【手続補正書】
【提出日】平成29年11月2日(2017.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁界を測定するためのホールセンサにおけるオフセットを決定するための方法であって、
上記ホールセンサは、ドープした半導体材料からなる、プレート状に形成されたセンサ素子を有する少なくとも１つのホール素子を備え、
上記方法は、
ｉ）上記少なくとも１つのホール素子から、上記測定すべき磁界に実質的に依存しかつ決定すべきオフセット（ＶＯ）を含む結果を生じる第１の技術を用いることによって、第１の読み出し信号（ＶＨ）を取得することと、
ｉｉ）上記少なくとも１つのホール素子から、上記磁界に実質的に非依存であるが上記オフセット（ＶＯ）に対して相関性を有する結果を生じる第２の技術を用いることによって、第２の読み出し信号（ＶＰ）を取得することと、
ｉｉｉ）上記第２の読み出し信号（ＶＰ）を用いて、上記第１の読み出し信号（ＶＨ）におけるオフセット（ＶＯ）の予測値
【数１】
2017500733.tif 000001
を、
【数２】
2017500733.tif 000002
によって表される、所定の較正手順によって最適化されたパラメータａ及びｂを含む上記第２の読み出し信号（ＶＰ）の線形関数として取得することとを含む方法。
【請求項２】
上記オフセットの予測値
【数３】
2017500733.tif 000003
のパラメータａ及びｂは温度に依存する請求項１に記載の方法。
【請求項３】
上記較正手順は、
上記ホールセンサを、既知の磁界と、第１の温度集合から選択された既知の温度（Ｔ）とを有する環境に配置するステップと、
上記第１の温度集合の各温度（Ｔ）について、上記第１の技術を用いて取得された上記第１の読み出し信号（ＶＨ）を第１の基準信号（ＶＯｒｅｆ（Ｔ））として記録し、上記第２の技術を用いて取得された上記第２の読み出し信号（ＶＰ）を第２の基準信号（ＶＰｒｅｆ（Ｔ））として記録するステップとを含む請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】
上記ホールセンサを、既知の磁界と、第２の温度集合から選択された既知の温度とを有する環境に配置するステップと、
上記第２の温度集合の各温度について、上記第１の技術を用いて取得された上記第１の読み出し信号（ＶＨ）を第３の基準信号（ＶＯｓｅｃ（Ｔ））として記録し、上記第２の技術を用いて取得された上記第２の読み出し信号（ＶＰ）を第４の基準信号（ＶＰｓｅｃ（Ｔ））として記録するステップと、
直接的測定が利用可能ではない温度において上記基準信号を決定する必要がある場合に上記基準信号が補間されることを仮定して、（ＶＯｓｅｃ−ＶＯｒｅｆ）と（ＶＰｓｅｃ−ＶＰｒｅｆ）との間のスケール係数として上記記録された基準信号から上記パラメータｂを決定するステップとを含む較正手順により、上記パラメータｂを決定することをさらに含む請求項３記載の方法。
【請求項５】
上記オフセットの予測値
【数４】
2017500733.tif 000004
は、測定された上記第２の読み出し信号（ＶＰ）及び上記記録された基準信号から、
【数５】
2017500733.tif 000005
として決定される
請求項３又は４記載の方法。
【請求項６】
ステップｉｉ）の上記少なくとも１つのホール素子から上記第２の読み出し信号（ＶＰ）を取得することは、磁界成分が相殺されるように、少なくとも２つのホール型の測定値を有する読み出し信号の線形結合を生成することを含む請求項１〜５のうちの１つに記載の方法。
【請求項７】
ステップｉｉ）の上記少なくとも１つのホール素子から上記第２の読み出し信号（ＶＰ）を取得することは、個々のホール素子の磁界成分が互いに相殺するように相互接続されている、互いに隣接する少なくとも２つのホール素子を備えた構成の読み出しを含む請求項１〜６のうちの１つに記載の方法。
【請求項８】
ステップｉｉ）の上記少なくとも１つのホール素子から上記第２の読み出し信号（ＶＰ）を取得することは、互いに隣接する複数のホール素子に対する幾何的スピニング測定から得られた複数の測定信号の平均を計算することを含む請求項７記載の方法。
【請求項９】
少なくとも１つのホール素子は少なくとも４つのノードを備え、
ステップｉｉ）の上記少なくとも１つのホール素子から第２の読み出し信号（ＶＰ）を取得することは、上記ホール素子のファンデルパウ型の測定構成において測定信号を取得することを含み、
上記プレート状に形成されたセンサ素子のエッジに沿って定義された順序で上記各ノードをたどるとき、同じ機能を有するノードが連続して現れ、
上記第２の読み出し信号（ＶＰ）は、上記少なくとも１つのホール素子に対する２つのファンデルパウ型の測定値の差を計算することにより取得される請求項１〜５のうちの１つに記載の方法。
【請求項１０】
２つのファンデルパウ型の測定値の差を計算することは、逐次に取得された２つのファンデルパウ型の測定値の差を計算することを含む請求項９記載の方法。
【請求項１１】
２つのファンデルパウ型の測定値の差は、少なくとも２つのホールプレートの相互接続に対して単一の測定を実行することで取得される請求項９記載の方法。
【請求項１２】
ステップｉｉ）の上記少なくとも１つのホール素子から第２の読み出し信号（ＶＰ）を取得することは、上記少なくとも１つのホール素子に対する複数のファンデルパウ型の測定値の線形結合を計算することを含む請求項９〜１１のうちの１つに記載の方法。
【請求項１３】
ステップｉｉ）の上記少なくとも１つのホール素子から上記第２の読み出し信号（ＶＰ）を取得することは、磁界成分が相殺されるような少なくとも２つのホール型の測定値の線形結合を生成すること、及び／又は、少なくとも１つのファンデルパウ型の測定を含む請求項１〜５のうちの１つに記載の方法。
【請求項１４】
実際の温度（Ｔａ）を測定して上記オフセットの予測において上記実際の温度（Ｔａ）を使用することをさらに含む請求項１〜１３のうちの１つに記載の方法。
【請求項１５】
ｉｖ）上記第１の読み出し信号（ＶＨ）から上記オフセットの予測値
【数６】
2017500733.tif 000006
を除去して上記オフセット（ＶＯ）を補償することをさらに含む請求項１〜１４のうちの１つに記載の方法。
【請求項１６】
ホールセンサ（１００）を備えた半導体装置であって、
上記ホールセンサ（１００）は、
ドープした半導体材料からなる、プレート状に形成されたセンサ素子をそれぞれ有する少なくとも１つのホール素子（１０１）と、
上記少なくとも１つのホール素子（１０１）から、磁界に実質的に依存しかつ決定すべきオフセット（ＶＯ）を有する結果を生じる第１の技術を用いることによって、第１の読み出し信号（ＶＨ）を取得するセンサ手段（１０７，１０５）と、
上記少なくとも１つのホール素子（１０１）から、上記磁界に実質的に非依存であるが上記オフセット（ＶＯ）に対して相関性を有する結果を生じる第２の技術を用いることによって、第２の読み出し信号（ＶＰ）を取得するセンサ手段（１０７，１０５）と、
上記第１の読み出し信号（ＶＨ）におけるオフセット（ＶＯ）の予測値
【数７】
2017500733.tif 000007
を、
【数８】
2017500733.tif 000008
によって表される、所定の較正手順によって最適化されたパラメータａ及びｂを含む上記第２の読み出し信号（ＶＰ）の線形関数として取得する手段と、
上記オフセット（ＶＯ）の予測値
【数９】
2017500733.tif 000009
に基づいて、上記第１の読み出し信号（ＶＨ）における上記オフセット（ＶＯ）を補償する手段とを備える半導体装置。
【請求項１７】
上記オフセット（ＶＯ）を補償する手段は、上記第１の読み出し信号（ＶＨ）におけるオフセットを補償するための制御された信号源を備え、上記信号源の制御は、測定された上記第２の読み出し信号（ＶＰ）に基づく請求項１６記載の半導体装置。
【請求項１８】
上記オフセットを補償する手段は、上記第２の読み出し信号（ＶＰ）を用いて上記第１の読み出し信号（ＶＨ）における上記オフセット（ＶＯ）の予測値
【数１０】
2017500733.tif 000010
を取得するように構成されたコントローラ（１０５）を備える請求項１６記載の半導体装置。
【請求項１９】
上記コントローラ（１０５）は、
【数１１】
2017500733.tif 000011
によって表される、上記第２の読み出し信号（ＶＰ）の線形関数として、上位第１の読み出し信号（ＶＨ）における上記オフセット（ＶＯ）の予測値
【数１２】
2017500733.tif 000012
を決定するように適合され、
ａ及びｂは上記線形関数のパラメータである請求項１８記載の半導体装置。
【請求項２０】
上記半導体装置は、上記較正手順から取得された較正データを不揮発形式でオンチップで格納する記憶手段を備え、
上記記憶手段は、パラメータ値（ａ，ｂ）を格納する不揮発性メモリであり、
上記コントローラ（１０５）は、上記較正手順を行って最適化されて不揮発性メモリから検索されたパラメータａ及び／又はｂを使用するように適合されている請求項１９記載の半導体装置。
【請求項２１】
上記少なくとも１つのホール素子は、第１の接点に接続された少なくとも第１のノードと、第２の接点に接続された少なくとも第２のノードと、第３の接点に接続された少なくとも第３のノードと、第４の接点に接続された少なくとも第４のノードとを備え、
２つの接点の組は接点ペアを形成し、
上記ホールセンサ（１００）は、少なくとも２つの異なる測定構成において上記少なくとも１つのホール素子（１０１）を動作させるように構成されたスイッチングマトリックス（１０３）をさらに備え、
異なる組み合わせの接点ペアは異なる測定結果を提供する請求項１６〜２０のうちの１つに記載の半導体装置。
【請求項２２】
上記センサは、単一のホール素子から異なる測定構成の読み出し信号を逐次に決定するように適合されている請求項２１記載の半導体装置。
【請求項２３】
上記センサは、複数のホール素子から異なる測定構成の読み出し信号を同時に決定するように適合されている請求項２１記載の半導体装置。
【請求項２４】
上記半導体装置は、実際の温度（Ｔａ）を測定する温度測定手段（１０６）をさらに備え、
上記第１の読み出し信号（ＶＨ）におけるオフセットを補償する手段は、補償を行う際に上記実際の温度（Ｔａ）を使用するように適合されている請求項１６〜２３のうちの１つに記載の半導体装置。