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【手続補正書】
【提出日】平成29年3月17日(2017.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１種または２種以上のリンパ球マーカーを評価することによって、組織損傷、虚血性異常、炎症性異常および／または免疫異常の患者における、間質および／または間葉系幹細胞を含んでなる医薬組成物の投与に対する臨床反応を予測する方法であって、ここで、前記リンパ球マーカーが、ＣＤ４＋リンパ球レベル、ＣＤ８＋リンパ球レベル、リンパ球のＨＬＡ−ＩＩレベルおよびこれらの組み合わせからなる群から選択されるものであることを特徴とする、方法。
【請求項２】
組織損傷、虚血性異常、炎症性異常および／または免疫異常を有するヒト被験者を治療するための、間質および／または間葉系幹細胞を含んでなる医薬組成物であって、前記治療が、
ｉ）前記ヒト被験者から得られた血液試料中のリンパ球マーカーを評価することによって、前記患者が前記医薬組成物に対して応答者か不応答者かを決定し、 
ｉｉ）前記ヒト被験者が応答者であると決定された場合に限り、前記医薬組成物を投与することとを含んでなる方法であり、
ここで、前記リンパ球マーカーが、ＣＤ４＋リンパ球レベル、ＣＤ８＋リンパ球レベル、リンパ球のＨＬＡ−ＩＩレベルおよびこれらの組み合わせからなる群から選択される方法であることと特徴とする、医薬組成物。
【請求項３】
前記全Ｔリンパ球の３５％〜５５％の範囲内の値以下のＣＤ４＋レベルを有する被験者が、応答者に分類される、請求項１に記載の方法または請求項２に記載の医薬組成物。
【請求項４】
前記全Ｔリンパ球の４５％〜６５％の範囲内の値以上のＣＤ８＋レベルを有する被験者が、応答者に分類される、請求項１に記載の方法または請求項２に記載の医薬組成物。
【請求項５】
１．５以下のＣＤ４／ＣＤ８＋比率を有する被験者が、応答者に分類される、請求項１に記載の方法または請求項２に記載の医薬組成物。
【請求項６】
リンパ球ＨＬＡ−ＩＩを同種異系間葉系幹細胞と接触させた後に、リンパ球のＨＬＡ−ＩＩレベルの減少を示す被験者が、応答者に分類される、請求項１に記載の方法または請求項２に記載の医薬組成物。
【請求項７】
前記間葉系幹細胞が、間葉系幹細胞由来の脂肪組織である、請求項１、３〜６のいずれか一項に記載の方法または請求項２〜６のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項８】
前記幹細胞が、同種異系幹細胞である、請求項１、２〜７のいずれか一項に記載の方法または請求項２〜７のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項９】
間質および／または間葉系幹細胞を含んでなる医薬組成物であって、ヒト被験者の組織損傷、虚血性異常、炎症性異常および／または免疫異常と関連する１つ以上の症状の治療、調節、予防、および／または改善のために用いられ、前記ヒト被験者が、Ｔリンパ球の３５％〜５５％の範囲内の値以下のＣＤ４＋レベルを有する、医薬組成物。
【請求項１０】
間質および／または間葉系幹細胞を含んでなる医薬組成物であって、ヒト被験者の組織損傷、虚血性異常、炎症性異常および／または免疫異常と関連する１つ以上の症状の治療、調節、予防、および／または改善のために用いられ、前記ヒト被験者が、Ｔリンパ球の４５％〜６５％の範囲内の値以上のＣＤ８＋レベルを有する、医薬組成物。
【請求項１１】
間質および／または間葉系幹細胞を含んでなる医薬組成物であって、ヒト被験者の組織損傷、虚血性異常、炎症性異常および／または免疫異常と関連する１つ以上の症状の治療、調節、予防、および／または改善のために用いられ、前記ヒト被験者が、１．５以下のＣＤ４＋／ＣＤ８比率を有する、医薬組成物。
【請求項１２】
間質および／または間葉系幹細胞を含んでなる医薬組成物であって、ヒト被験者の組織損傷、虚血性異常、炎症性異常および／または免疫異常と関連する１つ以上の症状の治療、調節、予防、および／または改善のために用いられ、前記ヒト被験者が、リンパ球のＨＬＡ−ＩＩを同種異系間葉系幹細胞と接触させた後に、リンパ球のＨＬＡ−ＩＩレベルの減少を示す、医薬組成物。
【請求項１３】
ヒト被験者の組織損傷、虚血性異常、炎症性異常および／または免疫異常と関連する１つ以上の症状を治療、調節、予防、および／または改善のために用いられ、前記ヒト被験者がＴリンパ球の３５％〜５５％の範囲内の値以下のＣＤ４＋レベルを有する医薬組成物を製造するための、間質および／または間葉系幹細胞の使用。
【請求項１４】
ヒト被験者の組織損傷、虚血性異常、炎症性異常および／または免疫異常と関連する１つ以上の症状を治療、調節、予防、および／または改善のために用いられ、前記ヒト被験者がＴリンパ球の４５％〜６５％の範囲内の値以上のＣＤ８＋レベルを有する医薬組成物を製造するための、間質および／または間葉系幹細胞の使用。
【請求項１５】
ヒト被験者の組織損傷、虚血性異常、炎症性異常および／または免疫異常と関連する１つ以上の症状の治療、調節、予防、および／または改善のために用いられ、前記ヒト被験者が１．５以下のＣＤ４＋／ＣＤ８比率を有する医薬組成物の製造のための、間質および／または間葉系幹細胞の使用。
【請求項１６】
ヒト被験者の組織損傷、虚血性異常、炎症性異常および／または免疫異常と関連する１つ以上の症状の治療、調節、予防、および／または改善のために用いられ、前記ヒト被験者がリンパ球のＨＬＡ−ＩＩを同種異系間葉系幹細胞と接触させた後に、リンパ球のＨＬＡ−ＩＩレベルの減少を示す医薬組成物の製造のための、間質および／または間葉系幹細胞の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月25日(2016.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カラーフィルタ層上に配置された透明非導電層上に配置された透明導電層内の静電容量式タッチセンサの電極構造を、パルス固体レーザを使用する直描レーザスクライビング工程によって形成する方法であって、
前記基板における前記レーザの波長、パルス長及びビームプロファイルが以下のように選択され、
ｉ）波長は２５７ｎｍ〜２６６ｎｍの範囲内、
ｉｉ）パルス長は５０ｆｓ〜５０ｎｓの範囲内、
ｉｉｉ）ビームプロファイルは前記基板にて前記ビームの全体にわたり略均一な前記出力又はエネルギー密度を有し、最大値（Ｅｍａｘ）と最小値（Ｅｍｉｎ）との間での前記出力又はエネルギー密度の均一性は１０％未満で、均一性は（Ｅｍａｘ−Ｅｍｉｎ）／（Ｅｍａｘ＋Ｅｍｉｎ）と定義される、
その結果、前記透明導電層内に溝が形成されて、各溝（groove）の両側の前記透明導電層の領域が、前記透明導電層の下の前記透明非導電層又は前記カラーフィルタ層への実質的な損傷なしに、電気的に隔絶される方法。
【請求項２】
前記パルス長が、５０ｐｓ以下である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記レーザ波長が、２５７．５ｎｍ又は２６６ｎｍのうちの１つから選択された、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
Ｅｍａｘが、１．３ｘ  Ｅａｂｌを超えず、Ｅａｂｌが、前記透明導電層のアブレーションのしきい値エネルギー密度である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記電極構造が、送信電極構造と受信電極構造の両方を含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記タッチセンサが、透明基板を含み、前記カラーフィルタ層が、前記透明基板上に準備され、前記非導電層が、前記ＲＧＢカラーフィルタ層の上に透明平坦化（transparent planarizing）層を形成し、前記透明導電層が、前記平坦化層の上に準備された、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記タッチセンサが、前記センサの上の透明カバーと前記センサの下の表示モジュールとを有する組立体の一部を構成するために使用される、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記レーザビームが、前記透明導電層の第１のサブ領域にわたって（over a first sub-area）走査され、そして前記透明導電層の別のサブ領域に進められそこで走査されるように構成され、この工程が、必要な前記領域（required areas）が走査され終わるまで繰り返される、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
形成される前記センサが、複数の前記サブ領域を含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
添付図面の図６〜図１１の１つ以上を参照して前述されたような、実質的に（substantially）カラーフィルタ層上に配置された透明非導電層上に配置された透明導電層内の静電容量式タッチセンサのための電極構造を形成する方法。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか一項に記載された方法を実行するように構成された装置であって、カラーフィルタ層上に配置された透明非導電層上に配置された透明導電層内の静電容量式タッチセンサの電極構造を直描レーザスクライビングにより形成するように構成されたパルスレーザ源を含み、前記レーザ源が、前記基板での波長、パルス長及びビームプロファイルを、
ｉ）波長は２５７ｎｍ〜２６６ｎｍの範囲内で、
ｉｉ）パルス長は５０ｆｓ〜５０ｎｓの範囲内で、
ｉｉｉ）ビームプロファイルは前記基板にて前記ビームの全体にわたり略均一な前記出力又はエネルギー密度を有し、最大値（Ｅｍａｘ）と最小値（Ｅｍｉｎ）との間での前記出力又はエネルギー密度の均一性は１０％未満で、均一性は（Ｅｍａｘ−Ｅｍｉｎ）／（Ｅｍａｘ＋Ｅｍｉｎ）と定義される、ように提供するように構成される装置。
【請求項１２】
前記パルス長が、５０ｐｓ以下である、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記レーザ源が、前記透明導電層にわたって走査され、そこに一連の溝を形成するように構成された、請求項１１に記載の装置。
【請求項１４】
前記走査を実効化させる（effect）ように構成されたミラーと、前記レーザビームを前記透明導電層上に集束させるためのｆθレンズとを含む、請求項１１に記載の装置。
【請求項１５】
前記透明導電層の複数のサブ領域にわたってレーザを走査させるステップ・アンド・スキャン工程を実行するように構成された、請求項１１〜１４のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１６】
前記レーザビームが、実質的に前記レーザビームより小さい直径を有するアパーチャを通って前記レーザビームに実質的にシルクハット形プロファイルを与えるように構成された、請求項１１〜１５のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１７】
前記レーザビームが、前記レーザビームに実質的にシルクハット形プロファイルを与えるように構成された回折光学素子に通される、請求項１１〜１５のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１８】
請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法を実行するために使用される、請求項１１〜１７のいずれか一項に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月6日(2016.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
ナトリウム挿入電極がＮａｘＭｎＯ２（ｘは０〜４）から成る請求項１に記載の二次電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
ナトリウム挿入電極がＮａｘＣｒＯ２（ｘは０〜４）から成る請求項１に記載の二次電池。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１５】
ナトリウム挿入電極がＮａｘＭｎＯ２（ｘは０〜４）から成る請求項１１に記載の方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１６】
ナトリウム挿入電極がＮａｘＣｒＯ２（ｘは０〜４）から成る請求項１１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月6日(2017.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
湿式プロセス膜の第２層と、前記第２層に結合される乾式プロセスの第１層とを含む、リチウム２次電池の多層電池セパレータ。
【請求項２】
前記第１層がポリプロピレン系樹脂からなる、請求項１に記載のセパレータ。
【請求項３】
前記ポリプロピレン系樹脂はポリプロピレンまたはポリプロピレン配合物である、請求項２に記載のセパレータ。
【請求項４】
前記第２層は、ポリエチレン系樹脂からなる、請求項１に記載のセパレータ。
【請求項５】
前記ポリエチレン系樹脂はポリエチレンを含む配合物である、請求項４に記載のセパレータ。
【請求項６】
２層より多い層を有する請求項１に記載のセパレータ。
【請求項７】
順に、ポリプロピレン層、ポリエチレン層、ポリプロピレン層の構成を有する請求項６に記載のセパレータ。
【請求項８】
順に、乾燥プロセス膜、湿式プロセス膜、乾燥プロセス膜の構成を有する請求項６に記載のセパレータ。
【請求項９】
ＴＤ／ＭＤの引張強度の比が１．５〜３．０の範囲である、請求項１に記載のセパレータ。
【請求項１０】
ＴＤ／ＭＤ引張強度の比が１．６〜２．５の範囲である、請求項１に記載のセパレータ。
【請求項１１】
ＴＤ／ＭＤ引張強度の比が１．８〜２．２の範囲である、請求項１に記載のセパレータ。
【請求項１２】
厚みが３５．０μｍ以下である、請求項１に記載のセパレータ。
【請求項１３】
厚みが５．０〜３０．０μｍの範囲である、請求項１に記載のセパレータ。
【請求項１４】
厚みが５．０〜２６．０μｍの範囲である、請求項１に記載のセパレータ。
【請求項１５】
６３０ｇｆより大きい破壊強度を有する、請求項１に記載のセパレータ。
【請求項１６】
６３０〜１５００ｇｆの範囲の破壊強度を有する、請求項１に記載のセパレータ。
【請求項１７】
少なくとも２０００Ｖの絶縁破壊を有する、請求項１に記載のセパレータ。
【請求項１８】
２０００〜５０００Ｖの範囲の絶縁破壊を有する、請求項１に記載のセパレータ。
【請求項１９】
少なくとも、湿式プロセス膜の第２ポリエチレン系樹脂に結合される乾式プロセス膜のポリプロピレン系樹脂層を含むセパレータであって、
前記セパレータは、１．５〜３．０の範囲のＴＤ／ＭＤ引張強度比と、３５．０μｍ以下の厚みと、６３０ｇｆを超える破壊強度と、少なくとも２０００Ｖの絶縁破壊とを有する、リチウム２次電池の多層電池セパレータ。
【請求項２０】
少なくとも３層を有する、請求項１９に記載のリチウム２次電池の多層電池セパレータ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2016516279.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2016516279.tif 000002
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2016516279.tif 000003
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2016516279.tif 000004
【手続補正書】
【提出日】平成29年7月27日(2017.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上で支えられる電気機械システム(EMS)ディスプレイ要素とを備える装置で
あって、前記EMSディスプレイ要素が、
第1のアンカに結合された第1のビーム電極と、
第2のアンカに結合された第2のビーム電極であって、
前記第1および前記第2のアンカが、前記基板の上で前記第1および前記第2のビーム電
極を支え、それによって、前記第1および前記第2のビーム電極にわたる電圧の印加に応答して、前記第1および前記第2のビーム電極の少なくとも一方が、前記第1および前記第2のビーム電極の他方に向かって変形する、第2のビーム電極と
を含む静電アクチュエータと、
導電性側壁を備え、前記基板に実質的に平行な近位のレベルと前記基板に実質的に平行な遠位のレベルとを有するシャッターであって、前記遠位のレベルが、前記近位のレベルが前記基板から離隔されるより大きい距離だけ前記基板から離隔され、前記導電性側壁は、前記第2のビーム電極の大部分を含み、前記近位のレベルと前記遠位のレベルを接続し、前記近位のレベルと前記遠位のレベルは前記導電性側壁と接続し、前記導電性側壁から離れて延び、前記シャッターは外周端を含み、前記シャッターの前記導電性側壁は、前記静電アクチュエータの作動時に、前記シャッターの前記外周端が前記第1のビーム電極の上または下に進むように、前記基板への前記シャッターの前記外周端の投影内に配置される、
装置。
【請求項２】
前記第1のアンカと、前記第1のアンカに最も近い近位のレベルの端部との間の最短距離が、前記第1のアンカと、前記第1のアンカに最も近い遠位のレベルの端部との間の最短距離より小さく、前記第2のビーム電極が、前記遠位のレベルにおいて前記シャッターに接続する、請求項1に記載の装置。
【請求項３】
前記第1のアンカと、前記第1のアンカに最も近い前記近位のレベルの端部との間の最短距離が、前記第1のアンカと、前記第1のアンカに最も近い前記遠位のレベルの端部との間の最短距離より小さく、前記第2のビーム電極が、前記近位のシャッターレベルにおいて前記シャッターに接続する、請求項1に記載の装置。
【請求項４】
第2の静電アクチュエータに結合され、前記シャッターの方向と反対方向に作動するよ
うに構成された第2のシャッターをさらに備え、前記シャッターおよび前記第2のシャッタ
ーが、ともに、前記基板上の光遮断層内に画定された共通の光通過領域を選択的に遮るよ
うに構成される、請求項1に記載の装置。
【請求項５】
前記EMSディスプレイ要素を含むディスプレイと、
前記ディスプレイと通信するように構成され、画像データを処理するように構成されたプロセッサと、
前記プロセッサと通信するように構成されたメモリデバイスとをさらに備える、請求項1に記載の装置。
【請求項６】
前記シャッターおよび前記第2のシャッターの各々が、前記基板に実質的に平行な遠位および近位のレベルを含み、前記シャッターおよび前記第2のシャッターが光遮断状態にあるときに、前記シャッターおよび前記第2のシャッターの前記遠位のレベルが、前記シャッターおよび前記第2のシャッターの前記近位のレベルが互いに最も近い位置から横にオフセットした位置において互いに最も接近するように、前記シャッターおよび前記第2のシャッターが構成される、請求項4に記載の装置。
【請求項７】
前記シャッターおよび前記第2のシャッターの部分が、電位差が前記シャッターと前記
第2のシャッターとにわたって印加されると、前記シャッターおよび前記第2のシャッター
が互いに引き寄せられて光遮断状態になるように、第3の静電アクチュエータの対向
する電極として働くように構成される、請求項4に記載の装置。
【請求項８】
前記シャッターと前記第2のシャッターとの間に配置され、前記シャッターおよび前記
第2のシャッターに共通の静電力を加えるように構成された中央静電アクチュエータをさ
らに備える、請求項4に記載の装置。
【請求項９】
前記ディスプレイに少なくとも1つの信号を送るように構成されたドライバ回路をさら
に備え、
前記プロセッサが、前記ドライバ回路に前記画像データの少なくとも一部分を送るよう
にさらに構成される、請求項5に記載の装置。
【請求項１０】
前記プロセッサに前記画像データを送るように構成された画像ソースモジュールをさら
に備え、前記画像ソースモジュールが、受信機、トランシーバ、および送信機のうちの少
なくとも1つを備える、請求項5に記載の装置。
【請求項１１】
入力データを受信し、前記入力データを前記プロセッサに通信するように構成された入
力デバイスをさらに備える、請求項5に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月24日(2017.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
クラウド環境において仮想アセンブリビルダーを用いて汎用製品を結合するためのシステムであって、
１つ以上のコンピュータを含み、前記コンピュータは当該コンピュータ上で実行されるクラウド環境を含み、前記システムはさらに、
仮想アセンブリアーカイブのリポジトリを維持する仮想アセンブリビルダーコンポーネントを含み、各仮想アセンブリは、アセンブリのインスタンスをインスタンス化するために使用可能な、メタデータおよび１つ以上の仮想マシンテンプレートを含むことができ、前記システムはさらに、
ユーザが、イントロスペクション時、仮想アセンブリの生成中に、仮想アセンブリのその後のリハイドレーション中にスクリプトによる編集および構成のために公開されるべき１つ以上のメタデータプロパティを特定することを可能にする、汎用製品イントロスペクタープラグインを含む、システム。
【請求項２】
スクリプトによる編集および構成のために公開されるプロパティは、アセンブリのインスタンスのインスタンス化中、インスタンスのための１つ以上の入力および出力を規定するために使用される、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
インスタンスのための１つ以上の入力および出力は１つ以上のソケットを含み、スクリプトは、アセンブリのインスタンスのインスタンス化中、１つ以上のソケットのためのホスト、ポート、および他の情報を判断するために使用される、請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
スクリプトはリハイドレーションの前に、１つ以上のソケットのためのホスト、ポート、および他の情報を修正するために、仮想アセンブリを修正することなく編集可能である、請求項３に記載のシステム。
【請求項５】
クラウド環境において仮想アセンブリビルダーを用いて汎用製品を結合するための方法であって、
１つ以上のコンピュータ上で実行されるクラウド環境を含む前記１つ以上のコンピュータに、仮想アセンブリアーカイブのリポジトリを維持する仮想アセンブリビルダーコンポーネントを提供するステップを含み、各仮想アセンブリは、アセンブリのインスタンスをインスタンス化するために使用可能な、メタデータおよび１つ以上の仮想マシンテンプレートを含むことができ、前記方法はさらに、
ユーザが、イントロスペクション時、仮想アセンブリの生成中に、仮想アセンブリのその後のリハイドレーション中にスクリプトによる編集および構成のために公開されるべき１つ以上のメタデータプロパティを特定することを可能にする、汎用製品イントロスペクタープラグインを提供するステップを含む、方法。
【請求項６】
スクリプトによる編集および構成のために公開されるプロパティは、アセンブリのインスタンスのインスタンス化中、インスタンスのための１つ以上の入力および出力を規定するために使用される、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
インスタンスのための１つ以上の入力および出力は１つ以上のソケットを含み、スクリプトは、アセンブリのインスタンスのインスタンス化中、１つ以上のソケットのためのホスト、ポート、および他の情報を判断するために使用される、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
スクリプトはリハイドレーションの前に、１つ以上のソケットのためのホスト、ポート、および他の情報を修正するために、仮想アセンブリを修正することなく編集可能である、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
１つ以上のコンピュータによって読取られて実行されると前記１つ以上のコンピュータに以下のステップを実行させる命令を含む、コンピュータ読取可能プログラムであって、前記ステップは、
１つ以上のコンピュータ上で実行されるクラウド環境を含む前記１つ以上のコンピュータに、仮想アセンブリアーカイブのリポジトリを維持する仮想アセンブリビルダーコンポーネントを提供するステップを含み、各仮想アセンブリは、アセンブリのインスタンスをインスタンス化するために使用可能な、メタデータおよび１つ以上の仮想マシンテンプレートを含むことができ、前記ステップはさらに、
ユーザが、イントロスペクション時、仮想アセンブリの生成中に、仮想アセンブリのその後のリハイドレーション中にスクリプトによる編集および構成のために公開されるべき１つ以上のメタデータプロパティを特定することを可能にする、汎用製品イントロスペクタープラグインを提供するステップを含む、コンピュータ読取可能プログラム。
【請求項１０】
スクリプトによる編集および構成のために公開されるプロパティは、アセンブリのインスタンスのインスタンス化中、インスタンスのための１つ以上の入力および出力を規定するために使用される、請求項９に記載のコンピュータ読取可能プログラム。
【請求項１１】
インスタンスのための１つ以上の入力および出力は１つ以上のソケットを含み、スクリプトは、アセンブリのインスタンスのインスタンス化中、１つ以上のソケットのためのホスト、ポート、および他の情報を判断するために使用される、請求項１０に記載のコンピュータ読取可能プログラム。
【請求項１２】
スクリプトはリハイドレーションの前に、１つ以上のソケットのためのホスト、ポート、および他の情報を修正するために、仮想アセンブリを修正することなく編集可能である、請求項１１に記載のコンピュータ読取可能プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月16日(2017.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内容のレビューを提出するプロセスにおいてユーザ固有のコンテキストを認証するための方法であって、
1つまたは複数のコンテキスト関連のパラメータを使用して前記ユーザ固有のコンテキストを決定するステップと、
前記ユーザ固有のコンテキストが前記内容の前記レビューを提出するのに適切なコンテキストであると認証するステップと、
を備える方法。
【請求項２】
前記1つまたは複数のコンテキスト関連のパラメータは少なくとも第1のモバイルデバイスの場所を示す第1のコンテキスト関連のパラメータと、第2のモバイルデバイスに対する前記第1のモバイルデバイスの位置を示す第2のコンテキスト関連のパラメータを備え、前記1つまたは複数のコンテキスト関連のパラメータを使用して前記ユーザ固有のコンテキストを決定するステップは、
前記第1のモバイルデバイスの場所を示す前記第1のコンテキスト関連のパラメータにアクセスするステップと、
前記第2のモバイルデバイスに対する前記第1のモバイルデバイスの位置を示す前記第2のコンテキスト関連のパラメータにアクセスするステップと、
前記第1のモバイルデバイスの場所および前記第2のモバイルデバイスに対する前記第1のモバイルデバイスの位置を使用して前記ユーザ固有のコンテキストを決定するステップと、
を備える請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記場所は場所の住所、場所の名前、場所のタグ、場所の座標および前記場所を示すコンテキスト情報からなる群からのものである、請求項2に記載の方法。
【請求項４】
前記内容は場所、社会的集まり、仕事、前記仕事での活動、イベント、地方のアトラクション、記事または前記記事の一部分、およびメディアクリップまたは前記メディアクリップの一部分からなる群からのものであり、
前記コンテキスト関連のパラメータは、レビューされる場所を訪れる頻度を決定するステップと、前記内容をレビューするユーザにより費やされた時間を検知するステップと、前記内容がレビューされる時刻を決定するステップと、前記内容の前記レビューの完全性を決定するステップと、レビューされる前記内容の消費可能性を決定するステップと、同様の内容をレビューするときのユーザの過去の行動を決定するステップと、前記ユーザが前記内容を見たかどうかを決定するため前記ユーザの目が注視するところを検知するステップと、デバイスが前記内容を見るために前記ユーザに適切に向けられているかを決定するステップと、前記ユーザの場所を決定するステップと、前記内容をレビューする間に前記ユーザが従事する活動を決定するステップと、前記内容とレビュアーの関係を決定するステップと、前記レビューの特異性を決定するステップとを備える群から選択される、
請求項1に記載の方法。
【請求項５】
前記内容に対する前記レビューを認証するステップは、前記コンテキスト関連のパラメータに基づきユーザが前記レビューに関連付けられた活動を実行したと決定するステップを備える、請求項1に記載の方法。
【請求項６】
前記内容に対する前記レビューを認証するステップは、前記コンテキスト関連のパラメータに基づきユーザが前記レビューに関連付けられた活動を完了したと決定するステップを備える、請求項1に記載の方法。
【請求項７】
前記活動は第2のモバイルデバイスに対する第1のモバイルデバイスの変更された位置を備え、前記活動の完了を決定するステップは、距離の閾値を超えて前記第2のモバイルデバイスに対する前記第1のモバイルデバイスの相対的な位置の距離の増加を検知するステップを備え、
前記活動の完了はさらに、時間の閾値を超えて、時間に対する前記距離の閾値を超えた距離の増加を検知するステップを備える、
請求項6に記載の方法。
【請求項８】
前記内容に対する前記レビューを提出するためのユーザインターフェースを生成する前に前記ユーザ固有のコンテキストを認証するステップをさらに備える、請求項1に記載の方法。
【請求項９】
前記内容に対する前記レビューを提出するためのユーザインターフェースを生成するステップと、前記ユーザ固有のコンテキストが認証されない場合に認証されていないレビューの処理を開始するステップをさらに備える、請求項1に記載の方法。
【請求項１０】
さらに前記ユーザ固有のコンテキストに基づき前記内容に対する前記レビューに重み付けするステップを備える、請求項1に記載の方法。
【請求項１１】
前記レビューに重み付けするステップは、非グループのレビューよりグループのレビューにより大きな重みを関連付けるステップを備え、前記グループのレビューはグループの活動に関連付けられた第1のモバイルデバイスにより生成される前記レビューである、請求項10に記載の方法。
【請求項１２】
前記グループの活動は、前記第1のモバイルデバイスをグループとして同じ活動に参加したモバイルデバイスのグループに関連付けるステップを備える、請求項11に記載の方法。
【請求項１３】
ソーシャルネットワーク情報または前記第1のモバイルデバイスと前記グループからの他のモバイルデバイスとの間の以前形成された関連付けを使用することにより、前記グループの活動を実行するグループが知られたグループであるかを決定するステップと、前記知られたグループに関連付けられた情報に基づき前記グループのレビューに対しての前記レビューに重み付けをするステップをさらに備える、請求項11に記載の方法。
【請求項１４】
前記レビューの前記ユーザ固有のコンテキストに基づき前記内容に対する前記レビューに重み付けするステップは、
前記レビューに対する前記ユーザ固有のコンテキストに基づき前記内容に対する前記レビューの信頼性を決定するステップと、
前記レビューの前記決定された信頼性に基づき前記レビューに重み付けするステップと、
を備える請求項10に記載の方法。
【請求項１５】
内容のレビューを提出するプロセスにおいてユーザ固有のコンテキストを認証する装置であって、
1つまたは複数のコンテキスト関連のパラメータを使用して前記ユーザ固有のコンテキストを決定するための手段と、
前記ユーザ固有のコンテキストが前記内容の前記レビューを提出するのに適切なコンテキストであると認証するための手段と、
を備える装置。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月27日(2017.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
空気軸受面および導波路表面を備えたスライダと、
サブマウントを所定位置に整列するように構成された機械的ストップと、
前記スライダに設けられ、サブマウントの一部を受容するように構成されたキャビティとを含む、装置。
【請求項２】
前記キャビティ内に配置され、前記スライダを前記サブマウントに連結するための接合材をさらに含む、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記スライダは、前記スライダ内に配置された導波路を含み、
前記機械的ストップは、前記サブマウント上に取付けられたレーザを前記導波路と整列するように、配置される、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記導波路表面上に位置するプラトーをさらに含む、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記プラトーは、前記サブマウント上に取付けられたレーザの端面と界面接続するように構成されている、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
方法であって、
スライダの所定位置にサブマウントの一部を受容するためのキャビティを形成する工程を含み、
前記所定位置は、前記サブマウントを前記スライダ上に整列するように動作可能である、方法。
【請求項７】
前記キャビティに接合材を配置する工程をさらに含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記スライダの前記所定位置に前記キャビティを形成する工程は、前記サブマウントに取付けられたレーザを前記スライダに配置された導波路と整列するように、前記キャビティをある位置に形成する工程を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記スライダの導波路の表面上にプラトーを形成する工程をさらに含む、請求項６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月7日(2017.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
粒子を含むアルカリ金属オキシアニオンカソード材料を作製するための方法であって、粒子は、粒子表面の少なくとも一部の上に、熱分解により蒸着した炭素コーティングを担持し、粒子は、一般式Ａ：Ｍ：Ｍ´：ＰＯ４：ＳｉＯ４を有し、
（式中、
Ａは、Ｌｉ、Ｎａ及びＫから選択される少なくとも一つのアルカリ金属であり、
Ｍは、少なくともＦｅ及び／又はＭｎであり、Ｍの平均原子価は＋２以上であり、Ｍは、酸化レベル＋１〜＋５の１以上の金属の最大１５％ａｔ．に置き換えられ得、
Ｍ´は、２＋以上の原子価の金属であり、
一般式の元素は、下記一般比１：０．９５−０．９８：０．０２から＜０．０５：ｐ：ｓで存在し、比「ｓ」が、Ｍ´の比と同等であり、比「ｐ」が（１−「ｓ」）と同等である。）
前記方法は、カソード材料の高エネルギーミル粉砕前駆体の熱工程を実施することを含み、熱工程の少なくとも一部は、炭素を含む炭素質化学物質及び／又は有機化学物質を含む気体又は蒸気雰囲気下で実施される、方法。
【請求項２】
Ｍ´がＺｒを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
気体又は蒸気雰囲気が加湿される、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
熱工程が、炭素を含む炭素質化学物質及び／又は有機化学物質を含む気体及び／又は蒸気雰囲気の外部流が供給されるゾーンを含む化学物質反応装置において実施される、請求項１から３の何れか一項に記載の方法。
【請求項５】
炭素質化学物質が、炭素を含む有機化合物の分解生成物を含む、請求項１から４の何れか一項に記載の方法。
【請求項６】
炭素質化学物質が、少なくとも４０重量％の炭素を有する化合物である、請求項１から５の何れか一項に記載の方法。
【請求項７】
炭素質化合物が、メタノール、イソプロパノール及び／又はブタノールである、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前駆体が、
ａ）アルカリ金属の少なくとも１の源化合物と、
ｂ）Ｆｅ及び／又はＭｎから選択される金属Ｍの少なくとも１の源化合物と、
ｃ）最終生成物中のＭ´が２＋以上の金属である金属Ｍ´の少なくとも１の源化合物と、
ｄ）元素Ｐが他の源化合物中に存在しない場合、Ｐの少なくとも１の源化合物と、
ｅ）元素Ｓｉが他の源化合物中に存在しない場合、Ｓｉの少なくとも１の源化合物と、
ｆ）炭素の少なくとも１の源化合物と、
を含む、請求項１から７の何れか一項に記載の方法。
【請求項９】
源化合物ｂ）が、最大で１５％のＮｉ及びＣｏから選択される１以上の他の金属、並びに／又はＭｇ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｖ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ａｉ、Ｔａ、Ｇｅ、Ｌａ、Ｙ、Ｙｂ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｓｍ、Ｃｅ、Ｈｆ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｂ及びＷからなる群から選択される１以上の異原子価若しくは等原子価金属、並びに／又はＦｅ（ＩＩＩ）の原子により部分的に置き換えられる、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
急速熱分解を実施して炭素コーティングを得ることを更に含む、請求項１から９の何れか一項に記載の方法。
【請求項１１】
炭素の有機源が、炭素コーティングを得るように前駆体中に存在し、かつ熱分解が、熱工程の間に実施される、請求項１から１０の何れか一項に記載の方法。
【請求項１２】
熱工程の前に、アルカリ金属オキシアニオンカソード材料前駆体の高エネルギーミル粉砕工程を実施することを更に含む、請求項１から１１の何れか一項に記載の方法。
【請求項１３】
高エネルギーミル粉砕工程を更に含まない、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
炭素の有機源が、高エネルギーミル粉砕工程の間にも存在する、請求項１２又は１３に記載の方法。
【請求項１５】
高エネルギーミル粉砕が、高エネルギーボールミル粉砕又は乾燥高エネルギーミル粉砕である、請求項１２から１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
熱工程が、約４００℃〜約８００℃、約４５０℃〜約８００℃、約５００℃〜約８００℃、約５２５℃〜約８００℃、約５５０℃〜約８００℃、約５７５℃〜約８００℃、約６００℃〜約８００℃、約４００℃〜約７００℃、約４５０℃〜約６５０℃又は約５００℃〜約６００℃の温度の範囲から選択される温度において作動する、請求項１から１５の何れか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月3日(2017.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
均圧オイル充填ホースに組み込むための絶縁導電ワイヤアセンブリであって、
各ワイヤが前記導電ワイヤを取り囲む絶縁層を有する、一対の導電ワイヤと、
前記絶縁ワイヤを取り囲む絶縁材料と、
前記絶縁材料を取り囲む外側絶縁層と
を備え、
所定のインピーダンスＺを有し、
前記所定のインピーダンスＺは、前記アセンブリが均圧オイル充填ジャンパホースに浸漬するときに少なくとも実質的に変化しない、アセンブリ。
【請求項２】
前記絶縁材料は、オイル充填ジャンパホースに使用される選択された圧力補償オイルの誘電率と実質的に一致する誘電率を有する、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項３】
前記絶縁材料は、移動性材料である、請求項２に記載のアセンブリ。
【請求項４】
前記絶縁材料は、シリコーンオイルの誘電率と実質的に同じ誘電率を有するシリコーン系ゲル材料である、請求項３に記載のアセンブリ。
【請求項５】
前記導電ワイヤは、１８〜２２ＡＷＧ（米国ワイヤゲージ規格）の範囲の直径を有し、各ワイヤを取り囲む前記絶縁層の厚さは、０．００５〜０．０２５インチの範囲である、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項６】
前記ワイヤ絶縁層の厚さ、前記外側絶縁層の厚さ、前記移動性絶縁材料の厚さ、および１つ以上の絶縁層の誘電率、のアセンブリパラメータの少なくとも１つが、前記所定のインピーダンスＺを提供するように選択される、請求項３に記載のアセンブリ。
【請求項７】
前記外側絶縁層は、前記移動性絶縁材料を前記絶縁導電ワイヤの周囲に保持するために前記移動性絶縁材料の周囲に巻き付けられた絶縁材料のテープを含む、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項８】
海底イーサネットジャンパホースであって、
第１の誘電率を有する圧力補償オイルを含む外側ホースと、
少なくとも１つの絶縁電気導体アセンブリと
を備え、
前記絶縁電気導体アセンブリは、所定のインピーダンスＺを有し、各ワイヤが前記導電ワイヤを取り囲む絶縁層を有する、一対の導電ワイヤと、前記絶縁ワイヤを取り囲む絶縁材料と、前記絶縁材料を取り囲み、かつそれを含む外側絶縁層とを備え、
前記絶縁電気導体アセンブリは、前記外側ホース内で前記オイルに浸漬され、前記外側ホースの長さに沿って延在し、
前記絶縁電気導体アセンブリの前記所定のインピーダンスＺは、前記外側ホース内の圧力補償オイルに浸漬するときに少なくとも実質的に変化しない、
ホース。
【請求項９】
前記絶縁材料は、前記圧力補償オイルの誘電率と実質的に一致する誘電率を有する、請求項８に記載のホース。
【請求項１０】
前記所定のインピーダンスは、空気中、および前記ホース内の前記圧力補償オイルに浸漬したときに約１００オームである、請求項９に記載のホース。
【請求項１１】
前記少なくとも１つ絶縁電気導体アセンブリは、前記オイルに浸漬され、前記ホースの長さに沿って並んで延在する２つ以上の同一の絶縁電気導体アセンブリを含む、請求項８に記載のホース。
【請求項１２】
前記絶縁導体アセンブリ内の前記絶縁ワイヤの対は、ツイストペア構成である、請求項１１に記載のホース。
【請求項１３】
前記導電ワイヤと電気通信する接点を有する前記ホースの各端部で固着された端部継ぎ手をさらに備え、前記端部継ぎ手は、水中で嵌合可能なコネクタユニットを備える、請求項８に記載のホース。
【請求項１４】
前記絶縁材料は、移動性絶縁材料を含み、
前記少なくとも１つの絶縁電気導体アセンブリの前記外側絶縁層は、前記移動性絶縁材料を前記絶縁導電ワイヤの周囲に保持するために、前記移動性絶縁材料の周囲に巻き付けられた絶縁材料のテープを含む、請求項８に記載のホース。
【請求項１５】
インピーダンス制御海底イーサネットホースを作製する方法であって、
各々が前記導電ワイヤ上に延在する絶縁層を有する、一対の導電ワイヤを第１の誘電率を有する絶縁ゲル材料で取り囲むことによって少なくとも１つの絶縁導体アセンブリを形成することと、前記絶縁導電ワイヤの周囲に前記ゲル材料を保持するために前記絶縁ゲル材料の周囲に絶縁材料の外側絶縁層を巻き付けることと、
前記導電ワイヤ径、ワイヤ絶縁層材料および厚さ、ならびに外側絶縁層材料および厚さは、前記絶縁導体アセンブリが所定のインピーダンスＺを有するように選択され、
絶縁材料の可撓性ホースを圧力補償オイルで充填し、前記可撓性ホースは、均圧オイル充填ジャンパホースを含むことと、
前記圧力補償オイルに少なくとも１つの絶縁導体アセンブリを浸漬させることにより、前記絶縁導体アセンブリが前記オイル充填ジャンパホースの長さに沿って延在するようにする、浸漬させることと、
前記圧力補償オイルは、前記第１の誘電率に少なくとも実質的に等しい誘電率を有し、前記絶縁導体アセンブリが前記均圧オイル充填ジャンパホースに浸漬するときに前記所定のインピーダンスＺが少なくとも実質的に変化しないことと、
前記均圧オイル充填ジャンパホースの両端を、前記導電ワイヤの両端と電気通信する接点を有する第１および第２の水中コネクタユニットに取り付けることと
を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月10日(2017.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
近年の縦型ＭＯＳＦＥＴ素子内のＲｄｓＯｎの低減が、電源効率に著しい改善をもたらした。しかし、前記ＲｄｓＯｎは、依然として温度と共に増加する。これらの素子を組み込んでいるシステム、特に様々な動作周期および／または様々な周囲温度で動作するシステムは、温度に伴う変動の低減を示すＲｄｓＯｎによって大いに利益を得るであろうと考えられる。
この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、以下のものがある（国際出願日以降国際段階で引用された文献及び他国に国内移行した際に引用された文献を含む）。
（先行技術文献）
（特許文献）
（特許文献１）  米国特許第４，８３７，６０６号明細書
（特許文献２）  米国特許第５，３０４，９１８号明細書
（特許文献３）  米国特許出願公開第２０１３／００４９１５９号明細書
（特許文献４）  米国特許出願公開第２０１２／００４９３２４号明細書
（特許文献５）  米国特許出願公開第２００７／０２４７８９６号明細書
（特許文献６）  米国特許出願公開第２００２／００１４６５８号明細書
（特許文献７）  米国特許出願公開第２００８／０３１８４００号明細書
（特許文献８）  米国特許出願公開第２０１２／０１２６３１３号明細書
（特許文献９）  米国特許出願公開第２００５／０２４２８７０号明細書
【手続補正書】
【提出日】平成29年2月15日(2017.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のｎ型金属またはｐ型金属の仕事関数を有する第１の材料と、
前記第１の材料を含む第１の複数の隣接するゲートと、
前記第１の材料を含む第２の複数の隣接するゲートと、
前記第１の複数の隣接するゲートと前記第２の複数の隣接するゲートとの間に位置し、前記第１の材料とは逆の仕事関数を有する第２の材料を含むダミーゲートと
を備える、金属酸化物半導体（ＭＯＳ）デバイス。
【請求項２】
前記第１の材料が、ｎ型金属の仕事関数を有する材料を含む、請求項１に記載のＭＯＳデバイス。
【請求項３】
前記第２の材料が、ｐ型金属の仕事関数を有する材料を含む、請求項２に記載のＭＯＳデバイス。
【請求項４】
前記第１の材料が、ｐ型金属の仕事関数を有する材料を含む、請求項１に記載のＭＯＳデバイス。
【請求項５】
前記第２の材料が、ｎ型金属の仕事関数を有する材料を含む、請求項４に記載のＭＯＳデバイス。
【請求項６】
相補型ＭＯＳデバイス（ＣＭＯＳ）を形成するための第２のＭＯＳデバイスをさらに備え、前記第２のＭＯＳデバイスが、
前記第２の材料を含む第３のゲートと、
前記第２の材料を含む第４のゲートと、
前記第３のゲートと前記第４のゲートとの間に位置し、前記第１の材料を含む第２のダミーゲートと
を備える、請求項１に記載のＭＯＳデバイス。
【請求項７】
前記第１のＭＯＳデバイスと前記第２のＭＯＳデバイスとの間に浅溝分離構造（ＳＴＩ）をさらに含む、請求項６に記載のＭＯＳデバイス。
【請求項８】
前記ダミーゲートは、ゲート誘電体上に配置され、前記ダミーゲート下に分離埋込ゾーンがない、請求項１に記載のＭＯＳデバイス。
【請求項９】
前記ＭＯＳデバイスは、実質的に平面状のデバイスである、請求項１に記載のＭＯＳデバイス。
【請求項１０】
前記ＭＯＳデバイスは、フィンベースの電界効果トランジスタ（ＦｉｎＦＥＴ）デバイスである、請求項１に記載のＭＯＳデバイス。
【請求項１１】
前記ＭＯＳデバイスは、半導体ダイに集積される、請求項１に記載のＭＯＳデバイス。
【請求項１２】
第１のｎ型金属またはｐ型金属の仕事関数を有する第１の材料を提供するステップと、
活性領域上に、約１８よりも大きい誘電率を有するゲート誘電体を形成するステップと、
前記ゲート誘電体上に前記第１の材料を含む第１の複数の隣接するゲートを形成するステップと、
前記ゲート誘電体上に前記第１の材料を含む第２の複数の隣接するゲートを形成するステップと、
前記ゲート誘電体上に、前記第１の材料とは逆の仕事関数を有する第２の材料を含むダミーゲートを形成するステップと、
前記第１の複数の隣接するゲートと前記第２の複数の隣接するゲートとの間に、前記第１の材料とは逆の仕事関数を有する第２の材料を含む前記ダミーゲートを配置するステップと
を含む、金属酸化物半導体（ＭＯＳ）デバイスを形成する方法。
【請求項１３】
前記第１の材料はｎ型金属の仕事関数を有する材料を含み、前記第２の材料はｐ型金属の仕事関数を有する材料を含み、
前記ダミーゲートを接地するステップをさらに含み、
前記第２のゲートの近くにソースを形成するステップをさらに含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１の材料がｐ型金属の仕事関数を有する材料を含み、前記第２の材料がｎ型金属の仕事関数を有する材料を含み、
電圧ソースに前記ダミーゲートを接続するステップをさらに含み、
前記第２のゲートの近くにソースを形成するステップをさらに含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
ＣＭＯＳデバイスを形成するために、前記第１のＭＯＳデバイスとともに第２のＭＯＳデバイスを形成するステップをさらに含み、
前記第２のＭＯＳデバイスを形成するステップは、前記第２のＭＯＳデバイス内にダミーゲートを形成するステップを含む、請求項１２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年6月1日(2017.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
アパーチャモジュール２０６および２１６のアパーチャ／スリットは、各々が放射線の回折限界以下であるサイズを有するように寸法付けられる。アパーチャは、回折限界の少なくとも数倍だけ互いから離されて、迷放射線の発生およびスポット間のクロストークを最小にすることができる。一例において、開口数（ＮＡ）が０．９０μｍの照明レンズについての約７００ｎｍの波長の光の回折限界は約０．８０μｍであり、その結果、直径が０．６０μｍの丸いピンホールが、（対物レンズ２１０の倍率について調整されている）かかるレンズに、適当に小さなアパーチャを付与するようになる。検出器はまた、それぞれが、ピンホール面積以下の面積において光を検出するようなサイズにされたセンサを好ましくは含む。ピンホールおよびセンサは、クロストークを最小にするように、５μｍの距離だけ離れることもできる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
１つ以上の分光サブバンドフィルタを照明ビームの照明瞳に置いて、異なるサブバンドの波長範囲を達成することができる。示すように、分光サブバンドフィルタ４０４が、対物レンズ２１０とコリメータレンズ４０２との間に置かれている。しかし、システムは、分光サブバンドフィルタが位置付けられていてよい照明瞳を形成するためのいずれの数およびタイプのレンズを含んでいてもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
次いで、合わされた出力ビームが、ダイクロイックミラー５１４ａおよび５１４ｂによって、それぞれの波長帯に分割される。次いで、２つの異なる波長帯における各出力ビームが、出力ビーム光学システム（例えば、レンズ５１２ａおよび５１２ｂ、５０８ａおよび５０８ｂを通って方向付けられ、ビームスプリッタ５１０ａおよび５１０ｂから検出器５１７ａおよび５１７ｂ上に反射される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2016516307.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月13日(2017.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハンドルウエハ、シリコン層、およびハンドルウエハとシリコン層との間の誘電体層を含み、シリコン層は構造の外の面を規定する劈開面を有する、シリコンオンインシュレータ構造を処理する方法であって、この方法は、
アルゴン、水素、ヘリウム、およびそれらの混合からなるグループから選択されたガスを含む雰囲気中で、少なくとも約９５０℃の温度で、構造を熱アニールする工程であって、この雰囲気は、約１０ｐｐｍより少ない酸素を含む工程と、
劈開面の上で非接触平坦化処理を行う工程と、を含む方法。
【請求項２】
構造は、純アルゴン雰囲気中でアニールされる請求項１に記載の方法。
【請求項３】
構造は、約１０５０℃から約１２００℃までの温度でアニールされる請求項１に記載の方法。
【請求項４】
構造は、約１５分間から約１０時間の期間アニールされる請求項１に記載の方法。
【請求項５】
雰囲気は、約１ｐｐｍより少ない水蒸気を含む請求項１に記載の方法。
【請求項６】
非接触平坦化処理は、劈開面上でのエピ平坦化処理を含む請求項１に記載の方法。
【請求項７】
ハンドルウエハ、シリコン層、およびハンドルウエハとシリコン層との間の誘電体層を含み、シリコン層は構造の外の面を規定する劈開面を有する、シリコンオンインシュレータ構造のライトポイント欠陥を低減する方法であって、この方法は、
アルゴン、水素、ヘリウム、およびそれらの混合からなるグループから選択されたガスを含む雰囲気中で、少なくとも約９５０℃の温度で、構造を熱アニールする工程であって、この雰囲気は、約１０ｐｐｍより少ない酸素を含む工程と、
構造の上で非接触平坦化処理を行う工程と、を含む方法。
【請求項８】
構造は、純アルゴン雰囲気中でアニールされる請求項７に記載の方法。
【請求項９】
構造は、約１０５０℃から約１２００℃までの温度でアニールされる請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
構造は、約１５分間から約１０時間の期間アニールされる請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
雰囲気は、約１ｐｐｍより少ない水蒸気を含む請求項７に記載の方法。
【請求項１２】
非接触平坦化処理は、劈開面上でのエピ平坦化処理を含む請求項７に記載の方法。
【請求項１３】
方法は、直径が約６０ｎｍから約７０ｎｍのライトポイント欠陥を、構造あたりわずか約１５０まで減らす請求項７に記載の方法。
【請求項１４】
ハンドルウエハ、シリコン層、およびハンドルウエハとシリコン層との間の誘電体層を含み、シリコン層は構造の外の面を規定する劈開面を有する、シリコンオンインシュレータ構造の表面粗さを低減する方法であって、この方法は、
アルゴン、水素、ヘリウム、およびそれらの混合からなるグループから選択されたガスを含む雰囲気中で、少なくとも約９５０℃の温度で、構造を熱アニールする工程であって、この雰囲気は、約１０ｐｐｍより少ない酸素を含む工程と、
構造の上で非接触平坦化処理を行う工程と、を含む方法。
【請求項１５】
構造は、純アルゴン雰囲気中でアニールされる請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
構造は、約１０５０℃から約１２００℃までの温度でアニールされる請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
構造は、約１５分間から約１０時間の期間アニールされる請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
雰囲気は、約１ｐｐｍより少ない水蒸気を含む請求項１４に記載の方法。
【請求項１９】
方法は、構造の表面の粗さ測定システム粗さを、約１μｍ×約１μｍから約３０μｍ×約３０μｍのスキャンサイズでの測定で、約０．２ｎｍより小さく減らす請求項１４に記載の方法。
【請求項２０】
ハンドルウエハ、シリコン層、およびハンドルウエハとシリコン層との間の誘電体層を含み、シリコン層は構造の外の面を規定する劈開面を有する、シリコンオンインシュレータ構造を処理する方法であって、この方法は、
純アルゴン雰囲気中で、少なくとも約９５０℃の温度で、構造を熱アニールする工程であって、この雰囲気は、約１０ｐｐｍより少ない酸素を含む工程と、
劈開面の上で非接触平坦化処理を行う工程と、を含む方法。