(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ボンディングポストが形成される第１主面を有する基板と，
第２主面と前記第２主面と対向する第３主面とを有し，前記第３主面が前記基板の前記第１主面と対向するように，前記第１主面上に配置される第１のチップと，
導電膜が形成される第４主面と前記第４主面に対向する第５主面とを有し，前記第５主面が前記第１のチップの前記第２主面と対向するように，絶縁性接着剤を介して前記第２主面上に配置される中間基板と，
前記ボンディングポストと前記中間基板の前記導電膜とを電気的に接続し，前記導電膜に第１の電位を供給するボンディングワイヤと，
前記中間基板の前記第４主面上に形成され，前記導電膜を介して前記第１の電位が供給される導電性接着剤と，
第６主面を有し，前記第６主面が前記中間基板の前記第４主面と対向するように前記第４主面上に配置され，前記導電性接着剤を介して前記第１の電位が供給される第２のチップと，
を備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において，
前記ボンディングポストと前記中間基板の前記導電膜との接続は，前記ボンディングワイヤを前記ボンディングポストから前記導電膜へと接続していることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２いずれか記載の半導体装置において，
前記第１のチップ，前記第２のチップおよび前記中間基板は，同一材料にて形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１または２いずれか記載の半導体装置において，
前記第２主面の端辺付近には，前記第１のチップに形成された回路素子と電気的に接続される第１のパッドが形成されており，
前記絶縁性接着剤は前記第１のパッドと所定距離間して配置され，
前記中間基板は，前記第２主面の前記第１のパッドを除く領域に前記絶縁性接着剤を介して搭載されることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４記載の半導体装置において，
前記中間基板の外形は前記第１のチップの外形よりも小さく，前記中間基板の端辺は隣接する前記第１のチップ端辺より略０．５ｍｍ以上離間した位置に配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１または２いずれか記載の半導体装置において，
前記第２のチップの外形は，前記中間基板の外形よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１または２いずれか記載の半導体装置において，
前記導電膜の厚みおよび大きさは，前記ボンディングワイヤとの接合強度により決定されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１または２いずれか記載の半導体装置において，
前記導電膜は，前記第６主面の中心部に位置することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１または２いずれか記載の半導体装置において，
前記ボンディングワイヤが接続される前記第１主面には第１の電位を供給するボンディングポストが設けられており，
前記導電膜は，前記ボンディングポストに隣接した前記第４主面の端辺付近に配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１または２いずれか記載の半導体装置において，
前記導電性接着剤は，前記ボンディングワイヤにおける金球厚の２倍以上の厚さを有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１または２いずれか記載の半導体装置は，さらに，
前記第１の上面の前記導電膜を除く領域に配置された，前記第２のチップを支持する複数の突起部を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１１記載の半導体装置において，
前記第４主面からの前記複数の突起部の高さは，前記ボンディングワイヤにおける金球厚の２倍以上の厚さを有していることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はマルチチップパッケージと称される半導体装置にかかり，特に，積層型マルチチップパッケージにおけるチップの組立方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年，パッケージの小型化，高密度化が進む中で，従来の１つのパッケージに１つのＬＳＩチップを搭載するものから，１つのパッケージに複数のＬＳＩチップを搭載してシステムを実現するパッケージ，特に上下にチップを積層して高密度化が可能なマルチチップパッケージ（ＭＣＰ：Ｍｕｌｔｉ  Ｃｈｉｐ  Ｐａｃｋａｇｅ）が注目されている。
【０００３】
ＭＣＰの代表的な構造として，横置き方式，表裏搭載方式，パッケージ積層方式，チップ積層方式がある。その中でチップ積層方式は，上下のチップサイズ差が必要になるが，チップ間の配線が容易であり，パッケージサイズも小型化でき，リードフレームと基板の両方を採用することも可能となることから，最適な構造と言える。また，配線方式は技術的に確立されており，低コストで様々なボンディングパッド構造を有するチップに適用可能なワイヤボンド方式が有効である。
【０００４】
一般に，従来のＭＣＰは，図７に示すように，基板またはフレ一ム７０１に設けられたダイパッド７０２に下のチップである第１チップ７０３をペーストまたはシート状接着剤７０４により固定（マウント）した後，その上に第２チップ７０５を絶縁性接着剤７０７により同様に固定する。第１チップ７０３に裏面電位が必要な場合，ダイパッド７０２及び接着剤７０４は導電性材料が用いられる。
【０００５】
また，第１チップ７０３と第２チップ７０５の外形サイズの関係は，基板またはフレームとボンディングを行うための第１チップ７０３上の電極パッド７０６を設置できること，また接着剤７０７の底面からのはみ出しに対して電極パッド７０６が十分離れていること，さらに第２チップ７０５の搭載精度を考慮した上で，第２チップ７０５の外形サイズ≧第１チップ７０３の外形サイズ＋１〜１．６ｍｍ（片側０．５〜０．８ｍｍ）という制約が設けられる。
【０００６】
こうして第１，第２チップを固定した後，チップ間（第１チップ７０３と第２チップ７０５）や各々のチップ（第１チップ７０３，第２チップ７０５）と基板７０１（またはフレーム）のボンディングを行う。例えば第１チップ７０３と第２チップ７０５上の電極パッド７０６，７０８と７０１上のボンディングポスト７０９，７１０をワイヤ（金線７１１）で電気的に接続する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら，以上述べた組立方法では，裏面電位を要するチップを積層型ＭＣＰとして実装する場合，裏面電位を要するチップは第１チップつまり下側のチップとしてマウントとする必要があり第２チップつまり上側のチップとして搭載することができない。また，上記で述べた下側のチップと上側のチップの外形サイズの制約から，下側のチップとなる裏面電位を要するチップは上側のチップより大きくしなければならないという不具合があった。
【０００８】
この時，裏面電位を要するチップのサイズは，上に搭載するチップより大きいとは限らないが，この組立上の問題のためにチップを必要以上に大きくしなければならない。これは，コストの面で悪い影響を与える。また，裏面電位を要するチップを必ず下側にして組立を行うことは，設計の自由度を損なうものであった。
【０００９】
本発明は，従来のチップ積層型ＭＣＰにおける半導体装置が有する上記問題点に鑑みてなされたものであり，本発明の目的は，積層するチップ間に外形サイズの制約のない，また裏面電位を必要とするチップを上側のチップとして搭載することの可能な，新規かつ改良された半導体装置を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため，本発明によれば，ボンディングポストが形成される第１主面を有する基板と，第２主面と第２主面と対向する第３主面とを有し，第３主面が基板の第１主面と対向するように，第１主面上に配置される第１のチップと，導電膜が形成される第４主面と第４主面に対向する第５主面とを有し，第５主面が第１のチップの第２主面と対向するように，絶縁性接着剤を介して第２主面上に配置される中間基板と，ボンディングポストと中間基板の導電膜とを電気的に接続し，導電膜に第１の電位を供給するボンディングワイヤと，中間基板の第４主面上に形成され，導電膜を介して第１の電位が供給される導電性接着剤と，第６主面を有し，第６主面が中間基板の前記第４主面と対向するように第４主面上に配置され，導電性接着剤を介して前記第１の電位が供給される第２のチップと，を備えたことを特徴とする半導体装置が提供される。
【００１１】
このように，第１のチップと第２のチップの間に，上面に導電膜を形成した中間基板を搭載して，中間基板上の導電膜と基板またはフレームとをボンディングワイヤにより接続することにより，第２のチップつまり上側のチップの裏面電位を取ることが可能になる。また，中間基板と第１のチップの間には，従来技術と同様に第１のチップの電極パッド設置による外形サイズの制約があり，中間基板よりも第１のチップが大きくなければならないが，第２のチップは中間基板と同等の外形サイズでも構わない。これにより第１のチップと第２のチップとの外形サイズの制約は大幅に緩和されたことになる。
【００１２】
また，ボンディングポストと中間基板の導電膜との接続は，ボンディングワイヤをボンディングポストから導電膜へと接続してもよい。
【００１３】
この場合，中間基板上の導電膜と，第１主面である，基板またはフレーム表面に設けられた第１の電位を供給するボンディングポストとを接続するボンディングの順番が異なっており，ボンディングポストから導電膜へと接続されている。これにより，第１ボンディングとなるボンディングポストに金球が形成され，第２ボンディングとなる中間基板上の導電膜には，ボンディングワイヤによる突起部が形成されないため，中間基板上に用いる導電性接着剤を薄くすることができ，積層チップ全体の厚みを薄くすることができる。
【００１４】
ここで第１のチップ，第２のチップおよび中間基板は，同一材料にて形成されていることが好ましい。つまり中間基板として，第１のチップや第２のチップと同一材料であるシリコン基板を用いることにより，半導体装置の組立工程にて加わる熱による熱膨張係数をチップおよび中間基板間で揃えることが可能となる。
【００１５】
また，第１のチップは，さらに，第２主面の端辺付近には，第１のチップに形成された回路素子と電気的に接続される第１のパッドが形成されており，絶縁性接着剤は第１のパッドと所定距離間して配置され，中間基板は，第２主面の第１のパッドを除く領域に絶縁性接着剤を介して搭載される。さらに，中間基板の外形は第１のチップの外形よりも小さく，中間基板の端辺は隣接する第１のチップ端辺より略０．５ｍｍ以上離間した位置に配置されていることが好ましい。
【００１６】
こうして，中間基板の外形を第１のチップの外形よりも小さくし，第１のチップに形成された回路素子と電気的に接続されるパッドと接しないように，中間基板の端辺は隣接する第１のチップ端辺より略０．５ｍｍ以上離間した位置に絶縁性接着剤を介して搭載されることにより，第１のチップのパッドを他のパッドや第２のチップと短絡することなく，組立てることができる。
【００１７】
また，第２のチップの外形は，中間基板の外形よりも大きくすることもできる。これにより第１のチップと第２のチップとの外形サイズの制約はさらに緩和される。ここで中間基板に対する第２のチップのオーバーハング部へのボンディングは，ボンディング時に設定する超音波条件を変えることにより，十分な接合強度を持ったボンディングが可能である。しかし，チップの機械的強度上の限界があるため，チップ厚みに対応してオーバーハング量（シリコン基板よりも大きい第２のチップの外形サイズ）には制約がある。
【００１８】
導電膜の厚みおよび大きさは，ボンディングワイヤとの接合強度により決定されていることが好ましい。ボンディング装置，条件等によって異なるが，最低でも１μｍ程度の厚み，１００μｍ×１００μｍ程度の大きさは必要である。もちろん，シリコン基板上面の全面に導電膜を形成しても構わない。ワイヤボンディングは，第１ボンドでワイヤボールを金属パッドと接合させるものであるが，金属パッドが十分な大きさと厚みを持つことで，確実な接合ができ，信頼性の向上になる。
【００１９】
さらに導電膜は，第６主面の中心部に位置することができる。また，ボンディングワイヤが接続される表面には第１の電位を供給するボンディングポストが設けられており，導電膜は，ボンディングポストに隣接した第４主面の端辺付近に配置されてもよい。この時，導電性接着剤は，前記ボンディングワイヤにおける金球厚の２倍以上の厚さを有している。
【００２０】
導電膜を第６主面の中心部に位置した場合，第２のチップを搭載する際に，導電膜上のボンディングによる突起より厚い導電性接着剤を用いることにより，中間基板との平行を保ちながら搭載することができ，第２チップの傾斜を防止することが可能となる。また，導電膜を第４主面の端辺付近に配置した場合，中間基板から引き出すワイヤの長さを短くできるため，より低コスト化でき，またワイヤ変形量も小さく抑えることができるため，他のワイヤとのショートも防止できる効果を得られる。
【００２１】
さらに，第４主面の導電膜を除く領域に配置された，第２のチップを支持する複数の突起部を有することもできる。ここで，複数の突起部の高さは，ボンディングワイヤにおける金球厚の２倍以上の厚さを有していることが好ましい。こうして，中間基板上に複数の突起部を形成することにより，第２のチップの搭載時にチップが傾斜するのを防ぐことができる。
また，本発明の他の観点によれば，基板またはフレームの表面に固定された第１のチップと，第１の上面および第１の下面とを有し，第１の下面が絶縁性接着剤を介して第１のチップ上に搭載され，かつ，第１の上面の少なくとも一部に導電膜が形成された絶縁性の中間基板と，表面に設けられた第１の電位を供給するボンディングポストと，導電膜からボンディングポストへと接続され，導電膜に第１の電位を与えるボンディングワイヤと，第２の上面と，第２の上面に対向し，かつ，導電膜を含む第１の上面上に導電性接着剤を介して搭載され，導電膜，導電性接着剤およびボンディングワイヤを介して第１の電位が与えられる第２の下面とを有する第２のチップとを含むことを特徴とする半導体装置が提供される。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下に添付図面を参照しながら，本発明にかかる半導体装置の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００２３】
（第１の実施の形態）
図１は，第１の実施の形態にかかる積層型ＭＣＰにおけるチップのマウント，ボンディングを示した説明図である。このような１つのパッケージに２つのチップを搭載する例としては，時計などに使用される半導体装置に適用され，下側チップにマイコン，上側チップとして液晶ドライバなどにより構成されるものがある。
【００２４】
図１（ａ）を用いて本実施の形態による半導体装置１００の構造について説明する。第１チップ１０１の裏面（本発明の第３主面）がダイパッド１０２上に，絶縁性接着剤１０３により固定される。ただし第１チップ１０１が裏面電位を必要とするものであるならば，接着剤は導電性のものを用いる。第１チップ１０１上には絶縁性接着剤１０３により，例えばシリコン等の絶縁性材料により構成される中間基板（シリコン基板１０５）が接着されている。
【００２５】
このシリコン基板１０５の上面（本発明の第４主面），つまり第１チップ１０１との接着面（本発明の第５主面）の反対側の面には，中央付近に金やアルミ等の導電膜（金属膜１０４）による金属パッドが形成されている。ここで，中間基板を半導体装置を構成するチップと同一材料により形成すれば，半導体装置の組立工程にて加わる熱による熱膨張係数をチップおよび中間基板間で揃えることが可能となるため好ましい。
【００２６】
次に，シリコン基板１０５上（本発明の第２主面）の金属膜１０４部分に金球（ボンディングボール１１４）を形成して第１ボンディングを行い，基板（またはフレーム）の表面（本発明の第１主面）の所定のボンディングポスト１０９に第２ボンディングを行うことにより，金線１１０で結線する。ここで，金線１１０により結線される所定のボンディングポスト１０９には，後に第１チップ１０１上に積層される第２チップ１０７の裏面（本発明の第６主面）へ印加される裏面電位が供給されている。そして，第２チップ１０７を導電性接着剤１０８により，シリコン基板１０５上に接着する。この時，先に金属膜１０４からボンディングポスト１０９に結線された金線１１０は導電性接着剤１０８とともに潰され固定される。
【００２７】
その後，従来と同様に，第１チップ１０１，第２チップ１０７各々の電極パッドに第１ボンディングを行い，電極パッドに形成された金球（ボンディングボール）１０６，１１１から基板（またはフレーム）上の所定のボンディングポストに第２ボンディングを行い接続し，チップの積層が完了する。
【００２８】
図１（ａ）の説明図に示す本実施の形態について，おおよその，寸法を記す。第１チップ１０１，第２チップ１０７は，各々厚み５０〜３００μｍ，大きさ５×５ｍｍ〜１５×１５ｍｍ程度である。シリコン基板１０５の厚みは，５０〜３００μｍであり，その大きさは，第１チップ１０１より片側０．５〜０．８ｍｍ程度小さいことが望ましい。これは，端辺付近（外周部付近）に設けられた第１チップの電極パッド部の制約によるものであり，シリコン基板１０５の大きさが，シリコン基板１０５の端辺が第１チップ１０１の端辺から０．５ｍｍ以上離れた距離に位置する程度の大きさであればよい。
【００２９】
また第２チップ１０７は，  図１（ａ）では，シリコン基板１０５とほぼ同じ大きさであるが，図１（ｂ）に示すように，シリコン基板１０５よりも大きくすることも可能である。このように上に載るチップが大きい場合，オーバーハングしている領域（第２チップ１０７下面において，シリコン基板１０５上面の領域を除いた領域）へのワイヤボンディングは，ボンディング時に用いる超音波の伝達効率が低下するため，ボンディング接合強度が得にくいが，超音波の周波数を増加させることによって強度を持ったボンディングも可能である。しかし，チップの機械的強度の限界があるため，シリコン基板１０５の大きさは，例えば１５０μｍ厚みの第２チップでは片側２．０ｍｍ程度，１００μｍ厚みの第２チップでは片側１．５ｍｍ程度第２チップ１０７がオーバーハングの限界である。
【００３０】
つまり，１５０μｍ厚みの第２チップ１０７をシリコン基板１０５上に搭載する場合，シリコン基板１０５の端辺が第２チップ１０７の端辺（外周）よりも約２．０ｍｍ程度以内内側に，１００μｍ厚みの第２チップ１０７をシリコン基板１０５上に搭載する場合，シリコン基板１０５の端辺が第２チップ１０７の端辺（外周）よりも約１．５ｍｍ程度以内内側に，５０μｍ厚みの第２チップ１０７をシリコン基板１０５上に搭載する場合，シリコン基板１０５の端辺が第２チップ１０７の端辺（外周）よりも約１．０ｍｍ程度以内内側に位置する大きさのシリコン基板１０５を第２チップ１０７の大きさに対して用いることが望ましい。
【００３１】
第１チップ１０１を基板（またはフレーム）に，シリコン基板１０５を第１チップ１０１にそれぞれ接着する絶縁性接着剤１０３は，第１チップ１０１へのダメージ防止，平坦性確保のため厚み２０〜５０μｍとする。第２チップ１０７をシリコン基板に接着する導電性接着剤１０８は，公知のボンディングツールにより金属膜１０４とボンディングポスト１０９とを結線する場合，少なくとも金属膜１０４からボンディングツールの先端までの距離により規定される金球厚（ボンディングボールの高さＨ）の２倍程度以上の厚みが必要である。例えば，ボンディングボールの高さＨが約２０μｍの場合，厚み約５０μｍ程度であることが望ましい。
【００３２】
また，シリコン基板１０５上面に形成されている金属膜１０４は，ボンディングボールが接合できる厚みと大きさが必要であり，図１（ｃ）に示すようにシリコン基板１０５上面全面に形成されていても良い。厚みは，最低でも１μｍ程度必要であるが，導電性接着剤１０８に比しては十分薄い厚みである。本実施の形態では，導電性接着剤の厚みをボンディングボールの高さＨよりも十分に厚い厚さとすることで，第２チップ１０７に潰され，第２チップ１０７下に配置されるボンディングボールの高さによる第２チップ１０７の傾斜を確実に防止することを可能としている。
【００３３】
こうして，第２チップが電位を必要とする場合において，も第２チップの裏面には導電性接着剤１０８，金線１１０，ボンディングポスト１０９を介して所定の電位を得ることができる。また，第１チップ１０１，第２チップ１０７及びシリコン基板１０５の外形位置関係は，従来の制約と同様に，第１チップ端≧シリコン基板＋０．５ｍｍ以上であればよく，さらにシリコン基板は第２チップと同じか小さい外形サイズであればよいので，第１チップと第２チップの外形サイズの制約は緩和される。
【００３４】
つまり，裏面電位を必要とするチップを下側のチップとしてボンディングのために大きなサイズにする必要はなく，上側のチップの裏面電位を取ることも可能になったので，設計の自由度が増す。
【００３５】
また，金属膜１０４が形成されたシリコン基板１０５を用いたことで，この金属膜１０４から引き出されるワイヤと第１チップ１０１から引き出されるワイヤとの間に，シリコン基板１０５の厚みによる段差を設けることができるため，これらのワイヤ間の電気的ショートが防止できる効果がある。
【００３６】
本実施の形態において，導電膜を中間基板上の一部に形成する場合，図２（ａ）に示すように，シリコン基板２０２上に部分的に形成された金属膜２０４は，後に搭載される第２チップの下面の中心部分付近に１００×１００μｍ程度の領域で形成することができる。金属膜２０４に金線２０６で第１ボンドを行い，ボンディングポスト２０５で接合，切断する。
【００３７】
この場合，金属膜２０４上には第１ボンディングによる突起（ボンディングボール２１４）があるため，第２チップを搭載する際に，ボンディングボール２１４より厚い導電性接着剤２０８を用いることにより，シリコン基板２０２との平行を保ちながら搭載することが可能となる。この時，導電性接着剤２０８の厚みは均一となり，接着品質も向上する。このように，ボンディングワイヤが接続される金属膜２０４を第２チップの下面の中心部付近に設けることで，後に搭載される第２チップの傾斜を防止することが可能となる。
【００３８】
また金属膜２０４は，図２（ｂ）に示すようにシリコン基板２０２の端であり，基板側のボンディングポスト２０５に隣接した，最も近い位置に形成してもよい。この場合，シリコン基板から引き出すワイヤ２０６長さを短くできるため，より低コスト化でき，またワイヤ変形量も小さく抑えることができるため，他のワイヤとのショートも防止できる効果を得られる。
【００３９】
図３に上下のワイヤとの接触を防止するのに適したワイヤ形成の方法を示す。第１チップ３０１，シリコン基板３０５，第２チップ３０７が積層されている。図３のような形状にワイヤを形成すれば，各ワイヤ３１１，３１２，３１３間に空間的ギャップが確保でき，ショートが防止できる。
【００４０】
ワイヤ３１１，３１３は，ボンディングポスト３０９，３１０に第１ボンドを施し，ボンディングボール３１５，３１６が形成され，各々シリコン基板３０５上の金属パッド３１４上にバンプ３１７，第２チップ３０７上の金属パッド（図示せず）上にバンプ３１８を形成後，第２ボンドを行い，ワイヤを接合，切断したものである。ここで，金属パッド上にバンプ３１７，３１８を形成してから第２ボンドを行うことにより，接着面積が大きくなり，ボンディング強度を向上できると同時に，第２チップ３０７上の回路形成面がボンディングにより損傷するのを防ぐことができる。
【００４１】
つまり，ワイヤ３１１，３１３は，第１チップ１０１が固定される基板またはフレーム表面に形成されたボンディングポスト３０９からシリコン基板１０５または第２チップ１０７上のパッドへとボンディングワイヤが接続された構成となっている。尚この場合，ワイヤは立体交差するので，二次元的に（上から見て）ワイヤは交差していても，三次元的には空間が確保できるので，ショートは発生しない。
【００４２】
また，図４には二次元的にも交差しない，ワイヤ形成の方法を示す。第１チップ４０１，シリコン基板４０５，第２チップ４０７が積層されている。図４（ａ）の上面図ようにワイヤ配線４１１，４１２，４１３，４２３が二次元的に交差しないように，シリコン基板４０５上からのワイヤ用金属パッド４０４の位置を調整すれば，チップ側ですべて第１ボンディングを行って，ボンディングボール４１４，４１５，４１６を形成し，フレーム側に第２ボンディングを行った，図４（ｂ）のワイヤ形状おいても，ワイヤ間ショートを防止することができる。この場合，先のワイヤが立体交差する場合に比べて，第２チップ上のバンプの形成が不要となるため，ボンディングのスピードを速めることが可能となり，組立時間の短縮つまりはコストの削減ができる。
【００４３】
（第２の実施の形態）
第２の実施の形態による積層型ＭＣＰにおけるチップのマウント，ボンディング方法による説明図を図５に示す。第１チップ５０１，シリコン基板５０５，第２チップ５０７を積層する。この時，例えば，金属膜５０４を除くシリコン基板５０５上の４隅に，金属パッド５０６を４箇所形成し，その上にボンディングされない突起部（ダミーバンプ５１６）が４個形成されていることを特徴としている。この４箇所のダミーバンプ５１６の高さＨ２は，第２チップの裏面電位を取るボンディングの第１ボンド部のボンディングボール５１４の高さＨ１よりも高く，４箇所の高さが同じものとする。
【００４４】
本実施の形態の第２チップ５０７は，これら４つのダミーバンプ５１６により支持されている。また，本実施の形態においては，突起部はボンディングされないダミーバンプ５１６として説明を行ったが，必ずしも金属等の導電性材料よりなるものでなくともよく，第２チップ５０７を支持するものであれば絶縁性材料よりなるものであっても構わない。
【００４５】
第２チップの裏面電位を取る第１ボンド部のボンディングボール５１４の高さＨ１は，およそ２０μｍであるので，ダミーバンプ５１６の高さＨ２は，４０〜５０μｍ程度とする。第２チップ５０７を導電性接着剤を用いて接着する際には，ダミーバンプが支えとなり，シリコン基板５０５との平行を保つことができる。
【００４６】
ダミーバンプを形成すること以外は，第１の実施の形態と同様であり，説明を省略する。こうしてシリコン基板上の４隅にダミーバンプを形成することにより，上側チップ搭載時にチップが傾斜するのを防ぐことができる。
【００４７】
（第３の実施の形態）
第３の実施の形態による積層型ＭＣＰにおけるチップのマウント，ボンディング方法による説明図を図６に示す。第１チップ６０１，シリコン基板６０５，第２チップ６０７を積層する。シリコン基板６０５上の一部に形成された金属膜６０４に突起部分が形成されていないことを特徴としている。
【００４８】
第２チップの裏面電位を取る第１ボンドをシリコン基板６０５上の金属膜６０４に行わず，ボンディングポスト６０９側にボンディングボール６１０を接続する第１ボンドを行う。これは，第１の実施の形態において，ワイヤとの接触を防止する方法として説明した図３のボンディング方法と同様であり，このような場合，従来は金属膜６０４上にバンプを形成してから第２ボンド接合，切断を行うが，本実施の形態の場合，バンプを形成せずに，金属膜６０４上に直接第２ボンドを行う。
【００４９】
第２チップの裏面電位を取るボンディングにおいて，シリコン基板上の金属膜に突起部を形成しないようにすること以外は，第１の実施の形態と同様であり，説明を省略する。接着面積がバンプに比べて小さいが，バンプの高さがなくなり，従来バンプ高さの２倍以上必要な導電性接着剤６０８の厚みを薄くすることができるため，パッケージの薄型化に効果的である。
【００５０】
以上，添付図面を参照しながら本発明にかかる半導体装置の好適な実施形態について説明したが，本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００５１】
例えば，上記実施の形態で用いたチップ間に搭載される中間基板は，シリコン基板に限らずガラスエポキシ樹脂やポリイミド等の片面銅張板でも実現可能であり，同様の効果を得ることができる。
【００５２】
【発明の効果】
以上説明したように，本発明によれば，裏面電位を要するチップを積層型ＭＣＰとして実装する場合，下側チップの上に，上側チップと接続される面に導電膜が形成された中間基板を搭載して，導電膜と基板（またはフレーム）とをボンディング接続することにより，裏面電位を要するチップを上側のチップとして搭載することが可能となり，また，下側のチップと上側のチップの外形サイズの制約が緩和されるので，設計の自由度が増し，コストの低減も可能とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施の形態にかかる積層型ＭＣＰの説明図であり，（ａ）は第２チップが第１チップより小さい場合の図，（ｂ）は第２チップが第１チップとほぼ同じ大きさである場合の図，（ｃ）は，導電膜が中間基板上全面に形成されている場合の図である。
【図２】第１の実施の形態にかかる積層型ＭＣＰの説明図であり，（ａ）は金属パッドをシリコン基板中央部に配置した図，（ｂ）は金属パッドをシリコン基板端部に配置した図である。
【図３】第１の実施の形態にかかる積層型ＭＣＰの説明図であり，ワイヤの接触防止のためのワイヤ形状を横方向から見た平面図である。
【図４】第１の実施の形態にかかる積層型ＭＣＰの説明図であり，ワイヤの接触防止のためのワイヤ形状を示した図であり，（ａ）は上面から見た平面図，（ｂ）は横方向から見た平面図である。
【図５】第２の実施の形態にかかる積層型ＭＣＰの説明図であり，（ａ）は上面から見た平面図，（ｂ）は横方向から見た平面図である。
【図６】第３の実施の形態にかかる積層型ＭＣＰの説明図である。
【図７】従来技術による積層型ＭＣＰの説明図である。
【符号の説明】
１００  半導体装置
１０１  第１チップ
１０２  ダイパッド
１０３  絶縁性接着剤
１０４  金属膜
１０５  シリコン基板
１０６  ボンディングボール
１０７  第２チップ
１０８  導電性接着剤
１０９  ボンディングポスト
１１０  金線
１１１  ボンディングボール
１１４  ボンディングボール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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