【手続補正書】
【提出日】平成29年3月8日(2017.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
明視野差分干渉コントラスト（ＢＦ−ＤＩＣ）システムにおいて高精度の検査または計測を与える方法であって、
第１の光ビームから第１のビームと第２のビームとを生成することであって、前記第１のビーム及び前記第２のビームは円形断面を有し、前記第１のビーム及び前記第２のビームは、基板上で半径方向に変位される第１の部分的重複走査スポットを形成する、生成することと、
前記第１の光ビーム及び第２の光ビームのうちの１つから第３のビームと第４のビームとを生成することであって、前記第３のビーム及び前記第４のビームは楕円形断面を有し、前記第３のビーム及び前記第４のビームは、前記基板上で接線方向に変位される第２の部分的重複走査スポットを形成する、生成することと、
前記基板が回転されている際に前記第１の部分的重複走査スポットと前記第２の部分的重複走査スポットとを用いて、前記基板の少なくとも一部分を走査することと、を含む、方法。
【請求項２】
前記基板が回転されている際の前記第１の部分的重複走査スポットを用いた前記基板の前記少なくとも一部分の前記走査から得られる測定値を用いて、半径方向の傾斜を決定することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記基板が回転されている際の前記第２の部分的重複走査スポットを用いた前記基板の前記少なくとも一部分の前記走査から得られる測定値を用いて、接線方向の傾斜を決定することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記基板が回転されている際の前記第１の部分的重複走査スポットを用いた前記基板の前記少なくとも一部分の前記走査から得られる測定値を用いて、半径方向の傾斜を決定することと、
前記基板が回転されている際の前記第２の部分的重複走査スポットを用いた前記基板の前記少なくとも一部分の前記走査から得られる測定値を用いて、接線方向の傾斜を決定することと、
前記半径方向の傾斜と前記接線方向の傾斜とを用いて基板曲率を決定することと、
前記基板曲率を用いて前記基板の縁部ロールオフを決定することと、をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記基板が回転されている際の前記第１の部分的重複走査スポットを用いた前記基板の前記少なくとも一部分の前記走査から得られる測定値を用いて、半径方向の傾斜を決定することと、
前記基板が回転されている際の前記第２の部分的重複走査スポットを用いた前記基板の前記少なくとも一部分の前記走査から得られる測定値を用いて、接線方向の傾斜を決定することと、
前記半径方向の傾斜と前記接線方向の傾斜とを用いて前記基板の積算高さを決定することと、
前記積算高さを用いて基板形状を決定することと、をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記基板形状を決定する際にチャック固定歪みを相殺することをさらに含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記基板上に層を堆積する前及び後に前記基板形状を決定することと、
前記堆積前及び後に前記基板形状に基づいて形状差を算出することと、
前記形状差に基づいてフィルム応力分布図を生成することと、をさらに含む、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記基板が回転されている際の前記第１の部分的重複走査スポットを用いた前記基板の前記少なくとも一部分の前記走査から得られる測定値を用いて、半径方向の傾斜を決定することと、
前記基板が回転されている際の前記第２の部分的重複走査スポットを用いた前記基板の前記少なくとも一部分の前記走査から得られる測定値を用いて、接線方向の傾斜を決定することと、
前記半径方向の傾斜と前記接線方向の傾斜とを用いて、前記基板の積算高さを決定することと、
前記積算高さを用いて基板形状を決定することと、
前記基板形状にフィルタ処理を適用することにより基板形態を決定することと、をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記基板が回転されている際の前記第１の部分的重複走査スポットを用いた前記基板の前記少なくとも一部分の前記走査から得られる測定値を用いて、半径方向の傾斜を決定することと、
前記基板が回転されている際の前記第２の部分的重複走査スポットを用いた前記基板の前記少なくとも一部分の前記走査から得られる測定値を用いて、接線方向の傾斜を決定することと、
前記半径方向の傾斜と前記接線方向の傾斜とを用いて、前記基板の積算高さを決定することと、
前記積算高さにフィルタ処理を適用することにより基板形態を決定することと、をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
基板プロセスを評価、監視、較正、または変更することのうちの少なくとも１つのために、前記基板の前記少なくとも一部分の前記走査の結果を用いることをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
集積回路化学機械研磨（ＣＭＰ）プロセスを評価、監視、または変更することのうちの少なくとも１つのために、前記基板の前記少なくとも一部分の前記走査の結果を用いることをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記基板がパターン形成されている、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記基板がパターン形成されていない、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
明視野差分干渉コントラスト（ＢＦ−ＤＩＣ）システムにおいて高精度の検査または計測を与える方法であって、
第１の光ビームから第１のビームと第２のビームとを生成することであって、前記第１のビーム及び前記第２のビームは円形断面を有し、前記第１のビーム及び前記第２のビームは、基板上で第１の方向に変位される第１の部分的重複走査スポットを形成する、生成することと、
前記第１の光ビーム及び第２の光ビームのうちの１つから第３のビームと第４のビームとを生成することであって、前記第３のビーム及び前記第４のビームは楕円形断面を有し、前記第３のビーム及び前記第４のビームは、前記基板上で第２の方向に変位される第２の部分的重複走査スポットを形成し、前記第１の方向及び前記第２の方向は直交している、生成することと、
前記基板を移動させる際に前記第１の部分的重複走査スポットと前記第２の部分的重複走査スポットとを用いて、前記基板の少なくとも一部分を走査することと、を含む、方法。
【請求項１５】
前記基板を移動させる際の前記第１の部分的重複走査スポットを用いた前記基板の前記少なくとも一部分の前記走査から得られる測定値を用いて、前記第１の方向の第１の傾斜を決定することをさらに含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記基板を移動させる際の前記第２の部分的重複走査スポットを用いた前記基板の前記少なくとも一部分の前記走査から得られる測定値を用いて、前記第２の方向の第２の傾斜を決定することをさらに含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記基板を移動させる際の前記第１の部分的重複走査スポットを用いた前記基板の前記少なくとも一部分の前記走査から得られる測定値を用いて、前記第１の方向の第１の傾斜を決定することと、
前記基板を移動させる際の前記第２の部分的重複走査スポットを用いた前記基板の前記少なくとも一部分の前記走査から得られる測定値を用いて、第２の傾斜を決定することと、
前記第１の傾斜と前記第２の傾斜とを用いて基板曲率を決定することと、
前記基板曲率を用いて前記基板の縁部ロールオフを決定することと、をさらに含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
前記基板を移動させる際の前記第１の部分的重複走査スポットを用いた前記基板の前記少なくとも一部分の前記走査から得られる測定値を用いて、前記第１の方向の第１の傾斜を決定することと、
前記基板を移動させる際の前記第２の部分的重複走査スポットを用いた前記基板の前記少なくとも一部分の前記走査から得られる測定値を用いて、前記第２の方向の第２の傾斜を決定することと、
前記第１の傾斜と前記第２の傾斜とを用いて前記基板の積算高さを決定することと、
前記積算高さを用いて基板形状を決定することと、をさらに含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１９】
前記基板形状を決定する際にチャック固定歪みを相殺することをさらに含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記基板上に層を堆積する前及び後に前記基板形状を決定することと、
前記堆積前及び後に基板形状に基づいて形状差を算出することと、
前記形状差に基づいてフィルム応力分布図を生成することと、をさらに含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】
前記基板を移動させる際の前記第１の部分的重複走査スポットを用いた前記基板の前記少なくとも一部分の前記走査から得られる測定値を用いて、前記第１の方向の第１の傾斜を決定することと、
前記基板を移動させる際の前記第２の部分的重複走査スポットを用いた前記基板の前記少なくとも一部分の前記走査から得られる測定値を用いて、第２の傾斜を決定することと、
前記第１の傾斜と前記第２の傾斜とを用いて、前記基板の積算高さを決定することと、
前記積算高さを用いて基板形状を決定することと、
前記基板形状にフィルタ処理を適用することにより基板形態を決定することと、をさらに含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項２２】
前記基板を移動させる際の前記第１の部分的重複走査スポットを用いた前記基板の前記少なくとも一部分の前記走査から得られる測定値を用いて、前記第１の方向の第１の傾斜を決定することと、
前記基板を移動させる際の前記第２の部分的重複走査スポットを用いた前記基板の前記少なくとも一部分の前記走査から得られる測定値を用いて、前記第２の方向の第２の傾斜を決定することと、
前記第１の傾斜と前記第２の傾斜とを用いて、前記基板の積算高さを決定することと、
前記積算高さにフィルタ処理を適用することにより基板形態を決定することと、をさらに含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項２３】
基板プロセスを評価、監視、較正、または変更することのうちの少なくとも１つのために、前記基板の前記少なくとも一部分の前記走査の結果を用いることをさらに含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項２４】
集積回路化学機械研磨（ＣＭＰ）プロセスを評価、監視、または変更することのうちの少なくとも１つのために、前記基板の前記少なくとも一部分の前記走査の結果を用いることをさらに含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項２５】
前記基板がパターン形成されている、請求項１４に記載の方法。
【請求項２６】
前記基板がパターン形成されていない、請求項１４に記載の方法。