【手続補正書】
【提出日】平成29年10月20日(2017.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
微少流体デバイスにおいて生体アクティビティをアッセイする処理であって、該処理が、
該微少流体デバイスの保持用囲いにおいて１以上の生体細胞を培養すること、ここで、該１以上の細胞は、目的の生体材料を生産する；
ここで、該微少流体デバイスは、ハウジングを含み、該ハウジングは、
基部；
該基部上に配置されている微少流体構造物；および
該保持用囲いを含み、ここで、該微少流体構造物および該基部は、該保持用囲いが配置されている流れ領域を定義し、ここで、該保持用囲いは、
単一の開口を有する単離領域；および
該流れ領域への近位開口を、および、該単離領域への遠位開口を有する接続領域を含み；および、
さらにここで、該保持用囲いの該単離領域は、該微少流体デバイスの一掃されない領域である；
該保持用囲いの中へ１以上の捕捉微小物体を導入すること、ここで、該捕捉物体の各々は、該目的の生体材料に特異的に結合する結合物質を含む；
該１以上の生体細胞によって生産される該目的の生体材料を、該１以上の捕捉微小物体に結合させるようにすること；および
該捕捉微小物体に結合されている該目的の生体材料を評価すること
を含む、前記処理。
【請求項２】
目的の生体材料が、１以上の捕捉微小物体に結合させるようにすることの後であるが、該１以上の捕捉微小物体に結合されている該目的の生体材料を評価することの前に、保持用囲いから該１以上の捕捉微小物体を除去することをさらに含む、請求項１に記載の処理。
【請求項３】
１以上の捕捉微小物体を除去することが、微少流体デバイス内に位置づけられるアッセイ領域へ該１以上の捕捉微小物体を移動させることを含む、請求項２に記載の処理。
【請求項４】
アッセイ領域が、微少流体デバイスにおいてチャネル内に位置づけられる停留部である、請求項３に記載の処理。
【請求項５】
アッセイ領域が、微少流体デバイス内に位置づけられるチャンバーである、請求項３に記載の処理。
【請求項６】
１以上の捕捉微小物体を除去することが、微少流体デバイス中のチャネルへ該１以上の捕捉微小物体を移動させること；および、該微少流体デバイスから該１以上の捕捉微小物体を搬出することを含む、請求項２に記載の処理。
【請求項７】
１以上の捕捉微小物体を除去することが、
微少流体デバイスの内表面上へ該少なくとも１つの捕捉微小物体を取り囲む光パターンを投影することによって、保持用囲い中の該捕捉微小物体の少なくとも１つを捕らえる光トラップを作り出すこと、および
該微少流体デバイス中のチャネルの中へ該保持用囲いから該光トラップを移動させること
を含む、請求項２〜６のいずれか一項に記載の処理。
【請求項８】
１以上の捕捉微小物体が、磁気を帯び、および、該１以上の捕捉微小物体を除去することが、微少流体デバイスに磁場を適用することを含む、請求項２〜６のいずれか一項に記載の処理。
【請求項９】
除去される捕捉微小物体の各々を、保持用囲いと互いに関係づけることをさらに含み、該除去される捕捉微小物体が前記保持用囲いから除去される、請求項２〜８のいずれか一項に記載の処理。
【請求項１０】
評価することが、１以上の捕捉微小物体に結合されている目的の生体材料のタイプを決定することを含む、請求項１〜９のいずれか一項に記載の処理。
【請求項１１】
評価することが、１以上の捕捉微小物体に結合されている目的の生体材料の活性を決定することを含む、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の処理。
【請求項１２】
評価することが、１以上の捕捉微小物体に結合されている目的の生体材料の量を決定することを含む、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の処理。
【請求項１３】
決定することが、
１以上の捕捉微小物体に結合されている目的の生体材料にアッセイ材料を結合すること；および
該１以上の捕捉微小物体と該アッセイ材料から生じる放射線との間の関連を検知すること
を含む、請求項１０〜１２のいずれか一項に記載の処理。
【請求項１４】
決定することが、目的の生体材料にアッセイ材料を結合することの後であるが、１以上の捕捉微小物体と該アッセイ材料から生じる放射線との間の関連を検知することの前に、該１以上の捕捉微小物体から、結合されないアッセイ材料を洗い流すことをさらに含む、請求項１３に記載の処理。
【請求項１５】
各捕捉微小物体に関連する放射線が、所定の特徴に対応するかどうかを決定することをさらに含む、請求項１３に記載の処理。
【請求項１６】
目的の生体材料が、タンパク質である、請求項１〜１５のいずれか一項に記載の処理。
【請求項１７】
タンパク質が、抗体である、請求項１６に記載の処理。
【請求項１８】
評価することが、１以上の捕捉微小物体が保持用囲いにある間に実施される、請求項１に記載の処理。
【請求項１９】
１以上の捕捉微小物体の結合物質が、目的の生体材料に対して、少なくとも１μＭの結合親和性を有する、請求項１〜１８のいずれか一項に記載の処理。
【請求項２０】
保持用囲い中の１以上の生体細胞が、生体細胞のクローンコロニーを含む、請求項１〜１９のいずれか一項に記載の処理。
【請求項２１】
保持用囲い中の１以上の生体細胞が、単一の細胞である、請求項１〜１９のいずれか一項に記載の処理。
【請求項２２】
１以上の捕捉微小物体が、単一の捕捉微小物体である、請求項１〜２１のいずれか一項に記載の処理。
【請求項２３】
１以上の捕捉微小物体が、複数の捕捉微小物体を含み、その各々が、該複数における他の捕捉微小物体の結合物質とは異なる結合物質を含む、請求項１〜２１のいずれか一項に記載の処理。
【請求項２４】
目的の生体材料が、抗体であり、および、複数の捕捉微小物体の各々が、該複数における他の捕捉微小物体の結合物質によって結合される抗体アイソタイプとは異なる抗体アイソタイプに結合する結合物質を含む、請求項２３に記載の処理。
【請求項２５】
目的の生体材料が、抗体であり、および、複数の捕捉微小物体の各々が、該抗体によって認識される抗原のエピトープに対応する結合物質を含む、請求項２３に記載の処理。
【請求項２６】
目的の生体材料が、抗体であり、および、複数のうち１つの捕捉微小物体が、該抗体によって認識される抗原またはそのエピトープに対応する結合物質を含み、および、該複数のうち他の捕捉微小物体の各々が、異なる種からの該抗原の相同体またはそのエピトープに対応する結合物質を含む、請求項２３に記載の処理。
【請求項２７】
１以上の捕捉微小物体を除去することが、
少なくとも１つの捕捉微小物体に近接した微少流体デバイスの内表面上に光パターンを投影することによって、保持用囲いにおいて該捕捉微小物体の少なくとも１つに近接した光誘起ＤＥＰ電極を起動すること、および
該保持用囲いから該微少流体デバイスにおけるチャネル中へ該光パターンを移動させることを含み、ここで、起動したＤＥＰ電極は、該少なくとも１つの捕捉微小物体を該チャネル中へ遠ざける、
請求項２に記載の処理。
【請求項２８】
微少流体デバイスにおいて生体アクティビティをアッセイする処理であって、該処理が、
微少流体デバイスの保持用囲いにおいて１以上の生体細胞を培養すること、ここで、該１以上の細胞は、１以上の異なる目的の生体材料を生産する；
ここで、該微少流体デバイスは、ハウジングを含み、該ハウジングは、
基部；
該基部上に配置されている微少流体構造物；および
該保持用囲いを含み、ここで、該微少流体構造物および該基部は、該保持用囲いが配置されている流れ領域を定義し、ここで、該保持用囲いは、
単一の開口を有する単離領域；および
該流れ領域への近位開口を、および、該単離領域への遠位開口を有する接続領域を含み；および、
さらにここで、該保持用囲いの該単離領域は、該微少流体デバイスの一掃されない領域である；
該保持用囲いの中へ１以上の異なるタイプの捕捉微小物体を導入すること、ここで各該タイプの捕捉微小物体が、該１以上の異なる目的の生体材料のそれぞれの１つに特異的に結合する結合物質を含む；
該１以上の生体細胞によって生産される該１以上の異なる目的の生体材料を、該１以上の異なるタイプの捕捉微小物体に結合させるようにすること；および
該１以上の異なる目的の生体材料と該１以上の異なるタイプの捕捉微小物体との間の結合を評価すること
を含む、前記処理。
【請求項２９】
１以上の異なる目的の生体材料の少なくとも１つが、１以上の異なるタイプの捕捉微小物体の１つに特異的に結合する場合、評価の結果が陽性である、請求項２８に記載の処理。
【請求項３０】
１以上の異なる目的の生体材料の少なくとも２つが各々、１以上の異なるタイプの捕捉微小物体のそれぞれの１つに特異的に結合する場合、評価の結果が陽性である、請求項２８に記載の処理。
【請求項３１】
１以上の異なる目的の生体材料のすべてが各々、１以上の異なるタイプの捕捉微小物体の１つに特異的に結合する場合、評価の結果が陽性である、請求項２８に記載の処理。
【請求項３２】
１以上の異なるタイプの捕捉微小物体が、同時に囲いの中へ導入される、請求項２８〜３１のいずれか一項に記載の処理。
【請求項３３】
１以上の異なるタイプの捕捉微小物体が、連続して囲いの中へ導入される、請求項２８〜３１のいずれか一項に記載の処理。
【請求項３４】
ハウジングを含む微少流体デバイスであって、
該ハウジングは、
基部；
該基部上に配置されている微少流体構造物、ここで、該微少流体構造物および該基部は、チャネルを含む流れ領域を定義する；
該流れ領域の該チャネル内に配置されている保持用囲い；および
アッセイ領域を含み、
ここで、該保持用囲いは、
単一の開口を有する単離領域；および
該チャネルへの近位開口を、および、該単離領域への遠位開口を有する接続領域を含み、ここで、該該保持用囲いの該単離領域は、該微少流体デバイスの一掃されない領域である；ならびに、
ここで、該アッセイ領域は、該保持用囲いに近接して位置づけられる、
前記微少流体デバイス。
【請求項３５】
アッセイ領域が、チャネル内に位置づけられる停留部を含む、請求項３４に記載の微少流体デバイス。
【請求項３６】
アッセイ領域が、チャネルへの開口を有するアッセイチャンバーを含み、ここで、該アッセイチャンバーは、保持用囲いに並んで位置づけられる、請求項３４に記載の微少流体デバイス。
【請求項３７】
アッセイ領域が、チャネルへの開口を有するアッセイチャンバーを含み、ここで、該アッセイチャンバーへの該開口は、保持用囲いの接続領域の近位開口から該チャネルを横切って直接に位置づけられる、請求項３４に記載の微少流体デバイス。
【請求項３８】
アッセイチャンバーが、実質的に単離領域を欠く、請求項３６または３７に記載の微少流体デバイス。
【請求項３９】
デバイスが、包囲体内で磁力を発生させるための手段をさらに含む、請求項３４〜３８のいずれか一項に記載の微少流体デバイス。
【請求項４０】
ハウジングが、
第１電極；
第２電極；および
電極起動基板をさらに含み、
ここで、該第１電極は、該ハウジングの第１壁の一部であり、および、該第２電極および該電極起動基板は、該ハウジングの第２壁の一部であり、
ここで、該電極起動基板は、複数のＤＥＰ電極領域を含む表面を有し、および
ここで、該電極起動基板の該表面は、流れ領域の内表面である、
請求項３４〜３９のいずれか一項に記載の微少流体デバイス。
【請求項４１】
電極起動基板が、光伝導材料である、請求項４０に記載の微少流体デバイス。
【請求項４２】
電極起動基板が、半導体材料を含む、請求項４０に記載の微少流体デバイス。
【請求項４３】
半導体材料が、半導体集積回路を形成する複数のドープ層、電気絶縁層および導電層を含む、請求項４２に記載の微少流体デバイス。