(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理体を洗浄する洗浄部と、上記被処理体を乾燥する乾燥部とを具備する洗浄・乾燥処理装置において、
上記洗浄部を、薬液又はリンス液を貯留する処理槽にて形成すると共に、この処理槽と薬液供給源及びリンス液供給源とを供給管路を介して接続し、
上記リンス液の供給管路に、選択的に稼働可能に形成されるオゾン水生成手段を介設し、
上記リンス液の供給管路における上記オゾン水生成手段の上流側に磁界発生手段を介設してなり、
上記リンス液に純水を用い、上記オゾン水生成手段は、上記純水に紫外線を照射する紫外線ランプを具備する、ことを特徴とする洗浄・乾燥処理装置。
【請求項２】
請求項１記載の洗浄・乾燥処理装置において、
上記リンス液の供給管路に、選択的に稼働可能に形成される温度調整手段を更に介設すると共に、この温度調整手段をオゾン水生成手段の稼働時に稼働するように形成してなる、ことを特徴とする洗浄・乾燥処理装置。
【請求項３】
請求項１又は２記載の洗浄・乾燥処理装置において、
上記薬液の供給管路とリンス液の供給管路とを、オゾン水生成手段の下流側で合流させて、薬液とリンス液の混合液、リンス液を選択的に処理槽に供給可能に形成してなる、ことを特徴とする洗浄・乾燥処理装置。
【請求項４】
被処理体を薬液に浸漬して洗浄する工程と、
上記被処理体をリンス液に浸漬してリンス処理する工程と、
上記被処理体をオゾン水に浸漬して被処理体表面に酸化膜を形成する工程と、
酸化膜が形成された上記被処理体に乾燥ガスを接触させて乾燥する工程と、
を有し、
上記被処理体表面に酸化膜を形成する工程において、リンス液に純水を用いると共に、この純水に紫外線を照射して生成されたオゾン水を用い、
上記オゾン水が生成される前の純水に磁界を与えるようにした、ことを特徴とする洗浄・乾燥処理方法。
【請求項５】
請求項４記載の洗浄・乾燥処理方法において、
上記被処理体に酸化膜を形成する工程において、所定温度に温度調整されたオゾン水を供給する、ことを特徴とする洗浄・乾燥処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、洗浄・乾燥処理装置及びその方法に関するもので、更に詳細には、例えば半導体ウエハやＬＣＤ用ガラス基板等の被処理体を洗浄し、乾燥する洗浄・乾燥処理装置及びその方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、半導体製造装置の製造工程においては、半導体ウエハやＬＣＤ用ガラス基板等の被処理体を薬液やリンス液等の洗浄液が貯留された処理槽に順次搬送して薬液処理、リンス処理等の洗浄処理を行い、その後、被処理体に付着する水分を除去するために被処理体に乾燥ガスを接触させて乾燥する乾燥処理が行われている。
【０００３】
上記製造工程において、薬液としてフッ化水素（ＨＦ）を用いて被処理体表面の自然酸化膜を除去しているが、このＨＦを用いた洗浄処理後においては、被処理体表面が活性の高い表面となるため、空気と接触して自然酸化膜が生成され易く、かつパーティクルが付着し易い状態となっている。したがって、従来では、洗浄処理後に被処理体を不活性ガス例えば窒素（Ｎ2）ガス雰囲気下で乾燥して、自然酸化膜が生成し難いようにしている。しかし、乾燥処理後、被処理体を長時間空気中に放置すると、被処理体の表面に自然酸化膜が生成されると共に、パーティクルが付着するという問題があった。
【０００４】
そこで、上記自然酸化膜が生成され難い状態にするために、被処理体表面に保護膜としての酸化膜を積極的に形成する方法が採用されている。この酸化膜を形成する方法の１つとして、被処理体をオゾン水に浸漬して被処理体表面に酸化膜を形成する方法が知られている。また、オゾン水を生成する方法として、(1)酸素ガスを放電電極間に通過させ、そのエネルギーでオゾンガスを生成し、これを純水に浸透膜等を用いて溶解させて、オゾン水を生成する方法、(2)純水を電気分解して、直接、オゾンガスと水素ガスを生成し、このオゾンガスを純水に溶解する方法、が知られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前者すなわち(1)酸素ガスを放電電極間に通過させ、そのエネルギーでオゾンガスを生成する方法においては、オゾン水生成装置自体が大型となり、かつ原料として、酸素ガスを用いるため、コストが嵩むという問題があった。また、ガスが直接、放電電極内を通過する構造をしているため、電極の放電によって発生したパーティクルがガス中に含まれ、しかもこれを純水に溶解することから、生成されたオゾン水にもパーティクルが存在するという問題があった。これに対し、後者すなわち(2)純水を電気分解する方法においては、装置の小型化は図れるが、この電気分解による方法においては、オゾン水の生成に時間がかかり、しかも、副生成物として水素ガスを発生するため、その排気処理に手間を要するばかりか、安全面においても問題があった。
【０００６】
この発明は上記事情に鑑みなされたもので、パーティクルの発生や水素ガス等の発生がなく、しかも小型にして容易にオゾン水を生成して、洗浄処理後の被処理体に酸化膜を形成し、その後、乾燥するようにした洗浄・乾燥処理装置及び洗浄・乾燥処理方法を提供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、この発明は以下のように構成する。
【０００８】
請求項１記載の発明は、被処理体を洗浄する洗浄部と、上記被処理体を乾燥する乾燥部とを具備する洗浄・乾燥処理装置において、  上記洗浄部を、薬液又はリンス液を貯留する処理槽にて形成すると共に、この処理槽と薬液供給源及びリンス液供給源とを供給管路を介して接続し、上記リンス液の供給管路に、選択的に稼働可能に形成されるオゾン水生成手段を介設し、  上記リンス液の供給管路における上記オゾン水生成手段の上流側に磁界発生手段を介設してなり、  上記リンス液に純水を用い、上記オゾン水生成手段は、上記純水に紫外線を照射する紫外線ランプを具備する、ことを特徴とする。
【０００９】
このように構成することにより、オゾン水生成手段によってリンス液供給管路を流れるリンス液をオゾン水に生成して処理槽に供給し、被処理体をオゾン水に浸漬して被処理体表面に酸化膜を形成することができる。したがって、薬液処理後に被処理体表面に酸化膜を形成することができ、その後、乾燥することにより、被処理体に自然酸化膜が生成されるのを防止することができると共に、パーティクルの付着を防止することができる。この場合、上記オゾン水生成手段を選択的に稼働可能に形成することにより、リンス液供給管路を介して処理槽に供給されるリンス液を必要に応じてオゾン水とすることができるので、リンス液をリンス処理と酸化膜形成処理に使用することができる。
【００１０】
また、リンス液の供給管路を流れるリンス液を磁界発生手段により発生された磁界を通過させてリンス液に磁気を帯びさせることで、リンス液の分子の分子結合子の角度を揃えることができ、オゾン水の生成効率を向上させることができる。
【００１１】
また、リンス液供給管路を流れるリンス液としての純水中に直接紫外線を照射して、オゾン水を生成することができる。
【００１２】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の洗浄・乾燥処理装置において、上記リンス液の供給管路に、選択的に稼働可能に形成される温度調整手段を更に介設すると共に、この温度調整手段をオゾン水生成手段の稼働時に稼働するように形成してなる、ことを特徴とする。
【００１３】
このように構成することにより、処理槽に供給されるリンス液又はオゾン水を所定の温度に調整してリンス処理及び酸化膜形成に供することができる。この場合、上記温度調整手段を選択的に稼働可能に形成すると共に、オゾン水生成手段の稼働時に稼働することにより、リンス液供給管路を流れるオゾン水を所定温度に設定して温度調整されたオゾン水を酸化膜形成に供することができる。
【００１４】
請求項３記載の発明は、請求項１又は２記載の洗浄・乾燥処理装置において、上記薬液の供給管路とリンス液の供給管路とを、オゾン水生成手段の下流側で合流させて、薬液とリンス液の混合液、リンス液を選択的に処理槽に供給可能に形成してなる、ことを特徴とする。
【００１５】
このように構成することにより、薬液供給ラインとリンス液供給ライン及びオゾン水供給ラインを統合して配管することができ、装置の小型化を図ることができる。
【００１６】
請求項４記載の発明は、被処理体を薬液に浸漬して洗浄する工程と、  上記被処理体をリンス液に浸漬してリンス処理する工程と、  上記被処理体をオゾン水に浸漬して被処理体表面に酸化膜を形成する工程と、  酸化膜が形成された上記被処理体に乾燥ガスを接触させて乾燥する工程と、を有し、  上記被処理体表面に酸化膜を形成する工程において、リンス液に純水を用いると共に、この純水に紫外線を照射して生成されたオゾン水を用い、  上記オゾン水が生成される前の純水に磁界を与えるようにした、ことを特徴とする。
【００１７】
この場合、上記被処理体に酸化膜を形成する工程において、所定温度に温度調整されたオゾン水を供給する方が好ましい（請求項５）。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下に、この発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。この実施形態では半導体ウエハの洗浄・乾燥処理に適用した場合について説明する。
【００１９】
図１はこの発明に係る洗浄・乾燥処理装置の一実施形態を示す概略断面図である。
【００２０】
上記洗浄・乾燥処理装置は、被処理体である半導体ウエハＷ（以下にウエハＷという）を、薬液例えばフッ化水素（ＨＦ）によって薬液処理した後、リンス液例えば純水によってリンス処理すると共にオゾン水によって酸化膜を形成する洗浄部１と、洗浄処理後にウエハＷ表面に付着した水分を乾燥する乾燥部２とで主要部が構成されている。
【００２１】
上記洗浄部１は、薬液（ＨＦ）、純水及びオゾン水等の洗浄液を貯留する処理槽１０にて形成されている。この処理槽１０は、上記洗浄液を貯留する内槽１１と、この内槽１１の上端開口部から溢流された洗浄液を受け止める外槽１２とで構成されている。また、内槽１１の下部には洗浄液を供給する一対の供給ノズル１３が配設されており、この供給ノズル１３にリンス液供給管路１４を介してリンス液すなわち純水の供給源１５が接続され、かつリンス液供給管路１４の途中に接続される薬液供給管路１６を介して薬液供給源例えばＨＦ供給タンク１７が接続されている。
【００２２】
この場合、リンス液供給管路１４には、純水供給源１５側から順に、流量（圧力）コントローラ１８，流量切換弁１９，温度調整手段２０，オゾン水生成手段２１及び逆止弁２２が介設されている。なおこの場合、温度調整手段２０は、選択的に稼働（ＯＮ，ＯＦＦ）可能な例えばハロゲンランプ式の温水生成器にて形成されており、リンス液供給管路１４を流れる純水を必要に応じて所定温度例えば６０℃に加熱し得るように構成されている。
【００２３】
また、オゾン水生成手段２１は、図２に示すように、コントローラ２３によって選択的に稼働（ＯＮ，ＯＦＦ）可能な例えば紫外線照射ランプ２４を具備する紫外線照射式オゾン水生成器にて形成されている。この場合、図２に示すように、リンス液供給管路１４の一部に例えば石英製の透明性の円筒管２５を接続し、この円筒管２５の中心部に紫外線照射ランプ２４を配設して、円筒管２５内を流れる純水に必要に応じて紫外線を照射して純水を直接オゾン水に生成することができるように構成されている。
【００２４】
なお、図３に示すように、リンス液供給管路１４におけるオゾン水生成手段２１の上流側に、例えば超強力磁石あるいは電磁石等にて形成される磁界発生手段２６を介設する方が好ましい。この場合、この磁界発生手段２６は、選択的に稼働（ＯＮ，ＯＦＦ）可能に形成されている。このように、オゾン水生成手段２１の上流側に磁界発生手段２６を設けることにより、純水供給源１５からリンス液供給管路１４を流れる純水が磁界を通過して磁気を帯びることで、オゾン水生成手段２１の紫外線照射ランプ２４からの紫外線のエネルギーを受け取り易くなり、その結果、オゾン水の発生効率を約１５％程度上昇することができる。これは、純水が磁気を帯びることによって水分子の分子結合の角度が揃えられて、紫外線の波長との関係が整えられるためである。
【００２５】
一方、薬液供給管路１６は切換弁２７を介してリンス液供給管路１４に接続されており、この切換弁２７とＨＦ供給タンク１７との間にはＨＦ供給タンク１７側からポンプ２８と所定圧力以上の場合に開放する背圧弁２９が介設されている。また、ＨＦ供給タンク１７の外側近傍には、上限、下限及び許容液面を検出する液面センサ３０ａ〜３０ｃが配設されて、ＨＦ供給タンク１７内のＨＦ量が監視されている。また、ＨＦ供給タンク１７は、開閉弁３１を介設する供給管路を介してＨＦ供給源３２に接続されて、ＨＦ供給タンク１７内に所定量のＨＦが補給されるようになっている。なお、符号６０は、ＨＦ供給タンク１７内の圧力を常圧にするための呼吸口６１に接続する配管である。
【００２６】
上記のように、処理槽１０の下部に配設された供給ノズル１３に接続するリンス液供給管路１４と、薬液供給管路１６とを接続（合流）させることにより、リンス液供給管路１４を流れる純水に所定量のＨＦを注入して所定濃度の薬液（ＤＨＦ）を処理槽１０に供給して、ウエハＷを薬液処理すなわちウエハＷ表面の自然酸化膜を除去した後、切換弁２７を排液側に切り換えると共に、ポンプ２８の駆動を停止して、純水のみを処理槽１０に供給することで、ウエハＷ表面に付着する薬液すなわちＨＦを除去するリンス処理を行うことができる。なお、この際、温水生成器２０をＯＮ動作させることにより、純水を所定温度に加熱した温純水を供給することでリンス処理を行うことができる。また、リンス処理後、オゾン水生成器２１をＯＮ動作させることで、純水に紫外線を照射してオゾン水を生成することができ、このオゾン水を処理槽１０に供給してウエハＷ表面に酸化膜を形成することができる。
【００２７】
なお、図示しない昇降機構によって昇降するウエハボート３３によって複数枚例えば５０枚のウエハＷが処理槽１０内に搬入・搬出されるように構成されている。また、処理槽１０における内槽１１の底部に設けられた排液口（図示せず）に第１のドレン弁３４を介して第１のドレン管３５が接続されており、外槽１２の底部に設けられた排液口（図示せず）には、第２のドレン弁３６を介設した第２のドレン管３７が接続されている。そして、これら第１及び第２のドレン管３５，３７により排出される排液がドレンパン３８に受け止められた後、ドレンパン３８に接続される３種類の排液管路、すなわち濃度の濃いＨＦ排出管路３８ａ，濃度の薄いＨＦ排出管路３８ｂ，純水・オゾン水用排出管路３８ｃが接続されている。なお、各排出管路３８ａ〜３８ｃには、それぞれ切換弁３９ｄ〜３９ｆが介設されて、処理槽１０から排出される処理後のＨＦ，純水及びオゾン水を分離して外部の所定場所に排液できるようになっている。また、排出管路３８ａは、ドレン弁３９ｇを介設したドレン管３９ｈを介して上記薬液供給管路１６の切換弁２７の排出ポート（図示せず）に接続されている。
【００２８】
一方、上記乾燥部２は、上記処理槽１０の上方に図示しないシールパッキンを介して密閉される断面略逆Ｕ字状の容器４０にて形成されている。なお、この容器４０は図示しない昇降機構によって処理槽１０に対して接離可能に形成されている。また、容器４０の内方上部には、一対のガス供給ノズル４１が噴孔を上向きにして配設されており、このガス供給ノズル４１に、ガス供給管路４２を介して乾燥ガス例えばＮ2ガスの供給源４３が接続されている。ガス供給管路４２には、Ｎ2ガス供給源４３側から順に、流量制御弁４４，開閉弁４５，流量計４６，フィルタ４７及び加熱手段であるヒータ４８が介設されている。
【００２９】
このように構成することにより、Ｎ2ガス供給源４３からガス供給管路４２を流れるN2ガスがヒータ４８によって所定温度例えば１７０℃に加熱されてガス供給ノズル４１から容器４０内に噴射されて、容器４０内のウエハＷに接触して乾燥することができる。
【００３０】
なお、容器の下方側部には周方向に適宜間隔をおいて複数（図面では１つの場合を示す）の排気口４９が設けられており、この排気口４９に開閉弁５０を介設する排気管路５１が接続されている。
【００３１】
上記のように、容器４０の内方上部に配設される一対のガス供給ノズル４１の噴孔を上向きにし、容器４０の下方側部の周方向に適宜間隔をおいて複数の排気口４９を設けることにより、ガス供給ノズル４１から噴射（供給）された乾燥ガス（Ｎ2ガス）は、容器４０の湾曲状面に沿って天井面に流れた後、図１に破線で示す矢印で示すように頂部から下方の排気口４９に向かって流れる。したがって、ウエハＷ表面にＮ2ガスが均一に接触されるので、乾燥の促進が図れる。
【００３２】
次に、上記洗浄・乾燥処理装置を用いてウエハＷの洗浄処理、酸化膜形成処理及び乾燥処理の手順について、図１及び図４を参照して説明する。
【００３３】
まず、図示しない搬送手段例えばウエハチャックによって搬送された複数枚例えば５０枚のウエハＷをウエハボート３３が受け取り、処理槽１０の上方に待機する。このとき、容器４０が下降して処理槽１０の上方を外気と遮断する。次に、図示しない昇降機構の駆動によってウエハボート３３が下降してウエハＷを処理槽１０内に収容（搬入）する。そして、流量切換弁１９を処理槽１０への供給側に切り換える一方、切換弁２７をリンス液供給管路１４側に切り換えると共に、ポンプ２８を駆動し、純水供給源１５からリンス液供給管路１４を流れる純水に所定量のＨＦを注入して所定濃度の薬液（ＤＨＦ）を処理槽１０の内槽１１内に供給しつつ外槽１２に溢流し、ウエハＷをＤＨＦに浸漬することで、ウエハＷ表面の自然酸化膜を除去する（薬液処理工程）。この薬液処理工程において、第２のドレン弁３６は開放しており、内槽１１から溢流した薬液は第２のドレン管３７を介してドレンパン３８に排出される。
【００３４】
所定時間薬液処理を行った後、第１のドレン弁３４を開放して内槽１１内の薬液（DHF）をドレンパン３８に排出する。薬液を排出した後、あるいは、薬液をある程度排出した後、第１のドレン弁３４を閉じる一方、切換弁２７を第１の排液管路３９ａ側に切り換えると共に、ポンプ２８を停止して、処理槽１０内に純水のみを供給して、ウエハＷを純水に浸漬することで、ウエハＷ表面に付着する薬液を除去する（リンス処理工程）。このリンス処理工程においても、純水は内槽１１から溢流して外槽１２に流れ、第２のドレン管３７を介してドレンパン３８に流れる。
【００３５】
所定時間リンス処理を行った後、リンス液供給管路１４に純水を流した状態で、オゾン水生成手段２１をＯＮ動作して紫外線照射ランプ２４から紫外線を純水に照射して、例えば０．５ｐｐｍ〜２．０ｐｐｍのオゾン水を生成すると共に、生成されたオゾン水を処理槽１０内に供給して、ウエハＷをオゾン水に浸漬（接触）することで、ウエハＷ表面に酸化膜を形成する（酸化膜形成工程）。この場合、例えば１ｐｐｍのオゾンを５〜６分ウエハＷに接触させることで、約２〜３Åの酸化膜を形成することができる。このとき、温水生成器２０をＯＮ動作させて、オゾン化される前の純水を所定温度例えば３０℃に加温して、温オゾン水を処理槽１０に供給することにより、酸化膜の形成を効率よく行うことができる。また、磁界発生手段２６をＯＮ動作させてオゾン化される前の純水に磁気を帯びさせることで、純水がオゾン水生成手段２１の紫外線照射ランプ２４からの紫外線のエネルギーを受け取り易くなり、その結果、オゾン水の発生効率を約１５％程度上昇することができる。なお、この酸化膜形成工程においても、オゾン水は内槽１１から溢流して外槽１２に流れ、第２のドレン管３７を介してドレンパン３８に流れる。
【００３６】
上記のようにしてウエハＷ表面に酸化膜を形成した後、ウエハボート３３を上昇させて、ウエハＷをリンス液（オゾン水）から引き上げる一方、乾燥ガス供給管路４２の開閉弁４５を開放して、乾燥ガスであるＮ2ガスをガス供給ノズル４１から乾燥部２すなわち容器４０内に噴射（供給）する。すると、ガス供給ノズル４１から噴射（供給）されたＮ2ガスは、容器４０の湾曲状面に沿って天井面に流れた後、図１に破線で示す矢印で示すように頂部から下方の排気口４９に向かって流れるので、ウエハＷ表面にＮ2ガスが均一に接触されて、乾燥される（乾燥処理工程）。このとき、ヒータ４８によってＮ2ガスが加熱されるので、乾燥を効率よく行うことができる。
【００３７】
上記のようにして、乾燥処理が終了した後、ガス供給管路４２の開閉弁４５を閉じてＮ2ガスの供給を停止する。乾燥されたウエハＷは、容器４０が上昇された後に、ウエハボート３３側に移動するウエハチャックによってウエハボート３３から受け取られて、次の処理工程へ搬送（搬出）される。
【００３８】
以上のようにして、ウエハＷの薬液処理、リンス処理、酸化膜形成、及び乾燥処理が連続的に行われる。
【００３９】
なお、上記実施形態では、この発明に係る洗浄・乾燥処理装置を半導体ウエハの処理システムに適用した場合について説明したが、半導体ウエハ以外のＬＣＤ用ガラス基板等にも適用できることは勿論である。
【００４０】
【発明の効果】
以上に説明したように、この発明によれば、上記のように構成されているので、以下のような効果が得られる。
【００４１】
１）請求項１，４記載の発明によれば、オゾン水生成手段によってリンス液供給管路を流れるリンス液をオゾン水に生成して処理槽に供給し、被処理体をオゾン水に浸漬して被処理体表面に酸化膜を形成することができるので、薬液処理後に被処理体表面に酸化膜を形成することができ、その後、乾燥することにより、被処理体に自然酸化膜が生成されるのを防止することができると共に、パーティクルの付着を防止することができる。この場合、上記オゾン水生成手段を選択的に稼働可能に形成することにより、リンス液供給管路を介して処理槽に供給されるリンス液を必要に応じてオゾン水とすることができるので、リンス液をリンス処理と酸化膜形成処理に使用することができる。
【００４２】
また、リンス液供給管路を流れるリンス液を磁界発生手段により発生された磁界を通過させてリンス液に磁気を帯びさせることにより、オゾン水の生成効率を向上させることができるので、酸化膜の形成効率の向上を図ることができる。
【００４３】
また、リンス液供給管路を流れるリンス液としての純水中に直接紫外線を照射して、オゾン水を生成することができるので、パーティクルの発生を抑制することができる。また、装置の小型化と信頼性の向上を図ることができる。
【００４４】
２）請求項２，５記載の発明によれば、処理槽に供給されるリンス液を所定の温度に調整してリンス処理及び酸化膜形成に供することができる。この場合、上記温度調整手段を選択的に稼働可能に形成すると共に、オゾン水生成手段の稼働時に稼働することにより、リンス液供給管路を流れるオゾン水を所定温度に設定して温度調整されたオゾン水をリンス処理や酸化膜形成に供することができる。
【００４５】
３）請求項３記載の発明によれば、薬液供給ラインとリンス液供給ライン及びオゾン水供給ラインを統合して配管することができるので、装置の小型化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明に係る洗浄・乾燥処理装置の一実施形態を示す概略断面図である。
【図２】この発明におけるオゾン水生成手段を示す概略斜視図である。
【図３】この発明に係る洗浄・乾燥処理装置の別の実施形態の要部を示す概略断面図である。
【図４】この発明の洗浄・乾燥処理の手順の一例を示すフローチャートである。
【符号の説明】
Ｗ  半導体ウエハ（被処理体）
１  洗浄部
２  乾燥部
１０  処理槽
１４  リンス液供給管路
１５  純水供給源（リンス液供給源）
１６  薬液供給管路
１７  ＨＦ供給タンク（薬液供給源）
２０  温水生成器（温度調整手段）
２１  オゾン水生成器（オゾン水生成手段）
２４  紫外線照射ランプ
２６  磁界発生手段
４０  容器
４１  ガス供給ノズル
４２  乾燥ガス供給管路
４８  ヒータ（加熱手段）
【図１】
0003557601.tif 000002
【図２】
0003557601.tif 000003
【図３】
0003557601.tif 000004
【図４】
0003557601.tif 000005