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【手続補正書】
【提出日】平成29年7月4日(2017.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
異なる材料のフィンを形成する方法であって、
上面を有する第１の材料の層、第２の材料の層及び前記第２の材料の層上の第１の酸化物の層を含む基板であって、前記第１の材料の層が前記第１の酸化物の層上に配置される基板を提供するステップと、
前記基板の第２の部分を露出させながらマスクを形成するために前記基板の第１の部分をマスキングするステップと、
前記第１の材料の層及び前記第１の酸化物の層を通して前記第２の材料の層まで前記第２の部分において第１の開口部をエッチングするステップと、
前記第１の開口部内に前記第１の材料の前記層の前記上面のレベルまで材料の第１の主部を形成するステップであって、前記材料の第１の主部が前記第１の材料の層及び前記第１の酸化物の層によって囲われることを特徴とするステップと、
前記マスクを除去するステップと、
前記第１の部分に前記第１の材料のフィンを形成し、前記第２の部分に前記材料の第１の主部のフィンを形成するステップと
を含む、方法。
【請求項２】
前記第２の材料はシリコンである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１の材料はＩＩＩ−Ｖ族材料である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第２の材料又は前記材料の第１の主部の少なくとも一方はゲルマニウムである、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記第２の材料の層はシリコンであり、前記材料の第１の主部はシリコンゲルマニウムであり、又は、
前記第２の材料の層は前記第１の主部の材料と異なる材料である、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記基板は、第３の材料の層と、前記第３の材料の前記層上の第２の酸化物層と、前記第２の酸化物層上の前記第２の材料の前記層と、前記第２の材料の前記層上の前記第１の酸化物層とを含み、前記第１の材料の前記層は、前記第１の酸化物層上に配置され、前記第２の部分において第１の開口部をエッチングするステップは、前記第１の材料の前記層と前記第１の酸化物層とを通して前記第２の材料の前記層まで第１の開口部をエッチングするステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記基板の第３の部分において前記第１の材料の前記層、前記第１の酸化物層、前記第２の材料の前記層、および前記第２の酸化物層を通して前記第３の材料の前記層まで第２の開口部をエッチングするステップと、前記第２の開口部内に前記第１の材料の前記層の前記上面のレベルまで前記第３の材料の主部を形成し、前記第３の部分に前記第３の材料のフィンを形成するステップとを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記基板の第１の部分をマスキングするステップは、前記基板の第３の部分を露出させるステップを含み、前記基板の前記第３の部分において前記第１の材料の前記層、前記第１の酸化物層、前記第２の材料の前記層、および前記第２の酸化物層を通して前記第３の材料の前記層まで第２の開口部をエッチングするステップと、前記第２の開口部内に前記第１の材料の前記層の前記上面のレベルまで前記第３の材料の主部を形成し、前記第３の部分に前記第３の材料のフィンを形成するステップとを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
少なくとも２つの異なる材料から形成されたフィンを有するフィンＦＥＴデバイスであって、
上面を有する第１の層を有する基板と、
前記第１の層の上面上の第１の酸化物層であって、上面を有し、前記第１の層の第１の部分を覆い、前記第１の層の第２の部分を覆わない、第１の酸化物層と、
前記第１の層の前記第２の部分における材料の第１の主部であって、前記第１の酸化物層の前記上面と同じ高さの上面を有し、前記第１の酸化物層が、前記材料の第１の主部の隣にあることを特徴とする、材料の第１の主部と、
前記第１の酸化物層上で第１の材料から形成されたフィンの第１のセットと、
前記材料の第１の主部上で第２の材料から形成されたフィンの第２のセットと
を含む、フィンＦＥＴデバイス。
【請求項１０】
前記第１の層は前記第２の材料を含む、請求項９に記載のフィンＦＥＴデバイス。
【請求項１１】
前記基板は、前記第１の材料および前記第２の材料とは異なる第３の材料を含む、請求項９に記載のフィンＦＥＴデバイス。
【請求項１２】
前記第２の材料はゲルマニウムを含む、請求項１１に記載のフィンＦＥＴデバイス。
【請求項１３】
前記基板は、第２の層と前記第２の層上の第２の酸化物層とを含み、前記第１の層は、前記第２の酸化物層上に配置され、前記第２の酸化物層、前記第１の層、および前記第１の酸化物層を通して前記第２の層から拡がる材料の第２の主部を含み、前記材料の第２の主部は、前記第１の酸化物層の前記上面と同じ高さの上面を有し、前記材料の第２の主部および前記第２の層は第３の材料から形成され、フィンの第３のセットが材料の前記第２の主部上に前記第３の材料から形成される、請求項１１に記載のフィンＦＥＴデバイス。
【請求項１４】
前記第２の材料はゲルマニウムを含み、前記第３の材料はシリコンを含む、請求項１３に記載のフィンＦＥＴデバイス。
【請求項１５】
少なくとも１つの半導体ダイに統合された、請求項９に記載のフィンＦＥＴデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月21日(2017.7.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
静電チャックであって、
前記静電チャックの底部を画定する底面を有する実質的に堅い支持層と、
第１の電極と、
前記静電チャックの頂部を画定する頂面を有する誘電体層と
を備え、前記第１の電極が、前記誘電体層の前記頂面と前記支持層との間に配置されており、前記支持層、前記第１の電極および前記誘電体層が単一体を形成し、前記静電チャックがさらに、
前記第１の電極に結合された第１のコネクタであり、前記静電チャックの前記底部に対して露出した第１のコネクタと、
前記第１のコネクタと前記第１の電極とを接続する第１のリード線であり、前記支持層および前記誘電体層の周囲面上に形成された第１のリード線と
を備える静電チャック。
【請求項２】
前記第１のコネクタが導電性パッドを含む、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項３】
前記第１のリード線が、前記支持層内を通って延びていない、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項４】
前記支持層が、ガラスまたはセラミック材料を含む、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項５】
前記誘電体層が、ガラスまたはセラミック材料を含む、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項６】
前記誘電体層が、前記支持層の熱膨張率に等しい熱膨張率を備える、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項７】
前記第１の電極が、第２の電極の複数のフィンガと交互に配置された複数のフィンガを備える、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項８】
前記誘電体層の前記頂面が、前記頂面内に形成されたガスチャネルを有し、前記ガスチャネルが、前記誘電体層の前記周囲面に開いており、前記誘電体層が、前記ガスチャネルに接続された貫通孔を持たない、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項９】
前記第１の電極と少なくとも部分的に交互に配置された第２の電極と、前記第２の電極に結合された第２のコネクタであり、前記静電チャックの前記底部に対して露出した第２のコネクタとをさらに備え、前記支持層および前記誘電体層の前記周囲面上に、前記第２のコネクタと前記第２の電極とを接続する第２のリード線が形成された、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項１０】
基板をチャックする装置であって、
（ａ）支持部材と、
（ｂ）前記支持部材の頂面上に配置された静電チャックと
を備え、前記静電チャックが、
前記静電チャックの底部を画定する底面を有する実質的に堅い支持層と、
第２の電極と少なくとも部分的に交互に配置された第１の電極と、
前記静電チャックの頂部を画定する頂面を有する誘電体層と
を備え、前記第１および第２の電極が、前記誘電体層の前記頂面と前記支持層の頂面との間に配置されており、
前記静電チャックがさらに、
前記第１および第２の電極を、前記支持層上に配置されたコネクタに電気的に結合するリード線であり、前記支持層および前記誘電体層の周囲面上に形成されたリード線
を備える
装置。
【請求項１１】
前記支持部材の前記頂面が、前記静電チャックを受け取るように適合された、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記静電チャックが、
前記静電チャックの前記頂面内に形成された１つまたは複数のガス送達溝であり、前記支持部材の前記頂面の上方で開いた１つまたは複数のガス送達溝
を備える、請求項１０に記載の装置。
【請求項１３】
前記静電チャックを貫通するガス導管が形成されていない、請求項１０に記載の装置。
【請求項１４】
前記支持部材に対する前記静電チャックの位置に応じて自動的に係合したり離れたりするように構成された電気接続を、前記静電チャックおよび前記支持部材が有する、請求項１０に記載の装置。
【請求項１５】
静電チャックであって、
前記静電チャックの底部を画定する底面を有する実質的に堅い支持層と、
第１の電極と、
前記第１の電極と少なくとも部分的に交互に配置された第２の電極と、
前記静電チャックの頂部を画定する頂面を有する誘電体層と
を備え、前記第１の電極が、前記誘電体層の前記頂面と前記支持層との間に配置されており、前記支持層、前記第１の電極、前記第２の電極および前記誘電体層が単一体を形成し、前記静電チャックがさらに、
前記第１の電極に結合された第１のコネクタであり、前記静電チャックの前記底部に対して露出した第１のコネクタと、
前記第１のコネクタと前記第１の電極とを接続する第１のリード線であり、前記支持層および前記誘電体層の周囲面上に形成された第１のリード線と、
前記第２の電極に結合された第２のコネクタであり、前記静電チャックの前記底部に対して露出した第２のコネクタと、
前記第２のコネクタと前記第２の電極とを接続する第２のリード線であり、前記支持層および前記誘電体層の前記周囲面上に形成された第２のリード線と
を備える静電チャック。
【手続補正書】
【提出日】平成29年4月4日(2017.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタデバイスであって、
基板と、
前記基板上のドリフト層と、
前記ドリフト層上の拡散層であって、前記ドリフト層に隣接する第１の表面と該第１の表面とは反対側の第２の表面との間に複数の層を備え、該複数の層の各層のドーピング濃度が、前記第２の表面からの距離に比例して減少する、拡散層と、
ゲート、ドレイン、及びソースと、
を備え、前記トランジスタデバイスのチャネル幅が３ミクロン未満であり、前記トランジスタデバイスのＯＮ抵抗が、定格電圧６００Ｖにおいて１．８ｍΩ／ｃｍ２以下である、トランジスタデバイス。
【請求項２】
前記トランジスタデバイスのＯＮ抵抗が、定格電圧１２００Ｖにおいて約２．２ｍΩ／ｃｍ２以下である、トランジスタデバイス。
【請求項３】
前記トランジスタデバイスが炭化ケイ素を含む、請求項１に記載のトランジスタデバイス。
【請求項４】
縦型配置の金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）である、請求項１に記載のトランジスタデバイス。
【請求項５】
前記拡散層の厚さが１．０〜２．５ミクロンである、請求項１に記載のトランジスタデバイス。
【請求項６】
前記拡散層の前記第１の表面におけるドーピング濃度が５×１０１６ｃｍ−３であり、前記拡散層の前記第２の表面におけるドーピング濃度が２×１０１７ｃｍ−３である、請求項１に記載のトランジスタデバイス。
【請求項７】
トランジスタデバイスであって、
基板と、
前記基板上のドリフト層と、
前記ドリフト層上の拡散層であって、前記ドリフト層に隣接する第１の表面と該第１の表面とは反対側の第２の表面との間に複数の層を備え、該複数の層の各層のドーピング濃度が、前記第２の表面からの距離に比例して減少する、拡散層と、
ゲート、ドレイン、及びソースと、
を備えるトランジスタデバイス。
【請求項８】
前記拡散層の厚さが１．０〜２．５ミクロンである、請求項７に記載のトランジスタデバイス。
【請求項９】
前記トランジスタデバイスが炭化ケイ素を含む、請求項７に記載のトランジスタデバイス。
【請求項１０】
縦型配置の金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）である、請求項７に記載のトランジスタデバイス。
【請求項１１】
前記拡散層の前記第１の表面におけるドーピング濃度が５×１０１６ｃｍ−３であり、前記拡散層の前記第２の表面におけるドーピング濃度が２×１０１７ｃｍ−３である、請求項７に記載のトランジスタデバイス。
【請求項１２】
前記トランジスタデバイスのチャネル幅が３ミクロン未満であり、前記トランジスタデバイスのＯＮ抵抗が、定格電圧６００Ｖにおいて１．８ｍΩ／ｃｍ２以下である、請求項７に記載のトランジスタデバイス。
【請求項１３】
前記トランジスタデバイスのＯＮ抵抗が、定格電圧１２００Ｖにおいて２．２ｍΩ／ｃｍ２以下である、請求項１２に記載のトランジスタデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月9日(2017.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のシステムから第２のシステムへの媒体の流れを制御する弁であって、
貯槽を形成し且つ流路開口を含む、変形可能なドーム形状の構造と、
当該弁を前記第１のシステムに接続する第１のコネクタ開口と、前記流路開口を開閉するよう前記流路開口と相互作用する接触要素とを含む、弁カバーと、
該弁カバーに並びに前記変形可能なドーム形状の構造に気密に接続され、当該弁を前記第２のシステムに接続する第２のコネクタ開口を含み、且つ前記貯槽に連結される、弁ベースとを含み、
前記変形可能なドーム形状の構造は、
当該弁の開放状態において、前記変形可能なドーム形状の構造が変形させられ、前記流路開口が前記接触要素に接続されないで、媒体が前記第１及び第２のコネクタ開口並びに前記流路開口を通じて前記第１のシステムから前記第２のシステムに流れるのを可能にし、且つ
当該弁の閉塞状態において、前記変形可能なドーム形状の構造がその本来のドーム形状にあり、前記流路開口が前記接触要素に接続され、故に、閉塞されるように構成され、
前記変形可能なドーム形状の構造は、頂点を備える半球部分を含み、前記流路開口は、前記変形可能なドーム形状の構造の前記半球部分の前記頂点に配置されることを特徴とする、
弁。
【請求項２】
前記第１のシステムと前記第２のシステムとの間の圧力差が圧力解放閾値より上であるならば、前記変形可能なドーム形状の構造は変形させられ、前記流路開口は前記接触要素に接続されず、
前記第１のシステムと前記第２のシステムとの間の圧力差が圧力維持閾値より下であるならば、前記変形可能なドーム形状の構造はその本来の形状にあり、前記流路開口は前記接触要素と接触する、
請求項１に記載の弁。
【請求項３】
前記第１のシステムと前記第２のシステムとの間の圧力差が圧力解放閾値を超えるとき、前記変形可能なドーム形状の構造は変形させられ、前記流路開口は前記接触要素から切り離され、
前記第１のシステムと前記第２のシステムとの間の圧力差が圧力維持閾値よりも下に降下するとき、前記変形可能なドーム形状の構造はその本来のドーム形状を取り戻し、前記流路開口は前記接触要素と接触する、
請求項１に記載の弁。
【請求項４】
前記圧力解放閾値は、前記圧力維持閾値よりも高く、当該弁は、切換えヒステリシスをもたらすように構成される、請求項３に記載の弁。
【請求項５】
前記圧力解放閾値は、２５０ｍｍＨｇ〜４５０ｍｍＨｇの間、好ましくは、３３０ｍｍＨｇ〜３６０ｍｍＨｇの間にあり、且つ／或いは、前記圧力維持閾値は、５０ｍｍＨｇ〜２００ｍｍＨｇの間、好ましくは、９０ｍｍＨｇ〜１２０ｍｍＨｇの間にある、請求項４に記載の弁。
【請求項６】
前記変形可能なドーム形状の構造は、ポリマ又はエラストマ材料、好ましくは、シリコーン又はシリコーンゴムを含む、請求項１に記載の弁。
【請求項７】
前記変形可能なドーム形状の構造は、シリンダ部分と、半球部分とを含み、該半球部分は、前記流路開口を含み、前記シリンダ部分の直径以上の直径を有する、請求項１に記載の弁。
【請求項８】
前記弁ベースは、前記変形可能なドーム形状の構造の前記シリンダ部分を受け入れ且つ前記接続を気密に封止する、シリンダ形状のドーム接続付属物を含む、請求項７に記載の弁。
【請求項９】
前記接触要素は、前記変形可能なドーム形状の構造にある前記流路開口と少なくとも同じ大きさの平坦な表面領域を含み、前記変形可能なドーム形状の構造が前記平坦な表面領域に対して押し付けられるときに、前記流路開口を封止するように構成される、請求項１に記載の弁。
【請求項１０】
当該弁を前記第１のシステムに接続する前記第１のコネクタ開口は、前記接触要素の周りの正方形内に配置される４つの通気孔によって提示される、請求項１に記載の弁。
【請求項１１】
当該弁を前記第２のシステムに接続する前記第２のコネクタ開口は、前記貯槽を前記第２のシステムに接続するシリンダ形状のシステム接続付属物によって提示される、請求項１に記載の弁。
【請求項１２】
前記弁カバー及び前記弁ベースは、一体的に形成される、請求項１に記載の弁。
【請求項１３】
その入口に接続される第１のシステムからその出口に接続される第２のシステムに媒体を輸送するポンプ装置であって、
少なくとも１つの請求項１に記載の弁が、前記第１のシステム及び当該ポンプ装置の前記入口と第２のシステム及び当該ポンプ装置の前記出口との間に介装される、
ポンプ装置。
【請求項１４】
授産婦の乳房から乳を搾り取る搾乳装置であって、
搾り取る乳を収集する貯乳槽と、
婦人の乳房を受け入れるために前記貯乳槽に接続されるファネルと、
前記貯乳槽内にアンダープレッシャを生成する真空ポンプと、
婦人の乳房に適用される圧力が圧力解放閾値を超えるのを防止するために且つ乳児の吸込みサイクルを模倣する前記圧力解放閾値と圧力維持閾値との間の圧力変動をもたらすために前記貯乳槽に接続される請求項１に記載の弁とを含む、
搾乳装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月7日(2017.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
組織の１つ以上の画像を収集するために、放射線療法を受けている前記組織を探すべく関心領域をスキャンする撮像デバイスと、
前記組織の前記１つ以上の画像を受信し、前記組織の火傷状態を決定し、前記火傷状態に応じて、放射線治療計画の調整を提供する解釈モジュールと、
を含む、放射線療法のためのシステム。
【請求項２】
前記撮像デバイスは、放射線ビームとの干渉を回避するように動く可搬式イメージャを含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記可搬式イメージャは、ロボットに取り付けられ、前記ロボットは、前記放射線ビームとの干渉を回避するように制御される、請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記撮像デバイスは、拡散光スペクトロスコピー（ＤＯＳ）、拡散光イメージング（ＤＯＩ）、光音響コンピュータトモグラフィ（ＰＡＴ）、光音響マイクロスコピー（ＰＡＭ）、レーザドップラ血流イメージング（ＬＤＰＩ）、偏光感受型光コヒーレンストモグラフィ（ＰＳＯＣＴ）及び高周波数超音波等のうちの１つ以上を含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記火傷状態は、ヘモグロビン、水分及び脂質のうちの１つ以上の吸収スペクトルに基づいて決定される、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記放射線療法を計画し、前記放射線治療計画に、皮膚火傷を最小限にするために用いられる皮膚火傷パラメータを含める計画及び実施モジュールを更に含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記計画及び実施モジュールは、前記火傷状態に応じて、前記放射線治療計画を調整する、請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
受けた前記放射線療法に合わせてカスタマイズされる皮膚火傷治療を報告する報告システムを更に含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
前記撮像デバイスは、可搬式撮像デバイスであり、前記システムは、ロボット制御されるアームを更に含み、前記可搬式撮像デバイスが前記アーム上に取り付けられ、前記アームは、前記放射線療法の放射線ビームとの干渉を回避するように制御される、請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
前記撮像デバイスは、拡散光スペクトロスコピー（ＤＯＳ）、拡散光イメージング（ＤＯＩ）、光音響コンピュータトモグラフィ（ＰＡＴ）、光音響マイクロスコピー（ＰＡＭ）、レーザドップラ血流イメージング（ＬＤＰＩ）、偏光感受型光コヒーレンストモグラフィ（ＰＳＯＣＴ）及び高周波数超音波等のうちの１つ以上を含む、請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
前記火傷状態は、ヘモグロビン、水分及び脂質のうちの１つ以上の吸収スペクトルに基づいて決定される、請求項９に記載のシステム。
【請求項１２】
放射線療法を計画し、前記放射線治療計画に、皮膚火傷を最小限にするために用いられる皮膚火傷パラメータを含める計画及び実施モジュールを更に含む、請求項９に記載のシステム。
【請求項１３】
前記計画及び実施モジュールは、前記火傷状態に応じて、前記放射線治療計画を調整する、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１４】
受けた前記放射線療法に合わせてカスタマイズされる皮膚火傷治療を報告する報告システムを更に含む、請求項９に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月19日(2017.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも部分的にはコンピュータによって実行される歯牙の輪郭画像の取得方法であって、
口腔内カメラ内のビデオ撮像システムからのビデオ画像を用いて、前記口腔内カメラの移動を、
（ｉ）前記歯牙を含む第１のビデオ画像フレームを取り込み、前記第１のビデオ画像フレームを処理して、前記第１のビデオ画像フレーム内で前記歯牙の１つ以上のエッジを検出すること、
（ｉｉ）前記歯牙を含む第２のビデオ画像フレームを取り込み、前記第２のビデオ画像フレームを処理して、前記第２のビデオ画像フレーム内で前記歯牙の前記１つ以上のエッジを検出すること、
（ｉｉｉ）前記処理された第１のビデオ画像フレームと前記処理された第２のビデオ画像フレームとの間で対応するエッジ位置を比較して移動信号を出力すること、
によって検出し、
前記処理された第１のビデオ画像フレームと前記処理された第２のビデオ画像フレームとを用いて前記検出された口腔内カメラの移動に基づいた前記移動信号に応じて、フリンジパターンの照明を前記口腔内カメラから前記歯牙に投影し、前記フリンジパターンの１つ以上の静止画像を取得及び記憶し、
前記フリンジパターンの前記１つ以上の静止画像を用いて前記歯牙の表面の３次元画像を形成及び表示する、
ことを含む方法。
【請求項２】
前記口腔内カメラの位置が変化すると、どのフリンジパターン画像が必要とされるかを計算し、口腔内カメラの位置を自動的に決定し、投影パターン画像を取得するステップをさらに含み、前記第１のビデオ画像フレームが前記第２のビデオ画像フレームに時間的に隣接している、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
歯牙の撮像装置であって、
（ｉ）前記歯牙のビデオ画像またはフリンジパターン画像の画像データを取り込む検出器、
（ｉｉ）前記歯牙の輪郭撮像を可能にするために操作可能なスイッチ、
（ｉｉｉ）前記ビデオ画像用に前記歯牙に向けて光を投影する第１の照明源、及び
（ｉｖ）カメラ移動を示す移動信号に応じて、輪郭撮像用にレーザ光ビームを前記歯牙上に走査するように通電可能なフリンジパターン発生器、
を有する口腔内カメラと、
前記検出器によって取り込まれた前記画像データを受け取り、前記歯牙の輪郭画像を生成するために前記口腔内カメラと信号通信を行うコンピュータと、
前記口腔内カメラの内部にある、または前記コンピュータに搭載された制御ロジックプロセッサであって、ビデオ画像データを解析して前記歯牙に対するカメラ移動を示す前記移動信号を提供する制御ロジックプロセッサと、
前記ビデオ画像及び前記輪郭画像を表示するために前記コンピュータと信号通信を行うディスプレイと、
を備える装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月1日(2017.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バックシートとトップシートの間に位置付けられた吸収性部材を含む吸収性物品であって、前記吸収性物品が、ポリオレフィンマトリクスポリマーを含む連続相および個別領域の形態で前記連続相内に分散されているナノ包含添加剤を含有する熱可塑性組成物から形成される複数の繊維を含む不織布ウェブを備え、約８００ナノメートル以下の平均断面寸法を持つ複数のナノ細孔を含む多孔質ネットワークが、前記組成物中に画定される吸収性物品。
【請求項２】
前記ナノ細孔が約５〜約７００ナノメートルの平均断面寸法を持つ、および／またはナノ細孔が約１００〜約５０００ナノメートル平均軸方向寸法を持つ、請求項１に記載の吸収性物品。
【請求項３】
前記ポリオレフィンマトリクスポリマーが、２１６０グラムの負荷および２３０°ＣでＡＳＴＭ  Ｄ１２３８に従って測定された場合、約０．５〜約８０グラム／１０分のメルトフローレートを持つ、請求項１または２に記載の吸収性物品。
【請求項４】
前記ポリオレフィンマトリクスポリマーが、プロピレンホモポリマー、プロピレン／α−オレフィン共重合体、エチレン／α−オレフィン共重合体、またはそれらの組み合わせである、請求項１から３のいずれか一項に記載の吸収性物品。
【請求項５】
前記ポリオレフィンマトリクスポリマーが実質的にイソタクチックポリプロピレンホモポリマーまたは少なくとも約９０重量％のプロピレンを含む共重合体である、および／または前記連続相が、前記熱可塑性組成物の約６０重量％〜約９９重量％を構成する、請求項１から４のいずれか一項に記載の吸収性物品。
【請求項６】
前記連続相が、前記熱可塑性組成物の約６０重量％〜約９９重量％を構成する、および／または前記ナノ包含添加剤が、前記連続相の重量に基づいて前記組成物の約０．０５重量％〜約２０重量％を構成する、請求項１から５のいずれか一項に記載の吸収性物品。
【請求項７】
前記ナノ包含添加剤が非極性成分を持つポリマーである、請求項１から６のいずれか一項に記載の吸収性物品。
【請求項８】
前記ポリマーが極性成分をさらに含む、請求項７に記載の吸収性物品。
【請求項９】
前記ポリマーが官能性ポリオレフィンである、請求項８に記載の吸収性物品。
【請求項１０】
前記ポリオレフィンがポリエポキシドである、請求項９に記載の吸収性物品。
【請求項１１】
前記ナノ包含添加剤が、２１６０グラムの負荷および溶融温度より少なくとも４０°Ｃ高い温度でＡＳＴＭ  Ｄ１２３８に従って測定された場合、約０．１〜約１００グラム／１０分のメルトフローレートを持つ、および／または前記ナノ包含添加剤のメルトフローレートに対する前記ポリオレフィンマトリクスポリマーのメルトフローレートの比が約０．２〜約８である、請求項１から１０のいずれか一項に記載の吸収性物品。
【請求項１２】
前記ナノ包含添加剤がナノスケール領域の形態であり、前記ナノスケール領域が約１ナノメートル〜約１０００ナノメートルの平均断面寸法を持つ、請求項１から１１のいずれか一項に記載の吸収性物品。
【請求項１３】
前記組成物が、前記連続相内に個別領域の形態で分散されたマイクロ包含添加剤をさらに含む、請求項１から１２のいずれか一項に記載の吸収性物品。
【請求項１４】
前記マイクロ包含添加剤がポリマーである、請求項１３に記載の吸収性物品。
【請求項１５】
前記マイクロ包含添加剤の前記ポリマーがスチレン共重合体、フッ素ポリマー、ポリビニルアルコール、ポリ酢酸ビニル、またはポリエステルである、請求項１４に記載の吸収性物品。
【請求項１６】
前記マイクロ包含添加剤のポリマーがポリ乳酸である、請求項１４に記載の吸収性物品。
【請求項１７】
前記マイクロ包含添加剤の前記ポリマーが、約０°Ｃ以上のガラス転移温度を持つ、および／または前記マイクロ包含添加剤が、２１６０グラムの負荷および２１０°Ｃの温度で測定された場合、約５〜約２００グラム／１０分のメルトフローレートを持つ、請求項１４に記載の吸収性物品。
【請求項１８】
前記ポリオレフィンマトリクスポリマーのメルトフローレートに対する前記マイクロ包含添加剤のメルトフローレートの比が約０．５〜約１０である、および／または前記マイクロ包含添加剤のヤング弾性係数に対する前記ポリオレフィンマトリクスポリマーのヤング弾性係数の比が約１〜約２５０である、請求項１４に記載の吸収性物品。
【請求項１９】
前記マイクロ包含添加剤が、約１マイクロメートル〜約４００マイクロメートルの平均軸方向寸法を持つマイクロスケール領域の形態である、請求項１３に記載の吸収性物品。
【請求項２０】
前記マイクロ包含添加剤が、前記連続相の重量に基づいて、前記組成物の約１重量％〜約３０重量％を構成する、請求項１３に記載の吸収性物品。
【請求項２１】
前記熱可塑性組成物が相間修飾剤をさらに含む、請求項１から２０のいずれか一項に記載の吸収性物品。
【請求項２２】
前記多孔質ネットワークがマイクロ細孔をさらに含む、請求項１から２１のいずれか一項に記載のエネルギー吸収性物品。
【請求項２３】
前記多孔質ネットワークが前記組成物の全体にわたって実質的に均一な形態で分配されている、および／または前記ナノ細孔が略平行なカラムに分配されている、請求項１から２２のいずれか一項に記載の吸収性物品。
【請求項２４】
前記織物の合計細孔容量が立方センチメートル当たり約１５％〜約８０％である、および／またはナノ細孔が前記ポリオレフィン繊維の合計細孔容量の約20容量％以上を構成する、請求項１から２３のいずれか一項に記載の吸収性物品。
【請求項２５】
前記熱可塑性組成物が約０．９０ｇ／ｃｍ３以下の密度を持つ、請求項１から２４のいずれか一項に記載の吸収性物品。
【請求項２６】
前記熱可塑性組成物が実質的に発泡剤を含まない、請求項１から２５のいずれか一項に記載の吸収性物品。
【請求項２７】
前記不織布ウェブがスパンボンドウェブ、メルトブローンウェブ、ボンデッドカーデッドウェブ、コフォームウェブ、水圧交絡ウェブ、またはそれらの組み合わせである、請求項１から２６のいずれか一項に記載の吸収性物品。
【請求項２８】
前記バックシートが前記不織布ウェブを含む、および／または前記トップシートが前記不織布ウェブを含む、請求項１から２７のいずれか一項に記載の吸収性物品。
【請求項２９】
前記吸収性部材が前記不織布ウェブを含む、請求項１から２８のいずれか一項に記載の吸収性物品。
【請求項３０】
前記吸収性部材がコア層、サージ層、移動遅延層、ラップシート、通気層、またはそれらの組み合わせを備え、前記層の一つ以上が前記不織布ウェブを含む、請求項２９に記載の吸収性物品。
【請求項３１】
前記吸収性部材がコア層および、前記コア層と前記トップシートの間に位置付けられたサージ層を含み、前記サージ層が前記不織布ウェブを含む、請求項２９に記載の吸収性物品。
【請求項３２】
前記物品が前記不織布ウェブを含む追加的構成要素を含み、前記追加的構成要素が耳、封じ込めフラップ、サイドパネル、弾性部材、留め具、またはそれらの組み合わせを含む、請求項１から３１のいずれか一項に記載の吸収性物品。
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月5日(2017.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対象者に光線療法を提供するためのシステムであって、前記システムは、
電磁放射を放出する光源であって、放出される電磁放射が、変更可能な強度を有する電磁放射を含む、光源と、
コンピュータプログラムモジュールを実行する１つ又は複数の処理装置と
を備え、前記コンピュータプログラムモジュールが、
前記対象者のための光線療法レジームを取得する療法モジュールを備え、前記光線療法レジームが、第１の段階及び第２の段階を含む段階を規定し、前記第１の段階が、１日又は複数日中の第１の期間に関連付けられ、前記第２の段階が、前記第１の期間とは異なる１日又は複数日中の第２の期間に関連付けられ、前記光線療法レジームが、
前記第１の段階中に、前記対象者が、第１の波長範囲を有する電磁放射を含むパルス電磁放射を受け取り、パルス中の電磁放射が第１の強度であり、前記第１の波長範囲及び前記第１の強度が、前記対象者の閉じた瞼への投射時に前記対象者のＳ錐体受容体を刺激するように選択され、前記第１の期間中に受け取られた前記パルス電磁放射が、約１０分までのパルス持続時間と、約０．１秒〜約１０分のパルス間隔とを有し、
前記第２の段階中に、前記対象者が電磁放射を受け取り、前記第２の段階中の前記電磁放射の１つ又は複数のパラメータが、前記第１の段階中の前記パルス電磁放射から変更され、従って、前記第１の段階中に提供される光線療法が、前記第２の段階中に提供される光線療法とは異なるように構成され、
前記コンピュータプログラムモジュールが、
前記光線療法レジームに従って前記１つ又は複数の光源からの放出を制御する光制御モジュール
を備える、システム。
【請求項２】
前記第１の段階中の前記パルス電磁放射が、所定の波長範囲内にあり、前記所定の波長範囲が、約４１０ｎｍ〜約５１０ｎｍの範囲に及ぶ、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記光線療法レジームが、前記対象者の概日リズムの段階を修正することによって、睡眠相後退症候群（ＤＳＰＳ）を治療するためである、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記光線療法レジームが、前記対象者の概日リズムの段階を修正することによって、睡眠相前進症候群（ＡＳＰＳ）を治療するためである、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記第２の段階中に受け取られた電磁放射は、メラトニン生成を抑制することなく前記対象者によるコルチゾール生成が刺激されるように、約５９０ｎｍ〜７００ｎｍの範囲に及ぶ第２の波長範囲を有する、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記第２の段階中に受け取られた電磁放射は、前記対象者の概日リズムの段階が修正されるように、約５００ｎｍ〜５３０ｎｍの範囲に及ぶ第２の波長範囲を有する、請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記第２の段階中に受け取られた電磁放射は、前記対象者によるコルチゾール生成を刺激し、且つメラトニン生成を抑制する、請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
概日リズムを有する対象者に光線療法を提供するシステムであって、前記システムは、
前記対象者のための光線療法レジームを取得するための手段であって、前記光線療法レジームが、第１の段階及び第２の段階を含む段階を規定し、前記第１の段階が、１日又は複数日中の第１の期間に関連付けられ、前記第２の段階が、前記第１の期間とは異なる１日又は複数日中の第２の期間に関連付けられ、前記光線療法レジームが、前記対象者のための光線療法を提供するために、電磁放射が前記対象者の閉じられた瞼に投射することを含む、手段と、
前記第１の段階中に、第１の波長範囲を有する電磁放射を含むパルス電磁放射を放出するための手段であって、パルス中の電磁放射が第１の強度であり、前記第１の波長範囲及び前記第１の強度が、投射時に前記対象者のＳ錐体受容体を刺激するように選択され、前記第１の期間中に放出された前記パルス電磁放射が、約１０分までのパルス持続時間と、約０．１秒〜約１０分のパルス間隔とを有する、手段と、
前記第２の段階中に、電磁放射を放出するための手段であって、前記第２の段階中の前記電磁放射の１つ又は複数のパラメータが、前記第１の段階中の前記パルス電磁放射から変更され、従って、前記第１の段階中に提供される光線療法が、前記第２の段階中に提供される光線療法とは異なる、手段と
を備える、システム。
【請求項９】
前記光線療法レジームが、前記対象者の前記概日リズムの段階を修正することによって、睡眠相後退症候群（ＤＳＰＳ）を治療するためである、請求項８に記載のシステム。
【請求項１０】
前記光線療法レジームが、前記対象者の前記概日リズムの段階を修正することによって、睡眠相前進症候群（ＡＳＰＳ）を治療するためである、請求項８に記載のシステム。
【請求項１１】
前記第２の段階中に放出される電磁放射は、メラトニン生成を抑制することなく前記対象者によるコルチゾール生成が刺激されるように、約５９０ｎｍ〜７００ｎｍの範囲に及ぶ第２の波長範囲を有する、請求項８に記載のシステム。
【請求項１２】
前記第２の段階中に放出される電磁放射は、前記対象者の前記概日リズムの段階が修正されるように、約５００ｎｍ〜５３０ｎｍの範囲に及ぶ第２の波長範囲を有する、請求項８に記載のシステム。
【請求項１３】
前記第２の段階中に放出される電磁放射は、前記対象者によるコルチゾール生成を刺激し、且つメラトニン生成を抑制する、請求項８に記載のシステム。
【請求項１４】
前記対象者の瞼が開いているという決定に応じて、前記電磁放射の１つ又は複数のパラメータを変更する瞼検出器をさらに備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項１５】
前記対象者の瞼が開いているという決定に応じて、前記電磁放射の１つ又は複数のパラメータを変更する瞼検出手段をさらに備える、請求項８に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月29日(2017.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一発光を介して非眼光生物学的刺激を提供するように構成される第一光源と、
ユーザの環境を照らす第二発光を介してユーザに眼刺激を提供するように構成される第二人工光源であって、第二発光は眼によって知覚される知覚照明環境を引き起こす、第二人工光源と、
前記第一発光から独立して前記第二発光を制御し、前記第二発光の制御に依存して前記第一発光を制御するコントローラとを有し、
前記コントローラが、ユーザの好みを受信し、前記第二発光が前記ユーザの好みに反することを前記コントローラが検出する場合、前記第二発光により提供される前記眼刺激の前記ユーザに対する影響に反作用するよう、前記コントローラは、前記ユーザの好みに基づき、前記第一発光を制御する、システム。
【請求項２】
前記システムが前記第二光源からの前記第二発光を感知するように構成される光センサを有し、前記コントローラが前記光センサによって感知される前記第二発光に依存して前記第一発光を制御するように構成される、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記コントローラが前記第二発光との調整に加えて前記ユーザの概日リズムに従って前記第一発光を提供するように構成される、請求項１又は２に記載のシステム。
【請求項４】
前記第一光源が前記ユーザの少なくとも一つの外耳道を介して光生物学的刺激を提供するように構成される耳内光源の形をとる、請求項１から３のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項５】
前記第二光源が周辺光の形で前記第二発光を提供する、請求項１から４のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項６】
前記第二光源が前記第二発光を介して前記ユーザの環境を照らすように構成される一つ以上の照明器具の形をとる、請求項１から５のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項７】
前記第二発光が黄色バイアスを持つことを前記光センサが検出するとき、前記コントローラが、青色又は白色を持つように前記第一発光を制御するように構成される、請求項２に記載のシステム。
【請求項８】
前記コントローラが前記ユーザと関連する一つ以上のユーザ固有設定を有するユーザプロファイルに依存して前記調整を提供するように構成される、請求項１から７のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項９】
一つ以上の処理ユニット上で実行されるときに、
ユーザに非眼光生物学的刺激を提供するように第一光源からの第一発光を制御する動作と、
前記ユーザに眼刺激を提供する少なくとも一つの第二人工光源によって提供される第二発光を制御する動作であって、前記第二発光は眼によって知覚される知覚照明環境を引き起こし、前記第二発光が、前記第一発光から独立して制御され、前記第一発光は、前記第二発光の制御に依存して制御される、動作と、
ユーザの好みを受信する動作と、
前記第二発光が前記ユーザの好みに反することを検出する動作と、
前記第二発光が前記ユーザの好みに反することが検出される場合、前記第二発光により提供される前記眼刺激の前記ユーザに対する影響に反作用するよう、前記ユーザの好みに基づき、前記第一発光を制御する動作と
を実行するように構成される、コンピュータ可読記憶媒体上で具体化されるコードを有するコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月7日(2017.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
システムであって、当該システムは：
患者の解剖学的構造内に介入器具を案内するためのコンピュータ実行可能命令を含む非一時的なコンピュータ可読媒体を有しており、前記コンピュータ実行可能命令は：
前記患者の解剖学的構造内の標的位置を処理するための命令と；
前記患者の解剖学的構造内の第１の位置における介入器具のチップ部分の位置を受信するための命令と；
第１の位置と前記標的位置との間の３次元距離を測定するための命令と；
前記標的位置を表すシンボル及び前記介入器具の前記チップ部分を表すシンボルを表示するための命令と；を含む、
システム。
【請求項２】
前記チップ部分の位置と前記標的位置との間の方向を示すシンボルを表示するための命令をさらに含む、
請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記３次元距離の挿入距離の成分を表すシンボルを表示するための命令をさらに含む、
請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記挿入距離を表すシンボルは、前記標的位置を表すシンボルと同心である、
請求項３に記載のシステム。
【請求項５】
前記挿入距離を表すシンボルは、前記チップ部分を表すシンボルと同心である、
請求項３に記載のシステム。
【請求項６】
前記挿入距離の成分を表すシンボルのサイズが、拡大縮小可能である、
請求項３に記載のシステム。
【請求項７】
第１の位置と前記標的位置との間の前記３次元距離を変化させる際に、前記挿入距離の成分を表すシンボルのサイズを変更するための命令をさらに含む、
請求項３に記載のシステム。
【請求項８】
前記表示するための命令は、前記標的位置及び前記チップ部分を表すシンボルを２次元座標系に表示することを含む、
請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
前記標的位置及び前記チップ部分を表すシンボルをディスプレイの第１のウィンドウに表示するための命令と、２次的な案内画像を前記ディスプレイの第２のウィンドウに表示するための命令とをさらに含む、
請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
第１のウィンドウ内の前記シンボルは、第２のウィンドウ内の前記２次的な案内画像と回転によって位置合わせされる、
請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
前記チップ部分を前記標的位置に向けて導くための方向案内情報を第２のウィンドウに表示するための命令をさらに含む、
請求項９に記載のシステム。
【請求項１２】
前記２次的な案内画像は、内視鏡カメラ画像又は仮想内視鏡画像である、
請求項９に記載のシステム。
【請求項１３】
前記２次的な案内画像は、前記標的位置にマークを含む前記患者の解剖学的構造の手術前画像又は仮想経路画像である、
請求項９に記載のシステム。
【請求項１４】
前記チップ部分を前記標的位置に向けて導くための方向案内情報を提供するための命令をさらに含み、前記方向案内情報は、触覚フィードバックを含む、
請求項１に記載のシステム。
【請求項１５】
前記チップ部分を前記標的位置に向けて導くための方向案内情報を提供するための命令をさらに含み、前記方向案内情報は、音声フィードバックを含む、
請求項１に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年8月3日(2017.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
負圧創傷治療装置であって、
創傷の上に配置されるよう構成された創傷ドレッシングと流体連通状態であるよう構成された負圧源であって、創傷へ負圧を提供するよう構成された負圧源と、
前記創傷ドレッシングおよび前記負圧源と流体連通状態であるよう構成されたキャニスターであって、創傷から吸引された滲出液を収集するよう構成されたキャニスターと、
前記負圧源によって生成される圧力信号の一つ以上の特性をモニターするよう構成された圧力センサーであって、前記圧力信号の前記一つ以上の特性は前記圧力信号の大きさを含み、前記圧力信号の大きさは前記キャニスター内の滲出液のレベルが増大するにつれて増大する圧力センサーと、
コントローラーであって、
前記負圧源に関する圧力設定値に基づいて一つ以上の圧力閾値を決定し、かつ、
前記圧力信号の大きさが前記圧力閾値を満たすことの特定に応答して前記キャニスターが滲出液で満杯であることを示すよう構成されたコントローラーと、
を具備する負圧創傷治療装置。
【請求項２】
前記コントローラーは、前記負圧源の活性レベルにさらに基づいて、前記圧力閾値を決定するよう構成される、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記負圧源は真空ポンプを備え、かつ、前記活性レベルは前記真空ポンプの速度に対応する、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記速度を測定するよう構成されたタコメーターをさらに備える、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記コントローラーは、前記ドレッシング、前記キャニスターおよび前記負圧源に流体的につながるよう構成された流体流路における流体の漏れレートを前記負圧源の活性レベルに基づいて特定し、前記漏れレートにさらに基づいて前記圧力閾値を決定するよう構成される、請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の装置。
【請求項６】
前記コントローラーは、
前記ドレッシング、前記キャニスターおよび前記負圧源に流体的につながるよう構成された流体流路における流体の漏れレートを前記負圧源の活性レベルに基づいて特定し、
前記漏れレートおよび前記圧力信号の一つ以上の特性に基づいて前記キャニスター内の滲出液のレベルを特定するよう構成される、請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の装置。
【請求項７】
前記圧力センサーは、複数のサンプル期間から前記圧力信号の一つ以上の特性を特定するよう構成され、かつ、前記コントローラーは、前記複数のサンプル期間にわたって前記圧力信号の大きさが前記圧力閾値を満たすことの特定に応答して前記キャニスターが滲出液で満杯であることを示すよう構成される、請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載の装置。
【請求項８】
測定された前記一つ以上の特性は圧力パルスの大きさおよび周波数を含み、かつ、前記コントローラーは、前記圧力信号の大きさおよび周波数に、少なくとも部分的に基づいて、前記キャニスター内の滲出液のレベルを特定するよう構成され、前記圧力信号の大きさは前記キャニスター内の滲出液のレベルが増大するにつれて増大し、かつ、前記圧力信号の前記周波数は前記キャニスター内の滲出液のレベルが増大するにつれて減少する、請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載の装置。
【請求項９】
前記コントローラーは、（ｉ）前記負圧源の活性レベルが前記流体流路内に漏れが存在することを示すこと、あるいは（ｉｉ）キャニスター圧力が前記流体流路内の低真空状態を示すことの特定に応答して、キャニスター満杯検出を中断あるいは終了するよう構成される、請求項７に記載の装置。
【請求項１０】
前記圧力センサーは、前記負圧源のインレットにおいて、前記圧力信号の前記一つ以上の特性をモニターするよう構成される、請求項１ないし請求項９のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１１】
負圧創傷治療装置を動作させる方法であって、
負圧源を創傷ドレッシングおよびキャニスターと流体的に接続するよう構成された流体流路内で前記負圧源によって生成される圧力信号をモニターするステップであって、前記圧力信号の一つ以上の特性は前記圧力信号の大きさを含み、前記圧力信号の大きさは前記キャニスター内の滲出液のレベルが増大するにつれて増大するステップと、
前記負圧源に関する圧力設定値に基づいて一つ以上の圧力閾値を決定するステップと、
前記圧力信号の大きさが前記圧力閾値を満たすことの特定に応答して前記キャニスターが滲出液で満杯であることを示すステップと
を備える方法。
【請求項１２】
前記圧力閾値を特定するステップは、前記負圧源の活性レベルにさらに基づいて、前記圧力閾値を決定することを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記負圧源の真空ポンプの速度を測定するステップをさらに備え、前記活性レベルは前記速度に対応し、前記モニターするステップは、前記負圧源のインレットにおいて、前記圧力信号の前記一つ以上の特性をモニターすることを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記流体流路における流体の漏れレートを少なくとも前記負圧源の活性レベルに基づいて特定するステップと、
少なくとも前記漏れレートおよび前記圧力信号の一つ以上の特性に基づいて前記キャニスター内の滲出液のレベルを特定するステップと、をさらに備え、
前記圧力閾値を決定するステップは、前記漏れレートにさらに基づいて前記圧力閾値を決定することを含む、請求項１１ないし請求項１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
複数のサンプル期間から前記圧力信号の一つ以上の特性を特定するステップをさらに備え、かつ、前記キャニスターが滲出液で満杯であることを示すステップは、前記複数のサンプル期間にわたって前記圧力信号の大きさが前記圧力閾値を満たすことの特定に応答して前記キャニスターが滲出液で満杯であることを示すことを含む、請求項１１ないし請求項１４のいずれか１項に記載の方法。