(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
バンプが形成された半導体チップと、
前記半導体チップが搭載され、前記バンプとの接合部を有する配線が形成された基板と、
を含み、
前記接合部には、前記基板側の基端部よりも、前記バンプ側の上端部が小さくなるテーパが付されており、
前記接合部を構成する材料は、前記バンプの材料よりも軟らかいものからなり、
前記接合部の前記上端部及び前記基端部は、前記バンプに入り込んでなり、
前記バンプは、前記接合部の周りの前記基板と接触してなる半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、
前記接合部は、前記バンプの範囲内で突起して形成されてなる半導体装置。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置において、
前記接合部は、ほぼ同一の縦断面が連続する線状に形成されてなる半導体装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の半導体装置において、
前記接合部は、前記上端部が尖って形成され、
前記接合部の前記上端部が、前記バンプに突き刺さってなる半導体装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の半導体装置において、
前記配線は、前記接合部に接続されるラインを有し、
前記接合部は、前記ラインの幅と同じ幅で形成されてなる半導体装置。
【請求項６】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の半導体装置において、
前記配線は、前記接合部に接続されるラインを有し、
前記接合部は、前記ラインの幅よりも、小さい幅で形成されてなる半導体装置。
【請求項７】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の半導体装置において、
前記配線は、前記接合部に接続されるラインを有し、
前記接合部は、前記ラインの幅よりも、大きい幅で形成されてなる半導体装置。
【請求項８】
請求項１から請求項７のいずれかに記載の半導体装置において、
前記バンプは、ボールバンプである半導体装置。
【請求項９】
請求項１から請求項８のいずれかに記載の半導体装置において、
導電フィラーが含有され、前記半導体チップと前記基板とを接着する接着剤をさらに含み、
前記導電フィラーは、前記バンプと前記接合部との間に介在してなる半導体装置。
【請求項１０】
請求項１から請求項９のいずれかに記載の半導体装置が実装された回路基板。
【請求項１１】
請求項１から請求項９のいずれかに記載の半導体装置を有する電子機器。
【請求項１２】
バンプが形成された半導体チップを、配線が形成された基板に実装することを含み、
前記配線は、前記バンプとの接合部を有し、
前記接合部には、前記基板側の基端部よりも、前記バンプ側の上端部が小さくなるテーパが付されており、
前記接合部を構成する材料は、前記バンプの材料よりも軟らかいものからなり、
前記実装工程で、前記接合部の前記上端部及び前記基端部を、前記バンプに入り込ませて、前記バンプを前記接合部の周りの前記基板と接触させる半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２記載の半導体装置の製造方法において、
前記接合部は、前記バンプの範囲内で突起して形成され、
前記実装工程で、前記接合部の前記上端部を、前記バンプの中央部に入り込ませる半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１２記載の半導体装置の製造方法において、
前記接合部は、ほぼ同一の縦断面が連続する線状に形成され、
前記実装工程で、前記接合部の前記上端部を、前記バンプに交わるように入り込ませる半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１２から請求項１４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記接合部は、前記上端部が尖って形成され、
前記実装工程で、前記接合部の前記上端部を、前記バンプに突き刺す半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１２から請求項１５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記実装工程で、
前記半導体チップと前記基板との間に、導電フィラーが含有された接着剤を設け、
前記導電フィラーを、前記バンプと前記接合部との間に介在させる半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器に関する。
【０００２】
【発明の背景】
フリップチップ実装では、半導体チップに設けられたバンプと、基板に形成された配線パターンと、を電気的に接続する。例えば、バンプと配線パターンとを、導電フィラーを介在させて電気的に接続する方法が知られている。実装するときには、バンプ高さを均一にするために、半導体チップを押圧することによりバンプを変形させることが多い。
【０００３】
ところで、近年、装置の小型化及び高集積化に伴って、半導体チップの電極端子数が増加する傾向にある。これにより、バンプ数も増加するため、バンプ高さを均一にするためには、半導体チップをより大きい力で押圧する必要があった。そのため、半導体チップにダメージが加えられることがあった。
【０００４】
本発明は、この問題点を解決するためのものであり、その目的は、配線パターンがバンプに入り込みやすくすることで、簡単にバンプの高さのばらつきを吸収することができる半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
（１）本発明に係る半導体装置は、バンプが形成された半導体チップと、
前記半導体チップが搭載され、前記バンプとの接合部を有する配線が形成された基板と、
を含み、
前記接合部には、前記基板側の基端部よりも、前記バンプ側の上端部が小さくなるテーパが付されており、
前記接合部を構成する材料は、前記バンプの材料よりも軟らかいものからなり、
前記接合部の前記上端部及び前記基端部は、前記バンプに入り込んでなり、
前記バンプは、前記接合部の周りの前記基板と接触してなる。
【０００６】
本発明によれば、接合部の上端部がバンプに入り込むことによって、バンプと配線との電気的な接続が図られている。接合部には、基端部よりも上端部が小さくなるテーパが付されているので、接合部がバンプに入り込みやすくなっている。すなわち、接合時にバンプが変形しやすくなっているので、バンプの高さのばらつきが簡単に吸収される。
【０００７】
（２）この半導体装置において、
前記接合部は、前記バンプの範囲内で突起して形成されてもよい。
【０００８】
これによれば、接合部の上端部がバンプよりも小さいので、より一層、上端部をバンプに入り込みやすくすることができる。
【０００９】
（３）この半導体装置において、
前記接合部は、ほぼ同一の縦断面が連続する線状に形成されてもよい。
【００１０】
これによれば、接合部の上端部をバンプに入り込みやすくし、かつ、バンプと接合部との接触面積を大きくすることができる。
【００１１】
（４）この半導体装置において、
前記接合部は、前記上端部が尖って形成され、
前記接合部の前記上端部が、前記バンプに突き刺さってもよい。
【００１２】
これによれば、接合部の上端部をバンプに突き刺すので、より一層、上端部をバンプに入り込みやすくすることができる。
【００１３】
（５）この半導体装置において、
前記配線は、前記接合部に接続されるラインを有し、
前記接合部は、前記ラインの幅と同じ幅で形成されてもよい。
【００１４】
（６）この半導体装置において、
前記配線は、前記接合部に接続されるラインを有し、
前記接合部は、前記ラインの幅よりも、小さい幅で形成されてもよい。
【００１５】
（７）この半導体装置において、
前記配線は、前記接合部に接続されるラインを有し、
前記接合部は、前記ラインの幅よりも、大きい幅で形成されてもよい。
【００１６】
（８）この半導体装置において、
前記バンプは、ボールバンプであってもよい。
【００１７】
（９）この半導体装置において、
導電フィラーが含有され、前記半導体チップと前記基板とを接着する接着剤をさらに含み、
前記導電フィラーは、前記バンプと前記接合部との間に介在してもよい。
【００１８】
（１０）本発明に係る回路基板は、上記半導体装置が実装されてなる。
【００１９】
（１１）本発明に係る電子機器は、上記半導体装置を有する。
【００２０】
（１２）本発明に係る半導体装置の製造方法は、バンプが形成された半導体チップを、配線が形成された基板に実装することを含み、
前記配線は、前記バンプとの接合部を有し、
前記接合部には、前記基板側の基端部よりも、前記バンプ側の上端部が小さくなるテーパが付されており、
前記接合部を構成する材料は、前記バンプの材料よりも軟らかいものからなり、
前記実装工程で、前記接合部の前記上端部及び前記基端部を、前記バンプに入り込ませて、前記バンプを前記接合部の周りの前記基板と接触させる。
【００２１】
本発明によれば、接合部の上端部をバンプに入り込ませることによって、バンプと配線との電気的な接続を図る。接合部には、基端部よりも上端部が小さくなるテーパが付されているので、接合部をバンプに入り込ませやすくすることができる。すなわち、バンプを変形させやすくすることができるので、バンプの高さのばらつきを簡単に吸収することができる。
【００２２】
（１３）この半導体装置の製造方法において、
前記接合部は、前記バンプの範囲内で突起して形成され、
前記実装工程で、前記接合部の前記上端部を、前記バンプの中央部に入り込ませてもよい。
【００２３】
これによれば、接合部の上端部がバンプよりも小さいので、より一層、上端部をバンプに入り込ませやすくすることができる。
【００２４】
（１４）この半導体装置の製造方法において、
前記接合部は、ほぼ同一の縦断面が連続する線状に形成され、
前記実装工程で、前記接合部の前記上端部を、前記バンプに交わるように入り込ませてもよい。
【００２５】
これによれば、接合部の上端部をバンプに入り込ませやすくし、かつ、バンプと接合部との接触面積を大きくすることができる。
【００２６】
（１５）この半導体装置の製造方法において、
前記接合部は、前記上端部が尖って形成され、
前記実装工程で、前記接合部の前記上端部を、前記バンプに突き刺してもよい。
【００２７】
これによれば、接合部の上端部をバンプに突き刺すので、より一層、上端部をバンプに入り込ませやすくすることができる。
【００２８】
（１６）この半導体装置の製造方法において、
前記実装工程で、
前記半導体チップと前記基板との間に、導電フィラーが含有された接着剤を設け、
前記導電フィラーを、前記バンプと前記接合部との間に介在させてもよい。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。ただし、本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではない。
【００３０】
（第１の実施の形態）
図１〜図３は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。図１は、本実施の形態に係る半導体装置の断面図である。図２は、図１のＩＩ‐ＩＩ線断面図であり、配線３０の長手方向の軸線に沿った断面を示している。なお、図３は、配線３０の平面図である。
【００３１】
半導体装置１は、半導体チップ１０と、基板２０と、を含む。半導体チップ１０は、基板２０にフェースダウン実装されている。
【００３２】
半導体チップ１０は、直方体であることが多いがその形状は限定されず、例えば球状であってもよい。半導体チップ１０は、複数のパッド１２を有する。パッド１２は、半導体チップ１０に形成された回路素子の外部電極であり、アルミニウム又は銅などで薄く形成される。複数のパッド１２は、半導体チップ１０の回路素子が形成された面に形成される。詳しくは、パッド１２は、半導体チップ１０の面の端部（例えば対向する２辺に沿った端部）に形成されることが多い。
【００３３】
各パッド１２には、バンプ１４が設けられることが多い。バンプ１４は、ボールバンプ法で形成されてもよい。ボールバンプ法では、キャピラリに挿通したワイヤの先端に、電気トーチによってボールを形成し、該キャピラリを操作して該ボールをパッド１２上にボンディングすることが行われる。そして、ボンディング後のボールを、ワイヤから切断してパッド１２上に残す。その後、半導体チップ１０上の複数のボールを一括してレベリング（押圧）して、バンプ１４を形成する。図１に示すように、このようにして得られたバンプ１４は、半導体チップ１０側の基端部の径よりも、上端部１５の径が小さく形成されることが多い。そして、上端部１５は、比較的平らに形成されることが多い。本実施の形態では、バンプ１４の上端部１５に、後述する配線の接合部が入り込みやすくなるようになっている。なお、バンプ１４は、電気メッキ法、無電解メッキ法などで形成されてもよい。
【００３４】
バンプ１４の高さは、限定されないが、例えば、約３５〜４５μｍであってもよい。なお、バンプ１４の形状も上述に限定されるものではない。
【００３５】
半導体チップ１０には、パッド１２の少なくとも一部を避けて、パッシベーション膜１６が形成されることが多い。パッシベーション膜１６は、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ポリイミド樹脂などで形成することができる。
【００３６】
基板２０は、有機系又は無機系のいずれの材料から形成されたものであってもよく、これらの複合構造からなるものであってもよい。有機系の材料から形成された基板２０として、例えばポリイミド樹脂からなるフレキシブル基板が挙げられる。また、無機系の材料から形成された基板２０として、例えばセラミック基板やガラス基板が挙げられる。有機系及び無機系の材料の複合構造として、例えばガラスエポキシ基板が挙げられる。なお、基板２０として、多層基板やビルドアップ型基板を用いてもよい。
【００３７】
図２に示すように、基板２０には、複数の配線３０が形成されている。各配線３０が所定の形状に引き廻されることによって、基板２０上に配線パターンが形成される。
【００３８】
各配線３０は、バンプ１４との接合部３２と、接合部３２に接続されるライン３８と、を有する。接合部３２は、配線３０のパッドであり、配線３０の端部に設けられることが多い。接合部３２及びライン３８は、同一材料で形成してもよく、エッチングなどで一体的に形成してもよい。配線３０は、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）のうちいずれか１つ又は複数の材料で形成してもよい。その場合、配線３０（特に接合部３２）は、ハンダ、スズ、金、ニッケルなどでメッキされていることが好ましい。あるいは、接合部３２及びライン３８は、それぞれ異なる材料で形成してもよい。
【００３９】
基板２０には、接合部３２を避けて、ライン３８を覆う絶縁層（図示しない）が設けられることが多い。すなわち、絶縁層が設けられる場合、接合部３２は、バンプ１４との電気的な接続を確保するために露出される。なお、絶縁層として、例えば、ソルダレジストが挙げられる。
【００４０】
図１及び図２に示すように、接合部３２は、バンプ１４側の上端部３４と、基板２０側の基端部３６と、からなる。上端部３４は、バンプ１４に入り込み、基端部３６は、基板２０に支持されている。接合部３２の上端部３４は、例えば、約１０μｍの深さでバンプ１４に入り込んでもよい。この程度、接合部３２がバンプ１４に入り込めば、接合部３２とバンプ１４との横方向の位置ずれを効果的に防止することができる。あるいは、接合部３２の上端部３４だけでなく、基端部３６もバンプ１４に入り込んでもよい。その場合、バンプ１４の上端部１５は、接合部３４の周りの基板２０の部分と接触してもよい。すなわち、接合部３２がバンプ１４で覆われてもよい。
【００４１】
接合部３２は、基板２０から突起して形成されることが好ましい。例えば、基端部３６から上端部３４までの高さ（接合部３２の高さ）は、約１５〜２５μｍ（好ましくは約２０μｍ）であってもよい。また、接合部３２には、基端部３６よりも、上端部３４が小さくなるテーパ３７が付されている。すなわち、上端部３４と基端部３６とを接続する側部は、上端部３４の頂上が小さくなるように傾斜している。こうすることで、上端部３４がバンプ１４に入り込みやすくなる。
【００４２】
本実施の形態では、接合部３２は、基板２０の平面視において、バンプ１４の範囲内に含まれるように突起している。詳しくは、接合部３２は、錐台形状をなしている。例えば、図１〜図３に示すように、接合部３２は、角錐台形状をなしてもよく、あるいは円錐台形状をなしてもよい。接合部３２の上端部３４の径は、バンプ１４の上端部１５の径よりも小さい。すなわち、接合部３２の上端部３４は、半導体チップ１０の平面視からみて、バンプ１４の上端部１５の範囲内で面接触する。こうすることで、接合部３２がバンプ１４に入り込みやすくなる。なお、本実施の形態では、図２に示すように、ライン３８は、接合部３２よりも低く形成されている。
【００４３】
図３に示すように、接合部３２の上端部３４は、半導体チップ１０の平面視において、バンプ１４の上端部１５の中央部に入り込むことが好ましい。言い換えると、バンプ１４の上端部１５には、中央部に穴（凹部）が形成される。こうすることで、それぞれの接合部３２をいずれかのバンプ１４に入り込ませたときに、各バンプ１４において変形する量がほぼ均一になる。したがって、バンプ高さのばらつきを確実に吸収することができる。
【００４４】
接合部３２を構成する材料は、バンプ１４を構成する材料よりも硬いものを使用してもよい。あるいは、接合部３２を構成する材料は、バンプ１４の材料よりも軟らかいものを使用してもよい。その場合には、接合部３２との接合時に、バンプ１４が変形しやすくなるように、接合前にバンプ１４を少しだけ変形させるようにレベリングの押圧力を小さくすればよい。
【００４５】
図３に示すように、接合部３２は、ライン３８の幅と同じ幅で形成されてもよい。すなわち、配線３０が同一幅で引き廻されてもよい。その場合、配線３０の幅は、バンプ１４の上端部１５の幅よりも小さくてもよいし、あるいは大きくてもよい。前者の場合には、テーパ３７のテーパ角度が小さくても、接合部３２の上端部３４の幅を、バンプ１４の上端部１５の幅よりも小さくすることができるので、接合部３２の上端部３４を簡単にバンプ１４に入り込ませることができる。
【００４６】
このような配線３０は、エッチング、スパッタ、メッキ処理などで形成することができる。例えば、エッチングを適用する場合には、導電箔を基板２０に貼り付け、フォトリソグラフィを適用し、マスクから露出する部分をエッチングする。本実施の形態では、接合部３２を除き、ライン３８をハーフエッチングによって薄くする。例えば、１度目のエッチングで、配線３０を接合部３２の高さと同じ高さに形成した後に、２度目のエッチングで、接合部３２を残してライン３８をさらにエッチングする方法を適用してもよい。
【００４７】
半導体チップ１０と基板２０とは、接着剤２２によって接着されている。接着剤２２は、半導体装置に加えられる熱ストレスなどの応力を緩和するアンダーフィル材であってもよい。接着剤２２には、図示しない導電フィラーが含有されてもよい。すなわち、接着剤２２は、異方性導電材料であってもよい。異方性導電材料は、熱硬化性の樹脂であってもよいし、熱可塑性の樹脂であってもよい。異方性導電材料の例として、異方性導電膜（ＡＣＦ）又は異方性導電ペースト（ＡＣＰ）が挙げられる。
【００４８】
図示しない導電フィラーは、バンプ１４と接合部３２との間に介在する。すなわち、導電フィラーもバンプ１４に入り込んで、バンプ１４の上端部１５と、接合部３２の上端部３４と、の間で押し潰される。これによれば、導電フィラーがバンプ１４の内側に取り込まれるので、電気的な接続信頼性が向上する。
【００４９】
本実施の形態に係る半導体装置によれば、接合部３２の上端部３４がバンプ１４に入り込むことによって、バンプ１４と配線３０との電気的な接続が図られている。接合部３２には、基端部３６よりも上端部３４が小さくなるテーパ３７が付されているので、接合部３２がバンプ１４に入り込みやすくなっている。すなわち、接合時にバンプ１４が変形しやすくなっているので、バンプ１４の高さのばらつきが簡単に吸収される。
【００５０】
本実施の形態に係る半導体装置は、上述のように構成されており、次に、図４（Ａ）及び図４（Ｂ）を参照して、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する。なお、上述の構成で説明した内容及び効果と重複する部分は省略する。
【００５１】
半導体チップ１０は、基板２０にフェースダウン実装される。図４（Ａ）に示すように、基板２０をステージ４０に配置する。基板２０には、接着剤２２が設けられる。接着剤２２は、液状又はゲル状で用意してもよく、シート状で用意してもよい。接着剤２２は、図示するように基板２０上に設けてもよく、あるいは半導体チップ１０に設けてもよい。
【００５２】
半導体チップ１０は、パッド１２（バンプ１４）が形成された面を基板２０に向けて配置される。すなわち、ツール４２によって、半導体チップ１０におけるパッド１２が形成された面とは反対の面を、基板２０の方向に押圧する。
【００５３】
図４（Ｂ）に示すように、ツール４２を半導体チップ１０に向けて下降させ、半導体チップ１０を基板２０の方向に押圧する。例えば、ツール４２で１０〜２０秒程度、半導体チップ１０を押圧する。接着剤２２が熱エネルギーによって接着力が発現する性質を有する場合には、押圧しながら半導体チップ１０を加熱する。
【００５４】
半導体チップ１０を基板２０に押圧すると、基板２０の接合部３２は、バンプ１４に入り込む。接合部３２には、上述のように上端部３４が小さくなるテーパ３７が付されているので、接合部３２をバンプ１４に簡単に入り込ませることができる。すなわち、バンプ１４を変形しやすくして、バンプ１４の高さの調整を簡単にできるようになっている。なお、接合部３２の上端部３４は、バンプ１４の中央部に入り込むことが好ましい。
【００５５】
こうして、半導体装置を製造することができる。本実施の形態に係る半導体装置の製造方法によれば、接合部３２の上端部３４をバンプ１４に入り込ませることによって、バンプ１４と配線３０との電気的な接続を図る。接合部３２には、基端部３６よりも上端部３４が小さくなるテーパ３７が付されているので、接合部３２をバンプ１４に入り込ませやすくすることができる。すなわち、バンプ１４を変形させやすくすることができるので、バンプ１４の高さのばらつきを簡単に吸収することができる。特に、半導体チップ１０のパッド１２が多数の場合（いわゆる多ピンの場合）には、パッド１２上のバンプ１４を変形させるために大きい押圧力を必要とするが、本実施の形態によればより小さい押圧力で半導体チップ１０の各バンプ１４の高さを均一にすることができる。
【００５６】
（第２の実施の形態）
図５〜図７は、本発明を適用した第２の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。図５は、本実施の形態に係る半導体装置の断面図である。図６は、図５のVI‐VI線断面図であり、配線５０の長手方向の軸線に沿った断面を示している。図７は、配線５０の平面図である。なお、本実施の形態では、上述の実施の形態で説明した内容のうち、いずれかを選択的に適用することができる。
【００５７】
本実施の形態では、配線５０は、バンプ１４との接合部５２と、接合部５２に接続されるライン５８と、を有する。図７に示すように、接合部５２は、ライン５８の幅よりも大きい幅で形成されている。すなわち、接合部５２は、基板２０の平面視において、ランド状に形成されてもよい。
【００５８】
接合部５２は、バンプ１４側の上端部５４と、基板２０側の基端部５６と、からなる。基端部５６の径（ランドの径）は、図５に示すようにバンプ１４の径よりも大きくてもよいし、あるいは小さくてもよい。接合部５２は、複数段を有する形状で形成されてもよい。例えば、図５に示す例では、接合部５２は、基板２０上で平らに広がる部分と、その部分よりも小さい径で突起する錐台形状と、で構成される。そして、錐台形状の基端部から上端部にかけて、テーパ５７が付されている。テーパ５７は、錐台形状の基端部よりも上端部が小さくなるように付されることが好ましい。
【００５９】
接合部５２の上端部５４は、バンプ１４に入り込む。図５及び図６に示すように、バンプ１４の上端部１５は、接合部５２のうち、基板２０上で平らに広がるランドの外周から、間隔をあけて上方に配置されてもよい。すなわち、接合部５２の錐台形状の一部のみが、バンプ１４に入り込んでもよい。あるいは、接合部５２の錐台形状の全部が、バンプ１４に入り込んでもよい。なお、錐台形状は、円錐台形状又は角錐台形状のいずれであってもよい。
【００６０】
本実施の形態においても、上述の実施の形態で説明した効果を達成することができる。
【００６１】
（第３の実施の形態）
図８〜図９（Ｂ）は、本発明を適用した第３の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。図８は、本実施の形態に係る半導体装置の断面図であり、詳しくは、配線６０の長手方向の軸線に沿った断面図である。図９（Ａ）は、配線６０の平面図であり、図９（Ｂ）は、本実施の形態の変形例に係る半導体装置の配線７０の平面図である。なお、図８とは異なる方向の断面図（配線の長手方向の軸線とは垂直な線に沿った断面図）が、上述の実施の形態で説明した図１に相当する。
【００６２】
本実施の形態においても、上述の実施の形態で説明した内容のうち、いずれかを選択的に適用することができる。
【００６３】
図８及び図９（Ａ）に示すように、本実施の形態では、配線６０は、バンプ１４との接合部６２と、接合部６２に接続されるライン６８と、を有する。図９（Ａ）に示すように、接合部６２は、ライン６８の幅と同じ幅で形成されてもよい。
【００６４】
接合部６２は、バンプ１４側の上端部６４と、基板２０側の基端部６６と、からなる。接合部６２は、ほぼ同一の縦断面が連続する線状に形成され、幅方向の側部にテーパ（図示しない）が付されている。テーパは、接合部６２の基端部６６よりも、上端部６４が細長くなるように形成され、接合部６２の縦断面は角錐台形状をなしている（図１参照）。なお、図８及び図９（Ａ）に示すように、接合部６２だけでなく、配線６０の全体がほぼ同一の縦断面が連続する線状に形成されてもよい。
【００６５】
接合部６２の上端部６４は、バンプ１４に交わるように入り込んでいる。すなわち、細長く形成された上端部６４が、バンプ１４の溝に嵌め込まれている。こうすることで、接合部６２の上端部６４をバンプ１４に入り込みやすくし、かつ、バンプ１４と接合部６２との接触面積を大きくすることができる。
【００６６】
本実施の形態に係る変形例として、図９（Ｂ）に示すように、配線７０の接合部７２は、ライン７８の幅よりも小さい幅で形成されてもよい。こうすることで、配線７０の設計の都合上、ライン７８の幅を大きくする場合であっても、接合部７２の上端部７４の幅を、簡単に、バンプ１４の上端部１５の幅よりも小さくすることができる。すなわち、接合部７２の基端部から、上端部７４にかけて付されるテーパ角度が小さくても、接合部７２の上端部７４をバンプ１４に簡単に入り込ませることができる。
【００６７】
なお、本変形例は、第１の実施の形態に適用してもよい。すなわち、接合部７２は、基板２０の平面視において、バンプ１４の範囲内で突起して形成されてもよい。詳しくは、接合部７２は、錐台形状をなしてもよい。
【００６８】
本実施の形態においても、上述の実施の形態で説明した効果を達成することができる。
【００６９】
（第４の実施の形態）
図１０は、本発明を適用した第４の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。詳しくは、図１０は、半導体装置における、配線の長手方向の軸線とは垂直な線に沿った断面図である。本実施の形態で説明する内容は、これまでに説明した全ての形態に適用することが可能である。
【００７０】
図１０に示すように、本実施の形態では、配線の接合部８２は、バンプ１４側の上端部８４と、基板２０側の基端部８６と、を有し、上端部８４が尖って形成されている。詳しくは、図１０に示すように、接合部８２は、断面において上端の方向に尖鋭の形状、例えば三角形に形成されてもよい。こうすることで、接合部８２の上端部８４をバンプ１４に突き刺すことができる。したがって、より一層、接合部８２をバンプ１４に入り込ませやすくすることができる。
【００７１】
本実施の形態において、その他の配線の形態は、上述に説明した内容のうちいずれかを選択的に適用することができる。なお、本実施の形態においても、上述の実施の形態で説明した効果を達成することができる。
【００７２】
図１１には、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置１を実装した回路基板１００が示されている。回路基板１００には、例えば、ガラスエポキシ基板などの有機系基板を使用することが一般的である。回路基板１００には、銅などからなる配線パターンが所望の回路となるように形成されていて、それらの配線パターンと半導体装置の外部端子とを機械的に接続することでそれらの電気的導通を図る。
【００７３】
そして、本発明を適用した半導体装置を有する電子機器として、図１２には、ノート型パーソナルコンピュータ２００、図１３には携帯電話３００が示されている。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。
【図２】図２は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。
【図３】図３は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る半導体装置の配線を示す図である。
【図４】図４（Ａ）及び図４（Ｂ）は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図５】図５は、本発明を適用した第２の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。
【図６】図６は、本発明を適用した第２の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。
【図７】図７は、本発明を適用した第２の実施の形態に係る半導体装置の配線を示す図である。
【図８】図８は、本発明を適用した第３の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。
【図９】図９（Ａ）及び図９（Ｂ）は、本発明を適用した第３の実施の形態に係る半導体装置の配線を示す図である。
【図１０】図１０は、本発明を適用した第４の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。
【図１１】図１１は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置が実装された回路基板を示す図である。
【図１２】図１２は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置を有する電子機器を示す図である。
【図１３】図１３は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置を有する電子機器を示す図である。
【符号の説明】
１０  半導体チップ
１４  バンプ
２０  基板
２２  接着剤
３０  配線
３２  接合部
３４  上端部
３６  基端部
３７  テーパ
３８  ライン
５０  配線
５２  接合部
５４  上端部
５６  基端部
５７  テーパ
５８  ライン
６０  配線
６２  接合部
６４  上端部
６６  基端部
６８  ライン
７０  配線
７２  接合部
７４  上端部
７８  ライン
８２  接合部
８４  上端部
８６  基端部
【図１】
0003582513.tif 000002
【図２】
0003582513.tif 000003
【図３】
0003582513.tif 000004
【図４】
0003582513.tif 000005
【図５】
0003582513.tif 000006
【図６】
0003582513.tif 000007
【図７】
0003582513.tif 000008
【図８】
0003582513.tif 000009
【図９】
0003582513.tif 000010
【図１０】
0003582513.tif 000011
【図１１】
0003582513.tif 000012
【図１２】
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【図１３】
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