(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理体を加熱処理するための基台を有し、この基台の表面より出没可能に設けられた保持部材により被処理体を基台から第１の高さに浮かせて受け渡す加熱処理ユニットと、
基台上に設けられた保持部材により前記第１の高さよりも高い第２の高さに浮かせて被処理体を保持する受け渡し機構と、
少なくとも前記加熱処理ユニット及び受け渡し機構との間で被処理体を搬送する搬送機構と
を具備することを特徴とする処理装置。
【請求項２】
被処理体を加熱処理するための基台を有し、この基台の表面より出没可能に設けられた保持部材により被処理体を基台から第１の高さに浮かせて受け渡す加熱処理ユニットと、
被処理体を冷却処理するための基台を有し、この基台の表面より出没可能に設けられた保持部材により被処理体を前記第１の高さよりも高い第２の高さに浮かせて受け渡す冷却処理ユニットと、
少なくとも前記加熱処理ユニット及び前記冷却処理ユニットとの間で被処理体を搬送する搬送機構と
を具備することを特徴とする処理装置。
【請求項３】
被処理体を加熱処理するための基台を有し、この基台の表面より出没可能に設けられた保持部材により被処理体を基台から第１の高さに浮かせて受け渡す加熱処理ユニットと、
基板を保持する昇降可能な保持部材を有し、この保持部材を下降して被処理体にレジスト液を供給すると共に、この保持部材を前記第１の高さよりも高い第２の高さに上昇して被処理体を受け渡すレジスト液塗布ユニットと、
少なくとも前記加熱処理ユニット及び前記レジスト液塗布ユニットとの間で被処理体を搬送する搬送機構と
を具備することを特徴とする処理装置。
【請求項４】
被処理体を加熱処理するための基台を有し、この基台の表面より出没可能に設けられた保持部材により被処理体を基台から第１の高さに浮かせて受け渡す加熱処理ユニットと、
基板を保持する昇降可能な保持部材を有し、この保持部材を下降して被処理体に現像処理を施すと共に、この保持部材を前記第１の高さよりも高い第２の高さに上昇して被処理体を受け渡す現像処理ユニットと、
少なくとも前記加熱処理ユニット及び前記現像処理ユニットとの間で被処理体を搬送する搬送機構と
を具備することを特徴とする処理装置。
【請求項５】
基板を保持する昇降可能な保持部材を有し、この保持部材を下降して被処理体に現像処理を施すと共に、この保持部材を第１の高さに上昇して被処理体を受け渡す現像処理ユニットと、
基板を保持する昇降可能な保持部材を有し、この保持部材を下降して被処理体にレジスト液を供給すると共に、この保持部材を前記第１の高さよりも高い第２の高さに上昇して被処理体を受け渡すレジスト液塗布ユニットと、
少なくとも前記現像処理ユニット及びレジスト液塗布ユニットとの間で被処理体を搬送する搬送機構と
を具備することを特徴とする処理装置。
【請求項６】
被処理体を加熱処理するための基台を有し、この基台の表面より出没可能に設けられた保持部材により被処理体を基台から第１の高さに浮かせて受け渡す第１の加熱処理ユニットと、
被処理体を加熱処理するための基台を有し、この基台の表面より出没可能に設けられた保持部材により被処理体を基台から第１の高さよりも高い第２の高さに浮かせて受け渡す第２の加熱処理ユニットと、
少なくとも前記第１の加熱処理ユニット及び前記第２の加熱処理ユニットとの間で被処理体を搬送する搬送機構と
を具備することを特徴とする処理装置。
【請求項７】
請求項２から請求項６のうちいずれか１項記載の処理装置であって、
被処理体を第２の高さから下降する速度が、被処理体を第１の高さから下降する速度よりも遅いことを特徴とする処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば半導体ウェハ等の被処理体にレジストの塗布現像処理を施す処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイスの製造プロセスでは、フォトリソグラフィー技術が利用されている。フォトリソグラフィー技術においては、半導体ウェハ（以下、単に「ウェハ」と呼ぶ。）の表面にレジストを塗布し、この塗布レジストを所定パターンに露光処理し、さらに現像処理する。これによりウェハ上に所定パターンのレジスト膜が形成され、さらに成膜及びエッチング処理することにより所定パターンの回路が形成される。
【０００３】
従来から、一連のレジストの塗布現像処理は、レジスト液塗布ユニット、現像処理ユニット、加熱処理ユニット、冷却処理ユニット、これらユニット間でウェハを受け渡しする搬送機構、受け渡しのためにウェハを一旦保持する受け渡し機構等が一体化された塗布現像処理装置を用いて行われている。
【０００４】
上記のレジスト液塗布ユニットや現像処理ユニットでは、カップ内に昇降可能にウェハを保持するスピンチャックが配設され、スピンチャックが上昇してカップ外に出た状態で搬送機構よりウェハを受け取り、スピンチャックがカップ内に下降してウェハに対する当該処理が行われる。同様に、加熱処理ユニットや冷却処理ユニットでは、ユニット内にウェハに熱処理するためのプレートが配設され、その表面より出没可能に支持ピンが設けられており、この支持ピンが上昇した状態でウェハを搬送機構より受け取り、支持ピンがプレートより没した状態、即ちプレート上にウェハが載った状態で加熱処理や冷却処理が行われる。また、受け渡し機構では、プレート上にウェハを保持するための支持ピンを立設して構成される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、搬送機構よりユニット内に受け渡されたウェハは、カップ内の温度やプレートの温度と相違する場合がある。このような場合、ウェハはカップ内の温度やプレートの温度を乱し、当該処理に悪影響を与えることになる。従って、かかる熱的な悪影響を考慮すると、ユニット内で搬送機構よりウェハを受け取る位置と処理等を行う位置とを可能限り離間することが望ましい。しかしながら、このように離間すると、スループットが低下するという問題を生じる。
【０００６】
本発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、スループットの低下を抑えつつ、処理ユニット等に対する被処理体の熱的な悪影響を回避することができる処理装置を提供することを目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載に係る本発明の処理装置は、被処理体を加熱処理するための基台を有し、この基台の表面より出没可能に設けられた保持部材により被処理体を基台から第１の高さに浮かせて受け渡す加熱処理ユニットと、基台上に設けられた保持部材により前記第１の高さよりも高い第２の高さに浮かせて被処理体を保持する受け渡し機構と、少なくとも前記加熱処理ユニット及び受け渡し機構との間で被処理体を搬送する搬送機構とを具備する。
【００１２】
受け渡し機構においては、被処理体は常温雰囲気中に晒され温度管理が行われない。従って、上記と同様に、例えば高温の被処理体が受け渡し機構に保持されると基台が温まり、その後冷却後の被処理体がこの受け渡し機構に保持されたときに、被処理体が基台から加温されて熱的な悪影響を受ける。一方、加熱処理ユニットにおいては、ユニット内は加熱雰囲気下にあるので、被処理体から熱的な悪影響を受ける可能性は皆無に等しい。そこで、請求項１記載に係る本発明では、受け渡し機構における基台と基板保持位置との距離を加熱処理ユニットにおける基台と被処理体の受け渡し位置との距離より長くすることで、受け渡し機構における被処理体の熱的な悪影響を回避し、加熱処理ユニットにおけるスループットの低下を抑えている。
【００１３】
請求項２記載に係る本発明の処理装置は、被処理体を加熱処理するための基台を有し、この基台の表面より出没可能に設けられた保持部材により被処理体を基台から第１の高さに浮かせて受け渡す加熱処理ユニットと、被処理体を冷却処理するための基台を有し、この基台の表面より出没可能に設けられた保持部材により被処理体を前記第１の高さよりも高い第２の高さに浮かせて受け渡す冷却処理ユニットと、少なくとも前記加熱処理ユニット及び前記冷却処理ユニットとの間で被処理体を搬送する搬送機構とを具備する。
【００１４】
冷却処理ユニットでは、加熱された被処理体が基台上に置かれときに加熱された基台が元の冷却温度に復帰するまでに相当の時間を要する。これに対して、加熱処理ユニットでは、冷却された被処理体が基台上に置かれときに温度が低下した基台が元の加熱温度に復帰するまでの時間は短い。そこで、請求項２記載に係る本発明では、冷却処理ユニットにおける基台と被処理体の受け渡し位置との距離を加熱処理ユニットにおける基台と被処理体の受け渡し位置との距離より長くすることで、冷却処理ユニットにおける被処理体の熱的な悪影響を回避し、加熱処理ユニットにおけるスループットの低下を抑えている。
【００１５】
請求項３記載に係る本発明の処理装置は、被処理体を加熱処理するための基台を有し、この基台の表面より出没可能に設けられた保持部材により被処理体を基台から第１の高さに浮かせて受け渡す加熱処理ユニットと、基板を保持する昇降可能な保持部材を有し、この保持部材を下降して被処理体にレジスト液を供給すると共に、この保持部材を前記第１の高さよりも高い第２の高さに上昇して被処理体を受け渡すレジスト液塗布ユニットと、少なくとも前記加熱処理ユニット及び前記レジスト液塗布ユニットとの間で被処理体を搬送する搬送機構とを具備する。
【００１６】
レジスト液塗布ユニットの例えばレジストを供給するためのカップ内は、加熱処理ユニットと比べてより厳しい温度管理が要求される。そこで、請求項３記載に係る本発明では、レジスト液塗布ユニットにおける被処理体のレジスト供給位置と被処理体の受け渡し位置との距離を加熱処理ユニットにおける基台と被処理体の受け渡し位置との距離より長くすることで、レジスト液塗布ユニットにおける被処理体の熱的な悪影響を回避し、加熱処理ユニットにおけるスループットの低下を抑えている。
【００１７】
請求項４記載に係る本発明の処理装置は、被処理体を加熱処理するための基台を有し、この基台の表面より出没可能に設けられた保持部材により被処理体を基台から第１の高さに浮かせて受け渡す加熱処理ユニットと、基板を保持する昇降可能な保持部材を有し、この保持部材を下降して被処理体に現像処理を施すと共に、この保持部材を前記第１の高さよりも高い第２の高さに上昇して被処理体を受け渡す現像処理ユニットと、少なくとも前記加熱処理ユニット及び前記現像処理ユニットとの間で被処理体を搬送する搬送機構とを具備する。
【００１８】
現像処理ユニットの例えば現像処理を施すためのカップ内は、加熱処理ユニットと比べてより厳しい温度管理が要求される。そこで、請求項４記載に係る本発明では、現像処理ユニットにおける被処理体の現像処理位置と被処理体の受け渡し位置との距離を加熱処理ユニットにおける基台と被処理体の受け渡し位置との距離より長くすることで、現像処理ユニットにおける被処理体の熱的な悪影響を回避し、加熱処理ユニットにおけるスループットの低下を抑えている。
【００１９】
請求項５記載に係る本発明の処理装置は、基板を保持する昇降可能な保持部材を有し、この保持部材を下降して被処理体に現像処理を施すと共に、この保持部材を第１の高さに上昇して被処理体を受け渡す現像処理ユニットと、基板を保持する昇降可能な保持部材を有し、この保持部材を下降して被処理体にレジスト液を供給すると共に、この保持部材を前記第１の高さよりも高い第２の高さに上昇して被処理体を受け渡すレジスト液塗布ユニットと、少なくとも前記現像処理ユニット及びレジスト液塗布ユニットとの間で被処理体を搬送する搬送機構とを具備する。
【００２０】
レジスト液塗布ユニットの例えばレジスト液を供給するためのカップ内は、現像処理ユニットの例えば現像処理を施すためのカップ内と比べてより厳しい温度管理が要求される。そこで、請求項５記載に係る本発明では、レジスト液塗布ユニットにおける被処理体のレジスト塗布位置と被処理体の受け渡し位置との距離を現像処理ユニットにおける被処理体の現像処理位置と被処理体の受け渡し位置との距離より長くすることで、レジスト液塗布ユニットにおける被処理体の熱的な悪影響を回避し、現像処理ユニットにおけるスループットの低下を抑えている。
【００２１】
請求項６記載に係る本発明の処理装置は、被処理体を加熱処理するための基台を有し、この基台の表面より出没可能に設けられた保持部材により被処理体を基台から第１の高さに浮かせて受け渡す第１の加熱処理ユニットと、被処理体を加熱処理するための基台を有し、この基台の表面より出没可能に設けられた保持部材により被処理体を基台から第１の高さよりも高い第２の高さに浮かせて受け渡す第２の加熱処理ユニットと、少なくとも前記第１の加熱処理ユニット及び前記第２の加熱処理ユニットとの間で被処理体を搬送する搬送機構とを具備する。
【００２２】
加熱処理ユニットには、通常の加熱処理ユニットの他に、より厳しい温度管理が要求されるタイプもある。そこで、請求項６記載に係る本発明では、温度管理の厳しい加熱処理ユニットにおける基台と被処理体の受け渡し位置との距離を通常の加熱処理ユニットにおける基台と被処理体の受け渡し位置との距離より長くすることで、温度管理の厳しい加熱処理ユニットにおける被処理体の熱的な悪影響を回避し、通常の加熱処理ユニットにおけるスループットの低下を抑えている。
【００２３】
請求項７記載に係る本発明の処理装置は、請求項２から請求項６のうちいずれか１項記載の処理装置であって、被処理体を第２の高さから下降する速度が、被処理体を第１の高さから下降する速度よりも遅いことを特徴とする。
【００２４】
請求項７記載に係る本発明では、被処理体を第２の高さから下降する速度を、被処理体を第１の高さから下降する速度よりも遅くすることで、被処理体の熱的な悪影響をより十分に回避することが可能となる。
【００３５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。
【００３６】
図１は本発明の一実施形態に係る塗布現像処理装置の平面図、図２は図１に示した塗布現像処理装置の正面図、図３は図１に示した塗布現像システムの背面図である。
【００３７】
図１乃至図３に示すように、この塗布現像処理装置１は、カセットステーション１０、処理ステーション１１及びインターフェイス部１２を一体に接続した構成を有している。カセットステーション１０では、ウエハＷがカセットＣ単位で複数枚、例えば２５枚単位で、外部から塗布現像処理装置１に搬入され、また塗布現像処理装置１から外部に搬出される。また、カセットＣに対してウエハＷが搬出・搬入される。処理ステーション１１では、塗布現像処理工程の中で１枚ずつウエハＷに所定の処理を施す枚葉式の各種処理ユニットが所定位置に多段に配置されている。インターフェイス部１２では、この塗布現像処理装置１に隣接して設けられる露光装置１３との間でウエハＷが受け渡される。
【００３８】
カセットステーション１０では、図１に示すように、カセット載置台２０上の位置決め突起２０ａの位置に複数個（例えば４個）のカセットＣが、それぞれのウエハＷ出入口を処理ステーション１１側に向けてＸ方向（図１中の上下方向）一列に載置される。このカセットＣ配列方向（Ｘ方向）及びカセットＣ内に収容されたウエハＷのウエハＷ配列方向（Ｚ方向；垂直方向）に移動可能なウエハ搬送体２１が、搬送路２１ａに沿って移動自在であり、各カセットＣに選択的にアクセスする。
【００３９】
ウエハ搬送体２１は、θ方向に回転自在に構成されており、後述するように処理ステーション１１側の第３の処理ユニット群Ｇ３における多段ユニット部に属するアライメントユニット（ＡＬＩＭ）及びエクステンションユニット（ＥＸＴ）にもアクセスできるようになっている。
【００４０】
処理ステーション１１では、図１に示すように、その中心部には垂直搬送型の搬送装置２２が設けられ、その周りに各種処理ユニットが１組または複数の組に亙って多段集積配置されて処理ユニット群を構成している。かかる塗布現像処理装置１においては、５つの処理ユニット群Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４、Ｇ５が配置可能な構成であり、第１及び第２の処理ユニット群Ｇ１、Ｇ２はシステム正面側に配置され、第３の処理ユニット群Ｇ３はカセットステーション１０に隣接して配置され、第４の処理ユニット群Ｇ４はインターフェイス部１２に隣接して配置され、さらに破線で示した第５の処理ユニット群Ｇ５を背面側に配置することが可能となっている。搬送装置２２は、θ方向に回転自在でＺ方向に移動可能に構成されており、各処理ユニットとの間でウエハＷの受け渡しが可能とされている。
【００４１】
第１の処理ユニット群Ｇ１では、図２に示すように、カップＣＰ内でウエハＷをスピンチャックに載せて所定の処理を行う２台のスピンナ型処理ユニット、例えばレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）及び現像処理ユニット（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ねられている。そして第１の処理ユニット群Ｇ１と同様に、第２の処理ユニット群Ｇ２においても、２台のスピンナ型処理ユニット、例えばレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）及び現像処理ユニット（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ねられている。
【００４２】
図２に示すように、この塗布現像処理装置１の上部には、例えばＵＬＰＡフィルタなどの高性能フィルタ２３が、前記３つのゾーン（カセットステーション１０、処理ステーション１１、インターフェイス部１２）毎に設けられている。この高性能フィルタ２３の上流側から供給された空気は、当該高性能フィルタ２３を通過する際に、パーティクルや有機成分が捕集、除去される。したがって、この高性能フィルタ２３を介して、上記のカセット載置台２０、ウエハ搬送体２１の搬送路２１ａ、第１〜第２の処理ユニット群Ｇ１、Ｇ２、後述する第３〜第５の処理ユニット群Ｇ３、Ｇ４、Ｇ５及びインターフェイス部１２には、上方からの清浄な空気のダウンフローが、同図の実線矢印または点線矢印の方向に供給されている。
【００４３】
第３の処理ユニット群Ｇ３では、図３に示すように、ウエハＷを載置台に載せて所定の処理を行うオーブン型の処理ユニット、例えば冷却処理を行う冷却処理ユニット（ＣＯＬ）、レジストの定着性を高めるためのいわゆる疎水化処理を行うアドヒージョンユニット（ＡＤ）、位置合わせを行うアライメントユニット（ＡＬＩＭ）、受け渡し機構としてのエクステンションユニット（ＥＸＴ）、露光処理前の加熱処理を行う加熱処理ユニットとしてのプリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）及びポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が下から順に、例えば８段に重ねられている。
【００４４】
同様に、第４の処理ユニット群Ｇ４では、図３に示すように、ウエハＷを載置台に載せて所定の処理を行うオーブン型の処理ユニット、例えば冷却処理を行う冷却処理ユニット（ＣＯＬ）、冷却処理も兼ねたエクステンション・冷却処理ユニット（ＥＸＴＣＯＬ）、受け渡し機構としてのエクステンションユニット（ＥＸＴ）、アドヒージョンユニット（ＡＤ）、プリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）及びポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が下から順に、例えば８段に重ねられている。
【００４５】
このように処理温度の低い冷却処理ユニット（ＣＯＬ）やエクステンション・冷却処理ユニット（ＥＸＴＣＯＬ）を下段に配置し、処理温度の高いプリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）、ポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）及びアドヒージョンユニット（ＡＤ）を上段に配置することで、ユニット間の熱的な相互干渉を少なくすることができる。
【００４６】
インターフェイス部１２では、図１に示すように、奥行き方向（Ｘ方向）については、上記処理ステーション１１と同じ寸法を有するが、幅方向についてはより小さなサイズに設定されている。図１及び図２に示すように、このインターフェイス部１２の正面側には、可搬性のピックアップカセットＣＲと、定置型のバッファカセットＢＲが２段に配置され、他方背面部には周辺露光装置２４が配設されている。
【００４７】
インターフェイス部１２の中央部には、ウエハ搬送体２５が設けられている。ウエハ搬送体２５は、Ｘ方向、Ｚ方向（垂直方向）に移動して両カセットＣＲ、ＢＲ及び周辺露光装置２４にアクセスできるようになっている。ウエハ搬送体２５は、θ方向にも回転自在となるように構成されており、処理ステーション１１側の第４の処理ユニット群Ｇ４に属するエクステンションユニット（ＥＸＴ）や、さらには隣接する露光装置１３側のウエハ受け渡し台（図示せず）にもアクセスできるようになっている。
【００４８】
図４は上記の加熱処理ユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ、ＰＯＢＡＫＥ）及び冷却処理ユニット（ＣＯＬ）の構成を示す正面図である。
図４に示すように、ユニットのほぼ中央には、プレートＰが配置されている。このプレートＰは加熱処理ユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ、ＰＯＢＡＫＥ）であれば例えば熱溶媒が循環するパイプが埋め込まれ、ウェハＷを加熱処理するためのホットプレートとして機能する。また、このプレートＰは冷却処理ユニット（ＣＯＬ）であれば例えば冷却溶媒が循環するパイプが埋め込まれ、ウェハＷを冷却処理するためのクーリングプレートとして機能する。
【００４９】
プレートＰの表面にはウェハＷを支持するための保持部材としての支持ピンＰＩＮが複数本、例えば３本出没可能に設けられている。そして、支持ピンＰＩＮがプレート表面から突出した状態で、開口部３０を介して搬送装置２２との間でウェハＷの受け渡しを行う。また、搬送装置２２よりウェハＷが支持ピンＰＩＮ上に載置されると、支持ピンＰＩＮが下降してプレートＰの表面より没した状態になる。これにより、ウェハＷはプレートＰ上に載置され、加熱処理あるいは冷却処理が行われる。
【００５０】
なお、プレートＰの周囲に加熱ガスや冷却ガスを噴出する噴出手段を設けることで、加熱効果や冷却効果を高めることが可能である。また、ユニット内には、ダウンフローの清浄エアーが流れているので、特に冷却ユニット内ではこのダウンフローの清浄エアーにより冷却効果を高めることが可能である。
【００５１】
図５は上記の受け渡し機構（ＥＸＴ）の構成を示す正面図である。
図５に示すように、ユニットのほぼ中央には、プレートＰが配置されている。このプレートＰの表面には、保持部材としての支持ピンＰＩＮが複数本、例えば３本立設されている。そして、第１の開口部３１を介してウエハ搬送体２１によりカセットステーション１０との間でウェハＷの受け渡しを行い、第２の開口部３２を介して処理ステーション１１における搬送装置２２との間でウェハＷの受け渡しを行う。
【００５２】
図６は上記のレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）及び現像処理ユニット（ＤＥＶ）の構成を示す正面図である。
図６に示すように、ユニットのほぼ中央には、カップＣＰが配置されている。このカップＣＰ内には、例えば真空吸着機構（図示を省略）によりウェハＷを保持するスピンチャックＳＰが配置されている。このスピンチャックＳＰは、駆動部４１により昇降されかつ回転されるようになっている。また、スピンチャックＳＰの上方には、レジスト液塗布ユニットであればレジスト液を供給するための、現像処理ユニットであれば現像液を供給するためのノズル４１が配置されている。そして、スピンチャックＳＰがカップＣＰの上部開口部から突出した状態で、開口部４３を介して搬送装置２２との間でウェハＷの受け渡しを行う。また、搬送装置２２よりウェハＷがスピンチャックＳＰ上に載置されると、スピンチャックＳＰが下降してカップＣＰ内に収容され、カップＣＰ内でウェハＷを回転させながらレジスト液や現像液の供給が行われる。
【００５３】
図７は上記の加熱処理ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）と受け渡し機構（ＥＸＴ）との関係を示す図である。
図７（Ａ）に示すように、加熱処理ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）において、プレートＰの表面を基準位置（高さ０）としたときに、支持ピンＰＩＮがウェハＷを搬送装置２２より受け取る位置の高さをｈ１、図７（Ｂ）に示すように、受け渡し機構（ＥＸＴ）において、プレートＰの表面を基準位置（高さ０）としたときに、支持ピンＰＩＮがウェハＷを搬送装置２２より受け取って保持する位置の高さをｈ２とすると、
ｈ１＜ｈ２
の関係とされている。
【００５４】
この実施の形態では、以上の関係とすることで、受け渡し機構（ＥＸＴ）におけるウェハＷの熱的な悪影響を回避することができる。即ち、加熱されたウェハＷが受け渡し機構（ＥＸＴ）内に保持された場合であってもプレートＰとウェハＷとの距離ｈ２が十分に保たれていることから、プレートＰが暖められるようなことはない。従って、この後に冷却されたウェハＷが受け渡し機構（ＥＸＴ）内に保持されるようなことになっても、このプレートＰがウェハＷに対して熱的な悪影響を与えることはない。一方、加熱処理ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）におけるスループットの低下を抑えることができる。即ち、支持ピンＰＩＮがウェハＷを搬送装置２２より受け取る位置とプレートＰとの距離が短いので、ウェハＷをプレートＰまで下降させる時間を短くでき、しかも支持ピンＰＩＮがウェハＷを搬送装置２２より受け取った位置から実質的な加熱がされることになる。従って、加熱処理に要する時間が短縮される。
【００５５】
図８は上記の加熱処理ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）と冷却処理ユニット（ＣＯＬ）との関係を示す図である。
図８（Ａ）に示すように、加熱処理ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）において、プレートＰの表面を基準位置（高さ０）としたときに、支持ピンＰＩＮがウェハＷを搬送装置２２より受け取る位置の高さをｈ１、図８（Ｂ）に示すように、冷却処理ユニット（ＣＯＬ）において、プレートＰの表面を基準位置（高さ０）としたときに、支持ピンＰＩＮがウェハＷを搬送装置２２より受け取る位置の高さをｈ３とすると、
ｈ１＜ｈ３
の関係とされている。
【００５６】
この実施の形態では、以上の関係とすることで、冷却処理ユニット（ＣＯＬ）におけるウェハＷの熱的な悪影響を回避することができる。即ち、加熱されたウェハＷが冷却処理ユニット（ＣＯＬ）内に保持された場合であってもプレートＰとウェハＷとの距離ｈ３が十分に保たれていることから、プレートＰが過熱されるようなことはない。しかも、ウェハＷがプレートＰに到達するまでの間、冷却ガスやダウンフローの清浄エアーにより晒されていることから、この距離ｈ３を十分に取ることでウェハＷがプレートＰに達するまでの間にウェハＷに対する冷却され、その効果が高められる。一方、加熱処理ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）におけるスループットの低下を抑えることができる。即ち、支持ピンＰＩＮがウェハＷを搬送装置２２より受け取る位置とプレートＰとの距離が短いので、ウェハＷをプレートＰまで下降させる時間を短くでき、しかも支持ピンＰＩＮがウェハＷを搬送装置２２より受け取った位置から実質的な加熱がされることになる。従って、加熱処理に要する時間が短縮される。
【００５７】
図９は上記の加熱処理ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）とレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）との関係を示す図である。
図９（Ａ）に示すように、加熱処理ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）において、プレートＰの表面を基準位置（高さ０）としたときに、支持ピンＰＩＮがウェハＷを搬送装置２２より受け取る位置の高さをｈ１、図９（Ｂ）に示すように、レジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）において、スピンチャックＳＰがカップＣＰ内に下降してレジスト液が塗布される位置を基準位置（高さ０）としたときに、スピンチャックＳＰが上昇してウェハＷを搬送装置２２より受け取る位置の高さをｈ４とすると、
ｈ１＜ｈ４
の関係とされている。
【００５８】
この実施の形態では、以上の関係とすることで、レジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）におけるウェハＷの熱的な悪影響を回避することができる。即ち、スピンチャックＳＰが搬送装置２２よりウェハを受け取ってからカップＣＰ内の供給位置までに十分な距離ｈ４があるので、この間にウェハＷがレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）内の温度雰囲気に馴染むことになる。従って、カップＣＰ内に収容されたウェハＷがカップＣＰ内の温度環境を乱すことはなくなる。一方、加熱処理ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）におけるスループットの低下を抑えることができる。即ち、支持ピンＰＩＮがウェハＷを搬送装置２２より受け取る位置とプレートＰとの距離が短いので、ウェハＷをプレートＰまで下降させる時間を短くでき、しかも支持ピンＰＩＮがウェハＷを搬送装置２２より受け取った位置から実質的な加熱がされることになる。従って、加熱処理に要する時間が短縮される。
【００５９】
図１０は上記の加熱処理ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）と現像処理ユニット（ＤＥＶ）との関係を示す図である。
図１０（Ａ）に示すように、加熱処理ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）において、プレートＰの表面を基準位置（高さ０）としたときに、支持ピンＰＩＮがウェハＷを搬送装置２２より受け取る位置の高さをｈ１、図９（Ｂ）に示すように、現像処理ユニット（ＤＥＶ）において、スピンチャックＳＰがカップＣＰ内に下降して現像液が供給される位置を基準位置（高さ０）としたときに、スピンチャックＳＰが上昇してウェハＷを搬送装置２２より受け取る位置の高さをｈ５とすると、
ｈ１＜ｈ５
の関係とされている。
【００６０】
この実施の形態では、以上の関係とすることで、現像処理ユニット（ＤＥＶ）におけるウェハＷの熱的な悪影響を回避することができる。即ち、スピンチャックＳＰが搬送装置２２よりウェハを受け取ってからカップＣＰ内の供給位置までに十分な距離ｈ５があるので、この間にウェハＷが現像処理ユニット（ＤＥＶ）内の温度雰囲気に馴染むことになる。従って、カップＣＰ内に収容されたウェハＷがカップＣＰ内の温度環境を乱すことはなくなる。一方、加熱処理ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）におけるスループットの低下を抑えることができる。即ち、支持ピンＰＩＮがウェハＷを搬送装置２２より受け取る位置とプレートＰとの距離が短いので、ウェハＷをプレートＰまで下降させる時間を短くでき、しかも支持ピンＰＩＮがウェハＷを搬送装置２２より受け取った位置から実質的な加熱がされることになる。従って、加熱処理に要する時間が短縮される。
【００６１】
図１１は上記の現像処理ユニット（ＤＥＶ）とレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）との関係を示す図である。
図１１（Ａ）に示すように、現像処理ユニット（ＤＥＶ）において、スピンチャックＳＰがカップＣＰ内に下降して現像液が供給される位置を基準位置（高さ０）としたときに、スピンチャックＳＰが上昇してウェハＷを搬送装置２２より受け取る位置の高さをｈ５、図１１（Ｂ）に示すように、レジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）において、スピンチャックＳＰがカップＣＰ内に下降してレジスト液が塗布される位置を基準位置（高さ０）としたときに、スピンチャックＳＰが上昇してウェハＷを搬送装置２２より受け取る位置の高さをｈ４とすると、
ｈ５＜ｈ４
の関係とされている。
【００６２】
この実施の形態では、レジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）において、スピンチャックＳＰが搬送装置２２よりウェハを受け取ってからカップＣＰ内の供給位置までに十分な距離ｈ４があるので、現像処理ユニット（ＤＥＶ）と比べてより厳しい温度管理が要求されるレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）におけるカップＣＰ内の温度環境を乱すことはなくなる。一方、現像処理ユニット（ＤＥＶ）におけるスループットの低下を抑えることができる。
【００６３】
図１２は第１の加熱処理ユニットとしてのチリング加熱処理ユニットと第２の加熱処理ユニットとしての通常の加熱処理ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）との関係を示す図である。なお、チリング加熱処理ユニットとは、加熱処理部と冷却処理部とが併設され、通常の加熱処理ユニットと比しより厳しい温度管理が要求されるものである。
【００６４】
図１２（Ａ）に示すように、通常の加熱処理ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）において、プレートＰの表面を基準位置（高さ０）としたときに、支持ピンＰＩＮがウェハＷを搬送装置２２より受け取る位置の高さをｈ１、図１２（Ｂ）に示すように、チリング加熱処理ユニットにおいて、プレートＰの表面を基準位置（高さ０）としたときに、支持ピンＰＩＮがウェハＷを搬送装置２２より受け取る位置の高さをｈ６とすると、
ｈ１＜ｈ６
の関係とされている。
【００６５】
この実施の形態では、以上の関係とすることで、チリング加熱処理ユニットにおけるウェハＷの熱的な悪影響を回避することができる。一方、通常の加熱処理ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）におけるスループットの低下を抑えることができる。なお、ＰＯＢＡＫＥとＰＲＥＢＡＫＥとの間やチリング加熱処理ユニットとＰＲＥＢＡＫＥとの間においても同様の関係を持たせることができる。
【００６６】
本発明は以下のように変形して実施することも可能である。
即ち、冷却処理ユニット（ＣＯＬ）において、支持ピンＰＩＮがウェハＷを搬送装置２２より受け取ってからプレート上に下降する速度を、加熱処理ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）において、支持ピンＰＩＮがウェハＷを搬送装置２２より受け取ってからプレート上に下降する速度よりも遅くする。これにより、冷却処理ユニット（ＣＯＬ）においてはより十分な熱的な悪影響の回避が可能となり、加熱処理ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）においてはスループットの低下をさらに抑えることが可能となる。このような変形は、他の処理ユニット間においても同様に可能である。
【００６７】
次に本発明の他の実施形態を説明する。
図１３は本発明の他の実施形態に係る冷却処理ユニット（ＣＯＬ）の構成を示す正面図である。
図１３において、５１は支持ピンＰＩＮを昇降する昇降機構、５２は昇降機構５１を以下の関係となるように制御する制御部である。即ち、冷却処理ユニット（ＣＯＬ）において、プレートＰの表面を基準位置（高さ０）としたときに、支持ピンＰＩＮがウェハＷを搬送装置２２より受け取る位置の高さをｈ７、支持ピンＰＩＮがウェハＷを搬送装置２２より受け渡す位置の高さをｈ８とすると、
ｈ７＞ｈ８
の関係とされている。
【００６８】
この実施の形態では、以上の関係にすることで、ウェハＷが冷却プレートＰまで下降される時間が長くなり、処理の終了したウェハＷが受け渡し位置まで上昇する時間が短くなる。これにより、ウェハＷの熱的な悪影響を回避でき、かつスループットの低下を抑えることができる。
【００６９】
なお、図１４に示すように、搬送装置２２よりウェハＷを受け取った支持ピンＰＩＮを遅い速度（第１の速度）でプレートＰまで下降し、処理の終了したウェハＷを保持する支持ピンＰＩＮを速い速度（第２の速度）で上昇して搬送装置２２へ受け渡すようにしても同様の効果を得ることができる。
【００７０】
また、図１５に示すように、上記の高さ制御と速度制御とを組み合わせてもよい。
【００７１】
さらに、図１６に示すように、搬送装置２２よりウェハＷを受け取った支持ピンＰＩＮを下降して所定の位置▲１▼で一旦停止してその後プレートＰまで下降し、処理の終了したウェハＷを保持する支持ピンＰＩＮを停止することなくで上昇して搬送装置２２へ受け渡すようにしても同様の効果を得ることができる。また、上記の例に比べて制御をより簡単に行うことができる。
【００７２】
また、少なくとも下降速度及び上昇速度のうち一方を段階的に可変して上昇時間の方が短くなるようにしてもよい。
【００７３】
本発明は、冷却処理ユニットばかりでなく、加熱処理ユニットや現像処理ユニット、レジスト液塗布ユニット等にも適用可能である。
【００７４】
なお、本発明は上述した実施の形態には限定されない。
例えば、上述した実施の形態では、処理ステーション１１がその中心部に垂直搬送型の搬送装置２２を持つ縦型のものであったが、図１７に示すように、搬送路５１の両側に各処理ユニットを配置した処理ステーション５０についても本発明を適用できる。この場合、搬送路５１上には、Ｙ方向にも移動可能な搬送装置５２が配置され、また搬走路５１の両端には受け渡し機構５３、５４が配置される。
また、本発明はウェハＷを処理する処理装置ばかりでなく、他の基板、例えばＬＣＤ基板等を処理する処理装置にも当然適用できる。
【００７７】
【発明の効果】
以上のように、請求項１記載に係る本発明の処理装置によれば、被処理体を加熱処理するための基台を有し、この基台の表面より出没可能に設けられた保持部材により被処理体を基台から第１の高さに浮かせて受け渡す加熱処理ユニットと、基台上に設けられた保持部材により前記第１の高さよりも高い第２の高さに浮かせて被処理体を保持する受け渡し機構と、少なくとも前記加熱処理ユニット及び受け渡し機構との間で被処理体を搬送する搬送機構とを具備するように構成したので、受け渡し機構における被処理体の熱的な悪影響を回避し、加熱処理ユニットにおけるスループットの低下を抑えることができる。
【００７８】
請求項２記載に係る本発明の処理装置によれば、被処理体を加熱処理するための基台を有し、この基台の表面より出没可能に設けられた保持部材により被処理体を基台から第１の高さに浮かせて受け渡す加熱処理ユニットと、被処理体を冷却処理するための基台を有し、この基台の表面より出没可能に設けられた保持部材により被処理体を前記第１の高さよりも高い第２の高さに浮かせて受け渡す冷却処理ユニットと、少なくとも前記加熱処理ユニット及び前記冷却処理ユニットとの間で被処理体を搬送する搬送機構とを具備するように構成したので、冷却処理ユニットにおける被処理体の熱的な悪影響を回避し、加熱処理ユニットにおけるスループットの低下を抑えることができる。
【００７９】
請求項３記載に係る本発明の処理装置によれば、被処理体を加熱処理するための基台を有し、この基台の表面より出没可能に設けられた保持部材により被処理体を基台から第１の高さに浮かせて受け渡す加熱処理ユニットと、基板を保持する昇降可能な保持部材を有し、この保持部材を下降して被処理体にレジスト液を供給すると共に、この保持部材を前記第１の高さよりも高い第２の高さに上昇して被処理体を受け渡すレジスト液塗布ユニットと、少なくとも前記加熱処理ユニット及び前記レジスト液塗布ユニットとの間で被処理体を搬送する搬送機構とを具備するように構成したので、レジスト液塗布ユニットにおける被処理体の熱的な悪影響を回避し、加熱処理ユニットにおけるスループットの低下を抑えることができる。
【００８０】
請求項４記載に係る本発明の処理装置によれば、被処理体を加熱処理するための基台を有し、この基台の表面より出没可能に設けられた保持部材により被処理体を基台から第１の高さに浮かせて受け渡す加熱処理ユニットと、基板を保持する昇降可能な保持部材を有し、この保持部材を下降して被処理体に現像処理を施すと共に、この保持部材を前記第１の高さよりも高い第２の高さに上昇して被処理体を受け渡す現像処理ユニットと、少なくとも前記加熱処理ユニット及び前記現像処理ユニットとの間で被処理体を搬送する搬送機構とを具備するように構成したので、現像処理ユニットにおける被処理体の熱的な悪影響を回避し、加熱処理ユニットにおけるスループットの低下を抑えることがきる。
【００８１】
請求項５記載に係る本発明の処理装置によれば、基板を保持する昇降可能な保持部材を有し、この保持部材を下降して被処理体に現像処理を施すと共に、この保持部材を第１の高さに上昇して被処理体を受け渡す現像処理ユニットと、基板を保持する昇降可能な保持部材を有し、この保持部材を下降して被処理体にレジスト液を供給すると共に、この保持部材を前記第１の高さよりも高い第２の高さに上昇して被処理体を受け渡すレジスト液塗布ユニットと、少なくとも前記現像処理ユニット及びレジスト液塗布ユニットとの間で被処理体を搬送する搬送機構とを具備するように構成したので、レジスト液塗布ユニットにおける被処理体の熱的な悪影響を回避し、現像処理ユニットにおけるスループットの低下を抑えることができる。
【００８２】
請求項６記載に係る本発明によれば、被処理体を加熱処理するための基台を有し、この基台の表面より出没可能に設けられた保持部材により被処理体を基台から第１の高さに浮かせて受け渡す第１の加熱処理ユニットと、被処理体を加熱処理するための基台を有し、この基台の表面より出没可能に設けられた保持部材により被処理体を基台から第１の高さよりも高い第２の高さに浮かせて受け渡す第２の加熱処理ユニットと、少なくとも前記第１の加熱処理ユニット及び前記第２の加熱処理ユニットとの間で被処理体を搬送する搬送機構とを具備するように構成したので、温度管理の厳しい加熱処理ユニットにおける被処理体の熱的な悪影響を回避し、通常の加熱処理ユニットにおけるスループットの低下を抑えることができる。
【００８３】
請求項７記載に係る本発明によれば、請求項２から請求項６のうちいずれか１項記載の処理装置であって、被処理体を第２の高さから下降する速度を、被処理体を第１の高さから下降する速度よりも遅くするように構成したので、被処理体の熱的な悪影響をより十分に回避することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る塗布現像処理装置の平面図である。
【図２】図１に示した塗布現像処理装置の正面図である。
【図３】図１に示した塗布現像処理装置の背面図である。
【図４】図１〜図３に示した塗布現像処理装置における加熱処理ユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ、ＰＯＢＡＫＥ）及び冷却処理ユニット（ＣＯＬ）の構成を示す正面図である。
【図５】図１〜図３に示した塗布現像処理装置における受け渡し機構（ＥＸＴ）の構成を示す正面図である。
【図６】図１〜図３に示した塗布現像処理装置におけるレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）及び現像処理ユニット（ＤＥＶ）の構成を示す正面図である。
【図７】加熱処理ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）と受け渡し機構（ＥＸＴ）との関係を示す図である。
【図８】加熱処理ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）と冷却処理ユニット（ＣＯＬ）との関係を示す図である。
【図９】加熱処理ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）とレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）との関係を示す図である。
【図１０】加熱処理ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）と現像処理ユニット（ＤＥＶ）との関係を示す図である。
【図１１】現像処理ユニット（ＤＥＶ）とレジスト液塗布ユニット（ＣＯＴ）との関係を示す図である。
【図１２】第１の加熱処理ユニットとしてのチリング加熱処理ユニットと第２の加熱処理ユニットとしての通常の加熱処理ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）との関係を示す図である。
【図１３】本発明の他の実施形態に係る冷却処理ユニット（ＣＯＬ）の構成を示す正面図である。
【図１４】本発明の別の実施形態に係る冷却処理ユニット（ＣＯＬ）の構成を示す正面図である。
【図１５】本発明のさらに別の実施形態に係る冷却処理ユニット（ＣＯＬ）の構成を示す正面図である。
【図１６】本発明のさらなる実施形態に係る冷却処理ユニット（ＣＯＬ）の構成を示す正面図である。
【図１７】本発明が適用される他の塗布現像処理装置の平面図である。
【符号の説明】
２２  搬送装置
ＣＯＬ  冷却処理ユニット
ＣＯＴ  レジスト液塗布ユニット
ＤＥＶ  現像処理ユニット
ＥＸＴ  受け渡し機構
Ｐ  プレート
ＰＩＮ  支持ピン
ＰＯＢＡＫＥ  加熱処理ユニット
ＳＰ  スピンチャック
Ｗ  ウェハ
【図１】
0003602970.tif 000002
【図２】
0003602970.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
0003602970.tif 000007
【図７】
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【図８】
0003602970.tif 000009
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
0003602970.tif 000014
【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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