【手続補正書】
【提出日】平成29年5月11日(2017.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
材料の層ごとの結合によって物体を構築する積層造形装置であって、
作業区域を収容する構築チャンバと、
前記作業区域内に堆積された材料を層ごとに結合させる高エネルギービームと、
前記作業区域の少なくとも一部にわたってガス入口からガス出口へのガス流を生成する流れデバイスと
を備え、
前記ガス入口および前記ガス出口が前記構築チャンバ内で可動となるように配置される、積層造形装置。
【請求項２】
前記作業区域にわたる前記高エネルギービームの走査経路に基づいて前記ガス入口および前記ガス出口の位置が変更されるように前記ガス入口および前記ガス出口の動きを制御するコントローラを備える、請求項１の積層造形装置。
【請求項３】
前記ガス入口および前記ガス出口は、前記ガス出口に対する前記ガス入口の位置が固定されたままとなるように、共に動くように配置されている、請求項１または２の積層造形装置。
【請求項４】
前記ガス入口および前記ガス出口は、前記ガス出口に対する前記ガス入口の位置が変動され得るように可動である、請求項１または２の積層造形装置。
【請求項５】
前記ガス入口および前記ガス出口は、前記ガス入口と前記ガス出口の間の距離が、前記物体が構築される構築プラットホームの幅より小さくなることができるように可動である、請求項４の積層造形装置。
【請求項６】
前記ガス入口および前記ガス出口は、前記ガス入口と前記ガス出口の間の距離が、物体が構築される前記作業区域の幅より小さくなることができるように可動である、請求項４または５の積層造形装置。
【請求項７】
前記ガス入口と前記ガス出口の間の距離に基づいて前記ガス入口および／または前記ガス出口を通る前記ガス流を制御するガス流デバイスを備える、請求項４乃至６のいずれか一項の積層造形装置。
【請求項８】
前記ガス入口および前記ガス出口は、少なくとも１つの線形軸に沿って前記ガス入口および前記ガス出口を動かすアセンブリ上に取り付けられる、請求項１乃至７のいずれか一項の積層造形装置。
【請求項９】
前記ガス入口および前記ガス出口は、少なくとも１つの回転軸の周りで前記ガス入口および前記ガス出口を回転させるアセンブリ上に取り付けられる、請求項８の積層造形装置。
【請求項１０】
前記ガス出口は、前記作業区域に実質上平行の方向にガスを抜き取るように配置される、請求項１乃至９のいずれか一項の積層造形装置。
【請求項１１】
前記ガス入口は、前記作業区域に実質上平行の方向にガスを推進させるように配置される、請求項１乃至１０のいずれか一項の積層造形装置。
【請求項１２】
前記ガス入口は、前記作業区域に実質上平行でない方向にガスを推進させるように配置される、請求項１乃至１０のいずれか一項の積層造形装置。
【請求項１３】
前記ガス入口および／または前記ガス出口は、前記作業区域の幅全体にわたって延出する細長い開口を備え、前記ガス入口および／または前記ガス出口は、前記開口の長手方向軸に直交する線形方向に可動である、請求項１乃至１２のいずれか一項の積層造形装置。
【請求項１４】
前記ガス入口および／または前記ガス出口は、前記作業区域の幅より小さく延出する開口を備え、前記ガス入口および／または前記ガス出口は、前記ガス入口から／前記ガス出口内へのガス流方向に直交する線形方向に可動である、請求項１乃至１２のいずれか一項の積層造形装置。
【請求項１５】
前記装置は、選択的レーザー凝固装置であり、前記構築チャンバ内の前記作業区域にわたって粉末層が連続して堆積され、各粉末層のうち構築されている前記物体の横断面に対応する部分にわたってレーザービームが走査され、粉末の前記部分を結合させる、請求項１乃至１４のいずれか一項の積層造形装置。
【請求項１６】
前記作業区域にわたって粉末を分散させるワイパーをさらに備え、前記ワイパーは、前記ガス入口および前記ガス出口の少なくとも１つと共に動くように取り付けられる、請求項１５の積層造形装置。
【請求項１７】
構築されている前記物体の幾何形状を測定するプローブをさらに備え、前記プローブは、前記ガス入口および／または前記ガス出口と共通の軸上を動くように取り付けられる、請求項１乃至１６のいずれか一項の積層造形装置。
【請求項１８】
前記プローブとの共通軸上に取り付けられた前記ガス入口および／または前記ガス出口は、第１の方向に動くように配置され、前記プローブは、前記第１の方向およびさらなる方向に動くように配置される、請求項１７の積層造形装置。
【請求項１９】
前記プローブは接触プローブである、請求項１８の積層造形装置。
【請求項２０】
前記構築チャンバ内の前記ガス入口および／または前記ガス出口の位置に基づいてガスが前記ガス入口から前記構築チャンバ内へ推進される流速を制御するコントローラを備える、請求項１乃至１９のいずれか一項の積層造形装置。
【請求項２１】
前記構築チャンバ内の前記ガス入口および／または前記ガス出口の位置に基づいてガスが前記構築チャンバから前記ガス出口を通って抜き取られる流速を制御するコントローラを備える、請求項１乃至２０のいずれか一項の積層造形装置。
【請求項２２】
材料の層ごとの結合によって物体を構築する積層造形方法であって、
構築チャンバ内の作業区域内に材料を堆積させるステップと、
前記作業区域にわたって高エネルギービームを走査させて前記材料を層ごとに結合させるステップと、
前記作業区域の少なくとも一部にわたってガス入口からガス出口へのガス流を生成する流れデバイスを動作させるステップであって、前記物体の構築中に前記ガス入口および前記ガス出口を動かすことを含む、ステップと
を含む方法。
【請求項２３】
前記ガス入口と前記ガス出口の間の距離を変動させるように前記ガス入口および前記ガス出口を動かすステップを含む、請求項２２の方法。
【請求項２４】
前記作業区域にわたるガス流の方向を変更するように前記ガス入口および前記ガス出口を動かすステップを含む、請求項２２または２３の方法。
【請求項２５】
前記構築チャンバ内の前記ガス入口および／または前記ガス出口の位置に基づいてガスが前記ガス入口から前記構築チャンバ内へ推進される流速を変更するステップを含む、請求項２２乃至２４のいずれか一項の方法。
【請求項２６】
前記構築チャンバ内の前記ガス入口および／または前記ガス出口の位置に基づいてガスが前記構築チャンバから前記ガス出口を通って抜き取られる流速を変更するステップを含む、請求項２２乃至２５のいずれか一項の方法。
【請求項２７】
前記ガス入口および前記ガス出口を動かしながら前記材料を前記高エネルギービームで走査するステップを含む、請求項２２乃至２６のいずれか一項の方法。
【請求項２８】
前記ガス入口および前記ガス出口は、前記高エネルギービームの走査経路に基づいて動かされる、請求項２２乃至２７のいずれか一項の方法。
【請求項２９】
前記作業区域にわたって粉末層を連続して堆積させるステップと、各粉末層のうち構築されている前記物体の横断面に対応する部分にわたって前記高エネルギービームを走査させて粉末の前記部分を結合させるステップとを含む、請求項２２乃至２８のいずれか一項の方法。
【請求項３０】
命令を有するデータキャリアにおいて、前記命令は、プロセッサによって実行されたとき該プロセッサに請求項１乃至２１のいずれか一項の積層造形装置を制御させて、請求項２２乃至２９のいずれか一項の方法を実施させるデータキャリア。
【請求項３１】
材料の層ごとの結合によって物体を構築する積層造形装置であって、
作業区域を収容する構築チャンバと、
前記作業区域内に堆積された材料を層ごとに結合させる高エネルギービームと、
前記作業区域の上の容積内へガスを推進させる第１の流れデバイスおよび前記容積からガスを抜き取る第２の流れデバイスであって、該第１の流れデバイスと該第２の流れデバイスの間にガス流を生成し、前記第１の流れデバイスおよび該第２の流れデバイスの少なくとも１つが前記構築チャンバ内で可動となるように配置される、第１の流れデバイスおよび第２の流れデバイスと、
所定の走査計画に応じて前記高エネルギービームによる前記材料の走査を制御し、前記走査計画に基づいて前記第１の流れデバイスおよび／または前記第２の流れデバイスの動きを制御する制御ユニットと
を備える積層造形装置。
【請求項３２】
材料の層ごとの結合によって物体を構築する積層造形方法であって、
構築チャンバ内の作業区域内に材料を堆積させるステップと、
前記作業区域にわたって高エネルギービームを走査させて所定の走査計画に応じて前記材料を層ごとに結合させるステップと、
前記高エネルギービームで結合されている前記材料を含む前記作業区域の上の容積内へガスを推進させる第１の流れデバイスおよび前記容積からガスを抜き取る第２の流れデバイスを動作させて前記第１の流れデバイスと前記第２の流れデバイスの間にガス流を生成するステップと
を含み、
さらに、前記走査計画に基づく前記物体の構築中に前記構築チャンバ内で前記第１の流れデバイスおよび前記第２の流れデバイスの少なくとも１つを動かすステップを含む方法。
【請求項３３】
命令を有するデータキャリアにおいて、前記命令は、プロセッサによって実行されたとき該プロセッサに請求項３１の積層造形装置を制御させて、請求項３２の方法を実施させるデータキャリア。
【請求項３４】
材料の層ごとの結合によって物体を構築する積層造形装置であって、
作業区域を収容する構築チャンバと、
前記作業区域内に堆積された材料を層ごとに結合させる高エネルギービームと、
前記作業区域の上の容積内へガスを推進させる第１の流れデバイスおよび前記容積からガスを抜き取る第２の流れデバイスであって、該第１の流れデバイスと該第２の流れデバイスの間にガス流を生成し、該第１の流れデバイスと該第２の流れデバイスが前記構築チャンバ内で可動となるように配置される、第１の流れデバイスおよび第２の流れデバイスと
を備える積層造形装置。
【請求項３５】
材料の層ごとの結合によって物体を構築する積層造形方法であって、
構築チャンバ内の作業区域内に材料を堆積させるステップと、
前記作業区域にわたって高エネルギービームを走査させて前記材料を層ごとに結合させるステップと、
前記高エネルギービームで結合されている前記材料を含む前記作業区域の上の容積内へガスを推進させる第１の流れデバイスおよび前記容積からガスを抜き取る第２の流れデバイスを動作させて前記第１の流れデバイスと前記第２の流れデバイスの間にガス流を生成するステップと
を含み、
さらに、前記物体の構築中に前記構築チャンバ内で前記第１の流れデバイスおよび第２の流れデバイスを動かすステップを含む方法。
【請求項３６】
命令を有するデータキャリアにおいて、前記命令は、プロセッサによって実行されたとき該プロセッサに請求項３４の積層造形装置を制御させて、請求項３５の方法を実施させるデータキャリア。
【請求項３７】
材料の層ごとの結合によって物体を構築する積層造形装置であって、
作業区域を収容する構築チャンバと、
前記作業区域内に堆積された材料を層ごとに結合させる高エネルギービームと、
構築されている前記物体の幾何形状を測定するプローブと、
前記作業区域の上の容積内へガスを推進させる第１の流れデバイスおよび前記容積からガスを抜き取る第２の流れデバイスであって、該第１の流れデバイスと該第２の流れデバイスの間にガス流を生成する第１の流れデバイスおよび第２の流れデバイスと
を備え、
前記第１の流れデバイスおよび前記第２の流れデバイスの少なくとも１つは、前記構築チャンバ内で可動となるように配置され、前記プローブは、ガス入口および／またはガス出口と共通の軸上を動くように取り付けられる、積層造形装置。
【請求項３８】
材料の層ごとの結合によって物体を構築する積層造形装置であって、
作業区域を収容する構築チャンバと、
前記作業区域内に堆積された材料を層ごとに結合させる高エネルギービームと、
前記作業区域の上の容積内へガスを推進させる第１の流れデバイスおよび前記容積からガスを抜き取る第２の流れデバイスであって、該第１の流れデバイスと該第２の流れデバイスの間にガス流を生成し、該第１の流れデバイスと該の少なくとも１つが前記構築チャンバ内で可動となるように配置される、第１の流れデバイスおよび第２の流れデバイスと、
前記作業区域にわたって粉末を分散させるワイパーであって、前記第１および前記第２の流れデバイスの少なくとも１つと共に動くように取り付けられたワイパーと
を備える積層造形装置。
【請求項３９】
材料の層ごとの結合によって物体を構築する積層造形方法であって、
構築チャンバ内の作業区域内に材料を堆積させるステップと、
前記作業区域にわたって粉末を分散させるワイパーを動かすステップと、
前記作業区域にわたって高エネルギービームを走査させて前記材料を層ごとに結合させるステップと、
前記高エネルギービームで結合されている前記材料を含む前記作業区域の上の容積内へガスを推進させる第１の流れデバイスおよび前記容積からガスを抜き取る第２の流れデバイスを動作させて、前記第１の流れデバイスと前記第２の流れデバイスの間にガス流を生成するステップと
を含み、
さらに、前記ワイパーを動かすと同時に前記物体の構築中に前記第１の流れデバイスおよび前記第２の流れデバイスの少なくとも１つを動かすステップを含む方法。
【請求項４０】
命令を有するデータキャリアにおいて、前記命令は、プロセッサによって実行されたとき該プロセッサに請求項３８の積層造形装置を制御させて、請求項３９の方法を実施させるデータキャリア。
【請求項４１】
材料の層ごとの結合によって物体を構築する積層造形装置であって、
作業区域を収容する構築チャンバと、
前記作業区域内に堆積された材料を層ごとに結合させる高エネルギービームと、
前記高エネルギービームを前記作業区域上へ誘導する光学モジュールと、
容積からガスを抜き取って前記作業区域にわたってガス流を生成する流れデバイスであって、前記構築チャンバ内で可動となるように配置された流れデバイスと、
前記流れデバイスが前記作業区域にわたる前記高エネルギービームの動きとともに動かされるように前記流れデバイスおよび前記光学モジュールの動きを制御するコントローラと
を備える積層造形装置。
【請求項４２】
前記構築チャンバから抜き取られたガスをガス出口内へ案内するガイドをさらに備え、前記ガイドは前記構築チャンバ内で可動である、請求項４１の積層造形装置。
【請求項４３】
前記ガイドはガス出口とともに可動である、請求項４１の積層造形装置。
【請求項４４】
前記コントローラは、前記光学モジュールを制御して、前記高エネルギービームを前記ガイドと前記ガス出口の間の位置へ誘導させるように配置される、請求項４２または４３の積層造形装置。