(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物系磁性材料からなる磁気コア半体２Ａ，２Ｂおよび両半体の対向面に配した磁性合金薄膜３Ａ，３Ｂで形成された磁気ギヤツプ４と、この磁気ギヤツプ４を保持するために配された接合部材５とにより構成されてなる、回転ヘツド型ヘリキヤルスキヤン方式の磁気記録再生装置に使用する磁気ヘツドであって、これに摺動させる磁気テ―プとして、薄い磁気テ―プと厚い磁気テ―プとからなる厚さの異なる磁気テ―プを互換して使用する磁気ヘツドにおいて、テ―プ摺動面９の幅方向ロの両端側に、磁気テ―プの摺動方向イに沿う一対の溝１０ａ，１０ｂを、その深さが磁気テ―プの入側位置Ｘよりも出側位置Ｙで小さくなるように形成したことを特徴とする磁気ヘツド。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
この発明は、ビデオテ―プレコ―ダ（ＶＴＲ）などの磁気記録再生装置に装備される磁気ヘツドに関し、主に回転ヘツド型ヘリキヤルスキヤン方式の磁気記録再生装置に使用する磁気ヘツドに関する。
【０００２】
【従来の技術】
回転ヘツド型ヘリキヤルスキヤン方式の磁気記録再生装置では、シリンダの周面に磁気ヘツドが数１０μｍ突き出した状態で固定され、このシリンダに磁気テ―プを一定角度で巻き付け、シリンダの回転により磁気ヘツドを磁気テ―プに摺動させて、記録，再生を行うものである。磁気ヘツドは、テ―プ摺動面の形状が、摺動方向および幅方向ともに滑らかな楕円曲面に形成されており、ヘツドギヤツプはテ―プ摺動面の中心に形成されている。
【０００３】
このような磁気記録再生装置により、磁気特性が同じで厚さの異なる磁気テ―プを用いて、テ―プ張力を一定条件にして記録，再生を行うと、薄い磁気テ―プでは再生出力が低下し、とくにエンベロ―プ出力波形でみると、図７の破線（曲線−β）に示すように、シリンダの回転方向前方側での磁気テ―プの張力が大きくなる区間Ａにおいて、再生出力が低下する欠点がある。
【０００４】
これは、図８のように、厚い磁気テ―プＴ１  は、磁気ヘツド２０のテ―プ摺動面２１の幅方向のほぼ全面に接触するが、薄い磁気テ―プＴ２  は、図９の如く、剛性の低下によるテ―プ変形が大きく、テ―プ摺動面２１の幅方向の両端部２１ａ，２１ｂ位置で接触し、ギヤツプ中心２１ｃ位置での磁気テ―プと磁気ヘツドとの間のスペ―シング、とくに磁気テ―プの張力が増大する前記Ａの区間での上記スペ―シングが大きくなるため、と推定される。
【０００５】
このため、従来より、磁気テ―プ側の改良として、ポリエチレンナフタレ―トや芳香族ポリアミド樹脂などの高ヤング率のベ―スフイルムを用いて、磁気テ―プの剛性を高めることが行われている。しかし、その効果には限度があるため、磁気記録再生装置側の改良についても、種々検討されている。
【０００６】
この装置側の改良として、たとえば、磁気テ―プの張力を低くしたり、シリンダ周面での磁気ヘツドの突き出し量を下げるなどの改良が試みられているが、薄い磁気テ―プに最適にすると、厚い磁気テ―プの出力が逆に低下し、厚い磁気テ―プと薄い磁気テ―プとの互換性をとれないという問題があつた。
【０００７】
また、図１０および図１１に示すように、磁気ヘツド３０（４０）におけるテ―プ摺動面３１（４１）の幅方向の両端部３１ａ，３１ｂ（４１ａ，４１ｂ）を面取りした構造とすることにより、テ―プ摺動面の幅を狭くして摺動面積を小さくし、磁気テ―プと磁気ヘツドとの間の面圧を増加する方法も知られているが、この方法によると、テ―プ摺動面の幅が一定値以下となると、ギヤツプ幅を規制している接合部材の強度が低下する問題がある。
【０００８】
さらに、特開昭６２−１９２９０７号、同６０−１０１７０６号などの公報には、テ―プ摺動面の幅を部分的に狭くする方法も提案されているが、狭トラツク化に対応して摺動面の幅を狭くしていくと、磁気テ―プとの接触面積が著しく小さくなるため、上記幅が一定値以下となると、磁気ヘツドの局部的な摩耗量が極めて大きくなり、磁気ヘツドの耐摩耗性の点で問題が生じる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
このように、従来の改良技術では、厚い磁気テ―プと薄い磁気テ―プとの互換性をとれなかつたり、磁気ヘツドのテ―プ摺動面での接合部材の強度や耐摩耗性を確保しにくいという難点があつた。
【００１０】
この発明は、上記の事情に鑑み、厚さの異なる磁気テ―プで互換性があり、薄い磁気テ―プでも良好なエンベロ―プ出力を得ることができ、しかもテ―プ摺動面での接合部材の強度や耐摩耗性を十分に確保することができる磁気ヘツドを提供することを目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
この発明者らは、上記の目的を達成するために、鋭意検討した結果、磁気ヘツドのテ―プ摺動面の特定位置に特定の溝を形成すると、薄い磁気テ―プを用いたときのテ―プ摺動面における幅方向両端部での接触が防がれて、ギヤツプ中心位置での磁気テ―プと磁気ヘツドとの間のスペ―シングが低減され、良好なエンベロ―プ出力が得られることを知り、この発明を完成するに至つた。
【００１２】
すなわち、この発明は、酸化物系磁性材料からなる二つの磁気コア半体および両半体の対向面に配した磁性合金薄膜で形成された磁気ギヤツプと、この磁気ギヤツプを保持するために配された接合部材とにより構成されてなる、回転ヘツド型ヘリキヤルスキヤン方式の磁気記録再生装置に使用する磁気ヘツドであって、これに摺動させる磁気テ―プとして、薄い磁気テ―プと厚い磁気テ―プとからなる厚さの異なる磁気テ―プを互換して使用する磁気ヘツドにおいて、テ―プ摺動面の幅方向の両端側に、磁気テ―プの摺動方向に沿う一対の溝を、その深さが磁気テ―プの入側位置よりも出側位置で小さくなるように形成したことを特徴とする磁気ヘツドに係るものである。
【００１３】
【作  用】
この発明において、テ―プ摺動面の幅方向の両端部に形成された溝内には、空気が流入する。溝の深さが磁気テ―プの入側位置よりも出側位置で小さくされているので、流入空気は出側付近で外部に圧出され、この圧出で走行テ―プに対して内方からの押圧力が生じる。この押圧力により、薄い磁気テ―プを用いたときでも、従来のような幅方向の両端部側での磁気テ―プの接触が防がれて、ギヤツプ中心位置での磁気テ―プと磁気ヘツドとの間のスペ―シングが低減され、これにより良好なエンベロ―プ出力が得られる。
【００１４】
【実施例】
以下、この発明の磁気ヘツドの一実施例を図面に基づいて説明する。
図１はこの発明の回転ヘツド型ヘリキヤルスキヤン方式のＶＴＲ用磁気ヘツドの斜視図、図２は上記磁気ヘツドのテ―プ摺動面の正面図、図３は同側面図で、（Ａ）は磁気テ―プの入側位置、（Ｂ）は出側位置である。
【００１５】
図１〜図３において、磁気ヘツド１は、磁気コア半体２Ａ，２Ｂおよび両半体の対向面に配した磁性合金薄膜３Ａ，３Ｂで形成された磁気ギヤツプ４と、この磁気ギヤツプ４を保持するために配された接合部材５とにより構成され、磁気ギヤツプ４の対向面の近傍に切欠部を設けてトラツク幅６を規制している。７は、磁気コア半体２Ａ，２Ｂにコイル８を巻き付けるための巻線窓である。
【００１６】
磁気コア半体２Ａ，２Ｂには、Ｍｎ−Ｚｎ系フエライトのような酸化物系磁性材料が用いられ、磁性合金薄膜３Ａ，３Ｂには、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金、Ｃｏ−Ｎｂ−Ｚｒ系アモルフアス合金などからなる高飽和磁束密度および高透磁率を有する結晶質または非晶質の合金材料が用いられる。また、接合部材５には、通常ＰｂＯ２  を主成分とする鉛系ガラスなどが用いられる。
【００１７】
この磁気ヘツド１のテ―プ摺動面９の形状としては、たとえばＨｉ８ＶＴＲ用としては摺動方向（つまり長手方向）イの長さが１〜２ｍｍ程度、幅方向の長さが５０〜１００μｍ程度であつて、摺動方向のア―ル（曲率半径）が５〜１０ｍｍ、幅方向のア―ルが１〜２ｍｍの滑らかな楕円曲面に形成されており、前記の磁気ギヤツプ４はこのテ―プ摺動面９の中心に形成されている。
【００１８】
このようなテ―プ摺動面９の幅方向ロの両端側には、磁気テ―プの摺動方向イに沿う一対の溝１０ａ  １０ｂが形成されており、その深さは、図３の（Ａ）に示す磁気テ―プの入側位置Ｘでの深さｄ１  よりも、図３の（Ｂ）に示す磁気テ―プの出側位置Ｙでの深さｄ２  が小さくなるようにされている。この溝１０ａ，１０ｂの幅としては、磁気テ―プの巻き込みによるテ―プ損傷を防止するために、通常１０μｍ以下であるのがよい。上記の深さｄ１  ，ｄ２  は、磁気ギヤツブ４の深さｄ０  以下の１〜１０μｍ程度であるのが望ましい。
【００１９】
上記構成の磁気ヘツドは、磁気コア半体への磁性合金薄膜のスパツタリング、磁気ギヤツプ部のボンデイング、磁気コアの切り出し、研削加工、ラツピングテ―プによるテ―プ摺動面の研磨などの通常の磁気ヘツドの作製手順を経て、規定トラツク幅および所定ア―ルのテ―プ摺動面としたのち、イオンミリング、スライサなどの回転砥石、化学エツチング、超音波加工などの手段により、テ―プ摺動面の幅方向の両端側に一対の溝を形成することにより、作製される。
【００２０】
この磁気ヘツドを回転ヘツド型ヘリキヤルスキヤン方式のＶＴＲ（Ｈｉ８ＶＴＲ；ＳＯＮＹ  ＣＣＤ−Ｖ９００  ）に装備して、磁気テ―プと磁気ヘツドとの間のスペ―シングを調べた。図５は厚い磁気テ―プ（総厚１３μｍ）を、図６は薄い磁気テ―プ（総厚９μｍ）を用いた場合で、両図中、実線（曲線−ａ，曲線−ｃ）がこの発明の上記構成の磁気ヘツド、破線（曲線−ｂ，曲線−ｄ）が溝１０ａ，１０ｂを形成しない以外は上記と同様構成とした比較用の磁気ヘツドである。
【００２１】
この両図から明らかなように、厚い磁気テ―プを用いた場合は、この発明の上記構成の磁気ヘツドと比較用の磁気ヘツドとの間にほとんど差はないが、薄い磁気テ―プを用いた場合、比較用の磁気ヘツドでは、テ―プ摺動面の幅方向の両端側で接触して、ギヤツプ中心位置のスペ―シングが著しく大きくなつているのに対して、この発明の上記構成の磁気ヘツドによると、上記両端側での接触が防がれて、ギヤツプ中心位置のスペ―シングが低減されている。
【００２２】
また、薄い磁気テ―プを用いる場合に、この発明の上記構成の磁気ヘツドと比較用の磁気ヘツドとについて、再生出力のエンベロ―プ波形、つまりエンベロ―プ出力を調べたところ、図７に示す結果が得られた。図中、実線（曲線−α）がこの発明の上記構成の磁気ヘツド、破線（曲線−β）が比較用の磁気ヘツドで、この図から、この発明の上記構成の磁気ヘツドによれば、比較用の磁気ヘツドの欠点である再生出力の低下を防げることがわかる。
【００２３】
なお、上記の実施例では、溝１０ａ  １０ｂを磁気テ―プの入側端部より出側端部にかけて、つまりテ―プ摺動面の全面にわたつて形成しているが、図４に示すように、磁気テ―プの入側端部より磁気ギヤツプ４を少し超えるあたりまで、つまりテ―プ摺動面の一部に形成してもよく、この場合でも上記と同様の効果が得られる。図４中の符号は、図１〜３の場合と同じである。
【００２４】
【発明の効果】
以上のように、この発明の磁気ヘツドによると、テ―プ摺動面の幅方向の両端部に形成した一対の溝内に空気を流入させ、この流入空気に基づく圧出力を利用することにより、薄い磁気テ―プでも良好なエンベロ―プ出力が得られるから、薄い磁気テ―プと厚い磁気テ―プとの互換性にすぐれており、しかもテ―プ摺動面は幅方向の長さを十分にとれるので、従来のような接合部材の強度や耐摩耗性の点で問題を生じる心配がない。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の回転ヘツド型ヘリキヤルスキヤン方式のＶＴＲ用磁気ヘツドの一例を示す斜視図である。
【図２】上記磁気ヘツドのテ―プ摺動面の正面図である。
【図３】上記磁気ヘツドのテ―プ摺動面の側面図で、（Ａ）は磁気テ―プの入側位置、（Ｂ）は出側位置である。
【図４】テ―プ摺動面の一対の溝の形成態様が異なる例を示す正面図である。
【図５】厚い磁気テ―プと磁気ヘツドとの間のスペ―シングと、テ―プ摺動面の幅方向の変位との関係を示す特性図である。
【図６】薄い磁気テ―プと磁気ヘツドとの間のスペ―シングと、テ―プ摺動面の幅方向の変位との関係を示す特性図である。
【図７】薄い磁気テ―プを用いた場合の、再生出力のエンベロ―プ波形を示す特性図である。
【図８】従来の磁気ヘツドにおいて、厚い磁気テ―プと磁気ヘツドのテ―プ摺動面との接触状態を示す側面図である。
【図９】従来の磁気ヘツドにおいて、薄い磁気テ―プと磁気ヘツドのテ―プ摺動面との接触状態を示す側面図である。
【図１０】従来の磁気ヘツドのひとつとして、テ―プ摺動面の幅方向の両端部を面取りした状態を示す側面図である。
【図１１】従来の磁気ヘツドのひとつとして、テ―プ摺動面の幅方向の両端部を上記とは異なる態様で面取りした状態を示す側面図である。
【符号の説明】
１  磁気ヘツド
２Ａ，２Ｂ  磁気コア半体
３Ａ，３Ｂ  磁性合金薄膜
４  磁気ギヤツプ
５  接合部材
９  テ―プ摺動面
イ  テ―プ摺動面の摺動方向（長手方向）
ロ  テ―プ摺動面の幅方向
１０ａ，１０ｂ  一対の溝
Ｘ  磁気テ―プの入側位置
Ｙ  磁気テ―プの出側位置
ｄ１    一対の溝の磁気テ―プの入側位置の深さ
ｄ２    一対の溝の磁気テ―プの出側位置の深さ
ｄ０    磁気ギヤツプの深さ
実線（曲線−ａ，ｃ，α）  この発明の磁気ヘツド
破線（曲線−ｂ，ｄ，β）  比較用の磁気ヘツド
Ｔ１    厚い磁気テ―プ
Ｔ２    薄い磁気テ―プ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
0003590644.tif 000010
【図１０】
0003590644.tif 000011
【図１１】
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