されているその変異体；
（ｉｉｉ）ＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ：１２に記載のアミノ酸配列のアミノ酸２５９〜４２６；
（ｉｖ）ＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ：１２に記載のアミノ酸配列のアミノ酸２０３〜２１７、または位置２１６のＭｅｔがＬｅｕに改変されているその変異体；および
（ｖ）位置２１６のＭｅｔがＬｅｕに改変されているＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ：１２に記載のアミノ酸配列；
からなる群より選択され、
前記Ｓｍａｄ７ドメインが１または複数のＳｍａｄ７の生物学的活性を有する、
融合タンパク質。
【請求項２】
位置２１６のＭｅｔがＬｅｕに改変されている、請求項１に記載の融合タンパク質。
【請求項３】
タンパク質導入ドメインがＨＩＶ由来のＴａｔタンパク質の変異体である、請求項１に記載の融合タンパク質。
【請求項４】
タンパク質導入ドメインがＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ：２、ＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ：４、およびＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ：６からなる群より選択される、請求項３に記載の融合タンパク質。
【請求項５】
１または複数のエピトープタグまたは精製タグをさらに含む、請求項１〜４のいずれかに記載の融合タンパク質。
【請求項６】
融合タンパク質のアミノ酸配列がＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ：２７に示される、請求項１に記載の融合タンパク質。
【請求項７】
１または複数の生物学的活性が細胞遊走の媒介、細胞増殖の増加、放射線誘発ＤＮＡ損傷の減少、および線維化反応の阻害からなる群より選択される、請求項６に記載の融合タンパク質。
【請求項８】
融合タンパク質のアミノ酸配列がＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ：２５に示される、請求項１に記載の融合タンパク質。
【請求項９】
１または複数の生物学的活性がＳｍａｄ２のリン酸化の減少または除去、ＮＦ−κＢｐ５０サブユニットの核転座の減少または除去、細胞増殖の増加、上皮細胞遊走の増加、アポトーシスの減少、放射線誘発ＤＮＡ損傷の減少、炎症の減少、および脈管形成の減少からなる群より選択される、請求項８に記載の融合タンパク質。
【請求項１０】
融合タンパク質のアミノ酸配列がＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ：９８に示される、請求項１に記載の融合タンパク質。
【請求項１１】
１または複数の生物学的活性が細胞生存の促進、抗炎症、およびｐＳｍａｄ２の阻害からなる群より選択される、請求項１０に記載の融合タンパク質。
【請求項１２】
Ｓｍａｄ７ドメインのアミノ酸配列がＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ：１２におけるアミノ酸２０３〜２５８として示される、請求項１記載の融合タンパク質。
【請求項１３】
１または複数の生物学的活性が細胞増殖の促進、細胞生存の促進、抗炎症、抗ＤＮＡ損傷、およびｐＳｍａｄ２の阻害からなる群より選択される、請求項１２に記載の融合タンパク質。
【請求項１４】
放射線療法または化学療法により誘発される口腔粘膜炎または組織損傷の治療または予防において使用するための、請求項１〜１３のいずれかに記載の融合タンパク質。
【請求項１５】
自己免疫疾患、乾癬、または皮膚炎の治療または予防において使用するための、請求項１〜１３のいずれかに記載の融合タンパク質。
【請求項１６】
創傷、異常な創傷治癒、瘢痕、または線維症の治療または予防において使用するための、請求項１〜１３のいずれかに記載の融合タンパク質。
【請求項１７】
請求項１〜１６のいずれかに記載の融合タンパク質をコードする核酸分子。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月1日(2017.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＣＤ１３８特異的キメラ抗原受容体（ＣＡＲ）およびこれと機能的に関連する１つまたは複数の低酸素状態応答性調節エレメントをコードする発現ベクター。
【請求項２】
誘導性自殺遺伝子をコードする配列をさらに含む、請求項１に記載のベクター。
【請求項３】
ＣＤ１３８特異的キメラ抗原受容体（ＣＡＲ）をコードし、
ａ）該ＣＤ１３８特異的ＣＡＲと機能的に関連する１つもしくは複数の低酸素状態応答性調節エレメント、および／または
ｂ）誘導性自殺遺伝子
を含む発現ベクター。
【請求項４】
非ウイルスベクターまたはウイルスベクターである、請求項１または３に記載のベクター。
【請求項５】
前記ウイルスベクターが、レトロウイルスベクター、レンチウイルスベクター、アデノウイルスベクター、アデノ随伴ウイルスベクターである、請求項１または３に記載のベクター。
【請求項６】
前記ＣＤ１３８特異的ＣＡＲが、ＩｇＧ１のヒンジ領域を含む、請求項１または３に記載のベクター。
【請求項７】
前記ＣＤ１３８特異的ＣＡＲが、ＣＤ２８、ＯＸ４０、４〜１ＢＢ、ＩＣＯＳ、およびこれらの組合せからなる群から選択される細胞内シグナル伝達ドメインを含む、請求項１または３に記載のベクター。
【請求項８】
前記ＣＤ１３８特異的ＣＡＲが、ＣＤ３−ゼータおよびＣＤ２８からなる群から選択される、膜貫通ドメインを含む、請求項１または３に記載のベクター。
【請求項９】
前記自殺遺伝子が、カスパーゼ９、単純ヘルペスウイルス、チミジンキナーゼ（ＨＳＶ−ｔｋ）、シトシンデアミナーゼ（ＣＤ）、およびチトクロームＰ４５０からなる群から選択される、請求項２または３に記載のベクター。
【請求項１０】
前記低酸素状態応答性調節エレメントが、ＶＥＧＦ低酸素状態応答性調節エレメント、α１Ｂ−アドレナリン作動性受容体低酸素状態応答性調節エレメント、脂肪酸シンターゼ低酸素状態応答性調節エレメント、またはこれらの組合せを含む、請求項１または２に記載のベクター。
【請求項１１】
請求項１、２、または３に記載のベクターを含む細胞。
【請求項１２】
真核細胞としてさらに規定される、請求項１１に記載の細胞。
【請求項１３】
ヒト細胞としてさらに規定される、請求項１１に記載の細胞。
【請求項１４】
特定の個体との関連で、自己細胞、同系細胞、同種細胞、または異種細胞としてさらに規定される、請求項１１に記載の細胞。
【請求項１５】
前記個体が、がんの処置を必要とする、請求項１４に記載の細胞。
【請求項１６】
前記個体が、Ｂ細胞系造血器悪性腫瘍のための処置を必要とする、請求項１４に記載の細胞。
【請求項１７】
前記個体が、多発性骨髄腫のための処置を必要とする、請求項１４に記載の細胞。
【請求項１８】
細胞傷害性Ｔリンパ球（ＣＴＬ）、ナチュラルキラー細胞、またはナチュラルキラーＴ細胞としてさらに規定される、請求項１１に記載の細胞。
【請求項１９】
ウイルス特異的である、請求項１８に記載の細胞。
【請求項２０】
前記ウイルスが、ＥＢＶ、ＣＭＶ、アデノウイルス、ＢＫウイルス、ＨＨＶ６、ＲＳＶ、インフルエンザ、パラインフルエンザ、ボカウイルス、コロナウイルス、ＬＣＭＶ、ムンプス、麻疹、メタ肺炎ウイルス、パルボウイルスＢ、ロタウイルス、ウェストナイルウイルス、ＪＣ、ＨＨＶ７、またはＨＩＶである、請求項１９に記載の細胞。
【請求項２１】
ＣＤ１３８以外の抗原に特異的である少なくとも１つの他のＣＡＲを含む、請求項１８に記載の細胞。
【請求項２２】
前記ＣＡＲが、黒色腫関連抗原（ＭＡＧＥ）、黒色腫優先発現抗原（ＰＲＡＭＥ）、スルビビン、ＣＤ１９、ＣＤ２０、ＣＤ２２、ｋ軽鎖、ＣＤ３０、ＣＤ３３、ＣＤ１２３、ＣＤ３８、ＲＯＲ１、ＥｒｂＢ２、ＥｒｂＢ３／４、ＥｒｂＢ二量体、ＥＧＦｒ  ｖＩＩＩ、癌胎児性抗原、ＥＧＰ２、ＥＧＰ４０、メソテリン、ＴＡＧ７２、ＰＳＭＡ、ＮＫＧ２Ｄリガンド、Ｂ７−Ｈ６、ＩＬ−１３受容体ａ２、ＭＵＣ１、ＭＵＣ１６、ＣＡ９、ＧＤ２、ＧＤ３、ＨＭＷ−ＭＡＡ、ＣＤ１７１、Ｌｅｗｉｓ  Ｙ、Ｇ２５０／ＣＡＩＸ、ＨＬＡ−Ａ１  ＭＡＧＥ  Ａ１、ＨＬＡ−Ａ２  ＮＹ−ＥＳＯ−１、ＰＳＣＡ、葉酸受容体ａ、ＣＤ４４ｖ６、ＣＤ４４ｖ７／８、ａｖｂ６インテグリン、８Ｈ９、ＮＣＡＭ、ＶＥＧＦ受容体、５Ｔ４、胎児ＡｃｈＲ、ＮＫＧ２Ｄリガンド、ＣＤ４４ｖ６、二重抗原、およびユニバーサルからなる群から選択される抗原に特異的である、請求項２１に記載の細胞。
【請求項２３】
分泌性エンゲージャータンパク質を発現し、前記タンパク質が、活性化ドメインおよび抗原認識ドメインを含む、請求項１８に記載の細胞。
【請求項２４】
前記活性化ドメイン、抗原認識ドメイン、または両方のドメインが、一本鎖可変断片（ｓｃＦＶ）抗体部分を含む、請求項２３に記載の細胞。
【請求項２５】
前記活性化ドメインが、ＣＤ３、ＣＤ１６、ＣＤ２８、ＣＤ４０、ＣＤ１３４、およびＣＤ１３７からなる群から選択される分子を認識するｓｃＦＶである、請求項１に記載の細胞。
【請求項２６】
前記抗原認識ドメインが、ＣＤ１３８に結合する、請求項２３に記載の細胞。
【請求項２７】
請求項１から１０のいずれか一項に記載のベクターを治療有効量含有する、個体におけるがんを処置するための医薬組成物。
【請求項２８】
請求項１１から２６のいずれか一項に記載の細胞を治療有効量含有する、個体におけるがんを処置するための医薬組成物。
【請求項２９】
請求項１から１０のいずれか一項に記載のベクターを含むキット。
【請求項３０】
請求項１１から２６のいずれか一項に記載の細胞を含むキット。
【請求項３１】
腫瘍抗原特異的ＣＡＲおよびこれと機能的に関連する１つまたは複数の低酸素状態応答性調節エレメントをコードする発現ベクター。
【請求項３２】
誘導性自殺遺伝子をコードする配列をさらに含む、請求項３１に記載のベクター。
【請求項３３】
腫瘍抗原特異的ＣＡＲをコードし、
ａ）該腫瘍抗原特異的ＣＡＲと機能的に関連する１つもしくは複数の低酸素状態応答性調節エレメント、および／または
ｂ）誘導性自殺遺伝子
を含む発現ベクター。
【請求項３４】
前記腫瘍抗原が、黒色腫関連抗原（ＭＡＧＥ）、黒色腫優先発現抗原（ＰＲＡＭＥ）、スルビビン、ＣＤ１９、ＣＤ２０、ＣＤ２２、ｋ軽鎖、ＣＤ３０、ＣＤ３３、ＣＤ１２３、ＣＤ３８、ＲＯＲ１、ＥｒｂＢ２、ＥｒｂＢ３／４、ＥｒｂＢ二量体、ＥＧＦｒ  ｖＩＩＩ、癌胎児性抗原、ＥＧＰ２、ＥＧＰ４０、メソテリン、ＴＡＧ７２、ＰＳＭＡ、ＮＫＧ２Ｄリガンド、Ｂ７−Ｈ６、ＩＬ−１３受容体ａ２、ＭＵＣ１、ＭＵＣ１６、ＣＡ９、ＧＤ２、ＧＤ３、ＨＭＷ−ＭＡＡ、ＣＤ１７１、Ｌｅｗｉｓ  Ｙ、Ｇ２５０／ＣＡＩＸ、ＨＬＡ−Ａ１  ＭＡＧＥ  Ａ１、ＨＬＡ−Ａ２  ＮＹ−ＥＳＯ−１、ＰＳＣＡ、葉酸受容体ａ、ＣＤ４４ｖ６、ＣＤ４４ｖ７／８、ａｖｂ６インテグリン、８Ｈ９、ＮＣＡＭ、ＶＥＧＦ受容体、５Ｔ４、胎児ＡｃｈＲ、ＮＫＧ２Ｄリガンド、ＣＤ４４ｖ６、二重抗原、およびユニバーサルからなる群から選択される、請求項３１または３３に記載のベクター。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月10日(2017.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チューインガムの感覚刺激特性を改良するためのソルビトール粉末を使用する方法であって、該ソルビトール粉末が、レッチェの装置を使用する粒度分析によって決定される以下の粒度分布；
０重量％から１重量％の４００ミクロンを超える粒子、
４０重量％から４５重量％の２５０ミクロンと４００ミクロンとの間の粒子、
４８重量％から５３重量％の１００ミクロンと２５０ミクロンとの間の粒子、
３．５重量％から８重量％の７５ミクロンと１００ミクロンとの間の粒子、および
０重量％から２．５重量％の７５ミクロンを下回る粒子
を各種の画分の総和が１００重量％であるように有することを特徴とする、
方法。
【請求項２】
前記感覚刺激特性が、イニシャルバイト、質感、甘味および／またはフレーバー強度から選択されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ソルビトール粉末が、以下の粒度分布：
０重量％から１重量％の４００ミクロンを超える粒子、
４１重量％から４４重量％の２５０ミクロンと４００ミクロンとの間の粒子、
４９重量％から５２重量％の１００ミクロンと２５０ミクロンとの間の粒子、
４重量％から６重量％の７５ミクロンと１００ミクロンの間との粒子、および
０重量％から１．５重量％の７５ミクロンを下回る粒子
を各種の画分の総和が１００重量％であるように有することを特徴とする、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記ソルビトール粉末が、結晶性ソルビトール材料のミリングおよび／またはスクリーニングによって得られることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
チューインガムの感覚刺激特性を改良するため又は香味料の含有量を減らすための方法であって、以下の工程：
レッチェの装置を使用する粒度分析によって決定される以下の粒度分布：
０重量％から１重量％の４００ミクロンを超える粒子、
４０重量％から４５重量％の２５０ミクロンと４００ミクロンとの間の粒子、
４８重量％から５３重量％の１００ミクロンと２５０ミクロンとの間の粒子、
３．５重量％から８重量％の７５ミクロンと１００ミクロンとの間の粒子、および
０重量％から２．５重量％の７５ミクロンを下回る粒子
を各種の画分の総和が１００重量％であるように有する、少なくとも１つのソルビトール粉末をチューインガム組成物に加える工程、および
チューインガムを得る工程
を含む、
方法。
【請求項６】
前記加えたソルビトール粉末が、前記チューインガムの５〜８５重量％を占めることを特徴とする、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
チューインガムを製造するための方法であって、以下の工程：
レッチェの装置を使用する粒度分析によって決定される以下の粒度分布：
０重量％から１重量％の４００ミクロンを超える粒子、
４０重量％から４５重量％の２５０ミクロンと４００ミクロンとの間の粒子、
４８重量％から５３重量％の１００ミクロンと２５０ミクロンとの間の粒子、
３．５重量％から８重量％の７５ミクロンと１００ミクロンとの間の粒子、および
０重量％から２．５重量％の７５ミクロンを下回る粒子
を各種の画分の総和が１００重量％であるように有するソルビトール粉末と、ガム基礎剤とを混合する工程
を含む、
方法。
【請求項８】
可塑剤および／または香味料を加える工程をさらに含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
レッチェの装置を使用する粒度分析によって決定される以下の粒度分布：
０重量％から１重量％の４００ミクロンを超える粒子、
４０重量％から４５重量％の２５０ミクロンと４００ミクロンとの間の粒子、
４８重量％から５３重量％の１００ミクロンと２５０ミクロンとの間の粒子、
３．５重量％から８重量％の７５ミクロンと１００ミクロンとの間の粒子、および
０重量％から２．５重量％の７５ミクロンを下回る粒子
を各種の画分の総和が１００重量％であるように有するソルビトール粉末と、ガム基礎剤とを含む、チューインガム。
【請求項１０】
可塑剤および／または香味料をさらに含む、請求項９に記載のチューインガム。
【請求項１１】
２％から８５％（ｗ／ｗ）の前記ソルビトール粉末を含むことを特徴とする、請求項９または１０に記載のチューインガム。
【請求項１２】
レッチェの装置を使用する粒度分析によって決定される以下の粒度分布：
０重量％から１重量％の４００ミクロンを超える粒子、
４０重量％から４５重量％の２５０ミクロンと４００ミクロンとの間の粒子、
４８重量％から５３重量％の１００ミクロンと２５０ミクロンとの間の粒子、
３．５重量％から８重量％の７５ミクロンと１００ミクロンとの間の粒子、および
０重量％から２．５重量％の７５ミクロンを下回る粒子
を各種の画分の総和が１００重量％であるように有する、
ソルビトール粉末。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月24日(2017.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＡＫＴ１又はＰＲＡＳ４０変異を含むがん細胞の変異の存在を検出することを含む、がん細胞におけるＡＫＴ阻害剤の治療効果に対する耐性を検出するための方法であって、変異の存在は、がん細胞がＡＫＴ阻害剤に耐性になったか又は耐性になるであろうことを示している、方法。
【請求項２】
変異の存在が、ＡＫＴ阻害剤を用いた治療後に検出される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ＡＫＴ１変異がＷ８０を含む、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
Ｗ８０変異がシステイン残基の変化を含む、請求項１から３の何れか一項に記載の方法。 
【請求項５】
ＡＫＴ３の発現レベルを検出することを更に含む、請求項１から４の何れか一項に記載の方法。
【請求項６】
ＡＫＴ３の過剰発現を検出することを更に含む、請求項１から５の何れか一項に記載の方法。
【請求項７】
ＡＫＴ阻害剤がアロステリック阻害剤である、請求項１から６の何れか一項に記載の方法。
【請求項８】
アロステリック阻害剤がＭＫ−２２０６である、請求項１から７の何れか一項に記載の方法。
【請求項９】
ＰＲＡＳ４０変異が停止コドンを含む、請求項１又２に記載の方法。
【請求項１０】
変異が１７８停止コドンを含む、請求項１、２及び９の何れか一項に記載の方法。
【請求項１１】
ＡＫＴ阻害剤がＡＴＰ競合的阻害剤である、請求項１、２、９及び１０の何れか一項に記載の方法。
【請求項１２】
ＡＫＴ阻害剤がＧＤＣ−００６８又はＧＳＫ２１１０１８３である、請求項１、２及び９から１１の何れか一項に記載の方法。
【請求項１３】
ＡＫＴ３発現レベルがｍＲＮＡ発現レベルである、請求項１から１２の何れか一項に記載の方法。
【請求項１４】
ｍＲＮＡ発現レベルがマイクロアレイ又はｑＲＴ−ＰＣＲを用いて測定される、請求項１から１３の何れか一項に記載の方法。
【請求項１５】
ｍＲＮＡ発現レベルの変化が増加である、請求項１から１４の何れか一項に記載の方法。
【請求項１６】
がんが、中皮腫、子宮内膜がん、膵臓がん、乳がん、肺がん、卵巣がん、前立腺がん、黒色腫、胃がん、結腸がん、腎臓がん、頭頸部がん、及びグリオーマからなる群から選択される、請求項１から１５の何れか一項に記載の方法。
【請求項１７】
がんがＰＴＥＮ変異と関連している、請求項１から１６の何れか一項に記載の方法。
【請求項１８】
がんがＰＴＥＮが低いか又はゼロの状態と関連している、請求項１から１７の何れか一項に記載の方法。
【請求項１９】
がんがＡＫＴ変異、過剰発現又は増幅と関連している、請求項１から１８に記載の方法。
【請求項２０】
がんがＰＩ３Ｋ変異と関連している、請求項１から１９の何れか一項に記載の方法。
【請求項２１】
がんがＨｅｒ２／ＥｒｂＢ２増幅と関連している、請求項１から２０の何れか一項に記載の方法。
【請求項２２】
がん細胞が循環腫瘍細胞（ＣＴＣ）である、請求項１から２１の何れか一項に記載の方法。
【請求項２３】
検出がｐＣＲにより変異を検出することを更に含む、請求項１から２２の何れか一項に記載の方法。
【請求項２４】
がん細胞におけるＡＫＴ阻害剤の治療効果に対する耐性を検出するためのキットであって、ＡＫＴ１又はＰＲＡＳ４０変異を含むがん細胞の変異の存在を検出するための手段を含み、変異の存在は、がん細胞がＡＫＴ阻害剤に耐性になったか又は耐性になるであろうことを示している、キット。
【請求項２５】
がん細胞に、ＰＩ３Ｋ阻害剤又はｍＴＯＲ阻害剤の有効量が投与される、請求項２４に記載のキット。
【請求項２６】
ＧＤＣ−０９４１及びＧＤＣ−０９８０から選択されるＰＩ３Ｋ阻害剤の有効量が投与される、請求項２４又は２５に記載のキット。
【請求項２７】
ラパマイシンから選択されるｍＴＯＲ阻害剤の有効量が投与される、請求項２４又は２５に記載のキット。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月9日(2017.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のサンプル分子を少なくとも第１の標識で標識することであって、前記サンプル分子は注目する１つまたは複数のゲノム断片のポリヌクレオチド配列を含み、前記注目する１つまたは複数のゲノム断片は異常の可能性があるゲノム領域に対応する、前記標識すること、
複数の標識参照分子を提供することであって、前記参照分子は１つまたは複数の参照ゲノム断片のポリヌクレオチド配列を含み、前記１つまたは複数の参照ゲノム断片は、前記異常の可能性があるゲノム領域には対応しないことが既知である、前記提供すること、
前記複数の標識サンプル分子および前記複数の標識参照分子を１つまたは複数の流体チャネルに通して移動させること、
前記標識サンプル分子および前記標識参照分子からのシグナルを検出して、少なくとも、前記注目する１つまたは複数のゲノム断片に特徴的な１つまたは複数の第１のパターン、および前記１つまたは複数の参照ゲノム断片に特徴的な１つまたは複数の第２のパターンを確認すること、ならびに
前記１つまたは複数の第１のパターンを確認するシグナルを、前記１つまたは複数の第２のパターンを確認するシグナルに相関させることであって、前記注目する１つまたは複数のゲノム断片についてのカバー倍数（ｃｏｖｅｒａｇｅ  ｄｅｐｔｈ）を、前記１つまたは複数の参照ゲノム断片についてのカバー倍数（ｃｏｖｅｒａｇｅ  ｄｅｐｔｈ）に対して比較して、前記注目する１つまたは複数のゲノム断片のコピー数を決定することを含む、前記相関させること、
を含む、ポリヌクレオチド配列を含むサンプルを特性解析する方法。
【請求項２】
前記サンプルは母体血液を出所とし、前記参照分子は血液以外の母体サンプルを出所とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記サンプルは循環胎児細胞を含む、請求項１又は請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記サンプルについてのカバー倍数（ｃｏｖｅｒａｇｅ  ｄｅｐｔｈ）を反映するためにヒストグラム分布を生成することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記標識参照分子を生成できるように参照分子を標識することをさらに含み、前記標識参照分子は前記１つまたは複数の第２のパターンを含む、請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記標識参照分子からのシグナルは、電気的または光学的に記憶された数値または数値群を含む、請求項１〜請求項５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記注目する１つまたは複数のゲノム断片は性染色体またはその少なくとも１つの断片を含み、前記１つまたは複数の参照ゲノム断片は常染色体またはその少なくとも１つの断片を含む、請求項１〜請求項６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記第１の標識は、蛍光標識、放射性標識、磁気標識または非光学的標識の内の少なくとも１つを含む、請求項１〜請求項７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
標識付与は、
第１の配列モチーフのところで、二本鎖ＤＮＡの一本の鎖をニッキングエンドヌクレアーゼでニッキングすること、および
前記ＤＮＡを標識すること、
を含む、請求項１〜請求項８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記ＤＮＡ上のニックの少なくとも一部を修復することをさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
ポリヌクレオチド配列を含むサンプル分子のポリヌクレオチド配列上の複数の配列特異的な位置を標識すること、
流体チャネル内で前記サンプル分子の少なくとも一部分を線状化すること、
前記サンプル分子上の前記標識からのシグナルを定量すること、
前記サンプル分子からのシグナルの量を参照分子からのシグナルの量と比較して、前記サンプル分子のポリヌクレオチド配列についてのカバー倍数（ｃｏｖｅｒａｇｅ  ｄｅｐｔｈ）を、前記参照分子のポリヌクレオチド配列についてのカバー倍数（ｃｏｖｅｒａｇｅ  ｄｅｐｔｈ）に対して比較すること、および
前記サンプル分子についてのカバー倍数（ｃｏｖｅｒａｇｅ  ｄｅｐｔｈ）が前記参照分子についてのカバー倍数（ｃｏｖｅｒａｇｅ  ｄｅｐｔｈ）と異なる場合に、前記サンプル分子内の遺伝的異常の存在または非存在を決定することを含む、
ポリヌクレオチド配列を含むサンプルを特性解析する方法。
【請求項１２】
前記サンプルは循環胎児細胞を含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記サンプルについてのカバー倍数（ｃｏｖｅｒａｇｅ  ｄｅｐｔｈ）を反映するためにヒストグラム分布を生成することをさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記サンプル分子および前記参照分子は同じ生体の異なる組織を出所とする、請求項１１記載の方法。
【請求項１５】
前記参照分子からの前記シグナルの量は、電気的または光学的に記憶された数値または数値群を含む、請求項１１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月17日(2017.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
複数ダイオードピクセルシステムでは、各々のピクセルが複数のフォトダイオードを有する。従って、２つのフォトダイオードの実効感度を設計によって異ならせることができ、ＨＤＲシーンの複数露出が同時に達成され得る。しかしながら、向上したダイナミックレンジは設計上固定され、フレキシブルではない。
この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、以下のものがある（国際出願日以降国際段階で引用された文献及び他国に国内移行した際に引用された文献を含む）。
（先行技術文献）
（特許文献）
（特許文献１）  米国特許出願公開第２００８／０１７４６８５号明細書
（特許文献２）  米国特許出願公開第２００８／０１９８２５１号明細書
（特許文献３）  米国特許出願公開第２００９／０００２５２８号明細書
（特許文献４）  米国特許出願公開第２０１４／０２４７３７８号明細書
（特許文献５）  米国特許出願公開第２００８／０１９２１３３号明細書
（特許文献６）  米国特許出願公開第２００８／０１５８３９８号明細書
（特許文献７）  米国特許出願公開第２００８／０２８４８８４号明細書
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月24日(2017.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路アッセンブリであって、
基板電気回路と、反対側の頂部及び底部基板表面と、基板孔とを有する基板であって、前記基板孔が前記基板を介して延び、前記頂部基板表面がその上に提供される複数の電気的コンタクト表面を有する、前記基板と、
少なくとも一部が前記基板孔内に物理的に搭載されるディスクリート構成要素と、前記ディスクリート構成要素に取り付けられる支持部材であって、前記ディスクリート構成要素の少なくとも一部が前記基板孔内に物理的に搭載されるときに少なくとも１つのフランジ部が前記基板孔を超えて横方向に延在し、前記少なくとも１つのフランジ部がフランジ頂部表面とフランジ底部表面とを有する、前記支持部材と、前記フランジ底部表面に搭載され、前記頂部基板表面上の前記複数の電気的コンタクト表面に電気的に接続される複数の電気的コンタクトパッドとを含む、ディスクリート構成要素アッセンブリと、
を含む、回路アッセンブリ。
【請求項２】
請求項１に記載の回路アッセンブリであって、
前記基板孔が、円形である、回路アッセンブリ。
【請求項３】
請求項２に記載の回路アッセンブリであって、
前記支持部材が、前記頂部基板表面の上方に配置されるその少なくとも一部を有する、回路アッセンブリ。
【請求項４】
請求項１に記載の回路アッセンブリであって、
少なくとも３つの電気的コンタクトパッドが前記フランジ底部表面上に提供される、回路アッセンブリ。
【請求項５】
請求項１に記載の回路アッセンブリであって、
前記基板上に搭載される第２のディスクリート構成要素を更に含み、前記第２のディスクリート構成要素の一部が前記ディスクリート構成要素アッセンブリの上方に配置される、回路アッセンブリ。
【請求項６】
請求項５に記載の回路アッセンブリであって、
前記ディスクリート構成要素アッセンブリの上方に配置される前記第２のディスクリート構成要素の前記一部が、前記ディスクリート構成要素アッセンブリに接続される、回路アッセンブリ。
【請求項７】
回路アッセンブリであって、
基板であって、
頂部第１リードフレーム表面と、底部第１リードフレーム表面と、前記頂部第１リードフレーム表面と前記底部第１リードフレーム表面との間に延在する第１リードフレーム孔とを有する第１のリードフレームと、
頂部第２リードフレーム表面と、底部第２リードフレーム表面と、前記頂部第２リードフレーム表面と前記底部第２リードフレーム表面との間に延在する第２リードフレーム孔とを有し、前記第１のリードフレームより下で前記第１のリードフレームに概して平行に配置される第２のリードフレームと、
を含む、前記基板と、
ディスクリート構成要素アッセンブリであって、
部分的に前記第１リードフレーム孔内に配置される第１の部分と、部分的に前記第２リードフレーム孔に配置される第２の部分とを有するディスクリート構成要素と、
前記ディスクリート構成要素上に搭載される第１の支持部材であって、前記第１のリードフレームに物理的に電気的に接続される上側フランジを有する、前記第１の支持部材と、
前記上部フランジ上に搭載され、前記ディスクリート構成要素に電気的に接続される複数のコンタクトパッドと、
を含む、前記ディスクリート構成要素アッセンブリと、
を含む、回路アッセンブリ。
【請求項８】
請求項７に記載の回路アッセンブリであって、
前記ディスクリート構成要素アッセンブリが、
前記ディスクリート構成要素上に搭載される第２の支持部材と、
前記ディスクリート構成要素に電気的に接続され、前記第２の支持部材上に搭載される複数のコンタクトパッドと、
を更に含み、
前記ディスクリート構成要素が前記第１及び第２のリードフレーム両方に物理的に電気的に接続される、回路アッセンブリ。
【請求項９】
請求項８に記載の回路アッセンブリであって、
前記第２の支持部材が、前記第２のリードフレームに物理的に電気的に接続される下側フランジを有し、前記第２の支持部材上に搭載されたコンタクトパッドが前記下側フランジ上に搭載される、回路アッセンブリ。
【請求項１０】
請求項９に記載の回路アッセンブリであって、
前記上側フランジが上側表面と下側表面とを有し、前記上側フランジ上の少なくとも１つのコンタクトパッドが前記上側フランジの前記上側表面上に配置される、回路アッセンブリ。
【請求項１１】
請求項１０に記載の回路アッセンブリであって、
前記下側フランジが上側表面と下側表面とを有し、前記下側フランジ上の少なくとも１つのコンタクトパッドが前記下側フランジの前記下側表面上に配置される、回路アッセンブリ。
【請求項１２】
請求項７に記載の回路アッセンブリであって、
前記ディスクリート構成要素が完全に前記頂部第１リードフレーム表面と前記底部第２リードフレーム表面との間に配置される、回路アッセンブリ。
【請求項１３】
請求項７に記載の回路アッセンブリであって、
前記ディスクリート構成要素の上の前記第１のリードフレーム上に搭載されるＩＣダイを更に含む、回路アッセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月25日(2017.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板に支持されたトレンチゲートであって、垂直方向に第１の深さを有し、第１の水平方向に延在するトレンチゲートと、
第１の極性の第１のウェルであって、前記トレンチゲートと平行な前記第１の水平方向に延在する第１のウェルと、
前記第１のウェルに隣接し、前記トレンチゲートと平行な前記第１の水平方向に延在し、前記トレンチゲートから第２の水平方向に分離された前記第１の極性の第１のウェルピックアップであって、前記第２の水平方向は前記第１の水平方向と垂直である、第１のウェルピックアップと、
前記第１の極性の前記第１のウェル内に位置する第２の極性の第１の複数の垂直空乏制御ピラーであって、前記複数の空乏制御ピラーは、前記トレンチゲートと前記第１のウェルピックアップとの間で前記第１の水平方向に延在する列に互いに間隔を置いて配置され、前記第２の極性は前記第１の極性とは異なる、第１の複数の垂直空乏制御ピラーと、
を備える調整可能キャパシタ。
【請求項２】
前記第１の極性が負極性（Ｎ）であり、前記第２の極性が正極性（Ｐ）である、請求項１に記載の調整可能キャパシタ。
【請求項３】
前記第１のウェルが負極性のウェル（Ｎウェル）であり、
前記第１のウェルピックアップが負極性のウェル（Ｎウェル）ピックアップであり、
前記トレンチゲートがＮ＋領域であり、
前記第１の複数の空乏制御ピラーがＰ＋ピラーであり、
前記第１のウェルピックアップがＮ＋領域である、
請求項１に記載の調整可能キャパシタ。
【請求項４】
前記第１の複数の空乏制御ピラーが前記トレンチゲートの前記第１の深さよりも浅い深さまで延在する、または、
前記第１の複数の空乏制御ピラーが前記トレンチゲートと前記第１のウェルピックアップとの中間、若しくはほぼ中間で前記第１のウェル内に位置する、請求項１に記載の調整可能キャパシタ。
【請求項５】
前記第１の複数の空乏制御ピラーの個々の空乏制御ピラーが前記第１の方向の前記個々の空乏制御ピラーの幅よりも大きい深さを有し、
前記第１の複数の空乏制御ピラーが電気的に接続され、一方前記第１の方向の前記空乏制御ピラーの前記幅と少なくとも同じ幅の距離だけ前記第１の方向に互いに間隔を置いて配置されている、請求項１に記載の調整可能キャパシタ。
【請求項６】
前記トレンチゲートに結合されたキャパシタゲート端子と、
前記第１の複数の空乏制御ピラーの少なくとも１つの空乏制御ピラーに結合された空乏制御端子と、
前記第１の極性の前記第１のウェルピックアップに結合されたウェルピックアップ端子と、
をさらに備える、請求項１に記載の調整可能キャパシタ。
【請求項７】
前記第１の方向に延在し、第１のウェル領域を前記トレンチゲートから分離する第１のライナー酸化物層、をさらに備える、請求項１に記載の調整可能キャパシタ。
【請求項８】
前記トレンチゲートと平行な前記第１の方向に延在する前記第１の極性の第２のウェルと、
前記第２のウェルに隣接し、前記第１の方向に延在する第２のウェルピックアップと、
前記トレンチゲートと前記第２のウェルピックアップとの間の第２のウェル領域内に位置する前記第２の極性の第２の複数の空乏制御ピラーと、
をさらに備える、請求項１に記載の調整可能キャパシタ。
【請求項９】
前記第１の方向に延在する前記トレンチゲートの両側が、前記トレンチゲートを前記第１のウェルおよび前記第２のウェルから分離するライナー酸化物によって裏打ちされている、請求項８に記載の調整可能キャパシタ。
【請求項１０】
前記基板がＳＯＩ基板であり、
前記トレンチゲートがリンドープされたＮ＋領域であり、
前記第１の複数の空乏制御ピラーがＰ＋ドープされた領域であり、
前記第１のウェルピックアップがＮ＋ドープされた領域である、
請求項１から６のいずれか一項に記載の調整可能キャパシタ。
【請求項１１】
前記第１のウェルピックアップが第２の深さを有し、前記第１の深さが前記第２の深さよりも大きく、前記トレンチゲートが前記基板の酸化物層内へと延在する、請求項１０に記載の調整可能キャパシタ。
【請求項１２】
前記基板が厚いＳＯＩ基板またはＳｉ基板であり、
前記トレンチゲートがリンドープされたＮ＋領域であり、
前記第１の複数の空乏制御ピラーがＰ領域であり、
前記第１のウェルピックアップがＮシンク領域である、
請求項１から６のいずれか一項に記載の調整可能キャパシタ。
【請求項１３】
デバイスの動作モードを決定するステップと、
前記決定されたデバイスの動作モードに対応する制御電圧を調整可能キャパシタの複数の空乏制御ピラーに印加して、前記調整可能キャパシタのトレンチゲート端子と前記調整可能キャパシタのウェルピックアップ端子との間の静電容量を制御するステップであって、前記調整可能キャパシタが、
基板と、
前記基板によって支持されたトレンチゲートであり、垂直方向に第１の深さを有し、第１の水平方向に延在するトレンチゲートと、
第１の極性のウェルであり、前記トレンチゲートと平行な前記第１の水平方向に延在するウェルと、
前記ウェルに隣接する前記第１の極性のウェルピックアップであり、前記トレンチゲートと平行な前記第１の水平方向に延在し、前記トレンチゲートから第２の水平方向に分離され、前記第２の水平方向が前記第１の水平方向と垂直である、ウェルピックアップと、
前記複数の空乏制御ピラーであり、垂直であり、第２の極性であり、前記ウェル内に位置し、前記トレンチゲートと前記ウェルピックアップとの間で前記第１の水平方向に延在する列に互いに間隔を置いて配置され、前記第２の極性は前記第１の極性とは異なる、前記複数の空乏制御ピラーと、
前記トレンチゲート端子であり、前記トレンチゲートと接触している前記トレンチゲート端子と、
を含む、ステップと、
を含む、デバイスを制御する方法。
【請求項１４】
前記デバイスの動作モードを第１の動作モードから第２の動作モードに変更するステップであって、前記調整可能キャパシタの前記複数の空乏制御ピラーに印加される前記制御電圧を前記第１の動作モードに対応する第１の電圧から前記第２の動作モードに対応する第２の電圧に変更するステップを含み、前記第１の電圧と前記第２の電圧とが異なる、ステップ、
をさらに含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記デバイスが通信デバイスであり、
前記第１の動作モードが、通信が第１の周波数帯で実施される第１の通信動作モードであり、
前記第２の動作モードが、通信が第２の周波数帯で実施される第２の通信動作モードであり、前記第１の周波数帯と前記第２の周波数帯とが異なる、
請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月8日(2017.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザ装置とコアネットワークとの間でデータパケットの通信を協働させるためのシステムであって、
上記コアネットワークに通信可能に接続された第１の装置と、
上記第１の装置に通信可能に接続され、上記ユーザ装置からの信号を受信するように構成された第２の装置とを備え、
上記第１の装置と上記第２の装置は、ロングタームエボリューション無線アクセスネットワークのレイヤー２に関連付けられた少なくとも１つの機能を共用し、
上記少なくとも１つの機能はパケットデータコンバージェンスプロトコルを含むシステム。
【請求項２】
上記第１の装置は進化型ノード（ｅＮｏｄｅＢ）基地局の少なくとも一部を含み、
上記第２の装置は遠隔無線ヘッドを備え、上記遠隔無線ヘッドは無線送信機及び無線受信機を含み、
上記第１の装置と上記第２の装置は、フロントホールイーサネット接続を介して通信可能に接続され、上記第１の装置はバックホール接続を用いて上記コアネットワークに通信可能に接続され、
複数のメッセージうちの少なくとも１つのメッセージは上記フロントホールイーサネット接続を伝送するように構成され、
上記複数のメッセージは複数のユーザ装置とコアネットワークとの間の通信を確立することに関連する請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
上記複数のメッセージは、レイヤー１及び／又はレイヤー２の構成に関連する複数のメッセージと、無線リリース発信元制御（ＲＲＣ）接続を確立することに関連する複数のメッセージとを含む請求項１又は２に記載のシステム。
【請求項４】
上記レイヤー１及び／又はレイヤー２の構成に関連する複数のメッセージは、ＲＲＣ接続の確立に関連する複数のメッセージと組み合わせられ、これにより、上記フロントホールイーサネット接続に関連する待ち時間を減少させる請求項３に記載のシステム。
【請求項５】
上記複数のメッセージは、上記ＲＲＣ接続を再確立するために関連する複数のメッセージを含む請求項３に記載のシステム。
【請求項６】
上記レイヤー１及び／又はレイヤー２の構成に関連する複数のメッセージは、ＲＲＣ接続を再確立させることに関連する複数のメッセージと組み合わせられ、これにより、上記フロントホールイーサネット接続に関連する待ち時間を減少させる請求項５に記載のシステム。
【請求項７】
上記システムは、上記コアネットワークに通信可能に接続された第３の装置をさらに備え、
上記第３の装置は、進化型ノード（ｅＮｏｄｅＢ）基地局の少なくとも一部と、遠隔無線ヘッドとのうちの少なくとも１つを含み、
上記第１の装置と第３の装置はハンドオーバーに関連する複数のメッセージを交換する請求項１〜６のうちのいずれか１つに記載のシステム。
【請求項８】
上記第１の装置及び上記第３の装置は、マクロセルとマイクロセルとのうちの少なくとも１つである請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
上記第１の装置と上記第３の装置との間で交換される複数のメッセージは、レイヤー１及び／又はレイヤー２の構成に関連する複数のメッセージを含む請求項７又は８に記載のシステム。
【請求項１０】
上記第２の装置と上記第３の装置の少なくとも１つは、上記ユーザ装置との接続の再構成を検出するとき、上記ユーザ装置と、上記第２の装置及び上記第３の装置のうちの少なくとも１つを接続するダウンリンク接続上でデータを送信するように構成される請求項７〜９のうちのいずれか１つに記載のシステム。
【請求項１１】
コアネットワークと遠隔無線ヘッドとに通信可能に接続され、請求項１〜１０のうちのいずれか１つに記載のシステムを用いて、ユーザ装置と上記コアネットワークとの間でデータパケットの通信を協働させるように構成された通信装置。
【請求項１２】
請求項１〜１０のうちのいずれか１つに記載のシステムにおいて、ユーザ装置と第２の通信装置との間でデータパケットの通信を協働させるための通信装置であって、
上記通信装置は無線送信機と無線受信機を有し、
上記通信装置は、ロングタームエボリューション無線アクセスネットワークのレイヤー２に関連する少なくとも１つの機能を有するプロセッシング要素を備え、
上記通信装置と上記第２の通信装置は、上記少なくとも１つの機能を共有するように構成され、
上記少なくとも１つの機能はパケットデータコンバージェンスプロトコルを含む通信装置。
【請求項１３】
上記通信装置は、フロントホールイーサネット接続を用いて第２の通信装置に接続されるように構成され、
上記通信装置は、進化型ノード（ｅＮｏｄｅＢ）基地局の一部を備える遠隔無線ヘッドであり、
上記通信装置と上記第２の通信装置は、上記フロントホールイーサネット接続を介して通信可能に接続され、
上記第２の通信装置は、バックホール接続を用いてコアネットワークに通信可能に接続される請求項１２に記載の通信装置。
【請求項１４】
請求項１〜１０のうちのいずれか１つに記載のシステムにおいて、ユーザ装置とコアネットワークとの間でデータパケットの通信を協働させる方法。
【請求項１５】
コンピュータ可読媒体に格納されたコンピュータプログラムであって、
上記コンピュータプログラムは、
少なくとも１つのプログラム可能なプロセッサによって実行されるとき、少なくとも１つのプログラマブルプロセッサに対して、請求項１〜１０のうちのいずれか１つに記載のシステムを用いて、ユーザデバイスとコアネットワークとの間のデータパケットの通信の協働に関する動作を実行させる複数の命令を含む方法。