(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
前面ガラス基板の下側にスキャン電極、サステイン電極、第１誘電層及び保護層を順次形成した前面基板と、後面ガラス基板の上側にデータ電極を形成した後面基板と、前記前面基板と後面基板との間に形成され、放電セルを区画する複数の隔壁と、隔壁の間に形成される蛍光体とを含むプラズマディスプレイパネルにおいて、前記後面基板のガラス基板と複数のデータ電極との間に少なくとも部分的に介在される透明電極層をさらに含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
前記透明電極層はデータ電極に対応して並んで形成されることを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
前記透明電極層はＩＴＯ電極であることを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
前記透明電極層の幅はデータ電極の幅より広いことを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項５】
前記透明電極層の厚さは約１００〜２０００Åであることを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項６】
前面ガラス基板の下側にスキャン電極、サステイン電極、第１誘電層及び保護層を順次形成した前面基板と、後面ガラス基板の上側にデータ電極を形成した後面基板と、前記前面基板と後面基板との間に形成され、放電セルを区画する複数の隔壁と、隔壁の間に形成される蛍光体とを含むプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記後面基板が、
ガラス基板の上側に所定厚さの透明電極膜を蒸着形成する段階と、
前記透明電極膜をデータ電極パターンに対応するパターンに形成する段階と、
前記パターン化された透明電極パターンの上にデータ電極を形成する段階と、
前記データ電極を含む後面ガラス基板の上側全面に第２誘電層を形成する段階とを含む段階で製造されることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項７】
前記透明電極層はＩＴＯ電極であることを特徴とする請求項６記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項８】
前記透明電極層の厚さは約１００〜２０００Åであることを特徴とする請求項６記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項９】
前記透明電極層の幅はデータ電極の幅より広いことを特徴とする請求項６記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はプラズマディスプレイパネル及びその製造方法に係り、より詳しくはプラズマディスプレイパネルを構成する後面基板にデータ電極を形成する過程において、データ電極が後面ガラスに含まれているナトリウム成分と反応して変色または断線することを防止することにより、後面基板の品質を向上させるプラズマディスプレイパネル及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に陰極線管を用いる従来のディスプレイ手段は、画面が大型化されると作製が困難になるとともに、大きくなるのに伴う広い設置空間が求められ、かつ重くて取扱が難しくなる。
【０００３】
これに比べて、プラズマディスプレイパネル（以下、「ＰＤＰ」という）はガス放電現象を用いて画像を表現するので、画面の完全平面化及び大型化を容易に実現できるという利点を有し、さらに、薄くすることができるので空間の確保が容易であるという利点を有している。そのため、次世代ディスプレイ手段として脚光を浴びている。
【０００４】
かかる一般的なＰＤＰの構成について添付図１〜図３を参照しつつ説明する。
【０００５】
図１は一般的なストライプ状の隔壁を有するＰＤＰの構成の一部を概略的に拡大して示した分解斜視図であり、図２は図１に示す前面基板と後面基板の結合関係を概略的に示す断面図である。
【０００６】
この図１を参照して説明すると、ＰＤＰは、ＰＤＰの画像表示面としての前面基板１０と、この前面基板１０から後面側へ離隔された後面基板１２とを所定間隔をはさんで向き合わせて配置している。
【０００７】
前面基板１０の構成について説明する。図１または図２に示すように、前面ガラス１４の下側（後面基板側）に複数のスキャン電極１６とサステイン電極１８が所定の間隔をおいて平行に配列されている。スキャン電極１６とサステイン電極１８は対となって単位セルを通っている。
【０００８】
スキャン電極１６とサステイン電極１８を形成させた前面ガラス１４の下面には第１誘電層２０ａが設けられ、その表面に放電衝撃から誘電体層を保護するＭｇＯからなる保護層２２が設けられている。
【０００９】
スキャン電極１６とサステイン電極１８は所定幅のＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）の透明導電膜で形成され、その表面に設けられたその幅より狭い幅の銀（Ａｇ）などの金属電極からなるバス電極から形成されている。通常バス電極は透明導電膜の縁に沿って配置されている。
【００１０】
一方、上述した前面基板１０に対向する後面基板１２は、図１または図２に示すように、後面ガラス２４の上側（前面ガラス側）にデータ電極２６がスキャン電極１６とサステイン電極１８に対して交差する方向に配列され、そのデータ電極２６を覆うように第２誘電層２０ｂが設けられている。
【００１１】
第２誘電層２０ｂの上側にはデータ電極の長さ方向に延びるストライプ状の隔壁２８が所定の間隔でデータ電極２６の間ごとに並んでおり、その隔壁２８、第２誘電体層２０ｂの表面を覆うようにＲＧＢ色相の蛍光体（３０ａ，３０ｂ，３０ｃ）が塗布されている。
【００１２】
上記のように、スキャン電極１６とサステイン電極１８が配置された前面基板１０とデータ電極２６が配置された後面基板１２とは所定間隔をはさんで対向して配置され、それらの縁部でフリットガラスなどの素材からなるシール部材３２を用いて相互に融着させて結合している。いうまでもなく、前面基板の電極と後面基板の電極とは互いに直交している。それぞれの交差箇所が一つのセルの位置である。
【００１３】
データ電極２６は通常銀ぺ一ストまたは銀含有の感光性ぺ一ストから印刷法またはフォト法によって形成される。このような成分のデータ電極２６は熱処理過程において後面ガラス２４に含まれているナトリウム成分と反応して変色することがあり、また断線することもある。
【００１４】
このような問題を防止する従来技術は、後面ガラス２４とデータ電極２６との間にナトリウム成分が含有されていない二酸化シリコン（ＳｉＯ２  ）膜または下地膜３４を形成し、これを焼成させて固定させた後、その上側にデータ電極２６を通常の方法で形成している。
【００１５】
しかし、図３ａに示すように二酸化シリコン膜または下地膜３４の表面は、その表面に多数の突起３６があるなど表面が粗いので、その上側に形成されるデータ電極２６は電界の集中のため、絶縁破壊及び電極断線が発生し、データ電極（Ａｇ電極）の流動が発生する。上記した表面の突起３６は基板の状態、ぺ一ストの粒径、ぺ一ストの分散性などにより発生する。
【００１６】
このようなデータ電極（Ａｇ電極）の流動のため、データ電極２６を焼成させる熱処理過程において、二酸化シリコン膜または下地膜３４は高温によってデータ電極２６の下部を良く支持できなくなり、データ電極２６の長さ方向の中心部が後面ガラス２４へ接近する方向に傾く形状を成し、相対的にデータ電極２６の両側端部はその中心部に比べて巻きあがった形状となり、印加された放電電圧がデータ電極２６の両側端部に集中するなどの不均一な放電電圧になり、これにより絶縁破壊が発生するという問題があった。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明はかかる従来の問題点を解決するためのもので、その目的は熱処理過程において、データ電極と後面ガラスとの相互反応によってデータ電極の断線が生じることを防止し、さらにデータ電極が均一な形状を保持できるようにしたＰＤＰ及びその製造方法を提供することにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するための本発明は、前面ガラス基板の下側にスキャン電極、サステイン電極、第１誘電層及び保護層を順次形成した前面基板と、後面ガラス基板の上側にデータ電極を形成した後面基板と、前記前面基板と後面基板との間に形成され、放電セルを区画する複数の隔壁と、隔壁の間に形成された蛍光体とを含むＰＤＰにおいて、前記後面基板のガラス基板と複数のデータ電極との間に少なくとも部分的に介在される透明電極層をさらに含むことを特徴とする。
【００１９】
また、前記目的を達成するための本発明方法は、前面ガラス基板の下側にスキャン電極、サステイン電極、第１誘電層及び保護層を順次形成した前面基板と、後面ガラス基板の上側にデータ電極を形成した後面基板と、前記前面基板と後面基板との間に形成され、放電セルを区画する複数の隔壁と、隔壁の間に形成される蛍光体とを含むＰＤＰの製造方法において、前記後面基板が、ガラス基板の上側に所定厚さの透明電極膜を蒸着形成する段階と、前記透明電極膜をデータ電極パターンに対応するパターンに形成する段階と、前記パターン化された透明電極パターンの上にデータ電極を形成する段階と、前記データ電極を含む後面ガラス基板の上側全面に第２誘電層を形成する段階とによって製造されることを特徴とする。
【００２０】
また、前記透明電極膜は厚さ約１００〜２０００ÅのＩＴＯ電極から形成した方が好ましい。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明実施形態のプラズマディスプレイパネルについて添付図に基づいて説明する。
【００２２】
図４に示すように本発明に係るＰＤＰは、前面ガラス１４の下側にスキャン電極１６、サステイン電極１８、第１誘電層２０ａ及び保護層２２が順次形成された前面基板１０と、後面ガラス２４の上側にデータ電極２６が形成された後面基板１２とを隔壁２８によって所定間隔離して配置している。
【００２３】
より詳しくは、後面基板１２は、後面ガラス基板２４の上側に通常のデータ電極幅より広い幅で約１００〜２０００Åの厚さに形成されたＩＴＯ電極パターンと、その上に形成されるデータ電極２６と、データ電極２６を含む後面ガラス基板２４の上側全面に形成される第２誘電層２０ｂとを備えている。即ち、本実施形態においてはデータ電極が幅広の透明電極であるＩＴＯ電極と通常の金属からなる電極とから形成されている。
【００２４】
以下、上述した後面基板１２の製造過程について、添付図５を参照しつつ、さらに詳しく説明する。
【００２５】
まず、後面ガラス基板２４の上側全面に厚さ約１００〜２０００ÅのＩＴＯ膜をスパッタリングで蒸着させ（図５ａ）、蒸着されたＩＴＯ膜の上側に感光性フォトレジスト膜（フオトマスク）を形成する（図５ｂ）。その際、感光性フォトレジスト膜のパターンはその後形成されるデータ電極パターンに少なくとも対応するパターンを有する。次に、露光及び現像（エッチング）によってデータ電極パターンに対応するＩＴＯパターン４２を形成した後（図５ｃ）、ＩＴＯパターン４２の上側に銀（Ａｇ）ぺ一ストからなるデータ電極２６を印刷法によって形成する。ここで、ＩＴＯパターン４２は印刷されるデータ電極２６の幅より広く形成した方が好ましい。その後、ＩＴＯパターン４２の上に形成されているデータ電極２６を含む後面ガラス基板２４の上側全面に第２誘電層２０ｂを形成する（図５ｅ）。
【００２６】
この様に形成されたＩＴＯパターン４２上のデータ電極２６を覆っている第２誘電層２０ｂの上に、複数の隔壁２８をデータ電極２６の間にストライプ状に形成し、隔壁２８の間に赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３色蛍光体（３０ａ，３０ｂ，３０ｃ）を塗布することにより、後面基板４０が作製される。
【００２７】
このように、後面基板１２のデータ電極２６の下地層として形成されるＩＴＯ膜は、従来の二酸化シリコンなどの下地膜３４と比較すると、別途の焼成工程が不要であり、より容易に形成することができ、耐久性、耐熱生及び優れた平坦面（表面粗度）という特性を有している。
【００２８】
上記詳細な説明では一実施形態を中心に本発明を説明したが、本発明の技術内容と添付された請求範囲から外れない限度内で多様な変形及び修正が可能なのは当該分野で通常の知識を有する者には明らかである。
【００２９】
【発明の効果】
本発明によれば、後面ガラス上にＩＴＯ透明電極層を形成し、その上にデータ電極を形成したので、データ電極の断線及び変形を防止し、データ電極を均一な形状に保持できるので、放電電圧が均一に形成され、安定的なディスプレイ駆動が行われるという効果がある。
【００３０】
また、透明電極上に銀ペーストを塗布及び焼成してデータ電極（Ａｇ電極）を形成する時、データ電極の両角部が巻かれるエッジカール現象を防止することができるという効果もある。
【００３１】
さらに、上述したＩＴＯ膜はそれ自身の焼成過程を必要としないので、製造工程が単純で且つ容易であるのみならず、工程時間を短縮させることができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来技術に係るストライプ状の隔壁を有するプラズマディスプレイパネルの構成一部を概略的に示す分解斜視図である。
【図２】図１に示す前面基板と後面基板との結合関係を概略的に示す断面図である。
【図３】図３ａは図１または図２に示すデータ電極が下地膜によって変形された一例を概略的に示す断面図であり、図３ｂは図３ａの場合によるデータ電極の変形例を概略的に示す平面図である。
【図４】本発明に係るプラズマディスプレイパネルの断面図である。
【図５】本発明に係るプラズマディスプレイパネルの後面基板の形成過程を概略的に示す断面図である。
【符号の説明】
１４  前面ガラス基板、１６  スキャン電極、１８  サスティン電極、２４  後面ガラス基板、２６  データ電極、４２  ＩＴＯ電極。
【図１】
0003554301.tif 000002
【図２】
0003554301.tif 000003
【図３】
0003554301.tif 000004
【図４】
0003554301.tif 000005
【図５】
0003554301.tif 000006