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【手続補正書】
【提出日】平成29年10月31日(2017.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
排出物規制に適合する稼働領域を従来型ガスタービンの排出物規制適合最小負荷（ＧＴ  ＭＥＣＬ）より小さい側に拡張できるよう排出物制御機器を構成したガスタービン発電設備のための装置であって、
熱交換器と、
直列に配置された複数の一酸化炭素（ＣＯ）酸化触媒と、
前記複数の酸化触媒の下流に配置され、５０％から１００％の負荷範囲と同様に低負荷時にも排出物の規制適合を維持するための、少なくとも一つの選択的触媒還元（ＳＣＲ）触媒を含み、
前記複数のＣＯ酸化触媒のうちの少なくとも一つが、前記熱交換器の上流に設けられ、
前記複数のＣＯ酸化触媒のうちの少なくとも一つが、前記熱交換器の下流に設けられる装置。
【請求項２】
排出規制に適合する稼働領域を従来型ガスタービンの排出物規制適合最小負荷（ＧＴ  ＭＥＣＬ）より小さい側に拡張できる請求項１に記載の装置を備えたガスタービン発電設備の運転方法であって、
前記ガスタービンを５０％負荷より低い負荷値で操作する工程と、
排気流の中の、前記ガスタービンからの一酸化炭素および揮発性有機化合物（ＶＯＣ）の排出物を、前記熱交換器の上流に設けた前記複数のＣＯ酸化触媒のうちの少なくとも一つを最初の経路（ｐａｓｓ）として用いて低減させ、
前記熱交換器の下流に設けた前記複数のＣＯ酸化触媒のうちの少なくとも一つを用いて、煙突排出物の規制適合を達成するのに要求されるレベルまで、前記ガスタービンからの一酸化炭素および揮発性有機化合物（ＶＯＣ）の排出物を低減させ、
煙突排出物の規制適合を達成するようＮＯｘ排出物を低減させるために、前記ＳＣＲ触媒の上流にＮＨ３を注入し、
低負荷範囲で前記設備を運転するように制御ロジックを運用する運転方法。
【請求項３】
前記ＳＣＲ触媒が、５０％から１００％の負荷範囲と同様に低負荷時にも排出物の規制適合を維持するため、高いＮＯ２分解速度を有し、ＮＯｘ排出物を低減する請求項１に記載の装置。
【請求項４】
改良により請求項１に記載の設備を設置した発電設備。
【請求項５】
改良により請求項３に記載の設備を設置した発電設備。
【請求項６】
ガスタービンからの排出物が局所的最小値（当該値よりも大きい負荷または小さい負荷ではガスタービン排出物が多くなる負荷における、小さいガスタービン排出物の量であり、これにより、当該ガスタービン負荷において煙突排出物の規制適合を達成することが可能となる）をとるかまたは局所的最小値をとるまでの、排出物規制適合最小負荷（ＭＥＣＬ）より小さい特定の負荷において、排出物規制に適合して設備が稼働できるよう排出物制御機器を構成したガスタービン発電設備のための装置であって、
熱交換器と、
直列に配置された複数の一酸化炭素（ＣＯ）酸化触媒と、
前記複数の酸化触媒の下流に配置され、５０％から１００％の負荷範囲と同様に低負荷時にも排出物の規制適合を維持するための、少なくとも一つの選択的触媒還元（ＳＣＲ）触媒を含み、
前記複数のＣＯ酸化触媒のうちの少なくとも一つが、前記熱交換器の上流に設けられ、
前記複数のＣＯ酸化触媒のうちの少なくとも一つが、前記熱交換器の下流に設けられる装置。
【請求項７】
ガスタービンからの排出物が局所的最小値またはその近傍値をとる、排出物規制適合最小負荷より小さい特定の負荷において、または１００％負荷から前記局所的最小値をとる負荷まで連続的に、排出物規制に適合してガスタービン発電設備が稼働できる請求項８に記載の装置を有するガスタービン発電設備の運転方法であって、
前記ガスタービンを排出物規制（ＭＥＣＬ）負荷より低い負荷値で操作する工程と、
排気流の中の、前記ガスタービンからの一酸化炭素および揮発性有機化合物（ＶＯＣ）の排出物を、前記熱交換器の上流に設けた前記複数のＣＯ酸化触媒のうちの少なくとも一つを最初の経路（ｐａｓｓ）として用いて低減させ、
前記熱交換器の下流に設けた前記複数のＣＯ酸化触媒のうちの少なくとも一つを用いて、煙突排出物の規制適合を達成するのに要求されるレベルまで、前記ガスタービンからの一酸化炭素および揮発性有機化合物（ＶＯＣ）の排出物を低減させ、
煙突排出物の規制適合を達成するようＮＯｘ排出物を低減させるために、前記ＳＣＲ触媒の上流にＮＨ３を注入し、
低負荷範囲で前記設備を運転するように制御ロジックを運用する運転方法。
【請求項８】
前記ＳＣＲ触媒が、５０％から１００％の負荷範囲と同様に低負荷時にも排出物規制適合を維持するため、高いＮＯ２分解速度を有し、ＮＯｘ排出物を低減する請求項６に記載の装置。
【請求項９】
改良により請求項６に記載の設備を設置した発電設備。
【請求項１０】
改良により請求項８に記載の設備を設置した発電設備。
【請求項１１】
立上げおよび停止動作の間の排出物が顕著に低減されるよう排出物制御機器を構成したガスタービン発電設備のための装置であって、
熱交換器と、
直列に配置された複数の一酸化炭素（ＣＯ）酸化触媒と、
前記複数の酸化触媒の下流に配置され、５０％から１００％の負荷範囲と同様に低負荷時にも排出物の規制適合を維持するための、少なくとも一つの選択的触媒還元（ＳＣＲ）触媒を含み、
前記複数のＣＯ酸化触媒のうちの少なくとも一つが、前記熱交換器の上流に設けられ、
前記複数のＣＯ酸化触媒のうちの少なくとも一つが、前記熱交換器の下流に設けられる装置。
【請求項１２】
立上げおよび停止動作の間の排出物が顕著に低減される、請求項１１に記載の前記設備を有するガスタービン発電設備の運転方法であって、
前記ガスタービンを排出物規制（ＭＥＣＬ）負荷より低い負荷値で操作する工程と、
排気流の中の、前記ガスタービンからの一酸化炭素および揮発性有機化合物（ＶＯＣ）の排出物を、前記熱交換器の上流に設けた前記複数のＣＯ酸化触媒のうちの少なくとも一つを最初の経路（ｐａｓｓ）として用いて低減させ、
前記熱交換器の下流に設けた前記複数のＣＯ酸化触媒のうちの少なくとも一つを用いて、煙突排出物の規制適合を達成するのに要求されるレベルまで、前記ガスタービンからの一酸化炭素および揮発性有機化合物（ＶＯＣ）の排出物を低減させ、
煙突排出物の規制適合を達成するようＮＯｘ排出物を低減させるために、前記ＳＣＲ触媒の上流にＮＨ３を注入し、
低負荷範囲で前記設備を運転するように制御ロジックを運用する運転方法。
【請求項１３】
前記ＳＣＲ触媒が、５０％から１００％の負荷範囲と同様に低負荷時にも排出物の規制適合を維持するため、高いＮＯ２分解速度を有し、ＮＯｘ排出物を低減する請求項１１に記載の装置。
【請求項１４】
改良により請求項１１に記載の設備を設置した発電設備。
【請求項１５】
改良により請求項１３に記載の設備を設置した発電設備。
【手続補正書】
【提出日】平成29年9月11日(2017.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原油を含む炭化水素原料からオレフィンおよび芳香族石油化学製品を生成するための統合水素化分解処理であって、前記処理は、
水素含有量が増加した第１の廃液を生成するのに有効な条件下で、水素の存在下で第１の水素化分解域において原油および残液生成物を含む前記原料を処理するステップと、
前記第１の廃液をＬＰＧ含有流および液相流に分離するステップと、
前記ＬＰＧ含有流を、水素含有流、メタン含有流、エタン含有蒸気、ブタン含有流、プロパン含有流、Ｃ１−マイナス含有流、Ｃ３−マイナス含有流、Ｃ１−Ｃ２含有流、Ｃ３−Ｃ４含有流、Ｃ２−Ｃ３含有流、Ｃ１−Ｃ３含有流、Ｃ１−Ｃ４含有流、Ｃ２−Ｃ４含有流、Ｃ２−マイナス含有流、Ｃ４−マイナス含有流のグループから選択された１つまたは複数の流れに分離するステップと、
蒸気クラッカ装置、ならびにブタン脱水素装置、プロパン脱水素装置、結合プロパン−ブタン脱水素装置、または混合生成物流を生成するためのそれらの装置の組み合わせの前記グループから選択される少なくとも１つの装置で得られる１つまたは複数の前記流れをさらに処理するステップと、
前記混合生成物流を前記蒸気クラッカ装置ならびに、前記ブタン脱水素装置、前記プロパン脱水素装置、および前記結合プロパン−ブタン脱水素装置、または第２の分離区分へのそれらの装置の組み合わせの前記グループから選択される、少なくとも１つの装置から供給するステップと、
スラリー中間生成物を生成するために残油水素化分解域で前記液相流を熱クラッキングするステップと、
前記混合生成物流を分離するステップとを備える、処理。
【請求項２】
前記エタン含有流、前記Ｃ１−Ｃ２含有流、および前記Ｃ２−マイナス含有流の前記グループから選択される少なくとも１つの流れを、前記蒸気クラッカ装置に供給するステップをさらに備える、請求項１に記載の処理。
【請求項３】
前記プロパン含有流、前記Ｃ３−Ｃ４含有流、前記Ｃ３−マイナス含有流、前記ブタン含有流、前記Ｃ４−マイナス含有流、前記Ｃ２−Ｃ３含有流、前記Ｃ１−Ｃ３含有流、前記Ｃ１−Ｃ４含有流、および前記Ｃ２−Ｃ４含有流のグループから選択された少なくとも１つの流れを、前記ブタン脱水素装置、前記プロパン脱水素装置、前記結合プロパン−ブタン脱水素装置、またはそれらの装置の組み合わせのグループから選択される少なくとも１つの脱水素装置に供給するステップをさらに備える、請求項１または２のいずれか一項に記載の処理。
【請求項４】
オレフィンまたは芳香族化合物を、前記分離された混合生成物流から回収するステップをさらに備える、請求項１から３のいずれか一項に記載の処理。
【請求項５】
水素含有量が増加した第２の廃液を生成するのに有効な条件下で、水素の存在下で第２の水素化分解域において前記液相フィードを処理するステップと、前記第２の水素化分解域からの前記第２の廃液から、ＢＴＸＥ含有流、ＬＰＧ含有流、および前記残液流を回収するステップとをさらに備える、請求項１に記載の処理。
【請求項６】
スラリー中間生成物を生成するために、残油水素化分解域で、前記残液流を、前記液相流と共に、熱クラッキングするステップをさらに備える、請求項５に記載の処理。
【請求項７】
前記第１の水素化分解域から生成される前記ＬＰＧ含有流と、前記第２の水素化分解域から生成される前記ＬＰＧ含有流とを組み合わせるステップをさらに備える、請求項５に記載の処理。
【請求項８】
前記スラリー中間生成物から蒸気生成物を回収し、このように回収された前記蒸気生成物と前記ＬＰＧ含有流とを混ぜ合わせるステップをさらに備える、請求項１から７のいずれか一項に記載の処理。
【請求項９】
前記第１の水素化分解域から生成される前記第１の廃液および前記第２の水素化分解域から生成される前記第２の廃液から、残液留分を分離し、前記第１の水素化分解域および／または第２の水素化分解域の入口に前記残液留分を再循環させるステップをさらに備える、請求項１から８のいずれか一項に記載の処理。
【請求項１０】
前記分離された混合生成物流からメタンを回収し、前記メタンを、バーナおよび／またはヒータのための燃料として使用するために前記蒸気クラッカに再循環させるステップをさらに備える、請求項１から９のいずれか一項に記載の処理。
【請求項１１】
前記分離された混合生成物流から水素を回収して精製し、前記第１および／または第２の水素化分解域の前記入口に再循環させるステップをさらに備える、請求項１から１０のいずれか一項に記載の処理。
【請求項１２】
前記分離された混合生成物流から熱分解燃料油を回収し、前記第１および／または第２の水素化分解域の前記入口に、前記熱分解燃料油を再循環させるステップをさらに備える、請求項１から１１のいずれか一項に記載の処理。
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月20日(2017.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
１種又は復数種の前記化合物（ｂ）が、
（１）一般構造式（Ｉ）
【化１】
2017511825.tif 000001
（式中、Ｒは、Ｃ３〜Ｃ６アルキレンラジカルであり、ｎは、ポリエーテルジオール（ｂ１）が、１２０〜６０００ｇ／ｍｏｌの数平均分子量を有するように、それに対応して選択される。）
で表わされる少なくとも１種のポリエーテルジオール（ｂ１）、及び／又は
（２）一般構造式（ＩＩ）
【化２】
2017511825.tif 000002
（式中、Ｒ３は、２〜１０個の炭素原子を含む二価の有機ラジカルであり、
Ｒ１及びＲ２は、互いに独立して、２〜１０個の炭素原子を有する、直鎖状、又は分岐状アルキレンラジカルであり、
Ｘ及びＹは、互いに独立して、Ｏ、Ｓ、又はＮＲ４であり、Ｒ４は、水素、又は１〜６個の炭素原子を有するアルキルラジカルであり、並びに
ｍ及びｎは、前記ポリエステルジオール（ｂ２）が、４５０〜２２００ｇ／ｍｏｌの数平均分子量を有するように、それに対応して選択される。）
で表わされる少なくとも１種のポリエステルジオール（ｂ２）、及び／又は
（３）少なくとも１種の二量体ジオール（ｂ３）
からなる群から選択されることを特徴とする請求項１に記載のコーティング材料組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月25日(2017.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物質のサンプルの解析のための分光解析装置であって、
サンプルから光を受け取る入力部と、
デマルチプレクサと、
少なくとも第１の光学チェーン及び第２の光学チェーンと、
を有するフォトニック集積回路を備え、前記デマルチプレクサは  前記受け取られた光を、前記第１の光学チェーン及び前記第２の光学チェーンに分配し、
前記フォトニック集積回路の各光学チェーンは更に、その対応する光学チェーンに分配される光をフィルタリングし、減衰し、検出するように構成されるチューナブルバンドパスフィルタ、可変減衰器、及び光検出器を有し、
前記分光解析装置が、
前記２又はそれより多くのチューナブルバンドパスフィルタを制御し、
前記２又はそれより多くの可変減衰器を制御し、
前記２又はそれより多くの光検出器から得られる光検出器結果を受け取り、
受け取られた光検出器結果に基づいて分光解析結果を提供するコントローラ、
を更に有し、
前記コントローラが更に、前記物質に対応する複数のスペクトル係数を記憶するメモリを有し、前記コントローラが更に、各光学チェーンの光検出器によって検出される光のパワーが、適用されるスペクトル係数に基づいて減衰されるように、各光学チェーンの前記可変減衰器に前記スペクトル係数を適用することによって、前記２又はそれより多くの可変減衰器を制御する、分光解析装置。
【請求項２】
前記フォトニック集積回路の各光学チェーンにおける前記チューナブルバンドパスフィルタ及び前記可変減衰器が、前記デマルチプレクサと個々の前記光検出器との間に配され、各光学チェーンにおける前記可変減衰器が、前記チューナブルバンドパスフィルタと個々の前記光検出器との間に配される、請求項１に記載の分光解析装置。
【請求項３】
各光学チェーンは更に、その対応する光学チェーンにおいて前記光検出器からの結果を収集する積分器を有する、請求項１に記載の分光解析装置。
【請求項４】
ｉ）各チューナブルバンドパスフィルタは、対応するチューナブルバンドパスフィルタが予め決められた波長間隔をフィルタリングするように構成される時間期間を示す制御データを受け取り、及び／又は、ｉｉ）各可変減衰器は、対応する減衰器がその対応する光学チェーンにおける光学パワーを減衰させるように構成される時間期間を示す制御データを受け取る、請求項１に記載の分光解析装置。
【請求項５】
前記コントローラが更に、ｉ）前記第１の光学チェーンの前記光検出器から受け取られる光検出器結果と、ｉｉ）前記第２の光学チェーンの前記光検出器から受け取られる光検出器結果との間の差又は比率に基づいて、受け取られる光検出器結果を処理する、請求項１に記載の分光解析装置。
【請求項６】
前記コントローラが更に、関心のある予め決められた波長レンジにわたって各チューナブルバンドパスフィルタをステッピングすることによって、各チューナブルバンドパスフィルタを制御する、請求項１に記載の分光解析装置。
【請求項７】
前記ステッピングは、ｉ）第１の波長間隔がチューナブルバンドパスフィルタによって第１の時間期間の間フィルタリングされるよう、及び第２の波長間隔が同じチューナブルバンドパスフィルタによって第２の時間期間の間フィルタリングされるよう、複数の波長間隔をフィルタリングするようにチューナブルバンドパスフィルタを構成し、前記第１の時間期間及び前記第２の時間期間は少なくとも１．１倍異なる、請求項６に記載の分光解析装置。
【請求項８】
前記コントローラは更に、個別の光学チェーンスペクトル伝送特性を提供するように、各光学チェーンにおいて前記チューナブルバンドパスフィルタ及び／又は前記可変減衰器をセットすることによって、各光学チェーンにおいて前記チューナブルバンドパスフィルタ及び／又は前記可変減衰器を制御し、前記個別の光学チェーンスペクトル伝送特性は、前記第１及び第２の光学チェーンに関して合計される場合、前記サンプルのスペクトルの１又は複数の光学放出ライン又は反射帯域又は吸収帯域と一致する組み合わされたスペクトル伝送特性を提供する、請求項１に記載の分光解析装置。
【請求項９】
２又はそれより多くのチューナブルバンドパスフィルタを制御し、
２又はそれより多くの可変減衰器を制御し、
２又はそれより多くの積分器から得られる積分器結果を受け取り、
受け取られた積分器結果に基づいて分光解析結果を提供する、コントローラを更に有し、
前記コントローラは更に、各チューナブルバンドパスフィルタ及び各積分器を制御し、各フィルタを、積分される波長サブレンジの開始に合わせてチューニングし、各積分器の各出力をリセットし、各積分器の蓄積された電荷を測定し記憶し、アナログデジタル変換器を使用して各積分器の蓄積された電荷を読み出す、請求項３に記載の分光解析装置。
【請求項１０】
前記コントローラは更に、波長サブレンジで始まる予め決められた波長レンジにわたって各チューナブルバンドパスフィルタをスキャンすることによって、各チューナブルバンドパスフィルタを制御し、前記積分器は、その対応する光検出器の電気出力を積分し、複数の波長間隔の光学波長に対応する前記光検出器により出力された電気信号は、第３の波長間隔内の光学波長に対応する電気信号を第３の時間期間の間積分することによって、及び同じ積分器で、第４の波長間隔内の光学波長に対応する電気信号を第４の時間期間の間積分することによって、積分され、前記第３の時間期間及び前記第４の時間期間が少なくとも１．１倍異なる、請求項９に記載の分光解析装置。
【請求項１１】
前記コントローラが更に、複数のスペクトル係数を記憶するメモリを有し、前記コントローラが更に、組織タイプを示す組織クラシフィケーションを生成し、前記組織クラシフィケーションは、前記コントローラのメモリに記憶されたスペクトル係数に、読み出された各々の積分器信号を乗じ、加算、減算、乗算又は分割により２又はそれより多くの乗算された積分器信号を組み合わせることによって、生成される、請求項９に記載の分光解析装置。
【請求項１２】
前記サンプルを照明する広帯域光源を更に有する、請求項１に記載の分光解析装置。
【請求項１３】
分光解析結果を表示するディスプレイを更に有する、請求項１に記載の分光解析装置。
【請求項１４】
請求項１に記載の分光解析装置のコントローラ上で実行されるとき、前記コントローラに、
２又はそれより多くのチューナブルバンドパスフィルタを制御するステップと、
２又はそれより多くの可変減衰器を制御するステップと、
２又はそれより多くのチューナブルバンドパスフィルタから得られるフィルタ結果を受け取るステップと、
受け取られたフィルタ結果に基づいて分光解析結果を提供するするステップと、
を実施させる命令を有するコンピュータプログラムであって、前記コントローラは、各光学チェーン内の可変減衰器にスペクトル係数を適用することによって、２又はそれより多くの可変減衰器を制御し、それにより、各光学チェーン内の前記光検出器によって検出される光のパワーが、適用されるスペクトル係数に基づいて減衰される、コンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月8日(2017.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材前処理剤物質であって、
ａ）０．１〜５０重量パーセントの、アゼチジニウム官能化ポリマー、
ｂ）０．１〜５０重量パーセントの、３，０００〜２００，０００ｇ／ｍｏｌの重量平均分子量の、二酸化硫黄およびアリルアミンおよび／またはジアリルアミンの少なくとも部分的に四級化されたコポリマーであって、アリルアミンが、モノ、ジおよびトリアルキル（Ｃ１−Ｃ６）置換アリルアミンを包含し、ジアリルアミンが、モノおよびジアルキル（Ｃ１−Ｃ６）置換ジアリルアミンを包含する、少なくとも部分的に四級化されたコポリマー
を含み、該重量パーセントは１００重量部の基材前処理剤に基づく、
基材前処理剤物質。
【請求項２】
前記アゼチジニウム官能化ポリマーが、１ポリマー当たり平均で少なくとも５個のアゼチジニウム基を有し、５，０００〜５００，０００ｇ／ｍｏｌの数平均分子量であり、前記コポリマーが、１ポリマー当たり少なくも５個の四級化アミン基を有する、請求項１に記載の基材前処理剤物質。
【請求項３】
０．２〜１５重量パーセントの有機酸をさらに含む、請求項１または２に記載の基材前処理剤物質。
【請求項４】
前記表面張力調整剤が、存在し、Ｃ１〜Ｃ１０アルコールおよび５００ｇ／ｍｏｌ未満の分子量のアルキレンオキシドオリゴマーの両方を含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基材前処理剤物質。
【請求項５】
表面活性剤をさらに含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基材前処理剤物質。
【請求項６】
ペンダントアゼチジニウム基を有する前記ポリマーが、付与される前記基材前処理剤の重量に基づいて０．２〜１０重量％で存在する、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基材前処理剤物質。
【請求項７】
二酸化硫黄およびアリルアミンおよび／またはジアリルアミンの前記コポリマーが、付与される前記基材前処理剤の重量に基づいて０．２〜１０重量％で存在する、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基材前処理剤物質。
【請求項８】
ペンダントアゼチジニウム基を有する前記ポリマーが、付与される前記基材前処理剤の重量に基づいて１〜５重量％で存在する、請求項１〜７のいずれか一項に記載の基材前処理剤物質。
【請求項９】
二酸化硫黄およびアリルアミンおよび／またはジアリルアミンの前記コポリマーが、付与される前記基材前処理剤の重量に基づいて１〜５重量％で存在する、請求項１〜８のいずれか一項に記載の基材前処理剤物質。
【請求項１０】
基材上の乾燥フィルム、表面処理剤または被覆剤としての、請求項１〜９のいずれか一項に記載の基材前処理剤物質であって、該基材がポリマーフィルムまたは織布もしくは不織布基材を含む、基材前処理剤物質。
【請求項１１】
テキスタイル布または衣類の形態の請求項１０に記載の基材上の乾燥フィルム、表面処理剤または被覆剤としての、基材前処理剤物質。
【請求項１２】
請求項１０または１１に記載の基材上の基材前処理剤であって、前記織布または不織布基材が、少なくとも２５ｗｔ．％綿である、基材前処理剤。
【請求項１３】
請求項１０または１１に記載の基材上の基材前処理剤であって、前記織布または不織布基材が、少なくとも２５ｗｔ．％ポリエステルである、基材前処理剤。
【請求項１４】
請求項１０または１１に記載の基材上の基材前処理被覆剤であって、該基材前処理被覆剤上の印刷画像をさらに含む、基材上の基材前処理被覆剤。
【請求項１５】
請求項１０に記載の基材上の基材前処理剤であって、該基材が高分子フィルムである、基材上の基材前処理剤。
【請求項１６】
テキスタイル基材を前処理し、該基材上に顔料含有デジタル付与インクで印刷する方法であって、
ａ）テキスタイル基材を準備する工程、
ｂ）請求項１に記載の基材前処理剤を付与する工程、
ｃ）該基材前処理剤上に、顔料含有インクでデジタル印刷する工程
を含む方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載の、テキスタイル基材を前処理し、該基材上に顔料含有デジタル付与インクで印刷する方法であって、前記前処理剤の付与と、前記基材前処理剤上における顔料含有インクでのデジタル印刷との間に、乾燥工程をさらに含む方法。
【請求項１８】
請求項１６または１７に記載の、テキスタイル基材を前処理し、該基材上に顔料含有デジタル付与インクで印刷する方法であって、該基材への結合を達成するために、該基材および前処理剤を、１００℃〜１６０℃の温度で少なくとも１分間加熱する工程をさらに含む方法。
【請求項１９】
前記テキスタイル基材が、該テキスタイルの重量に基づいて少なくとも２５ｗｔ．％のポリエステル繊維を含む、請求項１６〜１８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０】
前記テキスタイル基材が、該テキスタイルの重量に基づいて少なくとも２５ｗｔ．％の綿繊維を含む、請求項１６〜１８のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月30日(2017.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】手続補正書
【補正対象項目名】手続補正４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
【図１】図１は、６つの異なるマグネシウムセンサの未加工の応答をグラフで示したものであり、これらのそれぞれは、異なる界面活性剤含有溶液に曝露したときに、異なるホウ酸塩：ＥＴＨ５５０６比（４０モル％（０．４）、６０モル％（０．６）、８０モル％（０．８）、１００モル％（１．０）、１２５モル％（１．２５）及び１５０モル％（１．５）比を有する。図１Ａは、シリーズＡａ、Ａｂ及びＡｃ（それぞれ、単純なＭｇＣｌ２溶液中の０．０ｇ／Ｌ、０．０５ｇ／Ｌ及び０．１ｇ／ＬのＢｒｉｊ界面活性剤）に曝したときに観察される応答を示し、他方、図１Ｂは、シリーズＢａ、Ｂｂ及びＢｃ（それぞれ、電解質バックグラウンド溶液中の０．０ｇ／Ｌ、０．０５ｇ／Ｌ及び０．１ｇ／ＬのＢｒｉｊ界面活性剤）に曝したときに観察される応答を示す。
【図２】図２は、シリーズＡａ（単純なＭｇＣｌ２溶液中の０．０ｇ／ＬのＢｒｉｊ界面活性剤）に曝したときの図１Ａからの６つのＭｇ−ＩＳＥについての応答勾配プロットをグラフで示す。
【図３】図３は、シリーズＡｂ（単純なＭｇＣｌ２溶液中の０．０５ｇ／ＬのＢｒｉｊ界面活性剤）に曝したときの図１Ａからの６つのＭｇ−ＩＳＥについての応答勾配プロットをグラフで示す。
【図４】図４は、シリーズＡｃ（単純なＭｇＣｌ２溶液中の０．１ｇ／ＬのＢｒｉｊ界面活性剤）に曝したときの図１Ａからの６つのＭｇ−ＩＳＥについての応答勾配プロットをグラフで示す。
【図５】図５は、シリーズＢａ（電解質バックグラウンド溶液中の０．０ｇ／ＬのＢｒｉｊ界面活性剤）に曝したときの図１Ｂからの６つのＭｇ−ＩＳＥについての応答勾配プロットをグラフで示す。
【図６】図６は、シリーズＢｂ（電解質バックグラウンド溶液中の０．０５ｇ／ＬのＢｒｉｊ界面活性剤）に曝したときの図１Ｂからの６つのＭｇ−ＩＳＥについての応答勾配プロットをグラフで示す。
【図７】図７は、シリーズＢｃ（電解質バックグラウンド溶液中の０．１ｇ／ＬのＢｒｉｊ界面活性剤）に曝したときの図１Ｂからの６つのＭｇ−ＩＳＥについての応答勾配プロットをグラフで示す。
【図８】図８は、シリーズＢｃ（２）（電解質バックグラウンド溶液中の０．１ｇ／ＬのＢｒｉｊ界面活性剤）に曝したときの図１Ｂからの６つのＭｇ−ＩＳＥについての応答勾配プロットをグラフで示す。
【図９】図９は、シリーズＡａ、Ａｂ及びＡｃ（それぞれ、単純なＭｇＣｌ２溶液中の０．０、０．０５及び０．１ｇ／ＬのＢｒｉｊ界面活性剤）に曝したときの８０モル％のホウ酸塩：ＥＴＨ５５０６比を有するＭｇ−ＩＳＥについての応答勾配プロットをグラフで示す。
【図１０】図１０は、シリーズＡａ、Ａｂ及びＡｃ（それぞれ、単純なＭｇＣｌ２溶液中の０．０、０．０５及び０．１ｇ／ＬのＢｒｉｊ界面活性剤）に曝したときの１５０モル％のホウ酸塩：ＥＴＨ５５０６比を有するＭｇ−ＩＳＥについての応答勾配プロットをグラフで示す。
【図１１】図１１は、シリーズＢａ、Ｂｂ、Ｂｃ及びＢｃ（２）（それぞれ、電解質バックグラウンド溶液中の０．０、０．０５、０．１及び０．１ｇ／ＬのＢｒｉｊ界面活性剤）に曝したときの８０モル％のホウ酸塩：ＥＴＨ５５０６比を有するＭｇ−ＩＳＥについての応答勾配プロットをグラフで示す。
【図１２】図１２は、シリーズＢａ、Ｂｂ、Ｂｃ及びＢｃ（２）（それぞれ、電解質バックグラウンド溶液中の０．０、０．０５、０．１及び０．１ｇ／ＬのＢｒｉｊ界面活性剤）に曝したときの１５０モル％のホウ酸塩：ＥＴＨ５５０６比を有するＭｇ−ＩＳＥについての応答勾配プロットをグラフで示す。
【図１３】図１３は、ホウ酸塩：ＥＴＨ５５０６比が８０モル％及び１５０モル％のＭｇ−ＩＳＥについて、２つの溶液群Ｂｃ及びＢｃ（２）（即ち、電解質バックグラウンド溶液中の０．１ｇ／ＬのＢｒｉｊ界面活性剤）間のシグナルｍＶシフトをグラフで示す。
【図１４】図１４は、ホウ酸塩：ＥＴＨ５５０６比が８０モル％及び１５０モル％の２つのＭｇ−ＩＳＥについて、シリーズＢａ、Ｂｂ、Ｂｃ及びＢｃ（２）（それぞれ、電解質バックグラウンド溶液中の０．０、０．０５、０．１及び０．１ｇ／ＬのＢｒｉｊ界面活性剤）並びに０．１、０．５、１．０、１．５及び２．０ｍＭのマグネシウムイオンに曝したときの、（Ｂｒｉｊ７００界面活性剤による）シグナルｍＶシフトの比較をグラフで示す。
【手続補正書】
【提出日】平成29年4月7日(2017.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
室温加硫性（ＲＴＶ）シリコーンと、架橋されていない又は部分的に架橋されたゴム及び／又はエラストマーとを含む、硬化性組成物であって、前記ゴム及び／又はエラストマーが、前記組成物に初期の強度を与えるものであり、前記ＲＴＶシリコーンと前記架橋されていない又は部分的に架橋されたゴム及び／又はエラストマーとの割合が重量で１：２〜１５：１の範囲である、硬化性組成物。
【請求項２】
前記ＲＴＶシリコーンが、ヒドロキシルシリコーン樹脂及びアルコキシルシリコーン樹脂からなる群から選択される少なくとも１つを含み、
前記アルコキシルシリコーン樹脂が、メトキシルシリコーン樹脂、エトキシルシリコーン樹脂、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも１つを含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記架橋されていない又は部分的に架橋されたゴム及び／又はエラストマーが、ブチルゴム、フルオロエラストマー（ＦＫＭ）、水素化ニトリルゴム（ＨＮＢＲ）、エチレンプロピレンジエンゴム（ＥＰＤＭ）、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも１つを含む、請求項１又は２に記載の組成物。
【請求項４】
前記ＲＴＶシリコーンと前記ゴム及び／又はエラストマーとの割合が、重量で１：１．５〜１０：１の範囲、好ましくは重量で１：１〜５：１の範囲、より好ましくは重量で１．５：１〜３：１の範囲である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項５】
架橋剤、触媒、共架橋剤、補強材料、接着促進剤、顔料、調光剤、難燃剤、表面変性剤、増粘剤、レオロジー変性剤、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも１つの構成成分を更に含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項６】
前記触媒が、チタン錯体、ジブチル錫ジアセテート、（テトラメチルグアニジノ）プロピルトリエトキシシラン、ジブチル錫ジラウレート、及びオクタン酸第一スズからなる群から選択される少なくとも１つを含む、請求項５に記載の組成物。
【請求項７】
前記架橋剤の量が、前記ＲＴＶシリコーンの量に基づいて０．１重量％〜２０重量％、好ましくは１％重量〜１０重量％、より好ましくは３重量％〜８重量％である、請求項５に記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成29年4月12日(2017.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本二次用ＩＯＬの光学活性部は、好ましくは直径１.８ｍｍ以下の中心光学部分と、該中心光学部分の周囲に広がる周辺光学部分とを備え、従って、１ブロックからなる共軸配置された２つの異なるレンズを形成する。この１ブロックは、均質材料の単一ブロックから、又は２つの別個のレンズを単一ブロックに組み合わせることにより形成される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
光学活性部９は、中心光学部分１０と、この中心光学部分１０の周囲に広がる周辺光学部分１１とを備える。中心光学部分１０と周辺光学部分１１とは、２つの別個のレンズを単一ブロックに組み合わせることにより形成された１ブロックからなる、共軸に位置するが２つの異なるレンズを形成する。光学活性部９の直径１３は、４ｍｍから１０ｍｍ、好ましくは５ｍｍから７ｍｍでよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
図３及び図４には、患者の眼４内の二次用ＩＯＬ２の位置が示されている。それらの図に見られるように、二次用ＩＯＬ２は偽水晶体の眼内に手術により外科的に移植される。即ち、この二次用ＩＯＬ２の移植前に既に患者の眼４の後房３に移植されている少なくとも１つの一次ＩＯＬ１に加えて、本二次用ＩＯＬ２が移植される。ハプティック７により、二次用ＩＯＬ２は患者の眼４の毛様体溝８内に固定され、安定化される。光学活性部９は、一次ＩＯＬ１を通して像を網膜５上に投影するように設計される。二次用ＩＯＬ２は、均質材料の単一ブロックから形成されて、一次ＩＯＬ１と光学的に共軸（同軸）に配置され、網膜５上に複合された像を集束させて、網膜５の黄斑６上に投影された一次ＩＯＬ１の像の少なくとも中心部をさらに拡大する。このようにして、二次用ＩＯＬ２は、一次ＩＯＬ１の像の少なくとも中心部をさらに拡大させることにより患者の目視能力を改善する。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成29年6月27日(2017.6.27)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スキンケアのための方法であって、
皮膚を若返らせ、皮膚の水分のバランスを整えるために水分補給液化剤を前記皮膚に塗付する工程と、
前記皮膚に水分補給ゲルを塗付する工程と、
水分補給クリームを選択し塗付する工程との順で行われ、
前記水分補給ゲルは前記皮膚を修復し新しくするように構成され、前記水分補給クリームは、気候適応配合に応じて選択され、前記水分補給クリームは前記皮膚を保護するように構成されているスキンケアのための方法。
【請求項２】
選択される前記水分補給クリームは、低温乾燥極地気候用調剤と、温和気候用調剤と、乾燥高温気候用調剤と、多湿高温気候用調剤とからなるグループから選択される請求項１に記載のスキンケアのための方法。
【請求項３】
前記選択される前記水分補給クリームは、前記水分補給クリームと前記水分補給液化剤との前記皮膚に対する効果を相乗的に高めるために前記水分補給液化剤と混合されるように調合、構成される請求項２に記載のスキンケアのための方法。
【請求項４】
前記選択される前記水分補給クリームは、前記水分補給ゲルと前記水分補給液化剤との前記皮膚に対する効果を相乗的に高めるために前記水分補給ゲルと混合されるように調合、構成される請求項２に記載のスキンケアのための方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】発明の名称
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【発明の名称】スキンケアのための方法
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３０】
ゲル化透明Ｏ／Ｗエマルジョンのための天然スクロースエステルは、マッサージのために理想的な、リッチな感触、ゆっくりとした広がり、を特徴とする。水と接触すると、このゲルは洗い流し落としやミルキーエマルジョンへと変化する。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３５】
尚、更に、前記ブレンドは、湿った空気、乾燥した空気、冷たい空気、熱い空気、によって刺激される更なる水分損失を防止しながら、水分子を捕捉する皮膚細胞の能力をサポートし、皮膚の外観を張りがあって、ふくよかで、みずみずしく、ストレスの無い状態にする。前記ブレンドは、更に、若々しく、活気に満ちた、健康に見える皮膚のために有効であることが科学的に証明されている、抗酸化剤、ビタミン、ペプチド等のその他の重要成分に対する加速キャリアおよびデリバリシステムとしても作用する。前記ブレンドは、更に、美しく、ゴージャスな皮膚のつやのために皮膚の周りの変化する空気／気候に結びつき、それと協働する。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成29年4月27日(2017.4.27)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５８】
【数４】
2014521333.tif 000001
式中、ｍpdは処理チャンバーの質量が保たれる設定点であり、ｋ＞０はユーザ設定可能なフィードバック利得である。透過流束のフィードフォワード推定値ｑWe（ｔ）に加えて、制御法則はフィードバック項−ｋ（ｍp（ｔ）−ｍpd）を含む。フィードバック項は、自動化システムの適正動作にとって重要であるが、その理由は、リアルタイムにおいてフィードバック項が、システム及びモデルの不正確さ（例えば、透過流束の推定値が実際の透過流束に正確には合致しないこと、原材料ポンプ流束が目標ポンプ流束を正確には追従しないこと（ポンプ追従誤差）、校正の不正確さ、システム内の電気的及び機械的ノイズ、並びに他の外乱など）によって導入される誤差を考慮して調整するためである。さらに、式２．１による廃棄物流束の推定値はまた、ゼロを含む一定値に設定されてもよい。しかし、（式２．１から）式３に代入されるこれらの代替実施形態を用いて、定常状態のプロセスにおける質量追跡誤差は、十分に大きな利得ｋで任意に小さくされるべきではない。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成29年2月3日(2017.2.3)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
組換え大腸菌（Ｅ．ｃｏｌｉ）細胞であって；
ａ）ノックアウト変異Ｔｓｐ遺伝子である、変異Ｔｓｐ遺伝子、
ｂ）アミノ酸Ｃ９４にミスセンス変異を有する、ｓｐｒ遺伝子、並びに
ｃ）ＤｓｂＣをコードする組換えポリヌクレオチド、及び
ＣＤ１５４に特異的に結合する抗体又はその抗原結合フラグメントをコードする１つ又は複数のポリヌクレオチド
を含む発現ベクター、
を含み；
ここで細胞が、上記変異Ｔｓｐ及びｓｐｒ遺伝子以外は、野生型大腸菌細胞に対して同質遺伝子的であるゲノムを有する、
上記細胞。
【請求項２】
ＤｓｂＣがＮ末端又はＣ末端でヒスチジンタグを含む、請求項１に記載の細胞。
【請求項３】
発現ベクターが配列番号４５又は配列番号５１で与えられる配列を有するポリヌクレオチドを含む、請求項１又は２に記載の細胞。
【請求項４】
抗体又はその抗原結合フラグメントが、ＣＤＲＨ１として配列番号１、ＣＤＲＨ２として配列番号２及びＣＤＲＨ３として配列番号３で与えられる配列を有する３つのＣＤＲを含む重鎖可変ドメイン並びにＣＤＲＬ１として配列番号４、ＣＤＲＬ２として配列番号５及びＣＤＲＬ３として配列番号６で与えられる配列を有する３つのＣＤＲを含む可変ドメイン軽鎖を含む、請求項１から３までのいずれか一項に記載の細胞。
【請求項５】
前記１つ又は複数のポリヌクレオチドが、配列番号８で与えられる軽鎖可変領域配列及び配列番号１０で与えられる重鎖可変領域を含む抗体をコードする、請求項４に記載の細胞。
【請求項６】
抗体がＦａｂ又はＦａｂ’フラグメントである、請求項１から５までのいずれか一項に記載の細胞。
【請求項７】
前記Ｆａｂ又はＦａｂ’フラグメントが、配列番号１２で与えられる配列を有する軽鎖及び配列番号１４又は１６で与えられる配列を有する重鎖を含む、請求項６に記載の細胞。
【請求項８】
変化したｓｐｒタンパク質をコードするポリヌクレオチド内の変異により、９４位でアミノ酸システインからアラニンへの変化（Ｃ９４Ａ）が生じている、請求項１から７までのいずれか一項に記載の細胞。
【請求項９】
発現ベクターが、ＤｓｂＣをコードする組換えポリヌクレオチド及びＣＤ１５４に特異的に結合する抗体又はその抗原結合フラグメントを生成するためのジシストロン性メッセージを含み、上流シストロンが前記抗体の軽鎖をコードするＤＮＡを含有し、下流シストロンが対応する重鎖をコードするＤＮＡを含有し、ジシストロン性メッセージがＩＧＳ１（配列番号３３）、ＩＧＳ２（配列番号３４）、ＩＧＳ３（配列番号３５）及びＩＧＳ４（配列番号３６）から選択される配列を含むことを特徴とする、請求項１から８までのいずれか一項に記載の細胞。
【請求項１０】
ＣＤ１５４に特異的に結合する抗体又はその抗原結合フラグメントを生成するための方法であって、
ａ）請求項１から９までのいずれか一項に記載の組換え大腸菌細胞を培養培地中、ＣＤ１５４に特異的に結合する抗体又はその抗原結合フラグメント及びＤｓｂＣをコードする組換えポリヌクレオチドを発現するのに効果的な条件下で培養するステップと、
ｂ）ＣＤ１５４に特異的に結合する抗体又はその抗原結合フラグメントを、組換え大腸菌細胞のペリプラズム及び／又は培養培地から回収するステップと
を含む上記方法。
【請求項１１】
前記抗体の重鎖及び／又は軽鎖のＣ末端終端の又は近くのアミノ酸に、
抗悪性腫瘍薬、薬物、毒素、酵素、他の抗体又は抗体フラグメント、ポリマー、核酸、放射性核種、及びレポーターグループからなる群から選択されるエフェクター分子を結合させるステップをさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
エフェクター分子がポリ（エチレングリコール）又はメトキシポリ（エチレングリコール）を含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記方法が、前記重鎖のＣ末端終端のシステイン残基のうちの１つに、リシル−マレイミド基を結合させるステップを含み、リシル残基のそれぞれのアミノ基が２０，０００Ｄａの分子量を有するメトキシポリ（エチレングリコール）残基を共有結合させている、請求項１２に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８５】
「同質遺伝子的」の語は、本発明の文脈において、本発明を特徴付けるその中に組み込まれたエレメント、例えば、ＤｓｂＣをコードする組換えポリヌクレオチド及びＣＤ１５４に特異的に結合する抗体又はその抗原結合フラグメントをコードする１つ又は複数のポリヌクレオチド、及び任意選択によってＴｓｐタンパク質の発現の低減又は非存在をもたらす修飾、及び任意選択によって変異ｓｐｒ遺伝子を除いて、細胞が野生型細胞と比べて同じ又は実質的に同じ核酸配列（単数又は複数）を含むことを意味する。この実施形態では、本発明の細胞はこれ以上天然に存在しない又はそのゲノムに遺伝的に操作された変化を含まない。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１７５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１７５】
好ましい実施形態では、ＤｓｂＣをコードする組換えポリヌクレオチド及びＣＤ１５４に特異的に結合する抗体又はその抗原結合フラグメントをコードする１つ又は複数のポリヌクレオチド、並びに任意選択によってＴｓｐプロテアーゼ活性を低減させる変異、並びに任意選択によってｓｐｒ遺伝子又はその変異体以外は、細胞は野生型大腸菌細胞に対して同質遺伝子的である。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１７６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１７６】
一実施形態では、ＤｓｂＣ及びＣＤ１５４に特異的に結合する抗体又はその抗原結合フラグメントを発現するのに適したプラスミドを用いて使用するための、低減したＴｓｐ活性及びｓｐｒ遺伝子又はその変異体を有する以外は、大腸菌Ｗ３１１０系統に対して同質遺伝子的な細胞が提供される。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１７７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１７７】
さらに好ましくは、本発明の細胞は、ＤｓｂＣをコードする組換えポリヌクレオチド及びＣＤ１５４に特異的に結合する抗体又はその抗原結合フラグメントをコードする１つ又は複数のポリヌクレオチド以外は、大腸菌Ｗ３１１０系統に対して同質遺伝子的である。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年12月5日(2016.12.5)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ばね部材（４０）の第１のばね領域（３８）によって生成される第１の方向を向く力（Ｆ１）によって、自動車の取り付け部材（２７）の保持部材（３０）内に保持されるセンサ素子（１０）を前記取り付け部材（２７）に取り付ける取り付け装置（２８）であって、
前記取り付け部材（２７）は取り付け板（２６）を有し、
前記保持部材（３０）は前記取り付け板（２６）に配置され、前記センサ素子（１０）の締結ピン（２４）を保持可能であり、
前記ばね部材（４０）は、前記センサ素子（１０）を前記第１の方向を向く力（Ｆ１）に対して斜めに延びる第２の方向を向く力（Ｆ２）で支持する第２のばね領域（４２）を少なくとも有し、
前記保持部材（３０）は、切り欠き部（４９）を有する収容部（３２）を有し、
前記センサ素子（１０）の保持は、前記センサ素子（１０）の締結ピン（２４）と前記切り欠き部（４９）とが係合することによりなされる、
ことを特徴とする取り付け装置（２８）。
【請求項２】
前記ばね部材（４０）が前記取り付け部材（２７）に係止されることを特徴とする請求項１に記載の取り付け装置（２８）。
【請求項３】
前記ばね部材（４０）が、前記センサ素子（１０）を前記第１の方向を向く力（Ｆ１）に対して斜めに延びる第２の方向を向く力（Ｆ２）で支持し、かつ前記第２のばね領域（４２）とは異なる第３のばね領域（４４）を有し、前記センサ素子（１０）が前記第３のばね領域に支持され、前記第１のばね領域（３８）が、前記第２のばね領域（４２）と前記第３のばね領域（４４）との間に配置されることを特徴とする請求項１または２に記載の取り付け装置（２８）。
【請求項４】
前記ばね部材（４０）が、前記第１のばね領域（３８）に接続され、前記第１のばね領域（３８）に対して傾斜して延在し、前記ばね部材（４０）を操作可能なグリップ領域（４６）を有することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の取り付け装置（２８）。
【請求項５】
前記ばね部材（４０）が一体に形成されることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の取り付け装置（２８）。
【請求項６】
前記取り付け部材（２７）が一体に形成されることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の取り付け装置（２８）。
【請求項７】
前記取り付け部材（２７）がプラスチックから形成されることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の取り付け装置（２８）。
【請求項８】
前記ばね部材（４０）が金属材から形成されることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の取り付け装置（２８）。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２７】
図１〜３には更に、ハウジング１２によって形成される暗視カメラ１０の締結ピン２４も示されている。ハウジング１２、及びひいては締結ピン２４は例えばプラスチックから形成されている。締結ピン２４を介して暗視カメラ１０が乗用車の取り付け部材２７（図４）に取り付けられ、ひいては乗用車に保持されることができる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２９】
特に図３の側面図から分かるように、締結ピン２４は外周側に円形の輪郭とは異なる輪郭を備えている。言い換えると、締結ピン２４の外周側は非円形に形成されている。それによってねじれ防止がなされるため、暗視カメラ１０は、限定的且つ精密な角度で取り付け板２６に対する所望の相対位置で取り付け部材２７に、ひいては乗用車のその他の部分に装着され、少なくとも実質的に車両の横方向、又は少なくとも実質的に締結ピン２４の縦の延長方向と平行に延びる回転軸を中心に回転することができなくなっている。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３０】
図４及び５、及び特に図６及び７から分かるように、取り付け部材２７は取り付け板に配置された、収容部３２を有する保持部材３０を具備している。その場合、収容部３２は、保持部材３０の第１の保持部３４、及び第２の保持部３６によって部分的に隣接している。取り付け装置２８の部品数、ひいてはコストを節減するため、保持部３４、３６はプラスチック製の取り付け板２６と一体に形成されている。締結ピン２４は取り付け装置２８内でねじれる恐れがなく、収容部３２内に精密な角度で配置され、力の作用で収容部内に固定される。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３３】
図６および７から分かるように、第１のばね領域３８は、ばね領域４２と４４との間に配置され、したがってこれは中央のばね部を構成して、例えば暗視カメラ１０の前面締結ピンである締結ピン２４を収容部３２に固定する。これは、第１のばね領域３８が締結ピン２４を第１の方向で収容部３２に押圧することを意味する。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３４】
特に図６から分かるように、収容部３２は切り欠き部４９を設けているため、締結ピン２４、及びひいては暗視カメラ１０も、取り付け板２６に対して少なくとも実質的に垂直に延びる第２の方向で収容部３２内に保持される。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年12月21日(2016.12.21)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）融解温度（ＴｍＡ）を有する半結晶性半芳香族ポリアミド；
（Ｂ）融解温度（ＴｍＢ）を有する半結晶性脂肪族ポリアミド；
（Ｃ）ホスフィン酸および／またはジホスフィン酸の金属塩であるハロゲン不含難燃剤システム；
（Ｄ）無機充填剤および／または繊維強化材；ならびに
（Ｅ）他の成分
からなる難燃性ポリアミド組成物であって、
−（Ａ）：（Ｂ）の重量比が、５０：５０〜７５：２５の範囲であり；
−（Ａ）が、７，５００〜３０，０００ｇ／モルの範囲の数平均分子量（Ｍｎ−Ａ）を有し；
−（Ｂ）が、７，５００〜５０，０００ｇ／モルの範囲の数平均分子量（Ｍｎ−Ｂ）を有し；
−ＴｍＡがＴｍＢよりも高く、
（Ａ）／（Ｂ）５０：５０〜７５：２５の範囲の重量比のポリアミド（Ａ）およびポリ
アミド（Ｂ）３０〜９０重量％；
（Ｃ）（ジ）ホスフィン酸金属塩５〜２５重量％；
（Ｄ）無機充填剤および／または繊維強化材０〜６０重量％；
（Ｅ）他の成分０〜４０重量％；からなり、
（Ｅ）が、酸捕捉剤、耐衝撃性改良剤、可塑剤、安定剤、加工助剤、固体潤滑剤、着色剤及びナノ粘土からなる群より選択される少なくとも一種であり、
重量パーセンテージ（重量％）は、組成物の全重量に対するパーセンテージであり、（Ａ）〜（Ｅ）の合計は１００％である、
難燃性ポリアミド組成物。
【請求項２】
Ｍｎ−Ａが、１０，０００〜２５，０００ｇ／モルの範囲であり、かつ／またはＭｎ−Ｂが、１０，０００〜４０，０００ｇ／モルの範囲である、請求項１に記載の難燃性ポリアミド組成物。
【請求項３】
Ｔｍ−Ａが２９０〜３５０℃の範囲であり、かつ／またはＴｍ−Ｂが２５０〜３００℃の範囲である、請求項１または２に記載の難燃性ポリアミド組成物。
【請求項４】
（Ａ）：（Ｂ）の重量比が５５：４５〜７２．５：２７．５の範囲である、請求項１に記載の難燃性ポリアミド組成物。
【請求項５】
（Ａ）および（Ｂ）が負のＸパラメーターを有し、前記Ｘパラメーターが、Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ  １９９１，２４，３８４５−３８５２におけるＴ．Ｓ．Ｅｌｌｉｓによる方法を適用し、かつ以下の式
Ｘｂｌｅｎｄ＝［（１−ｘ）（ｙ−ｘ）＋ｚ（ｘ−ｙ）］＊７．９８２
＋（１−ｙ−ｚ）（１−ｘ−ｚ）＊７．４６
−（１−ｙ−ｚ）（ｘ−ｙ）＊０．２８８
（式中、ｘおよび１−ｘが、（Ｂ）におけるメチレン反復単位とアミドフェニル反復単位の相対量を表し、ｙ、ｚおよび１−ｙ−ｚが、（Ａ）におけるメチレン反復単位、アミド反復単位およびフェニル反復単位の相対量を表す）を用いて、（Ａ）および（Ｂ）に対して計算される、請求項１〜４のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項６】
前記難燃剤システム（Ｃ）が（ジ）ホスフィン酸アルミニウムを含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の難燃性ポリアミド組成物。
【請求項７】
前記組成物の全重量に対して少なくとも５重量％の総量で無機充填剤および／または繊維強化材（Ｄ）を含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の難燃性ポリアミド組成物。
【請求項８】
難燃剤（Ｃ）を５〜２５重量％、ガラスまたは炭素繊維強化材を５〜６０重量％含む難燃性ポリアミド組成物であって、前記重量％が前記組成物の全重量に対する％である、請求項１〜７のいずれか一項に記載の難燃性ポリアミド組成物。
【請求項９】
組成物が射出成形機で加熱されてポリマー溶融物が形成される工程を含む、射出成形によって難燃性ポリアミド組成物から成形部品を製造する方法において、前記組成物が、融解温度（ＴｍＡ）を有する半結晶性半芳香族ポリアミド（Ａ）；および融解温度（ＴｍＢ）を有する半結晶性脂肪族ポリアミド（Ｂ）；を含む、請求項１〜８のいずれか一項に記載の難燃性ポリアミド組成物であり；かつ前記溶融物が、ＴｍＡを最大で１０℃超える温度に加熱されることを特徴とする、方法。
【請求項１０】
前記ポリマー溶融物が、少なくとも１００℃、好ましくは１１０〜１５０℃の範囲の金型温度を有する金型に射出される、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の組成物から製造される物品。
【請求項１２】
コネクター用のプラスチック部品である、請求項１１に記載の物品。
【請求項１３】
電子デバイス用のハウジングまたは補強フレームである、請求項１１に記載の物品。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００７】
この目的は、
（Ａ）融解温度（ＴｍＡと呼ばれる）を有し、かつ範囲７，５００〜３０，０００ｇ／モルの数平均分子量（Ｍｎ−Ａと呼ばれる）を有する、半結晶性半芳香族ポリアミド（ポリアミド（Ａ）、または（Ａ）と呼ばれる）；
（Ｂ）融解温度（ＴｍＢと呼ばれる）を有し、かつ範囲７，５００〜５０，０００ｇ／モルの数平均分子量（Ｍｎ−Ｂと呼ばれる）を有する、半結晶性脂肪族ポリアミド（ポリアミド（Ｂ）、または（Ｂ）と呼ばれる）；および
（Ｃ）ホスフィン酸および／またはジホスフィン酸の金属塩（（ジ）ホスフィン酸金属塩とも呼ばれる）を含むハロゲン不含難燃剤システム；
を含む、本発明による組成物であって、
‐  ＴｍＡがＴｍＢより高く、
‐  （Ａ）：（Ｂ）の重量比が、５０：５０〜７５：２５の範囲である、組成物を用いて達成される。