【手続補正書】
【提出日】平成29年4月28日(2017.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィルムスタック上にハードマスクを形成するための方法であって、
チャンバの中に配設されたターゲットからシリコンを含む材料を基板の表面上にスパッタするステップと、
前記ターゲットから前記材料をスパッタするステップの間、プロセスガスの流れを送達するステップであって、前記プロセスガスが酸素、水素および窒素を含むステップと
を含み、
前記スパッタされた材料の光学特性が、前記スパッタされた材料の表面上に配設されることになるフォトレジスト層の光学特性と、意図されるリソグラフィ露光波長において実質的に同様の値を持つように、前記プロセスガス中の酸素と窒素の比が調節される、方法。
【請求項２】
前記プロセスガスが炭素をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記意図されるリソグラフィ露光波長における前記光学特性が、パターンアライメント波長における前記光学特性と異なる、屈折率および吸光係数の両方を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記スパッタされた材料がシリコン、窒素、酸素、および水素を含み、前記スパッタされた材料の前記表面における水素の濃度が、前記スパッタされた材料の厚さにわたる平均水素濃度よりも低く、または前記スパッタされた材料の前記表面における窒素の濃度が、前記スパッタされた材料の前記厚さにわたる平均窒素濃度よりも低い、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
フィルムスタック上にハードマスクを形成するための方法であって、
チャンバの中に配設されたターゲットからシリコンを含む材料を基板の表面上にスパッタするステップと、
前記ターゲットから前記材料をスパッタするステップの間、プロセスガスの流れを送達するステップであって、前記プロセスガスが酸素および窒素を含むステップと
を含み、
前記スパッタされた材料の光学特性が、前記スパッタされた材料の表面上に配設されることになるフォトレジスト層の光学特性と、意図されるリソグラフィ露光波長において実質的に同様の値を持つように、前記プロセスガス中の酸素と窒素の比が調節され、
第１のガスをイオン化するために、前記基板の前記表面の上方にプラズマを生成するステップと、次いで、
前記イオン化された第１のガスに前記基板の前記表面に衝撃を加えさせるように前記チャンバの部分に結合される電極にバイアスをかけるステップであって、前記電極にバイアスをかけるステップが前記材料にスパッタするステップの後に実施されるステップと
をさらに含む方法。
【請求項６】
前記スパッタされた材料の前記表面上に直接前記フォトレジスト層を堆積するステップをさらに含み、前記光学特性が屈折率および吸光係数の両方を含み、前記堆積されたフォトレジスト層が、１９３ｎｍの波長において、１．５と１．８の間の屈折率および０．００と０．１２の間の吸光係数の両方を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記スパッタされた材料の前記表面上に直接前記フォトレジスト層を堆積するステップであって、前記フォトレジスト層が第１のフォトレジスト層を備えるステップと、
前記第１のフォトレジスト層を使用して前記スパッタされた材料をパターン形成するステップと、
前記パターン形成されたスパッタされた材料の表面上に直接第２のフォトレジスト層を堆積するステップであって、前記第２のフォトレジスト層の光学特性が、前記第２のフォトレジスト層のリソグラフィ露光波長において、前記パターン形成されたスパッタされた材料の前記光学特性と実質的に等価な値を有するステップと、
前記第２のフォトレジストを使用して前記スパッタされた材料をパターン形成するステップと
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記スパッタされた材料の前記表面上に直接前記フォトレジスト層を堆積するステップと、
前記フォトレジスト層の中にパターンを形成するため、前記フォトレジスト層上でリソグラフィ操作を実施するステップと、
前記スパッタされた材料中の前記形成されたパターンをエッチングするステップと、
前記フォトレジスト層を取り除くステップであって、前記フォトレジスト層を取り除くステップが、リモートＯ2プラズマまたはリモートＨ2／Ｎ2プラズマを使用して前記フォトレジスト層をアッシングするステップを含むステップと
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
フィルムスタック上にハードマスクを形成するための方法であって、
チャンバの中に配設されたターゲットからシリコンを含む材料を基板の表面上にスパッタするステップと、
前記ターゲットから前記材料をスパッタするステップの間、プロセスガスの流れを送達するステップであって、前記プロセスガスが酸素および窒素を含むステップと
を含み、
前記スパッタされた材料の光学特性が、前記スパッタされた材料の表面上に配設されることになるフォトレジスト層の光学特性と、意図されるリソグラフィ露光波長において実質的に同様の値を持つように、前記プロセスガス中の酸素と窒素の比が調節され、更に、
前記スパッタされた材料の前記表面上に直接前記フォトレジスト層を堆積するステップを含む方法。
【請求項１０】
前記スパッタされた材料及び前記フォトレジスト層は、意図されるリソグラフィ露光波長において等価な屈折率及び等価な吸収係数の両方を有する請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
フィルムスタック上にハードマスクを形成するための方法であって、
チャンバの中に配設されたターゲットからシリコンを含む材料を基板の表面上にスパッタするステップと、
前記ターゲットから前記材料をスパッタするステップの間、プロセスガスの流れを送達するステップであって、前記プロセスガスが酸素および窒素を含むステップと
を含み、
前記スパッタされた材料の光学特性が、前記スパッタされた材料の表面上に配設されることになるフォトレジスト層の光学特性と、意図されるリソグラフィ露光波長において実質的に同様の値を持つように、前記プロセスガス中の酸素と窒素の比が調節される方法。
【請求項１２】
前記光学特性は、屈折率及び吸収係数を含む請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記露光波長は、１９３ｎｍである請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記プロセスガスは、炭素をさらに含んでいる請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
前記スパッタされた材料の前記光学特性が、前記フォトレジストの前記光学特性とパターンアライメント波長において実質的に異なる請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
前記スパッタされた材料が、シリコン、窒素、酸素、および水素を含み、前記スパッタされた材料の前記表面における水素の濃度が、前記スパッタされた材料の厚さにわたる平均水素濃度よりも低く、または前記スパッタされた材料の前記表面における窒素の濃度が、前記スパッタされた材料の前記厚さにわたる平均窒素濃度よりも低い、請求項１１に記載の方法。
【請求項１７】
前記基板の前記表面の疎水性を増大させるために前記チャンバの部分に結合される電極にバイアスをかけるステップを更に備えた請求項１１に記載の方法。
【請求項１８】
前記スパッタされた材料の前記表面上に直接前記フォトレジスト層を堆積するステップをさらに含む請求項１１に記載の方法。
【請求項１９】
前記光学特性が屈折率および吸光係数の両方を含み、前記堆積されたフォトレジスト層が、１９３ｎｍの波長において、１．５と１．８の間の屈折率および０．００と０．１２の間の吸光係数の両方を含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記スパッタされた材料の前記表面上に直接前記フォトレジスト層を堆積するステップであって、前記フォトレジスト層が第１のフォトレジスト層を備えるステップと、
前記第１のフォトレジスト層を使用して前記スパッタされた材料をパターン形成するステップと、
前記パターン形成されたスパッタされた材料の表面上に直接第２のフォトレジスト層を堆積するステップであって、前記第２のフォトレジスト層の光学特性が、前記第２のフォトレジスト層のリソグラフィ露光波長において、前記パターン形成されたスパッタされた材料の前記光学特性と実質的に等価な値を有するステップと、
前記第２のフォトレジストを使用して前記スパッタされた材料をパターン形成するステップと
をさらに含む請求項１１に記載の方法。
【請求項２１】
前記スパッタされた材料の前記表面上に直接前記フォトレジスト層を堆積するステップと、
前記フォトレジスト層の中にパターンを形成するため、前記フォトレジスト層上でリソグラフィ操作を実施するステップと、
前記スパッタされた材料中の前記形成されたパターンをエッチングするステップと、
前記フォトレジスト層を取り除くステップであって、前記フォトレジスト層を取り除くステップが、リモートＯ2プラズマまたはリモートＨ2／Ｎ2プラズマを使用して前記フォトレジスト層をアッシングするステップを含むステップと
をさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項２２】
フィルムスタック上にハードマスクを形成するための方法であって、
チャンバの中に配設されたターゲットからシリコンを含む材料を基板の表面上にスパッタするステップと、
前記ターゲットから前記材料をスパッタするステップの間、プロセスガスの流れを送達するステップであって、前記プロセスガスが酸素および窒素を含むステップと
を含み、
前記スパッタされた材料の光学特性が、前記スパッタされた材料の表面上に配設されることになるフォトレジスト層の光学特性と、意図されるリソグラフィ露光波長において実質的に同様の値を持つように、前記プロセスガス中の酸素と窒素の比が調節され、前記プロセスガスは、アルゴン、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノン、窒素、フォーミングガス、アンモニア、酸素、水素、水、及び炭素を含むガスからなる群から選択されるガスを含む方法。
【請求項２３】
前記プロセスガスは、メタン（ＣＨ4）、一酸化炭素（ＣＯ）、または二酸化炭素（ＣＯ2）を含む請求項２２に記載の方法。