【手続補正書】
【提出日】平成28年11月21日(2016.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
X-線回折パターンを有する結晶性モレキュラーシーブであって、該モレキュラーシーブが少なくとも以下の特徴：
(i) 2θ8.90(±0.30)度で最大値を有する第一のピーク、該ピークはバックグラウンドを超える強度ImaxAを有し、および2θ7.96(±0.30)度で最大値を有する第二のピークと交差して、バックグラウンドを超える強度IminAを有し、IminA/ImaxAの比が>0.33となるような極小値を形成しており；ならびに
(ii) 2θ24.0(±0.30)度で最大値を有する第三のピーク
を有する結晶性モレキュラーシーブ。
【請求項２】
前記第三のピークが、バックグラウンドを超える強度ImaxBを有し、および2θ23.2(±0.20)度で最大値を有する第四のピークと交差しており、該第三および第四ピークの交差が、バックグラウンドを超える強度IminBを有し、IminB/ImaxBの比が>0.90となるような極小値を形成する、請求項１に記載のモレキュラーシーブ。
【請求項３】
100m2/gを超える外部表面積(窒素の物理吸着のためのt-プロット法により決定される)を有する結晶を含む、請求項１または請求項２に記載のモレキュラーシーブ。
【請求項４】
前記第三のピークがバックグラウンドを超える強度ImaxBを有し、および2θ23.2(±0.20)度で最大値を有する第四のピークと交差して、該第三および第四ピークの交差点で変曲点を示す複合ピークを形成する、請求項１に記載のモレキュラーシーブ。
【請求項５】
IminA/ImaxAの比が少なくとも0.40である、請求項１〜４の何れかに記載のモレキュラーシーブ。
【請求項６】
モレキュラーシーブがZSM-5の骨組構造を有する、請求項１〜５の何れかに記載のモレキュラーシーブ。
【請求項７】
ZSM-5の骨組構造を有するモレキュラーシーブであって、該モレキュラーシーブが、窒素の物理吸着のためのt-プロット法により決定された100m2/gを超える外部表面積および2θ24.0(±0.30)度で最大値を有する複合ピークを有するX-線回折パターンを有する結晶を含み、該複合ピークはバックグラウンドを超える強度ImaxBを有し、および2θ23.2(±0.20)度で最大値を有する複合ピークと交差して、バックグラウンドを超える強度IminBを有し、IminB/ImaxBの比が>0.90となるような極小値を形成するモレキュラーシーブ。
【請求項８】
前記モレキュラーシーブが、200m2/gを超える、好ましくは250m2/gを超える、より好ましくは550m2/gを超える外部表面積(窒素の物理吸着のためのt-プロット法により決定される)を有する結晶を含む、請求項１〜７の何れかに記載のモレキュラーシーブ。
【請求項９】
ZSM-5の骨組構造を有するモレキュラーシーブであって、該モレキュラーシーブが、200m2/gを超える外部表面積(窒素の物理吸着のためのt-プロット法により決定される)、および2θ21.5〜26度の範囲内に単一の拡散した複合的特徴を有するX-線回折パターンを有する結晶を含むモレキュラーシーブ。
【請求項１０】
前記モレキュラーシーブが、モル関係：
X2O3:(n)YO2
（ここで、nは少なくとも約20であり、Xは三価の元素であり、およびYは四価の元素である）
を含む組成を有する、請求項１〜９の何れかに記載のモレキュラーシーブ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
本発明を特定の態様を参照して記載し、また説明してきたが、当業者は、本発明が必ずしも本明細書に説明されていない様々な変法に対して適していることを理解するであろう。即ち、この理由のために、本発明の真の範囲を決定するためには、添付した特許請求の範囲のみを参照すべきである。
本発明のまた別の態様は、以下のとおりであってもよい。
〔１〕X-線回折パターンを有する結晶性モレキュラーシーブであって、該モレキュラーシーブが少なくとも以下の特徴：
(i) 2θ8.90(±0.30)度で最大値を有する第一のピーク、該ピークはバックグラウンドを超える強度ImaxAを有し、および2θ7.96(±0.30)度で最大値を有する第二のピークと交差して、バックグラウンドを超える強度IminAを有し、IminA/ImaxAの比が>0.33となるような極小値を形成しており；ならびに
(ii) 2θ24.0(±0.30)度で最大値を有する第三のピーク
を有する結晶性モレキュラーシーブ。
〔２〕前記第三のピークが、バックグラウンドを超える強度ImaxBを有し、および2θ23.2(±0.20)度で最大値を有する第四のピークと交差しており、該第三および第四ピークの交差が、バックグラウンドを超える強度IminBを有し、IminB/ImaxBの比が>0.90となるような極小値を形成する、前記〔1〕に記載のモレキュラーシーブ。
〔３〕100m2/gを超える外部表面積(窒素の物理吸着のためのt-プロット法により決定される)を有する結晶を含む、前記〔1〕または前記〔2〕に記載のモレキュラーシーブ。
〔４〕前記第三のピークがバックグラウンドを超える強度ImaxBを有し、および2θ23.2(±0.20)度で最大値を有する第四のピークと交差して、該第三および第四ピークの交差点で変曲点を示す複合ピークを形成する、前記〔1〕に記載のモレキュラーシーブ。
〔５〕IminA/ImaxAの比が少なくとも0.40である、前記〔1〕〜〔4〕の何れかに記載のモレキュラーシーブ。
〔６〕モレキュラーシーブがZSM-5の骨組構造を有する、前記〔1〕〜〔5〕の何れかに記載のモレキュラーシーブ。
〔７〕ZSM-5の骨組構造を有するモレキュラーシーブであって、該モレキュラーシーブが、窒素の物理吸着のためのt-プロット法により決定された100m2/gを超える外部表面積および2θ24.0(±0.30)度で最大値を有する複合ピークを有するX-線回折パターンを有する結晶を含み、該複合ピークはバックグラウンドを超える強度ImaxBを有し、および2θ23.2(±0.20)度で最大値を有する複合ピークと交差して、バックグラウンドを超える強度IminBを有し、IminB/ImaxBの比が>0.90となるような極小値を形成するモレキュラーシーブ。
〔８〕前記モレキュラーシーブが、200m2/gを超える外部表面積(窒素の物理吸着のためのt-プロット法により決定される)を有する結晶を含む、前記〔1〕〜〔7〕の何れかに記載のモレキュラーシーブ。
〔９〕ZSM-5の骨組構造を有するモレキュラーシーブであって、該モレキュラーシーブが、200m2/gを超える外部表面積(窒素の物理吸着のためのt-プロット法により決定される)、および2θ21.5〜26度の範囲内に単一の拡散した複合的特徴を有するX-線回折パターンを有する結晶を含むモレキュラーシーブ。
〔１０〕前記モレキュラーシーブが、250m2/gを超える外部表面積(窒素の物理吸着のためのt-プロット法により決定される)を有する結晶を含む、前記〔1〕〜〔9〕の何れかに記載のモレキュラーシーブ。
〔１１〕前記モレキュラーシーブが、その内部表面積を超える外部表面積(窒素の物理吸着のためのt-プロット法により決定される)を有する結晶を含む、前記〔1〕〜〔10〕の何れかに記載のモレキュラーシーブ。
〔１２〕前記モレキュラーシーブが、550m2/gを超える全表面積(窒素の物理吸着のためのt-プロット法により決定される)を有する結晶を含む、前記〔1〕〜〔11〕の何れかに記載のモレキュラーシーブ。
〔１３〕前記モレキュラーシーブが、モル関係：
X2O3:(n)YO2
（ここで、nは少なくとも約20であり、Xは三価の元素であり、およびYは四価の元素である）
を含む組成を有する、前記〔1〕〜〔12〕の何れかに記載のモレキュラーシーブ。
〔１４〕Xがアルミニウムを含み、かつYがケイ素および/またはゲルマニウムを含む、前記〔11〕に記載のモレキュラーシーブ。
〔１５〕有機化合物を含む供給原料を転化生成物に転化する方法であって、該方法が、有機化合物転化条件で、該供給原料を、活性形態の前記〔1〕〜〔14〕の何れかに記載のモレキュラーシーブ材料を含む触媒と接触させて、該転化生成物を形成する工程を含む方法。